(57)【要約】【課題】  より低い印加電圧でＸ線による電荷を取り出し、環境に影響を与えることが少ないＸ線平面検出器を提供する。【解決手段】  Ｘ線電荷変換膜と、前記Ｘ線電荷変換膜の両面に接して設けられた画素電極及び共通電極とを具備し、前記Ｘ線電荷変換膜は、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、の中から選ばれるランタノイドとヨウ素、臭素、塩素の化合物であることを特徴とする。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線電荷変換膜と、
前記Ｘ線電荷変換膜の両面に接して設けられた画素電極及び共通電極とを具備し、
前記Ｘ線電荷変換膜は、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、の中から選ばれるランタノイドとヨウ素、臭素、塩素の化合物であることを特徴とするＸ線平面検出器。
【請求項２】
前記Ｘ線電荷変換膜は、酸化ヨウ化ランタノイドであることを特徴とする請求項１記載のＸ線平面検出器。
【請求項３】
前記Ｘ線電荷変換膜は、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｙｂとヨウ素、臭素、塩素の化合物であることを特徴とする請求項１記載のＸ線平面検出器。
【請求項４】
前記Ｘ線電荷変換膜が、前記ランタノイドとヨウ素、臭素、塩素の化合物と導電性有機膜との混合物であることを特徴とする請求項１記載のＸ線平面検出器。
【請求項５】
基板上に設けられた信号線と、
前記基板上に設けられ、前記信号線と直交する走査線と、
前記信号線と前記信号線及び前記走査線の交点に対応して設けられた前記画素電極との間に設けられ、前記走査線により制御されるスイッチング素子と
を備えることを特徴とする請求項１記載のＸ線平面検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｘ線平面検出器に関する。
【背景技術】
【０００２】
医療分野において、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ）アレイ上にアモルファスセレン（以下、ａ−Ｓｅ）で形成されたＸ線電荷変換膜を有するＸ線平面検出器を用いたＸ線撮像装置が提案されている。（例えば、特許文献１）
これは、Ｘ線電荷変換膜を一対の電極で挟んだ構造を備えている。
【０００３】
電源により共通電極に電圧を印加し、Ｘ線電荷変換膜に電圧が印加された状態にする。この状態で検出器にＸ線を照射すると、入射したＸ線によりＸ線電荷変換膜内部に電荷が生成する。この電荷は画素毎に配置された画素電極を介してコンデンサーに一時的に蓄積される。蓄積された電荷は、ＴＦＴをオン状態にする事により、外部に読み出すことが出来る。この読み出した電荷量の平面分布からＸ線透過画像を得る事が出来る。
【０００４】
Ｘ線電荷変換膜にａ−Ｓｅを用いた直接型の検出器において、胸部撮影等に用いる６０ｋｅＶのＸ線で撮影を行う場合、入射Ｘ線の６８％を吸収するために必要な変換膜の厚みは９７０μｍである。（非特許文献１）
厚さ１ｍｍ程度のａ−Ｓｅ膜内部に発生した電荷を外部に取り出すためには、１００００Ｖ程度の非常に高い電圧を変換膜に印加する必要がある。
【０００５】
他の直接変換型の感光膜としては、Ｓｅの他にＰｂＩ２，ＨｇＩ２等がある。
【特許文献１】特開昭６１−６２２８３号公報
【非特許文献１】Ｓ．Ｏ．Ｋａｓａｐ，  ｅｔ．ａｌ，  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｎｏｎ−Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｓｏｌｉｄｓ  ２９９−３０２  （２００２）  ｐｐ．  ９８８−９９２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の検出器では、変換膜にａ−Ｓｅ用いるため、Ｘ線を十分に吸収するには、１ｍｍ程度以上の厚みが必要であった。このため、変換膜に高い電圧を印加するための、高価な高圧電源が必要であり、検出器の価格が高価であるという問題があった。
