(57)【要約】【課題】基体のパターン形成領域上にリフトオフ法にてパターンを形成するとき、基体のパターン非形成領域において基体からレジスト層を速やかに剥離することができ、しかも、たとえ基体が伸縮性を有する場合であっても、所謂レイヤー間の位置合わせ精度の低下やパターン形成領域におけるパターン寸法精度の低下を招くことの無い、リフトオフ法に基づくパターン形成方法を提供する。【解決手段】基体１１のパターン形成領域上にリフトオフ法にてパターン１６を形成する本発明の方法は、パターン形成領域以外の基体のパターン非形成領域上にも、リフトオフ法にてダミーパターン１１６を形成する。【選択図】  図１
2005183782.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体のパターン形成領域上にリフトオフ法にてパターンを形成する方法であって、
パターン形成領域以外の基体のパターン非形成領域上にも、リフトオフ法にてダミーパターンを形成することを特徴とするリフトオフ法に基づくパターン形成方法。
【請求項２】
前記ダミーパターンは、円形、楕円形、多角形及びストライプ形状から成る群から選択された少なくとも１種の形状を有する特徴とする請求項１に記載のリフトオフ法に基づくパターン形成方法。
【請求項３】
パターン形成領域の面積をＳ1、パターン非形成領域の面積をＳ2とした時、０．１≦Ｓ2／Ｓ1≦１０を満足することを特徴とする請求項１に記載のリフトオフ法に基づくパターン形成方法。
【請求項４】
パターン形成領域以外の基体のパターン非形成領域上にリフトオフ法にてダミーパターンを形成した後、パターン非形成領域の基体部分とパターン形成領域の基体部分とを分離することを特徴とする請求項１に記載のリフトオフ法に基づくパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リフトオフ法に基づくパターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
各種の半導体装置や表示装置の製造方法においては、リフトオフ法に基づくパターン形成方法が屡々採用されている。例えば、フィルムから成る基体２０１上に配線２０６をリフトオフ法にて形成する方法の概要を、以下、図５の（Ａ）〜（Ｆ）を参照して説明する。尚、図５の（Ａ）、（Ｃ）及び（Ｅ）は、パターン形成領域の一部における模式的な一部端面図であり、図５の（Ｂ）、（Ｄ）及び（Ｆ）は、パターン非形成領域の一部における模式的な一部端面図である。通常、パターン形成領域は、基体２０１の中央部分に位置し、パターン非形成領域は、パターン形成領域を取り囲むように基体２０１の周辺部分に位置する。
【０００３】
［工程−１０］
先ず、プラスチック・フィルムから成る基体２０１上に、レジスト層２０２をスピンコーティング法にて形成した後、リソグラフィ技術に基づき、配線を形成すべき部分の基体２０１が露出するように、レジスト層２０２に開口２０３を設ける。この状態を、図５の（Ａ）及び（Ｂ）の模式的な一部端面図に示す。尚、開口２０３の平面形状が、上部よりも下部の方が大きくなるように、開口２０３を形成する。即ち、開口２０３の側壁２０４が下方に向かって広がる状態となり、開口２０３がオーバーハング状（アンダーカット状）となるように、開口２０３を形成する。
【０００４】
［工程−２０］
次いで、開口２０３内を含むレジスト層２０２上に、例えばスパッタリング法にて、配線を構成する導電材料層２０５を成膜する。この状態を、図５の（Ｃ）及び（Ｄ）の模式的な一部端面図に示す。一般に、開口２０３の側壁２０４において、導電材料層２０５は一種の段切れ状態となる。
【０００５】
［工程−３０］
その後、レジスト剥離液を用いてレジスト層２０２を基体２０１から剥離することで、基体２０１上に導電材料層２０５から成る配線２０６を得ることができる。この状態を、図５の（Ｅ）及び（Ｆ）の模式的な一部端面図に示す。
【０００６】
【特許文献１】特開平８−４４０３７号
【特許文献２】特開２００２−１８９２７９
【特許文献３】特開２００２−３６８１０３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
リフトオフ法にあっては、［工程−３０］において、通常、導電材料層２０５が一種の段切れ状態となっている開口２０３の側壁２０４からレジスト剥離液が基体２０１とレジスト層２０２との界面に浸入することによって、レジスト層２０２が基体２０１から剥離される。
【０００８】
