(57)【要約】【課題】  コイル部とコンデンサ部とを有する積層型フィルタなどの複合電子部品において、コンデンサ部の誘電体層を薄層化し、複合電子部品を小型化した場合においても、他の特性を維持しつつ、かつ高い信頼性を有する複合電子部品およびその製造方法を提供すること。【解決手段】  コンデンサ部を構成する誘電体層を、主成分としてＴｉの酸化物、Ｃｕの酸化物およびＮｉの酸化物を含有し、厚みが３０μｍ以下、Ｎｉ分散度が８０％以下とし、前記誘電体層を構成する誘電体粒子の平均粒子径が２．５μｍ以下、粒子径分布の標準偏差σが０．５μｍ以下である複合電子部品、および誘電体磁器組成物原料を予備焼成し、顆粒を得る工程と、前記顆粒を平均粒子径が０．１〜０．８μｍ、Ｎｉ分散度が５０％以下となるように粉砕し、焼成前粉体を得る工程と、前記焼成前粉体を焼成する工程とを有する複合電子部品の製造方法。【選択図】        無し【特許請求の範囲】
【請求項１】
コイル導体および磁性体層で構成されるコイル部と、
内部電極および誘電体層で構成されるコンデンサ部とを有する複合電子部品であって、
前記誘電体層が、主成分としてＴｉの酸化物、Ｃｕの酸化物およびＮｉの酸化物を含有し、厚みが３０μｍ以下、Ｎｉ分散度が８０％以下であり、
前記誘電体層を構成する誘電体粒子の平均粒子径が２．５μｍ以下、粒子径分布の標準偏差σが０．５μｍ以下であることを特徴とする複合電子部品。
【請求項２】
前記内部電極の厚みが、前記誘電体層の厚みの３５％以下である請求項１に記載の複合電子部品。
【請求項３】
前記磁性体層が、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトまたは、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトで構成されている請求項１または２に記載の複合電子部品。
【請求項４】
前記コイル部とコンデンサ部とで構成される集中定数回路が形成される請求項１〜３のいずれかに記載の複合電子部品。
【請求項５】
前記集中定数回路がＬ型、Ｔ型、π型またはダブルπ型の回路のいずれかである請求項４に記載の複合電子部品。
【請求項６】
コイル導体および磁性体層で構成されるコイル部と、
内部電極および誘電体層で構成されるコンデンサ部とを有する複合電子部品を製造するための方法であって、
前記誘電体層を構成する誘電体磁器組成物原料として、少なくともＴｉ、ＣｕおよびＮｉの酸化物および／または焼成後にこれらの酸化物になる化合物を含有する誘電体磁器組成物原料を５００〜８５０℃で予備焼成を行い顆粒を得る工程と、
前記顆粒を平均粒子径が０．１〜０．８μｍ、Ｎｉ分散度が５０％以下となるように粉砕し、焼成前粉体を得る工程と、
前記焼成前粉体を焼成する工程とを有することを特徴とする複合電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記焼成前粉体を焼成する際に、前記コイル部とコンデンサ部とを同時に焼成する請求項６に記載の複合電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記誘電体磁器組成物原料として、さらにＭｎの酸化物および／または焼成後にＭｎの酸化物になる化合物を含有する誘電体磁器組成物原料を使用する請求項６または７に記載の複合電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記焼成前粉体のＣｕＫαを線源とするＸ回折測定によるＮｉＯの（２００）面の回折強度のＴｉＯ２の（２１０）面の回折強度に対する比ＮｉＯ（２００）／ＴｉＯ２（２１０）が１００以下であり、
ＮｉＴｉＯ３の（１０４）面の回折強度のＴｉＯ２の（２１０）面の回折強度に対する比ＮｉＴｉＯ３（１０４）／ＴｉＯ２（２１０）が１以上である請求項６〜８に記載の複合電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器等に用いられるコイル部とコンデンサ部とを有する複合電子部品およびその製造方法に係り、特に小型化した場合においても高い信頼性を有する複合電子部品およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品が組み込まれている電子機器に対する小型軽量化の要求に伴って、小型の積層電子部品の需要が急速に高まってきた。そして、このような電子部品が回路基板に複数配置されるのに合わせて、コイルとコンデンサを一体化した複合電子部品の一種としての積層型フィルタが、回路基板の高周波ノイズ対策の為に、用いられるようになった。
【０００３】
上記積層型フィルタは、コイル部とコンデンサ部とを同時に有する電子部品であるため、その製造工程において、コイル部を構成する磁性体材料とコンデンサ部を構成する誘電体磁器組成物を同時に焼成する必要がある。一般に、コイル部を構成する磁性体材料として使用されるフェライトは、焼結温度が８００〜９００℃と低い。そのため、積層型フィルタのコンデンサ部に使用される誘電体磁器組成物を構成する材料は、低温焼結が可能であることが要求される。
【０００４】
低温での焼結性が向上した誘電体磁器組成物としてＴｉＯ２、ＣｕＯ、ＮｉＯ、ＭｎＯ３、ＮｉＯおよびＡｇ２Ｏおよびを含有する誘電体磁器組成物（たとえば、特許文献１，２）や、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＣｕＯおよびＭｎＯ３を含有する誘電体磁器組成物（たとえば、特許文献３）や、さらにＮｉＯを含有する誘電体磁器組成物（たとえば、特許文献４）などが提案されている。
【０００５】
一方、近年の電子機器のさらなる小型化に伴い、積層型フィルタについても小型化への要求が強くなっている。積層型フィルタを、その性能を維持しつつ、小型化するためには、コイル部を小型・薄層化する方法、コンデンサ部を小型・薄層化する方法が考えられる。
【０００６】
コイル部については、磁性体層およびコイル導体を薄層化し、コイル導体の巻回数を増加することにより対応可能であるため、比較的容易に薄層化が可能である。しかし、コンデンサ部は、単に誘電体層および内部電極を薄層化し、積層数を増やすと、内部電極間の距離が近くなる等の原因により、信頼性が著しく低下する傾向にあるため、誘電体層の薄層化には限界があった。
【０００７】
特に低周波（たとえば１０〜３００ＭＨｚ）ノイズ対応の積層型フィルタにおいては、コイル部のインダクタンスが高く、かつコンデンサ部の静電容量も高くすることが必要とされる。コンデンサ部の静電容量を向上する方法としては、誘電体層に用いる誘電体磁器組成物の比誘電率を高くする方法、または誘電体層および内部電極を薄層化するという方法が考えられる。しかし、積層型フィルタに用いることができる誘電体磁器組成物は、前述した理由より、低温焼結性を有することが必要であり、その材料選定には、限界がある。また誘電体層および内部電極を単に薄層化すると、直流電界下でのＩＲ（絶縁）寿命が悪化する等の信頼性の低下が起こってしまう。したがって、上記理由により、積層型フィルタのコンデンサ部の小型・薄層化が実現されていないため、積層型フィルタの小型化が進んでいないのが現状である。
【０００８】
【特許文献１】特公平８−８１９８号公報
【特許文献２】特許第２５０４７２５号公報
【特許文献３】特許第３２７２７４０号公報
