(57)【要約】【課題】基板面内の温度分布を均一にするように基板を保持できる簡易な基板保持装置を提供する。【解決手段】保持具２０は、試料である基板１０を熱処理する熱空間内に、基板１０を保持するための装置であって、基板１０の厚み部分１０Ａの一部に接触することにより、基板１０を保持する保持部２２と、保持部２２を支持する支持部２１とを備えている。保持部２２は、傾斜部２３と底部２４とをからなる溝部２５を有しており、傾斜部２３は、基板１０の端面と同一角度又は同一角度以上をなすように傾斜して、基板１０の厚み部分１０Ａの端部と接触し、さらに、底部２４は、厚み部分１０Ａよりも幅が大きく、基板１０の厚み部分１０Ａに接触している。【選択図】図１
2005252042.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を熱処理する熱空間内に、前記基板を保持するための基板保持装置であって、
前記基板の厚み部分の一部に接触することにより、前記基板を保持する保持部を備えた基板保持装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板保持装置において、
前記保持部は、前記基板の厚み部分の端部と接触する補助部を有すること、
を特徴とする基板保持装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板保持装置において、
前記補助部は、前記熱空間内の熱量を貫流させる貫流部を有すること、
を特徴とする基板保持装置。
【請求項４】
請求項２又は請求項３に記載の基板保持装置において、
前記補助部は、溝部であって、
前記溝部は、前記基板の厚み部分よりも幅の大きい底部を有すること、
を特徴とする基板保持装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板保持装置において、
前記底部は、前記基板の厚み部分との接触面積を小さくするための凹凸部を有すること、
を特徴とする基板保持装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載の基板保持装置において、
前記保持部は、前記基板の材質と同一材質を用いて形成されること、
を特徴とする基板保持装置。
【請求項７】
請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載の基板保持装置において、
前記保持部は、前記基板の比熱よりも小さい比熱を有する材質を用いて形成されること、
を特徴とする基板保持装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種基板（シリコンウエハ、ＧａＡｓウエハ、液晶用ガラス基板等）に対して、高速な熱処理（ＲＴＰ：Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｐｒｏｖｅｓｓｉｎｇ、ＲＴＡ：Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）を行う高速熱処理装置（以下、ＲＴＰ装置という）に設けられた処理室（以下、ＲＴＡ室という）の内部に、基板を保持するための基板保持装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体製造プロセスでは、基板に対する各種熱処理（例えば、酸化膜、窒化膜、ＣＶＤ膜等の成膜、拡散等）を高速で行う、いわゆる高速熱処理の需要が急速に高まっている。この高速熱処理は、最近成長の著しいＦＰＤ（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、特に、液晶表示装置（ＬＣＤ）の製造プロセスにおいても、薄膜シリコンの熱処理等に利用可能な技術として注目を集めている。
【０００３】
図７は、一般的なＲＴＰ装置を示す概略図である。
図８は、ＲＴＰ装置に設けられたＲＴＡ室を示す概略図である。
ＲＴＰ装置１００は、例えば、ローダーカセット１１０と、搬送ロボット１２０と、ＲＴＡ室１３０と、冷却室１４０と、アンローダーカセット１５０等とを備えている。ローダーカセット１１０には、各種基板を必要枚数セットすることができる。搬送ロボット１２０は、ＲＴＰ装置１００の基台１０１に回転可能に設置され、基板１０を１枚ずつ搬送するための伸縮可能なアームを備えている。
【０００４】
