(57)【要約】【課題】添加成分の偏析が起こりにくく、良好な温度特性を確保できる、積層セラミックコンデンサの製造に適した誘電体セラミック原料粉末を提供する。【解決手段】一般式ＡＢＯ３  で表される組成を有する誘電体セラミックのための１次原料粉末を粉砕処理して、２次原料粉末を得る。この粉砕処理工程は、３〜９ｍ／秒の周速で回転する攪拌体が内蔵されたミル内において、充填率が７０〜９５体積％になるように充填された粒径０．５ｍｍ以下の玉石とともに、１次原料粉末を攪拌することによって実施される。このとき、Ｘ線回折分析における（２００）面の回折ピーク強度をＨ１とし、（００２）面の回折ピークと（２００）面の回折ピーク間に見られる回折強度の極小値をＨ２としたとき、２次原料粉末は、１次原料粉末に比べて、Ｈ１／Ｈ２比が１０％以上減少し、比表面積が１０〜５０％増加するように粉砕条件を設定する。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式ＡＢＯ３  （ただし、Ａは、Ｂａ、Ｃａ、ＳｒおよびＭｇのうちの少なくとも１種であり、Ｂは、Ｔｉ、ＺｒおよびＨｆのうちの少なくとも１種である。）で表される組成を有する誘電体セラミックのための１次原料粉末を用意する工程と、
前記１次原料粉末を粉砕処理し、それによって、２次原料粉末を得る工程とを備え、
前記粉砕処理工程は、３〜９ｍ／秒の周速で回転する攪拌体が内蔵されたミル内において、前記ミルの有効内容積に対する充填率が７０〜９５体積％になるように充填された粒径０．５ｍｍ以下の玉石とともに、前記１次原料粉末を攪拌することによって実施され、
前記１次原料粉末および前記２次原料粉末の各々についてのＸ線回折分析における（２００）面の回折ピーク強度をＨ１とし、同じくＸ線回折分析における（００２）面の回折ピークと（２００）面の回折ピーク間に見られる回折強度の極小値をＨ２としたとき、前記粉砕処理工程によって、前記２次原料粉末は、前記１次原料粉末に比べて、Ｈ１／Ｈ２比が１０％以上減少するとともに、比表面積が１０〜５０％増加するように、粉砕条件が設定される、
誘電体セラミック原料粉末の製造方法。
【請求項２】
前記１次原料粉末についてのＨ１／Ｈ２比は３〜１５の範囲にあり、前記１次原料粉末の比表面積は１〜６ｍ２  ／ｇの範囲にある、請求項１に記載の誘電体セラミック原料粉末の製造方法。
【請求項３】
前記一般式ＡＢＯ３  で表される組成を有する誘電体セラミックは、ＢａＴｉＯ３  系または（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ３  系誘電体セラミックである、請求項１または２に記載の誘電体セラミック原料粉末の製造方法。
【請求項４】
前記２次原料粉末に、特性調整のための元素を添加する工程をさらに備える、請求項１ないし３のいずれかに記載の誘電体セラミック原料粉末の製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の製造方法によって得られた、誘電体セラミック原料粉末。
【請求項６】
複数のセラミック層および前記セラミック層間に形成された内部電極をもって構成された積層体と、前記積層体の外表面上に形成された外部電極とを備え、前記内部電極と前記外部電極とが電気的に接続されている、積層セラミックコンデンサであって、前記セラミック層が請求項５に記載の誘電体セラミック原料粉末を含む粉末の焼結体からなる、積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、誘電体セラミック原料粉末の製造方法、この製造方法によって得られた誘電体セラミック原料粉末、およびこの誘電体セラミック原料粉末を用いて構成される積層セラミックコンデンサに関するもので、特に、誘電体セラミック原料粉末を得るための粉砕処理条件についての改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
積層セラミックコンデンサにおける誘電体となるセラミック層を構成するため、たとえばＢａＴｉＯ３  系または（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ３  系誘電体セラミックが用いられている。
【０００３】
