(57)【要約】【課題】配線基板に形成された配線導体の側面の段差が実質的にない配線基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁基板１の主面にめっき層からなる配線導体２が設けられた配線基板４であって、前記配線導体２が無電解めっき層２ａと電解めっき層２ｂとを順次積層して形成されてなるとともに、前記無電解めっき層２ａの側面と前記電解めっき層２ｂの側面との段差が実質的にないことを特徴とする。【選択図】図１
2005072330.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の主面にめっき層からなる配線導体が設けられた配線基板であって、前記配線導体が無電解めっき層と電解めっき層とを順次積層して形成されてなるとともに、前記無電解めっき層の側面と前記電解めっき層の側面との段差が実質的にないことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
無電解めっき層の厚みが３μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
無電解めっき層の厚みが０．３μｍ以上であることを特徴とする請求項２記載の配線基板。
【請求項４】
絶縁基板の主面の粗さがＲａ０．１μｍ以上であり、無電解めっき層と電解めっき層との界面の粗さが、配線導体が設けられた絶縁基板の主面の粗さに対して、２５〜１００％の範囲であることを特徴とする請求項１乃至３に記載の配線基板。
【請求項５】
電解めっき層の厚さが６μｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれかに記載の配線基板。
【請求項６】
配線導体が銅を主成分とすることを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれかに記載の配線基板。
【請求項７】
絶縁基板の主面に無電解めっき層を形成する工程と、前記無電解めっき層の上面にめっきレジスト層を形成する工程と、前記めっきレジスト層の前記無電解めっき層形成部分の一部に、開口部を形成する工程と、前記開口部に露出した前記無電解めっき層の一部を除去する工程と、前記開口部の前記無電解めっき層の上面に電解めっき層を形成する工程と、前記めっきレジスト層を除去する工程と、前記無電解めっき層の前記めっきレジスト層に被覆されていた部分をエッチングして除去する工程とを順次行うことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至６に記載の配線基板の表面に電子部品を搭載するとともに、前記配線導体と前記電子部品の配線導体とを電気的に接続して成ることを特徴とする電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁基板上に、無電解めっき層と電解めっき層とを順次積層して成る配線導体を形成して成る配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、現在の電子機器は、移動体通信機器に代表されるように小型・薄型・軽量・高性能・高機能・高品質・高信頼性が要求されてきており、このような電子機器に搭載される電子装置も小型・高密度化が要求されるようになってきている。そのため、電子装置を構成する配線基板にも小型・薄型・多端子化が求められてきており、それを実現するために信号導体等の配線導体の幅を細くするとともにその間隔を狭くし、さらに配線導体の多層化により高密度配線化が図られている。
【０００３】
このような配線導体を形成する方法としては、サブトラクティブ法、セミアディティブ法およびフルアクティブ法があるが、サブトラクティブ法は細密な配線導体の形成が難しいという問題点を、フルアディティブ法は無電解めっきのみで配線導体の形成を行うために、その形成に長時間を要してしまうという問題点を有していた。そのため、配線導体を形成する方法としては、一般的には、セミアディティブ法が用いられている。
【０００４】
