(57)【要約】【課題】  実装時における配置位置精度を確保することができるとともに、実装後に加えられる温度サイクルに対する接合部の強度を向上させることで品質を向上することができる半導体装置、および半導体装置を備えた回路基板、電気光学装置を提供する。【解決手段】  被実装対象の導電層と電気的に接触する電極１０１と、電極１０１よりも突出し、樹脂により所定のパターンに形成される構造体１０２と、を有する半導体装置であって、構造体１０２には、被実装対象の凹部または凸部に対応した凹部１０６または凸部が設けられたことを特徴とする。【選択図】  図３
2005086165.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被実装対象の導電層と電気的に接触する電極と、該電極よりも突出し、樹脂により所定のパターンに形成される構造体と、を有する半導体装置であって、
前記構造体には、被実装対象の凹部または凸部に対応した凹部または凸部が設けられたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記被実装対象との位置合わせが、前記被実装対象の凹部または凸部と、前記構造体の凹部または凸部との嵌め合わせにより行われることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記構造体の凹部または凸部の上面には、前記電極と電気的に接続される導電層が設けられ、
該導電層が前記被実装対象と電気的に接続されることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記構造体の凹部または凸部の側面部は、傾斜角を持つテーパ部とされていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記構造体の凹部のテーパ部には、前記導電層が設けられていることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記構造体の凹部の深さが、前記被実装対象の凸部の高さより小さいことを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記構造体の凸部の高さが、前記被実装対象の凹部の深さより小さいことを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
基板と、該基板上に所定パターンに形成された配線と、前記基板上に形成された凹部または凸部と、該配線と電気的に接続される半導体基板を有する回路基板であって、
前記半導体基板が、請求項１から７のいずれかに記載の半導体装置であり、
前記基板と前記半導体装置との位置合わせが、前記基板上に形成された凹部または凸部と前記構造体の凹部または凸部との嵌め合わせによって行われることを特徴とする回路基板。
【請求項９】
前記基板が可撓性を有することを特徴とする請求項８記載の回路基板。
【請求項１０】
前記基板に形成された前記配線が、前記被実装対象の凹部または凸部を形成することを特徴とする請求項８または９に記載の回路基板。
【請求項１１】
前記基板上に形成された凹部または凸部の側面部は、傾斜角を持つテーパ部とされていることを特徴とする請求項８から１０のいずれかに記載の回路基板。
【請求項１２】
電気光学パネルと、該電気光学パネルに電気的に接続された請求項８から１１のいずれかに記載の回路基板と、を備えることを特徴とする電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、回路基板および電気光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えばコンピュータ及び携帯情報機器等の各種電子機器が著しく発達しているが、これらの電子機器の発達に伴って液晶表示装置、特に表示能力の高いカラー液晶表示装置を備えた電子機器が増大している。カラー液晶表示装置は、赤色画素、緑色画素、及び青色画素各々をオン状態（例えば、光透過状態）又はオフ状態（例えば、光遮断状態）に制御するための信号線が必要であり、これらの信号線は、通常基板上に一定のピッチで配列されて形成されている。例えば、１２０×１６０ドットの液晶表示装置であれば、１つの色の画素につき１２０本の信号線（例えば、ゲート線）と１６０本の信号線（例えば、ソース線）とが必要になる。従って、カラー液晶表示装置においては、基板に形成される信号線は増大し、必然的に狭ピッチ化される。
