(57)【要約】【課題】  出力信号の補正に用いられる基準信号の変動を無くすことが可能な固体撮像素子を提供する。【解決手段】  一部が遮光された複数のフォトダイオード１と、フォトダイオード１から信号電荷を読み出して垂直方向に転送する垂直ＣＣＤ２と、垂直ＣＣＤ２により転送された信号電荷を受け取って、水平方向に転送する水平ＣＣＤ５と、水平ＣＣＤ５の過剰な信号電荷が掃き出される信号掃き出し用ドレイン部８と、水平ＣＣＤ５と前記信号掃き出し用ドレイン部８との間にポテンシャルバリアを形成するオーバーフロードレインゲート部７とを備え、オーバーフロードレインゲート部７は、遮光されたフォトダイオード１の信号電荷を受け取る水平ＣＣＤ５の一部又は全部と、信号掃き出し用ドレイン部８との間にポテンシャルバリアを形成しない。【選択図】        図２
2005333049.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号電荷を生成する複数のフォトダイオードと、
前記フォトダイオードの一部を遮光する遮光手段と、
前記フォトダイオードから信号電荷を読み出して垂直方向に転送する垂直ＣＣＤと、
前記垂直ＣＣＤにより転送された信号電荷を受け取って、水平方向に転送する水平ＣＣＤと、
前記水平ＣＣＤの過剰な信号電荷が掃き出される信号掃き出し用ドレイン部と、
前記水平ＣＣＤと前記信号掃き出し用ドレイン部との間にポテンシャルバリアを形成するオーバーフロードレインゲート部とを備え、
前記オーバーフロードレインゲート部は、遮光された前記フォトダイオードの信号電荷を受け取る前記水平ＣＣＤの全部又は一部と、前記信号掃き出し用ドレイン部との間に前記ポテンシャルバリアを形成しない
ことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
前記オーバーフロードレインゲート部と前記水平ＣＣＤとは互いに隣接して半導体基板に形成され、
前記半導体基板は、前記ポテンシャルバリアを形成する前記オーバーフロードレインゲート部が形成される第１の部分と、前記ポテンシャルバリアを形成しないオーバーフロードレインゲート部が形成される第２の部分と、前記水平ＣＣＤが形成される第３の部分とを備え、
前記第１の部分は、隣接する前記第３の部分に形成される不純物拡散領域よりも低不純物濃度の不純物拡散領域を有し、
前記第２の部分は、隣接する前記第３の部分に形成される不純物拡散領域と同じ不純物濃度の不純物拡散領域を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記オーバーフロードレインゲート部と前記水平ＣＣＤとは互いに隣接して半導体基板に形成され、
前記半導体基板は、前記ポテンシャルバリアを形成する前記オーバーフロードレインゲート部が形成される第１の部分と、前記ポテンシャルバリアを形成しないオーバーフロードレインゲート部が形成される第２の部分と、前記水平ＣＣＤが形成される第３の部分とを備え、
前記第１の部分および前記第２の部分は、隣接する前記第３の部分に形成される不純物拡散領域よりも低不純物濃度の不純物拡散領域を有し、
前記第１の部分および第２の部分上には、ゲート電極が形成され、
前記第３の部分上には、転送電極が形成され、
前記第１の部分上のゲート電極には、前記転送電極に印加される駆動パルスと同じ駆動パルスが印加され、
前記第２の部分上のゲート電極には、前記転送電極に印加される駆動パルスと異なる駆動パルスが印加される
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項４】
前記第２の部分上のゲート電極に印加される駆動パルスは、前記転送電極に印加される駆動パルスより振幅が大きい
ことを特徴とする請求項３に記載の固体撮像素子。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の固体撮像素子を備える
