(57)【要約】【課題】  極めて高い歩留まりで正確に切断することでき、かつ、一枚のウェハーから取り出せるチップ数を増加させた生産性の改善された窒化ガリウム系化合物半導体ウェハーを提供すること。【解決手段】  基板上に窒化ガリウム系化合物半導体が積層された半導体ウェハーの半導体側に第一の割溝を有し、基板側に該第一の割溝に対向する位置で第二の割溝を有する窒化ガリウム系化合物半導体ウェハーにおいて、第一の割溝の幅が５〜２５μｍであり、第二の割溝の深さが６μｍ以上かつ基板厚さの３／４以下であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体ウェハー。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に窒化ガリウム系化合物半導体が積層された半導体ウェハーの半導体側に第一の割溝を有し、基板側に該第一の割溝に対向する位置で第二の割溝を有する窒化ガリウム系化合物半導体ウェハーにおいて、第一の割溝の幅が５〜２５μｍであり、第二の割溝の深さが６μｍ以上かつ基板厚さの３／４以下であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体ウェハー。
【請求項２】
基板の厚さが６０〜１５０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体ウェハー。
【請求項３】
第一の割溝の幅が２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の窒化ガリウム系化合物半導体ウェハー。
【請求項４】
第一の割溝の幅が８〜１５μｍであることを特徴とする請求項３に記載の窒化ガリウム系化合物半導体ウェハー。
【請求項５】
第二の割溝の深さが１０μｍ以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体ウェハー。
【請求項６】
第二の割溝の深さが２０μｍ以上かつ基板厚さの１／２以下であることを特徴とする請求項５に記載の窒化ガリウム系化合物半導体ウェハー。
【請求項７】
第二の割溝の断面形状がＶ字型であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体ウェハー。
【請求項８】
基板がサファイア、ＳｉＣおよび窒化物半導体単結晶からなる群から選ばれることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体ウェハー。
【請求項９】
基板がサファイアであることを特徴とする請求項８に記載の窒化ガリウム系化合物半導体ウェハー。
【請求項１０】
サファイア基板の主面がＣ面であり、第一および第二の割溝が、基板のオリフラと平行な方向およびオリフラと直交する方向からなる格子状であることを特徴とする請求項９に記載の窒化ガリウム系化合物半導体ウェハー。
【請求項１１】
オリフラが（１１−２０）方向であることを特徴とする請求項１０に記載の窒化ガリウム系化合物半導体ウェハー。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体ウェハーから製造された半導体チップを含む発光素子であって、第一の割溝の底面と負極形成面が同一平面上にあることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項１３】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体ウェハーの製造方法であって、第一の割溝をエッチング法により形成することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体ウェハーの製造方法。
【請求項１４】
第二の割溝をレーザー法で形成することを特徴とする請求項１３に記載の窒化ガリウム系化合物半導体ウェハーの製造方法。
【請求項１５】
レーザーの焦点を基板表面から５〜４０μｍ離した位置に合わせることを特徴とする請求項１４に記載の窒化ガリウム系化合物半導体ウェハーの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、青色発光ダイオード、青色レーザーダイオードなどの発光デバイスの製造に好適に用いることができる窒化ガリウム系化合物半導体ウェハーに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、窒化ガリウム系化合物半導体を利用した半導体素子が開発されつつある。例えば、青色系が発光可能な発光ダイオードや青紫光が発光可能な半導体レーザなどが挙げられる。デバイスは、半導体チップをステム上などに配置し通電可能な構成とされている。
