(57)【要約】【課題】リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法を提供すること。【解決手段】放射線の投影ビームを提供する照明系と、物品支持体上で前記放射線の投影ビームのビーム経路内に配置される平坦な物品を支持するための物品支持体と、投影中に静電界によって、前記物品支持体に接して前記物品を固定するための静電クランプと、前記物品支持体によって支持されたとき前記物品の裏側に充填ガスを供給するために、前記物品支持体内に配置された凹形充填ガス供給部とを備えるリソグラフィ装置。本発明によれば、前記凹形充填ガス供給部が、経路構造を前記静電界から遮蔽するための遮蔽層を備える。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線の投影ビームを提供する照明系と、
物品支持体上で前記放射線の投影ビームのビーム経路内に配置される平坦な物品を支持するための物品支持体と、
投影中に静電界によって、前記物品支持体に接して前記物品を固定するための静電クランプと、
前記物品支持体によって支持されたとき前記物品の裏側に充填ガスを供給するために、前記物品支持体内に配置された凹形充填ガス供給部とを備えるリソグラフィ装置であって、
前記凹形充填ガス供給部が、前記経路構造を前記静電界から遮蔽するための遮蔽層を備えることを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記凹形充填ガス供給部が、前記充填ガスを前記物品支持体の支持領域の上に移送するための経路構造を備え、前記経路構造が、前記遮蔽層を備えることを特徴とする、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記遮蔽層が、前記凹形充填ガス供給部を包む導電層を含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記遮蔽層が前記物品に対して所定の電圧で維持される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記遮蔽層が、接地された層である、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記物品支持体が、支持中に前記物品と接触するための接地電極を備える、請求項５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記遮蔽層が支持中に前記物品と接触する、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記静電クランプが、前記物品支持体の前記支持領域及び誘電体層の上に延在する電極を備え、前記誘電体層が前記電極を覆う、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記経路構造が前記誘電体層内に含まれる、請求項８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記誘電体層が、前記物品を支持するために複数の支持突起を備える、請求項８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記物品支持体が、パターン形成手段を支持するための支持体であり、前記パターン形成手段は、投影ビームにその断面でパターンを与えるように働く、請求項１から１０までのいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１２】
前記物品支持体が、基板の目標部分上に照射されたパターン形成済みビームによってパターン形成される基板を保持するための基板テーブルである、請求項１から８までのいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１３】
物品支持体上で平坦な物品を支持するための、リソグラフィ装置用の物品支持体であって、
投影中に静電界によって、前記物品支持体に接して前記物品を固定するための静電クランプと、
前記物品支持体によって支持されたとき前記物品の裏側に充填ガスを供給するために、前記物品支持体内に配置された凹形充填ガス供給部とを備え、
