(57)【要約】【課題】  従来技術のプラズマ窒化方法における欠点を解決し、半値深さ０．８ｎｍ以下の極薄酸窒化膜を得ることができるプラズマ窒化方法を提供する。【解決手段】  反応室内に被処理基体を搬入する工程と、該反応室内を排気する工程と、該反応室内に所定の流量で窒素原子を含むガスを供給する工程と、排気コンダクタンスを調整して該反応室内を所定の圧力に維持する工程と、該反応室内に所定の電力を導入することによりプラズマを発生させて該基体表面を窒化せしめる工程とを含むプラズマ窒化方法であって、該ガスは水素原子も含み、該圧力は２Ｔｏｒｒ以上、該プラズマの最密部と該基体との間隔は７５ｍｍ以上であることを特徴とするプラズマ窒化方法。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応室内に被処理基体を搬入する工程と、該反応室内を排気する工程と、該反応室内に所定の流量で窒素原子を含むガスを供給する工程と、排気コンダクタンスを調整して該反応室内を所定の圧力に維持する工程と、該反応室内に所定の電力を導入することによりプラズマを発生させて該基体表面を窒化せしめる工程とを含むプラズマ窒化方法であって、前記ガスが水素原子も含み、前記圧力が２Ｔｏｒｒ以上、前記プラズマの最密部と該基体との間隔が７５ｍｍ以上であることを特徴とするプラズマ窒化方法。
【請求項２】
前記ガスがＮＨ結合含有ガスに希ガス若しくはＮ２を混合したガスであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ窒化方法。
【請求項３】
前記ＮＨ結合含有ガスがＮＨ３またはＮ２Ｈ４であることを特徴とする請求項２に記載のプラズマ窒化方法。
【請求項４】
前記ガスが窒素原子含有ガスと水素原子含有ガスとの混合ガス、若しくは更に希ガスを混合したガスであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ窒化方法。
【請求項５】
前記窒素原子含有ガスがＮ２であり、水素原子含有ガスがＨ２であることを特徴とする請求項４に記載のプラズマ窒化方法。
【請求項６】
前記圧力が３Ｔｏｒｒ以上であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のプラズマ窒化方法。
【請求項７】
前記プラズマ最密部−基体間隔が１００ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のプラズマ窒化方法。
【請求項８】
前記基体とプラズマ発生領域の間に該プラズマからの正イオンを反射する電界を発生させることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のプラズマ窒化方法。
【請求項９】
前記基体とプラズマ発生領域の間に該プラズマからのイオンをトラップする磁界を発生させることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のプラズマ窒化方法。
【請求項１０】
前記電力供給手段としてマイクロ波電力供給マルチスロットアンテナを用いることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のプラズマ窒化方法。
【請求項１１】
前記電力供給手段としてスロット付き無終端環状導波管を用いることを特徴とする請求項１０のいずれか１項に記載のプラズマ窒化方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基体表面のプラズマ窒化方法に関する。更に詳しくは、本発明は、基体の極表面を浅く高濃度に窒化するプラズマ窒化方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の微細化技術の進歩により、今日では数十ｎｍのゲート長のＭＯＳ−ＦＥＴを有するＵＬＳＩの製造が可能になってきている。このようなゲート長の短縮に伴って、いわゆるスケーリング（比例縮小）則に従い、ゲート絶縁膜を１．５ｎｍ以下に薄膜化することが必要になってきている。しかし、シリコン酸化膜を薄膜化すると、トンネル効果により絶縁膜を介して流れるゲートリーク電流が増大する問題がある。
