(57)【要約】【課題】  放射線画像情報が蓄積記録された蓄積性蛍光体シートをラインスキャン方式で読み取って得た放射線画像に生じる縦すじむらを解消する。【解決手段】  出射したレーザ光を線状に引き伸ばされて、蓄積性蛍光体シートに蓄積記録された放射線画像情報を読み取るための励起光として利用される半導体レーザ装置１１において、レーザ光を出射する半導体レーザチップ１からのレーザ光を透過する出射窓４の表面にコーティングされる反射防止膜５の反射率を、半導体レーザチップ１からのレーザ光の発振波長に対して１．０％以下にする。【選択図】          図３
2005072448.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
出射したレーザ光が線状に引き伸ばされて、蓄積性蛍光体シートに記録された放射線画像情報を読み取るための励起光として利用される半導体レーザ装置であって、
前記レーザ光を出射する半導体レーザチップと、
該半導体レーザチップを収納するパッケージと、
該パッケージに設けられた、前記半導体レーザチップから出射された前記レーザ光を透過するための、表面に反射防止膜がコーティングされた出射窓とを有してなり、
該反射防止膜の、前記レーザ光の発振波長に対する反射率が１．０％以下であることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
放射線画像情報が記録された蓄積性蛍光体シートの表面の一部に励起光を主走査方向に伸びる線状に照射するライン光源と、
前記蛍光体シートの線状に照射された部分からの前記放射線情報に応じて発光された輝尽発光光を受光して光電変換を行う光電変換素子が設けられたラインセンサと、
前記ライン光源および前記ラインセンサを前記蛍光体シートの一方を他方に対して相対的に、主走査方向と異なる副走査方向に移動させる走査手段と、
前記走査手段により移動された各位置毎における前記ラインセンサの各前記光電変換素子の出力を前記移動に応じて順次読み取る読取手段とを有してなる放射線画像情報読取装置において、
前記ライン光源が、半導体レーザ装置と、該半導体レーザ装置から出射されたレーザ光を前記励起光として前記主走査方向に線状に引き伸ばす光学系とを有し
前記半導体装置が、前記レーザ光を出射する半導体レーザチップと、
該半導体レーザチップを収納するパッケージと、
該パッケージに設けられた、前記半導体レーザチップから出射された前記レーザ光を透過するための、表面に反射防止膜がコーティングされた出射窓とを有してなり、
該反射防止膜の、前記レーザ光の発振波長に対する反射率が１．０％以下であることを特徴とする放射線画像情報読取装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体レーザ装置、具体的には蓄積性蛍光体シートに記録された放射線画像情報を読み取るための励起光としても用いられるレーザ光を提供する半導体レーザ装置およびこの半導体レーザ装置を用いた放射線画像情報読取装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
放射線を照射すると、この放射線エネルギーが蓄積され、その後、励起光を照射すると、蓄積された放射線エネルギーに応じて輝尽発光を示す蓄積性蛍光体（輝尽性蛍光体）を利用して、支持体上に蓄積性蛍光体を積層してなるシート上の蓄積性蛍光体シートに人体などの被写体の放射線画像情報を一旦蓄積記録したものに、励起光を画素毎に偏向走査して各画素から順次読み取って輝尽発光光を生じさせ、この輝尽発光光を光電読取手段により光電的に順次読み取ることによって画像信号を得、一方この画像信号を読み取った後の蓄積性蛍光体シートに消去光を照射して、このシートに残留する放射線エネルギーを放出させる放射線記録画像再生システムが広く実用されている。
【０００３】
