(57)【要約】【課題】本発明は、液相エピタキシャル法により磁性ガーネット単結晶膜を育成する磁性ガーネット単結晶膜の製造方法に関し、結晶欠陥や割れの少ない磁性ガーネット単結晶膜を低コストで育成できる磁性ガーネット単結晶膜の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】金製の坩堝に原材料を充填し、原材料を融解して融液を生成し、磁性ガーネット単結晶膜を液相エピタキシャル法により育成する度に融液に所定量の追加材料を追加して、複数の磁性ガーネット単結晶膜を繰り返し育成する。【選択図】    図１
2005008458.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金又は金を含む材質で形成された坩堝に原材料を充填し、
前記原材料を融解して融液を生成し、
前記融液を用いて、液相エピタキシャル法により複数の磁性ガーネット単結晶膜を繰り返し育成すること
を特徴とする磁性ガーネット単結晶膜の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の磁性ガーネット単結晶膜の製造方法において、
金又は金を含む材質で形成された攪拌用治具で前記融液を攪拌すること
を特徴とする磁性ガーネット単結晶膜の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の磁性ガーネット単結晶膜の製造方法において、
金又は金を含む材質で形成された基板固定用治具で固定された基板に前記磁性ガーネット単結晶膜を育成すること
を特徴とする磁性ガーネット単結晶膜の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の磁性ガーネット単結晶膜の製造方法において、
前記磁性ガーネット単結晶膜を育成する毎に、前記融液に所定量の追加材料を追加すること
を特徴とする磁性ガーネット単結晶膜の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の磁性ガーネット単結晶膜の製造方法において、
前記融液が冷却されて固化した後に前記追加材料を追加すること
を特徴とする磁性ガーネット単結晶膜の製造方法。
【請求項６】
請求項４又は５に記載の磁性ガーネット単結晶膜の製造方法において、
前記追加材料は、前記磁性ガーネット単結晶膜の育成により前記融液から減少した溶質の成分を含むこと
を特徴とする磁性ガーネット単結晶膜の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の磁性ガーネット単結晶膜の製造方法において、
前記磁性ガーネット単結晶膜の重量に基づいて前記所定量を算出すること
を特徴とする磁性ガーネット単結晶膜の製造方法。
【請求項８】
請求項６記載の磁性ガーネット単結晶膜の製造方法において、
前記磁性ガーネット単結晶膜の育成前後での前記融液の重量変化に基づいて前記所定量を算出すること
を特徴とする磁性ガーネット単結晶膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液相エピタキシャル法により磁性ガーネット単結晶膜を育成する磁性ガーネット単結晶膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁性ガーネット単結晶膜は、光アイソレータ等に用いられるファラデー回転子として光通信システムに多く用いられている。図５は、液相エピタキシャル（ＬＰＥ）法による従来の磁性ガーネット単結晶膜の製造方法を示すフローチャートである。図６は、図５の各ステップでの坩堝（るつぼ）内の原材料（融液）の温度変化を示すグラフである。グラフの横軸は時間を表し、縦軸は温度を表している。図５及び図６に示すように、まず白金（Ｐｔ）を主成分とする貴金属製の坩堝に、鉄（Ｆｅ）、希土類元素、ビスマス（Ｂｉ）、鉛（Ｐｂ）、ホウ素（Ｂ）などの酸化物からなる原材料を充填する（ステップＳ２１）。次に、原材料を充填した坩堝を電気炉内に配置する（ステップＳ２２）。電気炉中で９００〜１０００℃程度の温度まで昇温させて坩堝内の材料を溶融し（ステップＳ２３）、白金を主成分とする貴金属製の攪拌用治具で材料の溶融物を攪拌して均一な溶液にする（ステップＳ２４）。
