(57)【要約】【課題】基板本体の側面に導電性、信頼性、および外部との絶縁性に優れた導体を有する多層セラミック基板、当該多層セラミック基板を複数有するユニットセラミック基板、およびこれらを確実且つ効率良く得るための製造方法を提供する。【解決手段】複数のセラミック層ｚ１〜ｚ６が一体に積層され且つ表面３および裏面４を有する基板本体２と、基板本体２の側面６，７において該基板本体２の厚み方向に沿って形成された凹部８と、上記基板本体２の表面３および裏面４に形成され且つ上記凹部８の端部から表面３および裏面４に沿って形成された外部電極１１，１２と、を備え、上記凹部８は、内壁面の開口部寄りに位置する一対の非導体部９と、かかる一対の非導体部９に挟まれ且つ上記基板本体２の厚み方向に沿って形成された凹部導体１０とを有し、該凹部導体１０は、外部電極１１，１２の少なくとも一方と接続されている、多層セラミック基板１。【選択図】  図２
2005243750.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセラミック層が一体に積層され且つ表面および裏面を有する基板本体と、
上記基板本体における少なくとも１つの側面において当該基板本体の厚み方向に沿って形成された凹部と、
上記基板本体の表面および裏面の少なくとも一方に形成され且つ上記凹部の端部から表面および裏面の少なくとも一方に沿って形成された外部電極と、を備え、
上記凹部は、内壁面の開口部寄りに位置する一対の非導体部と、かかる一対の非導体部に挟まれ且つ上記基板本体の厚み方向に沿って形成された凹部導体と、を有し、かかる凹部導体は、上記表面および裏面の少なくとも一方の外部電極と接続されている、
ことを特徴とする多層セラミック基板。
【請求項２】
前記凹部は、前記基板本体の表面および裏面の少なくとも一方に露出して形成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の多層セラミック基板。
【請求項３】
前記外部電極の幅は、前記凹部導体の幅と同じか、若しくはかかる幅よりも大である、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の多層セラミック基板。
【請求項４】
追って製品単位である前記多層セラミック基板になる単位セラミック基板部分を平面方向に沿って複数有するユニット本体と、
上記ユニット本体において隣接する単位セラミック基板部分の間に位置する切断予定線と交差し且つ当該ユニット本体の表面と裏面との間を貫通する貫通孔、および、上記切断予定線と交差し且つ上記表面または裏面に開口する有底穴の少なくとも一方と、
上記貫通孔または有底穴の内壁面おいて、上記切断予定線を挟んだ位置で且つかかる切断予定線から離れた位置に形成された一対の凹部導体と、
上記単位セラミック基板部分の表面および裏面の少なくとも一方において、上記凹部導体の端部と接続されて形成された外部電極と、を含む、
ことを特徴とするユニットセラミック基板。
【請求項５】
表面および裏面の少なくとも一方に外部電極または内部配線層が形成された複数のグリーンシートを積層して積層体を形成する工程と、
上記積層体おいて追って製品単位である多層セラミック基板になる複数の単位積層部分の間に位置する切断予定線と交差し且つ当該積層体の表面と裏面との間を貫通する貫通孔、および、上記切断予定線と交差し且つ上記表面または裏面に開口する有底穴の少なくとも一方を形成する工程と、
上記貫通孔または有底穴の内壁面おいて、上記切断予定線を挟み且つかかる切断予定線から離れた位置に一対の凹部導体を形成する工程と、
上記積層体を焼成する工程と、を含む、
ことを特徴とするユニットセラミック基板の製造方法。
【請求項６】
前記一対の凹部導体は、前記積層体における最上層および最下層のグリーンシートの表面の少なくとも一方に形成された外部電極と接続されている、
請求項５に記載のユニットセラミック基板の製造方法。
【請求項７】
前記一対の凹部導体は、前記積層体の表面または裏面に配置され且つ前記貫通孔および有底穴の少なくとも一方における開口部に、前記切断予定線の付近を除き且つ当該開口部とこれに隣接する積層体の表面または裏面とを併せて覆う一対のパターン孔を有するスクリーンマスクを接触させると共に、かかるスクリーンマスクを介して導電性ペーストをスクリーン印刷することで形成される、
請求項５または６に記載のユニットセラミック基板の製造方法。
【請求項８】
前記一対の凹部導体は、前記積層体の表面または裏面に配置され且つ前記貫通孔における前記開口部と反対側の開口部に、前記スクリーンマスクにおける一対のパターン孔に対向する一対の透孔を有する吸引板を接触させると共に、かかる一対の透孔から貫通孔内を吸引した状態で前記スクリーン印刷することにより形成される、請求項７に記載のユニットセラミック基板の製造方法。
【請求項９】
請求項５に記載の前記積層体を形成する工程と、