このような放射線画像記録再生システムに用いられる放射線画像情報読取装置は、従来のポイントスキャン方式のものに加え、輝尽発光光の読取時間の短縮や、装置のコンパクト化およびコストの低減の視点に基づいて提案されたラインスキャン方式のものがある。ポイントスキャン方式の放射線画像情報読取装置は、励起光として例えばレーザ光を使用する場合、結像光学系を用いて半導体レーザ装置から出射したレーザ光を蛍光体シートに結像すると共に、回転多面鏡などを用いて主走査を行うことによって蛍光体シート全面にポイント的に順次励起して、励起する部位（ポイント）毎の輝尽発光光を読み取る構成を有するのに対して、ラインスキャン方式の放射線画像情報読取装置は、励起光源として、シートに対して線状に励起光を照射するライン光源を使用し、光電読取手段としては、ライン光源により励起光が照射されたシートの線状の部分の長さ方向（主走査方向）に沿って多数の光電変換素子が配列されたラインセンサを使用すると共に、上記ライン光源およびラインセンサと上記蛍光体シートの一方を他方に対して相対的に、上記主走査方向と略直交する方向（副走査方向）に移動する走査手段を備えた構成が提案されている（特許文献１参照）。このようなラインスキャン方式の放射線画像情報読取装置において、励起光として例えばレーザ光を線状に照射するライン光源は、半導体レーザ装置と、半導体レーザ装置から出射したレーザ光を蛍光体シートの主走査方向に伸びる線状に引き伸ばす光学系とから構成されるものがある。
【０００４】
上述のようなラインスキャン方式の放射線画像情報読取装置を用いて蓄積性蛍光体シートの放射線画像情報を読み取る際に、主走査方向における照射光量の不均一などを考慮してシェーディング補正を行うことが知られている。シェーディング補正は、所用の蓄積性蛍光体シート全面に均一に放射線を曝射し、曝射された蛍光体シートを読み取って得たデータが均一になるように作成されたシェーディング補正データを用いて行われる。
【０００５】
また、レーザ光を提供する半導体レーザ装置は、一般的に、レーザ光を出射する半導体レーザチップと、半導体レーザチップを密封するケースとキャップ（総してパッケージという）とからなり、パッケージには、レーザ光を透過するための出射窓が設けられており、半導体レーザチップからのレーザ光は、この出射窓を透過して出射される。また、チップへの戻り光を避けるために、このような半導体レーザ装置の殆どはその出射窓に反射防止膜がコーティングされている。
【０００６】
一方、半導体レーザ装置は、様々な分野で利用されている。特に近年、コンパクトディスク（ＣＤ）、ミニディスク（ＭＤ）、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）などの光記録媒体（光ディスク）が急激に普及し、これらの記録媒体にデジタル情報を記録する記録装置および記録されたデジタル情報を再生する再生装置には、半導体レーザ装置が欠かせないものである。また、光ディスクは、その種類によって、記録装置および再生装置に使用されるレーザ光の発振波長（以下略して波長という）が異なり、例えば、ＣＤの再生には７８０ｎｍの光が、ＤＶＤの再生には６５０ｎｍの光が使用される。半導体レーザ装置のメーカは、様々な用途に応じて様々な波長のレーザ光を提供する半導体レーザ装置を製造するが、そのパッケージに設けられた出射窓には、異なる波長を生成する半導体レーザチップに対して共用できるように広帯域に対応することができる反射防止膜をコーティングすることによって、製造コストを抑えることが通常行われている。
【０００７】
近年、記録密度を高くするために、前述した光記録媒体用の半導体レーザ装置は、蓄積性蛍光体シートの励起光として適した短波長（例えば７００ｎｍ以下）のレーザ光を提供するものが多くなり、放射線画像情報読取装置の励起光源としての半導体レーザ装置は、通常、上述のような半導体レーザ装置から、蓄積性蛍光体シートの励起光として適した波長を有するレーザ光を提供するものが選択して使用される。
【特許文献１】特開昭６０−１１１５６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述のような光記録媒体のための記録装置および再生装置に用いられる半導体レーザ装置の出射窓にコーティングされた反射防止膜は、広帯域のレーザ光に対して反射防止効果があるものの、全ての発振波長のレーザ光に対して均一な反射防止効果があるわけではない。図４は、上述した半導体レーザ装置の出射窓にコーティングされた一例の反射防止膜の特性を示している。図示のように、この反射防止膜は、４００ｎｍ程度から９００ｎｍ程度の範囲内の波長のレーザ光に対して低い反射率を示しているが、発振波長が７８０ｎｍのレーザ光に対して最も低い約１％の反射率を有する一方、例えば、６６０ｎｍの発振波長のレーザ光に対して約３％の反射率を有するように、他の発振波長のレーザ光に対しては数パーセントに及ぶ反射率を有するものである。
