(57)【要約】【課題】  未反応チタン膜を除去した後で基板上に発生していたＴｉ残渣を低減できるようにした未反応チタン膜の除去方法及び半導体装置の製造方法、未反応チタン膜の除去装置を提供する。【解決手段】  シリコン基板上にチタン膜を形成し、当該チタン膜と該シリコンとを反応させてチタンシリサイド膜を形成した後で、このシリコン基板上に残された未反応チタン膜を当該シリコン基板上から除去する方法であって、未反応チタン膜が残されたシリコン基板にＡＰＭを施して当該シリコン基板上から該未反応チタン膜を除去するステップＡ１と、未反応チタン膜が除去されたシリコン基板を純水で洗浄するステップＡ２と、洗浄されたシリコン基板を乾燥させるステップＡ３と、乾燥したシリコン基板にＡＰＭを再度施すステップＡ４と、を含むものである。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンからなる基板上にチタン膜を形成し、当該チタン膜と該シリコンとを反応させてチタンシリサイド膜を形成した後で、前記基板上に残された未反応の前記チタン膜を当該基板上から除去する方法であって、
前記未反応のチタン膜が残された前記基板にＡＰＭを施して、前記基板上から前記未反応のチタン膜を除去する工程と、
前記未反応のチタン膜が除去された前記基板を純水で洗浄する工程と、
前記洗浄された前記基板を乾燥させる工程と、
前記乾燥した前記基板にＡＰＭを再度施す工程と、を含むことを特徴とする未反応チタン膜の除去方法。
【請求項２】
前記未反応のチタン膜が残された前記基板に前記ＡＰＭを施す前に、前記基板にＳＰＭを施す工程と、前記ＳＰＭが施された前記基板を純水で洗浄する工程と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の未反応チタン膜の除去方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の未反応チタン膜の除去方法を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
シリコンからなる基板上にチタン膜が形成され、当該チタン膜と該シリコンとが反応してチタンシリサイド膜が形成された後の前記基板上に残された未反応の前記チタン膜をエッチングし、当該基板上から除去する装置であって、
ＡＰＭを貯めたＡＰＭ漕と、純水を貯めた純水漕と、前記基板を乾燥させる乾燥機とを備え、
前記未反応のチタン膜が残された前記基板を前記ＡＰＭ漕に浸漬して、前記基板上から前記未反応のチタン膜を除去し、
前記未反応のチタン膜が除去された前記基板を前記純水漕に浸漬して当該基板を洗浄し、
前記洗浄された前記基板を前記乾燥機内に配置して当該基板を乾燥させ、
前記乾燥した前記基板を前記ＡＰＭ漕に再度浸漬することを特徴とする未反応チタン膜の除去装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、未反応チタン膜の除去方法及び半導体装置の製造方法、未反応チタン膜の除去装置に関し、特に、基板上にチタンシリサイド膜を形成した後で、この基板上に残された未反応チタン膜を除去する技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、トランジスタのゲート電極抵抗や、コンタクト抵抗等を低抵抗化するために、チタンシリサイド膜が広く用いられている（例えば、特許文献１、２参照。）。
図６（Ａ）〜（Ｄ）は、チタンシリサイド膜９９の一般的な形成方法を示す工程図である。図６（Ａ）において、９１はバルクのシリコン基板、９２は素子分離用のＬＯＣＯＳ膜、９３はゲート酸化膜、９４はポリシリコンゲート電極、９５はシリコン酸化膜からなるサイドウォール、９６はＬＤＤ領域、９７はソース又はドレイン領域（以下「Ｓ／Ｄ領域」という）である。ＬＤＤ領域９６は、例えば低濃度のｎ型不純物領域である。また、Ｓ／Ｄ領域９７は、例えば高濃度のｎ型不純物領域である。図６（Ａ）において、上記のチタンシリサイド膜９９は、通常、Ｓ／Ｄ領域９７上及びポリシリコンゲート電極９４上に形成される。
