(57)【要約】【課題】  生産性を高め、製品の歩留を向上できる真空蒸着装置を提供すること。【解決手段】  チャンバ１４は、底壁１４０２と側壁１４０４と上壁１４０６とで形成されている。チャンバ１４には、蒸発材料の蒸着を防止する底壁用防着板１６、側壁用防着板１８、上壁用防着板２０が設けられている。底壁用防着板１６によりチャンバ１４内が上部空間１４Ａと下部空間１４Ｂとに仕切られている。底壁用防着板１６の外周と側壁１４０４との間には空気の流通が可能な隙間Ｓが存在している。底壁用防着板１６の上面中央に、蒸発材料２２が収容されるるつぼ２４が支持されている。上壁用防着板２０の下面中央に被蒸着体を保持する保持手段２６が設けられている。チャンバ１４の上部には蒸発材料２２を加熱、溶解し、蒸発させる電子ビーム照射手段２８が設けられている。下部空間１４Ｂに臨む側壁１４０４箇所に空気を吸い込む排気口３０が開口している。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
底壁と、底壁の周囲から起立する側壁と、側壁の上端を接続する上壁とにより仕切られたチャンバと、
前記チャンバの上部で蒸発材料が蒸着される被蒸着体を保持する保持手段と、
前記チャンバの底壁寄りの箇所に設けられた仕切板と、
前記仕切板により前記チャンバ内で互いに仕切られた前記仕切板よりも上方の上部空間、および前記仕切板よりも下方の下部空間と、
前記上部空間と前記下部空間との間で空気の流通を可能とした空気流通路と、
前記仕切板で支持され蒸発材料が収容されるるつぼと、
前記るつぼ内に収容される蒸発材料を加熱、溶解させ蒸発させる加熱手段と、
前記下部空間に臨む前記チャンバの側壁箇所、あるいは、前記チャンバの底壁箇所に開口され前記下部空間内の空気を吸い込む排気口と、
を備えることを特徴とする真空蒸着装置。
【請求項２】
底壁と、底壁の周囲から起立する側壁と、側壁の上端を接続する上壁とにより仕切られたチャンバと、
前記チャンバの上部で蒸発材料が蒸着される被蒸着体を保持する保持手段と、
前記チャンバの底壁寄りの箇所に設けられた仕切板と、
前記仕切板により前記チャンバ内で互いに仕切られた前記仕切板よりも上方の上部空間、および前記仕切板よりも下方の下部空間と、
前記上部空間と前記下部空間との間で空気の流通を可能とした空気流通路と、
前記仕切板で支持され蒸発材料が収容されるるつぼと、
前記るつぼ内に収容される蒸発材料を加熱、溶解させ蒸発させる加熱手段と、
前記上部空間に臨む前記チャンバの側壁箇所に開口された空気を吸い込む排気口と、
前記上部空間に設けられたダクトとを備え、
前記ダクトの一端は前記排気口に連結され、前記ダクトの他端は前記下部空間に臨んでいる、
ことを特徴とする真空蒸着装置。
【請求項３】
前記空気流通路は、前記仕切板の外周と、チャンバの側壁との間の隙間により形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の真空蒸着装置。
【請求項４】
前記空気流通路は、前記仕切板に形成された孔により形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の真空蒸着装置。
【請求項５】
前記仕切板は前記チャンバの底壁とほぼ平行して延在していることを特徴とする請求項１または２記載の真空蒸着装置。
【請求項６】
前記チャンバの底壁はほぼ水平に延在していることを特徴とする請求項１または２記載の真空蒸着装置。
【請求項７】
前記チャンバには、前記底壁の上方に該底壁への蒸発材料の蒸着を防止する底壁用防着板が設けられ、前記仕切板は前記底壁用防着板により構成されていることを特徴とする請求項１または２記載の真空蒸着装置。
【請求項８】
チャンバの上部で被蒸着体を保持し、
チャンバの下部に蒸発材料が収容されたるつぼを設け、
チャンバ内の空気を吸い込みチャンバ内を真空とし、
前記るつぼ内に収容された蒸発材料を加熱、溶解させ蒸発させて前記被蒸着体に蒸着するようにした真空蒸着方法において、
