(57)【要約】    【課題】下部ポール部に深いトリミングを施しても、コイルへのアタックを防止することができると共に、充分なＯ／Ｗ特性を確保し得る高記録面密度対応型の薄膜磁気ヘッド、磁気記録装置、及び、その製造方法を提供する。    【解決手段】薄膜磁気ヘッドにおける書き込み素子２においては、第１のポール部Ｐ１は、第２のポール部Ｐ２と対向する媒体対向面側の位置に、第２のポール部の幅に合わせて縮小された幅の被トリミング部分を有し、第２のポール部は、媒体対向面側に向けて縮小された幅を有しており、第１のポール部は、コイルにおける第２のポール部の対向側の面を覆うように延長した部分を有する。製造に際しては、第１のポール部の所定の構成部分を、コイルの上面を覆うように延長させて形成しておき、第１のポール部を第２のポール部の幅に合わせてトリミングする。【選択図】      図７
2005243207.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
書き込み素子を含む薄膜磁気ヘッドであって、
前記書き込み素子は、第１のヨーク部と、第２のヨーク部と、第１のポール部と、第２のポール部と、ギャップ膜と、バックギャップ部と、コイルとを含んでおり、
前記第１のヨーク部は、前記バックギャップ部を介して媒体対向面の逆側で第２のヨーク部と結合されており、
前記第１及び第２のポール部はそれぞれ、前記第１及び第２のヨーク部の媒体対向面側に設けられており、
前記第１のポール部は、第２のポール部と対向する媒体対向面側の位置に、該第２のポール部の幅に合わせて縮小された幅の被トリミング部分を有し、
前記第２のポール部は、媒体対向面側に向けて縮小された幅を有しており、
前記ギャップ膜は、前記第１のポール部及び第２のポール部の間に設けられており、
前記コイルは、前記バックギャップ部の周りを渦巻き状に周回しており、
さらに、前記第１のポール部は、前記コイルにおける前記第２のポール部の対向側の面を覆うように延長した部分を有する、
薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
請求項１に記載された薄膜磁気ヘッドであって、
前記第１のポール部は、第１のポール片と、第２のポール片と、第３のポール片とを含み、
前記第１のポール片は、前記コイルを支持する第１の磁性膜の端によって構成されており、
前記第２のポール片は、その一面が前記第１のポール片に隣接しており、
前記第３のポール片は、その一面が前記第２のポール片の他面に隣接しており、
前記第２のポール片は、前記コイルの媒体対向面側に配置されており、
前記第３のポール片は、前記第２のポール片の他面と、前記コイルにおける前記第２のポール部の対向側の面とを覆うように延長した部分を有する、
薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
請求項２に記載された薄膜磁気ヘッドであって、
前記第１のポール部は、第４のポール片をさらに含み、
前記第４のポール片は、前記第３のポール片の他面に隣接しており、
前記コイルにおける前記第２のポール部の対向側の面を覆うように延長した部分は、前記第３のポール片の高さ方向の全部と、前記第４のポール片の高さ方向の一部とに設けられている、
薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
請求項２に記載された薄膜磁気ヘッドであって、
前記第１のポール部は、第４のポール片をさらに含み、
前記第４のポール片は、前記第３のポール片の他面に隣接しており、
前記コイルにおける前記第２のポール部の対向側の面を覆うように延長した部分は、前記第３のポール片の高さ方向の全部に設けられている、
薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
請求項２に記載された薄膜磁気ヘッドであって、
前記コイルにおける前記第２のポール部の対向側の面を覆うように延長した部分は、前記第３のポール片の高さ方向の一部に設けられている、
薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
請求項３乃至５の何れか一項に記載された薄膜磁気ヘッドであって、
前記被トリミング部分のトリミング深さは、前記第３のポール片における前記延長した部分にまで達する深さである、
薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
請求項３又は４に記載された薄膜磁気ヘッドであって、
前記被トリミング部分のトリミング底面は、前記第４のポール片によって形成されている、
薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか一項に記載された薄膜磁気ヘッドであって、
前記コイルは、第１のコイルと、第２のコイルとを含み、
前記第１のコイル及び前記第２のコイルは、前記バックギャップ部の周りを渦巻き状に周回し、一方のコイルが、他方のコイルターン間のスペースに絶縁膜を介して嵌め込まれ、同一方向の磁束を生じるように接続されている、
薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
書き込み素子を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法であり、
該書き込み素子が、バックギャップ部によって結合される第１のヨーク部及び第２のヨーク部と、それらヨーク部の媒体対向面側に設けられた第１のポール部及び第２のポール部と、それらポール部の間に介在されたギャップ膜と、バックギャップ部に渦巻き状に周回されたコイルとを有しており、
前記第１のヨーク部の上方に前記コイルを形成し、
前記第１のポール部の構成部分を、前記コイルの上面を覆うように延長させて形成し、
前記第１のポール部の上方に前記ギャップ膜を形成し、
前記ギャップ膜の上方に前記第２のポール部を含む第２のヨーク部を形成し、
前記第１のポール部を、前記第２のポール部の幅に合わせてトリミングする、
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載された薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記第１のポール部のトリミングは、前記コイルの上面を覆うように延長した部分まで達する深さで行われる、
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
請求項９又は１０に記載された薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記第１のポール部の形成は、
前記コイルを支持する第１の磁性膜の端に位置する第１のポール片を形成し、
前記コイルを形成した後、該コイルの媒体対向面側に第２のポール片を形成し、
前記第２ポール片の上面及び前記コイルの上面を覆うように延長する第３のポール片を形成する、ことを含む、
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
請求項９又は１０に記載された薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記第１のポール部の形成は、前記第３のポール片の上面に第４のポール片を形成することをさらに含み、
前記第４のポール片の形成は、
所期の主要長さに前記第４のポール片を形成する第１工程と、
スロートハイトゼロを決定する部分として前記主要長さよりも短い長さ部分を形成する第２工程と、を含む、
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１３】
請求項９又は１０に記載された薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記第１のポール部の形成は、前記第３のポール片の上面に第４のポール片を形成することをさらに含み、
前記第４のポール片は、スロートハイトゼロを決定すべく前記第３のポール片よりも短い所期の主要長さを膜厚全体に亙って有するように形成される、
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１４】
請求項９又は１０に記載された薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記第３のポール片の形成は、
所期の主要長さに前記第３のポール片を形成する第１工程と、
スロートハイトゼロを決定する部分として前記主要長さよりも短い長さ部分を形成する第２工程と、を含む、
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１５】
請求項９乃至１４の何れか一項に記載された薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記第２のポール片の形成後、前記第３のポール片の形成前に、前記コイルの上面と該第３のポール片における該コイルの上面を覆うように延長する部分との間に、絶縁膜を形成する工程を含む、
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１６】
薄膜磁気ヘッドと、磁気記録媒体とを含む磁気記録再生装置であって、
前記薄膜磁気ヘッドは、請求項１乃至８の何れか一項に記載されたものでなり、
前記磁気記録媒体は、前記薄膜磁気ヘッドと協働して磁気記録再生を行う
磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜磁気ヘッド、これを用いた磁気記録装置及びその製造方法に関し、更に詳しくは、薄膜磁気ヘッドに備えられた書き込み素子の改良に係る。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードデスク装置の面記録密度の向上にともなって薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。薄膜磁気ヘッドは書き込みを目的とする書込素子と、読みだしを目的とし、磁気抵抗効果を利用した読取素子からの積層構造からなっている。特に最近のGMR Headは面密度150-200 (GB/P)を超える勢いである。GMR膜は複数の膜を組み合わせた多層構造である。GMRが発生するメカニズムはいくつかの種類があり、メカニズムによってGMR膜の層構造が変わる。量産を前提とするGMR膜としては、スピンバルブ膜（以下、SV膜と称する）や強磁性トンネル接合膜（以下、TMR膜と称する）が知られている。
【０００３】
一方、読取素子の性能向上にともなって、書込素子の性能向上も求められている。書き込み素子において、記録密度を高めるためには、狭トラック構造を実現し、トラック密度を上げなければならない。狭トラック構造を実現する手段として、上部記録磁材に、半導体加工技術を利用して、サブμｍ加工を施す手法が知られている。しかし、半導体技術を用いてトラック幅を微細化すると、書き込み磁束が得られにくくなるから、これを補う手段として、狭トラックポールには、高飽和磁束密度材料（以下HiBs材と称する）を使用するのが普通である。
【０００４】
また、薄膜磁気ヘッドが、ノート型パソコン、Desk Topパソコン、サーバーまたはワークステーションによく見られる高周波使用タイプのコンピューターに使用される場合、薄膜磁気ヘッドとして、高周波応答特性に優れていることが要求される。また、最近のハードディスクドライブはそのアクセススピードを求められており、そのスピードの応答に対応するため、薄膜磁気ヘッドのコンパクト化が求められている。
【０００５】
高周波特性は、バックギャップからポールまでのヨーク長(Yoke  Length)を短くすることによって改善できる。ヨーク長ＹＬの短縮化と、ポールへのHiBs材料の使用との組み合わせにより、たとえば、NLTSやOver  Write特性(以下、Ｏ／Ｗ特性と称する)などを、高周波帯域(５００MHz-１０００MHz)まで、高レベルに維持し得る。
【０００６】
ヨーク長ＹＬを短くする手法は、種々考えられる。その１つの方法はコイルピッチを可能な限り短くすることである。しかし、この技術には、次のような問題点がある。
【０００７】
まず、コイルピッチを短くすると、コイル幅が狭くなり、コイルの抵抗が高くなる。そのためコイルが発熱し、その熱によってポールの周囲が熱膨張する、いわゆるポールのサーマルプロトルージョン(Thermal  Protrusion  of  Pole)が発生する。ポールのサーマルプロトルージョンが発生すると、ヘッドとメディアの衝突をおこすおそれが生じるため、サーマルプロトルージョンは、高密度記録に不可欠なスライダの低浮上化の障害となる。そのため、コイルピッチの短縮によって、ヨーク長ＹＬを短くする手法には限界がある。
【０００８】
次に、コイルピッチの狭小化が進むにつれて、コイルを形成するためのフォトリソグラフィプロセスが困難になる。理由は、コイルピッチが狭小化されるほど、コイルをフォトリソグラフィプロセスによって形成する際、露光時の反射が悪影響を及ぼすためである。反射防止対策を行なわないかぎり、正確で、垂直なコイルが形成できない。たとえば、１．５μｍ以上の高さで、０．３μｍ〜０．５μｍ以下のコイルピッチを、現在のフォトリソグラフィ技術を適用して形成した場合、歩留が著しく低下する。
【０００９】
