(57)【要約】【課題】  発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】  透明基板４０と、透明基板４０上に形成されたｎ型化合物半導体層４２と、ｎ型化合物半導体層４２の第１領域Ｒ１上に順次に形成された活性層４４と、ｐ型化合物半導体層４６及びｐ型電極４８、５０と、第１領域Ｒ１と離隔された、ｎ型化合物半導体層の第２領域Ｒ２上に形成されたｎ型電極５２と、を備えるＬＥＤにおいて、ｐ型電極４８、５０は抵抗及び反射率特性の異なる第１電極４８及び第２電極５０からなることを特徴とするＬＥＤ及びその製造方法。【選択図】            図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、
前記透明基板上に形成されたｎ型化合物半導体層と、
前記ｎ型化合物半導体層の第１領域上に順次に形成された活性層と、
ｐ型化合物半導体層及びｐ型電極と、
前記第１領域と離隔された、前記ｎ型化合物半導体層の第２領域上に形成されたｎ型電極と、を備えるＬＥＤにおいて、
前記ｐ型電極は、抵抗及び反射率特性の異なる第１及び第２電極からなることを特徴とするＬＥＤ。
【請求項２】
前記第１電極は、所定厚さのランタンニッケル酸化膜であることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項３】
前記第２電極は、銀（Ａｇ）膜、アルミニウム（Ａｌ）膜、ロジウム（Ｒｈ）膜、及び錫（Ｓｎ）膜からなる群のうち何れか一つであることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項４】
透明基板と、
前記透明基板上に形成されたｎ型化合物半導体層と、
前記ｎ型化合物半導体層の第１領域上に形成された活性層と、
前記活性層上に形成されたｐ型化合物半導体層と、
前記ｐ型化合物半導体層上に形成された低抵抗膜と、
前記低抵抗膜上に形成されたｐ型電極と、
前記第１領域と離隔された、前記ｎ型化合物半導体層の第２領域上に形成されたｎ型電極と、を備えることを特徴とするＬＥＤ。
【請求項５】
前記低抵抗膜は、ランタンニッケル酸化膜であることを特徴とする請求項４に記載のＬＥＤ。
【請求項６】
前記ｐ型電極は、Ａｇ膜、Ａｌ膜、Ｒｈ膜、及びＳｎ膜からなる群のうち何れか一つであることを特徴とする請求項４に記載のＬＥＤ。
【請求項７】
透明基板上にｎ型化合物半導体層、活性層、及びｐ型化合物半導体層を順次に積層する第１段階と、
前記ｐ型化合物半導体層及び前記活性層を順次にパターニングして前記ｎ型化合物半導体層の一部を露出させる第２段階と、
前記ｎ型化合物半導体層の露出された部分にｎ型電極を形成する第３段階と、
パターニングされた前記ｐ型化合物半導体層上に金属化合物膜を形成する第４段階と、
前記金属化合物膜を酸化させる第５段階と、
前記酸化された金属化合物膜上に導電性を有する反射膜を形成する第６段階と、を含むことを特徴とするＬＥＤの製造方法。
【請求項８】
前記第４段階は、
前記パターニングされた前記ｐ型化合物半導体層上に前記ｐ型化合物半導体層が露出される感光膜パターンを形成する段階と、
前記感光膜パターン上に前記ｐ型化合物半導体層の露出された部分と接触する金属化合物膜を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項７に記載のＬＥＤの製造方法。
【請求項９】
前記金属化合物膜は、ランタンニッケル膜で形成することを特徴とする請求項７に記載のＬＥＤの製造方法。
【請求項１０】
前記反射膜は、Ａｇ膜、Ａｌ膜、Ｒｈ膜、及びＳｎ膜からなる群のうち何れか一つで形成することを特徴とする請求項７に記載のＬＥＤの製造方法。
【請求項１１】
前記反射膜が形成された結果物を窒素雰囲気で熱処理することを特徴とする請求項７に記載のＬＥＤの製造方法。
【請求項１２】
