(57)【要約】【課題】本発明の課題は、高感度のめっきレジスト層用材料を用いたセミアディティブ法による回路基板の製造方法を提供することにある。また、孔を有する回路基板を製造するにあたって、孔の形状や、露光工程の位置合わせ精度に影響されず、確実に孔部分にはめっきレジスト層が形成されない方法を提供する。【解決手段】貫通孔および／または非貫通孔を有していても良い絶縁性基板表面に第一金属導電層を設け、回路未形成部にめっきレジスト層を形成する工程と、電解めっきを行って第一金属導電層が露出する部分の表面に第二金属導電層を形成する工程と、該めっきレジスト層を除去する工程と、該めっきレジスト層下の第一金属導電層をエッチング除去して回路を形成する工程とからなる回路基板の製造方法において、第一金属導電層上に設けた第一樹脂層上に静電潜像を形成する工程、回路未形成部に相当する部分の第一樹脂層上に第二樹脂層を形成する工程、回路形成部に相当する第一樹脂層を除去する工程により、該めっきレジスト層を形成することを特徴とする回路基板の製造方法。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板表面に第一金属導電層を設け、回路未形成部にめっきレジスト層を形成する工程と、電解めっきを行って第一金属導電層が露出する部分の表面に第二金属導電層を形成する工程と、該めっきレジスト層を除去する工程と、該めっきレジスト層下の第一金属導電層をエッチング除去して回路を形成する工程とからなる回路基板の製造方法において、第一金属導電層上に設けた第一樹脂層上に静電潜像を形成する工程、回路未形成部に相当する部分の第一樹脂層上に第二樹脂層を形成する工程、回路形成部に相当する第一樹脂層を除去する工程により、該めっきレジスト層を形成することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
貫通孔および／または非貫通孔を有する絶縁性基板の孔内壁を含む表面に第一金属導電層を設け、回路未形成部にめっきレジスト層を形成する工程と、電解めっきを行って第一金属導電層が露出する部分の表面に第二金属導電層を形成する工程と、該めっきレジスト層を除去する工程と、該めっきレジスト層下の第一金属導電層をエッチング除去して回路を形成する工程とからなる回路基板の製造方法において、第一金属導電層上に第一樹脂層を設ける工程、第一樹脂層上に静電潜像を形成する工程、回路未形成部に相当する部分の第一樹脂層上に第二樹脂層を形成する工程、孔上および回路形成部の第一樹脂層を除去する工程により、該めっきレジスト層を形成することを特徴とする回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セミアディティブ法における回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路基板を製造する方法としては、サブトラクティブ法、アディティブ法、セミアディティブ法が知られている。サブトラクティブ法によって微細回路を形成する場合、金属導電層のサイドエッチングによる画線の細り等があるため、微細回路に対して不利とされている。一方、アディティブ法は、微細回路に対しては有利であるが、無電解めっきで全ての金属導電層を形成するため、製造コストが高いという問題がある。セミアディティブ法は、多工程であるが、高速作業が可能な電解めっきを使用することができるために、微細回路製造方法として、優位に用いることができる。
【０００３】
セミアディティブ法で、回路基板を製造する一例を挙げる。まず、絶縁性基板（図１８）に薄い第一金属導電層を設ける（図１９）。次いで、回路未形成部にめっきレジスト層を形成する（図２０）。続いて、電解めっき処理により、第一金属導電層が露出する部分の表面に第二金属導電層を形成する（図２１）。その後、該レジスト層を除去し（図２２）、該レジスト層下の薄い第一金属導電層をエッチング除去して回路基板を形成する（図２３）。
【０００４】
めっきレジスト層は、スクリーン印刷法、感光性材料を用いた露光現像工程を有するフォトファブリケーション法、インクジェット法等によって形成することができるが、高密度化に対応するには、フォトファブリケーション法を優位に用いることができる。フォトファブリケーション法としては、ネガ型（光架橋型）もしくはポジ型（光分解型）フォトレジストを用いた方法が一般的である。フォトファブリケーション法のひとつであり、フォトレジストよりも感度が高い電子写真法によってめっきレジスト層を形成する方法がアディティブ法で開示されているが、セミアディティブ法への応用例は無い（例えば、特許文献１）。
【０００５】
ところで、近年の電子機器の小型、多機能化に伴い、回路基板も高密度化や配線パターンの微細化が進められており、そのような条件を達成する手段としては、回路基板の多層化が挙げられる。図２４や２５で示したように、複数の配線層を積層して形成した回路基板は、一般にスルーホール９、バイアホール１０、インタースティシャルバイアホール１６と呼ばれる、内壁を金属導電層で被覆したあるいは充填した貫通孔、非貫通孔（以下、孔）といった細孔を通じて各層間の導通が行われている。
【０００６】
