(57)【要約】【課題】マスクアライナーを用いた微細パターン形成には、レジスト段差を形成した後、フォトマスクとウエハーを真空引きにより密着させて露光する方法がある。  しかし、更に微細なパターンを目指した場合、従来方法ではレジストから発生する窒素ガスの抜けが不十分で、フォトマスクとレジスト間に隙間が発生し、ＵＶ光の回り込みによってレジストパターン形状の不具合やバラツキが生じていた。【解決手段】レジストパターン形成に必要な露光時間を分割し、露光している時間と非露光時間を複数回繰り返し処理することにより、一回の露光に対して発生する窒素量を少なくし、且つ、抜気用凹部を介した真空引きによって外周部より効率よく排出されるので、隙間の発生を大幅に抑えることができ、良好な形状パターンが安定して得られる。【選択図】図３
2005122154.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体表面に塗布したレジスト膜の表面が、レジスト膜の凸部と抜気用凹部を有し、前記レジスト膜の表面に真空引きによりフォトマスクを密着させた後、所要のパターンを露光する方法において、露光している時間と非露光時間が複数回にわたり繰り返し処理される間欠露光であることを特徴とする露光方法。
【請求項２】
少なくとも非露光時に、前記抜気用凹部を介して真空引きしていることを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項３】
常に前記抜気用凹部を介して真空引きを行いながら処理し、前記露光している時間をｔ１、前記非露光時間をｔ２とすると、ｔ１≦ｔ２の関係が成り立つことを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項４】
非露光時に前記抜気用凹部を介して真空引きを行いながら処理し、前記露光している時間をｔ１、前記非露光時間をｔ２とすると、２ｔ１≦ｔ２の関係が成り立つことを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項５】
基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜の少なくとも一部を露光・現像することにより前記レジスト膜表面にレジスト膜の凸部と抜気用凹部とを形成する工程と、前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより、前記レジスト膜の凸部と前記フォトマスクとを密着させる工程と、前記レジスト膜に対して所要のパターンを露光・現像する工程とを含み、前記所要のパターンを露光する工程において、露光している時間と非露光時間が複数回にわたり繰り返し処理される間欠露光であって、少なくとも非露光時に、前記抜気用凹部を介して真空引きしていることを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項６】
非磁性基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜の少なくとも一部を露光・現像することにより前記レジスト膜表面にレジスト膜の凸部と抜気用凹部とを形成する工程と、前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより、前記レジスト膜の凸部と前記フォトマスクとを密着させる工程と、前記レジスト膜に対して所要のパターンを露光・現像してレジスト凹所を形成し、前記レジスト凹所の底部に前記非磁性基体の表面を露出させる工程と、前記所要のパターンを露光・現像した後の前記レジスト膜表面および前記レジスト凹所を通じて露出させた前記非磁性基体表面に対して強磁性薄膜を堆積する工程と、前記所要のパターンを露光・現像した後の前記レジスト膜を前記所要のパターンを露光・現像した後の前記レジスト膜表面に堆積した前記強磁性薄膜とともに除去して前記非磁性基体表面上に情報信号対応の強磁性薄膜パターンを形成する工程とを含み、前記レジスト凹所を形成する工程における前記所要のパターンの露光方法が、露光している時間と非露光時間が複数回にわたり繰り返し処理される間欠露光であって、少なくとも非露光時に、前記抜気用凹部を介して真空引きしていることを特徴とするマスター情報担体の製造方法。
【請求項７】
非磁性基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜の少なくとも一部を露光・現像することにより前記レジスト膜表面にレジスト膜の凸部と抜気用凹部とを形成する工程と、前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより、前記レジスト膜の凸部と前記フォトマスクとを密着させる工程と、前記レジスト膜に対して所要のパターンを露光・現像してレジスト凹所を形成し、前記レジスト凹所の底部に前記非磁性基体の表面を露出させる工程と、前記所要のパターンを露光・現像した後の前記レジスト膜をマスクにしてエッチングを行い、前記レジスト凹所を通じて露出させた前記非磁性基体表面に基体凹所を形成する工程と、前記基体凹所に埋め込む状態で前記エッチング後に残存する前記レジスト膜表面および前記基体凹所に対して強磁性薄膜を堆積する工程と、前記基体凹所に埋め込んだ強磁性薄膜を残す状態で前記エッチング後に残存する前記レジスト膜を前記エッチング後に残存する前記レジスト膜表面に堆積した前記強磁性薄膜とともに除去して前記非磁性基体表面に情報信号対応の強磁性薄膜パターンを形成する工程とを含み、前記レジスト凹所を形成する工程における前記所要のパターンの露光方法が、露光している時間と非露光時間が複数回にわたり繰り返し処理される間欠露光であって、少なくとも非露光時に、前記抜気用凹部を介して真空引きしていることを特徴とするマスター情報担体の製造方法。
【請求項８】
非磁性基体の表面に強磁性薄膜を堆積する工程と、前記強磁性薄膜の表面にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜の少なくとも一部を露光・現像することにより前記レジスト膜表面にレジスト膜の凸部と抜気用凹部とを形成する工程と、前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより、前記レジスト膜の凸部と前記フォトマスクとを密着させる工程と、前記レジスト膜に対して所要のパターンを露光・現像してレジスト凹所を形成し、前記レジスト凹所の底部に前記強磁性薄膜を露出する工程と、前記所要のパターンを露光・現像した後の前記レジスト膜をマスクにしてエッチングを行い、前記レジスト凹所を通じて露出させた部分の前記強磁性薄膜を除去する工程と、エッチング後に残存する前記レジスト膜を除去して前記非磁性基体表面に情報信号対応の強磁性薄膜パターンを形成する工程とを含み、前記レジスト凹所を形成する工程における前記所要のパターンを露光する方法が、露光している時間と非露光時間が複数回にわたり繰り返し処理される間欠露光であって、少なくとも非露光時に、前記抜気用凹部を介して真空引きしていることを特徴とするマスター情報担体の製造方法。
【請求項９】
