(57)【要約】【目的】異常成長の大幅な低減と、高品質化、低コスト化とを高い次元で両立させることが可能な電子写真感光体の製造方法を提供する。【構成】  プラズマＣＶＤ法により導電性基体上にすくなくとも、密着層と光受容層が形成された電子写真感光体の製造方法であって、  ガラス基板あるいは該ガラス基板と同等の基板上の密着層と密着層上に形成された光受容層を５.０μｍ形成させて得られた積層膜と基板とのマイクロスクラッチ試験における破断の臨界荷重が５０ｍＮ以上７００ｍＮ以下となるプラズマＣＶＤの製造条件で光受容層を製造することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。【選択図】  図２
2005148374.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマＣＶＤ法により導電性基体上に少なくとも、密着層と前記密着層上に光受容層とが形成された電子写真感光体の製造方法であって、
ガラス基板あるいは該ガラス基板と同等の基板上に、前記密着層と前記光受容層を５.０μｍ成長させて得られた積層膜の前記基板とのマイクロスクラッチ試験における破断の臨界荷重が５０ｍＮ以上７００ｍＮ以下となるプラズマＣＶＤの製造条件で前記光受容層を製造することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項２】
前記光受容層が光導電層であることを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項３】
前記光受容層が下部注入阻止層を有していることを特徴とする請求項２に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項４】
前記密着層が非単結晶材料で形成されており、光導電層がシリコン原子を母体とする非単結晶材料で形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項５】
前記光導電層が、５０ＭＨｚ以上４５０ＭＨｚ以下の高周波を用いたプラズマＣＶＤにて作成されることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項６】
前記密着層が、少なくともシリコン原子と窒素原子とを含む非単結晶膜で形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項７】
前記電子写真感光体における密着層の膜厚が、０．０５μｍ以上５.０μｍ以下である、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項８】
前記マイクロスクラッチ試験が、先端半径１０μｍのダイヤモンドスタイラスを使用し、振幅５０μｍ、振動周期３０Ｈｚ、負荷速度１μm／ｓ、送りスピード１０μｍ／ｓで移動しながらスタイラスに荷重を印加する事によって測定されたものであることを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子写真用感光体の形成に用いる堆積膜形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体デバイス、電子写真用感光体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバイス、光起電力デバイス、その他各種エレクトロニクス素子、光学素子等を作成する際に用いられる堆積膜形成方法として、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等、多数知られており、そのための装置も実用に付されている。中でも高周波電力を用いたプラズマプロセスは、様々な材料を用いた堆積膜作成に用いることが出来、酸化膜や窒化膜などの絶縁性の材料形成にも使用できる等様々な利点より使用されている。プラズマプロセスの好適な使用例としては、例えば電子写真用水素化アモルファスシリコン(以下、ａ−Ｓｉ：Ｈと表記する)堆積膜の形成等、現在実用化が非常に進んでおり、そのための装置も各種提案されている。
【０００３】
また、近年では、より高い周波数の高周波電源を用いたプラズマＣＶＤ法の報告があり、Plasma Chemistry and Plasma Processing, Vol.7, No.3, (1987),p267−273 には、放電周波数を従来の１３．５６ＭＨｚより高くすることで、堆積膜の性能を落とさずに堆積速度を向上させることができる可能性が示されており、注目されている。
【０００４】
このような所謂ＶＨＦ帯の周波数を用いたプラズマＣＶＤにより、ａ−Ｓｉ系電子写真用光受容部材を形成することが、例えば、特開平６−２８７７６０号公報等に記載されている。その応用として、特開平７−２８８２３３号公報等に、同一円周上に配置された複数の円筒状基体上に、２０ＭＨｚ〜４５０ＭＨｚの高周波を用いて複数の堆積膜を同時に形成する技術も確立されている。この結果、高品質とコストダウンの両立を図ることが出来る。
【０００５】
また、堆積膜の密着性向上に関しても改良が為されている。例えば、特開昭５８−１４９０５１号公報、特開２０００−３０５３００号公報等には、電子写真感光体において、光導電膜と基体との間に、珪素を主成分とし少なくとも窒素原子が含有された密着強化膜を用いる工夫が為されている。
【０００６】
また、膜堆積の前処理方法に関しても様々な改良が為されている。例えば、特開平５−２３２７３０号公報には、アルミからなる基板を用いる場合、表面に存在する自然酸化膜を除去するために窒素雰囲気中でプラズマに曝して清浄化する工夫が為されている。
【０００７】
また、特開平８−２０２０６０号公報や特開平１１−１３３６４０号公報には、密着性やその他特性（例えば、融着に対する耐性など）の向上を目的とし、マイクロスクラッチ試験を用いて物性を特定して感光体の表面層を作成する技術が開示されている。
【特許文献１】特開平６−２８７７６０号公報
【特許文献２】特開平７−２８８２３３号公報
【特許文献３】特開昭５８−１４９０５１号公報
【特許文献４】特開２０００−３０５３００号公報
【特許文献５】特開平５−２３２７３０号公報
【特許文献６】特開平８−２０２０６０号公報
【特許文献７】特開平１１−１３３６４０号公報
【非特許文献１】Plasma Chemistry and Plasma Processing, Vol.7, No.3, (1987),p267−273
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記従来の方法及び装置により、良好な堆積膜形成処理がなされる。しかしながら、感光体に対する市場の要求レベルは日々高まっており、この要求に応えるべく、より高品質化、低コスト化が実現可能な電子写真感光体の製造方法の開発が行われている。
【０００９】
例えば、電子写真装置の場合、コピースピードの向上、高画質化、低価格化の要求は非常に強く、これらを実現するためには感光体特性、具体的には帯電能、感度等の向上、膜中の構造欠陥に起因し画像上に現れる白点あるいは黒点状の画像欠陥の抑制及び感光体生産コストの低下が不可欠となっている。特に、近年その普及が目覚しいデジタル電子写真装置、カラー電子写真装置においては、文字原稿のみならず、写真、絵、デザイン画等のコピーも頻繁に為されるため、高解像度化、画像濃度むらの低減、画像欠陥の低減などが従来以上に強く求められている。特に画像欠陥に対する要求は年々高くなっている。例えば人物の肌などに相当するハーフトーン領域においては、微小な黒点、白抜けなども非常に目立つため、従来に増して画像欠陥を無くすことが求められるようになってきた。