【０００７】
また、従来の検出材料では環境への影響が大きく、環境への影響が大きいため回収する等の対策が必要であり、コストが増大するという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の実施の形態は、Ｘ線電荷変換膜と、前記Ｘ線電荷変換膜の両面に接して設けられた画素電極及び共通電極とを具備し、前記Ｘ線電荷変換膜は、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕの中から選ばれるランタノイドとヨウ素、臭素、塩素の化合物であることを特徴とするＸ線平面検出器である。
【０００９】
ここで、前記Ｘ線電荷変換膜は、酸化ヨウ化ランタノイドであっても良い。
【００１０】
また、前記Ｘ線電荷変換膜は、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｙｂのヨウ化物であっ
ても良い。
【００１１】
前記Ｘ線電荷変換膜が、前記ランタノイドのヨウ化物と導電性有機膜との混合物であってもよい。
【００１２】
また、基板上に設けられた信号線と、前記基板上に設けられ、前記信号線と直交する走査線と、前記信号線と前記信号線及び前記走査線の交点に対応して設けられた前記画素電極との間に設けられ、前記走査線により制御されるスイッチング素子とを備えていてもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、原子番号が大きくＸ線吸収係数の大きいランタノイドの化合物を変換膜に用いる事により、変換膜の厚みを薄くする事が可能となり、製造コストが安価なＸ線平面検出器を実現できる。
【００１４】
また、希土類ハライドは環境影響が少ないため、Ｘ線電荷変換膜回収のコストが安く、人体への影響の可能性が少ないという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に、本発明の実施形態を説明するが、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。
【００１６】
図１にＸ線平面検出器の平面回路図を示す。
【００１７】
画素ｅ１．１は、アモルファス・シリコン（ａ−Ｓｉ）ＴＦＴ１０２、Ｘ線電荷電変換膜２１０及び画素容量１０５で構成される。各画素ｅは、縦横の各辺に数百個から数千個並んだアレイ状になっている。
【００１８】
Ｘ線電荷電変換膜２１０には、電源１０９によって負のバイアス電圧が印加される。ａ−ＳｉＴＦＴ１０２は、信号線１０３と走査線６０６に接続しており、走査線駆動回路６０７によってオン／オフが制御される。信号線１０３の終端は、信号線制御回路６０８により制御された切り替えスイッチ６０９を通して信号検出用の増幅器６１０に接続している。
【００１９】
Ｘ線が入射すると、Ｘ線電荷変換膜中で正孔と電子が発生し、電子は一旦蓄積容量１０５に蓄えられる。
【００２０】
走査線駆動回路６０７で走査線６０６を駆動し、１つの走査線６０６に接続している１列のａ−ＳｉＴＦＴ６０１をオンにすると、蓄積された電荷は信号線１０３を通って増幅器６１０側に転送される。切り替えスイッチ６０９で、１画素ごとに電荷を増幅器６１０に入力し、ＣＲＴ等に表示出来る様な点順次信号に変換する。画素ｅに入射する光の量によって電荷量が異なり、増幅器６１０の出力振幅は変化し、これが輝度に相当する。
【００２１】
図２は、１画素の断面図である。
【００２２】
