(57)【要約】【課題】  所定の材料の層の下に、任意の形の別の材料の部分又は空間を形成する方法を提供する。【解決手段】  所定の材料の下に空間を形成する方法は、基板の上に光感応層と所定の材料の層のスタックを形成し、光感応層がポジティブかネガティブかに従って光感応層の一部又はその相補部に電子ビームを前記所定の材料の層を交叉して照射し、光感応層の前記部分を除去する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の非光感応層の下に空間領域を形成する方法において、
基板の上に光感応層と所定の材料の層とのスタックを形成し、
前記光感応層がポジティブかネガティブかに従って前記光感応層の一部又はその相補部に前記所定の材料の層を交叉して電子ビームを照射し、
前記光感応層の前記部分を除去する、方法。
【請求項２】
前記光感応層の前記部分の除去の前に、前記所定の材料の層に少なくともひとつの開口を前記部分に到達してもうける、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記光感応層の除去された部分で占められていた空間を第２の材料で充填する、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記光感応層の残りの部分を除去する、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記光感応層の前記残りの部分を除去する前に、前記所定の材料の層に少なくともひとつの開口を前記残りの部分に到達してもうけ、前記光感応層の前記残りの部分により占められていた空間を前記第２材料とは異なる第３の材料で充填する、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記光感応層の前記部分の除去はプラズマにより行われ、前記部分は変形の後前記所定の材料の層を交叉して蒸発する、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記光感応層の前記残りの部分の除去は酸素プラズマの手段により行われ、前記残りの部分は変形の後前記所定の材料の層を交叉して蒸発する、請求項４記載の方法。
【請求項８】
光感応層と所定の材料の層のスタックを形成する際に、該スタックの上に第２の光感応層を形成し、２つの光感応層に同時に照射する照射ステップを実行し、２つの層の照射された部分が重なる、請求項１記載の方法。
【請求項９】
相互接続ネットワークを形成するために、前記スタックを形成するステップが、
基板を第１絶縁層と、第１光感応層と、第２絶縁層のスタックで覆い、
該スタックに開口を形成し、
該開口に導電材を充填してコンタクトを形成し、
第２絶縁材と該コンタクトを第２光感応層で覆い、
前記照射ステップは前記光感応層の複数対の部分又はそれらの相補部分を該光感応層がポジティブかネガティブかに従って照射し、同じ対の部分は重畳され、第２絶縁層の上及び下に置かれ、
前記除去のステップは光感応層の対の部分を除去し、
前記第２絶縁層の上の各対の部分によって占められる空間を導電材で充填するステップを有する、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
ゲートオールアラウンド  トランジスタを形成するために、
半導体基板の活性領域の上に単結晶のシリコンのブリッジを形成し、該ブリッジは該活性層を囲む絶縁領域の上におかれ、
該ブリッジのまわり及び前記活性層の上に薄い酸化シリコン層を形成し、
構造体と、前記活性領域と前記ブリッジの間の空間を光感応層で覆い、
前記照射ステップは、光感応層がポジティブかネガティブかに従って、光感応層の２つの第１部分又はそれらの相補部分を照射し、該光感応層の第１の２つの部分は重畳されブリッジの中央部の上と下に置かれ、
前記除去ステップは光感応層の２つの第１及び第２部分を除去し、
さらに、
２つの第１及び第２部分で占められていた空間に導電材を充填してゲートを形成し、
光感応層の残りの部分を除去し、
構造と、前記ブリッジの下のゲートの両側の空間を窒化シリコンで覆い、