請求項５に記載の前記貫通孔および有底穴の少なくとも一方を形成する工程と、
請求項５乃至８の何れか一項に記載の前記一対の凹部導体を形成する工程と、
請求項５に記載の前記積層体を焼成する工程と、含み、
上記焼成工程の後において、前記切断予定線に沿って前記積層体を切断して複数の多層セラミック基板に分割する工程を更に有する、
ことを特徴とする多層セラミック基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミックからなる基板本体の側面に開口する凹部内に当該基板本体の表面や裏面に位置する外部電極と導通する凹部導体を有する多層セラミック基板、およびかかる多層セラミック基板を複数有するユニットセラミック基板、ならびにこれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
技術の高度化および複雑化に応じて、複数のセラミック層を一体に積層し且つ内部に配線層を有する多層セラミック基板についても、その小型化および電気的信頼性の向上が求められている。このため、セラミック製の多層基板における内部の配線層と表面または裏面の外部電極とを導通するため、何れかのセラミック層を貫通するビア導体を用いるほか、セラミック製の基板本体の側面に開口する凹部内に形成した導体を用いて上記導通を取る積層電子部品およびその製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開平８−３７２５１号公報（第１〜６頁、図１〜３）
【０００４】
前記特許文献１の製造方法は、セラミック製の複数の絶縁シートを積層して、追って複数の積層電子部品（多層セラミック基板）となるセラミック基板部分を複数有する親積層体を形成し、各セラミック基板部分を区画する切断線に沿って当該切断線と直交する長方形断面のビアホール（貫通孔）を複数形成する。このビアホール内に同じ長方形断面の導体を充填し、当該導体の中央付近を親積層体の厚み方向に沿ってドリル加工して上記導体を２つに分断した後、切断線に沿って親積層体を切断することで、側面に開口する凹部内および積層電子部品の表面や裏面に露出するほぼ直方体の外部電極を有する複数の積層電子部品を得ている。
【０００５】
しかしながら、前述した製造方法では、長方形断面の導体における中央分をドリル加工する際、当該導体が剥離ないし抜け落ちするおそれがあるほか、ドリル加工の跡に形成されるスルーホールの内面に露出する分断された２つの外部導体の表面にバリが生じる。このため、当該外部導体の電気的信頼性および隣接する凹部の内壁面との絶縁性が損なわれるおそれもあった。特に、上記バリが生じることで、親積層体の状態において個別の積層電子部品ごとにおける電気的特性の測定に対する信頼性を損なうおそれがあるため、生産性の点でも問題があった。加えて、ドリル加工により導体の一部が切除されてムダになる問題もあった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、前述した背景技術における問題点を解決し、基板本体の側面に導電性などの電気的信頼性、および外部との絶縁性に優れた導体を有する多層セラミック基板、かかる多層セラミック基板を複数有するユニットセラミック基板、およびこれらを確実且つ効率良く得るための製造方法を提供する、ことを課題とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するため、セラミックからなる基板本体の側面に開口する凹部の内壁面に一対の非導体部とこれらに挟まれ且つ当該凹部の奥側に位置する凹部導体とを形成し、かかる凹部導体に接続する外部電極を基板本体の表面や裏面に形成する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の多層セラミック基板（請求項１）は、複数のセラミック層が一体に積層され且つ表面および裏面を有する基板本体と、かかる基板本体における少なくとも１つの側面において当該基板本体の厚み方向に沿って形成された凹部と、上記基板本体の表面および裏面の少なくとも一方に形成され且つ上記凹部の端部から表面および裏面の少なくとも一方に沿って形成された外部電極と、を備え、上記凹部は、内壁面の開口部寄りに位置する一対の非導体部と、かかる一対の非導体部に挟まれ且つ上記基板本体の厚み方向に沿って形成された凹部導体と、を有し、かかる凹部導体は、上記表面および裏面の少なくとも一方の外部電極と接続されている、ことを特徴とする。
【０００８】
これによれば、前記凹部導体は、凹部の内壁面における一対の非導体部に挟まれた奥寄りの位置に形成され、且つ後述するようにスクリーン印刷で形成されているため、導電性および周囲との絶縁性に関する信頼性が高くなる。このため、かかる凹部導体を介して基板本体の内部配線層と外部電極とが確実に導通できるので、基板本体の表面に実装するＩＣチップなどの電子部品との導通が確実に取れ、あるいは当該多層セラミック基板自体を搭載するマザーボードなどのプリント基板との導通も確実に取ることが可能となる。しかも、基板本体の平面方向に沿って凹部導体の幅を狭くすることも容易なため、多数の凹部導体およびこれに接続される外部電極を形成できるので、当該多層セラミック基板の小型化や高性能化にも寄与し得る。
