(57)【要約】【課題】  コーティング膜の均一性、平坦性を向上する。【解決手段】  塗布チャンバ１０内に配置されたワークＷに塗布液１４を噴きかけてワークＷ表面に塗膜Ｗ１を成膜するスプレーコート装置１であって、  塗布チャンバ１０に連接し塗布チャンバ１０へとワークＷを気密状態で移送可能なロード室２０を有し、  ロード室２０には、ロード室２０内に塗布液１４に含まれている溶剤２５を噴霧する溶剤供給ノズル２１と、ロード室２０内の溶剤濃度を検知して溶剤濃度を制御する濃度制御手段とが設けられる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
塗布チャンバ内に配置されたワークに塗布液を噴きかけて該ワーク表面に塗膜を成膜するスプレーコート装置であって、
前記塗布チャンバに連接し前記塗布チャンバへと前記ワークを気密状態で移送可能なロード室を有し、
前記ロード室には、該ロード室内に前記塗布液に含まれている溶剤を噴霧する溶剤供給ノズルと、前記ロード室内の溶剤濃度を検知して該溶剤濃度を制御する濃度制御手段と、が設けられたことを特徴とするスプレーコート装置。
【請求項２】
前記溶剤供給ノズルは、超音波霧化ノズルであることを特徴とする請求項１記載のスプレーコート装置。
【請求項３】
塗布チャンバ内に配置されたワークに塗布液を噴きかけて該ワーク表面に塗膜を成膜するスプレーコート装置であって、
前記塗布チャンバに連接し前記塗布チャンバから前記ワークを気密状態で移送可能なアンロード室を有し、
前記アンロード室には、該アンロード室内の前記ワークに前記塗布液に含まれている溶剤を噴射する溶剤噴射ノズルが設けられたことを特徴とするスプレーコート装置。
【請求項４】
前記溶剤噴射ノズルは、２流体混合ノズルであることを特徴とする請求項３記載のスプレーコート装置。
【請求項５】
塗布チャンバ内に配置されたワークに塗布液を噴きかけて該ワーク表面に塗膜を成膜するスプレーコート装置であって、
請求項１または２記載のロード室と、請求項３または４記載のアンロード室とをともに有することを特徴とするスプレーコート装置。
【請求項６】
前記塗布チャンバは、前記ロード室、前記アンロード室の少なくとも一方よりも圧力が低く設定されることを特徴とする請求項５記載のスプレーコート装置。
【請求項７】
ワークに塗布液を噴きかけて前記ワーク表面に塗膜を成膜する塗布チャンバと、前記塗布チャンバへと前記ワークを気密状態で移送可能なロード室と、前記塗布チャンバから前記ワークを気密状態で移送可能なアンロード室とを有するスプレーコート装置において、
前記ロード室内に前記塗布液に含まれている溶剤を噴霧して所定の溶剤濃度に制御する工程と、
前記塗布チャンバ内で塗布液を噴きかけて前記ワーク表面に塗膜を成膜する工程と、
前記アンロード室内で前記ワーク表面に前記塗布液に含まれている溶剤を噴射する工程と、
を有することを特徴とするスプレーコート方法。
【請求項８】
前記塗布チャンバが、前記ロード室および前記アンロード室よりも陰圧に設定されることを特徴とする請求項７記載のスプレーコート方法。
【請求項９】
請求項５記載のスプレーコート装置を用いて、請求項７または８記載のスプレーコート方法によりスプレーコートをおこなう方法で、前記塗膜をレジスト膜とし、フォトリソグラフィー工程によって回路パターンを形成することを特徴とする回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スプレーコート装置及びスプレーコート方法にかかり、シリコン基板などのワーク上に塗布液を塗布して塗膜を形成するスプレーコートに用いて好適な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板へのレジスト塗布工程等、ワーク上に塗膜を形成する際に、塗布チャンバ内に配置された回転台と、この回転台に着脱自在に固定されたワークの表面に塗布液を滴下する塗布ノズルと、塗布チャンバ内に濃度の濃い溶剤を噴霧する溶剤噴霧ノズルが備えられたものが知られている。このような塗膜形成処理をおこなう前後に処理室からのワークの搬送をおこなうロード室、アンロード室を設けることは一般的におこなわれている。