【０００３】
また、近年においては、主として高密度実装を実現するため、液晶表示装置を駆動するためのドライバ回路が形成された半導体装置は、上記基板上に搭載されることが多くなっている。例えば、携帯電話機、ノート型パーソナルコンピュータ、及びＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄａｔａ Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ）等の電子機器は携帯性が重視されるため、小型・軽量化が図られる状況にある。かかる状況下においては、外形形状が制限されるため、基板上に搭載される半導体装置は長チップ化され、さらに、近年では、ドライバ回路の機能が追加されているため半導体装置の更なる長チップ化が図られている。
【０００４】
このような半導体装置の実装には、いわゆるＡｕバンプが多く用いられている。このＡｕバンプの形成時には、半導体素子上に、ＴｉＷ／Ａｕなどのシード層をスパッタし、レジストをパターニングした後に、高さ２０μｍ程度の電界Ａｕメッキを施している。ところが、半導体装置の電極が狭ピッチ化するのに伴って、高アスペクトのレジスト形成、あるいはシード層のエッチングなど、安定したバンプ形成が困難となることが予測されている。
そこで、特許文献１には、電極と離れた位置に樹脂製の突起部を設け、突起部の表面とを覆って接続する接続パターンを導電層として設けることで突起電極を形成する技術が開示されている。この技術によれば、小径の突起電極形成が容易で半導体チップサイズの縮小化に寄与するとともに、樹脂製突起の弾性により実装時のストレスを吸収して、実装品質の安定化に寄与できる。
【特許文献１】特開平７−２２１１０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述したように、従来技術においては、下記のような問題が存在する。
半導体装置の線膨張係数と基板の線膨張係数とが異なるため、半導体と基板とが接合された状態で温度サイクルが加えられると、半導体装置のバンプのピッチ変化と、基板の配線ピッチ変化が一致しなくなる。そのため、半導体と基板との接合部にストレスが加わり、バンプと配線との導通が取れなくなる恐れがあった。
【０００６】
また、バンプおよび配線が狭ピッチ化されると、バンプおよび配線接合時におけるズレの許容範囲が狭くなり、所望のバンプと配線との導通を確保することが困難になるという問題があった。
さらに、半導体装置と基板との接合時においても、温度サイクルが加えられるとバンプのピッチ変化と配線ピッチ変化とが一致しないため、所望の精度でバンプと配線との位置合わせすることが困難になるという問題があった。
【０００７】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、実装時における配置位置精度を確保することができるとともに、実装後に加えられる温度サイクルに対する接合部の強度を向上させることで品質を向上することができる半導体装置、および半導体装置を備えた回路基板、電気光学装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の半導体装置は、被実装対象の導電層と電気的に接触する電極と、電極よりも突出し、樹脂により所定のパターンに形成される構造体と、を有する半導体装置であって、構造体には、被実装対象の凹部または凸部に対応した凹部または凸部が設けられたことを特徴とする。
【０００９】
すなわち、本発明の半導体装置には、被実装対象の凹部または凸部に対応した凹部または凸部が設けられているため、構造体の凹部または凸部と被実装対象の凹部または凸部とを用いて、半導体装置と被実装対象との相対位置を決めることができる。つまり、半導体装置と被実装対象との配置位置精度を確保することができる。
また、構造体の凹部または凸部と被実装対象の凹部または凸部とを用いて、半導体装置と被実装対象との相対移動距離を制限することができる。そのため、半導体装置と被実装対象との間に働くせん断方向応力を制限することができ、せん断方向に対する強度を向上させることができる。
例えば、線膨張係数の異なる半導体装置と被実装対象とを貼り付けた後に、温度サイクルが加えられても、半導体装置と被実装対象との間に働くせん断方向応力を制限することができ、温度サイクルに対する強度を向上させることで品質を向上することができる。
