(57)【要約】【課題】  誘電体層とガラスセラミック積層体との相互拡散を抑制し、ガラスセラミック配線基板内に形成したコンデンサの容量の低下を防ぎ、またそのバラツキを抑制するコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板を提供すること。【解決手段】  コンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板は、ガラスセラミックスから成る絶縁層１が複数積層された絶縁基板の内部に、上部電極層２と下部電極層３とがチタン酸バリウムを主成分とする誘電体層４を挟んで配置されて成るコンデンサが内蔵されているとともに、上部電極層２と下部電極層３とに挟まれた誘電体層４の領域の端部または側面から、絶縁層１側へ０．１ｍｍ以上までの放射領域に、誘電体保護層５が形成されている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスセラミックスから成る絶縁層が複数積層された絶縁基板の内部に、上部電極層と下部電極層とがチタン酸バリウムを主成分とする誘電体層を挟んで配置されて成るコンデンサが内蔵されているとともに、前記上部電極層と前記下部電極層とに挟まれた前記誘電体層の領域の端部または側面から、前記絶縁層側へ０．１ｍｍ以上までの放射領域に、誘電体保護層が形成されていることを特徴とするコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラスセラミックス焼結体から成る絶縁基板の内部に容量素子（コンデンサ）を内蔵したコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、携帯電子機器や携帯用情報端末等の分野では、半導体素子を実装した配線基板と共に、受動部品として抵抗体、コンデンサ、インダクタ等をプリント回路基板等の配線基板上に実装したモジュール基板が用いられてきた。
【０００３】
しかし、近年、このような携帯電子機器や携帯用情報端末等に用いられる部品の小型化、複合化、高性能化が強く求められており、半導体素子を実装する配線基板の内部に受動部品に相当する機能を有する電子回路素子を内蔵させて、半導体素子と受動部品とを高密度に実装するという集積化の流れが進んでいる。これらの受動部品を配線基板の内部に取り込むことは、配線基板の表面に受動部品の実装スペースを確保する必要をなくし、また設計の自由度も増すため、配線基板の小型化に寄与できることとなる。
【０００４】
そこで、例えば、コンデンサを内蔵したガラスセラミック配線基板を構成する場合、絶縁基板となるガラスセラミックグリーンシートに誘電体ペーストを部分的に塗布して静電容量形成用の誘電体層を形成し、その後、静電容量形成用の電極となる所望の導体パターンを形成したガラスセラミックグリーンシートと、上記誘電体層を形成したガラスセラミックグリーンシートとを積層して、ガラスセラミック積層体と誘電体層と導体パターン層とを同時焼成することで形成する方法が採用されている。
【特許文献１】特開平８−１７６７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、図２に示すように、従来のコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板は、絶縁層１の内部に上部電極層２と誘電体層４と下部電極層３とが形成されているため、絶縁層１の内部に形成したコンデンサの静電容量は、誘電体層４の上部電極層２と下部電極層３とに挟まれた領域の厚みと比誘電率と電極層の大きさとにより変化する。このため、誘電体層４が上部電極層２と下部電極層３とから露出して絶縁層１と直接接触する領域（図２のＡ領域）から、同時焼成中に誘電体層４の成分と絶縁層１の成分とが相互拡散して、誘電体層４の上部電極層２と下部電極層３とに挟まれた領域の焼結性が阻害されて、誘電体層４の比誘電率が劣化することがあった。このため、ガラスセラミック配線基板内部に形成したコンデンサの容量値が低下したり容量値のバラツキが大きくなるという問題点があった。
【０００６】
