(57)【要約】      （修正有）【課題】  切削ブレードにより分割予定ラインに沿って切削する板状物の分割方法において、切削ブレードがレーザー加工溝によって分断された上記層に接触することなく切削分割すること。【解決手段】  基板の表面に該基板と材質が異なる層が形成された板状物を所定の分割予定ラインに沿って分割する板状物の分割方法であって、板状物に形成された該分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射し、該層より深い複数条のレーザー加工溝を形成するレーザー光線照射工程と、該レーザー光線照射工程によって形成された複数条のレーザー加工溝に沿って切削ブレードにより切削する切削工程とを含み、レーザー光線照射工程によって形成される複数条のレーザー加工溝は両側のレーザー加工溝の外側間の長さが該切削ブレードの厚さより大きく設定されており、切削工程において切削ブレードは両側のレーザー加工溝の外側間の領域を切削する。【選択図】        図６
2005064231.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に該基板と材質が異なる層が形成された板状物を所定の分割予定ラインに沿って分割する板状物の分割方法であって、
板状物に形成された該分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射し、該層より深い複数条のレーザー加工溝を形成するレーザー光線照射工程と、
該レーザー光線照射工程によって形成された複数条のレーザー加工溝に沿って切削ブレードにより切削する切削工程と、を含み、
該レーザー光線照射工程によって形成される複数条のレーザー加工溝は両側のレーザー加工溝の外側間の長さが該切削ブレードの厚さより大きく設定されており、該切削工程において該切削ブレードは該両側のレーザー加工溝の外側間の領域を切削する、
ことを特徴とする板状物の分割方法。
【請求項２】
該レーザー光線照射工程は該分割予定ラインに沿って２条のレーザー加工溝を形成し、該切削工程は該２条のレーザー加工溝間を切削する、請求項１記載の板状物の分割方法。
【請求項３】
該レーザー光線照射工程は、該複数条のレーザー加工溝形成することにより、該両側のレーザー加工溝間の該層を除去する、請求項１記載の板状物の分割方法。
【請求項４】
該切削工程は、所定の厚さを有する第１の切削ブレードによって所定深さの切削溝を形成する第１の切削工程と、該第１の切削ブレードの厚さより薄い厚さを有する第２の切削ブレードによって該第１の切削工程で形成された切削溝の底を切削する第２の切削工程を含んでいる、請求項１記載の板状物の分割方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエーハ等の板状物の分割方法、更に詳しくは基板の表面に該基板と材質が異なる層が形成された板状物を所定の分割予定ラインに沿って分割する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
当業者には周知の如く、半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に形成されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等の回路が形成されている半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することによって回路毎に分割して個々の半導体チップを製造している。半導体ウエーハの分割予定ラインに沿った切断は、通常、ダイサーと称されている切削装置によって行われている。この切削装置は、被加工物である半導体ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された半導体ウエーハを切削するための切断手段と、チャックテーブルと切断手段とを相対的に移動せしめる移動手段とを具備している。切断手段は、高速回転せしめられる回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードを含んでいる。切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、切れ刃は例えば粒径３μｍ程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって固定し厚さ２０〜４０μｍ程度に形成されている。
【０００３】