【特許文献４】特許第２９７７６３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、コイル部とコンデンサ部とを有する積層型フィルタなどの複合電子部品において、コンデンサ部の誘電体層を薄層化し、複合電子部品を小型化した場合においても、誘電率などの諸特性を維持しつつ、かつ直流電界下でのＩＲ（絶縁）寿命特性に優れ、高い信頼性を有する複合電子部品およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【００１０】
本発明の発明者等は、コンデンサ部の誘電体層の厚みを３０μｍ以下、Ｎｉ分散度を８０％以下、誘電体層を構成する誘電体粒子の平均粒子径を２．５μｍ以下、粒子径分布の標準偏差σを０．５μｍ以下とすることにより、本発明の目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１１】
すなわち、本発明に係る複合電子部品は、
コイル導体および磁性体層で構成されるコイル部と、
内部電極および誘電体層で構成されるコンデンサ部とを有する複合電子部品であり、
前記誘電体層が、主成分としてＴｉの酸化物、Ｃｕの酸化物およびＮｉの酸化物を含有し、厚みが３０μｍ以下、Ｎｉ分散度が８０％以下であり、
前記誘電体層を構成する誘電体粒子の平均粒子径が２．５μｍ以下、粒子径分布の標準偏差σが０．５μｍ以下であることを特徴とする。
【００１２】
本発明に係る複合電子部品としては、特に限定されないが、積層型フィルタ、積層型ノイズフィルタなどが例示される。
【００１３】
本発明においては、特に誘電体層のＮｉ分散度、および誘電体層を構成する誘電体粒子の粒子径分布の標準偏差σを上記範囲内とすることにより、誘電体層の厚みを３０μｍ以下とした場合においても、高い信頼性、特に、直流電界下でのＩＲ（絶縁）寿命特性に優れた積層型フィルタなどの複合電子部品を得ることができる。
【００１４】
本発明に係る複合電子部品において、好ましくは、前記内部電極の厚みが、前記誘電体層の厚みの３５％以下である。
【００１５】
本発明においては、前記内部電極の厚みを前記誘電体層の厚みの３５％以下の厚みとすることにより、デラミネーションと称されている層間剥離現象を有効に防止することが可能となる。
【００１６】
本発明に係る複合電子部品において、前記磁性体層が、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトまたは、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトで構成されていることが好ましい。
【００１７】
積層型フィルタなどの複合電子部品においては、コイル部を構成する磁性体層を構成する磁性体材料として、種々の材料が使用可能であり、選択した材料によって、積層型フィルタなどの複合電子部品の周波数特性を制御することが可能であるが、本発明においては、上記フェライトを使用することが好ましい。
【００１８】
本発明に係る複合電子部品において、好ましくは、前記コイル部とコンデンサ部とで構成される集中定数回路が形成される。
【００１９】
本発明に係る複合電子部品において、好ましくは、前記集中定数回路がＬ型、Ｔ型、π型またはダブルπ型の回路のいずれかである。
【００２０】
本発明の複合電子部品において、その回路構成は、目的に応じて種々の構成とすれば良いが、Ｌ型、Ｔ型、π型またはダブルπ型の集中定数回路のいずれかを形成することが好ましい。
【００２１】
本発明に係る複合電子部品の製造方法は、
コイル導体および磁性体層で構成されるコイル部と、
内部電極および誘電体層で構成されるコンデンサ部とを有する複合電子部品を製造するための方法であって、
前記誘電体層を構成する誘電体磁器組成物原料として、少なくともＴｉ、ＣｕおよびＮｉの酸化物および／または焼成後にこれらの酸化物になる化合物を含有する誘電体磁器組成物原料を５００〜８５０℃で予備焼成を行い顆粒を得る工程と、
前記顆粒を平均粒子径が０．１〜０．８μｍ、Ｎｉ分散度が５０％以下となるように粉砕し、焼成前粉体を得る工程と、
前記焼成前粉体を焼成する工程とを有することを特徴とする。
【００２２】
本発明の複合電子部品の製造方法においては、誘電体磁器組成物原料を５００〜８５０℃で予備焼成することにより顆粒化し、顆粒を粉砕し、平均粒子径が０．１〜０．８μｍ、Ｎｉ分散度が５０％以下である焼成前粉体とし、この焼成前粉体を焼成することが特に重要である。焼成前粉体の平均粒子径およびＮｉ分散度を上記範囲とすることにより、積層型フィルタなどの複合電子部品の焼成後の誘電体層のＮｉ分散度を８０％以下、焼成後の誘電体層を構成する誘電体粒子の粒子径分布の標準偏差σを０．５μｍ以下とすることが可能となる。そして、このようにすることにより、高い信頼性、特に、直流電界下でのＩＲ寿命特性に優れた層型フィルタなどの複合電子部品を製造することができる。
【００２３】
本発明に係る複合電子部品の製造方法において、好ましくは、前記焼成前粉体を焼成する際に、前記コイル部とコンデンサ部とを同時に焼成する。
【００２４】
本発明に係る複合電子部品の製造方法において、好ましくは、前記誘電体磁器組成物原料として、さらにＭｎの酸化物および／または焼成後にＭｎの酸化物になる化合物を含有する誘電体磁器組成物原料を使用する。
【００２５】
本発明に係る複合電子部品の製造方法において、好ましくは、前記焼成前粉体のＣｕＫαを線源とするＸ回折測定によるＮｉＯの（２００）面の回折強度のＴｉＯ２の（２１０）面の回折強度に対する比ＮｉＯ（２００）／ＴｉＯ２（２１０）が１００以下であり、さらに好ましくは８０以下、より好ましくは５０以下であり、
ＮｉＴｉＯ３の（１０４）面の回折強度のＴｉＯ２の（２１０）面の回折強度に対する比ＮｉＴｉＯ３（１０４）／ＴｉＯ２（２１０）が１以上であり、さらに好ましくは２０以上、より好ましくは５０以上である。
【００２６】
本発明の複合電子部品の製造方法においては、誘電体磁器組成物原料を予備焼成することにより顆粒化し、その顆粒を粉砕することにより得られる焼成前粉体が、ＮｉＯとＴｉＯ２の固溶体であるＮｉＴｉＯ３を多く含有することが好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
図１は本発明の一実施形態に係る積層型フィルタの斜視図、
図２は図１に示すＩＩ−ＩＩ線に沿う積層型フィルタの断面図、
図３は本発明の一実施形態に係る積層型フィルタの積層構造を示す分解斜視図、
図４（ａ）はＴ型の回路の回路図、図４（ｂ）はπ型の回路の回路図、図４（ｃ）はＬ型の回路の回路図、
図５は本発明のその他の実施形態に係る積層型フィルタの斜視図、
図６は本発明のその他の実施形態に係る積層型フィルタの積層構造を示す分解斜視図、
図７は本発明の実施例に係る積層型フィルタの周波数と挿入損失との関係を示すグラフである。
【００２８】
積層型フィルタ
図１に示すように、本発明の一実施形態に係る積層型フィルタ１は、本体積層部１１を主要部とし、図示上の左側面に外部電極２１，２２，２３、図示上の右側面に外部電極２４，２５，２６を有している。積層型フィルタ１の形状に特に制限はないが、通常、直方体状とされる。また、その寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよが、通常、（０．６〜５．６ｍｍ）×（０．３〜５．０ｍｍ）×（０．３〜１．９ｍｍ）程度である。まず、本実施形態に係る積層型フィルタの構造について説明する。
【００２９】
図２は、図１に示すＩＩ−ＩＩ線に沿う積層型フィルタ１の断面図であり、下層部にコンデンサ部３０を有し、上層部にコイル部４０を有する。コンデンサ部３０は、内部電極３１の間に誘電体層３２が形成されており、多層のコンデンサとなっている。一方コイル部４０は、磁性体層４２中にコイル導体４１が形成されている。
