(57)【要約】【課題】ＭＥＭＳ構造を用いた場合であっても、プロセス変動や外乱等の影響を極力受けることなく、適切な透過周波数や遮断周波数等に対応することが可能なフィルタ装置を提供する【解決手段】特定周波数帯域の信号を透過または遮断するフィルタ装置であって、直流電圧が印加される可動構造体である振動子１と、その振動子１に振動を励起するための入力電極２と、その振動子１に励起された振動を検出するための出力電極３と、前記振動子１への印加電圧の値を可変させる電圧調整手段８とを備えて、フィルタ装置を構成する。【選択図】図１
2005086469.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特定周波数帯域の信号を透過または遮断するフィルタ装置であって、
直流電圧が印加される可動構造体である振動子と、
前記振動子に振動を励起するための入力電極と、
前記振動子に励起された振動を検出するための出力電極と、
前記振動子への印加電圧の値を可変させる電圧調整手段と
を備えることを特徴とするフィルタ装置。
【請求項２】
特定周波数帯域の信号を透過または遮断するフィルタ装置であって、
直流電圧が印加される可動構造体である少なくとも一つの振動子と、前記振動子に振動を励起するための入力電極と、前記振動子に励起された振動を検出するための出力電極とを有してなる振動子群を複数備え、
各振動子群は、それぞれが異なる中心周波数に対応したものであり、
前記各振動子群が対応する中心周波数から特定される周波数帯域の信号を透過または遮断するように前記各振動子群が電気的に接続されており、
前記各振動子群のうち、少なくとも一つの振動子群には、当該振動子群における振動子への印加電圧の値を可変させる電圧調整手段が設けられている
ことを特徴とするフィルタ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、いわゆるマイクロマシン（超小型電気的・機械的複合体；Micro Electro-Mechanical Systems、以下「ＭＥＭＳ」という）を用いてなるフィルタ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、基板上の微細化製造技術の進展に伴い、ＭＥＭＳやＭＥＭＳを組み込んだ小型機器等が注目されている。ＭＥＭＳは、可動構造体である振動子と、その振動子の駆動を制御する半導体集積回路等とを、電気的・機械的に結合させた素子である。そして、振動子が素子の一部に組み込まれており、その振動子の駆動を電極間のクーロン引力等を応用して電気的に行うようになっている。
【０００３】
このようなＭＥＭＳのうち、特に半導体プロセスを用いて形成されたものは、デバイスの占有面積が小さいこと、高いＱ値（振動系の共振の鋭さを表す量）を実現できること、他の半導体デバイスとのインテグレーション（統合）が可能であること等の特徴を有することから、無線通信用のＩＦフィルタ装置やＲＦフィルタ装置等としての利用が提案されている（例えば、非特許文献１参照）。具体的には、例えば図８に示すように、可動構造体である振動子５１を備えるとともに、その振動子５１と相対する下部電極５２がそれぞれ入力、出力電極として機能するようになっており、振動子５１の振動を利用して特定周波数帯域の信号を透過または遮断することで、フィルタ装置を構成する。
【０００４】
【非特許文献１】Frank D.bannon III,John R.Clark,Clark T.-C.Nguyen,"High-Q HF Microelectromechanical Filters"IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS,VOL.35,NO.4,APRIL2000,pp.512-526
