(57)【要約】【課題】平面方向の焼成収縮が少なく寸法精度が高い多層セラミック基板および上記焼成収縮を確実に抑制し得る多層セラミック基板の製造方法を提供する。【解決手段】複数のセラミック絶縁層ｚ１〜ｚ３を積層した基板本体Ｈと、かかる基板本体Ｈの表面１および裏面１０に形成され且つ底部(２ｂ，８ｂ)が２μｍ以上の深さｄでかかる表面１および裏面１０を形成するセラミック絶縁層ｚ１，ｚ３の内部に入り込んだ電極２，８と、を含む、多層セラミック基板Ｋ。前記電極２，８の頂部(２ａ，８ａ)と基板本体Ｈの表面１または裏面１０との距離は、１９μｍ以下である。【選択図】  図１０
2005183522.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセラミック絶縁層を積層した基板本体と、
上記基板本体の表面および裏面に形成され且つ底部が２μｍ以上の深さでかかる表面および裏面を形成するセラミック絶縁層の内部に入り込んだ電極と、を含む、
ことを特徴とする多層セラミック基板。
【請求項２】
前記電極の頂部と前記基板本体の表面または裏面との距離は、１９μｍ以下である、
ことを特徴とする請求項１に記載の多層セラミック基板。
【請求項３】
複数のグリーンシートのうち焼成後における基板本体の表面および裏面となるグリーンシートの表面に金属粉末を含む導電性ペーストからなる電極を形成する工程と、
上記電極の底部をグリーンシートの内部に入り込ませる工程と、
上記複数のグリーンシートを積層して積層体を形成する工程と、
上記積層体の表面および裏面に上記グリーンシートの焼成温度よりも高い焼成温度の焼成収縮抑制グリーンシートを積層して複合積層体を形成する工程と、
上記複合積層体を上記グリーンシートの焼成温度で焼成する工程と、
焼成後の上記複合積層体から未焼成の焼成収縮抑制グリーンシートを除去する工程と、
を含む、ことを特徴とする多層セラミック基板の製造方法。
【請求項４】
前記導電性ペーストからなる電極の底部を前記グリーンシートの内部に入り込ませる工程において、上記電極の底部は、上記グリーンシートの表面に２μｍ以上の深さで内部に入り込むと共に、上記電極の頂部と上記グリーンシートの表面との距離は、２７μｍ以下である、
ことを特徴とする請求項３に記載の多層セラミック基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、焼成収縮が少なく寸法精度に優れた多層セラミック基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
グリーンシートを焼成してセラミック基板を得るに際し、焼結に伴う焼成収縮を抑制し寸法精度の良いセラミック基板を製造する方法が種々提案されている。
例えば、複数枚のガラスセラミック・グリーンシートを積層したガラスセラミック・グリーンシート積層体の両面に、拘束グリーンシートをそれぞれ積層し、これらを焼成した後に未焼成の拘束シートを除去するプロセスにより、ガラスセラミック基板を製造する方法が提案されている(例えば、特許文献１参照)。
上記拘束グリーンシートに含まれるガラス成分は、焼成時にガラスセラミック・グリーンシートと当該拘束グリーンシートとの結合力を高め、且つかかる拘束グリーンシートの焼成収縮を抑制可能な含有量とすることで、焼成後に寸法精度の高いガラスセラミック基板を製造可能としている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−１５８６７０号公報(第１〜７頁、図１)
【０００４】
しかし、上記ガラスセラミック基板の製造方法では、焼成の後で、前記拘束グリーンシートを除去する際に、それに含まれていたガラス成分の結合力が強過ぎるため、当該拘束グリーンシートのみをきれいに除去できず、ガラスセラミック基板の表面および裏面を損傷することがある、という問題があった。
