(57)【要約】【課題】  複数回に渡り現像液などの処理液がウェハ上に液盛りされる現像処理において，ウェハ面内における処理液の濃度を均一に維持する。【解決手段】  現像処理装置１８内に，ウェハＷ上の処理液に接触可能で，親水性の材質で形成された処理液除去部材１０１が設けられる。処理液供給ノズル７３によってウェハＷ上に純水の液膜が形成された後，処理液供給ノズル７３がウェハＷの一端部側から他端部側に移動しながらウェハＷに現像液を供給する際に，処理液除去部材１０１をウェハＷの他端部側にある純水に接触させる。この接触により，当該純水が毛細管現象によって処理液除去部材１０１に流れ込み除去される。処理液供給ノズル７３の移動に伴ってウェハＷの他端部側に移動し盛り上がった純水が，現像液が供給される前に除去され，最終的に液盛りされた現像液の濃度がウェハＷ面内において均一になる。【選択図】  図４
2005072333.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理液を供給して基板を液処理する方法であって，
基板上に第１の処理液を供給して，基板の表面上に第１の処理液の液膜を形成する工程と，
その後，処理液を供給するノズルが，前記第１の処理液の液膜が形成されている基板の上方を基板の一端部側から他端部側に移動しながら基板上に第２の処理液を供給して，基板の表面上に第２の処理液の液膜を形成する工程と，を有し，
前記第２の処理液の液膜を形成する工程時には，前記ノズルが前記基板の他端部の上方に到達し当該他端部上に第２の処理液が供給される前に，前記基板の他端部上にある前記第１の処理液の一部を基板上から除去することを特徴とする，基板の液処理方法。
【請求項２】
前記基板の他端部上における第１の処理液の除去は，親水性の処理液除去部材を前記第１の処理液に接触させることによって行われることを特徴とする，請求項１に記載の基板の液処理方法。
【請求項３】
前記基板の他端部上における第１の処理液の除去は，負圧によって液体を吸引する処理液除去部材を前記第１の処理液に接近させることによって行われることを特徴とする，請求項１に記載の基板の液処理方法。
【請求項４】
前記基板の他端部上における第１の処理液の除去は，前記ノズルが基板の一端部上に第２の処理液を供給し始めてから基板の他端部の上方に到着するまでの間に行われることを特徴とする，請求項１，２又は３のいずれかに記載の基板の液処理方法。
【請求項５】
前記第１の処理液は，現像液であり，
前記第２の処理液は，純水であることを特徴とする，請求項１，２，３又は４のいずれかに記載の基板の液処理方法。
【請求項６】
前記第１の処理液は，純水であり，
前記第２の処理液は，現像液であることを特徴とする，請求項１，２，３又は４のいずれかに記載の基板の液処理方法。
【請求項７】
前記第１の処理液と前記第２の処理液は，いずれも現像液であることを特徴とする，請求項１，２，３又は４のいずれかに記載の基板の液処理方法。
【請求項８】
第１の処理液の液膜が形成されている基板の上方を基板の一端部側から他端部側に移動しながら当該基板に対して第２の処理液を供給して，基板の表面上に第２の処理液の液膜を形成するノズルと，
前記基板の他端部上にある第１の処理液を当該基板上から除去する処理液除去部材と，を備えたことを特徴とする，基板の液処理装置。
【請求項９】
前記処理液除去部材を，前記基板の他端部上の第１の処理液に接触させるために移動させる移動機構をさらに備え，
前記処理液除去部材において少なくとも前記第１の処理液との接触部分は，親水性に形成されていることを特徴とする，請求項８に記載の基板の液処理装置。
【請求項１０】
前記処理液除去部材の前記接触部分は，基板の他端部側の外形に適合する形状に形成されていることを特徴とする，請求項９に記載の基板の液処理装置。
【請求項１１】
前記処理液除去部材の前記接触部分は，平面から見て基板と同じ径を有しかつ基板と離れる方向に凸の円弧状に形成されていることを特徴とする，請求項１０に記載の基板の液処理装置。
【請求項１２】
前記処理液除去部材の前記接触部分は，基板の他端部側に向けて突出する棒状に形成されていることを特徴とする，請求項９に記載の液処理装置。
【請求項１３】
前記処理液除去部材は，前記基板の端部上の第１の処理液に接近し当該第１の処理液を負圧によって吸引する吸引部を備えたことを特徴とする，請求項８に記載の基板の液処理装置。
【請求項１４】
前記処理液除去部材の吸引部は，基板の他端部側の外形に適合する形状に形成されていることを特徴とする，請求項８に記載の基板の液処理装置。
【請求項１５】
前記処理液除去部材を洗浄する洗浄機構をさらに備えたことを特徴とする，請求項８，９，１０，１１，１２，１３又は１４のいずれかに記載の基板の液処理装置。
【請求項１６】
前記洗浄機構は，前記処理液除去部材を収容する洗浄槽と，収容した処理液除去部材に洗浄液を供給する洗浄液供給部とを備えたことを特徴とする，請求項１５に記載の基板の液処理装置。
【請求項１７】
請求項８〜１６のいずれかに記載の基板の液処理装置は，現像処理装置であることを特徴とする，基板の液処理装置。
【請求項１８】
前記第１の処理液は，現像液であり，
前記第２の処理液は，純水であることを特徴とする，請求項１７に記載の基板の液処理装置。
【請求項１９】
前記第１の処理液は，純水であり，
前記第２の処理液は，現像液であることを特徴とする，請求項１７に記載の基板の液処理装置。
【請求項２０】
