(57)【要約】【課題】  トランスファー成形の金型やボンディングパッドの押えピンを必要とせずに樹脂封止成形することができる半導体センサ装置の製造方法を提供する。【解決手段】  圧力センサチップ８と、圧力センサチップ８の信号に基づいて演算処理するＩＣチップ３を配線基板１に実装した樹脂封止型の半導体センサ装置の製造方法において、配線パターンを形成した配線基板１の第１面１ＡにＩＣチップ３を実装する工程と、ＩＣチップ３を実装した配線基板１の第１面１Ａ側に高流動性の未硬化樹脂フィルム６ａを配置すると共に、配線基板１の第２面１Ｂ側にあらかじめキャビティ部７を形成した低流動性の未硬化樹脂フィルムを配置する工程と、配線基板１の第１面１Ａ及び第２面１Ｂを未硬化樹脂フィルム６ａ及び６ｂを使用して同時に樹脂封止成形する工程と、配線基板１の第２面１Ｂ側のキャビティ部７に半導体センサチップを実装する工程からなる。【選択図】        図２
2005183854.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部環境の状態を検出してセンサ信号を出力する半導体センサチップと、この半導体センサチップから出力されるセンサ信号に基づいて演算処理する集積回路チップを配線基板に実装した樹脂封止型の半導体センサ装置の製造方法において、
所定の配線パターンを形成した配線基板の第１面に集積回路チップを実装する工程と、
集積回路チップを実装した配線基板の第１面側に高流動性の未硬化樹脂フィルムを配置すると共に、配線基板の第２面側にあらかじめキャビティ部を形成した低流動性の未硬化樹脂フィルムを配置する工程と、
配線基板の第１面及び第２面を同時に上記未硬化樹脂フィルムを使用して樹脂封止成形する工程と、
配線基板の第２面側のキャビティ部に半導体センサチップを実装する工程からなる半導体センサ装置の製造方法。
【請求項２】
外部環境の状態を検出してセンサ信号を出力する半導体センサチップと、この半導体センサチップから出力されるセンサ信号に基づいて演算処理する集積回路チップをリードフレームに実装した樹脂封止型の半導体センサ装置の製造方法において、
リードフレームの第１面に集積回路チップを実装する工程と、
集積回路チップを実装したリードフレームの第１面側に高流動性の未硬化樹脂フィルムを配置すると共に、リードフレームの第２面側にあらかじめキャビティ部を形成した低流動性の未硬化樹脂フィルムを配置する工程と、
リードフレームの第１面及び第２面を同時に上記未硬化樹脂フィルムを使用して樹脂封止成形する工程と、
リードフレームの第２面側のキャビティ部に半導体センサチップを実装する工程からなる半導体センサ装置の製造方法。
【請求項３】
第１面側の未硬化樹脂フィルムは、成形時に溶融粘度が低くなる高流動性樹脂であって、その高流動性樹脂の成形温度における溶融粘度の最小値が５×１０３Ｐａ・ｓ以下であり、第２面側の未硬化樹脂フィルムは、成形時の溶融粘度の低下が小さい低流動性樹脂であって、その低流動性樹脂の成形温度における溶融粘度の最小値が２×１０４Ｐａ・ｓ〜５×１０５Ｐａ・ｓの範囲であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体センサ装置の製造方法。
【請求項４】
外部環境の状態を検出してセンサ信号を出力する半導体センサチップと、この半導体センサチップから出力されるセンサ信号に基づいて演算処理する集積回路チップを配線基板に実装した樹脂封止型の半導体センサ装置の製造方法において、
複数組の配線パターンを形成した配線基板の第１面に、上記複数組の配線パターンに対応した複数組の集積回路チップを実装する工程と、
集積回路チップを実装した配線基板の第１面側に、高流動性の未硬化樹脂フィルムを配置すると共に、配線基板の第２面側に、あらかじめ上記複数組の配線パターンに対応した複数組のキャビティ部を形成した低流動性の未硬化樹脂フィルムを配置する工程と、