ところが、パターン非形成領域においては、通常、図５の（Ｄ）に示すように、レジスト層２０２に切れ目が存在しない。従って、レジスト剥離液が基体２０１とレジスト層２０２との界面に浸入し難く、パターン非形成領域におけるレジスト層２０２の剥離には、パターン形成領域におけるレジスト層２０２の剥離よりも長い時間を要する。一般に、レジスト剥離液は有機溶剤から成る。それ故、レジスト層２０２の剥離時間が長くなると、基体２０１が汚染され、あるいは損傷を受ける虞がある。
【０００９】
また、最終的に、パターン形成領域においては配線２０６が形成され、パターン非形成領域においては何も形成されない（図５の（Ｅ）及び（Ｆ）参照）。従って、基体が伸縮性を有する場合、図５の（Ｅ）及び（Ｆ）に示す状態にあっては、配線２０６の有無によって、基体の伸縮量が変化してしまい、所謂レイヤー間の位置合わせ精度の低下を招いたり、パターン形成領域におけるパターン寸法精度の低下を招いてしまう虞がある。
【００１０】
金属メッキを行う際に、メッキ分布調整用のダミーパターン部分を形成する技術が、例えば特開平８−４４０３７号公報から周知である。また、フォトマスクの製造において、疑似パターンを形成する技術が特開２００２−１８９２７９から周知である。更には、半導体装置の製造において、ダミーパターンを設ける技術が特開２００２−３６８１０３から周知である。しかしながら、これらの特許公開公報のいずれにも、リフトオフ法における問題点、及び、係る問題を解決するための手段については何ら言及されていない。
【００１１】
従って、本発明の目的は、基体のパターン形成領域上にリフトオフ法にてパターンを形成するとき、基体のパターン非形成領域において基体からレジスト層を速やかに剥離することができ、しかも、たとえ基体が伸縮性を有する場合であっても、所謂レイヤー間の位置合わせ精度の低下やパターン形成領域におけるパターン寸法精度の低下を招くことの無い、リフトオフ法に基づくパターン形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の目的を達成するための本発明のリフトオフ法に基づくパターン形成方法は、基体のパターン形成領域上にリフトオフ法にてパターンを形成する方法であって、パターン形成領域以外の基体のパターン非形成領域上にも、リフトオフ法にてダミーパターンを形成することを特徴とする。
【００１３】
本発明のリフトオフ法に基づくパターン形成方法において、ダミーパターンは、本質的には任意の形状とすることができ、例えば、任意の形状を有する閉じた曲線、任意の形状を有する閉じた線分の組合せ、任意の形状を有する閉じた曲線と線分の組合せ、ストライプ形状、あるいは又、これらの任意の組合せとすることができ、より具体的には、例えば、円形、楕円形、多角形及びストライプ形状から成る群から選択された少なくとも１種の形状を有する構成とすることができる。尚、ストライプ形状には、所謂ライン・アンド・ストライプ形状だけでなく、メッシュ状あるいは格子状の形状も含まれる。ダミーパターンは、周期的に形成されていてもよいし、周期的には形成されていなくてもよい（即ち、非周期的に形成されていてもよい）。
【００１４】
上記の好ましい形態を含む本発明のリフトオフ法に基づくパターン形成方法において、パターン形成領域の面積をＳ1、パターン非形成領域の面積をＳ2とした時、
０．１≦Ｓ2／Ｓ1≦１０    （１−１）
好ましくは、
０．１≦Ｓ2／Ｓ1≦１    （１−２）
を満足することが望ましい。
【００１５】
尚、基体に１つのパターン形成領域を設ける場合、基体の面積をＳ0としたとき、Ｓ0＝Ｓ1＋Ｓ2となる。一方、基体にＮ個のパターン形成領域を設ける場合、Ｓ0＝Ｎ×Ｓ1＋Ｓ’2となる。ここで、Ｓ’2は、パターン非形成領域の面積の総和である。このような場合、Ｓ2＝Ｓ’2／Ｎとして、係るＳ2が、上式（１−１）あるいは上式（１−２）を満足していればよい。
【００１６】
以上に説明した各種の好ましい形態を含む本発明のリフトオフ法に基づくパターン形成方法においては、パターン形成領域以外の基体のパターン非形成領域上にリフトオフ法にてダミーパターンを形成した後、パターン非形成領域の基体部分とパターン形成領域の基体部分とを、そのままの状態としてもよいし、パターン非形成領域の基体部分とパターン形成領域の基体部分とを分離して、パターン非形成領域の基体部分を除去してもよい。分離方法として、パターン非形成領域の基体部分とパターン形成領域の基体部分との境界領域にて基体を切断する方法を例示することができる。
【００１７】
本発明のリフトオフ法に基づくパターン形成方法において、基体として、
（１）半導体装置を製造するためのシリコン半導体基板を含む各種の半導体基板
（２）半導体レーザや発光ダイオードといった各種の発光素子を製造するためのＧａＡｓ系基板やサファイヤ基板、ＧａＮ系基板等の各種の半導体基板や半絶縁性基板、絶縁性基板
