(57)【要約】【課題】  簡易な方法でＭｎを含むペロブスカイト型酸化物からなる酸化物層のパターン化を行うことにより、製造コストを低減させ、かつ、歩留まりを向上させることができる半導体素子の製造方法を提供すること。【解決手段】  本発明の半導体素子の製造方法は、（１）Ｍｎを含むペロブスカイト型酸化物からなる酸化物層９上に、複数の上部電極１１を形成し、（２）酸化物層９の熱処理を行うことにより、酸化物層９のうち、各上部電極１１の近傍部分の溶解性を小さくし、（３）塩酸、硫酸、及び硝酸の中の少なくとも１つを含有するエッチング液に、熱処理後の酸化物層９を浸すことにより、前記近傍部分が残るように、酸化物層９をパターン化する工程を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）Ｍｎを含むペロブスカイト型酸化物からなる酸化物層上に、パターン化されたマスク層を形成し、（２）酸化物層の熱処理を行い、（３）塩酸、硫酸、及び硝酸の中の少なくとも１つを含有するエッチング液で、熱処理後の酸化物層を処理することにより、酸化物層をパターン化することを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項２】
工程（１）に使用される酸化物層が、予め下部電極を設けた基板上に形成されている請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
Ｍｎを含むペロブスカイト型酸化物が、一般式ＡＭｎＯ3（但し、ＡはＬａ、Ｐｒ、Ｃａ、Ｓｒの群から選ばれる１種以上の金属を含む）で示される請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項４】
パターン化されたマスク層が、複数の上部電極である請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項５】
上部電極が、貴金属元素を含む材料からなる請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
工程（２）が、２００〜９００℃で行われる請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項７】
工程（３）の前であって、工程（２）の前又は後に、酸化物層が予めドライエッチングされる請求項１又は２に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の製造方法に関し、特にＭｎ系ペロブスカイト型酸化物のパターン化に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
巨大磁気抵抗効果とは磁場をかけたときに電気抵抗が大きく変化することを言い、金属人工格子Ｆｅ／Ｃｒにおいて発見された。これについでＣｏ／Ｃｕそして多くの（Ｆｅ、Ｃｏ、若しくはＮｉ、又はそれらの合金）／（Ｃｕ、Ａｇ、若しくはＡｕなどの貴金属、又はＣｒ、若しくはＲｕ等の遷移金属）人工格子で巨大磁気抵抗効果が発見されている。現在、巨大磁気抵抗効果のメカニズムの研究とともにその応用についての研究も盛んに行われている。巨大磁気抵抗効果の応用については、軟磁性巨大磁気抵抗効果を目的に保持力差や磁気異方性を利用した巨大磁気抵抗多層薄膜の研究が進んでいる。高密度磁気記録の読みだし用磁気抵抗ヘッドへの適用が有望視されているスピンバルブ巨大磁気抵抗はその代表例である。
【０００３】
従来、巨大磁気抵抗効果は金属系において見られたが、Ｍｎ系ペロブスカイト型酸化物系でも、巨大磁気抵抗効果をもつ物質が発見されている。
【０００４】
また近年、Ｍｎ系ペロブスカイト型酸化物材料の電気抵抗特性が、薄膜またはバルク材料に１つ以上の電気的なパルスを印加することにより変更され得ることが発見された。これにより、Ｍｎを含む酸化物は不揮発性メモリへの応用も期待されている（例えば、特許文献１、特許文献２、及び特許文献３を参照。）。
【０００５】
