(57)【要約】【課題】  表示装置の駆動時にエミッタ表面に電界が均一に形成されるようにしてエミッタの全表面から電子を放出させ、その結果、電子ビームの拡散を最小化して画面の色純度を高め、エミッタの劣化を最小化してエミッタの使用寿命を延長できる電子放出素子を提供することである。【解決手段】  本発明は、任意の間隔をおいて対向配置される第１及び第２基板；第１基板上に形成されるカソード電極；カソード電極を覆う絶縁層上に形成されるゲート電極；ゲート電極と絶縁層に形成された開口部内において、前記カソード電極上に形成される電子放出部；を含み、電子放出部の表面形状が、カソード電極とゲート電極及びアノード電極に所定の駆動電圧を印加した条件で、開口部に形成される等電位線に沿ってこの等電位線に対応するように形成される電子放出素子である。【選択図】    図１
2005243611.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
任意の間隔をおいて対向配置される第１及び第２基板；
前記第１基板上に形成されるカソード電極；
前記カソード電極を覆う絶縁層上に形成されるゲート電極；
前記ゲート電極及び絶縁層に形成された開口部内において、前記カソード電極上に形成される電子放出部；
前記第２基板上に形成されるアノード電極；及び
前記アノード電極のある一面に位置する蛍光膜；を含み、
前記電子放出部の表面形状が任意の曲率を有する曲面からなる電子放出素子。
【請求項２】
前記カソード電極と前記ゲート電極とが互いに直交する方向に沿ってラインパターンに形成される、請求項１に記載の電子放出素子。
【請求項３】
前記電子放出部の表面形状が前記第１基板に向かって凹状の曲面からなる、請求項１に記載の電子放出素子。
【請求項４】
前記電子放出部が、前記開口部の中心で最も大きな厚さを有して形成される、請求項３に記載の電子放出素子。
【請求項５】
前記電子放出部の表面形状が前記第１基板に向かって凸状の曲面からなる、請求項１に記載の電子放出素子。
【請求項６】
前記電子放出部が前記開口部内で前記絶縁層と接触して位置する、請求項５に記載の電子放出素子。
【請求項７】
前記電子放出部が、前記開口部の中心で最も小さな厚さを有して形成される、請求項５に記載の電子放出素子。
【請求項８】
任意の間隔をおいて対向配置される第１及び第２基板；
前記第１基板上に形成されるカソード電極；
前記カソード電極を覆う絶縁層上に形成されるゲート電極；
前記ゲート電極及び絶縁層に形成された開口部内において、前記カソード電極上に形成される電子放出部；
前記第２基板上に形成されるアノード電極；及び
前記アノード電極が形成される面に位置する蛍光膜；を含み、
前記電子放出部の表面形状は、前記カソード電極、ゲート電極及びアノード電極に所定の駆動電圧を印加した条件で、前記開口部に形成される等電位線に沿ってこの等電位線に対応するように形成される電子放出素子。
【請求項９】
前記電子放出部の表面形状が凸状の曲面からなる、請求項８に記載の電子放出素子。
【請求項１０】
前記電子放出部の表面形状が凹状の曲面からなる、請求項８に記載の電子放出素子。
【請求項１１】
前記電子放出部がカーボン系物質からなる、請求項１又は８に記載の電子放出素子。
【請求項１２】
前記カーボン系物質が、カーボンナノチューブ、黒鉛、ダイアモンド、ダイアモンド状カーボン、及びＣ６０からなる群より選択される一つ又は一つ以上の組合物質である、請求項１１に記載の電子放出素子。
【請求項１３】
前記電子放出部がナノサイズ物質からなる、請求項１又は８に記載の電子放出素子。
【請求項１４】
前記ナノサイズ物質が、ナノチューブ、グラファイトナノファイバー、シリコンナノワイヤーからなる群より選択される一つ又は一つ以上の組合物質である、請求項１１に記載の電子放出素子。
【請求項１５】
任意の間隔をおいて対向配置される第１及び第２基板；
前記第１基板上に形成されるカソード電極；
前記カソード電極から絶縁層で隔てられて形成されるゲート電極；
前記カソード電極と接触して位置する電子放出部；
前記第２基板上に形成されるアノード電極；及び
前記アノード電極のある一面に位置する蛍光膜；を含み、
前記電子放出部の表面形状が任意の曲率を有する曲面からなる電子放出素子。
