(57)【要約】【課題】線膨張率の小さな絶縁基板との半田接合により銅ベースに発生した反りを、短時間，かつ少ない消費エネルギーで矯正できるように改良した反り矯正方法を提供する。【解決手段】半導体チップを７マウントした絶縁基板３を銅ベース１に載置して半田接合した半導体装置の組立体に対し、銅ベースを低温状態に保ったまま絶縁基板側から熱を加えて半田層９の温度をクリープ変形し易い融点近い温度まで昇温させた後に加熱を止めて常温に戻し、この過程で銅ベースと絶縁基板との半田接合の際に発生した銅ベースの反りを、半田層のクリープ変形を利用して矯正するものとし、その矯正工程では、あらかじめ加熱器１５で高温に予熱しておいた加熱ブロック１５を絶縁基板３の上に移して半田層９を基板側からの伝熱により融点に近い高温に昇温させた後に加熱ブロックを外して常温まで戻す。また、この間に銅ベースの裏面側には予冷しておいた冷却ブロック１６を当てて低温状態に保持する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップをマウントした絶縁基板を銅ベース上に載置して半田接合した半導体装置の組立体に対し、銅ベース側を低温状態に保ったまま絶縁基板側から熱を加えて前記半田層の温度をクリープ変形し易い融点近い温度まで昇温させた後に、絶縁基板への加熱を止めて常温まで戻し、絶縁基板との半田接合過程で生じた銅ベースの反りを矯正するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の製造方法において、絶縁基板の加熱手段として、あらかじめ高温に予熱しておいた加熱ブロックを絶縁基板の表面に当てがって半田層を高温状態に昇温させるとともに、加熱ブロックからの熱伝導により銅ベースが高温状態に昇温する以前に加熱ブロックを絶縁基板から外して常温に戻すようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の製造方法において、加熱ブロックが、高い熱伝導率と、半田層を融点近くまで昇温させるに必要な熱容量を有する金属ブロック体であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項２に記載の製造方法において、絶縁基板に当てがう加熱ブロックは、その表面が凹面状を呈し、かつ該表面に絶縁基板にマウントした半導体チップとの干渉を避ける凹部が形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項２に記載の製造方法において、加熱ブロックとして、絶縁基板の表面形状，および該基板上にマウントした半導体チップの形状に順応して個々に変位可能な可動ブロックの集合体を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載の製造方法において、絶縁基板の加熱手段として、絶縁基板の表面に半田の融点近い温度に加熱した高温気体を絶縁基板の表面に吹きつけて半田層を高温状態に昇温させ、高温気体からの熱伝導により銅ベースが高温状態に昇温する以前に高温気体の吹きつけを停止して常温に戻すようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１に記載の製造方法において、銅ベースを常温状態に保持する手段として、銅ベースの底面側にあらかじめ低温に予冷しておいた冷却ブロックを当てがうようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１に記載の製造方法において、銅ベースを常温状態に保持する手段として、銅ベースの底面側に低温に冷却した冷気を吹きつけるようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１に記載の製造方法において、絶縁基板側からの加熱操作と並行して、銅ベースに反りを矯正する方向に加圧力を加えるようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パワー半導体モジュールの製造工程で、線膨張率の異なる絶縁基板と銅ベースとを半田接合した際に銅ベースに発生した反りの矯正方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
