(57)【要約】【課題】  磁性誘電体を用いた回路基板を多層に形成できるようにする。【解決手段】  互いに対向する第１及び第２の主表面を有し第１及び第２の主表面に垂直な孔４１を有する絶縁体層１２と、絶縁体層１２の第１及び第２の主表面に形成された第１及び第２の配線層２１’及び２２’とを有し、絶縁体層１２の比誘電率をεｒ、比透磁率をμｒとしたとき、絶縁体層１２の少なくとも一部がεｒ≦μｒの関係を満足し、孔４１の内面に、第１及び第２の配線層２１’及び２２’に接触した状態に、形成され、第１及び第２の配線層２１’及び２２’を電気的に接続するための電気的接続体５１を更に有することを特徴とする回路基板。【選択図】    図１１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する第１及び第２の主表面を有する絶縁体層と、前記絶縁体層の前記第１及び前記第２の主表面に形成された第１及び第２の配線層とを有し、前記絶縁体層の比誘電率をεｒ、比透磁率をμｒとしたとき、前記絶縁体層の少なくとも一部がεｒ≦μｒの関係を満足することを特徴とする回路基板。
【請求項２】
対向する第１及び第２の主表面を有する絶縁体層と、前記絶縁体層の前記第１及び前記第２の主表面に形成された第１及び第２の配線層とを有し、前記絶縁体層の比誘電率をεｒ、比透磁率をμｒとしたとき、前記絶縁体層の少なくとも一部がεｒ≦μｒの関係を満足する回路基板を有することを特徴とする電子機器。
【請求項３】
請求項２に記載の電子機器において、電池を有し、前記電池から電源供給を受けて動作することを特徴とする電子機器。
【請求項４】
請求項２に記載の電子機器において、電池を有し、外部電源から電源供給を受けずに前記電池から電源供給を受けて動作することを特徴とする電子機器。
【請求項５】
請求項２〜４のいずれかに記載の電子機器において、電波発射手段を有していることを特徴とする電子機器。
【請求項６】
請求項２〜４のいずれかに記載の電子機器において、演算処理部（ＣＰＵ）と記憶部（メモリ）とを有することを特徴とする電子機器。
【請求項７】
孔を有する絶縁体層を有し、該絶縁体層の比誘電率をεｒ、比透磁率をμｒとしたとき、前記絶縁体層の少なくとも一部がεｒ≦μｒの関係を満足する回路基板の製造方法において、
前記孔の内部を、純水にＯ３およびＣＯ２を添加することでｐＨを酸性に調整したオゾン含有酸性純水で超音波洗浄を行う工程と、
純水にＨ２およびＮＨ３を添加することでｐＨをアルカリ性に調整した水素含有アルカリ純水で超音波洗浄を行う工程とを有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項８】
孔を有する絶縁体層を有し、該絶縁体層の比誘電率をεｒ、比透磁率をμｒとしたとき、前記絶縁体層の少なくとも一部がεｒ≦μｒの関係を満足する回路基板の製造方法において、
前記絶縁体層に前記孔を、波長４００ｎｍ以下のレーザ光を用いて形成する工程を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項９】
孔を有する絶縁体層を有し、該絶縁体層の比誘電率をεｒ、比透磁率をμｒとしたとき、前記絶縁体層の少なくとも一部がεｒ≦μｒの関係を満足する回路基板の製造方法において、
前記絶縁体層に前記孔を７００ｎｍ以上のレーザ光を用いて形成する工程を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項１０】
対向する第１及び第２の主表面を有し前記第１及び前記第２の主表面を結ぶ孔を有する絶縁体層と、前記絶縁体層の前記第１及び前記第２の主表面に形成された第１及び第２の配線層とを有し、前記絶縁体層の比誘電率をεｒ、比透磁率をμｒとしたとき、前記絶縁体層の少なくとも一部がεｒ≦μｒの関係を満足し、前記孔の内面に、前記第１及び前記第２の配線層に接触した状態に形成された、前記第１及び前記第２の配線層を電気的に接続するための電気的接続体を更に有することを特徴とする回路基板。
【請求項１１】