【０００３】
このため、シリコン酸化膜の代りにＴａ２Ｏ５やＡｌＳｉＯ、ＨｆＳｉＯなど、高誘電率を有する、いわゆるＨｉｇｈ−ｋ膜（高誘電体膜）の使用が検討されているが、実用化するためには、他の材料・プロセスとの整合など、解決すべき課題が山積している。
【０００４】
そこで、Ｈｉｇｈ−ｋ膜よりは低誘電率だが、材料・プロセスの実績がある上、Ｂなどの不純物のゲート電極から基板中への拡散に対するバリア性も有するシリコン窒化膜若しくは酸窒化膜を使用することが検討されている。これらの膜の形成方法としては、ＬＰ−ＣＶＤやＰＥ−ＣＶＤなど、ＣＶＤ法が一般的だが、リーク電流や界面準位が多く、使用に耐えない。
【０００５】
それで、窒素を含むガスをプラズマで励起し、シリコン基板若しくはシリコン酸化膜の表面を窒化する方法が実用検討されている。このようにして得られたシリコン窒化膜若しくは酸窒化膜は界面準位やリーク電流が少なく、次世代ゲート絶縁膜として有力視されている。
【０００６】
高濃度を含む様々な濃度で浅い窒化を行うためには、表面波プラズマなどの高密度・低電子温度プラズマが適している。こうしたいわゆる表面波プラズマ窒化は次のように行われる。即ち、表面波プラズマ窒化装置の処理室内に処理用ガスを導入し、処理室の外部に設けられたマイクロ波供給装置からマイクロ波エネルギーをマイクロ波透過窓を透して処理室に供給してプラズマを発生させ、ガスを励起、解離、反応させ、処理室内に配された基体表面を処理する。
【０００７】
表面波プラズマ処理においては、ガスの励起源としてマイクロ波を使用することから、高い周波数をもつ電子プラズマ波電界により、電子を高頻度で必要なエネルギーまで加速でき、ガス分子を効率的に電離、励起させることができる。それ故、表面波プラズマ処理装置を用いた場合、ガスの電離効率、励起効率及び分解効率が高く、高密度で低電子温度のプラズマを比較的容易に形成し得る、低温で高速に高品質処理できるといった利点を有する。また、マイクロ波が誘電体を透過する性質を有することから、プラズマ処理装置を無電極放電タイプのものとして構成でき、これが故に高清浄なプラズマ処理を行い得るという利点もある。
【０００８】
表面波プラズマ処理装置の例として、近年、マイクロ波の均一で効率的な導入装置として複数のスロットがＨ面に形成された無終端環状導波管を用いた装置が提案されている（例えば、特許文献１および２参照）。このマイクロ波プラズマ処理装置を図３に示す。５０１はプラズマ処理室、５０２は被処理基体、５０３は基体５０２の支持体、５０４は基板温度調整手段、５０５はプラズマ処理室５０１の周辺に設けられたプラズマ処理用ガス導入手段、５０６は排気、５０７はプラズマ処理室５０１を大気側と分離する誘電体窓、５０８は電力導入手段であり、マイクロ波を誘電体窓５０７を透してプラズマ処理室５０１に導入するためのスロット付無終端環状導波管である。
【０００９】
プラズマ窒化は以下のようにして行なう。排気系（不図示）を介してプラズマ処理室５０１内を真空排気する。続いて室素原子を含むガスをプラズマ処理室５０１の周辺に設けられたガス導入手段５０５を介して所定の流量でプラズマ処理室５０１内に導入する。次に排気系（不図示）に設けられたコンダクタンスバルブ（不図示）を調整し、プラズマ処理室５０１内を所定の圧力に保持する。マイクロ波電源（不図示）より所望の電力を無終端環状導波管５０８を介してプラズマ処理室５０１内に供給する。この際、無終端環状導波管５０８内に導入されたマイクロ波は，誘電体窓５０７を透過してプラズマ処理室５０１に導入され，高密度プラズマを発生させる。処理用ガスは発生した高密度プラズマにより励起され、支持体５０３上に載置された被処理基体５０２の表面を窒化する。
【００１０】
