(57)【要約】【課題】  簡易な装置構成でありながら磁界方向（外部磁界の印加方向）を検出することが可能であり、しかも、磁界方向の変化が止まった状態の下でも直接的に磁界方向を検出することができる磁気センサ機構及びこの磁気センサ機構を用いた回動状態検出装置を提供する。【解決手段】  磁界の状態を検知する磁気センサ機構１において、金属窒化物層（例えば、Ｆｅ4Ｎ層であるＦｅ4Ｎ薄膜１２）を含む面（検出体４の面Ｓ1）と、この面Ｓ1に光を照射する発光部２と、この発光部２からの光が面Ｓ1で反射された反射光６ｂを受ける受光部３とを備え、反射光６ｂの強度に基づいて磁界の方向（外部磁界Ｈの磁界方向Ｈ’）を検出する。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁界の状態を検知する磁気センサ機構において、金属窒化物層を含む面と、前記面に光を照射する発光部と、前記発光部からの光が前記面で反射された反射光を受ける受光部とを備え、前記反射光の強度に基づいて前記磁界の方向を検出することを特徴とする磁気センサ機構。
【請求項２】
前記金属窒化物層が窒化鉄を含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ機構。
【請求項３】
前記窒化鉄はＦｅ4Ｎであることを特徴とする請求項２に記載の磁気センサ機構。
【請求項４】
前記金属窒化物層のなす面が、検出しようとする外部磁界が変化する際に磁界方向の変化を生じる面と交差するように、前記２つの面を配置するようにしたことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の磁気センサ機構。
【請求項５】
前記発光部からの入射光と前記金属窒化物層を含む面とのなす角度を１５〜７５度に設定したことを特徴とする請求項１乃至４項の何れか１項に記載の磁気センサ機構。
【請求項６】
前記発光部からの入射光と前記金属窒化物層を含む面とのなす角度を４５〜６０度に設定したことを特徴とする請求項１乃至４項の何れか１項に記載の磁気センサ機構。
【請求項７】
前記発光部からの入射光と前記金属窒化物層を含む面とのなす角度を５５度に設定したことを特徴とする請求項１乃至４項の何れか１項に記載の磁気センサ機構。
【請求項８】
磁気センサ機構を用いた回動状態検出装置において、回動軸を中心に回動する回動体に、磁界方向が前記回動軸を中心に回転するように磁気発生体を設け、前記磁気発生体が発生する磁界内に請求項１〜７の何れか１項に記載の磁気センサ機構を配置したことを特徴とする回動状態検出装置。
【請求項９】
前記回動体がステアリングシャフトであることを特徴とする請求項８に記載の回動状態検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁界の有無，方向，変化などの磁界の状態を検出する磁気センサ機構及びこの磁気センサ機構を用いた回転状態検出装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、記録媒体，センサ，スイッチング素子などの分野において、磁界の変化を検出する磁気センサを応用した検出技術が広く実用化され、注目を集めている。従来の磁気センサを利用した検出装置の多くは、永久磁石を複数個配列した状態（隣り合う磁石の磁極を交互に配列）に置いて、検出部に対してそれらを移動させることによって電磁誘導を発生させ、電磁誘導作用により発生される電流についての電流値の変化を磁界の変化として検出したり、或いは、永久磁石を複数個配列する代わりに電磁石を配置し、電磁石での磁極の変化を永久磁石の場合と同様に電流値の変化として検出するようにしている。
【０００３】
例えば特開２０００−２４９５７４号（特許文献１）で開示されている磁気センサ機構では、上記の方法を応用し、回転体のまわりに磁場方向（磁界方向）が変化するように予め磁石などを配置し、ステアリングシャフトなどの回転体が自ら回転することに伴って生じる磁場方向の変化を検出することにより、回転体自身の位置関係を検出するようにしている。