【０００３】
窒化ガリウム系化合物半導体を利用した半導体素子は、ＧａＡｓ、ＧａＰやＩｎＧａＡｌＡｓなどの半導体素子とは異なり単結晶を形成させることが難しい。結晶性の良い窒化ガリウム系化合物半導体の単結晶膜を得るために、ＭＯＣＶＤ法やＨＶＰＥ法を用いサファイア等の基板上にバッファ層を介して形成させることが行われている。
【０００４】
通常、ＧａＡｓ、ＧａＰやＩｎＧａＡｌＡｓなどの半導体材料が積層された半導体ウェハーは、チップ状に切り出され半導体発光素子などとして利用される。半導体ウェハーからチップ状に切り出す方法としては、ダイサーやスクライバーが用いられる。ダイサーとは刃先をダイヤモンドとする円盤の回転運動によりウェハーをフルカットするか、又は刃先巾よりも広い巾の溝を切り込んだ後（ハーフカット）、外力によりカットする装置である。一方、スクライバーとは同じく先端をダイヤモンドとする針によりウェハーに極めて細い線（スクライブライン）を例えば碁盤目状に引いた後、外力によってカットする装置である。ＧａＰやＧａＡｓ等のせん亜鉛構造の結晶は、へき開性が「１１０」方向にある。そのため、この性質を利用してＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＰなどの半導体ウェハーを比較的簡単に所望形状に分離することができる。
【０００５】
しかしながら、窒化ガリウム系化合物半導体はサファイア基板上などに積層されるヘテロエピ構造であり、窒化ガリウム系化合物半導体とサファイア基板とは格子定数不整が大きい。サファイア基板は六方晶系という性質上、へき開性を有していない。さらに、サファイア、窒化ガリウム系化合物半導体ともモース硬度がほぼ９と非常に硬い物質である。したがって、スクライバーで切断することは困難であった。また、ダイサーでフルカットすると、その切断面にクラック、チッピングが発生しやすく綺麗に切断できなかった。場合によっては、形成された半導体層がサファイアから剥がれる場合もあった。
【０００６】
これらを改良するために、特許第２７８０６１８号公報は、サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウェハーを切断する際に、窒化ガリウム系化合物半導体層側に第一の割溝を形成し、サファイア基板側に第一の割溝と合致する位置で第二の割溝を形成し、第一の割溝の幅を第二の割溝の幅よりも大きくすることを開示している。そしてこの公報では、第一の割溝の幅は８０μｍ程度に調節されている。
【０００７】
しかし、一枚のウェハーから多くのチップを得るためには第一の割溝の幅を狭くする必要がある。第一の割溝の幅が８０μｍ程度では生産性が劣る。そこで、第一の割溝の幅を細くすると、第二の割溝の幅よりも小さくなり、切断面は直線的に割れないために、窒化ガリウム系化合物半導体層を傷め、歩留まり良くチップを得ることは困難である。
【０００８】
また、特許第３２３０５７２号公報は、基板上に窒化ガリウム系化合物半導体が積層されたウェハーを切断する際に、レーザー照射により第一の割溝を形成することを開示している。しかし、窒化ガリウム系化合物半導体層にレーザーを照射すると、窒化ガリウム系化合物半導体層に熱損傷が発生する現象が見られ、歩留まり良くチップを得ることは困難である。
【０００９】
【特許文献１】特許第２７８０６１８号公報
【特許文献２】特許第３２３０５７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の目的は、窒化ガリウム系化合物半導体チップを製造する際に、極めて高い歩留まりで正確に切断することでき、また、一枚のウェハーから取り出せるチップ数を増加させ、生産性を改善させることができる窒化ガリウム系化合物半導体ウェハーを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、以下の発明を提供する。
（１）基板上に窒化ガリウム系化合物半導体が積層された半導体ウェハーの半導体側に第一の割溝を有し、基板側に該第一の割溝に対向する位置で第二の割溝を有する窒化ガリウム系化合物半導体ウェハーにおいて、第一の割溝の幅が５〜２５μｍであり、第二の割溝の深さが６μｍ以上かつ基板厚さの３／４以下であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体ウェハー。
【００１２】
（２）基板の厚さが６０〜１５０μｍであることを特徴とする上記１項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体ウェハー。
【００１３】
