(57)【要約】【課題】  ハンダの電気相互接続によって基板に接合されるダイのような部品と部品キャリアの間で隙間を、アンダフィル材料でアンダフィルする方法を提供すること。【解決手段】  １つまたは複数のチャンバまたは通路が部品の意図された位置の下の部品キャリアまたは部品自体の中に設けられる。部品および部品キャリアは加熱され、アンダフィル材料の或る量が各々の通路内に導入される。導入の後、アンダフィル材料は部品と部品キャリアの間の隙間を充填するために流れるかまたは移動する。場合によってはアンダフィル操作の間に温度を調節することによってフィレットを形成することも可能である。【選択図】      図１Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
部品と部品キャリアの間の隙間を、それらの間に延びる複数の電気的接続をカプセル充填するためにアンダフィル処理する方法であって、部品キャリアおよび部品のうちの一方が隙間と連絡する通路を含み、
部品と部品キャリアを加熱する工程、
通路にアンダフィル材料を導入する工程、および
複数の電気的接続をカプセル充填するために通路から隙間内へとアンダフィル材料を移動させる工程を含む方法。
【請求項２】
アンダフィル材料を導入する工程が、
隙間内へのアンダフィル材料の有意の移動に先立って、通路の少なくとも一部をアンダフィル材料で充填する工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
通路が、部品キャリアおよび部品のうちの一方の幾何学的中心に配置される請求項１に記載の方法。
【請求項４】
通路が、部品キャリアおよび部品のうちの一方が幾何学的中心からずれている請求項１に記載の方法。
【請求項５】
アンダフィル材料が通路内に導入される前に部品と部品キャリアが加熱され、前記方法が、カプセル化材料によって複数の電気的接続がカプセル化されるまで部品を実質的に一定の温度に維持する工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
部品と部品キャリアを加熱する工程が、アンダフィル材料を導入する工程と同時に実行される請求項１に記載の方法。
【請求項７】
部品の外周エッジの周りにフィレットを形成するために部品と部品キャリアの温度を上昇させる工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
通路の容積容量が、隙間をアンダフィル処理するために必要なアンダフィル材料の量よりも少ない請求項１に記載の方法。
【請求項９】
隙間がアンダフィル材料で実質的に充填されるまで導入と移動の工程を繰り返す工程をさらに含む請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
通路の容量容積を増すために、アンダフィル材料が通路内に導入される前に通路の周りに流量制御バリヤを設置する工程をさらに含む請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
アンダフィル材料が通路内に導入される前に通路の周りに流量制御バリヤを設置する工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
通路の周りの流量制御バリヤに分注する工程をさらに含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
アンダフィル材料を導入する工程が、
液相のアンダフィル材料を通路内に分注する工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
アンダフィル材料を導入する工程が、
加熱時に液相へと転換するアンダフィル固相の体積を通路内に設置する工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
部品と部品キャリアを加熱する工程が、
加熱源から部品キャリアへと熱エネルギーを直接移す工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
部品と部品キャリアを加熱する工程が、
加熱源から部品へと熱エネルギーを直接移す工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
複数の通路をさらに含み、アンダフィル材料を導入する工程が、
複数の通路の各々の中にアンダフィル材料を分注する工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
複数の通路が部品および部品キャリアのうちの一方の幾何学的中心の付近で対称に配置される請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
通路が部品キャリア内に規定される請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
通路が、直径の異なる第１と第２の穴を含む請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
第１の穴が流量制御バリヤによって規定され、
アンダフィル材料が通路内に導入される前に第２の穴の周りに流量制御バリヤを設置する請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
通路がテーパにされている請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
通路が、隙間との境界で規定される部品および部品キャリアのうちの一方の平板状表面に相対して傾いている請求項１に記載の方法。
【請求項２４】
部品と部品キャリアの間の隙間を、それらの間に延びる複数の電気的接続をカプセル充填するためにアンダフィル処理する方法であって、
部品キャリアおよび部品のうちの一方の中に規定されて隙間と連絡する通路に相対してディスペンサを位置決めする工程、
部品と部品キャリアを加熱する工程、
通路にアンダフィル材料を導入する工程、および
複数の電気的接続をカプセル充填するために通路から隙間内へとアンダフィル材料を移動させる工程を含む方法。
【請求項２５】
アンダフィル材料を導入する工程が、
隙間内へのアンダフィル材料の有意の移動に先立って、通路の少なくとも一部をアンダフィル材料で充填する工程をさらに含む請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
通路が、部品キャリアおよび部品のうちの一方の幾何学的中心に配置される請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】
通路が、部品キャリアおよび部品のうちの一方の幾何学的中心からずれている請求項２４に記載の方法。
【請求項２８】
アンダフィル材料が通路内に導入される前に部品と部品キャリアが加熱され、前記方法が、カプセル化材料によって複数の電気的接続がカプセル化されるまで部品を実質的に一定の温度に維持する工程をさらに含む請求項２４に記載の方法。
