(57)【要約】【課題】簡単な作業で、しかも回路の損傷を伴わずに高周波回路を測定を行うことができる高周波モジュールを提供する。【解決手段】高周波信号を処理する第１高周波回路１０と、一端が第１高周波回路１０に接続された第１マイクロストリップ線路１３ａと、同軸ケーブルを接続するための第１同軸コネクタ１４ａと、第１マイクロストリップ線路１３ａの他端と第１同軸コネクタ１４ａとを接続する半波長の長さを有する第１半波長線路１６ａと、高周波信号を処理する第２高周波回路１１と、一端が第２高周波回路１１に接続された第２マイクロストリップ線路１３ｂと、第１マイクロストリップ線路１３ａの他端と第２マイクロストリップ線路１３ｂの他端との間に着脱可能なコンデンサＣとを備えている。【選択図】図１
2005252478.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波信号を処理する第１高周波回路と、
一端が前記第１高周波回路に接続された第１マイクロストリップ線路と、
同軸ケーブルを接続するための第１同軸コネクタと、
前記第１マイクロストリップ線路の他端と前記第１同軸コネクタとを接続する半波長の長さを有する第１半波長線路と、
高周波信号を処理する第２高周波回路と、
一端が前記第２高周波回路に接続された第２マイクロストリップ線路と、
前記第１マイクロストリップ線路の他端と前記第２マイクロストリップ線路の他端との間に着脱可能な導体と、
を備えたことを特徴とする高周波モジュール。
【請求項２】
同軸ケーブルを接続するための第２同軸コネクタと、
前記第２マイクロストリップ線路の他端と前記第２同軸コネクタとを接続する半波長の長さを有する第２半波長線路と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の高周波モジュール。
【請求項３】
高周波信号を処理する第１高周波回路と、
一端が前記第１高周波回路に接続された第１マイクロストリップ線路と、
高周波信号を処理する第２高周波回路と、
一端が前記第２高周波回路に接続された第２マイクロストリップ線路と、
同軸ケーブルを接続するための第１同軸コネクタと、
前記同軸ケーブルを接続するための第２同軸コネクタと、
前記第１マイクロストリップ線路の他端に接続される第１ポート、未接続の第２ポート、未接続の第３ポート及び前記第２マイクロストリップ線路の開放端に接続された第４ポートを備えた第１ハイブリッドと、
未接続の第１ポート、前記第１同軸コネクタに接続された第２ポート、前記第２同軸コネクタに接続された第３ポート及び未接続の第４ポートを備えた第２ハイブリッドと、
前記第１ハイブリッドの第２ポートと前記第２ハイブリッドの第１ポートとの間に着脱可能な第１導体と、
前記第１ハイブリッドの第３ポートと前記第２ハイブリッドの第４ポートとの間に着脱可能な第２導体と、
を備えたことを特徴とする高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波信号を処理する高周波モジュールに関し、特に高周波モジュールを構成する高周波回路をモニタする技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ミキサ回路や増幅回路といった複数の高周波回路を含む高周波モジュールが知られている。このような高周波モジュールの性能を評価する場合、複数の高周波回路の各々の高周波性能を評価する必要がある。このため、複数の高周波回路の間を接続するマイクロストリップ線路を電気的に切断し、各高周波回路から高周波信号を取り出すことができるように構成されている。
【０００３】
図３は、この種の従来の高周波モジュールの構成を概略的に示す図である。この高周波モジュールは、前段の高周波回路となる第１高周波回路１０と後段の高周波回路となる第２高周波回路１１とが信号線路１２によって接続されることにより構成されている。信号線路１２は、一端が第１高周波回路１０に接続され他端が開放された直線状の第１マイクロストリップ線路１３ａと、一端が第２高周波回路１１に接続され他端が開放された直線状の第２マイクロストリップ線路１３ｂと、第１マイクロストリップ線路１３ａの他端と第２マイクロストリップ線路１３ｂの他端との間に設けられた直流成分除去用のコンデンサＣから構成されている。
