(57)【要約】【課題】  排ガスの洗浄処理に用いた洗浄液のフッ素濃度を正確に把握することができるようにした排ガスの除害装置及びその除害方法、電子デバイスの製造システムを提供する。【解決手段】  地球温暖化との関係が指摘されているＰＦＣガスを含む排ガスの除害装置であって、半導体処理装置９０から排出され、反応筒３０で熱分解された排ガスを水等で洗浄処理する第２スクラバー２２と、この第２スクラバー２２によって排ガスの洗浄処理に用いられた水のフッ素濃度を計測するフッ素濃度計６０と、を有する。排ガスの洗浄処理に用いた水のフッ素濃度を正確に把握することができ、除害装置の外へ排出される水のフッ素濃度が所定の排出基準を超えないようにすることが可能である。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の製造装置から排出され、排ガス熱処理手段によって熱分解された排ガスを所定の洗浄液で洗浄処理する排ガス洗浄手段と、
前記排ガス洗浄手段によって前記排ガスの洗浄処理に用いられた前記洗浄液のフッ素濃度を計測するフッ素濃度測定手段と、を有することを特徴とする排ガスの除害装置。
【請求項２】
前記フッ素濃度測定手段によって測定された前記洗浄液のフッ素濃度に基づいて、前記洗浄液のフッ素濃度を調整するフッ素濃度調整手段、を有することを特徴とする請求項１に記載の排ガスの除害装置。
【請求項３】
前記排ガス洗浄手段によって前記排ガスの洗浄処理に用いられた前記洗浄液のｐＨを計測するｐＨ測定手段、を有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の排ガスの除害装置。
【請求項４】
前記排ガス洗浄手段によって前記排ガスの洗浄処理に用いられた前記洗浄液を貯める洗浄液槽と、
前記洗浄液槽に貯められた前記洗浄液の量を計測する液量計測手段と、を有することを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載の排ガスの除害装置。
【請求項５】
前記製造装置から排出された前記排ガスを熱分解する排ガス熱処理手段、を有することを特徴とする請求項１から請求項４の何れか一項に記載の排ガスの除害装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５の何れか一項に記載された排ガスの除害装置を用いて、所定の製造装置から排出された前記排ガスを除害処理することを特徴とする排ガスの除害方法。
【請求項７】
請求項１から請求項５の何れか一項に記載された排ガスの除害装置と、
１台又は２台以上の電子デバイスの製造装置と、を備えたことを特徴とする電子デバイスの製造システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、除害装置及び電子デバイスの製造システムに関し、特に、電子デバイス等の製造装置から排出される排ガス中の有害成分を無害化（即ち、除害処理）する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＳＦ６やＰＦＣガスは地球温暖化との関係が指摘されており、その排出量の削減が強く求められている。半導体装置やＬＣＤの製造工程では、一般に、ＳＦ６や、ＣＦ４、ＣＨＦ３等のＰＦＣガスがプロセスガスとして用いられている。プロセスガスとは、例えば、製膜用の原料ガスや、薄膜エッチング用のエッチングガス等のことであり、半導体ウエーハにＩＣ回路を形成する上で必要なガスのことである。半導体装置やＬＣＤの製造工程では、このようなＰＦＣガスの外界への排出量を少なくする目的で、製造装置に繋がる排気ラインに除害装置が設けられている。
【０００３】
ＰＦＣガスの除害装置は、常温での処理が困難な有害な成分を無害化するため、排ガスを加熱して有害成分を熱分解する反応筒と、この反応筒の後段に設けられたスクラバーとの組合せで構成されていることが普通である。製造装置から排出されたＰＦＣガスは、反応筒でＣＯ２（二酸化炭素）とＨＦ（フッ酸）等とに熱分解される。そして、熱分解された排ガスのうち、特に、有害成分であるＨＦは反応筒の後段にあるスクラバーによって水に溶かされ、排ガス中から除去される。スクラバーの具体的な構成については、例えば特許文献１に記載されている。
