(57)【要約】【課題】  並設された複数の配線の上に各配線の一部が露出するようにポリイミド層からなるカバー絶縁層が形成された構造部を有する配線回路基板において、カバー絶縁層の剥離が生じにくい配線回路基板を提供する。【解決手段】  並設された複数の配線１の露出部１Ａの近傍において、ポリイミド層からなるカバー絶縁層２の、複数の配線１の隣り合う配線間の略中点に位置する部分の厚み（Ｔ１）を、配線１上に在る部分の厚み（Ｔ２）よりも小さくする。好ましくは、カバー絶縁層２の、隣り合う配線間の略中点に位置する部分と、配線上に在る部分との厚みの差を１〜５μｍとする。【選択図】  図２
2005183831.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
並設された複数の配線の上に各配線の一部が露出するようにポリイミド層からなるカバー絶縁層が形成された構造部を有する、配線回路基板であって、
前記配線の露出部の近傍において、前記カバー絶縁層の、複数の配線の隣り合う配線間の略中点に位置する部分の厚みが、配線上に在る部分の厚みよりも小さいことを特徴とする、配線回路基板。
【請求項２】
カバー絶縁層の、隣り合う配線間の略中点に位置する部分と、配線上に在る部分との厚みの差が１〜５μｍである、請求項１記載の配線回路基板。
【請求項３】
カバー絶縁層の、隣り合う配線間の略中点に位置する部分の厚みが４μｍ以下である、請求項１又は２記載の配線回路基板。
【請求項４】
配線の露出部が、端子用の露出部である、請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項５】
当該配線回路基板が回路付きサスペンション基板である、請求項１〜４のいずれかに記載の配線回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線回路基板に関し、詳しくは、カバー絶縁層の剥離が生じにくい配線回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の実装基板において、配線の一部をカバー絶縁層で覆わず、露出させて端子とする構造が一般に知られている（例えば、特許文献１）。
また、種々の電子部品の高密度実装や高速信号処理を目的として、絶縁層にポリイミド層を用いた配線回路基板が知られている。該ポリイミド層の形成は、通常、ポリアミド酸溶液を塗布、乾燥してポリアミド酸層を形成し、該ポリアミド酸層を加熱してイミド化することによって行われている。
【０００３】
ところで、本発明者等は、配線回路基板においても、配線をカバー絶縁層（ポリイミド層）で完全に覆ってしまわず、配線の一部を露出状態にして、その露出部を端子として用いることを検討してきた。しかし、このような配線の一部をカバー絶縁層から露出させた構造部を有する配線回路基板においては、カバー絶縁層の剥離が生じやすいという問題があることが分かった。
【特許文献１】特開２００１−１５６１１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、上述のような事情に鑑み、カバー絶縁層が剥離しにくい配線回路基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者等は、上記の目的を達成するために、カバー絶縁層（ポリイミド層）の剥離の原因を調べたところ、ポリアミド酸層をイミド化する際の該層に発生する収縮応力が原因であることを突き止め、該収縮応力を緩和する観点から研究を進めた結果、ポリイミド層の配線間に位置する部分の厚みを配線パターン上に在る部分の厚みよりも小さくすることで、上記の収縮応力が緩和されることを見出し、本発明を完成させた。
【０００６】
すなわち、本発明は、
（１）並設された複数の配線の上に各配線の一部が露出するようにポリイミド層からなるカバー絶縁層が形成された構造部を有する、配線回路基板であって、