不揮発性メモリへの応用には、微細な素子を形成する必要があり、Ｍｎ系ペロブスカイト型酸化物の薄膜化技術が必須である。薄膜の製造方法には、真空蒸着法、スパッタリング法、レーザーアブレーション法等の物理的方法、及び、有機金属化合物を出発原料としこれらを熱分解酸化して酸化物強誘電体を得るゾルゲル法、ＭＯＣＶＤ(Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法等の化学的方法が用いられている。
【０００６】
Ｍｎ系ペロブスカイト型酸化物材料をパターン化するには、化学的機械的研磨法（ＣＭＰ法）が一般的に用いられている。
【０００７】
ここで、図２を用いて、特許文献３に記載の半導体素子の製造方法を説明する。なお、図２は、従来の半導体素子の製造工程を示す断面図である。
【０００８】
まず、下地層５１上にパターン化された酸化膜５３を形成する。次に、酸化膜５３を覆うように、Ｍｎ系ペロブスカイト型酸化物からなる酸化物層５５を形成し、図２（ａ）に示す構造を得る。次に、化学的機械的研磨法により、酸化膜５３が露出するまで、酸化物層５５を削ることにより、パターン化された酸化物層５５を得ている（図２（ｂ））。
【特許文献１】特開２００３−６８９８３号公報
【特許文献２】特開２００３−６８９８４号公報
【特許文献３】特開２００３−１９７８７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、Ｍｎ系ペロブスカイト型酸化物は、一般に、酸溶液、又は有機溶媒などからなる一般的なエッチング液に対し大きな溶解性を有するため、このようなエッチング液を用いたパターン化は難しく、従来は化学的機械的研磨法を用いていた。
【００１０】
そのため上述したように化学的機械的研磨法を用いていたが、この方法を用いた場合、プロセス工程が多く複雑になり、その結果、プロセスコストがかかってしまう。また、一般にプロセス工程は必ず不良品を生じる原因となるため（工程毎にある一定の工程不良率を有する）、プロセス工程を経るごとに歩留まりは低下してしまう。
【００１１】
そのため簡便な方法として、エッチング液を用いたウェットエッチングでＭｎ系ペロブスカイト型酸化物材料をパターン化することが望ましい。
【００１２】
また、Ｍｎ系ペロブスカイト型酸化物をメモリデバイスに使用する際、将来的にはドライエッチングによる微細パターン形成が必須である。この場合、Ｍｎ系ペロブスカイト型酸化物はエッチ時に大量のエッチング残渣を生じ、これら残渣はリークパスとなりメモリ歩留まりに悪影響を及ぼす。このため、薬液を用いた残渣処理が必要であるが、ここでもＭｎ系ペロブスカイト型酸化物が残渣処理用薬液に容易に溶解してしまうため、膜剥がれ等の形状不良を引き起こし、歩留まりが低下してしまう。
【００１３】
本発明は係る事情に鑑みてなされたものであり、簡易な方法でＭｎを含むペロブスカイト型酸化物からなる酸化物層のパターン化を行うことにより、製造コストを低減させ、かつ、歩留まりを向上させることができる半導体素子の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の半導体素子の製造方法は、（１）Ｍｎを含むペロブスカイト型酸化物からなる酸化物層上に、パターン化されたマスク層を形成し、（２）酸化物層の熱処理を行い、（３）塩酸、硫酸、及び硝酸の中の少なくとも１つを含有するエッチング液で、熱処理後の酸化物層を処理することにより、酸化物層をパターン化することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
Ｍｎを含むペロブスカイト型酸化物からなる酸化物層上に、パターン化されたマスク層を形成した後に酸化物層の熱処理を行うと、酸化物層のうち、マスク層パターンの近傍部分の溶解性が小さくなる。この状態で、酸化物層をエッチング液で処理すると、溶解性の大きい部分（マスク層パターンの近傍以外の部分）は溶解し、溶解性の小さい部分（マスク層パターンの近傍部分）は残るため、酸化物層がパターン化される。
【００１６】
本発明の方法によれば、ＣＭＰ法を用いた方法よりも、簡易に酸化物層をパターン化できるため、本発明の方法を用いることにより、半導体素子を簡易に製造することができる。従って、本発明によれば、半導体素子の製造コストを低減させることができる。
