(57)【要約】【課題】  突出電極の端部に隙間を発生させることなく、突出電極の接合時の応力を分散させる。【解決手段】  等方性エッチングを用いて電極パッド４を形成することにより、電極パッド４の端部に傾斜面５を形成し、電極パッド４が形成された半導体チップ１上に保護膜６を成膜することにより、電極パッド４の傾斜面５に対応して配置された傾斜面７を保護膜６に形成し、突出電極９の端部が保護膜６の傾斜面７にかかるように突出電極９を配置する。【選択図】      図１
2005072203.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
突出電極と、
前記突出電極の端部を傾斜面上で支持する支持層とを備えることを特徴とする端子電極。
【請求項２】
傾斜面を有する電極パッドと、
前記傾斜面を被覆するように前記電極パッド上に形成された保護膜と、
前記電極パッド上に形成された突出電極とを備えることを特徴とする端子電極。
【請求項３】
電極パッドと、
前記電極パッドの段差の位置に対応して傾斜面が設けられた保護膜と、
前記電極パッド上に形成された突出電極とを備えることを特徴とする端子電極。
【請求項４】
前記突出電極の端部は、前記保護膜の傾斜面上に配置されていることを特徴とする請求項２または３記載の端子電極。
【請求項５】
半導体チップと、
傾斜面を有するように前記半導体チップ上に形成された電極パッドと、
前記傾斜面を被覆するように前記半導体チップ上に形成された保護膜と、
端部が前記保護膜の傾斜面にかかるようにして前記電極パッド上に形成された突出電極とを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
半導体チップと、
前記半導体チップ上に形成された電極パッドと、
前記電極パッドの段差の位置に対応して傾斜面が設けられた保護膜と、
端部が前記保護膜の傾斜面にかかるようにして前記電極パッド上に形成された突出電極とを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
半導体チップと、
傾斜面を有するように前記半導体チップ上に形成された電極パッドと、
前記傾斜面を被覆するように前記半導体チップ上に形成された保護膜と、
端部が前記保護膜の傾斜面にかかるようにして前記電極パッド上に形成された突出電極と、
前記突出電極が接合された端子電極が形成された配線基板とを備えることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項８】
半導体チップと、
前記半導体チップ上に形成された電極パッドと、
前記電極パッドの段差の位置に対応して傾斜面が設けられた保護膜と、
端部が前記保護膜の傾斜面にかかるようにして前記電極パッド上に形成された突出電極と、
前記突出電極が接合された端子電極が形成された配線基板とを備えることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項９】
半導体チップと、
傾斜面を有するように前記半導体チップ上に形成された電極パッドと、
前記傾斜面を被覆するように前記半導体チップ上に形成された保護膜と、
端部が前記保護膜の傾斜面にかかるようにして前記電極パッド上に形成された突出電極と、
前記突出電極が接合された端子電極が形成された配線基板と、
前記配線基板を介して前記半導体チップに接続された電子部品とを備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
半導体チップと、
前記半導体チップ上に形成された電極パッドと、
前記電極パッドの段差の位置に対応して傾斜面が設けられた保護膜と、
端部が前記保護膜の傾斜面にかかるようにして前記電極パッド上に形成された突出電極と、
前記突出電極が接合された端子電極が形成された配線基板と、
前記配線基板を介して前記半導体チップに接続された電子部品とを備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
傾斜面を有する電極パッドを半導体基板上に形成する工程と、
前記電極パッドが形成された半導体基板上に保護膜を形成する工程と、
前記電極パッドの傾斜面を被覆したまま、前記電極パッドの表面を露出させる開口部を前記保護膜に形成する工程と、
前記電極パッド上に突出電極を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記突出電極は、前記突出電極の端部が前記電極パッドの傾斜面上に配置されるように形成することを特徴とする請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は端子電極、半導体装置、半導体モジュール、電子機器および半導体装置の製造方法に関し、特に、端子電極の接合時における応力緩和方法に適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置の突出電極の形成方法では、無電解Ｎｉメッキを用いて電極パッド上に突出電極を形成する方法がある。