前記金属化合物膜は、ランタンニッケル膜で形成することを特徴とする請求項８に記載のＬＥＤの製造方法。
【請求項１３】
透明基板上にｎ型化合物半導体層を形成する第１段階と、
前記ｎ型化合物半導体層上に活性層及びｐ型化合物半導体層を順次に形成する第２段階と、
前記ｎ型化合物半導体層の一部が露出されるように前記ｐ型化合物半導体層及び前記活性層をパターニングする第３段階と、
前記ｎ型化合物半導体層の露出された領域上にｎ型電極を形成する第４段階と、
パターニングされた前記ｐ型化合物半導体層上に金属化合物膜及び導電性反射膜を順次に形成する第５段階と、
前記金属化合物膜を酸化させる第６段階と、を含むことを特徴とするＬＥＤの製造方法。
【請求項１４】
前記第５段階は、
パターニングされた前記ｐ型化合物半導体層上に前記ｐ型化合物半導体層が露出される感光膜パターンを形成する段階と、
前記感光膜パターン上に前記ｐ型化合物半導体層の露出された部分と接触する金属化合物膜を形成する段階と、
前記金属化合物上に前記反射膜を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項１３に記載のＬＥＤの製造方法。
【請求項１５】
前記第６段階以後に前記感光膜パターンを除去し、前記感光膜パターン上に積層された前記金属化合物の酸化物および前記反射膜も共に除去することを特徴とする請求項１４に記載のＬＥＤの製造方法。
【請求項１６】
前記金属化合物膜は、ランタンニッケル膜で形成することを特徴とする請求項１３に記載のＬＥＤの製造方法。
【請求項１７】
前記反射膜は、Ａｇ膜、Ａｌ膜、Ｒｈ膜、及びＳｎ膜からなる群のうち何れか一つで形成することを特徴とする請求項１３に記載のＬＥＤの製造方法。
【請求項１８】
前記金属化合物膜が酸化された結果物を窒素雰囲気で熱処理することを特徴とする請求項１３に記載のＬＥＤの製造方法。
【請求項１９】
前記金属化合物膜は、ランタンニッケル膜で形成することを特徴とする請求項１４に記載のＬＥＤの製造方法。
【請求項２０】
透明基板上にｎ型化合物半導体層、活性層、ｐ型化合物半導体層、金属化合物酸化膜、及び導電性反射膜を順次に形成する第１段階と、
前記反射膜、前記金属化合物酸化膜、前記ｐ型化合物半導体層、及び前記活性層の一部を順次に除去して前記ｎ型化合物半導体層の一部を露出させる第２段階と、
前記ｎ型化合物半導体層の露出された領域上にｎ型電極を形成する第３段階と、を含むことを特徴とするＬＥＤの製造方法。
【請求項２１】
前記第１段階は、
前記透明基板上に前記ｎ型化合物半導体層、前記活性層、及び前記ｐ型化合物半導体層を順次に形成する段階と、
前記ｐ型化合物半導体層上に金属化合物膜を形成する段階と、
前記金属化合物膜を酸化させる段階と、
前記酸化された金属化合物膜上に前記反射膜を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項２０に記載のＬＥＤの製造方法。
【請求項２２】
前記第１段階は、
前記透明基板上に前記ｎ型化合物半導体層、前記活性層、及び前記ｐ型化合物半導体層を順次に形成する段階と、
前記ｐ型化合物半導体層上に金属化合物膜を形成する段階と、
前記金属化合物膜上に前記反射膜を形成する段階と、
前記金属化合物膜を酸化させる段階と、を含むことを特徴とする請求項２０に記載のＬＥＤの製造方法。
【請求項２３】
前記金属化合物酸化膜は、ランタンニッケル酸化膜で形成することを特徴とする請求項２０に記載のＬＥＤの製造方法。
【請求項２４】
前記反射膜は、Ａｇ膜、Ａｌ膜、Ｒｈ膜、及びＳｎ膜からなる群のうち何れか一つで形成することを特徴とする請求項２０に記載のＬＥＤの製造方法。
【請求項２５】
前記ｎ型電極が形成された結果物を窒素雰囲気で熱処理することを特徴とする請求項２０に記載のＬＥＤの製造方法。
【請求項２６】
ＬＥＤの製造方法において、
透明基板上にｎ型化合物半導体層、活性層、ｐ型化合物半導体層、金属化合物膜、及び導電性反射膜を順次に形成する第１段階と、