【００１０】
上記の構成を実現するために、被実装対象との位置合わせが被実装対象の凹部または凸部と、構造体の凹部または凸部と、の嵌め合わせにより行われることが望ましい。
この構成によれば、被実装対象の凹部または凸部と構造体の凹部または凸部との間の隙間が少なくなるため、半導体装置と被実装対象との相対位置をより正確に決めることができる。
また、半導体装置と被実装対象との相対移動距離をより短く制限することができるため、半導体装置と被実装対象との間に働くせん断方向応力をより小さく制限することができ、せん断方向に対する強度を向上させることができる。
【００１１】
上記の構成を実現するために、より具体的には、構造体の凹部または凸部の上面には、電極と電気的に接続される導電層が設けられ、導電層が被実装対象と電気的に接続されることが望ましい。
この構成によれば、構造体の凹部または凸部の上面に、電極と電気的に接続される導電層が設けられているため、導電層と被実装対象とが接触しやすくなり導通されやすくなる。そのため、半導体装置と被実装対象とが相対移動しても導電層と被実装対象とが離間し難くなり導通を確保しやすくなるため、品質を向上することができる。
【００１２】
上記の構成を実現するために、より具体的には、構造体の凹部または凸部の側面部は、傾斜角を持つテーパ部とされていることが望ましい。
この構成によれば、テーパ部が設けられていることにより、半導体装置と被実装対象とを貼り付けるときに、テーパ部がガイドとなって構造体の凹部または凸部と被実装対象の凹部または凸部とを嵌合させやすくなる。
【００１３】
上記の構成を実現するために、より具体的には、構造体の凹部のテーパ部には、導電層が設けられていてもよい。
この構成によれば、構造体の凹部のテーパ部に導電層が設けられているため、導電層と被実装対象との接触面積が増え、より確実に導電性を確保することができる。
【００１４】
上記の構成を実現するために、より具体的には、構造体の凹部の深さが、被実装対象の凸部の高さより小さいことが望ましい。
この構成によれば、構造体の凹部の深さが、被実装対象の凸部の高さより小さいため、被実装対象の凸部の先端を構造体の凹部における凹みの底面に確実に当接させることができ、より確実に導電性を確保することができる。
【００１５】
上記の構成を実現するために、より具体的には、構造体の凸部の高さが被実装対象の凹部の深さより小さいことが望ましい。
この構成によれば、構造体の凸部の高さが被実装対象の凹部の深さより小さいため、構造体の凸部の先端を被実装対象の凹部における凹みの底面に確実に当接させることができ、より確実に導電性を確保することができる。
【００１６】
本発明の回路基板は、基板と、基板上に所定パターンに形成された配線と、基板上に形成された凹部または凸部と、配線と電気的に接続される半導体基板を有する回路基板であって、半導体基板が、上記本発明の半導体装置であり、基板と半導体装置との位置合わせが、基板上に形成された凹部または凸部と構造体の凹部または凸部との嵌め合わせによって行われることを特徴とする。
すなわち、本発明の回路基板は、基板と半導体装置との位置合わせが、基板上に形成された凹部または凸部と構造体の凹部または凸部との嵌め合わせによって行われるため、基板上に形成された凹部または凸部と構造体の凹部または凸部とを用いて、半導体装置と基板との相対位置を決めることができる。つまり、半導体装置と基板との配置位置精度を確保することができる。
【００１７】
上記の構成を実現するために、より具体的には、基板が可撓性を有してもよい。
この構成によれば、基板が可撓性を有するため、半導体装置と基板との相対位置を決める時に基板が半導体装置に合わせるように変形することができる。そのため、半導体装置と被実装対象との相対位置をより正確に決めることができる。
また、基板が半導体装置の変形に追従することができるため、半導体装置と基板との間に働くせん断方向応力をより小さくすることができ、せん断方向に対する強度を向上させることができる。
【００１８】
上記の構成を実現するために、より具体的には、基板上に形成された凹部または凸部が、配線により形成されていることが望ましい。
この構成によれば、基板上に形成された凹部または凸部が、配線により形成されているため、配線が半導体装置と接触しやすくなり、半導体装置の電極とを導通をより確実に確保することができる。
【００１９】
