(57)【要約】【課題】  簡便な手法により基板の貼合せ精度を向上させることができ、信頼性の高い液晶装置を製造することが可能な液晶装置の製造方法を提供する。【解決手段】  本発明の液晶装置の製造方法は、一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶装置の製造方法であって、前記一対の基板の貼合せ面側に、各基板を貼り合わせる際の位置決めに適用する位置決めマーク１０ｍ，２０ｍを形成する工程と、前記一対の基板の貼合せ面側に配向膜１２，２２を形成する工程と、前記位置決めマーク１０ｍ，２０ｍ上に形成された配向膜１２，２２を除去する工程と、前記一対の基板を貼り合わせる工程とを含むことを特徴とする。【選択図】      図７
2005148122.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶装置の製造方法であって、
前記一対の基板の貼合せ面側に、各基板を貼り合わせる際の位置決めに適用する位置決めマークを形成する工程と、
前記一対の基板の貼合せ面側に配向膜を形成する配向膜形成工程と、
前記位置決めマーク上に形成された配向膜を除去する配向膜除去工程と、
前記一対の基板を貼り合わせる貼合せ工程と、を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
前記配向膜除去工程は、前記位置決めマークの形成領域に対する大気圧プラズマ照射により行うことを特徴とする請求項１に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項３】
前記貼合せ工程は、前記一対の基板の少なくとも一方に、各基板を貼り合わせるためのシール材を形成する工程と、該シール材を介して各基板を貼り合わせる工程とを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項４】
前記一対の基板として複数の液晶装置を同時に製造可能な大型基板をそれぞれ用い、該大型基板同士を貼り合わせた後、これを個々の液晶装置単位に切断する工程を含み、
前記位置決めマークは、前記大型基板の外周部付近に形成され、該大型基板の位置合わせに用いられることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項５】
前記一対の基板のうち一方の基板として、複数の液晶装置を同時に製造可能な大型基板を用い、他方の基板として個々の液晶装置単位に対応した大きさにて構成される複数の小型基板を用い、該大型基板と小型基板とを貼り合わせた後、個々の液晶装置単位に切断する工程を含み、
前記位置決めマークは、前記小型基板の外周部付近に形成され、該小型基板の位置合わせに用いられることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項６】
前記配向膜除去工程は、前記位置決めマークが形成された第１基板側の配向膜を除去する工程に加え、その位置決めマークと貼り合わせ時に重畳する位置に形成された対向する第２基板側の配向膜を除去する工程も含むことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項７】
一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶装置であって、
前記一対の基板の液晶層側には、各基板を貼り合わせる際の位置決めに適用する位置決めマークが配設される一方、前記一対の基板の液晶層側にはそれぞれ配向膜が形成されてなり、前記位置決めマークの形成領域上には、前記配向膜が選択的に形成されていないことを特徴とする液晶装置。
【請求項８】
前記位置決めマークが形成された基板とは反対側の基板であって、その位置決めマークと重畳する位置には、前記配向膜が選択的に形成されていないことを特徴とする請求項７に記載の液晶装置。
【請求項９】
請求項７又は８に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置の製造方法、液晶装置、並びに電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置等の分野で表示デバイスとして液晶装置が広く使用されている。液晶装置は、液晶パネル及び駆動用電気回路等からなるものであり、液晶パネルは、一般に、離間して対向配置された一対の基板の間隙に電気光学材料としての液晶材料を挟持させた構成を有している（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
