(57)【要約】【課題】  表示特性の劣化が低減された有機ＥＬ表示装置を提供すること。【解決手段】  本発明にかかる有機ＥＬ表示装置は基板１１上に配列された複数の陽極配線１と、複数の陽極配線１に対応して設けられた接続端子２６と、接続端子２６の側面を覆うようエッジカバー樹脂２９と、基板１１と対向して設けられた対向基板５１と、接続端子２６の内側に配置されたシール材５３とを備え、接続端子２６が、最上層に下の金属の電食を防ぐバリア層が形成された積層金属膜を有するものである。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に配列された複数の第１配線と、
前記第１配線と交差するよう配列された複数の第２配線と、
前記第１配線と前記第２配線との間に配置された有機層と、
前記複数の第１配線又は前記複数の第２配線に対応して複数設けられ、前記第１配線又は前記第２配線に外部からの信号を供給する接続端子と、
前記接続端子の側面を覆うように設けられた保護膜と、
前記第１の基板の前記有機層が配置されている面に対向して設けられた第２の基板と、
前記有機層を封止するため前記第１の基板と前記第２の基板との間に前記有機層を囲むよう設けられ、前記接続端子の内側に配置されたシール材とを備え、
前記接続端子が、最上層に下部金属よりも酸化電位が高いバリア層が形成された積層金属膜を有する有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記接続端子がＡｌ又はＡｌ合金を有し、
前記バリア層が前記Ａｌ又はＡｌ合金よりも酸化電位が高い請求項１記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記バリア層がＭｏ又はＭｏ合金により形成されている請求項１又は２記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記第１配線がＩＴＯにより形成され、
前記第１配線上に設けられた前記接続端子の最下層がＭｏ又はＭｏ合金により形成されている請求項１、２又は３に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記第１配線と前記第２配線とが交差する位置に開口部を有し、前記第１配線と前記第２配線との間に設けられた絶縁膜をさらに備え、
前記絶縁膜と前記保護膜とが同一の材料により形成されている請求項１から請求項４のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記第２配線をパターニングする隔壁をさらに備え、
前記隔壁と前記保護膜とが同一の材料により形成されている請求項１から請求項５のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記シール材が前記保護膜の内側に形成されている請求項１から請求項６のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記第１配線又は前記第２配線の上に配置され、前記接続端子と同一の材料で形成された補助配線と、
前記補助配線を前記保護膜と同一の材料で被覆する被覆膜とをさらに備える請求項１から請求項６のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記シール材が前記被覆膜と前記保護膜の間に配置されている請求項８記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
前記バリア層の酸化電位が前記下部金属の酸化電位よりも１Ｖ以上高い請求項１から請求項９のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１１】
第１の基板上に配列された複数の第１配線と、
前記第１配線と交差するよう配列された複数の第２配線と、
前記第１配線と前記第２配線との間に設けられた有機層とを備える有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
第１の基板上に導電性材料を成膜するステップと、
前記導電性材料をパターニングして、前記複数の第２配線と対応して接続される複数の補助配線又は前記複数の第１配線を形成するステップと、
前記第１配線又は前記補助配線の上に最上層が下部金属よりも酸化電位が高いバリア層となる積層金属膜を成膜するステップと、
前記積層金属膜をパターニングして、外部からの信号を前記複数の第１配線又は前記複数の補助配線に対応付けて供給する複数の接続端子を形成するステップと、
前記接続端子の側面を覆う保護膜を設けるステップと、
前記第１配線上に前記有機層を形成するステップと、
前記第１配線上に形成された前記有機層の上に第２配線を形成するステップと、
前記第１の基板の前記有機層が形成された面に第２の基板を対向配置するステップと、
前記第１の基板と前記第２の基板の間に設けられたシール材であって、前記接続端子の内側に配置されたシール材を介して前記第１の基板と前記第２の基板を貼り合わせるステップとを備える有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１２】
第１の基板上に配列された複数の第１配線と、
前記第１配線と交差するよう配列された複数の第２配線と、
前記第１配線と前記第２配線との間に設けられた有機層とを備える有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
第１の基板上に導電性材料を成膜するステップと、
前記導電性材料の上に最上層が下部金属よりも酸化電位が高いバリア層となる積層金属膜を成膜するステップと、
前記積層金属膜をパターニングして、外部からの信号を前記複数の第１配線又は前記複数の第２配線に対応付けて供給する複数の接続端子を形成するステップと、
前記導電性材料をパターニングして、前記複数の接続端子と前記複数の第２配線とを接続する複数の補助配線又は前記複数の第１配線を形成するステップと、
前記接続端子の側面を覆う保護膜を設けるステップと、
前記第１配線上に前記有機層を形成するステップと、
前記第１配線上に形成された前記有機層の上に前記第２配線を形成するステップと、
前記第１の基板の前記有機層が形成された面に第２の基板を対向配置するステップと、
前記第１の基板と前記第２の基板の間に設けられたシール材であって、前記接続端子の内側に配置されたシール材を介して前記第１の基板と前記第２の基板を貼り合わせるステップとを備える有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記保護膜を形成するステップにおいて、
前記第１配線と前記第２配線と交差する位置に開口部を有する絶縁膜が前記第１配線と前記第２配線との間に形成される請求項１１又は１２に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記保護膜を形成するステップにおいて、
