(57)【要約】【課題】  エラーの発生原因を特定するために要する時間の短縮及び負担の軽減を図ることができる基板処理装置及びエラー処理方法を提供する。【解決手段】  記憶部６０は、装置内において発生するエラーの内の予め指定された特定エラーと、この特定エラーが発せられたときにユニットコントローラＵＣに対して発行する特定コマンドとを対応付けたエラートラップファイルＦ１を記憶する。判定部６２は、ユニットコントローラＵＣから発せられたエラーＥＳの内容がエラートラップファイルＦ１に記憶された特定エラーに該当するか否かを判定する。該当する場合には、判定部６２はその特定エラーに対応して記憶されている特定コマンドをコマンド実行部６１を介してユニットコントローラＵＣに出力する。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスパターンが形成される基板を、制御装置が発行する制御コマンドに従って処理する基板処理装置において、
前記基板処理装置内部で発生するエラーの内の予め指定された特定エラーと、前記制御コマンドの中から選択され前記特定エラーが発生した場合に発行する一又は複数の特定コマンドとを対応づけて記憶する記憶手段と、
前記エラーが前記特定エラーに該当するか否かを判定する判定手段とを有し、
前記制御装置は、前記判定手段により前記エラーが前記特定エラーに該当すると判定された場合に、前記特定コマンドを前記記憶手段から読み出して発行することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記特定エラーと、前記特定コマンドとを互いに対応づけて前記記憶手段に入力する入力手段を有することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記特定コマンドは、前記エラー発生前の前記基板処理装置の動作履歴情報を保存する履歴保存コマンドを含むことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記特定コマンドは、前記基板処理装置の状態情報を記録する記録コマンドを含むことを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記記録コマンドは、前記エラー発生時における前記基板処理装置の状態情報を記録することを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記基板処理装置は、前記デバイスパターンが形成されたマスクを保持するマスクステージと、前記基板を保持する基板ステージとを有し、
前記基板処理装置の状態情報は、前記基板ステージの位置情報と、前記マスクステージの位置情報との少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項４又は請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記特定コマンドは、前記特定エラーが発生した動作を再実行するコマンドと、前記再実行中の前記基板処理装置の状態を所定の時間間隔で連続的に記録するコマンドとを含むことを特徴とする請求項１から請求項６の何れか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記制御装置が発行する前記制御コマンドに応じた制御を行って、前記エラーに関するエラー情報を含む制御結果を前記制御装置へ出力する下位制御装置を備え、
前記判定手段は、前記エラー情報に基づいて前記エラーが前記特定エラーに該当するか否かを判定することを特徴とする請求項１から請求項７の何れか一項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記下位制御装置を複数備え、各々の前記下位制御装置から前記上位制御装置に出力される前記エラー情報は、エラーが発生した前記下位制御装置が複数の前記下位制御装置のうちの何れであるかを示す制御装置識別情報を含むことを特徴とする請求項８記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記エラー情報は、前記エラーの重大度毎に分類された複数のレベル情報を含むことを特徴とする請求項８又は請求項９記載の基板処理装置。
【請求項１１】
デバイスパターンが形成される基板を処理する基板処理装置に用いられるエラー処理方法であって、
前記基板処理装置内で発生したエラーが予め指定された特定エラーであるか否かを判定する判定ステップと、
前記エラーが前記特定エラーであると判定された時に前記特定エラーに対応して定められている動作を実行する実行ステップと
を含むことを特徴とするエラー処理方法。
【請求項１２】
前記実行ステップは、前記エラーが発生するまでの前記基板処理装置の動作履歴情報を記録する動作を含むことを特徴とする請求項１１記載のエラー処理方法。
【請求項１３】
前記実行ステップは、前記エラーの発生時における前記基板処理装置の状態情報を記録することを特徴とする請求項１１又は請求項１２記載のエラー処理方法。
【請求項１４】
前記状態情報は、前記基板処理装置内におけるマスクの位置情報と前記基板の位置情報との少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１３記載のエラー処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスクに形成されたデバイスパターンをウェハ、ガラスプレート、ガラス基板（ブランクス）等の基板上に露光転写する露光装置、その他のデバイスパターンが形成される基板に対して種々の処理を行う基板処理装置、及び当該装置で発生するエラーの処理を行うエラー処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置は、基板に対して種々の処理を行うために、統括的な制御を行うメインプロセットと、メインプロセッサの制御の下で各種処理装置（制御ユニット）に対する制御を行うユニットコントローラとを備えている。例えば、基板処理装置の一つとしての露光装置は、上記の処理装置として、マスクを載置するマスクステージ、基板を載置する基板ステージ、並びにマスク及び基板の位置情報を計測するアライメントセンサ等を備えている。これらの処理装置を制御するユニットコントローラとして、マスクステージ及び基板ステージを制御するステージコントローラ、並びにマスク及び基板の位置情報を計測するアライメントセンサを制御するアライメントコントローラ等を備える。
【０００３】
