(57)【要約】【解決手段】  主にＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅ及びＢを含有し、Ｃｏ含有量が１０〜６０ａｔ％、Ｆｅ含有量が４０ａｔ％を超えて６０ａｔ％以下、Ｎｉ含有量が５〜４０ａｔ％、Ｂ含有量が０．５〜５ａｔ％であり、飽和磁束密度が１．６Ｔ以上であって、無電解めっき法により形成された磁性薄膜及びその製造方法、並びにその薄膜を用いた薄膜磁気ヘッド。【効果】  本発明の磁性薄膜は、高飽和磁束密度を有し、この磁性薄膜を用いた磁気ヘッドは、更なる高密度・高速磁気記録に対応し得る高い書き込み能力を有するものである。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
主にＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅ及びＢを含有し、Ｃｏ含有量が１０〜６０ａｔ％、Ｆｅ含有量が４０ａｔ％を超えて６０ａｔ％以下、Ｎｉ含有量が５〜４０ａｔ％、Ｂ含有量が０．５〜５ａｔ％であり、飽和磁束密度が１．６Ｔ以上であって、無電解めっき法により形成されたことを特徴とする磁性薄膜。
【請求項２】
保磁力が１０Ｏｅ以下であることを特徴とする請求項１記載の磁性薄膜。
【請求項３】
金属イオンとしてＣｏイオン、Ｆｅイオン、Ｎｉイオンを含有すると共に、錯化剤を含有し、かつホウ素系還元剤を０．０１〜０．３モル／リットルで含有する無電解めっき浴中に基板を浸漬して無電解めっきを行い、上記基板上に請求項１又は２記載の磁性薄膜を形成することを特徴とする磁性薄膜の製造方法。
【請求項４】
無電解めっきにより薄膜を形成した後、更に該薄膜を１００〜５００℃で熱処理することを特徴とする請求項３記載の磁性薄膜の製造方法。
【請求項５】
上記無電解めっき浴を定量的に攪拌することを特徴とする請求項３又は４記載の磁性薄膜の製造方法。
【請求項６】
請求項１又は２記載の磁性薄膜を薄膜磁気記録ヘッドの磁極材料の一部若しくは全部に用いた薄膜磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記憶装置用薄膜磁気ヘッド、更には薄膜インダクタや薄膜トランスなどの磁気デバイスの磁極材料や磁気記録媒体の下地層として好適な磁性薄膜及びその製造方法、並びに磁気記憶装置用の薄膜磁気ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
磁性薄膜は、薄膜磁気ヘッドや薄膜インダクタ、薄膜トランスなどの工業分野などで広く用いられている。また、磁気記録媒体の下地層への応用も期待されている。薄膜磁気ヘッドにおいては、高密度磁気記録を行うために、ますます強くかつ高速に変化する書き込み磁界を発生させる必要がある。特に高記録密度を達成するためには、ヘッドにはヘッドそのものの微細化とヘッドコア先端の書き込み部の微細化が必要とされている。また、微細なヘッドでは、そのコア材料からの書き込み能力が減少するために、高い書き込み能力を得るためには高飽和磁束密度（Ｂｓ）が必要である。無電解めっき法は、現行の電気めっき法に比べ、外部電源を用いず成膜が可能という特徴から、微細で複雑なパターンにおいても均一な膜厚、均一な組成が得やすい成膜方法である。そのために、無電解めっき法による磁気ヘッドコアの作製が期待される。また、薄膜インダクタ、薄膜トランスなどにおいても、ヘッド同様に高飽和磁束密度を有する磁性薄膜が求められており、より微細なパターンが求められている。また、無電解めっき法は、比較的広い範囲に均一に成膜を行うことも比較的容易なため、磁気記録媒体の様な広い範囲への成膜も期待される。
【０００３】
無電解めっき法によるヘッドコア作製の試みは、たとえば、日本応用磁気学会誌，２３巻，４−２号，ｐ．１３９７〜１４００（非特許文献１）に報告されている。
【０００４】
高飽和磁束密度を有する磁性薄膜としては、たとえば、特許第２８２１４５６号公報（特許文献１）に電気めっき法による飽和磁束密度が１．７〜２．１Ｔを有するＣｏＮｉＦｅ磁性薄膜の製造方法が示されている。
【０００５】
