(57)【要約】【課題】ソース電極およびドレイン電極の変質・劣化を起こさず、トランジスタ特性に優れる薄膜トランジスタを簡易な方法で製造することができる薄膜トランジスタの製造方法、また、かかる薄膜トランジスタの製造方法により製造される薄膜トランジスタ、この薄膜トランジスタを備える薄膜トランジスタ回路、電子デバイスおよび電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、ソース電極３およびドレイン電極４に対応した形状の開口部を有し、かつ、形成すべきソース電極３およびドレイン電極４の厚さより厚さが薄いレジスト層８を形成する工程と、レジスト層８の開口部内に導電性材料および／またはその前駆体と水系溶媒とを含有する液状材料９を、レジスト層８の厚さよりも厚くなるように供給する工程と、液状材料９中から水系溶媒を除去してソース電極３およびドレイン電極４を得る工程と、レジスト層８を除去する工程を有する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられ、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、有機半導体層と、前記ソース電極およびドレイン電極に対して前記ゲート電極を絶縁するゲート絶縁層とを有する薄膜トランジスタを製造する薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記ソース電極およびドレイン電極に対応した形状の開口部を有し、かつ、形成すべき前記ソース電極およびドレイン電極の厚さより厚さが薄いレジスト層を形成する第１の工程と、
前記レジスト層の開口部内に、導電性材料および／またはその前駆体と、水系溶媒とを含有する液状材料を、前記レジスト層の厚さよりも厚くなるように供給する第２の工程と、
前記液状材料中から前記水系溶媒を除去して、前記ソース電極およびドレイン電極を得る第３の工程と、
前記レジスト層を除去する第４の工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項２】
形成すべき前記ソース電極およびドレイン電極の厚さをＸ［ｎｍ］とし、前記レジスト層の厚さをＹ［ｎｍ］としたとき、Ｘ／Ｙが２〜１０なる関係を満足する請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項３】
前記第２の工程に先立って、前記レジスト層の基板と反対側の面に撥水処理を施す撥水処理工程を有する請求項１または２に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項４】
前記撥水処理は、フッ素プラズマ処理である請求項３に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項５】
前記第２の工程に先立って、前記開口部内に親水処理を施す親水処理工程を有する請求項１ないし４のいずれかに記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項６】
前記親水処理は、酸素プラズマ処理である請求項５に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項７】
前記第２の工程において、前記液状材料は、液滴吐出法により供給される請求項１ないし６のいずれかに記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項８】
前記第２の工程において、前記レジスト層に対する前記液状材料の接触角をＡ［°］とし、前記開口部に対する前記液状材料の接触角をＢ［°］としたとき、Ａ−Ｂ≧１５なる関係を満足する請求項１ないし７のいずれかに記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項９】
前記第３の工程において、前記水系溶媒を除去する際の温度は、２０〜２００℃である請求項１ないし８のいずれかに記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１０】
前記第４の工程において、前記レジスト層の除去は、プラズマ処理により行われる請求項１ないし９のいずれかに記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１１】
前記プラズマ処理は、酸素プラズマ処理である請求項１０に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１２】
前記導電性材料は、導電性高分子材料および／または金属材料を主成分とするものである請求項１ないし１１のいずれかに記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１３】
前記導電性高分子材料は、ＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）を主成分とするものである請求項１ないし１２のいずれかに記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１４】
前記金属材料は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇまたはこれらを含む合金のうちの少なくとも１種を主成分とするものである請求項１ないし１３のいずれかに記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１５】
請求項１ないし１４のいずれかに記載の薄膜トランジスタの製造方法により製造されたことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１６】
請求項１５に記載の薄膜トランジスタを備えることを特徴とする薄膜トランジスタ回路。
【請求項１７】
請求項１６に記載の薄膜トランジスタ回路を備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１８】
請求項１７に記載の電子デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ回路、電子デバイスおよび電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体的な電気伝導を示す有機材料（有機半導体材料）を使用した薄膜トランジスタの開発が進められている。この薄膜トランジスタは、薄型軽量化に適すること、可撓性を有すること、材料コストが安価であること等の長所を有しており、フレキシブルディスプレイ等のスイッチング素子として期待されている。
この薄膜トランジスタとしては、基板上に、ソース電極およびドレイン電極が形成され、これらの電極上に有機半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極がこの順に積層されたものが提案されている。
【０００３】
このような薄膜トランジスタでは、従来、真空蒸着法等を用いてソース電極およびドレイン電極を形成している（例えば、特許文献１参照。）。
ところが、この場合、真空装置等の大がかりな装置が必要であり、またこれらの電極の形成に要する消費エネルギーも大きい。このため、このような方法を利用してソース電極およびドレイン電極を形成すると、薄膜トランジスタの製造効率の低下、高コスト化してしまう。
【０００４】
これに対し、ソース電極およびドレイン電極を、基板上にこれらの電極の構成材料を含有する液体材料を供給することにより、これらの電極を形成する方法が汎用されている。
具体的には、基板上のソース電極およびドレイン電極を形成する領域に開口部を有するレジスト層を形成し、この開口部内にこれらの電極を形成するための材料を含有する液状材料を供給する。
【０００５】
次いで、この液状材料を乾燥した後に、このレジスト層を取り除く（剥離）ことにより、これらの電極を形成する。
ところが、この方法では、一般に、形成すべきソース電極およびドレイン電極の膜厚よりもはるかに厚いレジスト層を形成する。そのため、このレジスト層を剥離液等により除去（剥離）する際に、これらの電極が剥離液等により変質・劣化してしまい、結果として、薄膜トランジスタの特性が低下するという問題がある。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２８２８８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、ソース電極およびドレイン電極の変質・劣化を起こさず、トランジスタ特性に優れる薄膜トランジスタを簡易な方法で製造することができる薄膜トランジスタの製造方法を提供することにある。
【０００８】
また、かかる薄膜トランジスタの製造方法により製造される薄膜トランジスタ、この薄膜トランジスタを備える薄膜トランジスタ回路、電子デバイスおよび電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、基板上に設けられ、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、有機半導体層と、前記ソース電極およびドレイン電極に対して前記ゲート電極を絶縁するゲート絶縁層とを有する薄膜トランジスタを製造する薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記ソース電極およびドレイン電極に対応した形状の開口部を有し、かつ、形成すべき前記ソース電極およびドレイン電極の厚さより厚さが薄いレジスト層を形成する第１の工程と、
前記レジスト層の開口部内に、導電性材料および／またはその前駆体と、水系溶媒とを含有する液状材料を、前記レジスト層の厚さよりも厚くなるように供給する第２の工程と、
前記液状材料中から前記水系溶媒を除去して、前記ソース電極およびドレイン電極を得る第３の工程と、
前記レジスト層を除去する第４の工程を有することを特徴とする。
これにより、ソース電極およびドレイン電極の変質・劣化が好適に防止または抑制され、トランジスタ特性に優れる薄膜トランジスタを、簡易な方法で製造することができる。
【００１０】