近時においては、ＩＣ、ＬＳＩ等の回路の処理能力を向上するために、シリコンウエーハの如き半導体基板の表面にＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）を積層せしめた形態の半導体ウエーハが実用化されている。また、半導体ウエーハの分割予定ラインにテスト  エレメント  グループ（Ｔｅｇ）と称する金属パターンが施し、半導体ウエーハを個々の半導体チップに分割する前に回路をチェックするようにした半導体ウエーハも実用化されている。
【０００４】
上述したＬｏｗ−ｋ膜を積層せしめた形態の半導体ウエーハを切削ブレードにより分割予定ラインに沿って切削すると、Ｌｏｗ−ｋ膜は雲母のように多層（５〜１５層）に積層されているとともに非常に脆いことから、切削ブレードによりストリートに沿って切削すると、Ｌｏｗ−ｋ膜が剥離し、この剥離が回路にまで達し半導体チップに致命的な損傷を与えるという問題がある。また、Ｔｅｇと称する金属パターンが施された半導体ウエーハを切削ブレードにより分割予定ラインに沿って切削すると、金属パターンが銅等の粘りのある金属によって形成されているためにバリが発生するという問題がある。
【０００５】
上記問題を解消するために、半導体ウエーハの分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射することによりＬｏｗ−ｋ膜やＴｅｇを除去し、その除去した領域に切削ブレードを位置付けて切削する分割方法が試みられている。そして、このような分割方法を実施するための加工装置を本出願人は特願２００２−１３１７７６号として提案した。
【０００６】
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
而して、上記分割方法はレーザー光線を照射してＬｏｗ−ｋ膜Ｌの層より深いレーザー加工溝を形成することによりＬｏｗ−ｋ膜を分断または除去しているが、レーザー加工溝はその幅が狭いため、切削ブレードがレーザー加工溝の側面に接触し更に分断したＬｏｗ−ｋ膜の端面に接触してＬｏｗ−ｋ膜を剥離し、回路を損傷するという問題がある。
【０００８】
本発明は上記事実に鑑みてなされたもので、その主たる技術課題は、基板の表面に該基板と材質が異なる層が形成された板状物を所定の分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射して上記層より深いレーザー加工溝を形成した後に、切削ブレードにより分割予定ラインに沿って切削する板状物の分割方法において、切削ブレードがレーザー加工溝によって分断された上記層に接触することなく切削することができる板状物の分割方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記主たる技術課題を解決するために、本発明によれば、基板の表面に該基板と材質が異なる層が形成された板状物を所定の分割予定ラインに沿って分割する板状物の分割方法であって、
板状物に形成された該分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射し、該層より深い複数条のレーザー加工溝を形成するレーザー光線照射工程と、
該レーザー光線照射工程によって形成された複数条のレーザー加工溝に沿って切削ブレードにより切削する切削工程と、を含み、
該レーザー光線照射工程によって形成される複数条のレーザー加工溝は両側のレーザー加工溝の外側間の長さが該切削ブレードの厚さより大きく設定されており、該切削工程において該切削ブレードは該両側のレーザー加工溝の外側間の領域を切削する、
ことを特徴とする板状物の分割方法が提供される。
【００１０】
上記レーザー光線照射工程は分割予定ラインに沿って２条のレーザー加工溝を形成し、上記切削工程は２条のレーザー加工溝間を切削する。また、上記レーザー光線照射工程は、複数条のレーザー加工溝形成することにより、両側のレーザー加工溝間の上記層を除去する。更に、上記切削工程は、所定の厚さを有する第１の切削ブレードによって所定深さの切削溝を形成する第１の切削工程と、第１の切削ブレードの厚さより薄い厚さを有する第２の切削ブレードによって第１の切削工程で形成された切削溝の底を切削する第２の切削工程を含んでいる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、レーザー光線照射工程によって形成される複数条のレーザー加工溝は両側のレーザー加工溝の外側間の長さが切削ブレードの厚さより大きく設定されており、切削工程において切削ブレードは両側のレーザー加工溝の外側間の領域を切削するので、切削ブレードがレーザー加工溝によって分断された上記層に接触することなく板状物を高精度に切削することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明による板状物の分割方法について添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