尚、前記多層セラミック基板の凹部導体は、スクリーン印刷により形成された凹部導体とすることも可能である。また、前記凹部の断面形状には、前記基板本体の厚み方向に沿って、ほぼ半円形、半長円形、半楕円形、あるいは、内隅にアール（Ｒ）面を有するほぼ正方形またはほぼ長方形などが含まれる。
【０００９】
また、本発明には、前記凹部は、前記基板本体の表面および裏面の少なくとも一方に露出して形成されている、多層セラミック基板（請求項２）も含まれる。
これによれば、凹部は、前記基板本体の側面における厚み方向に沿った全長に形成され且つ基板本体の表面および裏面の双方に露出するか、あるいは、基板本体の側面における厚み方向に沿った中間から基板本体の表面または裏面に向かって形成されている。このため、基板本体に内蔵される配線層と導通すべき位置に応じて任意の位置で凹部および凹部導体が形成されているため、外部電極と内部の配線層との導通を、比較的短い経路で且つ安定して取ることが可能となる。
【００１０】
更に、本発明には、前記外部電極の幅は、前記凹部導体の幅と同じか、若しくはかかる幅よりも大である、多層セラミック基板（請求項３）も含まれる。
これによれば、幅が比較的狭く外部との不用意な導通を生じにくい凹部導体を介して、幅広の外部電極と基板本体の内部配線層との導通を確実に且つ安定して取ることが可能となる。尚、上記幅は、前記基板本体の平面方向に沿った方向における外部電極または凹部導体の寸法を指す。
【００１１】
加えて、本発明のユニットセラミック基板（請求項４）は、追って製品単位である前記多層セラミック基板になる単位セラミック基板部分を平面方向に沿って複数有するユニット本体と、かかるユニット本体において隣接する単位セラミック基板部分の間に位置する切断予定線と交差し且つ当該ユニット本体の表面と裏面との間を貫通する貫通孔、および、上記切断予定線と交差し且つ上記表面または裏面に開口する有底穴の少なくとも一方と、上記貫通孔または有底穴の内壁面おいて、上記切断予定線を挟んだ位置で且つかかる切断予定線から離れた位置に形成された一対の凹部導体と、上記単位セラミック基板部分の表面および裏面の少なくとも一方において、上記凹部導体の端部と接続されて形成された外部電極と、を含む、ことを特徴とする。
【００１２】
これによれば、多層セラミック基板になる単位セラミック基板部分同士の間において、切断予定線を挟んだ貫通孔または有底穴における内壁面の両側に位置する一対の凹部導体間の電気的導通は生じず、確実に絶縁されている。この結果、単位セラミック基板部分ごとにおける電気的特性を正確に測定できるため、製品全体の検査工程を効率良く迅速に行うことが可能となる。
尚、前記ユニットセラミック基板は、複数の多層セラミック基板を併有する、いわゆる多数個取り用の大判のセラミック基板である。また、前記ユニット本体の厚み方向に沿った貫通孔および有底穴の形状は、ほぼ円形、長円形、楕円形、あるいは、内隅にアール（Ｒ）面を有するほぼ正方形またはほぼ長方形などが含まれる。
【００１３】
一方、本発明のユニットセラミック基板の製造方法（請求項５）は、表面および裏面の少なくとも一方に外部電極または内部配線層が形成された複数のグリーンシートを積層して積層体を形成する工程と、かかる積層体おいて追って製品単位である多層セラミック基板になる複数の単位積層部分の間に位置する切断予定線と交差し且つ当該積層体の表面と裏面との間を貫通する貫通孔、および、上記切断予定線と交差し且つ上記表面または裏面に開口する有底穴の少なくとも一方を形成する工程と、上記貫通孔または有底穴の内壁面おいて、上記切断予定線を挟み且つかかる切断予定線から離れた位置に一対の凹部導体を形成する工程と、上記積層体を焼成する工程と、を含む、ことを特徴とする。
【００１４】
これによれば、前述したユニットセラミック基板を確実且つ効率良く製造することが可能となる。尚、後述するように、切断予定線に沿って貫通孔または有底穴を切断することで、一対の前記凹部および一対の凹部導体を、製品単位の多層セラミック基板ごとの側面に分離して形成することができる。また、前記有底穴は、複数のグリーンシートを積層した部分積層体を貫通する貫通孔を形成した後、貫通孔のない別の部分積層体を更に積層することで形成することができる。
【００１５】
また、本発明には、前記一対の凹部導体は、前記積層体における最上層および最下層のグリーンシートの表面の少なくとも一方に形成された外部電極と接続されている、ユニットセラミック基板の製造方法（請求項６）も含まれる。
