(57)【要約】【課題】  薄膜ダイオード素子の特性を向上させながらその液晶装置の開口率を確保することができる電気光学装置及びその電気光学装置の製造方法を提供すること。【解決手段】  薄膜ダイオード素子１９は第２基板６上に第１の金属層２２を形成し、その第１の金属層２２の表面に例えばショットブラスト法で凹凸を形成し、更にその表面に陽極酸化法により絶縁層２３を形成し、その絶縁層２３の表面に第２の金属層２４を形成することとしたので、凹凸を形成する前に比較して絶縁層２３の上面及び下面の表面積が増大しその容量を大きくすることができる。これによって、例えば薄膜ダイオード素子の特性を改善できると共に従来と同様の開口率を確保することも可能である。また、従来と同様薄膜ダイオード素子の特性を備えながら開口率を向上させることも可能である。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上の第１の金属層と、前記第１の金属層の表面上の絶縁層と、前記絶縁層の表面上の第２の金属層とを備えた薄膜ダイオード素子を具備し、
前記絶縁層に複数の凹凸が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記絶縁層の複数の凹凸は、前記第1の金属層の表面に形成された複数の凹凸に対応して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記絶縁層の複数の凹凸は、前記基板の前記絶縁層形成領域に対応する領域に形成された複数の凹凸に対応して形成された、前記第１の金属層の表面の複数の凹凸に対応して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記基板と前記第１の金属層との間に下地層を更に備え、
前記絶縁層の複数の凹凸は、前記下地層の前記絶縁層形成領域に対応する領域に形成された複数の凹凸に対応して形成された、前記第１の金属層の表面の複数の凹凸に対応して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第１の金属層又は前記絶縁層の表面に形成された凹凸の表面に、当該凹凸よりも微細な複数の凹凸が形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
基板上に第１の金属層を形成する工程と、
前記第１の金属層の表面に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の表面に第２の金属層を形成する工程と、
前記絶縁層に複数の凹凸を形成する工程とを具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記凹凸を形成する工程は、前記第１の金属層に凹凸を形成することにより行うことを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記凹凸を形成する工程は、前記基板の前記絶縁層形成領域に対応する領域に凹凸を形成することにより行うことを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記基板上に下地層を形成する工程を更に具備し、
前記凹凸を形成する工程は、前記下地層の前記絶縁層形成領域に対応する領域に凹凸を形成することにより行うことを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１の金属層又は前記絶縁層の表面に第２の凹凸を形成する工程を更に具備することを特徴とする請求項６から請求項９のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
前記凹凸を形成する工程は、ＣＯ２又はエッチャントガスを用いたショットブラスト法により行うことを特徴とする請求項６から請求項１０のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の金属層又は前記絶縁層の表面に形成された凹凸を拡張する工程を更に具備することを特徴とする請求項６から請求項１１のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
前記絶縁層を形成する工程は、前記第１の金属層の表面を陽極酸化することにより行い、
前記陽極酸化により前記絶縁層の表面に形成された孔を拡張して凹部を形成する工程を更に具備することを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１の金属層又は前記絶縁層の表面に形成された凹凸の表面に、当該凹凸よりも微細な複数の凹凸を形成する工程を更に具備することを特徴とする請求項６から１３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パーソナルコンピュータや携帯電話機等に用いられる電気光学装置及びその電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、省電力であり画面の明るいアクティブ素子として薄膜ダイオード素子（二端子型スイッチング素子）を用いた電気光学装置例えば液晶装置が知られている。
【０００３】
ところが、薄膜ダイオード素子により占有される面積が大きくなると画素電極のうち画素として有効に機能する領域、いわゆる有効画素領域が狭くなり、開効率すなわち画素の総面積に対する光の変調可能な部分の面積の割合が小さくなるという問題があった。
【０００４】
そこで、例えばアッシング技術を用いて微細な素子面積の薄膜ダイオード素子の製造を可能とする製造方法等が提案されている。（例えば、特許文献１参照。）。  
【特許文献１】特開９−２０５２３６号公報（段落[０００７]から[００１３]、図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、素子面積を微細化することは例えば素子の酸化膜の量などの点からその素子の容量が小さくなる場合が起こりえるが、その結果その薄膜ダイオード素子の特性上問題が生じるおそれがあった。
【０００６】
一方、その薄膜ダイオード素子の厚さを厚くして素子面積を大きくさせたり、酸化膜の量を増加させることも液晶装置全体の厚さを厚くすることとなりかねずおのずから限界があり、例えば液晶装置としての開口率を確保しながら薄膜ダイオード素子の容量を大きくし、その素子の特性を向上させることが課題となっていた。
【０００７】
本発明は、上述の課題に鑑みてなされるもので、薄膜ダイオード素子の特性を向上させながらその液晶装置の開口率を確保することができる電気光学装置及びその電気光学装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の主たる観点にかかる電気光学装置は、基板と、前記基板上の第１の金属層と、前記第１の金属層の表面上の絶縁層と、前記絶縁層の表面上の第２の金属層とを備えた薄膜ダイオード素子を具備し、前記絶縁層に複数の凹凸が形成されていることを特徴とする。
【０００９】
本発明では、絶縁層に凹凸を具備することとしたので、凹凸を形成する前に比較して薄膜ダイオード素子の容量形成領域の面積が増大しその容量を大きくすることができる。これによって、薄膜ダイオード素子の特性を改善できると共に従来と同様の開口率を確保することが可能である。さらに、従来と同様の素子の特性を備えながら開口率を向上させることも可能である。
【００１０】
本発明の一の形態によれば、前記絶縁層の複数の凹凸は、前記第1の金属層の表面に形成された複数の凹凸に対応して形成されていることを特徴とする。これにより、薄膜ダイオード素子の特性を改善しても従来と同様の開口率を確保でき、また、従来と同様の特性を備えながら開口率を向上させることもできる。
【００１１】
本発明の一の形態によれば、前記絶縁層の複数の凹凸は、前記基板の前記絶縁層形成領域に対応する領域に形成された複数の凹凸に対応して形成された、前記第１の金属層の表面の複数の凹凸に対応して形成されていることを特徴とする。
【００１２】
すなわち、基板表面の絶縁層が形成される領域に対応する領域に複数の凹凸が形成されており、更に第1の金属層の表面に当該複数の凹凸に対応した複数の凹凸が形成され、その複数の凹凸に対応して絶縁層に複数の凹凸が形成されている。これにより、薄膜ダイオード素子の特性を改善しても従来と同様の開口率を確保でき、また、従来と同様の特性を備えながら開口率を向上させることもできる。
【００１３】
本発明の一の形態によれば、前記基板と前記第１の金属層との間に下地層を備え、前記絶縁層の複数の凹凸は、前記下地層の前記絶縁層形成領域に対応する領域に形成された複数の凹凸に対応して形成された、前記第1の金属層の表面の複数の凹凸に対応して形成されていることを特徴とする。
【００１４】
すなわち、下地層表面の絶縁層が形成される領域に対応する領域に複数の凹凸が形成されており、更に第１の金属層の表面に当該複数の凹凸に対応した複数の凹凸が形成され、その複数の凹凸に対応して絶縁層に複数の凹凸が形成されている。これにより、薄膜ダイオード素子の特性を改善しても従来と同様の開口率を確保でき、また、従来と同様の特性を備えながら開口率を向上させることもできる。
【００１５】
本発明の一の形態によれば、前記第１の金属層又は前記絶縁層の表面に形成された凹凸の表面に、当該凹凸よりも微細な複数の凹凸が形成されていることを特徴とする。これにより、さらに絶縁層の表面積を増やすことできるので、より容量を増やすことが可能である。
【００１６】
なお、できるだけ大きな表面積を得ようとすると絶縁層の複数の凹凸は球面状となる。また、絶縁層の複数の凹凸は略同じ高さである。
【００１７】