一方、ガラスを含む未焼成セラミック体の両面にセラミック固体層を積層し、且つ焼成した後に得られる焼成セラミック体から未焼成の上記セラミック固体層を除去する製造方法であって、上記焼成に際し上記セラミック体からセラミック固体層へのガラス成分の浸透深さを５０μｍ以下としたセラミック体の製造方法も提案されている(例えば、特許文献２参照)。
しかしながら、上記セラミック体の製造方法では、上記セラミック体からセラミック固体層へのガラス成分の浸透深さが５０μｍ以下と極く少量であるため、焼成時におけるセラミック固体層の拘束力が弱く、焼成収縮の抑制が不十分になることがある、という問題があった。
【０００５】
【特許文献２】特開平４−２４３９７８号公報(第１〜１３頁、図１〜６)
【０００６】
更に、前記セラミック体の製造方法において、図１８に示すように、ガラスを含む未焼成セラミック体２０，２４の表面２１，２３に導電性ペーストからなる電極２６，２８を形成した後、表面２１，２３にセラミック固体層２５，２７を積層する形態がある。この場合、図１８中の一点鎖線部分Ｙを拡大した図１９で例示するように、電極２６の周囲の表面２１上にセラミック固体層２５が充填されず、断面ほぼ３角形の隙間２９が形成される。このため、前記焼成時におけるセラミック固体層２５，２７の拘束力が弱くなり、焼成後のセラミック体における焼成収縮の抑制が不十分になることがある、という問題もあった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、前述した背景技術における問題点を解決し、平面方向の焼成収縮が少なく寸法精度が高い多層セラミック基板および上記焼成収縮を確実に抑制し得る多層セラミック基板の製造方法を提供する、ことを課題とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するため、複数のセラミック絶縁層を積層した基板本体の表面および裏面に形成する電極をセラミック絶縁層の内部に入り込ませる、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の多層セラミック基板(請求項１)は、複数のセラミック絶縁層を積層した基板本体と、かかる基板本体の表面および裏面に形成され且つ底部が２μｍ以上の深さでかかる表面および裏面を形成するセラミック絶縁層の内部に入り込んだ電極と、を含む、ことを特徴とする。
【０００９】
これによれば、基板本体の表面および裏面にそれぞれ形成された電極は、その底部がセラミック絶縁層の内部に入り込んでいるので、基板本体の平面(Ｘ−Ｙ)方向に沿った焼成収縮が抑制されている。従って、寸法精度および平坦性に優れているので、上記電極およびこれと導通する配線層やビア導体などの電気的特性の信頼性が向上する。
尚、前記電極の底部の入り込み深さが２μｍ未満では、かかる電極の頂部と後述する積層体の表面または裏面との距離が過大となり、後述する複合積層体において隙間が形成され易くなり、焼成収縮を抑制しにくくなるため、かかる範囲を排除した。
【００１０】
また、本発明には、前記電極の頂部と前記基板本体の表面または裏面との距離は、１９μｍ以下である、多層セラミック基板(請求項２)も含まれる。
これによれば、上記電極は、前記基板本体の表面および裏面にそれぞれ１９μｍ以下の距離(高さ)で形成されているため、上記表面および裏面に位置する多数の電極のレベル(高さ)が均一化している。従って、上記表面においてＩＣチップなどの電子部品の実装が容易となると共に、上記裏面における多数の電極を介して当該多層セラミック基板自体をマザーボードなどに容易に実装可能となる。
尚、上記距離が１９μｍを越えると、後述する複合積層体において隙間が形成され易くなり、焼成収縮を抑制しにくくなるため、かかる範囲を排除した。
【００１１】
