(57)【要約】    【課題】配線基板の製造工程において、平坦化処理や研磨処理などを伴う絶縁層の形成工程を大幅に簡素化し、配線基板製造のコストダウンを図ること。    【解決手段】樹脂を接合する面が所定の平坦度を有する樹脂付き金属箔をベース基板上に圧着し、その後、前記金属箔を除去して、表面が平坦化された絶縁層を形成する。その後、前記金属箔をエッチングにより除去し、さらに前記絶縁層にビアホールをレーザ加工により形成し、次いで前記ビアホール内の残渣除去処理を行う。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂を接合する面が所定の平坦度を有する樹脂付き金属箔をベース基板上に圧着し、その後、前記金属箔を除去して、表面が平坦化された絶縁層を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記金属箔をエッチングにより除去することを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記金属箔をエッチングにより除去した後、前記絶縁層にビアホールをレーザ加工により形成し、次いで前記ビアホール内の残渣除去処理を行うことを特徴とする請求項２記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、平坦化した樹脂からなる絶縁層を有する配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子部品の小型化に伴い、プリント配線基板上に薄膜層を形成して、この薄膜層に抵抗体やインダクタなどの受動素子を内蔵させた基板の開発が進められてきている（例えば特許文献１を参照。）。
【０００３】
かかる基板には、高精度化及び薄型化、小型化、低価格化を図った高周波モジュール用基板があり、これは、ベース基板上に形成されたビルドアップ形成面に高周波回路部を積層形成して構成されている。
【０００４】
前記高周波回路部は、先ず平坦化処理を施した前記ビルドアップ形成面上に絶縁層を成膜形成し、この絶縁層上に下地処理を施した後、各素子部を有する高密度な配線層を形成している。
【０００５】
ところで、前記高周波回路部を形成する上で、そのベースとなるベース基板は、従来、図３（ａ）〜図３（ｈ）に示す手順によりその表裏面が平坦化されている。
【０００６】
すなわち、基板コア１１０の表裏面に形成された銅箔１３０が接合されたビルドアップ層１２０，１２０に、穿孔してビアホール２００を形成する（図３（ａ））。１４０は導通用のメッキ銅である。
【０００７】
次いで、前記ビアホール２００内に樹脂３００を充填し（図３（ｂ））、その後研磨処理を施してベース基板１００の表面全体を平坦化し（図３（ｃ））、平坦化後、エッチングにより回路形成を行い（図３（ｄ））、さらに基板平坦化用樹脂４００を塗布するとともに（図３（ｅ））、平坦化研磨処理を施して（図３（ｆ））、表裏が平坦化されたベース基板１００を得る。
【０００８】
そして、この平坦化されたベース基板１００上に、平坦な絶縁層５００を一様に成膜するのである（図３（ｇ））。
【特許文献１】特開２００２−３６８４２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、上記特許文献１に係る配線基板は、ベース基板１００のビルドアップ層１２０を高精度に平坦化した後、前記絶縁層５００を介して前記ベース基板１００から電源あるいは信号の供給を受ける抵抗素子やキャパシタ素子、高周波インダクタ素子が高精度に成膜形成されることになるので、前記した平坦化処理、さらにはその後の研磨処理が不可欠となっていた。
【００１０】
すなわち、従来の基板製造工程においては、平坦化工程、研磨工程（図３（ｅ）〜図３（ｆ）を参照）が必須となってしまい、製造工程におけるリードタイム短縮、工程短縮によるコストダウンを妨げる要因となっていた。
【００１１】
しかも、前記研磨工程においては、研磨作業時に発生するダストが基板に付着することがあり、歩留まりを低下させるおそれがあった。
【００１２】
また、絶縁層５００を形成するに際しては、従来、スピンコート法と呼ばれる方法が採用されることが一般的となっている。これは、先ず絶縁層の形成材料となる液状のベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）をベース基板上に塗布し、回転台を回転させて遠心力により一様な薄膜を前記基板上に形成するものである。
【００１３】
しかし、薄膜形成に必要な前記ＢＣＢは少量であるにも拘わらず、その大半はスピンコード時の遠心力により無駄に廃棄される結果となり、コスト高の要因となっていた。しかも、前記ＢＣＢは常温での保管可能時間が短いために、使用するたびに逐一冷凍状態から必要分だけ解凍する必要があり、作業性が極めて悪いものであった。
【００１４】
さらに、スピンコート後には、ビアホール６００形成のために（図３（ｈ）を参照）、露光、現像、キュアの各工程を経る必要がため、リードタイムを短縮することも困難であった。
【００１５】
