(57)【要約】      （修正有） 【課題】半導体装置の個片化加工時の衝撃力や、個片化された半導体装置への外力などによって発生するチッピング若しくはメタルばりが、半導体装置の品質低下及び個片化以降工程で製造不良になることを防止する。【解決手段】チッピング１０１若しくはメタルばり１０２が発生してもチッピング１０１若しくはメタルばり１０２発生面にコーティングすることによって、半導体装置１はチッピング１０１による強度低下を補う品質向上ができ、またメタルばり１０２もコーティングされるため突発性外力が半導体装置１に加わっても半導体装置１からメタルばり１０２が脱落することがなくなり半導体装置の品質が安定する。更にコーティングによってダイスボンディング時の接着樹脂が半導体装置電極１１への這い上がりを防止でき生産性も向上でき、品質の良い生産的に安価な半導体装置とかつその半導体装置の製造方法並びに製造装置を提供できる。【選択図】図１
2005183640.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電極を具備する半導体装置であって、
半導体装置の側面および半導体装置電極面側の少なくとも半導体装置電極に到らない領域に半導体装置と同一または異種の材料で形成された任意の形状のコート部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記コート部が前記半導体装置の半導体装置電極面と対向する半導体装置底面側にまでおよぶことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記コート部の材料はメッキ可能な金属系材料もしくは熱硬化性樹脂材料であることを特徴とする請求項１または請求２のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項４】
複数の半導体素子を形成した半導体ウェハをスクライブ領域でダイシングして半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体ウェハの半導体装置電極面にコートマスクを貼り付ける工程と、
前記半導体ウェハをコート液中に浸漬する工程と、
前記半導体ウェハをダイシングしながら前記半導体装置の側面および半導体装置電極面側の少なくとも前記半導体装置電極に到らない領域にコート部を形成する工程と、
前記コートマスクを除去する工程と
を有し、半導体装置の切断面にコート部を設けることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
複数の半導体素子を形成した半導体ウェハをスクライブ領域でダイシングして半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体ウェハの半導体装置電極面にコートマスクを貼り付ける工程と、
前記半導体ウェハをダイシングする工程と、
ダイシングして個辺化した半導体チップをコート液中に浸漬して半導体装置の側面および半導体装置電極面側の少なくとも前記半導体装置電極に到らない領域にコート部を形成する工程と、
前記コートマスクを除去する工程と
を有し、半導体装置の切断面にコート部を設けることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
複数の半導体素子を形成した半導体ウェハをスクライブ領域でダイシングして半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体ウェハをコート液中に浸漬する工程と、
前記半導体ウェハをダイシングしながら前記半導体装置の側面および半導体装置電極面側の少なくとも前記半導体装置電極に到らない領域にコート部を形成する工程と、
を有し、半導体装置の切断面にコート部を設けることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
複数の半導体素子を形成した半導体ウェハをスクライブ領域でダイシングして半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体ウェハの半導体装置電極面にコートマスクを貼り付ける工程と、
前記半導体ウェハをダイシングする工程と、
ダイシングして個辺化した前記半導体チップをコート液中に浸漬して半導体装置の側面および半導体装置電極面側の少なくとも前記半導体装置電極に到らない領域にコート部を形成する工程と、