前記第１の処理液と前記第２の処理液は，現像液であることを特徴とする，請求項１７に記載の基板の液処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，基板の液処理方法及び基板の液処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では，例えばウェハ上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理や，露光処理されたウェハに対して現像液を供給してウェハを現像する現像処理などの複数の液処理が行われている。
【０００３】
例えば，上述の現像処理は，通常現像処理装置で行われ，現像処理装置には，例えばプリウェットするためにウェハ上に純水を吐出する純水供給ノズルと，ウェハ上に現像液を供給する現像液供給ノズルが備えられている。現像液吐出ノズルは，その下面に例えばウェハの直径よりも長いスリット状の吐出口を有し，チャックに保持されたウェハの表面上を水平方向に移動自在になっている。そして，現像処理時には，先ず，純水供給ノズルからウェハ上に純水が供給され，ウェハ上に純水の液膜が形成され，ウェハ表面の濡れ性が向上される。その後，現像液供給ノズルが現像液を吐出しながら，ウェハ上をウェハの一端部から他端部まで移動し，ウェハの表面に現像液の液膜が形成される。そして，現像液の液膜が形成された状態でウェハを所定時間維持することによって，ウェハが静止現像されていた（例えば，特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−４４１００号公報
【０００５】
このように，従来の現像処理では，純水，現像液の順に２種類の処理液がウェハ上に連続して供給されることがあった。また，現在では，ウェハの現像進度，現像速度をより厳格に管理するために，ウェハに初めに現像液を供給し，その後純水を供給する方法や，現像液を２度に渡って供給する方法が研究されている。
【０００６】
しかしながら，上述した現像液供給ノズルのようにノズルを移動させながらウェハ上に二回目の処理液を供給する場合，図１９に示すようにノズル２００の移動に伴って，既に液盛りされている一回目の処理液Ｌ１がノズル２００の進行方向側，つまりウェハＷの他端部側に押し出され，ウェハＷの他端部付近において一回目の処理液Ｌ１が盛り上がる。そして，その盛り上がった一回目の処理液Ｌ１の上に，二回目の処理液Ｌ２が供給されると，図２０に示すようにウェハＷの他端部付近における二回目の処理液Ｌ２の濃度が多量の一回目の処理液Ｌ１によって稀釈化され，二回目の処理液Ｌ２の濃度が局所的に薄くなる（図２０中のＡの部分）。この結果，二回目の処理液Ｌ２の液膜がウェハＷ上に形成された時に，ウェハ面内における処理液の濃度が不均一になる。このようにウェハ面内において処理液の濃度が不均一になると，ウェハ面内において現像進度，現像速度などにばらつきが生じ，線幅均一性などの現像均一性が確保できなくなる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，現像処理などの液処理において，既に処理液が液盛りされているウェハなどの基板に対し，ノズルを移動させながらさらに処理液を供給する場合に，基板面内における処理液の濃度を均一に維持できる基板の液処理方法及び基板の液処理装置を提供することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために，本発明は，基板に処理液を供給して基板を液処理する方法であって，基板上に第１の処理液を供給して，基板の表面上に第１の処理液の液膜を形成する工程と，その後，処理液を供給するノズルが，前記第１の処理液の液膜が形成されている基板の上方を基板の一端部側から他端部側に移動しながら基板上に第２の処理液を供給して，基板の表面上に第２の処理液の液膜を形成する工程と，を有し，前記第２の処理液の液膜を形成する工程時には，前記ノズルが前記基板の他端部の上方に到達し当該他端部上に第２の処理液が供給される前に，前記基板の他端部上にある前記第１の処理液の一部を基板上から除去することを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば，基板の他端部上に第２の処理液が供給される前に，基板の他端部上で盛り上がった第１の処理液の一部が除去されるので，基板の他端部上において第２の処理液が多量の第１の処理液によって稀釈化されることがなく，基板面内の処理液の濃度が均一に保たれる。この結果，基板面内の液処理が均一に行われる。
【００１０】
前記基板の他端部上における第１の処理液の除去は，親水性の処理液除去部材を前記第１の処理液に接触させることによって行ってもよい。かかる場合，親水性の処理液除去部材を第１の処理液に接触させると，基板上の第１の処理液が毛細管現象により処理液除去部材側に流れ込む。その結果，基板の他端部上の第１の処理液の一部のみを適正に除去することができる。なお，前記処理液除去部材の「親水性」は，少なくとも基板の表面よりも親水性であればよい。
【００１１】
また，前記基板の他端部上における第１の処理液の除去は，負圧によって液体を吸引する処理液除去部材を前記第１の処理液に接近させることによって行ってもよい。かかる場合，処理液除去部材によって，基板上の第１の処理液を吸引して除去することができる。
【００１２】
前記基板の他端部上における第１の処理液の除去は，前記ノズルが基板の一端部上に第２の処理液を供給し始めてから基板の他端部の上方に到着するまでの間に行われてもよい。この場合，第２の処理液の供給が開始されてから第１の処理液の除去が行われるので，例えば第１の処理液と基板との反応が十分に行われ，第１の処理液による処理が終了した後に，第１の処理液が除去される。したがって，第１の処理液による基板への処理が適正に行われ，液処理全体も適正に行われる。
【００１３】
