(57)【要約】  【課題】  レーザ出射位置の制御が容易で歩留まりの良好な窒化物半導体レーザ装置の製造方法を提供する。  【解決手段】  ステム(601)の支持基体(102)にあらかじめハンダを付着させておき、その上に窒化物半導体レーザチップ(401)を搭載して、ハンダを溶融させて窒化物半導体レーザチップ(401)を支持基体(102)に固定する。支持基体(102)に付着させておくハンダの厚さは０．２μｍ以上かつ２０μｍ以下とし、窒化物半導体レーザチップ(401)固定後のハンダの厚さは０．１μｍ以上かつ５μｍ以下とする。【選択図】      図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体レーザダイオードを支持部材に搭載した窒化物半導体レーザ装置の製造方法であって、ハンダにより窒化物半導体レーザダイオードを支持部材に固定するものにおいて、
支持部材のうち窒化物半導体レーザダイオードを搭載する部位に、厚さが０．２μｍ以上かつ２０μｍ以下のハンダを付着させておき、該ハンダを溶融させて窒化物半導体レーザダイオードを固定することを特徴とする窒化物半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項２】
前記ハンダとして、Ｉｎ系、Ａｇ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系およびＳｎ系のうちの１種以上を含むハンダを用いることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項３】
窒化物半導体レーザダイオードを支持部材に固定した後の前記ハンダの厚さを０．１μｍ以上かつ５．０μｍ以下とすることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項４】
前記ハンダを転写法により支持部材に付着させることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項５】
前記ハンダを、分子線エピタキシー法によりポリテトラフルオロエチレン製のテープ上に形成しておき、該テープ越しに超音波振動を加えて、支持部材に転写することを特徴とすることを特徴とする請求項４に記載の窒化物半導体レーザ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化物半導体レーザ装置の製造方法に関し、特に、窒化物半導体レーザダイオードの支持部材へのハンダ付けの方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、青色から紫外線領域に及ぶ発光材料として窒化物半導体を用いたレーザ装置が開発、実用化されつつある。しかしながら、実際の製造工程において、様々な問題が生じている。中でも、レーザダイオードチップ（以下、ＬＤチップ）とマウント部材（ステム、またはサブマウント）を結合させる実装工程における問題が顕著であり、窒化物半導体レーザ装置の製造における歩留まりの低下の一因となっている。
【０００３】
サブマウントを使用せず、ステムへ窒化物半導体ＬＤチップを搭載した構成を例にとって、従来の半導体レーザ装置について説明する。図９は、従来の窒化物半導体レーザ装置の概略図である。図９において、９１１はｐ型電極、９１２はｎ型電極、９０１は導電性基板、９０２は半導体成長層、９０３（＝９０１+９０２）は半導体ＬＤチップ、９０５はハンダ、９０６は金属膜（半導体ＬＤチップのｎ型電極側）、９０８はステムの支持基体である。
【０００４】
上記半導体ＬＤチップをステムへマウントする方法を説明する。図１０は、マウント前の窒化物半導体レーザ装置の概略図である。ステムの支持基体９０８、及びハンダ９０５の原形であるハンダ箔１００５を１００℃から４００℃程度の範囲で加熱して（このとき、半導体ＬＤチップは加熱しても、あるいは加熱しなくともよい）、ハンダ箔１００５を溶融させ、半導体ＬＤチップに圧力をかけて、半導体ＬＤチップとステムを接合させる。
【０００５】
