(57)【要約】      （修正有）【課題】  プラスティックビーズを使用せずに表示性能および歩留りを向上させ、工程数を減少でき、安価なカラー表示型液晶表示素子を提供する。【解決手段】  対向基板（１３０）に設けられた柱状スペーサ（１３３）をアクティブマトリクス基板（１４０）の配線層、特に補助容量線（１５２）上に当接させることにより、絶縁の維持を図っている。スペーサを導電性着色層として電極転移部材として機能させることもできる。【選択図】  図９
2005234593.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一主面上に互いに交差するよう配列された複数の走査線および複数の信号線と、前記走査線及び前記信号線の交差部毎に形成され、当該走査線および信号線に接続されたとスイッチング素子と、このスイッチング素子ごとに接続された画素電極とを配設したアクティブマトリクス基板と、一主面上に共通電極、着色層よりなるカラーフィルタ、および前記着色層を少なくとも2色以上積層して形成された柱状突起をなすスペーサとを有する対向基板とを備え、前記スペーサが前記アクティブマトリクス基板の非画素部と画素部の境界部を含んで当接するように前記アクティブマトリクス基板および前記対向基板の主面どうしを対向させ、これらの間に液晶組成物を挟持した液晶表示素子。
【請求項２】
前記非画素部と画素部の境界領域に存在する画素電極の一部が除去されたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子。
【請求項３】
前記非画素部と画素部の境界領域に前記スイッチング素子の一部が含まれることを特徴とする言青求項１に記載の液晶表示素子。
【請求項４】
前記非画素部と画素部の境界領域内のスペーサの当接場所は、画素内でラビングの終端位置であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子。
【請求項５】
前記非画素部と画素部の境界領域内と当接するスペーサは青色のフィルタ位置に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子。
【請求項６】
一主面上に互いに交差するよう配列された複数の走査線および複数の信号線と、前記走査線及び前記信号線の交差部毎に形成され、当該走査線および信号線に接続されたスイッチング素子と、このスイッチング素子ごとに接続された画素電極と、画素電極との間で補助容量を与える補助容量線と、を配設したアクティブマトリクス基板と、一主面上に共通電極、着色層よりなるカラーフィルタ、および前記着色層を少なくとも2色以上積層して形成された柱状突起をなすスペーサとを有する対向基板とを備え、前記スペーサが前記補助容量線に対応した位置で前記アクティブマトリクス基板上に当接するように前記アクティブマトリクス基板および前記対向基板の主面どうしを対向させ、これらの間に液晶組成物を挟持した液晶表示素子。
【請求項７】
前記スペーサが導電性材料で形成され、前記アクティブマトリクス基板から前記対向基板に電圧を印加するための電極転移部材をなすことを特徴とする請求項６に記載の液晶表示素子。
【請求項８】
前記補助容量線が前記画素電極上に絶縁膜を介して形成されており、前記スペーサは前記補助容量線上に直接当接していることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示素子。
【請求項９】
前記補助容量線の上に絶縁膜を介して画素電極が形成されたことを特徴とする請求項６に記載の液晶表示素子。
【請求項１０】
前記補助容量線の上に前記画素電極が形成され、前記補助容量線に対応した位置の前記画素電極の上に絶縁膜が形成され、前記スペーサはこの絶縁膜と当接していることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示素子。
【請求項１１】
前記補助容量線に対応した画素電極部分が除去され、前記スペーサは前記絶縁膜と当接することを特徴とする請求項９に記載の液晶表示素子。
【請求項１２】
前記補助容量線に対応した画素電極部分およびその下の絶縁膜部分が除去され、前記スペーサは前記補助容量線と当接することを特徴とする請求項９に記載の液晶表示素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は液晶表示素子に係り、表示性能が良く、歩留りが高く、工程数の少ない液晶表示素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、一般的に用いられている液晶表示素子は、電極を有する２枚のガラス基板を対向させて、その２枚の基板の周囲が液晶封入口を除いて接着剤で固定され、２枚の基板間に液晶が挟持され、液晶封入口が封止剤で封止された構成となっている。この２枚の基板間の距離を一定に保つためのスペーサとして粒径の均一なプラスティックビーズ等を基板間に散在させている。
【０００３】
カラー表示用の液晶表示素子は２枚のガラス基板の内１枚にＲＧＢの着色層のついたカラーフィルタが形成してある。例えば、単純マトリクス駆動のカラー型ドットマトリクス液晶表示素子においては、横（Ｙ）方向に帯状にパターニングされたＹ電極を有するＹ基板と縦（Ｘ）方向に帯状にパターニングされたＸ電極の下に着色層を有するＸ基板とを、Ｙ電極とＸ電極がほぼ直交するように対向設置し、その間に液晶組成物を挟持した構成を持っている。液晶表示素子の表示方式としては、例えばＴＮ（Twisted Nematic）形、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）形、ＧＨ（Guest Host）形、あるいはＥＣＢ（Electrically Controlled Birefringence ）形や強誘電性液晶などが用いられる。封止剤としては、例えば熱または紫外線硬化型のアクリル系またはエポキシ系の接着剤などが用いられる。
【０００４】