前記第１の処理液が現像液で，前記第２の処理液が純水であってもよく，前記第１の処理液が純水で，前記第２の処理液が現像液であってもよい。また，前記第１の処理液と前記第２の処理液がいずれも現像液であってもよい。かかる場合，基板上の現像液の濃度が基板面内おいて均一に維持されるので，基板面内の現像が均一に行われる。
【００１４】
本発明の液処理装置は，第１の処理液の液膜が形成されている基板の上方を基板の一端部側から他端部側に移動しながら当該基板に対して第２の処理液を供給して，基板の表面上に第２の処理液の液膜を形成するノズルと，前記基板の他端部上にある第１の処理液を当該基板上から除去する処理液除去部材と，を備えたことを特徴とする。
【００１５】
この発明によれば，ノズルによって前記基板の他端部上に第２の処理液を供給する前に，処理液除去部材によって当該他端部上における多量の第１の処理液の一部を除去することができる。この結果，基板の他端部上において，第２の処理液が多量の第１の処理液によって稀釈化されることがなく，基板面内の処理液の濃度が均一に保たれる。この結果，基板面内の液処理が均一に行われる。
【００１６】
前記基板の液処理装置は，前記処理液除去部材を，前記基板の他端部上の第１の処理液に接触させるために移動する移動機構をさらに備え，前記処理液除去部材における少なくとも第１の処理液との接触部分は，親水性に形成されていてもよい。この場合，親水性の処理液除去部材を基板の他端部上の第１の処理液に接触させ，毛細管現象を利用して基板上の第１の処理液を除去することができる。
【００１７】
前記処理液除去部材の前記接触部分は，基板の他端部側の外形に適合する形状に形成されていてもよい。また，前記処理液除去部材の前記接触部分は，平面から見て基板と同じ径を有しかつ基板と離れる方向に凸の円弧状に形成されていてもよい。かかる場合，処理液除去部材を基板上の第１の処理液に線状に接触させて，第１の処理液を基板上から除去することができる。
【００１８】
前記処理液除去部材の前記接触部分は，基板の他端部側に向けて突出する棒状に形成されていてもよい。かかる場合，当該棒状の部分を基板上の第１の処理液に点接触させて，第１の処理液を基板上から吸引して除去することができる。
【００１９】
前記処理液除去部材は，前記基板の端部上の第１の処理液に接近し当該第１の処理液を負圧によって吸引する吸引部を備えていてもよい。かかる場合，基板上の第１の処理液を吸引部から吸引することにより，基板の他端部上の第１の処理液を除去することができる。なお，前記処理液除去部材の吸引部は，基板の他端部側の外形に適合する形状に形成されていてもよい。
【００２０】
前記基板の液処理装置は，前記処理液除去部材を洗浄する洗浄機構をさらに備え，前記洗浄機構は，前記処理液除去部材を収容する洗浄槽と，収容した処理液除去部材に洗浄液を供給する洗浄液供給部とを備えていてもよい。かかる場合，例えば第１の処理液が付着した処理液除去部材を洗浄することができ，例えば付着した第１の処理液がパーティクルの原因になることを防止できる。
【００２１】
前記請求項８〜１６のいずれかに記載の基板の液処理装置は，現像処理装置であってもよく，前記第１の処理液が現像液で，前記第２の処理液が純水であってもよく，前記第１の処理液が純水で，前記第２の処理液が現像液であってもよく，前記第１の処理液と前記第２の処理液が現像液であってもよい。かかる場合，基板上に供給された現像液の濃度が基板面内において均一に保たれるので，基板の現像を基板面内で均一に行うことができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば，基板面内の処理が均一に行われるので，基板面内において同じ品質の製品が製造され，歩留まりの向上が図られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる液処理装置が搭載された塗布現像処理システム１の構成の概略を示す平面図であり，図２は，塗布現像処理システム１の正面図であり，図３は，塗布現像処理システム１の背面図である。
【００２４】
塗布現像処理システム１は，図１に示すように，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットステーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステーション３と，この処理ステーション３に隣接して設けられている図示しない露光装置との間でウェハＷの受け渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構成を有している。
【００２５】
カセットステーション２では，載置部となるカセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在となっている。カセットステーション２には，カセットＣの配列方向（Ｘ方向）に沿って移動するウェハ搬送体６が設けられている。ウェハ搬送体６は，カセットＣに収容されたウェハＷの配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）に対しても移動可能であり，カセット載置台５上の各カセットＣ内のウェハＷに対して選択的にアクセスできる。
【００２６】
ウェハ搬送体６は，ウェハＷの位置合わせを行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送体６は，後述するように処理ステーション３側の第３の処理装置群Ｇ３に属するエクステンション装置３２に対してもアクセスできるように構成されている。
【００２７】
