(57)【要約】【課題】  電子機器によっては２種類の周波数帯域の信号が互いに混信しない様にする必要があるものや、使用周波数の２倍又は１／２倍の周波数のノイズを除去する必要があるものがある。しかし、通過帯域以外の減衰量を調整することが難しく、必要な特性が得られない場合がある。【解決手段】  直列接続された第１コイルと第２コイル、第１コイルに結合し、第１平衡端子とアース間に接続された第３コイル、第２コイルに結合し、第２平衡端子とアース間に接続された第４コイル、第１コイルの第２コイルとの接続点と反対側の端と第３コイルのアース側の端間に接続されてアースされる第１コンデンサ、第２コイルの第１コイルとの接続点と反対側の端と第４コイルのアース側の端間に接続されてアースされる第２コンデンサ、第１平衡端子と該第２平衡端子間に接続された第３コンデンサを備える。第１コイルと第２コイルのいずれか一方が不平衡端子に接続される。【選択図】  図１
2005244000.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直列に接続された第１のコイルと第２のコイル、該第１のコイルに電磁気的に結合し、第１の平衡端子とアース間に接続された第３のコイル、該第２のコイルに電磁気的に結合し、第２の平衡端子とアース間に接続された第４のコイル、該第１のコイルの第２のコイルとの接続点と反対側の端と第３のコイルのアース側の端間に接続されてアースされる第１のコンデンサ、該第２のコイルの第１のコイルとの接続点と反対側の端と第４のコイルのアース側の端間に接続されてアースされる第２のコンデンサ、該第１の平衡端子と該第２の平衡端子間に接続された第３のコンデンサを備え、該第１のコイルと該第２のコイルのいずれか一方が不平衡端子に接続されたことを特徴とするバラントランス。
【請求項２】
絶縁体層と導体パターンを積層し、これらの積層体内に、直列に接続された第１のコイルと第２のコイル、該第１のコイルに電磁気的に結合し、第１の平衡端子とアース間に接続された第３のコイル、該第２のコイルに電磁気的に結合し、第２の平衡端子とアース間に接続された第４のコイル、該第１のコイルの第２のコイルとの接続点と反対側の端とアース間に接続される第１のコンデンサ、該第２のコイルの第１のコイルとの接続点と反対側の端とアース間に接続される第２のコンデンサ、該第１の平衡端子と該第２の平衡端子間に接続された第３のコンデンサが形成され、該第１のコイルと該第２のコイルのいずれか一方が不平衡端子に接続されたことを特徴とするバラントランス。
【請求項３】
第１の絶縁体層とコイル用導体パターンを積層し、第１の絶縁体層間のコイル用導体パターンを螺旋状に接続して、直列に接続された第１のコイルと第２のコイル、該第１のコイルに電磁気的に結合し、第１の平衡端子とアース間に接続された第３のコイル、該第２のコイルに電磁気的に結合し、第２の平衡端子とアース間に接続された第４のコイルを形成し、
該第１の絶縁体層と該コイル用導体パターンの積層体の裏面に第２の絶縁体層とコンデンサ用導体パターンを積層して、該第１のコイルの第２のコイルとの接続点と反対側の端をアースするための第１のコンデンサと、該第２のコイルの第１のコイルとの接続点と反対側の端をアースするための第２のコンデンサが形成され、
該第１の絶縁体層と該コイル用導体パターンの積層体の表面に第３の絶縁体層とコンデンサ用導体パターンを積層して、該第１の平衡端子と該第２の平衡端子間に接続された第３のコンデンサが形成され、該第１のコイルと該第２のコイルのいずれか一方が不平衡端子に接続されたことを特徴とするバラントランス。
【請求項４】
表面に第１のコイル用導体パターンと第２のコイル用導体パターンが形成された複数の第１の絶縁体層を積層し、該第１のコイル用導体パターン同士及び該第２のコイル用導体パターン同士を接続して第１のコイルと第２のコイルが形成され、