前記反射膜、前記金属化合物膜、前記ｐ型化合物半導体層、及び前記活性層の一部を順次に除去して前記ｎ型化合物半導体層の一部を露出させる第２段階と、
前記金属化合物膜を酸化させる第３段階と、を含むことを特徴とするＬＥＤの製造方法。
【請求項２７】
前記第２段階または第３段階の以後に前記ｎ型化合物半導体層の露出された部分にｎ型電極を形成することを特徴とする請求項２６に記載のＬＥＤの製造方法。
【請求項２８】
前記金属化合物膜は、ランタンニッケル膜で形成することを特徴とする請求項２６に記載のＬＥＤの製造方法。
【請求項２９】
前記反射膜は、Ａｇ膜、Ａｌ膜、Ｒｈ膜、及びＳｎ膜からなる群のうち何れか一つで形成することを特徴とする請求項２６に記載のＬＥＤの製造方法。
【請求項３０】
前記金属化合物膜が酸化された結果物を窒素雰囲気で熱処理することを特徴とする請求項２６に記載のＬＥＤの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子及びその製造方法に係り、より詳細には低電圧駆動が可能であり、発光効率が高く、青色及び緑色光を放出できる光放出ダイオード（ＬＥＤ；Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤは、光通信装置における光源及び電子装置の動作状態を視覚的に表すための光源として広く使われている。ＬＥＤが使われる装置によって多様な形態のＬＥＤが提供される。それに、青色または緑色光が放出される化合物半導体が発見されることによってＬＥＤの使用範囲は一層広くなっている。
【０００３】
図１は、従来技術によるＬＥＤ（以下、従来のＬＥＤ）の一例を示す。
【０００４】
図１を参照すれば、基板１０上にｎ−ＧａＮ層１２が形成されている。ｎ−ＧａＮ層１２は、活性層１４が形成された第１領域Ｒ１とｎ型電極２２が形成された第２領域Ｒ２とに区分される。このような第１及び第２領域Ｒ１、Ｒ２の間に段差が存在する。ｎ−ＧａＮ層１２の第１領域Ｒ１上に活性層１４、ｐ−ＧａＮ層１６及びｐ型電極１８が順次に形成されている。この時、ｐ型電極１８は高反射電極であって、活性層１４から放出された光を基板１０に向けて反射する役割を果たす。
【０００５】
このような従来のＬＥＤは、ｐ−ＧａＮ層１６とｐ型電極１８間の接触抵抗が大きいため、与えられた電圧で発光効率が低いという問題点がある。この問題点は印加電圧を高めることによって解消されうる。
【０００６】
ところが、ｐ−ＧａＮ層１６とｐ型電極１８間の接触抵抗は維持したまま、単純にｐ型電極１８に印加される駆動電圧を高めて発光効率を改善しようすることは、駆動電圧を可能な限り低減しようとする努力に反するものであって、新しい問題となりうる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明が解決しようとする技術的課題は、前記問題点を解決するためのものであって、ｐ型電極とｐ型化合物半導体層間の接触抵抗を減らして発光効率の低下なしに駆動電圧を低めうる発光素子を提供することである。
【０００８】
本発明が解決しようとする他の技術的課題は、このような発光素子に対する製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記技術的課題を達成するために本発明は、透明基板と、前記透明基板上に形成されたｎ型化合物半導体層と、前記ｎ型化合物半導体層の第１領域上に順次に形成された活性層と、ｐ型化合物半導体層及びｐ型電極と、前記第１領域と離隔された、前記ｎ型化合物半導体層の第２領域上に形成されたｎ型電極と、を備えるＬＥＤにおいて、前記ｐ型電極は、抵抗及び反射率特性の異なる第１及び第２電極からなることを特徴とするＬＥＤを提供する。
【００１０】
前記第１電極は、所定厚さのランタンニッケル酸化膜でありうる。
【００１１】
