(57)【要約】  【課題】  電気光学基板と駆動回路基板と間の隙間を確保すると共に、基板の反り等が発生した場合であっても、導電性部材の剥がれや破壊等を抑えて、発光機能素子と駆動素子との導通接続を確保することができる基板接合体、基板接合体の製造方法、電気光学装置、及び電子機器を提供する。  【解決手段】  第１機能素子１３が形成された第１基板３と第２機能素子２１が形成された第２基板４とを貼り合わせた基板接合体２において、第１機能素子１３と第２機能素子２１とを導通接続する接合部５０が、樹脂コア部５１と、樹脂コア部５１の一部或いは全面を覆う導通部５２とから形成される。  【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１機能素子が形成された第１基板と第２機能素子が形成された第２基板とを貼り合わせた基板接合体において、
前記第１機能素子と前記第２機能素子とを導通接続する接合部が、樹脂コア部と、該樹脂コア部の一部或いは全面を覆う導通部とから形成されることを特徴とする基板接合体。
【請求項２】
前記樹脂コア部には、貫通孔が設けられると共に、該貫通孔に前記導通部が配置されることを特徴とする請求項１に記載の基板接合体。
【請求項３】
前記樹脂コア部は、前記第１機能素子に接続する端子部上に、該端子部の一部を露出させるように形成されることを特徴とする請求項１叉は請求項２に記載の基板接合体。
【請求項４】
第１基板上に形成された第１機能素子を第２基板上に形成された第２機能素子上に転写配置する工程を有する基板接合体の製造方法において、
前記第１基板上或いは前記第２基板上の少なくとも一方に対して樹脂コア部を形成する工程と、
前記樹脂コア部の一部或いは全面に前記第１機能素子と前記第２機能素子とを導通接続する導通部を配置する工程と、を有することを特徴とする基板接合体の製造方法。
【請求項５】
前記樹脂コア部は、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせた後の間隔よりも高く形成されることを特徴とする請求項４に記載の基板接合体の製造方法。
【請求項６】
前記樹脂コア部に、前記第１基板及び／叉は前記第２基板に垂直な方向に略平行な貫通孔を形成する工程を有することを特徴とする請求項４叉は請求項５に記載の基板接合体の製造方法。
【請求項７】
前記樹脂コア部上に前記導通部を配置するに先立って、前記樹脂コア部の表面をプラズマ処理することを特徴とする請求項４から請求項６のうちいずれか一項に記載の基板接合体の製造方法。
【請求項８】
前記樹脂コア部形成工程は、液滴吐出法、転写法、或いはリソグラフ法のいずれかにより行われることを特徴とする請求項４から請求項７のうちいずれか一項に記載の基板接合体の製造方法。
【請求項９】
前記導通部配置工程は、印刷法、転写法、或いは液滴吐出法のいずれかにより行われることを特徴とする請求項４から請求項８のうちいずれか一項に記載の基板接合体の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の基板接合体、或いは請求項４から請求項９のうちいずれか一項に記載の製造方法により製造された基板接合体を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板接合体、基板接合体の製造方法、電気光学装置、及電子機器に関し、特に、電子素子の転写に用いられる接合材の配置技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、異なる２種類の基板を貼り合わせる基板接合体の製造方法においては、例えば、有機エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬと称する。）素子等の発光機能素子が形成された電気光学基板と、当該発光機能素子を発光させる駆動素子が形成された駆動回路基板とを貼り合わせることによって電気光学装置を製造する方法が提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
このような基板接合体の製造方法においては、電気光学基板と駆動回路基板とを別々に製造しておき、両者を貼り合わせて電気光学装置を製造するため、駆動回路基板に関しては、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する。）等の駆動素子を形成もしくは転写した後の必要な工程が極僅かで済むため、製造工程によって駆動素子が損傷される可能性を大幅に低減される。また、電気光学基板と駆動回路基板とを別工程で製造するため、歩留まりが向上する。場合によっては、電気光学基板と駆動回路基板とを別々の工場或いは異なった企業においてそれぞれ製造し、最終的に両者を張り合わせるといった製造方法も可能であるから、製造コストの低減を図る上でも極めて有利な方法となる。また、比較的低額の設備投資によって大画面の電気光学装置を製造することが可能となる。
