(57)【要約】【課題】  低い表面粗さのガラス基板であっても密着性に優れためっき膜を形成できる無電解めっき方法およびこの無電解めっき方法を用いて得られる磁気記録媒体、この磁気記録媒体を用いた磁気記録装置を提供する。【解決手段】  リチウム塩含有溶液にガラス基板を浸漬する工程を有するアルカリ除去工程、ガラス基板表面をフッ化水素酸、フッ化アンモニウム、塩酸またはこれらの２種以上の混合物を含む溶液により処理する工程を有するエッチング処理工程、アミノ系シランカップリング剤またはメルカプト系シランカップリング剤の水溶液にガラス基板を浸漬する工程を含む密着層形成工程、ガラス基板の密着層上に塩化パラジウムまたはパラジウムを用いて触媒層を形成する触媒層形成工程、および、ガラス基板の触媒層上に無電解めっき膜を形成する無電解めっき工程を少なくとも有することを特徴とするガラス基板への無電解めっき方法、【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウム塩含有溶液にガラス基板を浸漬する工程を有するガラス基板表面の過剰アルカリを除去するアルカリ除去工程、
前記アルカリ除去工程で過剰のアルカリが除去されたガラス基板表面をフッ化水素酸、フッ化アンモニウム、塩酸またはこれらの２種以上の混合物を含む溶液により処理する工程を有するエッチング処理工程、
アミノ系シランカップリング剤またはメルカプト系シランカップリング剤の水溶液にガラス基板を浸漬する工程を含むエッチング処理されたガラス基板表面に密着層を形成する密着層形成工程、
前記密着層形成工程で得られたガラス基板の密着層上に塩化パラジウムまたはパラジウムを用いて触媒層を形成する触媒層形成工程、および、
触媒層が形成されたガラス基板の触媒層上に無電解めっき膜を形成する無電解めっき工程を少なくとも有することを特徴とするガラス基板への無電解めっき方法。
【請求項２】
前記エッチング工程が、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、塩酸またはこれらの２種以上の混合物を含む溶液により処理する工程の前処理として水酸化カリウム水溶液によりガラス基板を処理する工程を含むことを特徴とする請求項１載の無電解めっき方法。
【請求項３】
前記アルカリ除去工程におけるリチウム塩含有溶液の温度が１００〜２００℃であることを特徴とする請求項１または２記載の無電解めっき方法。
【請求項４】
請求項１記載の無電解めっき方法によりめっき膜が形成されたガラス基板を用いてなる磁気記録媒体。
【請求項５】
請求項４記載の磁気記録媒体を用いてなる磁気記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無電解めっき方法、磁気記録媒体および該磁気記録媒体を用いてなる磁気記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータの外部記憶装置などとして用いられている磁気記録装置（ハードディスクドライブ：ＨＤＤ）の磁気記録媒体（ＨＤ）は、基板にアルミニウム合金基板を使用し、その上に、めっき法により非磁性Ｎｉ−Ｐ膜を形成したものが主流であった。しかし、近年の記憶容量の高密度化とＨＤ（ＨＤＤ）の小径化に伴い、基板表面の平坦性と強度に優れた、ガラス基板が使用されるようになってきた。
【０００３】
しかし、ガラス基板上にめっき法で直接金属膜を形成することは、ほとんど不可能である。そのため、ガラス基板を使用する場合、スパッタ法によりＮｉ−Ｐ等からなる下地層を形成している。
【０００４】
ただし、ガラスと下地層を形成する金属との密着性が悪く、ガラス基板上に直接下地層を成膜することが困難である。そのため、ガラスと密着性が金属の中で比較的良いとされるＴｉやＣｒを含む層をガラス基板上に形成し、これを密着層としてその上に下地膜を成膜させる方法がとられている。
【０００５】
しかし、この方法においても、密着層であるＴｉやＣｒもガラスとの密着性が充分に良いわけではないので、下地層または密着層の膜厚を厚くすると、膨張係数の差による応力により、密着性が低下してしまう。
【０００６】
また、近年盛んに開発が行われている、垂直磁気記録媒体には、膜厚が０．３〜３．０μｍの軟磁性下地層という比較的厚い層が必要とされている。この軟磁性下地層をスパッタ法で形成しようとすると、密着性の低下が問題となり、また、コストも高くなってしまう。
