(57)【要約】【課題】  受光部の面積を高精度に規定する。また、ボロンやリンの析出によるメタル配線の断線を防止することができ、長寿命で信頼性の高い固体撮像素子を提供する。【解決手段】  光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部とを具備した固体撮像素子において、前記光電変換部に開口を有し、前記電荷転送部を覆う密着層７１と、前記密着層７１の側壁を含む表面全体を覆うように形成された、遮光膜７２とを具備したことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部とを具備した固体撮像素子において、
前記光電変換部に開口を有し、前記電荷転送部を覆う密着層と、
前記密着層の側壁を含む表面全体を覆うように形成された、遮光膜とを具備したことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
請求項１に記載の固体撮像素子であって、
前記遮光膜は、選択成長によって前記密着層表面に成膜された導電性膜である固体撮像素子。
【請求項３】
請求項１または２に記載の固体撮像素子であって、
前記密着層はアルミニウム薄膜を含む固体撮像素子。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の固体撮像素子であって、
前記遮光膜はタングステン膜である固体撮像素子。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の固体撮像素子であって、
前記光電変換部の表面から前記遮光膜の一部を覆うように形成され、表面がほぼ平坦となるように前記光電変換部に充填された平坦化膜とを具備し、
前記平坦化膜は前記遮光膜の表面よりも高屈折率を有することを特徴とする固体撮像素子。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の固体撮像素子であって、
前記平坦化膜は塗布膜である固体撮像素子。
【請求項７】
請求項６に記載の固体撮像素子であって、
前記平坦化膜はＳＯＧ膜である固体撮像素子。
【請求項８】
請求項６に記載の固体撮像素子であって、
前記平坦化膜はＳＯＤ膜である固体撮像素子。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載の固体撮像素子であって、
フィールド絶縁膜の表面は前記電荷転送電極の表面よりも下にあることを特徴とする固体撮像素子。
【請求項１０】
半導体基板表面に光電変換部を形成する工程と、
前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送するように、前記光電変換部に近接して配される電荷転送電極を含む電荷転送部を形成する工程と、
前記光電変換部に開口を有し、前記電荷転送部を覆う密着性層を形成する工程と、
前記密着性層上に選択成長により遮光膜を成膜する工程と、
この上層に平坦化膜を形成する工程とを含む固体撮像素子の形成方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記密着性層を形成する工程は、アルミニウムまたはアルミニウム合金薄膜を形成する工程と、これをフォトリソグラフィによりパターニングする工程とを含む固体撮像素子の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記遮光膜を成膜する工程は選択成長工程である固体撮像素子の製造方法。
【請求項１３】
請求項１０乃至１２のいずれかに記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記平坦化膜を形成する工程は、塗布膜を形成する工程を含む固体撮像素子の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記平坦化膜を形成する工程はＳＯＧ膜を塗布する工程を含む固体撮像素子の製造方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記平坦化膜を形成する工程はＳＯＤ膜を塗布する工程を含む固体撮像素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像素子およびその製造方法にかかり、特に固体撮像素子の光電変換部の受光領域を規定する遮光膜の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
