(57)【要約】【課題】  メインセンサ列に蓄積した電荷のみを出力部に転送する際に、サブセンサ列に蓄積した電荷が誤って出力部に転送されることを抑制する。【解決手段】  常時出力部に信号電荷を転送する第１水平電荷転送部６と、出力する解像度に応じて出力部に信号電荷を転送する第２水平電荷転送部７とを有し、第１水平電荷転送部と第２水平電荷転送部は並列に配置されたＣＣＤリニアセンサ１において、第２水平電荷転送部の信号電荷をオーバーフロードレイン９へ流す際に、オーバーフロードレインに隣接した第３の電極の電位をハイレベルにすると共に、第３の電極の信号電荷転送方向に隣接する第４の電極の電位をローレベルにする。【選択図】    図１
2005094387.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のセンサ列と、該第１のセンサ列に蓄積される信号電荷を転送するための第１の水平電荷転送部と、前記第１のセンサ列に並設された第２のセンサ列と、該第２のセンサ列に蓄積される信号電荷を転送するための第２の水平電荷転送部と、該第２の水平電荷転送部に並設され、第２の水平電荷転送部の信号電荷を選択的に排出するオーバーフロードレイン部とを備え、
前記第１の水平電荷転送部と前記第２の水平電荷転送部は各々第１の電極と第２の電極を有し、更に前記第２の水平電荷転送部は、前記オーバーフロードレイン部に隣接する第３の電極と該第３の電極の信号電荷転送方向に隣接する第４の電極を有する固体撮像素子において、
前記第２の水平電荷転送部の信号電荷を前記オーバーフロードレイン部に排出する際に、前記第３の電極に一定の電位を印加する回路が設けられると共に、
前記第４の電極に前記第３の電極に印加する電位よりも低電位である一定電位を印加する回路が設けられた
ことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
前記第１の水平電荷転送部と第２の水平電荷転送部より信号電荷が転送される第３の水平電荷転送部を備える
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記第１のセンサ列と前記第２のセンサ列の各センサ列が相対的に所定ピッチずれて配置された
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の固体撮像素子。
【請求項４】
第１のセンサ列と、該第１のセンサ列に蓄積される信号電荷を転送するための第１の水平電荷転送部と、前記第１のセンサ列に並設された第２のセンサ列と、該第２のセンサ列に蓄積される信号電荷を転送するための第２の水平電荷転送部と、該第２の水平電荷転送部に並設され、第２の水平電荷転送部の信号電荷を選択的に排出するオーバーフロードレイン部と、前記第１の水平電荷転送部と第２の水平電荷転送部より信号電荷が転送される第３の水平電荷転送部とを備え、
前記第１の水平電荷転送部と前記第２の水平電荷転送部は各々第１の電極と第２の電極を有し、更に前記第２の水平電荷転送部は、前記オーバーフロードレイン部に隣接する第３の電極と該第３の電極の信号電荷転送方向に隣接する第４の電極を有する固体撮像素子の駆動方法において、
前記第２の水平電荷転送部の信号電荷を前記オーバーフロードレイン部に排出する際に、前記第３の電極に一定の電位を印加すると共に、
前記第４の電極に前記第３の電極に印加する電位より低電位である一定電位を印加する
ことを特徴とする固体撮像素子の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は固体撮像素子及びその駆動方法に関する。詳しくは、複数のセンサ列を有するＣＣＤリニアセンサにおいて、必要に応じて複数のセンサ列の特定のセンサ列の画素信号を排出できる固体撮像素子及びその駆動方法に関わるものである。
【背景技術】