ことを特徴とするカメラ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は固体撮像素子に関し、特にフォトダイオードの一部を遮光し、この遮光されたフォトダイオードから得られた信号電荷を基準信号とする機能を持つ固体撮像素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）固体撮像素子は、デジタルスチルカメラの小型化、高解像度化、高性能化および高画質化の要望に応えるため、小型化、高画素化、撮像性能の向上および高画質化を目指した開発が進められている。高画質化したＣＣＤ固体撮像素子の一例としては、オーバーフロードレイン構造を有するＣＣＤ固体撮像素子がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
以下、オーバーフロードレイン構造を有する従来のＣＣＤ固体撮像素子について、図６、図７、図８および図９を参照して説明する。
図６は、ＣＣＤ固体撮像素子の構成を示す図である。
【０００４】
ＣＣＤ固体撮像素子は、入射光を光電変換して信号電荷を生成する複数のフォトダイオード１、およびフォトダイオード１の信号電荷を読み出して垂直方向に転送する垂直ＣＣＤ２とからなる撮像部４と、フォトダイオード１を遮光する遮光膜が形成された基準信号レベルを生成するための領域であるオプティカルブラック領域部３と、垂直ＣＣＤ２により転送された信号電荷をパラレルに受け取ってシリアルに出力する水平ＣＣＤ５と、出力アンプ部６と、水平ＣＣＤ５に沿って形成され、水平ＣＣＤ５の過剰な信号電荷を掃き出させるオーバーフロードレインゲート部７と、水平ＣＣＤ５と共にオーバーフロードレインゲート部７を挟むように形成され、水平ＣＣＤ５の過剰な信号電荷が掃き出される信号掃き出し用ドレイン部８とから構成される。
【０００５】
図７は、水平ＣＣＤ５の断面構造（図６のＣ−Ｃ’における断面構造）とポテンシャル分布とを示す図である。
水平ＣＣＤ５は、第一層ポリシリコン電極と第二層ポリシリコン電極とで構成された転送電極と、第一層ポリシリコン電極下の半導体基板に形成されたｎ型拡散層（ｎ（ＨＣＣＤ））と、第二層ポリシリコン電極下の半導体基板に形成されたｎ−型拡散層（ｎ−（ＨＣＣＤ））とから構成される。このとき、ｎ−型拡散層（ｎ−（ＨＣＣＤ））は、ｎ型拡散層（ｎ（ＨＣＣＤ））よりも低いｎ型不純物濃度を有する。
【０００６】
水平ＣＣＤ５において、図７のポテンシャル分布に示すように、第一層ポリシリコン電極により制御されるｎ型拡散層（ｎ（ＨＣＣＤ））と、第二層ポリシリコン電極により制御されるｎ−型拡散層（ｎ−（ＨＣＣＤ））との間にはポテンシャル段差が生じる。水平ＣＣＤ５は、このポテンシャル段差の付いた隣り合う第一層ポリシリコン電極および第二層ポリシリコン電極を一組の転送電極とし、隣り合う転送電極への、互いに電位相が９０度ずれたφＨ１およびφＨ２の駆動パルスの印加に応じて、２相駆動で出力アンプ部６へ信号電荷を転送する。
【０００７】
図８は、オーバーフロードレインゲート部７の断面構造（図６のＤ−Ｄ’における断面構造）とポテンシャル分布とを示す図である。
オーバーフロードレインゲート部７は、撮像部４から信号電荷を受け取る水平ＣＣＤ５と隣接する部分と、オプティカルブラック領域部３から信号電荷を受け取る水平ＣＣＤ５と隣接する部分とで、同じ機能・構造を有する。オーバーフロードレインゲート部７は、第一層ポリシリコン電極と第二層ポリシリコン電極とで構成されたゲート電極と、第一層ポリシリコン電極下の半導体基板に形成されたｎ型拡散層（ｎ（ＧＯＦＤ））と、第二層ポリシリコン電極下の半導体基板に形成されたｎ−型拡散層（ｎ−（ＧＯＦＤ））とから構成される。このとき、ｎ−型拡散層（ｎ−（ＧＯＦＤ））は、ｎ型拡散層（ｎ（ＧＯＦＤ））よりも低いｎ型不純物濃度を有する。
【０００８】
ここで、ｎ型拡散層（ｎ（ＧＯＦＤ））およびｎ−型拡散層（ｎ−（ＧＯＦＤ））のｎ型不純物濃度は、（１）、（２）式の関係を持つ。
ｎ型拡散層（ｎ（ＧＯＦＤ））＜ｎ型拡散層（ｎ（ＨＣＣＤ））・・・（１）
ｎ−型拡散層（ｎ−（ＧＯＦＤ））＜ｎ−型拡散層（ｎ−（ＨＣＣＤ））・・・（２）
オーバーフロードレインゲート部７は、ポテンシャル段差の付いた隣り合う第一層ポリシリコン電極および第二層ポリシリコン電極を一組のゲート電極とし、隣り合うゲート電極には、水平ＣＣＤ５と同様に、互いに電位相が９０度ずれたφＨ１およびφＨ２の駆動パルスが印加される。
【０００９】
図９は、水平ＣＣＤ５、オーバーフロードレインゲート部７および信号掃き出し用ドレイン部８の断面構造（図６のＡ−Ａ’における断面構造）とポテンシャル分布とを示す図である。