また、カラー型アクティブマトリクス駆動液晶表示素子においては、スイッチング素子、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を半導体層とした薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とそれに接続された画素電極と信号線電極、ゲート電極が形成されたアクティブマトリクス基板であるＴＦＴアレイ基板とそれに対向設置された対向電極を有し、ＲＧＢカラーフィルタを対向基板上に形成し、アクティブマトリクス基板上から対向基板へ電圧を印加する電極転移部材（トランスファー）として銀ペースト等を画面周辺部に配置し、この電極転移材で２枚の基板を電気的に接続し、この２枚の間に液晶組成物を挟持した構成をしている。さらに、この２枚の両側に偏光板を挟持し、この偏光板光をカラー画像を表示する際の表示シャッタとしている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、プラスティックビーズ等をスペーサとして用いるこれらの液晶表示素子では、２枚の基板間に散在させたスペーサ周辺の液晶の配向が乱れ、スペーサ周辺部から光が漏れコントラストが低下してしまうという問題がある。また、スペーサを均一に分散させることは困難であり、スペーサを基板上に散在させる工程でスペーサが不均一に配置され、表示不良となり歩留りの低下を招いていた。
【０００６】
このため、プラスティックビーズ等を使用しない液晶表示素子を実現するため、ＴＦＴ部にカラーフィルタの複数の着色層を積層して柱状スペーサを形成するようにしたものが提案されている。
【０００７】
しかしながら、この場合はＴＦＴ部に圧力が加わるため、素子の信頼性上問題がある他、ＴＦＴの表面は凹凸が多いために基板間距離を一定に保つことが困難であるという問題がある。
【０００８】
また、対向電極であるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜が柱状スペーサの頂部、側部にも被膜されるためにこのスペーサが上層配線、画素電極、信号線電極、ゲート電極等に当たることによって、不必要な電気的容量が発生して電圧波形のなまりや遅延を招いて所望の表示特性が得られなかったり、電気的短絡が発生して表示不良を招くという問題があった。
【０００９】
さらに、電極転移部材を画面周辺部に配設する関係上、液晶表示素子の非表示領域の面積を減少させるのは困難であった。
【００１０】
本発明は、上記問題を解決しようとするものであり、表示性能が良く、歩留りが高く、工程数の少なく、安価なカラー表示型液晶表示素子を提供する事を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様によれば、一主面上に互いに交差するよう配列された複数の走査線および複数の信号線と、前記走査線及び前記信号線の交差部毎に形成され、当該走査線および信号線に接続されたとスイッチング素子と、このスイッチング素子ごとに接続された画素電極とを配設したアクティブマトリクス基板と、一主面上に共通電極、着色層よりなるカラーフィルタ、および前記着色層を少なくとも2色以上積層して形成された柱状突起をなすスペーサとを有する対向基板とを備え、前記スペーサが前記アクティブマトリクス基板の非画素部と画素部の境界部を含んで当接するように前記アクティブマトリクス基板および前記対向基板の主面どうしを対向させ、これらの間に液晶組成物を挟持した液晶表示素子が提供される。
【００１２】
本発明の他の態様によれば、一主面上に互いに交差するよう配列された複数の走査線および複数の信号線と、前記走査線及び前記信号線の交差部毎に形成され、当該走査線および信号線に接続されたスイッチング素子と、このスイッチング素子ごとに接続された画素電極と、画素電極との間で補助容量を与える補助容量線と、を配設したアクティブマトリクス基板と、一主面上に共通電極、着色層よりなるカラーフィルタ、および前記着色層を少なくとも2色以上積層して形成された柱状突起をなすスペーサとを有する対向基板とを備え、前記スペーサが前記補助容量線に対応した位置で前記アクティブマトリクス基板上に当接するように前記アクティブマトリクス基板および前記対向基板の主面どうしを対向させ、これらの間に液晶組成物を挟持した液晶表示素子が提供される。
【００１３】
スペーサを導電性材料で形成することによって、アクティブマトリクス基板から対向基板に電圧を印加するための電極転移部材として用いることができる。
【００１４】
補助容量線は画素電極上に絶縁膜を介して形成され、あるいは補助容量線の上に絶縁膜を介して画素電極が形成されるようにしてもよい。この場合、画素電極の上に絶縁膜が形成されてこの上にスペーサが当接するようにすれば、絶縁を良好に保つことができ、画素電極との干渉を防止するには画素電極を除去すれば良い。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、アクティブマトリクス基板と、一主面上に共通電極、着色層よりなるカラーフィルタ、および前記着色層を少なくとも2色以上積層して形成された柱状突起をなすスペーサとを有する対向基板とを備え、前記スペーサが前記アクティブマトリクス基板の非画素部と画素部の境界部を含んで当接するように前記アクティブマトリクス基板および前記対向基板の主面どうしを対向させているので、スペーサの当接場所がラビングの終端位置であるとラビングの影の影響がその画素および他の画素に及びにくい。また、当接場所を青のフィルタ位置とすれば、視覚的な影響を最も少なくすることができる。
【００１６】
また、本発明によれば、対向基板のカラーフィルタの着色層を重ねて柱状スペーサを形成し、この柱状スペーサをアクティブマトリクス基板の補助容量線に対応した位置で当接させるようにしているので、絶縁膜が破壊されても影響が少ない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態のいくつかを詳述する。  
図１は本発明による実施の一形態にかかるアクティブマトリクス液晶素子の断面図である。この液晶表示素子は、アクティブマトリクス基板１０と対向基板３０とが対向配置され、それらの間に液晶組成物４０が封入されている。
【００１８】
図２はアクティブマトリクス基板１０の構成を詳しく示す断面図であり、このアクティブマトリクス基板はＴＦＴ部が逆スタガ型と称される構造となっている。ガラス基板１１の主面側のＴＦＴ部にはゲート電極１２が、配線部には走査線１３がそれぞれ配設され、これらの上には絶縁膜１４が堆積されている。この絶縁膜１４上でゲート電極１２の上方にはアモルファスシリコンよりなる半導体膜１５が形成され、この半導体膜１５および絶縁膜１４にまたがるようにソース１６およびドレイン１７が半導体膜１５の中央部に所定の距離を隔てて対向するように形成されている。ドレイン１７には信号線１８が連結されて形成され、ソース１６には画素電極１９が連結形成されている。そして、ＴＦＴ部および配線部の全面に保護膜２０が形成され、画素部の全面には配向膜２１が形成されている。なお、図１においては図２と同じ要素には同じ参照番号を付してあるが、発明をよりわかりやすくするため、一部形状を変えてある。
