(57)【要約】    【課題】  回路チップと配線基板との接続箇所の信頼性をより高めることを可能とする技術を提供すること。    【解決手段】  本発明の回路基板は、基板(10)と、基板上に設けられる配線(24)と、基板及び配線を覆うように設けられ、かつ配線の一部を露出させる開口(18)を有する絶縁膜(16)と、電気回路を含み、絶縁膜上に配置される回路チップ(26)と、回路チップの一面に設けられると共に、少なくとも一部が開口の中に配置されて、電気回路と配線との間の電気的接続を担う突起電極(28)と、を含んで構成される。【選択図】    図１
2005072270.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられる配線と、
前記基板及び前記配線を覆うように設けられ、かつ前記配線の一部を露出させる開口を有する絶縁膜と、
電気回路を含み、前記絶縁膜上に配置される回路チップと、
前記回路チップの一面に設けられると共に、少なくとも一部が前記開口の中に配置されて、前記電気回路と前記配線との間の電気的接続を担う突起電極と、
を含んで構成される、回路基板。
【請求項２】
前記突起電極と前記配線との間に介在する導電性の接合材を更に含む、請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記接合材が導電性粒子を含んでなる異方性導電材であり、
前記導電性粒子の粒径よりも前記突起電極と前記開口との相互間に生じる隙間の長さが小さく設定されている、請求項２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記突起電極の周辺に設けられる固定材を更に含む、請求項１に記載の回路基板。
【請求項５】
前記固定材は、前記突起電極と前記開口との隙間を満たすと共に、前記開口の外縁近傍であって前記絶縁膜と前記回路チップの間に介在するように設けられる、請求項４に記載の回路基板。
【請求項６】
前記固定材は、導電性を有する、請求項４に記載の回路基板。
【請求項７】
前記突起電極の高さが前記開口の深さよりも大きい、請求項１に記載の回路基板。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載の回路基板を含んで構成される電気光学装置。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれかに記載の回路基板を含んで構成される電子機器。
【請求項１０】
基板上に配線を形成する第１工程と、
前記基板及び前記配線を覆うように絶縁膜を形成する第２工程と、
前記配線の一部を露出させる開口を前記絶縁膜に形成する第３工程と、
電気回路と突起電極とを含む回路チップを、前記突起電極の少なくとも一部を前記開口内に挿入し、前記絶縁膜の上側に配置する第４工程と、
を含む、回路基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第４工程は、予め転写元基板上に形成された前記回路チップを当該転写元基板から剥離し、前記絶縁膜の上面に転写することにより行う、請求項１０に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第４工程に先立って、前記突起電極と前記配線との間に介在する導電性の接合材を形成する第５工程を更に含む、請求項１０に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１３】
前記接合材は導電性粒子を含んでなる異方性導電材であり、当該導電性粒子の粒径が、前記突起電極と前記開口との相互間に生じる隙間の長さより大きい、請求項１２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１４】
前記第４工程に先立って、前記突起電極の周辺に固定材を形成する第６工程を更に含む、請求項１０に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１５】
