(57)【要約】【課題】フォーマット効率の向上を図りながら再生素子に印加される磁界を増加させない磁気ヘッドを提供する。【解決手段】主磁極１と補助磁極３を有する記録ヘッド２５と、再生シールド８，９に挟まれた再生素子７を有する再生ヘッド２４を備える磁気ヘッドにおいて、主磁極と再生シールドの間、もしくは再生シールドを中心にして主磁極と反対側に、磁性体からなる補助シールド３０を設けた。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部シールド、上部シールド、及び前記下部シールドと上部シールドの間に挟まれた磁気抵抗効果素子を有する再生ヘッドと、主磁極及び補助磁極を有する記録ヘッドとを備える磁気ヘッドにおいて、
磁性体からなる補助シールドが前記主磁極のリーディング側に形成されていることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】
請求項１記載の磁気ヘッドにおいて、前記主磁極は前記補助磁極と前記上部シールドの間に形成され、前記補助シールドは前記主磁極と前記上部シールドの間に形成されていることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項３】
請求項２記載の磁気ヘッドにおいて、前記補助シールドの素子高さ方向の長さが再生シールドの素子高さ方向の長さより長いことを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項４】
請求項２記載の磁気ヘッドにおいて、前記補助シールドのトラック幅方向の長さが前記下部シールド及び上部シールドのトラック幅方向の長さより長いことを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項５】
請求項２記載の磁気ヘッドにおいて、前記補助シールドの素子高さ方向の長さが、浮上面から前記主磁極と前記補助磁極を接合する領域のうち浮上面から最も遠い位置までの距離より小さいことを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項６】
請求項２記載の磁気ヘッドにおいて、前記補助シールドと前記上部シールドの間隔が１μｍ以上であることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項７】
請求項１記載の磁気ヘッドにおいて、前記主磁極は前記補助磁極と前記上部シールドの間に形成され、前記補助シールドは前記下部シールドのリーディング側に形成されていることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項８】
請求項７記載の磁気ヘッドにおいて、前記補助シールドの透磁率μ1と前記上部シールド及び下部シールドの透磁率μ2とが、μ1≧μ2の関係を満たすことを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項９】
請求項７記載の磁気ヘッドにおいて、前記主磁極と前記補助磁極を接合する領域のうち浮上面から最も遠い位置から前記補助シールドまでの距離L1と、前記主磁極と前記補助磁極を接合する領域のうち浮上面から最も遠い位置から前記上部シールドまでの距離L2とが、L1≦L2の関係を満たすことを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項１０】
請求項７記載の磁気ヘッドにおいて、前記補助シールドの透磁率をμ1、前記上部シールドの透磁率をμ2、主磁極と前記補助磁極を接合する領域のうち浮上面から最も遠い位置から前記補助シールドまでの距離をL1、主磁極と前記補助磁極を接合する領域のうち浮上面から最も遠い位置から前記上部シールドまでの距離をL2とするとき、（μ1／L1）≧（μ2／L2）の関係を満たすことを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項１１】
請求項７記載の磁気ヘッドにおいて、前記補助シールドのトラック幅方向の長さが前記下部シールド及び上部シールドのトラック幅方向の長さより長いことを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項１２】
請求項７記載の磁気ヘッドにおいて、前記補助シールドと前記下部シールドの間隔が１μｍ以上であることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項１３】
