(57)【要約】【課題】  撮像素子からの画像信号を複数の領域に分割して読み出すときに、各領域間の画像信号のレベル差による画質劣化を防止することができるようにする。【解決手段】  複数の出力端子に対応する複数の撮像領域を有する撮像素子（１０３）の各撮像領域からの画像信号を転送するときに生じる電荷混入量を電荷混入量検出手段（１３３Ａ，１３３Ｂ）で検出し、各撮像領域からの画像信号に含まれる電荷混入成分を補正するための補正値を電荷混入量検出手段での検出結果に基づいて演算手段（１４５）で求めるようにする。【選択図】        図１
2005064760.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の出力端子に対応する複数の撮像領域を有する撮像素子の前記各撮像領域からの画像信号が、前記撮像素子内で転送されているときに生じる電荷混入量を検出する電荷混入量検出手段と、
前記各撮像領域からの画像信号に含まれる電荷混入成分を補正するための、前記複数の出力端子に各々対応した補正値を前記電荷混入量検出手段での検出結果に基づいて演算する演算手段とを有することを特徴とする検出装置。
【請求項２】
前記撮像素子は、画像信号を転送する転送手段を有し、前記電荷混入量検出手段は、前記転送手段から画像信号が読み出された後に、前記転送手段に信号がない状態で、前記転送手段を駆動することによって前記転送手段から読み出されたダミーデータから前記電荷混入量を検出することを特徴とする請求項１に記載の検出装置。
【請求項３】
前記ダミーデータは画像信号が読み出された直後に読み出されることを特徴とする請求項２に記載の検出装置。
【請求項４】
前記撮像領域で生成された画素の画像信号を転送する方向は、水平方向であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項５】
前記電荷混入量検出手段の検出結果を記憶する記憶手段を更に有し、
前記演算手段は、前記記憶手段から読み出した前記検出結果に基づいて前記補正値を演算することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項６】
前記撮像素子への露光量を連続的に可変させる露光量制御手段を更に有し、
前記電荷混入量検出手段は、前記電荷混入量の検出を前記露光量制御手段で可変させた各露光量における画像信号のレベルに対応させて行うことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項７】
前記撮像素子の温度を測定する温度測定手段を更に有し、
前記電荷混入量検出手段は、あらかじめ決められた複数の温度条件下において前記電荷混入量の検出を行い、
前記演算手段は、前記補正値の演算を前記温度測定手段での測定結果に基づいた温度変化に応じて、前記電荷混入量検出手段で検出された検出結果に基づいて行うことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項８】
複数の出力端子に対応する複数の撮像領域を有する撮像素子の前記各撮像領域から画像信号を転送するときに生じる電荷混入量を検出する電荷混入量検出ステップと、
転送された画像信号に含まれる電荷混入成分を補正するための補正値を前記電荷混入量検出ステップでの検出結果に基づいて演算する演算ステップとを有することを特徴とする検出装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、撮像素子からの画像信号を複数の領域に分割して読み出す検出装置及びその制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年ディジタル信号処理技術及び半導体技術の進歩により、標準テレビ方式、例えばＮＴＳＣ方式やＰＡＬ方式の動画像信号をディジタル記録する記録再生装置と撮像装置を一体化したディジタルビデオカメラが製品化されている。このようなディジタルビデオカメラでは、ディジタル記録という特徴を生かして、静止画記録機能を備えるものがある。また、コンピュータ等との接続のためにディジタルＩ／Ｆを具備し、撮影した画像をコンピュータに取り込む機能を有するものもある。さらに、複数の記録媒体を具備し、画像の使用目的に応じて記録媒体を選択できるようになっているものもある。
