(57)【要約】【課題】  Ｎａを含むガラス基板にＡｇ電極を形成しても、ガラス基板及び誘電体層の変色及び光の透過率低下を防止するプラズマディスプレイ用パネル及びその製造方法を提供すること。【解決手段】  プラズマディスプレイ１は、ガラス基板（９、１１）とＡｇ電極（１５、２５）との間には第一の酸化物層（１３、２３）が形成されており、かつＡｇ電極と誘電体層（１９、２９）との間には第二の酸化物層（１７、２７）が形成されている。Ａｇ電極の外表面全体を酸化物層で被覆しているため、Ａｇがガラス基板や誘電体層に拡散することを防止する効果に優れ、Ａｇのコロイド化によるガラス基板や誘電体層の変色や光の透過性低下を抑制することができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎａを含むガラス基板と、該ガラス基板上に配設されたＡｇ電極と、該Ａｇ電極及び前記ガラス基板を被覆する誘電体層とを有するプラズマディスプレイ用パネルにおいて、
前記Ａｇ電極の外周面全体に酸化物層が形成されている、プラズマディスプレイ用パネル。
【請求項２】
Ｎａを含むガラス基板と、該ガラス基板上に配設されたＡｇ電極と、該Ａｇ電極及び前記ガラス基板を被覆する誘電体層とを有するプラズマディスプレイ用パネルにおいて、
前記Ａｇ電極と前記ガラス基板との接触部にはＡｇを含まない導電体層が形成されており、かつ前記Ａｇ電極と前記誘電体層との接触部には酸化物層が形成されている、プラズマディスプレイ用パネル。
【請求項３】
前記導電体層がインジウムスズ酸化物層又は酸化スズ層である、請求項２記載のプラズマディスプレイ用パネル。
【請求項４】
前記酸化物層がマグネシア層である、請求項１〜３のうちのいずれかに記載のプラズマディスプレイ用パネル。
【請求項５】
前記酸化物層の厚さが１０〜１０００Åである、請求項１〜４のうちのいずれかに記載のプラズマディスプレイ用パネル。
【請求項６】
請求項１〜５のうちのいずれかに記載のプラズマディスプレイ用パネルを備えた、プラズマディスプレイ。
【請求項７】
Ｎａを含むガラス基板上に第一の酸化物層を形成する工程と、該第一の酸化物層上にＡｇ電極を形成する工程と、少なくとも該Ａｇ電極の外表面を被覆して第二の酸化物層を形成する工程と、該第二の酸化物層及び前記ガラス基板上を被覆して誘電体層を形成する工程と、を含むプラズマディスプレイ用パネルの製造方法。
【請求項８】
Ｎａを含むガラス基板上にＡｇを含まない導電体層を形成する工程と、該導電体層上にＡｇ電極を形成する工程と、少なくとも該Ａｇ電極の外表面を被覆して酸化物層を形成する工程と、該酸化物層及び前記ガラス基板上を被覆して誘電体層を形成する工程と、を含むプラズマディスプレイ用パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイの分野に関するものであり、特にプラズマディスプレイの前面パネル及び／又は背面パネルとして用いられるパネル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイは、従来のブラウン管に比べて、大画面であっても鮮明な画像を得ることができるとともに、薄型化が可能である。このため、近年、テレビジョンやコンピューターの画面等に普及されてきている。プラズマディスプレイは、ガラス基板に電極及び誘電体層が形成された前面パネル及び背面パネル間に、隔壁により多数のセル、即ち、放電空間が区切られ、その表面に蛍光体が塗布されている。それぞれのセルには、放電ガスが充填されており、電極に電圧を印加することにより、放電が起こって紫外線が発生し、この結果、蛍光体から発色して、画像を表示可能に構成されている。
【０００３】