磁気記録層と軟磁性裏打ち層とを備える磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を駆動する媒体駆動部と、前記磁気記録媒体に対して記録再生を行う磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して駆動する磁気ヘッド駆動部とを含む磁気記録再生装置において、
前記磁気ヘッドは、
下部シールド、上部シールド、及び前記下部シールドと上部シールドの間に挟まれた磁気抵抗効果素子を有する再生ヘッドと、
主磁極及び補助磁極を有する記録ヘッドと、
前記主磁極のリーディング側に形成された磁性体からなる補助シールドとを備えていることを特徴とする磁気記録再生装置。
【請求項１４】
下部シールド、上部シールド、及び前記下部シールドと上部シールドの間に挟まれた磁気抵抗効果素子を有する再生ヘッドと、主磁極及び補助磁極を有する記録ヘッドと、前記主磁極のリーディング側に設けられた補助シールドとを備える磁気ヘッドの製造方法であって、
前記再生ヘッドを形成する工程と、
その上に無機絶縁膜を形成する工程と、
前記無機絶縁膜の上に前記補助シールドとなる磁性膜を形成する工程と、
前記磁性膜の上に無機絶縁膜を形成する工程と、
その上に前記記録ヘッドを形成する工程とを含むことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１５】
下部シールド、上部シールド、及び前記下部シールドと上部シールドの間に挟まれた磁気抵抗効果素子を有する再生ヘッドと、主磁極及び補助磁極を有する記録ヘッドと、前記主磁極のリーディング側に設けられた補助シールドとを備える磁気ヘッドの製造方法であって、
基板上に無機絶縁膜を形成する工程と、
前記無機絶縁膜上に前記補助シールドとなる磁性膜を形成する工程と、
その上に無機絶縁膜を形成する工程と、
その上に前記再生ヘッドを形成する工程と、
その上に無機絶縁膜を形成する工程と、
その上に前記記録ヘッドを形成する工程とを含むことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直記録用磁気ヘッドとその製造方法及びその垂直記録用磁気ヘッドを搭載した磁気記録再生装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録再生装置は磁気記録媒体と磁気ヘッドを備え、磁気記録媒体上のデータは磁気ヘッドによって読み書きされる。磁気記録媒体の単位面積当たりの記録容量を大きくするためには、面記録密度を高める必要がある。しかしながら、現状の面内記録方式では、記録されるビット長が小さくなると、媒体の磁化の熱揺らぎのために面記録密度を上げられない問題がある。この問題を解決できるものとして媒体に垂直な方向に磁化信号を記録する垂直記録方式がある。
【０００３】
垂直記録方式には、記録媒体として軟磁性の裏打層を備えた二層垂直媒体を用いる方式と、裏打層を有さない単層垂直媒体を用いる方式の２種類がある。記録媒体として二層垂直媒体を用いる場合には、主磁極と補助磁極とを備えたいわゆる単磁極ヘッドを用いて記録を行う必要がある。この場合、より強い磁界を媒体に印加することができる。主磁極の浮上面形状は、ヘッドにスキュー角がついた場合を考慮して、リーディング側の幅が狭い台形形状とするのが望ましい。図２は、従来の単磁極ヘッドを含む磁気ヘッドの構造を示す略図である。図２に示すように、従来の磁気ヘッドは、ヘッドの走行方向側（リーディング側）から、下部シールド８、再生素子７、上部シールド９、補助磁極３、薄膜導体コイル２、主磁極１の順に積層されている。下部シールド８、再生素子７、上部シールド９は再生ヘッド２４を構成し、補助磁極３、薄膜導体コイル２、主磁極１は記録ヘッド（単磁極ヘッド）２５を構成する。また、特開２００３−４５００８号公報には、主磁極の上にギャップ膜を介して、媒体対向面から後退した外部磁界用のシールドを設けた単磁極ヘッドが記載されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−４５００８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、主磁極と補助磁極とを有する垂直磁気記録用ヘッドと、裏打ち層を有する二層垂直磁気記録媒体とを用いる垂直磁気記録系に関するものである。図２に示した従来の磁気ヘッドは、再生素子と主磁極の間に補助磁極と薄膜コイルが存在するため、記録再生間隔が大きくなりフォーマット効率が劣化するという欠点がある。そのため、図３に示すように、補助磁極を主磁極のトレーリング側に配置する構造が適用されようとしている。この構造にすることにより、記録再生間隔を小さくできる。
【０００６】