を有し、半導体装置の切断面にコート部を設けることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記コート部を形成する工程において、半導体装置を接着するダイシングテープを半導体装置底面に貼付することを特徴とする請求項４または請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記コート部を形成する工程において、半導体装置底面の側面付近以外により半導体装置を固定する形態の半導体装置固定治具を用いて前記半導体装置を固定し、前記形成されるコート部が前記半導体装置の半導体装置電極面と対向する半導体装置底面側にまでおよぶことを特徴とする請求項４または請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記コート液は導電性を有し、前記コート液と前記半導体装置を電気的に接続して通電させることによって、コート液成分を半導体装置に付着させてコート部を形成することを特徴とする請求項４または請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記コート液は導電性を有し、ダイシングに用いるダイシングブレードと前記半導体装置を電気的に接続して通電させることによって、コート液成分を半導体装置に付着させてコート部を形成することを特徴とする請求項４または請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記コート液は半導体装置材料と結合しやすいコート液であることを特徴とする請求項４または請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記コート液は熱硬化性樹脂を成分とし、ダイシング時の切断加工発熱により熱硬化性樹脂を硬化させ、コート液成分を半導体装置に付着させてコート部を形成することを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記コートマスクの外形もしくはコートマスク平面内を任意の形状に作製することにより任意の形状のコート部を形成することを特徴とする請求項４または請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハに形成された半導体チップをダイシングにより個辺化して半導体装置を製造する半導体装置と半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化に対応するために、半導体部品の高密度実装がますます要求されてきており、これに伴って半導体装置の小型化および薄型化が進展している。さらに、生産コスト、生産性向上のために種々の工夫がなされている。
【０００３】
以下、従来の半導体装置の製造方法について説明する。
図１１は従来の半導体装置を示す図である。
図１１において、半導体装置１は外部との電気信号のやりとりを行う半導体装置電極１１を具備している。
【０００４】
ここで、半導体装置１にはダイシングなどによる半導体装置１の個片化加工時の衝撃力や、個片化された半導体装置１への外力などによってチッピング１０１が発生する。さらに、主にメタルを材料としているスクライブＰＣＭ（プロセスコントロールモジュール）はダイシングなどの加工をすると延性材料のためメタルばり１０２が発生する。
【０００５】
このチッピング１０１は半導体装置１の強度を低下させ、最悪の場合にはチッピング１０１が起点となって半導体装置１が割れ破壊してしまうこともあり、半導体装置１の致命的欠陥につながるという問題点があった。また、チッピング１０１による半導体装置１の欠けは、個片化以降の半導体装置製造工程での不良の原因やカスタマーでの実装不良につながる。さらにに、このメタルばり１０２は個片化以降の半導体装置製造工程、特にダイスボンディングでの半導体装置１の保持不良やメタルばり１０２が半導体装置１より脱落し半導体装置電極１１に付着することでワイヤーボンディング不良の原因ともなり、強いてはカスタマーでの実装不良につながるという問題点があった。
【０００６】
図１２は従来の半導体装置の製造方法を示す図である。
