(57)【要約】【課題】セラミック素子から効率よくしかも短時間で水分を蒸発させて除去し、導電ペーストを塗布、焼き付けして外部電極を形成する場合の導電ペーストのはじき現象や、外部電極にめっきを施す場合のめっき液の付着や吸着による、実装時のはんだのはぜを防止することが可能で、信頼性の高いセラミック電子部品を効率よくしかも短時間で製造する。【解決手段】積層セラミックコンデンサ10を製造するためには、まず、セラミック素子12が形成される。セラミック素子12には、外部電極18a，18b、第１のめっき膜20a，20bおよび第２のめっき膜22a，22bが形成される。そして、セラミック素子12の周囲の雰囲気にＮ2 やＡｒなどの不活性ガスを入れた状態でセラミック素子12を昇温し、その雰囲気を減圧してから、熱処理し、その雰囲気に不活性ガスを入れてセラミック素子12を降温することによって、セラミック素子12からめっき液の水分を蒸発させて除去する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック成形体を焼成してなるセラミック素子に対して、水分の付着や吸着が生じる処理を施した後に、前記セラミック素子を減圧下で加熱することにより、前記セラミック素子から水分を除去する工程を有するセラミック電子部品の製造方法において、
前記セラミック素子から水分を除去する工程は、前記セラミック素子を加熱する設定温度に到達するまでの昇温段階、設定温度を保持する保持段階、設定温度から室温に下げる降温段階からなり、前記昇温段階または前記降温段階は、保持段階よりも真空度が低く、前記セラミック素子の周囲の雰囲気に不活性ガスを入れた状態で行われることを特徴とする、セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記水分の付着や吸着が生じる処理が、前記セラミック素子をバレルに入れて水の存在下に研磨する湿式バレル研磨処理であることを特徴とする、請求項１に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記水分の付着や吸着が生じる処理が、前記セラミック素子に外部電極を形成した後に、前記外部電極の表面にめっき膜を形成する湿式めっき処理であることを特徴とする、請求項１に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記セラミック素子が、内部にセラミック層を介して複数の内部電極が設けられた積層構造を有する積層型のセラミック素子であることを特徴とする、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記セラミック素子から水分を除去する工程は、前記水分の付着や吸着が生じる処理を施した後、前記内部電極の有効部分に水分が達する前に行うことを特徴とする、請求項４に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明はセラミック電子部品の製造方法に関し、特にセラミック素子に水分の付着や吸着が生じるようなたとえば湿式バレル研磨処理や湿式めっき処理などの処理を施す工程を経てたとえば積層セラミックコンデンサなどのセラミック電子部品を製造するセラミック電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、セラミック電子部品の製造方法においては、たとえば、セラミック素子上の外部電極にめっきを施すための湿式めっき処理やセラミック素子を焼成した後の湿式バレル研磨処理等、セラミック素子に水分の付着や吸着が生じるような処理の後に、水分の除去を行うために乾燥工程を含んでいた。
この乾燥工程による水分の除去は、湿式めっき処理後の場合はめっき液の除去であり、湿式バレル研磨処理の場合は緩衝材として用いた水の除去である。