図２６は、孔を上部から見た概略図である。孔１７の周囲にランド１８と呼ばれる金属導電層が形成されている。ランドは角形、円形、楕円形、異形等、種々の種類があるが、占有面積あるいは設計面の使いやすさから、円形を用いることが多い。また、高密度化に対応するためには、ランドレスもしくは狭小ランド幅の孔が必要とされている。
【０００７】
セミアディティブ法で、孔を有する回路基板を製造するには、まず、孔６を有する絶縁性基板（図２７）に薄い第一金属導電層を設ける（図２８）。次いで、回路未形成部にめっきレジスト層を形成する（図２９）。続いて、電解めっき処理により、第一金属導電層が露出する部分の表面に第二金属導電層を形成する（図３０）。その後、該レジスト層を除去し（図３１）、該レジスト層下の薄い第一金属導電層をエッチング除去して回路基板を形成する（図３２）。セミアディティブ法では、電解めっき処理により孔内部に第二金属導電層を設けるため、孔部分にめっきレジスト層が形成されていない状態が必要である。
【０００８】
ネガ型（光架橋型）ドライフィルムフォトレジストを用いた場合、図３３に示したように、孔およびランド部は遮光して、ネガ型（光架橋型）ドライフィルムフォトレジストが架橋しないようにし、未反応ドライフィルムフォトレジストを除去して、孔部およびランド部にはめっきレジスト層が無い状態とする。これら工程では、孔の穴開け加工や露光工程の位置合わせが重要となり、特に、高密度回路基板で要求されるランドレスおよび狭小ランド幅の孔では、非常に高い位置合わせ精度が必要となる。
【０００９】
例えば、図３４（ｂ）に示したように、広大ランド幅の場合に、Ｘの距離だけ位置ずれが発生したとしても、孔部分は完全に遮光された状態となってネガ型（光架橋型）ドライフィルムフォトレジストは架橋されないが、図３４（ａ）に示したように、狭小ランド幅の場合には、孔とランドが同距離Ｘだけずれると、ランドが孔部分から切れ、全ての外周に渡って狭小ランドが存在する孔を形成することができないという問題がある。
【００１０】
ランドレスの孔を製造する場合、位置合わせ精度の許容範囲を広げるために、図３５に示したように、孔中央部のネガ型（光架橋型）ドライフィルムフォトレジストのみを露光せず、図３６に示したように、めっきレジスト層を孔内部に突出させた状態にする方法が開示されている。図３７（ｂ）に示したように、大孔径の孔の場合、Ｙの距離だけ遮光部の位置ずれが発生したとしても、孔の一部が遮光された状態となる。しかし、図３７（ａ）に示したように、小孔径の孔の場合、遮光部が同距離Ｙだけずれると、遮光部が孔からはずれてしまうために、孔部のネガ型（光架橋型）ドライフィルムフォトレジストが架橋されてしまい、孔部のめっきレジスト層が除去されないという問題が発生する（例えば、特許文献２参照）。
【００１１】
穴開け加工の精度、基板の伸縮、露光用フォトマスクの寸法変化等が原因となって、位置合わせ精度には限界があるのが実情である。また、高密度回路基板上に形成される孔の径は多種類で、孔数も極めて多いために、全ての孔に対して精確に位置合わせを行うことは非常に困難である。したがって、高密度回路基板ではランドレスや狭小ランド幅の孔が求められているにもかかわらず、狭小ランド幅の孔の場合には孔部の遮光が確実に行われてネガ型（光架橋型）ドライフィルムフォトレジストが架橋しないようにするためには、ランド幅を大きく設計しなければならないという問題が発生している（例えば、特許文献３）。また、ランドレスの孔の場合には孔部内での遮光が確実に行われてネガ型（光架橋型）ドライフィルムフォトレジストが架橋しないようにするためには、遮光部を小さく設計しなければならず、そのためにめっき液が孔内に侵入しづらくなり、めっきがされないという問題が発生している。
【００１２】
めっきレジスト層を形成する方法として、電着フォトレジストを用いる方法も知られている。これは、図３８に示したように、電着塗装法によって孔内壁を含む金属導電層上に一様に電着フォトレジスト層を設け、次に、フォトマスクを介して露光し、現像することで、めっきレジスト層を設ける方法である。
【００１３】
電着フォトレジストには、ネガ型（光架橋型）とポジ型（光分解型）がある。ポジ型（光分解型）の場合は、露光してフォトレジストを分解させる必要があるが、円柱形状のスルーホール９では孔内を露光できず、内部の電着フォトレジストを完全に分解することができないため、めっきレジスト層として使用することができない。テーパー形状のバイアホール１０ではランドの無いパターンのみのフォトマスクを用いて、ランドレスの孔を形成することができるが、孔内部の電着フォトレジストを完全に分解できないという問題がある。
【００１４】
また、狭小ランド幅の孔を製造する場合、ランド部を露光するように設計されたフォトマスクを使用するが、上述のネガ型（光架橋型）ドライフィルムフォトレジストで説明したのと同様に、位置合わせ精度の問題があるため、ランドの位置が図３４（ａ）に示したようにずれてしまうという問題があり、全ての外周に渡って狭小ランドが存在する孔を形成することはできない。したがって、ランド幅を大きくしなければならず、ランドの狭小化に対応できないという問題がある。
【００１５】
