(57)【要約】【課題】  検査効率を向上させる。【解決手段】  キャリア３０は、圧電発振器６０を配置するデバイス配置部３２がキャリア本体３８に形成してある。圧電発振器６０は、複数の検査用端子６２がパッケージ６４から突出して設けてある。デバイス配置部３２は、圧電発振器６０のパッケージ６４を挿入するデバイス収容凹部３４と、検査用端子６２を挿入する端子用凹部３６とからなっている。また、キャリア３０は、キャリア本体３８の表面に絶縁層４０が設けてある。【選択図】      図５
2005064813.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージの側面に設けた検査用端子を介してデバイスの特性を検査するデバイスの検査方法であって、
前記検査用端子を前記パッケージの側面から突出させた突出端子として形成し、検査装置のプローブを前記突出端子の上方または下方から前記突出端子に当接させる、
ことを特徴とするデバイスの検査方法。
【請求項２】
パッケージの側面から検査用端子が突出して設けてあるデバイスを検査装置に配置する検査用キャリアであって、
キャリア本体の表面に設けた絶縁層と、
前記キャリア本体に形成されて前記検査用端子を前記絶縁層に接触させる深さを有し、前記パッケージを挿入するデバイス収容凹部とを、
備えていることを特徴とする検査用キャリア。
【請求項３】
請求項２に記載の検査用キャリアにおいて、
前記キャリア本体は、前記検査用端子を挿入する端子用凹部を有することを特徴とする検査用キャリア。
【請求項４】
請求項２または３に記載の検査用キャリアにおいて、
前記キャリア本体は、アルミニウムから形成され、
前記絶縁層は、前記キャリア本体を硬質アルマイト処理したのち、タフラム処理して形成した、
ことを特徴とする検査用キャリア。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイスの検査方法に係り、特にパッケージの側面に検査用端子が設けられているデバイスの検査方法および検査用キャリアに関する。
【背景技術】
【０００２】
水晶発振器などの圧電デバイスは、電子機器の小型化、薄型化に伴って小型・薄型化され、表面実装型が主流となっている。このような表面実装型の水晶発振器などの圧電発振器は、一般にセラミックパッケージの内部に圧電振動片と発振回路とを収納している。また、圧電発振器は、高性能化の要求に伴って、セラミックパッケージに温度補償回路などが組み込まれることがある。このような圧電発振器は、セラミックパッケージに圧電振動片や発振回路などを封入したのち、周波数特性や電気的な特性をチェックしたり、調整したりする必要がある。このため、従来の圧電発振器は、セラミックパッケージの側部表面に検査用または調整用の端子をメタライズによって形成し、特性の検査や調整を行なえるようにしている（例えば、特許文献１）。そして、特性の検査、調整を行なう場合、従来は、図１１のようにして行なっていた。
【０００３】
圧電発振器は、周囲温度によって周波数特性が非常に異なるため、所定の温度に保持した状態で特性検査、調整が行なわれる。圧電発振器の特性検査を行なう場合、図１１（１）に示したように、圧電発振器１０は、検査用治具１２に収納される。検査用治具１２は、側壁に検査装置の測定プローブ１６を挿入するプローブ孔１８が設けてある。このプローブ孔１８は、同図（２）に示したように、圧電発振器１０のパッケージの側部表面に設けた検査用電極（端子）１４と対応した位置に形成してある。
【０００４】
そして、圧電発振器１０は、図１１（３）に示したように、検査用治具１２に収納した状態で恒温槽２０に投入される。恒温槽２０は、上面が開放されていて、検査用治具１２を上方から出し入れするようになっている。また、恒温槽２０は、検査用治具１２のプローブ孔１８と対応した位置にプローブ挿入孔２２を有している。すなわち、恒温槽２０は、側壁にプローブ挿入孔２２が形成してある。そして、検査装置の測定プローブ１６は、恒温槽２０の側方から挿入して圧電発振器１０の検査用電極１４に当接させるようになっている。