【０００４】
ここで、特許文献１に記載されたスクラバーは、当該スクラバー内で循環して使用する洗浄液のｐＨ測定用にｐＨ計を有し、このｐＨ計の測定値に基づいてスクラバーへの新たな洗浄液の補給量を決定するような構成である。このような構成により、特許文献１には、その発明の効果として「最小限の洗浄液の補給量で排気ガスを確実に洗浄、浄化することができる。また、洗浄液のｐＨ値を管理しているので、排気ガスの洗浄処理後の有害ガス成分の濃度を上限以下に確実に保持できる。」ということが記載されている。
【特許文献１】特開平１０−２９０９１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、半導体装置やＬＣＤの製造工場では、装置コストや配置スペース等の理由から、１台のスクラバーでＮＨ３、ＨＣｌ、ＳｉＨＣｌ３、ＢＣｌ３、ＢＦ３、ＰＦ５、ＰＦ３、ＳｉＣｌ４、ＳｉＦ４、Ｂ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＷＦ６等の複数種類のガスを除害処理することが普通である。そして、このような複数種類のガスを除害処理の対象としたスクラバーが、工場の規模に応じて１台若しくは複数台設けられていることが普通である。従来、この種のスクラバーは、使用後の洗浄液全体でのｐＨが排出基準をクリアしていればそれで良いと考えられており、このような排出基準をクリアするためには特許文献１に記載された構成で十分と考えられていた。
【０００６】
しかしながら、本発明者は、「このようなスクラバーを用いてＰＦＣガスを含む複数種類のガスを除害処理する場合には、スクラバーにはＰＦＣガスの熱分解によって生じるＨＦの他に、ＨＣｌ等の他のガスも流れてくるので、その洗浄液には、ＨＦの他にＨＣｌ等の他のガスも溶け込む。このとき、洗浄液のｐＨはスクラバーに流れてくる各ガスの流量に大きく依存して変動するので、ｐＨ計の測定値では洗浄液のＨＦ濃度を正確に把握することはできない。」ということを見出した。
【０００７】
本発明は、このような従来の技術の有する未解決の課題に着目してなされたものであって、排ガスの洗浄処理に用いた洗浄液のフッ素濃度を正確に把握することができるようにした排ガスの除害装置及びその除害方法、電子デバイスの製造システムの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
〔発明１〕  上記目的を達成するために、発明１の排ガスの除害装置は、所定の製造装置から排出され、排ガス熱処理手段によって熱分解された排ガスを所定の洗浄液で洗浄処理する排ガス洗浄手段と、前記排ガス洗浄手段によって前記排ガスの洗浄処理に用いられた前記洗浄液のフッ素濃度を計測するフッ素濃度測定手段と、を有することを特徴としている。
【０００９】
ここで、排ガスとは、例えばＳＦ６やＰＦＣ（パーフロロカーボン化合物）ガスのことである。ＳＦ６やＰＦＣガスは地球温暖化との関係が指摘されており、その排出量の削減が強く求められている。半導体装置やＬＣＤ（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ）の製造工程では、一般に、ＳＦ６（六フッ化硫黄）や、ＣＦ４（四フッ化メタン）、ＣＨＦ３（三フッ化メタン）等のＰＦＣガスがプロセスガスとして用いられている。
【００１０】
また、所定の洗浄液とは、例えば水道水、又は工業用水、或いは吸収剤当の薬剤を水に溶解した水溶液等のことである。ＰＦＣガスは排ガス熱処理手段によって、ＣＯ２（二酸化炭素）とＨＦ（フッ酸）等とに熱分解される。これら熱分解されたガスのうち、特に、ＨＦは水溶性である。従って、熱分解されたガスを水等で洗浄処理することによって、このガス中からＨＦを除去することが可能である。
【００１１】
さらに、本発明のフッ素濃度測定手段とは、ｐＨ計のように洗浄液のｐＨを測定して、そのｐＨ測定値からフッ素濃度を間接的に推定するものではなく、洗浄液のフッ素濃度を直接測定するものである。
発明１の排ガスの除害装置によれば、排ガスの洗浄処理に用いた洗浄液のフッ素濃度を正確に把握することができる。