【００１９】
再び図１を参照すると、上側の対向基板３０は、ガラス基板３１上に画素位置に合わせて形成された赤、緑、青のカラーフィルタ３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂを有している。また、これらのカラーフィルタ材料が積層され、柱状のスペーサ３３が形成されている。このスペーサ３３は赤色層３３Ｒ、緑色層３３Ｇ、青色層３３Ｂよりなっており、これらはカラーフィルタ３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂに対応するものである。そして全面に透明電極膜３４および配向膜３５が堆積されている。
【００２０】
両基板は対向され、対向基板３０のスペーサ３３はアクティブマトリクス基板１０の走査線１３に当接するようにされている。図２からわかるように、最下層である走査線の上には２層の絶縁層が存在し、スペーサ３３が当接しても絶縁性が損なわれてショート等の欠陥が発生することはきわめて少ない。そして両基板の間には液晶組成物４０が充填封入されている。
【００２１】
次にこのような液晶表示素子の製法を説明する。  
まず、通常ＴＦＴを形成するプロセスと同様に厚さ１．１ｍｍのコーニング社製の＃７０５９ガラス基板１１上に成膜とパターンニングを繰り返し、薄膜トランジスタと電極配線をマトリクス状に形成する。ここでは縦横それぞれ１００画素、合計１００００画素とアモルファスシリコンＴＦＴアレイを有するアクティブマトリクス基板１０を形成するものとする。このアクティブマトリクス基板においては、走査線が最下層に配置されており、その上部には、２層の絶縁膜１４、２１が形成されている。その後配向膜材料としてＡＬ−１０５１（日本合成ゴム（株）製）を全面に５００オングストロームの厚さで塗布し、ラビング処理を行い、配向膜２１を形成する。
【００２２】
次に対向基板３０は次のようにして形成される。ガラス基板３１上に、感光性の黒色樹脂をスピンナーを用いて塗布し、９０℃  １０分の乾燥後、所定のパターン形状のフォトマスクを用いて３６５ｎｍの波長で、３００ｍＪ／ｃｍ2 の露光量で露光した後、ｐＨ１１．５のアルカリ水溶液にて現像し、２００℃  ６０分の焼成を行って膜厚  ２．０μｍの遮光層３６を形成する。ついで、赤色の顔料を分散させた紫外線硬化型アクリル樹脂レジストＣＲ−２０００（富士ハントテクノロジー（株）製）をスピンナーで全面に塗布し、スペーサの形成予定箇所および赤色フィルタ形成予定箇所に光が照射されるようなフォトマスクを用いて３６５ｎｍの波長で１００ｍＪ／ｃｍ2 照射し、ＫＯＨの１％水溶液で１０秒間現像し、その部分に赤の着色層を形成する。ここでは、スペーサの配置位置は対向するアクティブマトリクス基板の走査線と相対する場所とし、信号線やＴＦＴ、画素電極との重なり部を避けた場所とする。これは、前述したように、アクティブマトリクス基板における最下層である走査線の上には少なくとも２層の絶縁膜が形成されているため、スペーサの当接によって絶縁が損なわれるようなことが極めて少ないためである。
【００２３】
同様に緑、青の着色層をそれぞれ塗布、露光、現像してスペーサおよびカラーフィルタを形成し、最終的に２３０℃で１時間焼成する。ここでは緑の着色材料は、ＣＧ−２０００（富士ハントテクノロジー（株）製）、青の着色層はＣＢ−２０００（富士ハントテクノロジー（株）製）を用いる。その後、透明電極３４としてＩＴＯ膜を１５００Ａの厚さにスパッタ法で成膜し、その上に同様の配向膜材料を形成した後、ラビング処理を行い、配向膜３５を形成する。
【００２４】
その後、対向基板３０の配向膜３５の周辺に沿って接着剤３７を液晶注入口（図示せず）を除いて印刷し、アクティブマトリクス基板から対向電極に電圧を印加するための電極転移剤を接着剤１５の周辺の電極転移電極上に形成する。次に両基板の配向膜２１、３５が対向し、またそれぞれのラビング方向が９０度となるよう基板１０，３０を配置し、接着剤を加熱硬化させ基板１０，３０を貼り合わせる。次に通常の方法により注入口より液晶組成物４０として、ＺＬＩ−１５６５（Ｅ．メルク社製）にＳ８１１を０．１ｗｔ％添加したものを注入し、この後注入口を紫外線硬化樹脂で封止する。
【００２５】
このようにして形成されたカラー表示型アクティブマトリクス液晶表示素子は、プラスティックビーズを用いていないためコントラスト比が高く、質の良い表示が得られ、しかも高い信頼性が得られた。
【００２６】
この実施の形態において説明され、後続の実施の形態においても適用可能な材料は限定的なものではなく、他のものも使用できる。例えば、遮光層形成のための黒色樹脂として非感光性のものを使用することができ、また、着色層を形成するための着色材料としての染料を分散させたアクリル樹脂として、赤はＰｉｃ  Ｒｅｄ０２、緑はＰｉｃ  Ｇｒｅｅｎ０２、青はＰｉｃ  Ｂｌｕｅ０２（いずれもブリューワーサイエンス（株）製）を用いても良い。
【００２７】
なお、この実施の形態ではアクティブマトリクス基板はＴＦＴ部が逆スタガ型と称される構造となっていたが、他の形式のアクティブマトリクス基板においても最下層と当接させることにより同様の効果が期待できる。
【００２８】
図３は正スタガ型と称されるアクティブマトリクス基板５０の構造を示す断面図である。ガラス基板５１の主面側のＴＦＴ部にはソース５２、ドレイン５３が所定距離を隔てて対向配設されている。これらの間とソース、ドレインの一部にかけてアモルファスシリコンよりなる半導体膜５４が形成され、ドレイン１７には信号線１８が連結されて形成されている。これらの全面には絶縁膜５６が堆積されている。先に説明したソース、ドレイン間の上方の絶縁膜５６上にはゲート電極５７が形成される。また、配線部においては絶縁膜５６上に走査線５８が形成されている。そして、ＴＦＴ部および配線部の全面に保護膜５９が形成されている。なお、図示されていないが、図２の場合と同様に、画素部の全面には配向膜が形成されている。
【００２９】
このような正スタガ型アクティブマトリクス基板を用いた場合には、スペーサを当接する位置は最下層である信号線５５とする。この場合も信号線５５の上には２層の絶縁層が形成されており、スペーサを当接させた場合に絶縁特性が劣化する可能性が最も少ない。
【００３０】
