(57)【要約】    【課題】  本発明は、被転写体と転写先基板との接着力を向上させた回路基板、その回路基板を有する電気光学装置及び電子機器を提供することを目的としている。また、本発明は、歩留まりよく回路基板を製造することができる回路基板の製造方法を提供することを目的としている。    【解決手段】  配線層１０３を含む基本基板１００と、薄膜回路層２０５を含み、転写元基板から剥離転写によって基本基板１００上に形成される薄膜回路チップ２１０とを含む回路基板４００であって、基本基板１００と薄膜回路チップ２１０とが接着層１１１を介して接合されており、基本基板１００及び薄膜回路チップ２１０の互いに対向する面の接着層１１１と接触する部位の少なくとも一部がそれぞれ同種の材料で構成されている回路基板４００により上記課題を解決する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線層を含む基本基板と、薄膜回路層を含み、転写元基板から剥離転写によって前記基本基板上に形成される薄膜回路チップとを含む回路基板であって、
前記基本基板と前記薄膜回路チップとが接着層を介して接合されており、
前記基本基板及び前記薄膜回路チップの互いに対向する面の前記接着層と接触する部位の少なくとも一部がそれぞれ同種の材料で構成されていることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記基本基板が、前記配線層を保護するために表層に形成される第一の保護膜を含み、
前記薄膜回路チップが、前記薄膜回路層を保護するために表層に形成される第二の保護膜を含み、
前記第一の保護膜と前記第二の保護膜とが同種の材料で構成されている、請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記基本基板が、前記接着層との密着性を高めるために表層に形成される第一の密着膜を含み、
前記薄膜回路チップが、前記薄膜回路層を保護するために表層に形成される第二の保護膜を含み、
前記第一の密着膜と前記第二の保護膜とが同種の材料で構成されている、
請求項１に記載の回路基板。
【請求項４】
前記基本基板が、前記配線層を保護するために表層に形成される第一の保護膜を含み、
前記薄膜回路チップが、前記接着層との密着性を高めるために表層に形成される第二の密着膜を含み、
前記第一の保護膜と前記第二の密着膜とが同種の材料で構成されている、
請求項１に記載の回路基板。
【請求項５】
前記基本基板が、前記接着層との密着性を高めるために表層に形成される第一の密着膜を含み、
前記薄膜回路チップが、前記接着層との密着性を高めるために表層に形成される第二の密着膜を含み、
前記第一の密着膜と前記第二の密着膜とが同種の材料で構成されている、
請求項１に記載の回路基板。
【請求項６】
前記同種の材料が有機系材料又は無機系材料である、請求項１に記載の回路基板。
【請求項７】
前記同種の材料がアクリル樹脂又はポリイミドである、請求項１に記載の回路基板。
【請求項８】
前記同種の材料がシリカ又はポリシラザンである、請求項１に記載の回路基板。
【請求項９】
前記同種の材料がアクリル樹脂であり、前記接着層がエポキシ系接着剤により構成される、請求項１に記載の回路基板。
【請求項１０】
前記同種の材料がシリカであり、前記接着層がアクリレート系接着剤により構成される、請求項１に記載の回路基板。
【請求項１１】
剥離転写前において、前記薄膜回路チップは光照射により層内及び／又は界面において剥離を生じる剥離層を介して前記転写元基板上に形成されており、前記接着層による前記基本基板と前記薄膜回路チップとの接着力が、前記光照射後の前記剥離層による前記薄膜回路チップと前記転写元基板との付着力よりも強い、請求項１乃至１０のいずれかに記載の回路基板。
【請求項１２】
前記薄膜回路チップが多層構造を有しており、前記接着層による前記基本基板と前記薄膜回路チップとの接着力が前記薄膜回路チップを構成する各層間の付着力と同等か当該付着力よりも強い、請求項１乃至１１のいずれかに記載の回路基板。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれかに記載の回路基板を含む電気光学装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１２のいずれかに記載の回路基板を含む電子機器。
【請求項１５】
薄膜回路チップが形成された第一の基板上に当該薄膜回路チップを覆う第一の被膜を形成する第一の被膜形成工程と、
第二の基板上に前記第一の被膜と同種の材料で第二の被膜を形成する第二の被膜形成工程と、
前記第一の基板の前記第一の被膜が形成された部位と前記第二の基板の前記第二の被膜が形成された部位とを接着層を介して接合する接合工程と、
前記第一の基板から前記第二の基板に前記薄膜回路チップを剥離転写する剥離転写工程と、
を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜回路チップなどの薄膜層よりなる被転写体を剥離して、他の基板へ剥離転写する転写技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）又はＥＬ素子等を用いたディスプレイを製造する際には、通常、基板上に薄膜トランジスタを形成する工程を経る。薄膜トランジスタの形成工程は一般に高温下でなされるため、薄膜トランジスタが形成される基板には耐熱性が高いことが要求される。しかし、このような耐熱性の高い基板は高価であり、製品のコストが高くなるため、基板上に薄膜トランジスタを形成してから安価な基板に薄膜トランジスタを転写する方法が開発されている。