【０００３】
上述したような装置において、記録された画像をテレビに接続して再生する場合は、その画像サイズはディジタルビデオ規格で定められるもの、例えば７２０×４８０画素でなんら問題は無いが、ディジタルＩ／Ｆを介して他のメディアに画像を転送する場合は、画質上の問題からより多くの画素数が要求される場合がある。
【０００４】
撮像素子の多画素化に伴い、撮像素子の全画素の情報を読み出すためにはより高い周波数で撮像素子を駆動する必要があり、Ｓ／Ｎの劣化や消費電力の増大を招く。
撮像素子の駆動周波数を低く抑えたまま撮像情報のデータレートを上げる方法の１つとして、撮像面を複数の領域に分割し、それぞれの領域に独立した電荷転送部、増幅器及び出力端子を持たせ、撮像信号を並列に読み出す方法がある。このような撮像素子の例を図１０に示す。同図において撮像素子１４００の撮像面は左右の２領域に分割されており、１４０１，１４０２はそれぞれ各領域における光電変換及び垂直転送部、１４０３，１４０４はそれぞれ各領域における水平転送部、１４０５，１４０６はそれぞれ各領域における増幅器、１４０７，１４０８はそれぞれ各領域における出力端子である。このような構造の撮像素子を用いることにより、撮像素子の駆動周波数に対して２倍のデータレートの撮像情報が得られる利点がある。
【０００５】
しかしながら、上述した方法の欠点として、各領域の電荷転送部もしくは増幅器の特性の不均一により、複数の領域を合成して画像を生成した場合に、領域間の信号レベル差による境界線が生じるなどの画質劣化が発生する問題があった。代表的な撮像素子であるＣＣＤエリアセンサを例にして考えた場合、領域間の信号レベル差を発生させる要因の１つに、電荷転送部における転送効率の低下が挙げられる。ＣＣＤエリアセンサでは、垂直もしくは水平転送部において転送効率の低下が発生すると、転送方向に対して隣接する画素に信号電荷が混入し、混色や色シェーディングなどの画質劣化を引き起こす。垂直転送部の転送効率低下は列毎のレベル差となるので領域間のレベル差の要因にはなり得ないが、水平転送部の転送効率低下は領域間のレベル差の要因となる。
【０００６】
この問題を解決するために、例えば、特許文献１には、複数分割読み出しセンサにおいて、複数の領域間のアンバランス量を算出し、算出結果に応じて、複数の領域間の段差補正を行うことを特徴とする撮像装置が記載されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−２５３３０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
今回、実験などにより、出力ゲート部１５０２の転送効率が低下した場合、隣接画素への信号電荷混入量は転送段数には依存せず領域内で一定となり、画面上に一様の混色を引き起こすという問題と、上述した領域分割読出し式撮像素子の場合、これらの画質劣化が領域間で異なった量で発生するため、合成画面上に境界線が生じるという問題を発見した。
【０００９】
本発明は上述の問題点に鑑みてなされたもので、領域内の他画素への信号電荷混入を補償し、各領域間の画像信号のレベル差による合成画像の画像劣化を防止するための補正値を出力可能とする検出装置及びその制御方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の検出装置は、複数の出力端子に対応する複数の撮像領域を有する撮像素子の前記各撮像領域からの画像信号が、前記撮像素子内で転送されているときに生じる電荷混入量を検出する電荷混入量検出手段と、前記各撮像領域からの画像信号に含まれる電荷混入成分を補正するための、前記複数の出力端子に各々対応した補正値を前記電荷混入量検出手段での検出結果に基づいて演算する演算手段とを有する。