（３）各種の表示装置を製造するための、無アルカリガラス基板、低アルカリガラス基板、石英ガラス基板といった各種のガラス基板、石英基板、半導体基板
（４）ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）やポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）に例示される高分子材料から構成されたプラスチック・フィルムやプラスチック・シート、プラスチック基板
を挙げることができる。尚、（１）〜（４）にて説明した各種の基板やフィルム、シートを総称して、基板等と呼ぶ場合がある。また、基板等に形成される半導体装置や発光素子、表示装置、その他各種の装置を構成する要素を、以下、便宜上、装置構成要素と呼ぶ場合がある。
【００１８】
更には、基体として、
（５）基板等の表面に絶縁層が形成されたものにおける絶縁層
（６）基板等の上に装置構成要素が形成されたものにおける装置構成要素
を挙げることができる。尚、（５）及び（６）の場合、基板等は基体支持材料に該当する。
【００１９】
ここで、ガラス基板を構成するガラスとして、より具体的には、高歪点ガラス、ソーダガラス（Ｎａ2Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ2）、硼珪酸ガラス（Ｎａ2Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）、鉛ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2）を例示することができる。また、絶縁層を構成する材料として、ＳｉＯ2系材料、ＳｉＮ系材料、金属酸化物高誘電絶縁膜にて例示される無機系絶縁材料だけでなく、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）やポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）にて例示される有機系絶縁材料を挙げることができるし、これらの組み合わせを用いることもできる。尚、ＳｉＯ2系材料として、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低誘電率ＳｉＯ2系材料（例えば、ポリアリールエーテル、シクロパーフルオロカーボンポリマー及びベンゾシクロブテン、環状フッ素樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、フッ化アリールエーテル、フッ化ポリイミド、アモルファスカーボン、有機ＳＯＧ）を例示することができる。
【００２０】
また、本発明のリフトオフ法に基づくパターン形成方法において、得られるパターンとして、各種の電極や配線、絶縁膜や保護膜を挙げることができる。
【００２１】
パターンを構成する材料は、形成すべきパターンに適したものであればよく、例えば、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）等の金属、あるいは、これらの金属元素を含む合金、これらの金属から成る導電性粒子、これらの金属を含む合金の導電性粒子；金属酸化物や金属窒化物といった金属化合物；例えばペンタセンといった有機半導体材料；例えばポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸［ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ］といった有機導電材料；例えば、グラファイト、カーボン・ナノ・チューブやカーボン・ナノ・ファイバといった有機材料；例えばＳｉＯ2系材料やＳｉＮ系材料、金属酸化物から成る無機系絶縁膜；例えばＰＭＭＡやＰＶＰ、ＰＶＡから成る有機系絶縁膜を挙げることができるし、これらの層の積層構造とすることもできる。
【００２２】
リフトオフ法に基づくパターン形成方法にあっては、基体の上にレジスト層を形成するが、係るレジスト層を構成するレジスト材料は周知の材料とすればよいし、レジスト層の形成方法も周知のリソグラフィ技術を採用すればよい。レジスト材料は、有機材料であってもよいし、無機材料であってもよい。リソグラフィ技術において使用するマスク（例えば、フォトマスク）も周知の方法で製造されたマスクとすることができる。リフトオフ法にあっては、基体の上にスピンコーティング法等の周知の形成方法によってレジスト層を形成した後、パターン及びダミーパターンを形成すべき基体の部分が露出するように、レジスト層に開口を設ける。そして、そして、開口内を含むレジスト層上に、パターン及びダミーパターンを形成するための材料層を形成する。
