(57)【要約】【課題】受動素子が内蔵される配線基板において、広範囲なキャパシタ容量のキャパシタ素子を配線基板内に内蔵する事が可能な配線基板を提供する。【解決手段】配線基板１００において、同一層内に、第１の導体層１からなる第１の電極２上に第１の誘電材３からなる第１の誘電体層４が存在し、第１の誘電体層４上に第２の導体層５からなる第２の電極６が存在する事からなる単層構造のキャパシタ素子５０と、第１の導体層１からなる第１の電極２上に第１の誘電材３からなる第１の誘電体層４が存在し、第１の誘電体層４上に第２の導体層５からなる第２の電極６が存在し、第２の電極６上に第２の誘電材７からなる第２の誘電体層８が存在し、第２の誘電体層８上に第３の導体層９からなる第３の電極１０が存在することからなる直列二層構造のキャパシタ素子５１とが混在していることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板において、同一層内に、第１の導体層からなる第１の電極上に第１の誘電材からなる第１の誘電体層が存在し、第１の誘電体層上に第２の導体層からなる第２の電極が存在する事からなる単層構造のキャパシタ素子と、第１の導体層からなる第１の電極上に第１の誘電材からなる第１の誘電体層が存在し、第１の誘電体層上に該第２の導体層からなる該第２の電極が存在し、該第２の電極上に第２の誘電材からなる第２の誘電体層が存在し、第２の誘電体層上に第３の導体層からなる第３の電極が存在することからなる直列二層構造のキャパシタ素子とが混在している事を特徴とする配線基板。
【請求項２】
第１の誘電体層の誘電率が第２の誘電体層の誘電率よりも大きいことを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
少なくとも１つの誘電体層が、有機系基板外で、適用される有機系基板の耐熱温度よりも高い温度で焼成されていることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は各種電子機器の配線基板に係わり、さらに詳しくは受動素子が内蔵される配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のキャパシタ内蔵の配線基板について以下に説明する。  従来の配線基板としては、図４に示すように、第１の導体層１からなる第１の電極２上に第１の誘電材３からなる第１の誘電体層４が存在し、第１の誘電体層４上に第２の導体層５からなる第２の電極６が存在する単層構造のキャパシタ素子５０が同一層内に複数内蔵された有機系の配線基板３００であった。
【０００３】
その製造方法としては、有機系基板の絶縁層上に第１の導体層を、例えば、無電解及び電解めっき法や銅箔を貼り付けるといった方法等で形成し、次いで、有機系、例えばエポキシ系半硬化性樹脂フィルムの第１の誘電材を形成し、次いで、第１の誘電材上に第２の導体層を第１の導体層と同方法で形成する。次いで、第２の導体層をフォトリソ法により所望のパターニング処理し、エッチングを行い、第２の電極を形成する。次いで、第２の電極下部の第１の誘電体層以外の第１の誘電材を化学的或いは物理的に除去し、第１の導体層を露出させ、次いで、第１の導体層をフォトリソ法により所望のパターニング処理し、エッチングを行い、第２の電極を形成し、配線基板の耐熱温度以下で第１の誘電体層を熱処理し、硬化させるといったものであった（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
