(57)【要約】【課題】  本発明の目的は、容易かつ安価に所定パターンの膜を形成し得る成膜方法、かかる成膜方法により形成された膜、この膜を備える電子部品および電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の成膜方法は、基材５上に、触媒を含有する触媒層６を形成する工程と、触媒層６の膜を形成する膜形成領域９以外の非膜形成領域９’に存在する触媒が機能しないようにする処理を施す工程と、触媒層６の膜形成領域９に、触媒機能を利用して前記膜を形成する工程とを有する成膜方法である。また、前記膜は、主として金属材料で構成される金属膜と、主として繊維状炭素系物質で構成される炭素膜であるのが好ましい。さらに、前記繊維状炭素系物質は、カーボンナノチューブを主成分とするものであるのが好ましい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に、所定パターンの膜を形成する成膜方法であって、
前記基材上に、触媒を含有する触媒層を形成する第１の工程と、
前記触媒層の前記膜を形成する膜形成領域以外の非膜形成領域に存在する触媒が機能しないようにする処理を施す第２の工程と、
前記触媒層の膜形成領域に、触媒機能を利用して前記膜を形成する第３の工程とを有することを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
前記第２の工程における前記処理は、触媒を失活させる処理である請求項１に記載の成膜方法。
【請求項３】
前記触媒を失活させる処理は、触媒を酸化する酸化処理および／または窒化する窒化処理である請求項２に記載の成膜方法。
【請求項４】
前記酸化処理は、前記触媒層の非膜形成領域に対して、酸素含有雰囲気中で紫外線を照射する方法、酸素含有雰囲気中で赤外線を照射する方法、酸素プラズマを照射する方法および酸化剤を付与する方法のうちの少なくとも１種により行われる請求項３に記載の成膜方法。
【請求項５】
前記窒化処理は、前記触媒層の非膜形成領域に対して、窒素含有雰囲気中で紫外線を照射する方法により行われる請求項３に記載の成膜方法。
【請求項６】
前記膜は、主として金属材料で構成される金属膜である請求項１ないし５のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項７】
前記第３の工程において、前記金属膜は、無電解メッキ法またはＣＶＤ法により形成される請求項６に記載の成膜方法。
【請求項８】
前記膜は、主として繊維状炭素系物質で構成される炭素膜である請求項１ないし５のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項９】
前記繊維状炭素系物質は、カーボンナノチューブを主成分とするものである請求項８に記載の成膜方法。
【請求項１０】
前記第３の工程において、前記炭素膜は、ＣＶＤ法により形成される請求項９に記載の成膜方法。
【請求項１１】
前記触媒層における前記触媒の含有量は、５０ｗｔ％以上である請求項１ないし１０のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項１２】
前記触媒は、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｐｔおよびこれらを含む合金のうちの少なくとも１種を主成分とするものである請求項１ないし１１のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれかに記載の成膜方法により成膜されたことを特徴とする膜。
【請求項１４】
請求項１３に記載の膜を備えることを特徴とする電子部品。
【請求項１５】
請求項１４に記載の電子部品を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜方法、膜、電子部品および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、所定パターンの膜の形成には、樹脂を主成分とするマスクを用いたエッチング法が、広く利用されている（例えば、特許文献１参照。）。
具体的には、Ｉ：基材上に膜形成用の材料で構成される層を形成する。II：前記層上にレジスト材料を塗布する。III：レジスト材料を露光・現像し、前記層の不要部分に対応して開口部を有するレジスト層を得る。IV：レジスト層をマスクに用いて、エッチング法により、開口部内に露出した膜形成層を除去する。Ｖ：マスクを除去する。これにより、所定パターンに形成された膜を得る。
ところが、このような方法では、レジスト層の形成に時間と手間とを要する。その結果、膜形成までに長時間を要したり、コストが高くなる等の問題が生じる。
【０００３】
【特許文献１】特開平５−３３８１８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、容易かつ安価に所定パターンの膜を形成し得る成膜方法、かかる成膜方法により形成された膜、この膜を備える電子部品および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
このような目的は、下記の本発明により達成させる。
本発明の成膜方法は、基材上に、所定パターンの膜を形成する成膜方法であって、
前記基材上に、触媒を含有する触媒層を形成する第１の工程と、
前記触媒層の前記膜を形成する膜形成領域以外の非膜形成領域に存在する触媒が機能しないようにする処理を施す第２の工程と、
前記触媒層の膜形成領域に、触媒機能を利用して前記膜を形成する第３の工程とを有することを特徴とする。
これにより、容易かつ安価に、高い成膜精度の膜を形成することができる。
【０００６】
本発明の成膜方法では、前記第２の工程における前記処理は、触媒を失活させる処理であるのが好ましい。
これにより、非膜形成領域の触媒を機能しないようにすることができる。
本発明の成膜方法では、前記触媒を失活させる処理は、触媒を酸化する酸化処理および／または窒化する窒化処理であるのが好ましい。
これにより、非膜形成領域の触媒を容易かつ確実に失活させることができる。
