(57)【要約】【課題】導体層の厚みを薄くして小型の電子部品を製作することができ、しかも導体層や誘電体層に変形やクラック等の不具合が生じるのを有効に防止することができる電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】表面の形状が凸曲面状の基体を用意し、当該基体の表面に金属メッキ膜を析出させる工程Ａと、当該金属メッキ膜を樹脂フィルムに転写し、しかる後、該樹脂フィルムに転写された金属メッキ膜を覆うように誘電体スラリーを付着させ、誘電体スラリーが付着した樹脂フィルムを加熱して乾燥させることにより金属メッキ膜が埋設された誘電体シートを形成する工程Ｂと、前記金属メッキ膜が埋設された誘電体シートを焼成して、誘電体層上に導体層が被着された部分を備えた電子部品を得る工程Ｃとを含んで電子部品の製造方法を構成する。【選択図】図２
2005064494.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面の形状が凸曲面状の基体を用意し、当該基体の表面に金属メッキ膜を析出させる工程Ａと、
当該金属メッキ膜を樹脂フィルムに転写し、しかる後、該樹脂フィルムに転写された金属メッキ膜を覆うように誘電体スラリーを付着させ、誘電体スラリーが付着した樹脂フィルムを加熱して乾燥させることにより金属メッキ膜が埋設された誘電体シートを形成する工程Ｂと、
前記金属メッキ膜が埋設された誘電体シートを焼成して、誘電体層上に導体層が被着された部分を備えた電子部品を得る工程Ｃと、を含む電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記工程Ｃにおける誘電体シートの焼成温度が金属メッキ膜を形成している金属の融点よりも低く、かつ前記金属の再結晶温度よりも高いことを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記基体が円筒状もしくは円柱状を成しており、前記工程Ａにおいて、前記基体を軸周りに回転させながら、その一部をメッキ槽のメッキ液に浸漬するとともに、前記基体と前記メッキ槽との間のメッキ液に電界を印加することによって前記金属メッキ膜が形成されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記基体が円筒状もしくは円柱状を成しており、前記基体の表面の曲率半径が５０ｍｍ〜２０００ｍｍであることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記基体の表面に前記金属メッキ膜の析出領域を規制するマスク層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記マスク層が、ダイヤモンド・ライク・カーボン（ＤＬＣ）もしくはグラファイト・ライク・カーボン（ＧＬＣ）から成ることを特徴とする請求項５に記載の電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記マスク層の側面と下面との間に形成される角部の角度が９０度以下であることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記金属メッキ膜を析出させる基体の表面が、窒化チタンアルミニウム、窒化クロム、窒化チタン、窒化チタンクロム、炭窒化チタン、炭化チタン、導電性ＤＬＣの少なくとも一種から成るとともに、表面粗さが最大高さＲｙで０．５μｍ以下であり、且つ、前記基体表面の比抵抗が１０−２Ωｃｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体層と所定パターンの導体層とを組み合わせて構成されているコンデンサやインダクタ，フィルタ，回路基板等の電子部品の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、コンデンサやインダクタ，フィルタ，回路基板等の電子部品を形成するのに誘電体材料が用いられている。
【０００３】
このような従来の電子部品として、例えば、所定の誘電率を有した複数個のセラミック層を、間に第１の内部電極と第２の内部電極とを交互に介在させて積層するとともに、該積層体の側面や主面に前記第１，第２の内部電極にそれぞれ電気的に接続される一対の外部電極を設けてなる積層セラミックコンデンサ等がよく知られており、かかる積層セラミックコンデンサは、一対の外部電極を介して第１の内部電極と第２の内部電極との間に所定の電圧を印加し、第１の内部電極−第２の内部電極間に配されているセラミック層に所定の静電容量を形成することによってコンデンサとして機能するようになっている。