対向する第１及び第２の主表面を有する第１の絶縁体層と、前記第１の絶縁体層の前記第１及び前記第２の主表面に形成された第１及び第２の配線層と、前記第２の配線層上に形成された第２の絶縁体層と、前記第２の絶縁体層の前記第２の配線層に接する側とは対向する面に形成された第３の配線層とを有し、前記第１及び前記第２の絶縁体層の少なくとも一方には、第１から第３の配線層から選ばれる任意の２層以上を結ぶ孔が形成された回路基板であって、前記第１及び前記第２の絶縁体層の比誘電率をεｒ、比透磁率をμrとしたとき、前記第１及び前記第２の絶縁体層の少なくとも一部がεｒ≦μｒの関係を満足し、前記孔の内部に前記第１から第３の配線層から選ばれる任意の２層以上を結ぶ電気的接続体をさらに有することを特徴とする回路基板。
【請求項１２】
対向する第１及び第２の主表面を有し前記第１及び前記第２の主表面を結ぶ孔を有する絶縁体層と、前記絶縁体層の前記第１及び前記第２の主表面に形成された第１及び第２の配線層とを有し、前記絶縁体層の比誘電率をεｒ、比透磁率をμｒとしたとき、前記絶縁体層の少なくとも一部がεｒ≦μｒの関係を満足し、前記孔の内面に、前記第１及び前記第２の配線層に接触した状態に形成された、前記第１及び前記第２の配線層を電気的に接続するための電気的接続体を更に有する回路基板を有することを特徴とする電子機器。
【請求項１３】
対向する第１及び第２の主表面を有する第１の絶縁体層と、前記第１の絶縁体層の前記第１及び前記第２の主表面に形成された第１及び第２の配線層と、前記第２の配線層上に形成された第２の絶縁体層と、前記第２の絶縁体層の前記第２の配線層に接する側とは対向する面に形成された第３の配線層とを有し、前記第１及び前記第２の絶縁体層の少なくとも一方には、第１から第３の配線層から選ばれる任意の２層以上を結ぶ孔が形成された回路基板であって、前記第１及び前記第２の絶縁体層の比誘電率をεｒ、比透磁率をμrとしたとき、前記第１及び前記第２の絶縁体層の少なくとも一部がεｒ≦μｒの関係を満足し、前記孔の内部に前記第１から第３の配線層から選ばれる任意の２層以上を結ぶ電気的接続体をさらに有する前記回路基板を有することを特徴とする電子機器。
【請求項１４】
請求項１２又は１３に記載の電子機器において、電池を有し、前記電池から電源供給を受けて動作することを特徴とする電子機器。
【請求項１５】
請求項１２又は１３に記載の電子機器において、電池を有し、外部電源から電源供給を受けずに前記電池から電源供給を受けて動作することを特徴とする電子機器。
【請求項１６】
請求項１２〜１５のいずれかに記載の電子機器において、電波発射手段を有していることを特徴とする電子機器。
【請求項１７】
請求項１２〜１５のいずれかに記載の電子機器において、演算処理部（ＣＰＵ）と記憶部（メモリ）とを有することを特徴とする電子機器。
【請求項１８】
絶縁体層を有し、前記絶縁体層の比誘電率をεｒ、比透磁率をμｒとしたとき、前記絶縁体層の少なくとも一部がεｒ≦μｒの関係を満足する回路基板であって、前記絶縁体層の前記少なくとも一部は、絶縁物樹脂中に磁性体が分散されたものであり、前記磁性体の材料は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ等の金属磁性元素の単体又は合金であることを特徴とする回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板、回路基板を用いた電子機器、及び回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話やノートパーソナルコンピュータ（ノートパソコン）、家電機器などの電子機器は、ＬＳＩ(Large Scale Integrated)回路や周辺部品とそれらを集積して相互に配線するための回路基板とからなる。
【０００３】
回路基板は、様々な電子回路の要求に応えるため、複数の配線層が絶縁体層を介して形成されたものが一般的である。
【０００４】
複数の配線層同士は、絶縁体層に、ビアホールやスルーホールと呼ばれる接続孔を形成し、該接続孔内に配線めっき工程などで形成した電気的接続体を介して電気的に接続されている。