【０００３】
その後、融液温度を７００〜９００℃程度の育成温度（育成開始温度）に設定する（ステップＳ２５）。次に、白金を主成分とする貴金属製の基板固定用治具でＧＧＧ（ガドリニウム・ガリウム・ガーネット）単結晶基板などを固定し、当該基板の片面を融液に接触させて（ステップＳ２６）、融液温度を徐々に降温させながら基板上に厚さ数百μｍの磁性ガーネット単結晶膜をエピタキシャル成長させる（ステップＳ２７）。育成終了後、磁性ガーネット単結晶膜を融液から切り離し（ステップＳ２８）、炉温を室温まで徐々に冷却する（ステップＳ２９）。これにより、磁性ガーネット単結晶膜が徐冷されるとともに、坩堝内に残存する融液が冷却されて固化する。次に、磁性ガーネット単結晶膜を坩堝から取り出す（ステップＳ３０）。その後、坩堝内に残存して固化している材料を取り除いて廃棄し、坩堝を酸で洗浄する（ステップＳ３１）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１０−１３９５号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このように、磁性ガーネット単結晶膜の育成に１度使用されて育成後に坩堝内に残存する材料は廃棄される。すなわち、坩堝内に充填された原材料の成分のうち一部のみが磁性ガーネット単結晶膜となり、残りは廃棄されることになる。磁性ガーネット単結晶膜の育成には廃棄分を含む原材料全体の費用が必要になるため、磁性ガーネット単結晶膜の育成コストが極めて高くなってしまうという問題が生じる。
【０００６】
上記の問題を解決するために、坩堝内に残存する材料を廃棄せずに繰り返し使用する手法が考えられる。しかしながら、１回目の磁性ガーネット単結晶膜育成後に坩堝内に残存する材料を繰り返し用いて２回目以降の磁性ガーネット単結晶膜の育成を試みると、２回目以降に育成された磁性ガーネット単結晶膜に多数の結晶欠陥や割れが発生してしまうという問題が生じる。
【０００７】
本発明の目的は、結晶欠陥や割れの少ない磁性ガーネット単結晶膜を低コストで育成できる磁性ガーネット単結晶膜の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、金又は金を含む材質で形成された坩堝に原材料を充填し、前記原材料を融解して融液を生成し、前記融液を用いて、液相エピタキシャル法により複数の磁性ガーネット単結晶膜を繰り返し育成することを特徴とする磁性ガーネット単結晶膜の製造方法によって達成される。
【０００９】
上記本発明の磁性ガーネット単結晶膜の製造方法において、金又は金を含む材質で形成された攪拌用治具で前記融液を攪拌することを特徴とする。上記本発明の磁性ガーネット単結晶膜の製造方法において、金又は金を含む材質で形成された基板固定用治具で固定された基板に前記磁性ガーネット単結晶膜を育成することを特徴とする。
【００１０】
上記本発明の磁性ガーネット単結晶膜の製造方法において、前記磁性ガーネット単結晶膜を育成する毎に、前記融液に所定量の追加材料を追加することを特徴とする。上記本発明の磁性ガーネット単結晶膜の製造方法において、前記融液が冷却されて固化した後に前記追加材料を追加することを特徴とする。
【００１１】