【００１０】
図９のポテンシャル分布に示すように、オーバーフロードレインゲート部７は、水平ＣＣＤ５と信号掃き出し用ドレイン部８との間にポテンシャルバリアを形成し、垂直ＣＣＤ２により転送された信号電荷は、水平ＣＣＤ５に蓄積される。そして、水平ＣＣＤ５のポテンシャルがポテンシャルバリアよりも浅くなると、信号電荷は信号掃き出し用ドレイン部８に排出される。
【特許文献１】特開平１１−２６７４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところで、従来の固体撮像素子において、光が固体撮像素子上に照射されると、撮像部４にあるフォトダイオード１で信号電荷が生成され、垂直ＣＣＤ２に読み出され、この垂直ＣＣＤ２から水平ＣＣＤ５を通って転送され、電気信号として出力される。一方、オプティカルブラック領域部３においては、フォトダイオード１が遮光されているため、光による信号電荷の生成は無く、オプティカルブラック領域部３からの出力信号は、照射される光の強弱に関係無く信号レベルが一定であり、基準信号として使用される。
【００１２】
しかしながら、従来の固体撮像素子では、過度の高輝度光がオプティカルブラック領域部３に照射されると、光が遮光膜を透過してしまい、信号電荷が生成される。そのため、この透過光で生成された信号電荷は、オプティカルブラック領域部３にあるフォトダイオード１から垂直ＣＣＤ２に読み出され、垂直ＣＣＤ２と水平ＣＣＤ５を通って、信号掃き出し用ドレイン部８に排出されることなく出力される。撮像部４からの出力信号は、オプティカルブラック領域部３の基準信号に基づいて補正し、つまり基準信号との差分をとって使われるが、基準信号に偽信号が加算されるため、補正後の出力信号が変動してしまうという問題がある。
【００１３】
そこで、本発明は、かかる問題点に鑑み、出力信号の補正に用いられる基準信号の変動を無くすことが可能な固体撮像素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明の固体撮像素子は、信号電荷を生成する複数のフォトダイオードと、前記フォトダイオードの一部を遮光する遮光手段と、前記フォトダイオードから信号電荷を読み出して垂直方向に転送する垂直ＣＣＤと、前記垂直ＣＣＤにより転送された信号電荷を受け取って、水平方向に転送する水平ＣＣＤと、前記水平ＣＣＤの過剰な信号電荷が掃き出される信号掃き出し用ドレイン部と、前記水平ＣＣＤと前記信号掃き出し用ドレイン部との間にポテンシャルバリアを形成するオーバーフロードレインゲート部とを備え、前記オーバーフロードレインゲート部は、遮光された前記フォトダイオードの信号電荷を受け取る前記水平ＣＣＤの全部又は一部と、前記信号掃き出し用ドレイン部との間に前記ポテンシャルバリアを形成しないことを特徴とする。ここで、前記オーバーフロードレインゲート部と前記水平ＣＣＤとは互いに隣接して半導体基板に形成され、前記半導体基板は、前記ポテンシャルバリアを形成する前記オーバーフロードレインゲート部が形成される第１の部分と、前記ポテンシャルバリアを形成しないオーバーフロードレインゲート部が形成される第２の部分と、前記水平ＣＣＤが形成される第３の部分とを備え、前記第１の部分は、隣接する前記第３の部分に形成される不純物拡散領域よりも低不純物濃度の不純物拡散領域を有し、前記第２の部分は、隣接する前記第３の部分に形成される不純物拡散領域と同じ不純物濃度の不純物拡散領域を有してもよい。また、前記オーバーフロードレインゲート部と前記水平ＣＣＤとは互いに隣接して半導体基板に形成され、前記半導体基板は、前記ポテンシャルバリアを形成する前記オーバーフロードレインゲート部が形成される第１の部分と、前記ポテンシャルバリアを形成しないオーバーフロードレインゲート部が形成される第２の部分と、前記水平ＣＣＤが形成される第３の部分とを備え、前記第１の部分および前記第２の部分は、隣接する前記第３の部分に形成される不純物拡散領域よりも低不純物濃度の不純物拡散領域を有し、前記第１の部分および第２の部分上には、ゲート電極が形成され、前記第３の部分上には、転送電極が形成され、前記第１の部分上のゲート電極には、前記転送電極に印加される駆動パルスと同じ駆動パルスが印加され、前記第２の部分上のゲート電極には、前記転送電極に印加される駆動パルスと異なる駆動パルスが印加されてもよいし、前記第２の部分上のゲート電極に印加される駆動パルスは、前記転送電極に印加される駆動パルスより振幅が大きくてもよい。