本発明の薄膜トランジスタの製造方法では、形成すべき前記ソース電極およびドレイン電極の厚さをＸ［ｎｍ］とし、前記レジスト層の厚さをＹ［ｎｍ］としたとき、Ｘ／Ｙが２〜１０なる関係を満足するのが好ましい。
かかる関係を満足することにより、レジスト層を除去する処理によるソース電極およびドレイン電極の変質・劣化をより確実に防止または抑制することができる。
【００１１】
本発明の薄膜トランジスタの製造方法では、前記第２の工程に先立って、前記レジスト層の基板と反対側の面に撥水処理を施す撥水処理工程を有するのが好ましい。
これにより、前記第２の工程において、液状材料の厚さを、レジスト層の厚さよりも厚くなるように供給しても、液状材料がレジスト層の基板と反対側の面に移行することが阻止される。
【００１２】
本発明の薄膜トランジスタの製造方法では、前記撥水処理は、フッ素プラズマ処理であるのが好ましい。
フッ素プラズマ処理法によれば、レジスト層の上面をほぼ全体に亘って均一にフッ化すること、すなわち、レジスト層の上面に均一に（ムラなく）撥水性を付与することができる。
【００１３】
本発明の薄膜トランジスタの製造方法では、前記第２の工程に先立って、前記開口部内に親水処理を施す親水処理工程を有するのが好ましい。
これにより、前記第２の工程において、レジスト層の開口部内に液状材料を供給すると、前記液状材料は開口部内において一様に広がることとなる。
本発明の薄膜トランジスタの製造方法では、前記親水処理は、酸素プラズマ処理であるのが好ましい。
酸素プラズマ処理法によれば、レジスト層の開口部内に、容易かつ確実に親水性を付与することができる。
【００１４】
本発明の薄膜トランジスタの製造方法では、前記第２の工程において、前記液状材料は、液滴吐出法により供給されるのが好ましい。
液滴吐出法によれば、開口部内に確実に液状材料を供給して、レジスト層への拡散をより確実に阻止することができる。
本発明の薄膜トランジスタの製造方法では、前記第２の工程において、前記レジスト層に対する前記液状材料の接触角をＡ［°］とし、前記開口部に対する前記液状材料の接触角をＢ［°］としたとき、Ａ−Ｂ≧１５なる関係を満足するのが好ましい。
これにより、レジスト層の厚さよりも厚くなるように開口部内に供給された液状材料が、レジスト層の上面へ拡散（移行）することをより確実に阻止することができる。
【００１５】
本発明の薄膜トランジスタの製造方法では、前記第３の工程において、前記水系溶媒を除去する際の温度は、２０〜２００℃であるのが好ましい。
これにより、液状材料中に含まれる水系溶媒を、確実に除去することができる。
本発明の薄膜トランジスタの製造方法では、前記第４の工程において、前記レジスト層の除去は、プラズマ処理により行われるのが好ましい。
プラズマ処理によれば、ソース電極およびドレイン電極の変質・劣化を抑えながら、容易にレジスト層を除去することができる。
【００１６】
本発明の薄膜トランジスタの製造方法では、前記プラズマ処理は、酸素プラズマ処理であるのが好ましい。
これにより、ソース電極およびドレイン電極の変質・劣化をより確実に抑えながら、容易にレジスト層を除去することができる。
本発明の薄膜トランジスタの製造方法では、前記導電性材料は、導電性高分子材料および／または金属材料を主成分とするものであるのが好ましい。
これにより、前記第２の工程において、これらのものを構成材料とするソース電極およびドレイン電極を、液滴吐出法を用いて容易に形成することができる。
【００１７】
本発明の薄膜トランジスタの製造方法では、前記導電性高分子材料は、ＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）を主成分とするものであるのが好ましい。
これらのものは、優れた導電性を有するものである。
本発明の薄膜トランジスタの製造方法では、前記金属材料は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇまたはこれらを含む合金のうちの少なくとも１種を主成分とするものであるのが好ましい。
これらのものは、前記第４の工程において、酸素プラズマ処理による特性の低下が起こりにくいものである。
【００１８】
本発明の薄膜トランジスタは、本発明の薄膜トランジスタの製造方法により製造されたことを特徴とする。
これにより、特性（スイッチング特性）に優れる薄膜トランジスタが得られる。
本発明の薄膜トランジスタ回路は、本発明の薄膜トランジスタを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い薄膜トランジスタ回路が得られる。
【００１９】
本発明の電子デバイスは、本発明の薄膜トランジスタ回路を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ回路、電子デバイスおよび電子機器の好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜薄膜トランジスタおよびその製造方法＞
まず、本発明の薄膜トランジスタおよびその製造方法について説明する。
＜＜薄膜トランジスタの構成＞＞
まず、本発明の薄膜トランジスタの実施形態について説明する。
【００２１】
図１は、薄膜トランジスタの実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図１に示す薄膜トランジスタ１は、基板２上に設けられており、ソース電極３およびドレイン電極４と、有機半導体層（有機層）５と、ゲート絶縁層６と、ゲート電極７とが、この順で基板２側から積層されて構成されている。
【００２２】
具体的には、薄膜トランジスタ１は、基板２上に、ソース電極３およびドレイン電極４が分離して設けられ、これらの電極３、４を覆うように有機半導体層５が設けられている。さらに有機半導体層５上には、ゲート絶縁層６が設けられ、さらにこの上に、少なくともソース電極３とドレイン電極４の間の領域に重なるようにゲート電極７が設けられている。また、ドレイン電極４は、後述する画素電極（個別電極）４１に接続されている。
【００２３】
この薄膜トランジスタ１では、有機半導体層５のうち、ソース電極３とドレイン電極４との間の領域が、キャリアが移動するチャネル領域５１となっている。以下、このチャネル領域５１において、キャリアの移動方向の長さ、すなわちソース電極３とドレイン電極４との間の距離をチャネル長Ｌ、チャネル長Ｌ方向と直交する方向の長さをチャネル幅Ｗと言う。
このような薄膜トランジスタ１は、ソース電極３およびドレイン電極４が、ゲート絶縁層６を介してゲート電極７よりも基板２側に設けられた構成の薄膜トランジスタ、すなわち、トップゲート構造の薄膜トランジスタである。
【００２４】
以下、薄膜トランジスタ１を構成する各部について、順次説明する。
基板２は、薄膜トランジスタ１を構成する各層（各部）を支持するものである。基板２には、例えば、ガラス基板、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）等で構成されるプラスチック基板（樹脂基板）、石英基板、シリコン基板、ガリウム砒素基板等を用いることができる。薄膜トランジスタ１に可撓性を付与する場合には、基板２には、樹脂基板が選択される。
【００２５】
この基板２上には、下地層が設けられていてもよい。下地層としては、例えば、基板２表面からのイオンの拡散を防止する目的、ソース電極３およびドレイン電極４と、基板２との密着性（接合性）を向上させる目的等により設けられる。
下地層の構成材料としては、特に限定されないが、酸化珪素（ＳｉＯ２）、窒化珪素（ＳｉＮ）、ポリイミド、ポリアミド、あるいは架橋されて不溶化された高分子等が好適に用いられる。
【００２６】
基板２上には、ソース電極３およびドレイン電極４が、チャネル長Ｌ方向に沿って、所定距離離間して並設されている。
これらのソース電極３およびドレイン電極４の構成材料としては、導電性を有するもの（導電性材料）であればいかなるものであってもよく、例えば、導電性高分子材料、金属材料、導電性酸化物、炭化系材料等の導電性材料が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２７】
これらの中でも、導電性高分子材料および／または金属材料を主成分とするのが好ましい。これにより、後述する液状材料供給工程［１−IV］において、これらのものを構成材料とするソース電極３およびドレイン電極４を、インクジェット法（液滴吐出法）を用いて容易に形成することができる。
導電性高分子材料としては、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）のようなポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体等が挙げられ、これらの中でも、ＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）を主成分として用いるのが好ましい。これらのものは優れた導電性を有するものであり、後述するレジスト層除去工程において、酸素プラズマ処理による特性の低下が起こりにくいという利点もある。
【００２８】
なお、このような導電性高分子材料は、通常、酸化鉄、ヨウ素、無機酸、有機酸、ポリスチレンサルフォニック酸などの高分子がドープされ、導電性が付与された状態で用いられる。
また、金属材料としては、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉまたはこれらを含む合金等の金属材料が挙げられ、チャネル領域を移動するキャリアに応じて適宜選択するのが好ましい。例えばチャネル領域をホールが移動するｐチャネル薄膜トランジスタの場合には、仕事関数が比較的大きいＣｕ、Ｎｉ、Ａｇまたはこれらを含む合金のうちの少なくとも１種を主成分として使用するのが好ましい。これにより、ソース電極４からチャネル領域により確実にホールが移動することとなる。
【００２９】
さらに、これらのものは、化学的に比較的安定なものであるので、後述するレジスト層除去工程において、除去方法として種々ものを用いることによる特性の低下が起こりにくい、すなわち、除去方法の選択の幅が広がる。
なお、導電性酸化物としてはＩＴＯ、ＦＴＯ、ＡＴＯ、ＳｎＯ２等が、炭素系材料としてはカーボンブラック、カーボンナノチューブ、フラーレン等が挙げられ、これらを用いることができる。
