(57)【要約】【課題】本発明は、コモンモードチョークコイルやトランスの主要部品等として用いられるコイル部品及びその製造方法に関し、ディファレンシャル伝送特性に優れる小型・低背のコイル部品及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】コモンモードチョークコイル１は、対向配置された磁性基板３、５間に絶縁膜７ａ、コイル導体９、絶縁膜７ｂ、コイル導体１１及び絶縁膜７ｃがこの順に積層された構成を有している。コイル導体９、１１のコイル断面の形状は全体的に見ると台形状になっており、コイル断面上部は中央部が突出する凸状に形成され、コイル断面底部は平坦な形状に形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性基板上に形成された第１のコイル導体と、
前記第１のコイル導体の直上に絶縁膜を介して形成され、コイル断面底部の幅が前記第１のコイル導体のコイル断面上部の幅と異なる第２のコイル導体と
を有することを特徴とするコイル部品。
【請求項２】
請求項１記載のコイル部品であって、
前記第１のコイル導体は、前記コイル断面上部の中央が凸形状であることを特徴とするコイル部品。
【請求項３】
請求項１記載のコイル部品であって、
前記第１のコイル導体は、前記コイル断面上部が平坦な形状であることを特徴とするコイル部品。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載のコイル部品であって、
前記第２のコイル導体は、前記コイル断面底部が平坦な形状であることを特徴とするコイル部品。
【請求項５】
磁性基板上に第１のコイル導体を形成し、
前記第１のコイル導体上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に、コイル断面底部の幅が前記第１のコイル導体のコイル断面上部の幅と異なる第２のコイル導体を形成すること
を特徴とするコイル部品の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載のコイル部品の製造方法であって、
前記第１及び第２のコイル導体をフレームメッキ法で形成することを特徴とするコイル部品の製造方法。
【請求項７】
請求項５又は６に記載のコイル部品の製造方法であって、
前記コイル断面に平行な面内で所定の角度に傾斜した側面を有するレジストフレームを形成し、前記レジストフレーム間に前記第１又は第２のコイル導体の少なくとも一方を形成することを特徴とするコイル部品の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載のコイル部品の製造方法であって、
前記所定の角度は、５乃至３０°であることを特徴とするコイル部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コモンモードチョークコイルやトランスの主要部品等として用いられるコイル部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
パーソナルコンピュータや携帯電話機等の電子機器の小型化に伴い、電子機器の内部回路に実装されるコイルやコンデンサ等の電子部品には小型化及び部品厚の薄型化（低背化）が求められている。
【０００３】
しかしながら、フェライトコアに銅線等を巻回した巻線型のコイルは構造上の制約から小型化が困難であるという問題を有している。そこで、小型化、低背化の可能なチップ型のコイル部品の研究開発が進められている。チップ型のコイル部品として、フェライト等の磁性体シート表面にコイル導体パターンを形成して当該磁性シートを積層した積層型のコイル部品や、薄膜形成技術を用いて絶縁膜と金属薄膜のコイル導体とを交互に形成した薄膜型のコイル部品が知られている。
【０００４】
特許文献１乃至３には、薄膜型のコイル部品としてのコモンモードチョークコイルが開示されている。図１０は、コイル導体５９、６１の中心軸を含む平面で切断したコモンモードチョークコイル５１の断面図である。図１０に示すように、コモンモードチョークコイル５１は、対向配置されたフェライト基板（磁性基板）５３、５５間に絶縁膜を積層して形成した絶縁層５７を有している。絶縁層５７中には、絶縁膜を介して対向配置され、スパイラル状に形成されたコイル導体５９、６１が埋め込まれている。絶縁層５７とコイル導体５９、６１とは薄膜形成技術で順次形成されている。
