(57)【要約】【課題】光漏れ現象及び残像現象を減少させる。【解決手段】基板は透過領域２５０を有する画素領域２４０を備え、スイッチング素子（２１８ａ〜２１８Ｃ）の信号接続部２３０ａは透過領域２５０の境界に配置される。スイッチング素子が配置された基板上に、透過領域及び信号接続部を開口した有機膜が被膜される。画素電極部は、透過領域上に形成されて光を透過させ信号接続部と電気的に接続された透明電極を含む。透過領域の境界にスイッチング素子の信号接続部を配置したので、光漏れ現象及び残像現象が減少し透過率及び反射率が増加する。【選択図】図３
2005148745.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光が透過される透過領域を有する画素領域を具備する基板と、
前記基板上の前記透過領域の境界に配置されたスイッチング素子の信号接続部と、
前記スイッチング素子が配置された前記基板上に形成されて前記透過領域及び前記信号接続部が開口された有機膜と、
前記透過領域上に形成されて前記光を透過させ前記信号接続部と電気的に接続された透明電極を含む画素電極部と、
を含むアレイ基板。
【請求項２】
前記透過領域は長方形形状を有し、前記信号接続部は前記長方形形状を有する透過領域の辺に隣接して配置されることを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【請求項３】
前記信号接続部は前記辺に沿って延長された長方形形状を有することを特徴とする請求項２記載のアレイ基板。
【請求項４】
前記透過領域は長方形形状を有し、前記信号接続部は前記長方形形状を有する透過領域の頂点に隣接して配置されることを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【請求項５】
前記信号接続部は直角三角形形状を有することを特徴とする請求項４記載のアレイ基板。
【請求項６】
前記信号接続部は前記透過領域の頂点に隣接する境界に沿って折曲された形状を有することを特徴とする請求項４記載のアレイ基板。
【請求項７】
第１方向にラビングされた配向膜をさらに含み、前記第１方向と前記信号接続部の長さの方向とが交差することを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【請求項８】
前記信号接続部は前記透過領域の前記スイッチング素子に隣接する辺に配置され、前記第１方向は前記辺に垂直する方向であることを特徴とする請求項７記載のアレイ基板。
【請求項９】
前記信号接続部は前記透過領域のコーナーに配置され、前記第１方向は前記透過領域を基準にして前記信号接続部を通る対角線方向であることを特徴とする請求項７記載のアレイ基板。
【請求項１０】
前記信号接続部は不透明な材質を含み、前記境界に隣接した部分を通過する光を遮断することを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【請求項１１】
前記透過領域は多角形または円形形状を有することを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【請求項１２】
前記画素領域は外部光が反射される反射領域をさらに含み、前記画素電極部は前記反射領域上に形成されて前記外部光を反射させ前記信号接続部と電気的に接続された反射電極をさらに含むことを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【請求項１３】
前記透明電極は前記透過領域及び前記透過領域に隣接した前記反射領域の一部に配置されることを特徴とする請求項１２記載のアレイ基板。
【請求項１４】
前記反射領域に配置される前記透明電極の一部が前記有機膜上に配置されることを特徴とする請求項１３記載のアレイ基板。
【請求項１５】
前記反射領域に配置される前記透明電極の一部が前記有機膜の下部に配置されることを特徴とする請求項１３記載のアレイ基板。
【請求項１６】
前記透明電極の一部が前記信号接続部上に配置され、前記信号接続部に対応する前記反射電極の一部が前記透明電極上に配置されることを特徴とする請求項１３記載のアレイ基板。
【請求項１７】
前記反射電極の一部が前記信号接続部上に配置され、前記信号接続部に対応する前記透明電極の一部が前記反射電極上に配置されたことを特徴とする請求項１３記載のアレイ基板。
【請求項１８】
前記有機膜の上部表面は前記反射電極の反射率を増加させる凹部及び凸部を含むことを特徴とする請求項１２記載のアレイ基板。
【請求項１９】
前記基板上に配置されたカラーフィルタをさらに含むことを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【請求項２０】
前記画素電極部との間に電界を形成する第２電極をさらに含むことを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【請求項２１】
光が透過される透過領域を有する画素領域を具備する基板上の前記透過領域の境界にスイッチング素子の信号接続部を形成するステップと、
前記スイッチング素子が配置された基板上に前記透過領域及び前記信号接続部が開口された有機膜を形成するステップと、
前記透過領域上に配置されて前記光を透過させ前記信号接続部と電気的に接続された透明電極を含む画素電極部を形成するステップと、
を含むアレイ基板の製造方法。
【請求項２２】
前記有機膜を形成するステップは、前記透明電極が形成された前記基板上に有機膜を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項２１記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項２３】
前記透明電極を形成するステップは、前記透過領域及び前記有機膜の一部上に透明電極を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項２１記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項２４】
前記信号接続部を形成するステップは、前記信号接続部を前記スイッチング素子のドレイン電極と一体に形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項２１記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項２５】
前記信号接続部を形成するステップは、前記信号接続部を前記スイッチング素子のドレイン電極と別途の部材に形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項２１記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項２６】
