(57)【要約】【課題】  十分な相関解析がおこなえる半導体ウェーハ検査方法および検査システムを提供する。【解決手段】  相関解析をおこなう基準検査データと相関検査データを選択（Ｓ０１）し、前記選択された相関検査データに前記選択された基準検査データの検査座標に対応する検査座標があるか否かを照合（Ｓ０４）し、前記基準検査座標に対応する相関検査座標がない場合に所定のルールに基づいて前記基準検査座標に対応する座標の近傍の相関検査座標を探索（Ｓ０６）し、前記探索された相関検査座標の検査結果から所定のルールに基づいて前記基準検査座標に対応する座標に検査結果を補完（Ｓ０７）し、前記基準検査座標の検査結果に前記補完された検査結果を関連付けて相関データとして記憶（Ｓ０９）する。これにより前記基準検査データと前記相関検査データの相関解析をおこなう。【選択図】  図１
2005072437.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも検査項目、検査座標、検査結果を有する半導体ウェーハの複数種の検査データから相関解析の基準検査データと相関検査データを選択する第１の工程と、
前記選択された相関検査データに前記選択された基準検査データの基準検査座標に対応する相関検査座標があるか否かを照合する第２の工程と、
前記基準検査座標に対応する相関検査座標がある場合に、前記相関検査座標の検査結果を選択する第３の工程と、
前記基準検査座標に対応する相関検査座標がない場合に、所定のルールに基づいて前記基準検査座標に対応する座標の近傍の相関検査座標を探索する第４の工程と、
前記探索された相関検査座標の検査結果から、所定のルールに基づいて前記基準検査座標に対応する座標に検査結果を補完する第５の工程と、
前記基準検査座標の検査結果に、前記第３の工程で選択された検査もしくは結果前記第５の工程で補完された検査結果を関連付け、相関データとして記憶する第６の工程と、
を具備し、
前記基準検査データと前記相関検査データの相関解析をおこなうことを特徴とする半導体ウェーハの検査方法。
【請求項２】
前記第４の工程は、前記基準検査座標に対応する座標に最も近い相関検査座標を探索し、
前記第５の工程は、前記探索された相関検査座標の検査結果を前記基準検査座標に対応する座標に補完される検査結果とすることを特徴とする請求項１記載の半導体ウェーハの検査方法。
【請求項３】
前記第４の工程は、前記基準検査座標に対応する座標に近い順に２つの相関検査座標を探索し、
前記第５の工程は、前記探索された２つの相関検査座標とその検査結果からなる空間座標を通る直線の式を求め、
前記直線と前記基準検査座標に対応する座標を通る直線が直交する点の座標を求め、
前記直交する点の座標を前記直線の式に代入し、得られた値を前記基準検査座標に対応する座標に補完される検査結果とすることを特徴とする請求項１記載の半導体ウェーハの検査方法。
【請求項４】
前記第４の工程は、前記基準検査座標に対応する座標に近い順に３つの相関検査座標を探索し、
前記第５の工程は、前記探索された３つの相関検査座標とその検査結果からなる空間座標を通る平面の式を求め、
前記基準検査座標に対応する座標を前記平面の式に代入し、得られた値を前記基準検査座標に対応する座標に補完される検査結果とすることを特徴とする請求項１記載の半導体ウェーハの検査方法。
【請求項５】
前記第４の工程は、前記基準検査座標に対応する座標に近い順に所定の数の相関検査座標を探索し、
前記第５の工程は、前記探索された相関検査座標の検査結果を近い順に前記基準検査座標に対応する座標に補完される検査結果の候補とすることを特徴とする請求項２記載の半導体ウェーハの検査方法。
【請求項６】
前記第４の工程は、前記基準検査座標に対応する座標を取り囲むように配置している所定の数の相関検査座標を探索することを特徴とする請求項５記載の半導体ウェーハの検査方法。
【請求項７】
少なくとも検査項目、チップアドレス、検査結果を有するチップ単位の検査データを基準検査データとし、少なくとも検査項目、検査座標、検査結果を有する半導体ウェーハの検査データを相関検査データとする工程と、
