(57)【要約】【課題】  基板面の面粗度（ラフネス）をコントロールし、ヘッド浮上安定性を確保し、高記録密度が達成できる磁性膜を有する磁気記録媒体に用いる基板と粗面化方法を提供する。  【解決手段】  磁気記録媒体に用いるシリコン基板であって、記録層の形成に用いる面が、突起数が１μｍ2当り４０〜１０００個、かつ最大高さが１０ｎｍ以下かつ、平均面粗さが０．３〜２．０ｎｍの範囲を有し、該面全体に傷および汚れが無いことを特徴とする磁気記録媒体用シリコン基板を提供する。また、シリコン基板面への超音波の印加と、該シリコン基板の揺動または回転を含む、該シリコン基板面のエッチング処理工程を含んでなる磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法、およびこのシリコン基板を含んでなる磁気記録媒体を提供する。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録媒体に用いるシリコン基板であって、記録層の形成に用いる面が、突起数が１μｍ2当り４０〜１０００個、かつ最大高さが１０ｎｍ以下かつ、平均面粗さが０．３〜２．０ｎｍの範囲を有し、該面全体に傷および汚れが無いことを特徴とする磁気記録媒体用シリコン基板。
【請求項２】
シリコン基板面への超音波の印加と、該シリコン基板の揺動または回転を含む、該シリコン基板面のエッチング処理工程を含んでなる磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法。
【請求項３】
上記超音波が、２０〜３０００ｋＨｚの周波数を有する請求項２に記載の磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法。
【請求項４】
上記基板の揺動数または回転数が、毎分１〜８０回である請求項２または請求項３に記載の磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法。
【請求項５】
上記エッチング処理工程が、アルカリ性塩と界面活性剤を含み、ｐＨが１０〜１３の範囲にあるエッチング剤を用いる請求項２〜４のいずれかに記載の磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法。
【請求項６】
上記界面活性剤が、ポリオキシアルキレンアルキリルエーテル、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル、アルキルベンゼンスルホン酸およびその塩、アルキルリン酸エステル、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテルスルホン酸およびその塩、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルスルホン酸およびその塩、フッ素系界面活性剤高級アミンハロゲン酸塩、ハロゲン化アルキルピリジニウム、および第四アンモニウム塩からなる一群から選択される１種または２種 以上である請求項５に記載の磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法。
【請求項７】
上記アルカリ性塩が、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化アンモニウム、炭酸カリウム、および炭酸水素カリウムからなる一群から選ばれる１種以上である請求項５または請求項６に記載の磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法。
【請求項８】
上記エッチング剤が、界面活性剤を０．０１〜１０質量％の濃度で含む請求項５〜７のいずれかに記載の磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法。
【請求項９】