一方、本発明の多層セラミック基板の製造方法(請求項３)は、複数のグリーンシートのうち焼成後における基板本体の表面および裏面となるグリーンシートの表面に金属粉末を含む導電性ペーストからなる電極を形成する工程と、かかる電極の底部をグリーンシートの内部に入り込ませる工程と、上記複数のグリーンシートを積層して積層体を形成する工程と、かかる積層体の表面および裏面に上記グリーンシートの焼成温度よりも高い焼成温度の焼成収縮抑制グリーンシートを積層して複合積層体を形成する工程と、かかる複合積層体を上記グリーンシートの焼成温度で焼成する工程と、焼成後の上記複合積層体から未焼成の焼成収縮抑制グリーンシートを除去する工程と、を含む、ことを特徴とする。
【００１２】
これによれば、積層体の表面および裏面に形成された電極は、グリーンシートの内部に入り込こんだ状態となる。この結果、上記積層体と焼成収縮抑制グリーンシートとの間で隙間が形成されにくくなり、積層体の表面および裏面と焼成収縮抑制グリーンシートとの接触面積が向上するため、焼成時における拘束力が向上する。従って、焼成時における基板本体の平面方向(Ｘ−Ｙ方向)における焼成収縮を可及的に抑制できるため、寸法精度に優れた多層セラミック基板を確実に提供することが可能となる。
尚、導電性ペーストからなる前記電極の底部をグリーンシートの内部に入り込ませる工程は、複数のグリーンシートを積層して積層して積層体を形成する工程の前およびかかる工程後の何れにおいて行っても良い。
【００１３】
また、本発明には、前記導電性ペーストからなる電極の底部を前記グリーンシートの内部に入り込ませる工程において、上記電極の底部は、上記グリーンシートの表面に２μｍ以上の深さで内部に入り込むと共に、上記電極の頂部と上記グリーンシートの表面との距離は、２７μｍ以下である、多層セラミック基板の製造方法(請求項４)も含まれる。
これによれば、積層体またはグリーンシートの表面および裏面に形成された電極は、グリーンシートの内部に入り込こむと共に、かかるグリーンシートの表面および裏面から２７μｍ以下の距離(高さ)に形成される。従って、積層体の表面および裏面に焼成収縮抑制グリーンシートを積層した際に、上記電極の周囲に隙間が形成される事態を一層確実に防ぐことができるため、焼成収縮の抑制を実効化できる。
尚、前記深さが２μｍ未満で且つ前記距離が２７μｍを越えると、前記電極の頂部と前記積層体の表面または裏面との距離が過大となり、前記複合積層体において隙間が形成され、焼成収縮を抑制できないため、かかる範囲を排除した。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下において、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
図１は、本発明の多層セラミック基板の製造方法(第１方法)に用いるグリーンシートｓの断面を示す。かかるグリーンシートｓは、ガラス粉末、アルミナ粉末、およびバインダ樹脂などを混合して得たセラミックスラリをドクターブレード法により、約１５０μｍの厚みのシート状に成形したものである。
図２に示すように、上記グリーンシートｓと同じ３枚のグリーンシートｓ１，ｓ２，ｓ３を用意し、プレスによる打ち抜き加工などを施す。その結果、図２の右側に示すように、グリーンシートｓ１，ｓ２，ｓ３の表面１，５，９と裏面３，７，１０との間を貫通する内径約１５０μｍのスルーホールｈを所定の位置に複数形成する。
【００１５】
次に、図２の左側および中央に示すように、上記複数のスルーホールｈ内に、図示しないメタルマスクおよびスキージを用いて、Ａｇ粉末を含む導電性ペーストを充填することにより、ビア導体ｖを個別に形成する。
更に、図３に示すように、グリーンシートｓ１，ｓ２，ｓ３の表面１，５，９およびグリーンシートｓ３の裏面１０に、上記同様の導電性ペーストを公知のスリーン印刷することにより、厚さ約１５μｍの上記導電性ペーストからなる電極２，８または所定パターンの配線層４，６を形成する(電極を形成する工程)。
次いで、図４に示すように、ビア導体ｖ、電極２，８、および配線層４，６が形成されたグリーンシートｓ１，ｓ２，ｓ３を厚み方向に積層して熱圧着することにより、３層構造の積層体Ｓを形成する(積層体を形成する工程)。