【０００２】
入力光に応じた量の信号電荷を蓄積するフォトダイオードからなる画素が一次元的に配列され、これら画素からの信号電荷をＣＣＤ（charge coupled device）の電荷転送方式によって出力部に転送する水平転送部を有するＣＣＤリニアセンサは、コピー，ファクシミリ，ＯＣＲ，パターン認識及び各種計測など、多くの分野で使用されており、近年必要に応じて異なる解像度が得られるものも開発されている。
以下、図面を用いて従来のＣＣＤリニアセンサについて説明する。
【０００３】
図５は従来のＣＣＤリニアセンサを説明するための模式図を示す。ここで示すＣＣＤリニアセンサ１０１は２４００ｄｐｉ及び１２００ｄｐｉの解像度を選択し出力することができる所謂スタッガート型のＣＣＤリニアセンサである。
また、以下文中では、図中符号ｗで示すセンサ列の列方向のセンサ１つの長さを１ピッチと記述する。
信号光を受光、光電変換し信号電荷として蓄積する複数のセンサより成るメインセンサ列１０２、前記メインセンサ列の列方向に並列に設けられ該メインセンサ列の信号電荷を出力部側に転送する第１水平電荷転送部１０６、前記メインセンサ列と前記第１水平電荷転送部に隣接し、該メインセンサ列の信号電荷を前記第１水平電荷転送部に読み出す第１読み出しゲート１０４、メインセンサ列から半ピッチずらして配置され、前記メインセンサ列と同様に信号光を受光、光電変換し信号電荷として蓄積する複数のセンサより成るサブセンサ列１０３、該サブセンサ列の列方向に並列に設けられ該サブセンサ列の信号電荷を出力部側に転送する第２水平電荷転送部１０７、前記サブセンサ列と前記第２水平電荷転送部に隣接し、該サブセンサ列の信号電荷を前記第２水平電荷転送部に読み出す第２読み出しゲート１０５、第１水平電荷転送部及び第２水平電荷転送部が合流し、前記第１水平電荷転送部及び前記第２水平電荷転送部から転送された夫々の信号電荷を出力部に転送する第３水平電荷転送部１０８及び、本スタッガート型のリニアセンサでは２４００ｄｐｉと１２００ｄｐｉの解像度の選択ができるとした場合、１２００ｄｐｉの解像度の信号を出力する際にサブセンサ列で取り込んだ信号電荷の転送先であるオーバーフロードレイン１０９を備える（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
上記の様に構成されたＣＣＤリニアセンサにおいて、２４００ｄｐｉの解像度の出力信号を得る場合には、図５中符号Ａで示す電極（１）（以下、Ｈφ１と言う）に図６中符号Ｆで示すタイミングで駆動パルスを与え、図５中符号Ｂで示す電極（２）（以下、Ｈφ２と言う）に図６中符号Ｇで示すタイミングで駆動パルスを与え、図５中符号Ｃで示す電極（３）（以下、Ｈφ３と言う）に図６中符号Ｈで示すタイミングで駆動パルスを与え、図５中符号Ｄで示す電極（４）（以下、Ｈφ４と言う）に図６中符号Ｉで示すタイミングで駆動パルスを与え、図５中符号Ｅで示す電極（以下、Ｈφ５と言う）に図６中符号Ｆで示すタイミングで駆動パルスを与えると共に、図５中符号Ｋで示す電極（以下、Ｈφ６と言う）に図６中符号Ｇで示すタイミングで駆動パルスを与える。
即ち、メインセンサ列１０２で受光、光電変換し蓄積されたメインセンサ列の信号電荷を第1読出しゲート１０４を経て第1水平電荷転送部１０６に読み出し、前記メインセンサ列の信号電荷は前記第１水平転送部１０６に蓄積される。そこで第１水平電荷転送部のＨφ１及びＨφ２に図６中符号Ｆ及び符号Ｇで示すタイミングで５ＭＨｚの駆動パルスを与えることにより、前記メインセンサ列の信号電荷は前記第１水平転送部１０６を第３水平転送部１０８方向に転送される。