非磁性基体上に情報信号に対応する強磁性薄膜パターンが形成されたマスター情報担体を製造する工程と、前記マスター情報担体を磁気記録媒体の表面に対向配置した状態で外部磁界を印加し、前記強磁性薄膜パターンに対応する磁化情報を前記磁気記録媒体に記録する工程とを備えた磁気記録媒体の製造方法であって、前記マスター情報担体を製造する工程は、前記強磁性薄膜パターンを形成するためのレジストパターンの形成工程を含んでおり、前記レジストパターンの形成工程は、非磁性基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜の少なくとも一部を露光・現像することにより前記レジスト膜表面にレジスト膜の凸部と抜気用凹部を形成する工程と、前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより前記レジスト膜の凸部にフォトマスクを密着させる工程と、前記レジスト膜に対して所要のパターンを露光・現像する工程を含み、前記所要のパターンを露光する工程において、露光方法が、露光している時間と非露光時間が複数回にわたり繰り返し処理される間欠露光であって、少なくとも非露光時に、前記抜気用凹部を介して真空引きしていることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
前記情報信号がトラッキングサーボに用いるための信号である請求項９に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の磁気記録媒体の製造方法を含む磁気記録再生装置の製造方法であって、前記強磁性薄膜のパターンに対応する磁化情報が記録された前記磁気記録媒体を回転部分に搭載する工程を備えた磁気記録再生装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項９に記載の磁気記録媒体の製造方法により製造した磁気記録媒体と、薄膜磁気ヘッドと、前記薄膜磁気ヘッドが前記磁気記録媒体と対向するように支持する支持部材と、前記磁気記録媒体を回転させる回転手段と、
前記支持部材に結合され、前記薄膜磁気ヘッドを前記磁気記録媒体の膜面に沿って移動させる移動手段と、前記薄膜磁気ヘッド、前記回転手段及び前記移動手段と電気的に結合され、前記薄膜磁気ヘッドと信号を交換し、前記磁気記録媒体の回転を制御し、前記薄膜磁気ヘッドの移動を制御する処理手段とを備えたことを特徴とする磁気記録再生装置。
【請求項１３】
前記情報信号がトラッキングサーボに用いるための信号である請求項１２に記載の磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディジタル情報信号を磁気記録媒体に記録するために用いられるマスター情報担体等の製造の際に形成するレジストパターンの形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、磁気記録再生装置は、小型でかつ大容量のものを実現するために、高記録密度化の傾向にある。代表的な磁気記録再生装置であるハードディスクドライブの分野においては、すでに面記録密度が９３Ｍｂｉｔ／ｍｍ２）を超える装置が商品化されており、現在では、面記録密度が１５５Ｍｂｉｔ／ｍｍ２の装置の実用化が予想されるほどの急峻な技術の進歩が認められる。
【０００３】
このような高記録密度化が可能になった技術的背景として、磁気記録媒体およびヘッド・ディスクインターフェースの性能の向上やパーシャルレスポンス等の新規な信号処理方式の出現による線記録密度の向上があげられる。しかし、近年では、トラック密度の増加傾向が線記録密度の増加傾向を大きく上回り、面記録密度の向上の主な要因となっている。
【０００４】
これは、従来の誘導型磁気ヘッドに比べて再生出力性能がはるかに優れた磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）や巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）を用いた薄膜磁気ヘッドの実用化によるものである。現在、ＧＭＲヘッドの実用化により、１μｍ以下のトラック幅信号を高いＳ／Ｎ比をもって再生することが可能となっている。一方、今後のさらなるヘッド性能の向上に伴い、更に狭トラックピッチ化が進むものと予想されている。
【０００５】
さて、磁気ヘッドがこのような狭トラックを正確に走査し、信号をＳ／Ｎ良く再生するためには、磁気ヘッドのトラッキングサーボ技術が重要な役割を果たしている。このようなトラッキングサーボ技術に関しては、例えば非特許文献１に詳細な内容が示されている。非特許文献１によれば、現在のハードディスクドライブでは、ディスクの１周、すなわち角度にして３６０度中において、一定の角度間隔でトラッキング用サーボ信号やアドレス情報信号、再生クロック信号等が記録された領域を設けている（以下、「プリフォーマット」という）。
【０００６】
磁気ヘッドは、一定間隔でこれらの信号を再生することにより、ヘッドの位置を確認、修正しながら正確にトラック上を走査することができるのである。既述のトラッキング用サーボ信号やアドレス情報信号、再生クロック信号等は、ヘッドが正確にトラック上を走査するための基準信号となるものであるので、その記録時には、正確な位置決め精度が要求される。例えば非特許文献２に記載された内容によれば、現在のハードディスクドライブでは、ディスクをドライブに組み込んだ後、専用のサーボ記録装置を用いて厳密に位置制御された磁気ヘッドによりプリフォーマット記録が行われている。
【０００７】
従来、上記のような専用のサーボ記録装置を用いた磁気ヘッドによるサーボ信号やアドレス情報信号、再生クロック信号のプリフォーマット記録においては、以下のような課題があった。
【０００８】
まず第１に、磁気ヘッドによる記録は、基本的にヘッドと媒体との相対移動に基づく線記録である。このため、専用のサーボ記録装置を用いて磁気ヘッドを厳密に位置制御しながら記録を行う上記の方法では、プリフォーマット記録に多くの時間を要するとともに、専用のサーボ記録装置が相当に高価であることにも起因して、非常にコスト高となる。
【０００９】
第２に、ヘッド・媒体間スペーシングや記録ヘッドのポール形状による記録磁界の広がりのため、プリフォーマット記録されたトラック端部の磁化遷移が急峻性にかけるという点がある。現在のトラッキングサーボ技術は、ヘッドがトラックをはずれて走査した際の再生出力の変化量によって、ヘッドの位置検出を行うものである。
【００１０】
従って、プリフォーマット記録された信号トラックには、サーボ領域間に記録されたデータ情報信号を再生する際のようにヘッドがトラック上を正確に走査した際のＳ／Ｎに優れるだけではなく、ヘッドがトラックをはずれて走査した際の再生出力変化量、すなわちオフトラック特性が急峻であることが要求される。
【００１１】
上記の課題はこの要求に反するものであり、今後のサブミクロントラック記録における正確なトラッキングサーボ技術の実現を困難なものとしている。
【００１２】
さて、上記のような磁気ヘッドによるプリフォーマット記録の課題を解決する手段として、基体の表面にプリフォーマット情報信号に対応する強磁性薄膜パターンが形成されているマスター情報担体の表面を、磁気記録媒体の表面に接触させた後に、マスター情報担体に形成された強磁性薄膜パターンを磁化させることにより、強磁性薄膜パターンに対応する磁化パターンを磁気記録媒体に記録する技術が提案されている（特許文献１参照）。
