(57)【要約】      （修正有）【課題】透過率のバラツキが小さく、低欠陥である品質の安定したハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法を提供する。  【解決手段】チャンバー１０１内に、金属ターゲット及び金属とケイ素とからなるターゲットから選ばれる１種以上の金属含有ターゲット１０２ａ又は１０２ｂと、ケイ素ターゲット１０２ｂ又は１０２ａとを、金属含有ターゲットのスパッタ面の面積を、ケイ素ターゲットよりも小さくしてコースパッタすることにより、透明基板１上に金属とケイ素とを含む化合物膜を少なくとも１層含むハーフトーン位相シフト膜を形成する。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバー内に、（Ａ）金属ターゲット及び金属とケイ素とからなるターゲットから選ばれる１種以上の金属含有ターゲットと、（Ｂ）ケイ素ターゲットとを設けると共に、スパッタガスを導入し、上記各々のターゲットに同時に電力を印加することによりスパッタ放電させるコースパッタにより、透明基板上に金属とケイ素とを含む化合物膜を少なくとも１層含むハーフトーン位相シフト膜を形成するハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法であって、
上記金属含有ターゲットのスパッタ面の面積を、上記ケイ素ターゲットのスパッタ面の面積よりも小さくすることを特徴とするハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法。
【請求項２】
上記金属含有ターゲットのスパッタ面の面積が、上記ケイ素ターゲットのスパッタ面の面積の１／２以下であることを特徴とする請求項１記載のハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法。
【請求項３】
上記金属とケイ素とからなるターゲットの金属とケイ素との組成比（金属／ケイ素）が０．２５（モル比）以上であることを特徴とする請求項１又は２記載のハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法。
【請求項４】
上記金属とケイ素とを含む化合物膜中の金属とケイ素との含有比率（金属／ケイ素）が０．２（モル比）以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載のハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか１項記載の製造方法により製造されたハーフトーン位相シフトマスクブランクであって、上記金属とケイ素とを含む化合物膜中の金属とケイ素との含有比率（金属／ケイ素）が０．２（モル比）以下であることを特徴とするハーフトーン位相シフトマスクブランク。
【請求項６】
請求項５記載のハーフトーン位相シフトマスクブランクのハーフトーン位相シフト膜をパターン形成してなることを特徴とするハーフトーン位相シフトマスク。
【請求項７】
請求項６記載のハーフトーン位相シフトマスクを用いてフォトレジストにパターン露光を行うことを特徴とするパターン転写方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路等の製造などに用いられるハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法、その方法により製造されたハーフトーン位相シフトマスクブランク、そのハーフトーン位相シフトマスクブランクから得られたハーフトーン位相シフトマスク、及びそれを用いたパターン転写方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ又はＶＬＳＩ等の半導体集積回路の製造をはじめとして、広範囲な用途に用いられているフォトマスクは、基本的には透光性基板上にクロムを主成分とする遮光膜を有するフォトマスクブランクの該遮光膜に、フォトリソグラフィ法を応用して紫外線や電子線等を使用することにより、所定のパターンを形成したものである。近年では半導体集積回路の高集積化等の市場要求に伴ってパターンの微細化が急速に進み、これに対して露光波長の短波長化を図ることにより対応してきた。
【０００３】
しかしながら、露光波長の短波長化は解像度を改善する反面、焦点深度の減少を招き、プロセスの安定性が低下し、製品の歩留まりに悪影響を及ぼすという問題があった。このような問題に対して有効なパターン転写法の一つとして位相シフト法があり、微細パターンを転写するためのマスクとして位相シフトマスクが使用されている。
【０００４】
この位相シフトマスク（ハーフトーン位相シフトマスク）は、例えば、図９（Ａ），（Ｂ）に示されるように、基板１上に位相シフト膜２’が成膜された位相シフトマスク上のパターン部分を形成している位相シフター部２ａと、位相シフター部２ａが存在しない基板が露出している基板露出部１ａからなり、両者を透過してくる光の位相差を約１８０°とすることで、パターン境界部分の光の干渉により、干渉した部分で光強度はゼロとなり、転写像のコントラストを向上させることができるものである。また、位相シフト法を用いることにより、必要な解像度を得るための焦点深度を増大させることが可能となり、クロム膜等からなる一般的な遮光パターンをもつ通常のマスクを用いた場合に比べて、解像度の改善と露光プロセスのマージンを向上させることが可能なものである。
【０００５】
上記位相シフトマスクは、位相シフター部の光透過特性によって、完全透過型位相シフトマスクとハーフトーン位相シフトマスクとに実用的には大別することができる。完全透過型位相シフトマスクは、位相シフター部の光透過率が基板露出部と同等であり、露光波長において透明なマスクである。ハーフトーン位相シフトマスクは、位相シフター部の光透過率が基板露出部の数％〜数十％程度のものである。
【０００６】