該窒化物に異方性エッチングを行って前記ブリッジの上のゲート部分の側部にスペーサを形成する、請求項８記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は集積回路の作成方法に関する。特に、本発明は第１材料の薄い層の下に空間及び／又は別の材料の部分を形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
公知のイオンインプラント技術は基板の中に、インプラントされたイオンを基板と反応させることにより、埋込み層を形成することを可能とする。イオンインプラントの例は酸素Ｏ２をシリコン基板にインプラントして埋込み酸化シリコン層ＳｉＯ２を形成するものである。
【０００３】
しかし、このインプラント技術は基板の上部を破壊しやすい。さらに、任意の材料の埋込み層を形成することは可能ではない。さらに、埋込み層の厚さを制御するのが困難である。
【０００４】
別の公知の埋込み層の作成技術は例えばＳＯＮ（silicon on nothing）の装置を形成してインプラントするものである。シリコン層に続くシリコン／ゲルマニウム層のエピタキシャル成長の後、シリコン層の１又は複数の部分がエッチングによりシリコン／ゲルマニウム層を除去可能にエッチングされる。次に、絶縁又は導電層を、シリコン層の以前シリコン／ゲルマニウム層で占められた空間に充填することにより付着する。
【０００５】
層が付着されると、従来の技術では、絶縁又は導電層の選択された部分を除去することはできない。従って、この技術の欠点は付着された層が必然的にシリコン／ゲルマニウム層と同じ形となることである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、所定の材料の下に任意の形状の別の材料及び／又は空間の部分を形成する方法を提供することにある。
【０００７】
本発明の別の目的は所定の材料の層に対し破壊的でない方法を提供することにある。
【０００８】
本発明の別の目的は任意の別の材料の部分を形成することができる方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的を達成するために、本発明は、所定の非光感応層の下に空間領域を形成する方法において、基板の上に光感応層と所定の材料の層とのスタックを形成し、前記光感応層がポジティブかネガティブかに従って前記光感応層の一部又はその相補部に前記所定の材料の層を交叉して電子ビームを照射し、前記光感応層の前記部分を除去する、方法を提供する。
【００１０】
本発明の実施例によると、前記光感応層の前記部分の除去の前に、前記所定の材料の層に少なくともひとつの開口を前記部分に到達してもうける。
【００１１】
本発明の実施例によると、前記光感応層の除去された部分で占められていた空間を第２の材料で充填する。
【００１２】
本発明の実施例によると、前記光感応層の残りの部分を除去する。
【００１３】
本発明の実施例によると、前記光感応層の前記残りの部分を除去する前に、前記所定の材料の層に少なくともひとつの開口を前記残りの部分に到達してもうけ、前記光感応層の前記残りの部分により占められていた空間を前記第２材料とは異なる第３の材料で充填する。
【００１４】
本発明の実施例によると、前記光感応層の前記部分の除去はプラズマにより行われ、前記部分は変形の後前記所定の材料の層を交叉して蒸発する。
【００１５】
本発明の実施例によると、前記光感応層の前記残りの部分の除去は酸素プラズマの手段により行われ、前記残りの部分は変形の後前記所定の材料の層を交叉して蒸発する。
【００１６】
本発明の実施例によると、光感応層と所定の材料の層のスタックを形成する際に、該スタックの上に第２の光感応層を形成し、２つの光感応層に同時に照射する照射ステップを実行し、２つの層の照射された部分が重なる。
【００１７】
本発明は、さらに、相互接続ネットワークを形成するために、基板を第１絶縁層と、第１光感応層と、第２絶縁層のスタックで覆い、該スタックに開口を形成し、該開口に導電材を充填してコンタクトを形成し、第２絶縁材と該コンタクトを第２光感応層で覆い、前記照射ステップは前記光感応層の複数対の部分又はそれらの相補部分を該光感応層がポジティブかネガティブかに従って照射し、同じ対の部分は重畳され、第２絶縁層の上及び下に置かれ、前記除去のステップは光感応層の対の部分を除去し、前記第２絶縁層の上の各対の部分によって占められる空間を導電材で充填するステップを有する方法を提供する。