【請求項２９】
部品と部品キャリアを加熱する工程が、アンダフィル材料を導入する工程と同時に実行される請求項２４に記載の方法。
【請求項３０】
部品の外周エッジの周りにフィレットを形成するために部品と部品キャリアの温度を上昇させる工程をさらに含む請求項２４に記載の方法。
【請求項３１】
通路の容積容量が、隙間をアンダフィル処理するために必要なアンダフィル材料の量よりも少ない請求項２４に記載の方法。
【請求項３２】
隙間がアンダフィル材料で実質的に充填されるまで導入と移動の工程を繰り返す工程をさらに含む請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
通路の容量容積を増すために、アンダフィル材料が通路内に導入される前に通路の周りに流量制御バリヤを設置する工程をさらに含む請求項３１に記載の方法。
【請求項３４】
アンダフィル材料が通路内に導入される前に通路の周りに流れを制御するバリヤを設置する工程をさらに含む請求項２４に記載の方法。
【請求項３５】
通路の周りの流量制御バリヤに分注する工程をさらに含む請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
アンダフィル材料を導入する工程が、液相のアンダフィル材料を通路内に分注する工程をさらに含む請求項２４に記載の方法。
【請求項３７】
アンダフィル材料を導入する工程が、
加熱時に液相へと転換するアンダフィル材料の固相の体積を通路内に設置する工程をさらに含む請求項２４に記載の方法。
【請求項３８】
部品と部品キャリアを加熱する工程が、熱源から部品キャリアへと熱エネルギーを直接移す工程をさらに含む請求項２４に記載の方法。
【請求項３９】
部品と部品キャリアを加熱する工程が、
加熱源から部品へと熱エネルギーを直接移す工程をさらに含む請求項２４に記載の方法。
【請求項４０】
複数の通路をさらに含み、アンダフィル材料の導入が、複数の通路の各々の中にアンダフィル材料を分注する工程をさらに含む請求項２４に記載の方法。
【請求項４１】
複数の通路が部品および部品キャリアのうちの一方の幾何学的中心の付近で対称に配置される請求項４０に記載の方法。
【請求項４２】
通路が部品キャリア内に規定される請求項２４に記載の方法。
【請求項４３】
通路が、直径の異なる第１と第２の穴を含む請求項２４に記載の方法。
【請求項４４】
第１の穴が流量制御バリヤによって規定され、
アンダフィル材料が通路内に導入される前に第２の穴の周りに流量制御バリヤを設置する工程をさらに含む請求項４３に記載の方法。
【請求項４５】
通路がテーパにされている請求項２４に記載の方法。
【請求項４６】
通路が、隙間との境界で規定される部品および部品キャリアのうちの一方の平板状表面に相対して傾いている請求項２４に記載の方法。
【請求項４７】
複数の電気的接続を形成することによって部品を部品キャリアに取り付ける工程をさらに含む請求項２４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概して、半導体のパッケージ法に関し、さらに特定すると部品と部品キャリアの間の隙間をアンダフィルすることに関する。
【背景技術】
【０００２】
関連出願の相互参照
本出願は、２００３年１月２８日に出願してその開示をここにその全文で参考資料として取り入れている米国特許仮出願番号６０／４４３，０２９号の恩典を権利主張するものである。
【０００３】
マイクロエレクトロニクス製造業者は通常、ダイのような部品は、パッケージを形成するために基板、プリント回路基板のような部品キャリア上に実装する。チップ・スケール・パッケージ（ＣＳＰ）、ウェハ・レベル・パッケージ（ＷＬＰ）、直接チップ取付けパッケージ（ＤＣＡ）、ボール・グリッド・アレーのパッケージ（ＢＧＡ）、フリップ・チップ・パッケージ、およびスルーホール・パッケージ法では、部品上のボンディング・パッドとして知られる導電性のコンタクトが部品キャリア上のハンダ・ボールまたはバンプとして知られる対応する導電性のコンタクトと電気的に結合される。通常、ハンダ・バンプをボンディング・パッドに位置合わせするように部品が部品キャリアに対して位置決めされ、部品と部品キャリアの間のハンダ接合の形の電気的接続を作製するためにリフロー工程が適用される。フリップ・チップ・パッケージおよびチップ・スケール・パッケージは、部品と部品キャリアの間に空間または隙間を取り入れる。ボール−パッド電気コンタクトによるプリント回路基板への部品キャリアの実装といった他の実装処理もやはり空間または隙間を組み入れる。
【０００４】
部品と部品キャリアは普通、熱膨張係数の一致しない異なる材料で形成される。加熱されると、部品と部品キャリアは有意に異なる寸法変化を受け、それが部品と部品キャリアの間の電気的接続に有意の熱誘導性歪みを生じる。熱膨張の不一致は部品の性能低下、ハンダ接続の損傷、あるいはパッケージの破壊に結びつく可能性がある。部品のサイズが大きくなるにつれて、部品と部品キャリアの間の熱膨張の不一致の影響はさらにはっきりする。
【０００５】
部品と部品キャリアの間の隙間をカプセル充填材料またはアンダフィル材料で充填することは部品−部品キャリア・アセンブリ内の電気的接続の信頼性を向上させる。アンダフィル処理は電気的接続を周囲環境から隔絶し、アセンブリに動的および静的な機械的荷重に耐えるための機械的強度を与える。アンダフィル材料はまた、パッケージの耐用寿命を増加させ、熱サイクル時または部品と部品キャリアが有意の温度差を有するときに電気的接続が受ける応力を減少させる。アンダフィル材料はさらに、部品から熱を取り除き、かつ部品と部品キャリアの間のいかなる温度差も減少させるようにはたらく熱伝導経路も供給する。結果として、アンダフィル処理はパッケージの動作寿命を有意に増加させる。
【０００６】
様々な従来技術が部品と部品キャリアの間の隙間にアンダフィル材料を導入することが可能である。１つのそのような従来技術は表面張力による濡れまたは毛管作用に依存することで強い濡れ特性で特徴付けられる加熱された低粘度のアンダフィル材料が側部エッジから隙間へと移動するように誘導する。この従来法の手法によると、アンダフィル材料はアンダフィル・ディスペンサによって部品の側部エッジ付近で単一線、Ｌ字型またはＵ字型のビードとして部品キャリア上に分注される。毛管力がアンダフィル材料を隙間の中に移動させる。アンダフィル材料の粘度は頻繁に下げられ、したがってその流速は、アンダフィル材料が部品キャリア上に分注される前に約４０℃と約９０℃の間の均一で定常状態の温度に取り付け部品の付近の部品キャリアを予備加熱することによって上げられる。流速はまた、例えば隙間の中にアンダフィル材料を吸引するようにアンダフィル材料のビードを横切って作られる圧力差を加えることによって上げられることも可能である。アンダフィル材料が部品の下に浸透した後、アンダフィル材料の追加のビードが部品の周囲の近くに分注されてフィレットを供給することも可能である。電気的接続が完全にカプセル化された後にアンダフィル材料は硬化処理される。