表面に第３のコイル用導体パターンと第４のコイル用導体パターンが形成された複数の第２の絶縁体層を積層し、該第３のコイル用導体パターン同士及び該第４のコイル用導体パターン同士を接続して第３のコイルと第４のコイルが形成され、
該第１のコイルと該第３のコイルが電磁気的に結合し、該第２のコイルと該第４のコイルが電磁気的に結合するように該第１のコイルと第２のコイルを該第２の絶縁体層を介して該第３のコイルと第４のコイルに対向させ、
該第３のコイルを第１の平衡端子とアース間に接続し、該第４のコイルを第２の平衡端子とアース間に接続し、
該第１の絶縁体層と該第２の絶縁体層の積層体の裏面に第３の絶縁体層とコンデンサ用導体パターンを積層して、該第１のコイルの第２のコイルとの接続点と反対側の端をアースするための第１のコンデンサと、該第２のコイルの第１のコイルとの接続点と反対側の端をアースするための第２のコンデンサが形成され、
該第１の絶縁体層と該第２の絶縁体層の積層体の表面に第４の絶縁体層とコンデンサ用導体パターンを積層して、該第１の平衡端子と該第２の平衡端子間に接続された第３のコンデンサが形成され、該第１のコイルと該第２のコイルのいずれか一方が不平衡端子に接続されたことを特徴とするバラントランス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、移動体通信機器等の電子機器において、伝送線路インピーダンスを変換するためのインピーダンス変換器や、平衡用伝送線路の信号及び不平衡用伝送線路の信号を相互に変換するための信号変換器ないし位相変換器等に用いられるバラントランスに関するものであり、不用信号を除去し、特性を改善するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のバラントランスに、図８、図９に示す様に、アース電極９２が形成された絶縁体層９１Ａ、２つのコイル用導体パターン９３、９４が形成された複数の絶縁体層９１Ｂ、９１Ｃ、２つのコイル用導体パターン９５、９６が形成された複数の絶縁体層９１Ｄ、９１Ｅ及び、保護用の絶縁体層９１Ｆを積層し、積層体内に不平衡端子８１とダミー端子８４間に直列に接続された第１のコイルＬ５と第２のコイルＬ６、第１のコイルに電磁気的に結合し、平衡端子８２に接続された第３のコイルＬ７及び、第２のコイルに電磁気的に結合し、平衡端子８３に接続された第４のコイルＬ８が形成されたものがある（例えば、特許文献１を参照。）。
【特許文献１】特開２００１−１７６７２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
この様なバラントランスは、主に平衡回路と不平衡回路間の信号を相互に変換するために用いられている。この種のバラントランスは、使用される電子機器によっては２種類の周波数帯域の信号が互いに混信しない様に一方の帯域で他方の帯域の信号を除去し、他方の帯域で一方の帯域の信号を除去する必要があるものや、イメージ混信を防ぐために使用周波数の２倍又は１／２倍の周波数のノイズを除去する必要があるものがある。また、近年の通信機器等の電子機器の小型化に伴ってバラントランスの小型化も望まれるようになってきている。
しかしながら、従来のバラントランスは、コイルを電磁気的に結合させているだけなので、通過帯域以外の減衰量を使用される電子機器に応じて調整することが難しく、それらの電子機器に用いるのに必要な特性が得られない場合があった。
【０００４】
本発明は、フィルタの機能も備えたバラントランスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のバラントランスは、直列に接続された第１のコイルと第２のコイル、第１のコイルに電磁気的に結合し、第１の平衡端子とアース間に接続された第３のコイル、第２のコイルに電磁気的に結合し、第２の平衡端子とアース間に接続された第４のコイル、第１のコイルの第２のコイルとの接続点と反対側の端と第３のコイルのアース側の端間に接続されてアースされる第１のコンデンサ、第２のコイルの第１のコイルとの接続点と反対側の端と第４のコイルのアース側の端間に接続されてアースされる第２のコンデンサ、第１の平衡端子と第２の平衡端子間に接続された第３のコンデンサを備え、第１のコイルと第２のコイルのいずれか一方が不平衡端子に接続される。
