(57)【要約】【課題】  絶縁層を介して交差する上層配線と下層配線からなるマトリックス配線を備えた電子源において、上記交差部における短絡部を効率よく修復する。【解決手段】  短絡部を含む上層配線１２の一部を部分的に除去して、該短絡部と上層配線１２とを電気的に遮断する修復工程において、修復領域１４が、下層配線１０の幅方向においては当該下層配線１０の両縁を越え、１２層配線１２の幅方向においては当該上層配線１２の少なくとも片方の縁部は越えない領域とする。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数本の上層配線と、絶縁層を介して前記上層配線と交差する複数本の下層配線と、前記上層配線と前記下層配線とにそれぞれ接続された複数の電子放出素子と、を有する電子源の製造方法であって、基板上に前記下層配線と前記絶縁層と前記上層配線とを形成後、前記下層配線と前記上層配線との交差部における当該両配線の短絡部を包含する、前記上層配線の一部の領域を除去する工程を有し、上層配線の除去される前記一部の領域は、前記下層配線の幅方向においては当該下層配線の両縁を越える領域であって、前記上層配線の幅方向においては前記上層配線の少なくとも片方の縁部は越えない領域であることを特徴とする電子源の製造方法。
【請求項２】
前記上層配線の一部の領域を除去する工程は、当該一部の領域にレーザ照射を行うことを含む請求項１に記載の電子源の製造方法。
【請求項３】
前記レーザ照射は、複数回に分けて行われる請求項２に記載の電子源の製造方法。
【請求項４】
前記レーザ照射におけるビームスポットの外周部分が内側部分よりも出力が小さい請求項２または３に記載の電子源の製造方法。
【請求項５】
前記レーザ照射を行う期間に、少なくとも１回以上、照射するレーザのビームスポットの変更を行う請求項２〜４のいずれかに記載の電子源の製造方法。
【請求項６】
前記上層配線の除去工程が、機械的切削工程である請求項１に記載の電子源の製造方法。
【請求項７】
前記上層配線の除去工程が、機械的切削の後にレーザ照射を行う工程である請求項１に記載の電子源の製造方法。
【請求項８】
複数本の上層配線と、絶縁層を介して該上層配線と交差する複数本の下層配線と、上記上層配線と下層配線との各交点において各配線に接続された素子電極を備えた電子放出素子と、を有する電子源と、該電子放出素子から放出された電子の衝突によって発光する発光部材とを備えた画像表示装置の製造方法であって、上記電子源を、請求項１〜７のいずれかに記載の電子源の製造方法により製造することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マトリックス配線の各交点に電子放出素子を配置した電子源の製造方法と、該電子源を用いて構成される画像表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、平板型画像表示装置として、自発光型の電子放出素子をリアプレート上にマトリックス状に配置した電子源と、蛍光体を有するフェースプレートとを備えた画像表示装置が提案されている。従来より、電子放出素子には大別して、熱電子放出素子と冷陰極電子放出素子とが知られており、冷陰極電子放出素子には、電界放出型（ＦＥ型）、金属／絶縁層／金属型（ＭＩＭ型）、表面伝導型電子放出素子等がある。表面伝導型電子放出素子は、基板上に形成された小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことにより電子放出が生ずる。薄膜の材料としては、ＳｎＯ2、Ａｕ、Ｉｎ2Ｏ3／ＳｎＯ2、カーボンなどが提案されている。
【０００３】
図８に、表面伝導型電子放出素子の一構成例を模式的に示す。図中、１は基板、２，３は素子電極、７は素子膜、８は電子放出部である。また、（ａ）は平面模式図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’断面図である。
【０００４】
図８の電子放出素子は、基板１上に素子電極２，３を形成した後、該素子電極２，３を連絡するように導電性の素子膜７を形成し、素子電極２，３間に電圧を印加して素子膜７に通電フォーミングと呼ばれる通電処理を施すことによって、該素子膜７を局所的に破壊、変形、もしくは変質せしめ、電気的に高抵抗な電子放出部８を形成してなる。
【０００５】