〔発明２〕  発明２の排ガスの除害装置は、発明１の排ガスの除害装置において、前記フッ素濃度測定手段によって測定された前記洗浄液のフッ素濃度に基づいて、前記洗浄液のフッ素濃度を調整するフッ素濃度調整手段、を有することを特徴としている。
【００１２】
このような構成であれば、排ガスの洗浄処理に用いた洗浄液のフッ素濃度を正確に把握することができ、当該除害装置の外へ排出される洗浄液のフッ素濃度が所定の排出基準を超えないようにすることが可能である。
例えば、排ガスの洗浄処理に使用した後の洗浄液のフッ素濃度が、上側管理値を超えている場合には、フッ素濃度が上側管理値以下となるまでこの使用した後の洗浄液を薄めることができる。これにより、除害装置内部の腐食を抑制することができ、例えば、国が定める排出基準よりも更に厳しい、自社設定のフッ素濃度の排出基準を厳守することができる。また、排ガスの洗浄処理に使用した後の洗浄液のフッ素濃度が上側管理値以下である場合には、排ガスの洗浄処理に用いた洗浄液を、再度、排ガスの洗浄処理に使用することができる（即ち、再使用が可能である。）。フッ素濃度が上側管理値に達していない洗浄液を外界に無駄に排出しないようにすることができるので、洗浄液の使用量を削減することが可能である。
〔発明３〕  発明３の排ガスの除害装置は、発明１又は発明２の排ガスの除害装置において、前記排ガス洗浄手段によって前記排ガスの洗浄処理に用いられた前記洗浄液のｐＨを計測するｐＨ測定手段、を有することを特徴としている。
【００１３】
ここで、ｐＨとは、水素イオン濃度のことであり、洗浄液の酸性、アルカリ性の度合いを表す指標のことである。ｐＨ７のときが中性である。また、その数値が上がるとアルカリ性であることを示し、低くなると酸性であることを示す。
発明３の排ガスの除害装置によれば、例えば、排ガスの洗浄処理に使用した後の洗浄液のフッ素濃度が所定の値未満である場合でも、この使用した後の洗浄液のｐＨが所定の範囲から外れたときには、この使用した後の洗浄液のｐＨが所定の範囲に入るまで、この洗浄液を薄めることができる。これにより、フッ酸以外の酸や、アルカリによる除害装置内部の腐食を抑制することができる。また、例えば、国が定める排出基準よりも更に厳しい、自社設定の酸、アルカリの排出基準を厳守することができる。
〔発明４〕  発明４の排ガスの除害装置は、発明１から発明３の何れか一の排ガスの除害装置において、前記排ガス洗浄手段によって前記排ガスの洗浄処理に用いられた前記洗浄液を貯める洗浄液槽と、前記洗浄液槽に貯められた前記洗浄液の量を計測する液量計測手段と、を有することを特徴としている。
【００１４】
このような構成であれば、例えば、洗浄液槽に貯められた洗浄液が蒸発してその量が減ったような場合に、その蒸発した量を知ることができるので、蒸発した量に相当する洗浄液をこの洗浄液槽に新たに補給することが可能である。
〔発明５〕  発明５の排ガスの除害装置は、発明１から発明４の何れか一の排ガスの除害装置において、前記製造装置から排出された前記排ガスを熱分解する排ガス熱処理手段、を有することを特徴としている。このような構成であれば、例えば、ＰＦＣガスをＣＯ２とＨＦ等とに熱分解することが可能である。
〔発明６〕  発明６の排ガスの除害方法は、発明１から発明５の何れか一の排ガスの除害装置を用いて、所定の製造装置から排出された前記排ガスを除害処理することを特徴としている。このような構成であれば、発明１から発明５の何れか一の排ガスの除害装置が応用されるので、排ガスの洗浄処理に使用した後の洗浄液のフッ素濃度を正確に把握することができる。
〔発明７〕  発明７の電子デバイスの製造システムは、発明１から発明５の何れか一の排ガスの除害装置と、１台又は２台以上の電子デバイスの製造装置と、を備えたことを特徴としている。
【００１５】
ここで、電子デバイスとは、例えば半導体装置やＬＣＤ等のことである。また、電子デバイスの製造装置は、１台又は、２台以上の装置で構成される。例えば、電子デバイスの製造装置は、複数台のＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置で構成される。或いは、電子デバイスの製造装置は、複数台のＣＶＤ装置と複数台のドライエッチング装置等とで構成されていても良い。