これによれば、切断予定線を挟んで隣接する単位積層部分ごとに、凹部導体と外部電極とが接続される。このため、焼成後において、上記外部電極を介することで、ユニットセラミック基板の状態で、製品単位の多層セラミック基板となる単位積層部分ごとに、電気的特性の測定を確実に行うことが可能となる。
【００１６】
更に、本発明には、前記一対の凹部導体は、前記積層体の表面または裏面に配置され且つ前記貫通孔および有底穴の少なくとも一方における開口部に、前記切断予定線の付近を除き且つ当該開口部とこれに隣接する積層体の表面または裏面とを併せて覆う一対のパターン孔を有するスクリーンマスクを接触させると共に、かかるスクリーンマスクを介して導電性ペーストをスクリーン印刷することで形成される、ユニットセラミック基板の製造方法（請求項７）も含まれる。
これによれば、凹部導体は、上記スクリーンマスクのパターン孔を介して、貫通孔または有底穴の内壁面に所定の幅で精度良くスクリーン印刷された後、前記焼成工程にて焼結される。この結果、焼結後の凹部導体にはバリのような突出部を生じないため、ユニットセラミック基板の状態で、単位積層部分ごとに電気的特性の測定を確実且つ効率良く行える。しかも、一対の凹部導体は、導電性ペーストをスクリーン印刷して形成されるため、その素材を無駄なく活用できる。
尚、パターン孔は、積層体の表面または裏面に臨む部分を長方形とし、且つ貫通孔または底有穴に臨む部分のみを小さな矩形孔とする形態にすることで、外部電極の幅よりも狭い幅の凹部導体を確実にスクリーン印刷できる。
【００１７】
加えて、本発明には、前記一対の凹部導体は、前記積層体の表面または裏面に配置され且つ前記貫通孔における前記開口部と反対側の開口部に、前記スクリーンマスクにおける一対のパターン孔に対向する一対の透孔を有する吸引板を接触させると共に、かかる一対の透孔から貫通孔内を吸引した状態で前記スクリーン印刷することにより形成される、ユニットセラミック基板の製造方法（請求項８）も含まれる。
これによれば、前記積層体の厚み方向に沿った距離が長い貫通孔内における一対の凹部導体であっても、吸引板側からの上記吸引により、スクリーンマスク側から導電性ペーストを所定の幅をもって確実にスクリーン印刷することが可能となる。
【００１８】
また、本発明の多層セラミック基板（請求項９）は、前記積層体を形成する工程と、前記貫通孔および有底穴の少なくとも一方を形成する工程と、前記一対の凹部導体を形成する工程と、前記積層体を焼成する工程と、含み、かかる焼成工程の後において、前記切断予定線に沿って前記積層体を切断して複数の多層セラミック基板に分割する工程を更に有する、ことを特徴とする。
これによれば、前述した利点を有する複数の多層セラミック基板を、効率良く量産することができる。尚、上記切断は、例えばダイシング加工にて行われる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下において、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
図１は、本発明における１形態の多層セラミック基板１の外観を示す斜視図、図２は、図１中のＸ−Ｘ線に沿った矢視における部分断面図である。
多層セラミック基板１は、図１，２に示すように、平面視が長方形で且つ全体が直方体を呈する基板本体２、かかる基板本体２の長辺の側面６と短辺の側面７とに形成された複数の凹部８、および上記基板本体２の表面３と裏面４とに形成された外部電極１１，１２を備えている。表面３の外部電極１１は、当該表面３の上方に実装される図示しないＩＣチップとの接続に用いられ、裏面４の外部電極１２は、図示しないマザーボードなどのプリント基板との接続に用いられる。
【００２０】
基板本体２は、図２に示すように、厚みが約１５０〜２５０μｍである複数のセラミック層ｚ１〜ｚ６を一体に積層したもので、かかるセラミック層ｚ１〜ｚ６間に所定パターンの配線層１３〜１７を内蔵すると共に、これらの間を導通するビア導体ｖがセラミック層ｚ２〜ｚ５を貫通している。
尚、外部電極１１，１２、配線層１３〜１７、およびビア導体ｖは、Ａｇを主成分とする焼結体からなる。また、ビア導体ｖには、セラミック層ｚ１〜ｚ６を貫通する形態（図示せず）も含まれる。
凹部８は、図１，２に示すように、平面視がほぼ半円形を呈し且つ基板本体２の表面３および裏面４に露出すると共に、その内壁面の開口部寄りに位置する一対の非導体部９と、かかる非導体部９，９間に挟まれた内壁面の奥寄りで且つ基板本体２の厚み方向に沿って形成されたＡｇを主成分とする導体からなる凹部導体１０と、を有する。
【００２１】
上記凹部導体１０は、基板本体２の平面方向に沿って緩くカーブした円弧形の断面を有し、この断面における幅は、外部電極１１，１２の幅と同じか、この幅よりも若干狭い。かかる凹部導体１０の上・下端は、外部電極１１，１２と個別に接続される。更に、凹部導体１０は、配線層１３〜１７の少なくとも１つとも接続されている。
