(57)【要約】【課題】  マスクの加工限界を超えた微細パターンを形成できるステンシルマスク及びその製造方法、半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】  本発明に係るステンシルマスク５の製造方法は、マスク基板１の一方の主面に、該マスク基板１の厚さの半分以上の深さを有するが貫通させない第１の開孔パターン１ａを形成する工程と、前記マスク基板１の他方の主面に、該マスク基板の厚さの半分以上の深さを有し且つ前記第１の開孔パターン１ａと一部が重なる第２の開孔パターン１ｂを形成する工程と、を具備するステンシルマスクの製造方法であって、第２の開孔パターン１ｂを形成する工程で、前記第１の開孔パターン１ａと前記第２の開孔パターン１ｂとが重なる部分の前記マスク基板を貫通させて微細な貫通パターン１ｃを形成するものである。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスク基板の一方の主面に、該マスク基板の厚さの半分以上の深さを有するが貫通させない第１の開孔パターンを形成する工程と、
前記マスク基板の他方の主面に、該マスク基板の厚さの半分以上の深さを有し且つ前記第１の開孔パターンと一部が重なる第２の開孔パターンを形成する工程と、
を具備するステンシルマスクの製造方法であって、
前記第２の開孔パターンを形成する工程で、前記第１の開孔パターンと前記第２の開孔パターンとが重なる部分の前記マスク基板を貫通させて微細な貫通パターンを形成するステンシルマスクの製造方法。
【請求項２】
前記第１及び第２の開孔パターンの少なくとも一方が前記マスク基板の加工限界幅を有するパターンである請求項１に記載のステンシルマスクの製造方法。
【請求項３】
前記第１及び第２の開孔パターンの少なくとも一方がラインパターン又はラインパターンを一部に有するパターンである請求項１又は２に記載のステンシルマスクの製造方法。
【請求項４】
前記第１及び第２の開孔パターンの少なくとも一方がＬ字形パターン又はＬ字形パターンを一部に有するパターンである請求項１乃至３のうちのいずれか一項に記載のステンシルマスクの製造方法。
【請求項５】
マスク基板の一方の主面に形成され、該マスク基板の厚さの半分以上の深さを有するが貫通していない第１の開孔パターンと、
前記マスク基板の他方の主面に形成され、該マスク基板の厚さの半分以上の深さを有し且つ前記第１の開孔パターンと一部が重なる第２の開孔パターンと、
前記マスク基板に形成され、前記第１の開孔パターンと前記第２の開孔パターンとが重なる部分に形成された貫通パターンと、
を具備するステンシルマスク。
【請求項６】
前記貫通パターンは、前記マスク基板の加工限界幅より狭い幅を有するパターンである請求項５に記載のステンシルマスク。
【請求項７】
マスク基板の一方の主面に形成され、該マスク基板の厚さの半分以上の深さを有するが貫通していない第１の開孔パターンであってラインパターンを少なくとも一部に有する第１の開孔パターンと、
前記マスク基板の他方の主面に形成され、該マスク基板の厚さの半分以上の深さを有し且つ前記第１の開孔パターンと一部が重なる第２の開孔パターンであってラインパターンを少なくとも一部に有する第２の開孔パターンと、
前記マスク基板に形成され、前記第１の開孔パターンと前記第２の開孔パターンとが重なる部分に形成された貫通パターンであってラインパターンを少なくとも一部に有する貫通パターンと、
を具備するステンシルマスク。
【請求項８】
マスク基板の一方の主面に形成され、該マスク基板の厚さの半分以上の深さを有するが貫通していない第１の開孔パターンであってＬ字形パターンを少なくとも一部に有する第１の開孔パターンと、
前記マスク基板の他方の主面に形成され、該マスク基板の厚さの半分以上の深さを有し且つ前記第１の開孔パターンと一部が重なる第２の開孔パターンと、
前記マスク基板に形成され、前記第１の開孔パターンと前記第２の開孔パターンとが重なる部分に形成された貫通パターンであってＬ字形パターンを少なくとも一部に有する貫通パターンと、
を具備するステンシルマスク。