上記エッチング剤の液温が２０〜９０℃である請求項２〜８のいずれかに記載の磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項１に記載のシリコン基板を含んでなる磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒用基板体および磁気記録媒体基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録の記録密度（面密度）の向上は非常に急激で、ここ１０年間の間、年率５０〜２００％の急激な向上が継続的に進んできた。量産レベルで７０Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ2の製品が出荷され、実験室レベルではその倍の１６０Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ2の面記録密度が報告されている。量産レベルの面記録密度は、３．５"ＨＤＤで１プラッター当たり８０Ｇｂｙｔｅに相当し、２．５"ＨＤＤでいうと１プラッター当たり４０Ｇｂｙｔｅに相当する。この記録容量は、通常のデスクトップパソコン（３．５"ＨＤＤ搭載）やノートブックパソコン（２．５"ＨＤＤ搭載）の使用用途では、1プラッターの記録メディア搭載で十分な容量である。
【０００３】
記録密度は今後も向上が期待されている。ただ、従来の水平磁気記録方式は熱揺らぎの記録限界が迫っており、１００〜２００Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ2の記録密度に到達するところで、垂直磁気記録に順次移行していくものと考えられている。垂直磁気記録の記録限界がどの当たりにあるかは現時点では定かではないが、１０００Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ2（１Ｔｂｉｔ／ｉｎｃｈ2）は達成可能と考えられている。このような高記録密度が達成できると、２．５"ＨＤＤ１プラッター当たり６００〜７００Ｇｂｙｔｅの記録容量が得られることになる。
【０００４】
但し、高密度記録を実現するためには、磁気記録ヘッドの浮上高さを従来の３０ｎｍから１０ｎｍ以下にしなければならなく、基盤面の平滑化が必須となってきている。しかし、最近ミクロレベル（ラフネス）での面粗さが小さすぎると、ヘッドが基板に吸着したり、ヘッド浮上安定性が低下してしまう問題が発生することが判ってきた。つまり、基板のウエビネス、マイクロウエビネスは極力小さくし、ラフネスを０．３〜２．０ｎｍ程度有する基板が理想といえる。（磁性膜を有する磁気記録媒体に用いる基板のウエビネスは５〜１００ｍｍ、マイクロウエビネスは８０μｍ〜５ｍｍ、ラフネスは〜８０μｍの観察範囲の粗さを表すのに用いられる。）
【０００５】
現在、ガラス基板は、テープ研磨によりテクスチャリングを行っているが、思うようなラフネスが得られず、目標のヘッド高まで低くすることができていない。
【０００６】
シリコン基板の面粗化方法としては、塩素によるドライエッチング方法（特許文献１）や水酸化アルカリによる処理方法（特許文献２）などがあるが、この手法では、面粗度をコントロールすることは可能であるが、基板面全体を均一な面粗さ（ラフネス）に仕上げることは出来ていない。つまり、エッチング時の基板が静置された状態で不均一な雰囲気下でエッチングされるため、選択エッチングが発生し、基板に残る加工歪の影響で傷が浮き出てしまう為である。このように単に酸またはアルカリエッチングでは均一な面粗さ（ラフネス）は得られないのが現状である。
【０００７】
【特許文献１】特開平７−２６３４０６号公報
【特許文献２】特開昭５３−５７１４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、本発明は、基板面の面粗度（ラフネス）をコントロールし、ヘッド浮上安定性を確保し、高記録密度が達成できる磁性膜を有する磁気記録媒体に用いる基板と粗面化方法を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明では、このような課題を解決するために、種々検討を重ねた結果、好ましくは、磁気記録媒体用基板の表面を特に超音波発信した界面活性剤入りのアルカリ液中で揺動または回転させることで、基板面の面粗度（ラフネス）を均一することができることを見出し、詳細な条件を見極めて本発明を完成したものである。
【００１０】
具体的には、本発明は、磁気記録媒体に用いるシリコン基板であって、記録層の形成に用いる面が、突起数が１μｍ2当り４０〜１０００個、かつ最大高さが１０ｎｍ以下かつ、平均面粗さが０．３〜２．０ｎｍの範囲を有し、該面全体に傷および汚れが無いことを特徴とする磁気記録媒体用シリコン基板を提供する。また、シリコン基板面への超音波の印加と、該シリコン基板の揺動または回転を含む、該シリコン基板面のエッチング処理工程を含んでなる磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法、およびこのシリコン基板を含んでなる磁気記録媒体を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明により、磁気記録ヘッドの浮上高さを従来よりも低くすることが可能となり、高記録密度化を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明は、特にシリコンを用いた磁気記録媒体基板において、磁気記録媒体用基板の表面を、好ましくは、超音波発信した界面活性剤入りのアルカリ液中で揺動または回転させることで、基板面の面粗度（ラフネス）を均一する。
