(57)【要約】【課題】基体の局所的な変形を抑え、特性の劣化を低減させることが可能な基体の移送方法を提供する。【解決手段】一主面に磁性体材料を含んでなる導体膜パターン２を有した基体１を準備する工程と、磁場の発生を制御し得るチャック部材３を基体１の一主面もしくは他主面に当接させてチャック部材３より磁場を発生させるとともに、チャック部材３と導体膜パターン２との間に発生する磁力でもって基体１をチャック部材３で保持する工程と、基体１をチャック部材３で保持した状態のままステージ４上まで移動させてステージ４上に載置させるとともに、チャック部材３による磁場発生を停止させて基体１を磁場より開放する工程とを含む基体１の移送方法。基体１にはセラミックグリーンシートを用い、前記磁性体材料にはＮｉを用いる。【選択図】図１
2005072512.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一主面に磁性体材料を含んでなる導体膜パターンを有した基体を準備する工程と、
磁場の発生を制御し得るチャック部材を前記基体の一主面もしくは他主面に当接させて前記チャック部材より磁場を発生させるとともに、該チャック部材と前記導体膜パターンとの間に発生する磁力でもって前記基体を前記チャック部材で保持する工程と、
前記基体をチャック部材で保持した状態のままステージ上まで移動させてステージ上に載置させるとともに、前記チャック部材による磁場発生を停止させて前記基体を磁場より開放する工程と、を含む基体の移送方法。
【請求項２】
前記基体にセラミックグリーンシートを用いるとともに、前記磁性体材料にＮｉを用いたことを特徴とする請求項１に記載の基体の移送方法。
【請求項３】
前記磁場が前記チャック部材に一体的に取着された電磁石より発生することを特徴とする請求項１に記載の基体の移送方法。
【請求項４】
前記基体を前記チャック部材の磁力によって保持する際、前記チャック部材が前記導体膜パターンの存在していない前記基体の他主面に当接されることを特徴とする請求項１に記載の基体の移送方法。
【請求項５】
前記チャック部材の前記当接面に気体を噴出する多数の孔が形成されており、前記基体を前記チャック部材による磁場より解放する際に前記孔から前記基体に対して気体を噴出させることを特徴とする請求項１に記載の基体の移送方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミック電子部品の製作に用いられるセラミックグリーンシート等の基体の移送方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、積層セラミック電子部品の製作にセラミックグリーンシート等の基体が用いられている。
【０００３】
かかるセラミックグリーンシート等の基体は、例えば、セラミック等の粉末と樹脂とから成るセラミックグリーンシートの一主面に、金属粉末と樹脂とから成る導体膜パターンを有している。このような基体は、焼成することで、セラミックグリーンシートが絶縁層となり、導体膜パターンが導体膜として絶縁層にメタライズされることとなり、完成品としては積層セラミックコンデンサや多層回路基板等の積層セラミック電子部品を構成する。
【０００４】
また、このような基体は、積層することによって、より高機能な電子部品を構成することができる。その積層工程は、例えば、図２（ａ）に示すように、一主面に金属材料を含んでなる導体膜パターン２２を有した基体２１を準備する工程と、図２（ｂ）、（ｃ）に示すように、チャック部材２３を基体２１の一主面もしくは他主面に当接させて基体２１をチャック部材２３で保持する工程と、図２（ｄ）、（ｅ）に示すように、基体２１をチャック部材２３で保持した状態のままステージ２４上まで移動させてステージ２３上に載置させるとともに、チャック部材２３から基体２１を開放する工程とを含む移送方法によって行われる。
【特許文献１】特開２００１−１５３８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一般的なチャック部材２３は、基体２１と当接する面に複数の小径の孔２５が形成されており、チャック部材２３の内部から減圧吸引される構造となっている。この減圧吸引が、チャック部材２３と基体２１とが当接したときに、その当接面に働き、基体２１がチャック部材２３に保持されることとなる。
【０００６】
しかしながら、吸引する力が強い場合や、基体２１の強度が弱い場合には、図２（ｃ）に示すように、基体２１が局所的に変形してしまい、孔２５のエッジ部で基体２１にクラック等が発生するという問題があった。
【０００７】
特に、最近の積層セラミックコンデンサ等に用いられるセラミックグリーンシートは、その厚みが２〜１０μｍに設定されるものがあり、薄いので強度が不足しがちであり、セラミックグリーンシートにおける孔２５に対応する部分が、吸引によって伸びて局所的に変形しやすくなっている。このとき、孔２５のエッジ部を起点にして、セラミックグリーンシートにクラック等が発生することがあり、発生したクラックは、完成品となった積層セラミック電子部品の絶縁層の絶縁特性を劣化させる原因の一つとなっていた。