従来、電極としては、Ａｇ単独系、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ三層系、インジウムスズ酸化物系、及び酸化スズ系等が知られている。このうち、Ａｇ単独系は、抵抗値が低く、かつ電極形成が容易である点等で有利に用いられている。
また、ガラス基板上に形成される誘電体層としては低融点ガラスが用いられている。この誘電体層は熱膨張係数が例えば７０〜８０×１０−７／℃程度と比較的高い。プラズマディスプレイの製造においては高温焼成工程が多く含まれているため、誘電体層が形成される前面ガラス基板や背面ガラス基板は、この熱膨張係数と合わせて、高温焼成工程時の変形、割れ、歪み等を防止することが必要である。このため、これらガラス基板としては、一般的にソーダガラスや高歪点ガラスが用いられている。ガラス基板は、Ｎａを含むことにより、４０×１０−７／℃程度の熱膨張係数を誘電体層とほぼ同等に増大することができる。
【０００４】
ところが、Ａｇ電極をソーダガラス基板に形成した場合、高温焼成工程時にＡｇが誘電体層やガラス基板に拡散しやすい。この場合には、ソーダガラス基板に含まれるＮａ及びソーダガラス基板から拡散した誘電体層のＮａとＡｇとの相互作用によりＡｇがコロイド化し、誘電体層やガラス基板が黄色味がかって変色し、また光の透過率が低下する。
この問題を解決するために、種々の提案がなされている。例えば、特許文献１には、ガラス基板上に電極を形成するにあたって、金属酸化物を一層形成した上に金属電極を形成することによって、ガラス基板や誘電体層の黄変や着色を抑制したパネルが開示されている。また、特許文献２には、電極及び電極を形成したガラス基板上に酸化物薄膜を塗布し、さらにその上に誘電体層を形成して、電極と誘電体層との塗れ性を向上し、誘電体層を薄く均一に形成することができるパネルが開示されている。さらに、ガラス基板としてＡｇを拡散させにくい材料、例えば、高歪点ガラスやセラミックを用いたものもある。
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２３６８８５号公報
【特許文献２】特開２０００−２６０３３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、いずれもガラス基板及び誘電体層におけるＮａとＡｇとの相互作用によるＡｇコロイド化を十分に防止することは困難で、依然として変色や光の透過性低下の問題があった。
そこで本発明は、かかる従来の課題を解決すべく開発されたものであり、Ｎａを含むガラス基板にＡｇ電極を形成しても、ガラス基板及び誘電体層の変色及び光の透過率低下を防止する効果に優れるプラズマディスプレイ用パネル及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る第一のプラズマディスプレイ用パネルは、Ｎａを含むガラス基板と、該ガラス基板上に配設されたＡｇ電極と、該Ａｇ電極及び前記ガラス基板を被覆する誘電体層とを有するプラズマディスプレイ用パネルにおいて、前記Ａｇ電極の外周面全体に酸化物層が形成されていることを特徴とする。
かかる構成のプラズマディスプレイ用パネルは、酸化物層が、Ａｇをガラス基板及び誘電体層へ拡散することを抑制する。酸化物層は、Ａｇ電極の外周面全体に形成されているため、ガラス基板及び誘電体層のいずれに対しても極めて高い確率で（特に好適にはほぼ確実に）Ａｇの拡散を抑制することができる。このため、Ａｇコロイド化によるガラス基板及び誘電体層の変色及び光の透過率低下を著しく高い効果で防止することができる。このように優れた効果は、従来知られているパネルでは得られていない。
【０００８】
本発明に係る第二のプラズマディスプレイ用パネルは、Ｎａを含むガラス基板と、該ガラス基板上に配設されたＡｇ電極と、該Ａｇ電極及び前記ガラス基板を被覆する誘電体層とを有するプラズマディスプレイ用パネルにおいて、前記Ａｇ電極と前記ガラス基板との接触部にはＡｇを含まない導電体層が形成されており、かつ前記Ａｇ電極と前記誘電体層との接触部には酸化物層が形成されていることを特徴とする。
