(57)【要約】【課題】  輪帯状の光学的有効露光領域を有する投影光学系を用い、スキャン露光時のストロークを小さく抑えて高スループットの投影露光を実現することのできる露光装置。【解決手段】  マスク（Ｍ）を照明するための照明系（１１〜１９）と、マスクのパターン像を感光性基板（Ｗ）上に形成するための投影光学系（ＰＬ）とを備え、投影光学系に対してマスクおよび感光性基板を移動させてマスクのパターンを感光性基板上へ投影露光する露光装置。投影光学系は、感光性基板上において所要の収差状態に補正された輪帯状の光学的有効露光領域を有する。露光装置は、輪帯状の光学的有効露光領域内において円弧状の実露光領域を規定するための規定手段（１９）を備えている。円弧状の実露光領域の円弧の半径Ｒｅは、輪帯状の光学的有効露光領域の外側の半径をＲｏとし、輪帯状の光学的有効露光領域の内側の半径をＲｉとするとき、（Ｒｏ＋Ｒｉ）／２＜Ｒｅ≦Ｒｏの条件を満足する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のパターンが形成されたマスクを照明するための照明系と、前記マスクのパターン像を感光性基板上に形成するための投影光学系とを備え、前記投影光学系に対して前記マスクおよび前記感光性基板を所定方向に沿って移動させて前記マスクのパターンを前記感光性基板上へ投影露光する露光装置において、
前記投影光学系は、前記感光性基板上において所要の収差状態に補正された輪帯状の光学的有効露光領域を有し、
前記輪帯状の光学的有効露光領域内において円弧状の実露光領域を規定するための規定手段を備え、
前記円弧状の実露光領域の円弧の半径Ｒｅは、前記輪帯状の光学的有効露光領域の外側の半径Ｒｏとほぼ一致していることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記規定手段は、前記照明系の光路中に配置されて前記マスク上において前記円弧状の実露光領域に対応する円弧状の照明領域を規定するための視野絞りを有することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
所定のパターンが形成されたマスクを照明するための照明系と、前記マスクのパターン像を感光性基板上に形成するための投影光学系とを備え、前記投影光学系に対して前記マスクおよび前記感光性基板を所定方向に沿って移動させて前記マスクのパターンを前記感光性基板上へ投影露光する露光装置において、
前記投影光学系は、前記感光性基板上において所要の収差状態に補正された輪帯状の光学的有効露光領域を有し、
前記輪帯状の光学的有効露光領域内において円弧状の実露光領域を規定するための規定手段を備え、
前記円弧状の実露光領域の円弧の半径Ｒｅは、前記輪帯状の光学的有効露光領域の外側の半径をＲｏとし、前記輪帯状の光学的有効露光領域の内側の半径をＲｉとするとき、
（Ｒｏ＋Ｒｉ）／２＜Ｒｅ≦Ｒｏ
の条件を満足することを特徴とする露光装置。
【請求項４】
前記規定手段は、前記照明系の光路中に配置されて前記マスク上において前記円弧状の実露光領域に対応する円弧状の照明領域を規定するための視野絞りを有することを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
所定のパターンが形成されたマスクを照明する照明工程と、投影光学系に対して前記マスクおよび感光性基板を所定方向に沿って移動させて前記マスクのパターンを前記感光性基板上へ投影露光する露光工程とを含む露光方法において、
前記投影光学系は、前記感光性基板上において所要の収差状態に補正された輪帯状の光学的有効露光領域を有し、
前記露光工程では、前記輪帯状の光学的有効露光領域内において円弧状の実露光領域を規定し、前記円弧状の実露光領域の円弧の半径Ｒｅを前記輪帯状の光学的有効露光領域の外側の半径Ｒｏとほぼ一致させることを特徴とする露光方法。
【請求項６】
前記照明工程では、前記照明系の光路中に配置された視野絞りを介して前記マスク上において前記円弧状の実露光領域に対応する円弧状の照明領域を規定することを特徴とする請求項５に記載の露光方法。
【請求項７】
所定のパターンが形成されたマスクを照明する照明工程と、投影光学系に対して前記マスクおよび感光性基板を所定方向に沿って移動させて前記マスクのパターンを前記感光性基板上へ投影露光する露光工程とを含む露光方法において、