まず、図１２（ａ）に示す工程で、複数の半導体装置１とその半導体装置１間にダイシング可能な半導体装置スクライブ部１２およびウェハ製造プロセスでの出来映え管理のための半導体装置スクライブＰＣＭ１３を具備する半導体ウェハを用意する。その後、図１２（ｂ）に示す工程でダイシングテープ６に貼付された半導体装置１に切削水１０３をかけながら、ダイシングブレード５により半導体装置１を個片化させる。ここで、ダイシングブレード５は、一般的にダイヤモンド砥粒とダイヤモンド砥粒を保持するボンド剤で構成されている。従って、ダイシングブレード５による個片化加工は半導体装置１スクライブ部１２を破砕しながら加工するため、図１２（ｃ）に示すチッピング１０１を誘発する原因となってしまう。また、半導体装置スクライブＰＣＭ１３は主にメタルを主材料とする延性金属材料で構成されているためダイシングなどの個片化加工で、半導体装置スクライブＰＣＭ１３はメタルばり１０２となってしまう。このメタルばり１０２も延性材料のため、個片化しても中には半導体装置１に残っている場合があるが突発性外力によっては半導体装置１から脱落してしまう（例えば、特許文献１，特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平１０−１５４６７０号公報
【特許文献２】特開平１１−１２１５１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従って、従来の半導体装置の製造方法では、チッピング１０１もしくはメタルばり１０２を抑制するダイシング条件の抽出や半導体装置スクライブ部１２の構造対策などにより、チッピング１０１もしくはメタルばり１０２を最小限に抑制する取組みをしていた。しかしながら、ダイシングブレード５による加工ではチッピング１０１もしくはメタルばり１０２は必然的に発生するため半導体装置１の品質低下を解消することはできなかった。
【０００８】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであって、その目的は、チッピングもしくはメタルばりが発生しても、半導体装置はチッピングによる強度低下を防止し、突発性外力が半導体装置に加わっても半導体装置からメタルばりが脱落することがなくなり半導体装置の品質が安定することである。さらに、生産性を向上し、品質の良い半導体装置と半導体装置の半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の請求項１記載の半導体装置は、複数の電極を具備する半導体装置であって、半導体装置の側面および半導体装置電極面側の少なくとも半導体装置電極に到らない領域に半導体装置と同一または異種の材料で形成された任意の形状のコート部を有することを特徴とする。
【００１０】
請求項２記載の半導体装置は、請求項１記載の半導体装置において、前記コート部が前記半導体装置の半導体装置電極面と対向する半導体装置底面側にまでおよぶことを特徴とする。
【００１１】
請求項３記載の半導体装置は、請求項１または請求２のいずれかに記載の半導体装置において、前記コート部の材料はメッキ可能な金属系材料もしくは熱硬化性樹脂材料であることを特徴とする。
【００１２】
請求項４記載の半導体装置の製造方法は、数の半導体素子を形成した半導体ウェハをスクライブ領域でダイシングして半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、前記半導体ウェハの半導体装置電極面にコートマスクを貼り付ける工程と、前記半導体ウェハをコート液中に浸漬する工程と、前記半導体ウェハをダイシングしながら前記半導体装置の側面および半導体装置電極面側の少なくとも前記半導体装置電極に到らない領域にコート部を形成する工程と、前記コートマスクを除去する工程とを有し、半導体装置の切断面にコート部を設けることを特徴とする。
【００１３】
請求項５記載の半導体装置の製造方法は、複数の半導体素子を形成した半導体ウェハをスクライブ領域でダイシングして半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、前記半導体ウェハの半導体装置電極面にコートマスクを貼り付ける工程と、前記半導体ウェハをダイシングする工程と、ダイシングして個辺化した半導体チップをコート液中に浸漬して半導体装置の側面および半導体装置電極面側の少なくとも前記半導体装置電極に到らない領域にコート部を形成する工程と、前記コートマスクを除去する工程とを有し、半導体装置の切断面にコート部を設けることを特徴とする。
【００１４】
請求項６記載の半導体装置の製造方法は、複数の半導体素子を形成した半導体ウェハをスクライブ領域でダイシングして半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、前記半導体ウェハをコート液中に浸漬する工程と、
前記半導体ウェハをダイシングしながら前記半導体装置の側面および半導体装置電極面側の少なくとも前記半導体装置電極に到らない領域にコート部を形成する工程と、
を有し、半導体装置の切断面にコート部を設けることを特徴とする。
【００１５】
