(57)【要約】【課題】ＳＯＩウエハ表面のシリコン層にマーク印字を形成する工程で、半導体集積回路の製造過程で、流動工程の製造装置内部の汚染を防止したマーク印字方法を提供する。【解決手段】ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエハにマーク印字（識別子印字）を形成する方法は、表面シリコン層の表面にレジスト剤を塗布してレジスト膜を形成し、前記レジスト膜にＳＯＩウエハを識別させるマークを露光し、露光後に前記レジスト膜を現像し、前記現像されたレジスト膜が形成されたＳＯＩウエハの表面シリコン層（ＳＯＩ層）２２、埋め込み酸化層（ＢＯＸ層）２３をエッチング処理してマーク印字２６の形状に表面シリコン層と埋め込み酸化層を除去してＳＯＩウエハ表面にマーク印字２６を形成する。【選択図】      図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面のシリコン単結晶層（表面シリコン層）と、基板シリコン（支持基板）との間に埋め込み酸化層（誘電体層）が存在するＳＯＩ構造を有するＳＯＩウエハにおいて、前記表面シリコン単結晶層にマーク印字（固体識別記号印字）を形成する場合、流動工程の製造装置内部を汚染させる事なくマーク印字を形成する事を特徴とするＳＯＩ基板のマーク印字方法。
【請求項２】
前記マークは数字、文字、記号、バーコードなどから選択される少なくとも一種を用いてマーク印字を形成する請求項１記載のＳＯＩ基板のマーク印字方法。
【請求項３】
表面シリコン層の表面にレジスト剤を塗布してレジスト膜を形成する塗布工程と前記レジスト膜にＳＯＩウエハを識別させるマークを露光する露光工程と、露光後に前記レジスト膜を現像する現像工程と、前記レジスト膜が形成されたＳＯＩウエハをエッチングする工程と、前記レジスト膜を剥離する工程を有することを特徴とする請求項２記載のＳＯＩ基板のマーク印字方法。
【請求項４】
マーク印字の形成時にパーティクルがＳＯＩウエハ表面に付着する事を回避できる事を特徴とする請求項３記載のＳＯＩ基板のマーク印字方法。
【請求項５】
マーク印字の形成時にパーティクルがＳＯＩウエハのマーク印字内部に付着する事を回避できる事を特徴とする請求項３記載のＳＯＩ基板のマーク印字方法。
【請求項６】
ＳＯＩウエハにドライエッチングを施しＳＯＩウエハ表面にマーク印字を形成する事を特徴とする請求項３記載のＳＯＩ基板のマーク印字方法。
【請求項７】
ＳＯＩウエハにウエットエッチングを施しＳＯＩウエハ表面にマーク印字を形成する事を特徴とする請求項３記載のＳＯＩ基板のマーク印字方法。
【請求項８】
前記マーク印字は、ＳＯＩウエハ表面のシリコン層及び埋め込み酸化層に傷をつけることでマーク印字を形成する事を特徴とする請求項４記載のＳＯＩ基板のマーク印字方法。
【請求項９】
前記マーク印字は、ＳＯＩウエハ表面のシリコン層及び埋め込み酸化層に傷をつけることでマーク印字を形成する事を特徴とする請求項５記載のＳＯＩ基板のマーク印字方法。
【請求項１０】
前記マーク印字は、ＳＯＩウエハ表面のシリコン層及び埋め込み酸化層に傷をつけることでマーク印字を形成する事を特徴とする請求項６記載のＳＯＩ基板のマーク印字方法。
【請求項１１】
前記マーク印字は、ＳＯＩウエハ表面のシリコン層及び埋め込み酸化層に傷をつけることでマーク印字を形成する事を特徴とする請求項７記載のＳＯＩ基板のマーク印字方法。
【請求項１２】
前記マーク印字は、ＳＯＩウエハ表面のシリコン層及び埋め込み酸化層に傷をつけ、傷の中に金属を埋め込むことでマーク印字を形成する事を特徴とする請求項１０記載のＳＯＩ基板のマーク印字方法。
【請求項１３】
前記マーク印字は、ＳＯＩウエハ表面のシリコン層及び埋め込み酸化層に傷をつけ、傷の中に金属を埋め込むことでマーク印字を形成する事を特徴とする請求項１１記載のＳＯＩ基板のマーク印字方法。
【請求項１４】
ＳＯＩウエハの代わりにバルクＳｉウエハを用い、マーク印字の形成時にパーティクルがバルクＳｉウエハ表面に付着する事を回避できる事を特徴とする請求項３記載のＳＯＩ基板のマーク印字方法。
【請求項１５】