まず、本発明の実施対象となるパワー半導体モジュールの組立構造を図５に示す。図において、１はパッケージの銅ベース、２は樹脂成形品の外囲ケース、３はAl2 Ｏ3 ，AlＮなどを材料とするセラミック板４の上下両面に銅回路パターン５，裏ベタ銅箔６を直接接合したDirect Bonding Copper 基板、７は絶縁基板３の銅回路パターン５に半田マウントした半導体チップ、８は銅回路パターン５に半田接合して外部に引き出した外部導出端子（リードフレーム）であり、前記絶縁基板３はその裏ベタ銅箔６を銅ベース１の上面に重ね合わせて半田接合されている。なお、９，１０，１１はそれぞれ銅ベース／絶縁基板間，絶縁基板／半導体チップ間，絶縁基板／外部導出端子間の接合半田層を表している。
上記構成のパワー半導体モジュールを使用する際には、図示のように銅ベース１を放熱フィン（ヒートシンク）１２の端面に重ね合わせて銅ベース１の両端に穿孔した取付穴１ａに通したボルト１３で放熱フィンに締結固定し、半導体チップ７の発生熱を絶縁基板３，銅ベース１を伝熱して放熱フィン１２より大気側に放熱するようにしている。
【０００３】
ここで、前記半導体モジュールの組立工程で銅ベース１に絶縁基板３を半田接合するには、銅ベース１と絶縁基板３との間に半田箔を挟むか半田クリームを塗布しておき、この仮組立状態で加熱炉に搬入し、半田の融点以上の温度に加熱して半田付けを行うようにしている。
ところで、前記方法で銅ベース１に絶縁基板３を半田接合した後、組立体を加熱炉から取り出して常温（室温）まで戻すと、図６で示すように銅ベース１に反りが生じて底面中央部が凹状となる。この反りは銅ベース１と絶縁基板３との線膨張率差に起因する所謂バイメタル作用によって発生する。すなわち、絶縁基板３の等価線膨張率はセラミック単体の線膨張率（4.6E-6/K〜7.1E-6/K) に近似した値で、銅ベース１の線膨張率（16.5E-6/K)と比べて非常に小さい。このために、前記のように仮組立体を半田の融点以上に加熱して銅ベース１と絶縁基板３の間を半田接合した後に常温まで冷却すると、銅ベース１の熱収縮量が絶縁基板３に比べて大きくなるため、その底面中央部が凹状となるような反りが発生する。しかも、銅ベース１に反りが生じた状態で半導体モジュールを放熱フィン１２に取り付けようとすると、図６で表すように銅ベース１の底面と放熱フィン１２とが密着しないで隙間が残り、このためにモジュール／放熱フィン間の伝熱性が極端に低下して所要の放熱性能が発揮できなくなると言った問題が発生する。
【０００４】
一方、前記のような銅ベースの反りを回避するために、次記のような対策が従来知られている。
(1) 銅ベース１の反り発生量を見込んであらかじめ銅ベースを凸状に加工しておき、絶縁基板３との間を半田接合した際に発生する反り分を補償して常温に戻した状態で銅ベース１の底面が略平坦を呈するようにする。
(2) 絶縁基板３との半田接合により銅ベース１の底面が凹状に反った状態で、この組立体を表面が銅ベースの反りと反対方向に凹状となる皿形のプレス金型の上に載せ、プレス金型に設けたヒータにより半田が塑性変形可能な温度になるまで加熱昇温させるとともに、この昇温状態で銅ベース１に加圧力を加えてプレス金型の表面形状に押圧させて反りを矯正する（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特公平７−１１０４９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、前記した従来の矯正方法では次記のような問題点がある。
すなわち、前項(1) の方法では、接合部材である銅ベース１の長さ寸法が大きくなると、その反り量は長さの二乗に比例して増加することから銅ベースの加工量が大きくなる。そのために、半導体装置の組立工程で銅ベース１の上に平坦な絶縁基板３を置くと、銅ベース１と絶縁基板３の間に隙間が生じて半田接合できないか、半田接合しても大きな未接合部が残る欠陥が発生する。