【００１７】
また、本発明の方法を用いると、エッチングの際に、パターン化されたマスク層の膜剥がれが起きにくいので、半導体素子の製造の歩留まりを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の半導体素子の製造方法は、（１）Ｍｎを含むペロブスカイト型酸化物からなる酸化物層上に、パターン化されたマスク層を形成し、（２）酸化物層の熱処理を行い、（３）塩酸、硫酸、及び硝酸の中の少なくとも１つを含有するエッチング液で、熱処理後の酸化物層を処理することにより、酸化物層をパターン化することを特徴とする。
【００１９】
１．Ｍｎを含むペロブスカイト型酸化物からなる酸化物層上に、パターン化されたマスク層を形成する工程
【００２０】
１−１．Ｍｎを含むペロブスカイト型酸化物からなる酸化物層
Ｍｎを含むペロブスカイト型酸化物からなる酸化物層は、通常は、スパッタリング法、真空蒸着法、ゾルゲル法、レーザーアブレーション法、又はＭＯＣＶＤ法などにより、基板上に形成される。基板は、シリコンなどの半導体基板、ガラスなどの絶縁体基板、又は金属などの導電性基板からなる。
【００２１】
また、酸化物層は、予め下部電極を設けた基板上に形成されていることが好ましい。このような酸化物層は、好ましくは、（１）基板上に下部電極を形成し、（２）得られた基板上にＭｎを含むペロブスカイト型酸化物からなる酸化物層を形成する方法によって、形成される。この場合、この酸化物層と基板との間に下部電極が形成される。この下部電極は、不揮発性記憶素子などの半導体素子の電極の１つとなる。下部電極は、スパッタリング法などにより、Ｐｔなどの金属で形成することができる。また、下部電極は、シリコン酸化膜などの絶縁膜を介して形成されることが好ましい。この場合、基板とその上に形成される半導体素子を電気的に分離することができ、素子特性を向上させることができるからである。また、下部電極は、絶縁膜と下部電極との間の密着度を高める膜、例えば、ＴｉＯ2膜などを介して形成されることが好ましい。
【００２２】
下部電極は、基板全面に形成することができる。また、基板上に複数の下部電極が形成されてもよい。複数の下部電極は、好ましくは、細長い形状であり、好ましくは、ストライプ状に並ぶ。
【００２３】
なお、本明細書において、「基板上に」という語句には、基板に接して、保護膜や絶縁膜などを介して基板に接して、又は基板と非接触で上方に、などの概念が含まれる。その他の「膜上に」、「層上に」などという語句についても同様である。
【００２４】
酸化物層は、一般式ＡＭｎＯ3（但し、ＡはＬａ、Ｐｒ、Ｃａ、Ｓｒの群から選ばれる１種以上の金属を含む）で示されるＭｎを含むペロブスカイト型酸化物からなることが好ましい。なぜなら、この場合、後述の熱処理による結晶化の効果が顕著に起こるからである。
【００２５】
酸化物層の厚さは、１０〜１０００ｎｍとすることが好ましい。１０ｎｍより小さい場合、電気パルス印可時に酸化物層の絶縁破壊が起こる場合があるからであり、１００００ｎｍより大きい場合、ドライエッチングによる加工が困難になるからである。
【００２６】
１−２．パターン化されたマスク層
酸化物層上にパターン化されたマスク層が形成される。パターン化されたマスク層は、好ましくは、複数の上部電極からなる。上部電極は、金属などで形成することができ、特に、貴金属元素、例えば、Ｐｔ，Ｉｒを含む材料で形成することが好ましい。貴金属元素を含む材料は、一般に、エッチング液との反応性が低く、かつ、耐熱性も高いからである。具体的には、上部電極は、Ｐｔ、Ｉｒ、若しくはＩｒＯ2、又はこれらの合金を単層又は多層に積層して形成することができる。上部電極は、スパッタリング法などにより形成することができる。上部電極の厚さは、１０〜５０００ｎｍとすることが好ましい。１０ｎｍより小さい場合、電気パルス印可時に上部電極層が破壊され剥離する場合があるからであり、５０００ｎｍより大きい場合、ドライエッチングによるパターン化が困難になるからである。
【００２７】