図１０にハーフトーン位相シフトマスクブランク、図１１にハーフトーン位相シフトマスクの基本的な構造をそれぞれ示す。図１０のハーフトーン位相シフトマスクブランクは基板１のほぼ全面にハーフトーン位相シフト膜２’を形成したものである。また、図１１のハーフトーン位相シフトマスクは、上記ハーフトーン位相シフト膜２’をパターン化したもので、基板１上のパターン部分を形成する位相シフター部２ａ、位相シフターの存在しない基板露出部１ａからなる。ここで、位相シフター部２ａを透過した光は基板露出部１ａを通過した光に対して位相がシフトされるが、位相シフター部２ａの透過率は被転写基板上のレジストに対しては感光しない光強度に設定される。従って、露光光を実質的に遮断する遮光機能を有する。
【０００７】
上記ハーフトーン位相シフトマスクとしては、構造が簡単で製造が容易な単層型のハーフトーン位相シフトマスクがある。この単層型のハーフトーン位相シフトマスクとしては、ＭｏＳｉＯ、ＭｏＳｉＯＮ等のＭｏＳｉ系の材料からなる位相シフト膜を有するものなどが提案されている（特許文献１：特開平７−１４０６３５号公報参照）。
【０００８】
このように、ハーフトーン位相シフトマスクは、簡便に高解像度を得るための有効な手段であるが、更なる高解像度を達成するために、対応する露光波長を現在主流の２４８ｎｍ（ＫｒＦレーザー波長）から、更に短波長の１９３ｎｍ（ＡｒＦレーザー波長）や１５７ｎｍ（Ｆ2レーザー波長）などのように短くすることが求められている。そして、このように単波長の露光に対応するためには、一般に、ハーフトーン位相シフト膜を構成するＭｏなどの金属とケイ素との含有比率（金属／ケイ素）を小さくする手法がとられる。
【０００９】
このような金属とケイ素との含有比率（金属／ケイ素）が小さいハーフトーン位相シフト膜を成膜するためには、一般に、金属含有量の少ない金属シリサイドターゲットを用いて酸素や窒素などのガスを含む雰囲気中でスパッタ成膜されるが、金属シリサイドターゲットの金属含有量が少ない場合、次のような問題が生じる。
【００１０】
一般に、ハーフトーン位相シフト膜を成膜する際に用いる金属シリサイドターゲットとしては焼結ターゲットが用いられるが、これを製造する時の焼結工程において、金属とケイ素との含有比率（金属／ケイ素）が小さいものは融点が低くなるために、焼結温度を下げざるを得ず、十分な焼結密度を有するターゲットを製造することができない。そして、このような焼結密度が不十分なターゲットをハーフトーン位相シフト膜の成膜に使用すると、スパッタ成膜時にターゲットから異物が発生し、膜欠陥が増加するといった問題を引き起こすおそれがある。
【００１１】
このようなターゲットからの異物による膜欠陥の増加を回避する方法としては、金属とケイ素との含有比率（金属／ケイ素）が大きい十分に高密度な金属とケイ素とからなるターゲット（例えばＭｏＳｉ2ターゲット）、金属ターゲット又はケイ素ターゲット（単結晶ケイ素ターゲット）を適宜組み合わせたコースパッタ（Ｃｏ−Ｓｐｕｔｔｅｒ）が考えられ、この方法であれば、ターゲットはいずれも十分に高密度であるから、ターゲットからの異物発生による膜欠陥はある程度は抑えられる。
【００１２】
しかしながら、上述したような露光波長の短波長化に対応するためには、ハーフトーン位相シフト膜の金属とケイ素との含有比率（金属／ケイ素）を従来に比べて小さく、通常０．１５（モル比）以下にする必要があり、このように金属とケイ素との含有比率（金属／ケイ素）が小さいハーフトーン位相シフト膜を成膜する場合、上述したコースパッタにおける金属含有比の大きいターゲット（例えばＭｏＳｉ2ターゲット）と金属含有比の小さいターゲット（例えば単結晶ケイ素ターゲット）とに夫々印加するスパッタ電力が大きく異なることとなり、夫々のターゲットに印加される電力密度（Ｗ／ｃｍ2）に著しい差が生じる。つまり、両方のターゲットに最適電力密度で電力を印加することができないため、成膜されるハーフトーン位相シフト膜の中の組成が不安定となって透過率のバラツキが大きくなり、また、スパッタ放電が安定にならないため、かえって膜欠陥が増加する場合もある。
【００１３】
【特許文献１】特開平７−１４０６３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたもので、透過率のバラツキが小さく、かつ低欠陥である品質の安定したハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法、ハーフトーン位相シフトマスクブランク、ハーフトーン位相シフトマスク、及びそれを用いたパターン転写方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明者は、上記問題を解決するため鋭意検討を重ねた結果、チャンバー内に、（Ａ）金属ターゲット及び金属とケイ素とからなるターゲットから選ばれる１種以上の金属含有ターゲットと、（Ｂ）ケイ素ターゲットとを設けると共に、スパッタガスを導入し、各々のターゲットに同時に電力を印加することによりスパッタ放電させるコースパッタにより、透明基板上に金属とケイ素とを含む化合物膜を少なくとも１層含むハーフトーン位相シフト膜を形成してハーフトーン位相シフトマスクブランクを製造する場合において、金属含有ターゲットのスパッタ面の面積を、ケイ素ターゲットのスパッタ面の面積よりも小さくすることによって、膜欠陥を引き起こす異物の発生が少ない高密度なターゲットで、特に短波長露光に適した金属含有量の少ない金属とケイ素とを含む化合物膜を形成することができる上に、金属含有ターゲットの面積を小さくしたことにより、金属含有ターゲットに印加されるスパッタ電力密度を下げることなく、金属含有ターゲットに印加するスパッタ電力を小さくすることが可能となり、金属とケイ素との含有比率（金属／ケイ素）の小さいハーフトーン位相シフト膜を成膜する場合においても安定したスパッタ成膜が実現可能となること、これにより、透過率のバラツキが小さく、かつ低欠陥である品質の安定した、特に短波長露光に適したハーフトーン位相シフトマスクブランク及びハーフトーン位相シフトマスクを得ることが可能となり、更に、このハーフトーン位相シフトマスクが、特に短波長露光によるフォトレジストへのパターン転写に十分対応し得るものとなることを見出し、本発明をなすに至った。
