(57)【要約】  【課題】  プロービングの位置精度等の制約を軽減できる半導体集積回路装置を提供する。  【解決手段】  チップ２１の外周部には、スクライブ線Ｃに沿ってボンディングパッドＢ１〜Ｂｎ（ｎ＝偶数を例とする）が設けられている。スクライブ領域２２には、ボンディングパッドＢ１〜Ｂｎに１個おきに対応、すなわち、ボンディングパッドＢ１，Ｂ３，……，Ｂｎ−１に対応して、スクライブ線Ｃに沿ってウェーハプロービングテスト用パッドＡ１，Ａ３，……，Ａｎ−１が設けられている。ボンディングパッドＢ１，Ｂ３，……，Ｂｎ−１およびウェーハプロービングテスト用パッドＡ１，Ａ３，……，Ａｎ−１の対となるパッド間は、メタライズ配線によって接続されている。ウェーハでの電気的特性選別時は、ウェーハプロービングテスト用パッドＡ１，Ａ３，……，Ａｎ−１と、プロービングテスト用パッドＡ１，Ａ３，……，Ａｎ−１の対とならないボンディングパッドＢ２，Ｂ４，……，Ｂｎとにプロービング針を接触させ良否判定を実施する。【選択図】  図１
2005072457.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一対の対向する各辺に沿って単列にボンディングパッドが配置された方形のチップからなり、ウェーハ状態のとき、前記チップがマトリクス状に配置され、前記チップ間のスクライブ領域上にボンディングパッドに電気的接続されたウェーハプロービングテスト用パッドが形成された半導体集積回路装置において、
前記ウェーハプロービングテスト用パッドが前記ボンディングパッドに１個おきに対応して配置され、前記ウェーハプロービングテスト用パッドとボンディングパッドの対となるパッド間で電気的接続されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
液晶表示装置のデータ側駆動回路として用いられる請求項１記載の半導体集積回路装置であって、
前記チップの平面形状が長尺矩形であり、
前記ウェーハプロービングテスト用パッドと対となるボンディングパッドが、少なくともチップの長辺に沿う両外周部の内の液晶パネル側に配置される出力用ボンディングパッドであることを特徴とする半導体集積回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体集積回路装置に関し、特にウエーハプロービングテスト用パッドが設けられた半導体集積回路装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェーハにマトリクス状に配置されスクライブ線に沿って切り離されてチップとなる半導体集積回路装置において、ウェーハ状態での電気的特性選別を行うためにウェーハプロービングテスト用パッドをチップ間のスクライブ領域上に形成した半導体集積回路装置が知られている（例えば、特許文献１を参照。）。以下、特許文献１を参考にして、従来の半導体集積回路装置について図５を参照して説明する。ウェーハ１０には、半導体集積回路が内部に形成されたチップ１１がマトリクス状に配置されており、各チップ１１間の領域はスクライブ領域１２として用いられる。ウェーハ１０は、各チップ１１とスクライブ領域１２との境界のスクライブ線Ｃに沿ってスクライブ領域１２で切り離されてチップとなる。チップ１１の外周部には、スクライブ線Ｃに沿ってボンディングパッドＢ１〜Ｂｎが設けられている。スクライブ領域１２には、ボンディングパッドＢ１〜Ｂｎに１対１で対応してウェーハプロービングテスト用パッドＡ１〜Ａｎが設けられている。各ボンディングパッドＢ１〜Ｂｎおよびウェーハプロービングテスト用パッドＡ１〜Ａｎの対となるパッド間は、メタライズ配線によって接続されている。ウェーハでの電気的特性選別時は、ウェーハプロービングテスト用パッドＡ１〜Ａｎにプロービング針を接触させ良否判定が実施される。その後、チップ１１をスクライブ線Ｃに沿ってスクライブ領域１２で切り離し、良チップのチップ組立工程でのボンディング作業時には、ボンディングパッドＢ１〜Ｂｎを用い、ボンディング接続が実施される。