【特許文献１】特開２００３−１９８３１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のように、従来の圧電発振器１０の特性検査は、検査用電極１４をパッケージの側部表面にメタライズにより形成してあるため、検査装置の測定プローブ１６を横方向から恒温槽２０に挿入しなければならない。このため、圧電発振器１０を複数列に配置したのでは検査することができず、検査効率が悪い。しかも、測定プローブ１６を横方向に移動させるため、検査のためのスペースを広く取る必要があり、検査装置の構造も複雑になる。
【０００６】
本発明は、上記従来技術の欠点を解消するためになされたもので、検査効率を向上させることを目的としている。
また、本発明は、検査スペースを小さくすることを目的としている。
さらに、本発明は、デバイスを所定の温度に迅速に加熱または冷却できるようにすることなどを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために、本発明に係るデバイスの検査方法は、パッケージの側面に設けた検査用端子を介してデバイスの特性を検査するデバイスの検査方法であって、前記検査用端子を前記パッケージの側面から突出させた突出端子として形成し、検査装置のプローブを前記突出端子の上方または下方から前記突出端子に当接させる、ことを特徴としている。
【０００８】
このようになっている本発明は、検査用端子をパッケージから突出させているために、検査装置のプローブを上方または下方から検査用端子に当接させればよい。したがって、プローブを横方向に移動させる必要がないため、デバイスを複数列に配置することができ、複数のデバイスを同時に検査することが可能になって、検査効率を大幅に向上することができ、また検査スペースを小さくすることができる。
【０００９】
また、本発明に係る検査用キャリアは、パッケージの側面から検査用端子が突出して設けてあるデバイスを検査装置に配置する検査用キャリアであって、キャリア本体の表面に設けた絶縁層と、前記キャリア本体に形成されて前記検査用端子を前記絶縁層に接触させる深さを有し、前記パッケージを挿入するデバイス収容凹部とを、備えていることを特徴としている。
【００１０】
このようになっている本発明は、パッケージから検査用端子が突設している場合であっても、デバイス収容凹部に挿入することができるため、所定温度における検査が必要なときに、キャリア本体を介してデバイスへの熱伝導を効率的に行なうことができる。したがって、デバイスを迅速に所定の温度にすることができ、検査に要する時間が短縮できて検査効率が向上する。また、検査装置のプローブを上方から検査用端子に当接させ、検査用端子をキャリア本体の表面に押圧したとしても、キャリア本体の表面に絶縁層が設けてあるため、検査用端子間における短絡を防止することができる。
【００１１】
キャリア本体には、検査用端子を挿入する端子用凹部を設けることができる。このようになっている本発明は、パッケージから突出している検査用端子を端子用凹部に挿入することにより、検査用端子からの熱の放散を防ぐことができるばかりでなく、パッケージに端子からも入熱があるため、デバイスをさらに早く所定温度にすることができる。
【００１２】
キャリア本体を熱伝導度が良好なアルミニウムによって形成すると、デバイスを所定の温度に迅速に加熱または冷却することができる。また、絶縁層は、キャリア本体を硬質アルマイト処理したのち、タフラム処理して形成することにより、熱伝導度がほとんど損なわれることがなく、耐磨耗性に優れた絶縁層とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明に係るデバイスの検査方法および検査用キャリアの好ましい実施の形態を、添付図面に従って詳細に説明する。