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、図８に示したようなＭＥＭＳ構造では、振動子５１と相対する下部電極５２をそれぞれ入力、出力電極として機能させているが、信号を増大させようとして電極間ギャップを小さくすると、電極間の寄生容量が増大してしまい、信号の直接漏洩成分が増えてＳＮ比を十分に確保できない可能性がある。このことから、フィルタ装置を構成するのにあたっては、例えば図９に示すように、可動構造体である振動子５３とは別に、その振動子５３に振動を励起するための入力電極５４と、振動子５３に励起された振動を検出するための出力電極５５とをそれぞれ設け、振動子５３に直流バイアス電圧を印加するＭＥＭＳ構造とすることも考えられる。このようなＭＥＭＳ構造とすれば、出力信号と寄生容量の相関を無くすことができ、ＳＮ比を十分に確保し得るようになるからである。
【０００６】
しかしながら、図９に示すＭＥＭＳ構造においても、可動構造体である振動子５３を単独で、または複数個用いて、フィルタ装置を構成するわけであるが、その振動子５３は、例えばプロセス変動やばらつき等によって長さ、幅、厚さ、物性等が変動してしまい所望の通りにならないおそれがある。したがって、その振動子５３を用いたＭＥＭＳ構造によりフィルタ装置を構成しても、狙い通りの透過周波数や遮断周波数等が得られないこともあり得る。
さらに、ＭＥＭＳ構造によるフィルタ装置では、振動子５３という機械的な構造の特性を利用しているため、中心周波数の温度特性が数十〜数百ppm程度とそれほど良くない。そのため、振動子５３が所望の通りに精度良く形成されている場合であっても、環境温度によっては透過周波数や遮断周波数等が変動してしまう可能性もある。
また、フィルタ装置に対しては、これを使用する際の汎用性等の観点から、同一構造で異なる仕様（中心周波数、遮断周波数、リップル、スカート特性等）に対応可能にするための技術が常に求められている。
【０００７】
そこで、本発明は、ＭＥＭＳ構造を用いた場合であっても、プロセス変動や外乱等の影響を極力受けることなく、適切な透過周波数や遮断周波数等に対応することが可能なフィルタ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記目的を達成するために案出されたフィルタ装置である。すなわち、請求項１に記載の如く、特定周波数帯域の信号を透過または遮断するフィルタ装置であって、直流電圧が印加される可動構造体である振動子と、前記振動子に振動を励起するための入力電極と、前記振動子に励起された振動を検出するための出力電極と、前記振動子への印加電圧の値を可変させる電圧調整手段とを備えることを特徴とするものである。
【０００９】
また、本発明は、請求項２に記載の如く、直流電圧が印加される可動構造体である少なくとも一つの振動子と、前記振動子に振動を励起するための入力電極と、前記振動子に励起された振動を検出するための出力電極とを有してなる振動子群を複数備え、各振動子群は、それぞれが異なる中心周波数に対応したものであり、前記各振動子群が対応する中心周波数から特定される周波数帯域の信号を透過または遮断するように前記各振動子群が電気的に接続されており、前記各振動子群のうち、少なくとも一つの振動子群には、当該振動子群における振動子への印加電圧の値を可変させる電圧調整手段が設けられていることを特徴とするものである。
【００１０】
上記構成のフィルタ装置は、いずれも、電圧調整手段を備えていることから、その電圧調整手段によって振動子への印加電圧の値を可変させることができる。
ここで、一般に、振動子に直流電圧を印加すると、振動子と下部電極（入力電極または出力電極）が当接する電圧に向けて徐々に共振周波数が下がっていくが、その度合いは当接電圧に近づくにつれて大きくなっていく。これは、静電バネのソフトニング効果によるものである。つまり、例えば電圧を余計に印加することで共振周波数を低周波側に変化させたり、また印加する電圧を抑えることで共振周波数を高周波側に変化させたりすることが可能となる。