ＲＴＡ室１３０は、図示のように、赤外線ランプ１３１−１，１３１−２と、基板１０をＲＴＡ室１３０内で略水平に配置するための基板支持ピン１３２等とを備えている。基板１０は、その上面を赤外線ランプ１３１−１により熱処理され、同じく、下面を赤外線ランプ１３１−２により熱処理される。
冷却室１４０は、ＲＴＡ室１３０で熱処理された基板１０を室温まで冷却するためのものである。アンローダーカセット１５０には、冷却室１４０で冷却された基板１０を１枚ずつセットできる。
【０００５】
つぎに、基板１０の熱処理の流れについて説明する。
搬送ロボット１２０は、ローダーカセット１１０から１枚の基板１０を取り出して、ＲＴＡ室１３０に搬送する。ＲＴＡ室１３０は、その内部を不活性ガスに置換した後に、赤外線ランプ１３１−１，１３１−２をＯＮにして、基板１０を高速に加熱し、所定の時間及び温度で熱処理した後に降温する。
【０００６】
搬送ロボット１２０は、ＲＴＡ室１３０の内部温度が４００℃程度にまで下がった後に、基板１０を取り出して、冷却室１４０に搬送する。冷却室１４０に搬送された基板１０は、所定の時間冷却され、例えば、室温まで冷却される。搬送ロボット１２０は、冷却室１４０で冷却された基板１０を取り出して、アンローダーカセット１５０に搬送する。
なお、基板１０を１枚ずつ処理する、いわゆる枚葉式のＲＴＰ装置１００において、基板１０を連続処理する場合には、基板１０をＲＴＡ室１３０から取り出した直後に、次に処理したい基板１０を搬送ロボット１２０によりＲＴＡ室１３０に搬送して、上述した処理を開始すればよい。
【０００７】
ここで、ＲＴＡ室１３０での基板１０の保持状態について説明する。
図９は、図８で示した基板１０及び基板支持ピン１３２の拡大図である。
ＲＴＡ室１３０では、上述したように、基板支持ピン１３２により水平方向に保持された基板１０に対して熱処理が行われる。この場合には、基板１０は、例えば、３〜４箇所に設けられた基板支持ピン１３２により、基板１０の適当な部分が保持されている。
【０００８】
しかしながら、ＲＴＡ室１３０は、赤外線ランプ１３１−１，１３１−２の光を用いて基板１０の熱処理を行っている。このため、基板支持ピン１３２を用いて基板１０を保持した場合には、例えば、赤外線ランプ１３１−２からの光が基板支持ピン１３２により遮られてしまい、基板１０に影が生じ、その結果、この影の部分の熱処理温度が低下してしまう。さらに、基板支持ピン１３２に接触している基板１０の部分は、熱伝導による逃げにより、熱処理温度が低下してしまう。
【０００９】
したがって、基板１０を基板支持ピン１３２で保持した場合には、熱処理温度が低下した部分と、他の部分との間に温度差が生じてしまい、結果的に、基板１０の面内の温度分布が不均一になり、均一な熱処理を行うことが困難となる。具体的には、基板１０としてシリコンウエハを用いた熱処理において、基板支持ピン１３２と接触している部分の周辺に、欠陥が発生することが確認されている。
【００１０】
図１０は、基板１０をＲＴＡ室１３０で保持する他の例を示す図である。
基板１０は、図示のように、基板支持リング１３３と、リング支持ピン１３４とによって保持されている。基板支持リング１３３は、リング状に形成されており、基板１０の周辺部を保持する。リング支持ピン１３４は、基板支持リング１３３を支持して基板１０を水平に配置する。
しかしながら、この基板支持リング１３３とリング支持ピン１３４とを用いて、基板１０を保持した場合であっても、上述した熱伝導や影により、温度上昇が妨げられ、均一な熱処理を行うことが困難である。具体的には、基板１０の周辺部に欠陥が発生することが確認されている。
【００１１】
一方、高温状態に保持した炉の中に基板を挿入して、基板を急速に加熱する熱処理方法が提案されている（例えば、特許文献１）。
特許文献１は、ＲＴＡが主にランプ加熱であるのに対して、縦型炉（酸化炉やＬＰ−ＣＶＤ等）で用いられてきた抵抗加熱炉により熱処理を行う方法を開示している。具体的には、この抵抗加熱炉内を常時処理したい温度に加熱・保持し、処理したい基板をその雰囲気に比較的高速で１〜２枚挿入し、短時間で取り出すことにより、熱処理を行う。
【００１２】
特許文献１では、基板を水平方向に保持して炉内に挿入する熱処理方法を開示しているが、この方法では、上述した熱伝導や影により、均一な熱処理を行うことが困難となる。
【００１３】
また、特許文献１では、基板を鉛直方向に立てて挿入する方法と、その保持方法を開示しており、さらに、基板を保持する部分（基板と接触する部分）からプロセスガスを噴出させることにより、基板と保持具との付着を防止するとしている。
