(57)【要約】【課題】  カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）エミッターの形成方法が開示される。【解決手段】  基板上に所定形状のＣＮＴ複合体を形成する段階と、ＣＮＴ複合体の上に有機物バインダー及び無機物を含む液相の表面処理物をコーティングし、これを乾燥する段階と、乾燥した表面処理物を剥離する段階とを含むＣＮＴエミッターの形成方法である。本発明によれば、電界放出源に使われるＣＮＴ複合体の上に液相の表面処理物をコーティングし、これを剥離することで表面にＣＮＴが多く垂直突き出されたＣＮＴエミッターを得られ、これによって電界放出を向上できる。【選択図】  図２Ｃ
2005183370.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に所定形状のカーボンナノチューブ複合体を形成する段階と、
前記カーボンナノチューブ複合体の上に有機高分子バインダー及び無機物を含む液相の表面処理物をコーティングし、これを乾燥させる段階と、
乾燥した前記表面処理物を剥離する段階と、
を含むことを特徴とするカーボンナノチューブエミッターの形成方法。
【請求項２】
前記有機高分子バインダーは、ポリビニールアルコール、ポリビニールアセテート及びポリビニールピロリドンからなるグループから選択された少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブエミッターの形成方法。
【請求項３】
前記有機高分子バインダーは、前記表面処理物の５〜２０％であることを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブエミッターの形成方法。
【請求項４】
前記無機物は、二酸化チタン、シリカ及びアルミナからなるグループから選択された少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブエミッターの形成方法。
【請求項５】
前記無機物は、前記表面処理物の３〜１０％であることを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブエミッターの形成方法。
【請求項６】
前記無機物の粒子サイズは、１ｎｍ〜５μｍであることを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブエミッターの形成方法。
【請求項７】
前記無機物の粒子サイズは、１０ｎｍ〜１μｍであることを特徴とする請求項６に記載のカーボンナノチューブエミッターの形成方法。
【請求項８】
前記表面処理物の粘度は、１００〜５０００センチポイズであることを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブエミッターの形成方法。
【請求項９】
前記カーボンナノチューブ複合体を形成する段階は、
カーボンナノチューブ、有機物バインダー、無機物バインダー及び金属粉末を含むカーボンナノチューブペーストを前記基板上にコーティングする段階と、
前記カーボンナノチューブペーストを所定形状にパターニングする段階と、
パターニングされた前記カーボンナノチューブペーストを焼成して前記有機物バインダーを取り除く段階と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブエミッターの形成方法。
【請求項１０】
前記有機物バインダーは、モノマー、オリゴマー及び光開始剤を含むことを特徴とする請求項９に記載のカーボンナノチューブエミッターの形成方法。
【請求項１１】
前記モノマーは、ベンジルアクリレート、グリシジルメタアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、２（２-エトキシ）エチルアクリレート、２-エチルヘキシルアクリレート及びトリメチルオルプロパントリアクリレートからなるグループから選択された少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１０に記載のカーボンナノチューブエミッターの形成方法。
【請求項１２】
前記オリゴマーは、ポリエステルアクリレート、エポキシアクリレート及びウレタンアクリレートからなるグループから選択された少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１０に記載のカーボンナノチューブエミッターの形成方法。
【請求項１３】
