(57)【要約】【課題】  セラミック成形体を焼成するときに寸法精度が損なわれることを防止できる電子部品製造方法を提供する。【解決手段】  支持体１の隣接する２本の支持棒１ｄによって各セラミック成形体３の円弧状外面３ａを２箇所で支え、且つ、円弧状内面３ｂに錘体２の重さを作用させることにより該セラミック成形体３を直立状態で保持しているので、焼成過程で各セラミック成形体３が収縮するときに異方性が生じることを抑制して焼成後に得られる半導体磁器の寸法精度を向上できる。【選択図】  図６
2005251802.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円弧状外面とその内側に円弧状内面を有する所定形状のセラミック成形体を焼成する工程を備えた電子部品製造方法であって、
前記焼成工程は、
支持体の支承部によってセラミック成形体の円弧状外面を２箇所で支え、且つ、該セラミック成形体の円弧状内面に錘体の重さを作用させることにより、支承部に載せられたセラミック成形体を直立状態で保持するステップと、
支持体及び錘体によってセラミック成形体を直立状態で保持したまま焼成するステップとを備える、
ことを特徴とする電子部品製造方法。
【請求項２】
セラミック成形体はリング形状を成す、
ことを特徴とする請求項１に記載の電子部品製造方法。
【請求項３】
支持体の支承部は平行な２本の支持棒から成り、セラミック成形体はその円弧状外面が２本の支持棒の外面に接触するように載せられている、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の電子部品製造方法。
【請求項４】
支持体の支承部は略Ｖ字状断面を有する溝から成り、セラミック成形体はその円弧状外面が溝の２つの斜行面に接触するように載せられている、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の電子部品製造方法。
【請求項５】
錘体は重量を有する棒から成り、該錘体はセラミック成形体の円弧状内面に接触するように載せられている、
ことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の電子部品製造方法。
【請求項６】
錘体は棒とその両端に設けられた錘とから成り、該錘体の棒はセラミック成形体の円弧状内面に接触するように載せられている、
ことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の電子部品製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、所定形状のセラミック成形体を焼成する工程を備えた電子部品製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
製造工程との１つとしてセラミック成形体の焼成工程を含む電子部品、例えば、所定の内外径と肉厚を有するリングバリスタは、原料粒体をリング状のキャビティを有する金型に入れ成形してリング形状のセラミック成形体を得る工程と、多数のセラミック成形体を所定姿勢で保持したトレイ等の支持体を焼成炉に投入して焼成する工程と、焼成後の半導体磁器を支持体から取り出してこれらに電極を形成する工程を経て製造される。
【０００３】
特開２００２−３４３６０９号公報には多数のセラミック成形体を所定姿勢で保持する手段の改良案が開示されている。この保持手段は、図１及び図２に示すように、矩形枠状の支持体１０１と複数の丸棒１０２とを備える。支持体１０１は対向する２辺部分の上面には丸棒１０２の両端を支える溝１０１ａが等間隔で複数個形成され、他の２辺部分にはガス流通用の切り欠き１０１ｂが設けられている。セラミック成形体１０３は、その内孔に挿入された丸棒１０２の両端を矩形枠１０１の溝１０１ａで支えることによって、丸棒１０２にぶら下がった状態で保持される。
