(57)【要約】      （修正有）【課題】本発明では、コア基板を有さず、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に積層された配線基板を容易に得ることが可能な製造方法と配線基板を提供する。【解決手段】製造時における補強のための支持基板２０上に形成され、加熱により分離可能な２つの金属箔５ａ、５ｂが密着してなる金属箔密着体５と、該金属箔密着体５を封止する第一誘電体シート１１と、を有する積層シート体１０を形成し、該積層シート体１０において露出した主表面には、誘電体シート１１〜１４間に設けられた導体層３１、３２及びビア導体４１〜４３を通じて複数の金属端子パッド３３のいずれかから電流を供給して電解メッキ処理を行うことにより、金属箔密着体５上の領域を配線基板となるべき配線積層部１００として、その周囲部を除去し、加熱し、金属箔密着体５ａ、５ｂの界面にて剥離することを特徴とする。【選択図】図１
2005072085.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア基板を有さず、かつ両主表面が誘電体層にて構成されるよう、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に積層された配線基板を製造するために、
製造時における補強のための支持基板上に形成された下地誘電体シートの主表面上に、該主表面に包含されるよう配された、２つの金属箔が密着してなる金属箔密着体と、該金属箔密着体を包むよう形成され、かつ該金属箔密着体の周囲領域にて前記下地誘電体シートと密着して該金属箔密着体を封止する第一誘電体シートと、を有する積層シート体を形成し、
該積層シート体において露出した主表面には、誘電体シート間に設けられた導体層及び誘電体シート内に設けられたビア導体を通じて前記金属箔密着体に連結された複数の金属端子パッドが形成されており、前記複数の金属端子パッドのいずれかから電流を供給して電解メッキ処理を行うことにより、前記複数の金属端子パッドのそれぞれの表面に電解メッキ表面層を形成するとともに、
前記積層シート体のうち、前記金属箔密着体上の領域を前記配線基板となるべき配線積層部として、その周囲部を除去し、該配線積層部の端面を露出させた後、前記配線積層部を前記支持基板から、片方の金属箔が付着した状態で、前記金属箔密着体における２つの金属箔の界面にて剥離することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記配線積層部を前記支持基板から剥離した後に、該配線積層部の前記第一誘電体シートが構成する主表面に付着した前記金属箔を除去し、前記第一ビア導体と接続された金属端子を前記主表面に形成することを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記配線積層部を前記支持基板から剥離した後に、該配線積層部の前記第一誘電体シートが形成された主表面に付着した前記金属箔を選択的に除去し、前記第一ビア導体と接続され、かつ残存した前記金属箔を一部とした金属端子を形成することを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
コア基板を有さず、かつ両主表面が誘電体層にて構成されるよう、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に積層され、かつ一方の主表面には複数の金属端子パッドが設けられてなるとともに、
当該複数の金属端子パッドの表面には、電解メッキ処理により得られる電解メッキ表面層が形成されてなることを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、コア基板を有さない配線基板、及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器における高機能化並びに軽薄短小化の要求により、ＩＣチップやＬＳＩ等の電子部品では高密度集積化が急速に進んでおり、これに伴い、電子部品を搭載するパッケージ基板には、従来にも増して高密度配線化及び多端子化が求められている。