サブセンサ列１０３でも受光、光電変換し蓄積された前記サブセンサ列の信号電荷を第２読出しゲート１０５を経て第２水平電荷転送部１０７に読み出し、前記サブセンサ列の信号電荷は前記第２水平転送部１０７に蓄積される。そこで、第２水平電荷転送部のＨφ１及びＨφ２に図６中符号Ｆ及び符号Ｇで示すタイミングで５ＭＨｚの駆動パルスを与えることにより、前記サブセンサ列の信号電荷は前記第２水平転送部１０７を第３水平転送部１０８方向に転送される。
その際、２４００ｄｐｉの解像度を選択する場合は、Ｈφ５には図６中符号Ｆで示すタイミングで駆動パルスを与え、Ｈφ６には図６中符号Ｇで示すタイミングで駆動パルスを与える。
前記第１水平電荷転送部及び前記第２水平電荷転送部により転送された前記メインセンサ列及び前記サブセンサ列の信号電荷は、互い違いに前記第３水平転送部１０８に転送され、前記第３水平電荷転送部のＨφ３及びＨφ４に図６中符号Ｈ及び符号Ｉで示すタイミングで１０ＭＨｚの駆動パルスを与えることにより、前記出力部に転送され、出力部から２４００ｄｐｉの解像度の信号を出力する。
【０００５】
また、１２００ｄｐｉの解像度を選択する場合は、Ｈφ１に図６中符号Ｆで示すタイミングで駆動パルスを与え、Ｈφ２に図６中符号Ｇで示すタイミングで駆動パルスを与え、Ｈφ３に図６中符号Ｆで示すタイミングで駆動パルスを与え、Ｈφ４に図６中符号Ｇで示すタイミングで駆動パルスを与え、Ｈφ５に図６中符号Ｊで示すタイミングで駆動パルスを与えると共に、Ｈφ６に図６中符号Ｇで示すタイミングで駆動パルスを与える。
そうすることにより前記第２水平電荷転送部で転送されている信号電荷はＨφ６からオーバーフロードレインに排出される。
第３水平電荷転送部ではＨφ３及びＨφ４に図６中符号Ｆ及び符号Ｇで示すタイミングで駆動パルスを与えることにより第１水平電荷転送部により転送された前記メインセンサの信号電荷を５MHｚで出力部方向に転送し、出力部から１２００ｄｐｉの解像度の信号を出力する。
ここで、上記では１２００ｄｐｉの解像度を選択した場合に、信号電荷を５ＭＨｚで出力部方向に転送する場合を例に挙げて説明を行ったが、１２００ｄｐｉの解像度を選択した場合においても２４００ｄｐｉの解像度を選択した場合と同様に１０ＭＨｚで出力部方向に転送を行っても良い。この場合、解像度に応じて切替えを行わなくて良いというメリットがあるものの、信号電荷を有するパケットと空パケットが交互に存在することになってしまう。
そのため、Ｈφ３及びＨφ４を５MHｚで駆動パルスを与える場合、具体的にはHφ３をHφ２と同じ波形、Hφ4をHφ１と同じ波形とする。
そうすることにより、駆動タイミングの切替は必要であるが空パケットが存在せず、且つ低速駆動となるため、消費電力の低減も望める。
【０００６】
ここで、従来のＣＣＤリニアセンサではＨφ５に与える駆動パルスが図６中符号Ｆで示すタイミングであるか、図６中符号Ｊで示すタイミングであるかによって出力する信号の解像度を変化させている。即ち、１２００ｄｐｉの信号を出力する際にはＨφ５をローレベル電位に固定し、第２水平電荷転送部に読み出された電荷を第３水平電荷転送部に転送しないことによって出力する信号の解像度を選択している。
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−３３０３５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、１２００ｄｐｉの信号を出力する場合であってもＨφ６には図６中符号Ｇで示すタイミングで駆動パルスが与えられており、即ち、ハイレベル電位とローレベル電位が交互に印加されているために、Ｈφ５がローレベル電位に固定されていたとしても、第２水平電荷転送部に読み出された信号電荷が所定以上有る場合、オーバーフロードレインへの転送が所定時間内に行われないため、信号電荷が完全に前記オーバーフロードレインに転送されず、信号電荷が第３水平電荷転送部に転送されてしまうという不具合がある。
特に、固体撮像素子の高画素化が進み、電荷の高速転送が求められ、電荷の転送に充分な時間が無い場合には信号電荷が誤って第３水平電荷転送部に転送されてしまうことが増大するものと考えられる。