なお、スペーサが当接する最下層配線層上での面積について検討すると、面積が多いほどスペーサとしての機能を安定に発揮するようになるが、あまり多いと寄生容量が無視できなくなり、印加電圧波形のなまりや遅延を生じ、表示特性を劣化させる。このため、スイッチング素子、例えばトランジスタの合計面積の２倍以下であることが望ましい。しかし、基板間距離を安定に維持するため、スペーサが当接する最下層配線上での合計面積は、スイッチング素子、例えばトランジスタの合計面積の２０分の１以上であることが必要である。なお、ここでスイッチング素子面積とは半導体層の面積をいう。
【００３１】
また、最下層配線層上に当接するスペーサの数については、スイッチング素子、例えばトランジスタの数に応じた数が必要であること、マトリクスの端部に全体の大きさに応じた一定数が必要であることから、スイッチング素子、例えばトランジスタの数に対して一次関数の関係にあることが必要であることは明らかである。
【００３２】
以上の実施の形態によれば、スペーサは最下層の配線層に当接するようにしているが、他の層でも良い。そのような実施の形態のいくつかを以下に示す。
【００３３】
図４は本発明の第２の実施の形態を示すアクティブマトリクス液晶素子の素子断面図である。
【００３４】
この液晶表示素子は、アクティブマトリクス基板６０と対向基板８０とが対向配置され、それらの間に液晶組成物４０が封入されている構成となっている。
【００３５】
アクティブマトリクス基板６０はＴＦＴ部が逆スタガ構造となっており、ガラス基板６１の主面側のＴＦＴ部にはゲート電極６２が配設され、この上には絶縁膜６３が堆積されている。この絶縁膜６３上でゲート電極６２の上方にはアモルファスシリコンよりなる半導体膜６４が形成され、この半導体膜６４および絶縁膜６３にまたがるようにソース６５およびドレイン６６が半導体膜６４の中央部に所定の距離を隔てて対向するように形成されている。ドレイン１６６にはゲート線や補助容量線などのポリシリコン等でなる中間配線層６７が連結されて形成され、ソース６５には画素電極６８が連結形成されている。そして、ＴＦＴ部の全面に絶縁膜６９および保護膜７０が形成され、画素部の全面には配向膜７１が形成されている。図４から明らかなように、ゲート電極配線６２は中間配線層６７よりも下に位置している。なお、中間配線層は上層配線層に対して中間的に位置する配線層をいい、何が中間層であるかは、場所によって異なるものである。
【００３６】
また、上側の対向基板８０は、ガラス基板８１上に画素位置に合わせて形成された赤、緑、青のカラーフィルタ８２Ｒ、８２Ｇ、８２Ｂを有している。また、これらのカラーフィルタ材料が積層され、柱状のスペーサ８３が形成されている。このスペーサ８３は赤色層８３Ｒ、緑色層８３Ｇ、青色層８３Ｂよりなっており、これらはカラーフィルタ８２Ｒ、８２Ｇ、８２Ｂに対応するものである。そして全面に透明電極膜８４および配向膜８５が堆積されており、各カラーフィルタ間には遮光膜であるブラックマトリクス８６が形成されている。カラーフィルタ８２Ｒ、８２Ｇ、８２Ｂは導電性材料で形成されることが望ましい。
【００３７】
両基板６０および８０は対向され、接着剤８７で固定される。そして両基板の間には液晶組成物４０が充填封入されている。
【００３８】
この実施の形態では、対向基板８０のスペーサ８３はアクティブマトリクス基板６０の中間層配線６７に当接するようにされている。このように中間層に対応した位置でスペーサを当接させることにより、上にも下にも絶縁膜が多数存在するため、絶縁性の維持が容易であり、不要な容量の発生が起こりにくい。また、スペーサの長さも確保しやすいため、歩留りも良好である。
【００３９】
図５は本発明の第３の実施の形態を示すアクティブマトリクス液晶素子の素子断面図である。
【００４０】
この実施の形態は絶縁層６９の上に最上層である配線層７２が設けられている点以外は第２の実施の形態と全く同じであるので、同じ構成要素には同じ参照番号を付け、詳細な説明は省略する。
【００４１】
図５から明らかなように、スペーサ８３は最上層配線層である配線層７２に対応した位置で当接するように対向基板上の位置が設定されている。この実施の形態では、スペーサは最上層配線層に対応した位置でアクティブマトリクス基板と当接するようにされるので、スペーサの長さを短くでき、製造が容易になる。図示した構成では、配線層７２の上には絶縁層である保護膜が形成されているため、絶縁上の問題は少ない。
【００４２】
この実施の形態では配線層７２の下方に他の配線層６７を有しているが、非配線層のみが存在しても良い。
【００４３】
図６は本発明の第４の実施の形態を示すアクティブマトリクス液晶素子の素子断面図である。
【００４４】
この液晶表示素子は、アクティブマトリクス基板９０と対向基板１００とが対向配置され、それらの間に液晶組成物４０が封入されている構成となっている。
【００４５】
アクティブマトリクス基板６０はガラス基板９１の主面上に画素電極９３が存在する画素領域９２とＴＦＴが形成された素子部９４とが繰り返し形成された構成となっている。
【００４６】
対向基板１００は、ガラス基板１０１上に画素位置に合わせて形成された赤、緑、青のカラーフィルタ１０２Ｒ、１０２Ｇ、１０２Ｂを有している。また、これらのカラーフィルタ材料が積層され、柱状のスペーサ１０３が形成されている。
【００４７】
そして、スペーサは画素領域と素子領域の間の非配線領域でアクティブマトリクス基板と当接するようになっている。ただし、このような非画素非配線領域は非常に狭いため、スペーサの直径は３〜４μｍとする必要がある。
【００４８】
この実施の形態の場合にはショートの虞は全くなく、高い信頼性を維持することができる。
【００４９】
図７は本発明の第５の実施の形態を示すアクティブマトリクス液晶素子の素子断面図であり、対向基板に設けられた柱状スペーサをアクティブマトリクス基板の非画素部と画素部の双方にわたって当接させるようにしたものである。
【００５０】
この液晶表示素子は、アクティブマトリクス基板９０と対向基板１１０とが対向配置され、それらの間に液晶組成物４０が封入されている構成となっている。なお、アクティブマトリクス基板９０の構成は図６の場合と全く同じであるので、同じ構成要素には同じ参照番号を付して説明を省略する。
【００５１】