基板処理装置では、メインプロセッサが各ユニットコントローラに対して制御コマンドを発行し、この制御コマンドの内容に応じた処理を各ユニットコントローラに制御させる。メインプロセッサが発行する制御コマンドに応じて各ユニットコントローラが各種装置を制御することにより、各種装置の動作が有機的に結合されることで所定の処理が基板に対して行われる。
【０００４】
各ユニットコントローラにおいて制御上のエラーが発生した場合には、エラーが発生したユニットコントローラからメインプロセッサに対してエラーの種類を示すエラーコードが通知される。このエラーコードが通知されると、メインプロセッサはエラーコードを内部に設けられた記憶装置にログとして保存して基板処理装置の動作を停止させ、エラーが発生した旨を警報又はエラー表示によりオペレータに通知する。
【０００５】
基板処理装置の動作が停止してしまった場合には、オペレータの入力指示により動作が再開され、又は一度リセットを行って初期状態に戻した上でエラーから復帰する。記憶装置に記憶されたログは、サービスマンが基板処理装置の定期又は不定期のメンテナンスを行うときに解析され、エラー発生の原因を特定するために用いられる。尚、以下の特許文献１には、エラーが発生した時に、制御プログラムに関するデータとエラーに関するデータとを読み出して所定形式のレポートを作成することで、エラーが発生した際の早期復旧を実現する技術が開示されている。
【特許文献１】特開平１０−２８９８６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上述した通り、メインプロセッサ内に設けられた記憶装置に保存されたログはエラー発生原因の解析に用いられるが、このエラーコードは発生したエラーの種類を示すものである。このため、ログの解析によって得られる情報はエラーの発生時刻を示す情報、及び、どのようなエラーが発生したかを示す情報程度の情報に限られる。基板処理装置において発生したエラーが基板処理装置の設計段階において想定し得る範囲内のエラーであれば、ログの解析によってさほど時間を要せずにエラー発生の原因を特定することができる。
【０００７】
しかしながら、限られた情報からは有効な解析が行えず、エラーの発生原因を特定することができない状況が多々あるという問題があった。また、基板処理装置は、メインプロセッサから発行される制御コマンドに応じて各ユニットコントローラが有機的に各種装置を制御しているため、種々の要因が複雑に関連してエラーが生ずることがある。このようなエラーの発生原因は設計段階において想定外のことが多いため、ログに保存された情報を解析しても有効な情報が得られず、またエラーが発生した後の基板処理装置そのものを調査してもエラー発生原因を特定するのは極めて困難であるという問題があった。
【０００８】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、エラーの発生原因を特定するために要する時間の短縮及び負担の軽減を図ることができる基板処理装置及びエラー処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明は、デバイスパターンが形成される基板（Ｗ）を、制御装置（５０）が発行する制御コマンド（ＣＭ１）に従って処理する基板処理装置において、前記基板処理装置内部で発生するエラーの内の予め指定された特定エラーと、前記制御コマンドの中から選択され前記特定エラーが発生した場合に発行する一又は複数の特定コマンドとを対応づけて記憶する記憶手段（６０）と、前記エラーが前記特定エラーに該当するか否かを判定する判定手段（６２）とを有し、前記制御装置は、前記判定手段により前記エラーが前記特定エラーに該当すると判定された場合に、前記特定コマンドを前記記憶手段から読み出して発行することを特徴としている。
この発明によると、基板処理装置内で発生したエラーが予め指定された特定エラーであるか否かが判定され、上記のエラーが特定エラーであると判定された時に特定エラーに対応して定められている動作が実行される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、基板処理装置の内部で特定エラーが発生したときに、この特定エラーに対応づけられた特定コマンドを実行することで、従来の基板処理装置では得られなかった基板処理装置の状態情報を得ることができる。この状態情報はエラーの発生原因を特定する上で極めて有用な情報であり、後で解析を行うことでエラーの発生原因を特定するために要する時間の短縮及び負担の軽減を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態による基板処理装置及びエラー処理方法について詳細に説明する。尚、以下に説明する実施形態では、基板処理装置として露光装置を例に挙げて説明する。図１は、本発明の一実施形態による基板処理装置としての露光装置ＥＸの全体構成の概略を示す図である。図１に示す露光装置ＥＸは、図１中の投影光学系ＰＬに対してマスクとしてのレチクルＲと基板としてのウェハＷとを相対的に移動させつつ、レチクルＲに形成されたパターンをウェハＷに逐次転写して半導体素子を製造するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置である。
【００１２】
尚、以下の説明においては、図中にＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。図１に示すＸＹＺ直交座標系は、Ｘ軸及びＹ軸がウェハＷに対して平行となるよう設定され、Ｚ軸がウェハＷに対して直交する方向に設定されている。図中のＸＹＺ座標系は、実際にはＸＹ平面が水平面に平行な面に設定され、Ｚ軸が鉛直上方向に設定される。また、本実施形態ではレチクルＲ及びウェハＷを同期移動させる方向（同期移動方向ＳＤ）をＹ方向に設定している。
【００１３】
図１において、１は断面が略長方形状の平行光束である露光光ＩＬを射出する露光光源であり、例えばＡｒＦエキシマレーザ光源（波長１９３ｎｍ）である。露光光源１からの波長１９３ｎｍの紫外パルスよりなる露光光ＩＬは、ビームマッチングユニット（ＢＭＵ）２を通り、光アッテネータとしての可変減光器３に入射する。露光光源１の発光の開始及び停止、並びに出力（発振周波数、パルスエネルギー、パルス数）は、主制御系２４が制御する。また、主制御系２４は、可変減光器３における減光率を段階的、又は連続的に調整する。
【００１４】