また、記録ヘッド磁界の強度と共に記録ビットセルの境界を記録するヘッド磁界垂直成分プロファイルにおける磁界勾配、すなわち、ヘッド走行方向のヘッド磁界垂直成分プロファイルの磁界勾配も高い記録密度を実現するための重要な要素である。今後、さらに高い記録密度を達成するためにはさらに磁界勾配を増大させなければならない。記録磁界勾配を向上させるために、主磁極１のトレーリング側に磁性体３２を配置する構造がある。この構造の場合にも、閉磁路を形成するには補助磁極３を図３のように主磁極１のトレーリング側に配置することが望ましい。
【０００７】
しかし、図３のように主磁極１を補助磁極３のリーディング側に配置する構造の場合、再生素子７に印加される磁界が図２に示した従来の磁気ヘッドと比較して大きくなる。その理由は、主磁極が再生素子に近くなるためと、下部シールド及び上部シールド（以下では、下部シールドと上部シールドを合わせて再生シールドと呼ぶこともある）と主磁極の間にあった補助磁極がなくなるためである。発明者らが３次元磁界計算により計算したところ、再生素子に印加される磁界は、図２に示す従来構造の場合、１．１８×１０４［A/m］であるのに対して、図３に示す構造の場合、４．４０×１０４［A/m］となる。この磁界の増大は、再生特性の劣化あるいは再生素子の破壊をもたらし、磁気記録再生装置の高密度化の障害となる。
【０００８】
特許文献１においても、再生素子に印加される磁界については考慮されていない。
そこで、本発明は、フォーマット効率の向上を図りながら再生素子に印加される磁界を増加させない磁気ヘッドを提供し、それによって高密度の磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明による磁気ヘッドは、下部シールド、上部シールド、及び下部シールドと上部シールドの間に挟まれた磁気抵抗効果素子を有する再生ヘッドと、主磁極及び補助磁極を有する記録ヘッドとを備え、更に主磁極のリーディング側に磁性体からなる補助シールドを備える。主磁極は補助磁極と上部シールドの間に形成される。補助シールドは、主磁極と前記上部シールドの間もしくは下部シールドのリーディング側に形成され、記録ヘッドから漏洩される磁束、特に主磁極と補助磁極の接合部であるバックコンタクト付近から漏洩される磁界を吸収し、再生素子に印加される磁界を減少する機能を有する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によると、再生素子に印加される磁界を減少することができ、再生素子の劣化、破壊をもたらすことなく記録ヘッドの主磁極を再生素子に近づけてフォーマット効率を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。以下の図においては、理解を容易にするため、同じ機能部分には同一の符号を付して説明する。
【００１２】
図４は、本発明による磁気記録再生装置の概念図である。磁気記録再生装置は、モータ２８によって回転する磁気ディスク（磁気記録媒体）１１上の所定位置に、サスペンションアーム１２の先端に固定されたスライダー１３に搭載された磁気ヘッドによって磁化信号の記録再生を行う。ロータリアクチュエータ１５を駆動することにより、磁気ヘッドの磁気ディスク半径方向の位置（トラック）を選択することができる。磁気ヘッドへの記録信号及び磁気ヘッドからの読み出し信号は信号処理回路３５ａ，３５ｂにて処理される。
【００１３】
図１は、本発明による磁気ヘッドの一例を示す断面模式図である。この磁気ヘッドは、主磁極１と補助磁極３とを備えた記録ヘッド２５と、再生素子７を備えた再生ヘッド２４を有する記録再生複合ヘッドである。主磁極１と補助磁極３とは浮上面から離れた位置でピラー１７によって磁気的に接続され、主磁極１、補助磁極３、ピラー１７によって構成される磁気回路に薄膜コイル２が鎖交している。巨大磁気抵抗効果素子（GMR）やトンネル磁気抵抗効果型素子（TMR）などからなる再生素子７は、リーディング側の下部シールド８とトレーリング側の上部シールド９からなる一対の磁気シールド（再生シールド）間に配置されている。主磁極１は補助磁極３のリーディング側に配置されている。また、主磁極１のトレーリング側には磁界勾配を増加させるために磁性体３２を配置している。
【００１４】
主磁極１を補助磁極３のリーディング側に配置すると、前述したように再生素子７に印加される磁界が大きくなり問題を生じる。そこで、本発明では、主磁極１のリーディング側、図１の例では主磁極１と再生ヘッド２４の上部シールド９の間に磁性体からなる補助シールド３０を設ける。このような構造にすることにより、主磁極１から再生ヘッド２４の下部・上部シールド８，９に流れる磁束が減少し、再生素子７に印加される磁界を減少できる。
