(57)【要約】【課題】  配線抵抗が低減され、良好な表示特性を有する表示装置を提供すること。【解決手段】  本発明にかかる表示装置は基板１１上に設けられ、導電性の金属酸化膜を有する陽極配線１と、陽極配線１の上に形成され、陽極配線１と接続された積層金属膜を有する金属パッド２８と、金属パッド２８の側面を覆うように形成された保護膜２９と、陽極配線１と分離して形成された陽極補助配線２６と、金属パッド２８の上に形成され、金属パッド２８と陽極補助配線２６とを電気的に接続するブリッジ配線３０とを備え、金属パッド２８の最上層に下層に配置されたＡｌ層の酸化を防ぐバリア層が形成されているものである。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられ、導電性の金属酸化膜を有する第１の配線と、
前記第１の配線の上に形成され、前記第１の配線と接続された積層金属膜を有する金属パッドと、
前記金属パッドの側面を覆うように形成された保護膜と、
前記基板上に前記第１の配線と分離して形成された補助配線と、
前記金属パッドの上に形成され、前記金属パッドと前記補助配線とを電気的に接続するブリッジ配線とを備え、
前記金属パッドの最上層に、下層に配置された金属の酸化を防ぐバリア層が形成されている表示装置。
【請求項２】
前記金属パッドがＡｌ又はＡｌ合金を有し、
前記バリア層により、前記Ａｌ又はＡｌ合金の酸化が防止される請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記バリア層がＭｏ又はＭｏ合金により形成されている請求項１又は２記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１の配線がＩＴＯにより形成されている請求項１乃至３いずれかに記載の表示装置。
【請求項５】
前記補助配線と前記金属パッドとが同一材料で形成されている請求項１乃至４いずれかに記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１の配線の上に設けられた絶縁膜をさらに備え、
前記保護膜と前記絶縁膜とが同一材料で形成されている請求項１乃至５いずれかに記載の表示装置。
【請求項７】
前記絶縁膜の上に前記第１の配線と交差するよう設けられた第２の配線をさらに備え、
前記第２の配線と前記ブリッジ配線とが同一の材料により形成されている請求項６記載の表示装置。
【請求項８】
前記絶縁膜が前記第１の配線と前記第２の配線との交差する位置に設けられた開口部を備え、
前記開口部に有機発光層が形成されている請求項７記載の表示装置。
【請求項９】
前記金属パッドの積層金属膜が前記開口部の外側を通って、前記第１の配線と前記第２の配線との交差する位置まで延設されている請求項８記載の表示装置。
【請求項１０】
前記補助配線が前記第２の配線と接続される配線と同一の材料により形成されている請求項７、８又は９記載の表示装置。
【請求項１１】
基板上に導電性の金属酸化膜を成膜するステップと、
前記金属酸化膜をパターニングして第１の配線を形成するステップと、
前記金属酸化膜の上に最上層が下層の金属の酸化を防止するバリア層となる積層金属膜を成膜するステップと、
前記積層金属膜をパターニングして、前記第１の配線と接続される金属パッドを形成するステップと、
前記金属パッドの側面を覆う保護膜を設けるステップと、
前記金属パッドと前記第１の配線から分離されて形成された補助配線とを接続するブリッジ配線を形成するステップとを備える表示装置の製造方法。
【請求項１２】
基板上に導電性の金属酸化膜を成膜するステップと、
前記金属酸化膜の上に最上層が下層の金属の酸化を防止するバリア層となる積層金属膜を成膜するステップと、
前記積層金属膜をパターニングして、前記金属酸化膜と接続される前記金属パッドを前記金属酸化膜の上に形成するステップと、
前記金属酸化膜をパターニングして第１の配線を形成するステップと、
前記金属パッドの側面を覆う保護膜を設けるステップと、
前記金属パッドと前記第１の配線から分離されて形成された補助配線とを接続するブリッジ配線を形成するステップとを備える表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記補助配線が前記金属パッドを形成するステップと同じステップにより形成される請求項１０又は１２記載の表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記保護膜を形成するステップにおいて、表示領域内において前記第１の配線の上に開口部を有する絶縁膜が形成される請求項１０乃至１２いずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記ブリッジ配線を形成する工程において、前記絶縁膜の上を介して前記第１の配線と交差する第２の配線が形成される請求項１３記載の表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記絶縁膜の開口部に有機発光層を形成するステップをさらに備える請求項１４記載の表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記補助配線が前記第２の配線と接続される配線と同じステップにより形成される請求項１５又は１６記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の情報通信分野における急速な技術開発の進展に伴い、ＣＲＴに代わるフラットディスプレイに大きな期待が寄せられている。なかでも有機ＥＬディスプレイは、高速応答性、視認性、輝度などの点に優れるため盛んに研究が行われている。
【０００３】
１９８７年に米国コダック社のＴａｎｇらによって発表された有機ＥＬ素子は、有機薄膜の２層積層構造を有し、発光層にトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（以下「Ａｌｑ」と略称する）を使用し、１０Ｖ以下の低電圧駆動で緑色の発光を生じ、１０００ｃｄ／ｍ2と高輝度が得られた。発光効率は１．５ルーメン／Ｗであった（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５１，９１３（１９８７））。
【０００４】