上記したような配線基板では、第１の誘電体層が有機系の樹脂であるため、比誘電率は３０前後であり、また、そのフィルムの厚みを均一に作製するためには、２０μｍ以上の厚みが必要なことから、大きな容量のキャパシタを内蔵するためには、キャパシタの電極面積をかなり大きくする必要があり（表１参照）、それにより、内蔵化の一つの目的である基板の小型化が不可能となり、また、多くのキャパシタや他の素子を内蔵することも不可能となることから、小さな容量のキャパシタを内蔵することのみ可能で、大きな容量のキャパシタは表面実装をせざるを得ないといった問題があった。また、仮に（従来の配線板では、基板上で第１の誘電体層の熱処理を行うため、高温処理ができず第１の誘電体層の比誘電率を高誘電率にする事は不可能であるが）、比誘電率が数千から数万程度の材料が得られた場合には、大きな容量のキャパシタの内蔵は可能となるが、小さな容量のキャパシタを内蔵するためには、電極面積をかなり小さくする必要であることから（表１参照）、電極形成時の電極面積の加工バラツキが大きくなり、そのため、キャパシタ容量のバラツキも大きくなってしまい、小さな容量のキャパシタは表面実装をせざるを得ないといった問題が予想された。
【０００５】
表１は、誘電体材の特性値例による対向平板電極（正方形）の必要な大きさを示したものである。表では、誘電体材料として比誘電率３０、厚さ２０μｍ、及び比誘電率３０００、厚さ０．２μｍのものを利用して、容量が１μＦ、１ｐＦのものを正方形の対向平板で作成した場合の、各電極（平板）の一辺の長さを示した。内蔵するキャパシタとしての容量範囲は数ｐＦ〜数μＦ、電極（正方形平板として）一辺１００μｍ〜４ｍｍ以内が理想とされている。
【０００６】
【表１】
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以下に公知文献を示す。
【特許文献１】特開２００２−５３４７９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明では、上記問題点に鑑み考案されたものであり、その目的とするところは、受動素子が内蔵される配線基板において、広範囲なキャパシタ容量のキャパシタ素子を配線基板内に内蔵する事が可能な配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記課題を達成するために、第１の発明としては、配線基板において、同一層内に、第１の導体層からなる第１の電極上に第１の誘電材からなる第１の誘電体層が存在し、第１の誘電体層上に第２の導体層からなる第２の電極が存在する事からなる単層構造のキャパシタ素子と、第１の導体層からなる該第１の電極上に第１の誘電材からなる第１の誘電体層が存在し、第１の誘電体層上に第２の導体層からなる第２の電極が存在し、第２の電極上に第２の誘電材からなる第２の誘電体層が存在し、第２の誘電体層上に第３の導体層からなる第３の電極が存在することからなる直列二層構造のキャパシタ素子とが混在している事を特徴とする配線基板としたものである。
【０００９】
第２の発明としては、第１の誘電体層の誘電率が第２の誘電体層の誘電率よりも大きいことを特徴とする請求項１記載の配線基板としたものである。
【００１０】
第３の発明としては、少なくとも１つの誘電体層が、有機系基板外で、適用される有機系基板の耐熱温度よりも高い温度で焼成されていることを特徴とする請求項１記載の配線基板としたものである。  尚、本発明において配線基板とは、プリント配線板、インターポーザー等を示すものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の配線基板によると、例えば、誘電体材料の比誘電率の大きいもので、大きな容量側のキャパシタを構成し、誘電体材料の比誘電率の小さいもので、小さな容量側のキャパシタを構成する事で、広範囲な容量のキャパシタ素子を配線基板内に内蔵することが可能となる。第１の誘電体層の誘電率が第２の誘電体層の誘電率よりも大きくすることにより、単層構造側は比誘電率が高いため、さらに高容量キャパシタとなり、二層構造（直列）側との容量差が広がり、広範囲な容量のキャパシタ素子を配線基板内に内蔵することが可能となる（第１の誘電体層と第２の誘電体層との比誘電率の差を大きくすることにより、二層構造のキャパシタ素子の容量は、第２の誘電体層で構成されるキャパシタの容量に近づく）。また、少なくとも１つの誘電体層特に第１の誘電体層を、基板外で、適用される有機系基板の耐熱温度よりも高い温度で焼成する事により、より高い比誘電率が得られることから、さらに、広範囲な容量のキャパシタ素子を配線基板内に内蔵することが可能となる（この場合、平坦でない配線基板上でなく、平滑な金属材上で第１の誘電体層、更には、第２の誘電体層を形成するので、膜厚の均一な膜を得ることが可能となり、基板内のキャパシタ容量精度が向上する効果も現れる）。