前記相関検査データの検査座標を、チップアドレス情報を参照して相関チップアドレスに座標変換する工程と、
前記チップアドレスの検査結果に前記座標変換された相関チップアドレスの検査結果を関連付け、相関データとして記憶する工程を、
具備し、
前記チップ単位の検査データと前記半導体ウェーハの検査データの相関解析をおこなうことを特徴とする半導体ウェーハの検査方法。
【請求項８】
半導体ウェーハを検査する複数の検査装置からなる検査部と、
それぞれ少なくとも検査項目、検査座標、検査結果を有する複数の前記検査装置による各検査データを記憶する記憶部と、
前記各検査データから相関解析の基準検査データと相関検査データを選択する検査データ選択部と、
前記選択された相関検査データに前記選択された基準検査データの基準検査座標に対応する相関検査座標があるか否かを照合する検査座標照合部と、
前記基準検査座標に対応する相関検査座標がない場合に、所定のルールに基づいて前記基準検査座標に対応する座標の近傍の相関検査座標を探索する検査座標探索部と、
前記探索された相関検査座標の検査結果から、所定のルールに基づいて前記基準検査座標に対応する座標に検査結果を補完する検査結果補完部と、
前記基準検査座標の検査結果に前記補完された検査結果を関連付け、相関データとして記憶する相関データ記憶部と、
前記基準検査データと前記相関検査データの相関解析をおこなう相関解析部と、
を有することを特徴とする半導体ウェーハの検査システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハの検査方法および検査システムに係わり、特に検査データの相関解析をおこなうのに好適な半導体ウェーハの検査方法および検査システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程において、種々の欠陥、例えば半導体ウェーハに形成した膜の膜厚やフォトリソグラフィー技術により形成したパターン寸法のばらつきが製品不良の原因となる。そのため、膜厚やパターン寸法を定量的に検査し、製造装置および製造工程に異常がないか否かを常に監視することがおこなわれている。
【０００３】
そこで、膜厚やパターン寸法のばらつきが製品の特性や歩留まりに与える影響を把握し、歩留まり向上に有効な対策を一早く講ずるためには、種々の検査データ間の相関関係を究明することが必要である。
【０００４】
ところで、従来の半導体ウェーハの検査装置では、装置によりウェーハ面内の座標の定義が異なり、また、検査レシピによりウェーハ面内の検査座標が異なっている。
【０００５】
そのため、異なる半導体ウェーハの検査装置で得られた検査データ間の相関解析を行うためには、まず座標の定義に対応した座標変換式を作成して共通の座標系に変換した後、互いに検査座標が一致する検査結果を検索する必要がある。
【０００６】
しかしながら、全ての検査座標が一致する検査結果が必ずあるとは限らないため、十分な相関解析がおこなえない問題がある。
【０００７】
ところで、各検査装置のアライメント精度により発生する位置ずれの影響を補正する方法が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００８】
この特許文献１に開示された半導体ウェーハの検査方法を、図を用いて説明する。図１３は、この半導体ウェーハの検査方法を示すフローチヤートである。
【０００９】
図１３に示すように、ウェーハの欠陥検査を行う場合、まず欠陥観察装置は、欠陥検出装置からの欠陥位置データを入力する（ステップＳ１０１）。そして、欠陥観察装置の座標系においてウェーハのアライメントを行った後（ステップＳ１０２）、複数個の測定ポイントが設定されると（ステップＳ１０３）、各測定ポイントについて、検出座標系と観察座標系との間の位置ずれ量を測定する（ステップＳ１０４）。
【００１０】
続いて、欠陥観察装置は、各測定ポイントの位置ずれ量に基づき、検出座標系での欠陥位置を適正化するための１次の欠陥位置補正式を作成する。この１次の欠陥位置補正式は、検出座標系に対する観察座標系のオフセット成分、拡大成分、回転成分といった３つの項を有している（ステップＳ１０５）。