【０００５】
このような接続孔は、レーザ加工やドリル加工で形成されることが一般的である。
【０００６】
レーザ加工の場合は、絶縁体層を構成する樹脂の吸収波長帯である発光を生じる炭酸ガスレーザを用い、加工部分の温度を局所的に３００℃以上とすることで、熱的に樹脂を分解、蒸発し形成していた。
【０００７】
このような回路基板において、本願と同一の出願人は、ＬＳＩ回路のバッファ回路や周辺部品のバッファ回路から取り出す信号電流、および、取り出された信号を伝送する配線における消費電流を削減する目的で、この配線（導体）を磁性誘電体で囲んでなる回路基板を先願として提案した（特願２００２−２４４２１６）。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記先願は、絶縁体の内部に配線（導体）が埋め込まれている回路基板において、比誘電率をεｒとし、比透磁率をμｒとした場合に、μｒ≧εｒを満足する絶縁体（磁性誘電体）で前記配線（導体）が実質的に囲まれていることを必須の構成要件としている。配線（導体）が前記絶縁体（磁性誘電体）で実質的に囲まれているため、配線（導体）の周囲に発生した磁界を、前記配線（導体）を取り囲む前記絶縁体（磁性誘電体）内に閉じ込めることができ、隣接する配線（導体）間のクロストークや放射ノイズを抑制せしめ、配線（導体）を伝播する信号品質を向上させることがきる。
【０００９】
一般に回路基板においては、異なる配線層同士をビアホールやスルーホールといった接続孔で電気的に接続して形成する多層配線構造が必要である。
【００１０】
従来より接続孔の加工の主流は炭酸ガスレーザーであるが、この方法では、熱的に樹脂を溶融・蒸発させて孔を開けるため、開口部の形状が著しく悪化する問題を生じてしまっていた。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、電子機器において必要不可欠な多層配線基板を提供するものである。本発明による回路基板、本発明による電子回路、及び本発明による回路基板の製造方法は、以下のとおりである。
【００１２】
（１）  互いに対向する第１及び第２の主表面を有する絶縁体層と、前記絶縁体層の前記第１及び前記第２の主表面に形成された第１及び第２の配線層とを有し、前記絶縁体層の比誘電率をεｒ、比透磁率をμｒとしたとき、前記絶縁体層の少なくとも一部がεｒ≦μｒの関係を満足することを特徴とする回路基板。
【００１３】
（２）  互いに対向する第１及び第２の主表面を有する絶縁体層と、前記絶縁体層の前記第１及び前記第２の主表面に形成された第１及び第２の配線層とを有し、前記絶縁体層の比誘電率をεｒ、比透磁率をμｒとしたとき、前記絶縁体層の少なくとも一部がεｒ≦μｒの関係を満足する回路基板を有することを特徴とする電子機器。
【００１４】
（３）  上記（２）項に記載の電子機器において、電池を有し、前記電池から電源供給を受けて動作することを特徴とする電子機器。
【００１５】
（４）  上記（２）項に記載の電子機器において、電池を有し、商用電源から電源供給を受けずに前記電池から電源供給を受けて動作することを特徴とする電子機器。
【００１６】
（５）  上記（２）〜（４）項のいずれかに記載の電子機器において、前記電子機器は携帯電話であることを特徴とする電子機器。
【００１７】
（６）  上記（２）〜（４）項のいずれかに記載の電子機器において、前記電子機器はノートパーソナルコンピュータであることを特徴とする電子機器。
【００１８】
（７）  孔を有する絶縁体層を有し、該絶縁体層の比誘電率をεｒ、比透磁率をμｒとしたとき、前記絶縁体層の少なくとも一部がεｒ≦μｒの関係を満足する回路基板の製造方法において、
前記孔の内部を、純水にＯ３およびＣＯ２を添加することでｐＨを酸性に調整したオゾン含有酸性純水で超音波洗浄を行う工程と、
純水にＨ２およびＮＨ３を添加することでｐＨをアルカリ性に調整した水素含有添加アルカリ純水で超音波洗浄を行う工程とを有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【００１９】