かかる構成のプラズマディスプレイ用パネルは、導電体層がＡｇをガラス基板へ拡散することを抑制するとともに、酸化物層がＡｇを誘電体層へ拡散することを抑制する。従って、導電体層及び酸化物層によって、Ａｇ電極の外周面全体が被覆されているため、前記と同様にガラス基板及び誘電体層のいずれに対しても極めて高い確率で（特に好適にはほぼ確実に）Ａｇの拡散を抑制することができる。このため、Ａｇコロイド化によるガラス基板及び誘電体層の変色及び光の透過率低下を著しく高い効果で防止することができる。また、前記Ａｇ電極と前記ガラス基板との接触部には導電体層を形成することにより、抵抗値を低くすることができる。
【０００９】
前記導電体層としては、インジウムスズ酸化物層又は酸化スズ層であることが好ましい。インジウムスズ酸化物又は酸化スズは、Ａｇ拡散防止効果に優れるとともに、Ａｇ電極とガラス基板との間に形成することにより、特に抵抗値を低くし、Ａｇ電極の厚さを薄くすることができる。
【００１０】
前記酸化物層としては、ＩＴＯ膜層、ネサ膜層、マグネシア層、シリカ層、アルミナ層、チタニア層、酸化亜鉛層等が挙げられる。このうち、特にマグネシア層であることが好ましい。マグネシアは、誘電体層及びガラス基板と熱膨張率が近似しているために、パネルの熱的安定性に優れる。ただし、ＩＴＯ膜層やネサ膜層は導電性であるため、ベタ形成した場合には、上層にシリカやアルミナといった絶縁膜をつけなければならない。
【００１１】
前記酸化物層の厚さは、１０〜１０００Åであることが好ましい。この範囲の厚さであることにより、十分なＡｇ拡散防止効果が得られるとともに、透明性を確保し、かつパネルの厚みを大きく増加させずに所望の設計に影響を与えることなく形成することができる。
【００１２】
また、本発明のプラズマディスプレイは、前記各本発明のプラズマディスプレイ用パネルを用いることによって、色合い、輝度及び透明性が向上され、優れた高画質を得ることができる。
【００１３】
次に、本発明の第一のプラズマディスプレイ用パネルの製造方法は、Ｎａを含むガラス基板上に第一の酸化物層を形成する工程と、該第一の酸化物層上にＡｇ電極を形成する工程と、少なくとも該Ａｇ電極の外表面を被覆して第二の酸化物層を形成する工程と、該第二の酸化物層及び前記ガラス基板上を被覆して誘電体層を形成する工程と、を含む。
本方法によれば、Ａｇ電極とガラス基板との間に第一の酸化物層を形成する工程とともに、Ａｇ電極と誘電体層との間に第二の酸化物層を形成する工程を有することで、Ａｇ電極の外周面全体に酸化物層を形成することができる。従って、前記本発明の第一のプラズマディスプレイ用パネルを容易に製造することができる。
【００１４】
さらに、本発明の第二のプラズマディスプレイ用パネルの製造方法は、Ｎａを含むガラス基板上にＡｇを含まない導電体層を形成する工程と、該導電体層上にＡｇ電極を形成する工程と、少なくとも該Ａｇ電極の外表面を被覆して酸化物層を形成する工程と、該酸化物層及び前記ガラス基板上を被覆して誘電体層を形成する工程と、を含む。
本方法によれば、Ａｇ電極とガラス基板との間にＡｇを含まない導電体層を形成する工程とともに、Ａｇ電極と誘電体層との間に酸化物層を形成する工程を有することで、導電体層及び酸化物層によってＡｇ電極の外周面全体を被覆することができる。従って、前記本発明の第二のプラズマディスプレイ用パネルを容易に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の好適な実施形態を説明する。なお、本明細書において特に言及している事項（例えば、酸化物層、所望によりＡｇを含まない導電体層等）以外の事柄であって本発明の実施に必要な事柄は、当該分野における従来技術に基づく当業者の設計事項として把握され得る。本発明は、本明細書に開示されている内容と当該分野における技術常識とに基づいて実施することができる。