【００１０】
感光体においては、膜特性の向上、特性ムラの改善などの品質の向上のため、堆積膜積層構成の最適化等の工夫、堆積膜形成方法の改善などが続けられており、更なる改善の余地が残されているのが現状である。
【００１１】
例えば、従来技術で挙げた２０ＭＨｚ以上の高周波を用いた堆積膜形成装置においては、膜の品質を保ちながら高速堆積が得られるためコストダウンに有利であるが、一方で反応容器内壁等にＲＦ方式で見られるポリシランに代わりに基板上と同様な膜が堆積するため、膜剥がれが発生しやすくなる。膜剥がれによるダストが基板上の堆積膜に付着し、これに原因する画像欠陥を抑えることが課題となっている。その対策として、反応容器の一部にセラミックスを用い、高周波電極を放電空間外に配置する方式が用いられている。セラミックス部品の表面を粗面化することで、金属表面に比べて膜剥がれを効果的に防止することが出来るため、ダストが減り、画像欠陥を大幅に改善することが可能となる。しかし、金属からなる電極を反応空間外に配置しても、まだ放電空間内には金属からなる部材が存在する。例えば放電を反応容器内に限定するために、排気口に設置するメッシュ状、ないしはパンチングメタルなどの放電漏れ防止部材や、基体を支持するための基体ホルダー、基体キャップ、チャンバーの底板などが金属で作成されることが多い。これらの金属部分から飛来するダストが基体に付着することで画像欠陥が生じる可能性がある。
【００１２】
そこで従来技術で挙げたように、密着性を強化する膜を堆積させてから感光体を作成することで、基体ホルダー、基体キャップ、底板や放電漏れ防止部材などに堆積される膜も剥れにくくなり、ダストが発生しにくくなると考えられる。例えば窒化シリコンは密着性の良好な材料として知られており、従来技術で挙げたように感光体としても実績がある材料である。
【００１３】
しかし、密着性向上を目的とした場合、どのような特性が好ましいかに関しての知見は少ないのが現状である。特に、従来技術においては、感光体の基体上の密着性に関する議論はあるが、基体以外の部分、即ち放電空間内の金属部材等に付着する膜の密着性に関しては明らかではない。また、一般にプラズマＣＶＤ法は装置敏感な手法であるため、仮に試作装置にて密着層の材料や使用ガス等の堆積条件を決定しても、生産装置ではその密着性が得られないことも多かった。よって、ガス圧力や放電電力といった装置に大きく依存する作成条件ではなく、得られた膜の密着性とダスト抑制能力とを的確に判定する判断基準が求められてきた。
【００１４】
また、ホルダーや底板などの部材との密着性のみを向上させても、密着層とその上に堆積される感光層との密着性が不十分であれば、その界面から剥離が発生し、結果的にダストが形成されることとなる。よって密着層としては、下地との密着性と感光層との密着性とを併せ持つ材料であることが望まれる。
【００１５】
更に、密着性を向上させる以外にも、感度や残留電位、ゴースト特性といった電子写真特性を悪化させない材料が望まれる。
＜本発明の目的＞
本発明は上記課題の解決を目的とするものである。即ち、高いダスト抑制能力と電子写真特性とを両立させた密着層を用い、放電空間中のダストが基板に飛来して発生する異常成長を防止することにより、高品質な電子写真感光体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は、プラズマＣＶＤ法により導電性基体上に少なくとも、密着層と光受容層とが形成された電子写真感光体の製造方法であって、
ガラス基板あるいは該ガラス基板と同等の基板上に、密着層と光受容層を５.０μｍ成長させて得られた積層膜と基板とのマイクロスクラッチ試験における破断の臨界荷重が５０ｍＮ以上７００ｍＮ以下となるプラズマＣＶＤの製造条件で光受容層を作成することを特徴とする電子写真感光体の製造方法である。この際、光受容層が光導電層であるか、または光導電層と下部注入阻止層の積層であることが好ましい。更に、光導電層が、５０ＭＨｚ以上４５０ＭＨｚ以下の高周波を用いたプラズマＣＶＤにて作成されることが好ましい。更に、密着層が、少なくともシリコン原子と窒素原子とを含む非単結晶膜で形成されていることが好ましい。
【００１７】
また、電子写真感光体における密着層の膜厚は、０．０５μｍ以上５.０μｍ以下であることが好ましく、マイクロスクラッチ試験は、先端半径１０μｍのダイヤモンドスタイラスを使用し、振幅５０μｍ、振動周期３０Ｈｚ、負荷速度１μm／ｓ、送りスピード１０μｍ／ｓで移動しながらスタイラスに荷重を印加する事によって測定されことが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、ガラス基板上に密着層と光受容層を５μｍ形成させて得られた積層膜と基板とのマイクロスクラッチ試験における破断の臨界荷重が５０ｍＮ以上７００ｍＮ以下となるプラズマＣＶＤの製造条件で前記光受容層を作成した電子写真感光体を製造することで、基板上の異常成長を極めて効果的に低減できる堆積膜形成方法を提供出来る。更には、高品質で均一性の高い大面積の堆積膜を、更に高速で堆積させることが出来、製品品質の向上、スループットの向上や良品率向上による生産コスト低下を高い次元で両立することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明者らは上記課題を達成すべく鋭意検討を行った結果、特定の条件で測定した密着性の評価結果が特定の範囲になるような密着層を設けることで、基体ホルダーやキャップ、排気口上のメッシュ部材などへ付着する膜の微細剥がれを効果的に防止し、基板上に到達するダストを飛躍的に低減できる事を見出し、本発明に至った。本発明では、従来長期間のトライアンドエラーを要する密着性評価が、ガラス基板上に薄膜を堆積させてスクラッチ試験で評価するだけで比較的簡便に判断できるため、感光体の開発効率を大幅に向上させることが可能となり、引いては感光体のコストダウンが可能となる。
【００２０】
本発明の実施の形態について、以下に詳述する。
【００２１】
本発明者らはまず従来技術で密着性に定評のある材料を出発点として密着層の検討を行った。従来は、基体との密着性、あるいは表面層として下層との密着性にのみ着目した検討がほとんどであった。基体、或いは光導電層との間で剥離しない膜堆積条件は比較的容易に得られるが、装置のいかなる場所に堆積した膜からも剥離が起こらない、即ちダストが発生しない膜堆積条件を見出すことは非常に難しく、放電空間内のダストの抑止はなかなか出来なかった。
【００２２】
このため、これらのダストによる異常成長を調べるため、異常成長箇所で感光体を切って断面観察したところ、多くのダストは感光体の作成初期段階において感光体上に飛来していることがわかった。即ち、感光体作成の初期段階において、いずれかの場所で発生した膜の剥離に起因するダストが感光体上に飛来して異常成長を引き起こしていることが判り、初期段階の密着性を向上させることが有効であることがわかった。
【００２３】
