(57)【要約】【課題】切断目標線と実際の切断位置（切断線）のずれや、切断刃へのセラミックの付着を生じさせることなく、セラミックブロックを所定の位置で確実に切断することが可能な切断刃及び該切断刃を用いてセラミックブロックを切断する工程を備えた積層セラミック電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】切断刃Ａの表裏両主面に、セラミックブロック３への侵入方向に対して２０〜７０゜の角度を有する複数の溝４ａと、−２０〜−７０゜の角度を有する複数の溝４ｂを互いに交差するように形成する。表裏両主面の一方及び他方に、セラミックブロックへの侵入方向に対して２０〜７０゜の角度を有する複数の溝を形成することにより、表裏両主面のうちの一方の面に形成された溝と、他方に面に形成された溝が、切断刃を挟んで交差した状態とする。【選択図】          図１
2005041056.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックブロックを所定の位置で切断するための切断刃であって、
少なくとも一つの辺に、切断対象であるセラミックブロックに侵入する刃が形成されており、かつ、
表裏両主面に、前記セラミックブロックへの侵入方向に対して２０〜７０゜の角度を有する複数の溝と、−２０〜−７０゜の角度を有する複数の溝が互いに交差するように形成されていること
を特徴とする切断刃。
【請求項２】
セラミックブロックを所定の位置で切断するための切断刃であって、
少なくとも一つの辺に、切断対象であるセラミックブロックに侵入する刃が形成されており、かつ、
表裏両主面の一方に、前記セラミックブロックへの侵入方向に対して２０〜７０゜の角度を有する複数の溝が形成され、かつ、表裏両主面の他方に、前記セラミックブロックへの侵入方向に対して２０〜７０゜の角度を有する複数の溝が形成されていること
を特徴とする切断刃。
【請求項３】
前記表裏両主面の一方又は他方に形成された溝の幅、深さ、及び配設ピッチが、それぞれ、
幅        ：２０〜２００μｍ
深さ      ：切断刃の厚みの５％以上で３０％未満、
配設ピッチ：１〜５ｍｍ
の範囲にあることを特徴とする請求項１又は２記載の切断刃。
【請求項４】
（ａ）セラミックブロックを上面側から見た場合の切断目標線と、実際に切断した場合における切断位置のずれの最大値である変位量Ｇ１、及び、
（ｂ）セラミックブロックを側面側から見た場合の切断目標線と、実際に切断した場合における切断位置のずれの最大値である変位量Ｇ２
の両方が、切断位置のずれの最大許容量の１０％未満となるように、前記溝の幅、深さ、及び配設ピッチを設定することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の切断刃。
【請求項５】
表面に内部電極パターンが配設されたセラミックグリーンシートを積層することにより形成されたマザーセラミックブロックを、請求項１〜４のいずれかに記載の切断刃を用いて切断することにより個々の素子に分割する工程を具備していることを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本願発明は、セラミックグリーンシートを積層することにより形成された積層体などのセラミックブロックを切断するために用いられる切断刃及び該切断刃を用いてセラミックブロックを切断する工程を備えた積層セラミック電子部品の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、積層セラミックコンデンサなどの積層セラミック電子部品は、通常、図５に示すように、導体パターン（内部電極）３１がマトリックス状に印刷されたセラミックグリーンシート３２と、上側及び下側の外層シート（内部電極の印刷されていないセラミックグリーンシート）（図示せず）を積層、圧着することにより得られる未焼成のセラミックブロック（圧着ブロック）３３（図６）を所定の位置で切断し、切り出された素子３４（図７）を焼成し、外部電極（図示せず）を形成する工程を経て製造されている。
【０００３】