この問題を解決するために、予め焼結されたチップ型のコンデンサ部品をガラスセラミックグリーンシート内部に埋め込んでおき、それらを焼成して一体化する方法などが提案されている。この方法によれば、予め焼結されたチップ型のコンデンサ部品とガラスセラミックグリーンシートとのＸ，Ｙ，Ｚ方向の収縮挙動の違いから、焼成後にガラスセラミックス焼結体にクラックが生じて、チップ型のコンデンサ部品と、配線導体や貫通導体との電気的導通が断線するという不具合が発生していた。
【０００７】
本発明は上記問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、コンデンサの誘電体層とガラスセラミックスから成る絶縁層との相互拡散を抑制し、ガラスセラミック配線基板内に形成したコンデンサの容量低下を防ぎ、またそのバラツキを抑制することのできるコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板は、ガラスセラミックスから成る絶縁層が複数積層された絶縁基板の内部に、上部電極層と下部電極層とがチタン酸バリウムを主成分とする誘電体層を挟んで配置されて成るコンデンサが内蔵されているとともに、上部電極層と下部電極層とに挟まれた誘電体層の領域の端部または側面から、絶縁層側へ０．１ｍｍ以上までの放射領域に、誘電体保護層が形成されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板は、ガラスセラミックスから成る絶縁層が複数積層された絶縁基板の内部に、上部電極層と下部電極層とがチタン酸バリウムを主成分とする誘電体層を挟んで配置されて成るコンデンサが内蔵されているとともに、上部電極層と下部電極層とに挟まれた誘電体層の領域の端部または側面から、絶縁層側へ０．１ｍｍ以上までの放射領域に、誘電体保護層が形成されていることから、誘電体保護層が絶縁層と優先的に相互拡散し、内蔵されたコンデンサの容量に直接寄与する誘電体層に対して保護層および犠牲的層として作用し、誘電体層と絶縁層との相互拡散を抑制する。これにより、上部電極層と下部電極層とに挟まれた誘電体層の焼結性の劣化を抑制することができ、誘電体層の比誘電率を高いものとして維持することができる。その結果、ガラスセラミック配線基板内に形成したコンデンサの容量値低下や容量値のバラツキを大幅に抑制することができ、信頼性の高いコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明のコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板（以下、配線基板ともいう）について以下に詳細に説明する。図１は本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す断面図であり、１は絶縁層、２は上部電極層、３は下部電極層、４はチタン酸バリウムを主成分とする誘電体層、５はチタン酸バリウムを主成分とする誘電体保護層である。
【００１１】
本発明における絶縁層１はガラスとセラミック粉末とから成る。このガラスとしては、例えばＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＭＯ系（但し、ＭはＣａ，Ｓｒ，Ｍｇ，ＢａまたはＺｎを示す）、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｍ１Ｏ−Ｍ２Ｏ系（但し、Ｍ１およびＭ２は同じまたは異なっており、Ｃａ，Ｓｒ，Ｍｇ，ＢａまたはＺｎを示す）、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−Ｍ１Ｏ−Ｍ２Ｏ系（但し、Ｍ１およびＭ２は上記と同じである）、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｍ３２Ｏ系（但し、Ｍ３はＬｉ，ＮａまたはＫを示す）、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−Ｍ３２Ｏ系（但し、Ｍ３は上記と同じである）、Ｐｂ系ガラス、Ｂｉ系ガラス等が挙げられる。
【００１２】
また、セラミック粉末としては、例えばＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２とアルカリ土類金属酸化物との複合酸化物、ＴｉＯ２とアルカリ土類金属酸化物との複合酸化物、Ａｌ２Ｏ３およびＳｉＯ２から選ばれる少なくとも１種を含む複合酸化物（例えばスピネル，ムライト，コージェライト）等が挙げられる。