一般に、半導体ＬＤチップをステム等のマウント部材に搭載する際には、半導体ＬＤチップとマウント部材の結合強度を確保し、半導体ＬＤチップからマウント部材への熱伝導を良好にして半導体ＬＤチップの放熱を高め、また、マウント部材に対する半導体ＬＤチップの位置および向きを厳密に設定しなければならない。これらのいずれかが良好でなければ、得られる窒化物半導体レーザ装置が寿命の短いものとなったり、所定の方向にレーザ光を射出できない不良品となったりして、歩留まりが低下する。
【０００６】
特開平１０−１０７３８４号公報では、酸化物を基板とする窒化物半導体ＬＤチップを、結合強度が高く、放熱性も高いレーザ装置とするために、導電性の接着剤を用いることが提案されている。
【特許文献１】特開平１０−１０７３８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明者は、Ｉｎ系、Ａｇ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ系のハンダが窒化物半導体ＬＤチップに対して、良好な熱抵抗が得られることを確認している。しかしながら、ハンダについては、箔状のものを作製する場合、厚さ４０μｍ以上のものしか得られず、マウント時において、ハンダ箔が溶融し、半導体ＬＤチップへ圧力をかける際に、半導体ＬＤチップの位置がずれ、レーザ出射位置の制御が困難であった。
【０００８】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもので、レーザ出射位置制御に関する歩留まりの良好な窒化物半導体レーザ装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明では、窒化物半導体レーザダイオードを支持部材に搭載した窒化物半導体レーザ装置の製造方法であって、ハンダにより窒化物半導体レーザダイオードを支持部材に固定するものにおいて、支持部材のうち窒化物半導体レーザダイオードを搭載する部位に、厚さが０．２μｍ以上かつ２０μｍ以下のハンダを付着させておき、該ハンダを溶融させて窒化物半導体レーザダイオードを固定するようにする。
【００１０】
この方法では、マウント工程で、ハンダを溶融させて半導体ＬＤチップに圧力をかけた際、ハンダが薄いために、半導体ＬＤチップの位置ずれが小さく、レーザ出射位置の制御性が向上して、歩留まりが上がる。
【００１１】
ここで、前記ハンダとして、Ｉｎ系、Ａｇ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系およびＳｎ系のうちの１種以上を含むハンダを用いるとよい。これらのハンダは良好な熱抵抗特性を有するため、半導体ＬＤチップの放熱を良好に行うことができる。
【００１２】
窒化物半導体レーザダイオードを支持部材に固定した後の前記ハンダの厚さを０．１μｍ以上かつ５．０μｍ以下とするとよい。これにより、放熱が良好で、なおかつ、レーザ出射位置の制御性が向上した窒化物半導体レーザ装置を製造することができる。
【００１３】
前記ハンダは転写法により支持部材に付着させることができる。
【００１４】
ここで、前記ハンダを、分子線エピタキシー法によりポリテトラフルオロエチレン製のテープ上に形成しておき、該テープ越しに超音波振動を加えて、支持部材に転写するとよい。このようにすると、生産性良く特性の良い窒化物形半導体レーザを実現することができる。
【００１５】
本発明において、マウント部材とは、半導体ＬＤチップを直接積載するための部品を意味しており、例えば、半導体発光素子チップ用のサブマウントや、サブマウントを用いずに直接、保持体（ステム、フレームまたはパッケージ）に積載する場合においては、このステムの支持基体、フレームもしくはパッケージ自身を指している。
【００１６】
また、本発明において、ダイボンディング（またはマウント）とは、半導体ＬＤチップをマウント部材にハンダ等を用いて接合することを指す。
【００１７】
また、本発明において、ハンダとは、半導体ＬＤチップとマウント部材とを接合させるための、加熱により溶融し、常温に戻すことにより固化して接着性を示す金属を主成分とする材料である。
【００１８】
また、本発明において、マウント面とは、半導体ＬＤチップを保持体へマウントする際、ハンダを挟んで、保持体と対向する半導体ＬＤチップの面のことを指す。
【００１９】
また、半導体ＬＤチップとは、基板と半導体成長層を含めたものを指すが、基板、ないしは半導体成長層に電極や金属多層膜が形成されているときは、電極や金属多層膜を含む場合もある。