対向基板１１０は、ガラス基板１１１上に画素位置に合わせて形成された赤、緑、青のカラーフィルタ１１２Ｒ、１１２Ｇ、１１２Ｂを有している。また、これらのカラーフィルタ材料が積層され、柱状のスペーサ１１３が形成されている。この柱状スペーサ１１３は赤および青のカラーフィルタ１１２Ｒおよび１１２Ｂに連結されて形成されているが、緑色のフィルタ１１３Ｇには設けられていない。これは、人間の視覚の性質上、３原色のうちで最も認識されやすい色は緑であるため、欠陥があった場合も最も目立つためである。したがって、スペーサを設ける場合、青のみ、あるいは青と赤の組み合わせが選ばれる。
【００５２】
なお、スペーサが当接される画素電極の一部を除去し、スペーサが直接画素電極に突き当たらないようにすることにより、ショートの可能性を減少させることができる。
【００５３】
また、図示されたのは画素部とこれに隣接する非画素部の上にスペーサが当接するものであったが、スペーサの径が大きい場合、スイッチング素子の一部も含むことは差し支えない。
【００５４】
さらに、スペーサの当接場所は画素部内でのラビング最終位置であると、ラビングの影が隣の画素に及ばず、良好なラビングを行える。
【００５５】
図８は本発明の第６の実施の形態を示すアクティブマトリクス液晶素子の素子断面図である。
【００５６】
この液晶表示素子は、アクティブマトリクス基板１２０と対向基板１３０とが対向配置され、それらの間に液晶組成物４０が封入されている構成となっている。アクティブマトリクス基板１２０はこれまでの実施の形態と同様にスイッチング素子としてのＴＦＴと画素部が設けられているが、ＴＦＴの構成については同じであるため説明を省略する。画素部においては、ガラス基板１２１上に補助容量線１２２が形成され、この補助容量線１２２を含む画素領域全体が絶縁膜１２３で覆われ、その上に画素電極１２４が形成されている。そして、補助容量線に対応した位置の画素電極の上には絶縁膜１２５が形成されている。さらに全体に配向膜１２６が形成されている。  
対向基板１３０は、ガラス基板１３１上に画素位置に合わせて形成された赤、緑、青のカラーフィルタ１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂを有している。これらのカラーフィルタ間には遮光膜であるブラックマトリクス１３６が配設されている。また、これらのカラーフィルタ材料が積層され、柱状のスペーサ１３３が形成されている。この柱状スペーサ１３３はそれぞれアクティブマトリクス基板１２０の補助容量線１２２に対応する位置に設けられている。
【００５７】
アクティブマトリクス基板１２０と対向基板１３０は対向され、接着剤１３６で固定される。そして両基板の間には液晶組成物４０が充填封入される。
【００５８】
この実施の形態では、柱状スペーサ１３３は補助容量線１２２に対応した位置に設けられるため、柱状スペーサがアクティブマトリクス基板１２０と強く接触しても素子の信頼性等を損なうことはない。また、絶縁膜１２５が画素電極上に設けられているため、配向膜１２６が破壊した場合でも絶縁性を保つことができる。
【００５９】
図９は本発明の第７の実施の形態を示すアクティブマトリクス液晶素子の素子断面図である。
【００６０】
この液晶表示素子は、アクティブマトリクス基板１４０と対向基板１３０とが対向配置され、それらの間に液晶組成物４０が封入されている構成となっている。対向基板１３０については図８の場合と同じであるので説明を省略する。  アクティブマトリクス基板１４０はこれまでの実施の形態と異なり、スイッチング素子としてのＴＦＴは正スタガ型となっている。
【００６１】
ガラス基板１４１の主面側のＴＦＴ部には走査線および信号線１４２が、その上にはアモルファスシリコンよりなる半導体膜１４５が形成され、この半導体膜１４５を挟んでソース１４６およびドレイン１４７が対向するように形成されている。半導体膜１４５の上にはゲート電極１４８が形成されている。このようなＴＦＴ部の全面には保護膜１４９が堆積されている。ソース１４６には画素電極１５０が連結して形成されている。その中央部にはゲート電極と同じポリシリコンでゲート電極と同一工程で作られた補助容量線１５２が絶縁膜１５１を介して形成されている。そして、画素部の全面には配向膜１５３が形成されている。
【００６２】
アクティブマトリクス基板１４０と対向基板１３０は対向され、接着剤１３７で固定される。そして両基板の間には液晶組成物４０が充填封入される。
【００６３】
この実施の形態では、薄い配向膜１３５および１５３が圧力で破壊すると柱状スペーサ１３３は補助容量線１２２に直接当接することになるが、素子の信頼性等を損なうことはない。また、絶縁膜１２５が画素電極上に設けられているため、配向膜１２６が破壊した場合でも絶縁性を保つことができる。
【００６４】
むしろ、スペーサを積極的に導電体として用いることができる。すなわち、カラーフィルタ材をそれぞれ導電性のものとすれば、アクティブマトリクス基板から対向基板電極１３４へ電圧を補助容量線１５２を介して印加させるための電極転移部材の役割をスペーサ１３３に果たさせることができる。この電極転移部材は通常銀ペーストで作られるが、スペーサが兼用することとすれば、この銀ペーストが不要となる。また電極転移部材は画素画素周辺部に作らざるを得ず、抵抗が大きかったが、この実施の形態のようにスペーサが電極転移部材の役割を果たす場合には、多数の電極転移部材を画素領域内で形成することができるため、抵抗を下げるととに膜厚も薄くすることができる。
【００６５】
この実施の態様においても前述した各実施例と同様に、スペーサを非画素領域に形成できるため、スペーサ周辺の光漏れやスペーサの不均一拡散による表示不良を無くすことができ、コントラストや明度等の表示性能が高く、しかも安価な液晶表示素子を提供することができる。
【００６６】
なお、この実施の形態では画素電極の上に補助容量線を形成しているが、画素電極を除去し、そこに絶縁膜を形成してスペーサを突き当てるようにしても良い。図１０および図１１はこのような例を示すもので、図８における補助容量線部分の変形例を示す部分拡大断面図である。
【００６７】
図１０においては、スペーサが当接される部分の画素電極１２４が除去されている。この場合には、画素電極とスペーサ上の電極とのショートを効果的に防止できる。
【００６８】
図１１においては、スペーサが当接される部分の画素電極１２４およびその下の絶縁膜１２３が除去されている。この場合には、スペーサと補助容量線１２２が当接することになるり、画素電極とスペーサ上の電極とのショートを効果的に防止できる。この場合、スペーサ上に絶縁膜が形成されていなければ、スペーサを前述した電極転移部材として用いることが可能となる。
【００６９】
図１２〜１５は本発明の第８の実施の形態を示す素子断面図である。