前記光開始剤は、ベンジルジメチルケタム、ベンゾインノーマルブチルエーテル及びアルファヒドロキシケトンからなるグループから選択された少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１０に記載のカーボンナノチューブエミッターの形成方法。
【請求項１４】
前記無機物バインダーは、酸化鉛-酸化亜鉛-ボロンオキシド成分のガラスフリットを含むことを特徴とする請求項９に記載のカーボンナノチューブエミッターの形成方法。
【請求項１５】
前記金属粉末は、アルミニウム、銀、亜鉛、銅、ニッケル及び鉄からなるグループから選択された少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項９に記載のカーボンナノチューブエミッターの形成方法。
【請求項１６】
前記カーボンナノチューブペーストは、紫外線によって硬化されてパターニングされることを特徴とする請求項９に記載のカーボンナノチューブエミッターの形成方法。
【請求項１７】
前記カーボンナノチューブペーストは、４００〜５００℃で焼成されることで前記有機物バインダーが除去されることを特徴とする請求項９に記載のカーボンナノチューブエミッターの形成方法。
【請求項１８】
基板上に所定形状のカーボンナノチューブ複合体を形成する段階と、
前記カーボンナノチューブ複合体の上に液相の硬化型ポリマー樹脂を含む表面処理物をコーティングし、これを硬化させる段階と、
硬化された前記表面処理物を剥離する段階と、
を含むことを特徴とするカーボンナノチューブエミッターの形成方法。
【請求項１９】
前記表面処理物は、紫外線、熱風乾燥、電子線及び遠赤外線からなるグループから選択された一つによって硬化されることを特徴とする請求項１８に記載のカーボンナノチューブエミッターの形成方法。
【請求項２０】
前記表面処理物が紫外線によって硬化される場合、前記表面処理物は、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、エステルアクリレート、エーテルアクリレート及びアクリルアクリレートからなるグループから選択された少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１９に記載のカーボンナノチューブエミッターの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カーボンナノチューブエミッターの形成方法に係り、詳細には、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ；Carbon Nano Tube）を使って電界放出を向上させることができるＣＮＴエミッターの形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＮＴは、電界放出表示素子（ＦＥＤ；Field Emission Display）、液晶表示素子（ＬＣＤ；Liquid Crystal Display）用バックライトなどの電界放出源として最近広く利用されている。このようなＣＮＴは、優秀な電子放出特性、化学的及び機械的耐久性を有し、現在でもその物性及び応用性に関する研究が進行しつつある。
【０００３】
ＦＥＤは、陽極電極と陰極電極とにそれぞれ陽の電圧と陰の電圧とを印加してその間に電界を形成することで、陰極電極の電界放出源から電子を放出させ、この電子を陽極電極の蛍光物質に衝突させて発光させる表示装置である。
【０００４】
このようなＦＥＤの電界放出源として、従来にはモリブデンのような金属からなるマイクロチップが多く使われた。しかし、この場合、雰囲気ガス及びバラ付いた電界などの影響でチップの寿命が短縮される問題があり、また駆動電圧を低めるためには仕事関数を低めなければならず、既存の金属エミッターではこのような仕事関数を低めるのに限界がある。したがって、最近にはこのような問題を解消するための物質として縦横比が非常に大きく、耐久性が優秀で電子伝導性にすぐれたＣＮＴを利用した電界放出源を製造している。
【０００５】
ＣＮＴエミッターの形成時に重要な点は、ＣＮＴがエミッターの表面に垂直整列され、できるだけ多く露出しなければならないということである。すなわち、同じ組成のＣＮＴ組成物であってもその整列状態によって放出電流が異なるので、ＣＮＴは垂直整列が多くなされるように構成するのが望ましい。
【０００６】