因みに、凹部８における前記側面６，７での開口部の幅は約３００μｍ、凹部導体１０の幅は約２００μｍ、外部電極１１，１２の幅は約３００μｍである。
【００２２】
図３は、異なる形態の多層セラミック基板１ａの外観を示す斜視図、図４は、図３中のＹ−Ｙ線に沿った矢視における部分断面図である。尚、以下において、前記形態と同じ部分や要素には、前記形態と共通の符号を用いる。
多層セラミック基板１ａは、図３，４に示すように、前記同様の基板本体２ａ、かかる基板本体２ａの長辺の側面６と短辺の側面７とに形成された複数の凹部１８、および上記基板本体２の裏面４に形成された外部電極１２を備えている。かかる外部電極１２は、多層セラミック基板１ａ自体を実装する図示しないマザーボードなどとの接続に用いられる。
基板本体２ａも、図４に示すように、一体に積層した複数のセラミック層ｚ１〜ｚ６からなり、これらの間に所定パターンの配線層１３〜１７を内蔵すると共に、これらの間を導通するビア導体ｖがセラミック層ｚ１〜ｚ５を貫通している。かかる基板本体２ａの表面３には、最下層のセラミック層ｚ１を貫通するビア導体ｖと接続する外部電極１９が形成されている。かかる外部電極１９は、表面３に実装されるＩＣチップなどの電子部品との接続に活用される。
【００２３】
凹部１８は、図３，４に示すように、平面視がほぼ半円形を呈し且つ基板本体２ａの裏面４にのみ露出する。即ち、凹部１８は、基板本体２における上方のセラミック層ｚ４〜ｚ６にのみ形成され、下方のセラミック層ｚ１〜ｚ３には形成されていない。かかる凹部１８も、その内壁面の開口部寄りに位置する一対の非導体部９と、かかる非導体部９，９間に挟まれた内壁面の奥寄りで且つ基板本体２ａの厚み方向に沿って形成された凹部導体１０とを有する。
図３，４に示すように、凹部導体１０の上端は、外部電極１２と接続されると共に、配線層１５〜１７の少なくとも１つとも接続されている。
尚、多層セラミック基板１ａにおいて、凹部１８を基板本体２ａにおける下方のセラミック層ｚ１〜ｚ３に設けて基板本体２の表面３のみに露出する形態とし、裏面４には、別の外部電極を配設する形態としても良い。また、同じ基板本体２ａにおいて、基板本体２の表面３と裏面４とに個別に露出する凹部１８を併有する形態としても良い。更に、同じ基板本体２，２ａにおいて、側面６，７に凹部８と凹部１８とを併有する形態とすることもできる。
【００２４】
前述したような多層セラミック基板１，１ａによれば、凹部導体１０は、凹部８，１８の内壁面における一対の非導体部９に挟まれた奥寄りの位置に形成されているため、導電性および周囲との絶縁性に関する信頼性が高くなる。このため、かかる凹部導体１０を介して、基板本体２，２ａ内の配線層１３などと外部電極１１，１２とが確実に導通できるので、基板本体２の表面３に実装するＩＣチップなどの電子部品との導通が確実に取れ、あるいは多層セラミック基板１ａ自体が搭載されるマザーボードなどとの導通も確実に取れる。しかも、基板本体２，２ａの側面６，７に沿った凹部８，１８および凹部導体１０の幅を狭くできるため、多数の凹部導体１０およびこれに接続される外部電極１１，１２を形成できるので、当該多層セラミック基板１，１ａの小型化や高性能化にも寄与し得る。
特に、多層セラミック基板１ａでは、基板本体２ａ内の配線層１５などと導通すべき位置に応じて任意の位置に凹部１８および凹部導体１０を形成できるため、外部電極１２と配線層１５などとの導通を、比較的短い経路で且つ安定して取ることが可能となる。
【００２５】
ここで、前記多層セラミック基板１の製造方法およびこれを得るためのユニットセラミック基板の製造方法を図５〜図１１によって説明する。
図５は、平面視が長方形である複数のグリーンシートｓ１〜ｓ６を厚み方向に沿って積層し熱圧着（積層工程）して得られた積層体（ユニット本体）Ｓを示す。大判のグリーンシートｓ１〜ｓ６は、ガラス粉末、アルミナ粉末、およびバインダ樹脂などを混合して得たセラミックスラリをドクターブレード法により、約１５０〜２５０μｍの厚みのシート状に成形したものである。尚、グリーンシートｓ２〜ｓ６の表面には、予めＡｇ粉末を含む導電性ペーストを所定のパターンでスクリーン印刷した前記配線層１３〜１７（図示せず）が形成されている。
【００２６】
また、積層体Ｓは、図５に示すように、製品単位である多層セラミック基板１に追ってなる複数（本実施形態では４個）の単位積層部分Ｋを有すると共に、これらの境界および外周に沿って複数の切断予定線Ｃが直交するように予め設定されている。複数の単位積層部分Ｋの周囲には、矩形枠状の耳部ｍが位置する。
次に、図５に示すように、切断予定線Ｃと直角に交差し且つ積層体Ｓの表面３と裏面４との間を貫通する平面視が長円形の貫通孔２０が、所定の位置にプレスによる打ち抜き加工で複数個形成される。かかる加工は、切断予定線Ｃが貫通孔２０の長軸方向における中央付近を交差するようにして行われる。因みに、貫通孔２０の長軸方向の長さは約６００μｍ、短軸方向の長さは約３００μｍである。尚、貫通孔２０の内壁面には、前記配線層１３などの一部分が露出している。
