(57)【要約】    【課題】  ＳｉＯＮ膜より更に成膜速度が速く、量産性が優れており、かつ、長時間の環境試験を行っても反射率変化が極めて小さい光学的情報記録媒体及びその製造方法を提供する。    【解決手段】  透明基板１上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる第１誘電体層２、酸窒化シリコンニッケルからなる酸窒化物誘電体層３、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる第２誘電体層４、ＧｅＮからなる第１界面層５、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５からなる記録層６、ＧｅＮからなる第２界面層７、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる第３誘電体層８、反射層９をこの順に積層する。酸窒化物誘電体層３は、Ａｒガス、Ｏ２ガス及びＮ２ガスの混合ガス雰囲気中で、反応性スパッタリングにより成膜する。酸窒化物誘電体層３の屈折率を、第１誘電体層２及び第２誘電体層４の屈折率よりも低くし、記録層６の非晶質状態における光吸収率を、結晶状態における光吸収率よりも低くする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、この基板上に設けられた酸窒化物誘電体層及び情報記録層とを有する光学的情報記録媒体において、前記酸窒化物誘電体層が、Ｓｉを主成分とし、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔａ、Ｃｕ及びＣからなる群から選択された少なくとも１種の元素が添加されたＳｉ系酸窒化物であることを特徴とする光学的情報記録媒体。
【請求項２】
前記酸窒化物誘電体層が３９乃至６７．５原子％の酸素を含有するＳｉ系酸窒化物であることを特徴とする請求項１に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項３】
前記酸窒化物誘電体層の屈折率が１．４３乃至１．８であることを特徴とする請求項１又は２に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項４】
基板と、この基板上に設けられた酸窒化物誘電体層及び情報記録層とを有する光学的情報記録媒体において、前記酸窒化物誘電体層が、Ａｌを主成分とし、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔａ、Ｃｕ及びＣからなる群から選択された少なくとも１種の元素が添加されたＡｌ系酸窒化物であることを特徴とする光学的情報記録媒体。
【請求項５】
前記酸窒化物誘電体層が３５乃至６７．５原子％の酸素を含有するＡｌ系酸窒化物であることを特徴とする請求項４に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項６】
前記酸窒化物誘電体層の屈折率が１．５乃至１．８であることを特徴とする請求項４又は５に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項７】
基板と、この基板上に設けられた酸窒化物誘電体層及び情報記録層とを有する光学的情報記録媒体において、前記酸窒化物誘電体層が、ＡｌＳｉを主成分とし、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔａ、Ｃｕ及びＣからなる群から選択された少なくとも１種の元素が添加されたＡｌＳｉ系酸窒化物であることを特徴とする光学的情報記録媒体。
【請求項８】
前記酸窒化物誘電体層が３９乃至６７．５原子％の酸素を含有するＡｌＳｉ系酸窒化物であることを特徴とする請求項７に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項９】
前記酸窒化物誘電体層の屈折率が１．４３乃至１．８であることを特徴とする請求項７又は８に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項１０】
前記情報記録層上に形成された少なくとも１層の誘電体層と、この誘電体層上に形成された少なくとも１層の反射層とを有し、この反射層は、外部から照射されて、前記基板、前記酸窒化物誘電体層、前記情報記録層及び前記誘電体層を透過した光を前記情報記録層に向けて反射することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項１１】
前記Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔａ、Ｃｕ及びＣからなる群から選択された少なくとも１種の元素は、０．２乃至１０原子％添加されていることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項１２】
前記情報記録層は前記酸窒化物誘電体層よりも上方に設けられており、前記基板と前記酸窒化物誘電体層との間に形成された第１の誘電体層と、前記酸窒化物誘電体層と前記情報記録層との間に形成された第２の誘電体層とを有し、前記第１の誘電体層はその屈折率が前記酸窒化物誘電体層の屈折率よりも大きく、前記第２の誘電体層はその屈折率が前記酸窒化物誘電体層の屈折率よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至９及び請求項１１のいずれか１項に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項１３】
前記情報記録層の上に形成された第３の誘電体層と、この第３の誘電体層の上に形成された反射層とを有し、前記基板は透明であり、前記反射層は、外部から照射されて、前記基板、前記第１の誘電体層、前記酸窒化物誘電体層、前記第２の誘電体層、前記情報記録層及び前記第３の誘電体層を透過した光を前記情報記録層に向けて反射させることを特徴とする請求項１２に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項１４】
前記酸窒化物誘電体層は前記情報記録層よりも上方に設けられており、前記基板と前記情報記録層との間に前記基板側から順に少なくとも１層の反射層と、少なくとも１層の第１の誘電体層とが形成され、前記情報記録層上には少なくとも１層の第２の誘電体層と前記酸窒化物誘電体層と第３の誘電体層とがこの順に形成されていることを特徴とする請求項１乃至９及び請求項１１のいずれか１項に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項１５】
基板上に、アルゴンガス、酸素ガス及び窒素ガスを含有する混合ガスの雰囲気下で、反応性スパッタリングにより酸窒化物誘電体層を形成する工程と、情報記録層を形成する工程とを有し、前記反応性スパッタリングは、Ｓｉを主成分とし、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔａ、Ｃｕ及びＣからなる群から選択された少なくとも１種の元素が添加されたＳｉ系酸窒化物からなるターゲットを使用することを特徴とする光学的情報記録媒体の製造方法。
【請求項１６】
基板上に、アルゴンガス、酸素ガス及び窒素ガスを含有する混合ガスの雰囲気下で、反応性スパッタリングにより酸窒化物誘電体層を形成する工程と、情報記録層を形成する工程とを有し、前記反応性スパッタリングは、Ａｌを主成分とし、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔａ、Ｃｕ及びＣからなる群から選択された少なくとも１種の元素が添加されたターゲットを使用することを特徴とする光学的情報記録媒体の製造方法。
【請求項１７】
基板上に、アルゴンガス、酸素ガス及び窒素ガスを含有する混合ガスの雰囲気下で、反応性スパッタリングにより酸窒化物誘電体層を形成する工程と、情報記録層を形成する工程とを有し、前記反応性スパッタリングは、Ｓｉ及びＡｌを主成分とし、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔａ、Ｃｕ及びＣからなる群から選択された少なくとも１種の元素が添加されたターゲットを使用することを特徴とする光学的情報記録媒体の製造方法。
【請求項１８】
前記混合ガスの組成は、（Ａｒ、Ｏ２、Ｎ２）体積％の表記で、（９０、９、１）体積％と（８０、１２、８）体積％と（７０、１２、８）体積％と（７０、２、２８）体積％と（８０、３、１７）体積％と（９０、７、３）体積％で囲まれた六角形とその内部の領域により示される組成であることを特徴とする請求項１５乃至１７のいずれか１項に記載の光学的情報記録媒体の製造方法。
【請求項１９】
前記情報記録層上に少なくとも１層以上の誘電体層を形成する工程と、この誘電体層上に反射層を形成する工程とを有することを特徴とする請求項１５乃至１８のいずれか１項に記載の光学的情報記録媒体の製造方法。
【請求項２０】
前記情報記録層、誘電体層及び反射層をスパッタリング法により形成することを特徴とする請求項１９に記載の光学的情報記録媒体の製造方法。
【請求項２１】
前記Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔａ、Ｃｕ及びＣからなる群から選択された少なくとも１種の元素は、０．２乃至１０原子％添加されていることを特徴とする請求項１５乃至２０のいずれか１項に記載の光学的情報記録媒体の製造方法。
【請求項２２】
前記基板と前記酸窒化物誘電体層との間に第１の誘電体層を形成する工程と、前記酸窒化物誘電体層と前記情報記録層との間に第２の誘電体層を形成する工程とを有することを特徴とする請求項１５乃至１８のいずれか１項に記載の光学的情報記録媒体の製造方法。
【請求項２３】
前記情報記録層上に第３の誘電体層を形成する工程と、この第３の誘電体層上に反射層を形成する工程とを有することを特徴とする請求項２２に記載の光学的情報記録媒体の製造方法。
【請求項２４】
前記第１の誘電体層、第２の誘電体層、記録層、第３の誘電体層及び反射層は、スパッタリング法により形成することを特徴とする請求項２３に記載の光学的情報記録媒体の製造方法。
【請求項２５】
基板上に少なくとも１層の反射層を形成する工程と、この反射層上に少なくとも１層の第１の誘電体層を形成する工程と、前記第１の誘電体層上に情報記録層を形成する工程と、前記情報記録層上に少なくとも１層の第２誘電体層を形成する工程と、アルゴンガス、酸素ガス及び窒素ガスを含有する混合ガスの雰囲気下で、反応性スパッタリングにより酸窒化物誘電体層を形成する工程と、少なくとも１層の第３誘電体層を形成する工程とを有し、前記反応性スパッタリングは、Ｓｉを主成分とし、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔａ、Ｃｕ及びＣからなる群から選択された少なくとも１種の元素が添加されたＳｉ系酸窒化物からなるターゲットを使用することを特徴とする光学的情報記録媒体の製造方法。
【請求項２６】
基板上に少なくとも１層の反射層を形成する工程と、この反射層上に少なくとも１層の第１の誘電体層を形成する工程と、前記第１の誘電体層上に情報記録層を形成する工程と、前記情報記録層上に少なくとも１層の第２誘電体層を形成する工程と、アルゴンガス、酸素ガス及び窒素ガスを含有する混合ガスの雰囲気下で、反応性スパッタリングにより酸窒化物誘電体層を形成する工程と、少なくとも１層の第３誘電体層を形成する工程とを有し、前記反応性スパッタリングは、Ａｌを主成分とし、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔａ、Ｃｕ及びＣからなる群から選択された少なくとも１種の元素が添加されたターゲットを使用することを特徴とする光学的情報記録媒体の製造方法。
【請求項２７】