【請求項１６】
任意の間隔をおいて対向配置される第１及び第２基板；
前記第１基板上に形成されるカソード電極；
前記カソード電極から絶縁層で隔てられて形成されるゲート電極；
前記カソード電極と接触して位置する電子放出部；
前記第２基板上に形成されるアノード電極；及び
前記アノード電極のある一面に位置する蛍光膜；を含み、
前記電子放出部の表面形状は、前記カソード電極と、ゲート電極及びアノード電極に所定の駆動電圧を印加した条件で、前記開口部に形成される等電位線に沿ってこの等電位線に対応するように形成される電子放出素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子放出素子に係り、より詳しくは、カーボン系物質からなる電子放出部を備えたトップ−ゲート構造の電子放出素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
冷陰極を電子放出部に使用する電子放出素子として、電界放出表示装置と表面導電型電子放出素子及び金属/絶縁層/金属型表示装置が広く知られている。
【０００３】
この中で電界放出表示装置（FED）は、電界印加により常温で電子を放出する物質を用いて電子放出部を構成し、ここから放出される電子で蛍光膜を発光させて所望のイメージを実現する表示装置であって、電子放出層であるエミッタの特性により表示装置全体の品質が大きな影響を受ける。
【０００４】
初期に開発された電界放出表示装置は、モリブデン（Ｍｏ）などを主材質としてミクロン（μｍ）単位で製作される先端の尖った円錐形エミッタを使用した。これに関連した従来技術として、米国登録特許第３,７８９,４７１号に開示された電界放出カソードを備えた表示装置がある。
【０００５】
ところが、前述した円錐形エミッタを製作するためには半導体工程を経なければならないが、これは製造工程が複雑であって生産性が低く、画面サイズが大きくなるほど均一な品質を得難いため、大画面表示装置の製作には適していない問題がある。
【０００６】
したがって最近の電界放出表示装置分野では、低電圧（大略１０〜５０Ｖ）の駆動条件でも電子を良好に放出するカーボン系物質を用い、スクリーン印刷のような後膜工程を通じてエミッタを形成する技術が研究開発されている。
【０００７】
前記エミッタに適したカーボン系物質には、黒鉛、ダイアモンド、ダイアモンド状カーボン、及びカーボンナノチューブなどが知られており、この中で特にカーボンナノチューブは、端部の曲率半径が１００Å程度で極めて微細であって、１〜１０Ｖ/μｍの低い電界でも電子を良好に放出できるので理想的な電子放出物質として期待されている。
【０００８】
前記カーボンナノチューブを利用した電界放出表示装置に関連した従来技術としては、米国登録特許第６,０６２,９３１号及び第６,０９７,１３８号に開示された冷陰極電界放出表示装置がある。
【０００９】
一方、電界放出表示装置がカソード、ゲート、及びアノード電極を備えた３極管構造からなる場合、エミッタが配置される基板上にカソード電極を先に形成し、カソード電極上にエミッタを配置し、エミッタ上にゲート電極を配置するトップ−ゲート構造が公知されている。
【００１０】
図１４は、従来技術によるトップ−ゲート構造の電界放出表示装置を示した部分断面図であり、図１５は、図１４に示した後面基板の部分平面図である。
【００１１】
図面を参照すると、後面基板１上には、カソード電極３と絶縁層５及びゲート電極７が順に積層配置され、この時、カソード電極３とゲート電極７とは互いに直交するラインパターン（線状形態）に形成されて、カソード電極３をＹ方向に配列された１群の画素が共通に使い、ゲート電極７をＸ方向に配列された１群の画素が共通に使う。カソード電極３とゲート電極７の交差領域にはゲート電極７と絶縁層５を貫通する複数の開口部９が形成され、この開口部９を通して露出されたカソード電極３上に電子放出部であるエミッタ１１が位置する。そして、後面基板１に対向する前面基板１３の第１面にはアノード電極１６と蛍光膜１８が形成される。
【００１２】
前面基板１３と後面基板１は図示していない密封剤により周縁部が一体に接合され、内部が排気されて１０−７トール（約１３μPa）程度の高真空を維持する。図面の符号２０は、前面基板１３と後面基板１の間隔を一定に維持させるスペーサを示す。