【００３０】
ソース電極３およびドレイン電極４の厚さ（平均）は、特に限定されないが、それぞれ、３０〜３００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜２００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
ソース電極３とドレイン電極４との間の距離（離間距離）、すなわち、チャネル長Ｌは、２〜３０μｍ程度であるのが好ましく、２〜２０μｍ程度であるのがより好ましい。チャンネル長Ｌがより小さいほうが、より大きなＯＮ電流を制御でき、さらに、ゲート電極の容量をより小さくできる。しかしながら、チャネル長Ｌを前記下限値より小さくすると、電極のパターニングにより高精度なフォトリソグラフィー技術が必要となり、コスト上昇を招くおそれがある。また、小さなチャンネル長Ｌを達成しても、ソース電極と有機半導体とのコンタクト抵抗の影響で、期待する効果に届かないことが多い。一方、チャネル長Ｌを前記上限値より大きくすると、ＯＮ電流の値が小さくなり、薄膜トランジスタ１の特性が不十分となるおそれがある。
【００３１】
チャネル幅Ｗは、０．１〜５ｍｍ程度であるのが好ましく、０．３〜３ｍｍ程度であるのがより好ましい。チャネル幅Ｗを前記下限値より小さくすると、ＯＮ電流の値が小さくなり、薄膜トランジスタ１の特性が不十分となるおそれがある。一方、チャネル幅Ｗを前記上限値より大きくすると、薄膜トランジスタ１が大型化してしまうとともに、寄生容量の増大や、ゲート絶縁層６を介したゲート電極７へのリーク電流の増大を招くおそれがある。
【００３２】
なお、ソース電極３およびドレイン電極４の形状は、上述したような形状に限定されず、例えば、ソース電極３およびドレイン電極４の双方が櫛歯状、かつ、その歯が互いに噛み合うような形状とすることができる。
また、基板２上には、ソース電極３およびドレイン電極４を覆うように、有機半導体層５が設けられている。
【００３３】
有機半導体層５は、有機半導体材料（半導体的な電気伝導を示す有機材料）を主材料として構成されている。
この有機半導体層５は、少なくともチャネル領域５１においてチャネル長Ｌ方向とほぼ平行となるように配向しているのが好ましい。これにより、チャネル領域５１におけるキャリア移動度が高いものとなり、その結果、薄膜トランジスタ１は、その作動速度がより速いものとなる。
【００３４】
有機半導体材料としては、例えば、ナフタレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、フタロシアニン、ペリレン、ヒドラゾン、トリフェニルメタン、ジフェニルメタン、スチルベン、アリールビニル、ピラゾリン、トリフェニルアミン、トリアリールアミン、オリゴチオフェン、フタロシアニンまたはこれらの誘導体のような低分子の有機半導体材料や、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチニレンビニレン、ポリアリールアミン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂、フルオレン−ビチオフェン共重合体、フルオレン−アリールアミン共重合体またはこれらの誘導体のような高分子の有機半導体材料（共役系高分子材料）が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、特に、高分子の有機半導体材料（共役系高分子材料）を主とするものを用いるのが好ましい。共役系高分子材料は、その特有な電子雲の広がりにより、キャリアの移動能が特に高い。
【００３５】
高分子の有機半導体材料は、簡易な方法で成膜することができるとともに、比較的容易に配向させることができる。
また、これらの中でも、空気中で酸化され難く、安定であること等の理由から、高分子の有機半導体材料（共役系高分子材料）としては、フルオレン−ビチオフェン共重合体のようなフルオレンとビチオフェンとを含む共重合体、ポリアリールアミン、フルオレン−アリールアミン共重合体のようなアリールアミンを含む重合体またはこれらの誘導体のうちの少なくとも１種を主成分とするものを用いるのが特に好ましい。
【００３６】
また、高分子の有機半導体材料を主材料として構成される有機半導体層５は、薄型化・軽量化が可能であり、可撓性にも優れるため、フレキシブルディスプレイのスイッチング素子等として用いられる薄膜トランジスタへの適用に適している。
有機半導体層５の厚さ（平均）は、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１０〜１００ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。
【００３７】
なお、有機半導体層５は、ソース電極３およびドレイン電極４を覆うように設けられる構成のものに限定されず、少なくともソース電極３とドレイン電極４との間の領域（チャネル領域５１）に設けられていればよい。
有機半導体層５上には、ゲート絶縁層６が設けられている。
このゲート絶縁層６は、ソース電極３およびドレイン電極４に対してゲート電極７を絶縁するものである。
【００３８】
ゲート絶縁層６は、主として有機材料（特に有機高分子材料）で構成されているのが好ましい。有機高分子材料を主材料とするゲート絶縁層６は、その形成が容易であるとともに、有機半導体層５との密着性の向上を図ることもできる。
このような有機高分子材料としては、例えば、ポリスチレン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリビニルフェニレン、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のようなアクリル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）のようなフッ素系樹脂、ポリビニルフェノールあるいはノボラック樹脂のようなフェノール系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブテンなどのオレフィン系樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３９】
ゲート絶縁層６の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜５０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１００〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。ゲート絶縁層６の厚さを前記範囲とすることにより、ソース電極３およびドレイン電極４とゲート電極７とを確実に絶縁しつつ、薄膜トランジスタ１が大型化すること（特に、厚さが増大すること）を防止することができる。
【００４０】
なお、ゲート絶縁層６は、単層構成のものに限定されず、複数層の積層構成のものであってもよい。
また、ゲート絶縁層６の構成材料には、例えば、ＳｉＯ２等の無機絶縁材料を用いることもできる。ポリシリケート、ポリシロキサン、ポリシラザンのような溶液を塗布して、塗布膜を酸素、または水蒸気の存在下で加熱することによって、溶液材料からＳｉＯ２を得ることができる。また、金属アルコキシド溶液を塗布した後、これを酸素雰囲気で加熱することによって無機絶縁材料を得る（ゾルゲル法として知られる）ことができる。
【００４１】
ゲート絶縁層６上には、ゲート電極７が設けられている。
ゲート電極７の構成材料としては、例えば、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｎｉまたはこれらを含む合金等の金属材料、ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＡＴＯ、ＳｎＯ２等の導電性酸化物、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、フラーレン等の炭素材料、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）のようなポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体等の導電性高分子材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４２】
なお、このような導電性高分子材料は、通常、酸化鉄、ヨウ素、無機酸、有機酸、ポリスチレンサルフォニック酸などの高分子がドープされ、導電性が付与された状態で用いられる。
ゲート電極７の厚さ（平均）は、特に限定されないが、０．１〜５０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５０００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１０〜５０００ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。
【００４３】
以上のような薄膜トランジスタ１は、ゲート電極７に印加する電圧を変化させることにより、ソース電極３とドレイン電極４との間に流れる電流量が制御される。
すなわち、ゲート電極７に電圧が印加されていないＯＦＦ状態では、ソース電極３とドレイン電極４との間に電圧を印加しても、有機半導体層５中にほとんどキャリアが存在しないため、微少な電流しか流れない。一方、ゲート電極７に電圧が印加されているＯＮ状態では、有機半導体層５のゲート絶縁層６に面した部分に電荷が誘起され、チャネル領域５１にキャリアの流路が形成される。この状態でソース電極３とドレイン電極４との間に電圧を印加すると、チャネル領域５１を通って電流が流れる。
【００４４】
＜薄膜トランジスタの製造方法＞
次に、図１に示す薄膜トランジスタ１の製造方法（本発明の薄膜トランジスタの製造方法の実施形態）について説明する。
図２、３は、それぞれ、図１に示す薄膜トランジスタの製造方法を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図２、３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