従来、このようなＣＮＴエミッターを形成する方法としては、化学気相蒸着（ＣＶＤ；Chemical Vapor Deposition）法を利用してＣＮＴを基板に直接成長させて形成する方法と、ＣＮＴと樹脂とを混合したペーストを使って形成する方法とがある。しかし、ＣＶＤ法を利用する場合、ＣＮＴの垂直整列は可能だが、おおよそ５００℃以上の反応温度が必要なので硝子基板を使いにくいという問題があり、また基板を大面積に形成するためには高価の装備が必要になる。そして、ＣＮＴの密度を調節しないと、むしろ高密度で放出電流の減少が発生しうる。次に、ＣＮＴペーストを利用する場合には、ＣＮＴペーストを基板上に印刷、焼成してＣＮＴエミッターを形成する。この時、ＣＮＴエミッターの表面を処理しなければ、ＣＮＴの整列状態が不良になって図１に図示されたように、ＣＮＴエミッターから出る発光イメージが不均一になるという問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、前記のような問題点を解決するために案出されたものであり、表面処理を通じてＣＮＴエミッターの電界放出を向上させることができるＣＮＴエミッターの形成方法を提供することにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の目的を達成するため、本発明によるＣＮＴエミッターの形成方法は、基板上に所定形状のＣＮＴ複合体を形成する段階と、前記ＣＮＴ複合体の上に有機物バインダー及び無機物を含む液相の表面処理物をコーティングし、これを乾燥させる段階と、乾燥した前記表面処理物を剥離する段階と、を含む。
【０００９】
前記有機高分子バインダーは、ポリビニールアルコール、ポリビニールアセテート及びポリビニールピロリドンからなるグループから選択された少なくとも一つを含みうる。
【００１０】
前記有機高分子バインダーは、前記表面処理物の５〜２０％であるのが望ましい。
【００１１】
前記無機物は、二酸化チタン、シリカ及びアルミナからなるグループから選択された少なくとも一つを含みうる。
【００１２】
前記無機物は、前記表面処理物の３〜１０％であるのが望ましい。前記無機物の粒子サイズは、望ましくは１ｎｍ〜５μｍであり、さらに望ましくは１０ｎｍ〜１μｍである。
【００１３】
前記表面処理物の粘度は、１００〜５０００センチポイズであることが望ましい。
【００１４】
前記ＣＮＴ複合体を形成する段階は、ＣＮＴ、有機物バインダー、無機物バインダー及び金属粉末を含むＣＮＴペーストを前記基板上にコーティングする段階と、前記ＣＮＴペーストを所定形状にパターニングする段階と、パターニングされた前記ＣＮＴペーストを焼成して前記有機物バインダーを取り除く段階と、を含むのが望ましい。
【００１５】
前記有機物バインダーは、モノマー、オリゴマー及び光開始剤を含みうる。ここで、前記モノマーは、ベンジルアクリレート、グリシジルメタアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、２（２-エトキシ）エチルアクリレート、２-エチルヘキシルアクリレート及びトリメチルオルプロパントリアクリレートからなるグループから選択された少なくとも一つを含むのが望ましい。そして、前記オリゴマーは、ポリエステルアクリレート、エポキシアクリレート及びウレタンアクリレートからなるグループから選択された少なくとも一つを含むのが望ましい。前記光開始剤は、ベンジルジメチルケタム、ベンゾインノーマルブチルエーテル及びアルファヒドロキシケトンからなるグループから選択された少なくとも一つを含むのが望ましい。
【００１６】
前記無機物バインダーは、酸化鉛-酸化亜鉛-ボロンオキシド成分のガラスフリットを含みうる。
【００１７】
前記金属粉末は、アルミニウム、銀、亜鉛、銅、ニッケル及び鉄からなるグループから選択された少なくとも一つを含みうる。
【００１８】
前記ＣＮＴペーストは、紫外線によって硬化されてパターニングされることが望ましい。そして、前記ＣＮＴペーストは、４００〜５００℃で焼成されることで前記有機物バインダーが除去されるのが望ましい。
【００１９】
一方、本発明による他のＣＮＴエミッターの形成方法は、基板上に所定形状のＣＮＴ複合体を形成する段階と、前記ＣＮＴ複合体の上に液相の硬化型ポリマー樹脂を含む表面処理物をコーティングし、これを硬化させる段階と、硬化された前記表面処理物を剥離する段階と、を含む。
【００２０】
前記表面処理物は、紫外線、熱風乾燥、電子線及び遠赤外線からなるグループから選択された一つによって硬化されうる。
【００２１】