図１ないし図４は、本発明の実施の形態に係る検査用キャリアの説明図である。これらの図において、キャリア３０は、複数（実施形態の場合４つ）の圧電発振器を配置するためのデバイス配置部３２を有している。そして、キャリア３０は、パッケージの側面から検査用端子を突出して設けた圧電発振器に対応できるようになっている。すなわち、デバイス配置部３２は、圧電発振器のパッケージを挿入するデバイス収容凹部３４と端子用凹部３６からなっている。端子用凹部３６は、圧電発振器に設けられる検査用端子の数に対応して設けてあって、この実施形態の場合、図１に示したように、デバイス収容凹部３４の図１の上下方向における両側に２つずつ形成してある。
【００１４】
キャリア３０は、キャリア本体３８が熱伝導度のよいアルミニウムによって形成してあり、後述するように、デバイス配置部３２に配置された圧電発振器を、所定の温度に迅速に加熱または冷却できるようにしてある。また、キャリア３０は、図２および図３に示したように、表面に絶縁層４０が設けてある。この絶縁層４０は、実施形態の場合、キャリア本体３８の表面を陽極酸化して硬質アルマイト層を形成したのち、硬質アルマイト層にフッ素樹脂を含浸させるタフラム処理をして形成してある。なお、この絶縁層の形成は、陽極酸化およびタフラム処理によらなくとも、絶縁層を薄くできれば他の方法でもかまわない。さらに、キャリア３０は、図１および図４に示したように、キャリア本体３８の下端部の四隅に切欠き凹部４２を有している。この切欠き凹部４２は、後述するように、検査装置の配置台にキャリア３０を保持させつつ、キャリア３０の底面をペルチエ素子に接触させるためのものである。
【００１５】
図５に示したように、圧電発振器６０は、検査用端子６２が上になるようにしてデバイス配置部３２に配置される。そして、デバイス収容凹部３４と端子用凹部３６との深さは、パッケージ（圧電発振器）をデバイス収容凹部３４に挿入したときに、挿入したパッケージの下面がデバイス収容凹部３４の底面に接するとともに、圧電発振器６０の検査用端子６２が端子用凹部３６の底面に接触する深さに形成してある。圧電発振器６０の検査用端子６２は、少なくとも一部が周波数特性を調整する調整端子として用いられ、一般にパッケージ６４を図示しない実装基板に電気的に接合する外部電極を設けた能動面６６の近くに設けられる。このため、圧電発振器６０は、パッケージ６４の能動面６６を上にしてデバイス収容凹部３４に挿入される。これにより、圧電発振器６０は、パッケージ６４の大部分がキャリア３０のデバイス収容凹部３４内に挿入されることになり、キャリア３０を介して迅速に所定の温度に加熱、冷却される。そして、圧電発振器６０は、実施形態の場合、パッケージ６４が樹脂からなるいわゆる樹脂パッケージとなっている。すなわち、圧電発振器６０は、圧電振動子と半導体集積回路などをリードフレームに実装し、これらを樹脂によって封止した構造となっている。
【００１６】
図６は、圧電発振器６０の一例を示す分解斜視図であり、図７は、図６のＥ−Ｅ線に沿った断面図である。これらの図において、圧電発振器６０は、図６に示したように、圧電振動子７０と、半導体集積回路（ＩＣ）１００と、積層リードフレーム１１０とを有している。そして、圧電発振器６０は、圧電振動子７０と、発振回路を構成するＩＣ１００とが積層リードフレーム１１０に実装してある。さらに、圧電発振器６０は、圧電振動子７０とＩＣ１００とを積層リードフレーム１１０に実装したのち、樹脂封止されて樹脂パッケージ６４が形成される（図７参照）。
【００１７】
圧電振動子７０は、振動子パッケージ７２の内部に圧電振動片７４が封入してある。振動子パッケージ７２は、セラミック材料等からなる複数のシートを積層・焼成することにより形成してある。この振動子パッケージ７２は、圧電振動片７４を収納するキャビティ７６を有する箱状に形成してあり、キャビティ７６の底面にマウント電極７８が設けてある。また、振動子パッケージ７２は、下面が能動面６６となっていて、能動面６６の四隅に外部電極８０が形成してある。これらの外部電極８０は、側面電極８０ａおよび配線パターン８２を介してマウント電極７８と導通している。なお、外部電極８０とマウント電極７８とは、側面電極８０ａではなくスルーホールを介して接続してもよい。