前記第６工程は、前記固定材を、前記突起電極と前記開口との隙間を満たすと共に、前記開口の外縁近傍であって前記絶縁膜と前記回路チップの間に介在するように形成する、請求項１４に記載の回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子などの電気素子を含む回路チップを基板上に実装する技術の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップなどの回路チップの実装技術として、フリップチップ接続法が知られている。フリップチップ接続法では、回路チップ側に突起電極（バンプ）を設けておき、この突起電極を配線基板上の電極パッドと位置合わせし、フェースダウンボンディングを行うことにより、回路チップを配線基板上に実装する。フリップチップ接続法によれば、ワイヤーボンディングによる場合に比べてワイヤーの引き回しが不要となり、コンパクトな実装が可能となる。このような技術は、例えば、特開平６−７７２３３号公報（特許文献１）、特開平５−１４４８７７号公報（特許文献２）などの文献に開示されている。
【０００３】
また、半導体素子などの電気素子の形成法として、転写技術を用いる手法が知られている。例えば、特開平１０−１２５９３１号公報（特許文献３）には、予め転写元基板上に剥離層を介して回路チップ等の被転写体を形成しておき、その後回路チップ等を転写先基板に接合し、剥離層に光照射等を行って剥離を生じさせることにより、回路チップ等の被転写体を転写先基板に転写する手法が開示されている。この手法によれば、製造条件の異なる複数種類の回路チップ等をそれぞれ最適な条件で転写元基板上に形成した後に、転写先基板へ移動させることにより、所望の電子デバイスを製造することができる。
【０００４】
【特許文献１】特開平６−７７２３３号公報
【特許文献２】特開平５−１４４８７７号公報
【特許文献３】特開平１０−１２５９３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
電子製品の歩留まり向上や信頼性確保などの観点から、回路チップと配線基板との接続をいかに確実かつ安定なものとするかは重要な課題である。特に、上述した転写法を適用して薄膜状の回路チップを基板上に転写する場合においては、従来の半導体チップにおける実装技術をそのまま適用することは難しく、このような場合に適する新たな技術の提案が望まれていた。
【０００６】
そこで、本発明は、回路チップと配線基板との接続箇所の信頼性をより高めることを可能とする技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の回路基板は、基板と、この基板上に設けられる配線と、基板及び配線を覆うように設けられ、かつ配線の一部を露出させる開口を有する絶縁膜と、電気回路を含み、絶縁膜上に配置される回路チップと、回路チップの一面に設けられると共に、少なくとも一部が開口の中に配置されて、電気回路と前記配線との間の電気的接続を担う突起電極と、を含んで構成される。
【０００８】
かかる構成によれば、突起電極が開口の中に挿入された状態で回路チップが実装される。
これにより、断面凸状の突起電極と断面凹状の開口とが嵌合した状態が実現され、実装時などにおける回路チップの横ずれを防止する効果が得られる。したがって、配線が設けられた基板と回路チップとの接続箇所の信頼性を高めることが可能となる。
【０００９】
また、突起電極と配線との間に介在する導電性の接合材を更に含むことが好ましい。導電性の接合材としては、はんだペースト、異方性導電材など種々のものを採用し得る。このような接合材を用いることにより、突起電極と配線との接続箇所の信頼性を更に高めることが可能となる。また、突起電極の高さ、或いは配線の厚みのばらつきによる両者間の距離の変動をこの接合材により吸収し得るので、製造時の許容精度の要求が低くなる利点もある。特に、回路チップが薄膜状のものである場合など、突起電極の高さを高精度に制御することが難しい場合に効果的である。
【００１０】
上述した接合材として、導電性粒子を含んでなる異方性導電材を採用する場合には、この異方性導電材に含有される導電性粒子の粒径よりも突起電極と開口との相互間に生じる隙間の長さ（距離）が小さくなるように、突起電極と開口との相対的なサイズを設定し、或いは導電性粒子の粒径を設定することが好ましい。これにより、導電性粒子が突起電極と開口との隙間を通れなくなり、導電性粒子を突起電極と配線との間に集中させることができるので、導電性粒子の接地面積を上げることができる。
【００１１】
また、突起電極の周辺に固定材を設けるようにすることも好ましい。ここで「固定材」とは、突起電極を基板側へ固着させる機能を担うものであればよく、必ずしも導電性を有する必要はないが有していてもよい。固定材としては、例えば液状接着材などを用いることができる。この固定材は、突起電極に周囲に設けられ、かつ基板側のいずれかの構成要素（配線、絶縁膜等）と接して固着し、突起電極を基板側へ固定する機能を果たす。このような固定材を設けることで、回路チップの接続強度を一層高めることが可能となる。
