(57)【要約】【課題】高電流密度での粗化めっき処理においても陽極電極の消耗が少なく、高い電流密度で容易に粗化めっき処理を行なうことができる銅箔の表面粗化方法及び表面粗化装置を提供する。【解決手段】めっき液４を収容しためっき槽３と、めっき槽３の内部に円弧状の凹面を有する陽極電極２と、陽極電極２に対向して配置され銅箔１をめっき液４中に浸漬するめっき用ロール５とを備え、めっき時に銅箔１に与える電流密度を５０Ａ／ｄｍ２以上２００Ａ／ｄｍ２以下とし、陽極電極２に与える電流密度を銅箔１に与える電流密度の０．８倍以下とした。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅めっき液中で陽極電極に対向する位置にある銅箔を陰極としてめっき処理を施し、銅箔の表面に突起状の銅電着物からなる粗化処理層を形成する銅箔の表面粗化方法において、めっき処理時に銅箔に与える電流密度を５０Ａ／ｄｍ２以上２００Ａ／ｄｍ２以下とし、陽極電極に与える電流密度を銅箔に与える電流密度の０．８倍以下としたことを特徴とする銅箔の表面粗化方法。
【請求項２】
更に、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｚｎの１種以上の金属を前記銅箔上にめっきしたことを特徴とする請求項１に記載の銅箔の表面粗化方法。
【請求項３】
更に、クロメート処理及び／又はシランカップリング処理を前記銅箔上に施したことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の銅箔の表面粗化方法。
【請求項４】
銅めっき液を収容しためっき槽と、該めっき槽の内部に円弧状の凹面を有する陽極電極と、該陽極電極に対向して配置され銅箔を銅めっき液中に浸漬するめっき用ロールとを備え、めっき時に銅箔に与える電流密度を５０Ａ／ｄｍ２以上２００Ａ／ｄｍ２以下とし、陽極電極に与える電流密度を銅箔に与える電流密度の０．８倍以下としたことを特徴とする銅箔の表面粗化装置。
【請求項５】
前記陽極電極が複数に分割されており、分割された陽極電極がそれぞれ独自に電流密度を設定できることを特徴とする請求項４に記載の銅箔の表面粗化装置。
【請求項６】
前記めっき用ロールの回転軸位置を前記陽極電極の円弧状の凹面の曲率の中心位置から偏心させたことを特徴とする請求項４に記載の銅箔の表面粗化装置。
【請求項７】
前記陽極電極が不溶性金属または不溶性金属を表面にめっきした金属板からなることを特徴とする請求項４乃至請求項６のいずれか１項に記載の銅箔の表面粗化装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、銅箔の表面粗化方法及び表面粗化装置に係り、更に詳しくは、プリント配線板やＬｉイオン電池負極材等の導電体用途に於いて好適な銅箔を提供できる表面粗化方法及び表面粗化装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
電子回路基板用やＬｉイオン二次電池の負極集電体用の分野で、現在銅箔が大量に使用されている。例えば、電子回路基板の分野ではガラスエポキシ基材と熱プレスしたり、接着剤付きのポリイミドフィルムとラミネートしたり、あるいはポリイミドワニスを塗布後キュアして基板としたりして、プリント配線板の基本的な構成要素となる。またＬｉイオン二次電池の負極集電体の場合、銅箔表面に活物質と呼ばれる黒鉛とバインダーを混合したものが塗布されるが、最近ではＳｎ或いはＳｎ系合金を銅箔表面に被覆する検討が行われている。
【０００３】
前記において、銅箔と樹脂あるいは銅箔と電池用活物質との間の密着性を向上させるため、銅箔にはいわゆるトリート処理と称する表面粗化処理が施される。銅箔には電解銅箔と圧延銅箔があるが、表面粗化処理についてはいずれも同様の方法がとられる。すなわち銅イオンを含有する電解液中で銅箔を陰極電解し、銅箔表面に樹枝状や米粒状の銅電着層を形成する。最適な表面状態を得るため電解液中には微量の塩素イオン、ゼラチンあるいは複数の金属イオンが共添されることがある。このようにして形成された凹凸を持った銅電着層は樹脂などと接着されるときアンカー効果により密着性を向上させることになる。