セミアディティブ法とは、絶縁基板の上面に無電解銅めっき用のパラジウム触媒を付着させる工程と、パラジウム触媒を付着させた絶縁基板の上面に無電解めっき層を被着させる工程と、無電解めっき層の上面にめっきレジスト層のフィルムをラミネートまたは塗布した後に、このフィルムを露光・現像して、めっきレジスト層に、無電解めっき層の上面に電解めっき層を被着させるための配線導体のパターン形状の開口部を形成する工程と、その開口部内の無電解めっき層の上面に１０〜３０μｍ程度の電解めっき層を被着させる工程と、無電解めっき層の上面からめっきレジスト層を剥離する工程と、硫酸系や塩素系水溶液のエッチング液を用いてめっきレジスト層を剥離したことにより露出した無電解めっき層およびパラジウム触媒を除去する工程とを順次行うことにより配線導体を形成する方法である。なお、この方法では、無電解めっき層およびパラジウム触媒を除去する際に、電解めっき層の上面や側面も同時にエッチングされる。
【０００５】
上述したセミアディティブ法により絶縁基板上に形成される配線導体の典型的な形態は図４に示すように、絶縁基板５１の表面に配線導体５３が形成され、配線導体５３は、絶縁基板５１に順次、パラジウム触媒（図示せず）、無電解めっき層５３ａ、電解めっき層５３ｂが形成されたものである。
【０００６】
昨今の配線基板は、配線導体５３の幅や配線導体５３間の間隔が２０μｍ以下と狭くなってきていることから、配線導体５３間の無電解めっき層５３ａやパラジウム触媒を除去するためにエッチングを行うと、配線導体５３を構成する無電解めっき層５３ａと電解めっき層５３ｂのうち、特に無電解めっき層５３ａが選択的にエッチングされることにより、配線導体５３の断面が図４に示すように無電解めっき層５３ａと電解めっき層５３ｂの側面に段差５５がある形状となり、無電解めっき層５３ａのエッチング工程及び洗浄工程において、無電解めっき層５３ａが選択的にエッチングされて生じた段差５５部分に、エッチング液や洗浄液が入り込み、配線導体５３が持ち上げられることによって、配線導体５３の剥がれが生じて断線してしまうという問題点を有していた。
【０００７】
逆に、エッチングが不十分な場合には、エッチングによって無電解めっき層５３ａやパラジウム触媒を完全に除去することができず、無電解めっき層５３ａが隣接する配線導体５３の方向にかけて裾をひいた形状に残ってしまい、その結果、隣接する配線導体５３間で電気的に短絡してしまうという問題点を有していた。
【０００８】
このような問題の対策として、硫酸系や塩素系水溶液のエッチング液を用いて無電解めっき層５３ａおよびパラジウム触媒を除去する際、配線導体５３を構成する電解めっき層５３ｂと無電解めっき層５３ａのうち、無電解めっき層５３ａが選択的にエッチングされる前にエッチングをストップし、配線導体５３間に残存する無電解めっき層５３ａの残さやパラジウム触媒をクロム酸によって除去するという提案や（特許文献１参照）、絶縁基板５１の表層部分を一部除去することにより同時に配線導体５３間に残存する無電解めっき層５３ａの残さやパラジウム触媒を除去するという提案がなされている（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２０００−２９４９２６号公報
【特許文献２】特開２０００−２０８９３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１の配線導体５３間に残存する無電解めっき層５３ａの残さやパラジウム触媒をクロム酸によって除去する方法では、無電解めっき層５３ａおよびパラジウム触媒のエッチング量をコントロールすることが難しいことや、クロム酸の残さが残ることが問題となる。また、特許文献２の絶縁基板５１の表層部分を一部除去することにより同時に配線導体５３間に残存する無電解めっき層５３ａの残さやパラジウム触媒を除去する方法においては、絶縁基板５１が薄くなることによる層間絶縁信頼性の低下や、配線導体５３下部の絶縁基板５１の一部まで除去され、配線導体５３の剥がれが生じるという問題を有していた。
【００１０】