本発明の他の観点に係る電気光学装置の製造方法は、基板上に第１の金属層を形成する工程と、前記第１の金属層の表面に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の表面に第２の金属層を形成する工程と、前記絶縁層に複数の凹凸を形成する工程とを具備することを特徴とする。
【００１８】
本発明では、絶縁層に凹凸を形成する工程を具備することとしたので、凹凸を形成する前に比較して薄膜ダイオード素子の容量形成領域の面積が増大しその容量を大きくすることができる。これによって、薄膜ダイオード素子の特性を改善できると共に従来と同様の開口率を確保することが可能である。さらに、従来と同様の素子の特性を備えながら開口率を向上させることも可能である。
【００１９】
本発明の一の形態によれば、前記凹凸を形成する工程は、前記第１の金属層に凹凸を形成することにより行うことを特徴とする。これにより、薄膜ダイオード素子の特性を改善しても従来と同様の開口率を確保でき、また、従来と同様の特性を備えながら開口率を向上させることもできる。
【００２０】
本発明の一の形態によれば、前記凹凸を形成する工程は、前記基板の前記絶縁層形成領域に対応する領域に凹凸を形成することにより行うことを特徴とする。これにより、基板の絶縁層形成領域に対応する領域に凹凸を形成することによっても、絶縁層に凹凸を形成することができるので、薄膜ダイオード素子の特性を改善しても従来と同様の開口率を確保できる。また、従来と同様の特性を備えながら開口率を向上させることもできる。
【００２１】
本発明の一の形態によれば、前記基板上に下地層を形成する工程を更に具備し、前記凹凸を形成する工程は、前記下地層の前記絶縁層形成領域に対応する領域に凹凸を形成することにより行うことを特徴とする。これにより、下地層の絶縁層形成領域に対応する領域に凹凸を形成することによっても、絶縁層に凹凸を形成することができるので、薄膜ダイオード素子の特性を改善しても従来と同様の開口率を確保できる。また、従来と同様の特性を備えながら開口率を向上させることもできる。
【００２２】
本発明の一の形態によれば、前記第１の金属層又は前記絶縁層の表面に第２の凹凸を形成する工程を更に具備することを特徴とする。これにより、例えば下地層に形成された凹凸に対応して形成された第１の金属層の表面の凹凸に加え、更に第２の凹凸が形成されるので、より絶縁層の表面積が増大し、薄膜ダイオード素子の容量を大きくすることができると共に、例えば液晶装置の開口率をその素子特性を維持しながら大きくすることが可能となる。
【００２３】
本発明の一の形態によれば、前記凹凸を形成する工程は、ＣＯ２又はエッチャントガスを用いたショットブラスト法により行うことを特徴とする。ここで、「ショットブラスト法」とは例えばＣＯ２又はエッチャントガスをノズルから噴射させ対象物に凹凸を形成させる方法をいう。これにより、残留物を残さず第１の金属層等に凹凸を形成することができる。
【００２４】
本発明の一の形態によれば、前記第１の金属層又は前記絶縁層の表面に形成された凹凸を拡張する工程を更に具備することを特徴とする。これにより、例えば第１の金属層に形成された凹凸を更に拡張させることができ、その容量を増加することができるので、薄膜ダイオード素子の特性を更に改善しても従来と同様の開口率を確保できる。また、従来と同様の特性を備えながら更に開口率を向上させることもできる。
【００２５】
本発明の一の形態によれば、前記絶縁層を形成する工程は、前記第１の金属層の表面を陽極酸化することにより行い、前記陽極酸化により前記絶縁層の表面に形成された孔を拡張して凹部を形成する工程を更に具備することを特徴とする。これにより、陽極酸化法により生じた孔を更に拡張することとしたので、より容易に所望の大きさの凹凸を形成することが可能となり、薄膜ダイオード素子の特性を更に改善しても従来と同様の開口率を確保できる。また、従来と同様の特性を備えながら更に開口率を向上させることもできる。
【００２６】
本発明の一の形態によれば、前記第１の金属層又は前記絶縁層の表面に形成された凹凸の表面に、当該凹凸よりも微細な複数の凹凸を形成する工程を更に具備することを特徴とする。これにより、さらに絶縁層の表面積を増やすことできるので、より容量を増やすことが可能である。
【００２７】
尚、凹部を形成する工程は、陽極酸化法の２次電解又はプレス法により行うことができる。また、プレス法は、例えば絶縁層に形成された孔の型を取り硬化させることで孔と同じ凹凸を有する型を作成し、型を元に孔と同じ凹凸を有するレプリカを作成し、レプリカの凸部を転写することで成型部材を作成し、成型部材の凸部を孔に対応させプレスすることにより行うことができる。
【００２８】
以上のように、本発明によれば、薄膜ダイオード素子の特性を向上させながらそれを用いた例えば液晶装置の開口率を確保することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。尚、以下に実施形態を説明するにあたっては、電気光学装置の例として液晶装置、具体的には反射半透過型の能動子として薄膜ダイオード素子を用いたアクティブマトリックス方式の液晶装置、またその液晶装置を用いた電子機器について説明するがこれに限られるものではない。また、以下の図面においては各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数及び各図の構成などが異なっている。例えば図１では対向基板側の下地層は省略されている。
【００３０】
（第１の実施形態）
【００３１】
まず、本発明を反射半透過型のアクティブマトリックス方式の液晶装置に適用した第１の実施形態について説明する。
【００３２】
図１は本発明の第１の実施形態に係る液晶装置の液晶パネルの概略斜視図、図２は薄膜ダイオード素子の説明図及び図３は図２のＡ−Ａ線概略断面図である。
【００３３】
液晶装置１は、例えばいわゆる反射半透過型の構造を有する液晶パネル２と、（図示しない）バックライトやフロントライト等の照明装置及びケース体等により構成される。
【００３４】
（液晶パネルの構成）
【００３５】
液晶パネル２は、図１に示すように電気光学材料である液晶と、その液晶を狭持する一対の基板であるカラーフィルタ基板３及び対向基板４とを有する。カラーフィルタ基板３は、ガラス板又は合成樹脂板等から形成された透明な第１基板５を其体とする。又、対向基板４はカラーフィルタ基板３に対向し、ガラス板又は合成樹脂板等から形成された透明な第２基板６を其体とする。更にカラーフィルタ基板３及び対向基板４がシール材（図示せず）を介して貼り合わせられ、その間に液晶、例えばＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）型が封入された液晶層７等が、形成されている。
【００３６】
又、第１基板５の外面には位相差板８及び偏光板９が配置され、第２基板６の外面には位相差板１０及び偏光板１１が配置されている。
【００３７】
カラーフィルタ基板３は、図１に示すように第１基板５の液晶層７側の表面に下地層１２が形成され、その下地層１２の表面には開口部を有する反射層１３及び光を遮蔽する光遮蔽層１４が形成されている。又、その反射層１３の表面には着色層１５である青色系の例えば青色の着色層１５Ｂ、緑色系例えば緑色の着色層１５Ｇ及び赤色系例えば赤色の着色層１５Ｒが形成されている。
【００３８】
更にその着色層１５及び光遮蔽層１４の表面にこれらを保護するオーバーコート層（図示せず）が、又オーバーコート層の上にはＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体からなる走査線１６が形成されている。
【００３９】
又、対向基板４には図１に示すように第２基板６の液晶層７側の表面にはマトリックス状に配列する複数の画素電極１７と、各画素電極１７の境界領域において上述した走査線１６と交差する方向（図１のＹ方向）に帯状に延びる複数のデータ線１８と、該画素電極１７及びデータ線１８に接続された薄膜ダイオード素子１９が配置されている。
【００４０】
ここで、走査線１６は所定の方向（図１のＸ方向）に延びる帯状に形成され、複数の走査線１６が相互に並列してストライプ状に構成されており、該走査線１６と画素電極１７とによって特定される領域が画素２０となる。
【００４１】
更に光遮蔽層１４は、各画素２０間の境界領域の遮光を行うためのもので、その境界領域に、第２基板６のデータ線１８の長手方向（図１のＹ方向）及びこれに直交する方向（図１のＸ方向）に延びる帯状に形成されている。
【００４２】
又、画素電極１７は、例えばＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体により形成されており、当該画素電極１７に隣り合うデータ線１８とは、薄膜ダイオード素子１９を介して接続されている。
【００４３】
（薄膜ダイオード素子の構成）
【００４４】
薄膜ダイオード素子１９は、例えば図２及び図３に示すように第２基板６の表面に成膜された下地層２１の上に形成された第１の薄膜ダイオード素子１９ａ及び第２の薄膜ダイオード素子１９ｂからなる２つの薄膜ダイオード素子要素によって、いわゆるＢａｃｋ−ｔｏ−Ｂａｃｋ構造として構成されている。このため、薄膜ダイオード素子１９は、電流−電圧の非線形特性が正負双方向にわたって対称化されている。
【００４５】
ここで下地層２１は、例えば厚さ０．１μｍ程度の酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）によって構成されているが、樹脂層により形成しても良い。
【００４６】
又、第１の薄膜ダイオード素子１９ａ及び第２の薄膜ダイオード素子１９ｂは例えば図２に示すように第１の金属層２２と、この第１の金属層２２の表面を覆うように形成された絶縁層２３及び絶縁層２３の表面を互いに離間して形成された第２の金属層２４ａ、２４ｂとによって構成されている。
【００４７】