【請求項９】
マスク基板の一方の主面に形成され、該マスク基板の厚さの半分以上の深さを有するが貫通していない第１の開孔パターンと、前記マスク基板の他方の主面に形成され、該マスク基板の厚さの半分以上の深さを有し且つ前記第１の開孔パターンと一部が重なる第２の開孔パターンと、前記マスク基板に形成され、前記第１の開孔パターンと前記第２の開孔パターンとが重なる部分に形成された貫通パターンと、を有するステンシルマスクを準備する工程と、
前記ステンシルマスクをマスクとして電子線によりレジスト膜を露光し、現像することにより、前記レジスト膜に前記貫通パターンを形成する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
マスク基板の一方の主面に形成され、該マスク基板の厚さの半分以上の深さを有するが貫通していない第１の開孔パターンと、前記マスク基板の他方の主面に形成され、該マスク基板の厚さの半分以上の深さを有し且つ前記第１の開孔パターンと一部が重なる第２の開孔パターンと、前記マスク基板に形成され、前記第１の開孔パターンと前記第２の開孔パターンとが重なる部分に形成された貫通パターンと、を有するステンシルマスクを準備する工程と、
半導体基板上に被加工膜を形成し、前記被加工膜上にレジスト膜を塗布する工程と、
前記ステンシルマスクをマスクとして電子線により前記レジスト膜を露光し、現像することにより、前記被加工膜上に前記貫通パターンが転写されたレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記被加工膜をエッチング加工することにより、該被加工膜に前記貫通パターンを形成する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ステンシルマスク及びその製造方法、半導体装置の製造方法に関する。特には、マスクの加工限界を超えた微細パターンを形成できるステンシルマスク及びその製造方法、半導体装置の製造方法に関する。また、マスクに比較的容易に微細パターンを形成できるステンシルマスク及びその製造方法、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路の高集積化に伴い、長年微細パターンを形成する手段の主流であった光を用いたフォトリソグラフィー技術に代わって、荷電粒子線、例えば電子線やイオンビームあるいはＸ線を利用する新しい露光方式が検討され、実用化されている。このうち、電子線を利用してパターン形成する電子線露光は、電子線そのものを数ｎｍにまで絞ることが出来るため、０．１μｍあるいはそれ以下の微細パターンを作製できる点に大きな特徴を有している。
【０００３】
図１０（Ａ）〜（Ｃ）は、従来の電子線露光用のステンシルマスクの製造方法を示す断面図である。
まず、図１０（Ａ）に示すように、シリコンなどのマスク基板１０１を準備し、このマスク基板１０１の上にレジスト膜を塗布する。次いで、電子線描画装置などを使用してこのレジスト膜を露光し、現像することにより、マスク基板１０１上にはレジストパターン１０２が形成される。図１０（Ａ）に示すレジストパターン１０２の開孔部分は電子線描画装置の解像限界幅１０３の部分である。解像限界幅とは、パターン形成できる最小の線幅に相当するものである。
【０００４】
次に、図１０（Ｂ）に示すように、レジストパターン１０２をマスクとしてマスク基板１０１をエッチング加工することにより、マスク基板１０１にはレジストパターン１０２に対応するパターン１０１ａが開孔される。
この後、図１０（Ｃ）に示すように、レジストパターン１０２を除去する。このようにしてマスク基板１０１に開孔パターンを形成したステンシルマスク１０４が製造される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体製造におけるパターン形成方法において、電子線と転写マスクを用いた方法があるが、ステンシルマスクを用いた場合、ハード面の構造がシンプルにできるという利点はあるものの、マスクを等倍で作る必要があり微細化に対してはマスクの加工限界を超えられない問題がある。