【特許文献１】米国特許仮出願番号６０／４４３，０２９号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来の自動化されたアンダフィル技術は、アンダフィル化材料が部品のエッジから外方向に部品キャリアをぬらすことに起因して湿潤領域を生ずることがあり、そこにフィレットが形成される。部品のアンダフィルの後、この湿潤領域にしばしば残渣が残る。この残渣は外観上の理由で望ましくない可能性があり、あるいは受動デバイスのような他の付随する回路部品を担持する部品キャリア上の「進入禁止」領域、または視覚基準を侵害する可能性がある。湿潤領域の量を制御するために部品の周縁部付近に堰堤または流量制御バリヤを配置することも可能である。しかしながら、部品キャリア上の流量制御バリヤの設置はアンダフィル処理操作の処理能力を下げる結果につながる可能性がある。
【０００８】
従来のアンダフィル処理技術はアンダフィル材料の分注量の正確な計量を必要とする。正確な計量は、完全なアンダフィルといかなる必要なフィレットも供給すること、および残渣もしくは過度に大きなフィレット幅を与えかねない過剰のアンダフィル材料の部品キャリア上への分注を制限することにも必要である。概して、計算可能であってかつ統計学的処理制御の下で導入されることが可能な最小値と最大値の間に分注量は束縛されなければならない。フィレットはいかなる過剰のアンダフィル材料も受け入れるリザーバとしてはたらく。結果として、アンダフィル・ディスペンサは正確な容量の分注をすることが可能でなければならない。
【０００９】
従来のアンダフィル処理技術は、部品側から隙間への液体アンダフィル材料の移動もしくは流出の不規則性から生じるアンダフィル材料内の空隙を導入する可能性がある。そのような空隙は腐食のきっかけになる可能性があり、かつ性能を低下させるかまたはパッケージの信頼性に悪影響を与える不本意な熱的応力を引き起こす可能性がある。
【００１０】
従来のアンダフィル処理技術はまた、部品キャリア上で部品を位置決めし、かつ基準マークを正確に特定するための視野も必要とする。自動化されたアンダフィル分注システムは、分注パターンのプログラム処理を補助し、かつアンダフィル材料の分注パターンを部品の側部エッジと正確に位置合わせするためにカメラと複雑な照明仕組みを備えた視野システムを組み入れる。そのような視野システムは高価であり、かつ視野の必要性はアンダフィル処理操作を長引かせる。
【００１１】
従来のアンダフィル処理技術のディスペンサのニードルは三次元的に正確に部品、特に部品の側部エッジに対して相対的に位置する必要がある。したがって、アンダフィルのディスペンサとそのディスペンサのニードル高精度の位置決めが可能な可動ステージによって担持されなければならない。
【００１２】
従来のアンダフィル処理技術ではディスペンサ・ニードルと部品および／または部品キャリアの間の接触から生じる出量の偏りが観察される。アンダフィル操作の品質を確立するために、部品キャリアの上で分注ニードルの吐出口の分注高さを正確に位置決めすることが大切である。もしも分注高さが高過ぎると、分注されるアンダフィル材料の一部が意図したビードの位置から外れる可能性がある。もしも分注高さが低過ぎると、ディスペンサのニードルが部品キャリアまたは部品に当たる可能性がある。過度に低い分注高さを検出するためにディスペンサ・ニードルが接触センサを装備することは可能であるが、アンダフィル分注システムのコストに接触センサが加わる。
【００１３】
従来のアンダフィル処理技術は高コストで処理能力を制限するディスペンサ・ニードルを必要とする。そのようなディスペンサ・ニードルはアンダフィル材料の分注ビードの正確な配置を保証することを要求される。しかしながら、ディスペンサ・ニードルを通るアンダフィル材料の流速は管の直径によって制限される。
【００１４】
隙間の幅または対角線を横切って１つまたは複数の側部エッジからアンダフィル材料が流れなければならないので、従来のアンダフィル処理技術については側部エッジのビードから隙間に入るアンダフィル材料の流出時間は大きなものとなる可能性がある。長い流出時間はアンダフィル処理操作の処理能力を低下させる。付け加えると、隙間に入るアンダフィル材料の流量は不均質もしくは不均一である可能性があり、それは硬化したアンダフィル材料中に空隙を発生させる可能性がある。さらに、異なる部品側部エッジ群から隙間に流入するビードから由来する様々な異なる波面の前縁の集中から、停滞線が結果的に生じる可能性がある。
【００１５】
通常、従来のアンダフィル技術では、部品キャリアを通じて隙間内を移動するアンダフィル材料に熱が伝えられる。部品キャリアは不十分な熱伝導体であるので、加熱はしばしば非効率的であり、したがって相対的に大電力のヒータを必要とする。
【００１６】
したがって、アンダフィル工程の処理能力を高め、付随する装置コストを抑えるようにダイのような部品と基板のような部品キャリアの間の隙間をアンダフィルすることが望ましいであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明はこれまでに知られているアンダフィル方法の前述およびその他の短所および欠点を克服する。本発明は或る実施形態に関連させて説明されるであろうが、本発明がこれらの実施形態に限定されないことは理解されるであろう。逆に、本発明は、本発明の精神と範囲内に含まれる可能性のあるすべての選択肢、変更および同等対象を含む。
【００１８】
概して、本発明は、ダイである可能性のある部品と基板のような部品キャリアの間の隙間をアンダフィルすることでその間に形成された複数の電気的接続をカプセル化するための方法に関する。本発明の原理は、部品キャリアに実装されて実装・アセンブリ品に隙間または空間が存在するいかなる部品にも適用可能である。例えば、本発明の原理は、部品とその部品キャリアの間に隙間を組み入れるいかなる表面実装型またはスルーホール実装型の・アセンブリ品にも適用可能である。
【００１９】
本発明の原理によると、部品と部品キャリアの間の隙間をアンダフィルするための方法が提供される。本方法は部品と部品キャリアを加熱する工程、隙間に連絡する部品キャリアおよび部品のうちの一方の中に規定された通路内にアンダフィル材料を導入する工程、および部品と部品キャリアの間に延びる複数の電気的接続をカプセル充填するために通路から隙間の中にアンダフィル材料を移動させる工程を含む。（複数の）通路から隙間の中に入る流れを開始するのに圧力を必要としないのでアンダフィル材料は圧力下で（複数）通路に導入されなくてもよい。アンダフィル材料は（複数）通路内に分注され、そこでは重力と毛管作用がアンダフィル材料を隙間の中に移動させる。（複数）通路に分注されたアンダフィル材料の容積は流体リザーバとしてはたらき、それは隙間の中に流出することによって排出される。しかしながら、加圧および／または真空もしくは近真空引きはアンダフィル材料の流速を上げることが可能である。
【００２０】