基板上に少なくとも１層の反射層を形成する工程と、この反射層上に少なくとも１層の第１の誘電体層を形成する工程と、前記第１の誘電体層上に情報記録層を形成する工程と、前記情報記録層上に少なくとも１層の第２誘電体層を形成する工程と、アルゴンガス、酸素ガス及び窒素ガスを含有する混合ガスの雰囲気下で、反応性スパッタリングにより酸窒化物誘電体層を形成する工程と、少なくとも１層の第３誘電体層を形成する工程とを有し、前記反応性スパッタリングは、Ｓｉ及びＡｌを主成分とし、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔａ、Ｃｕ及びＣからなる群から選択された少なくとも１種の元素が添加されたターゲットを使用することを特徴とする光学的情報記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、書換型光学式情報記録再生装置等によりレーザ光が照射されて情報が記録される光学的情報記録媒体及びその製造方法に関し、特に、記録層における相状態を非晶質状態又は結晶状態とすることにより情報を記録し、その記録層の相状態による光学的特性の違いを利用して情報を再生する相変化型光ディスク媒体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザ光を使用する光情報記録再生方式は、ヘッドを媒体に非接触で且つ高速にアクセスして、この媒体に大容量の情報を記録及び再生することが可能であるため、大容量メモリとして各分野で実用化されている。光情報記録再生方式による光学式情報記録媒体は、コンパクトディスク及びレーザディスクとして知られていてユーザ自身はデータの再生のみが可能である再生専用型、ユーザ自身が新たなデータを媒体に記録できる追記型、及びユーザ自身がデータを媒体に繰返し記録及び消去してデータを書き換えることができる書換型に分類される。追記型及び書換型の光学式情報記録媒体は、コンピュータの外部メモリ、並びに文書ファイル及び画像フアイルを格納する媒体として使用されつつある。
【０００３】
書換型の光学式情報記録媒体には、記録膜の相変化を利用した相変化型光ディスクと、垂直磁化膜の磁化方向の変化を利用した光磁気ディスクとがある。このうち、相変化型光ディスクは、光磁気ディスクのように外部磁界を必要とすることなく情報を記録することができ、また、情報の重ね書き、即ちオーバライトが容易であることから、今後、書換型の光学的情報記録媒体の主流になることが期待されている。
【０００４】
従来の相変化型光ディスクは、一般的には、記録層の非晶質状態における光の吸収率Ａａが、記録層の結晶状態における光の吸収率Ａｃよりも高く設定されている。このため、記録密度を高密度化するために相変化型光ディスク媒体の記録トラックのピッチを狭くしていくと、任意の記録トラックに対してレーザ光を照射して記録を行う場合に、隣接する記録トラックに配置されている記録マークであって、既に情報が記録されており光吸収率が高い非晶質状態となっている記録マークがレーザ光を高い吸収率で吸収してしまう。これにより、この非晶質状態である記録マークが昇温して結晶化し、この記録マークに記録されている情報が消去されてしまう。即ち、クロス消去が生じることになる。
【０００５】
これを防止するためには、記録層の非晶質状態における光吸収率Ａａを、結晶状態における光吸収率Ａｃよりも低くすることが有効である。このようにＡａをＡｃよりも低くする方法としては、相変化型光ディスクにおいて、基板上に第１誘電体層、第２誘電体層、第３誘電体層、第１界面層、記録層、第２界面層、第４誘電体層、反射層を順次積層し、第２誘電体層の屈折率ｎ２と第３誘電体層の屈折率ｎ３との関係をｎ２＜ｎ３とし、第１誘電体層の屈折率ｎ１と第２誘電体層の屈折率ｎ２との関係をｎ２＜ｎ１とする方法が提案されている。具体的には、これらの誘電体層のうち、第１誘電体層及び第３誘電体層には、屈折率が約２．３であるＺｎＳ−ＳｉＯ２膜を使用し、第２の誘電体層には、屈折率が約１．５であるＳｉＯ２膜又は屈折率が約１．７であるＡｌ２Ｏ３膜を使用する方法が一般的である。また、場合によっては、第２の誘電体層として屈折率が約１．９であるＳｉＮ膜が使用されることもある（例えば、特許文献１及び２参照。）。
【０００６】
第２の誘電体層として上述したＳｉＯ２膜又はＡｌ２Ｏ３膜を用いる場合には、ＳｉＯ２ターゲット又はＡｌ２Ｏ３ターゲットを用いて成膜を行う方法が一般的であるが、膜の成膜速度が遅く量産性に欠けることが指摘されていた。また、第２の誘電体層として、屈折率が約１．９であるＳｉＮ膜を用いる場合には、Ａａ＜Ａｃを満たすために上述した第４の誘電体層が比較的厚くならざるを得ず、このために媒体の繰り返しＯ／Ｗ耐性が劣化する可能性のあることが指摘されていた。
【０００７】
これらの問題点を解決するために、上述したＳｉＯ２膜、Ａｌ２Ｏ３膜又はＳｉＮ膜の代わりに、Ｓｉターゲットを用い、アルゴンガスと酸素ガスと窒素ガスとの混合ガス雰囲気中で成膜することにより、ＳｉＯＮ膜を形成する方法が提案されている。このようなＳｉＯＮ膜を用いることで、ＳｉＯ２膜、Ａｌ２Ｏ３膜又はＳｉＮ膜に比べ、成膜速度が速く、かつ膜の屈折率が比較的低い誘電体膜が得られ、量産性に優れ、かつ、繰り返しＯ／Ｗ耐性にも優れた媒体が得られることが報告されている（例えば、非特許文献１参照）。
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−９０４９１号公報
【特許文献２】特開２０００−１０５９４６号公報
【非特許文献１】Proceedings of the 15th Symposium on Phase Change Optical Information Storage PCOS2003, pp.56-61 (2003)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上述した従来の技術には、以下に示すような問題点がある。上述したように、Ｓｉターゲットを用い、アルゴンガスと酸素ガスと窒素ガスの雰囲気中で成膜して得られたＳｉＯＮ膜は、その成膜速度が一般的に使用されているＳｉＯ２膜及びＡｌ２Ｏ３膜に比べると３倍程度速いが、相変化記録媒体に一般的に用いられているＺｎＳ−ＳｉＯ２膜に比べるとかなり遅く、このＳｉＯＮ膜の成膜速度は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２膜の約２／３程度である。このため、上述したように上下にＺｎＳ−ＳｉＯ２膜を配置し、その間の誘電体層としてＳｉＯＮ膜を用いると、成膜速度のアンバランスから、生産性に支障をきたすという問題が解消されずに残っている。
【００１０】
また、上述したように、Ｓｉターゲットを用い、アルゴンガスと酸素ガスと窒素ガスの雰囲気中で成膜して得られたＳｉＯＮ膜を用いた媒体では、高温高湿条件下に媒体を保持した場合に、環境試験前後で媒体の反射率が異なり、環境試験後に反射率が低下することが判明した。一般的には、媒体特性としては環境試験前後で反射率が変わらないことが望まれており、これは、後述するように媒体を長時間使用していく上で、問題となることが考えられる。
【００１１】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、レーザ入射面側の基板と情報記録層との間に少なくとも酸窒化物誘電体層が形成された光学的情報記録媒体において、ＳｉＯＮ膜より更に成膜速度が速く、量産性が優れており、かつ、長時間の環境試験を行っても反射率変化が極めて小さい光学的情報記録媒体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本願第１発明に係る光学的情報記録媒体は、基板と、この基板上に設けられた酸窒化物誘電体層及び情報記録層とを有する光学的情報記録媒体において、前記酸窒化物誘電体層が、Ｓｉを主成分とし、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔａ、Ｃｕ及びＣからなる群から選択された少なくとも１種の元素が添加されたＳｉ系酸窒化物であることを特徴とする。この光学的情報記録媒体において、前記酸窒化物誘電体層は、例えば、３９乃至６７．５原子％の酸素を含有するＳｉ系酸窒化物である。また、前記酸窒化物誘電体層の屈折率は１．４３乃至１．８であることが好ましい。
【００１３】
また、本願第２発明に係る光学的情報記録媒体は、基板と、この基板上に設けられた酸窒化物誘電体層及び情報記録層とを有する光学的情報記録媒体において、前記酸窒化物誘電体層が、Ａｌを主成分とし、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔａ、Ｃｕ及びＣからなる群から選択された少なくとも１種の元素が添加されたＡｌ系酸窒化物であることを特徴とする。この光学的情報記録媒において、前記酸窒化物誘電体層は、例えば、３５乃至６７．５原子％の酸素を含有するＡｌ系酸窒化物である。また、前記酸窒化物誘電体層の屈折率は１．５乃至１．８であることが好ましい。
【００１４】
更に、本願第３発明に係る光学的情報記録媒体は、基板と、この基板上に設けられた酸窒化物誘電体層及び情報記録層とを有する光学的情報記録媒体において、前記酸窒化物誘電体層が、ＡｌＳｉを主成分とし、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔａ、Ｃｕ及びＣからなる群から選択された少なくとも１種の元素が添加されたＡｌＳｉ系酸窒化物であることを特徴とする。この光学的情報記録媒体において、前記酸窒化物誘電体層は、例えば、３９乃至６７．５原子％の酸素を含有するＡｌＳｉ系酸窒化物である。また、前記酸窒化物誘電体層の屈折率は１．４３乃至１．８であることが好ましい。
【００１５】
これらの第１乃至第３発明に係る光学的情報記録媒体において、前記情報記録層上に形成された少なくとも１層の誘電体層と、この誘電体層上に形成された少なくとも１層の反射層とを有し、この反射層は、外部から照射されて、前記基板、前記酸窒化物誘電体層、前記情報記録層及び前記誘電体層を透過した光を前記情報記録層に向けて反射するものであるように構成することができる。
【００１６】
また、これらの第１乃至第３発明に係る光学的情報記録媒体において、前記Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔａ、Ｃｕ及びＣからなる群から選択された少なくとも１種の元素は、０．２乃至１０原子％添加されていることが好ましい。
【００１７】
更に、これらの第１乃至第３発明に係る光学的情報記録媒体において、前記情報記録層は前記酸窒化物誘電体層よりも上方に設けられており、前記基板と前記酸窒化物誘電体層との間に形成された第１の誘電体層と、前記酸窒化物誘電体層と前記情報記録層との間に形成された第２の誘電体層とを有し、前記第１の誘電体層はその屈折率が前記酸窒化物誘電体層の屈折率よりも大きく、前記第２の誘電体層はその屈折率が前記酸窒化物誘電体層の屈折率よりも大きいものであるように構成することができる。
【００１８】
この場合に、前記情報記録層の上に形成された第３の誘電体層と、この第３の誘電体層の上に形成された反射層とを有し、前記基板は透明であり、前記反射層は、外部から照射されて、前記基板、前記第１の誘電体層、前記酸窒化物誘電体層、前記第２の誘電体層、前記情報記録層及び前記第３の誘電体層を透過した光を前記情報記録層に向けて反射させるものであるように構成することができる。
【００１９】
更にまた、前記第１乃至第３発明に係る光学的情報記録媒体において、前記酸窒化物誘電体層は前記情報記録層よりも上方に設けられており、前記基板と前記情報記録層との間に前記基板側から順に少なくとも１層の反射層と、少なくとも１層の第１の誘電体層とが形成され、前記情報記録層上には少なくとも１層の第２の誘電体層と前記酸窒化物誘電体層と第３の誘電体層とがこの順に形成されているものであるように構成することができる。
【００２０】