【０００５】
スパイラル状のコイル導体５９、６１の内周側には絶縁層５７を除去して開口部６３が形成されている。コイル導体５９、６１の外周側には絶縁層５７を除去して開口部６５が形成されている。また、開口部６３、６５を埋め込んで磁性層６７が形成されている。さらに、磁性層６７及び絶縁層５７上には接着層６９が形成され、磁性基板５５が接着されている。
【０００６】
コイル導体５９、６１を通電することにより、コイル導体５９、６１の中心軸を含む断面において、磁性基板５３、開口部６３の磁性層６７、接着層６９、磁性基板５５、接着層６９及び開口部６５の磁性層６７を通る磁路Ｍが形成される。接着層６９は非磁性であるが数μｍ程度の薄膜なので、この部分で磁力線の漏洩は殆ど発生せず、磁路Ｍはほぼ閉磁路と看做すことができる。
【０００７】
コモンモードチョークコイル５１のディファレンシャル伝送（平衡伝送）特性を向上させるためには、コイル導体５９、６１間に生じるキャパシタンス（浮遊容量）Ｃを小さくすることが求められる。キャパシタンスＣはコイル導体５９、６１のインダクタンスに並列に寄生する。このため、比較的大きなキャパシタンスＣが生じると、コモンモードチョークコイル５１のインピーダンスは高周波帯域においてキャパシタンスＣが支配的になる。キャパシタンスＣによるインピーダンスは周波数に反比例するので、コモンモードチョークコイル５１のインピーダンスは低下して、ディファレンシャル伝送特性が劣化してしまう。
【０００８】
ここで、コイル導体５９、６１の層間距離をｄとし、対向面積をＳとし、コイル導体５９、６１間の誘電率（絶縁層７の誘電率）をεとすると、コイル導体５９、６１間のキャパシタンスＣはＣ＝ε×（Ｓ／ｄ）で表すことができる。コイル導体５９、６１のコイル断面は矩形状に形成されているので、コイル導体５９、６１の対向面積Ｓは比較的大きくなる。さらに、コモンモードチョークコイル５１を低背化したり、所定のコモンモードフィルタ特性を確保したりするために、コイル導体５９、６１の層間距離ｄは非常に短く形成されている。このため、コイル導体５９、６１間には比較的大きなキャパシタンスＣが発生し、ディファレンシャル伝送特性が劣化してしまう。
【０００９】
また、特許文献４では、対向配置され、角部を丸く形成したコイル断面形状を有する一組のコイルが開示されている。コイル導体５９、６１のようにコイル断面が矩形状のコイルに比べてコイル断面の角部が丸く形成されている当該コイルでは、最短の層間距離で対向する面積が小さくなるので、上下コイル間のキャパシタンスは若干小さくなる。しかし、コイル断面の角部が丸く形成されていても、上下コイルが最短の層間距離で対向する平面部の面積は比較的大きいので、ディファレンシャル伝送特性を十分に向上させることはできない。
【００１０】
特許文献５乃至７には、薄膜磁気ヘッドにおける対向配置された一組のコイルの断面形状が開示されている。当該コイルの断面は対向面が湾曲していたり、台形状に形成されたりしている。しかし、このような断面形状は薄膜磁気ヘッドの磁極の磁路長を短くする効果等を目的としているため、上下のコイルの導体部は互いの導体部間に配置されており、直列・並列等の上下のコイル同士の配線の違いも含め、コモンモードチョークコイル５１とは根本的に構造が異なっている。
【特許文献１】特開２００３−１３３１３５号公報
【特許文献２】特開平１１−５４３２６号公報
【特許文献３】特願２００３−３０７３７２号公報
【特許文献４】特許第２０１１３７２号
【特許文献５】特許第２６７７４１５号
【特許文献６】特開２０００−１８２２１３号公報
【特許文献７】特許第３０８６２１２号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
コモンモードチョークコイル５１を低背化したり、所定のコモンモードフィルタ特性を確保したりするためには、コイル導体５９、６１の層間距離ｄを短くしなければならない。このため、コイル導体５９、６１間に比較的大きなキャパシタンスＣが発生して、ディファレンシャル伝送特性を十分に向上させ難い問題を有している。
