(57)【要約】【課題】半導体製造において、シード層上の汚染物を除去すること。【解決手段】内部に半導体基板を収納するためのハウジング（２０８）が設けられ、このハウジング内には紫外線ソース（２１０）が配置され、このハウジング内には処理媒体（２０８）も収容される。このハウジングには半導体基板が収納され、この基板は処理媒体に露出される。紫外線ソースは半導体基板を紫外線に露出させ、シード層から汚染物を放出する。【選択図】図２
2005072589.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハを収納するようになっているハウジングと、
前記ハウジング内に配置された紫外線ソースと、
前記ハウジング内に収容された処理媒体とを備えた半導体処理モジュール。
【請求項２】
半導体基板を収納するようになっているハウジングを設ける工程と、
前記ハウジング内に紫外線ソースを設ける工程と、
前記ハウジング内に処理媒体を供給する工程と、
前記ハウジング内に半導体基板を収納する工程と、
前記半導体基板を処理媒体に露出させる工程と、
前記紫外線ソースを使って前記半導体基板を紫外線に露出させる工程とを備えた、半導体基板から汚染物を除去する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的には半導体デバイスの分野に関し、より詳細にはデバイス製造中にシード層表面を補修するための装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路の性能を向上することが求め続けられた結果、特に半導体デバイスの幾何学的形状が劇的に小さくなり、半導体デバイス内のどのサブ構造の性能も最適にするための努力が永続して為された。半導体デバイスの製造プロセス、材料組成およびアクティーブ回路レベルのレイアウトにおける多数の改善および技術革新が行われた結果、回路構造の密度は極めて高くなった。回路構造が次第に密になったことにより、性能上の多数の特徴が改良されただけでなく、半導体材料の性質および挙動の重要性および注目も高まった。
【０００３】
集積回路の実装密度が高くなったことにより、半導体製造プロセスに多数の挑戦がなされている。集積回路デバイスの作動特性を低下させることなく、どのデバイスもより小さくしなければならない。機能的デバイスを劣化させることなく、良好な信頼性および長い作動寿命を維持しながら、高い実装密度、低熱発生量および低電力消費量を維持しなければならない。集積回路の実装密度を高くすれば、通常それに付随して特徴部のサイズもより小さくなる。
【０００４】
集積回路がより密になるにつれて、集積回路のうちのトランジスタとその他の半導体デバイスとを接続する内部接続層の幅が狭くなる。内部接続層および半導体デバイスの幅が狭くなるにつれて、それらの抵抗値も高くなる。この結果、半導体のメーカーは従来のアルミの内部接続部の代わりに、例えば銅の内部接続部を使用することにより、より小型でかつ高速のデバイスを製造せんとしている。残念なことに銅はほとんどの半導体プロセスのフローにおいてエッチングすることが極めて困難である。従って、これまで銅の内部接続部を形成するのにダマシンプロセス（damascene processes）が提案され、実現されている。
【０００５】
ダマシン方法では銅を含む構造体の下方かつ両側にある誘電層内にトレンチおよび／または開口部を通常形成しなければならない。トレンチまたは開口部が一旦形成されると、デバイス全体を覆うように銅含有材料のブランケット層を形成する。電気化学的デポジション（ＥＣＤ）が一般に銅のブランケット層を形成するための唯一の実際的方法となっている。かかる層の厚みを最も深いトレンチまたは開口部と少なくとも同じ厚みとしなければならない。トレンチまたは開口部に銅含有材料を満たした後に、開口部全体を覆う銅含有材料を、例えば化学式−機械式研磨法（ＣＭＰ）によって除き、トレンチおよび開口部内に銅含有材料を残すが、誘電体またはトレンチもしくは開口部の最上部分の上にある銅含有材料は残さない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、残念なことに銅および最も一般的な誘電材料の材料特性に大きく起因して、ＥＣＤにより誘電体上に直接デポジットすることがかなり困難であるという傾向がある。銅の比較的厚い層は誘電体に均一かつ安定的に付着しないことが多い。このことは明らかに、多数の半導体の歩留まりおよび信頼性の問題を生じさせ得る。従って、まず誘電体上に銅の薄い開始層、すなわちシード層を通常デポジットする。表面の輪郭に応じ、１００Å〜１０００Åのオーダーの、比較的薄いこのような層をデポジットすることによって、誘電体へ銅をより安定的かつ均一に初期に塗布する対策を講じている。一旦このようなシード層が所定位置に設けられると、銅のシード層上に直接、より厚い銅の層を保護コーティング若しくはメッキ（plate）できる。このより厚い銅が銅のシード層により良好に付着する結果、理論的にはより均一かつ安定的な銅のコーティングが得られる。