【０００３】
例えば特開平１０−１２５９２９号公報（特許文献１）に、このような薄膜トランジスタの転写方法が開示されている。当該公報に記載の方法では、薄膜トランジスタ等の被転写体の形成を石英ガラス等の耐熱性の高い基板上で行った後、耐熱性の低い安価な転写先基板にこの被転写体を転写するといった方法が開示されている。
【０００４】
このような方法によれば、高温下で行うプロセスを耐熱性の高い基板上で行った後に、安価で加工し易い基板に被転写体を転写し得るので、大型で安価な液晶ディスプレイ等を容易に製造し得ることになる。
【特許文献１】特開平１０−１２５９２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、被転写体を元の基板（転写元基板）から剥離する際、被転写体と転写先基板との接着力が十分でないと、被転写体が転写先基板に転写されずに元の基板側に残留してしまう場合がある。よって、被転写体の転写によって得られる製品の歩留まりが悪くなるといった問題があった。
【０００６】
したがって、本発明は、被転写体と転写先基板との接着力を向上させた回路基板、その回路基板を有する電気光学装置及び電子機器を提供することを目的としている。
【０００７】
また、本発明は、歩留まりよく回路基板を製造することができる回路基板の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の第一の態様は、配線層を含む基本基板と、薄膜回路層を含み、転写元基板から剥離転写によって前記基本基板上に形成される薄膜回路チップとを含む回路基板であって、前記基本基板と前記薄膜回路チップとが接着層を介して接合されており、前記基本基板及び前記薄膜回路チップの互いに対向する面の前記接着層と接触する部位の少なくとも一部がそれぞれ同種の材料で構成されていることを特徴とする回路基板を提供するものである。
【０００９】
剥離転写によって形成される回路基板において、被転写体としての薄膜回路チップと転写先基板である基本基板の互いに対向する面（対向面）の接着層と接触する部位がそれぞれ異なる材料で構成されている場合、一方の面に対して接着性の良い接着剤を選択した場合には他方の面との接着性が悪い場合があった。また、両方の面に対して接着性の良い接着剤を選択するのは困難な場合が多かった。しかし、基本基板と薄膜回路チップとの接着力が十分でないと、薄膜回路チップを転写元基板から基本基板側に剥離転写する際に、薄膜回路チップが転写されずに転写元基板側に残存してしまう虞があり、得られる製品の歩留まりが悪くなる虞があった。したがって、基本基板と薄膜回路チップとの接着性の点で未だ改善の余地があった。
【００１０】
そこで、本発明では、基本基板と薄膜回路チップの対向する面を同種の材料で構成する。これにより、基本基板と薄膜回路チップの双方と接着性のよい接着剤を容易に選択することが可能となり、基本基板と薄膜回路チップとの接着力を向上させることが可能となる。従って、薄膜回路チップの剥離転写時に薄膜回路チップが転写元基板側に残存することを抑止し得るので、歩留まりよく製造し得る回路基板を提供することが可能となる。
【００１１】
前記基本基板が、前記配線層を保護するために表層に形成される第一の保護膜を含み、前記薄膜回路チップが、前記薄膜回路層を保護するために表層に形成される第二の保護膜を含み、前記第一の保護膜と前記第二の保護膜とが同種の材料で構成されていることが好ましい。
【００１２】
これによれば、配線層又は薄膜回路層を保護するのに形成される保護膜により、接着層との密着性を高めることが可能であるので、新たに接着層との密着性を高めるための層を形成する必要がない。したがって、新たに製造工程を追加する必要がないので、回路基板の製造コストを低減することが可能となる。
【００１３】
前記基本基板が、前記接着層との密着性を高めるために表層に形成される第一の密着膜を含み、前記薄膜回路チップが、前記薄膜回路層を保護するために表層に形成される第二の保護膜を含み、前記第一の密着膜と前記第二の保護膜とが同種の材料で構成されていることが好ましい。
【００１４】
これによれば、密着膜を新たに形成することにより、容易に基本基板と薄膜回路チップとの対向面（表層）を同種の材料にすることが可能となる。
【００１５】
前記基本基板が、前記配線層を保護するために表層に形成される第一の保護膜を含み、前記薄膜回路チップが、前記接着層との密着性を高めるために表層に形成される第二の密着膜を含み、前記第一の保護膜と前記第二の密着膜とが同種の材料で構成されていることが好ましい。
【００１６】
これによれば、密着膜を新たに形成することにより、容易に基本基板と薄膜回路チップとの対向面（表層）を同種の材料にすることが可能となる。
【００１７】
前記基本基板が、前記接着層との密着性を高めるために表層に形成される第一の密着膜を含み、前記薄膜回路チップが、前記接着層との密着性を高めるために表層に形成される第二の密着膜を含み、前記第一の密着膜と前記第二の密着膜とが同種の材料で構成されていることが好ましい。