前記第２電極は、銀（Ａｇ）膜、アルミニウム（Ａｌ）膜、ロジウム（Ｒｈ）膜、及び錫（Ｓｎ）膜からなる群のうち何れか一つでありうる。
【００１２】
また、本発明は前記技術的課題を達成するために、透明基板と、前記透明基板上に形成されたｎ型化合物半導体層と、前記ｎ型化合物半導体層の第１領域上に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたｐ型化合物半導体層と、前記ｐ型化合物半導体層上に形成された低抵抗膜と、前記低抵抗膜上に形成されたｐ型電極と、前記第１領域と離隔された、前記ｎ型化合物半導体層の第２領域上に形成されたｎ型電極と、を備えることを特徴とするＬＥＤを提供する。
【００１３】
前記低抵抗膜は、ランタンニッケル酸化膜でありうる。また、前記ｐ型電極は、Ａｇ膜、Ａｌ膜、Ｒｈ膜、及びＳｎ膜からなる群のうち何れか一つでありうる。
【００１４】
前記他の技術的課題を達成するために本発明は、透明基板上にｎ型化合物半導体層、活性層、及びｐ型化合物半導体層を順次に積層する第１段階と、前記ｐ型化合物半導体層及び前記活性層を順次にパターニングして前記ｎ型化合物半導体層の一部を露出させる第２段階と、前記ｎ型化合物半導体層の露出された部分にｎ型電極を形成する第３段階と、パターニングされた前記ｐ型化合物半導体層上に金属化合物膜を形成する第４段階と、前記金属化合物膜を酸化させる第５段階と、前記酸化された金属化合物膜上に導電性を有する反射膜を形成する第６段階と、を含むことを特徴とするＬＥＤの製造方法を提供する。
【００１５】
前記第４段階は、前記パターニングされた前記ｐ型化合物半導体層上に前記ｐ型化合物半導体層が露出される感光膜パターンを形成する段階と、前記感光膜パターン上に前記ｐ型化合物半導体層の露出された部分と接触する金属化合物膜を形成する段階と、を含みうる。そして、前記反射膜が形成された結果物を窒素雰囲気で熱処理することができる。
【００１６】
また、本発明は前記他の技術的課題を達成するために、透明基板上にｎ型化合物半導体層を形成する第１段階と、前記ｎ型化合物半導体層上に活性層及びｐ型化合物半導体層を順次に形成する第２段階と、前記ｎ型化合物半導体層の一部が露出されるように前記ｐ型化合物半導体層及び前記活性層をパターニングする第３段階と、前記ｎ型化合物半導体層の露出された領域上にｎ型電極を形成する第４段階と、パターニングされた前記ｐ型化合物半導体層上に金属化合物膜及び導電性反射膜を順次に形成する第５段階と、前記金属化合物膜を酸化させる第６段階と、を含むことを特徴とするＬＥＤの製造方法を提供する。
【００１７】
前記第５段階は、パターニングされた前記ｐ型化合物半導体層上に前記ｐ型化合物半導体層が露出される感光膜パターンを形成する段階と、前記感光膜パターン上に前記ｐ型化合物半導体層の露出された部分と接触する金属化合物膜を形成する段階と、前記金属化合物上に前記反射膜を形成する段階と、を含みうる。そして、前記第６段階以後に前記感光膜パターンを除去するが、前記感光膜パターン上に積層された前記金属化合物の酸化物および前記反射膜も共に除去する。
【００１８】
また、前記金属化合物膜が酸化された結果物を窒素雰囲気で熱処理することができる。
【００１９】
また、本発明は前記他の技術的課題を達成するために、透明基板上にｎ型化合物半導体層、活性層、ｐ型化合物半導体層、金属化合物酸化膜、及び導電性反射膜を順次に形成する第１段階と、前記反射膜、前記金属化合物酸化膜、前記ｐ型化合物半導体層、及び前記活性層の一部を順次に除去して前記ｎ型化合物半導体層の一部を露出させる第２段階と、前記ｎ型化合物半導体層の露出された領域上にｎ型電極を形成する第３段階と、を含むことを特徴とするＬＥＤの製造方法を提供する。
【００２０】
前記第１段階は、前記透明基板上に前記ｎ型化合物半導体層、前記活性層、及び前記ｐ型化合物半導体層を順次に形成する段階と、前記ｐ型化合物半導体層上に金属化合物膜を形成する段階と、前記金属化合物膜を酸化させる段階と、前記酸化された金属化合物膜上に前記反射膜を形成する段階と、を含みうる。
