(57)【要約】【課題】  電磁ソレノイドを必要最低限の容量・サイズとしながら、差動制限状態を確実に解除することができる電磁制御式差動制限装置を提供すること。【解決手段】  コイル８２およびプランジャ８３を有して構成され、前記プランジャ８３が受ける電磁力によりクラッチを締結して差動を制限し、バネ力によりクラッチを切り離して差動制限を解除するリニア電磁ソレノイド８を備えた電磁制御式差動制限装置において、前記差動制限時に接触するプランジャ８３と相手部品との接触面積を、残留磁気の影響を最小限に抑える小接触面積に設定した。【選択図】        図１
2005240861.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コイルおよびプランジャを有して構成され、前記プランジャが受ける電磁力によりクラッチを締結して差動を制限し、バネ力によりクラッチを切り離して差動制限を解除する電磁ソレノイドを備えた電磁制御式差動制限装置において、
前記差動制限時に接触するプランジャと相手部品との接触面積を、残留磁気の影響を最小限に抑える小接触面積に設定したことを特徴とする電磁制御式差動制限装置。
【請求項２】
請求項１に記載された電磁制御式差動制限装置において、
前記クラッチは、プランジャが受ける電磁力により噛み合ってデフロック状態とし、バネ力により噛み合いを切り離してアンロック状態とするドグクラッチであることを特徴とする電磁制御式差動制限装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載された電磁制御式差動制限装置において、
差動制限時に相手部品と接触する前記プランジャの正面位置に、テーパー面を形成することで接触面積を小接触面積に設定したことを特徴とする電磁制御式差動制限装置。
【請求項４】
請求項３に記載された電磁制御式差動制限装置において、
前記相手部品は、リニア電磁ソレノイドの構成要素であるヨークであり、
差動制限時にヨークと接触する前記プランジャの正面位置と周面位置とに、第１テーパー面と第２テーパ面を形成することで接触面積を小接触面積に設定したことを特徴とする電磁制御式差動制限装置。
【請求項５】
請求項１または請求項２に記載された電磁制御式差動制限装置において、
差動制限時にプランジャと接触する前記相手部品の正面位置に、テーパ面を形成することで接触面積を小接触面積に設定したことを特徴とする電磁制御式差動制限装置。
【請求項６】
請求項１または請求項２に記載された電磁制御式差動制限装置において、
差動制限時にプランジャと接触する前記相手部品の正面位置に、環状突起を形成することで接触面積を小接触面積に設定したことを特徴とする電磁制御式差動制限装置。
【請求項７】
請求項１または請求項２に記載された電磁制御式差動制限装置において、
差動制限時に相手部品と接触する前記プランジャの正面位置に、環状突起を形成することで接触面積を小接触面積に設定したことを特徴とする電磁制御式差動制限装置。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか１項に記載された電磁制御式差動制限装置において、
差動制限解除状態にて相手部品と接触する前記プランジャの背面位置に、環状突起を形成することで相手部品との接触面積を小接触面積に設定したことを特徴とする電磁制御式差動制限装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プランジャが受ける電磁力によりクラッチを締結して差動を制限し、バネ力によりクラッチを切り離して差動制限を解除する電磁ソレノイドを備えた電磁制御式差動制限装置の技術分野に属する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電磁制御式差動制限装置は、プランジャに電磁力による駆動推力を与え、クラッチを締結してデフロック状態を実現している（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】実開平５−２９８３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、従来の電磁制御式差動制限装置において、戻り側については、スプリングによるバネ力を利用してデフロック状態を解除する場合、ソレノイドからの磁力によりクラッチ周辺部品に残留磁気が生じ、プランジャと相手部品とのベタ当たり面において張り付き力が発生するため、ソレノイド通電後のプランジャの張り付き力がバネ力を上回ってしまうと、デフロック状態を解除することができなくなる、という問題があった。