【００１３】
前述した構成において、 エミッタ１１は、通常カーボン系物質、例えばカーボンナノチューブ粉末にフリッタとビヒクルなどを混合して印刷に適した粘度を有するペーストを製作し、開口部９によって露出されたカソード電極３上にペーストを印刷した後、これを乾燥及び焼成する過程によって完成する。このように完成したエミッタ１１は、開口部９内部でこの開口部９より小さな寸法で、均一な厚さに形成される。
【００１４】
ところが、前述したエミッタ１１の形状は製造上の便宜のための形状であり、表示装置の駆動時にエミッタ１１に加えられる電界の強さ及び電子ビームの放出パターンなどに関してはいかなる考慮も適用していない形状である。
【００１５】
図１６は図１４の部分拡大図であって、エミッタの周囲に形成される等電位線の分布を示しており、図１７は、エミッタ表面に沿って測定した電界の強さを示したグラフであって、横軸はエミッタ中心との距離を示す。
【００１６】
実験に用いられた電界放出表示装置の各寸法は、開口部９の直径は３０μｍ、絶縁層５の厚さは１５μｍ、エミッタ１１の直径と厚さは各々２０μｍと２μｍ、カソード電極６とアノード電極１６との間の距離は５００μｍである。図１５と図１６に示した実験結果は、カソード電極３に０Ｖを印加し、ゲート電極７に６０Ｖを印加し、アノード電極１５に１ｋＶを印加した条件で測定されたものである。
【００１７】
図面を参照すれば、従来の電界放出表示装置では、カソード電極３とゲート電極７に所定の駆動電圧を印加した場合にエミッタ１１表面に電界が均一に形成されず、エミッタ１１の周縁部位に電界が集中して形成されることを確認できる。これはエミッタ１１の周縁部位がゲート電極７と最も近い距離に位置して、ゲート電圧の影響を最も大きく受けるからである。
【００１８】
したがって、従来の電界放出表示装置は、駆動時にエミッタ１１の全表面から電子が均一に放出されず、エミッタ１１の周縁部から電子が集中して放出されるため、電子ビームが拡散して画面の色純度が低下し、エミッタ１１が容易に劣化してエミッタ１１の寿命が短縮する問題を有している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
したがって、本発明は前記問題点を解消するためのものであって、本発明の目的は、表示装置の駆動時にエミッタ表面に電界が均一に形成されるようにしてエミッタの全表面から電子を放出させ、その結果、電子ビーム拡散するのを最小化して画面の色純度を高め、エミッタの劣化を最小化してエミッタの使用寿命を延長できる電子放出素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
前記目的を達成するために本発明は、任意の間隔をおいて対向配置される第１及び第２基板；第１基板上に形成されるカソード電極；カソード電極を覆う絶縁層上に形成されるゲート電極；ゲート電極及び絶縁層に形成された開口部内において、カソード電極上に形成される電子放出部；第２基板上に形成されるアノード電極；及びアノード電極が形成される面に位置する蛍光膜；を含み、電子放出部の表面形状が任意の曲率を有する曲面からなる電子放出素子を提供する。
【００２１】
前記カソード電極とゲート電極は、互いに直交する方向に沿ってラインパターンに形成される。
【００２２】
前記電子放出部の表面形状は、第１基板に向かって周辺部が突き出した凹状の曲面からなることができ、この場合、前記電子放出部は前記開口部の中心において最も大きな厚さを有するように形成される。
【００２３】
前記電子放出部の表面形状は第１基板に向かって凸状の曲面からなることができ、この場合、前記電子放出部は前記開口部内で前記絶縁層と接触して位置し、前記開口部の中心において最も小さな厚さを有して形成される。
【００２４】
また、前記目的を達成するために本発明は、任意の間隔をおいて対向配置される第１及び第２基板；前記第１基板上に形成されるカソード電極；前記カソード電極を覆う前記絶縁層上に形成されるゲート電極；前記ゲート電極及び絶縁層に形成された開口部内において、カソード電極上に形成される電子放出部；前記第２基板上に形成されるアノード電極；及び前記アノード電極が形成される面に位置する蛍光膜；を含み、 電子放出部の表面形状は、カソード電極と、ゲート電極及びアノード電極に所定の駆動電圧を印加した条件で、開口部に形成される等電位線に沿ってこの等電位線に対応するように形成される電子放出素子を提供する。
