(57)【要約】【課題】トラック幅を規定するトラック幅規定層を精度よく形成する。【解決手段】トラック幅規定層は、エアベアリング面３０に配置された一端部とその反対側の他端部とを有するトラック幅規定部と、トラック幅規定部の他端部に連結された幅広部とを含んでいる。トラック幅規定層はフレームめっき法によって形成される。フレームは、レジスト層を露光、現像して形成される。レジスト層を露光する工程は、レジスト層に第１の潜像６１を形成する第１の露光工程と、レジスト層に第２の潜像を形成する第２の露光工程とを含んでいる。第１の潜像６１は、トラック幅規定部に対応する第１の部分６１ａと、この第１の部分６１ａに連続して幅広部の輪郭に沿って延びる第２の部分６１ｂからなる。第２の潜像は、第１の潜像６１と合成されてトラック幅規定層に対応した潜像を形成するものであって、トラック幅規定部に対応する部分を含まないものである。【選択図】図２０
2005243209.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に対向する媒体対向面と、
前記媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含むと共に、互いに磁気的に連結された第１および第２の磁極層と、
前記第１の磁極層の磁極部分と前記第２の磁極層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、
少なくとも一部が前記第１および第２の磁極層の間に、前記第１および第２の磁極層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備え、
一方の磁極層は、トラック幅規定層を有し、
前記トラック幅規定層は、媒体対向面に配置された一端部とその反対側の他端部とトラック幅に等しい幅とを有するトラック幅規定部と、前記トラック幅規定部の他端部に連結され、トラック幅よりも広い幅を有する幅広部とを含む薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、
前記第１の磁極層を形成する工程と、
前記第１の磁極層の上に前記薄膜コイルを形成する工程と、
前記第１の磁極層の磁極部分の上に前記ギャップ層を形成する工程と、
前記ギャップ層の上に前記第２の磁極層を形成する工程とを備え、
一方の磁極層を形成する工程は、前記トラック幅規定層を形成する工程を含み、
前記トラック幅規定層を形成する工程は、
レジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層に前記トラック幅規定層に対応した潜像が形成されるようにレジスト層を放射エネルギによって露光する工程と、
露光後のレジスト層を現像して、前記トラック幅規定層に対応した溝部を有するフレームを形成する工程と、
前記フレームを用いて、めっき法により、前記トラック幅規定層を形成する工程とを含み、
前記レジスト層を露光する工程は、
前記レジスト層に第１の潜像が形成されるように、レジスト層を放射エネルギによって露光する第１の露光工程と、
前記第１の露光工程の前または後に実施され、前記レジスト層に第２の潜像が形成されるように、レジスト層を放射エネルギによって露光する第２の露光工程とを含み、
前記第１の潜像は、前記トラック幅規定部に対応する第１の部分と、この第１の部分に連続して前記幅広部の輪郭の少なくとも一部に沿って延びる第２の部分からなり、
前記第２の潜像は、前記第１の潜像と合成されて前記トラック幅規定層に対応した潜像を形成するものであって、前記トラック幅規定部に対応する部分を含まないものであることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記第１の露光工程において前記レジスト層に与えられる単位面積当たりの放射エネルギ量は、前記第２の露光工程において前記レジスト層に与えられる単位面積当たりの放射エネルギ量よりも多いことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記第１の潜像の一部と第２の潜像の一部は重なることを特徴とする請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記第１の磁極層は、スロートハイトを規定し、
前記第２の磁極層が前記トラック幅規定層を有することを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記トラック幅規定層は、平坦なギャップ層の上に配置されていることを特徴とする請求項４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記トラック幅は、０．０５〜０．１５μｍの範囲内であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記媒体対向面に垂直な方向についての前記トラック幅規定部の長さは、０．０５〜０．５μｍの範囲内であることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも誘導型電磁変換素子を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスク装置の面記録密度が著しく向上している。特に最近では、ハードディスク装置の面記録密度は、１００〜１６０ギガバイト／プラッタに達し、更にそれを超える勢いである。これに伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。
【０００３】
薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ（Magnetoresistive）素子とも記す。）を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。
【０００４】
記録ヘッドは、一般的に、記録媒体に対向する媒体対向面（エアベアリング面）と、媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含むと共に、互いに磁気的に連結された下部磁極層および上部磁極層と、下部磁極層の磁極部分と上部磁極層の磁極部分との間に設けられた記録ギャップ層と、少なくとも一部が下部磁極層および上部磁極層の間に、これらに対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えている。
【０００５】
ところで、記録ヘッドの性能のうち、記録密度を高めるには、記録媒体におけるトラック密度を上げる必要がある。そのためには、トラック幅、すなわち記録ギャップ層を挟んで対向する２つの磁極部分の媒体対向面での幅を、数ミクロンからサブミクロン寸法まで小さくした狭トラック構造の記録ヘッドを実現する必要がある。このような記録ヘッドを実現するために半導体加工技術が利用されている。
【０００６】
また、薄膜磁気ヘッドの記録特性に影響を与えるパラメータの一つに、スロートハイトがある。スロートハイトとは、２つの磁極層が記録ギャップ層を介して対向する部分、すなわち磁極部分の、媒体対向面側の端部から反対側の端部までの長さ（高さ）をいう。このスロートハイトは、媒体対向面において記録ギャップ層の近傍で発生される磁界の強度や分布に影響を与える。
【０００７】
また、記録ヘッドには、重ね書きの性能であるオーバーライト特性が優れていることが要求される。このオーバーライト特性を向上させるには、２つの磁極層を通過する磁束を、できるだけ多く磁極部分に導き、媒体対向面において記録ギャップ層の近傍で大きな磁界を発生させることが必要である。従って、オーバーライト特性を向上させるには、磁極部分の厚みを大きくしたり、スロートハイトを小さくすることが有効である。
【０００８】
特許文献１において従来技術として挙げられているように、従来の薄膜磁気ヘッドでは、上部磁極層によってトラック幅とスロートハイトを規定する場合が多かった。この場合には、例えば、薄膜コイルを覆う絶縁層が、記録ギャップ層の上面よりも上方に突出するように設けられ、この絶縁層の媒体対向面側の端部がスロートハイトを規定する。上部磁極層は、一端が媒体対向面に配置され、トラック幅を規定するトラック幅規定部と、このトラック幅規定部よりも媒体対向面から遠い位置に配置され、トラック幅よりも広い幅を有する幅広部とを有する。上部磁極層は、記録ギャップ層および上記絶縁層の上に、例えばフレームめっき法によって形成される。
【０００９】
ここで、上述のように記録ギャップ層、およびスロートハイトを規定する絶縁層の上に、フレームめっき法によって上部磁極層を形成する方法について説明する。この方法では、まず、記録ギャップ層、およびスロートハイトを規定する絶縁層の上に電極膜を形成する。次に、この電極膜の上にフォトレジスト層を形成する。ここでは、フォトレジスト層は、ポジ型レジストによって形成されるものとする。次に、フォトレジスト層を、上部磁極層の形状に対応したパターンの光によって露光する。次に、フォトレジスト層を現像する。これにより、フォトレジスト層に、上部磁極層の形状に対応した溝部が形成され、このフォトレジスト層がフレームとなる。次に、このフレームを用い、電極膜に電流を流して電気めっきを行い、上記溝部内に上部磁極層を形成する。
【００１０】