【特許文献１】特開平−２３７１４２号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、例えば、液晶表示装置のデータ側駆動回路として用いられる半導体集積回路装置では、液晶パネルが大型化するに従い、チップ１個当たりの出力数も増加し、それに伴い出力用ボンディングパッドの個数も増加する。出力用ボンディングパッド数の増加によるチップサイズの大型化を抑えるには、出力用ボンディングパッドのパッドサイズを小さくしてパッドピッチを狭くする必要がある。しかし、図５に示すボンディングパッドＢ１〜Ｂｎのパッドピッチをさらに狭くすると、ボンディングパッドＢ１〜Ｂｎに１対１で対応するウェーハプロービングテスト用パッドＡ１〜Ａｎのパッドピッチも狭くなり、ウェーハプロービングテスト用パッドＡ１〜Ａｎにプロービング針を接触させ良否判定を実施するとき、プロービングの位置精度、プロービング針の太さおよびプロービング針の組立精度に限界が生じるという問題があった。
従って、本発明の目的は、プロービングの位置精度等の制約を軽減できる半導体集積回路装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の半導体集積回路装置は、少なくとも一対の対向する各辺に沿って単列にボンディングパッドが配置された方形のチップからなり、ウェーハ状態のとき、チップがマトリクス状に配置され、チップ間のスクライブ領域上にボンディングパッドに電気的接続されたウェーハプロービングテスト用パッドが形成された半導体集積回路装置において、ウェーハプロービングテスト用パッドがボンディングパッドに１個おきに対応して配置され、ウェーハプロービングテスト用パッドとボンディングパッドの対となるパッド間で電気的接続されていることを特徴とする。
上記半導体集積回路装置は、液晶表示装置のデータ側駆動回路として用いられ、チップの平面形状が長尺矩形であり、ウェーハプロービングテスト用パッドと対となるボンディングパッドが、少なくともチップの長辺に沿う両外周部の内の液晶パネル側に配置される出力用ボンディングパッドであることを特徴とする。
上記手段によれば、ウェーハでの電気的特性選別時に、プロービング針をウェーハプロービングテスト用パッドとボンディングパッドとに千鳥に接触させることができ、チップサイズを大きくすることなく、プロービング針間の距離をプロービングの位置精度等の制約を抑えることが可能となる程度に離間させることができる。
【発明の効果】
【０００５】
本発明によれば、スクライブ領域上にウェーハプロービングテスト用パッドをボンディングパッドに１個おきに対応して配置し、ウェーハプロービングテスト用パッドとボンディングパッドの対となるパッド間で電気的接続しているので、ウェーハプロービングテスト用パッドと、プロービングテスト用パッドの対とならないボンディングパッドとにプロービング針を接触させてプロービングするとき、プロービング針間の距離に余裕ができ、プロービングの位置精度等の制約を抑えることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
チップ間のスクライブ領域上にボンディングパッドに接続されたウェーハプロービングテスト用パッドが形成された半導体集積回路装置において、本発明の一実施の形態は、ウェーハプロービングテスト用パッドをボンディングパッド１個おきに配置し、そのウェーハプロービングテスト用パッドとボンディングパッドの対となるパッド間で電気的接続している。そして、ウェーハプロービングテストは、このウェーハプロービングテスト用パッドとウェーハプロービングテスト用パッドが接続されていないボンディングパッドとを用いて行われる。
【実施例１】
【０００７】