このような表面波プラズマ処理装置を用いることにより、直径３００ｍｍ程度の大口径空間に±３％以内の均一性をもって、電子密度１０１２ｃｍ−３以上、電子温度２ｅＶ以下、シース電位１０Ｖ以下の高密度低電子温度プラズマが発生できるので、短時間に高濃度で浅い窒化が可能になる。
【特許文献１】特開平０５−３４５９８２号公報
【特許文献２】特開平１１−０４０３９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上述したような表面波プラズマ処理装置を用いて表面窒化により極薄膜酸窒化膜を形成しようとする場合、窒素プロファイルを決定する主成分がシース電界により加速され基板表面に打ち込まれるイオンであるため、電子温度が十分低いプラズマであっても半値深さ０．８ｎｍ以下の極薄酸窒化膜を得ることは難しい。
【００１２】
“ラジカルモード”といって、高圧処理によりラジカル支配になると主張する場合もあるが、この場合にもプロファイルを決定するのは比較的高エネルギーのイオンであり、半値深さを大幅に低減させることはできない。また、イオンフラックスが低減するので、短時間に高濃度窒化することも難しくなる。
【００１３】
本発明の主たる目的は、上述した従来のプラズマ窒化方法における不十分な点を解決し、半値深さ０．８ｎｍ以下の極薄酸窒化膜を得る基体表面のプラズマ窒化方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明者らは、従来のプラズマ窒化方法における上述した問題点を解決し、上記目的を達成すべく鋭意努力した結果、本発明を完成するに至った。
【００１５】
すなわち本発明は、反応室内に被処理基体を搬入する工程と、該反応室内を排気する工程と、該反応室内に所定の流量で窒素原子を含むガスを供給する工程と、排気コンダクタンスを調整して該反応室内を所定の圧力に維持する工程と、該反応室内に所定の電力を導入してプラズマを発生させて該基体表面を窒化せしめる工程とを含むプラズマ窒化方法であって、該ガスが水素原子も含み、該圧力が２Ｔｏｒｒ以上、該プラズマの最密部と該基体との間隔が７５ｍｍ以上であることにより、半値深さ０．８ｎｍ以下の極薄酸窒化膜を得る窒化処理方法を提供することが可能であるという知見を得たものである。
【発明の効果】
【００１６】
以上説明したように、本発明のプラズマ窒化方法によれば、窒素原子に加えて水素原子も含むガス又は混合ガスを使用し、プラズマの最密部と該基体との間隔は７５ｍｍ以上離し、圧力を２Ｔｏｒｒ以上の高圧でプラズマ窒化処理をすることにより、ＮＨ４＋イオン支配の窒化を実現することができ、これにより電子温度引いては入射イオンエネルギーを大幅に低減できるので、半値深さ０．８ｎｍ以下の極浅酸窒化膜若しくは窒化膜を得ることができるプラズマ窒化方法を提供できるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に本発明のプラズマ窒化処理方法を図１を用いて説明する。
１０１はプラズマ処理室、１０２は窓近傍のプラズマ最強部から５０ｍｍ以上離れて設置された被処理基体、１０３は基体１０２の支持体、１０４は基板温度調整手段、１０５はプラズマ処理室１０１の周辺に設けられた窒素原子と水素原子を含むプラズマ処理用ガス導入手段、１０６は排気、１０８は電力をプラズマ処理室１０１に導入するための電力導入手段である。
【００１８】
プラズマ窒化処理は以下のようにして行なう。排気系（不図示）を介してプラズマ処理室１０１内を真空排気する。続いて窒素原子と水素原子を含む処理用ガスをプラズマ処理室１０１の周辺に設けられたガス導入手段１０５を介して所定の流量でプラズマ処理室１０１内に導入する。次に排気系（不図示）に設けられたコンダクタンスバルブ（不図示）を調整し、プラズマ処理室１０１内の所定の圧力を１Ｔｏｒｒ以上に保持する。電力導入手段１０８を介し所望の電力をプラズマ処理室１０１に導入し、プラズマを発生させる。周辺から導入された処理用ガスは、発生したプラズマにより励起・イオン化・反応して活性化し、支持体１０３上に載置された被処理基体１０２の表面を窒化する。