【０００４】
また、第１マイクロストリップ線路１３ａの他端の近傍にはモニタ用の第１同軸コネクタ１４ａが設けられており、第２マイクロストリップ線路１３ｂの他端の近傍にはモニタ用の第２同軸コネクタ１４ｂが設けられている。
【０００５】
このように構成される高周波モジュールは、通常の運用時には、図３（ａ）に示すように、第１マイクロストリップ線路１３ａの他端と第２マイクロストリップ線路１３ｂの他端との間にコンデンサＣが半田付けされて信号線路１２が形成され、第１高周波回路１０からの高周波信号が第２高周波回路１１に伝達される。
【０００６】
一方、第１高周波回路１０及び第２高周波回路１１の特性を測定するときは、図３（ｂ）に示すように、コンデンサＣが取り外される。そして、第１マイクロストリップ線路１３ａの他端と第１同軸コネクタ１４ａとの間に第１導体１５ａが半田付けされて接続される。そして、第１同軸コネクタ１４ａに計測器（図示しない）が接続されて第１高周波回路１０の特性が測定される。
【０００７】
同様に、第２マイクロストリップ線路１３ｂの他端と第２同軸コネクタ１４ｂとの間に第２導体１５ｂが半田付けされて接続される。そして、第２同軸コネクタ１４ｂに計測器（図示しない）が接続されて第２高周波回路１１の特性（例えば電圧定在波比ＶＳＷＲ等）が測定される。なお、第１導体１５ａ及び第２導体１５ｂとしては、マイクロストリップ線路を形成すべく例えば銅箔などが使用される。
【０００８】
なお、高周波モジュールに含まれる高周波回路をモニタする技術として、特許文献１は、通信機器の増幅器等で用いられるマイクロ波回路及びマイクロ波回路のインピーダンス整合方法を開示している。この技術では、モニタ用マイクロストリップ線路を設け、また接続用マイクロストリップ線路にギャップを設け、金ワイヤにより接続用マイクロストリップ線路を一時的にモニタ用マイクロストリップ線路に接続することにより、個々の半導体増幅素子について入力側、出力側のインピーダンス整合状態をモニタして、整合状態が悪い部分を判定し、その調整を行い、調整終了後は、接続用マイクロストリップ線路同士を接続するように切り替えるだけで本来の必要な機能を発揮させる。これにより、必要な性能を得るためのインピーダンスの整合の調整が短時間に、かつ安価に実施可能になっている。
【特許文献１】特開平９−３２１５０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上述した構成を有する従来の高周波モジュールでは、第１高周波回路１０及び第２高周波回路１１の特性を測定するときには、第１マイクロストリップ線路１３ａの他端と第２マイクロストリップ線路１３ｂの他端との間に半田付けされているコンデンサＣを取り外した後に、第１マイクロストリップ線路１３ａの他端と第１同軸コネクタ１４ａとの間に第１導体１５ａを半田付けして接続するとともに、第２マイクロストリップ線路１３ｂの他端と第２同軸コネクタ１４ｂとの間に第２導体１５ｂを半田付けして接続し、測定が終了した時には元の状態に戻す必要がある。
【００１０】
従って、コンデンサＣ、第１導体１５ａ及び第２導体１５ｂの半田付け作業及びその取り外し作業が煩雑で面倒であるという問題がある。また、半田付け作業及びその取り外し作業に伴う加熱によって第１マイクロストリップ線路１３ａ及び第２マイクロストリップ線路１３ｂを構成する配線パターンが剥離したり、フラックスによって汚損するという問題がある。
【００１１】
本発明は、上述した問題を解消するためになされたものであり、その課題は、簡単な作業で、しかも回路の損傷を伴わずに高周波回路の測定を行うことができる高周波モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
第１の発明に係る高周波モジュールは、上記課題を達成するために、高周波信号を処理する第１高周波回路と、一端が第１高周波回路に接続された第１マイクロストリップ線路と、同軸ケーブルを接続するための第１同軸コネクタと、第１マイクロストリップ線路の他端と第１同軸コネクタとを接続する半波長の長さを有する第１半波長線路と、高周波信号を処理する第２高周波回路と、一端が第２高周波回路に接続された第２マイクロストリップ線路と、第１マイクロストリップ線路の他端と第２マイクロストリップ線路の他端との間に着脱可能な導体とを備えたことを特徴とする。