【００２１】
前記第１段階は、前記透明基板上に前記ｎ型化合物半導体層、前記活性層、及び前記ｐ型化合物半導体層を順次に形成する段階と、前記ｐ型化合物半導体層上に金属化合物膜を形成する段階と、前記金属化合物膜上に前記反射膜を形成する段階と、前記金属化合物膜を酸化させる段階と、を含みうる。
【００２２】
前記ｎ型電極が形成された結果物を窒素雰囲気で熱処理することができる。
【００２３】
また、本発明は前記他の技術的課題を達成するために、透明基板上にｎ型化合物半導体層、活性層、ｐ型化合物半導体層、金属化合物膜、及び導電性反射膜を順次に形成する第１段階と、前記反射膜、前記金属化合物膜、前記ｐ型化合物半導体層、及び前記活性層の一部を順次に除去して前記ｎ型化合物半導体層の一部を露出させる第２段階と、前記金属化合物膜を酸化させる第３段階と、を含むことを特徴とするＬＥＤの製造方法を提供する。
【００２４】
この時、前記第２段階または第３段階の以後に前記ｎ型化合物半導体層の露出された部分にｎ型電極を形成することができる。
【００２５】
前記他の技術的課題を達成するために提供された前記ＬＥＤの製造方法において、前記金属化合物膜はランタンニッケル膜で形成でき、前記金属化合物酸化膜はランタンニッケル酸化膜でありうる。また、前記反射膜は、Ａｇ膜、Ａｌ膜、Ｒｈ膜、及びＳｎ膜のうち何れか一つで形成することができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の発光素子は、Ｐ型電極としても使われる反射膜とＰ型化合物半導体層との間に低い接触抵抗及び高反射率を有する物質膜を備える。したがって、本発明の発光素子を利用すれば、駆動電圧は低減しつつも発光効率は増加させうる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施の形態による発光素子（以下、本発明の発光素子）およびその製造方法を添付した図面に基づいて詳細に説明する。図面において、示された層や領域の厚さは明細書の明確性のために誇張された。
【００２８】
まず、本発明の発光素子、例えばＬＥＤについて説明する。
【００２９】
図２を参照すれば、本発明の発光素子は、透明基板４０上に第１化合物半導体層４２を備える。第１化合物半導体層４２は、ｎ型ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層、例えばｎ−ＧａＮ層であることが望ましいが、他の化合物半導体層であってもよい。
【００３０】
第１化合物半導体層４２は、第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２とに区分できる。第１領域Ｒ１上にｐ型及びｎ型キャリアの再結合によって光、例えば青色または緑色光が放出される活性層４４が積層されている。活性層４４上に第２化合物半導体層４６が積層されている。第２化合物半導体層４６は、ｐ型ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層、例えばｐ−ＧａＮ層であることが望ましいが、他の化合物半導体層であってもよい。
【００３１】
第２化合物半導体層４６上に電気的抵抗が低くて反射率が大きい物質膜４８（以下、低抵抗膜）と反射膜５０とが順次に積層されている。低抵抗膜４８（第１電極）と反射膜５０（第２電極）とはＰ型電極を構成する。役割から見た場合、反射膜５０はＰ型電極と、低抵抗膜４８は反射膜５０と第２化合物半導体層４６間の電気的抵抗を低減させる手段と見なされる。低抵抗膜４８は、ランタン（Ｌａ）とニッケル（Ｎｉ）とを含む化合物、望ましくは、ランタンニッケル酸化膜、例えばＬａＮｉＯ５膜でありうる。低抵抗膜４８の厚さは１ｎｍ〜１００ｎｍ、望ましくは１０ｎｍ程度である。反射膜５０は低抵抗膜４８に比べて高反射率の物質であって、Ａｇ膜が望ましいが、その他の物質膜、例えばＡｌ膜、Ｒｈ膜、Ｓｎ膜であってもよい。