図９に、図８の電子放出素子を用いてなる画像表示装置のパネル構成例を模式的に示す。図中、５１は電子源基体、５２はＸ方向配線、５３はＹ方向配線、５４は電子放出素子、６１はリアプレート、６２は支持枠、６３はガラス基体、６４は蛍光膜、６５はメタルバック、６６はフェースプレート、６７は外囲器、６８は高圧電源である。
【０００６】
図９に示すような自発光型の電子放出素子５４をリアプレート６１上にマトリックス状に配置した画像表示装置においては、複数の電子放出素子５４に給電するために、Ｘ方向配線５２とＹ方向配線５３とが設けられ、それぞれの配線の交差部には少なくとも双方の配線が電気的に短絡しないように、絶縁層（不図示）が配置されている。
【０００７】
このような画像表示装置においては、Ｘ方向配線５２とＹ方向配線５３の交差部において、絶縁層を介して上下に位置する配線間で短絡を発生する場合がある。短絡が発生した箇所は、逐次修復される。例えば、前記画像表示装置の配線形状とは異なるが、半導体層を介して上下に位置する導電層に短絡が発生した場合の修復例として特許文献１に、レーザによる修復方法が提案されている。
【０００８】
【特許文献１】特開平９−２６６３２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１に記載の修復方法をそのまま上記の画像表示装置における上下配線間での短絡の修復に転用しようとしても、その修復作業における時間効率が低く、時間効率を向上させようとすると、多数の短絡部を残存させてしまう結果となる場合がある。
【００１０】
本発明の課題は、複数の電子放出素子をマトリックス配線にて駆動する電子源、及び該電子源を用いて構成される画像表示装置において、マトリックス配線の交差部における短絡部を効率よく修復する工程を備えた製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の第１は、複数本の上層配線と、絶縁層を介して前記上層配線と交差する複数本の下層配線と、前記上層配線と前記下層配線とにそれぞれ接続された複数の電子放出素子と、を有する電子源の製造方法であって、基板上に前記下層配線と前記絶縁層と前記上層配線とを形成後、前記下層配線と前記上層配線との交差部における当該両配線の短絡部を包含する、前記上層配線の一部の領域を除去する工程を有し、上層配線の除去される前記一部の領域は、前記下層配線の幅方向においては当該下層配線の両縁を越える領域であって、前記上層配線の幅方向においては前記上層配線の少なくとも片方の縁部は越えない領域であることを特徴とする。
【００１２】
本発明においては、下記の構成を好ましい態様として含む。
【００１３】
上層配線の一部の領域を除去する工程は、当該一部の領域にレーザ照射を行うことである。特に、レーザ照射は、複数回に分けて行われる、または、ビームスポットの外周部分が内側部分よりも出力が小さい、または、レーザ照射を行う期間に、少なくとも１回以上、照射するレーザのビームスポットの変更を行う。
【００１４】
上層配線の除去工程が、機械的切削工程である。
【００１５】
上層配線の除去工程が、機械的切削の後にレーザ照射を行う工程である。
【００１６】
本発明の第２は、複数本の上層配線と、絶縁層を介して該上層配線と交差する複数本の下層配線と、上記上層配線と下層配線との各交点において各配線に接続された素子電極を備えた電子放出素子と、を有する電子源と、該電子放出素子から放出された電子の衝突によって発光する発光部材とを備えた画像表示装置の製造方法であって、上記本発明の電子源の製造方法により上記電子源を製造することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明においては、効率よく且つ比較的確実に下層配線との短絡部を除去することができる。
【００１８】
よって、本発明によれば、信頼性の高い画像表示装置を、効率よく製造し、より安価に提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に図面を参照して、本発明の好適な実施形態を例示的に詳しく説明するが、当該実施形態に記載されている部材の寸法、材質、形状、相対配置などは、特に記載がない限り、下記に記載の範囲に限定されるものではない。
【００２０】