ヨーク長ＹＬを短くする別の手法は、コイルターン数を少なくすることである。この場合は、コイルの高さを高くし、コイル抵抗を下げることができる。しかし、この方法ではコイルターン数が少なくなるため、十分な書き込み磁束を得ることができず、Ｏ／Ｗ特性不良を発生する。またコイルピッチの狭いコイルを高く形成することは極めて難しく、特にコイルをメッキによって形成した後、Seed層をイオンビームでエッチングする際、コイル間ショートが多発する。
【００１０】
一般的に、薄膜磁気ヘッドの書込素子は、空気ベアリング面（以下ＡＢＳと称する）に最も近いコイルの最小コイル幅が、ヨーク長ＹＬを決定するようにデザインされている。この最小コイル幅のトータル長さは、全体のコイル抵抗の６０〜７０％以上の抵抗値を決めているため、ヨーク長ＹＬを短くするには、最小コイル幅のトータル長さを可能な限り短くする必要がある。コイル抵抗を低減するために、太い幅のコイルを用いると、ヨーク長ＹＬを短くすることができず、このような書込素子は高周波特性が劣化し、高周波領域でのNLTSやＯ／Ｗ特性に劣化が見られ、歩留を落とす原因となる。
【００１１】
ヨーク長YLを短くしたままで、コイルターン数をあげ、かつ、コイル抵抗の低減化を計る方法として、コイル断面積を増大（コイルの高さを高くする。）させるために考え得る構造は、コイルを２層、３層と、階層的に積み重ねる構造である。しかし、この階層構造をとった場合、Writeギャップ膜の位置とGMRセンサーの位置の距離が遠くなり、スライダー作成時の研磨の際に、ＡＢＳを研磨した場合、狭いGMRハイト（Reader部）と狭いスロート（Writer部）を両立させることは難しい。スライダーの研磨角度によってはスロートハイトが大きなバラツキ現象をおこす。
【００１２】
また、薄膜磁気ヘッドの高周波特性を改善するための手段として、従来より種々の先行技術が提案されている。例えば、U.S.P.6,043,959号明細書は、第２のヨーク部（上部ヨーク部）を平面状に形成して、コイルの相互誘導インダクタンスを低減させ、高周波特性を改善する技術を開示している。U.S.P.6,259,583B1号明細書は、第２のヨーク部を、高透磁率で低異方性の層と、非磁性層とを交互に積層して、平面状に形成する構造を開示している。
【００１３】
上述した先行技術に示されているような平面形状のポール構造は、フォトリソグラフィによって画定されたものであり、記録密度を高めるためには、さらに、半導体加工技術を適用して、ポール部にサブμｍ加工を施し、狭トラック構造を実現しなければならない。しかし、このサブμｍ加工には、上述したような問題が付きまとう。上記先行技術には、その解決手段が記載されていない。
【００１４】
さらに、ヨーク長YLを短縮する方法として、上記のようにコイル断面積を増大させる手法の他に、コイルに対してＡＢＳ側に形成されている下部ポールの幅（ＡＢＳからコイルまでの距離)）を短くする手法が考えられる。ヨーク長YLは、BackGapからＡＢＳまでの距離を一般的に示している。したがって、この距離を短縮するにはコイルピッチの縮小化などの他に有効な手段に下部ポールの幅を狭くする、つまりＡＢＳからコイルまでの距離を短くすることが有効である。
【００１５】
しかしながら、下部ポール幅を短く（例えば、０．８〜１．０μｍ程度に、よって、スロートハイトも０．８〜１．０μｍ)する場合、Trimmingを深く行い、例えば深さ０．３５〜０．４μｍでトラック幅０．２μｍ以下となるTrimmingを行うと、下部ポールのTrimming部が狭く、且つ深く形成されるためTrimmingの深さに対応してＯ／Ｗ特性が悪化する現象が生じる。現実には、実効書き込みトラック幅の広がりを防止するため、トラックポール周囲のギャップ部及び下部ポールをIon  Millingにてエッチングし、そのときに下部ポールを０．３〜０．４μｍと深くするエッチングする必要があった。
【００１６】
また、トラック幅が０．１〜０．２μｍ以下のトラック幅を持つ薄膜磁気ヘッドは、一枚ディスクに１００GB／Platterあるいは２００GB／Platterの記録密度を持つハードディスクに求められている。しかし、トラック幅が狭い分、隣りのトラックにデーターを書き込むサイドライト、あるいは隣りのトラックや、２〜３箇所前や後のトラックを消す、サイドイレーズなどの問題が発生することがあり、特にAdjacent Track Erase(ＡＴＥ)はＡＢＳのギャップ部で磁束がトラック幅よりも広く広がる現象や、下部ポールにおけるTrimmingの浅い部分から漏れる磁束によって発生する不具合が多く発生して、それらが多くのハードディスクドライブの歩留を下げる要因であった。そのＡＴＥを改善する手法として、一般的にはTrimmingの深さを深く形成することが良く行なわれていた。しかし、Trimmingを深く形成した場合、Ｏ／Ｗ特性が悪化するという更なる不具合が発生することは前述したとおりである。
【００１７】
このようにして形成された従来の薄膜磁気ヘッドは、特に記録ヘッドに多くの問題点があり、その問題点によって記録ヘッドの特性改善が妨げられることがしばしばあった。
【特許文献１】米国特許第６，０４３，９５９号明細書
【特許文献２】米国特許第６，２５９，５８３Ｂ１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明の課題は、ヨーク長を短くし、高周波特性を改善した高周波対応型の薄膜磁気ヘッド、その製造方法及び磁気記録装置を提供することである。
【００１９】
本発明のもう一つの課題は、コイル前方の下部ポール部の幅を短縮するにあたって書き込み幅の拡大防止のために下部ポール部に深いトリミングを施しても、充分なＯ／Ｗ特性を確保し得る高記録面密度対応型の薄膜磁気ヘッド、その製造方法及び磁気記録装置を提供することである。
【００２０】
本発明の別の課題は、コイル前方の下部ポール部の幅を短縮するにあたって書き込み幅の拡大防止のために下部ポール部に深いトリミングを施しても、コイルへのアタックを防止することができる高記録面密度対応型の薄膜磁気ヘッド、その製造方法及び磁気記録装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上述した課題を解決するため、本発明は、書き込み素子を含む薄膜磁気ヘッドであって、前記書き込み素子は、第１のヨーク部と、第２のヨーク部と、第１のポール部（下部ポール部）と、第２のポール部（上部ポール部）と、ギャップ膜と、バックギャップ部と、コイルとを含んでおり、前記第１のヨーク部は、前記バックギャップ部を介して媒体対向面の逆側で第２のヨーク部と結合されており、前記第１及び第２のポール部はそれぞれ、前記第１及び第２のヨーク部の媒体対向面側に設けられており、前記第１のポール部は、第２のポール部と対向する媒体対向面側の位置に、該第２のポール部の幅に合わせて縮小された幅の被トリミング部分を有し、前記第２のポール部は、媒体対向面側に向けて縮小された幅を有しており、前記ギャップ膜は、前記第１のポール部及び第２のポール部の間に設けられており、前記コイルは、前記バックギャップ部の周りを渦巻き状に周回しており、さらに、前記第１のポール部は、前記コイルにおける前記第２のポール部の対向側の面を覆うように延長した部分を有する、薄膜磁気ヘッドである。
【００２２】
このような構造によれば、第１のポール部にトリミングを施す際、トリミングマスクが後退する現象が生じてもコイルが露出することがなく、コイルへのアタックを回避することができる。加えて、第１のポール部における被トリミング部分の後方には、コイルにおける第２のポール部の対向側の面を覆うように延長した部分が、磁気ボリュームを得られる領域として存在しているため、大きなオーバーライトを得られる。
【００２３】
好適には、前記第１のポール部は、第１のポール片と、第２のポール片と、第３のポール片とを含み、前記第１のポール片は、前記コイルを支持する第１の磁性膜の端によって構成されており、前記第２のポール片は、その一面が前記第１のポール片に隣接しており、前記第３のポール片は、その一面が前記第２のポール片の他面に隣接しており、前記第２のポール片は、前記コイルの媒体対向面側に配置されており、前記第３のポール片は、前記第２のポール片の他面と、前記コイルにおける前記第２のポール部の対向側の面とを覆うように延長した部分を有する。
【００２４】
このような構造によれば、第３のポール片は、コイルアタックを防止すると共に、トリミング後に磁気ボリュームを得られる領域として機能する。
【００２５】
好適には、前記第１のポール部は、第４のポール片をさらに含み、前記第４のポール片は、前記第３のポール片の他面に隣接しており、前記コイルにおける前記第２のポール部の対向側の面を覆うように延長した部分は、前記第３のポール片の高さ方向の全部と、前記第４のポール片の高さ方向の一部とに設けられている。
【００２６】
このような構造によれば、第３のポール片及び第４ポール片の双方によって、コイルアタックの防止と、オーバーライト特性の向上とを図ることができる。
【００２７】
好適には、前記第１のポール部は、第４のポール片をさらに含み、前記第４のポール片は、前記第３のポール片の他面に隣接しており、前記コイルにおける前記第２のポール部の対向側の面を覆うように延長した部分は、前記第３のポール片の高さ方向の全部に設けられている。
【００２８】
このような構造によれば、第３のポール片によってコイルアタックの防止とオーバーライト特性の向上とを図ることができると共に、スロートハイトゼロを決定する第４のポール片の形成態様を簡素化することができる。
【００２９】
好適には、前記コイルにおける前記第２のポール部の対向側の面を覆うように延長した部分は、前記第３のポール片の高さ方向の一部に設けられている。
【００３０】
このような構造によれば、第３のポール片によってコイルアタックの防止とオーバーライト特性の向上とを図ることができる。
【００３１】
好適には、前記被トリミング部分のトリミング深さは、前記第３のポール片における前記延長した部分にまで達する深さである。
【００３２】
このような構造によれば、深いトリミングを施しても、コイルアタックの防止とオーバーライト特性の向上とを図ることができる。
【００３３】
好適には、前記被トリミング部分のトリミング底面は、前記第４のポール片によって形成されている。
【００３４】
好適には、前記コイルは、第１のコイルと、第２のコイルとを含み、
前記第１のコイル及び前記第２のコイルは、前記バックギャップ部の周りを渦巻き状に周回し、一方のコイルが、他方のコイルターン間のスペースに絶縁膜を介して嵌め込まれ、同一方向の磁束を生じるように接続されている。
【００３５】
同課題を解決するための本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、該書き込み素子が、バックギャップ部によって結合される第１のヨーク部及び第２のヨーク部と、それらヨーク部の媒体対向面側に設けられた第１のポール部及び第２のポール部と、それらポール部の間に介在されたギャップ膜と、バックギャップ部に渦巻き状に周回されたコイルとを有しており、前記第１のヨーク部の上方に前記コイルを形成し、前記第１のポール部の構成部分を、前記コイルの上面を覆うように延長させて形成し、前記第１のポール部の上方に前記ギャップ膜を形成し、前記ギャップ膜の上方に前記第２のポール部を含む第２のヨーク部を形成し、前記第１のポール部を、前記第２のポール部の幅に合わせてトリミングする。
【００３６】
このような方法によれば、第１のポール部にトリミングを施す際、トリミングマスクが後退する現象が生じてもコイルが露出することがなく、コイルへのアタックを回避することができる。加えて、第１のポール部における被トリミング部分の後方には、コイルにおける第２のポール部の対向側の面を覆うように延長した部分が、磁気ボリュームを得られる領域として存在しているため、大きなオーバーライトを得られる。
【００３７】
好適には、前記第１のポール部のトリミングは、前記コイルの上面を覆うように延長した部分まで達する深さで行われる。
【００３８】
このような構造によれば、深いトリミングを施しても、コイルアタックの防止とオーバーライト特性の向上とを図ることができる。
【００３９】
好適には、前記第１のポール部の形成は、前記コイルを支持する第１の磁性膜の端に位置する第１のポール片を形成し、前記コイルを形成した後、該コイルの媒体対向面側に第２のポール片を形成し、前記第２ポール片の上面及び前記コイルの上面を覆うように延長する第３のポール片を形成する、ことを含む。
【００４０】
このような方法によれば、第１のポール部をトリミングする際に、第３のポール片によってコイルアタックを防止することができると共に、トリミング後にも第３のポール片が十分な磁気ボリュームを得られる領域として機能する。
【００４１】
好適には、前記第１のポール部の形成は、前記第３のポール片の上面に第４のポール片を形成することをさらに含み、前記第４のポール片の形成は、所期の主要長さに前記第４のポール片を形成する第１工程と、スロートハイトゼロを決定する部分として前記主要長さよりも短い長さ部分を形成する第２工程と、を含む。
【００４２】
このような方法によれば、第３のポール片及び第４ポール片の双方によって、コイルアタックの防止と、オーバーライト特性の向上とを図ることができる。
【００４３】
好適には、前記第１のポール部の形成は、前記第３のポール片の上面に第４のポール片を形成することをさらに含み、前記第４のポール片は、スロートハイトゼロを決定すべく前記第３のポール片よりも短い所期の主要長さを膜厚全体に亙って有するように形成される。
【００４４】
このような方法によれば、第３のポール片によってコイルアタックの防止とオーバーライト特性の向上とを図ることができると共に、スロートハイトゼロを決定する第４のポール片を、所期の長さに一度に加工することができ、形成態様を簡素化することができる。