前記画素領域は外部光が反射される反射領域をさらに含み、前記画素電極部は前記反射領域上に配置されて前記外部光を反射させ前記信号接続部と電気的に接続された反射電極をさらに含むことを特徴とする請求項２１記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項２７】
第１基板と、
光が透過される透過領域を有する画素領域を具備する基板と、前記基板上の前記透過領域の境界に配置されたスイッチング素子の信号接続部と、前記スイッチング素子が配置された前記基板上に形成されて前記透過領域及び前記信号接続部が開口された有機膜と、前記透過領域上に形成されて前記光を透過させ前記信号接続部と電気的に接続された透明電極を含む画素電極部とを含み、前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置された液晶層と、
を含む液晶表示装置。
【請求項２８】
前記第２基板は第１方向にラピングされた配向膜をさらに含み、前記第１方向と前記信号接続部の長さの方向とが交差することを特徴とする請求項２７記載の液晶表示装置。
【請求項２９】
前記信号接続部は、前記透過領域の前記スイッチング素子に隣接する辺に配置され、前記第１方向は前記辺に垂直する方向であることを特徴とする請求項２８記載の液晶表示装置。
【請求項３０】
前記信号接続部は、前記透過領域のコーナーに配置され、前記第１方向は前記透過領域を基準にして前記信号接続部を通る対角線方向であることを特徴とする請求項２８記載の液晶表示装置。
【請求項３１】
前記画素領域は、外部光が反射される反射領域をさらに含み、前記画素電極部は前記反射領域上に形成されて前記外部光を反射させ前記信号接続部と電気的に接続された反射電極をさらに含むことを特徴とする請求項２７記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アレイ基板、その製造方法及びこれを有する液晶表示装置に関し、より詳細には、光漏れ現象及び残像現象が減少し透過率及び反射率が増加するアレイ基板、その製造方法及び前記アレイ基板を有することで画質が向上される液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、薄膜トランジスタが形成されたアレイ基板とカラーフィルタ基板との間に注入されている異方性誘電率を有する液晶物質に電界を印加し、前記電界の強度を調節して基板に透過される光の量を調節することで、所望する映像を得る表示装置である。
一般的に、液晶は直接光を発生しないので、内部光源または外部から提供された光を利用して映像を表示する。内部光源のみを利用して映像を表示する場合、光を発生させるためのバッテリの大きさが増加して液晶表示装置の大きさが増加するという短所がある。また、外部光のみを利用して映像を表示する場合、暗い環境では映像の輝度が減少されるという短所がある。しかし、外部光を反射する反射領域及び光源から発生された光が透過する透過領域を含む反射−透過型液晶表示装置を利用する場合、液晶表示装置の大きさが減少され暗い環境でも映像の輝度を保持することができる。
【０００３】
一般的な反射−透過型液晶表示装置は、液晶表示パネル及びバックライトアセンブリを含む。前記液晶表示パネルは、第１基板、第２基板及び液晶層を含む。前記第１基板はカラーフィルタ及び共通電極を含み、前記第２基板は薄膜トランジスタ、反射電極及び透明電極を含む。前記液晶層は前記第１基板と前記第２基板との間に介在される。
一般的な反射−透過型液晶表示装置は、ＭＴＮ（Ｍｉｘｅｄ  Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モードの液晶を採用する。前記ＭＴＮモードの液晶は、９０°以下の角度を有するツイスト構造に配向されている。しかし、液晶がツイスト構造に配向された場合、光の偏光特性によって光の損失が発生されて透過率が低下する。
反射−透過型液晶表示装置が液晶をツイストさせないホモジニアス液晶配向モードを有する場合透過率が向上する。
【０００４】
前記ホモジニアス液晶配向モードを有する反射−透過型液晶表示装置の光源から発生された光は、透過領域の液晶を通過して外部に放射される。しかし、外部から入射される外部光は、反射領域の液晶を通過して反射電極に反射され、再び反射領域の液晶を通過して外部に放射される。従って、前記ホモジニアス液晶配向モードを有する前記反射−透過型液晶表示装置は、前記反射領域に対応するセルギャップと異なる値を有する前記透過領域に対応するセルギャップを有する。この時、透過領域に対応するセルギャップは、反射領域に対応するセルギャップの２倍である。アレイ基板上の有機絶縁膜を互いに異なる厚さに形成して前記互いに異なるセルギャップを形成することができる。
この時、前記液晶を駆動させるスイッチング素子は前記反射領域内に配置される。前記スイッチング素子の一部は、前記反射電極または前記透明電極の一部とバイアコンタクトホールを通じて電気的に接続される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前記従来の液晶表示装置の場合、前記透過領域及び前記バイアコンタクトホールの部分からは有機膜をとり除く。しかし、前記反射領域には有機膜が存在し、前記透過領域及び前記バイアコンタクトホールに有機膜が存在しない場合、有機膜段差によって前記反射領域と前記透過領域との境界または前記反射領域と前記バイアコンタクトホールとの境界で液晶配向の歪曲が発生する。前記液晶配向の歪曲は光漏れ現象及び残像現象を発生させる。特に、ラビングが始まる方向に対応する部分では光漏れ現象が、ラビングが終了される方向に対応する部分では残像現象が発生する。前記光漏れ現象と前記残像現象は画質を低下させるという問題点がある。
【０００６】
また、前記バイアコンタクトホールによって望ましい反射領域の面積が実質的に減少されて、反射率が減少し輝度の減少するという問題点がある。
また、透明電極が有機膜の下部に配置される場合には、前記バイアコンタクトホールが別途に存在しないので、反射率の減少されるという問題点はない。しかし、反射電極と前記透明電極とを電気的に接続するために前記反射電極の一部が透過領域の一部に配置されるので透過率の減少するという問題点がある。
前記では反射−透過型液晶表示装置を参照して説明したが、該当技術分野の熟練された当業者ならば名称に関係なく多重セルギャップを有する他の液晶表示装置でも、前記のような問題点が発生され得ることが理解できるであろう。
【０００７】
前記のような問題点を解決するための本発明の第１目的は、光漏れ現象及び残像現象が減少し透過率及び反射率が増加するアレイ基板を提供することにある。
前記のような問題点を解決するための本発明の第２目的は、前記アレイ基板の製造方法を提供することにある。
前記のような問題点を解決するための本発明の第３目的は、前記アレイ基板を有することで画質が向上された液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記第１目的を達成するための本発明の一実施形態によるアレイ基板は、基板、スイッチング素子の信号接続部、有機膜及び画素電極部を含む。前記基板は光が透過される透過領域を有する画素領域を具備する。前記スイッチング素子の信号接続部は前記基板上の前記透過領域の境界に配置される。前記有機膜は前記スイッチング素子が配置された前記基板上に形成されて前記透過領域及び前記信号接続部が開口される。前記画素電極部は前記透過領域上に形成されて前記光を透過させ前記信号接続部と電気的に接続された透明電極を含む。