【００１２】
本発明の目的は、ディファレンシャル伝送特性に優れる小型・低背のコイル部品及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的は、磁性基板上に形成された第１のコイル導体と、前記第１のコイル導体の直上に絶縁膜を介して形成され、コイル断面底部の幅が前記第１のコイル導体のコイル断面上部の幅と異なる第２のコイル導体とを有することを特徴とするコイル部品によって達成される。
【００１４】
上記本発明のコイル部品であって、前記第１のコイル導体は、前記コイル断面上部の中央が凸形状であることを特徴とする。
【００１５】
上記本発明のコイル部品であって、前記第１のコイル導体は、前記コイル断面上部が平坦な形状であることを特徴とする。
【００１６】
上記本発明のコイル部品であって、前記第２のコイル導体は、前記コイル断面底部が平坦な形状であることを特徴とする。
【００１７】
また、上記目的は、磁性基板上に第１のコイル導体を形成し、前記第１のコイル導体上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に、コイル断面底部の幅が前記第１のコイル導体のコイル断面上部の幅と異なる第２のコイル導体を形成することを特徴とするコイル部品の製造方法によって達成される。
【００１８】
上記本発明のコイル部品の製造方法であって、前記第１及び第２のコイル導体をフレームメッキ法で形成することを特徴とする。
【００１９】
上記本発明のコイル部品の製造方法であって、前記コイル断面に平行な面内で所定の角度に傾斜した側面を有するレジストフレームを形成し、前記レジストフレーム間に前記第１又は第２のコイル導体の少なくとも一方を形成することを特徴とする。
【００２０】
上記本発明のコイル部品の製造方法であって、前記所定の角度は、５乃至３０°であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、ディファレンシャル伝送特性に優れる小型・低背のコイル部品を製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明の一実施の形態によるコイル部品及びその製造方法について図１乃至図９を用いて説明する。本実施の形態では、コイル部品として、平衡伝送方式における電磁妨害の原因となるコモンモード電流を抑制するコモンモードチョークコイルを例にとって説明する。まず、コモンモードチョークコイル１の構成について図１を用いて説明する。図１は、コイル導体９、１１の中心軸を含む平面で切断したコモンモードチョークコイル１の断面を示している。
【００２３】
図１に示すように、本実施の形態のコモンモードチョークコイル１は、フェライトで形成された磁性基板３上にポリイミド樹脂で形成された絶縁膜７ａ、導電性材料で形成されたスパイラル状のコイル導体（第１のコイル導体）９、ポリイミド樹脂で形成された絶縁膜７ｂ、導電性材料で形成されたスパイラル状のコイル導体（第２のコイル導体）１１、ポリイミド樹脂で形成された絶縁膜７ｃがこの順に積層された構成を有している。このように、コイル導体９、１１は絶縁膜７ａ〜７ｃからなる絶縁層７中に埋め込まれている。
【００２４】
コイル導体１１は絶縁膜７ｂを挟んでコイル導体９の直上に対向配置されている。コイル導体９、１１の電流が流れる方向に直交する面（コイル断面）の形状は全体的に見ると台形状になっており、コイル断面上部は中央部が突出する凸状に形成され、コイル断面底部は平坦な形状に形成されている。また、コイル断面上部の幅はコイル断面底部の幅より長く形成されている。このため、コイル導体９、１１の層間距離は、コイル導体９のコイル断面上部の凸部で最短になり、凸部から両側に向かって徐々に長くなる。これにより、コイル導体９、１１間に生じるキャパシタンス（浮遊容量）は小さくなり、ディファレンシャル伝送（平衡伝送）特性が向上する。
【００２５】