【００１６】
即ち、本発明は、以下のハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法、ハーフトーン位相シフトマスクブランク、ハーフトーン位相シフトマスク及びパターン転写方法を提供する。
請求項１：
チャンバー内に、（Ａ）金属ターゲット及び金属とケイ素とからなるターゲットから選ばれる１種以上の金属含有ターゲットと、（Ｂ）ケイ素ターゲットとを設けると共に、スパッタガスを導入し、上記各々のターゲットに同時に電力を印加することによりスパッタ放電させるコースパッタにより、透明基板上に金属とケイ素とを含む化合物膜を少なくとも１層含むハーフトーン位相シフト膜を形成するハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法であって、
上記金属含有ターゲットのスパッタ面の面積を、上記ケイ素ターゲットのスパッタ面の面積よりも小さくすることを特徴とするハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法。
請求項２：
上記金属含有ターゲットのスパッタ面の面積が、上記ケイ素ターゲットのスパッタ面の面積の１／２以下であることを特徴とする請求項１記載のハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法。
請求項３：
上記金属とケイ素とからなるターゲットの金属とケイ素との組成比（金属／ケイ素）が０．２５（モル比）以上であることを特徴とする請求項１又は２記載のハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法。
請求項４：
上記金属とケイ素とを含む化合物膜中の金属とケイ素との含有比率（金属／ケイ素）が０．２（モル比）以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載のハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法。
請求項５：
請求項１乃至３のいずれか１項記載の製造方法により製造されたハーフトーン位相シフトマスクブランクであって、上記金属とケイ素とを含む化合物膜中の金属とケイ素との含有比率（金属／ケイ素）が０．２（モル比）以下であることを特徴とするハーフトーン位相シフトマスクブランク。
請求項６：
請求項５記載のハーフトーン位相シフトマスクブランクのハーフトーン位相シフト膜をパターン形成してなることを特徴とするハーフトーン位相シフトマスク。
請求項７：
請求項６記載のハーフトーン位相シフトマスクを用いてフォトレジストにパターン露光を行うことを特徴とするパターン転写方法。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、金属含有ターゲットに印加されるスパッタ電力密度を下げることなく、金属とケイ素との含有比率（金属／ケイ素）の小さい膜を、ターゲットからの異物の発生を十分に抑えた上で、安定した品質で成膜することができ、これにより、特に短波長露光に適したハーフトーン位相シフトマスクブランク及びハーフトーン位相シフトマスクを安定した品質で提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明について図面を参照しながら具体的に説明するが、本発明は以下の図面に記載された態様に限定されるものではない。
【００１９】
本発明のハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法は、チャンバー内に、（Ａ）金属ターゲット及び金属とケイ素とからなるターゲットから選ばれる１種以上の金属含有ターゲットと、（Ｂ）ケイ素ターゲットとを、上記金属含有ターゲットのスパッタ面の面積を、上記ケイ素ターゲットのスパッタ面の面積よりも小さくして設けると共に、スパッタガスを導入し、上記各々のターゲットに同時に電力を印加することによりスパッタ放電させるコースパッタにより、透明基板上に金属とケイ素とを含む化合物膜を少なくとも１層含むハーフトーン位相シフト膜を形成するものである。
【００２０】
本発明のハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法は、ケイ素ターゲットと、ケイ素ターゲットよりスパッタ面の面積が小さい金属含有ターゲットとを用いることにより、金属含有ターゲットのスパッタ電力を小さくしても、金属含有ターゲットのスパッタ電力密度（単位スパッタ面積当たり印加されるスパッタ電力）をケイ素ターゲットのスパッタ電力密度と合わせることができ、安定したスパッタ放電が実現される。これにより、ハーフトーン位相シフト膜は、透過率のバラツキが小さく、かつ欠陥の少ない膜質の安定したものとなり、品質の安定した、特に短波長露光に適したハーフトーン位相シフトマスクブランクを得ることができる。なお、金属含有ターゲットのスパッタ面の面積をケイ素ターゲットのスパッタ面の面積の１／２以下とすることが特に好ましい。より具体的には、化合物膜の成膜に用いるスパッタ面が円形の円柱状ターゲットの場合は、金属含有ターゲットの径をケイ素ターゲットより小さくすることなどにより面積比の設定が可能である。
【００２１】
本発明のハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法は、特に、ハーフトーン位相シフト膜を構成する金属とケイ素とを含む化合物膜中の金属とケイ素との含有比率（金属／ケイ素）が０．２（モル比）以下、好ましくは０．１５（モル比）以下、より好ましくは０．１（モル比）以下、更に好ましくは０．０７（モル比）以下であるハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造に好適である。なお、金属とケイ素との含有比率（金属／ケイ素）の下限は、露光波長においてハーフトーン位相シフト膜として機能する膜を与える下限であるが、通常０．０２（モル比）以上である。
