(57)【要約】  【課題】広帯域に渡って優れた電磁波吸収性能をもち、脱離ガスが全く発生しない、しかも電磁波の減衰特性を容易に制御できる、主に高周波回路用パッケージ部品に用いられる電磁波吸収体を提供することを目的とする。  【解決手段】Ｆｅ２Ｏ３を主成分とし、その残部にＮｉＯを含有する焼結体からなり、ＮｉOが中心部よりも周縁部に多く存在する電磁波吸収体とする。  【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｆｅ２Ｏ３を主成分とし、その残部にＮｉＯを含有する焼結体からなる電磁波吸収体であって、前記ＮｉＯが前記電磁波吸収体の中心部よりも周縁部に多く存在することを特徴とする電磁波吸収体。
【請求項２】
前記電磁波吸収体は主表面が加工面であって、該加工面のＸ線回折におけるＮｉＦｅ２Ｏ３のピーク強度比Ａと、Ｆｅ２Ｏ３のピーク強度比Ｂとの比、Ａ／Ｂの値が１．０以下であることを特徴とする請求項１に記載の電磁波吸収体。
【請求項３】
パッケージベースと、該パッケージベース上に取り付けられたパッケージ蓋体とからなる高周波回路用パッケージにおいて、請求項１乃至２のいずれかに記載の電磁波吸収体を前記高周波回路用パッケージ内部に装着したことを特徴とする高周波回路用パッケージ。
【請求項４】
パッケージベースと、該パッケージベース上に取り付けられたパッケージ蓋体とからなる高周波回路用パッケージにおいて、前記パッケージ蓋体を請求項１乃至２のいずれかに記載の電磁波吸収体で形成したことを特徴とする高周波回路用パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁波吸収体及びこれを用いた高周波回路用パッケージに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
通常、高周波回路用パッケージでは、金属またはセラミックス等からなる直方体状のパッケージ蓋体をパッケージベースに取り付けることにより気密封止を行っている。
【０００３】
従って、高周波回路用パッケージ内部には直方体状の空洞が形成されることから、高周波回路用パッケージは方形空洞共振器と同様の性質を有する。
【０００４】
そのため、前記空洞の寸法によって定まる遮断周波数より高い周波数帯域で、空洞共振を生じるので、この周波数帯域で動作する高周波半導体素子あるいはその他の回路素子を高周波回路用パッケージに実装する場合には、前記空洞の寸法を小さくすることで、遮断周波数を前記素子が動作する周波数帯域よりも十分に高くしている。
【０００５】
ところが、この方法では素子の動作周波数が高周波化するに伴い、素子が動作する周波数帯域より空洞共振が生じる周波数の方が低くなるという問題があった。
【０００６】
近年、この問題を解決するために、電磁波吸収体を高周波回路用パッケージ内部に装着して、空洞共振時の電界エネルギーまたは磁界エネルギーを吸収することにより、空洞共振を抑制する方法が採られるようになってきている。
【０００７】
例えば、高周波回路用パッケージ内部に使用される電磁波吸収体としては、図６の高周波回路用パッケージ７０のように、パッケージ蓋体７１の裏面に直方体の形状を有するフェライトシートからなる電磁波吸収体７２を装着したもの、あるいは液状のフェライト塗料を塗布したもの（特許文献１）等が知られている。
【特許文献１】特開平６−２３６９３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記高周波回路用パッケージ７０内部に装着されたフェライトシートや液状のフェライト塗料では、少なくとも２０重量％の合成樹脂が必要であるため、耐難燃性が劣るといった問題があった。
【０００９】
そこで、この問題を解決するために、デカブロモジフェニルオキサイド、ＴＢＡエポキシオリゴマー・ポリマー、ＴＢＡカーボネートオリゴマー等の難燃剤を添加し耐難燃性の向上を図ることが一般的に行われているが、このような難燃剤はＢｒ、Ｃｌ元素を含む化合物であるため、温度負荷がかかるとＢｒ、Ｃｌ元素を含む脱離ガスが発生する。