図６は、従来の端子電極の構成を示す断面図である。
図６において、半導体チップ５１には電極パッド５２が設けられ、電極パッド５２が設けられた半導体チップ５１の表面は保護膜５３で被覆されている。そして、保護膜５３には、電極パッド５２の表面を露出させる開口部５４が設けられている。そして、無電解Ｎｉメッキにより、電極パッド５２の内側に端部が配置された突出電極５５が電極パッド５２上に形成されている。
【０００３】
図７は、従来の端子電極のその他の構成を示す断面図である。
図７において、半導体チップ６１には電極パッド６２が設けられ、電極パッド６２が設けられた半導体チップ６１の表面は保護膜６３で被覆されている。そして、保護膜６３には、電極パッド６２の表面を露出させる開口部６４が設けられている。そして、無電解Ｎｉメッキにより、電極パッド６２の外側に端部が食み出した突出電極６５が電極パッド６２上に形成されている。
【０００４】
また、例えば、特許文献１には、突出電極を必要とするＡｌ電極上にのみ突出電極を容易に形成するために、レーザ照射による局部加熱により突出電極を形成する方法が開示されている。
【特許文献１】特開平１０−２５６２５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、図６の突出電極５５では、電極パッド５２の端部にかかる保護膜５３の段差がほぼ垂直に切り立っている。このため、突出電極５５の接合時に突出電極５５にかかる荷重が保護膜５３にほぼ垂直に伝わり、保護膜５３にクラックが入り易くなるとともに、半導体チップ５１に及ぼすダメージが大きくなるという問題があった。
一方、図７の突出電極６５では、突出電極６５の端部が電極パッド６２の外側に食み出している。このため、突出電極６５の端部に隙間６６が発生し、突出電極６５をメッキにより形成する際に、メッキ液が隙間６６に残留するという問題があった。
【０００６】
また、特許文献１に開示された方法でも、図６の突出電極５５と同様に、電極パッドの端部にかかる保護膜の段差がほぼ垂直に切り立っているため、突出電極の接合時に突出電極にかかる荷重が保護膜にほぼ垂直に伝わり、保護膜にクラックが入り易くなるとともに、半導体チップに及ぼすダメージが大きくなるという問題があった。
そこで、本発明の目的は、メッキ液を端部の隙間に残留させることなく、接合時の応力を分散させることが可能な端子電極、半導体装置、半導体モジュール、電子機器および半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る端子電極によれば、突出電極と、前記突出電極の端部を傾斜面上で支持する支持層とを備えることを特徴とする。
これにより、支持層の傾斜面を介し突出電極にかかる応力を斜めに逃がすことが可能となり、接合時の応力を分散させることができる。このため、突出電極にかかる荷重が支持層に垂直に伝わることを防止しつつ、突出電極の接合を行うことが可能となり、接合時の応力集中を防止して、接合時のダメージを低減することができる。
【０００８】
また、本発明の一態様に係る端子電極によれば、傾斜面を有する電極パッドと、前記傾斜面を被覆するように前記電極パッド上に形成された保護膜と、前記電極パッド上に形成された突出電極とを備えることを特徴とする。
これにより、電極パッドを保護膜で被覆することで、保護膜に傾斜面を形成することが可能となるとともに、電極パッドまたは保護膜の傾斜面を介し突出電極にかかる応力を斜めに逃がすことが可能となる。このため、突出電極の接合時の応力を分散させつつ、突出電極の接合を行うことが可能となり、接合時の応力集中を防止して、保護膜にクラックが入り難くすることができる。
【０００９】
また、本発明の一態様に係る端子電極によれば、電極パッドと、前記電極パッドの段差の位置に対応して傾斜面が設けられた保護膜と、前記電極パッド上に形成された突出電極とを備えることを特徴とする。
これにより、保護膜の傾斜面を介し突出電極にかかる応力を斜めに逃がすことが可能となる。このため、突出電極の接合時の応力を分散させつつ、突出電極の接合を行うことが可能となり、接合時の応力集中を防止して、保護膜にクラックが入り難くすることができる。
【００１０】
また、本発明の一態様に係る端子電極によれば、前記突出電極の端部は、前記保護膜の傾斜面上に配置されていることを特徴とする。