【特許文献１】特開２０００−２４９５７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述の如き従来の磁気センサ機構では、円周方向に沿ってＮ極領域とＳ極領域とを交互に着磁して成る特殊な構成の着磁リングを必要とするなど、検出装置の構造が複雑となる。また、回転角度の検出精度を向上させるためには、配列する磁石の数を増やさなければならず、このような場合には構造がさらに複雑となる。
【０００５】
また、磁界の変化を検出するようにしているため、磁界が変化し続けている状態ならばその変化は検出できるが、磁界の変化がない状態、例えば回転体が止まっている状態では、どこで止まっているかその回転位置を検出できない。
【０００６】
その他、特開平５−２７３０５９号には、磁気カー効果やファラデー効果を応用して、光を検出媒体に照射した時の透磁率の変化を検出する装置が提案されている。この検出装置は、磁気カー効果やファラデー効果を有する媒体に直線偏光の光を照射すると、磁界の有無によりその反射光或いは透過光の偏光面が回転する現象を応用したものである。しかしながら、この検出装置では、照射する光を直線偏光としたり、反射光或いは透過光の回転を検出したりするために、その検出装置に偏光板（偏光子）が必要であるなど、構造が複雑となる問題がある。また、磁界の歪みによる透磁率の変化を検出してトルクを測定するようにした装置であるため、例えば磁界の方向などの変化は検出することができない。また、この磁界の方向の変化を光で検出する例として、特開平９−２３１５１６号などが挙げられるが、磁界の方向そのものの特定はできない。このように、従来の検出装置では、直接的に磁界の方向そのものの検出はできないのが実状である。
【０００７】
本発明は、上述の如き実状に鑑みてなされたものであって、その主な目的は、簡易な装置構成でありながら磁界方向（外部磁界の印加方向）を検出することが可能であり、しかも、磁界方向の変化が止まった状態の下でも直接的に磁界方向を検出することができる磁気センサ機構及びこの磁気センサ機構を用いた回動状態検出装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述の目的を達成するために、本発明では、磁界の状態を検知する磁気センサ機構において、金属窒化物層を含む面と、前記面に光を照射する発光部と、前記発光部からの光が前記面で反射された反射光を受ける受光部とを備え、前記反射光の強度に基づいて前記磁界の方向を検出するようにしている。
また、本発明では、前記金属窒化物層が窒化鉄を含むようにしている。
また、本発明では、前記窒化鉄はＦｅ4Ｎであるようにしている。
また、本発明では、前記金属窒化物層のなす面が、検出しようとする外部磁界が変化する際に磁界方向の変化を生じる面と交差するように、前記２つの面を配置するようにしている。
また、本発明では、前記発光部からの入射光と前記金属窒化物層を含む面とのなす角度（入射角度）を１５〜７５度に設定している。
また、本発明では、前記発光部からの入射光と前記金属窒化物層を含む面とのなす角度（入射角度）を４５〜６０度に設定している。
また、本発明では、前記発光部からの入射光と前記金属窒化物層を含む面とのなす角度（入射角度）を５５度に設定している。
また、本発明では、磁気センサ機構を用いた回動状態検出装置において、回動軸を中心に回動する回動体に、磁界方向が前記回動軸を中心に回転するように磁気発生体を設け、前記磁気発生体が発生する磁界内に請求項１〜７の何れか１項に記載の磁気センサ機構を配置している。
また、本発明では、前記回動体がステアリングシャフトであるようにしている。
【０００９】
ここで、本発明の原理内容につき述べると、次の通りである。まず、本発明者らは、磁界内に置いた金属窒化物層（好ましくはＦｅ4Ｎなどの窒化鉄を含む層）に光を照射すると（この場合、光の入射角度及び反射角度は固定する）、磁界の方向に応じて、金属窒化物層から反射される光の強度が変化することを見出した（Journal of Materials Chemistry，２００１，１１，３１５４−３１５７にてＦｅ4Ｎ薄膜の例について発表）。本発明は、このような知見に基づいて新規な磁気センサ機構及び回転運動検出装置を提供するものである。
【００１０】