【０００７】
このシード層による解決方法は、銅と誘電体との境界の問題の一部を解消するが、シード層の汚染から別の問題が生じる。従来の多くの製造プロセスでは異なる装置でシード層のデポジションおよび最終的な銅のＥＣＤが実行されている。シード層のデポジションを完了したばかりの基板の取り扱い、移送および列に並べる作業は潜在的な多数の汚染原因、すなわち例えばシード層表面にピットおよびその他の異常点を引き起こす空中ガスまたは分子状粒子を生じさせる。一般にシード層は微少量の汚染物に対する親和性が極めて高い。最小時間だけ露出された場合でも、シード層上のかかる汚染物の相対的濃度は劇的に増加し、任意の数の構造上の異常点を生じさせ得る。シード層内のこれら異常点は銅ＥＣＤプロセスを破壊または実行不能にさせ得る。例えば所定の異常点はシード層表面を疎水性にし、空隙およびその他の不安定また不完全な銅デバイス構造をメッキプロセス中に形成させ得る。高い歩留まりの低下、デバイスの欠陥および信頼性の問題が生じる。
【０００８】
シード層処理を必要とする従来の製造プロセス１００を示す従来の図１を参照し、従来のプロセスの所定の問題について説明する。基板１０２にシード層を塗布する第１処理装置１０６（例えばスパッタリングシステム）からオペレータ１０４が直接または間接的に基板１０２を取り出す。次にオペレータ１０４は第２処理装置１０８（例えばＥＣＤシステム）により処理をするために基板１０２を列に並べる。装置１０２から装置１０８へ移行する間、基板１０２は多数の汚染物１１０（コンタミナント、例えば空中ガスまたは粒子）に露出され得る。
【０００９】
基板１０２が汚染物１１０に露出される時間の長さは、例えば必要な処理量、各装置における待ち時間（キュー時間）および装置の物理的近接度に応じて大きく変わり得る。最悪の場合、基板１０２は広範な処理の後の長時間の間、汚染物１１０に露出される。装置１０２と１０８とが互いに接近しており、オペレータ１０４による取り扱いおよび待ち時間が最小であるベストケースのシナリオでも、基板１０２はいくらかの異常点（アノーマリー）を生じるのに十分長い間汚染物１１０に露出される。
【００１０】
シード層の汚染から生じる問題を解決するため、これまでいくつかの試みがなされている。かかる試みの１つはシード層をデポジットしてからＥＣＤの前までの間、不活性環境内に基板を保管（例えば窒素ガス内に保管）することである。他の試みは、基板をＥＣＤ装置に装填する前に別個の装置内であらかじめシード層をクリーニングまたは補修することである。基板をアイソレートした状態に保管する時間の間、アイソレーション方法は有効であるが、基板を保管したり、保管から取り出す場合の移し替えに関連する露出および取り扱いの問題を解決できない。特定の汚染化学物質に対して所定のクリーニング方法は有効ではないことが多い。クリーニング方法は更にシード層の重要な部分を破壊または除去し、シード層を利用できなくしてしまうこともある。シード層補修方法では、シード層を再デポジットする対策を必要とすることが多く、この場合、潜在的に多くのコストがかかる余分な処理工程が追加される。重要なことに、かかるほとんどすべての解決方法は必要な別々の処理装置の間で移行する間にシード層表面が所定の汚染物に露出されるという問題を解決できない。
【００１１】
この結果、シード層の汚染物を効率的に中性化し、容易、効率的かつコスト的に有効に、非破壊的なシード層補修を行う、シード層補修システムが求められている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本システムはシード層の汚染物の効果を中性化し、容易、効率的かつコスト的に有効に、非破壊的なシード層補修を行う汎用システムを提供するものである。本発明のシステムは、（例えばＥＣＤ装置内で現場に設けられる）他の処理機器とともに配置し、場合によっては一体化することさえも可能である。
