(57)【要約】【課題】半導体基板表面と平行な方向に対して精度よくイオン注入を行なう。【解決手段】半導体基板上に隆起する半導体層の側壁にイオン注入する方法であって、イオンを一方向に加速する電界を印加し、前記一方向に対して一定の角度で交差する面に平行に磁界を印加し、それによって側壁に対するイオン注入方向を制御することを特徴とするイオン注入法。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に隆起する半導体層の側壁にイオン注入する方法であって、イオンを一方向に加速する電界を印加し、前記一方向に対して一定の角度で交差する面に平行に磁界を印加し、それによって側壁に対するイオン注入方向を制御することを特徴とするイオン注入法。
【請求項２】
前記磁界は、前記電界の印加方向に対して一定の角度で交差する面に平行に印加方向が回転する回転磁界からなり、前記イオンが、前記電界の印加方向に沿って螺旋運動する請求項１に記載のイオン注入法。
【請求項３】
前記電界が、前記半導体基板の表面に垂直方向に印加され、前記磁界が、前記半導体基板の表面に平行に印加される請求項１に記載のイオン注入法。
【請求項４】
隆起する半導体層が、複数の柱状突起からなり、前記磁界は、隣接する柱状突起の間隔より大きい直径でイオンが螺旋運動するように印加される請求項２に記載のイオン注入法。
【請求項５】
半導体基板上に隆起する半導体層上に注入イオン雰囲気を形成した後、半導体基板の表面に対して一定の角度で交差する面に平行に電界を印加し、それによって加速されたイオンを側壁に注入することを特徴とするイオン注入法。
【請求項６】
前記電界が、前記半導体基板の表面に平行な方向にかつ回転させて印加される請求項５に記載のイオン注入法。
【請求項７】
隆起する半導体層が、複数の柱状突起からなる請求項５に記載のイオン注入法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体基板へのイオン注入方法に関し、より詳細には、半導体基板上に隆起する半導体層の側壁にイオンを注入する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
いわゆるプレーナー技術を用いた大規模半導体集積回路の製造においては、半導体基板の表面に微細な半導体素子の集団を平面的に形成、配置する。このために、通常イオン注入技術を用いてＮ型若しくはＰ型の導電領域となる拡散層を形成し、半導体素子を形成する。
イオン注入法は、ドープする不純物をイオン化し、電界により加速して半導体結晶中に打ち込む方法である。打ち込まれたイオンは、半導体結晶中の半導体原子および電子と衝突散乱しながらエネルギーを失い、結晶中をある距離進んだ後に止まる。マスク開口部に選択的に拡散層を形成するために、半導体基板表面の法線方向から打ち込まれたイオンは、半導体基板の深さ方向にある分布をもって広がる。また、打ち込まれたイオンは半導体基板横方向にもある分布をもって広がる。図９（ａ）はＰ型半導体基板１０に形成したレジスト５０に開口部を設け、イオン注入法により例えば燐イオンのビーム７０を注入してＮ型の拡散層２０を形成した半導体基板の断面図である。図９（ｂ）は、図９（ａ）のＡ−Ａ’断面の不純物濃度（注入された燐イオン濃度）の分布を示す特性図である。図９（ｂ）に示すように、不純物濃度は半導体基板表面付近で高く、半導体基板の深さ方向に向かって低く分布する。この注入された不純物の濃度の高い領域がＮ型の拡散層領域であり、この領域の界面より深い領域には、半導体基板自身が有する不純物が一様な濃度で分布する。
【０００３】
