(57)【要約】【課題】  基板が帯電しないように洗浄処理する基板処理方法及びその装置を提供する。【解決手段】  処理槽１内に基板Ｗを浸漬して、いわゆるＱＤＲ法による洗浄処理を施す基板処理装置において、気液混合器３７により純水に炭酸ガスを溶解させたＣＯ2溶解水を、ノズル５１から基板Ｗに噴射する構成とする。ＣＯ2溶解水は比抵抗が低いので、基板Ｗの表面に衝突・接触するときに帯電することを防止することができる。したがって、洗浄処理後の基板Ｗが帯電することなく、洗浄処理を行うことができる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理槽内で純水洗浄する処理を含む基板処理方法において、
前記純水洗浄する処理は、
前記処理槽内に貯留された純水中に前記基板を浸漬する工程と、
純水中に基板を浸漬した状態で、前記処理槽内の純水を急速に排水する工程と、
純水を急速に排水した後、または純水を急速に排水しながら、純水の比抵抗を低下させる物質を純水に混入した処理液を前記基板に供給する工程と、
前記処理槽内に純水を供給して、純水中に基板を再び浸漬する工程と
を備えることを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理方法において、
前記物質は、炭酸ガス、希ガス、およびメタンガスのいずれか１つであることを特徴とする基板処理方法。
【請求項３】
請求項１に記載の基板処理方法において、
前記物質は、塩酸、アンモニア、および過酸化水素のいずれか１つを含むものであることを特徴とする基板処理方法。
【請求項４】
基板に所定の処理を行う基板処理装置において、
純水を貯留し、純水に基板を浸漬する処理槽と、
前記処理槽に純水を供給する純水供給手段と、
前記処理槽から純水を排水する排水手段と、
純水及び純水の比抵抗を下げる物質を混合した処理液を生成する処理液生成手段と、
前記排水手段により前記処理槽から純水を排水した後、または前記処理槽から純水を排水させながら、前記処理液生成手段により生成された処理液を前記処理槽内の基板に供給する処理液供給手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置において、
前記処理液供給手段は、前記処理槽内の基板に処理液を噴射することを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理液生成手段は、純水の比抵抗を下げる物質として炭酸ガス、希ガス、およびメタンガスのいずれか１つを純水に溶解して処理液を生成することを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項４または請求項５のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理液生成手段は、純水の比抵抗を下げる物質として塩酸、アンモニア、および過酸化水素のいずれか１つを純水に溶解して処理液を生成することを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項６または請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理液生成手段に接続され、純水中のガスを脱気する脱気手段をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板、液晶表示器用のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板（以下、単に「基板」と称する）に対して洗浄処理を行う基板処理方法及びその装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、薬液処理後の基板を洗浄する方法の一つとして、クイックダンプリンス法（以下、ＱＤＲ法と呼ぶ）が採用されている。図５は、ＱＤＲ法による洗浄処理の流れを表した図である。図５を参照して、ＱＤＲ法による洗浄処理の一例を、簡単に説明する。
【０００３】
＜搬入Ｃｉｎ＞
先ず、薬液処理等が施された基板Ｗが処理槽１に搬入される。