【００１１】
本発明の検出装置の制御方法は、複数の出力端子に対応する複数の撮像領域を有する撮像素子の前記各撮像領域から画像信号を転送するときに生じる電荷混入量を検出する電荷混入量検出ステップと、転送された画像信号に含まれる電荷混入成分を補正するための補正値を前記電荷混入量検出ステップでの検出結果に基づいて演算する演算ステップとを有する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、撮像素子からの画像信号を複数の領域に分割して読み出すときに各領域内において発生する隣接画素への信号電荷混入量を検出することが可能となる。このため、各領域間の画像信号のレベル差による混色や色シェーディング、合成した画像に各領域間の境界線が生じるといった画質劣化を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態における検出装置を搭載した撮像装置のブロック構成図である。
同図において、レンズ１０１を通過した画像は、撮像素子１０３上に結像する。本実施形態では、撮像素子としてＣＣＤエリアセンサを適用する。ＣＣＤエリアセンサ１０３上に結像した画像信号は電気信号に変換された後、ＣＣＤエリアセンサ１０３の撮像面を２分割した左右の領域毎に読み出され、左半分の領域における出力信号がバッファ１０５Ａへ、右半分の領域における出力信号がバッファ１０５Ｂへ出力される。
【００１４】
図２は、ＣＣＤエリアセンサ１０３の具体例を示す概略図である。
ＣＣＤエリアセンサ１０３の撮像面は、左半分の領域２０１Ａと右半分の領域２０１Ｂとに区分されている。ここで、各領域２０１Ａ，２０１Ｂには、画像信号を生成する画素を複数含む撮像領域ダミーデータが配設されている。また、ＣＣＤエリアセンサ１０３の撮像面の両端にはそれぞれオプティカルブラック部２０３Ａ，２０３Ｂが配設されている。各領域２０１Ａ，２０１Ｂから順次垂直転送されてきた画像は、各領域毎に設けされた各水平転送部２０５Ａ，２０５Ｂにそれぞれ出力され、左半分の領域２０１Ａにおける水平転送部２０５Ａでは同図の左方向に、右半分の領域２０１Ａにおける水平転送部２０５Ｂでは同図の右方向に水平転送された後、各領域毎に読み出しアンプ２０７Ａ，２０７Ｂで電圧に変換され、それぞれ出力端子２０９Ａ，２０９Ｂに出力される。
【００１５】
図３は、ＣＣＤエリアセンサ１０３の画像信号の出力タイミングを示した概略図である。
図３に示す３０１Ａ，３０１Ｂは、図２に示したＣＣＤエリアセンサ１０３における撮像面の左半分の領域２０１Ａと右半分の領域２０１Ｂの画像信号における１水平期間を示している。図３（ａ）において横軸は時間である。同じ水平期間の左右の領域における画像信号は同じ１水平期間で読み出され、また読み出しの順番としては、撮像面の外側から内側に向かって読み出されるので、まずはオプティカルブラック部２０３Ａ，２０３Ｂが読み出され、続いて、両サイドに位置する画素から中心に位置する画素に向かって画像が読み出される。その後に、１水平ラインの画素の画像の読み出しが終わった後、次の１水平ラインの画像の画像の信号が水平転送部に転送されるまでの間に、水平転送パルスを与え続けることにより、ダミーデータが読み出される。ここで、このダミーデ−タの読み出しを拡大したものを図３（ｂ）に示す。
【００１６】
図３（ｂ）に示すように、本実施形態のダミーデータ部として原色フィルタを適用した例で以下に説明する。
原色市松フィルタを用いた場合には、ＧＢＧＢの色フィルタとＲＧＲＧの色フィルタとが１ラインごとに交互に貼られている。同図では、ＧＢラインの場合の例を示しており、左半分の領域の画像信号３０１ＡとしてＧＢＧＢと順次読み出された後、ダミーデ−タがＤＭ１Ａ、ＤＭ２Ａ…と読み出される。一方、また右半分の領域の画像信号３０１Ｂは右端から読み出されるので、上述の左半分の領域の画像信号３０１ＡとはＧとＢとの順番が逆になっており、ＢＧＢＧと読み出された後、ダミーデ−タがＤＭ１Ｂ、ＤＭ２Ｂ…と読み出される。