本願第４発明に係る光学的情報記録媒体の製造方法は、基板上に、アルゴンガス、酸素ガス及び窒素ガスを含有する混合ガスの雰囲気下で、反応性スパッタリングにより酸窒化物誘電体層を形成する工程と、情報記録層を形成する工程とを有し、前記反応性スパッタリングは、Ｓｉを主成分とし、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔａ、Ｃｕ及びＣからなる群から選択された少なくとも１種の元素が添加されたＳｉ系酸窒化物からなるターゲットを使用することを特徴とする。
【００２１】
また、本願第５発明に係る光学的情報記録媒体の製造方法は、基板上に、アルゴンガス、酸素ガス及び窒素ガスを含有する混合ガスの雰囲気下で、反応性スパッタリングにより酸窒化物誘電体層を形成する工程と、情報記録層を形成する工程とを有し、前記反応性スパッタリングは、Ａｌを主成分とし、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔａ、Ｃｕ及びＣからなる群から選択された少なくとも１種の元素が添加されたターゲットを使用することを特徴とする。
【００２２】
更に、本願第６発明に係る光学的情報記録媒体の製造方法は、基板上に、アルゴンガス、酸素ガス及び窒素ガスを含有する混合ガスの雰囲気下で、反応性スパッタリングにより酸窒化物誘電体層を形成する工程と、情報記録層を形成する工程とを有し、前記反応性スパッタリングは、Ｓｉ及びＡｌを主成分とし、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔａ、Ｃｕ及びＣからなる群から選択された少なくとも１種の元素が添加されたターゲットを使用することを特徴とする。
【００２３】
また、前記混合ガスの組成は、（Ａｒ、Ｏ２、Ｎ２）体積％の表記で、例えば、（９０、９、１）体積％と（８０、１２、８）体積％と（７０、１２、８）体積％と（７０、２、２８）体積％と（８０、３、１７）体積％と（９０、７、３）体積％で囲まれた六角形とその内部の領域により示される組成である。
【００２４】
前記第４乃至第６発明に係る光学的情報記録媒体の製造方法において、前記情報記録層上に少なくとも１層以上の誘電体層を形成する工程と、この誘電体層上に反射層を形成する工程とを設けることができる。この場合に、前記情報記録層、誘電体層及び反射層は、スパッタリング法により形成することができる。
【００２５】
前記Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔａ、Ｃｕ及びＣからなる群から選択された少なくとも１種の元素は、０．２乃至１０原子％添加されていることが好ましい。
【００２６】
前記第４乃至第６発明に係る光学的情報記録媒体の製造方法において、前記基板と前記酸窒化物誘電体層との間に第１の誘電体層を形成する工程と、前記酸窒化物誘電体層と前記情報記録層との間に第２の誘電体層を形成する工程とを設けることができる。この場合に、更に、前記情報記録層上に第３の誘電体層を形成する工程と、この第３の誘電体層上に反射層を形成する工程とを設けることができる。前記第１の誘電体層、第２の誘電体層、記録層、第３の誘電体層及び反射層は、スパッタリング法により形成することができる。
【００２７】
本願第７発明に係る光学的情報記録媒体の製造方法は、基板上に少なくとも１層の反射層を形成する工程と、この反射層上に少なくとも１層の第１の誘電体層を形成する工程と、前記第１の誘電体層上に情報記録層を形成する工程と、前記情報記録層上に少なくとも１層の第２誘電体層を形成する工程と、アルゴンガス、酸素ガス及び窒素ガスを含有する混合ガスの雰囲気下で、反応性スパッタリングにより酸窒化物誘電体層を形成する工程と、少なくとも１層の第３誘電体層を形成する工程とを有し、前記反応性スパッタリングは、Ｓｉを主成分とし、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔａ、Ｃｕ及びＣからなる群から選択された少なくとも１種の元素が添加されたＳｉ系酸窒化物からなるターゲットを使用することを特徴とする。
【００２８】
本願第８発明に係る光学的情報記録媒体の製造方法は、基板上に少なくとも１層の反射層を形成する工程と、この反射層上に少なくとも１層の第１の誘電体層を形成する工程と、前記第１の誘電体層上に情報記録層を形成する工程と、前記情報記録層上に少なくとも１層の第２誘電体層を形成する工程と、アルゴンガス、酸素ガス及び窒素ガスを含有する混合ガスの雰囲気下で、反応性スパッタリングにより酸窒化物誘電体層を形成する工程と、少なくとも１層の第３誘電体層を形成する工程とを有し、前記反応性スパッタリングは、Ａｌを主成分とし、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔａ、Ｃｕ及びＣからなる群から選択された少なくとも１種の元素が添加されたターゲットを使用することを特徴とする。
【００２９】
本願第９発明に係る光学的情報記録媒体の製造方法は、基板上に少なくとも１層の反射層を形成する工程と、この反射層上に少なくとも１層の第１の誘電体層を形成する工程と、前記第１の誘電体層上に情報記録層を形成する工程と、前記情報記録層上に少なくとも１層の第２誘電体層を形成する工程と、アルゴンガス、酸素ガス及び窒素ガスを含有する混合ガスの雰囲気下で、反応性スパッタリングにより酸窒化物誘電体層を形成する工程と、少なくとも１層の第３誘電体層を形成する工程とを有し、前記反応性スパッタリングは、Ｓｉ及びＡｌを主成分とし、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔａ、Ｃｕ及びＣからなる群から選択された少なくとも１種の元素が添加されたターゲットを使用することを特徴とする。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、酸窒化物誘電体層を、Ｓｉ、Ａｌ又はＡｌＳｉを主成分とし、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔａ、Ｃｕ及びＣからなる群から選択された少なくとも１種の元素を添加した合金からなるターゲットを使用し、アルゴンガス、酸素ガス及び窒素ガスを含有する雰囲気中で反応性スパッタリングにより形成することにより、屈折率が、前述のＳｉＯ２膜又はＳｉＯＮ膜とほぼ同程度であり、かつ、ＳｉＯＮ膜の２倍以上の成膜速度を有する酸窒化物誘電体層を効率よく成膜することができる。これにより、光学式情報記録媒体を生産性よく製造することができる。また、本発明によれば、媒体反射率の経時変化が少なく、信頼性が優れた光学的情報記録媒体を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明の実施形態について添付の図面を参照して具体的に説明する。先ず、本発明の第１の実施形態について説明する。図１は、本実施形態に係る光学式情報記録媒体としての光ディスクを示す断面図である。この光ディスクは書換型の相変化型光ディスクであり、例えば、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）である。図１に示すように、本実施形態に係る光ディスクにおいては、透明基板１上に、第１誘電体層２、酸窒化物誘電体層３、第２誘電体層４、第１界面層５、情報記録層６、第２界面層７、第３誘電体層８及び反射層９がこの順に積層されている。そして、反射層９上には、他の透明基板（図示せず）が貼り合わされている。
【００３２】
透明基板１は、例えば、プラスチック、樹脂又はガラスからなる基板であり、その厚さは例えば０．６ｍｍである。また、透明基板１においては、略同一周期で蛇行するランド及びグルーブが交互に形成されて記録トラックとなっている。更に、透明基板１には、この記録トラックにおけるグルーブの蛇行を変調することにより形成されたウォブル変調方式のフォーマット変調部が形成されている。そして、相互に隣接する記録トラック間において、各記録トラックにおけるフォーマット変調部は、半径方向に相互に重ならないように配置されている。
【００３３】
また、第１誘電体層２、第２誘電体層４及び第３誘電体層８は、例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ２により形成されている。酸窒化物誘電体層３は、例えば、酸窒化シリコンニッケル（ＳｉＮｉＯＮ）により形成されている。酸窒化物誘電体層２としての酸窒化シリコンニッケル膜は、反応性スパッタリングにより成膜されており、その酸素濃度は例えば３９乃至６７．５原子％である。第１界面層５及び第２界面層７は、例えば、ＧｅＮにより形成されており、情報記録層６は、例えば、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５により形成されている。更に、反射層９は、例えばＡｌＴｉにより形成されている。更にまた、他の透明基板（図示せず）の厚さは例えば０．６ｍｍである。
【００３４】
そして、記録層６の非晶質状態における光吸収率Ａａは、結晶状態における光吸収率Ａｃよりも低くなっている。Ａａ＜Ａｃとするため、各層の屈折率は以下のように設定されている。プラスチック、樹脂又はガラスからなる透明基板１の屈折率は、一般的に１．５乃至１．６程度である。このため、第１誘電体層２の屈折率は、これより高い屈折率とする必要がある。なぜならば、第１誘電体層２の屈折率ｎ１が透明樹脂基板１の屈折率ｎ０と実質的に等しいと、第１誘電体層２と透明樹脂基板１とが光学的に略等価となり、上述のＡａ＜Ａｃを満たすことができなくなるからである。また、第１誘電体層２は、透明基板１に対して密着性が良好である必要がある。そこで、第１誘電体層２、第２誘電体層４及び第３誘電体層８をＺｎＳ−ＳｉＯ２膜により形成する。ＺｎＳ−ＳｉＯ２膜の屈折率は、約２．３５である。酸窒化シリコンニッケル膜等の酸窒化物誘電体層２には、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔａ、Ｃｕ及びＣからなる群から選択された少なくとも１種の元素が添加されており、その添加量は０．２乃至１０原子％であることが好ましい。
【００３５】
そして、酸窒化物誘電体層３を形成する酸窒化シリコンニッケル膜の屈折率は、１．４３乃至１．８程度である。これにより、酸窒化物誘電体層３の屈折率ｎ２と第２誘電体層４の屈折率ｎ３との間の関係はｎ２＜ｎ３となり、第１誘電体層２の屈折率ｎ１と酸窒化物誘電体層３の屈折率ｎ２との間の関係はｎ１＞ｎ２となる。これにより、記録層６の非晶質状態における光吸収率Ａａを、結晶状態における光吸収率Ａｃよりも低くすることができる。
【００３６】
なお、後述するように、酸窒化物誘電体層３を形成する酸窒化シリコンニッケル膜の酸素濃度が３９原子％未満であると、酸窒化シリコンニッケル膜の屈折率が高くなり、Ａａ＜Ａｃを満たすためには、第３誘電体層８の膜厚を比較的厚くする必要があり、繰り返し記録再生を行う際に信号品質の劣化を招く。一方、酸窒化シリコンニッケル膜の酸素濃度が６７．５原子％を超えるように酸窒化シリコンニッケル膜を成膜しようとすると、成膜速度が低くなり、生産性が低下する。従って、酸窒化シリコンニッケル膜の酸素濃度は３９乃至６７．５原子％であることが好ましい。
【００３７】
次に、上述の如く構成された本実施形態に係る光ディスクの動作について説明する。先ず、光ディスクに情報を記録する際の動作について説明する。初期状態においては、記録層６の全領域は結晶状態となっている。そして、レーザ光を透明基板１の下方から照射する。このレーザ光は、透明基板１、第１誘電体層２、酸窒化物誘電体層３、第２誘電体層４及び第１界面層５を透過して、記録層６に到達する。また、記録層６を透過したレーザ光は、第２界面層７、第３誘電体層８を透過して反射層９により反射され、再び第３誘電体層８及び第２界面層７を通過して記録層６に到達する。これにより、記録層６の記録スポットを融点以上の温度まで加熱し、記録層６の記録スポットを溶融させる。これにより、この記録スポットが凝固する際に非晶質化し、情報が記録される。
【００３８】
