(57)【要約】【課題】  本発明は、精度良くかつ再現性良く外部磁場の強さを測定できる磁気センサを提供する。【解決手段】  本発明は、複数の帯状の磁気抵抗効果膜５が互いに略平行に配置され、各々の磁気抵抗効果膜５の両端に複数の永久磁石膜６を少なくとも備え、前記磁気抵抗効果膜５の一方の端部が、隣接する一方の磁気抵抗効果膜５と前記永久磁石膜６の１つを介して接続され、前記磁気抵抗効果膜５の他方の端部が、隣接する他方の磁気抵抗効果膜５と前記永久磁石膜６の他の１つを介して接続され、前記磁気抵抗効果膜５と前記永久磁石膜６とがつづら折り形状をなす構成とする。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の帯状の磁気抵抗効果膜が互いに略平行に配置され、各々の磁気抵抗効果膜の両端に複数の永久磁石膜を少なくとも備え、
前記磁気抵抗効果膜の一方の端部が、隣接する一方の磁気抵抗効果膜と前記永久磁石膜の１つを介して接続され、
前記磁気抵抗効果膜の他方の端部が、隣接する他方の磁気抵抗効果膜と前記永久磁石膜の他の１つを介して接続され、
前記磁気抵抗効果膜と前記永久磁石膜とがつづら折り形状をなすことを特徴とする磁気センサ。
【請求項２】
前記磁気抵抗効果膜が、基板上に、ピニング層，ピンド層，スペーサ層，フリー層を順に積層してなり、前記フリー層の一軸異方性の向きが前記磁気抵抗効果膜の長手方向と前記永久磁石膜の着磁後の磁化の向きと同じであることを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ。
【請求項３】
前記永久磁石膜のアスペクト比が１以上であり、かつ前記永久磁石膜の長手方向が前記磁気抵抗効果膜の長手方向と略同一方向となるように、前記磁気抵抗効果膜と前記永久磁石膜とが配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気センサ。
【請求項４】
前記永久磁石膜が導電性材料から構成され、前記隣接する磁気抵抗効果膜の端部間を電気的に接続するように機能することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の磁気センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気センサ等に利用されるスピンバルブ型の磁気抵抗効果膜を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、巨大磁気抵抗素子（以下、ＧＭＲ素子とも称する）が用いられた磁気センサが提案され、実用に供されている。
ＧＭＲ素子は、磁化の向きが所定の方向にピン止めされたピンド層と、磁化の向きが外部磁場に対応して変化するフリー層とを備えた磁気抵抗効果膜から構成され、外部磁場が加わった際、ピンド層の磁化の向きとフリー層の磁化の向きとの相対関係に応じた抵抗値を呈するようになっている。
磁気センサでは、前記ＧＭＲ素子の抵抗値を測定することで外部磁場の強さを測定できるようになっている。
【０００３】
磁気センサ内のＧＭＲ素子は、複数回つづら折り状に折り返した細線パターンとなるように形成されており、これにより微小面積内においても経路長を長くしてインピーダンスを高くすることができ、消費電流を低減できるようになっている。
しかし、このつづら折り状のＧＭＲ素子では、その折り曲がり部分（以下、屈曲部とも言う。）が磁気抵抗効果膜で形成されているため、ＧＭＲ素子の感度方向が不均一となり、これにより磁気抵抗効果膜の抵抗値と外部磁場の強さとの直線関係（線形性）が損われて精度良く磁場の強さを測定できない場合があった。
【０００４】
そこで、つづら折り状のＧＭＲ素子の屈曲部が、非磁性膜で形成されたものを用いた磁気センサが提案された（特許文献１参照。）。
