(57)【要約】    【課題】Ｑ値が高く、小型で、しかも機械的強度の大きなキャパシタを有する非可逆回路素子を提供する。    【解決手段】第１〜第３のキャパシタＣ１〜Ｃ３は、キャパシタ層２１１と、非キャパシタ層２１２〜２１４とを含んでいる。キャパシタ層２１１は、層の両面に、互いに重なる第１のキャパシタ電極２０１及び第２のキャパシタ電極２０２を有する。第１のキャパシタ電極２０１は、中心導体に接続される。非キャパシタ層２１２〜２１４は、一面が、第２のキャパシタ電極２０２のある側において、キャパシタ層２１１に積層され、外面にアース電極２０５を有する。アース電極２０５は、第２のキャパシタ電極２０２に、３経路以上の接続経路で電気的に接続されている。【選択図】    図５
2005086576.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気回転子と、複数のキャパシタとを含む非可逆回路素子であって、
前記磁気回転子は、複数の中心導体を有しており、
前記複数のキャパシタは、前記複数の中心導体のそれぞれに個別に接続されており、
前記複数のキャパシタの少なくとも一つは、キャパシタ層と、非キャパシタ層とを含んでおり、
前記キャパシタ層は、層の両面に、互いに重なる第１のキャパシタ電極及び第２のキャパシタ電極を有しており、
前記第１のキャパシタ電極は、前記中心導体に接続されており、
前記非キャパシタ層は、一面が、前記第２のキャパシタ電極のある側において、前記キャパシタ層に積層され、外面にアース電極を有しており、
前記アース電極は、前記第２のキャパシタ電極に、３経路以上の接続経路で電気的に接続されている
非可逆回路素子。
【請求項２】
請求項１に記載された非可逆回路素子であって、前記非キャパシタ層は、複数層の非キャパシタ層で構成され、前記複数層の非キャパシタ層のそれぞれは、各層間に内部電極を有して積層されている非可逆回路素子。
【請求項３】
請求項２に記載された非可逆回路素子であって、前記複数層の非キャパシタ層のそれぞれは、前記３経路以上の接続経路を含む非可逆回路素子。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れかに記載された非可逆回路素子であって、前記第１のキャパシタ電極は複数に分割されており、分割電極のそれぞれは前記第２のキャパシタ電極に共通に対向する非可逆回路素子。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れかに記載された非可逆回路素子であって、前記接続経路はスルーホールで構成される非可逆回路素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非可逆回路素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、アイソレータ等の非可逆回路素子は、例えば携帯電話等の移動体無線機器等に使用されている。この種の非可逆回路素子としては、例えば、特許文献１に開示されているものが知られている。この公知技術では、３つのキャパシタ、抵抗器及び磁気回転子を、ケース部材の内部に配置する。磁気回転子は３つの中心導体を含み、中心導体の各々は、端子部を有する。端子部の各々はキャパシタ及び抵抗器に接続される。永久磁石は磁気回転子に対して直流磁界を印加する。
【０００３】
ケース部材は、樹脂ケースと下ヨークとの組み合わせからなり、樹脂ケースに設けられた凹部内に磁気回転子を配置するともに、磁気回転子と樹脂ケースの側壁との間に生じる間隔内にキャパシタ及び抵抗器を配置した構造となっている。樹脂ケースの下側には下ヨークが配置され、下ヨークによって磁気回転子を下面側から支持する。
【０００４】
