(57)【要約】【課題】従来の先ダイシング法を弾性表面波デバイスに適用しようとすれば、素子材料が半導体に比べて脆いため、薄くすると割れやすい等の取り扱いに問題があった。【解決手段】配線基板１１に複数個の弾性表面波素子１２をフリップチップ実装した後、配線基板１１を保持しながら弾性表面波素子１２の裏面のみを研削し、実装面を洗浄した後、配線基板１１を切断して個々のデバイスに分離するものであり、これにより低背化した弾性表面波デバイスを歩留まり良く生産でき、また特性も向上させることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板に複数個の弾性表面波素子をフリップチップ実装する実装工程と、前記配線基板を保持しながら前記弾性表面波素子の裏面のみを研削する研削工程と、前記実装面を洗浄する洗浄工程とを備えた弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項２】
洗浄工程は、配線基板を回転させながら水を流すことにより研削屑を除去する請求項１記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項３】
洗浄時の回転中心を外して、偏心した位置に配線基板を配置することにより研削屑を除去する請求項２記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項４】
洗浄工程のあと、弾性表面波素子実装面全体を樹脂フィルムで覆う樹脂層形成工程と、配線基板を切断して個々のデバイスに分離する切断工程とを備えた請求項１記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項５】
洗浄工程のあと、弾性表面波素子実装面全体を樹脂フィルムで覆い、一部の樹脂フィルムを取り除いたあと、弾性表面波素子実装面全体を金属層で覆い、そのあと配線基板を切断して個々のデバイスに分離する請求項１記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、低背型弾性表面波デバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来弾性表面波デバイスの低背化への要望が強く、様々な手法が取られてきたが、素子の厚みを薄くすることが必要になるまでになってきた。これに対し、ウェハの厚さを薄くするのも一つの方法であるが、ウェハの割れの問題、あるいは反りによるパターン精度の劣化等により、限界があった。そこで半導体では、先ダイシング法と呼ばれる手法により、素子の厚みを薄くする方法がとられている。
【０００３】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開２００３−１７４４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、先ダイシング法を弾性表面波デバイスに適用しようとすれば、素子材料が半導体に比べて脆いため、薄くすると割れやすい等の取り扱いに問題があった。また、先ダイシング法では一般に素子を分離するときには、番手の細かい研削刃で仕上げ研削する必要があるが、半導体の場合裏面の粗さは特性に影響ないが、弾性表面波デバイスの場合裏面の粗さが小さくなると、バルク波による特性の劣化が起こるため、その対策が必要になるという課題があった。
【０００５】
本発明は、上記従来の課題を解決するもので、弾性表面波デバイスを歩留まり良く、低背化でき、また特性も安定する製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的を達成するために本発明は、配線基板に複数個の弾性表面波素子をフリップチップ実装する実装工程と、配線基板を保持しながら弾性表面波素子の裏面のみを研削する研削工程と、実装面を洗浄する洗浄工程とを備えるものである。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の弾性表面波デバイスの製造方法は、低背型の弾性表面波デバイスを歩留まり良く、また特性も安定させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１における弾性表面波デバイスの製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【０００９】
図１（ａ）においては、アルミナ等を用いた配線基板１１に、タンタル酸リチウムを用いた弾性表面波素子１２を、ハンダ等によるバンプ１３を用いてフリップチップ実装する。ここで配線基板１１の厚さを約０．３ｍｍ、弾性表面波素子１２の厚さを約０．３５ｍｍとする。次に弾性表面波素子１２の裏面側のみを研削し、図１（ｂ）のような形とする。このとき、弾性表面波素子１２の厚さを、配線基板１１の底面から約０．４５ｍｍとなるまで研削する。さらに図１（ｃ）のように弾性表面波素子実装面全体をポリイミド等の耐熱性に優れた樹脂フィルム１４で覆い、そのあと配線基板１１を切断することにより弾性表面波デバイスを得る。ここで樹脂フィルム１４の厚さを約０．０３ｍｍとする。      
【００１０】
このようにすることにより、高さ０．５ｍｍ以下の弾性表面波デバイスを得ることができる。従来のように、弾性表面波素子を薄く研削したものを実装して作る場合、配線基板、バンプ、弾性表面波素子それぞれのバラツキを加味して、規格よりもさらに目標を薄く設定する必要があるが、本発明では、研削時の高さで決まるため、規格に対してぎりぎりに設定することができ、強度の向上、歩留まり向上、特性の安定化が図れる。
【００１１】
図２においては、弾性表面波素子の裏面を研削する工程を説明するものであり、回転ステージ１５の上に、弾性表面波素子１２を実装した配線基板１１を固定し、回転ステージ１５の中央付近に水を流しながら、自転する研削ホイル１６を、弾性表面波素子１２の裏面に当接させて研削する。
【００１２】
配線基板１１の固定は、回転ステージ１５の上に直接固定しても、あるいは配線基板１１をシートに貼り合わせたものを回転ステージ１５の上に固定しても良い。
【００１３】
研削ホイル１６につける研削刃の番手は、６００〜１０００番程度のものを用いる。従来の先ダイシング法による研削の場合、素子を分離する際には、２０００番程度の細かい研削刃で仕上げ研削を行う必要があり、これにより弾性表面波素子の裏面は非常に平坦になり、裏面でのバルク波の反射により特性が劣化する。これに対し、本発明では、番手の粗い研削刃を用いることができ、裏面を適度に粗らすことができ、特性の向上が図れる。
【００１４】
研削終了後、さらに回転ステージ１５の中央付近に水を流しながら、回転ステージ１５を回転させる。このことにより、研削により生じた、配線基板と弾性表面波素子との間に入った研削屑まで洗い流すことができる。さらにその後、水の供給を止め、回転ステージ１５を回転させることにより、全体を乾燥させることができる。この際に配線基板を回転ステージ１５の中央を外して偏心した位置に配置することにより、水に働く遠心力を活用してより効果的に研削屑を洗い流すことができる。
【００１５】
図３においては、本発明の別の実施形態を説明するものであり、図１（ｃ）のように、弾性表面波素子実装面全体を樹脂フィルムで覆ったあと、レーザ等により、図３（ａ）のように、弾性表面波素子間の樹脂フィルム１４の一部を除去し、その上にスパッタ等により金属膜１７で覆い、図３（ｂ）のようにする。そのあと配線基板１１を切断することにより弾性表面波デバイスを得る。このようにすることにより、弾性表面波素子の気密性を確保することができ、信頼性が確保される。
【００１６】
ここで金属膜１７は、チタン膜を形成した後、ニッケルをスパッタし、さらにその上にメッキにより、ニッケル層を形成するのが望ましい。
【００１７】
なお、本実施の形態では、配線基板にアルミナを用いたが、これにとらわれることなく、例えば、アンプ、ミキサー等の回路を形成した半導体ウェハを用いても良い。このようにすることにより、弾性表面波デバイスを含めた低背型の回路ユニットを得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００１８】
本発明にかかる弾性表面波デバイスの製造方法は、低背型の弾性表面波デバイスを歩留まり良く、また特性も安定させることができるという効果を有し、携帯電話等の通信分野に使われる弾性表面波デバイスの製造に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施の形態１における製造方法を示す図
【図２】本発明の実施の形態１における研削方法を示す図
【図３】本発明の別の実施の形態における製造方法を示す図
【符号の説明】
【００２０】
１１  配線基板
１２  弾性表面波素子
１３  バンプ
１４  樹脂フィルム
１５  回転ステージ
１６  研削ホイル
１７  金属膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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