ところで、上記セラミックブロック３３を切断するための切断刃としては、図６に示すように、所定の厚み（例えば、０．１５ｍｍ）を有する短冊状の切断刃本体４１ａの下側長辺を研削、研磨して刃４２を形成するとともに、表裏両主面に、セラミックブロック３３への侵入方向（矢印Ｘで示す方向）と略平行な方向に、断面形状がＶ字状の複数の溝４３を設けた切断刃４１が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平８−２７６４１７号公報
【０００５】
ところで、この切断刃４１を用いてセラミックブロック３３を切断するにあたっては、切断刃４１を略水平に保ちつつ、切断刃４１を垂直方向（矢印Ｘの方向）に下降させて切断刃４１をセラミックブロック３３中に侵入させることによりセラミックブロック３３の切断が行われる。
そして、この切断刃４１は、表裏両主面の少なくとも一方に、セラミックブロック３３への侵入方向と略平行な方向に形成された溝４３が、反りの原因となる応力を吸収するため、切断刃４１の厚みを大きくした場合にも大きな反りが生じることを防止して、セラミックブロック３３を所定の位置で正確に切断することが可能になるとされている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の切断刃４１を用いた場合、
（１）セラミックブロック３３の切断面に、溝４３に対応する凸状の跡が残るため、製品の外観検査による良品選別の妨げとなる、
（２）溝４３がセラミックブロック３３への侵入方向（矢印Ｘで示す方向）と平行に形成されているため、溝４３の長さが短く、切断刃４１と切断面セラミックブロック３３の切断面との接触面積が溝４３によって減少する割合が小さいため、切断面の不良、すなわち、セラミックの切断刃４１への付着が生じる、
（３）溝４３がセラミックブロック３３への侵入方向と平行に形成されているため、溝４３によって反りの原因となる応力を吸収することが可能になる反面、溝４３が形成された部分の機械的強度が低下し、切断時に切断刃４１に湾曲が生じる場合があり、図４（ａ），（ｂ）に示すように、切断目標線Ｌと、実際の切断位置（切断線）Ｌ１，Ｌ２との間にずれが生じる
という問題点がある。
【０００７】
なお、図４（ａ），（ｂ）は切断位置のずれの発生状態を示す図であり、（ａ）はセラミックブロックを上面側から見た場合の切断目標線Ｌと、実際の切断位置（切断線）Ｌ１のずれの大きさ（変位量Ｇ１）を示しており、（ｂ）はセラミックブロックを側面側から見た場合の切断目標線Ｌと、実際の切断位置（切断線）Ｌ２のずれの大きさ（変位量Ｇ２）を示している。
【０００８】
本願発明は、上記問題点を解決するものであり、セラミックブロックの切断時に湾曲が生じにくく、切断目標線と実際の切断位置（切断線）のずれや、切断刃へのセラミックの付着を生じさせることなく、セラミックブロックを所定の位置で切断することが可能な切断刃及び該切断刃を用いてセラミックブロックを切断する工程を備えた積層セラミック電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本願発明（請求項１）の切断刃は、
セラミックブロックを所定の位置で切断するための切断刃であって、
少なくとも一つの辺に、切断対象であるセラミックブロックに侵入する刃が形成されており、かつ、
表裏両主面に、前記セラミックブロックへの侵入方向に対して２０〜７０゜の角度を有する複数の溝と、−２０〜−７０゜の角度を有する複数の溝が互いに交差するように形成されていること
を特徴としている。
【００１０】
少なくとも一つの辺に、切断対象であるセラミックブロックに侵入する刃を形成するとともに、表裏両主面に、セラミックブロックへの侵入方向に対して２０〜７０゜の角度を有する複数の溝と、−２０〜−７０゜の角度を有する複数の溝を互いに交差するように形成することにより、セラミックブロックへの侵入方向と略平行な方向に複数の溝を設けた従来の切断刃において生じるような、切断刃の湾曲の発生を抑制することが可能になるとともに、切断刃の溝の形成面に対する溝の形成領域（溝が形成された部分）の面積の割合を増大させて、セラミックブロックの切断面と切断刃との接触面積の減少による摩擦抵抗の低下を図ることが可能になる。その結果、切断目標線と実際の切断位置（切断線）のずれや、切断刃へのセラミックの付着を抑制して、セラミックブロックを所定の位置で確実に切断することが可能になる。
【００１１】
また、本願発明（請求項２）の切断刃は、
セラミックブロックを所定の位置で切断するための切断刃であって、
