(57)【要約】【課題】  レーザダイオードの発光安定状態から完全に消光するまでの時間を短くする光出力制御回路を提供する。【解決手段】  レーザダイオードＬＤ１の光出力パワＰ１をモニタし、モニタした結果を時定数回路ＣＫＴ２を介してレーザダイオードＬＤ１のドライバＱ１にフィードバックする光出力制御回路１において、時定数回路ＣＫＴ２から強制的に放電する放電回路ＣＫＴ１を備えたものである。【選択図】  図１
2005252084.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザダイオードの光出力パワをモニタし、該モニタした結果を時定数回路を介して上記レーザダイオードのドライバにフィードバックする光出力制御回路において、上記時定数回路から強制的に放電する放電回路を備えたことを特徴とする光出力制御回路。
【請求項２】
上記光出力制御回路は、他の光出力制御回路と並列に接続され、上記他の光出力制御回路と交番に光出力をＯＮ／ＯＦＦする請求項１記載の光出力制御回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザダイオードに係り、特に光出力の制御回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来レーザダイオードの発光の制御については、図５に示すような制御回路５１を用いることが公知技術となっている。
【０００３】
係る制御回路５１において、制御信号ＣＴＬによって半導体スイッチＳ１がＯＮになると、増幅器ＡＭＰ１の＋端子に電圧Ｖ２が印加される。この電圧Ｖ２の印加により増幅器ＡＭＰ１で増幅された出力電圧Ｖ３が上昇し、これに伴い電圧Ｖ４が上昇する。上昇した電圧Ｖ４がトランジスタＱ１のベースに印加されることで、トランジスタＱ１がＯＮし、レーザダイオードＬＤ１に電流Ｉ２が流れレーザダイオードＬＤ１が発光する。
【０００４】
レーザダイオードＬＤ１から出力された光出力パワＰ５１の一部は、レーザダイオードモジュールＬＤＭ１内のフォトダイオードＰＤ１にて受光される。フォトダイオードＰＤ１により光−電気変換が行われ固定抵抗器Ｒ１に電流Ｉ１が流れる。固定抵抗器Ｒ１の両端に掛かる電圧Ｖ１（電圧Ｖ１と固定抵抗器Ｒ１の抵抗値と流れる電流Ｉ１との間には、オームの法則Ｖ１＝Ｉ１×Ｒ１の関係が成り立っている。）は、増幅器ＡＭＰ１にて電圧Ｖ２と比較され、電圧Ｖ１と電圧Ｖ２との差分電圧が増幅器ＡＭＰ１により増幅される。増幅された出力電圧Ｖ３は、固定抵抗器Ｒ２を介しトランジスタＱ１のベースに電圧Ｖ４として印加される。これは、レーザダイオードＬＤ１に流れる電流Ｉ２を制御するためにトランジスタＱ１へ電圧Ｖ４を印加しているものである。時定数回路ＣＫＴ２の固定抵抗器Ｒ２及びキャパシタＣ１の過渡現象により、電圧Ｖ４は緩やかに上昇する。
【０００５】
この電圧Ｖ４の上昇に従い、レーザダイオードＬＤ１の光出力パワＰ５１もまた緩やかに上昇（図７中では、電圧の立ち上がり時間Ｔ１で上昇する。）して、やがて所定の出力値になる。
【０００６】
半導体スイッチＳ１がＯＦＦになると、電源Ｅ２からの供給は断となり電圧Ｖ２が０Ｖとなる。増幅器ＡＭＰ１の＋端子入力が０Ｖとなることで電圧Ｖ３及び電圧Ｖ４が降下し、レーザダイオードＬＤ１は、半導体スイッチＳ１のＯＦＦ後の過渡現象時間（図７では、電圧Ｖ４の降下するまでの時間Ｔ２を示す。）を経過すると発光を停止する。時間Ｔ２は、キャパシタＣ１に充電された電荷が固定抵抗器Ｒ２を介して放電し、電圧Ｖ４が降下終了するまでの時間となっている。