【００１３】
本発明で用いられるシリコン基板は、例えば単結晶シリコン、多結晶シリコン等、Ｐ型、Ｎ型、製造方法については特に制限はない。つまり、シリコン自体の電気的特性には左右されないため、廃棄される再生ウエハーなどを用いて製造することも可能であり、原料コストを低く抑えることができるのも特徴である。
【００１４】
エッチングとして、超音波を印加するのは、シリコン基板面で起こる選択エッチングを防止することを目的とし、エッチング液が超音波により振動することにより、均一にエッチングが起こり、均一なラフネスを持った磁気記録媒体用基板が得られる。また、ガス（水素）が基板面に付着防止、異物、ゴミの再付着防止にも効果があると考えられる。超音波の周波数としては、基板面への均一かつ効率的なラフネス制御の点において３０〜３０００ｋＨｚが好ましい。
【００１５】
基板を揺動、回転させるのは、印加された超音波が、基板全体に均等に当るようにするためであり、超音波の性質上この組み合わせはより効果的であると考えられる。基板の揺動は、基板を揺らすことであり、例えば、基板を上下に動かしたり、左右に動かしたりすることを含む。
揺動または回転は、基板面の均一なラフネス制御の点において１〜８０回/分であることが好ましい。ここで、揺動は、例えば上下動の一サイクルまたは左右動の一サイクルを一回と数えた。
【００１６】
エッチングの際に用いるエッチング剤は、好ましくは、界面活性剤入りアルカリ液であり、アルカリ性塩を含む、界面活性剤混合物であり、ｐＨが１０〜１３の範囲のアルカリ洗剤である。さらに好ましくは、ｐＨ１１〜１２に調整したアルカリエッチング剤を用いることがよい。この範囲のｐＨが好ましいのは、均一かつ効率良く基板面のラフネスを制御できるだからである。
【００１７】
アルカリ性塩としては、好ましくは、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化アンモニウム、炭酸カリウム、および炭酸水素カリウムからなる一群から選ばれる１種または２種以上の混合を用いることができる。
アルカリ性塩の添加量は、水酸化カリウムや水酸化ナトリウム等は所定のｐＨとなる量であるが、添加量としてはエッチング液全体で０．００１〜１Ｍ程度となるように調整するのが好ましい。
【００１８】
エッチング剤中の界面活性剤としては、好ましくは、ポリオキシアルキレンアルキリルエーテルおよびポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル等の非イオン型界面活性剤、アルキルベンゼンスルホン酸およびその塩、アルキルリン酸エステル、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテルスルホン酸およびその塩、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルスルホン酸およびその塩等のアニオン型界面活性剤、フッ素系界面活性剤、高級アミンハロゲン酸塩（アミンは炭素数１０〜２０のアルキル基を少なくとも一つ有する。）、ハロゲン化アルキルピリジニウム、第四アンモニウム塩等のカチオン型界面活性剤からなる一群から選ばれる１種または２種以上があげられるが、非イオン型またはアニオン型界面活性剤がより好ましい。
【００１９】
界面活性剤の具体例としては、ラウリル硫酸ナトリウム、テトラエチルアンモニウムクロリド、ポリオキシエチレン（１０）オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレン（１０）オクチルエチルエーテル、ライポンＦ（ライオン社製）、クリンスルー（花王社製）、エクセムライト（共栄社化学社製）等が挙げられる。
【００２０】
エッチング剤中の界面活性剤の濃度は、エッチング剤中に０．０１〜１０質量％含むことが好ましい。この範囲は、基板面のぬれ性、ゴミの再付着防止、気泡付着防止の点および生産性（コスト、廃液処理）の点において好ましい。具体的には、０．０１質量％未満であると、基板面のぬれ性や低ゴミ性において劣ったり、気泡付着する場合があり、１０質量％を超えるとコストや廃液処理の問題が生じてくる。