【特許文献１】特開２００２−０８２６３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記製造方法においては、銀ペースト等の導電性部材を介して発光機能素子と駆動素子とを導通接続し、電気光学基板と駆動回路基板と間に封止樹脂を外周から充填していた。
しかしながら、この方法では、両基板間に銀ペースト等からなる導電性部材を立設させることにより、両基板間に所定の隙間を確保しているが、銀ペーストは構造体としての強度が低いので、この隙間を確保することが困難であるという問題がある。
また、両基板に外力が加わったり、反りが発生したりした場合には、銀ペーストに応力が集中して、剥がれや破損が生じることにより、電気光学基板と駆動回路基板との導通接続を確保することができないという問題がある。
【０００５】
本発明は、上述の課題に鑑みて創案されたものであって、電気光学基板と駆動回路基板と間の隙間を確保すると共に、基板の反り等が発生した場合であっても、導電性部材の剥がれや破壊等を抑えて、発光機能素子と駆動素子との導通接続を確保することができる基板接合体、基板接合体の製造方法、電気光学装置、及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る基板接合体の製造方法、基板接合体、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器では、上記課題を解決するために以下の手段を採用した。
第１の発明は、第１機能素子が形成された第１基板と第２機能素子が形成された第２基板とを貼り合わせた基板接合体において、第１機能素子と第２機能素子とを導通接続する接合部が、樹脂コア部と、該樹脂コア部の一部或いは全面を覆う導通部とから形成されるようにした。この発明によれば、両基板間に樹脂材料により形成された樹脂コア部が配置されるので、両基板間に所定の隙間を形成することができる。また、樹脂コア部が接合部に加わった衝撃を緩和するので、導通部の損傷を回避し、導通接続を維持することができる。
【０００７】
また、樹脂コア部には、貫通孔が設けられると共に、該貫通孔に導通部が配置されるものでは、第１機能素子と導通部との導通接続を確実に得ることができる。
また、樹脂コア部は、第１機能素子に接続する端子部上に、該端子部の一部を露出させるように形成されるものでは、露出する端子部上に銀ペーストを配置することにより、第１機能素子に接続する端子部と導通部との導通接続を確保することができる。
【０００８】
第２の発明は、第１基板上に形成された第１機能素子を第２基板上に形成された第２機能素子上に転写配置する工程を有する基板接合体の製造方法において、第１基板上或いは第２基板上の少なくとも一方に対して樹脂コア部を形成する工程と、樹脂コア部の一部或いは全面に第１機能素子と第２機能素子とを導通接続する導通部を配置する工程とを有するようにした。この発明によれば、両基板間に樹脂材料により形成された樹脂コア部が配置されるので、両基板間に所定の隙間を形成することができる。また、樹脂コア部が接合部に加わった衝撃を緩和するので、接合部（特に導通部）の損傷を回避し、導通接続を維持することができる。
【０００９】
また、樹脂コア部は、第１基板と第２基板とを貼り合わせた後の間隔よりも高く形成されるものでは、両基板を貼り合わせることにより、樹脂コア部が押し潰され、その反力により樹脂コア部の表面に配置した導通部が第１基板或いは第２基板に押し付けられ、第１機能素子或いは第２機能素子との導通接続を確実に得ることができる。
また、樹脂コア部に、第１基板及び／叉は第２基板に垂直な方向に略平行な貫通孔を形成する工程を有するものでは、第１機能素子或いは第２機能素子と導通部との導通を確実に得ることができる。
また、樹脂コア部上に導通部を配置するに先立って、樹脂コア部の表面をプラズマ処理するものでは、樹脂コア部の表面に導通部を確実に付着させることができる。
そして、樹脂コア部形成工程は、液滴吐出法、転写法、或いはリソグラフ法のいずれかにより行うことができる。また、導通部配置工程は、印刷法、転写法、或いは液滴吐出法のいずれかにより行うことができる。
【００１０】