（８）  孔を有する絶縁体層を有し、該絶縁体層の比誘電率をεｒ、比透磁率をμｒとしたとき、前記絶縁体層の少なくとも一部がεｒ≦μｒの関係を満足する回路基板の製造方法において、
前記絶縁体層に前記孔を、波長４００ｎｍ以下、もしくは７００ｎｍ以上のレーザ光を用いて形成する工程を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【００２０】
（９）  互いに対向する第１及び第２の主表面を有し前記第１及び前記第２の主表面に垂直な孔を有する絶縁体層と、前記絶縁体層の前記第１及び前記第２の主表面に形成された第１及び第２の配線層とを有し、前記絶縁体層の比誘電率をεｒ、比透磁率をμｒとしたとき、前記絶縁体層の少なくとも一部がεｒ≦μｒの関係を満足し、前記孔の内面に、前記第１及び前記第２の配線層に接触した状態に、形成され、前記第１及び前記第２の配線層を電気的に接続するための電気的接続体を更に有することを特徴とする回路基板。
【００２１】
（１０）  互いに対向する第１及び第２の主表面を有し前記第１及び前記第２の主表面に垂直な孔を有する絶縁体層と、前記絶縁体層の前記第１及び前記第２の主表面に形成された第１及び第２の配線層とを有し、前記絶縁体層の比誘電率をεｒ、比透磁率をμｒとしたとき、前記絶縁体層の少なくとも一部がεｒ≦μｒの関係を満足し、前記孔の内面に、前記第１及び前記第２の配線層に接触した状態に、形成され、前記第１及び前記第２の配線層を電気的に接続するための電気的接続体を更に有する回路基板を有することを特徴とする電子機器。
【００２２】
（１１）  上記（１０）項に記載の電子機器において、電池を有し、前記電池から電源供給を受けて動作することを特徴とする電子機器。
【００２３】
（１２）  上記（１０）項に記載の電子機器において、電池を有し、商用電源から電源供給を受けずに前記電池から電源供給を受けて動作することを特徴とする電子機器。
【００２４】
（１３）  上記（１０）〜（１２）項のいずれかに記載の電子機器において、前記電子機器は携帯電話であることを特徴とする電子機器。
【００２５】
（１４）  上記（１０）〜（１２）項のいずれかに記載の電子機器において、前記電子機器はノートパーソナルコンピュータであることを特徴とする電子機器。
【００２６】
以降本発明において、εｒ≦μｒの関係を満足する絶縁体を磁性誘電体もしくは磁性誘電体部とよぶ。
【発明の効果】
【００２７】
本発明では、磁性誘電体を用いた回路基板を多層に形成できるため、多様な電子機器を、低消費電力に構成することが可能となる。一部の配線層に磁性誘電体を用いることで、磁性誘電体内部から磁場を漏洩することが減少し、低消費電力性を維持しながら、配線層間のクロストークを減少することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
【実施例１】
【００２９】
本発明の第１の実施例による、磁性誘電体を用いた多層回路基板は、以下のようにして製造される。
【００３０】
１）図１に示すように、厚さ５０μｍの第１の磁性誘電体（比透磁率μｒ＝２５、比誘電率εｒ＝２）１１上に、無電解めっき法により銅めっきを施し、厚さ１０μｍの第１の配線用導電体層２１を形成した。
【００３１】
２）次に、図２に示すように、第１の配線用導電体層２１上にフォトレジスト３１を塗布し、マスクアライナにより露光した後、所定の現像液で現像することで配線を形成しない部分にフォトレジスト３１に開口部を設けた。
【００３２】
３）次に、図３に示すように、塩化第２銅溶液により、フォトレジスト３１の開口部から露出する第１の配線用導電体層２１の銅をエッチングし、第１の配線層パターン２１’を形成した。その後、フォトレジストをレジスト剥離液により剥離した。
【００３３】
４）次に、図４に示すように、第１の配線層パターン２１’を覆う様に、絶縁体層として第２の磁性誘電体層１２（比透磁率μｒ＝２５、比誘電率εｒ＝２）を真空プレス法により形成した。