上記の方法では、以下のような問題点がある。すなわち、フォトレジスト層を露光する際には、露光用の光が電極膜によって反射される。ここで、スロートハイトを規定する絶縁層の表面のうち、媒体対向面に近い部分は斜面になっている。そのため、上記斜面上の電極膜で反射された光の一部は、フォトレジスト層のうち、上部磁極層の磁極部分に対応する部分に到達する。そのため、フォトレジスト層のうち、上部磁極層の磁極部分に対応する部分は、磁極部分に対応したパターンの光によって露光される他、上記斜面上の電極膜で反射された光の一部によっても露光される。そのため、上記の方法では、フレームのうち、上部磁極層の磁極部分に対応する部分を精度よく形成することが困難であった。特に、上記の方法では、幅が０．０５〜０．１５μｍで、且つ十分な厚みを有する磁極部分を形成することはきわめて困難であった。
【００１１】
そこで、下部磁極層に凹部を形成し、この凹部内に薄膜コイルを収納し、上部磁極層を平坦な面の上に形成した薄膜磁気ヘッドも提案されている。このようなヘッドでは、凹部の媒体対向面側の端部によってスロートハイトが規定される。このようなヘッドは、例えば特許文献１ないし３に記載されている。このヘッドでは、スロートハイトを規定する絶縁層の上に上部磁極層を形成する場合に比べると、上部磁極層の磁極部分を精度よく形成することが可能になる。
【００１２】
【特許文献１】米国特許第５，７９３，５７８号明細書
【特許文献２】米国特許第６，４００，５２５Ｂ１号明細書
【特許文献３】米国特許第６，２５９，５８３Ｂ１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、上部磁極層を平坦な面の上に形成する場合であっても、上部磁極層をフレームめっき法によって形成する場合には、以下のような問題点がある。前述のように、上部磁極層は、トラック幅規定部と幅広部とを有する。オーバーライト特性を向上させるためには、媒体対向面に垂直な方向についてのトラック幅規定部の長さは小さい方が望ましい。幅広部は、トラック幅規定部よりもかなり大きい。そのため、フォトレジスト層の露光の際に、電極膜のうちの幅広部に対応する部分で反射された光の一部が、フォトレジスト層のうち、上部磁極層のトラック幅規定部と幅広部の境界部分に対応する部分の周辺に到達する。その結果、フレームのうち、上記境界部分に対応する部分の近傍の形状が崩れてしまうという問題が発生する。反射光は広がりながら進むため、フレームの形状の崩れはフレームの上側ほど大きくなる。このようなフレームの形状の崩れによって、上部磁極層のトラック幅規定部と幅広部の境界部分の近傍の形状の崩れが生じる。そして、特に、トラック幅が小さい場合や、媒体対向面に垂直な方向についてのトラック幅規定部の長さが小さい場合には、上述のような上部磁極層の形状の崩れが生じると、トラック幅を正確に規定することが困難になる。
【００１４】
また、特にトラック幅が小さくなってくると、オーバーライト特性を向上させるために、トラック幅規定部の厚みを大きくすることが要求される。しかしながら、前述のように、フレームの形状の崩れはフレームの上側ほど大きくなることから、トラック幅規定部の厚みが大きくなるほど、前述のフレームの形状の崩れによる問題が顕著になる。
【００１５】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、トラック幅を規定するトラック幅規定層を精度よく形成できるようにした薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法によって製造される薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面と、媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含むと共に、互いに磁気的に連結された第１および第２の磁極層と、第１の磁極層の磁極部分と第２の磁極層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、少なくとも一部が第１および第２の磁極層の間に、第１および第２の磁極層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えている。一方の磁極層は、トラック幅規定層を有している。トラック幅規定層は、媒体対向面に配置された一端部とその反対側の他端部とトラック幅に等しい幅とを有するトラック幅規定部と、トラック幅規定部の他端部に連結され、トラック幅よりも広い幅を有する幅広部とを含んでいる。
【００１７】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、第１の磁極層を形成する工程と、第１の磁極層の上に薄膜コイルを形成する工程と、第１の磁極層の磁極部分の上にギャップ層を形成する工程と、ギャップ層の上に第２の磁極層を形成する工程とを備えている。一方の磁極層を形成する工程は、トラック幅規定層を形成する工程を含んでいる。トラック幅規定層を形成する工程は、レジスト層を形成する工程と、レジスト層にトラック幅規定層に対応した潜像が形成されるようにレジスト層を放射エネルギによって露光する工程と、露光後のレジスト層を現像して、トラック幅規定層に対応した溝部を有するフレームを形成する工程と、フレームを用いて、めっき法により、トラック幅規定層を形成する工程とを含んでいる。
【００１８】
レジスト層を露光する工程は、レジスト層に第１の潜像が形成されるように、レジスト層を放射エネルギによって露光する第１の露光工程と、第１の露光工程の前または後に実施され、レジスト層に第２の潜像が形成されるように、レジスト層を放射エネルギによって露光する第２の露光工程とを含んでいる。第１の潜像は、トラック幅規定部に対応する第１の部分と、この第１の部分に連続して幅広部の輪郭の少なくとも一部に沿って延びる第２の部分からなるものである。第２の潜像は、第１の潜像と合成されてトラック幅規定層に対応した潜像を形成するものであって、トラック幅規定部に対応する部分を含まないものである。
【００１９】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第１の露光工程によって、レジスト層に、トラック幅規定部に対応する第１の部分と、この第１の部分に連続して幅広部の輪郭の少なくとも一部に沿って延びる第２の部分からなる第１の潜像が形成される。また、本発明では、第２の露光工程によって、レジスト層に、第１の潜像と合成されてトラック幅規定層に対応した潜像を形成するものであって、トラック幅規定部に対応する部分を含まない第２の潜像が形成される。
【００２０】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、第１の露光工程においてレジスト層に与えられる単位面積当たりの放射エネルギ量は、第２の露光工程においてレジスト層に与えられる単位面積当たりの放射エネルギ量よりも多くてもよい。
【００２１】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、第１の潜像の一部と第２の潜像の一部は重なってもよい。
【００２２】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、第１の磁極層は、スロートハイトを規定し、第２の磁極層がトラック幅規定層を有していてもよい。この場合、トラック幅規定層は、平坦なギャップ層の上に配置されていてもよい。
【００２３】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、トラック幅は、０．０５〜０．１５μｍの範囲内であってもよい。また、媒体対向面に垂直な方向についてのトラック幅規定部の長さは、０．０５〜０．５μｍの範囲内であってもよい。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第１の露光工程と第２の露光工程を、それぞれに適した条件で行なうことができ、これにより、トラック幅を規定するトラック幅規定層を精度よく形成することが可能になるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
［第１の実施の形態］
まず、図１ないし図１９を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。なお、図１ないし図１７において、（ａ）はエアベアリング面および基板の上面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。図１８は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおける主要部を示す平面図である。図１９は、オーバーコート層を除いた状態における本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成を示す斜視図である。
【００２６】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、まず、図１に示したように、例えばアルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）よりなる絶縁層２を、約２〜５μｍの厚みに形成する。次に、絶縁層２の上に、磁性材料、例えばパーマロイよりなる再生ヘッド用の下部シールド層３を、約２〜３μｍの厚みに形成する。下部シールド層３は、例えば、フォトレジスト膜をマスクにして、めっき法によって、絶縁層２の上に選択的に形成する。次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層４１を、例えば３〜４μｍの厚みに形成し、例えば化学機械研磨（以下、ＣＭＰと記す。）によって、下部シールド層３が露出するまで研磨して、表面を平坦化処理する。
【００２７】