このような水分の除去を十分に行わないと、湿式めっき処理の場合、セラミック素子および外部電極に付着または吸着しためっき液が、リフローはんだ付け等の方法で回路基板に実装する際に、リフローの熱で急激に蒸発することにより、はんだのはぜ（破裂）が生じ、隣接する電子部品との間で短絡が生じる恐れがある。また、湿式バレル研磨処理の場合は、セラミック素子に付着または吸着した水により、その後の外部電極形成工程で、外部電極ペーストが水にはじかれるという問題が生じる。また、外部電極ペーストをはじかない場合でも、水分がセラミック素子に含まれた状態で、外部電極ペーストを焼き付けると、その熱で水分が急激に蒸発し、外部電極においてはぜ（破裂）が生じるという問題が生じる。
このような乾燥工程において、水分を効率よく除去するために、セラミック素子を減圧下で加熱する方法がある（特許文献１参照）。
この方法によれば、真空度を高くして減圧下で加熱しているため、大気圧下で加熱して乾燥させる場合と比較して、水分がぬけやすくなり、水分を確実に効率よく除去することが可能になる。そのため、外部電極にめっき処理を施す場合のめっき液の付着や吸着による実装時のはんだのはぜや、セラミック素子に湿式バレル研磨処理を施す場合の水分の付着や吸着による導電ペーストを塗布、焼き付けする方法で外部電極を形成する場合に導電ペーストがセラミックにのりにくくなるはじき現象、外部電極のはぜを防止することが可能になる。そして、その結果、信頼性の高いセラミック電子部品を効率よく製造することが可能になる。
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−６８３７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、上述の従来の技術では、セラミック素子から水分を除去するためにセラミック素子を減圧下で加熱するので、設定温度まで昇温する際に長時間を要する。そのため、上述の従来の技術では、セラミック電子部品を製造する際に長時間を要してしまう。
【０００５】
それゆえに、この発明の主たる目的は、セラミック素子から効率よくしかも短時間で水分を蒸発させて除去し、導電ペーストを塗布、焼き付けして外部電極を形成する場合の導電ペーストのはじき現象や、外部電極にめっきを施す場合のめっき液の付着や吸着による、実装時のはんだのはぜを防止することが可能で、信頼性の高いセラミック電子部品を効率よくしかも短時間で製造することが可能なセラミック電子部品の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明にかかるセラミック電子部品の製造方法は、セラミック成形体を焼成してなるセラミック素子に対して、水分の付着や吸着が生じる処理を施した後に、セラミック素子を減圧下で加熱することにより、セラミック素子から水分を除去する工程を有するセラミック電子部品の製造方法において、セラミック素子から水分を除去する工程は、セラミック素子を加熱する設定温度に到達するまでの昇温段階、設定温度を保持する保持段階、設定温度から室温に下げる降温段階からなり、昇温段階または降温段階は、保持段階よりも真空度が低く、セラミック素子の周囲の雰囲気に不活性ガスを入れた状態で行われることを特徴とする、セラミック電子部品の製造方法である。
【０００７】
この発明にかかるセラミック電子部品の製造方法では、セラミック素子に対して水分の付着や吸着が生じる処理を施した後に、セラミック素子から水分を除去する工程は、セラミック素子を加熱する設定温度に到達するまでの昇温段階、設定温度を保持する保持段階、設定温度から室温に下げる降温段階からなり、昇温段階または降温段階は、保持段階よりも真空度が低く、セラミック素子の周囲の雰囲気に不活性ガスを入れた状態で行われるので、セラミック素子から水分を確実に、しかも効率よく除去することができる。この場合、セラミック素子を昇温することができる。そのため、導電ペーストを塗布、焼き付けする方法で外部電極を形成する場合に導電ペーストがセラミック素子にのりにくくなるはじき現象や、外部電極にめっきを施す場合のめっき液の付着や吸着による、実装時のはんだのはぜを防止することができる。そして、その結果、信頼性の高いセラミック電子部品を効率よく製造することができる。
【０００８】