【００１６】
発明７の電子デバイスの製造システムによれば、発明１から発明５の何れか一の排ガスの除害装置を用いて、電子デバイスの製造装置から排出される排ガスを除害処理することができる。従って、排ガスの洗浄処理に使用した後の洗浄液のフッ素濃度を正確に把握することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照しながら、本発明に係る排ガスの除害装置及びその除害方法、電子デバイスの製造システムについて説明する。
（１）第１実施形態
図１は、本発明の第１実施形態に係る除害装置１００の構成例を示す概念図である。図１に示す除害装置１００は、半導体装置又はＬＣＤ等を製造する製造装置から排出される排ガスに含まれるＳＦ６やＰＦＣガスを無害化する装置である。ＰＦＣガスとしては、例えば、ＣＦ４、ＣＨＦ３等が挙げられる。また、製造装置としては、例えばＣＶＤ装置やドライエッチング装置等の半導体処理装置９０を想定する。
【００１８】
この除害装置１００は、排管１０と、第１スクラバー２１と、反応筒３０と、第２スクラバー２２と、貯水タンク４０と、ＣＰＵ（ｃｅｎｔｒａｌ  ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  ｕｎｉｔ）等からなる制御部５０（図２参照）と、フッ素濃度計６０と、給水ラインと、給水バルブＳＶ１と、排水ラインと、排水バルブＳＶ２等とから構成されている。図１では、作図の便宜上から半導体処理装置９０を３台記載しているが、半導体処理装置９０は任意の台数で良く、ここでは、工場内に置かれた任意の台数の半導体処理装置９０全ての排気ラインが排管１０のガス入口に接続しているものとする。
【００１９】
図１において、第１スクラバー２１は、排管１０を通って送られてきた気体に、洗浄液として水（例えば、水道水、又は工業用水等）を噴射して、この気体に含まれる紛体や、水溶性のガスを除去する装置である。この除害装置１００では、第１スクラバー２１は排管１０のガス入口と反応筒３０との間に設けられており、主に粉体除去の役割を担っている。例えば、ＣＶＤ装置ではその製膜プロセス上の理由から多数の微粒子が発生してしまう。このような微粒子は排ガスと共に排管１０のガス入口から排管１０内に入ってしまう。この除害装置１００では、第１スクラバー２１によって、この排管１０内に入った微粒子を取り除くことができる。
【００２０】
図１に示すように、反応筒３０は排管１０に接続し、第１スクラバー２１で主に紛体が除去された排ガスに熱処理を施すものである。この反応筒３０の内部には、例えば排ガス中の有害成分の分解を促す触媒（図示せず）が設けられている。また、この反応筒３０の外側には、例えば反応筒３０内を加熱するためのヒータ（図示せず）が設けられている。この反応筒３０で、排ガス中のＰＦＣガスは、主にＣＯ２と、ＨＦとに熱分解される。
【００２１】
なお、この反応筒３０は、上記の例に限定されることはなく、例えば、反応筒内にバーナを有する燃焼方式、反応筒の外側にヒータを有するヒーティング方式、反応筒内に触媒を有する触媒方式、反応筒内に吸着剤を有する吸着方式の何れか一方式、またはその組合せでも良い。
また、第２スクラバー２２は、排管１０を通って送られてきた気体に、洗浄液として水（例えば、水道水、又は工業用水等）を噴射して、この気体に含まれる紛体や、水溶性のガスを除去する装置である。この除害装置１００では、第２スクラバー２２は反応筒３０の後段に設けられている。ＰＦＣガスの熱分解によって生成されたＨＦは、水に対する溶解度が高い。それゆえ、この第２スクラバー２２によって、排ガスに含まれるＨＦは水に溶かされ、排ガス中から除去される。
【００２２】
図１に示すように、貯水タンク４０には、給水ラインと排水ラインとが接続されている。給水ラインには給水バルブＳＶ１が設けらており、この給水バルブＳＶ１を開くことで、洗浄液としての水（例えば、水道水、又は工業用水等）が貯水タンク４０内に給水されるようになっている。また、排水ラインには排水バルブＳＶ２が設けらており、この排水バルブＳＶ２を開くことで、貯水タンク４０内の水が外へ排出されるようになっている。