【００１８】
これによれば、第一の保護膜及び第二の保護膜の双方に密着膜を新たに形成することにより、容易に基本基板と薄膜回路チップとの対向面を同種の材料にすることが可能となる。
【００１９】
このような同種の材料としては、有機系材料又は無機系材料のいずれも使用可能である。基本基板及び薄膜回路チップの表層を有機系材料に統一すると、このような有機系材料との相性の良い（接着性の良好な）接着剤を選択すればよいので、接着剤の選択が容易となる。また、同様に、基本基板及び薄膜回路チップの表層を無機系材料に統一すると、このような無機系材料との相性の良い（接着性の良好な）接着剤を選択すればよいので、接着剤の選択が容易となる。
【００２０】
このような有機系材料としては、例えばアクリル樹脂又はポリイミドが用いられる。また、無機系材料としては、例えばシリカ又はポリシラザンが用いられる。なお、同種の材料の例として、有機系材料又は無機系材料を挙げたが、本発明に於いて、同種の材料とは、接着層に用いる接着剤との接着性が良好であるという意味において同じ系統に属する材料であればよい。
【００２１】
前記同種の材料がアクリル樹脂であり、前記接着層がエポキシ系接着剤により構成されることが好ましい。かかる組合せによれば、基本基板と薄膜回路チップ間の接着をより強固にすることが可能となる。
【００２２】
前記同種の材料がシリカであり、前記接着層がアクリレート系接着剤により構成されることが好ましい。かかる組合せによれば、基本基板と薄膜回路チップ間の接着をより強固にすることが可能となる。
【００２３】
剥離転写前において、前記薄膜回路チップは光照射により層内及び／又は界面において剥離を生じる剥離層を介して前記転写元基板上に形成されており、前記接着層による前記基本基板と前記薄膜回路チップとの接着力が、前記光照射後の前記剥離層による前記薄膜回路チップと前記転写元基板との付着力よりも強いことが好ましい。これにより、薄膜回路チップを確実に基本基板側に転写することが可能となるので、歩留まりよく製造し得る回路基板を提供し得る。
【００２４】
前記薄膜回路チップが多層構造を有しており、前記接着層による前記基本基板と前記薄膜回路チップとの接着力が前記薄膜回路チップを構成する各層間の付着力と同等か当該付着力よりも強いことが好ましい。これにより、薄膜回路チップの転写剥離時に薄膜回路チップが破損することがないので、歩留まりよく製造し得る回路基板を提供し得る。
【００２５】
本発明の第二の態様は、上記いずれかに記載の回路基板を含む電気光学装置を提供するものである。これにより、歩留まりよく製造し得る電気光学装置を提供し得る。
【００２６】
本発明の第三の態様は、上記いずれかに記載の回路基板を含む電子機器を提供するものである。これにより、歩留まりよく製造し得る電子機器を提供し得る。
【００２７】
本発明の第四の態様は、薄膜回路チップが形成された第一の基板上に当該薄膜回路チップを覆う第一の被膜を形成する第一の被膜形成工程と、第二の基板上に前記第一の被膜と同種の材料で第二の被膜を形成する第二の被膜形成工程と、前記第一の基板の前記第一の被膜が形成された部位と前記第二の基板の前記第二の被膜が形成された部位とを接着層を介して接合する接合工程と、前記第一の基板から前記第二の基板に前記薄膜回路チップを剥離転写する剥離転写工程と、を含む回路基板の製造方法を提供するものである。
【００２８】
これによれば、第一の被膜と第二の被膜を同種の材料で形成するので、基本基板と薄膜回路チップの双方と接着性のよい接着剤を容易に選択することが可能となり、基本基板と薄膜回路チップとの接着力を向上させることが可能となる。従って、薄膜回路チップが転写されずに転写元基板側に残存することを抑止し得るので、歩留まりよく回路基板を製造することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。本実施形態では、電気光学装置として有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明する。有機ＥＬ表示装置は、本実施形態の回路基板４００を含み構成されている。
【００３０】
図１は、本実施形態に係る回路基板４００の断面図である。
【００３１】
本実施形態の回路基板４００は、基本基板１００、後述する転写元基板２００から剥離転写された薄膜回路チップ２１０、及び基本基板１００と薄膜回路チップ２１０との間に介在する接着層１１１から主に構成される。
【００３２】
基本基板１００は、ガラス等の絶縁材料からなる第一の基板１０１、第一の基板１０１上に形成される配線層１０３、配線層１０３と外部との電気的接続を図るための接続部としての接続パッド１０７ａ及び配線層１０３を保護する第一の保護膜１０５から構成されている。ここで、接続パッド１０７ａは薄膜トランジスタ回路層２０５との電気的接続を図るものである。接続パッド１０７ａとしては、例えばニッケル表面に金が被覆された構成のものが用いられる。
【００３３】
第一の保護膜１０５は、配線層１０３と外部との電気的絶縁性を保つ絶縁膜（例えば、酸化シリコン等）であることが好ましい。
【００３４】
薄膜回路チップ２１０は、薄膜回路層としての薄膜トランジスタ回路層２０５、薄膜トランジスタ回路層２０５を保護する第二の保護膜２０７、接着層１１１との密着性を高めるための密着膜２０９、及び薄膜トランジスタ回路層２０５と外部（ここでは、基本基板１００）との電気的接続を行うための接続パッド２１１を含んでいる。接続パッド２１１としては、例えばニッケル表面に金が被覆された構成が挙げられる。
