(57)【要約】【課題】  新規な有機材料を用い、薄膜化したキャパシタを提供する。【解決手段】  所定の基板１１と、この基板１１上に形成された誘電体１２と、この誘電体１２上に形成された電極１３とからキャパシタ１０を構成する。誘電体１２は、無機物と同等の高い誘電性を示し、膜状に形成して誘電体として使用可能な所定のトリアジンジスルフィドポリマーから構成する。【選択図】図１
2005251932.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の基板と、
前記基板上に形成された誘電体と、
前記誘電体に接触するように形成された電極とを具え、
前記誘電体は、
【化１】
2005251932.tif 000008
（式中、R1はH−，CH3−，C2H5−，C4H9−，C6H13−，C4H9（C2H5）CHCH2−，n-C8H17−，C10H21−，C12H25−，iso-C18H37−，n-C18H37−，C20H41−，C22H45−，C24H49−，CH2=CHCH2−，CH2=CH（CH2）8−，CH2=CH（CH2）9−，C8H17CH2=CHC8H16−，C6H11−，C6H5−，C6H5CH2−，C6H5CH2CH2−，CH2=CH（CH2）4COOCH2CH2−，CH2=CH（CH2）8COOCH2CH2−，CH2=CH（CH2）9COOCH2CH2−，CF3C6H4−，C4F9C6H4−，C6F13C6H4−，C8F17C6H4−，C1OF21C6H4−，C6F11OC6H4−，C9F17OC6H4−，C4F9CH2−，C6F13CH2−，C8F17CH2−，C1OF21CH2−，C4FCH2CH2−，C6F13CH2CH2−，C8F17CH2CH2−，C8F17CH2CH2CH2−，C8F17CH2CH2CH2CH2−，C8F1CH2CH2CH2CH2CH2CH2−，C1OF21CH2CH2−，C1OF21CH2CH2CH2−，C4F9CH2=CHCH2−，C6F13CH2=CHCH2−，C8F1CH2=CHCH2−，C1OF21CH2=CHCH2−，C4F9CH2CH（OH）CH2−，C6F13CH2CH（OH）CH2−，C8F1CH2CH（OH）CH2−，C1OF21CH2CH（OH）CH2から選ばれる少なくとも一種であり、R2はH−，CH3−，C2H5−，C4H9−，C6H13−，iso-C8H17−，n-C8H17−，C1OH21−，C12H25−，iso-C18H37−，n-C18H37−，C20H41−，C22H45−，C24H49−，CH2=CHCH2−，CH2=CH（CH2）8−，CH2=CH（CH2）9−，C8H17CH2=CHC8H16−，C6H11−，C6H5−，C6H5CH2−，C6H5CH2CH2，CH2＝CH（CH2）4COOCH2CH−，CH2=CH（CH2）8COOCH2CH2−，CH2＝CH（CH2）9COOCH2CH2−，CF3C6H4−，C4F9C6H4−，C6F13C6H4−，C8F17C6H4−，C10F21C6H4−，C4F9CH2−，C6F13CH2−，C8F17CH2−，ClOF21CH2−，C4F1CH2CH2−，C6F13CH2CH2−，C8F1CH2CH2−，ClOF21CH2CH2−，C4F9CH2=CHCH2−，C6F13CH2=CHCH2−,C8F1CH2=CHCH2−，C1OF21CH2=CHCH2−，C4F9CH2CH（OH）CH2−，C6F13CH2CH（OH）CH2−，C8F1CH2CH（OH）CH2−，C1OF21CH2CH（OH）CH2−から選ばれる少なくとも一種であり、またはRl-N-R2として、CH2=CH（CH2）4COOCH（CH2CH2）2N−，CH2=CH（CH2）8COOCH（CH2CH2）2N−，CH2=CH（CH2）9COOCH（CH2CH2）2N−，C4F9COOCH（CH2CH2）2N−，C6F13COOCH（CH2CH2）2N−，C8F17COOCH（CH2CH2）2N−，C1OF21COOCH（CH2CH2）2N−から選ばれる少なくとも一種である）で示されるポリ（6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジスルフィド）の少なくとも一種から構成されることを特徴とする、キャパシタ。
【請求項２】
前記基板はアルミニウム基板であることを特徴とする、請求項１に記載のキャパシタ。
【請求項３】
前記アルミニウム基板に対してヒドラジン及びヒドラジン誘導体の少なくとも一方を用いて表面処理を行い、前記アルミニウム基板の、前記誘電体を形成すべき主面において、ヒドラジン及びAl2O3からなる混合膜を形成することを特徴とする、請求項２に記載のキャパシタ。
【請求項４】
所定の基板と、
前記基板上に形成された誘電体と、
前記誘電体に接触するように形成された電極と、
前記電極側において、前記基板、前記誘電体及び前記電極から構成される積層構造体の全体を覆うようにして設けられた有機保護膜とを具え、
前記誘電体は、
【化２】
2005251932.tif 000009
（式中、R1はH−，CH3−，C2H5−，C4H9−，C6H13−，C4H9（C2H5）CHCH2−，n-C8H17−，C10H21−，C12H25−，iso-C18H37−，n-C18H37−，C20H41−，C22H45−，C24H49−，CH2=CHCH2−，CH2=CH（CH2）8−，CH2=CH（CH2）9−，C8H17CH2=CHC8H16−，C6H11−，C6H5−，C6H5CH2−，C6H5CH2CH2−，CH2=CH（CH2）4COOCH2CH2−，CH2=CH（CH2）8COOCH2CH2−，CH2=CH（CH2）9COOCH2CH2−，CF3C6H4−，C4F9C6H4−，C6F13C6H4−，C8F17C6H4−，C1OF21C6H4−，C6F11OC6H4−，C9F17OC6H4−，C4F9CH2−，C6F13CH2−，C8F17CH2−，C1OF21CH2−，C4FCH2CH2−，C6F13CH2CH2−，C8F17CH2CH2−，C8F17CH2CH2CH2−，C8F17CH2CH2CH2CH2−，C8F1CH2CH2CH2CH2CH2CH2−，C1OF21CH2CH2−，C1OF21CH2CH2CH2−，C4F9CH2=CHCH2−，C6F13CH2=CHCH2−，C8F1CH2=CHCH2−，C1OF21CH2=CHCH2−，C4F9CH2CH（OH）CH2−，C6F13CH2CH（OH）CH2−，C8F1CH2CH（OH）CH2−，C1OF21CH2CH（OH）CH2から選ばれる少なくとも一種であり、R2はH−，CH3−，C2H5−，C4H9−，C6H13−，iso-C8H17−，n-C8H17−，C1OH21−，C12H25−，iso-C18H37−，n-C18H37−，C20H41−，C22H45−，C24H49−，CH2=CHCH2−，CH2=CH（CH2）8−，CH2=CH（CH2）9−，C8H17CH2=CHC8H16−，C6H11−，C6H5−，C6H5CH2−，C6H5CH2CH2，CH2＝CH（CH2）4COOCH2CH−，CH2=CH（CH2）8COOCH2CH2−，CH2＝CH（CH2）9COOCH2CH2−，CF3C6H4−，C4F9C6H4−，C6F13C6H4−，C8F17C6H4−，C10F21C6H4−，C4F9CH2−，