このような誘電体セラミックのための原料粉末において、凝集粒子や粗粒が存在すると、これを用いて積層セラミックコンデンサを作製した際に、積層セラミックコンデンサの信頼性が低下するという問題がある。また、結晶性が高い原料粉末を用いると、添加成分の固溶が円滑に進まず、焼結後において添加成分が偏析し、この場合においても、積層セラミックコンデンサの信頼性が低下するという問題がある。
【０００４】
特開２００１−３４５２３０号公報（特許文献１）では、ＢａＴｉＯ３  系誘電体セラミックの原料粉末として、Ｘ線回折分析において、（００２）面の回折線のピーク点の角度と（２００）面の回折線のピーク点の角度との中間点における強度（Ｉｂ）に対する、（２００）面の回折線のピーク強度（Ｉ（２００）  ）の比Ｉ（２００）  ／Ｉｂが、４〜１６であるものを用いることが記載されている。また、この特許文献１では、原料粉末の比表面積が１．０〜８．０ｍ２  ／ｇであることが好ましいとされ、また、このような原料粉末を作製するため、湿式粉砕を行なっている。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００１−３４５２３０号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献１には、粉砕の結果としての原料粉末の結晶性および比表面積が開示されているが、このような好ましい結晶性および比表面積を得るための粉砕条件については、特に規定されていない。
【０００７】
また、原料粉末を予め粉砕することによって、原料粉末の凝集粒子や粗粒をなくすことができるが、得られた誘電体セラミック焼結体の温度特性を確保できないことがある。
【０００８】
そこで、得られた誘電体セラミック焼結体の信頼性が高くかつ温度特性を確保することが可能な好ましい結晶性および比表面積を有する誘電体セラミック原料粉末を安定して得ることができる粉砕条件を規定できることが望まれる。
【０００９】
この発明の目的は、上述のような要望を満たし得る粉砕条件が規定された、誘電体セラミック原料粉末の製造方法を提供しようとすることである。
【００１０】
この発明の他の目的は、上述したような製造方法によって得られた誘電体セラミック原料粉末、およびこの誘電体セラミック原料粉末を用いて構成される積層セラミックコンデンサを提供しようとすることである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る誘電体セラミック原料粉末の製造方法は、一般式ＡＢＯ３  （ただし、Ａは、Ｂａ、Ｃａ、ＳｒおよびＭｇのうちの少なくとも１種であり、Ｂは、Ｔｉ、ＺｒおよびＨｆのうちの少なくとも１種である。）で表される組成を有する誘電体セラミックのための１次原料粉末を用意する工程と、１次原料粉末を粉砕処理し、それによって、２次原料粉末を得る工程とを備えている。
【００１２】
そして、上述した技術的課題を解決するため、粉砕処理工程は、３〜９ｍ／秒の周速で回転する攪拌体が内蔵されたミル内において、ミルの有効内容積に対する充填率が７０〜９５体積％になるように充填された粒径０．５ｍｍ以下の玉石とともに、１次原料粉末を攪拌することによって実施されることを特徴としている。
【００１３】
また、１次原料粉末および２次原料粉末の各々についてのＸ線回折分析における（２００）面の回折ピーク強度をＨ１とし、同じくＸ線回折分析における（００２）面の回折ピークと（２００）面の回折ピーク間に見られる回折強度の極小値をＨ２としたとき、粉砕処理工程によって、２次原料粉末は、１次原料粉末に比べて、Ｈ１／Ｈ２比が１０％以上減少するとともに、比表面積が１０〜５０％増加するように、粉砕処理工程での粉砕条件が設定されることを特徴としている。
【００１４】
１次原料粉末についてのＨ１／Ｈ２比は３〜１５の範囲にあり、１次原料粉末の比表面積は１〜６ｍ２  ／ｇの範囲にあることが好ましい。
【００１５】
前述の一般式ＡＢＯ３  で表される組成を有する誘電体セラミックは、ＢａＴｉＯ３  系または（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ３  系誘電体セラミックであることが好ましい。
【００１６】
得ようとする誘電体セラミック原料粉末が、特性調整のための元素を含む場合、このような特性調整用元素は、２次原料粉末に添加されることが好ましい。
【００１７】
この発明は、また、上述のような製造方法によって得られた、誘電体セラミック原料粉末にも向けられる。