従来、この種の液晶パネルを製造する際には、配向膜等を形成した基板の内側面に接着剤等のシール材を額縁状に形成し、そのシール材の内側にディスペンサ等により液晶を滴下する。そして、真空中にてこれらの基板の貼り合わせを行い、大気解放後、加熱処理や光照射処理により接着剤を硬化させるものとしている。基板の貼り合わせにおいては、基板表面に形成したアライメントマークを参照して位置合わせを行い、真空チャンバ内で各基板をチャック装置を用いてそれぞれ保持し、双方の基板を重ね合わせて加圧することで基板間のシール材を押しつぶして圧着している。
【特許文献１】特開２０００−６６１６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述したような従来技術には以下のような問題が存在する。つまり、膜厚の均一性向上を目的として、スピンコート法により基板全面に配向膜を形成した後、アライメントマークを参照して位置合わせを行う場合、該アライメントマークが明瞭に視認できない等の不具合が生じる場合がある。例えば、アライメントマーク上に配向膜が形成された状態で、該アライメントマークを顕微鏡等により観察するものとしているため、観察画像がぼやけてしまい、基板の位置決め精度（貼合せ精度）を低下させる要因となっていた。
【０００５】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、液晶装置を製造するに際し、簡便な手法により基板の貼合せ精度を向上させることができ、信頼性の高い液晶装置を製造することが可能な液晶装置の製造方法を提供することを目的としている。また、基板間の位置ずれに起因して生じ得る表示不具合等の発生が少ない液晶装置と、該液晶装置を備えた電子機器とを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明の液晶装置の製造方法は、一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶装置の製造方法であって、前記一対の基板の貼合せ面側に、各基板を貼り合わせる際の位置決めに適用する位置決めマークを形成する工程と、前記一対の基板の貼合せ面側に配向膜を形成する配向膜形成工程と、前記位置決めマーク上に形成された配向膜を除去する配向膜除去工程と、前記一対の基板を貼り合わせる貼合せ工程と、を含むことを特徴とする。
【０００７】
このような製造方法によると、位置決めマーク上の配向膜を除去するものとしているので、基板貼り合わせ時に位置決めマークを明瞭に視認することができるようになる。つまり、配向膜の存在によって位置決めマークが視認困難となるような不具合発生を回避でき、貼合せ工程時の貼合せ精度を一層高めることが可能となる。また、この場合、配向膜の形成方法として、スピンコート法等の全面塗布型の方法を採用できるため、簡便でしかも均一な膜厚の配向膜を得ることが出来る。したがって、上記方法により製造される液晶装置は、基板間の位置ずれ等の不具合発生が少なく、しかも配向膜の膜厚むらによる液晶の配向乱れ等が生じ難い、信頼性の高い液晶装置となる。なお、本発明では位置決めマーク上の配向膜を除去するものとしているが、その位置決めマークの周縁を含んで配向膜を除去するものとしても良い。
【０００８】
本発明の製造方法において、前記配向膜除去工程は、前記位置決めマークの形成領域に対する大気圧プラズマ照射により行うものとすることができる。このように配向膜を除去するのに大気圧プラズマを利用することで、真空雰囲気中で配向膜除去工程を行なう必要がなくなる。それ故、大気圧プラズマを利用した配向膜除去工程であれば、真空装置内でのプラズマ処理と違って、連続処理を容易に行なえ、且つ大きなスペースが不要であるので、製造ラインに組み込みやすい利点がある。また、基板表面の全体に形成した配向膜の所定領域を効率よく除去できるので、配向膜をスピンコート法などにより全面形成でき、このスピンコート法であれば、配向膜を均一な膜厚で形成することができる。それ故、液晶を適正に配向させることができるので、ムラやシミのない品位の高い表示を行なうことができる。しかも、大気圧プラズマであれば、基板に形成し得る電極膜や遮光膜などを損傷しないので、必要な領域を効率よく処理できる。なお、前記大気圧プラズマとして間接放電方式により酸素プラズマを発生させるものとすることができる。
【０００９】
また、前記貼合せ工程は、前記一対の基板の少なくとも一方に、各基板を貼り合わせるためのシール材を形成する工程と、該シール材を介して各基板を貼り合わせる工程とを含むものとすることができる。この場合、位置決めシール上の配向膜のみならず、シール材の形成予定領域の配向膜を除去し、その後に上記シール材を形成するのが好ましい。なお、液晶層はシール材の内側に配設されるものであって、シール材を閉口枠状に形成した後、基板貼合せ前にシール材内部に液晶を滴下する方法、或いはシール材を注入口を備えた枠状に形成した後、基板貼合せ後に注入口を介して液晶を注入する方法のいずれを採用しても良い。
