(57)【要約】【課題】フラッシュメモリ等の不揮発性メモリ上のプログラムやデータを書換えている最中に電子機器の電源断等のトラブルが発生し、不揮発性メモリ上のプログラムが破壊されても、再度プログラム等の情報の書込みを行うことができる、不揮発性メモリを備えた電子機器を提供すること。【解決手段】プロセッサ２と不揮発性メモリ（フラッシュメモリ）３とを備えた電子機器であって、インターフェース１５を介して外部機器２１からの情報を受信する受信手段と、受信した前記情報を不揮発性メモリ３に直接アクセスして、不揮発性メモリ３に前記情報を書き込む書き込み手段と、を備える不揮発性メモリを備えた電子機器１。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセッサと不揮発性メモリとを備えた電子機器において、インターフェースを介して外部機器からの情報を受信する受信手段と、前記受信手段で受信した前記情報を不揮発性メモリに直接アクセスして、該不揮発性メモリに前記情報を書き込む書き込み手段と、を備えることを特徴とする不揮発性メモリを備えた電子機器。
【請求項２】
前記書き込み手段が不揮発性メモリにアクセスするときには、前記プロセッサを非動作状態に保持することを特徴とする請求項１記載の不揮発性メモリを備えた電子機器。
【請求項３】
プロセッサと不揮発性メモリとを備えた電子機器における不揮発性メモリの書換え方法において、プロセッサを非動作状態に移行させるステップと、インターフェースを介して外部機器からの情報を受信するステップと、受信した前記情報を不揮発性メモリに書き込むステップと、前記プロセッサの非動作状態を解除するステップと、を有する電子機器の不揮発性メモリの書換え方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、不揮発性メモリを備えた電子機器及びその不揮発性メモリの書換え方法に関し、特に、不揮発性メモリに情報を書き込むための技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
不揮発性メモリ、例えばフラッシュメモリ、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｅｒａｓａｂｌｅ  ａｎｄ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  ＲＯＭ）を備えた電子機器において、インターフェースを外部機器に接続してそのフラッシュメモリの内容を書換えられるようにした電子機器が知られている（例えば、特許文献１。）。このような、フラッシュメモリ上のデータの書き換えは、電子機器のＭＰＵ（マイクロ・プロセッサ）が、フラッシュメモリに格納された書換えプログラムを実行することによって行われる。
【０００３】
フラッシュメモリ上に格納された情報（プログラム、データ）の多くは、電子機器出荷後の制御プログラムのバージョンアップや電子機器の機能向上等の目的で書換えを行う必要性が生じる場合がある。また、かかる書換えを行うために必要な書換えプログラムもフラッシュメモリ上に格納されている場合が多く、この書換えプログラム自体をも書換える必要性が生じる場合もある。書換えプログラム自体を書換えるためには、フラッシュメモリ上にあるプログラムをＲＡＭ上に移動させて、ＭＰＵにＲＡＭ上の書換えプログラムを実行させることにより行うことが可能である。しかし、このように、ＲＡＭ上から書換えプログラムを実行させて、フラッシュメモリ上のプログラムを書換えている最中に電子機器の電源断等のトラブルが発生すると、ＲＡＭ上の書換えプログラムが消失するとともにフラッシュメモリ上のプログラムが破壊される可能性がある。その結果、書き換え不能に陥るのみならず、電子機器の起動すらできなくなる可能性がある。
【０００４】
【特許文献１】
特開２０００−１０１７６８号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、不揮発性メモリ上のプログラムやデータを書換えている最中に電子機器の電源断等のトラブルが発生し、不揮発性メモリ上のプログラムが破壊されても、再度プログラム等の情報の書込みを行うことができる、不揮発性メモリを備えた電子機器及びその不揮発性メモリの書換え方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１記載の不揮発性メモリを備えた電子機器は、プロセッサと不揮発性メモリとを備えた電子機器において、インターフェースを介して外部機器からの情報を受信する受信手段と、前記受信手段で受信した前記情報を不揮発性メモリに直接アクセスして、該不揮発性メモリに前記情報を書き込む書き込み手段と、を備えることを特徴としている。
【０００７】
請求項２記載の不揮発性メモリを備えた電子機器は、請求項１記載の不揮発性メモリを備えた電子機器において、前記書き込み手段が不揮発性メモリにアクセスするときには、前記プロセッサを非動作状態に保持することを特徴としている。
【０００８】