上記の構成を実現するために、より具体的には、基板上に形成された凹部または凸部の側面部は、傾斜角を持つテーパ部とされていることが望ましい。
この構成によれば、テーパ部が設けられていることにより、半導体装置と基板とを貼り付けるときに、テーパ部がガイドとなって構造体の凹部または凸部と基板の凹部または凸部とを嵌合させやすくなる。
【００２０】
本発明の電気光学装置は、電気光学パネルと、電気光学パネルに電気的に接続された上記本発明の回路基板を備えることを特徴とする。
すなわち、本発明の電気光学装置は、上記本発明の回路基板を備えているため、温度サイクルに対する強度が向上しており、電気光学装置の品質を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明における実施の形態について図１から図７を参照して説明する。
図１は、本発明による電気光学装置としての液晶表示装置の分解斜視図である。
本発明の液晶表示装置（電気光学装置）１は、図１に示すように、大別するとカラーの液晶パネル（電気光学パネル）２と、液晶パネル２に接続される回路基板３とを備えている。また、必要に応じて、バックライト等の照明装置、その他の付帯機器が液晶パネル２に付設されている。
【００２２】
液晶パネル２は、シール材４によって接着された一対の基板５ａ及び基板５ｂを有し、これらの基板５ｂと基板５ｂとの間に形成される間隙、いわゆるセルギャップには液晶が封入されている。これらの基板５ａ及び基板５ｂは、一般には透光性材料、例えばガラス、合成樹脂等によって形成されている。基板５ａ及び基板５ｂの外側表面には偏光板６ａ及び偏光板６ｂが貼り付けられている。なお、図１においては、偏光板６ｂの図示を省略している。
【００２３】
また、基板５ａの内側表面には電極７ａが形成され、基板５ｂの内側表面には電極７ｂが形成されている。これらの電極７ａ、７ｂはストライプ状または文字、数字、その他の適宜のパターン状に形成されている。また、これらの電極７ａ、７ｂは、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：インジウムスズ酸化物）等の透光性材料によって形成されている。
基板５ａは基板５ｂに対して張り出した張り出し部を有し、この張り出し部に複数の端子８が形成されている。これらの端子８は、基板５ａ上に電極７ａを形成するときに電極７ａと同時に形成される。従って、これらの端子８は、例えばＩＴＯによって形成されている。これらの端子８には、電極７ａから一体に延びるもの、及び導電材（不図示）を介して電極７ｂに接続されるものが含まれる。
【００２４】
なお、実際の電極７ａ、７ｂ及び端子８は、極めて狭い間隔をもって多数本が基板５ａ及び基板５ｂ上にそれぞれ形成されているが、図１においては、液晶パネル２の構造の理解を容易にするために、それらの間隔を拡大して模式的に示すとともに、それらの内の数本のみを図示することにして他の部分を省略してある。また、端子８と電極７ａとの接続状態及び端子８と電極７ｂとの接続状態も図１においては図示を省略している。
【００２５】
また、回路基板３には、配線基板（配線）９上の所定位置に液晶駆動用ＩＣとしての半導体素子（半導体装置）１００が実装されている。配線基板９は、例えばポリイミド等の可撓性を有するベース基板（基板）１１の上に形成されたＣｕ等の金属膜をパターニングして配線パターン１２を形成することによって製造されている。
なお、実際の配線パターン１２は、極めて狭い間隔をもって多数本がベース基板１１上に形成されているが、図１においては、構造の理解を容易にするために、それらの間隔を拡大して模式的に示すとともに、構造を簡略化して図示してある。また、図示は省略しているが、半導体素子１００が実装される部位以外の部位の所定位置には抵抗、コンデンサ、その他のチップ部品が実装されていても良い。
【００２６】
図２は、ベース基板１１の断面図である。
ベース基板１１として可撓性基板を用いてその上に実装部品を実装すればＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）方式の実装構造体が構成される。また、図１において、配線パターン１２には、回路基板３の一側辺部に形成される出力用端子１２ａ及びそれに対向する側辺部に形成される入力用端子１２ｂが含まれる。また、配線パターン１２の内、半導体素子１００を装着するための領域に臨み出る部分は半導体用端子（凸部）１３を構成している。