前記第２配線をパターニングする隔壁が形成される請求項１１又は１２に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記バリア層の酸化電位が前記下部金属の酸化電位よりも１Ｖ以上高い請求項１１から請求項１４のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機ＥＬ表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の情報通信分野における急速な技術開発の進展に伴い、ＣＲＴに代わるフラットディスプレイに大きな期待が寄せられている。なかでも有機ＥＬディスプレイは、高速応答性、視認性、輝度などの点に優れるため盛んに研究が行われている。
【０００３】
１９８７年に米国コダック社のＴａｎｇらによって発表された有機ＥＬ素子は、有機薄膜の２層積層構造を有し、発光層にトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（以下「Ａｌｑ」と略称する）を使用し、１０Ｖ以下の低電圧駆動で緑色の発光を生じ、１０００ｃｄ／ｍ2と高輝度が得られた。発光効率は１．５ルーメン／Ｗであった（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５１，９１３（１９８７））。
【０００４】
以降、急速に実用化に向けた研究が進められ、正孔注入電極と電子注入電極に挟まれた有機層が１層〜１０層程度の様々な積層型の有機ＥＬ素子が開発されてきている。
【０００５】
有機ＥＬ材料に関しても、多岐に渡る低分子化合物を真空蒸着法等により薄膜形成する方法のみならず、高分子系化合物をスピンコート法、インクジェット、ダイコート、フレキソ印刷といった方法で薄膜形成して有機ＥＬ素子を作成する方法が提案されている。
【０００６】
なお、特許庁のホームページに、「技術分野別特許マップ作成委員会」によって作成された有機ＥＬ素子に関する技術情報が掲載されており、いわゆる基本特許や、さまざまな材料、製法、デバイス構造、駆動方法、カラー化技術、耐久性向上、用途などに関し、特許出願公開や登録特許などを引用し統括的に報告が行なわれている。
【０００７】
有機ＥＬディスプレイに用いられる有機ＥＬ素子基板は、基板上に陽極が形成され、陽極の上に薄膜状の有機化合物が積層され、その有機化合物の層の上に、基板上に形成された透明な陽極と対向するように陰極が形成された構造である。有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に配置された有機化合物の層に電流が供給されると自発光する電流駆動型の表示素子である。以下、積層される有機化合物の薄膜を有機薄膜層と記す。陽極、複数の有機薄膜層および陰極を重ねて配置した個所が表示画素となる。そして、透明な陽極から光を取り出し、所望の画像を表示させる。
【０００８】
ところで、有機ＥＬ表示装置は電流駆動素子を使用しており、パッシブ駆動型有機ＥＬ表示装置では、各行が選択された時間内で瞬間発光する必要がある。その結果液晶デバイス等の電圧駆動型表示素子を使用する場合と比較して大電流が電極に流れ込むことになる。
【０００９】
従って、陰極配線及び陽極配線を低抵抗にすることが重要となる。パネルの大型化、高精細化、高輝度化が進むとこれらの配線の更なる低抵抗化が必要となってくると同時に、これらの配線と接続される補助配線との間のコンタクトや駆動回路接続端子と補助配線との低抵抗化が課題となって来ている。これに関し、有機ＥＬ表示装置の陰極配線と接続される陰極補助配線について、開示された先行技術がある（例えば、特許文献１）。
【００１０】
この先行技術では、駆動回路接続端子に透明電極材料を用い、かつ、陰極材料と陰極補助配線材料とを同一とする。この場合、陰極材料と陰極補助配線材料との接続前に陰極表面や陰極補助配線表面が酸化されなければ、陰極と陰極補助配線とのコンタクト抵抗の問題は解消する可能性が大きくなる。
【００１１】
また、製造時のベークによる金属電極の接触抵抗の増加を解消しようとする有機エレクトロルミネセンス表示素子が開示されている（例えば、特許文献２）。そのため、透明基板に設けられた引出し電極の表層にバリア層を形成し、その引出し電極は有機発光層を介して透明基板の上に積層された金属電極にバリア層を介して接触させる。
【００１２】
引出し電極は、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ａｇ−Ｍｎ、Ｚｎ等の金属質導電材料で形成される。バリア層は耐熱変質性の良好な高融点金属、貴金属、酸化物、窒化物又は酸窒化物で形成される。
【００１３】
よって、層間絶縁膜形成時等の際に加熱を行っても、引出し電極と金属電極との接触抵抗が低く維持され、低電圧で駆動できると説明している。また、密着性改善層を介して引出し電極を形成するとき、透明基板に対する引出し電極の密着性が向上し、引出し電極と金属電極と良好な導通状態が維持される。
【００１４】
一方、陽極配線は通常、透明導電膜で形成されるためＩＴＯ（Indium  Tin  Oxides）等の金属酸化膜が用いられる。このような金属酸化膜は一般的に金属と比べて比抵抗が高いため、配線抵抗の低抵抗化が困難である。従って、表示領域外に金属材料からなる陽極補助配線を設けて低抵抗化を図ることが可能である。さらに、金属材料からなる接続端子を介して陽極配線に信号を供給することによって、外部配線とのコンタクト抵抗を低減することができる。
【００１５】
金属材料からなる接続端子を設けた有機ＥＬ表示装置の構成について図８を用いて説明する。図８は有機ＥＬ表示装置に用いられる有機ＥＬ素子基板１００の構成を示す上面図である。
【００１６】
基板１１の上には透明導電膜により複数の陽極配線１が平行に配列されている。この陽極配線１の基板端側にはそれぞれの陽極配線１に対応して複数の接続端子２６が形成される。接続端子２６は陽極配線１の上に重ねられるようにパターニングされる。これにより、陽極配線１と接続端子２６が接続される。接続端子２６は金属材料により形成されるためコンタクト抵抗を低減することができる。
【００１７】
接続端子２６には比抵抗の低いＡｌ又はＡｌ合金が主に用いられる。さらにその上層及び下層にはバリア層として、例えば、高融点金属膜が用いられる。Ａｌの下層の高融点金属膜は透明導電膜とのコンタクト抵抗を良好にするため形成される。Ａｌの上層の高融点金属膜は、後の工程においてＡｌが酸化等により変質して、コンタクト抵抗が劣化するのを防ぐために形成される。
【００１８】
この上から画素電極に対応する開口部２３を有する絶縁膜２２を形成する。絶縁膜２２には、例えば、感光性のポリイミド樹脂が用いられる。この開口部２３を形成する工程では、陰極補助配線２５と陰極配線５を接続するためのコンタクトホール２５が形成される。そして、陰極配線５を分離するため、逆テーパ構造の隔壁１０を形成する。その上から図示しない有機薄膜層を形成し、さらにその上から陰極配線５を形成する。陰極配線５は隔壁１０により分離され、陽極配線１と交差するように形成される。
【００１９】
陽極配線１の端部に設けられた接続端子２６に信号電極ドライバを接続し、同様に陰極補助配線２１の端子部に走査電極ドライバを接続する。具体的には端子部にＡＣＦを介して駆動回路が内蔵されたＴＣＰを圧着する。これにより、陽極配線１及び陰極配線５に電流を供給することができる。陰極配線５と陽極配線１とが交差する位置に設けられた開口部２３において有機薄膜層に電流が流れ発光する。素子基板１００は上述のように形成される。