【０００３】
このようなパッケージ基板としては、現状において、ビルドアップ多層配線基板が採用されている。ビルドアップ多層配線基板とは、補強繊維に樹脂を含浸させた絶縁性のコア基板（ＦＲ−４等のガラスエポキシ基板）のリジッド性を利用し、その両主表面上に、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に配されたビルドアップ層を形成したものである。このようなビルドアップ多層配線基板では、ビルドアップ層において高密度配線化が実現されており、一方、コア基板は補強の役割を果たす。そのため、コア基板は、ビルドアップ層と比べて非常に厚く構成され、またその内部にはそれぞれの主表面に配されたビルドアップ層間の導通を図るための配線（例えば、スルーホール導体と呼ばれる）が厚さ方向に貫通形成されている。ところが、使用する信号周波数が１ＧＨｚを超える高周波帯域となってきた現在では、そのような厚いコア基板を貫通する配線は、大きなインダクタンスとして寄与してしまうという問題があった。
【０００４】
そこで、そのような問題を解決するため、特許文献１に示されるような、コア基板を有さず、高密度配線化が可能なビルドアップ層を主体とした配線基板が提案されている。このような配線基板では、コア基板が省略されているため、全体の配線長が短く構成され、高周波用途に供するのに好適である。このような配線基板を製造するためには、段落００１２〜００２９及び図１〜４に記載されているように、金属板上にビルドアップ層を形成した後、該金属板をエッチングすることにより薄膜のビルドアップ層のみを得る。そして、このビルドアップ層が配線基板とされる。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００２−２６１７１号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、特許文献１に記載された製造方法の場合、ビルドアップ層が形成される金属板は、製造時における補強の役割を担うことが可能な程度の厚さ（例えば、銅板にして０．８ｍｍ程度）に設定されるが、ビルドアップ層を形成後にそれを全てエッチングすることは、時間が掛かり過ぎる（例えば、銅板０．８ｍｍに対して３０分程度）など工程上の無駄が多いという問題があった。
【０００７】
そこで、本発明では、コア基板を有さず、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に積層された配線基板を容易に得ることが可能な製造方法と、それにより得られる信頼性の高い配線基板を提供することを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び作用・発明の効果】
上記課題を解決するため、本発明の配線基板の製造方法では、
コア基板を有さず、かつ両主表面が誘電体層にて構成されるよう、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に積層された配線基板を製造するために、
製造時における補強のための支持基板上に形成された下地誘電体シートの主表面上に、該主表面に包含されるよう配された、２つの金属箔が密着してなる金属箔密着体と、該金属箔密着体を包むよう形成され、かつ該金属箔密着体の周囲領域にて下地誘電体シートと密着して該金属箔密着体を封止する第一誘電体シートと、を有する積層シート体を形成し、
該積層シート体において露出した主表面には、誘電体シート間に設けられた導体層及び誘電体シート内に設けられたビア導体を通じて金属箔密着体に連結された複数の金属端子パッドが形成されており、複数の金属端子パッドのいずれかから電流を供給して電解メッキ処理を行うことにより、複数の金属端子パッドのそれぞれの表面に電解メッキ表面層を形成するとともに、
積層シート体のうち、金属箔密着体上の領域を配線基板となるべき配線積層部として、その周囲部を除去し、該配線積層部の端面を露出させた後、配線積層部を支持基板から、片方の金属箔が付着した状態で、金属箔密着体における２つの金属箔の界面にて剥離することを特徴とする。
【０００９】