配線基板の第１面及び第２面を上記未硬化樹脂フィルムを使用して同時に樹脂封止成形する工程と、
配線基板の第２面側の上記複数組のキャビティ部ごとに、半導体センサチップを実装する工程と、
上記複数組の配線パターンごとに、上記配線基板および上記樹脂封止成形した樹脂を分離切断する工程からなる半導体センサ装置の製造方法。
【請求項５】
外部環境の状態を検出してセンサ信号を出力する半導体センサチップと、この半導体センサチップから出力されるセンサ信号に基づいて演算処理する集積回路チップを配線基板に実装した樹脂封止型の半導体センサ装置において、
所定の配線パターンを形成した配線基板と、上記配線基板の第１面に実装された集積回路チップと、上記集積回路チップが実装された上記配線基板の第１面を封止する第１の封止樹脂と、上記配線基板の第２面を封止するキャビティ部を有する第２の封止樹脂と、上記配線基板の第２面の上記キャビティ部に実装された半導体センサチップとを備え、
上記第１の封止樹脂は高流動性樹脂フィルムの硬化物であり、上記第２の封止樹脂は低流動性樹脂フィルムの硬化物であることを特徴とする半導体センサ装置。
【請求項６】
外部環境の状態を検出してセンサ信号を出力する半導体センサチップと、この半導体センサチップから出力されるセンサ信号に基づいて演算処理する集積回路チップをリードフレームに実装した樹脂封止型の半導体センサ装置において、
リードフレームと、上記リードフレームの第１面に実装された集積回路チップと、上記集積回路チップが実装された上記リードフレームの第１面を封止する第１の封止樹脂と、上記リードフレームの第２面を封止するキャビティ部を有する第２の封止樹脂と、上記リードフレームの第２面の上記キャビティ部に実装された半導体センサチップとを備え、
上記第１の封止樹脂は高流動性樹脂フィルムの硬化物であり、上記第２の封止樹脂は低流動性樹脂フィルムの硬化物であることを特徴とする半導体センサ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えば車両に搭載される圧力センサチップ等を基板に実装して樹脂封止成形した半導体センサ装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の車載用の半導体センサ装置として、リードフレーム２４にＩＣチップ２５を搭載してボンディングワイヤ２６で接続する。この状態で熱硬化性樹脂でトランスファー成形して樹脂パッケージ２２を形成する。圧力センサチップ３０の搭載部分は凹状のセンサマウント部２７として形成される。圧力センサチップ３０の表面および露出しているリードフレーム２４ｃ部分には圧力伝達を妨げない保護用樹脂３２がコーティングされる。ケースへの実装時にはターミナル２３を溶接した部分を含めてポッティングにより樹脂封止される。このとき、樹脂パッケージ２２の形状により、圧力センサチップ３０部分とは隔絶されているので、簡単に実装することができる（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、従来の圧力センサモジュールとして、圧力センサを構成する回路部分や非接触データキャリアの回路部分を構成するＩＣチップ３（チップ部品８）を実装したリードフレーム４を、エポキシ樹脂等によってトランスファー成形を行い、樹脂成形体５を作成する。このとき、樹脂成形体５に、圧力センサチップ２を実装するリードフレーム面を底面に露出させたキャビティ６を形成する。キャビティ６内に圧力センサチップ２を樹脂封止する。そして不要なリードフレーム部分を切除して圧力センサの校正を行い、圧力センサモジュール１を得ている（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−１７０３８０号公報（要約、図１）