【００１１】
続いて、欠陥位置補正式を用いて、欠陥検出装置で検出した欠陥位置を補正し（ステップＳ１０６）、補正した欠陥位置における欠陥画像データを取得して（ステップＳ１０７）、欠陥の形状抽出、分類等を行ない（ステップＳ１０８）、これにより、欠陥観察装置の解像度を高くし、欠陥観察精度を向上させている。
【００１２】
また、電気的特性検査の結果であるフェイルビットデータと異物検査、外観検査、プローブ検査に基づいたウェーハの不良解析技術が知られている。（例えば、特許文献２参照。）。
【００１３】
この特許文献２に開示された半導体ウェーハの検査方法を、図を用いて説明する。図１４は、この半導体ウェーハの検査装置を示すブロック図である。
【００１４】
図１４に示すように、異物検査装置１０３、外観欠陥検査装置１０４、プローブ検査装置１０５を各解析ステーション経由で外観不良解析装置１１３に接続するとともに、外観不良解析装置１１３に製品設計サポートシステム１１１およびデータ入力ターミナル１１２を接続することによって、外観不良解析装置１１３へ異物検査装置１０３、外観欠陥検査装置１０４の検査データ、チップ単位のフェイルチップ検査データ、セル単位のフェイルビット検査データ、設計レイアウトと測定条件データ等を自動的に収集する。
【００１５】
次に、フェイルチップ検査データおよびフェイルビット検査データと設計レイアウトと測定条件データを基にデータ配列変換と座標変換をおこなう。同一ウェーハに関するデータを選び出し、実態プローブＦＢデータと異物検査と外観欠陥検査データをセル単位で突合せ、互いの因果関係を明確化している。
【００１６】
ここで、突合せ論理演算において、各検査装置のアライメント精度により発生する位置ずれの影響を解除するため、突合せ論理演算処理の前に突合せ位置補正演算処理を実行している。
【００１７】
突合せ論理演算解析処理の一方法として、異物付着ポジションおよび外観欠陥ポジションとフェイルビットデータとが付き合わされる際、異物データの１座標を中心に予想ずれ量を半径とする円が描かれ、その範囲内にプローブＦＢデータが１つでも存在した場合、そのプローブＦＢデータが異物起因によるＦＢ不良と判定している。
【００１８】
しかしながら、これらの特許文献１あるいは特許文献２に開示された方法は、座標の機械的な位置ずれを補正して欠陥解析精度を向上させるものであり、そもそも検査座標に検査結果が存在しない場合は十分な相関解析がおこなえない問題がある。
【特許文献１】特開２００２−１３１２５３号公報（５頁、図２）
【特許文献２】特開平６−２７５６８８号公報（５頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
上述した特許文献１あるいは特許文献２に開示された半導体ウェーハの検査方法では、全ての検査座標に必ずしも検査結果が存在しない場合は、十分な相関解析がおこなえない問題がある。
【００２０】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたもので、全ての検査座標が一致する検査結果が存在しない場合でも、十分な相関解析がおこなえる半導体ウェーハ検査方法および検査システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上記目的を達成するために、本発明の一態様の半導体ウェーハ検査方法では、少なくとも検査項目、検査座標、検査結果を有する半導体ウェーハの複数種の検査データから相関解析の基準検査データと相関検査データを選択する第１の工程と、前記選択された相関検査データに前記選択された基準検査データの基準検査座標に対応する相関検査座標があるか否かを照合する第２の工程と、前記基準検査座標に対応する相関検査座標がある場合に、前記相関検査座標の検査結果を選択する第３の工程と、前記基準検査座標に対応する相関検査座標がない場合に、所定のルールに基づいて前記基準検査座標に対応する座標の近傍の相関検査座標を探索する第４の工程と、前記探索された相関検査座標の検査結果から、所定のルールに基づいて前記基準検査座標に対応する座標に検査結果を補完する第５の工程と、前記基準検査座標の検査結果に、前記第３の工程で選択された検査もしくは結果前記第５の工程で補完された検査結果を関連付け、相関データとして記憶する第６の工程とを具備し、前記基準検査データと前記相関検査データの相関解析をおこなうことを特徴としている。