処理ステーション３では，その中心部に主搬送装置１３が設けられており，この主搬送装置１３の周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を構成している。この塗布現像処理システム１においては，４つの処理装置群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４が配置されており，第１及び第２の処理装置群Ｇ１，Ｇ２は塗布現像処理システム１の正面側に配置され，第３の処理装置群Ｇ３は，カセットステーション２に隣接して配置され，第４の処理装置群Ｇ４は，インターフェイス部４に隣接して配置されている。さらにオプションとして破線で示した第５の処理装置群Ｇ５を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬送装置１３は，これらの処理装置群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５に配置されている後述する各種処理装置に対して，ウェハＷを搬入出可能である。なお，処理装置群の数や配置は，ウェハＷに施される処理の種類によって異なり，任意に選択可能である。
【００２８】
第１の処理装置群Ｇ１では，例えば図２に示すようにウェハＷにレジスト液を塗布し，ウェハＷ上にレジスト膜を形成するレジスト塗布装置１７と，本実施の形態にかかる液処理装置としての現像処理装置１８とが下から順に２段に配置されている。第２の処理装置群Ｇ２にも同様に，レジスト塗布装置１９と現像処理装置２０とが下から順に２段に配置されている。
【００２９】
第３の処理装置群Ｇ３では，例えば図３に示すようにウェハＷを冷却処理するクーリング装置３０，レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置３１，ウェハＷの受け渡しを行うためのエクステンション装置３２，レジスト液中の溶剤を蒸発させるためのプリベーキング装置３３，３４，現像処理後の加熱処理を行うポストベーキング装置３５が下から順に例えば６段に積み重ねられている。
【００３０】
第４の処理装置群Ｇ４では，例えばクーリング装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエクステンション・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，クーリング装置４３，露光後の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキング装置４４，４５，ポストベーキング装置４６が下から順に例えば７段に積み重ねられている。
【００３１】
インターフェイス部４の中央部には，図１に示すように例えばウェハ搬送体５０が設けられている。このウェハ搬送体５０はＸ方向（図１中の上下方向），Ｚ方向（垂直方向）の移動とθ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回転が可能であり，第４の処理装置群Ｇ４に属するエクステンション・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，周辺露光装置５１及び図示しない露光装置に対してアクセスして，各々の装置に対してウェハＷを搬送できるように構成されている。
【００３２】
次に，上述した現像処理装置１８の構成について詳しく説明する。図４は，現像処理装置１８の構成の概略を示す縦断面の説明図であり，図５は，現像処理装置１８の横断面の説明図である。
【００３３】
図４に示すように現像処理装置１８のケーシング１８ａ内の中央部には，ウェハＷを保持するスピンチャック６０が設けられている。スピンチャック６０は，水平の上面を有し，当該上面には，例えばウェハＷを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により，スピンチャック６０は，ウェハＷを水平に吸着保持できる。
【００３４】
スピンチャック６０には，例えばスピンチャック６０を回転及び昇降させるためのチャック駆動機構６１が設けられている。チャック駆動機構６１は，例えばスピンチャック６０を鉛直方向の軸周りに所定速度で回転させるモータなどの回転駆動部（図示せず）や，スピンチャック６０を昇降させるモータ又はシリンダなどの昇降駆動部（図示せず）を備えている。このチャック駆動機構６１により，スピンチャック６０上のウェハＷを所定のタイミングで昇降させたり，所定の速度で回転させることができる。
【００３５】
スピンチャック６０の周囲には，ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め，回収するカップ６２が設けられている。カップ６２は，例えばスピンチャック６０の周囲を囲み，主にウェハＷの外方に飛散する液体を受け止める側壁部６３と，ウェハＷの下方を覆い，主に側壁部６３やウェハＷから落下する液体を受け止める底部６４とを別個に有している。
【００３６】
側壁部６３は，例えば図５に示すように平面から見て四角形の略筒状に形成されている。側壁部６３は，図４に示すように例えばシリンダなどの昇降駆動部６５によって上下動できる。底部６４の中央部には，スピンチャック６０が貫通している。スピンチャック６０の周囲には，ウェハＷの表面から裏面に回り込んだ液体の流れを遮断する環状部材６６が設けられている。環状部材６６は，例えばウェハＷの裏面に近接する頂上部を備えており，その頂上部で液体の流れを遮断できる。底部６４には，例えば工場の排液部に連通した排出管６７が接続されており，カップ６２において回収した液体は，排出管６７から現像処理装置１８の外部に排出できる。
【００３７】