次に、下部シールド層３の上に、絶縁膜としての下部シールドギャップ膜４を、例えば約２０〜４０ｎｍの厚みに形成する。次に、下部シールドギャップ膜４の上に、磁気的信号検出用のＭＲ素子５を、数十ｎｍの厚みに形成する。ＭＲ素子５は、例えば、スパッタによって形成したＭＲ膜を選択的にエッチングすることによって形成する。また、ＭＲ素子５は、後述するエアベアリング面が形成される位置の近傍に配置される。なお、ＭＲ素子５には、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子、あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。次に、下部シールドギャップ膜４の上に、ＭＲ素子５に電気的に接続される一対の電極層６を、数十ｎｍの厚みに形成する。次に、下部シールドギャップ膜４およびＭＲ素子５の上に、絶縁膜としての上部シールドギャップ膜７を、例えば約２０〜４０ｎｍの厚みに形成し、ＭＲ素子５をシールドギャップ膜４，７内に埋設する。シールドギャップ膜４，７に使用する絶縁材料としては、アルミナ、窒化アルミニウム、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等がある。また、シールドギャップ膜４，７は、スパッタ法によって形成してもよいし、化学的気相成長（以下、ＣＶＤと記す。）法によって形成してもよい。
【００２８】
次に、上部シールドギャップ膜７を選択的にエッチングして、各電極層６のうちのエアベアリング面から遠い端部の近傍の部分の上において、上部シールドギャップ膜７に開口部を形成する。次に、上部シールドギャップ膜７の上に、磁性材料よりなる、再生ヘッド用の上部シールド層８を、約１．０〜１．５μｍの厚みで、選択的に形成する。このとき、同時に、上部シールドギャップ膜７の開口部より露出する各電極層６の上に、それぞれ接続層４２を形成する。接続層４２は、上部シールド層８と同じ材料で同じ厚みに形成する。次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層４３を、上部シールド層８の厚み以上の厚みに形成し、例えばＣＭＰによって、上部シールド層８および接続層４２が露出するまで研磨して、表面を平坦化処理する。
【００２９】
図２は次の工程を示す。この工程では、ここまでの工程で得られた積層体の上面全体の上に、例えばアルミナよりなる絶縁層９を、約０．１５〜０．２μｍの厚みに形成する。次に、絶縁層９を選択的にエッチングして、接続層４２の上において絶縁層９に開口部を形成する。このとき、同時に、上記開口部よりもエアベアリング面から遠い位置において、絶縁層９を選択的にエッチングして、絶縁層９に指標４４を形成する。指標４４は、後に形成される層の位置決めのために用いられる。
【００３０】
図３は次の工程を示す。この工程では、絶縁層９の上に、磁性材料よりなる磁性層１０ａｐを例えば０．５〜１．０μｍの厚みに形成する。磁性層１０ａｐは、後述する下部磁極層１０の第１の層１０ａを形成するために用いられる。下部磁極層１０は、第１の層１０ａと、後述する第２ないし第５の層１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅとを含む。
【００３１】
磁性層１０ａｐは、材料として高飽和磁束密度材料であるＦｅＡｌＮ、ＦｅＮ、ＦｅＣｏ、ＣｏＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ等を用いて、スパッタ法によって形成する。なお、磁性層１０ａｐは、材料としてＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用いて、めっき法によって形成してもよい。
【００３２】
次に、磁性層１０ａｐの上に、例えばアルミナよりなる絶縁膜１１を、０．２μｍの厚みに形成する。次に、絶縁膜１１を選択的にエッチングして、第２の層１０ｂと第３の層１０ｃを形成すべき各位置と、接続層４２の上の位置において、絶縁膜１１に開口部を形成する。このとき、同時に、接続層４２の上に形成された開口部よりもエアベアリング面から遠い位置において、絶縁膜１１を選択的にエッチングして、絶縁膜１１に指標４５を形成する。指標４５は、後に形成される層の位置決めのために用いられる。
【００３３】
図４は次の工程を示す。この工程では、図示しないが、磁性層１０ａｐおよび絶縁膜１１を覆うように、例えばスパッタ法によって、導電性材料よりなる電極膜を、５０〜８０ｎｍの厚みに形成する。この電極膜は、めっきの際の電極およびシード層として機能する。次に、図示しないが、フォトリソグラフィによって、電極膜の上に、フレームめっき法によって第１のコイル１３を形成するためのフレームを形成する。
【００３４】
次に、電極膜を用いて電気めっきを行って、例えばＣｕよりなる第１のコイル１３を、約２．０〜３．０μｍの厚みに形成する。このとき、同時に、接続層４２の上の位置において、磁性層１０ａｐの上に、接続層４８を形成する。接続層４８は、第１のコイル１３と同じ材料で同じ厚みに形成する。第１のコイル１３は、絶縁膜１１が配置された領域内に配置される。なお、図４において、符号１３ａは、第１のコイル１３における内側端部近傍の部分であって、後述する接続層３３ａに接続される接続部を示している。次に、フレームを除去した後、例えばイオンビームエッチングによって、電極膜のうち、第１のコイル１３および接続層４８の下に存在する部分以外の部分を除去する。
【００３５】
次に、図示しないが、フォトリソグラフィによって、積層体の上に、フレームめっき法によって第２の層１０ｂおよび第３の層１０ｃを形成するためのフレームを形成する。
【００３６】
図５は次の工程を示す。この工程では、電気めっきを行って、磁性層１０ａｐの上に、それぞれ磁性材料よりなる第２の層１０ｂおよび第３の層１０ｃを、それぞれ例えば２．５〜３．５μｍの厚みに形成する。第２の層１０ｂおよび第３の層１０ｃの材料としては、例えば、飽和磁束密度が１．８〜１．９ＴのＣｏＮｉＦｅ（Ｃｏ：６７重量％，Ｎｉ：１５重量％，Ｆｅ：１８重量％）または飽和磁束密度が２．４ＴのＦｅＣｏ（Ｆｅ：約６０重量％，Ｃｏ：約４０重量％）が用いられる。本実施の形態では、第２の層１０ｂおよび第３の層１０ｃをめっき法によって形成する際に、特別な電極膜を設けずに、パターニングされていない磁性層１０ａｐをめっき用の電極およびシード層として用いる。
【００３７】
第２の層１０ｂは、エアベアリング面の近傍に配置される。第３の層１０ｃは、第１の層１０ａと後述する上部磁極層とを接続するための部分であり、第１のコイル１３の中心の近傍の位置に配置される。
【００３８】
図６は次の工程を示す。この工程では、第１のコイル１３、第２の層１０ｂおよび第３の層１０ｃを覆うようにフォトレジスト層４９を形成し、接続層４８を覆うようにフォトレジスト層５０を形成し、指標４５の周辺を覆うようにフォトレジスト層５１を形成する。次に、フォトレジスト層４９，５０，５１をマスクとして、例えばイオンビームエッチングによって、磁性層１０ａｐを選択的にエッチングする。これにより残った磁性層１０ａｐによって、第１の層１０ａ、接続層４６および磁性層４７が形成される。第１の層１０ａはフォトレジスト層４９の下に形成され、接続層４６はフォトレジスト層５０の下に形成され、磁性層４７はフォトレジスト層５１の下に形成される。
【００３９】
図７は次の工程を示す。この工程では、後述する第２のコイルを配置すべき位置に、例えばフォトレジストよりなる絶縁層１５を形成する。この絶縁層１５は、少なくとも第１のコイル１３の巻線間に充填されるように形成される。絶縁層１５の一部は、第１のコイル１３の外周部の外側および第１のコイル１３の内周部の内側に配置される。
【００４０】
図８は次の工程を示す。この工程では、絶縁層１５を覆うように、例えばアルミナよりなる絶縁層１６を、３〜４μｍの厚みに形成する。次に、例えばＣＭＰによって、絶縁層１５が露出し、且つ絶縁層１５および絶縁層１６の上面が平坦化されるように、絶縁層１５および絶縁層１６を研磨する。次に、絶縁層１５を除去する。
【００４１】
図９は次の工程を示す。この工程では、例えばＣＶＤ法によって、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなるコイル間絶縁膜１７を、０．１〜０．２μｍの厚みに形成する。次に、図示しないが、積層体の上面全体を覆うように、例えばスパッタ法によって、導電性材料よりなる電極膜を形成する。この電極膜は、めっきの際の電極およびシード層として機能する。次に、電極膜の上に、めっき法によって、例えばＣｕよりなる導電層を、例えば３〜４μｍの厚みに形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第２の層１０ｂ、第３の層１０ｃ、第１のコイル１３および接続層４８が露出するまで、導電層を研磨する。これにより、第１のコイル１３の巻線間等の溝内に残った導電層によって、第２のコイル１８が形成される。上記研磨は、第１のコイル１３および第２のコイル１８の厚みが例えば２．０〜２．５μｍになるように行う。
【００４２】
図１８に示したように、第１のコイル１３における外側端部近傍には、接続層３５ａに接続される接続部１３ｂが設けられている。また、第２のコイル１８は、内側端部近傍と外側端部近傍とにおいてそれぞれ、接続層３４ａ，３３ａに接続される接続部１８ａ，１８ｂを有している。
【００４３】
なお、第１のコイル１３を形成する工程または第２のコイル１８を形成する工程では、図１８に示したように、下部磁極層１０の第１の層１０ａの外側に配置されるように、２つのリード層３６，３７を形成する。リード層３６，３７は、それぞれ、接続層３４ａ，３５ａに接続される接続部３６ａ，３７ａを有している。