【０００３】
まず始めに、図６（Ｂ）に示すように、シリコン基板９１上の全面にチタン膜９８を形成する。このチタン膜９８はスパッタリング法を用い、例えば３００［Å］程度の厚さに形成する。次に、このチタン膜９８が形成されたシリコン基板９１を加熱処理して、シリコンとチタン膜９８とが接触している部分をシリサイド化する。これにより、図６（Ｃ）に示すように、Ｓ／Ｄ領域９７上及びポリシリコンゲート電極９４上にチタンシリサイド膜９９が形成される。このチタンシリサイド膜９９の膜厚は、例えば２８０［Å］程度である。
【０００４】
ところで、図６（Ｃ）に示すように、ＬＯＣＯＳ膜９２やサイドウォール９５などの絶縁膜と、チタン膜９８とが接触している部分では上記のシリサイド化は進まず、これらの絶縁膜上には未反応のチタン膜（以下「未反応チタン膜」という。）９８´が残されてしまう。このため、チタンシリサイド膜９９の形成プロセスでは、通常、このシリコン基板９１にウエットエッチングを施して、ＬＯＣＯＳ膜９２上やサイドウォール９５上から未反応チタン膜９８´を除去する。
【０００５】
図７は、従来例に係る未反応チタン膜９８´の除去方法を示すフローチャートである。図７に示すように、この方法は、ＡＰＭ（Ａｎｍｏｎｉｕｍ  Ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ／Ｈｙｄｒｏｇｅｎ  Ｐｅｒｏｘｉｄｅ／Ｗａｔｅｒ  Ｍｉｘｔｕｒｅ）をシリコン基板９１に施して、このシリコン基板９１上に残された未反応チタン膜９８´をエッチングし除去するステップＳ１と、未反応チタン膜９８´が除去されたシリコン基板９１を純水で洗浄するステップＳ２と、洗浄後のシリコン基板９１を乾燥させるステップＳ３と、から構成されている。
【０００６】
上記のステップＳ１では、未反応チタン膜９８´をシリコン基板９１上から完全に除去するために、未反応チタン膜９８´の膜厚に対してそのエッチング時間を過剰にする（即ち、オーバエッチングする）。このようなステップＳ１〜Ｓ３を図６（Ｃ）に示したシリコン基板９１に行うことで、図６（Ｄ）に示すように、シリコン基板９１上にチタンシリサイド膜９９を残したまま、未反応チタン膜だけを除去することができる。
【特許文献１】特開２０００−９１２９０号公報
【特許文献２】特開平９−３６３６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、従来例に係る未反応チタン膜９８´の除去方法によれば、図７のステップＳ１で、シリコン基板９１上から未反応チタン膜９８´を完全に除去するために、この未反応チタン膜９８´をＡＰＭでオーバエッチングしていた。これにより、シリコン基板９１上から未反応チタン膜９８´は完全に除去され、チタンシリサイド膜９９だけが残されるはずである。
【０００８】
しかしながら、実際には、このようなオーバエッチングにも関わらず、図８に示すように、シリコン基板上にチタンを含む残渣（以下「Ｔｉ残渣」という。）８９がある程度の頻度で発生してしまうという問題があった。このようにＴｉ残渣８９が発生してしまうと、チタンシリサイド膜９９からなるパターン同士が短絡してしまい、半導体装置の歩留りが低下してしまうおそれがあった。
【０００９】