【００１３】
より詳細には、本発明は非破壊的にシード層表面から汚染物および汚染物に基づく異常点を補修するシステムを提供するものである。本発明は補修モジュールも提供する。既にシード層が上部に形成されている基板を取り扱いシステムまたは装置が補修モジュールへ移送する。基板が一旦補修モジュール内に入れられると、基板は１回以上の雰囲気処理を受ける。かかる処理は紫外光への露光および酸素への露出、オゾンへの露出、周辺大気ガスへの露出またはそれらの組み合わせを含む。これら処理を利用することにより、汚染物はシード層から放出され、ガスとして流出し、または酸化物を形成する。
【００１４】
従って、シード層の最上部分で酸化膜を制御しながら成長させることができる。この酸化膜はシード層と空中環境汚染物との間のバリアとして働くことができる。この酸化膜はＥＣＤメッキ浴に導入された際に溶解され、メッキのためのクリーンな汚染物および異常点のないシード層表面が残る。
【００１５】
従って、本発明はシード層をより親水性にし、ＥＣＤメッキプロセスの有効性を高め、その結果、現在の方法およびシステムと比較したときに歩留まりをより高くし、信頼性の問題をより少なくする。
【００１６】
より詳細には、本発明の一実施例は、半導体ウェーハを収納するようになっているハウジングを備えた半導体処理モジュールを提供するものである。処理媒体のようにハウジング内には紫外線ソースが配置される。
【００１７】
本発明の別の実施例は、半導体基板から汚染物を除去する方法を提供するものである。この方法は、半導体基板を収納するようになっているハウジングを設けることを含む。処理媒体のようにハウジング内には紫外線ソースが配置され、ハウジング内には半導体基板が収納され、この基板は処理媒体に露出される。紫外線ソースは半導体基板を紫外線に露出する。
【００１８】
本発明は半導体ウェーハの上部表面にデポジットされた銅シード層から有機汚染物を除去するためのシステムを更に提案する。このシステム内では、ハウジングが半導体ウェーハを受け、これを収納するようになっている。ハウジングには紫外線ソースが配置され、この紫外線ソースは半導体ウェーハを紫外線に露出させるようになっている。オゾン発生器が半導体ウェーハのための処理媒体としてのオゾンをハウジングに供給するようになっている。ハウジング内にはオゾンから汚染物をフィルタ除去するようになっているコンディショニングシステムも配置されている。
【００１９】
添付図面と共に次の詳細な説明を参照すれば、当業者には本発明の上記以外の特徴および利点が明らかとなろう。
【００２０】
発明を更に理解し、発明をどのように実施できるかを例として示すために、添付図面と共に本発明の詳細な説明を参照する。異なる図における対応する番号は対応する部品を示す。
【実施例】
【００２１】
以下、本発明の種々の実施例の製造および使用について詳細に説明するが、本発明は種々の特定のコンテキストで具現化できる適用可能な多数の発明上の概念を提供できると理解すべきである。以下、銅のシード層の補修に関連して本発明について説明する。本明細書に記載する特定の実施例は単に本発明を製造し、使用するための特定の態様を説明するものであり、発明の範囲を限定するものではない。
【００２２】
本発明はシード層の表面から汚染物および汚染物に起因する異常点を非破壊的に補修するシステムを提供するものである。（例えばＥＣＤ装置内で現場でも受けられる）他の処理機器と共に、本発明のシステムを配置し、場合によっては一体化することも可能である。
【００２３】
本発明は補修モジュールを提供するものであり、取り扱いシステムまたは装置は既に上部にシード層が形成された基板を補修モジュールに移行する。補修モジュール内に基板が一旦入れられると、基板は１回以上の雰囲気処理を受ける。かかる処理として紫外線光への露出、酸素への露出、オゾンへの露出、周辺大気ガスへの露出、真空への露出またはそれらの組み合わせを挙げることができる。
【００２４】
これら処理を利用することにより、シード層から汚染物が放出され、例えばガスとして流出されるか、または酸化物を形成する。シード層の最上部分で酸化物の制御された公称成長が得られる。この公称成長によって、脆弱で薄いシード層と空気中の環境汚染物との間の有効なバリアが得られる。ＥＣＤメッキ浴内に導入すると、酸化層およびその内部に含まれている汚染物が溶解し、メッキのためのクリーンな汚染物および異常点のないシード層表面が残る。よって本発明は、より親和性の高いシード層を提供し、ＥＣＤメッキプロセスの有効性を増す。