【００１３】
図１には、本発明に従って分割される板状物である半導体ウエーハの斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ２は、シリコンウエーハからなる基板２０の表面２０ａに複数の分割予定ライン２１が格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ライン２１によって区画された複数の領域に回路２２が形成されている。なお、図示の実施形態においては、図２に示すように基板２０の表面にはＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）２３が積層されており、このＬｏｗ−ｋ膜２３の表面に回路２２が形成されている。このように形成された半導体ウエーハ２は、個々の半導体チップに分割するに際して、分割された半導体チップがばらばらにならないように図１に示すように環状のフレーム３に装着された保護テープ４に裏面を貼着している。
【００１４】
上述した半導体ウエーハ２を個々の半導体チップに分割して半導体チップを製造する方法の第１の実施形態について、図３乃至図６を参照して説明する。
本発明による板状物の分割方法においては、先ず半導体ウエーハ２に形成された分割予定ライン２１に沿ってレーザー光線を照射し、分割予定ライン２１にＬｏｗ−ｋ膜２３の層より深いレーザー加工溝を形成するレーザー光線照射工程を実施する。即ち、図３に示すようにレーザー加工装置のチャックテーブル５上に半導体ウエーハ２を表面２０ａを上側にして載置し、図示しない吸引手段によって半導体ウエーハ２をチャックテーブル５上に保持する。次に、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル５をレーザー加工領域のレーザー加工開始位置に移動する。このとき、図３の（ａ）で示すように半導体ウエーハ２は、レーザー光線照射手段６の照射位置が分割予定ライン２１の一端（図３において左端）に位置するように位置付けられる。
【００１５】
このようにしてチャックテーブル５即ち半導体ウエーハ２がレーザー加工領域のレーザー加工開始位置に位置付けられたならば、レーザー光線照射手段６からパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル５即ち半導体ウエーハ２を図３の（ａ）において矢印で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる。そして、図３の（ｂ）で示すようにレーザー光線照射手段６の照射位置が分割予定ライン２１の他端の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル５即ち半導体ウエーハ２の移動と停止する。
【００１６】
次に、チャックテーブル５即ち半導体ウエーハ２を紙面に垂直な方向（割り出し送り方向）に４０μｍ程度移動する。そして、レーザー光線照射手段６からパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル５即ち半導体ウエーハ２を図３の（ｂ）において矢印で示す方向に所定の送り速度で移動せしめ、図３の（ａ）に示す位置に達したらパルスレーザー光線を照射を停止するとともにチャックテーブル５即ち半導体ウエーハ２の移動と停止する。
【００１７】
なお、上記レーザー光線照射工程は、例えば以下の加工条件で行われる。
レーザー光線の光源  ；ＹＶＯ４レーザーまたはＹＡＧレーザー
波長                ；３５５ｎｍ
出力                ；４〜１０Ｗ
繰り返し周波数      ：１０〜１００ｋＨｚ
パルス幅            ；１０〜５０ｎｓ
集光スポット径      ；φ１０〜５０μｍ
加工送り速度        ；１００〜３００ｍｍ／秒
【００１８】
上述したレーザー光線照射工程を実施することにより、半導体ウエーハ２の分割予定ライン２１には図４に示すようにＬｏｗ−ｋ膜２３の層より深い２条のレーザー加工溝２１ａ、２１ａが形成される。この結果、Ｌｏｗ−ｋ膜２３は、２条のレーザー加工溝２１ａ、２１ａによって分断される。なお、分割予定ライン２１に形成される２条のレーザー加工溝２１ａ、２１ａの両外側間の長さは、後述する切削ブレードの厚さより大きく設定されている。このようなレーザー光線照射工程を半導体ウエーハ２に形成された全ての分割予定ライン２１に実施する。
