(57)【要約】【課題】素子サイズを増大させることなく必要な耐圧が確保できると共に、輸送効率の低下を抑制できるバイポーラトランジスタを提供する。【解決手段】半導体基板１に形成され、電流のキャリアが、第１導電型の不純物を有するベース領域３を介して、第２導電型の不純物を有するエミッタ領域２とコレクタ領域４間を移動するバイポーラトランジスタ１０１において、ベース領域３中のエミッタ領域２とコレクタ領域４を結ぶキャリア移動の最短直線経路に、複数に分割して配置されたキャリア移動の障害領域５ａが設けられてなるバイポーラトランジスタとする。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に形成され、
電流のキャリアが、第１導電型の不純物を有するベース領域を介して、第２導電型の不純物を有するエミッタ領域とコレクタ領域間を移動するバイポーラトランジスタにおいて、
前記ベース領域中の前記エミッタ領域とコレクタ領域を結ぶキャリア移動の最短直線経路に、
複数に分割して配置されたキャリア移動の障害領域が設けられてなることを特徴とするバイポーラトランジスタ。
【請求項２】
前記障害領域が、第１導電型で前記ベース領域より不純物濃度の高い高濃度領域からなることを特徴とする請求項１に記載のバイポーラトランジスタ。
【請求項３】
前記障害領域が、絶縁領域からなることを特徴とする請求項１に記載のバイポーラトランジスタ。
【請求項４】
前記障害領域が、第１導電型で前記ベース領域より不純物濃度の高い高濃度領域と絶縁領域が組み合わされてなることを特徴とする請求項１に記載のバイポーラトランジスタ。
【請求項５】
前記絶縁領域が、酸化膜により形成されることを特徴とする請求項３または４に記載のバイポーラトランジスタ。
【請求項６】
前記障害領域を迂回して移動するキャリアの移動経路が、前記最短直線経路に対して、斜め方向をなす直線経路となるように、前記複数の障害領域が形成されてなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のバイポーラトランジスタ。
【請求項７】
前記障害領域を迂回して移動するキャリアの移動経路が、前記エミッタ領域とコレクタ領域を結ぶジグザグ経路となるように、前記複数の障害領域が形成されてなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のバイポーラトランジスタ。
【請求項８】
前記バイポーラトランジスタが、
前記エミッタ領域、ベース領域およびコレクタ領域が前記半導体基板における一方の表層部に形成され、
前記キャリアが前記表層部において横方向に移動する、横型バイポーラトランジスタであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載のバイポーラトランジスタ。
【請求項９】
前記バイポーラトランジスタが、
前記エミッタ領域、ベース領域およびコレクタ領域が前記半導体基板において厚さ方向に形成され、
前記キャリアが前記半導体基板の厚さ方向に移動する縦型バイポーラトランジスタであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載のバイポーラトランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バイポーラトランジスタに関する。
【背景技術】
【０００２】
電流のキャリアが、第１導電型の不純物を有するベース領域を介して、第２導電型の不純物を有するエミッタ領域とコレクタ領域間で移動するバイポーラトランジスタが、例えば、特開平５−１６６８２０号公報（特許文献１）に開示されている。
【０００３】
図７（ａ），（ｂ）は、従来のバイポーラトランジスタ９１，９２の平面図である。
【０００４】
図７（ａ）のバイポーラトランジスタ９１は、シリコン基板の表層部にｐ導電型のエミッタ領域２、ｎ導電型のベース領域３およびｐ導電型のコレクタ領域４が形成され、キャリアが図中の太い実線矢印で示したようにシリコン基板の表層部において横方向に移動する、横型バイポーラトランジスタである。