本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み完成されたものであり、配線導体と絶縁基板の接合信頼性に優れた配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の配線基板は、少なくとも樹脂を含有する絶縁基板の主面にめっき層からなる配線導体が設けられた配線基板であって、前記配線導体が無電解めっき層と電解めっき層とを順次積層して形成されてなるとともに、前記無電解めっき層の側面と前記電解めっき層の側面との段差が実質的にないことを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の配線基板は、配線導体を構成する無電解めっき層の厚みが３μｍ以下であることが望ましい。
【００１３】
また、本発明の配線基板は、配線導体を構成する無電解めっき層の厚みが０．３μｍ以上であることが望ましい。
【００１４】
また、本発明の配線基板は、絶縁基板の主面の粗さがＲａ０．１μｍ以上であり、無電解めっき層と電解めっき層との界面の粗さが、配線導体が設けられた絶縁基板の主面の粗さに対して２５〜１００％の範囲であることが望ましい。
【００１５】
また、本発明の配線基板は、配線導体を構成する電解めっき層の厚さが６μｍ以上であることが望ましい。
【００１６】
また、本発明の配線基板は、配線導体が銅を主成分とすることが望ましい。
【００１７】
このような配線基板では、配線導体が、剥離したり、他の配線導体と電気的に短絡することがなく、信頼性の高い配線基板となる。
【００１８】
本発明の配線基板の製造方法は、少なくとも樹脂を含有する絶縁基板の主面に無電解めっき層を形成する工程と、前記無電解めっき層の上面にめっきレジスト層を形成する工程と、前記めっきレジスト層の前記無電解めっき層形成部分の一部に、開口部を形成する工程と、前記開口部に露出した前記無電解めっき層の一部を除去する工程と、前記開口部の前記無電解めっき層の上面に電解めっき層を形成する工程と、前記めっきレジスト層を除去する工程と、前記無電解めっき層の前記めっきレジスト層に被覆されていた部分を除去する工程を順次行うことを特徴とする。
【００１９】
このような製造方法では、本発明の配線基板を容易に作製することができる。
【００２０】
本発明の電子装置は、以上説明した配線基板の表面に電子部品を搭載するとともに、前記配線導体と前記電子部品の各電極とを電気的に接続して成ることを特徴とする。
【００２１】
このような電子装置では、配線基板の信頼性が高いことに起因して、信頼性の高い電子装置となる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の配線基板は、少なくとも樹脂を含有する絶縁基板の主面にめっき層からなる配線導体が設けられた配線基板であって、前記配線導体が無電解めっき層と電解めっき層とを順次積層して形成されてなるとともに、前記無電解めっき層の側面と前記電解めっき層の側面との段差が実質的にないことを特徴とする。
【００２３】
このような配線導体を構成する無電解めっき層と電解めっき層の側面との段差が実質的にない配線基板では、無電解めっき層の幅のみが細くなることがなく、無電解めっき層と絶縁基板の密着力が確保でき、配線導体の断線や剥がれを防止することができる。
【００２４】
また、本発明の配線基板は、配線導体を構成する無電解めっき層の厚みが３μｍ以下であることが望ましい。
【００２５】
このような配線基板では、無電解めっき層の厚みを３μｍ以下とすることにより配線導体に占める無電解めっき層の割合が低いことから導通抵抗を低くすることができる。また無電解めっき層をエッチング除去して配線導体を形成する際に、配線導体を形成する無電解めっき層の幅の減少量が３μｍ以下と小さくできるため、無電解めっき層と絶縁基板の密着力が確保でき、配線導体の断線や剥がれを防止することができる。
【００２６】
本発明の配線基板は、配線導体を構成する無電解めっき層の厚みが０．３μｍ以上であることが望ましい。
【００２７】