＜ステップＳ１＞
基板Ｗは、処理槽１の底部から注入されてオーバーフローしている純水中に浸漬されて洗浄される。
＜ステップＳ２＞
その後、処理槽１内の純水を処理槽１の底部から急速に全量排水する。
＜ステップＳ３＞
このとき、処理槽１の上部に配設されるノズル５１から基板Ｗに向けて純水を噴射する。
＜ステップＳ４＞
純水を噴射しながら、再び処理槽１の底部から処理槽１内に純水を注入して、処理槽１を満水状態にする。
＜ステップＳ５＞
ノズル５１から純水の噴射を終了し、基板の浸漬洗浄を継続する。
＜搬出Ｃｏｕｔ＞
洗浄処理が終了すれば、基板Ｗが処理槽１から引き上げられて搬出される。
【０００４】
この洗浄方法によれば、基板Ｗから離脱した薬液や不純物（パーティクル）等によって汚染された純水を、急速排水によって処理槽１外に排出するので、処理槽１内に汚染された純水が滞留することがなく、基板にパーティクルなどが再付着することがない。そして、汚染されていない純水を新たに注入して基板Ｗを洗浄するので、オーバーフローのみによって処理槽1内の純水を置換する手法に比べて、洗浄処理のスループットが向上する（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
また、上述した急速排水時には、処理槽１内の基板Ｗは周囲の雰囲気に曝されることになる。これにより、基板Ｗの表面が部分的に乾燥すると、基板Ｗの表面にウォータ−マークの付着等を招く。そこで、基板Ｗが乾燥しないように、図５のステップＳ３、ステップＳ４に示すように、処理槽１の純水を排水した後に、処理槽１の上方のノズル５１から、基板Ｗに向けて純水を噴射する、いわゆる「シャワー洗浄」を行う構成としている。
【特許文献１】特開平１１−２１４３４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題を有することが発覚した。
すなわち、ＱＤＲ法によって洗浄処理された基板表面に、静電気が発生し帯電していることがわかった。基板表面が帯電すると、パーティクルの付着を招き、結果的に洗浄処理を好適に行うことができない。また、静電気が放電を起こすと、基板表面の絶縁層が破壊される。これらの不具合は、パターン欠陥を引き起こし、基板の品質に重大な影響を与える。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板が帯電しないように洗浄処理する基板処理方法及びその装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意検討を重ねた。
先ず、従来のＱＤＲ法による洗浄処理後の基板表面には、数ボルト程度まで帯電していることを確認した。
そして、一連の洗浄工程において、処理槽1内の純水を排水した後に、基板Wに純水を噴射する工程が、基板表面の帯電の増大に著しく寄与していることを突き止めた。
【０００９】
図２を参照して、より詳しく説明する。図２は、基板表面の帯電分布を模式的に表した図であり、（ａ）は、処理槽内の純水の急速排水や基板への純水の噴射を行わないで、純水中に浸漬した基板を単に引き上げた後の基板表面の帯電分布であり、（ｂ）は、基板への純水の噴射を行わないで、処理槽内の純水を急速排水した後の基板表面の帯電分布であり、（ｃ）は、純水の急速排水を伴わないで、基板に純水を噴射した後の基板表面の帯電分布である。
【００１０】
図２（ａ）、（ｂ）より、基板表面の帯電は、純水中に基板Wを浸漬するだけの工程に比べて、処理槽１内の純水を急速排水する工程によって、幾分大きくなることがわかる。これは、急速排水時の液面低下に伴って、純水と基板Ｗとの間に摩擦が生じていることに起因するものと考えられる。
【００１１】
また、図２（ｂ）、（ｃ）より、基板表面の帯電は、純水を急速排水する工程に比べて、基板Wに純水を噴射する工程による方が、約２倍も大きいことがわかる。これは、噴射された純水が基板Ｗに衝突・接触することによる摩擦は、急速排水時の液面低下に伴う摩擦に比べて大きいことに起因するものと考えられる。
【００１２】