【０００５】
図７（ｂ）のバイポーラトランジスタ９２も横型バイポーラトランジスタで、図７（ａ）のバイポーラトランジスタ９１と同様に、キャリアが図中の太い実線矢印で示したようにシリコン基板の表層部において横方向に移動する。図７（ｂ）のバイポーラトランジスタ９２においては、エミッタ領域２、ベース領域３およびコレクタ領域４の他に、ベース領域３内に、ｎ導電型でベース領域３より不純物濃度の高い帯状に連続する高濃度領域５が、キャリアの移動経路を横切って形成されている。
【特許文献１】特開平５−１６６８２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
バイポーラトランジスタを使用にあたっては、コレクタ−エミッタ間のパンチスルー耐圧が問題となる場合が多く、高耐圧のバイポーラトランジスタが望まれる。
【０００７】
図７（ａ）のバイポーラトランジスタ９１では、図中のＬＥＣで示したエミッタ領域２とコレクタ領域４の間隔を大きくして、耐圧を高めている。しかしながら、エミッタ領域２とコレクタ領域４の間隔ＬＥＣを大きくすると、素子サイズは増大してしまう。
【０００８】
一方、図７（ｂ）のバイポーラトランジスタ９２では、素子サイズを増大させることなく耐圧を高めるために、帯状の高濃度領域５がベース領域３内に配置されている。この高濃度領域５の配置によって、エミッタ領域２もしくはコレクタ領域４からの空乏層の広がりが抑制され、バイポーラトランジスタ９２の耐圧が高められる。しかしながら、帯状の高濃度領域５が存在することで、例えば、エミッタ領域２から注入された小数キャリアの正孔は高濃度領域５で電子と再結合するため、輸送効率が低下して十分な性能がでない場合がある。
【０００９】
そこで本発明は、素子サイズを増大させることなく必要な耐圧が確保できると共に、輸送効率の低下を抑制できるバイポーラトランジスタを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１に記載の発明は、半導体基板に形成され、電流のキャリアが、第１導電型の不純物を有するベース領域を介して、第２導電型の不純物を有するエミッタ領域とコレクタ領域間を移動するバイポーラトランジスタにおいて、前記ベース領域中の前記エミッタ領域とコレクタ領域を結ぶキャリア移動の最短直線経路に、複数に分割して配置されたキャリア移動の障害領域が設けられてなることを特徴としている。
【００１１】
上記バイポーラトランジスタにおいては、パンチスルーが起きてトランジスタがブレークダウンする時と、通常のトランジスタ動作時とで、その作用効果を異にしている。
【００１２】
上記バイポーラトランジスタにおいて、パンチスルーが起きてバイポーラトランジスタがブレークダウンする時には、キャリアは、エミッタ領域とコレクタ領域を結ぶ最短直線経路を移動しようとする。しかしながら、上記バイポーラトランジスタでは、キャリア移動の最短直線経路に設けられた障害領域が、キャリアのパンチスルーを起き難くしている。より詳しく説明すれば、ベース領域中にキャリア移動の障害領域を設けることで、実質的にエミッタ領域とコレクタ領域の間隔を大きくしたのと同様の効果が得られる。別の観点から言えば、障害領域が、エミッタ領域もしくはコレクタ領域からの空乏層の広がりを抑制する。これによって、高耐圧のバイポーラトランジスタとすることができる。
【００１３】
一方、通常のトランジスタ動作時において、キャリアは、複数に分散して配置された障害領域を迂回して、エミッタ領域とコレクタ領域の間を移動することができる。このため、ベース領域におけるキャリアの輸送効率の低下を抑制することができ、通常のトランジスタ動作時には、十分なトランジスタ性能を発揮させることができる。
【００１４】
以上のようにして、上記のバイポーラトランジスタは、素子サイズを増大させることなく必要な耐圧が確保できると共に、輸送効率の低下を抑制できるバイポーラトランジスタとすることができる。
