(57)【要約】【課題】簡単な構成で、パターンニングの精度が高く、しかも電極部分でのリークや電蝕の発生を防止した液晶表示装置を提供する。【解決手段】ＣＦ側透明電極５上の周縁部近傍に、アクリル等の樹脂より成る非導電膜１４を設けている。つまり、ＣＦ側透明電極５がＣＦ分断面まで残っていて、且つその透明電極５上に、非導電膜１４が額縁４の一部からＣＦ分断面に至る領域に渡り存在する構成としている。これにより、ＣＦ側透明電極５とこれに対向するアレイ側の基板の電極がむき出しになっている部分との間で、異物を介してリークすることや、水分等が残留してそこでの電蝕が発生することがなくなる。更に、ＣＦ分断面近くで電極剥れ等が発生してもリークすることがない。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
カラーフィルタと、該カラーフィルタに対応して設けられ、その分断面まで延びる透明電極とを有し、該透明電極上に、額縁から前記分断面に至る領域に渡って非導電膜を設けたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
カラーフィルタ側とこれに対向するアレイ側とのコンタクトを取る領域以外を、前記非導電膜で覆うことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記アレイ側の導電膜がない領域に対応して、前記カラーフィルタ側に前記非導電膜を設けない領域を備えたことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記透明電極の表面に突起状に形成されるとともに、液晶の配向を規制する配向規制膜が形成され、
前記非導電膜は、前記配向規制膜と同じ材料によって該配向規制膜と同時に形成されることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項５】
カラーフィルタ側とこれに対向するアレイ側との間で狭持されることで該カラーフィルタ側と該アレイ側とを支持する支持部材が形成され、
前記非導電膜は、前記支持部材と同じ材料によって該支持部材と同時に形成されることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記非導電膜の膜厚は、０．６〜５．５μｍの範囲に設定されることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶ディスプレイ等の液晶表示装置に関するものであり、特に、これに用いられるカラーフィルタの構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）は、軽量，薄型，低消費電力，低電圧駆動，及び人体ヘの影響の少なさ等が注目され、急速にその応用領域が拡大されてきている。その中でも、カラー液晶ディスプレイは、パーソナルコンピュータのカラー表示化用や、マルチメディア対応の各種機器用として、特に急速に用途拡大を続けている。
【０００３】
現在、工業的に実用化されているカラー表示液晶ディスプレイは、その表示モード・駆動方式において分類すると、ツイステッドネマティック（ＴＮ）モードを使用したアクティブマトリクス（ＡＭ）方式と、スーパーツイステッドネマティック（ＳＴＮ）モードを使用したマルチプレクス方式とが主流となっている。その他にも、各種の液晶駆動方式が提案されており、各社で多様な方式によるカラー表示液晶ディスプレイの生産が盛んになってきている。
【０００４】
ここで、ＴＮ，ＳＴＮにおいては、カラー表示の原理は共通しており、個々の表示ピクセルを３原色に対応するドットに分割し、分割された各ドットにおける液晶層ヘの印加電圧を制御することによって、そのドットでの光透過率を制御し、光透過率を制御された各３原色から合成された色が、そのピクセルにおける表示色となる。尚、上記３原色としては、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の組み合わせを用いるのが普通である。また、その他の液晶駆動方式においても、基本となるカラー表示の原理は共通しており、ＴＮ，ＳＴＮの場合と同等である。
【０００５】