すなわち、本発明の磁気センサ機構は、外部磁界の方向と金属窒化物層からの反射光強度の関係を利用して、これまで困難であった磁界方向の検出を正確かつ簡易な構造で可能にするものであり、さらに本発明の回転状態検出装置は、この磁気センサ機構を用いて、回転体（機械部品など）の回動位置及び状態の検出を簡易な構造にて高精度で行うことを可能にするものである。
【発明の効果】
【００１１】
請求項１に記載の本発明は、金属窒化物層を含む面と、前記面に光を照射する発光部と、前記発光部からの光が面で反射された反射光を受ける受光部とを備え、反射光の強度に基づいて磁界の方向を検出するようにしたものであるから、簡易な装置構成でありながら磁界方向（外部磁界の印加方向）を検出することができる。すなわち、金属窒化物層を含む面から反射された光の強度に基づいて磁界方向を特定することができ、しかも、磁界方向の変化が止まった状態の下でも直接的に磁界方向を検出することができる。
【００１２】
請求項２に記載の本発明は、金属窒化物層が窒化鉄を含むようにしたものであるから、窒化鉄層を採用した簡易な構成で、磁界方向（外部磁界の印加方向）を検出することが可能であり、この窒化鉄層の面から反射した光の強度に基づいて磁界方向を特定することができ、しかも磁界方向の変化が止まった状態の下でも直接的に磁界方向を検出することができる。
【００１３】
請求項３に記載の本発明は、窒化鉄をＦｅ4Ｎであるようにしたものであるから、検出体を構成する金属窒化物層（磁性体層）として、優れた感度で磁界方向の変化を反射光強度の変化として検出することが可能となる。
【００１４】
請求項４に記載の本発明は、金属窒化物層のなす面が、検出しようとする外部磁界が変化する際に磁界方向の変化を生じる面と交差するように、これらの２つの面を配置するようにしたものであるから、このような交差構成を採用することに伴い、検出体の面から反射された反射光についての強度変化が十分に大きく得られることとなるため、磁気センサ機構としての感度を向上させることができる。
【００１５】
請求項５に記載の本発明は、発光部からの入射光と金属窒化物層を含む面とのなす角度（入射角度）を１５〜７５度に設定するようにしたものであるから、このような角度設定により、検出体からの反射光の強度の変化が十分に大きく得られることとなるため、磁気センサ機構の感度の向上を図ることができる。
【００１６】
請求項６に記載の本発明は、発光部からの入射光と金属窒化物層を含む面とのなす角度（入射角度）を４５〜６０度に設定するようにしたものであるから、このような角度設定により、検出体からの反射光の強度の変化が更に充分に大きく得られることとなるため、磁気センサ機構の感度のより一層の向上を図ることができる。
【００１７】
請求項７に記載の本発明は、発光部からの入射光と金属窒化物層を含む面とのなす角度（入射角度）を５５度に設定するようにしたものであるから、このような角度設定により、検出体からの反射光の強度変化が最も充分に大きく得られることとなるため、磁気センサ機構の感度の更なる向上を図ることができる。
【００１８】
請求項８に記載の本発明は、回動軸を中心に回動する回動体に、磁界方向が回動軸を中心に回転するように磁気発生体を設け、磁気発生体が発生する磁界内に本発明の磁気センサ機構を配置するようにしたものであるから、回動体に磁気発生体を設けるという簡易な構成を採用するだけで、回動体の回動状態を磁気センサ機構により検出することが可能な回動状態検出装置を提供することができる。
【００１９】
請求項９に記載の本発明は、回動体がステアリングシャフトであるようにしたものであるから、ステアリングシャフトの回動角すなわち操舵角を簡易な構造で正確に検出することが可能な回動状態検出装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の一実施形態に係る磁気センサ機構、並びに、この磁気センサ機構を用いた回動状態検出装置について図１〜図７を参照して説明する。
【００２１】
