(57)【要約】【課題】  分解能を向上し、かつ優れたオーバーライト特性等の記録性能を有すると共に、優れた高Ｓ／Ｎ比および熱安定性を有する磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記憶装置を提供する。【解決手段】  基板１１と、前記基板１１上に、第１シード層１２、第２シード層１３、第１下地層１４、第２下地層１５、第１磁性層１６、非磁性結合層１８、第２磁性層１９、保護層２０、及び潤滑層２１とが順次形成された磁気記録媒体１０の第１下地層１４を、スパッタ法により０．０１体積％〜０．５体積％の窒素ガスを添加した雰囲気中でｂｃｃ結晶構造を有するＣｒまたはＣｒ系合金を用いて成膜し、第２下地層１５は第１下地層１４と同様の材料を用いて窒素を含まない雰囲気あるいは、０．１０体積％以下の窒素ガス添加量の雰囲気中で成膜する。保磁力角形比を増加させ交換結合磁界を適度に低下させる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された下地層と、
前記下地層上に形成された第１の磁性層と、
前記第１の磁性層上に形成された非磁性結合層と、
前記非磁性結合層上に形成された第２の磁性層と、を備え、
前記第１の磁性層と第２の磁性層は交換結合すると共に、外部磁界が印加されない状態で第１の磁性層の磁化と第２の磁性層の磁化が互いに反平行である磁気記録媒体であって、
前記下地層は、ｂｃｃ結晶構造を有するＣｒまたはＣｒ系合金でかつ窒素を含有してなることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記下地層は、０．０１体積％以上でかつ０．５０体積％以下の窒素ガスを含む雰囲気ガス中で形成されてなることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記下地層と前記第１の磁性層との間に、ｂｃｃ結晶構造を有するＣｒまたはＣｒ系合金、あるいは、該ＣｒまたはＣｒ系合金でかつ窒素を含有する他の下地層が形成されてなることを特徴とする請求項１または２記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記他の下地層は、窒素を実質的に含まない材料からなることを特徴とする請求項３記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記他の下地層は、ｂｃｃ結晶構造を有するＣｒまたはＣｒ系合金を０．００体積％以上でかつ０．１０体積％以下の窒素ガスを含む雰囲気ガス中で形成されてなることを特徴とする請求項３記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記Ｃｒ系合金は、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、およびＴｉからなる群のうち少なくとも１種の添加元素と、Ｃｒからなる合金であることを特徴とする請求項１〜５のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
前記他の下地層は、前記下地層よりも前記添加元素の原子％での濃度が高いことを特徴とする請求項６記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
前記下地層は２層からなり、第１の磁性層側の層が基板側の層よりも添加元素の原子％での濃度が高いことを特徴とする請求項６または７記載の磁気記録媒体。
【請求項９】
前記他の下地層は２層からなり、第１の磁性層側の層が基板側の層よりも添加元素の原子％での濃度が高いことを特徴とする請求項６または７記載の磁気記録媒体。
【請求項１０】
前記下地層の直下にＣｒまたはＣｒ系合金からなるその他の下地層を更に備えることを特徴とする請求項３〜９のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
【請求項１１】
前記基板と下地層との間にシード層をさらに備え、
前記シード層が、非磁性のアモルファス金属あるいはＢ２構造を有する合金からなることを特徴とする請求項１〜１０のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
【請求項１２】
基板と、前記基板上に形成された下地層と、前記下地層上に形成された第１の磁性層と、前記第１の磁性層上に形成された非磁性結合層と、前記非磁性結合層上に形成された第２の磁性層とを備え、
前記第１の磁性層と第２の磁性層は交換結合すると共に、外部磁界が印加されない状態で第１の磁性層の磁化と第２の磁性層の磁化が互いに反平行である磁気記録媒体の製造方法であって、
前記基板上に前記下地層を形成する工程を備え、
前記下地層の形成工程は、ｂｃｃ結晶構造を有するＣｒまたはＣｒ系合金を窒素ガスを含む雰囲気ガス中で成膜することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１３】
前記下地層と第１の磁性層との間に更に他の下地層を形成する工程を備え、
前記他の下地層の形成工程は、ｂｃｃ結晶構造を有するＣｒまたはＣｒ系合金を０．１０体積％以下の窒素ガスを含む雰囲気ガス中で成膜することを特徴とする請求項１２記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１４】
前記下地層の形成工程は、０．０１体積％〜０．５０体積％の窒素ガスを含む雰囲気ガス中で成膜することを特徴とする請求項１３記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１５】
前記ｂｃｃ結晶構造を有するＣｒ系合金は、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、およびＴｉからなる群のうち少なくとも１種の添加元素とＣｒからなる合金であり、
前記下地層および他の下地層が同一の前記添加元素を含み、
前記下地層よりも他の下地層の方が原子％での添加元素濃度が高いことを特徴とする請求項１３または１４記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１６】
前記他の下地層の形成工程は、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、およびＸｅの群のうち少なくとも１種を含む希ガス雰囲気中で成膜することを特徴とする請求項１３〜１５のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１７】
請求項１〜１１のうちいずれか一項記載の磁気記録媒体、あるいは請求項１２〜１６のうちいずれか一項記載の製造方法により形成された磁気記録媒体と、
記録再生手段と、を備える磁気記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高密度記録に適した磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記憶装置に係り、特に２つの磁性層が反強磁性的に交換結合する記録層を有する磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年高密度記録化が急速に進められ、年率１００％の伸びを示している。現在主流の面内記録方式においては面記録密度の限界が１００〜２００Ｇｂ／ｉｎ2と予想されている。その理由として、高密度記録領域においては媒体ノイズが増加すると共に出力が低下しＳ／Ｎ比が低下することが挙げられる。また、面内記録方式においては高記録密度になると書き込まれたビットに対して自己反磁界および隣接するビットからの反磁界が増加するので熱的安定性が問題となってくる。
【０００３】
媒体ノイズ低減のためには、記録層を構成する結晶粒である磁性粒子の微細化や磁性粒子間の磁気的相互作用を低減することが必要である。磁性粒子の微細化は、磁化単位同士の境界すなわち磁化遷移領域のジグザグの低減等を促進し媒体ノイズを低減することができる。微細化の手法としては記録層を構成するＣｏＣｒ合金にＴａ、Ｎｂ、Ｂ、Ｐ等を添加する手法が知られている。また、記録層の下地である下地層の結晶粒径を微細化することにより、その上にエピタキシャル成長する磁性粒子を微細化する手法が知られ、下地層の結晶粒径微細化の手法として、下地層の薄膜化、下地層へのＢ添加が提案されている（例えば、非特許文献１参照。）。
【０００４】
また、磁性粒子間の磁気的相互作用を低減する手法として記録層のＣｏＣｒ合金のＣｒ含有量や添加元素であるＢ量を増加して偏析を促進し、形成された磁性粒子間の粒界により磁性粒子を孤立化することが有効であることが知られている。
【０００５】
他方、面内磁気記録媒体では、再生出力波形の孤立波半値幅ＰＷ５０は磁気記録媒体の静磁気特性である保磁力Ｈｃ、残留磁化Ｍｒ、記録層の膜厚ｔとの間に下記式（１）の関係が有ることが知られている。
ＰＷ５０＝（２（ａ＋ｄ）2＋（ａ／２）2）1/2      …  （１）