【０００７】
一方、ガラス基板表面にめっき膜を形成させる方法として、ガラス基板表面に、シランカップリング剤処理を施し、無電解めっき膜を形成させる方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００８】
シランカップリング剤は水に溶解することで、シランカップリング剤のエトキシ基またはメトキシ基がシラノール基となる。このシラノール基が、ガラス基板表面の水酸基と水素結合的に結合し、脱水処理することシラノール基と水酸基の結合が強固な化学結合になるとされている。
【０００９】
また、磁気記録媒体にガラス基板を用いる場合は、耐衝撃性や耐振動性を向上させ、衝撃や振動によって基板が破損するのを防止する目的で、ガラスの表面に例えば硝酸ナトリウムと硝酸カリウムの溶融塩に浸漬するなどの化学的強化処理を施して基板を強化するのが一般的である。しかし、このような化学的強化処理を施すと、基板表面にナトリウムイオンやカリウムイオンなどのアルカリ金属イオンが多く残存しやすい。このようなアルカリイオンが基板表面に多く存在すると、これらアルカリ金属イオンがガラス基板表面のＯＨ基と結合してしまい、ガラスとシランカップリング剤の結合を阻害し、密着性低下の原因となってしまう。そこで、シランカップリング剤処理の前処理のひとつとしてアルカリ除去処理が行われる。このようなアルカリ除去処理として、化学強化処理を行ったガラス基板を温水に浸漬して洗浄し、さらに熱濃硫酸に浸漬する方法の提案もある（例えば、特許文献２参照。）。
【００１０】
【特許文献１】特開２０００−１６３７４３号公報
【特許文献２】特開平１０−２２６５３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
特許文献１に記載の方法で表面粗さＲａが１０ｎｍ以上の基板を用いて同様にめっき処理を行ったところ、このように粗いガラス基板では密着性に問題はなかった。しかし、表面粗さＲａが０．２〜１．０ｎｍのガラス基板に無電解Ｎｉ−Ｐめっき膜を成膜したところ、膜厚２μｍのめっき膜を得ることが出来たが、碁盤目試験を行ったところ、膜剥がれが発生してしまい、十分な密着性を得る事が出来なかった。現在、ガラス基板に要求されている表面粗さＲａは、０．５ｎｍ以下であり、垂直磁気記録媒体の場合、さらに低い粗さが要求されている。したがって、低い表面粗さのガラス基板に対しても、より密着性に優れためっき膜が得られるめっき処理法が強く要望されている状況にある。
【００１２】
また、特許文献２のような熱濃硫酸に浸漬するアルカリ除去処理はガラスの骨格を破壊する恐れがある。
【００１３】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、０．５ｎｍ以下というような低い表面粗さＲａのガラス基板であっても密着性に優れためっき膜を形成できる無電解めっき方法およびこの無電解めっき方法を用いて得られる磁気記録媒体、この磁気記録媒体を用いた磁気記録装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記の目的を達成するために、本発明のガラス基板への無電解めっき方法は、リチウム塩含有溶液にガラス基板を浸漬する工程を有するガラス基板表面の過剰アルカリを除去するアルカリ除去工程、前記アルカリ除去工程で過剰のアルカリが除去されたガラス基板表面をフッ化水素酸、フッ化アンモニウム、塩酸またはこれらの２種以上の混合物を含む溶液により処理する工程を有するエッチング処理工程、アミノ系シランカップリング剤またはメルカプト系シランカップリング剤の水溶液を用いてガラス基板をシランカップリング処理する工程を含むエッチング処理されたガラス基板表面に密着層を形成する密着層形成工程、前記密着層形成工程で得られたガラス基板の密着層上に塩化パラジウムまたはパラジウムを用いて触媒層を形成する触媒層形成工程、および、触媒層が形成されたガラス基板の触媒層上に無電解めっき膜を形成する無電解めっき工程を少なくとも有することを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の磁気記録媒体は前記無電解めっき方法によりめっき膜が形成されたガラス基板を用いてなることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の磁気記録装置は、前記磁気記録媒体を用いてなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、基板表面を大きく荒らすことなく、表面粗さが０．５ｎｍ以下のガラス基板を用いても、ガラス基板との密着性に優れた無電解めっき膜を得ることが出来、信頼性の高い磁気記録媒体を得ることができる。また、この磁気記録媒体を用いた磁気記録装置も磁気記録の信頼性の高い装置となる。