前記配線の露出部の近傍において、前記カバー絶縁層の、複数の配線の隣り合う配線間の略中点に位置する部分の厚みが、配線上に在る部分の厚みよりも小さいことを特徴とする、配線回路基板、
（２）カバー絶縁層の、隣り合う配線間の略中点に位置する部分と、配線上に在る部分との厚みの差が１〜５μｍである、上記（１）記載の配線回路基板、
（３）カバー絶縁層の、隣り合う配線間の略中点に位置する部分の厚みが４μｍ以下である、上記（１）又は（２）記載の配線回路基板、
（４）配線の露出部が、端子用の露出部である、上記（１）〜（３）のいずれかに記載の配線回路基板、及び
（５）当該配線回路基板が回路付きサスペンション基板である、上記（１）〜（４）のいずれかに記載の配線回路基板、に関する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の配線回路基板では、並設された複数の配線の露出部の近傍において、カバー絶縁層の隣り合う配線間の略中点に位置する部分の厚みを、配線パターン上に在る部分の厚みよりも小さくしたことで、ポリアミド酸層を加熱硬化（イミド化）して当該カバー絶縁層（ポリイミド層）を形成する際に層内に発生する収縮応力が緩和されて、配線との密着力の低下を防止でき、その結果、配線回路基板を所望の外周形状（輪郭）とするための後加工処理の際や製品としての実使用時において、カバー絶縁層（ポリイミド層）が配線から剥離しにくいものとなり、高信頼性の配線回路基板を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明を図面を参照してより具体的に説明する。
図１及び図２は本発明による片面配線回路基板の一例における端子部とその周辺の平面図と側面図である。
該一例の片面配線回路基板１０に示されるように、本発明の配線回路基板は、並設された複数の配線１の上に各配線１の一部が露出するようにポリイミド層からなるカバー絶縁層２が形成された構造部を有し、少なくとも、配線１の露出部１Ａの近傍において、カバー絶縁層（ポリイミド層）２の複数の配線１の隣り合う配線１間の略中点に位置する部分の厚み（Ｔ１）を、配線１上に在る部分の厚み（Ｔ２）よりも小さくしたことが特徴である。
なお、ここで例示する片面配線回路基板１０の図２中の符号３は金属箔（基体）であり、符号４はベース絶縁層を示している。
【０００９】
この種の配線回路基板における、ポリイミド層は、通常、ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸の層（ポリアミド酸層）を形成し、それを加熱によりイミド化して形成されるが、本発明におけるポリイミド層からなるカバー絶縁層２は、配線１の露出部１Ａの近傍において、複数の配線１の隣り合う配線１間の略中点に位置する部分の厚みが、配線１上に在る部分の厚みよりも小さくなるように形成したポリアミド酸層を加熱によってイミド化して形成される。
【００１０】
すなわち、イミド化前（加熱前）のポリアミド酸層の、複数の配線の隣り合う配線１間の略中点に位置する部分の厚みを、配線１上に在る部分の厚みよりも小さくした場合、その厚み関係はイミド化後（加熱後）においても維持され、形成されるカバー絶縁層（ポリイミド層）２は、複数の配線１の隣り合う配線１間の略中点に位置する部分の厚み（Ｔ１）が、配線１上に在る部分の厚み（Ｔ２）よりも小さくなる。
【００１１】
本発明の配線回路基板は、上記のように、カバー絶縁層（ポリイミド層）２の前駆体であるポリアミド酸層を、配線１の露出部１Ａの近傍において、隣り合う配線１間の略中点に位置する部分の厚みが、配線パターン上に在る部分の厚みよりも小さくなるように形成し、こうして厚み調整をしたポリアミド酸層を加熱によりイミド化してカバー絶縁層（ポリイミド層）２を形成しているから、配線１の露出部１Ａの近傍において、ポリアミド酸層がイミド化する際に該層に発生する収縮応力が緩和されて、カバー絶縁層（ポリイミド層）２は隣り合う配線１の間での両側の配線１の側面への密着力が向上し、その結果、その後の配線回路基板を所望の外周形状（輪郭）とするための後加工工程や、製品としての実使用時において、カバー絶縁層（ポリイミド層）２が配線１から剥離しにくいものとなり、高信頼性の配線回路基板となる。すなわち、従来、配線１の露出部１Ａに沿うカバー絶縁層（ポリイミド層）２の終端２Ａを起点にして生じていたカバー絶縁層（ポリイミド層）２の剥離が生じにくいものとなる。