【００４４】
図１０は次の工程を示す。この工程では、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなるコイル被覆絶縁膜１９を、０．１〜０．３μｍの厚みに形成する。次に、コイル被覆絶縁膜１９のうち、第２の層１０ｂに対応する部分、第３の層１０ｃに対応する部分、第１のコイル１３の接続部１３ａ，１３ｂに対応する部分、第２のコイル１８の接続部１８ａ，１８ｂに対応する部分、リード層３６の接続部３６ａに対応する部分、およびリード層３７の接続部３７ａに対応する部分を選択的にエッチングする。このとき、同時に、接続層４８よりもエアベアリング面から遠い位置において、コイル被覆絶縁膜１９を選択的にエッチングして、コイル被覆絶縁膜１９に指標５２を形成する。指標５２は、後に形成される層の位置決めのために用いられる。エッチング後のコイル被覆絶縁膜１９は、第１のコイル１３の２つの接続部１３ａ，１３ｂおよび第２のコイル１８の２つの接続部１８ａ，１８ｂを除いて、コイル１３，１８の上面を覆う。
【００４５】
図１１は次の工程を示す。この工程では、積層体の上面全体を覆うように、スパッタ法によって、磁性材料よりなる磁性層２０を、０．８〜１．２μｍの厚みに形成する。磁性層２０の材料としては、例えば、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）のうち、少なくとも鉄を含む金属磁性材料が用いられる。このような磁性材料としては、例えば、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＣｏＦｅＮがある。このうち、本実施の形態では、Ｃｏを含む高飽和磁束密度材料、例えば、飽和磁束密度が１．８〜１．９ＴのＣｏＮｉＦｅや、飽和磁束密度が２．３〜２．４ＴのＦｅＣｏまたはＣｏＦｅＮを用いるのが好ましい。
【００４６】
次に、磁性層２０の上であって、第２の層１０ｂに対応する部分、第３の層１０ｃに対応する部分、第１のコイル１３の接続部１３ａに対応する部分、接続層４８に対応する部分に、それぞれ、エッチングマスク２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄを、１〜２μｍの厚みに形成する。図示しないが、このとき、磁性層２０の上であって、第１のコイル１３の接続部１３ｂに対応する部分、第２のコイル１８の２つの接続部１８ａ，１８ｂに対応する２つの部分、およびリード層３６，３７の接続部３６ａ，３７ａに対応する部分にも、エッチングマスク２１ａ，２１ｂ，２１ｃと同様のエッチングマスクを形成する。
【００４７】
上記エッチングマスクの材料としては、金属材料を用いてもよい。この場合、エッチングマスクは、めっき法、特にフレームめっき法によって形成してもよい。また、エッチングマスクの材料は、磁性層２０を構成する材料とは異なる磁性材料によって形成してもよい。この磁性材料としては、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ等の、ＮｉおよびＦｅを含む材料であってもよい。また、エッチングマスクは、Ｎｉ、ＮｉＣｕ、ＮｉＰ、ＮｉＢ等の、Ｎｉを含む材料によって形成してもよい。
【００４８】
また、エッチングマスクの材料としては、アルミナ等の絶縁材料を用いてもよい。この場合、エッチングマスクは、例えば、フォトレジスト層をマスクとしてスパッタ法によって形成される。
【００４９】
図１２は次の工程を示す。この工程では、上記エッチングマスクを用い、反応性イオンエッチング（以下、ＲＩＥと記す。）によって、磁性層２０をエッチングする。エッチング後にエッチングマスク２１ａ〜２１ｄの下に残った磁性層２０によって、第４の層１０ｄ、第５の層１０ｅ、接続部層２２および接続層５３が形成される。同様に、図示しない他の５つのエッチングマスクの下に残った磁性層２０によって、それぞれ図示しない５つの接続部層が形成される。第４の層１０ｄは第２の層１０ｂの上に配置され、第５の層１０ｅは第３の層１０ｃの上に配置され、接続部層２２は接続部１３ａの上に配置され、接続層５３は接続層４８の上に配置される。他の５つの接続部層は、それぞれ、接続部１３ｂ，１８ａ，１８ｂ，３６ａ，３７ａの上に配置される。なお、ＲＩＥの代わりにイオンビームエッチングを用いて磁性層２０をエッチングしてもよい。
【００５０】
第４の層１０ｄのエアベアリング面から遠い端部は、記録ヘッドのスロートハイトを規定する。スロートハイトとは、２つの磁極層が記録ギャップ層を介して対向する部分、すなわち磁極部分の、エアベアリング面側の端部から反対側の端部までの長さ（高さ）をいう。
【００５１】
また、第３の層１０ｃおよび第５の層１０ｅは、下部磁極層１０と上部磁極層とを磁気的に連結する連結部３１を構成する。
【００５２】
次に、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなる絶縁層２４を、１．５〜２．０μｍの厚みに形成する。次に、例えばＣＭＰによって、絶縁層２４を研磨する。この研磨は、エッチングマスクが除去され、且つ第４の層１０ｄ、第５の層１０ｅ、接続部層２２、接続層５３、他の５つの接続部層および絶縁層２４の上面が平坦化されるように行われる。
【００５３】
次に、積層体の上面全体を覆うように、記録ギャップ層２５を、０．０６〜０．０８μｍの厚みに形成する。記録ギャップ層２５の材料は、アルミナ等の絶縁材料でもよいし、Ｒｕ、ＮｉＣｕ、ＮｉＢ等の非磁性金属材料でもよい。次に、記録ギャップ層２５のうち、第５の層１０ｅ、接続部層２２、接続層５３および他の５つの接続部層に対応する部分を選択的にエッチングする。このとき、同時に、接続層５３よりもエアベアリング面から遠い位置において、記録ギャップ層２５を選択的にエッチングして、記録ギャップ層２５に指標５４を形成する。指標５４は、後に形成される層の位置決めのために用いられる。
【００５４】
図１３は次の工程を示す。この工程では、積層体の上面全体を覆うように、例えばスパッタ法によって、磁性材料よりなる磁性層２６を、０．５〜１．２μｍの厚みに形成する。磁性層２６の材料としては、例えば、鉄、ニッケル、コバルトのうち、少なくとも鉄を含む金属磁性材料が用いられる。このような磁性材料としては、例えば、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＣｏＦｅＮがある。このうち、本実施の形態では、Ｃｏを含む高飽和磁束密度材料、例えば、飽和磁束密度が１．８〜１．９ＴのＣｏＮｉＦｅや、飽和磁束密度が２．３〜２．４ＴのＦｅＣｏまたはＣｏＦｅＮを用いるのが好ましい。
【００５５】
次に、積層体の上面全体を覆うように、フォトレジスト層５６ｐを形成する。ここでは、フォトレジスト層５６ｐは、ポジ型レジストによって形成されるものとする。
【００５６】
図１４は次の工程を示す。この工程では、フォトリソグラフィによって、フォトレジスト層５６ｐをパターニングして、フレームめっき法によって上部磁極層および複数の接続層を形成するためのフレーム５６を形成する。すなわち、この工程では、まず、フォトレジスト層５６ｐを、上部磁極層および複数の接続層の形状に対応したパターンの光によって露光する。次に、フォトレジスト層５６ｐを現像する。これにより、フォトレジスト層５６ｐに、上部磁極層および複数の接続層に対応した複数の溝部が形成され、このフォトレジスト層５６ｐがフレーム５６となる。図１４には、フォトレジスト層５６ｐに形成された溝部のうち、上部磁極層に対応した溝部５６ａと、接続部層２２に接続される接続層に対応した溝部５６ｂと、接続層５３に接続される接続層に対応した溝部５６ｃとが示されている。図示しないが、フォトレジスト層５６ｐには、他の２つの接続層に対応した溝部も形成される。なお、本実施の形態におけるフォトレジスト層５６ｐの露光方法については、後で詳しく説明する。
【００５７】
図１５は次の工程を示す。この工程では、上記フレーム５６を用い、フレームめっき法によって、磁性層２６の上に、上部磁極層２７の第２の層２７ｂと、接続層３３ｂと、接続層５７ｂと、図１８に示した接続層３４ｂ，３５ｂとを、例えば１〜２μｍの厚みに形成する。第２の層２７ｂおよび接続層３３ｂ，５７ｂ，３４ｂ，３５ｂは、磁性層２６を構成する材料とは異なる金属磁性材料、例えばＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅによって形成される。第２の層２７ｂは、下部磁極層１０の第４の層１０ｄに対応する位置から第５の層１０ｅに対応する位置にかけて配置される。接続層３３ｂは、接続部１３ａに対応する位置から接続部１８ｂに対応する位置にかけて形成される。接続層５７ｂは、接続層５３に対応する位置に形成される。接続層３４ｂは、接続部１８ａに対応する位置から接続部３６ａに対応する位置にかけて形成される。接続層３５ｂは、接続部１３ｂに対応する位置から接続部３７ａに対応する位置にかけて形成される。
【００５８】
次に、第２の層２７ｂ、接続層３３ｂ，５７ｂ，３４ｂ，３５ｂをエッチングマスクとして、ＲＩＥによって、磁性層２６を選択的にエッチングする。これにより、エッチング後に残った磁性層２６によって、上部磁極層２７の第１の層２７ａと、接続層３３ａ，５７ａ，３４ａ，３５ａが形成される。第１の層２７ａは第２の層２７ｂの下に配置される。接続層３３ａ，５７ａ，３４ａ，３５ａは、それぞれ接続層３３ｂ，５７ｂ，３４ｂ，３５ｂの下に配置される。
【００５９】
