(57)【要約】【課題】走査型露光装置において、ウエハステージの移動特性を高精度に計測できる技術を提供すること。【解決手段】第１のショットj,k,l,mと第２のショットiとが重畳された領域において、第１のショットj,kに含まれる中空箱型マークと第２のショットiに含まれる中実箱形マークとが重なり合うと同時に、第１のショットl,mに含まれる中実箱型マークと第２のショットiに含まれる中空箱形マークとが重なり合うことにより重ね合わせマーク26-33を形成する。そして、これら重ね合わせマーク26-33を全てのショットに関して計測し、ウエハ上に転写された全てのショットの相対的な位置誤差と姿勢誤差とを一括して演算する。【選択図】      図６
2005064268.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原版と基板とを相対的に走査して、当該原版上のパターンを投影光学系を介して前記基板に投影する露光装置であって、
前記原版を静止させ、かつ前記基板を保持したステージを移動させることにより、前記原版に形成されたスリット状のショットパターンを、前記基板の複数の領域と、互いに隣接する４つの前記領域に部分的に重畳する領域とに投影する投影手段と、
前記重畳領域において、前記ショットパターンに含まれる部分パターンどうしの位置ずれを計測する計測手段と、
前記計測手段による計測結果に基づいて、前記ステージの移動特性を算出する算出手段とを具備することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記投影手段は、前記複数の領域の各重心が格子点に配列されるように前記ショットパターンを投影することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記格子点の位置が行ごとにずれていることを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記部分パターンは、前記ショットパターンの長手方向に平行な２本の直線の上に並ぶように形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項５】
前記算出手段は、前記移動特性として、前記複数の領域及び前記重畳領域の各々の位置誤差及び回転誤差の少なくとも１つを算出することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記算出手段により得られた前記移動特性に基づいて、前記ステージの移動を制御する制御手段を具備することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項７】
前記算出手段により得られた前記移動特性に基づいて、前記ステージの移動特性を補正する補正手段を具備することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の露光装置を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項９】
原版と基板とを相対的に走査して、当該原版上のパターンを投影光学系を介して前記基板に投影する露光装置の使用方法であって、
前記原版を静止させ、かつ前記基板を保持したステージを移動させることにより、前記原版に形成されたスリット状のショットパターンを、前記基板の複数の領域と、互いに隣接する４つの前記領域に部分的に重畳する領域とに投影する投影工程と、
前記重畳領域において、前記ショットパターンに含まれる部分パターンどうしの位置ずれを計測する計測工程と、
前記計測工程における計測結果に基づいて、前記ステージの移動特性を算出する算出工程とを具備することを特徴とする露光装置の使用方法。
【請求項１０】
前記算出工程において得られた前記移動特性に基づいて、前記ステージを移動させることを特徴とする請求項９に記載の露光装置の使用方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイス等のマイクロデバイスの製造に使用される走査型露光装置及びその使用方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子を製造する際にはウエハ上に多層の回路パターンを重ねて転写していくが、各層に要求される精度の違いから異なる露光装置を用いる場合があり、異なる露光装置間での重ね合わせ精度（マッチング精度）を維持する必要がある。特に、ウエハ上に転写された複数の重ね合わせマークを計測してウエハのｘｙ平面（投影光学系の光軸に垂直な平面（互いに直交するｘ軸とｙ軸により規定される平面）、以下同じ。）に対する位置ずれとθ軸（投影光学系の光軸に平行な軸（ｘｙ平面に直交するＺ軸）まわりの回転、以下同じ。）の回転ずれを補正するグローバルアライメント方式の露光装置では、以下の調整作業を行っている。