（３）第一の割溝の幅が２０μｍ以下であることを特徴とする上記１または２項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体ウェハー。
【００１４】
（４）第一の割溝の幅が８〜１５μｍであることを特徴とする上記３項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体ウェハー。
【００１５】
（５）第二の割溝の深さが１０μｍ以上であることを特徴とする上記１〜４項のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体ウェハー。
【００１６】
（６）第二の割溝の深さが２０μｍ以上かつ基板厚さの１／２以下であることを特徴とする上記５項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体ウェハー。
【００１７】
（７）第二の割溝の断面形状がＶ字型であることを特徴とする上記１〜６のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体ウェハー。
【００１８】
（８）基板がサファイア、ＳｉＣおよび窒化物半導体単結晶からなる群から選ばれることを特徴とする上記１〜７項のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体ウェハー。
【００１９】
（９）基板がサファイアであることを特徴とする上記８項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体ウェハー。
【００２０】
（１０）サファイア基板の主面がＣ面であり、第一および第二の割溝が、基板のオリフラと平行な方向およびオリフラと直交する方向からなる格子状であることを特徴とする上記９項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体ウェハー。
【００２１】
（１１）オリフラが（１１−２０）方向であることを特徴とする上記１０項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体ウェハー。
【００２２】
（１２）請求項１〜１１のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体ウェハーから製造された半導体チップを含む発光素子であって、第一の割溝の底面と負極形成面が同一平面上にあることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【００２３】
（１３）請求項１〜１１のいずれか一項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体ウェハーの製造方法であって、第一の割溝をエッチング法により形成することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体ウェハーの製造方法。
【００２４】
（１４）第二の割溝をレーザー法で形成することを特徴とする上記１３項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体ウェハーの製造方法。
【００２５】
（１５）レーザーの焦点を基板表面から５〜４０μｍ離した位置に合わせることを特徴とする上記１４項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体ウェハーの製造方法。
【発明の効果】
【００２６】
本発明に従って、特定の割溝を有する窒化ガリウム系化合物半導体ウェハーは、へき開性のない基板に、へき開性のない窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウェハーであるにもかかわらず、極めて高い歩留まりで正確に切断することができ、一枚のウェハーから取り出せるチップ数を増加させ、生産性を改善させることができる。
【００２７】
さらに、第二の割溝をレーザーで形成する際に、レーザーの焦点位置を特定の位置に調整することによって、窒化ガリウム系半導体層に熱損傷を与えず、良好な特性で所定のチップを取り出すことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
図１は本発明の窒化ガリウム系化合物半導体ウェハーの一例の断面を示した模式図である。この図において、１は基板、２はｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体、３はｐ型の窒化ガリウム系化合物半導体である。１１は第一の割溝であり、１２は第二の割溝である。
【００２９】