【００２０】
また、前掲の図９および図１０では、ｐ型電極とｐ型電極上の金属膜の区別をしているが、ｐ型電極とは窒化物半導体のｐ型コンタクト層に接する金属層及び該金属層の外層の一部を指し、ｐ型電極上の金属膜とは、マウント前に半導体ＬＤチップのｐ型電極側の表面金属層、及び該表面金属層の内部金属層の一部を指し、厳密な区別はできない。
【００２１】
また、本発明において、ｐ型電極側の金属層とは、ｐ型電極、及びｐ型電極上の金属膜の両方を合わせたものを指す。
【００２２】
また、本発明で用いる窒化物半導体とは、少なくともＡｌxＧａyＩｎzＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で構成された半導体である。さらに、窒化物半導体は、その構成成分である窒素元素の約２０％以下が、Ａｓ、ＰおよびＳｂの元素群のうちの１以上の元素で置換されても構わない。また、窒化物半導体中にＳｉ、Ｏ、Ｃｌ、Ｓ、Ｃ、Ｇｅ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｂｅがドーピングされていても良い。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、熱特性及びレーザ出射位置制御性の優れた窒化物半導体のレーザ装置を製造することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。本実施形態では、最大膜厚部分が８μｍのＳｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕハンダが支持基体に転写されているステムを用いる場合を例に掲げる。
【００２５】
図１は、本実施形態におけるマウント前の窒化物半導体ＬＤ装置のチップ周辺の拡大模式図である。本実施形態では、半導体層の成長に有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）を用いている。
【００２６】
図１において、１０２はステムの支持基体の一部、１０１はステムに転写されたＳｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕハンダである。また、１２２はｎ型電極上の金属多層膜、１２１はｎ型電極、１１１はｎ型ＧａＮ基板であり、基板側から順に、厚さ３μｍのｎ型ＧａＮ層１１２、厚さ１．０μｍのｎ型クラッド層１１３（ｎ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ）、厚さ０．１μｍのｎ型ガイド層１１４（ｎ型ＧａＮ）、活性層１１５（ＩｎＧａＮ多重量子井戸構造）、厚さ０．０３μｍのｐ型蒸発防止層１１６（ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ）、厚さ０．１μｍのｐ型ガイド層１１７（ｐ型ＧａＮ）、厚さ０．６μｍのｐ型クラッド層１１８（ｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ）、厚さ０．１μｍのｐ型コンタクト層１１９（ｐ型ＧａＮ）が積層されており、さらにp型電極側の金属層（ｐ型電極１３１、及びｐ型電極上の金属膜１３２）が形成されている。また、１２０は埋め込み領域（ＳｉＯ2）、１４１はレーザ出射位置である。
【００２７】
また、ｎ型電極１２１の層構造は、基板側からＨｆ（０．０５μｍ）、Ａｌ（０．１５μｍ）であり、ｎ型電極上の金属膜１２２を、基板側からＭｏ（０．０１μｍ）、Ｐｔ（０．１０μｍ）、Ａｕ（０．１５μｍ）の順で形成した。Ｈｆ／Ａｌの層は、ｎ型ＧａＮ基板とオーミックをとるための層であり、その上のＭｏはＡｕとＡｌのコンタミネーションを防止するブロック層、Ａｕはワイヤーを打つための層である。
【００２８】
前述のように、電極及び金属多層膜を形成した後、５×１０-4Ｐａ以下の圧力下、またはＮ2、Ａｒ等の不活性ガス、Ｏ2のうち少なくとも１種以上を使用した雰囲気ガス中において、２００℃以上、７００℃以下の温度で、一定時間加熱処理を施しても良い。
【００２９】