コイル導体９、１１の内周側には絶縁層７を除去して開口部１３が形成されている。コイル導体９、１１の外周側には絶縁層７を除去して開口部１５が形成されている。また、コイル導体９とコイル導体１１との相互間の磁気結合度を改善すると共にコモンインピーダンスを増加させてインピーダンス特性を向上させるために、開口部１３、１５を埋め込んで磁性層１７が形成されている。磁性層１７は、ポリイミド樹脂にフェライトの磁粉を混入した複合フェライトで形成されている。さらに、磁性層１７及び絶縁膜９ｃ上には接着層１９が形成され、フェライトで形成された磁性基板５が接着されている。
【００２６】
次に、本実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の動作について説明する。コイル導体９、１１を通電することにより、図１に示すように、コイル導体９、１１の中心軸を含む断面において、磁性基板３、開口部１３の磁性層１７、接着層１９、磁性基板５、接着層１９、開口部１５の磁性層１７をこの順（又は逆順）に通る磁路Ｍが形成される。接着層１９は非磁性であるが数μｍ程度の薄膜なので、この部分で磁力線の漏洩は殆ど発生せず、磁路Ｍはほぼ閉磁路と看做すことができる。
【００２７】
次に、コイル断面形状とコイル導体間のキャパシタンスとの関係について図２を用いて説明する。図２は、３種類のコイル断面の形状を示している。図２（ａ）は、本実施の形態のコイル断面を示し、図２（ｂ）は、後程説明する本実施の形態の第２の変形例の台形状に形成したコイル断面を示し、図２（ｃ）は、従来の矩形状に形成したコイル断面を示している。図２では抵抗値を同一にするために、３種類のコイル断面は同一の断面積を有している。
【００２８】
図２（ｂ）に示すように、コイル導体９、１１のコイル断面は、コイル断面上部の幅がＷ１、コイル断面底部の幅がＷ２（Ｗ２＜Ｗ１）の台形状であるため、層間距離ｄで対向する導体幅はＷ２となる。ここで、図面法線方向のコイル導体９、１１の長さをＬとし、コイル導体９、１１間の誘電率をεとすると、コイル導体９、１１間のキャパシタンスＣ’は、Ｃ’＝（ε×Ｌ／ｄ）×Ｗ２と表すことができる。
【００２９】
これに対して、図２（ｃ）に示すように、従来のコイル導体５９、６１のコイル断面は矩形状であるため、層間距離ｄで対向する導体幅はＷ１になる。ここで、図面法線方向のコイル導体５９、６１の長さをＬとし、コイル導体５９、６１間の誘電率をεとすると、コイル導体５９、６１間のキャパシタンスＣは、Ｃ＝（ε×Ｌ／ｄ）×Ｗ１と表すことができる。
【００３０】
このように、コイル導体間のキャパシタンスは層間距離ｄで対向する導体幅に比例するので、コイル導体９、１１のコイル断面を台形状にすることにより、キャパシタンスは小さくなる。例えば、Ｗ１＝１０３．５、Ｗ２＝５３．６、ｄ＝５０とすると、キャパシタンスの比Ｃ’／Ｃは、Ｃ’／Ｃ＝０．７７７／１．７８６となり、コイル断面を台形状にすることにより、キャパシタンスを約５７％低減することができる。また、図２（ａ）に示すように、コイル断面上部の形状を凸状にすると、層間距離ｄで対向する幅は凸部の頂点のみになり、コイル導体９、１１の層間距離は凸部から両側に向かって徐々に長くなる。これにより、当該コイル断面で生じるキャパシタンスは台形状のキャパシタンスＣ’よりさらに小さくなって、ディファレンシャル伝送特性が一層向上する。
【００３１】
このように、コイル導体９、１１の層間距離ｄを短くしても、上部が凸状に突出したほぼ台形状にコイル導体９、１１のコイル断面を形成することにより、コイル間に生じるキャパシタンスＣ’を小さくすることができる。これにより、コモンモードチョークコイル１は高周波信号に対しても十分なインピーダンスを有し、ディファレンシャル伝送特性が向上し、さらに小型化・低背化を図ることができる。
【００３２】
次に、本実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造方法について図３乃至図６を用いて説明する。図３乃至図６は、コイル導体９、１１の中心軸を含む平面で切断したコモンモードチョークコイル１の製造工程断面図である。なお、図１に示したコモンモードチョークコイル１の構成要素と同一の作用・機能を奏する構成要素には同一の符号を付してその説明は省略する。
【００３３】