【００２３】
さらに、図１に示すように、この貯水タンク４０は、第１スクラバー２１との間に水の循環ラインが設けられており、この貯水タンク４０内の水が第１スクラバー２１で排ガスの洗浄液として用いられるようになっている。同様に、貯水タンク４０と第２スクラバー２２との間にも水の循環ラインが設けられており、この貯水タンク４０内の水が第２スクラバー２２で排ガスの洗浄液として用いられるようになっている。
【００２４】
また、図１に示すように、この貯水タンク４０にはフッ素濃度計６０が取り付けられている。このフッ素濃度計６０によって、貯水タンク４０内に貯水された水のフッ素濃度が測定される。この除害装置１００では、通常時、即ち、フッ素濃度計６０によるフッ素濃度の測定値が上限管理値（ＵＣＬ：ｕｐｐｅｒ  ｃｏｎｔｒｏｌ  ｌｉｍｉｔ）以下であるときには、給水バルブＳＶ１と排水バルブＳＶ２とが閉じられている。ここで、上限管理値（ＵＣＬ）は、もちろん、国が設定するフッ素濃度の排出基準よりも十分に低い値、もしくは後段に設置する排水処理設備でフッ素除去処理が容易に可能である値である。
【００２５】
また、この貯水タンク４０にはオーバフロー排水口が設けられており、貯水タンク４０内の貯水量が何らかの原因で一定量を超えた場合には、貯水タンク４０内の水をオーバフローさせて強制的に排水させるようになっている。
図２は、除害装置１００の制御系の構成例を示すブロック図である。図２に示すように、制御部５０は、フッ素濃度計６０と、給水バルブＳＶ１と、排水バルブＳＶ２とにそれぞれ信号線を介して接続されている。ここで、信号線は例えば有線、又は無線である。また、ＲＡＭ（ｒａｎｄｏｍ  ａｃｃｅｓｓ  ｍｅｍｏｒｙ）５２には、上述した上限管理値（ＵＣＬ）と、貯水タンク４０内のフッ素濃度を制御するための制御プログラム等が格納されている。この除害装置１００では、制御部５０は、ＲＡＭ５２に格納された制御プログラムに従って、フッ素濃度計６０に水のフッ素濃度を測定させる。そして、制御部５０は、フッ素濃度計６０によるフッ素濃度の測定値を受け取り、受け取った測定値と、ＲＡＭ５２に格納された上限管理値（ＵＣＬ）とを比較する。この比較の結果に基づいて、制御部５０は、給水バルブＳＶ１と排水バルブＳＶ２とを同時に、又は交互に開閉する。
【００２６】
図３は、貯水タンク４０内の水のフッ素濃度の調整方法を示すフローチャートである。このフローチャートでは、そのスタートの時点で、給水バルブＳＶ１と排水バルブＳＶ２の両方が閉じられていることを想定する。
まず、図３のステップＳ１で、制御部５０からフッ素濃度計６０に向けて、フッ素濃度の測定開始を指示する信号が送信される。フッ素濃度計６０は、この信号を受けて貯水タンク４０内の水のフッ素濃度を測定する。そして、フッ素濃度計６０から制御部５０に向けて、その測定値が送信される。
【００２７】
次に、図３のステップＳ２で、制御部５０は、この測定値がフッ素濃度の上限管理値（ＵＣＬ）以下であるか否かを判断する。ここで、測定値がフッ素濃度の上限管理値（ＵＣＬ）以下である場合には、図３のステップＳ３へ進む。ステップＳ３では、例えば制御部５０が、除害装置１００での除害処理を続けるか否かの判断を行う。このステップＳ３で、除害処理を続ける場合にはステップＳ１へ戻る。また、除害処理を終了する場合には、このフローチャートを終了させる。
【００２８】
一方、図３のステップＳ２で、フッ素濃度計６０による測定値がフッ素濃度の上限管理値（ＵＣＬ）を超えている場合には、図３のステップＳ４へ進む。ステップＳ４では、制御部５０は、給水バルブＳＶ１と排水バルブＳＶ２とにそれぞれバルブ開閉に関する制御信号を送信して、給水バルブＳＶ１と排水バルブＳＶ２とを同時に、又は交互に開閉させる。また、制御部５０は、バルブを開く場合にはその開度も個別に調整することが可能である。このようにして、貯水タンク４０内の水の一部を入れ替える。その後、図３のステップＳ５へ進む。
【００２９】