【０００４】
本発明は、上記問題に着目してなされたもので、電磁ソレノイドを必要最低限の容量・サイズとしながら、差動制限状態を確実に解除することができる電磁制御式差動制限装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するため、本発明では、コイルおよびプランジャを有して構成され、前記プランジャが受ける電磁力によりクラッチを締結して差動を制限し、バネ力によりクラッチを切り離して差動制限を解除する電磁ソレノイドを備えた電磁制御式差動制限装置において、
前記差動制限時に接触するプランジャと相手部品との接触面積を、残留磁気の影響を最小限に抑える小接触面積に設定した。
【発明の効果】
【０００６】
よって、本発明の電磁制御式差動制限装置にあっては、差動制限時に接触するプランジャと相手部品との接触面積を、残留磁気の影響を最小限に抑える小接触面積に設定することで、ソレノイド通電後におけるプランジャの張り付き力を常にバネ力未満に抑えることができる。この結果、電磁ソレノイドを必要最低限の容量・サイズとしながら、差動制限状態を確実に解除することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明の電磁制御式差動制限装置を実施するための最良の形態を、図面に示す実施例１〜実施例４に基づいて説明する。
【実施例１】
【０００８】
まず、構成を説明する。
図１は実施例１の電磁制御式差動制限装置を示す全体図である。実施例１の電磁制御式差動制限装置は、図１に示すように、ディファレンシャルケース１と、ピニオンシャフト２と、ディファレンシャルピニオン３と、サイドギア４，５と、ディファレンシャルベアリング６と、ドグクラッチ７と、リニア電磁ソレノイド８（電磁ソレノイド）と、デフロックセンサ９と、を備えている。
【０００９】
前記ディファレンシャルケース１は、ディファレンシャルベアリング６等によって車体に対し回転可能に設けられている。このディファレンシャルケース１には、図外のドライブギアが固定され、エンジンからの回転駆動力がドライブギアを介して入力される。
【００１０】
前記ピニオンシャフト２は、前記ディファレンシャルケース１に対しピン１０により固定されていて、このピニオンシャフト２には、複数個のディファレンシャルピニオン３が回転可能に支持されている。
【００１１】
前記サイドギア４，５は、前記ディファレンシャルピニオン３と噛み合いながら対向配置されていて、各サイドギア４，５には、図外のドライブシャフトがそれぞれスプライン嵌合される。以上の構成により、旋回時等において、左右輪の差動を許容し円滑な旋回運動を確保しながら、駆動力を左右輪に等配分で伝達する差動機能が発揮される。
【００１２】
次に、例えば、低μ路側の片輪のみがスピンした場合、高μ路側の片輪への伝達トルクもスピン側への伝達トルクと等しくなり、脱出性が損なわれるという差動機能の欠点を補う差動制限機構について説明する。
【００１３】
前記ドグクラッチ７は、前記サイドギア５の背面外周位置に形成された噛み合いギア部７ａと、前記ディファレンシャルケース１に対しサイドギア５の回転軸方向に摺動可能に支持されたクラッチピストン１１の正面位置であって前記噛み合いギア部７ａの対向位置に形成された噛み合いギア部７ｂと、によって構成されている。
【００１４】
前記サイドギア５とクラッチピストン１１との間には、デフロック状態でクラッチピストン１１に対し、前記ドグクラッチ７の噛み合いを切り離してアンロック状態とするバネ力を付与するリターンスプリング１２が介装されている。
【００１５】
前記クラッチピストン１１の背面位置には、ドーナツ板状のピストンプレート１３が係合されていて、該ピストンプレート１３の背面内周部位置に、前記リニア電磁ソレノイド８のプランジャ８３の押圧面が対向して配置され、前記ピストンプレート１３の正面外周位置に、前記デフロックセンサ９の位置センサ部９２が対向して配置される。
【００１６】