まず、図３（ａ）に示すように、フェライトで形成された磁性基板３上に厚さ７〜８μｍのポリイミド樹脂を塗布してパターニングし、絶縁膜７ａを形成する。絶縁膜７ａは開口部１３、１５を開口して形成される。次に、フレームメッキ法を用いて、コイル導体９を形成する。フレームメッキ法は、レジスト層をパターニングして形成した型（フレーム）を用いてメッキ膜を形成する方法である。
【００３４】
図３（ｂ）に示すように、全面にスパッタリング法や蒸着法を用いて電極膜９ａを成膜する。電極膜９ａの下層に絶縁膜７ａとの密着性を高めるための、例えば、膜厚５０ｎｍのクロム（Ｃｒ）膜及び膜厚１００ｎｍのチタン（Ｔｉ）膜の２層の接着層を形成してもよい。電極膜９ａは、導電性のある材料であれば問題ないが、できればメッキされる金属材料と同一材料を用いることが望ましい。
【００３５】
次に、図３（ｃ）に示すように、全面にポジ型レジストを塗布してレジスト層２１ａを形成し、必要に応じてレジスト層２１ａのプリベーク処理を行う。次いで、コイル導体９のパターンが描画されたマスク２３を介して露光光を照射して、レジスト層２１ａを露光する。後程説明するように、レジストフレーム２１ｂの側面がコイル断面に平行な面内で所定の角度に傾斜するように、例えば露光条件を最適化して、レジスト層２１ａを露光する。
【００３６】
次に、必要に応じて熱処理後、アルカリ現像液で現像する。アルカリ現像液としては、例えば、所定濃度のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）が用いられる。次に、現像工程から引き続いて洗浄工程に移る。レジスト層２１ａ中の現像液を純水等の洗浄液で洗浄し、レジスト層２１ａの現像溶解反応を停止させて、図３（ｄ）に示すように、コイル導体９の形状にパターニングされたレジストフレーム２１ｂが形成される。ここで、磁性基板３平面の法線方向を０°とし、レジストフレーム２１ｂ側面が磁性基板３平面と反対側に向く方向（図中上向き）をプラスとすると、レジストフレーム２１ｂは側面を５乃至３０°（本実施の形態では約３０°）傾斜させて形成される。
【００３７】
洗浄が終了すると、洗浄液を振り切って乾燥させる。必要であれば磁性基板３を加熱して洗浄液を乾燥させてもよい。次に、磁性基板３をメッキ槽中のメッキ液に浸漬して、レジストフレーム２１ｂを型にしてメッキ処理を行い、図４（ａ）に示すように、レジストフレーム２１ｂ間にメッキ膜９ｂを形成する。メッキ膜９ｂ断面は上部中央が凸状に突出したほぼ台形状になる。次いで、図４（ｂ）に示すように、必要に応じて水洗し乾燥させてからレジストフレーム２１ｂを有機溶剤を用いて電極膜９ａから剥離する。次いで、図４（ｃ）に示すように、メッキ膜９ｂをマスクにして電極膜９ａをドライエッチング（イオンミリングや反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等）やウエットエッチングにより除去する。こうして、電極膜９ａ及びメッキ膜９ｂからなるコイル断面がほぼ台形状のコイル導体９が形成される。また、電極膜９ａのドライエッチングにより、開口部１３、１５には磁性基板３が露出する。
【００３８】
フレームメッキ法によりコイル導体９が形成されたら、次に、図５（ａ）に示すように、全面にポリイミド樹脂を塗布してパターニングし、絶縁膜７ｂを形成して硬化する。絶縁膜７ｂは上面がほぼ平坦な形状で、且つ開口部１３、１５を開口して形成される。次に、絶縁膜７ｂ上にフレームメッキ法を用いて、コイル導体１１を形成する。図５（ｂ）に示すように、全面に電極膜１１ａを形成する。次いで、全面にポジ型レジストを塗布して、コイル導体１１のパターンが描画されたマスク（不図示）を用いてパターニングし、コイル導体１１の形状がパターニングされたレジストフレーム２５を形成する。レジストフレーム２１ｂと同様に、レジストフレーム２５は側面を５乃至３０°（本実施の形態では約３０°）傾斜させて形成される。また、絶縁膜７ｂを介してコイル導体９の直上にコイル導体１１が形成されるように、レジストフレーム２５は、コイル導体９の隣接導体間と、開口部１３、１５とに形成される。
【００３９】