ステップＳ５では、制御部５０からフッ素濃度計６０に向けて、フッ素濃度の測定開始を指示する信号が送信される。フッ素濃度計６０は、この信号を受けて貯水タンク４０内の水のフッ素濃度を測定する。そして、フッ素濃度計６０から制御部５０に向けて、その測定値が送信される。次に、図３のステップＳ６へ進む。ステップＳ６では、制御部５０は、この測定値がフッ素濃度の上限管理値（ＵＣＬ）以下であるか否かを判断する。ここで、測定値がフッ素濃度の上限管理値（ＵＣＬ）以下である場合には、ステップＳ３へ進む。また、ステップＳ６で、測定値がフッ素濃度の上限管理値（ＵＣＬ）を超えている場合には、ステップＳ４へ戻る。
【００３０】
このような構成により、除害装置１００では、当該除害装置１００の外へ排出される水のフッ素濃度を、例えば、国が定める排出基準よりも更に厳しい、自社設定の排出基準未満もしくは後段に設置する排水処理設備でフッ素除去処理が容易に可能である値とすることが可能である。
図７は、貯水タンク４０に接続する給水バルブＳＶ１及び排水バルブＳＶ２の開閉動作のタイミングを示す図である。図７の横軸は、時間を示している。また、図７の縦軸は、貯水タンク４０内の水のフッ素濃度を示している。
【００３１】
図７に示すように、貯水タンク４０内の水を総入れ替えし、除害処理を再開した直後は、貯水タンク４０内の水は新しく、そのフッ素濃度は低い。従って、除害処理を再開してから、貯水タンク４０内の水のフッ素濃度が上側管理値（ＵＣＬ）に到達するまでは、貯水タンク４０内の水を入れ替えする必要がないので、給水バルブＳＶ１及び排水バルブＳＶ２（以下、単に「バルブ」とも言う。）を閉じておく。図７に示すように、バルブを閉じておくことで、貯水タンク４０内の水のフッ素濃度は時間の経過と共に徐々に高くなっていく。
【００３２】
次に、貯水タンク４０内の水のフッ素濃度がＵＣＬに到達したら、バルブを開き、貯水タンク４０内の水の入れ替えを開始する。すると、図７に示すように、貯水タンク４０内の水のフッ素濃度は低くなり、やがてそのフッ素濃度は中央管理値（ＣＬ）に到達する。次に、貯水タンク４０内の水のフッ素濃度がＣＬに到達したら、バルブを閉じる。図７に示すように、バルブを閉じることで、貯水タンク４０内の水のフッ素濃度は時間の経過と共に徐々に高くなっていく。
【００３３】
このように、バルブの開閉を繰り返すことで、貯水タンク４０内の水のフッ素濃度をＵＣＬとＣＬとの間で変動させる。これにより、水の総入れ替え時や、一部入れ替え時に除害装置１００の外へ排出される水のフッ素濃度を、国が定める排出基準未満とすることが可能であり、それよりも更に厳しい自社設定の排出基準未満とすることが可能である。
ここで、貯水タンク４０内の水のフッ素濃度は、図７に示したように、国が定める排出基準よりも常に低く保持されるので、貯水タンク４０内の水の総入れ替えは、図７に示す横（時間）軸の任意のタイミングで実行して良い。貯水タンク４０内の水の総入れ替えは、除害装置１００による除害処理を停止し、その後、給水バルブＳＶ１を閉じ、排水バルブＳＶ２を開けることにより行う。
【００３４】
また、図７において、「バルブ閉」のときには、通常、貯水タンク４０内への新しい水の補給は行われず、貯水タンク４０から外への排水も行われない。従って、例えば貯水タンクに一定量の水を常時給水し続けるタイプの除害装置等と比べて、節水が可能である。
次に、上述した除害装置１００を用いて、半導体処理装置９０から排出される排ガスの除害方法について説明する。まず始めに、半導体処理装置９０から排出されたＰＦＣガスを含む排ガスはガス入口から排管１０内に入り、第１スクラバー２１に送られる。第１スクラバー２１に到達した排ガスは、ポンプＰの動作により第１スクラバー２１と貯水タンク４０との間で循環している水によって洗浄処理され、主に、排ガス中に含まれる粉体等が除去される。
【００３５】
次に、粉体等が除去された排ガスは、第１スクラバー２１を出て、反応筒３０に到達する。そして、反応筒３０内で、排ガス中のＰＦＣガスは主にＣＯ２とＨＦとに熱分解される。次に、このＣＯ２とＨＦとを含む排ガスは第２スクラバー２２に送られる。この第２スクラバー２２に到達した排ガスは、ポンプＰの動作により第２スクラバー２２と貯水タンク４０との間で循環している水によって洗浄処理され、排ガス中に含まれるＨＦが水に溶かされる。この第２スクラバー２１での洗浄処理によって、排ガス中からＨＦがほぼ完全に除去される。その後、ＨＦがほぼ完全に除去された排ガスは、この第２スクラバー２２から排管のガス出口に送られる。