また、この発明にかかるセラミック電子部品の製造方法では、セラミック素子から水分を除去する工程は、セラミック素子を加熱する設定温度に到達するまでの昇温段階、設定温度を保持する保持段階、設定温度から室温に下げる降温段階からなり、昇温段階または降温段階は、保持段階よりも真空度が低く、セラミック素子の周囲の雰囲気に不活性ガスを入れた状態で行われるので、セラミック素子の周囲の雰囲気を減圧してからセラミック素子を昇温し降温する場合に比べて、セラミック素子を短時間で昇温し降温することができる。その結果、この発明にかかるセラミック電子部品の製造方法によれば、セラミック素子から短時間で水分を蒸発させて除去することができ、セラミック電子部品を短時間で製造することが可能になる。
【０００９】
この発明にかかるセラミック電子部品の製造方法では、水分の付着や吸着が生じる処理が、たとえば、セラミック素子をバレルに入れて水の存在下に研磨する湿式バレル研磨処理である。湿式バレル研磨処理の工程では、セラミック素子への水分の付着または吸着が生じるが、この発明にかかるセラミック電子部品の製造方法では、セラミック素子の周囲の雰囲気に不活性ガスを入れた状態でセラミック素子を昇温し、その雰囲気を減圧してから、その雰囲気に不活性ガスを入れてセラミック素子を降温することにより、セラミック素子から水分を確実に、効率よくしかも短時間で除去することが可能になり、信頼性の高いセラミック電子部品を効率よくしかも短時間で製造することが可能になる。
【００１０】
また、この発明にかかるセラミック電子部品の製造方法では、水分の付着や吸着が生じる処理が、たとえば、セラミック素子に外部電極を形成した後に、その外部電極の表面にめっき膜を形成する湿式めっき処理である。セラミック素子に形成した外部電極の表面に、湿式めっき法により、めっき膜を形成する湿式めっき処理の工程では、セラミック素子へのめっき液の付着または吸着が生じるが、この発明にかかるセラミック電子部品の製造方法では、セラミック素子の周囲の雰囲気に不活性ガスを入れた状態でセラミック素子を昇温し、その雰囲気を減圧してから、その雰囲気に不活性ガスを入れてセラミック素子を降温することにより、セラミック素子からめっき液に含まれる水分を確実に、効率よくしかも短時間で除去することが可能になる。その結果、リフローはんだ付けなどの方法により、セラミック電子部品を回路基板などに実装する場合に、めっき液に由来する水分の蒸発により、はんだがはぜて（破裂して）隣接する電子部品などと短絡を生じたりすることを防止することが可能になり、信頼性の高いセラミック電子部品を効率よくしかも短時間で製造することが可能になる。
【００１１】
また、この発明にかかるセラミック電子部品の製造方法では、セラミック素子が、たとえば、内部にセラミック層を介して複数層の内部電極が設けられた積層構造を有する積層型のセラミック素子である。内部にセラミック層を介して複数層の内部電極が設けられた積層構造を有する積層型のセラミック素子は、水分の吸着を生じやすく、その弊害を引き起こしやすいが、この発明の方法によれば、水分を効率よくしかも短時間で除去して、水分の吸着による不具合の発生を効率よく防止することが可能になる。したがって、この発明は、積層セラミックコンデンサや積層バリスタなどの積層セラミック電子部品の製造方法に適用した場合に、さらに有意義であるということができる。
【００１２】
さらに、この発明にかかるセラミック電子部品の製造方法では、セラミック素子が、内部に内部電極が設けられた積層型のセラミック素子である場合、セラミック素子から水分を除去する工程が、水分の付着や吸着が生じる処理を施した後、内部電極の有効部分に水分が達する前に行っている。なお、この場合の内部電極の有効部分とは、たとえば積層セラミックコンデンサであれば、内部電極が重なって容量を形成している部分のことである。この発明の方法によれば、セラミック素子や外部電極に付着や吸着した水分を効率よくかつ確実に除去することができる。
【発明の効果】
【００１３】
この発明によれば、セラミック素子から効率よくしかも短時間で水分を蒸発させて除去し、導電ペーストを塗布、焼き付けして外部電極を形成する場合の導電ペーストのはじき現象や、外部電極にめっきを施す場合のめっき液の付着や吸着による、実装時のはんだのはぜを防止することが可能で、信頼性の高いセラミック電子部品を効率よくしかも短時間で製造することが可能になる。