薄膜トランジスタ１の製造方法は、［１］ソース電極およびドレイン電極形成工程と、[２]有機半導体層形成工程と、［３］ゲート絶縁層形成工程と、［４］ゲート電極形成工程とを有している。以下、これらの各工程について、順次説明する。
【００４５】
［１］ソース電極およびドレイン電極形成工程
さて、本発明では、ソース電極３およびドレイン電極４の形成工程（形成方法）に特徴を有する。
ここで、一般的に、レジスト層を用いた膜の形成には、膜を形成する領域に開口部を有し、かつ、形成すべき膜厚よりもはるかに厚いレジスト層を用いる。そして、レジスト層の開口部内に、目的とする膜厚の膜を形成した後、レジスト層を剥離する。
【００４６】
しかしながら、この方法をソースおよびドレイン電極の形成に用いた場合、レジスト層を、剥離液等を用いて除去（剥離）する際に、形成された各電極が剥離液等により変質・劣化してしまい、結果として、薄膜トランジスタの特性が低下するという問題がある。
これに対し本発明では、形成すべき電極３、４の厚さよりも薄いレジスト層８を形成し、このレジスト層８を用いて、ソース電極３およびドレイン電極４を形成する。このため、レジスト層８を除去する際に、電極３、４を変質・劣化を防止または抑制することができる。その結果、得られる薄膜トランジスタ１は、特性に優れたものとなる。
【００４７】
具体的には、本工程［１］は、ソース電極３およびドレイン電極４に対応した形状の開口部８２を有し、かつ、形成すべきソース電極３およびドレイン電極４の厚さより厚さが薄いレジスト層８を形成するレジスト層形成工程と、開口部８２内に、親水処理を施す親水処理工程と、レジスト層８の上面に撥水処理を施す撥水処理工程と、開口部８２内に、導電性材料および／またはその前駆体と水系溶媒とを含有する液状材料９を、レジスト層８の厚さよりも厚くなるように供給する液状材料供給工程と、液状材料９から水系溶媒を除去して、ソース電極３およびドレイン電極４を得る電極形成工程と、レジスト層８を除去するレジスト層除去工程とを有する。以下、これらの各工程について、順次説明する。
【００４８】
[１−Ｉ]レジスト層形成工程
まず、図２（ａ）に示すような基板２を用意し、この基板２を、例えば、水（純水等）、有機溶媒等を単独または適宜組み合わせて洗浄する。
次に、基板２の上側の表面に、基板２とレジスト層８との密着性を向上させるための前処理を行う。
【００４９】
この前処理としては、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）のようなシラザン類、ジメチルクロロシランやトリメチルクロロシランのようなクロロシラン類、ジメチルジメトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシランのようなアルコキシシラン類、あるいは、チタネート系カップリング剤等を用いたプライマー処理が挙げられる。
特に、これらの中でも、ヘキサメチルジシラザンを用いてこの前処理を行うのが好ましい。これにより、基板２とレジスト層８との密着性をより確実に向上させることができる。
なお、この前処理は、必要に応じて省略することができる。
【００５０】
次に、基板２上に、フォトレジストを供給し、被膜８’を形成する（図２（ｂ）参照。）。
基板２上に供給するフォトレジストとしては、光が照射（露光）された領域が硬化し、この露光された領域以外の領域が現像によって溶解し、除去されるネガ型フォトレジスト、および、露光された領域が現像によって溶解し、除去されるポジ型フォトレジストのいずれを用いてもよい。
【００５１】
ネガ型フォトレジストとしては、ロジン−重クロム酸塩、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）−重クロム酸塩、セラック−重クロム酸塩、カゼイン−重クロム酸塩、ＰＶＡ−ジアゾ、アクリル系フォトレジスト等のような水溶性フォトレジスト、ポリケイ皮酸ビニル、環化ゴム−アジド、ポリビニルシンナミリデンアセタート、ポリケイ皮酸β−ビニロキシエチルエステル等のような油溶性フォトレジスト等が挙げられる。
また、ポジ型フォトレジストとしては、ｏ−ナフトキノンジアジド等のような油溶性フォトレジスト等が挙げられる。
【００５２】
フォトレジストを、基板２上に、供給する方法としては、いかなる方法であってもよいが、塗布法が好適に用いられる。
塗布法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット法（液滴吐出法）、マイクロコンタクトプリンティング法等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５３】
また、得られた被膜８’に対して、加熱を行うプレベーク処理を施すようにしてもよい。これにより、被膜８’を確実に固化することができる。
この処理（加熱処理）の温度は、４０〜２００℃程度であるのが好ましく、８０〜１５０℃程度であるのがより好ましい。
また、この処理の時間は、２〜２０ｍｉｎ程度であるのが好ましく、５〜１０ｍｉｎ程度であるのがより好ましい。
【００５４】
次に、被膜８’を、フォトマスクを介して露光および現像し、ソース電極３およびドレイン電極４を形成する領域に開口部８２を有するレジスト層８を形成する（図２（ｃ）参照。）。
ここで、このレジスト層８の厚さＹは、後述する電極形成工程［１−Ｖ］で形成するソース電極３およびドレイン電極４の厚さＸよりも薄くなるように設定する。これにより、レジスト層除去工程［１−VI］において、レジスト層８の除去を短時間で行うことができる。これにより、レジスト層８を除去する処理によるソース電極３およびドレイン電極４の変質・劣化を防止または抑制することができる。
【００５５】
このレジスト層８の厚さＹは、形成するソース電極３およびドレイン電極４の厚さＸよりも薄くなるようなものであれば、いかなる厚さのものであってもよいが、Ｘ／Ｙが２〜１０なる関係を満足するのが好ましく、Ｘ／Ｙが４〜８なる関係を満足するのがより好ましい。かかる関係を満足することにより、レジスト層８を除去する処理によるソース電極３およびドレイン電極４の変質・劣化をより確実に防止または抑制することができる。
レジスト層８の厚さをＹ［ｎｍ］としたとき、厚さＹは、５〜５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５〜２０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【００５６】
[１−II]親水処理工程
次に、図２（ｄ）に示すように、例えば、レジスト層８に対応する領域をマスクして、レジスト層８の開口部８２内に親水処理を施す。
この親水処理としては、例えば、開口部８２内に対して、酸素含有雰囲気中で紫外線および／または赤外線を照射する方法、酸素プラズマを照射する酸素プラズマ処理法を用いることができるが、これらの中でも、酸素プラズマ処理法を用いるのが好ましい。
【００５７】
この酸素プラズマ処理法は、酸素プラズマを発生させる放電領域に酸素を含有するガスを導入し、この放電領域で生じた酸素プラズマを、開口部８２内のレジスト層８の側面および／または基板２に入射させることで、親水性を付与するものである。
かかる処理法によれば、開口部８２内に、容易かつ確実に親水性を付与することができる。
【００５８】
また、酸素ガスを含有するガスとしては、典型的には、純酸素ガスが用いられるが、酸素ガスとフッ化炭素ガス（例えば、四フッ化メタンガス）との混合ガスを用いるのが好ましい。これにより、酸素プラズマが維持される時間が長くなり、開口部８２内まで酸素プラズマの状態で到達させることができる。
この混合ガス中の酸素ガス濃度（含有率）は、６０〜９０ｖｏｌ％程度であるのが好ましく、６５〜８０ｖｏｌ％程度であるのがより好ましい。
【００５９】
酸素ガスの濃度を前記範囲内とすることにより、酸素プラズマを、開口部８２内までより効率よく到達させることができる。
酸素ガスを含有するガスの流量は、１０〜５００ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、５０〜４００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。
また、ＲＦパワーは、０．００５〜０．２Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、０．０５〜０．１Ｗ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。
【００６０】
次に、この酸素プラズマ照射の際の雰囲気温度は、０〜１００℃程度であるのが好ましく、２０〜５０℃程度であるのがより好ましい。
さらに、この酸素プラズマ照射の時間は、１〜１２０秒程度であるのが好ましく、１０〜６０秒程度であるのがより好ましい。
なお、この際の圧力は、大気圧下であるのが好ましい。これにより、チャンバーや減圧手段等の使用を不要にでき、低エネルギー、低コストで処理することができる。
【００６１】
[１−III]撥水処理工程
次に、図２（ｅ）に示すように、例えば、開口部８２に対応する領域をマスクして、レジスト層８の上面（基板と反対側の面）に撥水処理を施す。
この撥水処理としては、例えば、レジスト層８の上面に対して、撥水性を有する材料を供給することにより撥水膜を形成する方法、フッ素プラズマを照射するフッ素プラズマ処理法等を用いることができるが、これらの中でも、フッ素プラズマ処理法を用いるのが好ましい。
【００６２】
このフッ素プラズマ処理法は、フッ素プラズマを発生させる放電領域にフッ素を含有するガスを導入し、この放電領域で生じたフッ素プラズマを、レジスト層８の上面に入射させることで、このフッ素プラズマが入射された領域に撥水性を付与するものである。
かかる処理法によれば、レジスト層８の上面をほぼ全体に亘って均一にフッ化すること、すなわち、レジスト層８の上面に均一に（ムラなく）撥水性を付与することができる。
【００６３】
フッ素原子を含有するガス種としては、例えば、四フッ化メタン（ＣＦ４）、四フッ化エチレン（Ｃ２Ｆ４）、六フッ化プロピレン（Ｃ３Ｆ６）、八フッ化ブチレン（Ｃ４Ｆ８）等が挙げられ、これらの中でも、特に四フッ化メタンを主成分とするものが好ましい。