第１の金属層２２は、例えば厚さ０．１〜０．１５μｍ程度のタンタルタングステン（ＴａＷ）等により形成されている。絶縁層２３は、例えば陽極酸化法によって第１の金属層２２の表面を酸化することによって形成され、厚さが０．０２〜０．０５μｍの酸化タンタルである。第２の金属層２４ａ、２４ｂは、例えばクロム（Ｃｒ）等といった金属膜によって０．１６μｍ程度の厚さに形成されている。第２の金属層２４ａは、そのままデータ線１８の第３層１８ｃとなり、他方の第２の金属層２４ｂはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等といった透明導電体からなる画素電極１７に接続されている。
【００４８】
又、データ線１８は例えば図２に示すように第１の金属層２２と同時にタンタルタングステン（ＴａＷ）等により形成された第１層１８ａと、絶縁層２３と同一工程で陽極酸化法によって第１層１８ａの表面を酸化することによって形成された第２層１８ｂ及びクロム（Ｃｒ）等といった金属膜によって形成された第３層１８ｃとが積層した構造となっている。
【００４９】
ここで、図３に示すように第１の金属層２２の表面は例えばショットブラスト法により０．０５μｍ程度の直径を有する凹凸が形成されており、その表面が陽極酸化法により絶縁層２３として形成されるので、その凹凸が略そのまま絶縁層２３の表面にも現れている。
【００５０】
更に図３に示すように第１の金属層２２と絶縁層２３との境界面にも凹凸が現れていると共に、絶縁層２３の上に積層された第２の金属層２４と絶縁層２３との境界面にも凹凸が現れている。尚、積層された第２の金属層２４の表面にも図３に示すように絶縁層２３の表面の凹凸と略同様の凹凸が現れている。
【００５１】
これにより、第１の金属層２２の表面積すなわち、絶縁層２３の第1の金属層２２側の表面積は凹凸を形成しない場合に比較し、例えば所定の条件のもとでは、ショットブラスト法により形成された凹凸の直径等から計算して略６，７倍にすることができ、この薄膜ダイオード素子１９を用いることで液晶装置１の開口率を最大で９８％にすることが可能となった。
【００５２】
また、素子容量ＣはＣ＝εｒε０Ｓ／ｄで表されるので第１の金属層２２の表面積Ｓは凹凸を形成することにより上述のように大きくすることができ、容量Ｃを大きくできる。ここで、εｒは比誘電率、ε０は真空中の誘電率、ｄは絶縁層の厚さを表す。素子容量Ｃが大きくなると例えば印加電圧と電流との関係の係数であるβ値を上げ薄膜ダイオード素子１９の特性を向上できることとなる。
【００５３】
尚、図1に示すように反射層１３をカラーフィルタ基板３側に形成したが、対向基板４側に例えば第２基板６と第１の金属層２２との間に、下地層２１の他に反射層１３等を形成しても良い。また、第１の金属層２２の表面に形成する凹凸は、図３に示すように第1の金属層２２の上面側に限られるものではなく、例えばその側面側にまで形成しても良い。これにより、その表面積を更に大きくでき薄膜ダイオード素子の特性を維持したまま、より開口率を増加できる。
【００５４】
（液晶装置の製造方法）
【００５５】
次に、本実施形態に係る液晶装置の製造方法について簡単に説明する。
【００５６】
まず、第１基板５に均一に例えば樹脂材料をスピンコートにより塗布等して下地層１２が第１基板５上に形成される。
【００５７】
次に、下地層１２上に蒸着法やスパッタリング法等によってアルミニウム等を薄膜状に生膜し、これをフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることによって、例えば開口部を有する反射層１３を形成する。
【００５８】
また、図１に示すように形成された反射層１３の上に各色の着色層１５をスピンコートにより塗布し、更にその上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして青色系の例えば青色の着色層１５Ｂ、緑色系例えば緑色の着色層１５Ｇ及び赤色系例えば赤色の着色層１５Ｒを順次形成していく。
【００５９】
これによって、反射層１３上に着色層１５が形成されると共に、各画素２０には青色の着色層１５Ｂ、緑色の着色層１５Ｇ及び赤色の着色層１５Ｒが夫々単独で形成される。
【００６０】
更に上述の着色層１５及び光遮蔽層１４の表面にオーバーコート層を形成し、その上に走査線１６の材料であるＩＴＯ等をスパッタリング法により被着し、フォトリソグラフィ法によってパターニングして図１のようにＸ方向に所定の幅をもって走査線１６をストライプ状に形成する。
【００６１】
更にその上に配向膜（図示せず）を形成し、ラビング処理を施して第１基板５側の製造が終了する。
【００６２】
次に、第２基板６上に薄膜ダイオード素子１９、データ線１８及び画素電極１７を形成するがこれについては薄膜ダイオード素子の製造方法として後述する。
【００６３】
薄膜ダイオード素子１９、データ線１８及び画素電極１７が形成されたらその上に配向膜（図示せず）を形成し、ラビング処理を施して第２基板６側の製造が終了する。
【００６４】
次に、第２基板６側の配向膜上にギャップ材（図示せず）をドライ散布等により散布し、シール材を介して上述の第１基板５側と第２基板６側とを貼り合わせる。その後、シール材の開口部から液晶を注入し、シール材の開口部を紫外線硬化性樹脂等の封止材によって封止する。更に位相差板８，１０及び偏光板９，１１を第１基板５及び第２基板６の各外面上に貼着等の方法により取り付ける。
【００６５】
最後に必要な配線や照明装置及びケース体等を取り付けて、液晶装置１が完成する。
【００６６】
（薄膜ダイオード素子の製造方法）
【００６７】
次に、薄膜ダイオード素子１９、データ線１８及び画素電極１７の形成について詳述する。
【００６８】
図４は薄膜ダイオード素子の製造方法のフローチャート図、図５は下地層の形成の説明図、図６は第１の金属層の形成の説明図、図７は第１の金属層表面に凹凸を形成する説明図、図８は絶縁層を形成する説明図及び図９は第２の金属層を形成する説明図である。
【００６９】
まず、図５に示すように第２基板６の表面にタンタル酸化物例えばＴａ２Ｏ５をスパッタリング法等により一様な膜厚、例えば０．１μｍ程度になるように成膜して下地層２１を形成する（ＳＴ１０１）。
【００７０】
又、図６に示すように形成された下地層２１の上にＴａＷをスパッタリング法等により一様な膜厚例えば０．１〜０．１５μｍ程度に成膜し、更にフォトリソグラフィ法等を用いてデータ線１８の第１層１８ａ及び第１の金属層２２を同時に形成する（ＳＴ１０２）。勿論、データ線１８の第１層１８ａ及び第１の金属層２２を同時に形成せず、別々に形成してもよい。
【００７１】
更に形成された第１の金属層２２以外をマスキング（図示せず）した後、図７に示すように例えばショットブラスト法により第１の金属層２２の表面に０．０５μｍ程度の直径を有する凹凸を形成する（ＳＴ１０３）。この場合、ノズルから噴射する微粒子としてＳｉＯ２や水酸化アルミニウムでも良いが、残留物が出るのでドライアイス等のガス状のものを用いてノズルから噴射させて第１の金属層２２に衝突させて凹凸を形成するとよい。これにより、衝突後気化してしまうので真空にしてガスを吸引すれば第１の金属層２２の表面に残留物が残ることを防ぐことができる。また、エッチャントガスを用いることもできる。
【００７２】
次に、データ線１８の第１層１８ａ及び第１の金属層２２を陽極として陽極酸化処理を行い、図８に示すようにデータ線１８の第１層１８ａ及び第１の金属層２２の表面に陽極酸化膜である第２層１８ｂ及び絶縁層２３を一様な膜厚、例えば０．０２〜０．０５μｍ程度に形成する（ＳＴ１０４）。このときの電解液は例えばクエン酸化成液を用い、印加する電圧を１２〜１５Ｖ程度とする。ここで、「陽極酸化処理」とは、一般には電解液中に侵漬された試料を陽極とし、一方白金等を陰極として用いて電解することにより、試料上に酸化膜を形成させることをいい、電解液としては上述の他、例えばリン酸アンモニウム等の水溶液が用いられる。
【００７３】
これにより、図８に示すように形成された絶縁層２３の表面は第１の金属層２２に形成した凹凸が略同じ大きさ若しくはそれより少し大きく拡張して現れることとなる。更に第１の金属層２２と絶縁層２３との境界面にもこの凹凸が現れる。この絶縁層２３の表面の凹凸の大きさ等は、陽極酸化法に用いられる電解液の種類や電解電圧により所望のサイズ等にすることができる。
【００７４】
この後、例えば真空中で３００〜４００℃の温度で熱処理した後、図９に示すようにＣｒをスパッタリング等によって一様な膜厚、例えば０．１６μｍ程度に成膜し、フォトリソグラフィ法などによりデータ線１８の第３層１８ｃ、第１の薄膜ダイオード素子１９ａの第２の金属層２４ａ及び第２の薄膜ダイオード素子の第２の金属層２４ｂを形成する（ＳＴ１０５）。
【００７５】
また、図３に示すようにＩＴＯをスパッタリング法等により一様な膜厚、例えば０．０５μｍ程度に成膜し、更にフォトリソグラフィ法により一画素分の大きさに相当する所定形状の画素電極１７をその一部が第２の金属層２４ｂと重なるように形成する（ＳＴ１０６）。
【００７６】
以上の一連の工程により、薄膜ダイオード素子１９（１９ａ、１９ｂ）、データ線１８（１８ａ、１８ｂ、１８ｃ）及び画素電極１７が形成される。
【００７７】
このように本実施形態によれば、薄膜ダイオード素子１９は第２基板６上に第１の金属層２２を形成し、その第１の金属層２２の表面に例えばショットブラスト法で凹凸を形成し、更にその表面に陽極酸化法により絶縁層２３を形成し、その絶縁層２３の表面に第２の金属層２４を形成することとしたので、凹凸を形成する前に比較して絶縁層２３の上面及び下面の表面積が増大しその容量を大きくすることができる。これによって、例えば薄膜ダイオード素子の特性を改善できると共に従来と同様の開口率を確保することも可能である。また、従来と同様薄膜ダイオード素子の特性を備えながら開口率を向上させることも可能である。