ここでａ∝（ｔ×Ｍｒ／Ｈｃ）1/2であり、ｄは磁気スペーシングである。式（１）より孤立波半値幅ＰＷ５０を低減するためには、保磁力Ｈｃを増加させ膜厚ｔを低減すればよいことが分かる。したがって、孤立波半値幅ＰＷ５０が小さいほど再生信号の分解能が向上するので、高記録密度化を図るためには、記録層の薄膜化および高保磁力化を図ることが望ましい。
【０００６】
ところが、磁性粒子の微細化や磁気的相互作用の低減を促進すると高記録密度化に従って、反磁界が増加し、熱安定性の問題が一層深刻となってくる。この対策として、記録層の異方性磁界Ｈｋを増加する手法がとられてきたが、異方性磁界Ｈｋを増加すると記録し難くなり、記録磁界の増加、すなわち記録ヘッド素子の高飽和磁束密度の磁極材料の開発が必須となる。磁極材料の開発は高飽和磁束密度のみならず様々な要求特性を満足しなければならず多大な困難を伴う。
【０００７】
媒体ノイズの低減と熱安定性化を両立する磁気記録媒体として、反強磁性的に交換結合する２つの磁性層を記録層として備えた磁気記録媒体（いわゆるシンセティックフェリ磁性媒体（ＳＦＭ）。）が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。シンセティックフェリ磁性媒体では、実質的な磁性粒子の体積は反強磁性的に交換結合した２つの磁性層の磁性粒子の体積の和となり熱的安定性が著しく向上するので磁性粒子の微細化が可能となり、熱安定性化と共に低媒体ノイズ化、高Ｓ／Ｎ比化を図ることができるというものである。
【特許文献１】特開２００１−０５６９２４号公報
【非特許文献１】M. Yu et al., IEEE Trans. Magn., vol. 39 (1997) p. 2261
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、シンセティックフェリ磁性媒体において、分解能を向上するために上述した磁性層薄膜化の手法を採ると保磁力角型比が低下し、逆に分解能が低下してしまうという問題点が生じる。更には孤立波平均信号出力Ｓisoと媒体ノイズＮｍのＳiso／Ｎｍ比や、使用最大記録密度での平均出力Ｓと媒体ノイズＮｍのＳ／Ｎｍ比が劣化してしまうという問題点が生じる。
【０００９】
また、２つの磁性層間に働く交換結合エネルギーが過度に大きい場合、熱安定性は向上するが、オーバーライト特性やＮＬＴＳ（ノン・リニア・トランジッション・シフト）特性などの記録性能が劣化するという問題点が生じる。記録磁界を増加して解決する手法があるが、上述したように記録磁界増加には困難を伴う。
【００１０】
そこで、本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、本発明の目的は分解能を向上し、かつ優れたオーバーライト特性等の記録性能を有すると共に、優れた高Ｓ／Ｎ比および熱安定性を有する磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記憶装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一観点によれば、基板と、前記基板上に形成された下地層と、前記下地層上に形成された第１の磁性層と、前記第１の磁性層上に形成された非磁性結合層と、前記非磁性結合層上に形成された第２の磁性層と、を備え、前記第１の磁性層と第２の磁性層は交換結合すると共に、外部磁界が印加されない状態で第１の磁性層の磁化と第２の磁性層の磁化が互いに反平行である磁気記録媒体であって、前記下地層は、ｂｃｃ結晶構造を有するＣｒまたはＣｒ系合金でかつ窒素を含有してなることを特徴とする磁気記録媒体が提供される。
【００１２】
本発明によれば、記録層が第１の磁性層、非磁性結合層、および第２の磁性層が順次積層されてなり、外部磁界が印加されない状態で第１の磁性層の磁化と第２の磁性層の磁化が互いに反平行に結合した構造を有するので、本発明の磁気記録媒体は優れた熱安定性を有する。さらに、本発明によれば、窒素を含むＣｒまたはＣｒ系合金からなる下地層を設けることで、磁気記録媒体の保磁力角型比を増加させ、分解能およびＳ／Ｎ比を向上できる。したがって、優れたＳ／Ｎ比および熱安定性を有する磁気記録媒体を実現できる。
【００１３】
前記下地層は、０．０１体積％以上でかつ０．５０体積％以下の窒素ガスを含む雰囲気ガス中で形成されてもよい。
【００１４】
前記下地層と前記第１の磁性層との間に、ｂｃｃ結晶構造を有するＣｒまたはＣｒ系合金、あるいは、該ＣｒまたはＣｒ系合金でかつ窒素を含有する他の下地層が形成されてもよい。前記他の下地層は、ｂｃｃ結晶構造を有するＣｒまたはＣｒ系合金を０．００体積％以上でかつ０．１０体積％以下の窒素ガスを含む雰囲気ガス中で形成されてもよい。かかる他の下地層を設けることで、保磁力角型比が大幅に増加し、オーバーライト特性およびＳ／Ｎ比大幅に向上する。さらに、他の下地層は、窒素を実質的に含まない材料から構成してもよい。なお、本願明細書および特許請求の範囲において、「窒素を実質的に含まない材料」とは、窒素を含まない材料を用いて、窒素を添加しない雰囲気ガス中で形成した膜の材料をいう。
【００１５】
本発明の他の観点によれば、基板と、前記基板上に形成された下地層と、前記下地層上に形成された第１の磁性層と、前記第１の磁性層上に形成された非磁性結合層と、前記非磁性結合層上に形成された第２の磁性層とを備え、前記第１の磁性層と第２の磁性層は交換結合すると共に、外部磁界が印加されない状態で第１の磁性層の磁化と第２の磁性層の磁化が互いに反平行である磁気記録媒体の製造方法であって、前記基板上に前記下地層を形成する工程を備え、前記下地層の形成工程は、ｂｃｃ結晶構造を有するＣｒまたはＣｒ系合金を窒素ガスを含む雰囲気ガス中で成膜することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法が提供される。
【００１６】
本発明によれば、非磁性結合層を挟んで積層された第１磁性層と第２磁性層とが反強磁性的に交換結合する記録層を有する磁気記録媒体の下地層を、ｂｃｃ結晶構造を有するＣｒまたはＣｒ系合金を窒素ガスを含む雰囲気ガス中で成膜するこにより、磁気記録媒体の保磁力角型比を増加させ、分解能およびオーバーライト特性を向上することができる。その結果、優れた熱安定性およびＳ／Ｎ比を有する磁気記録媒体を実現することができる。ここで、下地層を窒素ガスを含む雰囲気ガス中で成膜することにより、第１磁性層と第２磁性層との交換結合磁界が低減され、それぞれの磁化が磁気ヘッドから印加される記録磁界の切り換えに対して切り換わり易くなりオーバーライト特性が向上する。ここで、ｂｃｃ構造は体心立方（ｂｏｄｙ−ｃｅｎｔｅｒｅｄ  ｃｕｂｉｃ）構造を意味する。
【００１７】
上記下地層と第１の磁性層との間に更に他の下地層を形成する工程を備え、他の下地層の形成工程はｂｃｃ結晶構造を有するＣｒまたはＣｒ系合金を０．１０体積％以下の窒素ガスを含む雰囲気ガス中で成膜する構成としてもよい。下地層と第１磁性層との間に他の下地層をｂｃｃ結晶構造を有するＣｒまたはＣｒ系合金を用いて０．１０体積％以下の窒素ガスを含む雰囲気ガス中で成膜することにより、上記保磁力角型比等を増加させ優れたＳ／Ｎ比を実現することができる。
【００１８】
特に、下地層を０．０１体積％〜０．５０体積％の窒素ガスを含む雰囲気ガス中で成膜し、他の下地層を、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、およびＸｅの群のうち少なくとも１種を含む希ガス雰囲気中で成膜することにより保磁力角型比の顕著な増加、および分解能、オーバーライト特性、Ｓ／Ｎ比を向上することができる。窒素ガスを添加したことにより良好な結晶粒径および結晶粒径分布を有する下地層が形成され、さらに下地層上に他の下地層を希ガス雰囲気中において成膜することにより、下地層から引き継がれた良好な結晶粒径および結晶粒径分布と、他の下地層自体の良好な結晶性により保磁力角型比等を増加・向上することができる。
【００１９】
また、ｂｃｃ結晶構造を有するＣｒ系合金は、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、およびＴｉからなる群のうち少なくとも１種の添加元素とＣｒからなる合金であり、前記下地層および他の下地層が同一の前記添加元素を含み、前記下地層よりも他の下地層の方が原子％での添加元素濃度が高い構成としてもよい。添加元素により格子間隔を下地層から他の下地層へ順次拡大し、第１磁性層および第２磁性層のＣｏＣｒＰｔなどのＣｏ基合金との格子整合性を高めることにより第１磁性層および第２磁性層の面内配向性および結晶性を向上することができる。
【００２０】
本発明のその他の観点によれば、上記いずれかの磁気記録媒体、あるいは上記いずれかの製造方法により形成された磁気記録媒体と、記録再生手段と、を備える磁気記憶装置が提供される。
【００２１】