【００１９】
半導体ウエーハ２に形成された全ての分割予定ライン２１に上述したレーザー光線照射工程を実施したならば、分割予定ライン２１に沿って切削する切削工程を実施する。即ち、図５に示すように切削装置のチャックテーブル７上にレーザー光線照射工程が実施された半導体ウエーハ２を表面２０ａを上側にして載置し、図示しない吸引手段によって半導体ウエーハ２をチャックテーブル７上に保持する。次に、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル７を切削加工領域の切削開始位置に移動する。このとき、図５の（ａ）で示すように半導体ウエーハ２は切削すべき分割予定ライン２１の一端（図５において左端）が切削ブレード８の直下より所定量右側に位置するように位置付けられる。また、半導体ウエーハ２は分割予定ライン２１に形成された２条のレーザー加工溝２１ａ、２１ａ間に切削ブレード８が位置するように位置付けられる。
【００２０】
このようにしてチャックテーブル７即ち半導体ウエーハ２が切削加工領域の切削開始位置に位置付けられたならば、切削ブレード８を図５の（ａ）において２点鎖線で示す待機位置から下方に切り込み送りし、図５の（ａ）において実線で示すように所定の切り込み送り位置に位置付ける。この切り込み送り位置は、図６の（ａ）に示すように切削ブレード８の下端が半導体ウエーハ２の裏面に貼着された保護テープ４に達する位置に設定されている。
【００２１】
次に、切削ブレード８を所定の回転速度で回転せしめ、チャックテーブル５即ち半導体ウエーハ２を図５の（ａ）において矢印で示す方向に所定の切削送り速度で移動せしめる。そして、チャックテーブル７即ち半導体ウエーハ２が図５の（ｂ）で示すように分割予定ライン２１の他端（図５において右端）が切削ブレード８の直下より所定量左側に位置するまで達したら、チャックテーブル７即ち半導体ウエーハ２の移動を停止する。このようにチャックテーブル７即ち半導体ウエーハ２を切削送りすることにより、図６の（ｂ）で示すように半導体ウエーハ２は分割予定ライン２１に形成された２条のレーザー加工溝２１ａ、２１ａ間に裏面に達する切削溝２４が形成され切断される。なお、上記のように２条のレーザー加工溝２１ａ、２１ａ間を切削ブレード８によって切削すると、２条のレーザー加工溝２１ａ、２１ａ間に残されたＬｏｗ−ｋ膜２３は切削ブレード８によって切削されるが、２条のレーザー加工溝２１ａ、２１ａによって両側が分断さているため剥離しても回路２２側に影響することはない。
【００２２】
なお、上記切削工程は、例えば以下の加工条件で行われる。
切削ブレード          ；外径５２ｍｍ、厚さ２０μｍ
切削ブレードの回転速度；４００００ｒｐｍ
切削送り速度          ；５０ｍｍ／秒
【００２３】
次に、切削ブレード８を図５の（ｂ）において２点鎖線で示す待機位置に位置付け、チャックテーブル７即ち半導体ウエーハ２を図５の（ｂ）において矢印で示す方向に移動して、図５の（ａ）に示す位置に戻す。そして、チャックテーブル７即ち半導体ウエーハ２を紙面に垂直な方向（割り出し送り方向）に分割予定ライン２１の間隔に相当する量割り出し送りし、次に切削すべき分割予定ライン２１を切削ブレード８と対応する位置に位置付ける。このようにして、次に切削すべき分割予定ライン２１を切削ブレード８と対応する位置に位置付けたならば、上述した切削工程を実施する。
【００２４】
上述した切削工程を半導体ウエーハ２に形成された全ての分割予定ライン２１に実施する。この結果、半導体ウエーハ２は分割予定ライン２１に沿って切断され、個々の半導体チップに分割される。
【００２５】
次に、本発明による板状物の分割方法の第２の実施形態について、図７および図８図を参照して説明する。
第２の実施形態においては、レーザー光線照射工程は上記第１の実施形態と同一であり、切削工程が上記第１の実施形態と異なる。即ち、第２の実施形態は、切削工程を第１の切削工程と第２の切削工程とに分けて実施する。第１の切削工程は、上記第１の実施形態と同様にレーザー光線照射工程を実施して全ての分割予定ライン２１に図４に示すようにＬｏｗ−ｋ膜２３の層より深い２条のレーザー加工溝２１ａ、２１ａが形成された半導体ウエーハ２を図５の（ａ）で示すように表面２０ａを上側にして載置し、チャックテーブル７上に保持する。次に、上記第１の実施形態と同様に図５の（ａ）で示すように半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル７を切削加工領域の切削開始位置に移動する。なお、半導体ウエーハ２は分割予定ライン２１に形成された２条のレーザー加工溝２１ａ、２１ａの外側間に切削ブレードが位置するように位置付けられる。