【００７８】
更に液晶装置１は、例えば第１の金属層２２の表面に凹凸を形成した薄膜ダイオード素子１９を備えているので、その液晶装置の開口率を保持しながら薄膜ダイオード素子の特性を向上させ、液晶装置１の性能を安定させ向上させることが可能となる。また、従来と同様の特性を備えながら開口率を向上させることができる。
【００７９】
（第２の実施形態）
【００８０】
次に、本発明にかかる液晶装置の第２の実施形態について説明する。本実施形態においては、第１の実施形態が第１の金属層２２に凹凸を形成したのに対し、下地層に凹凸が形成される点が異なるので、第１の実施形態と異なる点を中心に説明する。尚、第１の実施形態の構成要素と共通する構成要素については、第１の実施形態と同一の符号を付しその説明を省略する。
【００８１】
図１０は本発明の第２の実施形態に係る液晶装置を構成する薄膜ダイオード素子の概略断面図である。尚、図１０は図２のＡ−Ａ線断面図でもある。
【００８２】
（液晶パネルの構成）
【００８３】
液晶パネルの構成については第１の実施形態と同様であるのでその説明を省略する。
【００８４】
（薄膜ダイオード素子の構成）
【００８５】
薄膜ダイオード素子１９は、第１の実施形態と同様、例えば図２に示すように第２基板６の表面に成膜された下地層２１の上に形成された第１の薄膜ダイオード素子１９ａ及び第２の薄膜ダイオード素子１９ｂからなる２つの薄膜ダイオード素子要素によって、いわゆるＢａｃｋ−ｔｏ−Ｂａｃｋ構造として構成されている。
【００８６】
ここで、第１の実施形態ではショットブラスト法による凹凸形成は第１の金属層２２の表面にされていたが、本実施形態では図１０に示すように第１の金属層２２ではなくその第１の金属層２２で覆われる下地層２１の表面領域に凹凸が形成されている。
【００８７】
これにより、図１０に示すように下地層２１に形成された凹凸によりその上に積層された第１の金属層２２の表面にも略同様な凹凸が現れている。
【００８８】
また、その第１の金属層２２の表面に例えば陽極酸化法により形成された絶縁層２３の表面にも図１０に示すように略同様な凹凸が現れており、更にその上に積層された第２の金属層２４の表面にも略同様な凹凸が現れることとなる。
【００８９】
（液晶装置の製造方法）
【００９０】
液晶装置の製造方法については第１の実施形態と同様であるのでその説明を省略する。
【００９１】
（薄膜ダイオード素子の製造方法）
【００９２】
図１１は第２の実施形態に係る薄膜ダイオード素子の製造方法のフローチャート図である。
【００９３】
薄膜ダイオード素子の製造方法についても基本的には第１の実施形態と同様であるが、図１１に示すように下地層２１の形成（ＳＴ２０１）の後、下地層２１の表面に凹凸を形成する工程（ＳＴ２０２）が入り、第１の金属層２２の形成（ＳＴ２０３）の後はその第１の金属層２２の表面に凹凸を形成する工程は入っていない。
【００９４】
すなわち、第１の金属層２２が形成された後そのまま例えば陽極酸化法で絶縁層２３が形成され（ＳＴ２０４）、更にその上に第２の金属層２４が形成される（ＳＴ２０５）。そして最後に画素電極１７が形成される（ＳＴ２０６）。
【００９５】
尚、下地層２１の表面に凹凸を形成する方法は第１の実施形態で第１の金属層２２に凹凸を形成したのと同様であり、例えばショットブラスト法で凹凸の直径が０．０５μｍ程度になるように形成する。
【００９６】
以上により図１０に示すような薄膜ダイオード素子１９が製造されることとなる。
【００９７】
尚、下地層２１の表面に凹凸を形成する方法の例としてショットブラスト法の場合を説明したがこれに限られるものではなく、第２基板６上にフォトリソグラフィ法で下地層２１の凹凸を形成しても勿論良い。
【００９８】
例えば第２基板６の表面にＴａ２Ｏ５をスパッタリング法等により成膜し、これをフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることにより表面に所望の凹凸を有する下地層２１を形成することができる。
【００９９】
このように本実施形態によれば、液晶装置１は例えば下地層２１の絶縁層形成領域に対応する領域に複数の凹凸を形成することとしたので、その凹凸により第１の金属層２２の表面、すなわち絶縁層２３の第1の金属層２２及び第２の金属層２４との境界の上下面（以下「絶縁層の上面及び下面」という。）にも凹凸が生じることとなり、その開口率を確保したまま例えば薄膜ダイオード素子１９の面積が増大しその容量を大きくすることができる。また、従来と同様の薄膜ダイオード素子１９の特性を備えながら開口率を向上させることも可能である。
【０１００】
（第３の実施形態）
【０１０１】
次に、本発明にかかる液晶装置の第３の実施形態について説明する。本実施形態においては、第１の実施形態が第１の金属層２２に凹凸を形成したのに対し、基板に凹凸が形成される点が異なるので、第１の実施形態と異なる点を中心に説明する。尚、第１の実施形態の構成要素と共通する構成要素については、第１の実施形態と同一の符号を付しその説明を省略する。
【０１０２】
図１２は本発明の第３の実施形態に係る液晶装置を構成する薄膜ダイオード素子の概略断面図である。尚、図１２は図２のＡ−Ａ線断面図でもある。
【０１０３】
（液晶パネル及び薄膜ダイオード素子の構成）
【０１０４】
液晶パネル及び薄膜ダイオード素子の構成については基本的には第１の実施形態と同様であるが、第１の実施形態ではショットブラスト法による凹凸形成は第１の金属層２２の表面にされていたが、本実施形態では図１２に示すように第１の金属層２２ではなく第２基板６の絶縁層形成領域に対応する領域に複数の凹凸が形成されている。
【０１０５】
これにより、図１２に示すように第２基板６に形成された凹凸によりその上に積層された下地層２１の表面にも略同様な凹凸が現れ、更にその下地層２１の上に積層された第１の金属層２２の表面にも略同様な凹凸が現れている。
【０１０６】
また、その第１の金属層２２の表面に例えば陽極酸化法により形成された絶縁層２３の表面にも図１２に示すように略同様な凹凸が現れており、更にその上に積層された第２の金属層２４の表面にも略同様な凹凸が現れることが可能となる。これにより、絶縁層２３の上面及び下面の表面積が増加し、薄膜ダイオード素子１９の特性を維持したまま開口率を増大できる。
【０１０７】
尚、凹凸を形成するのは第1の実施形態の第1の金属層２２や第２の実施形態の下地層２１、更には本実施形態の基板に限られるわけではなく、図１３（図２のＡ―Ａ線断面図）に示すように絶縁層２３に形成しても良い。例えば第２基板６に下地層２１を形成し、その上にスパッタリング法等により第１の金属層２２を形成する。その第１の金属層２２の表面に絶縁層２３を形成し、該絶縁層２３の表面に例えばショットブラスト法等で複数の凹凸を形成する。その上に第２の金属層２４を形成して薄膜ダイオード素子１９が形成されることとなる。
【０１０８】
これにより、図１３に示すように少なくとも絶縁層２３の上面（第２の金属層２４との境界面）の表面積が増加し、薄膜ダイオード素子１９の容量が増大できるので、素子の特性を維持したまま開口率を増加できる。また、素子の特性を改善し従来同様の開口率を確保できる。
【０１０９】
また、第１の金属層２２や絶縁層２３の表面への凹凸の形成は、例えば第２の実施形態により下地層２１の表面に凹凸を形成した後更に、その下地層２１の表面にスパッタリング等により第１の金属層２２を形成し、その第１の金属層２２の表面に第２の凹凸として、例えばショットブラスト法により凹凸を形成してもよい。これにより、下地層２１に形成された凹凸に対応して形成された第１の金属層２２の表面の凹凸に加え、更に第２の凹凸が形成されるので、更に絶縁層２３の表面積が増大し、薄膜ダイオード素子１９の容量を大きくすることができると共に、液晶装置１の開口率をその素子特性を維持しながら大きくすることが可能となる。
【０１１０】
（液晶装置の製造方法）
【０１１１】
液晶装置の製造方法については基本的には第１の実施形態と同様であるが、第２基板６上に薄膜ダイオード素子１９、データ線１８及び画素電極１７を形成する前に、第２基板６の表面に例えばショットブラスト法により直径が０．０５μｍ程度の凹凸が形成される。尚、ショットブラスト法による凹凸の形成方法は第１の実施形態と同様である。
【０１１２】
（薄膜ダイオード素子の製造方法）
【０１１３】
図１４は第３の実施形態に係る薄膜ダイオード素子の製造方法のフローチャート図である。
【０１１４】
薄膜ダイオード素子の製造方法についても基本的には第１の実施形態と同様であるが、図１２に示すように下地層２１の形成（ＳＴ３０１）の後及び第１の金属層２２の形成（ＳＴ３０２）の後を含め、表面に凹凸を形成する工程は入っていない。
【０１１５】
すなわち、既に第２基板６の表面に凹凸が形成されているので、その上に下地層２１が形成され（ＳＴ３０１）、更にその上に第１の金属層２２等が形成される（ＳＴ３０２）。又、第１の金属層２２が形成された後そのまま例えば陽極酸化法で絶縁層２３等が形成され（ＳＴ３０３）、更にその上に第２の金属層２４等が形成される（ＳＴ３０４）。そして最後に画素電極１７が形成される（ＳＴ３０５）。
【０１１６】
以上により図１２に示すような薄膜ダイオード素子１９が製造されることとなる。
【０１１７】
このように本実施形態によれば、液晶装置１は例えば基板の絶縁層形成領域に対応する領域に複数の凹凸を形成することとしたので、その凹凸により第１の金属層２２の表面及び絶縁層２３の上面及び下面にも凹凸が生じることとなり、絶縁層２３の表面積が増大しその容量を大きくすることができる。
【０１１８】
（第４の実施形態）
【０１１９】