前述の概要と下記の詳細な説明から、ダイのような部品と基板のような部品キャリアの間の隙間をアンダフィルするための独自の効果的な方法を本発明が提供することが理解されるであろう。本発明は従来のアンダフィル処理技術に付随する濡れ領域を削減し、それにより、「進入禁止」領域が維持される。特に、アンダフィル材料は部品に隣接して部品キャリア上に位置する受動的デバイスをぬらさない。
【００２１】
本発明はまた、フィレットのカスタマイズされた寸法設定も提供する。フィレットの有無は部品温度を調節することによって制御可能である。フィレットを供給するように意図的に温度が選択されない限り、部品の周縁エッジの表面張力はアンダフィル材料の外方向への流れに歯止めをかけ、フィレットは生じないであろう。部品の温度を上げることがフィレットを形成し、それは多様な部品に関する連続的なアンダフィル処理操作の中で再現可能である。
【００２２】
分注用ヘッドに相対する通路の正確な位置合わせのための画像化を必要としないので、本発明はカメラと複雑な照明仕組みを有する視野システムの必要性を除外する。これは処理能力を高め、かつ装置コストを下げる。本発明はまた、ディスペンサ・ヘッド、部品、および部品キャリアの三次元的（Ｘ、ＹおよびＺ）位置決めのための要件を緩和する。さらに、アンダフィル材料はビードとして分注されず、代わりに部品キャリアまたは部品のいずれかを介して延びる１つまたは複数の通路に単に導入されるだけであるため、高価で処理能力を制限するニードルの必要がなくなる。
【００２３】
ディスペンサ・ニードルは部品が配置される部品キャリアの側に対して反対側の部品キャリアの側に位置決めされることができるので、ニードル部品の衝突から結果的に生じる出量振れの危険性が低減される。アンダフィル材料が隙間を満たすために通路または通路群から流れなければならない距離が削減されるので、通路または複数通路から出る流出時間は、部品側のエッジから隙間内へのアンダフィル材料の移動と比較すると有意に削減される。
【００２４】
本発明はまた、停滞線の発生を取り除くかまたは削減する。中央に位置する通路から、または複数通路の対称のセットをアンダフィルすることがアンダフィル材料の概して等方な半径方向の流れに結果的につながる。さらに、通常はより小さい熱伝導率を有する部品キャリアを通じて熱が移動する従来のアンダフィル処理と比べると、部品キャリア内の（複数）通路にアンダフィルが導入されるならば部品を通じて熱を移動させることが可能であるのでパッケージの加熱はさらに効率的である。
【００２５】
本発明はまた、アンダフィル材料を正確な容量で分注する必要条件も緩和する。特に、本発明の様々な実施形態の（複数）通路に加えられるアンダフィル材料の最少量はダイの下の容積と相互接続バンプの容積を差し引いたフィレットの容積の合計に等しい。本発明の原理によると、アンダフィル材料の最少量を導入すること以外はアンダフィル材料の容量は正確に調節される必要はない。
【００２６】
ダイが意図的に閾値温度以上に加熱されない限り、ダイのエッジを越えるアンダフィル材料の有意の流出を隙間のエッジの表面張力が阻止するであろう。結果として、アンダフィル処理操作時の大きなフィレットは作られないであろう。アンダフィル材料の最少量以上およびそれを超える量の（複数）通路に加えられる過剰のアンダフィル材料は単純に隙間内に流入せず、代わりに（複数）通路内に留まるかまたは基板の外方向に（複数）通路から突出するであろう。
【００２７】
本発明の原理によると、（複数）通路は滞留時間を伴なう多数回の分注操作によって充填されることが可能であり、その時間の間に他のパッケージの通路もしくは複数通路にアンダフィル材料が分注されることが可能である。アンダフィル材料が他のパッケージ内で流れている間に或るパッケージで分注処理を実行することができるので、これは処理能力を向上させる。
【００２８】
アンダフィル材料が（複数）通路内に分注された後、毛管作用と重力の下でアンダフィル材料は通路もしくは複数通路から隙間内へと移動し始める。アンダフィル・ディスペンサ・システムの場所からアンダフィル材料の硬化のための加熱オーブンのようなその後の場所へとパッケージが搬送されているときに流出が生じることが可能である。従来のアンダフィル操作と比較すると、これは大きく処理能力を向上させる。
【００２９】
本発明は、アンダフィル材料が例えばピック・アンド・プレイス操作によってペレットのような固体の形または他の固相容積で（複数）通路に加えられる可能性があることを考慮に入れている。ペレットが溶融されてアンダフィル材料を液化し、その後、それが隙間の中に流入もしくは移動する。
【００３０】
本発明はアンダフィル材料の存在を必要とする電子部品の耐久性と信頼性を向上させる。本発明はまた、部品と部品キャリアの間の隙間を効果的かつ信頼性良くアンダフィル処理するのに必要な時間を大幅に削減する。本発明はアンダフィル処理法、特に単一の部品キャリアによって担持された多数部品をアンダフィル処理する全体的処理能力を急がせ、同時に柔軟性の必要条件を満たし、多様な部品サイズ、小さくなった隙間寸法、および工業的に使用される様々なタイプのアンダフィル材料にもやはり適合する。
【００３１】
本発明の上記およびその他の目的と利点は添付の図面およびその説明から明らかにされるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
本明細書に組み入れられてその一部を構成する添付の図面類は、上記の本発明の概説および以下の実施形態の詳細な説明と共に本発明の実施形態を具体的に示しており、本発明の原理を説明するのに役立つ。
【００３３】
図１Ａ〜Ｄを参照すると、パッケージ・アセンブリ体１０はダイ１２のような部品が基板１４のような部品キャリアの上に実装されて構成される。当業者は理解するであろうが、基板１４はプリント回路基板のような有機またはセラミックの基板材料、フリップ・チップのマルチチップ・モジュールまたはフリップ・チップ・キャリアである可能性があり、ダイ１２は、限定されないが、方形の幾何学形状を含むいかなる適切な幾何学形状を有することも可能である。ダイ１２は、基板１４の第１の側１８上のハンダ・パッド２４の相当する群に見当を合わせられるかまたは位置合わせされたダイ１２の第１の側２３上の一群の相互接続バンプ２２を通じて基板１４に電気的および機械的に接続される。ハンダ・バンプ２２とハンダ・パッド２４はリフロー処理によって接合されることでそれらの間の機械的、熱的および電気的相互接続をハンダ接合の形で与えられる。ダイ１２の第１の側２３と基板１４の第１の側１８は隙間２８によって間隔を開けられる。概して、隙間２８は約１ミル（約２５ミクロン）から約５０ミル（約１２７０ミクロン）の寸法範囲にある。本発明の原理によるアンダフィル処理は約１２ミル（約３００ミクロン）から約２３ミル（約６００ミクロン）の範囲の隙間２８を充填するのに特に効果的である。
【００３４】