【００１４】
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための最良の形態の説明から一層明らかとなろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図１はこの発明が適用される積層セラミックコンデンサの一例を示す図解図である。図１に示す積層セラミックコンデンサ１０は、直方体状のセラミック素子１２を含む。セラミック素子１２は、誘電体からなる多数のセラミック層１４を含む。これらのセラミック層１４は積層される。セラミック層１４間には、Ｎｉを用いた内部電極１６ａおよび１６ｂが交互に形成される。この場合、内部電極１６ａは一端部がセラミック素子１２の一端部に延びて形成され、内部電極１６ｂは一端部がセラミック素子１２の他端部に延びて形成される。また、内部電極１６ａおよび１６ｂは、中間部および他端部がセラミック層１４を介して重なり合うように形成される。したがって、このセラミック素子１２は、内部にセラミック層１４を介して複数の内部電極１６ａおよび１６ｂが設けられた積層構造を有する積層型のセラミック素子である。
【００１６】
セラミック素子１２の一端面には、Ｃｕを用いた外部電極１８ａが内部電極１６ａに接続されるように形成される。同様に、セラミック素子１２の他端面には、Ｃｕを用いた外部電極１８ｂが内部電極１６ｂに接続されるように形成される。
【００１７】
また、外部電極１８ａおよび１８ｂの表面には、はんだ食われを防止するためにＮｉを用いた第１のめっき膜２０ａおよび２０ｂがそれぞれ形成される。さらに、第１のめっき膜２０ａおよび２０ｂの表面には、はんだ付け性をよくするためにＳｎを用いた第２のめっき膜２２ａおよび２２ｂがそれぞれ形成される。
【００１８】
次に、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０の製造方法について説明する。
【００１９】
（実験例１）
図１に示す積層セラミックコンデンサ１０を製造するためには、まず、セラミック素子１２が通常の方法で形成される。すなわち、多数の誘電体セラミックグリーンシートが形成される。誘電体セラミックグリーンシートの所定のものの一方主面上には、Ｎｉを用いた内部電極材料を印刷することによって内部電極材料層が形成される。そして、それらの誘電体セラミックグリーンシートは、積層され、圧着され、所定の大きさのセラミック成形体にカットされる。それから、セラミック成形体を焼成することによって、多数のセラミック層１４間に内部電極１６ａおよび１６ｂを有するセラミック素子１２が形成される。
【００２０】
そして、セラミック素子１２の両側面には、Ｃｕを含む電極ペーストを塗布、焼き付けすることによって、外部電極１８ａおよび１８ｂがそれぞれ形成される。
【００２１】
それから、外部電極１８ａおよび１８ｂの表面には、めっき液中でＮｉをめっきすることによって、第１のめっき膜２０ａおよび２０ｂがそれぞれ形成される。
【００２２】
そして、第１のめっき膜２０ａおよび２０ｂの表面には、めっき液中でＳｎをめっきすることによって、第２のめっき膜２２ａおよび２２ｂがそれぞれ形成される。
【００２３】
第１のめっき膜２０ａ，２０ｂおよび第２のめっき膜２２ａ，２２ｂが形成されたセラミック素子１２に対してめっき液の水分の付着や吸着が生じるが、セラミック素子１２を加熱することにより、セラミック素子１２から水分を蒸発させて除去する。それによって、積層セラミックコンデンサ１０が製造される。
【００２４】
上述のようにセラミック素子１２から水分を蒸発させて除去するためには、表１の試料番号１〜４に示す条件でセラミック素子１２に熱処理が施される。
すなわち、試料番号１〜４においては、まず、セラミック素子１２の周囲の雰囲気（熱処理用のオーブン内の雰囲気）を室温（２５℃）から設定温度（１５０℃）まで昇温してセラミック素子１２を熱処理する。
