(57)【要約】【課題】半導体製造工程において、バックグラインダーの工程からダイシングテープにウェハーをマウントするまでの時間を短縮する。【解決手段】ウェハーが入ったカセットをウェハー投入／取出部１にセットし、ロボットアーム６によって１枚ずつウェハーをウェハーアライメント部２に搬送し、ウェハーアライメント部２において位置決めしたウェハーをチャックテーブル部３に搬送し、次に、研削ステージを回転させてチャックテーブル部３上のウェハーを移動させ、研削スピンドル部４にてウェハー裏面の荒削り、仕上げ研削を実施し、仕上げ研削終了後、ウェハーを洗浄乾燥部５に搬送し、洗浄乾燥部５にてウェハーを回転させながら最初に純水にて洗浄した後、ウェハー研削面に熱（１００℃以上あるいはヘアドライヤーレベル）を加えたブローを均一に数分行い、ウェハー裏面のシリコンの活性化を抑制する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハーを規定の厚みにするためウェハー裏面を研削するバックグラインダー工程を有する半導体装置の製造方法において、バックグラインダー工程による研削後、ウェハー裏面に、常温より高い温度のエアーを吹き付けて乾燥させて、ウェハー裏面の活性化を抑制することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
ウェハー裏面にイオンをかけた後に、常温より高い温度のエアーを吹き付けることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
ウェハー裏面をオゾン水で洗浄した後に、常温より高い温度のエアーを吹き付けることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
ウェハーを規定の厚みにするためウェハー裏面を研削するバックグラインダーを有する半導体装置の製造装置において、前記バックグラインダーで研削後、ウェハー裏面に、常温より高い温度のエアーを吹き付けて乾燥させて、ウェハー裏面の活性化を抑制させる洗浄乾燥手段を有することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項５】
ウェハー裏面にイオンをかけた後に、常温より高い温度のエアーを吹き付けることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造装置。
【請求項６】
ウェハー裏面をオゾン水で洗浄した後に、常温より高い温度のエアーを吹き付けることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造工程におけるバックグラインダー後のウェハー裏面処理における工法と装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的な半導体組立工程によれば、バックグラインダー後のウェハーを中検工程にて検査した後、ダイシングテープにウェハーをマウントしていた。しかしながら、最近のウェハーの大口径化、薄化により、マウント剥離工法、先ダイシング工法のように、バックグラインダー工程が中検後実施され、品質向上のためにウェハーをマウントした後バックグラインダー保護テープ剥離を行う工法も採用されるようになってきた。
【０００３】
従来、この種の技術としては、特許文献１に記載されたような半導体チップの製造方法がある。
【０００４】
図１は半導体組立工程の工程フローを示している。図１（ａ）は一般的な半導体組立工程を示すフローであり、チップ表面の回路パターン面を保護するためバックグラインダー保護テープをウェハーに貼り付けるバックグラインダー保護テープ貼り工程（ａ１）を実施した後、ウェハーを規定の厚みにするためウェハー裏面を研削するバックグラインダー工程（ａ２）を実施し、次にウェハー表面の保護テープを剥す工程（ａ３）バックグラインダー保護テープ剥しを行う。次に、ウェハー上の各チップを個々に電気的特性をプローバーとテスターを使用して測定し良否判別する中検（ａ４）を実施する。この検査後のウェハーをダイシングテープに貼り付けするウェハーマウントを行う（ａ５）。マウントしたウェハーを各チップに個片に切断するダイシング工程（ａ６）を行った後、ダイシングテープからチップを剥離するダイスボンダー、ダイスピッカー工程（ａ７）になる。このフローからバックグラインダー後ウェハーをダイシングテープにマウントするまでに中検工程があるので検査時間にもよるが、短時間でも１２時間以上から数日を有することになる。
【０００５】
図１（ｂ）はマウント剥離工法を示すフローである。まず、ウェハー上の各チップを個々に電気的特性をプローバーとテスターを使用して測定し良否判別する中検（ｂ１）を実施後、チップ表面の回路パターン面を保護するため、バックグラインダー保護テープをウェハーに貼り付けるバックグラインダー保護テープ貼り工程（ｂ２）を実施した後、ウェハーを規定の厚みにするためウェハー裏面を研削するバックグラインダー工程（ｂ３）を実施する。次に、ウェハー表面の保護テープのままウェハーをダイシングテープに貼り付けするウェハーマウントを行う（ｂ４）。ダイシングテープ上のウェハー表面には保護テープが貼り付けされているので保護テープをダイシングテープ上にマウントされた状態で剥離するバックグラインダー保護テープ剥しを実施する（ｂ５）。次に、ウェハーを各チップに個片に切断するダイシング工程（ｂ６）を行った後、ダイシングテープからチップを剥離するダイスボンダー、ダイスピッカー工程（ｂ７）になる。このフローではバックグラインダー後、少なくとも１時間から２時間後のウェハーマウントになり、図１（ａ）に示す工法よりも短時間になる。
【０００６】