可変減光器３を通った露光光ＩＬは、レンズ系４ａ，４ｂよりなるビーム成形系５を経て第１段のオプティカル・インテグレータ（ユニフォマイザ、又はホモジナイザ）としての第１フライアイレンズ６に入射する。この第１フライアイレンズ６から射出された露光光ＩＬは、第１レンズ系７ａ、光路折り曲げ用のミラー８、及び第２レンズ系７ｂを介して第２段のオプティカル・インテグレータとしての第２フライアイレンズ９に入射する。第２フライアイレンズ９の射出面、即ちレチクルＲのパターン面に対する光学的なフーリエ変換面（照明系の瞳面、投影光学系ＰＬの瞳面と光学的に共役な面）には複数の開口絞りを備えた開口絞り板１０が、駆動モータ１０ｅによって回転自在に配置されている。開口絞り板１０は駆動モータ１０ｅの回転軸に接続されており、駆動モータ１０ｅを駆動して開口絞り板１０を回転させることにより、第２フライアイレンズ９の射出面に配置する開口絞りを切り替えることができる。駆動モータ１０ｅの駆動は露光装置ＥＸの全体の動作を統括制御する主制御系２４が制御する。
【００１５】
第２フライアイレンズ９から射出されて開口絞り板１０に形成された開口絞りの何れかを通過した露光光ＩＬは、透過率が高く反射率が低いビームスプリッタ１１に入射する。ビームスプリッタ１１で反射された露光光は、集光用のレンズ２１を介して光電検出器よりなるインテグレータセンサ２２に入射する。インテグレータセンサ２２の検出信号は、主制御系２４に供始されている。インテグレータセンサ２２の検出信号とウェハＷ上での露光光ＩＬの照度との関係は予め高精度に計測されて、主制御系２４内の記憶部（不図示）に記憶されている。主制御系２４は、インテグレータセンサ２２の検出信号に基づいて、ウェハＷに対する露光量を制御する。
【００１６】
ビームスプリッタ１１を透過した露光光ＩＬは、光軸ＩＡＸに沿ってレンズ系１２，１３を順次経て、固定ブラインド（固定照明視野絞り）１４及び可動ブラインド（可動照明視野絞り）１５に入射する。固定ブラインド１４は、後述する投影光学系ＰＬの円形視野内の中央で同期移動方向ＳＤと直交した方向に伸びた直線スリット状、又は矩形状（以下、まとめて「スリット状」という）の照明視野を形成する開口部を有する。可動ブラインド１５は、光軸ＩＡＸに直交する面内において移動可能に構成されており、ウェハＷ上の各ショット領域への走査露光の開始時及び終了時に不要な露光を防止するために、又は照明視野領域の同期移動方向ＳＤの幅を可変とするために使用される。また、可動ブラインド１５は、ウェハＷに転写するレチクルＲのパターン領域を可変するために使用される。
【００１７】
固定ブラインド１４は、レチクルＲのパターンが形成されている面（以下、レチクル面という）に対する共役面から光軸ＩＡＸ方向に所定量だけデフォーカスした面に配置されている。このように、固定ブラインド１４をデフォーカスさせて配置するのは、ウェハＷ上の任意の点での露光量（ＤＯＳＥ量）のばらつきを防止するため、ウェハＷ上に照射される露光光ＩＬの同期移動方向ＳＤにおける照度分布を台形形状とするためである。露光時に可動ブラインド１５を通過した露光光ＩＬは、光路折り曲げ用のミラー１７、結像用のレンズ系１８、コンデンサレンズ１９、及び主コンデンサレンズ系２０を順次介して、マスクとしてのレチクルＲのパターン面（下面）の照明フィールド（照明視野領域）ＩＡを照明する。
【００１８】
尚、以上説明した露光光源１、ビームマッチングユニット２、可変減光器３、レンズ系４ａ，４ｂよりなるビーム成形系５、第１フライアイレンズ６、第１レンズ系７ａ、光路折り曲げ用のミラー８、第２レンズ系７ｂ、第２フライアイレンズ９、開口絞り板１０、ビームスプリッタ１１、レンズ系１２，１３、固定ブラインド１４、可動ブラインド１５、光路折り曲げ用のミラー１７、結像用のレンズ系１８、コンデンサレンズ１９、及び主コンデンサレンズ系２０は、照明光学系ＩＳを構成している。
【００１９】
露光光ＩＬのもとで、レチクルＲの照明フィールドＩＡ内の回路パターンの像が両側テレセントリックな投影光学系ＰＬを介して所定の投影倍率β（βは例えば１／４又は１／５等）で、投影光学系ＰＬの結像面に配置された基板としてのウェハＷ上のスリット状の露光フィールドＥＡに転写される。尚、投影光学系ＰＬは片側テレセントリックであっても良い。本実施形態の投影光学系ＰＬは、ジオプトリック系（屈折系）であるが、カタジオプトリック系（反射屈折系）や反射系も使用できることはいうまでもない。また、本実施形態では露光光ＩＬが真空紫外光であるため、通常の空気中の酸素、二酸化炭素、水蒸気等によって大きく吸収されてしまう。これを避けるために、図１に示した露光光源１からウェハＷまでの露光光ＩＬの光路には、真空紫外光に対しても高透過率の高純度のパージガス（ヘリウム、ネオン等の希ガス、又は窒素ガス等の所謂不活性ガス）が供給されている。更に、投影光学系ＰＬを構成する屈折部材の硝材としては、例えば合成石英又は蛍石（フッ化カルシウム：ＣａＦ２）が用いられる。
【００２０】
レチクルＲは、マスクステージとしてのレチクルステージ３１上に吸着保持され、レチクルステージ３１は、レチクルベース３２上でＹ方向に等速移動できると共に、Ｘ方向にも微小移動でき、更にＺ軸を中心とした回転移動もできるように載置されている。レチクルステージ３１の一端には移動鏡３３が取り付けられており、移動鏡３３の鏡面に対面してレーザ干渉計３４が設けられている。尚、図１では図示を簡略化しているが、移動鏡３３はＸ軸に垂直な鏡面を有する移動鏡及びＹ軸に垂直な鏡面を有する移動鏡から構成されている。
【００２１】
また、レーザ干渉計３４は、Ｙ軸に沿って移動鏡３３にレーザ光を照射する２個のＹ軸用のレーザ干渉計及びＸ軸に沿って移動鏡３３にレーザ光を照射するＸ軸用のレーザ干渉計より構成され、Ｙ軸用の１個のレーザ干渉計及びＸ軸用の１個のレーザ干渉計によりレチクルステージ３１のＸ座標及びＹ座標が計測される。また、Ｙ軸用の２個のレーザ干渉計の計測値の差により、レチクルステージ３１のＺ軸回りの回転角が計測される。レーザ干渉計３４によって検出されたレチクルステージ３１のＸ座標、Ｙ座標、及び回転角の情報は主制御系２４に供給される。主制御系２４は供給されたステージ位置情報をモニターしつつレチクルステージ３１の位置決め動作を制御する。
【００２２】
一方、ウェハＷは、ウェハホルダ３６を介して基板ステージとしてのウェハステージ３７上に吸着保持され、ウェハステージ３７は、ウェハベース３８上で投影光学系ＰＬの像面と平行なＸＹ平面に沿って２次元移動する。即ち、ウェハステージ３７は、ウェハベース３８上でＹ方向に一定速度で移動すると共に、Ｘ方向、Ｙ方向にステップ移動する。更に、ウェハステージ３７には、ウェハＷのＺ方向の位置（フォーカス位置）、並びにＸ軸及びＹ軸の回りの傾斜角を制御するＺレベリング機構も組み込まれている。
【００２３】