【特許文献１】特開平１０−２０２１５３号公報  請求項１３等
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明者らは、スプレーコートによる塗膜の品質には、処理室での塗布条件だけでなく塗布前後の処理が大きく影響することを見出した。その知見から、ロード室、アンロード窒でそれぞれ適当な前処理、後処理を行うことにより、塗膜品質、特に均一性と平担性を大きく向上させることができた。その効果は、凹凸を有する基板にレジストを塗布するような、均一性を得るのが難しい場合に、特に顕箸であった。また、最適な前処理、後処理を行うためには、ロード室、アンロード室を、塗布処理を行う塗布チャンバ室とは別に、個別の最適条件に制御することが必要であった。
【０００４】
本発明は、上記の背景からなされたもので、コーティング膜の均一性、平坦性を向上するとともに、同時に、コーティング加工をおこなうチャンバとロード室、アンロード室とを独立に制御することを実現するという目的を達成しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のスプレーコート装置は、塗布チャンバ内に配置されたワークに塗布液を噴きかけて該ワーク表面に塗膜を成膜するスプレーコート装置であって、
前記塗布チャンバに連接し前記塗布チャンバへと前記ワークを気密状態で移送可能なロード室を有し、
前記ロード室には、該ロード室内に前記塗布液に含まれている溶剤を噴霧する溶剤供給ノズルと、前記ロード室内の溶剤濃度を検知して該溶剤濃度を制御する濃度制御手段と、が設けられたことにより上記課題を解決した。
このように本発明のスプレーコート装置は、ロード室内に溶剤供給ノズルから溶剤を噴霧するとともに、前記ロード室内の前記溶剤濃度を制御することで、このロード室を通じてワークを塗布チャンバに送り込むことにより、スプレーコート処理によって塗膜を形成する前処理として、ワーク（基板）のコーティング性能を向上して、レジスト等の塗膜コーティング前におけるワークの表面状態をコート時と同じ、または、適性な溶剤雰囲気下におくことで、塗膜コーティング時の濡れ性を向上させて、均一なスプレーコートを実現することが可能となる。
【０００６】
ここで、ロード室の溶剤供給ノズルとしては、超音波霧化ノズルを採用することができ、これにより、溶剤をミスト（霧状）としてこのミストがロード室内に浮遊する状態を実現でき、所望の状態に噴霧をおこなうことができる。
【０００７】
本発明のスプレーコート装置は、塗布チャンバ内に配置されたワークに塗布液を噴きかけて該ワーク表面に塗膜を成膜するスプレーコート装置であって、
前記塗布チャンバに連接し前記塗布チャンバから前記ワークを気密状態で移送可能なアンロード室を有し、
前記アンロード室には、該アンロード室内の前記ワークに前記塗布液に含まれている溶剤を噴射する溶剤噴射ノズルが設けられたことにより上記課題を解決した。
このように本発明のスプレーコート装置は、塗布チャンバ内でレジスト等の塗膜を成膜した後にアンロード室で溶剤のみをワーク表面に溶剤噴射ノズルから噴射することで、ワーク上の塗膜（レジスト）表面を再溶解して、この塗膜表面を平坦化することが可能となる。
【０００８】
また、本発明において、前記溶剤噴射ノズルを２流体混合ノズルとすることで、方向性を持ってワーク表面に溶剤を直接噴射することができる。
【０００９】
本発明のスプレーコート装置は、塗布チャンバ内に配置されたワークに塗布液を噴きかけて該ワーク表面に塗膜を成膜するスプレーコート装置であって、
上記ロード室と上記アンロード室とをともに有する手段を採用することでコーティング膜の均一性、平坦性のさらなる向上を図ることができる。
【００１０】
本発明は、前記塗布チャンバは、前記ロード室、前記アンロード室の少なくとも一方よりも圧力が低く設定されることで、塗布チャンバで塗布した塗布液のミストがロード室、アンロード室に進入することを防止して、コーティング処理の前後でワークのクリーン度を維持し、コーティング処理前後のワークが塗布液ミストの影響で塗膜の平坦性、均一性が低減してしまうことを防止できる。