【０００９】
本発明は、以上の点に鑑みて創案されたものであって、第１のセンサ列に蓄積した電荷のみを出力部に転送する際に、他のセンサ列に蓄積した信号電荷が誤って出力部に転送されることを抑制できる固体撮像素子及びその駆動方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するために、本発明に係る固体撮像素子は、第１のセンサ列と、該第１のセンサ列に蓄積される信号電荷を転送するための第１の水平電荷転送部と、前記第１のセンサ列に並設された第２のセンサ列と、該第２のセンサ列に蓄積される信号電荷を転送するための第２の水平電荷転送部と、該第２の水平電荷転送部に並設され、第２の水平電荷転送部の信号電荷を選択的に排出するオーバーフロードレイン部とを備え、前記第１の水平電荷転送部と前記第２の水平電荷転送部は各々第１の電極と第２の電極を有し、更に前記第２の水平電荷転送部は、前記オーバーフロードレイン部に隣接する第３の電極と該第３の電極の信号電荷転送方向に隣接する第４の電極を有する固体撮像素子において、前記第２の水平電荷転送部の信号電荷を前記オーバーフロードレイン部に排出する際に、前記第３の電極に一定の電位を印加する回路を設けると共に、前記第４の電極に前記第３の電極に印加する電位よりも低電位である一定電位を印加する回路を設けた。
【００１１】
ここで、第２の水平電荷転送部の信号電荷をオーバーフロードレイン部に排出する際に、第３の電極に一定の電位を印加する回路を設けると共に、第４の電極に第３の電極に印加する電位よりも低電位である一定電位を印加する回路を設けることによって、第２の水平電荷転送部の信号電荷をオーバーフロードレイン部へ排出する際に第３の電極と第４の電極との間に電位差ができ、また、第２の水平電荷転送部の信号電荷をオーバーフロードレイン部へ排出している間にはこの電位差の関係が保たれる。
即ち、前記オーバーフロードレイン部に信号電荷を排出する前記第３の電極の電位をハイレベルのまま一定であることで、第４の電極との電位差が信号電荷にとっての出力部側への障壁となり、第２の水平電荷転送部の信号電荷が誤って出力部側に転送されることを抑制することができる。
【００１２】
また、上記の目的を達成するために、本発明に係る固体撮像素子の駆動方法は、第１のセンサ列と、該第１のセンサ列に蓄積される信号電荷を転送するための第１の水平電荷転送部と、前記第１のセンサ列に並設された第２のセンサ列と、該第２のセンサ列に蓄積される信号電荷を転送するための第２の水平電荷転送部と、該第２の水平電荷転送部に並設され、第２の水平電荷転送部の信号電荷を選択的に排出するオーバーフロードレイン部と、前記第１の水平電荷転送部と第２の水平電荷転送部より信号電荷が転送される第３の水平電荷転送部とを備え、前記第１の水平電荷転送部と前記第２の水平電荷転送部は各々第１の電極と第２の電極を有し、更に前記第２の水平電荷転送部は、前記オーバーフロードレイン部に隣接する第３の電極と該第３の電極の信号電荷転送方向に隣接する第４の電極を有する固体撮像素子の駆動方法において、前記第２の水平電荷転送部の信号電荷を前記オーバーフロードレイン部に排出する際に、前記第３の電極に一定の電位を印加すると共に、前記第４の電極に前記第３の電極に印加する電位より低電位である一定電位を印加する。
【００１３】