本発明の窒化ガリウム系化合物半導体ウェハーの基板には、サファイア単結晶（Ａｌ2Ｏ3；Ａ面、Ｃ面、Ｍ面、Ｒ面）、スピネル単結晶（ＭｇＡｌ2Ｏ4）、ＺｎＯ単結晶、ＬｉＡｌＯ2単結晶、ＬｉＧａＯ2単結晶ならびにＭｇＯ単結晶などの酸化物単結晶、Ｓｉ単結晶、ＧａＡｓ単結晶、ＡｌＮ単結晶ならびにＧａＮ単結晶などの窒化物半導体単結晶およびＺｒＢ2などのホウ化物単結晶などの公知の基板材料を何ら制限なく用いることができる。なかでもサファイア単結晶、Ｓｉ単結晶および窒化物半導体単結晶が好ましい。なお、基板の面方位は特に限定されない。また、ジャスト基板でも良いし、オフ角を付与した基板であっても良い。
【００３０】
基板は通常単結晶インゴットから２５０〜１０００μｍの厚さで切り出されて用いられる。このような厚さの基板に窒化ガリウム系化合物半導体を積層させた後、第二の割溝を形成する前に、基板側を研磨して薄くすることが好ましい。研磨後の基板厚さは１５０μｍ以下が好ましく、１００μｍ以下がさらに好ましい。基板厚さを抑えることで、切断距離を短縮でき、それによって切断が第一の割溝以内に収まるのがより一層確実となるからである。薄過ぎると、第二の割溝の形成時等に窒化ガリウム系化合物半導体に熱劣化等の悪影響を及ぼす可能性があるので、６０μｍ以上に調整することが好ましい。
【００３１】
窒化ガリウム系化合物半導体として、一般式ＡｌxＩｎyＧａ1-x-yＮ（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１，０≦ｘ＋ｙ＜１）で表わされる各種組成の半導体が周知である。本発明の半導体ウェハーにおいても、一般式ＡｌxＩｎyＧａ1-x-yＮ（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１，０≦ｘ＋ｙ＜１）で表わされる各種組成の半導体が、目的とする半導体素子に応じた構造で積層される。
【００３２】
例えば、発光素子の場合、ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体とｐ型の窒化ガリウム系化合物半導体が基板上にこの順序で積層され、ｎ型半導体層に負極が、ｐ型半導体に正極がそれぞれ設けられる。
【００３３】
これらの窒化ガリウム系半導体の成長方法は特に限定されず、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長法）、ＨＶＰＥ（ハイドライド気相成長法）、ＭＢＥ（分子線エピタキシー法）、など窒化ガリウム系半導体を成長させることが知られている全ての方法を適用できる。好ましい成長方法としては、膜厚制御性、量産性の観点からＭＯＣＶＤ法である。ＭＯＣＶＤ法では、キャリアガスとして水素（Ｈ2）または窒素（Ｎ2）、ＩＩＩ族原料であるＧａ源としてトリメチルガリウム（ＴＭＧ）またはトリエチルガリウム（ＴＥＧ）、Ａｌ源としてトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）またはトリエチルアルミニウム（ＴＥＡ）、Ｉｎ源としてトリメチルインジウム（ＴＭＩ）またはトリエチルインジウム（ＴＥＩ）、Ｖ族原料であるＮ源としてアンモニア（ＮＨ3）、ヒドラジン（Ｎ2Ｈ4）などが用いられる。また、ドーパントとしては、ｎ型にはＳｉ原料としてモノシラン（ＳｉＨ4）またはジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）を、Ｇｅ原料としてゲルマン（ＧｅＨ4）を用い、ｐ型にはＭｇ原料としては例えばビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ2Ｍｇ）またはビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウム（（ＥｔＣｐ）2Ｍｇ）を用いる。
【００３４】
本発明において第一の割溝は、図１に示した如く、半導体ウェハーの窒化ガリウム系半導体側に形成される。その幅は２５μｍ以下が好ましい。これより大きいと、１枚のウェハー中に作製できる半導体チップが少なくなり、生産性が低下する。さらに好ましくは２０μｍ以下であり，特に好ましくは１５μｍ以下である。逆に幅が小さ過ぎると、切断部が割溝に収まり難く、不良チップ生成の原因となる。幅は５μｍ以上あることが好ましい。８μｍ以上あることがさらに好ましい。
【００３５】
深さは別に制限されずどのような深さでもよい。半導体層の厚さによって異なるが、一般に１〜１０μｍ程度である。発光素子の場合、半導体層は基板側がｎ型半導体層であり、表面がｐ型半導体層であるが、割溝の底面はｎ型半導体層であることが好ましい。そうすることによって、割溝の底面と負極形成面を同一平面とすることができ、エッチングにより負極形成面を露出させる際に、同時に第一の割溝を形成でき、製造工程を簡略化できる。