【００３０】
コンデンサ部３０を構成する誘電体層３２は、誘電体磁器組成物を含有する。誘電体磁器組成物は、主成分としてＴｉの酸化物、Ｃｕの酸化物およびＮｉの酸化物を含有し、また、必要に応じて、その他の副成分を適宜添加することができる。
【００３１】
主成分中の酸化チタンの含有量は、ＴｉＯ２換算で５０〜９９．５ｍｏｌ％であることが好ましい。酸化チタンの含有量が少なすぎると比誘電率が低下する傾向にある。
【００３２】
主成分中の酸化銅は、焼結性を向上させる効果と比誘電率を増大させる効果とがあり、その含有量は、ＣｕＯ換算で０．５〜５０ｍｏｌ％であることが好ましい。酸化銅の含有量が多すぎると損失Ｑ値が劣化する傾向にあり、少なすぎると上記の効果が得られなくなる傾向にある。
【００３３】
主成分中の酸化ニッケルは、損失Ｑ値を向上する効果があり、その含有量は、ＮｉＯ換算で０〜２０ｍｏｌ％（０ｍｏｌ％は含まず）であることが好ましく、さらに好ましくは０．５〜２０ｍｏｌ％である。酸化ニッケルの含有量が多すぎると焼結性が低下するとともに、比誘電率が低下するためとなる傾向にあり、少なすぎると上記の効果が得られなくなる傾向にある。
【００３４】
また、誘電体磁器組成物は、副成分として、Ｍｎの酸化物を含有することが好ましい。Ｍｎの酸化物は、焼結性を向上させる効果と比誘電率を増大させる効果とがあり、Ｍｎの含有量は、ＭｎＯ換算で０〜３重量％であることが好ましい。Ｍｎの酸化物の含有量が多すぎると損失Ｑ値が劣化する傾向にあり、少なすぎると上記の効果が得られなくなる傾向にある。
【００３５】
誘電体層の厚みは、３０μｍ以下である。誘電体層の厚みの下限については、特に限定されないが、通常１０μｍ程度である。
【００３６】
誘電体層を構成する誘電体粒子の平均粒子径は、２．５μｍ以下であり、好ましくは２μｍ以下である。平均粒子径の下限については、特に限定されないが、通常０．５μｍ程度である。誘電体粒子の平均粒子径が、大き過ぎると絶縁抵抗が劣化する傾向にある。
【００３７】
また、本実施形態においては、誘電体粒子の粒子径分布の標準偏差σが０．５μｍ以下であり、好ましくは０．４５μｍ以下、さらに好ましくは０．４μｍ以下である。誘電体粒子の粒子径分布の標準偏差σは低いほど好ましい。誘電体粒子の粒子径分布の標準偏差σが０．５μｍを超えると、絶縁抵抗が劣化する傾向にある。
【００３８】
誘電体粒子の平均粒子径および粒子径分布の標準偏差σは、誘電体層を切断し、切断面のＳＥＭ観察により、各誘電体粒子の粒子径を測定し、その測定結果を基に算出することが可能である。このとき、各誘電体粒子の粒子径については、ＳＥＭ像における粒子の最大幅を粒子径とする。また、平均粒子径および標準偏差σの算出の際に、粒子径の測定を行う粒子の数は、通常１００個以上とする。
【００３９】
また、本実施形態においては、誘電体層のＮｉ分散度が８０％以下であり、好ましくは７０％以下であり、さらに好ましくは６０％以下である。誘電体層のＮｉ分散度は低いほど好ましい。誘電体層のＮｉ分散度が８０％を超えると、たとえ誘電体組成物原料の予備焼成の温度を本発明の範囲、たとえば７５０℃程度とした場合においても、ＩＲ寿命特性等が悪化し、信頼性が低下する傾向にある。
【００４０】
なお、Ｎｉ分散度（Ｃ．Ｖ．値）は、誘電体層の切断面のＥＰＭＡ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｐｒｏｂｅ  Ｍｉｃｒｏ  Ａｎａｌｙｓｉｓ）分析を行い、Ｎｉ元素のスペクトルのカウント値のヒストグラムを作成し、その標準偏差σおよび平均値ｘを求め、Ｃ．Ｖ．（％）＝（標準偏差σ／平均値ｘ）×１００により求める。
【００４１】
コンデンサ部３０を構成する内部電極３１に含有される導電材は特に限定されないが、導電材として、銀を使用することが好ましい。
【００４２】
内部電極３１の厚みは、特に限定されず、誘電体層３２の厚みに応じて適宜決定すればよいが、好ましくは誘電体層の厚みに対する比が３５％以下であり、さらに好ましくは３０％以下である。このように、内部電極の厚みを誘電体層の厚みの３５％以下、さらに３０％以下とすることにより、デラミネーションと称されている層間剥離現象を有効に防止することが可能となり、特に、３０％以下とすることにより、デラミネーションの発生率をほぼ０％とすることができる。
【００４３】
コイル部４０を構成する磁性体層４２は、磁性を有する磁性体材料を含有する。磁性体材料は、特に限定はされないが、主成分として、Ｎｉ、Ｃｕ、ＺｎまたはＭｎの酸化物などを含有するフェライトであることが好ましい。このようなフェライトとしては、たとえばＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｃｕ系フェライト、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｍｇ系フェライトなどが挙げられるが、なかでも、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトまたはＣｕ−Ｚｎ系フェライトを使用することが好ましい。また、磁性体層４２は、上記主成分以外に、必要に応じて、副成分を含有してもよい。
【００４４】
コイル部４０を構成するコイル導体４１に含有される導電材としては、内部電極３１と同じものが使用できる。
【００４５】
外部電極２１〜２６は特に限定されないが、たとえば電気メッキを施した銀電極が使用できる。電気メッキは、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ、Ｎｉ−Ｓｎ、Ｎｉ−Ａｕ、Ｎｉ−Ａｇ等で行うことが好ましい。
【００４６】
積層型フィルタの製造方法
本実施形態の積層型フィルタは、従来の積層型フィルタと同様に、誘電体グリーンシートおよび磁性体グリーンシートを作製し、これらのグリーンシートを積層し、グリーン状態の本体積層部を形成し、これを焼成した後、外部電極を形成することにより製造される。以下、製造方法について具体的に説明する。
【００４７】
誘電体グリーンシートの製造
まず、誘電体磁器組成物原料を構成する各主成分原料および、必要に応じて、その他の副成分原料を準備する。
【００４８】
主成分原料としては、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｎｉの酸化物やその混合物、複合酸化物を用いることができるが、その他、焼成により上記した酸化物や複合酸化物となる各種化合物、例えば、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物等から適宜選択し、混合して用いることもできる。
【００４９】
また、副成分原料としては、種々の副成分原料が使用できるが、本実施形態においては、少なくともＭｎの酸化物または焼成によりＭｎの酸化物となる化合物を使用することが好ましい。
【００５０】
次に、各主成分原料および副成分原料を混合し、混合粉体を調整する。各主成分原料および副成分原料の混合を行う方法としては、特に限定されないが、たとえば、原料粉末を粉体状態で乾式混合により行っても良いし、原料粉末に水や有機溶媒などを添加し、ボールミル等を使用し、湿式混合により行っても良い。
【００５１】
次に、上記にて得られた混合粉体について、予備焼成を行い顆粒化する。予備焼成は、保持温度を好ましくは５００〜８５０℃、さらに好ましくは６００〜８５０℃、温度保持時間を好ましくは１〜１５時間とする。この予備焼成は、大気中で行っても良く、また大気中よりも酸素分圧が高い雰囲気または純酸素雰囲気で行っても良い。