また、特許文献１では、ガスは比熱が小さく、さらに、炉内に十分に高温に予備加熱され隙間から噴出されるので、基板の温度分布は損なわれないとしている。
【００１４】
ここで、本発明者は、これらの点について具体的に検討し、以下の知見を得た。
ガスの比熱は小さいにもかかわらず、炉内においてガスの流れのある部分と流れのない部分とでは、僅かな温度差でも熱の移動が激しく起こり、その結果、基板内に温度分布が発生することがわかった。
また、ガスを流さない状態で基板を１１００℃まで上昇させたが、特に問題になるような保持具と基板との付着は見られなかった。
【００１５】
したがって、特許文献１のように、保持具にガスを通す構造を持たせることは、保持具の構造を複雑にしてしまい、結果的に、高価な部品を用いることになり、コスト的に問題がある。
さらに、特許文献１では、保持具の影によって、ヒーターからの赤外線の輻射の低下が生じ、温度低下領域が広がってしまう。このため、基板の同一面内での温度分布が不均一となり、基板の使用有効面積が小さくなってしまう。
【００１６】
【特許文献１】特開平２００２−１１０６８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明の課題は、基板面内の温度分布を均一にするように基板を保持できる簡易な基板保持装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明は、以下のような解決手段により、前記課題を解決する。なお、理解を容易にするために、本発明の実施例に対応する符号を付して説明するが、これに限定されるものではない。
請求項１の発明は、基板（１０，１０−１）を熱処理する熱空間内に、前記基板（１０，１０−１）を保持するための基板保持装置であって、前記基板（１０，１０−１）の厚み部分（１０Ａ，１０−１Ａ）の一部に接触することにより、前記基板（１０，１０−１）を保持する保持部（２２，２２−１，２２−２）を備えた基板保持装置である。
【００１９】
請求項２の発明は、請求項１に記載の基板保持装置において、前記保持部（２２，２２−１，２２−２）は、前記基板（１０，１０−１）の厚み部分（１０Ａ，１０−１Ａ）の端部と接触する補助部（２３，２３−１，２３−２）を有すること、を特徴とする基板保持装置である。
【００２０】
請求項３の発明は、請求項２に記載の基板保持装置において、前記補助部（２３−２）は、前記熱空間内の熱量を貫流させる貫流部（２６）を有すること、を特徴とする基板保持装置である。
【００２１】
請求項４の発明は、請求項２又は請求項３に記載の基板保持装置において、前記補助部（２３，２３−１，２３−２）は、溝部（２５，２５−１，２５−２）であって、前記溝部（２５，２５−１，２５−２）は、前記基板（１０，１０−１）の厚み部分（１０Ａ，１０−１Ａ）よりも幅の大きい底部（２４，２４−１，２４−２）を有すること、を特徴とする基板保持装置である。
【００２２】
請求項５の発明は、請求項４に記載の基板保持装置において、前記底部（２４−２）は、前記基板（１０）の厚み部分（１０Ａ）との接触面積を小さくするための凹凸部（２７，２８）を有すること、を特徴とする基板保持装置である。
【００２３】
請求項６の発明は、請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載の基板保持装置において、前記保持部（２２，２２−１，２２−２）は、前記基板（１０，１０−１）の材質と同一材質を用いて形成されること、を特徴とする基板保持装置である。
【００２４】
請求項７の発明は、請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載の基板保持装置において、前記保持部（２２，２２−１，２２−２）は、前記基板（１０，１０−１）の比熱よりも小さい比熱を有する材質を用いて形成されること、を特徴とする基板保持装置である。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の基板保持装置は、（１）基板の厚み部分の一部に接触することにより、基板を熱空間内に保持する保持部を備えたので、基板と保持部との接触面積を小さくでき、さらに、熱空間内の熱量が基板面内に略均一に伝達されるので、基板面内の温度分布を均一にすることができる。
【００２６】
（２）保持部は、基板の厚み部分の端部と接触する補助部を有するので、基板が補助部により保持され、さらに、基板面内の端部付近と補助部との間には隙間が生じ、基板面内の端部付近に熱空間内の熱量を伝達することができる。