【００１１】
本発明のスプレーコート方法においては、ワークに塗布液を噴きかけて前記ワーク表面に塗膜を成膜する塗布チャンバと、前記塗布チャンバへと前記ワークを気密状態で移送可能なロード室と、前記塗布チャンバから前記ワークを気密状態で移送可能なアンロード室とを有するスプレーコート装置において、
前記ロード室内に前記塗布液に含まれている溶剤を噴霧して所定の溶剤濃度に制御する工程と、
前記塗布チャンバ内で塗布液を噴きかけて前記ワーク表面に塗膜を成膜する工程と、
前記アンロード室内で前記ワーク表面に前記塗布液に含まれている溶剤を噴射する工程と、
を有することが望ましい。
【００１２】
また、回路基板の製造方法において、上記のいずれか記載のスプレーコート装置を用いて、上記のスプレーコート方法によりスプレーコートをおこなう方法で、前記塗膜をレジスト膜とし、フォトリソグラフィー工程によって回路パターンを形成することがある。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、コーティング膜の均一性、平坦性を向上することが可能であり、コーティング加工をおこなうチャンバとロード室、アンロード室とを独立に制御することが実現可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明に係る一実施形態を、図面に基づいて説明する。
図１は、本実施形態におけるスプレーコート装置の概略構成を示す図であり、  図２は、本実施形態におけるスプレーコート装置の塗布チャンバを示す概略図であり、図において、符号１は、スプレーコート装置、Ｗはワークである。
【００１５】
本実施形態のスプレーコート装置１は、図１に示すように、ワークＷに塗布液を噴きかけてワークＷ表面に塗膜Ｗ１を成膜する塗布チャンバ１０と、塗布チャンバ１０に連接し塗布チャンバ１０へとワークＷを気密状態で移送可能なロード室２０と、塗布チャンバ１０に連接し塗布チャンバ１０からワークＷを気密状態で移送可能なアンロード室３０とを有する構成とされている。
塗布チャンバ１０内には、ワークＷを載置されたワークＷを吸引により保持するワーク支持台１３と、ワーク支持台１３上のワークＷに塗布液を噴霧する塗布用ノズル１５と、塗布チャンバ１０内をロード室２０およびアンロード室３０に比べて負圧にする圧力制御手段（排気手段）１６とが設けられる。ワーク支持台１３の下側には、モータ（図示略）の回転軸１３ａが取り付けられており、上記モータを駆動すると回転軸１３ａによりワーク支持台１３も回転駆動するようになっている。
【００１６】
ワーク支持台１３の上方に塗布用ノズル１５が配置されている。この塗布用ノズル１５には塗布液供給源（図示略）から塗布液１４が供給される塗布液供給管１５ａが接続され、また、この塗布液供給管１５ａには塗布液の流量をコントロールするバルブ１５ｂが設けられている。塗布液１４としては、ワーク支持台１３上に載置するワークＷ及びこのワークＷに施す処理によって異なるが、レジストとレジストシンナー（溶剤）を含んでおり、レジストとしてはネガレジスト、ポジレジスト、ソルダレジストなどが用いられる。
【００１７】
ワーク支持台１３の下方には、塗布チャンバ１０内をロード室２０およびアンロード室３０よりも陰圧にする排気手段１６としての排気管および排気ポンプ等が配設され、この排気管の排気口が塗布チャンバ１０に開口している。
塗布チャンバ１０とロード室２０との仕切Ｄ１、および、塗布チャンバ１０とアンロード室３０との仕切Ｄ２は、いずれも開閉自在の扉や、あるいは、エアーを噴き出すエアーカーテンとすることもできる。
【００１８】
ロード室２０には、上記塗布液に含まれている溶剤を噴霧する溶剤供給ノズル２１と、ロード室２０内の溶剤の濃度を検出する手段（溶剤濃度検出手段）としての半導体方式の有機溶剤センサ２２と、ロード室２０内の溶剤の濃度を制御する手段（溶剤濃度制御手段）としてのコントローラ２３が設けられる。
溶剤供給ノズル２１は塗布チャンバ１０の塗布用ノズル１５に比べてその高さ位置が上側となるように設定されるとともに、ロード室２０内におけるワークＷの待機位置も塗布チャンバ１０の塗布用ノズル１５よりも上側位置に設定されている。