【００１２】
更に好ましくは、上記固定材は、突起電極と開口との隙間を満たすと共に、開口の外縁近傍であって絶縁膜と回路チップの間に介在するように設けられる。これにより、回路チップの接続強度が更に高まる。
【００１３】
また、突起電極の高さが開口の深さよりも大きくなるように、両者の相対的なサイズを設定すると更に好適である。これにより、突起電極と配線との接続がより確実になる。
【００１４】
また本発明は、上述した回路基板を含んで構成される電気光学装置でもある。ここで「電気光学装置」とは、電気的作用によって発光するあるいは外部からの光の状態を変化させる電気光学素子を備えた表示装置一般をいい、自ら光を発するものと外部からの光の通過を制御するもの双方を含む。例えば、電気光学素子として、液晶素子、電気泳動粒子が分散した分散媒体を有する電気泳動素子、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、電界の印加により発生した電子を発光板に当て発光させる電子放出素子を備えたアクティブマトリクス型の表示装置等をいう。
【００１５】
また本発明は、上述した回路基板あるいは電気光学装置を含んで構成される電子機器でもある。ここで「電子機器」とは、回路基板やその他の要素を要素を備え、一定の機能を奏する機器一般をいい、その構成に特に限定はない。かかる電子機器としては、例えば、ＩＣカード、携帯電話、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、リア型またはフロント型のプロジェクター、テレビジョン（ＴＶ）、ロールアップ式ＴＶ、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ等が含まれる。
【００１６】
本発明の回路基板の製造方法は、基板上に配線を形成する第１工程と、基板及び配線を覆うように絶縁膜を形成する第２工程と、配線の一部を露出させる開口を絶縁膜に形成する第３工程と、電気回路と突起電極とを含む回路チップを、当該突起電極の少なくとも一部を開口内に挿入し、絶縁膜の上側に配置する第４工程と、を含む。
【００１７】
かかる製造方法によれば、断面凸状の突起電極と断面凹状の開口とが嵌合した状態が実現され、実装時における回路チップの横ずれを防止する効果が得られる。したがって、配線が設けられた基板と回路チップとの接続箇所の信頼性を高めることが可能となる。また、歩留まりの向上を図ることが可能となる。
【００１８】
上述した第４工程は、予め転写元基板上に形成された回路チップを当該転写元基板から剥離し、絶縁膜の上面に転写することにより行うことが好ましい。かかる工程は、例えば上述した特許文献３に記載されるような転写法を採用することが可能である。このような転写法を用いて回路チップの実装する場合に、本発明の製造方法は特に効果的である。
【００１９】
また、上記第４工程に先立って、突起電極と配線との間に介在する導電性の接合材を形成する第５工程を更に含むことが好ましい。
【００２０】
上述した接合材として導電性粒子を含んでなる異方性導電材を採用する場合には、当該導電性粒子の粒径が、突起電極と前記開口との相互間に生じる隙間の長さよりも大きいものを選択することが好ましい。これにより、導電性粒子が突起電極と開口との隙間を通れなくなり、導電性粒子を突起電極と配線との間に集中させることができる。
【００２１】
また、上記第４工程に先立って、突起電極の周辺に固定材を形成する第６工程を更に含むことも好ましい。
【００２２】
上述した第６工程は、固定材を、突起電極と開口との隙間を満たすと共に、開口の外縁近傍であって絶縁膜と前記回路チップの間に介在するように形成すると更に好適である。この場合には、かかる条件を満たす固定材の供給量を予め検討しておき、その供給量に対応して固定材の形成を行う。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００２４】
図１は、一実施形態の回路基板の構造を説明する図（断面図）である。図１に示す回路基板は、多層配線を有する配線基板上に、半導体素子などの電気素子を含んでなる回路チップを実装してなるものである。
【００２５】