チャンバの底壁寄りの箇所に設けた仕切板により、前記チャンバ内を、前記仕切板よりも上方の上部空間と前記仕切板よりも下方の下部空間とに仕切り、
前記蒸発材料が上部空間に臨むように前記るつぼを前記仕切板により支持し、
前記上部空間と前記下部空間との間で空気の流通を可能とする空気流通路を設け、
前記チャンバ内の空気を吸い込みを前記下部空間から行なうようにした、
ことを特徴とする真空蒸着方法。
【請求項９】
チャンバの上部で被蒸着体を保持し、
チャンバの下部に蒸発材料が収容されたるつぼを設け、
チャンバ内の空気を吸い込みチャンバ内を真空とし、
前記るつぼ内に収容された蒸発材料を加熱、溶解させ蒸発させて前記被蒸着体に蒸着するようにした真空蒸着方法において、
チャンバの底壁寄りの箇所に設けた仕切板により、前記チャンバ内を、前記仕切板よりも上方でチャンバ内の空気を吸い込む排気口が設けられた上部空間と前記仕切板よりも下方の下部空間とに仕切り、
前記蒸発材料が上部空間に臨むように前記るつぼを前記仕切板により支持し、
前記上部空間と前記下部空間との間で空気の流通を可能とする空気流通路を設け、
前記上部空間にダクトを設けてこのダクトの一端を前記排気口に連結すると共に他端を前記下部空間に臨ませ、
前記チャンバ内の空気の吸い込みを前記ダクトの他端から行なうようにした、
ことを特徴とする真空蒸着方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は真空蒸着装置および真空蒸着方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
真空蒸着による薄膜形成は、例えば半導体基板上に半導体デバイスを形成するためなどに利用されている。
真空蒸着による薄膜の形成工程の概略は次の通りである。
まず、真空蒸着装置のチャンバの底部に配置したるつぼに蒸発材料を入れ、チャンバの上部に薄膜を形成すべく基板を配置し、チャンバを密閉する。
続いて、チャンバからの排気を行い、チャンバ内の圧力が所定の真空度に達したならば、るつぼ内の蒸発材料を加熱、溶解させて蒸発させ、真空室の上部に配置した基板にその蒸発材料を蒸着させ、基板の表面に薄膜を形成する蒸着工程が行なわれる。
薄膜が形成されたならば、チャンバ内を徐々に大気圧に戻し、チャンバを開放し、基板を取り出す。そして、新たな基板をチャンバの上部に配置し、以後同様な工程が繰り返される。
一方、蒸着工程時に、蒸発材料は基板の表面のみならず、チャンバの側壁に設けた防着板や、チャンバの底壁に設けた防着板などに付着する。そして、側壁や底壁の防着板に蒸着した蒸発材料は、チャンバ内に繰り返して生じる圧力差により剥がれ易い状態となる。また、底壁の防着板には、蒸発材料が蒸着する他にその上に蒸発材料が落下して堆積している。
このように剥がれ易い状態となった蒸発材料や堆積した蒸発材料により次のような不具合が生じていた。
【０００３】
より詳細に説明すると、るつぼに蒸発材料を入れ、チャンバの上部に基板を配置し、チャンバを密閉したならば、チャンバに接続されている拡散ポンプ等の高真空ポンプ（メインポンプ）の背圧側からの排気を行い、チャンバの空気を吸い込む。これは一般的に、粗引きと呼ばれている工程である。
粗引き工程の開始時に、チャンバ内に強い気流を発生させてしまうと、剥がれ易い状態となった蒸発材料や堆積した蒸発材料が剥がれてあるいは浮き上がってダストとなり、チャンバ内で舞い上がるおそれがある。そして、舞い上がったダストが基板に付着すると、製品の歩留まりが著しく低下する（例えば特許文献１、特許文献２）。
そのため、粗引き工程の開始時にチャンバ内に強い気流が発生するのを防止する手段として、通常の粗引きラインと並列的に、排気速度の小さい低速粗引きラインを設けるということが行われている。
この場合、まず、低速粗引きラインをメインポンプの背圧側に連通させて、小さな排気速度で粗引きを行い、チャンバ内の圧力を、粗引きライン内の圧力と略々同じ圧力にまで低下させてから、粗引きラインをメインポンプの背圧側と連通させる。
続いて、メインポンプを始動させ更にチャンバからの排気を行い、そして、チャンバ内の圧力が所定の真空度に達したならば、蒸着工程を開始する。