【００１６】
次に、図５に示すように、積層体Ｓを金属板１２の表面上に載置する。かかる金属板１２は、図示しないヒータなどの加熱手段を内蔵すると共に、油圧シリンダ(図示せず)のピストンロッド１３の上端に固定され且つ昇降可能とされている。尚、金属板１２は、上記油圧シリンダやピストンロッド１３のない図示しない定盤とし、その上に積層体Ｓを載置し且つ固定しても良い。
更に、図５に示すように、金属板１２の表面上に載置された積層体Ｓの上方に、上記金属板１２と対向する昇降可能な金属板１４を配置する。この金属板１４は、油圧シリンダ(図示せず)のピストンロッド１５の下端に固定されている。
【００１７】
かかる状態で、図５中の矢印で示すように、ピストンロッド１３，１５を伸長させ、金属板１２，１４を互いに接近するよう昇降させることにより、図６に示すように、積層体Ｓの表面１および裏面１０に形成された電極２，８がグリーンシートｓ１，ｓ３内に、ほぼ全体が入り込んだ位置で金属板１２，１４を停止する。そして、図６中の破線の矢印で示すように、ピストンロッド１３，１５を後退させ、金属板１２，１４を互いに離間するよう降下または上昇させる。
前記電極２，８をグリーンシートｓ１，ｓ３の表面１や裏面(表面)１０からそれらの内部に入り込ませる工程を、図７，８に基づいて詳説する。
図７の電極２で例示するように、前記金属板１２，１４によるグリーンシートｓ１〜ｓ３の厚み方向に沿った矢印で示す圧力(約５ＭＰａ)を受けた電極２は、図６で示したように、一旦グリーンシートｓ１内に埋設されるよう入り込む。
【００１８】
その後、金属板１２，１４の圧力が解除されると、グリーンシートｓ１，ｓ３自体の弾性による復元力が厚み方向に働くため、図８に示すように、電極２は、グリーンシートｓ１の表面１上に厚みの過半部が浮き上がる。この際、図８に示すように、電極２の底部２ｂは、グリーンシートｓ１の表面１から２μｍ以上深さｄで入り込む(食い込む)と共に、電極２の頂部２ａとグリーンシートｓ１の表面１との距離(高さ)ｔは、２７μｍ以下となるように、前記圧力が設定される。
尚、グリーンシートｓ３の裏面１０における電極８も上記電極２と同様な挙動を示し、その底部８ｂは、グリーンシートｓ３の裏面１０から２μｍ以上の深さｄで入り込み、電極８の頂部８ａとグリーンシートｓ３の裏面１０との距離ｔも２７μｍ以下となる。また、表面１や裏面１０に形成されている多数の電極２，８の頂部２ａ，８ａにおけるレベルも均一となる。
【００１９】
次いで、図９に示すように、積層体Ｓの表面１および裏面１０に焼成収縮抑制グリーンシートｙ１，ｙ２を積層し且つ熱圧着して複合積層体ＦＳを形成する。この際、電極２，８は、それらの底部(２ｂ，８ｂ)がグリーンシートｓ１，ｓ３の内部に入り込み、且つかかる表面１および裏面１０から突出する高さが小さいため、当該電極２，８の周囲と焼成収縮抑制グリーンシートｙ１，ｙ２との間には、前記のような隙間が形成されないか、あるいは極く微小な隙間に抑制できる。
尚、上記焼成収縮抑制グリーンシートｙ１，ｙ２は、アルミナを主成分とし且つガラスを含まず、グリーンシートｓ１〜ｓ３の厚みよりも厚肉である。
【００２０】
更に、前記複合積層体ＦＳを図示しない焼成炉に挿入した後、前記グリーンシートｓ１〜ｓ３の焼成温度(約８５０℃)に加熱して約２時間にわたり焼成する(焼成工程)。同時に、焼成に伴って積層体Ｓにおけるグリーンシートｓ１〜ｓ３中のガラス成分の一部が、表面１および裏面１０を介して当該焼成収縮抑制グリーンシートｙ１，ｙ２に僅かに浸透する。
この際、焼成収縮抑制グリーンシートｙ１，ｙ２は、電極２，８の周囲に前記隙間がないか、極く微小な隙間しか形成されないため、積層体Ｓの表面１および裏面１０を介して積層体Ｓの平面方向に沿った焼成収縮を強固に抑制する。
