(57)【要約】 【課題】  １７２ｎｍの分子線に対する発光効率の向上を図ることが出来るガス放電表示装置用蛍光体を提供する。【解決手段】  一般式が、              ＡＯ・（Ｂ１ａ−ｘＥｕｘ）Ｏ１．５ａ（ＡはＢａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｚｎから選ばれる少なくとも１種、ＢはＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕから選ばれる少なくと１種、１．５≦ａ≦４．５、０＜ｘ≦１）で表される赤色蛍光体。【選択図】    図２
2005350534.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空紫外線によって励起されて可視光を発生するガス放電表示装置用蛍光体であって、
Ａ、Ｂ、Ｏ（但し、組成式中、ＡはＢａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｚｎの中から選ばれる少なくとも一種、ＢはＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕの中から選ばれる少なくと１種）からなる化合物基体にＥｕが添加されていることを特徴とする蛍光体。
【請求項２】
前記ガス放電表示装置用蛍光体が、一般式が、
ＡＯ・（Ｂ１ａ−ｘＥｕｘ）Ｏ１．５ａ
（ＡはＢａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｚｎから選ばれる少なくとも１種、ＢはＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕから選ばれる少なくと１種、１．５≦ａ≦４．５、０＜ｘ≦１）
で表される赤色蛍光体である請求項１に記載の蛍光体。
【請求項３】
前記ガス放電表示装置用蛍光体の一般式において、ａおよびｘが、１．５≦ａ≦３、０＜ｘ＜０．５である請求項１に記載の蛍光体。
【請求項４】
放電空間を介して対向される一対の基板と、放電空間内に封入されたキセノンを含む放電ガスと、一方の基板の内面に形成されてキセノンから発生される真空紫外線によって励起されることにより可視光を発生させる蛍光体層とを備え、
前記蛍光体層が、Ａ、Ｂ、Ｏ（但し、組成式中、ＡはＢａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｚｎの中から選ばれる少なくとも一種、ＢはＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕの中から選ばれる少なくと１種）からなる化合物基体にＥｕが添加された蛍光体によって形成されていることを特徴とするガス放電表示装置。
【請求項５】
前記蛍光体層を形成する蛍光体が、一般式が、
ＡＯ・（Ｂ１ａ−ｘＥｕｘ）Ｏ１．５ａ
（ＡはＢａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｚｎから選ばれる少なくとも１種、ＢはＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕから選ばれる少なくと１種、１．５≦ａ≦４．５、０＜ｘ≦１）
で表される赤色蛍光体である請求項４に記載のガス放電表示装置。
【請求項６】
前記ガス放電表示装置用蛍光体の一般式において、ａおよびｘが、１．５≦ａ≦３、０＜ｘ＜０．５である請求項５に記載のガス放電表示装置。
【請求項７】
前記放電ガスが、１０体積パーセント以上のキセノンを含んでいる請求項４に記載のガス放電表示装置。
【請求項８】
前記ガス放電表示装置がプラズマディスプレイパネルである請求項４に記載のガス放電表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、真空紫外線によって励起されて可視光を発生するガス放電表示装置用蛍光体およびこの蛍光体が用いられるガス放電表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ガス放電表示装置の一つであるプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）は、放電空間を介して対向する一対の基板の一方の基板の内面に、行電極対とこの行電極対を被覆する誘電体層とこの誘電体層を被覆する保護層が設けられ、他方の基板の内面に、行電極対に直交するとともに放電空間の行電極対と交差する部分にマトリクス状に放電セルを形成する列電極とこの列電極を被覆する列電極保護層とこの列電極保護層上に各放電セル毎に赤，緑，青に色分けされた蛍光体層が設けられた構造を備えている。
【０００３】
そして、放電空間内には、キセノン（Ｘｅ）を含む放電ガスが封入されている。  このような構造のＰＤＰは、行電極対の一方の行電極と列電極との間で選択的にアドレス放電が発生され、このアドレス放電によって放電セルに対向する部分の誘電体層に壁電荷が形成された放電セル（発光セル）内において、行電極対の行電極間でサステイン放電が発生され、このサステイン放電により放電ガス中のキセノン（Ｘｅ）から発生する真空紫外線が蛍光体層を励起して、赤，緑，青の各色の可視光を発生させることにより、パネル面に映像信号に対応した画像を形成する。