【０００８】
本発明は、上述した課題に鑑み案出されたものであり、その目的は、基体の局所的な変形を抑え、特性の劣化を低減させることが可能な基体の移送方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の基体の移送方法は、一主面に磁性体材料を含んでなる導体膜パターンを有した基体を準備する工程と、磁場の発生を制御し得るチャック部材を前記基体の一主面もしくは他主面に当接させて前記チャック部材より磁場を発生させるとともに、該チャック部材と前記導体膜パターンとの間に発生する磁力でもって前記基体を前記チャック部材で保持する工程と、前記基体をチャック部材で保持した状態のままステージ上まで移動させてステージ上に載置させるとともに、前記チャック部材による磁場発生を停止させて前記基体を磁場より開放する工程と、を含むものである。
【００１０】
また本発明の基体の移送方法は、前記基体にセラミックグリーンシートを用いるとともに、前記磁性体材料にＮｉを用いたことを特徴とするものである。
【００１１】
更に本発明の基体の移送方法は、前記磁場が前記チャック部材に一体的に取着された電磁石より発生することを特徴とするものである。
【００１２】
また更に本発明の基体の移送方法は、前記基体を前記チャック部材の磁力によって保持する際、前記チャック部材が前記導体膜パターンの存在していない前記基体の他主面に当接されることを特徴とするものである。
【００１３】
更にまた本発明の基体の移送方法は、前記チャック部材の前記当接面に気体を噴出する多数の孔が形成されており、前記基体を前記チャック部材による磁場より解放する際に前記孔から前記基体に対して気体を噴出させることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の移送方法によれば、基体の一主面には、磁性体材料を含んでなる導体膜パターンを有しており、チャック部材の発生する磁力でもって前記基体を前記チャック部材で保持するようにしている。従って、基体の一部が局所的に変形することがなくなり、基体のクラック等の発生を低減することが可能となる。
【００１５】
また本発明の移送方法によれば、前記基体としてセラミックグリーンシートを用いるとともに、前記磁性体材料にＮｉを用いたことから、これを用いて制作した積層セラミックコンデンサは、絶縁層間において高い絶縁特性を有することができる。
【００１６】
更に本発明の移送方法によれば、前記磁場を前記チャック部材に一体的に取着させた電磁石より発生させることにより、電気のスイッチを開閉することによって、前記基体を前記チャック部材に保持または脱離を行うことができるため、工程の切り替えが容易になる。
【００１７】
また更に本発明の移送方法によれば、基体をチャック部材の磁力によって保持する際、チャック部材が前記導体膜パターンの存在していない基体の他主面に当接させることにより、導体膜パターンと基体との界面の接着力があまり強くない場合であっても、チャック部材の接触によって導体膜パターンが損傷したり、剥離する等といった不都合を回避しつつ、基体を良好に保持することができる。
【００１８】
更にまた本発明の移送方法によれば、前記チャック部材の前記当接面に気体を噴出する多数の孔を形成しておき、基体をチャック部材による磁場より解放する際に前記孔から基体に対して気体を噴出させることにより、基体をステージ上に載置させた際に、基体をチャック部材からより確実かつ良好に脱離させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の基体の移送方法を添付図面に基づいて詳細に説明する。
【００２０】
図１（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施形態に係る基体の移送方法を説明する図であり、１は基体、２は導体膜パターン、３はチャック部材、４はステージである。
【００２１】
（工程１）
まず、図１（ａ）に示すように、一主面に磁性体材料を含んでなる導体膜パターン２を有した基体１を準備する。
【００２２】
基体1は、例えば、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム等を主成分とする誘電体材料の粉末に適当な有機溶剤、ガラスフリット、有機バインダ等を添加・混合して泥漿状になすとともに、これを従来周知のドクターブレード法等によって所定形状、所定厚みに成したセラミックグリーンシートである。そして、その厚みは、例えば１μｍ〜２５μｍに設定される。
【００２３】
基体１の一主面に有する導体膜パターン２は、例えば、Ｎｉ等の磁性体材料の粉末に、ガラスフリットと、有機バインダと溶剤とからなるビヒクルとを混合して得た導体ペーストを、上述したセラミックグリーンシートの一主面に従来周知のスクリーン印刷によって所定パターンに印刷・塗布して形成する。そして、その厚みは例えば０．５μｍ〜５μｍに設定される。
【００２４】