界面活性剤を添加しているのは、基板面のぬれ性を向上させ、均一エッチングを実現するためであり、エッチング時に発生するガス（水素）が基板面に付着することを防止し、エッチングムラを防止する役割がある。また、エッチング液中に存在する、異物、ゴミの再付着防止にもなっている。
【００２１】
また、エッチング剤の液温を選択エッチング防止や量産性の上からも常温または加温して２０〜９０℃に保持してエッチングすることが好ましい。
【００２２】
特に好ましくは、１質量％以下の界面活性剤に０．１モル以下の水酸化アルカリが入った、ｐＨ１２前後のものを用いることができる。
【００２３】
基板は、エッチング処理工程の前に、研磨および洗浄しておくことが好ましい。
研磨は、特に限定されないが、例えば、コロイダルシリカ等を用いて不織布で研磨した後、研磨布（スエード系）を用いて研磨することが挙げられる。
洗浄は、好ましくは、ＲＣＡ（Ｈ2Ｏ2−ＮＨ4ＯＨ）等を用いた化学洗浄や洗剤を用いたスクラブ洗浄を用いることができる。
【００２４】
エッチング処理工程は、好ましくは、界面活性剤入りアルカリ溶液に超音波を印加し、研磨・洗浄の終了した基板を１〜８０ｒｐｍ回転させながら（揺動の場合は上下動を１〜８０回／分）浸漬し、１〜３００分間程度浸漬する（回転と浸漬は同時進行）ことで行う。
エッチング時に、揺動または回転を怠ったり、超音波を印加しなかった場合、または、界面活性剤が入っていないエッチング液を使用した場合、いずれの一つが欠けても、シリコン基板面で選択エッチングが起こり、傷や汚れが発生し、均一なラフネスは得られない場合がある。
【００２５】
エッチング処理工程の後に、直ちにスクラブ洗浄・乾燥を行うことにより、均一なラフネスを持った磁気記録媒体用基板が得られる。
スクラブ洗浄は、好ましくは、ブラシもしくはスポンジ系（ＰＶＡ、ウレタン等）の比較的軟質な材質を用いると良い。乾燥は、好ましくは、温風、冷風、またはスピン式の乾燥がよい。
【００２６】
また、エッチング工程の後、直ちに洗浄しない場合は、ｐＨ３〜６程度の界面活性剤に保存しておくことが好ましい。ｐＨ８以上のアルカリやｐＨ２以下の強酸中で保管すると、エッチングが進行してしまい、目的の面状態が得られない場合がある。つまり、エッチング処理後、酸性の洗剤液中に保管することで均一なラフネスを確保することができる。酸性の洗剤液中に保管するのは、これ以上、エッチングを進行させないためであり、そのまま純水保管すると、基板面に付着したアルカリ残がエッチングを進行させる可能性があるためである。
保存用の界面活性剤としては、好ましくはポリオキシアルキレンアルキルエーテル等の非イオン系界面活性剤が挙げられ、保存液中の濃度としては、０．０１〜１０質量％である。保存液の溶媒としては、水が好ましい。ｐＨを３〜６程度に保つことがよく、酸として、塩酸、硝酸、硫酸、酢酸またはその塩等を用いて調整する。
【００２７】
本発明の磁気記録媒体用基板の特徴は、ラフネス以外は極力平坦化し（磁性膜を有する磁気記録媒体に用いる基板のウエビネスは５〜１００ｍｍ、マイクロウエビネスは８０μｍ〜５ｍｍ、ラフネスは〜８０μｍの範囲の粗さを表すのに用いられる。）情報を記録する面にある突起数が１μｍ2当り４０〜１０００個、好ましくは４０〜５００個であり、かつ最大高さが１０ｎｍ以下かつ、平均面粗さが０．３〜２．０ｎｍの範囲にすることで、基板面に対し磁気記録ヘッドを１０ｎｍ以下にしても、吸着が起こらず、安定したヘッド浮上特性を有する磁気記録媒体用基板を提供することを特徴とする。
情報を記録する面にある突起数が１μｍ2当り４０〜１０００個から外れた場合、ヘッドの浮上特性が不安定となってしまう。
最大高さが１０ｎｍを超えてくると、記録密度をアップするためにヘッドの浮上高さを低くした場合に、ヘッドと基板が接触してしまう。さらに、ヘッド浮上高さは１０ｎｍ以下になってくるので、基板面の凹凸の最大高さを１０ｎｍ以下にする必要がある。
また、平均面粗さが０．３ｎｍ未満だと、ヘッド浮上安定性が低下する上、ヘッドと基板の吸着が起こってしまい、平均面粗さが２．０ｎｍを超えた場合、高記録密度を得るための基板面が得られない。
なお、平均面粗さと最大高さは、原子間力顕微鏡（アトミック・フォース・マイクロスコープ、ＡＦＭ）を用いて、観察エリアを１０μｍ角として測定した。突起数は、ＡＦＭ観察を行い、目視により測定した。
【００２８】