【００２５】
本発明は、ＥＣＤ装置内の処理前にシード層表面が大気環境に最も短期間露出した場合でも、ほとんどというほどではないが多くのシード層の汚染の問題が生じると認識している。本発明は更に現在のプロセスは重大なレベルのシード層の露出または取り扱いを行わざるをえないようになっていると認識してる。
【００２６】
本発明はシード層表面から汚染物および汚染物に起因する異常点を非破壊的に補修するシステムを提供するものである。ＥＣＤメッキの非順応的性質はマイナーな異常点からも主要な問題が生じると本発明は認識している。汚染によって生じた比較的マイナーなピットおよび突起は、シード層上の重要な領域を疎水性（すなわち完全で、かつ一貫した耐湿潤性）にし、その結果、銅メッキ内に欠陥（例えば空隙）を生じさせ得る。
【００２７】
このような現象を最小にするか、または解消し、可能な場合にはシード層表面の湿潤特性を改善（すなわちより親水性にする）ことが望ましいと本発明は認識している。更に、ＥＣＤプロセスが毛細管充填現象に依存している場合、このことは特に重要であると本発明は認識している。
【００２８】
例えばシード層表面のエッチングまたはその他の剥離により、かかる異常点を除去できたとしても、かかる方法の結果、既に脆弱で狭くなっているシード層が、望ましくないことに薄くなったり除かれたりすることについても、本発明は認識している。従って、最大可能な程度までシード層を保存するか、または理想的にはシード層を強化しながら汚染物を除く補修システムを提供することが望ましい。
【００２９】
本発明は１つ以上の雰囲気試剤を利用する補修モジュールを提供するものである。シード層の最上部分に公称酸化膜若しくは層（nominal oxidation layer）を形成するのに本発明を利用できる。この公称酸化膜は多数の目的を果たす。シード層上に存在する汚染物は大気エージェントに曝され、シード層から汚染物を吸収する。これら汚染物はシード層から移動または放出され、ガス化合物として流出するか、または表面酸化膜若しくは層となる。
【００３０】
酸化プロセスはシード層の外側表面上の汚染物を捕捉し、ＥＣＤメッキ浴に導入した際にこれら汚染物を溶解させることができる。しかしながら、メッキ浴に導入する前に酸化膜若しくは層は他の汚染物の侵入を禁止する保護バリアとして働く。本発明による補修の後に半導体ウェーハは追加汚染の問題を生じることなく、ある程度の予備的ＥＣＤ取り扱いおよび処理を受け得る。しかしながら、ＥＣＤの直前に本発明による補修を行い、酸化を最大可能な程度まで最小にすることが最適である。
【００３１】
酸化プロセス中、シード層自身の一部も酸化されると本発明は認識している。当然ながらこのことは、ほとんどのシード層が比較的薄くかつ脆弱であるという性質に起因する問題である。しかしながらメッキのための平滑で汚染物のない表面を設けるために、シード層の妥当な程度に小さい外側部分を犠牲にすることは、ほとんどのケースで適当な妥協であると本発明は更に認識している。本発明のシステムは酸化プロセスの長さ、付随する環境条件を制御し、犠牲にするシード層の量を最小にしている。
【００３２】
次に図２を参照すると、ここには本発明に係わる補修システム２００の一実施例が示されている。システム２００は補修モジュール２０２を含む。モジュール２０２はスタンダードアローン処理装置でもよいし、これとは異なり、他の処理装置に連動するか、または一体化された部品でもよい。モジュール２０２はハウジング２０４を備える。ハウジング２０４はチャンバを構成し、この内部に半導体ウェーハが収納され、本発明に係わる処理が実行される。実施例によってはハウジング２０４をシールしてもよいし、または本発明に従って実行するように他の方法で適当に補強してもよい。未処理の半導体ウェーハ２０６を移送システム（図示せず）がハウジング２０４内に移動させる。この移送システムはロボットハンドリングシステムまたは他の適当な自動化されたアセンブリ、もしくは本発明に従って作動するマニュアルプロセスを含むことができる。ウェーハ２０６は半導体基板を備え、この半導体基板には既にシード層がデポジットされているが、このシード層ではＥＣＤまたは他のメッキプロセスはまだ実行されていない。