各ドットにおいて、３原色のうち或るドットに対応する１つの色を選択的に透過させるために、カラーフィルタ（ＣＦ）が用いられる。ＣＦは、ガラス等を基材としＬＣＤとして重ね合わせられる支持基板のうち、一方における液晶と接する側の面上に形成される。一般に、ＣＦは、ＡＭ−ＬＣＤにおいて、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）又はダイオード（ＭＩＭ）が形成されていない側の基板（対向基板）上に形成され、ＳＴＮ−ＬＣＤにおいて、ストライプ形成される２枚の基板のうち、いずれか一方の支持基板上に形成される。
【０００６】
以下、ＬＣＤの構成要素について説明する。カラーフィルタ（ＣＦ）上には、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の各原色の着色層が形成されており、また、各着色層の隙間や、着色層領域において光漏れを防止したい部分、及びＬＣＤ表示領域の外周部には、遮光を目的としてブラックマトリクス（ＢＭ）が形成されている。
【０００７】
ここで、着色層及びＢＭの形成方法としては、まず、支持基板上にＢＭが形成され、次に、その上に着色層が形成されるものが一般的である。また、その他の形成方法として、まず、支持基板上に着色層が形成され、次に、着色層パターンの隙間を埋めるようにＢＭが形成されるというものがある。
【０００８】
そして、着色層及びＢＭが形成された後、ＣＦの表面を平坦化するため、着色層及びＢＭの上にオーバーコート（ＯＣ）層が形成される場合がある。しかし、ＯＣ層の形成は、工程上の負荷が大きく、また、歩留まりが悪くＣＦの製造における大きなコストアップ要因となるため、量産という観点から考えると、極力省略することが望ましい。
【０００９】
その後、上記のように形成された層の上に、液晶駆動のための透明電極が形成される。透明電極の材料としては、通例としてインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）を使用する。ＩＴＯのパターンは、ＴＦＴ−ＬＣＤ用において、ほぼ全面に形成される。但し、一部パターンニングするために、マスキング蒸着を施すのが通例である。また、ＭＩＭ−ＬＣＤやＳＴＮ−ＬＣＤ用においては、ストライプパターンが形成される。
【００１０】
更に、ＩＴＯ上にアクリル等の樹脂材料で、アクティブエリアと額縁の一部にパターンニングされる場合がある。これは、最近のテレビやモニタ等において垂直配向液晶を使用するものがあり、その配向規制のために施されるものである。また、上記のパターン以外に、アレイ側とＣＦ側との間で挟持され、これらを支持するために、ＣＦ側のＩＴＯ上に、アクリル等の柱をアクティブエリアや額縁の一部にパターンニングする場合がある。
【００１１】
ブラックマトリクス（ＢＭ）の構成素材としては、クロム等の金属や黒色樹脂が用いられる。最近ではクロムの毒性が問題となり、これに代わってニッケルとタングステンの２層構造が主流となっている。これは、ニッケルを表示側に設置し、反射率の非常に高いタングステンをアレイ側に設置するものである。いずれの素材でも、遮光に関する光学密度（ＯＤ）は、３程度以上が必要であり、その値を実現するために金属クロムで０．１μｍ程度以上、黒色樹脂で１〜２μｍ以上の膜厚が必要となる。
【００１２】
近年、ＬＣＤのＴＦＴやＭＩＭに使用されてきた金属タンタルのレア化，高価格化が進む中、低抵抗で安価であるが高反射なアルミを利用する例が増加してきている。ところが、この材料と高反射なＢＭ材料の多重反射により、特性ずれという不具合が生じており、このためＣＦ側ＢＭの低反射化ヘの要求が強まっているので、これに対応してＢＭの低反射化が進んでいる。
【００１３】
低反射化に対応するＢＭとしては、黒色樹脂の使用が特性上好ましい。黒色樹脂の反射率は、金属クロムの反射率が６０％であるのに対して１〜３％と極めて低く、また、反射スペクトルの波長依存性も少なく、色味はニュートラルな黒色である。但し、黒色樹脂を用いたＢＭは、その膜厚が１〜２μｍと比較的厚いため、ＣＦ表面の平坦性に悪影響を及ぼすことが問題点である。
【００１４】
低反射化を実現するもう一つの方法として、酸化クロムと金属クロムの積層によるＢＭ、若しくはニッケルとタングステンの積層によるＢＭを用いる方法がある。しかし、これらの場合は、反射率が３〜５％と、黒色樹脂を用いたＢＭと比較してやや高く、また、反射率に波長依存性があるため、色味もニュートラルな黒色ではなく、青ないし紫の色調を帯びることが問題点である。また、成膜工程においても、通常は金属系の２層をスパッタにより行うので、生産性低下及びコストアップのデメリットを伴う。