イオン注入では、横方向への不純物の分布を広げたり、チャネルリングを防止したりする為に、半導体基板法線方向からある角度θをもたせてイオン注入を行うことがある。いわゆる斜めイオン注入である。図１０（ａ）は、Ｐ型半導体基板１０に形成したレジスト５０に開口部を設け、半導体基板表面の法線方向に対して角度θの方向から例えば燐イオンのビーム７０を注入してＮ型の拡散層２０を形成した半導体基板の断面図である。図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＢ−Ｂ’面の不純物濃度（注入された燐イオン濃度）の分布を示す特性図である。不純物濃度は、Ｂ−Ｂ’面の深さ方向に対して図９（ｂ）と同様の分布を持つ。斜めイオン注入技術を用いれば、半導体基板表面に対して垂直な方向だけでなく、平行な方向にもイオン注入を行うことができる。図１１は、Ｐ型半導体基板１０に形成したレジスト５０に開口部を設け、開口部の半導体基板表面と開口部に加工形成された段差の側面にＮ型の拡散層２０を形成した半導体基板の断面図である。半導体基板表面の法線方向に対して角度θの方向から、例えば燐イオンのビーム７０を注入し、これによって段差の側面にも拡散層２０を形成することができる。例えば、斜めイオン注入法を用いて、ゲートオーバーラップＬＤＤ構造のＮ型ＭＯＳトランジスタを形成し、ソース側のオーラ−ラップを最小限に抑えることにより微細化を実現するものもある（例えば、特許文献１参照）。また、斜めイオン注入法を用いてトレンチ側壁への不純物導入を行ない、精度の高い素子分離を自己整合的に形成しているものもある（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
しかし、上記のような斜めイオン注入では、半導体基板表面に対して垂直方向の特定箇所のみにイオン注入を行うことは難しい。これは、半導体基板上にトランジスタ等の回路素子を平面的に形成するいわゆるいわゆるプレーナー技術で用いるフォトリソグラフィーでは、半導体基板表面に対して垂直方向のみにマスク開口部を設けることが難しいからである。
【０００５】
しかし近年、加工寸法の微細化や回路素子の高密度集積化への必要性が高まっている。例えば、フラッシュＥＥＰＲＯＭに代表される不揮発性メモリは、大容量で小型の情報記録媒体としてコンピュータ、通信、計測機器、自動制御装置及び個人用生活機器等の広い分野で用いられるようになってきている。安価で大容量の不揮発性メモリに対する需要は非常に大きい。しかし、このようなメモリセルのサイズは、フォトリソグラフィー技術の解像限界である最小加工寸法（Ｆｅａｔｕｒｅ  Ｓｉｚｅ）に律則される。そこで、フォトリソグラフィー技術の改善に依存することなく、高い集積度を達成するための技術の１つとして、メモリセルの三次元化技術の開発が行われている。メモリセルの三次元化の技術では、メモリセルを半導体基板表面に対して垂直方向に配置し、メモリセル数を増加させることによって高い集積度を実現する。
【０００６】
【特許文献１】
特開平０５−１１４６０８号公報
【特許文献２】
特開２０００−１８３１５４号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
メモリセルの三次元化技術を用いて、メモリセルを構成するトランジスタ等の回路素子を垂直方向に配置、積層するためには、半導体基板の側面、すなわち半導体基板表面と平行な方向に対してイオン注入を高精度に制御できる方法が望まれている。
【０００８】
この発明は、このような事情を考慮してなされたもので、半導体基板表面と平行な方向に対して高精度な制御が可能なイオン注入技術を提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この発明は、半導体基板上に隆起する半導体層の側壁にイオン注入する方法であって、イオンを一方向に加速する電界を印加し、前記一方向に対して一定の角度で交差する面に平行に磁界を印加し、それによって側壁に対するイオン注入方向を制御することを特徴とするイオン注入法を提供するものである。
ここで、イオンを一方向に加速するとは、イオンを半導体基板表面に向けた電界の中に置き、イオンに働くクーロン力によってイオンを加速することをいう。打ち出されたイオンが一定の角度で交差する面に平行な磁界Ｂの中を通過すると、イオンにローレンツ力が働き、打ち出し方向に対して横方向の運動エネルギーを持つ。その結果、イオンは曲線軌道を描き、隆起する半導体層の側壁に注入される。