以降、急速に実用化に向けた研究が進められ、正孔注入電極と電子注入電極に挟まれた有機層が１層〜１０層程度の様々な積層型の有機ＥＬ素子が開発されてきている。
【０００５】
有機ＥＬ材料に関しても、多岐に渡る低分子化合物を真空蒸着法等により薄膜形成する方法のみならず、高分子系化合物をスピンコート法、インクジェット、ダイコート、フレキソ印刷といった方法で薄膜形成して有機ＥＬ素子を作成する方法が提案されている。
【０００６】
なお、特許庁のホームページに、「技術分野別特許マップ作成委員会」によって作成された有機ＥＬ素子に関する技術情報が掲載されており、いわゆる基本特許や、さまざまな材料、製法、デバイス構造、駆動方法、カラー化技術、耐久性向上、用途などに関し、特許出願公開や登録特許などを引用し統括的に報告が行なわれている。
【０００７】
有機ＥＬディスプレイに用いられる有機ＥＬ素子基板は、基板上に陽極が形成され、陽極の上に薄膜状の有機化合物が積層され、その有機化合物の層の上に、基板上に形成された透明な陽極と対向するように陰極が形成された構造である。有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に配置された有機化合物の層に電流が供給されると自発光する電流駆動型の表示素子である。以下、積層される有機化合物の薄膜を有機薄膜層と記す。陽極、複数の有機薄膜層および陰極を重ねて配置した個所が表示画素となる。そして、透明な陽極から光を取り出し、所望の画像を表示させる。
【０００８】
ところで、有機ＥＬ表示装置は電流駆動素子を使用しており、パッシブ駆動型有機ＥＬ表示装置では、各行が選択された時間内で瞬間発光する必要がある。その結果液晶デバイス等の電圧駆動型表示素子を使用する場合と比較して大電流が電極に流れ込むことになる。
【０００９】
従って、陰極配線及び陽極配線を低抵抗にすることが重要となる。パネルの大型化、高精細化、高輝度化が進むとこれらの配線の更なる低抵抗化が必要となってくると同時に、これらの配線と接続される補助配線との間のコンタクトや駆動回路接続端子と補助配線との低抵抗化が課題となって来ている。これに関し、有機ＥＬ表示装置の陰極配線と接続される陰極補助配線について、開示された先行技術がある（例えば、特許文献１）。
【００１０】
この先行技術では、駆動回路接続端子に透明電極材料を用い、かつ、陰極材料と陰極補助配線材料とを同一とする。この場合、陰極材料と陰極補助配線材料との接続前に陰極表面や陰極補助配線表面が酸化されなければ、陰極と陰極補助配線とのコンタクト抵抗の問題は解消する可能性が大きくなる。
【００１１】
また、製造時のベークによる金属電極の接触抵抗の増加を解消しようとする有機エレクトロルミネセンス表示素子が開示されている（例えば、特許文献２）。そのため、透明基板に設けられた引出し電極の表層にバリア層を形成し、その引出し電極は有機発光層を介して透明基板の上に積層された金属電極にバリア層を介して接触させる。
【００１２】
引出し電極は、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ａｇ−Ｍｎ、Ｚｎ等の金属質導電材料で形成される。バリア層は耐熱変質性の良好な高融点金属、貴金属、酸化物、窒化物又は酸窒化物で形成される。
【００１３】
よって、層間絶縁膜形成時等の際に加熱を行っても、引出し電極と金属電極との接触抵抗が低く維持され、低電圧で駆動できると説明している。また、密着性改善層を介して引出し電極を形成するとき、透明基板に対する引出し電極の密着性が向上し、引出し電極と金属電極と良好な導通状態が維持される。
【００１４】
一方、陽極配線は通常、透明導電膜で形成されるためＩＴＯ（Indium  Tin  Oxides）等の金属酸化膜が用いられる。このような金属酸化膜は一般的に金属と比べて比抵抗が高いため、配線抵抗の低抵抗化が困難である。従って、表示領域外に金属材料からなる陽極補助配線を設けて低抵抗化を図ることが可能である。
【００１５】
陽極補助配線を設けた有機ＥＬ表示装置の構成について図８を用いて説明する。図８は有機ＥＬ表示装置に用いられる有機ＥＬ素子基板の構成を示す上面図である。
【００１６】
透明導電膜により複数の陽極配線１が形成されている。この時、陰極補助配線２１に対応するパターンも同時に形成する。この陽極配線１の基板端側にはそれぞれの陽極配線１に対応して陽極補助配線２６が形成される。陽極補助配線２６の陽極配線１の上に重ねられるようにパターニングされる。これにより、陽極配線１と陽極補助配線２６が接続される。陽極補助配線２６は陽極配線１よりも比抵抗の低い金属膜により形成されるため、配線抵抗を低減することができる。
【００１７】
陽極補助配線２６には比抵抗の低いＡｌ又はＡｌ合金が主に用いられる。さらにその上層及び下層にはバリア層として、例えば、高融点金属膜が用いられる。Ａｌの下層の高融点金属膜は透明導電膜とのコンタクト抵抗を良好にするため形成される。Ａｌの上層の高融点金属膜は、後の工程においてＡｌが酸化等により変質して、コンタクト抵抗が劣化するのを防ぐために形成される。
【００１８】
この上から画素電極に対応する開口部２３を有する絶縁膜２２を形成する。絶縁膜２２には例えば、感光性のポリイミド樹脂が用いられる。この開口部２３を形成する工程では、陰極補助配線２５と陰極配線５を接続するためのコンタクトホール２５が形成される。そして、陰極配線５を分離するため、逆テーパ構造の隔壁１０を形成する。その上から図示しない有機薄膜層を形成し、さらにその上から陰極配線５を形成する。陰極配線５は隔壁１０により分離され、陽極配線１と交差するように形成される。この陰極配線５と陽極配線１とが交差する位置に設けられた開口部２３において有機薄膜層に電流が流れ発光する。
【００１９】
しかしながら、陽極配線に対して金属からなる陽極補助配線を接続させる構成では以下のような問題点があった。この問題点について図９を用いて説明する。図９は図８のＡ−Ａ断面図であり、絶縁膜２２に開口部２３を形成する工程における構成を示している。
【００２０】
陽極配線１の上には配線抵抗を低減するため陽極補助配線２６が形成されている。ここで、例えば、陽極補助配線２６には上層及び下層の高融点金属と中間層のＡｌからなる３層の積層金属膜が形成されている。すなわち、積層金属膜では、下から順番に高融点金属層、Ａｌ層、高融点金属層の順番に配置される。陽極補助配線１の上にはさらに感光性のポリイミドからなる絶縁膜２２が形成されている。この絶縁膜２２を画素に対応する開口部２３を形成するため、絶縁膜２２をパターン露光して、アルカリ性の現像液４０に浸着する。