【００１８】
また、本発明の磁気記録媒体は磁性層の基板への密着性に優れ、これを用いた磁気記録装置は磁気記録の信頼性に優れた装置となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に、本発明の無電解めっき方法の各工程について説明する。
＜アルカリ除去工程＞
アルカリ除去工程は、化学的強化処理などにより表面にナトリウムイオンやカリウムイオンなどのアルカリイオンが過剰に存在すると、ガラスとシランカップリング剤の結合を阻害するため、ガラス基板表面の過剰アルカリイオンを除去するものである。
【００２０】
本発明において用いるガラス基板としては、高い耐衝撃性や耐振動性を有することから化学的強化処理が行われたガラス基板が好ましい。また、磁気記録媒体として用いられることからその表面粗さＲａは０．５ｎｍ以下であることが好ましい。表面粗さの下限は特に限定されるものではない。
【００２１】
本発明において、アルカリ除去工程はリチウム塩含有溶液にガラス基板を浸漬する工程を有する。
【００２２】
アルカリ除去工程で用いられるリチウム塩としては、リチウムの硝酸塩、硫酸塩、炭酸塩、リン酸塩、塩化物、フッ化物あるいはこれらの２種以上の混合物を用いることができる。これらのリチウム塩の中では硝酸リチウムが好ましい。リチウム塩溶液としてはリチウム塩水溶液を好ましく用いることができる。
【００２３】
ガラス基板の浸漬にあたっては、ガラス基板表面が均一に処理されることが好ましく、例えば、ガラス基板の端面を保持した状態で浸漬する方法を採用することができる。この場合、超音波を印加しつつ処理を行ってもよい。
【００２４】
ガラス基板をリチウム溶液に浸漬すると、溶液中のリチウムイオンがガラス基板表面のナトリウムイオンやカリウムイオンとイオン交換して、ガラス中の非架橋酸素と結合する。リチウムイオンはナトリウムイオンやカリウムイオンに比べてイオン半径が小さく、ナトリウムイオンやカリウムイオンに比べて酸素とのイオン結合力が大きい。したがって、リチウムイオンを用いてアルカリ除去処理を行うと、ガラス基板表面のナトリウムやカリウムなどのイオンが除去されるとともに、ガラス基板は、その後の処理時にアルカリの溶出を効果的に抑えることができる。
【００２５】
また、このリチウム溶液浸漬によれば、ナトリウムイオンやカリウムイオンが除去された箇所は単純な凹凸ではなく複雑な形状の穴ができる。後述のエッチング処理により、この穴をシランカップリング剤や触媒核、めっき膜が入り込める大きさにすればより効率のよいアンカー効果を有する密着性の強いめっき膜を得ることができる。
【００２６】
リチウム塩溶液の温度は特に限定されるものではないが、高温である方が処理効果に優れるので好ましい。一方、リチウム塩溶液の温度が高すぎると例えば化学強化処理時に発生した歪の緩和が生じるなどにより強度低下の恐れがある。この観点から、リチウム塩溶液の温度は１００〜２００℃が好ましく、１３０から２００℃がより好ましい。
【００２７】
リチウム塩の濃度が高くなればそれだけ水溶液の沸点が上昇するので、前記温度範囲でも水溶液の状態を維持できる。一方、濃度が高すぎると、上記温度範囲でもガラス基板表面に塩が析出しやすくなる。この観点からリチウム塩溶液の濃度は５０〜８０％であることが好ましい。
【００２８】
リチウム塩溶液に浸漬するにあたっては、ガラス基板を上記リチウム塩溶液の温度近傍まで、例えば１００〜１３０℃にまで予熱しておくことが好ましい。
【００２９】
リチウム塩溶液へのガラス基板浸漬時間は特に限定されるものではないが、６０分〜３時間とすることが好ましい。上記下限未満ではアルカリ除去処理効果が不十分となる恐れがあり、上記上限を超えてもそれ以上の効果の向上はなく、無駄に処理時間を延ばすことになる。
【００３０】