【００１３】
このプリフォーマット記録技術によれば、記録媒体のＳ／Ｎ比、インターフェース性能等の他の重要性能を犠牲にすることなく、良好なプリフォーマット記録を効率的に行うことができる。
【００１４】
一方、マスター情報担体に形成される強磁性薄膜パターンは、ハードディスクの高密度化に伴い、より微細なパターンが求められる。半導体集積回路（ＬＳＩ）の高集積化には、フォトリソグラフィにおける高密度パターン形成技術とレジスト材料の開発が求められるが、マスター情報担体の高密度化にも同様の開発が必要となる。
【００１５】
フォトリソグラフィ装置としては、マスクアライナーあるいはステッパーなどが用いられ、パターンの微細化に伴い、光源の波長が、ｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、エキシマレーザー光（２４８ｎｍ）などのように短波長側に推移している。一方、レジスト材料も露光波長に適した材料開発が行われている。
【００１６】
高精度なショットつなぎ合わせが要求されるステッパーに対し、ウエハー全面の一括露光ができるマスクアライナーは設備単価が安く、ＬＳＩ以外の薄膜部品デバイスにはよく用いられる装置である。しかし、マスクアライナーはステッパーに比べてパターン解像度が悪く、一般的にはサブミクロンオーダーの微細パターンの形成には適さない。この対策として、特許文献２に開示されているように、段差を設けたレジストとフォトマスクをコンタクトし、真空引きを行った後、露光する方法がある。この方法によれば、レジストとフォトマスク間に介在するエアーギャップが無くなるので、レジストとフォトマスクの密着性が向上する。このため、マスクアライナーにおいても高解像度のパターンが得られる。
【００１７】
マスター情報担体を用いた上記方法では、マスター情報担体に形成されたディジタル信号に対応する強磁性薄膜のパターン配列が磁気記録媒体にプリフォーマット記録される。従って、良好な磁気信号特性を得るためにはマスター情報担体に形成された強磁性薄膜のパターンが精度良く形成されることが必要である。
【００１８】
図１４（ａ）〜図１４（ｄ）は、特許文献２に開示されたレジストパターンの形成方法を示す断面図である。図１６は、レジスト膜の凸部や抜気用凹部とレジスト凹所との関係を模式的に示す平面図である。図１４（ａ）〜図１４（ｄ）は、図１６のＡ−Ａ′線における断面図に対応する。
【００１９】
図１４（ａ）は、抜気用凹部形成の露光工程を示しており、図１４（ｂ）は抜気用凹部形成後の状態を示している。図１４（ａ）に示すように、基体１上に塗布されたレジスト膜２上のパターン形成領域以外をフォトマスク３を通してＵＶ光４によって露光し、その後現像する。このことにより、図１４（ｂ）に示すようにレジスト膜２の表面に抜気用凹部２５１とレジスト膜の凸部２５２とを形成する。
【００２０】
図１４（ｃ）はパターン形成の露光工程を示しており、図１４（ｄ）はパターン形成後の状態を示している。図１４（ｃ）に示すように、フォトマスク３１をレジスト膜の凸部２５２に接触させ、抜気用凹部２５１を介して真空引きを矢印７に示す方向に沿って行う。このことにより、フォトマスク３１とレジスト膜の凸部２５２の密着性を高める。この状態で、ＵＶ光４を用い、レジストの目標線幅を実現するための露光量を一回で照射した後、現像し、図１４（ｄ）に示すように、レジスト膜の凸部２５２上にレジスト凹所２１を有するレジストパターン２１１を形成する。
【特許文献１】特開平１０−４０５４４号公報
【特許文献２】特開２００３−０２９４２４号公報
【非特許文献１】山口,「磁気ディスク装置の高精度サーボ技術」，日本応用磁気学会誌，Ｖｏｌ．２０，Ｎｏ．３，ｐｐ．７７１，（１９９６）
【非特許文献２】植松、他「メカ・サーボ、ＨＤＩ技術の現状と展望」，日本応用磁気学会第９３回研究会資料，９３−５，ｐｐ．３５（１９９６）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
高解像度レジストとして一般的に用いられるポジ型レジストは、図１５に示すように感光によりポリマが分解し、アルカリ現像液に可溶となる性質を利用するものであるが、ポリマが分解すると同時に窒素ガスを発生する。
【００２２】
このレジストの反応により、前記の特許文献２記載の方法では、図１７に示すように、露光時にレジスト膜２から発生する窒素ガス４１により、フォトマスクやレジストが変形し、フォトマスク３１とレジスト膜の凸部２５２との密着部に隙間８が発生する。このような変形により密着部に隙間８が生じると、露光時にＵＶ光４がパターンに対応する部分以外に回り込み、レジストパターンが変形してしまう。図１７中にはフォトマスク３１の変形の一例を破線３１ａで示す。
【００２３】
図１８は、レジストパターンの平面図を示している。本図は、前記のようなＵＶ光４の回り込みにより、レジスト凹所２１が設計線幅より広くなったパターンの一例を示している。極端な例では、マスクされた部分のレジストがすべて感光し、現像後にパターンがつながってしまう場合がある。
【００２４】
すなわち、前記のような従来例では、ＵＶ光４の回り込みにより、パターンの微細化に限界があるという問題があった。
【００２５】
本発明は、前記のような従来の問題を解決するものであり、露光時の光の回り込みを防止して、微細なパターン形成を可能にするレジストパターン形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
上記目的を達成するために、本発明の露光方法は、基体表面に塗布したレジスト膜の表面が、レジスト膜の凸部と抜気用凹部を有し、前記レジスト膜の表面に真空引きによりフォトマスクを密着させた後、所要のパターンを露光する方法において、露光している時間と非露光時間が複数回にわたり繰り返し処理される間欠露光であることを特徴とする。また、上記露光方法において、少なくとも非露光時に、前記抜気用凹部を介して真空引きしていることを特徴とする。
【００２７】
本発明のレジストパターン形成方法は、基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜の少なくとも一部を露光・現像することにより前記レジスト膜表面にレジスト膜の凸部と抜気用凹部とを形成する工程と、前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより、前記レジスト膜の凸部とフォトマスクとを密着させる工程と、前記レジスト膜に対して、前記フォトマスクのパターンに対応した部分を露光する工程とを含み、前記露光工程はマスクアライナーを用いて処理し、前記フォトマスクのパターンに対応した部分を露光する方法は、レジストの目標線幅を実現するための最適露光量に対応する露光時間を分割し、露光している時間と非露光時間が複数回にわたり繰り返し露光される間欠露光であり、少なくとも前記非露光時には前記抜気用凹部を介して真空引きを行いながら露光処理を行うことを特徴とする。
【００２８】