エリアセンサ等に用いられるＣＣＤを用いた固体撮像素子は、フォトダイオードなどの光電変換部と、この光電変換部からの信号電荷を転送するための電荷転送電極を備えた電荷転送部とを有する。電荷転送電極は、半導体基板に形成された電荷転送路上に複数個隣接して配置され、順次駆動される。
【０００３】
近年、ＣＣＤの高画素化に伴い、固体撮像素子においては、高解像度化、高感度化への要求は高まる一方であり、ギガピクセル以上まで撮像画素数の増加が進んでいる。特に固体撮像素子の横方向シュリンクが顕著となっている。
しかしながら、縦方向のシュリンクに対しては鈍化しており、縦横比（アスペクト比）は増加傾向にある。アスペクト比の増加は電荷転送電極を覆う遮光膜での反射光および散乱光を生じ易く、ＣＣＤにおける光入射角に対するマージンを減少させることになり、光路設計に困難が伴うことになる。
【０００４】
このように微細化が進むと、遮光膜をパターニングする際、下地の凹凸が大きいためハレーションでセンサ開口面積が変動し、感度やスミアに悪影響を及ぼすことがあった。
そこで、この問題を解決するため、表面の凹凸を低減するとともに斜め方向からの光の入射を防止すべく、種々の提案がなされている。
【０００５】
その１つに、電荷転送電極を形成した後、層間絶縁膜を形成しこの層間絶縁膜に溝を設け、この溝に遮光膜を充填することにより、光電変換部を規定するようにした構造が提案されている（特許文献１）。
【０００６】
また、受光部を囲むように窓を有する第１の遮光膜で覆うとともに、受光部の周りを第２の遮光膜で被覆し、これら第１および第２の遮光膜によって受光部を規定し、斜め方向からの入射光によるスミア発生を低減する構造が提案されている（特許文献２）。
【０００７】
なお、電荷転送電極とこの上層に形成されるアルミニウムなどの配線層との間の層間絶縁膜としては通常、ＢＰＳＧ（borophospho  silicate  glass）膜あるいはＰＳＧ（phospho  silicate  glass）膜が用いられこの熱流動性を利用し、光電変換部の真上に凹部を形成し、この凹部にＣＶＤ法によって窒化シリコン膜を埋め込み、層内レンズ構造を形成している。
【０００８】
しかしながら、このような構造では、十分に薄型化することが出来ずまた、熱流動性を生ぜしめるための高温熱処理工程を必要とするため、この高温熱処理工程で表面に析出物が析出し易く、コンタクト部のメタル配線の断線を引き起こす虞があるという問題があった。
【０００９】
【特許文献１】特開２０００−３４０７８３号公報
【特許文献２】特開平７−３２６７２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
このように、従来の固体撮像素子では、微細化が進むにつれて、フォトリソグラフィ工程においては、下地の凹凸に起因するハレーションによって、受光部を規定する開口面積が変動し、感度やスミア特性に悪影響を及ぼすという問題があった。
また、遮光膜の形成後、受光部に充填するＢＰＳＧ膜の平坦化のための高温熱処理工程を必要とすることにより、析出物によってコンタクト部のメタル配線に断線を引き起こすという問題があった。
本発明は前記実情に鑑みてなされたもので、受光部の面積を高精度に規定することを目的とする。
また、ボロンやリンの析出によるメタル配線の断線を防止することができ、長寿命で信頼性の高い固体撮像素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
そこで本発明は、光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部とを具備した固体撮像素子において、前記光電変換部に開口を有し、前記電荷転送部を覆う密着層と、前記密着層の側壁を含む表面全体を覆うように形成された、遮光膜とを具備したことを特徴とすることを特徴とする。
【００１２】
上記構成によれば、遮光膜が、フォトリソグラフィ工程を必要とすることなく形成できるためハレーションによるをパターン精度の劣化を招くこともない。また光電変換部に開口を有し、前記電荷転送部を覆う密着層の側壁を含む表面全体を覆うように形成されているため、斜め方向からの光の入射を阻止し、高感度で安定なスミア特性をもつ固体撮像素子を形成することが可能となる。
【００１３】
また本発明は、前記遮光膜は、選択成長によって前記密着層表面に成膜された導電性膜であるものを含む。
【００１４】
上記構成によれば、密着層表面に選択成長によって遮光膜が形成されるため、ハレーションによるパターン精度の変動もなく、高精度で信頼性の高い遮光層の形成が可能となる。