【００２１】
この時、Ａｌの上に高融点金属からなるバリア層を設けても陽極補助配線２６のＡｌがＡｌ３＋となって現像液に溶け出してしまう。すなわち、Ａｌが酸化されて、電子が陽極配線１に流れてしまうことがあった。この電子によりＩＴＯからなる陽極配線１が還元腐食されると、陽極配線１の表面状態が荒れてしまう。有機薄膜層は膜厚が薄いため、陽極配線１の表面状態が荒れて凸凹になると有機薄膜層の耐圧が下がり、陽極と陰極間の短絡が発生しやすくなる。これにより、表示装置の表示特性が劣化してしまうという問題点があった。
【特許文献１】特開平１１−３１７２９２号公報
【特許文献２】特開２００１−３５１７７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
このように従来の有機ＥＬ表示装置では、陽極配線の配線抵抗を低減するために陽極補助配線を形成した場合、十分な発光特性を得ることができないという問題点があった。
【００２３】
本発明は上述の問題点に鑑みてなされたものであって、配線抵抗が低減され、良好な表示特性を有する表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
本発明の第１の態様にかかる表示装置は、基板（例えば、本実施の形態における基板１１）上に設けられ、導電性の金属酸化膜を有する第１の配線（例えば、本実施の形態における陽極配線１）と、前記第１の配線の上に形成され、前記第１の配線と接続された積層金属膜を有する金属パッド（例えば、本実施の形態における金属パッド２８）と、前記金属パッドの側面を覆うように形成された保護膜（例えば、本実施の形態におけるエッジカバー樹脂２９）と、前記基板上に前記第１の配線と分離して形成された補助配線（例えば、本実施の形態における陽極補助配線２６）と、前記金属パッドの上に形成され、前記金属パッドと前記補助配線とを電気的に接続するブリッジ配線（例えば、本実施の形態におけるブリッジ配線３０）とを備え、前記金属パッドの最上層に、下層に配置された金属の酸化を防ぐバリア層が形成されているものである。これにより、低配線抵抗で、積層金属膜の下層に配置された金属の酸化に起因する発光特性の劣化を低減された表示装置を提供することができる。
【００２５】
本発明の第２の態様にかかる表示装置は、上述の表示装置において前記金属パッドがＡｌ又はＡｌ合金を有し、前記バリア層により、前記Ａｌ又はＡｌ合金の酸化が防止されるものである。これにより、Ａｌ又はＡｌ層の酸化を防ぐことができる。
【００２６】
本発明の第３の態様にかかる表示装置は、上述の表示装置において前記バリア層がＭｏ又はＭｏ合金により形成されているものである。これにより、ブリッジ配線とのコンタクト抵抗を低減することができる。
【００２７】
本発明の第４の態様にかかる表示装置は、上述の表示装置において前記第１の配線がＩＴＯにより形成されているものである。
【００２８】
本発明の第５の態様にかかる表示装置は、上述の表示装置において前記補助配線と前記金属パッドとが同一材料で形成されているものである。これにより、簡易な製造工程で、配線抵抗を低減することができる。これにより、簡易な製造工程で、配線抵抗を低減することができる。
【００２９】
本発明の第６の態様にかかる表示装置は、上述の表示装置において前記第１の配線の上に設けられた絶縁膜（例えば、本実施の形態における絶縁膜２２）をさらに備え、前記保護膜と前記絶縁膜とが同一材料で形成されているものである。これにより、簡易な製造工程で、積層金属膜の下層に配置された金属の酸化に起因する発光特性の劣化を低減することができる。
【００３０】
本発明の第７の態様にかかる表示装置は、上述の表示装置において前記絶縁膜の上に前記第１の配線と交差するよう設けられた第２の配線（例えば、本実施の形態における陰極配線５）をさらに備え、前記第２の配線と前記ブリッジ配線とが同一の材料により形成されているものである。これにより、簡易な製造工程で、配線抵抗を低減することが可能になる。
【００３１】
本発明の第８の態様にかかる表示装置は、上述の表示装置において前記絶縁膜が前記第１の配線と前記第２の配線との交差する位置に設けられた開口部（例えば、本実施の形態における開口部２３）を備え、前記開口部に有機発光層が形成されているものである。これにより、平坦な絶縁膜の上に有機発光膜を形成することができ、良好な発光特性を得ることができる。
【００３２】
本発明の第９の態様にかかる表示装置は、上述の表示装置において前記金属パッドの積層金属膜が前記開口部の外側を通って、前記第１の配線と前記第２の配線との交差する位置まで延設されているものである。これにより、製造工程を増やさずに配線抵抗を低減することができる。
【００３３】
本発明の第１０の態様にかかる表示装置は、上述の表示装置において前記補助配線が前記第２の配線と接続される配線と同一の材料により形成されているものである。これにより、製造工程を増やさずに配線抵抗を低減することができる。
【００３４】
本発明の第１１の態様にかかる表示装置の製造方法は、基板上に導電性の金属酸化膜を成膜するステップ（例えば、本実施の形態におけるステップＳ１０１）と、前記金属酸化膜をパターニングして第１の配線を形成するステップ（例えば、本実施の形態におけるステップＳ１０２）と、前記金属酸化膜の上に最上層が下層の金属の酸化を防止するバリア層となる積層金属膜を成膜するステップ（例えば、本実施の形態におけるステップＳ１０３）と、前記積層金属膜をパターニングして、前記第１の配線と接続される金属パッドを形成するステップ（例えば、本実施の形態におけるステップＳ１０４）と、前記金属パッドの側面を覆う保護膜を設けるステップ（例えば、本実施の形態におけるステップＳ１０６）と、前記金属パッドと前記第１の配線から分離されて形成された補助配線とを接続するブリッジ配線を形成するステップ（例えば、本実施の形態におけるステップＳ１０９）とを備えるものである。これにより、配線抵抗を低減することができ、表示特性を向上することができる。
【００３５】