ＳＯＩウエハの代わりにバルクＳｉウエハを用い、マーク印字の形成時にパーティクルがバルクＳｉウエハのマーク印字内部に付着する事を回避できる事を特徴とする請求項３記載のＳＯＩ基板のマーク印字方法。
【請求項１６】
ＳＯＩウエハの代わりにバルクＳｉウエハを用い、ウエハ表面にドライエッチングを施しバルクＳｉウエハ表面にマーク印字を形成する事を特徴とする請求項３記載のＳＯＩ基板のマーク印字方法。
【請求項１７】
ＳＯＩウエハの代わりにバルクＳｉウエハを用い、ウエハ表面にウエットエッチングを施しバルクＳｉウエハ表面にマーク印字を形成する事を特徴とする請求項３記載のＳＯＩ基板のマーク印字方法。
【請求項１８】
前記マーク印字は、バルクＳｉウエハ表面に傷をつけることでマーク印字を形成する事を特徴とする請求項１６記載のＳＯＩ基板のマーク印字方法。
【請求項１９】
前記マーク印字は、バルクＳｉウエハ表面に傷をつけることでマーク印字を形成する事を特徴とする請求項１７記載のＳＯＩ基板のマーク印字方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路装置の製造に用いられるウエハの表面にマーク印字（ウエハの固体識別記号、数字、文字、記号、バーコード等を印字する場合もあるが総称して以下、「マーク印字」と呼ぶ）を形成する際の印字技術に関するものであり、特にＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエハ表面の半導体層（以下「ＳＯＩ層」とも呼ぶ）及び埋め込み酸化層（以下、「ＢＯＸ層」とも呼ぶ）にマーク印字を形成する技術分野に属する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体基板にはバルクＳｉウエハのような単層構造のウエハ、ＳＯＩウエハのような積層構造を持ったウエハがある。
【０００３】
ＳＯＩウエハを半導体集積回路装置の製造工程（プロセス工程、デバイス工程）に流動する場合、個々のウエハを識別できるようにしておく必要がある。これらのウエハの識別は個々のウエハを各流動工程の履歴管理を行う上で非常に重要であり、不良解析や流動工程の最適化、製造上の管理に用いられている。バルクＳｉウエハ（ミラーウエハ）の識別には、バルクＳｉウエハの表面をレーザー光線の照射等により描かれたマークによってなされる。
【０００４】
レーザー光線の照射等によりマークが描かれた場合、バルクＳｉウエハの表面レーザー光線等が照射された部分はＳｉウエハの表面が溶解され凹部が形成され照射された部分の周辺は飛び散ったＳｉウエハの表面が固まり凸部が形成される。
【０００５】
このバルクＳｉウエハの表面へのマーク印字は、通常１０桁前後の英数字による文字列で構成され、ウエハ毎に割り当てられたＩＤ番号となる。この規格はＳＥＭＩの国際規格に定められ、標準的な手法である。
【０００６】
このようなレーザー光線の照射によりマークを描く方法は、通常バルクＳｉウエハをターゲットとしており、その印字位置についてもＳＥＭＩの標準の中に定められている。
【０００７】
従来、ＳＯＩウエハにマーク印字を形成する場合には、バルクＳｉウエハと同様にＳＯＩウエハ表面のＳＯＩ層２２Ｓに直接レーザー光線等を照射してマーク印字を形成する方法、特許文献１、特許文献２のようにＳＯＩウエハの製造過程でＳＯＩウエハにマーク印字を形成する方法等がある。
【０００８】
ＳＯＩウエハ表面のシリコン層２２Ｓに直接レーザー光線等を照射しマーク印字を形成する方法ではマーク印字形成時にＳＯＩウエハ表面のＳＯＩ層２２が剥がれる、ＢＯＸ層２３が剥がれるなどして流動工程の製造装置内部にパーティクル（ＳＯＩ層、ＢＯＸ層の切削片等）が飛散し、流動工程の製造装置内部を汚染してしまう恐れがあり、パーティクルが飛散しないようにする為にはＳＯＩウエハ個々にレーザー光線の照射強度（出力）を調整する必要がある。流動工程の製造装置内部の汚染を回避する手段として、図９及び図１０に示すように、ウエハ表面の一部に印字領域２７を設け直接レーザー光線等を照射して印字する方法、ＳＯＩウエハの支持基板の裏面２４Ｂに直接レーザー光線等を照射して印字する方法が執られている。一方、ＳＯＩウエハの製造過程でＳＯＩウエハにマーク印字を形成する方法では流動工程の製造装置内部を汚染する心配は無いが、ウエハの貼り合わせ工程で失敗した場合にはその失敗したウエハに印字されていたマークは欠番となる。