【００５２】
次に、予備焼成にて得られた顆粒の粉砕を行い焼成前粉体を調整する。顆粒の粉砕の方法としては、特に限定されないが、たとえば、顆粒に水や有機溶媒などを添加し、ボールミル等を使用し、湿式混合により行うことができる。
【００５３】
なお、粉砕は、粉砕後の焼成前粉体の平均粒子径が、０．１〜０．８μｍ、好ましくは０．３〜０．６μｍとなるように行う。焼成前粉体の平均粒子径が、大き過ぎると焼結性が劣化する傾向にあり、小さ過ぎると取扱が困難になる傾向にある。
【００５４】
粉砕時間は、１２〜７２時間であることが好ましく、さらに好ましくは１６〜４８時間である。粉砕時間が短すぎると、粉砕が不十分となる傾向にあり、Ｎｉ分散度が高くなる傾向にある。
【００５５】
また、本実施形態においては、粉砕後の焼成前粉体のＮｉ分散度が５０％以下であり、好ましくは４５％以下であり、さらに好ましくは２５％以下である。焼成前粉体のＮｉ分散度は低いほど好ましい。焼成前粉体のＮｉ分散度が５０％を超えると、たとえ予備焼成の温度を本発明の範囲、たとえば７５０℃程度とした場合においても、ＩＲ寿命特性等が悪化し、信頼性が低下する傾向にある。
【００５６】
粉砕後の焼成前粉体のＮｉ分散度の測定は、誘電体層のＮｉ分散度の測定と同様に、焼成前粉体の粉体表面を、ＥＰＭＡ分析により行う。
【００５７】
また、本実施形態においては、粉砕後の焼成前粉体のＣｕＫαを線源とするＸ線回折測定において、ＮｉＯの（２００）面の回折強度のＴｉＯ２の（２１０）面の回折強度に対する比ＮｉＯ（２００）／ＴｉＯ２（２１０）が、好ましくは１００以下、より好ましくは８０以下、さらに好ましくは５０以下、特に好ましくは２０以下、最も好ましくは１０以下である。さらに、ＮｉＴｉＯ３の（１０４）面の回折強度のＴｉＯ２の（２１０）面の回折強度に対する比ＮｉＴｉＯ３（１０４）／ＴｉＯ２（２１０）が、好ましくは１以上、より好ましくは２０以上、さらに好ましくは５０以上、特に好ましくは８０以上、最も好ましくは１００以上である。ＮｉＯ（２００）／ＴｉＯ２（２１０）が１００を超えると、焼成前粉体のＮｉ分散度を低下させることが困難となる傾向にある。同様に、ＮｉＴｉＯ３（１０４）／ＴｉＯ２（２１０）が１未満となると、焼成前粉体のＮｉ分散度を低下させることが困難となる傾向にある。
【００５８】
粉砕後の焼成前粉体は、ＮｉＯとＴｉＯ２の固溶体であるＮｉＴｉＯ３の含有量が多いことが好ましく、焼成前粉体のＮｉＴｉＯ３の含有量が多いと、上記粉砕工程において、焼成前粉体のＮｉ分散度を比較的容易に低下させることが可能となる傾向にある。この理由については、必ずしも明らかではないが、Ｎｉの分散性は、含有量の少ないＮｉＯの形態よりも、含有量の多いＴｉＯ２との固溶体であるＮｉＴｉＯ３の形態のほうが、含有量の多いＴｉＯ２の分散性の影響を受け易い。したがって、固溶体であるＮｉＴｉＯ３の形態のほうが、Ｎｉの分散性が良好になるためと考えられる。なお、粉砕後の焼成前粉体のＸ線回折測定は、焼成前粉体にＣｕＫαを線源とするＸ線を照射し、その回折強度を測定することにより行う。
【００５９】
次に、上記にて混合・予備焼成・粉砕を行った焼成前粉体を塗料化して、誘電体層用ペーストを調整する。
【００６０】
誘電体層用ペーストは、焼成前粉体と有機ビヒクルとを混練した有機系の塗料であってもよく、水系の塗料であってもよい。
【００６１】
内部電極層用ペーストは、たとえば銀などの導電材と、上記した有機ビヒクルとを混練して調製する。
【００６２】
上記した各ペースト中の有機ビヒクルの含有量に特に制限はなく、通常の含有量、例えば、焼成前粉体１００重量％に対して、バインダは５〜１５重量％程度、溶剤は５０〜１５０重量％程度とすればよい。また、各ペースト中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤等から選択される添加物が含有されていてもよい。これらの総含有量は、１０重量％以下とすることが好ましい。
【００６３】
次に、誘電体層用ペーストをドクターブレード法などによりシート化し、誘電体グリーンシートを形成する。
【００６４】
次に、誘電体グリーンシート上に、内部電極を形成する。内部電極の形成は、内部電極用ペーストをスクリーン印刷等の方法によって、誘電体グリーンシート上に形成する。なお、内部電極の形成パターンは、製造する積層型フィルタの回路構成等に応じて適宜選択すればよいが、本実施形態においては、後述する各パターンとする。
【００６５】
磁性体グリーンシートの製造
まず、磁性体層用ペーストに含まれる磁性体原料を準備し、これを塗料化して、磁性体層用ペーストを調整する。
【００６６】
磁性体層用ペーストは、磁性体原料と有機ビヒクルとを混練した有機系の塗料であってもよく、水系の塗料であってもよい。
【００６７】
磁性体原料としては、主成分の出発原料として、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｇの酸化物あるいは焼成後にこれらの酸化物となる各種化合物、例えば、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物等から適宜選択し、混合して用いることもできる。また、磁性体原料として、上記主成分以外にも必要に応じて副成分の出発原料を含有してもよい。
【００６８】
なお、磁性体原料は、磁性体層用ペーストとする前に、磁性体原料を構成する各出発原料を仮焼合成等により、あらかじめ反応させておいてもよい。
【００６９】
コイル導体用ペーストは、たとえば銀などの導電材と、上記した有機ビヒクルとを混練して調製する。
【００７０】
次に、磁性体層用ペーストをドクターブレード法などによりシート化し、磁性体グリーンシートを形成する。
【００７１】
次に、上記にて作製した磁性体グリーンシート上に、コイル導体を形成する。コイル導体の形成は、コイル導体用ペーストをスクリーン−印刷等の方法によって、磁性体グリーンシート上に形成する。なお、コイル導体の形成パターンは、製造する積層型フィルタの回路構成等に応じて適宜選択すればよいが、本実施形態においては、後述する各パターンとする。
【００７２】
次に、磁性体グリーンシート上のコイル導体にスルーホールを形成する。スルーホールの形成方法としては、特に限定されないが、たとえばレーザー加工などにより行うことができる。なお、スルーホールの形成位置は、コイル導体上であれば特に限定されないが、コイル導体の端部に形成することが好ましく、本実施形態においては、後述する各位置とする。
【００７３】
グリーンシートの積層
次に、上記にて作製した各誘電体グリーンシートおよび磁性体グリーンシートを、順に積層し、グリーン状態の本体積層部１１を形成する。
【００７４】
本実施形態においては、グリーン状態の本体積層部１１は、図３に示すように、コンデンサ部を構成する内部電極が形成された誘電体グリーンシートを複数枚積層し、その上に、コイル部を構成するコイル導体が形成された磁性体グリーンシートを複数枚積層して製造される。なお、図３に示すようにコンデンサ部の最下層に内部電極を形成していない誘電体グリーンシートを積層してもよいし、コンデンサ部とコイル部との間、およびコイル部の最上層に、コイル導体を形成していない磁性体グリーンシートを積層してもよい。
【００７５】
以下、グリーンシートの積層工程を詳述する。
