(57)【要約】【課題】半導体レーザに加えてインダクタ等をステム上に搭載できる発光モジュールを提供する。【解決手段】  発光モジュール１ａは、ステム３と、半導体レーザ５と、インダクタ７とを備える。ステム３は、第１のリード端子９、ベース１１、および台座部１３を有する。ベース１１は、第１のリード端子９を支持している。台座部１３は、ベース１１上に設けられている。半導体レーザ５は、台座部１３上に搭載されており、第１および第２の電極５ａ、５ｂを有している。インダクタ７は、リード端子９上に搭載されており、一電極７ａ及び他電極７ｂを有している。インダクタ７の一電極７ａは、半導体レーザ５の第１の電極５ａに電気的に接続されており、また、その他電極７ｂはリード端子に接続されている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リード端子、前記リード端子を支持するベース、および前記ベース上に設けられた台座部を有するステムを含むハウジングと、
第１および第２の電極を有しており前記台座部に搭載された半導体レーザと、
前記半導体レーザの前記第１の電極に電気的に接続された一電極及び前記リード端子に接続された他電極を有しており前記リード端子上に搭載されたインダクタと
を備える、発光モジュール。
【請求項２】
前記リード端子は、端面を有しており、
前記インダクタの前記他電極は、前記リード端子の前記端面上に位置している、請求項１に記載の発光モジュール。
【請求項３】
前記リード端子の一端は、前記ベースに交差する所定の面に沿って伸びる搭載面を有しており、
前記インダクタの前記他電極は、前記リード端子の前記搭載面上に位置している、請求項１に記載の発光モジュール。
【請求項４】
電極部品を更に備え、
前記電極部品は、前記インダクタの前記一電極上に位置しており、
前記半導体レーザの前記第１の電極は、ワイヤを介して前記電極部品に接続されている、請求項１から請求項３のいずれかに記載の発光モジュール。 
【請求項５】
前記インダクタの前記一電極に固定される一端面と曲面から成る側面とを有する電極部品を更に備え、
前記半導体レーザの前記第１の電極は、前記電極部品の前記側面にワイヤを介して接続されている請求項１から請求項３のいずれかに記載の発光モジュール。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、半導体レーザ装置が記載されている。この半導体レーザ装置では、半導体レーザは、ヒートシンク上に搭載されており、ヒートシンクには薄膜抵抗およびマイクロストリップ線路が形成されている。この半導体レーザ装置は、マイクロストリップ線路に接続された薄膜抵抗を介してリード端子に接続されている。
【０００３】
特許文献２には、レーザダイオードモジュールが記載されている。レーザダイオードモジュールでは、コイルおよびフェライトビーズがレーザダイオードのカソード電極に接続されている。
【０００４】
特許文献３には、光送信器が記載されている。光送信器では、発光素子チップがステム上に設けられている。ステム上には、絶縁板が搭載されている。絶縁板上には、マイクロストリップライン、インピーダンス整合用抵抗素子およびインダクタが設けられている。マイクロストリップラインは、ステムのリード端子に接続されている。
【特許文献１】特開２０００−３５３８４６号公報
【特許文献２】特開平１１−２４３２５４号公報
【特許文献２】特開２００３−３７３２９号公報。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載された半導体レーザ装置および特許文献３に記載された光送信器では、ステムが用いられている。特許文献２に記載されたレーザダイオードモジュールでは、ステムよりも大型のパッケージが用いられている。
【０００６】
ステムを用いる小型の発光モジュールは、毎秒数ギガビット（Ｇｂ／ｓ）程度の光信号を発生するために使用される。ステムは、封止ガラス体を介してリード端子を保持している。このリード端子は、半導体レーザに接続されている。高周波信号はリード端子を介して入力されて、半導体レーザに到達する。このような発光モジュールを毎秒１０ギガビット（Ｇｂ／ｓ）程度の伝送レートの光通信に用いるためには、発生される光信号の波形品質が重要である。発明者の検討によれば、波形品質は、ステムにおけるインピーダンス不整合のため低下するだけでなく、半導体レーザへのバイアス電流の波形によっても影響を受ける。故に、バイアス電流を安定化することも重要である。
【０００７】
半導体レーザへのバイアス電流を安定化するためには、インダクタを発光モジュール内に設ける必要がある。バイアス電流を安定化するためには、数ナノヘンリー（ｎＨ）〜数十ナノヘンリー程度のインダクタンスでは足りず、より大きなインダクタンスが必要である。
【０００８】
しかしながら、このようなインダクタンスを有するインダクタを小型の発光モジュール内に設けることは容易ではない。
【０００９】
そこで、本発明の目的は、半導体レーザに加えてインダクタをステム上に搭載できる発光モジュールを提供することとする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一側面によれば、発光モジュールは、（ａ）リード端子、前記リード端子を支持するベース、および前記ベース上に設けられた台座部を有するステムを含むハウジングと、（ｂ）第１および第２の電極を有しており前記台座部に搭載された半導体レーザと、（ｃ）前記半導体レーザの前記第１の電極に電気的に接続された一電極及び前記リード端子に接続された他電極を有しており前記リード端子上に搭載されたインダクタとを備える。