【００７０】
この実施の形態では、図１〜３で示した第１の実施の形態の場合のようにカラーフィルタ材料を積層して柱状スペーサを形成する点では同じであるが、柱状スペーサの当接位置を問わない構成となっている。
【００７１】
すなわち、図１２を参照すると、下側のアクティブマトリクス基板１６１の表面上の一画素に対応する領域にはゲート線１１４、その上に形成されたアモルファスシリコンからなる薄膜トランジスタ１６２、その左右に信号線１６３、ＩＴＯからなる画素電極１６５がそれぞれ形成され、これらの上には配向膜１６６が形成されている。これらは画素単位で繰り返し形成されている。
【００７２】
上側の対向基板１７０においては、一画素に対応する領域には、ガラス基板１７１の表面に遮光層１７２および着色層１７３が形成されている。着色層は画素ごとに赤色１７３Ｒ、緑色１７３Ｇ、青色１７３Ｂの順に繰り返し形成されている。遮光層の一部には逆テーパを有する円柱状のレジストでなるスペーサ１７４が形成されており、その先端および各着色層の上には共通電極１７５および配向膜１７６が形成されている。このようにスペーサが逆テーパ状となっているため、スパッタリングによる共通電極形成の際、オーバーハングによってスペーサの側面には膜が形成されず、スペーサ自体が導電体とはならない。したがって、このようなスペーサは絶縁性であるから、その当接場所は問われない。したがって、スペーサは遮光膜等の開口部以外の場所に設けることができるため、スペーサからの光漏れはなくなり、また、任意の層に対して当接させることができるため、設計の自由度が増加する。
【００７３】
次にこのような液晶表示素子の製法を説明する。  
まず、アクティブマトリクス基板を製作する。通常ＴＦＴを形成するプロセスと同様に厚さ１．１ｍｍのコーニング社製の＃７０５９ガラス基板１６１上に成膜とパターニングを繰り返し、アモルファスシリコンからなる薄膜トランジスタ１６２と信号線１６３、ゲート線１６４、ＩＴＯからなる画素電極１６５を形成したアレイ基板を形成する。その後配向膜材料としてＡＬ−１０５１（日本合成ゴム（株）製）を全面に５００オングストロームの厚さで塗布し、ラビング処理を行い、配向膜６６を形成する。
【００７４】
次に対向基板を準備する。厚さ１．１ｍｍのコーニング社製の＃７０５９ガラス基板１７１上に、感光性の黒色樹脂ＣＫ−２０００（富士ハントテクノロジー（株）製）をスピンナーを用いて塗布し、９０℃１０分の乾燥後、所定のパターン形状のフォトマスクを用いて３６５ｎｍの波長で、３００ｍＪ／ｃｍ2 の露光量で露光したあとｐＨ１１．５のアルカリ水溶液にて現像し、２００℃、６０分の焼成にて膜厚２．０μｍの遮光層１７２を形成する。ついで、赤色の顔料を分散させた紫外線硬化型アクリル樹脂レジストＣＲ−２０００（富士ハントテクノロジー（株）製）をスピンナーにて全面塗布し、赤の着色層形成予定領域のみに光が照射されるようなフォトマスクを介し３６５ｎｍの波長で１００ｍＪ／ｃｍ2 照射し、ＫＯＨの１％水溶液で１０秒間現像し、赤の着色層１７３Ｒを形成する。同様に緑、青の着色層１７３Ｇ、１７３Ｂを繰り返し形成し、それぞれ２３０℃で１時間焼成する。ここでは緑の着色材料は、ＣＧ−２０００（富士ハントテクノロジー（株）製）、青の着色材はＣＢ−２０００（富士ハントテクノロジー（株）製）を用いた。このときのＲ，Ｇ，Ｂの膜厚はそれぞれ１．５μｍとした。
【００７５】
次に顔料の入ってない紫外線硬化型アクリル樹脂レジストをスピンナーにて全面塗布し、遮光層上の所望のスペーサ形成位置に光が照射されるようなフォトマスクを用いて３６５ｎｍの波長で１００ｍＪ／ｃｍ2 照射し、ＫＯＨの１％水溶液で３０秒間現像し、膜厚４μｍのスペーサ１７４を形成する。このときの現像は強めに行う。これにより、光が充分当たって硬化が充分な先端部の径は予定どおり維持されるが、硬化が必ずしも充分でない根元部では過剰にエッチングされて逆テーパ状となる。その後、透明電極１７５としてＩＴＯ膜を１５００オングストロームの厚さになるよう、スパッタ法にて成膜し、その上に同様の配向膜材料を形成した後ラビング処理を行い、配向膜１７６を形成した。スペーサ１７４は逆テーパ状で上部がオーバーハングした形状となっているため、このスパッタの際、スペーサの側面にはＩＴＯ膜、配向膜は堆積されない。なお、透明電極形成前にスペーサを形成することでスペーサの密着力が得られる。
【００７６】
この後、基板１７１上の配向膜１７６の周辺に沿って接着剤を注入口（図示せず）を除いて印刷し、アクティブマトリクス基板から対向電極に電圧を印加するための電極転移材（図示せず）を接着剤の周辺の電極転移電極上に形成する。
【００７７】
次に配向膜１７６および１６６が対向し、またそれぞれのラビング方向が９０度となるよう基板１６０および１７０を配置し、加熱して接着剤を硬化させて貼り合わせる。次に通常の方法により注入口より液晶組成物４０として、ＺＬＩ−１５６５（Ｅ．メルク社製）にＳ８１１を０．１ｗｔ％添加したものを注入し、この後注入口を紫外線硬化樹脂で封止することにより完成する。
【００７８】
このようにして形成したカラー表示型アクティブマトリクス液晶表示素子は、プラスティックビーズ等を用いない形式のものであり、スペーサを任意の層に当接させることができるため、スペーサからの光漏れがなく、かつ短絡はもちろん配線とスペーサ間で発生する寄生容量による印加電圧のなまりや遅延の発生も防ぐことが出来、表示性能の高い、信頼性のある液晶表示素子を得ることができた。
【００７９】
なお、オーバーハングを有する形状を得るため、この実施の形態では現像で調整したが、露光時に照射光を弱めることにより表面のみ硬化させることによっても実現できる。  
図１３は図１２に示した実施の形態の変形例であり、図１２と同一の要素には同一の参照番号を付してその詳細な説明を省略する。
【００８０】
この実施の形態によれば、アクティブマトリクス基板１６０の構成は全く同じであり、対向基板１７０’が３つの着色層１７７Ｒ、１７７Ｇ、１７７Ｂよりなるスペーサ７７となっている点のみが異なる。この３つの着色層１７７Ｒ、１７７Ｇ、１７７Ｂは先端の層ほど大径になるように形成されており、全体としてほぼ逆テーパ状となっている。
【００８１】
次に対向基板１７０’の製造について説明する。アクティブマトリクス基板１６０の製造および全体の組立については図１２の場合と全く同じであるので省略する。
【００８２】