【特許文献２】特開２０００−３２９６３２号公報（要約）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記従来の半導体センサ装置または圧力センサモジュールにあっては、パッケージ構造が比較的複雑なために、トランスファー成形を行うに当たって大がかりな金型が必要になる問題があった。特に、上記先行文献では明記されていないが、トランスファー成形法は成形圧力が高く、わずかな隙間から樹脂が染み出すため、樹脂成形後、ワイヤボンドを行うためのボンディングパッドが汚染されやすい。そして、それを防止するためにボンディングパッド部分のリードフレームを裏側からピンで押さえる事が行われており、さらに金型が複雑になる要因になっていた。
【０００６】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたものであり、トランスファー成形の金型やボンディングパッドの押えピンを必要とせずに樹脂封止成形することができ、プロセスの簡略化と生産性向上が図れる半導体センサ装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明に係る半導体センサ装置の製造方法は、外部環境の状態を検出してセンサ信号を出力する半導体センサチップ（圧力センサチップ等）と、この半導体センサチップから出力されるセンサ信号に基づいて演算処理する集積回路チップ（ＩＣチップ）を配線基板に実装した樹脂封止型の半導体センサ装置の製造方法において、所定の配線パターンを形成した配線基板の第１面に集積回路チップを実装する工程と、集積回路チップを実装した配線基板の第１面側に高流動性の未硬化樹脂フィルムを配置すると共に、配線基板の第２面側にあらかじめキャビティ部を形成した低流動性の未硬化樹脂フィルムを配置する工程と、配線基板の第１面及び第２面を上記未硬化樹脂フィルムを使用して同時に樹脂封止成形する工程と、配線基板の第２面側のキャビティ部に半導体センサチップを実装する工程からなるものである。
【発明の効果】
【０００８】
この発明の半導体センサ装置の製造方法によれば、まず所定の配線パターンを形成した配線基板に集積回路チップ（ＩＣチップ）を実装した後、配線基板両面を２枚の未硬化樹脂フィルムを用いてサンドイッチする様に樹脂封止する。その際、集積回路チップ（ＩＣチップ）は全面モールドされると共に、集積回路チップ（ＩＣチップ）を実装していない側には、未硬化樹脂フィルムをパンチングで打ち抜いた状態で成形することで、半導体センサチップ（圧力センサチップ）の実装部分であるキャビティ部を同時に形成することができる。その場合、２枚の未硬化樹脂フィルムの特性が同じであると、樹脂封止時に半導体回路チップ（ＩＣチップ）のボンディングワイヤに損傷を与えたり、半導体センサチップ（圧力センサチップ）を実装するキャビティ部がうまく形成できないなどの不具合が生じる。そこで、集積回路チップ（ＩＣチップ）をモールドする未硬化樹脂フィルムは成形時（プレス時）に溶融粘度が低くなる高流動性樹脂を使用し、キャビティを形成する側の未硬化樹脂フィルムは、高温でも溶融粘度の低下が小さく、所定のキャビティを形成するのに適した粘度範囲を持つ低流動性樹脂を使う。その結果、１回の樹脂封止成形（プレス成形）で、複雑な構造を有する半導体センサチップパッケージを簡易に製造することができる。
【０００９】
すなわち、未硬化樹脂フィルムを用いて樹脂封止することで、金型を必要とせず、集積回路チップ（ＩＣチップ）のモールドと半導体センサチップ（圧力センサチップ）の実装に必要なキャビティ部の形成を同時に行うことができるため、プロセスの簡略化と生産性向上に寄与する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
実施の形態１．