【００１５】
支持基板上に、黒色樹脂によりＢＭを形成する方法としては、幾種類かの方法が可能である。以下に、その代表例を述べる。
【００１６】
第１の方法として、まず、ネガティブ感光性の黒色樹脂を支持基板上に成膜する。この黒色樹脂の成膜方法としては、例えば、スピンコータによる塗布や、予めフィルム状に形成された黒色レジストを支持基板上に貼り付ける方法、及びカスケード塗布による方法がある。次に、所定のＢＭパターンを有するフォトマスクを通して支持基板上に紫外線を照射し、黒色樹脂の露光部を硬化させる。その後、未露光部の黒色樹脂を現像工程にて除去することにより、ＢＭを形成する。
【００１７】
第２の方法として、まず、ネガティブ感光性の未着色樹脂を、第１の方法と同様にして支持基板上に成膜する。次に、第１の方法と同様にして露光・現像を行い、ＢＭの原形をパターンニングする。その後、パターン形成部を黒色に着色する。着色方法としては、無電解メッキ法、染色法等がある。
【００１８】
第３の方法として、まず、現像性を有する黒色樹脂を、第１の方法と同様にして支持基板上に成膜する。次に、ポジティブ性のフォトレジストをその表面上に形成し、第１の方法と同様にして露光・現像を行う。現像においては、露光部のフォトレジストと黒色樹脂が一括して除去される。そして、加熱により黒色樹脂を架橋硬化し、その後に未露光部のフォトレジストを除去する。
【００１９】
着色層の形成方法としては、着色顔料を予め内部に分散した樹脂を基板上に成膜し、それを所定の形状にフォトリソグラフィ法によりパターンニングする方法（顔料分散法）、感光性樹脂を基板上に成膜・パターンニングした後に染色する方法、着色顔料を予め内部に分散した樹脂を基板上に所定パターンで印刷する方法（印刷法）、顔料と樹脂を液体中に分散し電着によって基板上に所定パターンを形成する方法、予めフィルム状に形成された着色レジストを支持基板上に貼り付ける方法（ＤＦＬ；ドライフィルムラミネーション）、及びインクジェット方式等がある。
【００２０】
透明電極については、上記ＢＭと着色層の処理が終わった基板の、通常膜面と反対側の支持基板側に磁石を設置しておき、その上に上記支持基板、更にその上に金属製のデポマスクを設置して全面蒸着する。このデポマスクが金属製であるのは、磁石の働きにより、より支持基板との密着を高め、ボケ領域を少なくするためである。
【００２１】
更に、ＩＴＯ上に配向を規制するアクリル等の樹脂膜を、ＢＭや着色層と同様の方法で付着させ、その後、露光・現像にてパターンニングし、焼成にて固めて仕上げる。尚、配向を規制するのに垂直配向以外の液晶を用いる場合、本プロセスは不要となる。また、柱材についても、樹脂膜の場合と同様の手法にて仕上げる。
【００２２】
その他、ポジレジストを露光させることにより、カラーフィルタ上に透明電極を精度よくパターンニングする方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平３−１７６２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２３】
カラーフィルタ（ＣＦ）を製造する際に、色材料とＢＭを形成した後、透明電極を蒸着するが、このとき、マスクを表面に付けて蒸着するのが通例である。しかしながら、このような手法にて蒸着すると、ボケ量とズレ量を併せたパターンの精度が、装置によって異なるが、５００μｍ〜１０００μｍとなり、設計上のマージンを食いつぶしていた。
【００２４】
この対策として、全面蒸着を行うこととし、そのパターンニングとして露光現像エッチングによるプロセスを実施することで、対処することも考えられる。これは、例えば、上記特許文献１のように背面露光するか、若しくは通常の膜面露光を行う方法が挙げられる。しかし、本プロセスでこのような方法を用いることは、大幅なコストアップを伴う。
【００２５】
また、その他の方法として、全面に透明電極を蒸着するものがあるが、この場合、アレイ側との界面に残った液体等により電蝕が生じるおそれがある。また、額縁やその外側のＣＦ分断面までにおいて、アレイ側の電極との間で異物等を介して、或いはシール樹脂自身に導電性物質を用いている場合にはシールを介して導通する、いわゆるリークによる不良の発生率が高くなる。
【００２６】