この発明によれば、電界を印加して一方向に加速したイオンに、前記一方向に対して一定の角度で交差する面に平行に磁界を印加するので、半導体基板の側壁に対するイオン注入方向を高精度に制御することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
この発明は、半導体基板上に隆起する半導体層の側壁にイオン注入する方法に関する。
この発明に係る半導体基板の材質は、例えばシリコン等、一般に知られたものでよい。この半導体基板の表面上に、メモリセルの三次元化技術として一般に知られた方法で段差を形成する。
イオン注入に用いる装置は、例えば半導体製造に用いられる公知のイオン注入装置が適用できる。これらのイオン注入装置は、前記のように電解中にイオンを置いてイオンを加速し、これによってイオンビームを生成して打ち出すものが知られている。この発明の１つの実施態様においては、打ち出すイオンの方向が半導体基板の表面に対して一定の傾斜角度を有するように構成される。あるいは、この発明の別の実施態様においては、打ち出すイオンの方向は、従来の半導体製造方法と同様に半導体基板の表面に対して垂直である。
【００１１】
この発明のイオン注入法は、半導体層の側壁にイオン注入するに際して、イオンを一方向に加速する電界を印加し、前記一方向に対して一定の角度で交差する面に平行に磁界を印加することを特徴とするが、磁界は、前記電界の印加方向に対して一定の角度で交差する面に平行に印加方向が回転する回転磁界からなり、前記イオンが、前記電界の印加方向に沿って螺旋運動するようにしてもよい。こうすれば、イオンが電界の印加方向に沿って螺旋運動しながら注入されるので、段差の側壁の一方向だけでなくすべての方向にイオンを注入することができる。また、電界が前記半導体基板の表面に垂直方向に印加され、磁界が前記半導体基板の表面と平行に印加されるようにしてもよい。
【００１２】
また、隆起する半導体層が、複数の柱状突起からなり、磁界は、隣接する柱状突起の間隔より大きい直径でイオンが螺旋運動するように印加されてもよい。こうすれば、柱状突起の間隔より大きい直径でイオンが螺旋運動するので、イオンが段差の側壁に注入される確率が高くなり、より効率的に段差の側壁にイオンを注入することが可能になる。
【００１３】
あるいは、この発明のイオン注入法は、半導体基板上に隆起する半導体層上に注入イオン雰囲気を形成した後、表面に対して一定の角度で交差する面に平行に電界を印加することで、加速されたイオンを側壁に注入することを特徴とする。こうすることによって、注入イオン雰囲気を形成した後、イオンを電界によって加速して側壁に注入するので、側壁に対するイオン注入を高精度に制御することができる。
【００１４】
前記電界が、半導体基板の表面に平行でかつ回転させて印加されてもよい。こうすれば、イオンが電界の印加によって渦巻き運動しながら注入されるので、段差の側壁の一方向だけでなくすべての方向にイオンを注入することができる。
また、隆起する半導体層が、複数の柱状突起からなっていてもよい。
【００１５】
以下、図面に示す実施形態に基づいてこの発明を詳述する。なお、この発明は、これによって限定されるのもではない。
（実施の形態１）
図１（ａ）は、この発明によるイオン注入方法の一つの実施形態を示す半導体基板の断面図である。図１（ｂ）は、同じイオン注入方法を、イオン打ち出し方向から見た平面図である。
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、Ｐ型シリコン半導体基板１０は、その表面上に半導体層１１を有する。基板１０の表面に対して垂直な方向に、基板表面に向けて打ち出されたイオンビーム７０は、同方向に印加された電界Ｅによって加速され、基板１０に到達する。この間に、基板１０の表面に対して平行な方向に印加された磁界Ｂの中を通過するのでイオンビーム７０にローレンツ力が働き、シリコン基板表面と平行な方向に運動エネルギーを持つようになる。その結果、イオンビーム７０は曲線軌道を描きながら基板１０に到達し、基板１０の表面上に形成された半導体層１１の側壁、すなわち段差の側壁にイオンが打ち込まれる。これによって、段差の側壁にＮ型拡散層２０が形成される。