【０００９】
図５（ａ）は、半導体レーザ装置の出射窓に施された反射防止膜が半導体レーザチップから出射したレーザ光の発振波長に対して３％の反射率を有するときに、半導体レーザチップから出射したレーザ光の遠視野像（ＦＦＰ：ファー・フィールド・パターン）を示している。また、図５（ａ）は、２００Ｃの温度において測定したＦＦＰを示しているが、異なる温度、例えば５００Ｃにおいても略同様な測定結果を得ている。
【００１０】
図５（ａ）において、実線は、半導体レーザチップから出射したレーザビームの出射方向と直交する断面における最大半径方向（以下Ｖ方向という）におけるＦＦＰを示しており、点線は、この最大半径方向すなわちＶ方向と直交する方向（以下Ｈ方向という）におけるＦＦＰを示している。図示のように、Ｈ方向においてレーザ光の強度分布がそれほど乱れないものの、Ｖ方向におけてレーザ光の強度分布に乱れが生じ、プロファイルが崩れている。これは、反射防止膜の反射による出射窓の入出射面における干渉やレーザチップへの戻り光に起因するものである。
【００１１】
一方、光記録媒体のための記録装置および再生装置の場合は、半導体レーザ装置から出射したレーザ光のプロファイルが若干崩れていても、情報の記録および再生にはそれほど影響がなく、ポイントスキャン方式の放射線画像情報読取装置においても同様であるが、上述したような半導体レーザ装置を光源として用いるラインスキャン方式の放射線画像情報読取装置の場合は、半導体レーザ装置から出射されたレーザ光を励起光として主走査方向に伸びる線状に引き伸ばして蓄積性蛍光体シートを照射するため、上述したＶ方向においてレーザ光のプロファイルが崩れると、蓄積性蛍光体シートにおいて主走査方向における励起光の光量分布が不均一になり、読み取った放射線画像情報に基づいて生成された放射線画像には縦すじむらなどの画質劣化が生じてしまうという問題がある。
【００１２】
また、シェーディング補正を行うことにより主走査方向の励起光の照射量の不均一性を補う方法は、補正データを必要とするが、経時的な変動の影響を軽減して良い補正効果を得るためには、読取りの直前にシェーディングデータの更新が必要である。一方、実情では、シェーディング補正データを更新するには放射線を均一に曝射する必要があるので、通常、工場出荷時や、装置備品（例えばスキャナヘッド）交換時、ＩＰ交換時など限られたときにだけ、高度な専門知識を有する人によって作成更新するようになっている。そのため、シェーディング補正では、経時的な変動には対応し切れない現状である。
【００１３】
本発明は、上記事情に鑑み、ラインスキャン方式で蓄積性蛍光体シートに記録された放射線画像情報を読み取ることによって得た放射線画像の画質劣化を確実に防ぐことができる半導体レーザ装置および放射線画像情報読取装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の半導体レーザ装置は、出射したレーザ光が線状に引き伸ばされて、蓄積性蛍光体シートに記録された放射線画像情報を読み取るための励起光として利用される半導体レーザ装置であって、
前記レーザ光を出射する半導体レーザチップと、
該半導体レーザチップを収納するパッケージと、
該パッケージに設けられた、前記半導体レーザチップから出射された前記レーザ光を透過するための、表面に反射防止膜がコーティングされた出射窓とを有してなり、
該反射防止膜の、前記レーザ光の発振波長に対する反射率が１．０％以下であることを特徴とするものである。
【００１５】
本発明の半導体レーザ装置は、蓄積性蛍光体シートに記録された放射線画像情報をラインスキャン方式で読み取るための励起光の光源として利用されるものであり、蛍光体シートの励起に適した波長の発振波長のレーザ光を提供する。蓄積性蛍光体シートの励起に適した波長は蓄積性蛍光体シートによって異なるが、６００ｎｍから７００ｎｍの範囲内の波長が最も多く、概ね５００ｎｍから８００ｎｍの範囲内である。