基板２０１上に、ゲート電極１０４、絶縁層２０２を介してａ−Ｓｉ層２０４が設けられている。ａ−Ｓｉ層２０４上に、ゲート電極１０４に対して位置精度良くストッパー層２０６が形成されている。また、ゲート電極１０４外のａ−Ｓｉ層２０４上に、ドレイン電極２０５１、ソース電極２０５２が設けられている。このようにして、ＴＦＴ１０２が形成される。さらに、ドレイン電極２０５１上には信号線電極１０３、ソース電極２０５
２上には接続電極２０７１が設けられている。
【００２３】
また、基板２０１上には、下容量電極２０３、絶縁層２０２が設けられている。下容量電極２０３は、絶縁層２０２を挟んで上容量電極２０７に対向し、蓄積容量１０５を形成している。ここで、上容量電極２０７と接続電極２０７１は共通の電極でも良いし、電気的に接続されている２つの電極でも良い。
【００２４】
ＴＦＴ１０２、上容量電極２０７上には、樹脂層２０８が設けられ、さらにその上に画素電極２０９が設けられている。この画素電極２０９と接続電極２０７１は電気的に接続されている。
【００２５】
画素電極２０９上には、Ｘ線電荷変換膜２１０が設けられている。
【００２６】
Ｘ線電荷変換膜２１０上には、共通電極１０８が設けられている。
【００２７】
図３に、図２の回路模式図を示し、図２と共通する部分には同じ引用符号を付する。
【００２８】
図３に示すように、Ｘ線電荷変換膜２１０を共通電極１０８と画素電極２０９が挟持し、共通電極２０９は、電源１０９に接続されている。一方、画素電極２０９はＴＦＴ１０２と蓄積容量１０５に接続される。ＴＦＴ１０２はゲート線１０４により制御され、画素電極２０９と信号線１０３とのオン／オフ機能を担う。
【００２９】
ここで、Ｘ線電荷変換膜２１０の構成を説明する。
【００３０】
一般に、物質のＸ線吸収係数は、Ｘ線のエネルギー及び吸収殻により異なるが、原子番号の大きい方が大きい。このためＸ線検出器材料としては、周期律表の後の原子の方が、薄い膜厚で大きな吸収が得られる。このため、ＰｂＩ２やＨｇＩ２等の重元素のヨウ化物が良好な特性を示す。
【００３１】
ランタノイドはＰｂやＨｇと同じ周期に属し、同程度の吸収係数を示す。ランタノイドの原子番号ＺはＬａ（Ｚ＝５７）、Ｃｅ（Ｚ＝５８）、Ｐｒ（Ｚ＝５９）、Ｎｄ（Ｚ＝６０）、Ｐｍ（Ｚ＝６１）、Ｓｍ（Ｚ＝６２）、Ｅｕ（Ｚ＝６３）、Ｇｄ（Ｚ＝６４）、Ｔｂ（Ｚ＝６５）、Ｄｙ（Ｚ＝６６）、Ｈｏ（Ｚ＝６７）、Ｅｒ（Ｚ＝６８）、Ｔｍ（Ｚ＝６９）、Ｙｂ（Ｚ＝７０）、Ｌｕ（Ｚ＝７１）であり、Ｓｅ（Ｚ＝３４）よりも大きく、これらの元素はＳｅよりもＸ線吸収係数が大きい。
【００３２】
しかし、ランタノイドは単体では抵抗率が低いために、Ｘ線電荷変換膜材料としての使用は困難である。このため本発明では、抵抗率の高い物質であるランタノイドとヨウ素、臭素、塩素の化合物を用いてＸ線電荷変換膜を構成する。なお、材料の化学的安定性を制御する等の目的で、適量のＦを含んでも良い。
【００３３】
これらハロゲンの原子番号は、Ｆ（Ｚ＝９）、Ｃｌ（Ｚ＝１７）、Ｂｒ（Ｚ＝３５）、Ｉ（Ｚ＝５３）であり、より原子番号が大きい、ＢｒやＩが好ましい。
【００３４】
Ｘ線吸収係数は物質の密度と構成元素の吸収係数の積により定義できる。ランタノイドのヨウ化物は４から６の比重を有し、ＰｂＩ２やＨｇＩ２に近い比重を有する。
【００３５】
Ｘ線電荷変換膜には、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕの中から選ばれるランタノイド元素の３価のヨウ化物を用いることができる。これらの３価のランタノイドヨウ化物はＳｅよりもＸ線吸収係数が大きい。
【００３６】
また、Ｘ線電荷変換膜に、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｄｙ、Ｙｂ、Ｌｕの中から選ばれるランタノイドの２価のヨウ化物を用いてもよい。これらの２価のランタノイドヨウ化物もＳｅよりもＸ線の吸収係数が大きい。
【００３７】