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下本発明の実施するための最良の形態につき説明する。  図１は、本発明のキャパシタ素子内蔵多層回路板の一実施例を示す模式構成断面図を示す。本発明の配線基板１００は、同一層内に、第１の導体層１からなる第１の電極２上に第１の誘電材３からなる第１の誘電体層４が存在し、第１の誘電体層４上に第２の導体層５からなる第２の電極６が存在する事からなる単層構造のキャパシタ素子５０と、第１の導体層１からなる第１の電極２上に第１の誘電材３からなる第１の誘電体層４が存在し、第１の誘電体層４上に第２の導体層５からなる第２の電極６が存在し、第２の電極６上に第２の誘電材７からなる第２の誘電体層８が存在し、第２の誘電体層８上に第３の導体層９からなる第３の電極１０が存在することからなる直列二層構造のキャパシタ素子５１とが混在している配線基板である。
【００１３】
尚、単層、二層、三層、更に多層といった構造のキャパシタ素子を混在させる事は可能であるが、効果とコストを考慮すると単層と二層構造のキャパシタ素子を混在させる事が好適である。
【００１４】
第１の導体層１、第２の導体層５、第３の導体層９の材料としては、それぞれＣｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｐｔ等の少なくとも１種類を例示できる。
【００１５】
第１の誘電材３、第２の誘電材７の材料としては、それぞれ公知のものを用いることができ、ポリイミド、ポリアミド、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ＰＥＥＫ、ＰＴＥＦ等の樹脂に、例えば、二酸化チタンセラミックス、チタン酸バリウム系セラミックス、チタン酸カルシウム系セラミックス、チタン酸ストロンチウム系セラミックス、ジルコン酸塩系セラミックス等の単独もしくは混合した誘電体フィラーを混入した誘電体ペーストや誘電体フィルム（カーテンコート、ラミネート法を用いる）、また、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）等（ゾルゲル法を用いる）やチタン酸バリウム、酸化アルミニウム、チタン酸ストロンチウム等（スパッタ法の気相法を用いる）を例示できる。
【００１６】
また、更に好ましくは、第１の誘電体層４の誘電率を第２の誘電体層８の誘電率よりも大きくした配線基板１００であり、このような設計にすることにより、より広範囲なキャパシタ素子容量を配線基板内へ内蔵可能とする事が可能となる（同面積における単層構造と直列二層構造のキャパシタ素子容量の差が大きくなる）。
【００１７】
また、更に好ましくは、少なくとも１つの誘電体層が、有機系基板外で、適用される有機系基板の耐熱温度よりも高い温度で焼成される配線基板１００であり、より高温で焼成することにより、より比誘電率の高いものが得られ、広範囲なキャパシタ素子容量を配線基板１００内へ内蔵を可能とする。
【実施例１】
【００１８】
以下、図２（ａ）から（ｊ）に従って実施例１により本発明を詳細に説明する。  両面に所定の回路パターンが形成されたガラス不織布にエポキシ樹脂を含浸させた銅張り樹脂基板（図示せず）を用い、所定のビルドアップ工程における途中工程において絶縁樹脂１２（例えばエポキシ系樹脂）上に専用の処理液を用い、無電解Ｃｕめっきを行って、Ｃｕ薄膜を形成した。
【００１９】
次いで、Ｃｕ薄膜表面に厚さ１２μmのドライフィルムフォトレジストをラミネートし、露光現像を行い、所望のレジストパターンを形成し、所望の配線１１となるＣｕ薄膜表面を露出させた。
【００２０】
次に、露出しているＣｕ薄膜表面に電解Ｃｕめっきを行い、Ｃｕを１２μｍ程度析出させた。
【００２１】