本発明の第１２の態様にかかる表示装置の製造方法は基板上に導電性の金属酸化膜を成膜するステップと、前記金属酸化膜の上に最上層が下層の金属の酸化を防止するバリア層となる積層金属膜を成膜するステップと、前記積層金属膜をパターニングして、前記金属酸化膜と接続される前記金属パッドを前記金属酸化膜の上に形成するステップと、前記金属酸化膜をパターニングして第１の配線を形成するステップと、前記金属パッドの側面を覆う保護膜を設けるステップと、前記金属パッドと前記第１の配線から分離されて形成された補助配線とを接続するブリッジ配線を形成するステップとを備えるものである。これにより、配線抵抗を低減することができ、表示特性を向上することができる。
【００３６】
本発明の第１３の態様にかかる表示装置の製造方法は、上述の製造方法において前記補助配線が前記金属パッドを形成するステップと同じステップにより形成されるものである。これにより製造工程を簡略化することができる。
【００３７】
本発明の第１４の態様にかかる表示装置の製造方法は、上述の製造方法において前記保護膜を形成するステップにおいて、表示領域内において前記第１の配線の上に開口部を有する絶縁膜が形成される。これにより、簡易な製造工程で積層金属膜の酸化に起因する発光特性の劣化を低減することができる。
【００３８】
本発明の第１５の態様にかかる表示装置の製造方法は、上述の製造方法において前記ブリッジ配線を形成する工程において、前記絶縁膜の上を介して前記第１の配線と交差する第２の配線が形成されるものである。これにより、簡易な製造工程で配線抵抗を低減することができる。
【００３９】
本発明の第１６の態様にかかる表示装置の製造方法は、上述の製造方法において前記絶縁膜の開口部に有機発光層を形成するステップをさらに備えるものである。これにより、簡易な製造工程で平坦な絶縁膜の上に有機発光膜を形成することができ、良好な発光特性を得ることができる。
【００４０】
本発明の第１７の態様にかかる表示装置の製造方法は、上述の製造方法において前記補助配線が前記第２の配線と接続される配線と同じステップにより形成されるものである。これにより、簡易な製造工程で配線抵抗を低減することができる。
【発明の効果】
【００４１】
本発明によれば配線抵抗が低減され、良好な表示特性を有する表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
以下に、本発明を適用可能な実施の形態が説明される。以下の説明は、本発明の実施形態を説明するものであり、本発明が以下の実施形態に限定されるものではない。説明の明確化のため、以下の記載は、適宜、省略及び簡略化がなされている。又、当業者であれば、以下の実施形態の各要素を、本発明の範囲において容易に変更、追加、変換することが可能であろう。尚、各図において同一の符号を付されたものは同様の要素を示しており、適宜、説明が省略される。
発明の実施の形態１．
【００４３】
本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ発光素子が形成されている素子基板について図１を用いて説明する。図１は有機ＥＬ表示装置の素子基板の構成を示す平面図である。１は陽極配線、５は陰極配線、１０は隔壁、１１は基板、２１は陰極補助配線、２２は絶縁膜、２３は開口部、２５はコンタクトホール、２６は陽極補助配線、２７は陽極配線１と陽極補助配線２６とが接続される接続部である。
【００４４】
基板１１上には、基板１１の表面に接するように複数の陽極配線１が形成されている。複数の陽極配線１はそれぞれ平行に形成されている。陽極配線１の端部にはそれぞれの陽極配線１に対応された陽極補助配線２６が基板１１の端部まで形成されている。陽極配線１と一列になるようにそれぞれの陽極補助配線２６が配置される。この陽極配線１の上には接続部２７が形成され、陽極補助配線２６とは接続される。陽極補助配線２６には外部配線等と接続するための端子部（図示せず）が設けられている。陰極補助配線２１は陰極配線５の本数に対応して形成されている。
【００４５】
陽極配線１は例えば、ＩＴＯ等などの透明導電膜により形成される。陽極補助配線２６は多層構造の金属膜により形成される。例えば、下からＭｏ層、Ａｌ層、Ｍｏ層の順番で陽極補助配線２６となる積層金属膜が構成される。なお、陰極補助配線２１は陽極補助配線２６と同様に多層構造の金属膜により形成されてもよい。あるいは陰極補助配線２１は陽極配線１と同じ工程により形成されても良い。さらには透明導電膜と積層金属膜とを積層して陰極補助配線２１を形成しても良い。これらの配線が形成された基板上には、絶縁膜２２が形成される。絶縁膜２２の膜厚は、例えば、０．７μｍである。絶縁膜２２には、陽極配線１と陰極配線５とが交差する位置（すなわち表示画素となる位置）に開口部２３が設けられている。
【００４６】
表示領域の外側には陰極補助配線２１と陰極配線５とを接続するため、絶縁膜２２にコンタクトホール２５が形成されている。このコンタクトホール２５において、陰極配線５と陰極補助配線２１とが接続される。陰極補助配線２１の端部には端子部（図示せず）が設けられており、外部配線、駆動回路と接続される。これにより、開口部２３において陽極配線１と陰極配線５に挟まれる有機薄膜層に電流を流すことができ、有機薄膜層が発光する。この開口部２３が設けられている領域が表示領域となり、所望の画像を表示することができる。
【００４７】
絶縁膜２２の上層には、複数の有機薄膜層（有機化合物層）、陰極配線５が順に積層される。従って、有機薄膜層は陰極配線５と陽極配線１に挟まれる構成となる。ただし、図１では有機薄膜層の図示を省略している。また、有機薄膜層を形成する前に、隣接する陰極配線同士を区分する分離構造体（以下、隔壁１０と記す。）が設けられる。隔壁１０は、陰極配線５を蒸着等により形成する前に、所望のパターンに形成される。例えば、図１に示すように、陽極配線１と直交する複数の陰極配線５を形成するため、陽極配線１と直交する複数の隔壁１０が陽極配線１の上に形成される。
【００４８】
隔壁１０は、逆テーパ構造を有していることが好ましい。すなわち、基板１１から離れるにつれて断面が広がるように形成されることが好ましい。これにより、隔壁１０の側壁及び立ち上がり部分が蒸着の陰となり、陰極配線５を区分することができる。隔壁１０は例えば、高さが３．４μｍで、幅が１０μｍで形成することができる。
【００４９】