【特許文献１】
特開２００１−２５７１３９
【特許文献２】
特開２００２−３３２５０
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
例えば、８インチウエハにマーク印字を形成する場合、図１１に示すようにノッチ１０を上にしてウエハの中心５０をｘｙ座標の中心（０，０）点とした場合に、印字領域２８の位置は、ｘ：−９．２５ｍｍ〜＋９．２５ｍｍ、ｙ：＋９３．７ｍｍ〜＋９６．５ｍｍとなり、高さ１２が２．８ｍｍ、長さ１４が１８．５ｍｍの矩形領域２８にマーク印字するようＳＥＭＩで定められている。この規格をＳＯＩウエハに当てはめた場合、ＳＯＩウエハ表面のＳＯＩ層２２が存在する領域となる。さらに、レーザーの出力条件等は、ウエハが半導体集積回路の製造工程の最後まで流動してもマーク印字が消滅しない深さになるように調整された条件であるため、上記ＳＥＭＩ規格でＳＯＩウエハ上にマーク印字した場合には、ＳＯＩウエハはバルクＳｉウエハのような単層構造のウエハと異なり、図２に示すような積層（例えば貼り合わせ）構造となっている為に、埋め込み酸化層（ＳｉＯ２）が蓄熱層として働き、パーティクルが生じ易くなり、マーク印字の文字幅も変わってしまうことがある。深いマークにすれば、この問題は尚更重大である。ＳＯＩウエハ表面のＳＯＩ層２２にマーク印字した場合には、凹部からなる文字の太さが太くなり、且つ図７（Ａ）に示したようにマーク印字の周辺にパーティクル２９およびマーク印字の内部にパーティクル３０が飛び散る。マーク印字の内部に飛び散ったパーティクルは図７（Ｂ）に示すように剥離しやすい状態でマーク印字の内部に付着している。パーティクルの飛び散らない様な条件は、ＳＯＩウエハの層構造や各層の厚さに依存するため、条件設定が大変複雑である。又、埋め込み酸化層のパーティクルの飛び散りを抑えられるような弱いレーザー光線では、レーザーで掘れるマーク印字の深さが浅くマークの読み取りが困難であり、半導体集積回路の製造工程を最後まで流動した場合にマーク印字が消滅する。しかし、図７（Ａ）に示されるパーティクル２９のようにＳＯＩウエハ表面のＳＯＩ層２２Ｓに付着した場合であれば、ＳＯＩウエハ表面のＳＯＩ層２２ＳのＣＭＰ処理により平滑化されて流動工程の製造装置内部を汚染する問題は起こらない。一方、図７（Ａ）及び（Ｂ）に示されるパーティクル３０のように印字マークの内部に付着したパーティクルにあってはＣＭＰ処理を行っても平滑化されず、流動工程の途中で剥がれ落ちて製造装置内部を汚染してしまう。
【００１０】
ＣＭＰ処理は、研磨剤と研磨布を用い、機械的な研磨加工によって表面シリコン層の表面を平滑化する手法である。
【００１１】
上記課題を回避する方法として、ＳＯＩウエハの表面に図９及び図１０に示すような印字領域２７を設ける方法がある。しかし、印字領域を設けた場合であっても印字工程でＳＯＩウエハの支持基板から発生し印字領域２７に付着したパーティクル２９、印字マーク２６内部に付着したパーティクル３０はＳＯＩウエハ表面のシリコン層表面のＣＭＰ処理を行っても平滑化されずに流動工程の製造装置内部を汚染してしまう問題を完全に取り除くことは困難である。また、印字領域２７を設ける場合ドライエッチング処理で表面シリコン層２２と埋め込み酸化層２３を除去している為に印字領域２７の周囲は図１１の２２Ｒに示されるような直角に近い角度となり、一方、ウエハの外周部は図９の２２Ｔ、２３Ｔ、２４Ｔに示されるようにテーパー状の形状となっている。印字領域２７の周囲２２Ｒはウエハ外周部２２Ｔ、２３Ｔ及び２４Ｔよりも角がきつく、製造工程で火花が発生しやすい状態となり製造装置内部を汚染する恐れが高くなる。また、ＳＯＩウエハ表面に印字領域２７を設ける事無く流動工程の製造装置内部の汚染を回避する手段としてＳＯＩウエハの支持基板の裏面２４Ｂにレーザー印字を施してネーム印字を形成する方法もあるが、ＳＯＩウエハを裏面研削処理した場合にマーク印字までもが研削されＳＯＩウエハの固体識別が不可能となってしまう。
【００１２】