上部磁極層２７は、記録ギャップ層２５に接する第１の層２７ａと、この第１の層２７ａの上に配置された第２の層２７ｂとを有している。また、図１９に示したように、上部磁極層２７は、エアベアリング面に配置される一端部とエアベアリング面から離れた位置に配置される他端部とを有するトラック幅規定部２７Ａと、このトラック幅規定部２７Ａの他端部に連結された幅広部２７Ｂとを含んでいる。トラック幅規定部２７Ａは、記録トラック幅に等しい幅を有している。また。トラック幅規定部２７Ａは、上部磁極層２７における磁極部分を構成する。幅広部２７Ｂは、記録トラック幅よりも広い幅を有している。具体的には、幅広部２７Ｂの幅は、トラック幅規定部２７Ａとの境界位置ではトラック幅規定部２７Ａの幅と等しく、トラック幅規定部２７Ａから離れるに従って、徐々に大きくなった後、一定の大きさになっている。
【００６０】
第１の層２７ａと第２の層２７ｂは、それぞれ、トラック幅規定部２７Ａに対応し、記録トラック幅に等しい幅を有するトラック幅規定部２７Ａａ，２７Ａｂと、幅広部２７Ｂに対応し、記録トラック幅よりも広い幅を有する幅広部２７Ｂａ，２７Ｂｂとを含んでいる。
【００６１】
なお、上部磁極層２７を形成した後、例えばイオンビームエッチングによってトラック幅規定部２７Ａの側壁部をエッチングして、トラック幅規定部２７Ａの幅を小さくしてもよい。
【００６２】
図１６は次の工程を示す。この工程では、まず、図示しないが、トラック幅規定部２７Ａの周辺部で開口するフォトレジストマスクを形成する。次に、上記フォトレジストマスクと上部磁極層２７とをマスクとし、例えば、エッチングガスとしてＣｌ2とＢＣｌ３の混合ガスを用いたＲＩＥや、イオンビームエッチングによって、トラック幅規定部２７Ａの周辺部における記録ギャップ層２５をエッチングする。
【００６３】
次に、上部磁極層２７およびその下の記録ギャップ層２５と上記フォトレジストマスクとをマスクとし、例えばイオンビームエッチングによって、トラック幅規定部２７Ａの周辺部における下部磁極層１０の第４の層１０ｄの一部をエッチングする。なお、第４の層１０ｄのエッチングには、イオンビームエッチングの代わりに、磁性層２６のエッチングの際と同様の条件のＲＩＥを用いてもよい。
【００６４】
このようにして、図１６（ｂ）に示したようなトリム構造が形成される。このトリム構造によれば、狭トラックの書き込み時に発生する磁束の広がりによる実効的な記録トラック幅の増加を防止することができる。第４の層１０ｄのうち、記録ギャップ層２５を介して上部磁極層２７のトラック幅規定部２７Ａと対向する部分は、下部磁極層１０の磁極部分である。
【００６５】
図１７は次の工程を示す。この工程では、例えばフレームめっき法によって、一対の接続層５７ｂの上に、例えばＣｕよりなる一対の接続層５８を形成する。なお、図示しないが、このとき同時に、リード層３６，３７の接続部３６ａ，３７ａとは反対側の端部近傍の部分の上にも、例えばＣｕよりなる接続層を形成する。次に、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなるオーバーコート層２９を、２０〜３０μｍの厚みに形成し、その表面を平坦化する。このとき、一対の接続層５８およびリード層３６，３７の上に形成された一対の接続層の上面が露出する。次に、露出したこれらの接続層の上に、例えばＡｕよりなる電極用パッドを形成する。図１７には、接続層５８の上に形成された電極用パッド５９のみを示している。最後に、上記各層を含むスライダの研磨加工を行ってエアベアリング面３０を形成して、記録ヘッドおよび再生ヘッドを含む薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００６６】
本実施の形態における薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面としてのエアベアリング面３０と、再生ヘッドと、記録ヘッド（誘導型電磁変換素子）とを備えている。
【００６７】
再生ヘッドは、エアベアリング面３０の近傍に配置されたＭＲ素子５と、エアベアリング面３０側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置された、ＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層３および上部シールド層８と、ＭＲ素子５と下部シールド層３との間に配置された下部シールドギャップ膜４と、ＭＲ素子５と上部シールド層８との間に配置された上部シールドギャップ膜７とを有している。
【００６８】
記録ヘッドは、エアベアリング面３０側において互いに対向する磁極部分を含むと共に、互いに磁気的に連結された下部磁極層１０および上部磁極層２７と、下部磁極層１０の磁極部分と上部磁極層２７の磁極部分との間に設けられた記録ギャップ層２５と、少なくとも一部が下部磁極層１０と上部磁極層２７との間に、これらに対して絶縁された状態で設けられたコイル１３，１８とを備えている。本実施の形態における下部磁極層１０、上部磁極層２７は、それぞれ本発明における第１の磁極層、第２の磁極層に対応する。
【００６９】
下部磁極層１０は、コイル１３，１８に対向する位置に配置された第１の層１０ａと、コイル１３，１８よりもエアベアリング面３０に近い位置に配置され且つ第１の層１０ａにおける記録ギャップ層２５に近い面に接続された第２の層１０ｂと、一方の面が第２の層１０ｂにおける記録ギャップ層２５に近い面に接続され、他方の面が記録ギャップ層２５に隣接する第４の層１０ｄと、エアベアリング面３０から離れた位置において、第１の層１０ａの上に配置された第３の層１０ｃと、この第３の層１０ｃの上に配置された第５の層１０ｅとを有している。第３の層１０ｃおよび第５の層１０ｅは、下部磁極層１０と上部磁極層２７とを磁気的に連結する連結部３１（図１８参照）を構成する。
【００７０】
上部磁極層２７は、平坦な記録ギャップ層２５の上に形成され、全体的に平坦な層になっている。また、上部磁極層２７は、共に平坦な第１の層２７ａおよび第２の層２７ｂを有している。また、上部磁極層２７は、エアベアリング面３０に配置された一端部とその反対側の他端部と記録トラック幅に等しい幅とを有するトラック幅規定部２７Ａと、トラック幅規定部２７Ａの他端部に連結され、記録トラック幅よりも広い幅を有する幅広部２７Ｂとを含んでいる。同様に、第１の層２７ａと第２の層２７ｂは、それぞれ、エアベアリング面３０に配置された一端部とその反対側の他端部と記録トラック幅に等しい幅とを有するトラック幅規定部２７Ａａ，２７Ａｂと、トラック幅規定部２７Ａａ，２７Ａｂの他端部に連結され、記録トラック幅よりも広い幅を有する幅広部２７Ｂａ，２７Ｂｂとを含んでいる。第２の層２７ｂは、本発明におけるトラック幅規定層に対応する。
【００７１】
記録トラック幅は、特に限定されないが、記録密度向上のためには、０．０５〜０．１５μｍの範囲内であることが好ましい。また、エアベアリング面３０に垂直な方向についてのトラック幅規定部２７Ａ，２７Ａａ，２７Ａｂの長さは、特に限定されないが、オーバーライト特性向上のためには、０．０５〜０．５μｍの範囲内であることが好ましく、０．０５〜０．３μｍの範囲内であることがより好ましい。
【００７２】
図１８に示したように、本実施の形態における薄膜コイルは、一部が下部磁極層１０の第２の層１０ｂと下部磁極層１０の第３の層１０ｃとの間に配置された巻線を有する第１のコイル１３と、少なくとも一部が第１のコイル１３の巻線間に配置された巻線を有する第２のコイル１８とを含んでいる。第２のコイル１８の巻線の一部も、第２の層１０ｂと第３の層１０ｃとの間に配置されている。コイル１３，１８は、いずれも平面渦巻き状をなし、連結部３１の回りに配置されている。
【００７３】
第１のコイル１３の接続部１３ｂは、接続層３５ａ，３５ｂを介してリード層３７に接続されている。第１のコイル１３の接続部１３ａは、接続層３３ａ，３３ｂを介して第２のコイル１８の接続部１８ｂに接続されている。第２のコイル１８の接続部１８ａは、接続層３４ａ，３４ｂを介してリード層３６に接続されている。このようにして、コイル１３，１８によって連続する巻線が形成される。
【００７４】
以下、本実施の形態における上部磁極層２７の第２の層２７ｂを形成する工程について詳しく説明する。第２の層２７ｂを形成する工程は、本発明におけるレジスト層としてのフォトレジスト層５６ｐを形成する工程と、このフォトレジスト層５６ｐにトラック幅規定層としての第２の層２７ｂに対応した潜像が形成されるようにフォトレジスト層５６ｐを放射エネルギ、例えば光によって露光する工程とを含んでいる。第２の層２７ｂを形成する工程は、更に、露光後のフォトレジスト層５６ｐを現像して、第２の層２７ｂに対応した溝部を有するフレーム５６を形成する工程と、フレーム５６を用いて、フレームめっき法により、第２の層２７ｂを形成する工程とを含んでいる。
【００７５】
フォトレジスト層５６ｐを露光する工程は、フォトレジスト層５６ｐに第１の潜像が形成されるように、フォトレジスト層５６ｐを放射エネルギ、例えば光によって露光する第１の露光工程と、第１の露光工程の前または後に実施され、フォトレジスト層５６ｐに第２の潜像が形成されるように、フォトレジスト層５６ｐを放射エネルギ、例えば光によって露光する第２の露光工程とを含んでいる。
【００７６】
図２０は、第１の露光工程においてフォトレジスト層５６ｐに放射エネルギが照射される領域を、ハッチングを付して示している。図２１は、第２の露光工程においてフォトレジスト層５６ｐに放射エネルギが照射される領域を、ハッチングを付して示している。
【００７７】