【０００３】
第１調整項目：レチクル投影像とウエハステージとのｘｙ座標平行度調整
第２調整項目：ウエハステージのｘｙ軸直交度調整
第３調整項目：ウエハステージのｘｙ各軸の直線性調整
第４調整項目：ウエハステージのθ軸の安定性
特に、一括露光方式の露光装置の場合、これらの調整項目のうち、第３及び第４調整項目に関しては、本出願人が提案した方法、すなわち互いに隣接するショットの一部の領域が重畳するように露光、転写することにより形成される重ね合わせマークを計測し、これらの計測データを一括演算処理することで、ウエハステージのｘｙ各軸の直線性とウエハステージのθ軸の安定性を計測し、これを補正していた（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
例えば、図１のように、各ショットのｘ方向とｙ方向に隣接するショットと、一部の領域が重なるように露光を繰り返し、図２に示すように、ショット31とｘ方向に隣接するショット32とｙ方向に隣接するショット33との間で一部領域を重畳させ、ｘ方向に重畳する領域で２つの重ね合わせマーク34,35を、ｙ方向に重畳する領域で２つの重ね合わせマーク36,37をそれぞれ形成し、重なり合うマークの相対位置を計測して得たデータから最小二乗法を用いて各ショットの相対距離dx,dyと相対回転角dθを求めていた。
【特許文献１】特開２０００−２９９２７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１記載の方法では、細長いスリット状のショットを一括露光により転写する走査型投影露光装置（所謂、スキャナ）の場合、短辺が隣接する領域で２つ以上の重ね合わせマークを形成しても、これらの違いから現れる相対的な回転角の影響が小さく、ウエハステージのｘｙ各軸の直線性とθ軸の安定性とを高精度に計測できないという欠点があった。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、走査型露光装置において、ウエハステージの移動特性を高精度に計測できる技術を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述の課題を解決し、目的を達成するために、本発明は以下の各態様を備える。即ち、
［態様１］
原版と基板とを相対的に走査して、当該原版上のパターンを投影光学系を介して前記基板に投影する露光装置であって、前記原版を静止させ、かつ前記基板を保持したステージを移動させることにより、前記原版に形成されたスリット状のショットパターンを、前記基板の複数の領域と、互いに隣接する４つの前記領域に部分的に重畳する領域とに投影する投影手段と、前記重畳領域において、前記ショットパターンに含まれる部分パターンどうしの位置ずれを計測する計測手段と、前記計測手段による計測結果に基づいて、前記ステージの移動特性を算出する算出手段とを具備する。
【０００８】
［態様２］
上記態様１において、前記投影手段は、前記複数の領域の各重心が格子点に配列されるように前記ショットパターンを投影する。
【０００９】
［態様３］
上記態様２において、前記格子点の位置が行ごとにずれている。
【００１０】
［態様４］
上記態様１から３のいずれかにおいて、前記部分パターンは、前記ショットパターンの長手方向に平行な２本の直線の上に並ぶように形成されている。
【００１１】
［態様５］
上記態様１から４のいずれかにおいて、前記算出手段は、前記移動特性として、前記複数の領域及び前記重畳領域の各々の位置誤差及び回転誤差の少なくとも１つを算出する。
【００１２】
［態様６］
上記態様１から５のいずれかにおいて、前記算出手段により得られた前記移動特性に基づいて、前記ステージの移動を制御する制御手段を具備する。
【００１３】
［態様７］
上記態様１から５のいずれかにおいて、前記算出手段により得られた前記移動特性に基づいて、前記ステージの移動特性を補正する補正手段を具備する。
【００１４】
［態様８］
上記態様１から７のいずれかの露光装置を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
【００１５】
［態様９］
原版と基板とを相対的に走査して、当該原版上のパターンを投影光学系を介して前記基板に投影する露光装置の使用方法であって、前記原版を静止させ、かつ前記基板を保持したステージを移動させることにより、前記原版に形成されたスリット状のショットパターンを、前記基板の複数の領域と、互いに隣接する４つの前記領域に部分的に重畳する領域とに投影する投影工程と、前記重畳領域において、前記ショットパターンに含まれる部分パターンどうしの位置ずれを計測する計測工程と、前記計測工程における計測結果に基づいて、前記ステージの移動特性を算出する算出工程とを具備する。
【００１６】
［態様１０］
上記態様９において、前記算出工程において得られた前記移動特性に基づいて、前記ステージを移動させる。