【００２２】
また、金属含有ターゲットの金属成分としては、遷移金属及びランタノイドの中から選ばれる任意の元素を単独又は複数で用いることができ、Ｍｏ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｈｆが好ましく、Ｍｏ，Ｚｒが特に好ましい。より具体的には、金属ターゲットとしては、モリブデンターゲット、ジルコニウムターゲット、モリブデンジルコニウムターゲットなど、金属とケイ素とからなるターゲットとしては、モリブデンシリサイド等のモリブデンとケイ素とからなるターゲット、ジルコニウシリサイド等のジルコニウムとケイ素とからなるターゲット、モリブデンジルコニウムシリサイド等のモリブデンとジルコニウムとケイ素とからなるターゲットが挙げられる。
【００２３】
更に、金属含有ターゲットは、形成する化合物膜の組成に合わせて金属ターゲット及び金属とケイ素とからなるターゲットから適宜１種以上選定されるが、金属とケイ素とからなるターゲットの金属とケイ素との組成比（金属／ケイ素）は、好ましくは０．２５（モル比）以上、より好ましくは０．３（モル比）以上、更に好ましくは０．５（モル比）以上である。
【００２４】
本発明の製造方法においては、上述した金属含有ターゲットと、単結晶シリコンターゲット等のケイ素ターゲットを用い、スパッタガスとして好ましくはネオン、アルゴン、クリプトン等の不活性ガス、更に好ましくは不活性ガスと共に、酸素含有ガス、窒素含有ガス及び炭素含有ガスから選ばれる少なくとも１種の反応性ガスを導入し、上記各々のターゲットに同時に電力を印加することによりスパッタ放電させるコースパッタにより、透明基板上にハーフトーン位相シフト膜を構成する金属とケイ素とを含む化合物膜を形成する。従って、この場合、反応性ガスを用いた場合は反応性のコースパッタとなる。
【００２５】
この場合、透明基板としては、石英、ＣａＦ2等の露光光が透過する透明基板が挙げられる。また、酸素含有ガスとして具体的にはＣＯ2，ＮＯ，Ｏ2等、窒素含有ガスとして具体的にはＮＯ，ＮＯ2，Ｎ2等、炭素含有ガスとしてはＣＨ4，ＣＯ2，ＣＯ等が挙げられ、これらの中から、形成する化合物膜の組成により適宜選定することができる。また、スパッタリング方式は特に限定されず、ＤＣスパッタリング、マグネトロンスパッタリングなどが採用し得る。なお、スパッタ中、透明基板をターゲットに対向する被スパッタ面に沿って回転させることが好ましい。
【００２６】
本発明の製造方法において、各々のターゲットに印加する電力は適宜決定されるが、スパッタの際の金属含有ターゲットの電力密度とケイ素ターゲットの電力密度との比（金属含有ターゲットの電力密度／ケイ素ターゲットの電力密度）が０．１５〜５、特に０．３〜３となるように電力を印加することが好ましい。また、各々のターゲットの電力密度は０．５〜８．０Ｗ／ｃｍ2程度であることが好ましい。
【００２７】
本発明のハーフトーン位相シフトマスクブランクは、上述した製造方法により得られるものであり、このようなものとしては、金属とケイ素とを含む化合物膜として、透明基板上に１層のハーフトーン位相シフト膜が形成されているものでもよいが、特に、図１に示されるような、透明基板１上に、光を吸収する特性を有する光吸収機能膜２１と位相シフト機能に僅かな光吸収機能を有する位相シフト機能膜２２の２層の膜で構成されるハーフトーン位相シフト膜２が形成されたものが好適である。
【００２８】
この場合、光吸収機能膜２１は、金属とケイ素とを含む化合物膜であるが、金属とケイ素との酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、酸化窒化炭化物又は窒化炭化物であることが好ましく、特に、酸素、窒素、炭素の含有量が化学量論量よりも少ないメタルリッチ組成の膜（不飽和金属化合物膜）が好ましい。また、実質的に金属とケイ素のみからなる膜であってもよい。
【００２９】
光吸収機能膜を構成する金属としては、遷移金属及びランタノイドの中から選ばれる任意の元素を単独又は複数で用いることができ、Ｍｏ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｈｆが好ましく、Ｍｏ，Ｚｒが特に好ましい。
【００３０】
本発明においては、化合物を構成する元素が代表的な価数をとって電荷が過不足なくバランスしている場合を化学量論量とし、このような元素構成比を有する化合物膜を飽和金属化合物膜とする。この場合、例えば金属として例示されるＭｏは６価（６＋）、Ｚｒは４価（４＋）、Ｔａは５価（５＋）、Ｃｒは３価（３＋）、Ｈｆは４価（４＋）とし、ケイ素（Ｓｉ）は４価（４＋）とする。一方、軽元素は、酸素（Ｏ）を２価（２−）、窒素（Ｎ）を３価（３−）、炭素（Ｃ）を４価（４−）とする。従って、例えば、モリブデンとケイ素との比が１：２の酸化物の場合、化学量論組成はＭｏＳｉ2Ｏ7、モリブデンとケイ素との比が１：１の窒化物の場合、化学量論組成はＭｏＳｉＮ10/3となる。
【００３１】
一方、化合物膜を構成する軽元素、即ち、酸素、窒素及び炭素の含有量が、化学量論量より少なく、上述した価数で決定される見かけの電荷バランスが崩れているものを不飽和金属化合物膜という。例えば、モリブデンとケイ素との比が１：２の酸化物の場合、平均組成式がＭｏＳｉ2Ｏ7-a（式中、ａは０＜ａ＜７を満たす正数）であるもの、モリブデンとケイ素との比が１：１の窒化物の場合、平均組成式がＭｏＳｉＮ(10/3)-b（式中、ｂは０＜ａ＜（１０／３）を満たす正数）であるものが不飽和金属化合物膜となる。
【００３２】
このように、軽元素の量が減少すると、見かけ上の電荷のバランスが崩れるが、ホールなどの陽電荷が発生したり、金属の価数が変化する（例えばＭｏが６価（６＋）から３価（３＋）に変化したりする）ことにより、実際は電荷のバランスが保たれることになる。
【００３３】