図１は、本発明の製造方法により製造された電子源の一例の平面模式図である。図中、１は基板、２，３は素子電極、７は素子膜、８は電子放出素子、１０は下層配線、１１は絶縁層、１２は上層配線、１３は絶縁層１１に生じた短絡部、１４は修復のために上層配線１２を部分的に除去した領域（修復領域）である。
【００２１】
本発明の製造方法により製造される電子源は、基板１上に複数の下層配線１０と、該下層配線１０とは絶縁層１１を介して交差する複数本の上層配線１２を有し、上層配線１２と下層配線１０との交差部において、各配線に接続される素子電極２，３を有する電子放出素子を有している。各電子放出素子は、素子電極２，３と、電子放出部８を有する素子膜７からなる。
【００２２】
図１の電子源において、下段の上層配線１２と下層配線１０における中央列との交差部の修復領域１４を含む周辺部の部分拡大図を図２に、上段の上層配線１２と下層配線１０における右列との交差部の修復領域１４を含む周辺部の拡大図を図３にそれぞれ示す。尚、図２，図３において、電子放出素子に係る部材は省略した。図２において、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【００２３】
図２に示したように、本発明に係る修復領域１４は、上層配線１２を部分的に除去して絶縁層１１が露出した部分である。
【００２４】
本発明においては、修復領域１４の、上層配線１２の幅方向における最大幅Ｒｏｖが、上層配線１２の幅Ｗｏｖよりも小さい、即ち、同図で示される通り、修復領域１４は、上層配線１２の幅方向においては上層配線１２の少なくとも片方の縁部は越えていないため、当該修復工程において上層配線１２が断線する恐れはない。また、本発明では、修復領域１４の、下層配線１０の幅方向における最大幅Ｒｕｎが、下層配線１０の幅Ｗｕｎ以上である、即ち、同図で示される通り、修復領域１４は、下層配線１０の幅方向においては下層配線１０の両縁を越えていることから、修復による短絡部１３と上層配線１２との電気的な遮断が確実に行われる。図２，３においては、Ｒｏｖ＜Ｗｏｖ、且つ、Ｒｕｎ≧Ｗｕｎである。
【００２５】
本発明において、修復工程の具体的な手段としては、レーザ照射による方法、及び、機械的に切削する方法が挙げられる。
【００２６】
レーザ照射により、短絡部における上層配線１２を部分的に除去する場合、本発明にかかる修復領域１４の幅の規定を満たすためには、レーザ照射を複数回に分け、断続的に行うことが好ましい。繰り返し周波数は１０００Ｈｚ未満が好ましい。この場合、除去する上層配線１２に投入する単位時間あたりのレーザエネルギーを少なくすることができる。
【００２７】
さらに、複数回に分けてレーザ照射する際には、レーザのビームスポットの外周部分（最外周より中心に向かって５〜１０％の領域）の出力が、該外周部分よりも内側部分の出力よりも抑えて行うことが望ましい。このように、スポットの外周部分と内側部分とで出力を調整することにより、修復領域１４の境界部分に投入する単位時間当たりのレーザエネルギーを、修復領域１４の内側部分よりも少なくすることができる。
【００２８】
さらには、複数回レーザ照射する間に、少なくとも１回はビームスポットを変更することにより、修復領域１４の境界部分に投入する単位時間当たりのレーザエネルギーを、修復領域１４の内側部分よりも少なくすることができる。
【００２９】
また、機械的な切削により、短絡部における上層配線１２を部分的に除去する場合には、鋭利な刃物状の工具を用いることができる。図３のように、修復領域１４が、上層配線１２の幅方向端部寄りの場合には、図２のように上層配線１２の幅方向中央部寄りの場合よりも加工が容易で、機械的な切削方法に適している。
【００３０】
本発明においては、上記機械的な切削工程の後に、レーザ照射工程を行うことにより、
修復領域１４の境界部の先鋭化したエッジを丸く加工することができる。また、機械的な切削とレーザ照射とを混合して実施しても構わない。
【００３１】
図１〜図３には、上層配線１２の幅Ｗｏｖが下層配線１０の幅Ｗｕｎよりも広い形態を示したが、本発明においては、図４に示すように、Ｗｕｎ＞Ｗｏｖであってもよく、当該形態においても、Ｒｕｎ≧Ｗｕｎ、Ｒｏｖ＜Ｗｏｖであり、図４に示される通り、修復領域１４は、上層配線１２の幅方向においては上層配線１２の少なくとも片方の縁部は越えていないため、当該修復工程において上層配線１２が断線する恐れはなく、また、修復領域１４は、下層配線１０の幅方向においては下層配線１０の両縁を越えていることから、修復による短絡部１３と上層配線１２との電気的な遮断が確実に行われる。