また、光ディスクに記録された情報を読み取る際には、記録層６に対してレーザ光を照射し、記録層６の各記録スポットにおける反射率の差を検出する。即ち、記録層６が非結晶状態にあるときの反射率は、結晶状態にあるときの反射率よりも高くなるため、この反射率の差を検出することにより、記録された情報を読み取ることができる。更に、記録した情報を消去する際には、レーザ光により、記録層６の記録スポットを結晶化温度よりも高く融点よりも低い温度まで加熱する。これにより、記録層６の記録スポットが結晶化し、情報が消去される。
【００３９】
本実施形態においては、酸窒化物誘電体層３として酸窒化シリコンニッケル膜を反応性スパッタリング法により形成することにより、従来のＳｉＯＮ膜の２倍以上の速い成膜速度を有し、かつ、膜密度の低下を防ぎ、高品質な酸窒化シリコンニッケル膜を得ることができる。これにより、光ディスクに記録した情報を再生する際に、長時間データを保持しても、反射率の変化が少なく、高品質な情報を再生できる。
【００４０】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。本実施形態は、前述の第１の実施形態と比較して、酸窒化物誘電体層３（図１参照）として、反応性スパッタリング法により形成した酸窒化アルミニウムニッケル膜（ＡｌＮｉＯＮ）を使用する点が異なっている。この酸窒化アルミニウムニッケル膜の酸素濃度は例えば３５乃至６７．５原子％である。後述するように、酸窒化アルミニウムニッケル膜の酸素濃度が３５原子％未満であると、酸窒化アルミニウムニッケル膜の屈折率が高くなり、Ａａ＜Ａｃを満たすためには、第３誘電体層８の膜厚が比較的厚くなり、繰り返し記録再生を行う際に信号品質の劣化を招く。一方、酸窒化アルミニウムニッケル膜の酸素濃度が６７．５原子％を超えるように酸窒化アルミニウムニッケル膜を成膜しようとすると、成膜速度が低くなり、生産性が低下する。従って、酸窒化アルミニウムニッケル膜の酸素濃度は３５乃至６７．５原子％であることが好ましい。本実施形態における上記以外の構成、動作及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。
【００４１】
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。本実施形態は、前述の第１の実施形態と比較して、酸窒化物誘電体層３（図１参照）として、反応性スパッタリング法により形成した酸窒化アルミニウムシリコンニッケル膜（ＡｌＳｉＮｉＯＮ）を使用する点が異なっている。この酸窒化アルミニウムシリコンニッケル膜の酸素濃度は例えば３９乃至６７．５原子％である。これは後述するように、酸窒化アルミニウムシリコンニッケル膜の酸素濃度が３９原子％未満であると、酸窒化アルミニウムシリコンニッケル膜の屈折率が高くなり、Ａａ＜Ａｃを満たすためには、第３誘電体層８の膜厚が比較的厚くなり、繰り返し記録再生を行う際に信号品質の劣化を招く。一方、酸窒化アルミニウムシリコンニッケル膜の酸素濃度が６７．５原子％を超えるように酸窒化アルミニウムシリコンニッケル膜を成膜しようとすると、成膜速度が低くなり、生産性が低下する。従って、酸窒化アルミニウムシリコンニッケル膜の酸素濃度は３９乃至６７．５原子％であることが好ましい。本実施形態における上記以外の構成、動作及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。
【００４２】
次に、本発明の第４の実施形態について説明する。本実施形態は、前述の第１の実施形態に係る光学式情報記録媒体（光ディスク）の製造方法である。図１に示すように、予め、レーザ光をガイドする案内溝（図示せず）が形成された透明基板１上に、インライン型のスパッタリング装置を使用して、第１誘電体層２、酸窒化物誘電体層３、第２誘電体層４、第１界面層５、記録層６、第２界面層７、第３誘電体層８及び反射層９を、以下の手順により形成する。なお、このインライン型のスパッタリング装置においては、ターゲットと基板との間の距離は例えば１５ｃｍである。
【００４３】
先ず、ガス圧が例えば０．１ＰａであるＡｒガス雰囲気中において、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなるターゲットを使用し、パワー密度を例えば２．２Ｗ／ｃｍ２としてスパッタリングを行い、透明基板１上にＺｎＳ−ＳｉＯ２膜を例えば厚さ３５ｎｍまで成膜し、第１誘電体層２とする。
【００４４】
次に、Ａｒガス、Ｎ２ガス及びＯ２ガスからなり、ガス圧が例えば０．２Ｐａである混合ガス雰囲気中において、Ｓｉ９９Ｎｉ１（原子％）からなるターゲットを使用し、パワー密度を例えば２．５Ｗ／ｃｍ２として反応性スパッタリングを行い、第１誘電体層２上に酸窒化シリコンニッケル膜を例えば厚さ４０ｎｍまで成膜し、酸窒化物誘電体層３とする。このとき、反応性スパッタ時の混合ガスの組成は、（Ａｒ、Ｏ２、Ｎ２）体積％の表記で、（９０，９，１）体積％と（８０，１２，８）体積％と（７０，１２，８）体積％と（７０，２，２８）体積％と（８０，３，１７）体積％と（９０，７，３）体積％で囲まれた六角形とその内部の領域により示される組成を用いる。
【００４５】
次に、ガス圧が例えば０．１ＰａであるＡｒガス雰囲気中において、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなるターゲットを使用し、パワー密度を例えば２．２Ｗ／ｃｍ２としてスパッタリングを行い、酸窒化物誘電体層３上にＺｎＳ−ＳｉＯ２膜を例えば厚さ３０ｎｍまで成膜し、第２誘電体層４とする。
【００４６】
次に、Ａｒガス及びＮ２ガスからなり、ガス圧が例えば０．９Ｐａである混合ガス雰囲気中において、Ｇｅからなるターゲットを使用し、パワー密度を例えば０．８Ｗ／ｃｍ２として反応性スパッタリングを行い、第２誘電体層４上にＧｅＮ膜を例えば厚さ５ｎｍまで成膜し、第１界面層５とする。
【００４７】
次に、ガス圧が例えば１．０ＰａであるＡｒガス雰囲気中において、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５からなるターゲットを使用し、パワー密度を例えば０．２７Ｗ／ｃｍ２としてスパッタリングを行い、第１界面層５上にＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５膜を例えば厚さ１３ｎｍまで成膜し、記録層６とする。
【００４８】
次に、ガス圧が例えば０．９Ｐａであり、Ａｒガス及びＮ２ガスの混合ガス雰囲気中において、Ｇｅからなるターゲットを使用し、パワー密度を例えば０．８Ｗ／ｃｍ２として反応性スパッタリングを行い、記録層６上にＧｅＮ膜を例えば厚さ５ｎｍまで成膜し、第２界面層７とする。
【００４９】
次に、ガス圧が例えば０．１ＰａであるＡｒガス雰囲気中において、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなるターゲットを使用し、パワー密度を例えば２．２Ｗ／ｃｍ２としてスパッタリングを行い、第２界面層７上にＺｎＳ−ＳｉＯ２膜を例えば厚さ２５ｎｍまで成膜し、第３誘電体層８とする。
【００５０】
次に、ガス圧が例えば０．０８ＰａであるＡｒガス雰囲気中において、Ｔｉを２質量％含有するＡｌＴｉ合金からなるターゲットを使用し、パワー密度を例えば１．６Ｗ／ｃｍ２としてスパッタリングを行い、第３誘電体層８上にＡｌＴｉ合金膜を例えば厚さ１００ｎｍまで成膜し、反射層９とする。
【００５１】
そして、反射層９上に厚さが例えば０．６ｍｍの透明基板（図示せず）を貼り合わせて、前述の第１の実施形態に係る相変化型の光ディスクを作製する。
【００５２】
以下、酸窒化物誘電体層３を成膜する際の混合ガスの組成の好適範囲を、混合ガスの組成（Ａｒ、Ｏ２、Ｎ２）体積％の表記で、（９０，９，１）体積％と（８０，１２，８）体積％と（７０，１２，８）体積％と（７０，２，２８）体積％と（８０，３，１７）体積％と（９０，７，３）体積％で囲まれた六角形とその内部の領域により示される組成とした理由について説明する。
【００５３】
本第４実施形態に示す方法により、反応性スパッタリングにおける混合ガスの組成を、Ａｒガス添加量を６０乃至９５体積％、Ｏ２ガス添加量を０乃至１２体積％、Ｎ２ガス添加量を１乃至４０体積％の範囲で変化させて、酸窒化物誘電体層３（酸窒化シリコンニッケル膜）を成膜する。なお、前述の如く、ターゲットにはＳｉ９９Ｎｉ１（原子％）からなるターゲットを使用し、成膜時のガス圧は０．２Ｐａに固定する。
【００５４】
図２は、横軸に混合ガス中のＯ２ガスの添加量をとり、縦軸に酸窒化シリコンニッケル膜の成膜速度をとって、混合ガス中のＯ２ガスの添加量が成膜速度に及ぼす影響を示すグラフ図である。また、図３は、横軸に混合ガス中のＯ２ガスの添加量をとり、縦軸に酸窒化シリコンニッケル膜の屈折率をとって、混合ガス中のＯ２ガスの添加量が屈折率に及ぼす影響を示すグラフ図である。更に、図６は、横軸に混合ガス中のＯ２ガス添加量をとり、縦軸に酸化シリコンニッケル膜の成膜速度及び屈折率をとって、混合ガス中にＮ２ガスを添加しない場合において、混合ガス中のＯ２ガス添加量が成膜速度及び屈折率に及ぼす影響を示すグラフ図である。なお、図２及び図３においては、Ａｒガス添加量及びＯ２ガス添加量のみを示しているが、Ｎ２ガス添加量は、全体（１００体積％）から、Ａｒガス添加量及びＯ２ガス添加量を減じた残部である。
【００５５】
図２に示すように、Ａｒガスの添加量が７０体積％以上であると、Ｏ２ガスの添加量の増加に伴い、成膜速度は増加する。また、Ｏ２ガス添加量を固定した場合、Ａｒガス添加量が多い条件ほど成膜速度は速くなる。一方、Ａｒガスの添加量が６５体積％以下の条件では、Ｏ２ガスの添加量の増加に伴い、成膜速度は徐々に低下する。
【００５６】
また、図３に示すように、Ｏ２ガス添加量の増加に伴い、酸窒化シリコンニッケル膜の屈折率は徐々に低下するが、Ａｒガス添加量が少ない条件ほど屈折率は低い値を示す傾向がある。
【００５７】
一方、前述のように、酸窒化物誘電体層３に求められる屈折率の条件は、第１誘電体層２及び第２誘電体層４であるＺｎＳ−ＳｉＯ２膜の屈折率２．３５より低く、かつ第１誘電体層２及び第２誘電体層４の屈折率との差が大きいことである。これは以下に示す理由によるものである。すなわち、酸窒化物誘電体層３の屈折率が１．４３〜１．８の範囲であれば記録層６におけるＡａ＜Ａｃの条件を満たすための第３誘電体層８（ＺｎＳ−ＳｉＯ２膜）の膜厚を比較的薄く、かつ、ある程度の膜厚（１５ｎｍ〜４０ｎｍ程度）範囲で設計できる。一方、酸窒化物誘電体層３の屈折率が１．９〜２．０の膜を用いると第３誘電体層８（ＺｎＳ−ＳｉＯ２膜）の膜厚がかなり厚くなり、さらにＡａ＜Ａｃの条件を満たすための膜厚範囲が限定的となる（４０ｎｍ〜５０ｎｍ）。また、酸窒化物誘電体層３の屈折率が２．０〜２．２の膜では、第１誘電体層２及び第２誘電体層４の屈折率との差が小さいために、記録層６におけるＡａ＜Ａｃの条件を満たすための第３誘電体層８（ＺｎＳ−ＳｉＯ２膜）の膜厚の解がなくなり、媒体設計を行うことができない。
【００５８】
以上のことから、酸窒化物誘電体層３の屈折率としては、１．９より小さいことが望ましい。また、量産性の観点から、成膜速度は可及的に速いことが求められる。
【００５９】
このような条件を満たす添加ガスの混合条件は、（Ａｒ、Ｏ２、Ｎ２）体積％の表記で、（９０，９，１）体積％と（８０，１２，８）体積％と（７０，１２，８）体積％と（７０，２，２８）体積％と（８０，３，１７）体積％と（９０，７，３）体積％で囲まれた六角形とその内部の領域により示される組成であり、さらに好ましくは、成膜速度が最も速く、屈折率が低い条件として、Ａｒガスの添加量が７０体積％〜９０体積％の条件において、Ｏ２ガス添加量が９体積％の条件である。
【００６０】
このような組成の混合ガス雰囲気中で反応性スパッタリングにより成膜される酸窒化シリコンニッケル膜の屈折率（ｎ２）は１．４３乃至１．８の範囲にある。また、このような方法により酸窒化物誘電体層３を成膜した相変化型光ディスク媒体において、記録層６の結晶状態における光吸収率及び非晶質状態における光吸収率を夫々測定すると、ｎ２＝１．４３である場合には、Ａａ＝６２．２％、Ａｃ＝８２．４％であり、ｎ２＝１．８である場合には、Ａａ＝６０．２％、Ａｃ＝８１．５％であり、いずれの場合においても、Ａａ＜Ａｃを満たしている。