なお、第１の切削工程は、所定の厚さ（例えば、４０μｍ）を有する第１の切削ブレードが用いられ、従って、図７の（ａ）に示すように第１の切削ブレード８ａは、２条のレーザー加工溝２１ａ、２１ａのそれぞれの中心間に位置する。また、第１の切削ブレード８ａの切り込み送り位置は、２条のレーザー加工溝２１ｂ、２１ｂの深さより深い位置、例えば半導体ウエーハ２の表面から２０μｍの位置に設定されている。そして、その他の加工条件は上記第１の実施形態における切削工程と同様にして切削作業を実施する。この結果、図７の（ｂ）に示すように半導体ウエーハ２の分割予定ライン２１には２条のレーザー加工溝２１ｂ、２１ｂの外側間に深さ２０μｍの切削溝２４ａが形成される。なお、第１の切削工程においては、２条のレーザー加工溝２１ｂ、２１ｂ間に残されたＬｏｗ−ｋ膜２３は切削ブレード８によって切削されるが、２条のレーザー加工溝２１ｂ、２１ｂによって両側が分断さているため剥離しても回路２２側に影響することはない。
【００２６】
上述した第１の切削工程を半導体ウエーハ２に形成された全ての分割予定ライン２１に実施したら、第１の切削工程によって半導体ウエーハ２の分割予定ライン２１に形成された切削溝２４ａの底を切削する第２の切削工程を実施する。
第２の切削工程は、切削ブレードとして図８の（ａ）に示すように上記第１の切削ブレード８ａの厚さより薄い厚さ（例えば、２０μｍ）を有する第２の切削ブレード８ｂを用いる。即ち、図８の（ａ）に示すように第１の切削工程によって半導体ウエーハ２の分割予定ライン２１に形成された切削溝２４ａの幅方向中央に第２の切削ブレード８ｂを位置付けるとともに、第２の切削ブレード８ｂの下端が半導体ウエーハ２の裏面に貼着された保護テープ４に達する切り込み送り位置に位置付ける。そして、その他の加工条件は上記第１の実施形態における切削工程と同様にして切削作業を実施する。この結果、図８の（ｂ）に示すように半導体ウエーハ２は分割予定ライン２１に形成された切削溝２４ａの底には、裏面に達する切削溝２４ｂが形成され切断される。この第２の切削工程を第１の切削工程によって形成された全ての切削溝２４ａの底に実施することにより、半導体ウエーハ２は分割予定ライン２１に沿って個々の半導体チップに分割される。
【００２７】
次に、本発明による板状物の分割方法の第３の実施形態について、図９図を参照して説明する。
第３の実施形態は、図９の（ａ）に示すようにレーザー光線照射工程において半導体ウエーハ２の分割予定ライン２１に沿って２条のレーザー加工溝２１ｃ、２１ｃを互いに対向する内側が重合するように形成し、後述する切削ブレードによる切削領域のＬｏｗ−ｋ膜２３を除去する。このＬｏｗ−ｋ膜２３が除去された切削領域の幅は、切削ブレードの厚さより大きく設定されている。
【００２８】
上述したようにレーザー光線照射工程を実施したならば、上述した第１の実施形態を同様の切削工程を実施する。即ち、図９の（ｂ）にすように例えば厚さが２０μｍの切削ブレード８を２条のレーザー加工溝２１ｃ、２１ｃの幅方向中央に切削ブレード８を位置付けるとともに、切削ブレード８の下端が半導体ウエーハ２の裏面に貼着された保護テープ４に達する切り込み送り位置に位置付ける。そして、その他の加工条件は上記第１の実施形態における切削工程と同様にして切削作業を実施する。この結果、図９の（ｃ）に示すように半導体ウエーハ２は分割予定ライン２１に形成された２条のレーザー加工溝２１ｃ、２１ｃに沿って裏面に達する切削溝２４が形成され切断される。このように、第３の実施形態は、レーザー光線照射工程において切削ブレードによる切削領域のＬｏｗ−ｋ膜２３が除去されるので、切削工程においてＬｏｗ−ｋ膜が剥離する問題を未然に防止できる。
【００２９】
次に、本発明による板状物の分割方法の第４の実施形態について、図１０図を参照して説明する。
第４の実施形態は、図１０の（ａ）に示すようにレーザー光線照射工程において半導体ウエーハ２の分割予定ライン２１に沿って３条のレーザー加工溝２１ｄ、２１ｅ、２１ｄを互いに隣接する同士を重合して形成することにより、後述する切削ブレードによる切削領域のＬｏｗ−ｋ膜２３を除去する。なお、３条のレーザー加工溝２１ｄ、２１ｅ、２１ｄを形成する際には、全体として左右の溝形状が対象となるように両側のレーザー加工溝２１ｄ、２１ｄを先に形成し、最後に中央のレーザー加工溝２１ｅを形成することが望ましい。また、図示の実施形態においては、中央のレーザー加工溝２１ｅは両側のレーザー加工溝２１ｄ、２１ｄより幅広に形成されている。この中央のレーザー加工溝２１ｅを形成する際には、レーザー光線の照射条件を両側のレーザー加工溝２１ｄ、２１ｄを形成する場合と変更して行う。