【００３３】
ハウジング２０４内で基板２０６は処理媒体２０８に露出される。実施例によってはモジュール２０２はウェーハ２０６または媒体２０８が紫外線（すなわち紫外光）を受けるようにハウジング２０４上、またはハウジング２０４内に配置された紫外光源２１０を含むことができる。紫外線の適当な任意のソース（例えば紫外線ランプ）を利用することができる。
【００３４】
一部の実施例では、モジュール２０２は２０４内に配置されるか、またはその内部に設けられた媒体供給システム２１２も含むことができる。実施例および使用する特定の媒体２０８によっては、供給システム２１２は、例えば補修ガス入口またはオゾン発生器を含むことができる。モジュール２０２は媒体コンディショニングシステム２１４も更に含むことができ、このシステムもハウジング２０４内に配置されるかまたはその内部に設けられる。媒体２０８に対する望ましい圧力の変更を行うのに、システム２１４を利用してもよいし、またはフィルタもしくはリフレッシュ媒体２０８を周期的に使用してもよい。例えば所定の実施例では、システム２１４はハウジング２０４内を部分的または完全な真空状態にするのに適した真空ポンプまたはその他の類似のシステムを含むことができる。別の一部の実施例では、例えばシステム２１４は媒体２０８を、あるフィルタシステムに引き寄せ、これをフィルタシステムから戻すようになっている通気システムを含むことができる。特定の実施例によっては、供給システム２１２はコンディショニングシステム２１４内にあってもよいし、またはその一体的部分でもよい。
【００３５】
システム２００の一実施例では、モジュール２０２は紫外光源２１０を含む。モジュール２０２は更にハウジング２０４を部分的に真空にする（すなわち大気圧を下げる）ようになっているコンディショニングシステム２１４を備える。媒体２０８は周辺空気を含み、この周辺空気はモジュール２０２に導入する前にフィルタリング（濾過）を受けてもよいし受けなくてもよい。
【００３６】
ウェーハ２０６の上部表面に沿って（すなわちシード層の上部表面に沿って）存在する軽い有機汚染物はソース２１０からの紫外線を受ける。この紫外線は汚染物によって形成された化学的結合を破壊する。媒体２０８の組成によっては紫外線はハウジング２０４内の環境からオゾンを形成し始めてもよい。
【００３７】
このプロセスが進むにつれ、汚染物はシード層の上部表面からの放出を開始する。汚染物の特定の物理学的性質によっては、汚染物はガス２１６として完全に放出されるか、または酸化物を形成し始める。酸化およびオゾン化の速度および程度は媒体２０８内に存在する酸素量に応じて決まる。所定の汚染物を酸化する他に、表面に最も近いシード層の小さい部分も酸化を開始し得る。システム２００はシード層からの銅の酸化の程度を制御するようになっている。この酸化およびオゾン化はソース２１０から放出される紫外線の量を増減することによって制御できる。更にこの酸化およびオゾン化はコンディショニングシステム２１４を使って部分真空を増減し、オプションとして、酸素供給システム２１２を介して酸素を導入することによっても制御できる。汚染物がガスとして放出されるにつれ、媒体２０８の組成が変わる。コンディショニングシステム２１４およびオプションとして供給システム２１２を使用することによって、置換物をフィルタリングするためにハウジング２０４との間で周期的または連続的に媒体２０８を循環してもよい。
【００３８】
別の実施例ではハウジング２０４内を完全な真空にするか、または完全な真空状態を維持するのにシステム２１４を利用する。処理媒体２０８は導入せず、オゾン化も促進しない。ウェーハ２０６に紫外線を照射するだけである。紫外線はシード層内に存在する汚染物からの反応を引き起こす。かかる汚染物はガスとして放出される程度まで、コンディショニングシステム２１４は真空を維持しながらハウジング２０４から汚染物を除く。以下説明するように、本発明に従い、補修の別の段階で表面に残っている汚染物を処理してもよいし、また別の手段（例えばエッチングまたは研磨）によって除去してもよい。
【００３９】