なお、図２０および図２１において、エアベアリング面３０を示す破線よりも上側の部分が薄膜磁気ヘッドとなる部分であり、エアベアリング面３０を示す破線よりも下側の部分は、薄膜磁気ヘッドの製造過程において、エアベアリング面３０を形成する前に除去される部分である。この除去される部分には、薄膜磁気ヘッドの製造過程において、薄膜コイルの短絡の有無の検査や、ＭＲ素子５の静電破壊防止のために用いられる、図示しない端子部が形成される。この端子部は、第２の層２７ｂと同時に形成され、第２の層２７ｂに連結される。端子部は、第２の層２７ｂのトラック幅規定部２７Ａｂに連続して延びる細幅部分と、この細幅部分に連結された幅広部分とを含んでいる。
【００７８】
図２０に示したように、第１の露光工程では、ハッチングを付した領域に放射エネルギが照射されることにより、フォトレジスト層５６ｐに第１の潜像６１と第３の潜像６３とが形成される。第１の潜像６１は、第２の層２７ｂのトラック幅規定部２７Ａｂに対応する第１の部分６１ａと、この第１の部分６１ａに連続して第２の層２７ｂの幅広部２７Ｂｂの輪郭に沿って延びる第２の部分６１ｂからなる。第３の潜像６３は、端子部の細幅部分に対応する部分６３ａと、この部分６３ａに連続して端子部の幅広部分の輪郭に沿って延びる部分６３ｂからなる。
【００７９】
第１の潜像６１の第１の部分６１ａおよび第３の潜像６３の部分６３ａの幅は、例えば０．０５〜０．１５μｍの範囲内である記録トラック幅と等しくてもよいし、記録トラック幅よりも若干大きくてもよい。部分６１ａ，６３ａの幅を記録トラック幅よりも大きくした場合には、フレームめっき法によって形成された直後の第２の層２７ｂのトラック幅規定部２７Ａｂの幅、およびこれと等しくなるトラック幅規定部２７Ａの幅は、記録トラック幅よりも大きくなる。そのため、この場合には、例えばイオンビームエッチングによってトラック幅規定部２７Ａの側壁部をエッチングして、トラック幅規定部２７Ａの幅を所望の記録トラック幅に等しくする。
【００８０】
第１の潜像６１の第２の部分６１ｂおよび第３の潜像６３の部分６３ｂの幅は、第１の潜像６１の第１の部分６１ａおよび第３の潜像６３の部分６３ａの幅と等しくてもよいし、これよりも若干大きくてもよい。例えば、部分６１ｂ，６３ｂの幅は、０．１５〜０．３μｍの範囲内であってもよい。
【００８１】
図２１に示したように、第２の露光工程では、ハッチングを付した領域に放射エネルギが照射されることにより、フォトレジスト層５６ｐに第２の潜像６２と第４の潜像６４とが形成される。なお、図２１では、第１の露光工程によって形成される第１の潜像６１と第３の潜像６３を点線で表している。
【００８２】
第２の潜像６２は、第１の潜像６１と合成されて第２の層２７ｂに対応した潜像を形成するものであって、第２の層２７ｂのトラック幅規定部２７Ａｂに対応する部分を含まないものである。図２１に示した例では、第２の潜像６２は、第２の層２７ｂの幅広部２７Ｂｂのうち、幅広部２７Ｂｂの輪郭近傍の一部を除いた部分に対応した形状になっている。また、第１の潜像６１の一部と第２の潜像６２の一部は重なる。
【００８３】
第４の潜像６４は、第３の潜像６３と合成されて端子部に対応した潜像を形成するものであって、端子部の細幅部分に対応する部分を含まないものである。図２１に示した例では、第４の潜像６４は、端子部の幅広部分のうち、幅広部分の輪郭近傍の一部を除いた部分に対応した形状になっている。また、第３の潜像６３の一部と第４の潜像６４の一部は重なる。
【００８４】
本実施の形態では、第１の露光工程においてフォトレジスト層５６ｐに与えられる単位面積当たりの放射エネルギ量は、第２の露光工程においてフォトレジスト層５６ｐに与えられる単位面積当たりの放射エネルギ量よりも多い。単位面積当たりの放射エネルギ量の調整は、例えば、露光時間を調整することによって行なわれる。
【００８５】
一般的に、ポジ型レジストの場合には、それに与えられる単位面積当たりの放射エネルギ量が多くなるほど、形成される潜像の線幅は細くなる。従って、ポジ型レジストよりなるフォトレジスト層に潜像を形成する場合において、細い幅の潜像を形成する場合と太い幅の潜像を形成する場合とでは、それらに適した単位面積当たりの放射エネルギ量は異なる。すなわち、細い幅の潜像を形成する場合には単位面積当たりの放射エネルギ量を多くする必要があるが、太い幅の潜像を形成する場合には単位面積当たりの放射エネルギ量をそれほど多くする必要はない。
【００８６】
ここで、本実施の形態との比較のために、１回の露光によって、フォトレジスト層５６ｐに第２の層２７ｂに対応した潜像を形成する場合を考える。この場合、第２の層２７ｂに対応した潜像は、トラック幅規定部２７Ａｂに対応した細い幅の部分と、幅広部２７Ｂｂに対応した太い幅の部分とを含んでいる。１回の露光によって、この潜像を形成する場合には、細い幅の部分を形成するために、単位面積当たりの放射エネルギ量を多くする必要がある。しかし、そうすると、フォトレジスト層５６ｐの下に存在する電極膜のうちの幅広部２７Ｂｂに対応する部分で反射される放射エネルギ量も多くなる。その結果、フレーム５６のうち、第２の層２７ｂのトラック幅規定部２７Ａｂと幅広部２７Ｂｂの境界部分に対応する部分の近傍の形状が崩れてしまうという問題が発生する。一方、第２の層２７ｂに対応した潜像を形成する際に、単位面積当たりの放射エネルギ量を、幅広部２７Ｂｂに対応した太い幅の部分を形成するのに適した量にすると、トラック幅規定部２７Ａｂに対応した細い幅の部分を形成することができなくなる。
【００８７】
これに対し、本実施の形態では、前述のように第１の露光工程と第２の露光工程という２回の露光工程によって、フォトレジスト層５６ｐに第２の層２７ｂに対応した潜像を形成する。第１の露光工程では、細い幅の部分を含む第１の潜像６１および第３の潜像６３を形成することから、フォトレジスト層５６ｐに与えられる単位面積当たりの放射エネルギ量を多くする必要がある。しかし、この第１の露光工程では、幅広部２７Ｂｂに対応する部分の大部分は露光されない。そのため、第１の露光工程では、電極膜のうちの幅広部２７Ｂｂに対応する部分で反射される放射エネルギ量は少ない。これにより、フレーム５６の形状の崩れが防止される。
【００８８】
また、第２の露光工程では、細い幅の部分を含まない第２の潜像６２および第４の潜像６４を形成することから、第１の露光工程に比べて、フォトレジスト層５６ｐに与えられる単位面積当たりの放射エネルギ量は少なくてよい。そのため、第２の露光工程では、１回の露光によって第２の層２７ｂに対応した潜像を形成する場合に比べて、電極膜のうちの幅広部２７Ｂｂに対応する部分で反射される放射エネルギ量を少なくすることができる。これにより、第２の露光工程においても、フレーム５６の形状の崩れが防止される。
【００８９】
以上説明したように、本実施の形態によれば、第１の露光工程と第２の露光工程を、それぞれに適した条件で行なうことができ、これにより、トラック幅を規定する第２の層２７ｂを精度よく形成することが可能になる。また、本実施の形態では、平坦な第１の層２７ａと第２の層２７ｂを、いずれも平坦な面の上に形成することができる。これらのことから、本実施の形態によれば、トラック幅規定部２７Ａを微細に且つ精度よく形成することができる。これにより、本実施の形態によれば、トラック幅を小さくして記録密度を向上させることができる。
【００９０】
［第２の実施の形態］
次に、図２２および図２３を参照して、本発明の第２の実施の形態について説明する。図２２は、本実施の形態における第１の露光工程においてフォトレジスト層５６ｐに放射エネルギが照射される領域を、ハッチングを付して示している。図２３は、本実施の形態における第２の露光工程においてフォトレジスト層５６ｐに放射エネルギが照射される領域を、ハッチングを付して示している。
【００９１】
図２２に示したように、第１の露光工程では、ハッチングを付した領域に放射エネルギが照射されることにより、フォトレジスト層５６ｐに第１の潜像６１と第３の潜像６３とが形成される。第１の潜像６１は、第２の層２７ｂのトラック幅規定部２７Ａｂに対応する第１の部分６１ａと、この第１の部分６１ａに連続して第２の層２７ｂの幅広部２７Ｂｂの輪郭の一部に沿って延びる第２の部分６１ｂからなる。第３の潜像６３は、端子部の細幅部分に対応する部分６３ａと、この部分６３ａに連続して端子部の幅広部分の輪郭の一部に沿って延びる部分６３ｂからなる。
【００９２】
図２３に示したように、第２の露光工程では、ハッチングを付した領域に放射エネルギが照射されることにより、フォトレジスト層５６ｐに第２の潜像６２と第４の潜像６４とが形成される。なお、図２３では、第１の露光工程によって形成される第１の潜像６１と第３の潜像６３を点線で表している。
【００９３】
第２の潜像６２は、第１の潜像６１と合成されて第２の層２７ｂに対応した潜像を形成するものであって、第２の層２７ｂのトラック幅規定部２７Ａｂに対応する部分を含まないものである。図２３に示した例では、第２の潜像６２は、第２の層２７ｂの幅広部２７Ｂｂのうち、幅広部２７Ｂｂの輪郭近傍の一部を除いた部分に対応した形状になっている。また、第１の潜像６１の一部と第２の潜像６２の一部は重なる。
【００９４】
第４の潜像６４は、第３の潜像６３と合成されて端子部に対応した潜像を形成するものであって、端子部の細幅部分に対応する部分を含まないものである。図２３に示した例では、第４の潜像６４は、端子部の幅広部分のうち、幅広部分の輪郭近傍の一部を除いた部分に対応した形状になっている。また、第３の潜像６３の一部と第４の潜像６４の一部は重なる。
【００９５】
本実施の形態のように、第１の露光工程によって形成される第１の潜像６１の第２の部分６１ｂは、幅広部２７Ｂｂの輪郭の全体ではなく一部に沿って延びる部分であってもよい。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００９６】
［第３の実施の形態］