【００３５】
接着層１１１は、基本基板１００と薄膜回路チップ２１０との間に介在している。接着層１１１内には複数の導電性粒子１１３が含まれており、基本基板１００側の接続パッド１０７ａと薄膜回路チップ２１０側の接続パッド２１１とはこの導電性粒子１１３を介して電気的に接続されている。
【００３６】
本実施形態では、基本基板１００及び薄膜回路チップ２１０の接着層１１１に接触する部位（基本基板１００及び薄膜回路チップ２１０の対向する面）は、第一の保護膜１０５及び密着膜２０９となる。第一の保護膜１０５及び密着膜２０９は、同種の材料から構成される。この同種の材料は有機材料であっても無機材料であってもよいが、接着層１１１に適合する材料であることを要する。ここで、接着層１１１に適合する材料とは、接着層１１１との接着性の良好な材料をいう。好ましくは第一の保護膜１０５及び密着膜２０９は、有機材料同士又は無機材料同士で形成されており、更に好ましくは第一の保護膜１０５及び密着膜２０９は同一の材料で形成される。
【００３７】
具体的には、例えば第一の保護膜１０５としてアクリル樹脂を用いた場合、密着膜２０９もアクリル樹脂により構成されていることが好ましい。また、この場合接着層には例えばエポキシ系接着剤が用いられることが好ましい。第一の保護膜１０５及び密着膜２０９としてアクリル樹脂を用いることで、基本基板１００と薄膜回路チップ２１０との接着力をさらに向上させることが可能となる。
【００３８】
接着層１１１が基本基板１００と薄膜回路チップ２１０とを接着する力は、薄膜回路チップ２１０を構成する他の層間の付着力（又は密着力）、例えば第二の保護膜２０７と薄膜トランジスタ回路層２０５との付着力と同等若しくはそれより高い必要がある。それにより、後述する剥離工程において、薄膜回路チップ２１０を破損することなく基本基板１００上に転写することが可能となる。
【００３９】
次に、このような回路基板４００を製造する際に用いられる基本基板１００及び転写元基板２００の接続パッドの配置について説明する。
【００４０】
図２は、基本基板１００上に配置された接続パッドの配置を説明するための模式図を示す。
【００４１】
図２に示すように、基本基板１００上には薄膜トランジスタ回路層２０５との接続を図るための複数の接続パッド１０７ａが形成されている。また、複数の接続パッド１０７ａが形成された領域に隣接する位置に、後述する有機ＥＬ基板との電気的接続を図るための複数の接続パッド１０７ｂが形成されている。基本基板１００上には、このような薄膜トランジスタ用の接続パッド１０７ａと有機ＥＬ素子用の接続パッド１０７ｂを含むユニット１２０が縦横に複数形成されている。基本基板１００上には、例えば薄膜トランジスタ回路層２０５からの駆動信号を有機ＥＬ素子に伝達するための配線が形成されている。転写領域１２１（点線に囲まれる部分）は薄膜回路層チップ２１０が転写される領域である。
【００４２】
図３は、薄膜トランジスタ部２１５及び複数の接続パッド２１１群を含む薄膜回路チップ２１０が形成された転写元基板２００の模式図である。
【００４３】
転写元基板２００には、後に基本基板１００に転写される被転写体としての薄膜回路チップ２１０が形成されている。転写元基板２００上には、薄膜トランジスタ部２１５及び複数の接続パッド２１１群を含む被転写ユニット２１３が縦横に複数形成されている。被転写ユニット２１３は、同時に任意の一又は複数個が基本基板１００上に転写されてもよい。
【００４４】
次に、本実施形態の回路基板の製造工程について説明する。
＜転写元基板準備工程＞
図４（ａ）に示すような転写元基板２００を準備する。
（ｉ）剥離層形成段階
まず、例えば耐熱性ガラスなどの透光性及び耐熱性を有する基板２０１上に剥離層（光吸収層）２０３を形成する。
【００４５】
ここで、剥離層２０３は、照射される光を吸収し、その層内および／または界面において剥離（以下、「層内剥離」、「界面剥離」と言う）を生じるような性質を有するものであり、好ましくは、光の照射により、剥離層２０３を構成する物質の原子間または分子間の結合力が消失または減少すること、すなわち、アブレーションが生じて層内剥離および／または界面剥離に至るものがよい。
【００４６】
さらに、光の照射により、剥離層２０３から気体が放出され、分離効果が発現される場合もある。すなわち、剥離層２０３に含有されていた成分が気体となって放出される場合と、剥離層２０３が光を吸収して一瞬気体になり、その蒸気が放出され、分離に寄与する場合とがある。
【００４７】
このような剥離層２０３としては、例えば、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）が挙げられる。また、剥離層２０３は多層膜から構成されていてもよい。多層膜は、例えばアモルファスシリコン膜とその上に形成された金属膜とからなるものとすることができる。多層膜の材料としては、上記性状を有するセラミックス，金属，有機高分子材料などが挙げられる。
【００４８】