まず、最下層に内部電極を形成していない誘電体グリーンシート３２ｃを配置する。内部電極を形成していない誘電体グリーンシート３２ｃは、コンデンサ部を保護するために使用され、その厚みは、適宜調整すれば良い。
【００７６】
次に、内部電極を形成していない誘電体グリーンシート３２ｃ上に、誘電体グリーンシートの短手方向Ｘの奥側の側部から誘電体グリーンシートの端部に突出する一対の導出部２４ａおよび２６ａを有する内部電極３１ａが形成された誘電体グリーンシート３２ａを積層する。
【００７７】
次に、内部電極３１ａが形成された誘電体グリーンシート３２ａの上に、誘電体グリーンシートの短手方向Ｘの手前側及び奥側からそれぞれ誘電体グリーンシートの端部に突出する一対の導出部２２ａおよび２５ａを有する内部電極３１ｂが形成された誘電体グリーンシート３２ｂを積層する。
【００７８】
このように内部電極３１ａが形成された誘電体グリーンシート３２ａと、内部電極３１ｂが形成された誘電体グリーンシート３２ｂとを積層することにより、内部電極３１ａ、３１ｂと誘電体グリーンシート３２ｂとで構成されるグリーン状態の単層のコンデンサ３０ｂが形成される。
【００７９】
次に、内部電極３１ｂが形成された誘電体グリーンシート３２ｂの上に、内部電極３１ａが形成された誘電体グリーンシート３２ａを積層し、同様に、内部電極３１ａ、３１ｂと誘電体グリーンシート３２ａとで構成されるグリーン状態の単層のコンデンサ３０ａが形成される。
【００８０】
同様に、内部電極３１ａが形成された誘電体グリーンシート３２ａと、内部電極３１ｂが形成された誘電体グリーンシート３２ｂとを交互に積層することにより、複数のグリーン状態の単層のコンデンサ３０ａおよび３０ｂを交互に形成することができる。本実施形態においては、単層のコンデンサ３０ａ、３０ｂが合計で６層となるように積層したが、その積層数については特に限定されず、目的に応じて適宜選択すればよい。
【００８１】
次に、上記にて積層により形成されたグリーン状態のコンデンサ部の上に、グリーン状態のコイル部を形成する。
【００８２】
まず、コンデンサ部の上に、コイル導体が形成されていない磁性体グリーンシート４２ｅを積層する。コンデンサ部の上に積層するコイル導体が形成されていない磁性体グリーンシート４２ｅは、コンデンサ部とコイル部とを分離する目的で使用され、その厚みは、適宜調整すれば良い。なお、本実施形態では、コンデンサ部とコイル部とを分離するために磁性体グリーンシートを使用したが、磁性体グリーンシートの代わりに誘電体グリーンシートを使用することも可能である。
【００８３】
次に、コイル導体が形成されていない磁性体グリーンシート４２ｅの上に、一端が磁性体グリーンシートの短手方向Ｘの手前側の端部に突出する導出部２１ａおよび２３ａをそれぞれ有する一対のコイル導体４１ａが形成された磁性体グリーンシート４２ａを積層する。
【００８４】
その上に、略Ｃ字形の一対のコイル導体４１ｂが形成された磁性体グリーンシート４２ｂを積層する。なお、略Ｃ字形のコイル導体４１ｂは、曲部が磁性体グリーンシートの長手方向Ｙの手前側となるように配置され、さらに、磁性体グリーンシートの短手方向Ｘの手前側の一端にスルーホール５１ｂが形成されている。
【００８５】
また、略Ｃ字形の一対のコイル導体４１ｂが形成された磁性体グリーンシート４２ｂを積層する際に、導体ペーストを使用し、スルーホール５１ｂを介して、コイル導体４１ａとコイル導体４１ｂを接合する。なお、スルーホールを接合する際に使用する導体ペーストは、特に限定されないが、銀ペーストであることが好ましい。
【００８６】
略Ｃ字形の一対のコイル導体４１ｂが形成された磁性体グリーンシート４２ｂの上に、上記コイル導体４１ｂと逆のパターンの一対のコイル導体４１ｃが形成された磁性体グリーンシート４２ｃを積層する。すなわち、略Ｃ字形のコイル導体４１ｃは、曲部が磁性体グリーンシートの長手方向Ｙの奥側となるように配置されている。さらに、コイル導体４１ｃは、磁性体グリーンシートの短手方向Ｘの奥側の一端にスルーホール５１ｃが形成されており、このスルーホール５１ｃを介して、導体ペーストを使用し、コイル導体４１ｂとコイル導体４１ｃを接合する。
【００８７】
同様に、コイル導体４１ｂが形成された磁性体グリーンシート４２ｂと、コイル導体４１ｃが形成された磁性体グリーンシート４２ｃとを交互に複数枚積層する。そして、コイル導体４１ｂが形成された磁性体グリーンシート４２ｂの上に、一端が磁性体グリーンシートの短手方向Ｘの奥側の端部に突出する導出部２４ｂおよび２６ｂをそれぞれ有する一対のコイル導体４１ｄが形成された磁性体グリーンシート４２ｄを積層する。なお、コイル導体４１ｄには、磁性体グリーンシートの短手方向Ｘの手前側の一端にスルーホール５１ｄが形成されており、このスルーホール５１ｄを介して、導体ペーストを使用し、コイル導体４１ｂとコイル導体４１ｄを接合する。
【００８８】
最後に、コイル導体４１ｄが形成された磁性体グリーンシート４２ｄの上に、コイル導体が形成されていない磁性体グリーンシート４２ｆを積層する。このコイル導体が形成されていない磁性体グリーンシート４２ｆは、コイル部を保護するため、および積層型フィルタの厚み寸法を調整するために使用され、その厚みは、積層型フィルタの厚みが所望の厚みになるように、適宜調整すれば良い。
【００８９】
上記のように、各スルーホールを介して、各磁性体グリーンシート上のコイル導体を接合することにより、磁性体グリーンシート２枚で１巻きとなるコイルが形成される。
【００９０】
本体積層部の焼成および外部電極の形成
次に、誘電体グリーンシートおよび磁性体グリーンシートを順次積層することにより作製したグリーン状態の本体積層部を焼成する。焼成条件としては、昇温速度を好ましくは５０〜５００℃／時間、さらに好ましくは２００〜３００℃／時間、保持温度を好ましくは８４０〜９００℃、温度保持時間を好ましくは０．５〜８時間、さらに好ましくは１〜３時間、冷却速度を好ましくは５０〜５００℃／時間、さらに好ましくは２００〜３００℃／時間とする。
【００９１】
次に、焼成を行った本体積層部に、たとえばバレル研磨やサンドブラストなどにより端面研磨を施し、本体積層部の両側面に外部電極用ペーストを塗布・乾燥した後、焼き付けを行うことにより図１に示すような外部電極２１〜２６を形成する。なお、外部電極には、電気メッキを行う。電気メッキは、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ、Ｎｉ−Ｓｎ、Ｎｉ−Ａｕ、Ｎｉ−Ａｇ等で行うことが好ましい。
【００９２】
外部電極を形成する際に、外部電極２１および２３は、コイル部の導出部２１ａおよび２３ａと接続し、入出力端子とする。外部電極２４は、コンデンサ部の各導出部２４ａおよびコイル部の導出部２４ｂに接続し、コンデンサ部とコイル部を接続する入出力端子とする。外部電極２６も同様に、コンデンサ部の各導出部２６ａおよびコイル部の導出部２６ｂに接続し、コンデンサ部とコイル部を接続する入出力端子とする。外部電極２２および２５は、それぞれコンデンサ部の各導出部２２ａおよび２５ａに接続し、接地端子とする。
【００９３】
上記のように、本体積層部１１に各外部電極２１〜２６を形成することにより、本実施形態の積層型フィルタは、図４（ａ）に示すＴ型の回路を構成する。
このようにして製造された本実施形態の積層型フィルタは、ハンダ付等によりプリント基板上などに実装され、各種電子機器等に使用される。
【００９４】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は、上述した実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々に改変することができる。