上述した非可逆回路素子では、主として、高いＱ値を得るという観点から、３つのキャパシタを、誘電体基体の両外面に、キャパシタ電極を形成した単板型キャパシタによって構成してある。
【０００５】
しかし、単板型キャパシタは、誘電体基体が一層だけであるため、必要な容量を確保するためには、誘電体基体の厚みを薄くする他はなく、このため機械的強度が低くなる。強度を確保するためには、誘電体基体を厚くしなければならない。この状態で、必要な容量を確保するためには、誘電体基体の平面積を大きくしなければならず、結局、形状の大きなキャパシタの使用を余儀なくされる。
【０００６】
単板型キャパシタの代わりに積層チップキャパシタを用いることも考えられるが、積層チップキャパシタはＱ値が低く、挿入損失が増大するため、非可逆回路素子に用いることができない。
【０００７】
上述の問題を解決する手段として、特許文献２は、特殊な構造を有する単層キャパシタを開示している。この単層キャパシタは、キャパシタ層と、非キャパシタ層とを含んでいる。キャパシタ層は、層の両面に、互いに重なる第１のキャパシタ電極及び第２のキャパシタ電極を有している。非キャパシタ層は、一面が、前記第２のキャパシタ電極のある側において、前記キャパシタ層に積層され、他面にアース電極を有している。アース電極は、第２のキャパシタ電極に電気的に接続された構造となっている。
【０００８】
この構造によれば、非キャパシタ層を補強層として機能させ、単独では、機械的強度の弱い単層のキャパシタ層を補強し得るので、キャパシタ層を薄く構成できる。このため、キャパシタ層を構成する誘電体基体の厚みを薄くして、必要な容量を確保するとともに、機械的強度の高い単層キャパシタを構成できる利点がある。
【０００９】
しかし、この単層キャパシタは、非キャパシタ層を介してアース電極と第２のキャパシタ電極とを電気的に接続しているので、単板型キャパシタと比較してＥＳＬ（等価直列リアクタンス）が大きい。
【特許文献１】特開平１１−１８６８１４号公報
【特許文献２】特開２００３−１７９４０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の課題は、Ｑ値が高く、小型で、しかも機械的強度の大きなキャパシタを有する非可逆回路素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述した課題を解決するため、本発明に係る非可逆回路素子は、磁気回転子と、複数のキャパシタとを含む。前記磁気回転子は、複数の中心導体を有する。前記複数のキャパシタは、前記複数の中心導体のそれぞれに個別に接続されている。
【００１２】
前記複数のキャパシタの少なくとも一つは、キャパシタ層と、非キャパシタ層とを含んでいる。前記キャパシタ層は、層の両面に、互いに重なる第１のキャパシタ電極及び第２のキャパシタ電極を有する。前記第１のキャパシタ電極は、前記中心導体に接続される。前記非キャパシタ層は、一面が、前記第２のキャパシタ電極のある側において、前記キャパシタ層に積層され、外面にアース電極を有している。
【００１３】
前記アース電極は、前記第２のキャパシタ電極に、３経路以上の接続経路で電気的に接続されている。
【００１４】
上述したように、本発明に係る非可逆回路素子において、磁気回転子は、複数の中心導体を有しており、複数のキャパシタは複数の中心導体のそれぞれに個別に接続されているから、複数のキャパシタを、整合用キャパシタとして動作させることができる。
【００１５】
複数のキャパシタの少なくとも一つは、キャパシタ層を含んでおり、キャパシタ層は、層の両面に、互いに重なる第１のキャパシタ電極及び第２のキャパシタ電極を有する。即ち、複数のキャパシタの少なくとも一つは、単板型キャパシタと同様に、第１のキャパシタ電極及び第２のキャパシタ電極のみで、容量を取得する。
