(57)【要約】【課題】ソケットを用いて基板上に取り付けられたＬＳＩにシリコングリスを介して設けられ、前記ＬＳＩの放熱を行なうヒートシンクの取付構造に関し、ＬＳＩのピンをいためずにヒートシンクを交換できるヒートシンクの取付構造を提供することを課題とする。【解決手段】ＬＳＩ１０１はソケット１０３を用いて基板１０５に取り付けられている。ＬＳＩ１０１には、シリコングリス１０９を介してＬＳＩ１０１の放熱を行なうヒートシンク１０７が設けられている。ヒートシンク１０７は、ＬＳＩ１０１と対向する面を分割するように複数に、図１では第１ヒートシンク１２１と第２ヒートシンク１２３とに分割されている。【選択図】      図１
2005064004.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソケットを用いて基板上に取り付けられたＬＳＩにシリコングリスを介して設けられ、前記ＬＳＩの放熱を行なうヒートシンクの取付構造において、
前記ＬＳＩと対向する面を分割するように前記ヒートシンクは複数に分割されていることを特徴とするヒートシンク取付構造。
【請求項２】
ソケットを用いて基板上に取り付けられたＬＳＩにシリコングリスを介して設けられ、前記ＬＳＩの放熱を行なうヒートシンクの取付構造において、
前記ヒートシンクが移動可能に係合し、前記ヒートシンクを前記ＬＳＩへ案内すると共に、その案内方向が前記ＬＳＩの前記ソケットからの取り外し方向と異なる方向であるガイドを設けたことを特徴とするヒートシンク取付構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ソケットを用いて基板上に取り付けられたＬＳＩにシリコングリスを介して設けられ、前記ＬＳＩの放熱を行なうヒートシンクの取付構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図６に示すように、マイクロプロセッサー等のＬＳＩ１がその入出力用のピン２が一面に剱山のように並んでいるＰＧＡタイプの場合、ＬＳＩ１の基板３への取付方法の一つに、ソケット５を介して取り付ける方法がある。更に、ＬＳＩ１上には、放熱のためにアルミニウム合金等でなるヒートシンク７が設けられる場合がある。この場合、ＬＳＩとヒートシンク７間の熱伝導を高め、効果的な放熱を行うために、ヒートシンク７はシリコングリス９を介して設けられる。（例えば、特許文献１参照）
又、基板３には、ヒートシンク７の周面に当接可能なガイド１１が設けられ、ヒートシンク７の位置決めを行っている。
【０００３】
【特許文献１】
特開２０００−３４９４４８号公報（第８頁−第９頁、図１３、図１４）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、シリコングリス９は、熱により固化し、ＬＳＩ１とヒートシンク７とが固着する。一方、ＬＳＩ１は多ピン化、小型化している。そして、ソケット５もＬＳＩ１の多ピン化に応じてＺＩＦ（Ｚｅｒｏ  Ｉｎｓｅｒｔｉｏｎ  Ｆｏｒｃｅ）ソケットが用いられ、ピン２の固定力も小さくなっている。
【０００５】
従って、ヒートシンク７を交換する場合、ヒートシンク７をＬＳＩ１から取り外そうとすると、ＬＳＩ１のヒートシンク７への固着力が大きいので、ＬＳＩ１のピンをいためる問題点がある。
【０００６】
特に、図６に示すように、ガイド１１が設けられている場合、ヒートシンク７の取付／取外方向はＬＳＩ１のピン２の延出方向と平行であるので、ヒートシンク７を取り外す力の方向と、ＬＳＩ１をソケット５から取り外す方向とが一致し、ＬＳＩ１のピン２が更にいためられやすい。
【０００７】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、その課題は、ＬＳＩのピンをいためずにヒートシンクを交換できるヒートシンクの取付構造を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決する請求項１記載の発明は、ＬＳＩ上にシリコングリスを介して設けられ、前記ＬＳＩの放熱を行なうヒートシンクの取付構造において、前記ＬＳＩと対向する面を分割するように前記ヒートシンクは複数に分割されていることを特徴とするヒートシンク取付構造である。
【０００９】
前記ヒートシンクは複数に分割されていることにより、分割された各ヒートシンクのＬＳＩへの固着力は小さくなっている。従って、ヒートシンクを取り外す際に、分割されたヒートシンクのうちの少なくとも１つをＬＳＩへ押さえつけ、残りのヒートシンクをＬＳＩより取り外すようにすれば、従来よりもヒートシンクのＬＳＩへの固着力が小さい状態で、ヒートシンクをＬＳＩより取り外すことができる。このため、ＬＳＩのピンをいためずにヒートシンクを交換できる。
【００１０】
特に、前記分割された各ヒートシンクは隣接するヒートシンクに対して、前記ＬＳＩから剥離される方向に回転可能に設けることが好ましい。
【００１１】