リチウム溶液浸漬処理後は、例えば、中性洗剤とスポンジを用いたスクラブ洗浄、アルカリ洗剤を用いた洗浄および超純水を用いた濯ぎを行った後、イソプロピルアルコールなどの親水性、揮発性の有機溶剤を用いた蒸気乾燥を行うのが好ましい。
【００３１】
＜エッチング処理工程＞
本発明においては、エッチング処理工程は前記アルカリ除去工程で過剰のアルカリが除去されたガラス基板表面をフッ化水素酸、フッ化アンモニウム、塩酸またはこれらの２種以上の混合物を含む溶液、好ましくは水溶液により処理する工程を有する。
【００３２】
このエッチング処理により、ガラス基板上の既存の酸化膜が除去され、新しい酸化膜が形成される。また、このエッチング処理により、リチウム溶液浸漬処理によるアルカリイオン交換後に生じた複雑な穴をシランカップリング剤や触媒核、めっき膜が入り込める大きさにすることができ、効率のよいアンカー効果を有する密着性の強いめっき膜を得ることができる。また、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、塩酸による処理は、ガラス表面に水酸基を増やす活性化の効果も有している。
【００３３】
このフッ化水素酸、フッ化アンモニウム、塩酸またはこれらの２種以上の混合物を含む溶液による処理としては、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、塩酸またはこれらの２種以上の混合物を含む溶液に浸漬する方法を採用することができる。
【００３４】
ガラス基板の浸漬にあたっては、ガラス基板表面が均一に処理されることが好ましく、例えば、ガラス基板の端面を保持した状態で浸漬する方法を採用することができる。この場合、超音波を印加しつつ処理を行ってもよい。
【００３５】
フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、塩酸またはこれらの２種以上の混合物を含む水溶液の濃度は１〜５０ｇ/Ｌが好ましく、処理温度は室温〜５０℃、処理時間は１〜５分が好ましい。
【００３６】
フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、塩酸またはこれらの２種以上の混合物を含む溶液により処理されたガラス基板は、純水にて充分濯ぎ、乾燥させずにそのまま次の処理を行うのが好ましい。
【００３７】
なお、このエッチング工程において、フッ化水素酸等の溶液により処理する工程の前処理として、水酸化カリウム水溶液によりガラス基板を処理する工程を含むことが好ましい。水酸化カリウム水溶液による前処理を行うと、さらにめっき膜の密着性が向上する。
【００３８】
この処理としては、ガラス基板を水酸化カリウム水溶液に浸漬する方法を採用することができる。この場合、超音波を印加しつつ処理を行ってもよい。
【００３９】
ガラス基板の浸漬にあたっては、ガラス基板表面が均一に処理されることが好ましく、例えば、ガラス基板の端面を保持した状態で浸漬する方法を採用することができる。
【００４０】
水酸化カリウム水溶液による処理工程における水酸化カリウム水溶液の濃度は５０〜１００ｇ/Ｌが好ましく、処理温度は室温〜５０℃、処理時間は１〜５分が好ましい。
【００４１】
この前処理されたガラス基板は純水で充分濯いだ後、乾燥させずにフッ化水素酸等の溶液により処理することが好ましい。
【００４２】
水酸化カリウム処理を行っても、水酸化カリウム処理の後、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、塩酸またはこれらの２種以上の混合物を含む溶液により処理するので、ガラス基板表面にアルカリであるカリウムが残ることはない。上記工程によりアルカリ除去および活性化された基板表面に、シランカップリング剤が容易に結合することができる。
【００４３】
＜密着層形成工程＞
本発明においては、密着層形成工程において、前記エッチング工程で処理されたガラス基板をアミノ系シランカップリング剤またはメルカプト系シランカップリング剤の水溶液でシランカップリング処理する工程を含む。
【００４４】
シランカップリング剤はトリアルコキシ置換アルキルシランであり、アルキル基の置換基としてはアミノ基、ハロゲン、エポキシ基、メルカプト基、ビニル基等種々の官能基を挙げることができる。
【００４５】