このような配線基板では、無電解めっき層の厚みを０．３μｍ以上とすることで、配線導体形成において、無電解めっき層上への電解めっき層の形成の際、無電解めっき層の電解めっき層形成のためのシード層としての厚みが充分で、無電解めっき層にピンホールが存在しないことから、電解めっき層の形成が容易となりめっき欠け、厚みばらつき等が存在しない配線導体とすることができるため導通信頼性を向上することができる。
【００２８】
本発明の配線基板は、絶縁基板の主面の粗さがＲａ０．１μｍ以上であり、無電解めっき層と電解めっき層との界面の粗さが、配線導体が設けられた絶縁基板の主面の粗さに対して２５〜１００％の範囲であることが望ましい。
【００２９】
このような配線基板では絶縁基板の主面の粗さがＲａ０．１μｍ以上あることから、絶縁基板間の密着性を保つことができるため導通信頼性の著しい低下が認められないとともに、無電解めっき層と電解めっき層との界面粗さを無電解めっき層の厚みや形成条件の調整により絶縁基板の２５〜１００％とすることで、無電解めっき層と電解めっき層の密着性が充分保たれるため、配線導体層間の絶縁信頼性及び、配線導体の導通信頼性を向上することができる。
【００３０】
また、本発明の配線基板は、配線導体を構成する電解めっき層の厚さが６μｍ以上であることを特徴とする。
【００３１】
このような配線基板では、電解めっき層の厚さを６μｍ以上とすることで、配線導体の導通抵抗を充分低くすることができる。
【００３２】
また、本発明の配線基板は、配線導体が銅を主成分とすることが望ましい。銅を主成分とする配線導体は電気抵抗が低く、マイグレーションも起こりにくいことから高性能で、信頼性の高い配線基板を提供することができる。
【００３３】
本発明の配線基板の製造方法は、少なくとも樹脂を含有する絶縁基板の主面に無電解めっき層を形成する工程と、前記無電解めっき層の上面にめっきレジスト層を形成する工程と、前記めっきレジスト層の前記無電解めっき層形成部分の一部に、開口部を形成する工程と、前記開口部に露出した前記無電解めっき層の一部を除去する工程と、前記開口部の前記無電解めっき層の上面に電解めっき層を形成する工程と、前記めっきレジスト層を除去する工程と、前記無電解めっき層の前記めっきレジスト層に被覆されていた部分を除去する工程を順次行うことを特徴とする。
【００３４】
このような配線基板の製造方法によれば、配線導体を構成する無電解めっき層の側面と電解めっき層の側面とを容易に段差が実質的にない形状にすることができ、配線導体を内層導体として用いた際の上部への絶縁樹脂層形成の絶縁樹脂の水平方向からの応力に対して密着力が保たれる、また同様に配線導体を表層導体として用いた際もソルダーレジスト層形成の際の水平方向からの応力に対して密着力が保たれるため、配線導体の剥がれや断線を防止することができるとともに配線導体間の導通信頼性を向上させることができる配線基板を製造することができる。
【００３５】
本発明の電子装置は、以上説明した配線基板の表面に電子部品を搭載するとともに、前記配線導体と前記電子部品の各電極とを電気的に接続して成ることを特徴とする。
【００３６】
このような電子装置では、請求項１記載の配線基板の上面に電子部品を搭載し、配線導体と電子部品の各電極とを電気的に接続したことから、配線導体間の絶縁性が良好であるとともに配線導体が断線することのない高信頼性の電子装置とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
本発明の配線基板４を添付の図面に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明の配線基板４に半導体素子等の電子部品３を搭載して成る電子装置の実施の形態の一例を示す断面図である。この図において、１は絶縁基板、２は配線導体、３は電子部品であり、主に絶縁基板１と配線導体２とで本発明の配線基板４が構成され、配線基板４と電子部品３とで本発明の電子装置５が構成される。
【００３８】