上記本発明の磁性ガーネット単結晶膜の製造方法において、前記追加材料は、前記磁性ガーネット単結晶膜の育成により前記融液から減少した溶質の成分を含むことを特徴とする。上記本発明の磁性ガーネット単結晶膜の製造方法において、前記磁性ガーネット単結晶膜の重量に基づいて前記所定量を算出することを特徴とする。上記本発明の磁性ガーネット単結晶膜の製造方法において、前記磁性ガーネット単結晶膜の育成前後での前記融液の重量変化に基づいて前記所定量を算出することを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施の形態による磁性ガーネット単結晶膜の製造方法について図１乃至図４を用いて説明する。本実施の形態は、原材料を溶融した融液を繰り返し使用して複数の磁性ガーネット単結晶膜を順次育成する際に、金（Ａｕ）又は金を主成分とする材質でそれぞれ形成された坩堝、攪拌用治具及び基板固定用治具を用いる点に特徴を有している。
【００１３】
磁性ガーネット単結晶膜の主要な構成元素は、希土類元素、鉄、ビスマス等である。坩堝内には、これらの酸化物が原材料として充填される。磁性ガーネット単結晶膜の育成に使用されるのは、坩堝内に充填される原材料のうちごく一部だけである。そのため、育成後に坩堝内に残存した材料を繰り返し使用することができれば、材料コストを削減できるとともに、坩堝に材料を充填する工程や坩堝を洗浄する工程などを削減できる。
【００１４】
しかしながら、白金を主成分とする材質で形成された従来の坩堝や治具を用いて、２回目の磁性ガーネット単結晶膜の育成を試みると、１回目の育成時には確認できなかった固形物の析出が融液中に認められる。この固形物は、それまでの磁性ガーネット単結晶膜育成で坩堝や治具から溶解した白金と他の元素との複合酸化物である。白金は融液に溶解し難いために坩堝や治具の材質に使われているものの、若干は溶解してしまう。融液に溶解した白金は、他の元素と複合酸化物を作ると非常に溶解し難い固形物になる。一度冷却して固化した材料を再び融解してもこの固形物が融液に溶解することはほとんどない。そして、この白金を含有する複合酸化物が結晶成長部に付着すると、結晶成長が阻害されて結晶欠陥が生じてしまう。また、融液に固形物が浮遊すると、その固形物を核として結晶成長が生じるため融液の組成が変動してしまう。このため、成長中の磁性ガーネット単結晶膜の組成が変動し、磁性ガーネット単結晶膜表面に同心円状の割れが生じてしまう。
【００１５】
それに対して、金は融液にほとんど溶解しない上に、非常に酸化物を作り難い元素である。このため、融液中で不溶性の酸化物を作ることはない。金又は金を主成分として含む材質で形成された坩堝や治具を用いると、融液を複数回使用して繰り返し磁性ガーネット単結晶膜を育成する際に、一旦融液を冷却して固化した後の２回目以降の育成であっても融液中への固形物の析出は認められない。したがって、育成される磁性ガーネット単結晶膜の結晶欠陥や割れを大幅に抑制することができる。なお、本実施の形態では、坩堝や基板の大きさ等に基づいて決定される最大膜厚に近い膜厚の磁性ガーネット単結晶膜を複数育成することを前提としている。
【００１６】
図１は、本実施の形態による磁性ガーネット単結晶膜の製造方法を示すフローチャートである。図２は、図１の各ステップでの坩堝内の原材料（融液）の温度変化を示すグラフである。グラフの横軸は時間を表し、縦軸は温度を表している。図１及び図２に示すように、まず、金又は金を主成分として含む材質で形成された坩堝に、鉄、希土類元素、ビスマス、鉛、ホウ素などの酸化物からなる原材料を充填する（ステップＳ１）。次に、原材料を充填した坩堝を電気炉内に配置する（ステップＳ２）。以上の工程は、例えば室温で行われる。次に、電気炉中で９００〜１０００℃程度の温度まで昇温させて坩堝内の材料を溶融し（ステップＳ３）、金又は金を主成分として含む材質で形成された攪拌用治具で材料の溶融物を攪拌して均一な溶液にする（ステップＳ４）。
【００１７】
図３は、攪拌用治具を用いて溶融物を攪拌している状態を示している。図３に示すように、攪拌用治具１は、金又は金を主成分として含む材質で長方形平板状に形成されている。攪拌用治具１は、その一端辺のほぼ中央でセラミック製の攪拌棒６に接続固定されている。金又は金を主成分として含む材質で形成された坩堝４内に攪拌棒６を搬入し、電気炉の加熱コイル１１に通電することにより加熱されて溶融した融液８中に攪拌棒６先端の攪拌用治具１を浸す。攪拌棒６を棒の中心軸回りに回転させると攪拌用治具１も共に回転し、融液８を攪拌することができる。