請求項７記載の半導体装置の製造方法は、複数の半導体素子を形成した半導体ウェハをスクライブ領域でダイシングして半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、前記半導体ウェハの半導体装置電極面にコートマスクを貼り付ける工程と、前記半導体ウェハをダイシングする工程と、ダイシングして個辺化した前記半導体チップをコート液中に浸漬して半導体装置の側面および半導体装置電極面側の少なくとも前記半導体装置電極に到らない領域にコート部を形成する工程と、を有し、半導体装置の切断面にコート部を設けることを特徴とする。
【００１６】
請求項８記載の半導体装置の製造方法は、請求項４または請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、前記コート部を形成する工程において、半導体装置を接着するダイシングテープを半導体装置底面に貼付することを特徴とする。
【００１７】
請求項９記載の半導体装置の製造方法は、請求項４または請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、前記コート部を形成する工程において、半導体装置底面の側面付近以外により半導体装置を固定する形態の半導体装置固定治具を用いて前記半導体装置を固定し、前記形成されるコート部が前記半導体装置の半導体装置電極面と対向する半導体装置底面側にまでおよぶことを特徴とする。
【００１８】
請求項１０記載の半導体装置の製造方法は、請求項４または請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、前記コート液は導電性を有し、前記コート液と前記半導体装置を電気的に接続して通電させることによって、コート液成分を半導体装置に付着させてコート部を形成することを特徴とする。
【００１９】
請求項１１記載の半導体装置の製造方法は、請求項４または請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、前記コート液は導電性を有し、ダイシングに用いるダイシングブレードと前記半導体装置を電気的に接続して通電させることによって、コート液成分を半導体装置に付着させてコート部を形成することを特徴とする。
【００２０】
請求項１２記載の半導体装置の製造方法は、請求項４または請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、前記コート液は半導体装置材料と結合しやすいコート液であることを特徴とする。
【００２１】
請求項１３記載の半導体装置の製造方法は、請求項４記載の半導体装置の製造方法において、前記コート液は熱硬化性樹脂を成分とし、ダイシング時の切断加工発熱により熱硬化性樹脂を硬化させ、コート液成分を半導体装置に付着させてコート部を形成することを特徴とする。
【００２２】
請求項１４記載の半導体装置の製造方法は、請求項４または請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、前記コートマスクの外形もしくはコートマスク平面内を任意の形状に作製することにより任意の形状のコート部を形成することを特徴とする。
【００２３】
以上により、半導体装置底面側にチッピングが発生してもチッピング部にコーティングされているため半導体装置の強度向上とチッピングによる半導体装置の欠けを防止でき半導体装置の品質向上が提供できる。さらにメタルばりもコーティングされるため突発性外力が半導体装置に加わっても半導体装置からメタルばりが脱落することがなくなり半導体装置の品質が安定する。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の半導体装置によると、半導体装置にチッピングが発生していてもコート部が存在するために、チッピングによる半導体装置の強度低下を防止し、かつ、チッピングを起点に半導体装置が破壊することがなくなり半導体装置１の品質が向上する。また、メタルばりもコーティングされるため突発性外力が半導体装置に加わっても半導体装置からメタルばりが脱落することがなくなり半導体装置の品質が安定する。さらに、コート部が存在する故に外力による半導体装置へのダメージリスクが回避でき、半導体装置の品質が向上しかつ安定する。また、本発明の製造方法および製造装置によると、既存にある工程フローおよび設備を流用もしくは一部を改造するのみで、任意の所望する半導体装置の部位にコート部をコーティングすることができ、生産性が高く、容易にコート部付き半導体装置が提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