剥離層２０３の形成方法は、特に限定されず、膜組成や膜厚等の諸条件に応じて適宜選択される。たとえば、ＣＶＤ、スパッタリング等の各種気相成膜法、各種メッキ法、スピンコート等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェットコーティング法、粉末ジェット法等が挙げられ、これらのうちの２以上を組み合わせて形成することもできる。
【００４９】
なお、図４（ａ）には示されないが、基板２０１及び剥離層２０３の性状に応じて、両者の密着性の向上等を目的とした中間層を基板２０１と剥離層２０３の間に設けても良い。この中間層は、例えば製造時または使用時において被転写層を物理的または化学的に保護する保護層、絶縁層、被転写層へのまたは被転写層からの成分の移行（マイグレーション）を阻止するバリア層、反射層としての機能のうち少なくとも一つを発揮するものである。
（ｉｉ）薄膜回路チップ形成段階
剥離層２０３上に被転写体としての複数の薄膜回路チップ２１０を形成する。
【００５０】
まず、剥離層２０３上に、公知技術を用いて半導体を形成し、その他必要に応じて電極、配線、抵抗等を形成することで、薄膜トランジスタ回路層２０５を形成する。次に、薄膜トランジスタ回路層２０５上に、第二の保護膜２０７（例：酸化シリコン）、密着膜２０９（例：アクリル樹脂）の順で被膜を形成する。その後、第二の保護膜２０７と密着膜２０９とから構成される積層膜に接続パッド２１１を形成するための開口部を設ける。当該開口部内に、例えばニッケル等の金属を蒸着等することにより、接続パッド２１１を形成する。また、接続パッド２１１は、さらに金等により被覆してもよい。
【００５１】
なお、剥離層２０３と薄膜回路チップ２１０との間には図示しない保護膜（例：酸化シリコン）が形成されていることが好ましい。これにより、剥離時に生じる薄膜回路チップ２１０の破損等を防止することができる。
【００５２】
＜基本基板準備工程＞
図４（ｂ）に示すような基本基板１００を準備する。
【００５３】
ガラス等の第一の基板１０１上に配線層１０３を形成する。次に、配線層１０３上に塗布等の方法で、保護膜１０５（例：アクリル樹脂）を形成する。その後、保護膜１０５に接続パッド１０７ａ、１０７ｂを形成するための開口部を設け、当該開口部内に、例えばニッケル等の金属を蒸着することにより、接続パッド２１１を形成する。また、接続パッド２１１は、さらに金等により被覆してもよい。
【００５４】
＜接着層形成工程＞
図４（ｃ）に、接着層形成工程を示す。
【００５５】
基本基板１００上の転写領域に導電性粒子１１３を含む接着剤（例：エポキシ樹脂）を、例えばディスペンサ等により供給する。なお、ここで接着剤として導電性粒子１１３を含む接着剤である異方性導電接着剤（ＡＣＰ）を用いたが、これに限定されず、非導電性接着剤（ＮＣＰ）を用いてもよい。また、接着剤の供給方法は、ディスペンサに限定されず、例えばインクジェット方式を利用した液滴吐出法によってもよい。
【００５６】
接着層１１１を構成する接着剤としては、上述のとおり、基本基板１００上の第一の保護膜１０５及び密着膜２０９の材質に適合する材料が用いられる。したがって、接着剤の種類は、第一の保護膜１０５及び密着膜２０９に適合する材料である限り、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬化型接着剤等の光硬化型接着剤、嫌気硬化型接着剤等の各種硬化型接着剤等のいずれであってもよい。同様に、接着剤の材質としては、第一の保護膜１０５及び密着膜２０９に適合する材料である限り、例えば、エポキシ系、アクリレート系、シリコーン系等のいかなるものを用いてもよい。また市販の接着剤を用いる場合には、使用する接着剤は適当な溶剤を添加することにより、塗布するために好適な粘度に調節してもよい。
【００５７】
＜基板の接合工程＞
図５（ａ）に、基本基板１００と転写元基板２００との接合工程を示す。
【００５８】
図５（ａ）に示すように、転写元基板２００の薄膜回路チップ２１０の形成側の面と、転写先基板である基本基板１００の薄膜回路チップ２１０を転写する側の面とを、アライメントしながら重ね合わせ、必要に応じて押圧力を付与することによって、転写するべき薄膜回路チップ２１０のみを選択的に、接着層１１１を介して基本基板１００側に接合させる。
【００５９】
本実施形態では、さらに具体的には、基本基板１００上に形成された接続パッド１０７ａと転写元基板２００の薄膜トランジスタ回路層２０５上に形成された接続パッド２１１とを当接させて薄膜回路チップ２１０の貼り合わせが行われる。
【００６０】
＜光照射工程＞
図５（ｂ）に、剥離層２０３への光照射工程を示す。
【００６１】
図５（ｂ）に示すように、基本基板１００と転写元基板２００との接合体の転写元基板２００側から、転写するべき薄膜回路チップ２１０に対応する剥離層２０３部分に選択的に光Ｌを照射する。これにより、転写するべき薄膜回路チップ２１０を支持している剥離層２０３のみに剥離（層内剥離および／または界面剥離）を生じさせる。
【００６２】
剥離層２０３の層内剥離および／または界面剥離が生じる原理は、剥離層２０３の構成材料にアブレーションが生じること、また、剥離層２０３に含まれているガスの放出、さらには照射直後に生じる溶融、蒸散等の相変化によるものである。
【００６３】
ここで、アブレーションとは、照射光を吸収した固定材料（剥離層２０３の構成材料）が光化学的または熱的に励起され、その表面や内部の原子または分子の結合が切断されて放出することをいい、主に、剥離層２０３の構成材料の全部または一部が溶融、蒸散（気化）等の相変化を生じる現象として現れる。また、前記相変化によって微小な発泡状態となり、結合力が低下することもある。