前記凹形充填ガス供給部が、前記経路構造を前記静電界から遮蔽するための遮蔽層を備えることを特徴とする物品支持体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法に関する。より詳細には、本発明は、放射線の投影ビームを提供する照明系と、物品支持体上で前記放射線の投影ビームのビーム経路内に配置される平坦な物品を支持するための物品支持体と、投影中に静電界によって、前記物品支持体に接して前記物品を固定するための静電クランプと、前記物品支持体によって支持されたとき前記物品の裏側に充填（backfill）ガスを供給するために、前記物品支持体内に配置された凹形充填ガス供給部とを備えるリソグラフィ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板の目標部分上に形成する機械である。リソグラフィ投影装置は、たとえば、集積回路（ＩＣ）の製造時に使用することができる。その場合、マスクなどパターン形成手段を使用してＩＣの個々の層に対応する回路パターンを形成することができ、このパターンを、感放射線性材料（レジスト）の層を有する基板（たとえば、シリコン・ウェハ）上の（たとえば、１つ又は複数のダイの一部を含む）目標部分上に結像することができる。一般に、単一の基板は、連続して露光される隣接した目標部分のネットワークを含むことになる。既知のリソグラフィ投影装置には、パターン全体を一度に目標部分上に露光することによって各目標部分が照射される、いわゆるステッパと、所与の方向（「走査」方向）で投影ビームを介してパターンを走査し、一方、この方向に平行又は逆平行で基板を同期走査することによって、各目標部分が照射される、いわゆるスキャナとが含まれる。
【０００３】
リソグラフィ加工では、照明系と照明される物品との間に存在する気体組成物、特に非均質気体組成物を介して投影ビームを通すと、吸収、回折、屈折など望ましくない作用が引き起こされる可能性がある。これらの作用は、照明の質に対して、特に、結像性能についてますます高まる要求のために到達すべき要求解像度に対して悪影響を及ぼすおそれがある。したがって、極紫外領域内の投影ビームを使用する新世代のリソグラフィであるＥＵＶリソグラフィは、実質的に妨害されない放射線の投影ビームを、前記ビーム内に配置される物品へと送ることを可能にするために真空状態（真空に近い状態）で動作する。
【０００４】
この真空技術は、温度制御の点で課題がある。前文の物品支持体の場合、物品の底部側の非常に小さい一部（総面積の０．１〜３％の範囲）が、物品支持体によって支持されたとき実際に物品支持体と物理的に接触するだけである。というのは、突起が非常に小さい接触面積だけをもたらすように形成されており、さらに、突起が比較的広く離隔されて配置されるからである。使用される真空圧力範囲では、熱伝導率が実質的に圧力に比例し、これは、投影ビーム内に配置されたとき物品によって吸収される熱エネルギーを適切に発散させることができず、その結果、望ましくない物品の加熱が、熱膨張をもたらし、結果的に投影が不正確になり、或いは潜在的に物品の損失にさえ通じることを意味する。この問題を克服するために、充填ガスが物品の裏側に導入され、物品から物品支持体に熱を伝導させ、物品によって吸収された熱エネルギーを発散させる。静電ウェハ支持体は、たとえば、ＥＰ１２４１７０６から知られている。
【０００５】
本願の文脈では、前記「物品」は、ウェハ、レチクル、マスク、又は基板という上述の用語、より具体的には、
−  リソグラフィ投影技法を用いてデバイスを製造する際に加工される基板、或いは
−  リソグラフィ投影装置内のリソグラフィ投影マスク若しくはマスク・ブランク、マスク検査装置若しくはマスク洗浄装置などマスク取扱い装置、又はマスク製造装置若しくは任意の他の物品若しくは、放射系の光路内で固定される光学要素などの用語のいずれかとすることができる。
【０００６】
物品支持体の支持領域に沿って充填ガスを適正且つ迅速に拡散するために、支持領域全体にわたって迅速に充填ガスを供給する経路構造が存在する。この経路構造は、通常、実質的に充填ガスを支持構造の領域全体に移送するトレンチ（trench）又はトラフ（trough）の連結パターンを備える。
【０００７】
従来、物品支持体は、基板の平坦度を改善するように配置された突起を備える。これらの突起は、概ね直径０．５ｍｍであり、概ね距離３ｍｍで互いに離れて位置し、それにより、基板を支持する支持部材からなるベッドを形成する。典型的には、突起の高さは、１μｍ〜１５μｍの範囲にある。突起が代替の直径及び／又は（and/or）代替の高さを有することは考えられる。また、突起の間隔は、上述の値と異なる可能性がある。突起の断面は円形でなく、たとえば正方形であることも考えられる。突起間の比較的大きな空間により、一般に基板の平坦度に対する障害物を形成しない。存在する可能性のある汚染物質は、突起間に存在することになり、局所的に基板を持ち上げないからである。これらの突起によって形成される間隙は、電極に電圧が加えられ物品が固定された後で破壊の発生を防止するために十分小さいものである。しかし、経路構造内では、経路の底部と物品の裏側との間の高さによって画成される局所的な間隙が、通常の間隙高さに対して実質的に増大する。これは、ガス供給領域内において電圧ブレークスルー（breakthrough）のかなりの危険性をもたらす。さらに、クランプを非真空状態で使用することができるように経路構造を設計することが望まれている。なぜなら、チューニングとテストのためには、真空にすることなしに静電クランプを動作させることが好都合であるからである。特に非真空状態では、クランプがオンになったときブレークスルーが発生する可能性が高い。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