半導体用端子１３は、図２に示すように、ベース基板１１上に高さａだけ突出するように設けられ、その側面は、ベース基板１１から離れる方向に向かって互いに近づく傾斜を持つ端子傾斜面（テーパ部）１３ａとされている。
【００２７】
図３は、本発明の半導体素子の部分平面図であり、図４は、図２におけるＡ−Ａ線視断面図であり、図５は、図２におけるＢ−Ｂ線視断面図である。
なお、本実施形態における半導体素子としては、多数の半導体チップが形成されている状態のシリコンウェハ等の半導体基板であっても、個々の半導体チップであってもよい。また、半導体チップの場合には、一般的には直方体（立方体を含む）であるが、その形状は限定されず、球状であってもよい。
半導体素子１００の能動面の端縁近傍には、図３から図５に示すように、電気信号の入出力を行うＡｌ電極（電極）１０１と、樹脂で形成されＡｌ電極１０１上に配置された構造体１０２と、Ａｌ電極１０１と電気的に接触された導電層１０３ａ、１０３ｂが形成されている。また、半導体素子１００には、その能動面を保護するパッシベーション膜１０４が全面に形成されている。
【００２８】
Ａｌ電極１０１は、図３から図５に示すように、１つ１つの形状が略長方形の形状であって、半導体素子１００の端縁近傍に所定のピッチで複数形成されている。Ａｌ電極１０１の周辺部には、パッシベーション膜１０４が半導体素子１００を覆うように形成されている。
このＡｌ電極１０１は、例えばスパッタリングにより形成され、レジスト等を用いて所定の形状（例えば、矩形形状）にパターニングすることにより形成されている。なお、本実施形態では、電極がＡｌ電極で形成されている場合を例に挙げて説明するが、例えばＴｉ（チタン）層、ＴｉＮ（窒化チタン）層、ＡｌＣｕ（アルミニウム／銅）層、及びＴｉＮ層（キャップ層）を順に積層した構造であってもよい。さらに、電極は、上記の構成に限られず、必要とされる電気的特性、物理的特性、及び化学的特性に応じて適宜変更しても良い。
また、パッシベーション膜１０４は、ＳｉＯ2（酸化珪素）、ＳｉＮ（窒化珪素）、ポリイミド樹脂等により形成することができる。なお、パッシベーション膜１０４の厚みとしては、１μｍ程度の厚みを例示することができる。
【００２９】
構造体１０２は、後述する導電層１０３ａおよびパッシベーション膜１０４面上に、Ａｌ電極１０１が設けられている領域を覆うように配置されている。構造体１０２には、Ａｌ電極１０１のピッチと略同じピッチで凸形状の突起部１０５と、凹形状の導通部（凹部）１０６と、が形成されている。また、突起部１０５と導通部１０６との間には両者を面でつなぐテーパ部１０７が形成され、導通部１０６における半導体素子１００の端縁側端部には、後述する導電層１０３ｂを配線する傾斜面１０８が形成されている。
この構造体１０２としては、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；ＢｅｎｚｏＣｙｃｌｏＢｕｔｅｎｅ）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；ＰｏｌｙＢｅｎｚＯｘａｚｏｌｅ）等の樹脂をエッチングすることにより形成することができる。このエッチング方法としてはフォトエッチングやウエットエッチングが好ましく、テーパ部１０７や傾斜面１０８を容易に形成することができる。また、突起部１０５と導通部１０６との段差量ｂはエッチングの時間を管理することによって、半導体用端子１３の高さａよりも段差量ｂのほうが大きくなるように管理されている。なお、本実施の形体では、導通部１０６において構造体１０２が残る構成で説明したが、この他にも導通部１０６において構造体１０２を全て除去した構成に適応することもできる。この場合、導電層１０３ａ、１０３ｂを設けずに、Ａｌ電極１０１と半導体用端子１３とが直接当接する構成にしてもよい。
なお、構造体１０２のエッチングは、フォトエッチングやウエットエッチングに限られることなくプラズマエッチングによって行ってもよい。プラズマエッチングを用いると、テーパ部１０７の傾斜角が略垂直となり、突起部１０５および導通部１０６のピッチをより短くすることができる。
【００３０】
導電層１０３ａは、図３から図５に示すように、各Ａｌ電極１０１の上面にそれぞれＡｌ電極１０１と導通するように形成されている。導電層１０３ａの形状は、Ａｌ電極１０１を覆うような略長方形形状であって、その長軸側の一端（本実施の形態においては半導体素子１の端縁側）がパッシベーション膜１０４上にまで延びるように形成されている。なお、導電層１０３ａをパッシベーション膜１０４上にまで延ばす方向は、本実施の形態の方向だけでなく、逆の方向（半導体素子１００の中央側）に向けて延ばしてもよい。