【００３２】
さらに、図１〜図３には、上層配線１２と下層配線１０とが直交する形態を示したが、本発明においてはこれに限定されるものではなく、設計上、上層配線１２と下層配線１０とが斜めに交差する形態も含まれる。図５，図６に具体的に示す。いずれの形態であっても、Ｒｕｎ≧Ｗｕｎ、Ｒｏｖ＜Ｗｏｖであり、やはり上記各例と同様に、図５、６に示される通り、修復領域１４は、上層配線１２の幅方向においては上層配線１２の少なくとも片方の縁部は越えていないため、当該修復工程において上層配線１２が断線する恐れはなく、また、修復領域１４は、下層配線１０の幅方向においては下層配線１０の両縁を越えていることから、修復による短絡部１３と上層配線１２との電気的な遮断が確実に行われる。
【００３３】
本発明において、修復領域１４の形状は、図１、図２、図４、図５のような略長方形や、図３、図６のような略長方形の切り欠き形状に限らず、例えば、略楕円形などのような広義の円形状や、略台形や略並行四辺形などのような広義の四角形や、広義の多角形、あるいは前記のような形状を組み合わせた任意の形状も適用可能である。
【００３４】
また、本発明に係る修復工程は、素子電極２，３、下層配線１０、絶縁層１１、上層配線１２を形成後、素子膜７の形成前に行っても良いし、これに限らず、下層配線と上層配線が短絡した時点で実施する。従って、素子電極２，３や素子膜７などの形成のタイミングには全く制約を受けず無関係である。
【００３５】
本発明により製造される電子源、及び画像表示装置の各部材について下記に例示的に説明するが、当該実施形態に記載されている部材の寸法、材質、形状、相対配置などは、特に記載がない限り、下記に記載の範囲に限定されるものではない。
【００３６】
基板１としては、石英ガラス、Ｎａ等の不純物含有量を減少したガラス、青板ガラス、青板ガラスにスパッタ法等により形成したＳｉＯ2を積層したガラス基板、アルミナ等のセラミックス及びＳｉ基板等を用いることができる。
【００３７】
素子電極２，３としては、一般的な導電性材料を用いることができる。これは例えば、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｄ等の金属或いは合金及びＰｄ、Ａｇ、Ａｕ、ＲｕＯ2、Ｐｄ−Ａｇ等の金属或は金属酸化物とガラス等から構成される印刷導体、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2等の透明導電体及びポリシリコン等の半導体材料等から適宜選択することができる。
【００３８】
素子膜７を構成する材料は、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｂ等の金属、ＰｄＯ、ＳｎＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＰｂＯ、Ｓｂ2Ｏ3等の酸化物、ＨｆＢ2、ＺｒＢ2、ＬａＢ6、ＣｅＢ6、ＹＢ4、ＧｄＢ4等の硼化物、ＴｉＣ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＴａＣ、ＳｉＣ、ＷＣ等の炭化物、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ等の窒化物、Ｓｉ、Ｇｅ等の半導体、カーボン等の中から適宜選択される。
【００３９】
電子放出部８は、素子膜７に通電処理することにより形成された高抵抗の亀裂により構成され、素子膜７の膜厚、膜質、材料及び通電処理条件等に依存したものとなる。
【００４０】
尚、図８の電子放出素子は、素子電極２，３を形成した後、素子膜７を形成しているが、本発明においては、素子膜７を形成した後、素子電極２，３を形成する構成であっても良い。
【００４１】
本発明の電子源の製造方法において、下層配線１０及び上層配線１２は、真空蒸着法、
印刷法、スパッタ法等を用いて形成された導電性金属等で構成することができる。配線の材料、膜厚、幅は適宜設計される。また、下層配線１０と上層配線１２を隔てる絶縁層１１は、真空蒸着法、印刷法、スパッタ法等を用いて形成されたＳｉＯ2等で構成される。
【００４２】
下層配線１０は、図９におけるＸ方向配線５２に、上層配線１２はＹ方向配線５３に相当し、それぞれ外部端子Ｄｏｘ１〜Ｄｏｘｍ、Ｄｏｙ１〜Ｄｏｙｎとして引き出すことができる。