【００１５】
また本発明は、前記密着層がアルミニウム薄膜を含むものを含む。
【００１６】
上記構成によれば、低抵抗で密着性の高い膜を得ることができる。従って、遮光膜として用いるとともに、必要箇所では低抵抗の配線層としての使用も可能となる。なお密着層としてはアルミニウムに限定されることはないがアルミニウム薄膜と同程度の比抵抗をもつ薄膜であるのが望ましい。
【００１７】
また本発明は、前記遮光膜がタングステン膜であるものを含む。
【００１８】
上記構成によれば、アルミニウム薄膜パターン上に信頼性の高いタングステン膜を形成することが可能となる。
【００１９】
また本発明は、前記光電変換部の表面から前記遮光膜の一部を覆うように形成され、表面がほぼ平坦となるように前記光電変換部に充填された平坦化膜とを具備し、前記平坦化膜は前記遮光膜の表面よりも高屈折率を有することを特徴とするものを含む。
【００２０】
上記構成によれば、固体撮像素子表面を覆うように形成していたＢＰＳＧ膜などの層間絶縁膜を、平坦化膜として、凹部にのみ選択的に充填するとともに、この平坦化膜と接する電荷転送電極表面を遮光膜で覆うようにしているため、縦方向のシュリンクが容易となる上、この平坦化膜が層内レンズとして集光作用をもつため、許容光入射角が広がり、高感度の固体撮像素子を形成することが可能となる。
【００２１】
また本発明は、前記平坦化膜が塗布膜であるものを含む。
【００２２】
上記構成によれば、リフロー工程が不要となり、平坦な膜を高温工程を経ることなく形成できるため、密着性層としてアルミニウムなどの低融点薄膜を用いた場合にも、配線抵抗が低く、長寿命で信頼性の高い固体撮像素子を得ることができる。
【００２３】
また本発明は、前記平坦化膜がＳＯＧ膜であるものを含む。
上記構成によれば、低温形成が可能で平坦な絶縁膜を得ることが可能である。
【００２４】
本発明は、前記平坦化膜がＳＯＤ膜であるものを含む。
上記構成によれば、低温形成が可能で平坦な絶縁膜を得ることが可能である。
【００２５】
本発明は、フィールド絶縁膜の表面は前記電荷転送電極の表面よりも下にあることを特徴とするものを含む。
この構成により、表面の平坦化を確実にすることができる。
【００２６】
本発明は、半導体基板表面に光電変換部を形成する工程と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送するように、前記光電変換部に近接して配される電荷転送電極を含む電荷転送部を形成する工程と、前記光電変換部に開口を有し、前記電荷転送部を覆う密着性層を形成する工程と、前記密着性層上に選択成長により遮光膜を成膜する工程と、この上層に平坦化膜を形成する工程とを含む。
この構成によれば、密着性層をパターニングした後、金属膜の選択成長により遮光膜を成膜することができ、高精度かつ高感度で信頼性の高い固体撮像素子を提供することが可能となる。ここで平坦化膜としては低温下での成膜が可能であるものを選択することにより、密着性層としてアルミニウムなど、加工が容易でかつ選択成長の下地となる材料を用いることができる。
【００２７】
本発明は、前記密着性層を形成する工程は、アルミニウムまたはアルミニウム合金薄膜を形成する工程と、これをフォトリソグラフィによりパターニングする工程とを含むものを含む。
この構成によれば、アルミニウムまたはアルミニウム合金をフォトリソグラフィにパターニングしているため、高精度のパターンを得ることができる。ここでアルミニウムまたはアルミニウム合金は低抵抗であり密着性層として極めて有効である。また本発明の方法によればこの密着性層は融点が５００℃以下の低融点薄膜である場合にも、平坦化膜の形成工程に高温工程を経ることなく形成できるため有効である。
【００２８】
本発明は、前記遮光膜を成膜する工程が選択成長工程を含む。
この構成によれば、フォトリソグラフィを必要とすることなく、密着性層の側壁をも覆うように制御性よく成膜できる。
【００２９】
本発明は、前記平坦化膜を形成する工程は、塗布膜を形成する工程を含む。
アルミニウムは選択成長が可能であり、有効な材料である。しかしながら、アルミニウムなどの低融点薄膜を密着性層として用いた場合、高温工程を経ると劣化してしまうという問題があったのに対し、この構成によれば、塗布膜を用いることにより、低温下で信頼性の高い膜を形成することが可能となる。
【００３０】
本発明は、前記平坦化膜を形成する工程はＳＯＧ（Spin  on  Glass）膜を塗布する工程を含む。