また、前項(2) の方法では、半田接合した基板／銅ベース組立体をプレス金型に載せた状態で、銅ベースを含めて半田が塑性変形（クリープ変形）可能になる温度まで加熱するために、加熱後に常温まで戻す冷却過程で銅ベースが熱収縮する。そのために、皿形のプレス金型に合わせて銅ベースを加圧操作する際に、冷却過程で発生する反り量を見込んでそれ以上の逆反り変形を与える必要があり、このために銅ベースと絶縁基板の間を接合している半田が剥離してしまうおそれがある。さらに、プレス金型に銅ベースを載置した状態で半田を塑性変形可能な温度まで昇温させるのに要する加熱時間が長く、また加熱後は銅ベースに加圧力を加えたまま室温まで徐冷することから、反り矯正工程のスループット時間が長くなるほか、消費する熱エネルギーも大きくなるなどの問題もある。さらに、従来ではパワー半導体モジュールに使用する半田はSn-Pb 系が主流であったが、最近になり環境問題からPbを含まない半田, 例えばSn-Ag 系の半田が用いられる傾向にある。しかもSn-Ag 系の半田はSn-Pb 系と比べて溶融温度が高く、このために前記従来の反り矯正方法では作業に長い時間がかかってスループット性が低下する。
【０００６】
本発明は上記の点に鑑みなされたものであり、線膨張率の小さな絶縁基板との半田接合により銅ベースに発生した反りを、短時間，かつ少ない消費エネルギーで効果的に矯正できるよう改良した半導体装置の銅ベースの反り矯正方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的は、本発明により次に記す矯正方法により達成できる。
すなわち、半導体チップをマウントした絶縁基板を銅ベース上に載置して半田接合した半導体装置の組立体に対し、その銅ベース側を低温状態に保ったまま絶縁基板側から熱を加えて前記半田層の温度をクリープ変形し易い融点近い温度まで昇温させた後に、絶縁基板への加熱を止めて常温まで戻して銅ベースの反りを矯正するものとし（請求項１）、具体的には次記の各項で述べるような手段を採用して実現できる。
(1) 反り矯正工程で絶縁基板を加熱する手段として、あらかじめ高温に予熱しておいた加熱ブロックを絶縁基板の表面に当てがって半田層を高温状態に昇温させるとともに、加熱ブロックからの熱伝導で銅ベースの温度が高温になる以前に加熱ブロックを絶縁基板から外して常温に戻すようにする（請求項２）。
【０００８】
(2) 前項(1) で用いる加熱ブロックには、高い熱伝導率と、半田層を融点近くまで昇温させるに必要な熱容量を有する金属ブロック体を用いる（請求項３）。
(3) 前項(2) に用いる加熱ブロックは、絶縁基板に当接する表面形状を凹面状となし、かつ該表面には絶縁基板上にマウントした半導体チップとの不要な干渉を避けるように凹部を形成しておく（請求項４）。
(4) 前項(2) に用いる加熱ブロックを、絶縁基板の表面形状，および該基板上にマウントした半導体チップの形状に順応して個々に変位可能な可動ブロックの集合体で構成する（請求項５）。
(5) 絶縁基板の加熱手段として、前記加熱ブロックを用いる代わりに、絶縁基板の表面に半田の融点近い温度に加熱した高温気体を絶縁基板の表面に吹きつけて半田層を高温状態に昇温させ、高温気体からの熱伝導により銅ベースが高温状態に昇温する前に高温気体の吹きつけを停止して常温に戻すようにする（請求項６）。
【０００９】
(6) 前記各項の矯正方法で、絶縁基板側から加熱している状態で銅ベースを低温状態に保持する手段として、銅ベースの底面側にあらかじめ低温に予冷しておいた冷却ブロックを当てがうようにする（請求項７）。
(7) 銅ベースを低温状態に保持する手段として、前項(6) で用いる冷却ブロックの代わりに、銅ベースの底面側に低温の冷却風を吹きつけるようにする（請求項８）。
(8) さらに、前記各項の矯正方法において、絶縁基板側からの加熱と並行して、銅ベースに反りを矯正する方向に加圧力を加えるようにする（請求項９）。
上記のように、本発明による反り矯正方法の最も大きな特長は、銅ベースを低温に保持した状態で絶縁基板側から熱を急速に加えて半田部分を融点近い温度まで昇温させるようにした点にあり、この方法によれば次記の作用で述べるように、銅ベース／絶縁基板の半田接合によって生じた銅ベースの反りを短時間で矯正することが可能となる。
【００１０】
すなわち、絶縁基板の線膨張率をαz 、半田接合後の絶縁基板の温度変化をＴz 、銅べースの線膨張率をαc 、接合後の銅ベースの温度変化をＴc とすれば、その反り量δは次式(1) で表される。
δ＝Ｋ（αz ＊Ｔz −αc ＊Ｔc ）  …………(1)
ここで、先記のように基板組立体を加熱炉に搬入して銅ベースと絶縁基板を半田接合する方法では、前記の温度変化はＴz ＝Ｔc であるがαz <<αc であるために、半田接合後に常温に戻す冷却過程で銅ベースには図６で述べたように底面中央が凹となる反りが発生する。