【００１７】
具体的には、上記計測手段（工程）では、ショットが重畳した領域内の重ね合わせマークの相対距離から隣接するショット間の相対位置差dx,dyと相対回転角度差dθの計測データを得る。そして、上記計測データを未知な各ショットの位置誤差dxi,dyiと未知な各ショットのウエハ平面内での回転誤差dθiで構成したただ１つの方程式で表現し、これを数学的な演算手段を用いて一括した演算処理を行う。
【００１８】
上記方法により、上述した第１調整項目であるレチクル投影像とウエハステージのｘｙ座標平行度調整と第２調整項目であるウエハステージのｘｙ軸直交度調整が行われた状態のウエハステージにおいて、第３調整項目であるウエハステージｘｙ各軸の直線性調整、および第４調整項目であるウエハステージθ軸の安定性を計測することができる。
【００１９】
また、ステージｘｙ平面内における非線形な位置誤差を計測し、これらの計測結果に基づいてステージ位置に応じた適切なるステージ格子誤差の補正を行うことで、マッチング精度の高い露光装置を実現させることが可能となる。
【発明の効果】
【００２０】
以上説明したように、本発明によれば、走査型露光装置において、ウエハステージの移動特性を高精度に計測することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下に、本発明に係る実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
【００２２】
［第１の実施形態］
先ず、本発明に係る第１の実施形態について説明する。
【００２３】
図３（ａ），（ｂ）に示すように、本実施形態は、所定のパターンが描画されたレチクル8と、当該レチクル8上のスリット状の細長い照射エリア17に照明光を与える照明光学系4とを有し、照射されたレチクル8の描画パターンの一部を投影光学系としての投影レンズ9を介してウエハ10に転写する投影露光装置において、当該ウエハ10を保持し且つ投影レンズ9の光軸と直交するｘｙ平面上で移動可能なウエハステージ11と、当該ウエハステージ11の位置と姿勢を計測するレーザ干渉計14,15,16と、ウエハステージ11に固定された反射鏡12,13と、ウエハ10上に転写されたスリット状の細長いショットに含まれる重ね合わせマークを計測するマーク計測部5とを備える。
【００２４】
なお、レチクル8とウエハ10とを相対的に走査できるものであれば、ウエハステージに限らず、レチクル8を保持し且つ投影レンズ9の光軸と直交するｘｙ平面上で移動可能なレチクルステージを付加してもよい。
【００２５】
更に、図３（ｂ）に示すように、ステージの移動や照明光の照射などの露光に関わる動作や、レーザ干渉計による計測値の演算処理などを行う露光制御部1が設けられ、この露光制御部1には、上記マーク計測部5による重ね合わせマークの計測結果から、ウエハ10上に転写された全てのショットの相対的な位置誤差と姿勢（回転）誤差とを一括して演算する演算手段としての演算処理部2と、この演算処理部2により演算された全てのショットの相対的な位置誤差と姿勢誤差とを適正な値に補正して露光制御部1による制御に反映させる補正手段としての補正処理部3とを備える。
【００２６】
上記構成の露光装置により、レチクル8を一定の位置に静止させたまま、図４に示すようなレチクル8上の描画パターン17に対応した細長いスリット状のパターン像が、所謂ブリックパターン配列（格子状配列ともいう。以下同じ。）でウエハ10上に複数転写される。上記パターン像には、ｘ方向に沿って一方の長辺の近傍に等間隔で４つの中空箱型マーク19と、ｘ方向に沿って他方の長辺の近傍に等間隔で４つの中実箱型マーク20とが形成されている。これら中空箱型マーク19と中実箱型マーク20とは、パターン像の中心（重心）位置（ｘ軸とｙ軸の交点）からｘ方向に距離ｇ及び距離ｆ（ｇ＜ｆ）の位置に夫々対称に配置されると共に、ｙ方向に距離ｈの位置に対称に配置されている。
【００２７】
そして、第１のショット22,23,24,25の少なくとも１つの中心（重心）位置は、第２のショット21の中心（重心）位置に対して位相がシフトした配置とされる。
【００２８】
上記パターン像は、例えば、図５に示すようなショット配列でウエハ10上に転写される。つまり、第１のショット22,23,24,25をウエハ10上に転写し、その長辺が隣接する４つの第１のショット22,23,24,25に対して部分的に重畳するように第２のショット21をウエハ10上に転写する。このときに、第１のショット22,23,24,25と第２のショット21とが重畳された領域において、図６に示すように、第１のショット22,23に含まれる中空箱型マーク19と第２のショット21に含まれる中実箱形マーク20とが重なり合うと同時に、第１のショット24,25に含まれる中実箱型マーク20と第２のショット21に含まれる中空箱形マーク19とが重なり合うことにより重ね合わせマーク26-33を形成する。つまり、重ね合わせマーク26-33は、ｘ方向に平行な２本の直線上に並ぶように形成される。
