(57)【要約】【課題】  光磁気記録媒体の製造における、記録エリア間例えばランド−グルーブ間の境界壁面の磁性層に対するアニールを、一定のアニールパワーで、短時間に行えるようにする。【解決手段】  レーザ光光源２から出射されたレーザ光から、グレーティング部材４でアニール光とトラッキング検出光とを分割形成し、これらのうち少なくともアニール光を、例えばウォラストンプリズム６によって分割して、複数の境界壁面に対して２つ以上のアニール光の照射を同時に行う。２つ以上のアニール光の光軸の角度及び偏光面が、各境界壁面に対して略等しくなるように、アニール光照射装置１の構成の選定を行う。【選択図】        図１ 
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランド及びグルーブを有する基体上に、光磁気記録構成層が形成され、
上記ランド及びグルーブの少なくとも一方が、信号記録エリアとされ、
上記ランド及びグルーブの境界壁面を主たる被照射部とするアニール光の照射によってアニール処理を施す、磁壁移動検出方式による光磁気記録媒体の製造方法であって、
上記複数の境界壁面に対する上記アニール処理を、２つ以上のアニール光によって、上記複数の境界壁面の少なくとも一部に対して同時に行うことを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
上記アニール処理において、上記アニール光とトラッキング検出光とを照射し、上記アニール光のトラッキングを行い、
上記トラッキング検出光の数を、上記複数のアニール光の数と同数以下とすることを特徴とする請求項１または２に記載の光磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
上記境界壁面に照射される複数のアニール光の光軸と、上記グルーブのグルーブ長方向とのなす角を、互いに略等しくすることを特徴とする請求項１または２に記載の光磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
上記境界壁面に照射される複数のアニール光の偏光面と、上記グルーブのグルーブ長方向とのなす角を、互いに略等しくすることを特徴とする請求項１または２に記載の光磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
上記複数のアニール光を、直線偏光のレーザ光から、該直線偏光の光学的特性による分割によって形成することを特徴とする請求項２に記載の光磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
上記複数のアニール光を、ウォラストンプリズムによるレーザ光の分割によって形成することを特徴とする請求項２に記載の光磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
上記複数のアニール光の少なくとも一部に対して、波長板による偏光面の制御を行うことを特徴とする請求項２に記載の光磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光磁気記録媒体、特にＤＷＤＤ（Domain Wall Displacement Detection）方式による再生がなされる光磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光磁気記録媒体において、ＤＷＤＤ方式による再生がなされる光磁気記録媒体は、高密度記録が可能であることから重要視されている。
このＤＷＤＤ方式による再生は、光磁気記録媒体に対する再生用レーザ光の照射による温度分布によって磁気記録マークを拡大し、この拡大された磁気記録マークを読み出すものであり、これによって、光磁気記録媒体における記録の線密度を高めることができ、記録容量の増大化を図ることができる。
【０００３】
このＤＷＤＤ方式による再生においては、磁気記録マークの拡大すなわち磁壁の移動がスムーズに進行することが、再生特性を良好かつ安定なものとするために重要である。