なお、本実施形態では上記の材料で半導体ＬＤチップを作製したが、材料はこれらに限るものではなく、成長用基板は、ＧａＮ以外の他の窒化物半導体材料を使用したり、また、窒化物に限らず、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＺｒＢ2、ＧａＡｓを用いる等の変更が可能である。
【００３０】
また、成長層は窒化物半導体（例えばｐ型クラッド層１１８としてｐ型ＡｌＧａＩｎＮ、活性層１１５としてＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＰ等）を用いればよい。また、クラッド層に多重量子井戸を用いても良く、ｎ型ＧａＮ層１１１とｎ型クラッド層１１３の間に、ＩｎＧａＮクラック防止層を挿入してもよい。このように、本実施形態に用いた半導体ＬＤチップは、いわゆるリッジストライプ型構造を有している。
【００３１】
以下に、本実施形態の半導体レーザ装置の製造方法を説明する。初めに、半導体素子の製造に用いられているプロセスを適宜適用して、半導体ＬＤウェハ上にＬＤ半導体成長層を形成する。前述のように、本実施形態では、半導体層の成長にＭＯＣＶＤ法を用いている。
【００３２】
次に、ｎ型ＧａＮ基板１１１の裏面側から、研磨もしくはエッチングにより、ウェハの厚さを、通常４０〜２００μｍ程度までに薄く調整する。これは、後の工程で、ウェハを分割し個々のＬＤチップに分割するのを容易にするためである。特に、レーザ共振器端面を分割により形成する場合には、２５〜１５０μｍと、薄めに調整することが望ましい。本実施形態においては、研削機を用いてウェハの厚さを約１５０μｍに調整し、その後、研磨機を用いて約１００μｍまで調整した。ウェハの裏面は研磨機により磨かれているので平坦である。
【００３３】
図２は、上記の工程で得られた個々の半導体レーザ構造が多数形成された窒化物半導体ＬＤウェハの模式図である。図２において、２０１はレーザ共振器端面、２０２はｐ型電極上の金属膜の表面、１１０は埋め込み領域、２１０はバー状に分割するための分割ライン、２１１はp型電極側の金属層（ｐ型電極１３１、及びｐ型電極上の金属膜１３２）、２１２はｎ型電極側の金属層（ｎ型電極１２１、及びｎ型電極上の金属膜１２２）である。
【００３４】
次に、この状態のウェハを、ストライプ方向と垂直な分割ライン２１０に沿って劈開またはエッチングして、バー状にする。
【００３５】
図３は窒化物半導体ＬＤウェハを分割したＬＤバーの模式図である。図３において、２０１はレーザ共振器端面、２０２はｐ型電極上の金属膜の表面、１１０は埋め込み領域、３１０はチップに分割するための分割ラインである。
【００３６】
このＬＤバーの状態において、レーザ共振器端面に、光学薄膜のコーティングを蒸着法により、片方の共振器の端面にＳｉＯ2層及びＴｉＯ2層を被覆して、多層膜を形成する。このときマウント面であるｐ型電極側にコーティングの誘電体膜がかからないようにする。
【００３７】
その後、図３の分割ライン３１０に沿って、ＬＤバーを個々の半導体ＬＤチップに分割し、図４（ａ）、図４（ｂ）に示すような、窒化物半導体ＬＤチップを得る。
【００３８】
この分割工程は、以下のように実施した。裏面側を上にしてステージ上にＬＤバーを置き、光学顕微鏡を用い傷入れ位置をアライメントし、ウェハ裏面にダイヤモンドポイントでスクライブラインを入れた。それから、ウェハに適宜力を加え、スクライブラインに沿ってウェハを分割することで、幅４００μｍ、共振器長６００μｍの窒化物半導体ＬＤチップを作製した。
【００３９】
なお、ここでは、スクライビング法によるチップ分割工程について説明したが、基板裏面側から傷、溝等を入れてチップを分割する方法であっても構わない。他の手法として、ワイヤソーもしくは薄板ブレードを用いて傷入れもしくは切断を行うダイシング法、エキシマレーザ等のレーザ光の照射加熱とその後の急冷により照射部にクラックを生じさせ、これをスクライブラインとするレーザスクライビング法、高エネルギー密度のレーザ光を照射し、この部分を蒸発させて溝入れ加工を行なう、レーザアブレーション法等を用いてもよい。
【００４０】