【００３４】
５）次に、図５に示すように、第２の磁性誘電体層１２上に無電解めっき法により銅めっきを施し、厚さ１０μｍの第２の配線用導電体層２２を形成した。
【００３５】
６）次に、図６に示すように、第１の配線層パターン２１’と第２の配線用導電体層２２との接続に使用する接続孔４１を、炭酸ガスレーザ光により形成した。
【００３６】
７）図６において、接続孔４１内部を十分に洗浄するために、脱気した純水にＯ３を５ｍｇ／Ｌ含有させ、さらにＣＯ２を添加することでｐＨを４〜５に調整したオゾン含有酸性純液に基板を浸漬し１ＭＨｚの超音波により超音波洗浄を行った。この後、脱気した純水にＨ２を１．３ｍｇ／Ｌ含有させ、さらにＮＨ３を添加することでｐＨを９〜１０に調整した水素含有アルカリ純水で１ＭＨｚの超音波により超音波洗浄を行った。汚染の状況により異なるが洗浄温度は室温で良く、洗浄時間は１分から１０分程度でよい。繰り返し洗浄処理を行っても良い。これにより、前述の炭酸ガスレーザ加工の際に接続孔４１内部に残った磁性体残渣が十分に除去できた。
【００３７】
８）次に、図７に示すように、無電解めっき法により接続孔４１内に銅めっき膜５１を形成し、第１の配線層パターン２１’と第２の配線用導電体層２２との電気的な接続をとった。
【００３８】
９）次に、図８に示すように、フォトレジスト３２を塗布し露光、現像し、フォトレジスト３２に開口部を形成した。続いて、図９に示すように、フォトレジスト３２の開口部に露出した第２の配線用導電体層２２を塩化第２銅溶液でエッチングすることで、第２の配線用導電体層２２を所望のパターンにパターニングして第２の配線層パターン２２’を形成した後、フォトレジスト３２を剥離した。
【００３９】
１０）次に、図１０に示すように、第２の配線層パターン２２’を覆う様に、絶縁体層として第３の磁性誘電体層１３（比透磁率μｒ＝２５、比誘電率εｒ＝２）を真空プレス法により形成した。
【００４０】
１１）次に、図１１に示すように、第３の磁性誘電体層１３上に第３の配線用導電体層２３として銅からなるめっき層を１０μｍ無電解めっき法により形成した。
【００４１】
１２）次に、図１１において、第２の配線層パターン２２’と第３の配線用導電体層２３との接続に使用する接続孔４２を、炭酸ガスレーザ光により形成した。
【００４２】
１３）図１１において、接続孔４２内部を十分に洗浄するために、脱気した純水にＯ３を５ｍｇ／Ｌ含有させ、さらにＣＯ２を添加することでｐＨを４〜５に調整したオゾン含有酸性純水液に基板を浸漬し１ＭＨｚの超音波により超音波洗浄を行った。この後、脱気した純水にＨ２を１．３ｍｇ／Ｌ含有させ、さらにＮＨ３を添加することでｐＨを９〜１０に調整した水素含有アルカリ純水で１ＭＨｚの超音波により超音波洗浄を行った。これにより、前述の炭酸ガスレーザ加工の際に接続孔４２内部に残った磁性体残渣が十分に除去できた。
【００４３】
１４）次に、図１１において、無電解めっき法により、接続孔４２内に銅めっき５２を行い、第２の配線層パターン２２’と第３の配線用導電体層２３との電気的な接続をとった。
【００４４】
１５）次に、図１１において、図８及び図９と同様にして、第３の配線用導電体層２３をパターニングして第３の配線層パターン２３’を形成した。
【００４５】
１６）次に、図１１において、図１０と同様にして、第３の配線層パターン２３’を覆う様に、絶縁体層として第４の磁性誘電体層１４（比透磁率μｒ＝２５、比誘電率εｒ＝２）を真空プレス法により形成した。
【００４６】
１７）次に、図１１において、第４の磁性誘電体層１４上に第４の配線用導電体層２４として銅からなるめっき層を１０μｍ無電解めっき法により形成した。続いて、図８及び図９と同様にして、第４の配線用導電体層２４をパターニングして第４の配線層パターン２４’を形成した。
【００４７】
１８）最後に感光性保護膜６１を塗布し、部品実装部分の保護膜６１を露光、現像し除去することで部品実装部に開口部７１を形成し、図１１に示す回路基板を完成した。
【００４８】