C6F13CH2−，C8F17CH2−，ClOF21CH2−，C4F1CH2CH2−，C6F13CH2CH2−，C8F1CH2CH2−，ClOF21CH2CH2−，C4F9CH2=CHCH2−，C6F13CH2=CHCH2−,C8F1CH2=CHCH2−，C1OF21CH2=CHCH2−，C4F9CH2CH（OH）CH2−，C6F13CH2CH（OH）CH2−，C8F1CH2CH（OH）CH2−，C1OF21CH2CH（OH）CH2−から選ばれる少なくとも一種であり、またはRl-N-R2として、CH2=CH（CH2）4COOCH（CH2CH2）2N−，CH2=CH（CH2）8COOCH（CH2CH2）2N−，CH2=CH（CH2）9COOCH（CH2CH2）2N−，C4F9COOCH（CH2CH2）2N−，C6F13COOCH（CH2CH2）2N−，C8F17COOCH（CH2CH2）2N−，C1OF21COOCH（CH2CH2）2N−から選ばれる少なくとも一種である）で示されるポリ（6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジスルフィド）の少なくとも一種から構成され、
前記積層構造体は、前記電極を内側にして、前記基板が前記有機保護膜によって接触しないように巻き上げてなることを特徴とする、キャパシタ。
【請求項５】
前記基板はアルミニウム基板であることを特徴とする、請求項４に記載のキャパシタ。
【請求項６】
前記アルミニウム基板に対してヒドラジン及びヒドラジン誘導体の少なくとも一方を用いて表面処理を行い、前記アルミニウム基板の、前記誘電体を形成すべき主面において、ヒドラジン及びAl2O3からなる混合膜を形成することを特徴とする、請求項５に記載のキャパシタ。
【請求項７】
前記有機保護膜は、ポリエステル、ポリアミド、ポリスチレン及びポリエチレンの少なくとも一つから構成することを特徴とする、請求項４〜６のいずれか一に記載のキャパシタ。
【請求項８】
所定の基板、この基板上に形成された誘電体、及びこの誘電体上に形成された電極を含む複数の構造体が、隣接する構造体間において、互いの前記基板及び前記電極を導電性の接着剤で接着するようにして積層してなり、
前記構造体における各誘電体は、
【化３】
2005251932.tif 000010
（式中、R1はH−，CH3−，C2H5−，C4H9−，C6H13−，C4H9（C2H5）CHCH2−，n-C8H17−，C10H21−，C12H25−，iso-C18H37−，n-C18H37−，C20H41−，C22H45−，C24H49−，CH2=CHCH2−，CH2=CH（CH2）8−，CH2=CH（CH2）9−，C8H17CH2=CHC8H16−，C6H11−，C6H5−，C6H5CH2−，C6H5CH2CH2−，CH2=CH（CH2）4COOCH2CH2−，CH2=CH（CH2）8COOCH2CH2−，CH2=CH（CH2）9COOCH2CH2−，CF3C6H4−，C4F9C6H4−，C6F13C6H4−，C8F17C6H4−，C1OF21C6H4−，C6F11OC6H4−，C9F17OC6H4−，C4F9CH2−，C6F13CH2−，C8F17CH2−，C1OF21CH2−，C4FCH2CH2−，C6F13CH2CH2−，C8F17CH2CH2−，C8F17CH2CH2CH2−，C8F17CH2CH2CH2CH2−，C8F1CH2CH2CH2CH2CH2CH2−，C1OF21CH2CH2−，C1OF21CH2CH2CH2−，C4F9CH2=CHCH2−，C6F13CH2=CHCH2−，C8F1CH2=CHCH2−，C1OF21CH2=CHCH2−，C4F9CH2CH（OH）CH2−，C6F13CH2CH（OH）CH2−，C8F1CH2CH（OH）CH2−，C1OF21CH2CH（OH）CH2から選ばれる少なくとも一種であり、R2はH−，CH3−，C2H5−，C4H9−，C6H13−，iso-C8H17−，n-C8H17−，C1OH21−，C12H25−，iso-C18H37−，n-C18H37−，C20H41−，C22H45−，C24H49−，CH2=CHCH2−，CH2=CH（CH2）8−，CH2=CH（CH2）9−，C8H17CH2=CHC8H16−，C6H11−，C6H5−，C6H5CH2−，C6H5CH2CH2，CH2＝CH（CH2）4COOCH2CH−，CH2=CH（CH2）8COOCH2CH2−，CH2＝CH（CH2）9COOCH2CH2−，CF3C6H4−，C4F9C6H4−，C6F13C6H4−，C8F17C6H4−，C10F21C6H4−，C4F9CH2−，C6F13CH2−，C8F17CH2−，ClOF21CH2−，C4F1CH2CH2−，C6F13CH2CH2−，C8F1CH2CH2−，ClOF21CH2CH2−，C4F9CH2=CHCH2−，C6F13CH2=CHCH2−,C8F1CH2=CHCH2−，C1OF21CH2=CHCH2−，C4F9CH2CH（OH）CH2−，C6F13CH2CH（OH）CH2−，C8F1CH2CH（OH）CH2−，C1OF21CH2CH（OH）CH2−から選ばれる少なくとも一種であり、またはRl-N-R2として、CH2=CH（CH2）4COOCH（CH2CH2）2N−，CH2=CH（CH2）8COOCH（CH2CH2）2N−，CH2=CH（CH2）9COOCH（CH2CH2）2N−，C4F9COOCH（CH2CH2）2N−，C6F13COOCH（CH2CH2）2N−，C8F17COOCH（CH2CH2）2N−，C1OF21COOCH（CH2CH2）2N−から選ばれる少なくとも一種である）で示されるポリ（6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジスルフィド）の少なくとも一種から構成され、
前記構造体は、前記接着剤を介して互いに直列に接続されたことを特徴とする、キャパシタ。
【請求項９】
前記基板はアルミニウム基板であることを特徴とする、請求項８に記載のキャパシタ。
【請求項１０】
前記アルミニウム基板に対してヒドラジン及びヒドラジン誘導体の少なくとも一方を用いて表面処理を行い、前記アルミニウム基板の、前記誘電体を形成すべき主面において、ヒドラジン及びAl2O3からなる混合膜を形成することを特徴とする、請求項１０に記載のキャパシタ。
【請求項１１】
前記接着剤は、銀ペースト、銀−すずペースト、銅ペースト及び金ペーストの少なくとも一つから構成することを特徴とする、請求項８〜１０のいずれか一に記載のキャパシタ。
【請求項１２】
所定の基板、この基板の両主面に形成された誘電体、及び前記誘電体上の、端子部を除く主面上に形成された電極を具える積層構造体を、隣接する積層構造体における電極同士が接触しないようにして電気的に並列に配置し、
前記誘電体は、
【化４】
2005251932.tif 000011
