(57)【要約】【課題】  チッピングの進行を阻止して、半導体チップのダメージを回避するとともに、アルミバリの発生を抑制して金線とのショートを回避する。【解決手段】  ウエハをダイシングライン２に沿ってブレード３により個々の半導体素子１に分離、分割するに際し、ダイシングライン２と半導体素子１との間にレーザー反応物質９を配置し、ブレード３によってウエハを切削した後に、レーザーを照射することにより、レーザー反応物質９を除去することにより、チッピングの進行を阻止する。【選択図】          図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハをダイシングラインに沿って個々の半導体素子に分割する半導体装置の製造方法であって、上記ダイシングラインと半導体素子との間にレーザー反応物質を配置し、ブレードによって上記ウエハを切削した後に、レーザーを照射することにより、上記レーザー反応物質を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
ウエハをダイシングラインに沿って個々の半導体素子に分割する半導体装置の製造方法であって、アルミパッドと基板間にレーザー反応物質を介在させ、レーザーを照射することにより上記レーザー反応物質を消失させてアルミパッドを除去し、その後ブレードによって上記ウエハを切削することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置の製造方法に関するものであり、特に半導体素子が形成されているウエハをダイシングライン上に沿って切削する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ウエハ上に形成された半導体素子を個々の半導体装置に組み立てるために、ウエハを分離、分割する必要があるが、そのために、半導体素子間にはダイシングラインが設けられ、このダイシングラインに沿ってブレードによりウエハを切削していた。
そしてこのダイシングライン上には、ウエハプロセスやウエハテスト時に使用するためにアルミパッドが存在していた。
【０００３】
又、レーザーを照射してダイシングライン上のＰＳＧ膜，メタルパターン，及び基板ウエハの表面を除去し、その後ダイシングを行なって半導体チップに分割し、ボンディング用パッドにワイヤボンディングを行なうものもあった（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−１５４６７０号公報（第５頁，図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の半導体装置の製造方法は以上のようになされていたので、ウエハを切削する際に、ダイシングライン上のアルミパッドの切削抵抗により、チッピングが発生し、これが半導体チップにダメージを与え、不良製品が発生してしまうという問題点があった。
【０００６】
また、アルミパッドがダイシングライン上に存在するために、ブレードでアルミパッドを切削した時アルミバリが発生してしまい、その後の製造過程で半導体素子をダイボンドし、ワイヤボンドする際、アルミバリと金線が接触し、半導体素子が電気的にショートの状態となり、不良製品が発生するという問題点もあった。
【０００７】
更に、上記特許文献１における構造では、基板ウエハの屑、及び溶融したものが飛び散り、これらのものが半導体チップの表面に残ってしまう。
そのためダイボンドする際、半導体チップにダメージを与える原因となり、又、回線パターンを傷つける原因にもなってしまう。
【０００８】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたものであり、レーザーダイシングを用いることにより、チッピングを除去して、半導体チップのダメージを回避するとともに、アルミバリの発生を抑制することにより、金線とのショートを回避することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明の請求項１に係る半導体装置の製造方法は、ウエハをダイシングラインに沿って個々の半導体素子に分割するものであって、ダイシングラインと半導体素子との間にレーザー反応物質を配置し、ブレードによってウエハを切削した後に、レーザーを照射することにより、レーザー反応物質を除去するものである。
【発明の効果】
【００１０】
この発明の請求項１に係る半導体装置の製造方法によれば、ウエハをダイシングラインに沿って個々の半導体素子に分割するものであって、ダイシングラインと半導体素子との間にレーザー反応物質を配置し、ブレードによってウエハを切削した後に、レーザーを照射することにより、レーザー反応物質を除去するようにしたので、チッピングの進行を阻止し、半導体チップがダメージを受けることを回避することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
前提技術．
図１に示すように、ウエハ上に形成された半導体素子１を個々の半導体装置に組み立てるためには、ダイシングライン２に沿ってダイシングする必要がある。ダイシングとは、ダイヤモンド砥粒を埋め込んだ砥石からなるブレード３を高速回転で回転させながらウエハを切削し、半導体素子１に分離，分割することをいう。
又、図２に示すように、ダイシングライン２上には、ウエハプロセスやウエハテスト時に使用するためにアルミパッド４が存在する。
図３は従来からあるアルミパッド４部を示す断面図であり、アルミパッド４とＳｉ基板５の間にレーザーには反応しない層間膜６が存在していた。
【００１２】
図１に示す様に、ウエハを切削する際にダイシングライン２上のアルミパッド４の切削抵抗により、チッピング６が発生し、半導体素子１にダメージを与え、不良品が発生してしまう。
また、図２に示す様に、アルミパッド４がダイシングライン２上に存在するために、図４に示すように、ブレード３でアルミパッド４を切削した時アルミバリ７が発生する。その後、半導体素子１をダイボンドし、ワイヤボンドした際、図５に示すように、アルミバリ７と金線８が接触し、半導体素子１が電気的にショート状態となってしまう。
【００１３】
実施の形態１．
図６はこの発明の実施の形態１による半導体装置の製造方法を示すための平面図であり、図において、ダイシングライン２と半導体素子１との境界線上にレーザー反応物質９を配置したものである。
【００１４】
図１に示すように、ブレード３によりダイシングライン２に沿ってウエハを切削した場合、チッピング（きれはし）６が発生し、これが半導体素子１にダメージを与える可能性があるが、図６に示すように、ブレード３によってウエハを切削した後に、レーザーを照射（一括ＵＶ照射）することにより、レーザー反応物質９を除去することができる。
このようにレーザー反応パターンを除去することにより、チッピング６の進行を阻止することができるので、ブレード３の切削によるチッピング６の半導体素子１への影響を阻止することができ、半導体チップがダメージを受けることを回避することができる。
【００１５】
実施の形態２．
図７はこの発明の実施の形態２による半導体装置の製造方法を示すための平面図、図８，図９はアルミパッド部を示す断面図であり、図において、アルミパッド４とＳｉ基板５の間にレーザー反応物質からなる層間膜１０が介在している。
このようにレーザー波長を吸収する層間膜１０をダイシングライン２のパターン下に配置するものである。
【００１６】
本実施形態においては、ブレード３でウエハを切削する前にレーザーを照射することによりレーザー反応物質である層間膜１０を消失させることができるので、同時に図９に示すように、アルミパッド４を剥離除去することが可能となる。
以上のようにして、アルミパッド４を除去することにより、図５に示すようなアルミバリが発生しなくなるので、ワイヤボンドされた金線８とアルミバリがショートすることを回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】前提技術による半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図２】前提技術による半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図３】アルミパッド部を示す断面図である。
【図４】切削された半導体素子を示す側面図である。
【図５】切削された半導体素子を示す側面図である。
【図６】この発明の実施の形態１による半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図７】この発明の実施の形態２による半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図８】アルミパッド部を示す断面図である。
【図９】アルミパッド部を示す断面図である。
【図１０】切削された半導体素子を示す側面図である。
【符号の説明】
【００１８】
１  半導体素子
２  ダイシングライン
３  ブレード
４  アルミパッド
５  基板
９，１０  レーザー反応物質
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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