【００１６】
上述した単層キャパシタは、非キャパシタ層を含んでおり、非キャパシタ層は、外面にアース電極を有している。アース電極は、第２のキャパシタ電極に、３経路以上の接続経路で電気的に接続されるから、アース電極と、第２のキャパシタ電極との間に発生するインダクタンス成分は、並列的に接続される。このため、上述した単層キャパシタは、ＥＳＬが小さくなり、単板型キャパシタと同様に、Ｑ値を高くできる。
【００１７】
また、非キャパシタ層は一面がキャパシタ層に積層される。この構造によれば、非キャパシタ層を補強層として機能させ、単独では、機械的強度の弱い単層のキャパシタ層を補強し得る。このため、非可逆回路素子の組立時、または、組立後の使用状態において衝撃等が加わった場合でも、単層キャパシタが破損してしまう危険性を確実に回避し得る。
【００１８】
更に、上述した非キャパシタ層による補強効果が得られるので、キャパシタ層を薄くし、必要な容量を取得できる。従って、容量増大に当たって、平面形状を大型化する必要がないので、小型化が達成できる。
【００１９】
また、非キャパシタ層の厚みや層数を選択することにより、キャパシタの高さを磁気回転子の高さに合わせ、磁気回転子の中心導体とキャパシタの電極とを確実に接続することができる。
【００２０】
このように、本発明の非可逆回路素子は、第１のキャパシタ電極を磁気回転子の中心導体に接続し、第２のキャパシタ電極をアース電極を介して非可逆回路素子のアースラインにアースするので、Ｑ値が高く、小型で、しかも機械的強度の大きなキャパシタを有する非可逆回路素子を提供することができる。
【００２１】
非可逆回路素子には、通常、３つのキャパシタが備えられる。一般には、これらの３つのキャパシタの全てを、上述した単層キャパシタによって構成するが、３つの内の１つまたは２つを、単層キャパシタによって構成してもよい。
【発明の効果】
【００２２】
以上述べたように、本発明によればＱ値が高く、小型で、しかも機械的強度の大きなキャパシタを有する非可逆回路素子を提供することができる。
本発明の他の目的、構成及び利点については、添付図面を参照し、更に詳しく説明する。添付図面は、単に、例示に過ぎない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
図１は本発明に係る非可逆回路素子の分解斜視図、図２は図１に示した非可逆回路素子の斜視図、図３は図２の３−３線に沿った断面図である。図示する非可逆回路素子は、アイソレータであって、ケース部材１と、抵抗器Ｒと、磁気回転子６とを含む。図示実施例では、更に、第１〜第３のキャパシタＣ１〜Ｃ３と、押圧部材７と、永久磁石８と、カバー部材９とを含む。
【００２４】
ケース部材１は、底板１６の内面が、略四角形状で、導電部１６０と、絶縁部２７とを含んでいる。ケース部材１の底板１６は、好ましくは、導電性を有する磁性金属材料によって構成する。導電部１６０は、非可逆回路素子のアースラインを構成し、金属材料で構成された底板１６のプレス加工、折り曲げ加工によって、底板１６と一体に形成できる他、底板１６とは異なる金属部材を、底板１６に接合する等の手段によっても形成できる。
【００２５】
絶縁部２７はエンジニアリングプラスチック等の絶縁材料を付加したり、その他の絶縁処理を施すことにより形成できる。
【００２６】
抵抗器Ｒは、基体の相対する端面に、第１の端部電極Ｒ１及び第２の端部電極Ｒ２を有し、第１の端部電極Ｒ１が導電部１６０に接続され、第２の端部電極Ｒ２が絶縁部２７の上に配置されている。接続手段としては、はんだが用いられる。
【００２７】
磁気回転子６は、導電部１６０の上に備えられる。磁気回転子６は、軟磁性基体６０と、第１〜第３の中心導体６４〜６６とを含む。軟磁性基体６０は、平面形状が導電部１６０の平面積よりも小さな略四角形状の平板である。軟磁性基体６０は、よく知られているように、イットリウム／鉄／ガーネット（ＹＩＧ）等の軟磁性材料からなる。