焼成後において、複合積層体ＦＳのうち、グリーンシートｓ１〜ｓ３は、セラミック絶縁層(ｚ１〜ｚ３)となり、積層体Ｓの表面１および裏面１０に未焼成の焼成収縮抑制グリーンシートｙ１，ｙ２が残っている。かかる焼成収縮抑制グリーンシートｙ１，ｙ２は、ガラス成分を殆ど含まず且つ未焼成である。
【００２１】
そして、セラミック絶縁層(ｚ１，ｚ３)の表面１および裏面１０から、焼成収縮抑制グリーンシートｙ１，ｙ２を除去する(除去工程)。この際、かかる焼成収縮抑制グリーンシートｙ１，ｙ２は、ガラス成分を殆ど含まず且つ未焼成であるため、物理的な引き剥がしや熱的衝撃などにより容易に除去することができる。
その結果、図１０に示すように、焼成されたセラミック絶縁層ｚ１〜ｚ３が一体化して積層された焼成済みの基板本体Ｈ、電極２，８、および配線層４，６を備えた多層セラミック基板Ｋを得ることができる。かかる多層セラミック基板Ｋにおいて、電極２，８の基板本体Ｈの表面１や裏面１０への入り込み深さ(ｄ)は、２μｍ以上であり、電極２，８と上記表面１や裏面１０との距離(ｔ、高さ)は、１９μｍ以下となっている。
【００２２】
図１１，１２は、異なる工程順の製造方法(第２方法)を示す。
前記同様にビア導体ｖおよび電極２を形成したグリーンシートｓ１を、図１１に示すように、ヒータなどを内蔵する定盤１６の表面上に単独で載置する。かかるグリーンシートｓ１の上方に前記同様の昇降可能なピストンロッド１５の下端に固定された金属板１４を配置し、図１１中の矢印で示すうように、かかる金属板１４を降下させる。
図１２中の実線の矢印で示すように、降下した金属板１４は、電極２のほぼ全体がグリーンシートｓ１内に入り込んだ位置で停止した後、図１２中の破線の矢印で示すように、ピストンロッド１５の後退によって、上昇(復帰)する。
【００２３】
その結果、図１３に示すように、電極２は、グリーンシートｓ１の表面１からその内部に底部(２ｂ)が２μｍ以上の深さ(ｄ)で入り込んだ状態となる。
また、裏面１０に電極８を形成したグリーンシートｓ３も、以上の工程を経ることで、上記裏面１０から内部に底部(８ｂ)を２μｍ以上の深さ(ｄ)で入り込ませることができる。
以上の工程の後に、電極２，８が内部に入り込んだグリーンシートｓ１，ｓ３および前記グリーンシートｓ２の３層を積層して前記積層体Ｓを形成し、更に、前記複合積層体ＦＳの形成工程、焼成工程、および焼成収縮抑制グリーンシートｙ１，ｙ２の除去工程を行うことによっても、前記同様の多層セラミック基板Ｋを得ることができる。
【００２４】
以上のような製造方法(第１方法、第２方法)によれば、積層体Ｓの表面１および裏面１０に形成された電極２，８の底部(２ｂ，８ｂ)は、グリーンシートｓ１，ｓ３の表面１や裏面１０に２μｍ以上の深さで入り込み且つ電極２，８の頂部(２ａ，８ａ)とグリーンシートｓ１，ｓ３の表面１や裏面１０との距離が２７μｍ以下の状態となる。この結果、焼成収縮抑制グリーンシートｙ１，ｙ２との間で隙間を形成しにくくなり、積層体Ｓの表面１および裏面１０と焼成収縮抑制グリーンシートｙ１，ｙ２との接触面積が向上するため、焼成時における拘束力が著しく高まる。従って、焼成後における基板本体Ｈの平面方向(Ｘ−Ｙ方向)における焼成収縮を可及的に抑制でき、寸法精度に優れた多層セラミック基板Ｋを確実に提供することが可能となる。
また、得られた多層セラミック基板Ｋは、上記製造方法により形成されているので、その基板本体Ｈを形成するセラミック絶縁層ｚ１〜ｚ３の焼成収縮が少ないため、寸法精度および平坦性に優れている。従って、保有する配線層４，６、ビア導体ｖ、および電極２，８に関連する電気的特性の信頼性が向上する。しかも、基板本体Ｈの表面１や裏面１０に形成される多数の電極２，８のレベルが均一であるため、ＩＣチップの実装やマザーボードとの接続も容易となる。
【実施例】
【００２５】
ここで、本発明の具体的な実施例について、比較例と併せて説明する。