次に、本発明にかかる液晶装置の第４の実施形態について説明する。本実施形態においては、第１の実施形態が第１の金属層２２に凹凸を形成し、そのまま絶縁層を形成したのに対し、例えば形成された凹凸面に更に微細な凹凸を形成する点が異なるので、第１の実施形態と異なる点を中心に説明する。尚、第１の実施形態の構成要素と共通する構成要素については、第１の実施形態と同一の符号を付しその説明を省略する。
【０１２０】
（液晶パネル及び薄膜ダイオード素子の構成）
【０１２１】
図１５は第４の実施形態に係る薄膜ダイオード素子の部分拡大断面図であり、図２のＡ―Ａ線断面図である。
【０１２２】
液晶パネル及び薄膜ダイオード素子の構成については基本的には図１から図３に示す第１の実施形態と同様であるが、本実施形態では図１５に示すように第1の金属層２２にショットブラスト法で凹凸を形成した後、例えばその凹凸より更に微細な凹凸を有する成型部材を押圧して形成された微細な凹凸２７が、元の凹面及び凸面上に形成されている。
【０１２３】
これにより、図１５に示すようにその第１の金属層２２の表面に例えば陽極酸化法により形成された絶縁層２３の上面及び下面にも大き目の凹凸とその凹面及び凸面に微細な凹凸が現れており、更にその上に積層された第２の金属層２４の表面にも略同様な微細な凹面及び凸面が現れることとなる。
【０１２４】
（液晶装置の製造方法）
【０１２５】
液晶装置の製造方法については第１の実施形態と同様であるのでその説明を省略する。
【０１２６】
（薄膜ダイオード素子の製造方法）
【０１２７】
図１６は第４の実施形態に係る薄膜ダイオード素子の製造方法のフローチャート図である。
【０１２８】
薄膜ダイオード素子の製造方法についても基本的には第１の実施形態と同様であるが、図１５に示すようにまず下地層２１を形成し（ＳＴ１０１）、その下地層２１の表面に第１の金属層２２等を形成する（ＳＴ１０２）。更に第１の金属層２２の表面に例えばショットブラスト法により凹凸を形成し（ＳＴ１０３）、その形成された凹凸面にその凹凸より微細な凹凸を有する成型部材を押圧し、第１の金属層２２の凹凸面に更に微細な凹凸を形成する、すなわち元の凹凸より更に微細な凹凸をその元の凹凸面の凹面及び凸面に形成する（ＳＴ４０４）。
【０１２９】
その後、そのまま例えば陽極酸化法で絶縁層２３等が形成され（ＳＴ１０４）、更にその上に第２の金属層２４等が形成される（ＳＴ１０５）。そして最後に画素電極１７が形成される（ＳＴ１０６）。
【０１３０】
以上により薄膜ダイオード素子１９が製造されることとなる。
【０１３１】
尚、成型部材による微細な凹凸の形成は第１の金属層２２に形成された凹凸の凹面及び凸面に限られるものではなく、例えば第２に実施形態の下地層２１の絶縁層形成領域に対応する領域に形成された凹凸、第３の実施形態の基板の絶縁層形成領域に対応する領域に形成された凹凸等も可能であり、その形成方法も略同様である。
【０１３２】
このように本実施形態によれば、液晶装置１は例えば第１の金属層２２の表面にショットブラスト法により凹凸を形成すると共に、その凹凸面の凹面及び凸面を成型部材で押圧し、更に微細な凹凸を形成することとしたので、例えばその薄膜ダイオード素子１９の特性を確保したまま絶縁層２３の上面及び下面の表面積をより増大させることができ、その容量を更に大きくし、開口率を向上させることができる。また、素子特性を向上させながら従来同様の開口率を確保できる。
【０１３３】
（第５の実施形態）
【０１３４】
次に、本発明にかかる液晶装置の第５の実施形態について説明する。本実施形態においては、第１の実施形態が第１の金属層２２に凹凸を形成し、そのまま絶縁層を形成したのに対し、例えば形成された凹凸のレプリカを作成し、そのレプリカの凸部を転写した成型部材でプレスしその凹凸を拡張する点が異なるので、第１の実施形態と異なる点を中心に説明する。尚、第１の実施形態の構成要素と共通する構成要素については、第１の実施形態と同一の符号を付しその説明を省略する。
【０１３５】
（液晶パネル及び薄膜ダイオード素子の構成）
【０１３６】
液晶パネル及び薄膜ダイオード素子の構成については基本的には図１から図３に示す第１の実施形態と同様であるが、本実施形態ではショットブラスト法による凹凸形成がされた後、更にその凹凸面に成型部材２５を押圧して第１の金属層２２の凹凸が拡張されている。
【０１３７】
ここで、成型部材２５は第1の金属層２２の表面に形成された凹凸のレプリカを形成し、該レプリカの凸部を成型部材表面に転写したものである。また、レプリカは例えば以下の方法により製造できる。
【０１３８】
ロストワックス法に用いられる樹脂等のいわゆるレプリカ材を、第1の金属層２２の凹凸表面にコーティングし、それを剥離し硬化させる。そして、硬化させたレプリカ材の上に例えばアルミ等の金属膜をスパッタリングにより形成し、該第１の金属層２２の凹凸形状と同じ凹凸形状を有するレプリカを製造する。
【０１３９】
これにより、その第１の金属層２２の表面に例えば陽極酸化法により形成された絶縁層２３の表面にも拡張された凹凸が現れており、更にその上に積層された第２の金属層２４の表面にも略同様な拡張された凹凸が現れることとなる。これにより、絶縁層２３の上面及び下面の表面積が更に増加し、薄膜ダイオード素子１９の容量を増大することが可能となる。
【０１４０】
（液晶装置の製造方法）
【０１４１】
液晶装置の製造方法については第１の実施形態と同様であるのでその説明を省略する。
【０１４２】
（薄膜ダイオード素子の製造方法）
【０１４３】
図１７は第５の実施形態に係る薄膜ダイオード素子の製造方法のフローチャート図、図１８は成型部材で第１の金属層を押圧する説明図である。尚、図１８は説明の都合上、各薄膜ダイオード素子１９のデータ線１８や画素電極１７が形成されるスペース、又はデータ線１８の第1層１８ａ自体が省略されている。
【０１４４】
薄膜ダイオード素子１９の製造方法についても基本的には第１の実施形態と同様であるが、図１７に示すようにまず下地層２１を形成し（ＳＴ５０１）、その下地層２１の表面に第１の金属層２２等を形成する（ＳＴ５０２）。更に第１の金属層２２の表面に例えばショットブラスト法により凹凸を形成し（ＳＴ５０３）、その形成された凹凸面に図１８に示すように該凹凸のレプリカの凸部を表面に転写した成型部材２５を押圧し、第１の金属層２２の凹凸を拡張する（ＳＴ５０４）。例えば、ショットブラスト法により第１の金属層２２に形成された凹凸の凹部の径より少し大きめの径を有するように、成型部材２５の表面に転写され形成された略半球状の凸部を、その凹凸の凹部に押し当てて該凹部の径を広げてその凹凸を拡張する。
【０１４５】
この際、成型部材２５の凸部はレプリカの凸部が少し大きくなって表面に転写し形成されるので、第１の金属層２２の凹凸と成型部材２５に転写形成された凸部との位置合わせが容易であると共に、確実に凹凸を拡張できる。
【０１４６】
その後、そのまま例えば陽極酸化法で絶縁層２３等が形成され（ＳＴ５０５）、更にその上に第２の金属層２４等が形成される（ＳＴ５０６）。そして最後に画素電極１７が形成される（ＳＴ５０７）。
【０１４７】
尚、図１８では上述のように各薄膜ダイオード素子１９のデータ線１８や画素電極１７が形成されるスペース、又はデータ線１８の第１層１８ａ自体が省略されており、実際は例えば第１の金属層２２と同時にデータ線１８の第１層１８ａが形成される場合は、各第１の金属層２２の図１８に向かって左側に夫々当該第１層１８ａが形成されており、右側に夫々画素電極１７が形成されるスペースが確保されている。勿論、第１の金属層２２と第１層１８ａとを同時に形成しなくてもよく、その場合は第１層１８ａが形成されるスペースがあることになる。
【０１４８】
以上により薄膜ダイオード素子１９が製造されることとなる。
【０１４９】
尚、成型部材２５による拡張は第１の金属層２２に形成された凹凸に限られるものではなく、例えば第２の実施形態の絶縁層形成領域に対応する下地層２１の領域に形成された凹凸、第３の実施形態の絶縁層形成領域に対応する基板の領域に形成された凹凸等も可能であり、その拡張方法も略同様である。
【０１５０】
また、図１８には成型部材２５は３つの薄膜ダイオード素子１９を同時に拡張できるものであるが、これに限られるわけではなく例えば１つでも２つでもいいし又、３つより多くの薄膜ダイオード素子１９を拡張できるものであっても勿論良い。これにより、より短時間で大量の薄膜ダイオード素子１９の凹凸の拡張が可能となる。
【０１５１】
このように本実施形態によれば、液晶装置１は例えば第１の金属層２２の表面にショットブラスト法により凹凸を形成すると共に、その凹凸を成型部材２５で拡張することとしたので、薄膜ダイオード素子１９の特性を確保したまま例えば絶縁層２３の上面及び下面の表面積をより増大させその容量を更に大きくし、その開口率を向上させることができる。また、素子特性を改善すると共に従来同様の開口率を確保できる。
【０１５２】
（第６の実施形態）
【０１５３】
次に、本発明にかかる液晶装置の第６の実施形態について説明する。本実施形態においては、第１の実施形態が第１の金属層２２に凹凸を形成し、そのまま絶縁層２３及び第２の金属層２４を形成したのに対し、絶縁層２３に現れた凹凸を例えば成型部材でプレスしその凹凸を拡張する点が異なるので、第１の実施形態と異なる点を中心に説明する。尚、第１の実施形態の構成要素と共通する構成要素については、第１の実施形態と同一の符号を付しその説明を省略する。
【０１５４】
（液晶パネル及び薄膜ダイオード素子の構成）
【０１５５】
液晶パネル及び薄膜ダイオード素子の構成については基本的には図１から図３に示す第１の実施形態と同様である。ただし、ショットブラスト法による第１の金属層２２の凹凸表面が略そのまま陽極酸化法により形成された絶縁層２３の表面に現われた後、更にその凹凸のレプリカの凸部より少し径の大きい凸部を表面に転写した成型部材２５をその凹凸面に押圧して絶縁層２３の凹凸が拡張されている。
【０１５６】
これにより、更にその上に積層された第２の金属層２４の表面にも略同様な拡張された凹凸が現れることとなる。