この磁壁の移動の円滑化を図る手法として、隣接するトラックからの磁界の影響を回避するために、トラック間の磁性層をアニール光によって変質させる、例えば面内磁化膜化もしくは非磁性化させるアニール処理による手法の提案がなされている（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
この手法によれば、例えば、ディスク型光磁気記録媒体に対しては、概略上面図を図１２に示し、この概略上面図の断面ａにおける概略断面図を図１２に示すように、例えばディスクの中心に対して螺旋状または同心円状にランド及びグルーブによる記録エリアが形成される。
【０００５】
これらのランド及びグルーブ間に上述の境界壁面を有する光磁気記録媒体の製造においては、図１４にアニール光照射の模式図を示すように、境界壁面に対して、トラッキング検出光によるトラッキングと同時にアニール光を照射してアニール処理を行っていた。
【特許文献１】特開平８−１４７７７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、アニール処理を経て製造される光磁気記録媒体が、例えばランド・グルーブ記録型すなわちランド及びグルーブを共に記録エリアとする光磁気記録媒体である場合、上述のトラック間の磁性層は、例えば図１３の概略断面図に示すような境界壁面１０１ｄに相当する幅狭なものとなる。
【０００７】
従来のアニール処理においては、この複数の幅狭な境界壁面に対して個別にアニール光を照射し、１つの境界壁面に対するアニール処理が終了した後、これとは異なる境界壁面に対して別途アニール光の照射を行っていた。
しかし、各境界壁面に対して個別にアニール光照射を行うことは、境界壁面の数に応じてアニール処理を繰り返し行う回数が増加することから、アニール処理に要する時間が長くなり、量産性の低下が問題となる。
【０００８】
また、アニール処理におけるアニール光の照射においては、アニール光自体の強度のみならず、アニール光の光軸や偏光面とアニールがなされる上述の磁性層との角度によっても、この磁性層に及ぼされるアニールパワーに変化が生じる。
この変化は、上述の磁壁移動に多大な影響を及ぼすことから、複数の境界壁面に適切なアニール処理を同時に行うことは困難とされてきた。
【０００９】
本発明は、光磁気記録媒体における上述の諸問題の解決を図るものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明による光磁気記録媒体の製造方法は、ランド及びグルーブを有する基体上に、光磁気記録構成層が形成され、ランド及びグルーブの少なくとも一方が、信号記録エリアとされ、ランド及びグルーブの境界壁面を主たる被照射部とするアニール光の照射によってアニール処理を施す、磁壁移動検出方式による光磁気記録媒体の製造方法であって、複数の境界壁面に対するアニール処理を、２つ以上のアニール光によって、複数の境界壁面の少なくとも一部に対して同時に行うことを特徴とする。
【００１１】
また、本発明は、上述の光磁気記録媒体の製造方法において、アニール処理において、アニール光とトラッキング検出光とを照射し、アニール光のトラッキングを行い、トラッキング検出光の数を、複数のアニール光の数と同数以下とすることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明は、上述の光磁気記録媒体の製造方法において、境界壁面に照射される複数のアニール光の光軸と、上記グルーブのグルーブ長方向とのなす角を、互いに略等しくすることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明は、上述の光磁気記録媒体の製造方法において、境界壁面に照射される複数のアニール光の偏光面と、上記グルーブのグルーブ長方向とのなす角を、互いに略等しくすることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明は、上述の光磁気記録媒体の製造方法において、複数のアニール光を、直線偏光のレーザ光から、この直線偏光の光学的特性による分割によって形成することを特徴とする。
【００１５】