一方、ネガ型（光架橋型）電着フォトレジストの場合は、孔内部は露光する必要が無いので、ランドの無いパターンのみのフォトマスクを用いて、ランドレスの孔を形成する手段として有効であると言われている。円柱形状のスルーホールでは光が侵入しないために、孔内壁のネガ型（光架橋型）フォトレジスト層を除去することが可能である。しかし、テーパー形状のバイアホールでは、部分的に光が侵入するため、孔の内壁および底面全てのめっきレジスト層を除去することができないという問題があった。したがって、スルーホールとバイアホールが共存している回路基板の場合、回路基板に存在する全ての孔のめっきレジスト層を除去することが不可能であった。
【００１６】
また、ネガ型（光架橋型）電着フォトレジストを用いて狭小ランド幅の孔を製造する場合、ランド部を露光するように設計されたフォトマスクを使用するが、上述のネガ型（光架橋型）ドライフィルムフォトレジストで説明したのと同様に、位置合わせ精度の問題があるため、ランドの位置が図３４（ａ）に示したようにずれてしまうという問題がある。また、スルーホール９では孔内に光が入らないため、位置ずれがあっても孔内部のネガ型（光架橋型）電着フォトレジストは架橋しないが、全ての外周に渡って狭小ランドが存在する孔を形成することはできず、バイアホール１０では、孔内が露光されてしまうため、孔内部のネガ型（光架橋型）電着フォトレジストが架橋されてしまうという問題もある。したがって、ランド幅をおおきくしなければならず、ランドの狭小化に対応できないという問題がある。
【００１７】
なお、電子写真法でアディティブ法のめっきレジスト層を形成する従来技術では、孔を有する回路基板の応用については記載されていない（例えば、特許文献１）。
【００１８】
【特許文献１】特開平７−２４５４６８号公報
【特許文献２】特開平１０−１７８０３１号公報
【特許文献３】特開平７−７２６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
本発明の課題は、高感度のめっきレジスト層用材料を用いたセミアディティブ法による回路基板の製造方法を提供することにある。また、孔を有する回路基板を製造するにあたって、孔の形状や、露光工程の位置合わせ精度に影響されず、確実に孔部分にはめっきレジスト層が形成されない方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、絶縁性基板に第一金属導電層を設け、回路未形成部にめっきレジスト層を形成する工程と、電解めっきを行って第一金属導電層が露出する部分の表面に第二金属導電層を形成する工程と、該めっきレジスト層を除去する工程と、該めっきレジスト層下の第一金属導電層をエッチング除去して回路を形成する工程とからなる回路基板の製造方法において、第一金属導電層上に設けた第一樹脂層上に静電潜像を形成する工程、回路未形成部に相当する部分の第一樹脂層上に第二樹脂層を形成する工程、回路形成部に相当する第一樹脂層を除去する工程により、該めっきレジスト層を形成すれば良いことを見出した。
【００２１】
また、貫通孔および／または非貫通孔を有する絶縁性基板の孔内壁を含む表面に第一金属導電層を設け、回路未形成部にめっきレジスト層を形成する工程と、電解めっきを行って第一金属導電層が露出する部分の表面に第二金属導電層を形成する工程と、該めっきレジスト層を除去する工程と、該めっきレジスト層下の第一金属導電層をエッチング除去して回路を形成する工程とからなる回路基板の製造方法において、第一金属導電層上に第一樹脂層を設ける工程、第一樹脂層上に静電潜像を形成する工程、回路未形成部に相当する部分の第一樹脂層上に第二樹脂層を形成する工程、孔上および回路形成部に相当する第一樹脂層を除去する工程により、該めっきレジスト層を形成すれば良いことを見出した。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の回路基板の製造方法では、第一金属導電層上に設けた第一樹脂層上に静電潜像を形成する工程、回路未形成部に相当する部分の第一樹脂層上に第二樹脂層を形成する工程、回路形成部に相当する第一樹脂層を除去する工程によってめっきレジスト層を形成する。このめっきレジスト層を形成する工程は、いわゆる電子写真法を利用したものである。電子写真法は、フォトレジストよりも感度が高いことが知られており、露光時間を短くできる、エネルギーの小さい安価な露光装置を使用することができるといった利点を有する。
【００２３】
本発明の回路基板の製造方法においては、孔を有する回路基板を製造する場合には、以下の機構により、確実に孔部分にめっきレジスト層が形成されない状態とすることができる。
【００２４】
第一樹脂層上に静電潜像を形成する工程は、従来型工程とメモリー型工程に大別される。従来型では、第一樹脂層上を略一様に帯電し（図１２）、次いで露光処理を施して露光部の第一樹脂層に導電能を発現させて、露光部の帯電位を減少させる（図１３）ことで、静電潜像を形成する。メモリー型では、まず露光処理を施して露光部の第一樹脂層に導電能を発現させ（図１４）、次いで第一樹脂層上に帯電処理を施し、未露光部の第一樹脂層を帯電させて、静電潜像を形成する（図１５）。
【００２５】