【００１２】
本発明において、カバー絶縁層（ポリイミド層）２の、隣り合う配線１間の略中点に位置する部分の厚み（Ｔ１）と、配線１上に在る部分との厚み（Ｔ２）との差は、配線１の厚み（図２中のＴ３）、隣り合う配線１間の隙間（図２中のＳ１）の大きさによっても異なるが、一般に、配線１の厚みが５〜２０μｍ程度、隣り合う配線１間の隙間が２０〜２００μｍ程度である場合、その差は１〜５μｍが好ましく、より好ましくは３〜５μｍである。かかる厚みの差が１〜５μｍであることで、カバー絶縁層（ポリイミド層）２はそれがイミド化される際の収縮応力が十分に緩和されており、配線１に対してより高い密着力で追従したものとなる。厚みの差が１μｍ未満の場合、カバー絶縁層（ポリイミド層）２はそれがイミド化される際の収縮応力が十分に緩和されない。
【００１３】
また、カバー絶縁層（ポリイミド層）２の、隣り合う配線間の略中点に位置する部分の厚み（Ｔ１）と配線上に在る部分との厚み（Ｔ２）は、特に限定はされないが、厚み（Ｔ１）は収縮応力の緩和の観点から、４μｍ以下が好ましく、特に好ましくは３μｍ以下である。一方、厚み（Ｔ２）は配線保護の観点から、３〜２０μｍであるのが好ましく、４〜７μｍが特に好ましい。３μｍ未満の場合、配線のエッジが露出するおそれがあるので、好ましくなく、２０μｍを超えると、収縮応力が大きくなるので、好ましくない。
【００１４】
本発明における「配線の露出部の近傍」とは、図１に示すように、配線１の露出部１Ａに沿うカバー絶縁層２の終端２Ａから、配線１の軸線方向の距離Ｌ１が概ね１００μｍまでの領域Ｅのことである。すなわち、当該領域Ｅにおいて、隣り合う配線１間の略中点に位置する部分の厚み（Ｔ１）が、配線１上に在る部分の厚み（Ｔ２）よりも小さくなるようにカバー絶縁層２が形成されていれば、本発明の所期の目的を達成できる。ただし、カバー絶縁層２の剥離防止をより確実にするには、該領域Ｅを超える領域において、上記の厚み関係でカバー絶縁層２が形成されているのが好ましい。また、本発明における「配線の露出部」とは、通常、端子として使用する配線の露出部を意味し、例えば、外部装置（電子部品等）の電極等の端子が電気的に接続される部分である。
【００１５】
図２に示すように、本発明における片面配線回路基板は、基本的に、金属箔（基体）３、金属箔（基体）３の片面に形成されたベース絶縁層４、ベース絶縁層４の上に形成された配線１及び配線１の上に形成されたカバー絶縁層２を構成要素とするものであり、必要に応じて、配線回路基板の具体的用途等に応じてこれら以外のこの種の配線回路基板における公知の構成要素が付加されてもよい。
【００１６】
本発明における片面配線回路基板の代表例としては、ハードディスクドライブにおける磁気ヘッド（特に、コイル部分を薄膜化した薄膜磁気ヘッド（ＴＦＨ）や薄膜−磁気抵抗複合ヘッド（ＭＲ）等）で使用される、ヘッドを実装するサスペンション基板（金属箔）上に、電気回路（配線パターン）を形成してなる回路付きサスペンション回路基板が挙げられる。
【００１７】
図３は、当該回路付きサスペンション基板の一例を示す斜視図であり、ステンレス箔（基体）１２の上にポリイミド樹脂からなるベース絶縁層（図示せず）を有し、その上に所定パターンに形成された配線（電気回路）１１が形成されている。先端には、基体１２への切込みによって、ジンバル１３が基体１２に一体に形成されており、この上に磁気ヘッドを有するスライダ（図示せず）が固定される。配線１１の一方の終端部には該配線１１の露出部からなる、磁気ヘッドを接続するための端子１６が形成されている。
【００１８】