【００１０】
このような難燃剤を含む電磁波吸収体７２を高周波回路用パッケージ７０内部に装着すると、パッケージ蓋体７１とパッケージベース７３との接合時や高周波回路用パッケージ７０とマザーボード（不図示）との接合時に温度負荷がかかるため、Ｂｒ、Ｃｌ元素を含む脱離ガスが高周波回路用パッケージ４０内部に充満する。
【００１１】
このようなガスは腐食性があることから、高周波回路用パッケージ７０内部に実装される半導体素子（不図示）や、パッケージベース７３に形成される伝送線路（不図示）等を腐食させるといった問題があった。
【００１２】
また、脱離ガスの発生を抑制するために、機能性セラミックス、例えば、ＮｉーＺｎフェライトを電磁波吸収体に用いることも考えられるが、ＮｉーＺｎフェライトを構成するＦｅ２Ｏ３は通常５０ｍｏｌ％未満であり、数ＭＨｚ程度の周波数帯域を対象とした電磁波吸収体にしか用いることができなかった。
【００１３】
しかも、パッケージ蓋体７１に電磁波吸収体を配置することによって、素子のマイクロ波信号エネルギーまでも吸収するおそれがあった。
【００１４】
これに対し、近年、１０ＧＨｚ以上の高周波帯域に使用する電磁波吸収体が求められているが、このようなＮｉーＺｎフェライトを１０ＧＨｚ以上の高周波数帯域を対象とした電磁波吸収体に用いても所望の電磁波吸収特性が得られないという問題があった。
【００１５】
そこで本発明は、製造が容易であるとともに、電磁波吸収特性が良好でしかも脱離ガスが全く発生しない、しかも電磁波の減衰特性を容易にコントロールすることができ、主に１０ＧＨｚ以上の高周波数帯域を対象とした高周波回路用パッケージ部品に用いられる電磁波吸収体及びこれを用いた高周波回路用パッケージを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の電磁波吸収体は、Ｆｅ２Ｏ３を主成分とし、その残部にＮｉＯを含有する焼結体からなり、前記ＮｉＯが前記電磁波吸収体の中心部よりも周縁部に多く存在することを特徴とするものである。
【００１７】
また、前記電磁波吸収体は主表面が加工面であって、該加工面のＸ線回折におけるＮｉＦｅ２Ｏ３のピーク強度比Ａと、Ｆｅ２Ｏ３のピーク強度比Ｂとの比、Ａ／Ｂの値が１．０以下であることを特徴とする。
【００１８】
また、パッケージベースと、該パッケージベース上に取り付けられたパッケージ蓋体とからなる高周波回路用パッケージにおいて、前記電磁波吸収体を前記高周波回路用パッケージ内部に装着したことを特徴とする。
【００１９】
また、パッケージベースと、該パッケージベース上に取り付けられたパッケージ蓋体とからなる高周波回路用パッケージにおいて、前記パッケージ蓋体が前記電磁波吸収体で形成されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の電磁波吸収体によると、Ｆｅ２Ｏ３を主成分とし、その残部にＮｉＯを含有し、そのＮｉＯが電磁波吸収体の中心部よりも周縁部に多く存在するようにしたことから、良好な電磁波吸収特性を得ることができるとともに、低温焼成を可能とすることができる。
【００２１】
また、前記電磁波吸収体は主表面を加工面とすることによって、該加工面のＸ線回折におけるＮｉＦｅ２Ｏ３相のピーク強度比Ａと、Ｆｅ２Ｏ３相のピーク強度比Ｂとの比Ａ／Ｂの値を１．０以下にすることによって、良好な電磁波吸収特性が得られると同時に、ＮｉＦｅ２Ｏ３相の除去加工量に応じて減衰量のコントロールをすることが可能であり、この電磁波吸収体を用いた高周波回路用パッケージの設計の自由度を高めることができる。
【００２２】
また、パッケージベースと、該パッケージベース上に取り付けられたパッケージ蓋体とからなる高周波回路用パッケージにおいて、上記電磁波吸収体を前記高周波回路用パッケージ内部に装着したことで、良好な電磁波吸収特性が得られると同時に、空洞共振を抑制することができる。