【００１１】
この発光モジュールでは、インダクタがリード端子上に搭載されているので、半導体レーザが搭載された台座部にインダクタを搭載するための領域を設ける必要がない。
【００１２】
本発明の発光モジュールでは、前記リード端子は端面を有しており、前記インダクタの前記他電極は、前記リード端子の前記端面上に位置している。
【００１３】
この発光モジュールによれば、インダクタがリード端子の端面上に搭載されるので、ハウジング内の領域を有効に使用して、半導体レーザに加えてインダクタをハウジング内に設けることができる。
【００１４】
本発明の発光モジュールでは、前記リード端子の一端は、前記ベースに交差する所定の面に沿って伸びる搭載面を有しており、前記インダクタの前記他電極は、前記リード端子の前記搭載面上に位置している。
【００１５】
この発光モジュールによれば、インダクタがリード端子の側面上に搭載されるので、ハウジング内の領域を有効に使用して、半導体レーザに加えてインダクタをハウジング内に設けることができる。
【００１６】
本発明の発光モジュールは、（ｄ）電極部品を更に備えることができる。前記電極部品は、前記インダクタの前記一電極上に位置しており、前記半導体レーザの前記第１の電極は、ワイヤを介して前記電極部品に接続されている。
【００１７】
この発光モジュールでは、インダクタの種類に依らず、電極部品を介して、インダクタの一電極を半導体レーザの前記第１の電極に接続することができる。
本発明の発光モジュールは、（ｄ）前記インダクタの前記一電極に固定される一端面と曲面から成る側面とを有する電極部品を更に備え、前記半導体レーザの前記第１の電極は、前記電極部品の前記側面にワイヤを介して接続されている。
この発光モジュールによれば、電極部品の側面は曲面から成るので、インダクタ上に配置された電極部品の向きに依らず電極部品の側面にボンディングすることができる。
【００１８】
本発明の発光モジュールによれば、前記インダクタはチップインダクタであることができる。
【００１９】
本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。
【発明の効果】
【００２０】
以上説明したように、本発明によれば、半導体レーザに加えてインダクタ等をステム上に搭載できる発光モジュールが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、本発明の発光モジュールおよび発光モジュールを製造する方法に係る実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。
【００２２】
（第１の実施の形態） 
図１は、本実施の形態の発光モジュールを示す図面である。図２は、本実施の形態の発光モジュールの構成部品を示す図面である。図３（Ａ）は、発光モジュールを示す平面図である。図３（Ｂ）は、発光モジュールを示す側面図である。
【００２３】
発光モジュール１ａは、ステム３と、半導体レーザ５と、インダクタ７とを備える。ステム３は、第１のリード端子９、ベース１１、および台座部１３を有する。ベース１１は、第１のリード端子９を支持している。台座部１３は、ベース１１上に設けられている。半導体レーザ５は、台座部１３上に搭載されており、第１および第２の電極５ａ、５ｂを有している。インダクタ７は、リード端子９上に搭載されており、一電極７ａ及び他電極７ｂを有している。インダクタ７の一電極７ａは、半導体レーザ５の第１の電極５ａに電気的に接続されており、また、その他電極７ｂはリード端子９に接続されている。
【００２４】
この発光モジュール１ａでは、インダクタ７が第１のリード端子９上に搭載されているので、半導体レーザ５が搭載された台座部１３にインダクタ７を搭載するための領域を設けること無く、半導体レーザ５に加えてインダクタ７もステム３上に搭載される。また、インダクタ７は、絶縁性の基板上では無くリード端子９上に搭載されているので、インダクタ７に係わる寄生キャパシタンスが小さくなる。
【００２５】
第１のリード端子９は端面９ａを有しており、この端面９ａは、ベース１１に交差する軸に交差する所定の面に沿って伸びる。インダクタ７は、第１のリード端子９の端面９ａ上に位置している。
【００２６】
インダクタ７がリード端子９の端面９ａ上に搭載されるので、半導体レーザ５に加えて発光モジュール１ａのハウジング内にインダクタ７を設けるためにハウジング内の領域を有効に使用できる。半導体レーザ５は台座部１３の側面１３ａ上に搭載されている。第１のリード端子９の端面９ａの高さＤ1は、台座部１３の上端の高さＤ2よりも小さい。
【００２７】
インダクタ７の他電極７ｂが、台座部１３の上端よりも低い第１のリード端子９の端面９ａ上に搭載されており、また半導体レーザ５が台座部１３の側面１３ａ上に搭載されるので、ワイヤを用いてインダクタ７の一電極７ａを半導体レーザ５に接続できる。
【００２８】
インダクタ７は、所定の軸に沿って順に設けられた一端部７ｃ、インダクタ部７ｄおよび他端部７ｅを有している。インダクタ７の一端部７ｃは一電極７ａを含んでおり、インダクタ７の他端部７ｅは他電極７ｂを含んでいる。インダクタ７の他端部７ｅが、第１のリード端子９の端面９ａ上に位置している。インダクタ７の他電極７ｂは、半田といった導電性接着部材１０ａを介して第１のリード端子９に接続されている。半導体レーザ５は、インダクタ７の一電極７ａの側面にワイヤを介して接続されている。インダクタ７としては、例えばチップインダクタを使用できる。チップインダクタとしては、いわゆるフェライトビーズインダクタと呼ばれる積層型チップインダクタや、あるいは巻線型チップインダクタを使用できる。また、インダクタ７の値は、例えば、バイアス電流の変動を抑えるためには１マイクロヘンリー以上であることが好ましく、また１０マイクロヘンリー以下であることが好適である。