無電解めっき法による高飽和磁束密度を有する磁性薄膜としては、たとえば特開平７−２２０９２１号公報（特許文献２）において、飽和磁束密度＝１．６−１．８Ｔを有するＣｏＦｅＢ磁性薄膜の作製方法が示されている。
【０００６】
Ｔｈｅ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｅｌｅｃｔｒｏａｎａｌｙｔｉｃａｌ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，２０００年，４９１号，ｐ．１９７〜２０２（非特許文献２）には、無電解めっき法によるＣｏ77Ｎｉ13Ｆｅ9Ｂ1磁性薄膜の作製方法が示されているが、飽和磁束密度は１．５Ｔ〜１．７Ｔ程度と高くない。
【０００７】
本発明者らは、表面技術協会第１０７回講演大会講演要旨集，２００３年，ｐ．８１（非特許文献３）において、無電解めっき法によるＣｏ48Ｎｉ16Ｆｅ35Ｂ1薄膜の作製方法を報告すると共に、Ｆｅが４６ａｔ％の薄膜についても報告したが、この方法においてはＦｅが４６ａｔ％のものでは安定した析出が達成できておらず、飽和磁束密度などの磁気特性において良好なものとはなっていなかった。
【０００８】
また、本発明者らは、特開２００２−２７０４２６号公報（特許文献３）において、無電解めっき法により形成された特定組成のＣｏＮｉＦｅＢ磁性薄膜が、高飽和磁束密度となることを報告した。しかしながら、磁気記録媒体における更なる高密度化・高速化が求められる現況にあっては、更に高飽和磁束密度である磁性薄膜が求められている。
【０００９】
【特許文献１】特許第２８２１４５６号公報
【特許文献２】特開平７−２２０９２１号公報
【特許文献３】特開２００２−２７０４２６号公報
【非特許文献１】日本応用磁気学会誌，２３巻，４−２号，ｐ．１３９７〜１４００
【非特許文献２】Ｔｈｅ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｅｌｅｃｔｒｏａｎａｌｙｔｉｃａｌ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，２０００年，４９１号，ｐ．１９７〜２０２
【非特許文献３】表面技術協会第１０７回講演大会講演要旨集，２００３年，ｐ．８１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、更なる高密度・高速磁気記録に対応し得る高い飽和磁束密度を有する磁性薄膜、その製造方法、その磁性薄膜を用いた薄膜磁気記録ヘッドを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者は、更なる高密度・高速磁気記録に対応し得る高い書き込み能力を有する微細なヘッドを作るためには、無電解めっき法により高飽和磁束密度（Ｂｓ）を有する磁性薄膜を作製する必要がある点に鑑み、鋭意検討を行った結果、無電解めっき法により主にＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅ及びＢを含有し、Ｃｏ含有量が１０〜６０ａｔ％、Ｆｅ含有量が４０ａｔ％を超えて６０ａｔ％以下、Ｎｉ含有量が５〜４０ａｔ％、Ｂ含有量が０．５〜５ａｔ％である薄膜を、金属イオンとしてＣｏイオン、Ｆｅイオン、Ｎｉイオンを含有すると共に、錯化剤を含有し、かつホウ素系還元剤を０．０１〜０．３モル／リットルで含有する無電解めっき浴を用いて形成すること、好ましくは、無電解めっきにより薄膜を形成した後、更に該薄膜を１００〜５００℃で熱処理すること、更に好ましくは無電解めっき浴を定量的に攪拌することにより、飽和磁束密度が１．６Ｔ以上の磁性薄膜、更には保磁力が１０Ｏｅ以下の軟磁性薄膜を作製することができることを知見し、本発明をなすに至った。
【００１２】
すなわち、本発明は、主にＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅ及びＢを含有し、Ｃｏ含有量が１０〜６０ａｔ％、Ｆｅ含有量が４０ａｔ％を超えて６０ａｔ％以下、Ｎｉ含有量が５〜４０ａｔ％、Ｂ含有量が０．５〜５ａｔ％であり、飽和磁束密度が１．６Ｔ以上であって、無電解めっき法により形成されたことを特徴とする磁性薄膜を提供する。
【００１３】