少なくとも一つの辺に、切断対象であるセラミックブロックに侵入する刃が形成されており、かつ、
表裏両主面の一方に、前記セラミックブロックへの侵入方向に対して２０〜７０゜の角度を有する複数の溝が形成され、かつ、表裏両主面の他方に、前記セラミックブロックへの侵入方向に対して２０〜７０゜の角度を有する複数の溝が形成されていること
を特徴としている。
【００１２】
表裏両主面の一方の主面に、セラミックブロックへの侵入方向に対して２０〜７０゜の角度を有する複数の溝を形成するとともに、表裏両主面の他方に、前記セラミックブロックへの侵入方向に対して２０〜７０゜の角度を有する複数の溝を形成するようにした場合、表裏両主面のうちの一方の主面に形成された溝と他方の主面に構成された溝が切断刃を挟んで交差した状態となるため、セラミックブロックへの侵入方向と略平行な方向に複数の溝を設けた従来の切断刃において生じるような、切断刃の湾曲の発生を抑制することが可能になるとともに、切断刃の溝の形成面に対する溝の形成領域（溝が形成された部分）の面積の割合を増大させて、セラミックブロックの切断面と切断刃との接触面積の減少による摩擦抵抗の低下を図ることが可能になる。その結果、切断目標線と実際の切断位置（切断線）のずれや、切断刃へのセラミックの付着を抑制して、セラミックブロックを所定の位置で確実に切断することが可能になる。
【００１３】
また、請求項３の切断刃は、前記表裏両主面の一方又は他方に形成された溝の幅、深さ、及び配設ピッチが、それぞれ、
幅        ：２０〜２００μｍ
深さ      ：切断刃の厚みの５％以上で３０％未満、
配設ピッチ：１〜５ｍｍ
の範囲にあることを特徴としている。
【００１４】
表裏両主面の一方又は他方に、形成する溝の幅、深さ、及び配設ピッチを、それぞれ、幅：２０〜２００μｍ、深さ：切断刃の厚みの５％以上で３０％未満、配設ピッチ：１〜５ｍｍ（２０〜１００本／１０ｃｍ）とすることにより、切断刃が湾曲することを防止するとともに、セラミックブロックの切断面と切断刃との接触面積の減少による切断工程における摩擦抵抗の低下を図ることが可能になり、切断刃へのセラミックの付着を抑制しつつ、セラミックブロックを所定の位置で確実に切断することが可能になる。
なお、溝の幅を２０〜２００μｍの範囲としたのは、溝の幅が２０μｍ未満の場合、切断刃へのセラミックの付着や切断位置のずれなどが発生しやすくなる傾向があり、また、溝の幅が２００μｍを越えた場合、外観不良の発生が生じやすくなるなどの問題が生じることによる。
また、溝の深さを切断刃の厚みの５％以上で３０％未満としたのは、溝の深さが切断刃の厚みの５％以上、３０％未満の範囲を外れると、切断刃へのセラミックの付着や切断位置のずれが発生し、好ましくないことによる。
【００１５】
また、溝の配設ピッチを１〜５ｍｍ（２０〜１００本／１０ｃｍ）の範囲としたのは、配設ピッチが１ｍｍ未満の場合、切断刃へのセラミックの付着や切断位置のずれなどが発生しやすくなる傾向があり、配設ピッチが５ｍｍを超えた場合にも、切断刃へのセラミックの付着や切断位置のずれなどが発生しやすくなる傾向があることによる。
【００１６】
また、請求項４の切断刃は、
（ａ）セラミックブロックを上面側から見た場合の切断目標線と、実際に切断した場合における切断位置のずれの最大値である変位量Ｇ１、及び、
（ｂ）セラミックブロックを側面側から見た場合の切断目標線と、実際に切断した場合における切断位置のずれの最大値である変位量Ｇ２
の両方が、切断位置のずれの最大許容量の１０％未満となるように、前記溝の幅、深さ、及び配設ピッチを設定することを特徴としている。
【００１７】
上記（ａ）の変位量Ｇ１、及び、（ｂ）の変位量Ｇ２の両方が、切断位置のずれの最大許容量の１０％未満となるように、溝の幅、深さ、及び溝の配設ピッチを設定することにより、切断ブロックをより確実に所望の位置で確実に切断することが可能になり、本願発明をさらに実効あらしめることができる。
【００１８】
また、本願発明（請求項５）の積層セラミック電子部品の製造方法は、表面に内部電極パターンが配設されたセラミックグリーンシートを積層することにより形成されたマザーセラミックブロックを、請求項１〜４のいずれかに記載の切断刃を用いて切断することにより個々の素子に分割する工程を具備していることを特徴としている。
【００１９】