【００１７】
続いて、再び図１に戻って説明する。
バッファ１０５Ａ，１０５Ｂからの出力信号はそれぞれＣＤＳ１０９Ａ，１０９Ｂへ出力されて、このＣＤＳ１０９Ａ，１０９Ｂで左右の撮像面におけるＣＣＤ出力波形にそれぞれ相関２重サンプルを施すことにより低周波ノイズを除去する。続いて、それぞれの出力信号はＡ／Ｄ変換手段１１１Ａ，１１１Ｂでアナログ信号からディジタル信号に変換され、その出力はダミーデータ検出手段１３３Ａ，１３３Ｂに転送され、検出結果が記憶手段１６３に記憶される。演算手段１４５により記憶手段１６３から読み出され処理が行われる。そして、補正値が電荷混入補正手段１１３Ａ，１１３Ｂに出力される。
【００１８】
ここで、各領域内で一定量発生する隣接画素への信号電荷の混入は、図４に示すように１画素隣の隣接画素に電荷が混入していると考えられる。具体的には、図４（ａ）に示すように、画素Ｇ１Ａにおける電荷混入量「Ｇ１Ａ leak」が隣接画素である画素Ｂ１Ａに混入され、さらに画素Ｂ１Ａにおける電荷混入量「Ｂ１Ａ leak」が隣接である画素Ｇ２Ａに混入される。ある一定の信号レベルのシグナル（Signal）に対しては電荷混入量（Leak）も一定であると考えられるので、ダミーデータＤＭ１Ａに隣接する画素Ｂ２Ａからの電荷混入量はダミーデータＤＭ１Ａの信号量を測定することによって求められる。
【００１９】
本実施形態におけるダミーデータ検出手段１３３Ａ，１３３Ｂは電荷混入量検出手段に相当し、ダミーデータ検出手段１３３Ａ，１３３Ｂは、図３（ｂ）に示したダミーデータ部の１画素目であるダミーデータＤＭ１Ａを積分する。ダミー１画素目は、各水平期間の左右のチャンネルにそれぞれ１画素存在する。そして、ダミーデータにおける積分結果は検出値として演算手段１４５で読み出される。また、図４（ｂ）に示すように、入力光量が変化して画像信号の信号レベルが変化したときは、隣接画素に混入する電荷混入量も変化する。
【００２０】
図５は、本実施形態における撮像装置の画像信号の信号レベル（Signal）に対するダミー１画素目への電荷混入量（Leak）を模式的に表した特性図である。実測によれば、電荷混入量（Leak）は信号レベル（Signal）に対して、初期は急峻であり、その後信号レベルがあがってくるにつれてなだらかになるような特性となっている。
【００２１】
そこで、図６に示すような検出装置（Ｓ１〜Ｓ３）または撮像装置（Ｓ１〜Ｓ４）の制御処理を行う。図６は、第１の実施形態における検出装置（Ｓ１〜Ｓ３）または撮像装置（Ｓ１〜Ｓ４）の制御方法を示すフローチャートである。
まず、ステップＳ１では、露光制御手段１５７によりＣＣＤエリアセンサ１０３の撮像面へ入力する光量の輝度を変化させる。
【００２２】
続いて、ステップＳ２では、各入力光量の輝度に対するダミー１画素目の電荷混入量を各ダミーデータ検出手段１３３Ａ，１３３Ｂで検出し、検出結果を記憶手段１６３に記憶する。
【００２３】
続いて、ステップＳ３では、各ダミーデータ検出手段１３３Ａ，１３３Ｂでのダミー１画素目の電荷混入量の検出結果に基づいて、撮像面の各領域における画素の出力信号に含まれる電荷混入成分を補正するための補正値を演算手段１４５で求める。この演算手段１４５によって求められる補正値は、入力光量の信号レベル毎に検出されたダミーデータの測定量そのものであってもよいが、例えば図５の特性図で示される関係であるならば線形成分と非線形成分とに分離した関数としたものであってもよい。
【００２４】
なお、ステップＳ１〜ステップＳ３は、露光制御手段１５７・ダミーデータ検出手段１３３Ａ，１３３Ｂ・演算手段１４５・記憶手段１６３によって構成される検出装置によってなされる。
【００２５】