【００４３】
Ｘ方向配線５２には、Ｘ方向に配列した電子放出素子５４の行を選択するための、走査信号を印加する不図示の走査信号印加手段が接続される。一方、Ｙ方向配線５３には、Ｙ方向に配列した電子放出素子５４の各列を入力信号に応じて変調するための、不図示の変調信号発生手段が接続される。各電子放出素子に印加される駆動電圧は、当該素子に印加される走査信号と変調信号の差電圧として供給される。
【００４４】
図９において、５１は電子放出素子５４を複数配した電子源基体、６１は電子源基体５１を固定したリアプレート、６６はガラス基体６３の内面に蛍光体などの発光体からなる蛍光体膜６４とアノード電極としてのメタルバック６５とが形成されたフェースプレート（画像形成部材）である。６２は支持枠であり、支持枠６２には、リアプレート６１、フェースプレート６６がフリットガラス等を用いて接続されている。６７は外囲器であり、例えば、大気中或いは窒素中で、４００〜５００℃の温度範囲で１０分以上焼成することで、封着して構成される。
【００４５】
外囲器６７は、上述した通り、フェースプレート６６、支持枠６２、リアプレート６１で構成される。リアプレート６１は主に基体５１の強度を補強する目的で設けられるため、基体５１自体で十分な強度を持つ場合は、別体のリアプレート６１は不要とすることができる。即ち、基体５１に直接支持枠６２を封着し、フェースプレート６６、支持枠６２及び基体５１で外囲器６７を構成しても良い。一方、フェースプレート６６、リアプレート６１間に、スペーサーとよばれる不図示の支持体を設置することにより、大気圧に対して十分な強度をもつ外囲器６７を構成することもできる。
【００４６】
本発明による画像表示装置は、テレビジョン放送の表示装置、テレビ会議システムやコンピューター等の表示装置の他、感光性ドラム等を用いて構成された光プリンターとしての画像表示装置等としても用いることができる。
【実施例】
【００４７】
（実施例１）
図１に示した電子源のマトリックス配線を作製した。本例では、１画素のサイズを横方向２０５μｍ、縦方向６１５μｍとし、下層配線１０は幅Ｗｕｎ約５０μｍ、厚さ約２０μｍ、絶縁層１１は上層配線１２の幅方向の幅が約４７０μｍ、厚さ約４０μｍ、上層配線１２は幅Ｗｏｖ約３８０μｍ、厚さ約８μｍ、として、当該画素サイズの中に、素子電極２，３を効果的に配置した。素子電極２，３の厚さは約０．０５μｍであった。作製工程を以下に詳述する。
【００４８】
主成分がガラスである基板１（ソーダライムガラスよりアルカリ成分を抑えたＰＤ２００を使用）の上に、先ず、Ｔｉを下引きとしたＰｔ膜を成膜し、所望の形状になるようにフォトリソ及びエッチング法によって、素子電極２，３を形成した。
【００４９】
次に、Ａｇを主成分とし、ＰｂＯ系ガラスを少量含む感光性ペーストを使用して、成膜（スクリーン印刷）、露光（下層配線パターンを有するネガのフォトマスク）、現像（純水に炭酸ナトリウムを約４％添加した現像液）、焼成（４８０℃）を実施し、下層配線１０を形成した。この状態で、素子電極２に下層配線１０がコンタクトし、通電可能となった。この時の下層配線１０の幅方向の断面は、図７に示すように、両端部上方のエッジが盛り上がった形状（即ちエッジカール）が生じた状態となった。
【００５０】
次いで、ＰｂＯやＢ2Ｏ3ガラスを主成分とする感光性ペーストを使用し、成膜（スクリーン印刷）、露光（絶縁層パターンを有するネガのフォトマスク）、現像（純水に炭酸ナトリウムを約４％添加した現像液）、焼成（４８０℃）を実施し、絶縁層１１を形成した。
【００５１】
Ａｇを主成分とし、ＰｂＯ系ガラスを少量含む印刷ペーストを使用し、スクリーン印刷（上層配線パターンを有するスクリーン版を使用）、焼成（４８０℃）を実施し、上層配線１２を形成した。この状態で基板１上に形成した下層配線１０と上層配線１２に、適宜通電し、抵抗値を比較し、適宜観察（光学的な手法など）することにより、短絡部を探索して特定した。
【００５２】
本例では、図１に示したような、短絡部が２箇所有った。本例のように、感光性ペーストを使用した下層配線１０では、一般にエッジカールが多少なりとも生じるため、高さが局所的に高くなる配線の幅方向の両端部においては、下層配線１０と上層配線１２とが短絡する確率が高く、本例でも当該箇所での短絡であった。当該短絡部に対して修復工程を施した。