【００４５】
好適には、前記第３のポール片の形成は、所期の主要長さに前記第３のポール片を形成する第１工程と、スロートハイトゼロを決定する部分として前記主要長さよりも短い長さ部分を形成する第２工程と、を含む。
【００４６】
このような方法によれば、第３のポール片によって、コイルアタックの防止と、オーバーライト特性の向上とを図ることができる。
【００４７】
好適には、前記第２のポール片の形成後、前記第３のポール片の形成前に、前記コイルの上面と該第３のポール片における該コイルの上面を覆うように延長する部分との間に、絶縁膜を形成する工程を含む。
【００４８】
本発明は、更に、薄膜磁気ヘッドとヘッド支持装置とを組み合わせた磁気ヘッド装置、及び、この磁気ヘッド装置と磁気記録媒体（ハードディスク）とを組み合わせた磁気記録再生装置についても開示する。
【００４９】
本発明の他の目的、構成及び利点については、添付図面を参照し、更に詳しく説明する。図面は単なる例示にすぎない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５０】
１．薄膜磁気ヘッド
図１〜図４を参照すると、本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、スライダ５と、書き込み素子２と、読み取り素子３とを含む。スライダ５は、例えば、Al2O3−TiC等でなる基体１５の表面に、Al2O3、SiO2等の絶縁膜１６を設けた（図３参照）セラミック構造体である。スライダ５は、媒体対向面に浮上特性制御用の幾何学的形状を有している。そのような幾何学的形状の代表例として、図示では、ＡＢＳ側の基底面５０に、第１の段部５１、第２の段部５２、第３の段部５３、第４の段部５４、及び、第５の段部５５を備える例を示してある。基底面５０は、矢印F1で示す空気の流れ方向に対する負圧発生部となり、第２の段部５２及び第３の段部５３は、第１の段部５１から立ち上がるステップ状の空気軸受けを構成する。第２の段部５２及び第３の段部５３の表面は、ＡＢＳとなる。第４の段部５４は、基底面５０からステップ状に立ち上がり、第５の段部５５は第４の段部５４からステップ状に立ちあがっている。電磁変換素子２、３は、第５の段部５５に設けられている。
【００５１】
電磁変換素子２、３は、書き込み素子２と、読み取り素子３とを含む。書き込み素子２及び読み取り素子３は、空気の流れ方向Ｆ１で見て、空気流出端（トレーリング．エッジ）の側に備えられている。
【００５２】
図３、図４を参照するに、書き込み素子２は、第１のヨーク部２１１と、第２のヨーク部２２１、２２２と、アルミナ等でなるギャップ膜２４と、第１のポール部Ｐ１と、第２のポール部Ｐ２と、第１のコイル２３１と、第２のコイル２３２とを有している。第１のヨーク部２１１は、第１の磁性膜によって構成されている。図示実施例において、第１のヨーク部２１１は一層の第１の磁性膜によって構成されているので、第１のヨーク部２１１と第１の磁性膜とは同義である。以下の説明において、その簡単化のため、第１のヨーク部２１１を第１の磁性膜２１１と表現することがある。
【００５３】
第１の磁性膜２１１は、絶縁膜３４によって支持され、その表面は実質的に平坦な平面となっている。絶縁膜３４は、例えば、Al2O3、SiO2、AlNまたはDLC等の無機絶縁材料によって構成される。
【００５４】
第２のヨーク部２２１、２２２は、第１の磁性膜２１１とはインナーギャップを介して向き合っている。図示実施例において、第２のヨーク部２２１、２２２は、第２の磁性膜２２１と第３の磁性膜２２２とを積層した構造を有する。説明の簡単化のため、第２のヨーク部２２１、２２２を、第２の磁性膜２２１及び第３の磁性膜２２２と表現することがある。
【００５５】
第１の磁性膜２１１、第２の磁性膜２２１及び第３の磁性膜２２２は、例えば、NiFe、CoFe、CoFeN、CoNiFe、FeNまたはFeZrN等の磁性材料から選択することができる。第１の磁性膜２１１、第２の磁性膜２２１及び第３の磁性膜２２２の膜厚は、例えば、０．５〜４．０μｍの範囲に設定される。このような第１の磁性膜２１１、第２の磁性膜２２１及び第３の磁性膜２２２はフレームメッキ法によって形成できる。
【００５６】
図示実施例において、第１の磁性膜２１１は、CoFeNまたはCoNiFeのいずれかによって構成するものとする。第３の磁性膜２２２はCoNiFeによって構成し、第２の磁性膜２２１は飽和磁束密度の高いCoFeNで構成することができる。
【００５７】
第１の磁性膜２１１、第３の磁性膜２２２及び第２の磁性膜２２１の先端部は、微小厚みのギャップ膜２４を隔てて対向する第１のポール部Ｐ１及び第２のポール部Ｐ２の一部を構成しており、第１のポール部Ｐ１及び第２のポール部Ｐ２において書き込みを行なう。ギャップ膜２４は、非磁性金属膜またはアルミナ等の無機絶縁膜によって構成される。
【００５８】
図示実施例において、第１のポール部Ｐ１は、第１の磁性膜２１１の端部によって構成される第１のポール片の上に、第２のポール片２１２、第３のポール片２１３及び第４のポール片２１４を、この順序で積層した構造を有する。第２のポール片２１２、第３のポール片２１３及び第４のポール片２１４は、CoFeNまたはCoNiFeなどのHiBs材によって構成する。
【００５９】
第２のポール部Ｐ２は、ギャップ膜２４の上に、第２の磁性膜２２１の端部によって構成される第５のポール片及び第３の磁性膜２２２の端部によって構成される第６のポール片２２４を、順次に積層した構造となっている。
【００６０】
図４を参照すると、第１の磁性膜２１１の端部、第２のポール片２１２及び第３のポール片２１３は、ＡＢＳのトラック幅方向に広がりを見せているが、第４のポール片２１４は、その上端側が、両側から、狭トラック幅ＰＷ（図４参照）となるように削減されており、その上に積層されているギャップ膜２４、第２の磁性膜２２１の端部によって構成される第５のポール片及び第３の磁性膜２２２の端部によって構成される第６のポール片２２４も、第４のポール片２１４とほぼ同じ狭トラック幅ＰＷとなっている。これにより、高密度記録に対応した狭トラック幅ＰＷが得られる。
【００６１】
第３の磁性膜２２２及び第２の磁性膜２２１は、更に、第１の磁性膜２１１との間にインナーギャップを保って、ＡＢＳ５２、５３の後方（ＡＢＳから離れる向き側）に延び、バックギャップ片２１６、２１７及び２１８において、第１の磁性膜２１１に結合されている。
【００６２】
図示実施例において、インナーギャップは、絶縁膜２５４〜２５６及びギャップ膜２４によって埋められており、第３の磁性膜２２２及び第２の磁性膜２２１によって構成される第２のヨーク部は、ギャップ膜２４の上に形成されている。
【００６３】
第２の磁性膜２２１、及び、第３の磁性膜２２２によって構成される第２のヨーク部は、広い部分２２３と、細い部分２２４とを含む。広い部分２２３は、表面が平坦で、ＡＢＳ５２、５３を基準にして後方側のバックギャップ部２１６〜２１８により、第１の磁性膜２１１と結合されている。これにより、第１の磁性膜２１１、バックギャップ部２１６〜２１８、第２の磁性膜２２１、第３の磁性膜２２２及び書き込みギャップ膜２４をめぐる書き込み磁気回路が構成される。細い部分２２４は第２のポール部Ｐ２を構成する。
【００６４】
第１のポール部Ｐ１は、被トリミング部分を有する。この被トリミング部分は、ギャップ膜２４と隣接する磁性膜、すなわち第４のポール片２１４が、幅方向の両側において、第２のポール部Ｐ２の幅に合わせてエッチング（トリミング）されることによって形成される。エッチングによって生じた両側の凹部の底部には、第４のポール片２１４の残部Ｓ１，Ｓ２が存在する。残部Ｓ１，Ｓ２は膜厚が第４のポール片２１４の根元部に近づくにつれて増大する。このような構造によれば、ギャップ膜２４と隣接する第４のポール片２１４の磁気飽和を回避し、Ｏ／Ｗ特性を改善することができる。図示実施例では、残部Ｓ１，Ｓ２はなだらかな傾斜面となっているが、これに限定する趣旨ではない。
【００６５】
ギャップ膜２４と隣接する第４のポール片２１４は、Co及びFeを含む磁性材料でなる。より具体的には、CoFe又はCoFeNの何れかでなる。CoFe又はCoFeNは、飽和磁束密度が２．２〜２．４（Ｔ）のHiBs材料である。第４のポール片２１４は、FeN、CoFe又はCoFeNのスパッタ膜であってもよい。第２のポール部Ｐ２に関しても、ギャップ膜２４と隣接する第２の磁性膜２２１は、同様の磁性材料によって構成することが望ましい。
以上の組み合わせにより、０．１〜０．２μｍのトラック幅ＰＷを有し、１００（Ｇｂ／ｐ）以上の高記録面密度に対応できる高記録面密度対応型の薄膜磁気ヘッドを実現することが可能になる。
【００６６】
図示実施例において、コイルは、第１のコイル２３１と、第２のコイル２３２とを含む。第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２は、第１のヨーク部を構成する第１の磁性膜２１１の一面上に形成された第１の絶縁膜２５１の面上で、バックギャップ部２１６〜２１８の周りを、渦巻き状に周回し、一方が、他方のコイルターン間のスペースに、第２の絶縁膜２５２を介して嵌め込まれ、同一方向の磁束を生じるように接続される。
【００６７】
第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２の間に存在する第２の絶縁膜２５２は、例えば、Chemical Vapor Deposition（以下、CVDと称する）を適用して、０．１μｍ程度の極薄膜のAl２O３膜として形成できる。したがって、バックギャップ部２１６〜２１８と第１のポール部Ｐ１との間で、第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２の断面積を最大化し、コイルターン数を維持したままで、コイル抵抗値を下げ、発熱量を低減することができる。これにより、書き込み動作時に、ポール部Ｐ１、Ｐ２におけるサーマルプロトリュージョンの発生を抑制し、ヘッドクラッシュ及び磁気記録媒体上の磁気記録の損傷若しくは破壊を回避し、延いては、高記録密度のための低浮上量の要求に応えることができることになる。
【００６８】
第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２は、一方が、他方のコイルターン間のスペースに、第２の絶縁膜２５２を介して嵌め込まれているから、コイル導体の配線密度が高くなる。このため、同一のターン数を保った状態では、ヨーク長ＹＬを短くすることができる。
【００６９】
第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２は、同一方向の磁束を生じるように接続される。第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２は、巻き方向が同一になるので、第１のコイル２３１の内端と、第２のコイル２３２の外端とを接続した直列接続構造をとることにより、同一方向の磁束を生じさせることができる。あるいは、第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２を並列に接続して、同一方向の磁束を生じるようにしてもよい。この場合は、ターン数は少なくなるが、コイル抵抗値を低減できる。
【００７０】
図示実施例において、第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２は、上面が導体面による同一平面を構成している。この構成によれば、第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２の上面に対して、共通の絶縁膜２５４を付与することができるので、第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２の上面に対する絶縁構造が簡単化される。また、第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２の上に更に他のコイルを形成する際に、安定したベースを提供し、他のコイルを高精度のパターンとして形成することが可能になる。
【００７１】
第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２の上に、更に、他のコイルを形成する際は、第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２の平坦化とあわせて、第２のポール片２１２及びバックギャップ片２１６の上面も、コイルの導体面と同一平面となるようにする。こうすることにより、他のコイルを形成する際に必要となるポール片及びバックギャップ片を、平坦化された第２のポール片２１２及びバックギャップ片２１６の上面に、高精度パターンとして形成することができる。
【００７２】
次に、図３〜図６を参照すると、第１及び第２のコイル２３１、２３２は、バックギャップ部２１６〜２１８の周りを周回している。第１のコイル２３１は、スパイラル状であって、第１の磁性膜２１１の平坦な一面に形成された絶縁膜２５１の面上に配置され、絶縁膜２５１の面に対して垂直となる１つの軸の周りを、平面状に周回する。第１のコイル２３１は、Cu（銅）などの導電金属材料によって構成される。絶縁膜２５１は、Al2O3、SiO2、AlNまたはDLC等の無機絶縁材料によって構成される。
【００７３】