また、導電層１０３ｂは導通部１０６面上から傾斜面１０８を経て導電層１０３ａ面上に渡って形成されている。導電層１０３ｂの形状は、導電層１０３ａと同様に略長方形形状に形成されている。なお、導電層１０３ｂは導通部１０６面上のみに形成されるだけでなく、その両側のテーパ部１０７にも形成されてもよい。このとき、導電層１０３ｂと半導体用端子１３との接触面積が増え、より確実に導電性を確保することができる。
これら導電層１０３ａ、１０３ｂは、Ａｕ、ＴｉＷ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｗ、ＮｉＶ、Ａｌ等の金属、または、これらの金属のいくつかをスパッタリングやメッキ処理により積層させて形成することができる。また、導電層１０３ａ、１０３ｂは、Ａｌ電極２よりも耐腐食性の高い材料、例えばＣｕ、ＴｉＷ、Ｃｒで形成することが好ましい。これにより、Ａｌ電極１０１の腐食を阻止して、電気的不良の発生を防止することが可能になる。なお、導電層１０３ａ、１０３ｂをメッキ処理により形成する場合には、上述した材料であって、Ｐｂフリーの材料を使用する。
【００３１】
次に、上記の構成からなる半導体素子１００および回路基板３の接合について説明する。
図６（ａ）、（ｂ）は、半導体素子と配線基板との接合工程図である。
まず、図６（ａ）に示すように、配線基板９をステージ１５０上に載置するとともに、半導体素子１００を搭載位置に配置し、かつ、半導体素子１００の上部にツール１５１を配置する。ここで、ステージ１５０は数十〜百数十℃程度の範囲で温度を設定することができ、ツール１５１は数百℃に温度を設定することができる。
【００３２】
図７は、半導体素子と配線基板との接合断面図である。
ステージ１５０、配線基板９、半導体素子１００、及びツール１５１を図６（ａ）に示した配置として、ステージ１５０及びツール１５１の温度を設定した状態で、ツール１５１をステージ１５０の方向へ移動させて半導体素子１００を加熱・加圧する。
すると、図７に示すように、半導体素子１００のテーパ部１０７と配線基板９の端子傾斜面１３ａとが接触し、互いの傾斜面によりガイドされながら接近し、導電層１０３ｂと半導体用端子１３とが当接する。
半導体素子１００と配線パターン１２とが当接すると、図６（ｂ）に示したように、半導体素子１００とベース基板１１との間に、毛細管現象を利用して封止樹脂１５２を流し込み、凝固させる。
以上の工程によって、半導体素子１００が配線基板９上に搭載される。なお、封止樹脂としてＡＣＰ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）やＮＣＰ（Ｎｏｎ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）を用い、配線基板９にこれらを先に塗布しておき、半導体素子１００を搭載してもよい。また、半導体素子１００または配線基板９を振動させながら接合する超音波接合を用いてもよい。
なお、ここでは半導体素子１００が上に、回路基板３が下に配置されて接合される例に適応して説明したが、逆に半導体素子１００が下に、回路基板３が上に配置されて接合されることもできる。
【００３３】
上記の構成によれば、配線基板９と半導体素子１００との位置合わせが、配線基板９上に形成された半導体用端子１３と構造体１０２の突起部１０５および導通部１０６との嵌め合わせによって行われている。そのため、半導体素子１００と配線基板９との相対位置を容易に決めることができ、半導体素子１００と配線基板９との配置位置精度を容易に確保することができる。
また、半導体用端子１３と構造体１０２の突起部１０５および導通部１０６とを用いて、半導体素子１００と配線基板９との相対移動距離を制限することができる。そのため、線膨張係数の異なる半導体素子１００と配線基板９とを接続した後に、温度サイクルが加えられても、半導体素子１００と配線基板９との接続部に働くせん断方向応力を制限することができる。その結果、半導体素子１００と配線基板９との導通が断たれるのを防止することができ、液晶表示装置１の品質を向上することができる。
【００３４】