また、本発明は、金属イオンとしてＣｏイオン、Ｆｅイオン、Ｎｉイオンを含有すると共に、錯化剤を含有し、かつホウ素系還元剤を０．０１〜０．３モル／リットルで含有する無電解めっき浴中に基板を浸漬して無電解めっきを行い、上記基板上に磁性薄膜を形成することを特徴とする磁性薄膜の製造方法を提供する。
【００１４】
更に、上記磁性薄膜を薄膜磁気記録ヘッドの磁極材料の一部若しくは全部に用いた薄膜磁気ヘッドを提供する。本磁性薄膜を薄膜磁気記録ヘッドの磁極材料の一部若しくは全部に用いた薄膜磁気ヘッドは、より微細で高い書き込み能力を付与することが可能であり、高密度・高速記録が可能となる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の磁性薄膜は、高飽和磁束密度を有し、この磁性薄膜を用いた磁気ヘッドは、更なる高密度・高速磁気記録に対応し得る高い書き込み能力を有するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明につき更に詳しく説明する。
まず、本発明の磁性薄膜及びその製造方法について説明する。
本発明の磁性薄膜は、主にＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅ及びＢを含有し、Ｃｏ含有量が１０〜６０ａｔ％、好ましくは３０〜５０ａｔ％、Ｆｅ含有量が４０ａｔ％を超えて６０ａｔ％以下、好ましくは４１〜５０ａｔ％、Ｎｉ含有量が５〜４０ａｔ％、好ましくは１０〜２５ａｔ％、より好ましくは１０〜２０ａｔ％、Ｂ含有量が０．５〜５ａｔ％、好ましくは０．５〜２ａｔ％であり、飽和磁束密度が１．６Ｔ以上であって、無電解めっき法により形成されたものである。
【００１７】
ここで、飽和磁束密度は好ましくは１．７Ｔ以上、より好ましくは１．９Ｔ以上、更に好ましくは２．０Ｔ以上である。また、保磁力は好ましくは２５Ｏｅ以下、より好ましくは２０Ｏｅ以下、更に好ましくは１０Ｏｅ以下である。
【００１８】
本発明の磁性薄膜、特に、Ｎｉ含有量が１０ａｔ％以上の薄膜は、良好な耐食性を示す。また、異方性磁界を２５〜３０ｅと高く付与することが可能である。磁性薄膜に適度の磁気異方性を付与したい場合には、めっき中に直交磁場をかけることが好ましい。また、成膜後に磁場中で熱処理を行うことでも異方性を付与することが可能である。
【００１９】
本発明の磁性薄膜は、金属イオンとしてＣｏイオン、Ｆｅイオン、Ｎｉイオンを含有すると共に、錯化剤を含有し、かつホウ素系還元剤を０．０１〜０．３モル／リットルで含有する無電解めっき浴を用いる無電解めっき法により形成可能である。
【００２０】
めっき浴中におけるＣｏイオン濃度、Ｆｅイオン濃度及びＮｉイオン濃度は、目的とする膜組成や要求される膜形成速度などに応じて適宜決定するが、Ｃｏイオン、Ｆｅイオン、Ｎｉイオン濃度の合計は０．５モル／リットル以下、好ましくは０．２モル／リットル以下である。
【００２１】
また、この場合、通常、Ｃｏイオン濃度を０．００５〜０．２モル／リットル、好ましくは０．０１〜０．１モル／リットル、Ｆｅイオン濃度を０．００５〜０．１モル／リットル、好ましくは０．０２〜０．０８モル／リットル、Ｎｉイオン濃度を０．００５〜０．１モル／リットル、好ましくは０．００１〜０．０５モル／リットルとする。
【００２２】
これらの金属イオンの供給源は、硫酸塩、スルファミン酸塩、酢酸塩、硝酸塩等の水溶性の塩から選択することが好ましく、特に硫酸塩を用いることが好ましい。
【００２３】
還元剤としてはホウ素系還元剤を用いる必要がある。ホウ素系還元剤としては、ジメチルアミンボラン、トリメチルアミンボラン、水素化硼素ナトリウム等が好ましく、特にジメチルアミンボランが好ましい。ホウ素系還元剤の濃度は、０．０１〜０．５０モル／リットルであることが好ましい。特にジメチルアミンボランの場合は０．０１〜０．３モル／リットルが好ましく、０．０２５〜０．２モル／リットルが特に好ましい。
【００２４】