まず、この発明の実施の形態１による半導体センサ装置のパッケージ構造について、図１に基づいて説明する。
【００１１】
図１に示すように、本実施の形態による半導体センサ装置は、配線基板１の第１面１Ａ及び第２面１Ｂに配線パターン２が形成されている。配線基板１の第１面１Ａには信号処理用のＩＣチップ３がダイボンドされ、このＩＣチップ３と配線パターン２のボンディングパッド５はワイヤボンド４により電気的に接続されている。また、配線基板１の第１面１Ａには高流動性樹脂フィルム硬化物６ａが形成され、前述のＩＣチップ３やワイヤボンド４などを封止している。一方、配線基板１の第２面１Ｂには低流動性樹脂フィルム硬化物６ｂが形成されている。この低流動性樹脂フィルム硬化物６ｂはあらかじめ所定部分を除去したキャビティ部７を有している。そして、配線基板１の第２面１Ｂ上であって、低流動性樹脂フィルム硬化物６ｂのキャビティ部７には、圧力センサチップ８が実装され、配線パターン２のボンディングパッド５とワイヤボンド４により電気的に接続されている。
【００１２】
圧力センサチップ８は、一般に、圧力測定環境下で圧力媒体から受ける圧力によりダイヤフラム部（図示せず）が変位するように構成されている。圧力チップセンサ８のダイヤフラム部にはピエゾ抵抗効果を有する抵抗体が形成されており、ダイヤフラム部の変位に応じて抵抗体の抵抗値が変化する。その抵抗値の変化をブリッジ接続した回路の出力端子から電圧信号として出力する。信号処理用のＩＣチップ３は、圧力センサチップ８の出力信号に基づいて圧力を演算する機能を有する。なお、必要に応じて圧力センサチップ８とＩＣチップ３以外にも各種機能を果たすための電子部品が装着されるが、本実施の形態の場合、それらの電子部品は配線基板１の第１面１Ａに実装されることになる。
【００１３】
次に、本実施の形態１による半導体センサ装置の製造プロセスについて、図２に基づいて説明する。
【００１４】
まず、図２（ａ）において、配線基板１の第１面１Ａ及び第２面１Ｂに所定の配線パターン２を形成する。そして、配線基板１の第１面に信号処理などを行うＩＣチップ３をダイボンドした後、ワイヤボンド４により、ＩＣチップ３と配線基板１のボンディングパッド５を接続する。そして、配線基板１の第１面１Ａ側に高流動性の未硬化樹脂フィルム６０ａを配置し、配線基板１の第２面１Ｂ側に低流動性の未硬化樹脂フィルム６０ｂを配置する。
【００１５】
次に、図２（ｂ）において、ＩＣチップ３を実装した配線基板１を前述の未硬化樹脂フィルム６０ａ、６０ｂを用いて樹脂封止成形する。すなわち、ＩＣチップ３を実装した第１面側には未硬化樹脂フィルム６０ａを硬化させて高流動性樹脂フィルム硬化物６ａを、その反対側の第２面側には低流動性の未硬化樹脂フィルム６０ｂを硬化させて低流動性樹脂フィルム硬化物６ｂを成形する。高流動性樹脂フィルム硬化物６ａは、ＩＣチップ３、ボンディングワイヤ４などを覆う形で封止する。一方、低流動性樹脂フィルム硬化物６ｂの方は、あらかじめパンチング打ち抜きなどの手法で、所定部分の樹脂を除去したキャビティ部７を設けている。このキャビティ部７は、後に圧力センサチップ８を実装する領域となる。また、この場合の樹脂封止成形は、真空プレス成形や真空ラミネートを用いて実施するのが好ましい。
【００１６】
ここで、真空プレス成形とは、プレス系内部を減圧または真空に引きサンプルである配線基板の周囲の雰囲気を減圧または真空にすると同時に、所定の温度及び所定の圧力大気圧によりプレスすることを意味する。また、真空ラミネートは、例えばサンプルである配線基板を搬送用ＰＥＴフィルムにより挟んだ状態で真空チャンバ内に搬送する。そして、真空チャンバ外周をクランプした後、真空チャンバ内部を減圧または真空に引き、サンプルである配線基板の周囲を減圧または真空にする。最後に、所定の温度および所定の圧力により、ダイヤフラムまたは熱板が搬送用ＰＥＴフィルムを介してサンプルである配線基板を加圧・成形する。