【００２３】
さらに、パッケージベースと、該パッケージベース上に取り付けられたパッケージ蓋体とからなる高周波回路用パッケージにおいて、前記パッケージ蓋体を上記電磁波吸収体で形成したことで、部品点数を削減できると同時に電磁波吸収体を装着するための工程を廃止することができ、製造コストを引き下げられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
次に本発明を実施するための最良の形態を説明する。
【００２５】
本発明の電磁波吸収体は、Ｆｅ２Ｏ３を主成分とし、その残部にＮｉＯを含有する焼結体からなる電磁波吸収体であって、前記ＮｉＯが前記電磁波吸収体の中心部よりも周縁部に多く存在することが重要である。
【００２６】
つまり、本発明の電磁波吸収体はＦｅ２Ｏ３を主成分とし、その残部にＮｉＯを含有するが、その残部にＮｉＯを含有させることによって、電磁波吸収体の体積固有抵抗を下げることができるために、良好な電磁波吸収特性を得ることができ、さらには、前記焼結体を低温で焼結させることが可能となるのである。
【００２７】
そして、前記電磁波吸収体の電磁波吸収特性をより有効的に作用させるには、電磁波吸収体の体積固有抵抗はできる限り小さいことが良いのであるが、とくに前記電磁波吸収体の表面層の体積固有抵抗が小さいことが重要である。
【００２８】
そのためには、電磁波吸収体に含有するＮｉＯの量は決められているので、前記電磁波吸収体の中心部よりもより多くのＮｉＯが、前記電磁波吸収体の周縁部に存在することで、体積固有抵抗を小さくすることができるのである。
【００２９】
そして、本発明におけるＮｉＯの存在の仕方については、前記電磁波吸収体の中心部よりも周縁部でより多くのＮｉＯが存在することが必要であるが、より好ましくは中心部より周縁部に向けて連続的に傾斜して増加していることが好適である。または、段階的に傾斜していてもかまわない。
【００３０】
また、本発明のＮｉＯ量の存在比率については、Ｘ線回折によって電磁波吸収体のＦｅ２Ｏ３に対するＮｉＯ量の比率を周縁部、中心部で各々３カ所測定し、その平均値を用い中央部に対する周縁部の比率を求め、数値が大きい程周縁部でのＮｉＯ量が多いことを示すものである。
【００３１】
ここでＮｉＯ量の中心部に対する周縁部の存在比率については１より大きくする。１より大きくしたのは、ＮｉＯが中心部よりも周縁部に多く存在していることを示し、良好な電磁波吸収特性が得られるからであり、１以下になるとＮｉＯが少なく体積固有抵抗が上がるため電磁波吸収特性が低下する。
【００３２】
なお、Ｘ線回折のかわりに蛍光Ｘ線分析（ＸＲＦ）、原子吸光・発光分析（ＩＣＰ）等での分析方法で測定してもよい。
【００３３】
そして、このようにＮｉＯの量が、前記電磁波吸収体の中心部よりも周縁部に多く存在している事を確認するには、一般的な、セラミックスを定量分析する方法を用いて、電磁波吸収体の断面における中心部と周縁部のＮｉＯの量を測定すればよく、例えば蛍光Ｘ線分析（ＸＲＦ）、原子吸光・発光分析（ＩＣＰ）等での分析方法で、ＮｉＯの存在量を測定すればよい。さらに、もっと簡易的には、Ｘ線回折法によって、電磁波吸収体のＦｅ２Ｏ３に対するＮｉＯの数値の比率を周縁部と中心部でそれぞれ測定し、前記中心部の比率に対して、周縁部の比率の値が１を超えるものを本発明の範囲とすればよい。
【００３４】
ここで、本発明の電磁波吸収体をなす焼結体は、上述したようにＦｅ２Ｏ３の含有量を多くするため、焼結性が悪くなる傾向があるが、おおむねＦｅ２Ｏ３の含有量が７０〜９５ｍｏｌ％であることが好適である。
【００３５】
そして、これに所定量のＮｉＯを含有することで、低温で緻密な焼結体を得ることができ、このような電磁波吸収体は大きな電磁波の減衰量が得られるのであるが、そのためには電磁波吸収体に対し、ＮｉＯを１０〜３０ｍｏｌ％含有させることが好適である。
【００３６】