基板１０は、回路基板の土台（ベース）となるものである。この基板１０としては、ガラス基板、プラスチック基板など種々のものを用いることができる。また、基板１０として、ポリイミドなど各種の樹脂材料からなりフレキシブル性を有する基板を用いることもできる。
【００２６】
絶縁膜１２、１４、１６は、配線２０、２２、２４と共に多層配線を構成するものである。これらの絶縁膜１２、１４、１６は、絶縁体からなる膜であり、各配線の相互間を電気的に絶縁するためのものである。また最上層の絶縁膜１６には、配線２４の一部を露出させる開口１８が設けられている。絶縁体としては、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）、シリコン窒化物（Ｓｉ３Ｎ４）、リンシリケートガラス（ＰＳＧ）、ボロンリンシリケートガラス（ＢＰＳＧ）、或いは有機高分子材料など種々のものを用いることができる。またこれらの絶縁膜は平坦化膜も兼ねて用いられている。
【００２７】
なお、本例では多層配線を含む回路基板を示しているが、実施の形態はこれに限定されるものではなく、少なくとも１層の配線とこれを覆うように形成される絶縁膜とが備わっていればよい。
【００２８】
配線２０、２２、２４は、上述したように絶縁膜１２等と共に多層配線を構成するものである。これらの配線２０、２２、２４は、例えばアルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）などの導電体からなるものである。また、各配線の相互間は、適宜、コンタクトホールに埋め込まれたプラグ（埋め込み電極）を介して電気的接続が図られている。なお、各配線とプラグとをスパッタ法などによって一括形成してもよい。
【００２９】
回路チップ２６は、トランジスタ、ダイオード等の能動素子や、抵抗、キャパシタ、インダクタ等の受動素子を用いて構成される電気回路を含み、絶縁膜１６上に配置される。この回路チップ２６に含まれる電気回路は、突起電極２８を介して配線２４と電気的に接続されている。本実施形態では、この回路チップ２６として、薄膜トランジスタ等の薄膜素子からなる薄膜回路を含んでなる薄膜状の回路チップを用いる。このような回路チップ２６は、例えば、転写技術を用いて実装される。転写技術を用いた製造プロセスの詳細については後述する。
【００３０】
突起電極（バンプ）２８は、回路チップ２６の一面に設けられており、回路チップ２６内の電気回路と配線２４との電気的接続を担うものである。この突起電極２８は、例えばめっき法等で形成されるものであり、その表面が錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ハンダなどの導電体からなる。突起電極２８のサイズは、設計上やその他の都合により適宜設定し得るものであり、例えば２０μｍ〜１００μｍ角程度に設定される。
【００３１】
突起電極２８はその少なくとも一部が絶縁膜１６に設けられた開口１８の中に配置される。本例では、突起電極２８の大部分が開口１８の中に挿入された状態となっている。このように、断面凸状の突起電極２８と断面凹状の開口１８とが嵌合した状態とすることにより、回路チップ２６の横ずれを防止する効果が得られる。突起電極２８と配線２４とは直接的に接触させて電気的接続を図ってもよいが、本例のように導電性の接合材３０を両者間に介在させると更に好ましい。導電性の接合材３０としては、はんだペースト、異方性導電ペースト（ACP:An-isotropic Conductive Paste）など種々のものを用いることができる。本実施形態では、接合材３０として異方性導電ペースト（異方性導電材）を採用し、更に突起電極２８と開口１８との相対的なサイズを工夫することにより更なる信頼性の向上を図っており、その詳細について以下に説明する。
【００３２】
図２は、突起電極２８と開口１８との相対的なサイズについて詳細に説明する図（部分断面図）である。図２（Ａ）に示すように、本例では接合材３０として導電性粒子３２とバインダ３４と含んでなる異方性導電ペーストを用いている。導電性粒子３２は、金属核そのもの（ニッケル単体や、金メッキ処理を行ったニッケル等）、樹脂核（スチレン、アクリル等）、あるいはこれらの核の外側に熱や圧力で破壊、溶融する絶縁被膜を施したものなど各種あり、例えば数μｍ〜数十μｍ程度の粒径の略球形のものが用いられる。この導電性粒子３２はバインダ３４の中に適度に分散しており、突起電極２８と配線２４との間に介在して両者間を電気的に接続する。バインダ３４は、合成ゴム、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等の接着性物質からなり、固定材としての機能を担う。