【００１８】
さらに、この発明は、複数のセラミック層およびセラミック層間に形成された内部電極をもって構成された積層体と、積層体の外表面上に形成された外部電極とを備え、内部電極と外部電極とが電気的に接続されている、積層セラミックコンデンサにも向けられる。この発明に係る積層セラミックコンデンサは、上記セラミック層がこの発明に係る誘電体セラミック原料粉末を含む粉末の焼結体からなることを特徴としている。
【００１９】
【発明の実施の形態】
図１は、この発明の一実施形態による積層セラミックコンデンサ１を図解的に示す断面図である。
【００２０】
積層セラミックコンデンサ１は、積層体２を備えている。積層体２は、積層された複数のセラミック層３と、複数のセラミック層３間の特定の界面に沿ってそれぞれ形成される複数の内部電極４および５とをもって構成される。内部電極４および５は、積層体２の外表面にまで到達するように形成されるが、積層体２の一方の端面６にまで引き出される内部電極４と他方の端面７にまで引き出される内部電極５とが、積層体２の内部において交互に配置されている。
【００２１】
積層体２の外表面上であって、端面６および７上には、たとえば導電性ペーストを塗布し、次いで焼き付けることによって、外部電極８および９がそれぞれ形成されている。また、外部電極８および９上には、必要に応じて、第１のめっき層１０および１１がそれぞれ形成され、さらにその上には、第２のめっき層１２および１３がそれぞれ形成されている。
【００２２】
このようにして、積層セラミックコンデンサ１において、複数の内部電極４および５は、積層体２の積層方向に互いに重なり合った状態で形成され、それによって、隣り合う内部電極４および５間で静電容量を形成する。また、内部電極と外部電極８とが電気的に接続されるとともに、内部電極５と外部電極９とが電気的に接続され、それによって、これら外部電極８および９を介して、上述の静電容量が取り出される。
【００２３】
セラミック層３は、この発明による製造方法によって製造された誘電体セラミック原料粉末を含む粉末の焼結体から構成される。ここで、誘電体セラミック原料粉末は、次のようにして製造される。
【００２４】
まず、一般式ＡＢＯ３  （ただし、Ａは、Ｂａ、Ｃａ、ＳｒおよびＭｇのうちの少なくとも１種であり、Ｂは、Ｔｉ、ＺｒおよびＨｆのうちの少なくとも１種である。）で表される組成を有する誘電体セラミックのための１次原料粉末が用意される。
【００２５】
１次原料粉末を得るため、たとえば固相反応法によってＡＢＯ３  が合成される場合には、出発原料粉末の調合工程、均一混合工程、乾燥工程、熱処理工程および粉砕工程が順次実施される。ＡＢＯ３  を合成するため、固相反応法のほか、水熱合成法や加水分解法などが用いられてもよい。
【００２６】
上記１次原料粉末は、次いで、湿式粉砕処理される。この発明では、積層セラミックコンデンサ１を得るために実施される焼成工程が、１次原料粉末に対して実施されるのではなく、１次原料粉末を粉砕処理して得られた２次原料粉末に対して実施されることを特徴としている。
【００２７】
２次原料粉末を得るための粉砕処理工程は、回転するディスク、ロータまたはピンなどの攪拌体が内蔵されたミル内において、玉石とともに、１次原料粉末を攪拌することによって実施される。ミル内において、攪拌体は、玉石を強制的に振動させ、それによって、１次原料粉末に対して、分散および粉砕作用を及ぼす。
【００２８】
粉砕処理工程において、攪拌体は、３〜９ｍ／秒の周速で回転される。ここで、周速とは、ディスク、ロータまたはピンのような攪拌体の最外周の速度を言う。
【００２９】
また、玉石としては、粒径０．５ｍｍ以下のものが用いられ、また、玉石は、ミルの有効内容積に対する充填率が７０〜９５体積％になるように充填される。ここで、玉石の充填率とは、複数個の玉石をミル内に入れたとき、複数個の玉石が全体として占める体積、すなわち、玉石間には隙間が存在するが、自然に置かれた玉石の集合体の外表面が占める体積を、ミルの有効内容積によって除した数値を言う。
【００３０】
上述のように、１次原料粉末を粉砕処理して２次原料粉末を得た場合、１次原料粉末と２次原料粉末との間で、結晶性および比表面積のそれぞれに関して、次のような変化がもたらされるようにされる。
【００３１】