本発明によれば、磁気記録媒体が、優れた保磁力角型比、分解能、およびオーバーライト特性を有し、さらに、優れた熱安定性およびＳ／Ｎ比を有するので、優れた熱安定性およびＳ／Ｎ比を有する磁気記憶装置を実現することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、非磁性結合層を挟んで積層された第１磁性層と第２磁性層とが反強磁性的に交換結合する記録層を有する磁気記録媒体の下地層を、ｂｃｃ結晶構造を有するＣｒまたはＣｒ系合金を窒素ガスを含む雰囲気ガス中で成膜することにより、磁気記録媒体の保磁力角型比を増加させ、分解能およびオーバーライト特性を向上することができる。その結果優れたＳ／Ｎ比および熱安定性を有する磁気記録媒体および磁気記憶装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態を説明する。
【００２４】
図１は、本発明に係る製造方法により作製した磁気記録媒体の断面図である。図１を参照するに、磁気記録媒体１０は、基板１１と、前記基板１１上に、第１シード層１２、第２シード層１３、第１下地層１４、第２下地層１５、第１磁性層１６、非磁性結合層１８、第２磁性層１９、保護層２０、及び潤滑層２１とを順次積層した構成となっている。磁気記録媒体１０は、第１磁性層１６と第２磁性層１９とが非磁性結合層１８を介して反強磁性的に交換結合された交換結合構造を有しており、外部磁界が印加されない状態で、第１磁性層１６および第２磁性層１９の残留磁化が互いに反平行方向を向いている。以下、磁気記録媒体１０の具体的構成と製造方法について説明する。
【００２５】
基板１１は、例えばディスク状のプラスチック基板、ガラス基板、ＮｉＰメッキアルミ合金基板、シリコン基板などを用いることができ、特に基板１１がテープ状である場合は、ＰＥＴ、ＰＥＮ、ポリイミド等のプラスチックフィルムを用いることできる。基板１１はテクスチャ処理が施されていてもよく、施されてなくてもよい。なお、テクスチャ処理は、磁気記録媒体１０が磁気ディスクの場合、周方向、すなわちトラック方向に形成される。
【００２６】
第１シード層１２を形成する前に基板１１を真空中あるいは希ガス雰囲気中で例えば１８０℃に加熱する。基板１１表面に付着する有機物や水分等を除去すると共に、基板１１に形成する第１シード層１２から第２磁性層１９までの各層の結晶成長を促進することができる。また、第１シード層１２から第２磁性層１９まで各層を形成する際に、必要に応じて真空中で基板１１を加熱してもよい。結晶成長を促進し、第１磁性層１６や第２磁性層１９中のＣｒ偏析を促進することができる。
【００２７】
以下、第１シード層１２から第２磁性層１９までの成膜工程においては特に断らない限り、希ガス雰囲気中において圧力を例えば０．６７Ｐａに設定して成膜を行う。
【００２８】
第１シード層１２は、スパッタ法、真空蒸着法、あるいはめっき法などを用いて、非磁性のアモルファス金属、例えばＮｉＰ、ＣｏＷ、ＡｌＴｉ、ＣｒＴｉ等からなり、表面にテクスチャ処理が施されていてもよく、施されてなくてもよい。なお、第１シード層１２がＮｉＰ、ＣｏＷ等の場合は表面が酸化処理されていることが好ましい。第１磁性層１６及び第２磁性層１９のｃ軸の面内配向が向上する。また、ＮｉＰの替わりにｃ軸配向を向上させる公知の材料を用いることができる。
【００２９】
第２シード層１３は、スパッタ法あるいは真空蒸着法などを用いて、例えばＮｉＰ、ＣｏＷ，ＣｒＴｉ等のアモルファス金属、ＡｌＲｕ、ＮｉＡｌ、ＦｅＡｌ等のＢ２構造を有する合金からなる。
【００３０】
第２シード層１３がアモルファス金属の場合は、酸素または窒素を含んでもよい。かかる第２シード層１３は、酸素ガスまたは窒素ガスを含む雰囲気中でかかるアモルファス金属材料を用いて成膜することで得られる。また、第２シード層１３は、その表面付近にのみ酸素または窒素を含んでもよい。かかる第２シード層１３は、アモルファス金属材料を希ガス雰囲気中で成膜した後、その表面を酸化あるいは窒化処理する。このようにすることで、第１下地層１４の（２００）面又は（１１２）面の配向を向上させることができる。
【００３１】
なお、第２シード層１３は、テクスチャ処理が施されてもよく、施されてなくてもよい。また、上述したテクスチャ処理は、磁気記録媒体１０が磁気ディスクの場合、周方向、すなわちトラック方向に形成される。また、第１シード層１２および第２シード層１３のいずれか一方を省略してもよい。
【００３２】
第１下地層１４は、ｂｃｃ結晶構造を有するＣｒまたはＣｒ系合金と窒素からなる。第１下地層１４は、窒素ガスを含む希ガス雰囲気中でスパッタ法により、ｂｃｃ結晶構造を有するＣｒまたはＣｒ系合金を用いて成膜される。第１下地層１４の膜厚は０．５ｎｍ〜１０ｎｍの範囲に設定され、Ｓ／Ｎ比の観点からは０．５ｎｍ〜６．０ｎｍの範囲に設定されることが好ましい。なお、第２下地層１５が窒素を含む場合は、第１下地層１４は、窒素を含まなくてもよい。かかる第１下地層１４は、ＣｒまたはＣｒ系合金を窒素ガスを添加しない雰囲気中で成膜することで得られる。
【００３３】
第１下地層１４を構成するｂｃｃ結晶構造を有するＣｒ系合金は、Ｃｒに添加する元素として例えばＭｏ、Ｗ、Ｖ、およびＴｉが挙げられ、これらの元素を２種以上含んでいてもよい。これらの元素はＣｒの格子間隔を広げる効果を有し、第１磁性層１６および第２磁性層１９との格子整合性を向上することができる。
【００３４】
Ｃｒ系合金のうちＭｏ、Ｗ、およびＶの添加量は０原子％より多く１００原子％未満の範囲から選択され、後述する第１磁性層１６や第２磁性層１９の格子定数にあわせて適宜選択される。例えば第１磁性層１６がＣｏＣｒ合金からなり、第２磁性層１９がＣｏＣｒＰｔＢ系合金の場合、面内方向の格子整合の点からＣｒＭｏではＭｏの添加量は２０原子％〜３５原子％であることが好ましく、ＣｒＷではＷの添加量は１５原子％〜３０原子％であることが好ましく、ＣｒＶではＶの添加量は１５原子％〜３０原子％であることが好ましい。特に、第１磁性層１６がＣｏＣｒ合金からなり、第２磁性層１９が約１１原子％Ｐｔを含むＣｏＣｒＰｔＢ合金の場合に上記のＣｒＭｏ、ＣｒＷ、ＣｒＶの組成範囲において面内方向の格子整合が向上する。
【００３５】
また、ＣｒＴｉ合金のＴｉの添加量は、０原子％より多く３０原子％以下の範囲から選択することが好ましい。３０原子％を超えるとＣｒＴｉ合金が微結晶化あるいはアモルファス化し易く、第１磁性層１６や第２磁性層１９の結晶配向性が悪化する。
【００３６】
なお、Ｃｒ系合金は、上述した合金の他、ｂｃｃ結晶構造を有し面内結晶配向が（２００）となる、例えば、ＣｒＴａ、ＣｒＭｎであってもよい。第１磁性層１６や第２磁性層１９がＣｏ基合金からなる場合に面内結晶配向を（１１０）にすることができ、良好なｃ軸配向性が得られる。
【００３７】
さらに、上記のＣｒやＣｒ系合金にＢを添加してもよい。第１下地層１４の結晶粒径微細化を図り、第１磁性層１６や第２磁性層１９の結晶粒径微細化を図ることができる。Ｂ添加量は０原子％より多く１０原子％以下であることが好ましい。Ｂ添加量が１０原子％を超えると第１磁性層１６や第２磁性層１９の結晶配向が悪化する。
【００３８】
また、第１下地層１４を成膜する際の希ガスに添加された窒素ガスにより、後述する実施例からも明らかになるように、保磁力角形比が増加し、分解能、オーバーライト特性、Ｓ／Ｎ比が向上する。希ガスへの窒素ガス添加量は、０．０１体積％〜０．５０体積％、さらには０．０５体積％〜０．５０体積％の範囲から選択することが好ましい。特に、保磁力角形比が大幅に増加し、オーバーライト特性、Ｓ／Ｎ比が大幅に向上する。窒素ガス添加量が０．５０体積％を超えると窒素ガス添加量に対して保磁力の低下が顕著になるので、製造安定性の点から０．５０体積％以下が好ましい。なお、希ガスは、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、およびＸｅの群のうち少なくとも１種から選択される。
【００３９】
さらに、第１下地層１４は複数の層から構成してもよい。この場合は、複数の層の総厚を一層の場合と同程度の厚さに設定することが好ましい。第１下地層１４を構成する結晶粒子の肥大化を抑制でき、第１磁性層１６や第２磁性層１９の結晶粒子の肥大化を抑制できる。
【００４０】
第２下地層１５は、ｂｃｃ結晶構造を有するＣｒまたはＣｒ系合金、あるいは、ｂｃｃ結晶構造を有するＣｒまたはＣｒ系合金と窒素からなる。さらに、第２下地層１５は、第１下地層よりも窒素濃度が低いことが好ましい。第２下地層１５は、希ガス雰囲気中あるいは窒素ガスを含む希ガス雰囲気中でスッパタ法により、ｂｃｃ結晶構造を有するＣｒまたはＣｒ系合金を用いて成膜される。第２下地層１５の膜厚は例えば０．５ｎｍ〜５ｎｍの範囲に設定される。また、第２下地層１５を構成するｂｃｃ結晶構造を有するＣｒ系合金については、第１下地層１４と同様の材料を用いることができる。
【００４１】