【００６４】
剥離層２０３が層内剥離を生じるか、界面剥離を生じるか、またはその両方であるかは、剥離層２０３の組成や、その他種々の要因に左右され、その要因の１つとして、照射される光の種類、波長、強度、到達深さ等の条件が挙げられる。
【００６５】
照射する光Ｌとしては、剥離層２０３に層内剥離および／または界面剥離を起こさせるものであればいかなるものでもよく、例えば、Ｘ線、紫外線、可視光、赤外線、レーザー光等が挙げられる。
【００６６】
そのなかでも、剥離層２０３の剥離（アブレーション）を生じさせ易く、かつ高精度の局部照射が可能である点で、レーザー光が好ましく、特に、波長１００ｎｍ〜３５０ｎｍを有するレーザー光が好ましい。このように短波長レーザー光を用いることにより、光照射精度が高められるとともに、剥離層２０３における剥離を効果的に行うことができる。
【００６７】
このようなレーザー光を発生させるレーザー装置としては、エキシマレーザーが好適に用いられる。エキシマレーザーは、短波長域で高エネルギーを出力するため、極めて短時間で剥離層２０３にアブレーションを生じさせることができ、よって隣接する転写元基板２００や基本基板１００等の温度上昇をほとんど生じさせることなく、薄膜回路チップ２１０等に劣化、損傷を生じさせることなく、剥離層２０３を剥離することができる。
【００６８】
あるいは、剥離層２０３に、例えばガス放出、気化、昇華等の相変化を起こさせて分離特性を与える場合、照射されるレーザー光の波長は、３５０ｎｍ〜１２００ｎｍ程度が好ましい。このような波長のレーザー光は、ＹＡＧ、ガスレーザーなどの一般加工分野で広く使用されるレーザー光源や照射装置を用いることができ、光照射を安価にかつ簡単に行うことができる。また、このような可視光領域の波長のレーザー光を用いることによって、転写元基板２００の選択の自由度を広げることができる。
【００６９】
また、照射されるレーザー光のエネルギー密度、特に、エキシマレーザーの場合のエネルギー密度は、１０〜５０００ｍＪ／ｃｍ2程度とするのが好ましく、１００〜５００ｍＪ／ｃｍ2程度とするのがより好ましい。また、照射時間は、１〜１０００ｎｓｅｃ程度とするのが好ましく、１０〜１００ｎｓｅｃ程度とするのがより好ましい。エネルギー密度がより高くまたは照射時間がより長い程アブレーション等が生じ易く、一方で、エネルギー密度がより低くまたは照射時間がより短い程剥離層２０３を透過した照射光により薄膜回路チップ２１０等に悪影響を及ぼすおそれを低減できるからである。
【００７０】
＜転写剥離工程＞
図５（ｃ）に、転写剥離工程を示す。
【００７１】
図５（ｃ）に示すように、転写元基板２００と転写先基板としての基本基板１００に、双方を離間させる方向に力を加えることによって、基本基板１００から転写元基板２００を取り外す。前記光照射工程によって、転写すべき薄膜回路チップ２１０の剥離層２０３が薄膜回路チップ２１０から剥離しており、また転写するべき薄膜回路チップ２１０は、接着層１１１を介して基本基板１００に接合されているので容易に転写がなされる。
【００７２】
なお、前記光照射工程において、剥離層２０３は完全に剥離を生じさせることが望ましいが、転写するべき薄膜回路チップ２１０の接着層１１１の接着強度の方が、残存する剥離層２０３による接合力よりも勝っており、結果として転写元基板２００と基本基板１００を引き離す際に、転写するべき薄膜回路チップ２１０が確実に基本基板１００側に転写されるならば、剥離層２０３の一部のみに剥離を生じさせてもよい。
【００７３】
このように被転写体の転写は、剥離層２０３の剥離によって弱まった剥離層２０３の結合力と、被転写体に適用された接着層の結合力との相対的な力関係で定まる。剥離層による剥離が充分ならば接着層の結合力が弱くても被転写体の転写が可能であり、逆に剥離層による剥離が不十分でも接着層の結合力が高ければ被転写体を転写することが可能である。
【００７４】
したがって、転写元基板２００及び基本基板１００の両基板に形成される各層（膜）間の結合力及び接着層１１１の結合力が剥離層２０３の結合力よりも強くなるよう設計することが好ましい。
【００７５】
図５（ｃ）に示すように、基本基板１００から転写元基板２００を引き離すことにより、基本基板１００上の所望の位置に薄膜回路チップ２１０が転写される。その後、必要に応じて薄膜回路チップ２１０上に付着している剥離層２０３の残分を洗浄、エッチング、研磨等により除去し、薄膜回路チップ２１０等を覆う図示しない絶縁膜等を形成することによって本実施形態の回路基板４００が完成する（図１参照）。
【００７６】
本実施形態によれば、基本基板１００の最表面の接着層１１１と接触する部位が第一の保護膜１０５であり、また、薄膜回路チップ２１０の最表面の接着層１１１と接触する部位が密着膜２０９であり、この第一の保護膜１０５と密着膜２０９とが、接着層１１１と適合する同種の材料で構成されているので、薄膜回路チップ２１０と基本基板１００との接着力をより向上させることができる。このように、接着層１１１と密着性のよい密着層２０９を新たに設けることで、基本基板１００と薄膜回路チップ２１０の基本設計（基本構成）を変更することなく、基本基板１００と薄膜回路チップ２１０との接合力を向上させることができる。