（工程２）
次に、図１（ｂ）（ｃ）に示すように、磁場の発生を制御し得るチャック部材３を、基体１の一主面もしくは他主面に当接させる。
【００２５】
チャック部材３は、上述した基体１と当接する部分が、平滑に面処理が施された金属材である。またチャック部材３は、磁場を発生する電磁石が一体的に取着されており、磁場の発生を制御し得るように構成されている。
【００２６】
尚、チャック部材３を基体１に当接させるには、相対的に、チャック部材３が上方から下降することにより行われるようにすればよい。従って、チャック部材３を下降してもよいが、基体１を上昇させても構わない。
【００２７】
更に、チャック部材３を基体１に当接させると同時に、電気のスイッチを閉じて電磁石に通電させることで、チャック部材３より磁場を発生させる。これにより、チャック部材３と導体膜パターン２との間に発生する磁力でもって基体１がチャック部材3で保持されることとなる。
【００２８】
尚、基体１をチャック部材３で保持する場合、導体膜パターン２が形成された主面をチャック部材３と当接させて保持してもよいが、本実施形態においては、図２（ｃ）に示すように、基体１をチャック部材３の磁力によって保持する際、チャック部材３が導体膜パターン２の存在していない基体１の他主面に当接されるようにした。このようにしておけば、導体膜パターン２と基体１との界面の接着力が強くない場合においても、導体膜パターン２を剥がすことなく基体１を保持することができる。
【００２９】
（工程３）
そして、基体１をチャック部材３で保持した状態のままステージ４上まで移動させてステージ４上に載置させる。
【００３０】
ステージ4は、基体１を載置する面が、平滑に面処理が施された高剛性の支持台であり、一般的には金属材料が用いられるが、セラミック材料を用いても構わないものである。
【００３１】
更に、基体１をステージ４上に載置させると同時に、電気のスイッチを開いて、チャック部材３による磁場発生を停止させ、基体１を磁場より開放し、チャック部材３から基体１を脱離させる。
【００３２】
本実施形態の特徴的な点は、基体１の一主面には、磁性体材料を含んでなる導体膜パターン２を有しており、チャック部材３の発生する磁力でもって基体１をチャック部材３で保持するようにしていることにある。このことにより、基体１の一部が局所的に変形することがなくなり、基体１のクラック等の発生を低減することが可能となる。
【００３３】
また、上述した磁場がチャック部材３に一体的に取着された電磁石より発生することから、電気のスイッチを開閉することによって、基体１をチャック部材３に保持または脱離が行えるので、工程の切り替えを容易にすることができる。
【００３４】
一方、本実施形態の基体の移送方法によれば、基体１にセラミックグリーンシートを用いるとともに、磁性体材料にＮｉを用いたことから、これを用いて制作した積層セラミックコンデンサは、絶縁層間において高い絶縁特性を有することができる。
【００３５】
このような積層セラミックコンデンサは、上述した工程１〜３を繰り返すことにより、ステージ４上に基体１を積層していくことによってセラミックグリーンシートの積層体を形成し、最後に積層体を、例えば、１１００℃〜１４００℃の温度で焼成することによって製作される。
【００３６】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
【００３７】
例えば、上述した実施形態では、基体をチャック部材に保持・脱離させるのに、磁場の発生と開放をもって行っているが、これに加えて、チャック部材の当接面に気体を噴出する多数の孔を形成し、前記基体を前記チャック部材による磁場より解放する際に前記孔から前記基体に対して気体を噴出させるようにして脱離させてもよい。このようにすれば、基体をステージ上に載置させた際に、基体をチャック部材からより確実に脱離させることが可能となる。
【００３８】
また、上述した実施形態では、基体としてセラミックグリーンシートを用いるようにしたが、基体はシート状であれば如何なる材質のものであっても適用することができ、例えば、セラミックグリーンシートを焼結して成るセラミック板や有機シート等の移送にも本発明は適用可能である。
【００３９】
更に、上述した実施形態では、導体膜パターンをＮｉにより形成するようにしたが、これに代えて、他の磁性体材料を用いても良い。例えば、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏやこれらの金属の化合物は強磁性体材料であるため、導体膜パターンを形成する磁性体材料として特に好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の一実施形態に係る基体の移送方法を説明する図である。
【図２】従来の基体の移送方法を説明する図である。
【符号の説明】
【００４１】
１・・・基体
２・・・導体膜パターン
３・・・チャック部材
４・・・ステージ
【図１】
2005072512.tif 000003
【図２】
2005072512.tif 000004