【０１５７】
尚、レプリカの製造方法等は第５の実施形態と同様であり、いわゆるレプリカ材を、絶縁層２３の凹凸表面にコーティングし、それを剥離し硬化させる。そして、硬化させたレプリカ材の上に例えばアルミ等の金属膜をスパッタリングにより形成し、該絶縁層２３の凹凸形状と同じ凹凸形状を有するレプリカを製造する。
【０１５８】
また、絶縁層２３の凹凸面の凹部と成型部材２５の凸部とがずれても、絶縁層２３は多少軟化しているので、成型部材２５の凸部により大きな凹部が形成され、元の絶縁層２３に現れていた凹凸が拡張されることとなる。
【０１５９】
（液晶装置の製造方法）
【０１６０】
液晶装置の製造方法については第１の実施形態と同様であるのでその説明を省略する。
【０１６１】
（薄膜ダイオード素子の製造方法）
【０１６２】
図１９は第６の実施形態に係る薄膜ダイオード素子の製造方法のフローチャート図、図２０は成型部材を押圧する説明図である。尚、図２０は説明の都合上、各薄膜ダイオード素子１９のデータ線１８や画素電極１７が形成されるスペース、又はデータ線１８の第１層１８ａ及び第２層１８ｂ自体が省略されている。
【０１６３】
薄膜ダイオード素子の製造方法についても基本的には第１の実施形態と同様であるが、図１９に示すようにまず下地層２１を形成し（ＳＴ６０１）、その下地層２１の表面に第１の金属層２２等を形成する（ＳＴ６０２）。更に第１の金属層２２の表面に例えばショットブラスト法により凹凸を形成し（ＳＴ６０３）、そのまま例えば陽極酸化法で絶縁層２３等が形成される（ＳＴ６０４）。
【０１６４】
その後、その絶縁層２３に現れた凹凸面に図２０に示すように少しサイズの大きい凸部が転写された成型部材２５を押圧し、絶縁層２３の凹凸を拡張する（ＳＴ６０５）。この際、成型部材２５は絶縁層２３の凹凸のレプリカの凸部を少し大きくして転写するので、絶縁層２３の凹凸と成型部材２５の凹凸の位置合わせが容易であると共に、確実に凹凸を拡張できる。
【０１６５】
更にその上に第２の金属層２４等が形成され（ＳＴ６０６）、最後に画素電極１７が形成される（ＳＴ６０７）。
【０１６６】
尚、図２０では上述のように各薄膜ダイオード素子１９のデータ線１８や画素電極１７が形成されるスペース、又はデータ線１８の第１層１８ａ及び第２層１８ｂ自体が省略されており、実際は例えば各第１の金属層２２の図２０に向かって左側に夫々当該第１層１８ａ及び第２層１８ｂが形成されており、右側に夫々画素電極１７が形成されるスペースが確保されている。勿論、第１の金属層２２等と第１層１８ａ等とを同時に形成しなくてもよく、その場合は第１層１８ａ及び第２層１８ｂが形成されるスペースがあることとなる。
【０１６７】
以上により薄膜ダイオード素子１９等が製造されることとなる。
【０１６８】
尚、成型部材２５による凹凸の拡張は絶縁層２３に現れた凹凸に限られるものではなく、例えば第２の実施形態の第１の金属層２２に現れた凹凸、第３の実施形態の下地層２１に現れた凹凸等も可能であり、その拡張方法も略同様である。
【０１６９】
このように本実施形態によれば、液晶装置１は第１の金属層２２の表面に例えばショットブラスト法により複数の凹凸を形成すると共に、その凹凸と略同様な凹凸が現れた絶縁層２３の凹凸を成型部材２５で拡張することとしたので、薄膜ダイオード素子１９の特性を確保したまま例えば絶縁層２３の表面積をより増大させその容量を更に大きくし、その開口率を向上させることができる。また、素子特性を改善すると共に従来と同様の開口率を確保できる。
【０１７０】
（第７の実施形態）
【０１７１】
次に、本発明にかかる液晶装置の第７の実施形態について説明する。本実施形態においては、第１の実施形態が第１の金属層２２に凹凸を形成し、そのまま絶縁層２３及び第２の金属層２４を形成したのに対し、絶縁層２３に現れた凹凸を例えば型でプレスしその凹凸を拡張して、更に陽極酸化（以下、最初の陽極酸化を「１次電解」といい、２番目の陽極酸化を「２次電解」という。）する点が異なるので、第１の実施形態と異なる点を中心に説明する。尚、第１の実施形態の構成要素と共通する構成要素については、第１の実施形態と同一の符号を付しその説明を省略する。
【０１７２】
（液晶パネル及び薄膜ダイオード素子の構成）
【０１７３】
液晶パネル２及び薄膜ダイオード素子１９の構成については基本的には図１から図３に示す第１の実施形態と同様である。ただし、ショットブラスト法による第１の金属層２２の凹凸表面が略そのまま１次電解（最初の陽極酸化）により形成され絶縁層２３の表面に現われた後、その凹凸より少しサイズの大きい凹凸を表面に転写した成型部材２５をその凹凸面に押圧して絶縁層２３の凹凸が拡張され、更に２次電解（２番目の陽極酸化）され成型部材２５の押圧により拡張された凹凸が更に拡張されている。
【０１７４】
すなわち、２次電解処理によりその前の凹凸表面の例えば凸部が扇形に拡大し、凸部の径が大きくなり凹凸が更に拡張されることとなる。
【０１７５】
ここで、１次電解で用いられる電解液及び印加電圧等は例えばクエン酸化成液で１２〜１５Ｖ程度にして、２次電解で用いられる電解液及び印加電圧等は例えばクエン酸化成液で３０Ｖ程度にし、１次電解より短時間で陽極酸化処理する。勿論所定の層厚や凹凸のサイズを得るために他の電解液や電圧にしてもよい。
【０１７６】
これにより、その上に積層された第２の金属層２４の表面にも略同様な更に拡張された凹凸が現れることとなる。
【０１７７】
尚、１次電解の代わりに酸やアルカリで第１の金属層２２の表面をエッチングしてもよい。ただし、エッチングや上述した成型部材２５によるプレス処理をした後は表面が汚れるおそれがあるので洗浄し、次の２次電解処理をする。
【０１７８】
（液晶装置の製造方法）
【０１７９】
液晶装置の製造方法については第１の実施形態と同様であるのでその説明を省略する。
【０１８０】
（薄膜ダイオード素子の製造方法）
【０１８１】
図２１は第７の実施形態に係る薄膜ダイオード素子の製造方法のフローチャート図である。
【０１８２】
薄膜ダイオード素子の製造方法についても基本的には第１の実施形態と同様であるが、図２１に示すようにまず下地層２１を形成し（ＳＴ７０１）、その下地層２１の表面に第１の金属層２２等を形成する（ＳＴ７０２）。更に第１の金属層２２の表面に例えばショットブラスト法により凹凸を形成し（ＳＴ７０３）、そのまま例えば陽極酸化法（１次電解）で絶縁層２３等が形成される（ＳＴ７０４）。
【０１８３】
その後、その絶縁層２３に現れた凹凸面に図２０に示すように凹凸のレプリカを成型部材に転写するときに少しサイズが大きくなった凸部を有する成型部材２５を押圧し、絶縁層２３の凹凸を拡張する（ＳＴ７０５）。この際、成型部材２５の凹凸が絶縁層２３の凹凸を少し大きくしたものであるので、絶縁層２３の凹凸と成型部材２５の凹凸との位置合わせが容易であると共に、確実に凹凸を拡張できる。また、仮に位置がずれても第１次電解処理で表面が軟化しており、十分成型部材２５の凹凸で元の凹凸が拡張されることとなる。
【０１８４】
次に、成型部材２５の押圧により拡張された絶縁層２３の凹凸面に２次電解処理（陽極酸化法）して拡張された凹凸を更に拡張する（ＳＴ７０６）。例えば、成型部材２５の押圧により拡張された絶縁層２３の凹凸面の凸部が２次電解処理により略扇形に大きくなり、凹凸が更に拡張されることとなる。
【０１８５】
そして、２次電解処理された絶縁層２３の上に第２の金属層２４等が形成され（ＳＴ７０７）、最後に画素電極１７が形成される（ＳＴ７０８）。
【０１８６】
以上により薄膜ダイオード素子１９等が製造されることとなる。
【０１８７】
尚、成型部材２５による凹凸の拡張は絶縁層２３に現れた凹凸に限られるものではなく、例えば第２の実施形態の第１の金属層２２に現れた凹凸、第３の実施形態の下地層２１に現れた凹凸等も可能であり、その拡張方法も略同様である。
【０１８８】
また、第１の金属層２２等に凹凸を形成する方法は上述したショットブラスト法に限られるものではなく、例えば成型部材２５を押圧する方法やフォトリソグラフィ法やエッチング法、更には２次電解処理等がある。これにより、簡易又は精緻に凹凸を形成でき、表面積を大きくすることが可能となる。
【０１８９】
このように本実施形態によれば、液晶装置１は第１の金属層２２の表面に例えばショットブラスト法により凹凸を形成すると共に、絶縁層２３を１次電解により形成し、その絶縁層の凹凸表面に成型部材２５の凸部を押圧し凹凸を拡張し、更に２次電解によりその凹凸を拡張することとしたので、より大きな凹凸を容易に形成でき、例えば薄膜ダイオード素子１９の特性を保持したまま薄膜ダイオード素子１９の表面積を拡大し容量を大きくすることが可能となると共に、画素の開口率を向上させることができる。また、素子特性を改善すると共に従来と同様な開口率を確保できる。
【０１９０】
（第８の実施形態）
【０１９１】
次に、本発明にかかる液晶装置の第８の実施形態について説明する。本実施形態においては、第１の実施形態が第１の金属層２２に凹凸を形成し、そのまま絶縁層２３及び第２の金属層２４を形成したのに対し、第１の金属層２２には例えばショットブラスト法等による凹凸を形成せず、そのまま絶縁層２３を第１の金属層２２の表面に陽極酸化法により形成し、そのとき現れた孔を例えば成型部材でプレスしその孔を拡張する点が異なるので、第１の実施形態と異なる点を中心に説明する。尚、第１の実施形態の構成要素と共通する構成要素については、第１の実施形態と同一の符号を付しその説明を省略する。
【０１９２】
（液晶パネル及び薄膜ダイオード素子の構成）
【０１９３】
図２２は本発明の第８の実施形態に係る液晶装置を構成する薄膜ダイオード素子の概略断面図である。尚、図２２は図２のＡ−Ａ線断面図でもある。
【０１９４】