【００１５】
本発明者らが３次元磁界計算により計算したところ、図３に示す構造の場合、再生素子位置に印加される磁界は４．４０×１０４A/mとなった。この再生素子位置における磁界の増大は、再生素子による再生特性の劣化あるいは再生素子の破壊をもたらす。この３次元磁界計算においては、主磁極の飽和磁束密度を２．４[Ｔ]、幾何学的幅を１２０[ｎｍ]、膜厚を１５０[ｎｍ]と仮定した。補助磁極３と再生シールド８，９の飽和磁束密度は１．０[Ｔ]の材料を想定した。主磁極と上部シールドの間隔は５μｍとした。一方、図１に示した本発明の磁気ヘッドにおいては、主磁極と上部シールドの間隔が５μｍ、主磁極１と補助シールド３０の間隔が２μｍの時、再生素子位置に印加される磁界は８．１１×１０3A/mと大きく低減した。この時、補助シールド３０の厚さは２[μｍ]、長さは２０[μｍ]とした。また、補助シールド３０の飽和磁束密度は１．０[Ｔ]の材料を想定した。
【００１６】
このように、図１に示したような補助シールド３０を設けたヘッド構造とすることにより、再生特性の劣化をもたらさずに、記録磁界勾配を急峻にできる。また、補助シールド３０を設けることにより、外部磁界問題への耐性が高まる効果もある。外部磁界問題とは、磁気記録装置内に浮遊する磁界、いわゆる外部磁界などの記録電流以外によって発生する磁界によって主磁極が励磁され、主磁極から漏洩した磁界により媒体上の記録信号が消去されてしまう問題である。本発明のように補助シールドを配置することにより、外部磁界が補助シールドに吸収されるため、主磁極から発生する磁界を小さくでき、媒体上の記録信号が消去される問題を回避できる。
【００１７】
また、補助シールド３０と上部シールド９の間隔は１μｍ以上離れていることが望ましい。補助シールド３０と上部シールド９の間隔が狭いと、補助シールド３０から上部シールド９へ磁束が多く流れ、その結果、再生素子７に印加される磁界が大きくなってしまうからである。発明者らの計算によると、補助シールド３０と上部シールド９の距離が１μｍのときに比べ、その距離が０．１μｍのときには再生素子７に印加される磁界の大きさは１．５倍になった。
【００１８】
図５に、垂直記録用磁気ヘッド１４と磁気ディスク１１との関係及び垂直記録の概略を示す。記録ヘッド２５の主磁極１から出た磁界は磁気ディスク媒体１１の記録層１９、軟磁性裏打ち層２０を通り、補助磁極３に入る磁気回路を形成し、記録層１９に磁化パターンを記録する。記録層１９と軟磁性裏打ち層２０の間には中間層が形成されている場合もある。再生ヘッド２４の再生素子７には巨大磁気抵抗効果素子（GMR）やトンネル磁気抵抗効果型素子（TMR）などが用いられる。
【００１９】
図６は、本発明による磁気ヘッドの他の例を示す断面模式図である。この例に示す磁気ヘッドは、補助シールド３０を浮上面から後退させて形成した。この構造にすることにより、補助シールド３０から記録媒体に印加される磁界を低減することができる。ただし、浮上面からの後退量が大きいと、補助シールド３０から磁気記録媒体の軟磁性裏打ち層への磁路抵抗が大きくなり、再生素子位置に印加される磁界を低減することができない。したがって、補助シールド３０の浮上面からの後退量は１μｍ以下が望ましい。
【００２０】
図７は、本発明による磁気ヘッドの他の構造例を示す断面模式図である。補助シールド３０の素子高さ方向の長さLASと再生シールド８，９の素子高さ方向の長さLSの関係は、図７に示すように、記録動作時にバックコンタクト付近から磁束が再生シールド８，９へ流れ込まないように、補助シールド３０の長さが再生シールド８，９の長さより大きいことが望ましい。図示するように、再生シールド８，９の素子高さ方向の長さLSを浮上面からバックコンタクト位置（主磁極と補助磁極を接合する領域のうち浮上面から最も遠い位置）までの長さLBKより短くするのもこの関係を実現する一つの方法である。さらに、補助シールド３０のトラック幅方向の幅は再生シールド８，９のトラック幅方向の幅より大きいことが望ましい。
【００２１】
図８は、本発明による磁気ヘッドの他の構造例を示す断面模式図である。図８に示すように、補助シールド３０の素子高さ方向の長さLASは主磁極１の浮上面からバックコンタクト位置までの長さLBKより小さく、再生シールド８，９の素子高さ方向の長さLSより大きいことが望ましい。これは、再生素子位置に印加される磁界を低減しつつ、補助シールド３０へ流れる磁束を減らし、補助シールド３０から媒体へ漏洩する磁界を減少させるためである。
【００２２】