ウェハステージ３７の一端には移動鏡３９が取り付けられており、移動鏡３９の鏡面に対面してレーザ干渉計４０が設けられている。尚、図１では図示を簡略化しているが、移動鏡３９はＸ軸に垂直な鏡面を有する移動鏡及びＹ軸に垂直な鏡面を有する移動鏡から構成されている。また、レーザ干渉計４０は、Ｙ軸に沿って移動鏡３９にレーザビームを照射する２個のＹ軸用のレーザ干渉計及びＸ軸に沿って移動鏡３９にレーザビームを照射するＸ軸用のレーザ干渉計より構成され、Ｙ軸用の１個のレーザ干渉計及びＸ軸用の１個のレーザ干渉計によりウェハステージ３７のＸ座標及びＹ座標が計測される。また、Ｙ軸用の２個のレーザ干渉計の計測値の差により、ウェハステージ３７の回転角が計測される。レーザ干渉計４０によって計測されたウェハステージ３７のＸ座標、Ｙ座標、及び回転角の情報は主制御系２４に供給される。主制御系２４は供給されたステージ位置情報をモニターしつつウェハステージ３７の位置決め動作を制御する。
【００２４】
また、ウェハステージ３７上の一端には、ウェハステージ３７の基準位置を定める基準部材４５が設けられている。この基準部材４５は、ウェハステージ３７の座標系に対するレチクルＲの相対的な位置及びベースラインを計測するために用いられる。ここで、ベースラインとは、例えばレチクルＲに形成されたパターンの投影光学系ＰＬによる投影像の中心位置と後述するウェハ・アライメントセンサ４４の計測視野中心との距離をいう。この基準部材４５には基準マークとして、例えば光透過性の５組のＬ字状パターンから成るスリットパターンと、光反射性のクロムで形成された２組の基準パターン（デューティ比は１：１）とが設けられている。
【００２５】
また、本実施形態においては、投影光学系ＰＬの結像面に向けてピンホール又はスリット状の像を形成するための結像光束を、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに対して斜め方向から供給する照射光学系４３ａと、その結像光束のウェハＷ表面での反射光束を受光する受光光学系４３ｂとからなる斜入射方式の焦点位置検出系４３が設けられている。この焦点位置検出系４３により、ウェハＷ表面の結像面に対するＺ方向の位置を検出してウェハＷと投影光学系ＰＬとの合焦状態を検出することができるようになっている。
【００２６】
更に、本実施形態の露光装置は、オフ・アクシス方式のウェハ・アライメントセンサ４４を投影光学系ＰＬの側方に備える。このウェハ・アライメントセンサ４４は、ＦＩＡ（Field Image Alignment）方式のアライメントセンサである。ウェハ・アライメントセンサ４４は、例えばハロゲンランプから射出される広帯域波長の光束を検知ビームとしてウェハＷ上に照射し、ウェハＷから得られる反射光をＣＣＤ（Charge Coupled Device）等の撮像素子で撮像し、得られた画像信号を画像処理することでウェハＷに形成されたマークのＸ方向及びＹ方向における位置情報を計測する。ウェハ・アライメントセンサ４４の計測結果は主制御系２４に供給される。
【００２７】
また更に、本実施形態の露光装置は、レチクルステージ３１の上方に配置されたレチクル・アライメントセンサ４６を備える。このレチクル・アライメントセンサ４６は、レチクルＲの外周付近に形成された位置検出用のレチクルマークと投影光学系ＰＬを介してウェハステージ３７上に形成された基準部材４５とを同時に観察し、レチクルＲとウェハステージ３７との相対的な位置関係を直接的に計測（観察）する。
【００２８】
レチクル・アライメントセンサ４６の計測結果は主制御系２４へ出力され、画像処理、演算処理、フィルタリング処理等の処理が施されてレチクルＲとウェハステージ３７の相対的な位置ずれ量が求められる。そして、主制御系２４は、この位置ずれ量に応じてレチクルステージ３１を微動させ、レチクルＲとウェハステージ３７とを相対的に位置決めする。このレチクル・アライメントセンサ４６は、ＴＴＬ（スルー・ザ・レンズ）方式のアライメントセンサの一種であるＴＴＲ（スルー・ザ・レチクル）方式のアライメントセンサである。
【００２９】
また、上述した主制御系２４には、キーボード又はマウス等のポインティングデバイスからなる入力装置４７が接続されている。この入力装置４７は、オペレータ及びサービスマンの操作内容に応じた各種の指令を主制御系２４に入力するためのものである。また、露光装置ＥＸにエラーが生じた場合には、発生したエラーをスキップして動作を再開させるか、又は露光装置ＥＸのリセットを行って初期状態に戻した上でエラーから復帰するか等の指示のためにも用いられる。
【００３０】
次に、主制御系２４の構成について説明する。図２は、主制御系２４の概略構成を示すブロック図である。図２に示す通り、本実施形態の露光装置に設けられる主制御系２４は、統括的な制御を行うメインプロセット５０と、メインプロセッサ５０の制御の下で各種処理装置（制御ユニット）に対する制御を行うユニットコントローラＵＣとを備えている。ユニットコントローラＵＣは、ステージコントローラ５１、アライメントコントローラ５２、及びウェハローダコントローラ等から構成されている。
【００３１】
ステージコントローラ５１はレチクルステージ３１及びウェハステージ３７等の動作を制御する。具体的には、レーザ干渉計３４によって検出されたレチクルステージ３１の位置情報を参照しながらレチクルステージ３１の位置決め動作を制御する。また、レーザ干渉計４０によって検出されたウェハステージ３７の位置情報を参照しながらウェハステージ３７の位置決め動作を制御する。
【００３２】
アライメントコントローラ５２は、レチクル・アライメントセンサ４６及びウェハ・アライメントセンサ４４を制御する。このアライメントコントローラ５２が行う制御は、例えば、レチクル・アライメントセンサ４６を計測位置へ移動させる制御、及びウェハ・アライメントセンサ４４から検知ビームの射出を開始する制御、並びに検出された信号を所定のアルゴリズムに従って処理する制御等である。
【００３３】
また、ウェハローダコントローラ５３は、ウェハＷを複数枚格納するウェハカセット（不図示）からウェハＷをウェハステージ３６上へ搬入（ロード）するロードアーム４８及びウェハステージ３６上に保持されたウェハＷを搬出（アンロード）して別のウェハカセットに格納するアンロードアーム４９（ロードアーム４８及びアンロードアーム４９については図１での図示を省略している）の動作を制御する。これらのユニットコントローラＵＣはメインプロセッサ５０から出力される制御コマンドに応じて各種処理装置を制御する。
【００３４】
次に、メインプロセッサ５０の内部構成について説明する。図３は、メインプロセッサ５０の内部構成の概略を示すブロック図である。図３に示す通り、メインプロセッサ５０は、記憶部６０、コマンド実行部６１、及び判定部６２を含んで構成される。記憶部６０は、露光装置ＥＸの動作を規定する各種の制御コマンド、及び露光条件情報を格納したレシピを記憶する。また、露光装置ＥＸで発生するエラーのエラーコードをログとして記憶する。