そこで、この発明はこのような問題を解決したものであって、未反応チタン膜を除去した後で基板上に発生していたＴｉ残渣を低減できるようにした、未反応チタン膜の除去方法及び半導体装置の製造方法、未反応チタン膜の除去装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述した課題を解決するために、本発明に係る第１の未反応チタン膜の除去方法は、シリコンからなる基板上にチタン膜を形成し、当該チタン膜と該シリコンとを反応させてチタンシリサイド膜を形成した後で、前記基板上に残された未反応の前記チタン膜を当該基板上から除去する方法であって、前記未反応のチタン膜が残された前記基板にＡＰＭを施して、前記基板上から前記未反応のチタン膜を除去する工程と、前記未反応のチタン膜が除去された前記基板を純水で洗浄する工程と、前記洗浄された前記基板を乾燥させる工程と、前記乾燥した前記基板にＡＰＭを再度施す工程と、を含むことを特徴とするものである。
【００１１】
また、本発明に係る第２の未反応チタン膜の除去方法は、上述した第１の半導体装置の製造方法において、前記未反応のチタン膜が残された前記基板に前記ＡＰＭを施す前に、前記基板にＳＰＭを施す工程と、前記ＳＰＭが施された前記基板を純水で洗浄する工程と、を含むことを特徴とするものである。
ここで、ＡＰＭとは、Ａｎｍｏｎｉｕｍ  Ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ／Ｈｙｄｒｏｇｅｎ  Ｐｅｒｏｘｉｄｅ／Ｗａｔｅｒ  Ｍｉｘｔｕｒｅの略称であり、アンモニア水（ＮＨ４ＯＨ）と過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）と純水（Ｈ２Ｏ）とからなる混合液のことである。このＡＰＭは、周知のように、パーティクルや有機物を除去する働きがあり、かつ、チタンを溶解する働きがある。このＡＰＭは、「ＳＣ−１」とも呼ばれている。
【００１２】
また、ＳＰＭとは、Ｓｕｌｆｕｒｉｃ／Ｈｙｄｒｏｇｅｎ  Ｐｅｒｏｘｉｄｅ／Ｗａｔｅｒ  Ｍｉｘｔｕｒｅの略称であり、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）と過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）と純水（Ｈ２Ｏ）とからなる混合液のことである。このＳＰＭは、周知のように、金属イオンや有機物を除去する働きがあり、かつ、チタンを溶解する働きがある。
本発明者は、上記のＡＰＭ等を用いて未反応のチタン膜を除去する実験を行い、その結果から、下記の［１］〜［３］を見出した。
【００１３】
［１］  基板上に残された未反応のチタン膜をＡＰＭを用いてオーバエッチングし（以下「１回目のＡＰＭ処理」という。）除去した後で、この基板を洗浄し乾燥させる。そして、乾燥した基板にＡＰＭを再度施す（以下「２回目のＡＰＭ処理」という。）。すると、従来技術のように１回目のＡＰＭ処理だけを行う場合と比べて、基板上に発生するＴｉ（チタン）残渣を低減することができる。
【００１４】
［２］  上記の［１］において、１回目のＡＰＭ処理と、２回目のＡＰＭ処理との間にある乾燥工程を省略した場合には、Ｔｉ残渣の除去効果は従来技術と同程度しか得られない。また、上記の乾燥工程を省略した場合には、１回目のＡＰＭ処理と、２回目のＡＰＭ処理とで基板を浸漬する漕を変えても、或いは同じ漕に浸漬したとしても、Ｔｉ残渣の除去効果は従来技術と同程度しか得られない。つまり、Ｔｉ残渣の除去効果は、漕内に貯められたＡＰＭの清浄度合いではなく、上記の乾燥工程が有るか無いかに大きく依存する。
【００１５】
［３］  上記の［１］において、１回目のＡＰＭ処理を終了した時点で基板上に未反応チタン膜が残っていると、次の乾燥工程で未反応のチタン膜表面にチタンの酸化物が形成されてしまう。このため、２回目のＡＰＭ処理でＴｉ残渣を効果的に除去することができない。つまり、Ｔｉ残渣の除去効果を高めるためには、１回目のＡＰＭ処理で未反応チタン膜をほぼ完全に除去しておく必要がある。
【００１６】