前記リニア電磁ソレノイド８は、前記ドグクラッチ７を噛み合いにより嵌合させる駆動アクチュエータであり、前記ディファレンシャルケース１のピストンプレート１２の背面外周位置に固定されたヨーク８１と、該ヨーク８１の外周側空間部に収納されたコイル８２と、前記ヨーク８１の内周側空間部に収納され、前記サイドギア５の回転軸方向に摺動可能に設けられたプランジャ８３と、を有して構成されている。
【００１７】
前記デフロックセンサ９は、クラッチピストン１１の位置により、ドグクラッチ７が噛み合っているデフロック状態か、ドグクラッチ７が噛み合っていないアンロック状態かを検出するセンサで、車体１４に固定されたセンサ本体９１と、該センサ本体９１から前記ピストンプレート１２の位置変動にしたがって出入可能な位置センサ部９２と、を有して構成されている。
【００１８】
図２は実施例１の電磁制御式差動制限装置のリニア電磁ソレノイド８を示す拡大断面図である。
【００１９】
前記ヨーク８１は、図２(b)に示すように、複数のヨーク部品の組み合わせによりドーナツ状に構成され、内部の空間を、仕切壁の一部で連通する外周側空間と内周側空間とに画成している。そして、前記外周側空間にコイル８２を収納し、前記内周側空間にプランジャ８３を駆動時に前方に突出するように軸方向摺動可能に収納している。
【００２０】
前記プランジャ８３は、図２(a)に示すように、ヨーク８１の内周側空間部のうちコイル８２に近い位置に配置されたプランジャ外輪部８３１と、ヨーク８１の内周側空間部のうちコイル８２に遠い位置に配置されたプランジャ内輪部８３２とを、圧入等により一体に結合することで構成されている。なお、前記プランジャ外輪部８３１は、内周側空間部の両壁面間をストロークし、前記プランジャ内輪部８３２は、駆動時に内周側空間部から突出してストロークし、正面側の端面がピストンプレート１３を押圧する押圧面８３２ａとされている。
【００２１】
そして、本発明では、デフロック時に接触する前記プランジャ外輪部８３１と前記ヨーク８１（相手部品）との接触面積を、残留磁気の影響を最小限に抑える小接触面積に設定している。
【００２２】
実施例１では、デフロック時に前記ヨーク８１と接触する前記プランジャ外輪部８３１の正面位置と周面位置とに、第１テーパー面８３１ａと第２テーパ面８３１ｂを形成することで、図２(a)に示すように、ヨーク８１の内壁段差面８１ａ，８１ｂとの接触面積を小接触面積に設定している。加えて、アンロック時にヨーク８１と接触する前記プランジャ内輪部８３２の背面位置に、環状突起８３２ｂを形成することで、ヨーク８１の内壁面８１ｃとの接触面積を小接触面積に設定している。
【００２３】
次に、作用を説明する。
【００２４】
［差動制限作用］
リニア電磁ソレノイド８のコイル８２への通電が無く、ドグクラッチ７の解放状態での走行時には、図外のドライブギアに入力されたトルクは、ディファレンシャルケース１→ピニオンシャフト２→ディファレンシャルピニオン３→サイドギア４，５を経過して左右のドライブシャフトに伝達される。この状態では、入力側のディファレンシャルケース１と出力側のサイドギア４，５との間に何ら拘束が無いため、左右のドライブシャフト間に差動が生じた場合には、この差動を許容し、通常のディファレンシャルとして差動機能を発揮する。
【００２５】
次に、リニア電磁ソレノイド８のコイル８２へ通電すると、プランジャ８３に付与される磁気推力によりプランジャ８３は図１の左方向へ移動し、押圧面８３２ａがピストンプレート１３の背面内周部位置に当接し、リターンスプリング１２のバネ力に抗してクラッチピストン１１を図１の左方向へストロークさせる。このクラッチピストン１１のストロークにより、クラッチピストン１１の噛み合いギア部７ｂが、サイドギア５の噛み合いギア部７ａと噛み合い、ドグクラッチ７を噛み合い締結させる。
【００２６】
このドグクラッチ７の噛み合い締結により、互いにギア噛合しているディファレンシャルピニオン３および両サイドギア４，５が、ディファレンシャルケース１に対してロックされた状態となる。よって、ドグクラッチ７の噛み合い締結状態での走行時には、図外のドライブギアに入力されたトルクは、一体に回転するディファレンシャルケース１、ピニオンシャフト２、ディファレンシャルピニオン３、サイドギア４，５を経過して左右のドライブシャフトに伝達される。
【００２７】