一方、特開２００１−２５７１３９、特開２００２−３３２５０にあるようにＳＯＩウエハの製造過程でＳＯＩウエハにマーク印字を形成する方法を採った場合には流動工程の製造装置内部を汚染する問題を完全に取り除く事はできるが、ウエハの製造工程で貼り合わせに失敗した場合にはそのウエハに印字されていたマークが欠番となり、例えば連番でウエハ番号を印字していた場合には半導体集積回路装置の製造ロット内のウエハを連番で管理できなくなる。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的は、支持基板２４とＳＯＩウエハ表面のシリコン層２２との間に埋め込み酸化層２３が形成されているＳＯＩウエハの表面２２Ｓにマーク印字を形成する方法に関するものであって、これらのマーク印字の読み取りが容易であり、ＳＯＩウエハの表面シリコン層に付着パーティクル２９がなく、マーク印字内部に付着パーティクル３０がなく、流動工程の製造装置内部を汚染する危険がなく、容易にマーク印字を形成する事を目的としている。
【００１４】
本発明のＳＯＩウエハの表面にマーク印字を形成する方法は、ＳＯＩウエハの表面シリコン層側（ＳＯＩウエハの表面２２Ｓ）にレジスト剤を塗布することを特徴とする。
【００１５】
本発明のＳＯＩウエハの表面にマーク印字を形成する方法は、表面シリコン層（ＳＯＩウエハの表面２２Ｓ）にレジスト剤２１を塗布してレジスト膜を形成する塗布工程と前記レジスト膜にＳＯＩウエハを識別させるマークを露光する露光工程と、前記露光した前記レジスト膜を現像する現像工程と、前記現像した前記レジスト膜が形成されたＳＯＩウエハをエッチングする工程と、前記レジスト膜を剥離する工程を有することを特徴とする。
【００１６】
ＳＯＩウエハのＳＯＩ層表面２２Ｓにマーク印字を形成する手法としてエッチング装置を用いてマーク印字パターン２６の形状に表面シリコン層２２と埋め込み酸化層２３を除去する工程を用いる。この場合に使用するエッチング装置はドライエッチング装置、ウエットエッチング装置の何れを用いてもよい。
【００１７】
以上の工程により、ＳＯＩウエハの表面２２Ｓにマーク印字２６を形成する際に半導体集積回路の流動工程で用いる製造装置内部を汚染することなくＳＯＩウエハの表面２２Ｓにマーク印字２６を形成する事ができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明によるＳＯＩウエハ表面のマーク印字方法について図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明する。以下に示す実施形態、あくまでも本発明の一実施例であり下記実施形態に限定されて解釈されるものではなく本発明の主旨を逸脱しない範囲で、自由に変更することができる。
【００１９】
実施例１
図１は、本発明に係るＳＯＩウエハ表面のマーク印字方法の一実施形態を示したフローチャートである。図２〜図６及び図８は本発明の実施形態について詳細に説明するためのＳＯＩウエハ断面概略図である。
【００２０】
本発明の実現にあたり、図２に断面概略図を示した半導体基板（ＳＯＩウエハ１）を用いる。このＳＯＩウエハ１は、支持基板（半導体Ｓｉ基板）２４の上に埋め込み酸化層（ＢＯＸ層）２３が形成され、その埋め込み酸化層２３の上に表面シリコン層（ＳＯＩ層）２２が形成された構成となっている。ＳＯＩウエハ１は種々の製造方法で作られたウエハ、例えるならば、貼り合わせＳＯＩウエハ、ＳＩＭＯＸウエハ等がある。
【００２１】
本発明では、前項で説明した図２のＳＯＩウエハのＳＯＩ層表面２２Ｓに図３に示す断面概略図のようにレジスト剤２１を塗布しレジスト膜を形成する。ここで塗布するレジスト剤は、後に実施するマーク印字２６の形成工程で用いるエッチング装置に即したレジスト剤を塗布する必要がある。
【００２２】
続いて、前記図３に示したレジスト膜２１にＳＯＩウエハに印字するマークを露光する。マークの露光にはフォトマスク等レジスト膜２１にマーク印字のパターンを描画できるものを用いる。
【００２３】
露光後に前記レジスト膜２１を現像して図４に示す断面概略図のようにレジスト膜２１をマークの形状に除去し、ＳＯＩウエハの表面シリコン層（ＳＯＩ層）をマーク印字のパターンに露呈させる。
【００２４】