【０００４】
しかしながら、近年の配線ピッチの微細化や樹脂層の極薄化が進み、銅箔の粗度が高いと回路形成のためエッチングをした際に、銅箔の一部が完全にエッチングされずに残ってしまい、樹脂によっては完全には絶縁されないために電子回路上の不都合が起こり易くなってきた。このため、銅箔の粗度はできるだけ低い方が良いとされ、銅箔のロープロファイル化が求められるようになってきている。しかし、粗度が低いと樹脂との密着性が十分ではない。このため、ロープロファイルかつ高密着性といった相反する性能を持った銅箔の開発がさらに求められる結果となっている。
【０００５】
図５に、従来より用いられている銅箔の表面粗化装置の概略図を示す。この装置では、銅イオンを含有するめっき液４を収容しためっき槽３内に、一対の銅製平板状陽極電極１２，１２が設けられている。その陽極電極１２，１２間を陰極となる銅箔１が連続的に搬送される。銅箔１が２枚の陽極電極１２，１２の間を搬送される際、陽極電極１２の面積と、その陽極電極１２と対向する位置に有る、めっきされるべき銅箔１の面積はほぼ等しい関係となっている。
【０００６】
この装置においては、銅箔１は図示しない巻き出しリールから送り出され、めっき槽３を経由して、図示しない巻き取りリールによって巻き取られる、いわゆるリール・ツー・リール方式により搬送される。銅箔１は、２枚の陽極電極１２，１２の間を搬送される際に、銅イオンを含有するめっき液４中で陰極電解され、銅箔１の表面に樹枝状や米粒状の凹凸を持った銅電着層が形成されて、表面粗化処理が行われる。
【０００７】
一方、帯状導電材料の電解処理方法において、図６に示すような装置も用いられている（特許文献１）。
【０００８】
【特許文献１】
特公昭５３−１２４５０号
【０００９】
この電解処理装置では、電解液２１を収容している電解槽２３の内部に円弧状の陽極電極２５を有し、その対向位置に直径２５０ｍｍの電解用ロール２７が陽極電極２５と２０ｍｍの間隔を置いて配されている。電解用ロール２７はその周面の約２／５が部分的に電解液２１中に浸漬されている。更に、電解用ロール２７の上流側及び下流側にそれぞれガイドロール３１，３３が設けられている。銅箔２９は、ガイドロール３１から送り出され、電解用ロール２７により電解槽２３内部の電解液２１に浸漬される。電解液２１は硫酸銅−硫酸浴が用いられ浴温５０℃で陰極電流密度７Ａ／ｄｍ２の条件で銅箔２９の片面に粗めっきが行われる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
銅箔の表面に対し粗化めっき処理を行なう場合、高電流密度の電着であるほど、そのめっき膜形態は微細化し、アンカー効果が増大して樹脂との密着性が向上する。しかしながら、図５に示した銅箔の表面粗化装置では、陽極電極１２，１２の面積とめっきされる銅箔１との面積が等しいため、高電流密度の電流を用いて粗化めっき処理を行おうとするとそれと同じ電流密度の電流を陽極電極１２，１２に流すことが必要となる。このため陽極電極１２，１２の消耗が激しくなってしまい、取替えによるコストがかさむという不具合があった。従って、対費用効果といった面から使用する電流密度がある一定の限度に抑えられ、十分に高くすることができなかった。
【００１１】
また、図６に示した帯状導電材料の電解処理装置においても、円弧状の陽極電極２５の曲率半径（１３５ｍｍ）に対して、電解用ロール２７の半径がかなり大きい（１２５ｍｍ）ため、陽極電極２５の面積とめっきされる銅箔２９の面積とが実質的に等しくなり、銅箔２９に高電流密度の電流を流すと陽極電極２５にも実質的に同じ電流密度の電流が流れてしまい、図５に示す銅箔の表面粗化装置と同様の不都合があった。
【００１２】
従って、本発明の目的は、高電流密度での粗化めっき処理においても陽極電極の消耗が少なく、高い電流密度で容易に粗化めっき処理を行なうことができる銅箔の表面粗化方法及び表面粗化装置を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の銅箔の表面粗化方法は、銅めっき液中で陽極電極に対向する位置にある銅箔を陰極としてめっき処理を施し、銅箔の表面に突起状の銅電着物からなる粗化処理層を形成する銅箔の表面粗化方法において、めっき処理時に銅箔に与える電流密度を５０Ａ／ｄｍ２以上２００Ａ／ｄｍ２以下とし、陽極電極に与える電流密度を銅箔に与える電流密度の０．８倍以下としたことを特徴とする。