つまり、上記従来のステンシルマスクの製造方法では、レジスト膜にパターンを露光する際の解像限界幅１０３がステンシルマスク１０４に形成されるパターンの加工限界幅１０３となり、ひいては加工精度となっている。従って、上記のステンシルマスクを用いて半導体基板に微細パターンを形成する場合、上記のような加工限界を超えた微細パターンを半導体基板に形成することはできなかった。
【０００６】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、マスクの加工限界を超えた微細パターンを形成できるステンシルマスク及びその製造方法、半導体装置の製造方法を提供することにある。また、本発明の目的は、マスクに比較的容易に微細パターンを形成できるステンシルマスク及びその製造方法、半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明に係るステンシルマスクの製造方法は、マスク基板の一方の主面に、該マスク基板の厚さの半分以上の深さを有するが貫通させない第１の開孔パターンを形成する工程と、
前記マスク基板の他方の主面に、該マスク基板の厚さの半分以上の深さを有し且つ前記第１の開孔パターンと一部が重なる第２の開孔パターンを形成する工程と、
を具備するステンシルマスクの製造方法であって、
前記第２の開孔パターンを形成する工程で、前記第１の開孔パターンと前記第２の開孔パターンとが重なる部分の前記マスク基板を貫通させて微細な貫通パターンを形成する。
【０００８】
上記ステンシルマスクの製造方法によれば、第１の開孔パターンと第２の開孔パターンとが重なる部分のマスク基板を貫通させて微細な貫通パターンを形成するため、加工精度を向上させて微細パターンを形成したステンシルマスクを製造することができる。これにより、より微細なデザインルールに対応したマスクを作製できる。また、比較的容易に微細パターンをマスクに形成できる。
【０００９】
また、本発明に係るステンシルマスクの製造方法においては、前記第１及び第２の開孔パターンの少なくとも一方が前記マスク基板の加工限界幅を有するパターンであることも可能である。これにより、加工限界を超える微細パターンを形成したステンシルマスクを製造することができる。
【００１０】
また、本発明に係るステンシルマスクの製造方法においては、前記第１及び第２の開孔パターンの少なくとも一方がラインパターン又はラインパターンを一部に有するパターンであることも可能である。
また、本発明に係るステンシルマスクの製造方法においては、前記第１及び第２の開孔パターンの少なくとも一方がＬ字形パターン又はＬ字形パターンを一部に有するパターンであることも可能である。
【００１１】
本発明に係るステンシルマスクは、マスク基板の一方の主面に形成され、該マスク基板の厚さの半分以上の深さを有するが貫通していない第１の開孔パターンと、
前記マスク基板の他方の主面に形成され、該マスク基板の厚さの半分以上の深さを有し且つ前記第１の開孔パターンと一部が重なる第２の開孔パターンと、
前記マスク基板に形成され、前記第１の開孔パターンと前記第２の開孔パターンとが重なる部分に形成された貫通パターンと、
を具備する。
【００１２】
上記ステンシルマスクによれば、より微細なデザインルールに対応したマスクとすることが可能である。また、微細パターン形成したステンシルマスクとすることも可能である。
また、本発明に係るステンシルマスクにおいて、前記貫通パターンは、前記マスク基板の加工限界幅より狭い幅を有するパターンであることも可能である。
【００１３】
本発明に係るステンシルマスクは、マスク基板の一方の主面に形成され、該マスク基板の厚さの半分以上の深さを有するが貫通していない第１の開孔パターンであってラインパターンを少なくとも一部に有する第１の開孔パターンと、
前記マスク基板の他方の主面に形成され、該マスク基板の厚さの半分以上の深さを有し且つ前記第１の開孔パターンと一部が重なる第２の開孔パターンであってラインパターンを少なくとも一部に有する第２の開孔パターンと、
