(57)【要約】  【課題】除電のためのイオンを含むクリーンエアの整流を基板に供給できる基板処理装置を提供する。  【解決手段】除電機能付ファンフィルタユニット５０は、送風口５２３の直上においてクリーンエアの気流が通過する領域を取り囲むようにイオナイザ５２４を配置した構成を有している。これにより、送風口５２３へ向かうクリーンエアの気流がイオナイザ５２４によって乱されることがなく、送風口５２３からイオンを含むクリーンエアのダウンフローを整流の状態でロボット配置空間２２に供給することができる。よって、インデクサロボットＩＲによって搬送されるウエハＷがロボット配置空間２２を通過すると、そのウエハＷの表面にイオンが供給されて、ウエハＷが静電気を帯びている場合には、その静電気がイオンによって中和されて除去される。【選択図】        図２
2005072374.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して所定の処理を施すための基板処理装置であって、
一定の方向に沿ったクリーンエアの気流を形成する気流形成手段と、
この気流形成手段によって形成されるクリーンエアの気流が通過する領域の周囲に配置されており、当該領域内に向けて基板の除電のためのイオンを発射するイオン発射手段と
を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
上記気流形成手段は、処理対象の基板が存在しうる空間に臨んだ送風口から当該空間内に向けてクリーンエアを送風することにより、当該空間内に一定の方向に沿ったクリーンエアの気流を形成するものであり、
上記イオン発射手段は、上記気流形成手段によって形成されるクリーンエアの気流の方向に関して上記送風口よりも上流側であって、上記送風口に向かうクリーンエアの気流が通過する領域の周囲に配置されていて、当該クリーンエアの気流に向けてイオンを発射するものであることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
上記イオン発射手段は、上記気流形成手段と一体的に設けられていることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
基板に対して所定の処理を施すための基板処理装置であって、
一定の方向に沿ったクリーンエアの気流を形成する気流形成手段と、
この気流形成手段によって形成されるクリーンエアの気流が通過する領域の少なくとも一部に軟Ｘ線を照射する軟Ｘ線照射手段と
を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
上記気流形成手段は、処理対象の基板が存在しうる空間に臨んだ送風口から当該空間内に向けてクリーンエアを送風することにより、当該空間内に一定の方向に沿ったクリーンエアの気流を形成するものであり、
上記軟Ｘ線照射手段は、上記気流形成手段によって形成されるクリーンエアの気流の方向に関して上記送風口よりも上流側に配置されていることを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
上記軟Ｘ線照射手段は、上記気流形成手段と一体的に設けられていることを特徴とする請求項４または５記載の基板処理装置。
【請求項７】
基板に対して薬液を用いた処理を施すための薬液処理室と、
この薬液処理室内で処理対象の基板が存在しうる空間に臨んだ送風口からクリーンエアの気流を送風して、当該空間内に一定の方向に沿ったクリーンエアの気流を形成する気流形成手段と、
この気流形成手段によって形成されるクリーンエアの気流の方向に関して上記送風口よりも上流側に配置されていて、上記送風口から送風されるクリーンエアの気流に基板の除電のためのイオンを含ませるための除電手段と
を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
上記除電手段は、上記送風口に向かうクリーンエアの気流が通過する領域の周囲に配置されていて、当該クリーンエアの気流に向けてイオンを発射するものであることを特徴とする請求項７記載の基板処理装置。
【請求項９】