【発明の効果】
【００２５】
このように本実施例によれば、表示装置駆動時にエミッタ表面に電界が均一に形成され、エミッタの全表面にかけて電子を均一に放出することができる。その結果、本実施例の電界放出表示装置は、電子ビームの拡散を最小化して画面の色純度を高め、エミッタの劣化を最小化してエミッタの使用寿命を延長する効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、添付した図面を参照して本発明の好ましい実施例をより詳細に説明する。
[実施例の基本構成]
【００２７】
図１は、本発明の第１実施例による電界放出表示装置の部分分解斜視図であり、図２は図１の結合状態断面図であって、図１のＩ−Ｉ線を基準に切開した断面を示している。図３は図２の部分拡大図である。
【００２８】
図面を参照すれば、冷陰極電子放出素子の一つである電界放出表示装置は、任意の間隔をおいて対向配置される第１基板２と第２基板４を含む。第１基板２には電界形成によって電子を放出する構成が提供され、第２基板４には電子によって可視光を放出して所定のイメージを実現する構成が提供される。
【００２９】
より具体的に、第１基板２上には、カソード電極６が一方向（図面のＹ方向）に沿ってラインパターンを形成し、カソード電極６を覆いながら第１基板２の内面全体に絶縁層８が位置する。絶縁層８上には、カソード電極６と交差する方向（図面のＸ方向）に沿ってゲート電極１０がラインパターンを形成する。
【００３０】
本実施例でカソード電極６とゲート電極１０との交差領域を画素領域として定義すれば、各々の画素領域には、ゲート電極１０と絶縁層８を貫通する一つ以上の開口部１２が形成され、各開口部１２を通して露出されたカソード電極６表面に、電子放出層であるエミッタ１４が位置する。
【００３１】
エミッタ１４を構成する物質は、大きく分けて、カーボン系物質とナノサイズ物質とがあるが、カーボン系物質としては、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）、グラファイト、ダイアモンド状カーボン（ＤＬＣ）、及びＣ６０（fulleren）などがあり、ナノサイズ物質（a  nanometer-sized  material）としては、カーボンナノチューブ（Nanotube）、グラファイトナノファイバー（Graphite  Nano  Fiber）、シリコンナノワイヤー（Silicon  Nano  Wire）などがある。前記電子放出部は、これら物質のうちのいずれか一つ又はこれらの組合によって形成可能である。
【００３２】
そして、第１基板２に対向する第２基板４の第１面にはアノード電極１６が形成され、アノード電極１６の第１面には蛍光膜１８が位置する。アノード電極１６は、蛍光膜１８の励起によって生成された可視光を透過させるために、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）のような透明電極からなる。
【００３３】
一方、蛍光膜１８表面には、メタルバック効果により画面の輝度を高める金属膜（図示せず）が位置することができ、この場合、前述した透明電極を省略して金属膜をアノード電極として用いることができる。
【００３４】
第１基板２と第２基板４は、図示していない密封材により周縁が一体に接合され、内部が排気されて１０−７トール（約１３μPa）程度の高真空を維持する。図面の符号２０は第１基板２と第２基板４の間隔を一定に維持させるスペーサを示す。
【００３５】
このように構成される電界放出表示装置は、外部からカソード電極６、ゲート電極１０、及びアノード電極１６に所定の電圧を供給して駆動するが、例えば、カソード電極６には０〜数十ボルトの（＋）電圧が、ゲート電極１０にはカソード電圧に臨界電圧を足した数十ボルトの（＋）電圧が、そして、アノード電極１６には数百〜数千ボルトの（＋）電圧が印加される。
【００３６】