なお、光吸収機能膜を構成する不飽和金属化合物としては、不飽和金属シリサイド酸化物、不飽和金属シリサイド酸化窒化物、不飽和金属シリサイド酸化窒化炭化物が好ましい。また、光吸収機能膜の組成は、金属ケイ素酸化物（ＭＳｉＯ：式中、Ｍは金属を示す）の場合は、Ｍ＝０．２〜８０原子％、Ｓｉ＝１９〜９０原子％、Ｏ＝０．１〜６０原子％、金属ケイ素酸化窒化物（ＭＳｉＯＮ：式中、Ｍは金属を示す）の場合は、Ｍ＝０．２〜８０原子％、Ｓｉ＝１９〜９０原子％、Ｏ＝０．１〜５０原子％、Ｎ＝０．１〜５０原子％、金属ケイ素酸化窒化炭化物（ＭＳｉＯＮＣ：式中、Ｍは金属を示す）の場合は、Ｍ＝０．２〜８０原子％、Ｓｉ＝１９〜９０原子％、Ｏ＝０．１〜４５原子％、Ｎ＝０．１〜４５原子％、Ｃ＝０．１〜３０原子％であることが好ましい。
【００３４】
一方、位相シフト機能膜２２は、金属とケイ素とを含む化合物膜であるが、金属とケイ素との酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、酸化窒化炭化物又は窒化炭化物であることが好ましく、特に、酸素、窒素、炭素の含有量が化学量論量の飽和金属化合物膜が好ましい。これにより、薬品耐性に優れたハーフトーン位相シフト膜が得られる。また、位相シフト膜を、光吸収機能膜と位相シフト機能膜の２層の膜で構成する場合、位相シフト機能膜の金属とケイ素の含有比率（金属／ケイ素）を０．２（モル比）以下、好ましくは０．１５（モル比）以下、より好ましくは０．１（モル比）以下、更に好ましくは０．０７（モル比）以下とすることが好ましい。これにより、特に、１９３ｎｍ以下の短波長光で使用する場合においても、一般に要求される透過率（４〜３５％）と位相差（１７０〜１８５°）とを達成することができる。
【００３５】
位相シフト機能膜を構成する金属としては、遷移金属及びランタノイドの中から選ばれる任意の元素を単独又は複数で用いることができ、Ｍｏ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｈｆが好ましく、Ｍｏ，Ｚｒが特に好ましい。
【００３６】
なお、位相シフト機能膜の組成は、金属ケイ素酸化物（ＭＳｉＯ：式中、Ｍは金属を示す）の場合は、Ｍ＝０．１〜１０原子％、好ましくは０．３〜７原子％、Ｓｉ＝１０〜４２原子％、好ましくは３０〜４２原子％、Ｏ＝３０〜６０原子％、金属酸化窒化物（ＭｏＳｉＯＮ：式中、Ｍは金属を示す）の場合は、Ｍ＝０．１〜１０原子％、好ましくは０．３〜７原子％、Ｓｉ＝１０〜５７原子％、好ましくは３０〜５２原子％、Ｏ＝３０〜６０原子％、Ｎ＝５〜５７原子％、金属酸化窒化炭化物（ＭｏＳｉＯＮＣ：式中、Ｍは金属を示す）の場合は、Ｍ＝０．１〜１０原子％、好ましくは０．３〜７原子％、Ｓｉ＝１０〜５７原子％、好ましくは３０〜５２原子％、Ｏ＝３０〜５５原子％、Ｎ＝５〜５０原子％、Ｃ＝０．１〜１０原子％であることが好ましい。
【００３７】
また、本発明においては、光吸収機能膜と位相シフト機能膜とを上述したような構成とすると共に、光吸収機能膜の膜厚を１５ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以下、更に好ましくは６ｎｍ以下、特に好ましくは２．５ｎｍ以下、とりわけ好ましくは１．２５ｎｍ以下とすることにより、ハーフトーン位相シフト膜が、光吸収機能膜と位相シフト機能膜とを積層した多層膜であるにもかかわらず、それら２層のエッチング速度を実質上問題とならない程度として単一のドライエッチングガス、特にフッ素系ガスで加工できる点で有利である。
【００３８】
このように、ハーフトーン位相シフト膜を光吸収機能膜と位相シフト機能膜との２層に形成することによって、Ｆ2レーザー用ハーフトーン位相シフトマスクや、高透過率、特に透過率が１５％以上のＡｒＦレーザー用ハーフトーン位相シフトマスクに最適なハーフトーン位相シフトマスクブランクとなる。
【００３９】
また、本発明においては、ハーフトーン位相シフト膜上に、クロム系遮光膜及び／又はクロム系反射防止膜を設けたものも好適である。この場合、図２に示されるように、ハーフトーン位相シフト膜２上に、クロム系遮光膜３を設けることが好適であり、又は図３に示されるように、ハーフトーン位相シフト膜２上のクロム系遮光膜３上に、クロム系遮光膜３からの反射を低減させるクロム系反射防止膜４を形成することも好適である。更に、図４に示されるように、透明基板１側からハーフトーン位相シフト膜２、第１のクロム系反射防止膜４、クロム系遮光膜３、第２のクロム系反射防止膜４’の順に形成することもできる。なお、図２〜４において２１は光吸収機能膜、２２は位相シフト機能膜である。
【００４０】
この場合、クロム系遮光膜又はクロム系反射防止膜としては、特に、クロム酸化炭化物（ＣｒＯＣ）、クロム酸化窒化炭化物（ＣｒＯＮＣ）又はこれらを積層したものを用いることが好ましい。
【００４１】
このようなクロム系遮光膜又はクロム系反射防止膜は、クロム単体又はクロムに酸素、窒素、炭素のいずれか若しくはこれらを組合せたものを添加したターゲットを用い、ネオン、アルゴン、クリプトン等の不活性ガスに炭素源として二酸化炭素ガスを添加したスパッタガスを用いた反応性スパッタリングにより成膜することができる。
【００４２】
具体的には、ＣｒＯＮＣ膜を成膜する場合にはスパッタガスとしてはＣＨ4，ＣＯ2，ＣＯ等の炭素を含むガスと、ＮＯ，ＮＯ2，Ｎ2等の窒素を含むガスと、ＣＯ2，ＮＯ，Ｏ2等の酸素を含むガスのそれぞれ１種以上を導入するか、これらにＮｅ，Ａｒ，Ｋｒ等の不活性ガスを混合したガスを用いることもできる。特に、炭素源及び酸素源ガスとしてＣＯ2ガス又はＣＯガスを用いることが基板面内均一性、製造時の制御性の点から好ましい。導入方法としては各種スパッタガスを別々にチャンバー内に導入してもよいし、いくつかのガスをまとめて又は全てのガスを混合して導入してもよい。
【００４３】
なお、ＣｒＯＣ膜は、Ｃｒが２０〜９５原子％、特に３０〜８５原子％、Ｃが１〜３０原子％、特に５〜２０原子％、Ｏが１〜６０原子％、特に５〜５０原子％であることが好ましく、また、ＣｒＯＮＣ膜は、Ｃｒが２０〜９５原子％、特に３０〜８０原子％、Ｃが１〜２０原子％、特に２〜１５原子％、Ｏが１〜６０原子％、特に５〜５０原子％、Ｎが１〜３０原子％、特に３〜２０原子％であることが好ましい。