（式中、R1はH−，CH3−，C2H5−，C4H9−，C6H13−，C4H9（C2H5）CHCH2−，n-C8H17−，C10H21−，C12H25−，iso-C18H37−，n-C18H37−，C20H41−，C22H45−，C24H49−，CH2=CHCH2−，CH2=CH（CH2）8−，CH2=CH（CH2）9−，C8H17CH2=CHC8H16−，C6H11−，C6H5−，C6H5CH2−，C6H5CH2CH2−，CH2=CH（CH2）4COOCH2CH2−，CH2=CH（CH2）8COOCH2CH2−，CH2=CH（CH2）9COOCH2CH2−，CF3C6H4−，C4F9C6H4−，C6F13C6H4−，C8F17C6H4−，C1OF21C6H4−，C6F11OC6H4−，C9F17OC6H4−，C4F9CH2−，C6F13CH2−，C8F17CH2−，C1OF21CH2−，C4FCH2CH2−，C6F13CH2CH2−，C8F17CH2CH2−，C8F17CH2CH2CH2−，C8F17CH2CH2CH2CH2−，C8F1CH2CH2CH2CH2CH2CH2−，C1OF21CH2CH2−，C1OF21CH2CH2CH2−，C4F9CH2=CHCH2−，C6F13CH2=CHCH2−，C8F1CH2=CHCH2−，C1OF21CH2=CHCH2−，C4F9CH2CH（OH）CH2−，C6F13CH2CH（OH）CH2−，C8F1CH2CH（OH）CH2−，C1OF21CH2CH（OH）CH2から選ばれる少なくとも一種であり、R2はH−，CH3−，C2H5−，C4H9−，C6H13−，iso-C8H17−，n-C8H17−，C1OH21−，C12H25−，iso-C18H37−，n-C18H37−，C20H41−，C22H45−，C24H49−，CH2=CHCH2−，CH2=CH（CH2）8−，CH2=CH（CH2）9−，C8H17CH2=CHC8H16−，C6H11−，C6H5−，C6H5CH2−，C6H5CH2CH2，CH2＝CH（CH2）4COOCH2CH−，CH2=CH（CH2）8COOCH2CH2−，CH2＝CH（CH2）9COOCH2CH2−，CF3C6H4−，C4F9C6H4−，C6F13C6H4−，C8F17C6H4−，C10F21C6H4−，C4F9CH2−，C6F13CH2−，C8F17CH2−，ClOF21CH2−，C4F1CH2CH2−，C6F13CH2CH2−，C8F1CH2CH2−，ClOF21CH2CH2−，C4F9CH2=CHCH2−，C6F13CH2=CHCH2−,C8F1CH2=CHCH2−，C1OF21CH2=CHCH2−，C4F9CH2CH（OH）CH2−，C6F13CH2CH（OH）CH2−，C8F1CH2CH（OH）CH2−，C1OF21CH2CH（OH）CH2−から選ばれる少なくとも一種であり、またはRl-N-R2として、CH2=CH（CH2）4COOCH（CH2CH2）2N−，CH2=CH（CH2）8COOCH（CH2CH2）2N−，CH2=CH（CH2）9COOCH（CH2CH2）2N−，C4F9COOCH（CH2CH2）2N−，C6F13COOCH（CH2CH2）2N−，C8F17COOCH（CH2CH2）2N−，C1OF21COOCH（CH2CH2）2N−から選ばれる少なくとも一種である）で示されるポリ（6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジスルフィド）の少なくとも一種から構成されることを特徴とする、キャパシタ。
【請求項１３】
前記基板はアルミニウム基板であることを特徴とする、請求項１２に記載のキャパシタ。
【請求項１４】
前記アルミニウム基板に対してヒドラジン及びヒドラジン誘導体の少なくとも一方を用いて表面処理を行い、前記アルミニウム基板の、前記誘電体を形成すべき主面において、ヒドラジン及びAl2O3からなる混合膜を形成することを特徴とする、請求項１３に記載のキャパシタ。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか一に記載のキャパシタを含むことを特徴とする、電気回路。
【請求項１６】
所定の基板、この基板の両主面に形成された誘電体、及び前記誘電体上に形成された電極を含むキャパシタと、
所定の配線が形成されたプリント基板とを具え、
前記プリント基板の配線が前記キャパシタの前記電極と電気的に接触するようにして、前記キャパシタを前記プリント基板で挟んで構成され、
前記キャパシタにおける前記誘電体は、
【化５】
2005251932.tif 000012
（式中、R1はH−，CH3−，C2H5−，C4H9−，C6H13−，C4H9（C2H5）CHCH2−，n-C8H17−，C10H21−，C12H25−，iso-C18H37−，n-C18H37−，C20H41−，C22H45−，C24H49−，CH2=CHCH2−，CH2=CH（CH2）8−，CH2=CH（CH2）9−，C8H17CH2=CHC8H16−，C6H11−，C6H5−，C6H5CH2−，C6H5CH2CH2−，CH2=CH（CH2）4COOCH2CH2−，CH2=CH（CH2）8COOCH2CH2−，CH2=CH（CH2）9COOCH2CH2−，CF3C6H4−，C4F9C6H4−，C6F13C6H4−，C8F17C6H4−，C1OF21C6H4−，C6F11OC6H4−，C9F17OC6H4−，C4F9CH2−，C6F13CH2−，C8F17CH2−，C1OF21CH2−，C4FCH2CH2−，C6F13CH2CH2−，C8F17CH2CH2−，C8F17CH2CH2CH2−，C8F17CH2CH2CH2CH2−，C8F1CH2CH2CH2CH2CH2CH2−，C1OF21CH2CH2−，C1OF21CH2CH2CH2−，C4F9CH2=CHCH2−，C6F13CH2=CHCH2−，C8F1CH2=CHCH2−，C1OF21CH2=CHCH2−，C4F9CH2CH（OH）CH2−，C6F13CH2CH（OH）CH2−，C8F1CH2CH（OH）CH2−，C1OF21CH2CH（OH）CH2から選ばれる少なくとも一種であり、R2はH−，CH3−，C2H5−，C4H9−，C6H13−，iso-C8H17−，n-C8H17−，C1OH21−，C12H25−，iso-C18H37−，n-C18H37−，C20H41−，C22H45−，C24H49−，CH2=CHCH2−，CH2=CH（CH2）8−，CH2=CH（CH2）9−，C8H17CH2=CHC8H16−，C6H11−，C6H5−，C6H5CH2−，C6H5CH2CH2，CH2＝CH（CH2）4COOCH2CH−，CH2=CH（CH2）8COOCH2CH2−，CH2＝CH（CH2）9COOCH2CH2−，CF3C6H4−，C4F9C6H4−，C6F13C6H4−，C8F17C6H4−，C10F21C6H4−，C4F9CH2−，C6F13CH2−，C8F17CH2−，ClOF21CH2−，C4F1CH2CH2−，C6F13CH2CH2−，C8F1CH2CH2−，ClOF21CH2CH2−，C4F9CH2=CHCH2−，C6F13CH2=CHCH2−,C8F1CH2=CHCH2−，C1OF21CH2=CHCH2−，C4F9CH2CH（OH）CH2−，C6F13CH2CH（OH）CH2−，C8F1CH2CH（OH）CH2−，C1OF21CH2CH（OH）CH2−から選ばれる少なくとも一種であり、またはRl-N-R2として、CH2=CH（CH2）4COOCH（CH2CH2）2N−，CH2=CH（CH2）8COOCH（CH2CH2）2N−，CH2=CH（CH2）9COOCH（CH2CH2）2N−，C4F9COOCH（CH2CH2）2N−，C6F13COOCH（CH2CH2）2N−，C8F17COOCH（CH2CH2）2N−，C1OF21COOCH（CH2CH2）2N−から選ばれる少なくとも一種である）で示されるポリ（6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジスルフィド）の少なくとも一種から構成されることを特徴とする、電気回路。
