(57)【要約】【課題】  複数のセラミック電子部品を取り出すことができるマザー基板がその取り扱い中において不用意に割れず、また、複数のセラミック電子部品を取り出すため、マザー基板をブレーク用溝に沿って分割する際、円滑な分割を可能にする。【解決手段】  ブレーク用溝７を、複数の穴１０，１１の配列によって構成し、比較的浅い第１の穴１０と比較的深い第２の穴１１とを、１個ずつ、交互に、というように、規則性をもって交互に配列する。また、これらの穴１０，１１は、隣り合うものが互いに接するようにする。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の分割線に沿って分割することによって複数のセラミック電子部品を取り出すことができるマザー基板を用意する工程と、
レーザ光を照射することによって、前記マザー基板の第１の主面側であって前記分割線に沿う位置に、ブレーク用溝を形成する工程と、
前記マザー基板を前記ブレーク用溝に沿って分割することによって、複数のセラミック電子部品を取り出す工程と
を備え、
前記ブレーク用溝は、複数の穴の配列によって構成され、前記穴は、複数の比較的浅い第１の穴と複数の比較的深い第２の穴とを備え、前記第１および第２の穴は、規則性をもって交互に配列されていることを特徴とする、セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記セラミック電子部品は多層セラミック基板であり、前記マザー基板は、積層された複数のセラミック層を備える多層構造を有する、請求項１に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記マザー基板は、前記第１の主面と対向する第２の主面側であって前記分割線に沿う位置に、ダイシングによるダイシング溝を形成している、請求項２に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記マザー基板の、前記第２の穴が位置する部分に残された厚みは、前記第１の穴が位置する部分に残された厚みの１／２〜３／４である、請求項１ないし３のいずれかに記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記ブレーク用溝を構成する複数の前記穴は、隣り合うものが互いに接するように形成される、請求項１ないし４のいずれかに記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記ブレーク用溝を形成する工程は、ガルバノミラー式レーザを用いて実施される、請求項１ないし５のいずれかに記載のセラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、セラミック電子部品の製造方法に関するもので、特に、マザー基板を分割することによって複数のセラミック電子部品を取り出す工程を備える、セラミック電子部品の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
たとえばセラミック基板のようなセラミック電子部品を能率的に製造するため、所定の分割線に沿って分割することによって複数のセラミック電子部品を取り出すことができるマザー基板を用意し、このマザー基板の一方主面側であって上記分割線に沿う位置に、ブレーク用溝を形成し、マザー基板をブレーク用溝に沿って分割することによって、複数のセラミック電子部品を取り出すことが行なわれている。
【０００３】
上述のブレーク用溝を形成するため、たとえば、レーザ光の照射によるレーザスクライブ加工が適用されている（たとえば、特許文献１の「従来の技術」参照）。
【０００４】
上述したように、レーザスクライブ加工によってブレーク用溝を形成する場合、通常、連続したブレーク用溝が形成されるが、このような連続したブレーク用溝が形成される場合、マザー基板を取り扱う際に、ブレーク用溝に沿って不用意に割れてしまうという不都合が生じることがある。
【０００５】
特に、マザー基板において、ブレーク用溝が形成された主面と対向する主面側であって分割線に沿う位置に、ダイシングによってダイシング溝が形成されている場合（たとえば、特許文献２参照）、上述のような不用意な割れが生じやすい。
【０００６】
この不都合を回避するため、ブレーク用溝を断続的に形成することも行なわれている（たとえば、特許文献１の「発明が解決しようとする課題」参照）。
【０００７】
しかしながら、ブレーク用溝を断続的に形成した場合、マザー基板を分割することによって得られたセラミック基板のようなセラミック電子部品の端面に凹凸部が形成され、分割線が交差する部分において、この凹凸部が特に大きくなるという問題に遭遇する。
【０００８】