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。始めに、図２４を参照して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の概略について説明する。図２４は、本実施の形態における薄膜磁気ヘッドを示す断面図である。図２４において、（ａ）はエアベアリング面および基板の上面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。
【００９７】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、例えばアルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）よりなる絶縁層２を形成する。次に、絶縁層２の上に、磁性材料よりなる下部シールド層３を形成する。次に、下部シールド層３の上に、絶縁膜としての下部シールドギャップ膜４を形成する。次に、下部シールドギャップ膜４の上にＭＲ素子５を形成する。次に、下部シールドギャップ膜４の上に、ＭＲ素子５に電気的に接続される一対の電極層６を形成する。次に、下部シールドギャップ膜４およびＭＲ素子５の上に、絶縁膜としての上部シールドギャップ膜７を形成し、ＭＲ素子５をシールドギャップ膜４，７内に埋設する。次に、上部シールドギャップ膜７の上に、磁性材料よりなる上部シールド層８を形成する。次に、ここまでの工程で得られた積層体の上面全体の上に、例えばアルミナよりなる絶縁層９を形成する。ここまでの工程は、第１の実施の形態と同様である。
【００９８】
本実施の形態では、次に、絶縁層９の上に下部磁極層７０を形成する。下部磁極層７０は、いずれも磁性材料よりなる第１ないし第３の層７０ａ，７０ｂ，７０ｃを含んでいる。下部磁極層７０を形成する工程では、まず、絶縁層９の上に第１の層７０ａを形成する。次に、第１の層７０ａの上に磁性層を形成する。次に、この磁性層を選択的にエッチングすることによって、第２の層７０ｂと第３の層７０ｃを形成する。第２の層７０ｂは、エアベアリング面９０の近傍に配置される。第３の層７０ｃは、第１の層７０ａと後述する上部磁極層とを接続するための部分であり、後述する薄膜コイルの中心の近傍の位置に配置される。次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層７１を、第２の層７０ｂおよび第３の層７０ｃの厚み以上の厚みに形成し、例えばＣＭＰによって、第２の層７０ｂおよび第３の層７０ｃが露出するまで研磨して、表面を平坦化処理する。第２の層７０ｂのエアベアリング面９０から遠い端部は、記録ヘッドのスロートハイトを規定する。
【００９９】
次に、積層体の上面全体を覆うように、絶縁材料または非磁性金属材料よりなる記録ギャップ層７５を形成する。次に、記録ギャップ層７５を選択的にエッチングして、第３の層７０ｃに対応する位置において、記録ギャップ層７５に開口部を形成する。
【０１００】
次に、上部磁極層７７および薄膜コイルを形成する。上部磁極層７７は、いずれも磁性材料よりなる第１ないし第７の層７７ａ，７７ｂ，７７ｃ，７７ｄ，７７ｅ，７７ｆ，７７ｇを含んでいる。薄膜コイルは、いずれも例えばＣｕよりなる第１のコイル８１と第２のコイル８５とを含んでいる。
【０１０１】
上部磁極層７７および薄膜コイルを形成する工程では、まず、記録ギャップ層７５の上に第１の層７７ａを形成すると共に、記録ギャップ層７５の開口部より露出する第３の層７０ｃの上に、第２の層７７ｂを形成する。第１の層７７ａは、エアベアリング面９０の近傍に配置される。後で詳しく説明するが、第１の層７７ａは、トラック幅規定部を含んでいる。
【０１０２】
次に、第１の層７７ａのトラック幅規定部の周辺部で開口するフォトレジストマスクを形成する。次に、上記フォトレジストマスクと第１の層７７ａとをマスクとし、例えばＲＩＥやイオンビームエッチングによって、トラック幅規定部の周辺部における記録ギャップ層７５をエッチングする。次に、第１の層７７ａおよびその下の記録ギャップ層７５と上記フォトレジストマスクとをマスクとし、例えばＲＩＥやイオンビームエッチングによって、トラック幅規定部の周辺部における下部磁極層７０の第２の層７０ｂおよび第１の層７０ａの各一部をエッチングする。このようにして、図２４（ｂ）に示したようなトリム構造が形成される。
【０１０３】
次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層７８を、第１の層７７ａおよび第２の層７７ｂの厚み以上の厚みに形成し、例えばＣＭＰによって、第１の層７７ａおよび第２の層７７ｂが露出するまで研磨して、表面を平坦化処理する。
【０１０４】
次に、絶縁層７８の上に、第１のコイル８１を形成する。第１のコイル８１は、第２の層７７ｂの回りに配置される。次に、第１の層７７ａの上に第３の層７７ｃを形成すると共に、第２の層７７ｂの上に第４の層７７ｄを形成する。第３の層７７ｃのエアベアリング面９０側の端部は、エアベアリング面９０から離れた位置に配置される。次に、第１のコイル８１を覆うように、例えばフォトレジストよりなる絶縁層８２を形成する。次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層８３を、第３の層７７ｃおよび第４の層７７ｄの厚み以上の厚みに形成し、例えばＣＭＰによって、第３の層７７ｃおよび第４の層７７ｄが露出するまで研磨して、表面を平坦化処理する。なお、このとき、第１のコイル８１の上面は露出するようにしてもよいし、露出しないようにしてもよい。
【０１０５】
次に、第１のコイル８１の上面を覆うように、例えばアルミナよりなる絶縁層８４を形成する。次に、絶縁層８４の上に、第２のコイル８５を形成する。第２のコイル８５は、第４の層７７ｄの回りに配置される。次に、第３の層７７ｃの上に第５の層７７ｅを形成すると共に、第４の層７７ｄの上に第６の層７７ｆを形成する。第５の層７７ｅのエアベアリング面９０側の端部は、エアベアリング面９０から離れた位置に配置される。次に、第２のコイル８５を覆うように、例えばフォトレジストよりなる絶縁層８６を形成する。次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層８７を、第５の層７７ｅおよび第６の層７７ｆの厚み以上の厚みに形成し、例えばＣＭＰによって、第５の層７７ｅおよび第６の層７７ｆが露出するまで研磨して、表面を平坦化処理する。なお、このとき、第２のコイル８５の上面は露出するようにしてもよいし、露出しないようにしてもよい。
【０１０６】
第１のコイル８１と第２のコイル８５は、いずれも平面渦巻き状をなしている。ただし、第２のコイル８５の巻線の外側の端部から内側の端部へ向かう回転の方向は、第１のコイル８１の巻線の外側の端部から内側の端部へ向かう回転の方向とは逆である。第１のコイル８１の内側の端部と第２のコイル８５の内側の端部は互いに接続され、これにより、連続する巻線が形成される。
【０１０７】
次に、第５の層７７ｅと第６の層７７ｆを連結するように第７の層７７ｇを形成する。第７の層７７ｇのエアベアリング面９０側の端部は、エアベアリング面９０から離れた位置に配置される。次に、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなるオーバーコート層８９を形成し、その表面を平坦化する。次に、オーバーコート層８９の上に、図示しない電極用パッドを形成する。最後に、上記各層を含むスライダの研磨加工を行ってエアベアリング面９０を形成して、記録ヘッドおよび再生ヘッドを含む薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０１０８】
本実施の形態における薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面としてのエアベアリング面９０と、再生ヘッドと、記録ヘッド（誘導型電磁変換素子）とを備えている。
【０１０９】
再生ヘッドは、エアベアリング面９０の近傍に配置されたＭＲ素子５と、エアベアリング面９０側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置された、ＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層３および上部シールド層８と、ＭＲ素子５と下部シールド層３との間に配置された下部シールドギャップ膜４と、ＭＲ素子５と上部シールド層８との間に配置された上部シールドギャップ膜７とを有している。
【０１１０】
記録ヘッドは、エアベアリング面９０側において互いに対向する磁極部分を含むと共に、互いに磁気的に連結された下部磁極層７０および上部磁極層７７と、下部磁極層７０の磁極部分と上部磁極層７７の磁極部分との間に設けられた記録ギャップ層７５と、少なくとも一部が下部磁極層７０と上部磁極層７７との間に、これらに対して絶縁された状態で設けられたコイル８１，８５とを備えている。本実施の形態における下部磁極層７０、上部磁極層７７は、それぞれ本発明における第１の磁極層、第２の磁極層に対応する。
【０１１１】
図２５は、上部磁極層７７の第１の層７７ａとその周辺を示す平面図である。図２５に示したように、第１の層７７ａは、エアベアリング面９０に配置された一端部とその反対側の他端部と記録トラック幅に等しい幅とを有するトラック幅規定部７７ａ１と、トラック幅規定部７７ａ１の他端部に連結され、記録トラック幅よりも広い幅を有する幅広部７７ａ２とを含んでいる。具体的には、幅広部７７ａ２の幅は、トラック幅規定部７７ａ１との境界位置ではトラック幅規定部７７ａ１の幅と等しく、トラック幅規定部７７ａ１から離れるに従って、徐々に大きくなった後、一定の大きさになっている。第１の層７７ａは、本発明におけるトラック幅規定層に対応する。また、トラック幅規定部７７ａ１は、上部磁極層７７の磁極部分を構成する。下部磁極層７０の第２の層７０ｂのうち、記録ギャップ層７５を介してトラック幅規定部７７ａ１と対向する部分は、下部磁極層７０の磁極部分である。