【００１３】
この絶縁層１の焼成前の生シートであるガラスセラミックグリーンシートは、ガラス粉末およびセラミック粉末と、有機バインダ、有機溶剤、可塑剤等とを混合してスラリーと成すとともに、そのスラリーを用いてドクターブレード法やカレンダロール法を採用することによってシート状に成形する。
【００１４】
このガラス粉末およびセラミック粉末に添加混合される有機バインダとしては、従来からセラミックグリーンシートに使用されているものが使用可能であり、例えばアクリル系（アクリル酸，メタクリル酸またはそれらのエステルの単独重合体または共重合体、具体的にはアクリル酸エステル共重合体，メタクリル酸エステル共重合体，アクリル酸エステル−メタクリル酸エステル共重合体等）、ポリビニルブチラール系、ポリビニルアルコール系、アクリル−スチレン系、ポリプロピレンカーボネート系、セルロース系等の単独重合体または共重合体が挙げられる。
【００１５】
ガラスセラミックグリーンシートを成形するためのスラリーに用いられる有機溶剤としては、ガラス粉末、セラミック粉末および有機バインダを分散させ、ガラスセラミックグリーンシート成形に適した粘度のスラリーが得られるように、例えば炭化水素類、エーテル類、エステル類、ケトン類、アルコール類等の有機溶剤が挙げられる。
【００１６】
以上のようにして作製したガラスセラミックグリーンシートに、必要に応じて金型加工等により貫通孔を形成し、この貫通孔にＣｕ等の金属粉末に適当な有機バインダ、溶剤を添加混合した貫通導体用ペーストをスクリーン印刷等により充填して、貫通導体（図示せず）を形成する。
【００１７】
次に、これらのガラスセラミックグリーンシートの表面に、Ｃｕ等の金属粉末に適当な有機バインダ、溶剤を添加混合して成る電極層用ペーストをスクリーン印刷等により塗布し、ガラスセラミックグリーンシートと同時焼成することによって、下部電極層３となる電極層パターンを形成する。
【００１８】
電極層用ペーストに用いる金属粉末がＣｕ粉末の場合、積算５０％粒径が０．８〜１．２μｍで積算１０％粒径が０．５μｍ以上の球状のＣｕ粉末であることが好ましい。Ｃｕ粉末の積算５０％粒径が０．８μｍ未満の場合、ペースト化する際にＣｕ粉末の分散性が劣化しやすく、スクリーン印刷性が劣化する傾向がある。他方、Ｃｕ粉末の積算５０％粒径が１．２μｍを超えると、下部電極層３の焼結中に誘電体層４の成分が相互拡散しやすく、誘電体層３の焼結性が劣化する傾向がある。また、Ｃｕ粉末の積算１０％粒径が０．５μｍ未満では、微粉末が凝集しやすく、ペースト化する際にＣｕ粉末の分散性が劣化しやすく、スクリーン印刷性が劣化しやすい傾向がある。
【００１９】
なお、積算１０％粒径とは、例えばレーザ式粒度分布測定装置により粒度を測定して、測定した粒径が小さい方から粉末の個数を積算して、その積算した個数が全体の１０％となった時点での粒径であり、積算５０％粒径とは、同様に測定した粒径が小さい方から粉末の個数を積算して、その積算した個数が全体の５０％となった時点での粒径である。
【００２０】
次に、ガラスセラミックグリーンシートと同時焼成することによって、下部電極層３となる電極層パターンを形成したガラスセラミックグリーンシートの表面に、チタン酸バリウム粉末と焼結助剤とに有機バインダ、溶剤を添加して成る誘電体層用ペーストをスクリーン印刷等により塗布し、ガラスセラミックグリーンシートと同時焼成することによって、誘電体層４となる誘電体層パターンを形成する。
【００２１】
この誘電体層ペーストに用いるチタン酸バリウム粉末は、平均粒径が０．３μｍ以下であることが好ましい。チタン酸バリウム粉末の平均粒径が０．３μｍを超えると、誘電体層４の焼結性が劣化しやすい傾向がある。また、焼結助剤としては、例えばＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＭＯ系（但し、ＭはＣａ，Ｓｒ，Ｍｇ，ＢａまたはＺｎを示す）、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｍ１２Ｏ系（但し、Ｍ１はＬｉ，ＮａまたはＫを示す）、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−Ｍ１２Ｏ系（但し、Ｍ１は上記と同じである）、Ｐｂ系ガラス、Ｂｉ系ガラス等を用いることができる。