請求項３記載の不揮発性メモリの書換え方法は、プロセッサと不揮発性メモリとを備えた電子機器における不揮発性メモリの書換え方法において、プロセッサを非動作状態に移行させるステップと、インターフェースを介して外部機器からの情報を受信するステップと、受信した前記情報を不揮発性メモリに書き込むステップと、前記プロセッサの非動作状態を解除するステップと、を有することを特徴としている。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態に係る不揮発性メモリを備えた電子機器及びその不揮発性メモリの書換え方法について図面に基づき説明する。なお、以下の説明では、不揮発性メモリとしてフラッシュメモリを例にあげているが、これに限定されるものではない。図１にフラッシュメモリを備えた電子機器の１例であるファクシミリ装置１の構成例を示す。すなわち、ファクシミリ装置１は、ＭＰＵ（マイクロ・プロセッサ）２、フラッシュメモリ３、ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリー）４、画像メモリ５、表示部６、操作部７、プリンタ８、スキャナ９、ＣＯＤＥＣ１０、モデム１１、ＮＣＵ（ネットワークコントロールユニット）１２及びＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）１３を備えたものであって、各部２乃至１３は通信可能にバス１４によって接続されている。
【００１０】
ＭＰＵ２は、フラッシュメモリ３に格納された所定プログラムに従って、このファクシミリ装置１を構成する各部を制御する。フラッシュメモリ３は、ＭＰＵ２によりこのファクシミリ装置１の各部の動作を制御するための各種プログラムを記憶している。ＲＡＭ４は、各種設定情報等を記憶する記憶部として、また、一時的に蓄積される諸データの記憶部として機能する。
【００１１】
画像メモリ５は、ファクシミリ受信した画像データ、スキャナ９で読み取った画像データ等を一時的に蓄積する記憶部として機能する。表示部６は、オペレータに通信情報、操作情報等の各種情報を画面情報として表示する。操作部７は、ファクシミリ番号、メールアドレス等の各種情報を入力する入力キー、表示部６に表示された反転表示の移動等を行うためのカーソルキー等から構成され、オペレータによる各種操作はこの操作部７を通じて行われる。
【００１２】
プリンタ８は、例えば電子写真方式のものからなり、受信した画像データ等を記録紙上に記録する。スキャナ９は、原稿の画像データを読み取って、白黒２値化した画像データを出力する。
【００１３】
ＣＯＤＥＣ（コーデック）１０は、原稿の画像データを送信のためにＭＨ、ＭＲ、ＭＭＲ方式等により符号化し、受信した画像データを復号する。
【００１４】
ＭＯＤＥＭ（モデム）１１は、例えばＩＴＵ−Ｔ（国際電気通信連合）の勧告Ｖ．３４規格又はこれと同様のものに従った送受信データの変調及び復調を行うものであり、ＮＣＵ１２は、電話回線を制御してモデム１１と公衆網（ＰＳＴＮ）とを接続したり切ったりする回線網制御装置である。
【００１５】
ＡＳＩＣ１３は、図２に示すように、外部機器（本明細書においては、外部の電子機器を意味する。）と情報（当該外部機器との通信のためのデータ、フラッシュメモリ３に書き込むプログラムやデータ等）を送受信するためのシリアル・インターフェース１５と、シリアル・インターフェース１５と後記制御部１６に介在されたＳ／Ｐ（シリアル／パラレルコンバータ）１７と、制御部１６と、シリアル・インターフェース１５等を介してホストコンピュータ２１から受信したデータを格納するバッファメモリ１８と、ホストコンピュータ２１から受信したスタートアドレスを格納するスタートアドレスレジスタ１９と、アドレスカウンタ２０とを備え、専用スイッチ２２が外部に接続される。なお、シリアル・インターフェースとしては、ＲＳ２３２Ｃ、ＵＳＢ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  Ｓｅｒｉａｌ  Ｂｕｓ）、ＩＥＥＥ１３９４等が採用される。
【００１６】
制御部１６は、ＭＰＵ２のバスライン１４に接続されるとともに、フラッシュメモリ３とチップセレクト（／ＣＳ）、リードイネーブル（／ＲＤ）、ライトイネーブル（／ＷＲ）、ビジー信号等の制御信号用の配線を介して接続されている。そして、制御部１６は、ホストコンピュータ２１から後述する「開始」信号の受信により、フラッシュメモリ３への書込みシーケンスをハードウエアのみで実行することにより、このＡＳＩＣ１３を、シリアル・インターフェース１５を介してホストコンピュータ２１からの情報（プログラム、データ等）を受信する受信手段、及び、受信した情報をフラッシュメモリ３に直接アクセスして、フラッシュメモリ３に受信した情報を書き込む書込み手段、として機能させる。
【００１７】
専用スイッチ２２は、制御部１６にフラッシュメモリ３の書込みモード状態へ移行することを認識させるために断接されるものである。専用スイッチ２２としては、例えばディップスイッチが使用されており、ＧＮＤレベル信号が制御部１６に印加されることにより、制御部１６及びＭＰＵ２はハード的に書込みモードへ移行することを認識する。
【００１８】
つぎに、上記に説明した構成を備えるファクシミリ装置１のフラッシュメモリ３の情報（プログラム、データ）を書き込む方法について図３に示すフローチャート及び図４に示すディバイス接続図に基づいて説明する。
【００１９】