前記第２目的を達成するために、本発明の一実施形態によるアレイ基板の製造方法において、まず、光が透過される透過領域を有する画素領域を具備する基板上の前記透過領域の境界にスイッチング素子の信号接続部を形成する。次に、前記スイッチング素子が配置された基板上に前記透過領域及び前記信号接続部が開口された有機膜を形成する。最後に、前記透過領域上に配置されて前記光を透過させ前記信号接続部と電気的に接続された透明電極を含む画素電極部を形成する。
【０００９】
前記第３目的を達成するための本発明の一実施形態による液晶表示装置は第１基板、第２基板及び液晶層を含む。
前記第２基板は、光が透過される透過領域を有する画素領域を具備する基板と、前記基板上の前記透過領域の境界に配置されたスイッチング素子の信号接続部と、前記スイッチング素子が配置された前記基板上に形成されて前記透過領域及び前記信号接続部が開口された有機膜と、前記透過領域上に形成されて前記光を透過させ前記信号接続部と電気的に接続された透明電極を含む画素電極部とを含み前記第１基板に対向する。
前記液晶層は前記第１基板と前記第２基板との間に配置される。
前記スイッチング素子は薄膜トランジスタを含む。
従って、前記透過領域の境界に配置された前記信号接続部を利用して光漏れ現象及び残像現象が減少し、透過率及び反射率が増加して液晶表示装置の画質が向上される。
【発明の効果】
【００１０】
前記のような本発明によると、前記透過領域の境界に配置された前記信号接続部を利用して光漏れ現象及び残像現象が減少し反射率が増加する。
また、前記透明電極が前記有機膜の下部に配置される場合、反射電極の一部が透過領域内に配置された透明電極の一部ではなく信号接続部上に配置された透明電極の一部と電気的に接続されるので、透過率が増加する。従って、液晶表示装置の画質が向上される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を参照して本発明の望ましい一実施形態をより詳細に説明する。
図１はバイアコンタクトホールを有する液晶表示装置を示す平面図で、図２は前記図１のＡ−Ａ’ラインの断面図である。
図１及び図２に示すように、バイアコンタクトホールを有する液晶表示装置は、第１基板１７０、第２基板１８０及び液晶層１０８を含む。前記第１基板１７０は、上部基板１００、ブラックマトリックス１０２、カラーフィルタ１０４、共通電極１０６、スペーサ１１０を含む。前記第２基板１８０は、下部基板１２０、薄膜トランジスタ１１９、ゲート絶縁膜１２６、パッシベーション膜１１６、有機膜１１４、透明電極１１２及び反射電極１１３を含む。前記第２基板１８０は、画素領域１４０及び周辺領域１４５を含む。前記画素領域１４０は、透過領域１５０及び反射領域１６０を含む。
【００１２】
前記有機膜１１４は、前記透過領域１５０に対応する透過窓１２９及びバイアコンタクトホール１２８を含む。
前記薄膜トランジスタ１１９は、ソース電極１１８ａ、ゲート電極１１８ｂ、ドレイン電極１１８ｃ及び半導体層パターンを含む。前記ソース電極１１８ａはソースライン１１８ａ’と接続され、前記ゲート電極１１８ｂはゲートライン１１８ｂ’と接続される。前記ドレイン電極１１８ｃは、前記バイアコンタクトホール１２８を通じて前記透明電極１１２と電気的に接続される。前記反射電極１１３の一部は、前記透明電極１１２の一部の上に配置されて互いに電気的に接続される。
【００１３】
実施形態１
図３は本発明の第１実施形態による液晶表示装置を示す平面図であり、図４は前記図３のＢ−Ｂ’ラインの断面図である。
図３及び図４に示すように、前記液晶表示装置は、第１基板２７０、第２基板２８０及び液晶層２０８を含む。前記第１基板２７０は上部基板２００、ブラックマトリックス２０２、カラーフィルタ２０４、共通電極２０６及びスペーサ２１０を含む。前記第２基板２８０は、下部基板２２０、薄膜トランジスタ２１９、ゲート絶縁膜２２６、パッシベーション膜２１６、有機膜２１４、透明電極２１２及び反射電極２１３を含む。前記第２基板２８０は、画素領域２４０及び周辺領域２４５を含む。
【００１４】
前記画素領域２４０は、液晶の配列を調節して映像を表示することができる領域であり、透過領域２５０及び反射領域２６０を含む。前記薄膜トランジスタ２１９、前記信号接続部２３０ａ、前記透明電極２１２、前記反射電極２１３などは、前記画素領域２４０内に配置される。前記周辺領域２４５は、液晶の配列を調節することができない領域で光が遮断される。ソースライン２１８ａ’、ゲートライン２１８ｂ’、駆動回路（図示せず）などは、前記周辺領域２４５内に配置される。
前記透過領域２５０はバックライトアセンブリ（図示せず）から発生された光を透過させる領域であり、前記反射領域２６０は外部光を反射させる領域である。この時、前記透過領域２５０が長方形、梯形、三角形、円形などの形状を有することができる。望ましくは、前記透過領域２５０は長方形の形状を有する。また、透過型液晶表示装置の場合、画素領域は反射領域を含まないこともある。
前記上部基板２００及び前記下部基板２２０は、光を通過させることができる透明な材質のガラスを使用する。前記ガラスは無アルカリ特性である。前記ガラスがアルカリ特性の場合、前記ガラスからアルカリイオンが液晶セル中に溶出されると、液晶比抵抗が低下されて表示特性が変わるようになり、前記シールとガラスとの付着力を低下させ、スイッチング素子の動作に悪影響を与える。
【００１５】
前記ブラックマトリックス２０２は、前記周辺領域２４５に対応する前記上部基板２００の一部に形成されて光を遮断する。前記ブラックマトリックス２０２は、液晶を制御することができない領域を通過する光を遮断して画質を向上させる。前記ブラックマトリックス２０２は、不透明物質を蒸着しエッチングして形成される。
前記カラーフィルタ２０４は、前記ブラックマトリックス２０２が形成された前記上部基板上に形成されて、所定の波長の光のみを選択的に透過させる。この時、前記カラーフィルタ２０４が前記下部基板２２０上に配置されてもよい。
【００１６】
前記共通電極２０６は、前記ブラックマトリックス２０２及び前記カラーフィルタ２０４が形成された前記上部基板２００の全面に形成される。前記共通電極２０６は、ＩＴＯ、ＩＺＯまたはＺＯのような透明な導電性物質を含む。この時、前記共通電極２０６を前記下部基板２２０上に前記透明電極２１２及び前記反射電極２１３と並んで配置させることもできる。