【００１７】
次に、図２（ｃ）において、前述の樹脂フィルム６ａ及び６ｂで配線基板１を樹脂封止した後、樹脂フィルム６ｂ側（配線基板の第２面１Ｂ側）に形成されたキャビティ部７に、圧力センサチップ８をダイボンドし、その後ワイヤボンド４により、圧力センサチップ８と配線基板１のボンディングパッド間を接続する。
【００１８】
上記のように、本実施の形態の半導体センサ装置及びその製造方法によれば、配線基板１の第１面１ＡにおいてＩＣチップ３を高流動性樹脂フィルムにより樹脂封止すると同時に、第２面１Ｂにおいてキャビティ部７を有する低流動性樹脂フィルムを成形することができる。すなわち、一度の樹脂フィルム成形により、信号処理用のＩＣチップ３を樹脂封止できると共に、圧力センサチップ８の実装に必要なキャビティ部７を形成することができ、プロセスの簡略化と生産性向上に寄与する。
【００１９】
同様な構造を持ったパッケージは、トランスファー成形法によっても作製することは可能であるが、トランスファー成形法の場合、比較的大がかりな金型が必要になる。また、トランスファー成形の場合、成形圧力が７〜１５ＭＰａと高いため、わずかな隙間から樹脂が染み出す危険性が高く、圧力センサチップを実装するキャビティ部を形成する際に、樹脂の染み出しによるボンディングパッドの汚染を防止するために、ボンディングパッド（リードフレーム）を裏側から押さえるコンタクトピンを金型に形成しなければならず、それも含め金型が複雑になるという問題もある。これに対して、本実施の形態では、大がかりな金型が必要なくなる。また、真空プレス成形、真空ラミネート成形を利用して、成形直前に真空状態（真空に近い減圧状態）にすることにより、成形時に空気の巻き込みによるボイドを抑制することができる。
【００２０】
本実施の形態のように、未硬化樹脂フィルムによりＩＣチップ３を実装した配線基板１を両面から一括で封止する手法をとることにより、金型を使用しない簡易的な工程で、キャビティ構造を有する圧力センサパッケージの製造が可能になる。また配線基板１を使用することで配線形成の自由度が高くなるため、さらに小型化も可能になるメリットもある。
【００２１】
本実施の形態においては、封止に使用する未硬化樹脂フィルムの特性が重要であり、その使い分けが必須となる。特に、樹脂封止時における樹脂粘度の絶対値およびその変化挙動が成形性に大きく影響することが検討の結果明らかとなった。ここで、高流動性樹脂フィルムとしては、成形温度における溶融時の最低粘度が５×１０３Ｐａ・ｓ以下となるものが望ましい。それ以上の粘度になると、ＩＣチップ３と配線基板１を接続するワイヤボンド４を変形させたり、最悪の場合、ワイヤボンド４を切断させるなどの不具合が生じる。
【００２２】
また、キャビティ部７を有する低流動性樹脂フィルムについては、成形温度における溶融時の最低粘度が２×１０４Ｐａ・ｓ〜５×１０５Ｐａ・ｓの範囲にあることが望ましい。２×１０４Ｐａ・ｓよりも粘度が下がると、プレス成形時に樹脂の流動が大きくなり、キャビティ部７を所定の形状に保つ事が難しくなるとともに、配線基板１のボンディングパッドを汚染する可能性がある。一方、最低粘度が５×１０５Ｐａ・ｓ以上になると、キャビティ部７の形成に関しては問題ないが、樹脂内にボイドや巣ができやすくなり、外観及び信頼性の観点から好ましくない。
【００２３】
上記樹脂フィルムは、基本的にエポキシをベースレジンとした封止材であり、シリカ等のフィラーを７０〜９０％含むものである。そして、上記フィラーの量や粒度分布を調整することによって流動性の指標となる粘度を調整する。
【００２４】
実施の形態２．
この発明の実施の形態２は、上記実施の形態１の半導体センサ装置の製造にあたり更なる生産性向上を図るものである。
【００２５】