そこで本発明者らが検討を重ねたところ、ある製造条件で作成した密着性向上膜を用いて電子写真感光体を作製した場合には、異常成長が少ないことを見出した。次にこの製造条件、およびこの周囲の製造条件で様々な膜を作成し、これらの膜の組成、結合、機械的特性を徹底的に調べた。具体的には、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）、フーリエ変換赤外分光法（ＦＴ−ＩＲ）、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）、ラマン分光法、ダイナミック硬度などを用い、組成や結合の仕方、歪み、硬さなどを比較したが、異常成長と直接相関のあるパラメータをはっきりと見出すまでには至らなかった。その要因として、ダストの起点、即ちどの時点で膜の剥離が主に生じるかには、少なくとも下地部材と密着層との界面、及び密着層と光導電層との界面の２つが考えられ、これらの界面における密着性の関係、応力の向きなどが関係しているためと考えられる。また、放電空間において膜が付着する様々な場所では、様々な温度を持っているため、温度変化による熱応力がまちまちであることも、膜の組成や結合などの特性と微小剥離とが１対１に定まらない原因と考えられる。
【００２４】
そこで本発明者らは、実際の電子写真感光体作成時の状況に近い状況で、様々な場所における実際の付着力を確認することを試みた。即ち、基体を保持するホルダー、キャップ、反応容器の底面（ベース部分）や、排気口に取り付けられたメッシュなどから成る放電漏れ防止部材は、構造上あるいは性質上金属であることが多く、ここから膜剥がれが発生する場合が多かった。そこで、実際のキャップ（アルミニウム製）、メッシュ状放電漏れ防止部材（ステンレス製）などに、密着層、光導電層を実際に積層させて感光体の初期状態を再現し、この積層膜の下地との密着性を確認するためにスクラッチ試験を用いて評価を試みた。ここでスクラッチ試験とは、レコード針状のダイヤモンドスタイラスに荷重をかけながら表面を引っ掻き、膜が下地から剥離する臨界荷重をその膜の密着性とみなす測定方法である。この測定手段を用い、各部材に積層膜を堆積させたあと、これら部材を適当な大きさに切り出して測定した。すると、このような実際の積層膜の密着性結果と、電子写真感光体上の異常成長の数との間にはかなり良い一致が得られた。ただし、この方法では毎回装置の各部材を破壊する必要があり、定常的な確認方法としては不向きであった。
【００２５】
このとき、電子写真感光体用の基体の位置にはガラス基板がホルダーを用いて設置してあったが、このガラス基板上の積層膜のスクラッチ試験結果と、この密着層と光導電層とを組み合わせて感光体にしたときの異常成長の数とが、非常によく一致していることが見出された。このことにより、密着性の評価が非常に簡単且つ短時間に行えるようになり、密着層の作成条件や光導電層との組み合わせを様々に変化させた検討が非常に迅速に行えるようになった。結果として、開発効率の大幅な向上が実現され、電子写真感光体の性能向上、コストダウンが可能になった。
【００２６】
ガラス基板と、実際の放電空間において微小剥がれを起こしやすい金属部材とは全く素材としては異なり、このような一致が得られた理由は定かではない。しかし、放電空間で膜剥がれを起こしやすい箇所での膜堆積状況が、ガラス上の堆積状況と何らかの理由から類似しているためと考えられる。
【００２７】
理由としては以下のようなものが考えられる。ガラス上の膜の応力は、熱応力と材質で決まる応力とを合成した値となる。そのうち熱応力は、温度変化、熱膨張係数差の２つで決まるので、仮にガラスと反応空間内の部材とで、材質で決まる応力が違ったとしても、温度変化と熱膨張係数によって決まる熱応力でそれらの違いを吸収した可能性が考えられる。このような理由から、膜剥がれを起こしやすい箇所での応力とガラス上の膜の応力が一致したと考えることも出来る。
【００２８】
この方法で特筆すべき点は、様々な形態、様々な方式（周波数、給電方法など）の感光体製造装置を用いた場合でも、上述したガラス上の積層膜でのスクラッチ試験による臨界荷重と、その積層膜と同様の層を用いた電子写真感光体の異常成長の数が、非常によく一致した点である。つまり、プラズマＣＶＤという比較的装置敏感な膜形成方法を用いているにもかかわらず、本発明の目的である異常成長の抑制が、装置に依存せずに単一の方法で評価可能であり、層構成が簡便に決定でき、短期間、低コストで異常成長が極めて少ない感光体を得ることが出来る。この理由も定かではないが、仮説としては上述したものと同様の理由が考えられる。即ち、ほとんどの装置において異常成長を引き起こす膜剥れは、何らかの理由で、ガラス上の膜と非常によく似た性質の膜の形成部分から主に発生しているという可能性が考えられる。
【００２９】
ガラス基板としては、ホウケイ酸系のガラス基板であれば良い。更に、ホウケイ酸ガラスと同等の特性を有する材料であればガラスの代替として使用できることは言うまでもない。また、基板の設置位置であるが、電子写真感光体用の基体上以外に、基体を保持するホルダー、キャップ上にホルダーを用いて設置しても同等の結果が得られた。
【００３０】
本発明者らは検討を進めるうち、ガラス上に密着層の膜を堆積し、その上に電子写真感光体の初期段階の膜を成長させた膜中の異常成長の起点となっている場所が、電子写真感光体作成時の初期に９０％以上集中して発生していることを見出した。現在使用されている高周波プラズマＣＶＤ装置では異常成長の起点は、５μｍ堆積させれば異常成長の起点の９０％以上が網羅され、最も異常成長の数と相関性が高いことが判った。これは、異常成長の起点となっている場所が、電子写真感光体作成時の初期に集中しており、５.０μｍでそれらがほとんど網羅されているからである。また、５.０μｍを超えて光受容層の膜厚を増やし１０μｍを超えると、測定中に光受容層が脆性破壊を起こし、膜途中から割れてしまって正確な密着性が得られないことが多くなる。これらの点から、密着性を最も効果的に反映する膜厚としては５.０μｍが好ましいことがわかった。
【００３１】
また、このときの膜破断までの臨界荷重が５０ｍＮ以上７００ｍＮ以下の範囲にあることが最も好ましいことが判った。５０ｍＮより小さい場合には、実際の電子写真感光体作成時にも膜剥がれが生じやすく、異常成長を効果的に減少させることが難しくなる。７００ｍＮより大きくなると、密着性は非常に良好であり、確かに電子写真感光体作成初期の微小剥れは非常に効果的に抑制されるが、電子写真感光体作成終盤になって基体上の膜が広範囲に剥れることがあった。これは、応力がどこかで蓄積し、膜厚が厚くなった際に応力に耐えられなくなって膜剥れが発生したと考えられ、本願で着目した初期の応力バランス以外に、電子写真感光体に要求される数十μｍの厚膜を作成した際の応力バランスも重要であることが判った。また、７００ｍＮより大きい場合には、電子写真感光体（ドラム）特性にも影響を与えることがあった。密着性の強い積層膜をもたらす条件では、膜の組成として高抵抗になりやすい傾向があり、電荷が通り抜けにくくなることで残留電位の増大やゴースト現象を引き起こすことがあった。
【００３２】
以上の点から、ガラス基板上の膜としては、密着層の上に光導電層を５.０μｍ堆積させて積層膜としたものを用い、臨界荷重としては５０ｍＮ以上７００ｍＮ以下であることが、本発明の効果を得る上で最も望ましい。
【００３３】