前記スペーサ２１０は、前記ブラックマトリックス２０２、前記カラーフィルタ２０４及び前記共通電極２０６が形成された前記上部基板２００上に形成される。前記スペーサ２１０によって、前記第１基板２７０と前記第２基板２８０との間のセルギャップが一定に保持される。望ましくは、前記スペーサ２１０は、前記ブラックマトリックス２０２に対応して配置される。前記スペーサ２１０は、カラムスペーサ、ボールスペーサまたは前記カラムスペーサと前記ボールスペーサとが混合されたスペーサを含む。この時、前記スペーサ２１０は、前記薄膜トランジスタ２１９に対応して配置されることもできる。
【００１７】
前記薄膜トランジスタ２１９は、前記下部基板２２０の前記反射領域２６０内に形成されてソース電極２１８ａ、ゲート電極２１８ｂ、ドレイン電極２１８ｃ、半導体層パターン及び信号接続部２３０ａを含む。駆動回路（図示せず）は、データ電圧を出力してソースライン２１８ａ’を通じて前記ソース電極２１８ａに伝達し、選択信号を出力してゲートライン２１８ｂ’を通じて前記ゲート電極２１８ｂに伝達する。
【００１８】
前記信号接続部２３０ａは、前記ドレイン電極２１８ｃに接続され、前記ドレイン電極２１８ｃと前記透明電極２１２を電気的に接続させる。前記半導体層パターンは前記ゲート絶縁膜の一部上に配置される。前記ゲート電極２１８ｂに前記選択信号が印加されると、前記ソース電極２１８ａと前記ドレイン電極２１８ｃとの間に前記半導体層パターンを通じて電流が流れる。前記信号接続部２３０ａは、前記透過領域２５０と前記反射領域２６０との境界のうち、前記ドレイン電極２１８ｃに隣接した辺に配置され、前記ゲートライン２１８ｂ’の方向に延長された長方形形状を有する。この時、前記信号接続部２３０ａの面積を、前記バイアコンタクトホールを有する液晶表示装置での前記バイアコンタクトホールの面積より小さくしてもよい。前記信号接続部２３０ａの面積が減少すると、前記反射領域２５０の面積が増加して反射率が増加される。しかし、前記信号接続部２３０ａの面積を前記バイアコンタクトホールの面積より大きくしてもよい。また、前記信号接続部２３０ａが不透明な物質を含んで前記境界を通過する光を遮断させて、前記境界から発生される光漏れ現象または残像現象を減少させることもできる。
【００１９】
ストレージキャパシタ（図示せず）は前記下部基板２２０上に形成されて前記共通電極２０６と前記反射電極２１３との間または前記共通電極２０６と前記透過電極２１２との間の電位差を保持させる。前記ストレージキャパシタ（図示せず）はエンドゲート方式または独立配線方式である。
前記ゲート絶縁膜２２６は、前記ゲート電極２１８ｂが形成された前記下部基板２２０の全面に配置されて、前記ゲート電極２１８ｂを前記ソース電極２１８ａ及び前記ドレイン電極２１８ｃと電気的に絶縁する。この時、前記光の透過率を高めるために、前記透過領域２５０内に配置された前記ゲート絶縁膜２２６をとり除くことができる。前記ゲート絶縁膜２２６は、シリコン窒化物ＳｉＮｘを含む。
【００２０】
前記パッシベーション膜２１６は、前記薄膜トランジスタ２１９が形成された前記下部基板２２０上の全面に配置され、前記信号接続部２３０ａを露出する開口部を含む。この時、前記光の透過率を高めるために、前記透過領域２５０内に配置された前記パッシベーション膜２１６をとり除くことができる。前記パッシベーション膜２２６は、シリコン窒化物ＳｉＮｘを含む。
前記有機膜２１４は、前記透過領域２５０及び前記信号接続部２３０ａを露出する透過窓２２９を含み、前記薄膜トランジスタ２１９及び前記パッシベーション膜２２６が形成された前記下部基板２２０上に配置されて、前記薄膜トランジスタを前記透明電極２１２または前記反射電極２１３と絶縁する。前記有機膜２１４によって前記液晶層２０８の厚さが調節されて、前記反射領域２６０及び前記透過領域２５０で互いに異なるセルギャップを有する液晶層２０８が形成される。前記有機膜２１４は、前記薄膜トランジスタ２１９、前記ソースライン２１８ａ’、前記ゲートライン２１８ｂ’などが配置されて、互いに異なる高さを有する前記下部基板２２０の表面を平坦化する役割もする。この時、前記透過窓２２９内に薄い厚さの有機膜２１４が残留させた状態で、前記信号接続部２３０ａを露出することもできる。
【００２１】
望ましくは、前記有機膜２１４の上部表面は凹部及び凸部を有する。前記凹部及び凸部は、前記反射電極２１３の反射効率を増加させる。この時、前記有機膜２１４の上部表面は、凹部及び凸部のない平坦な面であってもよい。
前記透明電極２１２は、前記パシベーション膜２１６上の前記透過領域２５０及び前記信号接続部２３０ａを露出する開口部の内面上に形成されて、前記信号接続部２３０ａと電気的に接続される。前記透明電極２１２は、前記共通電極２０６との間に印加された電圧によって前記液晶層２０８内の液晶を制御して、光の透過を調節する。前記透明電極２１２は、透明な導電性物質であるインジウム錫酸化物ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物ＩＺＯ、亜鉛酸化物ＺＯなどを含む。この時、前記透明電極２１２の一部が前記反射領域２６０内の前記有機膜２１４上に配置されるようにすることもできる。
【００２２】
反射電極２１３は、前記有機膜２１４及び前記透明電極２１２上の前記信号接続部２３０ａに対応する部分に配置されて、外部光を反射させる。望ましくは、前記反射電極２１３は、前記有機膜２１４の上部表面上に形成された凹部及び凸部の形状に沿って配置されて、外部光を一定の方向に反射させる。前記反射電極２１３は、前記透明電極２１２及び前記信号接続部２３０ａを通じて、前記ドレイン電極２１８ｃと電気的に接続される。
【００２３】
前記駆動回路（図示せず）は、前記薄膜トランジスタ２１９及び前記信号接続部２３０ａを通じて前記透明電極２１２及び前記反射電極２１３にデータ電圧を提供し、前記共通電極２０６及び前記透明電極２１２と前記反射電極２１３との間に電界を形成する。この時、前記透明電極２１２が前記画素領域２４０の全面に配置され、反射電極２１３は前記反射領域２６０に対応する前記透明電極２１２上に配置されてもよい。
また、前記信号接続部２３０ａ上に反射電極２１３の一部が配置され、前記信号接続部２３０ａに対応する前記反射電極２１３上に前記透明電極２１２の一部が配置されてもよい。
【００２４】
前記液晶層２０８は、前記第１基板２７０と前記第２基板２８０との間に配置されてシール（図示せず）によって密封される。前記液晶層２０８内の液晶は、垂直配向ＶＡ、ツイスト配向ＴＮ、ＭＴＮ配向（Ｍｉｘｅｄ  Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）またはホモジニアス配向モードに配列される。望ましくは、前記液晶はホモジニアス配向モードに配列される。
前記液晶を配向するために、前記第１基板２７０及び前記第２基板２８０の表面に配向膜（図示せず）を配置し、前記配向膜（図示せず）の表面を一定の方向にラビング（Ｒｕｂｂｉｎｇ）する。前記ラビングによって前記液晶が一定の方向に配向される。望ましくは、前記ラビング方向は、前記ソースライン２１８ａ’の延長方向と同一である。この時、前記透過領域２５０と前記反射領域２６０との間の段差によって、前記透過領域２５０と前記反射領域２６０との境界にはラビングがうまくできない。前記ラビングのうまくできない境界では、光漏れ現象、残像現象などが発生し、前記光漏れ現象、残像現象などの発生する位置は前記ラビング方向に対応している。従って、光を通過させない前記信号接続部２３０ａの長さ方向が前記ラビング方向と対応するように配置して、前記光漏れ現象、残像現象などを減少させる。