【００２９】
このインダクタ７は、バイアス電流を供給する経路上に設けられている。このインダクタ７によれば、寄生インピーダンスに起因する波形の劣化およびバイアス電流源からの交流ノイズ成分に起因する波形の劣化が低減される。
【００３０】
発光モジュール１ａでは、ステム３のベース１１および台座部１３は、導電体から成る。例示的に示せば、ベース１１の材料は、コバールである。ベース１１は、所定の平面に沿って伸びており、一対の面１１ａおよび１１ｂを有している。ベース１１は、また、一対の面の一方１１ａから他方１１ｂに伸びる孔１１ｃを有している。この孔１１ｃには、リード端子９が通過している。孔１１ｃ内には、封止用のガラス体１５が埋め込まれている。ベース１１は、このガラス体１５を介してリード端子９を支持している。また、ステム３のベース１１は、リード端子１１ｄをガラス体１５を介することなく保持している。これ故に、ベース１１および台座部１３は、リード端子１１ｄに電気的に接続される。
【００３１】
発光モジュール１ａでは、半導体レーザ５は、第１の端面５ｃ及び第２の端面５ｄを有している。半導体レーザ５は、ヒートシンク１７上に搭載されており、このヒートシンク１７がステム３の台座部１５上に搭載されている。ヒートシンク１７の材料は、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）であることができる。ヒートシンク１７の一対の面には、それぞれ、導体パターン１７ａ、１７ｂが設けられている。導体パターンは、例えば、ＡｕＳｎといった金属から成る。これらの導体パターン１７ａ、１７ｂは、ロー付けのために準備されている。絶縁性のヒートシンクによれば、半導体レーザ５をステム３から絶縁できる。半導体レーザ５の第２の電極５ｂは、ステム３に電気的に導通している。この導通は、ヒートシンクが絶縁性であるときは、導体パターン１７ａと導体パターン１７ｂとを金属ビア（ＶＩＡ）を介して接続したり、導体パターン１７ａと台座部１３の側面１３ａとをワイヤを介して接続するといった形態で実現される。ヒートシンク１７の材料は、絶縁材に限定されるものではなく、銅タングステン（ＣｕＷ）といった導電性の材料であることができる。導電性のヒートシンクによれば、半導体レーザ５は、ヒートシンクを介してステム３に電気的に接続される。
【００３２】
また、発光モジュール１ａは、第２のリード端子２１を備えることができる。第２のリード端子２１は、ベース１１に設けられた孔１１ｅを通過している。孔１１ｅ内には、封止用のガラス体１５が埋め込まれている。ベース１１は、このガラス体１５を介して第２のリード端子２１を支持している。半導体レーザ５の第１の電極５ａは、ワイヤを介して第２のリード端子２１の側面に接続されている。図１および図２に示された実施例では、第２のリード端子２１の側面は、ベース１１に交差する方向に伸びる面に沿って伸びているボンディング面２１ａを含む。しかしながら、第２のリード端子２１の湾曲した側面にワイヤを接続することもできる。
【００３３】
図１および図２を参照すると、この発光モジュール１ａは、半導体レーザ５をモニタするための半導体受光素子１９を更に備えることができる。半導体受光素子１９は、ステム３のベース１１上に搭載されている。半導体受光素子１９は、一電極１９ａ及び他電極１９ｂを有している。半導体受光素子１９の受光面１９ｃは、半導体レーザ５からのモニタ光を受けており、半導体受光素子１９は、このモニタ光に応じた光電流を生成する。ステム３は、ベース１１に支持された第３のリード端子２３を有している。半導体受光素子１９の一電極１９ａは、ワイヤを介して第３のリード端子２３の端面２３ａに接続されている。発光モジュール１ａは、半導体レーザ５および電子部品７に加えて、モニタ用の半導体受光素子１９を含むことができる。
【００３４】
第３のリード端子２３は、ベース１１に設けられた孔１１ｆを通過している。孔１１ｆ内には、封止用のガラス体１５が埋め込まれている。ベース１１は、このガラス体１５を介して第３のリード端子２３を支持している。
【００３５】
半導体受光素子１９は、導電パターンを有するサブマウント２５上に搭載されており、サブマウント２５がベース１１上に搭載されている。半導体受光素子１９の一電極１９ａは、ワイヤを介してリード端子２３の端面２３ａに接続されている。半導体受光素子１９の他電極１９ｂは、導電パターン２５ａおよびワイヤを介してベース１１に電気的に接続されている。
【００３６】
図３（Ａ）および図３（Ｂ）に示されるように、台座部１３の側面１３ａは、第１のエリア１３ｂ及び第２のエリア１３ｃを有している。第１のエリア１３ｂ及び第２のエリア１３ｃは、半導体レーザ５の光軸の方向に配列されている。半導体レーザ５は、第２のエリア１３ｃに位置している。第１のエリア１３ｂの上辺は、半導体受光素子１９の一電極１９ａと第３のリード端子２５とを繋ぐワイヤの高さの最高値以上である。
【００３７】
好適な実施例では、第１のリード端子９の端部９ａとベース１１の表面１１ａとの距離Ｄ３は、台座部１３の上端とベース１１の表面１１ａとの距離Ｄ４より短い。これ故に、インダクタ７の上端の高さを低くできる。
【００３８】
