(57)【要約】【課題】従来のマイクロ波増幅回路ではRF信号の漏洩により不要共振が生じたり、トランジスタ同士のアイソレーションが劣化する。【解決手段】一面に接地導体が設けられ、反対側面にパッケージトランジスタが実装された誘電体基板に、トランジスタの電極と接地導体との間に空間が形成されるよう穴が設けられたマイクロ波回路と、誘電体基板の接地導体面側にこの接地導体面とは空間を形成するよう掘り込みを有して装荷される筐体と、誘電体基板のトランジスタ実装面側に装荷される筐体とでマイクロ波回路を囲繞する構成にされたマイクロ波増幅回路の穴を誘電体基板の接地導体面で覆い電磁波を遮蔽する遮蔽物を設けた。【選択図】図１
2005072207.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面に接地導体が設けられた誘電体基板と、上記誘電体基板の上記接地導体と反対側面に実装されマイクロ波を増幅するパッケージトランジスタを有し、上記トランジスタの電極と上記接地導体との間に空間が形成されるように上記誘電体基板に穴が設けられたマイクロ波回路と、上記誘電体基板の接地導体面側にこの接地導体面とは空間を形成するよう掘り込みを有し装荷される筐体と、上記誘電体基板のパッケージトランジスタ実装面側に装荷される筐体とで上記マイクロ波回路を囲繞する構成にされるマイクロ波増幅回路において、上記穴を上記誘電体基板の接地導体面で覆い電磁波を遮蔽する遮蔽物を設けたことを特徴とするマイクロ波増幅回路。
【請求項２】
上記穴を遮蔽する遮蔽物は銅箔であることを特徴とする請求項１記載のマイクロ波増幅回路。
【請求項３】
上記穴を遮蔽する遮蔽物は接地導体の穴に対応する部分が切除されず残存されることで形成される接地導体であることを特徴とする請求項１記載のマイクロ波増幅回路。
【請求項４】
上記穴を遮蔽する遮蔽物は金属ブロックであることを特徴とする請求項１記載のマイクロ波増幅回路。
【請求項５】
上記穴を遮蔽する遮蔽物は筐体に一体成形された台状体部であることを特徴とする請求項１記載のマイクロ波増幅回路。
【請求項６】
上記穴を遮蔽する遮蔽物は掘り込みの穴に対応する部分に装入された金属片であることを特徴とする請求項１記載のマイクロ波増幅回路。
【請求項７】
上記穴を遮蔽する遮蔽物は掘り込みの穴に対応する部分に装入された柔軟性金属であることを特徴とする請求項１記載のマイクロ波増幅回路。
【請求項８】
上記穴を遮蔽する遮蔽物は電磁波を吸収して遮蔽する吸収体であることを特徴とする請求項１記載のマイクロ波増幅回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、マイクロ波およびミリ波で使用されるマイクロ波増幅回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図９は特開２００１−１８５６５５号公報と同様な従来のマイクロ波増幅回路の一例を示す構成図である。図９において、１は誘電体基板、２は接地導体、３は導体パターン、４は電極４ａ、４ｂを備えたパッケージトランジスタ、５は誘電体基板に設けられた穴、６は接地導体側筐体、７はパッケージトランジスタ側筐体、８は誘電体基板に設けられたスルーホール、９は筐体６に設けられた掘り込みである。
【０００３】
誘電体基板１に設けられた穴５はパッケージトランジスタ４の電極４ａ、４ｂと接地導体２の間に生じる寄生容量を低減し、パッケージトランジスタ４の高アイソレーションを実現して増幅器の動作を安定化させている。また、接地導体側筐体６とパッケージトランジスタ側筐体７はスルーホール８を介して電気的に接続されてパッケージトランジスタ４を有するマイクロ波回路を電気的に遮蔽している。このとき、筐体６とスルーホール８の間に隙間があると、電気的に遮蔽できなくなる。このため、筐体６は、誘電体基板１の接地導体面が粗い場合にスルーホール部分での接触が不完全になる平面構成にはせず、スルーホール部分で接触するように掘り込み９が設けられている。
【０００４】
また、図１０は従来のマイクロ波増幅回路のRF信号伝播方向の構成を示した一例である。この図は、パッケージトランジスタ４を2個使用した回路例を示しており、掘り込み９はRF信号伝播方向に連続して設けられている。
【０００５】
以上のように、従来の誘電体基板１に穴５を設け、筐体６に掘り込み９を設けた構造では、図１０中に模式的に示すように、RF信号が上記穴５から漏れて筐体６の掘り込み９を伝播し、不要共振が生じたり、パッケージトランジスタ４同士のアイソレーションが劣化するという問題がある。