また、本発明のバラントランスは、絶縁体層と導体パターンを積層し、これらの積層体内に、直列に接続された第１のコイルと第２のコイル、第１のコイルに電磁気的に結合し、第１の平衡端子とアース間に接続された第３のコイル、第２のコイルに電磁気的に結合し、第２の平衡端子とアース間に接続された第４のコイル、第１のコイルの第２のコイルとの接続点と反対側の端とアース間に接続される第１のコンデンサ、第２のコイルの第１のコイルとの接続点と反対側の端とアース間に接続される第２のコンデンサ、第１の平衡端子と第２の平衡端子間に接続された第３のコンデンサが形成され、第１のコイルと第２のコイルのいずれか一方が不平衡端子に接続される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明のバラントランスは、直列に接続された第１のコイルと第２のコイル、第１のコイルに電磁気的に結合し、第１の平衡端子とアース間に接続された第３のコイル、第２のコイルに電磁気的に結合し、第２の平衡端子とアース間に接続された第４のコイル、第１のコイルの第２のコイルとの接続点と反対側の端と第３のコイルのアース側の端間に接続されてアースされる第１のコンデンサ、第２のコイルの第１のコイルとの接続点と反対側の端と第４のコイルのアース側の端間に接続されてアースされる第２のコンデンサ、第１の平衡端子と第２の平衡端子間に接続された第３のコンデンサを備え、第１のコイルと第２のコイルのいずれか一方が不平衡端子に接続されるので、バラントランスにフィルタの機能を備えることができる。
また、本発明のバラントランスは、絶縁体層と導体パターンを積層し、これらの積層体内に、直列に接続された第１のコイルと第２のコイル、第１のコイルに電磁気的に結合し、第１の平衡端子とアース間に接続された第３のコイル、第２のコイルに電磁気的に結合し、第２の平衡端子とアース間に接続された第４のコイル、第１のコイルの第２のコイルとの接続点と反対側の端とアース間に接続される第１のコンデンサ、第２のコイルの第１のコイルとの接続点と反対側の端とアース間に接続される第２のコンデンサ、第１の平衡端子と第２の平衡端子間に接続された第３のコンデンサが形成され、第１のコイルと第２のコイルのいずれか一方が不平衡端子に接続されるので、形状を大きくすることなくバラントランスにフィルタの機能を一体に備えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明のバラントランスは、第１の絶縁体層とコイル用導体パターンを積層し、第１の絶縁体層間のコイル用導体パターンをらせん状に接続して、直列に接続された第１のコイルと第２のコイル、第１のコイルに電磁気的に結合し、第１の平衡端子とアース間に接続された第３のコイル、第２のコイルに電磁気的に結合し、第２の平衡端子とアース間に接続された第４のコイルが形成される。この第１の絶縁体層とコイル用導体パターンの積層体の裏面に第２の絶縁体層とコンデンサ用導体パターンを積層して、第１のコイルの第２のコイルとの接続点と反対側の端をアースするための第１のコンデンサと、第２のコイルの第１のコイルとの接続点と反対側の端をアースするための第２のコンデンサが形成される。また、第１の絶縁体層とコイル用導体パターンの積層体の表面に第３の絶縁体層とコンデンサ用導体パターンを積層して、第１の平衡端子と第２の平衡端子間に接続された第３のコンデンサが形成される。第１のコイルと第２のコイルは、いずれか一方が不平衡端子に接続される。