【００１４】
更に、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｚｎの１種以上の金属を前記銅箔上にめっきすることもできる。
【００１５】
更に、クロメート処理及び／又はシランカップリング処理を前記銅箔上に施すこともできる。
【００１６】
また、本発明の銅箔の表面粗化装置は、銅めっき液を収容しためっき槽と、該めっき槽の内部に円弧状の凹面を有する陽極電極と、該陽極電極に対向して配置され銅箔を銅めっき液中に浸漬するめっき用ロールとを備え、めっき時に銅箔に与える電流密度を５０Ａ／ｄｍ２以上２００Ａ／ｄｍ２以下とし、陽極電極に与える電流密度を銅箔に与える電流密度の０．８倍以下としたことを特徴とする。
【００１７】
前記陽極電極を複数に分割し、分割した陽極電極でそれぞれ独自に電流密度を設定できるようにすることもできる。
【００１８】
前記めっき用ロールの回転軸位置を前記陽極電極の円弧状の凹面の曲率の中心位置から偏心させることもできる。
【００１９】
また、前記陽極電極を不溶性金属または不溶性金属を表面にめっきした金属板とすることもできる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る銅箔の表面粗化方法及び表面粗化装置の実施形態について説明する。
【００２１】
本実施形態において、粗化めっき処理を行なう銅箔は、電解銅箔と圧延銅箔のどちらでも良い。まず、粗化めっき処理の前処理として、電解脱脂処理、酸洗処理を行なった方が、得られるめっき膜の均一性が向上するため好ましい。電解脱脂処理は、陰極電解または陽極電解で行ない、液組成としては水酸化ナトリウム１〜１００ｇ／Ｌ、炭酸ナトリウム１〜１００ｇ／Ｌを用い、温度１０〜５０℃、電流密度１〜１０Ａ／ｄｍ２、処理時間１〜６０秒で行なうことができる。また、酸洗処理については液組成として硫酸１〜２００ｇ／Ｌで、温度１０〜５０℃、処理時間１〜６０秒の条件で行なうことができる。
【００２２】
次に、銅めっき液中で銅箔を陰極として高電流密度でめっき処理を施し、銅箔の表面に突起状の銅電着物からなる粗化処理層を形成して銅箔の表面に粗化めっき処理を行なう。
【００２３】
図１に、本発明の銅箔の表面粗化方法を好適に実施するための銅箔の表面粗化装置の第一実施形態を示す。この装置では、めっき槽３の内壁に断面が円弧状の凹面を有する陽極電極２が形成され、更に陽極電極２に対向して、銅箔１をめっき液４中に浸漬するめっき用ロール５が、めっき液４中にその周面が半分程度浸潰するように配置されている。また、めっき用ロール５の上流側及び下流側にはそれぞれ銅箔１の搬送用ロール６が配置されている。
【００２４】
ここで、めっき用ロール５の回転軸の位置は、陽極電極２の円弧状の凹面の曲率の中心部に対応するように形成され、めっき用ロール５の半径は陽極電極２の凹面の曲率半径の０．８倍以下に形成されている。めっき用ロール５の周面のうち銅箔１と接触しかつめっき液４中に浸漬される部分の面積（即ち、銅箔１がめっきされる面積）は、陽極電極２の面積の０．２倍以上０．８倍以下が好ましく、０．４倍以上０．６倍以下に形成されていることがより好ましい。０．８倍を超えると下記に規定する銅箔１に流す電流の電流密度範囲で、陽極電極２に流れる電流密度が４０Ａ／ｄｍ２以上となり、消耗が激しくなって使用できなくなり、０．２倍未満では銅箔１への銅めっき効率が悪くなってしまう。
【００２５】
陽極電極２としては、比較的に高電流密度まで溶出が少なく、不溶性金属であるＰｔまたはＴｉ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕもしくはこれらのいくつかを含有する合金にＰｔめっきを行なった金属板が好ましいが、Ｃｕそのものを陽極電極２として使用することも可能である。
【００２６】