厚さ１．１ｍｍのコーニング社製の＃７０５９ガラス基板１７１上に、感光性の黒色樹脂ＣＫ−２０００（富士ハントテクノロジー（株）製）をスピンナーを用いて塗布し、９０℃１０分の乾燥後、所定のパターン形状のフォトマスクを用いて３６５ｎｍの波長で、３００ｍＪ／ｃｍ2 の露光量で露光したあとｐＨ１１．５のアルカリ水溶液にて現像し、２００℃、６０分の焼成にて膜厚２．０μｍの遮光層１７２を形成する。ついで、赤色の顔料を分散させた紫外線硬化型アクリル樹脂レジストＣＲ−２０００（富士ハントテクノロジー（株）製）をスピンナーにて全面塗布し、遮光層上の所望のスペーサ形成位置および着色層１７３Ｒ形成位置に光が照射されるようなフォトマスクを用いて３６５ｎｍの波長で１００ｍＪ／ｃｍ2 照射し、ＫＯＨの１％水溶液で１０秒間現像し、赤の着色層１７３Ｒ、１７７Ｒを形成する。同様に緑の着色層１７３Ｇ、１７７Ｇ、青の着色層１７３Ｂ、１７７Ｂを繰り返し形成し、それぞれ２３０℃で１時間焼成する。ここでは緑の着色材料は、ＣＧ−２０００（富士ハントテクノロジー（株）製）、青の着色材はＣＢ−２０００（富士ハントテクノロジ（株）製）を用い、各着色層の膜厚は１．５μｍである。スペーサ７７においては、３色の着色層が積層されるが、各層の直径はＲ；１０μｍ、Ｇ；１３μｍ、Ｂ；１６μｍとして上層に行くほど径を増加させている。その後、透明電極１７５としてＩＴＯ膜を１５００オングストロームの厚さにスパッタ法にて成膜し、その上に同様の配向膜材料を形成した後ラビング処理を行い、配向膜１２７を形成する。スペーサ部においては、上層に行くほど径が増加するオーバーハングを有する形状となっているため、ＩＴＯ膜および配向膜をスパッタにより堆積させる際、側面には付着せずスペーサの絶縁性が保たれる点は図１２の場合と同じである。
【００８３】
このような対向基板を用いて形成された液晶表示素子においても、パールレス型であり、スペーサを任意の層に当接させることができるため、スペーサからの光漏れがなく、かつ短絡はもちろん配線とスペーサ間で発生する寄生容量による印加電圧のなまりや遅延の発生も防ぐことが出来、表示性能の高い、信頼性のある液晶表示素子を得ることができた。
【００８４】
図１４は、図１３に示した実施の形態の変形例を示す部分断面図である。この実施の形態では、スペーサ形成時にスペーサ１７７と同心に２層の円筒壁体１７８Ｒおよび１７８Ｇを形成している。このような構成では円筒壁体は２色分積層されているのでスペーサよりも低い高さとなっている。この同心円筒壁体は斜め方向からのスパッタ粒子の進入を阻止してスペーサの側壁に成膜が行われることを防止し、かつラビング時にスペーサが脱落することを防止するので、信頼性を向上させるのに有効である。
【００８５】
図１５は、図１３に示した実施の形態の変形例を示す部分断面図である。この実施の形態では、柱状スペーサ１７７に対して配向膜の配向処理方向の進入側の位置に直径１０μｍの２層の柱状障壁層１７９Ｒ、１７９Ｇが設けられている。
【００８６】
この実施の形態によれば、配向処理の際、ラビングの外力で柱状スペーサの脱落を防止でき、信頼性を増加することができる。この実施の形態は図６に示したような同心円筒壁体を形成する充分なスペースがない場合にも実施可能である。
【００８７】
図１３に示した実施の形態についてはさらに各種の変形が可能であり、例えば、オーバーハングを有する柱状スペーサを図１に示したように最下層配線層に対応した位置で当接させることができる。
【００８８】
図１６は本発明の第９の実施の形態を示す断面図であり、アクティブマトリクス基板側にカラーフィルタを形成した液晶表示素子に応用したものである。
【００８９】
このアクティブマトリクス基板１８０はガラス基板１８１の主面上にゲート電極１８２、走査線１８３、画素電極１８８がそれぞれ配設され、ゲート電極１８２および走査線１８３の上には絶縁膜１８４が堆積されている。この絶縁膜１８４上でゲート電極１８２の上方にはアモルファスシリコンよりなる半導体膜１８５が形成され、この半導体膜１８５および絶縁膜１８４にまたがるようにソース１８６およびドレイン１８７が半導体膜１８５の中央部に所定の距離を隔てて対向するように形成されている。ドレイン８６には信号線（図示せず）が連結されて形成され、ソース１８７と画素電極１８８とは連結されている。画素電極１８８上にはカラーフィルタをなす赤色層１８９Ｒ、緑色層１８９Ｇ、青色層１８９Ｂが画素ごとに順次形成されている。これらの全面には配向膜１９０が形成されている。
【００９０】
上側の対向基板２００は、ガラス基板２０１上に全面に透明電極膜２０２および配向膜２０３が堆積されている。また、アクティブマトリクス基板１８０の走査線１８２に対応して赤色層２０４Ｒ、緑色層２０４Ｇ、青色層２０４Ｂが積層され、柱状のスペーサ２０４が形成されている。
【００９１】
そしてこれら両基板は対向され、対向基板２００のスペーサ２０４はアクティブマトリクス基板１８０の最下層である走査線の上に当接するようにされている。
【００９２】
画素電極上に通常のカラーフィルタが形成されている構成では、着色層による電圧降下の問題があるが、着色層を導電性とすることにより、電圧降下の問題を解決できる。しかし、このような導電性着色層を積層してスペーサを形成する場合、最下層上にこのスペーサを形成すれば、図１の場合と同様に、最下層である走査線の上には２層の絶縁層が存在し、スペーサ２０４が当接しても絶縁性が損なわれてショート等の欠陥が発生することはきわめて少ない。そして両基板は接着層１９１により接着され、両基板の間には液晶組成物４０が充填封入されている。
【００９３】
なお、このような構成を実現するには、前述した図１とほぼ同様にアレイ形成を行い、その後、画素電極上に選択的に着色層を形成させればよい。
【００９４】
また、導電性着色層が電極として十分に機能するならば、画素電極を別に形成する必要はない。
【００９５】
図１７は本発明の第１０の実施の形態を示す素子断面図であり、アクティブマトリクス基板１６０と対向基板２１０が対向配置され、両基板の間に液晶組成物４０が封入された構成となっている。アクティブマトリクス基板１６０については図１２と全く同じであるので、その説明を省略する。
【００９６】
対向基板２１０は、ガラス基板２１１の表面に遮光層２１２および赤色着色層２１３Ｒ、緑色着色層２１３Ｇ、青色着色層２１３Ｂの順に繰り返し形成されている。遮光層２１２の一部には赤色着色層２１３Ｒ、緑色着色層２１３Ｇ、青色着色層２１３にそれぞれ対応する層２１４Ｒ、２１４Ｇ、２１４Ｂが積層された柱状スペーサ２１４が形成されている。このスペーサの先端および各着色層の上には共通電極２１５および配向膜２１６が形成されている。さらに柱状スペーサの先端部分には絶縁膜２１７が形成されている。