【００３６】
第一の割溝の断面形状は、矩形、Ｕ字状およびＶ字状等どのような形状でもよいが、矩形は切断部が割溝内に収まり易く好ましい。
【００３７】
第二の割溝は、図１に示した如く、半導体ウェハーの基板側の第一の割溝に対向した位置に形成される。その深さは６μｍ以上であることが好ましい。これより浅いと、切断部が割溝に収まり難く、不良チップ生成の原因となる。１０μｍ以上あることがさらに好ましく、２０μｍ以上あれば特に好ましい。
【００３８】
逆に深さが深すぎて、その底面と半導体層との間隔が小さくなると、割溝の加工時に半導体層が熱損傷を受け易くなる。従って、その深さは、基板厚さの３／４以下であることが好ましく、１／２以下であるとさらに好ましい。
【００３９】
第二の割溝の断面形状は矩形、Ｕ字状およびＶ字状等どのような形状でもよいが、好ましくはＶ字状にすると良い。なぜならば、チップ状に分割する際、Ｖ字状の最先端付近からクラックが発生するので、第一の割溝に向かってほぼ直線的に切断させることができる。
【００４０】
第二の割溝の幅は別に制限されず如何なる幅でもよいが、割溝を深くするには加工上ある程度の幅が必要であり、１μｍ以上が好ましく、５μｍ以上がさらに好ましく、１０μｍ以上が特に好ましい。幅の上限も別にないが、断面形状がＶ字状の場合は、Ｖ字状における上記効果を発揮せしめるには、深さと同じ程度またはそれ以下が好ましい。
【００４１】
第一および第二の割溝の方向は、如何なる方向でもよいが、基板のオリフラと平行な方向およびオリフラと直交する方向が好ましい。割溝の方向をこのような方向に合わせておくと、切断線が基板面に垂直に走り易く、切断部が割溝内に収まり易い。サファイア基板の場合、オリフラの方向が（１１−２０）である場合が特に好ましい。
【００４２】
これらの割溝は、エッチング法、ダイシング法、レーザー法およびスクライブ法など周知の手法を何ら制限なく用いることができる。しかし、第一の割溝を形成するには、ウェットエッチングおよびドライエッチングなどのエッチング方法を用いることが好ましい。なぜならエッチングが最も窒化ガリウム系化合物半導体の表面および側面を傷めにくいからである。
【００４３】
ドライエッチングであれば、例えば、反応性イオンエッチング、イオンミリング、集束ビームエッチングおよびＥＣＲエッチングなどの手法を用いることができ、ウェットエッチングであれば、例えば硫酸とリン酸の混酸を用いることができる。但し、エッチングを行う前に、窒化ガリウム系化合物半導体表面に、所望のチップ形状となるように、所定のマスクを形成することはいうまでもない。
なお、レーザー法で第一の割溝を形成した場合、汚れが飛散して積層された半導体層の側面に付着して電気特性が劣化する。これを防ぐために、耐熱性に優れたレジストなどの保護膜を形成し、割溝形成後に保護膜上の汚れと共に保護膜を洗浄で除去すればよい。
【００４４】
第二の割溝は基板側に形成し、直接窒化ガリウム系化合物半導体層にダイサーおよびスクライブなどの刃先が触れることが無いので、第二の割溝を形成する手法は特に問わないが、その中でも特に好ましくはレーザー法を用いる。なぜなら、レーザー加工は第二の割溝を所望の深さまで形成することでき、また、エッチング法に比べて迅速に割溝を形成できるからである。さらに、スクライブ法やダイシング法に比べて、ブレードやダイヤモンド針の消耗および劣化による加工精度のバラツキが少ない。また、それらの刃先の交換などに発生するコストを低減することができる。
また、レーザー法で形成した割溝の側面を微分干渉系光学顕微鏡で観察すると、側面に凹凸があり、光の取り出し効率がよくなる。さらに、格子状割溝の交点、即ち、チップの角部において深さが深くなり、チップの分割が確実になる。
【００４５】
本発明に用いることができるレーザー加工機としては、半導体ウェハーを各チップに分離可能な割溝を形成できるものであればどのようなタイプでも良い。具体的にはＣＯ2レーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマ・レーザーおよびパルスレーザーなどを用いることができる。なかでもパルスレーザーが好ましい。
【００４６】
レーザー加工機によって照射されるレーザーは、レンズなどの光学系によって所望の位置に焦点位置を調整させることができる。
【００４７】
レーザーで第二の割溝を形成する際に、基板表面または内部に焦点を結んでレーザー照射すると、窒化ガリウム系化合物半導体に熱損傷が生じる場合があり、歩留まり低下の原因となる。従って、レーザー焦点は基板表面から離して、基板の外側に結ばせることが好ましい。基板表面から５μｍ以上離すとさらに好ましい。基板表面から離し過ぎると加工効率が落ちるので、基板表面から４０μｍ以内が好ましい。