図５に示すようにカップ６２のＸ方向負方向（図５の下方）側には，Ｙ方向に沿って延びるレール７０が形成されている。レール７０は，例えばカップ６２のＹ方向負方向（図５の左方向）側の外方からカップ６２のＹ方向正方向側の外方まで形成されている。レール７０には，二本のアーム７１，７２が取り付けられている。第１のアーム７１には，処理液供給ノズル７３が支持されている。第１のアーム７１は，駆動機構７４によってレール７０上をＹ方向に移動自在であり，処理液供給ノズル７３をＹ方向に沿ってカップ６２の外方から内側に渡って移送することができる。また，第１のアーム７２は，駆動機構７４によって上下方向にも移動自在であり，処理液供給ノズル７３を昇降させることができる。
【００３８】
処理液供給ノズル７３は，Ｘ方向に長い細長形状を有し，その下面には，図６に示すように吐出口８０，８１が形成されている。吐出口８０，８１は，処理液供給ノズル７３の長手方向に沿って少なくともウェハＷの直径よりも長いスリット状に形成され，処理液供給ノズル７３の下面に二列に形成されている。例えば処理液供給ノズル７３の上面には，現像処理装置１８の外部に設置された現像液供給装置８２に連通する現像液導入口８３が形成されている。現像液導入口８３は，処理液供給ノズル７３の内部にＸ方向に沿って形成された貯留室８４に連通している。貯留室８４の下部には，下方の各吐出口８０，８１に連通する流路８５がそれぞれ形成されている。各吐出口８０，８１付近の流路８５内には，スリット状の吐出口８０，８１に沿ったＸ方向に長い多孔体８６が設けられている。この多孔体８６により，流路８５を通じて各吐出口８０，８１から吐出される現像液の吐出圧を処理液供給ノズル７３の長手方向に沿って均一にすることができる。
【００３９】
処理液供給ノズル７３の下面において二列に並んだ吐出口８０，８１の間には，純水吐出口９０が形成されている。この純水吐出口９０も上記吐出口８０，８１と同様に処理液供給ノズル７３の長手方向に沿って少なくともウェハＷの直径よりも長いスリット状に形成されている。処理液供給ノズル７３内には，例えば現像処理装置１８の外部に設定された純水供給装置９１に連通した管路９２がＸ方向に沿って設けられており，純水吐出口９０は，流路９３によって管路９２に連通している。流路９３内には，多孔体９４が設けられており，純水吐出口９０から吐出される純水は，処理液供給ノズル７３のＸ方向に渡って同じ圧力で吐出される。
【００４０】
レール７０に取り付けられたもう一方の第２のアーム７２には，図５に示すようにリンス液供給ノズル１００と処理液除去部材１０１が支持されている。第２のアーム７２は，例えば駆動機構１０２によってレール７０上をＹ方向に移動自在である。また，第２のアーム７２は，駆動機構１０２によって上下方向にも移動自在である。したがって，第２のアーム７２に支持されたリンス液供給ノズル１００と処理液除去部材１０１は，現像処理装置１８内においてＹ方向の水平方向と上下方向に移動自在である。なお，本実施の形態における処理液除去部材１０１の移動機構は，例えばレール７０，第２のアーム７２及び駆動機構１０２によって構成されている。
【００４１】
処理液除去部材１０１は，例えば図７に示すように第２のアーム７２のＹ方向負方向側の側面から下方に向けて形成された支持部材１１０によって第２のアーム７２に支持されている。処理液除去部材１０１は，例えば水平で薄い板状に形成され，支持部材１１０からＹ方向負方向側の水平方向に向けて形成されている。処理液除去部材１０１のＹ方向負方向側の端面である接触部１０１ａは，例えば平面から見てウェハＷと同じ径を有しかつＹ方向正方向側に凸の円弧状に形成されている。この接触部１０１ａの形状により，図５中の点線に示すように処理液除去部材１０１をＹ方向正方向側からウェハＷに接近させ，接触部１０１ａをウェハＷのＹ方向正方向側上に液盛りされている処理液に線接触させることができる。処理液除去部材１０１は，少なくともウェハＷの表面よりも親水性に優れた素材，例えばセラミックスで形成されている。したがって，処理液除去部材１０１の接触部１０１ａをウェハＷの他端部側上の処理液に接触させた場合，当該処理液が毛細管現象により処理液除去部材１０１側に流入し，ウェハＷ上の処理液の一部を除去することができる。
【００４２】
リンス液供給ノズル１００は，図５に示すように例えば現像処理装置１８の外部に設置されたリンス液供給装置１１５に連通しており，当該リンス液供給装置１１５から供給されたリンス液を下方に向けて吐出できるようになっている。
【００４３】
カップ６２のＹ方向正方向側の外方には，リンス液供給ノズル１００と処理液除去部材１０１を収容し洗浄する洗浄槽１２０が設けられている。洗浄槽１２０は，図８及び図９に示すように上面が開口した略箱形に形成され，リンス液供給ノズル１００と処理液除去部材１０１とを上方から収容できるようになっている。図８に示すように洗浄槽１２０のＹ方向の両側壁には，洗浄液が通流する通流管１２１がＸ方向に沿って配置されている。この通流管１２１には，現像処理装置１８の外部に設置された洗浄液供給装置１２２に連通している。通流管１２１には，洗浄液供給部としての複数の穴１２３がＸ方向に沿って一列に形成されており，この穴１２３から洗浄槽１２０の内側に向けて洗浄液が吐出される。したがって，洗浄槽１２０に収容されたリンス液供給ノズル１００と処理液除去部材１０１に対し穴１２３から洗浄液を供給し，リンス液供給ノズル１００と処理液除去部材１０１に付着した汚れを除去できる。洗浄槽１２０の底部には，図９に示すように排液管１２４が接続されており，洗浄槽１２０内の洗浄液を排液できる。なお，本実施の形態では，洗浄槽１２０，通流感１２１，洗浄液供給装置１２２及び穴１２３により洗浄機構を構成している。
【００４４】
図５に示すようにカップ６２のＹ方向負方向側の外方には，処理液供給ノズル７３を収容し洗浄する洗浄槽１３０が設けられている。