図１（ｃ）は先ダイシング工法を示すフローである。まず、ウェハー上の各チップを個々に電気的特性をプローバーとテスターを使用して測定し良否判別する中検（ｃ１）を実施し、ウェハーを各個片に切断するダイシング工程（ｃ２）を行うがこの時は完全に個片に切断するのではなくチップ厚みの途中まで切断する。チップ表面の回路パターン面を保護するためバックグラインダー保護テープをウェハーに貼り付けるバックグラインダー保護テープ貼り工程（ｃ３）を実施した後、ウェハーを規定の厚みにするためウェハー裏面を研削するバックグラインダー工程（ｃ４）を実施する。この状態でウェハーは保護テープ上で個片になっている。次にウェハー表面の保護テープのままウェハーをダイシングテープに貼り付けするウェハーマウントを行う（ｃ５）。ダイシングテープ上のウェハー表面には保護テープが貼り付けされているので保護テープをダイシングテープ上にマウントされた状態で剥離するバックグラインダー保護テープ剥しを実施する（ｃ６）。次にダイシングテープからチップを剥離するダイスボンダー、ダイスピッカー工程（ｃ７）になる。このバックグラインダー後、少なくとも１時間から２時間後のウェハーマウントになり、図１（ａ）に示す工法よりも短時間になる。
【特許文献１】特開２００２−２８０３２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
一般的な半導体組立工程は、バックグラインダーを実施した後剥し工程、中検工程となりバックグラインダーからウェハーマウントまでに数時間から数日の長時間になっている。一方、マウント剥離工法，先ダイシングを実施した場合、バックグラインダー後すぐのウェハーマウントとなりダイシングの次のダイスボンダー工程でチップを剥離する際、チップ裏面とダイシングテープの剥離強度が従来より大きくなり、剥離ミス、あるいは剥離までの時間に新たに時間をおく必要があるなどの課題がでている。
【０００８】
本発明は、半導体ウェハーの裏面の活性化を抑制し、ダイシングテープとの剥離強度を低下させることを実現した半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決するために本発明は、バックグラインダー後のウェハー裏面の活性化を抑制するため、研削後の洗浄乾燥手段にて熱を使用したブロー、あるいはイオン，オゾンを使用しウェハー裏面の活性化を抑えるのでバックグラインダー後時間をおかずに次のウェハーマウント工程時ダイシングテープとの状態が従来と同等になり、ダイスボンダー工程のチップピックアップ時の剥離強度を低下させ安定したチップ剥離ができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は、バックグラインダーによるウェハーの研削面の裏面の活性化を抑制するので、バックグラインダー後すぐのウェハーマウント工程が可能になりダイスボンダー工程では安定した剥離強度になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の半導体装置の製造方法および製造装置の実施形態について、以下、図面を参照しながら説明する。
【００１２】
図２は本発明の実施形態におけるバックグラインダーの説明図であり、１はウェハー投入／取出部、２はウェハーアライメント部、３は研削ステージ上に設けられたチャックテーブル部、４は研削スピンドル部、５は洗浄乾燥部、６はロボットアームを示す。チャックテーブル部３は研削ステージ上に複数（本実施形態では３つ）設けられており、３つのチャックテーブル部３の１つは待機位置となる第１の位置、１つは荒削り用の研削スピンドル部４に対向する第２の位置、１つは仕上げ用の研削スピンドル部４に対向する第３の位置に配置される。そして、研削ステージを回転させることにより、チャックテーブル部３が第１の位置、第２の位置、第３の位置に移動する。
【００１３】
次に、動作について説明する。なお、次に記載する工程は、図１に示すフローにおけるバックグラインダーの工程に相当するものであり、バックグラインダーの工程以外の工程については、図１に示すものと同じである。
【００１４】
ウェハーが入ったカセットがウェハー投入／取出部１にセットされ、ロボットアーム６によって１枚ずつウェハーがウェハーアライメント部２に搬送される。ウェハーアライメント部２において移載されたウェハーが位置決めされた後、研削ステージのチャックテーブル部３にウェハーが搬送される。次に、研削ステージを回転させてチャックテーブル部３上のウェハーを移動させ、研削スピンドル部４にてウェハー裏面の荒削りを行い、荒削り終了後ウェハーを移動させ、あらかじめ決められたウェハー厚みになるように仕上げ研削が実施される。
【００１５】
仕上げ研削終了後のウェハーは第１の位置に戻り、洗浄乾燥部５に搬送される。この時空いたチャックテーブル部３にはウェハーアライメント部２から新たにウェハーが搬送される。
【００１６】
研削したウェハーは裏面すなわち研削面を上にして洗浄乾燥部５にてウェハーを回転させながら最初に純水にて洗浄した後、エアー乾燥し、ウェハー投入／取出部１のカセットにロボットアーム６によって収納される。
【００１７】
ここで、従来においては、常温でのエアー乾燥を行っていたが、本実施形態においては、それに変わってウェハー研削面に熱（１００℃以上あるいはヘアドライヤーレベル）を加えたブローを均一に数分行い、特に、ウェハー研削面全体に熱が行き渡るようにして、ウェハー裏面のシリコンの活性化を抑制する。
【００１８】
このように本実施形態によれば、バックグラインダー裏面の活性化を抑制するのでバックグラインダー後すぐのウェハーマウント工程が可能になりダイスボンダー工程では安定した剥離強度になる。
【００１９】
なお、熱ブローと併用することでさらにウェハー裏面のシリコンの活性化の抑制とブロー時間の短縮を図る方法として、常温でのエアー乾燥後にイオナイザーにてウェハー裏面に均一にイオンをかけた後熱を加えたブローを実施すること、あるいは、純水にて洗浄した後オゾン水にて洗浄を追加してその後熱を加えたブローを実施することにより、ウェハー裏面のシリコンの活性化を抑制することができる。
【産業上の利用可能性】
【００２０】
本発明のバックグラインダー後の半導体製造方法および製造装置は、半導体製造として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】半導体組立工程のフロー説明図
【図２】本発明の一実施形態の製造装置におけるバックグラインダーの概略構成を示す説明図
【符号の説明】
【００２２】
１  ウェハー投入／取出部
２  ウェハーアライメント部
３  チャックテーブル部
４  研削スピンドル部
５  洗浄乾燥部
６  ロボットアーム
【図１】
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【図２】
2005243782.tif 000004