【００１０】
また、前記一対の基板として複数の液晶装置を同時に製造可能な大型基板をそれぞれ用い、該大型基板同士を貼り合わせた後、これを個々の液晶装置単位に切断する工程を含み、前記位置決めマークを、前記大型基板の外周部付近に形成し、該大型基板の位置合わせに用いるものとすることができる。この場合、大型基板同士の貼合せ精度が向上し、信頼性の高い液晶装置を提供できるようになる。
【００１１】
一方、前記一対の基板のうち一方の基板として、複数の液晶装置を同時に製造可能な大型基板を用い、他方の基板として個々の液晶装置単位に対応した大きさにて構成される複数の小型基板を用い、該大型基板と小型基板とを貼り合わせた後、個々の液晶装置単位に切断する工程を含み、前記位置決めマークを、前記小型基板の外周部付近に形成し、該小型基板の位置合わせに用いるものとすることができる。この場合も、小型基板と大型基板との貼合せ精度が向上し、信頼性の高い液晶装置を提供できるようになる。
【００１２】
また、本発明の製造方法において、前記配向膜除去工程は、前記位置決めマークが形成された第１基板側の配向膜を除去する工程に加え、その位置決めマークと貼り合わせ時に重畳する位置に形成された対向する第２基板側の配向膜を除去する工程も含むものとすることができる。このように対向する第２基板側においても、第１基板に形成された位置決めマークと重畳する位置の配向膜を除去するものとすれば、貼合せ工程時に位置決めマークが一層視認し易いものとなる。つまり、位置決めマークを観察して各基板の位置合わせを行う際には各基板は貼り合わされているため、位置決めマーク上の配向膜のみならず、該位置決めマークに重畳する対向基板側の配向膜も除去することが好ましいのである。
【００１３】
なお、本発明の製造方法において、配向膜に対するラビング処理を配向膜除去工程後に行なう場合、配向膜除去工程において漏れたプラズマが画像表示領域の配向膜に照射されても、この配向膜は未だラビング処理前であるので、その後にラビング処理を行うことで、配向膜に適正な配向力を付与できる。一方、配向膜に対するラビング処理を配向膜除去工程前に行う場合、除去工程が最終プロセスとなるため、除去精度の向上を図ることが可能となる。
【００１４】
次に、上記課題を解決するために、本発明の液晶装置は、一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶装置であって、前記一対の基板の液晶層側には、各基板を貼り合わせる際の位置決めマークが配設される一方、前記一対の基板の液晶層側にはそれぞれ配向膜が形成されてなり、前記位置決めマークの形成領域上には、前記配向膜が選択的に形成されていないことを特徴とする。
【００１５】
このような液晶装置によると、基板の液晶層側に配設した位置決めマーク上に配向膜を形成しない構成としたため、当該液晶装置の製造時であって基板貼合せ工程時に位置決めマークを視認し易くなり、該貼合せ工程時の貼合せ精度を一層高めることが可能となる。したがって、当該液晶装置は基板間の位置ずれ等の不具合発生が少ない、信頼性の高い液晶装置となる。
【００１６】
なお、上記本発明の液晶装置において、前記位置決めマークが形成された基板とは反対側の基板であって、その位置決めマークと重畳する位置に、前記配向膜が選択的に形成されていないものとすることができる。このように位置決めマークが形成された基板（第１基板とする）とは反対側の基板（第２基板とする）においても、第１基板側に形成された位置決めマークと重畳する位置の配向膜を除去するものとすれば、上述した貼合せ工程時に位置決めマークが一層視認し易いものとなり、ひいては一層信頼性の高い液晶装置を提供することができるようになる。
【００１７】
次に、本発明の電子機器は上記液晶装置を例えば表示部として具備することを特徴とする。このような電子機器は、上述した信頼性の高い液晶装置を表示部として含むため、表示不良等の不具合発生の少ない電子機器となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
まず、本発明の液晶装置について、その一実施の形態を説明する。図１は本発明に係る液晶装置を各構成要素とともに示す平面図であり、図２は図１のＨ−Ｈ'線に沿う断面図である。また、図３は、液晶装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図であり、図４は液晶装置の部分拡大断面図である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００１９】
図１及び図２において、本実施形態の液晶装置１００は、対をなすＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが光硬化性のシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶５０が封入、保持されている。シール材５２は、基板面内の領域において閉ざされた枠状に形成されてなり、液晶注入口を備えず、封止材にて封止された痕跡がない構成となっている。