【００１３】
この第１の発明に係る高周波モジュールは、さらに、同軸ケーブルを接続するための第２同軸コネクタと、第２マイクロストリップ線路の他端と第２同軸コネクタとを接続する半波長の長さを有する第２半波長線路とを備えて構成することができる。
【００１４】
また、第２の発明に係る高周波モジュールは、高周波信号を処理する第１高周波回路と、一端が第１高周波回路に接続された第１マイクロストリップ線路と、高周波信号を処理する第２高周波回路と、一端が第２高周波回路に接続された第２マイクロストリップ線路と、同軸ケーブルを接続するための第１同軸コネクタと、同軸ケーブルを接続するための第２同軸コネクタと、第１マイクロストリップ線路の他端に接続される第１ポート、未接続の第２ポート、未接続の第３ポート及び第２マイクロストリップ線路の開放端に接続された第４ポートを備えた第１ハイブリッドと、未接続の第１ポート、第１同軸コネクタに接続された第２ポート、第２同軸コネクタに接続された第３ポート及び未接続の第４ポートを備えた第２ハイブリッドと、第１ハイブリッドの第２ポートと第２ハイブリッドの第１ポートとの間に着脱可能な第１導体と、第１ハイブリッドの第３ポートと第２ハイブリッドの第４ポートとの間に着脱可能な第２導体とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
第１の発明に係る高周波モジュールによれば、通常の運用時は、第１マイクロストリップ線路の他端（開放端）と第２マイクロストリップ線路の他端（開放端）との間に導体が接続される。この場合、第１同軸コネクタ及び第２同軸コネクタは開放されているので、信号線路からは半波長の長さを有する第１半波長線路及び第２半波長線路はオープンに見え、信号線路を流れる高周波信号は、第１半波長線路及び第２半波長線路によって影響を受けない。
【００１６】
一方、第１高周波回路及び第２高周波回路の特性を測定する時は、導体を外すだけで測定が可能になるので、測定作業が簡単になる。また、従来の高周波モジュールで測定を行う場合に比べて半田付けの回数が減少するので、第１マイクロストリップ線路及び第２マイクロストリップ線路を構成する配線パターンの剥離やフラックスによる汚損を減らすことができる。
【００１７】
また、第２の発明に係る高周波モジュールによれば、通常の運用状態では、第１ハイブリッドの第２ポート及び第３ポートを未接続で開放することにより、第１マイクロストリップ線路、第１ハイブリッド及び第２マイクロストリップ線路から成る信号線路は、通常のマイクロストリップ構造による信号線路として機能する。この場合、第１ハイブリッドは第２ポート及び第３ポートが開放されているため、従来の高周波モジュールのような直流成分除去用のコンデンサＣは不要になり、部品点数を減らすことができる。
【００１８】
一方、第１高周波回路又は第２高周波回路の特性を測定する時は、第１ハイブリッドと第２ハイブリッドとを接続し、第１同軸コネクタ又は第２同軸コネクタのいずれか一方を終端することにより、第１高周波回路又は第２高周波回路の特性を測定することができる。従って、第１高周波回路又は第２高周波回路の測定作業が簡単になる。また、例えば半田付けにより第１ハイブリッドと第２ハイブリッドとの接続箇所が損傷しても信号線路への影響はないので、信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施例に係る高周波モジュールを、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、従来の技術の欄で説明した構成部分と同一又は相当する構成部分には、従来の技術の欄で使用した符号と同じ符号を用いて説明する。
【実施例１】
【００２０】
図１は、本発明の実施例１に係る高周波モジュールの構成を概略的に示す図である。この高周波モジュールは、前段の高周波回路となる第１高周波回路１０と後段の高周波回路となる第２高周波回路１１とが信号線路１２によって接続されることにより構成されている。信号線路１２は、一端が第１高周波回路１０に接続され他端が開放された直線状の第１マイクロストリップ線路１３ａと、一端が第２高周波回路１１に接続され他端が開放された直線状の第２マイクロストリップ線路１３ｂと、第１マイクロストリップ線路１３ａの他端と第２マイクロストリップ線路１３ｂの他端との間に設けられた直流成分除去用のコンデンサＣから構成されている。