【００２３】
ここで、パターン及びダミーパターンを形成するための材料層を形成する方法として、各種の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）、ディッピング法やスピンコーティング法といった塗布法を挙げることができる。ＰＶＤ法として、より具体的には、
（ａ）電子ビーム加熱法、抵抗加熱法、フラッシュ蒸着等の各種真空蒸着法、
（ｂ）プラズマ蒸着法、
（ｃ）２極スパッタリング法、直流スパッタリング法、直流マグネトロンスパッタリング法、高周波スパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法、バイアススパッタリング法等の各種スパッタリング法、
（ｄ）ＤＣ(direct current)法、ＲＦ法、多陰極法、活性化反応法、電界蒸着法、高周波イオンプレーティング法、反応性イオンプレーティング法等の各種イオンプレーティング法、
を挙げることができる。
【００２４】
その後、レジスト剥離液を用いてレジスト層を基体から剥離するが、使用するレジスト剥離液は、使用するレジスト層を構成するレジスト材料に適した剥離液とすればよい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明のリフトオフ法に基づくパターン形成方法にあっては、パターン形成領域以外の基体のパターン非形成領域上にも、リフトオフ法にてダミーパターンを形成する。それ故、パターン非形成領域においても、レジスト剥離液によってレジスト層を剥離するとき、容易に短時間でレジスト層を基体から剥離することができる。従って、レジスト剥離液によって、基体あるいは基体支持材料が汚染され、あるいは損傷を受けるといった問題の発生を回避することができ、パターン形成の歩留り向上を図ることができる。
【００２６】
しかも、最終的に、パターン形成領域においてはパターンが形成され、パターン非形成領域においてもダミーパターンが形成される。従って、基体あるいは基体支持材料が伸縮性を有する場合であっても、パターン形成領域及びパターン非形成領域における基体あるいは基体支持材料の伸縮量の差異を少なくすることができるし、基体（基板等）を等方的に伸縮させ得る結果、所謂レイヤー間の位置合わせ精度やパターン形成領域におけるパターン寸法精度を向上させることができ、設計通りの装置構成要素等を得ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明する。
【実施例１】
【００２８】
実施例１は、本発明のリフトオフ法に基づくパターン形成方法に関する。実施例１にあっては、より具体的には、プラスチック・フィルムから成る基体上に、所謂ボトムゲート型であってボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ（有機ＴＦＴと略称する）のアレイを製造する際の有機ＴＦＴのゲート電極の形成に、本発明のリフトオフ法に基づくパターン形成方法を適用する。実施例１にあっては、多数の有機ＴＦＴから構成された有機ＴＦＴアレイを形成すべき部分がパターン形成領域に相当し、このパターン形成領域を取り囲む部分がパターン非形成領域に相当する。
【００２９】
実施例１にあっては、ダミーパターンは、周期的に形成された円形形状を有する。ここで、ダミーパターンを構成する円の直径を０．１ｍｍとし、各円の中心が正三角形（一辺の長さ：０．５ｍｍ）の頂点に位置するようにダミーパターンを配列した。
【００３０】
実施例１にあっては、パターン形成領域の大きさを４０ｍｍ×４０ｍｍ（面積Ｓ1：１６００ｍｍ2）、パターン非形成領域の外側の大きさを３０ｍｍ×２０ｍｍ（面積Ｓ2：６００ｍｍ2）とした。
【００３１】
以下、基体等の模式的な一部端面図である図１の（Ａ）〜（Ｆ）を参照して実施例１のリフトオフ法に基づくパターン形成方法を説明するが、図１の（Ａ）、（Ｃ）及び（Ｅ）は、パターン形成領域の一部における模式的な一部端面図であり、図１の（Ｂ）、（Ｄ）及び（Ｆ）は、パターン非形成領域の一部における模式的な一部端面図である。
【００３２】
［工程−１００］