第２のコイル２３２もスパイラル状であって、第１のコイル２３１のコイルターン間のスペースに、絶縁膜２５２を介して嵌め込まれ、軸の周りを平面状に周回する。第２のコイル２３２も、Cu（銅）などの導電金属材料によって構成される。絶縁膜２５２も、Al2O3、SiO2、AlNまたはDLC等の無機絶縁材料によって構成される。
【００７４】
第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２の周りは、絶縁膜２５３によって埋められている（図３参照）。絶縁膜２５３も、Al2O3、SiO2、AlNまたはDLC等の無機絶縁材料によって構成される。
【００７５】
第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２の間に存在する絶縁膜２５２は、例えば、CVDを適用して、０．１μｍ程度の極薄膜のAl2O3膜として形成できる。したがって、バックギャップ片２１６〜２１８とポール部Ｐ１、Ｐ２との間で、第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２の断面積を最大化し、コイルターン数を維持したままで、コイル抵抗値を下げ、発熱量を低減することができる。これにより、書き込み動作時に、ポール部Ｐ１、Ｐ２におけるサーマルプロトリュージョンの発生を抑制し、ヘッドクラッシュ及び磁気記録媒体上の磁気記録の損傷若しくは破壊を回避し、延いては、高記録密度のための低浮上量の要求に応えることができることになる。
【００７６】
第２のコイル２３２は、第１のコイル２３１のコイルターン間のスペースに、絶縁膜２５２を介して嵌め込まれているから、コイル導体の配線密度が高くなる。このため、同一のターン数を保った状態では、ヨーク長ＹＬ（図３参照）を短くし、高周波特性を改善することができる。
【００７７】
第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２は同一方向の磁束を生じるように接続される。第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２は、巻き方向が同一になるので、第１のコイル２３１の内端２８１と、第２のコイル２３２の外端２８３とを、接続導体２８２で接続した直列接続構造をとることにより、同一方向の磁束を生じさせることができる。第１のコイル２３１の外端２８６は接続導体２８５により端子２８４に接続され、更に、リード導体２９１により外部に導かれ、取り出し電極に接続される。第２のコイル２３２の内端２８７は接続導体２８８により、端子２８９に接続され、更に、リード導体２９２により外部に導かれ、取り出し電極に接続される。
【００７８】
図６の図示とは異なって、第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２を並列に接続して、同一方向の磁束を生じるようにしてもよい。この場合は、ターン数は少なくなるが、コイル抵抗値を低減できる。
【００７９】
しかも、第２のコイル２３２と、第２のポール片２１２及びバックギャップ片２１６とは、例えば、CVDを適用して、０．１μｍ程度の極薄膜となり得る絶縁膜２５２によって隔てられるので、ヨーク長ＹＬの短縮化を、更に促進することができる。
【００８０】
第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２は、上面が導体面による同一平面を構成している。この構成によれば、第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２の上面に対して、共通の絶縁膜２５４を付与することができるので、第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２の上面に対する絶縁構造が簡単化される。また、第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２の上に、平坦な安定したベース面を形成し、その後に高精度のパターンを形成することができる。
【００８１】
この場合、第１のコイル２３１は、メッキ膜であり、第１の磁性膜２１１の一面に付着された絶縁膜２５１の上に形成される。第２のコイル２３２も、メッキ膜であり、第１のコイル２３１のコイルターン間に生じるスペース内において、絶縁膜２５２の上に形成される。絶縁膜２５２は、スペースの底面及び両側面に形成される。
【００８２】
保護膜２７１は、書き込み素子２の全体を覆っている。保護膜２７１は、Al2O3またはSiO2等の無機絶縁材料で構成されている。
【００８３】
読み取り素子３の付近には、第１のシールド膜３１と、絶縁膜３２と、第２のシールド膜３３とが備えられている。第１のシールド膜３１及び第２のシールド膜３３は、NiFe等によって構成される。第１のシールド膜３１は、Al2O3、SiO2等の絶縁膜１６の上に形成されている。絶縁膜１６はAl2O3−TiC等でなる基体１５の表面に形成されている。
【００８４】
読み取り素子３は、第１のシールド膜３１及び第２のシールド膜３３の間の絶縁膜３２の内部に配置されている。読み取り素子３は、端面がＡＢＳ５２、５３に臨んでいる。読み取り素子３は、巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）を含む。ＧＭＲ素子は、スピンバルブ膜または強磁性トンネル接合素子の何れかによって構成することができる。
【００８５】
次に、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの別の実施例について、図７、図８を参照して説明する。図７及び図８において、図１〜図６に表れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付してある。図示実施例の薄膜磁気ヘッドの基本的構造は、図１〜図６に図示した薄膜磁気ヘッドと同じである。
【００８６】
図１〜図６に図示され説明された薄膜磁気ヘッドと相違する点の１つには、第４のポール片２１４がその厚さ方向全体に亙って第３のポール片２１３よりも短く、換言するならば、第４のポール片２１４の後端が第２のコイル２３２の上方まで達しないように終端していることがある。かかる第４のポール片２１４は、図１〜図６に示した薄膜磁気ヘッドの場合のように、パターンメッキとフォトレジストとを用いた二度のエッチングを経ることなく、リフトオフを前提としたフォトレジストマスクＦＲ３を用いたエッチングだけで一度に加工処理される。
【００８７】
従って、図７及び図８に示した薄膜磁気ヘッドによれば、図１〜図６に示した薄膜磁気ヘッドの有する作用効果が得られる他、第４のポール片２１４の形成工程が簡単化されるという利点が得られる。
【００８８】
更に、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの別の実施例について、図９及び図１０を参照して説明する。図９及び図１０において、図１〜図６に表れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付してある。図示実施例の薄膜磁気ヘッドの基本的構造は、図１〜図６に図示され、説明された薄膜磁気ヘッドと同じである。
【００８９】
図１〜図６に図示され説明された薄膜磁気ヘッドと相違する点の１つには、図７及び図８に示した薄膜磁気ヘッドと同様に、第４のポール片２１４がその厚さ方向全体に亙って第３のポール片２１３よりも短く、換言するならば、第４のポール片２１４の後端が第２のコイル２３２の上方まで達しないように終端していることがある。かかる第４のポール片２１４は、図１〜図６に示した薄膜磁気ヘッドの場合のように、パターンメッキとフォトレジストとを用いた二度のエッチングを経ることなく、パターンメッキを用いたエッチングによって一度に加工処理される。
【００９０】
従って、図９及び図１０に示した薄膜磁気ヘッドによっても、図１〜図６に示した薄膜磁気ヘッドの有する作用効果が得られる他、第４のポール片２１４の形成工程が簡単化されるという利点が得られる。
【００９１】
次に、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの別の実施例について、図１１、図１２を参照して説明する。図１１及び図１２において、図１〜図６に表れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付してある。図示実施例の薄膜磁気ヘッドの基本的構造は、以下に説明する部分を除いては、図１〜図６に図示した薄膜磁気ヘッドと実質的に同じである。すなわち、図１〜図６に図示され説明された薄膜磁気ヘッドと相違する点としては、コイルが第２のコイルを持たず第１のコイル２３１のみから構成されている点と、第１のポール部（下部ポール部）Ｐ１に第４のポール片を持たない点とがある。
【００９２】
２．薄膜磁気ヘッドの製造方法
（１）実施例１
製造方法に係る実施例１は、上述した薄膜磁気ヘッドのうち、第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２を有する第１の態様に係る薄膜磁気ヘッド（図１〜図６）の製造プロセスである。図１３〜図２９に図示するプロセスは、ウエハー上で実行されるものであることを予め断っておく。
【００９３】
＜図１３の状態に至るプロセス＞
図１３を参照すると、基体１５の上に付着された絶縁膜１６の上に、第１のシ−ルド膜３１、読み取り素子３、絶縁膜３２、第２のシ−ルド膜３３、絶縁膜３４及び第１の磁性膜２１１を、周知のプロセスによって形成する。
【００９４】
具体例を述べると、絶縁膜１６はアルミナ膜でなり、例えば、３μｍ程度の膜厚となるように形成する。第１のシールド膜３１は、NiFeなどの磁性材料を用い、フレームメッキ法によって２〜３μｍの膜厚として形成する。絶縁膜３２は、一般には、２段階ステップで形成される。第1ステップでは、３〜４μｍの膜厚のアルミナ膜を形成した後、その表面をCMPで平坦化し、その後、読み取り素子となるGMR素子３を形成する。その後、第２ステップで、GMR素子３を覆うアルミナ膜を成膜する。第２のシールド膜３３はNiFeなどの磁性材料を用い、１．０〜１．５μｍの膜厚となるように形成する。絶縁膜３４は、０．２〜０．３μｍのアルミナ膜として形成する。
【００９５】
第１の磁性膜２１１は、CoNiFe（２．１T）又はCoFeN（２．４T）を用い、３．０〜４．０μｍの膜厚として形成する。第１の磁性膜２１１のうち、第１のポール片となる端部に、NiFe（８０％：２０％）もしくはNiFe（４５％：５５％）のメッキ膜、又は、FeAlN、FeN、FeCo、CoFeNもしくはFeZrNのスパッタ膜を、０．５〜０．６μｍの厚みで形成してもよい。
【００９６】
その後、第１の磁性膜２１１の平坦な表面に、コイル形成に要する面積よりも少し大きい面積で、例えば、０．２μmの厚みの絶縁膜２５１を成膜し、絶縁膜２５１の表面にSeed膜（図示省略する）を形成する。Seed膜は、絶縁膜２５１の表面及び第１の磁性膜２１１の表面を覆うように形成する。Seed膜は、Cuメッキ下地膜として適切な材料を用い、Cu-CVDの適用によって、５０ｎｍ〜８０ｎｍの膜厚となるように形成する。
【００９７】
次に、Seed膜の上にフォトレジスト膜を、スピンコート法などの適用によって形成した後、コイルパターンを有するマスクを用いて露光し、現像する。これにより、所定のパターンを有するレジストフレームが形成される。フォトレジスト膜は、ポジティブフォトレジスト、ネガティブフォトレジストの何れでもよい。
【００９８】
次に、選択的Cuメッキ処理を実行し、コイル形成用パターンの内部に存在するSeed膜の上に、第１のコイル２３１を、例えば３〜３．５μｍの厚みとなるように成長させる。図１３は、上記選択的Cuメッキ処理終了後の状態を示している。
【００９９】
＜図１４の状態に至るプロセス＞
次に、第２のポール片２１２及びバックギャップ片２１６を形成するためのフォトリソグラフィ工程を実行して、ポール片及びバックギャップ片のためのレジストフレームを形成する。
【０１００】
次に、選択的メッキ処理を行い、第１の磁性膜２１１の上に第２のポール片２１２及びバックギャップ片２１６を成長させ、その後、レジストフレームを、ケミカルエッチングなどの手段によって除去する。これにより、図１４に示すように、第１の磁性膜２１１の一面上に、ポール片２１２及びバックギャップ片２１６が間隔を隔てて形成される。ポール片２１２及びバックギャップ片２１６は、例えば、CoNiFe（１．９〜２．２T）により、３．５〜４．０μmの膜厚となるように成膜する。
【０１０１】
＜図１５の状態に至るプロセス＞
次に、図１５に示すように、第１のコイル２３１、ポール片２１２及びバックギャップ片２１６を覆うフォトレジスト膜RS２を形成する。そして、フォトレジスト膜RS2をマスクとして、第１の磁性膜２１１を、Reactive  Ion  Etching（以下、RIEと称する）又はIon  Beam  Etching（以下IBEと称する）などのドライエッチングを実行し、パターニングする。
【０１０２】
＜図１６の状態に至るプロセス＞
図１５に示した状態において、フォトレジスト膜RS２に対してフォトリソグラフィ工程を実行し、図１６に示すように、第１のコイル２３１及びその周囲を覆うレジストカバーFR2を形成し、更に、レジストカバーFR2の全体を覆う絶縁膜２５３を付着させる。絶縁膜２５３は、４〜５μｍの範囲の膜厚となるように形成する。図１６は、絶縁膜２５３を形成した後の状態を示している。
【０１０３】
＜図１７の状態に至るプロセス＞