【００１８】
次に、融液温度を７００〜９００℃程度の育成開始温度に設定する（ステップＳ５）。次に、金又は金を主成分として含む材質で形成された基板固定用治具でＧＧＧ単結晶基板などを固定し、当該基板の片面を融液８に接触させて（ステップＳ６）、融液温度を例えば徐々に降温させながら基板上に厚さ数百μｍの磁性ガーネット単結晶膜を育成する（ステップＳ７）。
【００１９】
図４は、基板固定用治具でＧＧＧ単結晶基板を固定し、液相エピタキシャル法を用いて磁性ガーネット単結晶膜を育成している状態を示している。図４に示すように、基板固定用治具２は、基板１０を３点で支持する３本の線状支持部と、基板１０を保持するために各線状支持部の一端側で折り曲げられた基板保持部とを有している。線状支持部及び基板保持部は、金又は金を主成分として含む材質で形成されている。各線状支持部の他端側は、一つにまとめられてセラミック製の支持棒７に接続固定されている。支持棒７を所定距離だけ貴金属製の坩堝４内に搬入して、支持棒７先端の基板固定用治具２に保持された基板１０の少なくとも片面を坩堝４内の融液８中に浸す。そして、支持棒７を棒の中心軸回りに回転させると、基板１０も基板固定用治具２と共に回転し、基板１０片面に融液８を十分接触させることができる。このとき、基板固定用治具２の基板保持部は、基板１０片面と共に融液８中に浸されている。基板１０片面には、磁性ガーネット単結晶膜１２がエピタキシャル成長する。
【００２０】
育成終了後、磁性ガーネット単結晶膜１２を融液８から切り離し（ステップＳ８）、炉温を室温まで徐々に冷却する（ステップＳ９）。これにより、磁性ガーネット単結晶膜１２が徐冷されるとともに、坩堝４内に残存する融液８が冷却されて固化する。その後、磁性ガーネット単結晶膜１２を坩堝４から取り出す（ステップＳ１０）。次に、必要であれば、磁性ガーネット単結晶膜１２となって融液８から減少した溶質の成分を含む追加材料を坩堝４内に追加する（ステップＳ１１）。追加材料の分量は、得られた磁性ガーネット単結晶膜１２の重量や膜厚等に基づいて算出される。あるいは、育成前後での融液（固化している状態を含む）８の重量変化に基づいて、追加材料の分量を算出してもよい。その後、ステップＳ３〜Ｓ１１を繰り返し、複数の磁性ガーネット単結晶膜１２を順次育成する。
【００２１】
本実施の形態によれば、坩堝４内に充填した原材料を繰り返し使用して複数の磁性ガーネット単結晶膜１２を順次育成している。したがって、坩堝４内に残存する材料を廃棄してしまうことがないため、磁性ガーネット単結晶膜１２の育成コストを削減できる。
【００２２】
また、本実施の形態によれば、融液８に接触する坩堝４、攪拌用治具１及び基板固定用治具２が、金又は金を主成分として含有する材質で形成されている。このため、磁性ガーネット単結晶膜１２の育成が終了する度に融液８を冷却しても、融液８中に固形物は析出しない。したがって、従来の磁性ガーネット単結晶膜１２の徐冷方法を用いても、結晶欠陥や割れの発生が少ない磁性ガーネット単結晶膜１２を育成できる。
【００２３】
以下、本実施の形態による磁性ガーネット単結晶膜の製造方法について、実施例及び比較例を用いてより具体的に説明する。
（実施例１）