本発明においては、金属イオンへの結合性の高いことから、官能基としてアミノ基またはメルカプト基を有するものが用いられる。すなわち、本発明においてはアミノ系シランカップリング剤またはメルカプト系シランカップリング剤が用いられる。
【００４６】
アミノ系シランカップリング剤としては、
Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、
Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、
Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、
３−アミノプロピルトリメトキシシラン、
３−アミノプロピルトリエトキシシラン、
３−トリエトキシシリル−Ｎ，Ｎ-（１，３−ジメチルブチリデン）プロピルアミン
Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、
１−（３−アミノプロピル）−１,１,３,３,３−ペンタメチルジシロキサン、
３−アミノプロピルトリス（トリメチルシロキシ）シラン等を例示でき、
メルカプト系シランカップリング剤としては、
３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、
３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、
１,３−ビス（メルカプトメチル）−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン、
１,３−ビス（３−メルカプトメチル）−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン等を例示できる。
【００４７】
メルカプト基は金属イオンと容易に結合する特徴を有しており、その結合力はアミノ基と金属イオンとの結合力よりも大きな結合力を有しているため、メルカプト系シランカップリング剤が好ましい。
【００４８】
シランカップリング剤水溶液としては酢酸を含有する水溶液でもよく、メタノール／水混合系の水溶液でもよい。
【００４９】
シランカップリング処理はガラス基板をシランカップリング剤水溶液に浸漬する方法を採用することができ、ガラス基板の浸漬にあたっては、ガラス基板表面が均一に処理されることが好ましく、例えば、ガラス基板の端面を保持した状態で浸漬する方法を採用することができる。この場合、超音波を印加しつつ処理を行ってもよい。
【００５０】
密着層形成工程におけるシランカップリング剤水溶液の濃度は１０〜２０ｍＬ／Ｌが好ましく、処理時間は１〜５分が好ましい。
【００５１】
このシランカップリング剤処理されたガラス基板は純水で充分濯いだ後、乾燥させずにそのまま次の処理を行うのが好ましい。
【００５２】
＜触媒層形成工程＞
本発明においては、触媒層形成工程において、シランカップリング処理により形成された密着層上に塩化パラジウムまたはパラジウムを用いて触媒層を形成する。
【００５３】
塩化パラジウムまたはパラジウムはシランカップリング剤の官能基であるアミノ基あるいはメルカプト基と配位結合などにより結合する。
【００５４】
シランカップリング剤としてアミノ系シランカップリング剤を用いた場合、シランカップリング剤は水溶液中で正に帯電するため、触媒層形成には塩化パラジウムを用いることが好ましい。一方、メルカプト系シランカップリング剤は水溶液中で負に帯電するため、触媒層形成にはコロイド状のパラジウムを用いることが好ましい。
【００５５】
触媒層の形成にあたっては、塩化パラジウムなどの触媒成分含有水溶液にガラス基板を浸漬する方法を採用することができ、ガラス基板の浸漬にあたっては、ガラス基板表面が均一に処理されることが好ましく、例えば、ガラス基板の端面を保持した状態で浸漬する方法を採用することができる。この場合、超音波を印加しつつ処理を行ってもよい。
【００５６】
触媒成分含有水溶液に浸漬後は、ガラス基板を純水で充分濯いだ後、ガラス基板に過剰に付着した触媒成分を除く処理を行うのが好ましい。
【００５７】
この処理としては、次亜リン酸水溶液中に触媒層を形成したガラス基板を浸漬する方法などを例示することができる。
【００５８】
この処理後は、ガラス基板を純水で充分濯いだ後、乾燥させずにそのまま次の処理を行うのが好ましい。
【００５９】