ここで、Ｆｅ２Ｏ３の含有量を７０ｍｏｌ％以上としたのは、５０ｍｏｌ％以上７０ｍｏｌ％未満では、電磁波吸収特性は良好であるものの、Ｆｅ２Ｏ３の含有量が微妙に違っても電磁波吸収特性に及ぼす感度が大きく、高周波回路用パッケージの設計を難しくするからである。
【００３７】
一方、Ｆｅ２Ｏ３の含有量を９５ｍｏｌ％以下としたのは、９５ｍｏｌ％を超えると、焼結させることが難しくなり、良好な電磁波吸収特性が得られない場合があるからである。
【００３８】
また電磁波吸収体中のＮｉＯの分布状態は、焼成温度及び最高温度での保持時間により制御することも可能である。焼成温度は１２００〜１４００℃、より大きな電磁波の減衰量が得られるという観点からは、好ましくは１２５０〜１４００℃であることが重要である。前記保持時間においても０〜４時間、好ましくは、２〜４時間とすることが重要である。
【００３９】
すなわち、前記電磁波吸収体中のＮｉＯは焼成中に焼結体内部を移動して蒸発しようとするのであるが、このときの焼成温度と最高温度における保持時間を前述の範囲とすることによって、ＮｉＯは電磁波吸収体の中心部から周縁部へと移動し、電磁波吸収体の中心部よりも周縁部に多く存在するようになるとともに、保持時間が前記範囲内で長くなれば、傾斜の傾向を有することとなるのである。
【００４０】
また、前述の傾斜はおおむね連続的であるが、あらかじめ電磁波吸収体の焼成前に部分的にＮｉＯの存在が多い部分を形成しておいて、焼結によって、連続とした傾斜の形態、または段階的に傾斜の形態としてもよい。
【００４１】
そして、前記電磁波吸収体は主表面が加工面であって、該加工面のＸ線回折におけるＮｉＦｅ２Ｏ３のピーク強度比Ａと、Ｆｅ２Ｏ３のピーク強度比Ｂとの比、Ａ／Ｂの値が１．０以下であることを特徴とする。
【００４２】
すなわち、前記電磁波吸収体を焼成すると、前記焼結体の表面にはＮｉＦｅ2Ｏ4相を有した層が析出するのであるが、ＮｉＦｅ2Ｏ4相はスピネル構造を有することでコランダム構造を有するＦｅ２Ｏ３相より緻密化し、外部から空孔内への水分やガスの吸着を防止することができるとともに、後述のように、電磁波吸収体を高周波回路用パッケージ内部に半田を用いて固定する場合など、密着性をあげるため、通常、電磁波吸収体の当接面にＣｒ層、Ｎｉ層、Ａｕ層の順にメタライジングするが、ＮｉＦｅ2Ｏ4相を有した層を析出させることで、Ｎｉ層、Ａｕ層のみのメタライジングで、密着性を確保できるという利点はあるのであるが、しかし、一方でＮｉＦｅ2Ｏ4相は電磁波吸収特性に悪影響を及ぼすために、減衰量の大きな電磁波吸収体が必要な場合には、除去加工をすることが好ましい。
【００４３】
そして、本発明者は鋭意検討の結果、前記焼結体の表面に析出したＮｉＦｅ2Ｏ4相を研削及び／又は研磨によって除去加工することによって、前記電磁波吸収特性の優れた前記焼結体を得ることができるとともに、上記研削及び／又は研磨によって、前記焼結体中に残存するＮｉＦｅ2Ｏ4相の量を変えることができ、電磁波吸収体としての電磁波の減衰量を調節することができることを知見したのである。
【００４４】
そして、このような効果を得るには、図３に示すように、Ｘ線回折におけるＮｉＦｅ２Ｏ３のピーク強度比Ａと、Ｆｅ２Ｏ３の面のピーク強度比Ｂとの比、Ａ／Ｂの値を求めれば良く、このＡ／Ｂの値が１．０以下とすることによって、電磁波吸収特性のよい前記焼結体を得ることが出来るが、１．０を超えると、ＮｉＦｅ２Ｏ３相が主結晶相となり良好な電磁波吸収特性が得られない。
【００４５】
また、図１に示すように半導体素子（不図示）が実装された高周波回路基板１４が取り付けられ、その表面に伝送線路１５を形成したパッケージベース１２と、パッケージベース１２上に取り付けられたパッケージ蓋体１１とからなる高周波回路用パッケージ１０内部に、前記ＮｉＦｅ2Ｏ4相を主結晶相とする表層を多く析出させた電磁波吸収体を用いると空洞共振を起こしやすくなり、本発明の電磁波吸収体１６を装着すると、良好な電磁波吸収特性が得られるとともに、空洞共振を抑制することができる。
【００４６】
