(57)【要約】【課題】  ワイヤボンディング中にキャピラリの不要な移動時間を最小化することによりワイヤボンディング時間を最小化できるワイヤボンディング法を提供すること。【解決手段】  ワイヤボンディング方法において、ボンディングパッドを有する半導体チップが実装され、上記半導体チップに近接してボンディング位置が形成される配線基板を備える段階と、上記ボンディングパッドとボンディング位置とを接続するためのボンディングワイヤを備える段階と、上記半導体チップのボンディングパッド上にボールバンプを形成する段階と、上記ボールバンプ上に上記ボンディングワイヤの第１ステッチボンドを形成する段階と、上記ボンディング位置に上記ボンディングワイヤの第２ステッチボンドを形成する段階とを有する。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボンディングパッドを有する半導体チップが実装され、前記半導体チップに近接してボンディング位置が形成される配線基板を備える段階と、
前記ボンディングパッドとボンディング位置を連結するためのボンディングワイヤを備える段階と、
前記半導体チップのボンディングパッド上にボールバンプを形成する段階と、
前記ボールバンプ上に前記ボンディングワイヤの第１ステッチボンドを形成する段階と、
前記ボンディング位置に前記ボンディングワイヤの第２ステッチボンドを形成する段階と、
を有することを特徴とする、ワイヤボンディング方法。
【請求項２】
前記ボンディングワイヤは、金線、アルミニウム線、または銅線であることを特徴とする、請求項１に記載のワイヤボンディング方法。
【請求項３】
前記配線基板は、リードフレーム、印刷回路基板、セラミック基板またはフレキシブル回路基板であることを特徴とする、請求項１に記載のワイヤボンディング方法。
【請求項４】
前記第１ステッチボンドは、ボールステッチ状ステッチボンドであることを特徴とする、請求項１に記載のワイヤボンディング方法。
【請求項５】
ボンディングパッドを有する半導体チップが実装され、前記半導体チップに近接してボンディング位置が形成されている配線基板を備える段階と、
前記ボンディングパッドとボンディング位置を接続するためにキャピラリを通じてワイヤを提供する段階と、
前記キャピラリの下に出てきたワイヤの一端にボールを形成する段階と、
前記ボンディングパッド上に前記ボンディングワイヤのボールを押し付けてボンディングパッド上にボールバンプを形成する段階と、
前記ボールバンプをボンディングパッド上に保持するために前記ボンディングワイヤから切断する段階と、
前記ボールバンプ上に前記ボンディングワイヤを押し付けて前記ボールバンプ上に第１ステッチボンドを形成する段階と、
前記ボンディングワイヤを緩めながらボンディングパッドよりボンディング位置へ前記キャピラリを移動させる段階と、
前記ボンディング位置に前記ボンディングワイヤを押し付けて前記ボンディング位置に第２ステッチボンドを形成する段階と、
前記キャピラリ内部のボンディングワイヤから前記第２ステッチボンドを切断する段階と、
を有することを特徴とする、ワイヤボンディング方法。
【請求項６】
前記ボンディングワイヤは、金線、アルミニウム線、または銅線であることを特徴とする、請求項５に記載のワイヤボンディング方法。
【請求項７】
前記配線基板は、リードフレーム、印刷回路基板、セラミック基板またはフレキシブル回路基板であることを特徴とする、請求項５に記載のワイヤボンディング方法。
【請求項８】
前記第１ステッチボンドは、ボールステッチ状ステッチボンドであることを特徴とする、請求項５に記載のワイヤボンディング方法。
【請求項９】
ボンディングパッドにそれぞれのボールバンプを形成している半導体チップが実装され、前記半導体チップに近接してボンディング位置が形成された配線基板を備える段階と、
前記ボンディングパッドとボンディング位置を接続するためにキャピラリを通じてワイヤを提供する段階と、
前記ボールバンプ上に前記ボンディングワイヤを押し付けて前記ボールバンプ上に第１ステッチボンドを形成する段階と、
前記ボンディングワイヤを緩めながらボンディングパッドよりボンディング位置へ前記キャピラリを移動させる段階と、
前記ボンディング位置に前記ボンディングワイヤを押し付けて前記ボンディング位置に第２ステッチボンドを形成する段階と、
前記キャピラリ内部のボンディングワイヤから前記第２ステッチボンドを切断する段階と、
を有することを特徴とする、ワイヤボンディング方法。