これにより、保護膜の傾斜面を介し突出電極にかかる応力を斜めに逃がすことが可能となるとともに、突出電極の端部に隙間が発生することを防止することが可能となる。このため、突出電極の接合時の応力集中を防止して、保護膜にクラックが入り難くすることが可能となるとともに、突出電極の端部にメッキ液が残留することを防止して、突出電極の腐食を抑制することができる。
【００１１】
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、半導体チップと、傾斜面を有するように前記半導体チップ上に形成された電極パッドと、前記傾斜面を被覆するように前記半導体チップ上に形成された保護膜と、端部が前記保護膜の傾斜面にかかるようにして前記電極パッド上に形成された突出電極とを備えることを特徴とする。
これにより、電極パッドを保護膜で被覆することで、保護膜に傾斜面を形成することが可能となるとともに、電極パッドまたは保護膜の傾斜面を介し突出電極にかかる応力を斜めに逃がすことが可能となる。このため、突出電極の接合時の応力を分散させつつ、突出電極の接合を行うことが可能となり、接合時の応力集中を防止して、保護膜にクラックが入り難くすることが可能となるとともに、半導体チップに及ぼすダメージを低減することができる。
【００１２】
また、本発明の一態様に係る半導体装置によれば、半導体チップと、前記半導体チップ上に形成された電極パッドと、前記電極パッドの段差の位置に対応して傾斜面が設けられた保護膜と、端部が前記保護膜の傾斜面にかかるようにして前記電極パッド上に形成された突出電極とを備えることを特徴とする。
これにより、保護膜の傾斜面を介し突出電極にかかる応力を斜めに逃がすことが可能となる。このため、突出電極の接合時の応力を分散させつつ、突出電極の接合を行うことが可能となり、接合時の応力集中を防止して、保護膜にクラックが入り難くすることが可能となるとともに、半導体チップに及ぼすダメージを低減することができる。
【００１３】
また、本発明の一態様に係る半導体モジュールによれば、半導体チップと、傾斜面を有するように前記半導体チップ上に形成された電極パッドと、前記傾斜面を被覆するように前記半導体チップ上に形成された保護膜と、端部が前記保護膜の傾斜面にかかるようにして前記電極パッド上に形成された突出電極と、前記突出電極が接合された端子電極が形成された配線基板とを備えることを特徴とする。
【００１４】
これにより、突出電極の構成を複雑化することなく、突出電極の接合時の応力を分散させることが可能となり、実装面積の増大を抑制しつつ、配線基板上に実装された半導体チップの信頼性を向上させることができる。
また、本発明の一態様に係る半導体モジュールによれば、半導体チップと、前記半導体チップ上に形成された電極パッドと、前記電極パッドの段差の位置に対応して傾斜面が設けられた保護膜と、端部が前記保護膜の傾斜面にかかるようにして前記電極パッド上に形成された突出電極と、前記突出電極が接合された端子電極が形成された配線基板とを備えることを特徴とする。
【００１５】
これにより、突出電極の構成を複雑化することなく、突出電極を端子電極に接合することが可能となり、実装面積の増大を抑制しつつ、配線基板上に実装された半導体チップの信頼性を向上させることができる。
また、本発明の一態様に係る電子機器によれば、半導体チップと、傾斜面を有するように前記半導体チップ上に形成された電極パッドと、前記傾斜面を被覆するように前記半導体チップ上に形成された保護膜と、端部が前記保護膜の傾斜面にかかるようにして前記電極パッド上に形成された突出電極と、前記突出電極が接合された端子電極が形成された配線基板と、前記配線基板を介して前記半導体チップに接続された電子部品とを備えることを特徴とする。
【００１６】
これにより、突出電極の構成を複雑化することなく、突出電極の接合時の応力を分散させることが可能となる。このため、実装面積の増大を抑制しつつ、配線基板上に実装された半導体チップの信頼性を向上させることが可能となり、電子機器の小型・軽量化を可能としつつ、電子機器の信頼性を向上させることができる。
また、本発明の一態様に係る電子機器によれば、半導体チップと、前記半導体チップ上に形成された電極パッドと、前記電極パッドの段差の位置に対応して傾斜面が設けられた保護膜と、端部が前記保護膜の傾斜面にかかるようにして前記電極パッド上に形成された突出電極と、前記突出電極が接合された端子電極が形成された配線基板と、前記配線基板を介して前記半導体チップに接続された電子部品とを備えることを特徴とする。
【００１７】
これにより、突出電極の構成を複雑化することなく、突出電極の接合時の応力を分散させることが可能となる。このため、実装面積の増大を抑制しつつ、配線基板上に実装された半導体チップの信頼性を向上させることが可能となり、電子機器の小型・軽量化を可能としつつ、電子機器の信頼性を向上させることができる。