【００３２】
一方、第１化合物半導体層４２の第２領域Ｒ２上にはＮ型電極５２が形成されている。
【００３３】
反射膜５０または反射膜５０と低抵抗膜４８とより構成される前記Ｐ型電極とＮ型電極５２とに光放出に必要な臨界電圧以上の電圧が印加されて活性層４４から透明基板４０及び反射膜５０に向けて光が放出される。透明基板４０に向けて放出された光Ｌ１は透明基板４０を透過してそのまま放出される。反射膜５０に向けて放出された光は低抵抗膜４８または反射膜５０から反射されて透明基板４０に向けて放出される。参照番号Ｌ２は反射膜５０から反射された光を示す。
【００３４】
図３は、従来及び本発明の発光素子の電流−電圧特性を示す。図３において参照番号Ｇ１はＰ型電極がランタンニッケル酸化膜（ＬａＮｉＯ）とＡｇ膜からなる本発明の発光素子の電流−電圧特性を示す第１グラフであり、Ｇ２はＰ型電極がＡｇ膜からなる従来の発光素子の電流−電圧特性を示す第２グラフである。
【００３５】
第１及び第２グラフＧ１、Ｇ２を参照すれば、本発明の発光素子は３Ｖで駆動が始まる一方、従来の発光素子は４Ｖ近くで駆動が始まることが分かる。
【００３６】
すなわち、本発明の発光素子のようにＰ型電極を低抵抗膜と反射膜とより構成することによって、駆動電圧を従来の発光素子より下げることができる。
【００３７】
図４は、本発明の発光素子に低抵抗膜４８として使われた１０ｎｍ厚さのランタンニッケル酸化膜の反射特性を示す。図４において参照符号Ｇ３は前記ランタンニッケル酸化膜の反射率を示す第３グラフである。
【００３８】
第３グラフＧ３を参照すれば、前記ランタンニッケル酸化膜は４００ｎｍの短波長でも８５％の高い反射率特性を示すなど、可視光の全領域において高い反射率特性を示す。
【００３９】
このように低抵抗膜４８として使われた前記ランタンニッケル酸化膜が反射率特性に優れているので、活性層４４から反射膜５０に放出された光のうち透明基板４０に反射される光量は低抵抗膜４８を備えていない場合より増加する。
【００４０】
これにより、本発明の発光素子の透明基板４０を通じて放出される光量はＰ型電極を反射膜５０だけで構成した従来の発光素子より増加する。すなわち、同一駆動電圧で本発明の発光素子の発光効率は従来の発光素子より増加する。
【００４１】
図３及び図４の結果から本発明の発光素子は従来の発光素子より駆動電圧が低くて発光効率は高いということが分かる。
【００４２】
次に、図２に示した本発明の発光素子の製造方法について説明する。
【実施例１】
【００４３】
図５を参照すれば、透明基板４０上に第１化合物半導体層４２を形成する。第１化合物半導体層４２はｎ型ＧａＮ層で形成することが望ましいが、他の化合物半導体層で形成してもよい。第１化合物半導体層４２上に活性層４４及び第２化合物半導体層４６を順次に形成する。第２化合物半導体層４６はｐ型ＧａＮ層で形成できるが、他の化合物半導体層でも形成できる。第２化合物半導体層４６上に第１感光膜パターンＰＲ１を形成する。第１感光膜パターンＰＲ１はＮ型電極とＰ型電極とが形成される領域を限定する。
【００４４】
図５及び図６を参照すれば、第１感光膜パターンＰＲ１をエッチングマスクとして使って第２化合物半導体層４６及び活性層４４を順次にエッチングする。この時、前記エッチングは第１化合物半導体層４２が露出されるまで実施することが望ましいが、第１化合物半導体層４２の一部厚さが除去されるまで実施してもよい。次に、第１感光膜パターンＰＲ１を除去する。前記エッチングで露出された第１化合物半導体層４２の所定領域上にＮ型電極５２を形成する。Ｎ型電極５２は後述される後続工程の進行後に形成してもよい。
【００４５】