この場合に、銅ベースに発生した反りをできるだけ短時間で矯正させるには、銅ベース, 絶縁基板を常温状態に保ったままで半田層だけをクリープ変形を起こしやすい温度（半田の融点よりは低いが限りなく融点に近い温度）に高めることが考えられる。このような状態になれば、銅ベースと絶縁基板との間を接合している半田層がクリープ変形して銅ベース, 絶縁基板の残留応力（半田接合の際にバイメタル作用によって生じた応力）が解除されるので、銅ベースは反りのない当初の形状に復元する。しかしながら、絶縁基板と銅ベースとの間に挟まれた半田層だけを外部から加える加熱で高温状態に高めることは現実的に不可能である。
【００１１】
そこで、本発明の反り矯正方法では、線膨張率の小さい絶縁基板側から熱を加え、反対側の銅ベースを低温状態に保ったまま絶縁基板を伝熱した熱で半田層をクリープ変形し易い温度まで昇温させて銅ベースの反りを短時間で矯正するようにしている。
すなわち、セラミック板を主体とする絶縁基板の線膨張率はαz ＝5E- 6/K 、銅ベースの線膨張率はαc ＝16.5E-6/K 近傍の値であり、前記(1) 式で絶縁基板の温度変化Ｔz が200K（室温を20℃とすれば220 ℃）となるように絶縁基板側から熱を加え、その熱伝導により半田層の温度が融点（Sn−Pb系で約183 ℃) よりも多少低いクリープ変形し易い温度まで昇温したとする。このときに銅ベースの温度変化Ｔc が高々60K(室温を20℃とすれば80℃）の低温状態を保つように制御すれば、加熱の停止後に常温まで戻す過程で銅ベースが熱収縮することもなく、銅ベースの反り量を殆どゼロに矯正することができる。なお、この場合に銅ベースの温度変化をＴc<60K の範囲に制御できるならば、銅ベースの底面を多少凸状気味に反らせることも可能である。
【００１２】
なお、この場合に絶縁基板と銅ベースは半田層を挟んで伝熱的に結合されているので、絶縁基板側から熱を加える際に長い時間をかけてゆっくり加熱すると、熱伝導により銅ベースの温度も熱バランスするように高温に上昇するために上記のような温度差をつけることはできない。したがって、絶縁基板側からの加熱はできるだけ短時間で急速に行うのがよく、またその場合の加熱条件としては、半田層の温度を融点よりは低いが融点に限りなく近いという状態にするのが望ましい。
この点に関して、絶縁基板の加熱手段に本発明による加熱ブロックを用いた場合には、加熱ブロックから絶縁基板への熱流量Ｑは次式(2) で与えられる。
Ｑ＝λ（ｔ1-ｔ0 ）／（l/A ） …………(2)
そこで、前記の加熱ブロックにについて、熱伝導率 (λ) の高い材料を使う、ブロックの加熱温度 (ｔ1)を高くする。さらに絶縁基板との接触面積 (A)を大きく，伝熱距離 (l)を短縮して伝熱的な接触状態を良くすれば、短時間で半田層をクリープ変形し易い高温状態にすることが可能となる。
【００１３】
また、前記の加熱ブロックの代わりに高温空気を絶縁基板側に吹きつける (請求項６）方法を採用しても同様に機能させることができる。さらに、絶縁基板側からの加熱と並行して銅ベースを冷却する（請求項７，８）ことも有効な方法である。
そのほか、半田層を高温に加熱した状態で、銅ベースに対して反り発生方向と逆方向に加圧力を加える（請求項９）ことにより、銅ベースの残留応力除去を加速して反り矯正を助成できる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、前記のように半導体チップをマウントした絶縁基板を銅ベース上に載置して半田接合した半導体装置の組立体に対して、銅ベース側を低温状態に保ったまま絶縁基板側から急速に熱を加えて前記半田層の温度をクリープ変形し易い融点近くまで昇温させた後に、絶縁基板への加熱を止めて常温まで戻ようにしたことにより、絶縁基板との半田接合により銅ベースに生じた反りを、短時間，かつ少ない熱エネルギーの消費で効果的に矯正できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明は、半導体装置の組立工程で絶縁基板を銅ベースに半田接合した際に銅ベースに発生した反りを短時間で矯正するための方法として、線膨張率の大きな銅ベースを低温状態に保ったまま、線膨張率の小さい絶縁基板側から急速に熱を加えて半田層を融点近い温度に高め、半田のクリープ変形を利用して銅ベースの反りを矯正させるようにしたものであり、絶縁基板側から熱を加える手段, および銅ベースを低温状態に保持する手段には、次記の実施例で述べる具体的な手段を採用して実現できる。