【０００４】
しかしながら、低速粗引きラインを使用してもなお、ダストを原因とする製品の歩留まりの低下は、大きな問題となっていた。
この問題を解決するために、チャンバ内に配設する防着板の交換を頻繁に行い、防着板に付着した蒸着材料を洗浄により取り除き、舞い上がるダストを予め低減するということが行われている。
更に、低速粗引きラインで排気を開始する際に、その低速粗引きラインをバルブで完全に締め切った状態から徐々に開けて行くようにすることで、粗引き開始時にチャンバ内に発生する気流をできる限り弱め、また、低速粗引きラインによる排気を十分に長い時間行うことで、粗引きラインを連通させる際にチャンバ内に発生してしまう気流を、できる限り弱めるということも行われている。
【特許文献１】特開平１１−１７２４１６号公報
【特許文献２】特開２００３−５５７５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、防着板を交換するためには、その交換作業とその後のベーキングとを含めると２日程度の作業時間を要することから、防着板の交換を頻繁に行うほど、生産性が低下するという不都合があった。
また、低速粗引きラインを締め切った状態から徐々に開けて行くようにしたり、低速粗引きラインによる排気を十分に長い時間行うようにした場合には、粗引き工程に要する時間が長引くことから、この方法にも、生産性が低下するという不都合があった。
本発明は前記事情に鑑み案出されたものであって、本発明の目的は、生産性を損なうことなく、製品の歩留を向上させることのできる真空蒸着装置および真空蒸着方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的を達成するため、本発明の真空蒸着装置は、底壁と、底壁の周囲から起立する側壁と、側壁の上端を接続する上壁とにより仕切られたチャンバと、前記チャンバの上部で蒸発材料が蒸着される被蒸着体を保持する保持手段と、前記チャンバの底壁寄りの箇所に設けられた仕切板と、前記仕切板により前記チャンバ内で互いに仕切られた前記仕切板よりも上方の上部空間、および前記仕切板よりも下方の下部空間と、前記上部空間と前記下部空間との間で空気の流通を可能とした空気流通路と、前記仕切板で支持され蒸発材料が収容されるるつぼと、前記るつぼ内に収容される蒸発材料を加熱、溶解させ蒸発させる加熱手段と、前記下部空間に臨む前記チャンバの側壁箇所、あるいは、前記チャンバの底壁箇所に開口され前記下部空間内の空気を吸い込む排気口とを備えることを特徴とする。
また、本発明の真空蒸着装置は、底壁と、底壁の周囲から起立する側壁と、側壁の上端を接続する上壁とにより仕切られたチャンバと、前記チャンバの上部で蒸発材料が蒸着される被蒸着体を保持する保持手段と、前記チャンバの底壁寄りの箇所に設けられた仕切板と、前記仕切板により前記チャンバ内で互いに仕切られた前記仕切板よりも上方の上部空間、および前記仕切板よりも下方の下部空間と、前記上部空間と前記下部空間との間で空気の流通を可能とした空気流通路と、前記仕切板で支持され蒸発材料が収容されるるつぼと、前記るつぼ内に収容される蒸発材料を加熱、溶解させ蒸発させる加熱手段と、前記上部空間に臨む前記チャンバの側壁箇所に開口された空気を吸い込む排気口と、前記上部空間に設けられたダクトとを備え、前記ダクトの一端は前記排気口に連結され、前記ダクトの他端は前記下部空間に臨んでいることを特徴とする。
また、本発明は、チャンバの上部で被蒸着体を保持し、チャンバの下部に蒸発材料が収容されたるつぼを設け、チャンバ内の空気を吸い込みチャンバ内を真空とし、前記るつぼ内に収容された蒸発材料を加熱、溶解させ蒸発させて前記被蒸着体に蒸着するようにした真空蒸着方法において、チャンバの底壁寄りの箇所に設けた仕切板により、前記チャンバ内を、前記仕切板よりも上方の上部空間と前記仕切板よりも下方の下部空間とに仕切り、前記蒸発材料が上部空間に臨むように前記るつぼを前記仕切板により支持し、前記上部空間と前記下部空間との間で空気の流通を可能とする空気流通路を設け、前記チャンバ内の空気を吸い込みを前記下部空間から行なうようにしたことを特徴とする。