構造体１０２のテーパ部１０７と半導体用端子１３の端子傾斜面１３ａとが設けられていることにより、半導体素子１００と配線基板９とを接合させるときに、テーパ部１０７と端子傾斜面１３ａとがガイドとなって半導体用端子１３と構造体１０２の突起部１０５および導通部１０６とを嵌合させやすくすることができる。
さらに、テーパ部１０７と端子傾斜面１３ａとにより、ベース基板１１が引き伸ばされ、導電層１０３ｂと半導体用端子１３とのピッチを合わせることができる。そのため、ベース基板１１の熱膨張のみでピッチ合わせをする場合と比べて、ステージ１５０からベース基板１１に加える温度の上限を低くすることができる。
また、突起部１０５と導通部１０６との段差量寸法ｂが、半導体用端子１３の高さ寸法ａより小さいため、半導体用端子１３の先端を導通部１０６に形成された導電層１０３ｂに確実に当接させることができ、より確実に導電性を確保することができる。
【００３５】
ベース基板１１が可撓性を有するため、半導体素子１００と配線基板９との相対位置を決める時にベース基板１１が半導体素子１００に合わせるように変形することができる。そのため、半導体素子１００と配線基板９との相対位置をより正確に決めることができる。
また、ベース基板１１が半導体素子１００の変形に追従することができるため、半導体素子１００と配線基板９との間に働くせん断方向応力をより小さくすることができ、せん断方向に対する接合部の強度を向上させることができる。
【００３６】
図８は、本発明によるＣＯＧ式液晶表示装置の一例を示す分解斜視図である。
また、本発明は、上記ＣＯＦ実装以外にも表示体パネル（液晶パネル）上に直接ドライバＩＣ等を実装するＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）式の電気光学装置や、ＣＯＢ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｒｄ）式の電気光学装置にも適用可能である。
電気光学装置としての液晶表示装置（電気光学装置）５０は、図８に示すように、金属板から成る枠状のシールドケース６８と、電気光学パネルとしての液晶パネル（電気光学パネル）５２と、液晶駆動用ＬＳＩ５８と、液晶パネル５２と液晶駆動用ＬＳＩ（半導体装置）５８の能動面に形成された構造体（図示せず）とをＣＯＧ実装方式によって互いに電気的に接続するための図示しないＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ ：異方性導電膜）と、全体の強度を保つための保持部材１７２とを有している。
【００３７】
この液晶パネル５２は、一方の面に第１透明電極層を設けた０．７ｍｍ厚のソーダガラスからなる第１基板５３と、一方の面に第２の透明電極層を設けた０．７ｍｍ厚のソーダガラスからなる第２基板５４とを、第１透明電極層と第２透明電極層とが相対向するように貼り合わせ、さらに、これらの基板間に液晶組成物を封入して構成される。そして、ＣＯＧ用ＡＣＦを用いて液晶駆動用ＬＳＩ５８を一方の基板５４上に直接、電気的に接続する。こうしてＣＯＧ型の液晶パネル５２が形成される。この液晶駆動用ＬＳＩ５８は、上記半導体装置の製造方法により製造される。
【００３８】
図９は、本発明による電気光学装置としての有機ＥＬ表示装置に設けられる有機ＥＬパネルの断面図である。
また、電気光学装置としては、液晶表示装置以外にも有機ＥＬ表示装置を用いることも可能である。有機ＥＬパネル（電気光学パネル）３０は、図９に示すように、基板３１上にマトリクス状にＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）３２を形成し、さらにその上に複数の積層体３３を形成して概略構成されている。ＴＦＴ３２は、ソース電極、ゲート電極、及びドレイン電極が形成されており、ゲート電極及びソース電極は例えば図３に示した導電層１０３ｂのいずれかと電気的に接続される。上記積層体３３は、陽極層３４、正孔注入層３５、発光層３６、及び陰極層３７を含んで構成される。上記陽極層３４は、ＴＦＴ３２のドレイン電極と接続されており、ＴＦＴ３２がオン状態にあるときに電流が、ＴＦＴ３２のソース電極及びドレイン電極を介して陽極層３４に供給される。
【００３９】
以上の構成の有機ＥＬパネル３０において、陽極層３４から正孔注入層３５を介して発光層３６に注入された正孔（ホール）と、陰極層３７から発光層３６に注入された電子とが発光層３６内において再結合して生ずる光は、基板３１側から射出される。