続いて、ステップＳ４では、演算手段１４５により求められた補正値に基づいて電荷混入補正手段１１３Ａ，１１３Ｂにより撮像面の各領域における画素の出力信号に含まれる電荷混入成分を補正する。その後、電荷混入補正手段１１３Ａ，１１Ｂの出力は、リニアリティ補正手段１２３Ａ，１２３Ｂに出力され、リニアリティが補正される。このとき、リニアリティはＣＣＤやアナログフロントエンド毎に異なるので、隣接画素間における電荷混入の補償と同様に、露光制御手段１５７を用いてリニアリティを計測し、当該計測結果を演算手段１４５に外付けした記憶手段１６３に記憶しておき、演算手段１４５により記憶手段１６３から読み出して処理を行って、リニアリティ補正手段１２３Ａ，１２３Ｂでリニアリティを補正する。
【００２６】
さらにその後、リニアリティ補正手段１２３Ａ，１２３Ｂの出力信号は、ゲイン補正手段１２９Ａ，１２９Ｂに出力される。このゲイン補正手段１２９Ａ，１２９Ｂ（図示しない右側チャンネル用）には２つの役目がある。まず、１つ目の役目は絞りを開放にしても明るさが不足する場合に電気的にゲインアップするものであり、２つ目の役目は左右のゲインを合わせるものである。従来はアナログフロントエンドにアナログアンプがあり、マイコンから当該アナログアンプにデシベルゲインを設定することによりゲインアップを行っていたが、本実施形態で示すような分割読み出しＣＣＤの場合には、アナログアンプによるゲインアップでは、温度や電圧、経時変化などに対してチャンネル間のゲインを保証することができないため、アナログアンプを廃止し、その代わりに、アナログフロントエンドにおけるＡ／Ｄ変換の精度を上げて、例えば従来の１２ビットから１４ビットにしておき、ディジタル的な乗算でゲインアップを実現している。
【００２７】
さらにその後、ゲイン補正手段１２９Ａ，１２９Ｂのそれぞれでゲイン補正された左右の画像は、合成手段１４７により合成されて、従来と同様の１画面信号となってカメラ信号処理手段１４９に出力されて、多画素ＣＣＤで得られた大きな画像をＤＶＣディジタルビデオ規格に合わせる縮小処理、手ぶれ補正処理、γ補正、色の分離、輝度の輪郭強調などの各種処理が施された後、画像信号として出力端子１５１に出力される。ステップＳ１〜ステップＳ４は、図１１に示したブロック構成図のように構成される撮像装置によってなされる。
【００２８】
なお、Ｓ１〜Ｓ３のように制御される検出装置を用いて、工場出荷前に電荷混入量を検出して演算した補正値のタイミングテーブルを生成し、例えば撮像装置に記憶させておき、撮像の際にこの補正値を使用して画像補正を行うように撮像装置を構成すれば、画質劣化のない高画質な画像を得ることができる。また、この構成では、電荷混入量の検出は、撮像時には、行わないため、処理速度を速くすることができる。さらに、検出装置の部分を撮像装置内に設ける構成（工場出荷後の撮像時には、検出装置の部分は使用しない）であってもよいし、撮像装置の内部に設けず、工場出荷時に撮像装置に接続して、電荷混入量を検出等するようにしてもよい。
また、Ｓ１〜Ｓ４のように撮像毎に、リアルタイムで電荷混入量の検出、電荷混入補正を行うように撮像装置を構成してもよい。
【００２９】
（第２の実施形態）
図７は、本発明の第２の実施形態における検出装置を搭載した撮像装置のブロック構成図である。ここで、第１の実施形態における撮像装置と同様の構成については説明を省略する。
図６においてＡ／Ｄ変換手段１１１Ａ，１１１Ｂでアナログ信号からディジタル信号に変換され、その出力はダミーデータ検出手段１３３Ａ，１３３Ｂ、画像信号検出手段１３５Ａ，１３５Ｂ及び電荷混入補正手段１１３Ａ，１１３Ｂに出力される。
【００３０】
本実施形態におけるダミーデータ検出手段１３３Ａ，１３３Ｂ及び画像信号検出手段１３５Ａ，１３５Ｂは電荷混入量検出手段に相当し、ダミーデータ検出手段１３３Ａ，１３３Ｂは、図３（ｂ）に示したダミーデータ部の１画素目であるダミーデータＤＭ１Ａを積分する。ダミー１画素目は、各水平期間の左右のチャンネルにそれぞれ１画素存在する。また、画像信号検出手段１３５Ａ，１３５ＢはダミーデータＤＭ１Ａにリークを与える時間的に１つ前の画素３０５Ａの輝度レベルを積分する。隣接する１画素目のダミーデータも各水平期間の左右のチャンネルにそれぞれ１画素存在する。そして、ダミーデータにおける積分結果は検出値として演算手段１４５で読み出される。