【０００７】
本発明の成膜方法では、前記酸化処理は、前記触媒層の非膜形成領域に対して、酸素含有雰囲気中で紫外線を照射する方法、酸素含有雰囲気中で赤外線を照射する方法、酸素プラズマを照射する方法および酸化剤を付与する方法のうちの少なくとも１種により行われるのが好ましい。
これらの方法を用いることにより、非膜形成領域の触媒をより容易かつ確実に失活させることができる。
【０００８】
本発明の成膜方法では、前記窒化処理は、前記触媒層の非膜形成領域に対して、窒素含有雰囲気中で紫外線を照射する方法により行われるのが好ましい。
この方法を用いることにより、非膜形成領域の触媒をより容易かつ確実に失活させることができる。
本発明の成膜方法では、前記膜は、主として金属材料で構成される金属膜であるのが好ましい。
これにより、導電性に優れ、かつ、高い機械的強度（形状の安定性）を有する膜を得ることができる。
【０００９】
本発明の成膜方法では、前記第３の工程において、前記金属膜は、無電解メッキ法またはＣＶＤ法により形成されるのが好ましい。
無電解メッキ法を用いることにより、真空装置等の大がかりな装置を必要とせず、容易かつ安価に、高い成膜精度で金属膜（本発明の膜）を成膜することができる。また、ＣＶＤ法を用いることにより、緻密な（高密度な）金属膜を成膜することができる。
本発明の成膜方法では、前記膜は、主として繊維状炭素系物質で構成される炭素膜であるのが好ましい。
これにより、導電性に優れ、かつ、高い機械的強度（形状の安定性）を有する膜を得ることができる。
【００１０】
本発明の成膜方法では、前記繊維状炭素系物質は、カーボンナノチューブを主成分とするものであるのが好ましい。
これにより、導電性に優れ、かつ、高い機械的強度（形状の安定性）を有する膜を得ることができる。
本発明の成膜方法では、前記第３の工程において、前記炭素膜は、ＣＶＤ法により形成されるのが好ましい。
これにより、カーボンナノチューブが緻密に（高密度で）配列した炭素膜（本発明の膜）が得られる。
【００１１】
本発明の成膜方法では、前記触媒層における前記触媒の含有量は、５０ｗｔ％以上であるのが好ましい。
これにより、前記触媒層に、十分な触媒機能を発揮させることができ、第３の工程において、より確実に膜を形成することができる。
本発明の成膜方法では、前記触媒は、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｐｔおよびこれらを含む合金のうちの少なくとも１種を主成分とするものであるのが好ましい。
これらのものは、いずれも、高い触媒機能を有しており、第３の工程において、触媒として機能し、確実に膜を形成することができる。
【００１２】
本発明の膜は、本発明の成膜方法により成膜されたことを特徴とする。
これにより、より容易かつ安価に、高い成膜精度の膜が得られる。
本発明の電子部品は、本発明の膜を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子部品が得られる。
本発明の電子機器は、本発明の電子部品を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の成膜方法、膜、電子部品および電子機器について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
＜成膜方法＞
まず、本発明の成膜方法の好適な実施形態について説明する。
図１および図２は、それぞれ本発明の成膜方法を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図１および図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
本発明の成膜方法は、基材５上に所定パターンの膜８を形成する方法であり、図１および図２に示すように、基材５上に、触媒を含有する触媒層６を形成する触媒層形成工程と、触媒層６の膜８を形成する膜形成領域９以外の非膜形成領域９’に存在する触媒を失活させる触媒失活処理工程と、触媒層６の膜形成領域９に、触媒機能を利用して膜８を形成する膜形成工程とを有する。以下、各工程について順次説明する。
【００１４】
［１］触媒層形成工程
まず、基材５上に、触媒を含有する触媒層６を形成する。
この基材５は、いかなる材料で構成されたものであってもよいが、例えば、石英ガラス、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、各種低誘電率材料（いわゆる、ｌｏｗ−Ｋ材）等の各種絶縁材料（誘電体）や、シリコン（例えば、アモルファスシリコン、多結晶シリコン等）、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、インジウムオキサイド（ＩＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ等の導電性材料で構成されたものを用いることができる。
【００１５】
また、基材５は、膜８を形成した後、除去（分離）されるものであってもよく、膜８と一体的に使用されるものであってもよい。
触媒層６は、例えば、触媒を含有する溶液（触媒液）を基材５に接触させることにより形成することができる。
触媒液を基材５に接触させる方法としては、例えば、触媒液中に基材５を浸漬させる方法（浸漬法）、触媒液を基材５にシャワー（噴霧）する方法、基材５に触媒液を塗布する方法（塗布法）等が挙げられるが、特に、浸漬法を用いるのが好ましい、浸漬法によれば、大量の基材５を容易に処理することができる。
このように、液体を基材５に接触させる方法には、各種方法があるが、以下の各工程では、液体を接触させる方法として、浸漬法を用いる場合を代表に説明する。
【００１６】
［１−Ｉ］  まず、基材５を用意し（図１（ａ）参照）、この基材５を、例えば、水（純水等）、有機溶媒等を単独または適宜組み合わせて洗浄する。これにより、基材５の水に対する濡れ性が向上し、以下に示す各種処理液が接触し易い状態になる。
［１−II］  次に、基材５上に、触媒層６を形成するための前処理を行う。