この特許文献１の磁気センサでは、ＧＭＲ素子の屈曲部が磁気抵抗効果膜である磁気センサに比べて、精度良く磁場の強さを測定できるが、屈曲部が非磁性膜であるために磁気抵抗効果膜のフリー層の一軸異方性を維持するには不十分である。このため、磁気センサに外部から、ある程度強い外乱磁場が印加された際、フリー層の磁化の向きが初期状態の向きと一致（復帰）せず、これにより再現性良く外部磁場の強さを測定できない場合があった。
【特許文献１】特開２０００−２０６２１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前記フリー層の一軸異方性を維持するために、ＧＭＲ素子の屈曲部近傍、すなわち磁気抵抗効果膜の両端側に、強磁性体などから構成された永久磁石膜（バイアス磁石膜）を備えた磁気センサも提案されている。
しかし、このような磁気センサは、つづら折り状のＧＭＲ素子が磁気抵抗効果膜と非磁性膜とからなり、更にこの抵抗回路の屈曲部近傍に永久磁石膜が設けられた構成となるため、構成成分が多くかつ構造が複雑であり、製造が困難となる問題があった。
【０００６】
本発明の目的は、上記した事情に鑑みなされたものであり、磁気抵抗効果膜の抵抗値と外部磁場の強さとの直線関係（線形性）が損われず精度良く外部磁場の強さを測定でき、かつ磁気抵抗効果膜のフリー層の一軸異方性を維持でき再現性良く外部磁場の強さを測定でき、更に構造が比較的簡単で容易に製造できる磁気センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る磁気センサは、複数の帯状の磁気抵抗効果膜が互いに略平行に配置され、各々の磁気抵抗効果膜の両端に複数の永久磁石膜を少なくとも備え、前記磁気抵抗効果膜の一方の端部が、隣接する一方の磁気抵抗効果膜と前記永久磁石膜の１つを介して接続され、前記磁気抵抗効果膜の他方の端部が、隣接する他方の磁気抵抗効果膜と前記永久磁石膜の他の１つを介して接続され、前記磁気抵抗効果膜と前記永久磁石膜とがつづら折り形状をなすことを特徴としている。
【０００８】
かかる磁気センサにおいて、前記磁気抵抗効果膜が、基板上に、ピニング層，ピンド層，スペーサ層，フリー層を順に積層してなり、前記フリー層の一軸異方性の向きが前記磁気抵抗効果膜の長手方向と前記永久磁石膜の着磁後の磁化の向きと同じであることを特徴としている。
【０００９】
かかる磁気センサにおいて、前記永久磁石膜のアスペクト比が１以上であり、かつ前記永久磁石膜の長手方向が前記磁気抵抗効果膜の長手方向と略同一方向となるように、前記磁気抵抗効果膜と前記永久磁石膜とが配置されていることを特徴としている。
【００１０】
かかる磁気センサにおいて、前記永久磁石膜が導電性材料から構成され、前記隣接する磁気抵抗効果膜の端部間を電気的に接続するように機能することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の磁気センサによれば、磁気抵抗効果膜と永久磁石膜とがつづら折り形状をなし、このつづら折り形状の屈曲部に永久磁石膜が設けられたことによって、従来のように屈曲部が磁気抵抗効果膜で形成されておらず、これによりＧＭＲ素子の感度方向が不均一とならず、磁気抵抗効果膜の抵抗値と外部磁場の強さとの直線関係（線形性）が損われることなく精度良く外部磁場の強さを測定できる。
また、帯状の磁気抵抗効果膜の端部に永久磁石膜が位置することになるため、この永久磁石膜の磁化によって磁気抵抗効果膜のフリー層の一軸異方性が維持され、再現性良く外部磁場の強さを測定できる。
更に、従来のように非磁性膜を用いておらず、帯状の磁気抵抗効果膜と、この磁気抵抗効果膜の端部に設けられた永久磁石膜とから構成され、比較的簡単な構成であり簡便に製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図１は本実施形態の磁気センサの一例を示す平面図である。