【００１６】
本発明の半導体レーザ装置における前記パッケージは、半導体レーザチップを収納するためのものであり、必ずしも密封する必要がないが、外気の影響除去や防塵、安全などの視点から半導体レーザチップを密封することが好ましい。
【００１７】
図５（ａ）〜（ｄ）は、半導体レーザ装置の出射窓の表面にコーティングされた反射防止膜の反射率が、半導体レーザ装置のレーザチップから出射したレーザ光のＦＦＰに対する影響を測定した結果を示している。図示のように、反射防止膜の反射率が、レーザ光の発振波長に対して３％および２％である場合（図５（ａ）、図５（ｂ））には、Ｖ方向においてレーザ光のＦＦＰに乱れが生じているが、反射防止膜の反射率が、レーザ光の発振波長に対して１．０％以下、図示の例では１．０％および０．５％である場合には、Ｈ方向においては元より、Ｖ方向においてもレーザ光のＦＦＰの乱れが生じていない。本発明は、このことに着目して、半導体レーザ装置の出射窓にコーティングされる反射防止膜の反射率を、レーザ光の発振波長に対して１．０％以下に抑制することによって、レーザ光のプロファイルの崩れを防ぐことを図るものである。
【００１８】
本発明の放射線画像情報読取装置は、放射線画像情報が記録された蓄積性蛍光体シートの表面の一部に励起光を主走査方向に伸びる線状に照射するライン光源と、
前記蛍光体シートの線状に照射された部分からの前記放射線情報に応じて発光された輝尽発光光を受光して光電変換を行う光電変換素子が設けられたラインセンサと、
前記ライン光源および前記ラインセンサを前記蛍光体シートの一方を他方に対して相対的に、主走査方向と異なる副走査方向に移動させる走査手段と、
前記走査手段により移動された各位置毎における前記ラインセンサの各前記光電変換素子の出力を前記移動に応じて順次読み取る読取手段とを有してなる放射線画像情報読取装置において、
前記ライン光源が、半導体レーザ装置と、該半導体レーザ装置から出射されたレーザ光を前記励起光として前記主走査方向に線状に引き伸ばす光学系とを有し
前記半導体装置が、前記レーザ光を出射する半導体レーザチップと、
該半導体レーザチップを収納するパッケージと、
該パッケージに設けられた、前記半導体レーザチップから出射された前記レーザ光を透過するための、表面に反射防止膜がコーティングされた出射窓とを有してなり、
該反射防止膜の、前記レーザ光の発振波長に対する反射率が１．０％以下であることを特徴とするものである。
【００１９】
本発明の放射線画像情報読取装置は、本発明の半導体レーザ装置からのレーザ光を光学系を用いて主走査方向に線状に引き伸ばしてラインスキャン方式で放射線画像情報を読み取るものである。
【００２０】
ここで、走査手段によりライン光源およびラインセンサを蓄積性蛍光体シートの一方を他方に対して相対的に、主走査方向と異なる副走査方向に移動させるとは、主走査方向に略直交する方向に移動させることが望ましいが、主走査方向に直交する方向に移動させることに限らず、例えば、蛍光体シートの略全面に亘って励起光を照射することができる範囲内で、主走査方向に略直交する方向から外れた斜め方向に移動させてもよいし、ジグザグ状に移動方向を変更させて移動させてもよい。
【００２１】
また、本発明の放射線画像情報読取装置において、ライン光源とラインセンサとは、シートの同一面側に配置される構成であってもよいし、互いに反対の面側に別個に配置される構成であってもよい。ただし、別個に配置される構成を採用する場合は、シートの、励起光が入射した面とは反対の面側に輝尽発光光が透過するように、シートの支持体などを、輝尽発光光透過性のものとすることが必要である。
【００２２】
ラインセンサを構成する各光電変換素子としては、アモルファスシリコンセンサ、ＣＣＤセンサ、バックイルミネータ付きのＣＣＤ、ＭＯＳイメージセンサなどを適用することができる。
【００２３】
また、ラインセンサにおける各々の光電変換素子を、ラインセンサに一列に配列することに限らず、ラインセンサの長手方向（蓄積性蛍光体シートにおける主走査方向に該当する）に沿って複数列に配列したり、千鳥状に配列したりしてもよい。
【００２４】