上記除電手段は、上記送風口から送風されるクリーンエアの気流が通過する領域の少なくとも一部に軟Ｘ線を照射するものであることを特徴とする請求項７記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板およびフォトマスク用基板などの基板を処理するための基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板に対して処理（たとえば、洗浄処理やエッチング処理）を行うための基板処理装置が用いられる。たとえば、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置は、基板処理部とインデクサ部とを直列に結合した構成を有している。処理対象の基板は、基板搬送用のカセットに収容された状態でインデクサ部に搬入され、このインデクサ部に配置されたインデクサロボットによって、カセットから取り出されて基板処理部へと搬送される。そして、基板処理部で所定の処理を受けた後、インデクサロボットによって、基板処理部から搬出されてカセットに戻される。
【０００３】
インデクサ部には、その最上部にＦＦＵ配置空間が設けられており、このＦＦＵ配置空間には、ファンフィルタユニット（ＦＦＵ：Fan Filter Unit）が収容されている。ファンフィルタユニットは、ファンおよびフィルタを上下に積層した構成であり、ファンが駆動されると、このファンによる送風が、フィルタを通過する際に浄化されて、ＦＦＵ配置空間の下方のロボット配置空間（インデクサロボットが配置されている空間）にダウンフローとなって吹き出される。これにより、ロボット配置空間を清浄に保つことができ、インデクサロボットによる搬送中の基板の汚染を防止することができる（たとえば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−３７１４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
基板処理部では、たとえば、基板の表面に薬液などの処理液が供給されて、基板に対して処理液による表面処理が行われた後、その基板を高速回転させて乾燥させるスピンドライ処理が行われる。このようなスピンドライ処理では、基板の表面に高速回転に伴う基板周囲の雰囲気との摩擦によって静電気を生じることがある。スピンドライ処理後の基板が静電気を帯びていると、その基板がインデクサ部を搬送される過程、さらにカセットに収容されて搬送される過程で、雰囲気中のパーティクルが基板表面に静電吸着し、そのパーティクルによって基板表面が汚染されてしまう。したがって、基板の表面に生じた静電気は除去する必要がある。
【０００５】
図６は、基板の除電（基板が帯びた静電気の除去）が可能なインデクサ部の構成を図解的に示す図である。インデクサ部における基板Ｗの除電は、たとえば、ファンフィルタユニット９１からのクリーンエアのダウンフローが通過する領域内にイオナイザ９２を配置して、ファンフィルタユニット９１からのダウンフローにイオナイザ９２で生成されたイオンを含ませることにより達成できる。ところが、クリーンエアのダウンフローが通過する領域内にイオナイザ９２を配置すると、図７に示すように、クリーンエアのダウンフロー（整流）がイオナイザ９２に当たって乱流となり、このクリーンエアの乱流がパーティクルを巻き上げるおそれがある。
【０００６】
基板処理部にファンフィルタユニットが備えられていれば、そのファンフィルタユニットからのクリーンエアのダウンフローが通過する領域内にイオナイザを配置して、基板処理部において基板の除電を行うことも考えられる。しかしながら、イオナイザは一般的に耐薬液構造になっていないため、酸やアルカリを含む薬液を用いた処理が行われる基板処理部では、そのような位置にイオナイザを配置することができない。また、たとえイオナイザを配置することができたとしても、ファンフィルタユニットからのクリーンエアのダウンフローが通過する領域内にイオナイザを配置した構成では、クリーンエアのダウンフローが乱れるという問題を回避することができない。
【０００７】
そこで、この発明の目的は、除電のためのイオンを含むクリーンエアの整流を基板に供給できる基板処理装置を提供することである。
【０００８】