図１２および図１５で示したように、従来型においても、メモリー型においても、空気や絶縁性基板等の絶縁層上に設けられた第一樹脂層と、第一金属導電層上に設けられた第一樹脂層とに対し、同一条件の下で帯電処理を施した場合、絶縁層上に設けられた第一樹脂層上の帯電位の絶対値が、第一金属導電層上に設けられた第一樹脂層上の絶対値よりも大きくなるという特徴がある。図１２、１３および図１５においては、正に帯電させた例を示し、帯電位の大きさを字の大きさで表している。
【００２６】
また、露光によって第一樹脂層の導電能を発現させた場合、第一樹脂層の下層が第一金属導電層の場合は速やかに帯電位の絶対値が減少するが、下層が絶縁層（空気）の場合には帯電位の絶対値が減少しにくいという特徴がある。したがって、露光工程時に位置ずれがあって、孔部が露光された場合でも、孔上の帯電位の絶対値は減少することがないため、孔上の第一樹脂層上は常に帯電された状態とすることができる。
【００２７】
孔上の第一樹脂層と、回路形成部に相当する第一金属導電層上の第一樹脂層とが帯電された静電潜像を形成し、適当な条件における電着法等の手段で第二樹脂層を形成すると、帯電位の絶対値が低い露光部の第一樹脂層上にのみ第二樹脂層を形成することができる。第二樹脂層を設けた後、第一樹脂層除去液で除去すると、回路形成部に相当する第一樹脂層と共に孔上の第一樹脂層とを確実に除去することができる。
【００２８】
孔上の第一樹脂層を除去する際に、第一樹脂層の除去量を調整することで、図１６〜１７に示したように、任意にランド幅を調整することができる。また、この方法によると、孔のランドは図２６のように、均一な幅を有するものとなる。
【００２９】
このように本発明の回路基板の製造方法では、孔部にめっきレジスト層が無い状態を容易に形成することが可能であり、その際にランド幅を調整することも可能である。したがって、露光工程における位置合わせ精度の許容範囲が広いという秀逸な効果をもたらす。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明を詳説する。図１〜図１１は、本発明の回路基板の製造方法の一形態として、孔を有する回路基板の製造方法を、工程順に示した断面図である。貫通孔を例にとって説明するが、非貫通孔でも以下に説明するのと同様の方法で、回路基板を製造することができる。また、スルーホールとバイアホールが共存しているようなビルドアップ基板であっても同様な方法で製造することができる。
【００３１】
まず、図１〜図２に示したように、絶縁性基板１に貫通孔６を形成する。次いで、絶縁性基板１表面に薄い第一金属導電層２を設ける（図３）。第一金属導電層上にめっきレジスト層を形成する。めっきレジスト層の形成は、まず、図４に示したように、第一金属導電層２上に第一樹脂層７を形成する。続いて、第一樹脂層７上に正または負の静電潜像を形成し（図５）、該静電潜像を利用して、回路未形成部に電着法等の手段によって第二樹脂層８を形成した後（図６）、定着させる（図７）。続いて、第一樹脂層除去液によって、回路形成部に相当する第一樹脂層７と、孔部の第一樹脂層７を除去する（図８）。
【００３２】
めっきレジスト層を形成した後、電解めっきにより、第一金属導電層２が露出する部分の表面に第二金属導電層４を形成する（図９）。その後、めっきレジスト層を除去し（図１０）、該めっきレジスト層下の薄い第一金属導電層２をエッチング除去して回路基板を形成する（図１１）。
【００３３】
本発明の回路基板の製造方法において、図５に示した静電潜像を形成する工程は、第一樹脂層を帯電後露光する従来型工程と、第一樹脂層を露光後帯電するメモリー型工程に大別される。
【００３４】
従来型工程は、まず、暗中もしくはセーフライト中で、第一樹脂層表面を略均一に正または負に帯電した後（図１２）、露光により、第一樹脂層の導電能を発現させて、露光部の帯電量を減少させることによって、回路パターンに対応する静電潜像を形成させる（図１３）。次いで、第二樹脂層を形成する樹脂からなる帯電粒子を静電潜像に沿って、電着・定着させて、回路未形成部に第二樹脂層を形成する。従来型において、第一樹脂層中の感光体としては、例えば、西独特許第一１１７３９１号公報、同第二５２６７２０号公報、同第３２１０５７７号公報、特開昭５２−２４３７号公報、同５７−４８７３６号公報、同５９−１６８４６２号公報、特開昭６３−１２９６８９号公報、特開２００１−３５２１４８号公報等に記載されているものを使用することができる。
【００３５】
メモリー型工程は、暗中もしくはセーフライト中で、回路パターンに対応した露光処理を行って、露光部に導電能を発現させた後（図１４）、第一樹脂層表面を正または負に帯電処理を行って、未露光部の第一樹脂層表面を帯電させて、回路パターンに対応する静電潜像を形成させる（図１５）。次いで、第二樹脂層を形成する樹脂からなる帯電粒子を静電潜像に沿って、電着・定着させて、回路未形成部に第二樹脂層を形成する。メモリー型では、特開２００２−１５８４２２号公報、特開２００２−２３４７０号公報記載の感光体を第一樹脂層として、使用することができる。
【００３６】
帯電方法は、従来からコロトロン方式及びスコロトロン方式等の非接触帯電方法、また導電ロール帯電等の接触帯電方法が知られており何れの方式を採用しても良い。
【００３７】
露光方法は、レーザー直接描画、フォトマスクを介した密着露光、投影露光によって行われる。超高圧水銀灯、高圧水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ等を用いることができる。