また、電磁波吸収体１６は、Ｂｒ、Ｃｌ、Ｓ元素を含む化合物が含まれないことが重要である。電磁波吸収体１６がＢｒ、Ｃｌ、Ｓ元素を含む化合物を含んでいると、電磁波吸収体１６を高周波回路用パッケージ１０内部に装着した場合、半導体素子（不図示）や伝送線路１５等を腐食させるからである。本発明の電磁波吸収体１６はフェライト系セラミックスで形成されることからＢｒ、Ｃｌ、Ｓ元素を含む化合物を本質的には含んでいないので、半導体素子（不図示）や伝送線路１５等を腐食させることはない。
【００４７】
但し、本発明の電磁波吸収体１６は、ＳｉＯ２やＣａ，Ａｌ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｍｎ等の金属元素を不可避不純物として数１００ｐｐｍ程度含んでいても、半導体素子（不図示）や伝送線路１５等を腐食させることはないので、何ら差し支えない。
【００４８】
つぎに、本発明の電磁波吸収体は、以下の方法によって作製される。
【００４９】
先ず、Ｆｅ２Ｏ３５０ｍｏｌ％以上の原料粉末及びＮｉＯの原料粉末を、水とともにボールミルまたはビーズビルに投入調合した後、６〜１０時間湿式混合を行うことで、所定の粘性を有するスラリーを得る。
【００５０】
ここで、Ｆｅ２Ｏ３原料粉末やＮｉＯ原料粉末をボールミルまたはビーズビルに投入調合する際、本発明の範囲内において公知の硬化剤、硬化助剤、滑材、可塑剤、分散剤、離型剤、着色剤、増量剤（無機材）を少量添加しても何ら差し支えない。
【００５１】
また、焼結性確保のため、平均粒径１μｍ以下、好ましくは０．８５μｍ以下のＦｅ２Ｏ３原料粉末やＮｉＯ原料粉末を用いることが好ましい。
【００５２】
さらに、より低圧での成形を可能にするという観点から、ＺｎＯ，ＣｕＯ，Ｂｉ２Ｏ３の少なくとも一種の原料粉末を添加することが好ましく、その添加量の合計が５〜１０ｍｏｌ％であることが特に好適であり、このようにすることで、成形に用いる装置のコスト低減を計ることができ、複雑な形状の電磁波吸収体を作製することもできるようになる。
【００５３】
次に、噴霧乾燥機を用い、上記スラリーを乾燥、造粒した後、得られた造粒粉を所望の成形手段、例えば、粉末加圧成形法により、任意形状の成形体を得る。
【００５４】
あるいは、上記スラリーを乾燥したものを７００〜９００℃程度で仮焼合成を行い、ボールミルやビーズミル等で粉砕し、噴霧乾燥機で再度乾燥させた後、所望の成形手段、例えば、粉末加圧成形法により、任意形状の成形体を作製してもよい。
【００５５】
ここで、粉末加圧成形法を用いる場合、その成形圧は、例えば９８〜２９８ＭＰａとすればよい。
【００５６】
そして、上記成形体を１２００〜１４００℃、キープ時間０〜４時間で焼成した後、３００〜５００℃／時間で降温することで本発明の電磁波吸収体が得られる。
【００５７】
焼成後、最表面部のＮｉＦｅ2Ｏ4相を除去するために研削及び／又は研磨等の加工を施す。
【００５８】
上記のようにして得られた電磁波吸収体は、直方体に限らず、円柱、円錐、三角柱、三角錐、それらの組み合わせ、あるいは電磁波吸収体内部に空隙部が存在しても良い。また、電磁波吸収体を装着する位置は高周波回路用パッケージの特性に影響が無く、且つ空洞共振を抑制できれば、高周波回路用パッケージ内部のどこでも良い。
【００５９】
本発明の電磁波吸収体１６を高周波回路用パッケージ１０内部に装着する場合、パッケージ蓋体１１に対し、電磁波吸収体１６を半田か公地の熱硬化性樹脂系接着剤で固定すればよい。熱硬化性樹脂系接着剤を用いる場合、特にエポキシ系樹脂を使用するのが好ましい。
【００６０】
ここで、半田や熱硬化性樹脂系接着剤にはＢｒ、Ｃｌ、Ｓ元素の化合物を含まないことが重要である。前述の通り、Ｂｒ、Ｃｌ、Ｓ元素の化合物が含まれていると、半導体素子（不図示）や伝送線路１５等を腐食させる原因となるからである。
【００６１】
また、半田を用いて、電磁波吸収体１６をパッケージ蓋体１１に固定する場合、密着性を上げるため、本発明の電磁波吸収体の当接面に予めＮｉ層、Ａｕ層の順にメタライジングしておくことが好ましい。