次に、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。
【００３４】
図１は、５０ＭＨｚ以上４５０ＭＨｚ以下の高周波を好適に使用できる堆積膜形成装置の一例であって、円筒状の導電性基体１０１の上に電子写真感光体を好適に堆積することが出来る装置の模式的な構成図である。
【００３５】
図１（ａ）は、アモルファスシリコン感光体製造装置である。なお、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ’断面図を示している。
【００３６】
図１に示す装置は、カソード電極１０４を反応容器１０２外に設置し、反応容器１０２内に複数の導電性基体１０１を設置する構成である。カソード電極１０４とアース電極として作用する導電性基体１０１との間に高周波電力を印加し、反応容器１０２内に放電を生じさせて、導電性基体１０１の上に堆積膜を形成する。排気管１０５の反応容器１０２との接続部には、排気管１０５へ高周波電力やプラズマが漏れるのを防ぐために排気メッシュ１１４を挿入している。導電性基体１０１は回転軸１１０を通して電気的にアースに接続されている。
【００３７】
ここで、高周波電力の周波数が５０ＭＨｚ以上４５０ＭＨｚ以下であるとき、本発明の効果が最も得られる。前述したように低い周波数では、反応容器などに堆積する膜が、例えばシリコン膜であればポリシランのような緻密でない膜になりやすいが、５０ＭＨｚ以上のような非常に高い周波数になると、ポリシランのような膜が形成されにくくなり、膜剥がれが深刻な問題となってくる。そこで、このように非常に高い周波数を用いた堆積膜形成装置においては、本発明の膜の飛来防止効果が最大限に発揮される。また、４５０ＭＨｚ以下の周波数であれば、ガラス上の密着性と電子写真感光体上の異常成長の対応関係が良好に得られやすい。原因は不明だが、非常に高い周波数になると、定在波が発生しやすくなり、放電空間内の高周波電力の分布が大きくなりやすいと考えられ、場所によって膜特性が大きく変わってしまうことがある。そのため、最も剥がれが発生しやすい部分とガラス上の膜との膜の性質の差が大きくなる場合があるのではないかと推測している。以上のことから、５０ＭＨｚ以上４５０ＭＨｚ以下の周波数を用いる場合には、本発明の効果が最適に得られる。
【００３８】
また、図２（ａ），（ｂ）に本発明によって作成される電子写真感光体の模式的な断面図を示す。図２（ａ）の電子写真感光体は、導電性基体２０１の上に、密着層２０２、シリコンを母体とする光導電層２０３、表面層２０４がこの順で設けられている。図２（ｂ）では、密着層２０２と光導電層２０３との間に下部注入阻止層２０５、また光導電層２０３と表面層２０４との間に上部注入阻止層２０６が設けられている点が異なる。このように必要に応じて上下からの不要な電荷の注入を防止する層を設けても構わない。特に下部注入阻止層２０５は正負いずれの帯電極性でも有効であり、上部注入阻止層２０６は負帯電感光体の際に特に有効である。図２（ａ）の電子写真感光体の場合は光導電層２０３が、図２（ｂ）の電子写真感光体の場合は下部注入阻止層２０５と光導電層２０３を積層したものが、光受容層に夫々対応している。  この密着層２０２の材料としては、少なくともシリコン原子を含み、炭素、窒素、酸素、水素、フッ素、ボロンなどを含む非単結晶材料、或いは少なくとも炭素原子を骨格とし、窒素、酸素、水素、フッ素、ボロンなどを含む非単結晶炭素材料、或いは窒化ボロン、窒化アルミニウムなどのIII-V族化合物、Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＩｎＯ2などの金属酸化物などが挙げられるが、前述したように下地となる金属(アルミニウムやステンレス)と親和性がよく、且つ電子写真感光体の初期の層として使用されるアモルファスシリコン系の膜とも親和性がよい材料が好ましい。特に、少なくともシリコン原子と炭素原子とを含む非単結晶炭化珪素膜や、少なくともシリコン原子と窒素原子とを含む非単結晶窒化珪素膜が好ましく、中でも非単結晶窒化珪素膜が最も好ましい。具体的には、非晶質窒化珪素（ａ−ＳｉＮ）や水素化非晶質窒化珪素（ａ−ＳｉＮ：Ｈ）、ハロゲンを含む水素化非晶質窒化珪素（ａ−ＳｉＮ：Ｈ：Ｘ）が挙げられ、部分的に微結晶を含んでいてもよい。また、価電子制御元素としてボロン（Ｂ）を含んでもよく、その他にも炭素を混合してもよい。また、酸素を含んでいても良いが、あまり多く含有させると抵抗値が上昇して残留電位やゴースト電位の上昇を招く可能性があるため、もし含有させるのであればなるべく少なくすることが好ましい。
【００３９】
密着層２０２を形成するのに有効に使用される原料ガスとしては、窒素原子を含むものとしては、窒素、窒化物、フッ素化窒素及びアジ化物などの窒素酸化物が挙げられる。具体的には、窒素（Ｎ2）、アンモニア（ＮＨ3）、ヒドラジン（Ｈ2ＮＮＨ2）、三フッ化窒素（ＮＦ3）、四フッ化窒素（Ｎ2Ｆ4）、アジ化水素（ＨＮ3）、アジ化アンモニウム（ＮＨ4Ｎ3）等が挙げられる。また、シリコン原子を含むものとしては、ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6、Ｓｉ3Ｈ8、Ｓｉ4Ｈ10などのシラン類、及びシラン類の水素をハロゲンで置換したハロゲン置換水素化珪素などが挙げられる。
【００４０】
また、これらのガスに加え、希釈ガスとして水素（Ｈ2）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）などを適宜混合しても良い。また、電気的な特性改善を目的として、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）などの価電子制御用ガスを微量添加しても構わない。
【００４１】
これらのガスを用いて、所望の密着性を持つ膜が得られればどのような原料ガス、混合比を用いても構わないが、特にＳｉ原子含有ガスとしてはＳｉＨ4を、窒素含有ガスとしてはＮ2を用いた場合に最も密着性に優れた膜が得られるため、これらを用いることが最も好ましい。
【００４２】
また、密着層２０２作成時の圧力としては、所望の密着性が得られればどのような圧力を用いても構わないが、ある程度以上高い方が密着性の向上が得られやすい。原因は不明だが、プラズマ中の活性種の挙動が変化し、堆積する膜の結合が変化するためと思われる。具体的な圧力の数値としては、厳密には周波数によって異なるが、５０〜４５０ＭＨｚの高周波においては、好ましくは１．３Ｐａ以上、より好ましくは２Ｐａ以上とすることが望ましい。また、上限としては放電の安定性を考えると１３．４Ｐａ以下、より好ましくは１０Ｐａ以下が望ましい。
【００４３】