したがって、本発明の目的は、上記で識別された電圧破壊問題がない、非真空状態でも動作可能な経路構造を備える物品支持体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この目的は、請求項１の特徴によるリソグラフィ装置によって達成される。具体的には、前記凹形経路構造が、前記静電界から経路構造を遮蔽するための遮蔽層を備えるリソグラフィ装置の場合、経路内のブレークスルーが効果的に防止される。遮蔽層は、経路構造の上方で発達する、有効な引力のある静電界を防止する、或いは少なくとも減少させることが有益である。加えられる固定力全体を有効に削減させるが、特に経路構造の上方で固定圧力がないことが有益である。なぜなら、その領域内の有効な支持により、加えられる固定力が物品の望ましくない変形を引き起こし、これは、リソグラフィ装置の画像解像度にとって負の貢献をするからである。
【００１０】
好ましい一実施形態では、前記凹形充填ガス供給部が、前記充填ガスを前記物品支持体の支持領域の上に移送するための経路構造を備え、前記経路構造が、前記遮蔽層を備える。好ましくは、前記遮蔽層が、前記凹形充填ガス供給部を包む導電層を含む。
【００１１】
さらに、好ましくは、前記遮蔽層が前記物品に対して所定の電圧で維持され、したがって、効果的に遮蔽効果を引き起こし、経路の上方で静電界を消滅させる。導電層は、効果的な遮蔽が得られる限り、経路構造の上層とすることも、より深く埋め込まれた層とすることもできることに留意されたい。前記遮蔽層は、接地された層とすることができる。さらに、前記物品支持体は、支持中に物品と接触するための接地電極を備えることができる。そのために、好ましい一実施形態では、前記遮蔽層が支持中に前記物品と接触し得る。
【００１２】
前記静電クランプは、前記物品支持体の支持領域及び誘電体層の上に延在する電極を備えることができ、誘電体層は前記電極を覆う。前記経路構造は、前記誘電体層内に含むことができる。前記誘電体層は、前記物品を支持するために複数の支持突起を備えることができる。
【００１３】
一実施形態では、前記物品支持体が、パターン形成手段を支持するための支持体であり、パターン形成手段は、投影ビームにその断面でパターンを与えるように働く。他の実施例では、前記物品支持体が、基板の目標部分上に照射されたパターン形成済みビームによってパターン形成される基板を保持するための基板テーブルである。本発明はさらに、請求項１３の特徴による物品支持体を対象とする。
【００１４】
本文中では、ＩＣ製造時におけるリソグラフィ装置の使用を具体的に参照することがあるが、本明細書で述べられているリソグラフィ装置には、集積光学系、磁区メモリ用のガイド及び検出パターン、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造のような、他の用途があり得ることを理解されたい。当業者なら、そのような代替応用例の文脈において、本明細書における「ウェハ」又は「ダイ」という用語のどのような使用も、それぞれより一般的な用語である「基板」又は「目標部分」と同義とみなすことができることを理解できるであろう。本明細書で参照されている基板は、露光の前後に、たとえば、トラック（一般に、レジストの層を基板に付着させ、露光されたレジストを現像するツール）、又は測定若しくは検査ツール内で処理することができる。適用可能な場合、本明細書における開示は、そのような、また他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、たとえば多層ＩＣを作成するために複数回処理することができるので、その結果、本明細書で使用される基板という用語は、すでに複数回処理された層を含む基板を指すこともあり得る。
【００１５】
本明細書で使用される「放射線」及び「ビーム」という用語は、（たとえば、波長３６５、２４８、１９３、１５７、又は１２６ｎｍを有する）紫外線（ＵＶ）及び（たとえば、５〜２０ｎｍ範囲内の波長を有する）極紫外線（ＥＵＶ）、並びに、イオン・ビーム又は電子ビームなど粒子ビームを含む、あらゆるタイプの電磁放射線を包含する。
【００１６】
本明細書で使用される用語「パターン形成手段」は、基板の目標部分内にパターンが形成されるように、投影ビームにその断面でパターンを与えるために使用することができる手段を指すように広く解釈すべきである。投影ビームに与えられるパターンは、基板の目標部分内の所望のパターンに正確に対応しない可能性があることに留意されたい。一般に、投影ビームに与えられるパターンは、集積回路など、目標部分内に生み出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。
【００１７】