以下に、本発明の第１実施例について、図１を参照して説明する。ウェーハ２０には、半導体集積回路が内部に形成されたチップ２１がマトリクス状に配置されており、各チップ２１間の領域はスクライブ領域２２として用いられる。ウェーハ２０は、各チップ２１とスクライブ領域２２との境界のスクライブ線Ｃに沿ってスクライブ領域２２で切り離されてチップとなる。チップ２１の外周部には、スクライブ線Ｃに沿ってボンディングパッドＢ１〜Ｂｎ（ｎ＝偶数を例とする）が設けられている。スクライブ領域２２には、ボンディングパッドＢ１〜Ｂｎに１個おきに対応、すなわち、ボンディングパッドＢ１，Ｂ３，……，Ｂｎ−１に対応して、スクライブ線Ｃに沿ってウェーハプロービングテスト用パッドＡ１，Ａ３，……，Ａｎ−１が設けられている。ボンディングパッドＢ１，Ｂ３，……，Ｂｎ−１およびウェーハプロービングテスト用パッドＡ１，Ａ３，……，Ａｎ−１の対となるパッド間は、メタライズ配線によって接続されている。ウェーハでの電気的特性選別時は、ウェーハプロービングテスト用パッドＡ１，Ａ３，……，Ａｎ−１と、プロービングテスト用パッドＡ１，Ａ３，……，Ａｎ−１の対とならないボンディングパッドＢ２，Ｂ４，……，Ｂｎとにプロービング針を接触させ良否判定を実施する。その後、チップ２１をスクライブ線Ｃに沿ってスクライブ領域２２で切り離し、良チップのチップ組立工程でのボンディング作業時には、ボンディングパッドＢ１〜Ｂｎを用い、ボンディング接続を実施する。
【実施例２】
【０００８】
本発明の第２実施例について、液晶表示装置のデータ側駆動回路として用いられる半導体集積回路を例として、データ線３８４本分の駆動能力を有するものとして図２を参照して説明する。ウェーハ３０には、平面形状が長尺矩形のチップ３１がマトリクス状に配置されており、各チップ３１間の領域はスクライブ領域３２として用いられる。ウェーハ３０は、各チップ３１とスクライブ領域３２との境界のスクライブ線Ｃに沿ってスクライブ領域３２で切り離されてチップとなる。チップ３１には、図示しないが、長辺に沿う中央部にデータ側駆動回路として用いられる内部回路が形成されている。チップ３１の長辺に沿う両外周部の内、液晶パネル側に配置される外周部にデータ線３８４本分に対応した出力用ボンディングパッドＳ１〜Ｓ３８４が内部回路と接続されて配置され、図示しないが、反対側の外周部にクロック入力やデータ入力等の入力用および電源用のボンディングパッドが内部回路と接続されて配置されている。出力用ボンディングパッドＳ１〜Ｓ３８４は、例えば、パッドサイズ＝幅（チップ３１の長辺方向）×長さ（チップ３１の短辺方向）＝２５μｍ×６０μｍ、パッドピッチ＝３５μｍに設定される。
【０００９】
スクライブ領域３２には、ボンディングパッドＳ１〜Ｓ３８４に１個おきに対応、すなわち、ボンディングパッドＳ１，Ｓ３，……，Ｓ３８３に対応して、スクライブ線Ｃに沿ってウェーハプロービングテスト用パッドＴ１，Ｔ３，……，Ｔ３８３が設けられている。この実施例では、入力用および電源用のボンディングパッドに対応したウェーハプロービングテスト用パッドは設けない。従って、ウェーハプロービングテスト用パッドは、チップ３１の長辺に沿う片側外周部のボンディングパッドに対応して配置すればよいので、ウェーハプロービングテスト用パッドＴ１，Ｔ３，……，Ｔ３８３のサイズは、スクライブ領域３２の幅、例えば、１００μｍ内で各ウェーハプロービングテスト用パッドＴ１，Ｔ３，……，Ｔ３８３間が接触しない範囲で、十分大きく設定することができ、例えば、パッドサイズ＝チップ３１の長辺方向×短辺方向＝５０μｍ×５０μｍに設定される。ボンディングパッドＳ１，Ｓ３，……，Ｓ３８３およびウェーハプロービングテスト用パッドＴ１，Ｔ３，……，Ｔ３８３の対となるパッド間は、メタライズ配線によって接続されている。
【００１０】