【請求項１７】
前記キャパシタのおける前記基板はアルミニウム基板であることを特徴とする、請求項１６に記載の電気回路。
【請求項１８】
前記アルミニウム基板に対してヒドラジン及びヒドラジン誘導体の少なくとも一方を用いて表面処理を行い、前記アルミニウム基板の、前記誘電体を形成すべき主面において、ヒドラジン及びAl2O3からなる混合膜を形成することを特徴とする、請求項１７に記載の電気回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キャパシタ、及び電気回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、キャパシタはその誘電体として酸化アルミニウム、酸化チタン誘導体、酸化タンタルなどの無機化合物が使用されてきた。このような無機物が使用される理由としては、無機物に匹敵するような高い誘電性を有する有機物が今だ発見されておらず、さらに粗化によって生成した広大な表面積の金属表面上に有機物皮膜を形成させる方法が存在しなかったためである。
【０００３】
無機材料を誘電体として用いたキャパシタは、複数組み合わせて使用することにより多様な要求にこたえることが可能であるが、各キャパシタを構成する材料が異なるため、同一の製造方法でそれらの諸特性を調整して多様な要求にこたえることが困難であった。一方、製造方法の単一化は製造設備の有効稼動を促進し、生産コストの低減に有効である。
【０００４】
しかしながら、従来のキャパシタはチップタイプへの加工は容易であるが薄膜タイプに加工することが困難であった。このため、プリント基板などの電気回路では、多数のコンデンサーチップを搭載する必要が生じ、その体積を増大させている。電気・電子製品やデバイスなどの小型化を達成するためにはキャパシタの薄膜化と特性の改良は不可欠である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、新規な有機材料を用い、薄膜化したキャパシタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成すべく、本発明は、
所定の基板と、
前記基板上に形成された誘電体と、
前記誘電体に接触するように形成された電極とを具え、
前記誘電体は、
【０００７】
【化１】
2005251932.tif 000003
（式中、R1はH−，CH3−，C2H5−，C4H9−，C6H13−，C4H9（C2H5）CHCH2−，n-C8H17−，C10H21−，C12H25−，iso-C18H37−，n-C18H37−，C20H41−，C22H45−，C24H49−，CH2=CHCH2−，CH2=CH（CH2）8−，CH2=CH（CH2）9−，C8H17CH2=CHC8H16−，C6H11−，C6H5−，C6H5CH2−，C6H5CH2CH2−，CH2=CH（CH2）4COOCH2CH2−，CH2=CH（CH2）8COOCH2CH2−，CH2=CH（CH2）9COOCH2CH2−，CF3C6H4−，C4F9C6H4−，C6F13C6H4−，C8F17C6H4−，C1OF21C6H4−，C6F11OC6H4−，C9F17OC6H4−，C4F9CH2−，C6F13CH2−，C8F17CH2−，C1OF21CH2−，C4FCH2CH2−，C6F13CH2CH2−，C8F17CH2CH2−，C8F17CH2CH2CH2−，C8F17CH2CH2CH2CH2−，C8F1CH2CH2CH2CH2CH2CH2−，C1OF21CH2CH2−，C1OF21CH2CH2CH2−，C4F9CH2=CHCH2−，C6F13CH2=CHCH2−，C8F1CH2=CHCH2−，C1OF21CH2=CHCH2−，C4F9CH2CH（OH）CH2−，C6F13CH2CH（OH）CH2−，C8F1CH2CH（OH）CH2−，C1OF21CH2CH（OH）CH2から選ばれる少なくとも一種であり、R2はH−，CH3−，C2H5−，C4H9−，C6H13−，iso-C8H17−，n-C8H17−，C1OH21−，C12H25−，iso-C18H37−，n-C18H37−，C20H41−，C22H45−，C24H49−，CH2=CHCH2−，CH2=CH（CH2）8−，CH2=CH（CH2）9−，C8H17CH2=CHC8H16−，C6H11−，C6H5−，C6H5CH2−，C6H5CH2CH2，CH2＝CH（CH2）4COOCH2CH−，CH2=CH（CH2）8COOCH2CH2−，CH2＝CH（CH2）9COOCH2CH2−，CF3C6H4−，C4F9C6H4−，C6F13C6H4−，C8F17C6H4−，C10F21C6H4−，C4F9CH2−，C6F13CH2−，C8F17CH2−，ClOF21CH2−，C4F1CH2CH2−，C6F13CH2CH2−，C8F1CH2CH2−，ClOF21CH2CH2−，C4F9CH2=CHCH2−，C6F13CH2=CHCH2−,C8F1CH2=CHCH2−，C1OF21CH2=CHCH2−，C4F9CH2CH（OH）CH2−，C6F13CH2CH（OH）CH2−，C8F1CH2CH（OH）CH2−，C1OF21CH2CH（OH）CH2−から選ばれる少なくとも一種であり、またはRl-N-R2として、CH2=CH（CH2）4COOCH（CH2CH2）2N−，CH2=CH（CH2）8COOCH（CH2CH2）2N−，CH2=CH（CH2）9COOCH（CH2CH2）2N−，C4F9COOCH（CH2CH2）2N−，C6F13COOCH（CH2CH2）2N−，C8F17COOCH（CH2CH2）2N−，C1OF21COOCH（CH2CH2）2N−から選ばれる少なくとも一種である）で示されるポリ（6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジスルフィド）（以下、「トリアジンジスルフィドポリマー」と略す場合がある）の少なくとも一種から構成されることを特徴とする、キャパシタ（第１のキャパシタ）に関する。
【０００８】
また、本発明は、
所定の基板と、
前記基板上に形成された誘電体と、
前記誘電体に接触するように形成された電極と、
前記電極側において、前記基板、前記誘電体及び前記電極から構成される積層構造体の全体を覆うようにして設けられた有機保護膜とを具え、
前記誘電体は、前記化学式１で示されるトリアジンジスルフィドポリマーの少なくとも一種から構成され、
前記積層構造体は、前記電極を内側にして、前記基板が前記有機保護膜によって接触しないように巻き上げてなることを特徴とする、キャパシタ（第２のキャパシタ）に関する。
【０００９】
さらに、本発明は、
所定の基板、この基板上に形成された誘電体、及びこの誘電体上に形成された電極を含む複数の構造体が、隣接する構造体間において、互いの前記基板及び前記電極を導電性の接着剤で接着するようにして積層してなり、
前記構造体における各誘電体は、前記化学式１で示されるトリアジンジスルフィドポリマーの少なくとも一種から構成され、
前記構造体は、前記接着剤を介して互いに直列に接続されたことを特徴とする、キャパシタ（第３のキャパシタ）に関する。