したがって、振動子への印加電圧の値を可変させれば、その振動子における共振周波数が想定した共振周波数と異なる場合であっても、その相違の修正が行えるようになる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のフィルタ装置によれば、振動子への印加電圧の値を可変させることで、その振動子における共振周波数を適宜修正し得るようになる。つまり、プロセス変動やばらつき、環境温度といった外乱等によって狙い通りの透過周波数や遮断周波数等が得られない場合であっても、振動子への印加電圧の値を可変させて修正することで、所望の透過周波数や遮断周波数等を実現し得るようになる。
したがって、本発明のフィルタ装置では、ＭＥＭＳ構造を用いた場合であっても、プロセス変動や外乱等の影響を極力受けることなく、適切な透過周波数や遮断周波数等に対応することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面に基づき本発明に係るフィルタ装置について説明する。
【００１３】
先ず、フィルタ装置の基本的な構成について説明する。図１は、本発明に係るフィルタ装置の基本的な構成例を示す説明図である。
【００１４】
図１に示すように、ここで説明するフィルタ装置は、ＭＥＭＳ構造を利用して構成されたもので、直流電圧が印加される可動構造体である振動子１と、その振動子１に振動を励起するための入力電極２と、振動子１に励起された振動を検出するための出力電極３とを備えている。そして、入力電極２に特定の周波数電圧が印加された場合に、例えばポリシリコン（Poly-Si）といった絶縁材料からなる振動子１の可動部分が固有振動周波数で振動し、出力電極３と振動子１の可動部との間の空間で構成されるキャパシタの容量が変化し、これが出力電極３から出力されるようになっている。これにより、フィルタ装置では、高いＱ値を実現することができるのである。
これらの振動子１、入力電極２および出力電極３は、いずれも、例えばＳｉ（単結晶シリコン）からなる半導体基板５上にＳｉＯ2（二酸化ケイ素）膜６およびＳｉＮ（窒化ケイ素）膜７が積層された、さらにその上方に形成されている。つまり、これらを備えてなるフィルタ装置は、半導体基板５上に形成されるものであることから、他の半導体デバイスとのインテグレーションが可能である。
また、振動子１には、直流電圧が印加されることから、出力信号と寄生容量の相関を無くすことができ、ＳＮ比を十分に確保することが可能となる。
なお、振動子１は、必ずしも単独である必要はなく、複数が組み合わされてなるもの、すなわち振動子群を構成するものであってもよい。
【００１５】
さらに、ここで説明するフィルタ装置は、その特徴的な構成として、電圧調整手段８を備えている。
電圧調整手段８は、振動子１とその振動子１への電圧の印加を行うための電源９との間に配設されたもので、振動子１への印加電圧の値を可変させるためのものである。具体的には、ボリュームやレギュレータ等を用いて構成することが考えられるが、その詳細については公知技術を利用すればよいため、ここではその説明を省略する。
【００１６】
このような構成のフィルタ装置では、電圧調整手段８を備えていることから、その電圧調整手段８によって振動子１への印加電圧の値を可変させることができ、これによりその振動子１における共振周波数を適宜修正し得るようになる。
【００１７】
ここで、振動子１への印加電圧と、その振動子１における共振周波数または振幅との関係について簡単に説明する。図２は、印加電圧と共振周波数または振幅との関係の一具体例を示す説明図である。
上述した構成のフィルタ装置において、振動子１に直流電圧を印加すると、図２（ａ）に示すように、振動子１と入力電極２または出力電極３といった下部電極とが当接する電圧（図中におけるＡ部参照）に向けて、徐々に共振周波数が下がっていく。その度合いは、当接電圧に近づくにつれて大きくなっていく。これは、振動子１において、静電バネのソフトニング効果が作用することによるものである。
つまり、例えば図中において、印加する直流電圧の値を「Ｖ０」から「＋ΔＶ」だけ大きくすれば、振動子１における共振周波数が「ｆ０」から「−Δｆ」だけ低周波側に変化し、直流電圧の値を「Ｖ０」から「−ΔＶ」だけ小さくすれば、振動子１における共振周波数が「ｆ０」から「＋Δｆ」だけ高周波側に変化することになる。