【００９５】
たとえば、上述した実施形態では、本発明に係る複合電子部品として積層型フィルタを例示したが、本発明に係る複合電子部品としては、積層型フィルタに限定されず、上記構成の誘電体層を有するものであれば何でも良い。
【００９６】
また、上述した実施形態では、Ｔ型の回路が形成された積層型フィルタを例示したが、他の集中定数回路が形成された積層型フィルタとすることも可能である。たとえば、他の集中定数回路としては、図４（ｂ）に示すπ型や、図４（ｃ）に示すＬ型や、二つのπ型の回路により形成されるダブルπ型としても良く、また、図５、６に示すＬ型の回路が４つ形成された積層型フィルタとしても良い。
【００９７】
図５、６に示すＬ型の回路が４つ形成された積層型フィルタは、上述した実施形態と誘電体層や磁性体層を構成する材料などは同じものが使用でき、誘電体グリーンシートおよび磁性体グリーンシートは、上述した実施形態と同様に作製すればよい。以下、Ｌ型の回路が４つ形成された積層型フィルタの製造方法について、誘電体グリーンシートおよび磁性体グリーンシートを積層する工程より後の工程を説明する。
【００９８】
まず、最下層に内部電極を形成していない誘電体グリーンシート１３２ｆを配置し、その上に誘電体グリーンシートの長手方向Ｙの手前側および奥側の側部から、誘電体グリーンシートの端部に突出する一対の導出部１２０ａおよび１２９ａを有する内部電極１３１ａが形成された誘電体グリーンシート１３２ａを積層する。
【００９９】
次に、内部電極１３１ａが形成された誘電体グリーンシート１３２ａの上に、誘電体グリーンシートの短手方向Ｘの奥側の側部から、誘電体層の端部に突出する導出部１２５ａを有する内部電極１３１ｂが形成された誘電体グリーンシート１３２ｂを積層する。
【０１００】
次に、内部電極１３１ａが形成された誘電体グリーンシート１３２ａを積層し、その上に、誘電体グリーンシートの短手方向Ｘの奥側の側部から、誘電体層の端部に突出する導出部１２６ａを有する内部電極１３１ｃが形成された誘電体グリーンシート１３２ｃを積層する。なお、導出部１２６ａは、導出部１２５ａより誘電体グリーンシートの長手方向Ｙに沿って奥側に配置してある。
【０１０１】
次に、内部電極１３１ａが形成された誘電体グリーンシート１３２ａを積層し、その上に、導出部が１２６ａより誘電体グリーンシートの長手方向Ｙに沿って奥側に配置された導出部１２７ａを有する内部電極１３１ｄが形成された誘電体グリーンシート１３２ｄを積層する。
【０１０２】
次に、内部電極１３１ａが形成された誘電体グリーンシート１３２ａを積層し、その上に、導出部が１２７ａより誘電体グリーンシートの長手方向Ｙに沿って奥側に配置された導出部１２８ａを有する内部電極１３１ｅが形成された誘電体グリーンシート１３２ｅを積層する。
【０１０３】
最後に、内部電極１３１ａが形成された誘電体グリーンシート１３２ａを積層し、それぞれの導出部が誘電体グリーンシートの長手方向Ｙに沿って異なる位置に形成されたグリーン状態の単層のコンデンサ１３０ａ〜１３０ｅが形成される。
【０１０４】
次に、上記にて積層により形成されたグリーン状態のコンデンサ部の上に、コイル部を形成する。
【０１０５】
まず、コンデンサ部の上に、コイル導体が形成されていない磁性体グリーンシート１４２ｇを積層し、その上に、一端が磁性体グリーンシートの短手方向Ｘの奥側から端部に突出する導出部１２５ｂ、１２６ｂ、１２７ｂ、１２８ｂをそれぞれ有する４つのコイル導体１４１ａが形成された磁性体グリーンシート１４２ａを積層する。
【０１０６】
次に、その上に、略Ｕ字形の４つのコイル導体１４１ｂが形成された磁性体グリーンシート１４２ｂを積層する。なお、略Ｕ字形のコイル導体１４１ｂは、曲部が磁性体グリーンシートの短手方向Ｘの手前側となるように配置されている。なお、コイル導体１４１ｂには、図６に示すように、コイル導体１４１ｂの一端にスルーホール１５１ｂが形成されており、このスルーホール１５１ｂを介して、導体ペーストを使用し、コイル導体１４１ａとコイル導体１４１ｂとを接合する。
【０１０７】
次に、その上に、略Ｃ字形の４つのコイル導体１４１ｃが形成された磁性体グリーンシート１４２ｃを積層する。なお、略Ｃ字形のコイル導体１４１ｃは、曲部が磁性体グリーンシートの長手方向Ｙの手前側となるように配置されている。なお、コイル導体１４１ｃには、図６に示すように、コイル導体１４１ｃの一端にスルーホール１５１ｃが形成されており、このスルーホール１５１ｃを介して、導体ペーストを使用し、コイル導体１４１ｂとコイル導体１４１ｃとを接合する。
【０１０８】
次に、その上に、略Ｃ字形の４つのコイル導体１４１ｄが形成された磁性体グリーンシート１４２ｄを積層する。なお、略Ｃ字形のコイル導体１４１ｄは、曲部が磁性体グリーンシートの長手方向Ｙの手前側となるように配置されている。なお、コイル導体１４１ｄには、図６に示すように、コイル導体１４１ｄの一端にスルーホール１５１ｄが形成されており、このスルーホール１５１ｄを介して、導体ペーストを使用し、コイル導体１４１ｃとコイル導体１４１ｄとを接合する。
【０１０９】
次に、その上に、略Ｕ字形の４つのコイル導体１４１ｅが形成された磁性体グリーンシート１４２ｅを積層する。なお、略Ｕ字形のコイル導体１４１ｅは、曲部が磁性体グリーンシートの短手方向Ｘの奥側となるように配置されている。なお、コイル導体１４１ｅには、図６に示すように、コイル導体１４１ｅの一端にスルーホール１５１ｅが形成されており、このスルーホール１５１ｅを介して、導体ペーストを使用し、コイル導体１４１ｄとコイル導体１４１ｅとを接合する。
【０１１０】
次に、その上に、一端が磁性体グリーンシートの短手方向Ｘの手前側から端部に突出する導出部１２１ｂ、１２２ｂ、１２３ｂ、１２４ｂをそれぞれ有する４つのコイル導体１４１ｆが形成された磁性体グリーンシート１４２ｆを積層する。なお、コイル導体１４１ｆの導出部の一端には、スルーホール１５１ｆが形成されており、このスルーホール１５１ｆを介して、導体ペーストを使用し、コイル導体１４１ｅとコイル導体１４１ｆとを接合する。
【０１１１】
最後に、コイル導体１４１ｆが形成された磁性体グリーンシート１４２ｆの上に、コイル導体が形成されていない磁性体グリーンシート１４２ｈを積層する。
【０１１２】
上記のように、各スルーホールを介して、各磁性体グリーンシート上のコイル導体を接合することにより、コイルが形成される。
【０１１３】
次に、誘電体グリーンシートおよび磁性体グリーンシートを順次積層することにより作製したグリーン状態の本体積層部を焼成し、端面研磨を施し、外部電極を形成する。
【０１１４】
外部電極を形成する際に、外部電極１２１〜１２４は、コイル部の各導出部１２１ａ〜１２４ａと接続し、入出力端子とする。外部電極１２５〜１２８は、コンデンサ部の各導出部１２５ａ〜１２８ａおよびコイル部の各導出部１２５ｂ〜１２８ｂに接続し、コンデンサ部とコイル部を接続する入出力端子とする。外部電極１２０および１２９は、それぞれコンデンサ部の各導出部１２０ａおよび１２９ａに接続し、接地端子とする。
【０１１５】
上記のように、本体積層部１１１に各外部電極１２０〜１２９を形成することにより、本実施形態の積層型フィルタは、図４（ｃ）に示すＬ型の回路が４つ形成された構成となる。
【実施例】
【０１１６】
以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。
【０１１７】
実施例１