【０００７】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、次のものがある。
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−３５３５５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
図５に示す制御回路５１の構成において、通常固定抵抗器Ｒ２とキャパシタＣ１の値を大きく選ぶことにより過渡現象時間の長い時定数回路ＣＫＴ２を構成することができる。このため、レーザダイオードＬＤ１の光出力パワＰ５１は、発光開始時点０から発光の定常状態までの立ち上がりの時間Ｔ１の間緩やかに発光増加することにより、立ち上がり時間内での通信障害を回避できる。
【００１０】
しかしながら、発光の定常状態からレーザダイオードＬＤ１の光出力が消光するまでの電圧が降下する時間Ｔ２は、キャパシタＣ１の充電電圧Ｖ４が降下する時間、即ち時定数回路ＣＫＴ２の固有の時定数で決まっており、図７の３番目のグラフに示すようにキャパシタＣ１の放電により電圧Ｖ４も緩やかに低下する。
【００１１】
図７は上から、１番目から４番目までのグラフは制御回路５１の各部の状態を示し、５番目のグラフは図６に示す他の制御回路５１ａの光出力パワＰ５２の状態を示す。
【００１２】
１番目のグラフの縦軸は制御信号ＣＴＬの状態を示し、２番目のグラフの縦軸は増幅器ＡＭＰ１の＋端子の入力電圧Ｖ２を示し、３番目のグラフの縦軸はトランジスタＱ１のベース印加の電圧Ｖ４を示す。４番目のグラフの縦軸は制御回路５１の光出力パワＰ５１を示し、５番目のグラフの縦軸は他の制御回路５１ａの光出力パワＰ５２を示す。横軸は、全て経過する時間ｔを示し、何れも当該の制御回路における同じ時間の経過を表している。
【００１３】
この時定数回路ＣＫＴ２の緩やかな放電のため、レーザダイオードＬＤ１が消光するまでに時間Ｔ２が掛かる。図６に示すように、同じ構成の複数の制御回路５１、５１ａによる複数の光出力パワＰ５１、Ｐ５２を光カプラ１０で合成し、時分割多重（ＴＤＭ：Time Division Multiplexing）して伝送する場合には、他局（ここでは、他の制御回路５１ａを指す。）の光信号送信（図７中の５番目のグラフに示す他の制御回路５１ａに設けられている図示しないレーザダイオードの光出力パワＰ５２が、これに当たる。）の立ち上がりがレーザダイオードＬＤ１の完全な消光までの時間Ｔ２に重なっている。この光信号の重なりが、他の制御回路５１ａのレーザダイオードの送信に妨害（送信妨害部分は、図７中の５番目のグラフに示す他の制御回路５１ａの光出力パワＰ５２に、斜線で示した部分である。）を与え、適用できなかった。
【００１４】
そこで、本発明の目的は、レーザダイオードの発光安定状態から完全に消光するまでの時間を短くする光出力制御回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は上記目的を達成するために創案されたものであり、第１の発明は、レーザダイオードの光出力パワをモニタし、該モニタした結果を時定数回路を介して上記レーザダイオードのドライバにフィードバックする光出力制御回路において、上記時定数回路から強制的に放電する放電回路を備えた光出力制御回路である。
【００１６】