【００１５】
請求項２に記載したように、前記障害領域は、第１導電型で前記ベース領域より不純物濃度の高い高濃度領域とすることができる。
【００１６】
ベース領域と同じ導電型で、より不純物濃度の高い高濃度領域は、ベース領域におけるキャリア移動の障害となる。この高濃度領域は、イオン注入により簡単に形成することができる。従って、障害領域形成によるバイポーラトランジスタの製造コストの増大を、抑制することができる。
【００１７】
請求項３に記載したように、前記障害領域は、絶縁領域とすることもできる。
【００１８】
絶縁領域も、ベース領域におけるキャリア移動の障害となる。キャリア移動の障害領域を絶縁領域とする場合には、障害領域での小数キャリアの再結合が起きないため、通常のトランジスタ動作時における輸送効率が低下することもない。
【００１９】
また、請求項４に記載したように、前記障害領域は、第１導電型で前記ベース領域より不純物濃度の高い高濃度領域と絶縁領域を組み合わせて構成してもよい。
【００２０】
尚、請求項５に記載したように、前記絶縁領域は、酸化膜により形成されることが好ましい。
【００２１】
酸化膜により形成される絶縁領域として、例えば、側壁酸化膜が形成された埋め込みトレンチがある。このような酸化膜を用いた絶縁領域は、一般的な半導体製造技術を用いて、簡単に形成することができる。従って、障害領域形成によるバイポーラトランジスタの製造コストの増大を、抑制することができる。
【００２２】
請求項６に記載したように、前記障害領域を迂回して移動するキャリアの移動経路は、前記最短直線経路に対して、斜め方向をなす直線経路とすることができる。これによれば、キャリアの移動経路が単純な直線経路であるため、当該バイポーラトランジスタの設計が容易になる。
【００２３】
請求項７に記載したように、前記障害領域を迂回して移動するキャリアの移動経路は、前記エミッタ領域とコレクタ領域を結ぶジグザグ経路とすることができる。これによれば、エミッタ領域とコレクタ領域の間隔が狭い場合においても、キャリアの長い移動経路を確保することができ、小型であるにもかかわらず、高耐圧のバイポーラトランジスタとすることができる。
【００２４】
請求項８に記載したように、前記キャリア移動の障害領域が設けられたバイポーラトランジスタは、前記エミッタ領域、ベース領域およびコレクタ領域が前記半導体基板における一方の表層部に形成され、前記キャリアが前記表層部において横方向に移動する、横型バイポーラトランジスタとすることができる。
【００２５】
また、請求項９に記載したように、前記キャリア移動の障害領域が設けられたバイポーラトランジスタは、前記エミッタ領域、ベース領域およびコレクタ領域が前記半導体基板において厚さ方向に形成され、前記キャリアが前記半導体基板の厚さ方向に移動する縦型バイポーラトランジスタとすることもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明を実施するための最良の形態を、図に基づいて説明する。
【００２７】
図１（ａ），（ｂ）は、本発明のバイポーラトランジスタの一例で、図１（ａ）は、バイポーラトランジスタ１０１の平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）におけるＡ−Ａ’に沿った断面図である。尚、図１（ａ），（ｂ）に示すバイポーラトランジスタ１０１において、図７（ａ），（ｂ）に示す従来のバイポーラトランジスタ９１，９２と同様の部分については、同一の符号を付けた。
【００２８】
図１（ａ），（ｂ）のバイポーラトランジスタ１０１は、シリコン基板１の一方の表層部に、ｐ導電型の不純物を有するエミッタ領域２、ｎ導電型の不純物を有するベース領域３およびｐ導電型の不純物を有するコレクタ領域４が形成された横型のＰＮＰバイポーラトランジスタである。電流のキャリアである電子と正孔は、シリコン基板１の表層部において、ベース領域３を介して、エミッタ領域２とコレクタ領域４間を横方向に移動する。