次いで、４０μm厚のドライフィルムレジストをラミネートし、ＵＶＹＡＧレーザーを用い、所望の配線１１上に、層間の電気的接続用のバンプ１３となる穴を形成した。
【００２２】
次いで、電解Ｃｕめっきを行い、バンプ１３となる穴にＣｕを４０μｍ程度析出させた。
【００２３】
次に、表面を１、２μｍ程度研磨しバンプ１３の高さを揃え、更にバンプ１３先端に電解金めっきを行い、１μｍ程度の金１３’を形成した。
【００２４】
次に、レジストパターンおよびドライフィルムレジストを専用の剥離液で剥離し、Ｃｕ薄膜を過硫酸アンモニウム水溶液等でソフトエッチングすることにより、配線１１を形成し、所望の基板を作製した（図２（ａ）参照）。
【００２５】
次に、第１の導体層１となる１０μｍ厚のＣｕ箔の平滑面に、第１の誘電材３となるチタン酸バリウムストロンチウム等のセラミック薄膜を０．２μｍ厚程度スパッタリングし、更に９００℃前後で熱処理を行い、更にセラミック薄膜上にＣｕ薄膜をスパッタリングした。
【００２６】
次いで、Ｃｕ薄膜上に、電解Ｃｕめっきを行い、１０μｍ厚のＣｕを厚付けし、第２の導体層５を形成した。
【００２７】
次いで、第１の導体層１及び第２の導体層５の表面を専用のエッチング液で表面を０.５μｍ程度粗化し、第２の誘電材７からなるエポキシ系樹脂にチタン酸バリウム等を混入させ加工された２0μm厚のＣｕ箔（第３の導体層９となる厚さ１０μｍＣｕ箔）付き半硬化性の樹脂シートを、例えば、１３０℃、２９４ｋＰａの条件で加熱加圧ラミネートを行うことで部材２００を作製した（図２（ｂ）参照）。
【００２８】
次に、上記部材２００の第１の導電層１表面に、抵抗体となるニッケル−リン系金属１４を１μｍ厚程度、電解めっきした（図示せず）。
【００２９】
次いで、５０μｍ厚のエポキシ系の半硬化性絶縁樹脂シートの絶縁樹脂１２を上記部材２００のニッケル−リン系金属１４が存在する面に例えば１３０℃、２９４ｋＰａの条件で加熱加圧ラミネートし、続いて、上記基板上に例えば２００℃、４９０ｋＰａ、１時間の条件で加熱加圧ラミネートを行うことで、エポキシ系の半硬化性絶縁樹脂シートの絶縁樹脂１２と第２の誘電材７の硬化および層間の電気的接続を行った（図２（ｃ）参照、ただしバンプ１３等図示せず）。
【００３０】
次に、第３の導体層９表面に厚さ１５μmのウレタン樹脂系のドライフィルムフォトレジストをラミネートし、露光現像を行い、所望のキャパシタの第３の電極１０のレジストパターン１５以外の第３の導体層９表面を露出させた。ここで、ウレタン樹脂系を用いた理由として、後工程で行うサンドブラスト時において、衝撃吸収性に優れているためである。
【００３１】
次に、塩化第２銅液等でＣｕ箔のエッチングを行い、所望の第３の電極１０を作製した（図２（ｄ）参照）。
【００３２】
次に、数μｍから数十μｍ径の微細砥粒をノズルから噴出させ、対象物の表面を削るサンドブラスト工法を用い、第２の誘電材７を除去し、第２の誘電体層８を形成し、且つ、第２の導体層５表面を露出させた（図２（ｅ）参照）。  尚、第２の誘電材７の除去方法はサンドブラスト工法に限らず、例えば、上記２００℃、１時間の熱処理を行わずに、第２の誘電体層８を専用の溶剤現像液で化学的に除去し、後工程において、２００℃、１時間の熱処理を行う方法等も考えられ、特に限定するものではない。
【００３３】
次に、レジストパターン１５を専用の剥離液で剥離した。
【００３４】
次に、基板表面に厚さ１５μmのウレタン樹脂系のドライフィルムフォトレジストをラミネートし、露光現像を行い、所望の第２の電極６となるレジストパターンを形成した。
【００３５】
次に、塩化第２銅液等で第２の導体層５のエッチングを行い、所望の第２の電極６を作
製した（図２（ｆ）参照）。
【００３６】
次に、数μｍから数十μｍ径の微細砥粒をノズルから噴出させ、対象物の表面を削るサンドブラスト工法を用い、第１の誘電材３を除去し、第１の誘電体層４を形成し、且つ、第１の導体層１表面を露出させた（図２（ｇ）参照）。
【００３７】
次に、レジストパターン１５’を専用の剥離液で剥離した。
【００３８】
次に、基板表面に液状フォトレジストを塗布し、露光現像を行い、所望の配線１１、第１の電極２およびスパイラル型インダクタ（図示せず）等となるレジストパターン１５’’を形成した。