図４は図３の端子１６の近傍を拡大した図である。図４に示すように、配線１１の終端部には、カバー絶縁層２’を形成せず、該終端部を露出させることにより、端子１６が形成されている。
【００１９】
該端子１６の近傍において、カバー絶縁層２’が隣り合う配線間の略中点に位置する部分の厚み（Ｔ１）が、配線１１上に在る部分の厚み（Ｔ２）よりも小さくなるように形成されており、カバー絶縁層２’は剥離しにくいものとなっている。
【００２０】
本発明は、上記の例で示したような片面配線回路基板（回路付きサスペンション基板）だけでなく、両面配線回路基板及び多層配線回路基板にも適用できる。すなわち、両面配線回路基板や多層配線回路基板において、並設された複数の配線の上にそれらの一部を露出させた状態でポリイミド層からなるカバー絶縁層を形成した構造部を設ける場合に、カバー絶縁層の厚みを、上記の厚みの関係となるように形成することで、カバー絶縁層の剥離が生じにくい、両面配線回路基板や多層配線回路基板を達成できる。
【００２１】
本発明の配線回路基板において、金属箔（基体）、金属箔（基体）を被覆するベース絶縁層、及び配線等は、公知の配線回路基板における材料を制限なく使用できる。金属箔としては、前記の例で示したステンレス箔の他、銅箔、アルミニウム箔、銅−ベリリウム箔、リン青銅箔、４２アロイ箔等が挙げられる。金属箔の厚みは配線回路基板の具体的用途によっても異なるが一般的には１０〜３０μｍである。また、ベース絶縁層としてはポリイミド、ポリエステル等が挙げられる。なお、ベース絶縁層で金属箔（基体）の片面の全面を被覆せず、該片面を部分的に被覆する場合には、後述の感光性ポリイミドを用い、露光、現像によってパターニングするのが作業性、パターン寸法精度等の点で好ましい。また、本発明では、カバー絶縁層をポリイミド層で形成することから、カバー絶縁層との接着性、電気的信頼性、耐熱性等の点からベース絶縁層もポリイミド層で形成するのが好ましい。ベース絶縁層の厚みは特に限定されないが、一般的には５〜１５μｍである。また、配線としては、前記の例で示した銅層（薄膜）の他、銅−ベリリウム、リン青銅、４２アロイ等の層（薄膜）が挙げられる。これらの中でも、電気特性の点から、銅層（薄膜）が好ましい。配線の厚み（Ｔ３）は前記で示したように、一般的には５〜２０μｍであり、好ましくは１２〜１７μｍである。
【００２２】
本発明の配線回路基板において、並設された配線の上に形成するカバー絶縁層を、隣り合う配線間の略中点に位置する部分の厚み（Ｔ１）が、配線上に在る部分の厚み（Ｔ２）よりも小さくなるように形成する方法としては、カバー絶縁層を感光性ポリイミドで形成する方法が好ましい。すなわち、感光性ポリイミドとは、ポリアミド酸（ポリイミド前駆体）を感光剤の存在下で反応して得られるポリイミドのことであり、感光性ポリイミドを露光、現像した後、加熱によりイミド化することで、上記の厚み関係（厚み（Ｔ１）と厚み（Ｔ２）の関係）を有する所定のパターン形状のカバー絶縁層を形成できる。
【００２３】
感光性ポリイミドには、酸二無水物とジアミンから得られるポリアミド酸に公知の感光剤を添加した公知の感光性ポリアミド酸（感光性ポリイミド前駆体）が使用できるが、特開平７−１７９６０４号公報に記載された、ジヒドロピリジン誘導体を感光剤として含有する感光性ポリアミド酸が配線回路基板の反りを抑制するの点で好ましい。すなわち、(a)ｐ−フェニレンジアミンと、(b)２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ジアミノビフェニルとを含む芳香族ジアミンと、３，４，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物との反応によって得られるポリアミド酸の溶液にジヒドロピリジン誘導体からなる感光剤を配合してなる感光性ポリイミド前駆体が好ましい。
【００２４】