【００２７】
（３）補助部は、熱空間内の熱量を貫流させる貫流部を有するので、熱空間内の熱量は、補助部の周辺部を経由することなく、基板面内に迅速に伝達され、その結果、基板面内の温度分布を均一に保つことができると共に、保持部の体積を小さくできるので、保持部の熱容量を下げることができる。
【００２８】
（４）補助部は、基板の厚み部分よりも幅の大きい底部を有する溝部であるので、基板の厚み部分と底部とを接触させ、基板を確実に保持することができると共に、所望の搬送装置により基板を搬送する場合には、基板を保持部から確実に取り出すことができる。
【００２９】
（５）底部は、基板の厚み部分との接触面積を小さくするための凹凸部を有するので、基板の厚み部分のうち底部と接触していない部分に、熱空間の熱量を伝達することができると共に、保持部の体積を小さくできるので、保持部の熱容量を下げることができる。
【００３０】
（６）保持部は、基板の材質と同一材質を用いて形成されるので、保持部と基板とが接触している部分における熱伝導が小さくなり、基板面内の温度分布を均一にすることができる。
【００３１】
（７）保持部は、基板の比熱よりも小さい比熱を有する材質を用いて形成されるので、保持部が基板に比べて熱しやすく冷めやすい性質を有し、基板の温度上昇や温度低下が保持部により妨げられることを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
本発明は、基板面内の温度分布を均一にするように基板を保持するという目的を、基板の厚み部分の一部に接触することにより、基板を熱空間内に保持する保持部を備えることによって実現する。
【実施例１】
【００３３】
以下、図面等を参照して、本発明の実施例をあげて、さらに詳しく説明する。
図１は、本発明による基板保持装置の実施例１を示す模式図である。なお、図中（ａ）は、基板保持装置を示す正面図であり、図中（ｂ）は、同じく側面図である。
基板保持装置（以下、保持具という）２０は、試料である基板（シリコンウエハ、ＧａＡｓウエハ、液晶用ガラス基板等）１０を熱処理する熱空間内（例えば、ＲＴＡ室内）に、基板１０を保持するための装置であって、保持部２２と、アーム状に形成された支持部２１等とを備えている。なお、ここでは、基板１０として角形のガラス基板を用いている。
【００３４】
保持部２２は、基板１０の厚み部分１０Ａの一部に接触することにより、基板１０を保持する（詳細は、後述）。
角形の基板１０を保持する場合には、保持部２２は、例えば、少なくとも４つ（底辺に２つ、側辺に各１つ）設けられ、さらに、基板１０のたわみ等に対して影響の少ない位置に取り付けられる。なお、基板１０の辺の長さが１００ｍｍ増加するごとに、保持部２２の数を１つ増やすことが好ましい。
また、保持部２２の形状は、ここでは、円形状にしたが、これに限られず、基板１０の形状や材質等に応じて、適宜の形状（四角形、多角形）としてもよく、特に、基板１０の周辺部に沿うような形状であれば、保持部２２の強度を向上させることもできる。
【００３５】
保持具２０は、熱空間内の加熱面（例えば、熱源であるヒーターが配置されている面）と基板１０との間に、支持部２１等が位置しないように形成されている。これにより、保持具２０は、基板１０の面内（以下、基板面内という）に影を作らないようにできる。
また、保持具２０は、基板１０と加熱面との距離が少なくとも３０ｍｍ以上となるように形成されている。
【００３６】
支持部２１は、例えば、石英から形成されており、基板１０と保持部２２とが接触するように、保持部２２を支持している。ここで、支持部２１の材料として石英を用いた理由について説明する。
支持部２１の材料として金属を用いた場合には、高温の雰囲気中で金属から金属蒸気等が放出され、基板１０を汚染させてしまう場合がある。また、樹脂関係の材料は、高温の雰囲気中で溶けてしまう場合がある。
一方、支持部２１の材料として、セラミック関係の材料（例えば、ＳｉＣ等）については使用することができるが、石英に比べて高価であり、さらに、破損したときに修復することができない。
【００３７】
なお、石英を用いた場合であっても、例えば、透明石英をそのまま用いてしまうと、光の屈折等により適宜の箇所が加熱されてしまい、基板１０の基板面内に伝達される熱量に影響を及ぼすことが考えられる。このため、石英を用いる場合には、石英の形状にかかわらず透明な仕上げは避け、透明度のない仕上げ（例えば、表面をマット状に仕上げる等）とすることが好ましい。
【００３８】