【００１６】
好ましい実施態様では、注入イオンは燐イオンであり、注入するイオンのドーズ量、即ち単位面積あたりのイオン個数は１×１０１０ｃｍ−２〜１×１０１６ｃｍ−２、電界Ｅの印加によってイオンが持つ運動エネルギーは１ｋｅＶ〜５ＭｅＶ、印加する磁界Ｂの磁束密度は１ｕＴ〜１００Ｔである。しかし、各値はその範囲に限定されない。
【００１７】
なお、この実施の形態ではＰ型半導体基板にＮ型拡散層を形成する場合について説明したが、これに限定されず、例えばＮ型半導体基板にＰ型拡散層を形成する場合にも同様に適用できることはいうまでもない。注入されるイオン種についても、例えばシリコンにＮ型拡散層を形成する為には、燐のほかにも砒素などが使用できる。また、シリコンにＰ型拡散層を形成する為には、硼素等が使用できる。所望の拡散層が得られるならば、その種類については特に限定されない。また、半導体基板の材質はシリコンに限らず、例えばゲルマニウム、ガリウム砒素、インジウム燐等の半導体であってもよい。
【００１８】
段差の側壁にイオンを注入する際には、基板１０の表面あるいは表面と平行な面にはイオンが衝突しないことが望ましい。基板１０の表面と平行な面へのイオン注入を阻止したい場合は、その表面に例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のハードマスクを形成し、これによってイオン注入を防いでもよい。しかし、基板１０の表面と平行な面にイオンが衝突しても弊害のない場合もあり、そのような場合は前記のような対策を実施する必要はない。
上記のように、印加する磁界Ｂは、基板１０の表面に対して平行であることが望ましいが、段差の側壁に対してイオン注入が可能である限りは、必ずしも平行である必要はない。また、図は注入イオンがプラスイオンの場合を示しているが、マイナスイオンについても磁界Ｂの方向を反転すれば同様の適用が可能である。
【００１９】
（実施の形態２）
この実施形態では、基板１０の表面に対して平行な方向に印加する磁界Ｂを基板表面と平行な面内で回転させる。これによって、イオンビームは基板表面に対して、螺旋を描きながらシリコン基板表面に到達する。図２（ａ）は、この実施の形態を示す半導体基板の断面図である。図２（ｂ）は、同じイオン注入方法を、イオン打ち出し方向から見た平面図である。
図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、Ｐ型シリコン半導体基板１０に対して垂直な方向に、基板表面に向けて打ち出されたイオンビーム７０は、同方向に印加された電界Ｅによって加速され、基板１０に到達する。この間に、基板１０の表面に対して平行な方向に印加された回転磁界Ｂの中を通過するのでイオンビーム７０にローレンツ力が働き、シリコン基板表面と平行な方向の運動エネルギーを持つようになる。その結果、イオンビーム７０は、螺旋を描きながらシリコン基板１０の表面に到達し、基板１０の表面上に形成された半導体層１１の側壁、すなわち段差の側壁にイオンが打ち込まれる。これによって、段差の側壁にＮ型拡散層２０が形成される。
【００２０】
好ましい実施態様では、注入イオンは燐イオンあるいは砒素イオンであり、注入するイオンのドーズ量は１×１０１０ｃｍ−２〜１×１０１６ｃｍ−２、電界Ｅの印加によってイオンが持つ運動エネルギーは１ｋｅＶ〜５ＭｅＶ、印加する磁界Ｂの磁束密度は１ｕＴ〜１００Ｔ、磁界Ｂの回転速度は１分間当り１〜１０００回転である。しかし、各値はその範囲に限定されない。
【００２１】
なお、この実施の形態ではＰ型半導体基板にＮ型拡散層を形成する場合について説明したが、これに限定されず、例えばＮ型半導体基板にＰ型拡散層を形成する場合にも同様に適用できることはいうまでもない。注入されるイオン種についても、例えばシリコンにＮ型拡散層を形成する為には、燐のほかにも砒素などが使用できる。また、シリコンにＰ型拡散層を形成する為には、硼素等が使用できる。所望の拡散層が得られるならば、その種類については特に限定されない。また、半導体基板の材質はシリコンに限らず、例えばゲルマニウム、ガリウム砒素、インジウム燐等の半導体であってもよい。