【特許文献１】特開２００２−３４３６０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特開２００２−３４３６０９号公報に開示されたセラミック成形体の保持方法では、セラミック成形体１０３が丸棒１０２にぶら下がった状態で保持されるため、該保持状態では図３（Ａ）に示すようにセラミック成形体１０３の重量がその内面１０３ａと丸棒１０２との１つの接触箇所ＳＰに作用する。
【０００５】
つまり、セラミック成形体１０３は内面上部の１箇所でその重量を支えられているため、図３（Ｂ）に示すように焼成過程でセラミック成形体１０３が全体的に収縮するときに異方性が生じ、結果的にセラミック成形体１０３が左右に縮むように変形して焼成後に得られる半導体磁器の寸法精度が損なわれる不具合がある。
【０００６】
本発明は前記事情に鑑みて創作されたもので、その目的とするところは、セラミック成形体を焼成するときに寸法精度が損なわれることを防止できる電子部品製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するため、本発明は、円弧状外面とその内側に円弧状内面を有する所定形状のセラミック成形体を焼成する工程を備えた電子部品製造方法であって、前記焼成工程は、支持体の支承部によってセラミック成形体の円弧状外面を２箇所で支え、且つ、該セラミック成形体の円弧状内面に錘体の重さを作用させることにより、支承部に載せられたセラミック成形体を直立状態で保持するステップと、支持体及び錘体によってセラミック成形体を直立状態で保持したまま焼成するステップとを備える、ことをその特徴とする。
【０００８】
この電子部品製造方法によれば、支持体の支承部によってセラミック成形体の円弧状外面を２箇所で支え、且つ、該セラミック成形体の円弧状内面に錘体の重さを作用させることによりセラミック成形体を直立状態で保持しているので、焼成過程でセラミック成形体が収縮するときに異方性が生じることを抑制して焼成後に得られる半導体磁器の寸法精度を格段向上させることができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、セラミック成形体を焼成するときに寸法精度が損なわれることを防止できる。
【００１０】
本発明の前記目的とそれ以外の目的と、構成特徴と、作用効果は、以下の説明と添付図面によって明らかとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
［第１実施形態］
以下に、本発明に係る製造方法の第１実施形態を、リングバリスタの製造を例に挙げて説明する。
【００１２】
まず、出発原料としてSrCO3,BaCO3,CaCO3,TiO2,Nb2O5,Y2O3,SiO2,CuOを仮焼後に(SrxBayCaz)ATiO3(0.2<x<0.8/0.2<y<0.8/0.2<z<0.8) x+y+z=1 A=0.800〜1.200となるように配合し混合する。ちなみに式中のx,y,z,Aはモル比である。これに第２成分として希土類元素(La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Sc,Y)の少なくとも１種をTiに対して0.01〜0.06mol％添加し、第３成分としてSiを0.001〜5.000mol％添加し、第４成分として遷移元素であるCu,Co,Mn,Fe,Niの少なくとも１種を0.001〜5.000mol％添加する。
【００１３】
次に、得られた混合物を乾燥してから空気中で1000〜1500℃，1〜3時間の仮焼を行う。仮焼後は仮焼物を粉砕し、秤量してから溶媒を加えて微粉砕する。そして、得られた粉末にポリビニルアルコール等のバインダーを加え、スプレードライヤー等によって造粒する。
【００１４】
次に、得られた粒体をリング状のキャビティを有する金型に入れ成形してリング形状のセラミック成形体３（図４〜図７参照）を得る。このセラミック成形体３は所定の内外径(D2,D1)と肉厚(t)を有する。
【００１５】