図１は本発明の半導体装置の底面側に到らないコート部を有するコート半導体装置を示す図であり、図２は本発明の半導体装置の底面側にまでコート部を有するコート半導体装置を示す図である。
【００２６】
図１および図２において、それぞれ、半導体装置電極１１を具備した半導体装置１の側面および半導体装置電極面側に少なくとも半導体装置電極１１に到らないコート部２を備えている。ただし、半導体装置電極１１を使用しない場合はコート部２が半導体装置電極１１に到るもしくはコートされても構わない。半導体装置電極１１を使用しない場合とは、例えば、半導体装置１の特性評価のみの為の半導体装置電極１１で、半導体装置１の個片化前のプローブ検査で使用するがワイヤーボンディングせず、コートされてもワイヤーボンディング上、支障をきたさない場合などを指す。ここで図１は、コート部２が半導体装置１の底面側に到らないコート部２の形状をしており、図２はコート部２が半導体装置１の底面側にまでコート部２を有する形状をしている。図１、図２ともに半導体装置１にチッピング１０１が発生していてもコート部２が存在するために、チッピング１０１による半導体装置１の強度低下を防止し、かつ、チッピング１０１を起点に半導体装置１が破壊することがなくなり、またメタルばり１０２もコーティングされるため突発性外力が半導体装置１に加わっても半導体装置１からメタルばり１０２が脱落することがなくなり、半導体装置の品質が安定する。さらに、コート部２が存在する故に外力による半導体装置１へのダメージリスクが回避でき、半導体装置１の品質が向上しかつ安定する。
【００２７】
図３，図４は本発明のコート半導体装置の製造方法を示すフロー図である。まず、図３（ａ）では半導体装置電極１１を具備した半導体装置１と半導体装置スクライブ部１２およびウェハ製造プロセスでの出来映え管理のための半導体装置スクライブＰＣＭ１３を含む半導体ウェハを用意する。次に、図３（ｂ）に示すように、次工程で半導体装置電極１１にコート部２がコーティングされないように少なくとも半導体装置電極１１上にコートマスク４を貼付する。次に、図４（ａ）に示すように図３（ｂ）でコートマスク４を貼付した半導体ウェハをダイシングテープ６に貼付し、さらに、コート液３内でダイシングブレード５により、個片化しながら半導体装置１の側面および半導体装置電極面側の少なくとも半導体装置電極１１に到らない箇所にコート液３をコーティングする。ここで、本実施例では半導体装置１の側面および半導体装置電極面側に少なくとも半導体装置電極１１に到らない箇所にコート液３をコーティングしたが、後述する実施例ではダイシングテープ６の形状並びにダイシングテープ６以外の固定治具形状を工夫すれば、半導体装置１の底面側にまでコート部２を有する形状を作製できる。また、コート液３の半導体装置１へのコーティング方法は後述する方法でしても構わない。次に、図４（ｂ）に示すようにコート液３がコーティングされた半導体装置１に貼付されたコートマスク４を剥せば、個片化したコート付き半導体装置１が製造できる。なお、個片化しながらコート液をコーティングしなくても個片化した後にコート液３をコーティングしても構わなく、例えば、図４に示す工程フローで図４（ｂ）の後にコート液３に個片化のみした半導体装置１を入れて、半導体装置１の所望部位にコート液３をコーティングしても構わない。この図３に示すコートダイシングの工程フローの１実施例を使えば、コート液３がコーティングされた半導体装置１が個片化した状態で既存フローに近い形態で製造でき、かつ、半導体装置１にチッピング１０１が発生していてもコート部２が存在するために、チッピング１０１による半導体装置１の強度低下を防止し、チッピング１０１を起点に半導体装置１が破壊することがなくなる。また、メタルばり１０２もコーティングされるため突発性外力が半導体装置１に加わっても半導体装置１からメタルばり１０２が脱落することがなくなり半導体装置の品質が安定する。さらに、コート部２が存在する故に外力による半導体装置１へのダメージリスクが回避でき、半導体装置１の品質が向上し、かつ安定する。
【００２８】
図５は本発明のコートダイシングを説明する図である。
図５のように、コートマスク４を貼付した半導体ウェハをダイシングテープ６に貼付し、さらにコート液３内でダイシングブレード５により、個片化しながら半導体装置１の側面および半導体装置電極面側に少なくとも半導体装置電極１１に到らない箇所にコート液３を図１のようにコーティングする。なお、個片化しながらコート液をコーティングしなくても個片化した後にコート液３をコーティングしても構わない。ここで、半導体装置１の半導体装置電極面側に対向する底面側は半導体装置１がダイシングテープ６に貼付されているため、ダイシングテープ６がコートマスク４と同様の役目を果たして半導体装置１の半導体装置電極面側に対向する底面側がコート液３でコーティングされない。この図５のコートダイシングの１実施例を使えば、ダイシングテープ６がコートマスクと同様の役目を果たして半導体装置１の半導体装置電極面側に対向する底面側がコート液３でコーティングされず、コートマスク４が不要で安価にコート半導体装置が製造できる。