この前処理は、例えば、カチオン性界面活性剤を含む溶液（界面活性剤溶液）に基材５を浸漬させることにより行う。これにより、基材５表面にカチオン性界面活性剤を付着させる。
【００１７】
基材５の表面は、カチオン性界面活性剤が付着することによりプラスに帯電し、無電解メッキで用いる触媒が吸着し易いようになり、結果として、形成される膜８と基材５との密着性が向上する。
カチオン性界面活性剤としては、例えば、塩化アルキルアンモニウム、塩化ベンザルコニウム、塩化ベンゼトニウム、ステアリン酸等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００１８】
処理に際する界面活性剤溶液の温度は、０〜７０℃程度であるのが好ましく、１０〜４０℃程度であるのがより好ましい。
また、界面活性剤溶液中での基材５の処理時間は、１０〜９０秒程度であるのが好ましく、３０〜６０秒程度であるのがより好ましい。
ここで、例えば、基材５がＩＴＯ等の酸化物により構成されている場合、基材５の表面は、マイナスに帯電する傾向を示すが、マイナスに帯電した表面には、次工程における触媒が付着し難い。このため、酸化物で構成される基材５に対して、前述のような前処理を施すことは特に有効である。
【００１９】
このようにして、前処理が施された基材５を、例えば、純水（超純水）、イオン交換水、蒸留水、ＲＯ水等を用いて洗浄する。
なお、本実施形態では、基材５上に触媒層６を形成するための前処理として、カチオン性界面活性剤を用いるものとして説明を行ったが、例えば、アミノシラン、ビニルシラン、エポキシシラン、のようなシラン系カップリング剤、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチル−アミノエチル）チタネートのようなチタン系カップリング剤、ジルコニウムアセチルアセトネート、アセチルアセトンジルコニウムブチレートのようなジルコニウム系カップリング剤、アセトアルコキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリスアセチルアセトネートのようなアルミニウム系カップリング剤等のカップリング剤を用いて前処理を行ってもよい。
【００２０】
［１−III］  次に、基材５上に、触媒を含有する触媒層６を形成する。
この触媒としては、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｆｅ、Ｖ、Ｍｏおよびこれらを含む合金等各種のものを用いることができるが、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｐｔおよびこれらを含む合金のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いるのが好ましい。これらのものは、いずれも、高い触媒機能を有しており、後述する膜形成工程において、触媒として機能し、確実に膜８を形成することができる。
【００２１】
また、触媒層６における前記触媒の含有量は、５０ｗｔ％以上であるのが好ましく７０ｗｔ％以上であるのがより好ましい。これにより、触媒層６に、十分な触媒機能を発揮させることができる。その結果、後述する膜形成工程において、より確実に膜８を形成することができる。
具体的には、触媒としてＰｄを用いる場合には、例えば、塩化パラジウム等のイオン系Ｐｄ触媒の溶液、またはＳｎ−Ｐｄ等のＰｄ合金のコロイド液中に、基材５を浸漬することにより、Ｐｄ合金、またはイオン系Ｐｄ触媒を基材５上に吸着させる。その後、触媒に関与しない元素を除去することにより、Ｐｄを基材５の表面に露出させることができる。
【００２２】
例えば、塩化パラジウム等のイオン系Ｐｄ触媒の溶液を用いる場合には、図１（ｂ）に示すように、基材５を触媒液１０に浸漬する。その後、酸溶液に浸漬することにより、Ｐｄに配位しているＳｎが溶解して除去され、基材５上にＰｄが露出し触媒層６が形成される（図１（ｃ）参照）。
酸溶液としては、例えば、ＨＢＦ４、ＨＣｌ等の酸と、ブドウ糖等の還元剤とを含む溶液や、これに、さらに硫酸を添加した溶液等を用いることができる。
基材５を浸漬する触媒液１０の温度は、０〜７０℃程度であるのが好ましく、１０〜４０℃程度であるのがより好ましい。
【００２３】
次に、触媒液１０中での基材５の処理時間は、１０秒〜５分程度であるのが好ましく、２０秒〜３分程度であるのがより好ましい。
一方、この酸溶液の温度は、０〜７０℃程度であるのが好ましく、１０〜５５℃程度であるのがより好ましい。
また、酸溶液中での基材５の処理時間は、１０秒〜５分程度であるのが好ましく、３０秒〜３分程度であるのがより好ましい。
【００２４】
このようにして、基材５上に設けられた触媒層６を、例えば、純水（超純水）、イオン交換水、蒸留水、ＲＯ水等を用いて洗浄する。
なお、本実施形態では、上述したような手法を用いて触媒層６を形成したが、これに代わり、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等のような気相成長法を用いて触媒層６を形成してもよい。
【００２５】
［２］触媒失活処理工程
次に、触媒層６の膜８を形成する膜形成領域９以外の非膜形成領域９’に存在する触媒を失活させる（触媒が機能しないようにする）。
この触媒を失活させる処理としては、触媒が失活すればよく、その処理方法は特に限定されないが、該触媒を酸化する酸化処理および／または窒化する窒化処理を用いるのが好ましい。これらの処理法を用いることにより、容易かつ確実に触媒を失活させることができる。
【００２６】
酸化処理としても各種のものがあるが、触媒層６に対して、Ａ：酸素含有雰囲気中で紫外線を照射する方法、Ｂ：酸素含有雰囲気中で赤外線を照射する方法、Ｃ：酸素プラズマを照射する方法およびＤ：酸化剤を付与する方法のうちの少なくとも１種を用いることにより、好適に行うことができる。
また、窒化処理としても各種のものがあるが、触媒層６に対して、Ｅ：窒素含有雰囲気中で紫外線を照射する方法を用いることにより、好適に行うことができる。
これらの方法を用いることにより、非膜形成領域の触媒をより容易かつ確実に失活させることができる。以下、Ａ〜Ｅの方法について順次説明する。