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、補完された検査結果に基づいて十分な相関解析がおこなえる半導体ウェーハの検査方法および検査システムを提供することができる。従って、半導体装置の高い歩留まりを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００２４】
図１乃至図３は、本発明の実施例１に係わる半導体ウェーハの検査方法を示す図で、図１はそのフローチャート、図２は半導体ウェーハの検査座標、図３は半導体ウェーハの検査データを示す図である。
【００２５】
図１に示すように、本実施例の半導体ウェーハの検査方法では、少なくとも検査項目、検査座標、検査結果を有する半導体ウェーハの複数項目の検査データを読み込んで、まず、相関検査をおこなう基準検査データＡを選択し（ステップＳ０１）、続いて、相手方の相関検査データＢを選択する（ステップＳ０２）。
【００２６】
次に、基準検査データＡから検査座標と検査結果を空間座標Ａ（Ｘｎ，Ｙｎ，Ｚｎ）として、その一覧を相関データシートに書き出す（ステップＳ０３）。
【００２７】
次に、相関検査データに基準検査座標Ａ（Ｘｋ，Ｙｋ）に対応する相関検査座標Ｂ（Ｘｋ，Ｙｋ）があるか否かを照合し、対応する相関検査座標がある場合は、ステップＳ０５へ進み、対応する相関検査座標がない場合は、ステップＳ０６へ進む（ステップＳ０４）。
【００２８】
次に、対応する相関検査座標Ｂ（Ｘｋ，Ｙｋ）がある場合は、その検査結果Ｚｋを選択し、相関データシートに書込む（ステップＳ０５）。
【００２９】
一方、対応する相関検査座標Ｂ（Ｘｋ，Ｙｋ）がない場合は、Ｂ（Ｘｋ，Ｙｋ）に最も近い相関検査座標Ｂ（Ｘｍｉｎ，Ｙｍｉｎ）を探索する。なお、最も近いかの判断は、Ｂ（Ｘｋ，Ｙｋ）とＢ（Ｘｍｉｎ，Ｙｍｉｎ）の距離によりおこなう（ステップＳ０６）。
【００３０】
次に、相関検査座標Ｂ（Ｘｍｉｎ，Ｙｍｉｎ）の検査結果Ｚｍｉｎを座標Ｂ（Ｘｋ，Ｙｋ）の検査結果として補完し、相関データシートに書込む（ステップＳ０７）。
【００３１】
次に、全ての基準検査座標をチェックしたかを判定し（ステップＳ０８）、終了するまでステップＳ０４からステップＳ０８を繰り返す。一方、終了していれば相関データシートを保存する（ステップＳ０９）。
【００３２】
次に、図２および図３を用いてより具体的に説明する。図２は半導体ウェーハの検査座標で、図２（ａ）は基準検査データＡの検査座標、図２（ｂ）は相関検査データＢの検査座標である。
【００３３】
図に示すように、基準検査データＡは半導体ウェーハのＸ、Ｙ方向に面内５点を検査し、相関検査データＢは半導体ウェーハのＹ方向に面内３点を検査する場合の例である。
【００３４】
図３は、半導体ウェーハの検査データを示したもので、図３（ａ）は基準検査データＡ、図３（ｂ）は相関検査データＢ、図３（ｃ）は相関データシートである。
【００３５】
検査データは検査項目、検査座標、検査結果からなる。図３（ａ）に示すように、基準検査データＡには、例えばシリコン酸化膜の膜厚を干渉型の膜厚計で検査した検査座標とその検査結果が格納され、図３（ｂ）に示すように、相関検査データＢには、例えば、レジストパターンを寸法ＳＥＭで検査した検査座標とその検査結果が格納されている。
【００３６】
相関データシートは基準検査データＡの基準検査座標とその検査結果、および基準検査座標に対応する相関検査データＢの相関検査座標の検査結果からなる。図３（ｃ）に示すように、始めに、基準検査データＡの基準検査座標とその検査結果の一覧が書き出され、次に、基準検査座標に対応する相関検査データＢの相関検査座標の検査結果が関連付けられて併記される。
【００３７】