前記マスク基板に形成され、前記第１の開孔パターンと前記第２の開孔パターンとが重なる部分に形成された貫通パターンであってラインパターンを少なくとも一部に有する貫通パターンと、
を具備する。
【００１４】
本発明に係るステンシルマスクは、マスク基板の一方の主面に形成され、該マスク基板の厚さの半分以上の深さを有するが貫通していない第１の開孔パターンであってＬ字形パターンを少なくとも一部に有する第１の開孔パターンと、
前記マスク基板の他方の主面に形成され、該マスク基板の厚さの半分以上の深さを有し且つ前記第１の開孔パターンと一部が重なる第２の開孔パターンと、
前記マスク基板に形成され、前記第１の開孔パターンと前記第２の開孔パターンとが重なる部分に形成された貫通パターンであってＬ字形パターンを少なくとも一部に有する貫通パターンと、
を具備する。
【００１５】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、マスク基板の一方の主面に形成され、該マスク基板の厚さの半分以上の深さを有するが貫通していない第１の開孔パターンと、前記マスク基板の他方の主面に形成され、該マスク基板の厚さの半分以上の深さを有し且つ前記第１の開孔パターンと一部が重なる第２の開孔パターンと、前記マスク基板に形成され、前記第１の開孔パターンと前記第２の開孔パターンとが重なる部分に形成された貫通パターンと、を有するステンシルマスクを準備する工程と、
前記ステンシルマスクをマスクとして電子線によりレジスト膜を露光し、現像することにより、前記レジスト膜に前記貫通パターンを形成する工程と、
を具備する。
【００１６】
上記半導体装置の製造方法によれば、微細な貫通パターンを形成したステンシルマスクを用いることにより、レジスト膜に微細な貫通パターンを形成することが可能となる。
【００１７】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、マスク基板の一方の主面に形成され、該マスク基板の厚さの半分以上の深さを有するが貫通していない第１の開孔パターンと、前記マスク基板の他方の主面に形成され、該マスク基板の厚さの半分以上の深さを有し且つ前記第１の開孔パターンと一部が重なる第２の開孔パターンと、前記マスク基板に形成され、前記第１の開孔パターンと前記第２の開孔パターンとが重なる部分に形成された貫通パターンと、を有するステンシルマスクを準備する工程と、
半導体基板上に被加工膜を形成し、前記被加工膜上にレジスト膜を塗布する工程と、
前記ステンシルマスクをマスクとして電子線により前記レジスト膜を露光し、現像することにより、前記被加工膜上に前記貫通パターンが転写されたレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記被加工膜をエッチング加工することにより、該被加工膜に前記貫通パターンを形成する工程と、
を具備する。
【００１８】
上記半導体装置の製造方法によれば、微細な貫通パターンを形成したステンシルマスクを用いることにより、半導体基板上の被加工膜に微細な貫通パターンを形成することが可能となる。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
（実施の形態１）
図１及び図２は、本発明の実施の形態１によるステンシルマスクの製造方法を示す平面図、断面図である。
図１（Ａ）は、実施の形態１によるステンシルマスクの製造工程の一つを示す平面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す１Ｂ−１Ｂ線に沿った断面図であり、図１（Ｃ）は、図１（Ｂ）の次の工程を示す断面図である。図２（Ａ）は、図１（Ｃ）の次の工程を示す平面図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に示す２Ｂ−２Ｂ線に沿った断面図であり、図２（Ｃ）は、図２（Ｂ）の次の工程を示す断面図であり、図２（Ｄ）は、図２（Ｃ）の次の工程を示す断面図である。
【００２０】