【００２７】
次いで、各貫通孔２０の長軸方向における両端の内壁面に一対の前記凹部導体１０を形成する工程を行う。このため、図６に示すように、各貫通孔２０における表面３側の開口部にスクリーンマスク２２を、裏面４側の開口部に吸引板２６を個別に接触させる。
上記スクリーンマスク２２は、厚みが約８０μｍのメッシュスクリーンからなり、図６に示すように、貫通孔２０ごとに対し、切断予定線Ｃの付近を覆う架橋部２３と、その両側で対称に位置し且つ貫通孔２０の長軸方向における両端部寄りと、かかる貫通孔２０の長軸方向に沿った積層体Ｓの表面３とを露出させる一対のパターン孔２４とを有する。かかるパターン孔２４は、平面視が長方形で且つ前記架橋部２３に隣接する辺には、小さな矩形孔２５を併有している。
【００２８】
前記吸引板２６は、ステンレス鋼などの金属薄板からなり、図６に示すように、貫通孔２０ごとに対し、切断予定線Ｃの付近を覆う架橋部２７と、その両側で対称に位置し且つ平面視がほぼ半円形を呈する一対の透孔２８とを有する。尚、透孔２８は、楕円形状であっても良い。
図７の概略図で示すように、１つの貫通孔２０に対し、スクリーンマスク２２における一対のパターン孔２４のうち矩形孔２５およびこれに隣接する部分は、貫通孔２０の長軸方向における両端付近を覆うと共に、パターン孔２４の大部分は、貫通孔２０の長軸方向の両端から延びる積層体Ｓの表面３を露出させる。
また、図７の概略図で示すように、吸引板２６における一対の透孔２８は、貫通孔２０における長軸方向の両端寄りの位置を覆うと共に、それらの外側に隣接する積層体Ｓの裏面４を露出させる。
【００２９】
図８は、積層体Ｓの表面３にスクリーンマスク２２を、積層体Ｓの裏面４に吸引板２６を、それぞれ図７で示した位置関係を前提として接触させた状態を示す垂直断面図である。図８中の二点鎖線の矢印で示すように、吸引板２６における一対の透孔２８を介して、貫通孔２０内のエアを下向きに吸引する。
かかる状態で、図８中の実線の矢印で示すように、スクリーンマスク２２の表面に沿って斜め姿勢にしたスキージ２９を摺動させ、Ａｇ粉末を含む導電性ペーストｐをスクリーン印刷する。この際、導電性ペーストｐは、スクリーンマスク２２における一対のパターン孔２４を通じて積層体２の表面３に印刷され、図９，１０に示すように、貫通孔２０の長軸方向の両端に隣接する表面３に、一対の外部電極１１を形成する。
【００３０】
また、スキージ２９に押された導電性ペーストｐは、貫通孔２０の長軸方向における両端の内壁面付近において、各パターン孔２４の矩形孔２５を介して、上記エアの吸引力により貫通孔２０側に吸引され、図９，１０に示すように、貫通孔２０の長軸方向における両端の内壁面に矩形孔２５の幅で塗布される。
次いで、図８とは逆に、スクリーンマスク２２を積層体Ｓの裏面４に、積層体Ｓの表面３に吸引板２６を、それぞれ前記図７で示した位置関係を前提として接触させて、前記同様のスクリーン印刷を行う。この結果、スキージ２９で押された導電性ペーストｐは、スクリーンマスク２２の各パターン孔２４を通じて積層体２の裏面４に印刷され、貫通孔２０の長軸方向の両端に隣接する裏面４に、一対の外部電極１２を形成する。
【００３１】
更に、上記導電性ペーストｐは、貫通孔２０の長軸方向における両端の内壁面付近において、各パターン孔２４の矩形孔２５を介して、前記エアの吸引力により貫通孔２０側に吸引され、上記両端の内壁面に矩形孔２５の幅で塗布される。かかる導電性ペーストｐは、先に表面３側から塗布された導電性ペーストｐと相まって、図９，１０に示すように、切断予定線Ｃを挟んだ貫通孔２０における長軸方向の両端におけるカーブした内壁面に、前記外部電極１１，１２と接続され且つこれらの幅よりも狭い一対の凹部導体１０となる。かかる凹部導体１０は、その両側に上記貫通孔２０の内壁面である一対の非導体部９に挟まれると共に、グリーンシートｓ１〜ｓ６間に位置する前記配線層１５などとも接続される。
【００３２】
次に、上記一対の凹部導体１０、それらの両側の非導体部９、および前記外部電極１１，１２を各貫通孔２０ごとに形成した積層体Ｓを、図示しない焼成炉に挿入した後、前記グリーンシートｓ１〜ｓ６の焼成温度（約８５０℃）に加熱して約２時間にわたり焼成する（焼成工程）。
その結果、図９に示すように、焼成された複数の単位積層部分Ｋを併有する本発明のユニットセラミック基板（大判のセラミック基板）Ｕが得られる。
更に、切断予定線Ｃに沿ってダイシング加工によりユニットセラミック基板Ｕを切断し、単位積層部分Ｋごとに分割する（切断工程）。
その結果、単位積層部分Ｋは、前記図１で示した多層セラミック基板１になると共に、その基板本体２における側面６（７）には、図１１に示すように、前記貫通孔２０を分割した凹部８が形成される。かかる凹部８の内壁面には、側面６（７）寄りに位置する一対の非導体部９と、これらに挟まれて基板本体２の厚み方向に沿い且つ表面３の外部電極１１および裏面４の外部電極１２と接続する凹部導体１０とが形成されている。