【００３８】
第一樹脂層は、第一樹脂層除去液に可溶で、電解めっき液に不溶な樹脂であり、かつ、帯電能を有する樹脂を含有する。第一樹脂層は、バーコート法、ロールコート法、カーテンコート法、スプレーコート法、剥離基材からの転写法、浸漬法、電着法等の塗布方法で、第一金属導電層上に設けることが可能である。
【００３９】
貫通孔および／または非貫通孔を有する回路基板を製造する場合、第一樹脂層でこれら孔を穴埋めもしくはテンティングによって、塞いでおく必要がある。したがって、第一樹脂層は、剥離基材からの熱圧着による転写法で形成することが好ましい。第一樹脂層で孔が塞がれないで、第一金属導電層が露出している場合、第二樹脂層が第一金属導電層上に形成されてしまうので、電解めっきによって孔内に第二金属導電層が均一に形成されなくなるという問題が発生する。
【００４０】
第二樹脂層は、第一樹脂層除去液および電解めっき液に不要な樹脂を含有する。第二樹脂層は、帯電粒子を用いて電着法によって形成することが好ましい。第二樹脂層の成分は、たとえば、水溶性電着樹脂や電子写真に使用する湿式トナー樹脂を使用することができる。水溶性電着樹脂としては、適当な酸価を有する高分子を主成分とし、有機アミン等で中和されて、水分散性樹脂となり、水中において巨大な帯電したコロイド粒子を形成して成るものがある。電子写真に使用する湿式トナー樹脂の成分としては、電気絶縁性の液体中に分散された樹脂粒子が挙げられ、樹脂粒子の具体的な例は、アクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂、ポリビニルブチラールの様なビニルアセタール樹脂、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレンおよびその塩化物、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンイソフタレート等のポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル変性アルキッド樹脂、ゼラチン、カルボキシメチルセルロース等のセルロースエステル誘導体等が挙げられる。粒子には電荷制御剤を含有させることができ、その荷電は、第一樹脂層の帯電極性に応じて正、負を使い分ける必要がある。
【００４１】
第二樹脂層の電着方法としては、静電潜像と逆極性の荷電を有する帯電粒子を用いて、帯電部に第二樹脂層を設ける正現像法と、静電潜像と同極性の荷電を有する帯電粒子を用いて、適当なバイアス電圧印加の下で、非帯電部に第二樹脂層を設ける反転現像法がある。貫通孔／非貫通孔を有しない回路基板を製造する場合には、どちらの現像方法を用いても良い。貫通孔／非貫通孔を有する場合、孔上の第一樹脂層、つまり帯電部には第二樹脂層を設けてはならないので、反転現像法を使用する。
【００４２】
電着法によって付着した帯電粒子は、加熱、圧力、光、溶剤等によって、第一樹脂層上に定着されて、第二樹脂層となる。この第二樹脂層をレジスト層として、第一樹脂層除去液で、回路形成部に相当する第一樹脂層を除去する。
【００４３】
本発明に係わる第一樹脂層除去液とは、第一樹脂層を溶解する溶液であり、使用する第一樹脂層の組成に見合った液を用いる。第一樹脂層除去液は、第二樹脂層を完全に溶解しないか、あるいは、多少第二樹脂層を溶解しても、回路形成部に相当する第一樹脂層を除去する工程中に第二樹脂層が膨潤したり、形状変化を起こしたりしない液であれば、いずれであってもよい。第一樹脂層にアルカリ可溶性の樹脂を用いた場合には、アルカリ水溶液が有用に使用され、例えば、ケイ酸アルカリ金属塩、アルカリ金属水酸化物、リン酸および炭酸アルカリ金属塩、リン酸および炭酸アンモニウム塩等の無機塩基性化合物の水溶液、エタノールアミン類、エチレンジアミン、プロパンジアミン類、トリエチレンテトラミン、モルホリン等の有機塩基性化合物等を用いることができる。これら水溶液は、第一樹脂層の溶解性を制御するため、濃度、温度、スプレー圧等を調整する必要がある。第一樹脂層除去液で処理した後、酸処理、水洗処理によって第一樹脂層溶解の余計な進行を停止させることが好ましい。
【００４４】
第一樹脂層除去液で孔上の第一樹脂層を除去する際に、図１６に示したように、孔周辺部の第一樹脂層の除去量を調整することで、孔のランド幅の制御をすることができる。また、図１７のように、孔上のみ第一樹脂層を除去した場合には、ランドレスの孔を製造することができる。
【００４５】
本発明に係わる絶縁性基板としては、紙基材フェノール樹脂やガラス基材エポキシ樹脂の基板、ポリイミドフィルム、液晶高分子フィルム等がその代表的なものである。これら絶縁性基板の例は「プリント回路技術便覧」（社団法人日本プリント回路工業会編、１９８７刊行、日刊工業新聞社刊）に記載されており、所望の絶縁性基板を使用することができる。
【００４６】
本発明に係わる絶縁性基板に第一金属導電層を設ける方法としては、無電解めっき法、絶縁性基板に金属箔等の極薄導電層を張り合わせる方法や、導電層を貼り合わせた積層板の該導電層をエッチング処理によって薄膜とする方法などがある。また、第二金属導電層は、第一金属導電層に対する電解めっき法によって形成することができる。第二金属導電層は、孔内の第一金属導電層上を被覆するだけであっても、孔を充填する状態であっても、いずれでも良い。