【０００４】
このような真空紫外線によって励起される従来の蛍光体としては、例えば、赤色を発光する（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ３：Ｅｕや、緑色を発光するＺｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ，青色を発光するＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ等が知られている。
【０００５】
そして、従来のＰＤＰにおいては、これらの蛍光体の励起光として、放電ガス中のキセノン（Ｘｅ）から発生される真空紫外線のうち、１４７ｎｍの共鳴線が主に利用されている。
【０００６】
ここで、最近、ＰＤＰの発光効率を向上させるために、放電ガス中のキセノン（Ｘｅ）の濃度が高められる傾向にあるが、放電ガス中のキセノン（Ｘｅ）の濃度が高まるとキセノン（Ｘｅ）から発生する真空紫外線中に、１７２ｎｍの分子線の割合が高まってくる。
【０００７】
しかしながら、従来のＰＤＰの蛍光体は、主に１４７ｎｍの共鳴線による励起に対して最適化されており、１７２ｎｍの分子線に対しての最適化が図られていないために、放電ガス中のキセノン（Ｘｅ）の濃度を高めた場合でも、発光効率の向上を十分に図ることが出来ていない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
この発明は、上記のような従来の真空紫外線によって励起される蛍光体における問題点を解決するために為されたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
第１の発明（請求項１に記載の発明）による蛍光体は、上記目的を達成するために、真空紫外線によって励起されて可視光を発生する蛍光体であって、Ａ、Ｂ、Ｏ（但し、組成式中、ＡはＢａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｚｎの中から選ばれる少なくとも一種、ＢはＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕの中から選ばれる少なくと１種）からなる化合物基体にＥｕが添加されていることを特徴としている。
【００１０】
第２の発明（請求項４に記載の発明）によるガス放電表示放置は、前記目的を達成するために、放電空間を介して対向される一対の基板と、放電空間内に封入されたキセノンを含む放電ガスと、一方の基板の内面に形成されてキセノンから発生される真空紫外線によって励起されることにより可視光を発生させる蛍光体層とを備え、前記蛍光体層が、Ａ、Ｂ、Ｏ（但し、組成式中、ＡはＢａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｚｎの中から選ばれる少なくとも一種、ＢはＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕの中から選ばれる少なくと１種）からなる化合物基体にＥｕが添加された蛍光体によって形成されていることを特徴としている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
この発明による蛍光体は、一般式が、
ＡＯ・（Ｂ１ａ−ｘＥｕｘ）Ｏ１．５ａ
（ＡはＢａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｚｎから選ばれる少なくとも１種、ＢはＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕから選ばれる少なくと１種、１．５≦ａ≦４．５、０＜ｘ≦１）
によって表される赤色蛍光体を、その最良の実施形態としている。
【００１２】
この実施形態による赤色蛍光体は、真空紫外線中の１７２ｎｍの分子線に対する発光効率が向上しており、この赤色蛍光材を用いて蛍光体層が形成されたＰＤＰは、その放電空間内に封入される放電ガス中のキセノン（Ｘｅ）の濃度が高められてこのキセノン（Ｘｅ）から発生する真空紫外線中の１７２ｎｍの分子線が増加する場合でも、蛍光体層の発光効率の十分な向上を図ることが出来るようになる。
【実施例】
【００１３】
図１は、この発明による蛍光体によって形成された蛍光体層を備えるガス放電表示装置の実施形態における一実施例を示しており、ガス放電表示装置の一種であるＰＤＰを列方向に沿って断面した場合の一個の放電セルの周辺の構成を示している。
【００１４】
この図１において、ＰＤＰは、表示面である前面ガラス基板１の背面に、行方向（図１において紙面に垂直方向）に延びるとともに列方向（図１において左右方向）に並設された行電極対（Ｘ，Ｙ）が形成されている。
【００１５】
この行電極対（Ｘ，Ｙ）を構成する行電極ＸとＹは、それぞれ、行方向に帯状に延びるバス電極Ｘａ，Ｙａと、このバス電極Ｘａ，Ｙａに沿って等間隔に配列されて、それぞれのバス電極Ｘａ，Ｙａから対になっている他方の行電極側に延びて互いに放電ギャップｇを介して対向される透明電極Ｘｂ，Ｙｂとから構成されている。
【００１６】