【００１９】
図２に、窒化処理用ガスとして５％Ｈ２／Ｎ２を使用した場合の、ＮＨ４／Ｎ２イオン密度比の圧力（図２（ａ））と窓−基板間隔（図２（ｂ））に対する依存性を示す。図２（ａ）から明らかなように、窓−基板間隔が７５ｍｍの場合、圧力が２〜３Ｔｏｒｒでイオン密度比が上昇し、窒化反応がＮＨ４＋支配に変化する。また図２（ｂ）から明らかなように、圧力が２Ｔｏｒｒの場合、窓−基板間隔が７５〜１００ｍｍでイオン密度比が上昇し、窒化反応がＮＨ４＋支配に変化する。
【００２０】
したがって、窒化プロファイルを決定する主成分が充分低いシース電界により加速されるＮＨ４＋イオンになるので、極めて浅い窒化プロファイルが得られる。
【００２１】
本発明のプラズマ窒化処理方法に使用されるガスは、(イ)ＮＨ３（アンモニア）、Ｎ２Ｈ４（ヒドラジン）などのＮＨ結合を含むガス単独、若しくはそれを希ガスやＮ２（窒素）などで希釈した混合ガス、(ロ)Ｎ２などの窒素原子を含むガスと、Ｈ２、ＣＨ４、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６などの水素原子を含むガスとの混合ガス、若しくはそれを希ガスで希釈したガスなど、プラズマ中でＮＨ４＋を発生するガスであれば使用可能である。
【００２２】
本発明のプラズマ窒化処理方法に使用される圧力は、イオン密度比が増加しＮＨ４＋支配になる２Ｔｏｒｒ以上、好ましくは３Ｔｏｒｒ以上が適当である。
【００２３】
本発明のプラズマ窒化処理方法に使用されるプラズマ最密部（表面波プラズマの場合窓近傍）−基板間隔は、イオン密度比が増加しＮＨ４＋支配になる７５ｍｍ以上、好ましくは１００ｍｍ以上が適当である。
【００２４】
本発明のプラズマ窒化処理方法には、よりイオン密度比を向上させるため、プラズマ発生部と基体支持手段との間に、コンダクタンス制御板を設置してもよい。コンダクタンス制御板は複数の孔が穿けられた平板などが適用可能である。コンダクタンス制御板の材質は、石英、窒化シリコンなどのＳｉ系絶縁体材料を使用する。
【００２５】
本発明のプラズマ窒化処理方法に用いられる電力供給手段は、スロット付無終端環状導波管や同軸導入平板マルチスロットアンテナなど、マイクロ波を平板状に供給できるものが最適ではあるが、プラズマを発生させることが出来る手段であれば何でも適用可能である。
【００２６】
本発明のプラズマ窒化処理方法は、使用するガスを適宜選択することにより、基体もしくは表面層としてＳｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｔａなどを使用してこれら基体もしくは表面層の窒化処理が可能である。
【００２７】
以下実施例を挙げて本発明のマイクロ波プラズマ窒化処理方法をより具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【実施例１】
【００２８】
図１に示したマイクロ波プラズマ処理装置を使用し、半導体論理素子の極薄ゲート酸化膜の表面窒化処理を行った。
【００２９】
基体１０２としては、１．２ｎｍ酸化膜付きφ８インチのＰ型単結晶シリコン基板（面方位〈１００〉、抵抗率１０Ωｃｍ）を使用した。まず、該シリコン基板１０２を基体支持台１０３上に設置し、排気系（不図示）を介してプラズマ処理室１０１内を真空排気し、該シリコン基板１０２を３００℃に加熱・保持した。プラズマ処理用ガス導入口１０５を介してＨ２をＮ２に５％添加した混合ガスを３ｓｌｍの流量で処理室１０１内に導入した。ついで、排気系（不図示）に設けられたコンダクタンスバルブ（不図示）を調整し、処理室１０１内を３Ｔｏｒｒに保持した。ついで、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源（不図示）より１．０ｋＷの電力をスロット付無終端環状導波管１０８を介して供給した。かくして、プラズマ処理室１０１内にプラズマを発生させ、１５秒間処理を行った。
【００３０】