【００２０】
そして、捕水材が配設された対向基板（図示せず）にシール材を塗布して素子基板１００と対向配置させる。シール材は素子基板１００側においてシールパターン５０に配置されるよう対向基板にディスペンサを用いて塗布される。基板の裏面側からシール材に光を照射して、シール材を硬化させ、素子基板１００と対向基板を貼り合わせる。
【００２１】
接続端子２６は封止された空間の外側に配設されることになる。このような、接続端子２６が高温、高湿度環境に配置された場合、以下に示す問題点があった。
【００２２】
単純マトリクス型の表示装置については、陰極側は選択されたときにグランド電位になり、非選択時には、高電圧に固定される、このときの電圧は、例えば１０〜２０Ｖ程度である。一方陽極側は、そのラインが点灯状態であれば、所定の電流を流すのに必要な電圧が印加されることとなり、通常は、陰極の非選択電位と同等になるので１０〜２０Ｖ程度である。非点灯状態であれば、グランド電位に固定される。従って、ストライプパターンを表示した場合には、隣接する陽極間電圧は２０Ｖに及ぶことがあり、これは、液晶表示装置で印加される電圧よりも大きい。
【００２３】
このように隣り合う陽極配線間に高電圧が印加されると接続端子２６のＡｌが電食してしまうということがあった。すなわち、接続端子２６に電気化学的な腐食現象が発生し、Ａｌの露出している部分が酸化されてしまうことがあった。特に高精細化のため陽極配線のピッチが狭くなると、隣り合う陽極配線間において電界強度がさらに高くなってしまう。このため、Ａｌの電食がより発生しやすくなる。Ａｌが電食により酸化された場合、コンタクト抵抗が劣化してしまうという問題点があった。
【００２４】
接続端子２６はシール材により封止された空間の外側に配置される。従って、特に高温、高湿度環境下で有機ＥＬ表示装置を使用する場合、徐々にＡｌの電食が進行してしまう。電食に起因するコンタクト抵抗の劣化により、有機ＥＬ表示装置の表示特性が劣化する。また、接続端子２６をＡＣＦと接続した後、電食を防ぐために接続部を樹脂で覆うようにした場合でも、樹脂に水分等が含まれていることがあるため、電食が発生してしまう。
【特許文献１】特開平１１−３１７２９２号公報
【特許文献２】特開２００１−３５１７７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２５】
このように従来の有機ＥＬ表示装置では、接続端子に金属を用いた場合、接続端子を構成する金属の電食に起因して表示特性が劣化するという問題点があった。
【００２６】
本発明は上述の問題点に鑑みてなされたものであって、表示特性の劣化が低減された有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
本発明の第１の態様にかかる有機ＥＬ表示装置は、第１の基板（例えば、本実施の形態における基板１１）上に配列された複数の第１配線（例えば、本実施の形態における陽極配線１）と、前記第１配線と交差するよう配列された複数の第２配線（例えば、本実施の形態における陰極配線５）と、前記第１配線と前記第２配線との間に配置された有機層（例えば、本実施の形態における有機薄膜層）と、前記複数の第１配線又は前記複数の第２配線に対応して複数設けられ、前記第１配線又は前記第２配線に外部からの信号を供給する接続端子（例えば、本実施の形態における接続端子２６）と、前記接続端子の側面を覆うように設けられた保護膜（例えば、本実施の形態におけるエッジカバー樹脂２９）と、前記第１の基板の前記有機層が配置されている面に対向して設けられた第２の基板（例えば、本実施の形態における対向基板５１）と、前記有機層を封止するため前記第１の基板と前記第２の基板との間に前記有機層を囲むよう設けられ、前記接続端子の内側に配置されたシール材（例えば、本実施の形態におけるシール材５３）とを備え、前記接続端子が、最上層に下部金属よりも酸化電位が高いバリア層が形成された積層金属膜を有するものである。これにより、表示特性の劣化を低減することができる。
【００２８】
本発明の第２の態様にかかる有機ＥＬ表示装置は、上述の有機ＥＬ表示装置において、前記接続端子がＡｌ又はＡｌ合金を有し、前記バリア層は前記Ａｌ又はＡｌ合金よりも酸化電位が高いものである。これにより、良好なコンタクト抵抗を得ることができ、表示特性の劣化を低減することができる。
【００２９】
本発明の第３の態様にかかる有機ＥＬ表示装置は、上述の有機ＥＬ表示装置において、前記バリア層がＭｏ又はＭｏ合金により形成されているものである。これにより、良好なコンタクト抵抗を得ることができ、表示特性の劣化を低減することができる。
【００３０】
本発明の第４の態様にかかる有機ＥＬ表示装置は、上述の有機ＥＬ表示装置において、前記第１配線がＩＴＯにより形成され、前記第１配線上に設けられた前記接続端子の最下層がＭｏ又はＭｏ合金により形成されているものである。これにより、良好なコンタクト抵抗を得ることができ、表示特性の劣化を低減することができる。
【００３１】
本発明の第５の態様にかかる有機ＥＬ表示装置は、上述の有機ＥＬ表示装置において、前記第１配線と前記第２配線とが交差する位置に開口部（例えば、本実施の形態における開口部２３）を有し、前記第１配線と前記第２配線との間に設けられた絶縁膜（例えば、本実施の形態における絶縁膜２２）をさらに備え、前記絶縁膜と前記保護膜とが同一の材料により形成されているものである。これにより、簡易な製造工程で表示特性の劣化を低減することができる。
【００３２】
本発明の第６の態様にかかる有機ＥＬ表示装置は、上述の有機ＥＬ表示装置において、前記第２配線をパターニングする隔壁（例えば、本実施の形態における隔壁１０）をさらに備え、前記隔壁と前記保護膜とが同一の材料により形成されているものである。これにより、簡易な製造工程で表示特性の劣化を低減することができる。
【００３３】
本発明の第７の態様にかかる有機ＥＬ表示装置は、上述の有機ＥＬ表示装置において、前記シール材が前記保護膜の内側に形成されているものである。これにより、有機層が封止された空間に侵入する水分等を低減することができる。
【００３４】
本発明の第８の態様にかかる有機ＥＬ表示装置は、上述の有機ＥＬ表示装置において、前記第１配線上に設けられ、前記接続端子と同一の材料で形成された補助配線と、前記補助配線（例えば、本実施の形態における陽極補助配線３０）を前記保護膜と同一の材料で被覆する被覆膜（例えば、本実施の形態における被覆膜３１）とをさらに備えるものである。これにより、良好なコンタクト抵抗を得ることができ、表示特性の劣化を低減することができる。
【００３５】
本発明の第９の態様にかかる有機ＥＬ表示装置は、上述の有機ＥＬ表示装置において、前記シール材が前記被覆膜と前記保護膜との間に配置されているものである。これにより、有機層が封止された空間に侵入する水分等を低減することができる。
【００３６】
本発明の第１０の態様にかかる有機ＥＬ表示装置は、上述の有機ＥＬ表示装置において、前記バリア層の酸化電位が前記下部金属の酸化電位よりも１Ｖ以上高いものである。
【００３７】