ここでは、基準検査座標５点のうち、座標Ａ（１，３）および座標Ａ（５，３）に対応する相関検査座標がないので、対応する座標Ｂ（１，３）および座標Ａ（５，３）に最も近い距離にある相関検査座標を探索する。
【００３８】
座標Ｂ（１，３）に最も近い距離にある相関検査座標にはＢ（３，３）が該当するので、座標Ｂ（３，３）の検査結果を座標Ｂ（１，３）に補完される検査結果とし、補完後の空間座標Ｂ（１，３，０．００２）が得られる。
【００３９】
同様にして、座標Ｂ（５，３）に最も近い距離にある相関検査座標にはＢ（３，３）が該当するので、座標Ｂ（３，３）の検査結果を座標Ｂ（５，３）に補完される検査結果とし、補完後の空間座標Ｂ（５，３，０．００２）が得られる。
【００４０】
一方、基準検査座標Ａ（３，１）、Ａ（３，３）、Ａ（３，５）には対応する相関検査座標Ｂ（３，１）、Ｂ（３，３）、Ｂ（３，５）が存在するので、それぞれの検査結果を選択する。
【００４１】
以上説明したように、実施例１による半導体ウェーハの検査方法では、基準検査座標に対応する相関検査座標が無い場合に、対応する座標に最も近い相関検査座標を探索し、探索された相関検査座標の検査結果を基準検査座標に対応する座標に補完している。
【００４２】
これにより、基準検査データＡの基準検査座標に対応する相関検査データＢの相関検査座標が全て存在しなくても相関解析に必要な母集団の数が確保できるので、十分な相関解析をおこなうことが可能である。
【００４３】
ここでは、基準検査データＡのデータ数が相関検査データＢより多い場合について説明したが、相関検査データＢのデータ数が多い場合は、データ数の多い検査データを基準検査データと置き換えて、同様に実施しても構わない。
【００４４】
また、対応する座標に最も近い相関検査座標が複数ある場合は、複数の検査結果をさらに併記しても構わない。
【００４５】
（実施例１の変形例１）
図４および図５は本発明の実施例１の変形例１に係わる半導体ウェーハの検査方法を示す図で、図４はそのフローチャート、図５は検査結果を補完する方法を説明する図である。
【００４６】
本変形例において、上記実施例１と同一の構成部分には、同一符号を付してその部分の説明は省略し、異なる部分について説明する。
【００４７】
本変形例が上記実施例１と異なる点は、基準検査座標に対応する相関検査座標が無い場合に、対応する座標に近い順に２つの相関検査座標を探索するようにしたことにある。
【００４８】
即ち、図４および図５に示すように、本変形例の半導体ウェーハの検査方法では、基準検査座標Ａ（Ｘｋ，Ｙｋ）に対応する相関検査座標Ｂ（Ｘｋ，Ｙｋ）が無い場合は、対応する座標Ｂ（Ｘｋ，Ｙｋ）に近い順に２つの相関検査座標Ｂ（Ｘｍｉｎ１，Ｙｍｉｎ１）とＢ（Ｘｍｉｎ２，Ｙｍｉｎ２）を探索する。なお、近い順の判断は、Ｂ（Ｘｋ，Ｙｋ）とＢ（Ｘｍｉｎ，Ｙｍｉｎ）の距離によりおこなう（ステップＳ１１）。
【００４９】
次に、２つの相関検査座標Ｂ（Ｘｍｉｎ１，Ｙｍｉｎ１）とＢ（Ｘｍｉｎ２，Ｙｍｉｎ２）とその検査結果からなる空間座標Ｂ（Ｘｍｉｎ１，Ｙｍｉｎ１，Ｚｍｉｎ１）とＢ（Ｘｍｉｎ２，Ｙｍｉｎ２，Ｚｍｉｎ２）を通る直線の式を求める（ステップＳ１２）。
【００５０】
次に、求めた直線と空間座標Ｂ（Ｘｋ，Ｙｋ，０）を通る直線が直交する点の空間座標Ｂ（Ｘｋｃ，Ｙｋｃ，Ｚｋｃ）を求める（ステップＳ１３）。
【００５１】
次に、得られたＺｋｃを座標Ｂ（Ｘｋ，Ｙｋ）に補完する検査結果として、相関データシートに書込む（ステップＳ１４）。
【００５２】
これにより、対応する座標Ｂ（Ｘｋ，Ｙｋ）の近傍の検査結果の分布を１次元で推定し、その分布を考慮した補完値が得られる。
【００５３】
以上説明したように、実施例１の変形例１では、基準検査座標Ａ（Ｘｋ，Ｙｋ）に対応する相関検査座標Ｂ（Ｘｋ，Ｙｋ）が無い場合は、対応する座標Ｂ（Ｘｋ，Ｙｋ）に近い順に２つの相関検査座標Ｂ（Ｘｍｉｎ１，Ｙｍｉｎ１）とＢ（Ｘｍｉｎ２，Ｙｍｉｎ２）を探索するので、補完値Ｚｋｃの推定精度が向上し、十分な相関解析をおこなうことが可能である。
【００５４】