図３（Ａ）に示されるように、第１のリード端子９、半導体レーザ５および半導体受光素子１９は、ベース１１に交差する所定の面Ｒ１に沿って配置されている。この配置において、第１のリード端子９が半導体レーザ５の隣に位置しており、また、半導体受光素子２３が半導体レーザ５とベース１１との間に位置している。これ故に、台座部１３上の半導体レーザ５と第１のリード端子９上のインダクタ７との間を接続するワイヤは、半導体レーザ５から半導体受光素子１９に向かう方向と異なる方向に伸びている。
【００３９】
また、図３（Ａ）に示されるように、第１のリード端子９、半導体レーザ５および第２のリード端子２１は、ベース１１に交差する所定の面Ｒ１に沿って配列されている。半導体レーザ５は、第１のリード端子９と第２のリード端子２１との間に位置している。半導体レーザ５の第１の電極５ａと第２のリード端子２１との間を接続するワイヤは、半導体レーザ５の第１の電極５ａとインダクタ７との間を接続するワイヤが伸びる方向と異なる方向に伸びている。
【００４０】
図３（Ａ）に示された具体例では、半導体レーザ５の第１の電極５ａと第２のリード端子２１の側面２１ａとを接続するワイヤは、半導体レーザ５から座標系のＸ軸の負の方向に伸びている。半導体レーザ５の第１の電極５ａとインダクタ７の一電極７ａとを接続するワイヤは、半導体レーザ５から座標系のＸ軸の正の方向に伸びている。半導体受光素子１９の一電極１９ａと第３のリード端子２３の端面２３ａとを接続するワイヤは、半導体受光素子１９から座標系のＹ軸の正の方向に伸びている。サブマウント２１の導電パターンとベース１１とを接続するワイヤは、サブマウント２１から座標系のＹ軸の正の方向に伸びている。
【００４１】
図４は、発光モジュールを示す図面である。発光モジュール１ａは、キャップ４１と、パッケージスリーブ４３と、ジョイントスリーブ４５と、ＳＣスリーブ４７と、ファイバスタブ４９と、割スリーブ５１を備えることができる。キャップ４１は、ステム３上に設けられており、また、必要な場合には、レンズ５３を保持している。パッケージスリーブ４３は、ステム３のベース１１上に設けられている。ジョイントスリーブ４５は、パッケージスリーブ４３に取り付けられる。ＳＣスリーブ４７は、ジョイントスリーブ４５上に設けられている。ファイバスタブ４９は、ＳＣスリーブ４７内に設けられている。割スリーブ５１は、ＳＣスリーブ４７内に設けられており、ファイバスタブ４９が嵌合している。例えば、ステム３およびキャップ４１は、ハウジングを形成する。
【００４２】
以上説明したように、発光モジュール１ａによれば、半導体レーザに加えてインダクタをステム上に搭載できる発光モジュールが提供される。
【００４３】
（第２の実施の形態）
図５は、本実施の形態の発光モジュールを示す図面である。図６は、本実施の形態の発光モジュールの構成部品を示す図面である。図７（Ａ）は、発光モジュールを示す平面図である。図７（Ｂ）は、発光モジュールを示す側面図である。
【００４４】
発光モジュール１ｂは、ステム４と、半導体レーザ５と、インダクタ７とを備える。ステム４は、第１のリード端子３１、第２のリード端子３９、ベース１１、および台座部１３を有する。ベース１１は、第１および第２のリード端子３１、３９を支持している。インダクタ７は、第１のリード端子３１上に搭載されており、一電極７ａ及び他電極７ｂを有している。インダクタ７の一電極７ａは、半導体レーザ５の第１の電極５ａに電気的に接続されている。インダクタ７の他端部７ｅは、第１のリード端子３１の搭載面３１ａ上に位置している。
【００４５】
発光モジュール１ｂでは、インダクタ７が第１のリード端子３１の側面上に搭載されるので、ハウジング内に半導体レーザ５に加えてインダクタ７を設けるためにハウジング内の領域を有効に使用できる。また、インダクタ７は、絶縁性の基板上では無くリード端子３１上に搭載されているので、インダクタ７に係わる寄生キャパシタンスが小さくなる。
【００４６】
第１の実施の形態と同様に、インダクタ７の他電極７ｂは、半田といった導電性接着部材１０ｂを介して第１のリード端子３１の搭載面３１ａに接続されている。このインダクタ７の一端部７ｃの端面には、半導体レーザ５の第１の電極５ａがワイヤを介して接続されている。このように、インダクタ７の他端部７ｅがリード端子３１の側面上に搭載されており、また半導体レーザ５が台座部１３の側面１３ａ上に搭載されるので、ワイヤを用いてインダクタ７を半導体レーザ５に接続できる。
【００４７】
図５及び図６に示された発光モジュール１ｂでは、搭載面３１ａを含む平坦部がリード端子３１の端部に設けられている。この平坦部は、例えば、プレス加工により形成される。平坦部の構造としては、この例に限定されるものではなく、第１の実施の形態の発光モジュール１ａのリード端子２１のように側面を切り欠いて平坦面を形成することもできる。
【００４８】
半導体レーザ５は、ヒートシンク１８上に搭載されており、このヒートシンク１８がステム３の台座部１３上に搭載されている。ヒートシンク１８の材料は、例えば、銅タングステン（ＣｕＷ）であることができる。導電性のヒートシンクによれば、半導体レーザ５は、ヒートシンクを介してステム３に電気的に接続される。ヒートシンク１８の材料は、導電材に限定されるものではなく、絶縁性の材料であることができる。
【００４９】
また、発光モジュール１ｂは、電子部品３５を更に備えることができる。電子部品３５は、抵抗素子３７を含んでおり、その主面３５ａ上に設けられた第１の電極３５ｂおよび第２の電極３５ｃを有している。第１の電極３５ｂおよび第２の電極３５ｃは、それぞれ、抵抗素子３７の一端および他端に接続されている。
【００５０】