【００２０】
シール材５２の枠内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成されている。シール材５２の枠外側の領域には、データ線駆動回路２０１及び実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。さらに、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０には、当該液晶装置１００を製造する際に、各基板の貼り合わせの位置決めを行うための位置決めマーク１０ｍ，２０ｍが、基板外周部（本実施形態では基板角部）に２個ずつ形成されている。
【００２１】
なお、液晶装置１００においては、使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。また、液晶装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦＴアレイ基板１０の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
【００２２】
このような構造を有する液晶装置１００の画像表示領域においては、図３に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、・、Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、・、Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。
【００２３】
画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、・、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、・、Ｓｎは、図２に示す対向基板２０の対向電極２１との間で一定期間保持される。なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、・、Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極９と対向電極２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０が付加されている。例えば、画素電極９の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量６０により保持される。
【００２４】
図４は液晶装置１００の部分拡大断面図であって、特にＴＦＴ３０が形成された領域周辺を模式的に示した拡大断面図である。ガラス基板１０'を主体として構成されるＴＦＴアレイ基板１０上には、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）を主体とする透明電極にて構成された画素電極９がマトリクス状に形成されており（図３参照）、これら各画素電極９に対して画素スイッチング用のＴＦＴ３０（図３参照）がそれぞれ電気的に接続されている。また、画素電極９が形成された領域の縦横の境界に沿って、データ線６ａ、走査線３ａおよび容量線３ｂが形成され、ＴＦＴ３０がデータ線６ａおよび走査線３ａに対して接続されている。すなわち、データ線６ａは、コンタクトホール８を介してＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ａに電気的に接続され、画素電極９は、コンタクトホール１５及びドレイン電極６ｂを介してＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域に電気的に接続されている。なお、画素電極９の表層にはポリイミドを主体として構成される膜に対してラビング処理を行った配向膜１２が形成されている。
【００２５】
一方、対向基板２０においては、対向基板側のガラス基板２０'上であって、ＴＦＴアレイ基板１０上の画素電極９の縦横の境界領域と対向する領域に、ブラックマトリクスまたはブラックストライプと称せられる遮光膜２３が形成され、その上層側（液晶層側）にはＩＴＯ膜からなる対向電極２１が形成されている。また、対向電極２１の上層側には、ポリイミド膜からなる配向膜２２が形成されている。そして、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶５０がシール材５２（図１参照）により封入されている。
【００２６】