さらに、第２下地層１５を構成する材料が第１下地層１４を構成する材料と同一のＣｒ系合金（添加元素がＭｏ、Ｗ、Ｖ、およびＴｉである場合）は、第１下地層１４よりも第２下地層１５の方がＣｒへの添加元素量が多いことが好ましい。添加元素により面内方向の格子間隔を第１下地層１４から第２下地層１５へ次第に拡張することにより、過度の格子歪みを生じさせることなく第１磁性層１６および第２磁性層１９との格子整合性を高めることができ、第１磁性層１６および第２磁性層１９の面内配向性および結晶性を向上し、その結果Ｓ／Ｎ比を向上することができる。また、同様の理由により第１下地層１４がＣｒからなる場合も、第２下地層１５はＣｒ系合金からなることが好ましい。
【００４２】
第２下地層１５を成膜する際の雰囲気ガスは、希ガス、あるいは窒素ガスを添加した希ガスを使用する。希ガスは上述した希ガスであり、窒素ガスを添加する場合は０．１０体積％以下の範囲から選択される。保磁力角型比、Ｓ／Ｎ比を向上することができる。０．１０体積％を超えると窒素ガスを添加しない場合より平均出力が急激に低下する。第２下地層１５上に形成される第１磁性層１６の面内配向性が悪化し、その面内配向性が第２磁性層１９にも引き継がれて平均出力が低下するものと推察される。
【００４３】
これらのことから、第２下地層１５を成膜する際は、窒素ガスを添加しない希ガス、すなわち希ガスのみの雰囲気ガスを使用することが特に好ましい。窒素ガスを添加した場合より保磁力角型比、Ｓ／Ｎ比が向上し、平均出力を維持することができる。これは、第２下地層１５に窒素ガスを添加しない方が第２下地層１５表面の活性が高く、第１磁性層１６が結晶性良く堆積され、その結果、結晶配向性が向上するためであると推察される。
【００４４】
なお、スパッタ法により第１下地層１４あるいは第２下地層１５を形成する際に、窒素ガスを含む希ガス雰囲気中で成膜する代わりに、スパッタターゲットに窒素を含む材料を用いて希ガス雰囲気中で成膜してもよい。
【００４５】
さらに、第２下地層１５は複数の層から構成してもよい。この場合は、複数の層の総厚を一層の場合と同程度の厚さに設定することが好ましい。第１下地層１５を構成する結晶粒子の肥大化を抑制でき、第１磁性層１６や第２磁性層１９の結晶粒子の肥大化を抑制できる。
【００４６】
また、第２下地層１５は、第１下地層１４と同一材料から構成されてもよい。また、第２下地層１５を設けた方がＳ／Ｎ比等の特性はより向上するが、第２下地層１５を必ずしも設けなくともよい。
【００４７】
第１磁性層１６は、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ系合金、Ｎｉ系合金、Ｆｅ系合金等から構成される。特にＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、またはＣｏＣｒＰｔ、さらにこれらに、Ｂ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕ及びこれらの合金を添加した材料が好ましい。第１磁性層１６は厚さが１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲に設定され、好ましくは１ｎｍ〜５ｎｍの範囲に設定される。第１磁性層１６は第２下地層１５上に、例えば（１１０）方向にエピタキシャル成長し、ｃ軸が面内方向に配向して磁化容易軸方向が面内方向となる。また、第１磁性層１６は複数積層してもよい。これにより第１磁性層１６自身や第２磁性層１９のｃ軸配向性を向上することができる。
【００４８】
非磁性結合層１８は、例えばＲｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ系合金、Ｒｈ系合金、Ｉｒ系合金などから構成され、膜厚は例えば０．４ｎｍ〜１．５ｎｍ（好ましくは０．６ｎｍ〜０．９ｎｍ）の範囲に設定される。膜厚をこのような範囲に設定することによって、第１磁性層１６および第２磁性層１９の磁化を反強磁性的に交換結合することができる。これらの材料のうち格子整合性の点では、非磁性結合層１８はＲｕあるいはＲｕ系合金が好ましい。Ｒｈ、Ｉｒはｆｃｃ構造を有するのに対しＲｕはｈｃｐ構造を有し、ＣｏＣｒＰｔ系合金の格子定数ａ＝０．２５ｎｍに対しＲｕはａ＝０．２７ｎｍで近接する。
【００４９】
Ｒｕ系合金としては、Ｒｕと、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、及びこれらの合金のうちいずれか一つとの合金が挙げられる。
【００５０】
第２磁性層１９は、厚さが、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲に設定され、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ系合金、Ｎｉ系合金、Ｆｅ系合金等から構成される。特にＣｏＣｒＴａまたはＣｏＣｒＰｔ、さらにこれらに、Ｂ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕ及びこれらの合金を添加した材料が好ましい。第１シード層１２〜第２磁性層１９までの積層体はエピタキシャル成長により形成されているので、結晶性が良好であり、かつ結晶粒径が制御されているので媒体ノイズが低減される。
【００５１】
第１磁性層１６および第２磁性層１９の材料は同様の組成を用いてもよい。また、ＣｏＣｒＰｔ系合金を用いる場合は第１磁性層１６よりも第２磁性層１９にＰｔ量を多く添加してもよい。より大きな記録磁界が印加される第２磁性層１９のＰｔ量を増加させても、第１磁性層１６より異方性磁界を高めてオーバーライト特性を顕著に悪化させることなく熱安定性を高めることができる。また、第２磁性層１９は複数積層してもよい。
【００５２】
また、第１磁性層１６、第２磁性層１９の残留磁化および膜厚の関係は、第１磁性層１６の残留磁化Ｍｒ1及び膜厚ｔ1、第２磁性層１９の残留磁化Ｍｒ2及び膜厚ｔ2と表すと、（Ｍｒ2×ｔ2＞Ｍｓ1×ｔ1に設定することが好ましい。磁気ヘッドに近い第２磁性層１９には、記録時の記録磁界の切り換え位置に対応して第１磁性層１６よりも精確に記録されているので、ＮＬＴＳ特性が向上する。
【００５３】
保護層２０は、スパッタ法、ＣＶＤ（化学的気相成長）法などを用いて形成され、例えばダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、窒化カーボン、アモルファスカーボンなどにより構成される。保護層２０の膜厚は０．５ｎｍ〜１０ｎｍ（好ましくは０．５ｎｍ〜５ｎｍ）に設定される。
【００５４】
潤滑層２１は、引き上げ法、スピンコート法、液面降下法などを用いて塗布され、例えばパーフルオロポリエーテルを主鎖として末端基が水酸基やフェニル基等からなる有機系液体潤滑剤をフッ素系溶剤等により希釈した塗布液を使用する。潤滑層２１の膜厚は０．５ｎｍ〜３．０ｎｍの範囲に設定される。有機系液体潤滑剤は、例えばＺＤｏｌ（Ｍｏｎｔｅ  Ｆｌｕｏｓ社製）、ＡＭ３００１（アウジモント社製）、Ｚ２５（Ｍｏｎｔｅ  Ｆｌｕｏｓ社製）等を用いることができる。なお、潤滑剤は保護層２０の材質に合わせて適宜選定される。なお、磁気記録媒体１０がテープ状の場合はダイ塗工法等も用いることができる。
【００５５】
なお、第２下地層１５と第１磁性層１６との間に、ＣｏＣｒ合金に元素あるいは合金Ｍを添加したｈｃｐ構造を有する非磁性合金から構成される非磁性中間層を形成してもよい。非磁性中間層は膜厚が１ｎｍ〜５ｎｍの範囲に設定され、Ｍは、Ｐｔ、Ｂ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕ及びこれらの合金から選択される。非磁性中間層は第２下地層１５の結晶性及び結晶粒サイズを引き継いでエピタキシャル成長し、第１磁性層１６及び第２磁性層１９の結晶性を向上し、結晶粒（磁性粒子）サイズの分布幅を減少させ、面内方向（基板面と平行な方向）のｃ軸配向を促進することができる。
【００５６】
本実施の形態によれば、非磁性結合層１８を挟んで反強磁性的に交換結合する第１磁性層１６と第２磁性層１９を有する磁気記録媒体１０の第１下地層１４を窒素ガスを含む希ガス雰囲気中でスパッタ法によりｂｃｃ結晶構造を有するＣｒまたはＣｒ系合金を用いて成膜することにより、保磁力角形比を大幅に増加することができると共に分解能さらにはＳ／Ｎ比を向上することができる。
【００５７】
次に本実施の形態の実施例および比較例について説明する。
【００５８】
［実施例１〜５および比較例１〜５］
実施例１〜５および比較例１〜５として以下の構成を有する磁気ディスクを作製した。
テクスチャ処理ガラス基板／Ｃｒ50Ｔｉ50膜（２５ｎｍ）／Ａｌ50Ｒｕ50膜（１０ｎｍ）／第１下地層（３ｎｍ）／第２下地層（３ｎｍ）／Ｃｏ90Ｃｒ10膜（２ｎｍ）／Ｒｕ膜（０．８ｎｍ）／Ｃｏ60Ｃｒ18Ｐｔ11Ｂ8Ｃｕ3膜（１６ｎｍ）／ＤＬＣ膜（５．５ｎｍ）／ＡＭ３００１潤滑層（１．５ｎｍ）、なお括弧内の数値は膜厚を示す。
【００５９】
ここで、潤滑層を除く各層はＤＣマグネトロンスパッタ装置を用いて形成し、Ｃｒ50Ｔｉ50膜（２５ｎｍ）を形成する前に、スパッタ装置内を４×１０-5Ｐａ以下に排気後、テクスチャ処理ガラス基板を１８０℃の温度に加熱処理を行った。ＤＬＣ膜の形成工程以外はスパッタ装置内の圧力を０．６７Ｐａとし、さらに実施例の磁気ディスクの第１下地層の形成工程以外はＡｒガス雰囲気中において成膜を行った。なお、各層の組成量を示す数値は原子％で示されており、以下本明細書において同様である。