まず、結晶性に関して、図２に示すように、１次原料粉末および２次原料粉末の各々についてのＸ線回折分析における（２００）面の回折ピーク強度をＨ１とし、同じくＸ線回折分析における（００２）面の回折ピークと（２００）面の回折ピーク間に見られる回折強度の極小値をＨ２としたとき、粉砕処理工程によって、２次原料粉末は、１次原料粉末に比べて、Ｈ１／Ｈ２比が１０％以上減少するようにされる。
【００３２】
また、比表面積に関しては、２次原料粉末は、１次原料粉末に比べて、１０〜５０％増加するようにされる。
【００３３】
なお、１次原料粉末についてのＨ１／Ｈ２比および比表面積は、特に限定されるものではない。しかしながら、１次原料粉末についてのＨ２／Ｈ２比が３〜１５の範囲にあり、１次原料粉末の比表面積が１〜６ｍ２  ／ｇの範囲にあれば、上述のように、Ｈ１／Ｈ２比の減少率が１０％以上でありかつ比表面積の増加率が１０〜５０％であるとき、誘電体セラミック原料粉末にとって適正な結晶性および比表面積を安定して得ることができる。
【００３４】
この発明が適用される一般式ＡＢＯ３  で表される組成を有する誘電体セラミックとしては、たとえば、ＢａＴｉＯ３  系または（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ３  系誘電体セラミックがある。
【００３５】
前述のようにして製造された２次原料粉末は、積層セラミックコンデンサ１を製造するための誘電体セラミック原料粉末として用いられる。すなわち、この誘電体セラミック原料粉末に、有機バインダおよび溶剤を添加し、また、必要に応じて、特性調整のための元素を添加し、混合することによって、スラリーが作製され、このスラリーを用いて、セラミック層３となるセラミックグリーンシートが成形される。
【００３６】
次いで、特定のセラミックグリーンシート上に、内部電極４および５となるべき導電性ペースト膜がたとえばスクリーン印刷によって形成される。この導電性ペースト膜は、たとえば、ニッケルもしくは銅またはそれらの合金のような卑金属を導電成分として含んでいる。
【００３７】
次いで、上述のように導電性ペースト膜を形成した複数のセラミックグリーンシートが積層されるとともに、これらセラミックグリーンシートを挟むように、導電性ペースト膜が形成されていないセラミックグリーンシートが積層され、圧着された後、必要に応じてカットされることによって、積層体２となるべき生の積層体が得られる。
【００３８】
次に、生の積層体は、たとえば還元性雰囲気注において焼成される。これによって、図１に示すような焼結後の積層体２が得られる。
【００３９】
次に、内部電極４および５の露出した各端縁にそれぞれ電気的に接続されるように、積層体２の端面６および７上に、それぞれ、外部電極８および９が形成される。外部電極８および９は、たとえば、ニッケル、銅、銀もしくはパラジウムまたはそれらの合金を導電成分として含む導電性ペーストを塗布し、焼き付けることによって形成される。
【００４０】
その後、必要に応じて、外部電極８および９上に、たとえばニッケルまたは銅からなる第１のめっき層１０および１１が形成され、その上に、たとえば半田または錫からなる第２のめっき層１２および１３が形成され、積層セラミックコンデンサ１が完成される。
【００４１】
次に、この発明による効果を確認するために実施した実験例について説明する。
【００４２】
以下のようにして、実施例１〜５および比較例１〜５の各々に係る誘電体セラミック原料粉末を作製した。
【００４３】
【表１】
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【００４４】
まず、表１に示すような「１次原料粉末のＨ１／Ｈ２比」および「１次原料粉末の比表面積」をそれぞれ有する１次原料粉末を用意した。ここで、１次原料粉末としては、実施例１、３および４ならびに比較例１、３および４では、ＢａＴｉＯ３  粉末を用い、実施例２および比較例２では、（Ｂａ０．９９Ｃａ０．０１）ＴｉＯ３  粉末を用い、実施例５および比較例５では、（Ｂａ０．９５２  Ｃａ０．０４８  ）（Ｔｉ０．９９Ｚｒ０．０１）Ｏ３  粉末を用いた。
【００４５】
次に、上記１次原料粉末１０ｋｇをイオン交換水２０リットルでスラリー化した。
【００４６】
次に、上記スラリーを、ビーズミルにて粉砕処理した。ここで、表１に示すような「玉石径」を有するＰＳＺからなる玉石を用い、これを表１に示すような「玉石充填率」をもってビーズミル中に充填し、表１に示すような「周速」によって粉砕処理を行なった。