一方、図５は、液晶装置１００の部分拡大断面図であって、特に基板周辺部（特に角部）に配設された位置決めマーク１０ｍ，２０ｍの周辺を模式的に示した拡大断面図である。本実施の形態では、ＴＦＴアレイ基板１０の内面側（液晶層側）には位置決めマーク１０ｍが形成され、対向基板２０の内面側（液晶層側）には位置決めマーク２０ｍが形成されている。これら位置決めマーク１０ｍ，２０ｍは、距離Ｌの間隔を保って配設されており、当該液晶装置１００の製造工程において、各基板１０，２０を貼り合わせる際の位置決め（貼り合わせのアライメント）を、該距離Ｌに基づいて行っている。
【００２７】
ここで、各基板１０，２０の内面側には配向膜１２，２２が形成されているが、位置決めマーク１０ｍ，２０ｍの形成領域、つまり位置決めマーク１０ｍ，２０ｍ上、及びその周辺においては、配向膜１２，２２の開口部（非形成領域）１２ａ，２２ａが形成されている。また、各位置決めマーク１０ｍ，２０ｍの対向する基板側においても、該位置決めマーク１０ｍ，２０ｍが形成された領域に配向膜２２，１２の開口部（非形成領域）２２ｂ，１２ｂが形成されている。つまり、ＴＦＴアレイ基板１０の内面側であって、対向基板２０側に形成された位置決めマーク２０ｍの形成領域と重畳する位置に、配向膜１２の開口部（非形成領域）１２ｂが形成され、対向基板２０の内面側であって、ＴＦＴアレイ基板１０側に形成された位置決めマーク１０ｍの形成領域と重畳する位置に、配向膜２２の開口部（非形成領域）２２ｂが形成されている。
【００２８】
このように、各位置決めマーク１０ｍ，２０ｍ上、及びこれと平面的に重畳する位置には配向膜１２，２２が形成されていないため、上述した当該液晶装置１００の製造工程において基板貼り合わせ時に、各位置決めマーク１０ｍ，２０ｍの視認性が良好となり、該貼り合わせの位置決めを簡便且つ確実に行えるようになる。また、本実施の形態では、このような配向膜１２，２２の開口部（非形成領域）を、上記位置決めマーク１０ｍ，２０ｍ上に限らず、シール材５２の形成領域においても設けている。シール材５２と基板１０，２０との間に配向膜１２，２２が介在すると、シールの緻密性が低下し、液晶層内部に水分等が浸入する惧れがあるが、図５に示したようにシール材５２の形成領域において配向膜１２，２２の開口部（非形成領域）１２ｃ，２２ｃを形成することで、シールの緻密性が高まり、上述した水分等が浸入する不具合発生を回避することができる。
【００２９】
なお、配向膜１２，２２の開口部（非形成領域）は、上記位置決めマーク１０ｍ，２０ｍの形成領域、及びシール材５２の形成領域の双方において同時に形成することができる。つまり、例えば配向膜１２，２２をスピンコート法等により全面塗布し、その後、大気圧プラズマ処理等により、上記位置決めマーク１０ｍ，２０ｍの形成領域、及びシール材５２の形成領域の双方において開口部１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，２２ａ，２２ｂ，２２ｃを形成することで、その製造効率を高めている。
【００３０】
以上のような液晶装置１００によると、基板貼り合わせの位置精度が高いため、基板間の位置ずれに基づく当該液晶装置の不具合、例えば表示装置として用いた場合に表示不良発生が極めて少ないものとなっている。また、シール材５２による液晶の緻密性も高いため、液晶層への水分等の浸入に基づく不具合、例えば表示品質低下等の不具合発生が極めて少ないものとなっている。
【００３１】
以下、上記液晶装置１００の製造方法について、その一例を説明する。ここでは、上記構成の液晶装置１００を製造するに際し、大型基板で一括して複数の液晶装置を製造する、いわゆる多面取りを採用している。つまり、図６に示すように、大型のＴＦＴアレイ基板１１０上に、小型の対向基板２０を貼り合わせた後、個々の液晶装置の大きさに切断する工程を含むものとされている。なお、以下の説明において、大型のＴＦＴアレイ基板１１０を単に大型基板１１０、小型の対向基板２０を単に小型基板２０と言うこともある。
【００３２】
まず、本実施の形態の製造方法の概略について説明する。図６は、本実施の形態の製造方法において用いる大型基板の平面模式図であって、大型基板１１０上に、個々の液晶装置を形成するパネル形成予定領域２９を予め定めておき、そのパネル形成予定領域２９上に閉口枠状のシール材５２を配設し、該シール材５２を介して小型基板２０をパネル形成予定領域２９毎に貼り合わせるものとしている。なお、貼り合わせに際しては、大型基板１１０上のパネル形成予定領域２９毎に形成された位置決めマーク１０ｍと、小型基板２０上に形成された位置決めマーク２０ｍとを比較観察（例えば顕微鏡観察）することで、各基板１１０，２０のアライメント調整を行っている。以上のような貼り合わせ工程後、パネル形成予定領域２９毎に分離・切断することで、個々の液晶装置を得るものとしている。