なお、レーザー法で割溝を形成した場合、汚れが基板表面に飛散し、表面からの光取出し効率が悪くなる場合がある。これを防ぐために、前述したように耐熱性に優れたレジストなどの保護膜を形成し、割溝形成後に保護膜上の汚れと共に保護膜を洗浄で除去すればよい。
【実施例】
【００４８】
以下に実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例にのみ限定されるものではない。
【００４９】
（実施例１）
厚さ４２０μｍ、大きさ２インチφのサファイア基板上にＭＯＣＶＤ法を利用して、厚さ２μｍのｎ型ＧａＮ層と厚さ０．１μｍのｐ型ＧａＮ層とを持つ発光素子用の窒化ガリウム系化合物半導体ウェハーを作製した。サファイア基板はＣ面を主面とし、オリフラは（１１−２０）方向であった。
【００５０】
この半導体ウェハーに第一および第二の割溝を、オリフラと平行な方向とオリフラと直交する方向からなる格子状に以下の手順に従って形成した。
【００５１】
周知のフォトリソグラフィー技術を用いて、ｐ型ＧａＮ層上にＳｉＯ2よりなるマスクをかけた後エッチングを行ない、図２に示す形状で第一の割溝を形成した。第一の割溝の幅は１０μｍ、深さは１μｍ、ピッチは３５０μｍとした。
【００５２】
図２に示した如く、第一の割溝の格子状の一辺に臨む位置で、第一の割溝と同じ深さで略半円状にエッチングしてｎ型ＧａＮ層を露出させ、負極形成面（２０）としている。
【００５３】
以上のようにして、第一の割溝を形成した後、ウェハーのサファイア基板側を研磨機により研磨して、基板を８０μｍの厚さにラッピングおよびポリッシングした。ポリッシングで基板表面を鏡面均一とし、容易にサファイア基板から第一の割溝が確認できるようにした。
【００５４】
次に窒化ガリウム系化合物半導体側にＵＶテープを貼りつけた後、パルスレーザー加工機のステージ上に半導体ウェハーを真空チャックで固定した。ステージはＸ軸（左右）およびＹ軸（前後）方向に移動することができ、回転可能な構造となっている。固定後、レーザーはサファイア基板の表面に焦点が結ばれるようにレーザー光学系を調整し、サファイア基板のＸ軸方向に３５０μｍピッチ、深さ２５μｍ、幅１１μｍで断面形状がＶ字型の第二の割溝を第一の割溝に対向する位置に形成した。
【００５５】
次に、ステージを９０°回転させ、Ｙ軸方向に同様にして第二の割溝を形成した。
第二の割溝形成後、真空チャックを解放し、ウェハーをステージから剥ぎ取り、窒化ガリウム系化合物半導体層側から押し割って分離することにより、２インチφのウェハーから３５０μｍ角のチップを多数得た。外形不良の無いものを取り出したところ、歩留まりは８０％であった。
【００５６】
（比較例１）
本比較例は、第二の割溝を形成する工程においてレーザーの光学系を調整し、第二の割溝の深さを５μｍ、幅を５μｍとした以外は、実施例１と同じである。
【００５７】
得られた半導体ウェハーを窒化ガリウム系化合物半導体層側から押し割ったところ、切断線の多くがサファイア基板表面に対して垂直にならず、窒化ガリウム系化合物半導体層を傷め、歩留まりは３０％であった。
【００５８】
（実施例２）
本実施例は、第二の割溝を形成する工程において、レーザー光学系を調整し、レーザーの焦点をサファイア基板の表面上１０μｍ離れた位置に焦点を結ばせた以外は、実施例１と同じである。
【００５９】
得られた半導体ウェハーを窒化ガリウム系化合物半導体層側から押し割ったところ、窒化ガリウム系化合物半導体層にレーザーによる熱損傷がないため、歩留まりは９０％まで改善した。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明の窒化ガリウム系化合物半導体ウェハーは、一枚のウェハーから取り出せるチップ数を増加させ、生産性を改善させることができるので、産業上の利用価値は極めて大きい。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の窒化ガリウム系化合物半導体ウェハーの一例の断面を示した模式図である。
【図２】実施例１で作製した半導体ウェハーの平面を示した模式図である。
【符号の説明】
【００６２】
１    基板
２    ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体
３    ｐ型の窒化ガリウム系化合物半導体
１１    第一の割溝
１２    第二の割溝
【図１】
2005252245.tif 000003
【図２】
2005252245.tif 000004