表面に内部電極パターンが配設されたセラミックグリーンシートを積層することにより形成されたマザーセラミックブロックを切断して個々の素子に分割する場合に、本願発明の切断刃を用いることにより、マザーセラミックブロックを所定の位置で切断して、不具合のない個々の素子に確実に分割することが可能になり、信頼性の高い積層セラミック電子部品を効率よく製造することが可能になる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の実施の形態を示して、本願発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【００２１】
［実施形態１］
なお、この実施形態１では、積層セラミックコンデンサの製造工程において、導体パターン（内部電極）が印刷されたセラミックグリーンシートを複数枚積層、圧着してなる未焼成のセラミックブロック（マザーセラミックブロック）を切断する場合に用いられる切断刃を例にとって説明する。
【００２２】
＜切断刃の構造＞
図１は本願発明の一実施形態にかかる切断刃を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は平面図、図２は本願発明の一実施形態にかかる他の切断刃を示す正面図である。
この実施形態１の切断刃Ａは、図１（ａ），（ｂ）に示すように、スチール製で、長さ２００ｍｍ、高さ２０ｍｍ、厚み２００μｍの短冊状の形状を有しており、切断刃本体１の下側長辺を研削、研磨することにより形成された刃２を備えている。そして、この切断刃Ａの表裏両主面のうちの一方の面１ａには、切断刃Ａの、セラミックブロック３（図３）への侵入方向（矢印Ｘで示す方向）に対して、４５゜の角度を有する断面形状がＶ字状の複数の溝４ａと、−４５゜の角度を有する断面形状がＶ字状の複数の溝４ｂが交差するように形成され、表裏両主面のうちの他方の面１ｂにも、セラミックブロック３への侵入方向に対して、４５゜の角度を有する断面形状がＶ字状の複数の溝４ａと、−４５゜の角度を有する断面形状がＶ字状の複数の溝４ｂが交差するように形成されている。
【００２３】
なお、溝４ａ，４ｂの幅、深さ、及び配設ピッチは、それぞれ、以下の通りである。
幅        ：２００μｍ
深さ      ：５０μｍ
配設ピッチ：２ｍｍ（５０本／１００ｍｍ）
【００２４】
また、表裏両主面のうちの一方の面１ａに形成された溝４ａ，４ｂと、他方の面に形成された溝４ａ，４ｂは互いに切断刃本体１を介して重畳する位置に形成されている。なお、一方の面１ａに形成された溝４ａ，４ｂと、他方の面に形成された溝４ａ，４ｂは、互いに重畳しない位置に形成することも可能である。
【００２５】
また、この実施形態１では、さらに他の切断刃として、図２に示すように、表裏両主面に、セラミックブロック３（図３）への侵入方向（矢印Ｘで示す方向）に対して４５゜の角度を有する断面形状がＶ字状の複数の溝４を備えた切断刃Ｂを作製した。この切断刃Ｂにおいては、表裏両主面のうちの一方の主面１ａに形成された溝４と他方の主面１ｂに構成された溝４が切断刃本体１を挟んで交差した状態となっている。
【００２６】
なお、この切断刃Ｂの溝の幅、深さ、及び配設ピッチは、それぞれ、以下の通りである。
幅        ：２００μｍ
深さ      ：５０μｍ
配設ピッチ：２ｍｍ（５０本／１００ｍｍ）
また、この切断刃Ｂのその他の条件は、上述の切断刃Ａと同じである。
【００２７】
＜セラミックブロックの切断＞
上述の切断刃Ａ及びＢを用いてセラミックブロックを切断して、個々の素子に分割した。
セラミックブロックを切断するにあたっては、図３に示すように、切断刃Ａ（図３では切断刃Ａを用いてセラミックブロック３を切断している場合を示している）を、その刃２が略水平になるように保ちつつ、垂直方向（矢印Ｘの方向）に下降させ、セラミックブロック３中に切断刃Ａを侵入させることにより、セラミックブロック３を垂直に切断した。なお、切断刃Ｂを用いる場合も切断方法は図３に示す方法と同様である。
【００２８】
また、比較のため、従来の、表裏両主面に、セラミックブロックへの侵入方向と略平行な方向に、複数の溝を設けた比較例の切断刃４１（図６）を用いてセラミックブロック３を切断した。
【００２９】
＜評価＞
（１）外観不良の発生率