【００６０】
図２は、実施例１〜５および比較例１〜５に係る磁気ディスクの第１および第２下地層の構成および特性を示す図である。なお、図２において各層の組成を元素濃度（原子％）を示す数値を元素の前に記載して示している。
【００６１】
図２を参照するに、実施例１〜６の磁気ディスクは、第１下地層がＣｒまたはＣｒＭｏ合金をＡｒガスに窒素ガスを０．１体積％添加した雰囲気中において成膜を行い、一方比較例１〜６の磁気ディスクは、第１下地層が実施例１〜６の金属材料を窒素ガスを添加しないＡｒガス中で成膜行った。実施例１〜６および比較例１〜６の第２下地層は図２に示すＣｒＭｏ合金またはＣｒＷ合金から形成されている。以下、窒素ガス添加した雰囲気中において成膜した膜を説明の便宜のため組成の後に「（Ｎ）」を付加して示す。
【００６２】
実施例１〜６と比較例１〜６をそれぞれ比較すると、第１下地層を０．１体積％の窒素ガスを添加したＡｒガス雰囲気中で成膜した実施例１〜６は、Ａｒガス雰囲気中で成膜した各々の比較例１〜６に対して、各々保磁力角型比および分解能が向上している。すなわち、第１下地層を形成する際に窒素ガスを添加することにより分解能を向上できることが分かる。
【００６３】
具体的には、実施例１（第１下地層／第２下地層＝Ｃｒ（Ｎ）膜／Ｃｒ75Ｍｏ25膜、以下実施例５および比較例５までの括弧内は第１下地層／第２下地層の構成を示す。）と比較例１（Ｃｒ膜／Ｃｒ75Ｍｏ25膜）を比較すると、窒素ガスを添加した実施例１は、窒素ガスを添加しない比較例１に対して保磁力角型比が０．０５増加し、分解能が１％向上していることが分かる。
【００６４】
さらに、実施例１に対して第２下地層をＣｒ75Ｍｏ25膜の換わりにＣｒ92.5Ｗ7.5膜とした実施例４（Ｃｒ（Ｎ）膜／Ｃｒ92.5Ｗ7.5膜）と比較例４（Ｃｒ膜／Ｃｒ92.5Ｗ7.5膜）を比較すると、窒素ガスを添加した実施例４は、窒素ガスを添加しない比較例４に対して保磁力角型比が０．０９増加し、分解能が２．１％向上していることが分かる。
【００６５】
また、実施例１に対して第１下地層をＣｒ（Ｎ）膜の換わりにＣｒ95Ｍｏ5（Ｎ）膜とした実施例５（Ｃｒ95Ｍｏ5（Ｎ）膜／Ｃｒ75Ｍｏ25膜）と比較例５（Ｃｒ95Ｍｏ5膜／Ｃｒ75Ｍｏ25膜）においても、窒素ガスを添加した実施例５は、窒素ガスを添加しない比較例５に対して保磁力角型比が０．０５増加し、分解能が１％向上していることが分かる。
【００６６】
以上のことにより、ＣｒまたはＣｒＭｏからなる第１下地層を窒素ガスを含むＡｒガス雰囲気中で成膜することにより保磁力角型比を増加し分解能を向上できることが分かる。
【００６７】
なお、保磁力および保磁力角型比等の静磁気特性は振動試料型磁力計（ＶＳＭ、最大印加磁場７９５．７ｋＡ／ｍ）により測定を行い、得られた磁気ディスクのヒステリシスループから保磁力および保磁力角型比等の静磁気特性を求めた。
【００６８】
図３は磁気ディスクのヒステリシスループを示す図である。図３を参照するに、保磁力角形比Ｓ*は、−Ｈｃ（あるいはＨｃ）におけるヒステリシスループの接線と、残留磁化ＭｒからＨ軸に平行に延長した直線との交点の磁界量ＨｒからＳ*＝Ｈｒ／Ｈｃの関係式により求めた。
【００６９】
また、分解能、更に下記の実施例の平均出力、オーバーライト、Ｓ／Ｎｍ、Ｓiso／Ｎmなどの電磁変換特性の測定は、誘導型記録素子とＧＭＲ再生素子を有する複合型磁気ヘッドを用いた。周速１２．６ｍ／ｓ、平均出力は線記録密度が８９ｋＦＣＩでの平均出力Ｓiso、分解能は分解能（％）＝（８９ｋＦＣＩでの平均出力）／（３５７ｋＦＣＩでの平均出力）×１００、オーバーライトは８９ｋＦＣＩでの出力Ｖ1を測定後、７１４ｋＦＣＩの信号を書込み、残留する８９ｋＦＣＩの出力Ｖ2を測定し、１０×ｌｏｇ（Ｖ2／Ｖ1）をオーバーライト（ｄＢ）とした。また、Ｓ／Ｎｍ、Ｓiso／Ｎmはそれぞれ３５７ｋＦＣＩでの平均出力Ｓ、８９ｋＦＣＩでの平均出力Ｓiso、と媒体ノイズＮｍとの比１０×ｌｏｇ（Ｓ／Ｎｍ）、１０×ｌｏｇ（Ｓiso／Ｎｍ）（ｄＢ）とした。
【００７０】
［実施例６］
次に、上記実施例１において第１下地層を成膜する際のＡｒガス雰囲気中に添加する窒素ガス添加量を０．０５体積％毎に０．００体積％〜０．５０体積％の範囲で異ならせて形成した実施例６の磁気ディスクの特性を図４〜図１０に示す。実施例６では、第２下地層のＣｒ75Ｍｏ25膜は窒素ガスを添加しないＡｒガス雰囲気中で成膜している。
【００７１】
なお、第１下地層に添加する窒素ガス添加量が０．００体積％、すなわち窒素ガスを添加しない場合を比較のために示している。また、図中の各特性線は０．０５体積％毎の特性値を補間することにより得られたものである。
【００７２】
実施例６の磁気ディスクの構成は、テクスチャ処理ガラス基板／Ｃｒ50Ｔｉ50膜（２５ｎｍ）／Ａｌ50Ｒｕ50膜（１０ｎｍ）／Ｃｒ（Ｎ）膜（３ｎｍ）／Ｃｒ75Ｍｏ25膜（３ｎｍ）／Ｃｏ90Ｃｒ10膜（２ｎｍ）／Ｒｕ膜（０．８ｎｍ）／Ｃｏ60Ｃｒ18Ｐｔ11Ｂ8Ｃｕ3膜（１６ｎｍ）／ＤＬＣ膜（５．５ｎｍ）／潤滑層（１．５ｎｍ）とした。なお、他の成膜条件は上記実施例１と同様である。
【００７３】
図４は、実施例６の保磁力角型比と窒素ガス添加量との関係を示す図である。図４を参照するに、実施例６の磁気ディスクの第１下地層を窒素ガスを含む雰囲気中で成膜したＣｒ（Ｎ）膜は、０．０５体積％の微量の窒素ガス添加により急激に保磁力角型比が増加し、約０．１０体積％の添加量で最大値を示し、窒素ガスを添加しない場合の０．７２に対して０．０６増加している。また、窒素ガスを０．０５体積％まで添加しても保磁力角型比は、窒素ガスを添加しない場合よりも高く、安定していることが分かる。このように、第１下地層への微量の窒素ガスの添加により大幅に保磁力角型比を増加することができることが分かる。
【００７４】
図５は、実施例６の保磁力と窒素ガス添加量との関係を示す図である。図５を参照するに、実施例６の磁気ディスクの保磁力は、窒素ガスの添加量を増加するにしたがって低下する。窒素ガスを添加しない場合に対して、０．５０体積％まで添加しても２２ｋＡ／ｍ（２７８Ｏｅ）程度であり、この程度の保磁力の低下は熱安定性に影響しないことが確認されている。また、基板加熱温度を高く設定することによりかかる保磁力の低下を抑制あるいは防止することが可能である。本願発明者の検討によれば、窒素ガスの添加量を０．５０体積％よりも多くすると保磁力の低下率が大きくなり、０．７５体積％を超えると急激に低下することが確認されている。したがって、製造安定性の点からは窒素ガス添加量は０．５０体積％以下とすることが好ましい。
【００７５】
図６は、実施例６の交換結合磁界と窒素ガス添加量との関係を示す図である。交換結合磁界は上記図３に示すように、Ｄ点の正磁界側の破線で示すマイナーループＭＬと実線で示すメジャーループが形成するループの中心の磁界が交換結合磁界ＨEXである。測定は、印加磁界Ｈを一旦Ｄ点付近まで掃引して、次いで同じ方向に印加磁界Ｈを増加して、マイナーループＭＬを得る。なおＢ点の負磁界側でも同様に結合磁界が得られる。交換結合磁界は第１磁性層と第２磁性層とが互いに印加し合う磁界であり、交換結合磁界が大きい場合は熱安定性が向上するが、その反面それぞれの磁化が記録磁界により磁化方向を切り換えし難くなり、オーバーライト特性、Ｓ／Ｎｍ比が悪化する。
【００７６】
図６を参照すると、実施例６の磁気ディスクの交換結合磁界は微量の窒素ガスの添加により急激に低下し、０．０５体積％以上の添加量によりほぼ一定となっている。このことから窒素ガス添加量により、交換結合磁界を制御可能であることが分かる。後述するＳ／Ｎｍ比を指標として窒素ガス添加量を選択すればよい。
【００７７】
図７は、実施例６の平均出力と窒素ガス添加量との関係を示す図である。図７を参照するに、実施例６の磁気ディスクの平均出力は、０．００体積％よりも多く０．５０体積以下の範囲では窒素ガスの添加量に対してほぼ一定となっている。このことにより、窒素ガスの添加は出力への影響はなく、第１下地層への窒素ガス添加により面内配向性が変化しないことが容易に推察できる。
【００７８】
図８は、実施例６の分解能と窒素ガス添加量との関係を示す図である。図８を参照するに、実施例６の磁気ディスクの分解能は、０．０５体積％あるいはそれ以下の微量の窒素ガスの添加によって増加し、０．５０体積％以下では窒素ガスを添加しない場合と比較して、ほぼ増加していることが分かる。上記図５に示したように保磁力が漸減するにも拘わらず分解能が増加するのは、保磁力角型比が分解能の向上に寄与していることが容易に推察できる。
【００７９】
図９は、実施例６のオーバーライト特性と窒素ガス添加量との関係を示す図である。図９を参照するに、実施例６の磁気ディスクのオーバーライト特性は、０．０５体積％あるいはそれ以下の微量の窒素ガスの添加によって大幅に向上する。上記図５に示した保磁力はこの窒素ガス添加量の範囲では漸減しており、保磁力よりもむしろ上記図６に示した交換結合磁界の低下によるものと推察され、０．０５体積％程度の窒素ガス添加が交換結合磁界を低下させ、その結果オーバーライト特性を向上させたものと推察される。