次に、多数のセラミック成形体３を図１及び図２に示す支持体１に錘体２を利用して所定姿勢で保持させる。
【００１６】
この支持体１は、平行に配された２つの側片１ａと、図４中で左右方向に等間隔で平行に配された複数の支持棒１ｄを備える。各側片１ａは、図４中の左右方向に等間隔で形成された複数の固定溝１ｂを上面に有し、支持体１を多段に積み重ねるときに用いられる脚片１ｃを図４中の左右両端に有する。各支持棒１ｄは各々の両端を固定溝１ｂ内に嵌め込まれ、ネジ止めや圧入等の手法によって両端を各側片１ａに固定されている。一方、錘体２は重量を有する棒から成り、その直径はセラミック成形体３の内径よりも小さい。
【００１７】
ちなみに、本第１実施形態では、前記支持体１における隣接する２本の支持棒１ｄが請求項１で言うところの「支承部」に相当する。
【００１８】
多数のセラミック成形体３を前記支持体１に錘体２を利用して所定姿勢で保持させるときには、多数のセラミック成形体３を互いの環状面が接触し、且つ、各セラミック成形体３の円弧状外面３ａが隣接する２本の支持棒１ｄの外面に接触するようにそれぞれ載せて複数の列を形成し、そして、各列のセラミック成形体３の内孔に錘体２をそれぞれ挿入して該錘体２をセラミック成形体３の円弧状内面３ｂに接触するように載せる（図４〜図６参照）。
【００１９】
または、錘体２に多数のセラミック成形体３を装着してから、該錘体２を利用して多数のセラミック成形体３を互いの環状面が接触し、且つ、各セラミック成形体３の円弧状外面３ａが隣接する２本の支持棒１ｄの外面に接触するように列毎に一括で載せ、そして、各列のセラミック成形体３の内孔に挿入されている錘体２をセラミック成形体３の円弧状内面３ｂに接触するように載せる（図４〜図６参照）。
【００２０】
これにより、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示すように、隣接する２本の支持棒１ｄの外面にその円弧状外面３ａが接触するように載せられた多数のセラミック成形体３それぞれに錘体２の重さが作用し、各列を構成する多数のセラミック成形体３はその環状面が隣接する２本の支持棒１ｄの長さ方向と略直交する向きで直立状態で保持される。
【００２１】
各列を構成する多数のセラミック成形体３はそれぞれ円弧状外面３ａのセラミック成形体３の重心よりも低い位置を２つの接触箇所ＳＰで支えられ、且つ、円弧状内面３ｂのセラミック成形体３の重心よりも低い位置に接触する錘体２の重さによって２つの接触箇所ＳＰに押さえ付けられた状態となるため、各列を構成する多数のセラミック成形体３はより安定した状態で保持されることになる。
【００２２】
ここで、図７を参照して支持体１の隣接する２本の支持棒１ｄの間隔Ａの設定に関する補足説明をする。
【００２３】
セラミック成形体３の外径をＤ１，内径をＤ２，肉厚をｔとし、錘体２の直径をＤ３とし、錘体２に対してセラミック成形体３が最も傾いた状態におけるセラミック成形体３と錘体２の成す角度をθとし、支持棒１ｄと錘体２との間隔をＡ１としたとき、錘体２が挿通されたセラミック成形体３が隣接する２本の支持棒１ｄから落下しないようにするには、Ａ＜２Ａ１＋Ｄ３とする必要がある。この場合、Ａ１＝（（Ｄ１＋Ｄ２）／２）ｃｏｓθ−Ｄ３、θ＝ａｒｃｔａｎ（１／Ｄ３×√（Ｄ２2＋ｔ2＋Ｄ３2））−ａｒｃｔａｎ（ｔ／Ｄ２）で表せることから、前記のＡ＜２Ａ１＋Ｄ３はＡ＜２×（Ｄ１＋Ｄ２）／２×ｃｏｓθ−Ｄ３＝２×（Ｄ１＋Ｄ２）／２×ｃｏｓ（ａｒｃｔａｎ（１／Ｄ３×√（Ｄ２2＋ｔ2＋Ｄ３2））−ａｒｃｔａｎ（ｔ／Ｄ２））−Ｄ３となり、セラミック成形体３の外径Ｄ１，内径Ｄ２と錘体２の直径Ｄ３から隣接する２本の支持棒１ｄの間隔Ａを求めることができる。この間隔Ａを隣り合うセラミック成形体３の列が相互に干渉しない範囲でより小さく設定することで、セラミック成形体３の保持数を増やすことができる。
【００２４】