図１１において、第２の磁性誘電体層１２を含む部分Ａに着目すると、回路基板は、互いに対向する第１及び第２の主表面を有する絶縁体層１２と、前記絶縁体層１２の前記第１及び前記第２の主表面に形成された第１及び第２の配線層２１’及び２２’とを、上記の部分Ａに、有し、前記絶縁体層２２の比誘電率をεｒ、比透磁率をμｒとしたとき、前記絶縁体層１２がεｒ≦μｒであることを特徴とするものであると云える。ここで、絶縁体層１２の全部がεｒ≦μｒを満たさなくても、絶縁体層１２の少なくとも一部がεｒ≦μｒを満たせば、多層回路基板においても、本発明の意図する低消費電力化の効果を得ることができる。さらに、εｒ≦μｒなる磁性体内部の配線からεｒ≦μｒを満たさない絶縁体への漏洩磁場が減少できるので配線間のクロストークを減じることが可能である。
【００４９】
上記の部分Ａにおいて、絶縁体層１２は、前記第１及び前記第２の主表面に垂直な孔４１を有する。回路基板は、その孔４１の内面に、前記第１及び前記第２の配線層２１’及び２２’に接触した状態に、形成され、前記第１及び前記第２の配線層２１’及び２２’を電気的に接続するための電気的接続体５１を更に有するものである。
【実施例２】
【００５０】
図１２を参照すると、本発明の第２の実施例による、磁性誘電体を用いた多層回路基板が図示されている。この多層回路基板は、図１１の多層回路基板の第３の磁性誘電体層１３の代りに、絶縁体層８１が形成されている。この絶縁体層８１は、この絶縁体層８１の比誘電率をεｒ、比透磁率をμｒとしたとき、絶縁体層８１がεｒ≦μｒを満たさないものである。
【００５１】
このように、絶縁体層８１が磁性誘電体層でなくとも同様の効果を得ることができる。
【実施例３】
【００５２】
次に、本発明の第３の実施例による、磁性誘電体を用いた多層回路基板を説明する。
【００５３】
図１３に示すように、互いに対向する第１及び第２の主表面を有する第１の磁性誘電体層（比透磁率μｒ＝２５、比誘電率εｒ＝２）１１の第１及び第２の主表面上に、第１の実施例と同様な第１及び第２の配線用導電体層２１及び２２が形成された。
【００５４】
次に、図１４に示すように、第１及び第２の配線用導電体層２１及び２２は、第１の実施例と同様に選択的にエッチングされ第１及び第２の配線層パターン２１’及び２２’とされた。
【００５５】
次に、図１５に示すように、第１の実施例の上述の６）で述べたと同様にして、第１の配線層パターン２１’と第２の配線層パターン２２’との接続に使用する接続孔４１を、炭酸ガスレーザ光により形成した。
【００５６】
続いて、図１５において、第１の実施例の上述の７）で述べたと同様にして、接続孔４１内部を十分に洗浄するために、脱気した純水にＯ３を５ｍｇ／Ｌ含有させ、さらにＣＯ２を添加することでｐＨを４〜５に調整したオゾン含有酸性純水液に基板を浸漬し１ＭＨｚの超音波により超音波洗浄を行った。この後、脱気した純水にＨ２を１．３ｍｇ／Ｌ含有させ、さらにＮＨ３を添加することでｐＨを９〜１０に調整した水素含有アルカリ純水で１ＭＨｚの超音波により超音波洗浄を行った。これにより、前述の炭酸ガスレーザ加工の際に接続孔４１内部に残った磁性体残渣が十分に除去できた。
【００５７】
次に、図１６に示すように、第１の実施例の上述の８）で述べたと同様にして、接続孔４１内に銅めっき５１を行い、第１の配線層パターン２１’と第２の配線層パターン２２’との電気的な接続をとった。
【００５８】
次に、図１７に示すように、図１３〜図１６で述べたと同様にして、第２の磁性誘電体層（比透磁率μｒ＝２５、比誘電率εｒ＝２）１２の両主表面上に、第３及び第４の配線層パターン２３’及び２４’が形成された。そして、接続孔４２内に銅めっき５２を行い、第３の配線層パターン２３’と第４の配線層パターン２４’との電気的な接続をとった。
【００５９】
図１７において、上述のように磁性誘電体層の両面に配線層パターンを形成したものを複数用意し、かつ、プリプレグ９１を用意し、磁性誘電体層の両面に配線層パターンを形成したものを複数、プリプレグ９１を介して熱プレスすることで、図１８に示すような多層回路基板を得た。
【００６０】