【００１５】
これによって、高輝度光により遮光されたフォトダイオードに生成された不要電荷は、水平ＣＣＤにより転送されず、出力信号の補正に用いられる基準信号の基準信号レベルを一定に保つことができるので、出力信号の補正に用いられる基準信号の変動を無くすことが可能な固体撮像素子を実現することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係る固体撮像素子によれば、出力信号の補正に用いられる基準信号の変動を無くすことができる。すなわち、高品質な画像再生が可能なカメラを実現することができる。
【００１７】
よって、本発明により、出力信号の補正に用いられる基準信号の変動を無くす固体撮像素子を提供することが可能となり、実用的価値は極めて高い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態における固体撮像素子について、図面を参照しながら説明する。
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態の固体撮像素子について、図１、図２および図６を参照して説明する。
【００１９】
本実施の形態の固体撮像素子は、オーバーフロードレインゲート部７の構造を除いては、従来技術の説明で用いた図６の固体撮像素子と同じ構成であり、同様の部分については説明を省略する。
【００２０】
図１は、オーバーフロードレインゲート部７の断面構造（図６のＤ−Ｄ’における断面構造）とポテンシャル分布とを示す図である。
オーバーフロードレインゲート部７は、オプティカルブラック領域部３から信号電荷を受け取る水平ＣＣＤ５の一部と隣接する第１の部分と、水平ＣＣＤ５のその他の第２の部分、つまりオプティカルブラック領域部３から信号電荷を受け取る水平ＣＣＤ５の他部と隣接する部分および撮像部４と隣接する部分とで異なる構造を有する。オーバーフロードレインゲート部７は、第１の部分においては、第一層ポリシリコン電極と第二層ポリシリコン電極とで構成されたゲート電極と、第一層ポリシリコン電極下の半導体基板に形成されたｎ型拡散層（ｎ（ＨＣＣＤ））と、第二層ポリシリコン電極下の半導体基板に形成されたｎ−型拡散層（ｎ−（ＨＣＣＤ））とから構成される。一方、第２の部分においては、第一層ポリシリコン電極と第二層ポリシリコン電極とで構成されたゲート電極と、第一層ポリシリコン電極下の半導体基板に形成されたｎ型拡散層（ｎ（ＧＯＦＤ））と、第二層ポリシリコン電極下の半導体基板に形成されたｎ−型拡散層（ｎ−（ＧＯＦＤ））とから構成される。このとき、ｎ−型拡散層（ｎ−（ＧＯＦＤ））は、ｎ型拡散層（ｎ（ＧＯＦＤ））よりも低いｎ型不純物濃度を有する。
【００２１】
ここで、オーバーフロードレインゲート部７のｎ型拡散層（ｎ（ＨＣＣＤ））およびｎ−型拡散層（ｎ−（ＨＣＣＤ））は、水平ＣＣＤ５のｎ型拡散層（ｎ（ＨＣＣＤ））およびｎ−型拡散層（ｎ−（ＨＣＣＤ））とそれぞれ同じｎ型不純物濃度を有する。また、ｎ型拡散層（ｎ（ＧＯＦＤ））およびｎ−型拡散層（ｎ−（ＧＯＦＤ））のｎ型不純物濃度は、（１）、（２）式の関係を持つ。
【００２２】
ｎ型拡散層（ｎ（ＧＯＦＤ））＜ｎ型拡散層（ｎ（ＨＣＣＤ））・・・（１）
ｎ−型拡散層（ｎ−（ＧＯＦＤ））＜ｎ−型拡散層（ｎ−（ＨＣＣＤ））・・・（２）
オーバーフロードレインゲート部７は、ポテンシャル段差の付いた隣り合う第一層ポリシリコン電極および第二層ポリシリコン電極を一組のゲート電極とし、隣り合うゲート電極には、互いに電位相が９０度ずれた水平ＣＣＤ５と同じφＨ１およびφＨ２の駆動パルスが印加される。
【００２３】
図２は、水平ＣＣＤ５、オーバーフロードレインゲート部７および信号掃き出し用ドレイン部８の断面構造（図６のＢ−Ｂ’における断面構造）とポテンシャル分布とを示す図である。
【００２４】
図２のポテンシャル分布に示すように、オーバーフロードレインゲート部７は、その第１の部分と信号掃き出し用ドレイン部８との間にはポテンシャルバリアを形成せず、オプティカルブラック領域部３で生成された信号電荷は、信号掃き出し用ドレイン部８に掃き出される。このため、高輝度光によりオプティカルブラック部８のフォトダイオード１に生成された不要電荷は、出力部に転送されず、基準信号レベルを一定に保つことができる。