【００４５】
次に，以上のように構成されている現像処理装置１８で行われる処理プロセスを，塗布現像処理システム１で行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスと共に説明する。
【００４６】
先ず，ウェハ搬送体７によりカセットＣから未処理のウェハＷが１枚取り出され，第３の処理装置群Ｇ３に属するエクステンション装置３２に搬送される。次にウェハＷは，主搬送装置１３によってアドヒージョン装置３１に搬入され，ウェハＷに対し，レジスト液の密着性を向上させる例えばHMDSが塗布される。次にウェハＷは，クーリング装置３０に搬送され，所定の温度に冷却された後，レジスト塗布装置１７に搬送される。レジスト塗布装置１７においてレジスト膜が形成されたウェハＷは，主搬送装置１３によってプリベーキング装置３３，エクステンション・クーリング装置４１に順次搬送され，さらにウェハ搬送体５０によって，周辺露光装置５１，露光装置（図示せず）に順次搬送されて，各装置で所定の処理が施される。露光処理の終了したウェハＷは，ウェハ搬送体５０によりエクステンション装置４２に搬送され，その後ポストエクスポージャーベーキング装置４４，クーリング装置４３で所定の処理が施された後，現像処理装置１８に搬送されて，現像処理が行われる。
【００４７】
現像処理装置１８において現像処理の終了したウェハＷは，ポストベーキング装置４６，クーリング装置３０に順次搬送され，各装置において所定の処理が施され，その後エクステンション装置３２を介してカセットＣに戻されて，一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。
【００４８】
次に，上述した現像処理装置１８で行われるウェハＷの現像処理について詳しく説明する。主搬送装置１３によって現像処理装置１８内にウェハＷが搬入されると，ウェハＷは，スピンチャック６０に吸着保持される。続いて洗浄槽１３０で待機していた処理液供給ノズル７３がＹ方向正方向側に移動し，平面から見てカップ６２内のウェハＷのＹ方向負方向側の端部（一端部）の手前まで移動する。その後，処理液供給ノズル７３が下降し，ウェハＷの表面よりも僅かに高い位置に高さ調節され，例えば純水吐出口９０から第１の処理液としての純水が吐出され始める。純水の吐出が開始されると，図１０に示すように処理液供給ノズル７３がウェハＷの一端部上からＹ方向正方向側の端部（他端部）上まで移動し，ウェハＷの表面上に純水の液膜Ｐ１が形成される。
【００４９】
処理液供給ノズル７３がウェハＷの他端部上まで移動すると，処理液供給ノズル７３は，さらにＹ方向正方向側に僅かに移動してから停止し，純水の吐出が停止される。その後，処理液供給ノズル７３は，図１１に示すように純水の吐出が開始されたウェハＷの一端部側の位置に戻される。処理液供給ノズル７３がウェハＷの一端部側に戻されると，例えば洗浄槽１２０で待機していた処理液除去部材１０１が，第２のアーム７２によってＹ方向負方向側に移動し，平面から見てカップ６２内であってウェハＷの他端部よりもＹ方向正方向側の位置に移動する。その後，処理液除去部材１０１は下降し，ウェハＷ上の液膜Ｐ１と同じ高さに高さ調整される。
【００５０】
続いて，処理液供給ノズル７３の吐出口８０から第２の処理液としての現像液が吐出され始め，当該処理液供給ノズル７３が図１２に示すようにＹ方向正方向側に移動し始める。この処理液供給ノズル７３の移動によりウェハＷ上に現像液の液膜Ｐ２が形成される。処理液供給ノズル７３の移動が開始されると，例えば処理液除去部材１０１がＹ方向負方向側に移動し，処理液除去部材１０１の接触部１０１ａがウェハＷの他端部上の純水の液膜Ｐ１に接触する。この接触により，純水の一部が処理液除去部材１０１上に流れ込む。処理液除去部材１０１上に流れ込んだ純水は，処理液除去部材１０１の表面を伝って処理液除去部材１０１のＹ方向正方向側の端部から下方のカップ６２に落下し排出される。こうして，処理液供給ノズル７３がウェハＷの他端部上に到達する前に，ウェハＷの他端部上の純水の一部が除去される。そして，図１３に示すように処理液供給ノズル７３がウェハＷの他端部上に到達する前に，処理液除去部材１０１はＹ方向正方向側に後退し，ウェハＷの他端部上の純水から離される。純水から離れた処理液除去部材１０１は，第２のアーム７２によって洗浄槽１２０内に戻される。なお，ウェハＷ上から除去される純水の液量は，予め設定されている処理液除去部材１０１と純水との接触時間によって調整されている。
【００５１】
処理液除去部材１０１が洗浄槽１２０内に戻されると，通流管１２１の複数の穴１２３から処理液除去部材１０１に対し洗浄液が吐出され，処理液除去部材１０１に付着した汚れが洗い落とされる。
【００５２】
カップ６２内において処理液供給ノズル７３がウェハＷの他端部上まで到達し，ウェハＷの表面全体に現像液の液膜Ｐ２が形成されると，現像液の吐出が停止され，処理液供給ノズル７３は，第１のアーム７１によって洗浄槽１３０に戻される。ウェハＷは，現像液の液膜が形成された状態で所定時間維持され，静止現像される。所定時間ウェハＷの静止現像が行われると，第２のアーム７２によってリンス液供給ノズル１００がウェハＷの中心部上方まで移動し，カップ６２の側壁部６３が上昇する。その後スピンチャック６０によりウェハＷが回転され，リンス液供給ノズル１００からウェハＷにリンス液が供給される。これにより，ウェハＷ上の現像液がリンス液に置換され，ウェハＷの現像が停止すると共に，ウェハＷが洗浄される。所定時間リンス液が供給された後，リンス液の供給が停止され，リンス液供給ノズル１００は，洗浄槽１２０内に戻される。ウェハＷは，引き続き回転され，乾燥される。