図 １（Ａ）に本発明のシリコン基板を用いた磁気記録媒体１とヘッド２との関係、図１（Ｂ）に従来のシリコン基板を用いた磁気記録媒体１１とヘッド２との関係を概念的に示す。図１（Ａ）では、基板の回転により浮力が発生し、ヘッド浮上性が向上し吸着もしない。一方、図１（Ｂ）では、基板の回転により浮力が発生しないため、ヘッド浮上性が不安定となり吸着も発生する。
図１（Ａ）では表面粗さ（Ｒａ）０．３０〜２．００ｎｍ、図１（Ｂ）では表面粗さ（Ｒａ）０．３０ｎｍ未満だが、表面粗さ（Ｒａ）だけに着目しても本発明の効果は得られない。所定の表面粗さに加えて、所定の突起数及び所定の最大高さを有する金属膜付基板とすることにより、簡単に言えばヘッドがエアーホッケーのように動く状態とすることにより、本発明の効果が得られるものである。
【００２９】
このようにエッチング処理された本願の基板は、記録層を製膜して記録媒体として使用することができるものである。
本発明のシリコン基板は、情報を記録する記録層を設けることにより、磁気記録媒体として使用することができる。
記録層を設ける前に、好ましくは、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、及びＡｕからなる群から選ばれる一種以上を含んでなる下地層を設けてもよい。
記録層としては、特に限定されず、コバルト記録層、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ等が挙げられ、公知の方法で設けられ、その厚さも限定されず、通常の厚さでよい。
記録層の上には、カーボン保護層やフッ素系潤滑層を設けてもよい。
【実施例】
【００３０】
以下、本発明を実施例に基づき説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
実施例１〜２０、比較例１〜１１
単結晶シリコンを用いて、外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、厚さ０．６４ｍｍの磁気記録媒体用基板を作成した。基盤研磨は一段目が不織布であるＳｕｂａ４００（ロデール製）で研磨（コロイダルシリカ日産化学社製：３％−ＳＳＳ）した後、二段目をＳｕｐｒｅｍｅＲＮ−Ｈ（ロデール社製）で研磨（コロイダルシリカ日産化学社製：３％−ＳＳＳ）し、ラフネス（ＡＦＭ測定、１０μｍ角視野で測定）を０．１ｎｍに仕上げた基板を多数枚用意した。
この基板を表１の条件にてエッチング処理を行った後、直ちにスクラブ洗浄・乾燥を行い面状態を集光灯にて外見検査（傷、汚れの有無チェック）、ＡＦＭ観察、表面凹凸のイメージ像観察を行った。
【００３１】
面粗さおよび最大高さの測定および突起の測定
原子間力顕微鏡（走査プローブ顕微鏡ＪＳＰＭ−４２００日本電子社製）を用いて、ＡＦＭ観察を行い、面粗さを測定した。観察エリアは１０μｍ角とした。突起は、ＡＦＭ観察を行い、目視により測定した。
図２（Ａ）はエッチングを行わなかった比較例１１の基板の表面のＡＦＭ観察結果であり、図２（Ｂ）はエッチング処理を行った実施例２で得られた基板の表面のＡＦＭ観察結果である。
【００３２】
集光灯による目視観察
集光灯（山田光学社製）を用いて、１０万ルクスの照度で傷、パーティクルの有無および数を目視観察した。図３（Ａ）は超音波を用いて処理した実施例２で得られた基板の表面、図３（Ｂ）は超音波を用いずに処理した比較例８で得られた基板の表面の集光灯による傷観察スケッチである。前者には全く傷がみられなかったが、後者には無数の傷がみられた。
【００３３】
光学式表面解析装置（ＯＳＡ）による外観イメージ像
ＯＳＡ（Ｃａｎｄｅｌａ社製）を用いて、表面凹凸のイメージを観察した。
【００３４】
ｐＨの検討
エッチング液のｐＨをＫＯＨを用いて９〜１４とし、基板面の面粗さ、外観検査を行った結果、ｐＨ＝９では、面粗さは殆ど変化無く、逆に１４では面が荒れる傾向にあり、傷の発生が認められた。これに対し、ｐＨ＝１０〜１３の範囲では、傷、汚れの発生も無く、突起数および面粗さをコントロールすることが出来た。
【００３５】
界面活性剤の検討
界面活性剤濃度を０．００５〜２０質量％とし、基板面の面粗さ、外観検査を行った結果、濃度０．００５質量％以下では、基板面の濡れ性が低下し、エッチング後の基板面に傷と汚れが発生した。また、２０質量％以上では、突起数は良好であるものの、平均面粗さが大きくならなかった場合があった。これに対し、濃度０．０１〜１０質量％の範囲は、傷、汚れの発生も無く、突起数および面粗さをコントロールすることが良好であった。但し、界面活性剤濃度の上昇に伴い、平均面粗さが小さくなる傾向が認められた。
【００３６】
液温の検討