【００３５】
また、記憶部６０は、露光装置ＥＸの内部で生ずるエラーの内の予め指定された特定エラーと、この特定エラーが発生した場合にユニットコントローラＵＣに対して発行する１つ又は複数の制御コマンド（特定コマンド）とを対応付けたエラートラップファイルＦ１を記憶する。つまり、エラートラップファイルＦ１は特定エラー毎に１つづつ記憶されている。エラートラップファイルＦ１の内容は、サービスマンが入力装置４７を操作してメインプロセッサ５０に入力することで編集することができる。また、サービスマンが入力装置４７を操作して、発生しているエラーに応じて新たなエラートラップファイルを作成することもできる。記憶部６０は、例えばハードディスク等の外部記憶装置、又は半導体メモリ等の内部記憶装置から構成されている。
【００３６】
コマンド実行部６１は、記憶部６０に記憶された各種の制御コマンドをレシピに格納された露光条件情報とともに読み出し、これらを制御コマンドＣＭ１としてユニットコントローラＵＣに対して順次発行するとともに、ユニットコントローラＵＣから出力される実行結果（レスポンスＲＥ）の内容を必要に応じて記憶部６０のログに記憶する。また、判定部６２から特定コマンドＣＭ２が出力された場合には、この特定コマンドＣＭ２をユニットコントローラＵＣに対して発行する。
【００３７】
判定部６２は、ユニットコントローラＵＣで発生したエラーＥＳが特定エラーであるか否か、即ち、エラーＥＳに対応するエラートラップファイルＦ１が記憶されているか否かを判定する。ユニットコントローラＵＣで発生したエラーＥＳが特定エラーであると判定した場合、判定部６２は該当するエラートラップファイルＦ１に記憶されている特定エラーＥＳに対応する特定コマンドＣＭ２をコマンド実行部６１に出力する。コマンド実行部６１はその特定コマンドＣＭ２をユニットコントローラＵＣに対して発行し、特定コマンドに応じた動作を実行する。
【００３８】
メインプロセッサ５０は、コマンド実行部６１からユニットコントローラＵＣを構成するステージコントローラ５１、アライメントコントローラ５２、及びウェハローダコントローラ５３等へ制御コマンドＣＭ１を発行して各処理装置を制御する。また、これらのコントローラが各処理装置を制御したときにはレスポンスＲＥをメインプロセッサ５０のコマンド実行部６１に対して出力する。メインプロセッサ５０は、上記の制御コマンドＣＭ１の発行とレスポンスＲＥの受信とを繰り返し行いながら、各処理装置を制御する。
【００３９】
ユニットコントローラＵＣを構成するステージコントローラ５１、アライメントコントローラ５２、及びウェハローダコントローラ５３等は、各処理装置の制御を行ったときにエラーが発生した場合にはエラーＥＳをメインプロセッサ５０に対して出力する。各々のコントローラから出力されるエラーＥＳは共通のフォーマットで構成される。図４は、エラーＥＳのフォーマットの一例を示す図である。図４に示す通り、エラーＥＳは複数のフィールドＦ１１〜Ｆ１４を含んで構成される。
【００４０】
フィールドＦ１１は、露光装置ＥＸに設けられた各種処理装置（制御ユニット）において、エラーが発生した装置がこれらの各種処理装置の内の何れのユニットであるかを示す情報（制御装置識別情報）が格納されるフィールドである。フィールドＦ１２は、発生したエラーの種類（レベル情報）が格納されるフィールドである。ここで、エラーの種類は、重大度（レベル）に応じて分類されている。例えば、「致命的エラー」、「メインプロセッサリトライエラー」、「ユニットコントローラリトライエラー」、及び「ワーニング」の４つに分類されている。
【００４１】
上記のエラーのレベルに応じて、露光装置ＥＸ内においてエラーが発生したときに異なる対処が行われる。例えば、発生したエラーが上記の「致命的エラー」である場合には、メインプロセッサ５０は露光装置ＥＸの動作を停止させる対処を行い、上記の「メインプロセッサリトライエラー」である場合には、メインプロセッサ５０による再実行処理が行われる。また、発生したエラーが上記の「ユニットコントローラリトライエラー」である場合には、ユニットコントローラＵＣをなす複数のコントローラの内のエラーが発生した処理装置を制御するコントローラ内において、メインプロセッサ５０からの指令を待たずに再実行処理が行われる。
【００４２】
更に、発生したエラーが上記の「ワーニング」である場合には、警報を発してオペレータにエラーが発生した旨を通知する対処が行われる。このように、エラーの種類を分類することで、発生したエラーが軽微なエラーの場合には警報の発生のみで対処し、又はユニットコントローラＵＣ内における処理のみで対処する等のようにエラーのレベルに応じて対処方法を切り替えることができるため、エラー回復に要する時間を短縮することができ、その結果として露光装置ＥＸの稼働率を向上させることが可能となる。
【００４３】
また、フィールドＦ１３は、発生したエラーの内容が格納されるフィールドである。フィールドＦ１３に格納されるエラーの内容はエラーコードであり、例えば、ウェハステージ３７又はレチクルステージ３１の位置決めエラー又は同期移動エラー等がある。フィールドＦ１４は予約領域であり、露光装置ＥＸの拡張に伴ってエラーＥＳとしてメインプロセッサ５０に通知する内容が増加したときのために予備的に設けられる。尚、フィールドＦ１４は必須のフィールドではない。
【００４４】
次に、特定エラー及びエラートラップファイルＦ１に格納される特定コマンドについて説明する。特定エラーは、上記のエラーコード中から選択され、サービスマンが選択することもできる。この選択された特定エラーに対応付ける特定コマンドは、その特定エラーの発生原因を特定する上で有用と推定される１つ又は複数の情報を取得するための制御コマンドである。つまり、エラーコード（エラーの内容）のみではエラーの原因が特定することができないため、本実施形態では特定エラーが発生したときに、その発生原因を特定する上で有用と推定される情報を取得するために、特定エラーに対してこの情報を取得するための制御コマンド（特定コマンド）を対応付けている。
【００４５】
特定コマンドは、特定エラーが発生する前の露光装置ＥＸの動作履歴情報を保存する制御コマンド（履歴保存コマンド）、露光装置ＥＸの状態を示す状態情報を記録する制御コマンド（記録コマンド）、エラーが発生した動作を再実行するコマンド（再実行コマンド）、及び再実行中の露光装置ＥＸの状態を所定の時間間隔で連続的に記録するコマンド（連続記録コマンド）等の制御コマンドの内から、エラーの発生原因を特定する上で有用と推定される情報を取得する制御コマンドが選択され、これらが特定コマンドとして特定エラー毎に対応付けられ、エラートラップファイルＦ１に格納されている。特定コマンドは、エラーの発生状態に応じて入力装置４７を通じてサービスマンが追加変更することができる。あるいは、新たな特定エラーと特定コマンドとを対応付けて入力装置４７を通じてメインプロセッサ５０に入力し、新たなエラートラップファイルＦ１を作成することもできる。