前記表面処理物が紫外線によって硬化される場合、前記表面処理物はエポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、エステルアクリレート、エーテルアクリレート及びアクリルアクリレートからなるグループから選択された少なくとも一つを含むのが望ましい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明のＣＮＴエミッターの形成方法によれば、電界放出源に使われるＣＮＴ複合体の上に液相の表面処理物をコーティングし、これを剥離することで表面にＣＮＴが多く垂直に突き出されたＣＮＴエミッターが得られ、これによって電界放出を向上させることができる。そして、本発明によるＣＮＴエミッターの形成方法は、液相の表面処理物を利用するので、ＣＮＴエミッターが適用された多様な構造の素子にも適用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、添付された図面を参照して本発明による望ましい実施例を詳しく説明する。以下の図面で同じ参照符号は同じ構成要素を示す。
【００２４】
図２Ａないし図２Ｃは、本発明の実施例によるＣＮＴエミッターの形成方法を説明するための図面である。
【００２５】
先ず、図２Ａを参照すれば、基板１００上に所定形状のＣＮＴ複合体１０２を形成する。ここで、前記基板１００としては、一般的に硝子基板が使われる。
【００２６】
具体的に、ＣＮＴ、有機物バインダー、無機物バインダー及び金属粉末を混合してＣＮＴペーストを作った後、これを基板上にスクリーン印刷法によってコーティングする。
【００２７】
前記ＣＮＴは、一重、二重、多重に可能であり、その長さもあまり制限されないが、おおよそ０.５〜２μｍのサイズを有するのが望ましい。このようなＣＮＴの含量は、おおよそＣＮＴペーストの１〜３０％である。
【００２８】
前記有機物バインダーは、モノマー、オリゴマー、光開始剤などを含む。前記モノマーには、ベンジルアクリレート、グリシジルメタアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、２（２-エトキシ）エチルアクリレート、２-エチルヘキシルアクリレート及びトリメチルオルプロパントリアクリレートからなるグループから選択された少なくとも一つを使う。前記オリゴマーには、ポリエステルアクリレート、エポキシアクリレート及びウレタンアクリレートからなるグループから選択された少なくとも一つを使う。そして、前記光開始剤には、ベンジルジメチルケタム、ベンゾインノーマルブチルエーテル及びアルファヒドロキシケトンからなるグループから選択された少なくとも一つを使う。このような有機物バインダーの含量は、おおよそＣＮＴペーストの３０〜９０％である。
【００２９】
前記無機物バインダーは、酸化鉛-酸化亜鉛-ボロンオキシド（PbO-ZnO-B２O３）成分のガラスフリットを含む。ここで、前記無機物バインダーの粒子サイズはおおよそ０.１〜５μｍが望ましく、このような無機物バインダーの含量はおおよそＣＮＴペーストの０.１〜２０％である。
【００３０】
前記金属粉末は、ＣＮＴに電気を容易に供給するための物質としてアルミニウム、銀、亜鉛、銅、ニッケル及び鉄からなるグループから選択された少なくとも一つを含みうる。ここで、前記金属粉末の粒子サイズはおおよそ１〜５００ｎｍが望ましく、このような金属粉末の含量はおおよそＣＮＴペーストの０.１〜２０％である。
【００３１】
次に、基板上にコーティングされたＣＮＴペーストを所定形状にパターニングする。この時、前記ＣＮＴペーストは紫外線硬化によってパターニングされる。
【００３２】
次に、基板上にパターニングされた前記ＣＮＴペーストをおおよそ４００〜５００℃に加熱して焼成させる。これにより、前記ＣＮＴペーストから有機物バインダーが除去され、真空中で有効に電子放出できる所定形状のＣＮＴ複合体１０２が形成される。
【００３３】
しかし、このように形成されたＣＮＴ複合体１０２には、熱処理過程によってＣＮＴがついたり、その表面に大部分横になっているようになる。このような場合には、電子放出がよくできないから、前記ＣＮＴ複合体１０２の表面を処理して電子放出を向上させる必要がある。このために、本実施例では接着と収縮とによる方法を利用する。
【００３４】
図２Ｂを参照すれば、基板１００上に形成されたＣＮＴ複合体１０２上に有機高分子バインダー及び無機物を含む液相の表面処理物１０５をコーティングし、これを乾燥させる。
【００３５】
前記有機高分子バインダーは、フィルム形成のための物質としてポリビニールアルコール、ポリビニールアセテート及びポリビニールピロリドンからなるグループから選択された少なくとも一つを含む。ここで、前記有機高分子バインダーの含量はおおよそ表面処理物の５〜２０％が望ましい。
【００３６】