先ず、グリーンシートｓ１〜ｓ３を得るため、これに用いるガラス粉末を用意した。ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＣａＯ、およびＺｎＯの各粉末を混合してガラス原料粉末を調合した。得られた原料粉末を加熱して溶解した後、水中に投入して急冷し且つ水砕して、ガラスフリットを得た。かかるガラスフリットをボールミル中で更に粉砕することで、平均粒径３μｍのガラス粉末を得た。
次に、上記ガラス粉末と、平均粒径３μｍで且つ比表面積が１．０ｍ２／ｇのアルミナ粉末とを、重量比１：１で総重量１ｋｇとなるよう秤量して、アルミナ製ポット中に投入した。かかるポット中に、バインダのアクリル樹脂：１２０ｇと、所要のスラリ粘度およびシート強度を得るために必要な量の溶剤(ＭＥＫ)および可塑剤(ＤＯＰ：フタル酸−２−エチルヘキシル)と、を投入し且つ５時間混合することで、セラミックスラリを得た。かかるセラミックスラリをドクターブレード法によって、縦・横が５０ｍｍずつで且つ厚みが０．１５ｍｍのグリーンシートｓ１〜ｓ３を１４組得た。
【００２６】
一方、前記と同じアルミナ粉末を用い且つ前記と同様な方法によって、縦・横が５０ｍｍずつで且つ厚みが０．３０ｍｍの焼成収縮抑制グリーンシートｙ１，ｙ２を１４組得た。
更に、図１４，１５で例示するように、各組のグリーンシートｓ１，ｓ３の表面１と裏面１０とに、縦・横が５ｍｍずつで且つ厚みを、表１に示すように、各組ごとに変化させた電極２，８を縦・横それぞれ５個ずつで且つ５ｍｍピッチの間隔になるように、スクリーン印刷により形成した。尚、グリーンシートｓ１〜ｓ３には、前記ビア導体ｖや配線層４，６を形成していない。
【００２７】
前記第１方法と同じ方法で、７組のグリーンシートｓ１〜ｓ３を積層し且つ熱圧着して、７組の積層体Ｓを得た後、これらを前記金属板１２，１４間でプレス圧力を調整して電極２，８の底部(２ｂ，８ｂ)をグリーンシートｓ１，ｓ３の表面１や裏面１０に、表１で示すように、異なる深さ(ｄ)で入り込ませた。
同時に、電極２，８の頂部(２ａ，８ａ)とグリーンシートｓ１，ｓ３の表面１や裏面１０との距離(ｔ)も、表１で示すように、各組ごとに変化させた。７組の積層体Ｓの表面１および裏面１０に上記焼成収縮抑制グリーンシートｙ１，ｙ２を個別に積層し圧着することで、７組の複合積層体ＦＳを得た。
かかる７組の複合積層体ＦＳを８５０℃×２時間で焼成した後、未焼成の焼成収縮抑制グリーンシートｙ１，ｙ２を除去した。その結果、図１６およびその一点鎖線部分Ｘを拡大した図１７で例示するように、電極２，８の底部２ｂ，８ｂがセラミック絶縁層ｚ１の内部に深さｄで入り込み、電極２，８の頂部２ａ，８ａとセラミック絶縁層ｚ１の表面１との距離をｔとした７組の多層セラミック基板(Ｋ)を得た。
【００２８】
更に、前記第２方法と同じ方法で、残り７組におけるグリーンシートｓ１，ｓ３を個別に前記金属板１２，１４間でプレスして電極２，８の底部２ｂ，８ｂをグリーンシートｓ１，ｓ３の表面１や裏面１０に、表１で示すように、異なる深さｄで入り込ませた。同時に、電極２，８の頂部２ａ，８ａとグリーンシートｓ１，ｓ３の表面１や裏面１０との距離ｔも、表１で示すように、各組ごとに変化させた。その後、上記グリーンシートｓ１，ｓ３の間にグリーンシートｓ２を挟んで積層し熱圧着して７組の積層体Ｓを得た。
かかる７組の積層体Ｓの表面１および裏面１０に上記焼成収縮抑制グリーンシートｙ１，ｙ２を個別に積層し圧着することで、７組の複合積層体ＦＳを得た。かかる７組の複合積層体ＦＳを８５０℃×２時間で焼成した後、未焼成の焼成収縮抑制グリーンシートｙ１，ｙ２を除去することで、前記図１６，１７と同様な更に７組の多層セラミック基板(Ｋ)を得た。
以上の合計１４組の多層セラミック基板(Ｋ)における基板本体Ｈの平面方向(Ｘ−Ｙ方向)における焼成収縮率をそれぞれ測定し、表１に示した。
【００２９】
【表１】
2005183522.tif 000003
【００３０】
表１によれば、第１方法または第２方法により製造した実施例１〜１０の多層セラミック基板Ｋは、何れも焼成収縮率が０．２３％以下と微小であった。