したがってカソード電極６とゲート電極１０の電圧差により、エミッタ１４に電界が印加されてエミッタ１４から電子が放出され、放出された電子はアノード電極１６に印加された高電圧に引かれて当該画素の蛍光膜１８に衝突し、これを発光させて所望のイメージを表示する。
【００３７】
ここで、本実施例による電界放出表示装置はエミッタ１４の表面形状を次の通りに設定して、エミッタ１４表面に均一な電界が印加されるようにする構成を提供する。
【００３８】
本実施例による構成は、開口部１２内にエミッタ１４がないと仮定し、カソード電極６とゲート電極１０及びアノード電極１６に所定の駆動電圧を印加した時に開口部１２に形成される等電位線の分布を考慮し、この等電位線の形状に対応するようにエミッタ１４の表面形状を決定する構成である。
【００３９】
なお、平坦なエミッタ表面が望ましい印加電圧設定を、定格電圧状態と規定する。
［実施例１］
【００４０】
まず、カソード電極６とゲート電極１０との間の電圧差によってエミッタ１４に印加される電界の強さ（記号：Ｅ−１）が、カソード電極６とアノード電極１６との間の電圧差によってエミッタ１４に印加される電界の強さ（記号：Ｅ−２）より大きい場合を仮定する。換言すれば、ゲート電界がアノード電界より大きい場合である。この場合には、開口部１２の周辺部電界（ゲートの影響が大きい）が中心部電界（アノードの影響が大きい）よりも大きいので、エミッタ１４の中心部を開口部１２の浅い所に置いて、アノードの影響を強めると、電子吸出し電界を一様に出来ると予想される。別の考え方によると、エミッタ１４の中心部を固定すると共に、電界分布を予想し易い周辺部を深い所に移動し、効果が少ない場合には絶縁層８を厚くして、周辺部付近の電位を更に低くして、電子吸出し電界を弱めることも必要である。
【００４１】
この結果を要約すると、想定した定格電圧条件の場合に比して（ゲート電界／アノード電界）比が大きい場合には、使用する装置の前記電子放出部に、中心部がアノードに向かって突出した凸表面を形成することになる。
【００４２】
図４は、この条件で測定された等電位線の分布を示した概略図である。図示の等電位線分布は、カソード電極６に０Ｖ、ゲート電極１０に６０Ｖ、アノード電極１６（図２参照）に１ｋＶを印加して、Ｅ−１が６Ｖ/μｍでありＥ−２が２Ｖ/μｍである場合に測定された結果である。
【００４３】
実験に用いられた電界放出表示装置において、開口部１２の直径は３０μｍであり、カソード電極６とゲート電極１０との間の距離、つまり絶縁層８の厚さは１０μｍであり、カソード電極６とアノード電極１６との間の距離は５００μｍである。
【００４４】
図４を参照して、開口部に形成された等電位線の分布を見てみると、開口部１２の底面では等電位線がほとんど平坦な直線に近いが、ゲート電極１０に向かって上昇するほど、等電位線がカソード電極６下部の第１基板２に向かって凹状に近くなる、つまり、開口部１２の中心では等電位線が上方に突き出し、周辺部が低くなって第１基板２に近づくことを確認できる。したがって、本実施例でエミッタ１４の表面形状は、前記等電位線形状に対応して第１基板２に向かって凹状の曲面からなる。
【００４５】
つまり、図３を参照すれば、本実施例でエミッタ１４は、開口部１２の周縁部で最も薄い厚さを有し、開口部１２の中心部に向かって厚さが徐々に増加して、開口部１２の中心で最も厚い厚さを有するように形成される。エミッタ１４の表面形状はこのような厚さの変化条件を満たす緩やかな凸状面からなる。この時、エミッタ１４の直径は開口部１２の孔径より小さく、又は、同一に形成できる。
【００４６】
図５は、エミッタの周囲に形成される等電位線の分布を示した概略図であり、図６は、エミッタ表面に沿って測定した電界の強さを示したグラフであって、横軸はエミッタ中心との距離を示す。
【００４７】
実験に用いられた電界放出表示装置において、エミッタ１４の直径は２０μｍ、開口部１２中心での最大厚さは２μｍであり、カソード電極６とゲート電極１０及びアノード電極１６に印加された電圧は、前述した等電位線の実験条件と同一である。
【００４８】
前記エミッタ１４の表面形状を緩やかな凸状面に形成するにことにより、図６に示したように前記電極に駆動電圧を印加した場合、エミッタ１４に印加される電界がエミッタ１４の特定部位に大きく集中せず、エミッタ１４の表面に沿ってほとんど均一に形成されていることが確認できる。