本発明のプラズマディスプレイ用パネルでは、酸化物層、及び所望によりＡｇを含まない導電体層がＡｇ電極の外周面全体を被覆して形成されていればよく、種々の材料及び構成をその目的のために適用することができる。
【００１６】
＜第一の形態＞
本発明の具体的な一実施形態に係るプラズマディスプレイ１並びにその前面パネル３及び背面パネル５について図面を参照して説明する。図１は前面パネル３及び後面パネル５を離して示す要部分解斜視図であり、図２はそのうちの一つのセル７を示す断面図である。
【００１７】
本プラズマディスプレイ１は、前面パネル３と、背面パネル５とから構成される。前面パネル３及び背面パネル５のガラス基板９、１１は、Ｎａを含むガラス、例えば、ソーダガラスから構成されている。
まず、前面パネル３について説明する。前面ガラス基板９の背面パネル５に対向する面には、第一の酸化物層１３がその全面に形成されており、その表面上にＡｇ電極１５が形成されている。さらに、Ａｇ電極１５とＡｇ電極１５が形成された第一の酸化物層１３を被覆して、第二の酸化物層１７が形成されている。そして、第二の酸化物層１７を被覆して、誘電体層１９、さらにその表面上には保護層２１が形成されて構成されている。
【００１８】
次に、背面パネル５について説明する。背面パネル５は、背面ガラス基板１１の前面パネル３に対向する面には、第一の酸化物層２３がその全面に形成されており、その表面上にＡｇ電極２５が形成されている。さらに、Ａｇ電極２５とＡｇ電極２５が形成された第一の酸化物層２３を被覆して、第二の酸化物層２７が形成されている。そして、第二の酸化物層２７を被覆して、誘電体層２９が形成されて構成されている。また、誘電体層２９の表面上には、所定間隔で隔壁３１が、前面パネル３の保護層２１との間に形成されている。隔壁３１は、これら前面パネル３及び背面パネル５間を所定位置で区切り、多数のセル７、即ち、放電空間を形成している。
【００１９】
そして、隔壁３１の表面に、蛍光体層３３が形成されている。蛍光体層３３としては、従来公知の赤色蛍光体、緑色蛍光体、青色蛍光体等がそれぞれのセル７に所定の順序にて配置されている。
さらに、隔壁３１によって形成されたセル７内には、それぞれ放電ガスが充填されている。放電ガスとしては、従来公知のガスを適用可能であり、例えば、Ｘｅ、Ｎｅ、Ｈｅ−Ｘｅ又はＮｅ−Ｘｅ等が挙げられる。
尚、前面ガラス基板９、背面ガラス基板１１、Ａｇ電極１５、２５、誘電体層１９、２９、保護層２１、隔壁３１、蛍光体層３３、及び放電ガスとしては、プラズマディスプレイ１に適用可能な従来公知の構成を特に制限なく適宜選択して用いることができる。また、プラズマディスプレイ１に適用可能なこれら以外の他の構成を備えていても良い。
【００２０】
ここで、本実施形態に係る酸化物層について詳細に説明する。酸化物層、即ち、第一の酸化物層１３、２３及び第二の酸化物層１７、２７は、導電性を有さないいずれの酸化物セラミックを主成分としてもよい。従って、特に限定されず、従来公知のいずれの酸化物セラミックから適宜選択して用いることができる。例えば、マグネシア、シリカ、アルミナ、及び酸化亜鉛等が挙げられ、これら酸化物からなる群から選ばれる少なくとも１種を主体に構成されていることが好ましい。また、ガラス質の材料も用いることができる。さらに、これらの複合酸化物であっても良い。これら酸化物セラミックは、第一の酸化物層１３、２３及び第二の酸化物層１７、２７のいずれにおいて、互いに同じであっても異なっていてもよく、それぞれの層に適宜酸化物セラミックを特に制限なく選択して用いることができる。
【００２１】