【０００４】
また上述した積層セラミックコンデンサは以下の工程を経て製作される（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
まず、所定のセラミック材料粉末に有機バインダ及び有機溶剤を添加・混合してスラリー状の無機組成物を作製し、これを従来周知のドクターブレード法等によって所定厚みのシートに成形加工してセラミックグリーンシートを形成する。
【０００６】
次に、得られたセラミックグリーンシートの主面に従来周知のスクリーン印刷等によってニッケル等の金属を主成分とする導体ペーストを所定パターンに印刷・塗布し、これを複数枚、積み重ねることによってセラミックグリーンシートの積層体を形成する。
【０００７】
続いて、前記積層体を高温で焼成することによって導体ペーストを内部電極に、セラミックグリーンシートをセラミック層に成し、最後に、前記積層体の端面等に従来周知のディッピング法等によって導体ペーストを塗布し、これを焼き付けて外部電極を形成することによって積層セラミックコンデンサが製作される。
【特許文献１】特開２０００−２４３６５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、近年、電子機器の小型化に伴い、電子部品の小型化が求められており、上述した積層セラミックコンデンサの場合、個々のセラミック層や内部電極を薄く形成し、さらには高積層化、高容量化するための種々の検討がなされている。
【０００９】
例えば、上述した従来の積層セラミックコンデンサにおいて、内部電極の厚みを薄くするには、内部電極の形成に使用されている導体ペースト中に含まれる金属粉末の平均粒径を、例えば、０．３μm程度に極めて小さくすることが重要とされている。
【００１０】
しかしながら、導体ペースト中に含まれている金属粉末の粒径を極めて小さくした場合、導体ペースト中で金属粉末同士が凝集することに起因して金属粉末の分散性が悪くなってしまうことから、スクリーン印刷等に適した特性を備えた導体ペーストを得ることが困難であるという欠点を有していた。
【００１１】
また仮に、導体ペースト中に含まれている種々の成分を調整することによりスクリーン印刷等に適した特性をもった導体ペーストを得ることができたとしても、これをセラミックグリーンシート上に薄く塗布して焼成すると、焼成の際に導体ペースト中の金属粉末が移動することによって内部電極の連続性が著しく喪失される不都合があり、最悪の場合、内部電極が分断されてしまう欠点を有していた。
【００１２】
そこで上記欠点を解消するために、内部電極となる金属メッキ膜を予め形成しておき、これをセラミックグリーンシートに転写することで厚みの薄い内部電極を形成することが考えられる。
【００１３】
しかしながら、予め形成しておいた金属メッキ膜をセラミックグリーンシートに転写して内部電極を形成する場合、金属メッキ膜の析出時に金属メッキ膜中に大きな内部応力（引張応力）を生じるという不都合がある。それ故、金属メッキ膜の析出に使用される基材の表面が平坦である場合、金属メッキ膜を基材より剥離させると、金属メッキ膜は析出方向と反対側の方向に突出した形の反りを生じようとして、セラミックグリーンシートへの転写時、セラミックグリーンシートもしくは金属メッキ膜に変形やクラックを発生したり、或いは、焼成時にデラミネーションやクラックを発生するという欠点が誘発される。
【００１４】
さらに、内部電極のない領域と内部電極のある領域は厚みが異なるので、複数のセラミックグリーンシートを積層すると、それぞれの内部電極の厚み差が累積されて、デラミネーションや電極が湾曲してショートといった電気不良が生じることがある。
【００１５】
本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は、導体層の厚みを薄くして小型の電子部品を製作することができ、しかも導体層や誘電体層に変形やクラック等の不具合が生じるのを有効に防止することができる電子部品の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の電子部品の製造方法は、表面の形状が凸曲面状の基体を用意し、当該基体の表面に金属メッキ膜を析出させる工程Ａと、
当該金属メッキ膜を樹脂フィルムに転写し、しかる後、該樹脂フィルムに転写された金属メッキ膜を覆うように誘電体スラリーを付着させ、誘電体スラリーが付着した樹脂フィルムを加熱して乾燥させることにより金属メッキ膜が埋設された誘電体シートを形成する工程Ｂと、