【００６１】
ここで、図４に、屈折率を変化させた場合のＳｉＮｉＯＮ膜に含まれるＳｉ、Ｎｉ、Ｏ、Ｎの含有量を分析した結果を示す。図４より、屈折率が１．４３〜１．８のＳｉＮｉＯＮ膜の場合、屈折率の増加に伴い酸素濃度は減少し、窒素濃度は増加する。シリコンの濃度は屈折率の増加に伴い、僅かに増加する傾向がみられる。また、Ｎｉの含有量は、屈折率に対して、ほぼ一定の値を示す。
【００６２】
図５は、同じＳｉＮｉＯＮ膜を用いて、屈折率と密度の関係を表すグラフ図である。ＳｉＮｉＯＮ膜の密度は、膜の屈折率の増加に伴い増加する。図４及び図５より、上述した添加ガスの混合条件で作製された酸窒化シリコンニッケル膜の酸素濃度及び膜の密度は、屈折率（ｎ２）が１．４３である膜の場合は６７．５原子％及び２ｇ／ｃｃであり、屈折率（ｎ２）が１．８である膜の場合は３９原子％及び２．４ｇ／ｃｃである。屈折率が上述した範囲にある酸窒化物誘電体層３を用いた場合、Ａａ＜Ａｃの条件を満たす第３誘電体層８の膜厚は、１５乃至４０ｎｍとなり、比較的膜厚マージンが広い媒体設計が可能である。このように、本実施形態によれば、Ａａ＜Ａｃを満たし、かつ繰り返し記録再生特性に優れた光ディスクを、生産性よく製造することができる。なお、上述した膜中に含まれる各元素の量及び膜密度は、ＲＢＳ（Rutherford Backscattering Spectrometry）及びＮＲＡ（Nuclear Reaction Analysis）により分析を行った。
【００６３】
上述の条件で作製した相変化型光ディスク媒体の信頼性について説明する。本実施形態に係る光ディスクを、例えば、５．９ｍ／秒の線速で回転させ、対物レンズの開口数が０．６５である光ヘッドを使用して、波長が４０５ｎｍの青色レーザ光を照射して情報を記録する。先ず、ランド部に周波数が４ＭＨｚ、ｄｕｔｙ比が５０％の信号を記録した後、このランド部の両側に隣接するグルーブ部に周波数が８ＭＨｚ、ｄｕｔｙ比が５０％の信号を繰り返し記録して、ランド部に記録した周波数が４ＭＨｚである信号のキャリアの変化を測定する。その結果、ランド部に隣接するグルーブ部で情報の書き換えを繰り返し行っても、ランド部に記録された信号はまったく影響を受けない。また、この光ディスクに対して、周波数が４ＭＨｚ、ｄｕｔｙ比が５０％の信号を繰り返し記録しても、５０万回までキャリア及びノイズの変化がみられない。
【００６４】
次に、図６を参照して、混合ガス中にＮ２ガスを添加しない場合について説明する。この場合、酸窒化物誘電体層３（図１参照）の替わりに、反応性スパッタリング法により、ＳｉＮｉＯ膜を形成する。即ち、Ｎ２ガスを含有せずにＡｒガス及びＯ２ガスのみからなり、ガス圧が例えば０．２Ｐａである混合ガス雰囲気中において、Ｓｉ９９Ｎｉ１（原子％）からなるターゲットを使用し、ターゲットと基板との間の距離を１５ｃｍとし、パワー密度を例えば２．５Ｗ／ｃｍ２として反応性スパッタリングを行い、ＳｉＮｉＯ膜を成膜する。このとき、混合ガス中のＯ２ガス添加量を変化させる。
【００６５】
図６に示すように、Ｏ２ガス添加量が１０乃至３０体積％の範囲で、屈折率が１．４５乃至１．５４程度のＳｉＮｉＯ膜が得られるが、成膜速度が２１Å／分以下であり、上述したＡｒガス、Ｏ２ガス、Ｎ２ガスからなる混合ガス雰囲気中において膜を成膜した場合の成膜速度（１４０乃至２５０Å／分程度）と比較して極端に遅い。屈折率の値としては、Ａａ＜Ａｃを満たす条件になっているが、膜の成膜速度が著しく遅いため、量産性が優れた成膜方法とはいえない。
【００６６】
このように、ターゲットとしてＳｉ９９Ｎｉ１（原子％）を使用し、Ａｒ等の希ガスに酸素ガスを混合して、酸化物誘電体層の成膜を行うと、膜の成膜速度が極めて遅くなり、生産性が著しく低下する。
【００６７】
次に、混合ガス中にＯ２ガスを添加しない場合について説明する。この場合、酸窒化物誘電体層３（図１参照）の替わりに、反応性スパッタリング法により、ＳｉＮｉＮ膜を形成する。即ち、Ｏ２ガスを含有せずにＡｒガス及びＮ２ガスのみからなり、ガス圧が例えば０．２Ｐａである混合ガス雰囲気中において、Ｓｉ９９Ｎｉ１（原子％）からなるターゲットを使用し、ターゲットと基板との間の距離を１５ｃｍとし、パワー密度を例えば２．５Ｗ／ｃｍ２として反応性スパッタリングを行い、ＳｉＮｉＮ膜を成膜する。これは、図２及び図３において、酸素の添加量が０％の場合に相当するものである。図２及び図３より、Ｏ２ガスの添加量が０体積％であり、Ａｒガス添加量が７０体積％である場合に、屈折率が１．９５のＳｉＮｉＮ膜が得られているが、このＳｉＮｉＮ膜の成膜速度は、この条件にＯ２ガスを２体積％以上添加した場合に比べると遅く、酸窒化シリコンニッケル膜の方が、量産性が優れている。
【００６８】
次に、この屈折率が１．９５であるＳｉＮｉＮ膜を酸窒化物誘電体層３の替わりに使用した媒体（光ディスク）と、屈折率が１．４３の酸窒化シリコンニッケル膜を酸窒化物誘電体層３とした媒体（光ディスク）とにおける繰り返し記録／再生特性について説明する。以下に、両媒体の構成例を示す。なお、以下、例えば基板上に材料Ａからなり膜厚がａである膜が形成され、この膜上に材料Ｂからなり膜厚がｂである膜が形成されている場合を、（基板／Ａ（ａ）／Ｂ（ｂ））と記載する。
【００６９】
酸窒化物誘電体層３の替わりに屈折率が１．９５であるＳｉＮｉＮ膜を使用した場合の光ディスクの構成は、（基板／ＺｎＳ−ＳｉＯ２（５ｎｍ）／ＳｉＮｉＮ（４６ｎｍ）／ＺｎＳ−ＳｉＯ２（５０ｎｍ）／ＧｅＮ（５ｎｍ）／ＧｅＳｂＴｅ（１１ｎｍ）／ＧｅＮ（５ｎｍ）／ＺｎＳ−ＳｉＯ２（４６ｎｍ）／ＡｌＴｉ（１００ｎｍ））とする。一方、酸窒化物誘電体層３として屈折率が１．４３の酸窒化シリコンニッケル膜を使用した光ディスクの構成は、（基板／ＺｎＳ−ＳｉＯ２（３５ｎｍ）／酸窒化シリコンニッケル（４０ｎｍ）／ＺｎＳ−ＳｉＯ２（３０ｎｍ）／ＧｅＮ（５ｎｍ）／ＧｅＳｂＴｅ（１１ｎｍ）／ＧｅＮ（５ｎｍ）／ＺｎＳ−ＳｉＯ２（２５ｎｍ）／ＡｌＴｉ（１００ｎｍ））とする。
【００７０】
上述した２種類の光ディスクを、例えば５．９ｍ／秒の線速で回転させ、対物レンズの開口数が０．６５である光ヘッドを使用して、波長が４００ｎｍであるレーザ光を照射して、周波数が４ＭＨｚ、ｄｕｔｙ比が５０％の信号を繰り返し記録／再生する。そして、再生信号が初期値から１ｄＢ劣化するまでの繰り返し記録再生回数を測定する。その結果、屈折率が１．４３の酸窒化シリコンニッケル膜を使用した光ディスクは、５０万回までなんら信号の劣化は見られない。これに対して、屈折率が１．９５のＳｉＮｉＮ膜を使用した光ディスクは、約３万回から信号の劣化が観測される。
【００７１】
この理由は以下のように推定される。即ち、ＳｉＮｉＮ膜の屈折率（１．９５）は酸窒化シリコンニッケル膜の屈折率（１．４３）よりも高いため、Ａａ＜Ａｃの条件を満たすためには、窒化物誘電体層としてＳｉＮｉＮ膜を使用する光ディスクにおける第３誘電体層８（ＺｎＳ−ＳｉＯ２膜）の膜厚（４６ｎｍ）を、酸窒化物誘電体層として酸窒化シリコンニッケル膜を使用する光ディスクにおける第３誘電体層８の膜厚（２５ｎｍ）よりも厚くせざるを得ない。このため、レーザ光により供給された熱が反射層９側に逃げにくくなり、記録層６の劣化につながるものと考えられる。また、ＳｉＮｉＮ膜は比較的硬度が高く、膜に柔軟性がないため、記録再生を繰り返し行った際に生じる繰返し熱応力に耐え切れず、信号の劣化を誘発するものと考えられる。
【００７２】
このように、酸窒化物誘電体層３の替わりに、屈折率が約１．９５であるＳｉＮｉＮ膜を使用すると、ＳｉＯ２膜又はＡｌ２Ｏ３膜を使用する場合のように、膜密度低下によるノイズの増大という問題は発生しない。しかし、酸窒化物誘電体層３の替わりにＳｉＮｉＮ膜を使用すると、ＳｉＯ２膜又はＡｌ２Ｏ３膜を使用する場合と比較して、ＳｉＮｉＮ膜と第１の誘電体層との間の屈折率の差が小さくなる。このため、記録層の非晶質状態における光吸収率Ａａを結晶状態における光吸収率Ａｃよりも低くしようとすると、第３の誘電体層８の膜厚が大幅に制限される。このため、ＳｉＮｉＮ膜を使用しようとすると、光学式情報記録媒体全体の設計の自由度が小さくなり、また、第３の誘電体層８の膜厚が比較的厚くなるために、媒体に繰り返し記録／再生を行う際の繰り返し特性を確保することが困難になる。
【００７３】
上述の如く、酸窒化物誘電体層３の替わりに窒化シリコンニッケル膜（ＳｉＮｉＮ膜）を使用すると、光ディスクの生産性及び信頼性が低いものとなる。これに対して、酸窒化物誘電体層３として酸窒化シリコンニッケル膜（ＳｉＮｉＯＮ膜）を使用すると、量産性が高く、設計の自由度が大きく、信頼性が高い相変化型光ディスク媒体を得ることができる。
なお、図３より、ＳｉＮｉＯＮ膜においてもアルゴンガスの添加量が９０体積％、酸素ガス添加量が６体積％、残りが窒素ガスの添加量である場合には、酸窒化物誘電体層３の屈折率（ｎ２）が１．９５程度の膜が得られる。このような屈折率の値を持つＳｉＮｉＯＮ膜を酸窒化物誘電体層３として用いた場合には、上述したように屈折率が１．９５のＳｉＮｉＮ膜と同様に、Ａａ＜Ａｃの条件を満たすためには、第３誘電体層８（ＺｎＳ−ＳｉＯ２膜）の膜厚を、比較的厚くせざるを得ない。このため、レーザ光により供給された熱が反射層９側に逃げにくくなり、記録層６の劣化につながる。従って、酸窒化物誘電体層３としてＳｉＮｉＯＮ膜を用いる場合においても、屈折率の上限は１．９より小さいことが肝要である。
【００７４】
次に、本発明の第５の実施形態について説明する。本実施形態は、前述の第２の実施形態に係る光ディスクの製造方法であり、前述の第４の実施形態と比較して、酸窒化物誘電体層３として、第４の実施形態において成膜した酸窒化シリコンニッケル膜の替わりに、酸窒化アルミニウムニッケル膜を成膜する点が異なっている。本実施形態における上記以外の構成及び効果は、前述の第４の実施形態と同様である。
【００７５】
即ち、図１に示すように、前述の第４の実施形態と同様な方法により、透明基板１上に第１誘電体層２を形成する。次に、Ａｒガス、Ｎ２ガス及びＯ２ガスからなり、ガス圧が例えば０．２Ｐａである混合ガス雰囲気中において、Ａｌ９９Ｎｉ１（原子％）からなるターゲットを使用し、パワー密度を例えば２．５Ｗ／ｃｍ２として反応性スパッタリングを行い、第１誘電体層２上に酸窒化アルミニウムニッケル膜を例えば４０ｎｍの厚さに成膜し、酸窒化物誘電体層３とする。
【００７６】
このとき、混合ガスの組成は、（Ａｒ、Ｏ２、Ｎ２）体積％の表記で、（９０，９，１）体積％と（８０，１２，８）体積％と（７０，１２，８）体積％と（７０，２，２８）体積％と（８０，３，１７）体積％と（９０，７，３）体積％で囲まれた六角形とその内部の領域により示される組成とする。
【００７７】
次に、前述の第４の実施形態と同様な方法により、この酸窒化物誘電体層３上に、第２誘電体層４、第１界面層５、記録層６、第２界面層７、第３誘電体層８及び反射層９をこの順に形成し、透明基板を貼り合わせて、前述の第２の実施形態に係る光ディスクを作製する。
【００７８】
以下、酸窒化物誘電体層３を成膜する際の混合ガスの組成の好適範囲を、上述に示した六角形及びその内側に示す組成とする理由について説明する。
【００７９】
本第５実施形態に示す方法により、反応性スパッタリングにおける混合ガスの組成を、Ａｒガス添加量を６０乃至９５体積％、Ｏ２ガス添加量を０乃至１２体積％、Ｎ２ガス添加量を１乃至４０体積％の範囲で変化させて、酸窒化物誘電体層である酸窒化アルミニウムニッケル膜を成膜する。なお、前述の如く、ターゲットにはＡｌ９９Ｎｉ１（原子％）からなるターゲットを使用し、成膜時のガス圧は０．２Ｐａに固定する。
【００８０】
図７は、横軸に混合ガス中のＯ２ガスの添加量をとり、縦軸に酸窒化アルミニウムニッケル膜の成膜速度をとって、混合ガス中のＯ２ガスの添加量が成膜速度に及ぼす影響を示すグラフ図である。また、図８は、横軸に混合ガス中のＯ２ガスの添加量をとり、縦軸に酸窒化アルミニウム膜の屈折率をとって、混合ガス中のＯ２ガスの添加量が屈折率に及ぼす影響を示すグラフ図である。更に、図９は、横軸に混合ガス中のＯ２ガス添加量をとり、縦軸に酸化アルミニウムニッケル膜（ＡｌＮｉＯ膜）の成膜速度及び屈折率をとって、混合ガス中にＮ２ガスを添加しない場合において、混合ガス中のＯ２ガス添加量が成膜速度及び屈折率に及ぼす影響を示すグラフ図である。