隔壁１０が形成された後、有機薄膜層が蒸着法あるいは塗布法等により形成される。さらに有機薄膜層の上から金属を蒸着する。蒸着された金属膜は逆テーパ構造の隔壁１０により分断され、複数の陰極配線５が形成される。陰極配線５となる金属膜は隔壁１０の外側には形成されないようマスクを用いて蒸着される。有機ＥＬ素子基板は上述のような構成を備えている。この素子基板が対向基板と対向配置されて有機ＥＬ表示装置が形成される。
【００５０】
次に陽極配線１と陽極補助配線２６とを接続する接続部２７の周辺の構成について図２及び図３を用いて説明する。図２は接続部２７周辺の構成を拡大して示す上面図であり、１本の陽極配線１に着目して図示している。図３は図２のＡ−Ａ断面図である。２８は金属パッド、２９はエッジカバー樹脂、３０はブリッジ配線、３１はコンタクトホールである。
【００５１】
図２において、下側が表示領域であり、上述のように陽極配線１上に開口部２３を有する絶縁膜２２並びに陰極を分断する隔壁１０が形成されている。陽極配線１の端部の基板端側には陽極配線１と一列になるように陽極補助配線２６が形成されている。陽極補助配線２６は陽極配線１と分離して形成されている。陽極配線１の端部に配置される接続部２７には金属パッド２８が設けられている。金属パッド２８は陽極補助配線２６と同一の工程により形成される。金属パッドの２８の外周を覆うようにエッジカバー樹脂２９が形成されている。エッジカバー樹脂２９は絶縁膜２２と同一の工程により形成される。金属パッド２８及びエッジカバー樹脂２９は陽極配線１の上に島状に形成されている。
【００５２】
図３に示すように、基板１１上に設けられた陽極配線１の上には直接、金属パッド２８が形成されている。従って、金属パッド２８と陽極配線１は電気的に接続されている。この金属パッド２８の側面全体を覆うようにエッジカバー樹脂２９が形成されている。エッジカバー樹脂２９は金属パッド２８の上面が露出するよう一部が除去され、コンタクトホール３１が形成されている。エッジカバー樹脂２９に設けられたコンタクトホール３１の上からブリッジ配線３０を形成する。これによりブリッジ配線３０と金属パッド２８が電気的に接続される。
【００５３】
このブリッジ配線３０は陽極補助配線２６と接続されるよう、金属パッド２８の上から陽極補助配線２６の上まで形成される。すなわち、ブリッジ配線３０の端部は陽極補助配線２６の上に配置される。さらにブリッジ配線３０は金属パッド２８及びエッジカバー樹脂２９を覆うように形成される。ブリッジ配線３０は陰極５と同じ工程により形成されるため、マスクを用いた蒸着法によりパターニングされる。すなわち、形成されるパターンに応じたマスクにより接続部２７が露出した状態で蒸着される。これにより、接続部２７から表示領域までの間及び基板端部には陰極材料となる金属膜が配置されない構成となる。
【００５４】
また各々の陽極配線１に対応するブリッジ配線３０は逆テーパ構造の分離構造体により分離することも可能である。すなわち、複数の陽極配線１にそれぞれ対応して形成された複数のブリッジ配線の間に逆テーパ構造の隔壁を形成して、ブリッジ配線３０を分離することが可能である。この場合、ブリッジ配線３０の両側に逆テーパ構造の隔壁が形成される。これにより、それぞれの陽極配線１に対して、異なるブリッジ配線３０を接続することができる。この逆テーパ構造の分離構造体は陰極配線間の隔壁１０と同じ工程で形成される。
【００５５】
上述の構成により、金属パッド２８の中間に配置されたＡｌ層では上面がバリア層であるＭｏ層で覆われ、側面がエッジカバー樹脂２９で覆われる。Ａｌ層の下面はＭｏ層のより覆われている。これにより、陽極補助配線２６のＡｌ層の全体を覆うことができる。絶縁膜２２の現像時において、現像液に浸着されてもＡｌが現像液に溶け出すことを防ぐことができる。よって、Ａｌの酸化に起因するＩＴＯの還元腐食を防ぐことができる。陽極配線１の表面が荒くなることがなく、良好な発光特性を有する有機ＥＬ表示素子を提供することができる。
【００５６】
さらに、積層金属膜の最上層をＭｏ層とすることで、ブリッジ配線３０とのコンタクト抵抗を低減することができる。また、積層金属膜の最下層をＭｏとすることにより、Ｍｏ層と陽極配線１が接触する構成となる。これにより、ＩＴＯ等からなる陽極配線１とのコンタクト抵抗を低減することができる。また、積層金属膜の最下層をＭｏ層とすることで、陽極配線１とのコンタクト抵抗を低減することができる。
【００５７】
陽極補助配線２６の一部が外部配線と接続するための端子部となる。例えば、陽極補助配線２６の基板端側に設けられた端子部に異方性導電フィルム（ＡＣＦ）を貼付け、駆動回路が設けられたＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）を接続する。これにより、それぞれの陽極配線１に駆動電圧を供給することができる。
【００５８】
次に、図４を用いて、本実施例にかかる有機ＥＬディスプレイの製造方法について説明する。図４は、本実施例にかかる有機ＥＬディスプレイの製造方法の一例を示すフローチャートである。
【００５９】
まず、基板１１上に陽極配線１となるＩＴＯ膜を成膜する（ステップＳ１０１）。基板１１として、例えばガラス基板等の透明基板を用いる。ガラス基板としては、たとえばソーダライムガラスを使用することができる。ＩＴＯ膜の厚さは通常５０〜２００ｎｍである。より好ましくは１００〜１５０ｎｍである。典型的には、ＤＣスパッタ法により作製した厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ膜である。ＩＴＯ膜は、一般的には、このほか、真空蒸着法、イオンプレーティング法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ）で作製することができる。この説明ではＩＴＯ膜を使用する。もちろんＩＴＯ以外にもＩＺＯ等の透明な金属酸化物からなる導電膜でもよい。
【００６０】
ＩＴＯはスパッタや蒸着によって、ガラス基板全面に均一性よく成膜することができる。フォトリソグラフィー及びエッチングによりＩＴＯ膜をパターニングして、陽極配線１を形成する（ステップＳ１０２）。レジストとしてはフェノールノボラック樹脂を使用し、露光現像を行う。エッチングはウェットエッチングあるいはドライエッチングのいずれでもよいが、例えば、塩酸及び硝酸の混合水溶液を使用してＩＴＯをパターニングすることができる。レジスト剥離材としては例えば、モノエタノールアミンを使用することができる。なお、この工程で陰極補助配線２１が形成することも可能である。