また、図２（ｂ）に示すように、印加する直流電圧の値によっては、振動子１の振幅も変化する。例えば、直流電圧の値を大きくすれば、共振周波数の変化に伴って、振動子１の振幅が大きくなるといった具合である。
【００１８】
以上のようなソフトニング効果の影響によって、上述した構成のフィルタ装置における振動子１に対して、その印加電圧の値を電圧調整手段８が可変させれば、その振動子１における共振周波数を適宜修正し得るようになるのである。具体的には、振動子１に対して、想定した共振周波数よりも実際の共振周波数が高い場合は印加電圧の値を大きくし、実際の共振周波数が低い場合には印加電圧の値を小さくなるように抑えることで、振動子１における実際の共振周波数を想定した共振周波数に合わせられる。つまり、電圧調整手段８を介して振動子１に適切な直流バイアス電圧を印加することで、その振動子１が透過させる透過周波数または遮断する遮断周波数を適宜調整できるようになる。
【００１９】
電圧調整手段８を介した周波数調整は、以下に述べるようにして行えばよい。
例えば、フィルタ装置を動作させた状態で、出力電極３にて検出された振動、すなわち出力電極３からの出力信号を、公知の波形検出装置等を用いてモニタリングし、そのモニタリングの結果に基づいて電圧調整手段８におけるボリューム等を作業員の人手により調整することで、振動子１への印加電圧の値を適宜可変させることが考えられる。このような周波数調整は、フィルタ装置の製造工程の最終段階にて行われる初期チューニングに適用するのが望ましい。当該周波数調整を行うようにすれば、初期チューニングによって、プロセス変動等に起因する製造ばらつきを抑えることができるからである。
また、例えば、フィルタ装置に公知の温度補償回路を付設し、その温度補償回路からの出力信号に応じて電圧調整手段８が振動子１への印加電圧の値を自動的に可変させる、いわゆるフィードバック制御を行うことで、電圧調整手段８を介した周波数調整を行うことも考えられる。このような周波数調整は、フィルタ装置の使用段階での周波数チューニングに適用するのが望ましい。当該周波数調整を行うようにすれば、環境温度の変化等といった外乱に対しても安定した動作が可能なフィルタ特性を得ることができるからである。
【実施例１】
【００２０】
次に、以上のような基本的な構成を備えた本発明に係るフィルタ装置について、具体例を挙げてさらに詳しく説明する。
図３は、本発明に係るフィルタ装置の第１の具体的な構成例を示す説明図である。図例は、反共振を持つ振動子を備えて構成された帯域透過型のフィルタ装置の一具体例を示している。
【００２１】
図３（ａ）に示すように、ここで説明するフィルタ装置は、複数の振動子群、すなわち第一の振動子群１１と第二の振動子群１２とを備えている。
これら第一の振動子群１１および第二の振動子群１２は、いずれも、上述した基本的な構成、すなわち振動子、入力電極、出力電極および電圧調整手段を有してなるものである。ただし、振動子は、少なくとも一つを有していれば、単独のものであっても、あるいは複数の組み合わせからなるものであってもよい。また、電圧調整手段は、第一の振動子群１１と第二の振動子群１２の少なくとも一方が有していれば、必ずしも両方が有していなくともよい。
【００２２】
このような第一の振動子群１１および第二の振動子群１２における各振動子は、反共振を持つもの、すなわち図３（ｂ）に示すような波形特性に対応したものである。ただし、第一の振動子群１１と第二の振動子群１２とは、それぞれが異なる中心周波数に対応したものである。つまり、反共振を持つものであっても、それぞれにおける振動子は、対応する中心周波数が異なるように形成されている。なお、反共振を持つ振動子については、公知技術を利用して実現すればよいため、ここではその説明を省略する。
【００２３】