【００１０】
また、本発明は、
所定の基板、この基板の両主面に形成された誘電体、及び前記誘電体上の、端子部を除く主面上に形成された電極を具える積層構造体を、隣接する積層構造体における電極同士が接触しないようにして電気的に並列に配置し、
前記誘電体は、前記化学式１で示されるトリアジンジスルフィドポリマーの少なくとも一種から構成されることを特徴とする、キャパシタ（第４のキャパシタ）に関する。
【００１１】
本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意検討を行い、上述のような化学式１で示される新規な高分子化合物の合成に成功した。この高分子化合物は無機物に匹敵するような高い誘電性を有し、形成すべき金属基板などの表面粗さに大きく依存することなく膜状に形成することが可能である。したがって、前記トリアジンジスルフィドポリマーは、所定の基板上に誘電体として簡易に形成することができ、前記誘電体上に適宜電極などを形成することによって、前記トリアジンジスルフィドポリマーの高誘電性に起因し、優れた特性の膜状キャパシタを形成することができる。
【００１２】
このように、前記トリアジンジスルフィドポリマーを用いることによって膜状のキャパシタを簡易に形成できるので、上述したような薄膜化した第１のキャパシタを得ることに成功した。また、前記第１のキャパシタを複数直列に接続し、直列積層型のキャパシタを形成した場合においても、その厚さを十分薄くすることができる（第３のキャパシタ）。同様に、前記第１のキャパシタを複数並列に接続し、並列積層型のキャパシタを形成した場合においても、その厚さを十分に薄くすることができる（第４のキャパシタ）。
【００１３】
また、キャパシタを構成する誘電体を上述したようなトリアジンジスルフィドポリマーから構成しているので、前記キャパシタを構成する基板を金属箔などのように折り曲げ可能な材料から構成することにより、前記キャパシタを所定の形態に変形させることができ、例えば前記第１のキャパシタを巻き上げて形成したような巻き上げ構造のキャパシタ（第２のキャパシタ）を形成することもできる。この場合、キャパシタ全体は単一のキャパシタが巻き上げられるようにして構成されているので、その大きさを十分に小さくすることができる。
【発明の効果】
【００１４】
以上説明したように、本発明によれば、従来の無機物と同等の誘電性を有する有機物からキャパシタを構成することができ、その結果、十分薄膜化したキャパシタを実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の詳細、並びにその他の特徴及び利点について、最良の形態に基づいて詳細に説明する。
【００１６】
図１は、本発明の第１のキャパシタの一例を示す構成図である。図１に示す第１のキャパシタ１０は、所定の基板１１と、この基板１１上に形成された誘電体１２と、この誘電体１２上に形成された電極１３とを具えている。誘電体１２は、上述した化学式１で示されるトリアジンジスルフィドポリマーの少なくとも一種から構成する。
【００１７】
前記トリアジンジスルフィドポリマーの分子量などは特に限定されるものではないが、十分高い誘電性を実現し、誘電体として十分な高い強度を実現するためには、５０００〜１００，０００の範囲であることが好ましい。
【００１８】
このようなトリアジンジスルフィドポリマーの製造方法は特に限定されないが、電解重合法、熱重合法又は紫外線重合法などによって製造することができる。
【００１９】
電解重合法による場合、最初に、
【００２０】
【化２】
2005251932.tif 000004
（式中、R1はH−，CH3−，C2H5−，C4H9−，C6H13−，C4H9（C2H5）CHCH2−，n-C8H17−，C10H21−，C12H25−，iso-C18H37−，n-C18H37−，C20H41−，C22H45−，C24H49−，CH2=CHCH2−，CH2=CH（CH2）8−，CH2=CH（CH2）9−，C8H17CH2=CHC8H16−，C6H11−，C6H5−，C6H5CH2−，C6H5CH2CH2−，CH2=CH（CH2）4COOCH2CH2−，CH2=CH（CH2）8COOCH2CH2−，CH2=CH（CH2）9COOCH2CH2−，CF3C6H4−，C4F9C6H4−，C6F13C6H4−，C8F17C6H4−，C1OF21C6H4−，C6F11OC6H4−，C9F17OC6H4−，C4F9CH2−，C6F13CH2−，C8F17CH2−，C1OF21CH2−，C4FCH2CH2−，C6F13CH2CH2−，C8F17CH2CH2−，C8F17CH2CH2CH2−，C8F17CH2CH2CH2CH2−，C8F1CH2CH2CH2CH2CH2CH2−，C1OF21CH2CH2−，C1OF21CH2CH2CH2−，C4F9CH2=CHCH2−，C6F13CH2=CHCH2−，C8F1CH2=CHCH2−，C1OF21CH2=CHCH2−，C4F9CH2CH（OH）CH2−，C6F13CH2CH（OH）CH2−，C8F1CH2CH（OH）CH2−，C1OF21CH2CH（OH）CH2から選ばれる少なくとも一種であり、R2はH−，CH3−，C2H5−，C4H9−，C6H13−，iso-C8H17−，n-C8H17−，C1OH21−，C12H25−，iso-C18H37−，n-C18H37−，C20H41−，C22H45−，C24H49−，CH2=CHCH2−，CH2=CH（CH2）8−，CH2=CH（CH2）9−，C8H17CH2=CHC8H16−，C6H11−，C6H5−，C6H5CH2−，C6H5CH2CH2，CH2＝CH（CH2）4COOCH2CH−，CH2=CH（CH2）8COOCH2CH2−，CH2＝CH（CH2）9COOCH2CH2−，CF3C6H4−，C4F9C6H4−，C6F13C6H4−，C8F17C6H4−，C10F21C6H4−，C4F9CH2−，C6F13CH2−，C8F17CH2−，ClOF21CH2−，C4F1CH2CH2−，C6F13CH2CH2−，C8F1CH2CH2−，ClOF21CH2CH2−，C4F9CH2=CHCH2−，C6F13CH2=CHCH2−,C8F1CH2=CHCH2−，C1OF21CH2=CHCH2−，C4F9CH2CH（OH）CH2−，C6F13CH2CH（OH）CH2−，C8F1CH2CH（OH）CH2−，C1OF21CH2CH（OH）CH2−から選ばれる少なくとも一種であり、またはRl-N-R2として、CH2=CH（CH2）4COOCH（CH2CH2）2N−，CH2=CH（CH2）8COOCH（CH2CH2）2N−，CH2=CH（CH2）9COOCH（CH2CH2）2N−，C4F9COOCH（CH2CH2）2N−，C6F13COOCH（CH2CH2）2N−，C8F17COOCH（CH2CH2）2N−，C1OF21COOCH（CH2CH2）2N−から選ばれる少なくとも一種であり、MはLi, Na, K, Ceから選ばれる少なくとも一種である）で示される6-置換-1，3，5-トリアジン-2，4-ジチオール（以下、「トリアジンチオール」と略す場合がある）の一種又は二種以上からなるモノマーを準備する。
【００２１】
次いで、前記モノマーと亜硝酸塩とを水に溶解して電解重合溶液を作製する。次いで、前記電解重合溶液中に電極を配置するとともに、基板１１を配置し、所定の電流を流すことによって前記モノマーを基板１１上で重合させ、誘電体１２を形成する。