【００８１】
図７に示すように、Ａｒガスの添加量が７０体積％以上であると、Ｏ２ガスの添加量の増加に伴い、成膜速度は増加する。また、Ｏ２ガス添加量を固定した場合、Ａｒガス添加量が多い条件ほど成膜速度は速くなる。Ａｒガスの添加量が６５体積％以下の条件では、Ｏ２ガスの添加量の増加に伴い、成膜速度は徐々に低下する。このような挙動は、前述の如く、酸窒化シリコンニッケル膜を反応性スパッタリング法により成膜する場合においても同様に認められる。
【００８２】
また、図８に示すように、Ｏ２ガスの添加量の増加に伴い、酸窒化アルミニウムニッケル膜の屈折率は徐々に低下するが、Ａｒガス添加量が少ない条件ほど屈折率は低い値を示す傾向がある。
【００８３】
一方、前述のように、酸窒化物誘電体層３に求められる屈折率の条件は、第１誘電体層２及び第２誘電体層４であるＺｎＳ−ＳｉＯ２膜の屈折率２．３５より低く、かつ第１及び第３の誘電体層との屈折率の差が大きいことである。これは酸窒化物誘電体層３がＳｉＮｉＯＮである場合に述べた理由と同一の理由によるものであり、また、量産性の観点から、成膜速度は可及的に速いことが求められる。このような条件を満たす添加ガスの混合条件は、（Ａｒ、Ｏ２、Ｎ２）体積％の表記で、（９０，９，１）体積％と（８０，１２，８）体積％と（７０，１２，８）体積％と（７０，２，２８）体積％と（８０，３，１７）体積％と（９０，７，３）体積％で囲まれた六角形とその内部の領域により示される組成であり、さらに好ましくは、成膜速度が最も速く、屈折率が低い条件として、Ａｒガスの添加量が７０体積％〜９０体積％の条件において、Ｏ２ガス添加量が９体積％の条件である。
【００８４】
このような条件で成膜される酸窒化物誘電体層３である酸窒化アルミニウムニッケル膜の屈折率（ｎ２）は、１．５乃至１．８の範囲にある。また、このような条件により酸窒化物誘電体層３を成膜して作製した相変化型光ディスク媒体において、記録層６の結晶状態における光吸収率及び非晶質状態における光吸収率を夫々測定すると、ｎ２＝１．５である場合には、Ａａ＝６０．２％、Ａｃ＝８１．８％であり、ｎ２＝１．８である場合には、Ａａ＝６０．２％、Ａｃ＝８１．５％であり、いずれの場合においても、Ａａ＜Ａｃを満たしている。また、このようにして作製した酸窒化アルミニウムニッケル膜の酸素濃度と膜密度をＳｉＮｉＯＮ膜と同様の方法により分析した。屈折率（ｎ２）が１．５である膜の場合、酸素濃度は６７．５原子％、膜の密度は２（ｇ／ｃｃ）、屈折率（ｎ２）が１．６の膜である場合、酸素濃度は５０原子％、膜の密度は２．２（ｇ／ｃｃ）、屈折率（ｎ２）が１．８である膜の場合、酸素濃度は３５原子％、膜の密度は２．４（ｇ／ｃｃ）である。また、Ａａ＜Ａｃを満たす第３誘電体層８の膜厚は、酸窒化物誘電体層３として酸窒化シリコンニッケル膜を使用する場合と同様に、１５乃至４０ｎｍの範囲となり、比較的膜厚マージンが広い媒体設計が可能である。
【００８５】
上述の条件で作製した相変化型光ディスク媒体の信頼性について説明する。本実施形態に係る光ディスクを、例えば５．９ｍ／秒の線速で回転させ、対物レンズの開口数０．６５である光ヘッドを使用して、波長が４０５ｎｍの青色レーザ光を照射して情報を記録する。先ず、ランド部に周波数が４ＭＨｚ、ｄｕｔｙ比が５０％の信号を記録した後、このランド部の両側に隣接するグルーブ部に、周波数が８ＭＨｚ、ｄｕｔｙ比が５０％の信号を繰り返し記録して、ランド部に記録された周波数が４ＭＨｚである信号のキャリアの変化を測定する。その結果、ランド部に隣接するグルーブ部で情報の書き換えを繰り返し行っても、ランド部に記録された信号はまったく影響を受けないことが確認される。また、この光ディスクに対して、周波数が４ＭＨｚ、ｄｕｔｙ比が５０％の信号を繰り返し記録しても、５０万回までキャリア及びノイズの変化はみられない。
【００８６】
次に、図９を参照して、混合ガス中にＮ２ガスを添加しない場合について説明する。この場合、酸窒化物誘電体層３（図１参照）の替わりに、反応性スパッタリング法により、ＡｌＮｉＯ膜を形成する。即ち、Ｎ２ガスを含有せずにＡｒガス及びＯ２ガスのみからなり、ガス圧が例えば０．２Ｐａである混合ガス雰囲気中において、Ａｌ９９Ｎｉ１（原子％）からなるターゲットを使用し、ターゲットと基板との間の距離を１５ｃｍとし、パワー密度を例えば２．５Ｗ／ｃｍ２として反応性スパッタリングを行い、ＡｌＮｉＯ膜を成膜する。このとき、混合ガス中のＯ２ガス添加量を変化させる。
【００８７】
図９に示すように、Ｏ２ガス添加量が１０乃至３０体積％の範囲で、屈折率が１．５０乃至１．７７程度のＡｌＮｉＯ膜が得られるが、成膜速度が１６Å／分以下であり、上述したＡｒガス、Ｏ２ガス及びＮ２ガスからなる混合ガス雰囲気中で膜を成膜する場合の成膜速度（１２０Å／分乃至２００Å／分程度）と比較して、極端に遅い。屈折率の値としては、Ａａ＜Ａｃを満たす条件になっているが、膜の成膜速度が著しく遅いため、量産性が優れた成膜方法とはいえない。このように、ターゲットとしてＡｌ９９Ｎｉ１（原子％）を使用し、Ａｒ等の希ガスに酸素ガスを混合して、ＡｌＮｉＯ膜の成膜を行うと、膜の成膜速度が極めて遅くなり、生産性が著しく低下する。
【００８８】
次に、混合ガスにＯ２ガスを添加しない場合について説明する。この場合は、酸窒化物誘電体層３（図１参照）の替わりに、反応性スパッタリング法により、ＡｌＮｉＮ膜を形成する。即ち、Ｏ２ガスを含有せずにＡｒガス及びＮ２ガスのみからなり、ガス圧が例えば０．２Ｐａである混合ガス雰囲気中において、Ａｌ９９Ｎｉ１（原子％）からなるターゲットを使用し、ターゲットと基板との間の距離を１５ｃｍとし、パワー密度を例えば２．５Ｗ／ｃｍ２として反応性スパッタリングを行い、ＡｌＮｉＮ膜を成膜する。これは、図７及び図８において、酸素の添加量が０％の場合に相当するものである。図７及び図８より、Ｏ２ガスの添加量が０体積％であり、Ａｒガス添加量が７０体積％である場合に、屈折率が１．９５のＡｌＮｉＮ膜が得られるが、このＡｌＮｉＮ膜の成膜速度は、この条件にＯ２ガスを２体積％以上添加した場合に比べると遅く、前述の第５の実施形態において述べた酸窒化アルミニウムニッケル膜の方が、量産性が優れている。
【００８９】
この屈折率が１．９５であるＡｌＮｉＮ膜を酸窒化物誘電体層３の替わりに使用した媒体（光ディスク）と、屈折率が１．５５である酸窒化アルミニウムニッケル膜を酸窒化物誘電体層３とした媒体（光ディスク）とにおける繰り返し記録／再生特性について説明する。
【００９０】
以下に、両媒体の構成を示す。酸窒化物誘電体層３の替わりに屈折率が１．９５であるＡｌＮｉＮ膜を使用した場合の光ディスクの構成は、例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（５ｎｍ）／ＡｌＮｉＮ（４１ｎｍ）／ＺｎＳ−ＳｉＯ２（５０ｎｍ）／ＧｅＮ（５ｎｍ）／ＧｅＳｂＴｅ（１１ｎｍ）／ＧｅＮ（５ｎｍ）／ＺｎＳ−ＳｉＯ２（５０ｎｍ）／ＡｌＴｉ（１００ｎｍ））とする。一方、酸窒化物誘電体層３として屈折率が１．５５の酸窒化アルミニウムニッケル膜を使用した光ディスクの構成を、例えば、（基板／ＺｎＳ−ＳｉＯ２（３５ｎｍ）／酸窒化アルミニウムニッケル（４０ｎｍ）／ＺｎＳ−ＳｉＯ２（３０ｎｍ）／ＧｅＮ（５ｎｍ）／ＧｅＳｂＴｅ（１１ｎｍ）／ＧｅＮ（５ｎｍ）／ＺｎＳ−ＳｉＯ２（２５ｎｍ）／ＡｌＴｉ（１００ｎｍ））とする。
【００９１】
上述の２種類の光ディスクを、例えば５．９ｍ／秒の線速で回転させ、対物レンズの開口数が０．６５である光ヘッドを使用して、波長が４００ｎｍであるレーザ光を照射して、周波数が４ＭＨｚ、ｄｕｔｙ比が５０％の信号を繰り返し記録／再生する。そして、再生信号が初期値から１ｄＢ劣化するまでの繰り返し記録再生回数を測定する。その結果、屈折率が１．５５の酸窒化アルミニウムニッケル膜を使用した光ディスクは、５０万回までなんら信号の劣化は見られない。これに対して、屈折率が１．９５のＡｌＮｉＮ膜を使用した光ディスクは、約３万回から信号の劣化が観測される。
【００９２】
この理由は以下のように推定される。即ち、ＡｌＮｉＮ膜の屈折率（１．９５）は酸窒化アルミニウムニッケル膜の屈折率（１．５５）よりも高いため、Ａａ＜Ａｃの条件を満たすためには、酸窒化物誘電体層３の替わりにＡｌＮｉＮ膜を使用する光ディスクにおける第３誘電体層８（ＺｎＳ−ＳｉＯ２膜）の膜厚（５０ｎｍ）を、酸窒化物誘電体層３として酸窒化アルミニウムニッケル膜を使用する光ディスクにおける第３誘電体層８の膜厚（２５ｎｍ）よりも厚くせざるを得ない。このため、レーザ光により供給された熱が反射層９側に逃げにくくなり、記録層６の劣化につながるものと考えられる。また、ＡｌＮｉＮ膜は比較的硬度が高く、膜に柔軟性がないため、記録再生を繰り返し行う際に生じる繰返し熱応力に耐え切れず、信号の劣化を誘発するものと考えられる。
【００９３】
上述の如く、酸窒化物誘電体層３の替わりに窒化アルミニウムニッケル膜（ＡｌＮｉＮ膜）を使用すると、光ディスクの生産性及び信頼性が低いものとなる。これに対して、酸窒化物誘電体層３として酸窒化アルミニウムニッケル膜（ＡｌＮｉＯＮ膜）を使用すると、量産性が高く、設計の自由度が大きく、信頼性が高い相変化型光ディスク媒体を得ることができる。
【００９４】
次に、本発明の第６の実施形態について説明する。本実施形態は、前述の第３の実施形態に係る光ディスクの製造方法である。本実施形態は、前述の第４の実施形態と比較して、酸窒化物誘電体層３として、第４の実施形態において成膜した酸窒化シリコンニッケル膜の替わりに、酸窒化アルミニウムシリコンニッケル膜（ＡｌＳｉＮｉＯＮ膜）を成膜する点が異なっている。本実施形態における上記以外の構成及び効果は、前述の第４の実施形態と同様である。
【００９５】
即ち、図１に示すように、前述の第４の実施形態と同様な方法により、透明基板１上に第１誘電体層２を形成する。次に、Ａｒガス、Ｎ２ガス及びＯ２ガスからなり、ガス圧が例えば０．２Ｐａである混合ガス雰囲気中において、（ＡｌＳｉ）９９Ｎｉ１（原子％）からなるターゲットを使用し、パワー密度を例えば２．５Ｗ／ｃｍ２として反応性スパッタリングを行い、第１誘電体層２上に酸窒化アルミニウムシリコンニッケル膜を例えば４０ｎｍの厚さに成膜し、酸窒化物誘電体層３とする。このとき、混合ガスの組成は、（Ａｒ、Ｏ２、Ｎ２）体積％の表記で、（９０，９，１）体積％と（８０，１２，８）体積％と（７０，１２，８）体積％と（７０，２，２８）体積％と（８０，３，１７）体積％と（９０，７，３）体積％で囲まれた六角形とその内部の領域により示される組成範囲となる。
【００９６】
次に、前述の第４の実施形態と同様な方法により、この酸窒化物誘電体層３上に、第２誘電体層４、第１界面層５、記録層６、第２界面層７、第３誘電体層８及び反射層９をこの順に形成し、透明基板を貼り合わせて、前述の第３の実施形態に係る光ディスクを作製する。
【００９７】
以下、酸窒化物誘電体層３を成膜する際の混合ガスの組成の好適範囲を、（Ａｒ、Ｏ２、Ｎ２）体積％の表記で、（９０，９，１）体積％と（８０，１２，８）体積％と（７０，１２，８）体積％と（７０，２，２８）体積％と（８０，３，１７）体積％と（９０，７，３）体積％で囲まれた六角形とその内部の領域により示される組成とする理由について説明する。
【００９８】
本第６実施形態に示す方法により、反応性スパッタリングにおける混合ガスの組成を、Ａｒガス添加量を６０乃至９５体積％、Ｏ２ガス添加量を０乃至１２体積％、Ｎ２ガス添加量を１乃至４０体積％の範囲で変化させて、酸窒化物誘電体層である酸窒化アルミニウムシリコンニッケル膜を成膜する。なお、前述の如く、ターゲットには（ＡｌＳｉ）９９Ｎｉ１（原子％）からなるターゲットを使用し、成膜時のガス圧は０．２Ｐａで一定である。
【００９９】