【００３１】
また、本実施形態における撮像装置の制御方法は、図６に示したフローチャートと同様に、まず、露光制御手段１５７によりＣＣＤエリアセンサ１０３の撮像面へに入力する光量の輝度を変化させて（ステップＳ１）、各入力光量の輝度に対するダミー１画素目の電荷混入量を各ダミーデータ検出手段１３３Ａ，１３３Ｂで検出し、検出結果を記憶手段１６３に記憶する（ステップＳ２）。続いて、各ダミーデータ検出手段１３３Ａ，１３３Ｂでのダミー１画素目の電荷混入量の検出結果に基づいて、撮像面の各領域における画素の出力信号に含まれる電荷混入成分を補正するための補正値を演算手段１４５で求める（ステップＳ３）。ここで、この演算手段１４５によって求められる補正値は、複数の入力光量の信号レベルにおけるダミーデータ量に応じて求められる。その後、演算手段１４５により求められた補正量に基づいて電荷混入補正手段１１３Ａ，１１３Ｂにより撮像面の各領域における画素の出力信号に含まれる電荷混入成分の補正を行う（ステップＳ４）。
【００３２】
なお、ステップＳ１〜Ｓ３のように制御される検出装置を用いて、工場出荷前に電荷混入量を検出して演算した補正値のタイミングテーブルを生成し、例えば撮像装置に記憶させておき、撮像の際にこの補正値を使用して画像補正を行うように撮像装置を構成すれば、画質劣化のない高画質な画像を得ることができる。また、この構成では、電荷混入量の検出は、撮像時には、行わないため、処理速度を速くすることができる。さらに、検出装置の部分を撮像装置内に設ける構成（工場出荷後の撮像時には、検出装置の部分は使用しない）であってもよいし、撮像装置の内部に設けず、工場出荷時に撮像装置に接続して、電荷混入量を検出等するようにしてもよい。
また、Ｓ１〜Ｓ４のように撮像毎に、リアルタイムで電荷混入量の検出、電荷混入補正を行うように撮像装置を構成してもよい。
【００３３】
以上の説明のように、本実施形態では複数の入力光量の信号レベルにおけるダミーデータ量に応じて、補正値を得ることができるので、より高画質な画像を得ることができる。
【００３４】
（第３の実施形態）
図８は、本発明の第３の実施形態における検出装置を搭載した撮像装置のブロック構成図である。ここで、第１の実施形態における撮像装置と同様の構成については説明を省略する。
本実施形態の撮像装置は、ＣＣＤエリアセンサ１０３の温度を測定する温度測定手段１７１を設けて、この温度測定手段１７１により測定された温度情報を演算手段１４５に出力するようにする。
【００３５】
図９は、本実施形態における撮像装置の画像信号の信号レベル（Signal）に対するダミー１画素目への電荷混入量（Leak）の温度変化を模式的に表した特性図である。実測によれば、電荷混入量（Leak）はＣＣＤエリアセンサ１０３の温度変化によって増減し、温度が上昇するほど電荷混入量が減少するような特性となっている。
【００３６】
そこで、以下に示す撮像装置の制御処理を行う。
第３の実施形態における撮像装置の制御方法では、図６に示したステップＳ１及びステップＳ２の処理を温度の異なる複数の条件下で行うようにする。このときのＣＣＤエリアセンサ１０３の温度条件は、温度測定手段１７１で測定される。
【００３７】
続いて、ステップＳ３では、各ダミーデータ検出手段１３３Ａ，１３３Ｂでのダミー１画素目の電荷混入量の検出結果に基づいて、撮像面の各領域における画素の出力信号に含まれる電荷混入成分を補正するための補正値を演算手段１４５で求める。この演算手段１４５によって求められる補正値は、上記計測時の温度情報と温度に対応したダミーデータ量とから求められた補正量である。
【００３８】