上記本発明によると、本発明の配線基板の製造方法は、図１を参照して簡略に説明すると、（ａ）支持基板２０（特許文献１における金属板に該当する）上に形成された下地誘電体シート２１上に、配線基板となるべき配線積層部１００（図２参照）を含有する積層シート体１０を形成し、（ｂ）積層シート体１０のうち配線積層部１００の周囲部（図中の破線部）を除去することにより、配線積層部１００の端面１０３を露出させて、（ｃ）配線積層部１００を支持基板２０（及び下地誘電体シート２１）から剥離する。このように、配線積層部と支持基板との分離を剥離により行うことで、容易に配線基板を得ることが可能となっている。また、配線積層部と支持基板との分離をエッチングにより行わないため、支持基板の両主表面に積層シート体を形成することもでき、ひいては配線基板の量産が可能となる。
【００１０】
以下、図１のそれぞれの工程に関して詳細な説明を行う。図１（ａ）では、支持基板２０上に形成された下地誘電体シート２１上に、配線基板となるべき配線積層部１００（図２参照：詳細は後述）を含有する積層シート体１０が形成されている。積層シート体１０では、下地誘電体シート２１の主表面に包含されるように、２つの金属箔５ａ、５ｂが密着してなる金属箔密着体５が配され、該金属箔密着体５を包むように第一誘電体シート１１が配されている。なお、積層シート体１０は、この他に、誘電体シート間に設けられた導体層３１、３２と、誘電体シート内に設けられたビア導体４１、４３と、これらにより金属箔密着体５に連結された金属端子パッド３３とを有するが、これらに関しては後述する。そして、該金属箔密着体５を包むよう形成された第一誘電体シート１１は、金属箔密着体５（上側金属箔５ｂ）に密着するとともに、金属箔密着体５の周囲領域２１ｃにて下地誘電体シート２１と密着しており、これによって、金属箔密着体５は第一誘電体シート１１に封止された状態とされている。
【００１１】
このように金属箔密着体５が第一誘電体シート１１に封止されていることにより、金属箔密着体５（下側金属箔５ａ）と下地誘電体シート２１との界面に膨れや剥れが生じることなく、積層シート体１０を形成することができる。そしてその後、図１（ｂ）において、第一誘電体シート１１と下地誘電体シート２１とが密着している周囲領域２１ｃが除去されるので、図１（ｃ）において、金属箔密着体５の界面で配線積層部１００の剥離を容易に行うことが可能となる。つまり、このように構成することにより、密着性が要求される積層シート体の形成（図１（ａ））と、剥離容易性が要求される配線積層部の剥離（図１（ｃ））とを、どちらも良好に行うことが可能となる。
【００１２】
なお、図２に示すように、積層シート体１０のうち、金属箔密着体５上の領域は、配線積層部１００とされている。配線積層部１００は、図１（ｃ）の剥離により上側金属箔５ｂが付着した状態で得られ、その後配線基板となるべきものである。すなわち、コア基板を有さず、かつ両主表面が誘電体層にて構成されるよう、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に積層された構造を有する（詳細な構造については後述する）。
【００１３】
また、積層シート体１０の形態は、配線積層部１００（金属箔密着体５上の領域）を有していればよく、図１（ａ）の形態に限定されない。例えば、図３（ａ）のように、金属箔密着体５上に誘電体シート１１１、１１２が配され、それらをまとめて第一誘電体シート１１が封止する形態であってもよい。また、図３（ｂ）のように、第一誘電体シート１１上に形成される他の誘電体シートが、配線積層部１００となる部分のみにより構成されていてもよい。
【００１４】
次に、図１（ｂ）では、積層シート体１０のうち、配線積層部１００の周囲部（図中の破線部）を除去し、該配線積層部１００の端面１０３を露出させる。つまり、第一誘電体シート１１と下地誘電体シート２１とが密着している周囲領域２１ｃが取り除かれ、金属箔密着体５の端面が露出することになる。これにより、図１（ｃ）のように、配線積層部１００を支持基板２０から、金属箔密着体５の界面（すなわち、下側金属箔５ａと上側金属箔５ｂとの界面）にて容易に剥離することができる。なお、積層シート体１０において配線積層部１００の周囲部（図中の破線部）を除去する際、該周囲部とともに、支持基板２０及び下地誘電体シート２１の該周囲部下にあたる領域も除去するようにすれば、配線積層部１００の端面１０３の露出が容易に行うことができる。