複数の上部電極は、好ましくは、細長い形状であり、好ましくは、ストライプ状に並ぶ。複数の下部電極がストライプ状に基板上に形成されている場合、複数の上部電極は、前記下部電極と交差するように配置されることが好ましい。この場合、各交点が１ビットに対応するクロスポイントメモリを形成することができるからである。また、複数の上部電極は、実質的にマトリックス状に並んでもよい。この場合、マトリックス状に並んだ各上部電極が、１ビットに対応するからである。各上部電極は、好ましくは、実質的に正方形であり、好ましくは、１辺が２μｍ程度である。上部電極のパターン化は、例えばドライエッチング法によって行うことができる。
【００２８】
２．酸化物層の熱処理を行う工程
酸化物層の熱処理を行うと、酸化物層のうち、マスク層パターンの近傍部分が優先的に結晶化する。結晶化した部分（マスク層パターンの近傍部分）は、溶解性が小さくなる。従って、後工程で、結晶化した部分が残るように、酸化物層をパターン化することが可能になる。ここで、「溶解性」とは、後工程で用いる特定のエッチング液に対する溶解性をいう。
【００２９】
酸化物層の熱処理は、２００〜９００℃で行われることが好ましい。２００℃より低い場合、酸化物層の結晶化が起こりにくいためであり、９００℃より高い場合、酸化物層の熱膨張によりマスク層にストレスがかかり、マスク層が剥がれる場合があるからである。また、熱処理は、３０秒〜１２０分行うことが好ましい。３０秒より短い場合、結晶化が不十分になる場合があるからであり、１２０分より長い場合、マスク層にストレスがかかり、マスク層が剥がれる場合があるからである。また、熱処理は、酸素、窒素、水素、若しくはアルゴン、又はこれらの混合ガス雰囲気で行うことができる。熱処理は、窒素、又はアルゴンなどの不活性ガス雰囲気中で行うことが好ましい。
【００３０】
３．塩酸、硫酸、及び硝酸の中の少なくとも１つを含有するエッチング液で、熱処理後の酸化物層を処理ことにより、酸化物層をパターン化する工程。
エッチング液には、塩酸、硫酸、及び硝酸の中の少なくとも１つを含有するものを用いることが好ましい。この場合、酸化物層のサイドエッチングが小さくなり、良好な形状のパターンを得ることができるからである。具体的には、エッチング液には、塩酸、硫酸、若しくは硝酸、又はこれらの混合物、又は塩酸、硫酸、及び硝酸の中の少なくとも１つと他の無機酸若しくは水との混合物などを用いることができる。エッチング液には、硫酸を用いることが特に好ましい。この場合、酸化物層のサイドエッチングがさらに小さくなり、さらに良好な形状のパターンを得ることができるからである。
【００３１】
エッチング液の濃度は、０．０００１〜５０ｗｔ％であることが好ましい。０．０００１ｗｔ％より小さい場合、ウェットエッチレートが極端に遅くなりエッチングに時間がかかるからであり、５０ｗｔ％より大きい場合、ウェットエッチレートが極端に早くなり制御が困難になるからである。エッチング液の温度は、０〜１００℃であることが好ましい。０℃より低い場合、液の凍結が起こるからであり、１００℃より高い場合、エッチング液の水分が蒸発し、液の濃度が安定しないからである。エッチングの時間は、１０〜１８００秒であることが好ましい。１０秒より短い場合、制御が難しく形状が安定しないからであり、１８００秒より長い場合、水分が酸化膜層中に拡散し酸化膜層の絶縁不良が発生するからである。
【００３２】
４．ドライエッチング工程
酸化物層をパターン化する工程の前に、酸化物層をドライエッチングする工程をさらに備えてもよい。酸化物層をドライエッチングする工程は、酸化物層の熱処理を行う工程の前又は後に行うことができる。ドライエッチングにより酸化物層のパターン化を行い、その際に発生した残渣をエッチング液で除去することにより、微細なパターンを形成することが可能になる。また、従来は、残渣をエッチング液で除去する際に、酸化物層がダメージを受ける場合があったが、本発明では、酸化物層の熱処理を行った後に残渣をエッチング液で除去しているため、酸化物層に与えるダメージを小さくすることができる。ドライエッチングは、例えば、Ａｒ及びＢＣｌ3ガスを用いて行うことができる。より詳しくは、ドライエッチングは、ＡｒとＢＣｌ3の比が７：３という条件で行うことができる。