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、傾斜面を有する電極パッドを半導体基板上に形成する工程と、前記電極パッドが形成された半導体基板上に保護膜を形成する工程と、前記電極パッドの傾斜面を被覆したまま、前記電極パッドの表面を露出させる開口部を前記保護膜に形成する工程と、前記電極パッド上に突出電極を形成する工程とを備えることを特徴とする。
【００１８】
これにより、電極パッドを保護膜で被覆することで、保護膜に傾斜面を形成することが可能となり、突出電極にかかる応力を斜めに逃がすことが可能となる。このため、突出電極の接合時の応力を分散させつつ、突出電極の接合を行うことが可能となり、接合時の応力集中を防止して、保護膜にクラックが入り難くすることが可能となるとともに、半導体基板に及ぼすダメージを低減することができる。
【００１９】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、前記突出電極は、前記突出電極の端部が前記電極パッドの傾斜面上に配置されるように形成することを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態に係る端子電極およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る端子電極の製造方法を示す断面図である。
図１（ａ）において、半導体チップ１上に導電層２を形成する。なお、半導体チップ１には、トランジスタなどの能動素子またはキャパシタなどの受動素子を形成することができる。そして、フォトリソグラフィー技術を用いることにより、電極パッド４の配置位置に対応して配置されたレジストパターン３を導電層２上に形成する。
【００２１】
次に、図１（ｂ）に示すように、レジストパターン３をマスクとして、導電層２の等方性エッチングを行うことにより、半導体チップ１上に電極パッド４を形成する。ここで、導電層２の等方性エッチングを用いて電極パッド４を形成することにより、電極パッド４の厚み方向に沿って、電極パッド４のサイドエッチ量を徐々に増加させることが可能となり、電極パッド４の端部に傾斜面５を形成することができる。
【００２２】
次に、図１（ｃ）に示すように、導電層２上のレジストパターン３を除去し、電極パッド４が形成された半導体チップ１上に保護膜６を成膜する。そして、電極パッド４の傾斜面５が被覆された状態で電極パッド４の表面を露出させる開口部８を保護膜６に形成する。なお、保護膜６としては、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜またはポリイミド膜などを用いることができる。ここで、電極パッド４の傾斜面５を保護膜６で被覆することにより、電極パッド４の傾斜面５に対応して配置された傾斜面７を保護膜６に形成することができる。
【００２３】
次に、図１（ｄ）に示すように、開口部８を介して露出された電極パッド４上に突出電極９を形成する。なお、突出電極９としては、例えば、Ｎｉバンプ、Ａｕバンプ、半田材などで被覆されたＣｕバンプ、あるいは半田ボールなどを用いることができ、突出電極９の形成方法としては、例えば、電解メッキまたは無電解メッキを用いることができる。ここで、電極パッド４上に突出電極９を形成する場合、突出電極９の端部が保護膜６の傾斜面７にかかるように配置することができる。
【００２４】
これにより、保護膜６の傾斜面７を介し突出電極９にかかる応力を斜めに逃がすことが可能となるとともに、突出電極９の端部が傾斜面７にかかっているので、隙間に存在するメッキ液が流れ出る。このため、突出電極９の接合時の応力集中を防止して、保護膜６にクラックが入り難くすることが可能となるとともに、突出電極９の端部にメッキ液が残留することを防止して、突出電極９の腐食を抑制することができる。
【００２５】
なお、図１の例では、突出電極９の端部が保護膜６の傾斜面７にかかるように突出電極９を配置する方法について示したが、突出電極９の端部が電極パッド４上の保護膜６の平坦面にかかるように突出電極９を配置するようにしてもよい。また、電極パッド４、保護膜６および突出電極９を半導体チップ１に形成する場合、個片化される前の半導体ウェハの状態で半導体チップ１を扱うことができる。
【００２６】
図２は、本発明の第２実施形態に係る半導体モジュールの製造方法を示す断面図である。
図２（ａ）において、端子電極１０２が形成された配線基板１０１上に封止樹脂１０３を配置する。そして、図１の突出電極９と端子電極１０２とが対向して配置されるように、図１の半導体チップ１と配線基板１０１とを位置合わせする。
【００２７】