絶縁基板１は、縦・横の長さが５〜５０ｍｍ程度であり、この図の例では、板状の芯体１ａと、この表面に被着した絶縁層１ｂとから形成されている。芯体１ａは、絶縁基板１のそりを防止する機能を有し、厚みが０．３〜１．５ｍｍ程度であり、ガラス繊維を縦横に織り込んだガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて成り、また、絶縁層１ｂは、配線導体２の支持体としての機能を有し、厚みが１０〜８０μｍであり、エポキシ樹脂や変性ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂からなる。
【００３９】
また、絶縁基板１の表面には配線導体２が形成されている。配線導体２は、めっき法により形成され、厚みが３μｍ以下でかつ、０．１μｍ以上、最適には厚みが１μｍ以下でかつ０．３μｍ以上の無電解めっき層２ａと厚みが６μｍ以上、最適には１５μｍ以上の電解めっき層２ｂとから形成されることが望ましい。この配線導体２は、絶縁基板１に搭載される半導体素子等の電子部品３の各電極を外部電気回路（図示せず）に電気的に接続する導電路としての機能を有する。
【００４０】
本発明の配線基板４においては、配線導体２において、無電解めっき層２ａの側面と電解めっき層２ｂ側面との段差が実質的にないことが重要である。
【００４１】
本発明の配線基板４によれば、配線導体２を、上記構成としたことから、電解めっき層２ｂの幅が細くなり過ぎて断線することはなく、また、無電解めっき層２ａが隣接する配線導体２にかけて裾をひく形状となって配線導体２間を短絡させることもない。
【００４２】
なお、従来工法では、図５（ａ）に示すように、絶縁基板５１表面の無電解めっき層５３ａ上にめっきレジスト層Ｂを被着した後、露光・現像により開口部Ｃを形成し、次に、図５（ｂ）に示すように、開口部Ｃに電解めっき層５３ｂを形成し、さらに、図５（ｃ）に示すようにめっきレジスト層Ｂを除去し、図５（ｄ）に示すように無電解めっき層５３ａをエッチングにより除去して、配線導体５３を形成していた。このような工法では、図５（ｄ）の工程で、無電解めっき層２ｂが選択的にエッチングされるため、配線導体２の断面が、図４に示す形状となっていた。
【００４３】
一方、後述する本発明の配線基板４の製造方法によれば、配線導体２の形成方法を変更することで、無電解めっき層２ａの側面と電解めっき層２ｂの側面との段差を実質的になくすことが可能となるのである。
【００４４】
かくして、本発明の配線基板４によれば、配線導体３を、無電解めっき層２ａの側面と電解めっき層２ｂの側面との段差が実質的にないこととから、配線導体２間の絶縁性が良好で剥離のない信頼性に優れた配線基板４とすることができる。
【００４５】
また、本発明の電子装置５は、配線基板４表面の配線導体２と電子部品３の各電極とを導体バンプ６を介して電気的に接続することにより形成される。導体バンプ６は、配線導体２と電子部品３の各電極とを電気的に接続する作用を成し、配線基板４表面の配線導体２上に鉛−錫・錫−亜鉛・錫−銀−ビスマス合金等の導電材料より形成されている。
【００４６】
このような導体バンプ６は次に述べる方法により形成される。まず、配線基板４表面に、配線導体２の電子部品３との接合部を露出する開口を有するソルダーレジスト層７を従来周知のスクリーン印刷法を用いて被着する。ソルダーレジスト層７は、厚みが１０〜５０μｍであり、例えばアクリル変性エポキシ樹脂等の感光性樹脂と開始剤とから成る混合物に３０〜７０重量％のシリカやタルク等の無機粉末フィラーを含有させた絶縁材料から成り、隣接する配線導体２同士が導体バンプ６により電気的に短絡することを防止するとともに、配線導体２と絶縁層１ｂとの接合強度を向上させる機能を有する。次に、導体バンプ６が例えば鉛−錫から成る半田の場合、鉛−錫から成る半田ペーストをソルダーレジスト層７の開口の露出した配線導体２上にスクリーン印刷で充填し、リフロー炉を通すことにより配線導体２上に半球状に固着形成される。なお、配線基板４の表面に露出した配線導体２の表面にニッケル・金等の良導電性で耐食性に優れた金属をめっき法により１〜２０μｍの厚みに被着させておくと、露出した配線導体２の酸化腐食を有効に防止することができるとともに配線導体２と導体バンプ６との接続を良好となすことができる。