【００２７】
Ａ：酸素含有雰囲気中で紫外線を照射する方法
この方法は、膜形成領域９の形状に対応するフォトマスク７を用いて、酸素含有雰囲気中で、非膜形成領域９’に対して紫外線を照射して（図１（ｄ）参照）、非膜形成領域９’の触媒を失活させるものである（図１（ｅ）参照）。
照射する紫外線の波長は、１００〜３００ｎｍ程度であるのが好ましく、１５０〜２００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、酸素含有雰囲気中における酸素濃度は、１〜４０ｖｏｌ％程度であるのが好ましく、１０〜３０ｖｏｌ％程度であるのがより好ましい。
【００２８】
次に、この紫外線照射の際の雰囲気温度は、０〜１００℃であるのが好ましく、２０〜５０℃であるのがより好ましい。
さらに、この紫外線照射の時間は、特に限定されないが、雰囲気温度を前記範囲とする場合には、１〜９０分程度であるのが好ましく、２〜４５分程度であるのがより好ましい。
【００２９】
Ｂ：酸素含有雰囲気中で赤外線を照射する方法
この方法は、膜形成領域９の形状に対応するフォトマスク７を用いて、酸素含有雰囲気中で、非膜形成領域９’に対して赤外線を照射して（図１（ｄ）参照）、非膜形成領域９’の触媒を失活させるものである（図１（ｅ）参照）。
この赤外線の波長は、８００〜３０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１０００〜２０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、酸素含有雰囲気中における酸素濃度は、１〜４０ｖｏｌ％程度であるのが好ましく、１０〜３０ｖｏｌ％程度であるのがより好ましい。
【００３０】
次に、この赤外線照射の際の雰囲気温度は、０〜１００℃であるのが好ましく、２０〜５０℃であるのがより好ましい。
さらに、この赤外線照射の時間は、特に限定されないが、雰囲気温度を前記範囲とする場合には、０．１ｍｓｅｃ〜１００ｓｅｃ程度であるのが好ましく、１ｍｓｅｃ〜１ｓｅｃ程度であるのがより好ましい。
【００３１】
Ｃ：酸素プラズマを照射する方法
この方法は、膜形成領域９の形状に対応するフォトマスク７と同様のマスクを用いて、非膜形成領域９’に対して酸素プラズマを照射して（図１（ｄ）参照）、非膜形成領域９’の触媒を失活させるものである（図１（ｅ）参照）。
この酸素プラズマを照射する際の酸素流量は、１０〜２００ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。
また、ＲＦパワーは、０．００５〜０．２Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、０．０５〜０．１Ｗ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。
【００３２】
次に、この酸素プラズマ照射の際の雰囲気温度は、０〜１００℃であるのが好ましく、２０〜５０℃であるのがより好ましい。
さらに、この酸素プラズマ照射の時間は、特に限定されないが、雰囲気温度を前記範囲とする場合には、１〜９０分程度であるのが好ましく、２〜６０分程度であるのがより好ましい。
なお、この際の圧力は、大気圧下であるのが好ましい。これにより、チャンバーや減圧手段等の使用を不要にでき、低エネルギー、低コストで処理することができる。
【００３３】
Ｄ：酸化剤を付与する方法
非膜形成領域９’に酸化剤を塗布することにより、触媒層６の非膜形成領域に存在する触媒が酸化して失活する。
この酸化剤を基材５に供給する方法としては、例えば、インクジェット法、オフセット印刷法、スプレーコート法等を用いることができる。これにより、非膜形成領域９’に選択的に酸化剤を供給することができる。
また、酸化剤としては、硫酸過水、硝酸過水、燐酸過水等を用いることができる。
【００３４】
Ｅ：窒素含有雰囲気中で紫外線を照射する方法
この方法は、膜形成領域９の形状に対応するフォトマスク７を用いて、窒素含有雰囲気中で、非膜形成領域９’に対して紫外線を照射して（図１（ｄ）参照）、非膜形成領域９’の触媒を失活させるものである（図１（ｅ）参照）。
照射する紫外線の波長は、１００〜３００ｎｍ程度であるのが好ましく、１５０〜２００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００３５】
また、窒素含有雰囲気中における窒素濃度は、１〜６０ｖｏｌ％程度であるのが好ましく、１０〜４０ｖｏｌ％程度であるのがより好ましい。
なお、この窒素含有雰囲気中には、アンモニアガスが含有されることが好ましく、その濃度は、０．１〜１０ｖｏｌ％程度であるのが好ましく、１〜５ｖｏｌ％程度であるのがより好ましい。
【００３６】
次に、この紫外線照射の際の雰囲気温度は、０〜１００℃であるのが好ましく、２０〜５０℃であるのがより好ましい。
さらに、この紫外線照射の時間は、特に限定されないが、雰囲気温度を前記範囲とする場合には、１〜９０分程度であるのが好ましく、２〜６０分程度であるのがより好ましい。
なお、本実施形態では、触媒を失活させることにより触媒が機能しないようにしたが、これに代わり、例えば、触媒層６の非膜形成領域９’上にマスクを形成すること等により、触媒が、次工程［３］における膜８を形成するための材料と、接触しないような処理を施すようにしてもよい。
【００３７】
［３］膜形成工程
次に、触媒層６の膜形成領域９に、この領域に存在する触媒の触媒機能を利用して膜８を形成する。
本実施形態では、膜８として、主として金属材料で構成される金属膜と、主として繊維状炭素系物質で構成される炭素膜とを形成する場合について、それぞれ説明する。
この金属材料としては、例えば、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂ等の金属、これらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３８】