第一の酸化物層１３、２３及び第二の酸化物層１７、２７の膜厚は、特に限定されないが、好ましくは１０〜１０００Å、より好ましくは１０〜１００Å、特に好ましくは１０〜５０Åである。尚、膜厚は、用いるプラズマディスプレイ１の大きさ、電極１５、２５や誘電体層１９、２９の厚さ、画素数、用いる酸化物セラミックの透明性、その設計等により、適宜選択することができる。
【００２２】
本実施形態に係るプラズマディスプレイ１の前面パネル３及び背面パネル５は、好ましい態様において、例えば、５００℃、特に５５０℃の焼成後にもＡｇの拡散がガラス基板９、１１及び誘電体層１９、２９のいずれにおいてもほぼ完全に抑制されている。このため、色彩計により測定したｂ値を望ましくは±５未満、好ましくは±２未満、さらに好ましくは±１未満、より好ましくは±０．５未満、特に好ましくは±０．３未満に抑制することができる。従って、パネルの   黄変は認められない。また、光の透過率は、波長４００〜５００ｎｍ付近で見られる透過率の低下率を１０％以下、特に５％以下に低減することができる。このため、高い透明性とともに、鮮やかな色合いと輝度を得ることができる。
【００２３】
＜第一の形態の製造例＞
次に、本実施形態に係る前面パネル３の製造方法について詳細に説明する。まず、所定の厚さ及び大きさのソーダガラスからなる前面ガラス基板９を用意する。そして、その一方の面全体に酸化物セラミック材料を用いて、従来公知の膜形成方法に従って第一の酸化物層１３を形成する。尚、膜形成方法としては、いずれの手段を用いても良く、特に制限されない。例えば、スパッタリング法、又はペースト塗布法等が挙げられる。特に、スパッタリング法は、緻密な薄膜、即ち、Ａｇ拡散抑制効果に優れるとともに透明性が高い酸化物層を形成できるために好適である。スパッタリング法に用いられるターゲットとしては、前記酸化物層に使用可能な酸化物を用いることができる。また、ペースト塗布法に用いられるペースト材料としては、前記酸化物セラミックの他に、焼成により前記酸化物セラミックとなる成分を含有するものが挙げられる。溶媒としては、例えば、水、有機溶剤、アルコール類が挙げられる。ペースト塗布法では、ペースト塗布の後、乾燥し、焼成する。焼成温度としては、特に限定されないが、通常４００〜６００℃である。焼成雰囲気は、特に限定されないが、通常酸素含有雰囲気下、好ましくは大気圧下に行われる。
【００２４】
次に、Ａｇ電極１５を形成する。Ａｇ電極１５の形成方法としては、プラズマディスプレイの電極形成方法として従来公知のいずれの手段を用いてもよい。例えば、スパッタリング法、スクリーン印刷法、リフトオフ法、又は感光性ペースト法等が挙げられる。スパッタリング法では、ターゲットとしてＡｇを用いる。スクリーン印刷法や感光性ペースト法において、Ａｇ材料は、通常、有機バインダ又は溶剤中に分散してペースト状にして使用する。この焼成温度は、通常３００〜１０００℃、好ましくは３００〜８００℃、特に４００〜６００℃である。焼成雰囲気は、特に限定されないが、通常酸素含有雰囲気下、好ましくは大気圧下に行われる。
【００２５】
次に、形成されたＡｇ電極１５の外表面を被覆しつつ、Ａｇ電極１５が形成されていない第一の酸化物層１３の表面上にも一面に第二の酸化物層１７を形成する。第二の酸化物層１７の形成手段としては、前記第一の酸化物層１３と同様に形成することができる。
【００２６】
さらに、第二の酸化物層１７を被覆して、誘電体層１９を形成する。誘電体層１９の形成方法としては、プラズマディスプレイの誘電体層形成方法として従来公知のいずれの手段を用いてもよい。例えば、誘電体ガラスペーストを用いたダイコート法やスクリーン印刷法等が挙げられる。誘電体ガラスペーストとしては、誘電体材料として従来公知の無機酸化物又はその複合酸化物を有機バインダに混合したものを用いることができる。塗布又は印刷された誘電体層は、その後焼成される。この焼成温度は、通常３００〜１０００℃、好ましくは３００〜８００℃、特に４００〜６００℃である。焼成雰囲気は、特に限定されないが、通常酸素含有雰囲気下、好ましくは大気圧下に行われる。