先ず、例えば、基体に相当するポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）から成るプラスチック・フィルム１１（以下、フィルム１１と呼ぶ）上に、レジスト層１２をスピンコーティング法にて形成した後、リソグラフィ技術に基づき、パターン形成領域にあっては、ゲート電極を形成すべき部分の基体（フィルム１１）が露出するように、レジスト層１２に開口１３を設ける。一方、パターン非形成領域にあっては、ダミーパターンを形成すべき部分の基体（フィルム１１）が露出するように、レジスト層１２に開口１１３を設ける。この状態を、それぞれ、図１の（Ａ）及び（Ｂ）の模式的な一部端面図に示す。尚、開口１３，１１３の平面形状が、上部よりも下部の方が大きくなるように、開口１３，１１３を形成する。即ち、開口１３，１１３の側壁１４，１１４が下方に向かって広がる状態となり、開口１３，１１３がオーバーハング状（アンダーカット状）となるように、開口１３，１１３を形成する。
【００３３】
［工程−１１０］
次いで、開口１３，１１３内を含むレジスト層１２上に、例えばスパッタリング法にて、ゲート電極１６及びダミーパターン１１６を構成する導電材料層１５を成膜する。具体的には、例えば、先ず、チタン（Ｔｉ）層を、次いで、金（Ａｕ）層を、順次、スパッタリング法にて全面に成膜する。尚、図面においては、ゲート電極１６及びダミーパターン１１６、あるいは導電材料層１５を１層で表した。この状態を、それぞれ、図１の（Ｃ）及び（Ｄ）の模式的な一部端面図に示す。一般に、開口１３，１１３の側壁１４，１１４において、導電材料層１５は一種の段切れ状態となる。
【００３４】
［工程−１２０］
その後、レジスト剥離液を用いてレジスト層１２を基体（フィルム１１）から剥離することで、パターン形成領域においては、基体（フィルム１１）上に形成された導電材料層１５から成るゲート電極１６を得ることができる。一方、パターン非形成領域においては、基体（フィルム１１）上に形成された導電材料層１５から成るダミーパターン１１６を同時に得ることができる。この状態を、それぞれ、図１の（Ｅ）及び（Ｆ）の模式的な一部端面図に示す。
【００３５】
実施例１にあっては、パターン形成領域において、導電材料層１５が一種の段切れ状態となっている開口１３の側壁１４からレジスト剥離液が基体（フィルム１１）とレジスト層１２との界面に浸入することによって、レジスト層１２が基体（フィルム１１）から剥離される。一方、パターン非形成領域においては、導電材料層１５が一種の段切れ状態となっている開口１１３の側壁１１４からレジスト剥離液が基体（フィルム１１）とレジスト層１２との界面に浸入することによって、レジスト層１２が基体（フィルム１１）から剥離される。従って、レジスト剥離液によって、基体（フィルム１１）が汚染され、あるいは損傷を受けるといった問題の発生を回避することができ、パターン形成の歩留り向上を図ることができる。しかも、最終的に、パターン形成領域においてはパターンであるゲート電極１６が形成され、パターン非形成領域においてもダミーパターン１１６が形成される。従って、フィルム１１が伸縮性を有する場合であっても、パターン形成領域及びパターン非形成領域におけるフィルム１１の伸縮量の差異を少なくすることができるし、フィルム１１を等方的に伸縮させ得る結果、所謂レイヤー間の位置合わせ精度やパターン形成領域におけるパターン寸法精度を向上させることができ、設計通りの装置構成要素等を得ることが可能となる。
【実施例２】
【００３６】
実施例２も、本発明のリフトオフ法に基づくパターン形成方法に関する。実施例２にあっては、より具体的には、ゲート絶縁膜１７から成る基体上に、所謂ボトムゲート型であってボトムコンタクト型の有機ＴＦＴのアレイを製造する際の有機ＴＦＴのソース／ドレイン電極の形成に、本発明のリフトオフ法に基づくパターン形成方法を適用する。実施例２にあっても、多数の有機ＴＦＴから構成された有機ＴＦＴアレイを形成すべき部分がパターン形成領域に相当し、このパターン形成領域を取り囲む部分がパターン非形成領域に相当する。
【００３７】
実施例２にあっても、ダミーパターンは、周期的に形成された円形形状を有する。ここで、ダミーパターンを構成する円の直径を０．５ｍｍとし、各円の中心が正三角形（一辺の長さ：２ｍｍ）の頂点に位置するようにダミーパターンを配列した。
【００３８】
実施例２にあっては、パターン形成領域及びパターン非形成領域の大きさは、実施例１におけるパターン形成領域及びパターン非形成領域の大きさと同じである。
【００３９】
以下、基体等の模式的な一部端面図である図２の（Ａ）〜（Ｆ）を参照して実施例２のリフトオフ法に基づくパターン形成方法を説明するが、図２の（Ａ）、（Ｃ）及び（Ｅ）は、パターン形成領域の一部における模式的な一部端面図であり、図２の（Ｂ）、（Ｄ）及び（Ｆ）は、パターン非形成領域の一部における模式的な一部端面図である。
【００４０】
［工程−２００］