【００８０】
さらに窒素ガス添加量を増加させるとさらにオーバーライト特性が向上している。これは、交換結合磁界の低下の効果に加え保磁力の低下に起因するものと考えられる。
【００８１】
図１０は、実施例６のＳ／Ｎｍ比と窒素ガス添加量との関係を示す図である。図１０を参照するに、実施例６の磁気ディスクのＳ／Ｎｍ比は、０．０５体積％以下の微量の窒素ガスの添加によって大幅に向上し、０．５０体積％の窒素ガス添加量でも、窒素ガスを添加しない場合より０．２ｄＢ高く、したがって０．５０体積％以下の窒素ガス添加量によりＳ／Ｎｍ比を向上できることが分かる。また、図１０から、窒素ガスを添加しない場合と比較して、０．０５体積％以下の微量の窒素ガス添加量、例えば０．０１体積％においてもＳ／Ｎｍ比の顕著な向上が認められることは十分に期待できることが分かる。
【００８２】
これまで示した図４〜図９から、第１下地層への窒素ガス添加により保磁力角型比が増加し、および交換結合磁界が減少したことに起因して、分解能およびオーバーライト特性が向上し、その結果Ｓ／Ｎｍ比が向上したものと推察される。
【００８３】
［実施例７］
次に上記実施例１において、第１下地層のＣｒ（Ｎ）膜を膜厚１．０ｎｍごとに１．０ｎｍ〜６．０ｎｍの膜厚の範囲で異ならせた実施例７の磁気ディスクの特性を図１１および図１２に示す。なお、実施例７の磁気ディスクの構成はＣｒ（Ｎ）膜の膜厚以外は実施例６と同様である。また、比較としてＣｒ（Ｎ）膜を設けない場合を膜厚０．０ｎｍとして図１１および図１２に示す。
【００８４】
図１１は、実施例７の保磁力角型比とＣｒ（Ｎ）膜膜厚との関係を示す図である。図１１を参照するに、実施例７の磁気ディスクの保磁力角型比は、Ｃｒ（Ｎ）膜の膜厚が０．５ｎｍの薄膜であっても、Ｃｒ（Ｎ）膜を設けない場合よりも向上していることが分かる。膜厚１ｎｍ以上では漸増している。したがって、Ｃｒ（Ｎ）膜は０．５ｎｍ以上の膜厚が必要であることが分かる。
【００８５】
図１２は、実施例７のＳiso／Ｎｍ比とＣｒ（Ｎ）膜膜厚との関係を示す図である。図１２を参照するに、実施例７の磁気ディスクのＳiso／Ｎｍ比は、Ｃｒ（Ｎ）膜の膜厚が約１．５ｎｍで最大値をとり、０．５ｎｍ以上６．０ｎｍの範囲でＣｒ（Ｎ）膜を設けない場合よりも向上していることが分かる。したがって、図１１の結果も合わせて、０．５ｎｍ以上６．０ｎｍの範囲でＣｒ（Ｎ）膜の膜厚を選択すればよいことが分かる。
【００８６】
［実施例８および９］
次に、上記実施例１において、第１下地層のＣｒ（Ｎ）膜および第２下地層のＣｒ75Ｍｏ25（Ｎ）膜を成膜する際に、Ａｒガス雰囲気中に添加する窒素ガス量を同量として、０．００体積％〜０．５０体積％の範囲で異ならせて形成した実施例８と、第１下地層には窒素ガスを添加せずに第２下地層にのみ添加し、０．００体積％〜０．５０体積％の範囲で異ならせて形成した実施例９の磁気ディスクを作製した。すなわち実施例８は第１下地層／第２下地層＝Ｃｒ（Ｎ）膜（３ｎｍ）／Ｃｒ75Ｍｏ25（Ｎ）膜（３ｎｍ）、実施例９はＣｒ膜（３ｎｍ）／Ｃｒ75Ｍｏ25（Ｎ）膜（３ｎｍ）とし、他の構成は実施例１と同様とした。
【００８７】
図１３は、実施例８および実施例９の保磁力角型比と窒素ガス添加量との関係を示す図である。図１３を参照するに、実施例８および実施例９の保磁力角型比はほぼ同様の特性値を示し、窒素ガス添加量が０．０より多く０．２８体積％以下の範囲において、窒素ガスを添加しない場合より増加している。しかし、このように第２下地層の成膜の際に窒素ガスを添加した場合、第１下地層にのみに窒素ガスを添加した上記図４と比較して保磁力角型比が低く、さらに窒素ガス添加量の範囲も狭いことが分かる。
【００８８】
図１４は、実施例８および実施例９の平均出力と窒素ガス添加量との関係を示す図である。図１４を参照するに、実施例８および実施例９の平均出力は、窒素ガス添加量が０．０より多く０．１０体積％以下の範囲において窒素ガスを添加しない場合とほぼ同程度であり、０．１０体積％を超えると急激に減少している。第２下地層のＣｒ75Ｍｏ25（Ｎ）膜に窒素を過度に添加すると第１磁性層および第２磁性層の面内配向性が低下することが分かる。このことにより、第２下地層への窒素の添加量は０．００体積％以上０．１０体積％以下の範囲に設定されることが好ましいことが分かる。
【００８９】
図１５は、実施例８および実施例９の分解能と窒素ガス添加量との関係を示す図、図１６は、Ｓ／Ｎｍ比と窒素ガス添加量との関係を示す図である。図１５および図１６を参照するに、実施例８および実施例９の分解能は、第２下地層のＣｒ75Ｍｏ25（Ｎ）膜に分解能においては０．２体積％以下、Ｓ／Ｎｍ比においては０．１０体積％以下の範囲で窒素ガスを添加した場合が添加しない場合よりも良好となっていることが分かる。
【００９０】
以上の図１３〜図１６の結果から、第２下地層への窒素ガス添加量は０．００体積％以上０．１０体積％以下の範囲から選択されることが好ましいことが分かる。
【００９１】
次に、本発明の実施の形態に係る磁気記録媒体の具体例を、図を示しつつ列記する。以下、図中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を適宜省略する。
【００９２】
最初に、本発明の実施の形態の第１例に係る磁気記録媒体は、先に示した図１の構成を有する。すなわち、図１を参照するに、第１例に係る磁気記録媒体１０は、基板１１と、基板１１上に、第１シード層１２、第２シード層１３、第１下地層１４、第２下地層１５、第１磁性層１６、非磁性結合層１８、第２磁性層１９、保護層２０、及び潤滑層２１とを順次積層した構成からなる。
【００９３】
第１下地層１４は、ｂｃｃ結晶構造を有するＣｒまたはＣｒ系合金と窒素からなる。第１下地層１４は、ｂｃｃ結晶構造を有するＣｒまたはＣｒ系合金からなる材料を、希ガスへの窒素ガス添加量が、例えば、０．０１体積％〜０．５０体積％（好ましくは０．０５体積％〜０．５０体積％）の範囲に設定された雰囲気ガス中で成膜して得られる。
【００９４】
第２下地層１５は、ｂｃｃ結晶構造を有するＣｒまたはＣｒ系合金、あるいは、ＣｒまたはＣｒ系合金と窒素からなる。第２下地層１５は、ｂｃｃ結晶構造を有するＣｒまたはＣｒ系合金からなる材料を、希ガスへの窒素ガス添加量が、例えば、０．００体積％以上で０．１０体積％以下の範囲に設定された雰囲気ガス中で成膜して得られる。さらに、第２下地層１５は実質的に窒素を含まなくてもよい。
【００９５】
図１７は、本実施の形態の第２例に係る磁気記録媒体の断面図である。図１７を参照するに、第２例に係る磁気記録媒体２０は、基板１１と、基板１１上に、第１シード層１２、第２シード層１３、第１Ａ下地層１４Ａ、第１Ｂ下地層１４Ｂ、第２下地層１５、第１磁性層１６、非磁性結合層１８、第２磁性層１９、保護層２０、及び潤滑層２１とを順次積層した構成からなる。
【００９６】
第１Ａ下地層１４Ａおよび第１Ｂ下地層１４Ｂの各々は、上述した図１に示す第１例に係る磁気記録媒体の第１下地層１４と同様の材料から構成される。第１Ａ下地層１４Ａと第１Ｂ下地層１４Ｂの総厚は、第１下地層が一層の場合と同程度の厚さに設定することが好ましい。第１Ａ下地層１４Ａと第１Ｂ下地層１４Ｂの各々を薄膜化することで、第１Ａ下地層１４Ａ、第１Ｂシード層１２Ｂの結晶粒子の肥大化を抑制し、その結果、第１磁性層１６および第２磁性層１９の結晶粒子の肥大化を抑制できる。
【００９７】
第１Ａ下地層１４Ａと第１Ｂ下地層１４Ｂの組み合わせの一例としては、第１Ａ下地層１４Ａと第１Ｂ下地層１４Ｂは第１例に係る磁気記録媒体と同様の窒素を含むＣｒ系合金からなる。そして、かかるＣｒ系合金は、第１Ｂ下地層１４Ｂが、第１Ａ下地層１４Ａよりも原子％での添加元素濃度が高いＣｒ系合金とする。このように構成することで、第１Ａ下地層１４Ａと第１Ｂ下地層１４Ｂとの間の格子整合が向上し、これと共に、第１Ｂ下地層１４Ｂと第２下地層１５との間の格子整合を向上することができる。その結果、第２下地層１５の結晶性を向上し、ひいては、第１磁性層１６および第２磁性層１９の結晶性を向上できる。さらに、磁気記録媒体２０は、第２下地層１５が実質的に窒素を含まないＣｒ系合金からなることが好ましい。
【００９８】
図１８は、本実施の形態の第３例に係る磁気記録媒体の断面図である。図１８を参照するに、第３例に係る磁気記録媒体３０は、基板１１と、基板１１上に、第１シード層１２、第２シード層１３、第３下地層３１、第１下地層１４、第２下地層１５、第１磁性層１６、非磁性結合層１８、第２磁性層１９、保護層２０、及び潤滑層２１とを順次積層した構成からなる。
【００９９】
第３下地層３１はｂｃｃ結晶構造を有するＣｒ膜あるいはＣｒ系合金膜からなる。ｂｃｃ結晶構造を有するＣｒ系合金膜は、第１下地層１４のＣｒ系合金と同様の材料からなる。第３下地層３１は、Ｃｒ膜あるいはＣｒ系合金材料をスパッタ法により希ガス雰囲気中で成膜して得られる。このように、第１下地層１４の下地として窒素を含まない第３下地層３１を設けることで、第１下地層１４の初期成長層の結晶性を向上できる。さらに、磁気記録媒体３０は、第２下地層１５が実質的に窒素を含まいＣｒ系合金からなることが好ましい。