パターン形成手段は、透過型又は反射型とすることができる。パターン形成手段の実施例には、マスク、プログラム可能なミラー・アレイ、プログラム可能なＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィで周知であり、バイナリ、レベンソン型位相シフト、ハーフトーン型位相シフトなどのマスク・タイプ、並びに様々なハイブリッド・マスク・タイプを含む。プログラム可能なミラー・アレイの一実施例は、小さな鏡の行列構成を使用し、鏡のそれぞれは、入射放射線ビームを様々な方向に反射するように個別に傾けることができ、このようにして、反射されたビームがパターン形成される。パターン形成手段の各実施例では、支持構造はフレーム又はテーブルとすることができ、これらは、たとえば、必要に応じて固定又は可動とすることができ、また、パターン形成手段が、たとえば投影系に対して確実に所望の位置にあるようにすることができる。本明細書における「レチクル」又は「マスク」という用語のどの使用も、「パターン形成手段」という、より一般的な用語と同義とみなすことができる。
【００１８】
本明細書では、「投影系」という用語は、たとえば、使用される露光放射線に対して、或いは、浸漬流体の使用又は真空の使用など他の要因に対して適切なように、屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系を含む様々なタイプの投影系を包含すると広く解釈すべきである。本明細書における「レンズ」という用語のどの使用も、「投影系」という、より一般的な用語と同義とみなすことができる。
【００１９】
照明系はまた、放射線の投影ビームを誘導する、形作る、又は制御するために、屈折構成要素、反射構成要素、反射屈折光学構成要素を含む様々なタイプの光学構成要素を包含することができ、そのような構成要素もまた下記で、集合的又は単数で「レンズ」と称される可能性がある。
【００２０】
本リソグラフィ装置は、２つ（デュアル・ステージ）又はそれ以上のテーブル（及び／又は２つ以上のマスク・テーブル）を有するタイプのものとすることができる。そのような「複数ステージ」装置では、追加テーブルを同時に使用することができ、或いは、１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に、１つ又は複数のテーブルに対して準備ステップを実施することができる。
【００２１】
本リソグラフィ装置はまた、比較的高い屈折率を有する液体、たとえば水に基板が浸漬され、投影系の最終要素と基板の間の空間を満たすタイプのものとすることができる。また、浸漬液は、リソグラフィ装置内の他の空間、たとえば、マスクと投影系の最初の要素との間に供給することができる。投影系の開口数を増大するための浸漬技法は、当技術分野で周知である。
【００２２】
次に、本発明の実施例について、対応する符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら、例示のみを目的として述べる。
【実施例】
【００２３】
図１は、本発明の特定の実施例によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、
−  放射線（たとえば、ＵＶ又はＥＵＶ放射線）の投影ビームＰＢを供給するための照明系（イルミネータ）ＩＬと、
−  投影系ＰＬに対してパターン形成手段を正確に位置決めするための第１の位置決め手段ＰＭに接続された、パターン形成手段（たとえば、マスク）ＭＡを支持するための第１の支持構造（たとえば、マスク・テーブル）ＭＴと、
−  投影系ＰＬに対して基板を正確に位置決めするための第２の位置決め手段ＰＷに接続された、基板（たとえば、レジスト被覆ウェハ）Ｗを保持するための基板テーブル（たとえば、ウェハ・テーブル）ＷＴと、
−  パターン形成手段ＭＡによって投影ビームＰＢに与えられたパターンを基板Ｗの（たとえば、１つ又は複数のダイを含む）目標部分Ｃ上に結像するための投影系（たとえば、反射投影レンズ）ＰＬとを備える。
【００２４】
ここで示されているように、本装置は、（たとえば、上記で参照されているタイプの反射マスク又はプログラム可能なミラー・アレイを使用する）反射タイプのものである。別法として、本装置は、（たとえば、透過マスクを使用する）透過タイプのものとすることができる。
【００２５】
イルミネータＩＬは、放射線源ＳＯから放射ビームを受ける。放射線源とリソグラフィ装置は、たとえば放射線源が放出プラズマ線源であるとき、別体とすることができる。そのような場合、放射線源はリソグラフィ装置の一部とはみなされず、放射ビームは一般に、たとえば、適切な集光ミラー及び／又はスペクトル純度フィルタ（spectral purity filter）を含む放射線コレクタを援用して、放射線源ＳＯからイルミネータＩＬに送られる。他の場合には、たとえば放射線源が水銀ランプであるとき、放射線源を装置の一体化部分とすることができる。放射線源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、放射系と呼ばれることがあり得る。