【００２９】
そして、上記マーク計測部5はこれら重ね合わせマーク26-33を全てのショットに関して計測し、演算処理部2は、後述するようにウエハ上に転写された全てのショットの相対的な位置誤差と姿勢誤差とを一括して演算する。
【００３０】
図６に示す重ね合わせマーク26-33のうち、ショット(i)に対して隣接するショット(j)との間で重畳する重ね合わせマーク26,27は、中空箱型マークの重心位置を基準とした中実箱型マークの重心位置(exUL1,eyUL1)、(exUL2,eyUL2)がｘ軸方向とｙ軸方向について計測される。同様に、ショット(i)に隣接するショット(k),(l),(m)との間で重畳する重ね合わせマーク28,29,30,31,32,33から計測されたｘ軸方向とｙ軸方向の計測値を各々(exUR1,eyUR1)、(exUR2,eyUR2)、(exDL1,eyDL1)、(exDL2,eyDL2)、(exDR1,eyDR1)、(exDR2,eyDR2)と定義する。
【００３１】
このとき、ショット(i),(j),(k),(l),(m)の各ショットの位置と姿勢（ｚ軸まわりの回転角）の誤差を各々(dxi,dyi,dθi)、(dxj,dyj,dθj)、(dxk,dyk,dθk)、(dxl,dyl,dθl)、(dxm,dym,dθm)と定義する。
【００３２】
また、レチクル投影像の歪みやステージ計測スケール誤差等によって生じた各重ね合わせマーク毎に一定な固有の誤差をDXUL1,DXUL2,DYUL1,DYUL2,DXUR1,DXUR2,DYUR1,DYUR2,DXDL1,DXDL2,DYDL1,DYDL2,DXDR1,DXDR2,DYDR1,DYDR2と定義する。
【００３３】
更に、各重ね合わせマークを計測するときに生じる丸め誤差等の不規則な誤差をexUL1(i,j),exUL2(i,j),eyUL2(i,j),eyUL2(i,j),exUR1(i,k),exUR2(i,k),eyUR2(i,k),eyUR2(i,k),exDL1(i,l),exDL2(i,l),eyDL1(i,l),eyDL2(i,l),exDR1(i,m),exDR2(i,m),eyDR2(i,m),eyDR2(i,m)と定義すれば、以下の式(1)〜(16)式の関係が成立する。
【００３４】
【数１】
2005064268.tif 000003
【００３５】
なお、上記レチクル投影像の歪みやステージ計測スケール誤差等によって生じた誤差や、重ね合わせマークを計測するときに生じる丸め誤差等の不規則な誤差は、絶対測長器などの計測手段により予め実験などにより計測されており、これらの誤差はステージ直交度若しくはスケール誤差の演算により求められる。
また、上記誤差が、ステージ直交度やスケール誤差と見分けられないことを考慮して、あえてステージ直交度やスケール誤差の演算では求めないようにしてもよい。
【００３６】
上記式(1)〜(16)では、奇数行（あるいは偶数行）ショットのうち、全ての重ね合わせマークが完備したショットの数がNaであったとする。一方、偶数行（あるいは奇数行）ショットで、重ね合わせマークの形成に関わったショットの数がNbであったとすると、全ショット数はNa+Nbである。各ショット毎にｘ方向とｙ方向、θ方向の３つが未知であるから、これに各重ね合わせマークの固有の誤差を加えると、未知数の数は3(Na+Nb)+8となる。
【００３７】
これに対し、方程式の数は16Na個あるが、奇数行ショットおよび偶数行ショットの各々の位置誤差(dxi,dyi)と姿勢誤差(dθi)の平均値とｘ，ｙ各方向の配列傾き、配列のスケール誤差を一定値に定めないと、方程式が不定な連立方程式になるため求解できない。
【００３８】
そこで、以下の式(17)〜(23)の7個の方程式を加える。
【００３９】
【数２】
2005064268.tif 000004
【００４０】
但し、XiとYiは各ショット中心のウエハ座標位置を示し、全ショットの総和が零になるよう調整されたベクトルの要素である。
以上から、16Na+7個の連立方程式が構成される。
【００４１】
先に述べたように、この連立方程式における未知数は全部で3(Na+Nb)+8個存在する。
【００４２】
従って、方程式の数と未知数の数は、式(24)に示す関係を満たしていなくてはならない。
【００４３】
【数３】
2005064268.tif 000005
【００４４】
以上のようにして構成された連立方程式をただ１つの連立方程式に表現し、最小ニ乗法による数学的な演算手段を用いて一括した演算処理を行うことにより、演算処理部2ではウエハ10上に転写された全てのショットの相対的な位置誤差と姿勢誤差とを一括して演算処理し、補正処理部3ではこの演算処理部2により演算された全てのショットの相対的な位置誤差と姿勢誤差とを適正な値に補正して露光制御部1による制御、例えば、ウエハステージ11の移動制御（位置補正）に反映させる。