図４において、（ａ）は、上記の方法で得られたマウント前の窒化物半導体ＬＤチップの裏面側（ＧａＮ基板側）から見た模式図であり、（ｂ）は、同半導体ＬＤチップの表面側（成長層側）から見た模式図である。図４中、２０１はレーザ共振器の端面、４０１はｎ型電極上の金属膜の表面、１１０は埋め込み領域、２０２はｐ型電極上の金属膜の表面、４０２はＬＤチップ幅、４０３はＬＤチップ共振器長、４１０は上記全てを含めた半導体ＬＤチップを示す。なお、埋め込み領域１１０は、基本的に絶縁性材料が望ましいが、リッジ部に電流が狭窄されるように、半導体成長層側の絶縁性が確保できれば、一部は伝導性があっても構わない。
【００４１】
ジャンクションダウンの場合、窒化物半導体ＬＤチップのｐ型電極上の金属膜の表面２０２側（成長層側、ｐ型電極側）がマウント面となる。本実施形態では、ＬＤチップ幅４０２は４００μｍ、ＬＤチップ共振器長４０３は６００μｍとしている。
【００４２】
次に、ダイボンディング法により、半導体ＬＤチップをステム上へ搭載した。ステムの支持基体へハンダを転写する方法を説明する。長さ５００ｍｍ、幅８００μｍ、厚さ５μｍのテフロン（登録商標、化学名ポリテトラフルオロエチレン）製のテープを用意し、このテフロンテープに、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法により、Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕハンダを厚さ８μｍ程度に蒸着する。
【００４３】
その後、ハンダの付いたテフロンテープをＭＢＥ装置から取り出し、ステムの支持基体に位置を合わせる。位置合わせ後、テフロンテープ越しに（ハンダを蒸着していない面側から）、ハンダに８０ｋＨｚ程度の超音波振動を当てて、ステムの支持基体に、縦８００μｍ×横８００μｍ×厚さ８μｍサイズのＳｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕハンダを転写する。
【００４４】
なお、ハンダの形成は上記以外に蒸着法、塗布法、スパッタ法、印刷法、メッキ法等を用いてもよい。
【００４５】
こうして、支持基体にハンダを付着させたステムに半導体ＬＤチップを搭載して、窒化物半導体レーザ装置とする。図５、図６は、得られた窒化物半導体レーザ装置の模式図である。図５、図６において、１０２はステムの支持基体、１０１はＳｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕハンダ、１３２はｐ型電極上の金属膜、１３１はｐ型電極、５０１は窒化物半導体ＬＤチップの半導体成長層、１１１はｎ型ＧａＮ基板、１２１はｎ型電極、１２２はｎ型電極上の金属膜、５１１はｐ型電極用のワイヤ、１４１はレーザ出射位置、５１２はステムのピン、６０１はステム全体を指す。
【００４６】
ステムに半導体ＬＤチップを搭載する工程は、以下のように実施した。まず、半導体ＬＤチップ４１０をｎ電極側を下にして、支持基体１０２のハンダ１０１が付着している面に載せる。次いで、２５０℃程度まで加熱し、Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕハンダ１０１が溶けたところで半導体ＬＤチップ４１０に圧力をかけて、接合させる。
【００４７】
Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕハンダ１０１が固化した後、ｐ型電極上の金属膜１３２表面からｐ型電極用ワイヤ５１１をステムのピン５１２へ繋いだ。このようにして、図６に示す窒化物半導体レーザ装置が得られた。なお、支持基体１０２はＣｕを主体とする金属からなり、その表面にＰd膜／Ａｕ膜が順にメッキ形成されたものである。
【００４８】
図７は、レーザ出射位置の説明図である。６０１はステム、１０２はステムの支持基体、４１０は窒化物半導体ＬＤチップである。設計レーザ出射方向と実際のレーザ出射方向とのずれをθとしており、また、設計レーザ出射位置からのＸ軸方向、Ｙ軸方向のずれを図７のように設定する（矢印方向を＋とする）。
【００４９】
本実施形態の方法で作製した窒化物半導体レーザ装置（１００個）の出射位置に関して、全て基準値（θは±２°以内、Ｘ軸、Ｙ軸方向は±５０μｍ以内）以内であった。
１００個の平均値は、θは１．２４、Ｘ軸方向のずれは１１．９μｍ、Ｙ軸方向のずれは１１．３μｍであった。
【００５０】