前記投影光学系は、前記感光性基板上において所要の収差状態に補正された輪帯状の光学的有効露光領域を有し、
前記露光工程では、前記輪帯状の光学的有効露光領域内において円弧状の実露光領域を規定し、
前記円弧状の実露光領域の円弧の半径Ｒｅは、前記輪帯状の光学的有効露光領域の外側の半径をＲｏとし、前記輪帯状の光学的有効露光領域の内側の半径をＲｉとするとき、
（Ｒｏ＋Ｒｉ）／２＜Ｒｅ≦Ｒｏ
の条件を満足することを特徴とする露光方法。
【請求項８】
前記照明工程では、前記照明系の光路中に配置された視野絞りを介して前記マスク上において前記円弧状の実露光領域に対応する円弧状の照明領域を規定することを特徴とする請求項７に記載の露光方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置および露光方法に関し、特に５〜４０ｎｍ程度の波長を有するＥＵＶ光を用いて半導体素子などのマイクロデバイスをフォトリソグラフィ工程で製造するのに好適な露光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種の露光装置では、転写すべき回路パターンの微細化に伴って解像力の一層の向上が要求されており、露光光としてより短波長の光を用いるようになっている。なお、本明細書における「光」とは、目で見える狭義の「光」だけではなく、電磁波のうち１ｍｍよりも短い波長を有する、いわゆる赤外線からＸ線までを含む広義の「光」を意味する。近年、次世代装置として、５〜４０ｎｍ程度の波長を有するＥＵＶ（Extreme UltraViolet）光を用いる露光装置（以下、「ＥＵＶＬ（Extreme UltraViolet Lithography：極紫外リソグラフィ）露光装置」という）が提案されている。
【０００３】
このように非常に短いＥＵＶ光の波長域では、屈折光学部材として十分な透過率を有する物質が現存しないため、反射光学部材のみで構成された反射型の投影光学系を用いることになる。一般に、投影光学系として反射光学系（catoptric system）または反射屈折光学系（catadioptric system）を用いる場合、反射面により光束を折り返す都合上、屈折光学系（dioptric system）の場合とは異なり、光軸を含む円形状の有効露光領域（所要の収差状態に補正された領域）を確保することができるとは限らない。
【０００４】
むしろ、反射光学系や反射屈折光学系を用いる場合、開口が輪帯状になったり、有効露光領域が円弧状になったりするのが普通である。具体的には、図６（ａ）に示すようなシュバルトシルド型の投影光学系を用いる場合、光軸を中心とした微小な有効露光領域しか得られず、図６（ｂ）に示すように開口（瞳形状）は輪帯状になる。一方、図７（ａ）に示すようなオフナー型の投影光学系を用いる場合、図７（ｂ）に示すように円弧状（光学的には輪帯状）の有効露光領域が得られる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＥＵＶＬ露光装置では、円弧状（光学的には輪帯状）の有効露光領域が得られる投影光学系を用いるのが一般的である。この場合、円弧状の有効露光領域内において円弧状の実露光領域を規定し、投影光学系に対してマスクおよび感光性基板（ウェハなど）を相対移動させつつマスクパターンを感光性基板上へスキャン露光（走査露光）することになる。したがって、ＥＵＶＬ露光装置では、スキャン露光時のストロークを小さく抑えてスループットを向上させることが重要である。
【０００６】
ここで、ストロークとは、１回のスキャン露光におけるマスクおよび感光性基板の投影光学系に対する相対移動量である。また、スループットとは、単位時間当たり何枚のシリコンウェハに焼付けを行うことができるかという指標であり、半導体デバイスの価格を左右する大切な指標である。
【０００７】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたものであり、輪帯状の光学的有効露光領域を有する投影光学系を用い、スキャン露光時のストロークを小さく抑えて高スループットの投影露光を実現することのできる露光装置および露光方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するために、本発明の第１形態では、所定のパターンが形成されたマスクを照明するための照明系と、前記マスクのパターン像を感光性基板上に形成するための投影光学系とを備え、前記投影光学系に対して前記マスクおよび前記感光性基板を所定方向に沿って移動させて前記マスクのパターンを前記感光性基板上へ投影露光する露光装置において、