また、この発明の他の目的は、基板に対して酸やアルカリの薬液を用いた処理を行う処理室内で基板の除電を達成できる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）に対して所定の処理を施すための基板処理装置であって、一定の方向に沿ったクリーンエアの気流を形成する気流形成手段（５１２，５２２）と、この気流形成手段によって形成されるクリーンエアの気流が通過する領域の周囲に配置されており、当該領域内に向けて基板の除電のためのイオンを発射するイオン発射手段（５２４）とを含むことを特徴とする基板処理装置である。
【００１０】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
【００１１】
上記の構成によれば、イオン発射手段がクリーンエアの気流が通過する領域の周囲に配置されているから、クリーンエアの気流を乱すことなく、そのクリーンエアの気流に除電のためのイオンを含ませることができる。よって、除電のためのイオンを含むクリーンエアの整流を基板に供給することができる。
【００１２】
請求項２記載の発明は、上記気流形成手段は、処理対象の基板が存在しうる空間（２２；１２）に臨んだ送風口（５２３）から当該空間内に向けてクリーンエアを送風することにより、当該空間内に一定の方向に沿ったクリーンエアの気流を形成するものであり、上記イオン発射手段は、上記気流形成手段によって形成されるクリーンエアの気流の方向に関して上記送風口よりも上流側であって、上記送風口に向かうクリーンエアの気流が通過する領域の周囲に配置されていて、当該クリーンエアの気流に向けてイオンを発射するものであることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置である。
【００１３】
この構成によれば、送風口からクリーンエアの気流が送風されている間は、処理対象の基板が存在しうる空間内の雰囲気がイオン発射手段に到達するおそれがない。したがって、たとえ処理対象の基板が存在しうる空間内で薬液を用いた処理が行われる場合であっても、その処理が行われている間、送風口からクリーンエアの気流が送風されていれば、イオン発射手段が薬液雰囲気による腐食を受けるおそれがない。
【００１４】
請求項３記載の発明は、上記イオン発射手段は、上記気流形成手段と一体的に設けられていることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置である。
【００１５】
この構成によれば、イオン発射手段の配置スペースを気流形成手段の配置スペースとは別に設ける必要がない。また、イオン発射手段を気流形成手段とは離れて配置する場合、イオン発射手段を基板処理装置に対して取り付けるための金具などを必要とするのに対し、請求項３の構成では、そのような金具を必要としないので、その分、装置コストを低く抑えることができる。
【００１６】
請求項４記載の発明は、基板（Ｗ）に対して所定の処理を施すための基板処理装置であって、一定の方向に沿ったクリーンエアの気流を形成する気流形成手段（６１２，６２２）と、この気流形成手段によって形成されるクリーンエアの気流が通過する領域の少なくとも一部に軟Ｘ線を照射する軟Ｘ線照射手段（６２４）とを含むことを特徴とする基板処理装置である。
【００１７】
軟Ｘ線が通過する領域では、その通過領域内に含まれる安定状態の気体原子および気体分子から電子がはじき出されてプラスイオンが生成され、そのはじき出された電子が安定状態の他の気体原子および気体分子に付着してマイナスイオンが生成されるといったようにして、プラスイオンおよびマイナスイオンが次々に生成される。
【００１８】
請求項４の構成によれば、クリーンエアの気流に軟Ｘ線が照射されることにより、クリーンエアの気流内にプラスイオンおよびマイナスイオンが発生する。クリーンエアの気流が通過する領域に軟Ｘ線を照射するために、その領域外に軟Ｘ線照射手段が配置されるから、軟Ｘ線照射手段によってクリーンエアの気流が乱されることはなく、また、軟Ｘ線の照射によってクリーンエアの気流が乱れることもないから、除電のためのイオンを含むクリーンエアの整流を基板に供給することができる。
【００１９】
請求項５記載の発明は、上記気流形成手段は、処理対象の基板が存在しうる空間（２２；１２）に臨んだ送風口（６２３）から当該空間内に向けてクリーンエアを送風することにより、当該空間内に一定の方向に沿ったクリーンエアの気流を形成するものであり、上記軟Ｘ線照射手段は、上記気流形成手段によって形成されるクリーンエアの気流の方向に関して上記送風口よりも上流側に配置されていることを特徴とする請求項４記載の基板処理装置である。