さらに、Ｘ線電荷変換膜に、ランタノイドと酸素と沃素の化合物である酸化ヨウ化ランタノイドを用いてもよい。酸化ヨウ化ランタノイドは、ヨウ化ランタノイドよりも水分や空気に対して化学的に安定である。従って、成膜後の製造工程や保存設備を簡略にできる。また、検出器を使用中にＸ線電荷変換膜の特性が劣化することがほとんどないので、長期的信頼性が高い検出器を実現できる。
【００３８】
これらの２価、３価のヨウ化ランタノイド及び酸化ヨウ化物ランタノイドによるＸ線電荷変換膜を用いた検出器においては、胸部撮影等に用いる６０ｋｅＶのＸ線で撮影を行う場合、入射Ｘ線の６８％を吸収するために必要な変換層の厚みは、約９００μｍ以下と、Ｓｅを用いた変換膜よりも膜厚を薄くすることが可能である。
【００３９】
これらのＸ線吸収が大きい材料を変換膜に用いることにより、膜厚を薄くしても、十分にＸ線を吸収する事が出来る。この様な変換膜を用いる事により、より低い印加電圧で、Ｘ線により発生した電荷を低い印加電圧で外部に取り出す事が可能となる。したがって、容量の小さくて価格が安価な電源を使用できるという利点がある。
【００４０】
また、環境影響が少ないために感光膜の回収等の費用が少なくて済むというメリットがある。
【００４１】
次に、本実施形態の製造方法の例を説明する。
【００４２】
ガラス基板２０１上に、厚さ３００ｎｍ程度のＡｌ合金またはＭｏＷをスパッタ成膜後、パターニングしてゲート電極１０４及び蓄積容量電極２０３を形成する。
【００４３】
この上に、ＣＶＤ法により、絶縁層２０２として、厚さ３００ｎｍ程度のシリコン酸化膜を形成する。
【００４４】
この上に、ａ−Ｓｉ層２０４をパターン形成する。
【００４５】
さらに、その上に、ＳｉＮｘ膜を成膜し、裏面露光を行い、ゲート電極１０４に対して位置精度良くストッパー層２０６を形成する。
【００４６】
ＣＶＤ法により、ｎ＋Ｓｉ層を成膜し、パターニングして、ドレイン電極２０５１及びソース電極２０５２を形成する。
【００４７】
次いで、Ａｌ合金層をパターン形成し、信号線電極１０３、接続電極２０７１、上容量電極２０７を形成する。
【００４８】
この上に、アクリル系の樹脂層２０８を厚み３〜４μｍ程度パターン形成する。
【００４９】
さらに、樹脂層２０８の上に、ＩＴＯ層をパターン形成し、画素電極２０９を形成する。
【００５０】
以上のようにして、ＴＦＴアレイ基板１０１が形成される。
【００５１】
この上に、真空蒸着法等により、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕの中から選ばれるランタノイド元素のヨウ素、臭素、塩素の化合物の膜を形成する。
【００５２】
さらに、共通電極１０８として、厚さ２００ｎｍ程度のＣｒをスパッタ法で形成した。共通電極１０８には、ＰｔやＰｄ等の他の金属を用いても良い。
【００５３】
図は省略するが、共通電極１０８とＴＦＴアレイ基板１０１との間の端部で、沿面放電を防止するためパッシベーションを形成する。
【００５４】
検出アンプ、ＡＤコンバーター、画像処理回路等を接続してＸ線平面検出器を完成する。
【００５５】
また、画素電極２０９の下に、保護ＴＦＴを配置することもできる。これは、画素電極２０９に到達した電子が過剰となった場合に、ＴＦＴ１０２や蓄積容量１０５が破壊されるのを防止するため、画素電極と接地線等との間に接続される。画素電極２０９の電位が一定値を超えると、ダイオード接続された保護ＴＦＴが開き、画素電極の過剰電荷を接地線等に放出するようにする。
【実施例１】
【００５６】
Ｘ線電荷変換膜２１０として、ＴＦＴアレイ基板１０１の表面に、真空蒸着法により、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕの中から選ばれるランタノイド元素の３価のヨウ化物を約１００μｍから約９００μｍの範囲で蒸着する。
【００５７】
例えば、ＬｕＩ３を厚さ約５００μｍ蒸着する。この場合、Ｘ線電荷変換膜２１０のＸ線吸収量と、Ｘ線電荷変換膜２１０からの電荷の取出し量が好ましい値に設定できる。