【００５３】
短絡部に対して、ビームスポットのサイズを最終的には修復領域１４のサイズが、本発明に係る最大幅の規定を満たすように設定した。具体的には、下層配線１０の幅Ｗｕｎが５０μｍであるため、下層配線幅方向のビームスポットのサイズを８０μｍとし、上層配線１２の幅Ｗｏｖが３８０μｍであるため、上層配線幅方向のビームスポットのサイズを１００μｍとし、レーザ（ＹＡＧ第二高調波：波長λ＝５３２ｎｍ）をパルス状に複数回に分けて照射した。レーザはＱスイッチ付きパルス励起方式レーザで、Ｑスイッチ周波数を１Ｈｚに設定、平均出力５×１０-4Ｗ程度、エネルギー密度３×１０Ｊ／ｃｍ2程度とし、絶縁層１１の一部を含めて上層配線１２を部分的に除去した。修復領域のサイズは、下層配線幅方向の最大幅Ｒｕｎが７０μｍ、上層配線幅方向の最大幅Ｒｏｖが９０μｍで、図２，図３に示すように、上層配線幅方向及び下層配線幅方向にそれぞれ平行な辺を有する長方形であった。
【００５４】
ビームスポットに対して最終的な修復領域１４のサイズが一回り小さくなるのは、レーザにより上層配線１２を部分的に除去する際に、除去部の境界部分である上層配線１２の端部において、レーザによる瞬間的な加熱冷却によりＡｇ粒子（直径０．数μｍ〜十数μｍ程度）の集合である配線のＡｇ粒子が溶け、バルク状のＡｇとなり、熱伝導が良くなることで照射するレーザエネルギーでは徐々に加工されにくくなり、次第に加工サイズが小さくなるためと考えられる。
【００５５】
以上のように、修復工程にレーザを使用し、複数回のパルス印加で短絡部の上層配線を所望のサイズに除去する方法によれば、レーザによる急激な加熱と繰り返し周期の長さにより、次のレーザ照射までに冷却がなされるため、表面伝導型電子放出素子を用いた電子源のように厚膜配線においても、絶縁層まで加工が可能で、且つ、加工サイズを規定することにより、下層配線のエッジカールの影響で下層配線１０の幅方向両端部に生じやすい短絡部を効果的に且つ確実に除去することができると考えられる。
【００５６】
さらに、レーザを複数回に分けて照射することにより、次第に加工サイズが小さくなる作用によって、修復領域１４の境界部分である上層配線端部に生じる加工後の配線材料の突起を抑制することができた。レーザを連続的に照射した場合（繰り返し周波数が数百Ｈｚより高い。ＹＡＧ第二高調波（波長λ＝５３２ｎｍ）Ｑスイッチ付き連続励起方式レーザで、Ｑスイッチ周波数１ｋＨｚ、ビーム幅４０μｍ×４０μｍ、平均出力７×１０-2Ｗ程度、エネルギー密度４Ｊ／ｃｍ2程度）に比べて、ストレーエミッションの発生を抑制する効果があった。
【００５７】
（実施例２）
サイズ（８０μｍ×８０μｍ）のビームスポットにおいて、外周部分を内側より５〜５０％出力を抑えたような出力分布を持つように調整して用いた以外は実施例１と同様にして修復工程を行った。その結果、修復領域１４のサイズは下層配線幅方向の最大幅Ｒｕｎが６５μｍ、上層配線幅方向の最大幅Ｒｏｖが６５μｍとなった。ビームスポットのサイズに対して、修復領域のサイズが小さい理由は、実施例１と同様にＡｇの熱伝導が良くなるためと、ビームスポットの外周部分の出力を抑えたためと考えられる。
【００５８】
本例では、ビームスポットの外周部分の出力を抑えたことにより、実施例１よりもさらに、上層配線端部に生じる配線材料の突起を抑える効果が高かった。よって、ストレーエミッションの発生をより良く抑制することができた。
【００５９】
（実施例３）
下層配線幅方向のスポットサイズを８０μｍ、上層配線幅方向のスポットサイズを１００μｍとしてパルス状に複数回レーザ照射を行った後、下層配線幅方向のスポットサイズを７０μｍ、上層配線幅方向のスポットサイズを９０μｍに変更し、パルス状に複数回レーザ照射を行って修復領域１４を形成した以外は実施例１と同様に修復工程を行った。得られた修復領域１４のサイズは、下層配線幅方向の最大幅Ｒｕｎが６０μｍ、上層配線幅方向の最大幅Ｒｏｖが８０μｍであった。
【００６０】
このように、レーザビームのスポットサイズを修復工程開始時は８０μｍ×１００μｍとし、途中で７０μｍ×９０μｍに変更することにより、実施例１よりもさらに、上層配線端部に生じる配線材料の突起を抑える効果が高かった。よって、ストレーエミッションの発生をより良く抑制することができた。
【００６１】
（実施例４）