ステム４は、ベース１１に支持された第２のリード端子３９を有している。電子部品３５は、第２のリード端子３９上に搭載されている。
【００５１】
この発光モジュール１ｂでは、半導体レーザ５が搭載された台座部１３に電子部品３５を搭載するための領域を設けること無く、ステム４上に設けられた半導体レーザ５に加えて電子部品３５がステム４上に搭載される。また、電子部品３５が、絶縁性の基板上では無く第３のリード端子３９上に搭載されるので、この電子部品３５に係わる寄生キャパシタンスが小さくなる。
【００５２】
抵抗素子３７によれば、半導体レーザ５への伝送線路のインピーダンスの不整合を小さくすることができる。好適な実施の形態では、抵抗素子３７の抵抗値は、５オームから５０オーム程度である。 
【００５３】
第２のリード端子３９は、ベース１１に交差する所定の面に沿って伸びる搭載面３９ａを有している。電子部品３５は、第２のリード端子３９の搭載面３９ａ上に位置している。第１の電極３５ｂの高さは、第２の電極３５ｃの高さより高い。電子部品３５の第１の電極３５ｂは、半導体レーザ５の第１の電極５ａにワイヤを介して接続されている。電子部品３５の第２の電極３５ｃは、第２のリード端子３９の側面、例えば搭載面３９ａに接続されている。このワイヤは、電子部品３５の第１の電極３５ｂを半導体レーザ５の第１の電極５ａに接続するワイヤと異なる方向に伸びている。
【００５４】
図７（Ａ）および図７（Ｂ）を参照すると、第１のリード端子３１、半導体レーザ５、および第２のリード端子３９は、所定の面Ｒ２に沿って配列されている。電子部品３５の第２の電極３５ｃは、第２のリード端子３９の側面（例えば、搭載面３９ａ）に第１のワイヤを介して接続されている。半導体レーザ５の第１の電極５ａは、第２のリード端子３９に搭載された電子部品３５の第１の電極３５ｂに第２のワイヤを介して接続されている。半導体レーザ５の第１の電極５ａは、第１のリード端子３１に搭載されたインダクタ７の端面に第３のワイヤを介して接続されている。第１のワイヤは、第２のワイヤと異なる方向に伸びている。第２のワイヤは、第３のワイヤと異なる方向に伸びている。
【００５５】
図７（Ａ）および図７（Ｂ）に示されるように、第１の実施の形態と同様に、半導体レーザ５は、第２のエリア１３ｃに位置している。第１のエリア１３ｂの上辺は、半導体受光素子１９の一電極１９ａとリード端子２３とを繋ぐワイヤの高さの最高値より高い。第２および第３のワイヤは、半導体レーザ５から半導体受光素子１９に向かう方向と異なる方向に伸びており、第１のワイヤは、半導体レーザ５から半導体受光素子１９に向かう軸から離れておりリード端子３９に沿って伸びている。
【００５６】
第１のリード端子３１だけでなく第２のリード端子３９も、半導体レーザ５の光軸と外れた位置に設けられている。インダクタ７および電子部品３５は、それぞれ、第１及び第２のリード端子３１、３９上に搭載されており、また半導体レーザ５は、インダクタ７と電子部品３５との間に位置している。さらに、半導体受光素子１９は、ベース１１と半導体レーザ５との間に位置している。発光モジュール１ｂにおいて、第１〜第３のワイヤは、半導体受光素子１９から伸びるワイヤと異なる方向に伸びている。
【００５７】
図８（Ａ）、図８（Ｂ）および図８（Ｃ）は、電極部品およびインダクタとを示す図面である。図８（Ａ）を参照すると、電極部品３３が示されている。電極部品３３は、インダクタ７といった電子素子に固定される固定面３３ａを備える。図８（Ｂ）および図８（Ｃ）にそれぞれ示されるように、固定面３３ａは、リード端子上に搭載されたインダクタ７の一端面７ｇに導電性接着部材３４を介してボンディングされている。
【００５８】
電極部品３３は、固定面３３ａに加えてボンディング面３３ｂ、３３ｃを備える。ボンディング面３３ｂは、固定面３３ａの反対側にある。ボンディング面３３ｃは、電極部品３３の側面の一つである。
【００５９】
発光モジュールでは、図８（Ｂ）および図８（Ｃ）に示されるように、電極部品３３は、インダクタ７の一電極７ａ上に位置している。半導体レーザ５の第１の電極５ａは、ワイヤＷＩＲＥを介して電極部品３３に接続されている。電極部品３３を用いると、インダクタの種類に依らずインダクタと半導体レーザとワイヤを介して接続できる。
【００６０】
以上説明したように、発光モジュール１ｂによれば、半導体レーザに加えてインダクタをステム上に搭載できる発光モジュールが提供される。
【００６１】
（第３の実施の形態）
図９は、本実施の形態の発光モジュールを示す図面である。図１０（Ａ）は、発光モジュールを示す平面図である。図１０（Ｂ）は、発光モジュールを示す側面図である。
【００６２】
発光モジュール１ｃは、半導体レーザ５と、ステム６と、インダクタ７とを備える。ステム６は、第１のリード端子９と、ベース１１と、台座部１３と、第２のリード端子３９とを備える。
【００６３】
また、発光モジュール１ｃは、第２の実施の形態と同様に、電子部品３５を更に備ることができる。電子部品３５は、第２のリード端子３９の搭載面３９ａ上に搭載されている。さらに、発光モジュール１ｃは、導体ポスト５５といった導体部材を更に備ることができる。導体ポスト５５は、台座部１３の側面１３ａ上に搭載されている。導体ポスト５５は、半導体レーザ５の一電極５ａにワイヤを介して接続されている。導体ポスト５５によれば、半導体レーザ５を台座部１３に接続するワイヤの長さを短くできる。
【００６４】