【００４７】
しかる後、配線導体２に電子部品３の各電極を半田バンプ６を介して接合して電子部品３を搭載するとともに配線基板４と電子部品３とをアンダーフィル材８で接着固定し、さらに、この電子部品３を図示しない蓋体やポッティング樹脂により封止することによって電子装置５と成り、この電子装置５における配線導体２を外部電気回路基板の配線導体（図示せず）に接続することにより本発明の電子装置５が外部電気回路基板に実装されることとなる。
【００４８】
かくして、本発明の電子装置５によれば、上記の配線基板４の上面に電子部品３を搭載し、配線導体２と電子部品３の各電極とを電気的に接続したことから、配線導体２間の絶縁性が良好であるとともに配線導体２が断線することのない信頼性の良好な電子装置５とすることができる。
【００４９】
次に、本発明の配線基板４の製造方法を、図１に示した配線基板４を製造する場合を例にとって詳細に説明する。
【００５０】
まず、図２（ａ）に示すように、芯体１ａと絶縁層１ｂとから成る絶縁基板１を準備し、以下のようにして、この上面に無電解めっき用のパラジウム触媒Ａを形成する。
【００５１】
なお、この絶縁基板１は、ガラス繊維を縦横に織り込んだガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させたシートを積層した後、仮硬化することにより形成した厚みが０．３〜１．５ｍｍの芯体１ａの上面に、エポキシ樹脂や変性ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂から成る厚みが２０〜６０μｍの絶縁層１ｂを粘着し、これを熱硬化することによって形成されるものである。
【００５２】
この絶縁層１ｂの表面を５０℃の過マンガン酸塩類水溶液等の粗化液に１５分間浸漬し、表面を０．１μｍ以上の粗さまで粗化した後、絶縁基板１を３０℃の無電解めっき用のパラジウム触媒Ａの水溶液中に５分間浸漬することで絶縁層１ｂの表面にパラジウム触媒Ａを形成する。なお、煩雑であるため、以下の工程ではパラジウム触媒Ａは図示しない。
【００５３】
次に、図２（ｂ）に示すように、絶縁基板１を硫酸銅・ロッセル塩・ホルマリン・ＥＤＴＡナトリウム塩・安定剤等から成る６０℃の無電解めっき液に約３０分間浸漬して絶縁層１ｂ表面に１〜５μｍ程度の無電解めっき層２ａを析出させ、その後、図２（ｃ）に示すように、無電解めっき層２ａ上にめっきレジスト層Ｂを形成する。めっきレジスト層Ｂは、厚みが１５〜５０μｍであり例えば材料が感光性樹脂から成り、ラミネートすることにより被着形成される。
【００５４】
その後、図２（ｄ）に示すように、露光と現像により開口部Ｃを形成する。
【００５５】
しかる後、図２（ｅ）に示すように、無電解めっき層２ａを硫酸系や塩素系等の水溶液により、厚みが３μｍ以下でかつ０．３μｍ以上、最適には厚みが１μｍ以下でかつ０．５μｍ以上の厚さまで、さらには表面粗さが配線導体が設けられた絶縁基板主面に対して２５％〜１００％となるように、最適には４０％〜８０％となるように無電解めっき層２ａを除去する。その際に、めっきレジスト層Ｂ下部の無電解めっき層２ａには、凹部Ｄが形成される。
【００５６】
しかる後、図３（ｆ）に示すように、硫酸・硫酸銅５水和物・塩素・光沢剤等から成る電解銅めっき液に３Ａ／ｄｍ２の電流を印加しながら数時間浸漬することにより開口部Ｃに電解めっき層２ｂを形成する。この際、めっきレジスト層Ｂ下部の無電解めっき層２ａの凹部にも電解銅めっき２ｂが形成される。
【００５７】
その後、図３（ｇ）に示すように、３０℃の水酸化ナトリウム水溶液でめっきレジスト層Ｂを除去、さらに、図３（ｈ）に示すように、めっきレジスト層Ｂを剥離したことにより露出する無電解めっき層２ａを２５℃の硫酸・過酸化水素水あるいは硫酸銅等の硫酸系水溶液によりエッチングして除去する。
【００５８】