【００１５】
また、図１（ｂ）では配線積層部１００の周囲部を除去する際に、第一誘電体シート１１と下地誘電体シート２１とが密着している周囲領域２１ｃを取り除き、金属箔密着体５の端部を露出させることで配線積層部１００の剥離が可能となるが、金属箔密着体５の端部をより確実に露出させるため、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、配線積層部１００を、金属箔密着体５のうち外縁端付近を除いた部分及び該部分上の領域によって構成し、その周囲領域を除去、すなわち金属箔密着体５の外縁端付近も除去するようにすることができる。
【００１６】
次に、積層シート体１０は、その他、誘電体シート間に設けられた導体層３１、３２と、誘電体シート内に設けられたビア導体４１、４３と、これらにより金属箔密着体５にそれぞれ連結され、かつ積層シート体１０の主表面に露出してなる複数の金属端子パッド３３とを有する。つまり、複数の金属端子パッド３３は、互いに電気的に連結されているので、図１６に示すように、複数の金属端子パッド３３のいずれかから、電流を供給して電解メッキ処理を行うことにより（図では、メッキバー７０から一つの金属端子パッド３３へ電流を供給している）、複数の金属端子パッド３３のそれぞれの表面に電解メッキ表面層７を形成することができる。また、積層シート体１０（もしくは配線積層体１００）が支持基板２０上に保持された状態で電解メッキ処理を行うことができるので、図１（ｃ）の剥離後の薄く軟らかい配線積層部１００に対する作業を低減することができる。
【００１７】
金属端子パッド３３上には、例えばハンダボール等の外部基板との接合部材が設置されるが、電解メッキ処理により電解メッキ表面層７を形成する場合は、メッキ浴に還元剤が使用されないので、ハンダに対するぬれ性や密着性の良好なメッキ表面層が得られる利点がある。これにより、金属端子パッドと接合部材（ハンダボール等）との接続信頼性が向上する。また、通常、電解メッキ処理を施すためには、配線とともにメッキタイバーを誘電体層間に挿入する必要があるが、上記のような方法を用いれば、誘電体層間にメッキバーを配す必要がないという利点もある。メッキタイバーは、高密度配線化の妨げになるばかりでなく、末端が電気的に開放した不要な導通路として配線基板に残るため、該部分がノイズ収拾源となって、耐ノイズ性が悪化したり、あるいはパッドを含んだ伝送経路のインピーダンス不整合を招く原因となるという問題がある。
【００１８】
次に、積層シート体１０において、第一誘電体シート１１には、第一導体層３１と金属箔密着体５とを接続する第一ビア導体４１が形成されている。そのため、図１（ｃ）に示す金属箔５ｂが付着した配線積層体１００は、例えば図１０に示すように、金属端子８を形成するために金属箔５ｂを除去すると、その面に第一導体層３１と接続された第一ビア導体４１を有する開口１１ａが現れ、そこに金属端子８を直接形成することができる。これにより、剥離後の薄く軟らかい配線積層部１００に対して、第一誘電体シート１１´の穿孔したり、その孔を導体（例えば、予備ハンダ）で充填する等の作業を行うことなく金属端子８を形成することが可能となる。
【００１９】
また、図１（ｃ）に示す金属箔５ｂが付着した配線積層体１００は、該金属箔５ｂが第一ビア導体４１を介して第一導体層３１と接続されているので、例えば図１５に示すように、該金属箔５ｂを一部とした金属端子８を形成することもできる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
図５は、本発明の配線基板の製造方法により得られる配線基板１の断面構造の概略を表す図である。配線基板１は、高分子材料からなる誘電体層（Ｂ１〜Ｂ３、ＳＲ）と導体層（Ｍ１、Ｍ２、ＰＤ）とが交互に積層された構造を有する。その第一主表面ＭＰ１は電子部品を搭載するための搭載面とされ、主表面をなす第一誘電体層Ｂ１には、電子部品と接続するための、周知のハンダで構成された突起状の金属端子（ハンダバンプ）ＦＢが形成されている。また、第二主表面ＭＰ２は、外部基板へ接続するための接続面とされ、主表面をなす誘電体層（ソルダーレジスト層）ＳＲには開口が形成されており、該開口内には外部基板への接続を担うハンダボール（後述）を設置するための金属端子（金属端子パッド）ＰＤが露出している。