【００２９】
図６は本発明の半導体装置固定治具を用いたコートダイシングを説明する図である。
図６のように、コートマスク４を貼付した半導体ウェハを半導体装置固定治具７に貼付し、さらに、コート液３内でダイシングブレード５により、個片化しながら半導体装置１の側面および半導体装置電極面側に少なくとも半導体装置電極１１に到らない箇所にコート液３を図２のようにコーティングする。なお、個片化しながらコート液をコーティングしなくても個片化した後にコート液３をコーティングしても構わない。ここで、半導体装置１の半導体装置電極面側に対向する底面側の側面近傍付近は、半導体装置固定治具７が無い形状をしており半導体装置１とコート液３が接触している状態としている為、半導体装置１の半導体装置電極面側に対向する底面側の側面近傍付近はコート液３でコーティングされる。
【００３０】
このように半導体装置固定治具７を用いることにより、半導体装置１の半導体装置電極面側に対向する底面側の側面近傍付近はコート液３でコーティングできる。さらに、半導体装置固定治具７はダイシングテープ６と異なり複数枚の半導体ウェハを繰り返し使用可能であり、ダイシングテープ６代のランニングコストが不要で安価にコート半導体装置が製造できることも可能となる。
【００３１】
図７は本発明の第１の電解コートダイシングを説明する図である。
図７のように、コートマスク４を貼付した半導体ウェハをダイシングテープ６に貼付し、さらにコート液３内でダイシングブレード５により、個片化しながら半導体装置１の側面および半導体装置電極面側に少なくとも半導体装置電極１１に到らない箇所にコート液３を図１のようにコーティングする。ここでは、電解タイプのコート液であれば導電する必要があるため、コーティングしたい半導体装置１と導電性コート液層９とにコート電源８を介在させることによって、半導体装置１をカソード側、導電性コート液層９をアノード側にすることで、電位差にてコート液２中の金属イオンが、半導体装置１のコートマスク、ダイシングテープ６以外の部位に付着（メッキ成長）しコーティングされる。半導体装置１のコートマスク、ダイシングテープ６の部位は金属イオンが半導体装置１に付着しないためコーティングされない、コート液３を半導体装置１の所望部位にコーティングすることができる。なお、個片化しながらコート液をコーティングしなくても、個片化した半導体チップに導電することにより、コート液３をコーティングしても構わない。
【００３２】
この図７の電解コートダイシングの１実施例を使えば、電解タイプのコート液であっても半導体装置１にコート液３をコーティングすることができる。
図８は本発明の第２の電解コートダイシングを説明する図である。
【００３３】
図８のように、コートマスク４を貼付した半導体ウェハをダイシングテープ６に貼付し、さらにコート液３内でダイシングブレード５により、個片化しながら半導体装置１の側面および半導体装置電極面側に少なくとも半導体装置電極１１に到らない箇所にコート液３を図１のようにコーティングする。ここでは、電解タイプのコート液であれば導電する必要があるため、コーティングしたい半導体装置１とダイシングブレード５とをコート電源８を介在させることによって、コート液３を半導体装置１の所望部位にコーティングすることができる。なお、個片化しながらコート液をコーティングしなくても、個片化した半導体チップに導電することにより、コート液３をコーティングしても構わない。
【００３４】
この図８の電解コートダイシングの１実施例を使えば、電解タイプのコート液であっても半導体装置１にコート液３をコーティングすることができる。
図９の無電解コートダイシングの１実施例である。
【００３５】
図９のように、コートマスク４を貼付した半導体ウェハをダイシングテープ６に貼付し、さらに、コート液３内でダイシングブレード５により、個片化しながら半導体装置１の側面および半導体装置電極面側に少なくとも半導体装置電極１１に到らない箇所にコート液３を図１のようにコーティングする。ここでは、無電解タイプのコート液であるので導電する必要が無く、半導体装置材料と結合しやすいコート液を用いることによって、コート液３を半導体装置１の所望部位にコーティングすることができる。なお、個片化しながらコート液をコーティングしなくても、コート液３中でダイシングせずに個片化した後に個辺化した半導体チップをコート液３に浸してコート液３をコーティングしても構わない。