上記切断刃Ａ及びＢ及び比較例の切断刃を用いてセラミックブロック３を、複数個に切断、分割した後、得られた素子の切断面を観察した。
その結果を表１に示す。
【００３０】
【表１】
2005041056.tif 000003
【００３１】
表１に示すように、本願発明の実施形態にかかる切断刃Ａ及びＢを用いた場合には外観不良の発生は認められず、外観不良の発生率はいずれも０％であった。
これに対して、セラミックブロックへの侵入方向と略平行な方向に、複数の溝を設けた比較例の切断刃を用いた場合には、試料のすべてに外観不良の発生が認められた。
【００３２】
（２）切断面不良の発生率
切断刃Ａ及びＢと、比較例の切断刃について、切断刃の、セラミックブロックとの切断面の、溝がある場合の面積と溝がない場合の面積の比率（溝がある場合の面積／溝がない場合の面積）（以下、「接触面積比」という）を求め、この接触面積比とセラミックブロックの一部が剥がれて切断刃に付着する切断面不良の発生率の関係を調べた。その結果を表２に示す。
【００３３】
【表２】
2005041056.tif 000004
【００３４】
表２に示すように、交差する溝４ａ，４ｂが形成された切断刃Ａを用いた場合には、接触面積比が８０％となり、セラミックブロックの一部が剥がれて切断刃Ａに付着する切断面不良の発生は認められず、その発生率も０％であった。
また、表裏両主面に、セラミックブロック３への侵入方向に対して、４５゜の角度を有する溝４を備えた切断刃Ｂを用いた場合にも、接触面積比が９０％で、交差する溝４ａ，４ｂが形成された切断刃Ａの場合よりは劣るが、セラミックブロックの一部が剥がれて切断刃Ｂに付着する切断面不良の発生率も０．２％と低い値となることが確認された。
【００３５】
このように、切断刃Ａ，Ｂにおいて切断面不良の発生が抑制されているのは、溝４ａ，４ｂ、あるいは溝４が、セラミックブロック３への侵入方向に対して所定の角度を持つことにより、切断時に溝４ａ，４ｂ、あるいは溝４の位置とセラミックブロック３の切断面との位置関係が連続して変化するため、切断刃とセラミックブロック３の切断面の密着の程度が減少したことによるものと考えられる。
【００３６】
一方、セラミックブロックへの侵入方向と略平行な方向に、複数の溝を設けた比較例の切断刃を用いた場合には、切断面不良の発生率が３．９％と好ましくない結果となった。
【００３７】
（３）切断位置のずれ量
上記切断刃Ａ及びＢを用いてセラミックブロック３を、図４（ａ），（ｂ）の切断目標線Ｌに沿って複数個に切断、分割し、切断後の素子を５個おきに２０個採取し、図４（ａ）に示すように、セラミックブロック３を上面側から見た場合の切断目標線Ｌと、実際に切断した場合における切断位置（切断線Ｌ１）のずれの最大値である変位量Ｇ１、及び、図４（ｂ）に示すように、セラミックブロック３を側面側から見た場合の切断目標線Ｌと、実際に切断した場合における切断位置（切断線Ｌ２）のずれの最大値である変位量Ｇ２を顕微鏡で測定した。
【００３８】
また、比較のため、セラミックブロックへの侵入方向と略平行な方向に、複数の溝を設けた比較例の切断刃を用いてセラミックブロックの切断を行い、変位量Ｇ１、及び、変位量Ｇ２を顕微鏡で測定した。その結果を表３に示す。
なお、ここでの変位量Ｇ１、及び、変位量Ｇ２の許容量（許容値）は、セラミックブロック３の内部に配設された隣り合う内部電極１１間の距離Ｄ（２００μｍ）の１０％の２０μｍである。
【００３９】
【表３】
2005041056.tif 000005
【００４０】
表３により、交差する溝４ａ，４ｂが形成された切断刃Ａを用いた場合には、変位量Ｇ１が６μｍ、変位量Ｇ２が７μｍと、いずれも許容値２０μｍの範囲内にあることがわかる。
また、表裏両主面に、セラミックブロック３への侵入方向に対して、４５゜の角度を有する溝４を備えた切断刃Ｂを用いた場合にも、交差する溝４ａ，４ｂが形成された切断刃Ａの場合よりは劣るが、変位量Ｇ１が１０μｍ、変位量Ｇ２が１２μｍと、いずれも許容値２０μｍの範囲内にあることがわかる。
【００４１】
一方、セラミックブロックへの侵入方向と略平行な方向に、複数の溝を設けた比較例の切断刃を用いた場合には、変位量Ｇ２は１５μｍで許容値２０μｍの範囲内にあるが、変位量Ｇ１が２２μｍと許容値２０μｍを超えており、好ましくない結果となっていることがわかる。
【００４２】