【００５３】
所定時間ウェハＷが乾燥された後，ウェハＷの回転が停止され，スピンチャック６０から主搬送装置１３にウェハＷが受け渡され，ウェハＷが現像処理装置１８から搬出される。こうして，ウェハＷの一連の現像処理が終了する。
【００５４】
以上の実施の形態によれば，現像処理装置１８内に，親水性の材質で形成された処理液除去部材１０１を設け，当該処理液除去部材１０１をウェハＷ上の液膜に接触できるようにしたので，現像液の供給時に，既に形成されている純水の液膜Ｐ１に対して処理液除去部材１０１を接触させて，ウェハＷ上の純水の一部を除去することができる。この結果，現像液の供給時にウェハＷの他端部側に押し出された純水によってウェハＷの他端部上に供給される現像液が部分的に稀釈化されることが防止できる。したがって，ウェハＷ上に液盛りされた現像液の濃度がウェハ面内において均一になり，ウェハ面内において均一な現像が行われる。
【００５５】
処理液除去部材１０１の接触部１０１ａを，ウェハＷと同じ径を有する円弧状に形成し，ウェハＷ上の純水と線接触できるようにしたので，ウェハＷの他端部側の純水を斑なく効率的に除去できる。
【００５６】
現像処理装置１８内に処理液除去部材１０１の洗浄槽１２０を設けたので，純水や現像液などの液体が付着する度に処理液除去部材１０１を洗浄することができ，処理液除去部材１０１に付着した液体がパーティクルの原因になることを防止できる。
【００５７】
以上の実施の形態では，処理液除去部材１０１は，リンス液供給ノズル１００と同じ第２のアーム７２に取り付けられていたが，処理液除去部材１０１の専用のアームに取り付けられて，洗浄槽１２０とカップ６２内との間を移動してもよい。
【００５８】
また，処理液除去部材１０１は，予めカップ６２内の所定位置に設置されてもよい。図１４は，かかる場合の一例を示すものであり，カップ６２内におけるウェハＷの他端部と側壁部６３との間には，処理液除去部材１５０を収容し洗浄する洗浄槽１５１が配置されている。洗浄槽１５１は，図１５に示すように外形がＸ方向に長い略直方体形状に形成され，Ｙ方向負方向側の側面には，処理液除去部材１５０が出入りするための出入口１５２が形成されている。
【００５９】
洗浄槽１５１内は，例えば図１６に示すように処理液除去部材１５０を支持する支持部材１５３と，支持部材１５３を伸縮し処理液除去部材１５０をＹ方向に進退させるための進退駆動部１５４と，洗浄槽１５１内の処理液除去部材１５０に洗浄液を吐出する洗浄液吐出口１５５と，洗浄槽１５１内の洗浄液を排液する排液口１５６が設けられている。洗浄液吐出口１５５は，例えば洗浄液が通流する通流管１５７に形成されている。通流管１５７は，例えば洗浄槽１５１の内壁に沿って配置され，現像処理装置１８の外部の図示しない洗浄液供給装置に連通している。当該洗浄液供給装置から供給された洗浄液は，洗浄槽１５１内の通流管１５７を流れ，洗浄液吐出口１５５から吐出される。排液口１５６は，例えば洗浄槽１５１の底部に開口し，当該排液口１５６には，図示しない工場の排液部に連通した排液管１５８が接続されている。
【００６０】
ウェハＷの他端部上の純水の一部を除去する際には，洗浄槽１５１内に待機していた処理液除去部材１５０が進退駆動部１５４によりＹ方向負方向側に進行し，出入口１５２を通過してウェハＷの他端部上の純水に接触する。そして，純水の除去が終わると，処理液除去部材１５０は，ウェハＷから後退し，再び洗浄槽１５１内に収容される。洗浄槽１５１に収容された処理液除去部材１５０には，洗浄液吐出口１５５から洗浄液が吐出され，処理液除去部材１５０に付着している液体などの汚れが洗い落とされる。
【００６１】
この例によれば，前記実施の形態のように処理液除去部材１５０がカップ６２の内側と外側に渡って移動することがないので，例えば移動中に処理液除去部材１５０に付着した液体が垂れ落ちて現像処理装置１８内が汚染されることが防止できる。
【００６２】
以上の実施の形態における処理液除去部材１０１，１５０の上面は，水平に形成されていたが，Ｙ方向正方向側，つまりウェハＷから離れる方向側が低くなるように傾斜していてもよい。この場合，ウェハＷから処理液除去部材１０１上に流れ込んだ純水が傾斜に沿ってウェハＷから離れる方向に流れる。この結果，ウェハＷ上からの純水の除去が促進され，所定量の純水除去を短時間で行うことができる。
【００６３】
以上の実施の形態で記載した処理液除去部材１０１，１５０は，板形状であったが，図１７に示す処理液除去部材１６０のように基部１６１からＹ方向負方向側に突出する複数本の接触棒１６２を備えるようにしてもよい。例えばこの場合，複数本の接触棒１６２は，親水性の例えばセラミックスで形成される。また，各接触棒１６２がウェハＷの他端部上の純水に同時に接触できるように，例えば平面から見て各接触部１６２の先端部を滑らかに連結した曲線がウェハＷと同じ径を有する円弧状になるように，各接触棒１６２の長さが設定される。そして，現像処理の際には，各接触棒１６２をウェハＷの他端部上の純水に接触させ，各接触棒１６２から純水を吸収して，ウェハＷの他端部上の純水の一部が除去される。なお，この例の接触棒１６２の数は，任意に選択できる。また，接触棒１６２の数は，一本であってもよい。
【００６４】
以上の実施の形態で記載した処理液除去部材１０１，１５０，１６０の親水性の材質は，セラミックスであったが，他の親水性の材質，例えば多孔質材であってもよい。また，処理液除去部材１０１，１５０，１６０の接触部のみが親水性の材質で形成されていてもよい。
【００６５】