また、この繊維状炭素系物質としては、例えば、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ等のカーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、ＣＮナノチューブ、ＣＮナノファイバー、ＢＣＮナノチューブ、ＢＣＮナノファイバー、炭素繊維（例えば、気相成長により調製されたもの）等が挙げられるが、特に、カーボンナノチューブを主成分とするものが好ましい。
【００３９】
これにより、導電性に優れ、かつ、高い機械的強度（形状の安定性）を有する膜８を得ることができる。
なお、繊維状炭素系物質は、１本鎖構造（分岐鎖を有さない直鎖状構造）を有するものであってもよいし、分岐鎖構造を有するものであってもよい。
以下では、まず、膜８が金属膜である場合の膜形成工程を説明し、次に、膜８が炭素膜である場合の膜形成工程を説明する。
【００４０】
［３ａ］金属膜形成工程
膜８が金属膜である場合、この膜８は、例えば、無電解メッキ法、電解メッキ法、ＣＶＤ法等で形成することができるが、無電解メッキ法またはＣＶＤ法により形成するのが好ましい。無電解メッキ法を用いることにより、真空装置等の大がかりな装置を必要とせず、容易かつ安価に、高い成膜精度で金属膜を成膜することができる。また、ＣＶＤ法を用いることにより、緻密な（高密度な）金属膜を成膜することができる。
【００４１】
金属膜の形成に無電解メッキ法を用いる場合、基材５をメッキ液１１に浸漬する（図２（ｆ）参照）。これにより、触媒層６の膜形成領域９に存在する触媒に、金属元素が析出し、この領域の形状に対応した膜８が形成される（図２（ｇ）参照）。
金属塩としては、例えば、硫酸塩、硝酸塩等が好適に用いられる。
還元剤としては、例えば、ヒドラジン、次亜隣酸アンモニウム、次亜燐酸ナトリウム等うちの少なくとも１種を主成分とするものが好ましい。還元剤としてこれらのものを用いることにより、膜８の成膜速度が適正なものとなり、膜８において求められる最適な膜厚範囲に、容易に膜厚を制御できるようになる。また、形成される膜８が、均一な膜厚、かつ、良好な表面性を有する（膜表面モフォロジーが高い）ものとなる。
【００４２】
メッキ液１１における金属塩の含有量（溶媒への金属塩の添加量）は、１〜５０ｇ／Ｌ程度であるのが好ましく、５〜２５ｇ／Ｌ程度であるのがより好ましい。金属塩の含有量が少な過ぎると、膜８を形成するのに長時間を要するおそれがある。一方、金属塩の含有量を前記上限値を超えて多くしても、それ以上の効果の増大が期待できない。
また、メッキ液１１における還元剤の含有量（溶媒への還元剤の添加量）は、１０〜２００ｇ／Ｌ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｇ／Ｌ程度であるのが好ましい。還元剤の含有量が少な過ぎると、還元剤の種類等によっては、金属イオンの効率のよい還元が困難になるおそれがある。一方、還元剤の含有量を前記上限値を超えて多くしても、それ以上の効果の増大が期待できない。
【００４３】
このようなメッキ液１１には、さらにｐＨ調整剤（ｐＨ緩衝剤）を混合（添加）するのが好ましい。これにより、無電解メッキの進行に伴って、メッキ液１１のｐＨが低下するのを防止または抑制することができ、その結果、成膜速度の低下や、膜８の組成、性状の変化を効果的に防止することができる。
このｐＨ調整剤としては、各種のものが挙げられるが、アンモニア水、トリメチルアンモニウムハイドライド、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウムおよび硫化アンモニウムのうちの少なくとも１種を主成分とするものであるが好ましい。これらのものは、緩衝作用に優れるため、これらのものをｐＨ調整剤として用いることにより、前記効果がより顕著に発揮される。
メッキ液１１への浸漬（メッキ処理）の際のメッキ液１１のｐＨは、５〜１２程度であるのが好ましく、６〜１０程度であるのが好ましい。
【００４４】
また、メッキ処理の際のメッキ液１１の温度は、３０〜９０℃程度であるのが好ましく、４０〜８０℃程度であるのがより好ましい。
さらに、メッキ液１１中での基材５の処理時間は、１０秒〜５分程度であるのが好ましく、２０秒〜３分程度であるのがより好ましい。
メッキ液１１のｐＨ、温度、メッキ液１１による処理時間を、それぞれ前記範囲とすることにより、成膜速度が特に適正なものとなり、均一な膜厚の膜８を高い精度で形成することができる。
【００４５】
なお、作業温度（メッキ液１１の温度）、作業時間（メッキ時間）、メッキ液１１の量、メッキ液１１のｐＨ、メッキ回数（ターン数）等のメッキ条件を設定することにより、形成される膜８の厚さを調整することができる。
また、メッキ液１１中には、例えば、錯化剤、安定化剤等の添加物を、適宜添加するようにしてもよい。
【００４６】
錯化剤としては、例えば、エチレンジアミン四酢酸、酢酸のようなカルボン酸類、酒石酸、クエン酸のようなオキシカルボン酸類、グリシンのようなアミノカルボン酸類、トリエタノールアミンのようなアミン類、グリセリン、ソルビトールのような多価アルコール類等が挙げられる。
安定化剤としては、例えば、２，２’−ビピリジル、シアン化合物、フェロシアン化合物、フェナントロリン、チオ尿素、メルカプトベンゾチアゾール、チオグリコール酸等が挙げられる。
【００４７】
このようにして、膜８が膜形成領域９に対応する部分に形成された基材５を、例えば、純水（超純水）、イオン交換水、蒸留水、ＲＯ水等を用いて洗浄する。
また、金属膜の形成にＣＶＤ法を用いる場合、基材５を金属膜の構成材料の前駆体を含有する雰囲気下に置き、例えば、熱、レーザー光、電界等を付与する。これにより、触媒層６の膜形成領域９に存在する触媒に、金属元素が析出し、この領域の形状に対応した膜８が形成される。
【００４８】
［３ｂ］炭素膜形成工程
膜８がカーボンナノチューブを主材料とする炭素膜である場合、膜８は、例えば、ＣＶＤ法（化学気相成長法）、アーク放電法、レーザー蒸発法等により、カーボンナノチューブを基材５上に成長させて形成することができる。