前記無機物は、収縮力を調節するための物質として二酸化チタン（TiO２）、シリカ（SiO２）及びアルミナ（Al２O３）からなるグループから選択された少なくとも一つを含む。ここで、前記無機物の含量は、おおよそ表面処理物の３〜１０％が望ましい。そして、前記無機物は、その粒子が小さいほどＣＮＴとの吸着力が強まるが、多量分散の時にコーティングが難しいので、無機物の粒子サイズはおおよそ１ｎｍ〜５μｍが望ましく、さらに望ましくはおおよそ１０ｎｍ〜１μｍである。
【００３７】
前記の有機高分子バインダーと無機物との混合物に水を混合してペースト形態の表面処理物１０５を作る。ここで、水の含量は、おおよそ表面処理物１０５の４０〜７０％が望ましい。そして、前記表面処理物１０５の粘度は、１００〜５０００センチポイズ位に維持する。このように製造された液相の表面処理物１０５を基板１００上に形成されたＣＮＴ複合体１０２上にコーティングし、これを乾燥させる。
【００３８】
最後に、図２Ｃに図示されたように、乾燥した前記表面処理物１０５をＣＮＴ複合体１０２から剥離すれば、表面にＣＮＴが多く垂直に突き出されたＣＮＴエミッター１１０が得られる。
【００３９】
以上のように、本発明の実施例では、ＣＮＴの垂直突出を向上させるために有機高分子バインダーの接着性及び無機物の収縮性を利用する。前記有機高分子の接着力は、有機高分子の表面エネルギーによって主に決まり、分子規則性、すなわち結晶性の低い物質が高い接着力を有する。また、有機高分子の官能基にアセテート、エポキシ、アルデヒドなどの含まれた物質が接着力が高い。そして、表面処理物の溶媒揮発による収縮率によって前記表面処理物を剥離する力の程度が変わるが、この力は有機高分子の結晶性や無機物の吸着力及び含量によって調節できる。すなわち、結晶性の低い有機高分子の収縮率がより大きく、混合する無機物の量が多くなればこのような収縮率は低くなる。一方、表面処理物の接着力と収縮力とが高ければＣＮＴの垂直整列が向上するが、電界放出素子の電極が剥離過程で破損される恐れがあるので、このような接着力と収縮力とを調節する必要がある。
【００４０】
図３は、本発明の実施例によって表面処理されたＣＮＴエミッターと表面処理される前のＣＮＴエミッターとの電流（Ｉ）-電圧（Ｖ）特性を図示したグラフである。図３を参照すれば、ＣＮＴエミッターが表面処理された後の電流（Ｉ）-電圧（Ｖ）特性がさらに向上したことが分かる。
【００４１】
図４Ａないし図４Ｃは、本発明の他の実施例によるＣＮＴエミッターの形成方法を説明するための図面である。
【００４２】
先ず、図４Ａを参照すれば、基板１２０上に所定形状のＣＮＴ複合体１２２を形成する。これについての詳細な説明は前述したので略する。
【００４３】
次に、図４Ｂに図示されたように、前記ＣＮＴ複合体１２２上に液相の硬化型ポリマー樹脂を含む表面処理物１２５をコーティングする。そして、この表面処理物１２５を乾燥させた後、紫外線に露出させて硬化させる。一方、前記表面処理物１２５は、紫外線以外に熱風乾燥、電子線または遠赤外線などによって硬化されうる。
【００４４】
前記表面処理物１２５が紫外線によって硬化される場合、表面処理物は、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、エステルアクリレート、エーテルアクリレート及びアクリルアクリレートからなるグループから選択された少なくとも一つを含むのが望ましい。
【００４５】
最後に、図４Ｃに図示されたように、硬化された表面処理物１２５をＣＮＴ複合体１２２から剥離すれば、表面にＣＮＴが多く突き出されたＣＮＴエミッター１３０が形成される。
【００４６】
図５は、本発明の他の実施例によって表面処理されたＣＮＴエミッターと表面処理される前のＣＮＴエミッターとの電界放出特性を図示したグラフである。図５を参照すれば、ＣＮＴエミッターが表面処理される前よりも表面処理された後に電界放出特性が向上したことが分かる。
【００４７】
そして、図６は、本発明の他の実施例によって表面処理されたＣＮＴエミッターの表面を撮ったＳＥＭ（Scanning Electron Microscope；走査電子顕微鏡）写真である。図６を参照すれば、表面処理された後でＣＮＴエミッターの表面にＣＮＴが多く垂直に突き出されていることが分かる。
【００４８】