すなわち、この状態では、入力側のディファレンシャルケース１と出力側のサイドギア４，５とは一体に動作するように拘束されているため、左右のドライブシャフト間の差動が完全に制限されるデフロック状態となる。このデフロック状態では、例えば、低μ路側の片輪のみがスピンした場合、アンロック状態のように左右輪に対し等配分のトルクとなることはなく、低μ路側へのトルクの一部がドグクラッチ７を介して高μ路側へ伝達されるというように、高μ路側トルクが、入力トルクから低μ路側トルクを差し引いたトルクとなり、この高いトルクにより速やかに脱出することができる。
【００２８】
［デフロック解除作用］
上記ドグクラッチ７の噛み合い締結によるデフロック状態から、リニア電磁ソレノイド８のコイル８２への通電を切り、デフロックを解除する場合について説明する。
【００２９】
まず、電磁式ソレノイドを利用してドグクラッチをロック側に駆動し、かつ、戻り側についてはスプリング等のメカニカルな機構を利用する構造のデフロック機構を用いた場合、ソレノイドからの磁力によりドグクラッチ周辺部品に残留磁気が生じ、周辺部品同士で張り付き力を発生する。
【００３０】
この残留磁気を原因とする張り付き力は、部品間の接触面積が広いことを原因として大きな張り付き力が発生するもので、例えば、プランジャが図３(a)のアンロック位置から図３(b)のデフロック位置に移動し、このデフロック位置にて、図３(c)に示すように、プランジャの正面と周面がヨークの内壁段差面に対し、ベタ当たり状態で面接触すると、残留磁気を原因とする張り付き力が大きなレベルとなる。そして、この張り付き力がリターンスプリング力を上回ると、デフロックの解除ができなくなるという問題がある。
【００３１】
この問題に対し、スプリングによるバネ力を高めるという案もあるが、リニア電磁ソレノイドを交換することなくバネ力を高めただけでは、デフロック時にプランジャに付与される磁気推力がバネ反力に対して不足し、デフロック動作そのものができなくなる。つまり、バネ力を高めればそれに応じてデフロック時にプランジャに付与する磁気推力を高める必要があり、この場合、リニア電磁ソレノイドの容量を高め、かつ、サイズ的にも大型化を図る必要がある。
【００３２】
これに対し、実施例１では、デフロック時にヨーク８１と接触するプランジャ外輪部８３１の正面位置と周面位置とに、第１テーパー面８３１ａと第２テーパ面８３１ｂを形成することで、図２(a)に示すように、ヨーク８１の内壁段差面８１ａ，８１ｂとの接触面積を小接触面積に設定した。このため、仮に、ヨーク８１とプランジャ８３との間に残留磁気が生じても、部品間の接触面積が広いことを原因として発生する大きな張り付き力を低く抑えることができる。これにより、リターンスプリング１２の荷重アップやそれに伴うソレノイド容量アップ等を防止でき、リニア電磁ソレノイド８を必要最低限の容量・サイズとしながら、リターンスプリング１２の戻り力でデフロック状態を確実に解除することができるデフロック機構を成立させることができる。
【００３３】
次に、効果を説明する。
実施例１の電磁制御式差動制限装置にあっては、下記に列挙する効果を得ることができる。
【００３４】
(1) コイル８２およびプランジャ８３を有して構成され、前記プランジャ８３が受ける電磁力によりクラッチを締結して差動を制限し、バネ力によりクラッチを切り離して差動制限を解除するリニア電磁ソレノイド８を備えた電磁制御式差動制限装置において、前記差動制限時に接触するプランジャ８３と相手部品との接触面積を、残留磁気の影響を最小限に抑える小接触面積に設定したため、リニア電磁ソレノイド８を必要最低限の容量・サイズとしながら、差動制限状態を確実に解除することができる。
【００３５】
(2) 前記クラッチは、プランジャ８３が受ける電磁力により噛み合ってデフロック状態とし、バネ力により噛み合いを切り離してアンロック状態とするドグクラッチ７であるため、噛み合い締結であることで最も解除が困難とされる差動制限状態であるデフロック状態を確実に解除することができる。
【００３６】
(3) 差動制限時に相手部品と接触する前記プランジャ８３の正面位置に、テーパー面８３１ａを形成することで接触面積を小接触面積に設定したため、既存のプランジャに対し１つのテーパ面加工を加えるだけでベタ当たりを回避し、残留磁気の影響を最小限に抑えることができる。
【００３７】
(4) 前記相手部品は、リニア電磁ソレノイド８の構成要素であるヨーク８１であり、差動制限時にヨーク８１と接触する前記プランジャ８３の正面位置と周面位置とに、第１テーパー面８３１ａと第２テーパ面８３１ｂを形成することで接触面積を小接触面積に設定したため、限界域の最小接触面積に設定することが可能で、差動制限解除時にプランジャ８３の張り付き力を最低限の力に抑えることができる。