【００２５】
図５〜図８は、本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造過程を示す平面図であり、図９〜図１８は本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造過程を示す断面図である。
図５及び図９に示すように、まず、前記下部基板２２０に前記バックライトアセンブリ（図示せず）から発生された前記光を透過させる前記透過領域２５０及び前記外部光を反射させる前記反射領域２６０を含む前記画素領域２４０を画定する。
図６及び図１０に示すように、続いて、前記下部基板２２０上に導電性物質を蒸着する。続いて、前記導電性物質の一部をとり除いて、前記ゲート電極２１８ｂ及び前記ゲートライン２１８ｂ’を形成する。以後、前記ゲート電極２１８ｂ及び前記ゲートライン２１８ｂ’が形成された下部基板２２０の全面に前記ゲート絶縁膜２２６を蒸着する。前記ゲート絶縁膜２２６は透明な絶縁物質を含む。望ましくは、前記ゲート絶縁膜２２６はシリコン窒化膜ＳｉＮｘを含む。
【００２６】
図７及び図１１に示すように、アモルファスシリコン及びＮ+アモルファスシリコンを蒸着しエッチングして、前記ゲート電極２１８ｂに対応する前記ゲート絶縁膜２２６上に前記半導体層を形成する。続いて、前記半導体層が形成された前記ゲート絶縁膜２２６上に導電性物質を蒸着する。その後に、前記導電性物質の一部をエッチングして、前記ソース電極２１８ａ、前記ソースライン２１８ａ’、前記ドレイン電極２１８ｃ及び前記信号接続部２３０ａを形成する。従って、前記ソース電極２１８ａ、前記ゲート電極２１８ｂ、前記ドレイン電極２１８ｃ及び前記半導体層を含む前記薄膜トランジスタ２１９が形成される。
前記信号接続部２３０ａは、前記ドレイン電極２１８ｃに接続され前記透過領域２５０と前記反射領域２６０との境界のうち、前記ドレイン電極２１８ｃに隣接した下側の辺に形成される。前記信号接続部２３０ａの形状は、前記ゲートライン２１８ｂ’に平行する方向に延長された長方形の形状を有する。
【００２７】
望ましくは、前記信号接続部２３０ａは、前記ドレイン素子２１８ｃと一体に形成される。この時、前記信号接続部２３０ａは、前記ドレイン素子２１８ｃと別途の工程で形成されることもできる。
図１２に示すように、前記薄膜トランジスタ２１９が形成された前記下部基板２２０上に透明な絶縁物質を蒸着して、パッシベーション膜を形成する。望ましくは、前記透明な絶縁物質はシリコン窒化物ＳｉＮｘを含む。その後に、前記パシベーション膜の前記信号接続部２３０ａに対応する部分をとり除いて、前記信号接続部２３０ａを露出する開口部を有するパシベーション膜２１６を形成する。この時、前記有機膜２１４を形成した後に前記開口部を形成することもできる。
図１３に示すように、前記パシベーション膜２１６上に有機物質を塗布して有機膜を形成する。望ましくは、前記有機物質はフォトレジスト成分を含む。
【００２８】
前記有機膜を露光及び現像して、前記信号接続部２３０ａ及び前記透過領域２５０を露出する前記透過窓２２９及び上部表面に前記凹部と前記凸部を有する有機膜２１４を形成する。前記露光及び現象工程は、一つのマスクを利用した一度の工程または複数のマスクを有する複数回の工程を含む。前記一つのマスクを利用した一度の工程を通じて前記透過窓２２９及び前記凹部と凸部を形成する場合、前記一つのマスクはスリットや半透明した部分を有する。この時、前記スリットや半透明した部分は、前記凹部と凸部に対応し前記信号接続部２３０ａ及び前記透過領域２５０は透明な部分に対応する。
前記有機膜２１４の厚さによって、前記透過領域２５０及び前記反射領域２６０のセルギャップを調節する。望ましくは、前記有機膜２１４の厚さは、前記透過領域２５０のセルギャップの半分から前記反射電極２１３の厚さを引いた厚さと同一である。
【００２９】
図１４に示すように、前記有機膜２１４及び前記パッシベーション膜２１６上に透明な導電性物質を蒸着する。前記透明な導電性物質はＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺＯなどを含む。望ましくは、前記透明な導電性物質はＩＴＯを含む。続いて、前記透明な導電性物質の一部をエッチングして、透明電極２１２を形成する。前記透明電極２１２は、前記透過領域２５０及び前記信号接続部２３０ａ上に形成される。この時、前記透明な導電性物質の一部が前記有機膜２１４の一部上に残留することもできる。
【００３０】
図１５に示すように、前記有機膜２１４及び前記透明電極２１２上に反射率が高い導電体を蒸着する。望ましくは、前記反射率の高い導電体は、アルミニウムＡｌ及びネオジムＮｄを含む。続いて、前記反射率が高い導電体の一部をエッチングして、前記反射領域２６０内に前記反射電極２１３を形成する。
この時、前記反射電極２１３は多層構造を有することができる。前記反射電極が多層構造を有する場合、望ましくは、前記反射電極２１３はモリブデン（Ｍｏ）−タングステン（Ｗ）合金層及び前記モリブデン（Ｍｏ）−タングステン（Ｗ）合金層上に形成されたアルミニウム（Ａｌ）−ネオジム（Ｎｄ）合金層を含む。前記反射電極２１３は、前記透明電極２１２及び前記信号接続部２３０ａを通じて、前記ドレイン電極２１８ｃに電気的に接続される。
この時、前記反射電極２１３を先に形成した後、前記透明電極２１２を形成して前記反射電極２１３を前記透明電極２１２の下部に配置することもできる。前記反射電極２１３が前記透明電極２１２の下部に配置される場合、前記反射電極２１３の付着力を増加させることもできる。
このようにして、前記下部基板２２０、前記スイッチング素子２１９、前記ソースライン２１８ａ’、前記ゲートライン２１８ｂ’、前記有機膜２１４、前記透明電極２１２及び前記反射電極２１３を含む前記第２基板２８０が形成される。
【００３１】
図１４に示すように、前記上部基板２００上に不透明な物質を蒸着する。続いて、前記不透明な物質の一部をとり除いて前記ブラックマトリックス２０２を形成する。
前記ブラックマトリックス２０２が形成された前記上部基板２００上に、カラーフィルタ２０４を形成する。前記カラーフィルタ２０４は特定の波長の光のみを選択的に透過させる。この時、前記カラーフィルタ２０４を前記上部基板２００ではなく、前記下部基板２２０上に形成することもできる。前記カラーフィルタ２０４が前記下部基板２２０上に形成される場合、前記カラーフィルタは前記有機膜を形成する前に形成することが望ましい。
続いて、前記カラーフィルタ２０４及び前記ブラックマトリックス２０２が形成された上部基板２００上に透明な導電性物質を蒸着して、共通電極２０６を形成する。前記透明な導電性物質はＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺＯなどを含む。