この磁気センサ１は、所定の厚みを有する略正方形状の石英基板２と、この石英基板２上に形成されＸ軸方向の磁界を検出するＸ軸磁気センサを構成するＸ軸ＧＭＲ素子３１，３２と、同石英基板２上に形成されＸ軸と直交するＹ軸方向の磁界を検出するＹ軸磁気センサを構成するＹ軸ＧＭＲ素子４１，４２とにより構成されている。
なお、石英基板２の代わりに、シリコンウエハなどを用いてもよい。
【００１３】
図２は、Ｘ軸ＧＭＲ素子３１の平面図であり、図３は、図２中ＡＡ線断面図であり、図４は、図２中ＢＢ線断面図である。
Ｘ軸ＧＭＲ素子３１，３２は、石英基板２上のＸ軸に直交する二辺のそれぞれの中点の近傍に１つずつ、Ｘ軸ＧＭＲ素子３１，３２同士が互いに平行になるように配置されている。Ｙ軸ＧＭＲ素子４１，４２も同様に、石英基板２上のＹ軸に直交する二辺のそれぞれの中点の近傍に１つずつ、Ｙ軸ＧＭＲ素子４１，４２同士が互いに平行になるように配置されている。
【００１４】
これらＸ軸ＧＭＲ素子３１，３２とＹ軸ＧＭＲ素子４１，４２は、互いに略平行に配置された複数の帯状の磁気抵抗効果膜５と、この磁気抵抗効果膜５の長軸方向の両端部に設けられた永久磁石膜（バイアス磁石膜）６とから構成されている。前記永久磁石膜６は、高保磁力、高角型比を有するＣｏＣｒＰｔ等の硬質強磁性体の矩形状の薄膜から構成されている。
前記磁気抵抗効果膜５の一方の端部は、隣接する一方の磁気抵抗効果膜５と永久磁石膜６の１つを介して接続されている。また、磁気抵抗効果膜５の他方の端部は、隣接する他方の磁気抵抗効果膜５と永久磁石膜６の他の１つを介して接続されている。
永久磁石膜には、配線部（図示省略）が接続され、この配線部によって１つの永久磁石膜に接続された２つの磁気抵抗効果膜５の端部が電気的に接続されている。
以上により磁気抵抗効果膜５と永久磁石膜６とは、直列に接続されてつづら折り形状をなしており、各磁気抵抗効果膜５は、それぞれ各永久磁石膜６及び配線部を介して直列に電気的に接続されており、抵抗回路として機能するようになっている。このため、磁気抵抗効果膜５から構成された抵抗回路に外部から電流を流し抵抗回路の電圧を測定することによって、磁気抵抗効果膜５の抵抗値を求めることができ、この抵抗値から外部磁場の強さを算出できる。
【００１５】
次に、磁気抵抗効果膜５について説明する。図５は、Ｘ軸ＧＭＲ素子３１の磁気抵抗効果膜５の一例を示す図である。磁気抵抗効果膜５は、石英基板２上に、フリー層Ｆ、ＣｕもしくはＣｕ合金からなる導電性のスペーサ層Ｓ、ＣｏＦｅからなるピンド層ＰＤ、ＰｔＭｎからなるピニング層ＰＮ、チタン（Ｔｉ）やタンタル（Ｔａ）等の金属薄膜からなるキャッピング層Ｃが順次積層されて構成されている。
前記フリー層Ｆは、外部磁場の向きに応じて磁化の向きが変化する層であり、ＣｏＺｒＮｂアモルファス磁性層５ａと、ＣｏＺｒＮｂアモルファス磁性層５ａ上に積層されたＮｉＦｅ磁性層５ｂと、ＮｉＦｅ磁性層５ｂ上に積層されたＣｏＦｅ層５ｃとから構成されている。
ＣｏＺｒＮｂアモルファス磁性層５ａとＮｉＦｅ磁性層５ｂは、軟質の強磁性体であり、ＣｏＦｅ層５ｃは、ＮｉＦｅ磁性層５ｂのＮｉやスペーサ層ＳのＣｕの拡散を防止する拡散防止層である。
【００１６】
前記ピンド層ＰＤは、ＣｏＦｅ磁性層５ｄから構成されている。このＣｏＦｅ磁性層５ｄは、後述する反強磁性膜５ｅに交換結合的に裏打されることによって、磁化の向きが、Ｘ軸負方向にピン止め（固着）されている。
前記ピニング層ＰＮは、ＣｏＦｅ磁性層５ｄ上に積層され、Ｐｔを４５〜５５ｍｏｌ％含むＰｔＭｎ合金からなる反強磁性膜５ｅから構成されている。この反強磁性膜は、Ｘ軸負方向に磁場が印加された状態で規則化熱処理されて形成されたものである。
これらピンド層ＰＤとピニング層ＰＮをあわせてピン層と称する。
なお、Ｘ軸ＧＭＲ素子３２とＹ軸ＧＭＲ素子４１，４２のそれぞれの構造は、磁化の向きのピン止め（固着）方向が、図１で示す各矢印の向きとなっていることを除き、前記Ｘ軸ＧＭＲ素子３１と全く同様の構造であるため説明を省略する。