この結果、前述の第４の実施形態と同様に、Ａｒガスの添加量が７０体積％以上であると、Ｏ２ガスの添加量の増加に伴い、成膜速度は増加する。また、Ｏ２ガスの添加量の増加に伴い、酸窒化アルミニウムシリコンニッケル膜の屈折率は徐々に低下するが、Ａｒガス添加量が少ない条件ほど屈折率は低い値を示す傾向がある。
【０１００】
このような結果から、酸窒化物誘電体層３として酸窒化アルミニウムシリコンニッケル膜を使用する場合において、酸窒化物誘電体層３の屈折率を１．４３乃至１．８とし、且つ、酸窒化アルミニウムシリコンニッケル膜の成膜速度を高くするためには、反応性スパッタリングを行う際の混合ガスの組成を、（Ａｒ、Ｏ２、Ｎ２）体積％の表記で、（９０，９，１）体積％と（８０，１２，８）体積％と（７０，１２，８）体積％と（７０，２，２８）体積％と（８０，３，１７）体積％と（９０，７，３）体積％で囲まれた六角形とその内部の領域により示される組成とすることが好ましい。
【０１０１】
このような方法により酸窒化物誘電体層３を成膜した相変化型光ディスク媒体において、記録層６の結晶状態における光吸収率（Ａｃ）及び非晶質状態における光吸収率（Ａａ）を夫々測定すると、ｎ２＝１．４３である場合には、Ａａ＝６２．２％、Ａｃ＝８２．４％であり、ｎ２＝１．８である場合には、Ａａ＝６０．２％、Ａｃ＝８１．５％であり、いずれの場合においても、Ａａ＜Ａｃを満たしている。また、このようにして作製した酸窒化アルミニウムシリコンニッケル膜の酸素濃度と膜密度を、ＳｉＮｉＯＮ膜の場合と同様の方法により分析した。屈折率（ｎ２）が１．４３である膜の場合、酸素濃度は６７．５原子％、膜の密度は２ｇ／ｃｃ、屈折率（ｎ２）が１．６の膜である場合、酸素濃度は５０原子％、膜の密度は２．２ｇ／ｃｃ、屈折率（ｎ２）が１．８である膜の場合、酸素濃度は３９原子％、膜の密度は２．４ｇ／ｃｃである。また、Ａａ＜Ａｃを満たす第３誘電体層８の膜厚は、酸窒化物誘電体層３として酸窒化シリコンニッケル膜を使用する場合と同様に、１５乃至４０ｎｍの範囲となり、比較的膜厚マージンが広い媒体設計が可能である。このように、本実施形態によれば、Ａａ＜Ａｃを満たし、かつ、繰り返し記録再生特性に優れた光ディスクを、生産性よく製造することができる。
【０１０２】
本実施形態に係る相変化型光ディスク媒体の信頼性について説明する。この光ディスクを、例えば５．９ｍ／秒の線速で回転させ、対物レンズの開口数が０．６５である光ヘッドを使用して、波長が４０５ｎｍの青色レーザ光を照射して情報を記録する。先ず、ランド部に周波数が４ＭＨｚ、ｄｕｔｙ比が５０％の信号を記録した後、このランド部の両側に隣接するグルーブ部に周波数が８ＭＨｚ、ｄｕｔｙ比が５０％の信号を繰り返し記録して、ランド部に記録した周波数が４ＭＨｚである信号のキャリアの変化を測定する。その結果、ランド部に隣接するグルーブ部で情報の書き換えを繰り返し行っても、ランド部に記録された信号はまったく影響を受けない。また、この光ディスクに対して、周波数が４ＭＨｚ、ｄｕｔｙ比が５０％の信号を繰り返し記録すると、５０万回までキャリア及びノイズの変化はみられない。
【０１０３】
以上の実施形態では、酸窒化物誘電体層３を成膜する場合に、Ｓｉ、Ａｌ又はＡｌＳｉを主成分とするターゲット母材に、Ｎｉを１（原子％）添加した場合の膜特性及び媒体特性について述べた。
【０１０４】
図１０は、Ｓｉを主成分とするターゲット母材にＮｉを１（原子％）添加したＳｉＮｉＯＮ膜の成膜速度とＮｉを添加しないＳｉＯＮ膜の成膜速度を比較したものである。また、図１１は同様に屈折率を比較したものである。いずれの膜も、Ａｒガスの含有量は８０体積％の条件で成膜したものを代表例として示した。図１０より成膜速度は、ＳｉＮｉＯＮ膜ではＯ２添加量が９体積％で最大値２３０Å／分、ＳｉＯＮ膜ではＯ２添加量が７体積％で最大値１０８Å／分を示す。この比較により、Ｎｉを添加したＳｉＮｉＯＮ膜は従来のＳｉＯＮ膜に比べ、２倍以上の速い成膜速度を有していることが確認できる。なお、屈折率は、夫々１．５であり、同じ値を示している。これは、ＳｉターゲットにＮｉを添加することで、Ｓｉターゲット表面のＳｉに対する酸化反応を抑制し、スパッタリング率を高めたことによるものと推定している。この現象は、Ａｌ又はＡｌＳｉを主成分とするターゲット母材に、Ｎｉを添加したＡｌＮｉＯＮ膜やＡｌＳｉＮｉＯＮ膜においても同様に確認できており、成膜速度の速い生産性に優れた酸窒化誘電体膜が得られることが判っている。
【０１０５】
なお、以上に述べた実施形態では、酸窒化物誘電体層３を成膜する場合に、Ｓｉ又はＡｌ又はＡｌＳｉを主成分とするターゲット母材に、Ｎｉを１（原子％）添加した場合について述べたが、ＮｉのかわりにＴｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔａ、Ｃ及びＣｕを同様に添加した場合においても、上述と同様に、従来のＳｉＯＮ膜に比べ、屈折率が同程度で、かつ、成膜速度がより速い膜が得られていることは確認済みである。下記表１は、各膜の最大成膜速度及び屈折率を従来のＳｉＯＮと比較したものである。従来のＳｉＯＮ膜の最大成膜速度はＡｒガスの含有量が８０体積％の条件では、１０８Å／ｍｉｎ、屈折率は１．４９９である。
【０１０６】
【表１】
2005251279.tif 000003
【０１０７】
この表１より、いずれの膜も、従来のＳｉＯＮ膜と比べ、成膜速度が速く、生産性に優れていることが判る。
【０１０８】
以上に述べた第４〜第６の実施形態においては、酸窒化物誘電体層３を成膜する場合に、Ｓｉ又はＡｌ又はＡｌＳｉを主成分とするターゲット母材に、Ｎｉを１（原子％）添加した場合の膜特性及び媒体特性について述べた。以下の実施形態では、上述した各ターゲット母材に添加するＮｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔａ、Ｃ及びＣｕの添加量が０．２（原子％）〜１０（原子％）の範囲に限定される理由について述べる。
【０１０９】
先ず、本発明の第７の実施形態について説明する。酸窒化物誘電体層３を成膜する場合に、Ｓｉ又はＡｌ又はＡｌＳｉを主成分とするターゲット母材に、添加するＮｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔａ、Ｃ及びＣｕの添加量を０（原子％）〜１５（原子％）の範囲で変化させて成膜を行い、成膜速度及び屈折率の振る舞いと添加物の量について検討を行った。その結果、各添加物の添加量が０（原子％）〜１５（原子％）の範囲では、成膜速度及び屈折率に関しては、添加物が異なっても大きな変化はみられなかった。しかしながら、上述した添加物を添加した酸窒化物誘電体層３を用いた光ディスク媒体の記録感度及びその媒体の環境試験を行った際の反射率変化に僅かな変化がみられる添加量域が存在することが判った。なお、以下に示す評価媒体の媒体構成は、酸窒化物誘電体層３の構成材料及び組成を除き、上述した第４実施形態〜第６実施形態の構成と同一である。
【０１１０】
本発明の第８の実施形態として、添加物にＮｉを選択し、添加量を０（原子％）〜１５（原子％）の範囲で変化させて成膜を行った光ディスク媒体の環境試験結果を示す。環境試験は、恒温恒湿槽に８０℃９０％３０００時間保持したのち、試料を取り出して、環境試験前後の反射率の変化（△Ｒ（％）＝試験前反射率−試験後反射率）を調べた。下記表２は、添加物がＮｉの場合の添加量ｘ（原子％）と△Ｒ（％）の関係を示す。
【０１１１】
【表２】
2005251279.tif 000004
【０１１２】
次に、同じ添加物Ｎｉを用い、添加量ｘ（原子％）を０（原子％）〜１５（原子％）の範囲で変化させて成膜した光ディスク媒体の記録感度（記録パワー（ｍＷ））と添加物の添加量ｘ（原子％）との関係を下記表３に示す。
【０１１３】
【表３】
2005251279.tif 000005
【０１１４】
一般的には、媒体特性としては、環境試験前後での反射率差は限りなくゼロが望ましく、記録感度は高い（つまり、最適記録パワーは小さくなる方向）方が望ましい。よって、これらのことを考慮すると、表１及び表２より、Ｓｉ又はＡｌ又はＡｌＳｉのターゲット母材にＮｉを添加する場合には、Ｎｉの添加量が、０．１５（原子％）〜１１（原子％）の範囲でその効果が認められ、さらに、望ましくは、０．２（原子％）〜１０（原子％）の範囲であれば組成マージンも含めて、反射率変化がなく、高感度な光学的情報記録媒体が得られる。
【０１１５】
本発明の第９の実施形態として、添加物にＴｉを選択し、添加量を０（原子％）〜１５（原子％）の範囲で変化させて成膜を行った光ディスク媒体の環境試験結果を示す。環境試験は、恒温恒湿槽に８０℃９０％３０００時間保持したのち、試料を取り出して、環境試験前後の反射率の変化（△Ｒ（％）＝試験前反射率−試験後反射率）を調べた。表４は、添加物がＴｉの場合の添加量ｘ（原子％）と△Ｒ（％）の関係を示す。
【０１１６】
【表４】
2005251279.tif 000006
【０１１７】
次に、同じ添加物Ｔｉを用い、添加量ｘを０（原子％）〜１５（原子％）の範囲で変化させて成膜を行った光ディスク媒体の記録感度（記録パワー：ｍＷ）と添加物の添加量ｘ（原子％）の関係を表５に示す。
【０１１８】
【表５】
2005251279.tif 000007
【０１１９】
表４及び表５より、Ｓｉ又はＡｌ又はＡｌＳｉのターゲット母材にＴｉを添加する場合には、Ｔｉの添加量が、０．１５（原子％）〜１１（原子％）の範囲でその効果が認められ、さらに、望ましくは、０．２（原子％）〜１０（原子％）の範囲であれば組成マージンも含めて、反射率変化がなく、高感度な光学的情報記録媒体が得られる。
【０１２０】
本発明の第１０の実施形態として、添加物にＣｒを選択し、添加量を０（原子％）〜１５（原子％）の範囲で変化させて成膜を行った光ディスク媒体の環境試験結果を示す。環境試験は、恒温恒湿槽に８０℃９０％３０００時間保持したのち、試料を取り出して、環境試験前後の反射率の変化（△Ｒ（％）＝試験前反射率−試験後反射率）を調べた。下記表６は、添加物がＣｒの場合の添加量ｘ（原子％）と△Ｒ（％）の関係を示す。
【０１２１】
【表６】
2005251279.tif 000008
【０１２２】
次に、同じ添加物Ｃｒを用い、添加量を０（原子％）〜１５（原子％）の範囲で変化させて成膜を行った光ディスク媒体の記録感度と添加物の関係を表７に示す。表７は添加物がＣｒの場合の添加量と最適記録パワーとの関係を示す。但し、記録パワーの単位はｍＷである。
【０１２３】
【表７】
2005251279.tif 000009
【０１２４】
表６及び表７より、Ｓｉ又はＡｌ又はＡｌＳｉのターゲット母材にＣｒを添加する場合には、Ｃｒの添加量が、０．１５（原子％）〜１１（原子％）の範囲でその効果が認められ、さらに、望ましくは、０．２（原子％）〜１０（原子％）の範囲であれば組成マージンも含めて、反射率変化がなく、高感度な光学的情報記録媒体が得られる。
【０１２５】
上述した第８乃至第１０実施形態と同様に、添加物として、上記以外に、Ｃｏ、Ｔａ、Ｃ及びＣｕを検討した結果、いずれの添加物においても、Ｓｉ又はＡｌ又はＡｌＳｉのターゲット母材に添加する場合には、添加物の添加量が０．１５（原子％）〜１１（原子％）の範囲でその効果が認められ、さらに、望ましくは、０．２（原子％）〜１０（原子％）の範囲であれば組成マージンも含めて、反射率変化がなく、高感度な光学的情報記録媒体が得られることを確認した。
【０１２６】
以上のことから、Ｓｉ又はＡｌ又はＡｌＳｉのターゲット母材に、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔａ、Ｃ及びＣｕを添加する場合には、その添加量は、０．２（原子％）〜１０（原子％）の範囲が望ましいことが判る。
【０１２７】
なお、上述した第８乃至第１０実施形態において、添加物の添加量が０（原子％）の場合は、非特許文献１に記載のＳｉ系酸窒化物誘電体層（ＳｉＯＮ膜）と同等の誘電体層となり、上述した表２〜表７に記載されたように、上述した添加物がない場合には、環境試験前後での反射率の値が変化しており、長時間の媒体使用時に特性の経時変化が起きることが確認できた。
【０１２８】