図１Ａ〜Ｄを連続して参照して本発明の原理によると、基板１４は実質的に平板状の第１の側１８と実質的に平板状の第２の側２０の間で基板１４の厚さを突き抜ける流体チャンバもしくは通路１６を組み入れている。通路１６はダイ１２の幾何学的中心またはその付近に配置される。未硬化状態の液体エポキシまたは他の液体ポリマーといったアンダフィル材料２６が下記で述べるような通路１６を通じて隙間２８内に導入される。通路１６は円形の断面プロファイルを有するように例示されているが、例えば通路１６が楕円もしくは方形の断面プロファイルを有することも可能であるので本発明はそのように限定されるものではない。
【００３５】
その目的で、ダイ１２の第２の側２９は熱エネルギーをダイ１２へと移すのに適した分注温度に加熱された支持体３２と熱的接触に置かれる。ダイ１２が、当業者が理解しているような様々な異なる接触加熱技術、または様々な異なる非接触加熱技術のいずれかによって加熱されることも可能であることを本発明は考慮に入れている。分注温度の程度は隙間２８内へのアンダフィル材料２６の移動を補助および容易にするように選択される。本発明の或る実施形態では、ダイ１２で測定される分注温度は約６０℃から約１００℃の範囲内であってもよい。従来のアンダフィル処理操作とは対照的に、パッケージ・アセンブリ１０は分注操作時に反転される。
【００３６】
アンダフィル・ディスペンサ３４は、アンダフィル材料２６の或る量を通路１６内に分注するために基板１４に対して相対的に操作される。アンダフィル・ディスペンサ３４は、図１Ｂに示したように、ディスペンサ・ニードル３６と非接触の方式の分注ポンプ（図示せず）から受けたアンダフィル材料２６を通路１６内に分注する。アンダフィル材料２６は通路１６内に常駐している間非加圧状態にある。支持体３２から由来する熱エネルギーは加熱された部品１２から、通路１６から隙間２８内へと隙間２８を進むかさもなければその中を移動しているアンダフィル材料２６へと移される。移された熱は隙間２８内のアンダフィル材料２６の温度を上昇させ、それにより、その温度依存性の粘度を下げ、それによって進んでいるアンダフィル材料２６の前縁もしくは波面の均一性を高める。アンダフィル材料２６は通路１６から放射状に外方向に流れるかまたは移動し、重力および毛管作用の合同の影響下で隙間２８に入る。通路１６から隙間２８へのアンダフィル材料２６の流出は実質的に放射方向で等方性である。結果として、停滞線は発生しにくく、それは充填される隙間２８内のアンダフィル材料２６の均質性を大幅に向上させる。アンダフィル材料２６の流出は、図１Ｃに示したように、流体静力学的表面張力のせいでダイ１２の側部エッジで停止もしくは休止する。隙間２８内のアンダフィル材料２６はハンダ・バンプ２２とハンダ・パッド２４のリフローの結果となるハンダ接合による電気的相互接続のすべてを完全にカプセル充填し、硬化後に、基板１４上の「進入禁止」領域へのアンダフィル材料２６の侵入を排除しながら従来のアンダフィル処理と同等の利点を与える。
【００３７】
図１Ａ〜Ｄを連続的に参照して本発明の原理によると、追加的に下記で詳細に説明するように、場合によってはフィレット３８がダイ１２の側部エッジに沿って形成される可能性がある。フィレット３８は、ダイ１２の側縁部で外方向への流れを制限する表面張力の作用のために無視できる程度の幅を有して図１Ｂに例示されている。フィレット３８の幅は、アンダフィル材料２６がダイ１２の周縁エッジに付着して登り上がるようにダイ１２の少なくとも局部的に外側周縁エッジ付近のダイ１２の分注温度、またはダイ１２全体の温度を上げることによって、仮想線で示したフィレット４０によって示されるように増加することが可能である。フィレット４０を作るために必要な特定の分注温度はアンダフィル材料２６の組成によって決まるであろう。もちろん、アンダフィル材料２６の分注される量はフィレット４０を作り出すのに充分な追加の量を含むべきである。本発明の原理によると、無視できる程度の幅の無視できる、またはゼロフィレット３８はダイ１２の温度を制御することによって容易に供給される。アンダフィル材料２６の外方向への流れを食い止めるようにダイ１２の周縁エッジで作用する表面張力のためにゼロフィレット３８が生じる。ゼロフィレット３８の存在は、通路１６内に分注される最少必要量を超えるアンダフィル材料２６のどのような過剰量にも無関係である。
【００３８】
アンダフィル・ディスペンサ３４とディスペンサ・ニードル３６は、液体のアンダフィル材料を分注することが可能などのような従来の装置を含むこともできる。アンダフィル材料２６をアンダフィル・ディスペンサのニードル３６に供給するための或る適切なポンプはＮｏｒｄｓｏｎ  Ａｓｙｍｔｅｋ（Ｃａｒｌｓｂａｄ，ＣＡ）から市販入手可能なＤＪ−９Ｋポンプである。アンダフィル・ディスペンサ３４、ディスペンサ・ニードル３６、および付属するポンプはＮｏｒｄｓｏｎ  Ａｓｙｍｔｅｋ（Ｃａｒｌｓｂａｄ，ＣＡ）から市販入手可能なＭ−２０２０、Ｘ−１０２０、Ｍ−６２０およびＣ−７２０アンダフィル分注システムのような自動化されたアンダフィル分注システムの部品を構成することが可能である。分注の要件が緩和されるため、分注されるアンダフィル材料２６の量および通路１６に関するアンダフィル・ディスペンサのニードル３６の位置決めの精度を緩和することが可能になり、それにより、本発明の原理によってアンダフィル材料２６を分注するために多数の異なるタイプのディスペンサ・ニードル３６、分注ポンプおよびアンダフィル分注システムが使用可能になることが企図されている。例えば、処理能力を制限する細い口径のディスペンサ・ニードル３６および高精度の量の分注が可能なポンプはアンダフィル分注システムから除外することが可能である。特に、アンダフィル材料２６の均一なビードを分注しなければならない従来のアンダフィル分注法と比較してアンダフィル材料２６の必要量を通路１６内に分注するために要する時間を削減するために、ディスペンサ・ニードル３６の口径は大幅に増大することが可能である。
【００３９】
通路１６は、基板１４の第１の面１８の上の金属の軌跡がその存在の影響を受けないような直径を有さなくてはならない。通路１６の容積は、相互接続バンプ２２に占められていない隙間２８内のスペースを充填するため、およびどのような必要なフィレット４０も供給するために必要となるアンダフィル材料２６の量よりも実質的に大きいか等しいように選択することが可能である。その目的のために、アンダフィルを達成するためのアンダフィル材料２６の最少量を算出またはそうでなければ判定することが可能であり、その結果、少なくともその最少量が１回の操作または送出で通路１６内に分注される。通常、アンダフィル材料２６の分注量は約１００ｍｍ３〜約１５０ｍｍ３である。通路１６へのアンダフィル材料２６の分注は、従来のようにダイ１２の側縁部の直近に１回または複数回の送出でアンダフィル材料２６の１つまたは複数のビードを分注する必要性を除外する。結果として、アンダフィル・ディスペンサ３４とディスペンサ・ニードル３６は分注操作時に静止状態を保つことが可能となり、ディスペンサ・ニードル３６に関するダイ１２の位置決めの要件は緩和される。
【００４０】