【００３３】
以上のようなユニットセラミック基板Ｕの製造方法によれば、凹部導体１０は、前記スクリーンマスク２２のパターン孔２４における矩形孔２５を介して、貫通孔２０の内壁面に所定の幅で精度良くスクリーン印刷された後に、焼結される。この結果、焼結後の凹部導体１０にはバリのような突出部がないため、ユニットセラミック基板Ｕの状態で、単位積層部分Ｋごとに電気的特性の測定を確実に行うことができる。
また、上記ユニットセラミック基板Ｕを切断して複数の多層セラミック基板１とする製造方法によれば、幅の狭い凹部導体１０を介して配線層１３などと外部電極１１，１２との導通が正確に取れ、且つ基板本体２の表面３に実装する電子部品との導通も比較的短い経路で確実に取れる信頼性の高い多層セラミック基板１を効率良く製造することができる。
【００３４】
次いで、前記多層セラミック基板１ａの製造方法を図１２〜１４にて説明する。
図１２の上方に示すように、グリーンシートｓ４〜ｓ６を厚み方向に沿って積層し熱圧着して部分積層体Ｓ２を得る。尚、グリーンシートｓ４〜ｓ６間には、Ａｇ粉末を含む導電性ペーストを所定のパターンで予めスクリーン印刷した前記配線層１６，１７が形成され、且つ最下層のグリーンシートｓ４の裏面に配線層１５が形成される。別途に、層間に配線層１３，１４を配置したグリーンシートｓ１〜ｓ３を厚み方向に沿って積層し熱圧着して部分積層体Ｓ１を得ると共に、最下層のグリーンシートｓ１の表面３には、前記外部電極１９を形成する。
次に、部分積層体Ｓ２における前記同様に複数の単位積層部分Ｋ，Ｋ間の切断予定線Ｃに沿って、図１２の上方に示すように、かかる切断予定線Ｃと直角に交差する複数の浅い貫通孔２０′を所定の位置に形成する。かかる部分積層体Ｓ２の各貫通孔２０′ごとの表面と裏面４とに対し、前記図７で示した位置関係になるように、前記スクリーンマスク２２と吸引板２６とを接触させ、前記同様にスキージ２９を用いて導電性ペーストｐをスクリーン印刷する。
【００３５】
その結果、導電性ペーストｐは、図１２に示すように、貫通孔２０′における長軸方向の両端に隣接する部分積層体Ｓ２の裏面４において外部電極１２となる。同時に、導電性ペーストｐは、貫通孔２０′の長軸方向における両端の内壁面付近にて、各パターン孔２４の矩形孔２５を介して、前記エアの吸引力により貫通孔２０′側に吸引され、前記図９，１０で示したと同様に、貫通孔２０′の長軸方向における両端の内壁面に矩形孔２５の幅で塗布される。
次いで、前記図８とは逆に、スクリーンマスク２２を部分積層体Ｓ２の表面に、部分積層体Ｓ２の裏面４に吸引板２６を、それぞれ前記図７で示した位置関係を前提として接触させ、前記同様のスクリーン印刷を行う。この結果、導電性ペーストｐは、スクリーンマスク２２の各パターン孔２４を通じて部分積層体Ｓ２の裏面に印刷され、貫通孔２０′の長軸方向の両端に隣接する部分積層体Ｓ２の表面に、配線層１５の一部または内部電極を形成する。
【００３６】
同時に、導電性ペーストｐは、先に部分積層体Ｓ２の裏面４側から塗布された導電性ペーストｐと相まって、切断予定線Ｃを挟んだ貫通孔２０′における長軸方向の両端におけるカーブした内壁面において、前記外部電極１２と接続され且つその幅よりも狭い一対の凹部導体１０となる。
次に、部分積層体Ｓ２と部分積層体Ｓ１とを積層し熱圧着して積層体Ｓを形成する（積層体の形成工程）。その結果、図１３に示すように、部分積層体Ｓ２における前記貫通孔２０′は、部分積層体Ｓ１により底面を閉塞された有底穴２１となる。かかる状態で、上記積層体Ｓを前記同様に焼成する（焼成工程）。
これにより、焼成された積層体Ｓ、その単位積層部分Ｋ，Ｋ間の切断予定線Ｃと交差する有底穴２１、一対の凹部導体１０、および一対の外部電極１２とを有するユニットセラミック基板（Ｕ）が得られる。
【００３７】
そして、切断予定線Ｃに沿ってダイシング加工によりユニットセラミック基板（Ｕ）を切断し、単位積層部分Ｋごとに分割する（切断工程）。その結果、単位積層部分Ｋは、前記図３で示した多層セラミック基板１ａになると共に、その基板本体２ａにおける側面６（７）には、図１４に示すように、前記有底穴２１を分割した凹部１８が形成される。かかる凹部１８の内壁面には、側面６（７）寄りに位置する一対の非導体部９と、これらに挟まれて基板本体２の厚み方向に沿い且つ裏面４の外部電極１２と接続する凹部導体１０とが形成されている。
【００３８】
以上のような製造方法によれば、基板本体２ａの裏面４側にのみ露出する凹部１８と、かかる凹部１８の奥側に形成した幅の狭い凹部導体１０とを有し、かかる凹部導体１０を介して、外部電極１２と配線層１５などとの導通が安定して取れると共に、単位積層部分Ｋごとに測定が可能なユニットセラミック基板（Ｕ）を確実に得ることができる。更に、これを切断予定線Ｃに沿って切断することで、多層セラミック基板１ａを確実且つ効率良く得ることができる。