そして最後に、図３（ｉ）に示すように無電解めっき層２ａを除去したことにより露出するパラジウム触媒Ａ（図示せず）を２５℃程度のシアン化ニッケルカリウムやシアン化カリウム水溶液等のシアン系水溶液に１０〜３０分間程度浸漬でエッチング除去するとともに、無電解めっき層２ａの側面と電解めっき層２ｂの側面との段差が実質的にないように無電解めっき層２ａと電解銅めっき２ｂの側面を除去する。
【００５９】
本発明の配線基板４の製造方法においては、無電解めっき層２ｂの側面と電解めっき層２ａの側面の段差が実質的にない事から、配線導体２間の絶縁性が良好で、配線導体２の剥離による断線のない信頼性に優れた配線基板４とすることができる。
【００６０】
なお、本発明の配線基板４は上述の実施例に限定されるものではなく、本要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能であり、例えば、上述の例では絶縁層１ｂを芯体１ａの上面に積層し、この絶縁層１ｂ上に配線導体２を形成したが、絶縁層１ｂを芯体１ａの上下両面に積層し、この両面に配線導体２を形成してもよい。また、両面に形成した配線導体２間を絶縁基板１の内部に形成した貫通導体で電気的に接続してもよい。さらに、上述の例では、絶縁基板１を芯体１ａに絶縁層１ｂを積層して成るものとしたが、絶縁基板１を芯体１ａのみで構成してもよい。
【００６１】
また、本発明の配線基板４の製造方法も、上述の実施の形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば、種々の変更・改良を施すことは何ら差し支えない。
【実施例】
【００６２】
ガラス繊維を縦横に織り込んだガラスクロスに対してビスマレイミドトリアジン樹脂を５０体積％の割合で含浸した厚さ２００μｍのプリプレグを４枚積層し５００ＭＰａの圧力で圧着し、２００℃で２時間加熱して完全硬化させて芯体を作製した。
【００６３】
そして、芯体表面に従来周知のドクターブレード法を採用して形成したエポキシ樹脂からなるシートを積層するとともにこれらを１００ＭＰａの圧力で仮圧着したのち、１７０℃で２時間加熱し絶縁基板を作製した。
【００６４】
さらに、絶縁基板を５０℃の過マンガン酸塩類水溶液等の粗化液に所定の時間浸漬し表面を表１に示す粗さまで粗化した後、３０℃の無電解銅めっき用のパラジウム触媒の水溶液中に５分間浸漬し、表面にパラジウム触媒を付着させた。
【００６５】
次に、絶縁基板表面に、硫酸銅・ロッセル塩・ホルマリン・ＥＤＴＡナトリウム塩・安定剤等から成る６０℃の無電解銅めっき液に浸漬し、浸漬時間を調整することで表１に示す初期無電解銅めっき厚みとした。
【００６６】
そして、無電解銅めっき層上に耐めっき樹脂層となる、アクリル樹脂を主たる成分としてなるフォトレジストを被着し露光・現像により、電解銅めっき層を被着するための幅１５μｍの導体パターン形成のための開口部を形成した。
【００６７】
さらに、無電解銅めっき層の一部を３０℃の硫酸加水水溶液でエッチング速度を調整し除去し、表１に示すエッチング後無電解銅めっき厚みとした。
【００６８】
次に、硫酸・硫酸銅５水和物・塩素・光沢剤等から成る電解銅めっき液に３Ａ／ｄｍ２の電流を印加しながら所定の時間浸漬することにより、開口部に電解銅めっき層を所定の厚みで形成し、表１に示す電解銅めっき厚みとした。
【００６９】
その後、耐めっき樹脂層を水酸化ナトリウムで除去し、露出した無電解銅めっき層を硫酸加水水溶液を使用し、それぞれの無電解銅めっき層の厚みに応じ、エッチング速度を調整して除去する。
【００７０】
そして、表面に絶縁抵抗・導通抵抗測定のための開口部を有する２０μｍ厚のアクリル変性エポキシ樹脂からなるソルダーレジスト層を形成し配線基板とした。
【００７１】
得られた配線基板の導体幅が１５μｍで形成されている絶縁抵抗評価パターンと導通抵抗評価パターンについて初期の配線導体形状及び剥がれの有無を観察するとともに、絶縁抵抗・導通抵抗の測定を行った。さらに不飽和ＰＣＴ温度１３０℃湿度８５％に１９６Ｈｒ放置した後の絶縁抵抗・導通抵抗の測定もあわせて行い、表１に無電解銅めっき層と電解銅めっき層の主たる側面との段差と、絶縁基板主面粗さに対する無電解銅めっき層の粗さの割合、配線導体の剥がれの有無、無電解銅めっき層と電解銅めっき層の層間密着性、不飽和ＰＣＴ１９６Ｈｒ放置後の絶縁抵抗値と導通抵抗変化率の関係を示した。