通路１６の容積もしくは容量は、例えば通路１６のサイズが金属化軌道を妨害しないか、あるいはダイ１２が寸法で大きい場合、アンダフィル材料２６の必要最少容量よりも小さくてもよい。これらの例では、隙間２８のアンダフィル処理操作を完遂するために多数回の分注操作もしくは送出が必要とされる可能性がある。さらに、もしもフィレット４０を生じさせるためにダイ温度が意図的に上げられない場合、通路１６から隙間２８内に流れ込むアンダフィル材料２６の量はダイ１２の側縁部の表面張力に起因して最少量と等しくなり、ゼロフィレット３８を生じることは理解されよう。通路１６への過剰のアンダフィル材料２６の追加は、もしもダイ１２の周縁エッジで表面張力を乗り越えるようにダイ温度が意図的に上げられることがないならば、フィレット４０の出現に結果的につながらないであろう。フィレット４０を作り出すために温度が意図的に上げられないならば、いかなる過剰のアンダフィル材料２６も通路１６内で単に在留し続け、図１Ｃの仮想線で示したように、冠状または他の形状を通路１６内またはそこから突き出て形成する可能性がある。
【００４１】
本発明は、別の選択肢となる実施形態で、通路１６から隙間２８内へのアンダフィル材料２６の流速が、例えば隙間２８の１つまたは複数の側部エッジで圧力差を加えることによって上げられる可能性があることを考慮に入れている。圧力差によって作り出される吸引が隙間２８内へのアンダフィル材料２６の流れを補助する。
【００４２】
図１Ｅを参照して本発明の別の選択肢となる実施形態によると、傾斜した流体チャンバもしくは通路１７が基板１４に設けられる。通路の側壁が中心配置される流体通路１７の中心線は基板１４の平板状の第１と第２の側１８、２０に相対して或る角度で配向される。この傾斜配向は通路１６（図１Ａ〜Ｄ）の直角の配向とは異なる。
【００４３】
図１Ｆを参照して本発明のまた別の選択肢となる実施形態によると、テーパのついた流体チャンバもしくは通路１９が基板１４に設けられる。流体通路１９は第２の側２０から第１の側１８に向かう方向で直径が細くなっているが、しかし通路１９が反対方向でテーパを有することは可能であるので本発明はそのように限定されるものではない。この傾斜した配向は第２の側２０に直角の図１Ａ〜Ｄに示した通路１６の配向とは異なる。
【００４４】
図２を参照して本発明のまた別の選択肢となる実施形態によると、通路１６に類似した流体通路１６ａが基板１４ではなく、ダイ１２に形成されることが可能である。ダイ１２を突き抜ける通路１６ａの特徴は上述した通路１６の特徴と同じである。ダイ１２は基板１４との相対関係で位置決めされ、上述し、かつ図１Ｂに示したように、アンダフィル材料２６が流体通路１６ａ内に分注される前に加熱された支持体３２と熱的接触に基板１４を置くことによって少なくとも基板１４が分注温度に加熱される。隙間２８を充填するために通路１６に関して上述したように、流出が通路１６ａから進む。別の選択肢となる実施形態では、通路１６ａは通路１７（図１Ｅ）と同様に傾けられる可能性があり、または通路１９（図１Ｆ）と同様にテーパを設けられる可能性がある。
【００４５】
同様の参照番号が図１Ａ〜Ｃの同様の特徴に関連する図２Ａ〜Ｃを参照すると、流量制御バリヤもしくは堰４２が流体通路１６の外周付近に、取り巻くもしくは囲む関係で配置される。堰４２は分注操作によって形成される。図２Ａの背景で上述したように、アンダフィル材料２６の或る量がアンダフィル・ディスペンサ３４のディスペンサ・ニードル３６から通路１６内および堰４２によって規定される境界の内側に分注される。堰４２は基板１４の第２の側２０と流体シールを有し、それは堰４２の内側以内に規定される容積から通路１６に分注されるアンダフィル材料２６の有意の損失を防止するのに適している。本発明は、通路１６ａの容量を増加させるために図２Ａ〜Ｃに示した実施形態で堰４２が使用される可能性があることを考慮に入れている。
【００４６】
堰４２の存在は通路１６の容積を効果的に増加させ、かつ階段状の直径を効果的に有する通路の一部を規定する。それに続いて、堰４２は１回の分注操作で分注されるべきアンダフィル材料２６の必要最少量を可能にし、かつ／またはアンダフィル材料２６の分注量よりも通路１６の容積の方が小さくてもよいので通路１６の寸法の調節を可能にすることができる。金属化軌道またはダイのサイズが通路の容積を制限する場合にこれは助けになる。アンダフィル材料２６は通路１６から放射状に外方向に流れるかまたは移動して隙間２８内に入る。流体静力学的表面張力のせいでダイ１２の側部エッジで流出が停止した後では、ハンダ・バンプ２２とハンダ・パッド２４のリフローで形成されたハンダ接合によって供給される電気的接続のすべてをアンダフィル材料２６が完全にカプセル充填する。図２Ｄを参照すると、堰４２は場合によっては基板１４の第２の側２０に付けられる予備形成のガスケットとして作製されることも可能である。
【００４７】
同様の参照番号が図１Ａ〜Ｃの同様の特徴に関連する図３Ａ〜Ｃを参照すると、流体チャンバもしくは通路４４は基板１４内にダイ１２の幾何学的中心もしくは中点付近で設けられる。通路４４は複数、例えば３連の個々の口径を有する階段状の穴または異なる直系の通路区分４６、４８、および５０で構成される。通路区分４６、４８、および５０の集合容積が通路４４の流体容量を決定し、通路４４内に分注されることが可能なアンダフィル材料２６の最大量に相当する。結果として、ダイ１２の直下にある通路４４の部分の直径は、１回の分注操作もしくは送出でアンダフィル材料２６の必要量を受けるように基板１４内で充分な寸法の空洞を与えながら制御されることが可能となる。特に、通路区分５０の直径を小さくすると基板１４の第１の側１８上のその出現部で通路４４の有効直径が小さくなり、金属化軌道へのいかなる近接も回避するが、同時に通路４４の容量が効果的に上げられることを可能にする。本発明は、通路１６ａ（図２）が階段状の直径に置き換えられることで通路１６ａの容量が増される可能性があることを考慮に入れている。
【００４８】
同様の参照番号が図１Ａ〜Ｃの同様の特徴に関連する図４Ａ〜Ｃを参照すると、流体チャンバもしくは通路５２がダイ１２の一角５３付近でかつ中点５６から角５３に延びるダイ１２の対角線５４の下で基板１４に形成される。通路５２は１回の分注操作もしくは送出でアンダフィル材料２６の必要量を受けるように寸法設定されるか、あるいは堰（図２Ａ〜Ｃ）または一連の直径の通路区分（図３Ａ〜Ｃ）で改造されることが可能である。隙間２８を充填するためにアンダフィル材料２６は通路５２から放射状に遠ざかって流れるかまたは移動する。流体静力学的表面張力のせいでダイ１２の側部エッジで流出が停止した後、アンダフィル処理操作が完了し、ハンダ接合によって供給される電気的接続のすべてを完全にカプセル充填する。本発明は、基板１４の通路５２に関連して説明したようにダイ１２の対角線に沿って通路１６ａ（図２Ａ〜Ｃ）が再配置される可能性があることを考慮に入れている。
【００４９】