【００４７】
本発明に係わる第一金属導電層のエッチングに使用されるエッチング液は、第一金属導電層を溶解除去できるものであれば良い。例えば、アルカリ性アンモニア、硫酸−過酸化水素、塩化第二銅、過硫酸塩、塩化第二鉄、等の一般的なエッチング液を使用できる。また、装置や方法としては、例えば、水平スプレーエッチング、浸漬エッチング、等の装置や方法を使用できる。これらの詳細は、「プリント回路技術便覧」（社団法人日本プリント回路工業会編、１９８７年刊行、日刊工業新聞社発行）に記載されている。
【００４８】
以下、本発明を実施例により説明する。
【実施例１】
【００４９】
表１の組成からなる塗布液を用い、厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（三菱化学ポリエステルフィルム製）上に、カーテンコート法を用いて、第一樹脂層からなるフィルム（乾燥後のフィルム厚さ  ２０μｍ）を製造した。
【００５０】
【表１】
2005251946.tif 000002
【００５１】
【化１】
2005251946.tif 000003
【００５２】
ガラス基材エポキシ樹脂基板（面積３４０ｍｍ×５１０ｍｍ、基材厚み０．１ｍｍ）に、０．１５ｍｍφのスルーホールを開けた後、デスミア処理を施し、無電解めっき処理を行い、スルーホール内部を含む表面に厚さ０．５μｍの無電解銅めっき層を第一金属導電層として設けた。ドライフィルム用ラミネーターを用いて、上記第一樹脂層フィルムを基板両面に熱圧着し、第一金属導電層上に第一樹脂層を設けた。
【００５３】
第一樹脂層上に回路パターンを描画したフォトマスク（導体幅および間隙：５０μｍ）を載せ、吸引密着機構を有する焼付用高圧水銀灯光源装置（ユニレックＵＲＭ３００、ウシオ電機製）を用い、３０秒間紫外線露光を行った。さらに、基板を反転して、逆面の第一樹脂層に対しても同様に露光を行い、第一樹脂層表面上に導電能の差を誘起させた。
【００５４】
次いで、露光処理が終了した基板に対し、コロナ帯電装置（帯電トランス出力＋５．０Ｖ）を用いて、両面を帯電させ、静電潜像を形成した。帯電処理１分後の未露光部の表面電位は２５０Ｖ、露光部の表面電位は２０Ｖ、スルーホール密集部の表面電位は３７０Ｖであった。続いて、三菱ＯＰＣプリンティングシステム正電荷トナー（ＯＤＰ−ＴＷ、三菱製紙製）を用いて、バイアス電圧１７０Ｖを印加して、反転現像を行った。９０℃で２分間、トナーを熱定着し、露光部に第二樹脂層を得た。
【００５５】
第二樹脂層で被覆されていない第一樹脂層を、１質量％炭酸ナトリウム水溶液（３０℃、２０秒）を用いて溶出除去し、回路形成部に相当する第一金属導電層を露出させた。スルーホール部の第一樹脂層は、図１７に示したように全て除去されており、スルーホール内部の第一金属導電層が完全に露出していることを確認した。次いで、電解銅めっきを行って、第一金属導電層上に厚み１２μｍの電解銅めっき層を、第二金属導電層として形成した。続いて、２−プロピルアルコールで処理し、レジスト層として使用した第一樹脂層および第二樹脂層を剥離除去した。
【００５６】
さらに、硫酸−過酸化水素系のエッチング液（３０℃、スプレー圧  ２．０ｋｇ／ｃｍ２）で処理し、露出している第一金属導電層を除去した。得られた回路基板を顕微鏡で観察したところ、スルーホール内部にも均一に金属導電層が形成されていた。
【実施例２】
【００５７】
表１の組成からなる塗布液を用い、厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（三菱化学ポリエステルフィルム製）上に、カーテンコート法を用いて、第一樹脂層からなるフィルム（乾燥後のフィルム厚さ  ２０μｍ）を製造した。
【００５８】
ガラス基材エポキシ樹脂基板（面積３４０ｍｍ×５１０ｍｍ、基材厚み０．１ｍｍ）に、０．１５ｍｍφのスルーホールを開けた後、デスミア処理を施し、無電解めっき処理を行い、スルーホール内部を含む表面に厚さ０．５μｍの無電解銅めっき層を第一金属導電層として設けた。ドライフィルム用ラミネーターを用いて、上記第一樹脂層フィルムを基板両面に熱圧着し、第一金属導電層上に第一樹脂層を設けた。
【００５９】
第一樹脂層上に回路パターンを描画したフォトマスク（導体幅および間隙：５０μｍ）を載せ、吸引密着機構を有する焼付用高圧水銀灯光源装置（ユニレックＵＲＭ３００、ウシオ電機製）を用い、３０秒間紫外線露光を行った。さらに、基板を反転して、逆面の第一樹脂層に対しても同様に露光を行い、第一樹脂層表面上に導電能の差を誘起させた。
【００６０】
次いで、露光処理が終了した基板に対し、コロナ帯電装置（帯電トランス出力＋５．０Ｖ）を用いて、両面を帯電させ、静電潜像を形成した。帯電処理１分後の未露光部の表面電位は２５０Ｖ、露光部の表面電位は２０Ｖ、スルーホール密集部の表面電位は３７０Ｖであった。続いて、三菱ＯＰＣプリンティングシステム正電荷トナー（ＯＤＰ−ＴＷ、三菱製紙製）を用いて、バイアス電圧１７０Ｖを印加して、反転現像を行った。９０℃で２分間、トナーを熱定着し、露光部に第二樹脂層を得た。
【００６１】