【表１】
2005072330.tif 000003
【００７２】
表１より、本発明の範囲外である配線導体の無電解銅メッキ層の側面と電解銅メッキ層の側面との段差が１．５μｍを超え、３、４μｍである試料Ｎｏ．１、２では、配線導体の剥れや不飽和ＰＣＴ放置後の絶縁抵抗の劣化が発生した。例えば、試料Ｎｏ．１では、配線導体が剥がれ、配線基板としての機能をなさなかった。また、試料Ｎｏ．２では絶縁抵抗値が１０５Ω以下となり、配線間の絶縁性が保てなかった。
【００７３】
一方、本発明の配線導体の無電解銅メッキ層の側面と電解銅メッキ層の側面との段差が１．５μｍ以内である試料Ｎｏ．３〜２１では、配線導体の剥がれは認められず、また、絶縁抵抗も１０７Ω以上であり、導通抵抗も１４％以内となり良好な特性を示すことがわかる。
【００７４】
本発明の範囲外の試料Ｎｏ．１、２と、本発明の範囲の試料Ｎｏ．３〜２１とを比較すると無電解銅めっき層の厚みを３μｍ以下とすることで、無電解銅メッキ層の側面と電解銅メッキ層の側面との段差を１．５μｍ以内にできることがわかる。
【００７５】
ただし、無電解銅めっき層の厚みが０．３μｍ未満の試料Ｎｏ．７では、不飽和ＰＣＴ後の導通抵抗変化率が９％と若干、高くなった。
【００７６】
また、絶縁基板の主面の粗さを変化させた試料Ｎｏ．８〜１０では、絶縁基板の主面の粗さが０．１μｍ未満の試料Ｎｏ．８、９で導体抵抗がそれぞれ、１４、１２％変化した。絶縁基板の主面の粗さが０．１μｍ以上の試料Ｎｏ．１０では導体抵抗の変化率が９％となっていることから、絶縁基板の主面の粗さが０．１μｍ以上とすることが望ましい。
【００７７】
また、絶縁基板の主面の粗さに対する無電解銅めっき層の粗さの割合が２５％未満の試料Ｎｏ．１１、１２では不飽和ＰＣＴ後の絶縁抵抗値が１０７Ωレベルに劣化した。また、絶縁基板の主面の粗さに対する無電解銅めっき層の粗さの割合が１００％を越え、１２０％となった試料Ｎｏ．１７では、導通抵抗が１３％と若干大きくなった。一方、絶縁基板の主面の粗さに対する無電解銅めっき層の粗さの割合は２５〜１００％の試料はいずれも良好な値を示している。
【００７８】
のときには、不飽和ＰＣＴ後導通抵抗変化率に１０％以上の劣化が生じた。しかし試料Ｎｏ．１３〜１６の絶縁基板主面粗さに対する無電解銅メッキ層の粗さの割合が２５〜１００％のときには不飽和ＰＣＴ放置後の絶縁抵抗の劣化が見られず、不飽和ＰＣＴ放置後の導通抵抗変化率にも問題はなかった。
【００７９】
また、電解銅銅メッキ層の厚みが６μｍ未満の試料Ｎｏ．２０、２１では実用上問題はない範囲ではあるが導通抵抗変化率に１０％以上の劣化が生じた。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明の配線基板に、電子部品を搭載してなる電子装置の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の配線基板の製造方法を示す工程図である。
【図３】本発明の配線基板の製造方法を示す工程図である。
【図４】従来の配線基板を示す断面図である。製造方法を示す工程図である。
【図５】従来の配線基板の製造方法を示す工程図である。
【符号の説明】
【００８１】
１・・・・・・絶縁基板
１ａ・・・・・芯体
１ｂ・・・・・絶縁層
２・・・・・・配線導体
２ａ・・・・・無電解めっき層
２ｂ・・・・・電解めっき層
３・・・・・・電子部品
４・・・・・・配線基板
５・・・・・・電子装置
Ａ・・・・・・パラジウム触媒
Ｂ・・・・・・めっきレジスト層
Ｃ・・・・・・電解めっき層を被着させるための開口部Ｃ
【図１】
2005072330.tif 000004
【図２】
2005072330.tif 000005
【図３】
2005072330.tif 000006
【図４】
2005072330.tif 000007
【図５】
2005072330.tif 000008