次に、絶縁膜２５３及びレジストカバーFR2を、Chemical  MechaNical  Polishing（以下、CMPと称する）によって研磨し、平坦化する。CMPにあたっては、アルミナ系スラリーを用いる。図１７はCMP処理を施した後の状態を示している。
【０１０４】
＜図１８の状態に至るプロセス＞
次に、レジストカバーFR2を除去した後、絶縁膜２５１、２５３、第１のコイル２３１、第２のポール片２１２及びバックギャップ片２１６の表面及び側面に、０．１〜０．１５μｍ程度の膜厚を有する絶縁膜２５２を付着させる。絶縁膜２５２をAl2O3膜として形成する場合、１８０〜２２０℃の温度条件で、H2O、N2、N2OまたはH2O2の減圧雰囲気中に、Al(CH3)3またはAlCl3を交互に断続的に噴射するアルミナCVD膜形成方法を採用することができる。
【０１０５】
更に、絶縁膜２５２の表面に、Cu-CVDによって、０．０５〜０．１μｍの範囲の膜厚となるように、Seed膜２６１を付着させる。Seed膜２６１は、Cuを、例えば、５０ｎｍの膜厚となるようにスパッタした後、CVDを適用して、例えば５０ｎｍの膜厚のCu膜を成膜することによって得られる。この方法によれば、狭い領域内で、ステップカバレッジの良好な成膜を行うことができる。
【０１０６】
次に、Seed膜２６１の上に、第２のコイルとなるメッキ膜２３２を、例えば、３〜４μｍの膜厚となるように形成する。メッキ膜２３２は、Ｃｕを主成分とする。図１８は、メッキ膜２３２を形成した後の状態を示している。
【０１０７】
＜図１９の状態に至るプロセス＞
次に、図１９に図示するように、メッキ膜２３２をCMPによって研磨し、平坦化する。このCMPによって、第２のコイル２３２が、平面状の渦巻きパターンとなるように、パターン化されるとともに、第１のコイル２３１から、絶縁膜２５２によって分離される。CMP後の第２のコイル２３２の膜厚は、例えば２．５〜３．０μｍの範囲となる。CMPにおいては、第２のポール片２１２、バックギャップ片２１６および絶縁膜２５３の表面も、第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２の表面と同一の平面となるように研磨される。
【０１０８】
＜図２０の状態に至るプロセス＞
次に、第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２の表面を覆う絶縁膜２５４を付着させる。絶縁膜２５４は、Al2O3でなり、例えば、０．２〜０．３μｍの膜厚となるように形成する。
【０１０９】
次に、絶縁膜２５４を形成してある一面上で、フォトリソグラフィ工程を実行し、第１のコイル２３１の内端２８１と第２のコイル２３２の外端２８３（図６参照）とを接続する接続導体２８２のためのレジストフレーム、第３のポール片２１３及びバックギャップ片２１７のためのレジストフレームを形成し、得られたレジストフレームによって画定されたパターンにしたがって、フレームメッキを実行する。これにより、図２０に示すように、接続導体２８２、第３のポール片２１３及びバックギャップ片２１７が形成される。接続導体２８２は、本例ではCuにより構成されているが、第３のポール片２１３の構成材料と同じものから構成されていてもよい。第３のポール片２１３及びバックギャップ片２１７は、CoFe、CoNiFe（１．９〜２．１T）またはNiFeのメッキ膜である。これら接続導体２８２、第３のポール片２１３及びバックギャップ片２１７は、例えば、１〜２μｍの範囲の膜厚を有する。
【０１１０】
また、第３のポール片２１３のＡＢＳから遠い側の端部は、第２のポール片２１２のＡＢＳから遠い側の端部よりも更にＡＢＳから離れているように延長しており、すなわち、絶縁膜２５４を介して第１のコイル２３１の上方にまで延びている。換言するならば、第３のポール片２１３は、第２のポール片２１２の上面とコイルにおける第２のポール部Ｐ２の対向側の面（すなわち上面）とを覆うように延長した部分を有する。
【０１１１】
＜図２１の状態に至るプロセス＞
次に、接続導体２８２、第３のポール片２１３及びバックギャップ片２１７を形成してある表面に、Al2O3でなる絶縁膜２５５を、例えば、1〜２μｍの膜厚となるように付着させた後、絶縁膜２５５、第３のポール片２１３、バックギャップ片２１７及び接続導体２８２の表面をCMPによって研磨し、最終的に1〜２μｍの膜厚とする。図２１はCMP実行後の状態を示している。
【０１１２】
＜図２２の状態に至るプロセス＞
次に、図２２に図示するように、絶縁膜２５５、第３のポール片２１３及びバックギャップ片２１７の被研磨面に、第４のポール片２１４（図３参照）のための磁性膜２１４を、例えば、０．３μｍ〜１μｍの膜厚となるように、スパッタ形成する。磁性膜２１４は、CoFeN（２．４Ｔ）、FeAlN、FeN、FeCoまたはFeZrNによって構成することができる。実施例では、磁性膜２１４は、CoFeN（２．４Ｔ）によって構成されている。更に、磁性膜２１４の表面に、フレームメッキ法によって、NiFeまたはCoNiFeなどのパターンメッキ２５０を形成する。パターンメッキ２５０は、バックギャップ２１６、２１７及び第３のポール片２１３の真上に位置するように形成する。なお、本例では、図２２に示されるように、パターンメッキ２５０の長さは、その下方の第３のポール片２１３と同じ長さに設定されているが、これに限定されず、第３のポール片２１３よりもＡＢＳ側で終端するようにして短くしてもよい。
【０１１３】
＜図２３の状態に至るプロセス＞
次に、図２３に図示するように、パターンメッキ２５０をマスクとして、磁性膜２１４を、Ion  Beamによってエッチングする。これによって、第４のポール片２１４は、パターンメッキ２５０によって所期の主要長さに規定、形成される。
【０１１４】
＜図２４の状態に至るプロセス＞
次に、アルミナなどでなる絶縁膜２５６を、２〜３μｍの膜厚となるようにスパッタし、その後、絶縁膜２５６を、パターンメッキ２５０が除去される位置まで、CMPによって研磨し平坦化する。図２４は、このCMP処理が終了した後の状態を示している。
【０１１５】
＜図２５の状態に至るプロセス＞
次に、フォトリソグラフィプロセスの適用により、第４のポール片２１４及びバックギャップ片２１８の上に、レジストマスクＦＲ３を形成する。このとき、第４のポール片２１４上のレジストマスクＦＲ３は、第４のポール片２１４の後方側をカバーしないように部分的に形成する。
【０１１６】
レジストマスクＦＲ３を形成した後、絶縁膜２５６及び第４のポール片２１４におけるレジストマスクＦＲ３でカバーされていない後方側を、例えば、０．２〜０．３μｍの深さでIBEを施し、エッチングする。これによって、第４のポール片２１４におけるエッチングされずに残った上側部分は、スロートハイトゼロを決定する部分として、前述の主要長さよりも短い長さの部分なる。
【０１１７】
図２５に示されるように、第４のポール片２１４は、側面視ほぼＬ字状に構成されている。
【０１１８】
また、エッチングされて厚みの減少した後側は、第３のポール片２１３と同じ長さを有しており、すなわち、第１のポール部Ｐ１において、コイルの上面を覆うように延長した部分は、第３のポール片２１３の高さ方向の全部と、第４のポール片２１４の高さ方向の一部とに設けられていることになる。
【０１１９】
その後さらに、エッチングした部分に、レジストマスクＦＲ３を用いて、自己整合的にAl2O3からなる絶縁膜２７０を、スパッタなどの手段によって付着させる。絶縁膜２７０は、０．２〜０．３５μｍの膜厚を有する。また、レジストマスクＦＲ３は、リフトオフし易いように、T型の形状とする。
【０１２０】
＜図２６、図２７の状態に至るプロセス＞
次に、レジストマスクＦＲ３をリフトオフした後、第４のポール片２１４の露出表面及び絶縁膜２７０におけるバックギャップ片２１８よりも前方の表面を、CMP処理により研磨し平坦化する。このCMP処理は、本例では０．０１〜０．０２μｍの膜厚だけ行う。その後、CMPによって平坦化された面に、ギャップ膜２４を０．０６〜０．１μｍの膜厚となるように形成する。ギャップ膜２４は、例えば、Ruなどの非磁性金属材料でなり、スパッタ等によって形成することができる。
【０１２１】
次に、ギャップ膜２４の表面、及び、平坦化面に、上部ポール片としての第２の磁性膜２２１をスパッタにより形成する。磁性膜２２１は、HiBs材を用いて構成する。具体的には、FeAlN、FeN、CoFe、CoFeN、FeZrNなどのHiBs材料のうち、特に、CoFe、CoFeNが適している。第２の磁性膜２２１は、この後、その上方に配置される第３の磁性膜をメッキによって形成する際に、Seed膜として用いられるものであり、例えば、０．５〜０．８μｍの膜厚となるように形成する。
【０１２２】
次に、第２の磁性膜２２１をSeed膜として、フォトレジストを用いたフレームメッキ法により、第３の磁性膜２２２を形成する。第３の磁性膜２２２は、例えば、NiFe（組成比５５：４５）、CoNiFe（組成比約６７：１５：１８、１．９〜２．１Ｔ）、または、CoFe（組成比４０：６０、２．３Ｔ）等によって構成される。その厚みは、１．０〜１．５μｍの範囲である。
【０１２３】
また、第３の磁性膜２２２は、図２７にも示されるように、広い部分２２３と、細い部分２２４とを有するように形成される。本実施例では、細い部分２２４は０．１〜０．２μｍの幅に形成されている。広い部分２２３は、第２のヨーク部を構成する部分であり、細い部分２２４は第２のポール部を構成する部分である。
【０１２４】
＜図２８、図２９の状態に至るプロセス＞
次に、第３の磁性膜２２２をマスク層として、第２の磁性膜２２１をエッチングする。かかるエッチングは、例えば、メッキマスク層を用いてIBEやハロゲン系ガス（Cl2ガスやBCl3＋Cl2ガスなど）でのRIEによって実施される。例えば、RIEでCoFeNをエッチングする場合、５０〜３００度の高温でRIEを行い、０．１〜０．２μｍの幅となるように第２の磁性膜２２１を途中までエッチングする。
【０１２５】
RIEの際の温度は、５０度以上が好ましいが、本実施例では特に２００〜２５０度のときに最もよいエッチング結果が得られた。また、Cl2系のガスにO2を導入することで、エッチングプロファイルが正確にコントロールできると共に、特にBCl3＋Cl2にO2を混入させることで残存ボロンガスの堆積物をきれいに除去する効果を有しているため、第２の磁性膜２２１のエッチングをきれいに行うことができる。さらに、Cl2またはBCl3＋Cl2、さらにBCl3＋Cl2＋O2にO2を混合させたエッチングガスにおいてRIEを行うことによって、RIEのエッチングスピードが速まり、マスク層である第３の磁性膜２２２との選択比が３０〜５０％以上向上した。
【０１２６】
この後、トリミング用のフォトレジストマスク層を形成し、第３のポール片２１３及び第４のポール片２１４をトリミングする。なお、図２８において符号ＴＤで示される点線はトリミング深さを示している。かかるトリミングは、本実施例では、３５〜５５の角度で０．２〜０．４μｍの深さのエッチングによってなされる。さらに、０．１μｍまで細くするために、４０〜７５度の角度でIon  Millingを行う。
【０１２７】
最後に、上面にオーバーコート材（保護膜）２７１を形成することでウエハー上の製造プロセスが終了する。また、バー状に切り出した後、ＡＢＳ側を研磨することで、図３に示す状態を得る。
【０１２８】
ここで、高周波特性を改善すべくヨーク長ＹＬの短い薄膜磁気ヘッドを形成するためには、第２のポール片の長さを短くする方法が採用され得るが、その場合には、トリミング用のマスク層の後退に起因しIon  Millingによるコイルへのアタックが生じる懸念があった。
【０１２９】
それに対して、本実施例においては、上述したように、第３のポール片２１３及び第４のポール片２１４が、従来よりも長く延び、即ちＡＢＳから第１のコイル２３１の上方にまで延びている。このため、本実施例ではトリミング用のマスク層の後退に起因したIon  Millingによるコイルへのアタックという不具合を無くすことが可能となった。よって、例え第２のポール片２１２の長さを短くしヨーク長ＹＬを短縮化しても、コイル間のショートや、コイル及び下部ポール間の電気的ショートの問題を解決することができた。
【０１３０】
さらに、本実施例では、第３のポール片２１３及び第４のポール片２１４をコイル上方に達するまで延長することによって、次のような観点からもオーバーライト特性の改善が図られている。磁束飽和は、トラック幅、トリミングされるポール片（従来では第２のポール片、本発明では第３及び／又は第４のポール片）の幅ならびにトリミング深さという３つの条件に起因した磁性部の体積と大きな関係があり、その体積が小さいほど磁束の飽和が早く発生しオーバーライト特性の悪化につながる。
【０１３１】
例えば従来においては、第２のポール片においてトリミングがなされており、且つ、ヨーク長ＹＬの短い薄膜磁気ヘッドを形成するために第２のポール片の長さを短くする傾向にあった。このため、オーバーライト特性が不十分になる虞があった。
【０１３２】
これに対して、本実施例では、上述したように、トリミングされる第３のポール片２１３及び第４のポール片２１４がコイル上方に達するまで延長しているため、上記３つの条件に起因した磁性部の体積は従来よりも大きくなり、その分磁束の飽和が生じにくくなっている。すなわち、トリミング後もスロートハイトゼロの位置より奥側に第３又は第４のポール片として磁気ボリュームの大きく得られる領域が存在している。よって、ヨーク長ＹＬを短縮化しつつもオーバーライト特性を良好に確保することが可能となっている。
【０１３３】
（２）実施例２