これらの中でも、カーボンナノチューブの生成（作製）方法としては、ＣＶＤ法を用いるのが好ましい。ここで、ＣＶＤ法は、ガス状の含炭素材料１２を熱分解し、生成した炭素からカーボンナノチューブを合成する（生成させる）方法である。ＣＶＤ法によれば、カーボンナノチューブが緻密に（高密度で）配列した炭素膜（膜８）が得られる。
【００４９】
具体的には、基材５をガス状の含炭素材料１２を含有する雰囲気下に置き、この含炭素材料１２を熱分解し、炭素を生じさせる（図２（ｆ’）参照）。この熱分解により生じた炭素雰囲気下で、触媒層６の膜形成領域９に存在する触媒が機能し、カーボンナノチューブの生成が促進されて、この領域の形状に対応した膜８が形成される（図２（ｇ’）参照）。
【００５０】
含炭素材料１２としては、加熱により炭素化されるものであればよく、特に限定されないが、例えば、一酸化炭素、メタン、エタン、プロパン、ブタン等の飽和炭化水素、エチレン、プロピレン、ブテン、イソブテン等の不飽和炭化水素、アセチレン等のアセチレン系化合物、ベンゼン、トルエン、キシレン、ナフタレン等の芳香族炭化水素、および、これらの混合物（例えば、ナフサや軽油等）等が挙げられる。
【００５１】
これらの中でも、含炭素材料１２としては、有機炭素材料が好ましく、沸点が８０〜１４４℃の液状芳香族炭化水素がより好ましい。このような液状芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレンおよびそれらの混合物等が挙げられる。これらの含炭素材料１２は、炭素含有率が高く、取扱いが容易であり、しかも低価格である等の点から好ましい。
【００５２】
含炭素材料１２を熱分解する方法としては、電気炉等の高温による加熱方法、マイクロ波による加熱方法、レーザーによる加熱方法等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
含炭素材料１２を熱分解する方法として、高温による加熱方法を用いる場合、その温度は、６００〜１０００℃程度であるのが好ましく、７００〜９００℃程度であるのがより好ましい。
【００５３】
ガス状の含炭素材料１２を導入する際には、水素ガスをキャリアーガスとして使用するのが好ましい。また、含炭素材料１２には、硫化水素やメルカプタン等のイオウ化合物を添加するのが好ましい。これにより、カーボンナノチューブを、基材５（触媒層６）の表面に対してほぼ垂直に成長させることができる。
以上のような工程を経て、金属膜および炭素膜（本発明の膜８）が得られる。
【００５４】
本発明によれば、基板上に直接マスク（レジスト層）を形成することを要せず、高い成膜精度の膜８を形成することができる。
また、本発明によれば、レジスト層を用いないことから、レジスト層を形成するための複雑な工程や、不要となったレジスト層を除去する工程を省略することができる。
このようなことから、本発明によれば、より容易かつ安価に、高い成膜精度の膜８が得ることができる。
【００５５】
＜電子部品＞
このような膜８は、例えば、スイッチング素子（薄膜トランジスタ）、配線基板、半導体部品、表示パネル、発光素子等の各種電子部品に適用することができる。
以下では、本発明の電子部品を薄膜トランジスタ（特に、有機薄膜トランジスタ）に適用した場合を代表に説明する。
【００５６】
図３（ａ）は、本発明の電子部品を適用した薄膜トランジスタの実施形態を示す縦断面図である。なお、以下では、図３中の上側を「上」、下側を「下」として説明する。
図３（ａ）に示す薄膜トランジスタ１００は、基板２０（基材５）上に設けられており、ソース電極３０およびドレイン電極４０と、有機半導体層（有機層）５０と、ゲート絶縁層６０と、ゲート電極７０とが、この順で基板２０側から積層されて構成されている。
【００５７】
具体的には、薄膜トランジスタ１００は、基板２０上に、ソース電極３０およびドレイン電極４０が分離して設けられ、これら電極３０、４０を覆うように有機半導体層５０が設けられている。さらに有機半導体層５０上には、ゲート絶縁層６０が設けられ、さらにこの上に、少なくともソース電極３０とドレイン電極４０の間の領域に重なるようにゲート電極７０が設けられている。
【００５８】
この薄膜トランジスタ１００では、有機半導体層５０のうち、ソース電極３０とドレイン電極４０との間の領域が、キャリアが移動するチャネル領域５１０となっている。以下、このチャネル領域５１０において、キャリアの移動方向の長さ、すなわちソース電極３０とドレイン電極４０との間の距離をチャネル長Ｌ、チャネル長Ｌ方向と直交する方向の長さをチャネル幅Ｗと言う。
このような薄膜トランジスタ１００は、ソース電極３０およびドレイン電極４０が、ゲート絶縁層６０を介してゲート電極７０よりも基板２０側に設けられた構成の薄膜トランジスタ、すなわち、トップゲート構造の薄膜トランジスタである。
【００５９】
以下、薄膜トランジスタ１００を構成する各部について、順次説明する。
基板２０は、薄膜トランジスタ１００を構成する各層（各部）を支持するものである。基板２０には、例えば、ガラス基板、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）等で構成されるプラスチック基板（樹脂基板）、石英基板、シリコン基板、ガリウム砒素基板等を用いることができる。薄膜トランジスタ１００に可撓性を付与する場合には、基板２０には、樹脂基板が選択される。
【００６０】
この基板２０上には、下地層が設けられていてもよい。下地層としては、例えば、基板２０表面からのイオンの拡散を防止する目的、ソース電極３０およびドレイン電極４０と、基板２０との密着性（接合性）を向上させる目的等により設けられる。
下地層の構成材料としては、特に限定されないが、基板２０にガラス基板を用いる場合には、酸化珪素（ＳｉＯ２）、窒化珪素（ＳｉＮ）等が好適に用いられる。
【００６１】
基板２０上には、ソース電極３０およびドレイン電極４０が、チャネル長Ｌ方向に沿って、所定距離離間して並設されている。
これらのソース電極３０、ドレイン電極４０、および、後述するゲート電極７０に、本発明の膜８を適用することができる。