前記ＬＳＩから剥離される方向に回転可能に設けることにより、ヒートシンクを取り外す力の方向と、ＬＳＩのソケットから取り外す方向とが異なり、更にピンをいためずにヒートシンクの交換が可能となる。
【００１２】
請求項２記載の発明は、ソケットを用いて基板上に取り付けられたＬＳＩにシリコングリスを介して設けられ、前記ＬＳＩの放熱を行なうヒートシンクの取付構造において、前記ヒートシンクが移動可能に係合し、前記ヒートシンクを前記ＬＳＩへ案内すると共に、その案内方向が前記ＬＳＩの前記ソケットからの取り外し方向と異なる方向であるガイドを設けたことを特徴とするヒートシンク取付構造である。
【００１３】
前記ヒートシンクが移動可能に係合し、前記ヒートシンクを前記ＬＳＩへ案内すると共に、その案内方向が前記ＬＳＩの前記ソケットからの取り外し方向と異なる方向であるガイドを設けたことにより、ヒートシンクを取り外す力の方向と、ＬＳＩのソケットから取り外す方向とが異なるので、ピンをいためずにヒートシンクの交換が可能となる。
【００１４】
ガイドとしては、ヒートシンクを前記ＬＳＩの前記ヒートシンク取付面に対して略平行な方向に案内するガイドがある。
【００１５】
又、前記ヒートシンクを前記ＬＳＩの前記ヒートシンク取付面に対してらせん状に回転しながら前記ＬＳＩに案内するガイドがある。
【００１６】
【発明の実施の形態】
（第１の実施の形態例：請求項１に対応）
第１の実施の形態例の斜視図である図１、図１のＡ方向矢視図である図２を用いて説明する。図において、複数のピン１０２を有するＬＳＩ１０１は、ソケット１０３を用いて基板１０５上に取り付けられている。そして、ＬＳＩ１０１の放熱を行なうヒートシンク１０７はシリコングリス１０９を介してＬＳＩ１０１上に設けられている。
【００１７】
ヒートシンク１０７はＬＳＩ１０１と対向する面を分割するように複数に分割されている。本実施の形態例では、２つのヒートシンク、即ち、第１ヒートシンク１２１と第２ヒートシンク１２３とした。そして、ＬＳＩ１０１上に設けられた第１ヒートシンク１２１、第２ヒートシンク１２３はピン１２５を用いてＬＳＩ１０１から剥離される方向に回転可能となっている。又、第２ヒートシンク１２３の下部には、回転した時にＬＳＩ１０１と干渉しないように、切欠１２３ａが形成されている。
【００１８】
次に、上記構成の作動を説明する。ヒートシンク１０７を取り外す際に、最初に、第１ヒートシンク１２１をＬＳＩ１０１へ押さえつけ、図２（ａ）に示すように、第２ヒートシンク１２３を矢印方向（ＬＳＩ１０１から剥離される方向に）に回転させると、図２（ｂ）に示すように、第２ヒートシンク１２３のみがＬＳＩ１０１より取り外される。次に、第１ヒートシンク１２１をＬＳＩ１０１より取り外す。
【００１９】
このような構成によれば、ヒートシンク１０７は第１ヒートシンク１２１と、第２ヒートシンク１２３とに分割されていることにより、分割された各ヒートシンク１２１、１２３のＬＳＩ１０１への固着力は小さくなっている。そして、最初に第２ヒートシンク１２３、次に、第１ヒートシンク１２１をＬＳＩ１０１取り外すようにすれば、従来よりもヒートシンクのＬＳＩ１０１への固着力が小さい状態で、各ヒートシンク１２１、１２３をＬＳＩ１０１より取り外すことができる。このため、ＬＳＩ１０１のピン１０２をいためずにヒートシンク１０７を交換できる。
【００２０】
更に、本実施の形態例では、第１ヒートシンク１２１、第２ヒートシンク１２３はピン１２５を用いてＬＳＩ１０１から剥離される方向に回転可能となっているので、第２ヒートシンク１２３を取り外す力の方向と、ＬＳＩ１０１のソケット１０３から取り外す方向とが異なり、更にピン１０２をいためずにヒートシンク１０７の交換が可能となる。
【００２１】
尚、本発明は、上記実施の形態例に限定するものではない。上記実施の形態例ではヒートシンク１０７は第１ヒートシンク１２１、第２ヒートシンク１２３の２つに分割したが、３つ以上に分割してもよい。
【００２２】
（第２の実施の形態例）
第２の実施の形態例の分解斜視図である図３を用いて説明する。尚、第１の実施の形態例と同一部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。
【００２３】
図において、ソケット１０３の両サイドには、ガイド溝２０１が形成されたガイド板２０３が設けられている。一方、ヒートシンク２１１の両サイドには、ガイド板２０３のガイド溝２０１に移動可能に係合する突起２１３が形成されている。そして、ガイド板２０３のガイド溝２０１の案内方向は、ＬＳＩ１０１のソケット１０３からの取り外し方向（図において矢印Ｂ方向）と異なる方向とした。本実施の形態例では、ヒートシンク２１１をＬＳＩ１０１のヒートシンク取付面に対して略平行な方向（図において矢印Ｃ方向）とした。本実施の形態例では、ガイド溝２０１の方向は、突起２１３がガイド溝２０１の終端まで移動したときに、ヒートシンク２１１の底面とＬＳＩ１０１の上面との距離が最小になるような傾斜とした。
【００２４】