【００２６】
イルミネータＩＬは、ビームの角度強度分布を調整するための調整手段を含むことができる。一般に、イルミネータのひとみ平面内の強度分布の少なくとも外部及び／又は内部径方向範囲（一般にそれぞれσ外側及びσ内側と呼ばれる）を調整することができる。イルミネータは、その断面において所望の均一性及び強度分布を有する、投影ビームＰＢと呼ばれる調整された放射ビームを提供する。
【００２７】
投影ビームＰＢは、マスク・テーブルＭＴ上で保持されているマスクＭＡ上に入射する。投影ビームＰＢは、マスクＭＡによって反射され、レンズＰＬを通過し、レンズＰＬは、ビームを基板Ｗの目標部分Ｃ上に集束させる。基板テーブルＷＴは、第２の位置決め手段ＰＷ及び位置センサＩＦ２（たとえば、干渉測定装置）の助けにより、たとえば、ビームＰＢの経路内の様々な目標部分Ｃを位置決めするように、正確に移動することができる。同様に、第１の位置決め手段ＰＭと位置センサＩＦ１を使用し、たとえば、マスク・ライブラリから機械的に取り出した後で、又は走査中に、ビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、物体テーブルＭＴ及びＷＴの移動は、位置決め手段ＰＭ及びＰＷの一部を形成する長行程モジュール（粗い位置決め）及び短行程モジュール（細かい位置決め）の助けにより実現されることになる。しかし、（スキャナではなく）ステッパの場合には、マスク・テーブルＭＴを短行程アクチュエータに接続するだけとすることも、固定とすることもできる。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスク位置合わせマークＭ１、Ｍ２、及び基板位置合わせマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。
【００２８】
図の装置は、以下の好ましいモードで使用することができる。
１．ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴが実質的に静止したままであり、投影ビームに与えられたパターン全体が目標部分Ｃ上に１回で（すなわち、１回の静止露光）投影される。次いで、基板テーブルＷＴがＸ及び／又はＹ方向でシフトされ、その結果、異なる目標部分Ｃを露光することができる。ステップ・モードでは、露光領域の最大サイズにより、１回の静止露光で結像される目標部分Ｃのサイズが制限される。
２．走査モードでは、マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴが同期して走査され、一方、投影ビームに与えられたパターンが目標部分Ｃ上に投影される（すなわち、１回の動的露光）。マスク・テーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影系ＰＬの（縮小）倍率と像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光領域の最大サイズにより、１回の動的露光における目標部分の（非走査方向での）幅が制限され、一方、走査運動の長さにより、目標部分の（走査方向での）高さが決定される。
３．別のモードでは、マスク・テーブルＭＴが、プログラム可能なパターン形成手段を保持して実質的に静止したままであり、投影ビームに与えられたパターンが目標部分Ｃ上に投影されている間に、基板テーブルＷＴが移動又は走査される。このモードでは、一般に、パルス放射線源が使用され、走査中、基板テーブルＷＴの各移動の後で、又は連続する放射パルスの間で、必要に応じてプログラム可能なパターン形成手段が更新される。この動作モードは、上記で参照されているタイプのプログラム可能なミラー・アレイなど、プログラム可能なパターン形成手段を使用するマスク不要のリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２９】
上述の使用モード又は全く異なる使用モードに対する様々な組合せ及び／又は変形形態をも、使用することができる。
【００３０】
図２は、物品支持体１を示す。この実施例では、物品支持体１はウェハを支持するためのもの、すなわち略してウェハ支持テーブル又はウェハ・テーブルと呼ばれ、形状は、ウェハ支持テーブルにとって一般的である概ね円形である。しかし、物品支持体はまた、別の形状、具体的には正方形のものとすることもできる。ウェハ支持テーブル１は、ウェハ（図示せず）を支持するための平坦な支持体を提供するように寸法決めされた複数の突起２を備える。分かりやすくするために、数個の突起２が参照されているだけである。それにより、突起２は、支持ゾーン３を画成する。前記支持ゾーン３の境界は、充填ガス（図示せず）を閉じ込めるための封止を形成することができる包囲壁４によって形成される。ウェハ支持テーブル１内において、充填ガスは、選択された位置に位置するガス供給部を介して導入される。図の実施例では、フィードは、経路構造５に従って形成されている。