【００２１】
また、金属層Ｍ１、Ｍ２において配線ＣＬが形成されており、誘電体層Ｂ１〜Ｂ３内には該配線ＣＬに接続されるビア導体ＶＡが埋設形成されている。そして、配線ＣＬ及びビア導体ＶＡにより、電気導通路（例えばハンダバンプＦＢから金属端子パッドＰＤへの）が形成される。なお、誘電体層Ｂ１〜Ｂ３、ＳＲは、例えばエポキシ樹脂を主成分とする材料にて構成することができ、また配線ＣＬ、ビア導体ＶＡ及び金属端子パッドＰＤは、例えば銅を主成分とする材料にて構成することができる。また、金属端子パッドＰＤは、その表面に電解メッキ処理により得られる、例えばＮｉ−Ａｕメッキによる電解メッキ表面層が施されている。なお、電解メッキ表面層は、他に例えばＳｎ（ハンダ）メッキにより構成することも可能である。
【００２２】
以上のような配線基板１は、図６に示すように、第二主表面ＭＰ２の金属端子パッドＰＤに外部基板への接続を担うハンダボールＳＢが設置され、一方、第一主表面ＭＰ１には、補強枠（スティフナー）ＳＴが設置されるとともに、電子部品ＩＣがハンダバンプＦＢにフリップチップ接続され、また電子部品ＩＣ下の隙間がアンダーフィル材ＵＦにて充填されることで、半導体装置３００となる。
【００２３】
図１２は、本発明の配線基板の製造方法により得られる配線基板１の第二実施形態の断面構造の概略を表す図である。なお、ここでは、上記第一実施形態の配線基板１と異なる点についてのみ説明し、同じ点については図中に同符号を付することで説明を省略する。第二実施形態では、電子部品を搭載するための搭載面とされる第一主表面ＭＰ１上に、金属箔ＣＦにて構成される金属端子ＴＢが形成されている。金属端子ＴＢは、裏面にビア導体ＶＡが接続された金属箔ＣＦと、該金属箔ＣＦの表面に形成されたメッキ層ＮＭにより構成されている。メッキ層ＮＭは、金属箔ＣＦの表面を保護するものであり、例えば無電解Ｎｉ−Ａｕメッキ等を用いることができる。
【００２４】
そのような金属端子８は、例えばワイヤボンディング用の端子またはＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）用の端子として形成することができる。そして、図１３に示すように、搭載面となる第一主表面ＭＰ１上に電子部品ＩＣが搭載され、かつ電子部品ＩＣと金属端子８とがボンディングワイヤＹＢ等により接続されることで半導体装置３００となる。
【００２５】
以下、本発明の実施形態である配線基板の製造方法の一例を説明する。図７〜図１０は製造工程を表す図である。工程１〜５に示す支持基板２０上に積層シート体１０を形成していく工程は、周知のビルドアップ法等により行うことができる。まず、図７の工程１に示すように、製造時における補強のための支持基板２０上に下地誘電体シート２１を形成する。支持基板２０は、下地誘電体シート２１が密着するものであれば特には限定されないが、例えばＦＲ−４等のガラスエポキシ基板（上述のようにコア基板に用いられる材料である）にて構成することができる。また、下地誘電体シート２１も、特には限定されないが、例えば後述する第一誘電体シート１１と同材料、すなわちエポキシを主成分とする材料にて構成することができる。
【００２６】
次に、工程２に示すように、下地誘電体シート２１の主表面上に、該主表面に包含されるよう配され、２つの金属箔５ａ、５ｂが密着してなる金属箔密着体５を配す。なお、金属箔密着体５は、半硬化状態の下地誘電体シート２１上に配すようにすることができる。これにより、以降の工程で金属箔密着体５（下側金属箔５ａ）が下地誘電体シート２１から剥れない程度の密着性が得られやすくなる。また、金属箔密着体５は、例えば２つの銅箔を金属メッキ（例えばＣｒ）を介して密着させたものを用いることができる。このような金属箔密着体５は、剥離が可能となる。
【００２７】