【００２８】
第１〜第３の中心導体６４〜６６は、第１〜第３の端子部６４１〜６６１をそれぞれ有する。第１〜第３の中心導体６４〜６６は、その共通部分が、軟磁性基体６０の下面に配置されるとともに、軟磁性基体６０の側面６３１〜６３４に沿って上面６１に導かれている。第１〜第３の中心導体６４〜６６は、軟磁性基体６０の上面において、約１２０度で交わるように配置される。第１〜第３の中心導体６４〜６６は、各交差部分で互いに電気絶縁される。
【００２９】
第１〜第３の中心導体６４〜６６の内、第１の中心導体６４に備えられた第１の端子部６４１が、抵抗器Ｒの第２の端部電極Ｒ２に電気的に接続されている。
【００３０】
押圧部材７は、空洞部７０及び枠部７１を有し、ケース部材１の内部に設けられている。枠部７１は第１〜第３の端子部６４１〜６６１に接触し、これを、第１〜第３のキャパシタＣ１〜Ｃ３及び抵抗器Ｒの方向に押し付ける。空洞部７０は、上面及び下面において開口する。下面は磁気回転子６と向き合う。押圧部材７は、主に、組立工程において、第１〜第３の端子部６４１〜６６１を、第１〜第３のキャパシタＣ１〜Ｃ３及び抵抗器Ｒの方向に押し付け、それによって、第１〜第３の端子部６４１〜６６１を、第１〜第３のキャパシタＣ１〜Ｃ３及び抵抗器Ｒに確実に固定させるために用いられるものである。押圧部材７はエンジニアリングプラスチック等の絶縁材料からなる。
【００３１】
永久磁石８は、空洞部７０の内部に設置される。永久磁石８は、その厚みが押圧部材７の厚みよりも大きくならない。永久磁石８は四角形状であって、押圧部材７の空洞部７０に設置される。永久磁石８は、下面が磁気回転子６に面する。永久磁石８は、磁気回転子６に直流磁界を印加する。カバー部材８は永久磁石８に重なり、ケース部材１と結合され、ヨークを構成する。
【００３２】
図４は上述した非可逆回路素子の回路図である。図を参照すると、非可逆回路素子は、第１〜第３のキャパシタＣ１〜Ｃ３及び抵抗器Ｒを含み、第１〜第３のキャパシタＣ１〜Ｃ３及び抵抗器Ｒの一端は、磁気回転子６に電気的に導通している。第１〜第３のキャパシタＣ１〜Ｃ３及び抵抗器Ｒの他端は、アースされている。第１の端子１５が入力端子を構成し、第２の端子１７が出力端子を構成する。
【００３３】
次に、本発明の特徴部分であるキャパシタの構造について説明する。図５は本発明に係る非可逆回路素子に用いられる第１〜第３のキャパシタＣ１〜Ｃ３の拡大断面図、図６はその平面図である。この実施例では、第１〜第３のキャパシタＣ１〜Ｃ３の全てが図５、図６に図示された構造を有するものとして説明する。但し、基本的には、第１〜第３のキャパシタＣ１〜Ｃ３の少なくとも１つが、図５、図６に示すような構造を持てば、そのキャパシタについては、本発明の作用効果が得られる。
【００３４】
図を参照すると、第１〜第３のキャパシタＣ１〜Ｃ３は、キャパシタ層２１１と、非キャパシタ層２１２〜２１４とを含んでいる。キャパシタ層２１１は、層の両面に、互いに重なる第１のキャパシタ電極２０１及び第２のキャパシタ電極２０２を有する。
【００３５】
一方、非キャパシタ層２１２〜２１４は、一面が、第２のキャパシタ電極２０２のある側において、キャパシタ層２１１に順次積層され、外面にアース電極２０５を有する。アース電極２０５は、３つの接続経路で第２のキャパシタ電極２０２に電気的に接続されている。
【００３６】
キャパシタ層２１１及び非キャパシタ層２１２〜２１４は、同一の材料、または、互いに異なる材料で構成することもできる。製造プロセスの合理化や、熱的悪影響防止等の観点からは、同一の材料、例えば、高誘電率セラミック誘電体材料によって構成することが好ましい。
【００３７】