【００２２】
また、この焼結助剤の誘電体層用ペーストへの添加量は、チタン酸バリウム粉末１００質量部に対して、２〜１０質量部であることが好ましい。焼結助剤の添加量が２質量部未満では、チタン酸バリウムが焼結しにくい傾向がる。他方、焼結助剤の添加量が１０質量部を超えると、誘電体層４の誘電率が低下しやすい傾向がある。
【００２３】
次に、ガラスセラミックグリーンシートと同時焼成することによって、誘電体層４となる誘電体層パターンを形成したガラスセラミックグリーンシートに、先に形成したガラスセラミックグリーンシートと同時焼成することによって、上部電極層２となる電極層パターンを塗布し形成する。この上部電極層２となる電極層パターンも、先に使用した電極層用ペーストと同じものを用いてスクリーン印刷等により塗布形成することができる。この上部電極層２となる電極層パターンは、塗布形成したときの位置ズレやパターンのにじみによる下部電極層３となる電極層パターンとの電気的ショートの発生を防止するために、誘電体層４となる誘電体層パターンよりも小さくすることが好ましい。
【００２４】
次に、誘電体保護層５となる誘電体保護層パターンを、チタン酸バリウム粉末と焼結助剤とに有機バインダ、溶剤を添加して成る誘電体保護層用ペーストをスクリーン印刷等により、塗布し形成する。
【００２５】
この誘電体保護層用ペーストに用いるチタン酸バリウム粉末は、平均粒径が０．３μｍ以下であることが好ましい。チタン酸バリウム粉末の平均粒径が０．３μｍを超えると、誘電体保護層４の焼結性が劣化しやすく、保護層および犠牲的層としての作用が劣化して、絶縁層１と誘電体層４との相互拡散を防止しにくい傾向がある。
【００２６】
また、焼結助剤としては、例えばＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＭＯ系（但し、ＭはＣａ，Ｓｒ，Ｍｇ，ＢａまたはＺｎを示す）、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｍ１２Ｏ系（但し、Ｍ１はＬｉ，ＮａまたはＫを示す）、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−Ｍ１２Ｏ系（但し、Ｍ１は上記と同じである）、Ｐｂ系ガラス、Ｂｉ系ガラス等を用いることができる。また、この焼結助剤の誘電体保護層用ペーストへの添加量は、チタン酸バリウム粉末１００質量部に対して、２質量部以上であることが好ましい。焼結助剤の添加量が２質量部未満では、チタン酸バリウムが焼結しにくく、保護層および犠牲的層としての作用が劣化して、絶縁層１と誘電体層４との相互拡散を防止しにくい傾向がある。
【００２７】
本発明において、誘電体保護層５となる誘電体保護層パターンは、上部電極層２と下部電極層３とに挟まれた誘電体層４の領域の端部または側面から、絶縁層１側へ０．１ｍｍ以上までの放射領域に塗布し形成する。誘電体保護層５の形成領域が０．１ｍｍ未満の場合、誘電体保護層５の保護層および犠牲的層としての効果が小さくなりやすい傾向がある。また、誘電体保護層５の形成領域は、配線基板の小型化、高密度化に対応するために、１ｍｍ以下であることが好ましい。
【００２８】
また、誘電体保護層５の形状は、図３に示すように上部電極層２が誘電体層４に比べて小さく形成されているときには、上部電極２からその周囲に誘電体層４が露出した部分に塗布したり、図４に示すように、誘電体層４の側面全面を覆うように塗布したり、図５に示すように、円弧状に塗布して形成しても良い。また、図６に示すように、平面視で誘電体層４が絶縁層１と同じ大きさで形成されているときには、上部電極層２と下部電極層３とからその周囲に誘電体層４が露出した部分に、誘電体保護層５を形成しておくと良い。
【００２９】
次に、これらのガラスセラミックグリーンシートを複数枚積み重ねて、３〜２０ＭＰａの圧力および３０〜８０℃の温度で加熱圧着することにより積層体を作製する。この積層体中における誘電体層４の位置や数や大きさには特に制限はなく、所望の数、大きさの誘電体層４を有する内蔵されたコンデンサを有する配線基板となるように構成すればよい。
【００３０】