前記支持体１の側片１ａ及び支持棒１ｄと錘体２は耐火性材料、好ましくはアルミナ，ムライト，シリコンカーバイド，ジルコニア，マグネシア等によって形成される。また、支持棒１ｄ及び錘体２はセラミック成形体３に接触するものであるので、接触箇所に不要な化学反応が焼成過程に生じることを防止するため、各々の表面にジルコニア等から成る反応防止膜を100〜400μｍ程度の厚さで形成しておくことが望ましい。
【００２５】
さらに、支持棒１ｄとして中空のもの（円筒状のもの）を使用すれば、繰り返しの焼成によっても支持棒１ｄ自体に曲がりが生じることを抑制できる。支持棒１ｄとして両端に少なくとも１つの平面を有するものを使用すれば支持棒１ｄが回転することを防止できるし、両端に３以上の平面を有するもの（断面が多角形のもの）を使用すれば支持棒１ｄ自体に曲がりが生じた場合でも支持棒１ｄの向きを変えることで曲がりを修正する操作も可能である。
【００２６】
次に、支持体１及び錘体２によって多数のセラミック成形体３を直立状態で保持したまま還元焼成炉に投入する。ここでは、まず、セラミック成形体３を加熱することにより含有バインダーを分解して除去し、次いで、N2+H2(H2=1.0〜5.0％)の還元性雰囲気下で約1350℃，約4時間の焼成を行い、セラミック成形体３が還元焼成された半導体磁器を得る。
【００２７】
次に、還元焼成により得られた半導体磁器を空気中または酸化性雰囲気下で700〜1000℃，約4時間の再酸化処理を行う。
【００２８】
次に、再酸化処理後の半導体磁器の一側面または円弧状外面の所定領域にAg等の金属粉末を含有した電極ペーストを塗布し、400〜900℃，約50分間の焼き付け処理を行って電極を形成する。
【００２９】
このように、前述の製造方法によれば、支持体１の隣接する２本の支持棒１ｄによって各セラミック成形体３の円弧状外面３ａを２箇所で支え、且つ、円弧状内面３ｂに錘体２の重さを作用させることにより該セラミック成形体３を直立状態で保持しているので、焼成過程で各セラミック成形体３が収縮するときに異方性が生じることを抑制して焼成後に得られる半導体磁器の寸法精度を格段向上させることができる。
【００３０】
詳しくは、図６（Ａ）に示した２つの接触箇所ＳＰからの反作用はセラミック成形体３の重心方向に向くため、焼成過程でセラミック成形体３が収縮するときに異方性が生じ難く、これにより焼成過程におけるセラミック成形体３の収縮を偏りなく行って焼成後に得られる半導体磁器の寸法精度向上を図ることができる。
【００３１】
また、各セラミック成形体３は円弧状外面３ａのセラミック成形体３の重心よりも低い位置を２箇所で支えられ、且つ、円弧状内面３ｂのセラミック成形体３の重心よりも低い位置に接触する錘体２の重さによって２つの接触箇所ＳＰに押さえ付けられた状態となるため、各セラミック成形体３を極めて安定した状態で保持できると共に、振動等が加わった場合でも各セラミック成形体３の姿勢に乱れを生じることを防止して所期の焼成を的確且つ均一に行うことができる。
【００３２】
［第２実施形態］
以下に、本発明に係る製造方法の第２実施形態を、リングバリスタの製造を例に挙げて説明する。
【００３３】
まず、第１実施形態と同様にして混合物を得て、次に、第１実施形態と同様にして造粒を行い、次に、第１実施形態と同様にして所定の内外径と肉厚を有するセラミック成形体１３を得る。
【００３４】
次に、多数のセラミック成形体１３を図８及び図９に示す支持体１１に錘体１２を利用して所定姿勢で保持させる。
【００３５】
この支持体１１は、平行に配された２つの側片１１ａと、２つの側片１１ａの間に配された平板状の支持部１１ｂを備える。各側片１１ａは、支持体１１を多段に積み重ねるときに用いられる脚片１１ｃを図８中の左右両端に有する。支持部１１ｂには図８中の左右方向に等間隔で平行に形成された複数の略Ｖ字状断面の支持溝１１ｂ１を上面に有する。一方、錘体１２は重量を有する棒から成り、その直径はセラミック成形体１３の内径よりも小さい。
【００３６】
ちなみに、本第２実施形態では、前記支持体１１における支持溝１１ｂ１が請求項１で言うところの「支承部」に相当する。