以上の結果より、交差する溝４ａ，４ｂを設けた切断刃Ａを用いた場合には、外観不良の発生率、切断面不良の発生率、切断位置のずれ量のいずれに関しても十分に良好な結果が得られることが確認され、また、表裏両主面に、セラミックブロック３への侵入方向に対して、４５゜の角度を有する溝４を備えた切断刃Ｂを用いた場合にも、交差する溝４ａ，４ｂが形成された切断刃Ａの場合よりは劣るが、外観不良の発生率、切断面不良の発生率、切断位置のずれ量のいずれに関しても良好な結果が得られることが確認された。
【００４３】
［実施形態２］
交差する溝４ａ，４ｂを設けた実施形態１の切断刃Ａについて、セラミックブロック３への侵入方向に対する溝の角度を、０゜、１０°、２０°、７０゜、８０°、９０゜とした切断刃を作製し、各切断刃を用いてセラミックブロックを切断し、上記実施形態１の場合と同様の方法で外観不良の発生率、切断面不良の発生率、切断位置のずれ量を調べた。
その結果を表４，表５，表６に示す。
【００４４】
【表４】
2005041056.tif 000006
【００４５】
【表５】
2005041056.tif 000007
【００４６】
【表６】
2005041056.tif 000008
【００４７】
表４，５，６に示すように、セラミックブロック３への侵入方向に対する溝の角度が、２０〜７０°の範囲において、外観不良の発生率、切断面不良の発生率、切断位置のずれ量のいずれに関しても、特性改善の効果が認められた。
【００４８】
すなわち、表４に示すように、溝の角度を２０°以上にすることにより、外観不良の発生率が０％になることが確認された。
ただし、溝の角度が１０°の場合には、外観不良の発生率が１５％となり、溝の角度が０°の場合には、外観不良の発生率が１００％となった。
【００４９】
また、表５に示すように、溝４ａ，４ｂの角度が２０〜７０°の場合、切断面不良の発生率が０％になることが確認された。
ただし、溝の角度が０°の場合には、切断面不良の発生が認められた（切断面不良の発生率：３．９％）。
【００５０】
また、表６に示すように、溝４ａ，４ｂの角度が２０〜７０°の場合に、変位量Ｇ１及び変位量Ｇ２を許容量である２０μｍ以下とすることが可能になることが確認された。ただし、溝の角度が７０°を超えると、変位量Ｇ２が２０μｍを超えるため好ましくないことが確認された。
【００５１】
［実施形態３］
交差する溝４ａ，４ｂを設けた実施形態１の切断刃Ａについて、セラミックブロック３への侵入方向に対する溝の角度を、２０°、７０゜とするとともに、溝の幅、溝の配設ピッチ、溝の深さを、
溝の幅        ：１０〜３００μｍ、
溝の配設ピッチ：０．６７〜１０ｍｍ（１０〜１５０本／１０ｃｍ）、
溝の深さ      ：５〜６０μｍ（切断刃の厚みの２．５〜３０％）
の範囲で変化させた。そして、各切断刃を用いてセラミックブロックを切断し、上記実施形態１の場合と同様の方法で外観不良の発生率、切断面不良の発生率、切断位置のずれ量を調べた。
その結果を表７，表８，表９に示す。
【００５２】
【表７】
2005041056.tif 000009
【００５３】
【表８】
2005041056.tif 000010
【００５４】
【表９】
2005041056.tif 000011
【００５５】
なお、表７は、溝の配設ピッチ２ｍｍ（５０本／１０ｃｍ）、溝の深さ５０μｍ（切断刃の厚みの２５％）を一定として、溝の幅のみを１０〜３００μｍの範囲で変化させたものである。
また、表８は、溝の幅２０μｍ、溝の深さ５０μｍ（切断刃の厚みの２５％）を一定として、溝の配設ピッチのみを０．６７〜１０ｍｍ（１０〜１５０本／１０ｃｍ）の範囲で変化させたものである。
また、表９は、溝の幅２０μｍ、溝の配設ピッチ５ｍｍ（本数２０本／１０ｃｍ）を一定とし、溝の深さのみを５〜６０μｍ（切断刃の厚みの２．５〜３０％）の範囲で変化させたものである。
【００５６】
表７に示すように、溝の配設ピッチ２ｍｍ（５０本／１０ｃｍ）、溝の深さ５０μｍ（切断刃の厚みの２５％）を一定として、溝の幅のみを１０〜３００μｍの範囲で変化させた場合、溝の幅が２０〜２００μｍの範囲で、外観不良の発生率、切断面不良の発生率、切断位置のずれ量のいずれについても良好な結果が得られることが確認された。なお、溝の角度を０゜とした従来の切断刃において、溝の幅を２００μｍとした場合、外観不良の発生率、切断面不良の発生率、切断位置のずれ量のいずれの特性に関しても、好ましくない結果となっていることがわかる。