【００２９】
図１（ａ），（ｂ）のバイポーラトランジスタ１０１のベース領域３内にも、図７（ｂ）に示す従来のバイポーラトランジスタ９２と同様に、ｎ導電型でベース領域３より不純物濃度の高い高濃度領域５ａが形成されている。図１（ａ），（ｂ）のバイポーラトランジスタ１０１における高濃度領域５ａは、図７（ｂ）のバイポーラトランジスタ９２におけるキャリアの移動経路を横切って配置された帯状に連続する高濃度領域５と異なり、複数に分割して配置され、２列に交互に並んでいる。また、高濃度領域５ａの配置は、図中の太い点線矢印で示したエミッタ領域２とコレクタ領域４を結ぶキャリア移動の最短直線経路を遮るようになっている。ベース領域３と同じ導電型で、より不純物濃度の高い高濃度領域５ａは、ベース領域３におけるキャリア移動の障害となり、キャリア移動の障害領域として機能する。尚、横型のバイポーラトランジスタ１０１においては、キャリアは、主としてシリコン基板１の近傍を移動する。このため、図１（ｂ）に示すように、高濃度領域５ａの厚さ方向における先端は、ベース領域３の底部に到達していなくてもよい。また、図１（ａ），（ｂ）のバイポーラトランジスタ１０１では、シリコン基板１に対してベース領域３を新たに設けているが、シリコン基板１の導電型と不純物濃度をベース領域３の導電型と不純物濃度に一致させて、シリコン基板１の表層部をベース領域としてもよい。
【００３０】
バイポーラトランジスタ１０１における高濃度領域５ａは、イオン注入により簡単に形成することができる。従って、高濃度領域５ａの形成に伴うバイポーラトランジスタ１０１の製造コストの増大は、ほとんどない。
【００３１】
図１（ａ），（ｂ）のバイポーラトランジスタ１０１においては、パンチスルーが起きてトランジスタがブレークダウンする時と、通常のトランジスタ動作時とで、その作用効果を異にしている。
【００３２】
バイポーラトランジスタ１０１において、パンチスルーが起きてバイポーラトランジスタ１０１がブレークダウンする時には、キャリアは、エミッタ領域２とコレクタ領域４を結ぶ図中の太い点線矢印で示した最短直線経路を移動しようとする。しかしながら、バイポーラトランジスタ１０１では、キャリア移動の最短直線経路に設けられた高濃度領域５ａが、キャリアのパンチスルーを起き難くしている。より詳しく説明すれば、ベース領域３中にキャリア移動の障害領域である高濃度領域５ａを設けることで、実質的にエミッタ領域２とコレクタ領域３の間隔を大きくしたのと同様の効果が得られる。別の観点から言えば、逆方向動作（耐圧）時において、障害領域である高濃度領域５ａが、エミッタ領域２もしくはコレクタ領域３からの空乏層のストッパとなり、空乏層の広がりを抑制する。これによって、バイポーラトランジスタ１０１を、高耐圧のバイポーラトランジスタとすることができる。
【００３３】
一方、通常のトランジスタ動作時において、キャリアは、複数に分割して配置された高濃度領域５ａを迂回して、図中の太い点線矢印で示したようにエミッタ領域２とコレクタ領域４の間を移動することが可能である。このため、例えば、エミッタ領域２から注入された小数キャリアの正孔の一部は高濃度領域５ａで電子と再結合するが、再結合しないでコレクタ領域４に達する正孔も存在する。従って、図１（ａ），（ｂ）のバイポーラトランジスタ１０１は、図７（ｂ）のバイポーラトランジスタ９２と較べて、ベース領域３におけるキャリアの輸送効率の低下を抑制することができ、通常のトランジスタ動作時には、十分なトランジスタ性能を発揮させることができる。
【００３４】
以上のようにして、図１（ａ），（ｂ）に示すバイポーラトランジスタ１０１は、素子サイズを増大させることなく必要な耐圧が確保できると共に、輸送効率の低下を抑制したバイポーラトランジスタとなっている。
【００３５】