【００１７】
前記した磁気抵抗効果膜５の長軸方向の両端部に設けられた永久磁石膜６は、その磁化の向きが磁気抵抗効果膜５の長軸に沿う方向となるように着磁されている。
このように、ピンド層ＰＤの磁化の向きは、その長軸に対して垂直に交わる方向であり、永久磁石膜６の磁化の向きは、その長軸に沿う方向であるため、磁気抵抗効果膜５のピンド層の磁化の向きと永久磁石膜６の磁化の向きとは９０°の角度をなすことになる。
この永久磁石膜６の磁化によって、磁気抵抗効果膜５のフリー層Ｆの一軸異方性が維持されるようになっている。
【００１８】
このＸ軸ＧＭＲ素子３１は、図１中矢印にて示したように、ピンド層ＰＤのピン止めされた磁化の向きはＸ軸負方向となっている。
一方、Ｘ軸ＧＭＲ素子３２は、図１中矢印にて示したように、ピンド層ＰＤのピン止めされた磁化の向きはＸ軸正方向となっている。
また、Ｙ軸ＧＭＲ素子４１は、図１中矢印にて示したように、ピンド層ＰＤのピン止めされた磁化の向きはＹ軸正方向となっている。
一方、Ｘ軸ＧＭＲ素子４２は、図１中矢印にて示したように、ピンド層ＰＤのピン止めされた磁化の向きはＹ軸負方向となっている。
【００１９】
Ｘ軸磁気センサ（Ｘ軸ＧＭＲ素子３１，３２）は、Ｘ軸ＧＭＲ素子３１，３２が直列接続（ハーフブリッジ接続）されている。このような構成において、直流電圧を印加してＸ軸ＧＭＲ素子３１，３２の中点電位を測定し、センサ出力として出力できるようになっている。
このため、Ｘ軸磁気センサでは、Ｘ軸に沿って変化する外部磁場に対して、前記センサ出力が略比例して変化することになる。
なお、Ｘ軸ＧＭＲ素子３１を２つ隣接して形成し、同様にＸ軸ＧＭＲ素子３２を２つ隣接して形成してフルブリッジ接続としても構わない。
【００２０】
Ｙ軸磁気センサ（Ｙ軸ＧＭＲ素子４１，４２）は、Ｘ軸磁気センサと同様、Ｙ軸ＧＭＲ素子４１，４２が直列接続（ハーフブリッジ接続）されている。このような構成において、直流電圧を印加してＹ軸ＧＭＲ素子４１の中点電位を測定し、センサ出力として出力できるようになっており、Ｙ軸に沿って変化する外部磁場に対して、前記センサ出力が略比例して変化することになる。
なお、Ｘ軸磁気センサと同様に、Ｙ軸ＧＭＲ素子４１を２つ隣接して形成し、同様にＹ軸ＧＭＲ素子４２を２つ隣接して形成してフルブリッジ接続としても構わない。
以上により、磁気センサ１に加わる外部磁場の強さを、Ｘ軸磁気センサとＹ軸磁気センサからのセンサ出力として検出することができる。
【００２１】
本発明の磁気センサ１によれば、つづら折り状のＧＭＲ素子３１〜４２のうち、屈曲部が永久磁石膜６であり、従来のように屈曲部が磁気抵抗効果膜５で形成されておらず、これによりＧＭＲ素子の感度方向が不均一とならない。このため磁気抵抗効果膜５の抵抗値と外部磁場の強さとの直線関係（線形性）が損われることなく精度良く外部磁場の強さを測定できる。
また、帯状の磁気抵抗効果膜５の端部に永久磁石膜６が位置することになるため、この永久磁石膜６の磁化によって磁気抵抗効果膜５のフリー層Ｆの一軸異方性が維持され、再現性良く外部磁場の強さを測定できる。
更に、従来のように非磁性膜を用いておらず、つづら折り状のＧＭＲ素子３１〜４２は、帯状の磁気抵抗効果膜５と、この磁気抵抗効果膜５の端部に設けられた永久磁石膜６とから構成されており、比較的簡単な構成であり簡便に製造できる。
【００２２】
また、フリー層Ｆの一軸異方性の向きが、磁気抵抗効果膜５の長手方向と永久磁石膜６の着磁後の磁化の向きと同じとすることによって、フリー層Ｆの一軸異方性の向きを、形状磁気異方性と永久磁石膜６の磁化とによって維持（保持）でき、優れた再現性で外部磁場の強さを測定できる。
【００２３】
また、本発明では、永久磁石膜６のアスペクト比（縦横比、図２の平面図における紙面上上下方向の長さと紙面上左右方向の長さとの比）が１以上であり、かつ永久磁石膜６の長手方向が磁気抵抗効果膜５の長手方向と略同一方向となるように、磁気抵抗効果膜５と永久磁石膜６とが配置された構成とすることが好ましい。