【００４９】
したがって、本実施例の電界放出表示装置は、エミッタ１４の全表面にかけて均一に電子を放出させることができ、その結果、電子ビームの拡散を最小化して画面の色純度を高め、エミッタ１４の劣化を抑制してエミッタ１４寿命を長くする長所が予想される。
【００５０】
［実施例２］
次に、カソード電極６とゲート電極１０との間の電圧差によってエミッタ１４に印加される電界の強さ（記号：Ｅ−１）がカソード電極６とアノード電極１６との間の電圧差によってエミッタ１４に印加される電界の強さ（記号：Ｅ−２）より小さい場合を仮定する。換言すれば、ゲート電界がアノード電界より小さい場合である。この場合には、開口部１２の周辺部電界（ゲートの影響が大きい）が中心部電界（アノードの影響が大きい）よりも小さいので、エミッタ１４の中心部を開口部１２の奥深い所に置いて、アノードの影響を弱めると、電子吸出し電界を一様に出来ると予想される。別の考え方によると、エミッタ１４の中心部を固定すると共に、電界分布を予想し易い周辺部を浅い所に移動し、効果が少ない場合には絶縁層８を厚くして、中心部付近を深い所に移動し、その電位を更に低くして、中心部の電子吸出し電界を弱めることも必要である。
【００５１】
この結果を要約すると、想定した定格電圧条件の場合に比して（ゲート電界／アノード電界）比が小さい場合には、使用する装置の前記電子放出部に、周辺部がアノードに向かって突出した凹表面を形成することになる。
【００５２】
図７は、前記条件で測定された等電位線の分布を示した概略図であって、示した等電位線の分布は、カソード電極６に０Ｖ、ゲート電極１０に０Ｖ、アノード電極１６に１０ｋＶを印加して、Ｅ−１が０Ｖ/μｍであり、Ｅ−２が２０Ｖ/μｍである場合に測定された結果である。
【００５３】
図７を参照すれば、開口部１２に形成される等電位線は、カソード電極６下部の第１基板２に向かって凸状である。したがって、本発明の第２実施例でエミッタの表面形状は、前記等電位線の形状に対応して第１基板２に向かって凸状である。
【００５４】
図８は、本発明の第２実施例による電界放出表示装置の部分断面図であり、図９は、図８の部分拡大図である。
【００５５】
本実施例でエミッタ２２は、絶縁層８と接触しながら開口部１２の周縁で最も厚い厚さを有し、開口部１２中心に向かって厚さが徐々に減少して、開口部１２中心で最も薄い厚さを有するように形成される。エミッタ２２の表面形状は、このような厚さの変化条件を満たす緩やかな凹状面からなる。この時、エミッタ２２の直径は開口部１２直径と同一に形成される。
【００５６】
図１０は、エミッタの周囲に形成される等電位線の分布を示した概略図であり、図１１は、エミッタ表面に沿って測定した電界の強さを示したグラフであって、横軸はエミッタ中心との距離を示す。
【００５７】
実験に用いられた電界放出表示装置において、エミッタ２２の直径は３０μｍであり、開口部１２周縁での最大厚さは２.５μｍであり、開口部１２中心での最小厚さは１.５μｍである。そして、カソード電極６とゲート電極１０及びアノード電極１６に印加された電圧は、前述した等電位線の実験条件と同一である。
【００５８】
前記エミッタ２２の表面形状を緩やかな凹状面に形成することにより、図１１に示したように前記電極に駆動電圧を印加した場合、エミッタ２２に印加される電界はエミッタ２２の特定部位に大きく集中せず、エミッタ２２の表面に沿ってほとんど均一に形成されていることが確認できる。
【００５９】
したがって、第２実施例の電界放出表示装置もまたエミッタ２２の表面全体にかけて均一に電子を放出させることができ、その結果、電子ビームの拡散を最小化して画面の色純度を高め、エミッタ２２の劣化を抑制してエミッタ２２寿命を長くする長所が予想される。
【００６０】
一方、上述した構成を基本としながら、開口部１２内にエミッタを形成する際に、エミッタ２２の電子放出領域を制限して電子ビームの拡散を抑制する構成も可能である。
【００６１】
［実施例３］
図１２は、本発明の第３実施例による電界放出表示装置の部分断面図であって、エミッタ２４は、絶縁層８と一定の距離をおいて開口部１２の中心に位置し、等電位線を整形するための非放出導電層２６がエミッタ２４を囲んで開口部１２の周縁に位置し、エミッタ２４と非放出導電層２６の表面形状は第１基板２に向かって凹状の曲面からなる。