＜無電解めっき工程＞
こうして処理されたガラス基板表面に無電解めっき工程で例えば、非磁性Ｎｉ−Ｐ膜、軟磁性Ｎｉ−Ｐ膜、軟磁性ＣｏＮｉＰ膜などのめっき膜を形成する。
【００６０】
無電解めっき工程におけるめっき条件は特に限定されるものではなく、通常の無電解めっき条件であればいずれも採用することができる。形成するめっき膜厚は１〜２μｍであることが好ましい。このめっき膜厚はめっき時間などのめっき条件の調整で適宜設定することができる。
【００６１】
成膜を終えたガラス基板は、例えば、中性洗剤とスポンジを用いたスクラブ洗浄、アルカリ洗剤を用いた洗浄および超純水を用いた濯ぎを行った後、イソプロピルアルコールなどの親水性、揮発性の有機溶剤を用いた蒸気乾燥を行うのが好ましい。
【００６２】
例えば軟磁性めっき膜を形成したディスク状のガラス基板に、常法に従い、スパッタ法を用いて、例えばＣｒからなる下地層、例えばＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−ＳｉＯ２系などの磁性層、例えばカーボンなどの保護層を形成して垂直磁気記録媒体を作成することができる。保護層の上にフッ素系液体潤滑剤などを用いて潤滑層を形成してもよい。これら各層の形成は特に限定されるものではなく公知の方法で形成することができる。
【００６３】
本発明の方法で得られる磁気記録媒体は密着性に優れるため、垂直磁気記録にも適している。
【００６４】
また、本発明によりめっきしたディスク状ガラス基板を用いた磁気記録媒体としてのハードディスクをスピンドルモーターにより回転してその表面上に磁気ヘッドを浮上走行させ、その磁気ヘッドによりハードディスクへの信号の読み書きを行うハードディスクドライブを構成することにより、表面粗さの低いガラス基板を用いて記録密度を向上させることができる。
【実施例】
【００６５】
以下に実施例を用いて本発明をさらに説明する。
（実施例１）
ガラス基板としてアルミナシリケート系アモルファスのガラスから成るディスク状の化学強化処理ガラス基板を用いた。その表面粗さＲａを表２に示す。表面粗さＲａはＡＦＭ（原子間力顕微鏡）にて測定した。
【００６６】
（Ｉ）ガラス基板表面処理工程
１．アルカリ除去処理
処理液として、１０００ｍＬの純水にＬｉＮＯ３を２６００ｇ加えた水溶液を１００℃に加熱したものを用意した。ガラス基板を１００℃に予熱した後、この処理液に６０分間浸漬した。浸漬の際には、ガラス基板表面が均一に処理されるようガラス基板の端面で保持した。上記アルカリ除去処理を終えたガラス基板は、中性洗剤とＰＶＡスポンジを用いてスクラブ洗浄し、次いで、アルカリ洗剤（２％セミクリーン  ＰＨ＝１２、横浜油脂製）を用いて洗浄し、洗浄後、１８ＭΩ以上の超純水を用いて十分に濯ぎ、イソプロピルアルコール蒸気乾燥を行った。
【００６７】
２．エッチング工程（１）
まず、エッチング工程の前処理として水酸化カリウム水溶液中にガラス基板を浸漬した。すなわち、処理液として、２０００ｍＬの純水にＫＯＨを１５０ｇ加えた水溶液を５０℃に加熱したものを用意し、これにアルカリ除去処理後のガラス基板を５分間浸漬した。浸漬の際には、ガラス基板表面が均一に処理されるようガラス基板の端面で保持した。上記処理を終えたガラス基板は、純水にて十分濯ぎ、乾燥させず、次の処理を行った。
【００６８】
３.エッチング工程（２）
フッ化アンモニウム水溶液中にガラス基板を浸漬した。すなわち、処理液として、２０００ｍＬの純水に、４８０Ｂ（メルテック製）を４００ｍＬ、４８０Ａ（メルテック製）を４０ｇ加えた水溶液を用意し、この水溶液にガラス基板を５分間浸漬して、物理的アンカー効果を高めた。浸漬の際には、ガラス基板表面が均一に処理されるようガラス基板の端面で保持した。上記処理を終えたガラス基板は、純水にて十分濯ぎ、乾燥させず、次の処理を行った。
【００６９】
４．密着層形成工程
処理液として、２０００ｍＬの純水に、アミノ系シランカップリング剤ＫＢＥ９０３（信越化学工業製）を２０ｍＬ加えた水溶液を用意し、この処理液にガラス基板を４分間浸漬し、シランカップリング剤からなる密着層を形成させた。浸漬の際には、ガラス基板表面が均一に処理されるようガラス基板の端面で保持した。上記処理を終えたガラス基板は、純水にて十分濯ぎ、乾燥させず、次の処理を行った。
【００７０】
５．触媒層形成