【００２５】
以上のように本実施の形態の固体撮像素子によれば、オプティカルブラック領域部３の信号電荷を受け取る水平ＣＣＤ５の一部と隣接するオーバーフロードレインゲート部７は、そのｎ型不純物濃度が制御され、水平ＣＣＤ５に対するポテンシャルバリアを形成しない。よって、高輝度光によりオプティカルブラック部のフォトダイオードに生成された不要電荷は出力部に転送されず、撮像部からの出力信号の補正に用いられる基準信号の基準信号レベルを一定に保つことができるので、本実施の形態の固体撮像素子は、出力信号の補正に用いられる基準信号の変動を無くすことが可能な固体撮像素子を実現することができる。
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態の固体撮像素子について、図３、図４および図５を参照して説明する。
【００２６】
本実施の形態の固体撮像素子は、オーバーフロードレインゲート部７の構造を除いては、従来技術の説明で用いた図６の固体撮像素子と同じ構成であり、同様の部分については説明を省略する。
【００２７】
図３は、ＣＣＤ固体撮像素子の構成を示す図である。
ＣＣＤ固体撮像素子は、フォトダイオード１および垂直ＣＣＤ２からなる撮像部４と、オプティカルブラック領域部３と、水平ＣＣＤ５と、出力アンプ部６と、水平ＣＣＤ５に沿って形成され、水平ＣＣＤ５の信号電荷を掃き出させるオーバーフロードレインゲート部９と、信号掃き出し用ドレイン部８とから構成される。
【００２８】
図４は、オーバーフロードレインゲート部９の断面構造（図３のＥ−Ｅ’における断面構造）とポテンシャル分布とを示す図である。
オーバーフロードレインゲート部９は、第一層ポリシリコン電極と第二層ポリシリコン電極とで構成されたゲート電極と、第一層ポリシリコン電極下の半導体基板に形成されたｎ型拡散層（ｎ（ＧＯＦＤ））と、第二層ポリシリコン電極下の半導体基板に形成されたｎ−型拡散層（ｎ−（ＧＯＦＤ））とから構成される。このとき、ｎ−型拡散層（ｎ−（ＧＯＦＤ））は、ｎ型拡散層（ｎ（ＧＯＦＤ））よりも低いｎ型不純物濃度を有する。
【００２９】
ここで、ｎ型拡散層（ｎ（ＧＯＦＤ））およびｎ−型拡散層（ｎ−（ＧＯＦＤ））のｎ型不純物濃度は、（１）、（２）式の関係を持つ。
ｎ型拡散層（ｎ（ＧＯＦＤ））＜ｎ型拡散層（ｎ（ＨＣＣＤ））・・・（１）
ｎ−型拡散層（ｎ−（ＧＯＦＤ））＜ｎ−型拡散層（ｎ−（ＨＣＣＤ））・・・（２）
オーバーフロードレインゲート部９は、ポテンシャル段差の付いた隣り合う第一層ポリシリコン電極および第二層ポリシリコン電極を一組のゲート電極とする。このとき、隣り合うゲート電極には、オプティカルブラック領域部３から信号電荷を受け取る水平ＣＣＤ５の一部と隣接する第１の部分と、水平ＣＣＤ５のその他の第２の部分、つまりオプティカルブラック領域部３から信号電荷を受け取る水平ＣＣＤ５の他部と隣接する部分および撮像部４と隣接する部分とで異なる駆動パルスが印加される。オーバーフロードレインゲート部９は、第１の部分においては、隣り合うゲート電極に、φＨ１より振幅が大きいφＨ１ａ、およびφＨ２より振幅が大きいφＨ２ａの駆動パルスが印加される。一方、第２の部分においては、隣り合うゲート電極に、互いに電位相が９０度ずれた水平ＣＣＤ５と同じφＨ１およびφＨ２の駆動パルスが印加される。
【００３０】
図５は、水平ＣＣＤ５、オーバーフロードレインゲート部９および信号掃き出し用ドレイン部８の断面構造（図３のＢ−Ｂ’における断面構造）とポテンシャル分布とを示す図である。
【００３１】
図５のポテンシャル分布に示すように、オーバーフロードレインゲート部９は、その第１の部分と信号掃き出し用ドレイン部８との間にはポテンシャルバリアを形成せず、オプティカルブラック領域部３で生成された信号電荷は、信号掃き出し用ドレイン部８に掃き出される。このため、高輝度光によりオプティカルブラック部８のフォトダイオード１に生成された不要電荷は出力部に転送されず、基準信号レベルを一定に保つことができる。
【００３２】