また、本発明のバラントランスは、表面に第１のコイル用導体パターンと第２のコイル用導体パターンが形成された複数の第１の絶縁体層を積層し、第１のコイル用導体パターン同士及び第２のコイル用導体パターン同士を接続して第１のコイルと第２のコイルが形成され、表面に第３のコイル用導体パターンと第４のコイル用導体パターンが形成された複数の第２の絶縁体層を積層し、第３のコイル用導体パターン同士及び第４のコイル用導体パターン同士を接続して第３のコイルと第４のコイルが形成される。これらのコイルは、第１のコイルと第３のコイルが電磁気的に結合し、第２のコイルと第４のコイルが電磁気的に結合するように第１のコイルと第２のコイルを第２の絶縁体層を介して第３のコイルと第４のコイルに対向させる。第３のコイルは第１の平衡端子とアース間に接続される。また、第４のコイルは第２の平衡端子とアース間に接続される。この第１の絶縁体層と第２の絶縁体層の積層体の裏面には、第３の絶縁体層とコンデンサ用導体パターンを積層して、第１のコイルの第２のコイルとの接続点と反対側の端をアースするための第１のコンデンサと、第２のコイルの第１のコイルとの接続点と反対側の端をアースするための第２のコンデンサが形成される。また、第１の絶縁体層と第２の絶縁体層の積層体の表面に第４の絶縁体層とコンデンサ用導体パターンを積層して、第１の平衡端子と第２の平衡端子間に接続された第３のコンデンサが形成される。第１のコイルと第２のコイルは、いずれか一方が不平衡端子に接続される。
従って、本発明のバラントランスは、コイル用導体パターンとコンデンサ用導体パターンによって積層体内にバラントランスとフィルタが一体に形成される。また、本発明のバラントランスは、第１のコイルと第２のコイルがアース電極と対向することがないので、浮遊容量の影響を小さくすることができる。さらに、本発明のバラントランスは、第１のコイルと第２のコイルの接続点と、第３のコイルの平衡端子側や第４のコイルの平衡端子側の距離を離すことができるので、第１のコイルの第２のコイルとの接続点側と第３のコイルの平衡端子側間及び、第２のコイルの第１のコイルとの接続点側と第４のコイルの平衡端子間に浮遊容量が発生することがない。
【実施例】
【０００８】
以下、本発明のバラントランスの実施例を図１乃至図７を参照して説明する。
図１は本発明のバラントランスの回路図、図２は本発明のバラントランスの実施例を示す分解斜視図、図３は本発明のバラントランスの実施例の斜視図である。図１において、１１は不平衡端子、１２、１３は平衡端子である。
不平衡端子１１には、直列に接続されたコイルＬ１とコイルＬ２が接続される。平衡端子１２とアース間にはコイルＬ３が接続される。また、平衡端子１３とアース間にはコイルＬ４が接続される。これらのコイルは、コイルＬ１とコイルＬ２が同じターン数になる様に形成され、コイルＬ３とコイルＬ４が同じターン数になる様に形成される。そして、コイルＬ１とコイルＬ３が電磁気的に結合し、コイルＬ２とコイルＬ４が電磁気的に結合する。
コイルＬ１は、不平衡端子側の端がコンデンサＣ１を介してコイルＬ３のアース側の端に接続される。また、コイルＬ２は、コイルＬ１との接続点と反対側の端がコンデンサＣ２を介してコイルＬ４のアース側の端に接続される。コイルＬ３の平衡端子１２側の端とコイルＬ４の平衡端子１３側の端間には、コンデンサＣ３が接続される。
このバラントランスは、不平衡端子１１に不平衡伝送線路が接続され、平衡用端子１３、１４に平衡伝送線路が接続される。
不平衡端子１１から入力された信号は、コイルＬ１からコイルＬ３に伝達されると共に、コイルＬ２からコイルＬ４に伝達される。このとき、コイルＬ１とコイルＬ２は同じターン数を有するので、コイルＬ３とコイルＬ４に伝達される信号の大きさは等しくなる。このコイルＬ３とコイルＬ４に伝達された信号は、平衡端子１３、１４から出力される。このとき、コイルＬ３とコイルＬ４は同じターン数を有するので、平衡端子１３から出力される信号の大きさと平衡端子１４から出力される信号の大きさが等しくなる。