本発明に係る第１、第２の未反応チタン膜の除去方法によれば、１回目のＡＰＭ処理で未反応チタン膜をほぼ完全に除去し、かつ、２回目のＡＰＭ処理を開始する前に基板を一旦乾燥させている。従って、従来技術と比べて、未反応チタン膜を除去した後で基板上に発生していたＴｉ（チタン）残渣を低減することができる。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、上述した第１、第２の未反応チタン膜の除去方法を含むことを特徴とするものである。本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、上述した第１、第２の未反応チタン膜の除去方法が応用されるので、未反応チタン膜を除去した後で基板上に発生していたＴｉ（チタン）残渣を低減することができ、半導体装置の歩留り向上に貢献することができる。
【００１７】
本発明に係る未反応チタン膜の除去装置は、シリコンからなる基板上にチタン膜が形成され、当該チタン膜と該シリコンとが反応してチタンシリサイド膜が形成された後の前記基板上に残された未反応の前記チタン膜をエッチングし、当該基板上から除去する装置であって、ＡＰＭを貯めたＡＰＭ漕と、純水を貯めた純水漕と、前記基板を乾燥させる乾燥機とを備え、前記未反応のチタン膜が残された前記基板を前記ＡＰＭ漕に浸漬して、前記基板上から前記未反応のチタン膜を除去し、前記未反応のチタン膜が除去された前記基板を前記純水漕に浸漬して当該基板を洗浄し、前記洗浄された前記基板を前記乾燥機内に配置して当該基板を乾燥させ、前記乾燥した前記基板を前記ＡＰＭ漕に再度浸漬することを特徴とするものである。
【００１８】
本発明に係る未反応チタン膜の除去装置によれば、従来技術と比べて、未反応チタン膜を除去した後で基板上に発生していたＴｉ残渣を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態に係る未反応チタン膜の除去方法及び半導体装置の製造方法、未反応チタン膜の除去装置について説明する。
（１）第１実施形態
図１は本発明の第１実施形態に係る未反応チタン膜９８´の除去方法を示すフローチャートである。以下、このフローチャートに沿って、未反応チタン膜９８´（図６（Ｃ）参照）を除去する方法について説明する。
【００２０】
まず始めに、図６（Ｃ）で示したシリコン基板９１に、エッチング液としてＡＰＭ（ＳＣ−１）を施す。これにより、シリコン基板９１上から有機物を除去すると共に、未反応チタン膜９８´を除去する（ステップＡ１）。このステップＡ１では、シリコン基板９１上から未反応チタン膜９８´を完全に除去するために、この未反応チタン膜９８´の膜厚に対して、ＡＰＭによるウエットエッチングの条件を過剰（即ち、オーバエッチング）に設定しておく。例えば、未反応チタン膜９８´の膜厚が平均で３００〜１０００［Å］程度の場合、このステップＡ１でのＡＰＭによるエッチング時間を、２０〜４５［分］程度に設定する。このＡＰＭによるエッチングは、例えばＡＰＭを入れた漕にシリコン基板９１を浸漬することにより行う。
【００２１】
次に、ＡＰＭが付着したシリコン基板９１を純水で洗浄し、清浄化する（ステップＡ２）。この純水によるシリコン基板９１の洗浄（以下「純水リンス」という。）は、例えば３〜５［分］程度行う。この純水リンスは、例えば純水を入れた漕にシリコン基板９１を浸漬することにより行う。次に、純水リンスを施したシリコン基板９１を例えば周知のスピンドライヤー等にセットして乾燥させる（ステップＡ３）。また、乾燥手段として、ＩＰＡベーパー乾燥やマランゴニ乾燥等も用いることができる。
【００２２】
次に、ステップＡ３で乾燥させたシリコン基板９１に、再度ＡＰＭを施す（ステップＡ４）。このステップＡ４でのＡＰＭによるエッチング時間は、例えば５〜１０［分］程度であり、ステップＡ１と比べて短時間（即ち、ライトエッチング）で良い。このステップＡ４のライトエッチングは、例えばステップＡ１と同様に、ＡＰＭを入れた漕にシリコン基板９１を浸漬することにより行う。