第２の発明は、上記光出力制御回路は、他の光出力制御回路と並列に接続され、上記他の光出力制御回路と交番に光出力をＯＮ／ＯＦＦするものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、レーザダイオードの発光安定状態から完全に消光するまでの時間を短くする光出力制御回路を得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の好適実施の形態を添付図面にしたがって説明する。
【００１９】
図１は、本発明の好適実施の形態を示すレーザダイオード制御のための光出力制御回路の構成図である。
【００２０】
光出力制御回路１は、レーザダイオードＬＤ１の光出力パワＰ１をフォトダイオードＰＤ１によりモニタして、モニタした結果を固定抵抗器Ｒ２及びキャパシタＣ１で構成される時定数回路ＣＫＴ２を介してレーザダイオードＬＤ１のドライバであるトランジスタＱ１にフィードバックする光出力制御回路であり、時定数回路ＣＫＴ２から強制的に放電する放電回路ＣＫＴ１を備えている。
【００２１】
この光出力制御回路１は、図２に示すように並列に接続され時分割多重光通信に使用される。時分割多重光通信回路の構成は、光出力パワＰ１を出力する光出力制御回路１と、光出力パワＰ２を出力する他の光出力制御回路１ａと、光出力パワＰ１と光出力パワＰ２とを合成し出力する光カプラ１０とを備え、光出力制御回路１と他の光出力制御回路１ａに各々入力される制御信号ＣＴＬ、ＣＴＬａの制御により光出力パワＰ１、Ｐ２を出力する機能を有する。
【００２２】
光出力パワＰ１を出力する光出力制御回路１と、光出力パワＰ２を出力する他の光出力制御回路１ａとは、図１に示す光出力制御回路１と同じ若しくは類似した回路構成である。
【００２３】
なお、本実施の形態では簡単のため、図２に示すように光出力制御回路１と他の光出力制御回路１ａとの２つの光出力制御回路の並列接続による時分割多重光通信回路の構成となっている。実施の形態はこれに限定されるものではなく、必要に応じて同じ回路構成の光出力制御回路１、１ａが複数設けられて並列接続され、各光出力制御回路１、１ａに入力される制御信号ＣＴＬ、ＣＴＬａによるＯＮ／ＯＦＦ制御を行う。
【００２４】
時分割多重光通信の構成は、各々の光出力制御回路１、１ａが交番にＯＮ／ＯＦＦ動作することによる複数の光出力パワＰ１、Ｐ２送信を用いた通信回路構成にするとよい。
【００２５】
図１に示したように、光出力制御回路１は、レーザダイオードＬＤ１とレーザダイオードＬＤ１の光出力パワＰ１をモニタするためのフォトダイオードＰＤ１とを内蔵したレーザダイオードモジュールＬＤＭ１と、レーザダイオードＬＤ１の電流制御をするためのドライバであるトランジスタＱ１と、制御信号ＣＴＬにより電気的に開閉される半導体スイッチＳ１と、受光によりフォトダイオードＰＤ１に発生した電圧Ｖ１と半導体スイッチＳ１を介して掛かる電圧Ｖ２とを比較、増幅する増幅器ＡＭＰ１と、時定数回路ＣＫＴ２を構成し増幅器ＡＭＰ１からの出力を充放電するためのキャパシタＣ１と、キャパシタＣ１と共に時定数回路ＣＫＴ２を構成する固定抵抗器Ｒ２と、キャパシタＣ１からの放電を加速させるための放電回路ＣＫＴ１と、レーザダイオードモジュールＬＤＭ１に電源供給される電源Ｅ１と、半導体スイッチＳ１に接続されている電源Ｅ２と、電流制限等を行うための固定抵抗器Ｒ１、Ｒ５、Ｒ６とを備えて構成される。
【００２６】
放電を加速させるための放電回路ＣＫＴ１は、トランジスタＱ２と、固定抵抗器Ｒ３、Ｒ４とを備えて構成される。