また、本発明の放射線画像情報読取装置において、ライン光源が用いる半導体レーザ装置は１つに限られることがなく、複数の半導体レーザ装置を用い、各半導体レーザ装置からのレーザ光を蓄積性蛍光体シートの主走査方向に線状に引き伸ばすようにしてもよい。この場合、各半導体レーザ装置の線状に引き伸ばされたレーザ光がお互いにオーバーラップし、蓄積性蛍光体シートの照射された領域においては照射光量が略均一になるように各半導体レーザ装置を配置する必要がある。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の半導体レーザ装置およびこの半導体レーザ装置を光源として用いた放射線画像情報読取装置によれば、半導体レーザ装置の出射窓の反射防止層の、半導体レーザ装置のレーザチップから出射するレーザ光の発振波長に対する反射率を１．０％以下にすることによって、出射窓からレーザチップへの戻光および出射窓の入出射面における干渉を抑制し、レーザ光のプロファイルの崩れを防ぐことができる。その結果、蓄積性蛍光体シート上の主走査方向における照射光量の不均一性が軽減され、読み取った画像上の縦すじむらの問題が解消される。実際の実験においても、この点が証明されている。
【００２６】
また、読取ったデータに対してシェーディング補正を行う代わりに、蓄積性蛍光体シートの主走査方向における励起光の照射光量の不均一性を抑制するようにしているので、読取る直前にシェーディング補正データを更新することなどを行うことを必要とせず、確実に画質の良い放射線画像を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
【００２８】
図１は本発明の実施形態となる放射線画像情報読取装置の斜視図であり、図２は図１に示す放射線画像情報読取装置のＩ−Ｉ線断面を示す断面図、図３は、図１と図２に示した放射線画像情報読取装置に用いられる半導体装置の構成を示す概略図である。
【００２９】
図１に示すように、本実施形態の放射線画像情報読取装置は、放射線画像情報が蓄積記録された蓄積性蛍光体シート（以下、蛍光体シートという）５０を載置して矢印Ｙ方向（副走査方向）に搬送する走査ベルト４０と、励起光Ｌとなるレーザ光を蛍光体シート５０の表面に向かって直交する方向に発する半導体レーザ装置１１と、半導体レーザ装置１１からの励起光を集光するコリメータレンズおよび一方向にのみレーザ光を広げるトーリックレンズの組合わせからなり、半導体レーザ装置１１からの励起光Ｌを蛍光体シート５０の矢印Ｘ方向（主走査方向）に伸びる線状に照射する光学系１２と、励起光Ｌの照射により蛍光体シート５０から発せられる蓄積記録された放射線画像情報に応じた輝尽発光光Ｍを平行光束とし、後述するラインセンサ２０、２０’に集光させる屈折率分布形レンズアレイ１６、１６’（多数の屈折率分布形レンズが配列されてなるレンズであり、以下、セルフォックスレンズアレイという）と、セルフォックスレンズアレイ１６、１６’を透過した輝尽発光光Ｍに僅かに混在する、蛍光体シート５０表面で反射した励起光をカットし、輝尽発光光Ｍは透過する励起光カットフィルタ１７、１７’と、励起光カットフィルタ１７、１７’を透過した輝尽発光光Ｍを受光して光電変換するラインセンサ２０、２０’と、ラインセンサ２０、２０’から出力された信号を読み取って画像データを得る読取手段３０と、読取手段３０により得た画像データにより表される画像に対して階調処理や周波数などの画像処理を施して観察読影に適した診断用画像を得る画像処理手段とを備えている。
【００３０】
上記構成では、線状に照射された励起光Ｌの励起による輝尽発光光Ｍが、ラインセンサ２０および２０’で受光されるよう、セルフォックスレンズアレイ１６、１６’および励起光カットフィルタ１７、１７’は配置されている。
【００３１】
ラインセンサ２０、２０’は、光電変換素子が矢印Ｘ方向に沿って多数配列されてなる。光電変換素子としては具体的には、アモルファスシリコンセンサ、ＣＣＤセンサまたはＭＯＳイメージセンサなどを利用することができる。
【００３２】
読取手段３０は、ラインセンサ２０とラインセンサ２０’からの出力信号を画素データに変換すると共に、２つのラインセンサからの画素データを統合する処理も行う。また、読取手段３０には、ラインセンサ２０、２０’の特性に応じて暗電流補正や感度補正などの補正を行う補正手段を設けてもよい。
【００３３】