また、密着層２０２作成時の高周波電力としては、所望の密着性が得られればどのような高周波電力を用いても構わないが、ある程度以上電力が投入されないと原料ガスが分解されにくく、所望の活性種が得られない場合がある。一方で電力が高すぎると膜にダメージが残ってしまうため、かえって密着層としての特性が得にくくなる場合がある。ここで、最適な電力の絶対値としては、例えば電極面積や放電空間体積など装置構成によって全く異なってくるため、電力の値としては定義することは難しい。そこで、膜の特性に最も相関が見られたＳｉ含有ガスの単位流量（単位：ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ））あたりの電力（単位：Ｗ）という観点で見ると、ある程度最適な範囲が存在することがわかった。具体的には、５０〜４５０ＭＨｚの高周波においては、好ましくは０．５〜２０［Ｗ／（ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ））］、より好ましくは１〜１０［Ｗ／（ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ））］、最適には２〜７［Ｗ／（ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ））］程度が望ましい。
【００４４】
また、図２（ｂ）のように密着層２０２と接する層が下部注入阻止層２０５である場合、前述したガラス基板を用いた密着性の評価に関しても、密着層２０２の上に、下部注入阻止層２０５と光導電層２０３を合計５μｍ積層したもので評価すればよい。例えば、電子写真感光体に必要な下部注入阻止層の膜厚が３.０μｍだとすれば、残りの２.０μｍを光導電層２０３として積層すればよい。
【００４５】
また、密着層２０２の膜厚は、０．０５μｍ以上５.０μｍ以下がより好ましい。極端に薄くすると、求められるレベルの密着性が得にくくなり、極端に厚くすると、場合によっては応力が集中して基体上の膜が剥れることがある。また、求められるドラム特性、具体的には残留電位、ゴースト電位などの特性が達成しにくくなる場合がある。よって、これらの兼ね合いから０．０５μ以上５.０μｍ以下が好ましく、更に好ましくは０．１０μｍ以上２.０μｍ以下、最適には０．３０μｍ以上１.０μｍ以下の範囲とすることが最も望ましい。
【００４６】
また図３に、前述したマイクロスクラッチ試験機を模式的に示す。これはレコード針の摩擦振動を利用した表面の力学特性を測定する装置である。図３において、基板３０１上の積層膜３０２の上を、ダイヤモンドスタイラス３０３を用いて引っ掻き(スクラッチ)ながら微小振動をモニターし、振動の変化を見ることで剥離の有無を判断できる。具体的には、カートリッジ３０４を、Ｘ方向に振幅Ｘ0、振動周期ｆにて走引させながら(Ｘ＝Ｘ0ｃｏｓ２πｆｔ）、Ｙ方向には一定の速度Ｙ0で移動させ（Ｙ＝Ｙ0ｔ）、同時に一定の割合でｚ方向にかける荷重を増やしていく。荷重Ｗはアームのｚ方向の弾性係数をｋとし、ｚ方向の変位をｚとすると、Ｗ＝ｋｚで表される。この荷重Ｗはカートリッジのｚ方向への移動速度ｚ0に比例するため、Z0を負荷速度と称することとする。即ち荷重Ｗは負荷速度ｚ0を用いて表すと、Ｗ＝ｋｚ0ｔと表すことが出来る。その際、ダイヤモンドスタイラス３０３から伸びるアーム３０５の先端に設置された磁石３０６の振動をコイル３０７でピックアップし、信号端子３０８から取り出し、増幅することで表面を移動するダイヤモンドスタイラス３０３と薄膜との摩擦運動をモニターすることが出来る。例えば、不図示のデータロガーなどを用いて振動の様子をモニターすればよい。薄膜がスタイラスの摩擦に耐えられなくなって破壊すると、摩擦力の信号が大きく変化する。この変化した時点での荷重を臨界荷重として記録する。その時点で荷重をなくし、測定を終える。測定後は、膜破壊が起こったと思われる場所を顕微鏡観察し、基板から剥離していることを確認する。以上のような手順で密着性の評価を行うことが出来る。
【００４７】
上述したスクラッチ試験のパラメータとしては、ダイヤモンドスタイラスの先端半径、ｘ方向の振動振幅ｘ0、振動周期ｆ、負荷速度ｚ0、ｙ方向への送りスピードｙ0などが挙げられる。これらについては、薄膜のスクラッチ試験として一般的なパラメータを用いればよいが、本発明者らの検討結果によると、以下の数値を用いた方がより好ましいことがわかった。具体的には、先端半径１０μｍのダイヤモンドスタイラスを使用した場合、振幅５０μｍ、振動周期３０Ｈｚ、負荷速度1μｍ／ｓ、送りスピード１０μｍ／ｓとすることが好ましい。この数値を用い、実際の感光体上の異常成長の数とスクラッチ試験結果との相関が最も良好に得られた。
【００４８】
次に、図１の装置を用い、図２のような電子写真感光体を作成する手順の概略を以下に説明する。
【００４９】
まず、反応容器１０２内に円筒状の導電性基体１０１を設置し、不図示の排気装置により排気管を通して反応容器１０２内を排気する。続いて、不活性ガスを流しながらヒーター(不図示、導電性基体の内側に設置)により導電性基体１０１を２００℃〜３００℃程度の所定の温度に加熱・制御する。
【００５０】
導電性基体１０１が所定の温度となったところで、不図示のガス供給及び調整手段を介して、原料ガスを反応容器１０２内に導入する。その後、不図示の排気コンダクタンス制御手段を用いて、反応容器１０２内の圧力が０．０５〜４０Ｐａの間、好適には０．１〜２０Ｐａの所定の圧力に設定する。反応容器１０２内の圧力が安定したのを確認した後、高周波電力を高周波電源１０７よりマッチングボックス１０９を介してカソード電極１０４へ供給する。これにより、反応容器１０２内に高周波電力が導入され、反応容器１０２内にグロー放電が生起し、原料ガスは励起解離して導電性基体上に堆積膜が形成される。このとき、回転軸１１０を介して導電性基体１０１をモーター１１１により所定の速度で回転させることにより、導電性基体１０１表面全周にわたって堆積膜が形成される。
【００５１】
所望の膜厚の形成が行なわれた後、高周波電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して堆積膜の形成を終える。同様の操作を複数回繰り返すことによって、所望の多層構造の感光体が形成される。
【００５２】
カソード電極１０４から放出される高周波電力を反応容器１０２に効率良く導入するために、円筒形の反応容器１０２の側壁には誘電体であるセラミックスが用いられている。具体的なセラミックス材料としては、アルミナ、二酸化チタン、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ジルコン、コージェライト、ジルコン-コージェライト、酸化珪素、酸化ベリリウムマイカ系セラミックス等が挙げられる。これらのうち、真空処理時の不純物混入抑制、耐熱性等の点からアルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素が好ましい。また、この内面は適度に粗れていることが好ましく、十点平均粗さＲｚｊｉｓ（２００１）として５〜２００μｍ程度が好ましい。
【００５３】
さらに、図１に示す反応装置は反応容器１０２内に６本の導電性基体１０１が同一円周上に等間隔に設置される構成となっている。導電性基体１０１の本数は図１においては６本であるが、反応容器と導電性基体の径に応じて任意に変えることが可能である。また、ガスを導入するガス導入管１０３が導電性基体の配置円外の同一円周上等間隔に６本設置されている。このガス導入管に関しても、ガスを均等に供給することが出来れば任意の数にすることが出来る。
【００５４】
また、電力分岐１１３と各カソード電極１０４の接続にはコンデンサーを介して接続してもよい。
【００５５】
また、周波数が５０ＭＨｚ以上４５０ＭＨｚ以下の高周波を用いた場合には、特性の軸方向ムラの改善などを目的として、図４に示したように複数の高周波電源を接続した構成としてもよい。このように複数の周波数の高周波を同一電極に同方向から重畳させて給電することにより、電極上ないしは導電性基体上の定在波を抑制することができ、より好ましい。なお、高周波電源を複数接続してあること以外は、基本的に図1と同様の構成である。