ウェーハでの電気的特性選別時は、ウェーハプロービングテスト用パッドＴ１，Ｔ３，……，Ｔ３８３と、プロービングテスト用パッドＴ１，Ｔ３，……，Ｔ３８３の対とならないボンディングパッドＳ４，Ｓ６，……，Ｓ３８４と、入力用および電源用のボンディングパッドとにプロービング針を接触させ良否判定を実施する。その後、チップ３１をスクライブ線Ｃに沿ってスクライブ領域３２で切り離し、良チップのチップ組立工程でのボンディング作業時には、ボンディングパッドＳ１〜Ｓ３８４を用い、ボンディング接続を実施する。ウェーハプロービングテスト用パッドＴ１，Ｔ３，……，Ｔ３８３の替わりに、ボンディングパッドＳ２，Ｓ４，……，Ｓ３８４に対応して、ウェーハプロービングテスト用パッドＴ２，Ｔ４，……，Ｔ３８４が設けられてもよい。
【実施例３】
【００１１】
本発明の第３実施例について、液晶表示装置のデータ側駆動回路として用いられる半導体集積回路を例として、データ線３８４本分の駆動能力を有するものとして図３を参照して説明する。ウェーハ４０には、平面形状が長尺矩形のチップ４１がマトリクス状に配置されており、各チップ４１間の領域はスクライブ領域４２として用いられる。ウェーハ４０は、各チップ４１とスクライブ領域４２との境界のスクライブ線Ｃに沿ってスクライブ領域４２で切り離されてチップとなる。チップ４１には、図示しないが、長辺に沿う中央部にデータ側駆動回路として用いられる内部回路が形成されている。データ線３８４本分に対応した出力用ボンディングパッドＳ１〜Ｓ３８４が、チップ４１の長辺に沿う両外周部の内、液晶パネル側に配置される外周部と短辺に沿う両外周部とに内部回路と接続されて配置され、図示しないが、反対側の長辺に沿う外周部にクロック入力やデータ入力等の入力用および電源用のボンディングパッドが内部回路と接続されて配置されている。出力用ボンディングパッドＳ１〜Ｓ３８４は、例えば、短辺に沿う両外周部にＳ１〜Ｓ１５およびＳ３７０〜Ｓ３８４がそれぞれ配置され、長辺に沿う外周部にＳ１６〜Ｓ３６９が配置されている。出力用ボンディングパッドＳ１６〜Ｓ３６９は、例えば、パッドサイズ＝幅（チップ４１の長辺方向）×長さ（チップ４１の短辺方向）＝２５μｍ×６０μｍ、パッドピッチ＝３５μｍに設定される。出力用ボンディングパッドＳ１〜Ｓ１５およびＳ３７０〜Ｓ３８４は、出力用ボンディングパッドＳ１６〜Ｓ３６９よりもパッドの幅寸法を大きくとる必要があり、例えば、パッドサイズ＝幅（チップ４１の短辺方向）×長さ（チップ４１の長辺方向）＝４０μｍ×６０μｍ、パッドピッチ＝５５μｍに設定される。
【００１２】
チップ４１の液晶パネル側の長辺に沿うスクライブ領域４２には、ボンディングパッドＳ１６〜Ｓ３６９に１個おきに対応、すなわち、ボンディングパッドＳ１６，Ｓ１８，……，Ｓ３６８に対応して、スクライブ線Ｃに沿ってウェーハプロービングテスト用パッドＴ１６，Ｔ１８，……，Ｔ３６８が設けられている。この実施例では、出力用ボンディングパッドＳ１〜Ｓ１５およびＳ３７０〜Ｓ３８４と、入力用および電源用のボンディングパッドとに対応したウェーハプロービングテスト用パッドは設けない。従って、ウェーハプロービングテスト用パッドは、チップ４１の長辺に沿う片側外周部のボンディングパッドに対応して配置すればよいので、ウェーハプロービングテスト用パッドＴ１６，Ｔ１８，……，Ｔ３６８のサイズは、スクライブ領域４２の幅、例えば、１００μｍ内で各ウェーハプロービングテスト用パッドＴ１６，Ｔ１８，……，Ｔ３６８間が接触しない範囲で、十分大きく設定することができ、例えば、パッドサイズ＝チップ４１の長辺方向×短辺方向＝５０μｍ×５０μｍに設定される。ボンディングパッドＳ１６，Ｓ１８，……，Ｓ３６８およびウェーハプロービングテスト用パッドＴ１６，Ｔ１８，……，Ｔ３６８の対となるパッド間は、メタライズ配線によって接続されている。
【００１３】