この際、プラズマ処理用ガス導入口１０５を介して導入された混合ガスはプラズマ処理室１０１内で励起され、互いに反応してＮＨ４＋を生成し、イオン種よりも大量にシリコン基板１０２表面に到達し、極表面のみを窒化する。
【００３１】
窒化処理後、深さプロファイル、等価酸化膜厚（ＥＯＴ）、界面準位密度（容量測定器により得られた１ＭＨｚＲＦ印加の場合のＣ−Ｖ特性）などについて評価した。この結果、窒素ピーク濃度は１２％、半値深さは０．５ｎｍと極めて浅く、ＥＯＴは１．０ｎｍと極めて薄く，界面準位も充分低く良好なＣ−Ｖ特性が得られた。
【実施例２】
【００３２】
図１に示したマイクロ波プラズマ処理装置を使用し、半導体記憶素子のゲート酸化膜の表面窒化処理を行った。
【００３３】
基体１０２としては、３．０ｎｍ酸化膜付きφ８インチのＰ型単結晶シリコン基板（面方位〈１００〉、抵抗率１０Ωｃｍ）を使用した。まず、該シリコン基板１０２を基体支持台１０３上に設置し、排気系（不図示）を介してプラズマ処理室１０１内を真空排気し、該シリコン基板１０２を３００℃に加熱・保持した。プラズマ処理用ガス導入口１０５を介してＮＨ３をＮ２に５％添加した混合ガスを３ｓｌｍの流量で処理室１０１内に導入した。ついで、排気系（不図示）に設けられたコンダクタンスバルブ（不図示）を調整し、処理室１０１内を３Ｔｏｒｒに保持した。ついで、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源（不図示）より１．０ｋＷの電力をスロット付無終端環状導波管１０８を介して供給した。かくして、プラズマ処理室１０１内にプラズマを発生させ、４０秒間処理を行った。
【００３４】
この際、プラズマ処理用ガス導入口１０５を介して導入された混合ガスはプラズマ処理室１０１内で励起、反応してＮＨ４＋を生成し、イオン種よりも大量にシリコン基板１０２表面に到達し、極表面を窒化する。
【００３５】
窒化処理後、実施例１と同様に、深さプロファイル、ＥＯＴ、Ｃ−Ｖ特性などについて評価した。この結果、窒素ピーク濃度は３０％で、半値深さは０．８ｎｍと極めて浅く、ＥＯＴは２．１ｎｍと薄く、界面準位も極めて低く良好なＣ−Ｖ特性が得られた。
【実施例３】
【００３６】
図１に示したマイクロ波プラズマ処理装置を使用し、半導体論理素子のシリコン基板の直接窒化処理を行った。
【００３７】
基体１０２としては、洗浄により自然酸化膜を除去したφ８インチのＰ型単結晶シリコン基板（面方位〈１００〉、抵抗率１０Ωｃｍ）を使用した。まず、該シリコン基板１０２を基体支持台１０３上に設置し、排気系（不図示）を介してプラズマ処理室１０１内を真空排気し、該シリコン基板１０２を３００℃に加熱・保持した。プラズマ処理用ガス導入口１０５を介してＮ２Ｈ４をＡｒに５％添加した混合ガスを２ｓｌｍの流量で処理室１０１内に導入した。ついで、排気系（不図示）に設けられたコンダクタンスバルブ（不図示）を調整し、処理室１０１内を２Ｔｏｒｒに保持した。ついで、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源（不図示）より１．０ｋＷの電力をスロット付無終端環状導波管１０８を介して供給した。かくして、プラズマ処理室１０１内にプラズマを発生させ、２４０秒間処理を行った。
【００３８】
この際、プラズマ処理用ガス導入口１０５を介して導入された混合ガスはプラズマ処理室１０１内で励起、反応してＮＨ４＋を生成し、イオン種よりも大量にシリコン基板１０２表面に到達し、極表面を窒化する。
【００３９】
窒化処理後、実施例１と同様に、深さプロファイル、ＥＯＴ、Ｃ−Ｖ特性などについて評価した。この結果、半値深さは０．６ｎｍと極めて浅く、ＥＯＴは０．９ｎｍと極めて薄く、界面準位も充分低く良好なＣ−Ｖ特性が得られた。
【実施例４】
【００４０】
図１に示したマイクロ波プラズマ処理装置を使用し、半導体論理素子の高誘電率ゲート酸化膜の成膜前下地窒化処理を行った。
【００４１】