【実施例１】
【００３３】
１．製造工程
図１は、実施例１に係る半導体素子の製造工程を示す断面図である。以下、図１を用いて、本実施例に係る半導体素子の製造方法について説明する。
【００３４】
まず、シリコン基板１上に熱酸化により膜厚３００ｎｍのシリコン酸化膜３を形成する。次に、シリコン酸化膜３上にスパッタリング法により、ＴｉＯ2密着層５及びＰｔ下部電極７を形成する。
【００３５】
次に、スパッタリング法を用いて、１００ｎｍのＭｎ系ペロブスカイト型酸化物からなる酸化物層９を形成し、図１（ａ）に示す構造を得る。本実施例では、酸化物層９として、ＰｒxＣａ1-xＭｎＯ3（以下、ＰＣＭＯと呼ぶ）のｘ＝０．７を用いる。ここでｘの値は０．７に限定されるものではなく、０≦ｘ≦１の範囲であれば以下に示すものと同様の結果が得られる。
【００３６】
次に、酸化物層９上に、スパッタリング法を用いてＰｔ膜を形成し、ドライエッチング法よってパターン化を行い、複数の上部電極１１を形成し、図１（ｂ）に示す構造を得る。各上部電極１１は、２μｍ角の正方形であり、１０μｍピッチでマトリックス状に並んでいる。なお、電極材料はＰｔに限定されるものではない。ウェットエッチに使用する酸との反応性が乏しく、且つ耐熱性の高い物質であれば良く、例えば貴金属元素を含む物質は酸及び熱に強いため好ましい。特にＰＣＭＯ膜をメモリ素子に用いるのに、Ｐｔ膜、Ｉｒ膜、ＩｒＯ２膜、Ｐｔ−Ｉｒ合金膜、およびこれらの積層膜を用いた場合は、エッチング液と反応性が低く、且つ耐熱性も高いため、電極材料として最も好ましい。
【００３７】
次に、酸化物層９の熱処理を行う。この実施例では、熱処理は、５００℃、窒素雰囲気中で３０分行う。一般に、マスク層形成後に熱処理を行うと、Ｍｎ系ペロブスカイト型酸化物膜はマスク層のある部分が優先的に結晶化するという特徴を持つ。このためマスクのある部分と無い部分でウェットエッチレートに大きな差が生じ、サイドエッチングの少ない良好なパターン形状を得ることができる。本発明では、上部電極１１を形成後に熱処理を行うことにより、酸化物層９のうち、上部電極１１の近傍部分が結晶化し、溶解性が小さくなる。
【００３８】
ここで、熱処理温度は５００℃に限定されるものではない。熱処理温度は２００℃〜９００℃で有効である。２００℃以下では結晶化が起こらないため、効果が得られない。熱処理温度が９００℃以上では、加熱による酸化物層９の熱膨張により、酸化物層９と上部電極１１との間に大きなストレスがかかり、上部電極１１の剥がれが発生するため適切ではない。
【００３９】
熱処理雰囲気は、酸素、窒素、水素、アルゴン及びこれらの混合ガス雰囲気などで効果が得られるが、Ｎ2、Ａｒ等の不活性ガス雰囲気中での熱処理が好ましい。
【００４０】
次に、上部電極１１をマスクとして、各種薬液を用いたウェットエッチにより、酸化物層９のパターニングを行う。マスクされていない部分を下部電極が露出するまでエッチングする。
【００４１】
表１に、本実施例で使用するエッチング液の種類、温度、及びエッチング時間を示す。
【表１】
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【００４２】
酸及びアルカリ溶液は、すべて１％の濃度のものを用いる。有機洗浄液には、東京応化工業社製ＯＭＲ５０２Ａ、ＥＫＣ  Ｔｅｃｎｏｌｏｇｙ社製のＥＫＣ２６５、ＥＫＣ２７０、ＥＫＣ７８７、ＥＫＣ７８９を使用する。
【００４３】
上記薬液処理を、熱処理無しで行った場合、酸化物層９は垂直方向より水平方向のエッチレートが大きいという性質を持つため、上部電極１１の膜剥がれが生じやすい。
【００４４】
２．各エッチング液による酸化物層のパターン化
酸化物層９の熱処理を行った後、表１の各エッチング液を用いて、酸化物層９のパターン化を行った。
【００４５】
リン酸、酢酸、又は過酸化水素水を用いた場合、酸化物層９の水平方向のエッチング（サイドエッチング）が速く進行し、上部電極１１が剥がれた。従って、リン酸、酢酸、及び過酸化水素水は、本発明のエッチング液として好ましくない。
【００４６】