また、本発明は、上述の光磁気記録媒体の製造方法において、複数のアニール光を、ウォラストンプリズムによるレーザ光の分割によって形成することを特徴とする。
【００１６】
また、本発明は、上述の光磁気記録媒体の製造方法において、上記複数のアニール光の少なくとも一部に対して、波長板による偏光面の制御を行うことを特徴とする請求項２に記載の光磁気記録媒体の製造方法。
【発明の効果】
【００１７】
本発明による光磁気記録媒体の製造方法によれば、例えばディスク型の光磁気記録媒体において螺旋状或いは同心円状に形成される各ランド及びグルーブ間の複数の境界壁面に対して、それぞれ複数のアニール光照射によるアニール処理を同時に行うことから、アニール処理に要する時間の短縮及び量産性の向上が図られる。
【００１８】
また、本発明による光磁気記録媒体の製造方法によれば、複数の境界壁面に対して同時にアニール光を照射することによってアニール処理を行う場合にも、共通のレーザ光源からの光学的特性による分割光によって各アニール光を形成し、アニール光の光軸ならびに偏光面と、グルーブのグルーブ長方向とのなす角を略等しい角度に選定することが可能となることから、各境界壁面に対して、等しい所定のアニールパワーでアニール処理を行うことができる。
【００１９】
また、本発明による光磁気記録媒体の製造方法によれば、同時に照射するアニール光の数が増えた場合でも、必ずしもトラッキング検出光の全てを検出する必要がなく、更に必ずしも波長板を用いる構成とする必要もないことから、検出及び偏光面調整のための部品点数の増加が回避される。
【００２０】
したがって、本発明による光磁気記録媒体の製造方法によれば、複数の境界壁面が所定のアニールパワーでアニール処理された光磁気記録媒体を、高い生産性をもって、簡便に製造することができるなど、本発明によれば、重要かつ多くの効果をもたらすことができるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明するが、本発明は、この実施の形態に限られるものでない。
【００２２】
まず、本発明による光磁気記録媒体の製造方法の実施の形態例を、図１〜図３を参照して説明する。
この実施の形態例で用いるアニール光照射装置１は、図１に概略構成図を示すように、レーザ光光源２と、レンズ３と、グレーティング部材４と、ビームスプリッタ５と、ウォラストンプリズム６と、対物レンズ７と、レンズ８と、例えば分割フォトダイオードによる検出器９と、光磁気記録媒体１０とを有する光学系から成る。
【００２３】
そして、この実施の形態例においては、このアニール光照射装置１において、レーザ光光源２からアニール光の波長に相当するレーザ光を出射し、レンズ３を経て、グレーティング部材４においてレーザ光の一部から回折光すなわち±１次光を得てトラッキング検出光とし、回折されずにグレーティング部材４を透過した光すなわち０次光をアニール光とする。
【００２４】
そして、これらアニール光及びトラッキング検出光を、ビームスプリッタ５、ウォラストンプリズム６、対物レンズ７を経て、アニール処理前の光磁気記録媒体１０に照射する。
また、アニールがなされる光磁気記録媒体１０からの、上述のアニール光及びトラッキング光の反射光を、対物レンズ７、ウォラストンプリズム６、ビームスプリッタ５、レンズ８を経て検出器９へと導き、アニール光パワーやトラッキングエラー等の検出を行う。
【００２５】
例えば光磁気記録媒体１０からのトラッキング検出光の反射光量及び分布を検出器９によって検出し、この検出信号成分の演算によって、トラッキングエラー信号の情報取得を行って、この情報に基づいて、アニール光及びトラッキング検出光のトラッキング制御を行う。
【００２６】
光磁気記録媒体１０は、図２にその概略断面図を示すように、ランド１１ｂ及びグルーブ１１ｃと境界壁面１１ｄからなる凹凸面１１ａを有する基体１１上に、光磁気記録構成層１２と、誘電体層１３と、保護膜１４とが順次積層形成された構成とする。また、媒体に求められる熱拡散特性やエンハンス特性等に応じて、基体１１と光磁気記録構成層１２との間に誘電体層１５が設けられた構成とすることもできる。