金製の坩堝４に、１６．２６５ｇのＧｄ２Ｏ３、１８．９７７ｇのＹｂ２Ｏ３、３８０．８０ｇのＦｅ２Ｏ３、１８．５６４ｇのＧｅＯ２、７８．９４６ｇのＢ２Ｏ３、２６０８．１ｇのＢｉ２Ｏ３、及び２０２０．６ｇのＰｂＯを原材料として充填し、坩堝４を電気炉内に配置した。炉温を９５０℃まで上げて坩堝４内の原材料を融解し、金製の攪拌用治具１を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ単結晶基板１０を金製の基板固定用治具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。育成終了後、炉温を室温まで下げて磁性ガーネット単結晶膜１２を取り出した。得られた磁性ガーネット単結晶膜１２の膜厚は５００μｍであった。蛍光Ｘ線装置により分析したところ、磁性ガーネット単結晶膜１２の組成は、Ｂｉ１．２０Ｇｄ１．２０Ｙｂ０．５８Ｐｂ０．０２Ｆｅ４．９８Ｇｅ０．０２であった。基板１０及び磁性ガーネット単結晶膜１２の重量を測定し、その重量と予め測定された基板１０の重量との差から磁性ガーネット単結晶膜１２の重量を求めた。磁性ガーネット単結晶膜１２の重量は１６．１ｇであった。
【００２４】
１回目の育成で融液８から減少した材料の重量を求め、その分の３．４４４ｇのＧｄ２Ｏ３、１．８１０ｇのＹｂ２Ｏ３、６．２９６ｇのＦｅ２Ｏ３、０．０７２ｇのＧｅＯ２、４．４２７ｇのＢｉ２Ｏ３、及び０．０７１ｇのＰｂＯを追加材料として坩堝４内に追加した。そして炉温を９５０℃まで上げて再び坩堝４内の材料を溶解し、金製の攪拌用治具１を使用して融液８を攪拌した。基板１０を金製の基板固定用治具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５０５μｍの磁性ガーネット単結晶膜１２が得られた。
【００２５】
育成した２枚の磁性ガーネット単結晶膜１２の表面を目視により観察したところ、結晶欠陥の発生数に有意な差はなかった。顕微鏡を用いて結晶欠陥密度の評価をしたところ、２枚の磁性ガーネット単結晶膜１２の結晶欠陥密度は、共に１個／ｃｍ２以下であった。また、２枚の磁性ガーネット単結晶膜１２に割れの発生は認められなかった。これらの磁性ガーネット単結晶膜１２をそれぞれ加工して無反射膜の成膜を行い、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇ．となる２つのファラデー回転子を作製した。両ファラデー回転子の波長１．５５μｍにおける光挿入損失は、共に０．０１ｄＢであった。消光比は、１枚目の磁性ガーネット単結晶膜１２を用いて作製されたファラデー回転子が４５．０ｄＢであり、２枚目の磁性ガーネット単結晶膜１２を用いて作製されたファラデー回転子が４５．５ｄＢであった。このように、良好な特性の得られる２枚の磁性ガーネット単結晶膜１２を同じ融液８から問題なく育成することができた。
【００２６】
（実施例２）
金製の坩堝４に、１６．２６５ｇのＧｄ２Ｏ３、１８．９７７ｇのＹｂ２Ｏ３、３８０．８０ｇのＦｅ２Ｏ３、１８．５６４ｇのＧｅＯ２、７８．９４６ｇのＢ２Ｏ３、２６０８．１ｇのＢｉ２Ｏ３、及び２０２０．６ｇのＰｂＯを原材料として充填し、坩堝４を電気炉内に配置した。９５０℃まで炉温を上げて坩堝４内の原材料を融解し、金製の攪拌用治具１を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ単結晶基板１０を金製の基板固定用治具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。育成終了後、炉温を室温まで下げて磁性ガーネット単結晶膜１２を取り出した。得られた磁性ガーネット単結晶膜１２の膜厚は５００μｍであった。蛍光Ｘ線装置により分析したところ、磁性ガーネット単結晶膜１２の組成は、Ｂｉ１．２０Ｇｄ１．２０Ｙｂ０．５８Ｐｂ０．０２Ｆｅ４．９８Ｇｅ０．０２であった。基板１０及び磁性ガーネット単結晶膜１２の重量を測定し、その重量と予め測定された基板１０の重量との差から磁性ガーネット単結晶膜１２の重量を求めた。磁性ガーネット単結晶膜１２の重量は１６．１ｇであった。
【００２７】