【０１００】
図１９は、本実施の形態の第４例に係る磁気記録媒体の断面図である。図１９を参照するに、第４例に係る磁気記録媒体３５は、基板１１と、基板１１上に、第１シード層１２、第２シード層１３、第１下地層１４、第２Ａ下地層１５Ａ、第２Ｂ下地層１５Ｂ、第１磁性層１６、非磁性結合層１８、第２磁性層１９、保護層２０、及び潤滑層２１とを順次積層した構成からなる。
【０１０１】
第２Ａ下地層１５Ａおよび第２Ｂ下地層１５Ｂの各々は、上述した図１に示す第１例に係る磁気記録媒体の第２下地層１５と同様に、ｂｃｃ結晶構造を有するＣｒまたはＣｒ系合金、あるいは、ＣｒまたはＣｒ系合金と窒素からなる。第２Ａ下地層１５Ａと第２Ｂ下地層１５Ｂの総厚は、第２下地層が一層の場合と同程度の厚さに設定することが好ましい。このように設定することで、第２Ａ下地層１５Ａおよび第２Ｂ下地層１５Ｂの各々を薄膜化し、各々の結晶粒子の肥大化を抑制する。その結果、第１磁性層１６および第２磁性層１９の磁性粒子の肥大化を抑制できる。
【０１０２】
第２Ａ下地層１５Ａと第２Ｂ下地層１５Ｂの組み合わせの一例としては、第２Ａ下地層１５Ａおよびに２Ｂ下地層１５Ｂの各々が、実質的に窒素を含まないＣｒ系合金からなる。そして、かかるＣｒ系合金は、第２Ｂ下地層１５Ｂが、第２Ａ下地層１５Ａよりも原子％での添加元素濃度が高いＣｒ系合金とする。このように構成することで、第２Ａ下地層１５Ａと第２Ｂ下地層１５Ｂとの間の格子整合が向上し、これと共に第２Ｂ下地層１５Ｂと第１磁性層１６との間の格子整合を向上することができる。その結果、第１磁性層１６および第２磁性層１９の結晶性を向上できる。
【０１０３】
次に、本発明の他の実施の形態に係る磁気記憶装置を説明する。図２０は、本発明の他の実施の形態に係る磁気記憶装置の要部を示す図である。
【０１０４】
図２０を参照するに、磁気記憶装置４０は大略ハウジング４１からなる。ハウジング４１内には、スピンドル（図示されず）により駆動されるハブ４２、ハブ４２に固定され回転される磁気記録媒体４３、アクチュエータユニット４４、アクチュエータユニット４４に取り付けられ磁気記録媒体４３の半径方向に移動するアーム４５及びサスペンション４６、サスペンション４６に支持された磁気ヘッド４８が設けられている。磁気ヘッド４８は、ＭＲ素子（磁気抵抗効果型素子）、ＧＭＲ素子（巨大磁気抵抗効果型素子）、又はＴＭＲ素子（トンネル磁気効果型）等の再生ヘッドと誘導型の記録ヘッドとの複合型ヘッドからなる。この磁気記憶装置４０の基本構成自体は周知であり、その詳細な説明は本明細書では省略する。
【０１０５】
磁気記憶装置４０は、磁気記録媒体４３が、上述した実施の形態に係る磁気記録媒体、例えば第１例〜第４例に係る磁気記録媒体のいずれかである。磁気記録媒体４３は、優れた保磁力角型比、分解能、オーバーライト特性、およびＳ／Ｎ比を有し、さらに、優れた熱安定性を有する。その結果、優れた熱安定性およびＳ／Ｎ比を有する磁気記憶装置４０を実現することができる。
【０１０６】
なお、磁気記憶装置４０の基本構成は、図２０に示すものに限定されるものではなく、磁気ヘッド４８は上述した構成に限定されない。
【０１０７】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明は係る特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【０１０８】
例えば、本発明の磁気記録媒体は、実施の形態で説明した第１例〜第４例に係る磁気記録媒体を互いに組み合わせて構成してもよい。また、上記実施例では磁気記録媒体として磁気ディスクを例として説明したが、磁気テープに適用することができる。
【０１０９】
なお、以上の説明に関して更に以下の付記を開示する。
（付記１）  基板と、
前記基板上に形成された下地層と、
前記下地層上に形成された第１の磁性層と、
前記第１の磁性層上に形成された非磁性結合層と、
前記非磁性結合層上に形成された第２の磁性層と、を備え、
前記第１の磁性層と第２の磁性層は交換結合すると共に、外部磁界が印加されない状態で第１の磁性層の磁化と第２の磁性層の磁化が互いに反平行である磁気記録媒体であって、
前記下地層は、ｂｃｃ結晶構造を有するＣｒまたはＣｒ系合金でかつ窒素を含有してなることを特徴とする磁気記録媒体。
（付記２）  前記下地層は、０．０１体積％以上でかつ０．５０体積％以下の窒素ガスを含む雰囲気ガス中で形成されてなることを特徴とする付記１記載の磁気記録媒体。
（付記３）  前記下地層と前記第１の磁性層との間に、ｂｃｃ結晶構造を有するＣｒまたはＣｒ系合金、あるいは、該ＣｒまたはＣｒ系合金でかつ窒素を含有する他の下地層が形成されてなることを特徴とする付記１または２記載の磁気記録媒体。
（付記４）  前記他の下地層は、窒素を実質的に含まない材料からなることを特徴とする付記３記載の磁気記録媒体。
（付記５）  前記他の下地層は、ｂｃｃ結晶構造を有するＣｒまたはＣｒ系合金を０．００体積％以上でかつ０．１０体積％以下の窒素ガスを含む雰囲気ガス中で形成されてなることを特徴とする付記３記載の磁気記録媒体。
（付記６）  前記他の下地層を形成する際の雰囲気ガス中の窒素濃度は、前記下地層を形成する際の雰囲気ガス中の窒素濃度よりも低く設定されることを特徴とする付記５記載の磁気記録媒体。
（付記７）  前記Ｃｒ系合金は、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、およびＴｉからなる群のうち少なくとも１種の添加元素と、Ｃｒからなる合金であることを特徴とする付記１〜６のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記８）  前記他の下地層は、前記下地層よりも前記添加元素の原子％での濃度が高いことを特徴とする付記７記載の磁気記録媒体。
（付記９）  前記下地層は２層からなり、第１の磁性層側の層が基板側の層よりも添加元素の原子％での濃度が高いことを特徴とする付記７または８記載の磁気記録媒体。
（付記１０）  前記他の下地層は２層からなり、第１の磁性層側の層が基板側の層よりも添加元素の原子％での濃度が高いことを特徴とする付記７または８記載の磁気記録媒体。
（付記１１）  前記下地層の直下にＣｒまたはＣｒ系合金からなるその他の下地層を更に備えることを特徴とする付記３〜１０のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記１２）  前記下地層の膜厚を０．５ｎｍ以上６．０ｎｍ以下の範囲に設定することを特徴とする付記１〜１１のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記１３）  前記基板と下地層との間にシード層をさらに備え、
前記シード層が、非磁性のアモルファス金属あるいはＢ２構造を有する合金からなることを特徴とする付記１〜１２のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記１４）  前記シード層は、基板側から、非磁性のアモルファス金属からなる層と、Ｂ２構造を有する合金からなる層とをこの順で堆積してなることを特徴とする付記１３記載の磁気記録媒体。
（付記１５）  前記アモルファス金属が、ＮｉＰ、ＣｏＷ、ＡｌＴｉ、およびＣｒＴｉからなる群のうち、いずれか一種からなることを特徴とする付記１３または１４記載の磁気記録媒体。
（付記１６）  前記Ｂ２構造を有する合金は、ＡｌＲｕ、ＮｉＡｌ、およびＦｅＡｌからなる群のうち、いずれか一種からなることを特徴とする付記１３または１４項記載の磁気記録媒体。
（付記１７）  前記第１の磁性層は、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｒＣｒまたはＣｏＣｒＰｔにＢ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕおよびこれらの合金からなる群のうちいずれか一種を添加した材料のいずれかからなることを特徴とする付記１〜１６のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記１８）  前記第１の磁性層は、ＣｏＣｒＴａ、ＣｒＣｒＴａにＢ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗ、Ｃｕおよびこれらの合金からなる群のうちいずれか一種を添加した材料のいずれかからなることを特徴とする付記１〜１６のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記１９）  前記第２の磁性層は、ＣｏＣｒＰｔ、またはＣｏＣｒＰｔにＢ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕ及びこれらの合金からなる群のうちいずれか一種を添加した強磁性材料からなることを特徴とする付記１〜１８のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体。