基体１０２としては、洗浄により自然酸化膜を除去したφ８インチのＰ型単結晶シリコン基板（面方位〈１００〉、抵抗率１０Ωｃｍ）を使用した。まず、該シリコン基板１０２を基体支持台１０３上に設置し、排気系（不図示）を介してプラズマ処理室１０１内を真空排気し、該シリコン基板１０２を３００℃に加熱・保持した。プラズマ処理用ガス導入口１０５を介してＮＨ３をＡｒに５％添加した混合ガスを３ｓｌｍの流量で処理室１０１内に導入した。ついで、排気系（不図示）に設けられたコンダクタンスバルブ（不図示）を調整し、処理室１０１内を３Ｔｏｒｒに保持した。ついで、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源（不図示）より１．０ｋＷの電力をスロット付無終端環状導波管１０８を介して供給した。かくして、プラズマ処理室１０１内にプラズマを発生させ、１８０秒間処理を行った。
【００４２】
この際、プラズマ処理用ガス導入口１０５を介して導入された混合ガスはプラズマ処理室１０１内で励起、反応してＮＨ４＋を生成し、イオン種よりも大量にシリコン基板１０２表面に到達し、極表面を窒化する。
【００４３】
窒化処理後、高誘電率絶縁膜として４ｎｍ厚のＨｆＳｉＯをＣＶＤ法により成膜し、実施例１と同様に、深さプロファイル、ＥＯＴ、Ｃ−Ｖ特性などについて評価した。この結果、半値深さは０．６ｎｍと充分浅く、ＥＯＴは０．８ｎｍと極めて薄く、界面準位も充分低く良好なＣ−Ｖ特性が得られた。
【実施例５】
【００４４】
図１に示したマイクロ波プラズマ処理装置を使用し、フラッシュメモリの制御ゲート酸化膜の表面窒化処理を行った。
【００４５】
基体１０２としては、浮遊ゲート電極上に６ｎｍ酸化膜を付けたφ８インチＰ型単結晶シリコン基板（面方位〈１００〉、抵抗率１０Ωｃｍ）を使用した。まず、該シリコン基板１０２を基体支持台１０３上に設置し、排気系（不図示）を介してプラズマ処理室１０１内を真空排気し、該シリコン基板１０２を３００℃に加熱・保持した。プラズマ処理用ガス導入口１０５を介してＨ２をＮ２に５％添加した混合ガスを３ｓｌｍの流量で処理室１０１内に導入した。ついで、排気系（不図示）に設けられたコンダクタンスバルブ（不図示）を調整し、処理室１０１内を２Ｔｏｒｒに保持した。ついで、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源（不図示）より１．０ｋＷの電力をスロット付無終端環状導波管１０８を介して供給した。かくして、プラズマ処理室１０１内にプラズマを発生させ、１８０秒間処理を行った。
【００４６】
この際、プラズマ処理用ガス導入口１０５を介して導入された混合ガスはプラズマ処理室１０１内で励起、反応してＮＨ４＋を生成し、イオン種よりも大量にシリコン基板１０２表面に到達し、極表面を窒化する。
【００４７】
窒化処理後、実施例１と同様に、深さプロファイル、Ｃ−Ｖ特性などについて評価した。この結果、半値深さは０．７ｎｍと極めて浅く、良好なＣ−Ｖ特性が得られた。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明のプラズマ処理方法の概要を説明するためのプラズマ処理装置の断面図。
【図２】（ａ）は本発明のプラズマ処理方法の補足説明をするためのＮＨ４／Ｎ２イオン密度比の圧力に対する依存性を示す図、（ｂ）は本発明のプラズマ処理方法の補足説明をするためのＮＨ４／Ｎ２イオン密度比の窓−基板間隔に対する依存性を示す図。
【図３】従来例であるプラズマ処理装置の断面図。
【符号の説明】
【００４９】
１０１,５０１:プラズマ処理室、１０２，５０２：被処理基体、１０３，５０３：支持体、１０４，５０４：基体温度調整手段、１０５，５０５：処理用ガス導入手段、１０６，５０６：排気、１０７，５０７：誘電体窓、１０８，５０８：電力導入手段。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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