かかる好ましい感光性ポリイミド前駆体は、上記の芳香族ジアミンとテトラカルボン酸二無水物とを実質的に等モル比にて適宜の有機溶剤、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドンやジメチルアセトアミド等の中で反応させて、ポリアミド酸（ポリアミック酸）を生成させ、これに感光剤を配合してなる液状の組成物である。
【００２５】
上記芳香族ジアミンは、(a)成分であるｐ−フェニレンジアミンの割合は３０〜７０モル％、好ましくは４５〜５５モル％の範囲であり、(b)成分である２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ジアミノビフェニルの割合は７０〜３０モル％、好ましくは５５〜４５モル％の範囲である。かかる組成の芳香族ジアミンを３，４，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と共に用いることによって、得られるポリイミドと金属箔（基体）との線膨張係数を一致させることにより、配線回路基板の反りを抑制できる。
【００２６】
芳香族ジアミンのうちｐ−フェニレンジアミンは、得られるポリイミド樹脂を紫外線に対して透明とし、かつ、感光剤を含む感光性ポリイミド前駆体を紫外線に対して高感度とする作用を有し、他方、２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ジアミノビフェニルは、感光性ポリイミド前駆体に露光し、加熱し、現像する際に、露光部と未露光部の現像剤への溶解速度差を大きくする作用を有する。よって、当該感光性ポリイミド前駆体を使用することで、精密なパターニング加工を行なうことができ、本発明が目的とする部分的に特定の厚み差（厚みの相違）を持たせたカバー絶縁層を精度良く形成することができる。
【００２７】
上記感光剤としての、ジヒドロピリジン誘導体は、下記の一般式（化１）で表される化合物である。
【００２８】
【化１】
2005183831.tif 000003
【００２９】
（但し、式中、Ｒ１ およびＲ２は水素原子または炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ３ およびＲ４ は炭素数１〜４のアルキル基もしくはアルコキシル基、アニリノ基、トルイジノ基、ベンジルオキシ基、アミノ基、ジアルキルアミノ基から選ばれる一種、Ｒ５は水素原子または炭素数１〜３のアルキル基であり、Ｘ1 〜Ｘ4はそれぞれ水素原子、フッ素原子、ニトロ基、メトキシ基、ジアルキルアミノ基、アミノ基、シアノ基、フッ素化アルキル基から選ばれる一種である。なお、Ｒ１とＲ３、もしくはＲ２ とＲ４ はケト基を含む５員環、６員環、もしくは複素環の形成可能な環員となることができる。）
【００３０】
具体例としては、例えば、４−ｏ−ニトロフェニル−３,５−ジメトキシカルボニル−２,６−ジメチル−１，４−ジヒドロピリジン、４−ｏ−ニトロフェニル−３，５−ジメトキシカルボニル−２，６−ジメチル−１−メチル−４−ヒドロピリジン（以下、Ｎ−メチル体という。）、４−ｏ−ニトロフェニル−３，５−ジアセチル−１，４−ジヒドロピリジン等を挙げることができる。これらは単独で、又は２種以上の混合物として用いられる。必要に応じて、現像剤に対する溶解助剤としてイミダゾールが適当配合されてもよい。
【００３１】
上記ジヒドロピリジン誘導体は、芳香族ジアミンと芳香族テトラカルボン酸二無水物の合計量１モル部に対して、通常、０．０５〜０．５モル部の範囲で用いられる。イミダゾールも、必要に応じて、芳香族ジアミンを含むジアミンと芳香族テトラカルボン酸二無水物の合計量１モル部に対して、通常、０．０５〜０．５モル部の範囲で用いられる。
【００３２】