【００２０】
この構成によれば、送風口からクリーンエアの気流が送風されている間は、処理対象の基板が存在しうる空間内の雰囲気が軟Ｘ線照射手段に到達するおそれがない。したがって、たとえ当該空間内で薬液を用いた処理が行われる場合であっても、その処理が行われている間、送風口からクリーンエアの気流が送風されていれば、軟Ｘ線照射手段が薬液雰囲気による腐食を受けるおそれがない。
【００２１】
請求項６記載の発明は、上記軟Ｘ線照射手段は、上記気流形成手段と一体的に設けられていることを特徴とする請求項４または５記載の基板処理装置である。
【００２２】
この構成によれば、軟Ｘ線照射手段の配置スペースを気流形成手段の配置スペースとは別に設ける必要がない。また、軟Ｘ線照射手段を気流形成手段とは離れて配置する場合、軟Ｘ線照射手段を基板処理装置に対して取り付けるための金具などを必要とするのに対し、請求項６の構成では、そのような金具を必要としないので、その分、装置コストを低く抑えることができる。
【００２３】
請求項７記載の発明は、基板（Ｗ）に対して薬液を用いた処理を施すための薬液処理室と、この薬液処理室内で処理対象の基板が存在しうる空間に臨んだ送風口（５２３）からクリーンエアの気流を送風して、当該空間内に一定の方向に沿ったクリーンエアの気流を形成する気流形成手段（５１２，５２２）と、この気流形成手段によって形成されるクリーンエアの気流の方向に関して上記送風口よりも上流側に配置されていて、上記送風口から送風されるクリーンエアの気流に基板の除電のためのイオンを含ませるための除電手段（５２４）とを含むことを特徴とする基板処理装置である。
【００２４】
この構成によれば、基板に対して酸やアルカリの薬液を用いた処理を行う薬液処理室内で基板の除電を達成できる。そして、送風口からクリーンエアの気流が送風されている間は、薬液処理室内の雰囲気が除電手段に到達するおそれがないから、基板に対する薬液処理が行われている間、送風口からクリーンエアの気流が送風されていれば、除電手段が薬液雰囲気による腐食を受けるおそれがない。
【００２５】
上記除電手段は、請求項８に記載のように、上記送風口に向かうクリーンエアの気流が通過する領域の周囲に配置されていて、当該クリーンエアの気流に向けてイオンを発射するものであってもよいし、請求項９に記載のように、上記送風口から送風されるクリーンエアの気流が通過する領域の少なくとも一部に軟Ｘ線を照射するものであってもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００２７】
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを示す図解的な平面図である。この基板処理装置は、基板の一例としての半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）Ｗに対して薬液（少なくとも酸またはアルカリを含む処理液）を用いた表面処理を行う枚葉式の装置であり、基板処理部１とインデクサ部２とが直列に結合された構成を有している。インデクサ部２の基板処理部１が結合されている側とは反対側には、たとえば、未処理のウエハＷを収容したカセットＣ１がセットされるローダ部３と、処理済のウエハＷを収容すべきカセットＣ２がセットされるアンローダ部４とが設定されている。
【００２８】
カセットＣ１に収容されている未処理のウエハＷは、インデクサ部２に備えられたインデクサロボットＩＲによって、カセットＣ１から取り出されて、基板処理部１へと搬送される。基板処理部１には、隔壁によって薬液処理室が区画形成されており、この薬液処理室内でウエハＷに対して薬液を用いた表面処理が行われる。また、その薬液処理後のウエハＷを高速回転させて乾燥させるスピンドライ処理が薬液処理室内で行われる。スピンドライ処理後のウエハＷは、インデクサロボットＩＲによって、基板処理部１から搬出されて、アンローダ部４にセットされているカセットＣ２に収容される。
【００２９】
図２は、インデクサ部２の構成を図解的に示す断面図である。インデクサ部２には、その最上部にＦＦＵ（ＦＦＵ：Fan Filter Unit）配置空間２１が設けられており、このＦＦＵ配置空間２１の下方のロボット配置空間２２にインデクサロボットＩＲが配置されている。