本発明の第１１の態様にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法は、第１の基板上に配列された複数の第１配線と、前記第１配線と交差するよう配列された複数の第２配線と、前記第１配線と前記第２配線との間に設けられた有機層とを備える有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、第１の基板上に導電性材料を成膜するステップ（例えば、本発明の実施の形態におけるステップＳ１０１）と、前記導電性材料をパターニングして、前記複数の第２配線と対応して接続される複数の補助配線又は前記複数の第１配線を形成するステップ（例えば、本発明の実施の形態におけるＳ１０２）と、前記第１配線又は前記補助配線の上に最上層が下部金属よりも酸化電位が高いバリア層となる積層金属膜を成膜するステップ（例えば、本発明の実施の形態におけるステップＳ１０３）と、前記積層金属膜をパターニングして、外部からの信号を前記複数の第１配線又は前記複数の補助配線に対応付けて供給する複数の接続端子を形成するステップ（例えば、本発明の実施の形態におけるＳ１０４）と、前記接続端子の側面を覆う保護膜を設けるステップ（例えば、本発明の実施の形態におけるステップＳ１０６）と、前記第１配線上に有機層を形成するステップ（例えば、本発明の実施の形態におけるステップＳ１０８）と、前記第１配線上に形成された有機層の上に前記第２配線を形成するステップ（例えば、本発明の実施の形態におけるステップＳ１０９）と、前記第１の基板の前記有機層が形成された面に第２の基板を対向配置するステップと、前記第１の基板と前記第２の基板の間に設けられたシール材であって、前記接続端子の内側に配置されたシール材を介して前記第１の基板と前記第２の基板を貼り合わせるステップとを備えるものである。これにより、良好なコンタクト抵抗を得ることができ、表示特性の劣化を低減することができる。
【００３８】
本発明の第１２の態様にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法は、第１の基板上に配列された複数の第１配線と、前記第１配線と交差するよう配列された複数の第２配線と、前記第１配線と前記第２配線との間に設けられた有機層とを備える有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、第１の基板上に導電性材料を成膜するステップと、前記導電性材料の上に最上層が下部金属よりも酸化電位が高いバリア層となる積層金属膜を成膜するステップと、前記積層金属膜をパターニングして、外部からの信号を前記複数の第１配線又は前記複数の第２配線に対応付けて供給する複数の接続端子を形成するステップと、前記導電性材料をパターニングして、前記複数の接続端子と前記複数の第２配線とを接続する複数の補助配線又は前記複数の第１配線を形成するステップと、前記接続端子の側面を覆う保護膜を設けるステップと、前記第１配線上に前記有機層を形成するステップと、前記第１配線上に形成された前記有機層の上に前記第２配線を形成するステップと、前記第１の基板の前記有機層が形成された面に第２の基板を対向配置するステップと、前記第１の基板と前記第２の基板の間に設けられたシール材であって、前記接続端子の内側に配置されたシール材を介して前記第１の基板と前記第２の基板を貼り合わせるステップとを備えるものである。これにより、表示特性の劣化を低減することができる。
【００３９】
本発明の第１３の態様にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法は、上述の有機ＥＬ表示装置の製造方法の前記保護膜を形成するステップにおいて、前記第１配線と前記第２配線と交差する位置に開口部を有する絶縁膜が前記第１配線と前記第２配線との間に形成されるものである。これにより、簡易な製造工程で、表示特性の劣化が低減された有機ＥＬ表示装置を製造することができる。
【００４０】
本発明の第１４態様にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法は、上述の有機ＥＬ表示装置の製造方法の前記保護膜を形成するステップにおいて、前記第２配線をパターニングする隔壁が形成されるものである。これにより、簡易な製造工程で、表示特性の劣化が低減された有機ＥＬ表示装置を製造することができる。
【００４１】
本発明の第１５の態様にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法は、上述の有機ＥＬ表示装置の製造方法の前記保護膜を形成するステップにおいて、前記第２配線をパターニングする隔壁が形成されるものである。これにより、簡易な製造工程で、表示特性の劣化が低減された有機ＥＬ表示装置を製造することができる。
【００４２】
本発明の第１０の態様にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法は、上述の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記バリア層の酸化電位が前記下部金属の酸化電位よりも１Ｖ以上高いものである。
【発明の効果】
【００４３】
本発明によればコンタクト抵抗が低減され、表示特性の劣化が低減された有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４４】
以下に、本発明を適用可能な実施の形態が説明される。以下の説明は、本発明の実施形態を説明するものであり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。説明の明確化のため、以下の記載は、適宜、省略及び簡略化がなされている。又、当業者であれば、以下の実施形態の各要素を、本発明の範囲において容易に変更、追加、変換することが可能であろう。尚、各図において同一の符号を付されたものは同様の要素を示しており、適宜、説明が省略される。
発明の実施の形態１．
【００４５】
本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ発光素子が形成されている素子基板について図１を用いて説明する。図１は有機ＥＬ表示装置の素子基板１００の構成を示す平面図である。１は陽極配線、５は陰極配線、１０は隔壁、１１は基板、２１は陰極補助配線、２２は絶縁膜、２３は開口部、２５はコンタクトホール、３５は端子部である。
【００４６】
基板１１上には、基板１１の表面に接するように複数の陽極配線１が形成されている。複数の陽極配線１はそれぞれ平行に配列されている。陽極配線１の端部にはそれぞれの陽極配線１に対応付けられた複数の端子部３５が配列されている。陽極配線１と交差するように陰極配線５が配置され、陰極配線５の端部には陰極補助配線２１が形成されている。陰極補助配線２１は陰極配線５の本数に対応して形成されている。この端子部３５に接続端子が設けられ、外部配線、駆動回路と接続される。
【００４７】