前記投影光学系は、前記感光性基板上において所要の収差状態に補正された輪帯状の光学的有効露光領域を有し、
前記輪帯状の光学的有効露光領域内において円弧状の実露光領域を規定するための規定手段を備え、
前記円弧状の実露光領域の円弧の半径Ｒｅは、前記輪帯状の光学的有効露光領域の外側の半径Ｒｏとほぼ一致していることを特徴とする露光装置を提供する。この場合、前記規定手段は、前記照明系の光路中に配置されて前記マスク上において前記円弧状の実露光領域に対応する円弧状の照明領域を規定するための視野絞りを有することが好ましい。
【０００９】
本発明の第２形態では、所定のパターンが形成されたマスクを照明するための照明系と、前記マスクのパターン像を感光性基板上に形成するための投影光学系とを備え、前記投影光学系に対して前記マスクおよび前記感光性基板を所定方向に沿って移動させて前記マスクのパターンを前記感光性基板上へ投影露光する露光装置において、
前記投影光学系は、前記感光性基板上において所要の収差状態に補正された輪帯状の光学的有効露光領域を有し、
前記輪帯状の光学的有効露光領域内において円弧状の実露光領域を規定するための規定手段を備え、
前記円弧状の実露光領域の円弧の半径Ｒｅは、前記輪帯状の光学的有効露光領域の外側の半径をＲｏとし、前記輪帯状の光学的有効露光領域の内側の半径をＲｉとするとき、
（Ｒｏ＋Ｒｉ）／２＜Ｒｅ≦Ｒｏ
の条件を満足することを特徴とする露光装置を提供する。この場合、前記規定手段は、前記照明系の光路中に配置されて前記マスク上において前記円弧状の実露光領域に対応する円弧状の照明領域を規定するための視野絞りを有することが好ましい。
【００１０】
本発明の第３形態では、所定のパターンが形成されたマスクを照明する照明工程と、投影光学系に対して前記マスクおよび感光性基板を所定方向に沿って移動させて前記マスクのパターンを前記感光性基板上へ投影露光する露光工程とを含む露光方法において、
前記投影光学系は、前記感光性基板上において所要の収差状態に補正された輪帯状の光学的有効露光領域を有し、
前記露光工程では、前記輪帯状の光学的有効露光領域内において円弧状の実露光領域を規定し、前記円弧状の実露光領域の円弧の半径Ｒｅを前記輪帯状の光学的有効露光領域の外側の半径Ｒｏとほぼ一致させることを特徴とする露光方法を提供する。この場合、前記照明工程では、前記照明系の光路中に配置された視野絞りを介して前記マスク上において前記円弧状の実露光領域に対応する円弧状の照明領域を規定することが好ましい。
【００１１】
本発明の第４形態では、所定のパターンが形成されたマスクを照明する照明工程と、投影光学系に対して前記マスクおよび感光性基板を所定方向に沿って移動させて前記マスクのパターンを前記感光性基板上へ投影露光する露光工程とを含む露光方法において、
前記投影光学系は、前記感光性基板上において所要の収差状態に補正された輪帯状の光学的有効露光領域を有し、
前記露光工程では、前記輪帯状の光学的有効露光領域内において円弧状の実露光領域を規定し、
前記円弧状の実露光領域の円弧の半径Ｒｅは、前記輪帯状の光学的有効露光領域の外側の半径をＲｏとし、前記輪帯状の光学的有効露光領域の内側の半径をＲｉとするとき、
（Ｒｏ＋Ｒｉ）／２＜Ｒｅ≦Ｒｏ
の条件を満足することを特徴とする露光方法を提供する。この場合、前記照明工程では、前記照明系の光路中に配置された視野絞りを介して前記マスク上において前記円弧状の実露光領域に対応する円弧状の照明領域を規定することが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明では、投影光学系を介して得られる輪帯状の光学的有効露光領域内において円弧状の実露光領域を規定する際に、実露光領域の円弧の半径Ｒｅが、有効露光領域の外側の半径および内側の半径をＲｏおよびＲｉとするとき、（Ｒｏ＋Ｒｉ）／２＜Ｒｅ≦Ｒｏの条件を満足するように設定する。その結果、本発明の露光装置および露光方法では、輪帯状の光学的有効露光領域を有する投影光学系を用い、スキャン露光時のストロークを小さく抑えて高スループットの投影露光を実現することができ、ひいてはマイクロデバイスを高スループットで製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の実施形態を、添付図面に基づいて説明する。