【００４４】
本発明のハーフトーン位相シフトマスクは、ハーフトーン位相シフトマスクブランクの位相シフト膜をパターン形成してなるものである。具体的には、図５に示されるような、図１に示されるハーフトーン位相シフトマスクブランクのハーフトーン位相シフト膜２をパターン形成したものが挙げられる。このハーフトーン位相シフトマスクには、パターン化された位相シフター部２ａとその間に基板露出部１ａが形成されている。
【００４５】
図２に示したようなハーフトーン位相シフトマスクを製造する場合は、図６（Ａ）に示されるように、上記のようにして透明基板１上にハーフトーン位相シフト膜２を形成した後、レジスト膜５を形成し、図６（Ｂ）に示されるように、レジスト膜５をリソグラフィー法によりパターンニングし、更に、図６（Ｃ）に示されるように、ハーフトーン位相シフト膜２をエッチングした後、図６（Ｄ）に示されるように、レジスト膜５を剥離する方法が採用し得る。この場合、レジスト膜の塗布、パターンニング（露光、現像）、エッチング、レジスト膜の除去は、公知の方法によって行うことができる。
【００４６】
なお、ハーフトーン位相シフト膜上にクロム系遮光膜及び／又はクロム系反射防止膜（Ｃｒ系膜）を形成した場合には、露光に必要な領域の遮光膜及び／又は反射防止膜をエッチングにより除去し、ハーフトーン位相シフト膜を表面に露出させた後、上記同様にハーフトーン位相シフト膜をパターンニングすることにより、図７に示されるような透明基板外周縁側にクロム系膜３が残ったハーフトーン位相シフトマスクを得ることができる。また、クロム系膜の上にレジストを塗布し、パターンニングを行い、クロム系膜とハーフトーン位相シフト膜をエッチングでパターンニングし、更に露光に必要な領域のクロム系膜のみを選択エッチングにより除去し、ハーフトーン位相シフトパターンを表面に露出させて、ハーフトーン位相シフトマスクを得ることもできる。なお、図５〜７において２１は光吸収機能膜、２２は位相シフト機能膜である。
【実施例】
【００４７】
以下、実施例及び比較例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に限定されるものではない。
【００４８】
以下の各々の例において、図１に示されるような、透明基板上に光吸収機能膜と位相シフト機能膜との２層からなるハーフトーン位相シフト膜を成膜したハーフトーン位相シフトマスクブランクを作製した。成膜には、図８に示されるような２つのターゲットを設けた直流スパッタ装置を用いた。なお、図８中、１は基板、１０１はチャンバー、１０２ａ，１０２ｂはターゲット（ただし、比較例２においては、その一方はダミー板）、１０３はスパッタガス導入口、１０４は排気口、１０５は基板回転台、１０６ａ，１０６ｂは電源である。また、ガス流量は、全て０℃、１０１３ｈＰａ（１気圧）における値である。
【００４９】
［実施例１］
スパッタリングターゲットとしてスパッタ面の面積が１５０ｃｍ2のＭｏＳｉ2焼結体とスパッタ面の面積が３１０ｃｍ2の単結晶Ｓｉを使用した。
【００５０】
まず、石英基板上に光吸収機能膜を成膜した。チャンバー内には、スパッタガスとしてＡｒガス、Ｎ2ガス及びＯ2ガスを、Ａｒ＝２０ｃｍ3／ｍｉｎ、Ｎ2＝１０ｃｍ3／ｍｉｎ、Ｏ2＝４ｃｍ3／ｍｉｎの流量で導入した。上記ガス導入時、チャンバー内のガス圧が０．１０Ｐａになるように設定した。ＭｏＳｉ2焼結体ターゲットに２００Ｗ、単結晶Ｓｉターゲットに１３００Ｗのスパッタ電力を印加して、基板を３０ｒｐｍで回転させながらコースパッタすることにより、厚さ５．０ｎｍの光吸収機能膜（ＭｏＳｉＯＮ膜）を成膜した。なお、このＭｏＳｉＯＮ膜の組成はＭｏ＝７原子％、Ｓｉ＝５２原子％、Ｏ＝２０原子％、Ｎ＝２１原子％であった。
【００５１】
次に、位相シフト機能膜を成膜した。ＭｏＳｉ2焼結体ターゲットへの印加電力を１００Ｗに変更し、スパッタガスの流量をＡｒ＝５ｃｍ3／ｍｉｎ、Ｎ2＝５０ｃｍ3／ｍｉｎ、Ｏ2＝３ｃｍ3／ｍｉｎに変更し、他の条件は光吸収機能膜の成膜と同一として、厚さ７０．０ｎｍの位相シフト機能膜（ＭｏＳｉＯＮ膜）を成膜した。なお、このＭｏＳｉＯＮ膜の組成はＭｏ＝３原子％、Ｓｉ＝４２原子％、Ｏ＝３８原子％、Ｎ＝１７原子％であった。また、光吸収機能膜及び位相シフト機能膜は、ハーフトーン位相シフト膜として波長１５７ｎｍにおける位相差が１８０°、透過率が６％となるように成膜した。
【００５２】
以上の方法により得られたハーフトーン位相シフトマスクブランクのハーフトーン位相シフト膜の透過率のばらつきと欠陥数について、下記の方法で評価した。その結果、透過率のばらつきは±０．０６％、欠陥数は１０．３個／枚であった。
【００５３】
透過率のばらつき
サンプル１０枚について、膜中央部の波長１５７ｎｍにおける透過率を測定し、サンプル間のばらつきを評価した。
欠陥数
サンプル１０枚について、０．２μｍ以上の欠陥を日立電子エンジニアリング（株）製ＧＭ−１０００にて計数し、平均値を求めた。
【００５４】
［実施例２］
スパッタリングターゲットとしてスパッタ面の面積が５０ｃｍ2の金属Ｍｏとスパッタ面の面積が３１０ｃｍ2の単結晶Ｓｉを使用した。
【００５５】
まず、石英基板上に光吸収機能膜を成膜した。チャンバー内には、スパッタガスとしてＡｒガス、Ｎ2ガス及びＯ2ガスを、Ａｒ＝２０ｃｍ3／ｍｉｎ、Ｎ2＝１０ｃｍ3／ｍｉｎ、Ｏ2＝４ｃｍ3／ｍｉｎの流量で導入した。上記ガス導入時、チャンバー内のガス圧が０．１０Ｐａになるように設定した。金属Ｍｏターゲットに７０Ｗ、単結晶Ｓｉターゲットに１３００Ｗのスパッタ電力を印加して、基板を３０ｒｐｍで回転させながらコースパッタすることにより、厚さ５．０ｎｍの光吸収機能膜（ＭｏＳｉＯＮ膜）を成膜した。なお、このＭｏＳｉＯＮ膜の組成はＭｏ＝７原子％、Ｓｉ＝５２原子％、Ｏ＝２０原子％、Ｎ＝２１原子％であった。
【００５６】
