(57)【要約】【課題】シリコン基板加工代の無駄及び裏面研磨の無駄を少なくすることと各チップを寸法的に正確に分割する。【解決手段】集積回路を形成していない裏面を研磨して薄板化する工程と、表面に切り欠き加工を行なう工程と、この表面に行った切り欠き位置と、対となった分割用型とを位置合わせする工程と、対となった分割用型でシリコン基板をはさみ込んで押圧し分割する工程とを備え、前記分割用型のシリコン基板を押圧する面のパターンはマトリックス状を有し、一方の型が凹形状であり、他方の型が凸形状である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に集積回路を形成したシリコン基板をチップに分割する方法において、
集積回路を形成していない裏面を研磨して薄板化する工程と、表面に切り欠き加工を行なう工程と、この表面に行った切り欠き位置と、対となった分割用型とを位置合わせする工程と、対となった分割用型でシリコン基板をはさみ込んで押圧し分割する工程とを備え、
前記分割用型のシリコン基板を押圧する面のパターンはマトリックス状を有し、一方の型が凹形状であり、他方の型が凸形状であることを特徴とする単結晶シリコン基板の分割方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ等の画素の制御を行なう画素制御素子チップなど、表面に集積回路が形成されたシリコン基板をチップに分割する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
シリコン基板（デバイスウェーハ）の分割加工方法は、一般的にダイシング加工によって行なわれている。ダイシング加工とは、円盤上の砥石を回転させ、集積回路が形成されたシリコン基板に溝加工を行なうもので、このダイシング加工にはフルカットとハーフカットがある。フルカットは砥石によりシリコン基板厚さを全て切ってしまい各チップを切り離してしまう方法であり、ハーフカットは切り代を残し、後工程であるブレーキング工程でブレーキングマシンを使用して各チップに分割するものである。これらの方法によって、シリコン基板が各チップに加工されている。しかし、この方法では、砥石の幅に対する加工深さは、砥石の強度にもよるが、加工幅に対して深い溝の加工が困難である。したがって、深い溝加工を行なうには、厚い砥石が必要であり、集積回路が形成されたシリコン基板では、砥石の厚み分は、加工代となって、削り捨てられている。そして、加工代を小さくするためには、シリコン基板の裏面は、薄く研磨しなければならず、これもまた、生産性と歩留まりを著しく落している。
【０００３】
また、シリコン基板を、格子状の打抜き刃を有するダイを用いて個々のチップ毎に同時にプレス打ち抜き加工するプレスダイシング方法がある。しかしこの方法では各チップ間はシリコン基板の曲げにより破断させて分割しているため、クラックの入る位置が一定せず、分割される各チップには寸法的に不安定な面が存在する。
【特許文献１】特開平６−１４０５０４号公報
【特許文献２】特開２００１−３０８０３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、上述のような加工代の無駄及び裏面研磨の無駄を少なくすると共に各チップを寸法的に正確に分割することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、請求項１に係る発明は、表面に集積回路を形成したシリコン基板をチップに分割する方法において、集積回路を形成していない裏面を研磨して薄板化する工程と、表面に切り欠き加工を行なう工程と、この表面に行った切り欠き位置と、対となった分割用型とを位置合わせする工程と、対となった分割用型でシリコン基板をはさみ込んで押圧し分割する工程とを備え、
前記分割用型のシリコン基板を押圧する面のパターンはマトリックス状を有し、一方の型が凹形状であり、他方の型が凸形状であることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明では、上述のように、シリコン基板に切り欠きを予め形成し、対となった分割用型の凹凸パターンが、マトリックス状を有し、一方の型が凹形状であり、他方の型が凸形状であり、この２者は整合する型であって、脆性材料である単結晶シリコン基板（ウェーハ）をはさみ込んでプレス（押圧）する。互いに凹凸が逆であり、整合しているのでプレスすることにより、シリコン基板の切り欠き部には剪断力が作用し、１回のプレスで、１枚分のシリコン基板上の全てのチップを寸法的に正確に分割加工することが可能であり、生産効率が良い。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下に、本発明の実施の形態を、図面を引用しながら説明する。
まず、結晶シリコン基板あるいは多結晶シリコン基板に、通常の半導体製造プロセスにより、集積回路を形成する。これを図１に示す。
【０００８】
次に、シリコン基板の裏面を研磨加工する。この研磨加工は、後で加工する切り欠きの深さの２〜４倍程度の厚みまでの研磨加工で良い。すなわち、ダイシング加工により、全てのシリコン基板厚みを溝加工し分割する場合よりも、研磨する量は少なくて良い。そのシリコン基板裏面研磨の模式図を図２に示す。
【０００９】
次に、シリコン基板の裏面を粘着テープで固定した後、集積回路形成面（表面）に切り欠き加工を行なう。切り欠き加工は、サンドブラスト加工、ドライエッチングによる方法が効率が良い。ただし、これらの方法を用いる場合、予めフォトリソグラフィにより、集積回路面（表面）に保護マスクを形成しておく。サンドブラスト加工の例を図３に示す。この切り欠きは、各集積回路間の幅と同じ深さで加工する。
【００１０】
次に、切り欠き加工を行なったシリコン基板を一対の凹凸型でプレスして、集積回路チップに分割する。その工程に使用する型の一例を図４に示す。図４では、斜線部が、凸あるいは凹形状に加工されており、凹凸がマトリックス状に形成されている。これを下型とする。また、この下型と整合するように、図５のように、全く同じパターンで凹凸が逆の型を準備しておく。これを上型とする。
これら下型と上型にシリコン基板をはさみ込んだ状態で、それぞれの位置合わせを行なった後、プレスすることで、シリコン基板に形成した切り欠き部分に応力集中させ、集積回路チップに分割する。その模式図を図６に示す。
以上の工程により、シリコン基板は脆性材料のため切り欠き部分から亀裂が生じ、集積回路チップに分割される。この加工後の模式図を図７に示す。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】シリコン基板に集積回路を形成した状態を示す図である。
【図２】シリコン基板の裏面を研磨加工する状態を示す図である。
【図３】シリコン基板にサンドブラスト加工をする状態を示す図である。
【図４】プレス型の下型を示す図である。
【図５】プレス型の上型を示す図である。
【図６】シリコン基板を凹凸型でプレスし各チップに分断する状態を示す図である。
【図７】シリコン基板が分断された状態を示す図である。
【図８】シリコン基板が分断される過程を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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