【００２１】
また、第１マイクロストリップ線路１３ａの他端の近傍にはモニタ用の第１同軸コネクタ１４ａが設けられており、この第１同軸コネクタと第１マイクロストリップ線路１３ａの他端との間は第１半波長線路１６ａによって接続されている。第１半波長線路１６ａは、マイクロストリップ構造を有するように形成されている。この第１半波長線路１６ａは、信号線路１２を流れる高周波信号の略半波長（λ／２）の長さを有する。厳密に言えば、第１半波長線路１６ａの長さＬ１は、半波長（λ／２）から第１同軸コネクタ１４ａに接続される同軸ケーブル（図示しない）の中心導体までの長さＬ２を減じた長さを有する。なお、この明細書では、高周波信号という場合は概ね１〜２ＧＨｚの信号をいう。
【００２２】
同様に、第２マイクロストリップ線路１３ｂの他端の近傍にはモニタ用の第２同軸コネクタ１４ｂが設けられており、この第２同軸コネクタ１４ｂと第２マイクロストリップ線路１３ｂの他端との間は第２半波長線路１６ｂによって接続されている。この第２半波長線路１６ｂの長さは、上記第１半波長線路１６ａの長さと同じである。
【００２３】
上記のように構成される本発明の実施例１に係る高周波モジュールは、通常の運用時は、図１（ａ）に示すように、第１マイクロストリップ線路１３ａの他端と第２マイクロストリップ線路１３ｂの他端との間にコンデンサＣが半田付けされて信号線路１２が形成され、第１高周波回路１０からの高周波信号が第２高周波回路１１に伝達される。
【００２４】
この通常の運用状態では、第１同軸コネクタ１４ａには同軸ケーブルは接続されておらず、第１半波長線路１６ａの第１同軸コネクタ１４ａ側の端部は開放されている。同様に、第２同軸コネクタ１４ｂにも同軸ケーブルは接続されておらず、第２半波長線路１６ｂの第２同軸コネクタ１４ｂ側の端部は開放されている。従って、信号線路１２から見た場合、半波長の長さを有する第１半波長線路１６ａ及び第２半波長線路１６ｂはオープンに見えるので、信号線路１２を流れる高周波信号は、第１半波長線路１６ａ及び第２半波長線路１６ｂによって影響を受けない。
【００２５】
一方、第１高周波回路１０又は第２高周波回路１１の特性を測定するときは、図１（ｂ）に示すように、コンデンサＣが取り外される。そして、第１同軸コネクタ１４ａ又は第２同軸コネクタ１４ｂに計測器（図示しない）が接続されて第１高周波回路１０又は第２高周波回路１１の特性が測定される。
【００２６】
以上説明したように、本発明の実施例１に係る高周波モジュールによれば、通常の運用状態では、第１マイクロストリップ線路１３ａの他端と第２マイクロストリップ線路１３ｂの他端との間にコンデンサＣが半田付けされているが、第１高周波回路１０又は第２高周波回路１１の特性を測定するときは、このコンデンサＣを取り外すだけで第１高周波回路１０又は第２高周波回路１１の特性の測定が可能になる。
【００２７】
従って、従来の高周波モジュールのように、第１マイクロストリップ線路１３ａと第１同軸コネクタ１４ａとを接続する第１導体１５ａ又は第２マイクロストリップ線路１３ｂと第２同軸コネクタ１４ｂとを接続する第２導体１５ｂの半田付け及びその取り外しが不要になるので、第１高周波回路１０及び第２高周波回路１１の測定作業が簡単になる。また、半田付けの回数が減少するので、第１マイクロストリップ線路１３ａ及び第２マイクロストリップ線路１３ｂを構成する配線パターンの剥離やフラックスによる汚損を減らすことができる。
【実施例２】
【００２８】
図２は、本発明の実施例２に係る高周波モジュールの構成を概略的に示す図である。この高周波モジュールは、前段の高周波回路となる第１高周波回路１０と後段の高周波回路となる第２高周波回路１１とが信号線路１２によって接続されることにより構成されている。信号線路１２は、一端が第１高周波回路１０に接続され他端が開放された直線状の第１マイクロストリップ線路１３ａと、一端が第２高周波回路１１に接続され他端が開放された直線状の第２マイクロストリップ線路１３ｂと、第１マイクロストリップ線路１３ａの他端と第２マイクロストリップ線路１３ｂの他端との間に接続された第１ハイブリッド１７から構成されている。