図２は、保持部２２を示す模式図である。なお、ここでは、円形状の保持部２２と基板１０とが接触した状態を示している。
保持部２２は、例えば、溝部２５を有している。溝部２５には、傾斜部２３と、底部２４とが形成されている。傾斜部２３は、基板１０の厚み部分１０Ａの端部と接触するものであって、基板１０の端面と同一角度又は同一角度以上をなすように傾斜している。
このため、傾斜部２３によれば、基板１０と傾斜部２３とが接触している場合に、基板１０の基板面内の端部付近と傾斜部２３との間に隙間が生じ、その結果、基板面内の端部付近に熱空間内の熱量を伝達することができる。
【００３９】
つぎに、溝部２５の角度（すなわち、傾斜部２３の水平に対する傾斜角）について説明する。
溝部２５の角度が３０°よりも小さい場合には、基板１０を熱処理するときに、基板１０の基板面内の端部付近にヒーターの赤外線が到達することを阻害してしまい、その結果、基板１０の温度を不均一にしてしまう。
一方、溝部２５の角度が１２０°よりも大きい場合には、基板１０を保持することが困難となってしまう。
したがって、溝部２５の角度は、水平から３０°〜１２０°の範囲が好ましい。
【００４０】
底部２４は、保持部２２の最深部に形成されており、基板１０の厚み部分１０Ａよりも幅が大きい。底部２４は、例えば、基板１０の厚み部分１０Ａに接触するように形成されており、その幅は適宜変化させてもよい。なお、底部２４の幅としては、基板１０の厚み（例えば、０．５〜１．０ｍｍ程度）に、０．３〜０．８ｍｍ程度を加えた幅とするのが好ましい。
このため、底部２４によれば、基板１０の厚み部分１０Ａと底部２４とを接触させるので、基板１０を確実に保持することができる。さらに、所望の搬送装置により基板１０を搬送する場合には、基板１０を保持部２２から確実に取り出すことができる。
【００４１】
なお、溝部２５の最深部が鋭角のままであっても基板１０の熱処理に問題がなく、さらに、基板１０の搬送や基板１０の保持についても問題が生じない場合には、底部２４を形成しなくてもよい。
【００４２】
また、基板１０は、その厚みが０．５〜１．０ｍｍ程度と薄いので、保持部２２や支持部２１に比べて熱しやすく冷めやすい状態になっている。これに対して、保持部２２や支持部２１は厚みがあるので、熱伝導や熱容量が基板１０に比べて大きくなっている。
このため、基板１０の温度が上昇している場合であっても、保持部２２の温度が低くなり、保持部２２と接触している部分の温度上昇が妨げられてしまう。その結果、基板１０の基板面内の温度分布が不均一となり、均一な熱処理を行うことが困難となる。
【００４３】
したがって、基板１０に直接接触する保持部２２は、熱処理する基板１０と同一材質、又は、同一物性材料であることが好ましい。具体的には、基板１０がシリコンウエハである場合には、単結晶シリコン、多結晶シリコン、ＳｉＣ等の黒体又は黒体に近い材料等を用いて、保持部２２を形成する。
【００４４】
基板１０の材質と同一材質を用いて、保持部２２を形成した場合には、保持部２２と基板１０とが接触している部分における熱伝導を小さくでき、基板１０の基板面内の温度分布を均一にすることができる。
【００４５】
また、基板１０の比熱よりも小さい比熱を有する材質を用いて、保持部２２を形成した場合には、保持部２２が基板１０に比べて熱しやすく冷めやすい性質を有し、その結果、基板１０の温度上昇や温度低下が保持部２２によって妨げられることがない。
【００４６】
したがって、保持具２０によれば、基板１０と保持部２２との接触面積を小さくでき、さらに、熱空間内の熱量（ヒーターからの赤外線）が基板１０の基板面内に略均一に伝達されるので、基板面内の温度分布を均一にすることができる。
また、保持具２０は、溝部２５が形成された保持部２２と、安価な石英により形成された支持部２１とからなるので、簡易な構造で熱空間内の熱量を有効に使用することができると共に、低コスト化を図ることができる。
【実施例２】
【００４７】
図３は、本発明による基板保持装置の実施例２を示す模式図である。なお、以下に示す各実施例では、上述した保持具２２の各部材と同様な機能を果たす部材については同一符号又は末尾に統一した符号を付して、機能等の説明を適宜省略する。
保持具２０−１は、例えば、保持具２０と比べると、円形以外の別の形状（ここでは、直方体状）を有する保持部２２−１により、基板１０を保持している点が異なる。
【００４８】
図４は、保持部２２−１を示す説明図である。