図１は、本発明の実施形態にかかる露光装置の全体構成を概略的に示す図である。また、図２は、図１の光源および照明光学系の内部構成を概略的に示す図である。図１において、投影光学系の光軸方向すなわち感光性基板であるウェハの法線方向に沿ってＺ軸を、ウェハ面内において図１の紙面に平行な方向にＹ軸を、ウェハ面内において図１の紙面に垂直な方向にＸ軸をそれぞれ設定している。
【００１４】
図１を参照すると、本実施形態の露光装置は、露光光を供給するための光源として、たとえばレーザプラズマ光源１を備えている。光源１から射出された光は、波長選択フィルタ（不図示）を介して、照明光学系２に入射する。ここで、波長選択フィルタは、光源１が供給する光から、所定波長（たとえば１３．４ｎｍまたは１１．５ｎｍ）のＥＵＶ光だけを選択的に透過させ、他の波長光の透過を遮る特性を有する。波長選択フィルタを透過したＥＵＶ光３は、照明光学系２および光路偏向鏡としての平面反射鏡４を介して、転写すべきパターンが形成された反射型のマスク（レチクル）Ｍを照明する。
【００１５】
マスクＭは、そのパターン面がＸＹ平面に沿って延びるように、Ｙ方向に沿って移動可能なマスクステージ５によって保持されている。そして、マスクステージ５の移動は、レーザ干渉計６により計測されるように構成されている。照明されたマスクＭのパターンからの光は、反射型の投影光学系ＰＬを介して、感光性基板であるウェハＷ上にマスクパターンの像を形成する。すなわち、ウェハＷ上には、後述するように、たとえばＹ軸に関して対称な円弧状の実露光領域が形成される。
【００１６】
ウェハＷは、その露光面がＸＹ平面に沿って延びるように、Ｘ方向およびＹ方向に沿って二次元的に移動可能なウェハステージ７によって保持されている。なお、ウェハステージ７の移動は、マスクステージ５と同様に、レーザ干渉計８により計測されるように構成されている。こうして、マスクステージ５およびウェハステージ７をＹ方向に沿って移動させながら、すなわち投影光学系ＰＬに対してマスクＭおよびウェハＷをＹ方向に沿って相対移動させながらスキャン露光（走査露光）を行うことにより、ウェハＷの１つの矩形状のショット領域にマスクＭのパターンが転写される。
【００１７】
このとき、投影光学系ＰＬの投影倍率（転写倍率）が例えば１／４である場合、ウェハステージ７の移動速度をマスクステージ５の移動速度の１／４に設定して同期走査を行う。また、ウェハステージ７をＸ方向およびＹ方向に沿って二次元的に移動させながら走査露光を繰り返すことにより、ウェハＷの各ショット領域にマスクＭのパターンが逐次転写される。
【００１８】
また、図２を参照すると、レーザプラズマ光源１では、レーザ光源１１から発した光（非ＥＵＶ光）が集光レンズ１２を介して気体ターゲット１３上に集光する。ここで、たとえばキセノン（Ｘｅ）からなる高圧ガスがノズル１４より供給され、ノズル１４から噴射されたガスが気体ターゲット１３を形成する。気体ターゲット１３は、集光されたレーザ光によりエネルギーを得てプラズマ化し、ＥＵＶ光を発する。なお、気体ターゲット１３は、楕円反射鏡１５の第１焦点に位置決めされている。したがって、レーザプラズマ光源１から放射されたＥＵＶ光は、楕円反射鏡１５の第２焦点に集光する。一方、発光を終えたガスはダクト１６を介して吸引されて外部へ導かれる。
【００１９】
楕円反射鏡１５の第２焦点に集光したＥＵＶ光は、凹面反射鏡１７を介してほぼ平行光束となり、一対のフライアイミラー１８ａおよび１８ｂからなるオプティカルインテグレータ１８に導かれる。一対のフライアイミラー１８ａおよび１８ｂとして、たとえば特開平１１−３１２６３８号公報において本出願人が開示したフライアイミラーを用いることができる。なお、フライアイミラーのさらに詳細な構成および作用については、同公報における関連の記載を参照することができる。
【００２０】