図３はこの発明の実施の形態２による半導体センサ装置のパッケージの製造プロセスを示す模式図である。
【００２６】
まず、図３（ａ）において、１つの平板状の配線基板１の第１面１Ａ及び第２面１Ｂに複数組の配線パターン２を形成する。そして、配線基板１の第１面に信号処理などを行うＩＣチップ３を複数組ダイボンドした後、ワイヤボンド４により、それぞれＩＣチップ３と配線基板１のボンディングパッド５を接続する。そして、配線基板１の第１面１Ａに高流動性の未硬化樹脂フィルム６０ａを用意し、配線基板１の第２面１Ｂに低流動性の未硬化樹脂フィルム６０ｂを用意する。未硬化樹脂フィルム６０ｂには後述の圧力センサチップ８を搭載するためのキャビティ部７が設けられている。
【００２７】
次に、図３（ｂ）において、ＩＣチップ３を実装した配線基板１を未硬化樹脂フィルム６０ａ、６０ｂにより樹脂封止する。すなわち、ＩＣチップ３を実装した第１面側には未硬化樹脂フィルム６０ａを硬化させて高流動性樹脂フィルム硬化物６ａを、その反対側の第２面側には未硬化樹脂フィルム６０ｂを硬化させて低流動性樹脂フィルム硬化物６ｂを成形する。この場合の樹脂封止は、熱プレス機を用いて成形を行う。ここで、プレス成形前の真空引き条件は、例えば１５〜３０秒で、到達真空度は１００Ｐａ以下である。また、プレス条件は、樹脂フィルムの仕様により異なるが、通常、硬化温度１２０℃〜１８０℃、硬化時間３分〜１０分、プレス圧力０．１〜２．０ＭＰａ程度の条件を使用する。なお、未硬化樹脂フィルムの特性は、実施の形態１と同様である。
【００２８】
次に、図３（ｃ）において、前述の樹脂封止の後、樹脂フィルム６ｂ側（配線基板の第２面１Ｂ側）に形成されたキャビティ部７に、圧力センサチップ８をダイボンドし、その後ワイヤボンド４により、圧力センサチップ８と配線基板１のボンディングパッド間を接続する。そして、ダイシングライン１０に沿って、個々の装置に切り離して圧力センサパッケージを得ることができる。
【００２９】
なお、使用する平板状配線基板１は、ガラスエポキシ等の有機系基板材料でもアルミナ等のセラミック基板でも構わない。そのことにより、製造工程の自由度を向上させる事ができる。
【００３０】
実施の形態３．
次に、この発明の実施の形態３による半導体センサ装置のパッケージ構造について、図４に基づいて説明する。本実施の形態は、基本的に実施の形態１と同様であるが、配線基板１の代わりにリードフレーム９を使用している。
【００３１】
図４に示すように、本実施の形態による半導体センサ装置は、実施の形態１の配線基板１の代わりにリードフレーム９が使用され。リードフレーム９の第１面９Ａには信号処理用のＩＣチップ３がダイボンドされ、ＩＣチップ３の電極とリードフレーム９はワイヤボンド４により電気的に接続されている。また、リードフレーム９の第１面９Ａには高流動性樹脂フィルム硬化物６ａが形成され、前述のＩＣチップ３やワイヤボンド４などを封止している。一方、リードフレーム９の第２面９Ｂには低流動性樹脂フィルム硬化物６ｂが形成されている。この低流動性樹脂フィルム硬化物６ｂはあらかじめ所定部分を除去したキャビティ部７を有している。そして、リードフレーム９の第２面９Ｂ上であって、低流動性樹脂フィルム硬化物６ｂのキャビティ部７には、圧力センサチップ８が実装され、リードフレーム９とワイヤボンド４により電気的に接続されている。
【００３２】
次に、本実施の形態による半導体センサ装置の製造プロセスについて、図５に基づいて説明する。
【００３３】
まず、図５（ａ）において、リードフレーム９の第１面９Ａに信号処理などを行うＩＣチップ３をダイボンドした後、ワイヤボンド４により、ＩＣチップ３の電極とリードフレーム９を接続する。そして、リードフレーム９の第１面９Ａ側に高流動性の未硬化樹脂フィルム６０ａを配置し、リードフレーム９の第２面９Ｂ側に低流動性の未硬化樹脂フィルム６０ｂを配置する。
【００３４】