【００３７】
多数のセラミック成形体１３を前記支持体１１に錘体１２を利用して所定姿勢で保持させるときには、多数のセラミック成形体１３を互いの環状面が接触し、且つ、各セラミック成形体１３の円弧状外面１３ａが支持溝１１ｂ１の２つの斜行面（符号無し）に接触するように載せて複数の列を形成し、そして、各列のセラミック成形体１３の内孔に錘体１２をそれぞれ挿入して該錘体１２をセラミック成形体１３の円弧状内面１３ｂに接触するように載せる（図８〜図１０参照）。
【００３８】
または、錘体１２に多数のセラミック成形体１３を装着してから、該錘体１２を利用して多数のセラミック成形体３を互いの環状面が接触し、且つ、各セラミック成形体１３の円弧状外面１３ａが支持溝１１ｂ１の２つの斜行面に接触するように列毎に一括で載せ、そして、各列のセラミック成形体１３の内孔に挿入されている錘体１２をセラミック成形体１３の円弧状内面１３ｂに接触するように載せる（図８〜図１０参照）。
【００３９】
これにより、図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）に示すように、支持溝１１ｂ１の２つの斜行面にその円弧状外面１３ａが接触するように載せられた多数のセラミック成形体１３それぞれに錘体１２の重さが作用し、各列を構成する多数のセラミック成形体１３はその環状面が支持溝１１ｂ１の長さ方向と略直交する向きで直立状態で保持される。
【００４０】
各列を構成する多数のセラミック成形体１３はそれぞれ円弧状外面１３ａのセラミック成形体１３の重心よりも低い位置を２つの接触箇所ＳＰで支えられ、且つ、円弧状内面１３ｂのセラミック成形体１３の重心よりも低い位置に接触する錘体１２の重さによって２つの接触箇所ＳＰに押さえ付けられた状態となるため、各列を構成する多数のセラミック成形体１３はより安定した状態で保持されることになる。
【００４１】
前記支持溝１１ｂ１の断面形状は、セラミック成形体１３の円弧状外面１３ａを２つの接触箇所ＳＰで支えられるものであれば特段の制限はない。また、セラミック成形体１３の円弧状外面１３ａが接触する２つの斜行面は必ずしも平面である必要はなく円弧状外面１３よりも曲率が大きな曲面であってもよい。さらに、隣接する２つの支持溝１１ｂ１の間隔を隣り合うセラミック成形体１３の列が相互に干渉しない範囲でより小さく設定することで、セラミック成形体１３の保持数を増やすことができる。
【００４２】
前記支持体１１の側片１１ａ及び支持部１１ｂと錘体１２は耐火性材料、好ましくはアルミナ，ムライト，シリコンカーバイド，ジルコニア，マグネシア等によって形成される。また、支持溝１１ｂ１と錘体１２はセラミック成形体１３に接触するものであるので、接触箇所に不要な化学反応が焼成過程に生じることを防止するため、各々の表面にジルコニア等から成る反応防止膜を100〜400μｍ程度の厚さで形成しておくことが望ましい。
【００４３】
次に、支持体１１及び錘体１２によって多数のセラミック成形体１３を直立状態で保持したまま還元焼成炉に投入する。ここでは、まず、セラミック成形体３を加熱することにより含有バインダーを分解して除去し、次いで、N2+H2(H2=1.0〜5.0％)の還元性雰囲気下で約1350℃，約4時間の焼成を行い、セラミック成形体３が還元焼成された半導体磁器を得る。
【００４４】
次に、還元焼成により得られた半導体磁器を空気中または酸化性雰囲気下で700〜1000℃，約4時間の再酸化処理を行う。
【００４５】
次に、再酸化処理後の半導体磁器の一側面または円弧状外面の所定領域にAg等の金属粉末を含有した電極ペーストを塗布し、400〜900℃，約50分間の焼き付け処理を行って電極を形成する。
【００４６】
このように、前述の製造方法によれば、支持体１１の支持溝１１ｂによって各セラミック成形体１３の円弧状外面１３ａを２箇所で支え、且つ、円弧状内面１３ｂに錘体１２の重さを作用させることにより該セラミック成形体１３を直立状態で保持しているので、焼成過程で各セラミック成形体１３が収縮するときに異方性が生じることを抑制して焼成後に得られる半導体磁器の寸法精度を格段向上させることができる。