めっき時に銅箔１に流す電流の電流密度として、ロープロファイルかつ樹脂との密着性の良い粗化めっき膜を得るために、５０Ａ／ｄｍ２以上２００Ａ／ｄｍ２以下であることが望ましい。５０Ａ／ｄｍ２未満ではめっき膜形態は平坦なものとなるか、比較的凹凸の大きい形状となってしまう。逆に２００Ａ／ｄｍ２を超えると銅箔１に流れる電流によって銅箔１が発熱し、銅箔１の表面状態や機械的特性が変化してしまい、目的のめっき膜形状を得ることが難しくなる。
【００２７】
めっき液４は、一般的な銅めっき液が用いられる。組成としては例えば硫酸濃度１０〜２００ｇ／Ｌ、硫酸銅濃度１０〜３００ｇ／Ｌが適当である。適宜、塩化ナトリウムを１〜１００ｐｐｍ、添加しても良い。温度は１０〜５０℃が好ましい。
【００２８】
本実施形態の銅箔の表面粗化装置において、銅箔１は、図示しない巻き出しリールから送り出され、搬送用ロール６を経由し、めっき用ロール５によりめっき液４中に浸漬された後、搬送用ロール６を経由して、図示しない巻き取りリールにより巻き取られる。
【００２９】
銅箔１がめっき用ロール５によりめっき液４中に浸漬される際、めっき用ロール５の半径が陽極電極２の曲率半径の０．８倍以下に形成され、めっき用ロール５の周面のうち銅箔１と接触しかつめっき液４中に浸漬される部分の面積（即ち、銅箔１がめっきされる面積）が、陽極電極２の面積の０．８倍以下に形成されているので、銅箔１に流れる電流が集中される。よって陽極電極２に流れる電流の電流密度に対して、銅箔１に流れる電流の実質的な電流密度を高めることができる。従って、めっき時に銅箔１の電流密度が５０Ａ／ｄｍ２以上２００Ａ／ｄｍ２以下の高電流密度となっても、陽極電極２の電流密度が銅箔１の電流密度の０．８倍以下とできるため、陽極電極２の消耗を最小限に抑えることが出来る。
【００３０】
図２に、本発明に係る銅箔の表面粗化装置の第二実施形態を示す。この装置では、図１に示す銅箔の表面粗化装置の陽極電極２を二分割して、第１の陽極電極７と第２の陽極電極８とし、第１の陽極電極７と第２の陽極電極８とでそれぞれ独自に電流密度を設定することができるようにしたものである。
【００３１】
本実施形態の銅箔の表面粗化装置においては、第一実施形態の銅箔の表面粗化装置と同様の効果を奏する他、第１の陽極電極７と第２の陽極電極８とでそれぞれ独自に電流密度を設定することが出来るため、例えば第１の陽極電極７で電流密度１０〜５０Ａ／ｄｍ２で被覆銅めっきを行ない、銅箔素地の影響を無くした後に、第２の陽極電極８で電流密度５０〜２００Ａ／ｄｍ２の粗化めっきを行なうというように、銅箔１のめっき膜形態の制御を行なうことが出来る。
【００３２】
また、図３に、本発明に係る銅箔の表面粗化装置の第三実施形態を示す。この装置では、図１に示す銅箔の表面粗化装置の陽極電極２を四分割して、第１の陽極電極１５、第２の陽極電極１６、第３の陽極電極１７、第４の陽極電極１８とし、それぞれ独自に電流密度を設定することができるようにしたものである。
【００３３】
本実施形態の銅箔の表面粗化装置においては、第一実施形態の銅箔の表面粗化装置と同様の効果を奏する他、第１から第４の陽極電極間でそれぞれ独自に電流密度を設定することが出来るため、銅箔１のめっき膜形態の制御を更に細かく行なうことが出来るという効果を奏することができる。
【００３４】
図４に、本発明に係る銅箔の表面粗化装置の第四実施形態を示す。この装置では、図１に示す銅箔の表面粗化装置のめっき用ロール５の回転軸位置を陽極電極の円弧状の凹面の曲率の中心位置から偏心させて配置したものである。
【００３５】
本実施形態の銅箔の表面粗化装置においては、第一実施形態の銅箔の表面粗化装置と同様の効果を奏する他、陽極電極２と銅箔１の間隔が狭い領域に電流が集中するため、陽極電極２を二分割した第二実施形態と同様の効果を奏することが可能となる。
【００３６】
上述した第一乃至第四の実施の形態の銅箔の表面粗化装置により銅箔に粗化めっき処理を行なった後、必要に応じて公知の方法によって耐熱性、耐薬品性を向上させる処理を行ない、また、防錆処理を施すことができる。耐熱性、耐薬品性を向上させる処理は、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｚｎ等の金属を公知の技術を用いてめっきすることにより行われる。また、さらに防錆処理を施すため、クロメート処理やシランカップリング処理等が行なわれる。ただし、樹脂との密着性が求められる場合にはベンゾトリアゾール系の有機防錆処理は行なわない方が望ましい。