実施例１の［工程−１２０］に引き続き、全面に（具体的には、ゲート電極１６上を含むフィルム１１上に）、ゲート絶縁膜１７を形成する。具体的には、ＳｉＯ2から成るゲート絶縁膜１７を、スパッタリング法に基づき、ゲート電極１６及びフィルム１１上に形成する。ゲート絶縁膜１７の成膜を行う際、ゲート電極１６の一部をハードマスクで覆うことによって、ゲート電極１６の取出部をフォトリソグラフィ・プロセス無しで形成することができる。実施例２においては、ゲート絶縁膜１７、及び、ゲート絶縁膜１７の延在部である絶縁膜１１７が基体に相当し、且つ、装置構成要素に相当する。
【００４１】
［工程−２１０］
次いで、基体（ゲート絶縁膜１７）上に、レジスト層２２をスピンコーティング法にて形成した後、リソグラフィ技術に基づき、パターン形成領域にあっては、ソース／ドレイン電極を形成すべき部分の基体（ゲート絶縁膜１７）が露出するように、レジスト層２２に開口２３を設ける。一方、パターン非形成領域にあっては、ダミーパターンを形成すべき部分の基体（ゲート絶縁膜１７の延在部である絶縁膜１１７）が露出するように、レジスト層２２に開口１２３を設ける。この状態を、それぞれ、図２の（Ａ）及び（Ｂ）の模式的な一部端面図に示す。尚、開口２３，１２３の平面形状が、上部よりも下部の方が大きくなるように、開口２３，１２３を形成する。即ち、開口２３，１２３の側壁２４，１２４が下方に向かって広がる状態となり、開口２３，１２３がオーバーハング状（アンダーカット状）となるように、開口２３，１２３を形成する。
【００４２】
［工程−２２０］
次いで、開口２３，１２３内を含むレジスト層２２上に、例えばスパッタリング法にて、ソース／ドレイン電極２６及びダミーパターン１２６を構成する導電材料層２５を成膜する。具体的には、例えば、先ず、チタン（Ｔｉ）層を、次いで、金（Ａｕ）層を、順次、スパッタリング法にて全面に成膜する。尚、図面においては、ソース／ドレイン電極２６及びダミーパターン１２６、あるいは導電材料層２５を１層で表した。この状態を、それぞれ、図２の（Ｃ）及び（Ｄ）の模式的な一部端面図に示す。一般に、開口２３，１２３の側壁２４，１２４において、導電材料層２５は一種の段切れ状態となる。
【００４３】
［工程−２３０］
その後、レジスト剥離液を用いてレジスト層２２を基体であるゲート絶縁膜１７及び絶縁膜１１７から剥離することで、パターン形成領域においては、基体であるゲート絶縁膜１７上に形成された導電材料層２５から成るソース／ドレイン電極２６を得ることができる。一方、パターン非形成領域においては、基体である絶縁膜１１７上に形成された導電材料層２５から成るダミーパターン１２６を同時に得ることができる。この状態を、それぞれ、図２の（Ｅ）及び（Ｆ）の模式的な一部端面図に示す。
【００４４】
実施例２にあっては、パターン形成領域において、導電材料層２５が一種の段切れ状態となっている開口２３の側壁２４からレジスト剥離液が基体（ゲート絶縁膜１７）とレジスト層２２との界面に浸入することによって、レジスト層２２が基体（ゲート絶縁膜１７）から剥離される。一方、パターン非形成領域においては、導電材料層２５が一種の段切れ状態となっている開口１２３の側壁１２４からレジスト剥離液が基体（絶縁膜１１７）とレジスト層２２との界面に浸入することによって、レジスト層２２が基体（絶縁膜１１７）から剥離される。従って、レジスト剥離液によって、基体（ゲート絶縁膜１７あるいは絶縁膜１１７）あるいはフィルム１１（基体支持材料に該当する）が汚染され、あるいは損傷を受けるといった問題の発生を回避することができ、パターン形成の歩留り向上を図ることができる。しかも、最終的に、パターン形成領域においてはパターンであるソース／ドレイン電極２６が形成され、パターン非形成領域においてもダミーパターン１２６が形成される。従って、基体支持材料に該当するフィルム１１が伸縮性を有する場合であっても、パターン形成領域及びパターン非形成領域におけるフィルム１１の伸縮量の差異を少なくすることができるし、フィルム１１を等方的に伸縮させ得る結果、所謂レイヤー間の位置合わせ精度やパターン形成領域におけるパターン寸法精度を向上させることができ、設計通りの装置構成要素等を得ることが可能となる。
【実施例３】
【００４５】
実施例３も、本発明のリフトオフ法に基づくパターン形成方法に関する。実施例３にあっては、より具体的には、層間絶縁層２８から成る基体上に、所謂ボトムゲート型であってボトムコンタクト型の有機ＴＦＴのアレイを製造する際の有機ＴＦＴの配線の形成に、本発明のリフトオフ法に基づくパターン形成方法を適用する。実施例３にあっても、多数の有機ＴＦＴから構成された有機ＴＦＴアレイを形成すべき部分がパターン形成領域に相当し、このパターン形成領域を取り囲む部分がパターン非形成領域に相当する。