【００３２】
続いて、前記共通電極２０６上に有機物を塗布する。望ましくは、前記有機物はフォトレジスト成分を含む。その後に、前記有機物を露光及び現像して、前記ブラックマトリックス２０２に対応する前記共通電極２０６の一部上にスペーサ２１０を形成する。この時、前記共通電極２０６上にスペーサ２１０を形成しないで、前記ボールスペーサを配置することもできる。
このようにして、前記上部基板２００、前記ブラックマトリックス２０２、前記カラーフィルタ２０４、前記共通電極２０６及び前記スペーサ２１０を含む前記第１基板２７０が形成される。
【００３３】
図１７に示すように、続いて前記第１基板２７０及び前記第２基板２８０に対向して結合する。
図１８に示すように、前記第１基板２７０と前記第２基板２８０との間に液晶層２０８を注入した後、シール（図示せず）によって密封する。この時、前記シール（図示せず）が形成された前記第１基板２７０または前記第２基板２８０上に液晶を積荷した後、前記第１基板２７０及び前記第２基板２８０を対向し結合して前記液晶層２０８を形成することもできる。
従って、ラビング方向が前記ソースライン２１８ａ’と同一の場合、前記ゲートライン２１８ｂ’方向に延長された前記長方形模様を有する信号接続部を利用して前記液晶表示装置で光漏れ現象及び残像現象が減少される。
【００３４】
実施形態２
図１９は、本発明の第２実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。本実施形態で信号接続部及びラビング方向を除いた残りの構成要素は実施例１と同一であるので、重複された部分については詳細な説明を省略する。
薄膜トランジスタ２１９は、ソース電極２１８ａ、ゲート電極２１８ｂ、ドレイン電極２１８ｃ及び半導体層パターンを含む。
前記信号接続部２３０ｂは、前記ドレイン電極２１８ｃに接続され、前記ドレイン電極２１８ｃと透明電極２１２を電気的に接続させる。前記信号接続部２３０ｂは、透過領域２５０と反射領域２６０との境界のうち、前記透過領域２５０の右側の下のコーナー、即ち、前記ドレイン電極２１８ｃの前記ゲート電極２１８ｂに隣接する部分の対角線の向かい側で突き出された直角三角形形状を有する。
液晶を配向するために、第１基板２７０及び第２基板２８０の表面に配向膜（図示せず）を配置し、一定の方向にラビングする。前記ラビングによって液晶が一定の方向に配向される。ラビング方向は、透過窓２２９を基準にして右側の下から左側の上方に向かう方向、即ち、前記信号接続部２３０ｂが配置された部分を通る対角線方向である。
【００３５】
この時、前記透過領域２５０と前記反射領域２６０との間の段差によって前記透過領域２５０と前記反射領域２６０との境界にはラビングがうまくできないことから、前記境界では光漏れ現象、残像現象などが発生し得る。前記光漏れ現象、残像現象などは、前記ラピング方向に対応する。従って、光を通過させない前記信号接続部２３０ｂを前記ラビング方向に対応する前記境界に配置して、前記光漏れ現象、残像現象などを減少させる。
従って、ラビング方向が透過窓２２９を基準にして右側の下方から左側の上方に向かう方向の場合、前記透過窓２２９の右側の下方の角で突出された直角三角形形状を有する信号接続部を利用して前記液晶表示装置で光漏れ現象及び残像現象が減少される。
【００３６】
実施形態３
図２０は、本発明の第３実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。本実施形態で信号接続部及びラビング方向を除いた残りの構成要素は実施形態１と同一であるので、重複された部分については詳細な説明を省略する。
薄膜トランジスタ２１９は、ソース電極２１８ａ、ゲート電極２１８ｂ、ドレイン電極２１８ｃ、半導体層パターン及び信号接続部２３０ｃを含む。
前記信号接続部２３０ｃは、前記ドレイン電極２１８ｃに接続され、前記ドレイン電極２１８ｃと透明電極２１２を電気的に接続させる。前記信号接続部２３０ｃは、透過領域２５０と反射領域２６０との境界のうち、前記透過領域２５０の右側の下のコーナー、即ち、前記ドレイン電極２１８ｃの前記ゲート電極２１８ｂに対応する部分の対角線の向かい側で、前記境界に沿って折曲された形状を有する。
【００３７】
第１基板２７０及び第２基板２８０の表面がラビングされて、液晶が一定の方向に配向される。望ましくは、前記ラピング方向は透過窓２２９を基準にして右側の下方から左側の上方に向かう方向、即ち、前記透過窓２２９を基準にして前記信号接続部２３０ｃが配置された部分を通る対角線方向である。この時、前記透過領域２５０と前記反射領域２６０との間の段差によって前記透過領域２５０と前記反射領域２６０との境界にはラビングがうまくできないので、前記境界では光漏れ現象、残像現象などが発生することがあり、前記光漏れ現象、残像現象などは前記ラビング方向に対応する。従って、光を通過させない前記信号接続部２３０ｃを前記ラビング方向に対応する前記境界に配置して、前記光漏れ現象、残像現象などを減少させる。
【００３８】
従って、ラビング方向が前記透過窓２２９を基準にして右側の下方のから左側の上方に向かう場合、前記透過窓２２９の下側の角に隣接して前記境界に沿って折曲された形状を有する信号接続部を利用して前記液晶表示装置で光漏れ現象及び残像現象が減少される。
【００３９】
実施形態４
図２１は、本発明の第４実施形態による液晶表示装置を示す断面図である。本実施形態で透明電極の一部が有機膜の下部に配置されることを除いた残りの構成要素は実施形態１と同一であるので、重複された部分については詳細な説明を省略する。
図２１及び図２２に示すように、前記液晶表示装置は第１基板３７０、第２基板３８０及び液晶層３０８を含む。前記第１基板３７０は、上部基板３００、ブラックマトリックス３０２、カラーフィルタ３０４、共通電極３０６及びスペーサ３１０を含む。前記第２基板３８０は、下部基板３２０、薄膜トランジスタ３１９、ゲート絶縁膜３２６、パシベーション膜３１６、有機膜３１４、透明電極３１２及び反射電極３１３を含む。前記第２基板３８０は、透過領域３５０及び反射領域３６０を含む。
前記薄膜トランジスタ３１９は、前記下部基板３２０の前記反射領域３６０に形成されソース電極３１８ａ、ゲート電極３１８ｂ、ドレイン電極３１８ｃ及び半導体層パターンを含む。
【００４０】
前記信号接続部３３０は、前記透過領域３５０と前記反射領域３６０との境界のうち、前記ドレイン電極３１８ｃに隣接した辺に配置され、前記ゲートライン３１８ｂ’の方向に延長された長方形形状を有する。
前記パッシベーション膜３１６は、前記薄膜トランジスタ３１９が形成された前記下部基板３２０上の全面に配置され、前記信号接続部３３０を露出する開口部を含む。
前記透明電極３１２は、前記パッシベーション膜３１６及び前記信号接続部３３０を露出する開口部の内面上に形成されて、前記信号接続部３３０と電気的に接続される。この時、前記透明電極３１２の一部が前記反射領域３６０内に配置されてもよい。前記透明電極３１２は、前記共通電極３０６との間に印加された電圧によって前記液晶層３０８内の液晶を制御して、光の透過を調節する。