【００６１】
次にＭｏ層、Ａｌ層、Ｍｏ層の積層金属膜をＤＣスパッタ法により成膜する（ステップＳ１０３）。これらは連続して成膜することができる。積層金属膜は、このほか、真空蒸着法、イオンプレーティング法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ）、電解めっき、無電解めっき等のめっき法で作製することができる場合がある。
【００６２】
上層及び下層のＭｏ層の厚さはそれぞれ、通常５０〜２００ｎｍであり、Ａｌ層の厚さは、通常２００〜４００ｎｍである。Ｍｏの代わりにＭｏ合金を用いると耐腐食性が向上する。Ｍｏ合金としては、２成分系のＭｏ−Ｗ、Ｍｏ−Ｎｂ、Ｍｏ−Ｖ、Ｍｏ−Ｔａなどを用いることが好ましい。
【００６３】
Ａｌの代わりにＡｌ合金を用いることもできる。Ａｌ，Ａｌ合金のいずれかよりなる層として純Ａｌを適用する場合には、ヒロックの発生を抑制するため、成膜温度を１００℃以下にすることが好ましい。Ａｌ合金を使用する場合、Ａｌ−Ｎｄを使用するとキュア時に低抵抗化できる点で好ましい。さらに、Ａｌ−Ｓｉ、さらに、３成分系のＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等も適用可能である。ここでは、Ｍｏ、Ａｌ、Ｍｏの３層の組み合わせを使用することとする。
【００６４】
その後、積層金属膜をパターニングする（ステップＳ１０４）。例えば、フォトリソ工程でレジストをパターニングし、積層金属膜をエッチングし、レジストを剥離する。この場合のレジストも、本発明の趣旨に反しない限り、公知のどのようなものを使用してもよい。
【００６５】
エッチングには、たとえば燐酸、酢酸、硝酸の混合水溶液よりなるエッチング液を使用することができる。レジストの剥離についても、本発明の趣旨に反しない限り、公知のどのような剥離剤を使用してもよい。
【００６６】
Ｍｏ層およびＡｌ層はこのエッチング液で一括エッチングが可能である。これにより陽極補助配線パターン２６が形成される。また。この工程により、陽極配線１の上に金属パッド２８が形成される。陽極補助配線２６と金属パッド２８は同じ工程により形成されるため、陽極補助配線２６と金属パッド２８は同一の材料により形成される。同じ工程で陽極補助配線２６及び金属パッド２８を形成することにより製造工程を簡略化できる。なお、この工程で陰極補助配線２１をパターニングすることも可能である。
【００６７】
なお、上記のＩＴＯ膜の成膜工程（Ｓ１０１）から積層金属膜のパターニング工程（ステップＳ１０４）の代わりに、ＩＴＯ膜と積層金属膜とをスパッタ法で順に成膜し、その後、積層金属膜とＩＴＯ膜とをこの順番でパターニングすることも可能である。すなわち、ＩＴＯ膜の成膜工程（ステップＳ１０１）、積層金属膜の成膜工程（ステップＳ１０３）、積層金属膜のパターニング工程（ステップＳ１０４）、ＩＴＯのパターニング工程（ステップＳ１０２）の順番で陽極配線１及び陽極補助配線２６を形成することも可能である。なお、ＩＴＯの成膜工程（ステップＳ１０１）の前に、基板全面にシリカコート膜を形成しても良い。
【００６８】
次に、陽極配線１、金属パッド２８及び陽極補助配線２６を設けた基板１１の面に上から絶縁膜２２を成膜する（ステップＳ１０５）。例えば、感光性のポリイミドの溶液をスピンコーティングにより塗布する。この絶縁膜２２の膜厚は、例えば、０．７μｍになるようにすればよい。この絶縁膜２２をパターニングする（ステップＳ１０６）。例えば、絶縁膜の層をフォトリソグラフィー工程、現像工程でパターニングした後、キュアし、表示画素となる位置の絶縁膜を除去し、開口部２３を設ける。後述するステップＳ１０９で形成される陰極配線５と、陽極配線１との交差部分が表示画素となる位置である。
【００６９】
この工程では金属パッド２８の外周に金属パッド２８の側面全体を覆うエッジカバー樹脂２９が形成される。すなわち、エッジカバー樹脂２９は絶縁膜２２のパターニング工程により形成されるため、エッジカバー樹脂２９は絶縁膜２２と同じ材料により構成される。そして、金属パッド２８の表面が露出するようにパターニングされ、金属パッド２８に設けられるコンタクトホール３１を形成される。金属パッド２８の中間に配置されたＡｌ層では上面がバリア層であるＭｏ層で覆われ、側面がエッジカバー樹脂２９で覆われる。また下層はＭｏ層で覆われる。これにより、金属パッド２８のＡｌ層の全体を被覆することができる。現像液に浸着されてもＡｌが現像液に溶け出すことを防ぐことができる。Ａｌの酸化に基づくＩＴＯの還元腐食を防ぐことができ、陽極配線１の表面を平坦にすることができる。よって、後の工程で形成される有機薄膜層を平坦な面に形成することができ、良好な発光特性を有する有機ＥＬ表示素子を提供することができる。
【００７０】
同時に陰極配線５と陰極補助配線２１とを接続するコンタクトホールを形成する。例えば、画素に対応する開口部は３００μｍ×３００μｍ程度で形成する。陰極配線５と陰極補助配線２１とのコンタクトホール２５は例えば、２００μｍ×２００μｍ以下で形成する。画素開口部が３００μｍ×３００μｍ程度の場合、陰極と補助配線とのコンタクト形成部を２００μｍ×２００μｍ以下とすると、素子全体の大きさに影響を与えなくて済むため好ましい。
【００７１】
続いて、絶縁膜（ポリイミドの層）の表面において、６４本の陰極配線５を分離配置できるように隔壁１０を形成する（ステップＳ１０７）。なお、図１では、配線の本数について減らして図示している。隔壁１０は、絶縁膜の上層にノボラック樹脂、アクリル樹脂膜等の感光性樹脂を塗布することにより形成する。例えば、感光性樹脂をスピンコートして、フォトリソグラフィー工程でパターニングした後、光反応させて陰極隔壁を形成する。陰極隔壁が逆テーパ構造を有するようネガタイプの感光性樹脂を用いることが望ましい。
【００７２】
ネガタイプの感光性樹脂を用いると、上から光を照射した場合、深い場所ほど光反応が不十分となる。その結果、上から見た場合、硬化部分の断面積が上の方より下の方が狭い構造を有する。これが逆テーパ構造を有するという意味である。このような構造にすると、その後、陰極の蒸着時に蒸着源から見て陰になる部分は蒸着が及ばないため、陰極同士を分離することが可能になる。