発光モジュール１ｃでは、インダクタ７が第１のリード端子９の端面上に搭載されるので、ハウジング内に半導体レーザ５に加えてインダクタ７を設けるためにハウジング内の領域を有効に使用できる。また、インダクタ７は、絶縁性の基板上では無くリード端子９上に搭載されているので、インダクタ７に係わる寄生キャパシタンスが小さくなる。
【００６５】
図１０（Ａ）および図１０（Ｂ）に示されるように、半導体レーザ５だけでなく導体ポスト５５も、第２のエリア１３ｃに位置している。第１のエリア１３ｂの上辺は、半導体受光素子１９の一電極１９ａと第３のリード端子２３とを繋ぐワイヤの高さの最高値以上であるので、半導体レーザ５と導体ポスト５５とを繋ぐワイヤは、半導体レーザ５から半導体受光素子１９に向かう方向と異なる方向に伸びている。
【００６６】
図１０（Ａ）および図１０（Ｂ）を参照すると、第１のリード端子９、導体ポスト５５、半導体レーザ５、および第２のリード端子３９は、所定の面Ｒ３に沿って順に配列されている。電子部品３５の第２の電極３５ｃは、第２のリード端子３９の側面（例えば、搭載面３９ａ）に第１のワイヤを介して接続されている。また、ヒートシンク１７の導電パターンは、第２のリード端子３９に搭載された電子部品３５の第１の電極３５ｂに第２のワイヤを介して接続されている。ヒートシンク１７の導電パターンは、第１のリード端子９に搭載されたインダクタ７の電極７ａに第３のワイヤを介して接続されている。半導体レーザ５の第１の電極５ａは、台座部１３の側面１３ａ上に搭載された導体ポスト５５に第４のワイヤを介して接続されている。第１および第２のワイヤは異なる向きに伸びており、第２および第３のワイヤは異なる方向に伸びている。また、導体ポスト５５が、半導体レーザ５の隣に位置しており、また台座部１３の第２のエリア１３ｃに位置している。これ故に、第４のワイヤの位置は、半導体受光素子１９と第３のリード端子２３とを繋ぐワイヤの高さの最高値より高い。
【００６７】
以上説明したように、発光モジュール１ｃによれば、半導体レーザに加えてインダクタをステム上に搭載できる発光モジュールが提供される。
【００６８】
図１１（Ａ）は、第３の実施の形態の変形例の発光モジュールを示す平面図である。図１１（Ｂ）は、第３の実施の形態の変形例の発光モジュールを示す側面図である。
【００６９】
発光モジュール１ｄは、ステム８と、半導体レーザ５と、インダクタ７とを備える。ステム８は、第１のリード端子９、第２のリード端子３９、ベース１１、および台座部１４を有する。台座部１４は、ベース１１に交差する所定の面Ｒ５に沿って伸びる側面１４ａを有している。側面１４ａの横幅Ｗ１は、第１のリード端子９と第２のリード端子３９との間の距離Ｗ２より小さい。シンボルＰ１〜Ｐ４は、第１のリード端子９、側面１４ａの両エッジ、および第２のリード端子３９を所定の面Ｒ５に射影した位置（Ｘ座標）を示す。側面１４ａは、シンボルＰ１とＰ４との間にあり、また、第１のリード端子９および第２のリード端子３９の背後には、台座部１４が設けられていない。これは、次のような利点を有する。ワイヤボンドの際に超音波を印加する。部品を搭載したリード端子９またはリード端子３９の共振周波数が、超音波の周波数と一致してしまう場合、リード端子下部を支えるステージを準備し、ワイヤボンドを行うことが好ましい。また、リード端子の強度が弱い場合、ワイヤボンドの時の荷重でリード変形が生じる可能性がある。やはり、リード端子を支持することが有効である。図１１に示された例では、リード端子を支持するためのスペースを用意できるという利点がある。
【００７０】
図１２は、本実施の形態の別の変形例の発光モジュールを示す図面である。発光モジュール１ｅは、ステム６と、半導体レーザ５と、インダクタ７と、電子部品３５を備える。ステム６は、ベース１１と、台座部１３と、第１のリード端子９を有しており、リード端子２１に替えて第２のリード端子２２を備える。半導体レーザ５および電子部品３５は、台座部１３の側面１３ａ上に搭載されている。電子部品３５は、半導体レーザ５と第２のリード端子２２との間に設けられている。
【００７１】
電子部品３５の第１の電極３５ｂは、ヒートシンク１８上の導電パターンに第１のワイヤを介して接続されている。電子部品３５の第２の電極３５ｃは、第２のリード端子２２の側面２２ａに第２のワイヤを介して接続されている。電子部品３５の下端は、半導体受光素子１９と第３のリード端子２３とを繋ぐ第３のワイヤの高さの最高値より高いので、第１および第２のワイヤの高さの最低値は、第３のワイヤの高さの最高値より高くできる。
【００７２】
また、発光モジュール１ｅは、導体ポスト５５を更に備えることができる。導体ポスト５５は、台座部１３の側面１３ａ上に搭載されている。導体ポスト５５は、半導体レーザ５と第１のリード端子９又はインダクタ７との間に設けられている。インダクタ７の一電極７ａは、ヒートシンク１８上の導電パターンに第４のワイヤを介して接続されている。半導体レーザ５の第１の電極５ａは、導体ポスト５５に第５のワイヤを介して接続されている。導体ポスト５５を用いれば、半導体レーザ５の第１の電極５ａを台座部１３に接続するワイヤの長さを短くできる。
【００７３】
導体ポスト５５の下端は、半導体受光素子１９と第３のリード端子２３とを繋ぐ第３のワイヤの高さの最高値より高いので、第５のワイヤの高さの最低値は、第３のワイヤの高さの最高値より高くできる。
【００７４】
ベース１１は、第１および第２のリード端子９、２２を支持している。インダクタ７は、第１のリード端子９上に搭載されている。インダクタ７の電極７ａは、半導体レーザ５の第１の電極５ａに電気的に接続されている。インダクタ７の他端部７ｅは、第１のリード端子９の搭載面９ａ上に位置している。台座部１３の側面１３ａ上において、電子部品３５、導体ポスト５５および半導体レーザ５を、この順に配置することもできる。