【００３８】
(5) 差動制限解除状態にて相手部品と接触する前記プランジャ８３の背面位置に、環状突起８３２ｂを形成することで相手部品との接触面積を小接触面積に設定したため、差動制限開始時のプランジャ８３の張り付き力を低く抑えることができる。
つまり、差動制限開始時に低い開始トルクでプランジャ８３の初動を確保することができるため、プランジャ８３に付与する磁気推力が小さいコンパクトなリニア電磁ソレノイド８を適用することができる。
【実施例２】
【００３９】
実施例２は、差動制限時にプランジャと接触する相手部品の正面位置に、テーパ面を形成することで接触面積を小接触面積に設定した例である。
【００４０】
すなわち、図４に示すように、デフロック時にプランジャ外輪部８３１と接触するヨーク８１の内壁段差面８１ａに、テーパ面８１ｄを形成することで接触面積を小接触面積に設定している。なお、他の構成は実施例１と同様であるので対応する構成に同一符号を付して説明を省略する。
【００４１】
作用を説明すると、実施例２では、ヨーク８１の内壁段差面８１ａの一部のみがプランジャ外輪部８３１との接触面積となり、仮に、ヨーク８１とプランジャ８３との間に残留磁気が生じても、部品間の接触面積が広いことを原因として発生する大きな張り付き力を低く抑えることができる。これにより、リターンスプリング１２の荷重アップやそれに伴うソレノイド容量アップ等を防止でき、リニア電磁ソレノイド８を必要最低限の容量・サイズとしながら、リターンスプリング１２の戻り力でデフロック状態を確実に解除することができるデフロック機構を成立させることができる。
【００４２】
次に、効果を説明する。
実施例２の電磁制御式差動制限装置にあっては、実施例１の(1),(2),(5)の効果に加えて、下記の効果を得ることができる。
【００４３】
(6) デフロック時にプランジャ外輪部８３１と接触するヨーク８１の内壁段差面８１ａに、テーパ面８１ｄを形成することで接触面積を小接触面積に設定したため、既存のヨーク８１に対し１つのテーパ面加工を加えるだけでベタ当たりを回避し、残留磁気の影響を最小限に抑えることができる。
【実施例３】
【００４４】
実施例３は、差動制限時にプランジャと接触する相手部品の正面位置に、環状突起を形成することで接触面積を小接触面積に設定した例である。
【００４５】
すなわち、図５に示すように、デフロック時にプランジャ外輪部８３１と接触するヨーク８１の内壁段差面８１ａに、環状突起８１ｅを形成することで接触面積を小接触面積に設定している。なお、他の構成は実施例１と同様であるので対応する構成に同一符号を付して説明を省略する。
【００４６】
作用を説明すると、実施例３では、ヨーク８１の環状突起８１ｅの頂面のみがプランジャ外輪部８３１との接触面積となり、仮に、ヨーク８１とプランジャ８３との間に残留磁気が生じても、部品間の接触面積が広いことを原因として発生する大きな張り付き力を低く抑えることができる。これにより、リターンスプリング１２の荷重アップやそれに伴うソレノイド容量アップ等を防止でき、リニア電磁ソレノイド８を必要最低限の容量・サイズとしながら、リターンスプリング１２の戻り力でデフロック状態を確実に解除することができるデフロック機構を成立させることができる。
【００４７】
次に、効果を説明する。
実施例３の電磁制御式差動制限装置にあっては、実施例１の(1),(2),(5)の効果に加えて、下記の効果を得ることができる。
【００４８】
(7) デフロック時にプランジャ外輪部８３１と接触するヨーク８１の内壁段差面８１ａに、環状突起８１ｅを形成することで接触面積を小接触面積に設定したため、ヨーク８１の成型を環状突起８１ｅを有する成型に変えるだけでベタ当たりを回避し、残留磁気の影響を最小限に抑えることができる。
【実施例４】
【００４９】
実施例４は、差動制限時に相手部品と接触するプランジャの正面位置に、環状突起を形成することで接触面積を小接触面積に設定した例である。
【００５０】
すなわち、図６に示すように、デフロック時にヨーク８１の内壁段差面８１ａと接触するプランジャ外輪部８３１の正面位置に、環状突起８３１ｃを形成することで接触面積を小接触面積に設定している。なお、他の構成は実施例１と同様であるので対応する構成に同一符号を付して説明を省略する。