フッ素原子を含有するガスの流量は、１０〜５００ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、５０〜４００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。
ＲＦパワーは、０．００５〜０．２Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、０．０５〜０．１Ｗ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。
【００６４】
次に、このフッ素プラズマ照射の際の雰囲気温度は、０〜１００℃程度であるのが好ましく、２０〜５０℃程度であるのがより好ましい。
さらに、このフッ素プラズマ照射の照射時間は、１〜６０秒程度であるのが好ましく、１０〜３０秒程度であるのがより好ましい。この照射時間が前記範囲よりも短い場合には、レジスト層８に撥水性を十分に付与できないおそれがある。また、照射時間が前記範囲よりも長くなると、レジスト層８の開口部にフッ素が入射し、この開口部が親水性から撥水性に傾いてしまうおそれがある。
なお、この際の圧力は、大気圧下であるのが好ましい。これにより、チャンバーや減圧手段等の使用を不要にでき、低エネルギー、低コストで処理することができる。
【００６５】
このような、親水処理工程[１−II]および撥水処理工程[１−III]を開口部８２内およびレジスト層８の上面に施すことにより、レジスト層８の上面の撥水性を開口部８２の撥水性よりも高くすることができる。これにより、後述する液状材料供給工程において、開口部８２内に供給された液状材料を、レジスト層８の上面への拡散（移行）を阻止することができる。
なお、基板２自体が親水性を有する場合、および、レジスト層８自体が撥水性を有する場合等には、前記工程[１−II]、[１−III]のいずれか一方もしくは双方を省略することができる。
【００６６】
[１−IV]液状材料供給工程
次に、図３（ｆ）に示すように、上述したような処理が施された基板２の開口部８２内に、形成すべきソース電極３およびドレイン電極４に応じて、所定量の液状材料９を供給する。なお、液状材料９は、レジスト層８の厚さよりも厚くなるに供給される。
ここで、前述した撥水および親水処理工程において、それぞれ、レジスト層８の上面には撥水処理が、開口部８２内には親水処理が施されている。
【００６７】
このため、開口部８２内に、液状材料９を供給すると、開口部８２内には親水処理が施されていることから、液状材料９は開口部８２内において一様に広がることとなる。
さらに、液状材料９の厚さを、レジスト層８の厚さよりも厚くなるように供給しても、レジスト層８の上面に撥水性を付与していることから、液状材料９がレジスト層８の上面に移行することが阻止される。これにより、目的とする形状のソース電極３およびドレイン電極４を精度よく形成することができる。その結果、得られる薄膜トランジスタ１は、特性に優れたものとなる。
【００６８】
このレジスト層８の上面と開口部８２内との撥水性の程度の違いは、各種の指標により表すことができるが、接触角を用いて好適に表すことができる。
具体的には、レジスト層８の上面に対する液状材料９の接触角をＡ［°］とし、開口部８２内に対する液状材料９の接触角をＢ［°］としたとき、Ａ−Ｂ≧１５なる関係を満足するのが好ましく、Ａ−Ｂ≧３０なる関係を満足するのがより好ましい。このような関係を満足することにより、レジスト層８の厚さよりも厚くなるように開口部８２内に供給された液状材料９が、レジスト層８の上面への拡散（移行）することをより確実に阻止することができる。
【００６９】
この液状材料９を開口部８２内に供給する方法には、前述したレジスト層形成工程［１−Ｉ］で説明したものと同様の塗布法を用いることができるが、これらの中でも、インクジェット法（液滴吐出法）を用いるのが好ましい。インクジェット法によれば、開口部８２内に確実に液状材料９を供給して、レジスト層８への拡散をより確実に阻止することができる。
【００７０】
以下では、ソース電極３およびドレイン電極４を、インクジェット法を用いて形成する方法について説明する。
インクジェット法では、導電性材料および／またはその前駆体と水系溶媒とを含有する液状材料９（以下、「インク」と言う。）を、液滴吐出ヘッドのノズルから液滴を吐出してパターニングする。
【００７１】
ここで、インクの粘度（常温）は、特に限定されないが、通常、３〜１０ｃｐｓ程度であるのが好ましく、４〜８ｃｐｓ程度であるのがより好ましい。インクの粘度をかかる範囲とすることにより、ノズルからの液滴の吐出をより安定的に行うことができる。
また、インクの１滴の量（平均）も、特に限定されないが、通常、０．１〜４０ｐＬ程度であるのが好ましく、１〜３０ｐＬ程度であるのがより好ましい。液滴の１滴の量（平均）をかかる範囲とすることにより、より精密な形状を形成することができる。
【００７２】
インクには、例えば、次の＜Ａ＞〜＜Ｄ＞ようなものが用いられる。
＜Ａ＞  ソース電極３およびドレイン電極４を導電性高分子材料で構成する場合、インクとしては、導電性高分子材料を水系溶媒に溶解または分散した溶液または分散液が用いられる。
＜Ｂ＞  ソース電極３およびドレイン電極４を無機材料（例えば金属材料）で構成する場合、インクとしては、無機材料粒子（例えば金属粒子）を水系溶媒に分散した分散液（コロイド）を用いることができる。
この場合、インクにおける無機材料粒子の含有量は、特に限定されないが、１〜４０ｗｔ％程度であるのが好ましく、１０〜３０ｗｔ％程度であるのがより好ましい。
【００７３】
また、用いる無機材料粒子の平均粒径は、特に限定されないが、１〜１００ｎｍ程度であるのが好ましく、２〜３０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、無機材料粒子には、常温での凝集を阻止するための凝集阻止剤（分散剤）で被覆したものを用いるのが好ましい。この凝集阻止剤としては、例えば、アルキルアミンのような窒素原子を含む基を有する化合物、アルカンジオールのような酸素原子を含む基を有する化合物、アルキルチオール、アルカンジチオールのような硫黄原子を含む基を有する化合物等が挙げられる。アルカンジオールとしては、プロピレングリコール、トリメチレングリコール、エチレングリコール、ブタンジオールが好適である。
【００７４】
この場合、インク中には、所定の処理（例えば、加熱等）により、凝集阻止剤を除去し得る除去剤が添加される。この除去剤としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ヘキサン酸、オクチル酸のような炭素数１〜１０の直鎖状または分岐状の飽和カルボン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、ケイ皮酸、安息香酸、ソルビン酸のような不飽和カルボン酸、シュウ酸、マロン酸、セバシン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸のような二塩基酸等の各種カルボン酸類、これらのカルボン酸類のカルボキシル基をリン酸基やスルホニル基に置換した各種リン酸類や各種スルホン酸類等の有機酸、または、その有機酸エステル、その他、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメリテート）、グリセロールトリス（アンヒドロトリメリテート）のような芳香族酸無水物、無水マレイン酸、無水コハク酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、アルケニル無水コハク酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンテトラカルボン酸無水物のような環状脂肪族酸無水物、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、ポリセバシン酸無水物などの脂肪族酸無水物等を挙げることができる。
【００７５】
また、インク中には、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビニルエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、オリゴエステルアクリレート樹脂、キシレン樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、フラン樹脂、ユリア樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、シリコン樹脂のような各種熱硬化性樹脂の前駆体を添加（混合）するようにしてもよい。
なお、インクの粘度は、例えば、無機材料粒子の含有量、分散媒の種類や組成、添加物の有無や種類等を適宜設定することにより調整することができる。
【００７６】
＜Ｃ＞  ソース電極３およびドレイン電極４を、金属材料で構成する場合、インクとしては、還元されることにより金属材料となる金属酸化物で構成された金属酸化物粒子と、還元剤とを水系溶媒に溶解または分散した溶液または分散液を用いることができる。
この場合、インクにおける金属酸化物粒子の含有量は、特に限定されないが、１〜４０ｗｔ％程度であるのが好ましく、１０〜３０ｗｔ％程度であるのがより好ましい。
【００７７】
また、用いる金属酸化物粒子の平均粒径は、特に限定されないが、１００ｎｍ以下であるのが好ましく、３０ｎｍ以下であるのがより好ましい。
また、還元剤としては、例えば、アスコルビン酸、硫化水素、シュウ酸、一酸化炭素等が挙げられる。
なお、インクの粘度は、例えば、金属酸化物粒子の含有量、分散媒の種類や組成等を適宜設定することにより調整することができる。
【００７８】
＜Ｄ＞  ソース電極３およびドレイン電極４を金属酸化物で構成する場合、インクとしては、金属酸化物の前駆体を水系溶媒に溶解または分散した溶液または分散液を用いることができる。
用いる金属酸化物の前駆体としては、例えば、金属アルコキシド、酢酸または酢酸誘導体の金属塩のような有機金属化合物、金属塩化物、金属硫化物、金属シアン化物等の無機金属化合物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