【００４６】
実施例３にあっても、ダミーパターンは、周期的に形成された円形形状を有する。ここで、ダミーパターンを構成する円の直径を１ｍｍとし、各円の中心が正三角形（一辺の長さ：４ｍｍ）の頂点に位置するようにダミーパターンを配列した。
【００４７】
実施例３にあっては、パターン形成領域及びパターン非形成領域の大きさは、実施例１におけるパターン形成領域及びパターン非形成領域の大きさと同じである。
【００４８】
以下、基体等の模式的な一部端面図である図３の（Ａ）〜（Ｆ）及び図４の（Ａ）、（Ｂ）を参照して実施例３のリフトオフ法に基づくパターン形成方法を説明するが、図３の（Ａ）、（Ｃ）及び（Ｅ）、並びに、図４の（Ａ）は、パターン形成領域の一部における模式的な一部端面図であり、図３の（Ｂ）、（Ｄ）及び（Ｆ）、並びに、図４の（Ｂ）は、パターン非形成領域の一部における模式的な一部端面図である。
【００４９】
［工程−３００］
実施例２の［工程−２３０］に引き続き、パターン形成領域において、全面に（具体的には、ソース／ドレイン電極２６上を含むゲート絶縁膜１７上に）、ペンタセンから成る有機半導体薄膜を真空蒸着法にて形成した後、周知の方法で有機半導体薄膜をパターニングすることによって、一方のソース／ドレイン電極２６から他方のソース／ドレイン電極２６に亙り、ゲート絶縁膜１７上に有機半導体薄膜から成るチャネル形成領域２７を形成することができる。その後、スクリーン印刷法にて、パターン形成領域において、ソース／ドレイン電極２６の上方に開口部２９を有する層間絶縁層２８を形成する。尚、パターン非形成領域を、係る層間絶縁層２８で覆われた状態とする。この状態を、それぞれ、図３の（Ａ）及び（Ｂ）の模式的な一部端面図に示す。実施例３においては、層間絶縁層２８が基体に相当し、且つ、装置構成要素に相当する。
【００５０】
［工程−３１０］
次いで、基体（層間絶縁層２８）上に、レジスト層３２をスピンコーティング法にて形成した後、リソグラフィ技術に基づき、パターン形成領域にあっては、配線を形成すべき部分の基体（開口部２９を含む層間絶縁層２８の部分）が露出するように、レジスト層３２に開口３３を設ける。一方、パターン非形成領域にあっては、ダミーパターンを形成すべき部分の基体（層間絶縁層２８）が露出するように、レジスト層３２に開口１３３を設ける。この状態を、それぞれ、図３の（Ｃ）及び（Ｄ）の模式的な一部端面図に示す。尚、開口３３，１３３の平面形状が、上部よりも下部の方が大きくなるように、開口３３，１３３を形成する。即ち、開口３３，１３３の側壁３４，１３４が下方に向かって広がる状態となり、開口３３，１３３がオーバーハング状（アンダーカット状）となるように、開口３３，１３３を形成する。
【００５１】
［工程−３２０］
次いで、開口３３，１３３内及び開口部２９内を含むレジスト層３２上に、例えばスパッタリング法にて、配線３６、接続孔３７及びダミーパターン１３６を構成する導電材料層３５を成膜する。具体的には、例えば、先ず、チタン（Ｔｉ）層を、次いで、金（Ａｕ）層を、順次、スパッタリング法にて全面に成膜する。尚、図面においては、配線３６、接続孔３７及びダミーパターン１３６、あるいは導電材料層３５を１層で表した。この状態を、それぞれ、図３の（Ｅ）及び（Ｆ）の模式的な一部端面図に示す。一般に、開口３３，１３３の側壁３４，１３４において、導電材料層３５は一種の段切れ状態となる。
【００５２】
［工程−３３０］
その後、レジスト剥離液を用いてレジスト層３２を基体である層間絶縁層２８から剥離することで、パターン形成領域においては、基体である層間絶縁層２８上に形成された導電材料層３５から成る配線３６を得ることができる。一方、パターン非形成領域においては、基体である層間絶縁層２８上に形成された導電材料層３５から成るダミーパターン１３６を同時に得ることができる。この状態を、それぞれ、図４の（Ａ）及び（Ｂ）の模式的な一部端面図に示す。
【００５３】
［工程−３４０］
その後、必要に応じて、パターン非形成領域の基体部分とパターン形成領域の基体部分とを分離する。
【００５４】