次に、図５（ｃ）に示すように、磁性基板３をメッキ槽中のメッキ液に浸漬して、レジストフレーム２５を型にしてメッキ処理を行い、レジストフレーム２５間にメッキ膜１１ｂを形成する。絶縁膜７ｂ上面は平坦形状であり、レジストフレーム２５側面は傾斜しているので、メッキ膜１１ｂ断面は上部中央が凸状に突出したほぼ台形状になる。次いで、図６（ａ）に示すように、レジストフレーム２５を有機溶剤を用いて電極膜１１ａから剥離し、次いで、メッキ膜１１ｂをマスクにして電極膜１１ａをドライエッチングやウエットエッチングにより除去する。こうして、電極膜１１ａ及びメッキ膜１１ｂからなるコイル断面がほぼ台形状のコイル導体１１が形成される。コイル導体９のコイル断面上部は凸状であり、コイル導体１１のコイル断面底部は平坦且つ短いので、コイル導体９、１１間の最短距離で対向する導体面は小さくなる。また、電極膜１１ａのドライエッチングにより、開口部１３、１５には磁性基板３が露出する。
【００４０】
次に、図６（ｂ）に示すように、全面にポリイミド樹脂を塗布してパターニングし、絶縁膜７ｃを形成して硬化する。絶縁膜７ｃは開口部１３、１５を開口して形成される。こうして、コイル導体９、１１が埋め込まれた絶縁膜７ａ〜７ｃからなる絶縁層７が形成される。
【００４１】
次に、図示は省略するが、ポリイミド樹脂にフェライトの磁粉を混入した複合フェライトを開口部１３、１５に埋め込んだ磁性層１７を形成する。次に、開口部１３、１５の磁性層１７上及び絶縁膜７ｃ上に接着剤を塗布して接着層１９を形成する。次いで、磁性基板５を接着層１９に固着する。
【００４２】
次に、コイル導体９、１１に接続される外部電極（不図示）を磁性基板３、５の対向側面上に、基板面にほぼ直角で且つ磁性基板３、５間を横切って形成する。こうして、図１に示すコモンモードチョークコイル１が完成する。
【００４３】
以上説明したように、本実施の形態のコモンモードチョークコイル１の製造方法によれば、側面が所定の角度に傾斜したレジストフレーム２１ｂ、２５を用いることにより、上部中央が凸状に突出したほぼ台形状のコイル断面を有するコイル導体９、１１を形成することができる。これにより、コイル導体９、１１の層間距離ｄを短くし、さらに層間距離ｄで対向する導体面は小さくなるので、コイル導体９、１１間に生じるキャパシタンスＣ’が減少し、ディファレンシャル伝送特性に優れたコモンモードチョークコイル１を形成することができる。
【００４４】
次に、本実施の形態の第１の変形例について図７を用いて説明する。上記実施の形態のコイル部品及びその製造方法では、コイル導体９、１１は上部中央が凸状に突出したほぼ台形状のコイル断面を備えている。これに対し、本変形例では、コイル導体９、１１は上部中央が凸状に突出したほぼ矩形状のコイル断面を備えている点に特徴を有している。図７は、コイル導体９、１１の中心軸を含む平面で切断したコモンモードチョークコイル１の断面を示している。
【００４５】
図７に示すように、コイル導体９のコイル断面の上部は中央が凸状に突出して湾曲した形状に形成されている。これに対して、コイル導体１１のコイル断面底部は平坦な形状に形成されている。従って、コイル導体９、１１は最短の層間距離で対向する導体面は小さくなるので、同様の効果が得られる。
【００４６】
次に、本実施の形態の第２の変形例について図８を用いて説明する。上記実施の形態のコイル部品及びその製造方法では、コイル導体９、１１は上部中央が凸状に突出したほぼ台形状のコイル断面を備えている。これに対し、本変形例では、コイル導体９、１１は台形状のコイル断面を備えている点に特徴を有している。図８は、コイル導体９、１１の中心軸を含む平面で切断したコモンモードチョークコイル１の断面を示している。
【００４７】
図８に示すように、コイル導体９、１１のコイル断面の上部の幅は底部の幅より長く形成されている。また、コイル導体９、１１のコイル断面上部及び底部は何れも平坦な形状に形成されている。コイル導体９、１１のコイル断面上部は化学的機械研磨法（ＣＭＰ法）を用いたり、メッキ槽中のメッキ液に所定の添加剤を添加したりすることにより平坦化することができる。図２（ｂ）を用いて説明したように、コイル断面が台形状のコイル導体９、１１は層間距離ｄで対向する導体面が小さくなるので、同様の効果が得られる。
【００４８】
次に、本実施の形態の第３の変形例について図９を用いて説明する。上記実施の形態のコイル部品及びその製造方法では、コイル導体９、１１は上部中央が凸状に突出したほぼ台形状のコイル断面を備えている。これに対し、本変形例では、コイル導体９、１１は第２の変形例とは逆向きの台形状のコイル断面を備えている点に特徴を有している。図９は、コイル導体９、１１の中心軸を含む平面で切断したコモンモードチョークコイル１の断面を示している。