本発明では、上記課題を解決することのできる配線基板の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
請求項１記載の本発明では、樹脂を接合する面が所定の平坦度を有する樹脂付き金属箔をベース基板上に圧着し、その後、前記金属箔を除去して、表面が平坦化された絶縁層を形成することとした。
【００１７】
請求項２記載の本発明では、前記金属箔をエッチングにより除去することとした。
【００１８】
請求項３記載の本発明では、前記金属箔をエッチングにより除去した後、前記絶縁層にビアホールをレーザ加工により形成し、次いで前記ビアホール内の残渣除去処理を行うこととした。
【発明の効果】
【００１９】
（１）請求項１記載の本発明では、樹脂を接合する面が所定の平坦度を有する樹脂付き金属箔をベース基板上に圧着し、その後、前記金属箔を除去して、表面が平坦化された絶縁層を形成することとしたために、従来のようにスピンコート法などを用いることなく平坦化された樹脂からなる絶縁層を容易に形成することができる。したがって、製造工程において、ベース基板の平坦化処理、研磨処理、その後の絶縁層形成工程を同時処理することが可能となり、スピンコート用樹脂などの材料費の削減、工程数の大幅削減が可能となる。そして、この製造方法を、例えば高周波モジュール用基板に適用すれば、高精度化及び薄型化、小型化の要求を満たす高周波モジュール用基板の製造コストを大幅に低減することができ、安価に提供することができる。
【００２０】
（２）請求項２記載の本発明では、前記金属箔をエッチングにより除去することとしたために、上記（１）の効果に加え、既存の設備をそのまま利用して工数の削減を図ることができる。
【００２１】
（３）請求項３記載の本発明では、前記金属箔をエッチングにより除去した後、前記絶縁層にビアホールをレーザ加工により形成し、次いで前記ビアホール内の残渣除去処理を行うこととしたために、上記（２）の効果に加え、さらに、ビアホールの形成効率を高めるとともに、基板へのダスト付着のおそれを可及的に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明に係る配線基板の製造方法は、樹脂を接合する面が所定の平坦度を有する樹脂付き金属箔をベース基板上に圧着し、その後、前記金属箔を除去して、表面が平坦化された絶縁層を形成するようにしたものである。
【００２３】
前記樹脂付き金属箔は、例えば片面にのみ樹脂を接合した樹脂付き銅箔（以下「ＲＣＣ：Ｒｅｓｉｎ  Ｃｏａｔｅｄ  Ｃｏｐｐｅｒ」とする）を好適に用いることができ、しかも、このＲＣＣの銅箔は、樹脂の接合面の面粗さを可及的に小さくした所定の平坦度を有するロープロファイルタイプとし、銅箔を除去したときに、樹脂部分も所定の平坦度を有する表面が形成されるものとしている。
【００２４】
したがって、従来のようなスピンコート法などを用いることなく平坦化された樹脂からなる絶縁層を容易に形成することができる。
【００２５】
また、前記銅箔はエッチングにより除去することができ、配線基板を製造するための既存の設備をそのまま利用することができる。
【００２６】
さらに、前記銅箔をエッチングにより除去した後は、前記絶縁層にビアホールを形成するが、ビアホール形成後はビアホール内の残渣除去処理を行うことが望ましく、基板へのダスト付着のおそれを可及的に防止することができる。また、ビアホールの形成は、レーザ処理によって行うと効率的である。
【００２７】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながらさらに具体的に説明する。本実施の形態では、配線基板を、高周波モジュール用のプリント配線基板としている。図１は本実施の形態に係る配線基板の製造工程の一部を示す説明図である。
【００２８】
図１（ａ）に、本実施の形態に係る配線基板のベース基板１を示す。
【００２９】
このベース基板１は、周知の製造方法により形成されており、例えば、両面基板からなるコア基板１１の上下面に、電源回路部やグランド部等を構成する第１のパターン配線層１２及び第２のパターン配線層１３を形成し、ビアホール１４により導通させている。このビアホール１４はドリルやレーザで孔穿加工することにより形成される。また、ベース基板１には、前記コア基板１１に対して銅箔２０ａを接合した樹脂層１５，１６が形成され、これら樹脂層１５，１６にレーザ加工を施すことによって各樹脂層１５，１６にそれぞれ所要数のホールを形成し、これら各ホールにビアメッキ２０ｂ等により内壁に導通処理を施してビアホール１７を形成している。その後、必要な回路パターン１８，１９を形成してベース基板１を得ることができる。
【００３０】
この後の工程において、従来では、前記ビアホール１７上を平坦化するために、樹脂充填処理及び研磨処理が必要であったが（図３（ｂ），（ｃ）、図３（ｅ），（ｆ）を参照）、本実施の形態では、前記ベース基板１上に直接平坦化された絶縁層４を形成するようにしており、基板製造工程を大幅に短縮可能としている。
【００３１】