処理液として、２０００ｍＬの純水に、塩化パラジウム水溶液（商品名：アクチベーター７３３１、メルテック製）を６０ｍＬと濃度が０．１ｍｏｌ／ＬのＫＯＨを３ｍＬ加えた水溶液を用意し、この処理液にガラス基板を４分間浸漬した。浸漬の際には、ガラス基板表面が均一に処理されるようガラス基板の端面で保持した。上記処理を終えたガラス基板は、純水にて十分濯ぎ、乾燥させず、次の処理を行った。
【００７１】
６．過剰Ｐｄ除去及びＰｄの金属化
処理液として、２０００ｍＬの純水に、次亜リン酸水溶液（商品名：ＰＡ７３４０、メルテック製）を２０ｍＬ加えた水溶液を用意し、ガラス基板を２分間浸漬した。浸漬の際には、ガラス基板表面が均一に処理されるようガラス基板の端面で保持した。上記処理を終えたガラス基板は、純水にて十分濯ぎ、乾燥させず、次の処理を行った。
【００７２】
（II）無電解ＮｉＰめっき工程
上記表面処理した基板を、８５℃に加熱した無電解ＮｉＰめっき液ＬＰＨ−Ｓ（奥野製薬製）に８分間浸漬し、膜厚２μｍの軟磁性ＮｉＰめっき膜を成膜させた。成膜を終えたガラス基板は、中性洗剤とＰＶＡスポンジを用いたスクラブ洗浄、アルカリ洗剤洗浄（２％セミクリーン  ＰＨ＝１２、横浜油脂製）、１８ＭΩ以上の超純水を用いて十分に濯ぎ、イソプロピルアルコール蒸気乾燥を行った。
【００７３】
表面処理後のガラス基板の表面粗さをＡＦＭにて測定した。その結果を表２に示す。
【００７４】
（III）磁気記録層及び保護層成膜工程
上記処理を行ったガラス基板に、常法に従いスパッタ法を用いて、Ｃｒ下地層、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−ＳｉＯ２系磁性層、Ｃ保護層を順次形成し、垂直磁気記録媒体とした。本来の磁気記録媒体は、保護層の上にフッ素系液体潤滑剤を塗布するのだが、テープ剥離による密着性評価を行うため、潤滑層の塗布は行わなかった。
【００７５】
以上の処理条件を表１にまとめて示す。
【００７６】
【表１】
2005350747.tif 000002
【００７７】
得られた磁気記録媒体につき、ＪＩＳ  Ｋ５６００−３−４に従い、碁盤目試験を行った。その評価基準を下記に示す。
【００７８】
評価基準
レベル１：碁盤目カット前に磁気記録媒体表面に粘着テープを貼り付け、１mm/secの速度で剥離したときにＮｉ−Ｐ層以上が粘着テープ側に貼り付いて剥がれた
レベル２：碁盤目カット（２mm×２mm）だけで一部に剥離が見られた
レベル３：碁盤目カット後のテープ剥離により全面剥離した
レベル４：碁盤目カット後のテープ剥離により一部剥離した
レベル５：碁盤目カット後のテープ剥離でまったく剥離が見られなかった
密着性はレベル１が最も低く、レベル５が最も高くなっている。
【００７９】
評価結果を表２に示す。
【００８０】
（実施例２）
アルカリ除去処理工程における処理液への浸漬時間を１２０分とした以外は実施例１と同様にしてガラス基板表面処理、磁気記録媒体の製造を行い、評価した。
【００８１】
（実施例３）
アルカリ除去処理工程における処理液への浸漬時間を１８０分とした以外は実施例１と同様にしてガラス基板表面処理、磁気記録媒体の製造を行い、評価した。
【００８２】
（実施例４〜６）
アルカリ除去処理における処理液の温度を１５０℃とした以外はそれぞれ実施例１、２、３と同じ条件でガラス基板表面処理、磁気記録媒体の製造を行い、評価した。（実施例１と４、２と５、３と６がそれぞれ対応）
【００８３】
（実施例７〜９）
アルカリ除去処理における処理液の温度を２００℃とした以外はそれぞれ実施例１、２、３と同じ条件でガラス基板表面処理、磁気記録媒体の製造を行い、評価した。（実施例１と７、２と８、３と９がそれぞれ対応）
【００８４】
（実施例１０）
エッチング工程（２）において、フッ化アンモニウム水溶液の代わりに、２０００ｍＬの純水に、１％フッ化水素を４００ｍＬ加えて調製したフッ化水素酸水溶液を用いた以外は実施例５と同様にしてガラス基板表面処理、磁気記録媒体の製造を行い、評価した。
【００８５】
（実施例１１）
エッチング工程（２）において、フッ化アンモニウム水溶液の代わりに、２０００ｍＬの純水に、１％塩酸を４００ｍＬ加えて調製した希塩酸を用いた以外は実施例５と同様にしてガラス基板表面処理、磁気記録媒体の製造を行い、評価した。
【００８６】
（実施例１２〜１４）