図２（ａ），（ｂ）は、本発明のバイポーラトランジスタに関する別の例で、図２（ａ）は、バイポーラトランジスタ１０２の平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）におけるＢ−Ｂ’に沿った断面図である。尚、図２（ａ），（ｂ）に示すバイポーラトランジスタ１０２において、図１（ａ），（ｂ）に示すバイポーラトランジスタ１０１と同様の部分については同一の符号を付け、その説明は省略する。
【００３６】
図２（ａ），（ｂ）に示すバイポーラトランジスタ１０２は、図１（ａ），（ｂ）のバイポーラトランジスタ１０１における高濃度領域５ａを、絶縁領域６ａに置き換えたものである。絶縁領域６ａも、ベース領域３におけるキャリア移動の障害となり、キャリア移動の障害領域として機能する。尚、バイポーラトランジスタ１０２においては、図２（ｂ）に示すように、絶縁領域６ａの厚さ方向における先端がベース領域３の底部を貫通している。しかしながら先に説明したように、横型のバイポーラトランジスタ１０２では、キャリアが主としてシリコン基板１の近傍を移動するため、絶縁領域６ａ先端はベース領域３の底部に達していなくてもよい。
【００３７】
バイポーラトランジスタ１０２における絶縁領域６ａは、酸化膜により形成することが好ましい。酸化膜を用いて形成する絶縁領域６ａとして、例えば、側壁酸化膜が形成された埋め込みトレンチがある。このような酸化膜を用いた絶縁領域６ａは、一般的な半導体製造技術を用いて、簡単に形成することができる。従って、絶縁領域６ａの形成に伴うバイポーラトランジスタ１０２の製造コストの増大は、ほとんどない。
【００３８】
図２（ａ），（ｂ）のバイポーラトランジスタ１０２においても、図１（ａ），（ｂ）のバイポーラトランジスタ１０１の場合と同様に、パンチスルーが起きる時には、キャリアは、エミッタ領域２とコレクタ領域４を結ぶ図中の太い点線矢印で示した最短直線経路を移動しようとする。しかしながら、バイポーラトランジスタ１０２における絶縁領域６ａもキャリア移動の障害領域として機能するため、最短直線経路に設けられた絶縁領域６ａが、キャリアのパンチスルーを起き難くしている。図１（ａ），（ｂ）のバイポーラトランジスタ１０１の場合と同様に、別の観点から言えば、ベース領域３中にキャリア移動の障害領域である絶縁領域６ａを設けることで、実質的にエミッタ領域２とコレクタ領域３の間隔を大きくしたのと同様の効果が得られる。このため、エミッタ領域２もしくはコレクタ領域３からの空乏層の広がりを抑制できる。これによって、高耐圧のバイポーラトランジスタとすることができる。
【００３９】
一方、通常のトランジスタ動作時において、キャリアは、複数に分割して配置された絶縁領域６ａを迂回して、図中の太い点線矢印で示したようにエミッタ領域２とコレクタ領域４の間を移動することが可能である。図１（ａ），（ｂ）のバイポーラトランジスタ１０１の場合には、キャリア移動の障害領域が高濃度領域５ａであるため、例えば、エミッタ領域２から注入された小数キャリアの正孔の一部は高濃度領域５ａで電子と再結合する。しかしながら、図２（ａ），（ｂ）のバイポーラトランジスタ１０２の場合には、キャリア移動の障害領域が絶縁領域６ａであるため、絶縁領域６ａでの小数キャリアの再結合が起きないため、通常のトランジスタ動作時における輸送効率が低下することもない。従って、図２（ａ），（ｂ）のバイポーラトランジスタ１０２は、十分なトランジスタ性能を発揮させることができる。
【００４０】
以上のようにして、図２（ａ），（ｂ）に示すバイポーラトランジスタ１０２も、素子サイズを増大させることなく必要な耐圧が確保できると共に、輸送効率の低下を抑制したバイポーラトランジスタとすることができる。
【００４１】
図３（ａ）〜（ｃ）は、本発明のバイポーラトランジスタに関する別の例で、図３（ａ）は、バイポーラトランジスタ１０３の平面図である。また、図３（ｂ）は、図３（ａ）におけるＣ−Ｃ’に沿った断面図であり、図３（ｃ）は、図３（ａ）におけるＤ−Ｄ’に沿った断面図である。
【００４２】