保持部２２−１は、例えば、溝部２５−１を有する。溝部２５−１には、上述したように、基板１０の厚み部分１０Ａと接触する底部２４−１と、基板１０の端面と同一角度又は同一角度以上をなすように傾斜している傾斜部２３−１とが形成されている。
【００４９】
図５は、保持部２２−１の変形例を示す説明図である。
保持部２２−２は、保持部２２−１と比べると、熱空間内の熱量を貫流させる貫流部２６を有する傾斜部２３−２と、凹凸形状の底部２４−２とからなる溝部２５−２を備えた点が異なる。
貫流部２６は、例えば、基板１０の厚み方向と略同一方向に貫通した貫通孔であって、傾斜部２３−２に複数形成されている。このため、熱空間内の熱量は、傾斜部２３−２の周辺部を経由することなく、貫流部２６を介して、基板１０の基板面内に伝達される。
したがって、貫流部２６によれば、基板１０の基板面内であって溝部２５−２に入り込んでいる部分に、熱空間内の熱量を迅速に伝達することができる。
【００５０】
また、底部２４−２は、図示のように、凹凸形状であって、貫流部２６の下方には凹部２７が形成され、貫流部２６の間には凸部２８が形成されている。このため、基板１０の厚み部分１０Ａは、凹部２７とは接触せずに凸部２８と接触することになる。
この底部２４−２によれば、基板１０の厚み部分１０Ａとの接触面積を小さくすることができ、基板１０の厚み部分１０Ａのうち底部２４−２と接触していない部分に、熱空間の熱量を伝達することができる。
【００５１】
したがって、保持部２２−２によれば、基板１０の基板面内の温度分布をより均一に保つことができ、さらに、保持部２２−２の体積を小さくすることができるので、保持部２２−２の熱容量を下げることができる。
【実施例３】
【００５２】
図６は、本発明による基板保持装置の実施例３を示す模式図である。
保持具２０−２は、例えば、保持具２０と比べると、円形の基板１０−１を保持部２２で保持している点が異なる。
保持部２２は、基板１０−１の厚み部分１０Ａ−１の一部に接触することにより、円形の基板１０−１を保持することができる。また、基板１０−１は、３つの保持部２２によって保持したが、例えば、４つ以上の保持部２２によって保持してもよい。なお、円形の基板１０−１を保持するために、円形の保持部２２を用いたが、円形以外の保持部２２−１，２２−２を用いてもよい。
【００５３】
（変形例）
以上説明した実施例に限定されることなく、種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の均等の範囲内である。
（１）保持部２２−２では、傾斜部２３−２に複数の貫流部２６を設けるようにしたが、これに限られず、保持部２２，２２−１の傾斜部２３，２３−１に貫流部２６を設けるようにしてもよい。
（２）貫流部２６は、熱空間内の熱量を基板１０の基板面内に貫流することができるのであれば、貫通孔に限らず、メッシュを形成したり、傾斜部２３−２を切り欠く等、適宜の形状としてもよい。
（３）保持部２２，２２−１，２２−２は、溝形状としたが、基板１０，１０−１を保持できるのであれば、傾斜部２３，２３−１，２３−２を片側にのみ形成するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明による基板保持装置の実施例１を示す模式図である。
【図２】保持部２２を示す模式図である。
【図３】本発明による基板保持装置の実施例２を示す模式図である。
【図４】保持部２２−１を示す説明図である。
【図５】保持部２２−１の変形例を示す説明図である。
【図６】本発明による基板保持装置の実施例３を示す模式図である。
【図７】一般的なＲＴＰ装置を示す概略図である。
【図８】ＲＴＰ装置に設けられたＲＴＡ室を示す模式図である。
【図９】図８で示した基板１０及び基板支持ピン１３２の拡大図である。
【図１０】基板１０をＲＴＡ室１３０で保持する他の例を示す図である。
【符号の説明】
【００５５】
１０    基板
２０    保持具
２１    支持部
２２    保持部
２３    傾斜部
２４    底部
２５    溝部
２６    貫流部
２７    凹部
２８    凸部
１００    ＲＴＰ装置
１３０    ＲＴＡ室
【図１】
2005252042.tif 000003
【図２】
2005252042.tif 000004
【図３】
2005252042.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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