実施例１と同様のスポットサイズ（８０μｍ×１００μｍ）で、レーザ照射を複数回に分け、且つ、実施例２と同様の出力分布を持たせ、さらに、途中で実施例３と同様にスポットサイズ（７０μｍ×９０μｍ）を変更して修復工程を行った。その結果、得られた修復領域１４のサイズは５５μｍ×７５μｍであった。
【００６２】
本発明においては、レーザビームの出力分布とスポットサイズの変更を組み合わせたことにより、実施例２及び３よりもさらに、上層配線端部に生じる配線材料の突起を抑える効果が高かった。よって、ストレーエミッションの発生をより良く抑制することができた。
【００６３】
（実施例５）
実施例１と同様に作製したマトリックス配線の短絡部に対して、機械的な切削方法により修復工程を施した。具体的には、修復領域１４の下層配線幅方向の最大幅Ｒｕｎが１００μｍ程度、上層配線幅方向の最大幅Ｒｏｖが１００μｍ程度となるように、一般に事務用品として使用されているカッターナイフと同様でさらに先端が鋭利な刃物を用いて上層配線１２の短絡部を切削除去した。その結果、効果的に修復領域１４を形成することができた。
【００６４】
（実施例６）
実施例１と同様に作製したマトリックス配線の短絡部に対して、刃物による切削除去の後に、さらに、修復領域１４における境界部のエッジの微小な突起に刃物での修復領域より一回りサイズが大きなビーム幅に調整したレーザを照射して、上層配線１２の一部を除去しつつ、該突起の先端を熱により丸く加工した。その結果、エッジが丸く加工された、サイズが約１００μｍ×約１００μｍの修復領域１４が得られた。よって、ストレーエミッションの発生をより良く抑制することができた。
【００６５】
（実施例７）
図４に示すように、下層配線１０の幅Ｗｕｎを３８０μｍ、上層配線１２の幅Ｗｏｖを５０μｍと、実施例１とは配線幅を逆にした以外は実施例１と同様にしてマトリックス配線を作製し、Ｒｕｎが４２０μｍ、Ｒｏｖが３０μｍになるように、短絡部について実施例１〜４、実施例６と同様の修復工程を施した。その結果、いずれも各実施例と同様の良好な修復領域１４が得られ、ストレーエミッションの発生を抑制することができた。
【００６６】
（実施例８）
図５，図６に示したように、下層配線１０の幅Ｗｕｎを５０μｍ、上層配線１２の幅Ｗｏｖを３８０μｍとし下層配線１０と上層配線１２とのなす角度が３０°であるマトリックス配線を作製し、Ｒｕｎを少なくとも５０μｍ以上で７０μｍ程度、Ｒｏｖを少なくとも３８０μｍより下で１２０μｍ程度になるように、短絡部について実施例１〜４，実施例６と同様の修復工程を施した。その結果、いずれも各実施例と同様の良好な修復領域１４が得られ、ストレーエミッションの発生を抑制することができた。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の製造方法により製造される電子源の一例の平面模式図である。
【図２】図１の修復領域の部分拡大図である。
【図３】図１の修復領域の部分拡大図である。
【図４】上層配線幅が下層配線幅より狭いマトリックス配線における修復領域を示す図である。
【図５】上層配線と下層配線とが傾いて交差するマトリックス配線における修復領域を示す図である。
【図６】上層配線と下層配線とが傾いて交差するマトリックス配線における修復領域を示す図である。
【図７】実施例１で作製したマトリックス配線の交差部の断面模式図である。
【図８】表面伝導型電子放出素子の一例の模式図である。
【図９】図８の電子放出素子を用いてなる画像表示装置のパネルの概略構成図である。
【符号の説明】
【００６８】
１  基板
２，３  素子電極
７  素子膜
８  電子放出部
１０  下層配線
１１  絶縁層
１２  上層配線
１３  ショート部
１４  修復領域
５１  電子源基体
５２  Ｘ方向配線
５３  Ｙ方向配線
５４  電子放出素子
６１  リアプレート
６２  支持枠
６３  ガラス基体
６４  蛍光膜
６５  メタルバック
６６  フェースプレート
６７  外囲器
６８  高圧電源
【図１】
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【図２】
2005251733.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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