【００１８】
圧電振動片７４は、図６に示したように、水晶等の圧電材料からなる平板の両面に、励振電極８６を形成したものである。なお、圧電平板の端部には、各励振電極８６と導通する接続電極８８が形成してある。そして、圧電振動子７０は、圧電振動片７４が振動子パッケージ７２におけるキャビティ７６の内部に、片持ち状態で実装してある。具体的には、振動子パッケージ７２のマウント電極７８に導電性接着剤９０を塗布し、圧電振動片７４の接続電極８８を接着する（図７参照）。これにより、振動子パッケージ７２の外部電極８０から圧電振動片７４の励振電極８６に対して通電可能となる。なお、圧電振動片７４は両持ち実装であっても構わない。
【００１９】
さらに、圧電振動子７０は、振動子パッケージ７２におけるキャビティ７６の上端開口部にリッド９２が封止材を介して装着してあり、キャビティ７６の内部が窒素雰囲気や真空雰囲気に気密封止してある。なお、振動子パッケージ７２の内部に実装する圧電振動片は、ＡＴカット圧電振動片に限られず、音叉型圧電振動片やＳＡＷチップであってもよい。
【００２０】
積層リードフレーム１１０は、圧電振動子７０を実装する上側リードフレーム１２０と、圧電発振器６０を実装基板（図示せず）に実装するための下側リードフレーム１４０とから構成してあって、詳細を後述するように、上側リードフレーム１２０と下側リードフレーム１４０とを重ね合わせて形成してある。上側リードフレーム１２０と下側リードフレーム１４０とは、図８（１）、（２）に平面図を示したように、導電性を有する金属シートに井桁状の枠部１２２、１４２を設けるとともに、各枠部１２２、１４２の内側に同一のパターンを繰り返し形成したものである。
【００２１】
図８（１）に示すように、上側リードフレーム１２０は、枠部１２２の内側の四隅に、圧電振動子７０を実装するための接続用リード１２４を有する。なお、圧電振動子７０は、一対の励振電極８６と導通する外部電極およびＧＮＤ用の外部電極を合わせて、少なくとも３個の外部電極８０が形成されるので、上側リードフレーム１２０には少なくとも３個の接続用リード１２４が形成してある。そして、上側リードフレーム１２０は、枠部１２２の長辺に沿った方向における各接続用リード１２４の内側端部に、ワイヤボンディング用のパッド１２６が形成してある。なお、接続用リード１２４は、枠部１２２と一体に形成してあって、パッド１２６が枠部１２２の長辺に接続してあり、枠部１２２と同一平面内に位置している。
【００２２】
接続用リード１２４は、パッド１２６と傾斜部１２８と接続端子１３０とからなっている。接続用リード１２４は、パッド１２６の外側（枠部１２２の短辺側）に傾斜部１２８が一体に形成してあり、さらに傾斜部１２８の外側に接続端子１３０が一体に形成してある。そして、接続用リード１２４は、図６に示すように、傾斜部１２８をパッド１２６に対して上側に折曲することにより、接続端子１３０が上側リードフレーム１２０の枠部１２２から上方に所定距離をおいて位置し、枠部１２２と平行に配置される。なお、所定距離とは、ＩＣ１００にボンディングされたワイヤ１０２の最大高さより大きい距離とする。さらに、接続用リード１２４には、接続端子１３０の一部を切り欠いた切欠き１３２が形成してある。この切欠き１３２は、後述するように、下側リードフレーム１４０の実装用リードへのワイヤボンディングを可能にするためのものである。
【００２３】