【００２７】
好適には、誘電体層１９の表面上に、保護層２１を形成する。保護層２１は、好適にはマグネシアから構成されるが、放電時に誘電体層１９を保護するものであれば特に限定されない。保護層２１の形成方法としては、例えば、スパッタリング法、コーティング法、及びＣＶＤ法等が挙げられる。
【００２８】
次に、本実施形態に係る背面パネル５の製造方法について詳細に説明する。背面パネル５において、背面ガラス基板１１に第一の酸化物層２３、Ａｇ電極２５、第二の酸化物層２７及び誘電体層２９を形成する方法は、前記前面パネル３と同様に製造することができる。
【００２９】
誘電体層２９を形成した後、背面パネル５には、隔壁３１を形成する。まず、隔壁形成用材料を用いて、従来公知の隔壁形成方法に従って所定のピッチで隔壁３１を形成（印刷）する。尚、隔壁形成方法としては、いずれの手段を用いても良く、特に制限されない。例えば、スクリーン印刷法、サンドブラスト法、又は感光性ペースト法等が挙げられる。隔壁形成用材料としては、誘電体ガラス、好適には無鉛ガラスを主成分とし、他の成分、例えば、骨材、有機バインダ、添加剤、及び溶剤等を含むことができる。この後、乾燥し、焼成する。焼成温度は、通常３００〜１０００℃、好ましくは３００〜８００℃、特に４００〜６００℃である。焼成雰囲気は、特に限定されないが、通常酸素含有雰囲気下、好ましくは大気圧下に行われる。
【００３０】
さらに、隔壁３１に囲まれたセル７内に、蛍光体、即ち、赤色蛍光体｛例えば、（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ３：Ｅｕ｝、緑色蛍光体｛例えば、Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ｝、青色蛍光体｛例えば、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ２＋｝のうちのいずれかを配設して、蛍光体層３３を形成する。各蛍光体としては、前記に限定されず従来公知のいずれの蛍光体を用いることができる。蛍光体層３３は、例えば、蛍光体成分を有機バインダ等に分散したペーストをセル７内に所定の配列で塗布、印刷又は噴射し、その後焼成することによって、形成することができる。この焼成温度は、通常３００〜１０００℃、好ましくは３００〜８００℃、特に４００〜６００℃である。焼成雰囲気は、特に限定されないが、通常酸素含有雰囲気下、好ましくは大気圧下に行われる。
【００３１】
その後、得られた前面パネル３及び背面パネル５を例えば封着用ガラスや接着剤等によって張り合わせつつ、セル７内を高真空に排気して、所定の組成及びガス圧の放電ガスを封入することによって、プラズマディスプレイ１を得ることができる。例えば、放電ガスのガス圧は、５０〜１５０ｋＰａに封入される。
【００３２】
＜第二の形態＞
本発明の具体的な一実施形態に係るプラズマディスプレイ１０１並びにその前面パネル１０３及び背面パネル１０５について図面を参照して説明する。図３は前面パネル１０３及び後面パネル１０５を離して示す要部分解斜視図であり、図４はそのうちの一つのセル１０７を示す断面図である。
本実施形態における酸化物層は、第一の酸化物層１１３、１２３が前面ガラス基板１０９及び背面ガラス基板１１１上に前記第一の形態と同様に形成されている。そして、第二の酸化物層１１７、１２７は、Ａｇ電極１１５、１２５の外表面のみを被覆して形成されており、Ａｇ電極１１５、１２５が形成されていない前記第一の酸化物層１１３、１２３の表面上は被覆していない。第二の酸化物層１１７、１２７は、Ａｇ電極１１５、１２５の外表面に酸化物セラミックを前記と同様に塗布することにより形成することができる。その他の誘電体層１１９、１２９、隔壁１３１、蛍光体層１３３、及び保護層１２１の構成は、前記第一の形態と同様に構成される。