【実施例１】
【００１６】
図１は本発明の基本的な実施例の反り矯正工程を表した図であり、図６に示した半導体装置の組立体（銅ベース１／絶縁基板３の半田接合により銅ベース１には底面側が凹となる反りが生じている）に対する銅ベース１の反り矯正工程には、加熱ブロック１４と該加熱ブロックを高温状態に予熱しておく加熱器１５備えている。
ここで、加熱ブロック１４は熱伝導率の高い材質で、熱容量の大きな金属ブロック体であり、その外形サイズは半導体装置の絶縁基板３，銅ベース１に対応している。また、加熱器１５は内蔵したヒータの加熱により加熱ブロック１４を半田（銅ベース１と絶縁基板３を接続する半田）の融点（例えば、Sn−Pb系の半田でで約183℃）に近い温度に予熱しておくようにする。
そして、半導体装置の組立工程で銅ベース１に絶縁基板３を半田接合した基板組立体（銅ベースに反りが生じている）が反り矯正工程に到来すると、加熱器１５に載せて高温状態に予熱しておいた加熱ブロック１４を加熱器１５から移動し、図示のように絶縁基板３の上に載せる。これにより、加熱ブロック１５の保有熱が絶縁基板３を経由して銅ベース１との間を接合した半田層９に伝熱し、半田はクリープ変形し易い融点近い温度にまで昇温するようになる。なお、この場合に半田層９を挟んで絶縁基板３と反対側に接合した銅ベース１の温度が加熱ブロック１４からの伝熱により常温（室温）から数十℃，高くても１００℃程度に昇温した状態になった時点で、加熱ブロック１４を絶縁基板３から取り外して加熱器１５に戻して銅ベース１がそれ以上高温にならないようにし、この状態から徐冷して常温に戻す。
【００１７】
この加熱，徐冷の過程で半田層９が一旦はクリープ変形可能な温度に昇温する。これにより、銅ベース１は絶縁基板３との半田接合で発生していた反りの残留応力が消失し、当初の平坦形状に復元して反りが矯正されるとともに、その後の温度の低下とともに半田も元の固相に戻り、銅ベース１は反りが矯正された状態で絶縁基板３と一体化される。
なお、この実施例の反り矯正工程では、前記の加熱ブロック１４，加熱器１５とは別に、図示のように加熱ブロック１４と同様な金属ブロック体になる冷却ブロック１６および冷却器１７を備え、この冷却ブロック１６を冷却器１７で予冷するようにしている。
そして、前記のように加熱ブロック１４を絶縁基板３の上に移して銅ベース１の反りを矯正する工程で、あらかじめ予冷しておいた冷却ブロック１６を銅ベース１の裏面に当てがって銅ベースを低温状態に保つようにしている。この冷却ブロック１６を併用することにより、銅ベース１の温度が加熱ブロック１４からの伝熱によって昇温するのを抑えることができ、これにより冷却過程で銅ベース１が熱収縮するのを抑えて反り矯正を安定よく行うことができるようになる。
【００１８】
また、反り矯正工程で銅ベース１を低温状態に保持する手段として、前記冷却ブロック１６を用いる代わりに、銅ベース１の裏面に低温の冷却空気を吹きつけるようにして実施することもできる。
【実施例２】
【００１９】
次に、本発明の請求項４に対応する実施例を図２で説明する。この実施例は、先記実施例１で述べた加熱ブロック１４を絶縁基板３の上に載せて熱を加える際に、加熱ブロック１４の保有熱を効率よく絶縁基板３に伝熱させるように加熱ブロックの形状を改良したものである。
そのために、加熱ブロック１４の下面（絶縁基板３との対峙面）の形状は、銅ベース１との半田接合によるバイメタル作用によって生じた絶縁基板３の標準的な反り量に対応した凹面を呈するように形成するとともに、さらに表面には絶縁基板３にマウントした半導体チップ７との不要な干渉を避けるように凹所１４ａが形成されている。これにより、加熱ブロック１４を絶縁基板３の上に載せた状態では、図示のように加熱ブロックの表面が広範囲で絶縁基板３の表面に直接重なり合って伝熱的に接触する。これにより、加熱ブロック１４の保有熱を効率よく絶縁基板３に伝熱させて半田層９を融点近い温度まで急速に加熱昇温させることができる。
【実施例３】
【００２０】
次に、前記実施例２で述べた加熱ブロック１４について、さらに汎用性を高めるように改良した本発明の請求項５に対応する実施例を図３(a),(b) に示す。
すなわち、図２に示した加熱ブロック１４は、絶縁基板３のサイズ，および該基板上にマウントした半導体チップ７の個数，配置に合わせて凹所１４ａを形成しているために、このままでは半導体チップの配列が異なる別機種の半導体装置には適用できない。