プリプレグ９１は、磁性誘電体でもよく、磁性誘電体でなくとも良い。プリプレグ９１が磁性誘電体の場合には、基板面に対し水平方向に磁場を印加しながらプレスすると、プリプレグの溶融に伴う、磁性体の配列乱れが少なくなり、透磁率バラツキが減少するため、Ｚ＝√（μ/ε）であらわされる特性インピーダンスの面内バラツキが減少し好ましい。
【００６１】
なお、図１８において、多層回路基板の両面に、感光性保護膜６１を塗布し、接続孔形成部分の保護膜６１を露光、現像し除去することで接続孔形成部に開口部７１を形成した。
【００６２】
続いて、図１９に示すように、第１の実施例の上述の６）で述べたと同様の手法やドリル加工等により、接続孔４３を形成し、第１の実施例の上述の７）で述べたと同様にして、接続孔４３内部を洗浄した。
【００６３】
最後に、図２０に示すように、第１の実施例の上述の８）で述べたと同様にして、接続孔４３内に銅めっき５３を行い、第１の配線層パターン２１’と第２の配線層パターン２２’と第３の配線層パターン２３’と第４の配線層パターン２４’との電気的な接続をとった。
【実施例４】
【００６４】
次に、本発明の第４の実施例による、磁性誘電体を用いた多層回路基板を説明する。
【００６５】
この第４の実施例では、第１の実施例の図６において、接続孔４１の開口の際に、炭酸ガスレーザの代りに、ＡｒＦを励起媒体としたエキシマ発光パルスレーザ光（波長１９３ｎｍ以下のレーザ光）を用いて接続孔４１を形成した。その結果、図２１（Ｂ）に示すように良好な開口部が接続孔４１として得られた。接続孔４１は良好な開口部であるので、第１の実施例の上述の７）で述べた接続孔４１内部の洗浄は行わなくても良い。ＡｒＦを励起媒体としたエキシマ発光レーザの代わりに、Ｎｄ−ＹＡＧ媒体の第３高調波を用いたレーザ（波長３５５ｎｍ）を用いても同様の効果を得ることができる。
【００６６】
なお、炭酸ガスレーザ光を用いて接続孔４１を形成した場合は、図２１（Ａ）に示すように開口部の形状が著しく悪化し、良好な開口部が得られなかった。配線パターンが緻密ではなく、開口部の形状の影響が少ない場合は、炭酸ガスレーザで開口を行っても良い。また基板の用途によっても異なるが、必要な磁性体量が少ない場合は、炭酸ガスレーザなど７００ｎｍ以上の赤外レーザを用いてもよく、磁性体の含有量が多い場合は４００ｎｍ以下の短波長レーザが好ましい。発明者らの研究によれば、概ね２０体積％以上の磁性体含有量の場合は、短波長レーザが好ましい。
【００６７】
図２２に、上述した第１乃至第４の実施例のいずれかによって得られた多層回路基板を有する電子機器として携帯電話を示す。図２２に図示の携帯電話は、アンテナ、送受弁別器、送信増幅器、ミキサ、局部発振機、変調器などを含む電波発射部を有している。
【００６８】
また、図２３に、上述した第１乃至第４の実施例のいずれかによって得られた多層回路基板を有する電子機器としてノートパーソナルコンピュータを示す。図２３に図示のノートパーソナルコンピュータは、中央演算処理装置（ＣＰＵ）及び補助演算装置と、記憶部であるメモリを有している。
【００６９】
図２２及び図２３に図示の携帯電話及びノートパーソナルコンピュータは、電池１００を有し、電池１００から電源供給を受けて動作する。詳細には、携帯電話及びノートパーソナルコンピュータは、商用電源（外部電源）から電源供給を受けずに電池１００から電源供給を受けて動作する。
【００７０】
なお、上述した第１乃至第４の実施例のいずれによって得られた多層回路基板においても、εｒ≦μｒなる絶縁体である磁性誘電体は、絶縁物樹脂中に磁性体粉末が分散されたものである。前記磁性体粉末の材料は、フェライト等の絶縁物磁性体の粉末であっても良いし、あるいはＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ等の金属磁性元素の単体又は合金の粉末であっても良い。
【００７１】
また、上述した第１乃至第４の実施例のいずれによって得られた多層回路基板において、多層絶縁体層のうち、高インピーダンス化が必要ない層または部分については、磁性誘電体（εｒ≦μｒなる絶縁体）を用いなくとも良い。