また、放熱性は、熱抵抗（℃/Ｗ）を指標とし（電力を１Ｗ投入した場合の温度上昇を示す）、この値が小さい方が放熱性は良好である。本実施形態の窒化物半導体レーザ装置（３５個平均）では、熱抵抗は９．６（℃/Ｗ）であった。
【００５１】
比較のために、背景技術で述べた従来の方法のように、厚さ５０μｍのＳｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕハンダ箔を使用して、窒化物半導体レーザ装置を製造した。この場合、作製した窒化物半導体レーザ装置（１００個）の出射位置に関して、基準値以内のものは６３個であった。
【００５２】
従来の方法と比較して、本実施形態の方法がレーザ出射位置の制御性に関して良好である理由としては、ハンダの厚さが薄いために、溶融したハンダ上の窒化物半導体ＬＤチップに圧力をかけても、位置ずれを抑えることができるためと考えられる。
【００５３】
図８は、ステムに転写されたＳｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕハンダの膜厚とレーザ出射位置に関する歩留まりとの関係を示すグラフである。グラフより、厚さが２０μｍ（２００００ｎｍ）以上であるとレーザ出射位置の制御が急激に低下することがわかる。また、０．２μｍ（２００ｎｍ）以下であると接合強度が低下する。つまり、ハンダの厚さとしては、０．２μｍ以上かつ２０μｍ以下である必要がある。
【００５４】
ハンダの種類と熱抵抗の関係を調べるために、ステムの支持基体に、最大膜厚部分が８μｍのＰｂ-Ｚｎハンダが転写されているステムを用いて、窒化物半導体レーザ装置を製造した。この窒化物半導体レーザ装置（３５個平均）では、熱抵抗は２１．９（℃/Ｗ）であった。
【００５５】
この例に比べて本実施形態の方法が熱抵抗が良好である理由は、ステム表面、ハンダ、ｎ型電極、金属膜、及びＧａＮ基板表面との相互作用が絡み合うため詳細は明らかでない。このため、個別に検討を行い、熱抵抗を比較する必要がある。ただし、Ｚｎ系ハンダに関しては、良好な熱抵抗が得られなかった。
【００５６】
熱抵抗が良好なハンダとしては、Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕだけでなく、Ａｕ−Ｓｎ（Ａｕ−３０Ｓｎ、Ａｕ−９０Ｓｎ等）、Ｉｎ−Ｓｎ、Ｉｎ−Ａｇ、Ｉｎ−Ａｇ−Ｐｂ、Ｓｎ、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｓｂ、Ｐｂ−Ｓｂ、およびＰｂ−Ａｇがあり、これらを使用しても、本実施形態と同様の効果が得られる。
【００５７】
マウント時の荷重を変化させて、マウント後のハンダの厚さを変化させた。その結果、マウント後のハンダの厚さが０．１μｍ以下では、電流−電圧特性が劣化することが判明した。これは、ハンダの厚さを０．１μｍ以下にするために、マウント時の荷重を大きくした結果、ＬＤチップに負荷がかかり、活性層近傍に欠陥等が導入されたためと考えられる。
【００５８】
また、マウント後のハンダの厚さが５．０μｍ以上では、ハンダ中に空気泡等が導入され、ハンダ領域の熱伝導度が低下し、熱抵抗が２０（℃/Ｗ）を超えてしまい、好ましくない。以上のことから、マウント後の前記ハンダの厚さは、０．１μｍ以上かつ５.０μｍ以下であることが好ましい。
【００５９】
なお、本実施形態ではｎ型電極としてＨｆ／Ａｌを用いたが、Ｈｆ以外にＴｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｓｃ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｌａ、Ｗ、Ａｌ、Ｔｌ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｐｄとその化合物を用いてもよく、Ａｌ以外にＡｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｇｅとその化合物を用いてもよく、ｎ型電極の膜厚も前述の値に限られるものではない。
【００６０】