【００３３】
本実施形態では、突起電極２８を開口１８の中に配置した際に、突起電極２８と開口１８を構成する側壁との相互間に生じる隙間の長さＬが導電性粒子３２の粒径よりも小さくなるようにしている。例えば、導電性粒子３２の粒径が約３０μｍの場合には、突起電極２８と開口１８との隙間の長さＬがこれより小さい値（例えば２０μｍ）となるように、突起電極２８と開口１８の相対的なサイズが設定される。あるいは、製造プロセス上の都合などから突起電極２８と開口１８との隙間の長さＬが制約される場合には、それに対応して導電性粒子３２の粒径を設定すればよい。これにより、導電性粒子３２は、突起電極２８と開口１８との隙間を通れなくなり突起電極２８と配線２４との間に集中するので、導電性粒子３２の接地面積を上げることができる。また、開口１８の側壁は図２（Ａ）に示すようにできるだけ垂直形状となるように形成するか、或いは図２（Ｃ）に示すように逆テーパー状に形成することが望ましい。開口１８を逆テーパー状に形成した場合には、突起電極２８の径が設計値よりも小さくなったときにも、導電性粒子３２が開口１８から出にくくなり都合がよい。
【００３４】
また、導電性粒子３２とバインダ３４との分量比を適宜加減することにより、図２（Ｂ）又は図２（Ｃ）に示すように、バインダ３４が突起電極２８と開口１８との隙間を満たすと共に、開口１８の外縁近傍であって絶縁膜１６と回路チップ２６との間に介在するようにしてもよい。これにより、回路チップ２６の接続強度をさらに向上させることができる。
【００３５】
また、図２（Ａ）に示すように、突起電極２８の高さＴ１と開口１８の深さＴ２との関係は、少なくともＴ１＝Ｔ２を満たせばよいが、より好ましくはＴ１＞Ｔ２を満たすように設定される。すなわち、突起電極２８の高さＴ１が開口１８の深さＴ２よりも大きくなるように両者の相対的サイズが設定される。なお、図２（Ａ）では、接合材３０の上面から絶縁膜１６の上面までを開口１８の深さと規定しているが、接合材３０を用いない場合には、配線２４の上面から絶縁膜１６の上面までが開口１８の深さとなる。
【００３６】
図３は、突起電極２８と配線２４との接続構造の他の例について説明する図である。上述したように、突起電極２８と配線２４との相互間は、接合材３０を介在させずに直接的に接触させるようにしてもよい。この場合に、回路チップ２６を基板１０側に固定するための固定材は、例えば回路チップ２６と絶縁膜１６との間に適宜設ければよいが、特に本実施形態では開口１８の中に設けるようにしている。
【００３７】
すなわち、図３（Ａ）に示すように、突起電極２８と配線２４とを当接させる場合に、固定材３６は突起電極２８の周辺に設けられる。固定材３６としては、液状接着剤など種々のものを用いることができる。この固定材３６は、基本的に、突起電極２８の接続強度が確保できればよく導電性を有する必要はないが、導電性を有するものを用いてもよい。固定材３６が導電性を有する場合には、当該固定材３６を突起電極２８と配線２４との相互間に介在させてもよい。
【００３８】
また、上述した図２（Ｂ）の場合と同様に、固定材３６は、突起電極２８と開口１８との隙間を満たすと共に、開口１８の外縁近傍であって絶縁膜１４と回路チップ２６の間に介在するように設けてもよい（図３（Ｂ））。
【００３９】
本実施形態の回路基板はこのような構成を有しており、次にこの回路基板の製造方法について説明する。
【００４０】
図４及び図５は、本実施形態の回路基板の製造方法について説明する図である。まず、図４（Ａ）に示すように、基板１０上に、各配線２０、２２、２４と、各絶縁膜１２、１４、１６からなる多層配線を形成する。多層配線の具体的な形成方法としては、周知の各種方法を採用することが可能である。なお、上述したように配線は少なくとも１層あればよく、その場合には、基板１０上に配線２４を形成し、その後基板１０及び配線２４を覆うように絶縁膜１６を形成する。
【００４１】
次に、図４（Ｂ）に示すように、配線２４の一部を露出させる開口１８を絶縁膜１６に形成する。開口１８の形成方法としては各種方法を採用可能であり、例えば周知のフォトリソグラフィ技術を用いることができる。
【００４２】