これにより、永久磁石膜６のパーミアンス係数を大きくすることができ、永久磁石膜６の磁化が減磁し難くなり、この永久磁石膜６の磁化によって、磁気抵抗効果膜５のフリー層Ｆの一軸異方性の向きを、更に安定して維持（保持）でき、優れた再現性で外部磁場の強さを測定できる。
【００２４】
なお、本発明の技術範囲は、上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、永久磁石膜６は導電性材料から構成されているため、この永久磁石膜６が配線部を兼ねても構わない。
図６は、永久磁石膜６’が配線部を兼ねたＸ軸ＧＭＲ素子３１’の平面図である。
永久磁石膜６’によって各磁気抵抗効果膜５が電気的に直列に接続され、このつづら折り形状をなす磁気抵抗効果膜５に永久磁石膜６’を介して通電できるようになっている。
図６では、永久磁石膜６’にビア（スルーホール）６１が形成されており、このビア６１を介して永久磁石膜６’と石英基板２上の図示しないパッドや他の素子などからの配線７とが電気的に接続されている。
永久磁石膜６’が配線部を兼ねた構成とすることによって、新たに配線部を設ける必要がなく、製造工程が簡略化され、簡便に製造できる。
【実施例】
【００２５】
以下に、本発明に係る具体例を示すが、本発明はこれら具体例に限定されるものではない。
［具体例１］
具体例１は、本実施形態の磁気センサ１と同様の構成のものである。
図７は、具体例１のＸ軸ＧＭＲ素子３１の磁気抵抗特性を示す図である。Ｘ軸に沿って印加された外部磁場の強さが−３０〜３０Ｏｅの領域では、外部磁場の強さに略比例して磁気抵抗値が変化する磁気抵抗特性が得られた。
【００２６】
図８は、具体例１と具体例３（後述。）の磁気センサ１について、Ｘ軸ＧＭＲ素子３１及びＸ軸ＧＭＲ素子３２の耐擾乱磁界安定性を示す図である。
ここで、耐擾乱磁界安定性とは、Ｘ軸ＧＭＲ素子３１及びＸ軸ＧＭＲ素子３２に印加した外部磁場を取り去った後、フリー層Ｆの磁化の向きが初期状態の向きにどれだけ一致（復帰）するかを、外部磁場を取り去った後のセンサ出力値と初期状態でのセンサ出力値との差（変化量）で表したものである。この外部磁場を取り去った後のセンサ出力値の変化量が小さいほど、外部磁場を取り去った後、フリー層Ｆの磁化の向きが初期状態の向きに一致（復帰）しており、再現性良く外部磁場の強さを測定できることになる。
【００２７】
この磁気センサ１の耐擾乱磁界安定性を以下の方法により測定した。
Ｘ軸ＧＭＲ素子３１及びＸ軸ＧＭＲ素子３２から構成されたＸ軸センサに対し、Ｘ軸とのなす角が４５度の方向に外部磁場を往復印加し、この外部磁場を取り去った後に、Ｘ軸センサ出力値を測定した。
次に、初期化コイルを用いて、Ｘ軸ＧＭＲ素子３１及びＸ軸ＧＭＲ素子３２を初期化した。前記初期化コイルは、各ＧＭＲ素子のフリー層の向きを初期状態に戻す目的で、Ｘ軸ＧＭＲ素子３１及びＸ軸ＧＭＲ素子３２の直下に形成されており、所定の電流を通電することによって、各ＧＭＲ素子の素子長手方向かつフリー層の向きに磁界を発生するようになっている。
初期化は外部磁場を印加し取り去った後に１０回行い、それぞれの初期化動作後にＸ軸センサ出力値を測定した。
以上の操作を、印加する外部磁場の強さを２０Ｏｅずつ強くして繰り返し行い、Ｘ軸センサの各状態での出力値と、初期状態でのＸ軸センサ出力値との差を求め、Ｘ軸センサ出力値との差を求め、Ｘ軸センサ出力値の変化量を求めた。
【００２８】
具体例１の磁気センサ１では、印加する外部磁場の強さが１４０Ｏｅまでは、外部磁場を取り去った後と各初期化後において、初期状態からのセンサ出力値の変化量はほぼ０であり、磁気抵抗効果膜５のフリー層Ｆの磁化が初期状態の向きとほぼ一致していることが分かった。このため、具体例１の磁気センサ１では、再現性良く外部磁場の強さを測定できることが分かった。