まず、図１（Ａ），（Ｂ）に示すように、シリコンなどのマスク基板１を準備する。このマスク基板１は、例えばシリコンウエハを数百μｍの厚さに薄くしたものである。次いで、このマスク基板１の表面上にレジスト膜を塗布し、電子線描画装置などを使用してこのレジスト膜を露光し、現像することにより、マスク基板１上にはレジストパターン２が形成される。このレジストパターン２の開孔パターンは、図１（Ａ）に示すように電子線描画装置の解像限界幅３を有する開孔したラインパターン２ａである。解像限界幅とは、パターン形成できる最小の線幅に相当するものである。
【００２１】
次に、図１（Ｃ）に示すように、レジストパターン２をマスクとしてマスク基板１をエッチング加工する。この際、マスク基板１の厚さの半分以上の深さまでエッチング加工するが、貫通はさせない。これにより、マスク基板１にはレジストパターン２のラインパターン２ａに相当するパターン１ａが開孔される。
次いで、レジストパターン２を除去した後、マスク基板１を反転させる。
【００２２】
この後、図２（Ａ），（Ｂ）に示すように、マスク基板１の裏面上にレジスト膜を塗布する。次いで、電子線描画装置などを使用してこのレジスト膜を露光し、現像することにより、マスク基板１の裏面上にはレジストパターン４が形成される。このレジストパターン４の開孔パターンは、図２（Ａ）に示すように電子線描画装置の解像限界幅３を有する開孔したラインパターン４ａである。このラインパターン４ａはラインパターン１ａと一部が重なるように配置されている。
【００２３】
次に、図２（Ｃ）に示すように、レジストパターン４をマスクとしてマスク基板１をエッチング加工する。この際、マスク基板１の厚さの半分以上の深さまでエッチング加工するが貫通はさせない。これにより、マスク基板１にはレジストパターン４のラインパターン４ａに相当するパターン１ｂが開孔され、このパターン１ｂとパターン１ａが重なる部分に貫通パターン１ｃが形成される。
【００２４】
この後、図２（Ｄ）に示すように、レジストパターン４を除去する。このようにしてマスク基板１に貫通パターン１ｃを形成したステンシルマスク５が製造される。このように加工限界の微細パターンをマスク基板の上下で重ねて重なった部分のみを貫通させている。従って、貫通パターン１ｃは解像限界幅（加工限界幅）３より狭い幅のパターンであり、加工限界を超えた微細なパターンを形成したステンシルマスク５を得ることができる。
【００２５】
上記実施の形態１によれば、加工限界を超える微細パターンを形成したステンシルマスクを製造することができる。このようにステンシルマスクの加工精度を向上させることにより、より微細なデザインルールに対応したマスクを作製できる。また、本実施の形態の製造方法を用いれば、高精度なパターニング（エッチング加工）が不要となり、比較的容易に微細パターンをマスクに形成できる。また、低コストでのステンシルマスクの製造が可能となる。
【００２６】
（実施の形態２）
図３〜図５は、本発明の実施の形態２による半導体装置の製造方法を示す断面図、平面図である。
図４（Ａ）は、図３の次の工程を示す平面図であり、図４（Ｂ）は、図４（Ａ）に示す４Ｂ−４Ｂ線に沿った断面図である。図５（Ａ）は、図４の次の工程を示す断面図であり、図５（Ｂ）は、図５（Ａ）の次の工程を示す断面図である。
【００２７】
まず、図３に示すように、シリコン基板６の上に被加工膜７を形成する。この被加工膜７は、エッチング加工される膜であり、導電膜でも絶縁膜でも半導体膜でも良い。次いで、被加工膜７の上にレジスト膜８を塗布する。次いで、実施の形態１で製造した図２（Ｄ）に示すステンシルマスク５を用意し、このステンシルマスク５をマスクとして電子線によりレジスト膜８を露光する。これにより、レジスト膜８において領域８ａが露光される。
【００２８】
この後、図４（Ａ），（Ｂ）に示すように、レジスト膜８を現像することにより、被加工膜７の上にはレジストパターン８ｂが形成される。このレジストパターン８ｂは領域８ａが開孔されたラインパターン８ｃを有するものである。このラインパターン８ｃは、図３に示すステンシルマスク５の貫通パターン１ｃに相当するものであり、加工限界を超えた微細パターンとなっている。
【００２９】