また、半導体ＬＤチップは、特定の構造に限られるものではなく、基板として、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＺｒＢ2、ＧａＡｓや他の窒化物半導体材料を用いる等の変更が可能であり、また、半導体成長層の材料系として、例えば、ＧａＮαＸ1-α（０.５１≦α≦１）（ＸはＰ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ等のうち少なくとも１種類以上を含む元素）、ＢＮβＸ1-β（０.５１≦β≦１）、ＡｌγＮ1-γ（０.５１≦γ≦1）、ＡｌδＧａ1-δＮεＸ1-ε（０＜δ＜１、０.５１≦ε≦１）、ＩｎＮζＸ1-ζ（０.５１≦ζ≦１）、ＩｎηＧａ1-ηＮμＸ1-μ（０＜η＜１、０.５１≦μ≦１）、ＩｎνＧａξＡｌ1-ν-ξＮτＸ1-τ（０＜ν＜１、０＜ξ＜１、０.５１≦τ≦１）を用いてもよい。
【００６１】
また、半導体ＬＤチップのｐ型電極側の埋め込み材料は、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＳｉＮ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＮ、ＩｎＮ等他の窒化物半導体を用いてもよい。
【００６２】
また、ｐ型電極がステム側に対向するようにステムの支持基体に搭載されるジャンクションダウン構造の場合においても、本発明の製造方法を採用することで、同様の効果が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
本発明は、レーザ装置の製造に利用され、特に、光記録媒体への情報記録に適する短波長のレーザ光を発する装置の製造に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の一実施形態で製造する窒化物半導体ＬＤ装置のチップ周辺の拡大模式図である。
【図２】半導体レーザ構造が多数形成された窒化物半導体ＬＤウェハの模式図である。
【図３】窒化物半導体ＬＤウェハを分割したＬＤバーの模式図である。
【図４】マウント前の窒化物半導体ＬＤチップの裏面（ＧａＮ基板側）からの模式図（ａ）と、表面（成長層側）からの模式図（ｂ）である。
【図５】窒化物半導体レーザ装置の模式図である。
【図６】窒化物半導体レーザ装置の模式図である。
【図７】窒化物半導体レーザ装置のレーザ出射位置の説明図である。
【図８】ステムに転写したＳｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕハンダの膜厚とレーザ出射位置に関する歩留まりとの関係を示す図である。
【図９】従来の窒化物半導体レーザ装置の概略図である。
【図１０】従来の窒化物半導体レーザ装置のマウント前の概略図である。
【符号の説明】
【００６５】
１０１  Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕハンダ
１０２  ステムの支持基体の一部
１１１  ｎ型ＧａＮ基板
１１２  ｎ型ＧａＮ層
１１３  ｎ型クラッド層
１１４  ｎ型ガイド層
１１５  活性層
１１６  ｐ型蒸発防止層
１１７  ｐ型ガイド層
１１８  ｐ型クラッド層
１１９  ｐ型コンタクト層
１２０  埋め込み領域
１２１  ｎ型電極
１２２  ｎ型電極上の金属多層膜
１３１  ｐ型電極
１３２  ｐ型電極上の金属膜
１４１  レーザ出射位置
２０１  レーザ共振器端面
２０２  ｐ型電極上の金属膜の表面
２１０  バー状に分割するための分割ライン
２１１  p型電極側の金属層
２１２  ｎ型電極側の金属層
３１０  チップに分割するための分割ライン
４０１  ｎ型電極上の金属膜の表面、
４０２  ＬＤチップ幅
４０３  ＬＤチップ共振器長
４１０  窒化物半導体ＬＤチップ
５０１  窒化物半導体ＬＤチップの半導体成長層
５１１  ｐ型電極用のワイヤ
５１２  ステムのピン
６０１  ステム
９０１  導電性基板
９０２  半導体成長層
９０３  半導体ＬＤチップ
９０５  ハンダ
９０６  金属膜（半導体ＬＤチップのｎ電極側）
９０８  ステムの支持基体
９１１  ｐ型電極
９１２  ｎ型電極
１００５  ハンダ箔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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