【実施例２】
【００５８】
Ｘ線電荷変換膜２１０として、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｄｙ、Ｙｂ、Ｌｕの中から選ばれるランタノイドの２価のヨウ化物を用いる。
【００５９】
Ｘ線電荷変換膜２１０として、真空蒸着法により、約９０μｍから約８５０μｍの範囲で形成する。
【００６０】
例えば、ＬｕＩ２を厚さ約４００μｍ蒸着する。厚みを約４００μｍにするとＸ線電荷変換膜のＸ線を吸収量と、Ｘ線電荷変換膜からの電荷の取出し量が好ましい値に設定できる。
【００６１】
２価のランタノイドヨウ化物を用いた検出器は、３価のランタノイドヨウ化物を用いた検出器に比べて、ヨウ素に対するランタノイドの比が大きく、Ｘ線吸収係数が大きいので、より変換膜の厚みを薄くする事ができる。
【実施例３】
【００６２】
Ｘ線電荷変換膜２１０として、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕの中から選ばれるランタノイド元素とヨウ素と酸素の化合物である酸化ヨウ化ランタノイドを用いる。
【００６３】
真空蒸着法により、酸化ヨウ化ランタノイド化合物を厚さ約１００μｍから約９００μｍの範囲で蒸着する。
【００６４】
例えば、ＬｕＯＩを約４５０μｍ蒸着して、Ｘ線電荷変換膜２１０を形成する。
【００６５】
厚みを約４５０μｍにすると、Ｘ線電荷変換膜２１０のＸ線を吸収量と、Ｘ線電荷変換膜２１０からの電荷の取出し量が好ましい値に設定できる。
【００６６】
このこのようにして形成した酸化ヨウ化ランタノイドは、水分や空気に対してランタノイドハライドよりも安定であり、成膜後の製造工程や保存設備を簡略に出来る。また、検出器を使用中に変換膜の特性が劣化することがほとんどないので、長期的信頼性が高い。
【実施例４】
【００６７】
Ｘ線電荷変換膜２１０として、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｙｂのヨウ化物を用いる。
【００６８】
例えば、画素電極２０９上に、厚さ約１００μｍ〜約１０００μｍのＴｂＩ２を形成する。膜厚は、好ましくは、約５００μｍである。
【００６９】
厚みを約５００μｍにすると、Ｘ線電荷変換膜２１０のＸ線を吸収量と、Ｘ線電荷変換膜２１０からの電荷の取出し量が好ましい値に設定できる。
【００７０】
ＴｂＩ２を使用すると、Ｘ線によりＴｂが発光するため、隣接画素まで発光が到達する。図４に示すように、その光は、隣接画素のＴｂＩ２により吸収されて、電子正孔対を発生して、微弱な信号電荷を発生するため、解像度が少し劣化する。これによりソフトな画像となり、またショットノイズが低減できる。特に微弱なＸ線で使用される動画に対して有効である。
【００７１】
隣接画素による発光をさらに電荷に変換して、より解像度を下げてショットノイズ等を低下させることもできる。このためには、画素電極２０９を可視光に透明な材料を用い、基板上に光を感知するフォトダイオードを形成する。このフォトダイオードが、強発光群ハライドの発光を電荷に変換するのである。
【００７２】
このような効果が得られるのは、非閉殻内遷移での発光が強いＣｅ、Ｐｒ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｙｂが有効である。
【００７３】
稀土類は、非完全閉殻である４ｆの準位内の遷移で発光するため、他の元素との化合物を形成しても発光特性をほぼそのまま保つ。非完全閉殻準位の状態により、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｙｂの強発光群と、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｌｕの弱発光群に分類できる。
【００７４】