【００４０】
以上、本発明の実施形態による半導体装置の製造方法及び回路基板並びに電気光学装置について説明したが、本実施形態の電気光学装置が搭載される電子機器について説明する。以上説明した電気光学装置としての液晶表示装置、ＣＰＵ（中央処理装置）等を備えたマザーボード、キーボード、ハードディスク等の電子部品を筐体内に組み込むことで、例えば図９に示すノート型のパーソナルコンピュータ６０が製造される。
【００４１】
図１０は、本発明の一実施形態による電子機器としてのノート型コンピュータを示す外観図である。図１１は、他の電子機器としての液晶表示装置（電気光学装置）を示す斜視図である。
図１０において６１は筐体であり、６２は液晶表示装置（電気光学装置）であり、６３はキーボードである。なお、図１０においては、液晶表示装置を備えるノート形コンピュータを示しているが、液晶表示装置に代えて有機ＥＬ表示装置を備えていても良い。
図１１に示した携帯電話機７０は、アンテナ７１、受話器７２、送話器７３、液晶表示装置７４、及び操作釦部７５等を備えて構成されている。また、図１１に示した携帯電話機においても液晶表示装置７４に代えて有機ＥＬ表示装置を備えた構成であっても良い。
【００４２】
また、上記実施形態では、電子機器としてノート型コンピュータ及び携帯電話機を例に挙げて説明したが、これらに限らず、液晶プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等の電子機器に適用することが可能である。
【００４３】
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記の実施の形態においては、半導体素子１００側に凹部（導通部１０６）が形成され、配線基板９側に凸部（半導体用端子１３）が形成される構成に適応して失明したが、この構成に限られることなく、半導体素子１００側に凸部を形成し、配線基板９側に凹部を形成する構成など、その他各種の構成に適応することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明による液晶表示装置の分解斜視図である。
【図２】ベース基板の断面図である。
【図３】本発明の半導体素子の部分平面図である。
【図４】図３におけるＡ−Ａ線視断面図である。
【図５】図３におけるＢ−Ｂ線視断面図である。
【図６】半導体素子と配線基板との接合工程図である。
【図７】半導体素子と配線基板との接合断面図である。
【図８】本発明によるＣＯＧ式液晶表示装置の一例を示す分解斜視図である。
【図９】本発明による有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬパネルの断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態によるノート型コンピュータを示す外観図である。
【図１１】他の電子機器としての液晶表示装置を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００４５】
１、５０、６２・・・液晶表示装置（電気光学装置）、  ２、５２・・・液晶パネル（電気光学パネル）、  ３・・・回路基板、  ９・・・配線基板（配線）、  １１・・・ベース基板（基板）、  １３・・・半導体用端子（凸部）、  １３ａ・・・端子傾斜面（テーパ部）、  ３０・・・有機ＥＬパネル（電気光学パネル）、  ５８・・・液晶駆動用ＬＳＩ（半導体装置）、  １００・・・半導体素子（半導体装置）、  １０１・・・Ａｌ電極（電極）、  １０２・・・構造体、  １０３ａ、１０３ｂ・・・導電層、  １０６・・・導通部（凹部）、  １０７・・・テーパ部
【図１】
2005086165.tif 000003
【図２】
2005086165.tif 000004
【図３】
2005086165.tif 000005
【図４】
2005086165.tif 000006
【図５】
2005086165.tif 000007
【図６】
2005086165.tif 000008
【図７】
2005086165.tif 000009
【図８】
2005086165.tif 000010
【図９】
2005086165.tif 000011
【図１０】
2005086165.tif 000012
【図１１】
2005086165.tif 000013