そこで、この問題を解決するため、分割線が交差する部分の近傍では、ブレーク用溝を連続した状態で形成し、交差部分から離れた位置では、ブレーク用溝を断続的に形成することが提案されている（たとえば、特許文献１の「特許請求の範囲」および「課題を解決するための手段」参照）。
【特許文献１】特開平６−８７０８５号公報
【特許文献２】特開平６−９６９９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述のように、特許文献１に開示された発明では、１本の分割線に沿って見たとき、ブレーク用溝には、連続する部分と断続する部分とが存在している。
【００１０】
しかしながら、上述のような態様のブレーク用溝に沿って分割しようとすると、ブレーク用溝の断続した部分において、ブレーク方向が分割線から外れやすく、ブレーク不良が生じやすい。特に、ブレークによる亀裂が進行するとき、ブレーク用溝における連続した部分から断続した部分へと切り替わる箇所において、ブレーク方向が分割線から外れやすい。
【００１１】
また、いずれにしても、ブレーク用溝が連続する部分では強度が低いため、マザー基板の取り扱い中において、ブレーク用溝の連続した部分にクラックが発生しやすく、これがブレーク不良をもたらすことを完全には防止しきれない。
【００１２】
そこで、この発明の目的は、上述のような問題を解決し得る、セラミック電子部品の製造方法を提供しようとすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
この発明は、所定の分割線に沿って分割することによって複数のセラミック電子部品を取り出すことができるマザー基板を用意する工程と、レーザ光を照射することによって、マザー基板の第１の主面側であって分割線に沿う位置に、ブレーク用溝を形成する工程と、マザー基板をブレーク用溝に沿って分割することによって、複数のセラミック電子部品を取り出す工程とを備える、セラミック電子部品の製造方法に向けられるものであって、上述したような技術的課題を解決するため、次のような構成を備えることを特徴としている。
【００１４】
すなわち、この発明では、上述のブレーク用溝を形成する工程において形成されるブレーク用溝は、複数の穴の配列によって構成され、これら穴は、複数の比較的浅い第１の穴と複数の比較的深い第２の穴とを備え、これら第１および第２の穴は、規則性をもって交互に配置されていることを特徴としている。
【００１５】
この発明に係るセラミック電子部品の製造方法は、多層セラミック基板を製造する際に特に有利に適用される。この場合、マザー基板は、積層された複数のセラミック層を備える多層構造を有している。
【００１６】
上述の好ましい実施態様において、マザー基板が、第１の主面と対向する第２の主面側であって分割線に沿う位置に、ダイシングによって形成されたダイシング溝を形成しているとき、この発明はさらに有利に適用される。
【００１７】
マザー基板の、第２の穴が位置する部分に残された厚みは、第１の穴が位置する部分に残された厚みの１／２〜３／４であることが好ましい。
【００１８】
ブレーク用溝を構成する複数の穴は、隣り合うものが互いに一部重なるように形成されても、隣り合うものが所定の間隔を隔てて形成されてもよいが、好ましくは、隣り合うものが互いに接するように形成される。
【００１９】
ブレーク用溝を形成する工程は、好ましくは、ガルバノミラー式レーザを用いて実施される。
【発明の効果】
【００２０】
この発明によれば、ブレーク用溝が、規則性をもって交互に配列されている複数の比較的浅い第１の穴と複数の比較的深い第２の穴とによって与えられるので、マザー基板において、第１の穴が位置する部分に残された厚みが比較的厚くなり、機械的強度を向上させるように作用する。他方、マザー基板において、第２の穴が位置する部分に残された厚みは比較的薄くなり、ブレークによる亀裂を容易に生じさせるように作用する。
【００２１】
したがって、第１の穴が位置する部分に残された厚みによって、マザー基板の取り扱い中において不用意に割れることが効果的に防止され、他方、第２の穴が位置する部分に残された厚みによって、ブレークによる亀裂が所定の分割線に沿って円滑に進むようにすることができる。
【００２２】
上述のように、ブレークによる亀裂が所定の分割線に沿って進行することにより、マザー基板から取り出された複数のセラミック電子部品の端縁の位置精度を高めることができる。したがって、製造しようとするセラミック電子部品が特に多層セラミック基板であるとき、高い歩留まりをもって、このような多層セラミック基板を製造することができる。
【００２３】
すなわち、多層セラミック基板を製造しようとする場合、マザー基板は、積層された複数のセラミック層を備える多層構造を有していて、この多層構造の内部には配線導体が形成されているので、ブレーク不良が生じた場合、配線導体を不所望にも露出させることがあるが、この発明によれば、このような配線導体の不所望な露出を生じさせることなく、高い歩留まりをもって、多層セラミック基板を製造することができる。