本発明の第１のマスター情報担体の製造方法は、非磁性基体の表面にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜の少なくとも一部を露光・現像することにより前記レジスト膜表面にレジスト膜の凸部と抜気用凹部とを形成する工程と、前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより前記レジスト膜の凸部とフォトマスクとを密着させる工程と、前記レジスト膜のうち、前記フォトマスクのパターンに対応した部分を露光・現像してレジスト凹所を形成し、前記レジスト凹所の底部に前記非磁性基体の表面を露出させる工程と、前記パターン露光・現像後の前記レジスト膜表面および前記レジスト凹所を通じて露出させた前記非磁性基体表面に対して強磁性薄膜を堆積する工程と、前記パターン露光・現像後の前記レジスト膜を前記パターン露光・現像後の前記レジスト膜表面に堆積した前記強磁性薄膜とともに除去して前記非磁性基体表面上に情報信号対応の強磁性薄膜パターンを形成する工程とを含み、前記レジスト凹所を形成する工程における所要のパターンを露光する方法が、露光している時間と非露光時間が複数回にわたり繰り返し処理される間欠露光であって、少なくとも非露光時に、前記抜気用凹部を介して真空引きしていることを特徴とする。
【００２９】
本発明の第２のマスター情報担体の製造方法は、非磁性基体の表面にレジスト膜を形成する第１の工程と、前記レジスト膜の少なくとも一部を露光・現像することにより前記レジスト膜表面にレジスト膜の凸部と抜気用凹部を形成する工程と、前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより前記レジスト膜の凸部とフォトマスクとを密着させる工程と、前記レジスト膜のうち、前記フォトマスクのパターンに対応した部分を露光・現像してレジスト凹所を形成し、前記レジスト凹所の底部に前記非磁性基体の表面を露出させる工程と、前記パターン露光・現像後の前記レジスト膜をマスクにしてエッチングを行い、前記レジスト凹所を通じて露出させた前記非磁性基体表面に基体凹所を形成する工程と、前記基体凹所に埋め込む状態で前記パターン露光・現像後の前記レジスト膜表面および前記基体凹所に対して強磁性薄膜を堆積する工程と、前記基体凹所に埋め込んだ強磁性薄膜を残す状態で前記レジスト膜を前記レジスト膜表面に堆積した前記強磁性薄膜とともに除去して前記非磁性基体表面に情報信号対応の強磁性薄膜パターンを形成する工程とを含み、前記レジスト凹所を形成する工程における所要のパターンを露光する方法が、露光している時間と非露光時間が複数回にわたり繰り返し処理される間欠露光であって、少なくとも非露光時に、前記抜気用凹部を介して真空引きしていることを特徴とする。
【００３０】
本発明の第３のマスター情報担体の製造方法は、非磁性基体の表面に強磁性薄膜を堆積する工程と、前記強磁性薄膜の表面にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜の少なくとも一部を露光・現像することにより前記レジスト膜表面にレジスト膜の凸部と抜気用凹部とを形成する工程と、前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより前記レジスト膜の凸部とフォトマスクとを密着させる工程と、前記レジスト膜のうち、前記フォトマスクのパターンに対応した部分を露光・現像してレジスト凹所を形成し、前記レジスト凹所の底部に前記強磁性薄膜を露出する工程と、前記所要のパターン露光・現像後のレジスト膜をマスクにしてエッチングを行い、前記レジスト凹所を通じて露出させた部分の前記強磁性薄膜を除去する工程と、前記レジスト膜を除去して前記非磁性基体表面に情報信号対応の強磁性薄膜パターンを形成する工程とを含み、前記レジスト凹所を形成する工程における前記所要のパターンを露光する方法が、露光している時間と非露光時間が複数回にわたり繰り返し処理される間欠露光であって、少なくとも非露光時に、前記抜気用凹部を介して真空引きしていることを特徴とする。
【００３１】
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁性基体上に情報信号に対応する強磁性薄膜パターンが形成されたマスター情報担体を製造する工程と、前記マスター情報担体を磁気記録媒体の表面に対向配置した状態で外部磁界を印加し、前記強磁性薄膜パターンに対応する磁化情報を前記磁気記録媒体に記録する工程とを備えた磁気記録媒体の製造方法であって、前記マスター情報担体を製造する工程は、前記強磁性薄膜パターンを形成するためのレジストパターンの形成工程を含んでおり、前記レジストパターンの形成工程は、非磁性基体の表面上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜のパターン非形成領域の少なくとも一部を露光・現像することにより前記レジスト膜表面にレジスト膜の凸部と抜気用凹部とを形成する工程と、前記レジスト膜にフォトマスクを重ねた状態で、前記抜気用凹部を介して真空引きすることにより前記レジスト膜の凸部と前記フォトマスクとを密着させる工程と、前記レジスト膜のうち、前記フォトマスクに対応した部分を露光する工程とを含み、前記フォトマスクに対応した部分を露光する方法が、露光している時間と非露光時間が複数回にわたり繰り返し処理される間欠露光であって、少なくとも非露光時に、前記抜気用凹部を介して真空引きしていることを特徴とする。
【００３２】
本発明の磁気記録再生装置の製造方法は、前記磁気記録媒体の製造方法を含む磁気記録再生装置の製造方法であって、前記強磁性薄膜の形状パターンに対応する磁化情報が記録された前記磁気記録媒体を回転部分に搭載する工程を備えたことを特徴とする。
【００３３】
本発明の磁気記録再生装置は、前記磁気記録媒体の製造方法により製造した磁気記録媒体と、薄膜磁気ヘッドと、前記薄膜磁気ヘッドが前記磁気記録媒体と対向するように支持する支持部材と、前記磁気記録媒体を回転させる回転手段と、前記支持部材に結合され、前記薄膜磁気ヘッドを前記磁気記録媒体の膜面に沿って移動させる移動手段と、前記薄膜磁気ヘッド、前記回転手段及び前記移動手段と電気的に結合され、前記薄膜磁気ヘッドと信号を交換し、前記磁気記録媒体の回転を制御し、前記薄膜磁気ヘッドの移動を制御する処理手段とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によれば、露光時のフォトマスクとレジスト膜の凸部との密着性が向上し、パターン露光時の光の回り込みを防止できるので、より微細かつ良好なレジストパターン形状が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
本発明のレジスト露光方法によれば露光時間が分割されているため、一回の露光でレジストから発生する窒素ガス量は少なく、また、露光時にレジストから発生する窒素ガスは抜気用凹部を介した真空引きによって、基体外周部より効率よく確実に排出されるので、露光時のフォトマスクとレジスト膜の凸部との密着性が向上し、パターン露光時の光の回り込みを防止できる。そのため、本発明の露光方法によれば、より微細かつ良好なレジストパターンを形成することが可能となる。
【００３６】
また、本発明のレジストパターン形成方法を用いれば、微細な情報信号パターンを有するマスター情報担体を高精度にかつ安定して作製することができる。
【００３７】
本発明の磁気記録媒体の製造方法、磁気記録再生装置の製造方法、磁気記録再生装置によれば、マスター情報担体から磁気記録媒体に転写された情報信号の精度を高めることができるので、大容量化に有利になる。