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−１８５６５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
この発明は上記の問題を解決するためになされたもので、増幅器を安定に動作させるとともに、不要共振を抑圧しパッケージトランジスタ同士のアイソレーションを向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明に係るマイクロ波増幅回路は、一面に接地導体が設けられた誘電体基板と，上記誘電体基板の上記接地導体と反対側面に実装されマイクロ波を増幅するパッケージトランジスタを有し，上記トランジスタの電極と上記接地導体との間に空間が形成されるように上記誘電体基板に穴が設けられたマイクロ波回路と，上記誘電体基板の接地導体面側にこの接地導体面とは空間を形成するよう掘り込みを有し、装荷される筐体と，上記誘電体基板のパッケージトランジスタ実装面側に装荷される筐体とで上記マイクロ波回路を囲繞する構成にされるマイクロ波増幅回路において，上記穴を上記誘電体基板の接地導体面で覆い電波を遮蔽する遮蔽物を設けたものである。
【発明の効果】
【０００９】
誘電体基板で、パッケージトランジスタの電極と接地導体の間の設けられた穴の接地導体側の面を塞ぐ遮蔽物の装荷によりRF信号の掘り込みへの漏れ込みを防止できるため、不要共振を抑圧しパッケージトランジスタ同士のアイソレーションを向上させることができる。なお。穴により寄生容量を低減し、パッケージトランジスタの高アイソレーションを実現して増幅器の動作を安定化させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１によるマイクロ波増幅回路を示す構成図である。図１において、誘電体基板１の底面には接地導体２が、上面には導体パターン３が設けられており、電極４ａ、４ｂが導体パターン３に接続されたパッケージトランジスタ４が導体パターン３上に設けられている。このパッケージトランジスタ４が位置する部分の誘電体基板１には穴５が設けられている。このように構成されるマイクロ波増幅回路は金属製の接地導体側筐体６と、同じく金属製のパッケージトランジスタ側筐体７によって囲繞されている。また、接地導体側筐体６とパッケージトランジスタ側筐体７は誘電体基板１に設けられたスルーホール８を介して電気的に接続されておりパッケージトランジスタ４を有するマイクロ波増幅回路を電気的に遮蔽している。さらに、筐体６とスルーホール８との間の隙間を無くすため筐体６には掘り込み９が設けられている。即ち筐体６が平面構成であると接地導体２との接触部分が多くなり接地導体２の面が粗い場合にその箇所で隙間が生じ、その隙間の影響でスルーホール８部においても隙間が生じる。さらにこの発明の要点である電磁波を遮蔽する遮蔽物１０が誘電体基板１の穴５を覆うように接地導体２に装荷されている。
【００１１】
以上の様に構成されたマイクロ波増幅回路は、遮蔽物１０の装荷によりRF信号の穴５から掘り込み９への漏れ込みを防止できるため、不要共振を抑圧しパッケージトランジスタ４同士のアイソレーションを向上させることができるという利点を有する。なお、パッケージトランジスタ４の電極４ａ、４ｂと接地導体２の間には穴５が残されているため、従来と同様に寄生容量を低減し、パッケージトランジスタ４の高アイソレーションを実現して増幅器の動作を安定化させることができる。
【００１２】
実施の形態２．
図２はこの発明の実施の形態２によるマイクロ波増幅回路を示す回路構成図である。図２において、１から９は図１と同じであり、１１は遮蔽物１０として誘電体基板１の穴５を覆うように接地導体２に設けられた銅箔である。
【００１３】
図２の構成においても実施の形態１と同様の利点を有する。さらに、銅箔１１は接地導体２に半田付けできるため確実に遮蔽できることや形状加工が容易であるという利点も有する。
【００１４】
実施の形態３．
図３はこの発明の実施の形態３によるマイクロ波増幅回路を示す回路構成図である。図３において、１から９は図１と同じであり、接地導体２は前記穴５に対応する部分には穴を穿たず接地導体２を残したままにして穴５を塞でいる。
【００１５】
図３の構成においても実施の形態１と同様の利点を有する。さらに、接地導体２は穴が設けられていないため確実に遮蔽でき、遮蔽するための部品点数の増加がないという利点も有する。
【００１６】
実施の形態４．
図４はこの発明の実施の形態４によるマイクロ波増幅回路を示す回路構成図である。図４において、１から９は図１と同じであり、１２は遮蔽物１０としての金属ブロックである。
【００１７】