【００６２】
あるいは、熱硬化性樹脂系接着剤（以下、単に接着剤という。）を用いて電磁波吸収体１６をパッケージ蓋体１１に固定する場合、接着剤のヤング率は１０ＧＰａ以下、特に５ＧＰａ以下であることが好ましい。これは、通常パッケージ蓋体１１の材質と電磁波吸収体１６の材質とは線膨張係数が異なるため、接着剤のヤング率が１０ＧＰａより大きくなると、電磁波吸収体１６の内部に発生する応力を十分に緩和することができずに高周波回路用パッケージ１０を破壊してしまうためである。
【００６３】
これらを満たす接着剤としては、エポキシ系樹脂が好ましく、特にビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を使用するのが好ましい。
【００６４】
また、パッケージ蓋体１１に対する電磁波吸収体１６の接着方法は、予め電磁波吸収体１６またはパッケージ蓋体１１に接着剤を印刷、塗布等行った後、電磁波吸収体１６とパッケージ蓋体１１とを接触した状態で、所定の温度で熱処理することによって得られる。
【００６５】
また、電磁波吸収体１６には開気孔が存在することが好ましい。パッケージ蓋体１１と接する面に開気孔が存在すると、電磁波吸収体１６とパッケージ蓋体１１とを接着する際に、接着剤が電磁波吸収体１６の開気孔内に入り込み、接着強度を高くすることができる。電磁波吸収体１６の内部には、空隙、気孔等が存在するため、表面を研削加工することで開気孔が得られる。
【００６６】
このような開気孔を得るためには、電磁波吸収体１６の気孔率が２％から１５％程度であることが好ましい。
【００６７】
このような電磁波吸収体１６は、高周波回路用パッケージ１０内部で、空洞共振や半導体素子より発生する不要輻射波等を抑制することができるとともに、電磁波吸収体１０や接着剤から腐食性を有する脱離ガスが発生しないことから、信頼性の高い高周波回路用パッケージ１０とすることができる。
【００６８】
また、本発明の他の実施形態としては、図２に示すようにパッケージベース１２と、パッケージベース１２上に取り付けられたパッケージ蓋体１１とからなる高周波回路用パッケージ１０において、パッケージ蓋体１１を本発明の電磁波吸収体１６で形成してもよく、空洞共振や半導体素子より発生する不要輻射波等を抑制することができるだけでなく、部品点数を削減できると同時に電磁波吸収体を装着するための工程を廃止することができ、製造コストを引き下げることも可能となる。
【００６９】
なお、パッケージ蓋体１１を本発明の電磁波吸収体１６で形成した場合、電磁波吸収体１６はパッケージ蓋体としての特性上、気孔率２％以下の緻密な焼結体とすることが好ましい。
【実施例】
【００７０】
以下、本発明の実施例について説明をする。本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
【００７１】
（実施例１）
先ず、Ｆｅ２Ｏ３及びＮｉＯの原料粉末が表１に示す比率になるように秤量したものを出発原料とした。この出発原料を水とともに、ボールミルに投入調合した後、８時間湿式混合を行うことで、所定の粘性を有するスラリーを得た。
【００７２】
次に、噴霧乾燥機を用い、上記スラリーを乾燥、造粒した後、得られた造粒粉を粉末加圧成形法により、表１に示す成形圧で成形することで成形体を得た。
【００７３】
そして、上記成形体を表１に示す焼成条件で焼成、研磨加工することで、外径寸法３ｍｍ×７ｍｍ×０．４ｍｍの評価用試料を得た。ここで前記寸法にしたのは、図５のパッケージ蓋体１１の空洞内に取り付けるためである。
【００７４】
電磁波吸収体１６の装着によって得られる電磁波の減衰量は、以下のようにして測定した。
【００７５】
先ず、図４に示すように、伝送線路１５が形成されたパッケージベース１２上に、伝送線路１５を覆うように電磁波吸収体１６を載置した。ここで、パッケージベース１２の外形寸法は、１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．５mmとした。