この構成により、低温下で信頼性の高い平坦化膜を得ることができる。
【００３１】
本発明は、前記平坦化膜を形成する工程はＳＯＤ（Spin  on  Dielectric）膜を塗布する工程を含む。
この構成により、低温下で信頼性の高い平坦化膜を得ることができる。
【００３２】
なお、前記平坦化工程が、レジストエッチバック工程であるものを含む。
【００３３】
また、前記平坦化工程が、化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical  Mechanical  Polishing）により平坦化する工程であるものを含む。
【００３４】
また本発明は、前記平坦化膜を形成する工程は、ＢＰＳＧ膜を形成する工程であるものを含む。
常圧ＣＶＤ法等を用いることにより、低温下で平坦性の高い膜を形成することが可能となる。
【００３５】
また、前記平坦化膜を形成する工程は、ＨＤＰプラズマＣＶＤ法によりＴＥＯＳ（酸化シリコン膜）膜を形成する工程であるものを含む。
この方法によれば、成膜後ＣＭＰなどで平坦化することができ、３５０℃から４００℃で平坦性よく絶縁性膜を形成することができるため、素子領域の劣化を招くことなく信頼性の高い固体撮像素子を得ることが可能となる。
【００３６】
さらにまた、素子間絶縁膜（フィールド絶縁膜）を電極表面よりも低レベルとなるように形成するのが望ましい。
フィールド絶縁膜の高さが突出することにより、平坦性が崩れてしまうが、上記構成によれば平坦性の高い固体接像素子表面を得ることができる。
【発明の効果】
【００３７】
本発明の固体撮像素子によれば、光電変換部に開口を有し、前記電荷転送部を覆う密着層の側壁を含む表面全体を覆うように形成されているため、斜め方向からの光の入射を阻止し、高感度で安定なスミア特性をもつ固体撮像素子を形成することが可能となる。
また本発明の固体撮像素子の製造方法によれば、微細化に際しても遮光膜が、フォトリソグラフィ工程を必要とすることなく形成できるためハレーションによるパターン精度の劣化を招くこともなく、信頼性の向上をはかることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下本発明の実施の形態について図面を参照しつ説明する。
（第１の実施の形態）
この固体撮像素子は、図１および図２に示すように、光電変換部３０と、前記光電変換部３０で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部４０とを具備し、この光電変換部の開口を有するアルミニウム薄膜からなる密着性層（密着層）７１とこの密着性層の側壁から上層をも覆うように選択成長により形成されたタングステン薄膜からなる遮光層７２であるタングステンと、前記遮光層７２の上層に形成され、前記光電変換部の表面から前記遮光層の一部を覆うように形成され、表面がほぼ平坦となるように前記光電変換部に充填された平坦化膜７３としてのＳＯＧ膜とを具備し、さらにこの平坦化膜上にポリイミド樹脂からなる保護膜７４を介して、フィルタ５０およびレンズ６０を形成してなることを特徴とするものである。
この平坦化膜７３は前記遮光膜７２の表面よりも高屈折率を有し、集光性を高めるように作用する。
これにより、良好に表面の平坦化をはかることができ、大幅に薄型化をはかることができる。
【００３９】
なおこのゲート酸化膜２は、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜と酸化シリコン膜との３層構造膜で構成される。
【００４０】
なお、図１は断面概要図、図２は平面概要図である。図１は図２のＡ−Ａ断面図である。シリコン基板１には、複数のフォトダイオード領域（光電変換部）３０が形成され、フォトダイオード領域３０で検出した信号電荷を転送するための電荷転送部４０が、フォトダイオード領域３０の間に形成される。なお、シリコン基板１内に形成される素子領域については省略した。
【００４１】
電荷転送電極によって転送される信号電荷が移動する電荷転送チャネルは、図２では図示していないが、電荷転送部４０が延在する方向と交差する方向に、形成される。
【００４２】
なお、図２においては、電極間絶縁膜の内、フォトダイオード領域３０と電荷転送部４０との境界近傍に形成されるものの記載を省略してある。
【００４３】