また、求めた空間の直線式が座標Ｂ（Ｘｋ，Ｙｋ）を満たす場合や対応する座標Ｂ（Ｘｋ，Ｙｋ）の近傍の検査結果の分布が少ない場合に、直接ＸｋあるいはＹｋを直線の式に代入し、得られた値を補完値としても構わない。
【００５５】
（実施例１の変形例２）
図６および図７は本発明の実施例１の変形例２に係わる半導体ウェーハの検査方法を示す図で、図６はそのフローチャート、図７は検査結果を補完する方法を説明する図である。
【００５６】
本変形例において、上記実施例１と同一の構成部分には、同一符号を付してその部分の説明は省略し、異なる部分について説明する。
【００５７】
本変形例が上記実施例１と異なる点は、基準検査座標に対応する相関検査座標が無い場合に、対応する座標に近い順に３つの相関検査座標を探索するようにしたことにある。
【００５８】
即ち、図６および図７に示すように、本変形例の半導体ウェーハの検査方法では、基準検査座標Ａ（Ｘｋ，Ｙｋ）に対応する相関検査座標Ｂ（Ｘｋ，Ｙｋ）が無い場合は、対応する座標Ｂ（Ｘｋ，Ｙｋ）に近い順に３つの相関検査座標Ｂ（Ｘｍｉｎ１，Ｙｍｉｎ１）、Ｂ（Ｘｍｉｎ２，Ｙｍｉｎ２）、Ｂ（Ｘｍｉｎ３，Ｙｍｉｎ３）を探索する。なお、近い順の判断は、Ｂ（Ｘｋ，Ｙｋ）とＢ（Ｘｍｉｎ，Ｙｍｉｎ）の距離によりおこなう（ステップＳ２１）。
【００５９】
次に、３つの相関検査座標Ｂ（Ｘｍｉｎ１，Ｙｍｉｎ１）、Ｂ（Ｘｍｉｎ２，Ｙｍｉｎ２）、Ｂ（Ｘｍｉｎ３，Ｙｍｉｎ３）とその検査結果からなる空間座標Ｂ（Ｘｍｉｎ１，Ｙｍｉｎ１，Ｚｍｉｎ１）とＢ（Ｘｍｉｎ２，Ｙｍｉｎ２，Ｚｍｉｎ２）、Ｂ（Ｘｍｉｎ３，Ｙｍｉｎ３）を通る平面の式を求める（ステップＳ２２）。
【００６０】
次に、平面の式に座標Ｂ（Ｘｋ，Ｙｋ）を代入してＺｋｃを算出する（ステップＳ２３）。
【００６１】
次に、得られたＺｋｃを座標Ｂ（Ｘｋ，Ｙｋ）に補完する検査結果として、相関データシートに書込む（ステップＳ２４）。
【００６２】
これにより、対応する座標Ｂ（Ｘｋ，Ｙｋ）の近傍の検査結果の分布を２次元で推定し、その分布を考慮した補完値が得られる。
【００６３】
以上説明したように、実施例１の変形例２では、基準検査座標Ａ（Ｘｋ，Ｙｋ）に対応する相関検査座標Ｂ（Ｘｋ，Ｙｋ）が無い場合は、対応する座標Ｂ（Ｘｋ，Ｙｋ）に近い順に３つの相関検査座標Ｂ（Ｘｍｉｎ１，Ｙｍｉｎ１）、Ｂ（Ｘｍｉｎ２，Ｙｍｉｎ２）、Ｂ（Ｘｍｉｎ３，Ｙｍｉｎ３）を探索するたので、補完値Ｚｋｃの推定精度が更に向上し、十分な相関解析をおこなうことが可能である。
【００６４】
（実施例１の変形例３）
図８および図９は本発明の実施例１の変形例３に係わる半導体ウェーハの検査方法を示す図で、図８はそのフローチャート、図９は相関データシートを示す図である。
【００６５】
本変形例において、上記実施例１と同一の構成部分には、同一符号を付してその部分の説明は省略し、異なる部分について説明する。
【００６６】
本変形例が上記実施例１と異なる点は、基準検査座標に対応する相関検査座標が無い場合に、対応する座標に近い順に所定の数の相関検査座標を探索するようにしたことにある。
【００６７】
即ち、図８に示すように、本変形例の半導体ウェーハの検査方法では、基準検査座標Ａ（Ｘｋ，Ｙｋ）に対応する相関検査座標Ｂ（Ｘｋ，Ｙｋ）が無い場合は、対応する座標Ｂ（Ｘｋ，Ｙｋ）に近い順に所定の数の相関検査座標Ｂ（Ｘｍｉｎ１，Ｙｍｉｎ１）、Ｂ（Ｘｍｉｎ２，Ｙｍｉｎ２）、Ｂ（Ｘｍｉｎ３，Ｙｍｉｎ３）、・・・を探索する（ステップＳ３１）。なお、近い順の判断は、Ｂ（Ｘｋ，Ｙｋ）とＢ（Ｘｍｉｎ，Ｙｍｉｎ）の距離によりおこなう。
【００６８】
次に、探索された相関検査座標の検査結果Ｚｍｉｎ１、Ｚｍｉｎ２、Ｚｍｉｎ３、・・・を対応する座標Ｂ（Ｘｋ，Ｙｋ）に補完する検査結果の補完候補として、図９に示すように、近い順に相関データシートに併記して書込んでいる（ステップＳ３２）。
【００６９】
ここでは、図２に示した半導体ウェーハの検査座標と図３に示した半導体ウェーハの検査データより、基準検査座標５点のうち、座標Ａ（１，３）および座標Ａ（５，３）に対応する相関検査座標がないので、対応する座標Ｂ（１，３）およびＢ（５，３）に近い順に、例えば３つの相関検査座標をそれぞれ探索する。
【００７０】