図４に、電蝕が生じるメカニズムを示す。同図は、従来の液晶表示装置の基本構造断面図である。同図において、１は支持基板（ＣＦ側）であり、２は支持基板（アレイ側）である。支持基板１の内側には、表示画面を構成するアクティブエリア３と、該アクティブエリア３を取り囲む額縁４とが設けられている。また、これらの内側には、ＩＴＯ等のＣＦ側透明電極５が設けられている。ＣＦ側透明電極５上のアクティブエリア３に対応する部分には、液晶の配向を規制するための配向規制膜１５と、ＣＦ側とアレイ側とを支持する柱部材１１とが設けられている。尚、この配向規制膜１５は、液晶材料に垂直配向液晶を用いる場合にのみ形成される。更に、ＣＦ側透明電極５、柱部材１１、及び配向規制膜１５の上面には、ポリイミド（ＰＩ）等の配向膜６が設けられている。
【００２７】
一方、支持基板２の内側には、配線やアレイ側膜７が設けられている。また、配線やアレイ側膜７上のアクティブエリア３に対応する部分にはＩＴＯ等のアレイ側透明電極８が設けられ、配線やアレイ側膜７及びアレイ側透明電極８の上面にはポリイミド（ＰＩ）等の配向膜９が設けられている。そして、配向膜６，９間には、液晶層１０が封入されている。この配向膜６，９間に柱部材１１が狭持されることで、ＣＦ側とアレイ側とが支持される。液晶層１０の周囲は、シール領域１２となっている。同図に示すように、ＣＦ側透明電極５と配線やアレイ側膜７との間に、水や導電性物質を含んだ溶剤等の液体１３が浸入すると、これらの間で電蝕が発生する。
【００２８】
また、上記特許文献１において、シール領域がＢＭ上に及ぶ場合には、ポリイミド（ＰＩ）等の配向膜から透明電極がはみ出ることとなり、更に、この透明電極を封鎖するためにポリイミドをはみ出させると、シールとの密着強度の問題で剥れに対するマージンが極めて悪くなる。また、ポリイミドで封鎖せずに透明電極をＢＭエッジまで延ばすと、アレイ側と異物やシールを介して導通し、リークによる不良を誘発しやすくなる。
【００２９】
また、仮に上記特許文献１の手法を用いずに、ポジレジストを背面ではなく膜面に配置し、膜面側から露光現像洗浄を行っても、ポジレジストにて処理することによる工程ロスが非常に大きくなり、コストアップにも繋がるので、通常は使用されない。
【００３０】
本発明は、以上のような問題点に鑑み、簡単な構成で、パターンニングの精度が高く、しかも電極部分でのリークや電蝕の発生を防止した液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３１】
上記目的を達成するために、本発明では、透明電極を全面に蒸着した後、透明電極があると不具合が生じる箇所に、非導電膜を設ける構成としている。尚、現在、液晶の駆動方法として、垂直配向液晶を用いて、透明電極上に突起状に形成されるとともに液晶の配向を規制する配向規制膜を形成するやり方が主流となりつつある。本発明では、上記非導電膜を透明電極が露出していると不具合が生じる箇所全域、若しくは一部に配向規制膜と同じ材料で該配向規制膜と同時に形成し、透明電極を封鎖する。
【００３２】
これにより、上記全面蒸着の際に生じる不具合を防止しつつ、パターンニング精度をプロキシミティ等の露光精度（数μｍオーダー）に落とし込むことができ、狭額縁の製品を製造できるものである。但し、非導電膜については、配向規制膜が不要な場合でもカラーフィルタ側とアレイ側とを支持する支持部材を透明電極上に残すことが通例となっているので、この支持部材と同じ材料で該配向規制膜と同時に形成してもよい。
【００３３】
また、本発明において、非導電膜の膜厚は、０．６〜５．５μｍの範囲に設定される。具体的には、透明電極の表面に配向規制膜と非導電膜とを同時に形成する場合、垂直配向液晶を垂直に配向させるために配向規制膜の膜厚を０．６μｍ以上に設定する必要がある。また、透明電極の表面に支持部材と非導電膜とを同時に形成する場合、液晶の応答速度の低下を防止するため、許容される液晶セル厚の最大値に対応して非導電膜の膜厚が５．５μｍ以下に設定される。特に、液晶材料に垂直配向液晶を使用する場合において、非導電膜の膜厚は０．６〜２．０μｍの範囲に設定されるのが望ましい。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によれば、簡単な構成で、パターンニングの精度が高く、しかも電極部分でのリークや電蝕の発生を防止した液晶表示装置を提供することができる。