【０１１２】
記録トラック幅は、特に限定されないが、記録密度向上のためには、０．０５〜０．１５μｍの範囲内であることが好ましい。また、エアベアリング面９０に垂直な方向についてのトラック幅規定部７７ａ１の長さは、特に限定されないが、オーバーライト特性向上のためには、０．０５〜０．５μｍの範囲内であることが好ましく、０．０５〜０．３μｍの範囲内であることがより好ましい。
【０１１３】
以下、本実施の形態における上部磁極層７７の第１の層７７ａを形成する工程について詳しく説明する。第１の層７７ａは、第１の実施の形態における上部磁極層２７の第２の層２７ｂと同様の方法によって形成される。すなわち、第１の層７７ａを形成する工程は、本発明におけるレジスト層としてのフォトレジスト層を形成する工程と、このフォトレジスト層にトラック幅規定層としての第１の層７７ａに対応した潜像が形成されるようにフォトレジスト層を放射エネルギ、例えば光によって露光する工程と、露光後のフォトレジスト層を現像して、第１の層７７ａに対応した溝部を有するフレームを形成する工程と、フレームを用いて、フレームめっき法により、第１の層７７ａを形成する工程とを含んでいる。
【０１１４】
フォトレジスト層を露光する工程は、フォトレジスト層に第１の潜像が形成されるように、フォトレジスト層を放射エネルギ、例えば光によって露光する第１の露光工程と、第１の露光工程の前または後に実施され、フォトレジスト層に第２の潜像が形成されるように、フォトレジスト層を放射エネルギ、例えば光によって露光する第２の露光工程とを含んでいる。
【０１１５】
図２６は、第１の露光工程においてフォトレジスト層に放射エネルギが照射される領域を、ハッチングを付して示している。図２７は、第２の露光工程においてフォトレジスト層に放射エネルギが照射される領域を、ハッチングを付して示している。
【０１１６】
図２６に示したように、第１の露光工程では、ハッチングを付した領域に放射エネルギが照射されることにより、フォトレジスト層に第１の潜像９１が形成される。第１の潜像９１は、第１の層７７ａのトラック幅規定部７７ａ１に対応する第１の部分９１ａと、この第１の部分９１ａに連続して第１の層７７ａの幅広部７７ａ２の輪郭の少なくとも一部に沿って延びる第２の部分９１ｂからなる。なお、図２６には、第２の部分９１ｂが、幅広部７７ａ２の輪郭の全体に沿って延びる例を示している。しかし、第２の実施の形態と同様に、第２の部分９１ｂは、幅広部７７ａ２の輪郭の一部に沿って延びるものであってもよい。
【０１１７】
第１の潜像９１の第１の部分９１ａの幅は、例えば０．０５〜０．１５μｍの範囲内である記録トラック幅と等しくてもよいし、記録トラック幅よりも若干大きくてもよい。第１の部分９１ａの幅を記録トラック幅よりも大きくした場合には、フレームめっき法によって形成された直後の第１の層７７ａのトラック幅規定部７７ａ１の幅は、記録トラック幅よりも大きくなる。そのため、この場合には、例えばイオンビームエッチングによってトラック幅規定部７７ａ１の側壁部をエッチングして、トラック幅規定部７７ａ１の幅を所望の記録トラック幅に等しくする。
【０１１８】
第２の部分９１ｂの幅は、第１の部分９１ａの幅と等しくてもよいし、これよりも若干大きくてもよい。例えば、第２の部分９１ｂの幅は、０．１５〜０．３μｍの範囲内であってもよい。
【０１１９】
図２７に示したように、第２の露光工程では、ハッチングを付した領域に放射エネルギが照射されることにより、フォトレジスト層に第２の潜像９２が形成される。なお、図２７では、第１の露光工程によって形成される第１の潜像９１を点線で表している。
【０１２０】
第２の潜像９２は、第１の潜像９１と合成されて第１の層７７ａに対応した潜像を形成するものであって、第１の層７７ａのトラック幅規定部７７ａ１に対応する部分を含まないものである。図２７に示した例では、第２の潜像９２は、第１の層７７ａの幅広部７７ａ２のうち、幅広部７７ａ２の輪郭近傍の一部を除いた部分に対応した形状になっている。また、第１の潜像９１の一部と第２の潜像９２の一部は重なる。
【０１２１】
本実施の形態では、第１の露光工程においてフォトレジスト層に与えられる単位面積当たりの放射エネルギ量は、第２の露光工程においてフォトレジスト層に与えられる単位面積当たりの放射エネルギ量よりも多い。単位面積当たりの放射エネルギ量の調整は、例えば、露光時間を調整することによって行なわれる。
【０１２２】
本実施の形態によれば、第１の露光工程と第２の露光工程を、それぞれに適した条件で行なうことができ、これにより、トラック幅を規定する第１の層７７ａを精度よく形成することが可能になる。また、本実施の形態では、平坦な第１の層７７ａを平坦な面の上に形成することができる。これらのことから、本実施の形態によれば、トラック幅規定部７７ａ１を微細に且つ精度よく形成することができる。これにより、本実施の形態によれば、トラック幅を小さくして記録密度を向上させることができる。
【０１２３】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【０１２４】
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、第３の実施の形態では、積層された２層のコイル８１，８５を含む薄膜コイルを用いている。しかし、第３の実施の形態において、第１の実施の形態における薄膜コイルを用いてもよい。この場合には、上部磁極層７７の第５の層７７ｅおよび第６の層７７ｆが不要になる。
【０１２５】
また、本発明は、誘導型電磁変換素子のみを有する記録専用の薄膜磁気ヘッドや、誘導型電磁変換素子によって記録と再生を行う薄膜磁気ヘッドにも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１２６】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図２】図１に続く工程を説明するための断面図である。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図である。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図である。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図である。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図である。
【図７】図６に続く工程を説明するための断面図である。
【図８】図７に続く工程を説明するための断面図である。
【図９】図８に続く工程を説明するための断面図である。
【図１０】図９に続く工程を説明するための断面図である。
【図１１】図１０に続く工程を説明するための断面図である。
【図１２】図１１に続く工程を説明するための断面図である。
【図１３】図１２に続く工程を説明するための断面図である。
【図１４】図１３に続く工程を説明するための断面図である。
【図１５】図１４に続く工程を説明するための断面図である。
【図１６】図１５に続く工程を説明するための断面図である。
【図１７】図１６に続く工程を説明するための断面図である。
【図１８】本発明の第１の実施の形態における薄膜磁気ヘッドにおける主要部を示す平面図である。
【図１９】本発明の第１の実施の形態における薄膜磁気ヘッドの構成を示す斜視図である。
【図２０】本発明の第１の実施の形態における第１の露光工程においてフォトレジスト層に放射エネルギが照射される領域を示す説明図である。
【図２１】本発明の第１の実施の形態における第２の露光工程においてフォトレジスト層に放射エネルギが照射される領域を示す説明図である。
【図２２】本発明の第２の実施の形態における第１の露光工程においてフォトレジスト層に放射エネルギが照射される領域を示す説明図である。
【図２３】本発明の第２の実施の形態における第２の露光工程においてフォトレジスト層に放射エネルギが照射される領域を示す説明図である。
【図２４】本発明の第３の実施の形態における薄膜磁気ヘッドを示す断面図である。
【図２５】図２４に示した薄膜磁気ヘッドにおける上部磁極層の第１の層とその周辺を示す平面図である。
【図２６】本発明の第３の実施の形態における第１の露光工程においてフォトレジスト層に放射エネルギが照射される領域を示す説明図である。
【図２７】本発明の第３の実施の形態における第２の露光工程においてフォトレジスト層に放射エネルギが照射される領域を示す説明図である。
【符号の説明】
【０１２７】
１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、５…ＭＲ素子、８…上部シールド層、９…絶縁層、１０…下部磁極層、１３…第１のコイル、１８…第２のコイル、２５…記録ギャップ層、２７…上部磁極層、２７ａ…第１の層、２７ｂ…第２の層、２７Ａ，２７Ａａ，２７Ａｂ…トラック幅規定部、２７Ｂ，２７Ｂａ，２７Ｂｂ…幅広部、２９…オーバーコート層、３０…エアベアリング面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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