【００３６】
また、第１スクラバー２１と第２スクラバー２２とで洗浄液として用いられる貯水タンク内の水は、図３に示したフローチャートに沿って定期的に（例えば数秒間隔で）そのフッ素濃度が測定される。そして、その測定値がフッ素濃度の上側管理値（ＵＣＬ）を超えた場合には、制御部５０の制御下で、給水バルブＳＶ１と排水バルブＳＶ２の開度がそれぞれ調整され、貯水タンク４０内の水が一部入れ替えられる。つまり、フッ素濃度計６０と、制御部５０と、給水バルブＳＶ１と、排水バルブＳＶ２とによって、貯水タンク４０内に貯められる水のフッ素濃度は、上側管理値（ＵＣＬ）を超えないように調整される。
【００３７】
このように、本発明の実施形態に係る除害装置１００によれば、排ガスの洗浄処理に用いた水のフッ素濃度を正確に把握することができ、当該除害装置の外へ排出される洗浄液のフッ素濃度が所定の排出基準を超えないようにすることが可能である。
例えば、排ガスの洗浄処理に使用した後の水のフッ素濃度が上側管理値（ＵＣＬ）を超えている場合には、フッ素濃度が上側管理値（ＵＣＬ）以下となるまでこの使用した後の水を薄めることができる。これにより、除害装置１００内部の腐食を抑制することができ、国が定める排出基準よりも更に厳しい、自社設定のフッ素濃度の排出基準もしくは後段に設置する排水処理設備でフッ素除去処理が容易に可能である値を厳守することができる。
【００３８】
また、排ガスの洗浄処理に使用した後の水のフッ素濃度が上側管理値（ＵＣＬ）以下である場合には、給水バルブＳＶ１と排水バルブＳＶ２とを閉じて、貯水タンク４０内の水をそのまま排ガスの洗浄処理に再使用することができる。フッ素濃度が上側管理値に達していない水を外界に無駄に排出しないようにすることができるので、例えば、水道水、又は工業用水等の使用量を削減することが可能である。
【００３９】
この第１実施形態では、反応筒３０が本発明の排ガス熱処理手段に対応し、第２スクラバー２２が本発明の排ガス洗浄手段に対応している。また、フッ素濃度計６０が本発明のフッ素濃度測定手段に対応し、貯水タンク４０が本発明の洗浄液槽に対応している。さらに、制御部５０と給水バルブＳＶ１と排水バルブＳＶ２とが、本発明のフッ素濃度調整手段に対応している。
（２）第２実施形態
図４は、本発明の第２実施形態に係る除害装置２００の制御系の構成例を示すブロック図である。図４において、図１及び図２に示した除害装置１００と同一の機能を有する部分には同一符号を付し、その詳細説明は省略する。
【００４０】
図４に示す除害装置２００は、図１及び図２に示した除害装置１００に、貯水タンク４０内の水のｐＨを計測するｐＨ計７０を加えた構成となっている。このｐＨ計７０は信号線を介して制御部５０に接続されている。そして、この除害装置２００では、制御部５０はフッ素濃度計６０の濃度測定値と、ｐＨ計７０のｐＨ測定値とに基づいて、給水バルブＳＶ１と排水バルブＳＶ２の開度をそれぞれ調整するようになっている。
【００４１】
このような構成であれば、貯水タンク４０内の水のフッ素濃度が上側管理値（ＵＣＬ）以下の場合でも、この水のｐＨがｐＨ管理値から外れた（即ち、ｐＨの数値が異常である）ときには、貯水タンク４０内の水のｐＨがｐＨ管理値内に入る（即ち、ｐＨの数値が正常となる）まで、貯水タンク４０内の水を薄めることが可能である。これにより、フッ酸以外の酸や、アルカリによる除害装置１００内部の腐食を抑制することができる。また、例えば、国が定める排出基準よりも更に厳しい、自社設定の酸、アルカリの排出基準を厳守することができる。この第２実施形態では、ｐＨ計７０が本発明のｐＨ測定手段に対応している。
（３）第３実施形態
図５は、本発明の第３実施形態に係る除害装置３００の制御系の構成例を示すブロック図である。図５において、図１及び図２に示した除害装置１００と同一の機能を有する部分には同一符号を付し、その詳細説明は省略する。
【００４２】