【００５１】
作用を説明すると、実施例４では、プランジャ外輪部８３１の環状突起８３１ｃの頂面のみがヨーク８１の内壁段差面８１ａとの接触面積となり、仮に、ヨーク８１とプランジャ８３との間に残留磁気が生じても、部品間の接触面積が広いことを原因として発生する大きな張り付き力を低く抑えることができる。これにより、リターンスプリング１２の荷重アップやそれに伴うソレノイド容量アップ等を防止でき、リニア電磁ソレノイド８を必要最低限の容量・サイズとしながら、リターンスプリング１２の戻り力でデフロック状態を確実に解除することができるデフロック機構を成立させることができる。
【００５２】
次に、効果を説明する。
実施例４の電磁制御式差動制限装置にあっては、実施例１の(1),(2),(5)の効果に加えて、下記の効果を得ることができる。
【００５３】
(8) デフロック時にヨーク８１の内壁段差面８１ａと接触するプランジャ外輪部８３１の正面位置に、環状突起８３１ｃを形成することで接触面積を小接触面積に設定したため、プランジャ外輪部８３１の成型を環状突起８３１ｃを有する成型に変えるだけでベタ当たりを回避し、残留磁気の影響を最小限に抑えることができる。
【００５４】
以上、本発明の電磁制御式差動制限装置を実施例１〜実施例４に基づき説明してきたが、具体的な構成については、これらの実施例に限られるものではなく、特許請求の範囲の各請求項に係る発明の要旨を逸脱しない限り、設計の変更や追加等は許容される。
【００５５】
実施例１〜４では、差動制限時にプランジャと接触する相手部品がヨークである例を示したが、差動制限時にプランジャと接触する相手部品は、ヨーク以外のクラッチ周辺部品やソレノイド周辺部品としても良い。
【００５６】
実施例１〜４では、テーパ面や環状突起により差動制限時に接触するプランジャと相手部品との接触面積を、残留磁気の影響を最小限に抑える小接触面積に設定する例を示したが、例えば、曲面や溝や部分突起等、他の手法により、プランジャと相手部品との接触面積を小接触面積に設定するようにしても良い。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
実施例１〜４では、クラッチとしてドククラッチを用いた例を示したが、例えば、多板クラッチを用いてデフロック状態を実現するような電磁制御式差動制限装置や、多板クラッチを用いて差動制限トルクが可変な差動制限状態を実現するような電磁制御式差動制限装置にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】実施例１の電磁制御式差動制限装置を示す全体断面図である。
【図２】実施例１の電磁制御式差動制限装置におけるリニア電磁ソレノイド部を示す拡大断面図である。
【図３】従来例のリニア電磁ソレノイドにおけるプランジャのアンロック位置とデフロック位置とデフロック位置でのベタ当たり接触状態を示す概略図である。
【図４】実施例２の電磁制御式差動制限装置におけるリニア電磁ソレノイド部を示す拡大断面図である。
【図５】実施例３の電磁制御式差動制限装置におけるリニア電磁ソレノイド部を示す拡大断面図である。
【図６】実施例４の電磁制御式差動制限装置におけるリニア電磁ソレノイド部を示す拡大断面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１  ディファレンシャルケース
２  ピニオンシャフト
３  ディファレンシャルピニオン
４，５  サイドギア
６  ディファレンシャルベアリング
７  ドグクラッチ
８  リニア電磁ソレノイド（電磁ソレノイド）
８１  ヨーク
８１ａ，８１ｂ  内壁段差面
８２  コイル
８３  プランジャ
８３１  プランジャ外輪部
８３１ａ  第１テーパ面
８３１ｂ  第２テーパ面
８３２  プランジャ内輪部
８３２ａ  押圧面
８３２ｂ  環状突起
９  デフロックセンサ
１０  ピン
１１  クラッチピストン
１２  リターンスプリング
１３  ピストンプレート
【図１】
2005240861.tif 000003
【図２】
2005240861.tif 000004
【図３】
2005240861.tif 000005
【図４】
2005240861.tif 000006
【図５】
2005240861.tif 000007
【図６】
2005240861.tif 000008