液晶パネル及び薄膜ダイオード素子の構成については基本的には図１及び図２に示す第１の実施形態と同様である。ただし、第１の金属層２２の表面にはショットブラスト法等によっては凹凸が形成されず、そのまま陽極酸化法により絶縁層２３が第１の金属層２２の表面に形成されている。
【０１９５】
又、絶縁層２３の表面に現れた陽極酸化法による孔が例えば凸部を備えた成型部材２５により押圧され、その孔が拡張され、拡張された凹部を生じている。これにより、孔がないときに比べ約２倍になっている孔がある絶縁層２３の面積が、その孔を拡張させ、拡張された凹部を生じさせることによって、孔がないときに比べ約６，７倍の表面積となり、開口率を維持しながら薄膜ダイオード素子１９の特性を向上できることとなる。又、見かけの素子面積よりも実質の面積は大きくなり、素子容量を大きくすることができる。
【０１９６】
更に図２２に示すようにその上に積層された第２の金属層２４の表面にも略同様な凹凸が現れることとなり、その成型部材２５の押圧の際に第１の金属層２２と絶縁層２３との境界面も絶縁層２３の表面に形成された凹凸よりは小さい凹凸が生じる。これにより、絶縁層２３の上下面の表面積が増大し、薄膜ダイオード素子１９の容量が大きくなる。
【０１９７】
（液晶装置の製造方法）
【０１９８】
液晶装置の製造方法については第１の実施形態と同様であるのでその説明を省略する。
【０１９９】
（薄膜ダイオード素子の製造方法）
【０２００】
図２３は第８の実施形態に係る薄膜ダイオード素子の製造方法のフローチャート図、図２４は絶縁層の表面に凹凸を有する成型部材を押圧する説明図である。尚、図２４は説明の都合上、各薄膜ダイオード素子１９のデータ線１８や画素電極１７が形成されるスペース、又はデータ線１８の第１層１８ａ及び第２層１８ｂ自体が省略されている。
【０２０１】
薄膜ダイオード素子の製造方法についても基本的には第１の実施形態と同様であるが、図２３に示すようにまず下地層２１を形成し（ＳＴ８０１）、その下地層２１の表面に第１の金属層２２等を形成する（ＳＴ８０２）。
【０２０２】
更にそのまま陽極酸化法で絶縁層２３が形成され（ＳＴ８０３）、その際生じた絶縁層２３の表面の孔２６に図２４に示すように凸部を有する成型部材２５を押圧し、その孔２６を拡張された凹部に形成する（ＳＴ８０４）。すなわち、例えばレプリカ材を絶縁層２３の表面にコーティングし、それを剥離して硬化させ、そのレプリカ材の上に例えばアルミ等の金属膜をスパッタリングにより形成し、絶縁層２３の孔と同じ大きさの孔を有するレプリカを作成する。
【０２０３】
次に、そのレプリカの凹凸を成型部材２５に転写し、元の絶縁層２３の表面上の孔より少し大きくなった凹凸のある成型部材２５で絶縁層２３の孔を押圧することにより、その孔の形状が半球状の凹形状となり、表面積がフラットな表面に比較して約６，７倍に拡大する。
【０２０４】
その上に第２の金属層２４等が形成され（ＳＴ８０５）、最後に画素電極１７が形成される（ＳＴ８０６）。
【０２０５】
尚、図２４では上述のように各薄膜ダイオード素子１９のデータ線１８や画素電極１７が形成されるスペース、又はデータ線１８の第１層１８ａ及び第２層１８ｂ自体が省略されており、実際は例えば各第１の金属層２２の図２４に向かって左側に夫々当該第１層１８ａ及び第２層１８ｂが形成されており、右側に夫々画素電極１７が形成されるスペースが確保されている。勿論、第１の金属層２２等と第１層１８ａ等とを同時に形成しなくてもよく、その場合は第１層１８ａ及び第２層１８ｂが形成されるスペースがあることとなる。
【０２０６】
以上により薄膜ダイオード素子１９等が製造されることとなる。
【０２０７】
このように本実施形態によれば、液晶装置１は第１の金属層２２の表面に絶縁層２３を陽極酸化法により形成し、その陽極酸化法により生じた孔２６を成型部材２５の凸部で押圧して孔２６を拡張した凹部に形成することとしたので、より容易に表面積を拡大することが可能となり、例えば薄膜ダイオード素子１９の容量を大きくすることができ、その素子特性を維持しながら開口率を向上できることとなる。また、素子特性を改善しながら従来と同様な開口率を確保することも可能である。
【０２０８】
（第９の実施形態）
【０２０９】
次に、本発明にかかる液晶装置の第９の実施形態について説明する。本実施形態においては、第１の実施形態が第１の金属層２２に凹凸を形成し、そのまま絶縁層２３及び第２の金属層２４を形成したのに対し、第１の金属層２２には例えばショットブラスト法等による凹凸を形成せず、そのまま絶縁層２３を第１の金属層２２の表面に１次電解（陽極酸化法）により形成し、そのとき現れた孔を例えば成型部材でプレスしその孔を拡張して更に２次電解（２回目の陽極酸化）する点が異なるので、第１の実施形態と異なる点を中心に説明する。尚、第１の実施形態の構成要素と共通する構成要素については、第１の実施形態と同一の符号を付しその説明を省略する。
【０２１０】
（液晶パネル及び薄膜ダイオード素子の構成）
【０２１１】
液晶パネル及び薄膜ダイオード素子の構成については基本的には図１及び図２に示す第１の実施形態及び図２２に示す第８の実施形態と同様である。ただし、第１の金属層２２の表面にはショットブラスト法等によって直接的には凹凸が形成されない。そのまま１次電解により絶縁層２３が第１の金属層２２の表面に形成され、図２４に示すように成型部材２５により押圧されて、その孔２６が拡張された凹部に形成されると共に、更に２次電解処理されて該拡張された凹部が更に拡張された凹部となり凹凸面を形成している。尚、１次電解及び２次電解の条件は例えば第７の実施形態と同様である。
【０２１２】
また、図２２に示すようにその上に積層された第２の金属層２４の表面にも略同様な凹凸が現れることとなり、その成型部材２５の押圧の際に第１の金属層２２と絶縁層２３との境界面も絶縁層２３の表面に形成された凹凸よりは小さい凹凸が生じる。これにより、絶縁層２３の上下面の表面積が増大し、薄膜ダイオード素子１９の容量が大きくなる。
【０２１３】
（液晶装置の製造方法）
【０２１４】
液晶装置の製造方法については第１の実施形態と同様であるのでその説明を省略する。
【０２１５】
（薄膜ダイオード素子の製造方法）
【０２１６】
図２５は第９の実施形態に係る薄膜ダイオード素子の製造方法のフローチャート図である。
【０２１７】
薄膜ダイオード素子の製造方法についても基本的には第１の実施形態と同様であるが、図２に示すようにまず下地層２１を形成し（ＳＴ９０１）、その下地層２１の表面に第１の金属層２２等を形成する（ＳＴ９０２）。
【０２１８】
更にそのまま１次電解（１回目の陽極酸化）により絶縁層２３等が形成され（ＳＴ９０３）、その際生じた絶縁層２３の表面の孔２６に凸部を有する成型部材２５を押圧し、その孔２６を拡張された凹部に形成する（ＳＴ９０４）。すなわち、図２４に示すように例えば孔２６より少し大きい半球状の凸部のある成型部材２５で絶縁層２３の孔２６を押圧することにより、その孔２６の形状が半球状の少し大きい凹形状となり、表面積がフラットな表面に比較して約６，７倍に拡大する。
【０２１９】
次に、成型部材２５で押圧された絶縁層２３の表面を２次電解処理（２回目の陽極酸化処理）し、成型部材２５の押圧で孔２６を拡張した凹部を有する凹凸を、更に例えば扇形に拡張して形成する（ＳＴ９０５）。
【０２２０】
その上に第２の金属層２４等が形成され（ＳＴ９０６）、最後に画素電極１７が形成される（ＳＴ９０７）。
【０２２１】
以上により薄膜ダイオード素子１９等が製造されることとなる。
【０２２２】
尚、上述のように１次電解処理をした後に成型部材２５でプレスし絶縁層２３の表面に現れた孔２６を拡張する場合に限られるものではなく、成型部材等による孔２６の拡張をせずに直接２次電解処理してもよい。これによっても、１次電解処理により生じた絶縁層２３の表面上の孔２６は、２次電解処理により例えば扇形に広がった凹部を形成するので絶縁層２３の表面の孔が拡張されることとなる。
【０２２３】
このように本実施形態によれば、液晶装置１は１次電解により形成された孔２６に成型部材２５の凸部を押圧してその孔２６が拡張された凹部を形成し、更に２次電解によりその凹部を扇形に拡張することとしたので、更に表面積を大きくでき、例えば素子特性を保持したまま薄膜ダイオード素子１９の容量を大きくし、その画素の開口率をより向上させることが可能となる。また、素子特性を改善すると共に従来と同様な開口率を確保することも可能である。
【０２２４】
（第１０の実施形態）
【０２２５】
（電子機器）
【０２２６】
次に、上述した液晶装置１を備えた本発明の第１０の実施形態に係る電子機器について説明する。
【０２２７】
図２６は本発明の第１０の実施形態に係る電子機器の表示制御系の全体構成を示す概略構成図である。
【０２２８】
電子機器３００は、表示制御系として例えば図２６に示すように液晶パネル２及び表示制御回路３９０などを備え、その表示制御回路３９０は表示情報出力源３９１、表示情報処理回路３９２、電源回路３９３及びタイミングジェネレータ３９４などを有する。
【０２２９】
また、液晶パネル２には表示領域Ｆを駆動する駆動回路３６１を有する。
【０２３０】
表示情報出力源３９１は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）やＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）などからなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスクなどからなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備えている。更に表示情報出力源３９１は、タイミングジェネレータ３９４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの形で表示情報を表示情報処理回路３９２に供給するように構成されている。