【００２７】
電源Ｅ１の負極はアースに接続され、電源Ｅ１の正極はレーザダイオードＬＤ１のアノード及びフォトダイオードＰＤ１のカソードに接続されている。フォトダイオードＰＤ１のアノードは、固定抵抗器Ｒ１の一端及び増幅器ＡＭＰ１の−端子に接続されている。固定抵抗器Ｒ１の他端は、アースに接続されており、増幅器ＡＭＰ１の出力側は、固定抵抗器Ｒ２の一端に接続されている。固定抵抗器Ｒ２の他端は、キャパシタＣ１の一端及びトランジスタＱ２のコレクタに接続されている。トランジスタＱ２のエミッタはアースに接続され、トランジスタＱ２のベースは固定抵抗器Ｒ３の一端及び、固定抵抗器Ｒ４の一端に接続されている。固定抵抗器Ｒ４の他端はアースに接続され、固定抵抗器Ｒ３の他端と半導体スイッチＳ１の制御端子には、外部から制御信号ＣＴＬが入力されている。固定抵抗器Ｒ４の他端は、アースに接続されている。
【００２８】
半導体スイッチＳ１の一端は、電源Ｅ２の正極に接続され、電源Ｅ２の負極はアースに接続されている。半導体スイッチＳ１の他端は、固定抵抗器Ｒ６の一端及び増幅器ＡＭＰ１の＋端子に接続されている。固定抵抗器Ｒ６の他端は、アースに接続されている。
【００２９】
トランジスタＱ２のコレクタは、キャパシタＣ１の一端及びトランジスタＱ１のベースに接続されている。トランジスタＱ１のエミッタは固定抵抗器Ｒ５の一端に接続され、固定抵抗器Ｒ５の他端はアースに接続されている。トランジスタＱ１のコレクタはレーザダイオードＬＤ１のカソードに接続されている。
【００３０】
光出力制御回路１において、制御信号ＣＴＬ（後述、図３の１番目のグラフ中にこのときの制御信号ＣＴＬの極性をＬで示す。）により半導体スイッチＳ１がＯＮ状態になると、電源Ｅ２からの電圧Ｖ２が増幅器ＡＭＰ１の＋端子に印加される。このとき、増幅器ＡＭＰ１の−端子には電圧は印加されていないため、上昇する電圧Ｖ２は増幅器ＡＭＰ１により増幅され電圧Ｖ３が上昇しつつ出力される。増幅器ＡＭＰ１の出力は、固定抵抗器Ｒ２を介して、キャパシタＣ１に充電される。図中に、このときの充電電流を電流Ｉ３で示す。
【００３１】
制御信号ＣＴＬは、固定抵抗器Ｒ３を介してトランジスタＱ２のベースにも同時に入力されているが、制御信号ＣＴＬの極性（後述、図３の１番目のグラフ中にこのときの制御信号ＣＴＬの極性をＬで示す。）によりトランジスタＱ２はＯＦＦ状態となっており、この時点では放電回路ＣＫＴ１は働いていない。このため、キャパシタＣ１に充電された後には、増幅器ＡＭＰ１の出力電圧Ｖ３により上昇した電圧Ｖ４はトランジスタＱ１のベースに印加される。
【００３２】
このベースに印加された電圧Ｖ４により、トランジスタＱ１はＯＮ状態となり、レーザダイオードＬＤ１に供給されている電源Ｅ１からの電流Ｉ２がレーザダイオードＬＤ１、トランジスタＱ１のコレクタ−エミッタ、固定抵抗器Ｒ５に順次流れ、レーザダイオードＬＤ１が発光する。レーザダイオードＬＤ１の発光が定常状態になり、所定の光出力パワＰ１が放出される。
【００３３】
レーザダイオードＬＤ１の光出力パワＰ１の一部は、フォトダイオードＰＤ１で受光され、受光された光量に応じた電圧Ｖ１が発生する。このフォトダイオードＰＤ１で発生した電圧Ｖ１は、接続されている増幅器ＡＭＰ１の−端子に印加される。これにより、レーザダイオードＬＤ１の光出力パワＰ１を制御するためのフィードバックが形成されている。即ちレーザダイオードＬＤ１〜フォトダイオードＰＤ１〜増幅器ＡＭＰ１〜固定抵抗器Ｒ２〜トランジスタＱ１〜レーザダイオードＬＤ１の閉回路を形成し、フォトダイオードＰＤ１によるレーザダイオードＬＤ１出力のモニタによりフィードバックが行われ、レーザダイオードＬＤ１の光出力パワＰ１は定常状態となる。