次に、位相シフト機能膜を成膜した。金属Ｍｏターゲットへの印加電力を３３Ｗに変更し、スパッタガスの流量をＡｒ＝５ｃｍ3／ｍｉｎ、Ｎ2＝５０ｃｍ3／ｍｉｎ、Ｏ2＝３ｃｍ3／ｍｉｎに変更し、他の条件は光吸収機能膜の成膜と同一として、厚さ７０．０ｎｍの位相シフト機能膜（ＭｏＳｉＯＮ膜）を成膜した。なお、このＭｏＳｉＯＮ膜の組成はＭｏ＝３原子％、Ｓｉ＝４２原子％、Ｏ＝３８原子％、Ｎ＝１７原子％であった。また、光吸収機能膜及び位相シフト機能膜は、ハーフトーン位相シフト膜として波長１５７ｎｍにおける位相差が１８０°、透過率が６％となるように成膜した。
【００５７】
以上の方法により得られたハーフトーン位相シフトマスクブランクのハーフトーン位相シフト膜の透過率のばらつきと欠陥数について、上記の方法で評価した。その結果、透過率のばらつきは±０．０５％、欠陥数は８．２個／枚であった。
【００５８】
［比較例１］
スパッタリングターゲットとしてスパッタ面の面積が３１０ｃｍ2の金属Ｍｏとスパッタ面の面積が３１０ｃｍ2の単結晶Ｓｉを使用した。
【００５９】
まず、石英基板上に光吸収機能膜を成膜した。チャンバー内には、スパッタガスとしてＡｒガス、Ｎ2ガス及びＯ2ガスを、Ａｒ＝２０ｃｍ3／ｍｉｎ、Ｎ2＝１０ｃｍ3／ｍｉｎ、Ｏ2＝４ｃｍ3／ｍｉｎの流量で導入した。上記ガス導入時、チャンバー内のガス圧が０．１０Ｐａになるように設定した。金属Ｍｏターゲットに７０Ｗ、単結晶Ｓｉターゲットに１３００Ｗのスパッタ電力を印加して、基板を３０ｒｐｍで回転させながらコースパッタすることにより、厚さ５．０ｎｍの光吸収機能膜（ＭｏＳｉＯＮ膜）を成膜した。なお、このＭｏＳｉＯＮ膜の組成はＭｏ＝７原子％、Ｓｉ＝５２原子％、Ｏ＝２０原子％、Ｎ＝２１原子％であった。
【００６０】
次に、位相シフト機能膜を成膜した。金属Ｍｏターゲットへの印加電力を３３Ｗに変更し、スパッタガスの流量をＡｒ＝５ｃｍ3／ｍｉｎ、Ｎ2＝５０ｃｍ3／ｍｉｎ、Ｏ2＝３ｃｍ3／ｍｉｎに変更し、他の条件は光吸収機能膜の成膜と同一として、厚さ７０．０ｎｍの位相シフト機能膜（ＭｏＳｉＯＮ膜）を成膜した。なお、このＭｏＳｉＯＮ膜の組成はＭｏ＝３原子％、Ｓｉ＝４２原子％、Ｏ＝３８原子％、Ｎ＝１７原子％であった。また、光吸収機能膜及び位相シフト機能膜は、ハーフトーン位相シフト膜として波長１５７ｎｍにおける位相差が１８０°、透過率が６％となるように成膜した。
【００６１】
以上の方法により得られたハーフトーン位相シフトマスクブランクのハーフトーン位相シフト膜の透過率のばらつきと欠陥数について、上記の方法で評価した。その結果、透過率のばらつきは±０．８２％、欠陥数は１８．６個／枚であった。
【００６２】
［比較例２］
スパッタリングターゲットとしてスパッタ面の面積が３１０ｃｍ2のＭｏＳｉ9.5焼結体を一方のターゲットとして使用すると共に、他方のターゲットの代わりに、付着した膜が剥離しないようにブラスト処理を施したダミー板を用いた。これらにより１つのターゲット（ＭｏＳｉ9.5焼結体）のみでスパッタした。
【００６３】
まず、石英基板上に光吸収機能膜を成膜した。チャンバー内には、スパッタガスとしてＡｒガス、Ｎ2ガス及びＯ2ガスを、Ａｒ＝２０ｃｍ3／ｍｉｎ、Ｎ2＝１０ｃｍ3／ｍｉｎ、Ｏ2＝４ｃｍ3／ｍｉｎの流量で導入した。上記ガス導入時、チャンバー内のガス圧が０．１０Ｐａになるように設定した。ＭｏＳｉ9.5焼結体ターゲットに１３００Ｗのスパッタ電力を印加して、基板を３０ｒｐｍで回転させながらコースパッタすることにより、厚さ５．０ｎｍの光吸収機能膜（ＭｏＳｉＯＮ膜）を成膜した。なお、このＭｏＳｉＯＮ膜の組成はＭｏ＝６原子％、Ｓｉ＝５１原子％、Ｏ＝２０原子％、Ｎ＝２３原子％であった。
【００６４】
次に、位相シフト機能膜を成膜した。スパッタガスの流量をＡｒ＝５ｃｍ3／ｍｉｎ、Ｎ2＝５０ｃｍ3／ｍｉｎ、Ｏ2＝３ｃｍ3／ｍｉｎに変更し、他の条件は光吸収機能膜の成膜と同一として、厚さ７０．０ｎｍの位相シフト機能膜（ＭｏＳｉＯＮ膜）を成膜した。なお、このＭｏＳｉＯＮ膜の組成はＭｏ＝５原子％、Ｓｉ＝４２原子％、Ｏ＝３７原子％、Ｎ＝１６原子％であった。また、光吸収機能膜及び位相シフト機能膜は、ハーフトーン位相シフト膜として波長１５７ｎｍにおける位相差が１８０°、透過率が６％となるように成膜した。
【００６５】
以上の方法により得られたハーフトーン位相シフトマスクブランクのハーフトーン位相シフト膜の透過率のばらつきと欠陥数について、下記の方法で評価した。その結果、透過率のばらつきは±０．０７％、欠陥数は２８．７個／枚であった。
【００６６】
以上のように、金属含有ターゲットのスパッタ面の面積が、ケイ素ターゲットのスパッタ面の面積よりも小さい実施例１，２では、透過率のバラツキが小さく、かつ欠陥の少ないハーフトーン位相シフト膜が得られた。一方、金属含有ターゲットのスパッタ面の面積と、ケイ素ターゲットのスパッタ面の面積とが同じである比較例１では、透過率のバラツキが大きく、比較例２では、金属とケイ素との組成比（金属／ケイ素）が低いターゲットを単独で使用したため、欠陥が多い結果となった。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明のハーフトーン位相シフトマスクブランクの構造の一例を示す断面図である。
【図２】クロム系遮光膜を設けたハーフトーン位相シフトマスクブランクの構造を示す断面図である。
【図３】クロム系遮光膜及びクロム系反射防止膜を設けたハーフトーン位相シフトマスクブランクの構造を示す断面図である。
【図４】第１のクロム系反射防止膜、クロム系遮光膜及び第２のクロム系反射防止膜を設けたハーフトーン位相シフトマスクブランクの構造を示す断面図である。
【図５】本発明のハーフトーン位相シフトマスクの一例を示す断面図である。
【図６】ハーフトーン位相シフトマスクの製造方法を説明するための図であり、（Ａ）はレジスト膜を形成した状態、（Ｂ）はレジスト膜をパターンニングした状態、（Ｃ）はエッチングを行った状態、（Ｄ）はレジスト膜を除去した状態を示す図である。
【図７】本発明のハーフトーン位相シフトマスクの他の例を示す断面図である。
【図８】実施例及び比較例で用いた直流スパッタ装置の概略図である。