【００４７】
詳しくは、図１０（Ａ）に示した２つの接触箇所ＳＰからの反作用はセラミック成形体１３の重心方向に向くため、焼成過程でセラミック成形体１３が収縮するときに異方性が生じ難く、これにより焼成過程におけるセラミック成形体１３の収縮を偏りなく行って焼成後に得られる半導体磁器の寸法精度向上を図ることができる。
【００４８】
また、各セラミック成形体１３は円弧状外面１３ａのセラミック成形体１３の重心よりも低い位置を２箇所で支えられ、且つ、円弧状内面１３ｂのセラミック成形体１３の重心よりも低い位置に接触する錘体１２の重さによって２つの接触箇所ＳＰに押さえ付けられた状態となるため、各セラミック成形体１３を極めて安定した状態で保持できると共に、振動等が加わった場合でも各セラミック成形体１３の姿勢に乱れを生じることを防止して所期の焼成を的確且つ均一に行うことができる。
【００４９】
［部分変形例］
以下に、前記の第１実施形態及び第２実施形態に共通する部分変形例について説明する。
【００５０】
図１１及び図１２は錘体の第１の変形例を示す。この錘体２１は、第１実施形態で示した錘体２の役割を成す複数の棒２２をその一端側に設けた連結片２３によって１部品化したものである。複数の棒２２と連結片２３は一体で形成されていてもよく、また、両者を別体で形成しておき棒２２を連結片２３に固定したものであってもよい。
【００５１】
この錘体２１によれば、多数のセラミック成形体３を互いの環状面が接触し、且つ、各セラミック成形体３の円弧状外面３ａが隣接する２本の支持棒１ｄの外面に接触するようにそれぞれ載せて複数の列を形成した後に、各列のセラミック成形体３の内孔に錘の役割を成す複数の棒２２を一括で挿入することができる。また、錘体２１の各棒２２に多数のセラミック成形体３を装着してから、該錘体２１を利用して多数のセラミック成形体３を互いの環状面が接触し、且つ、各セラミック成形体３の円弧状外面３ａが隣接する２本の支持棒１ｄの外面に接触するように全列に一括で載せることができる。
【００５２】
セラミック成形体３は焼成時に収縮してもその中心位置は図１１において左右にずれることがないので、前記錘体２１を用いても焼成時に何ら支障を生じることはない。
【００５３】
尚、図１１及び図１２には前記錘体２１を第１実施形態で説明した保持方法に適用したものを例示したが、該錘体２１は第２実施形態で説明した保持方法にも適用することができ前記同様の作用効果を得ることができる。
【００５４】
図１３及び図１４（Ａ）は錘体の第２の変形例を示す。この錘体３１は、第１実施形態で示した錘体２の役割を成す複数の棒３２の両端に錘３３を着脱自在に取り付けたものである。錘３３は上部に取付孔３３ａを有し、該取付孔３３ａに棒３２の端部を挿入してネジ止め等を行うことで棒３２に取り付けることができる。
【００５５】
この錘体３１は棒３２の重量が錘として十分でないときに有効であり、棒３２に取り付けられた錘３３の重量を利用してセラミック成形体３の円弧状内面３ｂに棒３２を介して十分な重さを作用させることにより、セラミック成形体３の保持をより確実に行うことができる。
【００５６】
前記錘３３には図１４（Ｂ）に示すような低重心タイプの錘３４を用いることもできる。この錘３４は前記錘３３よりも縦長で、上部に取付孔３３ａを有し、下部に重量部３４ｂを有しており、取付孔３３ａに棒３２の端部を挿入してネジ止め等を行うことで棒３２に取り付けることができる。この錘３４を前記錘３３に代えて用いることでセラミック成形体３の保持安定度をより高めることができる。
【００５７】
尚、図１３及び図１４には前記錘体３１を第１実施形態で説明した保持方法に適用したものを例示したが、該錘体３１は第２実施形態で説明した保持方法にも適用することができ前記同様の作用効果を得ることができる。
【００５８】