【００２９】
第１ハイブリッド１７は、３ｄＢハイブリッドとも呼ばれ、第１ポートＰ１、第２ポートＰ２、第３ポートＰ３及び第４ポートＰ４を備えている。この第１ハイブリッド１７は以下のように動作する。即ち、第１ポートＰ１に入力された高周波信号は、第２ポートＰ２と第３ポートとに分岐して出力される。このとき、第２ポートＰ２の位相を０゜とおくと、これに対して第３ポートＰ３における位相は−９０゜となっている。電力も、第１ポートＰ１における電力に比してそれぞれ３ｄＢずつ減衰して見える。なお、第４ポートＰ４には何も出力されない。
【００３０】
第１ハイブリッド１７の第１ポートＰ１は第１マイクロストリップ線路１３ａの他端に接続されている。第２ポートＰ２及び第３ポートＰ３は未接続である。また、第４ポートＰ４は第２マイクロストリップ線路１３ｂの他端に接続されている。
【００３１】
また、第１ハイブリッド１７の近傍には第２ハイブリッド１８が配置されている。この第２ハイブリッド１８の構造は、第１ハイブリッド１７と同じである。第２ハイブリッド１８の第１ポートＰ１及び第４ポートＰ４は未接続である。また、第２ハイブリッド１８の近傍には、モニタ用の第１同軸コネクタ１４ａ及び第２同軸コネクタ１４ｂが設けられており、第１同軸コネクタ１４ａは第２バイブリッド１８の第２ポートＰ２に、第２同軸コネクタ１４ｂは第２バイブリッド１８の第３ポートＰ３にそれぞれ接続されている。
【００３２】
このように構成される本発明の実施例２に係る高周波モジュールは、通常の運用時は、図２（ａ）に示すように、第１ハイブリッド１７と第２ハイブリッド１８とは接続されていない。従って、第１高周波回路１０から第１マイクロストリップ線路１３ａを介して第１ハイブリッド１７の第１ポートＰ１に入力された高周波信号は、３ｄＢ減衰されて位相０゜で第２ポートＰ２に出力されるとともに、３ｄＢ減衰されて位相−９０゜で第３ポートＰ３に出力される。
【００３３】
ところが、第１ハイブリッド１７の第２ポートＰ２は未接続で開放端になっているので、第２ポートＰ２に位相０゜で出力された高周波信号は、この第２ポートＰ２で全反射され、３ｄＢ減衰されて位相０゜で第１ポートＰ１に出力されるとともに、３ｄＢ減衰されて位相−９０゜で第４ポートＰ４に出力される。同様に、第１ハイブリッド１７の第３ポートＰ３は未接続で開放端になっているので、第３ポートＰ３に位相−９０゜で出力された高周波信号は該第３ポートＰ３で全反射され、３ｄＢ減衰されて位相０゜で第４ポートＰ４に出力されるとともに、３ｄＢ減衰されて位相−９０゜で第１ポートＰ１に出力される。
【００３４】
従って、第１ポートＰ１では、第２ポートＰ２で反射された位相０゜の反射波と、第３ポートＰ３に位相−９０゜で出力された高周波信号は、この第３ポートＰ３で全反射されて位相がさらに−９０゜変化され、合計−１８０゜変化された反射波とが合成されて打ち消し合う。従って、第１ポートＰ１に入力される高周波信号は反射波の影響を受けない。
【００３５】
一方、第４ポートＰ４では、第２ポートＰ２で反射された位相−９０゜の反射波と、第３ポートＰ３に位相−９０゜で出力された高周波信号が該第３ポートＰ３で全反射されて位相０゜で得られる反射波とが合成される。従って、第４ポートＰ４には元の電力を有する高周波信号が出力される。なお、第１ハイブリッド１７としてカプラ形式のハイブリッドを用いれば、直流成分の通過は阻止されるので、実施例１のような直流成分除去用のコンデンサは不要である。
【００３６】
次に、第１高周波回路１０の特性を測定するときは、図２（ｂ）に示すように、第１ハイブリッド１７の第２ポートＰ２と第２バイブリッド１８の第１ポートＰ１が第１導体１９ａで接続されると共に、第１ハイブリッド１７の第３ポートＰ３と第２バイブリッド１８の第４ポートＰ４が第２導体１９ｂで接続される。また、第２ハイブリッド１８の第２ポートＰ２に接続された第１同軸コネクタ１４ａには終端器２０が接続され、第２ハイブリッド１８の第３ポートＰ３に接続された第２同軸コネクタ１４ｂには計測器２１が接続される。
【００３７】