また、光磁気記録構成層１２は、図３に要部の拡大断面図を示すように、再生層１２ａと、制御層１２ｂと、切断層１２ｃと、記録層１２ｄと、記録補助層１２ｅとを有する構成とすることができる。
【００２７】
次に、上述の例における光磁気記録媒体１０上のアニール光及びトラッキング光による光スポット位置関係について、図４の光スポット配置の模式図を参照して説明する。  
この例においては、直線偏光のレーザ光からグレーティング部材４で分割形成された例えば１本のアニール光と２本のトラッキング検出光とが、それぞれ例えばウォラストンプリズム６によって、偏光面が互いに直交する２本の光に分かれるため、図４に示すように、光磁気記録媒体１０上には、合計２本のアニール光による光スポット（Ｓ５及びＳ３）と、合計４本のトラッキング検出光の光スポット（Ｓ６ａ及びＳ６ｂ、Ｓ４ａ及びＳ４ｂ）とが生じる。
【００２８】
スポットＳ５及びＳ３の各アニール光の光軸及び偏光角度は、後述するように、グレーティング部材４、ウォラストンプリズム６、対物レンズ７等の材料や位置等の選定によって、各境界壁面に隣接するグルーブのグルーブ長方向に対してそれぞれ等しくなるように選定することができる。
【００２９】
また、アニール光スポットＳ５及びＳ３の位置関係は、トラッキング検出光の反射光によって検出するが、この場合、スポットＳ６ａ及びＳ６ｂ、Ｓ４ａ及びＳ４ｂの光磁気記録媒体１０からの反射光のすべてについて検出を行う必要はなく、例えばＳ６ａ及びＳ６ｂの検出によって、トラッキングエラーを検出し、これによって、各アニール光のトラッキングを行うことができる。
【００３０】
次に、図４の例における、グレーティング部材４での、レーザ光光源２からのレーザ光による、アニール光及びトラッキング検出光の分割形成について、図５Ａの概略正面図と図５Ｂ及び図５Ｃの概略光路図とを参照して説明する。
【００３１】
上述の図４の例において、レーザ光Ｌが入射するグレーティング部材４は、例えば図５Ａの概略正面図に示すように、グレーティング（回折格子）としての機能を持たない透過部４ｂを周囲に有して、その中央部に限定的に回折部４ａを有する構成とすることにより、レーザ光Ｌのグレーティング部材４への入射によって、透過部４ｂからはアニール光Ｌ１が生じ、回折部４ａからはトラッキング検出光Ｌ２ａ及びＬ２ｂが生成される。
【００３２】
このように、グレーティング部材４において、入射光Ｌの断面積よりも小さい一部を回折部４ａとすることによって、図５Ｂの概略光路図に示すように、透過光すなわち０次光によるレーザ光Ｌ１と、このレーザ光Ｌ１に比して例えば小とされた所望の幅を有する回折光例えば±１次光によるＬ２ａ及びＬ２ｂを形成することができる。
【００３３】
次に、上述の構成例における、ウォラストンプリズム６による分割及び形成の実施例について、図６〜図９を参照して説明する。
この実施例は、例えば図６Ａの概略側面図に示すように、ウォラストンプリズム６に入射する光が、図６〜図９において上下方向に偏光した直線偏光である場合を例とするものである。また、この実施例においては、図６Ｂの概略正面図に示すように、ウォラストンプリズム６は、入射光の入射方向からみて、矢印ｎｅ及び矢印ｎｏによって示す結晶軸が互いに９０°異なる第１層６ａと第２層６ｂとから成る。
すなわち、図６Ｂは第１層６ａの入射光側からみたウォラストンプリズム６の第１層６ａの概略正面図であり、図６Ｃは第２層６ｂの入射光側からみたウォラストンプリズム６ｂの概略正面図である。
【００３４】
まず、ウォラストンプリズム６に到達した光は、図７Ａにウォラストンプリズム６の概略側面図６ａを示すように、第１層６ａに入射し、図７Ｂにウォラストンプリズム６の第１層６ａの概略正面図を示すように、もとの光の直線偏光の偏光面から±４５°ずつ傾いた、すなわち結晶軸ｎｅ及び結晶軸ｎｏに沿う２本の光すなわちｎｅ１及びｎｏ１に分割される。
【００３５】
続いて、第１層６ａで分割された２本の光ｎｅ１及びｎｏ１は、図８Ａにウォラストンプリズム６の第２層６ｂの概略正面図を示すように、ウォラストンプリズム６の第２層６ｂに入射する。この段階では、これら２本の光ｎｅ１及びｎｏ１は、既に第２層６ｂの結晶軸に沿った光になっているため、図８Ｂにウォラストンプリズム６の第２層６ｂの概略正面図に示すように、新たに分割光を生じることはなく、それぞれｎｅ１ｎｏ２及びｎｏ１ｎｅ２として第２層６ｂ内を進む。