【００２３】
次に、ＡＰＭが付着したシリコン基板９１を純水で洗浄し、清浄化する（ステップＡ５）。このステップＡ５の純水リンスは、例えばステップＡ２と同様に、純水を入れた漕にシリコン基板９１を３〜５［分］程度浸漬することにより行う。その後、このシリコン基板９１をスピンドライヤーにセットし乾燥させる（ステップＡ６）。これにより、未反応チタン膜９８´の除去プロセスを完了する。
【００２４】
図３はＡＰＭによるエッチングの回数と、欠陥数との関係を実験的に調査した結果を示す散布図である。図３の横軸はシリコン基板（ウエーハ）を区別するために付した番号であり、縦軸は欠陥数である。また、欠陥数とは、ここでは１ウエーハ当たりのＴｉ残渣の発生数のことである。
さらに、図３の菱形プロットは、図１のステップＡ１及びＡ２でエッチング及び洗浄を行い、ステップＡ３でウエーハを乾燥させた後でカウントされた欠陥数である。また、図３の丸形プロットは、ステップ３の乾燥後に欠陥数が多くカウントされたウエーハだけを選択し、選択されたウエーハにステップＡ４及びＡ５のエッチング及び洗浄行い、ステップＡ６でウエーハを乾燥させた後でカウントされた欠陥数である。
【００２５】
図３から分かるように、１回目のＡＰＭ処理だけを行った場合には、欠陥数の多いウエーハが突発的に発生していた。これに対して、欠陥数の多いウエーハに２回目のＡＰＭ処理を行うと、その欠陥数は大きく減少し、歩留りを平均で約２０［％］向上させることができた。
なお、上記の調査では、図１において、乾燥工程（ステップＡ３）を省略し、純水リンス（ステップＡ２）後に２回目のＡＰＭ処理（ステップＡ４）を連続して行ってみた。しかしながら、この場合には、図３の丸形プロットのように欠陥数を大きく減少させることはできなかった。また、ＡＰＭを入れた漕を１つではなく２つ用意しておき、乾燥工程（ステップＡ３）を省略すると共に、１回目のＡＰＭ処理（ステップＡ１）と２回目のＡＰＭ処理（ステップＡ４）とで使用する漕をそれぞれ変えてみた。しかしながら、この場合も、図３の丸形プロットのように欠陥数を大きく減少させることはできなかった。従って、ステップＡ３の乾燥工程は必須であり、この乾燥工程を行わないと、欠陥数を大きく減少させることはできないということが分かった。
【００２６】
さらに、上記の調査では、図１において、ＡＰＭによる全処理時間を２つに等分割して（例えば、１回目と、２回目のＡＰＭ処理をそれぞれ２０［分］にして）みた。しかしながら、この場合には、１回目のＡＰＭ処理（ステップＡ１）で未反応チタン膜９８´がシリコン基板９１上に残ってしまい、乾燥工程（ステップＡ３）で未反応チタン膜９８´の表面にチタンの酸化物が形成されてしまう。このため、２回目のＡＰＭ処理（ステップＡ４）でＴｉ残渣を除去することができなかった。従って、未反応チタン膜９８´を１回目のＡＰＭ処理（ステップＡ１）でほぼ完全に除去しておく必要がある、ということが分かった。
【００２７】
図２は、本発明の第１実施形態に係るエッチング装置１００の一例を示す概念図である。このエッチング装置１００は、図１に示したウエットエッチングを実現する装置の一例である。図２に示すように、このエッチング装置１００は、ＡＰＭバス１０と、純水リンスバス２０と、スピンドライヤー３０と、ウエーハ搬送系（図示せず）等と、から構成されている。
【００２８】
これらの中で、ＡＰＭバス１０はＡＰＭを貯めた漕のことである。このＡＰＭバス１０には例えば循環ポンプやフィルタ等が取り付けられており、ＡＰＭはろ過されながら循環するようになっている。また、純水リンスバス２０は純水を貯めた漕のことである。この純水リンスバス２０には例えば純水が常時供給されており、純水が常時オーバフローするようになっている。
【００２９】