【請求項１０】
前記ボンディングワイヤは、金線、アルミニウム線または銅線であることを特徴とする、請求項９に記載のワイヤボンディング方法。
【請求項１１】
前記配線基板は、リードフレーム、印刷回路基板、セラミック基板またはフレキシブル回路基板であることを特徴とする、請求項９に記載のワイヤボンディング方法。
【請求項１２】
前記第１ステッチボンドは、ボールステッチ状ステッチボンドであることを特徴とする、請求項９に記載のワイヤボンディング方法。
【請求項１３】
基板の少なくとも一つ以上のボンディング位置とワイヤボンディングするための少なくとも一つ以上のボンディングパッドと、
前記少なくとも一つ以上のボンディングパッドに形成されているボールステッチバンプと、
を備えることを特徴とする半導体チップ。
【請求項１４】
前記ボンディングワイヤは、金線、アルミニウム線または銅線であることを特徴とする、請求項１３に記載の半導体チップ。
【請求項１５】
前記配線基板は、リードフレーム、印刷回路基板、セラミック基板またはフレキシブル回路基板であることを特徴とする、請求項１３に記載の半導体チップ。
【請求項１６】
基板の少なくとも一つ以上のボンディングパッドを有し、前記ボンディングパッドに形成されたボールステッチバンプを備える半導体チップと、
前記少なくとも一つ以上のボンディングパッド上のボールステッチバンプとワイヤボンディングするための少なくとも一つ以上のボンディング位置を有する半導体基板と、
を備えることを特徴とする、半導体パッケージ。
【請求項１７】
前記ボンディングワイヤは、金線、アルミニウム線、または銅線であることを特徴とする、請求項１６に記載の半導体パッケージ。
【請求項１８】
前記配線基板は、リードフレーム、印刷回路基板、セラミック基板またはフレキシブル回路基板であることを特徴とする、請求項１６に記載の半導体パッケージ。
【請求項１９】
前記ボールステッチバンプ上に前記ボンディングワイヤを押し付けて前記ボールステッチバンプ上にボールステッチ状ステッチボンドを形成する段階と、
前記ボンディングワイヤを緩めながらボンディングパッドよりボンディング位置へキャピラリを移動させる段階と、
前記ボンディング位置に前記ボンディングワイヤを押し付けて前記ボンディング位置にステッチボンドを形成する段階と、
を有することを特徴とする、ワイヤボンディング方法。
【請求項２０】
少なくとも一つ以上のボンディングパッドと前記ボンディングパッドに形成されるボールステッチバンプとを備える半導体チップと、前記少なくとも一つ以上のボンディングパッドのボールステッチバンプとワイヤボンディングするための少なくとも一つ以上のボンディング位置とを有する半導体パッケージを備える半導体パッケージのワイヤボンディング方法において、
前記少なくとも一つ以上のボンディングパッドを形成している半導体チップが実装され、前記少なくとも一つ以上のボンディング位置を形成している前記半導体基板を備える段階と、
前記少なくとも一つ以上のボンディングパッドと前記少なくとも一つ以上のボンディング位置とを接続するための前記ワイヤを備える段階と、
前記半導体チップの少なくとも一つ以上のボンディングパッドに前記ボールステッチバンプを形成する段階と、
前記ボールステッチバンプにボールステッチ状ステッチボンドを形成する段階と、前記少なくとも一つ以上のボンディング位置にステッチボンドを形成する段階と、
を有することを特徴とする、半導体パッケージのワイヤボンディング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子パッケージングに関するものであって、さらに詳細にはワイヤボンディング方法、半導体チップ、及び半導体パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、電子パッケージは、ハウジングと「半導体素子」、「チップ」または「ダイ」と呼ばれる集積回路等の連結からなり、電子システムを形成する。パッケージはチップを支持するとともに外部環境から保護し、且つ、チップやシステムから発生する熱を除去する手段、またはチップに信号と電力を供給するための電気的接続を提供する。
【０００３】
ワイヤボンディング技術とは、パッケージ内部の電気的接続に用いられる従来の技術である。このとき、ボンディングワイヤとして、金(Au)やアルミニウム(Al)、銅(Cu)を使用する場合もある。ワイヤの一端はチップに連結され、他端は基板、すなわち、リードフレームをはじめとする印刷回路基板、セラミック基板、フレキシブル回路基板などに連結される。