同様の参照番号が図１Ａ〜Ｃの同様の特徴に関連する図５Ａ〜Ｃを参照すると、間隔を置いた２つの複数流体チャンバもしくは通路５８、６０がダイ１２の対抗する角６３、６４を結び、中点６６を通って延びる対角線上で基板１４内に形成される。通路５８、６０は、例えばダイ１２の対応する象限のそれぞれの中心に配置されることが可能である。アンダフィル材料２６は通路５８、６０の各々から放射状に外方向に流れるかまたは移動して隙間２８内に入る。通路５８、６０の各々から個々の波面として流れるアンダフィル材料２６は隙間２８の内側で収束し、つながった層に合体する。流体静力学的表面張力がダイ１２の側部エッジで流出を止め、その時、アンダフィル材料２６がハンダ接合によって供給される電気的接続のすべてを完全にカプセル充填する。本発明は、通路１６ａに類似した１つまたは複数の追加の通路が、図２に示した本発明の実施形態と整合性がとれた状態でダイ１２に設けられる可能性があることを考慮に入れている。
【００５０】
同様の番号が図１Ａ〜Ｃと同様の特徴に関連する図６Ａ〜Ｃを参照すると、基板１４内でダイ１２の下に複数の４つの流体チャンバまたは通路６８、７０、７２および７４が形成されている。通路６８、７０、７２および７４は四辺形に配置され、各々の通路６８、７０、７２および７４は四辺形の対応する象限の中心付近に配置されるが、本発明をそのように限定するものではない。通路６８と７０はダイ１２の対向する角７７、７８を結んでダイの中心点８０を通って延びる対角線７６上に配置される。通路７２と７４はダイ１２の対向する角８３、８４を結んでダイの中心点８０を通って延びる対角線８２上に配置される。アンダフィル材料２６は通路６８、７０、７２および７４の各々から放射状に外方向に流れるかまたは移動して隙間２８内に入る。通路６８、７０、７２および７４の各々から個々の波面として流れるアンダフィル材料２６は隙間２８の内側で収束し、つながった層に合体する。ダイ１２の側縁部で流体静力学的表面張力が流出を食い止め、そのとき、アンダフィル材料２６がハンダ接合によって設けられた電気的接続のすべてを完全にカプセル化する。
【００５１】
本発明は、隙間２８をアンダフィル処理するためにダイ１２または基板１４のいずれかにいかなる数の通路が設けられる可能性もあること、およびここで述べた特定の配置が（複数）通路に関する範例的な位置および配列であることを考慮に入れている。例えば、ダイ１２の幾何学的中心に対応する基板１４上の位置からわずかに移動して通路１６が配置される可能性がある。別の範例では、対角線６２に沿って３つの通路が配置される可能性がある。
本発明は以下の実施例を考慮に入れてさらに理解されるであろう。
【００５２】
（実施例１）
１５０μｍピッチ（ハンダ・バンプの中心間距離）および３１μｍの隙間で２２，５００個の銅バンプを有する２５ｍｍ２のガラス・ダイの幾何学的中心付近で基板にチャンバを設けた。ダイと基板のパッケージ・アセンブリを反転してダイを加熱されたプレート上に配置した。ダイを６５℃に加熱し、２つの異なる色のアンダフィル材料もしくはアンダフィルの量をチャンバ内に導入した。結果として得られたアンダフィルのパターンは停滞線が存在しないことを示し、かつ流出速度の視認性を示した。アンダフィル材料はゼロのフィレットサイズでダイと基板の間の隙間を充填した。
【００５３】
（実施例２）
１５０μｍピッチ（ハンダ・バンプの中心間距離）および３１μｍの隙間で２２，５００個の銅バンプを有する２５ｍｍ２のシリコン・ダイの幾何学的中心付近で基板にチャンバを設けた。ダイと基板のパッケージ・アセンブリを反転してダイを加熱されたプレート上に配置した。ダイの温度は６５℃であると測定された。アンダフィル材料もしくはアンダフィル（Ｈｙｓｏｌ４５４５）をチャンバ内に導入した。アンダフィル材料はゼロのフィレットサイズでダイと基板の間の隙間を充填した。
【００５４】
（実施例３）
幾何学的中心付近で基板を突き抜けるチャンバを有する基板とガラス・ダイのパッケージ・アセンブリを反転し、ダイを加熱されたプレート上に配置し、ダイで測定して６５℃にアセンブリを加熱した。２つの異なる色のアンダフィル材料もしくはアンダフィルを交互にチャンバ内に導入した。パターンは、停滞線が存在しないこと、および流出が比較的等方性であることを示した。アンダフィル材料はゼロのフィレットサイズでダイと基板の間の隙間を充填した。
【００５５】
（実施例４）
実施例２のような構成のシリコン・ダイの対角線上で基板を突き抜ける２つの直径０．０６０”のチャンバを配置した。パッケージ・アセンブリを反転し、ダイを加熱されたプレート上に配置し、ダイで測定して９５℃に加熱した。アンダフィル材料もしくはアンダフィル（Ｈｙｓｏｌ４５４５）の或る量をチャンバ内に導入した。アンダフィルがチャンバ内に導入されるときに始まって隙間の全周の周りにアンダフィル材料が存在することでアンダフィルが完了するときに終結したアンダフィル操作は高速（すなわち９４秒）でかつ高品質であることが観察された。
【００５６】
（実施例５）
実施例２のような構成のシリコン・ダイの一角の付近で基板を突き抜ける直径０．１７７”のチャンバを配置した。パッケージ・アセンブリを反転し、ダイを加熱されたプレート上に配置し、ダイで測定して６５℃に加熱した。アンダフィル材料もしくはアンダフィル（Ｈｙｓｏｌ４５４５）の或る量をチャンバ内に導入した。アンダフィル操作は高速（すなわち８４秒）でかつ高品質であることが観察された。
【００５７】
（実施例６）
実施例２のような構成のシリコン・ダイの対角線上で基板を突き抜ける２つの直径０．１７７”のチャンバを配置した。パッケージ・アセンブリを反転し、ダイを加熱されたプレート上に配置し、ダイで測定して９５℃に加熱した。アンダフィル材料もしくはアンダフィル（Ｈｙｓｏｌ４５４５）をチャンバ内に導入した。アンダフィル操作は高速（すなわち６８秒）でかつ高品質であることが観察された。実施例６のチャンバは実施例８のチャンバよりも直径で大きかったが、流出時間は実施例８で観測された流出時間と同様であった。
【００５８】
（実施例７）
実施例２のような構成のシリコン・ダイの対角線上で基板を突き抜ける２つの直径０．１２５”のチャンバを配置した。パッケージ・アセンブリを反転し、ダイを加熱されたプレート上に配置し、ダイで測定して６５℃に加熱した。アンダフィル材料もしくはアンダフィル（Ｈｙｓｏｌ４５４５）をチャンバ内に導入した。アンダフィル操作は高速（すなわち１３０秒）でかつ高品質であることが観察された。アンダフィルの２つの波面が合体する場所でわずかな影（停滞線）が明らかになった。
【００５９】
（実施例８と比較の実施例１）
各々が実施例７のパッケージ・アセンブリ体と同一である３つのパッケージ・アセンブリ体が供給され、対応するチャンバがアンダフィル材料またはアンダフィル（Ｈｙｓｏｌ  ４５４５）で充填された。アンダフィル操作の間では、ダイの温度は実施例７のような６５℃ではなく、９５℃であった。３つのパッケージ・アセンブリ体に関するアンダフィル操作は平均で約４０秒で完了することが観察され、最速のアンダフィル操作はアンダフィル材料の或る量をチャンバ内に導入した後に完了するのに３８秒かかることが観察された。
【００６０】