【００３８】
また、前記磁気記録媒体の製造方法、磁気記録再生装置においては、前記情報信号がトラッキングサーボに用いるための信号であることが好ましい。
【００３９】
この構成によれば、磁気記録媒体に転写記録されたトラッキング用サーボ信号磁化反転長が小さくなるため、トラック幅方向の位置決め精度が向上し、大容量化に有利になる。また、低コスト化をも実現可能である。
【００４０】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。
【００４１】
（実施の形態１）
図１は本実施の形態１の露光方法に係り、露光時間および非露光時間と露光によって排出される窒素ガス量の関係を示す図である。
【００４２】
基体上に塗布したレジスト膜の表面が、レジスト膜の凸部と抜気用凹部を有し、レジスト表面に真空引きによりフォトマスクを密着した後、所要のパターンを露光する方法であって、本発明の露光方法は露光している時間ｔ１と露光していない時間ｔ２が繰り返し実行される間欠露光である。露光している時間の合計で表される総露光時間は、レジストの目標線幅を実現するための露光量に相当する時間である。また、露光時にレジストから発生する窒素量は、露光時間や露光量や露光する面積の増加に伴い増加する。
【００４３】
本実施の形態１の露光方法によれば、非露光時に抜気用凹部を介して真空引きを行うため、露光によりレジストから発生する窒素ガスは非露光時間ｔ２内に抜気用凹部を通じて非常に効率よく、確実に基体の外周部より排出できる。そのため、比較的短い非露光時間で、発生した窒素ガスを排出することが可能である。つまり、露光時間及び非露光時間を調整することにより、繰り返し実行される露光開始時には、直前の露光時に発生した窒素ガスを殆ど排出した状態にすることができる。そのため、フォトマスクとレジストの密着性の低下を大幅に抑えることが可能となる。その結果、露光・現像後に良好な形状のレジストパターンが安定して得られる。
【００４４】
尚、窒素ガス量とは、フォトマスクとレジスト膜の界面に残存する窒素ガスの量を意味する。
【００４５】
また、本発明の露光方法では、露光時および非露光時を通して真空引きをすることによって、非露光時のみ真空引きを行うよりも、レジストから発生する窒素ガスはより効率よく排出することができる。
【００４６】
（実施の形態２）
図２（ａ）〜図２（ｃ）、図３（ｄ）〜図３（ｈ）は本実施の形態２に係るパターン形成方法を示す断面図である。
【００４７】
図２（ａ）〜図２（ｃ）は抜気用凹部２５１形成工程を示しており、図２（ｃ）は抜気用凹部２５１形成後の状態を示している。図２（ａ）に示すように基体１上にレジスト２をスピンコートし、低温ベークを施す。その後、図２（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いて、フォトマスク３を介してレジスト膜をＵＶ光４で露光した後、現像する。このことにより、図２（ｃ）に示すようにレジスト膜２の表面に抜気用凹部２５１およびレジスト膜の凸部２５２を形成する。
【００４８】
このときの凹凸量（レジスト段差量）と露光量との関係を図４に示す。レジスト膜厚に対するしきい値露光量（Ｅｔ）より少ない露光量では、基体１上に露光量に応じた膜厚のレジスト膜２が残る。一方、しきい値露光量（Ｅｔ）より多い露光量では、感光部のレジスト膜２は完全に除去され、レジスト膜厚相当の段差が形成される。
【００４９】
図３（ｄ）〜図３（ｇ）はレジストパターンの露光工程を示しており、図３（ｈ）はレジストパターン形成後の状態を示している。
【００５０】
まず、所要のパターンが搭載されたフォトマスク３１をレジスト膜の凸部２５２の表面に接触させる。その後、基体ホルダー（図示せず）とフォトマスク３１との間を密閉する。さらに、基体１の外周にまで通じた抜気用凹部２５１を介して、基体１の外周から矢印７に示す方向に沿って真空引きを行なう。この真空引きによる抜気により、フォトマスク３１とレジスト膜の凸部２５２とが密着する。次に、図３（ｅ）に示すように、抜気用凹部２５１を介して真空引き７を行いながらＵＶ光４を照射し、フォトマスクの透過部３２を通じてレジスト膜２を露光する。次に、図２（ｆ）に示すように、ＵＶ照射４を停止し、真空引き７を行いながらフォトマスク３１とレジスト膜の凸部２５２を密着した状態で一定時間保持する。さらに、図３（ｇ）に示すようにレジスト膜２を露光する。この図３（ｄ）〜図３（ｇ）に示す露光工程と非露光工程を繰り返し処理した後、現像することにより、図３（ｆ）に示す、所要のパターンのレジスト凹所２１を有するレジストパターン２１１が形成される。
【００５１】
本発明の露光方法によれば、抜気用凹部を介して基体外周部より真空引きされており、露光時にレジストから発生する窒素ガスは抜気用凹部を通じて基体外周部より排出される。その結果、フォトマスク３１とレジスト膜の凸部２５２の密着性は保たれるので、フォトマスク３１とレジスト膜の凸部２５２間に隙間が発生せず、良好なレジストパターンが形成できる。
【００５２】
実施形態２のパターン形成方法を用いて実験した結果を図５に示す。なお、最上段には従来の一回で露光する方法を用いた場合の結果を示している。露光時間をｔ１、非露光時間をｔ２としパターン形成に必要な総露光時間をｔ0とすると、繰り返し露光する回数はｎ＝ｔ0／ｔ１となる。割り切れない場合は、ｎの小数点以下を切り上げた自然数とし、例えば、最終露光時(ｎ回目)の時間で調整する。図５中のｔ１欄の括弧中の数字は最終露光時(ｎ回目)の露光時間を示す。時間調整はｎ回目に限らず、１〜ｎ回目の任意の回で行ってもよい。パターンの良否判定は図５の露光条件でｎ回露光し、アルカリ現像液を用いて現像した後、パターン検査した結果を表示している。○印は安定して良好なレジストパターン形状が得られたことを意味し、×印は良好なパターン形状が得られなかったことを意味する。これらに対し、△印は両者の中間で、結果がばらついていたことを意味している。
【００５３】
図５で示した検討結果より、良好なパターン形状を得るためには、露光時間ｔ１と非露光時間ｔ２とが、少なくともｔ１≦ｔ２の関係を満足している必要があることがわかる。なお、ｔ１≦ｔ２の関係はあくまで必要条件である。例えば、露光時間ｔ１が長い場合は、一回の露光中に発生する窒素ガスによってフォトマスクとレジスト膜間に隙間が発生し、パターン不具合が生じてしまう。そのため、次の非露光時間が如何に長くとも、良好なパターン形状を実現することは不可能である。そのため、ｔ１≦ｔ２の関係を満足していても、露光時間ｔ１が長い場合は良好なパターン形状を得ることができない。発明者らの検討によればｔ１は一般的には１０秒以下であることが望ましい。
【００５４】
また、図５で示した結果において、一回の露光時間が同じ条件である（５）から（８）で得られたレジスト形状を比較すると、非露光時間が短い（８）よりも非露光時間が長い（５）のほうが、レジスト斜面角度が僅かながら急峻で良好な形状パターンであった。しかし、非露光時間が露光時間に比べて十分長い条件である（５）と（６）のレジスト形状はほとんど差が無く、ｔ２を１０ｔ１以上に大きくしても、もはや効果は変わらなかった。
【００５５】