ウェーハでの電気的特性選別時は、ウェーハプロービングテスト用パッドＴ１６，Ｔ１８，……，Ｔ３６８と、プロービングテスト用パッドＴ１６，Ｔ１８，……，Ｔ３６８の対とならないボンディングパッドＳ１〜Ｓ１５、Ｓ１７，Ｓ１９，……，Ｓ３６９、Ｓ３７０〜Ｓ３８４と、入力用および電源用のボンディングパッドとにプロービング針を接触させ良否判定を実施する。その後、チップ４１をスクライブ線Ｃに沿ってスクライブ領域４２で切り離し、良チップのチップ組立工程でのボンディング作業時には、ボンディングパッドＳ１〜Ｓ３８４を用い、ボンディング接続を実施する。ウェーハプロービングテスト用パッドＴ１６，Ｔ１８，……，Ｔ３６８の替わりに、ボンディングパッドＳ１７，Ｓ１９，……，Ｓ３６９に対応して、ウェーハプロービングテスト用パッドＴ１７，Ｔ１９，……，Ｔ３６９が設けられてもよい。
【実施例４】
【００１４】
本発明の第４実施例について、液晶表示装置のデータ側駆動回路として用いられる半導体集積回路を例として、データ線３８４本分の駆動能力を有するものとして図４を参照して説明する。ウェーハ５０には、平面形状が長尺矩形のチップ５１がマトリクス状に配置されており、各チップ５１間の領域はスクライブ領域５２として用いられる。ウェーハ５０は、各チップ５１とスクライブ領域５２との境界のスクライブ線Ｃに沿ってスクライブ領域５２で切り離されてチップとなる。チップ５１には、図示しないが、長辺に沿う中央部にデータ側駆動回路として用いられる内部回路が形成されている。データ線３８４本分に対応した出力用ボンディングパッドＳ１〜Ｓ３８４が、チップ５１の長辺に沿う両外周部の内、液晶パネル側に配置される外周部と短辺に沿う両外周部とに内部回路と接続されて配置され、図示しないが、反対側の長辺に沿う外周部にクロック入力やデータ入力等の入力用および電源用のボンディングパッドが内部回路と接続されて配置されている。出力用ボンディングパッドＳ１〜Ｓ３８４は、例えば、短辺に沿う両外周部にＳ１〜Ｓ１５およびＳ３７０〜Ｓ３８４がそれぞれ配置され、長辺に沿う外周部にＳ１６〜Ｓ３６９が配置されている。出力用ボンディングパッドＳ１６〜Ｓ３６９は、例えば、パッドサイズ＝幅（チップ５１の長辺方向）×長さ（チップ５１の短辺方向）＝２５μｍ×６０μｍ、パッドピッチ＝３５μｍに設定される。出力用ボンディングパッドＳ１〜Ｓ１５およびＳ３７０〜Ｓ３８４は、出力用ボンディングパッドＳ１６〜Ｓ３６９よりもパッドの幅寸法を大きくとる必要があり、例えば、パッドサイズ＝幅（チップ５１の短辺方向）×長さ（チップ５１の長辺方向）＝４０μｍ×６０μｍ、パッドピッチ＝５５μｍに設定される。
【００１５】
スクライブ領域５２には、ボンディングパッドＳ１〜Ｓ１５に１個おき、Ｓ１６〜Ｓ３６９に１個おき、およびＳ３７０〜Ｓ３８４に１個おきに対応、すなわち、ボンディングパッドＳ１，Ｓ３，……，Ｓ１５、Ｓ１６，Ｓ１８，……，Ｓ３６８、およびＳ３７１，Ｓ３７３，……，Ｓ３８３に対応して、スクライブ線Ｃに沿ってウェーハプロービングテスト用パッドＴ１，Ｔ３，……，Ｔ１５、Ｔ１６，Ｔ１８，……，Ｔ３６８、およびＴ３７１，Ｔ３７３，……，Ｔ３８３が設けられている。この実施例では、図示しないが入力用および電源用のボンディングパッドに対応したウェーハプロービングテスト用パッドが設けられている。従って、チップ５１の長辺方向に配置されるウェーハプロービングテスト用パッドは、チップ５１の長辺に沿う両側外周部のボンディングパッドに対応して配置されるので、ウェーハプロービングテスト用パッドＴ１６，Ｔ１８，……，Ｔ３６８のサイズは、スクライブ領域５２の幅、例えば、１００μｍの半分内で各ウェーハプロービングテスト用パッドＴ１６，Ｔ１８，……，Ｔ３６８間が接触しない範囲で設定する必要があり、例えば、パッドサイズ＝チップ５１の長辺方向×短辺方向＝４０μｍ×４０μｍに設定される。また、チップ５１の短辺方向に配置されるウェーハプロービングテスト用パッドも、チップ５１の短辺に沿う両側外周部のボンディングパッドに対応して配置されるので、ウェーハプロービングテスト用パッドＴ１，Ｔ３，……，Ｔ１５およびＴ３７１，Ｔ３７３，……，Ｔ３８３のサイズも、スクライブ領域５２の幅、例えば、１００μｍの半分内で各ウェーハプロービングテスト用パッドＴ１，Ｔ３，……，Ｔ１５間およびＴ３７１，Ｔ３７３，……，Ｔ３８３間が接触しない範囲で設定する必要があり、例えば、パッドサイズ＝チップ５１の短辺方向×長辺方向＝４０μｍ×４０μｍに設定される。