そして、これら第一の振動子群１１および第二の振動子群１２は、図３（ａ）に示すように、第一の振動子群１１がシリーズ側に位置し、第二の振動子群１２がシャント側に位置するように、それぞれが電気的に接続されている。これにより、第一の振動子群１１および第二の振動子群１２は、図３（ｃ）に示すように、それぞれの振動子の反共振のピークの大きさや中心周波数等に応じた周波数帯域の信号を透過させるフィルタ装置を構成することになる。換言すると、第一の振動子群１１および第二の振動子群１２は、それぞれの振動子が対応する中心周波数から特定される周波数帯域の信号を透過させるべく、一方がシリーズ側に、他方がシャント側に位置するように、それぞれ電気的に接続されているのである。
【００２４】
このように構成されたフィルタ装置では、透過させる周波数帯域が第一の振動子群１１および第二の振動子群１２における各振動子の特性に依存する。そのため、例えば、雰囲気温度が上がると振動子を構成する部品が膨張してしまい、各振動子の共振周波数が低くなるといったことが起こり得る。
ところが、上述した構成のフィルタ装置では、第一の振動子群１１および第二の振動子群１２が電圧調整手段を有していることから、各振動子に印加する直流電圧（図３（ａ）中におけるＤＣ１，ＤＣ２参照）を可変させることでソフトニング効果を起こし、それぞれにおける共振周波数を図３（ｃ）中の左右方向にシフトさせて、雰囲気温度が上がった場合であっても想定した周波数帯域を確保するといったことが可能となる。これは、雰囲気温度が下がった場合についても、全く同様である。
【００２５】
つまり、第一の振動子群１１および第二の振動子群１２が電圧調整手段を有していることによって、その第一の振動子群１１および第二の振動子群１２が電気的に接続されてなるフィルタ装置では、ソフトニング効果による現象を利用して、透過させる周波数帯域の幅を広げたり、狭めたり、高周波側または低周波側にシフトさせるといった、周波数調整を行うことが可能となる。さらには、リップルの調整やアイソレーション特性等の改善を見込むことができるようになる。
したがって、プロセス変動やばらつき、雰囲気温度といった外乱等によって狙い通りの周波数帯域が得られない場合であっても、振動子への印加電圧の値を可変させて修正することで、所望の周波数帯域を実現し得るようになるので、ＭＥＭＳ構造を用いてフィルタ装置を構成した場合であっても、プロセス変動や外乱等の影響を極力受けることなく、適切な周波数帯域に対応することが可能となる。
なお、このような効果を得るためには、第一の振動子群１１と第二の振動子群１２との両方が電圧調整手段を有していることが望ましいが、これらのうちのいずれか一方のみが電圧調整手段を有している場合であっても、透過させる周波数帯域の幅を調整したり、リップルの調整やアイソレーション特性等の改善を図ったりすることは可能である。
【００２６】
図４は、上述した第１の具体的な構成の変形例を示す説明図である。
ＭＥＭＳ共振子は高抵抗のデバイスなので直列接続には向いていないが、図３（ａ）に示した構成を基本モジュールとして、図４（ａ）に示すように、その基本モジュール１０ａ，１０ｂ…１０ｎを複数直列接続した場合であっても、各基本モジュール１０ａ，１０ｂ…１０ｎにおける振動子群の振動子への印加電圧の値を可変させることで、透過させる周波数帯域の幅を調整したり、リップルの調整やアイソレーション特性等の改善を図ったりすることは可能である。
さらには、図４（ｂ）に示すように、シリーズ側の振動子群１１に対して、シャント側の振動子群１２ａ，１２ｂの数を増やした場合についても、全く同様のことが言える。
【実施例２】
【００２７】
図５は、本発明に係るフィルタ装置の第２の具体的な構成例を示す説明図である。図例は、反共振を持たない振動子を備えて構成された帯域透過型のフィルタ装置の一具体例を示している。
【００２８】
図５（ａ）に示すように、ここで説明するフィルタ装置は、複数の振動子群、すなわち第一の振動子群２１、第二の振動子群２２および第三の振動子群２３を備えている。