こうして、第２フライアイミラー１８ｂの反射面の近傍、すなわちオプティカルインテグレータ１８の射出面の近傍には、所定の形状を有する実質的な面光源が形成される。ここで、実質的な面光源は、照明光学系２の射出瞳位置またはその近傍、すなわち投影光学系ＰＬの入射瞳と光学的に共役な面またはその近傍に形成される。実質的な面光源からの光は、平面反射鏡４により偏向された後、マスクＭにほぼ平行に且つ近接して配置された視野絞り１９を介して、マスクＭ上に円弧状の照明領域を形成する。照明されたマスクＭのパターンからの光は、投影光学系ＰＬを介して、ウェハＷ上の円弧状の実露光領域にマスクパターンの像を形成する。
【００２１】
図３は、本実施形態において１回のスキャン露光に必要なウェハのストロークを説明する図である。図３を参照すると、スキャン露光によりウェハＷの矩形状のショット領域ＳＲにマスクＭのパターンを転写する際に、Ｙ軸に関して対称な円弧状の実露光領域ＥＲは、図中実線で示すスキャン開始位置から図中破線で示すスキャン終了位置まで移動することになる。ここで、ショット領域ＳＲのスキャン方向（Ｙ方向）に沿った寸法はＬ１であり、実露光領域ＥＲのスキャン方向に沿った全体寸法はＬ２である。
【００２２】
したがって、ショット領域ＳＲに対する１回のスキャン露光に必要なウェハＷのストローク、すなわちスキャン開始位置からスキャン終了位置までの実露光領域ＥＲの移動距離は、Ｌ１＋Ｌ２で表わされる。前述したように、高スループットの投影露光を実現するにはスキャン露光時のストローク（Ｌ１＋Ｌ２）を小さく抑える必要があるが、ショット領域ＳＲのスキャン方向寸法Ｌ１は既定量であるから、ストローク（Ｌ１＋Ｌ２）を小さく抑えるには実露光領域ＥＲのスキャン方向に沿った全体寸法Ｌ２を小さく抑えることが必要であることがわかる。
【００２３】
図４は、本実施形態の投影光学系を介して得られる輪帯状の光学的有効露光領域内において円弧状の実露光領域を規定する様子を概略的に示す図である。図４において破線で示すように、本実施形態の投影光学系ＰＬを介して、外側半径がＲｏで内側半径がＲｉの輪帯状（円環状）の光学的有効露光領域が得られる。しかしながら実際には、前述したように、反射面による光束の折り返しなどに起因して、輪帯状の光学的有効露光領域の一部である円弧状の有効露光領域が得られる。
【００２４】
本実施形態では、高スループットの投影露光を実現するために、輪帯状の光学的有効露光領域の一部である円弧状の有効露光領域内において円弧状の実露光領域ＥＲを規定する際に円弧状の実露光領域ＥＲのスキャン方向に沿った全体寸法Ｌ２を小さく抑えることが必要である。ただし、円弧状の実露光領域ＥＲのスキャン方向の長さがスキャン直交方向であるＸ方向に沿ったすべての位置において常に一定になるように、２つの対向する円弧の半径は互いに等しく設定されなければならない。また、円弧状の実露光領域ＥＲのスキャン方向の長さは、円弧状の有効露光領域内において最大限に、具体的には（Ｒｏ−Ｒｉ）に設定されなければならない。
【００２５】
この場合、図４（ａ）に示すように、実露光領域ＥＲの円弧の半径ＲｅがＲｅ＝（Ｒｏ＋Ｒｉ）／２を満足するように設定するのが従来の技術において一般的である。これに対し、本実施形態では、図４（ｂ）に示すように、実露光領域ＥＲの円弧の半径ＲｅがＲｅ＝Ｒｏを満足するように設定する。その結果、本実施形態では、図４（ａ）と図４（ｂ）との対比により明らかなように、円弧状の実露光領域ＥＲのスキャン方向に沿った全体寸法Ｌ２を従来技術よりもｄだけ小さく抑えることができる。
【００２６】
以上のように、本実施形態では、投影光学系ＰＬを介して得られる円弧状（光学的には輪帯状）の有効露光領域内において円弧状の実露光領域ＥＲを規定する際に、実露光領域ＥＲの円弧の半径Ｒｅが有効露光領域の外側の半径Ｒｏと一致するように設定している。その結果、本実施形態の露光装置では、輪帯状の光学的有効露光領域を有する投影光学系ＰＬを用い、スキャン露光時のストロークを小さく抑えて、高スループットの投影露光を実現することができる。
【００２７】
本実施形態では、マスクＭにほぼ平行に且つ近接して配置された視野絞り１９を介して、ウェハＷ上における円弧状の実露光領域ＥＲを規定することができる。すなわち、視野絞り１９の開口部（光透過部）を所定の円弧状に設定することにより、ウェハＷ上の円弧状の実露光領域ＥＲに対応する円弧状の照明領域をマスクＭ上に形成することができる。もちろん、これに限定されることなく、視野絞り１９以外の他の適当な規定手段を用いてウェハＷ上における円弧状の実露光領域ＥＲを規定することもできる。