図示実施例において、キャパシタ層２１１は、厚さ１６０μｍのセラミック誘電体材料によって、縦横それぞれ１．０ｍｍ、１．３ｍｍの方形に構成される。第１、第２のキャパシタ電極２０１、２０２は、導電材料によって、縦横それぞれ０．８ｍｍ、１．１ｍｍの方形に構成される。
【００３８】
非キャパシタ層２１２〜２１４は複数層、具体的には３層である。非キャパシタ層２１２〜２１４のそれぞれは、厚さが８０μｍで、その他はキャパシタ層２１１と同一の材料、同一寸法に構成され、各層間に内部電極２０３、２０４を有して積層されている。内部電極２０３、２０４は、第１、第２のキャパシタ電極２０１、２０２と同様に構成される。非キャパシタ層２１２〜２１４の層数は、確保すべき機械的強度、許容される寸法等に応じて任意に選定されるべき設計的事項に属し、１層であっても良い。
【００３９】
アース電極２０５は、第２のキャパシタ電極２０２に３つの接続経路で電気的に接続されている。接続経路の個数は少なくとも一部で３経路以上あれば良く、各層ごとに異なっていても良いが、おおむね、数が多いほど良好な特性が得られる。これらは、確保すべき特性、許容される寸法等に応じて選定される。
【００４０】
本実施例では、非キャパシタ層２１２〜２１４の各層にそれぞれφ８０μｍの３つのスルーホール２２１〜２２９が形成され、アース電極２０５及び第２のキャパシタ電極２０２のそれぞれ３箇所が、内部電極２０３、２０４及びスルーホール２２１〜２２９を介して、各層３つの接続経路で電気的に接続されている。
【００４１】
アース電極２０５は、図１に図示したようにケース部材１の導電部１６０に接続され、アースされる。第１のキャパシタ電極２０１は、第１〜第３の中心導体６４、６６の第１〜第３の端子部６４１〜６６１に接続される。
【００４２】
上述したように、本発明に係る非可逆回路素子において、磁気回転子６は、第１〜第３の中心導体６４〜６６を有しており、第１〜第３のキャパシタＣ１〜Ｃ３は第１〜第３の中心導体６４〜６６のそれぞれに個別に接続されているから、第１〜第３のキャパシタＣ１〜Ｃ３を、整合用キャパシタとして動作させることができる。
【００４３】
次に、図７を参照して、第１〜第３のキャパシタＣ１〜Ｃ３のインダクタンス成分について説明する。図７は、第１〜第３のキャパシタのアース電極２０５と第２のキャパシタ電極２０２との間に発生するインダクタンス成分を示す回路図である。第１〜第３のキャパシタＣ１〜Ｃ３は、キャパシタ層２１１を含んでおり、キャパシタ層２１１は、層の両面に、互いに重なる第１のキャパシタ電極２０１及び第２のキャパシタ電極２０２を有する。即ち、第１〜第３のキャパシタＣ１〜Ｃ３は、単板型キャパシタと同様に、第１のキャパシタ電極２０１及び第２のキャパシタ電極２０２のみで容量を取得する。
【００４４】
第２のキャパシタ電極２０２は、３つの接続経路でアース電極２０５と電気的に接続される。アース電極２０５と第２のキャパシタ電極２０２との間に発生するそれぞれの接続経路のインダクタンス成分Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３は、並列的に接続される。このため、本発明の単層キャパシタは、従来の単層キャパシタよりＥＳＬが小さくなり、単板型キャパシタと同様に、Ｑ値を高くできる。
【００４５】
ちなみに、本実施例の３つの接続経路を有する単層キャパシタは、ＥＳＬが０．４４ｎＨ、Ｑが１６０であった。
【００４６】
これに対し、１つの接続経路で単層キャパシタを構成した比較例の場合は、ＥＳＬが０．５３ｎＨ、Ｑが１０４であった。このように、本実施例の単層キャパシタは、比較例の単層キャパシタに対して、ＥＳＬが１７．０％減少し、Ｑが５４％向上した。
【００４７】