これら第一〜第三の振動子群２１〜２３も、上述した基本的な構成、すなわち振動子、入力電極、出力電極および電圧調整手段を有してなるものである。ただし、振動子は、少なくとも一つを有していれば、単独のものであっても、あるいは複数の組み合わせからなるものであってもよい。また、電圧調整手段は、第一〜第三の振動子群２１〜２３の少なくとも一方が有していれば、必ずしも全てが有していなくともよい。
【００２９】
このような第一〜第三の振動子群２１〜２３における各振動子は、反共振を持たないもの、すなわち図５（ｂ）に示すような波形特性に対応したものであり、それぞれが異なる中心周波数に対応したものである。つまり、それぞれにおける振動子は、対応する中心周波数が異なるように形成されている。なお、反共振を持たない振動子については、公知技術を利用して実現すればよいため、ここではその説明を省略する。
【００３０】
そして、これら第一〜第三の振動子群２１〜２３は、図５（ａ）に示すように、第一の振動子群２１がシリーズ側に位置し、第二の振動子群２２および第三の振動子群２３がシャント側に位置するように、それぞれが電気的に接続されている。これにより、第一〜第三の振動子群２１〜２３は、図５（ｃ）に示すように、それぞれの振動子の共振のピークの大きさや中心周波数等に応じた周波数帯域の信号を透過させるフィルタ装置を構成することになる。換言すると、第一〜第三の振動子群２１〜２３は、それぞれの振動子が対応する中心周波数から特定される周波数帯域の信号を透過させるべく、一つがシリーズ側に、残りがシャント側に位置するように、それぞれ電気的に接続されているのである。
【００３１】
このように構成されたフィルタ装置では、透過させる周波数帯域が第一〜第三の振動子群２１〜２３における各振動子の特性に依存するが、それぞれが電圧調整手段を有していることから、各振動子に印加する直流電圧（図５（ａ）中におけるＤＣ１〜ＤＣ３参照）を可変させることでソフトニング効果を起こし、それぞれにおける共振周波数を図５（ｃ）中の左右方向にシフトさせて、例えば雰囲気温度に変化があった場合でも想定した周波数帯域を確保するといったことが可能となる。つまり、第一〜第三の振動子群２１〜２３が電圧調整手段を有していることによって、その第一〜第三の振動子群２１〜２３が電気的に接続されてなるフィルタ装置では、ソフトニング効果による現象を利用して、透過させる周波数帯域の幅を広げたり、狭めたり、高周波側または低周波側にシフトさせるといった、周波数調整を行うことが可能となる。さらには、リップルの調整やアイソレーション特性等の改善を見込むことができるようになる。
したがって、プロセス変動やばらつき、雰囲気温度といった外乱等によって狙い通りの周波数帯域が得られない場合であっても、振動子への印加電圧の値を可変させて修正することで、所望の周波数帯域を実現し得るようになるので、ＭＥＭＳ構造を用いてフィルタ装置を構成した場合であっても、プロセス変動や外乱等の影響を極力受けることなく、適切な周波数帯域に対応することが可能となる。
なお、このような効果を得るためには、第一〜第三の振動子群２１〜２３との全てが電圧調整手段を有していることが望ましいが、これらのうちのいずれか一つのみが電圧調整手段を有している場合であっても、透過させる周波数帯域の幅を調整したり、リップルの調整やアイソレーション特性等の改善を図ったりすることは可能である。
【００３２】
図６は、上述した第２の具体的な構成の変形例を示す説明図である。図例のように、第一〜第三の振動子群２１〜２３の並べ方としては、一般的なπ型も考えられる。このような電気的接続をした場合であっても、第一〜第三の振動子群２１〜２３における振動子への印加電圧の値を可変させることで、透過させる周波数帯域の幅を調整したり、リップルの調整やアイソレーション特性等の改善を図ったりすることが可能である。
【実施例３】
【００３３】
図７は、本発明に係るフィルタ装置の第３の具体的な構成例を示す説明図である。図例は、反共振を持たない振動子を備えて構成された帯域遮断型のフィルタ装置の一具体例を示している。