【０００４】
従来のワイヤボンディング技術は、チップにボールボンディングを、基板にステッチボンディングを行う。すなわち、ワイヤボンダ(wire bonder)のキャピラリ(capillary)の終端下に出てきたワイヤのテールにボールを形成させた後、熱または超音波振動を加えてキャピラリにより押し付けて半導体チップのボンディングパッドにボンディングする。そして、キャピラリを用いて一定の軌跡のループ(loop)を作った後基板のボンディング位置にてウェッジ型ステッチボンドを形成する。
【０００５】
しかし、ボンディングワイヤのループを安定に形成・維持するためには、半導体チップの上面に対するボンディングワイヤの高さを十分に維持しなければならない。すなわち、ワイヤの直径によって異なる場合もあるが、チップの上面に対するボンディングワイヤの高さを１００μｍ以上にしなければならない。従って、既存のワイヤボンディング法は半導体パッケージの薄形化における障害要因として作用している。
【０００６】
こうした問題を解決するための努力として、バンプリバースボンディング技術が開発された。バンプリバースボンディングは、基板にボールボンディングを、半導体チップにステッチボンディングを行うものである。半導体チップにステッチボンディングをすることによってチップのボンディングパッドにボールバンプを載置することができ、それにより、ボンディングパッド上にループを形成せずワイヤボンディングを実現することができる。上記関連技術として、１９９４年７月１２日付及び１９９８年４月７日付の２つの従来技術文献、そして、２００２年８月１３日の別の従来技術文献に開示されている（例えば、特許文献１乃至３参照）。
【特許文献１】米国特許第５，３２８，０７９号明細書
【特許文献２】米国特許第５，７３５，０３０号明細書
【特許文献３】韓国登録特許公報第０３５００８４号明細書
【０００７】
しかし、バンプリバースボンディング(bump-reverse bonding)は、図７に示すように、キャピラリの動きが多いために、ワイヤボンディング工程時間が長くなる問題がある。すなわち、半導体チップのボンディングパッド５２においてボールバンプ８２を形成する工程を行った後、配線基板のボンディング位置６２へ移動させて、ボンディング位置６２にボールボンディングをした後半導体チップのボンディングパッド５２へ再移動してステッチボンディングすることにより仕上げる。
【０００８】
前述したように、半導体チップ５０のボンディングパッド５２と基板のボンディング位置６２とをボンディングワイヤにより連結するために、キャピラリの往復運動が必要である。ここで、実線矢印は、キャピラリの移動による実質的なワイヤボンディング工程が行われる移動経路を表し、点線矢印は実質的なワイヤボンディング工程前のキャピラリの移動経路を表す。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従って、本発明の目的は、ワイヤボンディング中にキャピラリの不要な移動時間を最小化することによりワイヤボンディング時間を最小化できるワイヤボンディング法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明は、ボンディングパッドを有する半導体チップが実装され、上記半導体チップの近接にボンディング位置が形成されている配線基板を備える段階と、上記ボンディングパッドとボンディング位置を接続するためのボンディングワイヤを備える段階と、上記半導体チップのボンディングパッド上にボールバンプを形成する段階と、上記ボールバンプ上に上記ボンディングワイヤの第１ステッチボンドを形成する段階と、上記ボンディング位置に上記ボンディングワイヤの第２ステッチボンドを形成する段階とを有することを特徴とするワイヤボンディング方法を提供する。
【００１１】
さらに、本発明は、ボンディングパッドを有する半導体チップが実装され、上記半導体チップの近方にボンディング位置が形成されている配線基板を備える段階と、上記ボンディングパッドとボンディング位置を連結するためにキャピラリを通じてワイヤを提供する段階と、上記キャピラリの下に出てきたワイヤの終端にボールを形成する段階と、上記ワイヤのボールを押し付けることによって上記半導体チップのボンディングパッドにボールバンプを形成する段階と、上記ボールバンプをボンディングパッドに保持するためにワイヤから切断段階と、上記ワイヤをボールバンプ上に押し付けることにより上記ボールバンプ上に第１ステッチボンドを形成する段階と、ワイヤを緩めながら上記キャピラリが上記ボンディングパッドより上記配線基板のボンディング位置へ移動させる段階と、上記ボンディング位置にワイヤを押し付けることにより上記配線基板のボンディング位置に第２ステッチボンドを形成する段階と、上記第２ステッチボンドを上記キャピラリ内部にあるワイヤから切断する段階とを有することを特徴とするワイヤボンディング方法を提供する。