溶剤供給ノズル２１には溶剤供給源から溶剤２５が供給される溶剤供給管２１ａが接続され、また、溶剤供給管２１ａには溶剤の流量をコントロールする溶剤供給バルブが設けられている。
【００１９】
これら溶剤濃度検出手段及び溶剤濃度制御手段は、ロード室２０内において基板（ワーク）Ｗ上の雰囲気の溶剤蒸気を調節をおこなうものとされ、必要な所望の溶剤蒸気レベルを予期する予想モデルに基づいて、正確な溶剤蒸気様相をワークＷ表面上で実現するもので、センサー／フィードバックシステムにガス流の混合体を組み合わせて、ワークＷ面上の溶剤蒸気濃度を測定し、流入する溶剤蒸気濃度の調節を行って、所望の溶剤蒸気濃度を得るもので、フィードバック回路は、溶剤飽和のガスと無溶剤ガスとの比を制御し、予想モデルに必要な正確な溶剤蒸気濃度をワークＷ面へ送る。これは、高レベルの精度をワークＷ上の溶剤蒸気の制御に与えるものである。
【００２０】
具体的には、ロード室２０内の噴霧エリアには半導体方式の有機溶剤センサ２２が設けられており、噴霧エリア内の溶剤の濃度を検出できるようになっている。さらに、この有機溶剤センサ２２はロード室２０の外側に設けられたコントローラ２３と接続されており、溶剤の濃度の検出値をコントローラ２３に送るようになっている。
コントローラ２３は、溶剤供給バルブや霧状の溶剤排出手段（図示せず）と接続されており、溶剤濃度の検出値が所望の範囲外である場合は、溶剤供給バルブを制御して溶剤供給ノズル２１から噴霧する溶剤の噴霧量をコントロールしたり、溶剤排出手段を制御して溶剤排出手段から排出する霧状の溶剤の排出量をコントロールすることにより、塗布液を噴霧中、あるいは塗布液の噴霧前後のロード室２０内の溶剤濃度が所望の濃度になるように制御することができるようになっている。
ロード室２０の溶剤の濃度はワークＷに対して溶剤２５、塗布液１４等の種類に依存する最適な状態に設定され、具体的には、０以上飽和濃度までの範囲に制御されていることが好ましい。
【００２１】
溶剤２５としては、塗布液１４に含まれている溶剤が用いられ、例えば、キシレン、乳酸エチル、３メチルメトキシプロピオネ―ト（ＭＭＰ）、エチルエトキシプロピオネート（ＥＥＰ）、アセトン、ｎ−ブチルアセテート（ＮＢＡ）、エチルセロソルブアセテート（ＥＣＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＮＥＡ）などレジストシンナーとして使用される溶剤が用いられる。
【００２２】
図３は、本実施形態における溶剤供給ノズルの概略構成を示す図である。
溶剤供給ノズル２１は、ロード室２０内の気流に影響を及ぼさない超音波霧化ノズルから構成されている。この超音波霧化ノズル２１内には、振動子２１ｃが設けられており、超音波霧化ノズル２１に液状の溶剤２５を供給中に振動子２１ｃを駆動して超音波を発振すると、溶剤２５の粒子からなる溶剤ミスト２５ａが発生し、ノズル２１の吐出口から溶剤ミスト２５ａが噴霧される。
振動子２１ｃとしては、ソリッドタイプ振動子、ボルト締めランジュバン型振動子、圧電高分子膜、圧電ＺｎＯ薄膜等が用いられる。
【００２３】
上記溶剤供給ノズル２１から噴霧される溶剤のミスト２５ａの粒径は、１．０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。溶剤のミスト２５ａの粒径が１．０μｍ未満であると、基板（ワーク）Ｗ表面へのミストの付着が起こりにくくなるため好ましくなく、粒径が１００μｍを超えると斜めスロープのような形状の基板（ワーク）Ｗ表面に付着したミストが下方に流動する割合が増え、基板（ワーク）Ｗ表面状態が不均一となってしまうため好ましくない。
【００２４】
図４は、本実施形態におけるアンロード室の概略構成を示す図である。
アンロード室３０には、図１，図４に示すように、アンロード室３０内のワークＷに前記塗布液に含まれている溶剤を噴射する溶剤噴射ノズル３１が設けられる。
アンロード室３０内におけるワークＷの待機位置は塗布チャンバ１０の塗布用ノズル１５よりも上側位置に設定されている。
【００２５】