そこで、この実施例では、加熱ブロック１４を多数本に細分して分割した柱状可動ブロック１４ｂの集合体で構成し、各可動ブロック１４ｂを支持枠１４ｃに連結ピン（スルーピン）１４ｄを介して個々に上下スライド可能に支持している。なお、可動ブロック１４ｂには長穴１４ｂ-1を穿孔し、この長穴１４ｂ-1に連結ピン１４ｄを通して上下可動に吊り下げ支持するようにしている。
【００２１】
上記構成の加熱ブロック１４を用いることにより、図示のように絶縁基板３の上に載せた状態では、個々の可動ブロック１４ｂが絶縁基板３および半導体チップ７の形状，配列に順応して上下方向に変位し、絶縁基板３に対して図２で述べたと同様な伝熱的接触状態をかたち作ることができる。
なお、前記の可動ブロック１４ｂをフリーの状態で使用するほか、反りの矯正を施す半導体装置の機種に合わせて、各可動ブロック１４ｂを位置決めした上で、この位置に結束して使用することも可能である。
【実施例４】
【００２２】
次に、本発明の請求項６に対応する応用実施例を図４に示す。この実施例は、先記の各実施例に示した加熱ブロックに代え、加熱空気を使って絶縁基板，接合半田を加熱するようにしたものである。
すなわち、銅ベース１の反り矯正工程には空気加熱器１８と遮風壁１９を備えておき、この矯正工程に搬入された半導体装置の基板組立体を図示のようにセットする。そして、この状態で空気加熱器１８のヒータ１８ａで高温（半田層９の融点に近い温度）に加熱した空気を送風ファン１８ｂにより導風ガイド１８を通じて絶縁基板３の上面に向けて吹きつける。なお、遮風壁１９は空気加熱器１８から吹き出した熱風２０が銅ベース１に直接当たるのを防ぐ役目を果たしている。
これにより、空気加熱器１８から吹き出した熱風２０の熱が絶縁基板３に当たって半田層９に伝熱し、この半田を融点近い温度に高める。ここで、銅ベース１と絶縁基板３を接合している半田層９がクリープ変形し易い融点近い温度に昇温した状態になれば、銅ベース１が半田層９からの熱伝導によって高温状態になる前に、空気加熱器１８の運転を停止した上で常温まで徐冷する。この結果、先記実施例の熱ブロックを用いた場合と同様に銅ベース１に発生していた反りが矯正される。
【００２３】
なお、上記の実施例２〜４においても、反り矯正の工程中に銅ベース１を低温状態に保つために、実施例１で述べたと同様に銅ベース１の裏面側に冷却ブロック１６（図１参照）を当てがう、あるいは冷却空気を吹きつけるなどの冷却手段を併用して実施することができるのは勿論のことである。
さらに、本発明の応用実施例として、先記の各実施例で述べた銅ベース１の反り矯正工程では、絶縁基板３側からの加熱操作と並行して、銅ベース１には該ベースに生じた反りと逆な方向から治具（図示せず）を使って機械的な加圧力を加え、反り矯正を助成する方法がある。このように半田層９の高温状態で、銅ベース１に反りと逆方向から加圧力を加えることで、銅ベースに残って板残留応力の除去を加速して反り矯正を短時間で行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の実施例１に係る銅ベースの反り矯正工程を表す説明図
【図２】本発明の実施例２に係る銅ベースの反り矯正工程を表す説明図
【図３】本発明の実施例３に係る銅ベースの反り矯正工程を表す説明図
【図４】本発明の実施例４に係る銅ベースの反り矯正工程を表す説明図
【図５】本発明の実施対象となるパワー半導体モジュールの組立構造図
【図６】図５において銅ベースと絶縁基板との半田接合により発生した基板組立体の反り発生態を表す図
【符号の説明】
【００２５】
１    銅ベース
３    絶縁基板
４    セラミック板
５    銅回路パターン
６    裏ベタ銅箔
７    半導体チップ
９    銅ベース／絶縁基板間を接合した半田層
１２    放熱フィン
１４    加熱ブロック
１５    加熱器
１６    冷却ブロック
１７    冷却器
１８    空気加熱器
【図１】
2005072369.tif 000003
【図２】
2005072369.tif 000004
【図３】
2005072369.tif 000005
【図４】
2005072369.tif 000006
【図５】
2005072369.tif 000007
【図６】
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