第３の発明は、電気光学装置が第１の発明の基板接合体或いは第２の発明の製造方法により製造された基板接合体を備えるようにした。
第４の発明は、電子機器が第３の発明の電気光学装置を備えるようにした。
第３、第４の発明の電気光学装置、電子機器によれば、接合部により第１基板に形成された電子素子と第２基板に形成された配線との導通接続が確実に確保されるので、品質の向上が図られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の基板接合体、基板接合体の製造方法、電気光学装置、及び電子機器の実施形態について図を参照して説明する。
ここで、図１は有機ＥＬ装置の第１実施形態の要部構成を示す断面図、図２は樹脂コア部の第１実施形態を示す斜視図、図３から図９は有機ＥＬ装置の製造工程を説明するための説明図である。
なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００１２】
（有機ＥＬ装置）
図１に示すように、有機ＥＬ装置（電気光学装置）１は、少なくとも基板接合体２を具備した構成となっている。当該基板接合体２は、配線基板（第１基板、駆動回路基板）３と、有機ＥＬ基板（第２基板、電気光学基板）４とを、後述の接合部５０を介して貼り合わせて接合された構成となっている。
【００１３】
配線基板３は、基板１０と、基板１０上に形成された所定形状の配線パターン１１と、有機ＥＬ素子２１を駆動させるＴＦＴ（第１機能素子、駆動素子）１３と、ＴＦＴ１３と配線パターン１１とを接合するＴＦＴ接続部１４と、有機ＥＬ素子２１と配線パターン１１とを接合する有機ＥＬ接続部（端子部）１５と、層間絶縁膜１６とによって構成されている。
ここで、ＴＦＴ接続部１４は、ＴＦＴの端子パターンに応じて形成されるものであり、無電解メッキ処理によって形成されたバンプと、当該バンプ上に塗布形成される導電性ペーストとからなる。導電性ペースト１７は、異方性導電粒子（ＡＣＰ）を含むものである。
【００１４】
有機ＥＬ基板４は、発光光が透過する透明基板２０と、有機ＥＬ素子（第２機能素子、発光機能素子）２１と、絶縁膜２２と、陰極（発光機能素子、カソード）２５とによって構成されている。
ここで、有機ＥＬ素子２１は、ＩＴＯ等の透明金属からなる陽極と、正孔注入／輸送層と、有機ＥＬ素子とを有しており、陽極で発生した正孔と陰極で発生した電子が有機ＥＬ素子で結合することで、発光するようになっている。なお、このような有機ＥＬ素子の詳細な構造は、公知技術が採用される。また、有機ＥＬ素子２１と陰極２５との間に電子注入／輸送層を形成してもよい。
【００１５】
更に、配線基板３と有機ＥＬ基板４との間には、本発明の特徴である樹脂コア部５１と導通材５２とから構成され、有機ＥＬ接続部１５と陰極２５と導通接続すると共に配線基板３と有機ＥＬ基板４とを支持する接合部５０と、当該両基板３，４の外周を封止する封止部３２とが設けられ、そして、当該両基板３，４間の空間には不活性ガス３１が充填されている。
【００１６】
（樹脂コア部の第１実施形態）
本発明の第１実施形態として示す樹脂コア部５１は、図２に示しように、有機ＥＬ接続部１５上に柱状に形成される。そして、有機ＥＬ接続部１５も小さく形成される。すなわち、樹脂コア部５１は、有機ＥＬ接続部１５の一部を覆い、有機ＥＬ接続部１５の残りの部分が露出するように形成される。これは、樹脂コア部５１が絶縁性（非導通性）であるため、樹脂コア部５１上に配置される導通材５２を露出した有機ＥＬ接続部１５に接触させて、電気的接続（導通）を確保する必要があるからである。
なお、図２（ａ）は樹脂コア部５１の全面に導通材５２を配置した場合、図２（ｂ）は樹脂コア部５１の一部に導通材５２を配置した場合、図２（ｃ）は、樹脂コア部５１の一部を有機ＥＬ接続部１５上に配置した場合を示す。
有機ＥＬ装置１に形成される全ての樹脂コア部５１の高さは略同一に形成される。なお、樹脂コア部５１の形成高さは、貼り合わせ後の配線基板３と有機ＥＬ基板４との間隔よりも高く形成される。すなわち、配線基板３と有機ＥＬ基板４とを貼り合わせることにより、樹脂コア部５１が押し潰されるようになっている。このように、樹脂コア部５１を押し潰すことにより、その反力により、樹脂コア部５１上に配置される導通材５２が有機ＥＬ基板４の陰極２５に押し付けられ、導通材５２と有機ＥＬ基板４の陰極２５との電気的接続（導通）を確保することができる。
樹脂コア部形成材料としては、ポリイミド、ポリカーボネイト、アクリル、ポリメチルメタクリレート等の樹脂材料が用いられる。樹脂コア部５１の形成方法として、リソグラフ法を用いる場合には、感光性を備える樹脂材料が用いられる。
【００１７】