フッ酸、又はバッファードフッ酸を用いた場合、酸化物層９側壁に異物の析出が生じた。従って、フッ酸、及びバッファードフッ酸は、一応は、本発明のエッチング液として使用可能であるが、あまり好ましくない。
【００４７】
アンモニア、又は各種有機洗浄液を用いた場合、酸化物層９のサイドエッチングが速く進行し、上部電極１１が剥がれた。従って、アンモニア及び各種有機洗浄液は、本発明のエッチング液として好ましくない。また、エッチングレートが大きいため制御が難しく、この点からも、これらは、本発明のエッチング液として好ましくない。
【００４８】
塩酸、硫酸、又は硝酸を用いた場合、酸化物層９のサイドエッチングが少なく、良好なパターン形状を得ることができた。
【００４９】
この中で、硫酸を用いた場合は、酸化物層９のサイドエッチングのエッチングレートが特に遅かった。この場合、酸化物層９のパターン形状を制御しやすいため、メモリ素子にとって最も好ましい。
【００５０】
ここで、使用する薬液は、塩酸、硫酸、及び硝酸のうち少なくとも１つを含有していれば有効である。塩酸、硫酸、及び硝酸のうち少なくとも１つを他の無機酸やＨ2Ｏと混合し、エッチング液の酸性度を調節してもよい。また、エッチング液を加熱または冷却し、エッチングレートを調節してもよい。
【実施例２】
【００５１】
Ｍｎ系ペロブスカイト型酸化物からなる酸化物層を、ドライエッチングを用いてパターン化する際、第１の実施例と同様の熱処理を行うことで、酸化物層とエッチング残渣との間でウェットエッチレートに大きな差が生じ、薬液を用いた残渣処理が可能となる。これを確認するために、以下の方法で半導体素子の製造を行った。以下、この製造工程を図１を用いて説明する。
【００５２】
実施例１と同様の方法により、酸化物層９の熱処理を行う工程までを行い、図１（ｂ）に示す構造を得た。
【００５３】
次にＡｒ及びＣｌ2ガスを用いて、上部電極１１をマスクとして、酸化物層９のドライエッチングを行うことにより、酸化物層９のパターン化を行い、図１（ｃ）に示す構造を得た。この際、パターン化された酸化物層９の側壁にエッチング残差が生じた。
【００５４】
次に、塩酸、硫酸、又は硝酸を用いて、実施例１と同じ条件で、エッチング残渣を除去した。
【００５５】
その結果、上記の何れの薬液に対しても、エッチング残渣は溶解性を持ち、かつ、酸化物層９とのエッチレート差が数十倍程度と大きかった。このため、酸化物層９に大きなダメージを与えることなく、エッチング残渣を取り除くことができた。実施例２では、酸化物層９をドライエッチでエッチングしているため、実施例１よりも、更に微細化に対応したパターンを形成することが可能となる。
【００５６】
なお、実施例１及び２では、Ｍｎ系ペロブスカイト型酸化物としてＰｒxＣａ1-xＭｎＯ3（ｘ＝０〜１）を用いたが、これに限定されるものではない。Ｍｎを含むペロブスカイト型酸化物、特に、一般式ＡＭｎＯ3（但し、Ａは少なくともＬａ、Ｐｒ、Ｃａ、Ｓｒの群から選ばれる１種以上の金属を含む）で示されるＭｎ系ペロブスカイト型酸化物であれば、ＰＣＭＯと同様の性質を持つため、上記と同様の効果が得られる。
【００５７】
また、上述の本発明の実施の形態において、Ｍｎ系ペロブスカイト型酸化物薄膜の製膜方法としてスパッタリング法を用いているが、これに限定されるものではない。例えば真空蒸着法、ゾルゲル法、レーザーアブレーション法、又はＭＯＣＶＤ法などを用いても良い。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の実施例１及び２に係る半導体素子の製造工程を示す断面図である。
【図２】従来の半導体素子の製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１  シリコン基板
３  シリコン酸化膜
５  ＴｉＯ2密着層
７  Ｐｔ下部電極
９  Ｍｎ系ペロブスカイト型酸化物からなる酸化物層
１１  上部電極
５１  下地層
５３  酸化膜
５５  Ｍｎ系ペロブスカイト型酸化物からなる酸化物層
【図１】
2005243808.tif 000004
【図２】
2005243808.tif 000005