そして、図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を総合的に比較すると、一連の洗浄工程において、純水を急速排水した後、純水を噴射する工程のときに、基板表面の帯電が最も大きいことが確認された。一方、急速排水工程による帯電は、従来から指摘されていたが、純水噴射工程による場合の半分に過ぎず、純水中に基板を浸漬のみする工程の帯電量とあまり変わらないといえる。以上から、純水噴射工程が、帯電の増大に著しく寄与していることを突き止めた。
【００１３】
本発明者らは、このような知見を得て、次のような構成をとる本発明を完成するに至った。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板を処理槽内で純水洗浄する処理を含む基板処理方法において、前記純水洗浄する処理は、前記処理槽内に貯留された純水中に前記基板を浸漬する工程と、純水中に基板を浸漬した状態で、前記処理槽内の純水を急速に排水する工程と、純水を急速に排水した後、または純水を急速に排水しながら、純水の比抵抗を低下させる物質を純水に混入した処理液を前記基板に供給する工程と、前記処理槽内に純水を供給して、純水中に基板を再び浸漬する工程とを備えることを特徴とする。
【００１４】
［作用・効果］純水の比抵抗を低下させる物質を純水に混入した処理液は、比抵抗が低く、導電性を有する。請求項１に記載の発明によれば、比抵抗の低い処理液を基板に供給するので、シャワー洗浄時に基板表面が帯電することを防止できる。よって、基板が帯電しないように洗浄処理することができる。
【００１５】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理方法において、前記物質は、炭酸ガス、希ガス、およびメタンガスのいずれか１つであることを特徴とする。
【００１６】
［作用・効果］炭酸ガス、希ガス、あるいはメタンガスを純水に混入、溶解させると、比抵抗を低くすることができる。よって、かかる処理液を基板に噴射するので、シャワー洗浄時に基板表面が帯電することを防止できる。
【００１７】
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理方法において、前記物質は、塩酸、アンモニア、および過酸化水素のいずれか１つを含むものであることを特徴とする。
【００１８】
［作用・効果］塩酸、アンモニア、あるいは過酸化水素水を純水に混入させると、比抵抗を低くすることができる。よって、かかる処理液を基板に噴射しても、シャワー洗浄時に基板表面が帯電することを防止できる。
【００１９】
請求項４に記載の発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置において、純水を貯留し、純水に基板を浸漬する処理槽と、前記処理槽に純水を供給する純水供給手段と、前記処理槽から純水を排水する排水手段と、純水及び純水の比抵抗を下げる物質を混合した処理液を生成する処理液生成手段と、前記排水手段により前記処理槽から純水を排水した後、または前記処理槽から純水を排水させながら、前記処理液生成手段により生成された処理液を前記処理槽内の基板に供給する処理液供給手段と、を備えることを特徴とする。
【００２０】
［作用・効果］請求項４に記載の発明によれば、純水及び純水の比抵抗を下げる物質を混合した処理液を生成する処理液生成手段を備えることによって、基板に供給される処理液は比抵抗が低く、導電性を有する。したがって、請求項１に記載の方法を好適に実現できる。
【００２１】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の基板処理装置において、前記処理液供給手段が、前記処理槽内の基板に処理液を噴射することを特徴とする。
【００２２】
［作用・効果］請求項５に記載の発明によれば、処理槽内の基板に処理液供給手段が処理液を噴射しているので、基板の表面に効果的に処理液を供給できる。
【００２３】
請求項６に記載の発明は、請求項４または請求項５のいずれかに記載の基板処理装置において、前記処理液生成手段が、純水の比抵抗を下げる物質として炭酸ガス、希ガス、およびメタンガスのいずれか１つを純水に溶解して処理液を生成することを特徴とする。