また、平衡端子から入力された信号は、コイルＬ３とコイルＬ４からそれぞれコイルＬ１とＬ２に伝送される。このコイルＬ１とＬ２に伝送された信号は、合成されて不平衡端子１１から出力される。
【０００９】
この様な回路構成のバラントランスは、図２に示す様に絶縁体層と導体パターンを積層して積層体内に回路素子が形成される。
絶縁体層２１Ａ〜２１Ｐは、誘電体材料又は磁性体材料で形成される。
絶縁体層２１Ａの表面には、コンデンサ用導体パターン２２が形成される。このコンデンサ用導体パターン２２は、引き出し端が絶縁体層２１Ａの対向する側面まで引き出される。
絶縁体層２１Ｂの表面には、コンデンサ用導体パターン２３Ａとコンデンサ用導体パターン２３Ｂが形成される。コンデンサ用導体パターン２３Ａ、２３Ｂは、絶縁体層２１Ｂの表面に、互いに接触しない様に離間し、かつ、コンデンサ用導体パターン２２と対向する位置に形成される。コンデンサ用導体パターン２３Ａの引き出し端は、絶縁体層２１Ｂの側面まで引き出される。また、コンデンサ用導体パターン２３Ｂの引き出し端は、絶縁体層２１Ｂのコンデンサ用導体パターン２３Ａの引き出し端が引き出された側面と対向する側面まで引き出される。
絶縁体層２１Ｃの表面には、コンデンサ用導体パターン２２が形成される。このコンデンサ用導体パターン２２は、コンデンサ用導体パターン２３Ａ、２３Ｂと対向する位置に形成され、引き出し端が絶縁体層２１Ｃの対向する側面まで引き出される。
絶縁体層２１Ｄの表面には、コイル用導体パターン２４Ａが形成される。このコイル用導体パターン２４Ａは、一端が絶縁体層２１Ｄの側面まで引き出される。
絶縁体層２１Ｅの表面には、コイル用導体パターン２４Ｂが形成される。コイル用導体パターン２４Ｂは、一端がコイル用導体パターン２４Ａの他端に接続される。
絶縁体層２１Ｆの表面には、コイル用導体パターン２４Ｃが形成される。コイル用導体パターン２４Ｃは、一端がコイル用導体パターン２４Ｂの他端に接続され、他端が絶縁体層２１Ｆの側面まで引き出される。この様にコイル用導体パターン２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃが螺旋状に接続されてコイルＬ４が形成される。
絶縁体層２１Ｇの表面には、コイル用導体パターン２５Ａが形成される。コイル用導体パターン２５Ａは、一端が絶縁体層２１Ｇの側面まで引き出される。
絶縁体層２１Ｈの表面には、コイル用導体パターン２５Ｂが形成される。コイル用導体パターン２５Ｂは、一端がコイル用導体パターン２５Ａの他端に接続される。このコイル用導体パターン２５Ｂとコイル用導体パターン２５ＡによってコイルＬ２が形成される。
絶縁体層２１Ｉの表面には、コイル用導体パターン２６Ａが形成される。コイル用導体パターン２６Ａは、一端がコイル用導体パターン２５Ｂの他端に接続される。
絶縁体層２１Ｊの表面には、コイル用導体パターン２６Ｂが形成される。コイル用導体パターン２６Ｂは、一端がコイル用導体パターン２６Ａの他端に接続され、他端が絶縁体層２１Ｊの側面まで引き出される。このコイル用導体パターン２６Ｂとコイル用導体パターン２６ＡによってコイルＬ１が形成される。コイルＬ１とコイルＬ２は、コイル用導体パターン２５Ｂの他端とコイル用導体パターン２５Ａの一端が接続されることにより直列に接続される。
絶縁体層２１Ｋの表面には、コイル用導体パターン２７Ａが形成される。コイル用導体パターン２７Ａは、一端が絶縁体層２１Ｋの側面まで引き出される。
絶縁体層２１Ｌの表面には、コイル用導体パターン２７Ｂが形成される。コイル用導体パターン２７Ｂは、一端がコイル用導体パターン２７Ａの他端に接続される。