【００２８】
なお、上述の実施形態では、スキャン露光時のストロークを最も小さく抑えるために、実露光領域ＥＲの円弧の半径Ｒｅが有効露光領域の外側の半径Ｒｏと一致するように設定している。しかしながら、これに限定されることなく、実露光領域ＥＲの円弧の半径Ｒｅが（Ｒｏ＋Ｒｉ）／２＜Ｒｅ≦Ｒｏの条件を満足するように設定することにより、スキャン露光時のストロークを小さく抑えて、高スループットの投影露光を実現することができる。
【００２９】
上述の実施形態にかかる露光装置では、照明系によってマスクを照明し（照明工程）、投影光学系を用いてマスクに形成された転写用のパターンを感光性基板に露光する（露光工程）ことにより、マイクロデバイス（半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等）を製造することができる。以下、本実施形態の露光装置を用いて感光性基板としてのウェハ等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例につき図５のフローチャートを参照して説明する。
【００３０】
先ず、図５のステップ３０１において、１ロットのウェハ上に金属膜が蒸着される。次のステップ３０２において、そのｌロットのウェハ上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップ３０３において、本実施形態の露光装置を用いて、マスク（レチクル）上のパターンの像がその投影光学系を介して、その１ロットのウェハ上の各ショット領域に順次露光転写される。
【００３１】
その後、ステップ３０４において、その１ロットのウェハ上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップ３０５において、その１ロットのウェハ上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、マスク上のパターンに対応する回路パターンが、各ウェハ上の各ショット領域に形成される。その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する半導体デバイスをスループット良く得ることができる。
【００３２】
なお、上述の実施形態では、ＥＵＶ光を供給するための光源としてレーザプラズマ光源を用いる露光装置および露光方法に本発明を適用しているが、これに限定されることなく、他の適当な光源を用いる露光装置および露光方法に対して本発明を適用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図１の光源および照明光学系の内部構成を概略的に示す図である。
【図３】本実施形態において１回のスキャン露光に必要なウェハのストロークを説明する図である。
【図４】本実施形態の投影光学系を介して得られる輪帯状の光学的有効露光領域内において円弧状の実露光領域を規定する様子を概略的に示す図である。
【図５】マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例について、そのフローチャートを示す図である。
【図６】シュバルトシルド型の投影光学系を用いる場合に開口（瞳形状）が輪帯状になることを説明する図である。
【図７】オフナー型の投影光学系を用いる場合に円弧状の有効露光領域が得られることを説明する図である。
【符号の説明】
【００３４】
１  レーザプラズマ光源
２  照明光学系
５  マスクステージ
７  ウェハステージ
１１  レーザ光源
１３  気体ターゲット
１４  ノズル
１５  楕円反射鏡
１８  オプティカルインテグレータ
１８ａ，１８ｂ  フライアイミラー
１９  視野絞り
Ｍ  マスク
ＰＬ  投影光学系
Ｗ  ウェハ
ＥＲ  実露光領域
ＳＲ  ショット領域
【図１】
2005072513.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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