【００７２】
更に、上述した第１乃至第４の実施例のいずれかによって得られた多層回路基板を、携帯電話及びノートパーソナルコンピュータの他の電子機器、例えば、サーバー、ルータ、テレビ、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）、ゲームマシン、モニタ、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクタ等に使用しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明の第１の実施例による、磁性誘電体を用いた多層回路基板の製造工程の一ステップを示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例による、磁性誘電体を用いた多層回路基板の製造工程の一ステップを示す断面図である。
【図３】本発明の第１の実施例による、磁性誘電体を用いた多層回路基板の製造工程の一ステップを示す断面図である。
【図４】本発明の第１の実施例による、磁性誘電体を用いた多層回路基板の製造工程の一ステップを示す断面図である。
【図５】本発明の第１の実施例による、磁性誘電体を用いた多層回路基板の製造工程の一ステップを示す断面図である。
【図６】本発明の第１の実施例による、磁性誘電体を用いた多層回路基板の製造工程の一ステップを示す断面図である。
【図７】本発明の第１の実施例による、磁性誘電体を用いた多層回路基板の製造工程の一ステップを示す断面図である。
【図８】本発明の第１の実施例による、磁性誘電体を用いた多層回路基板の製造工程の一ステップを示す断面図である。
【図９】本発明の第１の実施例による、磁性誘電体を用いた多層回路基板の製造工程の一ステップを示す断面図である。
【図１０】本発明の第１の実施例による、磁性誘電体を用いた多層回路基板の製造工程の一ステップを示す断面図である。
【図１１】本発明の第１の実施例による、磁性誘電体を用いた多層回路基板の断面図である。
【図１２】本発明の第２の実施例による、磁性誘電体を用いた多層回路基板の断面図である。
【図１３】本発明の第３の実施例による、磁性誘電体を用いた多層回路基板の製造工程の一ステップを示す断面図である。
【図１４】本発明の第３の実施例による、磁性誘電体を用いた多層回路基板の製造工程の一ステップを示す断面図である。
【図１５】本発明の第３の実施例による、磁性誘電体を用いた多層回路基板の製造工程の一ステップを示す断面図である。
【図１６】本発明の第３の実施例による、磁性誘電体を用いた多層回路基板の製造工程の一ステップを示す断面図である。
【図１７】本発明の第３の実施例による、磁性誘電体を用いた多層回路基板の製造工程の一ステップを示す断面図である。
【図１８】本発明の第３の実施例による、磁性誘電体を用いた多層回路基板の製造工程の一ステップを示す断面図である。
【図１９】本発明の第３の実施例による、磁性誘電体を用いた多層回路基板の製造工程の一ステップを示す断面図である。
【図２０】本発明の第３の実施例による、磁性誘電体を用いた多層回路基板の断面図である。
【図２１】本発明の第４の実施例による、磁性誘電体を用いた多層回路基板の製造工程の一ステップの説明に使用する図である。
【図２２】本発明の実施例による多層回路基板を有する電子機器として携帯電話を示す図である。
【図２３】本発明の実施例による多層回路基板を有する電子機器としてノートパーソナルコンピュータを示す図である。
【符号の説明】
【００７４】
１２    第２の磁性誘電体層（絶縁体層）
２１    第１の配線用導電体層
２２    第２の配線用導電体層
２１’    第１の配線層パターン
２２’    第２の配線層パターン
４１    接続孔（孔）
５１    銅めっき（電気的接続体）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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