図７を参照すれば、Ｎ型電極５２が形成された結果物上にＮ型電極５２を覆い、第２化合物半導体層４６の大部分が露出される第２感光膜パターンＰＲ２を形成する。第２感光膜パターンＰＲ２はＰ型電極が形成される領域を限定する。第２感光膜パターンＰＲ２上に第２化合物半導体層４６の露出された全面と接触する金属化合物膜４７を形成する。金属化合物膜４７は、ランタンニッケル化合物（ＬａＮｉ）膜で形成することが望ましいが、他の金属化合物膜で形成してもよい。また、金属化合物膜４７は１ｎｍ〜１００ｎｍの厚さに形成できるが、１０ｎｍの厚さに形成することが望ましい。金属化合物膜４７は使われる物質膜によって異なって形成できる。
【００４６】
次に、金属化合物膜４７が形成された結果物を酸素（Ｏ）を含む雰囲気、そして所定温度で所定時間の間アニール（焼鈍）して金属化合物膜４７を酸化させる。その結果、図８に示したように第２感光膜パターンＰＲ２上に第２化合物半導体層４６の露出された領域の全面と接触する低抵抗膜４８が形成される。低抵抗膜４８は、前述のように電気的抵抗が低く、反射率の高い物質膜であって、ランタンニッケル酸化膜、例えばＬａＮｉＯ５であることが望ましいが、他の酸化膜であってもよい。
【００４７】
図９を参照すれば、低抵抗膜４８上に反射膜５０を形成する。反射膜５０単独でＰ型電極となりうるが、低抵抗膜４８の抵抗特性上、低抵抗膜４８も電極として使えるので、前記Ｐ型電極は反射膜５０と低抵抗膜４８とより構成されることもできる。反射膜５０はＡｇ膜で形成することが望ましいが、反射率が高くて電極として使える他の物質膜、例えばアルミニウム膜、ロジウム膜、錫膜で形成することもできる。
【００４８】
図９及び図１０を参照すれば、図９の反射膜５０が形成された結果物から第２感光膜パターンＰＲ２を除去する。この過程で第２感光膜パターンＰＲ２上に順次に積層された低抵抗膜４８及び反射膜５０も共に除去される。その結果、第２化合物半導体層４６上にＰ型電極として使われる低抵抗膜４８及び反射膜５０が形成される。
【実施例２】
【００４９】
透明基板４０上に第１化合物半導体層４２、活性層４４及び第２化合物半導体層４６を形成する過程と、これらを逆順にエッチングする過程と、第１化合物半導体層４２の露出された領域上にＮ型電極５２を形成する過程とは第１実施例と同一に進行する。また、第１実施例において説明した物質膜については説明を省略する。
【００５０】
図１１を参照すれば、Ｎ型電極５２が形成された結果物上にＮ型電極５２を覆い、第２化合物半導体層４６の大部分が露出される第３感光膜パターンＰＲ３を形成する。第３感光膜パターンＰＲ３はＰ型電極が形成される領域を限定する。第３感光膜パターンＰＲ３上に金属化合物膜４７と反射膜５０とを順次に形成する。次に、金属化合物膜４７を酸化させるために、反射膜５０が形成された結果物を第１実施例で説明したように酸素雰囲気下でアニールする。前記アニールによって金属化合物膜４７は金属化合物酸化膜に変わり、図１２に示したように反射膜５０と第２化合物半導体層４６との間に低抵抗膜４８が形成される。
【００５１】
その後、第３感光膜パターンＰＲ３を除去する時、第３感光膜パターンＰＲ３上に順次に積層された低抵抗膜４８及び反射膜５０も共に除去することによって、図１０に示したような結果物が得られる。
【００５２】
一方、Ｎ型電極５２は第３感光膜パターンＰＲ３の除去後に形成できる。
【実施例３】
【００５３】
第１及び第２実施例で説明した物質膜についてはその説明を省略する。
【００５４】
図１３を参照すれば、透明基板４０上に第１化合物半導体層４２、活性層４４、第２化合物半導体層４６、金属化合物膜４７、及び反射膜５０を順次に形成する。反射膜５０上にＰ型電極が形成される領域を限定する第４感光膜パターンＰＲ４を形成する。
【００５５】
次に、図１４に示したように、第４感光膜パターンＰＲ４をエッチングマスクとして使って第１化合物半導体層４２上に積層された物質膜４４、４６、４７、５０を逆順にエッチングする。この時、前記エッチングは、第１化合物半導体層４２が露出されるまで実施することが望ましいが、第１化合物半導体層４２の一部厚さが除去されるまで実施することもできる。前記エッチングによって第１化合物半導体層４２の一部領域が露出される。第１化合物半導体層４２の露出された領域上には後続工程でＮ型電極を形成する。前記エッチングの後、第４感光膜パターンＰＲ４をアッシング及びストリップして除去する。