図９は、本発明による磁気ヘッドの一例を再生シールド側からみた摸式図である。補助シールド３０の面積は、下部シールド８及び上部シールド９より大きいことが望ましい。また、補助シールド３０のトラック幅方向の幅は下部シールド８及び上部シールド９の幅より大きいことが望ましい。この構造にすることで、より多くの磁束が補助シールド３０に吸い込まれ、主磁極１から下部・上部シールド８，９へ流れる磁束が減少するため、再生素子７に印加される磁界を減少することができる。逆に補助シールド３０の面積が下部シールド８及び上部シールド９の面積より小さい、もしくは補助シールド３０のトラック幅方向の幅が下部シールド８及び上部シールド９のトラック幅方向の幅より小さい場合、再生シールド８，９と主磁極１のバックコンタクト位置の間にシールドとなる磁性体がなくなるため望ましくない。
【００２３】
図１０は、本発明による磁気ヘッドの更に他の例を示す断面模式図である。本発明の磁気ヘッドにおける補助シールド３０の挿入位置は、これまで説明した実施例のように主磁極と再生シールドの間ではなく、再生シールド８，９を主磁極１と補助シールド３０で挟み込むように主磁極１のリーディング側に配置してもよい。すなわち、アルミナチタンカーバイドやガラス等の基板と再生シールド８，９の間に補助シールド３０を配置する。本例では、補助シールド３０の厚さは２[μｍ]、長さは２０[μｍ]とした。また、飽和磁束密度は１．０[Ｔ]の材料を想定した。このような配置にしても再生素子位置に印加される磁界を減少することができる。
【００２４】
図１１は、再生素子位置に印加される磁界の大きさと主磁極のトレーリング端から再生素子までの距離LRWの関係を、図１０に示した本発明の構造と図３に示した構造とで比較して示した図である。従来構造と本発明の構造のヘッドともに、再生シールドの高さはバックコンタクト位置より短く５[μｍ]と同じとした。計算において、従来構造と本発明の構造のヘッドの相違点は補助シールドの有無だけである。いずれの構造においても、主磁極１から再生素子７までの距離LRWが大きくなるにつれて、再生素子７に印加される磁界の大きさは減少する。しかし、同じ距離LRWで比較すると、図１０に示した本発明の構造の場合には、再生素子７に印加される磁界の大きさを、図３に示した従来構造の場合の６０％程度に低減することができる。したがって、再生素子７に印加される磁界が同じ強度でも、主磁極１から再生素子７までの距離LRWを小さくでき、装置のフォーマット効率を向上することができる。さらに、主磁極１と補助シールド３０で再生シールド８，９を挟み込む構造（図１０）は、主磁極と再生シールドの間に磁性体がない分、主磁極１と再生シールド８，９の間に補助シールド３０を配置する構造（図１）よりも主磁極１と再生素子７の間の距離を短くできる。
【００２５】
図１０に示した主磁極１と補助シールド３０で再生シールド８，９を挟み込む構造の場合、主磁極のバックコンタクト位置から補助シールド３０までの直線距離L1が主磁極のバックコンタクト位置から再生シールドまでの直線距離L2以下であることが望ましい。逆の場合、すなわち、L1がL2より大きい場合、主磁極１のバックコンタクトからの磁束が補助シールド３０より下部シールド８、上部シールド９の方へ流れやすくなり、補助シールドを設けたことによる効果が低減するためである。
【００２６】
また、補助シールド材料の透磁率（μ１）が再生シールド材料の透磁率（μ２）以上であることが望ましい。さらに、μ１/L1がμ２/L2以上であることが望ましい。これらは、主磁極１のバックコンタクトからの磁束が補助シールド３０の方に流れやすくし、再生素子位置に印加される磁界の低減効果を向上させるためである。逆の場合、すなわちμ１/L1がμ２/L2より小さい場合には、主磁極１のバックコンタクトからの磁束は補助シールド３０より下部シールド８、上部シールド９の方へ流れやすくなり、補助シールドを設けたことによる効果が低減する。
【００２７】
また、補助シールド３０と下部シールド８の距離は１μｍ以上離れていることが望ましい。補助シールド３０と下部シールド８の距離が小さいと、補助シールド３０から下部シールド８へ磁束が多く流れ、再生素子７に印加される磁界が大きくなり望ましくない。
【００２８】
また、再生シールド８，９を主磁極１と補助シールド３０で挟み込むように補助シールド３０を配置した場合、図１２に示すように、補助シールド３０の上部形状が主磁極１のバックコンタクト側に凸形状になっていてもよい。これも、主磁極１のバックコンタクトからの磁束が補助シールド３０の方に流れやすくし、再生素子位置に印加される磁界強度の低減効果を向上させるためである。また、補助シールド３０の素子高さ方向の長さは再生シールドの素子高さ方向長さより大きいことが望ましく、補助シールド３０のトラック幅方向の長さは再生シールドの幅より大きいことが望ましい。