次に、図５（Ａ）に示すように、レジストパターン８ｂをマスクとして被加工膜７をエッチング加工することにより、被加工膜７にはラインパターン８ｃが転写される。
次いで、図５（Ｂ）に示すように、レジストパターン８ｂを除去する。このようにして微細パターンを被加工膜７に形成することができる。つまり、実施の形態１の微細パターンを形成したステンシルマスク５を用いることにより、シリコン基板６上の被加工膜７に微細パターンを形成することが可能となる。
【００３０】
（実施の形態３）
図６及び図７は、本発明の実施の形態３によるステンシルマスクの製造方法を示す平面図、断面図である。
図６（Ａ）は、実施の形態３によるステンシルマスクの製造工程の一つを示す平面図であり、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）に示す６Ｂ−６Ｂ線に沿った断面図であり、図６（Ｃ）は、図６（Ｂ）の次の工程を示す断面図である。図７（Ａ）は、図６（Ｃ）の次の工程を示す平面図であり、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）に示す７Ｂ−７Ｂ線に沿った断面図であり、図７（Ｃ）は、図７（Ｂ）の次の工程を示す断面図であり、図７（Ｄ）は、図７（Ｃ）の次の工程を示す断面図である。
【００３１】
まず、図６（Ａ），（Ｂ）に示すように、シリコンなどのマスク基板１１を準備する。このマスク基板１１は、実施の形態１と同様に、例えばシリコンウエハを数百μｍの厚さに薄くしたものである。次いで、このマスク基板１１の表面上にレジスト膜を塗布し、電子線描画装置などを使用してこのレジスト膜を露光し、現像することにより、マスク基板１１上にはレジストパターン１２が形成される。このレジストパターン１２の開孔パターンは、図６（Ａ）に示すように電子線描画装置の解像限界幅３を有する開孔したＬ字形パターン（言い換えると鍵形パターン）１２ａである。
【００３２】
次に、図６（Ｃ）に示すように、レジストパターン１２をマスクとしてマスク基板１１をエッチング加工する。この際、マスク基板１１の厚さの半分以上の深さまでエッチング加工するが、貫通はさせない。これにより、マスク基板１１にはレジストパターン１２のＬ字形パターン１２ａに相当するパターン１１ａが開孔される。
次いで、レジストパターン１２を除去した後、マスク基板１１を反転させる。
【００３３】
この後、図７（Ａ），（Ｂ）に示すように、マスク基板１１の裏面上にレジスト膜を塗布する。次いで、電子線描画装置などを使用してこのレジスト膜を露光し、現像することにより、マスク基板１１の裏面上にはレジストパターン１４が形成される。このレジストパターン１４の開孔パターンは、図７（Ａ）に示すように開孔した四角形パターン１４ａである。この四角形パターン１４ａはＬ字形パターン１１ａと一部が重なるように配置されている。
【００３４】
次に、図７（Ｃ）に示すように、レジストパターン１４をマスクとしてマスク基板１１をエッチング加工する。この際、マスク基板１１の厚さの半分以上の深さまでエッチング加工するが貫通はさせない。これにより、マスク基板１１にはレジストパターン１４の四角形パターン１４ａに相当するパターン１１ｂが開孔され、このパターン１１ｂとパターン１１ａが重なる部分に貫通パターン１１ｃが形成される。
【００３５】
この後、図７（Ｄ）に示すように、レジストパターン１４を除去する。このようにしてマスク基板１１に貫通パターン１１ｃを形成したステンシルマスク１５が製造される。このように加工限界の微細パターン（Ｌ字形パターン）と四角形パターンをマスク基板の上下で重ねて重なった部分のみを貫通させている。従って、貫通パターン１１ｃは解像限界幅（加工限界幅）３より狭い幅のパターンであり、加工限界を超えた微細なパターンを形成したステンシルマスク１５を得ることができる。
【００３６】
上記実施の形態３においても実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
また、本実施の形態では、実施の形態１とは異なるＬ字形の貫通パターンを形成したステンシルマスクを得ることができる。