次に、図４（Ｃ）に示すように、突起電極２８と配線２４との間に介在させる導電性の接合材３０を形成する。上述したように本実施形態では、接合材３０として導電性粒子３２を含んでなる異方性導電ペーストを用いる。かかる接合材３０は、印刷方式、ディスペンス方式など種々の方法により、開口１８内に露出した配線２４上に供給される。接合材３０に含有されるバインダ３４を、突起電極２８と開口１８との隙間を満たすと共に、開口の外縁近傍であって絶縁膜１４と回路チップ２６の間に介在するように形成する場合には、本工程において接合材３０の供給量を多めにする。
【００４３】
なお、導電性の接合材３０に代えて固定材３６（図３参照）を用いる場合は、本工程において固定材３６が供給される。
【００４４】
次に、回路チップ２６を、突起電極２８の少なくとも一部を開口１８内に挿入するようにして絶縁膜１４の上側に配置する。本実施形態では、転写法を用いて回路チップ２６の実装を行う。
【００４５】
まず、図５（Ａ）に示すように、上述した基板１０とは別途に用意される転写元基板６０上に、剥離層６２を介して回路チップ２６を形成しておく。
【００４６】
ここで、転写元基板６０は、後に剥離層６２に対するエネルギー付与を光照射により行うことができるように、透光性のものを採用することが好ましい。また、転写元基板６０は、信頼性の高い材料で構成されていることが好ましく、特に、耐熱性に優れた材料で構成されていることが好ましい。その理由は、例えば、被転写体としての回路チップ２６を形成する際に、その種類や形成方法によってはプロセス温度が高くなることがあるが、その場合でも、転写元基板６０が耐熱性に優れていれば、転写元基板６０上への回路チップ２６の形成に際し、その温度条件等の成膜条件の設定の幅が広がるからである。これにより、転写元基板上に多数の回路チップを製造する際に、所望の高温処理が可能となり、信頼性が高く高性能の素子や回路を製造することができる。転写元基板６０は最終製品となる転写先の基板とは異なり、繰り返し利用することが可能であるため、比較的高価な材料を用いても繰り返し使用によって製造コストの上昇を少なくすることが可能である。
【００４７】
剥離層６２は、エネルギーの付与によって状態変化を生じて、その層内および／または界面において剥離（以下、「層内剥離」、「界面剥離」と言う）を生じる性質を有するものである。より好ましくは、剥離層６２は、光の照射により剥離層６２を構成する物質の原子間または分子間の結合力が消失または減少すること、すなわち、アブレーションが生じて層内剥離および／または界面剥離に至るものがよい。さらに、光の照射により、剥離層６２から気体が放出され、分離効果が発現される場合もある。すなわち、剥離層６２に含有されていた成分が気体となって放出される場合と、剥離層６２が光を吸収して一瞬気体になり、その蒸気が放出され、分離に寄与する場合とがある。このような剥離層６２の組成としては、例えば、（Ａ）アモルファスシリコン、（Ｂ）酸化ケイ素又はケイ酸化合物、酸化チタンまたはチタン酸化合物等の各種酸化物セラミックス、強誘電体あるいは半導体、（Ｃ）ＰＺＴ、ＰＬＺＴ、ＰＬＬＺＴ、ＰＢＺＴ等のセラミックスあるいは誘電体、（Ｄ）窒化珪素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化物セラミックス、（Ｅ）ポリエチレン，ポリイミド，ポリアミド，ポリエステル等の有機高分子材料、（Ｆ）Ａｌ，Ｌｉ，Ｔｉ等を含む金属、が挙げられる。本実施形態ではアモルファスシリコンによって剥離層６２を形成する。
【００４８】
このような剥離層６２を介在させて、転写元基板６０上に一又は複数の回路チップ２６が形成される。薄膜トランジスタ等の回路素子の製造時には、ある程度の高温プロセスが要求されるので、転写元基板６０は種々の条件を満たす必要がある。転写技術を用いた製造方法では、種々の製造条件を満たす転写元基板６０で回路チップ２６を製造してから、かかる製造条件を満たさない最終基板に回路チップ２６を転写することが可能となる。すなわち、本製造方法では、最終基板たる基板１０として、より安価な材料からなる基板を用いることができるようになり、製造コストを削減することが可能となる。また、基板１０は高温プロセスに耐える必要がないため、プラスチック基板やフレキシブル基板などを用いることができるようになり、基板１０の選択の幅が広くなる。
【００４９】