以上のように、具体例１の磁気センサ１では、磁気抵抗値と外部磁場の強さとの直線関係（線形性）が損われず、精度良く磁場の強さを測定でき、かつフリー層Ｆの磁化の向きが初期状態の向きにほぼ一致（復帰）し、磁場の強さを再現性良く測定できることが分かった。
【００２９】
［具体例２］
図９は、具体例２のＸ軸ＧＭＲ素子１３１の平面図である。具体例２が具体例１と異なる点は、Ｘ軸ＧＭＲ素子１３１とＹ軸ＧＭＲ素子が、磁気抵抗効果膜１０５のみで構成されている点である。他の構成は具体例１と同様であるため説明を省略する。
図１０は、具体例２のＸ軸ＧＭＲ素子１３１の磁気抵抗特性を示す図である。外部磁場に対して、磁気抵抗特性に大きなヒステリシスが現れ、磁気抵抗値と外部磁場の強さとが１つの直線関係で表すことができない。このため、外部磁場の強さが同一であっても磁場の向きによって磁気抵抗値が異なる値となってしまい、磁気抵抗値と外部磁場の強さとの関係に線形性がみられず、精度良く磁場の強さを測定できないことが分かった。
これは、具体例２では、Ｘ軸ＧＭＲ素子１３１とＹ軸ＧＭＲ素子のつづら折り形状の屈曲部が磁気抵抗効果膜であり、この屈曲部にて磁気抵抗効果膜５の異方性が保たれず、感度方向が不均一となるためであると考えられる。
【００３０】
［具体例３］
図１１は、具体例３のＸ軸ＧＭＲ素子２３１の平面図である。具体例３が具体例１と異なる点は、つづら折り形状のＸ軸ＧＭＲ素子２３１とＹ軸ＧＭＲ素子の屈曲部が、非磁性膜２００で形成されている点である。他の構成は具体例１と同様であるため説明を省略する。
具体例３の磁気センサでは、図８に示されたように、印加する外部磁場の強さが４０Ｏｅ以上では、外部磁場を取り去った後のセンサ出力値の変化量が０とならず、磁気抵抗効果膜２０５のフリー層Ｆの磁化が初期状態の向きに復帰していないことが分かった。更に、Ｘ軸ＧＭＲ素子２３１の初期化を１０回行っても、センサ出力値の変化量は０とならず、フリー層Ｆの磁化は初期状態の向きに復帰できていない。このセンサ出力値の変化量は、印加する外部磁場の強さが強くなるにつれて増大しており、具体例３の磁気センサでは、再現性良く外部磁場の強さを測定できないことが分かった。
これは、具体例３では、Ｘ軸ＧＭＲ素子２３１とＹ軸ＧＭＲ素子のつづら折り形状の屈曲部が非磁性膜であるために磁気抵抗効果膜２０５のフリー層Ｆの一軸異方性を維持することが困難となるためであると考えられる。
【産業上の利用可能性】
【００３１】
本発明の磁気センサは、精度良くかつ優れた再現性で外部磁場の強さを測定できるため、磁気センサを用いた高感度の磁気分析機器、磁気医療機器などにも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本実施形態の磁気センサの一例を示す平面図である。
【図２】Ｘ軸ＧＭＲ素子の平面図である。
【図３】図２中ＡＡ線断面図である。
【図４】図２中ＢＢ線断面図である。
【図５】磁気抵抗効果膜の一例を示す図である。
【図６】永久磁石膜が配線部を兼ねたＸ軸ＧＭＲ素子の平面図である。
【図７】具体例１のＸ軸ＧＭＲ素子の磁気抵抗特性を示す図である。
【図８】具体例１と具体例３のＸ軸ＧＭＲ素子の耐擾乱磁界安定性を示す図である。
【図９】具体例２のＸ軸ＧＭＲ素子の平面図である。
【図１０】具体例２のＸ軸ＧＭＲ素子の磁気抵抗特性を示す図である。
【図１１】具体例３のＸ軸ＧＭＲ素子の平面図である。
【符号の説明】
【００３３】
１‥‥磁気センサ、２‥‥基板、５‥‥磁気抵抗効果膜、６，６’‥‥永久磁石膜、Ｆ‥‥フリー層、ＰＤ‥‥ピンド層、ＰＮ‥‥ピニング層、Ｓ‥‥スペーサ層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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