上記実施形態によれば、ウエハステージの移動特性として、ｘｙ各軸の直線性とθ軸の安定性とを高精度に計測できる。
【００４５】
また、ウエハステージのｘｙ平面内における非線形な位置誤差を計測し、これらの計測結果に基づいてステージ位置に応じた適切なるステージ格子誤差の補正を行うことで、マッチング精度の高い露光を実現でき、上述した方法を用いて製造された半導体デバイスはより高い精度のものとなる。
【００４６】
［第２の実施形態］
本発明に係る第２の実施形態は、奇数行あるいは偶数行のショットについて、列方向（ｙ方向）に移動する度に、ショットの中心位置を、図７及び図８のように重ね合わせマークの１ピッチ分だけ長辺に沿う方向（ｘ方向）にずらした場合である。
【００４７】
これは、ショット形状がｘ方向に長く、そのショット間隔が広いため、ステージ格子の変化をｘ方向に細かく計測できないことが懸念される場合に有効である。
【００４８】
［第３の実施形態］
また、本発明に係る第３の実施形態は、図９のようにショット内のマーク数を増加した場合である。
【００４９】
これは、各重ね合わせマークを計測するときの誤差である、exUL1(i,j)、exUL2(i,j)、eyUL1(i,j)、eyUL2(i,j)、exUR1(i,j)、exUR2(i,j)、eyUR1(i,j)、eyUR2(i,j)、exDL1(i,j)、exDL2(i,j)、eyDL1(i,j)、eyDL2(i,j)、exDR1(i,j)、exDR2(i,j)、eyDR1(i,j)、eyDR2(i,j)の影響を小さくし、推定精度を高める効果がある。
【００５０】
このようにして得られた重ね合わせマークの計測データを用いて、第１の実施形態で示した方法にならった方法で連立方程式をたて、各ショットの位置と姿勢の誤差(dxi,dyi,dθi)を求めることができる。
【００５１】
こうすることで、ショット長辺方向のショット中心位置座標の種類が増加するため、より正確なステージ格子の計測と補正が期待できる。
【００５２】
［第４の実施形態］
次に、この露光装置を利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図１０は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。ステップＳ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップＳ２（マスク作製）では設計した回路パターンに基づいてマスクを作製する。
【００５３】
一方、ステップＳ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップＳ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記のマスクとウエハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップＳ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップＳ５によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。ステップＳ６（検査）ではステップＳ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップＳ７でこれを出荷する。
【００５４】
上記ステップＳ４のウエハプロセスは以下のステップを有する。ウエハの表面を酸化させる酸化ステップ、ウエハ表面に絶縁膜を成膜するＣＶＤステップ、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する電極形成ステップ、ウエハにイオンを打ち込むイオン打ち込みステップ、ウエハに感光剤を塗布するレジスト処理ステップ、上記の露光装置によって回路パターンをレジスト処理ステップ後のウエハに転写する露光ステップ、露光ステップで露光したウエハを現像する現像ステップ、現像ステップで現像したレジスト像以外の部分を削り取るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト剥離ステップ。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【００５５】
［他の実施形態］
本発明の目的は、前述した実施形態の誤差演算及び誤差補正を用いた露光方法を実現するソフトウェアのプログラムを、システム或いは装置に直接或いは遠隔から供給し、そのシステム或いは装置のコンピュータが該供給されたプログラムコードを読み出して実行することによっても達成される。その場合、上述のプログラムは、プログラムと同等の機能を有するプログラム以外のソフトウェアであってもよい。
【００５６】