なお、配線基板１０１としては、例えば、両面基板、多層配線基板、ビルドアップ基板、テープ基板またはフィルム基板などを用いることができ、配線基板１０１の材質としては、例えば、ポリイミド樹脂、ガラスエポキシ樹脂、ＢＴレジン、アラミドとエポキシのコンポジットまたはセラミックなどを用いることができる。また、封止樹脂１０３としては、例えば、エポキシ樹脂などを用いることができ、封止樹脂１０３はペースト状またはフィルム状のいずれでもよい。
【００２８】
次に、図２（ｂ）に示すように、封止樹脂１０３を介して突出電極９を端子電極１０２に接合させることにより、半導体チップ１を配線基板１０１上にフリップチップ実装する。
ここで、突出電極９を端子電極１０２に接合させる場合、保護膜６の傾斜面７を介し突出電極９にかかる応力を斜めに逃がすことが可能となる。このため、突出電極９の接合時の応力を分散させつつ、突出電極９の接合を行うことが可能となり、接合時の応力集中を防止して、保護膜６にクラックが入り難くすることが可能となるとともに、半導体チップ１に及ぼすダメージを低減することを可能として、半導体チップ１の信頼性を向上させることができる。
【００２９】
なお、半導体チップ１を配線基板１０１上に実装する場合、ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）接合、ＮＣＦ（Ｎｏｎｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）接合、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）接合、ＮＣＰ（Ｎｏｎｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）接合などの圧接接合を用いるようにしてもよいし、半田接合や合金接合などの金属接合を用いるようにしてもよい。
【００３０】
図３は、本発明の第３実施形態に係る端子電極の製造方法を示す断面図である。
図３（ａ）において、半導体チップ１１上には、段差が設けられた電極パッド１２が形成されている。なお、段差が設けられた電極パッド１２を半導体チップ１１上に形成する場合、サイズの小さな上層導電膜１２ｂを下層導電膜１２ａ上に配置することができる。
次に、図３（ｂ）に示すように、電極パッド１２が形成された半導体チップ１１上に保護膜１３を成膜する。そして、電極パッド１２の段差が被覆された状態で電極パッド１２の表面を露出させる開口部１５を保護膜１３に形成する。ここで、電極パッド１２の段差を保護膜１３で被覆することで、電極パッド１２の段差に対応して配置された傾斜面１４を保護膜１３に形成することができる。
【００３１】
次に、図３（ｃ）に示すように、開口部１５を介して露出された電極パッド１２上に突出電極１６を形成する。なお、突出電極１６としては、例えば、Ｎｉバンプ、Ａｕバンプ、半田材などで被覆されたＣｕバンプ、あるいは半田ボールなどを用いることができ、突出電極１６の形成方法としては、例えば、電解メッキまたは無電解メッキを用いることができる。ここで、電極パッド１２上に突出電極１６を形成する場合、突出電極１６の端部が保護膜１３の傾斜面１４にかかるように配置することができる。
【００３２】
これにより、保護膜１３の傾斜面１４を介し突出電極１６にかかる応力を斜めに逃がすことが可能となるとともに、突出電極１６端部が傾斜面１４にかかっているので、隙間に存在するメッキ液が流れ出る。このため、突出電極１６の接合時の応力集中を防止して、保護膜１３にクラックが入り難くすることが可能となるとともに、突出電極１６の端部にメッキ液が残留することを防止して、突出電極１６の腐食を抑制することができる。
【００３３】
図４は、本発明の第４実施形態に係る端子電極の製造方法を示す断面図である。
図４（ａ）において、半導体チップ２１上には電極パッド２２が形成されている。そして、図４（ｂ）に示すように、電極パッド２２の端部にレーザ照射を行うことにより、電極パッド２２の端部を局所的に加熱し、電極パッド２２の端部をだれさせることにより、電極パッド２２の端部に傾斜面２３を形成する。
【００３４】
次に、図４（ｃ）に示すように、電極パッド２２が形成された半導体チップ２１上に保護膜２４を成膜する。そして、電極パッド２２の傾斜面２３が被覆された状態で電極パッド２２の表面を露出させる開口部２６を保護膜２４に形成する。ここで、電極パッド２２の傾斜面２３を保護膜２４で被覆することで、電極パッド２２の傾斜面２３に対応して配置された傾斜面２５を保護膜２４に形成することができる。
【００３５】
次に、図４（ｄ）に示すように、開口部２６を介して露出された電極パッド２２上に突出電極２７を形成する。なお、突出電極２７としては、例えば、Ｎｉバンプ、Ａｕバンプ、半田材などで被覆されたＣｕバンプ、あるいは半田ボールなどを用いることができ、突出電極２７の形成方法としては、例えば、電解メッキまたは無電解メッキを用いることができる。ここで、電極パッド２２上に突出電極２７を形成する場合、突出電極２７の端部が保護膜２４の傾斜面２５にかかるように配置することができる。