また、ｔ１＝ｔ２の条件で露光した（８）、（１０）および（１２）を比較した場合、露光時間ｔ１が短いほどレジストの斜面角度が僅かながら急峻な、より良好なパターン形状が得られた。
【００５６】
図５の実験結果は、露光時および非露光時を通し、抜気用凹部を介して真空引きを行いながら露光処理をした結果であって、非露光時のみ真空引きを行った場合でも同様の効果を得ることが可能である。この場合、露光時には真空引き行わないため、そのかわりに非露光時間を露光時間分だけ増加させる必要がある。そのため、非露光時のみ真空引きを行う場合において、良好なパターン形状を得るための露光時間ｔ１と非露光時間ｔ２の必要条件は、２ｔ１≦ｔ２となる。
【００５７】
なお、本発明者らは、ＵＶ照射パワー２５ｍＷ／ｃｍ２以下、レジスト膜厚０．２５〜１．００μｍの範囲で検討を行ったところ、上記ｔ１、ｔ２の関係を満たすいずれかの条件で、上記発明の効果が得られた。
【００５８】
したがって、露光時にレジスト膜の凸部２５２とフォトマスク３１との密着部に隙間８が発生するのを防止でき、フォトマスク３１とレジスト膜の凸部２５２との密着性が向上する。このため、露光時の光の回り込みを防止でき、より微細かつ良好なレジストパターン形状が得られる。
【００５９】
マスクアライナーによるパターン形成においては、図１４の従来例でレジストパターンを形成した場合、線幅（レジスト凹所２１の幅）は０．５μｍが限度であったのに対して、本実施の形態によれば、０．３μｍの線幅が実現できた。このため、本実施の形態によれば、レジストとフォトマスクとの密着部での隙間発生を防止することにより、マスクアライナーによる線幅の限界を高めることができ、マスクアライナーにおいても高解像度のパターンが得られることになる。
【００６０】
ここで、マスクアライナーはウエハー面内の一括露光であるため、パターンのつなぎ合わせが不要となり、広範囲にパターン精度を保つことができる。例えば、現在我々がマスター情報担体に用いている基体は直径１００ｍｍであるが、マスクアライナーによれば直径１５０ｍｍ以上でも一括露光が可能になる。
【００６１】
一方、ステッパーによれば、１００ｎｍ以下の微細なパターン幅をも実現できる。しかしながら、一回で露光できる面積は、一般的に３０ｍｍ×３０ｍｍ以下である。そのため、それより大きな連続したパターンを露光するためには、パターンのつなぎ合わせが必要となる。この場合、マスター情報担体で要求されるような、高精度なつなぎ合わせを実現することは困難である。
【００６２】
さらに、ステッパーによれば、高解像度のパターンが実現できるものの、設備コストも高くなる。例えば、本実施の形態では０．３μｍの線幅が実現できたが、これと同程度の線幅を形成できるステッパーの設備コストは、マスクアライナーの設備コストの約５倍である。また、マスクアライナーを用いた場合は、ステッパーに比べて、設備の維持管理費も大幅に抑えることができる。
【００６３】
すなわち、本実施の形態によれば、ステッパーに比べ、コスト面で大幅に有利なマスクアライナーによるパターン形成において、フォトマスクとレジストとの密着性不具合による線幅の限界の課題を解決し、より高解像のパターンが得られることになる。
【００６４】
（実施の形態３）
実施の形態３は実施の形態２に係るレジストパターン形成方法を、マスター情報担体の製造方法に用いた実施の形態である。
【００６５】
まず、全体構成を説明するため、抜気用凹部形成後の図６について説明する。非磁性基体１１上にはレジスト膜２が塗布されており、レジスト膜２には、レジスト膜の凸部２５２と抜気用凹部２５１とで凹凸が形成されている。抜気用凹部２５１は、非磁性基体１１上の略径方向に延びた溝状部分と、凸部２５２を囲む円環状部分とで形成されている。このため、抜気用凹部２５１は、内周部から外周部を経て、非磁性基体１１の外部空間に通じていることになる。
【００６６】
図７（ａ）〜図７（ｄ）は、本実施の形態の第１の例に係るレジストパターン形成方法を、また、図８（ｅ）〜図８（ｇ）は形成したレジストパターンを用いたマスター情報担体の製造方法の一例を示す断面図である。
【００６７】
図７（ａ）は抜気用凹部２５１形成の露光工程を示しており、図７（ｂ）は抜気用凹部２５１形成後の状態を示している。図７（ａ）に示すように、非磁性基体１１に塗布されたレジスト膜２にフォトリソグラフィ技術を用いて、フォトマスク３を介してレジスト膜２をＵＶ光４で露光した後、現像する。このことにより、図７（ｂ）に示すようにレジスト膜２の表面に抜気用凹部２５１及びレジスト膜の凸部２５２が形成される。
【００６８】
図７（ｃ）〜図７（ｄ）はレジストパターン形成の露光工程を示している。図７（ｃ）に示すように、ディジタル信号のパターンに対応したフォトマスク３３とレジスト膜の凸部２５２の表面を接触させた後、基体ホルダー（図示せず）とフォトマスク３３との間を密閉する。さらに、図６に示したように、非磁性基体１１の外周にまで通じた抜気用凹部２５１を介して、非磁性基体１１の外周部から矢印７に示す方向に沿って真空引きを行なう。この真空引きによる抜気により、フォトマスク３３とレジスト膜２とが密着することになる。
【００６９】
次に、図７（ｄ）に示すようにＵＶ光４を照射し、フォトマスク３３の透過部３２を通してレジスト膜２を露光する。本実施の形態３における露光方法は、露光と非露光を複数回繰り返し処理する間欠露光であって、露光時間の総合計がレジストの目標線幅を実現するのに必要な露光時間に達するまで図７（ｃ）と図７（ｄ）を繰り返し行う。その後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、図８（ｅ）に示すように、ディジタル信号に対応したレジスト凹所２１を有するレジストパターン２１１が形成される。
【００７０】
図８（ｆ）は強磁性薄膜を成膜した状態を示し、図８（ｇ）は強磁性薄膜パターン６３形成後の状態を示している。図８（ｆ）に示すように、非磁性基体１１およびレジストパターン２１１上に強磁性薄膜６を成膜した後、レジストパターン２１１上に堆積した不要な強磁性薄膜６を溶剤を用いてリフトオフし、図８（ｇ）に示すように、強磁性薄膜パターン６３を形成するマスター情報担体の製造方法である。
【００７１】
図９（ａ）〜（ｅ）、図１０（ｆ）〜（ｉ）は、本実施の形態３の第２の例を示している。図９（ａ）〜（ｅ）は、抜気用凹部２５１の形成から、レジストパターン２１１形成までの工程を示している。
【００７２】
図９（ａ）は抜気用凹部２５１形成の露光工程を示しており、図９（ｂ）は抜気用凹部２５１形成後の状態を示している。図９（ａ）に示すように、非磁性基体１１に塗布されたレジスト膜２にフォトリソグラフィ技術を用いて、フォトマスク３を介してレジスト膜２をＵＶ光４で露光した後、現像する。このことにより、図９（ｂ）に示すようにレジスト膜２の表面に抜気用凹部２５１及びレジスト膜の凸部２５２が形成される。
【００７３】
次に、図９（ｃ）に示すように、ディジタル信号のパターンに対応したフォトマスク３３とレジスト表面を接触させた後、非磁性基体外周部より真空引き７を行い、抜気用凹部２５１を介して抜気し、フォトマスク３３とレジスト膜の凸部２５２を密着させ露光する。
【００７４】
その後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、図９の（ｅ）に示すように、ディジタル信号に対応したレジスト凹所を有するレジストパターン２１１が形成される。