１回目の育成で融液８から減少した材料の重量を求め、その分の３．４４４ｇのＧｄ２Ｏ３、１．８１０ｇのＹｂ２Ｏ３、６．２９６ｇのＦｅ２Ｏ３、０．０７２ｇのＧｅＯ２、４．４２７ｇのＢｉ２Ｏ３、及び０．０７１ｇのＰｂＯを追加材料として坩堝４内に追加した。そして炉温を９５０℃まで上げて再び坩堝４内の材料を溶解し、金製の攪拌用治具１を使用して融液８を攪拌した。基板１０を金製の基板固定用治具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚５０５μｍの磁性ガーネット単結晶膜１２が得られた。
【００２８】
２回目の育成で融液８から減少した材料の重量を求め、その分の３．４７８ｇのＧｄ２Ｏ３、１．８２８ｇのＹｂ２Ｏ３、６．３５９ｇのＦｅ２Ｏ３、０．０７２ｇのＧｅＯ２、４．４７１ｇのＢｉ２Ｏ３、及び０．０７１ｇのＰｂＯを追加材料として坩堝４内に追加した。そして炉温を９５０℃まで上げて再び坩堝４内の材料を溶解し、金製の攪拌用治具１を使用して融液８を攪拌した。基板１０を金製の基板固定用治具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚４９５μｍの磁性ガーネット単結晶膜１２が得られた。
【００２９】
育成した３枚の磁性ガーネット単結晶膜１２の表面を目視により観察したところ、結晶欠陥の発生数に有意な差はなかった。顕微鏡を用いて結晶欠陥密度の評価をしたところ、３枚の磁性ガーネット単結晶膜１２の結晶欠陥密度は、全て１個／ｃｍ２以下であった。また、３枚の磁性ガーネット単結晶膜１２に割れの発生は認められなかった。これらの磁性ガーネット単結晶膜１２をそれぞれ加工して無反射膜の成膜を行い、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇ．となる３つのファラデー回転子を作製した。これらのファラデー回転子の波長１．５５μｍにおける光挿入損失は、全て０．０１ｄＢであった。消光比は、１枚目の磁性ガーネット単結晶膜１２を用いて作製されたファラデー回転子が４４．０ｄＢであり、２枚目の磁性ガーネット単結晶膜１２を用いて作製されたファラデー回転子が４５．５ｄＢであり、３枚目の磁性ガーネット単結晶膜１２を用いて作製されたファラデー回転子が４５．０ｄＢであった。このように、良好な特性の得られる３枚の磁性ガーネット単結晶膜１２を同じ融液８から問題なく育成することができた。
【００３０】
（比較例）
白金製の坩堝４に、１６．２６５ｇのＧｄ２Ｏ３、１８．９７７ｇのＹｂ２Ｏ３、３８０．８０ｇのＦｅ２Ｏ３、１６．８３３ｇのＧｅＯ２、７８．９４６ｇのＢ２Ｏ３、２６０８．１ｇのＢｉ２Ｏ３、２０２０．６ｇのＰｂＯを原材料として充填し、坩堝４を電気炉内に配置した。炉温を９５０℃まで上げて坩堝４内の材料を溶解し、白金製の攪拌用治具１を使用して融液８を攪拌した。ＣａＭｇＺｒ置換ＧＧＧ単結晶基板１０を白金製の基板固定用治具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。育成終了後、炉温を室温まで下げて磁性ガーネット単結晶膜１２を取り出した。得られた磁性ガーネット単結晶膜１２の膜厚は５００μｍであった。蛍光Ｘ線装置により分析したところ、磁性ガーネット単結晶膜１２の組成は、Ｂｉ１．２０Ｇｄ１．２０Ｙｂ０．５８Ｐｂ０．０２Ｆｅ４．９８Ｐｔ０．０１Ｇｅ０．０１であった。
【００３１】
次に、再び炉温を９５０℃まで上げ、１回目の育成で使用して坩堝内に残存する材料を溶解し、白金製の攪拌用治具１を使用して融液８を攪拌した。ところが融液８表面には、固形物が溶解することなく残っていた。基板１０を白金製の基板固定用治具２に取り付けて炉内に投入し、８５０℃まで炉温を下げてから基板１０の片面を融液８に接触させてエピタキシャル成長を４０時間行った。膜厚１５５μｍの磁性ガーネット単結晶膜１２が得られた。
【００３２】