実施例２は、図７及び図８に図示された薄膜磁気ヘッドの製造方法に係る。図３０〜図３８はその製造プロセスを示している。図３０〜図３８に図示するプロセスも、ウエハー上で実行されるものであることを予め断っておく。
【０１３４】
＜図３０の状態に至るプロセス＞
図３０の状態に至るプロセスとしては、まず、上述した実施例１の図１３〜図１９の状態に至るプロセスを実施することによって、図１９と同様な構成を得た後、さらに、次のような処理を行う。
【０１３５】
まず、第１のコイル２３１及び第２のコイル２３２の表面を覆う絶縁膜２５４を付着させる。絶縁膜２５４は、Al２O３から構成されており、例えば、０．２〜０．３μｍの膜厚となるように形成する。
【０１３６】
次に、絶縁膜２５４を形成してある一面上で、フォトリソグラフィ工程を実行し、第１のコイル２３１の内端２８１と第２のコイル２３２の外端２８３（図６参照）とを接続する接続導体２８２のためのレジストフレーム、第３のポール片２１３及びバックギャップ片２１７のためのレジストフレームを形成し、得られたレジストフレームによって画定されたパターンにしたがって、フレームメッキを実行する。これにより、図３０に示すように、接続導体２８２、第３のポール片２１３及びバックギャップ片２１７が形成される。
【０１３７】
接続導体２８２は、本例ではCuにより構成されているが、第３のポール片２１３の構成材料と同じものから構成されていてもよい。なお、本実施例では、接続導体２８２の膜厚は、第３のポール片２１３及びバックギャップ片２１７の膜厚よりも薄くなるように選定される。
【０１３８】
第３のポール片２１３及びバックギャップ片２１７は、CoFe、CoNiFe（１．９〜２．１T）またはNiFeのメッキ膜である。これら接続導体２８２、第３のポール片２１３及びバックギャップ片２１７は、例えば、１〜２μｍの範囲の膜厚を有する。
【０１３９】
また、第３のポール片２１３のＡＢＳから遠い側の端部は、第２のポール片２１２のＡＢＳから遠い側の端部よりも更にＡＢＳから離れているように延長しており、すなわち、絶縁膜２５４を介して第１のコイル２３１の上方にまで延びている。換言するならば、第３のポール片２１３は、第２のポール片２１２の上面とコイルにおける第２のポール部Ｐ２の対向側の面（すなわち上面）とを覆うように延長した部分を有する。
【０１４０】
＜図３１の状態に至るプロセス＞
次に、接続導体２８２、第３のポール片２１３及びバックギャップ片２１７を形成してある表面に、Al2O3でなる絶縁膜２５５を、例えば、1〜２μｍの膜厚となるように付着させた後、絶縁膜２５５、第３のポール片２１３及びバックギャップ片２１７の表面をCMPによって研磨し、最終的に1〜２μｍの膜厚とする。このとき、上記の如く接続導体２８２は第３のポール片２１３及びバックギャップ片２１７よりも膜厚が薄いため、CMP実行後も接続導体２８２の上面は絶縁膜２５５より覆われている。図３１はCMP実行後の状態を示している。
【０１４１】
＜図３２の状態に至るプロセス＞
次に、図３２に図示するように、絶縁膜２５５、第３のポール片２１３及びバックギャップ片２１７の被研磨面に、第４のポール片２１４（図３参照）のための磁性膜２１４を、例えば、０．２μｍ〜１μｍの膜厚となるように、スパッタ形成する。磁性膜２１４は、CoFeN（２．４Ｔ）、FeAlN、FeN、FeCoまたはFeZrNによって構成することができる。実施例では、磁性膜２１４は、CoFeN（２．４Ｔ）によって構成されている。
【０１４２】
更に、フォトリソグラフィプロセスの適用により、磁性膜２１４の上面における第４のポール片２１４及びバックギャップ片２１８の上方部分に、レジストマスクＦＲ３を形成する。本実施例においては、第４のポール片２１４によりスロートハイトを決定するためレジストマスクＦＲ３は第３のポール片２１３の後方側をカバーしないように第３のポール片２１３よりも短い長さに形成する。
【０１４３】
＜図３３の状態に至るプロセス＞
次に、レジストマスクＦＲ３を用いて第４のポール片２１４に対してIBEを施しエッチングする。エッチングされた第４のポール片２１４は、レジストマスクＦＲ３によって規定された主要長さを膜厚全体に亙って有し、膜厚全体に亙ってスロートハイトを決定するように機能する。また、本実施例では、第４のポール片２１４はコイルの上方までは延びてなく、第１のポール部Ｐ１において、コイルの上面を覆うように延長した部分は、第３のポール片２１３の高さ方向の全部のみによって構成されている。
【０１４４】
その後さらに、レジストマスクＦＲ３を用いて、自己整合的にAl2O3からなる絶縁膜２７２をスパッタなどの手段によって付着させた後、レジストマスクＦＲ３をリフトオフする。絶縁膜２７２は、０．３〜０．４μｍの膜厚を有する。
【０１４５】
＜図３４の状態に至るプロセス＞
次に、レジストマスクＦＲ３をリフトオフした後、第４のポール片２１４の露出表面及び絶縁膜２７０の表面を、CMP処理により０．１μｍ程度軽く研磨し平坦化する。その後、CMPによって平坦化された面に、ギャップ膜２４を０．０７〜０．１μｍの膜厚となるように形成する。ギャップ膜２４は、例えば、Ru、Ni、Cu、Taなどの非磁性金属材料又はSiO2やAl2O3などの絶縁材料からなり、スパッタ等によって形成することができる。
【０１４６】
さらに、ギャップ膜２４の表面、及び、平坦化面に、上部ポール片としての第２の磁性膜２２１をスパッタにより形成する。磁性膜２２１は、HiBs材を用いて構成する。具体的には、FeAlN、FeN、CoFe、CoFeN、FeZrNなどのHiBs材料であり、特に、CoFe、CoFeN（２．４Ｔ）が適している。第２の磁性膜２２１は、この後、その上方に配置される第３の磁性膜をメッキによって形成する際に、Seed膜として用いられるものであり、例えば、０．３〜０．６μｍの膜厚となるように形成する。
【０１４７】
＜図３５、図３６の状態に至るプロセス＞
次に、第２の磁性膜２２１をSeed膜として、フォトレジストを用いたフレームメッキ法により、第３の磁性膜２２２を形成する。第３の磁性膜２２２は、例えば、NiFe（組成比５５：４５）、CoNiFe（組成比約６７：１５：１８、１．９〜２．１Ｔ）、または、CoFe（組成比４０：６０、２．３Ｔ）等によって構成される。その厚みは、３．０〜３．５μｍの範囲である。
【０１４８】
また、第３の磁性膜２２２は、上記実施例１と同様に、広い部分２２３と、細い部分２２４とを有するように形成される。本実施例では、細い部分２２４は０．１〜０．２μｍの幅に形成されている。広い部分２２３は、第２のヨーク部を構成する部分であり、細い部分２２４は第２のポール部を構成する部分である。
【０１４９】
＜図３７、図３８の状態に至るプロセス＞
次に、第３の磁性膜２２２をマスク層として、例えば３５〜５０度の角度で第２の磁性膜２２１をエッチングする。かかるエッチングは、例えば、メッキマスク層を用いてIBEやハロゲン系ガス（Cl2ガスやBCl3＋Cl2ガスなど）でのRIEによって行われる。
【０１５０】
例えば、RIEでCoFeNをエッチングする場合、５０〜３００度の高温でRIEを行い、０．１〜０．２μｍの幅となるように第２の磁性膜２２１を途中までエッチングする。RIEの際の温度は、５０度以上が好ましいが、本実施例では特に２００〜２５０度のときに最もよいエッチング結果が得られた。
【０１５１】
また、Cl2系のガスにO2を導入することで、エッチングプロファイルが正確にコントロールできると共に、特にBCl3＋Cl2にO2を混入させることで残存ボロンガスの堆積物をきれいに除去する効果を有しているため、第２の磁性膜２２１のエッチングをきれいに行うことができる。
【０１５２】
さらに、Cl2またはBCl3＋Cl2、さらにBCl3＋Cl2＋O2にO2を混合させたエッチングガスにおいてRIEを行うことによって、RIEのエッチングスピードが速まり、マスク層である第３の磁性膜２２２との選択比が３０〜５０％以上向上した。
【０１５３】
この後、残存する第２の磁性膜２２１を追加エッチングするためIBEを施す。このIBEにおいては例えば、４０〜７５度の角度で残存する第２の磁性膜２２１のエッチングを行うことができる。
【０１５４】
さらにその後、トリミング用のフォトレジストマスク層を形成し、第３のポール片２１３及び第４のポール片２１４をトリミングする。かかるトリミングは、本実施例では、４５〜５５の角度で０．２〜０．４μｍの深さ、すなわち第３のポール片２１３におけるコイル上面を覆うように延長した部分にまで達する深さのエッチングによってなされる。さらに、０．１μｍまで細くするために、４０〜７５度の角度でIon  Millingを行う。
【０１５５】
これにより、第２のポール部Ｐ２においては、０．１μｍ幅の狭トラック構造が形成でき、しかも、従来のように第２のポール部Ｐ２において端部の膜厚が減少するような不具合を無くすことができた。また、第２のポール部Ｐ２の先端部が三角形状になってしまう不具合も解消することができた。
【０１５６】
さらに、RIE実行時のCl2やBCl3の残存ガスが第２のポール部Ｐ２に付着している場合でも、上記トリミング時のIon  Millingによるサイドエッチングによって、それらの残存ガスも完全に除去されるため、第２のポール部Ｐ２の腐食なども完全に回避することができるようになった。
【０１５７】
一般に、Cl2系のエッチングガスではCoFe系のエッチングレートが遅く、特にCoFeN材ではエッチングプロフィルがテーパー状になり正確に狭くパターン形成されない虞があった。しかしながら、本実施例では、エッチングガスにおけるRIE後に、４０〜７５度、特に４５〜５０度の角度でIon  Millingを施すことによって、RIEによって一旦テーパー状となったCoFeN（２．４ＴのHiBs材）を有する第２のポール部Ｐ２が、最終的には垂直に近い形状に加工される。すなわち、Ion  Millingによって、正確なトラック幅への加工が制御できるようになっている。
【０１５８】
なお、本実施例では、第２の磁性膜２２１をRIEによってエッチングする例を示したが、本発明はこれに限定されず、IBEだけでエッチングする態様であってもよい。
【０１５９】
最後に、上面にオーバーコート材（保護膜）２７１を２０〜４０μｍの膜厚で形成することでウエハー上の製造プロセスが終了する。また、バー状に切り出した後、ＡＢＳ側を研磨することで、図７及び図８に示す状態を得る。
【０１６０】
（３）実施例３
実施例３は、図９及び図１０に図示した薄膜磁気ヘッドの製造プロセスであり、図３９〜図４７に図示されている。実施例１または実施例２において図示され、説明されたプロセスであって、実施例３においても適用されるプロセスについては、実施例１又は実施例２の説明を参照し、図示は省略することがある。
【０１６１】
＜図３９の状態に至るプロセス＞
図３９の状態に至るプロセスとしては、まず、上述した実施例１の図１３〜図１５の状態に至るプロセスを実施することによって、図１５と同様な構成を得た後、さらに、次のような処理を行う。
【０１６２】
まず、図１５におけるフォトレジスト膜ＲＳ２を除去した後、絶縁膜２５１、第１のコイル２３１、第２のポール片２１２及びバックギャップ片２１６の表面及び側面に、０．１〜０．１５μｍ程度の膜厚を有する絶縁膜２５２を付着させる。絶縁膜２５２をAl２O３膜として形成する場合、１００℃以上の温度で、H2O、N2、N2OまたはH2O2の減圧雰囲気中に、Al(CH3)3またはAlCl3を交互に断続的に噴射するアルミナCVD膜形成方法を採用することができる。
【０１６３】
更に、絶縁膜２５２の表面に、Cu-CVDによって、０．０５〜０．１μｍの範囲の膜厚となるように、Seed膜２６１を付着させる。Seed膜２６１は、Cuを、例えば、５０ｎｍの膜厚となるようにスパッタした後、CVDを適用して、例えば５０ｎｍの膜厚のCu膜を成膜することによって得られる。この方法によれば、狭い領域内で、ステップカバレッジの良好な成膜を行うことができる。
【０１６４】
＜図４０の状態に至るプロセス＞
次に、Seed膜２６１の上に、第２のコイルとなるメッキ膜２３２を例えば３〜４μｍの膜厚となるように形成する。メッキ膜２３２は、Ｃｕを主成分とし、第１のコイル２３１の周囲部分に選択的に形成する。さらに、メッキ膜２３２の外側に位置するSeed膜２６１の部分を、希塩酸、希硫酸あるいは硫酸銅などを用いたウェットエッチングによって、又は、Ion  Millingなどのドライエッチングによって除去する。その上に、アルミナなどからなる絶縁膜２５３を３〜５μｍの膜厚で形成する。
【０１６５】
＜図４１の状態に至るプロセス＞
次に、上述した実施例１の図１９〜図２１の状態に至るプロセスを実施することによって、図２１と同様な構成を得た後、さらに、次のような処理を行う。
【０１６６】
次に、図４１に図示するように、絶縁膜２５５、第３のポール片２１３及びバックギャップ片２１７の被研磨面に、第４のポール片２１４（図３参照）のための磁性膜２１４を、例えば、０．５μｍ〜１μｍの膜厚となるように、スパッタ形成する。磁性膜２１４は、CoFeN（２．４Ｔ）、FeAlN、FeN、FeCoまたはFeZrNによって構成することができる。実施例では、磁性膜２１４は、CoFeN（２．４Ｔ）によって構成されている。更に、磁性膜２１４の表面に、フレームメッキ法によって、NiFeまたはCoNiFeなどのパターンメッキ２５０を形成する。パターンメッキ２５０は、バックギャップ２１７、２１８及び第３のポール片２１３の真上に位置するように形成する。
【０１６７】
＜図４２の状態に至るプロセス＞