【００１２】
半導体チップのボンディングパッドにボールバンプが予め形成するワイヤボンディング方法を提供する。
【００１３】
本発明は、ボールバンプを形成しているボンディングパッドを有する半導体チップが実装され、上記半導体チップの近方にボンディング位置を形成している配線基板を備える段階と、上記ボンディングパッドとボンディング位置を接続するためのボンディングワイヤを備える段階と、上記ボールバンプ上に上記ボンディングワイヤの第１ステッチボンドを形成する段階と、ワイヤを緩めながらキャピラリがボンディングパッドよりボンディング位置へ移動させる段階と、上記ボンディング位置に上記ボンディングワイヤの第２ステッチボンドを形成する段階と、上記第２ステッチボンドを上記キャピラリ内部にあるワイヤから切断する段階とを有する。
【００１４】
本発明による半導体チップは、基板のボンディング位置とワイヤボンディングのための少なくとも一つ以上のボンディングパッドと、その上に形成されたボールステッチバンプとを備える。
【００１５】
本発明による半導体パッケージは、基板の少なくとも一つ以上のボンディング位置とのワイヤボンディングのために、少なくとも一つ以上のボンディングパッドと、上記ボンディングパッド上に形成されているボールステッチバンプを備える半導体チップと、上記少なくとも一つ以上のボンディングパッドのボールステッチバンプとのワイヤボンディングのために、少なくとも一つ以上のボンディング位置の半導体基板とを備える。
【００１６】
本発明によるワイヤボンディング方法に用いるボンディングワイヤとして金線、アルミニウム線または銅線を有し、配線基板としてリードフレーム、印刷回路基板、セラミック基板またはフレキシブル回路基板等を挙げることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、添付図面を参照して本発明の実施例をさらに詳細に説明する。図面において同様の図面符号は同様の構成要素を表す。
【００１８】
図１乃至図６は、本発明の実施例による半導体素子のワイヤボンディング方法を示す図である。
【００１９】
本実施形態によるワイヤボンディング工程は、図１に示すように、半導体チップ１０が実装された配線基板２０を備える段階からスタートする。半導体チップ１０は、上面に多数個のボンディングパッド１２が形成されており、ボンディングパッド１２を除く上面は保護層１４により被覆され保護されている。配線基板２０の上面に半導体チップ１０に近接して多数個のボンディング位置２２が形成されている。配線基板２０として、リードフレームをはじめとする印刷回路基板、セラミック基板、フレキシブル回路基板などが用いられる。
【００２０】
次に、図２及び図３に示すように、半導体チップ１０のボンディングパッド１２にボールステッチバンプ４２を形成する段階が行われる。ＥＦＯ（Electric Frame Off）放電を通じてキャピラリ３０の終端に突出したボンディングワイヤ４０終端にボールを形成した後、半導体チップのボンディングパッド１２に所定の荷重と超音波エネルギーをキャピラリ３０の下端に伝達すると、ボール４１が押し付けられボールステッチバンプ４２がボンディングパッド１２に形成される。次いで、キャピラリ３０が上昇しながらワイヤボンダのクランプ３２を用いてボンディングワイヤ４０を切断する。従って、ボールステッチバンプ４２は、ボンディングワイヤ４０から切断されボンディングパッド１２に位置するようになる。
【００２１】
さらに他の実施形態によると、半導体チップ製造過程において、ワイヤ４０を使用せずボンディングパッド１２にボールステッチバンプ４２を予め形成することもできる。
【００２２】