【００５６】
図１４及び図１５を参照すれば、第４感光膜パターンＰＲ４が除去された結果物を第１実施例で説明したような酸素雰囲気下でアニールする。その結果、金属化合物膜４７が酸化され、第２化合物半導体層４６と反射膜５０との間に低抵抗膜４８が形成される。
【実施例４】
【００５７】
図１３に示した第３実施例において金属化合物膜４７上に反射膜５０を形成する前に金属化合物膜４７を先に酸化させる酸化工程を行うことを特徴とする。次に、反射膜５０上に第４感光膜パターンＰＲ４を形成した後に、これをエッチングマスクとして使って反射膜５０、前記酸化工程によって酸化された金属化合物膜、第２化合物半導体層４６及び活性層４４を順次にエッチングする。次いで、第４感光膜パターンＰＲ４を除去する。
【００５８】
一方、前記第１ないし第４実施例によるＬＥＤの製造方法において第２化合物半導体層４６上に低抵抗膜４８及び反射膜５０からなるＰ型電極の形成後、その結果物を窒素雰囲気で熱処理することができる。この時、前記熱処理は３００℃〜９００℃に所定時間行える。
【００５９】
前記の説明で多くの事項が具体的に記載されているが、これは発明の範囲を限定するものではなく、望ましい実施の例示として解釈せねばならない。例えば、当業者ならば、反射膜５０を二重膜で形成することができる。また、Ｐ型及びＮ型電極が全て一方向に備わっていないＬＥＤにも本発明の技術的思想を適用できる。また、金属化合物膜４７を低抵抗膜４８に転換するための酸化工程もアニール以外の方法を利用して実施できる。したがって、本発明の範囲は説明された実施の形態によって決まるべきではなく、特許請求の範囲に記載された技術的思想により決まるべきである。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
光記録再生装置、光表示パネル、及び光を用いて外部情報を認識する装置、例えばバーコード認識装置に使われ、照明装置や光通信装置において光源として使われうる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】従来の技術による光放出ダイオードの断面図である。
【図２】本発明の実施例による発光素子の断面図である。
【図３】図２の発光素子に使われた低抵抗膜の電流及び反射率特性を示したグラフである。
【図４】図２の発光素子に使われた低抵抗膜の電流及び反射率特性を示したグラフである。
【図５】第１実施例に係る発光素子製造工程を示す断面図である。
【図６】図５に続く発光素子製造工程を示す断面図である。
【図７】図６に続く発光素子製造工程を示す断面図である。
【図８】図７に続く発光素子製造工程を示す断面図である。
【図９】図８に続く発光素子製造工程を示す断面図である。
【図１０】図９に続く発光素子製造工程を示す断面図である。
【図１１】第２施例に係る発光素子製造工程を示す断面図である。
【図１２】図１１に続く発光素子製造工程を示す断面図である。
【図１３】第３施例に係る発光素子製造工程を示す断面図である。
【図１４】図１３に続く発光素子製造工程を示す断面図である。
【図１５】図１４に続く発光素子製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６２】
４０…透明基板、
４１…第１化合物半導体層、
４４…活性層、
４６…第２化合物半導体層、
４８…低抵抗膜、
５０…反射膜、
５２…Ｎ型電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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