陽極配線１は例えば、ＩＴＯ等などの透明導電膜により形成される。端子部３５は多層構造の金属膜により形成された接続端子（図１では図示せず）を備えている。例えば、下からＭｏ層、Ａｌ層、Ｍｏ層の順番で接続端子となる積層金属膜が構成される。なお、陰極補助配線２１は接続端子と同様に多層構造の金属膜により形成されてもよい。あるいは陰極補助配線２１は陽極配線１と同じ工程により形成されても良い。さらには透明導電膜と積層金属膜とを積層して陰極補助配線２１を形成しても良い。これらの配線が形成された基板上には、絶縁膜２２が形成される。絶縁膜２２の膜厚は、例えば、０．７μｍである。絶縁膜２２には、陽極配線１と陰極配線５とが交差する位置（すなわち表示画素となる位置）に開口部２３が設けられている。
【００４８】
表示領域の外側には陰極補助配線２１と陰極配線５とを接続するため、絶縁膜２２にコンタクトホール２５が形成されている。このコンタクトホール２５において、陰極配線５と陰極補助配線２１とが接続される。陰極補助配線２１の端部には端子部（図示せず）が設けられており、外部配線、駆動回路と接続される。これにより、開口部２３において陽極配線１と陰極配線５に挟まれる有機薄膜層に電流を流すことができ、有機薄膜層が発光する。この開口部２３が設けられている領域が表示領域となり、所望の画像を表示することができる。
【００４９】
絶縁膜２２の上層には、複数の有機薄膜層（有機化合物層）、陰極配線５が順に積層される。従って、有機薄膜層は陰極配線５と陽極配線１に挟まれる構成となる。ただし、図１では有機薄膜層の図示を省略している。また、有機薄膜層を形成する前に、隣接する陰極配線同士を区分する分離構造体（以下、隔壁１０と記す。）が設けられる。隔壁１０は、陰極配線５を蒸着等により形成する前に、所望のパターンに形成される。例えば、図１に示すように、陽極配線１と直交する複数の陰極配線５を形成するため、陽極配線１と直交する複数の隔壁１０が陽極配線１の上に形成される。
【００５０】
隔壁１０は、逆テーパ構造を有していることが好ましい。すなわち、基板１１から離れるにつれて断面が広がるように形成されることが好ましい。これにより、隔壁１０の側壁及び立ち上がり部分が蒸着の陰となり、陰極配線５を分離配置することができる。隔壁１０は例えば、高さが３．４μｍで、幅が１０μｍで形成することができる。
【００５１】
隔壁１０が形成された後、有機薄膜層が蒸着法あるいは塗布法等により形成される。さらに有機薄膜層の上から金属を蒸着する。蒸着された金属膜は逆テーパ構造の隔壁１０により分断され、複数の陰極配線５が形成される。陰極配線５は隔壁１０に沿うようにパターニングされ、陰極配線５は隔壁１０と平行に配置される。陰極配線５となる金属膜は隔壁１０の外側には形成されないようマスクを用いて蒸着される。有機ＥＬ素子基板は上述のような構成を備えている。
【００５２】
端子部３５には外部配線と接続する接続端子が設けられている。例えば、陽極配線１の基板端側に設けられた端子部３５に異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）を貼付け、駆動回路が設けられたＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）を接続する。これにより、それぞれの陽極配線１に駆動電圧を供給することができる。また、陰極補助配線２１の一部が外部配線と接続する端子部となり、ＡＣＦを介してＴＣＰと接続される。
【００５３】
この素子基板１００に有機薄膜層を封止するための対向基板を貼り合わせる。具体的には捕水材を有する対向基板にシール材を塗布する。素子基板側においてシール材がシールパターン５０に配置されるよう、対向基板にシール材がディスペンサにより塗布される。素子基板１００と対向基板を対向配置して貼り合わせることにより、有機薄膜層が諷刺され、有機ＥＬ表示装置が完成する。端子部３５はシールパターン５０の外側に設けられているため、シール材により封止された空間の外側に配置される。
【００５４】
次に端子部３５の周辺の構成について図２及び図３を用いて説明する。図２は端子部３５周辺の構成を拡大して示す上面図である。図３は端子部３５周辺の構成を示す断面図である。２６は接続端子、２９はエッジカバー樹脂、５１は対向基板、５２は捕水材、５３はシール材、６１はＡＣＦ、６２はＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）、６３はＦＰＣ６２に設けられた導電層である。
【００５５】
図２において、下側が表示領域である。図３においては右側が表示領域である。陽極配線１の端部には接続端子２６が形成されている。接続端子２６は陽極配線１の上に陽極配線１とほぼ同じ幅あるいは若干狭い幅で形成される。すなわち、接続端子２６は陽極配線１上に島状に形成される。接続端子２６は例えば、Ｍｏ層、Ａｌ層、Ｍｏ層の３層からなる積層金属膜により形成される。接続端子２６はそれぞれの陽極配線１に対応して形成されている。従って、接続端子２６は陽極配線１と同様に並列に配置されるため、端子間の距離が短くなる。
【００５６】
接続端子２６の外周を覆うようにエッジカバー樹脂２９が形成されている。エッジカバー樹脂２９は絶縁膜２２と同一の工程により形成される。エッジカバー樹脂２９は一部が陽極配線１の上からはみ出し、基板１１上に直接配置される。すなわち、エッジカバー樹脂２９は陽極配線１よりも幅広に形成される。図２に示すように隣り合う陽極配線１に対応するエッジカバー樹脂２９は分離して形成されている。このため、各陽極配線間においてそれぞれの配線に対応するエッジカバー樹脂２９に隙間が生じる。これにより、基板が露出した部分とＡＣＦ５１が接触して、ＡＣＦ６１との密着性を向上することができる。
【００５７】
図３に示すように、基板１１上に設けられた陽極配線１の上には直接、接続端子２６が形成されている。従って、接続端子２６と陽極配線１は電気的に接続されている。この接続端子２６の側面全体を覆うようにエッジカバー樹脂２９が形成されている。エッジカバー樹脂２９は接続端子２６の上面が露出するよう一部が除去されている。エッジカバー樹脂２９が除去され、接続端子２６が露出している部分にＡＣＦ６１を設ける。
【００５８】
ＡＣＦ６１の上は駆動回路（図示せず）を実装したＴＣＰのＦＰＣ６２が取り付けられる。従って、ＦＰＣ６２の下側に設けられている導電層６３と接続端子２６がＡＣＦ６１を介して接続される。これにより、接続端子２６を介して駆動回路からの信号を陽極配線１に供給することができる。接続端子２６は複数の陽極配線１のそれぞれの上に設けられており、それぞれの陽極配線１に対応した信号を供給することができる。
【００５９】
上述の構成により、接続端子２６の中間に配置されたＡｌ層では上面がＡｌ層よりも酸化電位が高く酸化し難いバリア層であるＭｏ層で覆われ、側面がエッジカバー樹脂２９で覆われる。Ａｌ層の下面は下層のＭｏ層により覆われている。これにより、接続端子２６のＡｌ層の全体を覆うことができ、Ａｌ層が露出する部分が無くなる。隣り合う陽極配線１間に直流電圧が印加された場合でも、Ａｌ層の腐食を防ぐことができる。従って、Ａｌ層の腐食に起因するコンタクト抵抗の劣化を防ぐことができ、表示特性の劣化を防止することができる。なお、バリア層の酸化電位は下層の金属の酸化電位よりも１Ｖ以上高いことが望ましい。
【００６０】