次いで、図４に示すように、ボールステッチバンプ４２上にボールステッチ状ステッチボンド４４を形成する段階が行われる。すなわち、ボンディングワイヤ４０を切断してステッチバンプ４２を形成した後、ボールステッチバンプ４２上にキャピラリ３０が下降してくる。そして、キャピラリ３０は、超音波エネルギーを使用したか否かに関係なくワイヤ４０テールを所定の荷重により押し付けてボールステッチバンプ４２上にボールステッチ状ステッチボンド４４を形成する。その後、ワイヤ４０を緩めながら基板のボンディング位置２２へ移動させる。
【００２３】
本発明の実施形態において、ボールバンプ４２を形成した後、直に、ボールバンプ４２上にボールステッチ状ステッチボンド４４を形成するので、ボールステッチ状ステッチボンド４４においてボールステッチバンプ４２とワイヤ４０との間の接合の信頼性が著しく、且つ、良好な信頼性を確保することができる。
【００２４】
図５に示すように、配線基板のボンディング位置２２にボンディングワイヤ４０の別のステッチボンド４６を形成する。すなわち、ボールステッチバンプ４２にボールステッチ状ステッチボンド４４を形成した後、ワイヤを緩めながらキャピラリ３０がボンディング位置２２へ移動する。その後、キャピラリ３０は、ワイヤ４０を所定の圧力で押し付けてボンディング位置２２にボンディングワイヤ４０を押し付けてボンディング位置２２にステッチボンド４６を形成する。
【００２５】
図６に示すように、キャピラリ３０が上昇するとき、クランプ３２がワイヤを把持しているため、ステッチボンド４６からワイヤ４０が切断される。その後、キャピラリ３０はボールを形成するために次のボンディングパッド１２へ移動する。
【００２６】
図８に示すように、ワイヤボンディング方法において、キャピラリ３０がボンディングパッド１２よりボンディング位置２２へ移動するために、再びボンディングパッド１２に戻る必要がなく、キャピラリ３０の移動経路を最小化することができる。従って、ワイヤボンディングにかかる時間が減少し、従来のワイヤボンディング作業に比べて著しく効率的である。
【００２７】
ボールステッチボンドやステッチ-ボールボンドとを用いた従来技術に比べて、本発明のワイヤボンディング技術は、ボールステッチ状ステッチボンドとステッチボンドとを用いて半導体チップと基板とを連結する。従って、ボールボンドを使用せず済むようになるので、ボールボンド上にワイヤループを形成する必要がなく、且つ、ワイヤの高さを減少させることができる。これは、半導体チップのボンディングパッドと基板のボンディング位置との間の高さが異なる場合において一層効果的である。従来では、半導体チップ上にワイヤループが突き出ていたが、本発明では、ワイヤの高さを半導体チップの高さに縮めることができた。
【００２８】
一方、本明細書と図面に開示された本発明の実施例は理解を助けるための特定の実施形態を例示したに過ぎず、本発明の範囲を限定するものではない。ここに開示された実施例の他にも本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内における種々の変形例が実施可能であることは当業者には自明である。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の実施形態による配線基板に半導体チップが実装されている状態を示す図である。
【図２】本発明の実施形態による半導体チップのボンディングパッド上にボールバンプを形成する段階を示す図である。
【図３】本発明の実施形態による半導体チップのボンディングパッド上にボールバンプを形成する段階を示す図である。
【図４】本発明の実施形態によるボールバンプにボンディングワイヤからなるボールステッチ状ステッチボンドを形成する段階を示す図である。
【図５】本発明の実施形態による配線基板にステッチボンドを形成する段階を示す図面である。
【図６】本発明の実施形態による配線基板にステッチボンドを形成する段階を示す図面である。
【図７】従来技術によるワイヤボンディング方法によるキャピラリの移動経路を示す図である。
【図８】本発明の実施形態によるワイヤボンディング方法によるキャピラリの移動経路を示す図である。
【符号の説明】
【００３０】
１０  半導体チップ
１２  ボンディングパッド
１４  保護層
２０  配線基板
２２  リード
３０  キャピラリ
３２  ワイヤクランプ
４０  ボンディングワイヤ
４２  ボールバンプ
４４  ボールステッチ状ステッチボンド
４６  ステッチボンド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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