【００４６】
上記の履歴保存コマンドは、メインプロセッサ５０が発行した制御コマンドＣＭ１と、該制御コマンドＣＭ１に応じてユニットコントローラＵＣが制御動作を行った結果情報であるレスポンスＲＥとを時系列に記憶した動作履歴ログファイルを保存する制御コマンドである。動作履歴ログファイルは、記憶部６０に直近の一定期間分だけが常に記憶されており、一定期間を超える部分は上書きにより消去されてしまう。全てを記憶すると膨大な情報量となってしまうためである。そのため、履歴保存コマンドは、エラー発生時に記憶部６０に記憶されている動作履歴ログファイルを別ファイルにコピーし、消去されないように保存する。動作履歴ログファイルには、メインプロセッサ５０がどのような制御コマンドＣＭ１を出し、該コマンドに対して各ユニットコントローラがどのような制御結果（レスポンスＲＥ、エラーＥＳ）を返したかという情報がエラー発生時まで記録されているので、エラー発生時までに露光装置ＥＸがどのような動作をしていたか、エラー発生以前に異常はなかったかについて知ることができ、エラー発生原因を特定するための調査資料とすることができる。
【００４７】
上記の記録コマンドは、エラー発生前後又はエラー発生時の露光装置ＥＸの状態を示す状態情報を記憶部６０に記憶する制御コマンドである。状態情報には、例えば露光装置ＥＸのＩＤ番号、記録を行った日時等の基礎的な情報に加えて、露光装置ＥＸが実行中の露光レシピファイル名、エラー発生時に露光していたウェハ番号及びショット番号、露光装置ＥＸ内部の温度、湿度、気圧及び外部の温度、湿度、気圧等の情報が含まれる。また、エラー発生時におけるウェハステージ３７とレチクルステージ３１との目標位置と現在位置との情報や、可動ブラインド１５の目標位置と現在位置との情報も状態情報として記録することができる。更に、エラー発生時に各ユニットコントローラＵＣに記憶されている、露光装置ＥＸの状態を所定の時間間隔で連続的に記録した情報（トレース情報）を状態情報として記録することができる。具体的には、レチクルステージ３１とウェハステージ３７との同期走査中のレーザ干渉計３７，４０の計測結果のトレース情報や、同期走査中のウェハステージ３７のＺ位置及び傾斜量のトレース情報、同期走査中の焦点位置検出系４３の検出結果のトレース情報等を状態情報として記録することができる。
【００４８】
これらの状態情報は、露光装置ＥＸがエラー発生時にどのような状態にあったかを詳細に記録したものなので、これらの情報を解析することによってエラー発生原因を早期に特定することが可能になる。特に、各トレース情報は前記した動作履歴ログファイルと同様、一定量を超えた情報は消去されるため、エラー発生時に記憶されている各トレース情報を消去されないように記録する必要がある。これらユニットコントローラＵＣ個別の状態情報は、それぞれに対応する記録コマンドによって記憶部６０に記憶される。
【００４９】
上記の再実行コマンドは、エラーが発生したときの動作を再度行わせることで、エラーの発生を再現させるための制御コマンドである。この再実行コマンドは、露光装置ＥＸの設計段階で想定外であった複数の原因が関連して生ずるエラーの原因を特定するために極めて有効である。この再実行コマンドとともに、上記の連続記録コマンドを実行して再実行中の露光装置ＥＸの状態を所定の時間間隔で連続的に記録すれば、エラーの原因を特定する上で極めて有用な情報を得ることができる。
【００５０】
次に、上記構成における露光装置内においてエラーが発生したときのエラー処理方法について説明する。図５は、本発明の一実施形態によるエラー処理方法を示すフローチャートである。尚、以下の説明では、レチクルステージ３１及びウェハステージ３７の位置決め処理時にエラーが発生した場合を例に挙げて説明する。主制御系２４内に設けられたメインプロセッサ５０がステージコントローラ５１に対して制御コマンド発行すると、ステージコントローラ５１はレーザ干渉計３４，４０各々の検出結果をモニタしつつ、レチクルステージ３１及びウェハステージ３７を駆動する。
【００５１】
ステージコントローラ５０がレチクルステージ３１及びウェハステージ３７の駆動制御を開始してから予め設定された時間が経過しても、レーザ干渉計３４，４０の検出結果が上記の制御コマンドで指定される位置（目標位置）に達していない場合には、タイムアウトのエラーが発生して図５に示す処理が開始される。尚、ここではウェハステージ３７が目標位置に達していないとする。
【００５２】
エラーが発生すると、ステージコントローラ５１はエラーＥＳを生成する。ここで生成されるエラーＥＳは、図４に示すフィールドＦ１１に制御装置識別情報としてウェハステージ３７でエラーが発生した旨を示す情報が格納され、フィールドＦ１２にエラーの種類として「致命的エラー」が格納され、フィールドＦ１３にエラーの内容としてタイムアウトを示すエラーコードが格納される。
【００５３】
このエラーＥＳはステージコントローラ５１からメインプロセッサ５０へ通知される（ステップＳ１１）。エラーＥＳが通知されると、メインプロセッサ５０内の判定部６２はエラーＥＳのフィールドＦ１１の内容からエラーが発生したのはウェハステージ３７であると判定するとともに、フィールドＦ１２の内容からエラーの種類を判定する。また、記憶部６０に記憶されたエラートラップファイルＦ１を読み出し、通知されたエラーＥＳのフィールドＦ１３の内容とエラートラップファイルＦ１とを比較する（ステップＳ１２）。
【００５４】
この比較を行って、エラーＥＳが特定エラーであるか否かを判定する（ステップＳ１３：判定ステップ）。通知されたエラーＥＳがエラートラップファイルＦ１に含まれていないと判定された場合（判定結果が「ＮＯ」の場合）には、通常エラー処理が行われる（ステップＳ１５）。ここで行われる通常エラー処理は、例えばエラーＥＳのフィールドＦ１１〜Ｆ１４に含まれる内容（エラーコード）をログとして記憶部６０に保存して露光装置ＥＸの動作を停止させた上で、エラーが発生した旨を警報又はエラー表示によりオペレータに通知する処理である。
【００５５】
一方、ステップＳ１３において、通知されたエラーＥＳがエラートラップファイルＦ１に含まれていると判定された場合（判定結果が「ＹＥＳ」の場合）には、エラーＥＳは特定エラーとなる。この場合には、判定部６２はエラートラップファイルＦ１内において、その特定エラーに対応付けられている特定コマンドＣＭ２を読み出してコマンド実行部６１に出力し、コマンド実行部６１を介して特定コマンドＣＭ２をユニットコントローラＵＣに発行する。