これにより、対応する座標Ｂ（１，３）に近い順にＢ（３，３）、Ｂ（３，１）とＢ（３，５）が探索されるので、それぞれの検査結果を座標Ｂ（１，３）に補完する検査結果の補完候補としている。対応する座標Ｂ（５，３）においても同様であり、その説明は省略する。
【００７１】
以上説明したように、実施例１の変形例３では、基準検査座標Ａ（Ｘｋ，Ｙｋ）に対応する相関検査座標Ｂ（Ｘｋ，Ｙｋ）が無い場合は、対応する座標Ｂ（Ｘｋ，Ｙｋ）に近い順に所定の数の相関検査座標を探索して複数の補完候補を提示するようにしたので、ウェーハ面内分布の傾向が更に予測でき、十分な相関解析をおこなうことが可能である。
【００７２】
ここでは、対応する座標Ｂ（Ｘｋ，Ｙｋ）に近い順に所定の数の相関検査座標を探索する場合について説明したが、更に、探索する方向を指定し、例えば、座標Ｂ（Ｘｋ，Ｙｋ）を取り囲むように探索しても構わない。これによれば、更に精度良く面内分布が把握できる。
【実施例２】
【００７３】
図１０および図１１は、本発明の実施例２に係わる半導体ウェーハの検査方法を示す図で、図１０はそのフローチャート、図１１は半導体ウェーハのチップアドレスを示す図である。
【００７４】
本実施例において、上記実施例１と同一の構成部分には、同一符号を付してその部分の説明は省略し、異なる部分について説明する。
【００７５】
本実施例が上記実施例１と異なる点は、半導体ウェーハの検査データとチップの検査データとの相関解析をおこなうようにしたことにある。
【００７６】
即ち、図１０に示すように、本実施例の半導体ウェーハの検査方法では、半導体ウェーハの検査データおよびチップの検査データを読み込んで、まず、相関検査をおこなうチップの基準検査データＣを選択し（ステップＳ５１）、続いて、相手方の半導体ウェーハの相関検査データＤを選択する（ステップＳ５２）。
【００７７】
次に、基準検査データＣからチップアドレスとその検査結果を空間座標Ｃ（Ｘｎ，Ｙｎ，Ｚｎ）として、その一覧を相関データシートに書き出す（ステップＳ５３）。
【００７８】
次に、チップアドレスの座標を定義する情報、例えば、チップのＸ方向の長さΔＸおよびチップのＹ方向の長さΔＹを入手し（ステップＳ５４）、相関検査データＤの相関検査座標Ｄを相関チップアドレスに座標変換する。なお、座標変換は、図１１に示すように、座標Ｘｋ，Ｙｋをそれぞれチップの長さΔＸ，ΔＹで除して、小数点以下を切り上げることによりおこなう（ステップＳ５５）。
【００７９】
次に、相関検査座標Ｄ（Ｘｋ，Ｙｋ）の検査結果Ｚｋがチップ検査データＣ（Ｘ，Ｙ，Ｚ）に関連付けられて、相関データシートに書き込まれる（ステップＳ５６）。
【００８０】
以上説明したように、実施例２による半導体ウェーハの検査方法では、半導体ウェーハの相関検査座標をチップ座標に座標変換しているので、チップ単位の検査データとプロセス履歴を示すウェーハ検査データが関連付けられ、相関解析が容易になる。
【実施例３】
【００８１】
次に、本発明の実施例３に係わる半導体ウェーハの検査システムについて、図１２を用いて説明する。本実施例は、上記実施例１で示した半導体ウェーハの検査方法を実現するためのものである。
【００８２】
図１２は本実施例の半導体ウェーハの検査システムを示すブロック図である。図１２に示すように、本実施例の半導体ウェーハの検査システム１１は、半導体ウェーハを検査する複数（Ｎｏ．１〜３）の検査装置、例えば膜厚検査装置、寸法ＳＥＭなどからなるウェーハ検査部１２と、検査装置１２からの検査データを記憶する複数（Ｎｏ．１〜３）の検査データ記憶部１３と、検査データを照合して検査結果を補完するプログラムなどを格納したプログラム格納部１４と、相関解析をおこなうデータを格納する相関データ記憶部１５と、一連の検査データの照合と検査結果の補完を実行するための手段を備えた制御処理部１６と、入出力制御部１７を介して処理結果を出力する出力装置１８と、制御処理部１６への指示等を入力する入力装置１９とで構成されている。
【００８３】
検査データ記憶部１３、プログラム格納部１４および相関データ記憶部１５は、一部はコンピュータ内部の主記憶装置で構成してもよいし、このコンピュータに接続された半導体メモリ、磁気ディスク、磁気テープ、光ディスクなどの記憶装置で構成しても構わない。