【００７７】
なお、上記例では、基本基板１００側の最表層である第一の保護膜１０５と同種の材料で構成された密着膜２０９を、薄膜回路チップ２１０の第二の保護膜２０７上にさらに設けた例について説明したがこれに限定されない。すなわち、第二の保護膜２０７と第一の保護膜１０５が異なる材料で構成されている場合に、第一の保護膜１０５上に第二の保護膜２０７を構成する材料と同種の材料により密着膜を形成してもよい。また、第二の保護膜２０７及び第一の保護膜１０５の双方に同種の材料で構成される密着膜を設けてもよい。これにより、基本基板１００と薄膜回路チップ２１０の基本設計（基本構成）を変更することなく、基本基板１００と薄膜回路チップ２１０との接合力を向上させることができる。
また、保護膜と表面改質層との間に更に、保護膜と密着膜との結合を高めるための層を設けていても良い。さらに、新たに密着膜を設けずに、第二の保護膜２０７及び第一の保護膜１０５自体を構成する材料を同種の材料としてもよい。これによれば、新たに密着性を向上させる密着膜を設ける必要がないので、回路基板の製造コストを低減することができる。
【００７８】
また、上記例では、同種の材料としてアクリル樹脂を用いた例に付いて挙げたが、上述のように無機材料（例えば、酸化シリコン）を用いてもよく、この場合の接着層１１１を構成する好ましい接着剤としてはアクリレート系接着剤が挙げられる。
【００７９】
また、上記例では、接着層１１１として導電性粒子を含む接着剤（異方性導電接着剤；ＡＣＰ）を用いたが、これに限定されず、非導電性接着剤（ＮＣＰ）を用いるものであってもよい。
【００８０】
また、本発明の目的を達成し得る限り、基本基板１００及び薄膜回路チップ２１０の対向面は、必ずしもその全面が同種の材料で形成されている必要はない。
【００８１】
次に、本実施形態に係る回路基板を有機ＥＬ表示装置に適用した例について説明する。
【００８２】
図６は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置８００を説明するための図である。
【００８３】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置８００は、上述の回路基板４００、有機ＥＬ素子３１８を含む有機ＥＬ基板３００及び回路基板４００と有機ＥＬ基板３００とを接合する接着層３２０を含み構成されている。図６中、図１と対応する部分については同一符号を付し、かかる部分の説明は省略する。
【００８４】
有機ＥＬ基板３００は、有機ＥＬ素子３１８を含む発光層３１２と、発光層３１２を挟持するカソード電極３１０（例：ＩＴＯ）及びアノード電極３１４（例：マグネシウム）と、回路基板４００と対向する面に形成された第三の保護膜３１６とを含み構成されている。
【００８５】
図７は、有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬ基板の接続パッド３０５の配置を説明するための模式図を示す。有機ＥＬ基板３００上には、有機ＥＬ素子３１８と接続パッド３０５を含む有機ＥＬ素子ユニット３０１が縦横に複数形成されている。なお、接続パッド３０５を形成する代わりに、後述のように単に絶縁膜（第三の保護膜）に開口部を設け、下層の電極と電気的に接続し得るようにしてもよい。
【００８６】
有機ＥＬ表示装置は、例えば、上記のように形成された回路基板４００上の接続パッド１０７ｂと有機ＥＬ基板上の接続パッド３０５が接触するように、基本基板１００上に有機ＥＬ基板３００を接着剤を用いて接合することで製造することができる。
【００８７】
第三の保護膜３１６は、外部との電気的絶縁性を保つ絶縁膜であることが好ましい。第三の保護膜３１６を構成する材料は、特に限定するものではないが、第一の保護膜１０５と同種の材料、特に同一の材料であることが好ましい。これによれば、第一の保護膜１０５と第三の保護膜３１６との両方に同種の材料を用いているので、当該同種の材料に適合する（相性の良い）接着剤を選択すればよく、接着剤の選択が容易となる。しかも、第一の保護膜１０５と第三の保護膜３１６とを形成するのに使用した同種の材料に適合する接着剤を用いた場合には、有機ＥＬ基板３００と回路基板４００との結合力をより高めることができる。
【００８８】
回路基板４００上に形成された接続パッド１０７ｂは、導電性接着剤から構成される接着層３２０を介し、有機ＥＬ基板３００の第三の保護膜３１６に形成された開口部３２２を通じてアノード電極３１４と電気的に接続されている。なお、開口部３２２には、図７に示したような接続パッドが形成されていてもよい。
【００８９】
薄膜回路チップ２１０からの駆動信号は、基本基板１００上に形成された配線層１０３、接続パッド１０７ｂ及び導電性接着剤より構成される接着層３２０を介して有機ＥＬ基板３００側に伝達され、これにより有機ＥＬ素子３１８が駆動される。
【００９０】
本実施形態では、基本基板１００及び有機ＥＬ基板３００の接着層３２０を介して接合する部位を同種の材料で構成しているので、基本基板１００と有機ＥＬ基板３００との接着性をも向上している。したがって信頼性の高い有機ＥＬ表示装置を提供することが可能となる。
【００９１】