【００５６】
高周波電源４０７、４０８は、各々の発振周波数の関係が、例えば高周波電源４０７が第１の高周波(周波数ｆ１、電力値Ｐ１)を供給する第1の高周波電源、４０８が第２の高周波（周波数ｆ２、電力値Ｐ２）を供給する第２の高周波電源とした場合、
５０ＭＨｚ≦ｆ２＜ｆ１≦２５０ＭＨｚ
０．１≦Ｐ２／（Ｐ１＋Ｐ２）≦０．９
とすることで、堆積速度、特性、ムラ抑制の観点からバランスが最も好ましく、好適である。大面積で均一な膜堆積を高速に行うためには上述したような範囲の２つの高周波を重畳する技術を使用することが最も好ましい。
【００５７】
また、第１の高周波電源にはｆ１よりも低く、ｆ２よりも高いカットオフ周波数特性をもつハイパスフィルターを設けてもよい。また、同様に第２の高周波電源にはf2よりも高く、ｆ１よりも低いカットオフ周波数特性をもつローパスフィルターを設けてもよい。それらの周波数選択性は高い方が、それぞれの高周波電源に回り込む他方の電力が小さく出来、より好ましい。
【００５８】
また、前記電力の範囲が
０．２≦Ｐ２／（Ｐ１＋Ｐ２）≦０．７
の場合がより好ましく、更に電力比の上限がｆ２／ｆ１に設定することで、放電の安定性の点で最も好ましい。
【００５９】
また、前記周波数の範囲が、
０．５＜ｆ２／ｆ１≦０．９
の範囲に設定するのが、より高い定在波抑制効果を得られるのでより好ましい。
＜実施例＞
以下実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。
＜実施例１＞
図１に示す真空処理装置を用い、表1に示す条件でａ−ＳｉＮ：Ｈからなる密着層と電子写真感光体の光導電層に好適なａ−Ｓｉ膜を連続して堆積させ、積層膜を形成した。被処理基板として、コーニング社製７０５９ガラス（２５．４×７６．２×０．８ｍｍ)を用い、これを円筒形アルミニウム製サンプルホルダー（外径８０ｍｍ、肉厚３ｍｍでガラス基板設置箇所を平らに削り取ったもの）にステンレス製の爪で固定し、図１で導電性基体に相当する場所に設置した。
【００６０】
このような装置を用い、堆積膜形成は概略以下の通りとした。
【００６１】
まず、不図示の排気装置により排気管１０５を通して反応容器１０２を排気した。続いて、不図示の原料ガス供給手段より反応容器１０２中に６５０ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）のＨｅを供給し、不図示の圧力制御手段を用いて反応容器１０２内部の圧力(以下、内圧とする)を６７Ｐａ〜６７０Ｐａ程度に維持する。次に、不図示の発熱体により基体を２００℃になるように加熱・制御した。
【００６２】
次いでＨｅの供給を一旦停止し、反応容器１０２を不図示の排気装置により排気したあと、表1に示した堆積膜形成条件を用い、ａ−ＳｉＮ：Ｈからなる密着層を１.０μｍ、ａ−Ｓｉ：Ｈからなる光導電層を５.０μｍ堆積させた。このとき、表１のＮ2のガス量を、１５０、５００、７００、９００、１２００、１５００ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）と変化させて堆積条件をＡ〜Ｆとした。各堆積条件にてサンプルＡ〜Ｆを作成した。また、膜堆積中はガラス基板を設置したサンプルホルダーを回転させ、満遍なく膜を堆積させた。
【００６３】
堆積膜形成後、反応容器１０２をＡｒにてパージしたあと、積層膜を取り出した。
【００６４】
【表１】
2005148374.tif 000003
【００６５】
取り出したサンプルＡ〜Ｆは、図３に模式的に示した、走査型スクラッチテスタ(島津製作所製、ＳＳＴ−１０１)を用いて膜の密着性を調べた。測定条件としては、先端半径１０μｍのダイヤモンドスタイラスを使用し、振幅５０μｍ、振動周期３０Ｈｚ、負荷速度1μm/s、送りスピード１０μｍ／ｓとした。結果は比較例1と共に表３に示す。
【００６６】
次に、サンプルＡ〜Ｆと同じ作成方法にて外径８０ｍｍのアルミシリンダー上に密着層、光導電層を作成し、同様の方法にて最表面に表面層を堆積させて電子写真感光体（ドラム）Ａ〜Ｆを作成した。作成条件の詳細を表２に示した。これより、各堆積条件をサンプルおよび電子写真感光体（ドラム）の名称とした。
【００６７】
【表２】
2005148374.tif 000004
【００６８】
取り出したドラムＡ〜Ｆの表面を顕微鏡で観察した。周方向に９０度間隔で４方向を任意に選び、軸方向に２ｃｍ間隔で１７点、周方向４列の計６８点を選び、５０倍の視野にて直径が１０μｍ以上の異常成長の数をカウントした。このような評価を同時に堆積させた６本について行い、平均した結果をドラムＡの異常成長の値とした。
【００６９】
結果は比較例1と共に表３、図５に示す。
＜比較例１＞
図１の装置を用い、実施例1と同様に表1の条件で実施例1と同様の積層膜の堆積を行った。但し、密着層形成時のＮ2は１００、１８００ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）とし、堆積条件Ｇ、Ｈに対応するサンプルＧ、Ｈを作成した。
【００７０】
取り出したサンプルを実施例1と同様の方法でスクラッチテスタにて評価した。結果は実施例1と共に表３に示す。
【００７１】
また、サンプルＧ、Ｈと同じ作成方法にて外径８０ｍｍのアルミシリンダー上に密着層、光導電層を作成し、同様の方法にて最表面に表面層を堆積させてドラムＧ、Ｈを作成した。作成条件の詳細を表２に示した。
【００７２】
取り出したドラムの表面を実施例１と同様の方法で観察、評価した。ドラムの結果は６本の平均を示している。結果は実施例１と共に表３、図５に示す。
【００７３】
【表３】
2005148374.tif 000005
【００７４】
表３-１から、サンプルＡ〜Ｆはスクラッチテスタによる値が本発明の範囲内に入っていることが判る。一方、比較例1で作成したサンプルＧ、Ｈは、臨界荷重の値が本発明の範囲外である。
【００７５】
これに対応するドラムＡ〜Ｈの異常成長の数を表３-２、図５に示す。
【００７６】
表３-２、図５では、ドラムＧでの異常成長の数を基準（＝１）として相対値で表している。即ち、ドラムＧでの異常成長の数をＮｇとし、ドラムＸでの異常成長の数をＮｘとしたとき、Ｎｘ／Ｎｇの値を算出し、この値が1よりも小さければ良好であり、1よりも大きければ異常成長の発生がより顕著になっていることを示す。
【００７７】
図５から、ドラムＧ(臨界荷重は４５ｍＮ)を基準としたとき、それより臨界荷重の大きいドラムＡ〜Fでは、臨界荷重が増えるにしたがって劇的に異常成長が少なくなっていくことが判る。
【００７８】
一方、ドラムＨは最も臨界荷重が大きい積層条件だったが、感光体に求められる膜厚まで光導電層を厚くすると、上端から１０ｍｍ程度の領域で帯状に膜剥がれが生じてしまった。原因としては内部応力が大きくなりすぎたためと考えられるが、このことからあまり臨界荷重を大きくしすぎても問題が生じることがあることが判った。
【００７９】
以上の結果から、ガラス上の積層膜において、所望の密着性を持つ積層条件を用いて電子写真感光体を作成することで、異常成長を大きく減少させ、良好な膜堆積が行えることが判った。
＜実施例２＞