めっき浴中には、錯化剤イオンが必要である。錯化剤イオンとしては有機酸イオンが好ましく、具体的には、酒石酸、クエン酸、コハク酸、マロン酸、リンゴ酸、グルコン酸などのカルボン酸や、これらの塩を錯化剤としてめっき浴に添加することが好ましく、特に酒石酸若しくはその塩及びクエン酸若しくはその塩、とりわけ酒石酸ナトリウム及びクエン酸ナトリウムを用いることが好ましい。錯化剤濃度は高くなると析出速度が減少し、それに伴い軟磁気特性が劣化するために、ある程度低いことが必要である。錯化剤イオンの濃度は、用いる錯化剤に応じて適宜決定するが、好ましくは２．０モル／リットル以下、より好ましくは０．１〜０．８モル／リットルである。
【００２５】
めっき浴中には、アンモニア源が含まれることが好ましい。アンモニア源としては硫酸アンモニウム、塩化アンモニウムなどのアンモニウム塩が好ましい。アンモニアは添加することで析出速度が増加し、軟磁気特性が向上するが、添加量が多いと逆に析出速度が減少するために適量添加することが必要である。添加濃度は組み合わされる錯化剤と析出速度により適宜決定するが、０．０５モル／リットル以上が好ましく、より好ましくは０．１〜０．５モル／リットルである。
【００２６】
めっき浴には亜燐酸イオン等の結晶調整剤を用いてもよく、このときの濃度は０．０１モル／リットル以上、特に０．０１〜０．２モル／リットルが好ましい。また、めっき浴には、必要に応じ、硼酸等の緩衝剤などを添加してもよい。なお、めっき浴のｐＨは２〜１０、特に６〜１０とすることが好ましい。
【００２７】
上記めっき浴を用いて磁性薄膜を形成する場合は、磁性薄膜を形成すべき所用の基板に、その基板に応じた公知の前処理、活性化処理を施した後、この基板を上記めっき浴に浸漬するものである。なお、磁性薄膜を析出させる基板は用途に応じて適宜選択すればよく、導電層の有無を問わない。
【００２８】
この無電解めっきにおいて、めっき温度は４０〜９５℃が好ましく、特に６０〜８０℃がより好ましい。
【００２９】
また、めっき反応を促進させ、析出速度を増加させることにより軟磁気特性が得られ易いために、めっき液の撹拌を行うことが好ましい。このときの撹拌方法は基板の揺動や、回転ディスク電極撹拌めっき装置、めっき浴循環濾過装置によるめっき液の撹拌、パドルめっき装置による撹拌など、定量的な撹拌が好ましい。このときの撹拌速度は、撹拌手法により異なるが、撹拌を行わないときに比べ析出速度を増加させる撹拌速度で行うことが好ましく、特に析出速度が１０％以上増加する範囲で行うことが好ましい。めっき浴の攪拌を行わないと、特に膜中の鉄含有量が１５ａｔ％を超えるような高鉄含有量の磁性薄膜において、５Ｏｅ以下の低保磁力が得がたいものである。
【００３０】
更に、無電解めっきにより薄膜を形成した後、このめっきにより得られた薄膜に熱処理を加えることによって、磁気特性の安定化を図ることができる。特に、得られた薄膜を１００〜５５０℃、特に２５０〜５００℃で熱処理することが好ましく、これによって保磁力を低下させることができる。熱処理時間は１５分〜２時間程度でよく、特に３０分〜１時間が好ましい。また、熱処理の雰囲気は、空気中、窒素やアルゴン等の不活性ガス中又は真空中などとすることができ、特に真空中が好ましい。この熱処理は、デバイスを作製する工程で加えることも可能である。更に、このときに磁場中で熱処理を行うことが望ましく、そのときの印可磁界は２０〜５００Ｏｅが好ましい。このように熱処理を磁場中で行えば、めっき膜に一軸異方性を付与し、異方性磁界の大きさを制御することが可能である。
【００３１】
なお、めっき膜（磁性薄膜）の厚さは適宜選定されるが、通常０．０５〜５μｍ、特に０．１〜３μｍの範囲である。
【００３２】
次に、本磁性薄膜（めっき膜）のヘッドへの応用方法について図面を参照して説明する。
図１は、本発明の磁気ヘッドの一実施形態であり、図１（ａ）は、磁気ヘッドのエアベアリングサーフェース（ＡＢＳ）と垂直な断面図及び図１（ｂ）は、ＡＢＳから見た断面図である。
【００３３】
ここで、１は基板、２は被覆層、３は下シールド層、４はギャップ層、５は磁気抵抗効果素子、６は下部磁性層、６’は上シールド層、７は下部磁極端、８はギャップ層、９は上部磁極端、１０は書き込みコイル、１１は絶縁層、１２は上部磁性層、１３は被覆層を示す。
【００３４】