前記レジスト膜２１の現像後に図５の概略断面図に示すようにＳＯＩウエハの表面シリコン層（ＳＯＩ層）を露呈させたＳＯＩウエハをエッチングする。本エッチング工程では、レジスト膜２１の形状に合わせてＳＯＩウエハ表面の表面シリコン層２２と、埋め込み酸化層２３と、支持基板２４をエッチングしてマーク印字２６を形成する。このエッチング工程はドライエッチング、ウエットエッチングの何れの手法を用いても構わない。
【００２５】
本工程では、従来技術のレーザー印字装置等のＳＯＩウエハ表面に熱エネルギーを付与しているものではなく、エッチング工程を用いてＳＯＩウエハの表面シリコン層２２と埋め込み酸化層２３をマーク印字のパターン形状に除去し、ＳＯＩウエハ表面にマーク印字２６を形成しているものであり、ＳＯＩウエハ表面の表面シリコン層２２Ｓ及び形成したマーク印字２６内部にパーティクルが飛散、付着する事はない。
【００２６】
前記レジスト膜２１を剥離し、図６に示す概略断面図のようなマーク印字２６が形成されたＳＯＩウエハのマーク印字工程は完成する。
【００２７】
本実施形態によれば、ドライエッチング装置、または、ウエットエッチング装置を利用してＳＯＩウエハ表面にマーク印字２６を形成するので、既存設備をそのまま使用することができる。また、従来のように表面シリコン層及び埋め込み酸化層の一部をエッチング除去して印字領域２７を設けるという工程が不要となる。従って、製造コストの低廉化を図ることができる。さらに、レーザー印字装置等によりＳＯＩウエハ表面に熱エネルギーを付与することがなくＳＯＩウエハ表面にマーク印字２６を形成する為、ＳＯＩウエハ表面に熱エネルギーを付与することによるパーティクルの発生等がなく、マーク印字２６を形成することに起因する歩留りの低下を最小限に抑制することができる。
【００２８】
実施例２
実施例１において、図３に示したレジスト膜２１にＳＯＩウエハに印字するマークを露光する手段として、フォトマスク等を用いてレジスト膜２１にマーク印字のパターンを描画する方法をあげたが、フォトマスクを用いずにＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｂｅａｍ）を用いてレジスト膜２１にマーク印字のパターンを描画する。フォトマスク等を用いた場合であれば、印字パターンに合わせた組み合わせでフォトマスクセットを準備する必要があるが、ＥＢを用いた場合であればフォトマスクセットを準備する必要は無く、自由にマーク印字のパターンを組み合わせてレジスト膜２１にマーク印字のパターンを描画できる。
【００２９】
実施例３
実施例１において、マーク印字２６を形成したウエハの流動工程を進めると図８に示す概略断面図のようにマーク印字２６内部に透明な埋め込み膜（酸化膜、窒化膜等）３２が形成される。埋め込み膜３２のままであってもマーク印字２６を目視、機械認識は十分に行えるが、金属３１を埋め込みマーク印字を認識しやすくしてもよい。マーク印字２６内部に埋め込む金属３１はコンタクトホールに金属を埋め込むように例えばタングステンのような熱に強い金属３１を埋め込む。この金属３１を埋め込む事によりマーク印字２６の認識がより容易となる。マーク印字２６に埋め込み金属３１を埋め込む場合、流動工程の製造装置を汚染しないよう金属３１を埋め込む工程に注意する必要がある。
【００３０】
実施例４
実施例１〜３においては、ＳＯＩウエハに対してマーク印字２６を形成する手法についての実施例について紹介してきたが、ＳＯＩウエハの代わりにバルクＳｉウエハを用いてもバルクＳｉウエハにマーク印字２６を形成できる。
バルクＳｉウエハを用いた場合では、実施例１〜３の実施例のＳＯＩウエハをバルクＳｉウエハに置き換えることで実施可能である。
【００３１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のＳＯＩウエハ表面にマーク印字２６を形成する方法によれば、以下の効果を得ることができる。
【００３２】
（１）ドライエッチング装置、または、ウエットエッチング装置を利用してＳＯＩウエハ表面にマーク印字２６を形成するので、既存設備をそのまま使用することができる。また、従来のようにシリコン層及び埋め込み酸化層の一部をエッチング除去するという工程が不要となる。