アンロード室３０内の中心部の上方には溶剤噴射ノズル３１が配設されている。この溶剤噴射ノズル３１は二流体ノズルからなり、２つの注入口３１ａ，３１ｂおよび１つの噴射口３１ｃを有する。ワークＷの寸法が例えば８インチである場合には、ワークＷの表面から溶剤噴射ノズル３１の噴射口３１ｃまでの距離は１５０ｍｍ程度に設定される。
ワークＷ保持位置と溶剤噴射ノズル３１との間の空間および、溶剤噴射ノズル３１より上方のワークＷ待機位置は、アンロード室３０として密閉状態とされる。アンロード室３０の下部の排気口３２は排気経路（図示せず）に接続されている。また、アンロード室３０の下部には廃液を排出するためのドレイン口３３が設けられている。
図において溶剤噴射ノズル３１は内部混合ノズルとして記載されているが、外部混合ノズルとしてもかまわない。
【００２６】
溶剤噴射ノズル３１には溶剤供給源３４および気体供給源３５が接続されている。
溶剤供給源３４においては、その容器内に前述した溶剤２５と同種の溶剤が収容されている。気体供給源３５においては、その容器内に空気等の加圧用気体が収容されている。溶剤供給源３４からの溶剤は、レギュレータ３４ａ、流量計３４ｂおよびバルブ３４ｃを経由して溶剤噴射ノズル３１の注入口３１ａに注入される。また、気体供給源３５の容器内の気体は、エアオペレーションバルブ３５ａを経由してスプレーノズル３１の注入口３１ｂに注入される。
アンロード室３０には、エアオペレーションバルブ３６を介して空気が供給されるとともに、排気口３２から排気される。
【００２７】
本実施形態のスプレーコート方法においては、上述したスプレーコート装置１において、塗布チャンバ１０内を排気手段１６によってロード室２０およびアンロード室３０よりも陰圧にする。そして、ロード室２０内の待機位置に複数のワークＷを搬入した後、溶剤供給ノズル２１から塗布液１４に含まれている溶剤を噴霧するとともに、溶剤濃度検出手段及び溶剤濃度制御手段によって上述した所定の溶剤濃度に設定して、ワークＷ表面における塗布液１４に対する濡れ性を向上する。
【００２８】
次いで、一枚のワークＷを塗布チャンバ１０に移動してワーク支持台１３により支持した状態でワークＷを回転させながら、塗布用ノズル１５から塗布液１４を噴きかけて、図５Ａに示すように、ワークＷ表面に塗膜Ｗ１を成膜する。
図５は本実施形態のスプレーコート方法を工程順に示す図である。
【００２９】
次いで、アンロード室３０内の待機位置にワークＷを移動する。このアンロード室３０の待機位置にあるワークＷから一枚を保持位置に移動するとともに、このワークＷ表面に塗布液１４に含まれている溶剤２５を溶剤噴射ノズル３１からワークＷ表面に直接噴射して、図５Ｂに示すように、凹凸のある塗膜Ｗ１表面を再溶解し、図５Ｃに示すように、表面が平坦な塗膜Ｗ１として、表面状態を改善した後乾燥させる。
【００３０】
本実施形態のスプレーコート装置１によれば、塗膜Ｗ１を形成する塗布チャンバ１０に連接し塗布チャンバ１０へとワークＷを気密状態で移送可能なロード室２０を有し、ロード室２０には、ロード室２０内に塗布液１４に含まれている溶剤２５を噴霧する溶剤供給ノズル２１と、ロード室２０内の溶剤濃度を検知して溶剤濃度を制御する濃度制御手段２２〜２３とが設けられ、ロード室２０内に溶剤供給ノズル２１から溶剤２５を噴霧するとともに、ロード室２０内の溶剤濃度を制御することで、このロード室２０の待機位置にワークＷを待機させた後に塗布チャンバ１０に送り込んで塗膜Ｗ１を形成することにより、前処理としてロード室２０内で適性な溶剤雰囲気下におくことで、塗膜Ｗ１コーティング前におけるワークＷの表面状態をコート時と同じに設定することができるか、または、塗膜Ｗ１コーティング時の濡れ性を向上させることができ、これにより、ワークＷのコーティング性能を向上して、厚さの均一な塗膜Ｗ１を形成することができ、均一なスプレーコートを実現することが可能となる。
【００３１】
本実施形態のスプレーコート装置１は、塗布チャンバ１０から塗膜Ｗ１成膜後のワークＷを気密状態で移送可能なアンロード室３０を有し、アンロード室３０には、アンロード室３０内のワークＷに塗布液１４に含まれている溶剤２５を噴射する溶剤噴射ノズル３１が設けられ、塗布チャンバ１０内で塗膜Ｗ１を成膜した後にアンロード室３０で溶剤２５のみをワークＷ表面に溶剤噴射ノズル３１から噴射することで、ワークＷ上の塗膜Ｗ１表面を再溶解して、この塗膜Ｗ１表面を平坦化することが可能となる。