図４の構成においても実施の形態１と同様の利点を有する。さらに、金属ブロック１２を誘電体基板１に押圧する様に接地導体面側の筐体を装荷することにより、金属ブロック１２を接地導体２に半田付けするなどの作業工程を省くことができるという利点も有する。
【００１８】
実施の形態５．
図５はこの発明の実施の形態５によるマイクロ波増幅回路を示す回路構成図である。図５において、１から９は図１と同じであり、接地導体側の筐体６は穴５を遮蔽する遮蔽物１０の機能を有する円形台状部が形成された加工にされている。
【００１９】
図５の構成においても実施の形態１と同様の利点を有する。さらに、筐体６を誘電体基板１に押圧して穴５を遮蔽することにより、半田付けなどの作業工程を省くことができ、また、穴５を遮蔽するための部品点数の増加がないという利点も有する。
【００２０】
実施の形態６．
図６はこの発明の実施の形態６によるマイクロ波増幅回路を示す回路構成図である。図６において、１から９は図１と同じであり、１３は遮蔽物１０としての金属片であり、掘り込み９の穴５に対応する部分に装入されている。
【００２１】
図６の構成においても実施の形態１と同様の利点を有する。さらに、金属片１３を掘り込み９全体に充填することにより、RF信号が伝播する空間そのものをなくすことができるという利点も有する。
【００２２】
実施の形態７．
図７はこの発明の実施の形態７によるマイクロ波増幅回路を示す回路構成図である。図７において、１から９は図１と同じであり、１４は遮蔽物１０としての柔軟性を有する金属であり、掘り込み９の穴５に対応する部分に装入されている。
【００２３】
図７の構成においても実施の形態１と同様の利点を有する。さらに、柔軟性金属１４を掘り込み９全体に充填することにより、RF信号が伝播する空間を小さくすることができるとともに、半田付けなどの作業工程をすることなく遮蔽することができるという利点も有する。
【００２４】
実施の形態８．
図８はこの発明の実施の形態８によるマイクロ波増幅回路を示す回路構成図である。図８において、１から９は図１と同じであり、１５は遮蔽物１０としての電磁波を吸収する吸収体であり、穴５を覆うよう誘電体基板１の接地導体２に装荷されている。
【００２５】
図８の構成においては吸収体１５により筐体６の掘り込み９に漏れ込むRF信号を減衰させることができるため、実施の形態１と同様の利点を有する。さらに、誘電体基板１の穴５以外から漏れ込んだRF信号を減衰させることができるという利点も有する。
【産業上の利用可能性】
【００２６】
不要共振を抑圧しパッケージトランジスタ同士のアイソレーションを向上させ、かつ穴により寄生容量を低減して増幅器の動作を安定化させることができ、衛星通信、地上マイクロ波通信、移動体通信等の増幅器に適用される。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】この発明の実施の形態１によるマイクロ波増幅回路を示す構成図である。
【図２】実施の形態２によるマイクロ波増幅回路を示す回路構成図である。
【図３】実施の形態３によるマイクロ波増幅回路を示す回路構成図である。
【図４】実施の形態４によるマイクロ波増幅回路を示す回路構成図である。
【図５】実施の形態５によるマイクロ波増幅回路を示す回路構成図である。
【図６】実施の形態６によるマイクロ波増幅回路を示す回路構成図である。
【図７】実施の形態７によるマイクロ波増幅回路を示す回路構成図である。
【図８】実施の形態８によるマイクロ波増幅回路を示す回路構成図である。
【図９】従来のマイクロ波増幅回路を示す構成図である。
【図１０】従来のマイクロ波増幅回路のRF信号伝播方向を模式的に示す構成図である。
【符号の説明】
【００２８】
１  誘電体基板、２  接地導体、３  導体パターン、４  パッケージトランジスタ、５穴、６  接地導体側筐体、７  パッケージトランジスタ側筐体、８  スルーホール、９  掘り込み、１０  遮蔽物、１１  銅箔、１２  金属ブロック、１３  金属片、１４  柔軟性金属、１５  吸収体。
【図１】
2005072207.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2005072207.tif 000007
【図６】
2005072207.tif 000008
【図７】
2005072207.tif 000009
【図８】
2005072207.tif 000010
【図９】
2005072207.tif 000011
【図１０】
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