【００３０】
ＦＦＵ配置空間２１には、除電機能付ファンフィルタユニット５０が配置されている。除電機能付ファンフィルタユニット５０は、ロボット配置空間２２にウエハＷの除電のためのイオンを含むクリーンエアを送風することによって、ロボット配置空間２２にイオンを含むクリーンエアのダウンフロー（鉛直下方に向かうクリーンエアの気流）を形成する。
【００３１】
インデクサロボットＩＲによるウエハＷの搬送は、ロボット配置空間２２にイオンを含むクリーンエアのダウンフローが形成されている環境下で行われる。これにより、スピンドライ処理時において、ウエハＷの高速回転に伴う雰囲気との摩擦によってウエハＷの表面に静電気が発生しても、インデクサロボットＩＲによるウエハＷの搬送中に、そのウエハＷの表面に発生した静電気を除去することができ、スピンドライ処理後のウエハＷが静電気を帯びた状態でカセットＣ２に収容されることを防止できる。
【００３２】
図３は、除電機能付ファンフィルタユニット５０を斜め下方から見た図である。除電機能付ファンフィルタユニット５０は、ファン部５１およびフィルタ部５２を上下に積層した構成を有している。
【００３３】
ファン部５１は、中空立方体状のファンケーシング５１１と、このファンケーシング５１１内に収容されたファン５１２（図２参照）とを備えている。ファンケーシング５１１の下面には、フィルタ部５２内に連通する開口（図示せず）が形成されており、ファン５１２が駆動されると、ファン５１２からの送風がその開口を介してフィルタ部５２に導入されるようになっている。
【００３４】
フィルタ部５２は、四角枠状の側面を有するフレーム５２１を備えている。フレーム５２１内には、ファンケーシング５１１の下面に形成された開口に対向して、その開口からフレーム５２１内に導入される送風を浄化するためのフィルタ５２２が嵌め込まれて保持されている。これにより、フレーム５２１内に導入される送風は、フィルタ５２２を通過し、このとき浄化されることによりクリーンエアとなって、フレーム５２１の開放された下面からロボット配置空間２２に向けて流出する。このことから、フレーム５２１の開放された下面、つまりフレーム５２１の側面下端縁によって囲まれた開口部分５２３は、ロボット配置空間２２に向けてクリーンエアを送り出すための送風口であると言える。
【００３５】
フレーム５２１の各側面の下端部には、複数個のイオナイザ５２４が適当な間隔を空けて配置されている。イオナイザ５２４は、たとえば、対向電極間に高電圧を印加したときに生じるコロナ放電によってイオン（プラスイオンおよびマイナスイオン）を発生させるコロナ放電式のものであり、その発生したイオンを発射するためのイオン発射口５２５をフレーム５２１の内方の斜め下方に向けて設けられている。すなわち、フレーム５２１の最下部には、複数のイオン発射口５２５が、それぞれ送風口５２３の直上の領域に臨んだ状態で、その領域を通過するクリーンエアの気流の周囲を取り囲むように設けられている。
【００３６】
なお、イオン発射口５２５は、フレーム５２１の内方に真横（ほぼ水平方向）に向けて設けられていてもよく、あるいは、フレーム５２１の内方の垂直下方から水平横方向に至る範囲で角度調整できるようになっていてもよいし、さらには、フレーム５２１の内方の斜め下方から水平横方向に至る範囲でモータ等により連続的に往復して回動（首振り）するようになっていてもよい。
【００３７】
この構成により、ファン５１２を駆動している状態でイオナイザ５２４を作動させると、送風口５２３を通過するクリーンエアの気流に向けて、イオン発射口５２５からイオンが発射され、その発射されたイオンを含むクリーンエアの気流が送風口５２３からロボット配置空間２２に供給される。送風口５２３からのイオンを含むクリーンエアの気流は、ロボット配置空間２２にダウンフローを形成し、これにより、インデクサロボットＩＲによって搬送されるウエハＷがロボット配置空間２２を通過すると、そのウエハＷの表面にイオンが供給されて、ウエハＷが静電気（負電荷または正電荷）を帯びている場合には、その静電気がイオンによって中和されて除去される。
【００３８】