この場合、第１高周波回路１０から第１マイクロストリップ線路１３ａを介して第１ハイブリッド１７の第１ポートＰ１に入力された高周波信号は、３ｄＢ減衰されて位相０゜で第２ポートＰ２に出力されるとともに、３ｄＢ減衰されて位相−９０゜で第３ポートＰ３に出力される。第１ハイブリッド１７の第２ポートＰ２の出力は第２ハイブリッド１８の第１ポートＰ１に、第１ハイブリッド１７の第３ポートＰ３の出力は第２ハイブリッド１８の第４ポートＰ４にそれぞれ送られる。
【００３８】
第２ハイブリッド１８の第１ポートＰ１に入力された位相０゜の高周波信号は位相−９０゜で第２ハイブリッド１８の第３ポートＰ３に出力されるとともに、第２ハイブリッド１８の第４ポートＰ４に入力された位相−９０゜の高周波信号は、位相０゜で第２ハイブリッド１８の第３ポートＰ３に出力される。従って、第２バイブリッド１８の第３ポートＰ３には、位相−９０゜の高周波信号と位相−９０゜の高周波信号とを合成した高周波信号が出力されるので、第２同軸コネクタ１４ｂには、第１高周波回路１０から出力された高周波信号の位相が−９０゜変化した高周波信号が出力される。この第２同軸コネクタ１４ｂから出力された高周波信号は計測器２１に送られ、第１高周波回路１０の特性の測定に使用される。なお、第１同軸コネクタ１４ａには終端器２０が接続されているので、第２ハイブリッド１８の第２ポートＰ２からの反射は生じない。
【００３９】
図２（ｂ）に示した高周波モジュールにおいて、第１同軸コネクタ１４ａに計測器２１を接続し第２同軸コネクタ１４ｂに終端器２０を接続すれば、第２高周波回路１１の測定が可能になる。
【００４０】
以上説明したように、この発明の実施例２に係る高周波モジュールによれば、通常の運用状態では、第１マイクロストリップ線路１３ａ及び第２マイクロストリップ線路１３ｂに接続された第１ハイブリッド１７は、その第２ポートＰ２及び第３ポートＰ３が未接続で開放されているため、第１高周波回路１０からの高周波信号が全反射され第２高周波回路１１に入力される。従って、第１マイクロストリップ線路１３ａ、第１ハイブリッド１７及び第２マイクロストリップ線路１３ｂから成る信号線路１２は、通常のマイクロストリップ構造による信号線路として機能する。この場合、第１ハイブリッド１７は第２ポートＰ２及び第３ポートＰ３が開放されているため、実施例１のような直流成分除去用のコンデンサＣは不要になり、部品点数を減らすことができる。
【００４１】
一方、第１高周波回路１０又は第２高周波回路１１の特性を測定するときは、第１ハイブリッド１７と第２ハイブリッド１８とを接続し、第１ハイブリッド１７と第２ハイブリッド１８とを例えば半田付けにより接続するだけで測定が可能になるので、第１高周波回路１０又は第２高周波回路１１の測定作業が簡単になる。また、例えば半田付けにより第１ハイブリッド１７と第２ハイブリッド１８との接続箇所が損傷しても信号線路１２への影響はないので、信頼性を向上させることができる。
【００４２】
なお、上記実施例において、導体としてマイクロストリップ線路からなる信号線路を用いたが、取り出したい高周波信号からみて、その信号の振幅と位相に変化を与えない構成で接続できれば導体として用いることができる。例えばコンデンサチップなどを使って、接続したとき、このコンデンサチップが目的とする高周波信号に影響を与えないならば導体として用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の実施例１に係る高周波モジュールの構成を概略的に示す図である。
【図２】本発明の実施例２に係る高周波モジュールの構成を概略的に示す図である。
【図３】従来の高周波モジュールの構成を概略的に示す図である。
【符号の説明】
【００４４】
１０…第１高周波回路、１１…第２高周波回路、１２…信号線路、１３ａ…第１マイクロストリップ線路、１３ｂ…第２マイクロストリップ線路、１４ａ…第１同軸コネクタ、１４ｂ…第２同軸コネクタ、１６ａ…第１半波長線路、１６ｂ…第２半波長線路、１７…第１ハイブリッド、１８…第２ハイブリッド、１９ａ…第１導体、１９ｂ…第２導体、２０…終端器、２１…測定器、Ｃ…コンデンサ。
【図１】
2005252478.tif 000003
【図２】
2005252478.tif 000004
【図３】
2005252478.tif 000005