【００２４】
［作用・効果］請求項６に記載の発明によれば、炭酸ガス、希ガス、およびメタンガスを純水に混入、溶解することにより比抵抗を低くすることができる。これにより、処理液での洗浄時に基板の帯電を防止できる。
【００２５】
請求項７に記載の発明は、請求項４または請求項５のいずれかに記載の基板処理装置において、前記処理液生成手段が、純水の比抵抗を下げる物質として塩酸、アンモニア、および過酸化水素のいずれか１つを純水に溶解して処理液を生成することを特徴とする。
【００２６】
［作用・効果］請求項７に記載の発明によれば、塩酸、アンモニア、および過酸化水素を純水に混入、溶解することにより比抵抗を低くすることができる。これにより、処理液での洗浄時に基板の帯電を防止できる。
【００２７】
請求項８に記載の発明は、請求項６または請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、前記処理液生成手段に接続され、純水中のガスを脱気する脱気手段をさらに備えることを特徴とする。
【００２８】
［作用・効果］請求項８に記載の発明によれば、脱気手段により、純水中のガスを脱気しているので、炭酸ガス等の純水の比抵抗を下げる物質の純水への溶解を効果的に行うことができる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明に係る基板処理方法及びその装置によれば、基板に供給される処理液は比抵抗が低く、導電性を有するので、シャワー洗浄時に基板表面に帯電することを防止することができる。よって、基板表面が帯電することに起因したパーティクルの付着や、基板表面の絶縁膜の破壊などを回避して、洗浄処理の品質を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
【００３１】
図１は、本発明の一実施例に係る基板処理装置における洗浄処理部の概略構成を示すブロック図である。
【００３２】
実施例に係る基板処理装置１００は、洗浄処理部のほかに、図示しない複数の薬液槽を備えた、いわゆる多槽式によるものである。かかる基板処理装置１００によって、各槽で一群の基板に対して順次所定の処理が施される。そして、例えば薬液処理が行われたあとに、図１に示す洗浄処理部において、基板群を洗浄する。
【００３３】
この洗浄処理部は、半導体ウエハなどの基板Ｗを洗浄処理する専用の処理部であり、大きく分けて、処理槽１、純水供給部１０、排水部２０、処理液生成・噴射部３０とから構成される。
【００３４】
処理槽１は、純水を貯留する。かかる処理槽１内に、複数枚の基板Ｗを浸漬して一括して洗浄処理が施される。基板Ｗは、図示しない保持アームによって、処理槽１の内外を昇降可能に保持されるとともに、他の処理部等へ搬送移動される。
また、処理槽１は、その上部の周囲に回収槽３を備えている。回収槽３は、処理槽１から溢れた純水を回収する。
【００３５】
純水供給部１０は、処理槽１の底部から処理槽１内に純水を注入して供給する。純水は、工場のユーティリティ等として備わる純水供給源１１から供給される。かかる純水供給源１１に、純水供給管路１３が連通接続される。この純水供給管路１３には、電磁開閉弁１５、流量調節弁１７のほか図示しないフィルタ等が介装されている。そして、純水供給管路１３の末端側に、注入管１９が連通される。注入管路１９は、処理槽１の底部に配設され、処理槽１内へ純水を注入して供給する。これにより、純水を処理槽１の上部から溢れ出させる。
【００３６】
排水部２０は、処理槽１に貯留された純水を急速に排水する。純水は、排出口２１を通じて処理槽１外に排出される。排出口２１は、処理槽１の最底部に設けられている。この排出口２１に、排出管路２３が連通接続されている。この排出管路２３に、電磁開閉弁２５が介装されている。そして、排出管路２３の他端側は、図示しない排出液処理部に連通される。そして、電磁開閉弁２５を開放することにより、処理槽１に貯留された純水を急速に排出する。
【００３７】