育成した２枚の磁性ガーネット単結晶膜１２の表面を目視により観察したところ、１回目に育成した磁性ガーネット単結晶膜１２にはほとんど結晶欠陥は認められなかったが、２回目に育成した磁性ガーネット単結晶膜１２の表面には多数の結晶欠陥が認められ、同心円状の割れが多数発生していた。顕微鏡を用いて結晶欠陥密度の評価をしたところ、１回目に育成した磁性ガーネット単結晶膜１２の結晶欠陥密度は１個／ｃｍ２以下であり、２回目に育成した磁性ガーネット単結晶膜１２の結晶欠陥密度は５６個／ｃｍ２であった。１回目に育成した磁性ガーネット単結晶膜１２を加工して、無反射膜の成膜を行い、波長１．５５μｍの光に対して回転角４５ｄｅｇ．となるファラデー回転子を作製した。ファラデー回転子の波長１．５５μｍにおける光挿入損失は０．０３ｄＢで、消光比は４６．０ｄＢであった。一方、２回目に育成した磁性ガーネット単結晶膜１２は膜厚が薄いため、ファラデー回転子に加工することができなかった。このように、良好な特性の得られる磁性ガーネット単結晶膜１２は、同じ融液８から１回しか育成できなかった。
【００３３】
表１は、上記の実施例及び比較例で得られた磁性ガーネット単結晶膜１２及びファラデー回転子の特性等をまとめて示している。
【００３４】
【表１】
2005008458.tif 000003
【００３５】
表１に示すように、金製の坩堝４、攪拌用治具１及び基板固定用治具２を用いるとともに、育成の度に材料を追加した実施例１及び２では、良好な特性の磁性ガーネット単結晶膜１２及びファラデー回転子が複数個得られた。これに対し、白金製の坩堝４、攪拌用治具１及び基板固定用治具２を用いるとともに、育成の度に材料を追加していない比較例では、良好な特性の磁性ガーネット単結晶膜１２及びファラデー回転子が１つしか得られなかった。
【００３６】
本発明は、上記実施の形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、上記実施の形態では、育成終了後の磁性ガーネット単結晶膜１２を徐冷する工程（ステップＳ９）では、坩堝４内の融液８も冷却されて固化しているが、本発明はこれに限られない。磁性ガーネット単結晶膜１２を融液８から切り離して坩堝４から引き上げた後に徐冷すれば、坩堝４内の融液８の温度は維持したままでもよい。この場合、次の磁性ガーネット単結晶膜１２を育成する前に材料を再び溶融する工程（ステップＳ３）では、ステップ１１で追加した追加材料だけを溶融すればよい。
【００３７】
また、上記実施の形態では、坩堝４、攪拌用治具１及び基板固定用治具２が全て金又は金を主成分として含む材質で形成されているが、本発明はこれに限られない。坩堝４が金又は金を主成分として含む材質で形成されていれば、攪拌用治具１及び基板固定用治具２が他の材質で形成されていても、上記実施の形態とほぼ同様の効果が得られる。
【００３８】
【発明の効果】
以上の通り、本発明によれば、結晶欠陥や割れの少ない磁性ガーネット単結晶膜を低コストで育成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態による磁性ガーネット単結晶膜の製造方法を示すフローチャートである。
【図２】図１の各ステップでの坩堝内の原材料（融液）の温度変化を示すグラフである。
【図３】攪拌用治具を用いて溶融物を攪拌している状態を示す図である。
【図４】基板固定用治具でＧＧＧ単結晶基板を固定し、液相エピタキシャル法を用いて磁性ガーネット単結晶膜を育成している状態を示す図である。
【図５】従来の磁性ガーネット単結晶膜の製造方法を示すフローチャートである。
【図６】図５の各ステップでの坩堝内の原材料（融液）の温度変化を示すグラフである。
【符号の説明】
１  攪拌用治具
２  基板固定用治具
４  坩堝
６  攪拌棒
７  支持棒
８  融液
１０  基板
１１  加熱コイル
１２  磁性ガーネット単結晶膜
【図１】
2005008458.tif 000004
【図２】
2005008458.tif 000005
【図３】
2005008458.tif 000006
【図４】
2005008458.tif 000007
【図５】
2005008458.tif 000008
【図６】
2005008458.tif 000009