【００３７】
【実施例】
以下、本発明の実施例について説明する。
【００３８】
【実施例１】
厚さ１６．３μｍの圧延銅箔を、水酸化ナトリウム４０ｇ／Ｌ、炭酸ナトリウム２０ｇ／Ｌにおいて温度２５℃、電流密度６Ａ／ｄｍ２、処理時間１０秒で陰極電解にて電解脱脂処理した後、硫酸５０ｇ／Ｌにおいて温度２５℃、処理時間１０秒で酸洗処理を行なった。この銅箔を用いて図１に示す第一の実施形態の銅箔の表面粗化装置にて、めっき液４として硫酸１００ｇ／Ｌ、硫酸銅２００ｇ／Ｌの電解液を用い、電流密度を２０Ａ／ｄｍ２から８０Ａ／ｄｍ２まで変化させ、温度２５℃でめっき膜厚が理論値で０．５μｍになるように粗化めっき処理を行なった。また、陽極電極２の曲率半径を１５０ｍｍ、めっき用ロール５の半径を５０ｍｍとしている。
【００３９】
この粗化銅箔の粗面をエポキシ型接着剤付きポリイミドフィルムと温度１６０℃、圧力０．１５ＭＰａでロールラミネートし、その後１７０℃にて３０分加熱した。この試料を用いて、銅箔幅５ｍｍ、垂直方向に５０ｍｍ／ｍｉｎの速度で引き剥がした際の引き剥がし強度を測定した。その結果を表１に示す。また、原子間力顕微鏡により粗面の表面粗さＲｚを測定した結果も表１に併せて示す。
【００４０】
【表１】
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【００４１】
上記表１の結果より、電流密度が２０Ａ／ｄｍ２と低いサンプルＡでは、引き剥がし強度が０．２Ｎ／ｍｍと不十分であったが、電流密度が６０Ａ／ｄｍ２（サンプルＢ）、８０Ａ／ｄｍ２（サンプルＣ）では、引き剥がし強度が大幅に向上していることが分かった。また、サンプルＢ、サンプルＣにおいては高電流密度の電流を流しているにもかかわらず、陽極電極２の消耗はほとんど観察されなかった。
【００４２】
【実施例２】
実施例１と同様に、１６．３μｍの圧延銅箔を用いて電解脱脂処理、酸洗処理を行なった後、図２に示す第二の実施形態の銅箔の表面粗化装置にて、めっき液４として硫酸１００ｇ／Ｌ、硫酸銅１５０ｇ／Ｌの電解液を用い、温度２５℃でめっき膜厚が０．４μｍとなるように粗化めっき処理を行なった。ここで、めっきの始めに第１の陽極電極７により電流密度（１）がかかり、その後第２の陽極電極８により電流密度（２）がかかることとした。また、第１の陽極電極７及び第２の陽極電極８が合わせて形成される凹面の曲率半径を１５０ｍｍ、めっき用ロール５の半径を５０ｍｍとした。この粗化銅箔の粗面を、実施例１と同様の方法で引き剥がし強度と表面粗さを測定した。その結果を表２に示す。
【００４３】
【表２】
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【００４４】
上記表２の結果より、電流密度を（１）または（２）のいずれかで８０Ａ／ｄｍ２から１００Ａ／ｄｍ２とすることにより、引き剥がし強度がサンプルＡと比較して大幅に向上していることが分かった。また、サンプルＤ〜サンプルＩのいずれにおいても、高電流密度の電流を流しているにもかかわらず、陽極電極７及び陽極電極８の消耗はほとんど観察されなかった。
【００４５】
【実施例３】
実施例１において粗化めっき処理を行った粗化銅箔の両面について、電着によってＮｉの膜厚が０〜１００ｎｍ、Ｚｎの膜厚が０〜４００ｎｍとなるようなめっきを行なった。この銅箔をエッチングにより回路を作製した後、Ｓｎめっきを行なった。また、大気中にて１５０℃で１６８時間加熱し、その前後の引き剥がし強度の減少率を測定した。結果を表３に示す。
【００４６】
【実施例４】
実施例３と同様にＮｉ、Ｚｎめっきを行なったうえに、電解にてクロメート処理を行なった。クロメートの条件は、クロム酸濃度０．２ｇ／Ｌ、ｐＨ２．５、電流密度１．０Ａ／ｄｍ２、温度２５℃、処理時間５秒とした。この銅箔を用いて大気中にて３００℃で１０分加熱し、その酸化の度合いを調査した。結果を表３に示す。