次に、図４２に図示するように、パターンメッキ２５０をマスクとして、磁性膜２１４を、RIE及びIon  Beamによってエッチングする。なお、かかるエッチングは、実施例２における第２の磁性膜２２１のエッチングと同態様で行うことができ、それによるメリットも同様に得ることができる。
【０１６８】
このように第４のポール片２１４がコイルから離れた位置に設けられることで、第４のポール片２１４でスロートハイトを決定することができ、そのハイト距離は０．１〜０．５あるいは０．２〜０．７μｍと如何ようにも調整できる正確なプロセスとして実施できる。そのため、write currentの立ち上がりが速く、オーバーライト特性の優れた書き込みヘッドが得られる。
【０１６９】
また、ＡＢＳとコイルエッジとの間の距離は短いほど、ヨーク長の短いヘッドが得られる反面、急激な傾斜でスロートハイトを決定する必要があるため、そのような急激な傾斜部においてフラックスの飽和領域が生じ、その部分での磁束漏れが発生して十分なオーバーライト特性が得られないケースがあった。
【０１７０】
しかしながら、本発明では、ＡＢＳからコイルまでの距離に関し、第２のポール片２１２と、第２のポール片２１２よりも狭いか又は同じ幅の第３のポール片２１３と、第３のポール片２１３よりも狭い幅の第４のポール片２１４とで、スロートハイトを決定しているため、メディアに書き込むデータの磁束通路は、第２のポール片、第３のポール片、第４のポール片に亙ってステップ段差が浅く、急激な段差変化がないため、十分なフラックスが途中で漏れることがない。このため、隣のトラックに対して書き込みを行ったりデータを消去したりする問題を回避することができる。
【０１７１】
＜図４３〜図４６の状態に至るプロセス＞
次に、図４３に示されるように、アルミナなどでなる絶縁膜２５６をスパッタし、図４４に示されるように、絶縁膜２５６をCMPによって研磨し平坦化する。さらに、CMPによって平坦化された面に、ギャップ膜２４を０．０６〜０．１μｍの膜厚となるように形成する。ギャップ膜２４は、例えば、Ruなどの非磁性金属材料でなり、スパッタ等によって形成することができる。
【０１７２】
次に、ギャップ膜２４の表面、及び、平坦化面に、上部ポール片としての第２の磁性膜２２１をスパッタにより形成する。磁性膜２２１は、HiBs材を用いて構成する。具体的には、FeAlN、FeN、CoFe、CoFeN、FeZrNなどのHiBs材料のうち、本実施例では特に、CoFeN（２．４Ｔ）が使用している。第２の磁性膜２２１は、この後、その上方に配置される第３の磁性膜をメッキによって形成する際に、Seed膜として用いられるものであり、例えば、０．８〜１．５μｍの膜厚となるように形成する。
【０１７３】
次に、第２の磁性膜２２１をSeed膜として、フォトレジストを用いたフレームメッキ法により、第３の磁性膜２２２を形成する。第３の磁性膜２２２は、例えば、NiFe（組成比５５：４５）、CoNiFe（組成比約６７：１５：１８、１．９〜２．１Ｔ）、または、CoFe（組成比４０：６０、２．３Ｔ）等によって構成される。その厚みは、３．０〜３．５μｍの範囲である。
【０１７４】
また、第３の磁性膜２２２は、図４６にも示されるように、広い部分２２３と、細い部分２２４とを有するように形成される。本実施例では、細い部分２２４は０．１〜０．２μｍの幅に形成されている。広い部分２２３は、第２のヨーク部を構成する部分であり、細い部分２２４は第２のポール部を構成する部分である。
【０１７５】
図４５は、第３の磁性膜２２２の形成が終了した後の状態を示している。
【０１７６】
＜図４７、図４８の状態に至るプロセス＞
次に、第３の磁性膜２２２をマスク層として、第２の磁性膜２２１をエッチングする。かかるエッチングは、例えば、メッキマスク層を用いてIBEやハロゲン系ガス（Cl2ガスやBCl3＋Cl2ガスなど）でのRIEによって実施される。
【０１７７】
本実施例では、５０〜３００度の高温でRIEを行い、０．１〜０．２μｍの幅となるように第２の磁性膜２２１を途中までエッチングする。RIEの際の温度は、５０度以上が好ましいが、本実施例では特に２００〜２５０度のときに最もよいエッチング結果が得られた。
【０１７８】
また、Cl2系のガスにO2を導入することで、エッチングプロファイルが正確にコントロールできると共に、特にBCl3＋Cl2にO2を混入させることで残存ボロンガスの堆積物をきれいに除去する効果を有しているため、第２の磁性膜２２１のエッチングをきれいに行うことができる。
【０１７９】
さらに、Cl2またはBCl3＋Cl2、さらにBCl3＋Cl2＋O2にO2を混合させたエッチングガスにおいてRIEを行うことによって、RIEのエッチングスピードが速まり、マスク層である第３の磁性膜２２２との選択比が３０〜５０％以上向上した。
【０１８０】
この後、残存する第２の磁性膜２２１を追加エッチングするためIBEを施す。このIBEにおいては例えば、４０〜７５度の角度で残存する第２の磁性膜２２１のエッチングを行うことができる。
【０１８１】
さらにその後、トリミング用のフォトレジストマスク層を形成し、第３のポール片２１３及び第４のポール片２１４をトリミングする。かかるトリミングは、本実施例では、４５〜５５の角度で０．３〜０．４μｍの深さのエッチングによってなされる。さらに、０．１μｍまで細くするために、４０〜７５度の角度でIon  Millingを行う。
【０１８２】
最後に、上面にオーバーコート材（保護膜）２７１を形成することでウエハー上の製造プロセスが終了する。また、バー状に切り出した後、ＡＢＳ側を研磨することで、図９に示す状態を得る。
【０１８３】
（４）実施例４
実施例４は、図１０及び図１１に図示された薄膜磁気ヘッドの製造方法に係る。図４９〜図５２はその製造プロセスを示している。図４９〜図５２に図示するプロセスも、ウエハー上で実行されるものであることを予め断っておく。
【０１８４】
＜図４９の状態に至るプロセス＞
基体１５の上に付着された絶縁膜１６の上に、第１のシ−ルド膜３１、読み取り素子３、絶縁膜３２、第２のシ−ルド膜３３、絶縁膜３４及び第１の磁性膜２１１を、周知のプロセスによって形成する。
【０１８５】
具体例を述べると、絶縁膜１６はアルミナ膜でなり、例えば、３μｍ程度の膜厚となるように形成する。第１のシールド膜３１は、NiFeなどの磁性材料を用い、フレームメッキ法によって２〜３μｍの膜厚として形成する。
【０１８６】
絶縁膜３２は、一般には、２段階ステップで形成される。第1ステップでは、３〜４μｍの膜厚のアルミナ膜を形成した後、その表面をCMPで平坦化し、その後、読み取り素子となるGMR素子３を形成する。その後、第２ステップで、GMR素子３を覆うアルミナ膜を成膜する。第２のシールド膜３３はNiFeなどの磁性材料を用い、１．０〜１．５μｍの膜厚となるように形成する。絶縁膜３４は、０．３μｍのアルミナ膜として形成する。
【０１８７】
第１の磁性膜２１１は、CoNiFe（１．９T）又はCoFeN（２．４T）を用い、３．０〜４．０μｍの膜厚として形成する。第１の磁性膜２１１のうち、第１のポール片となる端部に、NiFe（８０％：２０％）もしくはNiFe（４５％：５５％）のメッキ膜、又は、FeAlN、FeN、FeCo、CoFeNもしくはFeZrNのスパッタ膜を、０．５〜０．６μｍの厚みで形成してもよい。
【０１８８】
その後、第１の磁性膜２１１の平坦な表面に、例えば０．２μｍの厚みの絶縁膜２５１を成膜し、選択的に開口部を形成した後、その上に第１のコイル２３１を形成する。
【０１８９】
＜図５０の状態に至るプロセス＞
次に、第２のポール片２１２及びバックギャップ片２１６を形成するためのフォトリソグラフィ工程を実行して、ポール片及びバックギャップ片のためのレジストフレームを形成する。
【０１９０】
次に、選択的メッキ処理を行い、第１の磁性膜２１１の上に第２のポール片２１２及びバックギャップ片２１６を成長させ、その後、レジストフレームを、ケミカルエッチングなどの手段によって除去する。これにより、図５０に示すように、第１の磁性膜２１１の一面上に、ポール片２１２及びバックギャップ片２１６が間隔を隔てて形成される。ポール片２１２及びバックギャップ片２１６は、例えば、CoNiFe（組成比約６７：１５：１８  １．８〜１．９T）あるいはCoFe（組成比約６０：４０  ２．４T）より構成することができ、３．５μｍの膜厚となるように成膜する。
【０１９１】
さらに、第１のコイル２３１、ポール片２１２及びバックギャップ片２１６を覆うフォトレジスト膜RS２を形成する。そして、フォトレジスト膜RS2をマスクとして、第１の磁性膜２１１を、Reactive  Ion  Etching（以下、RIEと称する）又はIon  Beam  Etching（以下IBEと称する）などのドライエッチングを実行し、パターニングする。
【０１９２】
＜図５１の状態に至るプロセス＞
次に、フォトレジスト膜RS２に対してフォトリソグラフィ工程を実行して除去した後、第１のコイル２３１のコイルターンの間にスペーサとしてのフォトレジストからなる絶縁膜２５２を形成し、さらにその上から、第１のコイル２３１及びその周囲を覆うアルミナからなる絶縁膜２５３を形成する。そして、絶縁膜２５３及び第２のポール片２１２にＣＭＰを施して平坦化する。
【０１９３】
次に、平坦化された上面に、HiBs材であるCoFeNやCoFeからなるスパッタ膜、あるいはCoNiFeやCoFe（２．３Ｔ）のメッキ膜を選択的に第３のポール片２１３として形成する。すなわち、スパッタ膜であればフォトレジストマスクを施してIBEを行うことにより形成し、メッキ膜であればフォトレジストマスクパターンを用いて形成することができる。あるいは、スパッタ膜上にメッキ層のマスク材を形成して、HiBs材をIBEしてもよい。
【０１９４】
これによって、第３のポール片２１３は、所期の主要長さに規定、形成される。本実施例では、CoFeN又はCoFeからなる磁性膜を第３のポール片２１３として設けている。
【０１９５】
また、第３のポール片２１３のＡＢＳから遠い側の端部は、第２のポール片２１２のＡＢＳから遠い側の端部よりも更にＡＢＳから離れているように延長しており、すなわち、絶縁膜２５４を介して第１のコイル２３１の上方にまで延びている。換言するならば、第３のポール片２１３は、第２のポール片２１２の上面とコイルにおける第２のポール部Ｐ２の対向側の面（すなわち上面）とを覆うように延長した部分を有する。
【０１９６】
さらに、図５１に示されるように、バックギャップ片２１６の上方にバックギャップ片２１７を、その後方のコイル上方に接続導体２８１を形成する。そして、残りの平坦化面に例えば１〜３μｍのアルミナからなる絶縁膜２５５を形成した後、それら第３のポール片２１３、バックギャップ片２１７、接続導体２８１ならびに絶縁膜２５５に対してＣＭＰを施して平坦化する。
【０１９７】
＜図５２の状態に至るプロセス＞
次に、少なくとも第３のポール片２１３の上方に図示しないレジストマスクを形成する。本実施例では、第３のポール片２１３でスロートハイトを形成するため、レジストマスクは、第２のポール片２１２の長さよりも短く形成されている。そして、レジストマスクを用いて第３のポール片２１３を例えば、０．２〜０．３μｍの深さでIBEする。これによって、第３のポール片２１３におけるエッチングされずに残った上側部分は、スロートハイトゼロを決定する部分として、前述の主要長さよりも短い長さの部分なる。
【０１９８】
図５２に示されるように、第３のポール片２１３は、側面視ほぼＬ字状に構成されている。よって本実施例では、第１のポール部Ｐ１において、コイルの上面を覆うように延長した部分は、第３のポール片２１３の高さ方向の一部に設けられていることになる。
【０１９９】
続いて、レジストマスクを用いて、自己整合的にAl2O3からなる絶縁膜２７０を、スパッタなどの手段によって付着させる。絶縁膜２７０は、０．３〜０．４μｍの膜厚を有する。また、レジストマスクは、リフトオフし易いように、T型の形状とする。
【０２００】
次に、レジストマスクをリフトオフした後、第３のポール片２１３の露出表面及び絶縁膜２７０の表面を、CMP処理により軽く研磨し平坦化する。このCMP処理は、本例では０．０１μｍの膜厚だけ行う。
【０２０１】
その後、CMPによって平坦化された面に、ギャップ膜２４を０．０７〜０．１μｍの膜厚となるように形成する。ギャップ膜２４は、例えば、例えば、Ru、NiCu、Taなどの非磁性金属材料又はSiO2やAl2O3などの絶縁材料からなり、スパッタ等によって形成することができる。
【０２０２】
次に、ギャップ膜２４の表面、及び、平坦化面に、上部ポール片としての第２の磁性膜２２１をスパッタにより形成する。磁性膜２２１は、HiBs材を用いて構成する。具体的には、FeAlN、FeN、CoFe、CoFeN、FeZrNなどのHiBs材料のうち、本実施例では特に、CoFeN（２．４Ｔ）が使用している。第２の磁性膜２２１は、この後、その上方に配置される第３の磁性膜をメッキによって形成する際に、Seed膜として用いられるものであり、例えば、０．８〜１．５μｍの膜厚となるように形成する。
【０２０３】
次に、第２の磁性膜２２１をSeed膜として、フォトレジストを用いたフレームメッキ法により、第３の磁性膜２２２を形成する。第３の磁性膜２２２は、例えば、NiFe（組成比５５：４５）、CoNiFe（組成比約６７：１５：１８、１．９〜２．１Ｔ）、または、CoFe（組成比４０：６０、２．３Ｔ）等によって構成される。その厚みは、３．０〜３．５μｍの範囲である。
【０２０４】
次に、第３の磁性膜２２２をマスク層として、第２の磁性膜２２１をエッチングする。かかるエッチングは、例えば、メッキマスク層を用いてIBEやハロゲン系ガス（Cl2ガスやBCl3＋Cl2ガスなど）でのRIEによって実施される。