図例のように、ここで説明するフィルタ装置は、一つの振動子群３１がシャント側に配置されてなるものである。振動子群３１は、上述した基本的な構成、すなわち振動子、入力電極、出力電極および電圧調整手段を有してなるものである。ただし、振動子は、少なくとも一つを有していれば、単独のものであっても、あるいは複数の組み合わせからなるものであってもよい。このような振動子群３１における振動子は、上述した実施例２の場合と同様に、反共振を持たないものである。これにより、振動子群３１は、その振動子群３１における振動子の共振のピークの大きさや中心周波数等に応じた周波数帯域の信号を遮断するフィルタ装置を構成することになる。
【００３４】
このように構成されたフィルタ装置では、遮断する周波数帯域が振動子群３１における振動子の特性に依存することになるが、その振動子群３１が電圧調整手段を有していることから、振動子に印加する直流電圧（図７中におけるＤＣ参照）を可変させることでソフトニング効果を起こし、その共振周波数をシフトさせるといったことが可能となる。つまり、振動子群３１が電圧調整手段を有していることによって、その振動子群３１が電気的に接続されてなるフィルタ装置では、ソフトニング効果による現象を利用して、遮断する周波数帯域を高周波側または低周波側にシフトさせるといった、周波数調整を行うことが可能となる。さらには、リップルの調整やアイソレーション特性等の改善を見込むことができるようになる。
したがって、プロセス変動やばらつき、雰囲気温度といった外乱等によって狙い通りの周波数帯域が得られない場合であっても、振動子への印加電圧の値を可変させて修正することで、所望の周波数帯域を実現し得るようになるので、ＭＥＭＳ構造を用いてフィルタ装置を構成した場合であっても、プロセス変動や外乱等の影響を極力受けることなく、適切な周波数帯域に対応することが可能となる。
【００３５】
なお、当然のことではあるが、上述した実施例１〜３は、本発明の好適な一実施具体例に過ぎず、本発明がこれに限定されるものでないことは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明に係るフィルタ装置の基本的な構成例を示す説明図である。
【図２】印加電圧と共振周波数または振幅との関係の一具体例を示す説明図であり、（ａ）は電圧−周波数の関係を示す図、（ｂ）は周波数−振幅の関係を示す図である。
【図３】本発明に係るフィルタ装置の第１の具体的な構成例を示す説明図であり（実施例１）、（ａ）は電気的接続状態の概要を示す図、（ｂ）は振動子の波形特性を示す図、（ｃ）は透過させる周波数帯域を示す図である。
【図４】本発明に係るフィルタ装置の第１の具体的な構成の変形例を示す説明図であり、（ａ）は一つの変形例を示す図、（ｂ）は他の一つの変形例を示す図である。
【図５】本発明に係るフィルタ装置の第２の具体的な構成例を示す説明図であり（実施例２）、（ａ）は電気的接続状態の概要を示す図、（ｂ）は振動子の波形特性を示す図、（ｃ）は透過させる周波数帯域を示す図である。
【図６】本発明に係るフィルタ装置の第２の具体的な構成の変形例を示す説明図である。
【図７】本発明に係るフィルタ装置の第３の具体的な構成例を示す説明図である（実施例３）。
【図８】従来のＭＥＭＳ構造を用いたフィルタ装置の一構成例を示す説明図である。
【図９】従来のＭＥＭＳ構造を用いたフィルタ装置の他の構成例を示す説明図である。
【符号の説明】
【００３７】
１…振動子、２…入力電極、３…出力電極、８…電圧調整手段、１１、２１…第一の振動子群、１２，１２ａ，１２ｂ、２２…第二の振動子群、２３…第三の振動子群、３１…振動子群
【図１】
2005086469.tif 000003
【図２】
2005086469.tif 000004
【図３】
2005086469.tif 000005
【図４】
2005086469.tif 000006
【図５】
2005086469.tif 000007
【図６】
2005086469.tif 000008
【図７】
2005086469.tif 000009
【図８】
2005086469.tif 000010
【図９】
2005086469.tif 000011