【００２２】
段差の側壁にイオンを注入する際には、基板１０の表面あるいは表面と平行な面にはイオンが衝突しないことが望ましい。基板１０の表面と平行な面へのイオン注入を阻止したい場合は、その表面に例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のハードマスクを形成し、これによってイオン注入を防いでもよい。しかし、基板１０の表面と平行な面にイオンが衝突しても弊害のない場合もあり、そのような場合は前記のような対策を実施する必要はない。
上記のように、印加する磁界Ｂは、基板１０の表面に対して平行であることが好ましいが、段差の側壁に対してイオン注入が可能である限りは平行な面に限定されない。
【００２３】
また、この実施の形態では、基板１０の表面に対して平行な方向に印加した磁界Ｂを回転させたが、磁界Ｂを回転させるのではなく、基板１０を回転させてもよい。また、その回転方向は左右どちらでも構わない。また、図は注入イオンがプラスイオンの場合を示しているが、マイナスイオンについても適用が可能である。
【００２４】
（実施の形態３）
図３（ａ）及び図３（ｂ）は、半導体装置がＰ型シリコン半導体基板１０の表面上の半導体層１１に複数の柱状突起が形成され、複数の段差を有する例を示している。図３（ａ）は、この実施の形態の半導体基板の断面図である。図３（ｂ）は、同じ半導体基板を、イオン打ち出し方向から見た平面図である。
この実施形態では、イオンビーム７０が隣接する柱状突起の間隔ｄより大きい直径Ｄで螺旋運動するように磁界Ｂを印加する。このようにｄ＜Ｄの関係が成り立つように磁界Ｂを制御すれば、基板１０の表面に到達したイオンビーム７０が、半導体層１１の柱状突起の側壁に注入される確率が高くなる。従って、柱状突起の側壁により効率的にイオンを注入することが可能となる。
【００２５】
半導体層１１の隣接する柱状突起の間隔ｄ及び螺旋運動の直径Ｄは、ともに１ｎｍ〜１０ｕｍ程度が好ましい。しかし、これらの値は上記の範囲に限定されるものではない。
また、図２（ｂ）及び図３（ｂ）にて、注入イオンの螺旋運動の直径Ｄは、基板１０に近づくにつれて、大きくなる平面図を示したが、前記直径Ｄは、例えば図７に示したように、基板１０に近づくにつれ小さくなっても構わないし、また、変化しなくてもよく、注入イオンが打ち出された後、シリコン基板へ到達するまでの直径Ｄの大きさの変化は、所望のイオン注入が可能な限りにおいては、特に限定しない。また、図は注入イオンがプラスイオンの場合を示しているが、マイナスイオンについても適用が可能である。
【００２６】
（実施の形態４）
図４（ａ）は、この発明によるイオン注入方法の別の実施形態を示す半導体基板の断面図である。図４（ａ）に示すように、Ｐ型シリコン半導体基板１０は、その表面上の半導体層１１に複数の柱状突起が形成されている。図４（ｂ）は、同じイオン半導体基板を半導体層１１を有する側の表面から見た平面図である。この実施の形態では、まず基板１０の表面に対して垂直な方向に、基板１０の表面付近にイオンが到達するように電界Ｅ１を印加し、イオンを輸送する。そして、基板１０の表面付近に注入イオン雰囲気７５を形成する。その後、基板１０の表面と平行な方向に、電界Ｅ２を印加する。これによって、注入イオン雰囲気７５中のイオンは、基板１０の表面と平行な方向に加速される。この結果、半導体層１１に形成された柱状突起の側壁にイオンが注入され、Ｎ型拡散層２０が形成される。
印加する電界は、まず基板１０の表面と平行な方向の電界Ｅ２をある一定時間ｔ１の間だけ印加した後に一旦印加を止め、次に基板１０の表面に垂直な方向の電界Ｅ１を印加してイオンを基板１０の表面付近に輸送するようにしてもよい。あるいは、電界Ｅ２を印加した状態で、電界Ｅ１を印加し、イオンをシリコン基板表面付近に輸送しても構わない。