処理液生成・噴射部３０は、比抵抗の低い洗浄用の処理液を生成し、基板Ｗにこの処理液を噴射する。本実施例において、処理液は、純水に炭酸ガスを溶解させた、いわゆるＣＯ2溶解水である。純水と炭酸ガスは、それぞれ工場のユーティリティ等として備わる純水供給源１１と炭酸ガス供給源３１から供給される。なお、炭酸ガス供給源３１は、本基板処理装置１００に配備されてもよい。これら純水供給源１１に純水供給管路３３が、炭酸ガス供給源３１に炭酸ガス供給管路３５が、それぞれ連通接続されている。なお、純水供給管路３３には、図示しない電磁開閉弁等が介装されている。また、炭酸ガス供給管路３５には、図示しない圧力計、圧力調整弁、流量調節弁等が介装されている。そして、純水供給管路３３、及び炭酸ガス供給管路３５の他端側には、気液混合器３７が連通接続される。この気液混合器３７によって、純水に炭酸ガスを溶解させる。
【００３８】
本実施例においては、この気液混合器３７の内部には図示しないガス溶解膜を備えている。このガス溶解膜は、例えば中空子分離膜等で形成され、気体透過性および液体不透過性を有する。このガス溶解膜を隔てて、純水と炭酸ガスを別々に供給する。そして、炭酸ガスの圧力を純水の供給圧よりも高くすると、炭酸ガスがガス溶解膜を透過して純水中に溶解する。さらに、かかる純水領域の反対側には、別のガス溶解膜を隔てて脱気領域が形成されている。この脱気領域は、後述する真空ポンプ４７によって真空引きされているので、純水領域よりも圧力が低い。よって、純水中の溶存ガスや不要な炭酸ガスが純水中から脱気される。このようにして、炭酸ガスが純水に溶解した処理液を生成することができる。
【００３９】
さらに、本実施例では、処理液が所定の比抵抗となるように、純水に所定量の炭酸ガスを溶解させるように制御されている。具体的には、図示しない制御部が、後述する真空ポンプ４７や図示しない流量調節弁等の計装機器を操作して、処理液の比抵抗の値を制御する。
【００４０】
このような気液混合器３７に、処理液供給管路３９と脱気排出管路４１とが連通接続されている。
【００４１】
処理液供給管路３９には、気液混合器３７において生成された処理液が送液される。処理液供給管路３９には、電磁開閉弁４３と流量調節弁４５と、図示しない炭酸ガス濃度計、比抵抗計等が介装されている。そして、処理液供給管路３９の末端側に、ノズル５１が連通されている。ノズル５１は、処理槽１の上部に設けられ、処理槽１内にある基板Ｗに向けて処理液を噴射する。本実施例では、ノズル５１はパイプ形状であり、かかるノズル５１に図示しない複数の細孔が形成されている。このようなノズル５１によれば、基板Ｗに処理液をシャワー状に噴射して供給することができる。
【００４２】
一方、脱気排出管路４１には、気液混合器３７において脱気された溶存ガス等が通じる。脱気排出管路４１には、真空ポンプ４７、及び図示しない電磁開閉弁等が介装されている。これによって、不要な溶存ガス等を排出する。
【００４３】
次に、上記の構成を有する洗浄処理部の動作を説明する。なお、一連の処理の流れ自体は、従来技術と同様であるため、図５も参照して、説明する。
【００４４】
＜搬入Ｃｉｎ＞
本実施例にかかる基板処理装置１００の他の処理槽において薬液処理等が終了すると、基板Ｗは図１に示す洗浄処理部に搬送される。
そして、図示しない保持アームによって、基板Ｗを処理槽１内に収容するように下降させる。すると、処理槽１内には、既に注入管１９より供給された純水が貯留されているので、基板Ｗはこの純水中に浸漬される。
【００４５】
＜ステップＳ１：浸漬洗浄工程＞
処理槽１内には、注入管１９から純水が供給されている。かかる水流によって、基板Ｗの表面に付着する薬液やパーティクル等は離脱し、純水中へと放出される。こうして汚染された純水は、処理槽１の上部から溢れだすことによって、処理槽１から排出され、回収槽３に回収される。このように、基板Ｗの表面に付着する薬液等を処理槽１外に流し出すことによって、洗浄処理を行う。
【００４６】
＜ステップＳ２：急速排水工程＞
浸漬洗浄工程が終了すると、電磁開閉弁１５を閉止し、電磁開閉弁２５を開放する。すると、処理槽１内の純水が排出口２１より急速に排出される。
【００４７】
＜ステップＳ３：噴射工程＞