【００４７】
上記粉砕処理により得られた２次原料粉末は、１次原料粉末に比べて、表１に示すような「Ｈ１／Ｈ２比の減少率」および「比表面積の増加率」をそれぞれ示した。
【００４８】
次に、粉砕処理後の２次原料粉末を含むスラリーに、実施例１、３および４ならびに比較例１、３および４では、ＢａＴｉＯ３  １００モルに対して、実施例２および比較例２では、（Ｂａ０．９９Ｃａ０．０１）ＴｉＯ３  １００モルに対して、ならびに、実施例５および比較例５では、（Ｂａ０．９５２  Ｃａ０．０４８  ）（Ｔｉ０．９９Ｚｒ０．０１）Ｏ３  １００モルに対して、Ｍｇ、Ｄｙ、Ｍｎ、ＮｉおよびＳｉを、１．５Ｍｇ−２．５Ｄｙ−０．５Ｍｎ−０．２Ｎｉ−２．０Ｓｉの組成になるように特性調整用元素として加え、乾燥処理を行ない、誘電体セラミック原料粉末を得た。
【００４９】
次に、上述の誘電体セラミック原料粉末を用いて、内部電極間に位置するセラミック層の厚みが３．０μｍであり、内部電極の積層数が５０の積層セラミックコンデンサを作製した。
【００５０】
このようにして得られた実施例１〜５および比較例１〜５の各々に係る積層セラミックコンデンサについて、表２に示すように、「比誘電率」、「容量温度特性」および「平均故障時間」をそれぞれ評価した。
【００５１】
「比誘電率」については、各積層セラミックコンデンサのセラミック層を構成する誘電体セラミックの比誘電率を、温度２５℃、１ｋＨｚ、および０．５Ｖｒｍｓ  の条件下で測定したものである。
【００５２】
「容量温度特性」については、ＥＩＡ規格のＸ７Ｒ特性を満足するか否かを評価したもので、２５℃での静電容量を基準とした−５５℃での容量変化率および１２５℃での容量変化率を求めた。
【００５３】
「平均故障時間」については、温度１５０℃において６０Ｖの電圧を印加し続け、試料となる積層セラミックコンデンサが故障に至るまでの時間の平均値を求めたものである。
【００５４】
【表２】
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【００５５】
実施例１〜５では、表１に示すように、「１次原料粉末のＨ１／Ｈ２比」が３〜１５の範囲にあり、「１次原料粉末の比表面積」が１〜６ｍ２  ／ｇの範囲にあり、「玉石径」が０．５ｍｍ以下であり、「玉石充填率」が７０〜９５体積％の範囲にあり、「周速」が３〜９ｍ／秒の範囲にある。そして、「Ｈ／Ｈ２比の減少率」は１０％以上であり、「比表面積の増加率」は１０〜５０％の範囲にある。
【００５６】
その結果、実施例１〜５では、表２に示すように、「比誘電率」において満足し、「容量温度特性」がＥＩＡ規格のＸ７Ｒ特性を満足し、「平均故障時間」についても、比較的長い時間を示し、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを得ることができた。これらの好ましい特性は、次のようにして得られたものと考えられる。
【００５７】
実施例１〜５では、表１に示すような粉砕条件の下で、１次原料粉末を湿式粉砕することによって、１次原料粉末の粒子表面にダメージが与えられて、粉砕処理後の２次原料粉末において、その結晶性が低下し、そのため、添加成分の固溶が促進される。また、粉砕によって、比表面積が増加し、添加成分との反応性が高まり、固溶が促進される。このように、固溶が促進されることにより、添加成分の偏析が起こりにくくなり、その結果、信頼性が高くなる。また、粉砕における「玉石径」および「周速」を表１に示すように制御することによって、結晶性の低下と比表面積の増加の度合いを調節し、その結果、「容量温度特性」について、ＥＩＡ規格のＸ７Ｒ特性を満足させることができる。
【００５８】
これら実施例１〜５に対して、まず、比較例１では、表１に示すように、「周速」が３ｍ／秒未満であり、粉砕力が弱い。そのため、「Ｈ１／Ｈ２比の減少率」が５％と低く、結晶性の低下の度合いが十分でなく、また、「比表面積の増加率」についても、８％と低く十分でなかった。その結果、添加成分の偏析が起こりやすくなっており、表２に示すように、「平均故障時間」が短く、信頼性が低かった。
【００５９】
比較例２では、表１に示すように、「玉石径」が０．５ｍｍより大きく、粉砕が進みすぎ、「比表面積の増加率」が６０％と高かった。その結果、表２に示すように、「容量温度特性」がＥＩＡ規格のＸ７Ｒ特性を満足しなかった。