また図１に示すように、シリコン基板１内には、フォトダイオード領域３０、電荷転送チャネル、チャネルストップ領域（図示せず）、電荷読み出し領域（図示せず）が形成され、シリコン基板１表面には、ゲート酸化膜２が形成される。ゲート酸化膜２表面には、酸化シリコン膜からなる電極間絶縁膜４と電荷転送電極３（第１層ドープトアモルファスシリコン膜３ａからなる第１の電極、第２層ドープトアモルファスシリコン膜３ｂからなる第２の電極）が形成され、複数電極構造を構成している。
【００４４】
電荷転送部４０は、上述したとおりであるが、図１に示すように、電荷転送部４０の電荷転送電極上面には中間層７０が形成される。そしてフォトダイオード領域３０を除いてアルミニウム薄膜からなる密着性層、タングステン膜からなる遮光膜７２が設けられ、凹部にＳＯＧ膜からなる平坦化膜７３が形成される。そしてこの上層に透明樹脂膜からなるパッシベーション膜７４が設けられる。パッシベーション膜としてはプラズマＣＶＤ法により形成された窒化シリコン膜をであってもよい。
【００４５】
そしてこの中間層７０の上方には、さらにカラーフィルタ５０、マイクロレンズ６０が設けられる。また、カラーフィルタ５０とマイクロレンズ６０との間には、必要に応じて絶縁性の透明樹脂等からなる平坦化層が充填されていてもよい。
また、この例では、いわゆるハニカム構造の固体撮像素子を示しているが、正方格子型の固体撮像素子にも適用可能であることはいうまでもない。
【００４６】
次にこの固体撮像素子の製造工程について図３および図４を参照しつつ詳細に説明する。
まず、通常の方法で複数電極（２層電極）構造の電荷転送電極を形成する。すなわち不純物濃度１．０×１０１６ｃｍ−３程度のｎ型のシリコン基板１表面に、膜厚１５ｎｍの酸化シリコン膜と、膜厚５０ｎｍの窒化シリコン膜と、膜厚１０ｎｍの酸化シリコン膜を形成し、３層構造のゲート酸化膜２を形成する。
【００４７】
続いて、このゲート酸化膜２上に、ＰＨ３とＮ２とを添加したＳｉＨ４を反応性ガスとして用いた減圧ＣＶＤ法により、膜厚０．４μｍのリンドープの第１層ドープトアモルファスシリコン膜３ａを形成する。このときの基板温度は５００〜６００℃とする。
【００４８】
この後、フォトリソグラフィにより第１層ドープトアモルファスシリコン膜３ａをパターニングし、下層側に位置する第１の電極を形成し、この第１の電極表面を熱酸化することにより膜厚１５ｎｍの酸化シリコン膜４を形成する。このパターニングに際してはＨＢｒとＯ２との混合ガスを用いた反応性イオンエッチングを行い、第１の電極および周辺回路の配線を形成する。ここではＥＣＲ (電子サイクロトロン共鳴：Electron Cycrotoron Resonance)方式あるいはＩＣＰ（誘導結合Inductively Coupled Plasma）方式などのエッチング装置を用いるのが望ましい。
【００４９】
そしてこの上層に同様にしてＰＨ３とＮ２とを添加したＳｉＨ４を反応性ガスとして用いた減圧ＣＶＤ法により、膜厚０．４μｍのリンドープの第２層ドープトアモルファスシリコン膜３ｂを形成し、フォトリソグラフィによりパターニングし第２の電極を形成する。そして、更にこの上層に熱酸化後ＨＴＯ膜を形成し膜厚５０ｎｍの酸化シリコン膜５を形成する（図３（ａ））。
【００５０】
そしてこの上層にトリメチルアルミ（有機アルミニウム）を用いたＣＶＤ法により密着性層７１として例えば、アルミニウム薄膜を形成する（図３（ｂ））。なおＰＶＤ法あるいはスパッタ法を用いてもよい。ここでは、低融点を有する材料を含む薄膜（低融点薄膜）として、アルミニウム薄膜を用いた。
【００５１】
続いて、そしてこの上層にポジレジストを厚さ０．５〜１．４μｍとなるように塗布し、フォトリソグラフィにより所望のマスクを用いて露光し、現像、水洗を行い、レジストパターンＲ１を形成する（図３（ｃ））。
【００５２】
そしてこのレジストパターンＲ１をマスクとして、密着性層７１としてのアルミニウム薄膜をパターニングする（図３（ｄ））。
【００５３】
次に、アッシングによりレジストパターンＲ１を除去し（図４（ａ））、六フッ化タングステン（ＷＦ６）とシラン（ＳｉＨ４）とを用いた選択ＣＶＤ法により、密着性層７１の表面に膜厚１００〜３００ｎｍのタングステン薄膜を形成する（図４（ｂ））。
【００５４】
そして、図４（ｃ）に示すように、平坦化膜７３としてのＳＯＧ膜を塗布し、表面の平坦化を行う。
【００５５】
さらにこの上層に透明樹脂膜からなる平坦化層７４を形成する（図４（ｄ））。
この後、カラーフィルタ５０、マイクロレンズ６０などを形成して、図１および図２に示したような固体撮像素子を得る。
【００５６】