図７及び図８は、ＣＮＴエミッターが適用されたＦＥＤの表面処理方法を示す図面である。先ず、図７を参照すれば、ＦＥＤは、基板２００上の同一平面にＣＮＴ複合体２０２とゲート電極２０６とが形成された構造を有している。このような構造で、前記ＣＮＴ複合体２０２とゲート電極２０６とを覆うように表面処理物２０５をコーティングし、これを乾燥して剥離すれば、電界放出を向上させるＣＮＴエミッターが形成される。図７で、参照符号２０４は絶縁層を示す。そして、図８を参照すれば、ＦＥＤは、基板３００上に陰極電極３０１、絶縁層３０４及びゲート電極３０６が順次に積層され、前記陰極電極３０１の一部を露出させるホール内部にＣＮＴ複合体３０２が形成された構造を有している。このような構造で、ゲート電極３０６及びＣＮＴ複合体３０２を覆うように表面処理物３０５をコーティングする。この時、前記表面処理物３０５は液相であるから、ホール内部のカーボナノチューブ複合体３０２上にもよくコーティングできる。図９には、図８に図示された構造のＦＥＤの表面に表面処理物３０５がコーティングされた状態が図示されている。次に、このコーティングされた表面処理物３０５を乾燥して剥離すれば、電界放出を向上させるＣＮＴエミッターが形成される。
【００４９】
図１０及び図１１は、それぞれ図７及び図８に図示されたＦＥＤが表面処理された後の発光イメージを撮った写真であり、図１０及び図１１を参照すれば、非常に均一な発光イメージが現われることが分かる。
【００５０】
以上、本発明による望ましい実施例が説明されたが、これは例示的なことに過ぎず、該当分野での当業者なら今後多様な変形及び均等な他の実施例が可能という点を理解できる。よって、本発明の真正な技術的保護範囲は、特許請求範囲によって決まらなければならない。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明は、ＦＥＤ、ＬＣＤ用バックライトなどの電界放出源に使われるＣＮＴに適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】従来のＣＮＴエミッターから出る発光イメージを撮った写真である。
【図２Ａ】本発明の実施例によるＣＮＴエミッターの形成方法を説明するための図面である。
【図２Ｂ】本発明の実施例によるＣＮＴエミッターの形成方法を説明するための図面である。
【図２Ｃ】本発明の実施例によるＣＮＴエミッターの形成方法を説明するための図面である。
【図３】本発明の実施例によって表面処理されたＣＮＴエミッターと表面処理される前のＣＮＴエミッターとの電流（Ｉ）-電圧（Ｖ）特性を示したグラフである。
【図４Ａ】本発明の他の実施例によるＣＮＴエミッターの形成方法を説明するための図面である。
【図４Ｂ】本発明の他の実施例によるＣＮＴエミッターの形成方法を説明するための図面である。
【図４Ｃ】本発明の他の実施例によるＣＮＴエミッターの形成方法を説明するための図面である。
【図５】本発明の他の実施例によって表面処理されたＣＮＴエミッターと表面処理される前のＣＮＴエミッターとの電界放出特性を示したグラフである。
【図６】本発明の他の実施例によって形成されたＣＮＴエミッターの表面を撮ったＳＥＭ写真である。
【図７】ＦＥＤであり、本発明によってＣＮＴエミッターを形成する方法を説明するための図面である。
【図８】ＦＥＤであり、本発明によってＣＮＴエミッターを形成する方法を説明するための図面である。
【図９】図８に示したＦＥＤの表面に表面処理物がコーティングされた状態を示したＳＥＭ写真である。
【図１０】図７に示したＦＥＤが表面処理された後の発光イメージを撮った写真である。
【図１１】図８に示したＦＥＤが表面処理された後の発光イメージを撮った写真である。
【符号の説明】
【００５３】
１１０，１３０  カーボンナノチューブエミッター
１００，１２０，２００，３００  基板
１０２，１２２，２０２，３０２  カーボンナノチューブ複合体
１０５，１２５，２０５，３０５  表面処理物
【図１】
2005183370.tif 000003
【図２Ａ】
2005183370.tif 000004
【図２Ｂ】
2005183370.tif 000005
【図２Ｃ】
2005183370.tif 000006
【図３】
2005183370.tif 000007
【図４Ａ】
2005183370.tif 000008
【図４Ｂ】
2005183370.tif 000009
【図４Ｃ】
2005183370.tif 000010
【図５】
2005183370.tif 000011
【図６】
2005183370.tif 000012
【図７】
2005183370.tif 000013
【図８】
2005183370.tif 000014
【図９】
2005183370.tif 000015
【図１０】
2005183370.tif 000016
【図１１】
2005183370.tif 000017