本実施例においては、まず、誘電体グリーンシートを作製した。
誘電体磁器組成物原料を構成する主成分原料としてＴｉＯ２、ＣｕＯ、ＮｉＯを、副成分原料としてＭｎＣＯ３を用意し、各粉末原料について湿式混合を行った。湿式混合は、用意した主成分原料および副成分原料に純水を添加し、ジルコニア製メディアを入れたボールミルにて１６時間混合することにより行った。
なお、各化合物の添加量は、
ＴｉＯ２：９２ｍｏｌ％、
ＣｕＯ：３ｍｏｌ％、
ＮｉＯ：５ｍｏｌ％、
ＭｎＣＯ３：１重量％（主成分原料全体に対して）とした。
【０１１８】
次に、上記にて湿式混合を行った混合原料について乾燥を行い、その後、表１に示す試料２〜７については、予備焼成し、顆粒化を行った。
【０１１９】
予備焼成の条件は、表１に示す各温度で、温度保持時間２時間で行った。なお、表１の試料１については、予備焼成は行わなかった。
【０１２０】
次に、予備焼成にて得られた顆粒を粉砕し、焼成前粉体を作製した。粉砕は、顆粒に純水を添加し、ジルコニア製メディアを入れたボールミルにて行った。なお、試料１〜６は、粉砕時間を１８時間とし、試料７は、粉砕時間を１０時間とした。
【０１２１】
上記にて得られた焼成前粉体について、Ｎｉ分散度および、Ｘ線回折測定を行った。
【０１２２】
焼成前粉体のＮｉ分散度（Ｃ．Ｖ．値）の測定
焼成前粉体のＮｉ分散度（Ｃ．Ｖ．値）の測定は、得られた焼成前粉体のＥＰＭＡ分析を行い、Ｎｉ元素のスペクトルのカウント値のヒストグラムを作成し、その標準偏差σおよび平均値ｘを求め、Ｃ．Ｖ．（％）＝（標準偏差σ／平均値ｘ）×１００により求めた。なお、ＥＰＭＡ分析における測定条件としては、視野２００μｍ×２００μｍ、サンプリング数２００×２００とした。結果を表１に示す。
【０１２３】
焼成前粉体のＸ線回折測定
Ｘ線回折測定は、得られた焼成前粉体について、ＣｕＫαを線源とするＸ線回折装置により行い、測定結果より、ＮｉＯの（２００）面の回折強度のＴｉＯ２の（２１０）面の回折強度に対する比ＮｉＯ（２００）／ＴｉＯ２（２１０）および、ＮｉＴｉＯ３の（１０４）面の回折強度のＴｉＯ２の（２１０）面の回折強度に対する比ＮｉＴｉＯ３（１０４）／ＴｉＯ２（２１０）を求めた。結果を表１に示す。
【０１２４】
次に、上記にて得られた焼成前粉体に樹脂バインダー、溶剤、可塑剤および分散剤を添加し、ドクターブレード法により誘電体グリーンシートを作製した。なお、誘電体グリーンシートの厚みは約２０μｍとした。
【０１２５】
次に、銀を主成分とする内部電極用ペーストを使用し、内部電極を誘電体グリーンシート上に形成し、所望の電極パターンを有する誘電体グリーンシートを作製した。なお、本実施例においては、内部電極のパターンが、図３に示すような各パターンとなるよう、複数のパターンを有する誘電体グリーンシートを作製した。
【０１２６】
次に、磁性体グリーンシートを作製した。
まず、磁性体原料粉末を構成する原料として、ＮｉＯ、ＣｕＯ、ＺｎＯおよびＦｅ２Ｏ３を準備し、これらの原料を配合し、仮焼成および粉砕を行い磁性体原料粉末を調製した。なお、各化合物の配合量は、ＮｉＯ：２５ｍｏｌ％、ＣｕＯ：１１ｍｏｌ％、ＺｎＯ：１５ｍｏｌ％、残部をＦｅ２Ｏ３とした。
【０１２７】
得られた磁性体原料粉末に、樹脂バインダー、溶剤、可塑剤および分散剤を添加し、ドクターブレード法により磁性体グリーンシートを作製した。なお、磁性体グリーンシートの厚みは約２０μｍとした。
【０１２８】
次に、銀を主成分とするコイル導体用ペーストを使用し、コイル導体を磁性体グリーンシート上に形成し、さらに、レーザー加工によりスルーホールを作製し、所望の導体パターンおよび、スルーホールを有する磁性体グリーンシートを作製した。なお、本実施例においては、コイル導体のパターンおよびスルーホールの位置が、図３に示すような各パターンおよび各位置となるよう、複数のパターンを有する磁性体グリーンシートを作製した。
【０１２９】
次に、上記にて作製した複数の誘電体グリーンシートおよび複数の磁性体グリーンシートを図３に示すように積層し、８７０℃で焼成を行い、本体積層部を作製した。焼成を行った本体積層部の両側面に外部電極用ペーストを塗布・乾燥し、焼成による外部電極の焼き付けを行い、図１に示すような積層型フィルタの試料１〜７を作製した。なお、積層型フィルタの寸法は、長さ１．６ｍｍ、幅０．８ｍｍ、高さ０．８ｍｍとした。
【０１３０】
得られた積層型フィルタの試料１〜７について、コンデンサ部の誘電体層の厚み、内部電極厚み、誘電体粒子の平均粒子径および粒子径分布の標準偏差σ、誘電体層のＮｉ分散度、比誘電率、直流電界下でのＩＲ寿命の測定を行った。
【０１３１】
誘電体層の厚みおよび内部電極の厚みの測定
上記にて作製した積層型フィルタ試料を内部電極に垂直な面で切断し、その切断面を研磨し、その研磨面の複数箇所を金属顕微鏡で観察することにより、誘電体層の厚みおよび内部電極の厚みを測定した。結果を表２に示す。
また、誘電体層および内部電極の厚み測定の結果より、内部電極の厚みの誘電体層の厚みに対する比を１００分率で計算した。結果を表２に示す。
【０１３２】
誘電体粒子の平均粒子径および粒子径分布の標準偏差σの測定
誘電体粒子の平均粒子径および粒子径分布の標準偏差σの測定方法としては、まず、上記と同様に積層型フィルタ試料を切断し、切断面を研磨した。そして、その研磨面のＳＥＭ観察により、各誘電体粒子の粒子径を測定し、その平均値および、標準偏差σを求めた。なお、このときの各誘電体粒子の粒子径は、ＳＥＭ像における粒子の最大幅を粒子径とした。誘電体粒子の粒子径の測定は、１００〜１５０個の粒子について行い、その測定結果より、平均粒子径および粒子径分布の標準偏差σを求めた。また、ＳＥＭ観察による粒子径の測定条件としては、倍率を１万倍とし、ＳＥＭ像の視野１６μｍ×１６μｍについて画像解析装置により画像解析を行い、各粒子の粒子径を測定した。結果を表２に示す。
【０１３３】
誘電体層のＮｉ分散度（Ｃ．Ｖ．値）の測定
誘電体層のＮｉ分散度（Ｃ．Ｖ．値）の測定は、まず、上記と同様に積層型フィルタ試料を切断し、誘電体層の切断面のＥＰＭＡ分析を行い、Ｎｉ元素のスペクトルのカウント値のヒストグラムを作成し、その標準偏差σおよび平均値ｘを求め、Ｃ．Ｖ．（％）＝（標準偏差σ／平均値ｘ）×１００により求めた。なお、ＥＰＭＡ分析における測定条件としては、視野５０μｍ×５０μｍ、サンプリング数２５０×２５０とした。結果を表２に示す。
【０１３４】
比誘電率（εｒ）の測定
積層型フィルタ試料のコンデンサ部に対し、基準温度２０℃において、デジタルＬＣＲメータ（ＹＨＰ社製４２７４Ａ）にて、周波数１ＭＨｚ，入力信号レベル（測定電圧）０．７Ｖｒｍｓ／μｍの条件下で、静電容量Ｃを測定した。そして、得られた静電容量から、比誘電率（単位なし）を算出したところ、各試料の比誘電率（εｒ）は、約１００であった。
【０１３５】
直流電界下でのＩＲ寿命の測定（高温負荷寿命）
直流電界下でのＩＲ寿命の測定は、得られた積層型フィルタ試料に対し、８５℃の恒温槽中で、１０Ｖの直流電界を印加し、５００時間、１０００時間、１５００時間および２０００時間の各印加時間の絶縁抵抗を測定することにより行った。直流電界下でのＩＲ寿命の評価としては、２０個の試料について試験を行い、各印加時間における絶縁抵抗が１０８Ω以下となったものを「不可」とした。表２に各印加時間における、試験を行った試料の数（２０個）に対する「不可」となった試料の数を示す。
【０１３６】
【表１】
2005183702.tif 000002
【０１３７】
【表２】
2005183702.tif 000003
【０１３８】
評価１