【００７６】
次に、伝送線路１５にプローブ１７を押し当て、プローブ１７から同軸ケーブル（不図示）を介して接続されるネットワークアナライザー（不図示）により、周波数帯域１０〜４０ＧＨｚで電力反射係数Ｓ１１、電力透過係数Ｓ２１を測定した。
【００７７】
電磁波吸収体１６の装着によって得られる電磁波の減衰量は、電力反射係数Ｓ１１、電力透過係数Ｓ２１を以下の数式に代入することで算出した。
【００７８】
減衰量（ｄＢ）＝｜Ｓ２１／（１−Ｓ１１）｜
ここで、図４に示すパッケージベース１２単体は、電力透過係数Ｓ２１が−１．５ｄＢ以上のものを使用した。
【００７９】
電磁波吸収体１６の共振抑制の効果については、図５に示すように、伝送線路１５が形成されたパッケージベース１２と、パッケージベース１２上に取り付けられ、８ｍｍ×８ｍｍ×０．８ｍｍの空洞を有するＡｕメッキ付きコバール（ＫＯＶ）製のパッケージ蓋体１１とからなる高周波回路用パッケージ１０を用いて評価した。
【００８０】
なお、電磁波吸収体１６は、パッケージ蓋体１１をパッケージベース１２に取り付ける前に、パッケージ蓋体１２内部に低融点半田で接合した。
【００８１】
電磁波吸収体１６の共振抑制の評価については、伝送線路１５にプローブ１７を押し当て、プローブ１７から同軸ケーブル（不図示）を介して接続されるネットワークアナライザー（不図示）により１０〜４０ＧＨｚにおける電力透過係数Ｓ２１を測定し、電磁波吸収体１６を装着しないときの電力透過係数Ｓ２１（ｏ）との差の絶対値△Ｓ２１が０．０５ｄＢ未満であったものを共振抑制の効果が良好なものとして◎、０．０５ｄＢ以上０．１ｄＢ未満であったものを○、０．１ｄＢ以上で０．２ｄＢ未満であったものを△、０．２ｄＢ以上あったものを共振抑制の効果がないものとして×とした。
【００８２】
そして本発明のＮｉＯの含有量についてはＸ線回折によって、電磁波吸収体のＦｅ２Ｏ３とＮｉＯ量の比率を断面における周縁部、中心部で各々３カ所測定した平均値の比率を表１に示す。この比率が大きい程、周縁部でのＮｉＯ量が多いことを示すものである。
【００８３】
なお、Ｘ線回折のかわりに蛍光Ｘ線分析（ＸＲＦ）、原子吸光・発光分析（ＩＣＰ）等での分析方法で測定してもよい。
【００８４】
そして、周波数４０ＧＨｚにおける電磁波の減衰量の算出結果、及び１０〜４０ＧＨｚにおける共振抑制の評価結果を表１に示す。
【００８５】
表１の結果から明らかなように、試料Ｎｏ．１６はＮｉＯの含有比率が少なく低温で焼結させることが困難で、緻密な焼結体が得られなかったために、大きな減衰量が得られず、０．２ｄＢ以上の共振が発生した。
【００８６】
一方、試料Ｎｏ．１、３、７、８、１３は焼成温度が１１５０℃と低いことにより、緻密な焼結体が得られなかったために、中心部に対する周縁部のＮｉＯの存在比率が１．０以下と少なく、５ｄＢ未満の減衰量しか得られず、０．１ｄＢ以上０．２ｄＢ未満の共振が発生した。
【００８７】
これに対し、本発明実施例である試料Ｎｏ．２、４〜６、９〜１２、１４、１５は焼成温度も１２５０℃以上で、中心部に対する周縁部のＮｉＯの存在比率が１．０を超えていることから、５ｄＢ以上の減衰量が得られ、共振は０．０５ｄＢ以上０．１ｄＢ未満発生しているが、実用上問題のないレベルである。
【００８８】
なお、図２のようにパッケージ蓋体に本発明の試料を用いた高周波回路用パッケージを作成し、実装評価を行った結果、試料Ｎｏ．２、４〜６、９〜１２、１４、１５の材料を用いた高周波回路用パッケージについては、良好な電磁波吸収特性が得られ、空洞共振を抑制することができた。
【表１】
2005072288.tif 000003
【００８９】
（実施例２）
先ず、Ｆｅ２Ｏ３及びＮｉＯの原料粉末が表２に示す比率になるように秤量したものを出発原料とした。この出発原料を水とともに、ボールミルに投入調合した後、８時間湿式混合を行うことで、所定の粘性を有するスラリーを得た。