【００３４】
レーザダイオードＬＤ１が定常状態での発光を続け所定時間になると、制御信号ＣＴＬは反転（後述、図３の１番目のグラフ中にこのときの制御信号ＣＴＬの極性をＨで示す。）し、反転した制御信号ＣＴＬにより半導体スイッチＳ１はＯＦＦになる。
【００３５】
半導体スイッチＳ１がＯＦＦになることにより、増幅器ＡＭＰ１の＋端子に印加される電圧Ｖ２が降下して、増幅器ＡＭＰ１の出力電圧Ｖ３も降下する。この電圧Ｖ３の降下のため、キャパシタＣ１に充電されていた電荷の放電が始まる。
【００３６】
半導体スイッチＳ１がＯＦＦになると同時に、反転した制御信号ＣＴＬによりトランジスタＱ２のベース電圧が上昇し、トランジスタＱ２はＯＮになる。
【００３７】
トランジスタＱ２がＯＮになったことにより、キャパシタＣ１において始まった放電による電流Ｉ４がトランジスタＱ２のコレクタに誘導され、トランジスタＱ２のコレクタからエミッタに流れ、固定抵抗器Ｒ２とキャパシタＣ１とで構成される時定数回路ＣＫＴ２からの強制的な放電が放電回路ＣＫＴ１により行われる。
【００３８】
この放電回路ＣＫＴ１のトランジスタＱ２によるキャパシタＣ１の放電の加速により、トランジスタＱ１のベースに印加されていた電圧Ｖ４は急速に降下し、トランジスタＱ１がＯＦＦとなる。
【００３９】
トランジスタＱ１がＯＦＦになることにより、トランジスタＱ１のコレクタからエミッタに流れていた電流Ｉ２は遮断される。この電流Ｉ２が流れなくなることで、レーザダイオードＬＤ１にも電流が流れなくなり発光が急速に降下し、レーザダイオードＬＤ１は消光する。
【００４０】
このような、図１、図２に示した制御信号ＣＴＬによる光出力制御回路１各部の状態及び他の光出力制御回路１ａの光出力パワＰ２の状態を、図３に示す。
【００４１】
図３は上から、１番目から５番目までのグラフは光出力制御回路１の各部の状態を示し、６番目のグラフは図２に示す他の光出力制御回路１ａの光出力パワＰ２の状態を示す。
【００４２】
図は上から、１番目のグラフの縦軸は制御信号ＣＴＬの状態を示し、２番目のグラフの縦軸は増幅器ＡＭＰ１の＋端子の入力電圧Ｖ２を示し、３番目のグラフの縦軸は増幅器ＡＭＰ１の出力電圧Ｖ３を示す。４番目のグラフの縦軸は電流Ｉ４の状態を示し、５番目のグラフの縦軸はレーザダイオードＬＤ１の光出力パワＰ１を示し、６番目のグラフの縦軸は他の光出力制御回路１ａの光出力パワＰ２を示す。横軸は、全て経過する時間ｔを示し、何れも光出力制御回路１、１ａにおける同じ時間の経過を表している。
【００４３】
図中時間０で制御信号ＣＴＬがＬになったとすると、この制御信号ＣＴＬがＬになったことより半導体スイッチＳ１がＯＮとなる。この半導体スイッチＳ１のＯＮにより、図の２番目のグラフ中の時間０で、増幅器ＡＭＰ１の＋端子入力に電源Ｅ２によって電圧Ｖ２が印加される。２番目のグラフ中で、電圧Ｖ２のレベルがＶ２ｈになっている。このとき、光出力制御回路１の固定抵抗器Ｒ２とキャパシタＣ１により構成されている時定数回路ＣＫＴ２により、図中３番目のグラフに示すように、増幅器ＡＭＰ１の出力電圧Ｖ３は回路の時定数に従い時間Ｔ１を掛けて緩やかに立ち上がる。この増幅器ＡＭＰ１の出力電圧Ｖ３は、固定抵抗器Ｒ２を介してトランジスタＱ１に電圧Ｖ４として印加される。