ここで、第２の水平電荷転送部の信号電荷をオーバーフロードレイン部に排出する際に、第３の電極に一定の電位を印加すると共に、第４の電極に第３の電極に印加する電位よりも低電位である一定電位を印加することによって、第２の水平電荷転送部の信号電荷をオーバーフロードレイン部へ排出する際に第３の電極と第４の電極との間に電位差ができ、また第２の水平電荷転送部の信号電荷をオーバーフロードレイン部へ排出している間にはこの電位差の関係が保たれる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の固体撮像素子及びその駆動方法によれば、第１のセンサ列に蓄積した信号電荷のみを出力部に転送する際に、他のセンサ列に蓄積した信号電荷が誤って出力部に転送されることを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明し、本発明の理解に共する。なお、以下では上記した従来のＣＣＤリニアセンサと同様に、メインセンサ列及びサブセンサ列を有し、２４００ｄｐｉ及び１２００ｄｐｉの解像度の信号を出力することができるＣＣＤリニアセンサを例に挙げて説明を行う。尚、出力する解像度が２４００ｄｐｉ及び１２００ｄｐｉに限定されることは無い。また、複数の水平電荷転送部があれば、必ずしも第3水平電荷転送部が存在する必要は無い。
【００１６】
図１は本発明を適用した固体撮像素子の一例であるＣＣＤリニアセンサを説明するための模式図である。ここで示すＣＣＤリニアセンサ１は上記した従来のＣＣＤリニアセンサと同様に２４００ｄｐｉ及び１２００ｄｐｉの解像度の信号を出力でき、メインセンサ列２、メインセンサ列から半ピッチずらして配置されたサブセンサ列３、メインセンサ列に隣接して設けられメインセンサ列で取り込んだ電荷を読み出す第１読み出しゲート４、サブセンサ列に隣接して設けられサブセンサ列で取り込んだ電荷を読み出す第２読み出しゲート５、第１読み出しゲートに隣接して設けられ第１読み出しゲートによって読み出された電荷を出力部側に転送する第１水平電荷転送部６、第２読み出しゲートに隣接して設けられ第２読み出しゲートによって読み出された電荷を出力部側に転送する第２水平電荷転送部７、第１水平電荷転送部及び第２水平電荷転送部に接続し、前記第１水平電荷転送部及び前記第２水平電荷転送部から転送された信号電荷を出力部側に転送する第３水平電荷転送部８及び１２００ｄｐｉの解像度の信号を出力する際にサブセンサ列で取り込んだ電荷を排出するオーバーフロードレイン９を備える。
【００１７】
図２は本発明を適用した固体撮像素子の一例であるＣＣＤリニアセンサに内蔵され、図１中符号ｅで示すＨφ５に与える駆動パルスを出力するスイッチ回路（１）の一例を説明するための模式図であり、ここで示すスイッチ回路（１）はスイッチ（１）１０とスイッチ（２）１１を有し、スイッチ（１）はオンの状態でスイッチ回路（１）への入力信号をスイッチ回路（１）から出力できる位置に配置され、スイッチ（２）はオンの状態でスイッチ回路（１）への入力信号とは無関係に一定のローレベル（以下、Ｌレベルと言う）電圧、例えばグランドレベルの信号をスイッチ回路（１）から出力できる位置に配置されている。
ここで、スイッチ回路（１）に与えられるスイッチ回路制御パルスがＬレベルの時には、スイッチ（１）はオン、スイッチ（２）はオフの状態となり、スイッチ回路（１）に入力された信号をそのままスイッチ回路（１）から出力できる様に構成されている。また、スイッチ回路（１）に与えられるスイッチ回路制御パルスがハイレベル（以下、Ｈレベルと言う）の時には、スイッチ（１）はオフ、スイッチ（２）はオンの状態となり、例えばＬレベルの電圧としてグランドレベルの信号がスイッチ回路（１）から出力できる様に構成されている。
なお、図２中符号ｘ１はスイッチ回路（１）に入力される信号を示し、図２中符号ｙ１はスイッチ回路（１）から出力される信号を示している。
【００１８】
また、図３は本発明を適用した固体撮像素子の一例であるＣＣＤリニアセンサに内蔵され、図１中符号ｔで示すＨφ６に与える駆動パルスを出力するスイッチ回路（２）の一例を説明するための模式図であり、ここで示すスイッチ回路（２）はスイッチ（３）１２とスイッチ（４）１３を有し、スイッチ（３）はオンの状態でスイッチ回路（２）への入力信号をスイッチ回路（２）から出力できる位置に配置され、スイッチ（４）はオンの状態でスイッチ回路（２）への入力信号とは無関係に一定のＨレベル電圧、例えば５Ｖの電圧をスイッチ回路（２）から印加できる。