導通材５２は、銀ペーストであって、後述するように配線基板３と有機ＥＬ基板４とを貼り合わせることによって潰れて変形するものである。なお、銀材料に導電性かつ可塑性の材料であれば、必ずしもペースト状である必要はなく、導電性材料も好適なものが採用される。
導通材５２は、図２に示すように、樹脂コア部２１の上面を含む全面或いは一部を覆う。更に、有機ＥＬ接続部１５の一部も覆う。上述したように、有機ＥＬ接続部１５の一部を覆うことにより、配線基板３の導通材５２と有機ＥＬ接続部１５との電気的接続（導通）を確保するためである。また、樹脂コア部２１の上面を覆うのは、上述したように、導通材５２と有機ＥＬ基板４の陰極２５との電気的接続（導通）を確保するためである。
【００１８】
不活性ガス３１は、公知のガスが採用され、本実施形態では窒素（Ｎ２）ガスを採用する。他のガスとしてはＡｒ等の希ガスが好ましく、また、不活性の性質を有していれば、混合ガスであってもよい。この不活性ガス３１は、後述する配線基板３と有機ＥＬ基板４との貼り合わせ工程の前後において封入されるものである。
なお、配線基板３と有機ＥＬ基板４との間に充填する物質として、必ずしも気体を限定する必要はなく、不活性な液体を用いてもよい。
【００１９】
封止部３２は、所謂缶封止によって構成された部位であり、配線基板３及び有機ＥＬ基板４の周辺に設けられたものである。なお、缶封止に限定することなく、封止樹脂を用いてもよく、いずれにしても、有機ＥＬ素子２１の劣化を招く物質が侵入しないような構成であれば、好適に採用される。
また、配線基板３と有機ＥＬ基板４との間に、有機ＥＬ素子２１を劣化させる水分を吸収する吸湿剤を設けてもよい。
【００２０】
なお、本実施形態においては、電気光学基板として有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ基板を採用した場合について説明するが、これに限定することなく、ＬＥＤやＦＥＤ等の固体発光機能素子、また、発光能を備えるポーラス状のシリコン素子を有する電気光学基板を採用してもよい。
【００２１】
（有機ＥＬ装置の製造方法）
次に、図１に示す有機ＥＬ装置１の製造方法について図３から図９を参照して説明する。
【００２２】
（基礎基板の製造方法）
まず、図３を参照し、ＴＦＴ１３を配線基板３に貼り合わせ及び転写させる前工程として、基礎基板４０上にＴＦＴを形成する工程について説明する。
なお、ＴＦＴ１３の製造方法は、高温プロセスを含む公知の技術が採用されるので、説明を省略し、基礎基板４０と剥離層４１について詳述する。
基礎基板４０は、有機ＥＬ装置１の構成要素ではなく、ＴＦＴ製造工程と、貼り合わせ及び転写工程にのみに用いられる部材である。具体的には、１０００℃程度に耐える石英ガラス等の透光性耐熱基板が好ましい。また、石英ガラスの他、ソーダガラス、コーニング７０５９、日本電気ガラスＯＡ−２等の耐熱性ガラス等が使用可能である。
この基礎基板の厚さには、大きな制限要素はないが、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度であることが好ましく、０．５ｍｍ〜１．５ｍｍ程度であることがより好ましい。基礎基板の厚さが薄すぎると強度の低下を招き、逆に厚すぎると基台の透過率が低い場合に照射光の減衰を招くからである。ただし、基台の照射光の透過率が高い場合には、前記上限値を超えてその厚みを厚くすることができる。
【００２３】
剥離層４１は、レーザ光等の照射光により当該層内や界面において剥離（「層内剥離」又は「界面剥離」ともいう）が生ずる材料からなる。即ち、一定の強度の光を照射することにより、構成物質を構成する原子又は分子における原子間又は分子間の結合力が消失し又は減少し、アブレーション（ablation）等を生じ、剥離を起こすものである。また、照射光の照射により、剥離層４１に含有されていた成分が気体となって放出され分離に至る場合と、剥離層４１が光を吸収して気体になり、その蒸気が放出されて分離に至る場合とがある。
【００２４】