【００２７】
好ましい実施態様では、注入イオンは燐イオンであり、注入するイオンのドーズ量、即ち単位面積あたりのイオン個数は１×１０１０ｃｍ−２〜１×１０１８ｃｍ−２、基板の表面付近にイオンを輸送するために印加する電界Ｅ１によって、イオンが持つ運動エネルギーは１ｅＶ〜５ｋｅＶ、基板１０の表面と平行な方向に印加する電界Ｅ２は１ｋＶ〜１０ＭＶである。しかし、各値はその範囲に限定されない。
【００２８】
なお、この実施の形態ではＰ型半導体基板にＮ型拡散層を形成する場合について説明したが、これに限定されず、例えばＮ型半導体基板にＰ型拡散層を形成する場合にも同様に適用できることはいうまでもない。注入されるイオン種についても、例えばシリコンにＮ型拡散層を形成する為には、燐のほかにも砒素などが使用できる。また、シリコンにＰ型拡散層を形成する為には、硼素等が使用できる。所望の拡散層が得られるならば、その種類については特に限定されない。また、半導体基板の材質はシリコンに限らず、例えばゲルマニウム、ガリウム砒素、インジウム燐等の半導体であってもよい。
上記のように、印加する電界Ｅ２は、基板１０の表面に対して平行であることが望ましいが、段差の側壁に対してイオン注入が可能である限りは、必ずしも平行である必要はない。
【００２９】
（実施の形態５）
この実施形態では、Ｐ型シリコン半導体基板１０の表面に対して平行な方向に印加する電界Ｅ２を基板表面と平行な面内で回転させる。これによって、イオンは基板表面に対して、渦巻きを描きながら半導体層１１に形成された柱状突起の側壁に到達する。図５（ａ）は、この実施の形態を示す半導体基板の断面図である。図５（ｂ）は、同じ半導体基板を、半導体層１１が形成された側の表面から見た平面図である。
この実施の形態では、まず基板１０の表面に対して垂直な方向に、基板１０の表面付近にイオンが到達するように電界Ｅ１を印加し、イオンを輸送する。そして、基板１０の表面付近に注入イオン雰囲気７５を形成する。その後、基板１０の表面と平行な平面内に電界Ｅ２を回転させながら印加する。これによって、注入イオン雰囲気７５中のイオンは、基板１０の表面と平行な方向に加速される。この結果、半導体層１１に形成された柱状突起の側壁の全周方向にイオンが注入され、Ｎ型拡散層２０が形成される。
印加する電界は、まず基板１０の表面と平行な方向の電界Ｅ２をある一定時間ｔ１の間だけ印加した後に一旦印加を止め、次に基板１０の表面に垂直な方向の電界Ｅ１を印加してイオンを基板１０の表面付近に輸送するようにしてもよい。あるいは、電界Ｅ２を印加した状態で、電界Ｅ１を印加し、イオンをシリコン基板表面付近に輸送しても構わない。
【００３０】
好ましい実施態様では、注入イオンは燐イオンであり、注入するイオンのドーズ量、即ち単位面積あたりのイオン個数は１×１０１０ｃｍ−２〜１×１０１８ｃｍ−２、基板の表面付近にイオンを輸送するために印加する電界Ｅ１によって、イオンが持つ運動エネルギーは１ｅＶ〜５ｋｅＶ、基板１０の表面と平行な方向に印加する電界Ｅ２は１ｋＶ〜１０ＭＶ、電界Ｅ２の回転速度は１分間当り１〜１０００回転である。しかし、各値はその範囲に限定されない。
【００３１】
なお、この実施の形態ではＰ型半導体基板にＮ型拡散層を形成する場合について説明したが、これに限定されず、例えばＮ型半導体基板にＰ型拡散層を形成する場合にも同様に適用できることはいうまでもない。注入されるイオン種についても、例えばシリコンにＮ型拡散層を形成する為には、燐のほかにも砒素などが使用できる。また、シリコンにＰ型拡散層を形成する為には、硼素等が使用できる。所望の拡散層が得られるならば、その種類については特に限定されない。また、半導体基板の材質はシリコンに限らず、例えばゲルマニウム、ガリウム砒素、インジウム燐等の半導体であってもよい。
上記のように、印加する電界Ｅ２は、基板１０の表面に対して平行であることが望ましいが、段差の側壁に対してイオン注入が可能である限りは、必ずしも平行である必要はない。
【００３２】