【００８４】
また、制御処理部１６は、コンピュータシステムの中央演算処理装置の一部を構成しており、集中処理方式または分散処理方式のコンピュータシステムで実行される。
【００８５】
この制御処理部１６は、半導体ウェーハの検査データを検査データ記憶部１３から読み込んで、基準検査データと相関検査データを選択する検査データ選択部２１と、相関検査データに基準検査データの基準検査座標に対応する相関検査座標があるか否かを照合する検査座標照合部２２と、基準検査座標に対応する相関検査座標がない場合に、所定のルールに基づいて基準検査座標に対応する座標の近傍の相関検査座標を探索する検査座標探索部２３と、探索された相関検査座標の検査結果から所定のルールに基づいて基準検査座標に対応する座標に検査結果を補完する検査結果補完部２４と、基準検査データと相関検査データの相関解析をおこなう相関解析部２５から構成されている。
【００８６】
これらの検査データ選択部２１、検査座標照合部２２、検査座標探索部２３、検査結果補完部２４、相関解析部２５は、ソフトウェアとしてプログラム格納部１４に予め格納されており、その手順に従ってコンピュータシステムの中央演算処理装置にて実行されるが、専用のハードウェアで実行されるものでも構わない。
【００８７】
以上説明したように、実施例３に係わる半導体ウェーハの検査システムによれば、相関検査データの検査座標の照合をおこない、対応する検査座標がない場合に、近傍の検査座標を探索して検査結果を補完できるので、対応する検査データがなくても、十分な相関解析がおこなえる。
【００８８】
ここでは、ウェーハ検査部１２、検査データ記憶部１３を一体にした場合の検査システムについて説明したが、それぞれ製造工程ごとにリアルタイムで接続された検査装置をネットワークで接続した検査システムとしても構わない。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】本発明の実施例１に係わる半導体ウェーハの検査方法を示すフローチャート。
【図２】本発明の実施例１に係わる半導体ウェーハの検査座標を示す図。
【図３】本発明の実施例１に係わる検査データを示す図で、図３（ａ）は基準検査データ、図３（ｂ）は相関検査データ、図３（ｃ）は相関データを示す図。
【図４】本発明の実施例１に係わる半導体ウェーハの検査方法の変形例１を示すフローチャート。
【図５】本発明の実施例１に係わる半導体ウェーハの検査方法の変形例１を説明するための図。
【図６】本発明の実施例１に係わる半導体ウェーハの検査方法の変形例２を示すフローチャート。
【図７】本発明の実施例１に係わる半導体ウェーハの検査方法の変形例２を説明するための図。
【図８】本発明の実施例１に係わる半導体ウェーハの検査方法の変形例３を示すフローチャート。
【図９】本発明の実施例１に係わる半導体ウェーハの検査方法の変形例３を示す相関データシート。
【図１０】本発明の実施例２に係わる半導体ウェーハの検査方法を示すフローチャート。
【図１１】本発明の実施例２に係わる半導体ウェーハの検査座標とチップアドレスの関係を示す図。
【図１２】本発明の実施例３に係わる半導体ウェーハの検査システムを示すブロック図。
【図１３】従来の半導体ウェーハの欠陥検査方法を示すフローチャート。
【図１４】従来の半導体ウェーハの検査システムを示すブロック図。
【符号の説明】
【００９０】
１１  半導体ウェーハの検査システム
１２  ウェーハ検査部
１３  検査データ記憶部
１４  プログラム格納部
１５  相関データ記憶部
１６  制御処理部
１７  入出力制御部
１８  出力装置
１９  入力装置
２１  検査データ選択部
２２  検査座標照合部
２３  検査座標探索部
２４  検査結果補完部
２５  相関解析部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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