【００５６】
この特定コマンドＣＭ２が発行されると、ユニットコントローラＵＣは特定コマンドＣＭ２に応じた動作を実行する（ステップＳ１４：実行ステップ）。尚、ここでは、ウェハステージ３７においてエラーが発生したとしており、特定コマンドＣＭ２はステージコントローラ５１に勿論発行されるが、特定コマンドＣＭ２の内容に応じてステージコントローラ５１以外のコントローラにも発行されることがある。
【００５７】
ユニットコントローラＵＣは、特定コマンドＣＭ２の内容に応じた処理を実行し、その実行結果をメインプロセッサ５０へ出力する。ここで実行される処理には、例えば記憶部６０に記憶されている動作履歴ログファイルやステージコントローラ５１に記録されているレチクルステージ３１とウェハステージ３７との同期走査中のレーザ干渉計３７，４０のトレース情報、あるいは同期走査中のウェハステージ３７のＺ位置及び傾斜量のトレース情報を消去されないように保存し記録する処理がある。
【００５８】
更には、複数の要因が複雑に関連している場合には、エラー発生直前に発行した制御コマンドと同じ制御コマンドを再度発行して、ステージコントローラ５１にレチクルステージ３１及びウェハステージ３７を駆動させ、レーザ干渉計３７，４０の計測結果のトレース情報を取得して記憶部６０に記憶する処理がある。以上の処理が終了すると、ステップＳ１５において、例えばエラーＥＳのフィールドＤ１３に含まれるエラーの内容（エラーコード）をログとして記憶部６０に保存して露光装置ＥＸの動作を停止させた上で、エラーが発生した旨を警報又はエラー表示によりオペレータに通知する処理等の通常エラー処理を行って、一連のエラー処理は終了する。
【００５９】
このように、本実施形態によれば、露光装置ＥＸの内部で特定エラーが発生したときに、この特定エラーに対応づけられた特定コマンドを実行することで、従来の露光装置ＥＸでは得られなかった露光装置ＥＸの状態情報を得ることができる。この状態情報はエラーの発生原因を特定する上で極めて有用な情報であり、後で解析を行うことでエラーの発生原因を特定するために要する時間の短縮及び負担の軽減を図ることができる。また、状況に応じて個別に発生するエラー毎に適切な復旧動作を行うこともできる。
【００６０】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に制限されず、本発明の範囲内で自由に変更が可能である。例えば、上記実施形態においては、制御系がメインプロセッサ５０とユニットコントローラＵＣとの２層からなる場合を例に挙げて説明したが、本発明は、１層からなる制御系及び２層よりも多い層数から構成される制御系にも適用することが可能である。また、上記実施形態では、メインプロセッサ５０のみが記憶部６０、コマンド実行部６１、及び判定部６２を備える場合を例に挙げて説明したが、ユニットコントローラＵＣを構成するコントローラの各々にこれらを設けた構成としても良い。かかる構成とすることで、ユニットコントローラＵＣ内の処理のみで対処が行われるエラーに対してもエラー発生原因の特定に必要な情報の収集を行うことができる。
【００６１】
また、図３に示すメインプロセッサ５０の機能をハードウェアで構成することも可能であり、ソフトウェアで実現することも可能である。ソフトウェアで実現する場合には、メインプロセッサ５０のハードウェア構成を、ＣＰＵ（中央処理装置）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、通信インタフェース、光ディスク、磁気ディスク、光磁気ディスク等の外部記憶装置等から構成し、上述した制御を行うプログラムを通信回線を介してメインプロセッサ５０に読み込ませ、又は記録媒体に記憶させたプログラムを外部記憶装置を用いてメインプロセッサ５０に読み込ませる。
【００６２】
更に上記実施形態では、基板処理装置が露光装置である場合を例に挙げて説明したが、露光装置に対してインライン化して設けられている塗布現像装置、並びに露光装置に付随して設けられている評価装置及び検査装置にも適用することができる。上記の塗布現像装置は、ウェハＷ上にフォトレジスト等の感光剤を塗布し、又は露光転写後の感光剤を現像する所謂コータ・デベロッパと称される装置である。上記評価装置は露光装置ＥＸで露光処理されたウェハＷに形成されるパターンの均一性やパターンの重なり具合いを評価する装置であり、検査装置は電子ビームをウェハＷ上に照射した際に生ずる二次電子や後方散乱電子を検出してウェハＷ上に形成されたパターンの観察及び検査を行う装置である。
【００６３】
また、上記実施形態では露光光源１として、ＡｒＦエキシマレーザ光源の場合を例に挙げて説明したが、これ以外に露光光源１としては、例えばｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｉ線（波長３６５ｎｍ）を射出する超高圧水銀ランプ、又はＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、Ｆ２エキシマレーザ（波長１５７ｎｍ）、Ｋｒ２レーザ（波長１４６ｎｍ）、ＹＡＧレーザの高周波発生装置、若しくは半導体レーザの高周波発生装置を用いることができる。
【００６４】
また、本発明は半導体素子の製造に用いられる露光装置だけではなく、液晶表示素子（ＬＣＤ）等を含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッドの製造に用いられてデバイスパターンをセラミックウェハ上へ転写する露光装置、及びＣＣＤ等の撮像素子の製造に用いられる露光装置等にも適用することができる。更には、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウェハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、ＤＵＶ（遠紫外）光やＶＵＶ（真空紫外）光などを用いる露光装置では一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶などが用いられる。また、プロキシミティ方式のＸ線露光装置、又は電子線露光装置などでは透過型マスク（ステンシルマスク、メンブレンマスク）が用いられ、マスク基板としてはシリコンウェハなどが用いられる。
【００６５】