カバー絶縁層の形成は、まず、上記の感光性ポリアミド酸（感光性ポリイミド前駆体）の液状物を、並設された配線の上に塗布、乾燥して被膜とする。そして、こうして形成した感光性ポリアミド酸膜（層）に階調露光マスクを介して露光し、感光性ポリアミド酸膜の並設された複数の配線の隣合う配線間に位置する部分への光量をその他の部分への光量よりも少なくなるようにパターン露光を行う。ここで、階調露光マスクとは、部分的に、光透過部Ｈ１と遮光部Ｈ２とが縞状に所定のピッチで形成されたパターン部（図６）が形成されたマスクである。このようなマスクは、例えば、石英ガラス板５上に、図６に示す光透過部Ｈ１と遮光部Ｈ２からなる縞状パターン部が部分的に形成されるように、クロム薄膜６を所定パターンに蒸着することによって得られる。クロム薄膜６を持たない光透過部Ｈ１の光透過率は約１００％であり、クロム薄膜６を有する遮光部Ｈ２の光透過率は約０％であるので、両者の面積比率を調整することによって、該縞状パターン部の光透過率を調整することができる。図６では、光透過部Ｈ１と遮光部Ｈ２の面積比率を５０％／５０％にして光透過率を５０％にしている。
【００３３】
感光性ポリアミド酸膜（層）への階調露光マスクを用いたパターン露光の後、感光性ポリアミド酸膜（層）を１２０〜１８０℃の温度で約２〜１０分程度加熱し、次いで、現像を行うと、現像液により、非露光部は除去され、露光部はパターンとして残り、ネガ型のパターンとなるが、階調露光マスクを利用しているので、隣り合う配線間に位置する部分（５０％露光部）の厚みが、配線の上に在る部分（１００％露光部）の厚みより小さいパターンとなる。そして、こうして得られた感光性ポリアミド酸膜のパターンを加熱（硬化加熱）すると、図２に示す隣り合う配線１間の略中点に位置する部分の厚み（Ｔ１）が、配線１上に在る部分の厚み（Ｔ２）よりも小さくなった、ポリイミド層からなるカバー絶縁層２が形成される。
【００３４】
なお、上記の現像液には、通常、水酸化テトラメチルアンモニウム等のような有機アルカリの水溶液や、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機アルカリの水溶液が用いられる。アルカリ濃度は、通常、２〜５重量％の範囲が適当である。また、必要に応じて、アルカリ水溶液には、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール等の低級脂肪族アルコールを加えてもよい。アルコールの添加量は、通常、５０重量％以下である。また、現像の温度は、２５〜５０℃の範囲が適当である。
【実施例】
【００３５】
以下、実施例を示して本発明をより具体的に説明する。
（実施例１）
ｐ−フェニレンジアミン（４．５５モル）と２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ジアミノビフェニル（１．９５モル）（ジアミン成分合計６．５モル）と、３，４，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ジフタル酸二無水物）（６．５モル）とをＮ−メチル−２−ピロリドン７．６５ｋｇに溶解させ、室温で２４時間攪拌した。この後、７５℃に昇温し、粘度が５０００センチポイズに達したとき、加熱を止め、室温まで放置、冷却した。次いで、これにＮ−メチル体（１．２モル）を加えて、感光性ポリイミド樹脂前駆体の溶液を調製した。
【００３６】
厚み２５μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔上に上記感光性ポリイミド樹脂前駆体の溶液を連続コーターにて長尺塗布した後、１２０℃で２分間加熱乾燥して、感光性ポリイミド樹脂前駆体の被膜を形成した。次いで、マスクを介して、露光量７００ｍＪ／ｃｍ２にて紫外線照射し、１６０℃で３分間加熱した後、現像処理して、ネガ型画像を形成し、更に、０．０１ｔｏｒｒの真空下、４００℃に加熱して、パターン化したポリイミド樹脂からなるベース絶縁層（膜厚６μｍ）を形成した。
【００３７】
次に、こうして形成したポリイミドからなるベース絶縁層上に連続スパッタリング処理によってクロムと銅をそれぞれ５００オングストローム及び１０００オングストロームの膜厚で薄膜形成した。銅薄膜の表面抵抗は０．３〜０．４Ω／□であった。
【００３８】