そして、前面ガラス基板１の背面側に誘電体層２が形成されていて、この誘電体層２によって行電極対（Ｘ，Ｙ）が被覆されており、誘電体層２は保護層３によって被覆されている。
【００１７】
一方、前面ガラス基板１と放電空間を介して対向する背面ガラス基板４の表示側の面上には、アドレス電極Ｄが、各行電極対（Ｘ，Ｙ）の互いに対になっている透明電極ＸｂおよびＹｂに対向する位置において行電極対（Ｘ，Ｙ）と直交する列方向に延びるとともに、行方向に互いに所定の間隔を開けて平行に並設されている。
【００１８】
背面ガラス基板４の表示側の面上には、さらに、アドレス電極Ｄを被覆する白色の列電極保護層(誘電体層）５が形成されている。
【００１９】
そして、この列電極保護層５上に、それぞれバス電極Ｘａ，Ｙａに対向する位置において行方向に延びるとともに列方向に並設された横壁部６Ａと、列方向に並設された各アドレス電極Ｄの中間位置に対向する位置において列方向に延びるとともに行方向に並設された縦壁部（図示せず）とによって略格子形状に成形された隔壁６が形成されており、この隔壁６によって放電空間が、各行電極対（Ｘ，Ｙ）の放電ギャップｇを介して対向される透明電極Ｘｂ，Ｙｂに対向する部分毎にマトリクス状に区画されて、それぞれ放電セルＣが形成されている。
【００２０】
さらに、この各放電セルＣ内において、隔壁６の横壁部６Ａと縦壁部の間の列電極保護層５の表面と各横壁部６Ａと縦壁部の側面の五つの面に、それぞれ赤，緑，青に色分けされた蛍光体層７が、赤，緑，青の順に行方向に並ぶように形成されている。
【００２１】
そして、この前面ガラス基板１と背面ガラス基板４の間の放電空間内には、キセノン（Ｘｅ）を１０体積パーセント以上含む放電ガスが封入されている。
【００２２】
このＰＤＰの赤，緑，青の蛍光体層７は、行電極対（Ｘ，Ｙ）の放電ギャップｇを介して互いに対向する透明電極ＸｂとＹｂ間で発生される放電（サステイン放電）によって、放電ガス中のキセノン（Ｘｅ）から発生する真空紫外線によって励起されて、それぞれ、赤，緑，青の各色の可視光を発生させる。
【００２３】
この蛍光体層７のうち、真空紫外線によって励起されて赤色の可視光を発生する蛍光体層（以下、赤色蛍光体層という）は、
一般式：ＡＯ・（Ｂ１ａ−ｘＥｕｘ）Ｏ１．５ａ
（ＡはＢａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｚｎから選ばれる少なくとも１種、ＢはＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕから選ばれる少なくと１種、１．５≦ａ≦４．５、０＜ｘ≦１、より好ましくは、１．５≦ａ≦３、０＜ｘ＜０．５）
によって表される赤色蛍光体によって形成されている。
【００２４】
図２は、上記の一般式によって表される赤色蛍光体のうち、Ｅｕ付活Ｓｒ−Ｇｄ−Ｏ系赤色蛍光体である
ＳｒＯ・（Ｇｄ１ａ−ｘＥｕｘ）Ｏ１．５ａ
の組成の一例をモル比によって示している。
【００２５】
図３は、上記の一般式によって表される赤色蛍光体のうち、Ｅｕ付活Ｂａ−Ｇｄ−Ｏ系赤色蛍光体である
ＢａＯ・（Ｇｄａ−ｘＥｕｘ）Ｏ１．５ａ
の組成の一例をモル比によって示している。
【００２６】
そして、図４は、上記図２および３に示された各例の赤色蛍光体の真空紫外線中の１７２ｎｍの分子線に対する発光強度（輝度）と１４７ｎｍの共鳴線に対する発光強度（輝度）の比（１７２ｎｍに対する発光強度／１４７ｎｍに対する発光強度）と、従来の赤色蛍光体（（Ｙ・Ｇｄ）ＢＯ３：Ｅｕ，（Ｙ・Ｇｄ）２Ｏ３：Ｅｕ）の１７２ｎｍに対する発光強度と１４７ｎｍに対する発光強度の比を、それぞれ示したグラフである。
【００２７】
この図４から、従来の赤色蛍光体と比べて、一般式：ＡＯ・（Ｂ１ａ−ｘＥｕｘ）Ｏ１．５ａによって表される赤色蛍光体は、真空紫外線中の１７２ｎｍの分子線に対する発光効率が向上されていることが分かる。
【００２８】
従って、この一般式：ＡＯ・（Ｂ１ａ−ｘＥｕｘ）Ｏ１．５ａによって表される赤色蛍光体を用いてＰＤＰの蛍光体層が形成されることにより、ＰＤＰの放電空間内に封入される放電ガス中のキセノン（Ｘｅ）の濃度が高められてこのキセノン（Ｘｅ）から発生する真空紫外線中の１７２ｎｍの分子線が増加する場合でも、蛍光体層の発光効率の十分な向上を図ることが出来るようになる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】この発明による蛍光体によって形成された蛍光体層を備えるＰＤＰを示す断面図である。
【図２】この発明による蛍光体の組成例を示す図である。
【図３】この発明による蛍光体の組成例を示す図である。
【図４】この発明による各例の蛍光体と従来の蛍光体の１７２ｎｍの分子線に対する発光強度の比較を示す図である。
【符号の説明】
【００３０】
１            …前面ガラス基板（基板）
４            …背面ガラス基板（基板）
７            …蛍光体層
Ｃ            …放電セル
Ｘ，Ｙ        …行電極（放電発生部材）
【図１】
2005350534.tif 000003
【図２】
2005350534.tif 000004
【図３】
2005350534.tif 000005
【図４】
2005350534.tif 000006