次に、図５（Ｂ）に示すように、回路チップ２６を転写元基板６０から基板１０上に転写する。具体的には、転写元基板６０の回路チップ２６の形成側の面と、転写先たる基板１０の回路チップ２６が転写されるべき面とをアライメントしながら重ね合わせ、必要に応じて押圧力を付加することによって、回路チップ２６を基板１０側に接合させる。このとき、回路チップ２６は、突起電極２８の部分で接合材３０を介して基板１０側と接合する。転写元基板６０上に複数の回路チップ２６が形成されている場合には、転写対象となる回路チップ２６のみが選択的に基板１０側に接合される。その後、転写元基板６０と転写先たる基板１０との接合体の転写元基板６０側から、転写対象の回路チップ２６に対応する剥離層６２に選択的に光照射を行うことによって、転写するべき回路チップ２６を支持している剥離層６２のみに剥離（層内剥離および／または界面剥離）を生じさせる。
【００５０】
剥離層６２の層内剥離および／または界面剥離が生じる原理は、剥離層６２の構成材料にアブレーションが生じること、また、剥離層６２に含まれているガスの放出、さらには照射直後に生じる溶融、蒸散等の相変化によるものである。ここで、アブレーションとは、照射光を吸収した固定材料（剥離層６２の構成材料）が光化学的または熱的に励起され、その表面や内部の原子または分子の結合が切断されて放出することをいい、主に、剥離層６２の構成材料の全部または一部が溶融、蒸散（気化）等の相変化を生じる現象として現れる。また、上記相変化によって微小な発泡状態となり、結合力が低下することもある。剥離層６２が層内剥離を生じるか、界面剥離を生じるか、またはその両方であるかは、剥離層６２の組成や、その他種々の要因に左右され、その要因の１つとして、照射光の種類、波長、強度、到達深さ等の条件が挙げられる。照射光としては、剥離層６２に層内剥離および／または界面剥離を起こさせるものであればいかなるものでもよく、例えば、Ｘ線、紫外線、可視光、赤外線、レーザ光等が挙げられる。特に、剥離層６２の剥離（アブレーション）を生じさせ易く、かつ高精度の局部照射が可能である点でレーザ光が好ましい。
【００５１】
次に、転写元基板６０と転写先たる基板１０に、双方を離間させる方向に力を加えることによって、基板１０から転写元基板６０を取り外す。これにより、図５（ｃ）に示すように、基板１０上の所望位置に回路チップ２６が転写されて、回路基板が完成する。
【００５２】
このように、本実施形態の回路基板は、突起電極２８が開口の中に挿入された状態で回路チップ２６が実装される。これにより、断面凸状の突起電極２８と断面凹状の開口１８とが嵌合した状態が実現され、実装時などにおける回路チップ２６の横ずれを防止する効果が得られる。したがって、配線１６等が設けられた基板１０と回路チップ２６との接続箇所の信頼性を高めることが可能となる。
【００５３】
本実施形態にかかる回路基板は、有機ＥＬ表示装置、液晶表示装置、電気泳動表示装置など種々の電気光学装置（表示装置）に適用することが可能である。本実施形態の回路基板を用いて構成される有機ＥＬ表示装置の構成例について以下に説明する。
【００５４】
図６は、本実施形態にかかる回路基板を用いた有機ＥＬ表示装置の構成例を示す図（断面図）である。図６に示す有機ＥＬ表示装置は、本実施形態にかかる回路基板１００と、有機ＥＬ素子１１２を備える表示素子基板１１０とを対向配置し、両者間を導電性部材１１４により電気的に接続して構成されている。回路基板１００と表示素子基板１１０との相互間には、不活性ガスなどが適宜充填される。この有機ＥＬ表示装置では、回路基板１００側の回路チップ２６によって、表示素子基板１１０側の有機ＥＬ素子１１２を駆動している。例えば、図示の有機ＥＬ素子１１２が３つ１組となって一画素を構成しており、この１画素分に対応する画素駆動回路が１つの回路チップ２６に含まれている。
【００５５】
図７は、回路チップ２６に含まれる電気回路（有機ＥＬ素子の駆動回路）の一例を示す回路図である。図７では、１つの有機ＥＬ素子１１２に対応する駆動回路の一例が点線内に示されている。なお、走査線１３０、信号線１３２、電源線１３４及び容量線１３６は、上述した回路基板に含まれる配線２０等のいずれかに対応している。
【００５６】
図７に示す駆動回路は、スイッチング薄膜トランジスタ１２０、ドライビング薄膜トランジスタ１２２及び保持容量１２４から構成されており、有機ＥＬ素子１２２に流す電流を制御する機能を有する。具体的には、信号線１３２から制御電圧が供給され、スイッチング薄膜トランジスタ１２０を介して保持容量１２４に当該電圧が記憶される。ドライビング薄膜トランジスタ１２２は、スイッチング薄膜トランジスタ１２０によってサンプリングされた電圧に応じてゲート電圧が制御され、電源線１３４から供給されて有機ＥＬ素子１１４に流れ込む電流の量を制御し、有機ＥＬ素子１１４の発光状態を制御する。