その後、加湿窒素雰囲気中で有機分を除去して、次いで８００〜１０００℃の温度で積層体を焼成することにより、本発明の配線基板が得られる。
【００３１】
また、積層体を焼成する際に、ガラスセラミックグリーンシートや誘電体層４が焼結する温度では実質的に焼結収縮しない無機成分、例えばアルミナのセラミックグリーンシートから成る拘束グリーンシートを積層体の両面に積層して焼成するとよく、この拘束グリーンシートによって積層体の主面方向の焼成時の収縮が拘束されて抑制されるために、配線基板の寸法精度が向上し、配線基板に内蔵されるコンデンサの容量値のばらつきを小さくすることが可能となる。また、このような方法で焼成した場合、厚み方向の焼成収縮が通常の方法で焼成した場合に比較して大きくなるので、誘電体層４の厚みをより薄くすることが可能となり、内蔵されるコンデンサの高容量化も容易となる。
【実施例】
【００３２】
本発明の配線基板の実施例を以下に説明する。
【００３３】
ガラスセラミック成分として、ＳｉＯ２−ＣａＯ−ＭｇＯ系ガラス粉末５０質量部と、Ａｌ２Ｏ３粉末５０質量部とを混合し、この無機粉末１００質量部に有機バインダとしてのアクリル系樹脂１２質量部、フタル酸系可塑剤６質量部および溶剤としてのトルエン３０質量部を加え、ボールミル法により混合しスラリーとした。このスラリーを用いてドクターブレード法により厚さ２００μｍのガラスセラミックグリーンシートを成形した。
【００３４】
このガラスセラミックグリーンシートに電極層用ペーストをスクリーン印刷法によって２０μｍの厚みに塗布し、７０℃で３０分乾燥して下部電極層３となる電極層パターンを形成した。このパターンの形状は４ｍｍ角の四角形のパターンとした。電極層用ペーストとしては、Ｃｕ粉末１００質量部に、アクリル樹脂１２質量部と有機溶剤としてのα−テルピネオール２質量部とを加え、攪拌脱泡機により十分に混合した後に３本ロールにて十分に混練したものを用いた。
【００３５】
次に、ガラスセラミックグリーンシートと同時焼成することによって、下部電極層３となる電極層パターンの上に、誘電体層用ペーストをスクリーン印刷法によって２０μｍの厚みに塗布し、７０℃で３０分乾燥して誘電体層４となる誘電体層パターンを形成した。この誘電体層パターンの形状は３．８ｍｍ角の四角形のパターンとした。誘電体層用ペーストとしては、チタン酸バリウム粉末１００質量部に対して５質量部のＢ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＣａＯ，ＢａＯ，ＺｎＯを含むガラス粉末の混合物に、アクリル樹脂１２質量部と有機溶剤としてのα−テルピネオール２質量部とを加え、攪拌脱泡機により十分に混合した後に３本ロールにて十分に混練したものを用いた。
【００３６】
次に、誘電体層パターンの上に、上記と同様の電極層用ペーストを２０μｍの厚みに塗布して、上部電極層２と下部電極層３とがチタン酸バリウムからなる誘電体層４を挟んで配置されて成るコンデンサが形成されるように構成した。このパターン形状は３ｍｍ角の四角形のパターンとした。
【００３７】
次に、上部電極層パターンの上に、誘電体保護層ペーストを２５０μｍの厚みに印刷塗布することによって、誘電体保護層５となる誘電体保護層パターンを形成した。この誘電体保護層パターン形状は、３．５ｍｍ角の四角形のパターン（上部電極層２と下部電極層３とに挟まれた誘電体層４の領域の端部または側面から、絶縁層１側へ０．２５ｍｍの放射領域に相当）とした。
【００３８】
誘電体保護層用ペーストとしては、チタン酸バリウム粉末１００質量部に対して５質量部のＢ２Ｏ３,ＳｉＯ２，ＣａＯ，ＢａＯ，ＺｎＯを含むガラス粉末の混合物に、アクリル樹脂１２質量部と有機溶剤としてのα−テルピネオール２質量部とを加え、攪拌脱泡機により十分に混合した後に３本ロールにて十分に混練したものを用いた。
【００３９】
また、比較例として、誘電体保護層パターンを形成していないサンプルを作製した。
【００４０】
次に、コンデンサとなる部位を形成したガラスセラミックグリーンシートと、コンデンサとなる部位を形成していないガラスセラミックグリーンシートとを積み重ねて、５ＭＰａの圧力と５０℃の温度で加熱圧着してガラスセラミックグリーンシートの積層体を作製した。
【００４１】