【００７３】
さらに、開口部２３のＩＴＯ層の表面改質を行うために、酸素プラズマ又は紫外線を照射してもよい。例えば、並行平板ＲＦプラズマ（高周波プラズマ）装置を用い、酸素プラズマ照射を実施して、ＩＴＯ膜の表面改質を行う。
【００７４】
その後、有機薄膜層を積層する（ステップＳ１０８）。まず、開口部を有する金属マスクをガラス基板に取り付ける。このとき、金属マスクの開口部と有機薄膜層を設けるべき位置が重なるように配置し、また、金属マスクとガラス基板との間に５０μｍの空間が空くように取り付ける。そして、０．５％（質量百分率）のポリビニルカルバゾールを溶解した安息香酸エチル溶液をマスクスプレー法によって塗布する。そして、溶液を濃縮乾燥して正孔注入層を形成する。
【００７５】
続いて、正孔注入層の上層にα−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ'−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−ベンジジン）を蒸着して膜厚４０ｎｍの正孔輸送層を形成する。さらに、その上層に、発光層のホスト化合物となるＡｌｑ（トリス（８−ヒドロキシナト）アルミニウム）と、ゲスト化合物の蛍光性色素となるクマリン６とを同時に蒸着して、膜厚６０ｎｍの発光層を形成する。続いて、発光層の上層にＬｉＦを蒸着して、膜厚０．５ｎｍの陰極界面層を形成する。
【００７６】
その後、アルミニウム等の金属材料を蒸着して、膜厚１００ｎｍの陰極配線を形成する（ステップＳ１０９）。この結果、隔壁によってアルミニウム膜は分離され、それぞれの隔壁間に陽極配線１と交差する陰極配線５を形成することができる。例えば、画素数に対応して６４本の陰極配線５を形成する。これらの工程により有機ＥＬ素子基板が形成される。
【００７７】
また、陰極配線５を形成する工程と同じ工程で接続部２７にブリッジ配線３０を形成する。そのため、ブリッジ配線３０と陰極配線５は同じ材料により形成される。ブリッジ配線３０は陽極補助配線２６と金属パッド２８を接続するように形成される。また、陽極補助配線２６の端部が露出して形成されるようマスクを用いて蒸着される。この陽極補助配線２６が露出した部分が外部配線と接続される端子部となる。
【００７８】
次に上述の工程により形成された有機ＥＬ発光素子を封止するため、封止用の対向基板を製造する工程について説明する。まず。素子基板とは別のガラス基板を用意する。このガラス基板を加工して捕水材を収納するための捕水材収納部を形成する。捕水材収納部はガラス基板にレジストを塗布し、露光、現像により基板の一部を露出させる。この露出部分をエッチングにより薄くすることにより捕水材収納部を形成する。
【００７９】
この捕水材収納部に酸化カルシウム等の捕水材を配置した後、２枚の基板を重ね合わせて接着する。具体的には、対向基板の捕水材収納部が設けられた面に、ディスペンサを用いてシール材を塗布する。シール材として、例えば、エポキシ系紫外線硬化性樹脂を用いることができる。また、シール材は、有機ＥＬ素子と対向する領域の外周全体に塗布する。二枚の基板を位置合わせして対向させた後、紫外線を照射してシール材を硬化させ、基板同士を接着する。この後、シール材の硬化をより促進させるために８０℃のクリンオーブン中で１時間熱処理を施す。この結果、シール材および一対の基板によって、有機ＥＬ素子が存在する基板間と、基板の外部とが隔離される。捕水材を配置することにより、封止された空間に残留または侵入してくる水分等による有機ＥＬ素子の劣化を防止することができる。
【００８０】
シール材は陽極補助配線２６の上に直接設けられる。例えば、接続部２７にシール材を塗布すると、シール材が金属パッド２８に跨って形成されることになる。この場合、シール材がエッジカバー樹脂２９の上にエッジカバー樹脂２９を横断するように配置されることになる。エッジカバー樹脂２９は例えば、ポリイミド樹脂からなるため、このような構成では２枚の基板とシール材により封止された領域に水分が浸入されやすくなってしまうおそれがある。従って、シール材は陽極補助配線２６の上に塗布すること望ましい。さらに、ブリッジ配線３０の外側に配置すると、シール材の下層がより平坦に近くなる。このシール材の外側に外部配線と接続するための端子部が配置される。
【００８１】
基板の外周付近の不要部分を切断除去し、陽極補助配線２６に信号電極ドライバを接続し、同様に陰極補助配線２１に走査電極ドライバを接続する。基板端部において各補助配線に接続される端子部が形成されている。この端子部に異方性導電フィルム（ＡＣＦ）を貼付け、駆動回路が設けられたＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）を接続する。最上層がＭｏ層である陽極補助配線２６の基板端側の一部が端子部となり、コンタクト抵抗を低減することができる。
【００８２】
具体的には端子部にＡＣＦを仮圧着する。ＡＣＦは日立化成製アニソルム７１０６Ｕを用いている。仮圧着温度は８０℃で、圧着圧力は１．０ＭＰａ、圧着時間は５秒である。ついで駆動回路が内蔵されたＴＣＰを端子部に本圧着する。本圧着温度は１７０度で、圧着圧力は２．０ＭＰａ、圧着時間は２０秒である。これにより駆動回路が実装される。この有機ＥＬ表示パネルが筐体に取り付けられ、有機ＥＬ表示装置が完成する。
【００８３】
上述の説明では金属パッド２８を構成する積層金属膜のＡｌ層の外周をエッジカバー樹脂２９により覆うようにしたが、これ以外の保護膜により外周を覆うようにしてもよい。例えば、写真製版工程を増やせば、積層金属膜を構成する最上層のＭｏ層によりＡｌ層を覆うことも可能である。具体的にはＭｏ層、Ａｌ層を成膜してパターニングした後、Ｍｏ層とＡｌ層を覆うように最上層のＭｏ層をパターニングする。これにより金属パッド２８の中間に配置されたＡｌ層では上面及び側面がバリア層であるＭｏ層で覆われる構成となる。Ａｌの酸化に基づくＩＴＯの還元腐食を防ぐことができ、陽極配線１の表面を平坦にすることができる。よって、後の工程で形成される有機薄膜層を平坦な面に形成することができ、良好な発光特性を有する有機ＥＬ表示素子を提供することができる。
【００８４】
発明の実施の形態２．