【００１６】
ボンディングパッドＳ１，Ｓ３，……，Ｓ１５、Ｓ１６，Ｓ１８，……，Ｓ３６８、およびＳ３７１，Ｓ３７３，……，Ｓ３８３とウェーハプロービングテスト用パッドＴ１，Ｔ３，……，Ｔ１５、Ｔ１６，Ｔ１８，……，Ｔ３６８、およびＴ３７１，Ｔ３７３，……，Ｔ３８３との対となるパッド間は、メタライズ配線によって接続されている。ウェーハでの電気的特性選別時は、ウェーハプロービングテスト用パッドＴ１，Ｔ３，……，Ｔ１５、Ｔ１６，Ｔ１８，……，Ｔ３６８、およびＴ３７１，Ｔ３７３，……，Ｔ３８３と、プロービングテスト用パッドＴ１，Ｔ３，……，Ｔ１５、Ｔ１６，Ｔ１８，……，Ｔ３６８、およびＴ３７１，Ｔ３７３，……，Ｔ３８３の対とならないボンディングパッドＳ２，Ｓ４，……，Ｓ１４、Ｓ１７，Ｓ１９，……，Ｓ３６９、およびＳ３７０，Ｓ３７２，……，Ｓ３８４と、入力用および電源用のボンディングパッドに対応したウェーハプロービングテスト用パッドとにプロービング針を接触させ良否判定を実施する。その後、チップ５１をスクライブ線Ｃに沿ってスクライブ領域５２で切り離し、良チップのチップ組立工程でのボンディング作業時には、ボンディングパッドＳ１〜Ｓ３８４を用い、ボンディング接続を実施する。ウェーハプロービングテスト用パッドＴ１，Ｔ３，……およびＴ３７１，Ｔ３７３，……，Ｔ３８３の替わりに、ボンディングパッドＳ２，Ｓ４，……およびＳ３７０，Ｓ３７２，……，Ｓ３８４に対応して、ウェーハプロービングテスト用パッドＴ２，Ｔ４，……，Ｔ１４およびＴ３７０，Ｔ３７２，……，Ｔ３８４が設けられてもよい。また、ウェーハプロービングテスト用パッドＴ１８，……，Ｔ３６８の替わりに、ボンディングパッドＳ１７，Ｓ１９，……，Ｓ３６９に対応して、ウェーハプロービングテスト用パッドＴ１７，Ｔ１９，……，Ｔ３６９が設けられてもよい。
【００１７】
以上第１〜第４実施例に説明したように、少なくとも一対の対向する各辺に沿って単列にボンディングパッドが配置された方形のチップからなり、ウェーハ状態のとき、チップがマトリクス状に配置され、チップ間のスクライブ領域上にボンディングパッドに接続されたウェーハプロービングテスト用パッドが形成された半導体集積回路装置において、ウェーハプロービングテスト用パッドのみでプロービングするとプロービングの位置精度等の制約を受けるようなパッドピッチの狭いポンディングパッドを有する場合、少なくともそのパッドピッチの狭いポンディングパッドに対しては、ウェーハプロービングテスト用パッドをボンディングパッド１個おきに対応して配置し、ウェーハプロービングテスト用パッドと、プロービングテスト用パッドの対とならないボンディングパッドとにプロービング針を接触させ良否判定を実施するようにしたので、プロービングの位置精度等の制約を抑えることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１実施例を示す平面図。
【図２】本発明の第２実施例を示す平面図。
【図３】本発明の第３実施例を示す平面図。
【図４】本発明の第４実施例を示す平面図。
【図５】従来の半導体集積回路装置の平面図。
【符号の説明】
【００１９】
２０，３０，４０，５０  ウェーハ
２１，３１，４１，５１  チップ
２２，３２，４２，５２  スクライブ領域
Ａ１〜Ａｎ  ウェーハプロービングテスト用パッド
Ｂ１〜Ｂｎ  ボンディングパッド
Ｓ１〜Ｓ３８４  出力用ボンディングパッド
Ｔ１〜Ｔ３８４  ウェーハプロービングテスト用パッド
【図１】
2005072457.tif 000003
【図２】
2005072457.tif 000004
【図３】
2005072457.tif 000005
【図４】
2005072457.tif 000006
【図５】
2005072457.tif 000007