処理槽１内の純水を急速排水した後、電磁開閉弁４３を開放する。すると、ノズル５１から基板Ｗに向けて処理液がシャワー状に噴射される。
【００４８】
ここで、噴射される処理液は、気液混合器３７により、純水に炭酸ガスを溶解させたものである。したがって、処理液の比抵抗は、純水に比べて低い。通常、純水として、１８ＭΩｃｍ以上の比抵抗が要求されているが、処理液の比抵抗は、１８ＭΩｃｍ以下となる。
【００４９】
よって、基板Ｗの表面に処理液が衝突、接触して供給されても、基板Ｗの表面に静電気が発生することを抑制でき、シャワー洗浄時に基板Ｗの表面が帯電することを防止することができる。
【００５０】
＜ステップＳ４：噴射+給水工程＞
一方、処理槽１内の純水が完全に排水されると、電磁開閉弁２５を閉止する一方、電磁開閉弁１５を開放して、再び注入管１９から処理槽１内に純水を注入する。処理槽１の純水が満水状態となった後も、所定時間経過するまで、処理液の噴射は継続して行われる。
【００５１】
＜ステップＳ５：浸漬洗浄工程＞
その後、電磁開閉弁４３を閉止して処理液の噴射を終了すると、基板Ｗに対して浸漬洗浄のみが施される。基板Ｗが十分洗浄されると、この浸漬洗浄工程を終了する。本実施例では、処理槽１内の純水の比抵抗値が設定値に達したことを、図示しない比抵抗計によって、確認することによって、洗浄処理の終了を判断している。これをもって、一連の工程による洗浄処理が完了する。
【００５２】
＜搬出Ｃｏｕｔ＞
図示しない保持アームが上昇して基板Ｗを処理槽１外に搬出し、次の乾燥処理部等に搬送する。
【００５３】
＜本発明と従来技術との比較−１＞
従来技術に比べて本発明によれば、どれほど基板Ｗの表面の帯電を防止することができるか検証した。
図３は、基板にＣＯ2溶解水を噴射し、その後、純水で浸漬洗浄した場合の、基板表面の帯電分布を模式的に表した図である。一方、図３と対比される従来技術によるものは、図２（ｃ）である。
【００５４】
なお、基板Ｗに噴射する液体が、図３ではＣＯ2溶解水であるのに対し、図２（ｃ）では純水である点で異なる以外は、双方とも同じ条件である。
【００５５】
図３と図２（ｃ）を比較すると、ＣＯ2溶解水を噴射した場合の帯電の大きさは、純水を噴射した場合の約１割程度に抑制できている。よって、本実施例によれば、従来技術に比べて、シャワー洗浄時に基板Ｗの表面が帯電することを防止できることが確認された。これは、ＣＯ2溶解水は比抵抗が低く、導電性を有しているので、基板Ｗに衝突・接触しても静電気の発生が抑制されたと考えられる。
【００５６】
＜本発明と従来技術との比較−２＞
基板Ｗの表面に帯電させずに洗浄処理を行う方法として、注入管１７から処理槽１内に注入される純水を、ＣＯ2溶解水等に変更することが知られている。そこで、かかる洗浄方法と、図３に示す本発明によるものとの比較を検証した。
【００５７】
図４は、基板に純水を噴射し、その後、ＣＯ2溶解水で浸漬洗浄した場合の、基板表面の帯電分布を模式的に表した図である。
【００５８】
ＣＯ2溶解水が、図３では基板Ｗに噴射されるのに対し、図4では処理槽１内に注入供給される点で異なる以外は、双方とも同じ条件である。
【００５９】
図３と図４を比較すると、ＣＯ2溶解水を基板Ｗに噴射した後、純水で基板Ｗを浸漬した本実施例（図３）の帯電の大きさは、純水を基板Ｗに噴射した後、ＣＯ2溶解水で基板Ｗを浸漬した場合（図４）の約２割程度に抑制できている。よって、本実施例によれば、従来技術に比べて、ＣＯ2溶解水を効果的に使用して、シャワー洗浄時に基板Ｗの表面が帯電するのを防止できるといえる。
これは、大きな静電気が発生しやすい噴射工程にＣＯ2溶解水を使用して、基板Ｗの表面の帯電を未然に防止していることによると考えられる。
一方、図４に示す基板Ｗの表面の帯電は、基板に純水を噴射した時に発生したものと考えられる。そして、純水の噴射により、一度基板Ｗの表面に静電気の発生を許容すると、その後に基板ＷをＣＯ2溶解水に浸漬しても、除電することは困難であるといえる。
【００６０】