第二樹脂層で被覆されていない第一樹脂層を、１質量％炭酸ナトリウム水溶液（３０℃、３５秒）を用いて溶出除去し、回路形成部に相当する第一金属導電層を露出させた。スルーホール上の第一樹脂層は全て除去されており、スルーホール内部の第一金属導電層が完全に露出していることを確認した。また、図１６に示したように、第一樹脂層がスルーホールと同心円状に除去されており、除去部分の径は１８１μｍであった。次いで、電解銅めっきを行って、第一金属導電層上に厚み１２μｍの電解銅めっき層を、第二金属導電層として形成した。続いて、２−プロピルアルコールで処理し、レジスト層として使用した第一樹脂層および第二樹脂層を剥離除去した。
【００６２】
さらに、硫酸−過酸化水素系のエッチング液（３０℃、スプレー圧  ２．０ｋｇ／ｃｍ２）で処理し、露出している第一金属導電層を除去した。得られた回路基板を顕微鏡で観察したところ、スルーホール内部にも均一に金属導電層が形成されていた。また、スルーホール周辺部に均一な幅を有するランドが形成されていた。ランド径は１８０μｍであった。
【実施例３】
【００６３】
両面銅張積層板（面積３４０ｍｍ×５１０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．１ｍｍ、三菱ガス化学製）をハーフエッチングし、銅厚２μｍとした。実施例１で製造した樹脂フィルムを、基板両面に熱圧着し、第一金属導電層上に第一樹脂層を設けた。
【００６４】
第一樹脂層表面に対し、コロナ帯電装置（帯電トランス出力＋５．０Ｖ）を用いて、両面を帯電させた。帯電処理１分後の表面電位は３２０Ｖであった。
【００６５】
第一樹脂層上に回路パターンを描画したフォトマスク（導体幅および間隙：５０μｍ）を載せ、吸引密着機構を有する焼付用高圧水銀灯光源装置（ユニレックＵＲＭ３００、ウシオ電機製）を用い、３０秒間紫外線露光を行った。さらに、基板を反転して、逆面の第一樹脂層に対しても同様に露光を行った。
【００６６】
続いて、負電荷トナーを用いて、正現像を行った。９０℃で２分間、トナーを熱定着し、非露光部に第二樹脂層を得た。
【００６７】
第二樹脂層で被覆されていない第一樹脂層を、１質量％炭酸ナトリウム水溶液（３０℃）を用いて溶出除去し、回路形成部に相当する第一金属導電層を露出させた。次いで、電解銅めっきを行って、第一金属導電層上に厚み１２μｍの電解銅めっき層を、第二金属導電層として形成した。続いて、２−プロピルアルコールで処理し、レジスト層として使用した第一樹脂層および第二樹脂層を剥離除去した。
【００６８】
さらに、硫酸−過酸化水素系のエッチング液（３０℃、スプレー圧  ２．０ｋｇ／ｃｍ２）で処理し、露出している第一金属導電層を除去した。得られた回路基板には断線等は確認されなかった。
【００６９】
（比較例 １）
ガラス基材エポキシ樹脂基板（面積３４０ｍｍ×５１０ｍｍ、基材厚み０．１ｍｍ）に、０．１５ｍｍφのスルーホールを開けた後、デスミア処理を施し、無電解めっき処理を行い、スルーホール内部を含む表面に厚さ０．５μｍの無電解銅めっき層を第一金属導電層として設けた。ドライフィルム用ラミネーターを用いて、市販のネガ型（光架橋性）ドライフィルムフォトレジストを熱圧着したのち、フォトマスクを介して、吸引密着機構を有する焼付用高圧水銀灯光源装置（ユニレックＵＲＭ３００、ウシオ電機製）を用い、３０秒間紫外線露光を行った。フォトマスクは、導体幅および間隔が５０μｍで、図３０に示したように、スルーホール部が完全に遮光されるようにするために、ランド径を０．３ｍｍφに設計したものを使用した。次いで、１質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温３５℃）にてアルカリ溶出を行うことにより、回路未形成部にめっきレジスト層を形成した。
【００７０】
次いで、電解銅めっきを行って、第一金属導電層が露出した部分の表面に、厚み１２μｍの第二金属導電層を形成した。次いで、４０℃の３質量％水酸化ナトリウム溶液で処理し、フォトレジスト層を除去した。続いて、硫酸−過酸化水素系のエッチング液（３０℃、スプレー圧：２．０ｋｇ／ｃｍ２）で処理し、第一金属導電層をエッチングし、回路基板を得た。得られた回路基板を顕微鏡で観察したところ、回路基板には断線等は確認されなかった。
【００７１】
（比較例 ２）
ガラス基材エポキシ樹脂基板（面積３４０ｍｍ×５１０ｍｍ、基材厚み０．１ｍｍ）に、０．１５ｍｍφのスルーホールを開けた後、デスミア処理を施し、無電解めっき処理を行い、スルーホール内部を含む表面に厚さ０．５μｍの無電解銅めっき層を第一金属導電層として設けた。ドライフィルム用ラミネーターを用いて、市販のネガ型（光架橋性）ドライフィルムフォトレジストを熱圧着したのち、フォトマスクを介して、吸引密着機構を有する焼付用高圧水銀灯光源装置（ユニレックＵＲＭ３００、ウシオ電機製）を用い、３０秒間紫外線露光を行った。フォトマスクは、回路形成部のパターン幅が５０μｍで、それと連結して、図３５に示したように、スルーホール部の中央部のみを露光しないようにするために、スルーホール部の遮光面積を０．０８ｍｍφに設計したものを使用した。次いで、１質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温３５℃）にてアルカリ溶出を行うことにより、回路未形成部にめっきレジスト層を形成した。めっきレジスト層を観察したところ、露光工程での位置合わせ不良が原因となり、孔部のドライフィルムフォトレジストの開口面積が小さくなっているスルーホールが確認された。