【００３９】
次に、塩化第２銅液等で第１の導体層１及びニッケルーリン系金属１４のエッチングを行い（図２（ｈ）参照）、レジストパターン１５’’を専用の剥離液で剥離し、所望の配線１１、第１の電極２およびスパイラル型インダクタ等を作製した。
【００４０】
次に、基板表面に液状フォトレジストを塗布し、露光現像を行い、所望の抵抗体１６が得られる様、レジストパターン１５’’’を形成した（図２（ｉ）参照）。
【００４１】
次に、過硫酸アンモニウム水溶液等で配線１１をエッチングすることで、所望の抵抗体１６を作製した。
【００４２】
次に、レジストパターン１５’’’を専用の剥離液で剥離した（図２（ｊ）参照）。
【００４３】
次いで、５０μｍ厚のエポキシ系の半硬化性絶縁樹脂シートを加熱加圧ラミネートし、残された一連の配線基板の製造工程を終了させる事により、本発明の配線基板を作製した。  尚、本実施例では、部材に抵抗材料を設け、配線、インダクタ及び抵抗体を形成したが、キャパシタ素子のみ及びそれらとの組み合わせ等など色々と想定されるのは明らかなことであり、それらを限定するものではない。
【実施例２】
【００４４】
以下、図３に示す実施例２により本発明を詳細に説明する。  両面に所定の回路パターンが形成されたガラス不織布にエポキシ樹脂を含浸させた銅張り樹脂基板（図示せず）を用い、所定のビルドアップ工程における途中工程において、絶縁樹脂１２（例えばエポキシ系樹脂）上に専用の処理液を用い、無電解Ｃｕめっきを行う事で、Ｃｕ薄膜を形成した。
【００４５】
次いで、Ｃｕ薄膜表面に厚さ１２μmのドライフィルムフォトレジストをラミネートし、露光現像を行い、所望のレジストパターンを形成し、所望の配線１１となるＣｕ薄膜表面を露出させた。
【００４６】
次に、露出しているＣｕ薄膜表面に電解Ｃｕめっきを行い、Ｃｕを１２μｍ程度析出させた。
【００４７】
次に、レジストパターンおよびドライフィルムレジストを専用の剥離液で剥離し、Ｃｕ薄膜を過硫酸アンモニウム水溶液等でソフトエッチングすることにより、配線１１を形成し、所望の基板を作製した（図示せず）。
【００４８】
次に、第１の導体層１となる１０μｍ厚のＣｕ箔の平滑面に、第１の誘電材３となるチタン酸バリウムストロンチウム等のセラミック薄膜を０．２μｍ厚程度スパッタリングし
、更に９００℃前後で熱処理を行い、第１の誘電材３上にＣｕ薄膜をスパッタリングした。
【００４９】
次いで、Ｃｕ薄膜上に、電解Ｃｕめっきを行い、１０μｍ厚のＣｕを厚付けし、第２の導体層５を形成した。
【００５０】
次いで、第１の導体層１及び第２の導体層５の表面を専用のエッチング液で表面を０.５μｍ程度粗化し、第２の誘電材７からなるエポキシ系樹脂にチタン酸バリウム等を混入させ加工された２0μm厚の半硬化性の樹脂シートを、例えば、１３０℃、２９４ｋＰａの条件で加熱加圧ラミネートを行い、更に２００℃、１時間の熱処理を行うことで部材２００’を作製した（図３）。
【００５１】
部材２００’の第１の導体層１面を過硫酸アンモニウム水溶液等でソフトエッチングすることにより、第１の導体層１の膜厚を３μｍとした。
【００５２】
次いで、５０μｍ厚のエポキシ系の半硬化性絶縁樹脂シートの絶縁樹脂１２を上記部材２００’の第１の導体層１面に例えば１３０℃、２９４ｋＰａの条件で加熱加圧ラミネートし、続いて、基板上に、１８０℃、４９０ｋＰａ、１時間の条件で加熱加圧ラミネートを行うことで、基板上に部材２００’を形成した。
【００５３】
次に、第２の誘電材７表面に厚さ１５μmのウレタン樹脂系のドライフィルムフォトレジストをラミネートし、露光現像を行い、所望のキャパシタの第２の誘電体層８のレジストパターンを形成した。ここで、ウレタン樹脂系を用いた理由として、後工程で行うサンドブラスト時において、衝撃吸収性に優れているためである。
【００５４】