この方法によれば、遮光膜７２の形成が、アルミニウム薄膜からなる密着性層７１のパターンに対してタングステンを選択成長させることによりなされているため、ハレーションによるパターン精度の劣化もなく、光電変換部を囲むように遮光膜がパターン精度よく形成され、スミア特性に悪影響を及ぼすことなく、高感度で信頼性の高い固体撮像素子を実現することができる。
【００５７】
また、高温工程を経ることなく塗布により平坦化膜を形成することができるため、ＢＰＳＧ膜を用いた場合のような不純物の析出によるメタル配線の劣化を招くこともない。
さらにまた、ＢＰＳＧ膜を用いた場合リフローによる平坦化を行なうが、ＳＯＧ膜を塗布法により形成しているためリフロー工程が不要となる。従ってアルミニウムの劣化もない。
また遮光層がタングステンからなる遮光膜とアルミニウムからなる密着性層の２層構造をなしているため、配線の必要な領域では低抵抗で信頼性の高い配線パターンとして用いられる。
なお前記実施の形態では、平坦化膜としてＳＯＧ膜を用いたが、ＳＯＤ膜を用いてもよい。
また密着性層としては、アルミニウムのほかチタンナイトライド、チタンなども適用可能であるが、これらの膜の融点は高い。
【００５８】
（第２の実施の形態）
前記第１の実施の形態では平坦化膜としてＳＯＧを用いたが、本発明の第２の実施の形態としては、図５に示すように、平坦化膜７３ＳとしてＢＰＳＧ膜を用い、これをリフローすることによって平坦化したものを用いる。
またこのとき密着性層７１Ｓは窒化チタンとチタンとの２層膜で構成する。
その他については前記第１の実施の形態と同様に構成する。
この構成によっても薄型でより集光効率の高い固体撮像素子を得ることができる。
【００５９】
（第３の実施の形態）
前記第１および第２の実施の形態では、複数電極構造の電荷転送電極をもつ固体撮像素子について説明したが、本実施の形態では単層電極構造の電荷転送電極をもつ固体撮像素子についても適用可能である。
図６に単層電極構造の電荷転送電極をもつ固体撮像素子を示す。
本実施の形態では、第２層シリコン系導電性膜をＣＭＰにより平坦化して単層電極構造の電荷転送電極を形成すればよい。また、本実施の形態では、素子分離のためのフィールド絶縁膜８０を埋め込み構造とし、光電変換部表面とフィールド絶縁膜８０の表面レベルがほぼ同一とした。他の部分については前記第１および第２の実施の形態と同様である。
【００６０】
この構造によれば、フィールド絶縁膜８０の存在により表面に突出することがないため、より薄型で集光効率の高い固体撮像素子を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
以上説明してきたように、本発明では表面の平坦化および薄型化が可能となるため、小型かつ高精度で信頼性の高い固体撮像素子の形成が可能となり、小型カメラへの適用に有効である。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の第１の実施の形態の固体撮像素子を示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の固体撮像素子を示す上面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の固体撮像素子の製造工程を示す図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態の固体撮像素子の製造工程を示す図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態の固体撮像素子を示す図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態の固体撮像素子を示す図である。
【符号の説明】
【００６３】
１  シリコン基板
２  ゲート酸化膜
３ａ  第１の電極（第１層ドープトアモルファスシリコン膜）
３ｂ  第２の電極（第２層ドープトアモルファスシリコン膜）
３  電荷転送電極
４  酸化シリコン膜
５  窒化シリコン膜
３０  フォトダイオード領域
４０  電荷転送部
５０  カラーフィルタ
６０  マイクロレンズ
７０  中間層
７１  密着性層
７２  遮光膜
７３  平坦化膜
７４  パッシベーション膜
【図１】
2005333066.tif 000003
【図２】
2005333066.tif 000004
【図３】
2005333066.tif 000005
【図４】
2005333066.tif 000006
【図５】
2005333066.tif 000007
【図６】
2005333066.tif 000008