比較では、標準的な毛管のアンダフィル操作が、同じアンダフィル材料のＬ字型ビードの複数回分注または送出を使用して、同じタイプのパッケージ・アセンブリ体について実施例８の温度で実行された。アンダフィル操作は完了するのに１１８秒要すると観察された。
【００６１】
（実施例９）
実施例２のような構成のシリコン・ダイの幾何学的中心からずれを有し、角と中心の間の中点付近の対角線上で基板を突き抜ける直径０．１７７”のチャンバを配置した。パッケージ・アセンブリを反転し、ダイを加熱されたプレート上に配置した。ダイの温度は９５℃であると測定された。アンダフィル材料もしくはアンダフィル（Ｈｙｓｏｌ４５４５）を通路内に導入した。アンダフィル操作は完結するのに４８３秒かかることが観察された。チャンバに余剰の材料を追加し、かつダイの側部エッジに沿って局部的に９５℃以上に温度を上げる結果として生じるフィレットが観察された。
【００６２】
（実施例１０）
実施例９のそれと同様のパッケージ・アセンブリ体が供給され、チャンバはアンダフィル材料またはアンダフィル（Ｈｙｓｏｌ  ４５４５）で充填された。アンダフィル操作の間で、ダイの温度は６５℃であった。アンダフィル操作は４８３秒で完了すると観察された。
【００６３】
（実施例１１）
実施例２のような構成のシリコン・ダイの各々の象限の象限中央付近に基板を突き抜ける４つの直径０．０６０”のチャンバを配置した。パッケージ・アセンブリを反転し、ダイを加熱されたプレート上に配置し、ダイで測定して９５℃に加熱した。アンダフィル材料もしくはアンダフィル（Ｈｙｓｏｌ４５４５）をチャンバ内に導入した。アンダフィル操作は速やか（７０秒）であり、かつ比較的高い品質であることが観察されたが、ダイの中央に空隙が生じた。空隙の領域内にバンプが配置されない場合、そのような空隙は特に問題とならない。
【００６４】
（実施例１２）
図１５と２４を参照し、実施例２のような構成のシリコン・ダイの幾何学的中心付近で基板を突き抜ける直径０．０６０”のチャンバを配置した。チャンバと同心に堰を配置した。パッケージ・アセンブリ体は反転され、ダイが加熱プレート上に配置された。ダイの温度は６５℃であると測定された。アンダフィル材料またはアンダフィル（Ｈｙｓｏｌ  ４５４５）が空洞に導入された。アンダフィル操作は完了するのに２８７秒かかると観察された。
【００６５】
様々な実施形態の説明によって本発明が例示され、これらの実施形態がかなり詳細に説明されてきたが、添付の特許請求項の範囲をそのような詳細に制限またはいかなる方式で限定することも出願人の意図するものではない。追加的な利点および変更は当業者にとって容易に明らかになるであろう。したがってさらに広い態様で本発明は、特定の詳細な代表的方法、および示して説明した具体的実施例に限定されない。したがって、出願人の総合的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、そのような詳細から出発が為される可能性がある。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１Ａ】アンダフィル処理操作の後のパッケージを示す透視図であって、仮想線で示されたダイ、および本発明の実施形態による流体通路を有する基板を含む。
【図１Ｂ】アンダフィル材料が流体通路内に導入された後の図１Ａのパッケージを示す断面図である。
【図１Ｃ】アンダフィル材料が流体通路からダイと基板の間の隙間内に流れた後の図１Ａのパッケージを示す断面図である。
【図１Ｄ】図１Ａのパッケージの上面図である。
【図１Ｅ】本発明の別の選択肢となる実施形態の、図１Ｃと同様の断面図である。
【図１Ｆ】本発明の別の選択肢となる実施形態の、図１Ｃと同様の断面図である。
【図２】本発明の別の選択肢となる実施形態の、図１Ｃと同様の断面図であって、流体通路がダイに設けられる。
【図２Ａ】流体通路が堰で囲まれる、本発明のまた別の選択肢となる実施形態による、図１Ａ、１Ｃおよび１Ｄと同様の図である。
【図２Ｂ】流体通路が堰で囲まれる、本発明のまた別の選択肢となる実施形態による、図１Ａ、１Ｃおよび１Ｄと同様の図である。
【図２Ｃ】流体通路が堰で囲まれる、本発明のまた別の選択肢となる実施形態による、図１Ａ、１Ｃおよび１Ｄと同様の図である。
【図２Ｄ】本発明の別の選択肢となる実施形態の、図２Ｂと同様の断面図である。
【図３Ａ】流体通路が階段状の直径を有する、本発明のさらにまた別の選択肢となる実施形態による、図１Ａ、１Ｃおよび１Ｄと同様の図である。
【図３Ｂ】流体通路が階段状の直径を有する、本発明のさらにまた別の選択肢となる実施形態による、図１Ａ、１Ｃおよび１Ｄと同様の図である。
【図３Ｃ】流体通路が階段状の直径を有する、本発明のさらにまた別の選択肢となる実施形態による、図１Ａ、１Ｃおよび１Ｄと同様の図である。
【図４Ａ】単一の流体通路がダイの対角線の下の位置で基板内に規定される、本発明のさらにまた別の選択肢となる実施形態による、図１Ａ、１Ｃおよび１Ｄと同様の図である。
【図４Ｂ】単一の流体通路がダイの対角線の下の位置で基板内に規定される、本発明のさらにまた別の選択肢となる実施形態による、図１Ａ、１Ｃおよび１Ｄと同様の図である。
【図４Ｃ】単一の流体通路がダイの対角線の下の位置で基板内に規定される、本発明のさらにまた別の選択肢となる実施形態による、図１Ａ、１Ｃおよび１Ｄと同様の図である。
【図５Ａ】２つの流体通路がダイの対角線の下の位置で基板内に規定される、本発明のさらにまた別の選択肢となる実施形態による、図１Ａ、１Ｃおよび１Ｄと同様の図である。
【図５Ｂ】２つの流体通路がダイの対角線の下の位置で基板内に規定される、本発明のさらにまた別の選択肢となる実施形態による、図１Ａ、１Ｃおよび１Ｄと同様の図である。
【図５Ｃ】２つの流体通路がダイの対角線の下の位置で基板内に規定される、本発明のさらにまた別の選択肢となる実施形態による、図１Ａ、１Ｃおよび１Ｄと同様の図である。
【図６Ａ】複数の流体通路がダイの下の位置で基板内に規定される、本発明のさらにまた別の選択肢となる実施形態による、図１Ａ、１Ｃおよび１Ｄと同様の図である。
【図６Ｂ】複数の流体通路がダイの下の位置で基板内に規定される、本発明のさらにまた別の選択肢となる実施形態による、図１Ａ、１Ｃおよび１Ｄと同様の図である。
【図６Ｃ】複数の流体通路がダイの下の位置で基板内に規定される、本発明のさらにまた別の選択肢となる実施形態による、図１Ａ、１Ｃおよび１Ｄと同様の図である。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図１Ｅ】
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【図１Ｆ】
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【図２】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【外国語明細書】
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