次に、ステンレス基材の裏面に軽粘着シートをめっきマスクとして貼着した後、上記銅薄膜の全面に硫酸銅電解めっきを行って、膜厚１０μｍの銅めっきからなる導体層を形成した。
【００３９】
この後、常法に従って、市販のドライフイルムラミネートを１１０℃で導体層上にラミネートした後、露光量８０ｍＪ／ｃｍ２にてこれを露光させ、現像し、非パターン部の銅導体層をアルカリエッチングして、配線となる部分と共に電解めっきのリード部を残すように導体層をパターン化し、この後、レジストを除去した。
【００４０】
次に、以上の処理が行われたステンレス箔をフェリシアン化カリウムと水酸化ナトリウムの混合水溶液に２５℃で浸漬し、不必要な前記クロム薄膜を除去した。そして、この後、通常の無電解めっきを施し、膜厚約０．５μｍのニッケル薄膜を導体層（配線）及びベース絶縁層を含むステンレス箔の全面上に形成した。
【００４１】
次に、ステンレス箔上の導体層の配線部に、前記と同様にして、感光性ポリイミド樹脂前駆体を用いて、所要の被覆層（カバー絶縁層）を形成した。この時、前述の階調露光マスク（縞状パターン部における隣接する光透過部Ｈ１と遮光部Ｈ２の合計幅：６μｍ）を用いて、並設された複数の配線の端子として露出させた露出部（端子部）の近傍において、隣り合う配線間のカバー絶縁層の厚みを、他の部分（すなわち、配線の上に在る部分）のカバー絶縁層の厚みよりも薄くした。カバー絶縁層の隣り合う配線間の中点における厚みは２μｍ、配線の上に在る部分の厚みは７μｍであった。次いで、基材を硝酸系剥離剤に室温で浸漬して、端子部及びステンレス箔上の前記無電解めっき薄膜を除去した。
【００４２】
この後、常法に従って、配線の露出部（端子部）を除いて、通常のフォトレジストで被覆した後、配線の露出部（端子部）に電解ニッケルめっきと電解金めっきを順次行なって、それぞれ膜厚１μｍのめっき層を形成して、端子を形成した。この後、上記レジストを剥離し、めっきに用いたリード部を導体層から除去するために、銅アルカリエッチングとクロムエッチングを前述したのと同様の方法で行なった。
【００４３】
このようにして、導体層からめっきリード部を除去した後、ステンレス箔基材を所要の形状に切り抜くために、常法に従って、フォトレジスト又はドライフイルムラミネートを用いて、露光、現像を行なって、ステンレス箔上に所要のパターンを形成した後、ステンレス箔基材を塩化第二鉄エッチング液に４５℃で浸漬して、所要の形状に切り抜いた。そして、これを純水にて十分に洗浄した後、乾燥して、個々に切り抜かれた回路付きサスペンション基板（図３）を得た。このようにして得られた回路付きサスペンション基板において、端子の近傍においてカバー絶縁層が配線パターンから剥離することがなかった。
【００４４】
（比較例１）
実施例１において階調露光マスクを用いず、回路付きサスペンション基板を作製した。カバー絶縁層の隣り合う配線間の中点における厚み及び配線の上に在る部分の厚みはいずれも７μｍで、カバー絶縁層は端子の近傍において配線から剥離していた。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の片面配線回路基板の一例の端子部を示す平面図である。
【図２】本発明の片面配線回路基板の一例の端子部を示す側面図である。
【図３】本発明の回路付きサスペンション基板の一例の斜視図である。
【図４】図３の端子１６の近傍を拡大して示した平面図である。
【図５】本発明で使用する諧調露光マスクの要部平面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１  配線
２  カバー絶縁層（ポリイミド層）
３  金属箔（基体）
４  ベース絶縁層
１０  片面配線回路基板
【図１】
2005183831.tif 000004
【図２】
2005183831.tif 000005
【図３】
2005183831.tif 000006
【図４】
2005183831.tif 000007
【図５】
2005183831.tif 000008