別の実施例では、媒体２０８は酸素に富んだガス（例えば純粋酸素またはほとんど純粋な酸素）を含む。ハウジング２０４に純粋酸素を再び導入するのに、供給装置２１２を使用してよい。媒体２０８の所望する組成および条件を維持するコンディショニングシステム２１４を利用する。例えばシステム２１４は媒体２０８内に存在する酸素のレベルを測定するための評価システムを含むことができる。この測定プロセスに応じ、システム２１４は媒体２０８がハウジング２０４の内外に循環する速度をダイナミックに調節できる。汚染物の放出、オゾン化および酸化の速度は再び紫外線およびハウジング２０４内に存在する酸素の濃度を増減することによって制御できる。別の実施例では、酸化およびオゾン化の速度を加速するように、ハウジング２０４上または内部に別の環境ストレッサー（例えば熱源）を配置してよい。
【００４０】
別の実施例では、媒体２０８のオゾン化が主に紫外線ソース２１０によって開始される反応に依存しなしように、オゾン発生器またはオゾン発生器からの入口を含むことができる。媒体２０８のためにハウジング２０４内に供給装置２１２を介してオゾンが直接供給される。上記のようにコンディショニングシステム２１４と供給装置２１２の組み合わせた作動を通して再び媒体２０８の正しい組成をモニタし、ダイナミックに調節できる。
【００４１】
本発明によれば、上記実施例の各々を単独で利用してもよいし、互いに組み合わせて利用してもよい。システム２００は異なるロットの材料に対して異なる実施例に従って異なるプロセスを実行するように設計できる。システム２００はすべての望ましい実施例を実行するようになっている単一ハウジングまたは各々が単一の実施例を実行するようにいくつかの異なるハウジングを含むことができる。所望する実際の処理特性に応じ、異なる順序または進行で異なる実施例を実行してもよい。本発明はかかるすべての組み合わせおよび変形例を含むものである。
【００４２】
ハウジング２０４内での処理が完了した後に、移送システムは次に処理されたウェーハ２０６をハウジング２０４から取り出すように移動させる。ほとんどのケースでは、ウェーハ２０６はシード層の最も外側の部分に酸化物の層若しくは薄膜を含む。ウェーハ２０６は更に処理するために、移送または取り扱うことができる。酸化物の層を形成することなく、酸化物を除去する場合、ウェーハ２０６は直接ＥＣＤメッキ浴またはその他の適当なメッキ機構に移送される。
【００４３】
従って、本発明によれば、基板は紫外光大気処理システムに露出される。紫外光処理は不純物および汚染物を破壊し、最適な場合には広範な酸化をすることなく、容易に焼却できる酸化物を形成する。汚染物に基づく異常点およびこれから生じる歩留まりの損失および信頼性の問題を実質的に除くことができる。本発明はシード層の清浄度および表面の完全性を最適にするので、シード層をより親水性にし、シード層とＥＣＤ膜との間の境界を最適にする。この結果、現在の方法およびシステムと比較した場合に、ＥＣＤメッキプロセスの有効性および歩留まりが高まる。
【００４４】
本明細書に記載した上記実施例および例は、本発明およびその実際の応用例を最良に説明し、当業者が発明を製造し、利用できるように記載したものである。しかしながら、当業者であれば、上記説明および例は単に解説および例として述べたものであることが理解できよう。記載した説明はすべてについて述べたものではなく、または発明を開示したままの形態に限定するものではない。上記内容を検討すれば、特許請求の範囲および要旨から逸脱することなく、多くの変形および変更が可能である。
【００４５】
以上の説明に関して更に以下の項を開示する。
（１）  半導体ウェーハを収納するようになっているハウジングと、
前記ハウジング内に配置された紫外線ソースと、
前記ハウジング内に収容された処理媒体とを備えた半導体処理モジュール。
（２）  前記紫外線ソースが紫外線ランプを含む、上記第１項記載のモジュール。
（３）  前記処理媒体が周辺空気を含む、上記第１項記載のモジュール。
（４）  前記処理媒体が酸素を含む、上記第１項記載のモジュール。
（５）  前記処理媒体がオゾンを含む、上記第１項記載のモジュール。
（６）  前記ハウジング内に配置された媒体供給システムを更に含む、上記第１項記載のモジュール。
（７）  前記媒体供給システムがガスの入口を含む、上記第６項記載のモジュール。
（８）前記媒体供給システムがオゾン発生器を含む、上記第６項記載のモジュール。
（９）前記ハウジング内に配置された媒体コンディショニングシステムを更に含む、上記第１項記載のモジュール。
（１０）  前記媒体コンディショニングシステム内に配置された媒体供給システムを更に含む、上記第９項記載のモジュール。