【００３５】
具体的には、本発明を実施することで、ＣＦ側透明電極とこれに対向するアレイ側の基板の電極が剥き出しになっている部分との間で、異物を介してリークすることや、水分等が残留してそこでの電蝕が発生することがなくなり、パターンニング精度をプロキシミティ等の露光精度に落とし込むことができ、狭額縁の製品を製造し提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。尚、前記従来技術と共通する部分には同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略する。
【００３７】
図１に示すように、本実施形態の液晶表示装置では、ＣＦ側透明電極５上の周縁部近傍に、アクリル等の樹脂より成る非導電膜１４が設けられている。つまり、ＣＦ側透明電極５がＣＦ分断面まで残っていて、且つその透明電極５上に、非導電膜１４が額縁４の一部からＣＦ分断面に至る領域に渡り存在する構成としている。これにより、ＣＦ側透明電極５とこれに対向するアレイ側の基板の電極が剥き出しになっている部分との間で、異物を介してリークすることや、水分等が残留してそこでの電蝕が発生することがなくなる。更に、ＣＦ分断面近くで電極剥れ等が発生してもリークすることがない。
【００３８】
また、ＣＦ側透明電極５上には、液晶層１０に封入された液晶の配向を規制するための配向規制膜である突起状のリブ１５が一定の周期で形成されている。このリブ１５は、液晶材料に垂直配向液晶を使用する場合にのみ形成される。尚、ＣＦ側透明電極５上に加え、アレイ側透明電極８上にも上記リブ１５が形成されていてもよい。
【００３９】
上記リブ１５は、ＣＦ側透明電極５上にポジ型のアクリル樹脂から成るリブ材料を一様に塗布した後に、アクティブエリア３に対応する部分にフォトリソグラフィ法を用いることで形成される。その際、額縁４の一部からＣＦ分断面に至る領域に対応する部分を非導電膜１４として形成する。つまり、非導電膜１４は、リブ材料によって形成される。その後、ＣＦ側透明電極５上のアクティブエリア３に対応する部分に支持部材としての柱部材１１を形成する。そして、リブ１５、非導電膜１４、及び柱部材１１が形成されたＣＦ側透明電極５上、及びアレイ側透明電極８が形成された配線やアレイ側膜７上のそれぞれのアクティブエリア３と額縁４の一部とに対応する部分に配向膜６，９を印刷して形成する。よって、配向膜６のうちアクティブエリア３に対応する部分の表面には、一定の周期でリブ１５と同一形状の突起が現れる。
【００４０】
一方、液晶材料にツイストネマチック（ＴＮ）液晶を使用する場合には、垂直配向液晶と異なり、ＣＦ側透明電極５上にリブ１５が形成されない。このため、ＣＦ側透明電極５上に柱部材１１を構成するネガ型のアクリル樹脂から成る柱材料を一様に塗布する。その際、額縁４の一部からＣＦ分断面に至る領域に対応する部分を非導電膜１４として形成する。つまり、非導電膜１４は、柱材料によって形成される。その後、非導電膜１４及び柱部材１１が形成されたＣＦ側透明電極５上、及びアレイ側透明電極８上のそれぞれのアクティブエリア３と額縁４の一部とに対応する部分に配向膜６，９を印刷して形成する。このように、ツイストネマチック（ＴＮ）液晶を使用する際には、柱部材１１の厚みの分だけ非導電膜１４が厚く形成される。
【００４１】
また、配向膜６においてＣＦ側透明電極５を剥き出しにする領域は、通常、アレイ側とＣＦ側とのコンタクトを取る領域（コモン領域）にマージンを持たせた領域のみである。従って、本実施形態では、コモン領域以外の箇所を基本的に配向膜６でカバーするが、配向膜６がシール領域１２にかかると剥れやすくなるため、配向膜６のエッジからシール方向には必ず非導電膜１４を設けている。更に、アクティブエリア３ぎりぎりまでこの非導電膜１４を設けてもよい。
【００４２】
また、アレイ側に配置されるパターンによっては、導電膜がない領域には非導電膜１４がなくてもよい状態となるため、ここでは非導電膜１４をパターンニングしてもしなくてもよい。図２に、この場合における液晶表示装置の基本構造を示す。同図において、７ａはアレイ側配線がない領域であり、１４ａはアレイ側配線がない領域に対応して非導電膜１４のパターンニングがされない領域である。非導電膜１４をパターンニングしない場合は、どのようなパターンでもよい。また、アレイ側のパターンにかかわらず、シール領域１２に関して非導電膜１４を抜いていてもよい。