なお、本例では薄膜回路チップ２１０として画素駆動回路を含む回路を構成した例について説明したが、これ以外にも、画素駆動回路の動作を制御するためのドライバ等の周辺回路を薄膜回路チップ２１０によって構成してもよい。
【００９２】
図８及び図９は、上述した電気光学装置としての有機ＥＬ表示装置８００を含んで構成される各種電子機器の例を示す図である。
【００９３】
図８（Ａ）は携帯電話への適用例であり、当該携帯電話８３０はアンテナ部８３１、音声出力部８３２、音声入力部８３３、操作部８３４、および本発明の電気光学装置としての有機ＥＬ表示装置８００を備えている。このように本発明に係る電気光学装置は表示部として利用可能である。
【００９４】
図８（Ｂ）はビデオカメラへの適用例であり、当該ビデオカメラ８４０は受像部８４１、操作部８４２、音声入力部８４３、および本発明の電気光学装置としての有機ＥＬ表示装置８００を備えている。
【００９５】
図８（Ｃ）は携帯型パーソナルコンピュータ（いわゆるＰＤＡ）への適用例であり、当該コンピュータ８５０はカメラ部８５１、操作部８５２、および本発明の電気光学装置としての有機ＥＬ表示装置８００を備えている。
【００９６】
図８（Ｄ）はヘッドマウントディスプレイへの適用例であり、当該ヘッドマウントディスプレイ８６０はバンド８６１、光学系収納部８６２および本発明の電気光学装置としての有機ＥＬ表示装置８００を備えている。
【００９７】
図９（Ａ）はテレビジョンへの適用例であり、当該テレビジョン９００は本発明に係る電気光学装置８００を備えている。なお、パーソナルコンピュータ等に用いられるモニタ装置に対しても同様に本発明の電気光学装置としての有機ＥＬ表示装置８００を適用し得る。
【００９８】
図９（Ｂ）はロールアップ式テレビジョンへの適用例であり、当該ロールアップ式テレビジョン９１０は本発明の電気光学装置としての有機ＥＬ表示装置８００を備えている。
【００９９】
なお、上述した実施形態では、本発明に係る電気光学装置の一例として有機ＥＬ表示装置について説明を行っていたが、本発明の適用範囲はこれに限定されるものではなく、他の種々の電気光学素子（例えば、プラズマ発光素子、電気泳動素子、液晶素子など）を用いて構成される電気光学装置に対して適用することが可能である。また、本発明の適用範囲は、電気光学装置及びその製造方法に限定されるものでもなく、転写技術を用いて形成される各種装置に広く適用することが可能である。
【０１００】
また、本実施形態に係る電気光学装置は、上述した例に限らず、例えば、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、電子手帳など各種の電子機器に適用可能である。
【０１０１】
また、本発明は上述した実施形態の内容に限定されることなく、本発明の要旨の範囲内で種々に変形実施が可能である。例えば、上述した実施形態では、本発明にかかる回路基板の適用例として電気光学装置を説明していたが、これ以外にも各種の電子機器（例えば、ＩＣカード等）に適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】図１は、本実施形態に係る回路基板の断面図である。
【図２】図２は、基本基板上に配置された接続パッドの配置を説明するための模式図を示す。
【図３】図３は、薄膜トランジスタ部及び複数の接続パッド群を含む薄膜回路層が形成された転写元基板の模式図である。
【図４】図４は、有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明する図である。
【図５】図５は、有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明する図である。
【図６】図６は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置を説明するための図である。
【図７】図７は、有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬ基板の模式図を示す。
【図８】図８は、電気光学装置を適用可能な電子機器の例を示す図である。
【図９】図９は、電気光学装置を適用可能な電子機器の例を示す図である。
【符号の説明】
【０１０３】
１００・・・基本基板、１０１・・・第一の基板、１０３・・・配線層、１０５・・・保護膜、１０７ａ、１０７ｂ・・・接続パッド、１１１・・・接着層、１１３・・・導電性粒子、１２０・・・ユニット、２００・・・転写元基板、２０１・・・第二の基板、２０３・・・剥離層、２０５・・・薄膜トランジスタ回路層、２０７・・・保護膜、２０９・・・密着膜、２１０・・・薄膜回路チップ、２１１・・・接続パッド
、２１３・・・被転写ユニット、２１５・・・薄膜トランジスタ部
、４００・・・回路基板、８００・・・電気光学装置
【図１】
2005183718.tif 000003
【図２】
2005183718.tif 000004
【図３】
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【図４】
2005183718.tif 000006
【図５】
2005183718.tif 000007
【図６】
2005183718.tif 000008
【図７】
2005183718.tif 000009
【図８】
2005183718.tif 000010
【図９】
2005183718.tif 000011