一方、第１方法または第２方法により製造した比較例１〜４の多層セラミック基板は、焼成収縮率が１．１８％以上と顕著であった。即ち、比較例１〜４の多層セラミック基板では、電極２，８の入り込んだ深さｄは２μｍ以上であったが、電極２，８の頂部２ａ，８ａとグリーンシートｓ１，ｓ３の表面１や裏面１０との距離ｔは、焼成前で２８μｍ以上であり、焼成後でも２０μｍ以上であった。この結果、電極２，８の周囲と焼成収縮抑制グリーンシートｙ１，ｙ２との間に、隙間が顕著に形成されたため、焼成時の焼成収縮率が１％を越える値となったものである。
以上のような実施例１〜１０の結果により、本願の発明の効果が裏付けられたことが容易に理解することができる。
【００３１】
本発明は、以上にて説明した実施の形態および実施例に限定されない。
例えば、前記積層体Ｓや基板本体Ｈは、２層のみ、あるいは４層以上のグリーンシートまたはセラミック絶縁層によって形成しても良い。
また、前記積層体Ｓまたは基板本体Ｈは、表面１寄りに位置する単数または複数のグリーンシートまたはセラミック絶縁層に上向きに開口するキャビティを有する形態とすることも可能である。
更に、前記電極２，８をグリーンシートｓ１，ｓ３の内部に入り込ませる工程には、エアシリンダにより駆動するプレス、ＷＩＰ(温水静水圧プレス)などを用いても良い。
尚、前記導電性ペーストは、前記Ａｇ粉末のほか、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ粉末、あるいは、Ａｇ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔ、Ｃｕ−Ｗ合金の粉末を含んでいても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の製造方法に用いるグリーンシートを示す断面図。
【図２】上記製造方法における１工程を示す概略図。
【図３】図２に続く工程を示す概略図。
【図４】図３に続く工程を示す概略図。
【図５】図４に続く工程を示す概略図。
【図６】図５に続く工程を示す概略図。
【図７】図５の工程における電極付近を示す拡大図。
【図８】図６の工程後における電極付近を示す拡大図。
【図９】図６に続く工程を示す概略図。
【図１０】図９に続く工程および得られた本発明の多層セラミック基板を示す概略図。
【図１１】異なる製造方法における１工程を示す概略図。
【図１２】図１１に続く工程を示す概略図。
【図１３】上記工程により得られた入り込み電極付きグリーンシートを示す概略図。
【図１４】実施例または比較例のグリーンシートを例示する平面図。
【図１５】上記グリーンシートの側面図。
【図１６】前記製造方法により得られた実施例のグリーンシートを示す概略図。
【図１７】図１６中の一点鎖線部分Ｘの拡大図。
【図１８】従来のセラミック体の製造方法を示す概略図。
【図１９】図１８中の一点鎖線部分Ｙの拡大図。
【符号の説明】
【００３３】
１……………表面
２，８………電極(導電性ペースト)
２ａ，８ａ…頂部
２ｂ，８ｂ…底部
１０…………裏面
ｓ１〜ｓ３…グリーンシート
Ｓ……………積層体
ｄ……………電極の食い込み深さ
ｔ……………電極の頂部とグリーンシートの表面または裏面との距離
ｙ１，ｙ２…焼成収縮抑制グリーンシート
ＦＳ…………複合積層体
Ｈ……………基板本体
ｚ１〜ｚ３…セラミック絶縁層
Ｋ……………多層セラミック基板
【図１】
2005183522.tif 000004
【図２】
2005183522.tif 000005
【図３】
2005183522.tif 000006
【図４】
2005183522.tif 000007
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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