【００３３】
＜第三の形態＞
本発明の具体的な一実施形態に係るプラズマディスプレイ２０１並びにその前面パネル２０３及び背面パネル２０５について図面を参照して説明する。図５は前面パネル２０３及び後面パネル２０５を離して示す要部分解斜視図であり、図６はそのうちの一つのセル２０７を示す断面図である。
本実施形態におけるＡｇを含まない導電体層２１３、２２３は、前面ガラス基板２０９及び背面ガラス基板２１１上において、Ａｇ電極２１５、２２５が形成される面にのみ形成されている。ここで、Ａｇを含まない導電体層２１３、２２３の形成方法としては、前記Ａｇ電極の形成方法と同様な手段によって形成することができる。この厚さは、特に限定されないが、例えば、１〜１０００Å、特に１０〜１００Åである。形成された導電体層２１３、２２３の表面上には、Ａｇ電極２１５、２２５が形成されている。そして、酸化物層２１７、２２７は、前記第二の形態と同様にＡｇ電極２１５、２２５の外表面のみを被覆して形成されている。その他の誘電体層２１９、２２９、隔壁２３１、蛍光体層２３３、及び保護層２２１の構成は、前記第一の形態と同様に構成される。
【００３４】
尚、本実施形態では、Ａｇ電極２１５、２２５と前面ガラス基板２０９又は背面ガラス基板２１１との接触部にＡｇを含まない導電体層２１３、２２３を設けたが、導電体層２１３、２２３の代わりに酸化物層を設けることもできる。
また、酸化物層２１７、２２７は、Ａｇ電極２１５、２２５の外表面にのみ形成されているが、第一の形態における第二の酸化物層１７、２７と同様に、形成されたＡｇ電極２１５、２２５の外表面を被覆しつつ、Ａｇ電極２１５、２２５が形成されていない前面ガラス基板２０９及び背面ガラス基板２１１の表面上にも酸化物層２１７、２２７を一面に形成することもできる。
さらに、酸化物層２１７、２２７は、Ａｇを含まない導電体層で形成することもできる。
【００３５】
＜実施例１及び２＞
前記第一の形態のプラズマディスプレイの前面パネルの製造例に従って、図７に示すような試験片３００を作製した。即ち、ガラス基板３０９の表面上に一面に第一の酸化物層３１３を形成し、さらにその表面上にＡｇ電極３１５を形成し、さらにそのＡｇ電極３１５とＡｇ電極が形成された第一の酸化物層３１３を被覆して第二の酸化物層３１７を形成することによって、試験片３００を作製した。それぞれ実施例１及び２の試験片３００の各組成を表１に示す。尚、第一の酸化物層３１３及び第二の酸化物層３１７は、スパッタリング法により厚さ約１０００Åに形成した。また、保護層は形成しなかった。
【００３６】
【表１】
2005243507.tif 000003
【００３７】
＜比較例１−１＞
第一の酸化物層を形成しないことを除いて、実施例１と同様にして試験片を製造した。
＜比較例１−２＞
第二の酸化物層を形成しないことを除いて、実施例１と同様にして試験片を製造した。
＜比較例１−３＞
第一の酸化物層及び第二の酸化物層を形成しないことを除いて、実施例１と同様にして試験片を製造した。
【００３８】
＜比較例２−１＞
第一の酸化物層を形成しないことを除いて、実施例２と同様にして試験片を製造した。
＜比較例２−２＞
第二の酸化物層を形成しないことを除いて、実施例２と同様にして試験片を製造した。
＜比較例２−３＞
第一の酸化物層及び第二の酸化物層を形成しないことを除いて、実施例２と同様にして試験片を製造した。
【００３９】
＜比較試験＞
前記各実施例及び比較例により得られた試験片を５５０℃にて焼成した後の着色度及び光透過率を測定した。
（１）着色度