【００２４】
上述のような多層セラミック基板を得るためのマザー基板が、ブレーク用溝を形成している第１の主面と対向する第２の主面側であって分割線に沿う位置に、ダイシングによるダイシング溝を形成している場合には、マザー基板の取り扱い中において、分割線に沿って、不用意に割れてしまうという不都合が生じやすい。したがって、このような場合には、上述のように不用意な割れを生じにくくすることができるこの発明の効果がより顕著に発揮されることになる。
【００２５】
この発明において、マザー基板の、第２の穴が位置する部分に残された厚みが、第１の穴が位置する部分に残された厚みの１／２〜３／４であるとき、上述したようなこの発明による効果がより確実に発揮されることができる。
【００２６】
この発明において、ブレーク用溝を構成する複数の穴が、隣り合うものの間で互いに接するように形成されると、所定の分割線に沿ったブレーク用溝でのブレークをより円滑に進行させることができる。また、比較的浅い第１の穴と比較的深い第２の穴とをそれぞれ所望の形態で形成することが、隣り合うものが互いに一部重なるように形成される場合に比べて容易になる。
【００２７】
この発明において、ブレーク用溝を形成する工程が、ガルバノミラー式レーザを用いて実施されると、たとえばＸＹテーブル移動式のレーザを用いる場合に比べて、穴をより正確な位置に形成することができる。また、レーザ光のエネルギーやショット数を変えることにより、これによって形成される穴の深さを容易に制御することができるので、比較的浅い第１の穴と比較的深い第２の穴とを区別しながら容易かつ能率的に形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
図１ないし図４は、この発明の一実施形態によるセラミック電子部品の製造方法を説明するためのものである。この実施形態では、セラミック電子部品として、多層セラミック基板が製造される。図１および図２には、マザー基板１の一部が断面図および平面図でそれぞれ示されている。なお、図２は、図１より拡大した状態でマザー基板１を示している。
【００２９】
マザー基板１は、後で説明するブレーク用溝の形成態様の点を除いて、前述の特許文献２に記載された「マザー積層体」と実質的に同様の構成を有している。マザー基板１は、所定の分割線２および３に沿って分割することによって複数の多層セラミック基板（図１において、分割線２より左側の部分に相当する。）を取り出すことができるものである。マザー基板１は、互いに対向する第１および第２の主面５および６を有している。また、マザー基板１は、図示しないが、積層された複数のセラミック層を備える多層構造を有していて、多層構造の内部には、配線導体が設けられている。
【００３０】
このようなマザー基板１が用意された後、マザー基板１の第１の主面５側であって分割線２および３の各々に沿う位置に、ブレーク用溝７が形成され、また、マザー基板１の第２の主面６側であって分割線２および３の各々に沿う位置に、ダイシングによるダイシング溝８が形成される。これらブレーク用溝７およびダイシング溝８は、いずれが先に形成されてもよい。
【００３１】
ダイシング溝８の形成によって現れた側面には、図１に示すように、外部端子電極９が形成される。これら外部端子電極９は、マザー基板１において、ダイシング溝８を形成すべき位置に予め導電材を配置しておき、ダイシング溝８を形成することによって、この導電材を分断した結果として得られたものである。
【００３２】
他方、ブレーク用溝７は、マザー基板１の第１の主面５側であって分割線２および３の各々に沿う位置にレーザ光を照射することによって形成されたものである。なお、図１は、マザー基板１の、図２に示した分割線３に沿う断面を示している。
【００３３】
ブレーク用溝７は、より詳細には、図１および図２に示すように、複数の穴１０および１１の配列によって構成される。これら穴１０および１１は、図１によく示されているように、複数の比較的浅い第１の穴１０と複数の比較的深い第２の穴１１とを備えている。この実施形態では、第１の穴１０と第２の穴１１とは、各々１個ずつ交互に配列されている。また、図２によく示されているように、複数の穴１０および１１は、隣り合うものが互いに接するように形成される。
【００３４】
上述のようなブレーク用溝７を形成するため、好ましくは、ガルバノミラー式レーザが用いられる。ガルバノミラー式レーザによれば、ガルバノミラーの制御によって、レーザ光を正確な位置に照射することができ、穴１０および１１の各深さについては、レーザ出力（エネルギー量）やレーザ光のショット数を変えることによって容易に制御することができ、また、穴１０および１１の各々の径については、マスク径を変えることによって容易に制御することができる。そして、ガルバノミラー式レーザによる１ショット毎に穴１０または１１の各１個が形成される。