剥離層４１の組成としては、例えば、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）が採用され、また、当該非晶質シリコン中に水素（Ｈ）が含有されていてもよい。水素が含有されていると、光の照射により、水素が放出されることにより剥離層４２に内圧が発生し、これが剥離を促進するので好ましい。この場合の水素の含有量は、２ａｔ％程度以上であることが好ましく、２〜２０％ａｔ％であることが更に好ましい。水素の含有量は、成膜条件、例えば、ＣＶＤ法を用いる場合には、そのガス組成、ガス圧力、ガス雰囲気、ガス流量、ガス温度、基板温度、投入するパワー等の条件を適宜設定することによって調整する。この他の剥離層材料としては、酸化ケイ素もしくはケイ酸化合物、窒化ケイ素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化セラミックス、有機高分子材料（光の照射によりこれらの原子間結合が切断されるもの）、金属、例えば、Ａｌ、Ｌｉ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、ＧｄもしくはＳｍ、又はこれらのうち少なくとも一種を含む合金が挙げられる。
【００２５】
剥離層４１の厚さとしては、１ｎｍ〜２０μｍ程度であるのが好ましく、１０ｎｍ〜２μｍ程度であるのがより好ましく、２０ｎｍ〜１μｍ程度であるのが更に好ましい。剥離層４１の厚みが薄すぎると、形成された膜厚の均一性が失われて剥離にむらが生じるからであり、剥離層４１の厚みが厚すぎると、剥離に必要とされる照射光のパワー（光量）を大きくする必要があったり、また、剥離後に残された剥離層４１の残渣を除去するのに時間を要したりする。
【００２６】
剥離層４１の形成方法は、均一な厚みで剥離層４１を形成可能な方法であればよく、剥離層４１の組成や厚み等の諸条件に応じて適宜選択することが可能である。例えば、ＣＶＤ（ＭＯＣＣＶＤ、低圧ＣＶＤ、ＥＣＲ−ＣＶＤ含む）法、蒸着、分子線蒸着（ＭＢ）、スパッタリング法、イオンドーピング法、ＰＶＤ法等の各種気相成膜法、電気メッキ、浸漬メッキ（ディッピング）、無電解メッキ法等の各種メッキ法、ラングミュア・プロジェット（ＬＢ）法、スピンコート法、スプレーコート法、ロールコート法等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェット法、粉末ジェット法等に適用できる。これらのうち２種以上の方法を組み合わせてもよい。
【００２７】
特に剥離層４１の組成が非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）の場合には、ＣＶＤ法、特に低圧ＣＶＤやプラズマＣＶＤにより成膜するのが好ましい。また、剥離層４１をゾル−ゲル（sol-gel）法によりセラミックを用いて成膜する場合や有機高分子材料で構成する場合には、塗布法、特にスピンコートにより成膜するのが好ましい。
【００２８】
（配線基板の製造方法）
次に、図３に示した基礎基板４０の製造工程と並行して、図４に示す配線基板３の製造工程が行われる。
図４に示すように、基板１０上に配線パターン１１と、層間絶縁膜１６と、ＴＦＴ接続部１４と、有機ＥＬ接続部１５とを順次形成する。配線パターンの形成方法としては、フォトリソフィ法等の公知技術が採用される。また、金属微粒子を溶剤に分散させた分散液を液滴吐出法（インクジェット法）を用いて基板１０上に形成してもよい。このような配線パターン１１を構成する材料としては、低抵抗材料を採用するのが好ましく、ＡｌやＡｌ合金（Ａｌ・Ｃｕ合金等）を用いることが好ましい。
なお、基板１０の表面には、下地絶縁膜として酸化シリコン膜（ＳｉＯ２等を形成してもよい。また、図４では、配線パターンが１層のみ形成された構造について説明しているが、２層や３層構造であってもよい。また、配線材料は、ＡｌやＡｌ合金のみに限定することなく、Ａｌ等の低抵抗金属をＴｉやＴｉ化合物によって積層させたサンドイッチ構造でもよい。このようにすれば、Ａｌ配線に対するバリア性や耐ヒロック性を高めることができる。
【００２９】
次に、配線パターン１１上に層間絶縁膜１６を形成する。当該層間絶縁膜１６は、アクリル樹脂によって形成されることが好ましく、スピンコート法等の液相法を用いることにより高精度な平坦性が得られた層間絶縁膜１６を形成することができる。更に、マスクを介した露光やフォトリソグラフィ法によって層間絶縁膜１６にＴＦＴ接続部１４及び有機ＥＬ接続部１５を形成するための開口部を形成する。
【００３０】
次に、無電解メッキ法を用いてＴＦＴ接続部１４を形成する。当該ＴＦＴ接続部１４は、所謂バンプである。
まず、メッキ成長させるためのバッド表面の濡れ性向上、及び残さを除去するために、フッ酸と硫酸を含有した水溶液中に含浸する。その後、水酸化ナトリウムを含むアルカリ性水溶液に加温した中に浸漬し、表面の酸化膜を除去する。その後、ＺｎＯを含有したジンケート液中に浸漬してパッド表面をＺｎに置換する。その後、硝酸水溶液に浸漬し、Ｚｎを剥離し、再度ジンケート浴中に浸漬し、緻密なＺｎ粒子をＡｌ表面に析出させる。その後、無電解Ｎｉメッキ浴に浸漬し、Ｎｉメッキを形成する。メッキ高さは２μｍ〜１０μｍ程度析出させる。ここで、メッキ浴は次亜リン酸を還元剤とした浴であるため、リン（Ｐ）が共析する。最後に置換Ａｕメッキ浴中に浸漬し、Ｎｉ表面をＡｕにする。Ａｕは０．０５μｍ〜０．３μｍ程度に形成する。Ａｕ浴はシアンフリータイプを用いて浸漬を行う。