以上のように、この実施形態によれば、インデクサ部２の最上部に設けられたＦＦＵ配置空間２１に除電機能付ファンフィルタユニット５０が配置されていて、この除電機能付ファンフィルタユニット５０の働きにより、インデクサロボットＩＲが配置されたロボット配置空間２２に、ウエハＷの除電のためのイオンを含むクリーンエアのダウンフローが形成される。これにより、スピンドライ処理時において、ウエハＷの高速回転に伴う雰囲気との摩擦によってウエハＷの表面に静電気が発生しても、インデクサロボットＩＲによる搬送中にウエハＷの除電を達成することができる。よって、ウエハＷが静電気を帯びた状態でカセットＣ２に収容されることがなく、その後のウエハＷの搬送過程において、ウエハＷの表面が雰囲気中のパーティクルの静電吸着によって汚染されるおそれがない。
【００３９】
また、送風口５２３の直上においてクリーンエアの気流が通過する領域を取り囲むようにイオナイザ５２４（イオン発射口５２５）が配置されているから、送風口５２３へ向かうクリーンエアの気流がイオナイザ５２４によって乱されることがなく、送風口５２３からクリーンエアのダウンフローを整流の状態でロボット配置空間２２に供給することができる。よって、クリーンエアの乱流によるロボット配置空間２２内でのパーティクルの巻き上げの問題を生じるおそれがない。
【００４０】
さらにまた、この実施形態の構成では、フィルタ５２２を保持しているフレーム５２１にイオナイザ５２４が取り付けられているから、ファンおよびフィルタを上下に積層した構成のファンフィルタユニットをＦＦＵ配置空間に配置し、イオナイザをロボット配置空間に配置する構成と比較して、インデクサロボットＩＲの上下方向の可動範囲を大きくとることができる。その結果、インデクサロボットＩＲがアクセス可能な範囲（ウエハＷを搬送可能な範囲）が広がるから、たとえば、ウエハＷに対して処理を行うための処理室を多段に積み重ねて設けることが可能となり、装置のフットプリント（専有面積）を縮小することができる。また、インデクサロボットＩＲの上方に十分なスペースを確保できるから、インデクサロボットＩＲなどのメンテナンス作業を行いやすいといった利点もある。さらに、イオナイザをロボット配置空間に配置する構成では、そのイオナイザをロボット配置空間内で固定するための金具などを必要とするのに対し、この実施形態の構成では、そのような金具を必要としないので、その分、装置コストを低く抑えることができる。
【００４１】
また、除電機能付ファンフィルタユニット５０は、クリーンエアの気流の方向に関して送風口５２３の上流側にイオナイザ５２４を配置した構成を採用しているので、ウエハＷに対して薬液を用いた処理を行うための薬液処理室内に配置することもでき、これにより薬液処理室内でのウエハＷの除電を達成することができる。
【００４２】
図４は、除電機能付ファンフィルタユニット５０を配置した薬液処理室内の構成を図解的に示す図である。除電機能付ファンフィルタユニット５０は、薬液処理室内の最上部に設定されたＦＦＵ配置空間１１に配置され、そのＦＦＵ配置空間１１の下方の空間１２には、ウエハＷをほぼ水平に保持して鉛直軸線まわりに回転するスピンチャック１３と、このスピンチャック１３に保持されたウエハＷの上面に薬液を供給するための薬液ノズル１４とが配置されている。
【００４３】
未処理のウエハＷがスピンチャック１３に受け渡されると、まず、スピンチャック１３によってウエハＷが予め定める回転速度で回転される。そして、その回転しているウエハＷの上面の中央部に薬液ノズル１４からの薬液が供給される。ウエハＷの上面の中央部に供給された薬液は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、そのウエハＷの上面を周縁へ向けて流れる。これにより、ウエハＷの上面の全域に薬液が行き渡り、ウエハＷの上面に対して薬液による処理が施される。薬液による処理後には、回転中のウエハＷに純水が供給されることにより、ウエハＷが水洗された後、ウエハＷの回転速度が予め定める高回転速度に上げられて、水洗後のウエハＷに付着している純水を遠心力で振り切って乾燥させるスピンドライ処理が行われる。スピンドライ処理が終了すると、スピンチャック１３によるウエハＷの回転が止められて、スピンチャック１３から処理済みのウエハＷが搬出される。
【００４４】