前記金属メッキ膜が埋設された誘電体シートを焼成して、誘電体層上に導体層が被着された部分を備えた電子部品を得る工程Ｃと、を含むことを特徴とするものである。
【００１７】
また本発明の電子部品の製造方法は、前記工程Ｃにおける誘電体シートの焼成温度が金属メッキ膜を形成している金属の融点よりも低く、かつ前記金属の再結晶温度よりも高いことを特徴とするものである。
【００１８】
更に本発明の電子部品の製造方法は、前記基体が円筒状もしくは円柱状を成しており、前記工程Ａにおいて、前記基体を軸周りに回転させながら、その一部をメッキ槽のメッキ液に浸漬するとともに、前記基体と前記メッキ槽との間のメッキ液に電界を印加することによって前記金属メッキ膜が形成されることを特徴とするものである。
【００１９】
また更に本発明の電子部品の製造方法は、前記基体が円筒状もしくは円柱状を成しており、前記基体の表面の曲率半径が５０ｍｍ〜２０００ｍｍであることを特徴とするものである。
【００２０】
更にまた本発明の電子部品の製造方法は、前記基体の表面に前記金属メッキ膜の析出領域を規制するマスク層が形成されていることを特徴とするものである。
【００２１】
また更に本発明の電子部品の製造方法は、前記マスク層が、ダイヤモンド・ライク・カーボン（ＤＬＣ）もしくはグラファイト・ライク・カーボン（ＧＬＣ）から成ることを特徴とするものである。
【００２２】
更にまた本発明の電子部品の製造方法は、前記マスク層の側面と下面との間に形成される角部の角度が９０度以下であることを特徴とするものである。
【００２３】
また更に本発明の電子部品の製造方法は、前記金属メッキ膜を析出させる基体の表面が、窒化チタンアルミニウム、窒化クロム、窒化チタン、窒化チタンクロム、炭窒化チタン、炭化チタン、導電性ＤＬＣの少なくとも一種から成るとともに、表面粗さが最大高さＲｙで０．５μｍ以下であり、且つ、前記基体表面の比抵抗が１０−２Ωｃｍ以下であることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、表面の形状が凸曲面状の基体を用意し、当該基体の表面に金属メッキ膜を析出させ、得られた金属メッキ膜を樹脂フィルム上に転写した後、誘電体シートと一体化するようにしたことから、金属メッキ膜を析出させる際、金属メッキ膜中に内部応力（引張応力）が生じても、金属メッキ膜を基体より剥離させると凸曲面状の金属メッキ膜は平坦化する方向に変形する。したがって、金属メッキ膜を樹脂フィルムの主面に転写した際、金属メッキ膜に変形やクラックが発生するといった不都合が有効に防止されるようになり、しかも樹脂フィルムは金属メッキ膜が転写された後も略平坦に維持されることから、樹脂フィルム上に塗布される誘電体スラリの厚みを高精度に制御することができ、電子部品の生産性を向上させることができる。
【００２５】
また上述のようにして得られる誘電体シートには、金属メッキ膜の存在する部位と存在しない部位との間に段差がなく、これのような誘電体シートを複数枚積層しても、内部電極の変形は抑制されることから、電気不良やデラミネーションの発生を有効に防止することができる利点もある。
【００２６】
更に本発明によれば、上述した金属メッキ膜を、誘電体シートの焼成時、金属メッキ膜を形成する金属の再結晶温度よりも高く、かつ、融点より低い温度で熱処理することにより、焼成時の熱によって金属メッキ膜が熔けて金属メッキ膜を分断するといった不都合を生じることはなく、連続性に優れた導体層を形成することができる。なお、ここで、金属メッキ膜が連続性に優れた導体層となるのは、誘電体シートの焼成時、金属メッキ膜を形成している金属の再結晶化が進むことで金属が適度に軟化し、誘電体シート中の（セラミック）粒子が金属メッキ膜の表面に入り込むからであり、これによって金属メッキ膜と誘電体シートの密着力が向上し、構造欠陥の少ない電子部品が得られる。
【００２７】
また更に本発明によれば、前記基体の表面に金属メッキ膜の析出領域を規制するマスク層を形成しておくことにより、フォトエッチング等の煩雑な工程を経ることなく、基体をメッキ液に浸漬してメッキ槽との間に電界を印加するだけで所望するパターンの金属メッキ膜を容易に得ることができ、電子部品の生産性を向上させることが可能となる。
【００２８】
更にまた本発明によれば、前記マスク層をＤＬＣもしくはＧＬＣにより形成しておけば、比較的厚みの薄く強度の強いマスク層が形成できる。さらに、このような膜は、前記基体との密着力が強く、十分な電気絶縁性を得ることができる上に、金属メッキ膜を基体より剥離させる際の剥離性を良好となすことができる。
【００２９】