【００３７】
（変形例１）
図８は、実施の形態１のラインパターンと実施の形態３のＬ字形パターンを組み合わせた変形例１を示す平面図である。
マスク基板２１の一方の主面にはＬ字形パターンとラインパターンを結合させたパターン２１ａを、マスク基板２１の厚さの半分以上の深さを有するが貫通させないようにして形成する。マスク基板２１の他方の主面には四角形パターンとラインパターンを結合させたパターン２１ｂを、マスク基板２１の厚さの半分以上の深さを有するが貫通させないようにして形成する。そして、パターン２１ａとパターン２１ｂとが重なり合う部分のみを貫通させて貫通パターン２１ｃを形成する。
【００３８】
上記変形例１は実施の形態１のラインパターンと実施の形態３のＬ字形パターンを組み合わせた一例であるが、ラインパターンとＬ字形パターンを種々の方法で組み合わせることにより、様々なパターンを形成することが可能となる。
【００３９】
（変形例２）
図９は、実施の形態３のＬ字形パターン同士を組み合わせた変形例２を示す平面図である。
マスク基板３１の一方の主面には２つのＬ字形パターンを結合させたようなパターン３１ａを、マスク基板３１の厚さの半分以上の深さを有するが貫通させないようにして形成する。マスク基板３１の他方の主面には四角形のパターン３ｂを、マスク基板３１の厚さの半分以上の深さを有するが貫通させないようにして形成する。そして、パターン３１ａとパターン３１ｂとが重なり合う部分のみを貫通させて貫通パターン３１ｃを形成する。
【００４０】
上記変形例２は実施の形態３のＬ字形パターン同士を組み合わせた一例であるが、ラインパターンとＬ字形パターンを種々の方法で組み合わせることにより、様々なパターンを形成することが可能となる。
尚、本発明は上記実施の形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。例えば、変形例１，２とは異なるようなラインパターンとＬ字形パターンの組み合わせを用いることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】実施の形態１によるステンシルマスクの製造方法を示す平面図、断面図。
【図２】実施の形態１によるステンシルマスクの製造方法を示す平面図、断面図。
【図３】実施の形態２による半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図４】実施の形態２による半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図５】実施の形態２による半導体装置の製造方法を示す断面図。
【図６】実施の形態３によるステンシルマスクの製造方法を示す平面図、断面図。
【図７】実施の形態３によるステンシルマスクの製造方法を示す平面図、断面図。
【図８】実施の形態の変形例１を示す平面図。
【図９】実施の形態の変形例２を示す平面図。
【図１０】従来の電子線露光用のステンシルマスクの製造方法を示す断面図。
【符号の説明】
【００４２】
１…マスク基板、１ａ，１ｂ…パターン、１ｃ…貫通パターン、２…レジストパターン、２ａ…ラインパターン、３…解像限界幅（加工限界幅）、４…レジストパターン、４ａ…ラインパターン、５…ステンシルマスク、６…シリコン基板、７…被加工膜、８…レジスト膜、８ａ…露光領域、８ｂ…レジストパターン、８ｃ…ラインパターン、１１…マスク基板、１１ａ，１１ｂ…パターン、１１ｃ…貫通パターン、１２…レジストパターン、１２ａ…ラインパターン、１４…レジストパターン、１４ａ…ラインパターン、１５…ステンシルマスク、２１，３１…マスク基板、２１ａ，２１ｂ，３１ａ，３１ｂ…パターン、２１ｃ，３１ｃ…貫通パターン、１０１…マスク基板、１０１ａ…パターン、１０２…レジストパターン、１０３…解像限界幅（加工限界幅）、１０４…ステンシルマスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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