また、上述した第１乃至第１０実施形態では、いわゆる基板入射タイプの光学的情報記録媒体について言及してきたが、上述した実施例記載のＳｉ系酸窒化物誘電体層又はＡｌ系酸窒化物誘電体層又はＡｌＳｉ系酸窒化物誘電体層を基板入射タイプとは逆積層されたフィルム層入射タイプの光学的情報記録媒体に用いても同様の効果が認められる。以下に、図を用いてその実施形態について具体的に説明する。
【０１２９】
図１２は本発明の第１１の実施形態に係るフィルム層入射タイプの光学的情報記録媒体を示す断面図である。本実施形態は、酸窒化物誘電体層として、例えば、酸窒化シリコンニッケル膜（ＳｉＮｉＯＮ）を用いた場合のものである。図１２に示すように、本実施形態に係る光ディスクにおいては、基板１１上に、反射層１２、第１誘電体層１３、第１界面層１４、情報記録層１５、第２界面層１６、第２誘電体層１７、酸窒化物誘電体層１８、及び第３誘電体層１９がこの順に積層されている。そして、第３誘電体層１９の上には、薄い透明なフィルム２０が貼り合わされており、情報の記録、再生のためのレーザ光は、この透明なフィルム２０側から入射される。
【０１３０】
基板１１は、例えばプラスチック、樹脂又はガラスからなる基板であり、その厚さは例えば１．１ｍｍである。なお、この基板１１は基板入射タイプとは異なりこの面からレーザ光が入射するわけではないため、必ずしも透明でなくともよい。また、基板１１においては、略同一周期で蛇行するランド及びグルーブが交互に形成されて記録トラックとなっている。更に、基板１１には、この記録トラックにおけるグルーブの蛇行を変調することにより形成されたウォブル変調方式のフォーマット変調部が形成されている。そして、相互に隣接する記録トラック間において、各記録トラックにおけるフォーマット変調部は、半径方向に相互に重ならないように配置されている。
【０１３１】
また、第１誘電体層１３、第２誘電体層１７及び第３誘電体層１９は、例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ２により形成されている。酸窒化物誘電体層１８は、例えば、酸窒化シリコンニッケル（ＳｉＮｉＯＮ）等の酸窒化物誘電体により形成されている。この酸窒化物誘電体層１８である酸窒化シリコンニッケル膜は、反応性スパッタリングにより成膜されており、その酸素含有量は例えば３９乃至６７．５原子％である。第１界面層１４及び第２界面層１６は、例えば、ＧｅＮにより形成されており、情報記録層１５は、例えば、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５により形成されている。更に、反射層１２は、例えばＡｌＴｉにより形成されている。更にまた、第３誘電体層１９上に貼りあわされた薄い透明なフィルム２０はポリカーボネイト（ＰＣ）からなり厚さは例えば０．１ｍｍである。
【０１３２】
そして、記録層１５の非晶質状態における光吸収率Ａａは、結晶状態における光吸収率Ａｃよりも低くなっている。Ａａ＜Ａｃとするため、各層の屈折率は以下のように設定されている。薄い透明なフィルム２０の屈折率は、一般的に１．５乃至１．６程度である。このため、第３誘電体層１９の屈折率は、これより高い屈折率とする必要がある。なぜならば、第３誘電体層１９の屈折率ｎ１９が薄い透明なフィルム２０の屈折率ｎ２０と実質的に等しいと、第３誘電体層１９と薄い透明なフィルム２０とが光学的に略等価となり、上述のＡａ＜Ａｃを満たすことができなくなるからである。また、第３誘電体層１９は、薄い透明なフィルム２０に対して密着性が良好である必要がある。そこで、第３誘電体層１９、第２誘電体層１７及び第１誘電体層１３をＺｎＳ−ＳｉＯ２膜により形成する。ＺｎＳ−ＳｉＯ２膜の屈折率は、約２．３５である。
【０１３３】
そして、酸窒化物誘電体層１８を形成する酸窒化シリコンニッケル膜の屈折率は、１．４３乃至１．８程度である。これにより、酸窒化物誘電体層１８の屈折率ｎ１８と第２誘電体層１７の屈折率ｎ１７との間の関係はｎ１８＜ｎ１７となり、第３誘電体層１９の屈折率ｎ１９と酸窒化物誘電体層１８の屈折率ｎ１８との間の関係はｎ１９＞ｎ１８となる。これにより、記録層１５の非晶質状態における光吸収率Ａａを、結晶状態における光吸収率Ａｃよりも低くすることができる。
【０１３４】
なお、酸窒化物誘電体層１８を形成する酸窒化シリコンニッケル膜の酸素濃度及びＮｉの添加量は、既に述べた第１実施形態〜第１０実施形態と同一の範囲にある。これは、膜の積層順序が、基板入射タイプとカバー層入射タイプで異なるのみであり、個々の膜が担う役割に変わりがないためである。
【０１３５】
従って、本第１１実施形態では、酸窒化物誘電体層１８として、酸窒化シリコンニッケル（ＳｉＮｉＯＮ）を一例として用いたが、この酸窒化物誘電体層１８としては、上述した第１乃至第１０実施形態に記載されている他の酸窒化物誘電体層を用いても同様の効果がある。
【０１３６】
なお、上述の第１乃至第１０の実施形態における第１誘電体層２、第２誘電体層４、第１界面層５、記録層６、第２界面層７、第３誘電体層８の組成、各層を構成する層の層数及び成膜方法等及び、第１１の実施形態における第１誘電体層１３、第２誘電体層１７、第１界面層１４、記録層１５、第２界面層１６、第３誘電体層１９の組成、各層を構成する層の層数及び成膜方法等は、上述のものに限定されるものではなく、要求される記録再生特性及び用途に応じて適宜選択することができ、これらの条件を適宜選択した媒体に対しても、前述の第１乃至第１１の実施形態と同様な効果を得ることができる。
【０１３７】
また、透明基板１及び薄い透明なフィルム２０の材料及び厚さは、上述の材料及び厚さに限定されるものではなく、必要に応じて適宜選択することができ、これらの適宜選択した透明基板を使用した媒体に対しても、上述の第１乃至第１１の実施形態と同様な効果が得られる。
【０１３８】
更に、上述の第４乃至第１１の実施形態においては、酸窒化シリコンニッケル膜、酸窒化アルミニウムニッケル膜及び酸窒化アルミニウムシリコンニッケル膜を成膜する際の反応性スパッタリングにおける雰囲気ガスのガス圧が０．２Ｐａである場合について説明したが、ガス圧が０．０９乃至０．５Ｐａの範囲において、上述したＡｒガス、Ｏ２ガス及びＮ２ガスの添加量で同様の成膜速度及び屈折率を有する酸窒化シリコンニッケル膜、酸窒化アルミニウムニッケル膜及び酸窒化アルミニウムシリコンニッケル膜が得られ、第１乃至第１１の実施形態に示した特性と同等の特性が得られることは確認済みである。
【０１３９】
更にまた、上述の第４乃至第１０の実施形態においては、酸窒化物誘電体層３をまた、第１１の実施形態においては酸窒化物誘電体層１８を反応性スパッタリングにより成膜する際のターゲットとして、シリコン（Ｓｉ９９Ｎｉ１（原子％））、アルミニウム（Ａｌ９９Ｎｉ１（原子％））又は（（ＡｌＳｉ）９９Ｎｉ１）（原子％）からなるターゲットを使用する例を示したが、本発明はこれに限定されず、例えば、ＳｉＮｉＯ、ＡｌＮｉＯ又はＳｉＡｌＮｉＯからなるターゲットを使用し、Ａｒガス等の希ガス、酸素ガス及び窒素ガスからなる混合ガス雰囲気中にて反応性スパッタリングを行っても、上述の第４乃至第１１の実施形態と同様な効果が得られることが確認されている。
【０１４０】
更にまた、上述の第４乃至第１１の実施形態においては、媒体を構成する薄膜の形成装置としてインラインタイプの成膜装置を使用する例を示したが、基板を１枚づつ処理する枚様式の成膜装置を使用しても、同様な効果が得られことはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【０１４１】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る光ディスクを示す断面図である。
【図２】横軸に混合ガス中のＯ２ガスの添加量をとり、縦軸に酸窒化シリコンニッケル膜の成膜速度をとって、混合ガス中のＯ２ガスの添加量が成膜速度に及ぼす影響を示すグラフ図である。
【図３】横軸に混合ガス中のＯ２ガスの添加量をとり、縦軸に酸窒化シリコンニッケル膜の屈折率をとって、混合ガス中のＯ２ガスの添加量が屈折率に及ぼす影響を示すグラフ図である。
【図４】横軸に酸窒化シリコンニッケル膜の屈折率をとり、縦軸に膜中に含まれるシリコン、酸素、窒素及びニッケルの含有量をとって、各屈折率を有する膜の各元素の含有量を示すグラフ図である。
【図５】横軸に酸窒化シリコンニッケル膜の屈折率をとり、縦軸に膜の密度をとって、各屈折率を有する膜の密度を示すグラフ図である。
【図６】横軸に混合ガス中のＯ２ガス添加量をとり、縦軸に酸化シリコンニッケル膜の成膜速度及び屈折率をとって、混合ガス中にＮ２ガスを添加しない場合において、混合ガス中のＯ２ガス添加量が成膜速度及び屈折率に及ぼす影響を示すグラフ図である。
【図７】横軸に混合ガス中のＯ２ガスの添加量をとり、縦軸に酸窒化アルミニウムニッケル膜の成膜速度をとって、混合ガス中のＯ２ガスの添加量が成膜速度に及ぼす影響を示すグラフ図である。
【図８】横軸に混合ガス中のＯ２ガスの添加量をとり、縦軸に酸窒化アルミニウムニッケル膜の屈折率をとって、混合ガス中のＯ２ガスの添加量が屈折率に及ぼす影響を示すグラフ図である。
【図９】横軸に混合ガス中のＯ２ガス添加量をとり、縦軸に酸化アルミニウムニッケル膜（ＡｌＮｉＯ膜）の成膜速度及び屈折率をとって、混合ガス中にＮ２ガスを添加しない場合において、混合ガス中のＯ２ガス添加量が成膜速度及び屈折率に及ぼす影響を示すグラフ図である。
【図１０】横軸に混合ガス中のＯ２ガス添加量をとり、縦軸にＳｉＮｉＯＮ膜及びＳｉＯＮ膜の成膜速度をとって、Ｎｉ添加有無の場合の成膜速度の比較を行ったグラフ図である。
【図１１】横軸に混合ガス中のＯ２ガス添加量をとり、縦軸にＳｉＮｉＯＮ膜及びＳｉＯＮ膜の屈折率をとって、Ｎｉ添加有無の場合の屈折率の比較を行ったグラフ図である。
【図１２】本発明の第１１の実施形態に係る光ディスクを示す断面図である。
【符号の説明】
【０１４２】
１；透明基板
２；第１誘電体層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２膜）
３；酸窒化物誘電体層（酸窒化膜）
４；第２誘電体層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２膜）
５；第１界面層（ＧｅＮ膜）
６；記録層（Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５膜）
７；第２界面層（ＧｅＮ膜）
８；第３誘電体層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２膜）
９；反射層（ＡｌＴｉ膜）
１１；基板
１２；反射層（ＡｌＴｉ膜）
１３；第１誘電体層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２膜）
１４；第１界面層（ＧｅＮ膜）
１５；記録層（Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５膜）
１６；第２界面層（ＧｅＮ膜）
１７；第２誘電体層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２膜）
１８；酸窒化物誘電体層（酸窒化膜）
１９；第３誘電体層（ＺｎＳ−ＳｉＯ２膜）
２０；透明フィルム
【図１】
2005251279.tif 000010
【図２】
2005251279.tif 000011
【図３】
2005251279.tif 000012
【図４】
2005251279.tif 000013
【図５】
2005251279.tif 000014
【図６】
2005251279.tif 000015
【図７】
2005251279.tif 000016
【図８】
2005251279.tif 000017
【図９】
2005251279.tif 000018
【図１０】
2005251279.tif 000019
【図１１】
2005251279.tif 000020
【図１２】
2005251279.tif 000021