また、本発明は、チャンバの上部で被蒸着体を保持し、チャンバの下部に蒸発材料が収容されたるつぼを設け、チャンバ内の空気を吸い込みチャンバ内を真空とし、前記るつぼ内に収容された蒸発材料を加熱、溶解させ蒸発させて前記被蒸着体に蒸着するようにした真空蒸着方法において、チャンバの底壁寄りの箇所に設けた仕切板により、前記チャンバ内を、前記仕切板よりも上方でチャンバ内の空気を吸い込む排気口が設けられた上部空間と前記仕切板よりも下方の下部空間とに仕切り、前記蒸発材料が上部空間に臨むように前記るつぼを前記仕切板により支持し、前記上部空間と前記下部空間との間で空気の流通を可能とする空気流通路を設け、前記上部空間にダクトを設けてこのダクトの一端を前記排気口に連結すると共に他端を前記下部空間に臨ませ、前記チャンバ内の空気の吸い込みを前記ダクトの他端から行なうようにしたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、チャンバ内を真空にする際に、下部空間からチャンバ内の空気を吸い込むので、圧力差によりチャンバ内に気流が生じたとしても、その気流は、被蒸着体に向かう気流ではなく、被蒸着体から離れる方向である下部空間に向かう気流である。
したがって、粗引き工程の開始時に生じる気流により、側壁などに蒸着していた蒸発材料が剥がれてダストになっても、あるいは堆積されていた蒸発材料が浮き上がってダストになっても、ダストが被蒸着体に向って舞い上がることが抑制され、ダストの被蒸着体への付着を効果的に低減できる。
すなわち、防着板を頻繁に交換する作業を要することなく、また、粗引き工程に要する時間を長引かせることなく、被蒸着体への付着を効果的に低減できるので、生産性を格段と高めることができ、製品の歩留を向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明は、仕切板によりチャンバ内を、前記仕切板よりも上方の上部空間と前記仕切板よりも下方の下部空間とに仕切り、チャンバ内の空気を吸い込みを前記下部空間から行なうことで上記の目的を達成した。
以下、本発明の真空蒸着方法を真空蒸着装置と共に図面にしたがって説明する。
【実施例１】
【０００９】
図１は実施例１の真空蒸着装置の概略図を示す。
真空蒸着装置１０は、鉄系材料で形成された装置本体１２を有し、装置本体１２の内部にチャンバ１４が設けられ、チャンバ１４は、不図示の扉により開閉可能に構成されている。
チャンバ１４は、ほぼ水平に延在する底壁１４０２と、底壁１４０２の周囲から起立する側壁１４０４と、側壁１４０４の上端を接続する上壁１４０６とで形成されている。
チャンバ１４には、底壁１４０２の上方の底壁１４０２寄りの箇所に該底壁１４０２への蒸発材料の蒸着を防止する底壁用防着板１６が底壁１４０２と平行に設けられ、側壁１４０４の内側に該側壁１４０４への蒸発材料の蒸着を防止する側壁用防着板１８が設けられ、上壁１４０６の下方に該上壁１４０６への蒸発材料の蒸着を防止する上壁用防着板２０が設けられている。これら底壁用防着板１６、側壁用防着板１８、上壁用防着板２０はそれぞれ底壁１４０２、側壁１４０４、上壁１４０６に着脱可能に設けられ、底壁用防着板１６、側壁用防着板１８、上壁用防着板２０としてそれぞれ厚さが１〜１．５ｍｍのステンレス鋼鈑が用いられている。
【００１０】
本実施例では、底壁用防着板１６によりチャンバ１４内が、底壁用防着板１６よりも上方の上部空間１４Ａと底壁用防着板１６よりも下方の下部空間１４Ｂとに仕切られており、底壁用防着板１６が特許請求の範囲の仕切板を構成している。
また、底壁用防着板１６の外周と側壁１４０４との間には隙間Ｓが存在しており、この隙間Ｓにより上部空間１４Ａと下部空間１４Ｂとの間で空気の流通が可能となり、底壁用防着板１６の外周と側壁１４０４との間の隙間Ｓが特許請求の範囲の空気流通路を構成している。