【００７５】
発光モジュール１ｃ、１ｄでは、電子部品３５は、絶縁性の基板上では無くリード端子２２上に搭載されているので、電子部品３５に係わる寄生キャパシタンスが小さくなる。
【００７６】
以上説明したように、半導体レーザに加えてインダクタおよび抵抗素子をステム上に搭載できる発光モジュールが提供される。
【００７７】
（第４の実施の形態） 
図１３（Ａ）、図１３（Ｂ）、図１４（Ａ）および図１４（Ｂ）は、発光モジュールを製造する工程を示す図面である。
【００７８】
図１３（Ａ）に示されるように、半導体レーザ５と、ステム６と、インダクタ７と、半導体受光素子１９と、電子部品３５と、導体ポスト５５とを準備する。図１３（Ｂ）を参照すると、半導体レーザ５は、ステム６上に搭載されている。本実施例では、半導体レーザ５はヒートシンク１７上に搭載されている。半導体レーザ５及びヒートシンク１７は、ステム６の台座部１３の側面１３ａ上に搭載されている。半導体受光素子１９はサブマウント２５上に搭載されている。このサブマウント２５は、ベース１１の上面１１ａ上に搭載されている。インダクタ７は、リード端子９の端面９ａ上に搭載されている。電子部品３５は、ベース１１上に搭載されている。導体ポスト５５は、台座部１３の側面１３ａ上の搭載されている。
【００７９】
次いで、図１４（Ａ）に示されるように、半導体受光素子１９の一電極１９ａをリード端子２３の端面２３ａにワイヤ６１を介して接続する。サブマウント２５の導電パターン２５ａをステム６のベース１１にワイヤ６３を介して接続する。半導体受光素子１９の他電極１９ｂは、サブマウント２５の導電パターン２５ａ上にボンディングされている。ワイヤ６１、６３は、それぞれ、ベース１１の上面１１ａと実質的に平行に伸びる平面に沿って半導体受光素子１９およびサブマウント２５から伸びている。ワイヤ６１、６３の高さの最高値は、半導体レーザ５および電子部品３５の下端より低い。
【００８０】
この後に、図１４（Ｂ）に示されるように、半導体レーザ５、インダクタ７、電子部品３５および導体ポスト５５をリード端子９、３９にワイヤを介して接続する。半導体レーザ５は、台座部１３の側面１３ａ上において、リード端子９とリード端子３９との間に配置されている。ヒートシンク１７上の導電パターン１７ａはリード端子３９上の電子部品３５の第１の電極３５ｂにワイヤ６５を介して接続される。また、ヒートシンク１７上の導電パターン１７ａはリード端子９上のインダクタ７の一電極７ａにワイヤ６７を介して接続される。半導体レーザ５の他電極５ｂは、ヒートシンク１７上の導電パターン１７ａにボンディングされる。電子部品３５の他電極３５ｃは、リード端子３９の搭載面３９ａにワイヤ６９を用いて接続される。半導体レーザ５の第１の電極５ａは、導体ポスト５５にワイヤ７１を用いて接続される。
【００８１】
図１４（Ｂ） を参照すると、ワイヤ６５およびワイヤ６７は、半導体レーザ５を基準にして、互いに逆の方向に伸びている。ワイヤ６５は半導体レーザ５からＸ軸の負の方向に伸びて電子部品３５の第１の電極３５ｂに到達しており、ワイヤ６７は半導体レーザ５からＸ軸の正の方向に伸びてインダクタ７の一電極７ａに到達している。ワイヤ６９は、電子部品３５からＺ軸の負の方向に伸びてリード端子３９の搭載面３９ａに到達している。ワイヤ７１は、半導体レーザ５の第１の電極５ａからＹ軸の正の方向に伸びて導体ポスト５５に到達している。
【００８２】
上記の実施例では、半導体受光素子１９の電極１９ａ、１９ｂに係る第１のワイヤリングを行った後に、半導体レーザ５、インダクタ７、電子部品３５および導体ポスト５５に係る電極の第２のワイヤリングを行っている。しかしながら、第１のワイヤリングに先立って、第２のワイヤリングを行うこともできる。
【００８３】
ワイヤリングが終了した後に、図４に示されるように、ステム上にキャップ４１を搭載してハウジングを形成する。キャップ４１をステムに抵抗溶接して気密に封止されたキャビティを形成する。このキャビティ内に、半導体レーザ５、インダクタ７、半導体受光素子１９、電子部品３５が設けられている。キャップ４１は、レンズ５３を保持することができる。半導体レーザ５からの光は、レンズ５３を介してキャビティの外に出射される。この光は、例えば、図４に示されたファイバスタブに入射する。
【００８４】
以上説明したように、半導体レーザに加えてインダクタおよび抵抗素子をステム上に搭載できる発光モジュールを製造する方法が提供される。
【００８５】
（第５の実施の形態）
図１５（Ａ）および図１５（Ｂ）は、電極部品およびインダクタを示す図面である。電極部品５７は、インダクタ７といった電子素子に固定される固定面５７ａを備える。固定面５７ａは、図１５（Ｂ）に示されるように、リード端子上に搭載されたインダクタ７の一端面７ｇに導電性接着部材５９を介してボンディングされている。
【００８６】
図１６に示されるように、発光モジュール１ｆでは、電極部品５７は、インダクタ７の一電極７ａ上に位置している。電極部品５７およびインダクタ７は、リード端子９の端面９ａ上に位置しており、電極部品５７、インダクタ７およびリード端子９の端面９ａは、ある軸に沿って配置されている。半導体レーザ５の第１の電極５ａは、ワイヤを介して電極部品５７の側面５７ｃに接続されている。電極部品５７を用いると、インダクタの形状に依らずインダクタ７と半導体レーザ５にワイヤを介して接続できる。また、側面５７ｃが曲面から成るので、上記軸の回りの角度に関して電極部品５７の向きによらずインダクタ７と半導体レーザ５にワイヤを介して接続できる。