【００１８】
本発明は、さらに、ゲートオールアラウンド  トランジスタを形成するために、半導体基板の活性領域の上に単結晶のシリコンのブリッジを形成し、該ブリッジは該活性層を囲む絶縁領域の上におかれ、該ブリッジのまわり及び前記活性層の上に薄い酸化シリコン層を形成し、構造体と、前記活性領域と前記ブリッジの間の空間を光感応層で覆い、前記照射ステップは、光感応層がポジティブかネガティブかに従って、光感応層の２つの第１部分又はそれらの相補部分を照射し、該光感応層の第１の２つの部分は重畳されブリッジの中央部の上と下に置かれ、前記除去ステップは光感応層の２つの第１及び第２部分を除去し、さらに、２つの第１及び第２部分で占められていた空間に導電材を充填してゲートを形成し、光感応層の残りの部分を除去し、構造と、前記ブリッジの下のゲートの両側の空間を窒化シリコンで覆い、該窒化物に異方性エッチングを行って前記ブリッジの上のゲート部分の側部にスペーサを形成する方法を提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
異なる図面で、同じ素子は同じ符号で示される。集積回路の表示で通常のように、図面のスケールは同じではない。
【００２０】
本発明の方法の概要を図１Ａ〜図１Ｄにより説明する。本方法の実施の例はＳＯＮタイプのトランジスタの形成と、回路の素子を相互に接続する相互接続ネットワークに関して記述する。
【００２１】
始めに、図１Ａに示すように、基板１の上に光感応層２と所定の材料の薄い層３のスタックを形成する。基板１は標準の集積回路形成方法で得られる任意の構造とすることができる。光感応層２と薄い層３のスタックは、後述の本発明の実施の例で示されるように種々の方法で得ることができる。薄い層３は、絶縁体、半導体又は導体材料で形成することができる。
【００２２】
本発明によると、光感応層２の１又は複数の部分を、電子ビームにより薄い層３を介して照射する。薄い層３、光感応層２及び基板１に対する電子ビームの貫通の深さは、電子の加速パワー、各層の厚さ及び性質に依存する。層２と３の厚さの決定及び電子ビームの加速パワーの決定は当業者に容易で、光感応層２を照射し、電子ビームが薄い層３を交叉するときにコヒーレントを維持し、照射部分を良好に定義することができる。例えば、薄いシリコン層の厚さが１００−ｎｍ、５０−ｋｅＶの加速パワーのとき、光感応層の照射部分は１０ｎｍ以下の正確さで定義することができる。
【００２３】
図１Ａで、５つの部分５，６，７，８，９が左から右に示される。光感応層がポジティブの場合は、部分６と８が照射される。光感応層がネガティブの場合は、部分５，７，９が照射される。
【００２４】
照射の後、照射部分（又は場合によって非照射部分）、ここでは部分６と８が除去される。これは種々の方法で実施することができる。
【００２５】
選択された光感応層に従って、部分６と８が蒸発方法により除去される。この方法では、装置をプラズマの中に置き、部分６と８の構造を変更し、部分５，７，９は変更しない。使用するプラズマは酸素（Ｏ２）、水素（Ｈ２）又は窒素（Ｎ２）プラズマとすることができる。光感応層６と８の部分の構造の変更後、光感応層は薄い層３を通して除去される。
【００２６】
図１Ｂは光感応層の部分６と８を除去する別の方法を示す。部分６と８の上の部分で、薄い層３に開口Ｏ１とＯ２が形成される。この例では、開口Ｏ１は、部分６の左側の部分に形成され、部分５の右側の部分の上にのびる。開口Ｏ２は部分８の中央部の上に形成される。次に、光感応層の部分６と８は選択現像により除去される。図１Ｂの例では、薄い層３の開口は光感応層２の除去される部分の上に示されている。しかし、図３Ａ−図３Ｆに関連して後述するような構造の場合には、光感応層の除去する部分はアクセス可能なサイドウェイとすることができる。この場合には、光感応層の部分の除去の前に開口を形成することは必然ではない。
【００２７】
開口Ｏ１とＯ２が形成された場合には、次のステップは、図１Ｃに示すように、部分６と８により前に占められていた空間を薄い層３とは異なる第２の材料で充填する。従って、第２の材料の部分１０と１１が薄い層３の下に形成される。