従って、当該プログラム、ソフトソフトウェア自体も本発明の一実施態様である。
【００５７】
その場合、プログラムの機能を有していれば、オブジェクトコード、インタプリタにより実行されるプログラム、ＯＳに供給するスクリプトデータ等、プログラムの形態を問わない。
【００５８】
プログラムを供給するための記録媒体としては、例えば、フレキシブルディスク、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、ＭＯ、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ＲＯＭ、ＤＶＤ（ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−Ｒ）などがある。
【００５９】
また、プログラムの供給は、クライアントコンピュータのブラウザを用いてインターネットのホームページに接続し、該ホームページから本発明のコンピュータプログラムそのもの、もしくは圧縮され自動インストール機能を含むファイルをハードディスク等の記録媒体にダウンロードすることによっても可能である。更に、当該プログラムを構成するプログラムコードを複数のファイルに分割し、それぞれのファイルを異なるホームページからダウンロードすることによっても供給可能である。つまり、当該プログラムファイルをクライアントコンピュータにダウンロードさせるＷＷＷサーバも、本発明の一実施態様である。
【００６０】
また、当該プログラムを暗号化してＣＤ−ＲＯＭ等の記憶媒体に格納してユーザに配布し、所定の条件をクリアしたユーザに対し、インターネットを介してホームページから暗号化を解く鍵情報をダウンロードさせ、その鍵情報を使用することにより、当該プログラムをコンピュータにインストールさせることも可能である。
【００６１】
また、上述した実施形態の機能は、コンピュータが当該プログラムを実行することによって実現される他、そのプログラムの指示に基づき、コンピュータ上で稼動しているＯＳなどが、実際の処理の一部または全部を行うことによっても実現される。
【００６２】
さらに、上述した実施形態の機能は、記録媒体から読み出された当該プログラムが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのプログラムに基づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵなどが実際の処理の一部または全部を行うことによっても実現される。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】ステージ移動軸の直線性と姿勢の安定性を計測する従来例のショット配置全体を示す図。
【図２】ステージ移動軸の直線性と姿勢の安定性を計測する従来例のショット配置の部分拡大図。
【図３】本発明に係る実施形態の走査型投影露光装置の概略構成図。
【図４】本発明に係る第１の実施形態で用いるレチクルパターンの説明図。
【図５】本発明に係る第１の実施形態のショット配置全体を示す図。
【図６】本発明に係る第１の実施形態のショット配置の部分拡大図。
【図７】本発明に係る第２の実施形態のショット配置の部分拡大図。
【図８】本発明に係る第２の実施形態のショット配置全体を示す図。
【図９】本発明に係る第２の実施形態で用いるレチクルパターンの説明図。
【図１０】半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図。
【符号の説明】
【００６４】
1  露光制御部
2  演算処理部（演算手段）
3  補正処理部（補正手段）
4  照明光学系
5  マーク計測部（計測手段）
8  レチクル（原版）
9  投影レンズ（投影光学系）
10  ウエハ（基板）
11  ウエハステージ
12  レーザ干渉計反射鏡
13  レーザ干渉計反射鏡
14,15,16  レーザ干渉計
17  レチクル上の照射領域
18  ウエハ上の転写領域
19  中空箱型マーク
20  中実箱型マーク
21  任意の偶数行ショット
22,23,24,25  偶数行ショットと一部で重畳するショット
26,27,28,29,30,31,32,33  重畳した重ね合わせマーク
【図１】
2005064268.tif 000006
【図２】
2005064268.tif 000007
【図３】
2005064268.tif 000008
【図４】
2005064268.tif 000009
【図５】
2005064268.tif 000010
【図６】
2005064268.tif 000011
【図７】
2005064268.tif 000012
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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