【００２２】
前記電解重合溶液中における前記モノマーの濃度は、０．０１−１００ｍｍｏｌ／Ｌであることが好ましく、さらには０．１−１０ｍｍｏｌ／Ｌであることが好ましい。前記濃度が０．０１ｍｍｏｌ／Ｌ未満では前記トリアジンジスルフィドポリマーの生成測度が小さく、その生成が困難となる場合がある。前記濃度が１００ｍｍｏｌ／Ｌを超えると非溶解性のトリアジン誘導体が生成し、得られた前記トリアジンジスルフィドポリマーの表面が粗くなってしまう場合がある。
【００２３】
前記亜硝酸塩としては、ＬｉＮＯ２，ＮａＮＯ２，ＫＮＯ２，ＣｅＮＯ２，ＮＨ４ＮＯ２などを例示することができ、前記トリアジンジスルフィドポリマーの生成速度や特性を制御する目的で、これら亜硝酸塩の二種以上を混合させて用いることも可能である。
【００２４】
また、前記電解重合溶液中における前記亜硝酸塩の濃度は０．００１−５ｍｏｌ／Ｌであることが好ましく、さらには０．０１−０．５ｍｏｌ／Ｌであることが好ましい。前記濃度が０．０１ｍｏｌ／Ｌ未満では前記トリアジンジスルフィドポリマーの生成速度が小さく、また三次元的に重合しない場合がある。また、前記濃度が０．５ｍｏｌ／Ｌを超えると、電解重合溶液が白濁化し、電解重合を良好に行うことができず、良好な特性の前記トリアジンジスルフィドポリマーを得ることができない場合がある。
【００２５】
なお、前記電解重合は、例えば定電流法又は定電圧法により実行することができる。前記定電流法は、電解重合工程において、前記電解重合溶液中に一定の電流を流しながら電解重合を行うものであり、前記定電圧法は、前記電解重合工程において、前記電解重合溶液中の電位（電極間の電位）を一定に保った状態で電流を流すことにより電解重合を行うものである。
【００２６】
定電流法においては、例えば電流密度を０．００５−５０ｍＡ／ｃｍ２、さらには０．０５−５ｍＡ／ｃｍ２に設定して電解重合を行うことが好ましい。前記電流密度が０．００５ｍＡ／ｃｍ２未満では、前記トリアジンジスルフィドポリマーの生成に長時間を要する場合がある。また、前記電流密度が５０ｍＡ／ｃｍ２を超えると、前記トリアジンジスルフィドポリマーの表面状態が粗くなってしまう場合がある。
【００２７】
定電位法においては、例えば前記電解重合溶液の電位を−２−１００Ｖｖｓ．ＳＣＥ、さらには０．５−２０Ｖｖｓ．ＳＣＥに設定して電解重合を行うことが好ましい。前記電位が−２Ｖｖｓ．ＳＣＥ未満では前記トリアジンジスルフィドポリマーが成長しない場合がある。また、前記電位が２０Ｖｖｓ．ＳＣＥを超えると、得られた前記トリアジンジスルフィドポリマーが破壊してしまう場合がある。
【００２８】
なお、前記定電流法及び前記定電圧法はそれぞれ単独で用いることもできるが、両者を組み合わせて用いることもできる。この場合、最初に前記定電流法を実施し、その後前記定電圧法を実施する。これによって、前記トリアジンジスルフィドポリマーの配向性制御の自由度を増大させることができる。
【００２９】
また、上述した電解重合は、所定の磁場下で行うこともできる。これによって、前記トリアジンジスルフィドポリマーの形態や密度などを制御することができる。前記磁場の強度は例えば０．０１−１０Ｔに設定する。このような磁場の範囲では、磁場強度が増大するにつれて、前記トリアジンジスルフィドポリマーの密度が増大する。
【００３０】
なお、電解重合は上述した定電流法及び定電圧法の他に、電位走査法やパルス低電位法などによっても実行することができる。
【００３１】
熱重合法による場合、最初に上述した化学式２で示されるトリアジンチオールの一種又は二種以上からなるモノマーを準備し、このモノマーに対して成膜処理を施し、基板１１上に前記モノマーからなる薄膜を形成する。次いで、前記薄膜に対して加熱処理を施し、前記モノマーを熱的に重合させて、基板１１上に誘電体１２を形成する。なお、前記成膜処理としては蒸着法などの公知の手段を用いることができる。
【００３２】
前記加熱処理は、好ましくは９０℃〜２００℃、さらに好ましくは１３０℃〜１８０℃の温度で行う。加熱処理温度が９０℃未満では、前記トリアジンジスルフィドポリマーの生成速度（重合速度）が小さくなってしまい、前記トリアジンジスルフィドポリマーの生成に長時間を要してしまう場合がある。また、加熱処理温度が２００℃を超えると、前記モノマーが部分的に分解及び揮発してしまい、良好な熱重合を実施することができない場合がある。
【００３３】
また、前記加熱処理の時間は、１分間〜１２０分間、好ましくは３０分間〜９０分間とする。加熱処理時間が１分未満であると、前記トリアジンジスルフィドポリマーの重合度が不十分となり、さらには生成自体が困難になる場合がある。また、加熱処理時間が１２０分を超えると、生成した前記トリアジンジスルフィドポリマーが部分的に分解してしまう場合がある。
【００３４】
なお、前記加熱処理は、例えば空気中で行うことができる。
【００３５】
紫外線重合法による場合、最初に上述した化学式２で示されるトリアジンチオールの一種又は二種以上からなるモノマーを準備し、このモノマーに対して成膜処理を施し、基板１１上に前記モノマーからなる薄膜を形成する。次いで、前記薄膜に対して紫外線を照射し、前記モノマーを光化学的に重合させて、基板１１上に誘電体１２を形成する。なお、前記成膜処理としては蒸着法などの公知の手段を用いることができる。
【００３６】
紫外線照射源としては、高圧水銀ランプなどの汎用の光源を用いることができる。このとき、紫外線の照射強度は１０Ｗ／ｃｍ２〜２０００Ｗ／ｃｍ２とすることが好ましく、さらには１００Ｗ／ｃｍ２〜１０００Ｗ／ｃｍ２とすることが好ましい。前記照射強度が１０Ｗ／ｃｍ２未満であると、前記トリアジンジスルフィドポリマーの生成速度（重合速度）が小さくなってしまい、前記トリアジンジスルフィドポリマーの生成に長時間を要してしまう場合がある。また、前記照射強度が２０００Ｗ／ｃｍ２を超えると、前記モノマーが部分的に分解及び揮発してしまい、良好な光重合を実施することができない場合がある。
【００３７】
また、紫外線の照射時間は、１分間〜１２０分間、好ましくは３０分間〜９０分間とする。前記照射時間が１分未満であると、前記トリアジンジスルフィドポリマーの重合度が不十分となり、さらには生成自体が困難になる場合がある。また、前記照射時間が１２０分を超えると、生成した前記トリアジンジスルフィドポリマーが部分的に分解してしまう場合がある。
【００３８】
紫外線重合法による場合、前記薄膜を所定温度に加熱した状態で前記紫外線を照射することが好ましい。これによって、上述した光重合反応がより促進され、良好な前記トリアジンジスルフィドポリマーを短時間で生成することができる。この場合の加熱温度は２０℃〜６０℃とする。
【００３９】
基板１１としては、例えばアルミニウム基板を用いることができる。この場合、アルミニウム基板１１の、誘電体１２を形成すべき主面に対してヒドラジン及びヒドラジン誘導体の少なくとも一方を用いて表面処理を行い、アルミニウム基板１１の、前記主面において、ヒドラジン及びAl2O3からなる混合膜を形成することが好ましい。
【００４０】
前記混合膜は極めて緻密であるため、アルミニウム基板１１の前記主面上に前記混合膜を形成することにより、アルミニウム基板１１の前記主面の影響を抑制することができ、キャパシタ１０の特性に対する前記アルミニウム基板の影響を除去することができる。