【００５７】
また、表８に示すように、溝の幅２０μｍ、溝の深さ５０μｍ（切断刃の厚みの２５％）を一定として、溝の配設ピッチのみを０．６７〜１０ｍｍ（１０〜１５０本／１０ｃｍ）の範囲で変化させた場合、配設ピッチ５ｍｍ（２０本／１０ｃｍ）〜１ｍｍ（１００本／１０ｃｍ）の範囲で外観不良の発生率、切断面不良の発生率、切断位置のずれ量のいずれについても良好な結果が得られることが確認された。しかし、配設ピッチが０．６７ｍｍ（１５０本／１０ｃｍ）の場合には、切断刃の機械的強度が低下し、変位量Ｇ１及び変位量Ｇ２が大きくなる傾向があり、また、配設ピッチが１０ｍｍ（１０本／１０ｃｍ）の場合にも、変位量Ｇ１及び変位量Ｇ２が大きくなる傾向が認められ、また、切断面不良の発生も認められた。なお、溝の角度を０゜とした従来の切断刃において、溝の配設ピッチを２ｍｍ（５０本／１０ｃｍ）とした場合、外観不良の発生率、切断面不良の発生率、切断位置のずれ量のいずれの特性に関しても、好ましくない結果となっていることがわかる。
【００５８】
また、表９に示すように、溝の幅２０μｍ、溝の配設ピッチ５ｍｍ（本数２０本／１０ｃｍ）を一定とし、溝の深さのみを５〜６０μｍ（切断刃の厚みの２．５〜３０％）の範囲で変化させた場合、溝の深さが１０μｍ（５％）〜５０μｍ（２５％）の範囲では、外観不良の発生率、切断面不良の発生率に関し、好ましい結果が得られ、また、切断位置のずれ量（変位量Ｇ１及び変位量Ｇ２）についても許容範囲内に収まることが確認された。しかし、溝の深さが切断刃の厚みの２．５％（５μｍ）の場合、切断位置のずれ量（変位量Ｇ１又は変位量Ｇ２）が許容範囲の２０μｍを超えており、また、溝の深さが６０μｍ（３０％）の場合、切断位置のずれ量（変位量Ｇ１又は変位量Ｇ２）が許容範囲の２０μｍを超える場合があり、好ましくないことが確認された。
なお、なお、溝の角度を０゜とした従来の切断刃において、溝の深さを切断刃の厚みの２５％（５０μｍ）とした場合、外観不良の発生率、切断面不良の発生率、切断位置のずれ量のいずれの特性に関しても、好ましくない結果となった。
【００５９】
以上の結果より、表裏両主面の一方又は他方に形成された溝の幅を２０〜２００μｍ、深さを切断刃の厚みの５％以上で３０％未満、配設ピッチを１〜５ｍｍとすることにより、外観不良の発生率、切断面不良の発生率、切断位置のずれ量のいずれの特性についても好ましい結果が得られることがわかる。
【００６０】
なお、上記の各実施形態では、スチール製の切断刃を例にとって説明したが、本願発明の切断刃の構成材料はスチールに限られるものではなく、セラミックなどの他の材料からなる切断刃にも本願発明を適用することが可能である。
【００６１】
また、上記実施形態では、積層セラミックコンデンサを製造する場合を例にとって説明したが、本願発明は、積層セラミックコンデンサを製造する場合に限らず、セラミックブロックを切断する種々の場合に使用することが可能である。
【００６２】
なお、本願発明はさらにその他の点においても上記実施形態に限定されるものではなく、切断刃本体、刃、及び溝の具体的な形状や構造などに関し、発明の範囲内で種々の応用、変形を加えることが可能である。
【００６３】
【発明の効果】
上記目的を達成するために、本願発明（請求項１）の切断刃は、少なくとも一つの辺に切断対象であるセラミックブロックに侵入する刃を形成するとともに、表裏両主面に、セラミックブロックへの侵入方向に対して２０〜７０゜の角度を有する複数の溝と、−２０〜−７０゜の角度を有する複数の溝を互いに交差するように形成するようにしているので、セラミックブロックへの侵入方向と略平行な方向に複数の溝を設けた、従来の切断刃において生じるような、切断刃の湾曲の発生を抑制することが可能になるとともに、切断刃の溝の形成面に対する溝の形成領域（溝が形成された部分）の面積の割合を増大させて、セラミックブロックの切断面と切断刃との接触面積の減少による摩擦抵抗の低下を図ることが可能になる。その結果、切断目標線と実際の切断位置（切断線）のずれや、切断刃へのセラミックの付着を抑制して、セラミックブロックを所定の位置で確実に切断することができるようになる。
【００６４】