次に、工程３に示すように、金属箔密着体５を包むように第一誘電体シート１１を形成する。そして、第一誘電体シート１１は、金属箔密着体５（上側金属箔５ｂ）とともに、金属箔密着体５の周囲領域にて下地誘電体シート２１と密着して、金属箔密着体５を封止する。なお、誘電体シートの形成は、例えば周知の真空ラミネーション法を用いることができる。
【００２８】
次に、図８の工程４に示すように、第一誘電体シート１１上に第一導体層３１をパターン形成し、また第一誘電体シート１１には該第一導体層３１と金属箔密着体５とを接続する第一ビア導体４１を形成する。なお、導体層の形成は、例えば周知のセミアディティブ法により形成することができる。また、ビア導体は、例えば周知のフォトビアプロセスによりビア孔を形成し、該ビア孔を、上記セミアディティブ法における無電解メッキによって充填することにより得ることができる。
【００２９】
次に、第一誘電体シート１１（及び第一導体層３１）上に第二誘電体シート１２を形成し、該第二誘電体シート１２内にビア導体４２を形成するとともに、該第二誘電体シート１２上に第二導体層３２を形成する。そして、同様の工程を繰り返して、誘電体シート１３、１４、ビア導体４３、導体層３３を形成していき、工程５に示すような積層シート体１０を形成する。なお、本実施形態では、積層シート体１０は、金属箔密着体５及び４層の誘電体シート１１〜１４にて構成されているが、誘電体シートの層数はこれに限られることはない。以上により、下地誘電体シート２１の主表面上に、該主表面に包含されるよう配された金属箔密着体５と、該金属箔密着体５を包むよう形成され、かつ該金属箔密着体５の周囲領域にて下地誘電体シート２１と密着して該金属箔密着体５を封止する第一誘電体シート１１と、を有する積層シート体１０が形成される。
【００３０】
なお、誘電体シート１１〜１４は、エポキシを主成分とする材料にて構成することができる。また、導体層３１〜３３とビア導体４１〜４３は銅を主成分として構成することができる。
【００３１】
本実施形態では、積層シート体１０の上側の露出した主表面が、図５及び図１２に示す配線基板１の第二主表面ＭＰ２となるように形成されている。したがって、積層シート体１０の上側主表面をなす誘電体シート１４は、図５の配線基板１のソルダーレジスト層ＳＲに該当し、またその開口１４ａ内に露出する導体層３３は、図５及び図１２の配線基板１の金属端子パッドＰＤに該当する。
【００３２】
以上の工程５の後、次の工程６に移る前に、図１６に示すように、金属箔密着体５を介して互いに電気的に連結された複数の金属端子パッド３３に、複数の金属端子パッド３３のいずれかから電流を供給して電解メッキ処理を行うことにより（図では、メッキバー７０から一つの金属端子パッド３３へ電流を供給している）、複数の金属端子パッド３３のそれぞれの表面に電解メッキ表面層７を形成する。電解メッキ処理は、例えば電解Ｎｉ−Ａｕメッキ又は電解Ｓｎ（ハンダ）メッキを用いることができる。また、電解メッキ表面層７は、アルカリ性のエッチャントに対してレジストとして機能するため、以降の工程では、ドライフィルムにより金属端子パッド３３を保護する必要がなくなる。
【００３３】
次に、積層シート体１０は、金属箔密着体５上の領域が、配線基板１（図５参照）となるべき配線積層部１００となるよう形成されている。そこで、工程６に示すように、配線積層部１００の周囲領域を除去し、端面１０３を露出させる（図９の工程７）。その際、配線積層部１００と周囲部との境界において、その下の下地誘電体シート２１及び支持基板２０ごと、例えばブレード刃等により切断する。このようにして、配線積層部１００の周囲領域とともに、支持基板２０及び下地誘電体シート２１のうちの該周囲部下にあたる領域も除去するようにすると、端面１０３の露出が容易である。
【００３４】
次に、工程８に示すように、配線積層部１００を支持基板２０から、片方の金属箔（上側金属箔５ｂ）が付着した状態で、金属箔密着体５における２つの金属箔５ａ、５ｂの界面にて剥離する。
【００３５】
そして、配線積層部１００を支持基板２０から剥離した後に、図１０に示すように、該配線積層部１００の第一誘電体シート１１が構成する主表面に付着した金属箔５ｂを除去し（工程９）、第一ビア導体４と接続された金属端子５（図５の配線基板１ではハンダバンプＦＢ）を形成する（工程１０）。これにより、図５に示す配線基板１が得られる。