【００３３】
続いて、上記液晶装置を製造する際の各プロセスについて詳細に説明する。
図７は液晶装置の製造工程について示す断面模式図、図８は液晶装置の製造工程において配向膜の除去工程前の状態を示す平面模式図、図９は配向膜の除去工程後の状態を示す平面模式図である。なお、図７〜図９においては、特定のパネル形成領域２９に着目して示しているが、その他のパネル形成領域２９においても同様のプロセスが同時に行われている。
【００３４】
まず、図７（ａ）に示す大型基板１１０及び小型基板２０を用意する。ここでは、ガラス等からなる大型の基板に対し、図４に示したようなＴＦＴ３０、画素電極９等を形成して大型基板１１０を得る一方、ガラス等からなる小型の基板に対し、図４に示したような対向電極２１を形成して小型基板２０を得るものとしている。そして、用意した大型基板１１０及び小型基板２０上の所定位置に、例えばインクジェット装置等を用いて位置合わせマーク１０ｍ，２０ｍを形成する。ここでは、所定の金属材料を溶剤に分散させた液状物を基板上に滴下して、金属パターンからなる位置合わせマーク１０ｍ，２０ｍを得るものとしている。
【００３５】
次に、図７（ｂ）及び図８に示すように、大型基板１１０及び小型基板２０の全面に配向膜１２，２２を形成する。ここでは、ポリイミドを溶剤に分散ないし溶解させた液状物を、スピンコート法により基板１１０，２０の全面に塗布するものとしている。そして、このように形成したポリイミド膜に対してラビング処理を行い、配向膜１２，２２を得る。
【００３６】
続いて、図７（ｃ）及び図９に示すように、形成した配向膜１２，２２について、位置決めマーク１０ｍ，２０ｍ上に配設されたものを除去する配向膜除去工程を行う。具体的には、位置決めマーク１０ｍ，２０ｍ上にある配向膜、及び基板を貼り合わせ後に位置決めマーク１０ｍ，２０ｍと重畳する位置にある配向膜を除去するものとしている。さらに、本実施の形態ではシール材５２を形成する領域上の配向膜も同時に除去している。このような配向膜除去工程により、位置決めマーク１０ｍ，２０ｍ上には配向膜１２，２２の開口部１２ａ，２２ａが形成され、位置決めマーク１０ｍ，２０ｍと対向する基板上の配向膜２２，１２には開口部２２ｂ，１２ｂが形成されるとともに、シール材５２の形成予定領域には、開口部１２ｃ，２２ｃが形成されることとなる。
【００３７】
以上の配向膜除去工程後、大型基板１１０の各パネル形成予定領域２９（図６参照）毎に、各配向膜開口部１２ｃに位置するようにシール材５２を配設し、該シール材５２の内部に液晶を滴下した後、図７（ｄ）に示すように大型基板１１０上に小型基板２０を貼り合わせる。この貼合せ工程においては、上記位置決めマーク１０ｍ，２０ｍを顕微鏡観察することで各基板１１０，２０の位置決めを行っている。
【００３８】
以上のような貼り合わせ後、シール材５２の硬化工程を行い、さらに各パネル形成予定領域２９（図６参照）毎に分離・切断を行うことで、複数の液晶装置１００が一括して製造されることとなる。ここで、基板上に形成したポリイミド膜に対するラビング処理は、上記配向膜の除去工程後に行っても良い。つまり、上記配向膜の除去工程は、ラビング処理前の膜を除去する工程、又はラビング処理後の膜を除去する工程のいずれをも含むものである。
【００３９】
なお、上述した配向膜の除去工程は、例えば大気圧プラズマ照射処理により行うことができる。図１０は、該照射処理に用いるプラズマ照射装置２０００の概略構成図である。このプラズマ照射装置２０００では、移動テーブル２２００の上にアルミナ製のステージ２００１が配置され、このステージ２００１の上に大型基板１１０や小型基板２０等の基板２００２が配置される。また、ステージ２００１の真上位置には、ステージ２００１との間にプラズマを発生させるプラズマガン２１００が配置されている。
【００４０】
このプラズマガン２１００では、ケーシング部材２０２２内に、ホルダー部材２０１０によって保持された電極２００７、２００８が配置されている。これらの電極２００７、２００８のうち、電極２００８はアース電極とされている一方、電極２００７には、リード２０２１から高周波電圧が印加されるようになっている。電極２００７、２００８の間には、ガス導入部２００３のガス導入管２０２３からガスが供給される放電管２００４が通っており、この放電管２００４内で、処理ガスの搬送、放電、反応ガスの輸送が行われる。この放電管２００４は保護部材２００９によって保持、固定され、この保護部材２００９は、中間部材２０１１によって位置決めされた状態にある。
【００４１】
また、放電管２００４の下端には、ノズルホルダー２００６に保持されたノズルチップ２００５が配置され、このノズルチップ２００５からステージ２００１上の基板２００２に向けてプラズマを放出する。このノズルチップ２００５と電極２００７、２００８との間には絶縁部材２０１２が配置されている。なお、ケーシング部材２０２２には、電極２００７、２００８を冷却するための空気を供給するための冷却口２０１３が形成されているととにもに、電極２００７、２００８を冷却した後の空気を排出するための排気口２０１４も形成されている。