さらに、積層金属膜の最上層をＭｏ層とすることで、ＡＣＦ６１とのコンタクト抵抗を低減することができる。また、積層金属膜の最下層をＭｏとすることにより、Ｍｏ層と陽極配線１が接触する構成となる。これにより、ＩＴＯからなる陽極配線１とのコンタクト抵抗を低減することができ、配線抵抗を低減することができる。
【００６１】
図３に示すように接続端子２６及びエッジカバー樹脂２９はシール材５３の外側に配置される。対向基板５１は一部がエッチングにより薄くなっている。この薄くなっている部分が捕水材収納部となる。捕水材収納部に捕水材５２が載置される。捕水材５２を設けた対向基板５１はシール材５３を介して基板１１に貼り付けられる。シール材５３は陽極配線１を横断するよう陽極配線１の上に直接設けられる。これにより、封止された空間に水分等が浸入するのを防ぐことができる。
【００６２】
次に、図４を用いて、本実施例にかかる有機ＥＬディスプレイの製造方法について説明する。図４は、本実施例にかかる有機ＥＬディスプレイの製造方法の一例を示すフローチャートである。
【００６３】
まず、基板１１上に陽極配線１となるＩＴＯ膜を成膜する（ステップＳ１０１）。基板１１として、例えばガラス基板等の透明基板を用いる。ガラス基板としては、たとえばソーダライムガラスを使用することができる。ＩＴＯ膜の厚さは通常５０〜２００ｎｍである。より好ましくは１００〜１５０ｎｍである。典型的には、ＤＣスパッタ法により作製した厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ膜である。ＩＴＯ膜は、一般的には、このほか、真空蒸着法、イオンプレーティング法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ）で作製することができる。この説明ではＩＴＯ膜を使用する。もちろんＩＴＯ以外にもＩＺＯ等の透明な金属酸化物からなる導電膜でもよい。
【００６４】
ＩＴＯはスパッタや蒸着によって、ガラス基板全面に均一性よく成膜することができる。フォトリソグラフィー及びエッチングによりＩＴＯ膜をパターニングして、陽極配線１を形成する（ステップＳ１０２）。レジストとしてはフェノールノボラック樹脂を使用し、露光現像を行う。エッチングはウェットエッチングあるいはドライエッチングのいずれでもよいが、例えば、塩酸及び硝酸の混合水溶液を使用してＩＴＯをパターニングすることができる。レジスト剥離材としては例えば、モノエタノールアミンを使用することができる。
【００６５】
次にＭｏ層、Ａｌ層、Ｍｏ層の積層金属膜をＤＣスパッタ法により成膜する（ステップＳ１０３）。これらは連続して成膜することができる。積層金属膜は、このほか、真空蒸着法、イオンプレーティング法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ）、電解めっき、無電解めっき等のめっき法で作製することができる場合がある。
【００６６】
上層及び下層のＭｏ層の厚さはそれぞれ、通常５０〜２００ｎｍであり、Ａｌ層の厚さは、通常２００〜４００ｎｍである。Ｍｏの代わりにＭｏ合金を用いると耐腐食性が向上する。Ｍｏ合金としては、２成分系のＭｏ−Ｗ、Ｍｏ−Ｎｂ、Ｍｏ−Ｖ、Ｍｏ−Ｔａなどを用いることが好ましい。
【００６７】
Ａｌの代わりにＡｌ合金を用いることもできる。Ａｌ，Ａｌ合金のいずれかよりなる層として純Ａｌを適用する場合には、ヒロックの発生を抑制するため、成膜温度を１００℃以下にすることが好ましい。Ａｌ合金を使用する場合、Ａｌ−Ｎｄを使用するとキュア時に低抵抗化できる点で好ましい。さらに、Ａｌ−Ｓｉ、さらに、３成分系のＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等も適用可能である。ここでは、Ｍｏ、Ａｌ、Ｍｏの３層の組み合わせを使用することとする。
【００６８】
その後、積層金属膜をパターニングする（ステップＳ１０４）。例えば、フォトリソ工程でレジストをパターニングし、積層金属膜をエッチングし、レジストを剥離する。この場合のレジストも、本発明の趣旨に反しない限り、公知のどのようなものを使用してもよい。
【００６９】
エッチングには、たとえば燐酸、酢酸、硝酸の混合水溶液よりなるエッチング液を使用することができる。レジストの剥離についても、本発明の趣旨に反しない限り、公知のどのような剥離剤を使用してもよい。
【００７０】
Ｍｏ層およびＡｌ層はこのエッチング液で一括エッチングが可能である。これにより接続端子２６が形成される。なお、この工程で陰極補助配線２１をパターニングする。なお、この工程だけでなく、ＩＴＯのパターニング工程（Ｓ１０２）で陰極補助配線２１が形成することも可能である。この場合、ＩＴＯからなる陰極補助配線２１が形成される。さらには、この工程（ステップＳ１０４）とＩＴＯのパターニング工程（Ｓ１０２）の両方で陰極補助配線２１を形成することも可能である。この場合、陰極補助配線２１はＩＴＯと積層金属膜の多層構成となる。
【００７１】
なお、上記のＩＴＯ膜の成膜工程（Ｓ１０１）から積層金属膜のパターニング工程（ステップＳ１０４）の代わりに、ＩＴＯ膜と積層金属膜とをスパッタ法で順に成膜し、その後、積層金属膜とＩＴＯ膜とをこの順番でパターニングすることも可能である。すなわち、ＩＴＯ膜の成膜工程（ステップＳ１０１）、積層金属膜の成膜工程（ステップＳ１０３）、積層金属膜のパターニング工程（ステップＳ１０４）、ＩＴＯのパターニング工程（ステップＳ１０２）の順番で陽極配線１及び接続端子２６を形成することも可能である。なお、ＩＴＯの成膜工程（ステップＳ１０１）の前に、基板全面にシリカコート膜を形成しても良い。
【００７２】
次に、陽極配線１、接続端子２６及び陰極補助配線２１を設けた基板１１の面に上から絶縁膜２２を成膜する（ステップＳ１０５）。例えば、感光性のポリイミドの溶液をスピンコーティングにより塗布する。この絶縁膜２２の膜厚は、例えば、０．７μｍになるようにすればよい。この絶縁膜２２をパターニングする（ステップＳ１０６）。例えば、絶縁膜の層をフォトリソグラフィー工程、現像工程でパターニングした後、キュアし、表示画素となる位置の絶縁膜を除去し、開口部２３を設ける。後述するステップＳ１０９で形成される陰極配線５と、陽極配線１との交差部分が表示画素となる位置である。
【００７３】
この工程では接続端子２６の外周に接続端子２６の側面全体を覆うエッジカバー樹脂２９のパターンが形成される。エッジカバー樹脂２９は絶縁膜２２のパターニング工程により形成されるため、エッジカバー樹脂２９は絶縁膜２２と同じ材料により構成される。これにより、製造工程を簡略化することができ、生産性を向上できる。
【００７４】
そして、接続端子２６の表面が露出するようにパターニングされ、接続端子２６の中間層であるＡｌ層では上面がバリア層であるＭｏ層で覆われ、側面がエッジカバー樹脂２９で覆われる。また下層はＭｏ層で覆われる。これにより、接続端子２６のＡｌ層の全体を被覆することができる。隣り合う陽極配線間に高電圧が定常的に印加された場合でも電食によるＡｌの酸化を防ぐことができる。よって、コンタクト抵抗の低減に起因する表示特性の劣化を防ぐことができる。この構成を備えることにより配線間のピッチが狭いため、接続端子間の距離が短くなり、接続端子２６が近接して配置された場合でも、接続端子２６のＡｌの電食を防ぐことができる。
【００７５】