尚、凹部１８は、基板本体２ａの表面３側にのみ露出し、且つその奥側に形成する凹部導体１０も基板本体２ａの表面３に形成する前記外部電極１１と接続する形成としても良い。かかる形態を得るには、前記部分積層体Ｓ１のみに貫通穴２０′、凹部導体１０、および外部電極１１を形成する。
【００３９】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
例えば、前記積層体Ｓや基板本体２，２ａは、２層以上のグリーンシートまたはセラミック層によって形成しても良い。
また、基板本体２，２ａの厚み方向に沿った形状は、正方形でも良く、その何れかの側面６，７に凹部８，１８および凹部導体１０を有する形態も含まれる。
更に、グリーンシートは、アルミナを主成分とするものに限らず、ムライト、窒化アルミニウム、またはガラスセラミックを主成分とするものとしても良い。
また、前記スクリーンマスク２２における一対のパターン孔２４を、単純な長方形として、凹部導体１０と外部電極１１，１２との幅を同じとしても良く、あるいは長方形以外の形状（パターン）としも良い。
【００４０】
更に、前記積層体Ｓまたは基板本体２，２ａは、その表面３寄りに位置する単数または複数のグリーンシートまたはセラミック層に上向きに開口するキャビティを有する形態とすることも可能である。
また、同じ基板本体２ａにおいて、その表面３のみ露出する凹部１８と裏面４のみ露出する凹部１８とを併有し、それらの内壁面に凹部導体１０を有する多層セラミック基板も本発明に含まれる。あるいは、基板本体２，２ａにおいて、凹部８と凹部１８とを併有する形態とすることも可能である。
更に、前記配線層１３などやビア導体ｖは、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕなどの金属、またはＡｇ−Ｃｕ、Ｃｕ−Ｗ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔなどの合金としても良い。
また、外部電極１１，１２の表面には、ＮｉメッキやＡｕメッキを施しても良い。
加えて、前記導電性ペーストｐは、前記Ａｇ粉末のほか、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ粉末、あるいは、Ａｇ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔ、Ｃｕ−Ｗ合金の粉末を含んでいても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明における１形態の多層セラミック基板を示す斜視図。
【図２】図１中のＸ−Ｘ線に沿った矢視における部分断面図。
【図３】異なる形態の多層セラミック基板を示す斜視図。
【図４】図３中のＹ−Ｙ線に沿った矢視における部分断面図。
【図５】図１の多層セラミック基板の製造方法における１工程を示す概略図。
【図６】上記製造方法に用いるスクリーンマスクと吸引板とを示す斜視図。
【図７】上記スクリーンマスクと吸引板と貫通孔との位置関係を示す概略図。
【図８】図５に続く製造工程を示す概略図。
【図９】以上の各工程により得られたユニットセラミック基板を示す斜視図。
【図１０】上記ユニットセラミック基板の貫通孔付近を示す斜視図。
【図１１】前記製造方法の切断工程後における凹部付近を示す斜視図。
【図１２】図３の多層セラミック基板の製造方法における１工程を示す概略図。
【図１３】上記製造工程で得られたユニットセラミック基板の有底穴付近を示す斜視図。
【図１４】上記製造方法の切断工程後における凹部付近を示す斜視図。
【符号の説明】
【００４２】
１，１ａ………多層セラミック基板
２，２ａ………基板本体
３………………表面
４………………裏面
６，７…………側面
８，１８………凹部
９………………非導体部
１０……………凹部導体
１１，１２……外部電極
２０，２０′…貫通孔
２１……………有底穴
２２……………スクリーンマスク
２４……………パターン孔
２６……………吸引板
２８……………透孔
Ｓ………………積層体
ｓ１〜ｓ６……グリーンシート
ｚ１〜ｚ６……セラミック層
Ｋ………………単位積層部分
Ｃ………………切断予定線
ｐ………………導電性ペースト
Ｕ………………ユニットセラミック基板
【図１】
2005243750.tif 000003
【図２】
2005243750.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2005243750.tif 000007
【図６】
2005243750.tif 000008
【図７】
2005243750.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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