絶縁体層２１Ｍの表面には、コイル用導体パターン２７Ｃが形成される。コイル用導体パターン２７Ｃは、一端がコイル用導体パターン２７Ｂの他端に接続され、他端が絶縁体層２１Ｍの側面まで引き出される。この様にコイル用導体パターン２７Ａ、２７Ｂ、２７Ｃが螺旋状に接続されてコイルＬ３が形成される。
絶縁体層２１Ｎの表面には、コンデンサ用導体パターン２８が形成される。コンデンサ用導体パターン２８は、引き出し端が絶縁体層２１Ｎの側面まで引き出される。
絶縁体層２１Ｏの表面には、コンデンサ用導体パターン２９が形成される。コンデンサ用導体パターン２９は、コンデンサ用導体パターン２８と対向する位置に形成され、引き出し端が絶縁体層２１Ｏの側面まで引き出される。
絶縁体層２１Ａから絶縁体層２１Ｏまで順次積層し、保護用の絶縁体層２１Ｐで覆われた積層体の側面には、図３に示す様に端子電極３１、３２、３３、３４、３５、３６が形成される。そして、コイル用導体パターン２６Ｂの他端が端子電極３１に、コイル用導体パターン２５Ａの一端が端子電極３４に接続されることにより直列に接続されたコイルＬ１とコイルＬ２が不平衡端子１１に接続される。また、コイル用導体パターン２７Ｃの他端が端子電極３６に、コイル用導体パターン２７Ａの一端とコンデンサ用導体パターン２２の引き出し端が端子電極３２に接続されることにより平衡端子１２とアース間にコイルＬ３が接続される。さらに、コイル用導体パターン２４Ａの一端が端子電極３３に、コイル用導体パターン２４Ｃの他端とコンデンサ用導体パターン２２の引き出し端が端子電極３５に接続されることにより平衡端子１３とアース間にコイルＬ４が接続される。またさらに、コンデンサ用導体パターン２８の引き出し端が端子電極３３に、コンデンサ用導体パターン２９の引き出し端が端子電極３６に接続されることにより平衡端子１２と平衡端子１３間にコンデンサＣ３が接続される。さらに、コンデンサ用導体パターン２３Ａが端子電極３１に接続されることによりコイルＬ１の不平衡端子１１側の端とコイルＬ３のアース側の端間にコンデンサＣ１が接続される。また、コンデンサ用導体パターン２３Ｂが端子電極３４に接続されることによりコイルＬ２のコイルＬ１との接続点と反対側の端とコイルＬ４のアース側の端間にコンデンサＣ２が接続される。なお、端子電極３２、３５はアースに接続される。
【００１０】
この様に形成されたバラントランスにおいて、絶縁体層２１Ａ〜２１Ｐに誘電率が４．６の材料を用い、コイル用導体パターン２４Ａ〜２４Ｃ、２５Ａ、２５Ｂ、２６Ａ、２６Ｂ、２７Ａ〜２７Ｃの線幅を７５μｍとして全体の大きさを２．０×１．２×０．８ｍｍにしたところ、不平衡端子１１と平衡端子１２、１３間のインピーダンス比が５０Ω：２００Ωとなり、図４（Ａ）、（Ｂ）に示す様に４７０〜７７０ＭＨｚの使用周波数帯域が得られ、その使用周波数帯域内において１７８度の位相特性が得られた。なお、図４（Ａ）において横軸は周波数、縦軸は減衰量を、４１は４７０〜７７０ＭＨｚにおける挿入損失、４２は不平衡端子におけるリターンロス、４３は平衡端子におけるリターンロスを示している。また、図４（Ｂ）において横軸は周波数、縦軸は位相を、４４は平衡端子間の出力の差、４５は位相差特性を示している。
この様なバラントランスは、使用周波数帯域の４７０〜７７０ＭＨｚにおいて、挿入損失が１．６５ｄＢ、不平衡端子におけるリターンロスが１０．０５ｄＢ、平衡端子におけるリターンロスが１０．０４ｄＢ、平衡端子間の出力の差が０．２４ｄＢとなり、１００〜２２０ＭＨｚの減衰量が１８．３１ｄＢとなった。
この様なバラントランスは、コイルＬ１の不平衡端子側の端とコイルＬ３のアース側の端間に接続されてアースされるコンデンサＣ１、コイルＬ２のコイルＬ１との接続点と反対側の端とコイルＬ４のアース側の端間に接続されてアースされるコンデンサＣ２、平衡端子１２と平衡端子１３間に接続されたコンデンサＣ３を備えるので、コイルＬ１〜Ｌ４のインダクタンス値やコンデンサＣ１〜Ｃ３の容量値及び、これらの回路素子を構成する導体パターンの位置を調整することで、通過帯域幅の調整や、不平衡端子と平衡端子間のインピーダンス比の調整を従来のものよりも簡単に行うことができる。