図１５（Ａ）及び図１５（Ｂ）はセラミック成形体の他の形状例を示す。図１５（Ａ）に示したセラミック成形体４１はＣ字形状を成し、図１５（Ｂ）に示したセラミック成形体４２はＵ字形状を成しており、何れも円弧状外面４１ａ，４２ａと円弧状内面４１ｂ，４２ｂを有する。
【００５９】
Ｃ字形状のセラミック成形体４１を第１実施形態で説明した方法によって保持するときには、図１５（Ａ）に示すように、多数のセラミック成形体４１を互いのＣ字状面が接触し、且つ、各セラミック成形体４１の円弧状外面４１ａが隣接する２本の支持棒１ｄの外面に接触するように載せて複数の列を形成し、そして、各列のセラミック成形体４１の内側に錘体２をそれぞれ挿入して該錘体２をセラミック成形体４１の円弧状内面４１ｂに接触するように載せればよい。このセラミック成形体４１を第２実施形態で説明した方法によって保持するときも前記同様に行うことができる。
【００６０】
また、Ｕ字形状のセラミック成形体４２を第１実施形態で説明した方法によって保持するときには、図１５（Ｂ）に示すように、多数のセラミック成形体４２を互いのＵ字状面が接触し、且つ、各セラミック成形体４２の円弧状外面４２ａが隣接する２本の支持棒１ｄの外面に接触するように載せて複数の列を形成し、そして、各列のセラミック成形体４２の内側に錘体２をそれぞれ挿入して該錘体２をセラミック成形体４２の円弧状内面４２ｂに接触するように載せればよい。このセラミック成形体４２を第２実施形態で説明した方法によって保持するときも前記同様に行うことができる。
【００６１】
勿論、図１５（Ａ）及び図１５（Ｂ）に示した形状に限らず、円弧状外面とその内側に円弧状内面を有するセラミック成形体であれば、第１実施形態と第２実施形態で説明した保持方法を適用することができる、
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】従来のセラミック成形体の保持方法を示す支持体の上面図である。
【図２】図１のａ−ａ線断面図である。
【図３】従来のセラミック成形体の保持方法の詳細説明図とその上面図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係るセラミック成形体の保持方法を示す支持体の上面図である。
【図５】図４のｂ−ｂ線断面図である。
【図６】第１実施形態に係るセラミック成形体の保持方法の詳細説明図とその上面図である。
【図７】図４に示した隣接する２本の支持棒の間隔設定に関する補足説明図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係るセラミック成形体の保持方法を示す支持体の上面図である。
【図９】図８のｃ−ｃ線断面図である。
【図１０】第１実施形態に係るセラミック成形体の保持方法の詳細説明図とその上面図である。
【図１１】錘体の第１の変形例を示す支持体の上面図である。
【図１２】図１１に示した錘体の斜視図である。
【図１３】錘体の第２の変形例を示す支持体の上面図である。
【図１４】図１３に示した錘体の斜視図とその錘形状の変形例を示す斜視図である。
【図１５】セラミック成形体の他の形状例及び保持方法を示す図である。
【符号の説明】
【００６３】
１…支持体、１ａ…側片、１ｂ…固定溝、１ｄ…棒、２…錘体、３…セラミック成形体、３ａ…円弧状外面、３ｂ…円弧状内面、１１…支持体、１１ａ…側片、１１ｂ…支持部、１１ｂ１…支持溝、１２…錘体、１３…セラミック成形体、１３ａ…円弧状外面、１３ｂ…円弧状内面、２１…錘体、２２…棒、２３…連結片、３１…錘体、３２…棒、３３…錘、３４…錘、４１…セラミック成形体、４１ａ…円弧状外面、４１ｂ…円弧状内面、４２…セラミック成形体、４２ａ…円弧状外面、４２ｂ…円弧状内面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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