図１に示す真空処理装置を用い、表４に示す条件で、ガラス基板上にａ−ＳｉＮ：Ｈからなる密着層と感光体の光導電層に好適なａ−Ｓｉ膜を連続して堆積させ、積層膜を形成した。このとき、プラズマを生起させる高周波として、５０ＭＨｚ、８０ＭＨｚ、１００ＭＨｚ、１８０ＭＨｚ、２５０ＭＨｚ、３５０ＭＨｚ、４５０ＭＨｚ、５００MHzと８通りを用い、堆積条件Ｉ〜Ｐとした。その他は実施例1と同様に膜堆積の形成を行い、それぞれサンプルＩ〜Ｐとした。
【００８０】
【表４】
2005148374.tif 000006
【００８１】
得られたサンプルについて、実施例1と同様のスクラッチテストを行った。測定条件としては、先端半径１０μｍのダイヤモンドスタイラスを使用し、振幅５０μｍ、振動周期３０Ｈｚ、負荷速度１μｍ／ｓ、送りスピード１０μｍ／ｓとした。
【００８２】
次に、サンプルＩ〜Ｐと同じ作成方法にて外径８０ｍｍのアルミシリンダー上に密着層、光導電層を作成し、同様の方法にて最表面に表面層を堆積させてドラムＩ〜Ｐを作成した。作成条件の詳細を表５に示した。
【００８３】
【表５】
2005148374.tif 000007
【００８４】
表５の条件を用いて同時に堆積させた６本のドラムについて、実施例１と同様の評価を行って平均した結果を、その条件で作成したドラムの異常成長の値とした。得られた結果を表６、図６に示す。得られた異常成長の値は、比較例１で作成したドラムＧの値を基準として相対値で示している。
【００８５】
【表６】
2005148374.tif 000008
【００８６】
表６、図６から、放電を生起するための周波数を振った場合、いずれの場合においてもドラムＧに比べて異常成長の数が減少していることが判る。ところで更に表６を詳しく見ると、４５０ＭＨｚまでは臨界荷重に応じて異常成長の数が非常によく対応している。一方、５００ＭＨｚのドラムＰではその対応関係が崩れ始めていることが判る。即ち、４５０ＭＨｚ以下にすることで、ガラスサンプルによる密着性の測定値が実際のドラムでの異常成長の数と非常によく対応することがわかった。以上の結果から、放電を生起するための高周波電力の周波数としては、如何なる場合でも本発明の効果が得られるが、更に５０ＭＨｚ以上４５０ＭＨｚ以下が最も好ましいことが判った。
＜実施例３＞
図１に示す真空処理装置を用い、表７に示す条件で、ガラス基板上にａ−ＳｉＮ：Ｈからなる密着層と感光体の光導電層に好適なａ−Ｓｉ膜を連続して堆積させ、実施例１と同様に膜堆積を行い、積層膜を形成した。
【００８７】
【表７】
2005148374.tif 000009
【００８８】
得られたサンプルについて、実施例１と同様のスクラッチテストを行った。測定条件としては、先端半径１０μｍのダイヤモンドスタイラスを使用し、振幅５０μｍ、振動周期３０Ｈｚ、負荷速度１μｍ／ｓ、送りスピード１０μｍ／ｓとした。このガラス上のサンプルの臨界荷重は５１０ｍＮであった。
【００８９】
次に、この条件にて外径８０ｍｍのアルミシリンダー上に密着層、光導電層を作成し、同様の方法にて最表面に表面層を堆積させてドラムを作成した。作成条件の詳細を表8に示した。このとき、密着層の堆積時間を変化させて膜厚が０．０３、０．０５、０．１０、０．３０、１.０、２.０、５.０、６.０μｍとなるような堆積条件をＱ〜Ｘとし、それぞれの条件に対応するドラムＱ〜Ｘを作成した。即ち、サンプルによる密着性の測定に関しては定量的な扱いのために１.０μｍとしたが、実際の電子写真感光体の作成時にどの程度の膜厚が必要かをみるために、円筒状基体の上に堆積させる密着層の膜厚を変化させて異常成長との相関を調べた。
【００９０】
【表８】
2005148374.tif 000010
【００９１】
表８の条件を用いて同時に堆積させた６本のドラムについて、実施例１と同様の評価を行って平均した結果を、その条件で作成したドラムの異常成長の値とした。
【００９２】
得られた結果を表９、図７に示す。得られた異常成長の値は、比較例１で作成したドラムＧの値を基準として相対値で示している。
【００９３】
【表９】
2005148374.tif 000011
【００９４】
表９、図７から、数値上は表９中の全ての膜厚において異常成長の向上は見られるが、実質的に０．０５μｍ程度の厚さ以上の領域において大きな効果が見られることが判る。また、膜厚を厚くしていく程異常成長の数は減少していくが、１.０μｍ程度から飽和傾向になり、２.０μｍ以上ではほとんど変化していない。一方、６.０μｍのドラムではドラム上端から５ｃｍ程のところまで帯状の膜剥れが生じ、電子写真感光体として使えなくなってしまった。これは密着層が厚過ぎた為にどこかに応力が蓄積して膜剥れが起こったと考えられる。以上の結果から、ドラム上の密着層の膜厚としては、０．０５μｍ以上５.０μｍ以下程度にすることで本発明の効果が最も効果的に得られることが判った。
＜実施例４＞
図４に示す真空処理装置を用い、表１０に示す堆積条件Yで、外径８０ｍｍのアルミシリンダー上にａ−ＳｉＮ：Ｈからなる密着層、ａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｂ：Ｏ：Ｎからなる下部阻止層、ａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｂからなる光導電層、ａ−ＳｉＣ：Ｈからなる表面層を連続して堆積させドラムYを６本作成した。このとき、図４において２つの高周波電源４０７、４０８の周波数をそれぞれ１０５ＭＨｚ、６０ＭＨｚとし、マッチングボックス４０９内でこれらを重畳してカソード電極に給電した。このように高周波電源の構成が一部異なるが、その他に関しては図１の装置と同様であり、同様の手順により膜堆積を行った。
【００９５】
また、電子写真感光体（ドラム）作成に先立ち、ガラス基板上に密着層を1.０μｍ、下部阻止層を３.０μｍ、光導電層を２.０μｍ堆積させ、実施例１と同様にスクラッチ試験機による密着性の評価を行った。スクラッチ試験の測定条件としては、先端半径１０μｍのダイヤモンドスタイラスを使用し、振幅５０μｍ、振動周期３０Ｈｚ、負荷速度１μｍ／ｓ、送りスピード１０μｍ／ｓとした。このガラス上のサンプルYの臨界荷重は４６０ｍＮであった。
【００９６】
【表１０】
2005148374.tif 000012
【００９７】
作成したドラムＹは、実施例１と同様に軸方向１７点、周方向４列の計６８点について顕微鏡観察を行い、異常成長の数をカウントした。
【００９８】
次に、これらの電子写真感光体を電子写真装置（キヤノン製ｉＲ−５０００を実験用に改造した物）にそれぞれセットして、電位特性、画像特性の評価を行った。
【００９９】
この際、プロセススピード２６５ｍｍ／ｓｅｃで回転させ、除電光に波長６５０ｎｍのＬＥＤを用い、光量を４ｌｘ・ｓとした。このような帯電プロセスにおいて、帯電器電流を１０００μＡ一定とし、電子写真装置の現像器位置にセットした表面電位計（ＴＲＥＫ社  Ｍｏｄｅｌ  ３４４）の電位センサーにより光受容部材の表面電位を測定し、この値を帯電能とした。この帯電能を軸方向に１０点測定し、最大値と最小値の差を持って帯電能ムラと定義した。
【０１００】
次に残留電位を測定した。電子写真装置の現像器位置にセットした表面電位計（ＴＲＥＫ社  Ｍｏｄｅｌ  ３４４）の電位センサーによりドラム表面の電位を測定し、それを４００Ｖになるように帯電器の電流値を調整した。次に像露光光源を点灯し、露光光量の2〜3倍程度の強度（実際には０．８〜１．２μＪ／ｓ程度）を当てて表面電位を落としきり、その値が光量を増やしても充分飽和しているときの表面電位を残留電位として測定した。