インクにおける金属酸化物の前駆体の濃度（含有量）は、特に限定されないが、１〜５０ｗｔ％程度であるのが好ましく、１０〜３０ｗｔ％程度であるのがより好ましい。
【００７９】
なお、インクの粘度は、例えば、金属酸化物の前駆体の濃度、溶媒の種類や組成等を適宜設定することにより調整することができる。
以上のようなインクにおいて、水系溶媒（比較的極性の高い溶媒）としては、例えば、水、メタノール、エタノール、イソプロパノールのような単価アルコール類、エチレングリコール、グリセリンのような多価アルコール類、アセトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル類等が挙げられ、これらを単独または混合液として用いられる。
【００８０】
[１−Ｖ]電極形成工程
次に、開口部８２に供給された液状材料９から水系溶媒を除去して、ソース電極３およびドレイン電極４を得る（図３（ｇ）参照。）。
前記溶媒を除去する際の温度（除去温度）は、特に限定されず、水系溶媒の構成材料によって若干異なるが、２０〜２００℃程度であるのが好ましく、５０〜１００℃程度であるのがより好ましい。これにより、液状材料９中に含まれる水系溶媒を、確実に除去することができる。
【００８１】
次に、前記溶媒を除去する時間についても、特に限定されず、前記除去温度によっても若干異なるが、５〜１００ｍｉｎ程度であるのが好ましく、１０〜５０ｍｉｎ程度であるのがより好ましい。
また、前記除去温度に応じて、加熱手段を用いていもよく、例えば加熱、赤外線の照射、超音波の付与等を行うことによっても、ソース電極３およびドレイン電極４を得ることができる。
【００８２】
［１−VI］レジスト層除去工程
次に、基板２からレジスト層８を除去する。
レジスト層８の除去方法は、レジスト層８の種類に応じて適宜選択すればよく、例えば、プラズマ処理やオゾン処理のようなアッシング、紫外線の照射、Ｎｅ−Ｈｅレーザー、Ａｒレーザー、ＣＯ２レーザー、ルビーレーザー、半導体レーザー、ＹＡＧレーザー、ガラスレーザー、ＹＶＯ４レーザー、エキシマレーザー等の各種レーザーの照射、レジスト層８を溶解または分解し得る溶剤との接触（例えば浸漬）等により行うことができる。
【００８３】
これらの中でも、特に、プラズマ処理を用いるのが好ましい。プラズマ処理によれば、ソース電極３およびドレイン電極４の変質・劣化を抑えながら、容易にレジスト層８を除去することができる。
プラズマ処理としては、例えば、酸素プラズマ処理、フッ素プラズマ処理、アルゴンプラズマ処理等を用いることができるが、これらの中でも、酸素プラズマ処理を用いるのが好ましい。これにより、ソース電極３およびドレイン電極４の変質・劣化をより確実に抑えながら、容易にレジスト層８を除去することができる。
【００８４】
また、ソース電極３およびドレイン電極４の構成材料がＣｕおよびＮｉを含有する場合には、酸素プラズマ処理により、これら電極３、４の表面に存在するＣｕおよびＮｉが酸化され、これらの電極３、４としての特性（例えば、仕事関数の増加等）が改善されるといった副次的効果も得られる。これにより、Ｐチャネル型の薄膜トランジスタ１を構築する場合には、その特性を向上させることができる。
【００８５】
酸素プラズマ処理を用いる場合、図３（ｈ）に示すように、レジスト層８、ソース電極３およびドレイン電極４が形成された基板２上に、酸素プラズマを照射して、レジスト層８を除去する（図３（ｉ）参照。）。
【００８６】
このとき、本発明では、レジスト層８が、ソース電極３およびドレイン電極４よりも厚さが薄く形成されているので、レジスト層８の除去を短時間で行うことができる。このため、レジスト層８を除去する際の、ソース電極３およびドレイン電極４の変質・劣化を好適に防止または抑制することができる。
酸素ガスの流量は、１０〜２００ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。
また、ＲＦパワーは、０．００５〜０．２Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、０．０５〜０．１Ｗ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。
【００８７】
次に、この酸素プラズマ照射の際の雰囲気温度は、０〜１００℃程度であるのが好ましく、２０〜５０℃程度であるのがより好ましい。
さらに、この酸素プラズマ照射の時間は、１〜３００秒程度であるのが好ましく、１０〜１５０秒程度であるのがより好ましい。
酸素プラズマ処理の条件を前記範囲内とすることにより、レジスト層８がより確実に除去されて、ソース電極３とドレイン電極４の変質・劣化を好適に防止もしくは抑制することができる。その結果、優れた特性を有する薄膜トランジスタ１を得ることができる。
【００８８】
［２］有機半導体層形成工程
次に、図３（ｊ）に示すように、ソース電極３およびドレイン電極４が形成された基板２上に、ソース電極３およびドレイン電極４を覆うように、有機半導体層５を形成する。
このとき、ソース電極３とドレイン電極４との間（ゲート電極７に対応する領域）には、チャネル領域５１が形成される。
【００８９】
有機半導体層５は、有機高分子材料またはその前駆体を含む溶液を、例えば、塗布法を用いて、基板２上にソース電極３およびドレイン電極４を覆うように塗布（供給）した後、必要に応じて、この塗膜に対して後処理（例えば加熱、赤外線の照射、超音波の付与等）を施すことにより形成することができる。
ここで、塗布法には、前述したソース電極およびドレイン電極の形成工程と同様の方法を用いることができるが、それらの中でも、特に、スピンコート法を用いるのが好ましい。スピンコート法によれば、容易かつ安価に有機半導体層５を形成することができる。
【００９０】
なお、有機半導体層５の形成領域は、図示の構成に限定されず、有機半導体層５は、ソース電極３とドレイン電極４との間の領域（チャネル領域５１）にのみ形成してもよい。これにより、同一基板上に、複数の薄膜トランジスタ１（素子）を並設する場合に、各素子の有機半導体層５を独立して形成することにより、リーク電流、各素子間のクロストークを抑えることができる。また、有機半導体材料の使用量を削減することができ、製造コストの削減を図ることもできる。チャネル領域５１にのみ有機半導体層５を形成する際、インクジェット法（液滴吐出法）は非接触で行える点で特に適している。また、必要な解像度も５〜１００μｍで、インクジェット法の解像度に適合している。
【００９１】
この場合、有機半導体材料を溶解する溶媒には、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等を用いることができる。
【００９２】
有機半導体材料は、芳香族炭化水素基、複素環基などの共役系を含むため、一般的に芳香族炭化水素系溶媒に溶けやすい。トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン、シクロヘキシルベンゼンなどが特に適する溶媒である。
なお、有機半導体材料として低分子のものを用いる場合には、有機半導体層５は、例えば、真空蒸着法等を用いて形成することもできる。
【００９３】
［３］ゲート絶縁層形成工程
次に、図４（ｋ）に示すように、有機半導体層５上に、ゲート絶縁層６を形成する。
ゲート絶縁層６は、例えば、前記有機半導体層５と同様にして形成することができる。
なお、塗布法を用いるに際し、有機半導体層５が可溶な有機半導体材料で構成されている場合には、絶縁材料用の溶媒が、有機半導体層５を膨潤させたり、溶解しないものを選択する必要がある。先に述べた通り、有機半導体材料は芳香族炭化水素系溶媒に溶けやすいので、絶縁材料を塗布する際には、これを避けることがより望ましい。つまり、水系溶媒、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、フッ素系溶媒を用いることが望ましい。
【００９４】
［４］ゲート電極形成工程
次に、図４（ｌ）に示すように、ゲート絶縁層６上に、ゲート電極７を形成する。
具体的には、ゲート電極７は、液状材料（電極材料）またはその前駆体を含む溶液を、例えば、塗布法を用いて、ゲート絶縁層６上に塗布（供給）した後、必要に応じて、この塗膜に対して後処理（例えば加熱、赤外線の照射、超音波の付与等）を施すことにより形成することができる。
【００９５】
また、塗布法には、前記と同様の方法を用いることができるが、特に、インクジェット法（液滴吐出法）を用いるのが好ましい。インクジェット法によれば、所定形状のゲート電極７を、容易かつ確実に形成することができる。
ゲート電極７をインクジェット法を用いて形成する場合、ソース電極３およびドレイン電極４を形成する場合と同様の方法を用いることができる。
ただし、インクの溶媒は水系溶媒に限定されず、各種溶媒を用いることができる。
【００９６】
具体的には、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の無機物や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノン等のケトン類、メタノール、エタノール、イソプロパノール等の単価アルコール類、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等の多価アルコール類、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ類、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素類、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド類、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物類、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル類、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物類、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル類、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸類のような各種有機物、または、これらを含む混合物等が挙げられる。