まず、フラッシュメモリ３に書き込むためのデータを有するホストコンピュータ２１とＡＳＩＣ１３とをＲＳ２３２Ｃ等のシリアルインターフェース１５を用いて接続する。続いて、前記専用スイッチ２２の操作により、制御部１６及びＭＰＵ２に書込みモードへ移行することをハード的に認識させた後、以下に説明する処理動作が開始される。
【００２０】
すなわち、ステップＳ１として、ＭＰＵ２が非動作状態に設定され、ＭＰＵ２のアドレス／データ出力がハイインピーダンス状態に移行され、その状態が保持されるとともに、ＡＳＩＣ１３がバスマスターとなる（図４参照）。
【００２１】
ステップＳ２として、ＡＳＩＣ１３は、シリアルインターフェース１５を介して外部機器であるホストコンピュータ２１から、該コンピュータ２１に格納されたプログラム、データ等の情報を受信する。この時の具体的な通信シーケンス例を図５に示す。
【００２２】
すなわち、ＡＳＩＣ１３は、最初に、ホストコンピュータ２１からフラッシュメモリ３に書き込むべき情報の送信を開始すべき旨を知らせる「開始」信号を受信する。次いで、ホストコンピュータ２１から情報の書込みを開始すべきフラッシュメモリ３上の「スタートアドレス」を受信して自身のスタートアドレスレジスタ１９に格納する。なお、各種信号が受信される毎にＡＳＩＣ１３からホストコンピュータ２１に肯定信号「ＡＣＫ」が返信される。次いで、ホストコンピュータ２１からフラッシュメモリ３に書き込むべきデータを所定バイト数受信してバッファメモリ１８に格納する。そして、バッファメモリ１８内のデータを、フラッシュメモリ３に書き込む。
【００２３】
ＡＳＩＣ１３がホストコンピュータ２１から「データ終了信号」を受信するまで、ホストコンピュータ２１からのデータを受信しバッファメモリ１８に格納する処理（Ｓ２）、及びバッファメモリ１８内のデータをフラッシュメモリ３に書き込む処理が繰り返される（Ｓ３）。ＡＳＩＣ１３がホストコンピュータ２１からの「データ終了信号」を受信したと判定すると（Ｓ４）、データの書込みが完了する。
【００２４】
書込みが完了した後は、ステップＳ５として、ＭＰＵ２の非動作状態が解除され、ハイインピーダンス状態にあるＭＰＵ２のアドレス／データ出力が元の状態に復帰されるとともに、ＡＳＩＣ１３のバスマスターとしての役割は解除される。
【００２５】
以上の説明から明らかなように、上記ファクシミリ装置（フラッシュメモリを備えた電子機器）１によれば、ＭＰＵ（プロセッサ）２を介することなく、外部機器であるホストコンピュータ２１から受信した情報（プログラム、データ等）が独立したハードウエアであるＡＳＩＣ１３によって直接フラッシュメモリ３に書き込まれる。このためＭＰＵ２がＲＡＭ４上の書換えプログラムを実行して、フラッシュメモリ３の情報を書換えている最中に電源断等のアクシデントが発生して、フラッシュメモリ３上のプログラムやデータが破壊されたとしても、ＭＰＵ２とは独立して動作可能なハードウエアであるＡＳＩＣ１３を用いるので、ホストコンピュータ２１からのプログラムや情報をフラッシュメモリ３へ書き込むことができる。その結果、破壊されたフラッシュメモリ３上の情報を修復させることができる。
【００２６】
なお、前記ＲＳ−２３２Ｃ等のシリアル・インターフェースに代えてパラレル・インターフェースを使用してもよい。
【００２７】
【発明の効果】
請求項１又は請求項２記載の不揮発性メモリを備えた電子機器によれば、外部機器からの情報（プログラム、データ等）がプロセッサを介さずに直接不揮発性メモリに書き込まれるため、不揮発性メモリの情報を書換えている最中に電源断等のアクシデントが発生してプログラムやデータが破壊されても、再度外部機器からの情報の書込みを行うことができ、破壊された不揮発性メモリ上の情報を修復させることができる。
【００２８】
請求項３記載の不揮発性メモリの書換え方法によれば、請求項１又は２記載の不揮発性メモリを備えた電子機器と同様の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る不揮発性メモリを備えた電子機器の一例であるファクシミリ装置の構成例を示した図である。
【図２】ＡＳＩＣの構成例を示した図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る不揮発性メモリの書換え方法の一例を示したフローチャートである。
【図４】ファクシミリ装置（電子機器）及びホストコンピュータ（外部機器）におけるディバイス接続状態の一例を示した図である。
【図５】ＡＳＩＣがホストコンピュータ（外部機器）から情報（スタートアドレス、プログラム、データ等）を受信する際に相互間で形成される通信シーケンスの一例を示した図である。
【符号の説明】
１  ファクシミリ装置（不揮発性メモリを備えた電子機器）
２  ＭＰＵ（プロセッサ）
３  フラッシュメモリ（不揮発性メモリ）
１３  ＡＳＩＣ
１４  バス
１５  シリアル・インターフェース（インターフェース）
１６  制御部
１８  バッファメモリ
２１  ホストコンピュータ（外部機器）
２２  専用スイッチ
【図１】
2005025597.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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