【０１０１】
次に、画像欠陥について評価した。まず帯電器電流を１０００μＡ一定とし、画像露光をオフとし、現像バイアス電圧を振ることにより、透過濃度２．１、１．０の２種類のＡ３全面黒画像（ベタ黒）を出力し、画像上に現れる白点状の画像欠陥の数をカウントした。また、画像露光を全面に露光してＡ３全面白画像（ベタ白）を出力し、画像上に現れる黒点状の画像欠陥の数をカウントした。
【０１０２】
次にゴースト特性について評価した。まず現像器位置における暗部電位が所定の値となるよう、主帯電器を調整した後、所定の白紙を原稿とした際の明部電位が所定の値となるよう、像露光強度を調整する。この状態でゴーストチャートに透過濃度２．０、直径５ｍｍの黒丸を感光体の母線方向に１０ｍｍ間隔で貼り付けたものを原稿台に置き、その上に中間調チャートを重ねておいた際のコピー画像において、中間調コピー上に認められるゴーストチャートの直径５ｍｍの黒丸の透過濃度と中間調の透過濃度との差を測定することにより行った。
【０１０３】
次に、特性ムラの評価として、画像濃度ムラについて評価した。画像濃度ムラは、まず現像器位置での暗部電位が一定値となるように主帯電器電流を調整したあと、原稿に反射濃度０．１以下の所定の白紙を用い、現像器位置での明部電位が所定の値となるように像露光強度を調整した。次いで中間調チャートを原稿台に置き、コピーしたときに得られたコピー画像上全領域における透過濃度を評価した。
【０１０４】
これらの評価を比較例１のドラムＧについても行い、ドラムＹとドラムＧとで比較したところ、異常成長と画像欠陥に関して、ドラムＹはドラムＧに比べて明らかに良好であることが確認できた。一方、それ以外の帯電能、帯電能ムラ、残留電位、ゴースト特性、濃度ムラなどはドラムＧとほとんど変わらなかった。
【０１０５】
以上の結果から、本発明の密着層を用いることで、ドラム特性に悪影響を及ぼすことなく、異常成長による画像欠陥を大幅に抑えることが可能であることが判った。
＜実施例５＞
図４に示す真空処理装置を用い、表１１に示す堆積条件Ｚで、外径８０ｍｍのアルミシリンダー上にａ−ＳｉＣ：Ｈからなる密着層、ａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｂ：Ｏ：Ｎからなる下部阻止層、ａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｂからなる光導電層、ａ−ＳｉＣ：Ｈからなる表面層を連続して堆積させドラムＺを６本作成した。このとき、図４において２つの高周波電源４０７、４０８の周波数をそれぞれ８０ＭＨｚ、５０ＭＨｚとし、マッチングボックス４０９内でこれらを重畳してカソード電極に給電した。このように高周波電源の構成が一部異なるが、その他に関しては図１の装置と同様であり、同様の手順により膜堆積を行った。
【０１０６】
また、電子写真感光体（ドラム）作成に先立ち、ガラス基板上に密着層に相当する膜を１.０μｍ、下部阻止層に相当する膜を４.０μｍ、光導電層に相当する膜を１.０μｍ堆積させ、実施例1と同様にスクラッチ試験機による密着性の評価を行った。スクラッチ試験の測定条件としては、先端半径１０μｍのダイヤモンドスタイラスを使用し、振幅５０μｍ、振動周期３０Ｈｚ、負荷速度１μｍ／ｓ、送りスピード１０μｍ／ｓとした。このガラス上のサンプルＺの臨界荷重は３５０ｍＮであった。
【０１０７】
【表１１】
2005148374.tif 000013
【０１０８】
作成したドラムＺは、実施例1と同様に軸方向１７点、周方向４列の計６８点について顕微鏡観察を行い、異常成長の数をカウントした。
【０１０９】
次に、これらの電子写真感光体を電子写真装置（キヤノン製ｉＲ−５０００を実験用に改造した物）にそれぞれセットして、実施例４と同様に電位特性、画像特性の評価を行った。
【０１１０】
実施例４と同様に、ドラムＺにおける評価結果はドラムＧを基準として判断した。異常成長と画像欠陥に関して、ドラムＺはドラムＧに比べて明らかに良好であることが確認できた。一方、それ以外の帯電能、帯電能ムラ、残留電位、ゴースト特性、濃度ムラなどはドラムＧとほとんど変わらなかった。
【０１１１】
以上の結果から、本発明の密着層の特性を満たせば、材料によらず、ドラム特性に悪影響を及ぼすことなく、異常成長による画像欠陥を大幅に抑えることが可能であることが判った。
【図面の簡単な説明】
【０１１２】
【図１】本発明に係わる５０ＭＨｚ以上４５０ＭＨｚ以下の高周波を用いた堆積膜形成装置の一例を示す模式的な構造図であって、(ａ)縦断面図、(Ｂ)Ａ−Ａ'間における横断面図、である。
【図２】本発明の方法により作成される電子写真感光体の一例を示す模式的な断面図である。
【図３】本発明に係わるスクラッチ試験機の動作原理を示すための模式的構造図である。
【図４】本発明に係わる５０ＭＨｚ以上４５０ＭＨｚ以下の高周波を用いた堆積膜形成装置の一例であって、高周波電源を２つ持ち、これを重畳して使用する堆積膜形成装置の模式的構造図である。
【図５】臨界荷重と異常成長との関係を示す図である。
【図６】周波数と異常成長との関係を示す図である。
【図７】密着層の膜厚と異常成長との関係を示す図である。
【符号の説明】
【０１１３】
１０１、４０１        導電性基体
１０２、４０２        反応容器
１０３、４０３        ガス導入管
１０４、４０４        カソード電極
１０５、４０５        排気配管
１０６、４０６        基体支持体
１０７、４０７        第１の高周波電源
４０８                第２の高周波電源
１０９、４０９        マッチングボックス
１１０、４１０        回転軸
１１１、４１１        モーター
１１２、４１２        ギア
１１３、４１３        高周波電力分岐部
１１４、４１４        排気メッシュ
１１５、４１５        シールド
２０１                導電性基体
２０２                密着層
２０３                光導電層
２０４                表面層
２０５                下部注入阻止層
２０６                上部注入阻止層
３０１                基板
３０２                積層膜
３０３                ダイヤモンドスタイラス
３０４                カートリッジ
３０５                アーム
３０６                磁石
３０７                コイル
３０８                信号端子
【図１】
2005148374.tif 000014
【図２】
2005148374.tif 000015
【図３】
2005148374.tif 000016
【図４】
2005148374.tif 000017
【図５】
2005148374.tif 000018
【図６】
2005148374.tif 000019
【図７】
2005148374.tif 000020