これに対して本発明によれば、基板に噴射する液体として、比抵抗の低い処理液を用いるので、シャワー洗浄時に基板Ｗが帯電することがない。したがって、洗浄処理後にパーティクル等の付着を招くことがなく、放電による絶縁破壊のおそれもない。
【００６１】
また、噴射工程で使用される処理液は、処理槽に供給される純水量より少なくて済むので、処理槽にＣＯ2溶解水を供給する従来技術に比べて、炭酸ガスの消費量も少なくすることができる。したがって、ランニングコストの低減が図れる。
【００６２】
次に、本実施例のその他の効果を以下に列挙する。
まず、純水に溶解させる物質として炭酸ガスを用いれば、純水に容易に溶解することや、基板Ｗへの影響が少ないことや、ユーティリティを含めた設備が安全、安価に構成できる点ことが挙げられる。また、気液混合器３７等の構成によって処理液であるＣＯ2溶解水を生成すれば、処理液の比抵抗の値を一定に保つことや、可変することが容易にできる。
【００６３】
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００６４】
（１）上述した実施例では、純水に炭酸ガスを溶解させる構成としたが、これに限定されるものでなく、純水の比抵抗を低下させることができる物質であればよい。たとえば、Xeなどの希ガスや、メタンガスなどのガスを溶解させたり、あるいは塩酸、アンモニア、過酸化水素などの薬液を僅かに混合してもよい。また、処理液が、オゾン水やいわゆる機能水と呼ばれるものであってもよい。
なお、塩酸、アンモニア、過酸化水素等を純水に混合する場合は、上述した気液混合器３７やそれに付随する脱気設備等を要しない。例えば、純水供給管路３３と上記溶液を送液する管路とをミキシングバルブによって連通して、純水と混合するように構成してもよい。
【００６５】
（２）上述した実施例では、純水に炭酸ガスを溶解させるために気液混合器３７を備える構成としたが、これに限定されるものではなく、純水に炭酸ガスを溶解させることができればよい。たとえば、純水中に炭酸ガスを直接供給する、いわゆるバブリングタンクによって、ＣＯ2溶解水を生成してもよい。
また、ノズル５１をいわゆる二流体ノズルとしてノズル内で純水に直接炭酸ガスを溶解させてもよい。これによれば、処理液を脱気する設備を省略することができる。
【００６６】
（３）上述した実施例では、基板処理装置１００はいわゆる多槽式であったが、これに限られるものではなく、単槽式であってもよい。この場合、処理槽１において、洗浄処理のほかに薬液処理等が基板に順に施される構成となる。
【００６７】
（４）実施例では、処理槽１内の純水を急速排水した後に、基板に向けてＣＯ2溶解水を噴射するようにしたが、処理槽１内の純水を急速排水しながら、基板に向けてＣＯ2溶解水を噴射してもよい。このようにすれば、純水の急速排水のともなう帯電を抑制する効果を期待できる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の一実施例に係る基板処理装置における洗浄処理部の概略構成を示すブロック図である。
【図２】基板表面の帯電分布を模式的に表した図であり、（ａ）は、処理槽内の純水の急速排水や基板への純水の噴射を行わないで、純水中に浸漬した基板を単に引き上げた後の基板表面の帯電分布であり、（ｂ）は、基板への純水の噴射を行わないで、処理槽内の純水を急速排水した後の基板表面の帯電分布であり、（ｃ）は、純水の急速排水を伴わないで、基板に純水を噴射した後の基板表面の帯電分布である。
【図３】基板にＣＯ2溶解水を噴射し、その後、純水で浸漬洗浄した場合の、基板表面の帯電分布を模式的に表した図である。
【図４】基板に純水を噴射し、その後、ＣＯ2溶解水で浸漬洗浄した場合の、基板表面の帯電分布を模式的に表した図である。
【図５】ＱＤＲ法による洗浄処理の流れを表した図である。
【符号の説明】
【００６９】
１…処理槽
１０…純水供給部
１１…純水供給源
２０…排水部
３１…炭酸ガス供給源
３７…気液混合器
５１…ノズル
Ｗ  …基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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