下側リードフレーム１４０は、図８（２）に示すように、枠部１４２の内側の四隅に、実装基板に接合する実装用リード１４４を有する。なお、枠部１４２の短辺に沿った方向における各実装用リード１４４の内側端部には、ワイヤボンディング用のパッド１４６が形成してある。パッド１４６は、枠部１４２の短辺に接続されて枠部１４２と一体に形成され、枠部１４２と同一平面内に位置している。また、実装用リード１４４は、パッド１４６の外側（枠部１４２の長辺側）に傾斜部１４８が一体に形成してあり、さらに傾斜部１４８の外側に実装端子１５０が一体に形成してある。そして、実装用リード１４４は、図６に示すように、傾斜部１４８をパッド１４６に対して下側に折曲し、実装端子１５０が下側リードフレーム１４０の枠部１４２から下方に所定距離をおいて位置し、枠部１４２と平行に配置される。
【００２４】
また、下側リードフレーム１４０は、枠部１４２の短辺に沿った方向における各実装用リード１４４の間に、ＩＣ１００の特性検査、特性調整および／または圧電振動子７０と接続端子１３０との導通確認をするための調整端子となる検査用端子６２が形成してある。なお、特性検査とは、樹脂成形後におけるＩＣ１００の動作チェックや、圧電発振器６０としての特性検査などをいう。また、特性調整とは、ＩＣ１００に温度補償回路が付加された場合に、圧電発振器６０の温度による周波数変化を補正したり、入力電圧によって周波数を変化させる機能がＩＣ１００に付加された場合に、その変化感度を調整したりすることなどをいう。検査用端子６２は、枠部１４２と一体に形成してあって、下側リードフレーム１４０の枠部１４２と同一平面内に支持されている。なお、下側リードフレーム１４０の枠部１４２から下側に所定距離をおいて実装端子１５０を配置するので、検査用端子６２が実装基板の電極等と短絡することはない。
【００２５】
一方、下側リードフレーム１４０における枠部１４２内の中央部には、ダイパッド１５２が設けてある。ダイパッド１５２は、両側を枠部１４２の長辺に接続して、下側リードフレーム１４０の枠部１４２と同一平面内に支持してある。なお、検査用端子６２およびダイパッド１５２は、上側リードフレーム１２０に形成してもよい。また、接続端子１３０、実装端子１５０、検査用端子６２およびダイパッド１５２が各枠部に接続される位置は、長辺または短辺に限定されるものではない。
【００２６】
このように形成した上側リードフレーム１２０と下側リードフレーム１４０とは、重ね合わされて積層リードフレーム１１０にされる。すなわち、上側リードフレーム１２０および下側リードフレーム１４０は、それぞれの枠部１２２、１４２が重ね合わされ、枠部１２２、１４２にスポット溶接等を施すことによって両者を固着する。なお、各リードフレーム１２０、１４０は、枠部１２２、１４２の内側に設けたリード部などが、積層リードフレーム１１０にしたときに、相互に接触しないように形成してある。
【００２７】
圧電発振器６０を形成する場合、積層リードフレーム１１０に実装する前に、圧電振動子７０の周波数調整およびＩＣ１００の動作チェックを行なう。そして、まず、上側リードフレーム１２０と下側リードフレーム１４０とを積層し、それぞれの枠部１２２、１４２をスポット溶接などによって接合し、両者を一体化して積層リードフレーム１１０を形成する。その後、図６に示すように、下側リードフレーム１４０のダイパッド１５２の上面にＩＣ１００を接着剤により実装する。ＩＣ１００は、発振回路を形成していて、必要に応じて温度補償回路や電圧制御回路が付加される。なお、ＩＣ１００は、ダイパッド１５２の下面に装着してもよい。
【００２８】
さらに、積層リードフレーム１１０の各端子とＩＣ１００の上面に設けた各端子とを電気的に接続する。具体的には、接続端子１３０のパッド１２６、実装端子１５０のパッド１４６および検査用端子６２と、ＩＣ１００上面の各端子とを、ワイヤボンディングしてワイヤ１０２により電気的に接続する。なお、接続用リード１２４に切欠き１３２を形成したので、実装用リード１４４のパッド１４６が上方に露出する。これにより、実装用リード１４４のパッド１４６に対してワイヤボンディングを行なうことができる。
【００２９】