【００４１】
前記有機膜３１４は、前記反射領域３６０内の前記パッシベーション膜３１６及び前記透明電極３１２の一部上に配置され、前記薄膜トランジスタを前記反射電極３１３と絶縁する。前記有機膜３１４によって前記液晶層３０８の厚さが調節されて、前記反射領域３６０及び前記透過領域３５０で互いに異なるセルギャップを有する液晶層３０８が形成される。前記有機膜３１４は、前記薄膜トランジスタ３１９、前記ソースライン３１８ａ’、前記ゲートライン３１８ｂ’などが配置されて互いに異なる高さを有する前記下部基板３２０の表面を平坦化する役割もする。
前記有機膜３１４の上部表面は、凹部及び凸部を有する。前記凹部及び凸部は、前記反射電極３１３の反射効率を増加させる。この時、前記有機膜３１４の上部表面は、凹部及び凸部がない平坦な面であってもよい。
前記反射電極３１３は、前記有機膜３１４または前記透明電極３１２上の前記信号接続部３３０に対応する部分に配置されて、外部光を反射させる。前記反射電極３１３は、前記有機膜３１４の上部表面上に形成された凹部及び凸部の形状に沿って配置されて、外部光を一定の方向に反射させる。前記反射電極３１３は、導電性物質を含んで前記透明電極３１２及び前記信号接続部３３０を通じて、前記ドレイン電極３１８ｃと電気的に接続される。
前記第１基板３７０及び前記第２基板３８０の表面はラビングされて、前記液晶を一定の方向に配向する。前記ラビング方向は前記ソースライン３１８ａ’の延長方向と同一である。
【００４２】
図２３〜図２５は本発明の第４実施形態による液晶表示装置の製造過程を示す平面図であり、図２６〜図３２は本発明の第４実施形態による液晶表示装置の製造過程を示す断面図である。
図２３及び図２６に示すように、まず、前記下部基板３２０にバックライトアセンブリ（図示せず）から発生された光を透過させる前記透過領域３５０及び外部光を反射させる前記反射領域３６０を画定する。
図２４及び図２７に示すように、前記下部基板３２０上に前記薄膜トランジスタ３１９を形成する。続いて、前記薄膜トランジスタ３１９が形成された前記第１基板３２０上に、前記信号接続部３３０を露出する開口部を有するパッシベーション膜３１６を形成する。
【００４３】
図２８に示すように、前記パッシベーション膜３１６上に透明な導電性物質を蒸着する。前記透明な導電性物質はインジウム錫酸化物ＩＴＯを含む。続いて、前記透明な導電性物質の一部をエッチングして、前記透明電極３１２を形成する。前記透明電極３１２は、前記透過領域３５０及び前記信号接続部３３０ａ上に形成される。この時、前記透明な導電性物質の一部が前記反射領域３６０上の前記パッシベーション膜３１６の一部上に残留してもよい。
図２９に示すように、前記パシベーション膜３１６及び前記透明電極３１２上にフォトレジスト成分を含む有機物質を塗布して、有機膜を形成する。前記有機膜を、マスクを利用して露光し現像して、前記信号接続部３３０ａ及び前記透過領域３５０を露出する前記透過窓３２９及び表面に前記凹部と前記凸部を有するように有機膜３１４を形成する。望ましくは、前記マスクは前記凹部と凸部に対応する部分にスリット、半透明した部分または透明な部分を有する。
【００４４】
図３０に示すように、前記有機膜３１４及び前記透明電極３１２上に反射率が高い導電体を蒸着する。望ましくは、前記有機膜３１４及び前記透明電極３１２上に、モリブデン（ＭＯ）−タングステン（Ｗ）合金及びアルミニウム（Ａｌ）−ネオジム（Ｎｄ）合金をこの順序に蒸着する。続いて、前記反射率が高い導電体の一部をエッチングして、前記反射領域３６０内に二重層構造を有する前記反射電極３１３を形成する。前記反射電極３１３は、前記透明電極３１２及び前記信号接続部３３０ａを通じて、前記ドレイン電極３１８ｃに電気的に接続される。
このようにして、前記下部基板３２０、前記スイッチング素子３１９、前記ソースライン３１８ａ’、前記ゲートライン３１８ｂ’、前記有機膜３１４、前記透明電極３１２及び前記反射電極３１３を含む前記第２基板３８０が形成される。
【００４５】
図３１に示すように、前記上部基板３００上に前記ブラックマトリックス３０２、前記カラーフィルタ３０４、前記共通電極３０６及び前記スペーサ３１０を形成して、前記第１基板３７０を形成する。
図３２に示すように、前記第１基板３７０及び前記第２基板３８０に対向して結合し、前記第１基板２７０と前記第２基板２８０との間に液晶層２０８を形成する。この時、前記液晶層３０８を真空注入方式または滴下方式によって形成してもよい。
従って、ラピング方向が前記ソースライン３１８ａ’と同一の場合前記ゲートライン３１８ｂ’方向に延長された前記長方形模様を有する信号接続部を利用して、前記透明電極３１２が前記有機膜３１４の下部に配置された前記液晶表示装置で光漏れ現象及び残像現象が減少される。
【００４６】
実験例１
バイアコンタクトホールを有する液晶表示装置と本発明の実施形態による液晶表示装置との反射率を比べるために二つの種類の試験用液晶表示装置を多数製作して、その反射率を測定した。前記バイアコンタクトホールを有する液晶表示装置及び本発明の第１実施形態による液晶表示装置をそれぞれ奇数番号及び偶数番号で表記する。
前記バイアコンタクトホールを有する液晶表示装置及び前記本発明の第１実施形態による液晶表示装置においてバイアコンタクトホール及び信号接続部の存在を除く他の構造は同一であった。比較実験のために前記バイアコンタクトホールの面積及び前記信号接続部の面積は同一に調整された。
前記バイアコンタクトホールを有する液晶表示装置及び前記本発明の第１実施形態による液晶表示装置の有機膜の上部表面は、反射率を増加させる凹部及び凸部を含む。フォトレジスト成分を有する有機膜を、マスクを利用して露光し現像して前記有機膜の上部表面に前記凹部及び凸部を形成した。この時、前記露光時間を調節して露光量による反射率を測定した。
【００４７】
表１は前記バイアコンタクトホールを有する液晶表示装置を製造するためのセルで前記凹部及び前記凸部を形成する露光時間による反射率を示す。
【表１】
2005148745.tif 000003
表１に示すように、露光量がそれぞれ１０００ｍｓ、１４００ｍｓ、１６００ｍｓ、１８００ｍｓ及び２０００ｍｓである場合に、平均反射率がそれぞれ１０．０％、１９．２％、１８．１％、１４．１％及び１１．１％であった。最適露光量は１４００ｍｓで、前記最適露光量の場合の反射率は１９．２％であった。
【００４８】
表２は前記本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するためのセルで前記凹部及び前記凸部を形成する露光時間による反射率を示す。
【表２】
2005148745.tif 000004
表２に示すように、露光量がそれぞれ１０００ｍｓ、１４００ｍｓ、１６００ｍｓ、１８００ｍｓ及び２０００ｍｓである場合に、平均反射率がそれぞれ４．４％、２１．０％、１９．４％、１２．８％及び１１．９％であった。最適露光量は１４００ｍｓで前記最適露光量の場合の反射率は２１．０％であった。
【００４９】