ここで、スイッチ回路（２）に与えられるスイッチ回路制御パルスがＬレベルの時には、スイッチ（３）はオン、スイッチ（４）はオフの状態となり、スイッチ回路（２）に入力された信号をそのままスイッチ回路（２）から出力できる様に構成されている。また、スイッチ回路（２）に与えるスイッチ回路制御パルスがＨレベルの時には、スイッチ（３）はオフ、スイッチ（４）はオンの状態となり、例えばＨレベルの電圧として５Ｖの電圧がスイッチ回路（２）から印加できる様に構成されている。
なお、図３中符号ｘ２はスイッチ回路（２）に入力される信号を示し、図３中符号ｙ２はスイッチ回路（２）から出力される信号を示している。
【００１９】
上記の様なスイッチ回路（１）及びスイッチ回路（２）が内蔵されたＣＣＤリニアセンサでは、図１中符号ａで示すＨφ１に図４中符号ｆで示すタイミングで駆動パルスが与えられ、図１中符号ｂで示すＨφ２に図４中符号ｇで示すタイミングで駆動パルスが与えられ、図１中符号ｃで示すＨφ３に図４中符号ｈで示すタイミングで駆動パルスが与えられ、図１中符号ｄで示すＨφ４に図４中符号ｉで示すタイミングで駆動パルスが与えられる。
また、スイッチ回路（１）に図４中符号ｆで示すタイミングの駆動パルスが入力ｘ１として与えられ、スイッチ回路（２）に図４中符号ｇで示すタイミングの駆動パルスが入力ｘ２として与えられる。
【００２０】
さて、上記の様に駆動パルスが与えられたＣＣＤリニアセンサで２４００ｄｐｉの解像度の信号を得る場合には、スイッチ回路（１）及びスイッチ回路（２）にＬレベルのスイッチ回路制御パルスを与える。
即ち、スイッチ回路（１）にＬレベルのスイッチ回路制御パルスを与えることにより、スイッチ回路（１）に入力した図４中符号ｆで示すタイミングの駆動パルスをスイッチ回路（１）から出力し、Ｈφ５に図４中符号ｆで示すタイミングの駆動パルスを与えると共に、スイッチ回路（２）にＬレベル信号のスイッチ回路制御パルスを与えることにより、スイッチ回路（２）に入力した図４中符号ｇで示すタイミングの駆動パルスをスイッチ回路（２）から出力し、Ｈφ６に図４中符号ｇで示すタイミングの駆動パルスを与えることによって、ＣＣＤリニアセンサから２４００ｄｐｉの解像度を有する信号を出力する。
【００２１】
また、１２００ｄｐｉの解像度の信号を得る場合には、スイッチ回路（１）及びスイッチ回路（２）にＨレベルのスイッチ回路制御パルスを与える。
即ち、グランドレベル電位をスイッチ回路（１）から出力し、Ｈφ５にグランドレベル電位を与えると共に、５Ｖの電位をスイッチ回路（２）から出力し、Ｈφ６に５Ｖの電位を与えることによって、ＣＣＤリニアセンサから１２００ｄｐｉの解像度を有する信号を出力する。
【００２２】
ここで、本発明を適用した固体撮像素子の一例であるＣＣＤリニアセンサでは、スイッチ回路（１）及びスイッチ回路（２）が内蔵されており、これらのスイッチ回路にスイッチ回路制御パルスを与えることによってＨφ５及びＨφ６に与える駆動パルスのタイミングを制御しているのであるが、必ずしもスイッチ回路（１）及びスイッチ回路（２）をＣＣＤリニアセンサに内蔵する必要は無く、Ｈφ５及びＨφ６に与える駆動パルスのタイミングをＣＣＤリニアセンサの外部で制御を行っても構わない。
但し、ＣＣＤリニアセンサの外部においてＨφ５及びＨφ６に与える駆動パルスのタイミングを制御するチップを他に設ける必要があり、ＣＣＤリニアセンサを組み込んだ機器において製造コストや設置スペース等の点で不都合があると考えられるために、スイッチ回路（１）及びスイッチ回路（２）がＣＣＤリニアセンサに内蔵された方が好ましい。
【００２３】