【００９７】
図１８および図１９はスペーサの先端部の構成に着目して描いた簡略断面図であり、図１８はスペーサ２１４の先端面のみに透明電極（ＩＴＯ膜）２１５が形成され、スペーサの全面を絶縁膜２１７で覆った場合を、図１９は、スペーサ２１４全体を絶縁膜２１７で覆い、先端部のみに透明電極（ＩＴＯ膜）２１５が形成された場合を示している。このようにすることにより、スペーサ部材から不純物成分が溶出して素子に対して与える悪影響を抑制することができる。
【００９８】
以上説明した実施の形態以外にも本発明はさらに種々の変形が可能である。
【００９９】
例えば、図５に示した着色層を階段状に形成したスペーサを図１に示すような最下層の配線層に当接させるようにした場合には、スペーサ部における絶縁性をさらに高めることができる。
【０１００】
また、各実施の形態における着色層の形成順は一例であり、これに限定されるものではない。
【０１０１】
さらに、各実施の形態では積層スペーサは３色の着色層を積層しているが、着色層の厚さを適当に選択することにより、２色の着色層の積層で構成することも可能である。また、積層スペーサとしては、積層状態で先端から根元にかけてその径が連続的に減少するものや、特定の層が上から下に径が漸減し、その減少した径が下層で維持されるようなものも含まれる。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】本発明にかかる液晶表示素子の実施の一形態の概略構成を示す素子断面図である。
【図２】図１で使用される逆スタガ型アクティブマトリクス基板の一例の概略構成を示す断面図である。
【図３】図１で使用される正スタガ型アクティブマトリクス基板の一例の概略構成を示す断面図である。
【図４】本発明にかかる液晶表示素子の他の実施の形態を示すもので、中間配線層にスペーサを当接させた実施の形態の概略構成を示す断面図である。
【図５】本発明にかかる液晶表示素子の他の実施の形態を示すもので、最上層配線層にスペーサを当接させた実施の形態の概略構成を示す断面図である。
【図６】本発明にかかる液晶表示素子の他の実施の形態を示すもので、非画素非配線領域でスペーサを当接させた実施の形態の概略構成を示す断面図である。
【図７】本発明にかかる液晶表示素子の他の実施の形態を示すもので、非画素領域と画素領域にまたがってスペーサを当接させた実施の形態の概略構成を示す断面図である。
【図８】本発明にかかる液晶表示素子の他の実施の形態を示すもので、補助容量線に対応してスペーサを当接させるようにした実施の形態の概略構成を示す断面図である。
【図９】本発明にかかる液晶表示素子の他の実施の形態を示すもので、補助容量線に対応してスペーサを当接させるようにした実施の形態の概略構成を示す断面図である。
【図１０】図９の補助容量線部分の変形例を示す部分拡大断面図である。
【図１１】図９の補助容量線部分の変形例を示す部分拡大断面図である。
【図１２】本発明にかかる液晶表示素子の他の実施の形態を示すもので、中間配線層にスペーサを当接させた実施の形態の概略構成を示す断面図である。
【図１３】本発明にかかる液晶表示素子の他の実施の形態を示すもので、中間配線層にスペーサを当接させた実施の形態の概略構成を示す断面図である。
【図１４】図１３に示した実施の形態の変形例を示す部分断面図である。
【図１５】図１３に示した実施の形態の変形例を示す部分断面図である。
【図１６】本発明にかかる液晶表示素子の他の実施の形態を示すもので、アクティブマトリクス基板側にカラーフィルタを設けたいわゆるカラーフィルタオンアレイ型に適用した概略構成を示す断面図である。
【図１７】本発明にかかる液晶表示素子の他の実施の形態を示すもので、スペーサを絶縁型としたものの概略構成を示す断面図である。
【図１８】スペーサ部分部分拡大図である。
【図１９】スペーサ部分部分拡大図である。
【符号の説明】
【０１０３】
１０，５０，６０，９０，１２０，１４０，１６０，１８０  アクティブマトリクス基板
１１，３１，５１，６１，７１，８１，９１，１００，１１１，１２１，１３１，１４１，１６１，１７１，１８１，２０１，２１１  ガラス基板
１２，５７，６２，１４８，１６４，１８２  ゲート
１３，５８  走査線
１５，５４，６４，１８５  半導体層
１６，５２，６３  ソース
１７，５３，６６  ドレイン
１８，５５  信号線
１９  画素電極
２０，５９  保護膜
２１，３５，６６，１５３，１６６，１７６，１９０，２０３，２１６  配向膜
３０，８０，１００，１１０，１３０，１７０，２００，２１０  対向基板
３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂ，３３Ｒ，３３Ｇ，３３Ｂ，８２Ｒ，８２Ｇ，８２Ｂ，８３Ｒ，８３Ｇ，８３Ｂ，１０２Ｒ，１０２Ｇ，１０２Ｂ，１１２Ｒ，１１２Ｇ，１１２Ｂ，１３２Ｒ，１３２Ｇ，１３２Ｂ，１３３Ｒ，１３３Ｇ，１３３Ｂ，１７３Ｒ，１７３Ｇ，１７３Ｂ，１７７Ｒ，１７７Ｇ，１７７Ｂ，２０４Ｒ，２０４Ｇ，２０４Ｂ  着色層
３３，７４，８３，１０３，１１３，１３３  スペーサ
３４，１７５，２０２，２１５  透明電極
３６，８６，１０３，１３６，１７２  遮光膜
４０  液晶組成物
１２２，１５２，１８３  補助容量線
【図１】
2005234593.tif 000003
【図２】
2005234593.tif 000004
【図３】
2005234593.tif 000005
【図４】
2005234593.tif 000006
【図５】
2005234593.tif 000007
【図６】
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【図７】
2005234593.tif 000009
【図８】
2005234593.tif 000010
【図９】
2005234593.tif 000011
【図１０】
2005234593.tif 000012
【図１１】
2005234593.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
2005234593.tif 000017
【図１６】
2005234593.tif 000018
【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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