【０２０５】
本実施例では、５０〜３００度の高温でRIEを行い、０．１〜０．２μｍの幅となるように第２の磁性膜２２１を途中までエッチングする。RIEの際の温度は、５０度以上が好ましいが、本実施例では特に２００〜２５０度のときに最もよいエッチング結果が得られた。
【０２０６】
また、Cl2系のガスにO2を導入することで、エッチングプロファイルが正確にコントロールできると共に、特にBCl3＋Cl2にO2を混入させることで残存ボロンガスの堆積物をきれいに除去する効果を有しているため、第２の磁性膜２２１のエッチングをきれいに行うことができる。
【０２０７】
さらに、Cl2またはBCl3＋Cl2、さらにBCl3＋Cl2＋O2にO2を混合させたエッチングガスにおいてRIEを行うことによって、RIEのエッチングスピードが速まり、マスク層である第３の磁性膜２２２との選択比が３０〜５０％以上向上した。
【０２０８】
この後、残存する第２の磁性膜２２１を追加エッチングするためIBEを施す。このIBEにおいては例えば、４０〜７５度の角度で残存する第２の磁性膜２２１のエッチングを行うことができる。
【０２０９】
さらにその後、トリミング用のフォトレジストマスク層を形成し、第３のポール片２１３及び第４のポール片２１４をトリミングする。かかるトリミングは、本実施例では、４５〜５５の角度で０．３〜０．４μｍの深さのエッチングによってなされる。さらに、０．１μｍまで細くするために、４０〜７５度の角度でIon  Millingを行う。
最後に、上面にオーバーコート材（保護膜）２７１を形成することでウエハー上の製造プロセスが終了する。また、バー状に切り出した後、ＡＢＳ側を研磨することで、図１０及び図１１に示す状態を得る。
【０２１０】
３．磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置
本発明は、更に、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置についても開示する。図５３及び図５４を参照すると、本発明に係る磁気ヘッド装置は、図１〜図１２に示した薄膜磁気ヘッド４００と、ヘッド支持装置６とを含む。ヘッド支持装置６は、金属薄板でなる支持体６１の長手方向の一端にある自由端に、同じく金属薄板でなる可撓体６２を取付け、この可撓体６２の下面に薄膜磁気ヘッド４００を取付けた構造となっている。
【０２１１】
具体的には、可撓体６２は、支持体６１の長手方向軸線と略平行して伸びる２つの外側枠部６２１、６２２と、支持体６１から離れた端において外側枠部６２１、６２２を連結する横枠６２３と、横枠６２３の略中央部から外側枠部６２１、６２２に略平行するように延びていて先端を自由端とした舌状片６２４とを有する。横枠６２３のある方向とは反対側の一端は、支持体６１の自由端付近に溶接等の手段によって取付けられている。
【０２１２】
支持体６１の下面には、例えば半球状の荷重用突起６２５が設けられている。この荷重用突起６２５により、支持体６１の自由端から舌状片６２４へ荷重力が伝えられる。
【０２１３】
薄膜磁気ヘッド４００は、舌状片６２４の下面に接着等の手段によって取付けられている。薄膜磁気ヘッド４００は、ピッチ動作及びロール動作が許容されるように支持されている。
【０２１４】
本発明に適用可能なヘッド支持装置６は、上記実施例に限定するものではなく、これまで提案され、またはこれから提案されることのあるヘッド支持装置を、広く適用できる。例えば、支持体６１と舌状片６２４とを、タブテープ（ＴＡＢ）等のフレキシブルな高分子系配線板を用いて一体化したもの等を用いることもできる。また、従来より周知のジンバル構造を持つものを自由に用いることができる。
【０２１５】
次に、図５５を参照すると、本発明に係る磁気記録再生装置は、軸７０の回りに回転可能に設けられた磁気ディスク７１と、磁気ディスク７１に対して情報の記録及び再生を行う薄膜磁気ヘッド７２と、薄膜磁気ヘッド７２を磁気ディスク７１のトラック上に位置決めするためのアッセンブリキャリッジ装置７３とを備えている。
【０２１６】
アセンブリキャリッジ装置７３は、軸７４を中心にして回動可能なキャリッジ７５と、このキャリッジ７５を回動駆動する例えばボイスコイルモータ（VCM）からなるアクチュエータ７６とから主として構成されている。
【０２１７】
キャリッジ７５には、軸７４の方向にスタックされた複数の駆動アーム７７の基部が取り付けられており、各駆動アーム７７の先端部には、薄膜磁気ヘッド７２を搭載したヘッドサスペンションアッセンブリ７８が固着されている。各ヘッドサスペンションアセンブリ７８は、その先端部に有する薄膜磁気ヘッド７２が、各磁気ディスク７１の表面に対して対向するように駆動アーム７７の先端部に設けられている。
【０２１８】
駆動アーム７７、ヘッドサスペンションアッセンブリ７８及び薄膜磁気ヘッド７２は、図５３、図５４を参照して説明した磁気ヘッド装置を構成する。薄膜磁気ヘッド７２は、図１〜図１２に示した構造を有する。従って、図５５に示した磁気記録再生装置は、図１〜図１２を参照して説明した作用効果を奏する。
【０２１９】
以上、好ましい実施例を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種々の変形態様を採り得ることは自明である。
【図面の簡単な説明】
【０２２０】
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドをＡＢＳ側から見た平面図である。
【図２】図１に示した薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図３】図１、図２に示した薄膜磁気ヘッドの実施例１に係る電磁変換部分の構造を、拡大して示す断面図である。
【図４】図３に示した電磁変換部分をＡＢＳ側から見た図である。
【図５】図３及び図４に示した電磁変換部分のうち、書き込み素子の部分を切り取って示す斜視図である。
【図６】図３乃至図５に示した電磁変換部分における書き込み素子のコイル構造を示す平面図である。
【図７】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの実施例２に係る電磁変換部分を、拡大して示す断面図である。
【図８】図７に示した電磁変換部分をＡＢＳ側から見た図である。
【図９】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの実施例３に係る電磁変換部分について、拡大して示す断面図である。
【図１０】図９に示した電磁変換部分をＡＢＳ側から見た図である。
【図１１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの実施例４に係る電磁変換部分について、拡大して示す断面図である。
【図１２】図１１に示した電磁変換部分をＡＢＳ側から見た図である。
【図１３】図３乃至図６に示した電磁変換部を持つ薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す図である。
【図１４】図１３に示した工程の後の工程を示す図である。
【図１５】図１４に示した工程の後の工程を示す図である。
【図１６】図１５に示した工程の後の工程を示す図である。
【図１７】図１６に示した工程の後の工程を示す図である。
【図１８】図１７に示した工程の後の工程を示す図である。
【図１９】図１８に示した工程の後の工程を示す図である。
【図２０】図１９に示した工程の後の工程を示す図である。
【図２１】図２０に示した工程の後の工程を示す図である。
【図２２】図２１に示した工程の後の工程を示す図である。
【図２３】図２２に示した工程の後の工程を示す図である。
【図２４】図２３に示した工程の後の工程を示す図である。
【図２５】図２４に示した工程の後の工程を示す図である。
【図２６】図２５に示した工程の後の工程を示す図である。
【図２７】図２６に示した工程をＡＢＳ側から見た図である。
【図２８】図２６及び図２７に示した工程の後の工程を示す図である。
【図２９】図２８に示した工程をＡＢＳ側から見た図である。
【図３０】図７及び図８に示した電磁変換部を持つ薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す図である。
【図３１】図３０に示した工程の後の工程を示す図である。
【図３２】図３１に示した工程の後の工程を示す図である。
【図３３】図３２に示した工程の後の工程を示す図である。
【図３４】図３３に示した工程の後の工程を示す図である。
【図３５】図３４に示した工程の後の工程を示す図である。
【図３６】図３５に示した工程をＡＢＳ側から見た図である。
【図３７】図３５及び図３６に示した工程の後の工程を示す図である。
【図３８】図３７に示した工程をＡＢＳ側から見た図である。
【図３９】図９及び図１０に示した電磁変換部を持つ薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す図である。
【図４０】図３９に示した工程の後の工程を示す図である。
【図４１】図４０に示した工程の後の工程を示す図である。
【図４２】図４１に示した工程の後の工程を示す図である。
【図４３】図４２に示した工程の後の工程を示す図である。
【図４４】図４３に示した工程の後の工程を示す図である。
【図４５】図４４に示した工程の後の工程を示す図である。
【図４６】図４５に示した工程をＡＢＳ側から見た図である。
【図４７】図４５及び図４６に示した工程の後の工程を示す図である。
【図４８】図４７に示した工程をＡＢＳ側から見た図である。
【図４９】図１１及び図１２に示した電磁変換部を持つ薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す図である。
【図５０】図４９に示した工程の後の工程を示す図である。
【図５１】図５０に示した工程の後の工程を示す図である。
【図５２】図５１に示した工程の後の工程を示す図である。
【図５３】本発明に係る薄膜磁気ヘッドを用いた磁気ヘッド装置の正面図である。
【図５４】図５３に示した磁気ヘッド装置を底面側（ＡＢＳ側）から見た図である。
【図５５】本発明に係る薄膜磁気ヘッド及び磁気ヘッド装置と、磁気記録媒体とを組み合わせた磁気記録再生装置を、概略的に示す斜視図である。
【符号の説明】
【０２２１】
２                書き込み素子（電磁変換素子）
２１１            第１のヨーク部（第１の磁性膜）
２２１            第２のヨーク部（第２の磁性膜）
２２２            第２のヨーク部（第３の磁性膜）
２４              ギャップ膜
Ｐ１、Ｐ２        第１〜第２のポール部
２１２〜２１４    第２〜第４のポール片
２１６〜２１８    バックギャップ片（バックギャップ部）
２３１、２３２    第１〜第２のコイル（メッキ膜）
３                読み取り素子（電磁変換素子／GMR素子）
７２、４００      薄膜磁気ヘッド
【図１】
2005243207.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2005243207.tif 000008
【図７】
2005243207.tif 000009
【図８】
2005243207.tif 000010
【図９】
2005243207.tif 000011
【図１０】
2005243207.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
2005243207.tif 000016
【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2005243207.tif 000019
【図１８】
2005243207.tif 000020
【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
2005243207.tif 000037
【図３６】
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【図３７】
2005243207.tif 000039
【図３８】
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【図３９】
2005243207.tif 000041
【図４０】
2005243207.tif 000042
【図４１】
2005243207.tif 000043
【図４２】
2005243207.tif 000044
【図４３】
2005243207.tif 000045
【図４４】
2005243207.tif 000046
【図４５】
2005243207.tif 000047
【図４６】
2005243207.tif 000048
【図４７】
2005243207.tif 000049
【図４８】
2005243207.tif 000050
【図４９】
2005243207.tif 000051
【図５０】
2005243207.tif 000052
【図５１】
2005243207.tif 000053
【図５２】
2005243207.tif 000054
【図５３】
2005243207.tif 000055
【図５４】
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【図５５】
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