【００７５】
本実施の形態３の第２の例における露光方法は、露光と非露光を複数回繰り返し処理する間欠露光であって、露光時間の総合計がレジストの目標線幅を実現するのに必要な露光時間に達するまで図９（ｃ）と図９（ｄ）を繰り返し処理を行う。
【００７６】
また、図１０（ｆ）〜図１０（ｉ）は形成したレジストパターンを用いたマスター情報担体の製造方法の他の一例を示す断面図である。図１０（ｆ）は、基体凹所１３を形成するエッチング工程を示しており、図１０（ｇ）は基体凹所１３形成後の状態を示している。図１０（ｈ）は強磁性薄膜６を成膜した状態を示し、図１０（ｉ）は強磁性薄膜パターン６３が基体凹所に埋め込まれた状態を示している。
【００７７】
図１０（ｆ）に示すように、レジストパターン２１１をマスクにして非磁性基体１１を反応性ガス５によってエッチングする。このことにより、図１０（ｇ）に示すように、ディジタル信号に対応したパターンを有する基体凹所１３が形成される。
【００７８】
この基体凹所に埋め込むように強磁性薄膜６を成膜後リフトオフすることにより、図１０（ｉ）に示すように、非磁性基体１１内に埋め込まれた強磁性薄膜パターン６３を形成する。
【００７９】
図１１（ａ）〜図１１（ｆ）は、本実施の形態３の第３の例を示している。
【００８０】
図１１（ａ）は強磁性薄膜６を成膜した非磁性基体１１に塗布されたレジスト膜２にフォトリソグラフィ技術を用いて抜気用凹部２５１形成した後の状態を示している。尚、抜気用凹部２５１を形成する工程は、本実施の形態３の第１および第２の例と同様なので説明は省略する。
【００８１】
次に、図１１（ｂ）に示すように、ディジタル信号のパターンに対応したフォトマスク３３とレジスト表面を接触させた後、真空引き７を行い、抜気用凹部２５１を介して抜気し、フォトマスク３３とレジスト膜の凸部２５２を密着させ露光する。本実施の形態における露光方法は、露光と非露光を複数回繰り返し処理する間欠露光であって、露光時間の総合計がレジストの目標線幅を実現するのに必要な露光時間に達するまで図１１（ｂ）〜図１１（ｃ）を繰り返し行う。その後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、図１１（ｄ）に示すように、ディジタル信号に対応したレジスト凹所21を有するレジストパターン２１１が形成される。
【００８２】
次に、図１１（ｅ）に示すように、レジストパターン２１１をマスクにして、反応性ガス５によるエッチングあるいはイオンミリング等により強磁性薄膜６をエッチングし、その後、強磁性薄膜パターン６３上の不要なレジストを除去することによりマスター情報担体が完成する。
【００８３】
本実施の形態では、抜気用凹部２５１を形成するのに必要な露光量Ｅ１を、レジストの残膜厚がゼロになる露光量（しきい値露光量）Ｅｔよりも大きくし、抜気用凹部２５１では強磁性薄膜６の表面が露出している場合を示しているが、Ｅｔ＞Ｅ１の関係が成り立つような露光量で露光することにより抜気用凹部２５１にレジストが残存している場合でも、図１１（ｃ）で示すフォトマスク３３を用いた露光によって抜気用凹部２５１の残存レジストは全て感光し、現像後に除去することができる。そのため、どちらの場合でもレジスト膜の凸部２５２のみにディジタル信号に対応した強磁性薄膜パターンが形成される。
【００８４】
本実施の形態によれば、ディジタル信号に対応したレジストパターン２１１を形成するために必要な露光時間を複数回に分割して露光するため、一回あたりの露光時間が短くなるので、その一回あたりの露光でレジストから発生する窒素ガスは一括露光に比べて少なくなる。また、非露光時は、抜気用凹部を介して真空引きを行っているので、発生した窒素ガスは効率よく非磁性基体の外周部より排出される。その結果、フォトマスクとレジストの密着性の低下を大幅に抑えた状態で露光できるので、現像後に良好な形状のレジストパターンが形成でき、良好なパターン精度を有するマスター情報担体を作成することができる。
【００８５】
（実施の形態４）
実施の形態４は実施の形態３に係るマスター情報担体の製造法を用いた磁気記録媒体の製造方法、磁気記録再生装置の製造方法、および磁気記録再生装置について説明する。
【００８６】
図１２は、情報信号の磁気転写記録を実施するための記録装置の概略図を示している。図１２において、磁気記録媒体である磁気ディスク４９は、中心孔４９ａを有するドーナツ円盤状のディスクである。磁気ディスク４９は、非磁性基板の表面にＣｏ等を主成分とする強磁性薄膜をスパッタリング法によって成膜することにより構成されている。
【００８７】
磁気ディスク４９の強磁性薄膜表面に接触するように、円盤状のマスター情報担体３９が重ね合わせて配置している。マスター情報担体３９は、本実施の形態３で説明した製造方法により製造したものであり、磁気ディスク４９に接触する側の表面に信号領域３９ａが設けられている。信号領域３９ａは、本実施の形態３の強磁性薄膜パターン６３で形成されたものであり、磁気ディスク４９に磁気転写記録すべき情報信号に対応した微細な配列パターンである。
【００８８】
磁気ディスク４９は、ディスク保持体３４で保持されている。ディスク保持体３４の先端部には、磁気ディスク４９を位置決め保持するチャック部３４ａが設けられている。また、ディスク保持体３４の内部には吸引孔３４ｂが設けられており、吸引孔３４ｂは磁気ディスク４９の中心孔４９ａに連通し、かつ一端が排気ダクト３５に接続されている。
【００８９】
排気ダクト３５の端部には排気装置３６が装着されており、この排気装置３６を始動させることにより、排気ダクト３５、ディスク保持体３４の吸引孔３４ｂを通して、磁気ディスク４９とマスター情報担体３９との間の空間が負圧状態となる。このことにより、マスター情報担体３９が磁気ディスク４９側に吸引され、マスター情報担体３９に磁気ディスク４９が位置決めされた状態で重ね合わされることになる。
【００９０】
着磁用ヘッド３７は、マスター情報担体３９から磁気ディスク４９に転写記録する際に必要な外部磁界を印加するためのものである。着磁用ヘッド３７から印加される磁界により、マスター情報担体３９に形成された情報信号に対応した強磁性薄膜パターンが磁化され、これらから発生する漏れ磁束によって磁気ディスク４９に信号領域３９ａの強磁性薄膜パターンに対応した情報信号が記録される。
【００９１】
さらに、以上のような工程を経て製造した磁気記録媒体を用いて、磁気記録再生装置を製造することができる。磁気記録再生装置の詳細は、後に図１３を用いて説明するが、磁気記録再生装置を製造する際には、マスター情報担体を用いて情報信号を記録した磁気記録媒体を回転部分に搭載することになる。
【００９２】
図１３は、磁気記録再生装置の概略図を示している。磁気記録媒体である磁気ディスク４１は、前記のような工程を経て製造したものである。磁気ディスク４１は、回転部分であるスピンドル４２上に支持されている。磁気ディスク４１は、スピンドル４２を介して回転手段であるスピンドルモータ４３の回転によって回転する。
【００９３】
薄膜磁気ヘッド４４は、支持部材であるサスペンション４５及びアクチュエータアーム４６を介して移動手段であるアクチュエータ４７に取り付けられている。
【００９４】