図１に示す薄膜磁気ヘッドは、下部磁性層６とギャップ層８が積層され、その上にパターニングされた上部磁極端９を配置し、パターニングした絶縁層１１と導体層からなる書き込みコイル１０を配置し、それらの上に上部磁性層１２が積層されて成る記録用ヘッドと、下シールド層３の上に２つのギャップ層４に挟まれた磁気抵抗効果素子５を配置し、それらの上に上シールド層６’が積層されて成る再生用ヘッドとからなる。本第１の実施の形態では、下部磁性層６と上シールド層６’は同一のものである。ここで、下シールド層３は基板１上にスパッタ等により形成されたアルミナからなる被覆層２上に形成されている。更に、上部磁性層１２上は、スパッタ等によって形成されたアルミナからなる被覆層１３によって覆われている。
【００３５】
薄膜磁気ヘッドは、インダクティブヘッド素子を形成する上部磁性層１２、上部磁極端９及び下部磁性層６のうち全部若しくは一部に本発明の磁性薄膜（ＣｏＮｉＦｅＢめっき膜）を配置可能である。この場合、無電解めっき法で作製するために、絶縁層４、１１若しくはギャップ層８上に電気めっきに必要な導通層を用いる必要性が無く、非常に薄い金属層若しくはＰｄ活性化などを用いればよい。その上に無電解めっき法により本発明の薄膜を形成することができ、無電解めっき法であるために非常な微細部においても、均一に再現性よく成膜が可能である。
【００３６】
なお、どの部分にＣｏＮｉＦｅＢ薄膜を用いるかは、組み合わせる磁性薄膜の飽和磁束密度、比抵抗、及び膜厚により異なる。
【００３７】
本発明の高飽和磁束密度が高く微細パターンの作製が容易であるという点を活かすのならば、上部磁極端９のみに用いればよい。他の下部磁極６及び上部磁極１２には、電気めっき及び無電解めっきによるパーマロイ薄膜などを用いることができる。
【００３８】
更に、本発明の高飽和磁束密度が高く微細パターンの作製が容易であるという点を活かし、上部磁極端９、下部磁極６及び上部磁極１２のすべてのインダクティブヘッド用磁極材料に用いてもよい。
【００３９】
本発明より飽和磁束密度が高い磁性薄膜と組み合わされる場合、上部磁極端９に本発明より高い飽和磁束密度を有する磁性薄膜を用い、下部磁極６及び上部磁極１２の片方若しくは両方に、本発明のＣｏＮｉＦｅＢ膜を用いてもよい。
【００４０】
上部磁性層１２及び下部磁性層６の膜厚は、うず電流による高周波での透磁率低下を避けるため５μｍ以下であり、３μｍ以下が好ましい。
【００４１】
図２は、本発明の磁気ヘッドの他の実施形態であり、図２（ａ）は、磁気ヘッドのエアベアリングサーフェース（ＡＢＳ）と垂直な断面図及び図２（ｂ）は、ＡＢＳから見た断面図である。
【００４２】
図２に示す薄膜磁気ヘッドは、下部磁性層６、パターニングされた下部磁極端７とギャップ層８が積層され、その上にパターニングされた上部磁極端９を配置し、パターニングした絶縁層１１と導体層からなる書き込みコイル１０を配置し、それらの上に上部磁性層１２が積層されて成る記録用ヘッドと、下シールド層３の上に２つのギャップ層４に挟まれた磁気抵抗効果素子５を配置し、それらの上に上シールド層６’が積層されて成る再生用ヘッドとからなる。本第２の実施の形態では、下部磁性層６と上シールド層６’は同一のものである。ここで、下シールド層３は基板１上にスパッタ等により形成されたアルミナからなる被覆層２上に形成されている。更に、上部磁性層１２上は、スパッタ等によって形成されたアルミナからなる被覆層１３によって覆われている。
【００４３】
薄膜磁気ヘッドは、インダクティブヘッド素子を形成する上部磁性層１２、上部磁極端９、下部磁性層６及び下部磁極端７のうち全部若しくは一部に本発明のＣｏＮｉＦｅＢめっき膜を配置可能である。この場合も、無電解めっき法で作製するために、絶縁層４、１１若しくはギャップ層８上に電気めっきに必要な導通層を用いる必要性が無く、非常に薄い金属層若しくはＰｄ活性化などを用いればよい。その上に無電解めっき法により本発明の薄膜を形成することができ、無電解めっき法であるために非常な微細部においても、均一に再現性よく成膜が可能である。
【００４４】