以上説明したように、発光モジュール１ｆによれば、半導体レーザに加えてインダクタをステム上に搭載できる発光モジュールが提供される。
【００８７】
（実施例）
一実施例では、電極部品の端面の形状は丸型であり、その直径は１．０ミリメートル程度である。電極部品の側面の曲率半径、例えば円柱型電極部品の径は、ボンディングワイヤの径（例えば、２０〜２５マイクロメートル径）に比べて十分に大きいので、電極部品の側面の小領域は実質的には平面である。電極部品の側面上の該小領域にワイヤをボンディングできるようになるので、ボンディングされたワイヤの強度が低下することが無い。円柱型の電極部品を使用すれば、リード端子の端面へインダクタを固定する工程で、電極部品およびインダクタの向きに関心を払う必要がない。
円柱型の電極部品を使用しない場合、リード端子の端面にチップインダクタを製造工程において固定するときに、チップインダクタの向き（角度）をボンディングのための向きに合わせて電極部品をインダクタに固定することが必要になる。
【００８８】
図１７に示されるように、角柱型の電極部品３４の向きが所望の角度範囲からはずれている場合、電極部品３４の側面３４ｃは大きく傾斜することになる。ボンディングワイヤは、傾斜した側面３４ｃにワイヤボンディングされなければならない。傾斜したボンディング面へのワイヤボンディングでは、ワイヤのネックに過大な曲げストレスが加わり、このストレスにより、ワィヤの機械的強度が低下する可能性がある。電極部品の側面は、台座の側面１３ａに対してマイナス１０度からプラス１０度の角度を成してインダクタ上に搭載されており、この角度範囲は、好ましくはマイナス５度からプラス５度である。電極部品の該角度が大きすぎると、ボンディングを行うこと自体が困難となる。
【００８９】
図１８は、この電極部品を用いる別の発光モジュールを示す図面である。電極部品５７は、発光モジュール１ｆでの使用に限定されること無く、発光モジュール１ｇにおいても使用できる。図１８を参照すると、発光モジュール１ｇは、発光モジュール１ｂにおける電極部品に替えて、電極部品５７を備える。第１のリード端子３１の搭載面３１ａ上には、電極部品５９が搭載されている。電極部品５９の形状は、電極部品５７と同じ形状であることができる。電極部品５９上にはインダクタ７が搭載されており、インダクタ７上には電極部品５７が搭載されている。ワイヤは、電極部品５７の一端面５７ｂにボンディングされている。
【００９０】
好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】図１は、第１の実施の形態の発光モジュールを示す図面である。
【図２】図２は、第１の実施の形態の発光モジュールの構成部品を示す図面である。
【図３】図３（Ａ）は、発光モジュールを示す平面図である。図３（Ｂ）は、発光モジュールを示す側面図である。
【図４】図４は、発光モジュールを示す図面である。
【図５】図５は、第２の実施の形態の発光モジュールを示す図面である。
【図６】図６は、第２の実施の形態の発光モジュールの構成部品を示す図面である。
【図７】図７（Ａ）は、発光モジュールを示す平面図である。図７（Ｂ）は、発光モジュールを示す側面図である。
【図８】図８（Ａ）、図８（Ｂ）および図８（Ｃ）は、電極部品およびインダクタとを示す図面である。
【図９】図９は、第３の実施の形態の発光モジュールを示す図面である。
【図１０】図１０（Ａ）は、発光モジュールを示す平面図である。図１０（Ｂ）は、発光モジュールを示す側面図である。
【図１１】図１１（Ａ）は、第３の実施の形態の変形例の発光モジュールを示す平面図である。図１１（Ｂ）は、第３の実施の形態の変形例の発光モジュールを示す側面図である。
【図１２】図１２は、第３の実施の形態の別の変形例の発光モジュールを示す図面である。
【図１３】図１３（Ａ）および図１３（Ｂ）は、発光モジュールを製造する工程を示す図面である。
【図１４】図１４（Ａ）および図１４（Ｂ）は、発光モジュールを製造する工程を示す図面である。
【図１５】図１５（Ａ）および図１５（Ｂ）は、電極部品およびインダクタとを示す図面である。
【図１６】図１６は、第５の実施の形態に係る発光モジュールを示す図面である。
【図１７】図１７は、適切でない角度で配置された角型の電極部品を含む発光モジュールを示す図面である。
【図１８】図１８は、第５の実施の形態に係る変形例の発光モジュールを示す図面である。
【符号の説明】
【００９２】
１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆ、１ｇ…発光モジュール、３、４、６、８…ステム、５…半導体レーザ、５ａ、５ｂ…半導体レーザの電極、７…インダクタ、７ａ…インダクタの一電極、７ａ…インダクタの他電極、９、２１、２２、２３、３１、３９…リード端子、９ａ…リード端子の端面、１１…ベース、１３、１４…台座部、１３ａ、１４ａ…台座部の側面、１５…ガラス体、１７、１８…ヒートシンク、１９…半導体受光素子、２５…サブマウント、３３、５７、５９…電極部品、３５…電子部品、３７…抵抗素子、３９ａ…リード端子の搭載面、４１…キャップ、４３…パッケージスリーブ、４５…ジョイントスリーブ、４７…ＳＣスリーブ、４９…ファイバスタブ、５１…割スリーブ、５３…レンズ、５５…導体ポスト、５７、５９…電極部品  
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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