【００４１】
具体的には、例えば０．１−２０重量％ヒドラジン水溶液を準備し、この水溶液を約０℃〜１００℃の温度に保持するとともに、前記水溶液中に前記アルミニウム基板を浸漬することによって行う。浸漬時間は例えば１秒〜６０分間、好ましくは１分間〜１０分間とする。なお、前記ヒドラジン誘導体としては、Ｎ，Ｎ’−ジメチルヒドラジン、メチルヒドラジン、及びフェニルヒドラジンを例示することができる。
【００４２】
また、アルミニウム基板とは、金属アルミニウム単体から構成される狭義のアルミニウム基板の他に、アルミニウム合金、並びに高分子材料、金属材料、及びセラミックスなどの基材上にアルミニウムが蒸着されたような複合基板をも含むものである。したがって、上述した処理は、このような基板におけるアルミニウム部分に対して行う。
【００４３】
図２は、本発明の第２のキャパシタの一例を示す構成図である。図２に示す第２のキャパシタ２０は、所定の基板２１と、基板２１上に形成された誘電体２２と、誘電体２２上に形成された電極２３とを具えている。そして、電極２３上において、基板２１、誘電体２２及び電極２３から構成される積層構造体２５の全体を覆うようにして有機保護膜２６が設けられ、さらに電極２３の端部と接触するようにして端子２７が設けられている。
【００４４】
誘電体２２は、上述した化学式１で示されるトリアジンジスルフィドポリマーの少なくとも一種から構成する。また、前記トリアジンジスルフィドポリマーの分子量は、上記同様に例えば１−４００〜１−７２の範囲に設定する。誘電体２２を構成する前記トリアジンジスルフィドポリマーは、図１に示す第１のキャパシタと同様にして製造することができる。
【００４５】
また、基板２１は、アルミニウム箔などの折り曲げ加工可能な基板材料から構成する。これによって、積層構造体２５及び有機保護膜２６を含むキャパシタ全体は、容易に巻き上げることが可能となり、巻き上げ構造のキャパシタ２０を得る。
【００４６】
また、有機保護膜２６は、ポリエステル、ポリアミド、ポリスチレン及びポリエチレンの少なくとも一つから構成することができる。
【００４７】
なお、前記アルミニウム箔には、上述したようなヒドラジン及びヒドラジン誘導体の少なくとも一方を用いて表面処理を行い、前記アルミニウム箔の主面において、ヒドラジン及びAl2O3からなる混合膜を形成することが好ましい。
【００４８】
図３は、本発明の第３のキャパシタの一例を示す構成図である。図３に示す第３のキャパシタ３０は、所定の基板３１と、この基板３１上に形成された誘電体３２と、この誘電体３２上に形成された電極３３とを含む構造体３５が、複数積層されてなる。隣接する構造体３５は、それぞれ互いの基板３１及び電極３３が所定の導電性接着剤で接着されており、その結果、積層された複数の構造体３５が直列に接続されたような構成を呈する。
【００４９】
誘電体３２は、上述した化学式１で示されるトリアジンジスルフィドポリマーの少なくとも一種から構成する。また、前記トリアジンジスルフィドポリマーの分子量は、上記同様に例えば５０００〜１００，０００の範囲に設定する。誘電体３２を構成する前記トリアジンジスルフィドポリマーは、図１に示す第１のキャパシタと同様にして製造することができる。
【００５０】
基板３１としては、例えばアルミニウム基板を用いることができる。この場合、上述したようなヒドラジン及びヒドラジン誘導体の少なくとも一方を用いて表面処理を行い、前記アルミニウム箔の主面において、ヒドラジン及びAl2O3からなる混合膜を形成することが好ましい。
【００５１】
また、前記導電性接着剤としては、銀ペースト、銀−すずペースト、銅ペースト及び金ペーストの少なくとも一つから構成することができる。
【００５２】
図４は、本発明の第４のキャパシタの一例を示す構成図である。図４に示すキャパシタ４０は、所定の基板４１、この基板４１の両主面に形成された誘電体４２、及び誘電体４２上の、端子部を除く主面上に形成された電極４３を具える積層構造体４５を、隣接する積層構造体４５における電極４３同士が互いに接触しないようにして電気的に並列に配置してなる。積層構造体４５の左端には、それぞれ端子４７が設けられている。
【００５３】
誘電体４２は、上述した化学式１で示されるトリアジンジスルフィドポリマーの少なくとも一種から構成する。また、前記トリアジンジスルフィドポリマーの分子量は、上記同様に例えば５０００〜１００，０００の範囲に設定する。誘電体４２を構成する前記トリアジンジスルフィドポリマーは、図１に示す第１のキャパシタと同様にして製造することができる。
【００５４】
基板４１としては、例えばアルミニウム基板を用いることができる。この場合、上述したようなヒドラジン及びヒドラジン誘導体の少なくとも一方を用いて表面処理を行い、前記アルミニウム箔の主面において、ヒドラジン及びAl2O3からなる混合膜を形成することが好ましい。
【００５５】
上述したキャパシタを利用することによって、種々の電気回路を構成することができる。図５は、上述したキャパシタを利用した電気回路の一例を示す構成図である。図５に示す電気回路５０においては、キャパシタ６０が２つのプリント基板７０で挟まれるようにして構成されている。キャパシタ６０は、所定の基板の両主面に上述したトリアジンジスルフィドポリマーからなる誘電体が形成され、この誘電体上に電極が形成されている。一方、プリント基板７０の主面上には銅などから配線が形成されている。
【００５６】
キャパシタ６０をプリント基板７０で挟み込むに際しては、プリント基板７０の前記配線と、キャパシタ６０の前記電極とが、例えば所定の導電性塗料などを介して電気的に接触するようにして行う。
【００５７】
なお、図５に示す電気回路５０においては、外部端子を導入するためのスルーホール５５が設けられている。
【実施例】
【００５８】
（実施例１〜６）
５％ヒドラジン水溶液にアセトン脱脂したアルミニウム箔（３０μｍ×５０ｍｍ×３０ｍｍ）を５０℃で１分間浸漬し、乾燥後電解重合に供した。電解重合に使用する電解重合溶液は、表１に示すようなトリアジンチオールモノマーの３ｍｍｏｌ／Ｌと、ＮａＮＯ２の０．１ｍｏｌ／Ｌとを含み、電解重合は０．１５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で２０秒間実施した。いずれの場合においても、前記アルミニウム箔上にトリアジンジスルフィドポリマーからなる膜体（誘電体）が形成されていることが確認された。
【００５９】
次いで、前記誘電体上に１ｃｍ２面積のマスクをのせて金をイオンスパッタリングし、１ｃｍ２面積の端子用面積を確保した状態で金電極を形成し、キャパシタを形成した。
【００６０】
【表１】
2005251932.tif 000005
【００６１】
得られたキャパシタの特性は１ＫＨｚにおける静電容量Ｃｓ、位相角θ、及び共振点により評価した。静電容量ＣｓはμＦのレベルにあり、位相角θは−９０度に近い値を示した。さらに共振点はＭＨｚのレベルにあることから広範囲の周波数に対応できるコンデンサーであることが分かる。なお、これらの特性が、前記誘電体を構成するトリアジンジスルフィドポリマーの原料である、トリアジンチオールモノマーによって変化することから、前記特性は前記トリアジンジチオールの種類、すなわち前記誘電体の影響を受けることが分かった。
【００６２】
（実施例７〜１０）