図３（ａ）〜（ｃ）に示すバイポーラトランジスタ１０３は、図１（ａ），（ｂ）のバイポーラトランジスタ１０１にある高濃度領域５ａと、図２（ａ），（ｂ）のバイポーラトランジスタ１０２にある絶縁領域６ａを組み合わせて、ベース領域３におけるキャリア移動の障害領域としたものである。図３（ａ）〜（ｃ）に示すバイポーラトランジスタ１０３についても、図１（ａ），（ｂ）および図２（ａ），（ｂ）のバイポーラトランジスタ１０１，１０２と同様の作用効果が得られることは言うまでもない。
【００４３】
図４（ａ），（ｂ）は、本発明のバイポーラトランジスタに関する別の例で、バイポーラトランジスタ１０４，１０５の平面図である。
【００４４】
図４（ａ）のバイポーラトランジスタ１０４は、ベース領域３中に高濃度領域５ｃが斜めに配置されたバイポーラトランジスタであり、図４（ｂ）のバイポーラトランジスタ１０５は、ベース領域３中に絶縁領域６ｃが斜めに配置されたバイポーラトランジスタである。尚、図４（ａ），（ｂ）に示すバイポーラトランジスタ１０４，１０５についても、前記のバイポーラトランジスタ１０１〜１０３と同様の作用効果が得られることは言うまでもない。
【００４５】
図４（ａ），（ｂ）のバイポーラトランジスタ１０４，１０５においては、いずれも、障害領域である高濃度領域５ｃもしくは絶縁領域６ｃを迂回して移動するキャリアの移動経路は、図中の太い点線矢印で示したエミッタ領域２とコレクタ領域４を結ぶ最短直線経路に対して、斜め方向をなす直線経路となる。このように、バイポーラトランジスタ１０４，１０５は、キャリアの移動経路が単純な直線経路であるため、トランジスタの設計が容易である。
【００４６】
図５も、本発明のバイポーラトランジスタに関する別の例で、バイポーラトランジスタ１０６の平面図である。
【００４７】
図５のバイポーラトランジスタ１０６は、ベース領域３中に凹凸形状の絶縁領域６ｄが配置されたバイポーラトランジスタである。図５のバイポーラトランジスタ１０６についても、前記のバイポーラトランジスタ１０１〜１０５と同様の作用効果が得られることは言うまでもない。
【００４８】
図５に示すバイポーラトランジスタ１０６においては、障害領域である絶縁領域６ｄを迂回して移動するキャリアの移動経路は、図中の太い実線矢印で示したように、エミッタ領域２とコレクタ領域４を結ぶジグザグ経路となる。このため、エミッタ領域２とコレクタ領域４の間隔が狭い場合においても、キャリアの長い移動経路を確保することができ、小型であるにもかかわらず、高耐圧のバイポーラトランジスタとすることができる。
【００４９】
図６も、本発明のバイポーラトランジスタに関する別の例で、バイポーラトランジスタ１０７の断面図である。
【００５０】
図１〜５に示したバイポーラトランジスタ１０１〜１０６は、いずれも、キャリアがシリコン基板１の表層部において横方向に移動する、横型のバイポーラトランジスタであった。一方、図６に示すバイポーラトランジスタ１０７は、ｎ導電型のエミッタ領域７、ｐ導電型のベース領域８およびｎ導電型のコレクタ領域９ａが半導体基板１０において厚さ方向に形成され、キャリアが半導体基板１０の厚さ方向に移動する縦型のＮＰＮバイポーラトランジスタである。
【００５１】
図６の半導体基板１０は、埋め込み酸化膜１０が形成されたＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板である。図６の縦型バイポーラトランジスタ１０７は、埋め込み酸化膜１０の一方の側にあるｎ導電型半導体層１１に形成され、埋め込み酸化膜１０上に形成されたｎ導電型の拡散層９ａが実質的なコレクタ領域となっている。拡散層９ａには、ｎ導電型の深い拡散領域９ｂが接続し、エミッタ領域７およびベース領域８と同じ側の表面から電極が接続される。尚、図６において、符号１２はトレンチ分離部であり、符号１３はＬＯＣＯＳ（LOCal Oxidation of Silicon）である。
【００５２】