この場合、試料番号１においては、セラミック素子１２の周囲の雰囲気（空気）を減圧した状態（減圧下）でセラミック素子１２を昇温する（昇温段階）。
また、試料番号２においては、セラミック素子１２の周囲の雰囲気（空気）を減圧せずにセラミック素子１２を昇温する（昇温段階）。
また、試料番号３、４においては、昇温段階ではセラミック素子１２の周囲の雰囲気中に表１に示す不活性ガス（Ｎ2 、Ａｒ）を入れてからセラミック素子１２を昇温する（昇温段階）。
そして、試料番号２〜４においては、セラミック素子１２が設定温度（１５０℃）に達すると同時にその雰囲気を１３３（Ｐａ）の真空度に減圧し、セラミック素子１２に設定温度（１５０℃）で処理時間として１時間の熱処理を施す（保持段階）。
それから、試料番号１〜４においては、その雰囲気を減圧した状態で冷却した空気を入れてセラミック素子１２を設定温度（１５０℃）から室温に降温する（降温段階）。
上述のようにして、セラミック素子１２から水分を蒸発させて除去する。
【００２５】
上述の条件で製造された積層セラミックコンデンサ１０について、はじき現象発生率およびはんだ付け性を評価し、その結果を表１に示した。なお、表１には、はじき現象発生率については、１００００個の積層セラミックコンデンサ１０を水に約１日間浸して、６００℃で熱処理後の内部欠陥の発生率を示した。また、表１には、はんだ付け性については、２３０℃共晶はんだでの評価結果を示した。さらに、表１には、セラミック素子１２周囲の雰囲気が室温から設定温度（１５０℃）に達するまでの時間を設定温度到達時間（時間）として示した。
【００２６】
【表１】
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【００２７】
表１に示す結果より、試料番号１においては、雰囲気の減圧下でセラミック素子１２を昇温するので、設定温度に達するまでの時間（設定温度到達時間）が長く、かつ、温度ばらつきが生じやすく、はじき現象発生率も悪いことが分かる。なお、温度の均一化については、熱処理用のオーブンのヒータからの輻射およびそのオーブン内のガスを伝わっての伝熱が推定されるが、試料番号１においては、雰囲気が減圧されていて輻射のみが主に関与するので、温度ばらつきが生じやすく、設定温度に達するまで昇温する時間が長くなることが推定される。
一方、試料番号２においては、大気の雰囲気でセラミック素子１２を昇温するので、昇温時間は短くなるが、めっき膜（特に第２のめっき膜２２ａおよび２２ｂ）の酸化により、はんだ付け性の劣化が確認される。
それに対して、不活性ガス（Ｎ2 、Ａｒ）を入れた雰囲気を用いた本願発明の範囲内の試料番号３、４においては、昇温時間も短く、かつ、酸化によるはんだ付け性の劣化もないことが分かる。
【００２８】
（実験例２）
実験例２でも、実験例１と同様にして、セラミック素子１２が形成されるとともに、外部電極１８ａ，１８ｂ、第１のめっき膜２０ａ，２０ｂおよび第２のめっき膜２２ａ，２２ｂが形成される。
【００２９】
そして、実験例２においても、セラミック素子１２を加熱することにより、セラミック素子１２から水分を蒸発させて除去する。それによって、積層セラミックコンデンサ１０が製造される。
【００３０】
実験例２では、上述のようにセラミック素子１２から水分を蒸発させて除去するためには、表２の試料番号５〜８に示す条件でセラミック素子１２に熱処理が施される。
まず、試料番号５においては、実験例１の試料番号１と全く同じ条件でセラミック素子１２を熱処理する。
また、試料番号６においては、実験例１の試料番号３の昇温段階の条件および保持段階の条件と同じ条件にし、設定温度（１５０℃）から室温への降温段階で熱処理用のオーブン内（セラミック素子１２の周囲の雰囲気）に室温以下の温度の空気を送り続けて降温する。
さらに、試料番号７においては、実験例１の試料番号３の昇温段階の条件および保持段階の条件と同じ条件にし、設定温度（１５０℃）から室温への降温段階で熱処理用のオーブン内（セラミック素子１２の周囲の雰囲気）に室温以下の温度のＮ2 を送り続けて降温する。