このようなウエハＷに対する一連の処理が行われている間、除電機能付ファンフィルタユニット５０からウエハＷの除電のためのイオンを含むクリーンエアの気流が送風されて、スピンチャック１３が配置されている空間１２に、そのイオンを含むクリーンエアのダウンフローが形成される。これにより、スピンドライ処理時において、ウエハＷの高速回転に伴う雰囲気との摩擦によってウエハＷの表面に静電気が発生しても、そのウエハＷの表面に発生した静電気を除去することができ、スピンドライ処理後のウエハＷが静電気を帯びた状態で薬液処理室から搬出されることを防止できる。
【００４５】
また、クリーンエアの気流の方向に関して送風口５２３の上流側にイオナイザ５２４が配置されているから、ウエハＷに対する薬液処理が行われている間、ウエハＷの処理に用いられる薬液を含む雰囲気がイオナイザ５２４に到達するおそれがないから、イオナイザ５２４が耐薬液構造でなくても、イオナイザ５２４が薬液（薬液雰囲気）による腐食を受けるおそれがない。
【００４６】
さらには、送風口５２３の直上においてクリーンエアの気流が通過する領域を取り囲むようにイオナイザ５２４が配置されているから、送風口５２３へ向かうクリーンエアの気流がイオナイザ５２４によって乱されることがなく、送風口５２３からクリーンエアのダウンフローを整流の状態でスピンチャック１３に保持されたウエハＷに供給することができる。よって、クリーンエアの乱流によるパーティクルや薬液飛沫の巻き上げの問題を生じるおそれがない。
【００４７】
図５は、この発明の他の実施形態に係るインデクサ部の構成を図解的に示す図である。この図５において、図２に示された各部に相当する部分には、図２の場合と同一の参照符号が付されている。また、その同一の参照符号を付した部分についての説明は省略する。
【００４８】
ＦＦＵ配置空間２１には、除電機能付ファンフィルタユニット６０が配置されている。除電機能付ファンフィルタユニット６０は、ファン部６１およびフィルタ部６２を上下に積層した構成を有している。
【００４９】
ファン部６１は、中空立方体状のファンケーシング６１１と、このファンケーシング６１１内に収容されたファン６１２とを備えている。ファンケーシング６１１の下面には、フィルタ部６２内に連通する開口（図示せず）が形成されており、ファン６１２が駆動されると、ファン６１２からの送風がその開口を介してフィルタ部６２に導入されるようになっている。
【００５０】
フィルタ部６２は、四角枠状の側面を有するフレーム６２１を備えている。フレーム６２１内には、ファンケーシング６１１の下面に形成された開口に対向して、その開口からフレーム６２１内に導入される送風を浄化するためのフィルタ６２２が嵌め込まれて保持されている。これにより、フレーム６２１内に導入される送風は、フィルタ６２２を通過し、このとき浄化されることによりクリーンエアとなって、フレーム６２１の側面下端縁によって囲まれた開口部分（送風口）６２３からロボット配置空間２２にダウンフローされる。
【００５１】
フィルタ６２２の上方には、軟Ｘ線照射装置６２４が備えられている。軟Ｘ線照射装置６２４は、波長が１．３×１０-4〜４．１×１０-4μｍでエネルギー強度が３〜９．５ｋｅＶ程度の微弱な電磁波（軟Ｘ線）を出射するものであり、その出射した軟Ｘ線が送風口６２３からのクリーンエアのダウンフローが通過する領域に交差するように、たとえば、ファンケーシング６１１の側面の下端部に軟Ｘ線の出射口を斜め下方に向けた状態で取り付けられている。
【００５２】
軟Ｘ線が通過する領域では、その通過領域内に含まれる安定状態の気体原子および気体分子から電子がはじき出されてプラスイオンが生成され、そのはじき出された電子が安定状態の他の気体原子および気体分子に付着してマイナスイオンが生成されるといったようにして、プラスイオンおよびマイナスイオンが次々に生成される。
【００５３】
したがって、ファン６１２を駆動している状態で軟Ｘ線照射装置６２４から軟Ｘ線を出射させると、送風口５２３からのクリーンエアのダウンフローに軟Ｘ線が照射されて、その照射された領域でイオンが発生する。その結果、送風口５２３からのクリーンエアのダウンフローがイオンを含むクリーンエアのダウンフローとなり、インデクサロボットＩＲによって搬送されるウエハＷがロボット配置空間２２を通過すると、そのウエハＷの表面にイオンが供給されて、ウエハＷが静電気（負電荷または正電荷）を帯びている場合には、その静電気がイオンによって中和されて除去される。