図７のバイポーラトランジスタ１０７も、キャリア移動の障害領域として、ベース領域７と同じ導電型でより不純物濃度の高い高濃度領域５ｄと絶縁領域６ｅが組み合わされて、ベース領域８中に配置されている。従って、図６のバイポーラトランジスタ１０７についても、前記のバイポーラトランジスタ１０１〜１０６と同様の作用効果が得られることは言うまでもない。図７の縦型バイポーラトランジスタ１０７は、ベース領域８中にキャリア移動の障害領域として高濃度領域もしくは絶縁領域を配置することで、耐圧を高める、あるいは同じ耐圧であれば、ベース領域８を浅く設定することができる。
【００５３】
（他の実施形態）
図１〜５に示した横型のバイポーラトランジスタ１０１〜１０６は、いずれも、ＰＮＰトランジスタであった。これに限らず、本発明のバイポーラトランジスタは、横型のＮＰＮトランジスタとすることもできる。また、図６に示した縦型のバイポーラトランジスタ１０７は、ＮＰＮトランジスタであった。これに限らず、本発明のバイポーラトランジスタは、縦型のＮＰＮトランジスタとすることができる。尚、これら場合において、ベース領域中にキャリア移動の障害領域として形成する高濃度領域は、ベース領域と同じ導電型で、より不純物濃度を高くした領域である。
【００５４】
また、本発明の上記各実施形態においては、バイポーラトランジスタ１０１〜１０４を、埋め込み酸化膜上に形成されたｎ型層に形成したが、このようなＳＯＩ基板ではなく、通常のｎ型バルク基板上に形成しても良い。
【００５５】
本発明のバイポーラトランジスタの形成に用いる半導体基板は、通常のシリコン基板の他に、ＳＯＩ基板、エピタキシャル半導体層が形成された基板等、任意の半導体基板であってよい。また、本発明のバイポーラトランジスタは、トレンチ分離されていても、ＰＮ接合分離されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明のバイポーラトランジスタの一例で、（ａ）はバイポーラトランジスタの平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ’に沿った断面図である。
【図２】本発明のバイポーラトランジスタに関する別の例で、（ａ）はバイポーラトランジスタの平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ’に沿った断面図である。
【図３】本発明のバイポーラトランジスタに関する別の例で、（ａ）はバイポーラトランジスタの平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＣ−Ｃ’に沿った断面図であり、（ｃ）は（ａ）におけるＤ−Ｄ’に沿った断面図である。
【図４】（ａ），（ｂ）は、本発明のバイポーラトランジスタに関する別の例で、バイポーラトランジスタの平面図である。
【図５】本発明のバイポーラトランジスタに関する別の例で、バイポーラトランジスタの平面図である。
【図６】本発明のバイポーラトランジスタに関する別の例で、バイポーラトランジスタの断面図である。
【図７】（ａ），（ｂ）は、従来のバイポーラトランジスタの平面図である。
【符号の説明】
【００５７】
９１，９２，１０１〜１０７  バイポーラトランジスタ
２，７  エミッタ領域
３，８  ベース領域
４，９ａ  コレクタ領域
５ａ〜５ｄ  高濃度領域（キャリア移動の障害領域）
６ａ〜６ｅ  絶縁領域（キャリア移動の障害領域）
【図１】
2005243943.tif 000003
【図２】
2005243943.tif 000004
【図３】
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【図４】
2005243943.tif 000006
【図５】
2005243943.tif 000007
【図６】
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【図７】
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