すなわち、樹脂を接合する面が所定の平坦度を有する樹脂付き銅箔（ＲＣＣ）３を前記ベース基板１上に圧着し、その後、前記銅箔部分を除去して、表面が平坦化された絶縁層４を形成することに特徴がある。
なお、前記銅箔部分の所定の平坦度とは、絶縁層４を形成する上で必要な表面粗さが確保されたもので、表面粗さの目安となる凹凸の差が０．３μｍ〜１．０μｍ程度のロープロファイルタイプとし、本実施の形態では０．５μｍとしている。
【００３２】
また、樹脂部分の材料として、本実施の形態ではベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）を用いている。
【００３３】
以下、図１に示した製造工程に沿って詳述する。
【００３４】
図１（ａ）までの処理を終了した後、樹脂密着性を良好にするため、前記回路パターン１８の銅箔表面に還元処理又は酸化還元処理を施し、次いで受動素子を形成するための絶縁層を形成するために、図１（ｂ）に示すように、ベース基板１の上面に前記樹脂付き銅箔３を成形プレスして圧着する。図１（ｃ）に成形プレス後の状態を示す。なお、図中、３０は前記ロープロファイルタイプの銅箔、３１は樹脂層である。
【００３５】
ところで、この成形プレス工程は、材料によってはホットラミネート、真空ラミネートなどのラミネート処理で代用することもできる。
【００３６】
次に、前記樹脂付き銅箔３の表面側をなす前記銅箔３０をエッチング処理を施して全面除去することにより、平坦化された絶縁層４が形成される（図１（ｄ））。
【００３７】
このように、本実施の形態では、樹脂付き銅箔３の成形プレス工程とエッチングによる銅箔除去工程により、平坦化された絶縁層４を容易に形成することが可能となる。そして、形成された絶縁層４は、樹脂付き銅箔３の樹脂層３１の厚みや特性、プレス条件などを制御することにより、従来の絶縁層と同質化することができる。
【００３８】
なお、前記エッチング処理では、ベース基板１の裏面側の回路パターン１９までが同時に除去されてしまうことを防止するために、例えば、図示しないが、ドライフィルムレジストをラミネートしてエッチング液から保護するとよい。そして、前記銅箔３０をエッチングで除去した後に前記ドライフィルムを剥離するのである。
【００３９】
次に、ビアホール５を形成するが、本実施の形態におけるビアホール形成工程では、レーザを用いて穿孔するようにしている。レーザとしては、ＣＯ2レーザ或いはＹＡＧ（Ｙｉｔｒｉｕｍ  Ａｌｕｍｉｎｕｍ  Ｇａｒｎｅｔ）レーザ或いはＵＶレーザ用いることができる。レーザの照射条件を制御することにより、従来と同等のビアホールを形成することが可能である。図１（ｅ）にビアホール５を形成した状態を示す。
【００４０】
このように、レーザを用いてビアホール５を形成することで処理効率が一段と向上し、前述したように工程削減と相伴って大幅に基板製造効率が向上し、コストダウンを図ることができる。
【００４１】
なお、このビアホール形成工程における位置合わせは、前記絶縁層４の直下のパターンを画像認識することにより行い、その精度を確保するとよい。
【００４２】
ビアホール５を形成した後は、有機汚染物を除去するデスミア処理を行う。デスミア処理の代表例としては、ウエット方式として過マンガン酸処理、ドライ方式としてはプラズマ処理があり、そのいずれを採用しても構わない。
【００４３】
樹脂付き銅箔３の成形プレス後の工程としては、以下に示す工程を採用することもできる。
【００４４】
すなわち、図２に示すように、圧着された樹脂付き銅箔３の所定位置にビアホール径と同径のウィンドウ６をエッチングにより開口し（図２（ａ））、その後、同位置に向けて前記したＣＯ2レーザ或いはＹＡＧレーザ或いはＵＶレーザを照射して樹脂層３１まで穿孔し（図２（ｂ））、その後、エッチングによって銅箔３０を全面除去することにより、図１（ｅ）に示したようなビアホール５の形成が可能となる。
【００４５】
あるいは、前記ウィンドウ６を形成することなく、銅箔３０の上から直接前述のレーザ処理を行い、銅箔３０と樹脂層３１とを同時に除去して所定位置にビアホール５を形成し、その後エッチングにより銅箔３０を全面的に除去してもよい。
【００４６】
いずれにしても、ビアホール５を形成した後は前述のデスミア処理を施すことが望ましい。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明は、例えばパーソナルコンピュータや携帯電話機等の各種電子機器等に用いられる高周波モジュール用基板などに好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】配線基板の製造工程の一部を示す説明図である。
【図２】配線基板の製造工程の一部を示す説明図である。
【図３】従来の配線基板の製造工程の一部を示す説明図である。
【符号の説明】
【００４９】
１  ベース基板
３  樹脂付き銅箔
４  絶縁層
５，１７  ビアホール
３０  銅箔
３１  樹脂層
【図１】
2005072493.tif 000003
【図２】
2005072493.tif 000004
【図３】
2005072493.tif 000005