【００４７】
【実施例５】
実施例３と同様にＮｉ、Ｚｎめっきを行なったうえに、粗面に対してシランカップリング処理を行なった。シランカップリング処理は市販のシランカップリング剤に、温度２５℃で１０秒浸漬することで行なった。その銅箔を実施例１と同様の方法で引き剥がし強度を測定し、シランカップリング処理前後の引き剥がし強度の増加率を調査した。その結果を表３に示す。
【００４８】
【表３】
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【００４９】
上記表３の結果より、ＮｉめっきとＺｎめっきを施したサンプルＫ〜Ｎは、めっきを施さないもの（サンプルＪ）と比較して加熱後の引き剥がし強度増加率が低下しているものの、クロメート処理後の耐酸化性が良好となることが確認された。また、シランカップリング処理による引き剥がし強度増加率も概ね良好であることが認められた。
【００５０】
【発明の効果】
本発明の銅箔の表面粗化方法は、めっき処理時に銅箔に与える電流密度を５０Ａ／ｄｍ２以上２００Ａ／ｄｍ２以下とし、陽極電極に与える電流密度を銅箔に与える電流密度の０．８倍以下としているので、高電流密度で粗化めっき処理を行っているにもかかわらず陽極電極の消耗が少ないものとなる。このため、従来の技術では困難であった高電流密度での粗化めっき処理を容易に行なうことができ、これによりロープロファイルかつ樹脂との密着性の高い粗化銅箔を容易に提供することが可能となる。
【００５１】
また、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｚｎの１種以上の金属を前記銅箔上にめっきすることにより、さらに耐熱性、耐薬品性を向上させることができる。
【００５２】
更に、クロメート処理及び／又はシランカップリング処理を前記銅箔上に施すことにより、さらに防錆力を向上させることが可能となる。
【００５３】
また、本発明の銅箔の表面粗化装置は、円弧状の凹面を有する陽極電極を備え、めっき時に銅箔に与える電流密度を５０Ａ／ｄｍ２以上２００Ａ／ｄｍ２以下とし、陽極電極に与える電流密度を銅箔に与える電流密度の０．８倍以下としているので、高電流密度で粗化めっき処理を行っているにもかかわらず陽極電極の消耗が少ないものとすることができる。
【００５４】
更に、陽極電極を複数に分割し、分割した陽極電極でそれぞれ独自に電流密度を設定できるようにすることにより、銅箔のめっき膜形態をより微細に制御することが可能となる。
【００５５】
また、めっき用ロールの回転軸位置を陽極電極の円弧状の凹面の曲率の中心位置から偏心させることにより、陽極電極と銅箔の間隔が狭い領域に電流が集中するため、陽極電極を分割した場合と同様の効果を奏することが可能となる。
【００５６】
また、陽極電極を不溶性金属または不溶性金属を表面にめっきした金属板とすることにより、さらに陽極電極の耐久性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る銅箔の表面粗化装置の第一の実施形態を示す概略断面図である。
【図２】本発明に係る銅箔の表面粗化装置の第二の実施形態を示す概略断面図である。
【図３】本発明に係る銅箔の表面粗化装置の第三の実施形態を示す概略断面図である。
【図４】本発明に係る銅箔の表面粗化装置の第四の実施形態を示す概略断面図である。
【図５】従来の銅箔の表面粗化装置を示す概略断面図である。
【図６】従来の帯状導電材料の電解処理装置を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１  銅箔
２  陽極電極
３  めっき槽
４  めっき液
５  めっき用ロール
７  第１の陽極電極
８  第２の陽極電極
１５  第１の陽極電極
１６  第２の陽極電極
１７  第３の陽極電極
１８  第４の陽極電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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