図５に示す除害装置３００は、図１及び図２に示した除害装置１００に、貯水タンク４０内に貯められた水の量（即ち、水位）を計測する水位計８０を加えた構成となっている。この水位計８０は信号線を介して制御部５０に接続されている。そして、この除害装置３００では、制御部５０はフッ素濃度計６０の濃度測定値と、水位計８０の水位測定値とに基づいて、給水バルブＳＶ１と排水バルブＳＶ２の開度をそれぞれ調整するようになっている。
【００４３】
このような構成であれば、貯水タンク４０に貯められた水が蒸発してその量が減ったような場合に、その蒸発した量を知ることができるので、蒸発した量に相当する水を貯水タンク４０に新たに補給することが可能である。この第３実施形態では、水位計８０が本発明の液量計測手段に対応している。
（４）第４実施形態
図６は、本発明の第４実施形態に係る除害装置４００の制御系の構成例を示すブロック図である。図６において、図１及び図２に示した除害装置１００と同一の機能を有する部分には同一符号を付し、その詳細説明は省略する。
【００４４】
図６に示す除害装置４００は、図１及び図２に示した除害装置１００に、上述したｐＨ計７０と、水位計８０との両方を加えた構成となっている。図６に示すように、ｐＨ計７０は信号線を介して制御部５０に接続されている。また、水位計８０も信号線を介して制御部５０に接続されている。そして、この除害装置４００では、制御部５０はフッ素濃度計６０の濃度測定値と、ｐＨ計７０のｐＨ測定値と、水位計８０の水位測定値とに基づいて、給水バルブＳＶ１と排水バルブＳＶ２の開度をそれぞれ調整するようになっている。
【００４５】
このような構成であれば、貯水タンク４０内の水のフッ素濃度が上側管理値（ＵＣＬ）以下の場合でも、ｐＨの数値が異常であるときには、その数値が正常となるまで、貯水タンク内の水を薄めることが可能である。これにより、フッ酸以外の酸や、アルカリによる除害装置内部の腐食を抑制することができ、例えば、国が定める排出基準よりも更に厳しい、自社設定の酸、アルカリの排出基準もしくは後段に設置する排水処理設備でフッ素除去処理が容易に可能である値を厳守することができる。
【００４６】
さらに、貯水タンク４０に貯められた水が蒸発してその量が減ったような場合に、その蒸発した量を知ることができるので、蒸発した量に相当する水を貯水タンク４０に新たに補給することが可能である。
また、本発明に係る電子デバイスの製造システムは、例えば、上述した除害装置１００，２００，３００又は４００の何れか一と、１台又は２台以上の半導体処理装置とを備えたものである。このような構成であれば、除害装置１００，２００，３００又は４００の何れか一を用いて、半導体処理装置９０から排出される排ガスを除害処理することができる。従って、排ガスの洗浄処理に使用した後の水のフッ素濃度を正確に把握することができ、当該除害装置の外へ排出される水のフッ素濃度を一定に近づけることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】第１実施形態に係る除害装置１００の構成例を示す概念図。
【図２】除害装置１００の制御系の構成例を示すブロック図。
【図３】貯水タンク４０内の水のフッ素濃度の調整方法を示すフローチャート。
【図４】第２実施形態に係る除害装置２００の制御系の構成例を示すブロック図。
【図５】第３実施形態に係る除害装置３００の制御系の構成例を示すブロック図。
【図６】第４実施形態に係る除害装置４００の制御系の構成例を示すブロック図。
【図７】貯水タンク４０に接続する給水バルブＳＶ１及び排水バルブＳＶ２の開閉動作のタイミングを示す図。
【符号の説明】
【００４８】
１０  排管、２１  第１スクラバー、２２  第２スクラバー、３０  反応筒、４０  貯水タンク、５０  制御部、５２  ＲＡＭ、６０  フッ素濃度計、７０  ｐＨ計、８０  水位計、９０  半導体処理装置、１００，２００，３００，４００  除害装置、ＳＶ１  給水バルブ、ＳＶ２  排水バルブ、Ｐ  ポンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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