まず、本発明の一実施形態に係る磁気センサ機構１の構造について図１を参照して説明する。この磁気センサ機構１は、発光部２，受光部３，及び検出体４を備えており、発光部２から検出体４に向けて光を照射し、検出体４の面Ｓ1で反射した光を受光部３にて受光するように構成されている。上述の発光部２としては、アルゴンレーザなどのレーザや発光ダイオードなどの様々な光照射器が使用可能であり、その光は単一波長であってもそうでなくても良く、波長の制限も特にない。また、受光部３としては、検出体４から反射した光を受けることができる位置に配置され、電圧の変化を検出することにより反射光の強度を検出することが可能な装置が使用される。一方、検出体４は、金属窒化物層（好ましくは窒化鉄層、より好ましくはＦｅ4Ｎ層）を含む面Ｓ1を備える薄膜にて構成されており、具体的には、例えば化学気相成長法によりＭＧＯ（１００）単結晶基板５（図２参照）上に作成したＦｅ4Ｎ薄膜などが使用可能である。
【００２２】
かくして、図１の磁気センサ機構１は、金属窒化物層を含む面Ｓ1と、この面Ｓ1に光（入射光６ａ）を照射する発光部２と、この発光部２からの入射光６ａが前記面Ｓ1で反射された反射光６ｂを受ける受光部３とを備えている。なお、発光部２からの入射光６ａと、金属窒化物層から成る検出体４の面Ｓ1とのなす角度すなわち入射角度θは、所定角度範囲内の所定の角度に設定（固定）されている。
【００２３】
図２は、上述の如き磁気センサ機構１を備えた磁界印加角度検出装置１１を示している。本装置１１にあっては、ＭｇＯ（１００）単結晶基板５上にＦｅ4Ｎ薄膜（金属窒化層）１２を形成して成る検出体４が用いられており、この検出体４に対向する位置に磁石１３が磁気発生体として配置されている。なお、この磁石１３は、永久磁石であっても電磁石であっても良い。そして、上述の磁石１３は、Ｎ極とＳ極とを結ぶ軸線がＦｅ4Ｎ薄膜１２（ひいては検出体４）に対して交差する方向に配置されると共に、前記軸線上の１点を中心に回転可能に配設されている。また、受光部３にはオシロスコープ１４が接続されており、受光部３に入射される反射光の強度がオシロスコープ１４によって電圧値として検出されるように構成されている。
【００２４】
なお、Ｆｅ4Ｎ薄膜１２の製造方法としては、例えば、本発明者らにより発明された特開２０００−３９６６７９号に開示されている窒化鉄薄膜の製造方法（エピタキシャル成長）により得ることが可能である。このＦｅ4Ｎ薄膜１２から成る金属窒化物層は、外部磁界の印加角度に応じて、反射する光の強度が変化するという特性が本発明者らの研究により明らかとなっており、この特性を確認した結果が図３に示されている。
【００２５】
この金属窒化物層（Ｆｅ4Ｎ薄膜）の特性を示す図３は、以下の測定方法によって得たものである。
測定方法
図２に示すように、光を照射する手段（発光部２）として、レーザ照射器を使用し、アルゴンレーザを照射した。アルゴンレーザの入射角度θは、磁性窒化物層（Ｆｅ4Ｎ薄膜１２）の面に対して４５度とした。また、磁性窒化物層から構成される検出体４としては、化学気相成長法によりＭｇＯ（１００）単結晶基板１１上に作製したＦｅ4Ｎ薄膜１２を使用した。Ｆｅ4Ｎ膜の製造方法としては、例えば、本発明者らにより発明された特開２０００-３９６６７９号に開示されている窒化鉄薄膜の製造方法を用いた。そして、検出体４から反射された光を検出する手段（受光部３）として光検出器を用い、この光検出器（受光部３）で検出された反射光の強度をオシロスコープ１４からの電圧値として出力した。検出体４のＦｅ4Ｎ薄膜１２に外部磁界を印加する方法としては、検出体４の背面に永久磁石１３を配置し、その永久磁石１３を回転方向Ａに往復回転させることにより磁界方向を変化させた。この場合、金属窒化物層のなす面すなわちＦｅ4Ｎ薄膜１２のなす面Ｓ1と、検出しようとする外部磁界が変化する際に磁界方向の変化を生じる面Ｓ2とが互いに直交する位置関係とした。印加した磁界の強さは、０.００３Ｔ（テスラ）である。
【００２６】
本実施形態に係る磁界印加角度検出装置１１では、図３に示されるような特性を利用して、反射光の強度を電圧値として検出することにより磁界の印加角度（回動角度）αを検出するようにしている。更に具体的に述べると、磁石１３を図２において矢印Ａで示す方向に回転させて外部磁界Ｈの印加角度α（すなわち、外部磁界Ｈの磁界方向Ｈ’）を０〜１８０度の範囲で変化させると、この外部磁界Ｈの印加角度α（ひいては、磁界方向Ｈ’）の変化に伴い、光検出器としての受光部３で検出された光の強度に相応してオシロスコープ１４から出力される電圧値が、図３に示すように連続的に変化する。この電圧値変化は、Ｆｅ4Ｎ薄膜１２で反射された反射光６ｂの強度変化に相当しており、従って外部磁界Ｈの印加方向αを反射光６ｂの強度に基づいて検出することができる。また、上述の特性を利用すれば、磁界方向Ｈ’の変化が止まっている状態でも、反射光６ｂの強度を測定することにより磁界方向Ｈ’の特定が可能である。