【００３３】
（２）ドライエッチング装置、または、ウエットエッチング装置を利用してＳＯＩウエハ表面にマーク印字２６を形成するので、ＳＯＩウエハ表面に熱エネルギーを付与することがなくパーティクルの発生等がなく、識別パターンを形成することに起因する歩留りの低下を最小限に抑制することができる。
【００３４】
（３）ＳＯＩウエハ表面にマーク印字２６形成後に、マーク印字２６に金属３１を埋め込みことにより、マーク印字２６の視認性が向上する。
【００３５】
（４）本技術は、従来のバルクＳｉウエハに適用した場合であっても同様な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＳＯＩウエハ表面のシリコン層にマーク印字を形成する手順を説明するためのフローチャートである。
【図２】本発明の実施に用いるＳＯＩウエハの模式的な縦断面図である。
【図３】本発明の実施に伴うＳＯＩウエハのシリコン層表面にレジスト剤を塗布した状態を説明するためのＳＯＩウエハの模式的な縦断面図である。
【図４】本発明の実施に伴いＳＯＩウエハのシリコン層表面に塗布したレジスト剤に印字パターンを除去した状態を説明するためのＳＯＩウエハの模式的な縦断面図である。
【図５】本発明の実施に伴いＳＯＩウエハのシリコン層表面に塗布したレジスト剤とＳＯＩウエハのシリコン層表面に印字パターンを切削した状態を説明するためのＳＯＩウエハの模式的な縦断面図である。
【図６】本発明の実施に伴いＳＯＩウエハのシリコン層表面に印字パターンを切削したＳＯＩウエハのシリコン層の表面に塗布したレジスト剤を剥離した状態を説明するためのＳＯＩウエハの模式的な縦断面図である。
【図７】（Ａ）従来の技術でレーザー印字装置によりＳＯＩウエハ表面のシリコン層にマーク印字を形成した場合にＳＯＩウエハ表面のシリコン層及びマーク印字内部に付着したパーティクルの状態を説明するためのＳＯＩウエハの模式的な縦断面図である。（Ｂ）従来の技術でレーザー印字装置によりＳＯＩウエハ表面のシリコン層にマーク印字を形成した場合にマーク印字内部に付着したパーティクルの状態を説明するためのＳＯＩウエハの模式的な縦断面図の拡大図である。
【図８】本発明の技術でＳＯＩウエハ表面のシリコン層にマーク印字を形成した後にマーク印字内部にタングステン等の金属を埋め込んだ状態を説明するためのＳＯＩウエハの模式的な縦断面図である。
【図９】従来の技術でＳＯＩウエハの表面シリコン層、埋め込み酸化層を除去してマーク印字領域を設けた状態を説明するためのＳＯＩウエハの模式的な縦断面図である。
【図１０】従来の技術でＳＯＩウエハ表面のシリコン層にマーク印字を形成する場合に必要であったマーク印字領域を説明するためのＳＯＩウエハの模式的な平面図である。
【図１１】ＳＥＭＩで定められている規格に従った位置にＳＯＩウエハにマーク印字を形成した場合、マーク印字領域がＳＯＩウエハ表面のシリコン層２２が存在する領域となることを説明するためのＳＯＩウエハの模式的な平面図である。
【符号の説明】
１      ＳＯＩウエハ
１０    ノッチ
１２    印字領域の高さ方向の大きさ
１４    印字領域の長さ方向の大きさ
２１    レジスト剤（レジスト膜）
２２    表面シリコン層（半導体層、ＳＯＩ層）
２２Ｒ  直角に切削された表面シリコン層の印字領域周囲
２２Ｔ  テーパー状になった表面シリコン層の外周
２２Ｓ  表面シリコン層の表面
２３    埋め込み酸化層（誘電体層、ＢＯＸ層）
２３Ｔ  テーパー状になった埋め込み酸化層の外周
２３Ｓ  表面シリコン層と埋め込み酸化層との境界面
２４    支持基板
２４Ｔ  テーパー状になった支持基板の外周
２５    レジスト剤現像後の除去パターン
２６    ＳＯＩウエハ切削パターン（形成されたマーク印字）
２７、２８    印字領域
２９、３０    パーティクル
３１    埋め込み金属
３２    埋め込み膜
５０    ウエハの中心座標（０，０）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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