なお、本実施例では、チャンバ１４は円柱状を呈しており、したがって、側壁１４０４は円筒面を呈しており、側壁用防着板１８は側壁１４０４の周方向に間隔をおいて複数設けられている。
【００１１】
底壁用防着板１６の上面中央に、蒸発材料２２が収容されるるつぼ２４が支持され、蒸発材料２２は上部空間１４Ａに臨んでいる。
また、上壁用防着板２０の下面中央に、蒸発材料２２が蒸着される被蒸着体をクランプ機構などにより機械的に保持する保持手段２６が設けられている。
また、チャンバ１４の上部には、るつぼ２４に収容された蒸発材料２２を加熱、溶解し、蒸発させるための電子ビームを照射する電子ビーム照射手段２８（特許請求の範囲の加熱手段に相当）が設けられている。 
【００１２】
底壁用防着板１６の下方のチャンバ１４の側壁１４０４箇所には、すなわち、下部空間１４Ｂに臨む側壁１４０４箇所には、チャンバ１４内の空気を吸い込むための排気口３０が開口している。
そして、この排気口３０に接続するダクトにメインポンプ３２（例えば拡散ポンプ）が連結され、また、その背圧側に、粗引きライン３４Ａと低速粗引きライン３４Ｂが設けられ、これら粗引きライン３４Ａと低速粗引きライン３４Ｂにはそれぞれ補助ポンプ（例えばロータリーポンプ）が連結され、また、低速粗引きライン３４Ｂにはボールバルブ３６が介設されている。
【００１３】
次に、真空蒸着装置１０により、半導体基板の表面上に半導体デバイスを形成するための二酸化ケイ素の薄膜を形成する場合について説明する。
扉を開いてチャンバ１４を開放し、保持手段２６により半導体基板３８を保持し、るつぼ２４の中に蒸発材料として二酸化ケイ素を入れる。そして、扉を閉じチャンバ１４を閉塞する。
次に、チャンバ１４内で気流が舞わないように、低速粗引きライン３４Ｂにより排気口３０から下部空間１４Ｂの空気を弱い吸引力で吸い込む。これにより隙間Ｓを介して上部空間１４Ａの空気が吸い込まれ、上部空間１４Ａおよび下部空間１４Ｂの圧力、すなわちチャンバ１４内の圧力が徐々に低下していく（低速粗引き工程）。
チャンバ１４の圧力が所定の圧力（例えば、大気圧1×105 Pa〜1×103 Pa）に低下したならば、ボールバルブ３６を閉じ、粗引きライン３４Ａにより排気口３０から下部空間１４Ｂの空気を強い吸引力で吸い込む。これにより隙間Ｓを介して上部空間１４Ａの空気が吸い込まれ、チャンバ１４内の圧力が所定の真空度（例えば、100 Pa 〜 10 Pa）に達する（粗引き工程）。
【００１４】
さらに、チャンバ１４内が所定の真空度に達したならば、メインポンプ３２を駆動し、チャンバ１４内の空気をさらに強い吸引力で吸い込み、チャンバ１４を所望の真空度（例えば、1.5×10‐3 Pa〜1.5×10‐4 Pa）にし、この真空度を維持する。
そして、チャンバ１４内を所望の真空度に維持した状態で、電子ビーム照射手段２８により電子ビームをるつぼ２４内の二酸化ケイ素に照射し、二酸化ケイ素を加熱、溶解させ、蒸発させる。
この蒸発した二酸化ケイ素は、半導体基板３８の表面に蒸着し、半導体基板３８の表面に二酸化ケイ素の薄膜が形成される。
薄膜が形成されたならば、電子ビーム照射手段２８の駆動を停止し、チャンバ１４内の圧力を徐々に上昇させて大気圧に戻し、大気圧に戻ったところで扉を開いて半導体基板３８を取り出す。そして、新たな半導体基板３８を保持手段２６に保持させ、扉を閉じ、以後、同様な成膜工程が繰り返して行なわれる。
【００１５】
本実施例では、チャンバ１４内を真空にする際に、底壁用防着板１６の下方の下部空間１４Ｂからチャンバ１４内の空気を吸い込むので、圧力差によりチャンバ１４内に気流が生じたとしても、その気流は、半導体基板３８に向かう気流ではなく、半導体基板３８から離れる方向である下方に向かう気流であり、あるいは底壁用防着板１６の外周に向う気流である。
したがって、粗引き工程の開始時に生じる気流により底壁用防着板１６や側壁用防着板１８、上壁用防着板２０に付着していた蒸発材料２２が剥がれてダストになっても、あるいは底壁用防着板１６に堆積された蒸発材料２２が浮き上がってダストになっても、気流は下方に向う流れであり、あるいは底壁用防着板１６の外周に向う流れであるため、ダストが半導体基板３８の表面に向って舞い上がることが抑制され、ダストの半導体基板３８への付着を効果的に低減できる。