【００４４】
このため、増幅器ＡＭＰ１の出力である電圧Ｖ３の変化に応じて、トランジスタＱ１が電圧Ｖ４によりドライブされ、この電圧Ｖ４に応じたレーザダイオードＬＤ１に流れる電流Ｉ２の変化により、図中５番目のグラフに示すようにレーザダイオードＬＤ１の光出力パワＰ１が変化する。
【００４５】
レーザダイオードＬＤ１の光出力パワＰ１が前述のフォトダイオードＰＤ１のモニタ受光によるフィードバックで定常状態になり、所定の光出力パワＰ１が放出される。
【００４６】
レーザダイオードＬＤ１が定常状態での発光を続け所定時間になると、制御信号ＣＴＬは反転しＨ（図３の１番目のグラフに示す電圧レベルである。）になる。反転した制御信号ＣＴＬの極性Ｈにより半導体スイッチＳ１はＯＦＦされ、増幅器ＡＭＰ１の＋端子に印加されている電圧Ｖ２は０Ｖになる。
【００４７】
この増幅器ＡＭＰ１への印加電圧Ｖ２の降下により増幅器ＡＭＰ１に出力される電圧も降下し、増幅器ＡＭＰ１の出力は０Ｖとなる。この増幅器ＡＭＰ１の出力が０Ｖになることにより、キャパシタＣ１に充電されていた電荷の放電が始まる。
【００４８】
前述のように、このキャパシタＣ１の放電と同時に制御信号ＣＴＬによりトランジスタＱ２がＯＮとなり、キャパシタＣ１に充電されていた電荷の放電分は、強制的にトランジスタＱ２に電流Ｉ４として流れる。
【００４９】
このため、従来技術においては固定抵抗器Ｒ２及びキャパシタＣ１で構成されている時定数回路ＣＫＴ２の時定数により、図５の電圧Ｖ３のように緩やかに時間Ｔ２を掛けて放電されていた。この放電は、図３の３番目のグラフ中に示すような破線Ｄで表される過渡現象であるが、本実施の形態による放電回路ＣＫＴ１の放電の強制的な加速により、実線Ｇで示されるような電圧Ｖ３の急速な降下となって現れる。
【００５０】
このときの放電電流Ｉ４を図３の４番目のグラフに示す。電流Ｉ４が強制放電により急速に放電が終了している様子が、グラフより読み取れる。
【００５１】
図３に示すとおり、この強制的な放電のためにレーザダイオードＬＤ１の消光時間Ｔ３は、図７の従来技術におけるレーザダイオードＬＤ１の消光のための時間Ｔ２と比較してみると、大きく短縮されていることが分かる。
【００５２】
キャパシタＣ１へ充電された電荷が固定抵抗器Ｒ２を介して充放電するときの電流をＩ３とすると、従来の制御回路５１における放電の時間Ｔ２は次式に示すようになる。
【００５３】
Ｔ２＝Ｖ３×Ｃ１／Ｉ３                  ・・・・・・・（１）
時間Ｔ２は、キャパシタＣ１の放電する電荷の量即ち放電電流Ｉ３によって決定される。
【００５４】
そこで、レーザダイオードＬＤ１の消光開始のタイミングに合わせて、一定期間キャパシタＣ１の放電を行う本実施の形態のような放電回路ＣＫＴ１が、図１に示すように設けられている。
【００５５】
このとき、キャパシタＣ１が放電完了するまでの時間をＴ３とすると
Ｔ３＝Ｖ３×Ｃ１／（Ｉ３＋Ｉ４）        ・・・・・・・（２）
となる。
【００５６】
ここで、（２）式においてＩ４>>Ｉ３とすることで、図７に示す通り放電時間を従来の時間Ｔ２から時間Ｔ３に大幅な短縮を図ることができる。
【００５７】
このため、図３の５番目のグラフに示すように、レーザダイオードＬＤ１の消光が時間Ｔ３で完了した後、図３の６番目のグラフに示すように、時刻Ｔｓから他の光出力制御回路１ａの光出力パワＰ２が立ち上がっている。
【００５８】