【００２８】
薄い層の下に選択的化学現像によりくぼみが形成され、これらのくぼみが第２の材料で充填されると、次のステップは、図１Ｄに示すように、光感応層の残った部分５，７，９を除去する。光感応層の残った部分を除去するために、開口、この場合はＯ３とＯ４、を、前述の除去される部分６と９の上の薄い層３の場合のように、もうける。選択されたタイプの光感応層に従って、構造体をプラズマ（Ｏ２，Ｈ２，Ｎ２）の中に置いて、光感応層の部分５，７，９の構造を変更し、光感応層を薄い層３を通り抜けて除去する。この例で、部分７は薄い層３を交叉して除去される。
【００２９】
開口Ｏ３とＯ４がもうけられた場合には、次のステップで、部分５，７，９が占めていた空間を、第２の材料と異なる第３の材料で充填する。
【００３０】
本発明の方法の利点は、所定の材料の層の下に、空間及び／又は任意の形状の別の材料の部分を形成することができることにある。さらに、電子ビームの照射は非常に正確な技術なので、部分の形状は正確に規定される。
【００３１】
本発明の方法の別の利点は形成された構造の層又は規定された部分を損傷しないことである。
【００３２】
本発明の方法の実施例をゲートオールアラウンド（ＧＡＡ）トランジスタの形成について説明する。
【００３３】
図２は従来のゲートオールアラウンド  トランジスタの形成方法のステップの後に得られる中間構造の斜視図である。半導体基板１０１の活性領域１００が、基板１０１の表面に形成される絶縁領域１０２により定義される。活性領域１００は、この例では、上面図ではほぼ長方形である。シリコン層がブリッジ１０３を形成し、活性層１００の上を通り、活性層１００の両側で絶縁領域１０２にのっている。ブリッジ１０３の活性層１００の上の部分は単結晶領域であり、絶縁領域１０２の上の部分は多結晶である。活性領域１００とブリッジ１０３とは空間領域により分離されている。活性領域１００は上面図でブリッジ１０３の両側で可視である。
【００３４】
図２の構造は通常活性領域１００の上でシリコン／ゲルマニウム層をエピタキシャル成長させ、シリコン／ゲルマニウム層の上で単結晶シリコン層をエピタキシャル成長させることにより得られる。次に２層をエッチングして活性領域１００を横切るストリップを形成する。シリコン／ゲルマニウム層の残りの部分はエッチングにより除去され、従って、シリコンブリッジ１０３が得られる。
【００３５】
図３Ａ−図３Ｆは、図２の構造にもとづいて実施される本発明による方法による連続するステップの後に得られる構造の断面図である。断面図はブリッジ１０３を長手方向に切る面にそって示される。
【００３６】
第１ステップで、図３Ａに示すように、薄い酸化シリコン層ＳｉＯ２が熱酸化によりシリコンブリッジ１０３のまわりと活性領域１００の上に成長される。次に光感応層１１１が構造体の上及びブリッジ１０３と活性領域１００の間の空間に付着される。
【００３７】
次のステップで、図３Ｂに示されるように、ブリッジ１０３の上の光感応層を交叉できる電子ビームを使用して光感応層１１１を照射する。ブリッジ１０３は薄い酸化シリコン層とブリッジ１０３の下の光感応層で覆われている。光感応層がポジティブの時は、ブリッジ１０３の中央部の上の光感応層１１１の部分１２０と、ブリッジ１０３の下で部分１２０の下の光感応層１１１の部分１２１とを照射する。ブリッジ１０３の両側の部分１２０と１２１の延長部の光感応層の部分（図示なし）も照射される。光感応層がネガティブの時は、ブリッジ１０３の右側及び左側の部分の上の光感応層の部分１２２，１２３と、ブリッジ１０３の右側及び左側の下の部分１２４，１２５が照射される。ブリッジ１０３の両側の延長部１２２−１２５の光感応層も照射される。
【００３８】
次のステップで、図３Ｃに示すように、部分１２０，１２１とブリッジ１０３の両側の部分１２０，１２１の延長部が除去される。
【００３９】
次のステップで、図３Ｄに示すように、部分１２０，１２１と、ブリッジ１０３の両側の部分１２０，１２１の延長部の部分で占められていた空間に導電材料、例えばポリシリコンを付着する。ブリッジ１０３の上下のゲート部分１３０，１３１と、ブリッジ１０３の両側の部分１３０，１３１の延長部のゲート部分が、このようにして、得られる。これらの部分はブリッジ１０３を囲む、ひとつの同じゲートを形成する。