同時に陰極配線５と陰極補助配線２１とを接続するコンタクトホール２５を形成する。例えば、画素に対応する開口部２３は３００μｍ×３００μｍ程度で形成する。陰極配線５と陰極補助配線２１とのコンタクトホール２５は例えば、２００μｍ×２００μｍ以下で形成する。画素開口部が３００μｍ×３００μｍ程度の場合、陰極と補助配線とのコンタクト形成部を２００μｍ×２００μｍ以下とすると、素子全体の大きさに影響を与えなくて済むため好ましい。
【００７６】
続いて、絶縁膜（ポリイミドの層）の表面において、６４本の陰極配線５を分離配置できるように隔壁１０を形成する（ステップＳ１０７）。なお、図１では、配線の本数について減らして図示している。隔壁１０は、絶縁膜の上層にノボラック樹脂、アクリル樹脂膜等の感光性樹脂を塗布することにより形成する。例えば、感光性樹脂をスピンコートして、フォトリソグラフィー工程でパターニングした後、光反応させて陰極隔壁を形成する。陰極隔壁が逆テーパ構造を有するようネガタイプの感光性樹脂を用いることが望ましい。
【００７７】
ネガタイプの感光性樹脂を用いると、上から光を照射した場合、深い場所ほど光反応が不十分となる。その結果、上から見た場合、硬化部分の断面積が上の方より下の方が狭い構造を有する。これが逆テーパ構造を有するという意味である。このような構造にすると、その後、陰極の蒸着時に蒸着源から見て陰になる部分は蒸着が及ばないため、陰極同士を分離することが可能になる。
【００７８】
なお、エッジカバー樹脂２９は絶縁膜２２のパターニング工程（ステップＳ１０６）で形成したが、隔壁１０を形成する工程（ステップＳ１０７）で形成することも可能である。すなわち、隔壁１０の材料であるノボラック樹脂等で接続端子２６の外周を覆うようにパターニングする。従って、隔壁１０と同じ材料でエッジカバー樹脂２９が形成される。これにより、製造工程を簡略化することができ、生産性を向上できる。この場合、エッジカバー樹脂２９は逆テーパ構造となる。
【００７９】
さらに、開口部２３のＩＴＯ層の表面改質を行うために、酸素プラズマ又は紫外線を照射してもよい。例えば、並行平板ＲＦプラズマ（高周波プラズマ）装置を用い、酸素プラズマ照射を実施して、ＩＴＯ膜の表面改質を行う。
【００８０】
その後、有機薄膜層を積層する（ステップＳ１０８）。まず、開口部を有する金属マスクをガラス基板に取り付ける。このとき、金属マスクの開口部と有機薄膜層を設けるべき位置が重なるように配置し、また、金属マスクとガラス基板との間に５０μｍの空間が空くように取り付ける。そして、０．５％（質量百分率）のポリビニルカルバゾールを溶解した安息香酸エチル溶液をマスクスプレー法によって塗布する。そして、溶液を濃縮乾燥して正孔注入層を形成する。なお、蒸着法によって、正孔注入層を形成することも可能である。
【００８１】
続いて、正孔注入層の上層にα−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ'−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−ベンジジン）を蒸着して膜厚４０ｎｍの正孔輸送層を形成する。さらに、その上層に、発光層のホスト化合物となるＡｌｑ（トリス（８−ヒドロキシナト）アルミニウム）と、ゲスト化合物の蛍光性色素となるクマリン６とを同時に蒸着して、膜厚６０ｎｍの発光層を形成する。続いて、発光層の上層にＬｉＦを蒸着して、膜厚０．５ｎｍの陰極界面層を形成する。
【００８２】
その後、アルミニウム等の金属材料を蒸着して、膜厚１００ｎｍの陰極配線５を形成する（ステップＳ１０９）。この結果、隔壁１０によってアルミニウム膜はパターニングされ、それぞれの陰極配線５に分離配置される。それぞれの隔壁間に陽極配線１と交差する陰極配線５を形成することができる。例えば、画素数に対応して６４本の陰極配線５を形成する。これらの工程により有機ＥＬ素子基板が形成される。
【００８３】
次に上述の工程により形成された有機ＥＬ素子基板１００の有機ＥＬ発光素子を封止するため、封止用の対向基板を製造する工程について説明する。まず。素子基板とは別のガラス基板を用意する。このガラス基板を加工して捕水材を収納するための捕水材収納部を形成する。捕水材収納部はガラス基板にレジストを塗布し、露光、現像により基板の一部を露出させる。この露出部分をエッチングにより薄くすることにより捕水材収納部を形成する。
【００８４】
この捕水材収納部に酸化カルシウム等の捕水材を配置した後、２枚の基板を重ね合わせて接着する。具体的には、対向基板の捕水材収納部が設けられた面に、ディスペンサを用いてシール材を塗布する。シール材として、例えば、エポキシ系紫外線硬化性樹脂を用いることができる。また、シール材は、有機ＥＬ素子と対向する領域の外周全体に塗布する。二枚の基板を位置合わせして対向させた後、紫外線を照射してシール材を硬化させ、基板同士を接着する。この後、シール材の硬化をより促進させるために８０℃のクリーンオーブン中で１時間熱処理を施す。この結果、シール材５３および一対の基板によって、有機ＥＬ素子が存在する基板間と、基板の外部とが隔離される。捕水材を配置することにより、封止された空間に残留または侵入してくる水分等による有機ＥＬ素子の劣化を防止することができる。
【００８５】
シール材５３は図３に示すように陽極配線１の上に直接設けられる。シール材５３の位置は図１におけるシールパターン５０の位置となる。従って、シール材５３は接続端子２６の内側（表示領域側）に配置される。これにより、シール材５３によって封止された空間に水分等が浸入することを防ぐことができる。
【００８６】
基板の外周付近の不要部分を切断除去し、陽極補助配線２６に信号電極ドライバを接続し、同様に陰極補助配線２１の端子部に走査電極ドライバを接続する。陰極補助配線２１には基板端部において陽極配線と同様に端子部が形成されている。この端子部に異方性導電フィルム（ＡＣＦ）を貼付け、駆動回路が設けられたＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）を接続する。ＡＣＦ６１は最上層がＭｏ層である接続端子２６と接触するため、コンタクト抵抗を低減することができる。
【００８７】
具体的には端子部にＡＣＦを仮圧着する。ＡＣＦは日立化成製アニソルム７１０６Ｕを用いている。仮圧着温度は８０℃で、圧着圧力は１．０ＭＰａ、圧着時間は５秒である。ついで駆動回路が内蔵されたＴＣＰを端子部に本圧着する。本圧着温度は１７０度で、圧着圧力は２．０ＭＰａ、圧着時間は２０秒である。これにより駆動回路が実装される。この有機ＥＬ表示パネルが筐体に取り付けられ、有機ＥＬ表示装置が完成する。
【００８８】
上述の説明では接続端子２６を構成する積層金属膜のＡｌ層の外周をエッジカバー樹脂２９により覆うようにしたが、これ以外の保護膜により外周を覆うようにしてもよい。例えば、写真製版工程を増やせば、積層金属膜を構成する最上層のＭｏ層によりＡｌ層を覆うことも可能である。具体的にはＭｏ層、Ａｌ層を成膜してパターニングした後、Ｍｏ層とＡｌ層を覆うように最上層のＭｏ層をパターニングする。これにより接続端子２６の中間に配置されたＡｌ層では上面及び側面がバリア層であるＭｏ層で覆われる構成となる。このような構成を備えることにより、Ａｌ層の電食に基づくＡｌの酸化を防ぐことができ、発光特性の劣化を防ぐことができる。