すなわち、防着板を頻繁に交換する作業を要することなく、また、粗引き工程に要する時間を長引かせることなく、ダストの半導体基板３８への付着を効果的に低減できるので、生産性を格段と高めることができ、製品の歩留を向上できる。
また、このような効果を、底壁用防着板１６によりチャンバ１４内を上下に仕切り、底壁用防着板１６の下方の下部空間１４Ｂからチャンバ１４内の空気を吸い込むといった簡単な構成により低コストで達成できる。
【実施例２】
【００１６】
図２は実施例２の真空蒸着装置の概略図、図３（Ａ）は排気口に嵌め込む連結具の説明図、図３（Ｂ）は連結具とダクトとの説明図を示す。
実施例２では、排気口３０が上部空間１４Ａに臨む側壁１４０４に設けられており、ダクト４０が上部空間１４Ａに設けられている点が実施例１と異なっている。
真空蒸着装置１０‘の排気口３０は、底壁用防着板１６の上方のチャンバ１４の側壁１４０４箇所に、すなわち上部空間に臨む側壁１４０４箇所に開口している。そして、この排気口３０に接続するダクトに、実施例１と同様に、メインポンプ３２が連結され、また、その背圧側に、粗引きライン３４Ａと低速粗引きライン３４Ｂが設けられている。
また、チャンバ１４内にダクト４０が設けられ、このダクト４０の上端開口４０Ａは排気口３０に連結され、ダクト４０の下端開口４０Ｂは底壁用防着板１６の孔１６０２を通って底壁用防着板１６の下方に位置し、下部空間１４Ｂに臨んでいる。
なお、排気口３０が、矩形の場合には、図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、直方体状の連結具４２が排気口３０に嵌め込まれ、ダクト４０の上端開口４０Ａは連結具４２の開口４２０２に接続される。
【００１７】
このような実施例２によっても実施例１と同様な効果が得られ、さらに、実施例２では、ダクト４０を用いたので、排気口３０が側壁１４０４の上下方向の中間部に設けられている既存の真空蒸着装置にも本発明を簡単に適用することが可能となる。 
【００１８】
なお、仕切板は底壁用防着板１６に限らず、チャンバ１４を上部空間１４Ａと下部空間１４Ｂとに仕切るものであればよいが、実施例のように底壁用防着板１６を仕切板として利用するとコストの削減化を図る上で有利となる。
また、実施例では、排気口３０を、底壁用防着板１６の下方の側壁１４０４箇所に設けた場合について説明したが、排気口３０を底壁１４０２に設けても同様な効果が奏される。
また、実施例では、上部空間１４Ａと下部空間１４Ｂとの間で空気の流通を可能とする空気流通路を、底壁用防着板１６の外周と側壁１４０４との間の隙間Ｓで構成した場合について説明したが、空気流通路は、例えば、底壁用防着板１６に一つのあるいは複数の孔を設け、この孔により構成することも可能であるが、実施例のように、底壁用防着板１６の外周と側壁１４０４との間の隙間Ｓを空気流通路として利用すると、コストの削減化を図る上で有利となる。
また、本発明は、防着板を備えていない真空蒸着装置１０にも無論適用される。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】実施例１の真空蒸着装置の概略図である。
【図２】実施例２の真空蒸着装置の概略図である。
【図３】ダクトの取り付け説明図である。
【符号の説明】
【００２０】
１０、１０‘……真空蒸着装置、１４……チャンバ、１４Ａ……上部空間、１４Ｂ……下部空間、１４０２……底壁、１４０４……側壁、１４０６……上壁、１６……底壁用防着板、１８……側壁用防着板、２０……上壁用防着板、２２……蒸発材料、２４……るつぼ、２８……電子ビーム照射手段、３０……排気口、４０……ダクト。
【図１】
2005248311.tif 000003
【図２】
2005248311.tif 000004
【図３】
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