また、本願発明（請求項２）の切断刃のように、表裏両主面の一方の主面に、セラミックブロックへの侵入方向に対して２０〜７０゜の角度を有する複数の溝を形成するとともに、表裏両主面の他方に、前記セラミックブロックへの侵入方向に対して２０〜７０゜の角度を有する複数の溝を形成するようにした場合、表裏両主面のうちの一方の面に形成された溝と、他方の面に形成された溝が、切断刃を挟んで交差した状態となるため、セラミックブロックへの侵入方向と略平行な方向に複数の溝を設けた従来の切断刃において生じるような、切断刃の湾曲の発生を抑制することが可能になるとともに、切断刃の溝の形成面に対する溝の形成領域（溝が形成された部分）の面積の割合を増大させて、セラミックブロックの切断面と切断刃との接触面積の減少による摩擦抵抗の低下を図ることが可能になる。その結果、切断目標線と実際の切断位置（切断線）のずれや、切断刃へのセラミックの付着を抑制して、セラミックブロックを所定の位置で確実に切断することができるようになる。
【００６５】
また、請求項３の切断刃のように、表裏両主面の一方又は他方に、形成する溝の幅、深さ、及び配設ピッチを、それぞれ、幅：２０〜２００μｍ、深さ：切断刃の厚みの５％以上で３０％未満、配設ピッチ：１〜５ｍｍ（２０〜１００本／１０ｃｍ）とした場合、切断刃が湾曲することを防止するとともに、セラミックブロックの切断面と切断刃との接触面積の減少による切断工程における摩擦抵抗の低下を図ることが可能になり、切断刃へのセラミックの付着を抑制しつつ、セラミックブロックを所定の位置で確実に切断することが可能になる。
【００６６】
また、請求項４の切断刃のように、上記（ａ）の変位量Ｇ１、及び、（ｂ）の変位量Ｇ２の両方が、切断位置のずれの最大許容量の１０％未満となるように、溝の幅、深さ、及び溝の配設ピッチを設定することにより、切断ブロックをより確実に所望の位置で確実に切断することが可能になり、本願発明をさらに実効あらしめることができるようになる。
【００６７】
また、本願発明（請求項５）の積層セラミック電子部品の製造方法は、表面に内部電極パターンが配設されたセラミックグリーンシートを積層することにより形成されたマザーセラミックブロックを切断して個々の素子に分割する場合に、本願発明の切断刃を用いるようにしているので、マザーセラミックブロックを所定の位置で切断して、不具合のない個々の素子に確実に分割することが可能になり、信頼性の高い積層セラミック電子部品を効率よく製造することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明の一実施形態にかかる切断刃を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は平面図である。
【図２】本願発明の一実施形態にかかる切断刃の他の例を示す正面図である。
【図３】本願発明の一実施形態にかかる切断刃を用いてセラミックブロックを切断している状態を示す図である。
【図４】切断位置のずれの発生状態を示す図であり、（ａ）はセラミックブロックを上面側から見た場合の切断目標線Ｌと、実際の切断位置（切断線）Ｌ１のずれの大きさ（変位量Ｇ１）を示す図、（ｂ）はセラミックブロックを側面側から見た場合の切断目標線Ｌと、実際の切断位置（切断線）Ｌ２のずれの大きさ（変位量Ｇ２）を示す図である。
【図５】積層セラミック電子部品の製造に用いられるセラミックグリーンシートを示す図である。
【図６】従来の切断刃を用いてセラミックブロック（圧着ブロック）を切断している状態を示す図である。
【図７】セラミックブロックから切り出された素子を示す図である。
【符号の説明】
１              切断刃本体
１ａ            一方の面
１ｂ            他方の面
２              刃
３              セラミックブロック
４，４ａ，４ｂ  溝
１１            内部電極
Ａ，Ｂ          切断刃
Ｄ              隣り合う内部電極間の距離
Ｇ１            変位量
Ｇ２            変位量
Ｌ              切断目標線
Ｌ１，Ｌ２      実際の切断位置（切断線）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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