実施例１〜６と同様にヒドラジン処理したアルミニウム箔を準備し、このアルミニウム箔上に表２に示すようなトリアジンチオールモノマーからなる薄膜を形成した。なお、膜形成は、前記アルミニウム箔を４Ｘ１０−４Ｐａの真空雰囲気中に配置するとともに１３０℃に加熱し、真空蒸着装置（（株）アルバックＳＯＬＣＩＥ）を用いて４０〜４５分間蒸着することにより行った。なお、いずれの場合においても、得られた前記薄膜の厚さは約５０ｎｍであった。
【００６３】
次いで、前記薄膜を含む前記アルミニウム箔をオーブン（Ｙａｍａｔｏ製Ｄｒｙｉｎｇ  Ｏｖｅｎ  ＤＸ６００）中に配置し、１７０℃で６０分間空気中加熱して前記モノマーを重合させた。いずれの場合においても、前記アルミニウム箔上にトリアジンジスルフィドポリマーからなる膜体（誘電体）が形成されていることが確認された。
【００６４】
次いで、前記誘電体上に１ｃｍ２面積のマスクをのせて金をイオンスパッタリングし、１ｃｍ２面積の端子用面積を確保した状態で金電極を形成し、キャパシタを形成した。
【００６５】
【表２】
2005251932.tif 000006
【００６６】
得られたキャパシタの特性は１ＫＨｚにおける静電容量Ｃｓ、位相角θ、及び共振点により評価した。静電容量ＣｓはμＦのレベルにあり、位相角θは−９０度に近い値を示した。さらに共振点はＭＨｚのレベルにあることから広範囲の周波数に対応できるコンデンサーであることが分かる。なお、これらの特性が、前記誘電体を構成するトリアジンジスルフィドポリマーの原料である、トリアジンチオールモノマーによって変化することから、前記特性は前記トリアジンジチオールの種類、すなわち前記誘電体の影響を受けることが分かった。
【００６７】
また、実施例１、２及び実施例７、８との比較から、前記誘電体を構成する前記トリアジンチオールモノマーの製造方法に起因して、前記キャパシタの特性が変化することも明らかとなった。
【００６８】
（実施例１１〜１４）
実施例７〜１０と同様にしてヒドラジン処理したアルミニウム箔を準備し、表２に示すようなトリアジンチオールモノマーからなる薄膜を形成した。次いで、高圧紫外線ランプから５００Ｗ／ｃｍ２の強度で前記薄膜に対して６０分間紫外線を照射し、前記モノマーを重合させた。いずれの場合においても、前記アルミニウム箔上にトリアジンジスルフィドポリマーからなる膜体（誘電体）が形成されていることが確認された。
【００６９】
次いで、前記誘電体上に１ｃｍ２面積のマスクをのせて金をイオンスパッタリングし、１ｃｍ２面積の端子用面積を確保した状態で金電極を形成し、キャパシタを形成した。
【００７０】
【表３】
2005251932.tif 000007
【００７１】
得られたキャパシタの特性は１ＫＨｚにおける静電容量Ｃｓ、位相角θ、及び共振点により評価した。静電容量ＣｓはμＦのレベルにあり、位相角θは−９０度に近い値を示した。さらに共振点はＭＨｚのレベルにあることから広範囲の周波数に対応できるコンデンサーであることが分かる。なお、これらの特性が、前記誘電体を構成するトリアジンジスルフィドポリマーの原料である、トリアジンチオールモノマーによって変化することから、前記特性は前記トリアジンジチオールの種類、すなわち前記誘電体の影響を受けることが分かった。
【００７２】
また、実施例９、１０及び実施例１３、１４との比較から、また、前記誘電体を構成する前記トリアジンチオールモノマーの製造方法に起因して、前記キャパシタの特性が変化することも明らかとなった。
【００７３】
（実施例１５）
５％ヒドラジン水溶液中で５０℃、１分間処理したアルミニウム箔（３０μｍ×５０ｍｍ×３０ｍｍ）を、３ｍｍｏｌ／Ｌの６-（Ｎ-アリル-1，1，2，2-テトラペーフロロデシル）アミノ-1，3，5-トリアジン-2，4-ジチオールモノソジウムと０．１５ｍｏｌ／ＬのＮａＮＯ２とを含む電解重合溶液中に浸漬し、この電解重合溶液を５℃に維持しながら０．１ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で３０ｓｅｃ間電解重合した。このとき、前記アルミニウム箔上には、トリアジンジスルフィドポリマーからなる膜体（誘電体）が形成されていることが確認された。
【００７４】
次いで、前記アルミニウム箔を２４時間減圧乾燥した後、前記誘電体上に金をイオンスパッタリングし、金電極を形成した。その後、前記金電極上に有機ポリマー薄膜を貼り付け、得られた積層構造体を、前記有機ポリマー薄膜を内側にして巻き上げ、図２に示すような巻き上げ構造のキャパシタを形成した。
【００７５】
前記キャパシタの１ＫＨｚにおける静電容量は３２μＦであり、位相角は−８４度であり、共振点は８．２ＭＨｚであった。
【００７６】
（実施例１６）
実施例１５と同様にして、同じ単一のキャパシタを構成する構造体を形成し、次いで、隣接する構造体の基板及び電極が互いに対向するようにして導電性接着剤を用いて貼り合わせ、単一のキャパシタを構成する前記構造体が３段積層されてなる、直列積層型のキャパシタを作製した。前記キャパシタの１ＫＨｚにおける静電容量は０．８μＦであり、位相角は−８５度であり、共振点は７．２ＭＨｚであった。
【００７７】
（実施例１７）
実施例１５と同じ条件で、アルミニウム箔の両主面に前記誘電体を形成するとともに、この誘電体上に金電極を形成した、単一のキャパシタを構成する積層構造体を形成した。次いで、各積層構造体の左端に端子を設け、これらの積層構造体を電気的に並列に接続し、並列積層型のキャパシタを作製した。前記キャパシタの１ＫＨｚにおける静電容量は１４４μＦであり、位相角は−８２度であり、共振点は７．２ＭＨｚであった。
【００７８】
以上、具体例を挙げながら発明の実施の形態に基づいて本発明を詳細に説明してきたが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００７９】
本発明によれば、従来の無機物と同等の誘電性を有する有機物からキャパシタを構成することができ、その結果、前記キャパシタの薄膜化を実現することができる。したがって、このキャパシタを用いて、小型化及び薄型の高周波回路、デジタル回路、ノイズリミット回路、カップリング回路、フィルター回路、電源回路、オーディオ回路、タイマ回路、バックアップ回路、アナログ回路、スイッチング回路などを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明の第１のキャパシタの一例を示す構成図である。
【図２】本発明の第２のキャパシタの一例を示す構成図である。
【図３】本発明の第３のキャパシタの一例を示す構成図である。
【図４】本発明の第４のキャパシタの一例を示す構成図である。
【図５】本発明の電気回路の一例を示す構成図である。
【符号の説明】
【００８１】
１０、２０、３０、４０  キャパシタ
１１、２１、３１、４１  基板
１２、２２、３２、４２  誘電体
１３、２３、３３、４３  電極
２５、４５  積層構造体
２６  有機保護膜
２７、３７、４７  端子
５０  電気回路
６０  キャパシタ
７０  プリント基板
【図１】
2005251932.tif 000013
【図２】
2005251932.tif 000014
【図３】
2005251932.tif 000015
【図４】
2005251932.tif 000016
【図５】
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