【００４０】
次のステップで、図３Ｅに示すように、光感応層の残りの部分、つまり、部分１２２−１２５及びブリッジ１０３の両側で部分１２２−１２５の延長部の部分が除去される。
【００４１】
次のステップで、図３Ｆに示すように、窒化物を付着して前に得られた構造を完全に覆い、部分１３１の両側でブリッジ１０３の下の空間を充填する。次に、窒化物の異方性エッチングを行い、ゲート部分１３０、ブリッジ１０３の上の薄い酸化層１１０、及びブリッジ１０３の両側の活性領域１００の上表面を露出させる。この窒化物エッチングの後、スペーサ１４０と１４１を部分１３０の側部に形成し、窒化物部分１４２と１４３をブリッジ１０３の下でゲート部分１３１の両側に形成する。ポリシリコン部分１３０，１３１の下のブリッジ１０３の部分はトランジスタのチャネルを形成する。チャネル１４４の両側のブリッジ１０３の部分はソース／ドレイン領域１４５，１４６を形成する。
【００４２】
前述の方法の利点は、シリコンブリッジの上及び下のゲート部分が整列したゲートオールアラウンド  トランジスタの形成が可能なことにある。
【００４３】
本発明の方法の別の実施例を集積回路相互接続ネットワークの実現を例に説明する。
【００４４】
始めのステップで、図４Ａに示すように、基板２００の上に、絶縁層２０１と、光感応層２０２と、絶縁層２０３のスタックが形成される。基板２００は標準の集積回路形成方法で得られる任意の構造である。例として、基板２００の表面に３つの導電領域２０５，２０６，２０７が示される。導電領域２０５，２０６，２０７は例えば基板２００に形成される集積回路の素子へのアクセス端子である。絶縁層２０１と２０３は薄い酸化シリコン層又は絶縁層好ましくは誘電定数の小さな層である。
【００４５】
次のステップで、図４Ｂに示すように、開口Ｏ１０，Ｏ１１，Ｏ１２が導電領域２０５，２０６，２０７の上で、層２０１−２０４のスタックに形成される。開口Ｏ１０，Ｏ１１，Ｏ１２は次のステップを有する方法で形成される。光感応層に続く窒化層が絶縁層２０３の上に形成される。導電領域２０５，２０６，２０７の上の部分の光感応層が照射され除去される。窒化層の非保護部分はエッチングされる。絶縁層２０３，光感応層２０２及び絶縁層２０１は、ほぼ垂直な壁をもつ開口を形成することができる異方性エッチング法により連続的にエッチングされる。窒化層の残りの部分は最終的に除去される。
【００４６】
次のステップで、図４Ｃに示すように、開口Ｏ１０，Ｏ１１，Ｏ１２を銅のような導電材で充填して、導電領域２０５，２０６，２０７の上にコンタクトＣ１，Ｃ２，Ｃ３を形成する。開口Ｏ１０，Ｏ１１，Ｏ１２の充填は、全構造体の上に銅を付着させ、次に化学−機械的研磨により絶縁層２０３を露出させることにより行われる。次に、絶縁層２０３とコンタクトＣ１，Ｃ２，Ｃ３は光感応層２０３で覆われる。
【００４７】
次のステップで、図４Ｄに示すように、２つの光感応層２１０と２０２が、光感応層２１０と絶縁層２０３と光感応層２０３を通過する電子ビームにより照射される。この例では、左から右に５つの部分２２０，２２１，２２２，２２３，２２４が光感応層２１０に定義され、部分２２０−２２４の下で各々部分２３０，２３１，２３２，２３３，２３４が光感応層２０２に定義される。部分２２１はコンタクトＣ１及びＣ２の上にのび、部分２２３はコンタクトＣ３の上にもうけられる。光感応層がポジティブの場合は、部分２２１，２２３，２３１及び２３３が照射される。光感応層がネガティブの場合は、部分２２０，２２２，２２４，２３０，２３２及び２３４が照射される。
【００４８】
次のステップで、図４Ｅに示すように、光感応層２１０の部分２２１と２２３が従来の現像方法で除去される。次に、部分２３１と２３３が、構造体をプラズマの中に置いて、絶縁層２０３を通過する変形の後光感応層を蒸発させて、除去する。従って、光感応層の除去された部分は空間２４０，２４１で置換される。部分２３１と２３３を除去する別の方法は、これらの部分の上で絶縁層２０３に小さな開口を形成し、ウェットエッチングによりそれらを除去する。
【００４９】