【００２７】
一方、金属窒化物層のなす面（例えば、Ｆｅ4Ｎ薄膜１２のなす面）Ｓ1が、検出しようとする外部磁界Ｈが変化する際に磁界方向Ｈ’の変化を生じる面（磁界方向Ｈ’が変化する面）Ｓ2とが交差するように配置することが必要である。これは、金属窒化物層のなす面Ｓ1と、外部磁界が変化する際に磁界方向の変化を生じる面Ｓ2とが一致或いは並行である場合には、検出体４を反射した光の強度はほとんど変化しないため、磁界方向を検出することはできないからである。なお、これらの２つの面Ｓ1，Ｓ2が互いに直交する位置関係となる場合に、磁気検出感度が最良となる。
【００２８】
このような現象についての確認は、以下の測定方法で行った。
測定方法
図４に示すように、Ｆｅ4Ｎ薄膜１２のなす面Ｓ1と、検出しようとする外部磁界が変化する際に磁界方向の変化を生じる面Ｓ2との位置関係が平行となるように磁石１３を配置（具体的には、磁石１３のＮ極とＳ極とを結ぶ軸線の延長線が前記面Ｓ１上に配置されるように磁石１３を配置）し、図２の場合と同様に測定を行った。すなわち、磁石１３の位置以外の構成、測定条件などは、図２の場合と同様とした。図２の場合と同様に磁界角度β（図４参照）を０〜１８０度で変化させた結果、反射光の強度はほとんど変化がみられなかった。従って、この状態（面Ｓ1と面Ｓ2とが平行であり、互いに交差しない状態）では、精度の高い検出を行うことは困難であり、Ｆｅ4Ｎ薄膜１２のなす面Ｓ1と、検出しようとする外部磁界が変化する際に磁界方向の変化を生じる面Ｓ2とが交差した状態にするのが望ましいことがわかった。また、高い検出感度を得るためには、それぞれの面Ｓ1，面Ｓ2が交差するときになす角度は、垂直に近い方が好ましいと推察される。
【００２９】
また、発光部２から検出体４のＦｅ4Ｎ薄膜１２に入射される入射光６ａとＦｅ4Ｎ薄膜１２の面Ｓ1とのなす入射角度θ（図１及び図２参照）について、下記の方法で実験を行った。
入射角度θの測定方法
図２と同様の装置構成において、Ｆｅ4Ｎ薄膜１２の面Ｓ1に対する外部磁界Ｈの印加角度αを９０度で固定し、アルゴンレーザの入射角度θを０〜９０度の範囲で変化させながら反射光６ｂの強度変化を測定した。それら以外の測定条件は、図２の場合と同様とした。そして、外部磁界Ｈの印加がない状態での反射光６ｂの強度を基準として、外部磁界Ｈを印加した状態での反射光強度の変化率（入射光強度に対する反射光強度の減少率）を算出した結果を図５に示す。この変化率は、検出感度に相当するものであり、変化率の大きい方が、検出感度は高いことになる。図５から明らかなように、入射角度が０〜１５度、７５〜９０度の範囲では変化率が１％以下であった。よって、外部磁界の有無を検出するためには、１５〜７５度の範囲内にあることが望ましいことが判明した。中でも、より好ましくは入射角度θが５０〜６０度であり、最も好ましいのは５５度であることが判明した。
【００３０】
入射角度θについて実験をしてみたところ、入射角度θが１５〜７５度の範囲の場合に、検出体４の面Ｓ1から反射された反射光６ｂの強度変化が十分に得られ、磁気検出デバイスとしての感度が向上することが確認された。また、入射角度θが５０〜６０度の場合に、より一層の感度向上が図られると共に、入射角度θが５５度の場合に、最も良好な検出感度を得ることがで切ることが確認された。この実験では、磁界の有無についてのみ入射光の角度依存性の測定を行ったが、磁界の方向及びその変化を検出する場合においても同様であることは言う迄もない。また、磁界の有無を光の強度変化で検出するシステムにおいても同様に有効であり、磁気の有無を検出するデバイスとしての感度も向上する。
【００３１】