上記構成によれば、ヒートシンク２１１を取り外す力の方向（図において、矢印Ｃと反対方向）と、ＬＳＩ１０１のソケット１０３から取り外す方向（図において矢印Ｂ方向）とが異なるので、ＬＳＩ１０１のピンをいためずにヒートシンク２１１の交換が可能となる。
【００２５】
尚、本発明は、上記実施の形態例に限定するものではない。上記実施の形態例では。ヒートシンク２１１側に突起２１３、ガイド板２０３側にガイド溝２０１を設けたが、逆に、ヒートシンク２１１側にガイド溝、ガイド板２０３側にガイド溝に移動可能に係合する突起を設けてもよい。
【００２６】
更に、突起２１３に限定するものではなく、他にローラ等の転動体であってもよい。
【００２７】
（第３の実施の形態例）
第３の実施の形態例の分解斜視図である図４及び図４の断面図である図５を用いて説明する。尚、第１の実施の形態例と同一部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。これらの図において、基板１０５上には、筒体３０１が設けられる。この筒体３０１の内筒部３０３は、ソケット１０３、ＬＳＩ１０１を収容可能な大きさに設定され、内筒面には、めねじ３０５が刻設されている。
【００２８】
ヒートシンク３１１の下部には、筒体３０１の内筒部３０３のめねじ３０５に螺合可能なおねじ３１３が刻設された円柱部３１５が形成されている。この円柱部３１５は、筒体３０１の内筒部３０３に螺合した際に、ＬＳＩ１０１の上面に当接可能な母線長を有している。
【００２９】
上記構成によれば、ヒートシンク３１１を取り外す力の方向はＬＳＩ１０１のヒートシンク取付面に対してらせん状であり、ＬＳＩ１０１のソケット１０３から取り外す方向（図４において矢印Ｄ方向）が異なるので、ＬＳＩ１０１のピンをいためずにヒートシンク３１１の交換が可能となる。
【００３０】
（付記１）  ソケットを用いて基板上に取り付けられたＬＳＩにシリコングリスを介して設けられ、前記ＬＳＩの放熱を行なうヒートシンクの取付構造において、
前記ＬＳＩと対向する面を分割するように前記ヒートシンクは複数に分割されていることを特徴とするヒートシンク取付構造。
【００３１】
（付記２）  前記分割された各ヒートシンクは隣接するヒートシンクに対して、前記ＬＳＩから剥離される方向に回転可能に設けられることを特徴とする付記１記載のヒートシンク取付構造。
【００３２】
（付記３）  ソケットを用いて基板上に取り付けられたＬＳＩにシリコングリスを介して設けられ、前記ＬＳＩの放熱を行なうヒートシンクの取付構造において、
前記ヒートシンクが移動可能に係合し、前記ヒートシンクを前記ＬＳＩへ案内すると共に、その案内方向が前記ＬＳＩの前記ソケットからの取り外し方向と異なる方向であるガイドを設けたことを特徴とするヒートシンク取付構造。
【００３３】
（付記４）  前記ガイドは、前記ヒートシンクを前記ＬＳＩの前記ヒートシンク取付面に対して略平行な方向に案内することを特徴とする付記３記載のヒートシンク取付構造。
【００３４】
（付記５）  前記ガイドは、前記ヒートシンクを前記ＬＳＩの前記ヒートシンク取付面に対してらせん状に回転しながら案内することを特徴とする付記３記載のヒートシンク取付構造。
【００３５】
【発明の効果】
以上述べたように請求項１記載の発明によれば、前記ヒートシンクは複数に分割されていることにより、分割された各ヒートシンクのＬＳＩへの固着力は小さくなっている。従って、ヒートシンクを取り外す際に、分割されたヒートシンクのうちの少なくとも１つをＬＳＩへ押さえつけ、残りのヒートシンクをＬＳＩより取り外すようにすれば、従来よりもヒートシンクのＬＳＩへの固着力が小さい状態で、ヒートシンクをＬＳＩより取り外すことができる。このため、ＬＳＩのピンをいためずにヒートシンクを交換できる。
【００３６】
請求項２記載の発明によれば、前記ヒートシンクが移動可能に係合し、前記ヒートシンクを前記ＬＳＩへ案内すると共に、その案内方向が前記ＬＳＩの前記ソケットからの取り外し方向と異なる方向であるガイドを設けたことにより、ヒートシンクを取り外す力の方向と、ＬＳＩのソケットから取り外す方向とが異なるので、ピンをいためずにヒートシンクの交換が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態例の斜視図である。
【図２】図１のＡ方向矢視図である。
【図３】第２の実施の形態例の分解斜視図である。
【図４】第３の実施の形態例の分解斜視図である。
【図５】図４の断面図である。
【図６】従来のヒートシンク取付構造を説明する図である。
【符号の説明】
１０１  ＬＳＩ
１０３  ソケット
１０５  基板
１０７  ヒートシンク
１０９  シリコングリス
１２１  第１ヒートシンク
１２３  第３ヒートシンク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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