実施例３にあっては、パターン形成領域において、導電材料層３５が一種の段切れ状態となっている開口３３の側壁３４からレジスト剥離液が基体（層間絶縁層２８）とレジスト層３２との界面に浸入することによって、レジスト層３２が基体（層間絶縁層２８）から剥離される。一方、パターン非形成領域においては、導電材料層３５が一種の段切れ状態となっている開口１３３の側壁１３４からレジスト剥離液が基体（層間絶縁層２８）とレジスト層３２との界面に浸入することによって、レジスト層３２が基体（層間絶縁層２８）から剥離される。従って、レジスト剥離液によって、基体（層間絶縁層２８）あるいはフィルム１１（基体支持材料に該当する）が汚染され、あるいは損傷を受けるといった問題の発生を回避することができ、パターン形成の歩留り向上を図ることができる。しかも、最終的に、パターン形成領域においてはパターンである配線３６が形成され、パターン非形成領域においてもダミーパターン１３６が形成される。従って、基体支持材料に該当するフィルム１１が伸縮性を有する場合であっても、パターン形成領域及びパターン非形成領域におけるフィルム１１の伸縮量の差異を少なくすることができるし、フィルム１１を等方的に伸縮させ得る結果、所謂レイヤー間の位置合わせ精度やパターン形成領域におけるパターン寸法精度を向上させることができ、設計通りの装置構成要素等を得ることが可能となる。
【００５５】
以上、本発明を好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。有機ＴＦＴの構造、製造条件は例示であり、適宜変更することができるし、使用した材料も例示であり、適宜変更することができる。例えば、実施例３の［工程−３００］にあっては、パターン形成領域においてペンタセンから成る有機半導体薄膜によって構成されたチャネル形成領域を形成するが、このチャネル形成領域の形成（パターニング）に本発明のリフトオフ法に基づくパターン形成方法を適用することもできる。
【００５６】
有機ＴＦＴの構造として、実施例にて説明した構造以外にも、
（Ａ−１）基体上に形成されたゲート電極、
（Ｂ−１）ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜、
（Ｃ−１）ゲート絶縁膜上に形成された有機半導体薄膜から成るチャネル形成領域、並びに、
（Ｄ−１）有機半導体薄膜上に形成されたソース／ドレイン電極、
を備えている構造（ボトムゲート型であってトップコンタクト型の有機ＴＦＴ）、
（Ａ−２）基体上に形成された有機半導体薄膜から成るチャネル形成領域、
（Ｂ−２）有機半導体薄膜上に形成されたソース／ドレイン電極、
（Ｃ−２）ソース／ドレイン電極及び有機半導体薄膜上に形成されたゲート絶縁膜、並びに、
（Ｄ−２）ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極、
を備えている構造（トップゲート型であってトップコンタクト型の有機ＴＦＴ）、
（Ａ−３）基体上に形成されたソース／ドレイン電極、
（Ｂ−３）ソース／ドレイン電極及び基体上に形成された有機半導体薄膜から成るチャネル形成領域、
（Ｃ−３）有機半導体薄膜上に形成されたゲート絶縁膜、並びに、
（Ｄ−３）ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極、
を備えている構造（トップゲート型であってボトムコンタクト型の有機ＴＦＴ）を挙げることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】図１の（Ａ）〜（Ｆ）は、実施例１のリフトオフ法に基づくパターン形成方法を説明するための基体等の模式的な一部端面図である。
【図２】図２の（Ａ）〜（Ｆ）は、実施例２のリフトオフ法に基づくパターン形成方法を説明するための基体等の模式的な一部端面図である。
【図３】図３の（Ａ）〜（Ｆ）は、実施例３のリフトオフ法に基づくパターン形成方法を説明するための基体等の模式的な一部端面図である。
【図４】図４の（Ａ）及び（Ｂ）は、図３の（Ｅ）及び（Ｆ）に引き続き、実施例３のリフトオフ法に基づくパターン形成方法を説明するための基体等の模式的な一部端面図である。
【図５】図５の（Ａ）〜（Ｆ）は、従来のリフトオフ法に基づくパターン形成方法を説明するための基体等の模式的な一部端面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１１・・・プラスチック・フィルム、１２，２２，３２・・・レジスト層、１３，１１３，２３，１２３，３３，１３３・・・開口、１４，１１４，２４，１２４，３４，１３４・・・側壁、１５，２５，３５・・・導電材料層、１６・・・ゲート電極、１７・・・ゲート絶縁膜、１１７・・・絶縁膜、２６・・・ソース／ドレイン電極、２７・・・チャネル形成領域、２８・・・層間絶縁層、２９・・・開口部、３６・・・配線、３７・・・接続孔、１１６，１２６，１３６・・・ダミーパターン
【図１】
2005183782.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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