【００６２】
［実施例４］
図１３は、本発明の第４実施例による電界放出表示装置の部分断面図であって、エミッタ２８は絶縁層８と一定の距離をおいて開口部１２中心に位置し、等電位線を整形するための非放出導電層３０がエミッタ２８を囲んで開口部１２の周縁に位置し、エミッタ２８と非放出導電層３０の表面形状は第１基板２に向かって凸状の曲面からなる。
【００６３】
したがって、本発明の第３及び第４実施例では、エミッタ２４、２８表面に均一な電界が印加されながら電子放出はエミッタ２４、２８が位置する開口部１２の中心に集中的に起こるので、電子ビームの拡散を抑制して画面の色純度を高める効果が予想される。
【００６４】
前記では本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれに限定されるわけではなく、特許請求の範囲と発明の詳細な説明及び添付した図面の範囲内で多様に変形して実施するのが可能であり、これも本発明の範囲に属することは当然である。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の第１実施例による電界放出表示装置の部分分解斜視図である。
【図２】図１の結合状態断面図である。
【図３】図２の部分拡大図である。
【図４】本発明の第１実施例による電界放出表示装置において、開口部にエミッタが形成されていないことを仮定して測定した等電位線の分布を示した概略図である。
【図５】本発明の第１実施例による電界放出表示装置において、エミッタの周囲に形成される等電位線の分布を示した概略図である。
【図６】本発明の第１実施例による電界放出表示装置において、エミッタ表面に沿って測定した電界の強さを示したグラフである。
【図７】本発明の第２実施例による電界放出表示装置において、開口部にエミッタが形成されていないことを仮定して測定した等電位線の分布を示した概略図である。
【図８】本発明の第２実施例による電界放出表示装置の部分断面図である。
【図９】図８の部分拡大図である。
【図１０】本発明の第２実施例による電界放出表示装置において、エミッタの周囲に形成される等電位線の分布を示した概略図である。
【図１１】本発明の第２実施例による電界放出表示装置において、エミッタ表面に沿って測定した電界の強さを示したグラフである。
【図１２】本発明の第３実施例による電界放出表示装置の部分断面図である。
【図１３】本発明の第４実施例による電界放出表示装置の部分断面図である。
【図１４】従来技術による電界放出表示装置の部分断面図である。
【図１５】図１４に示した後面基板の部分平面図である。
【図１６】従来技術による電界放出表示装置において、エミッタの周囲に形成される等電位線の分布を示した概略図である。
【図１７】従来技術による電界放出表示装置において、エミッタ表面に沿って測定した電界の強さを示したグラフである。
【符号の説明】
【００６６】
１  後面基板
２  第１基板
３、６  カソード電極
４  第２基板
５、８  絶縁層
７、１０  ゲート電極
９、１２  開口部
１１、１４、２２、２４、２８  エミッタ
１３  前面基板
１６  アノード電極
１８  蛍光膜
２６、３０  非放出導電層
【図１】
2005243611.tif 000003
【図２】
2005243611.tif 000004
【図３】
2005243611.tif 000005
【図４】
2005243611.tif 000006
【図５】
2005243611.tif 000007
【図６】
2005243611.tif 000008
【図７】
2005243611.tif 000009
【図８】
2005243611.tif 000010
【図９】
2005243611.tif 000011
【図１０】
2005243611.tif 000012
【図１１】
2005243611.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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