エッチング液の液温を１０〜１００℃とし、基板面の面粗さ、外観検査を行った結果、１０℃以下では、エッチングが進行せず効果が無い場合があった。また、１００℃以上では、アルカリとの反応が急激に進行するため、基板より無数の気泡が発生し、基板面の傷、汚れが発生する場合があった。これに対し、液温２０〜９０℃では、傷、汚れの発生も無く、突起数および面粗さをコントロールすることが良好であった。
【００３７】
超音波周波数の検討
エッチング中に印加の有無および超音波の周波数について検討した結果、超音波無しの基板面には、選択エッチングによる傷、汚れが発生した。これに対し、超音波を印加した基板はいずれも傷、汚れが発生が無く、突起数および面粗さをコントロールすることが出来た。
【００３８】
回転または揺動の検討
図４（Ａ）は超音波印加と基板の回転を組み合わせた実施例３で得られた基板のＯＳＡによる凸凹イメージ観察結果であり、図４（Ｂ）は超音波印加のみの比較例９で得られた基板のＯＳＡによる凸凹イメージ観察結果である。比較例９で得られた基板には、傷はないものの、基板全面に大きなうねりを有した。
このように、全く回転および揺動を行わなかった基板面は凹凸および基板全体にエッチングむらが発生した。これに対し、回転または揺動した基板はいずれも傷、汚れの発生が無く、突起数および面粗さをコントロールすることが出来た。しかし、１００回転／分以上では、エッチングで発生したガスの気泡がエッチング液内に滞留し基板面の汚れが起こる場合があった。
【００３９】
ヘッド浮上テスト
実施例１、２、３と比較例１、１１（未処理品）のシリコン基板に下地層Ｃｒ１００ｎｍ、磁気記録層Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ６０ｎｍ、保護層３０ｎｍの順に基板温度２５０℃、アルゴンガス雰囲気中、ＲＦスパッタ成膜を行った。この磁気記録媒体に潤滑剤を塗布し、フライングハイトを６ｎｍとし、ヘッド浮上安定性を観察すると共に、コンタクト・スタート・ストップ（ＣＳＳ）を行い、ヘッドと基板の吸着の有無を観察した。
その結果、実施例１，２，３共にヘッド浮上安定性が高く、ＣＳＳテストにおいても吸着が起こらなかった。特に実施例２，３については、安定性が高く良好な結果が得られた。これに対し、比較例１と１１については、ヘッド浮上安定性は悪く、特に比較例１１の未処理品については不安定でＣＳＳテストでもヘッド吸着が起こってしまった。比較例１については比較例１１に比べ、若干良かったが、エッチングが不十分なため、良好な結果は得られなかった。その他、比較例については、基板面に傷や汚れがあるためにヘッド浮上テストは出来なかった。
【００４０】
基板面と傷および汚れの観察
基板面に発生した、傷および汚れについて、ＯＳＡのイメージ像で観察した結果、傷および汚れが凸であることが確認できた。これは、研磨による加工歪が選択エッチングにより傷の部分がエッチングされなかった為と考えられる。
【００４１】
結果を表１に示す。
高記録密度を実現するために不可欠なフライトハイトを低く設定しても、本発明のように基板面に一定の突起部および面粗さを持たせることにより、ヘッド浮上を安定させ、ＣＳＳ時のヘッド吸着を防止できる。
また、本発明の手法によりシリコン基板の表面にエッチングを施すことにより、容易に基板表面を粗面化することができる。
【００４２】
【表１】
2005251266.tif 000002
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】（Ａ）は本発明のシリコン基板を用いた磁気記録媒体とヘッドとの関係、（Ｂ）は従来のシリコン基板を用いた磁気記録媒体とヘッドとの関係を示す概念図である。
【図２】（Ａ）はエッチングを行わなかった比較例１１の基板の表面のＡＦＭ観察結果であり、（Ｂ）はエッチング処理を行った実施例２で得られた基板の表面のＡＦＭ観察結果である。
【図３】（Ａ）は超音波を用いて処理した実施例２で得られた基板の表面、（Ｂ）は超音波を用いずに処理した比較例８で得られた基板の表面の集光灯による傷観察スケッチである。
【図４】（Ａ）は超音波印加と基板の回転を組み合わせた実施例３で得られた基板のＯＳＡによる凸凹イメージ観察結果であり、（Ｂ）は超音波印加のみの比較例９で得られた基板のＯＳＡによる凸凹イメージ観察結果である。
【符号の説明】
【００４４】
１  磁気記録媒体
２  ヘッド
１１  磁気記録媒体
【図１】
2005251266.tif 000003
【図２】
2005251266.tif 000004
【図３】
2005251266.tif 000005
【図４】
2005251266.tif 000006