強発光群では、非完全閉殻内の準位の数が少なく、ギャップ間の準位間エネルギーが大きく、可視光発光が強い。一方、弱発光群では、非完全閉殻内の準位が多く、準位間エネルギーが小さく、可視光の発光が弱い。なお、Ｌｕは非完全閉殻内の順位が無いため発光が弱い。
【００７５】
このため、強発光群のハライドをもちいると、解像度が劣化する。
【００７６】
しかし、解像度が高すぎる場合には、折り返し雑音が強調されたり、ショットノイズが目立ったりするのだが、微弱なＸ線照度で使用する動画診断等には好都合である。
【００７７】
逆に、解像度が重要な静止画のような場合には弱発光群のハロゲン化物をＸ線電荷変換
膜として用いるのが良い。
【実施例５】
【００７８】
本実施例の断面図を図５に示す。図２と同じ部分には、同じ引用番号を付する。
【００７９】
ここでは、実施例１と同様の工程により製造したＴＦＴアレイ１０１の表面に、ランタノイドハライド粒子２１２と有機ポリマー２１１の混合層を形成する。
【００８０】
例えば、ランタノイドハライドとしてＹｂＣｌ３を直径５０μｍ程度の粒子に加工して用いる。
【００８１】
また、有機ポリマー２１１としては、ベースポリマーとしてポリカーボネートを用いる。ここで、混合層に用いるランタノイドハライドに対するポリカーボネートの重量の比率は、ポリカーボネートを１に対してランタノイドハライドを１以上とする。
【００８２】
予め、ベースポリマーは、有機溶剤としてシクロヘキサノンに溶解しておく。有機溶剤としては、この他に、トルエン、ＤＭＦ等を用いても良い。
【００８３】
有機溶剤には、電荷輸送剤であるブタジエン誘導体を溶解する。電荷輸送剤の量は、完成したＸ線電荷変換膜２１０中に約１５ｗｔ％以下含まれるようにするのが好ましい。有機輸送材料としては、この他に、Ａｌｑ3、ＴＰＤ、ポリフェニレンビニレン、ポリアルキルチオフェン、ポリビニルカルバゾール、トリフェニレン、液晶分子、金属フタルシアニンを用いることができる。
【００８４】
ベースポリマーにランタノイドハライド粒子を分散させた分散溶液を、ＴＦＴアレイ基板１０１上に塗布し、約８０℃で約１時間以上加熱し、溶剤を蒸発させる。最終的に、Ｘ線電荷変換膜２１０の膜厚が約２００μｍ以上となる様に、あらかじめＴＦＴアレイ１０１上に滴下する分散液量を調整しておく。
【００８５】
例えば、ランタノイドハライドとポリカーボネートの重量比が、ポリカーボネートを１に対してランタノイドハライドが５の場合、膜厚は好ましくは１０００μｍである。
【００８６】
次に、スパッタ蒸着法によりＣｒ等を共通電極１０８として２００ｎｍ程度の膜厚で蒸着する。
【００８７】
このようにして、ランタノイドハライドと有機ポリマーの混合物を溶剤に分散し、この分散溶液をＴＦＴアレイ上に塗布する事により、高価な真空蒸着装置を使用することなく、変換膜を形成でき、製造コストを安価にできる。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】実施形態を説明する平面概略図。
【図２】実施形態を説明する断面概略図。
【図３】実施形態を説明する断面説明図。
【図４】実施例４を説明する説明図。
【図５】実施例５を説する断面概略図。
【符号の説明】
【００８９】
１０１…ＴＦＴアレイ基板
１０２…ＴＦＴ
１０４…ゲート電極
１０５…蓄積容量
１０８…共通電極
２０２…絶縁層
２０４…ａ−Ｓｉ層
２０６…ストッパー層
２０５１…ドレイン電極
２０５２…ソース電極
２０３…下容量電極
２０７…上容量電極
２０７１…接続電極
２０９…画素電極
２１０…Ｘ線電荷変換膜
２１１…有機ポリマー層
２１２…ランタノイドハライド粒子
【図１】
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【図２】
2005064150.tif 000004
【図３】
2005064150.tif 000005
【図４】
2005064150.tif 000006
【図５】
2005064150.tif 000007