【００９７】
以上のような工程を経て、図１に示す薄膜トランジスタ１が得られる。
このような製造方法では、ソース電極３およびドレイン電極４の形成方法として、基板２上に、これらの電極３、４を形成するための材料を含有する液体材料９を、インクジェット法（液滴吐出法）により供給する方法が利用されている。かかる方法によれば、真空プロセス等を使用する場合に比べて、大掛かりな装置を必要とせず、簡易な方法により、低コストで薄膜トランジスタ１を製造することができる。
【００９８】
また、ソース電極３およびドレイン電極４を形成するための液状材料９の供給領域（開口部８２）を、レジスト層８によって形成する。これにより、この塗布領域が比較的微細な形状であっても寸法精度よく形成される。その結果、ソース電極３およびドレイン電極４を寸法精度よく形成することができ、正確なチャネル長Ｌおよびチャネル幅Ｗを得ることができる。
【００９９】
また、レジスト層８の厚さが、ソース電極３およびドレイン電極４の厚さよりも薄く形成されているので、レジスト層８を除去するための処理を短時間で済ませることができる。これにより、レジスト層８を除去するための処理によって、ソース電極３およびドレイン電極４が変質・劣化するのを好適に防止または抑制することができる。
また、この製造方法では、ソース電極３およびドレイン電極４を形成した後、レジスト層８を除去するので、ソース電極３とドレイン電極４の間にレジスト層８が残存することによる悪影響を回避することができる。
したがって、特性に優れる薄膜トランジスタ１を高い製造効率で製造することができる。
【０１００】
＜電子デバイス＞
次に、前述したような薄膜トランジスタ１を備えるアクティブマトリクス装置が組み込まれた電子デバイスについて、電気泳動表示装置を一例に説明する。
図５は、本発明の電子デバイスを電気泳動表示装置に適用した場合の実施形態を示す縦断面図、図６は、図５に示す電気泳動表示装置が備えるアクティブマトリクス装置の構成を示すブロック図である。
【０１０１】
図５に示す電気泳動表示装置２０は、基板５０上に設けられたアクティブマトリクス装置（本発明の薄膜トランジスタ回路）３０と、このアクティブマトリクス装置３０に電気的に接続された電気泳動表示部４０とで構成されている。
図６に示すように、アクティブマトリクス装置３０は、互いに直交する複数のデータ線３１と、複数の走査線３２と、これらのデータ線３１と走査線３２との各交点付近に設けられた薄膜トランジスタ１とを有している。
【０１０２】
そして、薄膜トランジスタ１が有するゲート電極７は走査線３２に、ソース電極３はデータ線３１に、ドレイン電極４は後述する画素電極（個別電極）４１に、それぞれ接続されている。
図５に示すように、電気泳動表示部４０は、基板５０上に、順次積層された、画素電極４１と、マイクロカプセル４２と、透明電極（共通電極）４３および透明基板４４とを有している。
【０１０３】
そして、マイクロカプセル４２がバインダ材４５により、画素電極４１と透明電極４３との間に固定されている。
画素電極４１は、マトリクス状に、すなわち、縦横に規則正しく配列するように分割されている。
各カプセル４２内には、それぞれ、特性の異なる複数種の電気泳動粒子、本実施形態では、電荷および色（色相）の異なる２種の電気泳動粒子４２１、４２２を含む電気泳動分散液４２０が封入されている。
【０１０４】
このような電気泳動表示装置２０では、１本あるいは複数本の走査線３２に選択信号（選択電圧）を供給すると、この選択信号（選択電圧）が供給された走査線３２に接続されている薄膜トランジスタ１がＯＮとなる。
これにより、かかる薄膜トランジスタ１に接続されているデータ線３１と画素電極４１とは、実質的に導通する。このとき、データ線３１に所望のデータ（電圧）を供給した状態であれば、このデータ（電圧）は画素電極４１に供給される。
【０１０５】
これにより、画素電極４１と透明電極４３との間に電界が生じ、この電界の方向、強さ、電気泳動粒子４２１、４２２の特性等に応じて、電気泳動粒子４２１、４２２は、いずれかの電極の方向に向かって電気泳動する。
一方、この状態から、走査線３２への選択信号（選択電圧）の供給を停止すると、薄膜トランジスタ１はＯＦＦとなり、かかる薄膜トランジスタ１に接続されているデータ線３１と画素電極４１とは非導通状態となる。
【０１０６】
したがって、走査線３２への選択信号の供給および停止、あるいは、データ線３１へのデータの供給および停止を適宜組み合わせて行うことにより、電気泳動表示装置２０の表示面側（透明基板４４側）に、所望の画像（情報）を表示させることができる。
特に、本実施形態の電気泳動表示装置２０では、電気泳動粒子４２１、４２２の色を異ならせていることにより、多階調の画像を表示することが可能となっている。
【０１０７】
また、本実施形態の電気泳動表示装置２０は、アクティブマトリクス装置３０を有することにより、特定の走査線３２に接続された薄膜トランジスタ１を選択的にＯＮ／ＯＦＦすることができるので、クロストークの問題が生じにくく、また、回路動作の高速化が可能であることから、高い品質の画像（情報）を得ることができる。
また、本実施形態の電気泳動表示装置２０は、低い駆動電圧で作動するため、省電力化が可能である。
なお、本発明の電子デバイスは、このような電気泳動表示装置２０への適用に限定されるものではなく、液晶表示装置、有機または無機ＥＬ表示装置等に適用することもできる。
【０１０８】
＜電子機器＞
このような電気泳動表示装置２０は、各種電子機器に組み込むことができる。以下、電気泳動表示装置２０を備える本発明の電子機器について説明する。
＜＜電子ペーパー＞＞
まず、本発明の電子機器を電子ペーパーに適用した場合の実施形態について説明する。
図７は、本発明の電子機器を電子ペーパーに適用した場合の実施形態を示す斜視図である。
この図に示す電子ペーパー６００は、紙と同様の質感および柔軟性を有するリライタブルシートで構成される本体６０１と、表示ユニット６０２とを備えている。
このような電子ペーパー６００では、表示ユニット６０２が、前述したような電気泳動表示装置２０で構成されている。
【０１０９】
＜＜ディスプレイ＞＞
次に、本発明の電子機器をディスプレイに適用した場合の実施形態について説明する。
図８は、本発明の電子機器をディスプレイに適用した場合の実施形態を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
この図に示すディスプレイ８００は、本体部８０１と、この本体部８０１に対して着脱自在に設けられた電子ペーパー６００とを備えている。なお、この電子ペーパー６００は、前述したような構成、すなわち、図７に示す構成と同様のものである。
【０１１０】
本体部８０１は、その側部（図中、右側）に電子ペーパー６００を挿入可能な挿入口８０５が形成され、また、内部に二組の搬送ローラ対８０２ａ、８０２ｂが設けられている。電子ペーパー６００を、挿入口８０５を介して本体部８０１内に挿入すると、電子ペーパー６００は、搬送ローラ対８０２ａ、８０２ｂにより挟持された状態で本体部８０１に設置される。
【０１１１】
また、本体部８０１の表示面側（下図（ｂ）中、紙面手前側）には、矩形状の孔部８０３が形成され、この孔部８０３には、透明ガラス板８０４が嵌め込まれている。これにより、本体部８０１の外部から、本体部８０１に設置された状態の電子ペーパー６００を視認することができる。すなわち、このディスプレイ８００では、本体部８０１に設置された状態の電子ペーパー６００を、透明ガラス板８０４において視認させることで表示面を構成している。
【０１１２】
また、電子ペーパー６００の挿入方向先端部（図中、左側）には、端子部８０６が設けられており、本体部８０１の内部には、電子ペーパー６００を本体部８０１に設置した状態で端子部８０６が接続されるソケット８０７が設けられている。このソケット８０７には、コントローラー８０８と操作部８０９とが電気的に接続されている。
このようなディスプレイ８００では、電子ペーパー６００は、本体部８０１に着脱自在に設置されており、本体部８０１から取り外した状態で携帯して使用することもできる。
【０１１３】
また、このようなディスプレイ８００では、電子ペーパー６００が、前述したような電気泳動表示装置２０で構成されている。
なお、本発明の電子機器は、以上のようなものへの適用に限定されず、例えば、テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、電子新聞、ワードプロセッサ、パーソナルコンピュータ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等を挙げることができ、これらの各種電子機器の表示部に、電気泳動表示装置２０を適用することが可能である。
【０１１４】
以上、本発明の薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ、電子デバイスおよび電子機器について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
例えば、前記実施形態では、薄膜トランジスタについて、トップゲート構造のものを代表に説明したが、本発明は、ボトムゲート構造の薄膜トランジスタに適用することもできる。
【０１１５】
また、本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、前述したような工程に、必要に応じて、１または２以上の任意の目的の工程を追加することもできる。
また、本発明の薄膜トランジスタ、電子デバイスおよび電子機器の各部の構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することもできる。
【実施例】
【０１１６】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．薄膜トランジスタの製造
以下では、特に断らない限り、水として純水を用いた。
（実施例１）
［１］ソース電極およびドレイン電極形成工程
［１−Ｉ］レジスト層形成工程
まず、平均厚さ１ｍｍのガラス基板を用意し、水（洗浄液）を用いて洗浄した。