以上のように本実施の形態の固体撮像素子によれば、オプティカルブラック領域部３の信号電荷を受け取る水平ＣＣＤ５の一部と隣接するオーバーフロードレインゲート部１０は、そのゲート電圧が制御され、水平ＣＣＤ５に対するポテンシャルバリアを形成しない。よって、高輝度光によりオプティカルブラック部のフォトダイオードに生成された不要電荷は出力部に転送されず、撮像部４からの出力信号の補正に用いられる基準信号の基準信号レベルを一定に保つことができるので、本実施の形態の固体撮像素子は、出力信号の補正に用いられる基準信号の変動を無くすことが可能な固体撮像素子を実現することができる。
【００３３】
以上、本発明に係る固体撮像素子について実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、この実施の形態に限定されるものではなく、本発明の範囲を逸脱することなく種々の変形または修正が可能であることはいうまでもない。
【００３４】
例えば、上記実施の形態では、オーバーフロードレインゲート部は、オプティカルブラック領域部から信号電荷を受け取る水平ＣＣＤの一部と信号掃き出し用ドレイン部との間に、ポテンシャルバリアの無い領域を形成するとした。しかし、オーバーフロードレインゲート部は、オプティカルブラック領域部から信号電荷を受け取る水平ＣＣＤの全部と信号掃き出し用ドレイン部との間にポテンシャルバリアの無い領域を形成しても構わない。
【００３５】
また、オーバーフロードレインゲート部により形成されるポテンシャルは、水平ＣＣＤにより形成されるポテンシャルよりも深くても構わない。
また、本発明の固体撮像素子はカメラに適用されてもよい。これにより、過度の高輝度光が入射した場合においても、固体撮像素子の基準信号レベルの変動をなくすことが可能な、つまり高品質な画像再生が可能なカメラを実現することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明は、固体撮像素子に利用でき、特にデジタルスチルカメラ、携帯端末等に用いられるＣＣＤ型固体撮像装置等に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】オーバーフロードレインゲート部７の断面構造（図６のＤ−Ｄ’における断面構造）とポテンシャル分布とを示す図である。
【図２】水平ＣＣＤ５、オーバーフロードレインゲート部７および信号掃き出し用ドレイン部８の断面構造（図６のＢ−Ｂ’における断面構造）とポテンシャル分布とを示す図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態のＣＣＤ固体撮像素子の構成を示す図である。
【図４】オーバーフロードレインゲート部７の断面構造（図３のＥ−Ｅ’における断面構造）とポテンシャル分布とを示す図である。
【図５】水平ＣＣＤ５、オーバーフロードレインゲート部１０および信号掃き出し用ドレイン部８の断面構造（図３のＢ−Ｂ’における断面構造）とポテンシャル分布とを示す図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態および従来のＣＣＤ固体撮像素子の構成を示す図である。
【図７】水平ＣＣＤ５の断面構造（図６のＣ−Ｃ’における断面構造）とポテンシャル分布とを示す図である。
【図８】オーバーフロードレインゲート部７の断面構造（図６のＤ−Ｄ’における断面構造）とポテンシャル分布とを示す図である。
【図９】水平ＣＣＤ５、オーバーフロードレインゲート部７および信号掃き出し用ドレイン部８の断面構造（図６のＡ−Ａ’における断面構造）とポテンシャル分布とを示す図である。
【符号の説明】
【００３８】
１    フォトダイオード
２    垂直ＣＣＤ
３    オプティカルブラック領域部
４    撮像部
５    水平ＣＣＤ
６    出力アンプ
７、９    オーバーフロードレインゲート部
８    信号掃き出し用ドレイン部
【図１】
2005333049.tif 000003
【図２】
2005333049.tif 000004
【図３】
2005333049.tif 000005
【図４】
2005333049.tif 000006
【図５】
2005333049.tif 000007
【図６】
2005333049.tif 000008
【図７】
2005333049.tif 000009
【図８】
2005333049.tif 000010
【図９】
2005333049.tif 000011