【００３５】
図３は、図１に示したマザー基板１の一部をより拡大して示す断面図である。なお、図３と図２とは互いに同じ縮尺をもってマザー基板１を示している。図２および図３によく示されているように、第１および第２の穴１０および１１は、テーパ状の断面円形の穴として形成されている。
【００３６】
図３に示すように、マザー基板１は、第１の穴１０が位置する部分に厚みＴ１を残し、第２の穴１１が位置する部分に厚みＴ２を残している。これらの厚みＴ１およびＴ２の比率すなわちＴ２／Ｔ１は、１／２〜３／４に選ばれることが好ましい。これによって、マザー基板１の取り扱い中において不用意な割れを生じさせにくくするとともに、後述する分割工程において、分割線２および３の各々に沿って円滑にブレークすることができるといった効果をより確実に達成することができる。
【００３７】
なお、マザー基板１の分割線２および３の各々に沿う部分での厚みにもよるが、この厚みが７００〜９００μｍである場合、第１の穴１０の深さは第２の穴１１の深さの１／３程度であることが好ましい。また、従来のように、一様な深さで連続したブレーク用溝を形成する場合、このブレーク用溝の深さが２００μｍであるとき、所望のブレーク強度が得られるとした場合、この実施形態では、第１の穴１０の深さを１００μｍ程度とし、第２の穴１１の深さを３００μｍ程度とすることが好ましい。
【００３８】
以上のようにして、マザー基板１にブレーク用溝７およびダイシング溝８が形成された後、図４に示すように、マザー基板１は、分割線２および３の各上にあるブレーク用溝７に沿って分割され、それによって、所望の複数の多層セラミック基板４が取り出される。
【００３９】
上述のブレーク用溝７に沿って分割する工程において、より深い第２の穴１１が位置する部分に残された厚みＴ２が比較的薄いので、容易にブレークすることができる。また、穴１０および１１は、隣り合うものが互いに接するように形成されているので、分割の際、ブレークによる亀裂が分割線２および３の各々から外れて進行しにくくなり、ブレーク不良を生じさせにくくすることができる。
【００４０】
以上、この発明を特定的な実施形態に関連して説明したが、この発明の範囲内において、その他、種々の変形例が可能である。
【００４１】
たとえば、上述した実施形態では、第１の穴１０と第２の穴１１とが、各々１個ずつ交互に配列されていたが、穴１０および１１の各深さを変えるなどすれば、他の規則性をもって交互に配列されてもよい。たとえば、２個の第１の穴１０、１個の第２の穴１１、２個の第１の穴１０、１個の第２の穴１１というような配列なども可能である。
【００４２】
また、上述した実施形態では、複数の穴１０および１１は、隣り合うものが互いに接するように形成されたが、隣り合うものが互いに離れた状態で形成されても、隣り合うものが互いに部分的に重なるように形成されてもよい。
【００４３】
また、上述した実施形態では、第１および第２の穴１０および１１というように、深さの互いに異なる２種類の穴が形成されたが、深さの異なる３種類以上の穴が形成されてもよい。
【００４４】
また、上述した実施形態では、ダイシング溝８が形成されたマザー基板１に対して、ブレーク用溝７が形成されたが、ダイシング溝が形成されないマザー基板にブレーク用溝が形成されてもよい。
【００４５】
また、上述した実施形態では、多層セラミック基板４を製造するための方法について説明したが、多層セラミック基板以外のセラミック電子部品、たとえば単板構造のセラミック基板、セラミック基板とは異なり、他の部品の搭載が予定されていないコンデンサやインダクタ等の機能を有するセラミック電子部品の製造に際しても、この発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】この発明の一実施形態によるセラミック電子部品の製造方法を説明するためのもので、セラミック電子部品としての多層セラミック基板４を取り出すことができるマザー基板１の一部を示す断面図である。
【図２】図１に示したマザー基板１の一部を拡大して示す平面図である。
【図３】図１に示したマザー基板１の一部を拡大して示す断面図である。
【図４】図１に示したマザー基板１に対して分割工程を実施している状態を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１  マザー基板
２，３  分割線
４  多層セラミック基板
５  第１の主面
６  第２の主面
７  ブレーク用溝
８  ダイシング溝
１０  第１の穴
１１  第２の穴
Ｔ１，Ｔ２  厚み
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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