（１１）  前記媒体コンディショニングシステムがハウジング内を部分的に真空にするようになっている、上記第９項記載のモジュール。
（１２）  前記処理媒体が媒体コンディショニングシステムによって誘導される真空である、上記第９項記載のモジュール。
（１３）前記媒体コンディショニングシステムがフィルタシステムを含む、上記第９項記載のモジュール。
【００４６】
（１４）  半導体基板を収納するようになっているハウジングを設ける工程と、
前記ハウジング内に紫外線ソースを設ける工程と、
前記ハウジング内に処理媒体を供給する工程と、
前記ハウジング内に半導体基板を収納する工程と、
前記半導体基板を処理媒体に露出させる工程と、
前記紫外線ソースを使って前記半導体基板を紫外線に露出させる工程とを備えた、半導体基板から汚染物を除去する方法。
（１５）  紫外線ソースを設ける前記工程が紫外線ランプを設けることを更に含む、上記第１４項記載の方法。
（１６）  処理媒体を供給する前記工程が、周辺空気を供給することを更に含む、上記第１４項記載の方法。
（１７）  処理媒体を供給する前記工程が、部分真空内に周辺空気を供給することを更に含む、上記第１６項記載の方法。
（１８）  処理媒体を供給する前記工程が、真空状態にすることを更に含む、上記第１４項記載の方法。
（１９）  処理媒体を供給する前記工程が、ほとんど酸素を含む処理媒体を供給することを更に含む、上記第１４項記載の方法。
（２０）  処理媒体を供給する前記工程が、部分真空内にほとんど酸素を含む処理媒体を設けることを更に含む、上記第１９項記載の方法。
（２１）  処理媒体を供給する前記工程が、オゾンを含む処理媒体を設けることを更に含む、上記第１４項記載の方法。
（２２）  オゾンを含む処理媒体を供給する前記工程が、ハウジング内にオゾンを供給するためのオゾン発生器を設けることを更に含む、上記第２１項記載の方法。
（２３）  処理媒体を供給する前記工程が、部分真空内にオゾンを含む処理媒体を設けることを更に含む、上記第２１項記載の方法。
（２４）  前記基板の表面において酸化物の層を成長させる工程を更に含む、上記第１４項記載の方法。
（２５）  酸化物の層を成長させる前記工程が、紫外線露出の時間および強度を調節することによって、酸化物の成長を制御することを更に含む、上記第２４項記載の方法。
（２６）  酸化物の層を成長させる前記工程が、処理媒体の組成を調節することにより、酸化物の成長を制御することを更に含む、上記第２４項記載の方法。
【００４７】
（２７）  半導体ウェーハの上部表面にデポジットされた銅シード層から有機汚染物を除去するためのシステムにおいて、
前記半導体ウェーハを受け、これを収納するようになっているハウジングと、
前記ハウジング内に配置されており、前記半導体ウェーハを紫外線に露出させるための紫外線ソースと、
前記半導体ウェーハのための処理媒体としてオゾンを前記ハウジング内に供給するようになっているオゾン発生器と、
前記ハウジング内に配置されており、オゾンから汚染物をフィルタリングするようになっているコンディショニングシステムとを備えた、有機汚染物を除去するためのシステム。
【００４８】
（２８）  本発明は半導体基板（２０６）にデポジットされた銅シード層から有機汚染物（２１６）を除去するためのシステムを提供するものである。本発明は内部に半導体基板を収納するためのハウジング（２０８）を設ける。このハウジング内には紫外線ソース（２１０）が配置され、このハウジング内には処理媒体（２０８）も収容される。このハウジングには半導体基板が収納され、この基板は処理媒体に露出される。紫外線ソースは半導体基板を紫外線に露出させ、シード層から汚染物を放出する。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】従来のシード層取り扱いシステムの図である。
【図２】本発明に係わるシード層補修システムの一実施例の図である。
【符号の説明】
【００５０】
２００  補修システム
２０２  補修モジュール
２０４  ハウジング
２０６  半導体ウェーハ
２０８  処理媒体
２１０  紫外線ソース
２１２  媒体供給システム
２１４  媒体コンディショニングシステム
【図１】
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【図２】
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