次に、数μｍから数十μｍ径の微細砥粒をノズルから噴出させ、対象物の表面を削るサンドブラスト工法を用い、第２の誘電材７を除去し、第２の誘電体層８を形成し、且つ、第２の導体層５表面を露出させた。  尚、第２の誘電材７の除去方法はサンドブラスト工法に限らず、例えば、上記２００℃、１時間の熱処理を行わずに、第２の誘電体層を専用の溶剤現像液で化学的に除去した後、２００℃、１時間の熱処理を行う方法等も考えられ、特に限定するものではない。
【００５５】
次に、塩化第２銅液等で第２の導体層５のエッチングを行い、所望の第２の電極６を作製した。
【００５６】
次に、数μｍから数十μｍ径の微細砥粒をノズルから噴出させ、対象物の表面を削るサンドブラスト工法を用い、第１の誘電材３を除去し、第１の誘電体層４を形成し、且つ、第１の導体層１表面を露出させた。
【００５７】
次に、レジストパターンを専用の剥離液で剥離した。
【００５８】
次いで、ＵＶＹＡＧレーザーを用い、下層との電気接続を行うためのビアを形成した。
【００５９】
次いで、専用の処理液を用い、ビア内、第１の導体層１、第２の電極６及び第２の誘電体層８上に無電解Ｃｕめっきを行う事で、Ｃｕ薄膜を形成した。
【００６０】
次に、基板表面に液状フォトレジストを塗布し、露光現像を行い、所望の第３の電極１０、配線１１、第１の電極２およびスパイラル型インダクタ等を得るためのレジストパターンを形成した。
【００６１】
次に、電解銅めっきを行い、第３の電極１０、配線１１、スパイラル型インダクタ等となる銅金属を１０μｍ程度厚付けし、レジストパターンを専用の剥離液で剥離し、更に、過硫酸アンモニウム水溶液等でＣｕ薄膜をソフトエッチングすることで所望の第３の電極１０、配線１１、第１の電極２およびスパイラル型インダクタ等を作製した。
【００６２】
次いで、５０μｍ厚のエポキシ系の半硬化性絶縁樹脂シートを加熱加圧ラミネートし、残された一連の配線基板の製造工程を終了させる事により、本発明の配線基板を作製した。  尚、第３の電極形成は、Ｃｕペースト等を印刷しても可能であり、製造工程、下層配線との接続方法等に関しては、様々な方法が選択可能なことは、明らかであり、特に限定するものではない。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
本発明の活用例としては、特に、携帯機器等の小型化、高機能化に寄与すべくものであり表面実装されていた部品を内蔵する事により、配線基板の面積を縮小し小型化させ、且つ能動素子との接続配線長を短くする事により、電気的特性を向上させるといったいわゆる受動素子を内蔵する配線基板の製造に利用でき、特に、内蔵されるキャパシタに高精度で、且つ、広範囲な容量を持たせることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の配線基板の一実施例を示す模式構成部分断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｊ）は、本発明の配線基板における実施例１の製造工程の一部を模式的に示す部分断面図である。
【図３】本発明の配線基板における製造工程例の一部を模式的に示す部分断面図である。
【図４】従来の配線基板の一例を示す模式構成部分断面図である。
【符号の説明】
【００６５】
１００・・・・・配線基板
１・・・・・第１の導体層
２・・・・・第１の電極
３・・・・・第１の誘電材
４・・・・・第１の誘電体層
５・・・・・第２の導体層
６・・・・・第２の電極
７・・・・・第２の誘電材
８・・・・・第２の誘電体層
９・・・・・第３の導体層
１０・・・・・第３の電極
１１・・・・・配線
１２，１２’・・・・・絶縁樹脂
１３・・・・・バンプ
１３’・・・・・金
１４・・・・・ニッケル−リン系金属
１５、１５’、１５’’、１５’’’・・・・・レジストパターン
１６・・・・・抵抗体
５０・・・・・単層構造のキャパシタ素子
５１・・・・・二層構造のキャパシタ素子
１００・・・・・配線基板
２００、２００’・・・・・部材
３００・・・・・配線基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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