次に、ヘキサメチルジシラザンの蒸気をガラス基板のレジスト層を形成する側の表面に噴霧し、この表面にヘキサメチルジシラザンを吸着させた。その後、水（洗浄液）を用いて洗浄した。
【０１１７】
次に、ガラス基板上に、スピンコート法によってフォトレジスト（東京応化社製  商品名ＴＳＭＲシリーズ）を塗布した後、加熱温度を１２０℃、加熱時間を１０ｍｉｎでプレベーク処理を行うことによって被膜を形成した。
次に、この被膜に対して、フォトマスクを介して紫外線を照射（露光）した後に、現像を行った。これにより、ソース電極およびドレイン電極を形成する領域に開口部を有するレジスト層を形成した。なお、得られたレジスト層の厚さＹは３０ｎｍであった。
【０１１８】
［１−II］親水処理工程
次に、レジスト層の開口部内に、酸素プラズマ処理を施した。
なお、酸素プラズマ処理の各種条件は、以下のとおりである。
・酸素を含有するガス    ：酸素ガスと四フッ化メタンガスとの混合ガス
・混合ガス混合比        ：酸素ガス：四フッ化メタンガス＝８０：２０（ｖｏｌ％）
・ガス流量              ：４００ｓｃｃｍ
・ＲＦパワー            ：０．０５Ｗ／ｃｍ２
・酸素プラズマの照射時間：６０秒
【０１１９】
［１−III］撥水処理工程
次に、レジスト層の基板と反対側の表面に、フッ素プラズマ処理を施した。
なお、フッ素プラズマ処理の各種条件は、以下のとおりである。
・フッ素を含有するガス    ：四フッ化メタンガス
・ガス流量                ：３５０ｓｃｃｍ
・ＲＦパワー              ：０．０５Ｗ／ｃｍ２
・フッ素プラズマの照射時間：３０秒
以上の親水処理工程および撥水処理工程により、レジスト層の上面の撥水性を、開口部内の撥水性よりも高いものとした。
【０１２０】
［１−IV］液状材料供給工程
次に、この開口部内に、ポリエチレンジオキシチオフェンを水に分散した液状材料（粘度（常温）５ｃｐｓ）を、インクジェット法（液滴吐出法）（液滴１滴の量２０ｐＬ）により、得られるソース電極およびドレイン電極の厚さＸが４５ｎｍとなるように供給した。
なお、このとき、レジスト層に対する液状材料の接触角Ａ［°］と、開口部内に対する液状材料の接触角Ｂ［°］との関係Ａ−Ｂは、５０［°］であった。
［１−Ｖ］電極形成工程
その後、液状材料が供給されたガラス基板を、８０℃×１０分間で乾燥し、ソース電極およびドレイン電極を得た。
【０１２１】
［１−VI］レジスト層除去工程
次に、レジスト層を、酸素プラズマ処理によって除去した後、ソース電極およびドレイン電極が形成されたガラス基板を、水およびメタノールで順次洗浄した。
なお、酸素プラズマ処理の各種条件は、以下のとおりである。
・酸素を含有するガス    ：酸素ガス
・ガス流量              ：１００ｓｃｃｍ
・ＲＦパワー            ：０．０５Ｗ／ｃｍ２
・酸素プラズマの照射時間：１２０秒
【０１２２】
［２］有機半導体層工程
次に、ガラス基板上に、Ｆ８Ｔ２（フルオレン−ビチオフェン共重合体）の１％ｗｔ／ｖｏｌトルエン溶液を、スピンコート法（２４００ｒｐｍ）により塗布した後、６０℃×１０分間で乾燥した。これにより、平均厚さ５０ｎｍの有機半導体層を形成した。
［３］ゲート絶縁層形成工程
次に、有機半導体層上に、ポリメチルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）の５％ｗｔ／ｖｏｌ酢酸ブチル溶液を、スピンコート法（２４００ｒｐｍ）により塗布した後、６０℃×１０分間で乾燥した。さらに、ポリビニルフェノールの２％ｗｔ／ｖｏｌイソプロピルアルコール溶液を、スピンコート法（２４００ｒｐｍ）により塗布した後、６０℃×１０分間で乾燥した。これにより、平均厚さ５００ｎｍのゲート絶縁層を形成した。
【０１２３】
［４］ゲート電極形成工程
次に、ゲート絶縁層上の、ソース電極とドレイン電極との間の領域に対応する部分に、ポリエチレンジオキシチオフェンの水分散液（粘度（常温）５ｃｐｓ）を、インクジェット法（液滴吐出法）（液滴１滴の量２０ｐＬ）により塗布した後、８０℃×１０分間で乾燥した。これにより、平均厚さ１００ｎｍのゲート電極を形成した。
以上の工程により、図１に示す薄膜トランジスタを製造した。
【０１２４】
（実施例２〜５）
レジスト層形成工程［１−Ｉ］において、形成するレジスト層の厚さを、表１のように変更した以外は、実施例１と同様にして、図１に示す薄膜トランジスタを製造した。
（実施例６、７）
液状材料供給工程［１−IV］において、液状材料が含有する導電性材料を、表１のように変更した以外は、実施例１と同様にして、図１に示す薄膜トランジスタを製造した。
（実施例８）
レジスト層除去工程［１−VI］において、酸素プラズマ処理にかえてアルゴンプラズマ処理によりレジスト層を除去した以外は、実施例７と同様にして、図１に示す薄膜トランジスタを製造した。
【０１２５】
（比較例１）
レジスト層形成工程［１−Ｉ］において、レジスト層の厚さを、２００ｎｍとなるように形成した以外は、実施例１と同様にして、図１に示す薄膜トランジスタを製造した。
（比較例２）
レジスト層除去工程［１−VI］を省略した以外は、比較例１と同様にして、図１に示す薄膜トランジスタを製造した。
（比較例３）
レジスト層形成工程［１−Ｉ］において、得られるソース電極およびドレイン電極の厚さを、４５ｎｍとなるように変更した以外は、比較例１と同様にして、図１に示す薄膜トランジスタを製造した。
【０１２６】
【表１】
2005251809.tif 000003
【０１２７】
２．評価
各実施例および各比較例で製造した薄膜トランジスタについて、それぞれ、ＯＦＦ電流、ＯＮ電流の値を測定した。
ここで、ＯＦＦ電流とは、ゲート電圧を印加しないときに、ソース電極とドレイン電極との間に流れる電流の値のことである。
【０１２８】
また、ＯＮ電流とは、ゲート電圧を−４０Ｖとし、ソース電極とドレイン電極との電位差を３０Ｖとして測定した。
したがって、ＯＦＦ電流の絶対値が小さく、およびＯＮ電流の絶対値が大きいもの程、良好な特性を有する薄膜トランジスタであることを意味する。
これらの値を、表２に示す。
【０１２９】
【表２】
2005251809.tif 000004
【０１３０】
表２に示すように、各実施例で製造した薄膜トランジスタは、いずれも、ＯＦＦ電流の絶対値が小さく、ＯＮ電流の絶対値は大きいものであり、特性に優れるものであった。これは、ソース電極およびドレイン電極の変質・劣化を起こすことなく、レジスト層が確実に除去（剥離）されていることを示唆する結果である。
また、ソース電極およびドレイン電極の厚さＸ／レジスト層の厚さＹを２〜１０として製造した薄膜トランジスタ、および、レジスト層の厚さＹを５〜５０ｎｍとして製造した薄膜トランジスタでは、それぞれ、その特性が向上する傾向を示した。
【０１３１】
さらに、双方を満足する薄膜トランジスタ（実施例３、４）では、その特性が特に向上する傾向を示した。
これに対し、比較例１および比較例３は、ＯＮ電流の絶対値が小さなものとなった。この結果は、レジスト層を剥離する際に、ソース電極およびドレイン電極が変質・劣化したために、薄膜トランジスタとしての特性が低下したためのものであると推察される。
【０１３２】
また、比較例２は、ＯＦＦ電流が大きなものとなり、十分なＯＮ／ＯＦＦ比が得られなかった。この結果は、レジスト層を除去しないために、レジスト層中の不純物やレジスト層にドープされたフッ素イオン等がＯＦＦ電流の発生に寄与したためのものであると推察される。
また、実施例７と実施例８とを比較して分かるように、ソース電極およびドレイン電極をＣｕで構成した場合には、酸素プラズマ処理によりレジスト層を除去すると、薄膜トランジスタの特性が向上する。これは、酸素プラズマ処理により、これら電極の表面に存在するＣｕが酸化されることにより、ソース電極の仕事関数が大きくなり、有機半導体層への正孔の注入効率が向上していることを示唆する結果である。
【図面の簡単な説明】
【０１３３】
【図１】薄膜トランジスタの実施形態を示す図であり、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は平面図である。
【図２】図１に示す薄膜トランジスタの製造方法を説明するための図（縦断面図）である。
【図３】図１に示す薄膜トランジスタの製造方法を説明するための図（縦断面図）である。
【図４】図１に示す薄膜トランジスタの製造方法を説明するための図（縦断面図）である。
【図５】本発明の電子デバイスを電気泳動表示装置に適用した場合の実施形態を示す縦断面図。
【図６】図５に示す電気泳動表示装置が備えるアクティブマトリクス装置の構成を示すブロック図。
【図７】本発明の電子機器を電子ペーパーに適用した場合の実施形態を示す斜視図である。
【図８】本発明の電子機器をディスプレイに適用した場合の実施形態を示す図である。
【符号の説明】
【０１３４】
１‥‥薄膜トランジスタ  ２‥‥基板  ３‥‥ソース電極  ４‥‥ドレイン電極  ５‥‥有機半導体層  ５１‥‥チャネル領域  ６‥‥ゲート絶縁層  ７‥‥ゲート電極  ８‥‥レジスト層  ８’‥‥被膜  ８２‥‥開口部  ９‥‥液状材料  ２０‥‥電気泳動表示装置  ３０‥‥アクティブマトリクス装置  ３１‥‥データ線  ３２‥‥走査線  ４０‥‥電気泳動表示部  ４１‥‥画素電極  ４２‥‥マイクロカプセル  ４２０‥‥電気泳動分散液  ４２１、４２２‥‥電気泳動粒子  ４３‥‥透明電極  ４４‥‥透明基板  ４５‥‥バインダ材  ５０‥‥基板  ６００‥‥電子ペーパー  ６０１‥‥本体  ６０２‥‥表示ユニット  ８００‥‥ディスプレイ  ８０１‥‥本体部  ８０２ａ、８０２ｂ‥‥搬送ローラ対  ８０３‥‥孔部  ８０４‥‥透明ガラス板  ８０５‥‥挿入口  ８０６‥‥端子部  ８０７‥‥ソケット  ８０８‥‥コントローラー  ８０９‥‥操作部
【図１】
2005251809.tif 000005
【図２】
2005251809.tif 000006
【図３】
2005251809.tif 000007
【図４】
2005251809.tif 000008
【図５】
2005251809.tif 000009
【図６】
2005251809.tif 000010
【図７】
2005251809.tif 000011
【図８】
2005251809.tif 000012