また、この実施の形態では、基板１０の表面に対して平行な方向に印加した電界Ｅ２回転させたが、電界Ｅ２を回転させるのではなく、基板１０を回転させてもよい。また、その回転方向は左右どちらでも構わない。図６（ａ）は、この実施の形態を示す半導体基板の断面図である。図６（ｂ）は、同じ半導体基板を、半導体層１１が形成された方向から見た平面図である。
【００３３】
（実施の形態６）
この実施形態では、半導体基板の表面と平行な方向から、基板方向へ傾斜した角度をもってイオンビームを打ち出す。イオンビームを打ち出した所から半導体基板の表面に対して垂直な方向に磁界Ｂが印加されており、この磁界Ｂの中をイオンビームが通過することによって、イオンビームにローレンツ力が働き、螺旋状の軌道を描きながら基板の表面に到達する。図７（ａ）は、この実施の形態を示す半導体基板の断面図である。図７（ｂ）は、同じイオン注入方法を、半導体層１１を有する基板表面側から見た平面図である。
図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、Ｐ型シリコン半導体基板１０の表面に対して一定の傾斜角度αを持ってイオンビーム７１を打ち出す。イオンビーム７１の打ち出し位置から基板１０の表面に対して垂直な方向に磁界Ｂが印加されている。この磁界Ｂの中に打ち出されたイオンビーム７１は、磁界Ｂによってローレンツ力を受ける。イオンビーム７１に働くローレンツ力の方向は、基板１０の表面に並行でありイオンビーム７１の軌道に対して常に直角であるため、イオンビーム７１は螺旋状の軌道を描きながら基板１０の表面に到達し、基板１０の表面上に形成された半導体層１１の側壁、すなわち段差の側壁にイオンが打ち込まれる。これによって、段差の側壁にＮ型拡散層２０が形成される。
【００３４】
好ましい実施態様では、注入イオンは燐イオンあるいは砒素イオンであり、打ち出される時点でイオンが持つ運動エネルギーは１ｋｅＶ〜５ＭｅＶ、注入するイオンのドーズ量は１×１０１０ｃｍ−２〜１×１０１６ｃｍ−２、印加する磁界Ｂの磁束密度は１ｕＴ〜１００Ｔである。しかし、各値はその範囲に限定されない。
【００３５】
なお、この実施の形態ではＰ型半導体基板にＮ型拡散層を形成する場合について説明したが、これに限定されず、例えばＮ型半導体基板にＰ型拡散層を形成する場合にも同様に適用できることはいうまでもない。注入されるイオン種についても、例えばシリコンにＮ型拡散層を形成する為には、燐のほかにも砒素などが使用できる。また、シリコンにＰ型拡散層を形成する為には、硼素等が使用できる。所望の拡散層が得られるならば、その種類については特に限定されない。また、半導体基板の材質はシリコンに限らず、例えばゲルマニウム、ガリウム砒素、インジウム燐等の半導体であってもよい。
【００３６】
段差の側壁にイオンを注入する際には、基板１０の表面あるいは表面と平行な面にはイオンが衝突しないことが望ましい。基板１０の表面と平行な面へのイオン注入を阻止したい場合は、その表面に例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のハードマスクを形成し、これによってイオン注入を防いでもよい。しかし、基板１０の表面と平行な面にイオンが衝突しても弊害のない場合もあり、そのような場合は前記のような対策を実施する必要はない。
上記のように、印加する磁界Ｂは、基板１０の表面に対して垂直であることが好ましいが、段差の側壁に対してイオン注入が可能である限りは垂直な面に限定されない。また、図は注入イオンがプラスイオンの場合を示しているが、マイナスイオンについても適用が可能である。
【００３７】
（実施の形態７）
図８（ａ）及び図８（ｂ）は、半導体装置がＰ型シリコン半導体基板１０の表面上の半導体層１１に複数の柱状突起が形成され、複数の段差を有する例を示している。図８（ａ）は、この実施の形態の半導体基板の断面図である。図８（ｂ）は、同じ半導体基板を、イオン打ち出し方向から見た平面図である。