【００３１】
このようにしてパッド上にＮｉ−Ａｕバンプ（ＴＦＴ接続部１４）が形成される。また、Ｎｉ−Ａｕメッキバンプ上に、半田やＰｂフリー半田を、例えばＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系等の半田をスクリーン印刷やディッピング等で形成してバンプとしてもよい。
なお、各化学処理の間には、水洗処理を行う。水洗槽はオーバーフロー構造あるいはＱＤＲ機構を有しており、最下面からＮ２バブリングを行う。バブリング方法は、テフロン（登録商標）のチューブ等に穴を開け、Ｎ２を出す方法や、焼結体等を通じてＮ２を出す。以上の工程により、短時間で十分効果のあるリンスを行うことができる。
【００３２】
次に、有機ＥＬ接続部１５を形成する。ここでは、公知の成膜方法が用いられる。例えば、気相法を用いる場合には、ＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法等、半導体製造工程で用いられる種種の方法が挙げられる。
また、液相法を用いて有機ＥＬ接続部１５を形成してもよい。この場合、金属微粒子と溶媒とを混合させた分散液を材料液体として採用する。具体的な液相法としては、スピンコート法、スリットコート法、ディップコート法、スプレー法、ロールコート法、カーテンコート法、印刷法、液滴吐出法等が挙げられる。
このような一連の工程を経て、配線基板３の製造工程が終了となる。
【００３３】
（ＴＦＴの転写工程）
次に、図５から図７を参照して、上記の配線基板３と基礎基板４０とを貼り合わせて、ＴＦＴ１３を配線基板３に転写する方法について説明する。
ここで、転写工程としては公知の技術が採用されるが、本実施形態では特にＳＵＦＴＬＡ（Surface Free Technology by Laser Ablation/Annealing：登録商標）を用いて行われる。
【００３４】
図５に示すように、基礎基板４０を反転し、また、ＴＦＴ１３とＴＦＴ接続部１４との間に異方性導電粒子（ＡＣＰ）を含有する導電性ペースト１７を塗布し、基礎基板４０と配線基板３とを貼り合わせる。
【００３５】
次に、図６に示すように、導電性ペースト１７が塗布された部分のみを局所的に、かつ、基礎基板４０の裏面側（ＴＦＴ非形成面）から、レーザ光ＬＡを照射する。すると、剥離層４１の原子や分子の結合が弱まり、また、剥離層４１内の水素が分子化し、結晶の結合から分離され、即ち、ＴＦＴ１３と基礎基板４０との結合力が完全になくなり、レーザ光ＬＡが照射された部分のＴＦＴを容易に取り外すことが可能となる。
【００３６】
次に、図７に示すように、基礎基板４０と配線基板３とを引き離すことにより、基礎基板４０上からＴＦＴが除去されると共に、当該ＴＦＴ１３が配線基板３に転写される。なお、ＴＦＴ１３の端子は、上記のＴＦＴ接続部１４及び導電性ペースト１７を介して、配線パターン１１に接続されている。
【００３７】
（接合部（樹脂コア部、導通材）の形成工程）
次に、図８を参照して接合部５０の形成方法について説明する。
まず、接合部５０の構成要素である樹脂コア部５１の形成方法としては種種の方法が挙げられる。
【００３８】
（樹脂コア部形成方法の第１実施形態）
転写技術を用いることにより、有機ＥＬ接続部１５上に樹脂コア部５１を形成する方法が挙げられる。
この場合には、基礎基板上に剥離層を介して金属薄膜をスパッタ法等で成膜した後に、公知のフォトリソグラフィ技術を用いて当該金属薄膜の樹脂コア部５１が形成される部分以外の金属薄膜を除去することで基礎基板上に樹脂コア部５１を形成する。更に、樹脂コア部５１上面に接着剤を塗布した後に、基礎基板を反転させて、配線基板３と基礎基板とを貼り合わせ、レーザ光の全面照射により剥離層と樹脂コア部５１とを分離させる。これによって、配線基板３上に接着剤を介して樹脂コア部５１と形成することができる。
【００３９】
なお、レーザ光による剥離方法以外にも、水溶性の剥離層を用いることにより、配線基板３と基礎基板とを貼り合わせた状態で水に漬けることで、基礎基板と樹脂コア部５１との剥離を行うことも可能である。
また、転写及び剥離工程の詳細は、特開２００３−０３１７７８号公報に記載の技術を採用することが好ましい。
【００４０】
（樹脂コア部形成方法の第２実施形態）