そして、試料番号８においては、実験例１の試料番号３の昇温段階の条件および保持段階の条件と同じ条件にし、設定温度（１５０℃）から室温への降温段階で熱処理用のオーブン内（セラミック素子１２の周囲の雰囲気）に室温以下の温度のＡｒ を送り続けて降温する。
上述のようにして、セラミック素子１２から水分を蒸発させて除去する。
【００３１】
上述の条件で製造された積層セラミックコンデンサ１０について、実験例１と同様にして、はじき現象発生率およびはんだ付け性を評価し、その結果を表２に示した。さらに、表２には、セラミック素子１２が設定温度（１５０℃）から室温（２５℃）に達するまでの時間を室温到達時間（時間）として示した。
【００３２】
【表２】
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【００３３】
表２に示す結果より、試料番号５においては、雰囲気（空気）の減圧下でセラミック素子１２を降温するので、室温に達するまでの時間（室温到達時間）が長く、かつ、はじき現象発生率も悪いことが分かる。
一方、試料番号６においては、雰囲気に空気を送り続けてセラミック素子１２を降温するので、昇温時間は短くなるが、めっき膜（特に第２のめっき膜２２ａおよび２２ｂ）の酸化により、はんだ付け性の劣化が確認される。
それに対して、雰囲気に不活性ガス（Ｎ2 、Ａｒ）を送り続ける本願発明の範囲内の試料番号７、８においては、降温時間も短く、かつ、酸化によるはんだ付け性の劣化もないことが分かる。
【００３４】
なお、上述の各実験例において、セラミック素子上の外部電極にめっきを施す湿式めっき処理後の水分の除去について説明したが、本願発明は、セラミック素子の湿式バレル研磨処理後の水分の除去に適用しても同様の結果が得られる。
すなわち、湿式バレル研磨処理後の水分除去、湿式めっき処理後のめっき液の除去の両方に本願発明を適用した場合、２つの工程において処理時間を短縮することができるため、セラミック電子部品の製造方法全体でみた場合、大幅に製造時間を短縮することができる。
【００３５】
（実験例３）
次に、水分の付着や吸着が生じる処理である湿式めっき処理後、時間をおいて水分の除去を行った場合のセラミック電子部品の絶縁抵抗不良について調べ、その結果を表３に示した。
セラミック電子部品としては、ＣａＺｒＯ3 を主成分とするセラミック素子にＮｉ内部電極が設けられ、Ｃｕからなる外部電極が形成された積層セラミックコンデンサを用いた。また、この積層セラミックコンデンサの外形寸法は長さ２．０ｍｍ×幅１．２５ｍｍ×厚み１．２５ｍｍであり、外部電極の端面厚みは８０μｍである。また、絶縁抵抗不良は、１０11Ω未満の積層セラミックコンデンサを不良としたものである。
【００３６】
【表３】
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【００３７】
表３に示す結果より、湿式めっき処理後、水分の除去は時間をおかずに短時間で行うことがよいことが分かる。
また、めっきに使用するめっき液に蛍光液を溶かして、めっきに要する時間だけ浸漬した後、表３の試料番号９〜１３と同じ時間だけ放置した後、セラミック電子部品の断面をみてめっき液の浸入について調べた。
その結果、２４時間で外部電極を抜けて、セラミック素子内の内部電極の有効部分に達していることが分かった。すなわち、表３における試料番号１２、１３の絶縁抵抗不良は、内部電極の有効部分に達しためっき液が除去しきれないことによるものであると考えられる。
【００３８】
（実験例４）
さらに、水分の付着や吸着が生じる処理である湿式バレル研磨処理後、時間をおいて水分の除去を行った場合のセラミック電子部品の構造欠陥不良について調べ、その結果を表４に示した。
セラミック電子部品としては、外部電極を形成しない点を除いては実験例３と同じものを用いた。また、長さ方向においてセラミック素子の端面と内部電極との間隔は２００μｍであり、幅方向においてセラミック素子の側面と内部電極との間隔は２５０μｍ、厚み方向においてセラミック素子の上下面と内部電極との間隔は２００μｍである。また、構造欠陥不良については、セラミック素子をバレル研磨後、外部電極焼付温度である８６０℃で熱処理した後、超音波探傷装置で構造欠陥を検出した。