ソース電極３０およびドレイン電極４０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、それぞれ、３０〜３００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。本発明の成膜方法によれば、このように薄い膜厚の電極を寸法精度よく形成することができる。
【００６２】
ソース電極３０とドレイン電極４０との間の距離（離間距離）、すなわち、チャネル長Ｌは、２〜３０μｍ程度であるのが好ましく、５〜２０μｍ程度であるのがより好ましい。チャネル長Ｌを前記下限値より小さくすると、得られた薄膜トランジスタ１００同士でチャネル長に誤差が生じ、特性（トランジスタ特性）がばらつくおそれがある。一方、チャネル長Ｌを前記上限値より大きくすると、しきい電圧の絶対値が大きくなるとともに、ドレイン電流の値が小さくなり、薄膜トランジスタ１００の特性が不十分となるおそれがある。
【００６３】
チャネル幅Ｗは、０．１〜５ｍｍ程度であるのが好ましく、０．５〜３ｍｍ程度であるのがより好ましい。チャネル幅Ｗを前記下限値より小さくすると、ドレイン電流の値が小さくなり、薄膜トランジスタ１００の特性が不十分となるおそれがある。一方、チャネル幅Ｗを前記上限値より大きくすると、薄膜トランジスタ１００が大型化してしまうとともに、寄生容量の増大や、ゲート絶縁層６０を介したゲート電極７０へのリーク電流の増大を招くおそれがある。
【００６４】
また、基板２０上には、ソース電極３０およびドレイン電極４０を覆うように、有機半導体層５０が設けられている。
有機半導体層５０は、有機半導体材料（半導体的な電気伝導を示す有機材料）を主材料として構成されている。
この有機半導体層５０は、少なくともチャネル領域５１０においてチャネル長Ｌ方向とほぼ平行となるように配向しているのが好ましい。これにより、チャネル領域５１におけるキャリア移動度が高いものとなり、その結果、薄膜トランジスタ１００は、その作動速度がより速いものとなる。
【００６５】
有機半導体材料としては、例えば、ナフタレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、フタロシアニン、ペリレン、ヒドラゾン、トリフェニルメタン、ジフェニルメタン、スチルベン、アリールビニル、ピラゾリン、トリフェニルアミン、トリアリールアミン、オリゴチオフェン、フタロシアニンまたはこれらの誘導体のような低分子の有機半導体材料や、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチニレンビニレン、ポリアリールアミン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂、フルオレン−ビチオフェン共重合体、フルオレン−アリールアミン共重合体またはこれらの誘導体のような高分子の有機半導体材料（共役系高分子材料）が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、特に、高分子の有機半導体材料（共役系高分子材料）を主とするものを用いるのが好ましい。共役系高分子材料は、その特有な電子雲の広がりにより、キャリアの移動能が特に高い。
【００６６】
高分子の有機半導体材料は、簡易な方法で成膜することができるとともに、比較的容易に配向させることができる。また、このうち、空気中で酸化され難く、安定であること等の理由から、高分子の有機半導体材料（共役系高分子材料）としては、フルオレン−ビチオフェン共重合体、ポリアリールアミンまたはこれらの誘導体のうちの少なくとも１種を主成分とするものを用いるのが特に好ましい。
【００６７】
また、高分子の有機半導体材料を主材料として構成される有機半導体層５０は、薄型化・軽量化が可能であり、可撓性にも優れるため、フレキシブルディスプレイのスイッチング素子等として用いられる薄膜トランジスタへの適用に適している。
有機半導体層５０の厚さ（平均）は、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１０〜１００ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。
【００６８】
なお、有機半導体層５０は、ソース電極３０およびドレイン電極４０を覆うように設けられる構成のものに限定されず、少なくともソース電極３０とドレイン電極４０との間の領域（チャネル領域５１０）に設けられていればよい。
有機半導体層５０上には、ゲート絶縁層６０が設けられている。
このゲート絶縁層６０は、ソース電極３０およびドレイン電極４０に対してゲート電極７０を絶縁するものである。
【００６９】
ゲート絶縁層６０は、主として有機材料（特に有機高分子材料）で構成されているのが好ましい。有機高分子材料を主材料とするゲート絶縁層６０は、その形成が容易であるとともに、有機半導体層５０との密着性の向上を図ることもできる。
このような有機高分子材料としては、例えば、ポリスチレン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリビニルフェニレン、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のようなアクリル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）のようなフッ素系樹脂、ポリビニルフェノールあるいはノボラック樹脂のようなフェノール系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブテンなどのオレフィン系樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００７０】
ゲート絶縁層６０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜５０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１００〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。ゲート絶縁層６０の厚さを前記範囲とすることにより、ソース電極３０およびドレイン電極４０とゲート電極７０とを確実に絶縁しつつ、薄膜トランジスタ１００が大型化すること（特に、厚さが増大すること）を防止することができる。