【００４３】
また、本実施形態では、下層であるＢＭ材料がある場合のみ述べてきたが、コスト削減のためにＢＭ材料がない構成としてもよい。その他、下層の色材料については赤，緑，青に限定されるものではなく、例えば、シアン，マゼンタ，イエローでもよい。更に、下層の色材料は、３色でなくてもよく、例えば、２色，４色等でもよい。また、ＣＦ側の支持基板１とアレイ側の支持基板２との間で挟持され、これらを支持する支持部材としての柱部材１１を、色材料の重ね合わせにより作成してもよい。或いは、図３に示すように、柱部材１１の代替として、プラスチックビーズ１１ａを用いてもよい。このとき、図３の液晶表示装置では、図１の液晶表示装置と同様に、ＣＦ側透明電極５上に非導電膜１４を形成してから、ＣＦ側透明電極５上及びアレイ側透明電極８上に配向膜６，９を印刷して形成する。その後、プラスチックビーズ１１ａを配向膜６，９間に形成する。
【００４４】
尚、プラスチックビーズ１１ａを用いた液晶表示装置の構成例として、図１の構成から変更した図３の構成を挙げたが、これ以外の構成としても構わない。例えば、図２に示す液晶表示装置において、柱部材１１をプラスチックビーズ１１ａに変更した構成としてもよい。
【００４５】
このように、非導電膜１４を備える液晶表示装置を構成するとき、その液晶材料に垂直配向液晶を使用する場合には、配向膜６の表面に一定の周期でリブ１５と同一形状の突起が現れる。このとき、リブ１５の厚みを薄くすると、垂直配向液晶を垂直に配向させるために有効な形状を配向膜６の表面に与えることが困難となる。よって、リブ１５は、０．６μｍ以上の厚みに形成される必要がある。また、リブ１５及び非導電膜１４を形成する際、リブ材料の塗布量やエッチング等による誤差により、非導電膜１４の膜厚が０．６〜１．０μｍとなる。尚、図１に示す液晶表示装置において、液晶セル厚は、異物を介してのリーク等を回避するため、１．５μｍ以上に設定される。
【００４６】
一方、液晶材料にツイストネマチック（ＴＮ）液晶を使用する場合に、液晶セル厚は、液晶の応答速度の低下を防止するため、６．０μｍ以下に設定される。この液晶セル厚に対応して、柱部材１１は４．５μｍ以下の厚みに形成される。このとき、柱部材１１を４．５μｍの厚みに形成しようとすると、柱材料の塗布量やエッチング等による誤差により、非導電膜１４の膜厚が４．５〜５．５μｍとなる。よって、この柱材料を用いた非導電膜１４は、５．５μｍ以下の膜厚に形成される。
【００４７】
以上から、本実施形態においては、上記非導電膜１４の膜厚を０．６〜５．５μｍの範囲に設定することが好適である。
【００４８】
更に、液晶材料に垂直配向液晶を使用する際に、液晶セル厚は４．０μｍ以下に設定されるのが望ましい。というのも、垂直配向液晶は、ツイストネマチック（ＴＮ）液晶よりも応答速度の高速化を要求される機器（例えば、テレビやモニタ等）に使用されるからである。そして、液晶セル厚を４．０μｍに設定する場合、非導電膜１４は２．０μｍ以下の膜厚に形成される。よって、液晶材料に垂直配向液晶を使用する場合には、非導電膜１４の膜厚を０．６〜２．０μｍの範囲に設定することが更に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶表示装置の基本構造断面図である。
【図２】アレイ側配線がない領域に対応して非導電膜のパターンニングがされない領域を有する場合の液晶表示装置の基本構造断面図である。
【図３】プラスチックビーズを有する液晶表示装置の基本構造断面図である。
【図４】従来の液晶表示装置の基本構造断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１  支持基板（ＣＦ側）
２  支持基板（アレイ側）
３  アクティブエリア
４  額縁
５  ＣＦ側透明電極
６，９  配向膜
７  配線やアレイ側膜
８  アレイ側透明電極
１０  液晶層
１１  柱部材
１１ａ  プラスチックビーズ
１２  シール領域
１３  液体
１４  非導電膜
１５  リブ
【図１】
2005122108.tif 000003
【図２】
2005122108.tif 000004
【図３】
2005122108.tif 000005
【図４】
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