【００３６】
この図９の無電解コートダイシングの１実施例を使えば、無電解コート液であれば半導体装置１にコート液３をコーティングすることができる。
ここで、以上の説明で用いたコート液を構成する材料はメッキ可能な金属系材料を用いることができる。
【００３７】
図１０は本発明の熱硬化性樹脂コートダイシングを説明する図である。
図１０のように、コートマスク４を貼付した半導体ウェハをダイシングテープ６に貼付し、さらに、コート液３内でダイシングブレード５により、個片化しながら半導体装置１の側面および半導体装置電極面側に少なくとも半導体装置電極１１に到らない箇所にコート液３を図１のようにコーティングする。ここでは、熱硬化性樹脂タイプのコート液であるので導電する必要が無く、半導体装置１のダイシングブレード５による個片化時に発生する切断加工発熱１０によって、コート液３を半導体装置１の所望部位にコーティングすることができる。このように切断加工発熱を用いることにより、熱硬化性樹脂コート液であれば半導体装置１にコート液３をコーティングすることができる。なお、本実施形態での熱硬化性樹脂としてはエポキシ系樹脂を使用し、切断加工発熱１０は１８０℃以上であった。
【００３８】
以上の本実施形態での条件としては、個片化時のダイシング条件はカット速度１〜２００ｍｍ／ｓｅｃ、回転数２万〜６万ｒｐｍであり、ダイシングブレードとして砥粒はダイヤモンド、立方晶窒化ホウ素、ＧＣ、Ａ、ＷＡ等の材質で、ダイシングブレードボンドは電着、電鋳等のニッケル等の金属をメッキしたもの、またはフリット、セラミック等を焼結したビトリファイド、またはフェノールレジン等の熱硬化性樹脂を焼結したレジン、または銅、すず等の各種メタルを用い焼結したメタル、等の材質で、さらに、ダイシングテープ接着剤はアクリル系、シリコン系、またはフェノール系またはエポキシ系等を主成分とする接着剤であった。
【００３９】
また、コートマスクの外形もしくはコートマスク平面内を任意の形状に作製することで、コート液を半導体装置に上記コートマスク形状を転写し、任意の形状のコーティングした半導体装置を製造することができる。この半導体装置と半導体装置の製造方法によれば、コートマスクを任意の所望する形状に作製するのみで、半導体装置表面に任意のコーティングをした形状を作製でき、例えば導電性コート液を使えばコーティング形状を配線などに応用でき、付加価値の高い品質の安定した半導体装置が提供できる。
【００４０】
さらに、コート液として、半導体装置と同一の材料、または、異種の材料を適宜使用でき、半導体装置の異種の材料において、メッキであれば金属系、樹脂コートであれば熱硬化性樹脂などと工法の選択幅が広がる。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明は、ダイシングの際に半導体装置の品質の劣化を防ぐことを可能とし、半導体装置および半導体装置の製造方法等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の半導体装置の底面側に到らないコート部を有するコート半導体装置を示す図
【図２】本発明の半導体装置の底面側にまでコート部を有するコート半導体装置を示す図
【図３】本発明のコート半導体装置の製造方法を示すフロー図
【図４】本発明のコート半導体装置の製造方法を示すフロー図
【図５】本発明のコートダイシングを説明する図
【図６】本発明の半導体装置固定治具を用いたコートダイシングを説明する図
【図７】本発明の第１の電解コートダイシングを説明する図
【図８】本発明の第２の電解コートダイシングを説明する図
【図９】本発明の無電解コートダイシングを説明する図
【図１０】本発明の熱硬化性樹脂コートダイシングを説明する図
【図１１】従来の半導体装置を示す図
【図１２】従来の半導体装置の製造方法を示す図
【符号の説明】
【００４３】
１    半導体装置
２    コート部
３    コート液
４    コートマスク
５    ダイシングブレード
６    ダイシングテープ
７    半導体装置固定治具
８    コート電源
９    導電性コート液層
１０    切断加工発熱
１１    半導体装置電極
１２    半導体装置スクライブ部
１３    半導体装置スクライブＰＣＭ
１０１    チッピング
１０２    メタルばり
１０３    切削水
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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