また、本発明を適用した固体撮像素子の一例であるＣＣＤリニアセンサでは、第１水平電荷転送部及び第２水平電荷転送部が５ＭＨｚで電荷の転送を行うのに対して、第３水平電荷転送部は１０ＭＨｚで電荷の転送を行う様に構成されており、２４００ｄｐｉの解像度の信号を出力する際には、第１水平電荷転送部及び第２水平電荷転送部により転送された電荷を第３水平電荷転送部で加算して転送するために、第１水平電荷転送部及び第２水平電荷転送部が５ＭＨｚで電荷を転送するのであれば第３水平電荷転送部は１０ＭＨｚで電荷を転送する必要があるが、１２００ｄｐｉの解像度の信号を出力する際には、第１水平電荷転送部により転送された電荷のみを第３水平電荷転送部で転送するために、第３水平電荷転送部は必ずしも電荷を１０ＭＨｚで転送を行う必要は無く、第１水平電荷転送部と同様に電荷を５ＭＨｚで転送しても構わない。
【００２４】
上記した本発明を適用した固体撮像素子の一例であるＣＣＤリニアセンサでは、サブセンサ列の出力をオーバーフロードレインに転送する場合に、Ｈφ５をグランド電位に固定すると共に、Ｈφ６の電位を５Ｖに固定しているために、サブセンサ列の出力が出力部側に誤って転送されることを抑制できる。
即ち、Ｈφ６に与える駆動パルスがＨレベルとＬレベルとを繰り返す従来のＣＣＤリニアセンサと比較して、Ｈφ５とＨφ６の間に電位差ができ、オーバーフロードレインに信号電荷を排出するHφ６がハイレベルのまま一定であることで、Hφ５との電位差が信号電荷にとっての出力部側への障壁となり、第２のセンサ列の出力が誤って出力部側に転送されることを抑制することができる。
【００２５】
また、上記した本発明を適用した固体撮像素子の位置であるＣＣＤリニアセンサでは、Ｈφ５及びＨφ６に与える駆動パルスのタイミングを制御するスイッチ回路を内蔵しているために、駆動タイミングの入り切り、及び特定電圧（例えばHφ５に与えるグランドレベル電圧等のＤＣ電圧）への切替をＣＣＤリニアセンサのチップ内で行う為、該チップ外部より切替を行う命令信号を入力するだけで汎用のタイミングジェネレータを使用でき、ＣＣＤリニアセンサを組み込んだ機器においてコストダウンが図れると共に使いやすさの向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明を適用した固体撮像素子の一例であるＣＣＤリニアセンサを説明するための模式図である。
【図２】図１中符号ｅで示すＨφ５に与える駆動パルスを出力するスイッチ回路（１）を説明するための図である。
【図３】図１中符号ｔで示すＨφ６に与える駆動パルスを出力するスイッチ回路（２）を説明するための図である。
【図４】本発明を適用した固体撮像素子の一例であるＣＣＤリニアセンサに与える各駆動パルスの動作タイミングを説明するための図である。
【図５】従来のＣＣＤリニアセンサを説明するための模式図である。
【図６】従来のＣＣＤリニアセンサに与える各駆動パルスの動作タイミングを説明するための図である。
【符号の説明】
【００２７】
１    ＣＣＤリニアセンサ
２    メインセンサ列
３    サブセンサ列
４    第１読み出しゲート
５    第２読み出しゲート
６    第１水平電荷転送部
７    第２水平電荷転送部
８    第３水平電荷転送部
９    オーバーフロードレイン
１０    スイッチ（１）
１１    スイッチ（２）
１２    スイッチ（３）
１３    スイッチ（４）
【図１】
2005094387.tif 000003
【図２】
2005094387.tif 000004
【図３】
2005094387.tif 000005
【図４】
2005094387.tif 000006
【図５】
2005094387.tif 000007
【図６】
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