続いて、ステップＳ４では、撮像時におけるＣＣＤエリアセンサ１０３の温度を温度測定手段１７１で測定し、記憶手段１４５に記憶された温度情報と対応させ、対応する補正値に基づいて電荷混入補正手段１１３Ａ，１１３Ｂにより撮像面の各領域における画素の出力信号に含まれる電荷混入成分の補正を行う。ここでＣＣＤエリアセンサ１０３の温度と記憶手段１４５に記憶されている温度情報とが合致しないときは、記憶されている複数の温度情報に対応する補正量からＣＣＤエリアセンサ１０３の温度への補間演算を演算手段１４５で行った後に当該補正処理を行う。
【００３９】
なお、ステップＳ１〜Ｓ３のように制御される検出装置を用いて、工場出荷前に電荷混入量を検出して演算した補正値のタイミングテーブルを生成し、例えば撮像装置に記憶させておき、撮像の際にこの補正値を使用して画像補正を行うように撮像装置を構成すれば、画質劣化のない高画質な画像を得ることができる。また、この構成では、電荷混入量の検出は、撮像時には、行わないため、処理速度を速くすることができる。さらに、検出装置の部分を撮像装置内に設ける構成（工場出荷後の撮像時には、検出装置の部分は使用しない）であってもよいし、撮像装置の内部に設けず、工場出荷時に撮像装置に接続して、電荷混入量を検出等するようにしてもよい。
また、ステップＳ１〜Ｓ４のように撮像毎に、リアルタイムで電荷混入量の検出、電荷混入補正を行うように撮像装置を構成してもよい。
【００４０】
以上の説明のように、本実施形態では温度情報によって補正値を得られるので、温度が上昇するほど、電荷混入量が減少するという特性に適応した補正を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の第１の実施形態における撮像装置のブロック構成図である。
【図２】ＣＣＤエリアセンサの具体例を示す概略図である。
【図３】ＣＣＤエリアセンサの画像信号の出力タイミングを示した概略図である。
【図４】隣接画素への電荷混入の様子を説明するための模式図である。
【図５】第１の実施形態における撮像装置の画像信号の信号レベル（Signal）に対するダミー１画素目への電荷混入量（Leak）を模式的に表した特性図である。
【図６】撮像装置の制御方法を示すフローチャートである。
【図７】本発明の第２の実施形態における撮像装置のブロック構成図である。
【図８】本発明の第３の実施形態における撮像装置のブロック構成図である。
【図９】第３の実施形態における撮像装置の画像信号の信号レベル（Signal）に対するダミー１画素目への電荷混入量（Leak）の温度変化を模式的に表した特性図である。
【図１０】従来におけるＣＣＤエリアセンサの具体例を示す概略図である。
【図１１】撮像装置における水平転送部の模式図である。
【符号の説明】
【００４２】
１０１  レンズ
１０３  ＣＣＤエリアセンサ（撮像素子）
１０５Ａ，１０５Ｂ  バッファ
１０９Ａ，１０９Ｂ  ＣＤＳ
１１１Ａ，１１１Ｂ  Ａ／Ｄ変換手段
１１３Ａ，１１３Ｂ  電荷混入補正手段
１２３Ａ，１２３Ｂ  リニアリティ補正手段
１２９Ａ，１２９Ｂ  ゲイン補正手段
１３３Ａ，１３３Ｂ  ダミーデータ検出手段
１４５  演算手段
１４７  合成手段
１４９  カメラ信号処理手段
１５１  出力端子
１５７  露光制御手段
１６３  記憶手段
【図１】
2005064760.tif 000003
【図２】
2005064760.tif 000004
【図３】
2005064760.tif 000005
【図４】
2005064760.tif 000006
【図５】
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【図６】
2005064760.tif 000008
【図７】
2005064760.tif 000009
【図８】
2005064760.tif 000010
【図９】
2005064760.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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