また、ラインセンサ２０、２０’は、蛍光体シート５０上の励起光照射部分に対して、できるだけ垂直な方向に配置することが望ましい。
【００３４】
また、励起光Ｌは、必ずしも図１に示す実施形態のように蛍光体シートに対して略垂直な方向から照射する必要はないが、その場合、集光効率を考慮して光学系およびラインセンサ２０、２０’を配置することが望ましい。
【００３５】
図３は、図１および図２に示す実施形態の放射線画像情報読取装置に励起光光源として用いられた半導体レーザ装置１１の構成を示す断面図である。なお、図３および図３に示す半導体レーザ装置１１の説明において、分かり易くするために、電源供給部や詳細な電気回路など本発明の主旨と直接的な関連がない構成については省略する。
【００３６】
図３に示すように、本実施形態における半導体レーザ装置１１は、蓄積性蛍光体シート５０の励起光として適した発振波長６６０ｎｍのレーザ光を生成して出射する半導体レーザチップ１と、ケース２と、キャップ３とを有し、ケース２とキャップ３は半導体レーザチップ１を密封するように設置されており、キャップ３の一部は半導体レーザチップ１からのレーザ光の出射経路に位置し、この部分は窓ガラスにより構成された出射窓４になっている。また、出射窓４の半導体は、半導体レーザチップ１からのレーザ光の入射面と出射面の、レーザチップ１に向かう面側に夫々反射防止膜５がコーティングされている。
【００３７】
次に、本実施形態の放射線画像情報読取装置の作用について説明する。
【００３８】
まず、走査ベルト４０が矢印Ｙ方向に移動することにより、この走査ベルト４０上に載置された、放射線画像情報が蓄積記録された蛍光体シート５０を矢印Ｙ方向に搬送する。このときの蛍光体シート５０の搬送速度はベルト４０の移動速度に等しく、ベルト４０の移動速度は読取手段３０に入力される。
【００３９】
一方、半導体レーザ装置１１が、励起光Ｌとなるレーザ光を、蛍光体シート５０表面に対して略垂直に出射し、このレーザ光は、その光路上に設けられたコリメータレンズおよびトーリックレンズからなる光学系１２により線状に引き伸ばされて平行ビームになり、蛍光体シート５０上に矢印Ｘ方向に沿って伸びる線状に略垂直に入射する。
【００４０】
蛍光体シート５０に入射した線状の励起光Ｌはその集光域の蓄積性蛍光体を励起するとともに集光域から蛍光体シート５０内部に入射して集光域の近傍部分に拡散して集光域の近傍部分の蓄積性蛍光体も励起する。その結果、蛍光体シート５０の集光域およびその近傍から、蓄積記録されている放射線画像情報に応じた強度の輝尽発光光Ｍが発光される。この輝尽発光光Ｍは、セルフォックスレンズアレイ１６、１６’により平行光束とされ、ラインセンサ２０、２０’に集光される。この際、セルフォックスレンズ１６、１６’を透過した輝尽発光光Ｍに僅かに混在する、蛍光体シート５０表面で反射した励起光Ｌは、励起光カットフィルタ１７、１７’によりカットされるので、ラインセンサ２０、２０’表面に入射されない。ラインセンサ２０、２０’は、矢印Ｘ方向に沿って設けられた光電変換素子により輝尽発光光Ｍを光電変換して読取手段３０に出力する。
【００４１】
読取手段３０は、ラインセンサ２０、２０’から出力されてきた信号を画素データに変化するとともに、蛍光体シート５０の同じ部位に対応する、ラインセンサ２０、２０’から別々に出力されてきた信号を変換して得たデータを統合する処理などを行って蓄積性蛍光体シート５０に蓄積記録された放射線画像情報に対応した画像データを得る。
【００４２】
画像処理手段３５は、読取手段３０により得た画像データにより表される画像に対して階調処理や周波数などの画像処理を施して観察読影に適した診断用画像を得る。
【００４３】
本実施形態の放射線画像情報読取装置の半導体レーザ装置１１において、半導体レーザチップ１としては、ＤＶＤなどの光記録媒体のための記録装置および再生装置によく用いられる６６０ｎｍの発振波長のレーザ光を生成するチップが用いられ、出射窓４にコーティングされた反射防止膜５は、半導体レーザチップ１から出射されるレーザ光の発振波長６６０ｎｍに対して、１．０％の反射率を有するものである。実験の結果、このような半導体レーザ装置を励起光源として用いた図１に示す実施形態の放射線画像情報読取装置により、蓄積性蛍光体シート５０に蓄積記録された画像情報を読み取って得た画像には縦すじむらが視認されず、画質のよい放射線画像情報を得ることができた。これは、半導体レーザ装置の出射窓の反射防止膜の反射率を、レーザ光の発振波長に対して１．０％に抑えることによってレーザ光のプロファイルの崩れを防ぎ、蓄積性蛍光体シート５０の主走査方向における励起光の光量分布の不均一性を抑制することができたからである。