本実施例において、第１〜第３のキャパシタＣ１〜Ｃ３は、非キャパシタ層２１２〜２１４を含んでおり、非キャパシタ層２１２〜２１４は一面がキャパシタ層２１１に積層される。この構造によれば、非キャパシタ層２１２〜２１４を補強層として機能させ、単独では、機械的強度の弱い単層キャパシタを補強し得る。このため、非可逆回路素子の組立時、または、組立後の使用状態において衝撃等が加わった場合でも、単層キャパシタが破損してしまう危険性を確実に回避し得る。
【００４８】
また、ケース部材１の内部において、磁気回転子６と、ケース部材１の側壁との間に生じる間隔内に第１〜第３のキャパシタＣ１〜Ｃ３を配置し、更に、押圧部材７等によって第１〜第３のキャパシタＣ１〜Ｃ３を押さえ付ける機械的組立構造を採る場合に、組立時に第１〜第３のキャパシタＣ１〜Ｃ３が周囲の各部材と擦れ合ったり、あるいは、接触したりした場合でも、従来と異なって、第１〜第３のキャパシタＣ１〜Ｃ３に破損、割れ等を生じるのを回避できる。
【００４９】
更に、非キャパシタ層２１２〜２１４による補強効果が得られるので、キャパシタ層２１１を薄くし、必要な容量を取得できる。従って、容量増大に当たって、平面形状を大型化する必要がないので、小型化が達成できる。
【００５０】
また、非キャパシタ層２１２〜２１４の厚みや層数を選択することにより、第１〜第３のキャパシタＣ１〜Ｃ３の高さを磁気回転子６の高さに合わせ、磁気回転子６の中心導体６４〜６６と第１〜第３のキャパシタＣ１〜Ｃ３の電極とを確実に接続することができる。
【００５１】
更に、本発明の場合、アース電極２０５がケース部材１の導電部１６０に接続されるので、第２のキャパシタ電極２０２は、アース電極２０５を介してアースされる。このため、キャパシタ特性に与える導電部１６０の導電パターン形状の影響が小さく、導電部１６０の設計の自由度が拡大する。
【００５２】
このように、本発明によれば、Ｑ値が高く、小型で、しかも機械的強度の大きなキャパシタを有する非可逆回路素子を得ることができる。
【００５３】
図８は本発明に係る非可逆回路素子に用いられる抵抗器内蔵キャパシタの実施例を示す平面図。図９はそのキャパシタ部分の展開断面図である。図において、図５及び図６に現れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付してある。この実施例では、非可逆回路素子に組み込まれる第１〜第３のキャパシタＣ１〜Ｃ３及び抵抗器Ｒが一体に形成されている。
【００５４】
抵抗器内蔵キャパシタは、四角形の空間Ｓの３方を取り囲むようにコ字形に形成される。四角形の空間Ｓには図１に図示した磁気回転子６が配置される。抵抗器内蔵キャパシタの上面には、キャパシタＣ１〜Ｃ３の第１のキャパシタ電極２０１及び抵抗器Ｒの第１及び第２の端部電極Ｒ１、Ｒ２が形成される。抵抗器Ｒの第１及び第２の端部電極Ｒ１、Ｒ２はコ字形本体の側面を介して裏面まで連続する。
【００５５】
キャパシタ層２１１は、層の両面に、互いに重なる第１のキャパシタ電極２０１及び第２のキャパシタ電極２０２を有する。第１のキャパシタ電極２０１は、３個に分割されており、分割されたそれぞれは、第２のキャパシタ電極２０２に共通に対向する。
【００５６】
非キャパシタ層２１２〜２１４は、一面が、第２のキャパシタ電極２０２のある側において、キャパシタ層２１１に順次積層され、外面にアース電極２０５を有する。アース電極２０５は、第２のキャパシタ電極２０２に重なる位置に形成される。非キャパシタ層２１２〜２１４のそれぞれは、各層間に内部電極２０３、２０４を有して積層されている。内部電極２０３、２０４は、第２のキャパシタ電極２０２に重なる位置に形成される。
【００５７】