この構成によれば、薄膜磁気ヘッド４４はアクチュエータ４７の動作により、移動できる。また、薄膜磁気ヘッド４４は、磁気ディスク４１面に対向して配置されている。このため、磁気ディスク４１の回転、及び薄膜磁気ヘッド４４の磁気ディスク４１の半径方向の移動によって、磁気ディスク４１のほぼ全面に対して信号の読み書きが可能となる。また、磁気ディスク４１の回転の制御、薄膜磁気ヘッド４４の位置制御、及び記録再生信号の制御等は処理手段である制御回路４８で行われる。
【００９５】
（実施例）
以下、本発明の一実施例について説明する。基体上にレジスト厚約０．７μｍのレジスト膜をスピンコート塗布し、９０℃のホットプレートで１分間ソフトベークした後、レジスト膜表面の一部分にＵＶ照射パワー１０ｍＷ／ｃｍ２で２秒〜４秒露光し現像することによって段差量が約０．１〜０．５μｍのレジストの凹凸を形成した。
【００９６】
次に、所要のパターンが搭載されたフォトマスクとレジスト膜の凸部とを接触し、真空引きにより密着させて、目標線幅を得るための露光量（Ｅ0）を分割し、露光時間（ｔ１）１秒、非露光時間（ｔ２）２秒を繰り返し、総露光量がＥ0に達するまで露光し、現像することによりサブミクロン領域の線幅においても良好な形状のレジストパターンを得ることができた。
【００９７】
このような方法で作製したマスター情報担体を用いて、磁気記録媒体にプリフォーマット記録し、この磁気記録媒体を用いて、図１３に示したような磁気記録再生装置を作製した。磁気記録媒体に記録された信号を、ヘッド（薄膜磁気ヘッド４４）を用いて読みとることにより評価した。その結果、パターン線幅が０．３μｍの細線でも、設計通りの信号が記録されていることを確認した。
【００９８】
一方、レジストパターンを前記の図１４に示した従来方法で作成したマスター情報担体を用いて行った評価では、パターン線幅が０．５μｍまで細線化すると設計通りの再生信号が得られなかった。
【００９９】
ここで、パターン線幅が小さくなると、転写記録されたトラッキング用サーボ信号の磁化反転長が小さくなるため、その信号に基づいたトラック幅方向の分解能が向上し位置決め精度が向上する。この場合の位置決め精度は、磁化反転長の逆数に比例し、線幅が０．５μｍから０．３μｍになると、トラック幅方向の位置決め精度は約１．７倍(０．５μｍ／０．３μｍ)になる。
【０１００】
転写記録されたトラッキング用サーボ信号の磁化反転長が小さくなった場合、トラッキングサーボ信号の占有面積が同一であると仮定すると、磁化反転長が小さくなった分、その中に存在する信号の繰返し周期を増加させることができる。その結果、信号の平均化効果により、信号Ｓ／Ｎが改善し、位置決め精度を向上させることができる。この場合の位置決め精度は、磁化反転長の逆数の平方根に比例し、線幅が０．５μｍから０．３μｍになると、トラック幅方向の位置決め精度が約１．３倍になる。
【０１０１】
これらの二つの効果により、線幅が０．５μｍから０．３μｍになると、トラック幅方向の位置決め精度は約２．２倍(１．７×１．３)になる。すなわち、トラック幅方向の密度を２．２倍に高めることが可能となり、磁気記録再生装置の大容量化の実現に非常に大きな効果を発揮することになる。
【０１０２】
以上、本発明の実施形態について例をあげて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、製造過程においてレジストパターンの形成を必要とする各種部品、デバイス等の製造に応用可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１０３】
以上のように、本発明によれば、露光時のフォトマスクとレジスト膜の凸部との密着性が向上し、パターン露光時の光の回り込みを防止でき、より微細かつ良好なレジストパターン形状が得られるので、例えばマスター情報担体等の製造の際のレジストパターンの形成方法に有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】本発明の実施形態１の間欠露光方法を説明する図
【図２】本発明の実施形態２のパターン形成方法を説明する断面図であって、（ａ）〜（ｃ）は抜気用凹部を形成する工程を示す断面図
【図３】図２（ｃ）に続く工程を示し、（ｄ）〜（ｇ）は本発明の実施形態２の露光工程を示す断面図、（ｈ）はレジストパターン形成後の断面図
【図４】本発明の一実施形態に係るレジスト段差量と露光量の関係を示す図
【図５】本発明の実施形態２を用いたパターン形成の実験結果を示す図
【図６】本発明の一実施形態に係る抜気用凹部形成後の基体全体の斜視図
【図７】本発明の実施形態３のマスター情報担体製造方法の一例を示しており、（ａ）〜（ｂ）は抜気用凹部を形成する工程の断面図、（ｃ）〜（ｄ）はパターン露光工程を示す断面図
【図８】図７（ｄ）に続く工程であって、（ｅ）はパターン形成後の断面図、（ｆ）は強磁性薄膜を成膜後の断面図、（ｇ）は強磁性薄膜パターン形成後を示す断面図
【図９】本発明の実施形態３のマスター情報担体製造方法の他の一例を示しており、（ａ）〜（ｂ）は抜気用凹部を形成する工程の断面図、（ｃ）〜（ｄ）はパターン露光工程を示す断面図、（ｅ）はレジストパターン形成後の断面図
【図１０】図９（ｅ）に続く工程であって、（ｆ）は基体凹所を形成するためのエッチング工程を示す断面図、（ｇ）は基体凹所形成後を示す断面図、（ｈ）は強磁性薄膜を成膜後の断面図、（ｉ）は強磁性薄膜パターン形成後を示す断面図
【図１１】本発明の実施形態３のマスター情報担体製造方法の他の一例を示しており、（ａ）は強磁性薄膜上に塗布されたレジストに抜気用凹部を形成した状態を示す断面図、（ｂ）〜（ｃ）はパターン露光工程を示す断面図、（ｄ）はレジストパターン形成後の状態を示す断面図、（ｅ）は強磁性膜をエッチングする工程を示す断面図、（ｆ）は強磁性薄膜パターン形成後を示す断面図
【図１２】本発明の一実施例に係る磁気記録媒体の製造方法を示す概略図
【図１３】本発明の一実施例に係る磁気記録再生装置の概略図
【図１４】従来方法によるパターン形成方法の一例を示す断面図
【図１５】レジストの光反応を説明する図
【図１６】従来法によるレジスト膜の凸部や抜気用凹部とレジスト凹所の関係を模式的に示す平面図
【図１７】露光時の窒素ガス発生を説明する図
【図１８】従来法により形成されたパターンの形状不良を説明する平面図
【符号の説明】
【０１０５】
１    基体
１１    非磁性基体
１３    基体凹所
１５    基体外端部
１５５    非磁性基体外周部
２    レジスト
２１    レジスト凹所
２１１    レジストパターン
２５    レジスト表面の凹凸
２５１    抜気用凹部
２５２    レジスト膜の凸部
３    抜気用凹部を形成するためのフォトマスク
３１    所要の形状パターンを有するフォトマスク
３２    フォトマスクの透過部
３３    ディジタル信号に対応したパターンを有するフォトマスク
３９    マスター情報担体
４    ＵＶ光
４１    窒素ガス
５    エッチング
６    強磁性薄膜
６３    強磁性薄膜パターン
７    真空引き
８    隙間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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