上述の磁気センサ機構１は、機械部品などの回動体の回動状態を検出する回動状態検出装置に適用可能である。図６及び図７は、磁気センサ機構１を自動車のステアリング系に配設してステアリングシャフトの回動状態を検出するように構成した回動状態検出装置２０を示すものである。この回動状態検出装置２０においては、ステアリングホイール２１に連結されているステアリングシャフト２２に、磁界方向Ｈ’がステアリングシャフト２２の回動軸に対して直交するように磁気発生体２３が設けられている。この磁気発生体２３は、ステアリングシャフト２２の回動軸を中心にステアリングシャフト２２と一緒に回動するように一体に固定されている。かくして、ステアリングホイール２１の回転動作に連動してステアリングシャフト２２がその回動軸を中心に回動されるのに応じて、磁気発生体２３から発生される磁界の方向すなわち磁界方向Ｈ’が回転されるように構成されている。なお、磁気発生体２３は、永久磁石や電磁石などのように磁界を発生するものであれば、どのようなものであっても良い。
【００３２】
また、上述の磁気発生体２３の磁界内には、磁気検出ユニット２４が配置されている。この磁気検出ユニット２４は、既述の磁気センサ機構１の基本構造を有しており、発光部２と受光部３と検出体４とを備えている。そして、磁気検出ユニット２４の出力はＥＣＵ（電子制御ユニット）２５に供給されるようになっている。なお、図７において、２７は磁気検出ユニット２４からの出力に応じて駆動される電動モータを含む車輪操舵機構部である。
【００３３】
このような構成の回動状態検出装置２０によれば、既述の検出体４の特性により、外部磁界の印加方向を検出することができるため、ステアリングホイール２１を回転させると、磁界方向Ｈ’も回転しながら変化し、この磁界方向Ｈ’の変化を磁気検出ユニット２４にて検出することができる。そして、この磁気検出ユニット２４から検出した値をＥＣＵ２５によりステアリングの操舵角として処理することにより、ステアリングの回動状態を検出することができる。
【００３４】
なお、上記はステアリングシャフト２２の回転を例にとって説明を行ったが、ステアリングシャフト２２に限らず、回動，回転を行う機械部品であれば、それらの機械部品に対して本発明の適用が可能である。
【００３５】
以上に述べた検出装置によれば、簡易な構造でありながら、機械部品の回動状態を検出体４から反射した反射光６ｂの強度に基づいて検出することができる。また、ステアリグシャフト２２などの機械部品の回動が停止している状態でも、反射光６ｂの強度に基づいて、機械部品の回動位置を検出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の一実施形態に係る磁気センサ機構を示す斜視図である。
【図２】磁気センサ機構を備えた磁界印加角度検出装置を示す斜視図である。
【図３】Ｆｅ4Ｎ薄膜（金属窒化物層）の面に対する外部磁界の印加角度と検出電圧との間の関係を示す特性図である。
【図４】外部磁界の変化面をＦｅ4Ｎ薄膜の面に一致又は平行にした場合を説明するための斜視図である。
【図５】Ｆｅ4Ｎ薄膜の面への入射光の角度と、Ｆｅ4Ｎ薄膜の面からの反射光の強度の変化率との関係を示す特性図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る磁気センサ機構を備えた回動状態検出装置の一例を示す斜視図である。
【図７】図６の回動状態検出装置を備えた自動車のステアリング系を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００３７】
１  磁気センサ機構
２  発光部
３  受光部
４  検出器
５  ＭＧＯ（１００）単結晶基板
６ａ  入射光
６ｂ  反射光
１１  磁界印加角度検出装置
１２  Ｆｅ4Ｎ薄膜（金属窒化層）
１３  磁石
１４  オシロスコープ
２０  回動状態検出装置
２１  ステアリングホイール
２２  ステアリングシャフト
２３  磁気発生体
２４  磁気検出ユニット
２５  ＥＣＵ（電子制御装置）
Ｈ  外部磁界
Ｈ’磁界方向
Ｓ1，Ｓ2  面
α，β  外部磁界の印加角度
θ  光の入射角度
【図１】
2005148022.tif 000003
【図２】
2005148022.tif 000004
【図３】
2005148022.tif 000005
【図４】
2005148022.tif 000006
【図５】
2005148022.tif 000007
【図６】
2005148022.tif 000008
【図７】
2005148022.tif 000009