【図９】ハーフトーン位相シフトマスクの原理を説明する図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＸ部の部分拡大図である。
【図１０】従来の位相シフトマスクブランクの構造を示す断面図である。
【図１１】従来の位相シフトマスクの構造を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６８】
１  基板
１ａ  基板露出部
２，２’  位相シフト膜
２ａ  位相シフター部
２１  光吸収機能膜
２２  位相シフト機能膜
３  クロム系遮光膜
４，４’  クロム系反射防止膜
５  レジスト膜
【図１】
2005234209.tif 000003
【図２】
2005234209.tif 000004
【図３】
2005234209.tif 000005
【図４】
2005234209.tif 000006
【図５】
2005234209.tif 000007
【図６】
2005234209.tif 000008
【図７】
2005234209.tif 000009
【図８】
2005234209.tif 000010
【図９】
2005234209.tif 000011
【図１０】
2005234209.tif 000012
【図１１】
2005234209.tif 000013
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月21日(2005.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
一方、化合物膜を構成する軽元素、即ち、酸素、窒素及び炭素の含有量が、化学量論量より少なく、上述した価数で決定される見かけの電荷バランスが崩れているものを不飽和金属化合物膜という。例えば、モリブデンとケイ素との比が１：２の酸化物の場合、平均組成式がＭｏＳｉ2Ｏ7-a（式中、ａは０＜ａ＜７を満たす正数）であるもの、モリブデンとケイ素との比が１：１の窒化物の場合、平均組成式がＭｏＳｉＮ(10/3)-b（式中、ｂは０＜ｂ＜（１０／３）を満たす正数）であるものが不飽和金属化合物膜となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
なお、位相シフト機能膜の組成は、金属ケイ素酸化物（ＭＳｉＯ：式中、Ｍは金属を示す）の場合は、Ｍ＝０．１〜１０原子％、好ましくは０．３〜７原子％、Ｓｉ＝１０〜４２原子％、好ましくは３０〜４２原子％、Ｏ＝３０〜６０原子％、金属酸化窒化物（ＭＳｉＯＮ：式中、Ｍは金属を示す）の場合は、Ｍ＝０．１〜１０原子％、好ましくは０．３〜７原子％、Ｓｉ＝１０〜５７原子％、好ましくは３０〜５２原子％、Ｏ＝３０〜６０原子％、Ｎ＝５〜５７原子％、金属酸化窒化炭化物（ＭＳｉＯＮＣ：式中、Ｍは金属を示す）の場合は、Ｍ＝０．１〜１０原子％、好ましくは０．３〜７原子％、Ｓｉ＝１０〜５７原子％、好ましくは３０〜５２原子％、Ｏ＝３０〜５５原子％、Ｎ＝５〜５０原子％、Ｃ＝０．１〜１０原子％であることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
図５に示したようなハーフトーン位相シフトマスクを製造する場合は、図６（Ａ）に示されるように、上記のようにして透明基板１上にハーフトーン位相シフト膜２を形成した後、レジスト膜５を形成し、図６（Ｂ）に示されるように、レジスト膜５をリソグラフィー法によりパターンニングし、更に、図６（Ｃ）に示されるように、ハーフトーン位相シフト膜２をエッチングした後、図６（Ｄ）に示されるように、レジスト膜５を剥離する方法が採用し得る。この場合、レジスト膜の塗布、パターンニング（露光、現像）、エッチング、レジスト膜の除去は、公知の方法によって行うことができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
まず、石英基板上に光吸収機能膜を成膜した。チャンバー内には、スパッタガスとしてＡｒガス、Ｎ2ガス及びＯ2ガスを、Ａｒ＝２０ｃｍ3／ｍｉｎ、Ｎ2＝１０ｃｍ3／ｍｉｎ、Ｏ2＝４ｃｍ3／ｍｉｎの流量で導入した。上記ガス導入時、チャンバー内のガス圧が０．１０Ｐａになるように設定した。ＭｏＳｉ9.5焼結体ターゲットに１３００Ｗのスパッタ電力を印加して、基板を３０ｒｐｍで回転させながらスパッタすることにより、厚さ５．０ｎｍの光吸収機能膜（ＭｏＳｉＯＮ膜）を成膜した。なお、このＭｏＳｉＯＮ膜の組成はＭｏ＝６原子％、Ｓｉ＝５１原子％、Ｏ＝２０原子％、Ｎ＝２３原子％であった。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
【図１】本発明のハーフトーン位相シフトマスクブランクの構造の一例を示す断面図である。
【図２】クロム系遮光膜を設けたハーフトーン位相シフトマスクブランクの構造を示す断面図である。
【図３】クロム系遮光膜及びクロム系反射防止膜を設けたハーフトーン位相シフトマスクブランクの構造を示す断面図である。
【図４】第１のクロム系反射防止膜、クロム系遮光膜及び第２のクロム系反射防止膜を設けたハーフトーン位相シフトマスクブランクの構造を示す断面図である。
【図５】本発明のハーフトーン位相シフトマスクの一例を示す断面図である。
【図６】ハーフトーン位相シフトマスクの製造方法を説明するための図であり、（Ａ）はレジスト膜を形成した状態、（Ｂ）はレジスト膜をパターンニングした状態、（Ｃ）はエッチングを行った状態、（Ｄ）はレジスト膜を除去した状態を示す図である。
【図７】本発明のハーフトーン位相シフトマスクの他の例を示す断面図である。
【図８】実施例及び比較例で用いた直流スパッタ装置の概略図である。
【図９】ハーフトーン位相シフトマスクの原理を説明する図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＸ部の部分拡大図である。
【図１０】位相シフトマスクブランクの基本的な構造を示す断面図である。
【図１１】位相シフトマスクの基本的な構造を示す断面図である。