これは、図２に示す回路構成の時分割多重光通信において、光出力制御回路１の光出力パワＰ１の降下が光出力制御回路１ａの光出力パワＰ２の立ち上がりに重ならず、従来技術で問題であった送信妨害を解消するという優れた効果を発揮していることを示す。
【００５９】
なお、本実施の形態に用いた放電回路ＣＫＴ１は、トランジスタＱ２のスイッチングを利用した強制的な放電回路となっているが、放電回路ＣＫＴ１の構成はこれに限定されるものではなく、制御信号ＣＴＬの制御により上記放電回路ＣＫＴ１と同様に高速スイッチング作用を有するものであればよい。
【００６０】
以上説明したように、光出力制御回路１の放電電流Ｉ４は一定連続であった。この特性図を図４（ａ）に示す。図４（ｂ）は、放電電流一定で不連続な他の実施の形態の放電電流Ｉ４の特性図を示す。図４（ｃ）は、放電電流が変化しつつ連続している他の実施の形態の放電電流Ｉ４の特性図を示す。
【００６１】
図４の特性図はいずれも、縦軸は放電電流Ｉ４の値を示し、横軸は時間ｔを示す。
【００６２】
このように、放電電流一定で不連続な放電を行ったり、放電電流が変化しつつ連続している場合においても、図３に示す状態と同様に従来に比べると放電時間を大幅に短縮することができる。
【００６３】
以上、説明したように、本実施の形態によればレーザダイオードの発光安定状態から完全に消光するまでの時間を大幅に短縮することができ、時分割多重通信に使用した場合に、他のレーザダイオードの発光の立ち上がりに妨害を与えないレーザダイオードの発光、消光を得られる優れた効果を発揮する。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
本発明の実施の形態は、光出力制御回路のみならず、時定数回路を用いた各種電気電子回路に適用することができる産業上の利用可能性を有する。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の実施の形態である光出力制御回路を示す構成図である。
【図２】本発明の実施の形態である光出力制御回路を並列接続した状態を示す構成図である。
【図３】本発明の実施の形態である光出力制御回路各部の状態及び他の光出力制御回路の光出力パワの状態を示す特性図である。
【図４】本発明に係る強制的な放電の実施の形態及び他の実施の形態における放電電流の状態を示す特性図である。
【図５】従来技術の制御回路を示す構成図である。
【図６】従来技術の制御回路を並列接続した状態を示す構成図である。
【図７】従来技術の制御回路の各部の状態及び他の制御回路の光出力パワの状態を示す特性図である。
【符号の説明】
【００６６】
１  光出力制御回路
ＡＭＰ１  増幅器
Ｃ１  キャパシタ
ＣＫＴ１  放電回路
ＣＫＴ２  時定数回路
ＣＴＬ  制御信号
Ｅ１、Ｅ２  電源
Ｉ１〜Ｉ４  電流
ＬＤ１  レーザダイオード
ＬＤＭ１  レーザダイオードモジュール
Ｐ１  光出力パワ
ＰＤ１  フォトダイオード
Ｑ１、Ｑ２  トランジスタ
Ｒ１〜Ｒ６  固定抵抗器
Ｓ１  半導体スイッチ
Ｖ１〜Ｖ４  電圧
【図１】
2005252084.tif 000003
【図２】
2005252084.tif 000004
【図３】
2005252084.tif 000005
【図４】
2005252084.tif 000006
【図５】
2005252084.tif 000007
【図６】
2005252084.tif 000008
【図７】
2005252084.tif 000009