表１に、上記にて調整した焼成前粉体試料１〜７の予備焼成温度、予備焼成時間、平均粒子径、Ｎｉ分散度、Ｘ線回折測定の結果および、各焼成前粉体を使用して作製した積層型フィルタ試料１〜７の誘電体層の誘電体粒子の平均粒子径、粒子径分布の標準偏差σ、Ｎｉ分散度を示した。
【０１３９】
予備焼成を５５０〜８００℃で２時間行った実施例の焼成前粉体試料３〜６は、粉砕後のＮｉ分散度がいずれも５０％以下となり、また、焼成温度の上昇とともにＮｉ分散度が低下する傾向にあった。また、焼成前粉体試料３〜６を使用して作製した積層型フィルタ試料３〜６の誘電体層のＮｉ分散度は、いずれも８０％以下となり、焼成前粉体試料の場合と同様に、予備焼成の温度の上昇とともにＮｉ分散度が低下する傾向にあった。
【０１４０】
一方、予備焼成を行わなかった比較例の焼成前粉体試料１および予備焼成温度を４５０℃とした焼成前粉体試料２は、Ｎｉ分散度がいずれも５０％を超え、さらに、これらの焼成前粉体試料を使用して作製した積層型フィルタの試料の誘電体層のＮｉ分散度は、いずれも８０％を超える結果となった。
【０１４１】
この結果より、積層型フィルタの誘電体層のＮｉ分散度と焼成前粉体のＮｉ分散度との間には、一定の関係があり、焼成後の誘電体層のＮｉ分散度を下げるためには、焼成前粉体のＮｉ分散度を下げることが効果的であることが確認できた。また、焼成前粉体のＮｉ分散度を５０％以下、そして焼成後の誘電体層のＮｉ分散度を８０％以下とするためには、予備焼成の温度は、５００〜８５０℃であり、好ましくは６００〜８５０℃であることが確認できた。
【０１４２】
また、焼成後の誘電体層を構成する誘電体粒子の粒子径分布の標準偏差σは、焼成前粉体のＮｉ分散度および焼成後の誘電体層のＮｉ分散度の低下に伴い、低下するという結果が確認できた。この結果より、粒子径分布の標準偏差σを低下させるためには、焼成前粉体のＮｉ分散度を低下させることが有効であることが確認できた。
【０１４３】
また、焼成前粉体のＮｉ分散度が低くなると、ＮｉＯの（２００）面の回折強度のＴｉＯ２の（２１０）面の回折強度に対する比ＮｉＯ（２００）／ＴｉＯ２（２１０）が小さくなり、ＮｉＴｉＯ３の（１０４）面の回折強度のＴｉＯ２の（２１０）面の回折強度に対する比ＮｉＴｉＯ３（１０４）／ＴｉＯ２（２１０）が大きくなることが確認できた。この結果より、Ｎｉ分散度が低くなると、ＮｉＯのＴｉＯ２への固溶が進み、固溶体であるＮｉＴｉＯ３の割合が増加することが確認できた。
【０１４４】
また、予備焼成の温度を実施例の試料５と同じ７５０℃とし、顆粒化後の粉砕を１０時間と、短くした比較例の焼成前粉体試料７は、粉砕工程における分散が不十分であったため、Ｎｉ分散度が５０％を超え、高くなる結果となった。また、焼成前粉体試料７を使用して作製した積層型フィルタ試料７は、誘電体層の粒子径分布の標準偏差σが０．５μｍを超え、Ｎｉ分散度が８０％を超える結果となった。
【０１４５】
評価２
表２に、積層型フィルタ試料１〜７の誘電体層の厚み、内部電極の厚み、誘電体層の厚みに対する内部電極の厚みの比、誘電体粒子の平均粒子径、粒子径分布の標準偏差σ、誘電体層のＮｉ分散度、直流電流下でのＩＲ寿命を示す。
【０１４６】
表２より、いずれの積層型フィルタ試料も、誘電体層の厚みに対する内部電極の厚みの比が、３５％以下であり、デラミネーションの発生は無かった。また、誘電体層を構成する誘電体粒子の粒子径分布の標準偏差σおよびＮｉ分散度の低下に伴い、直流電界下でのＩＲ寿命が改善することが確認できた。特に、粒子径分布の標準偏差σが０．５μｍ以下であり、Ｎｉ分散度が８０％以下である実施例の試料３〜６は、印加時間１５００時間においても、絶縁抵抗の極端な低下は確認されず、「不可」となる試料は無かった。
【０１４７】
この結果より、誘電体層の厚みが３０μｍ以下、さらに、２０μｍ以下となった場合においても、優れた直流電界下でのＩＲ寿命特性を有するためには、粒子径分布の標準偏差σが０．５μｍ以下、好ましくは０．４５μｍ以下、誘電体層のＮｉ分散度が８０％以下、好ましくは７０％以下であることが確認できた。
【０１４８】
実施例２
磁性体原料を構成する出発原料として、ＣｕＯ、ＺｎＯおよびＦｅ２Ｏ３を使用し、配合量を、ＣｕＯ：１１ｍｏｌ％、ＺｎＯ：４０ｍｏｌ％、残部をＦｅ２Ｏ３とした磁性体グリーンシートを調整し、コイル部の磁性体層をＣｕ−Ｚｎ系フェライトとした以外は、実施例１の試料６と同様にして積層型フィルタ試料８を作製した。
【０１４９】
次に、コイル部の磁性体層がＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトである積層型フィルタ試料６と、磁性体層がＣｕ−Ｚｎ系フェライトである積層型フィルタ試料８について以下の条件で、挿入損失の測定を行った。
【０１５０】
挿入損失の測定
積層型フィルタ試料６，８についてネットワークアナライザーを使用し、周波数１０ＭＨｚ〜５ＧＨｚの周波数帯について挿入損失の測定を行った。測定の結果得られた周波数と挿入損失の関係を図７に示した。
【０１５１】
図７に示すように、本発明の実施例の試料は、磁性体層としてＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトのいずれを使用した場合においても、５０ＭＨｚ〜３ＧＨｚの周波数帯、特に８００ＭＨｚ〜２．２ＧＨｚにおいて、充分なノイズ除去効果が実現できることが確認できた。
【図面の簡単な説明】
【０１５２】
【図１】図１は本発明の一実施形態に係る積層型フィルタの斜視図である。
【図２】図２は図１に示すＩＩ−ＩＩ線に沿う積層型フィルタの断面図である。
【図３】図３は本発明の一実施形態に係る積層型フィルタの積層構造を示す分解斜視図である。
【図４】図４（Ａ）はＴ型の回路の回路図、図４（Ｂ）はπ型の回路の回路図、図４（Ｃ）はＬ型の回路の回路図である。
【図５】図５は本発明のその他の実施形態に係る積層型フィルタの斜視図である。
【図６】図６は本発明のその他の実施形態に係る積層型フィルタの積層構造を示す分解斜視図である。
【図７】図７は本発明の実施例に係る積層型フィルタの周波数と挿入損失との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【０１５３】
１…  積層型フィルタ
１１…  本体積層部
２１〜２６…  外部電極
２１ａ〜２６ａ，２４ｂ，２６ｂ…  導出部
３０…  コンデンサ部
３０ａ，３０ｂ…  コンデンサ
３１…  内部電極
３１ａ，３１ｂ…  内部電極
３２…  誘電体層
３２ａ，３２ｂ，３２ｃ…  誘電体グリーンシート
４０…  コイル部
４１…  コイル導体
４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄ…  コイル導体
４２…  磁性体層
４２ａ〜４２ｆ…  磁性体グリーンシート
５１ｂ，５１ｃ，５１ｄ…  スルーホール
１０１…  積層型フィルタ
１１１…  本体積層部
１２０〜１２９…  外部電極
１２０ａ〜１２９ａ，１２５ｂ〜１２８ｂ…  導出部
１３０ａ〜１３０ｅ…  コンデンサ
１３１ａ〜１３１ｅ…  内部電極
１３２ａ〜１３２ｆ…  誘電体グリーンシート
１４１ａ〜１４１ｆ…  コイル導体
１４２ａ〜１４２ｈ…  磁性体グリーンシート
１５１ｂ〜１５１ｆ…  スルーホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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