【００９０】
次に、噴霧乾燥機を用い、上記スラリーを乾燥、造粒した後、得られた造粒粉を粉末加圧成形法により、表２に示す成形圧で成形することで成形体を得た。
【００９１】
そして、上記成形体を表２に示す焼成条件で焼成、研磨加工することで、外径寸法３ｍｍ×７ｍｍ×０．４ｍｍの評価用試料を得た。ここで前記寸法にしたのは、図５のパッケージ蓋体１１の空洞内に取り付けるためである。
【００９２】
その後、上記電磁波吸収体１６の装着によって得られる電磁波の減衰量を測定、共振抑制効果の評価は実施例１と同様の方法で行った。
【００９３】
Ｘ線回折による結晶構造の調査は、電磁波吸収体にＸ線（ＣｕＫα線）を入射した際に、電磁波吸収体から放出されるブラッグ条件による反射Ｘ線の視射角（入射角の余角）をθとしたときの２θ（°）を横軸に、またそのピーク強度を縦軸に示すものであり、ＮｉＦｅ２Ｏ３（例えばＰＤＦ＃１０−０３２５のＮｉＦｅ２Ｏ３）の（３１１）面のピーク強度比Ａと、Ｆｅ２Ｏ３（例えばＰＤＦ＃３３−０６６４のＦｅ２Ｏ３）の（１０４）面のピーク強度比Ｂとの比、Ａ／Ｂの値を求めた。
【００９４】
また、周波数４０ＧＨｚにおける電磁波の減衰量の算出結果、及び１０〜４０ＧＨｚにおける共振抑制の評価結果を表２に示す。
【００９５】
表２の結果から明らかなように、試料Ｎｏ．１８、２０、２２〜２６、２８〜３０はＡ／Ｂが１．０以下となって、Ｆｅ2Ｏ３相が主相となっているため大きな減衰量を得ることができ、試料Ｎｏ．１７、１９、２１、２７、は研磨加工をしていないため最表面部にＮｉＦｅ2Ｏ4相が多く存在し、Ａ／Ｂが１．０を超えるために、大きな減衰量は得られず共振抑制評価でもＳ２１が０．１ｄＢ以上０．２ｄＢ未満の共振が発生した。
【００９６】
また試料Ｎｏ．３１はＮｉＯの含有比率が少なく、緻密な焼結体が得られなかったために、大きな減衰量が得られず、Ｓ２１が０．２ｄＢ以上の共振が発生した。
【００９７】
なお、図２のようにパッケージ蓋体に本発明の試料を用いた高周波回路用パッケージを作成し、実装評価を行った結果、試料Ｎｏ．１８、２０、２２〜２６、２８〜３０の材料を用いた高周波回路用パッケージについては、良好な電磁波吸収特性が得られ、空洞共振を抑制することができた。
【００９８】
【表２】
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【産業上の利用可能性】
【００９９】
本発明は、電磁波吸収体及びこれを用いた高周波回路用パッケージなどに利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】本発明の電磁波吸収体を備えた高周波回路用パッケージの断面図である。
【図２】パッケージ蓋体に本発明の電磁波吸収体を用いた高周波回路用パッケージの断面図である。
【図３】本発明の電磁波吸収体のＮｉＦｅ２Ｏ３とＦｅ2Ｏ３のＸ線回折におけるピーク強度を示す図である。
【図４】本発明の電磁波吸収体を装着することによって得られる電磁波の減衰量を測定する装置の断面図である。
【図５】本発明の電磁波吸収体を用いた高周波回路用パッケージの共振抑制を評価するための断面図である。
【図６】従来の電磁波吸収体を用いた高周波回路用パッケージの断面図である。
【符号の説明】
【０１０１】
１０・・・高周波回路用パッケージ
１１・・・パッケージ蓋体
１２・・・パッケージベース
１３・・・グラウンド
１４・・・高周波回路基板
１５・・・伝送線路
１６・・・電磁波吸収体
１７・・・プローブ
２０・・・電磁波の減衰量を測定する装置
７０・・・高周波回路用パッケージ
７１・・・パッケージ蓋体
７２・・・電磁波吸収体
７３・・・パッケージベース
８０・・・電磁波吸収体主面
８１・・・内部
８２・・・断面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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