以上の実施の形態で記載した処理液除去部材１０１，１５０，１６０は，親水性の材質を用いてウェハＷの他端部上の純水を除去していたが，負圧による吸引によりウェハＷの他端部上の純水を除去してもよい。例えば図１８に示すように処理液除去部材１７０は，内部が中空の本体１７０ａを備え，本体１７０ａのＹ方向負方向側の側面部１７０ｂは，平面から見てウェハＷと同じ径を有しＹ方向正方向側に凸の円弧状に形成されている。当該側面部１７０ｂには，本体１７０ａの内部に連通するスリット状の吸引部としての吸引口１７０ｃが形成されている。吸引口１７０ｃは，円弧状に湾曲した側面部１７０ｂに沿って，ウェハＷの外形に適合するように形成されている。本体１７０ａのＹ方向正方向側には，図示しない負圧発生手段に通じる吸引管１７０ｄが接続されている。
【００６６】
ウェハＷ上の純水の一部を除去する際には，先ず処理液除去部材１７０の吸引口１７０ｃがウェハＷの他端部側に近づけられる。次に吸引管１７０ｄから所定圧の吸引が開始され，吸引口１７０ｃからウェハＷの他端部上の純水の一部が吸引され除去される。そして，例えば予め定められた所定量の純水が除去されると，吸引管１７０ｄからの吸引が停止され，純水の除去が停止される。かかる場合，吸引管１７０ｄからの吸引の動停止，吸引圧の制御によって，除去される純水の量を制御し易い。それ故，後にウェハＷ上に上塗りされる現像液の濃度をウェハ面内でより均一になるように調整できる。
【００６７】
以上，本発明の実施の形態の一例について説明したが，本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。例えば以上の実施の形態では，ウェハＷ上に初めに液盛りされる第１の処理液として純水が用いられ，次に液盛りされる第２の処理液として現像液が用いられていたが，本発明は，第１の処理液に現像液が用いられ，第２の処理液に純水が用いられた場合にも適用できる。また，第１及び第２の両方の処理液に現像液が用いられた場合にも本発明を適用できる。
【００６８】
前記実施の形態は，本発明を現像処理装置に適用したものであったが，本発明は，他の液処理装置，例えばレジスト塗布装置にも適用できる。さらに，前記実施の形態では，本発明をウェハＷの現像処理装置に適用したものであったが，本発明はウェハ以外の基板例えばＬＣＤ基板などのＦＰＤ基板，フォトマスク用のガラス基板などの現像処理装置にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
基板上に処理液の液膜を形成して基板を液処理を行う場合に，基板上の処理液の濃度を基板面内で均一に維持し，基板面内の液処理を均一に行う際に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本実施の形態にかかる現像処理装置を搭載した塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】現像処理装置の構成を示す縦断面の説明図である。
【図５】現像処理装置の構成を示す横断面の説明図である。
【図６】処理液供給ノズルの縦断面の説明図である。
【図７】処理液除去部材の斜視図である。
【図８】洗浄槽の平面図である。
【図９】洗浄槽の縦断面図である。
【図１０】純水の液膜を形成した時の様子を示すウェハの側面図である。
【図１１】現像液を供給する直前の様子を示すウェハの側面図である。
【図１２】純水除去時の様子を示すウェハの側面図である。
【図１３】現像液の液膜が形成された時の様子を示すウェハの側面図である。
【図１４】カップ内に洗浄槽を設けた場合の現像処理装置の縦断面の説明図である。
【図１５】洗浄槽の斜視図である。
【図１６】洗浄槽の横断面図である。
【図１７】接触棒を備えた処理液除去部材の斜視図である。
【図１８】吸引口を備えた処理液除去部材の斜視図である。
【図１９】従来の現像処理において，２回目の処理液の供給時に，１回目の処理液がウェハの他端部側に移動する様子を示す説明図である。
【図２０】従来の現像処理において，２回目の処理液の液膜に濃度の斑ができる様子を示す説明図である。
【符号の説明】
【００７１】
１    塗布現像処理システム
１８    現像処理装置
７２    第２のアーム
７３    処理液供給ノズル
１０１    処理液除去部材
１２０    洗浄槽
Ｗ    ウェハ
【図１】
2005072333.tif 000003
【図２】
2005072333.tif 000004
【図３】
2005072333.tif 000005
【図４】
2005072333.tif 000006
【図５】
2005072333.tif 000007
【図６】
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【図７】
2005072333.tif 000009
【図８】
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【図９】
2005072333.tif 000011
【図１０】
2005072333.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
2005072333.tif 000016
【図１５】
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【図１６】
2005072333.tif 000018
【図１７】
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【図１８】
2005072333.tif 000020
【図１９】
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【図２０】
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