次に、図５（ｂ）において、ＩＣチップ３を実装したリードフレームを前述の未硬化樹脂フィルム６０ａ、６０ｂにより樹脂封止する。すなわち、ＩＣチップ３を実装した第１面側には未硬化樹脂フィルム６０ａを硬化させて高流動性樹脂フィルム硬化物６ａを、その反対側の第２面側には低流動性の未硬化樹脂フィルム６０ｂを硬化させて低流動性樹脂フィルム硬化物６ｂを成形する。高流動性樹脂フィルム硬化物６ａは、ＩＣチップ３、ボンディングワイヤ４などを覆う形で封止する。一方、低流動性樹脂フィルム硬化物６ｂの方は、あらかじめパンチング打ち抜きなどの手法で、所定部分の樹脂を除去したキャビティ部７を設けている。このキャビティ部７は、後に圧力センサチップ８を実装する領域となる。この場合の樹脂フィルムによる樹脂封止は、真空プレス成形や真空ラミネートを用いて実施するのが好ましい。
【００３５】
次に、図５（ｃ）において、前述の樹脂フィルム６ａ及び６ｂでリードフレームを樹脂封止した後、樹脂フィルム６ｂ側（リードフレーム９の第２面９Ｂ側）に形成されたキャビティ部７に、圧力センサチップ８をダイボンドし、その後ワイヤボンド４により、圧力センサチップ８とリードフレーム９を接続する。
【００３６】
上記のように、本実施の形態の半導体センサ装置及びその製造方法によれば、リードフレーム９の第１面９ＡにおいてＩＣチップ３を高流動性樹脂フィルムにより樹脂封止すると同時に、第２面９Ｂにおいてキャビティ部７を有する低流動性樹脂フィルムを成形することができる。すなわち、一度の樹脂フィルム成形により、信号処理用のＩＣチップ３を樹脂封止できると共に、圧力センサチップ８の実装に必要なキャビティ部７を形成することができ、プロセスの簡略化と生産性向上に寄与する。
【００３７】
本実施の形態のように、未硬化樹脂フィルムによりＩＣチップ３を実装した配線基板１を両面から一括で封止する手法をとることにより、金型を使用しない簡易的な工程で、キャビティ構造を有する圧力センサパッケージの製造が可能になる。
【００３８】
なお、本実施の形態における未硬化樹脂フィルムの特性は、上述した実施の形態と同様の特性を有するものとする。
【００３９】
本発明は、上記実施の形態にのみ限定されるものではなく、半導体センサチップとして、圧力センサチップ以外に、湿度センサ、光センサ、加速度センサなど外部環境の影響を受ける状態で検出動作を行なうようにした半導体センサ装置全般に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】この発明の実施の形態１による半導体センサ装置のパッケージ構造を示す断面図である。
【図２】この発明の実施の形態１による半導体センサ装置の製造プロセスを示す模式図である。
【図３】この発明の実施の形態２による半導体センサ装置のパッケージの製造プロセスを示す模式図である。
【図４】この発明の実施の形態３による半導体センサ装置のパッケージ構造を示す断面図である。
【図５】この発明の実施の形態３による半導体センサ装置の製造プロセスを示す模式図である。
【符号の説明】
【００４１】
１  配線基板、２  配線、３  ＩＣチップ、４  ボンディングワイヤ、
５  ボンディングパッド、６ａ  高流動性樹脂フィルム硬化物、
６ｂ  低流動性樹脂フィルム硬化物、７  キャビティ部、８  圧力センサチップ、
９  リードフレーム、１０  ダイシングライン、
６０ａ  未硬化樹脂フィルム（高流動性）、６０ｂ  未硬化樹脂フィルム（低流動性）。
【図１】
2005183854.tif 000003
【図２】
2005183854.tif 000004
【図３】
2005183854.tif 000005
【図４】
2005183854.tif 000006
【図５】
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