この実施形態では、イオンビーム７１が隣接する柱状突起の間隔ｄより大きい直径Ｄで螺旋運動するように磁界Ｂを印加する。このようにｄ＜Ｄの関係が成り立つように磁界Ｂを制御すれば、基板１０の表面に到達したイオンビーム７１が、半導体層１１の柱状突起の側壁に注入される確率が高くなる。従って、柱状突起の側壁により効率的にイオンを注入することが可能となる。
【００３８】
半導体層１１の隣接する柱状突起の間隔ｄ及び螺旋運動の直径Ｄは、ともに１ｎｍ〜１０ｕｍ程度が好ましい。しかし、これらの値は上記の範囲に限定されるものではない。
また、図７（ｂ）及び図８（ｂ）にて、注入イオンの螺旋運動の直径Ｄは、基板１０に近づくにつれて、大きくなる平面図を示したが、前記直径Ｄは、例えば図８に示したように、基板１０に近づくにつれ小さくなっても構わないし、また、変化しなくてもよく、注入イオンが打ち出された後、シリコン基板へ到達するまでの直径Ｄの大きさの変化は、所望のイオン注入が可能な限りにおいては、特に限定しない。また、図は注入イオンがプラスイオンの場合を示しているが、マイナスイオンについても適用が可能である。
【００３９】
【発明の効果】
この発明によれば、イオンを一方向に加速する電界を印加し、前記一方向に対して一定の角度で交差する面に平行に磁界を印加するので、半導体基板表面と平行な方向に対するイオン注入を高精度に制御することができる。
磁界は、電界の印加方向に対して一定の角度で交差する面に平行に印加方向が回転する回転磁界からなり、前記イオンが、前記電界の印加方向に沿って螺旋運動するようにしてもよい。こうすれば、イオンが電界の印加方向に沿って螺旋運動しながら注入されるので、段差の側壁の一方向だけでなくすべての方向にイオンを注入することができる。
【００４０】
また、磁界を、半導体基板上の隣接する柱状突起の間隔より大きい直径でイオンが螺旋運動するように印加すれば、柱状突起の間隔より大きい直径でイオンが螺旋運動するので、イオンが段差の側壁に注入される確率が高くなり、より効率的に段差の側壁にイオンを注入することが可能になる。
【００４１】
半導体基板上に隆起する半導体層上に注入イオン雰囲気を形成した後、表面に対して一定の角度で交差する面に平行に電界を印加すれば、注入イオン雰囲気を形成した後、イオンを電界によって加速して側壁に注入するので、側壁に対するイオン注入を高精度に制御することができる。
【００４２】
前記電界を、半導体基板の表面に平行でかつ回転させて印加すれば、イオンが電界の印加によって渦巻き運動しながら注入されるので、段差の側壁の一方向だけでなくすべての方向にイオンを注入することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１のイオン注入方法を示す説明図である。
【図２】この発明の実施の形態２のイオン注入方法を示す説明図である。
【図３】この発明の実施の形態３のイオン注入方法を示す説明図である。
【図４】この発明の実施の形態４のイオン注入方法を示す説明図である。
【図５】この発明の実施の形態５のイオン注入方法において磁界を回転させる場合の説明図である。
【図６】この発明の実施の形態５のイオン注入方法で基板を回転させる場合の説明図である。
【図７】この発明の実施の形態６のイオン注入方法を示す説明図である。
【図８】この発明の実施の形態７のイオン注入方法を示す説明図である。
【図９】従来のイオン注入法によって基板表面にＮ型拡散層形成する説明図である。
【図１０】従来の斜めイオン注入法によって基板表面にＮ型拡散層形成する説明図である。
【図１１】従来の斜めイオン注入法によって段差の側面にＮ型拡散層形成する説明図である。
【符号の説明】
１０  半導体基板
１１  半導体層
２０  Ｎ型拡散層
５０  レジスト
７０、７１  イオンビーム
７５  注入イオン雰囲気
Ｂ  磁界
Ｅ  イオン打ち出し方向（電界）
Ｅ１、Ｅ２  電界
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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