【００３６】
しかし、第１層及び第２層において、ｎｅ方向とｎｏ方向とでは屈折率が異なるため、例えばｎｅ＞ｎｏである場合には、スネルの法則に従い、図９Ａ及び図９Ｂにウォラストンプリズム６の概略側面図を示すように、光路が２方向に分かれる。
このようにして、ウォラストンプリズム６によって、１本の直線偏光から、この直線偏光の偏光面から±４５°傾いた偏光面を有する２本の直線偏光を、相互に異なる方向に光路を形成して分割することが可能となる。
【００３７】
以上のようにして、図１０にアニール光照装置１の概略斜視図を示すように、レーザ光源２から出射された１本の直線偏光Ｌから、２本のアニール光Ｌ３及びＬ５を、相互に方向の異なる光路をもって分割形成することができ、複数の境界壁面１１ｄに対して、等しい入射角度、偏光面、アニールパワーをもってアニール処理を施して、図１１に示すような光磁気記録媒体１０ａを製造することが可能となる。
【００３８】
すなわち、アニール光スポットＳ５及びＳ３を生じる各アニール光の光軸及び偏光面の角度は、グレーティング部材４、ウォラストンプリズム６、対物レンズ７等の材料や位置等の選定によって、上記グルーブのグルーブ長方向とのなす角が互いに等しくなるように選定することができ、これによって、各境界壁面に対するアニール処理のアニールパワーも等しくすることができるものである。
【００３９】
なお、図４の模式図においては、ランドを介して互いに隣り合う境界壁面にアニール光スポットＳ３及びＳ５が形成される構成とし、図１０の概略図においては、より離れた境界壁面にアニール光スポットＳ３及びＳ５が形成される構成としたが、本発明による光磁気記録媒体の製造方法によれば、例えばランド及びグルーブの形状すなわちディスク型光磁気記録媒体の記録エリアの形状が螺旋状であるか同心円状であるかによって、所望の境界壁面を選定して同時にアニール処理を施すことができる。
【００４０】
そして、本発明による光磁気記録媒体の製造方法によれば、図１１に光磁気記録媒体１０ａの概略断面図を示すように、アニール部１６を形成して、例えば図１２の概略上面図に示すようなアニール開始位置からアニール終了位置までのアニール処理を、従来に比してより少ない回数で行うことができ、例えば螺旋状の記録エリアを有する光磁気記録媒体の製造においては１回で、例えば同心円状の記録エリアを有する光磁気記録媒体の製造においては従来の半分の回数で、それぞれ短時間のうちに行うことができるものである。
【００４１】
すなわち、本発明による光磁気記録媒体の製造方法によれば、例えばディスク型の光磁気記録媒体において螺旋状或いは同心円状に形成される各ランド及びグルーブ間の複数の境界壁面に対して、それぞれ複数のアニール光照射によるアニール処理を同時に行うことから、アニール処理に要する時間の短縮及び量産性の向上が図られ、光磁気記録媒体を、高い生産性をもって、簡便に製造することができるものである。
【００４２】
以上、本発明による光磁気記録媒体の製造方法の実施の形態例について説明したが、本発明による光磁気記録媒体の製造方法は、この実施の形態例に限られるものでないことは言うまでもない。
【００４３】
例えば、上述の実施の形態例においては、レーザ光源２から出射されてウォラストンプリズム６に入射するレーザ光が直線偏光として説明したが、円偏光によるレーザ光を用いる構成とすることもできる。
また、上述の実施の形態例では、２本のアニール光の同時照射において２本のトラッキング検出光を用いたが、境界壁面のスロープ形状に応じて、アニール光の数に比して小とされたトラッキング検出光を用いて、本発明による光磁気記録媒体の製造方法を実施することも可能である。
【００４４】