ところで、このエッチング装置では、ウエーハ搬送系は複数枚のシリコン基板（ウエーハ）からなるロットをＡ→Ｂ→Ｃ→Ａ→Ｂの順で順次搬送するようになっている。
即ち、まず始めに、未反応チタン膜が残された複数枚のシリコン基板からなるロットをＡＰＭバス１０に浸漬する。浸漬時間は、例えば２０〜４５［分］程度である。次に、このロットをＡＰＭバス１０から取り出し、純水リンスバス２０に浸漬する。浸漬時間は、例えば３〜５［分］程度である。次に、このロットを純水リンスバス２０から取り出して、スピンドライヤー３０にセットする。そして、このスピンドライヤー３０を動作させて、シリコン基板の表面や裏面から水分を取り除く。
【００３０】
次に、この乾燥したロットをＡＰＭバス１０に再度浸漬する。ここでの浸漬時間は、例えば５〜１０［分］程度である。次に、このロットを純水リンスバス２０に例えば３〜５［分］程度浸漬する。そして、このロットを純水リンスバス２０から取り出して、スピンドライヤー３０にセットし、シリコン基板を乾燥させる。
このように、本発明の第１実施形態に係る未反応チタン膜９８´の除去方法によれば、１回目のＡＰＭ処理で未反応チタン膜９８´をほぼ完全に除去し、かつ、２回目のＡＰＭ処理を開始する前にシリコン基板９１を一旦乾燥させている。従って、従来技術と比べて、未反応チタン膜９８´を除去した後でシリコン基板９１上に発生していたＴｉ残渣８９を低減することができ、半導体装置の歩留り向上に貢献することができる。
【００３１】
この第１実施形態では、シリコン基板９１が本発明の基板に対応し、チタン膜９８が本発明のチタン膜に対応している。また、チタンシリサイド膜９９が本発明のチタンシリサイド膜に対応し、未反応チタン膜９８´が本発明の未反応のチタン膜に対応している。さらに、ＡＰＭバス１０が本発明のＡＰＭ漕に対応し、純水リンスバス２０が本発明の純水漕に対応し、スピンドライヤー３０が本発明の乾燥機に対応している。また、エッチング装置１００が本発明の未反応チタン膜の除去装置に対応している。
【００３２】
なお、上記の第１実施形態では、未反応チタン膜９８´を溶解する薬液としてＡＰＭを用いる場合について説明したが、図１において、ＡＰＭをＳＰＭに置き換えても良い。この場合には、ＳＰＭによりチタンを溶かすことができ、Ｔｉ残渣を低減することができる。
（２）第２実施形態
図４は本発明の第２実施形態に係る未反応チタン膜９８´の除去方法を示すフローチャートである。この第２実施形態で第１実施形態と異なる点は、１回目のＡＰＭ処理を行う前に、ＳＰＭによる前処理を行う点である。その他の点は、第１実施形態と同様である。従って、図４において、図１と同一の処理工程には同一符号を付し、その詳細説明は省略する。
【００３３】
図４に示すように、この第２実施形態では、まず始めに、図６（Ｃ）で示したシリコン基板９１に、ＳＰＭを施す（ステップＢ１）。これにより、シリコン基板９１上から有機物と金属イオンとを除去する。また、ＳＰＭはチタンを溶かすので、シリコン基板９１上の未反応チタン膜９８´もある程度エッチングされる。このステップＢ１でのＳＰＭによるエッチング時間は、例えば１０〜２０［分］程度である。
【００３４】
次に、ＳＰＭが付着したシリコン基板９１を純水で洗浄し、清浄化する（ステップＢ２）。この純水リンスは、例えば純水を入れた漕にシリコン基板を３〜５［分］程度浸漬することにより行う。この後の工程は、第１実施形態と同様である。即ち、図４のステップＢ２でシリコン基板９１を純水リンスした後で、ステップＡ１に進む。そして、ステップＡ１からステップＡ６までを順次行う。
【００３５】