なお、ゲート絶縁層６０は、単層構成のものに限定されず、複数層の積層構成のものであってもよい。
【００７１】
また、ゲート絶縁層６０の構成材料には、例えば、ＳｉＯ２等の無機絶縁材料を用いることもできる。ポリシリケート、ポリシロキサン、ポリシラザンのような溶液を塗布して、塗布膜を酸素、または水蒸気の存在下で加熱することによって、溶液材料からＳｉＯ２を得ることができる。また、金属アルコキシド溶液を塗布した後、これを酸素雰囲気で加熱することによって無機絶縁材料を得る（ゾルゲル法として知られる）ことができる。
【００７２】
ゲート絶縁層６０上には、ゲート電極７０が設けられている。
ゲート電極７０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、０．１〜５０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５０００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１０〜５０００ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。
以上のような薄膜トランジスタ１００は、ゲート電極７０に印加する電圧を変化させることにより、ソース電極３０とドレイン電極４０との間に流れる電流量が制御される。
【００７３】
すなわち、ゲート電極７０に電圧が印加されていないＯＦＦ状態では、ソース電極３０とドレイン電極４０との間に電圧を印加しても、有機半導体層５０中にほとんどキャリアが存在しないため、微少な電流しか流れない。一方、ゲート電極７０に電圧が印加されているＯＮ状態では、有機半導体層５０のゲート絶縁層６０に面した部分に電荷が誘起され、チャネル領域５１０にキャリアの流路が形成される。この状態でソース電極３０とドレイン電極４０との間に電圧を印加すると、チャネル領域５１０を通って電流が流れる。
【００７４】
＜電子機器＞
本発明の電子部品は、各種電子機器に用いることができる。
図４は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
【００７５】
本発明の電子部品は、例えば、表示部の各画素の切り替えを行うスイッチング素子、本体部１１０４と表示ユニット１１０６とを接続するための可撓性配線基板等として内蔵されている。
図５は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【００７６】
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
本発明の電子部品は、例えば、表示部の各画素の切り替えを行うスイッチング素子、データを保存するための半導体部品（各種メモリ）、回路基板等として内蔵されている。
図６は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
【００７７】
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
【００７８】
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【００７９】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
本発明の電子部品は、例えば、表示部の各画素の切り替えを行うスイッチング素子、ＣＣＤの撮像信号を保存するための半導体部品（各種メモリ）、回路基板１３０８等として内蔵されている。
【００８０】
なお、本発明の電子機器は、図４のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図５の携帯電話機、図６のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
以上、本発明の成膜方法、膜、電子部品および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明の成膜方法の好適な実施形態を示す断面図である。
【図２】本発明の成膜方法の好適な実施形態を示す断面図である。
【図３】本発明の電子部品を適用した薄膜トランジスタの実施形態を示す図であり、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は平面図である。
【図４】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図５】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図６】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００８２】
５……基材  ６……触媒層  ７……フォトマスク  ８……膜  ９……膜形成領域  ９’……非膜形成領域  １０……触媒液  １１……メッキ液  １２……含炭素材料  １００‥‥薄膜トランジスタ  ２０‥‥基板  ３０‥‥ソース電極  ４０‥‥ドレイン電極  ５０‥‥有機半導体層  ５１０‥‥チャネル領域  ６０‥‥ゲート絶縁層  ７０‥‥ゲート電極  １１００……パーソナルコンピュータ  １１０２……キーボード  １１０４……本体部  １１０６……表示ユニット  １２００……携帯電話機  １２０２……操作ボタン  １２０４……受話口  １２０６……送話口  １３００‥‥ディジタルスチルカメラ  １３０２‥‥ケース（ボディー）  １３０４‥‥受光ユニット  １３０６‥‥シャッタボタン  １３０８‥‥回路基板  １３１２‥‥ビデオ信号出力端子  １３１４‥‥データ通信用の入出力端子  １４３０‥‥テレビモニタ  １４４０‥‥パーソナルコンピュータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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