【００２９】
次に、本発明による磁気ヘッドの製造方法について説明する。図１３は、主磁極と再生ヘッドの上部シールドの間に磁性体からなる補助シールドを設けた磁気ヘッドの製造方法を示す工程断面図である。
【００３０】
アルミナチタンカーバイドやガラス等の基板１０３上に無機絶縁膜１０１を形成する。そして、平坦な無機絶縁膜１０１上に下部シールドとなる磁性膜１０２をフレームメッキで作製する。この時、後工程で作製するバックコンタクト位置よりこの磁性膜１０２の長さを小さく作製する（ａ）。その上に下部ギャップとなる無機絶縁膜１０１をスパッタで成膜し、ケミカルメカニカルポリッシュで平坦化する。その上に、再生素子７やそれに電流を通電するための電極膜やバイアス膜を形成する（ｂ）。次に、再生素子７、電極膜、バイアス膜などを被覆するように、上部ギャップ膜となる無機絶縁膜１０１をスパッタにより作製する（ｃ）。 次に上部シールドとなる磁性膜１０２’をフレームメッキで形成する。この時、後工程で作製する補助シールド長さやバックコンタクト位置よりこの磁性膜１０２’の長さを小さく作製する（ｄ）。
【００３１】
次に、無機絶縁膜１０１を形成し（ｅ）、補助シールドとなる磁性膜１０２”をフレームメッキで作製する（ｆ）。この後、無機絶縁膜１０１を形成し（ｇ）、主磁極、主磁極のトレーリング側に配置される磁性体、コイル、補助磁極等を形成する工程を順次行うことにより、本発明の磁気ヘッドが得られる（ｈ）。
【００３２】
図１４は、主磁極と補助シールドで再生シールドを挟み込むタイプの磁気ヘッドの製造方法を説明する工程断面図である。
【００３３】
アルミナチタンカーバイドやガラス等の基板１０３上に無機絶縁膜１０４を形成する。そして、平坦な無機絶縁膜１０４上に補助シールドとなる磁性膜１０５をフレームメッキで作製する（ａ）。その上に無機絶縁膜１０１を形成した後、下部シールドとなる磁性膜１０２をフレームメッキで作製する。この時、後工程で作製するバックコンタクト位置よりこの磁性膜１０２の長さを小さく作製する（ｂ）。その上に下部ギャップとなる無機絶縁膜１０１をスパッタで成膜し、ケミカルメカニカルポリッシュで平坦化する。その上に、再生素子７やそれに電流を通電するための電極膜やバイアス膜を形成する（ｃ）。次に、再生素子７、電極膜、バイアス膜などを被覆するように上部ギャップ膜となる無機絶縁膜１０１をスパッタにより作製する（ｄ）。次に、上部シールドとなる磁性膜１０２’をフレームメッキで形成する。この時、後工程で作製するバックコンタクト位置よりこの磁性膜１０２’の長さを小さく作製する（ｅ）。この後、無機絶縁膜１０１を形成し（ｆ）、主磁極、トレーリング側に配置された磁性体、コイル、補助磁極等を形成する工程を順次行うことにより、本発明の磁気ヘッドが得られる（ｇ）。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明による磁気ヘッドの一例を示す断面模式図。
【図２】従来構造の磁気ヘッドの構造を示す図。
【図３】補助磁極を主磁極のトレーリング側に配置した磁気ヘッド。
【図４】磁気記録再生装置の概略図。
【図５】垂直記録の概略説明図。
【図６】本発明による磁気ヘッドの他の例を示す断面模式図。
【図７】本発明による磁気ヘッドの他の例を示す断面模式図。
【図８】本発明による磁気ヘッドの他の例を示す断面模式図。
【図９】本発明による磁気ヘッドの一例を再生シールド側からみた摸式図。
【図１０】本発明による磁気ヘッドの更に他の例を示す断面模式図。
【図１１】再生素子位置に印加される磁界の大きさと主磁極から再生素子までの距離LRWの関係を示した図。
【図１２】本発明による磁気ヘッドの他の例を示す断面模式図。
【図１３】本発明による磁気ヘッドの製造方法を示す工程断面図。
【図１４】本発明による磁気ヘッドの製造方法を示す工程断面図。
【符号の説明】
【００３５】
１…主磁極、２…薄膜導体コイル、３…補助磁極、７…再生素子、８…下部シールド、９…上部シールド、１１…磁気ディスク、１２…サスペンションアーム、１３…磁気ヘッドスライダー、１４…磁気ヘッド、１５…ロータリアクチュエータ、１６…記録ヘッド、１７…ピラー、１９…記録層、２０…裏打ち層、２４…再生ヘッド、２５…記録ヘッド、３２…磁性体、３５…パッケージボード、３０…補助シールド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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