【００３６】
工程９において、金属箔５ｂの除去は、例えばエッチングにより行うことができる。金属箔５ｂが除去された第一誘電体シート１´の主表面には、内部に第一ビア導体４１が露出したビア孔１１ａが現れる。第一ビア導体４１は、金属箔５ｂのエッチングにより多少エッチングされるので、その端面がビア孔内（例えば、開口１１ａの近傍）に位置することになる。つまり、完成した配線基板は、コア基板を有さず、かつ両主表面が誘電体層にて構成されるよう、高分子材料からなる誘電体層１１´〜１４´と導体層３１〜３３とが交互に積層され、第一主表面をなす第一誘電体層１１´に貫通形成されたビア孔１１ａ内に、該第一誘電体層１１´直下の第一導体層３１´と接続されたビア導体４１が形成されてなるとともに、該ビア導体４１は、第一主表面側の端面がビア孔１１ａ内に位置してなり、当該端面には、金属端子８が接続された構成となる。このように、ビア導体４１の端面がビア孔１１ａ内に位置すれば、例えばハンダからなる金属端子（ハンダバンプ）８の形成が容易となるうえ、接続信頼性も確保できる。
【００３７】
なお、図１４に示すように、ビア導体４１の端面の、第一主表面からの深さ位置をＤ、ビア孔の最大径をＷとしたとき、比Ｄ／Ｗが０超過０．５以下となるよう設定することが好ましい。比Ｄ／Ｗが０．５を超えると、ビア導体４１と、接続される金属端子８との接続信頼性が多少低下する場合がある。
【００３８】
一方、図１５の工程９´及び１０´に示すように、金属箔５ｂの一部５ｂ´を利用した金属端子８を形成することもできる。すなわち、配線積層部１００を支持基板２０から剥離した後に、該配線積層部１００の第一誘電体シート１１が形成された主表面に付着した金属箔５ｂを選択的に除去し（工程９´）、第一ビア導体４１と接続され、かつ残存した金属箔５ｂ´を一部とした金属端子８を形成する（工程１０´）。つまり、完成した配線基板では、コア基板を有さず、かつ両主表面が誘電体層にて構成されるよう、高分子材料からなる誘電体層１１´〜１４´と導体層３１〜３とが交互に積層され、第一主表面に、金属箔５ｂ´にて構成される金属端子８が形成された構成となる。
【００３９】
なお、以上の製造工程では、図１１に示すように、積層シート体１０に含まれる配線積層部１００は、一つの配線基板に対応する個体１００´が複数連結されたもの、つまり、配線基板１の多数個取りワーク基板として構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線基板の製造方法の工程を簡略的に示す図
【図２】積層シート体１０に含まれる配線積層シート体１００を示す図
【図３】積層シート体１０の変形例を表す図
【図４】積層シート体１０における配線積層部１００とする領域の変形例
【図５】本発明の一実施形態である配線基板の断面構造の概略を表す図
【図６】図５の配線基板１を用いた半導体装置
【図７】本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の工程を表す図
【図８】図７に続く図
【図９】図８に続く図
【図１０】図９に続く図
【図１１】多数個取りワーク基板とされた配線積層部１００を上部より見た図
【図１２】本発明の第二実施形態である配線基板の断面構造の概略を表す図
【図１３】図１２の配線基板１を用いた半導体装置
【図１４】ビア孔内に露出する第一ビア導体４１の端面位置を表す図
【図１５】第二実施形態の配線基板を製造するための工程を表す図
【図１６】電解メッキ処理による金属端子パッド上の電解メッキ表面層の形成を表す図
【符号の説明】
１      配線基板
５      金属箔密着体
１０    積層シート体
１１    第一誘電体シート
２０    支持基板
２１    下地誘電体シート
１００  配線積層シート体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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