【０２３１】
また、表示情報処理回路３９２はシリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路などの周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路３６１へ供給する。駆動回路３６１は、走査線駆動回路、データ線駆動回路及び検査回路を含む。また、電源回路３９３は、上述した各構成要素に夫々所定の電圧を供給する。
【０２３２】
このように本実施形態によれば、電子機器３００に用いられている液晶装置１は第１の金属層２２の表面に例えばショットブラスト法で凹凸を形成し、更にその表面に陽極酸化法により絶縁層２３を形成し、その絶縁層２３の表面に第２の金属層２４を形成する薄膜ダイオード素子１９を備えているので、その液晶装置１の開口率を保持しながら薄膜ダイオード素子の特性を向上させることができると共に、素子特性を保持したまま薄膜ダイオード素子１９の容量を大きくし、その画素の開口率をより向上させることが可能となり、電子機器３００の性能を安定させ向上させることが可能となる。
【０２３３】
特に携帯可能な電子機器にあっては、小型で且つ正確な機能を発揮できることが求められており、開口率を維持しながら素子特性を向上できる本発明の意義は大きいといえる。
【０２３４】
具体的な電子機器としては、携帯電話機やパーソナルコンピュータなどの他に液晶装置が搭載されたタッチパネル、プロジェクタ、液晶テレビやビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、上述した例えば液晶装置１が適用可能なのは言うまでもない。
【０２３５】
なお、本発明の電気光学装置及び電子機器は、上述した例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変更を加え得ることは勿論である。
【０２３６】
例えば、上述した電気光学装置はいずれも液晶パネルを有する液晶装置であるが、無機或は有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ及びＳｕｒｆａｃｅ‐Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ‐Ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ等）などの各種電気光学装置であってもよい。
【０２３７】
以上、好ましい実施形態を上げて本発明を説明したが、本発明は上述したいずれの実施形態にも限定されず、本発明の技術思想の範囲内で適宜変更して実施できる。
【０２３８】
例えば、上述の実施形態では２つの薄膜ダイオード素子をいわゆるＢａｃｋ−ｔｏ−Ｂａｃｋ構造として構成したが、これに限られるものではなく１つの画素２０に１つ薄膜ダイオード素子１９を有するようにしてもよい。これによっても、薄膜ダイオード素子１９の表面積を大きくしその素子特性を向上させながら、例えば液晶装置１の開口率を維持することが可能である。
【０２３９】
また、上述の実施形態では例えば第１の金属層２２に凹凸を形成した場合に第２の金属層２４にも略同様な凹凸が現れるとして説明したが、図２７に示すように第２の金属層２４をその表面に凹凸が現れないように形成しても良い。これによっても、ある程度、薄膜ダイオード素子１９の表面積を拡大でき、その容量を大きくできると共に多種多様な電気光学装置に対応できることとなる。
【０２４０】
更に第２基板６又は下地層２１の絶縁層形成領域に、上述したショットブラスト法、エッチング法、フォトリソ法及び成型部材による押圧法等により凹凸を形成し、更に第１の金属層２２の表面又は絶縁層２３の表面にショットブラスト法、エッチング法、フォトリソ法、成型部材による押圧法及び２次電解処理により凹凸を形成してもよい。
【０２４１】
また、第２基板６又は下地層２１の絶縁層形成領域に、上述したショットブラスト法、エッチング法、フォトリソ法及び成型部材による押圧法等により凹凸を形成し、更に第１の金属層面上の凹凸、絶縁層面上の凹凸又は孔を成型部材による押圧法又は２次電解処理により拡張してもよい。
【０２４２】
更に第２基板６又は下地層２１の絶縁層形成領域に、上述したショットブラスト法、エッチング法、フォトリソ法及び成型部材による押圧法等により凹凸を形成し、更に第１の金属層２２の表面又は絶縁層２３の表面にショットブラスト法、エッチング法、フォトリソ法、成型部材による押圧法及び２次電解処理により凹凸を形成し、その上更に第１の金属層面上の凹凸、絶縁層面上の凹凸又は孔を成型部材による押圧法又は２次電解処理により拡張してもよい。
【０２４３】
また、第１の金属層２２の表面又は絶縁層２３の表面にショットブラスト法、エッチング法、フォトリソ法、成型部材による押圧法及び２次電解処理により凹凸を形成し、更に第１の金属層面上の凹凸、絶縁層面上の凹凸又は孔を成型部材による押圧法又は２次電解処理により拡張してもよい。これらの凹凸や孔の形成及び凹凸や孔の拡張の組み合わせにより、より多種多様な例えば容量の大きい薄膜ダイオード素子を形成することができ、電気光学装置である液晶装置１の開口率を大きくすること等、その性能を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０２４４】
【図１】第１の実施形態に係る液晶装置の液晶パネルの概略斜視図である。
【図２】第１の実施形態に係る薄膜ダイオード素子の概略説明図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線概略断面図である。
【図４】第１の実施形態に係る薄膜ダイオード素子のフローチャート図である。
【図５】第１の実施形態に係る薄膜ダイオード素子の下地層の形成の説明図である。
【図６】薄膜ダイオード素子の第１の金属層の形成の説明図である。
【図７】薄膜ダイオード素子の第１の金属層表面に凹凸を形成する説明図である。
【図８】第１の実施形態に係る薄膜ダイオード素子の絶縁層を形成する説明図である。
【図９】薄膜ダイオード素子の第２の金属層を形成する説明図である。
【図１０】第２の実施形態に係る薄膜ダイオード素子の概略断面図である。
【図１１】第２の実施形態に係る薄膜ダイオード素子のフローチャート図である。
【図１２】第３の実施形態に係る薄膜ダイオード素子の概略断面図である。
【図１３】絶縁層に凹凸を形成した状態の説明図である。
【図１４】第３の実施形態に係る薄膜ダイオード素子のフローチャート図である。
【図１５】第４の実施形態に係る薄膜ダイオード素子の部分拡大図である。
【図１６】第４の実施形態に係る薄膜ダイオード素子のフローチャート図である。
【図１７】第５の実施形態に係る薄膜ダイオード素子のフローチャート図である。
【図１８】第５の実施形態に係る成型部材で第１の金属層を押圧する説明図である。
【図１９】第６の実施形態に係る薄膜ダイオード素子のフローチャート図である。
【図２０】第６の実施形態に係る成型部材で絶縁層の凹凸を押圧する説明図である。
【図２１】第７の実施形態に係る薄膜ダイオード素子のフローチャート図である。
【図２２】第８の実施形態に係る薄膜ダイオード素子の概略断面図である。
【図２３】第８の実施形態に係る薄膜ダイオード素子のフローチャート図である。
【図２４】絶縁層の孔に成型部材を押圧する説明図である。
【図２５】第９の実施形態に係る薄膜ダイオード素子のフローチャート図である。
【図２６】第１０の実施形態に係る電子機器の表示制御系の概略構成図である。
【図２７】第２の金属層に凹凸が現れない場合の説明図
【符号の説明】
【０２４５】
１  液晶装置、  ２  液晶パネル、  ３  カラーフィルタ基板、  ４  対向基板、  ５  第１基板、  ６  第２基板、  ７  液晶層、  ８，１０  位相差板、  ９，１１  偏光板、  １２、２１  下地層、  １３  反射層、  １４  光遮蔽層、  １５  着色層、  １５Ｒ  赤色の着色層、  １５Ｇ  緑色の着色層、  １５Ｂ  青色の着色層、  １６  走査線、  １７  画素電極、  １８  データ線、  １８ａ  第１層、  １８ｂ  第２層、  １８ｃ  第３層、  １９  薄膜ダイオード素子、  １９ａ  第１の薄膜ダイオード素子、  １９ｂ  第２の薄膜ダイオード素子、  ２０  画素、  ２２  第１の金属層、  ２３  絶縁層、  ２４（２４ａ，２４ｂ）  第２の金属層、  ２５  成型部材、  ２６  孔、  ３００  電子機器、  ３６１  駆動回路、  ３９０  表示制御回路
【図１】
2005148217.tif 000003
【図２】
2005148217.tif 000004
【図３】
2005148217.tif 000005
【図４】
2005148217.tif 000006
【図５】
2005148217.tif 000007
【図６】
2005148217.tif 000008
【図７】
2005148217.tif 000009
【図８】
2005148217.tif 000010
【図９】
2005148217.tif 000011
【図１０】
2005148217.tif 000012
【図１１】
2005148217.tif 000013
【図１２】
2005148217.tif 000014
【図１３】
2005148217.tif 000015
【図１４】
2005148217.tif 000016
【図１５】
2005148217.tif 000017
【図１６】
2005148217.tif 000018
【図１７】
2005148217.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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