次に、圧電振動子７０を積層リードフレーム１１０に実装する。具体的には、接続用リード１２４の接続端子１３０に圧電振動子７０の外部電極８０を半田により接合する。その後、積層リードフレーム１１０および圧電振動子７０を樹脂パッケージ６４の内部に封止する。具体的には、圧電振動子７０を実装した積層リードフレーム１１０を樹脂成型モールド内に配置して、熱硬化性樹脂を射出成形することにより樹脂パッケージ６４を形成する。樹脂パッケージ６４は、実施形態の場合、図７に示すようにリッド９２の上面と、実装端子１５０の主面（下面）を露出させた状態で形成する。そして、樹脂パッケージ６４は、図８に示したように、各リードフレーム１２０、１４０の枠部１２２、１４２の内側に形成する。樹脂パッケージ６４の成形後には、各リードフレーム１２０、１４０の枠部１２２、１４２と各リードとの接続部を、図８に示した切断位置１３４、１５４において切断する。その切断位置１３４、１５４は、樹脂パッケージ６４の表面付近とするのが好ましい。なお、検査用端子６２は、圧電発振器６０の特性検査、調整ができるように、樹脂パッケージ６４から突出させて切断する。この検査用端子６２は、圧電発振器６０の調整、検査を行なったのち、樹脂パッケージ６４から突出している部分が切断される。
【００３０】
このように形成した圧電発振器６０は、図５に示したようにキャリア３０に配置され、たとえば周波数特性の検査・調整工程に搬入される。この検査・調整工程に設けた検査装置は、図９に示すように、複数の測定・調整部１６４を備え、各測定・調整部１６４に配給されたキャリア３０に配置してある圧電発振器６０を、ペルチエ素子１７０によって所定の温度に加熱または冷却できるようにしてある。各測定・調整部１６４は、実施形態の場合、圧電発振器６０を＋２５℃、−３０℃、−１０℃、＋４０℃、＋８０℃の順に冷却または加熱する。特性の測定、調整を終了した圧電発振器６０は、＋２５℃に戻される。
【００３１】
測定・調整部１６４は、図９に示したように、配置台１６０の下に配設したペルチエ素子１７０を有する。このペルチエ素子１７０は、キャリア３０に配置してある圧電発振器６０を所定の温度に加熱または冷却してその温度に保持する。そして、配置台１６０は、所定位置にキャリア３０を配置する配置孔１７２を有している。この配置孔１７２は、配置台１６０を貫通して設けてあって、配置孔１７２に配置したキャリア３０の底面がペルチエ素子１７０に接触するようにしてある。また、配置台１６０は、支持凸部１７４が配置孔１７２の内部下部に突出している。この支持凸部１７４は、キャリア本体３８の底部に形成した切欠き凹部４２と係合し、キャリア３０が脱落するのを防止する。
【００３２】
ペルチエ素子１７０は、実施形態の場合、２つのキャリア３０を同時に冷却または加熱できる大きさを有している。また、測定・調整部１６４は、ペルチエ素子１７０の上方にカバー１７６が配設してある。このカバー１７６は、測定ユニットの昇降ロッド１８０に取り付けてあり、昇降ロッド１８０と一体に矢印１７８のように昇降する。昇降ロッド１８０は、カバー１７６内に挿入した下端にプローブホルダ１８２が設けてある。このプローブホルダ１８２には、複数（例えば、８本）の測定プローブ１８４が保持させてある。そして、実施形態の場合、図１０に示したように並べて配置した２つの圧電発振器６０を同時に測定できるようになっている。また、プローブホルダ１８２の側部には、保温部材１８６が取り付けてある。保温部材１８６は、測定対象となっていない圧電発振器６０を覆い、圧電発振器６０からの熱の放散、外部からの入熱を防止し、圧電発振器６０を所定の温度に保持する。なお、測定プローブ１８４は、図示しない弾性体を介してプローブホルダ１８２に保持させてあって、図９、図１０に示したように、昇降ロッド１８０を下降させ、保温部材１８６の下面をキャリア３０の上面に接触させると、測定プローブ１８４の下端が圧電発振器６０の検査用端子６２の上面に当接するようにしてある。
【００３３】