また、上述の実施の形態例においては、ウォラストンプリズムに入射する直線偏光に対して±４５°に傾いた２本の光を分割形成し、ウォラストンプリズム及び対物レンズから上述の凹凸面までの距離を選定することによって複数の異なる境界壁面に対してアニール処理を施す構成としたが、偏光面を波長板で調整することによっても、アニール光の偏光面と境界壁面との角度を調整することができるなど、本発明による光磁気記録媒体の製造方法は、種々の変更及び変形を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明による光磁気記録媒体の製造方法の実施の形態例の説明に供する、アニール光照射装置の一例の概略構成図である。
【図２】本発明による光磁気記録媒体の製造方法の実施の形態例において、アニール光照射がなされる光磁気記録媒体の一例の概略断面図である。
【図３】本発明による光磁気記録媒体の製造方法の実施の形態例において、アニール光照射がなされる光磁気記録媒体の一例の拡大断面図である。
【図４】本発明による光磁気記録媒体の製造方法の実施の形態例における、アニール光照射における光磁気記録媒体上の光スポット位置の一例を示す模式図である。
【図５】図５Ａ〜図５Ｃは、それぞれ、本発明による光磁気記録媒体の製造方法の実施の形態例におけるグレーティング部材の一例の概略正面図と、本発明による光磁気記録媒体の製造方法の実施の形態例におけるグレーティング部材における光路の一例を示す概略光路図と、入射光の全域に回折格子を形成する場合の概略光路図である。
【図６】図６Ａ〜図６Ｃは、それぞれ、本発明による光磁気記録媒体の製造方法の実施の形態例における、ウォラストンプリズムの一例の構成と入射光とを示す概略側面図と、ウォラストンプリズムの第１層の一例を示す概略正面図と、ウォラストンプリズムの第２層の一例を示す概略正面図である。
【図７】図７Ａ及び図７Ｂは、本発明による光磁気記録媒体の製造方法の実施の形態例における、ウォラストンプリズムの第１層側からの光の入射を示す概略側面図と、この入射光の第１層における偏光面の変化及び分割を示す概略正面図である。
【図８】図８Ａ及び図８Ｂは、本発明による光磁気記録媒体の製造方法の実施の形態例における、ウォラストンプリズムの第１層で分割されて第２層に入射する光の偏光面を示す概略正面図と、この光の第２層内における偏光面を示す概略正面図である。
【図９】図９Ａ及び図９Ｂは、本発明による光磁気記録媒体の製造方法の実施の形態例における、ウォラストンプリズムの第１層で偏光面の変化及び分割がなされた各光の、第２層における光路の一例を示す概略側面図である。
【図１０】本発明による光磁気記録媒体の製造方法の実施の形態例の説明に供する、アニール光照射装置の一例の概略斜視図である。
【図１１】本発明による光磁気記録媒体の製造方法実施の形態例における、アニール光照射がなされた光磁気記録媒体の一例の構成を示す概略断面図である。
【図１２】従来のディスク型光磁気記録媒体の概略上面図である。
【図１３】従来の光磁気記録媒体の概略断面図である。
【図１４】従来の光磁気記録媒体の製造方法における、光磁気記録媒体上の光スポット位置を示す模式図である。
【符号の説明】
【００４６】
１・・・アニール光照射装置、２・・・レーザ光光源、３・・・レンズ、４・・・グレーティング部材、４ａ・・・透過部、４ｂ・・・回折部、５・・・ビームスプリッタ、６・・・ウォラストンプリズム、６ａ・・・第１層、６ｂ・・・第２層、７・・・対物レンズ、８・・・レンズ、９・・・検出器、１０・・・光磁気記録媒体、１０ａ・・・光磁気記録媒体、１１・・・基体、１１ａ・・・凹凸面、１１ｂ・・・ランド、１１ｃ・・・グルーブ、１１ｄ・・・境界壁面、１２・・・光磁気記録構成層、１２ａ・・・再生層、１２ｂ・・・制御層、１２ｃ・・・切断層、１２ｄ・・・記録層、１２ｅ・・・記録補助層、１３・・・誘電体層、１４・・・保護層、１５・・・誘電体層、１１０・・・従来の光磁気記録媒体、１１１・・・基体、１１１ａ・・・凹凸面、１１１ｂ・・・ランド、１１１ｃ・・・グルーブ、１１１ｄ・・・境界壁面、１１２・・・光磁気記録構成層、１１３・・・誘電体層、１１４・・・保護層、１１５・・・誘電体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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