【００５７】
なお、本例では画素駆動回路を含む回路チップ２６について説明したが、これ以外にも、画素駆動回路の動作を制御するためのドライバ等の周辺回路を回路チップ２６によって構成してもよい。
【００５８】
図８及び図９は、上述した電気光学装置を適用可能な電子機器の例を示す図である。図８（Ａ）は携帯電話への適用例であり、当該携帯電話２３０はアンテナ部２３１、音声出力部２３２、音声入力部２３３、操作部２３４、および本発明の電気光学装置２００を備えている。このように本発明に係る電気光学装置は表示部として利用可能である。図８（Ｂ）はビデオカメラへの適用例であり、当該ビデオカメラ２４０は受像部２４１、操作部２４２、音声入力部２４３、および本発明の電気光学装置２００を備えている。
【００５９】
図８（Ｃ）は携帯型パーソナルコンピュータ（いわゆるＰＤＡ）への適用例であり、当該コンピュータ２５０はカメラ部２５１、操作部２５２、および本発明に係る電気光学装置２００を備えている。図８（Ｄ）はヘッドマウントディスプレイへの適用例であり、当該ヘッドマウントディスプレイ２６０はバンド２６１、光学系収納部２６２および本発明に係る電気光学装置２００を備えている。
【００６０】
図８（Ｅ）はリア型プロジェクターへの適用例であり、当該プロジェクター２７０は筐体２７１に、光源２７２、合成光学系２７３、ミラー２７４、２７５、スクリーン２７６、および本発明に係る電気光学装置２００を備えている。図８（Ｆ）はフロント型プロジェクターへの適用例であり、当該プロジェクター２８０は筐体２８２に光学系２８１および本発明に係る電気光学装置２００を備え、画像をスクリーン２８３に表示可能になっている。
【００６１】
図９（Ａ）はテレビジョンへの適用例であり、当該テレビジョン３００は本発明に係る電気光学装置２００を備えている。なお、パーソナルコンピュータ等に用いられるモニタ装置に対しても同様に本発明に係る電気光学装置を適用し得る。図９（Ｂ）はロールアップ式テレビジョンへの適用例であり、当該ロールアップ式テレビジョン３１０は本発明に係る電気光学装置２００を備えている。
【００６２】
また、本発明に係る電気光学装置は、上述した例に限らず有機ＥＬ表示装置や液晶表示装置などの表示装置を適用可能なあらゆる電子機器に適用可能である。例えばこれらの他に、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイなどにも活用することができる。
【００６３】
なお、本発明は上述した実施形態の内容に限定されることなく、本発明の要旨の範囲内で種々に変形実施が可能である。例えば、上述した実施形態では、本発明にかかる回路基板の適用例として電気光学装置を説明していたが、これ以外にも各種の電子機器（例えば、ＩＣカード等）に適用することが可能である。
【００６４】
また、上述した実施形態では、転写法を用いて回路チップ２６の基板１０上への実装を行っていたが、回路チップ２６の実装方法はこれに限定されるものではなく、他の方法を採用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】一実施形態の回路基板の構造を説明する図である。
【図２】突起電極と開口との相対的なサイズについて詳細に説明する図である。
【図３】突起電極と配線との接続構造の他の例について説明する図である。
【図４】回路基板の製造方法について説明する図である。
【図５】回路基板の製造方法について説明する図である。
【図６】回路基板を用いた有機ＥＬ表示装置の構成例を示す図である。
【図７】回路チップに含まれる電気回路の一例を示す回路図である。
【図８】電気光学装置を適用可能な電子機器の例を示す図である。
【図９】電気光学装置を適用可能な電子機器の例を示す図である。
【符号の説明】
【００６６】
１０…基板、  １２、１４、１６…絶縁膜、  １８…開口、  ２０、２２、２４…配線、  ２６…回路チップ、  ２８…突起電極、  ３０…接合材、  ３２…導電性粒子、  ３４…バインダ、  ３６…固定材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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