【００６０】
比較例３では、表１に示すように、「周速」が９ｍ／秒を超え、粉砕が進みすぎ、「比表面積の増加率」が６５％と高くなった。その結果、表２に示すように、「容量温度特性」がＥＩＡ規格のＸ７Ｒ特性を満足しなかった。
【００６１】
比較例４では、表１に示すように、「１次原料粉末のＨ１／Ｈ２比」が３未満でありかつ「１次原料粉末の比表面積」が６ｍ２  ／ｇを超えるばかりでなく、「玉石充填率」が１００％と高かった。そのため、粉砕が進みすぎて、「比表面積の増加率」が６０％と高く、表２に示すように、「容量温度特性」がＥＩＡ規格のＸ７Ｒ特性を満足しなかった。
【００６２】
比較例５では、表１に示すように、「１次原料粉末のＨ１／Ｈ２比」が１５を超えかつ「１次原料粉末の比表面積」が１ｍ２  ／ｇ未満であるばかりでなく、「玉石充填率」が６５体積％と低かった。そのため、「Ｈ１／Ｈ２比の減少率」が７％と低く、結晶性の低下が十分でなく、また、「比表面積の増加率」が９％と低かった。そのため、添加成分の偏析が起こりやすくなっており、表２に示すように、「平均故障時間」が短く、信頼性が低かった。
【００６３】
【発明の効果】
以上のように、この発明に係る誘電体セラミック原料粉末の製造方法によれば、誘電体セラミックのための１次原料粉末を粉砕処理して、２次原料粉末を得るようにするとともに、粉砕処理工程では、３〜９ｍ／秒の周速で回転する攪拌体が内蔵されたミル内において、ミルの有効内容積に対する充填率が７０〜９５体積％になるように充填された粒径０．５ｍｍ以下の玉石とともに、１次原料粉末を攪拌するようにし、それによって、２次原料粉末の回折強度の比であるＨ１／Ｈ２比を１次原料粉末のそれより１０％以上減少させるとともに、２次原料粉末の比表面積を１次原料粉末のそれより１０〜５０％増加させるようにしているので、次のような効果が奏される。
【００６４】
すなわち、粉砕処理工程において、１次原料粉末の粒子表面にダメージが与えられ、粉砕後の２次原料粉末の結晶性が低下し、特性調整用元素のような添加成分の固溶が促進される。また、比表面積が増加し、添加成分との反応性が高まり、これによっても、固溶が促進される。そして、このように固溶が促進されることにより、添加成分の偏析が起こりにくくなり、得られた誘電体セラミック原料粉末をもって構成された積層セラミックコンデンサのような積層セラミック電子部品の信頼性を高くすることができる。
【００６５】
したがって、得ようとする誘電体セラミック原料粉末が、特性調整のための元素を含む場合、このような特性調整用元素を、２次原料粉末に添加するようにすれば、上述した効果をより確実に享受することができる。
【００６６】
また、上述のように粉砕条件を制御することによって、２次原料粉末における結晶性の低下の度合いおよび比表面積の増加の度合いを調節し、良好な温度特性を維持することができる。
【００６７】
このようなことから、この発明に係る製造方法によって製造された誘電体セラミック原料粉末を用いて積層セラミックコンデンサを構成すれば、信頼性が高くかつ良好な容量温度特性が確保された積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【００６８】
この発明に係る誘電体セラミック原料粉末の製造方法において、１次原料粉末についてのＨ１／Ｈ２比が３〜１５の範囲にあり、１次原料粉末の比表面積が１〜６ｍ２  ／ｇの範囲にあると、この発明による粉砕条件を適用して、前述したように、Ｈ１／Ｈ２比の減少率を１０％以上としかつ比表面積の増加率を１０〜５０％としたとき、誘電体セラミック原料粉末にとって適正な結晶性および比表面積を安定して得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態による積層セラミックコンデンサ１を図解的に示す断面図である。
【図２】Ｘ線回折分析における（２００）面の回折ピーク強度Ｈ１、および（００２）面の回折ピークと（２００）面の回折ピーク間に見られる回折強度の極小値Ｈ２を図解する図である。
【符号の説明】
１  積層セラミックコンデンサ
２  積層体
３  セラミック層
４，５  内部電極
８，９  外部電極
【図１】
2005041730.tif 000005
【図２】
2005041730.tif 000006