どの部分にＣｏＮｉＦｅＢ薄膜を用いるかは、組み合わせる磁性薄膜の飽和磁束密度、比抵抗、及び膜厚により異なる。本発明の飽和磁束密度が高く微細パターンの作製が容易であるという点を活かすのならば上部磁極端９及び下部磁極端７の両方若しくは片方のみに用いればよい。上部磁性層１２、上部磁極端９、下部磁性層６及び下部磁極端７のうち本発明であるＣｏＮｉＦｅＢ薄膜を用いなかった部分には、電気めっき及び無電解めっきによるパーマロイ薄膜などを用いることができる。本発明の飽和磁束密度が高く微細パターンの作製が容易であるという点を活かし、上部磁性層１２、上部磁極端９、下部磁性層６及び下部磁極端７のすべてのインダクティブヘッド用磁極材料に用いてもよい。本発明より飽和磁束密度が高い磁性薄膜と組み合わされる場合、上部磁極端９及び下部磁極端７の両方若しくは片方のみに本発明より高い飽和磁束密度を有する磁性薄膜を用い、上部磁性層１２、上部磁極端９、下部磁性層６及び下部磁極端７のうち本発明より高い飽和磁束密度を有する膜を用いなかった部分にＣｏＮｉＦｅＢ薄膜を用いることができる。
【００４５】
なお、上部磁性層１２及び下部磁性層６の膜厚は、うず電流による高周波での透磁率低下を避けるため５μｍ以下であり、３μｍ以下が好ましい。
【００４６】
以上のように構成された薄膜磁気ヘッドは、本発明の飽和磁束密度が高いＣｏＮｉＦｅＢ薄膜を有する効果で、従来のヘッドに比べて高い書き込み能力を持つ。また、上部磁極端９や下部磁極端７を無電解めっき法で作製すれば、磁極端幅を容易に微細化が可能である。その結果、保磁力の大きな磁気ディスク媒体に低ノイズで分解能の高い磁気記録パターンを書き込むことができる。
【実施例】
【００４７】
以下、実施例及び比較例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に限定されるものではない。
【００４８】
［実施例１〜３、比較例１〜３]
表１に示す組成の無電解めっき浴を調製し、これを用いて表１に示す条件で無電解めっきを行った。また、実施例２においては、無電解めっきにより薄膜を形成した後、更に、薄膜を真空中、３５０℃で、１時間熱処理した。
【００４９】
この場合、基板としては、Ｃｕ／Ｔｉをスパッタしたガラスウェハ若しくはシリコンウェハを用いた。この基板を１０％硫酸に１分間浸漬した。更に、１０ｐｐｍ塩化パラジウム溶液に５秒間浸漬して活性化処理を行った。この基板に、表１に示すめっき浴を用いて無電解めっきにより１μｍ成膜を行った。めっき中の基板には交番直交磁場を印加した。すなわち、永久磁石を２つ対にして向かい合わせることで直流磁場を起こし、磁場中にて成膜を行った。なお、撹拌はパドル撹拌装置にて行った。
【００５０】
各薄膜について、厚さを重量法で、飽和磁束密度（Ｂｓ）及び保磁力（Ｈｃ）をＶＳＭで測定した。各薄膜の組成分析は蛍光Ｘ線分析により含有金属組成比を、また硝酸により溶解した後プラズマ発光分析を行い、膜中の金属含有率とＢ含有率を定量した。結果を表２に示す。
【００５１】
【表１】
2005240162.tif 000002
【００５２】
【表２】
2005240162.tif 000003
【００５３】
なお、図１、２の薄膜磁気ヘッドに示すようにヘッドコアの作製を試みたところ、高い飽和磁束密度を持つ磁性薄膜を有した微細なヘッドを作製できた。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】上部コアの一部に本発明である高飽和磁束密度を有するＣｏＮｉＦｅ磁性薄膜を無電解めっき法により作製した薄膜磁気ヘッドを示し、（ａ）は磁気ヘッドのエアベアリングサーフェースと垂直な断面図、(ｂ)は（ａ）のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。
【図２】上部コア及び下部コアの一部に本発明である高飽和磁束密度を有するＣｏＮｉＦｅ磁性薄膜を無電解めっき法により作製した薄膜磁気ヘッドを示し、（ａ）は磁気ヘッドのエアベアリングサーフェースと垂直な断面図、(ｂ)は（ａ）のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１  基板
２  被覆層
３  下シールド層
４  ギャップ層
５  磁気抵抗効果素子
６  下部磁性層
６’  上シールド層
７  下部磁極端
８  ギャップ層
９  上部磁極端
１０  書き込みコイル
１１  絶縁層
１２  上部磁性層
１３  被覆層
【図１】
2005240162.tif 000004
【図２】
2005240162.tif 000005