【００１１】
図５は本発明のバラントランスの別の実施例の分解斜視図であり、絶縁体層と導体パターンを積層し、積層体内に回路素子を形成し、図１の回路を構成したものである。
絶縁体層５１Ａの表面には、コンデンサ用導体パターン５２が形成される。コンデンサ用導体パターン５２は、引き出し端が絶縁体層５１Ａの側面まで引き出される。
絶縁体層５１Ｂの表面には、コンデンサ用導体パターン５３Ａ、５３Ｂが形成される。コンデンサ用導体パターン５３Ａ、５３Ｂは、絶縁体層５１Ｂの表面に、互いに接触しない様に離間し、かつ、コンデンサ用導体パターン５２と対向する位置に形成される。コンデンサ用導体パターン５３Ａの引き出し端とコンデンサ用導体パターン５３Ｂの引き出し端は、絶縁体層５１Ｂの同じ側面まで引き出される。
絶縁体層５１Ｃの表面、絶縁体層５１Ｄの表面、絶縁体層５１Ｅの表面、絶縁体層５１Ｆの表面、絶縁体層５１Ｇの表面には、それぞれコイル用導体パターン５４とコイル用導体パターン５５が互いに線対称になる様に形成される。このコイル用導体パターン５４、５５は、絶縁体層５１Ｃ〜５１Ｇのコイル用導体パターン５４を螺旋状に接続してコイルＬ１が形成され、絶縁体層５１Ｃ〜５１Ｇのコイル用導体パターン５５を螺旋状に接続してコイルＬ２が形成される。このコイルＬ１とコイルＬ２は、同じターン数になる様に形成され、絶縁体層５１Ｃのコイル用導体パターン５４とコイル用導体パターン５５を互いに接続することにより、直列に接続される。そして、絶縁体層５１Ｇのコイル用導体パターン５４の一端とコイル用導体パターン５５の一端が絶縁体層５１Ｇの同じ側面まで引き出される。
絶縁体層５１Ｈの表面、絶縁体層５１Ｉの表面、絶縁体層５１Ｊの表面、絶縁体層５１Ｋの表面、絶縁体層５１Ｌの表面には、それぞれコイル用導体パターン５６とコイル用導体パターン５７が互いに線対称になる様に形成される。このコイル用導体パターン５６、５７は、絶縁体層５１Ｈ〜５１Ｌのコイル用導体パターン５６を螺旋状に接続してコイルＬ３が形成され、絶縁体層５１Ｈ〜５１Ｌのコイル用導体パターン５７を螺旋状に接続してコイルＬ４が形成される。この時、絶縁体層５１Ｈのコイル用導体パターン５６、５７は、絶縁体層５１Ｇのコイル用導体パターン５４、５５と対向する位置に形成される。このコイルＬ３とコイルＬ４は、同じターン数になる様に形成され、絶縁体層５１Ｈのコイル用導体パターン５４とコイル用導体パターン５５を接続することにより互いに接続される。この絶縁体層５１Ｈのコイル用導体パターン５４とコイル用導体パターン５５の共通接続端は、絶縁体層５１Ｈの側面まで引き出される。また、絶縁体層５１Ｌのコイル用導体パターン５６の一端とコイル用導体パターン５７の一端は、絶縁体層５１Ｌの同じ側面まで引き出される。
絶縁体層５１Ｍの表面には、コンデンサ用導体パターン５８Ａ、５９Ａが形成される。コンデンサ用導体パターン５８Ａ、５９Ａは、絶縁体層５１Ｍの表面に、互いに接触しない様に離間して形成され、コンデンサ用導体パターン５８Ａの引き出し端とコンデンサ用導体パターン５９Ａの引き出し端が絶縁体層５１Ｍの同じ側面まで引き出される。
絶縁体層５１Ｎの表面には、コンデンサ用導体パターン５８Ｂ、５９Ｂが形成される。コンデンサ用導体パターン５８Ｂ、５９Ｂは、絶縁体層５１Ｎの表面に、互いに接触しない様に離間して形成される。コンデンサ用導体パターン５８Ｂは、コンデンサ用導体パターン５９Ａと対向する位置に形成されると共に、コンデンサ用導体パターン５８Ａに接続される。また、コンデンサ用導体パターン５９Ｂは、コンデンサ用導体パターン５８Ａと対向する位置に形成されると共に、コンデンサ用導体パターン５９Ａに接続される。