前記バイアコンタクトホールの面積及び前記信号接続部の面積が等しい場合、前記最適露光量で反射率が１．８％増加し、これは前記バイアコンタクトホールを有する液晶表示装置の最適露光量での反射率である１９．６％を基準にして見ると、反射率が９．３％増加した。
前記バイアコンタクトホールの場合、コンタクトホールの接触特性、有機膜の流動、段差（ｓｔｅｐｗｉｓｅ）などの問題で、前記バイアコンタクトホールの面積が所定の面積以上でなければならない。しかし、前記信号接続部が液晶を駆動させるのに十分な電流が流れることができる場合には、前記信号接続部は前記バイアコンタクトホールの面積より少ない面積であってもよい。
【００５０】
この時、前記信号接続部の面積をさらに広くして、前記透過領域と前記反射領域との境界部で発生する光漏れ及び残像現象を防止することもできる。
前記本発明の実施形態では、前記信号接続部の位置及び形状が前記ラビング方向を考慮して決められたが、当該技術分野の熟練された当業者は前記信号接続部の位置及び形状を前記ラビング方向と無関係に決められるであろう。また、前記ラビング方向も前記ゲートラインに平行する方向、前記透過窓の対角線方向など多様な方向を含むことができる。
以上、本発明の実施形態によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】バイアコンタクトホールを有する液晶表示装置を示す平面図である。
【図２】前記図１のＡ−Ａ’ラインの断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。
【図４】前記図３のＢ−Ｂ’ラインの断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造過程を示す平面図である。
【図６】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造過程を示す平面図である。
【図７】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造過程を示す平面図である。
【図８】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造過程を示す平面図である。
【図９】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造過程を示す断面図である。
【図１０】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造過程を示す断面図である。
【図１１】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造過程を示す断面図である。
【図１２】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造過程を示す断面図である。
【図１３】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造過程を示す断面図である。
【図１４】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造過程を示す断面図である。
【図１５】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造過程を示す断面図である。
【図１６】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造過程を示す断面図である。
【図１７】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造過程を示す断面図である。
【図１８】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造過程を示す断面図である。
【図１９】本発明の第２実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。
【図２０】本発明の第３実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。
【図２１】本発明の第４実施形態による液晶表示装置を示す平面図である。
【図２２】本発明の第４実施形態による液晶表示装置を示す断面図である。
【図２３】本発明の第４実施形態による液晶表示装置の製造過程を示す平面図である。
【図２４】本発明の第４実施形態による液晶表示装置の製造過程を示す平面図である。
【図２５】本発明の第４実施形態による液晶表示装置の製造過程を示す平面図である。
【図２６】本発明の第４実施形態による液晶表示装置の製造過程を示す断面図である。
【図２７】本発明の第４実施形態による液晶表示装置の製造過程を示す断面図である。
【図２８】本発明の第４実施形態による液晶表示装置の製造過程を示す断面図である。
【図２９】本発明の第４実施形態による液晶表示装置の製造過程を示す断面図である。
【図３０】本発明の第４実施形態による液晶表示装置の製造過程を示す断面図である。
【図３１】本発明の第４実施形態による液晶表示装置の製造過程を示す断面図である。
【図３２】本発明の第４実施形態による液晶表示装置の製造過程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１００、２００、３００      上部基板
１０２、２０２、３０２      ブラックマトリック
１０４、２０４、３０４      カラーフィルタ
１０６、２０６、３０６      共通電極
１０８、２０８、３０８      液晶層
１１０、２１０、３１０      スペーサ
１１２、２１２、３１２      透明電極
１１３、２１３、３１３      反射電極
１１４、２１４、３１４      有機膜
１１６、２１６、３１６      パッシベーション膜
１１８ａ’、２１８ａ’、３１８ａ’      ソースライン
１１８ｂ’、２１８ｂ’、３１８ｂ’      ゲートライン
１１８ａ、２１８ａ、３１８ａ        ソース電極
１１８ｂ、２１８ｂ、３１８ｂ      ゲート電極
１１８ｃ、２１８ｃ、３１８ｃ      ドレイン電極
１１９、２１９、３１９      薄膜トレンジスト
１２０、２２０、３２０      下部基板
１２６、２２６、３２６      ゲート絶縁膜
１２８      バイアコンタクトホール
１４０、２４０、３４０      画素領域
１４５、２４５、３４５      周辺領域
１５０、２５０、３５０      透過領域
１６０、２６０、３６０      反射領域
２３０ａ、２３０ｂ、２３０ｃ、３３０      信号接続部
１７０、２７０、３７０      第１基板
１８０、２８０、３８０      第２基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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