着色度は、ＪＩＳ  Ｚ８７３０色差表示方法に基づく、色差計（株式会社オリンパス製）を用いて黄変度を示すｂ値を測定した。そして、測定に用いた対照プレートのｂ値を差し引いて実施例及び比較例のパネル試験片のΔｂ値を求めた。実施例１及び比較例１−１〜１−３の結果を表２に示す。また、実施例２及び比較例２−１〜２−３の結果を表３に示す。
【００４０】
【表２】
2005243507.tif 000004
【００４１】
【表３】
2005243507.tif 000005
【００４２】
（２）光透過率
光透過率測定は、株式会社日立製作所製の自記分光光度計（型式Ｕ−３０００）を用いて行った。焼成後の試験片の積分球透過率及び直線透過率について４００〜６５０ｎｍの波長においてそれぞれ測定し、６５０ｎｍの波長における透過率から４００〜５００ｎｍの範囲における下限透過率を差し引くことにより、４００〜５００ｎｍの範囲の光透過率低下率を求めた。即ち、
低下率（％）＝６５０ｎｍの光透過率（％）−４００〜５００ｎｍの下限光透過率（％）
実施例１及び比較例１−１〜１−３の結果を表４に示す。また、実施例２及び比較例２−１〜２−３の結果を表５に示す。
【００４３】
【表４】
2005243507.tif 000006
【００４４】
【表５】
2005243507.tif 000007
【００４５】
表２及び表３の結果から明らかなように、実施例１及び２のパネルのΔｂ値をいずれも±２未満に抑えることに成功した。また、パネルの前面となる側（図７においてガラス基板３０９側）から測定したΔｂ値は、±０．５未満に抑えることができた。さらに、表４及び表５の結果から明らかなように、光透過率低下率も５％以下に抑えられている。このように優れた結果は、いずれの比較例においても得られなかった。
【００４６】
以上、本発明の好適な実施態様を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した態様を様々に変形、変更したものが含まれる。また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】一実施形態に係るプラズマディスプレイパネル１の前面パネル３及び後面パネル５を離して示す要部分解斜視図である。
【図２】図１のプラズマディスプレイパネル１の一つのセル７を模式的に示す断面図である。
【図３】他の実施形態に係るプラズマディスプレイパネル１０１の前面パネル１０３及び後面パネル１０５を離して示す要部分解斜視図である。
【図４】図３のプラズマディスプレイパネル１０１の一つのセル１０７を模式的に示す断面図である。
【図５】さらに他の実施形態に係るプラズマディスプレイパネル２０１の前面パネル２０３及び後面パネル２０５を離して示す要部分解斜視図である。
【図６】図５のプラズマディスプレイパネル２０１の一つのセル２０７を模式的に示す断面図である。
【図７】実施例において作製した試験片の模式図である。
【符号の説明】
【００４８】
１、１０１、２０１…プラズマディスプレイ
３、１０３、２０３…前面パネル
５、１０５、２０５…背面パネル
７、１０７、２０７…セル
９、１０９、２０９…前面ガラス基板
３０９…ガラス基板
１１、１１１、１２１…背面ガラス基板
１３、２３、１１３、１２３、３１３…第一の酸化物層
２１３、２２３…Ａｇを含まない導電体層
１５、２５、１１５、１２５、２１５、２２５，３１５…Ａｇ電極
１７、２７、１１７、１２７、３１７…第二の酸化物層
２１７、２２７…酸化物層
１９、２９、１１９、１２９、２１９、２２９…誘電体層
２１、１２１、２２１…保護層
３１、１３１、２３１…隔壁
３３、１３３、２３３…蛍光体層
３００…試験片
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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