【００３０】
上述したようにレーザー光線照射工程を実施したならば、上述した第２の実施形態と同様に切削工程を第１の切削工程と第２の切削工程とに分けて実施する。即ち、第１の切削工程は、図１０の（ｂ）に示すように例えば４０μｍの厚さを有する厚い第１の切削ブレード８ａを用い、この第１の切削ブレード８ａを上記レーザー加工溝２１ｄ、２１ｅ、２１ｄの幅方向中央に位置付けるとともに、半導体ウエーハ２の表面から２０μｍの位置に切り込み送りする。そして、その他の加工条件は上記第１の実施形態における切削工程を同様にして切削作業を実施する。この結果、図１０の（ｃ）に示すように半導体ウエーハ２の分割予定ライン２１にはレーザー加工溝２１ｄ、２１ｄの外側間に深さ２０μｍの切削溝２４ａが形成される。この第１の切削工程を実施する際には、レーザー光線照射工程において切削ブレードによる切削領域のＬｏｗ−ｋ膜２３が除去されるので、第１の切削工程においてＬｏｗ−ｋ膜が剥離する問題を未然に防止できる。また、レーザー加工溝２１ｄ、２１ｅ、２１ｄ全体として左右対象に形成することにより、第１の切削工程における第１の切削ブレード８ａのダメージ（曲がり）が減少する。
【００３１】
上述した第１の切削工程によって半導体ウエーハ２の分割予定ライン２１に切削溝２４ａを形成したならば、切削溝２４ａの底を切削する第２の切削工程を実施する。即ち、図１０の（ｄ）に示すように例えば２０μｍの厚さを有する第２の切削ブレード８ｂを用い、切削溝２４ａの幅方向中央に第２の切削ブレード８ｂを位置付けるとともに、第２の切削ブレード８ｂの下端が半導体ウエーハ２の裏面に貼着された保護テープ４に達する切り込み送り位置に位置付ける。そして、その他の加工条件は上記第１の実施形態における切削工程と同様にして切削作業を実施する。この結果、図１０の（ｅ）に示すように半導体ウエーハ２は分割予定ライン２１に形成された切削溝２４ａの底には、裏面に達する切削溝２４ｂが形成され切断される。この第２の実施形態を実施する際には、レーザー光線照射工程よって荒らされた領域が比較的厚さの厚い第１の切削ブレード８ａを用いた第１の切削工程によって除去されるので、厚さの薄い第２の切削ブレード８ｂによる切断が円滑に行われ、半導体ウエーハ２の裏面にチッピングが発生しにくい。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明によって分割される板状物である半導体ウエーハを保護テープを介してフレーム二死次下状態を示す斜視図。
【図２】図１に示す半導体ウエーハの断面拡大図。
【図３】本発明による板状物の分割方法の第１の実施形態におけるレーザー光線照射工程の説明頭。
【図４】本発明による板状物の分割方法の第１の実施形態におけるレーザー光線照射工程を実施した状態を示す板状物の断面拡大図。
【図５】本発明による板状物の分割方法の第１の実施形態における切削工程の説明頭。
【図６】本発明による板状物の分割方法の第１の実施形態における切削工程を実施した状態を示す板状物の断面拡大図。
【図７】本発明による板状物の分割方法の第２の実施形態における切削工程の第１の切削工程を示す説明頭。
【図８】本発明による板状物の分割方法の第２の実施形態における切削工程の第２の切削工程を示す説明頭。
【図９】本発明による板状物の分割方法の第３の実施形態を示す説明頭。
【図１０】本発明による板状物の分割方法の第４の実施形態を示す説明頭。
【符号の説明】
【００３３】
２：半導体ウエーハ（板状物）
２０：基板
２１：分割予定ライン
２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ、２１ｅ：レーザー加工溝
２２：回路
２３：低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）
３：環状のフレーム
４：保護テープ
５：レーザー加工装置のチャックテーブル
６：レーザー光線照射手段
７：切削装置のチャックテーブル
８：切削ブレード
８ａ：切削ブレード
８ｂ：切削ブレード
【図１】
2005064231.tif 000003
【図２】
2005064231.tif 000004
【図３】
2005064231.tif 000005
【図４】
2005064231.tif 000006
【図５】
2005064231.tif 000007
【図６】
2005064231.tif 000008
【図７】
2005064231.tif 000009
【図８】
2005064231.tif 000010
【図９】
2005064231.tif 000011
【図１０】
2005064231.tif 000012