液滴吐出法（インクジェット法）を用いることにより、配線基板３上に樹脂コア部５１を形成する方法が挙げられる。
この液滴吐出法は、所謂インクジェットプリンタでよく知られている印刷技術であり、各種樹脂材料を液状化させた材料インクの液滴を、インクジェットヘッドから基板上に吐出し、定着させるものである。インクジェット法によれば微細な領域に材料インクの液滴を正確に吐出できるので、フォトリソグラフィ技術を行うことなく、所望の吐出位置に直接材料インクを定着させることができる。従って、材料の無駄も発生せず、製造コストの低減も図れ、非常に合理的な方法となる。
このようなインクジェット法を用いて樹脂コア部５１を配線基板３上に形成する場合には、樹脂コア部５１を形成するための樹脂材料を溶剤等に分散させた分散液を材料インクとして採用される。
【００４１】
（樹脂コア部形成方法の第３実施形態）
この方法においては、樹脂コア部５１の材料として樹脂等からなるドライフィルムが用いられる。
この場合、配線基板３上にドライフィルムを貼り、更にフォトリソグラフィ技術によって樹脂コア部５１が形成される部分以外のドライフィルムを除去することで配線基板３上に樹脂コア部５１を形成する。
なお、ドライフィルムとしては、樹脂材料に限定されることなく、金属材料であってもよい。
【００４２】
（樹脂コア部形成方法の第３実施形態の変形例）
この方法においては、ドライフィルムの代わりに、感光性樹脂を用いる。即ち、配線基板３上にアクリル樹脂等の感光性樹脂を塗布形成し、フォトリソグラフィによって樹脂コア部５１を所定のパターンで形成する。
【００４３】
次に、上記の樹脂コア部形成方法により樹脂コア部５１を形成した後に導通材５２を配置する。導通材５２は樹脂コア部５１及び有機ＥＬ接続部１５上に形成される銀ペーストであり、銀ペーストの形成方法は、印刷法、転写法、液滴吐出法等の方法が用いられる。そして、樹脂コア部５１及び有機ＥＬ接続部１５上における上述した範囲に銀ペーストを配置する。
【００４４】
（配線基板と有機ＥＬ基板の貼り合わせ工程）
次に、図９を参照し、上述の配線基板３と有機ＥＬ基板４とを貼り合わせて、最終的に図１に示す有機ＥＬ装置１を形成する工程について説明する。
図９に示す有機ＥＬ基板４は、透明基板２０上に、有機ＥＬ素子２１と、絶縁膜２２と、陰極２５とが順に形成された後に、上下反転させたものである。
【００４５】
そして、有機ＥＬ基板４に対向する位置に上述の配線基板３を配置し、当該両基板３，４を貼り合わせて押圧する。すると、導通材５２の上面が陰極２５と接触し、導通材５２、すなわち銀ペーストが陰極２５に押し潰され、有機ＥＬ接続部１５と陰極２５とが導通材５２を介して導通接触される。このようにして、有機ＥＬ素子２１とＴＦＴ１３とが導通接続される。
この際、樹脂コア部５１も押し潰され、その反力により陰極２５を押し付け、導通材５２と陰極２５との導通接触が確実に得られる。
【００４６】
この状態で、不活性ガス３１を配線基板３と有機ＥＬ基板４との間に封入し、図１の如く両基板３，４の周囲を封止することで有機ＥＬ装置１が完成となる。
なお、不活性ガス３１の封入方法及び基板の封止方法としては、配線基板３と有機ＥＬ基板４とを貼り合せた後に不活性ガス３１を封入し、封止する方法と、不活性ガス雰囲気のチャンバ内において配線基板３と有機ＥＬ基板４とを貼り合せて、封止する方法とがある。
【００４７】
上記の製造方法によって製造された図１に示す有機ＥＬ装置１は、有機ＥＬ基板４における配線基板３側から、順に陰極２５、有機ＥＬ素子、正孔注入／輸送層、陽極が配置された、透明基板２０側から発光光を取り出すトップエミッション型の有機ＥＬ装置となる。
【００４８】
上述したように、有機ＥＬ装置１においては、配線基板３と有機ＥＬ基板４との間に、樹脂コア部５１と導通材５２とから構成される接合部５０を配置した構成となっているので、配線基板３と有機ＥＬ基板４との間に所定の隙間を確実に形成することができる。また、樹脂コア部５１が接合部５０に加わった外力を緩和するので、接合部５０（特に導通材５２）の損傷を回避し、導通接続を維持することができる。
【００４９】
なお、本実施形態においては、配線基板３側に接合部５０を設けた構成としたが、有機ＥＬ４側に接合部５０を形成した構成を採用してもよい。
【００５０】
（樹脂コア部の第２実施形態）
次に、樹脂コア部５１の第２実施形態について、図１０を参照して説明する。
本実施形態においては、樹脂コア部５１に貫通孔５１ａが形成される。他の構成については上記実施形態と同様であるので、同一の符号を付し、説明を省略する。