エッチング工程（１）を省略した以外は実施例４，５、６と同様にしてガラス基板表面処理、磁気記録媒体の製造を行い、評価した。（実施例４と１２、５と１３、６と１４がそれぞれ対応）
【００８７】
（実施例１５〜１７）
密着層形成工程において、アミノ系シランカップリング剤の代わりにメルカプト系シランカップリング剤として同量のＫＢＭ８０３を用い、触媒層形成工程において塩化パラジウム水溶液の代わりにコロイド状パラジウムを用いた以外は実施例４、５、６と同様にして（金属パラジウムは水に溶けないので同様にはできないと思います。具体的な処理を記載してください）ガラス基板表面処理、磁気記録媒体の製造を行い、評価した。（実施例４と１５、５と１６、６と１７がそれぞれ対応）
【００８８】
（比較例１）
アルカリ除去工程を省略した以外は実施例５と同様にしてガラス基板表面処理、磁気記録媒体の製造を行い、評価した。
【００８９】
（比較例２）
アルカリ除去工程を省略した以外は実施例１６と同様にしてガラス基板表面処理、磁気記録媒体の製造を行い、評価した。
【００９０】
表２に各実施例、比較例のガラス基板表面処理前後の表面粗さ（Ｒａ） および碁盤目試験の判定レベルを示す。
【００９１】
表面粗さは、粗さ測定用に処理を行った１面／１枚のデータを、碁盤目試験の判定レベルは４面／２枚のデータの平均値を示している。
【００９２】
【表２】
2005350747.tif 000003
【００９３】
また、実施例１〜９の碁盤目試験結果から、その判定レベルに及ぼすアルカリ除去工程の処理時間、処理液温度の影響を図１に示す。
【００９４】
また、実施例４〜６、１２〜１４の碁盤目試験結果から、アルカリ除去工程の各処理時間におけるエッチング前処理の有無の影響を図２に示す。
【００９５】
また、エッチング工程（２）における処理液の種類の碁盤目試験判定レベルに及ぼす影響を図３に示す。
【００９６】
図４にはアミノ系シランカップリング剤と塩化パラジウムの組み合わせと、メルカプト系シランカップリング剤とパラジウムの組み合わせの比較を示す。
【００９７】
表２から、アルカリ除去処理を行っていない比較例１、２が碁盤目試験判定レベル２〜３であるのに対し、実施例１〜１７の全てにおいて密着性が向上していることがわかる。
【００９８】
特に、実施例３〜１７においてはレベル５が存在しており、実施例５、６、８〜１１、１４、１６、１７では評価した媒体が全てレベル５であり、特に密着性に優れていることがわかる。
【００９９】
また、実施例１から１７のガラス基板表面処理工程後の表面粗さは全て０．５ｎｍ以内であり、媒体化に問題のないことがわかる。
【０１００】
図１から、アルカリ除去処理工程においては、処理時間は長く、また、処理温度は高いほうが密着性がよいことがわかる。
【０１０１】
また、図２からエッチングの前処理としての水酸化カリウム水溶液による処理は行ったほうがよいことがわかる。
【０１０２】
また、図３から、エッチング工程（２）における処理液（フッ化アンモニウム、フッ化水素酸、塩酸）による密着性の違いはほとんどないことがわかる。
【０１０３】
また、図４から、アミノ系シランカップリング剤を用いた場合よりもメルカプト系シランカップリング剤を用いた場合のほうが密着性に優れることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【０１０４】
本発明の無電解めっき方法を用いて得られる磁気記録媒体、磁気記録装置は磁気記録の信頼性が高く、コンピュータの外部記憶装置等として有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】碁盤目試験判定レベルに及ぼすアルカリ除去工程の処理時間、処理液温度の影響を示す図である。
【図２】アルカリ除去工程の各処理時間におけるエッチング前処理の有無の影響を示す図である。
【図３】エッチング工程（２）における処理液の種類の碁盤目試験判定レベルに及ぼす影響を示す図である。
【図４】アミノ系シランカップリング剤と塩化パラジウムの組み合わせと、メルカプト系シランカップリング剤とパラジウムの組み合わせの比較を示す図である。
【図１】
2005350747.tif 000004
【図２】
2005350747.tif 000005
【図３】
2005350747.tif 000006
【図４】
2005350747.tif 000007