【００３２】
本実施形態のスプレーコート装置１は、排気手段１６によってロード室２０およびアンロード室３０よりも塗布チャンバ１０が陰圧に設定されることで、塗布チャンバ１０で塗膜Ｗ１成膜時に塗布チャンバ１０内に塗布液のミストが発生した場合であっても、このミストがロード室２０、アンロード室３０に進入することを防止することができる。つまり、塗布液のミストがロード室２０、アンロード室３０においてワークＷ表面に付着することを防止することができ、これにより、コーティング処理の前後でワークＷのクリーン度を維持し、コーティング処理前後のワークＷにおいて塗布液ミストの影響で塗膜の平坦性、均一性が低減してしまうことを防止できる。
【００３３】
同時に、ロード室２０内におけるワークＷの待機位置も塗布チャンバ１０の塗布用ノズル１５よりも上側位置に設定され、アンロード室３０内におけるワークＷの待機位置は塗布チャンバ１０の塗布用ノズル１５よりも上側位置に設定されていることにより、塗布液のミストがロード室２０、アンロード室３０に進入した場合でも、このミストがワークＷ表面に付着することを防止して、コーティング処理の前後でワークＷのクリーン度を維持し、コーティング処理前後のワークＷにおいて塗布液ミストの影響で塗膜の平坦性、均一性が低減してしまうことを防止できる。
【００３４】
また、上記実施形態のスプレーコート方法は立体回路基板の製造方法に適用することも可能で、その場合には、塗布液１４としてレジストとその溶剤からなる塗布液を用い、ワーク支持台１３に載置するワークＷとして表面に凹凸や斜面を有するワークが用いられる。
また、この立体回路基板の製造方法においては、ワークの表面に塗膜を形成する工程の後に、フォトリソグラフィー技術により回路パターンを形成する工程が備えられることで立体回路基板が得られる。
【００３５】
本実施形態のスプレーコート装置１およびスプレーコート方法においては、従来の塗膜形成に比べて、ロード室２０での処理をおこなって塗膜Ｗ１形成後には表面粗さＲａが従来数１０〜数μｍのものが一桁以上小さくなり、さらに、アンロード室３０での処理をおこなうことで二桁以上小さくなる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明に係るスプレーコート装置の一実施形態における概略構成を示す図である。
【図２】図１のスプレーコート装置におけるスプレーコート装置の塗布チャンバを示す概略構成図である。
【図３】図１のスプレーコート装置における溶剤供給ノズルを示す拡大断面図である。
【図４】図１のスプレーコート装置におけるアンロード室を示す概略構成図である。
【図５】本発明の実施形態のスプレーコート方法を工程順に示す図である。
【符号の説明】
【００３７】
１     スプレーコート装置
１０   塗布チャンバ
１３   ワーク支持台
１３ａ 回転軸
１４   塗布液
１５ｂ バルブ
１５ａ 塗布液供給管
１５   塗布用ノズル
１６   圧力制御手段（排気手段）
２０   ロード室
２１   ノズル
２１ｃ 振動子
２１   溶剤供給ノズル
２１ａ 溶剤供給管
２２   有機溶剤センサ（濃度制御手段）
２３   コントローラ（濃度制御手段）
２５   溶剤
２５ａ 溶剤ミスト
２５   溶媒
３０   アンロード室
３１ｃ 噴射口
３１ａ，３１ｂ 注入口
３１   溶剤噴射ノズル
３２   排気口
３３   ドレイン口
３４ｃ バルブ
３４ａ レギュレータ
３４ｂ 流量計
３４   溶剤供給源
３５ａ エアオペレーションバルブ
３５   気体供給源
３６   エアオペレーションバルブ
Ｄ１   仕切
Ｄ２   仕切
Ｗ     ワーク
Ｗ１   塗膜
【図１】
2005334810.tif 000003
【図２】
2005334810.tif 000004
【図３】
2005334810.tif 000005
【図４】
2005334810.tif 000006
【図５】
2005334810.tif 000007