アース電極２０５と、第２のキャパシタ電極２０２とは、スルーホール２２１〜２２９及び内部電極２０３、２０４を介して、３つの接続経路で電気的に接続されている。第２のキャパシタ電極２０２、スルーホール２２１〜２２９、内部電極２０３、２０４及びアース電極２０５は、第１〜第３のキャパシタＣ１〜Ｃ３共通のアース側電極を構成する。
【００５８】
３個に分割された第１のキャパシタ電極２０１は、それぞれ第１〜第３のキャパシタＣ１〜Ｃ３個々のホット側電極を構成する。
【００５９】
このように構成された抵抗器内蔵キャパシタは、図１に図示したケース部材１に収容され、アース電極２０５及び抵抗器Ｒの第１の端部電極Ｒ１が、底面１６の導電部１６０に接続されてアースされる。抵抗器内蔵キャパシタのコ字状本体空間部Ｓには、磁気回転子６が配置され、第１〜第３の中心導体６４〜６６の共通部分が導電部１６０に接続されてアースされる。
【００６０】
磁気回転子６の第１の中心導体６４に備えられた第１の端子部６４１は、抵抗器Ｒの第２の端部電極Ｒ２に接続されるとともに、第２のキャパシタＣ２の第１のキャパシタ電極２０１に接続される。磁気回転子６の第２、第３の中心導体６５、６６に備えられた第２、第３の端子部６５１、６６１は、それぞれ第１、第３のキャパシタＣ１、Ｃ３の第１のキャパシタ電極２０１にそれぞれ接続される。
【００６１】
本実施例のキャパシタは抵抗器を内蔵しているが、抵抗器を含まず、第１〜第３のキャパシタＣ１〜Ｃ３として、もしくは、第１〜第３のキャパシタＣ１〜Ｃ３のうちの２つ、例えば、第１及び第２のキャパシタＣ１、Ｃ２として構成することも可能である。
【００６２】
本実施例に示したキャパシタも、図５〜図７に図示した実施例のキャパシタと同様の作用効果を得ることができる。
【００６３】
以上、好ましい実施例を参照して本発明を詳細に説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、当業者であれば、その基本的技術思想および教示に基づき、種々の変形例を想到できることは自明である。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明に係る非可逆回路素子の分解斜視図である。
【図２】図１に示した非可逆回路素子の斜視図である。
【図３】図２の３−３線に沿った断面図である。
【図４】図１〜図３に示した非可逆回路素子の回路図である。
【図５】本発明に係る非可逆回路素子に用いられるキャパシタの一実施例を示す拡大断面図である。
【図６】図５に示したキャパシタの平面図である。
【図７】アース電極と第２のキャパシタ電極との間に発生するインダクタンス成分を示す回路図である。
【図８】本発明に係る非可逆回路素子に用いられる抵抗器内蔵キャパシタの実施例を示す平面図である。
【図９】図８に示した抵抗器内蔵キャパシタのキャパシタ部分の展開断面図である。
【符号の説明】
【００６５】
１        ケース部材
Ｃ１〜Ｃ３        キャパシタ
２０１        第１のキャパシタ電極
２０２        第２のキャパシタ電極
２０３、２０４        内部電極
２０５        アース電極
２１１        キャパシタ層
２１２〜２１４        非キャパシタ層
２１６        第２の非キャパシタ層
２２１〜２２９        スルーホール
６        磁気回転子
６４〜６６        中心導体
６４１〜６６１        端子部
８        永久磁石
９        カバー部材
【図１】
2005086576.tif 000003
【図２】
2005086576.tif 000004
【図３】
2005086576.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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