【００３９】
【表４】
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【００４０】
表４に示す結果より、湿式バレル研磨処理後、水分の除去は時間をおかずに短時間で行うことがよいことが分かる。
また、湿式バレル研磨処理に使用する水に蛍光液を溶かして、湿式バレル研磨を行った後、表４の試料番号１４〜１９と同じ時間だけ放置した後、セラミック電子部品の断面をみてめっき液の浸入について調べた。
その結果、２４時間でセラミック素子端面付近から水が浸入して、セラミック素子内の内部電極の有効部分に達し、２４時間でセラミック素子上下面付近から水が浸入して、セラミック素子内の内部電極の有効部分に達し、３０時間でセラミック素子側面付近から水が浸入してセラミック素子内の内部電極の有効部分に達していることがわかった。なお、セラミック素子側面からの浸入がセラミック素子端面や上下面からの浸入に比べて時間がかかったのは、５０μｍ大きかったことによるものである。したがって、表４における試料番号１７〜１９の構造欠陥不良は、内部電極の有効部分に達した水分が除去しきれないことによるものであると考えられる。
【００４１】
以上のように、実験例３および実験例４の結果から、セラミック素子に水分の付着または吸着が生じる処理を施した後、水分の除去を行う場合には、内部電極の有効部分に水分が達する前に行うことが必要であることは明らかである。
なお、内部電極の有効部分に達する時間は、外部電極や内部電極とセラミック素子表面との間隔によって変化するものであるため、たとえばセラミック電子部品が小型化して、外部電極厚みや内部電極とセラミック素子表面との間隔が小さくなった場合には、セラミック素子に水分の付着または吸着が生じる処理を施した後、さらに短い時間で水分の除去を行う必要がある。
【００４２】
なお、上述の各実験例において、セラミック素子の周囲の雰囲気に不活性ガスとしてＮ2 、Ａｒが入れられているが、この発明では、セラミック素子の周囲の雰囲気に他の不活性ガスが入れられてもよく、このようにしても同様の効果を得ることが可能である。
【００４３】
また、上述の各実験例では、内部電極１６ａおよび１６ｂにＮｉが用いられ、外部電極１８ａおよび１８ｂにＣｕが用いられ、第１のめっき膜２０ａおよび２０ｂにＮｉが用いられ、第２のめっき膜２２ａおよび２２ｂにＳｎが用いられているが、この発明では、それらには他の材料が用いられてもよい。たとえば、外部電極には、Ｃｕ以外の卑金属が用いられてもよい。
【００４４】
さらに、上述の各実験例では積層セラミックコンデンサの製造方法を例にとって説明したが、この発明は、積層セラミックコンデンサの他に、積層セラミックバリスタ、積層セラミックインダクタ、積層セラミックサーミスタなど、内部電極およびそれに接続される外部電極を有する種々の積層セラミック電子部品の製造方法に適用することが可能である。
【００４５】
さらに、上述の各実験例では複数の内部電極が用いられいるが、積層セラミックコンデンサ、積層セラミックバリスタ、積層セラミックサーミスタにおいては２枚以上の内部電極が用いられてもよく、また、積層セラミックインダクタにおいては１枚以上の内部電極が用いられてもよい。
【００４６】
また、本願発明は、さらにその他の点においても上記の各実験例に限定されるものではなく、真空度、温度、時間などの乾燥条件、セラミック素子を構成するセラミックの種類、内部電極や外部電極の構造などに関し、発明の要旨の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】この発明が適用される積層セラミックコンデンサの一例を示す図解図である。
【符号の説明】
【００４８】
１０  積層セラミックコンデンサ
１２  セラミック素子
１４  セラミック層
１６ａ、１６ｂ  内部電極
１８ａ、１８ｂ  外部電極
２０ａ、２０ｂ  第１のめっき膜
２２ａ、２２ｂ  第２のめっき膜
【図１】
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