【００４２】
ここで、プラズマガン２１００、ステージ２００１、テーブル２２００などは全て大気圧下に配置される。従って、このプラズマ照射装置２０００で発生するプラズマは大気圧プラズマと称せられ、且つこのような間接放電によってプラズマを放出させる方式は、一般に、間接放電方式と称せられる。
【００４３】
このプラズマガン２１００においてノズルチップ２００５を交換すれば、プラズマガン２１００をラインガンあるいはスポットガンとして用いることができる。例えば、基板２００２上の特定領域（位置決めマーク形成領域）に大気圧プラズマを照射するときには、スポットガン用のノズルチップ２００５を用いる。また、大気圧プラズマとして酸素プラズマを発生させるときには、ガス導入管２０２３から酸素ガスを供給する。
【００４４】
以上のようなプラズマ照射装置２０００により、基板２００２（例えば大型基板１１０、小型基板２０）上の特定領域に大気圧プラズマ処理を施すことができ、酸素プラズマによるアッシングにより配向膜の一部を除去することができる。
【００４５】
なお、上記実施の形態では、大型基板１１０に対してパネル形成予定領域２９毎に小型基板２０を貼り合わせるものとしているが、例えば図１１に示すように対向基板２０用の大型基板１２０を用意し、大型基板１１０，１２０同士を貼り合わせる手法を採用することもできる。この場合、大型基板１１０のパネル形成予定領域２８毎に閉口枠状のシール材５２を形成し、該シール材５２内にそれぞれ液晶を配置した後、対向する大型基板１２０を貼り合わせるものとしている。
【００４６】
ここで、大型基板１１０，１２０の貼り合わせにおいては、該大型基板１１０，１２０の外周部に形成した位置決めマーク１１０ｍ，１２０ｍを参照（例えば顕微鏡観察）して各基板の位置合わせを行うものとしている。そして、この場合も、位置合わせ精度向上のため、位置決めマーク１１０ｍ，１２０ｍ上、及びこれと平面的に重畳配置する位置の配向膜を除去するものとしている。
【００４７】
次に、本発明の製造方法により得られた液晶装置１００を備える電子機器の例について図１２を参照して説明する。図１２は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１２において、携帯電話（電子機器）６００は、液晶装置１００を用いた表示部６０１を備える。このような電子機器は、上述した液晶装置１００を表示部６０１として備えているので、高精度に基板が貼り合わされた高品質の液晶装置により表示を行うことができ、信頼性の高い電子機器を実現することができる。
【００４８】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態の例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本実施の形態の液晶装置を対向基板の側から見た平面図。
【図２】図１のＨ−Ｈ'線に沿う断面図。
【図３】図１の液晶装置の等価回路図。
【図４】図１の液晶装置の画素周辺を拡大して示す断面模式図。
【図５】図１の液晶装置の位置決めマーク周辺を拡大して示す断面模式図。
【図６】本実施の形態の液晶装置を製造する際に用いる大型基板の平面模式図。
【図７】液晶装置の製造工程を示す断面模式図。
【図８】液晶装置の製造工程において配向膜の除去工程前の状態を示す平面模式図。
【図９】配向膜の除去工程後の状態を示す平面模式図。
【図１０】プラズマ照射装置の概略構成図。
【図１１】液晶装置を製造する際に用いる大型基板の変形例を示す平面模式図。
【図１２】電子機器の一例を示す斜視図。
【符号の説明】
【００５０】
１０…下基板（ＴＦＴアレイ基板）、１０ｍ，２０ｍ…位置決めマーク、１２，２２…配向膜、２０…上基板（対向基板、小型基板）、５２…シール材、１００…液晶装置、１１０…大型基板
【図１】
2005148122.tif 000003
【図２】
2005148122.tif 000004
【図３】
2005148122.tif 000005
【図４】
2005148122.tif 000006
【図５】
2005148122.tif 000007
【図６】
2005148122.tif 000008
【図７】
2005148122.tif 000009
【図８】
2005148122.tif 000010
【図９】
2005148122.tif 000011
【図１０】
2005148122.tif 000012
【図１１】
2005148122.tif 000013
【図１２】
2005148122.tif 000014