【００４９】
図９に示すように、コイル導体９、１１のコイル断面の上部の幅は底部の幅より短く形成されている。ネガ型のレジストを用いて露光条件等を最適化することにより、磁性基板３平面側に傾斜した側面を有するレジストフレームを形成することができる。これにより、コイル導体９、１１のコイル断面を底部の長さより上部の長さが短い台形状にすることができる。また、第２の変形例と同様の方法により、コイル導体９、１１のコイル断面上部は平坦な形状に形成されている。コイル導体９のコイル断面上部はコイル導体１１のコイル断面底部と対向し、最短の層間距離で対向する導体面は小さいので、同様の効果が得られる。
【００５０】
本発明は、上記実施の形態に限らず種々の変形が可能である。
上記実施の形態及び第１乃至第３の変形例では、コイル導体９、１１のコイル断面は同一形状に形成されているが、本発明はこれに限られない。コイル導体９、１１の各抵抗値が所定の値より小さくなり、コイル導体９、１１の導体部同士が対面し、コイル導体９の上部の幅とコイル導体１１の底部の幅とが異なる長さに形成されていれば、コイル導体９、１１のコイル断面の形状は異なっていてもよい。
【００５１】
例えば、上記実施の形態及び第１の変形例で示したように、コイル導体１１の上部は凸状ではなく平坦形状でもよい。また、上記実施の形態及び第２の変形例で示したように、コイル導体９の底部は短くしなくてもよい。この場合も、上記実施の形態と同様の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の一実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造工程断面図である。
【図３】本発明の一実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造工程断面図である。
【図４】本発明の一実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造工程断面図である。
【図５】本発明の一実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造工程断面図である。
【図６】本発明の一実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の製造工程断面図である。
【図７】本発明の一実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の第１の変形例であって、コイル導体９、１１の中心軸を含む平面で切断した断面図である。
【図８】本発明の一実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の第２の変形例であって、コイル導体９、１１の中心軸を含む平面で切断した断面図である。
【図９】本発明の一実施の形態によるコモンモードチョークコイル１の第３の変形例であって、コイル導体９、１１の中心軸を含む平面で切断した断面図である。
【図１０】従来のコモンモードチョークコイル５１の断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１  コモンモードチョークコイル
３、５、５３、５５  磁性基板
７、５７  絶縁層
７ａ、７ｂ、７ｃ  絶縁膜
９、１１、５９、６１  コイル導体
１３、１５、６３、６５  開口部
１７、６７  磁性層
１９、６９  接着層
９ａ、１１ａ  電極膜
２１ａ  レジスト層
２３  マスク
２１ｂ、２５  レジストフレーム
９ｂ、１１ｂ  メッキ膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
2005243807.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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