【００４４】
また、主走査方向における励起光の光量分布の不均一性を抑制しているので、読み取って得たデータに対して行うシェーディング補正の負担を軽減することができると共に、シェーディング補正データの更新などの煩わしさを解消することができる。
【００４５】
以上、本発明の半導体レーザ装置および放射線画像情報読取装置の望ましい実施形態について説明したが、本発明の半導体レーザ装置は、上述した実施形態に限られることがなく、本発明の主旨を変えない限り、種々の増減、変更を加えることができる。
【００４６】
例えば、図１に示す実施形態の放射線画像情報読取装置において、２つのラインセンサにより輝尽発光光の検出を行っているが、１つのみまたは２つ以上のラインセンサにより輝尽発光光を検出するようにしてもよい。また、複数のラインセンサを配置する態様としても、図１に示す実施形態の放射線画像情報読取装置のように蛍光体シートに対して同じ面の方に配置する態様に限らず、例えば、蛍光体シートの異なる面に夫々配置する態様でもよい。
【００４７】
また、図１に示す実施形態の放射線画像情報読取装置において、蛍光体シートの主走査方向における励起光の線状の長さに合致した検出範囲を有するラインセンサを用いて読取を行うようにしているが、励起光の線状の長さより短い検出範囲を有する複数のラインセンサを主走査方向に沿って、これらの複数のラインセンサの検出範囲の和が励起光の線状の長さに合致するようにして設けてもよい。この場合、複数のラインセンサの隣接する部分に光電変換素子がなく、この部分に対応する蛍光体シート上の部位に対応する信号が欠如してしまうため、読取手段において補間などの処理によってデータを補完することが望ましい。
【００４８】
さらに、図１に示す実施形態の放射線画像情報読取装置において、励起光光源として半導体レーザ装置１つのみを用いているが、複数の半導体レーザ装置を用いるようにしてもよい。この場合、各々の半導体レーザ装置の配置、半導体レーザ装置からのレーザ光を線状に引き伸ばす光学系について、各々の半導体レーザ装置からのレーザ光がお互いにオーバーラップしながら蛍光体シート上の主走査方向において励起光の光量が均一になるように考慮することが望ましい。
【００４９】
また、複数の半導体レーザ装置を励起光光源として用いる場合、各半導体レーザ装置に対して設けられた、レンズまたはレンズの組合せからなる光学系に対して、その主走査方向における有効径外を透過する励起光をカットするように、スリットや、遮光膜などの遮光手段を設けることが望ましい。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施形態による放射線画像情報読取装置の構成を示す概略図
【図２】図１に示す放射線画像情報読取装置のＩ−Ｉ線断面を示す断面図
【図３】図１および図２に示す放射線画像情報読取装置における半導体レーザ装置１１の構成を示す断面図
【図４】反射防止膜の特性を説明するための図
【図５】反射防止膜の反射率がレーザ光のＦＦＰに対する影響を示す図
【符号の説明】
【００５１】
１    半導体レーザチップ
２    ケース
３    キャップ
４    出射窓
５    反射防止膜
１１    半導体レーザ装置
１２    コリメータレンズとトーリックレンズからなる光学系
１６，１６’    セルフォックスレンズアレイ
１７，１７’    励起光カットフィルタ
２０，２０’    ラインセンサ
３０    読取手段
３５    画像処理手段
４０    走査ベルト
５０    蓄積性蛍光体シート
Ｌ    励起光
Ｍ    輝尽発光光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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