図５は本発明の第２実施形態に係るエッチング装置２００の一例を示す概念図である。このエッチング装置２００は、図４に示したウエットエッチングを実現する装置の一例である。この図５において、図２に示したエッチング装置１００と同一の構成を有する部分には同一符号を付し、その詳細説明は省略する。図５に示すように、このエッチング装置２００は、ＳＰＭバス４０と、第１純水リンスバス５０と、ＡＰＭバス１０と、第２純水リンスバス２０と、スピンドライヤー３０と、ウエーハ搬送系（図示せず）等と、から構成されている。
【００３６】
このエッチング装置２００では、ウエーハ搬送系は複数枚のシリコン基板（ウエーハ）からなるロットをａ→ｂ→ｃ→ｄ→ｅ→ｃ→ｄの順で順次搬送するようになっている。即ち、まず始めに、未反応チタン膜が残された複数枚のシリコン基板からなるロットをＳＰＭバス４０に浸漬する。浸漬時間は、例えば１０〜２０［分］程度である。次に、このロットをＳＰＭバス４０から取り出し、第１純水リンスバス５０に浸漬する。浸漬時間は、例えば３〜５［分］程度である。次に、このロットを第１純水リンスバス５０から取り出して、ＡＰＭバス１０に浸漬する。そして、これ以降のロットの処理は、図２に示したエッチング装置１００と同様である。
【００３７】
このように、本発明の第２実施形態に係る未反応チタン膜９８´の除去方法によれば、第１実施形態と同様の作用効果を得ることができる。また、ＡＰＭによるエッチング処理を行う前に、ＳＰＭによる前処理を行うので、特に金属イオンを効果的に取り除くことができる。これにより、半導体装置の清浄化に貢献することができる。この第２実施形態では、エッチング装置２００が本発明の未反応チタン膜の除去装置に対応している。
【００３８】
なお、上記の第１、第２実施形態では、本発明の基板としてバルクのシリコン基板９１を例示したが、本発明の基板はこれに限られることはなく、例えばＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板でも良い。本発明の基板がＳＯＩ基板の場合も、上記の第１、第２実施形態と同様に、Ｔｉ残渣８９を低減することができ、半導体装置の歩留り向上に貢献することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】第１実施形態に係る未反応チタン膜９８´の除去方法を示すフローチャート。
【図２】第１実施形態に係るエッチング装置１００の一例を示す概念図。
【図３】ＡＰＭによるエッチングの回数と、欠陥数との関係を実験的に調査した結果を示す散布図。
【図４】第２実施形態に係る未反応チタン膜９８´の除去方法を示すフローチャート。
【図５】第２実施形態に係るエッチング装置２００の一例を示す概念図。
【図６】チタンシリサイド膜９９の一般的な形成方法を示す工程図。
【図７】従来例に係る未反応チタン膜９８´の除去方法を示すフローチャート。
【図８】Ｔｉ残渣８９の一例を示す図。
【符号の説明】
【００４０】
１０  ＡＰＭバス、２０  （第２）純水リンスバス、３０  スピンドライヤー、４０  ＳＰＭバス、５０  第１純水リンスバス、８９  Ｔｉ残渣、９１  シリコン基板、９２  ＬＯＣＯＳ膜、９３  ゲート酸化膜、９４  ポリシリコンゲート電極、９５  サイドウォール、９６  ＬＤＤ領域、９７  Ｓ／Ｄ領域、９８  チタン膜、９８´  未反応チタン膜、９９チタンシリサイド膜、１００、２００  エッチング装置
【図１】
2005183627.tif 000003
【図２】
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【図３】
2005183627.tif 000005
【図４】
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【図５】
2005183627.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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