絶縁体層５１Ａから絶縁体層５１Ｎまで順次積層し、保護用の絶縁体層５１Ｏで覆われた積層体の側面には、図６に示す様に端子電極６１、６２、６３、６４、６５、６６が形成される。そして、絶縁体層５１Ｇのコイル用導体パターン５４の一端が端子電極６１に、絶縁体層５１Ｇのコイル用導体パターン５５の一端が端子電極６３に接続されることにより直列に接続されたコイルＬ１とコイルＬ２が不平衡端子１１に接続される。また、絶縁体層５１Ｌのコイル用導体パターン５６の一端が端子電極６４に、絶縁体層５１Ｌのコイル用導体パターン５７の一端が端子電極６６に接続されることによりコイルＬ３とコイルＬ４が平衡端子１２と平衡端子１３間に接続される。さらに、絶縁体層５１Ｈのコイル用導体パターン５６とコイル用導体パターン５７の共通接続端が端子電極６５に接続されてアースされることにより、コイルＬ３とコイルＬ４の共通接続点がアースされる。またさらに、コンデンサ用導体パターン５８Ａの引き出し端が端子電極６４に、コンデンサ用導体パターン５９Ａの引き出し端が端子電極６６に接続されることにより平衡端子１２と平衡端子１３間にコンデンサＣ３が接続される。さらに、コンデンサ用導体パターン５３Ａが端子電極６１に接続されることによりコイルＬ１の不平衡端子１１側の端とコイルＬ３のアース側の端間にコンデンサＣ１が接続される。また、コンデンサ用導体パターン５３Ｂが端子電極６３に接続されることによりコイルＬ２のコイルＬ１との接続点と反対側の端とコイルＬ４のアース側の端間にコンデンサＣ２が接続される。なお、端子電極６２はアースに接続される。
【００１２】
この様に形成されたバラントランスにおいて、絶縁体層５１Ａ〜５１Ｏに誘電率が４．６の材料を用い、コイル用導体パターン５４〜５７の線幅を７５μｍとして全体の大きさを２．０×１．２×０．８ｍｍにしたところ、不平衡端子１１と平衡端子１２、１３間のインピーダンス比が５０Ω：２００Ωとなり、図７（Ａ）、（Ｂ）に示す様に４７０〜７１０ＭＨｚの使用周波数帯域が得られ、その使用周波数帯域内において１７８度の位相特性が得られた。なお、図７（Ａ）において横軸は周波数、縦軸は減衰量を、７１は４７０〜７１０ＭＨｚにおける挿入損失、７２は不平衡端子におけるリターンロス、７３は平衡端子におけるリターンロスを示している。また、図７（Ｂ）において横軸は周波数、縦軸は位相を、７４は平衡端子間の出力の差、７５は位相差特性を示している。
この様なバラントランスは、使用周波数帯域の４７０〜７１０ＭＨｚにおいて、挿入損失が１．５２ｄＢ、不平衡端子におけるリターンロスが１１．４３ｄＢ、平衡端子におけるリターンロスが１１．９２ｄＢ、平衡端子間の出力の差が０．２１ｄＢとなり、１００〜２２０ＭＨｚの減衰量が１８．４３ｄＢとなった。
【００１３】
この様に形成されたバラントランスは、端子電極６５に直流電源を接続することにより、差動アンプなどの平衡駆動デバイスにＤＣバイアスを印加することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明のバラントランスの回路図である。
【図２】本発明のバラントランスの実施例を示す分解斜視図である。
【図３】本発明のバラントランスの実施例の斜視図である。
【図４】本発明のバラントランスの実施例の特性図である。
【図５】本発明のバラントランスの別の実施例を示す分解斜視図である。
【図６】本発明のバラントランスの別の実施例の斜視図である。
【図７】本発明のバラントランスの別の実施例の特性図である。
【図８】従来のバラントランスの回路図である。
【図９】従来のバラントランスの分解斜視図である。
【符号の説明】
【００１５】
１１  不平衡端子
１２、１３  平衡端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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