次に、上記の露光装置ＥＸをリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図６は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。図６に示すように、まず、ステップＳ４０（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ４１（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクル）を製作する。一方、ステップＳ４２（ウェハ製造ステップ）において、シリコン等の材料を用いてウェハを製造する。
【００６６】
次に、ステップＳ４３（ウェハ処理ステップ）において、ステップＳ４０〜ステップＳ４２で用意したマスクとウェハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウェハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ４４（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ４３で処理されたウェハを用いてデバイス組立を行う。このステップＳ４４には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ４５（検査ステップ）において、ステップＳ４４で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
【００６７】
図７は、半導体デバイスの場合における、図６のステップＳ４３の詳細なフローの一例を示す図である。図７において、ステップＳ５１（酸化ステップ）においてはウェハの表面を酸化させる。ステップＳ５２（ＣＶＤステップ）においてはウェハ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ５３（電極形成ステップ）においてはウェハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ５４（イオン打込みステップ）においてはウェハにイオンを打ち込む。以上のステップＳ５１〜ステップＳ５４のそれぞれは、ウェハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
【００６８】
ウェハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ５５（レジスト形成ステップ）において、ウェハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップＳ５６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置）及び露光方法によってマスクの回路パターンをウェハに転写する。次に、ステップＳ５７（現像ステップ）においては露光されたウェハを現像し、ステップＳ５８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ５９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウェハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００６９】
以上説明したマイクロデバイス製造方法を用いれば、露光工程（ステップＳ５６）において、主制御系２４の処理の効率が行われて露光処理が実行されており、露光処理に要する時間を短縮することができるため、結果的に最小線幅が０．１μｍ程度の高集積度のデバイスを歩留まり良く且つ高スループットで生産することができる。
【００７０】
また、半導体素子等のマイクロデバイスだけではなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置等で使用されるレチクル又はマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウェハ等ヘ回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、ＤＵＶ（深紫外）やＶＵＶ（真空紫外）光等を用いる露光装置では、一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶等が用いられる。また、プロキシミティ方式のＸ線露光装置や電子線露光装置等では、透過型マスク（ステンシルマスク、メンブレンマスク）が用いられ、マスク基板としてはシリコンウェハ等が用いられる。なお、このような露光装置は、ＷＯ９９／３４２５５号、ＷＯ９９／５０７１２号、ＷＯ９９／６６３７０号、特開平11−194479号、特開2000−12453号、特開2000−29202号等に開示されている。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の一実施形態による基板処理装置としての露光装置ＥＸの全体構成の概略を示す図である。
【図２】主制御系２４の概略構成を示すブロック図である。
【図３】メインプロセッサ５０の内部構成の概略を示すブロック図である。
【図４】エラーＥＳのフォーマットの一例を示す図である。
【図５】本発明の一実施形態によるエラー処理方法を示すフローチャートである。
【図６】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。
【図７】半導体デバイスの場合における、図６のステップＳ４３の詳細なフローの一例を示す図である。
【符号の説明】
【００７２】
３１      レチクルステージ（マスクステージ）
３７      ウェハステージ（基板ステージ）
４７      入力装置（入力手段）
５０      メインプロセッサ（制御装置）
５１      ステージコントローラ（下位制御装置）
５２      アライメントコントローラ（下位制御装置）
５３      ウェハローダコントローラ（下位制御装置）
６０      記憶部（記憶手段）
６２      判定部（判定手段）
ＣＭ１    制御コマンド
ＣＭ２    特定コマンド
ＥＳ      エラー（エラー情報、制御結果）
ＲＥ      レスポンス（制御結果）
ＵＣ      ユニットコントローラ（下位制御装置）
Ｗ        基板
【図１】
2005072259.tif 000003
【図２】
2005072259.tif 000004
【図３】
2005072259.tif 000005
【図４】
2005072259.tif 000006
【図５】
2005072259.tif 000007
【図６】
2005072259.tif 000008
【図７】
2005072259.tif 000009