【００３６】
これにより、保護膜２４の傾斜面２５を介し突出電極２７にかかる応力を斜めに逃がすことが可能となるとともに、突出電極２７の端部が傾斜面２５にかかっているので、隙間に存在するメッキ液が流れ出る。このため、突出電極２７の接合時の応力集中を防止して、保護膜２４にクラックが入り難くすることが可能となるとともに、突出電極２７の端部にメッキ液が残留することを防止して、突出電極２７の腐食を抑制することができる。
【００３７】
図５は、本発明の第５実施形態に係る端子電極の製造方法を示す断面図である。
図５（ａ）において、インクジェットヘッド４１を介し、導電性材料からなる液滴４２を半導体チップ３１上に吐出させることで、端部に傾斜面３３を有する電極パッド３２を半導体チップ３１上に形成する。なお、液滴４２としては、例えば、アルミニウムＡｌ、ニッケルＮｉ、金Ａｕまたは銅Ｃｕなどの金属粉が溶媒に分散された金属スラリーあるいは金属ペーストなどを用いることができる。
【００３８】
次に、図５（ｂ）に示すように、電極パッド３２が形成された半導体チップ３１上に保護膜３４を成膜する。そして、電極パッド３２の傾斜面３３が被覆された状態で電極パッド３２の表面を露出させる開口部３６を保護膜３４に形成する。ここで、電極パッド３２の傾斜面３３を保護膜３４で被覆することで、電極パッド３２の傾斜面３３に対応して配置された傾斜面３５を保護膜３４に形成することができる。
【００３９】
次に、図５（ｃ）に示すように、開口部３６を介して露出された電極パッド３２上に突出電極３７を形成する。なお、突出電極３７としては、例えば、Ｎｉバンプ、Ａｕバンプ、半田材などで被覆されたＣｕバンプ、あるいは半田ボールなどを用いることができ、突出電極３７の形成方法としては、例えば、電解メッキまたは無電解メッキを用いることができる。ここで、電極パッド３２上に突出電極３７を形成する場合、突出電極３７の端部が保護膜３４の傾斜面３５にかかるように配置することができる。
【００４０】
これにより、保護膜３４の傾斜面３５を介し突出電極３７にかかる応力を斜めに逃がすことが可能となるとともに、突出電極３７の端部が傾斜面３５にかかっているので、隙間に存在するメッキ液が流れ出る。このため、突出電極３７の接合時の応力集中を防止して、保護膜３４にクラックが入り難くすることが可能となるとともに、突出電極３７の端部にメッキ液が残留することを防止して、突出電極３７の腐食を抑制することができる。
【００４１】
なお、上述した半導体装置および半導体モジュールは、例えば、液晶表示装置、携帯電話、携帯情報端末、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ＭＤ（Ｍｉｎｉ  Ｄｉｓｃ）プレーヤ、ＩＣカード、ＩＣタグなどの電子機器に適用することができ、電子機器の小型・軽量化を可能としつつ、電子機器の信頼性を向上させることができる。
また、上述した実施形態では、半導体チップに端子電極を設ける方法を例にとって説明したが、本発明は、必ずしも半導体チップに端子電極を設ける方法に限定されることなく、例えば、液晶表示装置、有機ＥＬ素子、プラズマディスプレイ、弾性表面波（ＳＡＷ）素子などのセラミック素子、光変調器や光スイッチなどの光学素子、磁気センサやバイオセンサなどの各種センサ類などに端子電極を設ける方法に適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る端子電極の製造方法を示す断面図。
【図２】本発明の第２実施形態に係る半導体モジュールの製造方法を示す断面図。
【図３】本発明の第３実施形態に係る端子電極の製造方法を示す断面図。
【図４】本発明の第４実施形態に係る端子電極の製造方法を示す断面図。
【図５】本発明の第５実施形態に係る端子電極の製造方法を示す断面図。
【図６】従来の端子電極の構成を示す断面図。
【図７】従来の端子電極の構成を示す断面図。
【符号の説明】
【００４３】
１、１１、２１、３１  半導体チップ、２  導電層、３  レジストパターン、４、１２、２２、３２  電極パッド、５、７、１４、２３、２５、３３、３５  傾斜面、６、１３、２４、３４  保護膜、８、１５、２６、３６  開口部、９、１６、２７、３７  突出電極、１２ａ  下層導電膜、１２ｂ  上層導電膜、４１  インクジェットヘッド、４２  液滴、１０１  配線基板、１０２  端子電極、１０３  封止樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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