【００５４】
以上のように、この実施形態の構成によっても、インデクサロボットＩＲによる搬送中にウエハＷの除電を達成することができる。よって、ウエハＷが静電気を帯びた状態でカセットＣ２に収容されることがなく、その後のウエハＷの搬送過程において、ウエハＷの表面が雰囲気中のパーティクルの静電吸着によって汚染されるおそれがない。
【００５５】
また、フィルタ６２２の上方に軟Ｘ線照射装置６２４が配置されていて、送風口６２３からロボット配置空間２２に送風されるクリーンエアの気流が軟Ｘ線照射装置６２４によって乱されることがなく、軟Ｘ線が照射されることによってクリーンエアの気流が乱れることもないから、クリーンエアの乱流によるロボット配置空間２２内でのパーティクルの巻き上げの問題を生じるおそれがない。
【００５６】
これらの他にも、この実施形態の構成によれば、インデクサロボットＩＲの上下方向の可動範囲を大きくとることができるなど、図２に示す構成の場合と同様な効果を奏することができる。
【００５７】
しかも、除電機能付ファンフィルタユニット６０は、フィルタの６２２の上方に軟Ｘ線照射装置６２４が配置された構成であるから、ウエハＷに対して薬液を用いた処理を行うための薬液処理室内に配置しても、ウエハＷに対する薬液処理が行われている間、薬液を含む雰囲気が軟Ｘ線照射装置６２４に到達するおそれがなく、軟Ｘ線照射装置６２４が耐薬液構造でなくても、軟Ｘ線照射装置６２４が薬液（薬液雰囲気）による腐食を受けるおそれがない。よって、除電機能付ファンフィルタユニット６０を薬液処理室内に配置することができ、これにより薬液処理室内でのウエハＷの除電を達成することができる。
【００５８】
以上、この発明のいくつかの実施形態を説明したが、この発明はさらに他の形態で実施することもできる。たとえば、上記の実施形態では、基板処理部１でウエハＷに対して薬液を用いた表面処理が行われる場合をとりあげたが、ウエハＷに対する処理は、薬液以外の処理液（たとえば、純水）を用いた処理であってもよいし、処理液を用いない処理（たとえば、熱処理）であってもよい。すなわち、この発明は、ウエハＷの帯電を生じるおそれのある処理を行う基板処理装置に広く適用することができる。
【００５９】
また、処理対象の基板は、ウエハＷに限らず、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板およびフォトマスク用基板などの他の種類の基板であってもよい。
【００６０】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを示す図解的な平面図である。
【図２】インデクサ部の構成を図解的に示す断面図である。
【図３】除電機能付ファンフィルタユニットを斜め下方から見た図である。
【図４】除電機能付ファンフィルタユニットを配置した薬液処理室内の構成を図解的に示す図である。
【図５】この発明の他の実施形態に係るインデクサ部の構成を図解的に示す図である。
【図６】イオナイザが配置されたインデクサ部の構成を図解的に示す図である。
【図７】ファンフィルタユニットからのクリーンエアのダウンフローが通過する領域内にイオナイザを配置した場合に生じるクリーンエアの乱流について説明するための図である。
【符号の説明】
【００６２】
１      基板処理部
２      インデクサ部
１１    ＦＦＵ配置空間
１２    空間
２１    ＦＦＵ配置空間
２２    ロボット配置空間
５０    除電機能付ファンフィルタユニット
５１    ファン部
５２    フィルタ部
６０    除電機能付ファンフィルタユニット
６１    ファン部
６２    フィルタ部
５１２  ファン
５２２  フィルタ
５２３  送風口
５２４  イオナイザ
６１２  ファン
６２２  フィルタ
６２３  送風口
６２４  軟Ｘ線照射装置
Ｗ      ウエハ
【図１】
2005072374.tif 000003
【図２】
2005072374.tif 000004
【図３】
2005072374.tif 000005
【図４】
2005072374.tif 000006
【図５】
2005072374.tif 000007
【図６】
2005072374.tif 000008
【図７】
2005072374.tif 000009