（付記２０）基板と、
前記基板上に形成された下地層と、
前記下地層上に形成された他の下地層と、
前記他の下地層上に形成された第１の磁性層と、
前記第１の磁性層上に形成された非磁性結合層と、
前記非磁性結合層上に形成された第２の磁性層と、を備え、
前記第１の磁性層と第２の磁性層は交換結合すると共に、外部磁界が印加されない状態で第１の磁性層の磁化と第２の磁性層の磁化が互いに反平行である磁気記録媒体であって、
前記下地層は、ｂｃｃ結晶構造を有するＣｒまたはＣｒ系合金と窒素からなり、
前記他の下地層は、ｂｃｃ結晶構造を有するＣｒまたはＣｒ系合金、あるいは、該ＣｒまたはＣｒ系合金と窒素からなり、
前記下地層が、他の下地層よりも窒素を多く含むことを特徴とする磁気記録媒体。
（付記２１）  ディスク状の基板と、
前記基板上に形成されたＡｌＲｕ、ＮｉＡｌ、およびＦｅＡｌからなる群のうち、いずれか一種からなるシード層と、
前記シード層上に、ｂｃｃ結晶構造を有するＣｒまたはＣｒ系合金を０．０１体積％以上でかつ０．５０体積％以下の窒素ガスを含む雰囲気ガス中で形成された下地層と、
前記下地層上に、ｂｃｃ結晶構造を有するＣｒまたはＣｒ系合金を０．００体積％以上でかつ０．１０体積％以下の窒素ガス含む雰囲気ガス中で形成された他の下地層と、
前記他の下地層上に形成された第１の磁性層と、
前記第１の磁性層上に形成された非磁性結合層と、
前記非磁性結合層上に形成された第２の磁性層と、を備え、
前記第１の磁性層と第２の磁性層は交換結合すると共に、外部磁界が印加されない状態で第１の磁性層の磁化と第２の磁性層の磁化が互いに反平行である磁気ディスク。
（付記２２）  基板と、前記基板上に形成された下地層と、前記下地層上に形成された第１の磁性層と、前記第１の磁性層上に形成された非磁性結合層と、前記非磁性結合層上に形成された第２の磁性層とを備え、
前記第１の磁性層と第２の磁性層は交換結合すると共に、外部磁界が印加されない状態で第１の磁性層の磁化と第２の磁性層の磁化が互いに反平行である磁気記録媒体の製造方法であって、
前記基板上に前記下地層を形成する工程を備え、
前記下地層の形成工程は、ｂｃｃ結晶構造を有するＣｒまたはＣｒ系合金を窒素ガスを含む雰囲気ガス中で成膜することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（付記２３）  前記下地層と第１の磁性層との間に更に他の下地層を形成する工程を備え、
前記他の下地層の形成工程は、ｂｃｃ結晶構造を有するＣｒまたはＣｒ系合金を０．１０体積％以下の窒素ガスを含む雰囲気ガス中で成膜することを特徴とする付記２２記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記２４）  前記下地層の形成工程は、０．０１体積％〜０．５０体積％の窒素ガスを含む雰囲気ガス中で成膜することを特徴とする付記２３記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記２５）  前記ｂｃｃ結晶構造を有するＣｒ系合金は、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、およびＴｉからなる群のうち少なくとも１種の添加元素とＣｒからなる合金であることを特徴とする付記２２〜２４のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記２６）  前記ｂｃｃ結晶構造を有するＣｒ系合金は、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、およびＴｉからなる群のうち少なくとも１種の添加元素とＣｒからなる合金であり、
前記下地層および他の下地層が同一の前記添加元素を含み、
前記下地層よりも他の下地層の方が原子％での添加元素濃度が高いことを特徴とする付記２３〜２５のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記２７）  前記ＣｒまたはＣｒ系合金にさらにＢを添加することを特徴とする付記２１〜２６のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記２８）  前記他の下地層の形成工程は、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、およびＸｅの群のうち少なくとも１種を含む希ガス雰囲気中で成膜することを特徴とする付記２３〜２７のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記２９）  前記下地層の膜厚を０．５ｎｍ以上６．０ｎｍ以下の範囲に設定することを特徴とする付記２３〜２８のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記３０）  前記下地層を形成する前に、前記基板上にＢ２構造を有するシード層を形成する工程をさらに備えることを特徴とする付記２３〜２８のうちいずれか一項記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記３１）  付記１〜２０のうち、いずれか一項記載の磁気記録媒体、あるいは付記２２〜３０のうち、いずれか一項記載の製造方法により製造された磁気記録媒体と、記録再生手段と、を備える磁気記憶装置。
（付記３２）  付記２１記載の磁気ディスクと、記録再生手段と、を備える磁気ディスク装置。
【図面の簡単な説明】
【０１１０】
【図１】本発明に係る製造方法により作製した磁気記録媒体の断面図である。
【図２】実施例および比較例に係る磁気ディスクの第１および第２下地層の構成および特性を示す図である。
【図３】磁気ディスクの磁化のヒステリシスループを示す図である。
【図４】実施例６の保磁力角型比と窒素ガス添加量との関係を示す図である。
【図５】実施例６の保磁力と窒素ガス添加量との関係を示す図である。
【図６】実施例６の交換結合磁界と窒素ガス添加量との関係を示す図である。
【図７】実施例６の平均出力と窒素ガス添加量との関係を示す図である。
【図８】実施例６の分解能と窒素ガス添加量との関係を示す図である。
【図９】実施例６のオーバーライト特性と窒素ガス添加量との関係を示す図である。
【図１０】実施例６のＳ／Ｎｍ比と窒素ガス添加量との関係を示す図である。
【図１１】実施例７の保磁力角型比とＣｒ（Ｎ）膜膜厚との関係を示す図である。
【図１２】実施例７のＳiso／Ｎｍ比とＣｒ（Ｎ）膜膜厚との関係を示す図である。
【図１３】実施例８および実施例９の保磁力角型比と窒素ガス添加量との関係を示す図である。
【図１４】実施例８および実施例９の平均出力と窒素ガス添加量との関係を示す図である。
【図１５】実施例８および実施例９の分解能と窒素ガス添加量との関係を示す図である。
【図１６】実施例８および実施例９のＳ／Ｎｍ比と窒素ガス添加量との関係を示す図である。
【図１７】実施の形態の第２例に係る磁気記録媒体の断面図である。
【図１８】実施の形態の第３例に係る磁気記録媒体の断面図である。
【図１９】実施の形態の第４例に係る磁気記録媒体の断面図である。
【図２０】本発明の他の実施の形態に係る磁気記憶装置の要部を示す図である。
【符号の説明】
【０１１１】
１０、２０、３０、３５、４３    磁気記録媒体
１１    基板
１２    第１シード層
１３    第２シード層
１４    第１下地層
１５    第２下地層
１６    第１磁性層
１８    非磁性結合層
１９    第２磁性層
２０    保護層
２１    潤滑層
４０    磁気記憶装置
【図１】
2005251373.tif 000003
【図２】
2005251373.tif 000004
【図３】
2005251373.tif 000005
【図４】
2005251373.tif 000006
【図５】
2005251373.tif 000007
【図６】
2005251373.tif 000008
【図７】
2005251373.tif 000009
【図８】
2005251373.tif 000010
【図９】
2005251373.tif 000011
【図１０】
2005251373.tif 000012
【図１１】
2005251373.tif 000013
【図１２】
2005251373.tif 000014
【図１３】
2005251373.tif 000015
【図１４】
2005251373.tif 000016
【図１５】
2005251373.tif 000017
【図１６】
2005251373.tif 000018
【図１７】
2005251373.tif 000019
【図１８】
2005251373.tif 000020
【図１９】
2005251373.tif 000021
【図２０】
2005251373.tif 000022