このように実施の形態においては、圧電発振器６０の検査用端子６２をパッケージ６４から突出させているため、測定プローブ１８４を上方から検査用端子６２に当接させることができる。このため、複数の圧電発振器６０を複数列に配置した場合であっても、複数列の圧電発振器６０を同時に、容易に検査することができ、検査効率の向上が図れるとともに、検査スペースを小さくでき、検査装置の構造を簡素にすることができる。また、実施形態のキャリア３０は、圧電発振器６０のパッケージ６４のほとんどの部分をキャリア３０のデバイス収容凹部３４内に挿入することができるため、圧電発振器６０を迅速に所定の温度に加熱または冷却することができ、検査の効率を向上することができる。さらに、実施形態のキャリア３０は、圧電発振器６０の検査用端子６２を挿入する端子用凹部３６を有しているため、検査用端子６２における熱の放散や、外部の温度の影響をなくすことができる。そして、キャリア３０は、表面に絶縁層４０を有しているため、測定プローブ１８４によって検査用端子６２をキャリア３０の表面に押圧しても、端子間における短絡を防止することができる。また、絶縁層４０は、硬質アルマイト層にタフラム処理をして形成しているため、熱伝導度がほとんど損なわれず、耐磨耗性に優れた絶縁層とすることができる。なお、絶縁処理はタフラム処理ではなく、別の絶縁処理方法でもよい。
【００３４】
なお、前記実施形態においては、圧電発振器６０を４つ配置できるキャリア３０について説明したが、キャリア３０は、任意の数の圧電発振器６０を配置できる大きさに形成することができる。また、前記実施形態においては、キャリア３０に端子用凹部３６を設けた場合について説明したが、端子用凹部３６は設けなくともよい。そして、前記実施形態においては、圧電発振器６０の検査について説明したが、他のデバイスの検査にも適用することができる。また、前記実施の形態においては、キャリア３０をアルミニウムによって形成した場合について説明したが、熱伝導度のよい他の金属などによって形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】実施の形態に係る検査用キャリアの平面図である。
【図２】図１のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【図３】図１のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。
【図４】図１のＤ−Ｄ方向矢視図である。
【図５】実施の形態の検査用キャリアに圧電発振器を配置した状態の断面図である。
【図６】実施の形態に係る圧電発振器の分解斜視図である。
【図７】図６のＥ−Ｅ線に沿った断面図である。
【図８】実施の形態に係るリードフレームの平面図である。
【図９】検査装置の測定・調整部を模式的に示した正面断面図である。
【図１０】検査装置の測定・調整部を模式的に示した側面断面図である。
【図１１】従来の検査方法を説明する図である。
【符号の説明】
【００３６】
３０………キャリア、３２………デバイス配置部、３４………デバイス収容凹部、３６………端子用凹部、３８………キャリア本体、４０………絶縁層、６０………デバイス（圧電発振器）、６２………検査用端子、６４………パッケージ、７０………圧電振動子、１００………ＩＣ、１１０………積層リードフレーム、１６０………配置台、１７０………ペルチエ素子、１８４………測定プローブ。
【図１】
2005064813.tif 000003
【図２】
2005064813.tif 000004
【図３】
2005064813.tif 000005
【図４】
2005064813.tif 000006
【図５】
2005064813.tif 000007
【図６】
2005064813.tif 000008
【図７】
2005064813.tif 000009
【図８】
2005064813.tif 000010
【図９】
2005064813.tif 000011
【図１０】
2005064813.tif 000012
【図１１】
2005064813.tif 000013