【００８９】
また、上述の構成は陰極配線５と接続された陰極補助配線２１に対しても適用することができる。例えば、上述で示した工程において、陽極配線１を構成する透明導電膜で陰極補助配線２１を形成し、その上に積層金属膜からなる接続端子を形成する。さらに接続端子の側面を覆うエッジカバー樹脂を隔壁形成工程（ステップＳ１０７）又は絶縁膜形成工程（ステップＳ１０６）で形成する。これにより、陰極配線５と接続される陰極補助配線２１についても図２及び図３で示した構成と同様の構成とすることができ、同様の効果を得ることができる。
【００９０】
発明の実施の形態２．
本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の構成について図５及び図６を用いて説明する。図５は本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子基板における端子部周辺の構成を示す上面図である。図６は図５のＡ−Ａ断面図である。実施の形態１で説明した構成と同様の構成については説明を省略する。
【００９１】
本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置は、陽極配線１と接続された陽極補助配線３０をさらに備えている。図６に示すように陽極配線１上に直接、陽極補助配線３０を設けている。陽極補助配線３０は接続端子２６の表示領域側に、接続端子２６と分離して形成されている。陽極補助配線３０は接続端子２６と同じ工程により形成されるため、接続端子２６と同じ材料により形成される。これにより、製造工程を簡略化することができ、生産性を向上できる。陽極補助配線３０は例えば、Ｍｏ層、Ａｌ層、Ｍｏ層の積層金属膜により構成される。陽極補助配線３０はシール材５３で封止された空間内に配置される。
【００９２】
図５に示すように陽極補助配線３０の全体を覆うように被覆膜３１が陽極補助配線３０の上から形成されている。被覆膜３１はエッジカバー樹脂２９と同様の工程で形成されるため、エッジカバー樹脂２９と被覆膜３１は同じ材料で形成することができる。この被覆膜３１により、積層金属膜からなる陽極補助配線３０の酸化等を防ぐことができ、抵抗の劣化を低減することができる。
【００９３】
陽極補助配線３０は陽極配線１上に直接形成されているため、陽極配線１と陽極補助配線３０とは電気的に接続している。陽極補助配線３０を構成する積層金属膜は通常、陽極配線１を構成するＩＴＯよりも比抵抗が低い。従って、陽極補助配線３０を設けることにより、陽極配線の配線抵抗を低減することができる。
【００９４】
本実施の形態では図５に示すようにエッジカバー樹脂２９と被覆膜３１の間にシールパターン５０が配置することができる。シール材５３の下に、例えば、絶縁膜２２や隔壁１０を構成する樹脂が配置されると、この樹脂から水分等が浸入してしまう。上述の構成のように接続端子２６を覆うエッジカバー樹脂２９と陽極補助配線３０を覆う被覆膜３１との間にシールパターン５０を配置することで、シール材５３が図６に示すように直接陽極配線の上に配設される。これにより、水分等の浸入を防ぐことが可能になり、表示特性の劣化を低減することができる。
【００９５】
また、上述の構成は陰極配線５と接続された陰極補助配線２１に対しても適用することができる。例えば、上述で示した工程において、陽極配線１を構成する透明導電膜で陰極補助配線２１を形成し、その上に積層金属膜からなる接続端子２６及び陰極補助配線２１上の補助配線を形成する。さらに接続端子の側面を覆うエッジカバー樹脂２９及び被覆膜３１を隔壁形成工程（ステップＳ１０７）又は絶縁膜形成工程（ステップＳ１０６）形成する。陰極配線５と接続される陰極補助配線２１についても図２及び図３で示した構成と同様の構成とすることができる。これにより、同様の効果を得ることができる。
【００９６】
発明の実施の形態３．
本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の構成について図７を用いて説明する。図７は本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子基板の断面図である。実施の形態１及び実施の形態２で説明した構成と同様の構成については説明を省略する。
【００９７】
本実施の形態では陽極配線１の上に設けられた接続端子２６が陽極配線１の端部の外側まで延在している。すなわち、接続端子２６は陽極配線１の端部を横断するよう形成される。接続端子２６は基板１１の上から陽極配線１の上に乗り上げるよう配置される。
【００９８】
この接続端子２６の外周部には側面を覆うようにエッジカバー樹脂２９が形成される。従って、エッジカバー樹脂２９も陽極配線１の端部を横断するよう形成される。エッジカバー樹脂２９は基板１１の上から陽極配線１の上に乗り上げるよう配置される。このような構成でも上述の実施の形態１と同様に配線抵抗を低減することができる。また、接続端子２６を形成する積層金属膜におけるＡｌ層がＭｏ層及びエッジカバー樹脂２９で覆われている。これにより、電食に起因するＡｌの酸化を防ぐことができ、発光特性の劣化を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】本発明の実施の形態１にかかる有機ＥＬ表示装置の構成を示す上面図である。
【図２】本発明の実施の形態１にかかる有機ＥＬ表示装置において、接続端子周辺の構成を示す上面図である。
【図３】本発明の実施の形態１にかかる有機ＥＬ表示装置において、接続端子周辺の構成を示す断面図である。
【図４】本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の製造工程を示すフローチャートである。
【図５】本発明の実施の形態２にかかる有機ＥＬ表示装置において、接続端子周辺の構成を示す上面図である。
【図６】本発明の実施の形態２にかかる有機ＥＬ表示装置において、接続端子周辺の構成を示す断面図である。
【図７】本発明の実施の形態３にかかる有機ＥＬ表示装置において、陽接続端子周辺の構成を示す断面図である。
【図８】従来の有機ＥＬ表示装置の構成を示す上面図である。
【符号の説明】
【０１００】
１  陽極配線
５  陰極配線
１０  隔壁
１１  基板
２１  陰極補助配線
２２  絶縁膜
２３  開口部
２５  コンタクトホール
２６  接続端子
２９  エッジカバー樹脂
３０  陽極補助配線
３１  カバー樹脂
３５  端子部
５１  対向基板
５２  捕水材
５３  シール材
６１  ＡＣＦ
６２  ＦＰＣ
６３  ＦＰＣの導電層
１００  有機ＥＬ素子基板
【図１】
2005183209.tif 000003
【図２】
2005183209.tif 000004
【図３】
2005183209.tif 000005
【図４】
2005183209.tif 000006
【図５】
2005183209.tif 000007
【図６】
2005183209.tif 000008
【図７】
2005183209.tif 000009
【図８】
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