【００３１】
図３は、いくつかのガス混合物についてパッシェン曲線の典型的なグラフを示す。これは、ガス圧力及び電極間距離（electrode separation）の関数としての、ガスに包まれた２つの平行平面電極の直流降伏電圧に関する周知の理論的関係である。この関係は、圧力掛ける距離（separation）のある積について、最小の降伏電圧の発生を予測する。この最小電圧は、ガス混合物、適用された間隙高さに応じて２００〜５００ボルト程度である。この最小値には、ｐ（圧力）とｄ（間隙又は距離）のある組合せで到達する。ｐとｄの積は、この尺度である。典型的な突起高さ５muの場合、この積は
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になり、これは、典型的には、グラフに示されているディップ(dip)のはるか左側に見られる。したがって、周囲環境内においても、静電固定に使用される典型的な電圧の場合、ブレークスルーの可能性は高くない。しかし、典型的な間隙についての積は５０muになり、これは、
2005183973.tif 000004
すなわち典型的にはディップの右になる。したがって、周辺空気の除去中に、システムは、破壊が発生する可能性が高いパッシェン・ディップを横切る。図４は、図２に示されている線分Ｘ−Ｘに沿うウェハ・テーブル１の詳細な横断面図を示す。ウェハ６は、ウェハ・テーブル１上に示されている。したがって、一般的な高さ約５muの第１及び第２の突起２が示されている。電極７は、パッシェン・ディップによる電圧を超えない、この間隙全体にわたる電界をもたらす。しかし、経路構造５では、誘電体８がないため、特にテストのためにウェハ・テーブル１が可変の非真空状態で動作されるとき、パッシェン・ディップ電圧を超える可能性がある。経路構造５の底部とウェハ６の裏側との間に設けられた間隙は、１０〜２００muに及ぶ。図４の実施例では、間隙内で静電界を遮蔽する遮蔽層９を導入することにより、静電界の作用が緩和される。遮蔽層９は、カバー層とすることができるが、物品支持体１内に埋め込むこともできる。遮蔽層９は、経路構造５の底部１０と側壁１１を包み、したがって、間隙内の電圧差がパッシェン・ディップを超えないように、底部１０とウェハ７の裏側との間に形成された間隙１２を効果的に遮蔽する。図１の示されている実施例では、遮蔽層９を接地することができる。通常の動作条件では、ＥＵＶ照射によりウェハの電圧が９０ボルトを超えないため、ウェハ６を接地することは必要としない。
【００３２】
図５では、少なくともいくつかの突起２の側壁１３もまた遮蔽層９によって覆われている構成が示されている。これは、基板が遮蔽層に電気的に結合され、遮蔽効果を改善する追加の利益をもたらす。ウェハ６及び／又は遮蔽層９は、点線１４によって示されているように、接地電位に結合することができる。しかし、遮蔽層９とウェハ６の間に安定した電気接続が提供されるときは、そのようなことは必要でない。さらに、そのような基板ホルダ１は、基板ホルダ１を金属層によって覆った後で非常に容易に製造することができ、突起の頂部を研磨工程などによって不要なものは取り除かれて滑らかにすることができる。
【００３３】
上記では、本発明の特定の実施例について述べたが、本発明は、述べられているもの以外の方法で実施することができることを理解されたい。この説明は、本発明を限定しないものとする。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】本発明による物品支持体の一実施例を示す図である。
【図３】パッシェン曲線の典型的なグラフである。
【図４】図２に示されている線Ｘ−Ｘに沿ってとった詳細な横断面図である。
【図５】図２に示されている線Ｘ−Ｘに沿ってとった横断面図の一代替実施例を示す図である。
【符号の説明】
【００３５】
１  物品支持体
２  突起
３  支持ゾーン
４  包囲壁
５  経路構造
６  ウェハ
７  電極
８  誘電体
９  遮蔽層
１０  底部
１１  側壁
１２  間隙
１３  側壁
１４  点線
Ｃ  目標部分
ＩＦ１  位置センサ
ＩＦ２  位置センサ
ＩＬ  照明系（イルミネータ）
Ｍ１  マスク位置合わせマーク
Ｍ２  マスク位置合わせマーク
ＭＡ  パターン形成手段（マスク）
ＭＴ  第１の支持構造（マスク・テーブル）
Ｐ１  基板位置合わせマーク
Ｐ２  基板位置合わせマーク
ＰＢ  投影ビーム
ＰＬ  投影系
ＰＭ  第１の位置決め手段
ＰＷ  第２の位置決め手段
ＳＯ  放射線源
Ｗ  基板
ＷＴ  基板テーブル（ウェハ・テーブル）
【図１】
2005183973.tif 000005
【図２】
2005183973.tif 000006
【図３】
2005183973.tif 000007
【図４】
2005183973.tif 000008
【図５】
2005183973.tif 000009