本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の構成について図５を用いて説明する。図５は本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子基板の上面図であり、１本の陽極配線の端部における構成を示している。実施の形態１で説明した構成と同様の構成については説明を省略する。
【００８５】
本実施の形態では陽極配線１の上に形成されたエッジカバー樹脂２９から絶縁膜２２までエッジカバー樹脂２９の延在パターン３２が設けられている。この延在パターン３２は絶縁膜２２のパターニング工程（ステップＳ１０６）にて形成されるため、エッジカバー樹脂２９を形成する工程と同一の工程で形成される。この延在パターン３２により、表示領域内において陽極配線を覆う絶縁膜２２とエッジカバー樹脂２９が接続される。
【００８６】
エッジカバー樹脂２９の延在パターン３２の下には金属パッド２８から積層金属膜が延設されている。この積層金属膜は陽極補助配線２６を形成する工程（ステップＳ１０４）と同一の工程により形成される。よって、積層金属膜は陽極配線１の上に直接設けられ、陽極配線１と電気的に接続される。延設された積層金属膜は表示領域内において陽極配線上に配置されるようにパターンニングされる。この延設された積層金属膜は開口部２２の外側に配置されるよう形成される。すなわち、開口部２３の両外側を通るように積層金属膜が形成される。この積層金属膜及び延在パターン３２は基板１１の反対側の端部まで延設される。すなわち、陽極配線１が伸びている方向の全体に渡って形成される。
【００８７】
この積層金属膜は陽極配線１の上に直接設けられ、陽極配線１の一部となる。この延在パターン３２の下部において、積層金属膜が露出しないようにポリイミド樹脂からなる絶縁膜をパターニングする。Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの積層金属膜は透明導電膜（ＩＴＯ）である陽極配線１より比抵抗が低いため、陽極配線の配線抵抗を低減することができる。また開口部２３の外側を通るため、有機薄膜層からの光に影響を与えることがない。絶縁膜２２のパターンは積層金属膜の延設パターンを覆うよう形成される。本実施の形態の構成を備えることにより、Ａｌの酸化に起因する発光特性の劣化を低減することができる。
【００８８】
発明の実施の形態３．
本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の構成について図６及び図７を用いて説明する。図６は本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子基板の上面図であり図７は図６のＡ−Ａ断面図である。実施の形態１で説明した構成と同様の構成については説明を省略する。
【００８９】
本実施の形態では陽極配線１の上に設けられた金属パッド２８が陽極配線１の端部の外側まで延在している。すなわち、金属パッド２８は陽極配線１の端部を横断するよう形成される。金属パッド２８は基板１１の上から陽極配線１の上に乗り上げるよう配置される。この金属パッド２８及び陽極配線１と分離されるよう陽極補助配線２６はパターニングされる。そして、金属パッド２８と陽極補助配線２６とを接続するようにブリッジ配線３０が形成される。このブリッジ配線３０を介して金属パッド２８と陽極補助配線２６とが接続され、陽極補助配線２６と陽極配線１が導通される。
【００９０】
この金属パッド２８の外周部には側面を覆うようにエッジカバー樹脂２９が形成される。従って、エッジカバー樹脂２９も陽極配線１の端部を横断するよう形成される。エッジカバー樹脂２９は基板１１の上から陽極配線１の上に乗り上げるよう配置される。このような構成でも上述の実施の形態１と同様に配線抵抗を低減することができる。また、金属パッドを形成する積層金属膜におけるＡｌ層がＭｏ層及びエッジカバー樹脂２９で覆われているため、Ａｌの酸化を防ぐことができ、良好な発光特性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】本発明の実施の形態１にかかる有機ＥＬ表示装置の構成を示す上面図である。
【図２】本発明の実施の形態１にかかる有機ＥＬ表示装置において、陽極配線と陽極補助配線とを接続する接続部の構成を示す上面図である。
【図３】本発明の実施の形態１にかかる有機ＥＬ表示装置において、陽極配線と陽極補助配線とを接続する接続部の構成を示す断面図である。
【図４】本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の製造工程を示すフローチャートである。
【図５】本発明の実施の形態２にかかる有機ＥＬ表示装置において、陽極配線と陽極補助配線とを接続する接続部の構成を示す上面図である。
【図６】本発明の実施の形態３にかかる有機ＥＬ表示装置において、陽極配線と陽極補助配線とを接続する接続部の構成を示す上面図である。
【図７】本発明の実施の形態３にかかる有機ＥＬ表示装置において、陽極配線と陽極補助配線とを接続する接続部の構成を示す断面図である。
【図８】従来の有機ＥＬ表示装置の構成を示す上面図である。
【図９】従来の有機ＥＬ表示装置の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００９２】
１  陽極配線
５  陰極配線
１０  隔壁
１１  基板
２１  陰極補助配線
２２  絶縁膜
２３  開口部
２５  コンタクトホール
２６  陽極補助配線
２７  接続部
２８  金属パッド
２９  エッジカバー樹脂
３０  ブリッジ配線
３１  コンタクトホール
３２  エッジカバー樹脂の延在パターン
４０  現像液
１００  有機ＥＬ素子基板
【図１】
2005183208.tif 000003
【図２】
2005183208.tif 000004
【図３】
2005183208.tif 000005
【図４】
2005183208.tif 000006
【図５】
2005183208.tif 000007
【図６】
2005183208.tif 000008
【図７】
2005183208.tif 000009
【図８】
2005183208.tif 000010
【図９】
2005183208.tif 000011