樹脂コア部５１には、配線基板３に垂直な方向に略平行な貫通孔（貫通部）５１ａが形成されており、この貫通孔５１ａには導通材５２、すなわち銀ペーストが充填されている。このように、樹脂コア部５１に貫通孔５１ａを形成し、更にその貫通孔５１ａに導通材５２を配置することにより、例えば、
樹脂コア部５１が有機ＥＬ接続部１５上の全面を覆ってしまった場合であっても、有機ＥＬ接続部１５と導通材５２との電気的接続（導通）を確保することができる。言い換えれば、樹脂コア部５１を有機ＥＬ接続部１５の全面を覆うように大きく形成できるので、配線基板３と有機ＥＬ基板４との間の間隔を自在に調整することが可能となる。
【００５１】
次に、本発明の電気光学装置を電子機器に適用した例について説明する。
図１１（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１１（ａ）において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は上記実施形態の有機ＥＬ装置を備えた表示部を示している。
図１１（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１１（ｂ）において、７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力部、７０３は情報処理本体、７０２は上記実施形態の有機ＥＬ装置を備えた表示部を示している。
図１１（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１１（ｃ）において、８００は時計本体を示し、８０１は上記実施形態の有機ＥＬ装置を備えた表示部を示している。
図１１（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上記実施形態の有機ＥＬ装置を備えたものであるので、電子素子の実装不良が少なく、高品質化が図られる。
なお、本実施形態の電子機器は有機ＥＬ装置を備えるものとしたが、液晶装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
【００５２】
また、上記例では、電子素子としてＴＦＴを配線基板に転写する構成としたが、本発明における電子素子としては、ＴＦＴ素子以外にも、薄膜ダイオード、その他の薄膜半導体デバイス、電極（例：ＩＴＯ，メサ膜のような透明電極）、太陽電池やイメージセンサ等に用いられる光電変換素子、スイッチング素子、メモリー、圧電素子等のアクチュエータ、マイクロミラー（ピエゾ薄膜セラミックス）、磁気記録媒体、光磁気記録媒体、光記録媒体等の記録媒体、磁気記録薄膜ヘッド、コイル、インダクター、薄膜高透磁材料およびそれらを組み合わせたマイクロ磁気デバイス、フィルター、反射膜、ダイクロイックミラー、偏光素子等の光学薄膜、半導体薄膜、超伝導薄膜（例：ＹＢＣＯ薄膜）、磁性薄膜、金属多層薄膜、金属セラミック多層薄膜、金属半導体多層薄膜、セラミック半導体多層薄膜、有機薄膜と他の物質の多層薄膜等が挙げられる。
このなかでも、特に、薄膜デバイス、マイクロ磁気デバイス、マイクロ三次元構造物の構成、アクチュエータ、マイクロミラー等に適用することの有用性が高く、好ましい。
【００５３】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】電気光学装置の要部構成を示す断面図
【図２】樹脂コア部の第１実施形態を示す斜視図
【図３】電気光学装置の製造工程の説明図
【図４】図３に続く製造工程の説明図
【図５】図４に続く製造工程の説明図
【図６】図５に続く製造工程の説明図
【図７】図６に続く製造工程の説明図
【図８】図７に続く製造工程の説明図
【図９】図８に続く製造工程の説明図
【図１０】樹脂コア部の第２実施形態を示す断面図
【図１１】電気光学装置を電子機器に適用した例を示す図
【符号の説明】
【００５５】
１…有機ＥＬ装置（電気光学装置）、  ２…基板接合体、  ３…配線基板（第１基板）、  ４…有機ＥＬ基板（第２基板）、  １５…有機ＥＬ接続部（端子部）、  ２１…有機ＥＬ素子（第２機能素子）、  ２５…陰極（端子部）、  ５０…接合部、  ５１…樹脂コア部、  ５１ａ…貫通孔、  ５２…導通材（導通部）、  ６００…携帯電話本体（電子機器）、  ６０１，７０２，８０１…表示部（電気光学装置）、  ７００…情報処理装置（電子機器）、  ８００…時計本体（電子機器）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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