次のステップで、図４Ｆに示すように、光感応層の部分２２１と２２３で占められていた空間を銅のような導電材で充填して導電線２５０，２５１を形成する。この導電層の形成は、銅を全構造体に付着させ、化学−機械的研磨により光感応層の部分２２０，２２２及び２２４の上表面を露出させる。従って、導電領域２０５と２０６はコンタクトＣ１及びＣ２及び導電線２５０により接続される。
【００５０】
コンタクトを形成し次に導電線を形成する上述の一連のステップは複数回繰り返され、複数の導電線層を形成することができる。
【００５１】
本発明の特別の実施例の利点は、各導電線が別の導電線から、絶縁層の２つの非常に薄い部分と最良の絶縁体を形成する空間により絶縁される、相互接続ネットワークを形成することにある。
【００５２】
さらに、２つの連続する層の上の２つの線の間の絶縁は非常に良く、コンタクトの高さを減少させることが可能で、その抵抗を大幅に減少させることができる。
【００５３】
もちろん、本発明は、当業者に容易な種々の変更、修飾、改良が可能である。特に、基板の上に、複数の光感応層と１又は複数の所定の材料の層のスタックを、層の組立体を交叉する電子ビームによる全光感応層の照射の前に、形成することができる。さらに、光感応層と１又は複数の材料のスタックの形成は種々の方法で実施することができる。
【００５４】
このような変更、修飾、改良は本開示の一部であり、本発明の範囲にふくまれる。従って、上述の記述は単なる実施例であり、限定を意図しない。本発明は特許請求の範囲とその均等物によってのみ限定される。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明による方法の連続ステップの後に得られる構造の断面図である。
【図２】ＳＯＮタイプの装置を形成する従来の方法で得られる中間構造の斜視図である。
【図３Ａ】本発明による方法の実施例の連続ステップの後で得られる構造の断面図である。
【図３Ｂ】本発明による方法の実施例の連続ステップの後で得られる構造の断面図である。
【図３Ｃ】本発明による方法の実施例の連続ステップの後で得られる構造の断面図である。
【図３Ｄ】本発明による方法の実施例の連続ステップの後で得られる構造の断面図である。
【図３Ｅ】本発明による方法の実施例の連続ステップの後で得られる構造の断面図である。
【図３Ｆ】本発明による方法の実施例の連続ステップの後で得られる構造の断面図である。
【図４Ａ】本発明による方法の別の実施例の連続ステップの後で得られる構造の断面図である。
【図４Ｂ】本発明による方法の別の実施例の連続ステップの後で得られる構造の断面図である。
【図４Ｃ】本発明による方法の別の実施例の連続ステップの後で得られる構造の断面図である。
【図４Ｄ】本発明による方法の別の実施例の連続ステップの後で得られる構造の断面図である。
【図４Ｅ】本発明による方法の別の実施例の連続ステップの後で得られる構造の断面図である。
【図４Ｆ】本発明による方法の別の実施例の連続ステップの後で得られる構造の断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１  基板
２  光感応層
３  所定材料の薄い層
５，６，７，８，９  部分
【図１】
2005064517.tif 000003
【図２】
2005064517.tif 000004
【図３Ａ】
2005064517.tif 000005
【図３Ｂ】
2005064517.tif 000006
【図３Ｃ】
2005064517.tif 000007
【図３Ｄ】
2005064517.tif 000008
【図３Ｅ】
2005064517.tif 000009
【図３Ｆ】
2005064517.tif 000010
【図４Ａ】
2005064517.tif 000011
【図４Ｂ】
2005064517.tif 000012
【図４Ｃ】
2005064517.tif 000013
【図４Ｄ】
2005064517.tif 000014
【図４Ｅ】
2005064517.tif 000015
【図４Ｆ】
2005064517.tif 000016
【外国語明細書】
2005064517.tif 000017
2005064517.tif 000018
2005064517.tif 000019
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