なお、上部電極層２と下部電極層３とは、ガラスセラミックグリーンシートに打ち抜き加工で形成した貫通孔にＣｕペーストを充填して形成した貫通導体によって、それぞれ積層体の表面に電気的に引き出されるようにした。
【００４２】
次に、積層体について、加湿窒素雰囲気中で５００℃で３時間焼成して有機分を除去し、窒素雰囲気中で９００℃で１時間焼成することにより、緻密なガラスセラミック焼結体から成る絶縁層１の内部に同時焼成により形成された上部電極層２、下部電極層３、誘電体層４、および誘電体保護層５を配設して成る配線基板を作製した。
【００４３】
そして、得られた配線基板について、そのコンデンサの電気的な容量を測定した。容量の測定は、測定周波数１ＭＨｚ、測定温度２５℃の条件で、インピーダンス測定器（型式「４２９４Ａプレシジョンインピーダンスアナライザ」、アジレントテクノロジー株式会社製、測定精度±０．０８％）を用いて測定した。
【００４４】
次に、コンデンサの上部電極層２の面積、誘電体層４の厚みを測定した。上部電極層２の面積は、配線基板の上面から平面研磨していき、上部電極層２を露出させて光学顕微鏡鏡（倍率１０倍）により測定した。誘電体層４の厚みは、配線基板の断面を鏡面研磨仕上げした後、金属顕微鏡（倍率１００倍）により測定した。
【００４５】
そして、測定によって得られた容量、上部電極層２の面積、誘電体層４の厚みに基づいて比誘電率を算出した。誘電体層４の比誘電率は、平行平板コンデンサの場合にはＣ＝ε０・εｒ・Ｓ／ｄ（ただし、Ｃ：コンデンサの容量、ε０：空気中の誘電率、εr：誘電体層４の比誘電率、Ｓ：上部電極層２の面積、ｄ：上部電極層２と下部電極層３との間の距離）の関係となることから、上記式によって算出した。
【００４６】
誘電体保護層５を形成したサンプルは、誘電体保護層５が保護層および犠牲的層として作用して絶縁層１と相互拡散することにより、上部電極層２と下部電極層３との間の誘電体層４と絶縁層１との相互拡散を抑制し、また緻密に焼結されて高い比誘電率（６２０）を有する誘電体層４が形成されていることがわかった。これに対して、誘電体保護層５を形成していない比較用のサンプルは、誘電体層４の焼結助剤が絶縁層１と相互拡散して緻密化せず、低い比誘電率（１９０）の誘電体層４になっていることがわかった。
【００４７】
なお、本発明は上述の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。例えば、上述の実施の形態の例では、誘電体層４は誘電体層用ペーストをガラスセラミックグリーンシートに塗布することにより形成したが、予めシート状に成形した誘電体グリーンシートを打ち抜き加工等により所定の形状に加工して、これをガラスセラミックグリーンシートに加熱圧着することにより転写して誘電体層４を形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明のコンデンサ内蔵セラミック配線基板について実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】従来のコンデンサ内蔵セラミック配線基板の一例を示す断面図である。
【図３】本発明のコンデンサ内蔵セラミック配線基板について実施の形態の他の例を示す断面図である。
【図４】本発明のコンデンサ内蔵セラミック配線基板について実施の形態の他の例を示す断面図である。
【図５】本発明のコンデンサ内蔵セラミック配線基板について実施の形態の他の例を示す断面図である。
【図６】本発明のコンデンサ内蔵セラミック配線基板について実施の形態の他の例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４９】
１・・・絶縁基板
２・・・上部電極層
３・・・下部電極層
４・・・誘電体層
５・・・誘電体保護層
【図１】
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【図２】
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【図３】
2005243851.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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