【００７２】
次いで、電解銅めっきを行って、第一金属導電層が露出した部分の表面に、厚み１２μｍの第二金属導電層を形成した。次いで、４０℃の３質量％水酸化ナトリウム溶液で処理し、フォトレジスト層を除去した。続いて、硫酸−過酸化水素系のエッチング液（３０℃、スプレー圧：２．０ｋｇ／ｃｍ２）で処理し、第一金属導電層をエッチングし、回路基板を得た。得られた回路基板を顕微鏡で観察したところ、孔内部の金属導電層の厚みが不均一な箇所および孔内の金属導電層が存在していない箇所があった。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
本発明は、プリント配線板、半導体装置等の回路基板の製造方法に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明の回路基板の製造方法における一工程を示す断面図。
【図２】本発明の回路基板の製造方法における図１に続く工程を示す断面図。
【図３】本発明の回路基板の製造方法における図２に続く工程を示す断面図。
【図４】本発明の回路基板の製造方法における図３に続く工程を示す断面図。
【図５】本発明の回路基板の製造方法における図４に続く工程を示す断面図。
【図６】本発明の回路基板の製造方法における図５に続く工程を示す断面図。
【図７】本発明の回路基板の製造方法における図６に続く工程を示す断面図。
【図８】本発明の回路基板の製造方法における図７に続く工程を示す断面図。
【図９】本発明の回路基板の製造方法における図８に続く工程を示す断面図。
【図１０】本発明の回路基板の製造方法における図９に続く工程を示す断面図。
【図１１】本発明の回路基板の製造方法における図１０に続く工程を示す断面図。
【図１２】本発明の回路基板の製造方法における一工程を示す断面図
【図１３】本発明の回路基板の製造方法における一工程を示す断面図
【図１４】本発明の回路基板の製造方法における一工程を示す断面図
【図１５】本発明の回路基板の製造方法における一工程を示す断面図
【図１６】本発明の回路基板の製造方法における一工程を示す断面図。
【図１７】本発明の回路基板の製造方法における一工程を示す断面図。
【図１８】セミアディティブ法による回路基板の製造方法における一工程を示す断面図。
【図１９】セミアディティブ法による回路基板の製造方法における図１８に続く工程を示す断面図。
【図２０】セミアディティブ法による回路基板の製造方法における図１９に続く工程を示す断面図。
【図２１】セミアディティブ法による回路基板の製造方法における図２０に続く工程を示す断面図。
【図２２】セミアディティブ法による回路基板の製造方法における図２１に続く工程を示す断面図。
【図２３】セミアディティブ法による回路基板の製造方法における図２２に続く工程を示す断面図。
【図２４】多層回路基板の一例を示す概略断面図。
【図２５】多層回路基板の一例を示す概略断面図。
【図２６】孔とランドを表した概略図。
【図２７】セミアディティブ法による回路基板の製造方法における一工程を示す断面図。
【図２８】セミアディティブ法による回路基板の製造方法における図２７に続く工程を示す断面図。
【図２９】セミアディティブ法による回路基板の製造方法における図２８に続く工程を示す断面図。
【図３０】セミアディティブ法による回路基板の製造方法における図２９に続く工程を示す断面図。
【図３１】セミアディティブ法による回路基板の製造方法における図３０に続く工程を示す断面図。
【図３２】セミアディティブ法による回路基板の製造方法における図３１に続く工程を示す断面図。
【図３３】従来技術である光架橋型ドライフィルムフォトレジストを用いた回路基板の製造方法において、露光工程を示した断面図。
【図３４】孔とランドの位置ずれを表した概略図。
【図３５】従来技術である光架橋型ドライフィルムフォトレジストを用いた回路基板の製造方法における一工程を示す断面図。
【図３６】従来技術である電着フォトレジストを用いた回路基板の製造方法における一工程を示す断面図。
【図３７】孔とフォトマスク遮光部の位置ずれを表した概略図。
【図３８】従来技術である電着フォトレジストを用いた回路基板の製造方法における一工程を示す断面図。
【符号の説明】
【００７５】
１  絶縁性基板
２  第一金属導電層
３  めっきレジスト層
４  第二金属導電層
５  めっきレジスト層
６  スルーホール（貫通孔）
７  第一樹脂層
８  第二樹脂層
９  スルーホール（貫通孔）
１０  バイアホール（非貫通孔）
１１  金属導電層
１２  金属導電層
１３  ドライフィルムフォトレジスト
１４  電着フォトレジスト層
１５  フォトマスク
１６  インタースティシャルバイアホール
１７  孔
１８  ランド
１９  フォトマスクの遮光部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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