また更に本発明によれば、前記マスク層の側面と下面との間に形成される角部の角度を９０度以下になしておけば、基体と接する金属メッキ膜の下面の面積が上面の面積よりも小さくなることから、金属メッキ膜を樹脂フィルム上に転写する際、金属メッキ膜の外周部がマクス層に引っ掛かることは殆どなく、金属メッキ膜の‘抜け’を良好となすことができる。
【００３０】
更にまた本発明によれば、金属メッキ膜が析出される基体の表面を窒化チタンアルミニウム、窒化クロム、窒化チタン、窒化チタンクロム、炭窒化チタン、炭化チタン、導電性ＤＬＣの少なくとも一種により形成するとともに、基体表面の表面粗さを最大高さＲｙで０．５μｍ以下に設定し、その比抵抗を１０−２Ωｃｍ以下に設定しておくことにより、基体の表面に金属メッキ膜を析出させる際、基体とメッキ槽との間の電流密度はより均一なものとなり、金属メッキ膜の厚みをより等しく揃えることができるようになる。しかもこの場合、基体表面の硬度は高く、表面状態は極めて平滑であることから、金属メッキ膜の剥離性も良好である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。
【００３２】
図１は本発明の一実施形態に係る製造方法によって製作した電子部品としての積層セラミックコンデンサを示す断面図であり、同図に示す積層セラミックコンデンサ１は、大略的に、絶縁層２と、導体層としての内部電極３と、誘電体層４と、外部電極５とで構成されている。
【００３３】
積層セラミックコンデンサ１は、内部電極３と所定の誘電率を有した誘電体層４とを交互に積層して直方体形状の積層体を形成するとともに、該積層体の上下両面に誘電体層４と同一材料からなる絶縁層２を形成し、更に前記積層体の両端部に内部電極３と電気的に接続される外部電極５を被着・形成した構造を有している。
【００３４】
前記誘電体層４は、セラミック材料又は有機材料により形成される。セラミック材料から成る場合、例えば、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム等により形成される。有機材料から成る場合、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＰ（ポリプロピレン）、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）等により形成される。誘電体層４の厚みは、例えば１層あたり１．０μｍ〜４．０μｍに設定され、その積層数は、例えば３０層〜６００層に設定される。なお、絶縁層２の材質としては、誘電体層４と同様のセラミック材料や有機材料が用いられる。
【００３５】
また、積層セラミックコンデンサ１の外形は、例えば、巾１．２ｍｍ、長さ２ｍｍ、高さ１．２ｍｍの寸法にて形成され、誘電体層４や内部電極３の積層数は３０層〜６００層に設定される。
【００３６】
また、前記内部電極３の厚みは０．５μm〜２．０μm程度、また誘電体層４の厚みは１．０μm〜４．０μm程度に設定される。
【００３７】
これら誘電体層４の材質や厚み，積層数，内部電極３の対向面積等は、所望する静電容量の大きさによって適宜、決定される。
【００３８】
かかる積層セラミックコンデンサ１は、外部電極５を介して隣合う内部電極間３−３に所定の電圧を印加し、内部電極間３−３に配されている誘電体層４に所定の静電容量を形成することによってコンデンサとして機能する
次に、上述した積層セラミックコンデンサの製造方法について図２乃至図４を用いて説明する。
【００３９】
図２は本発明の製造方法に用いられる製造装置を模式的に示す図、図３は図２の製造装置に用いられる基体１１を図２のＡ方向から見た平面図、図４は図３の製造装置に用いられる基体表面の構造を示す拡大断面図である。
【００４０】
＜工程１＞
まず、凸曲面を有した基体１１の表面に断面が凸曲面状の金属メッキ膜９を形成する。
【００４１】
前記基体１１は、例えば、ステンレス等によって曲率半径２００ｍｍ、長さ２００ｍｍの円柱形状もしくは円筒状をなすように形成され、その表面には比抵抗が１０−４Ωｃｍの窒化チタンによって成膜した導電性膜７が形成される。また前記導電性膜７上には、巾１．２μｍ×長さ２μｍの矩形状領域が複数個、露出するように、厚み１μｍ程度のＤＬＣから成るマスク層８が形成される。このマスク層８の側面と下面（基体１１の表面）とで形成される角部の角度αは、例えば、９０度〜８５度に設定される。
【００４２】
このような基体１１の下部領域が、メッキ槽１６に注入されているメッキ液１７に浸漬されるようにして、基体１１を所定の回転速度で回転軸１２の軸周りに回転させながら、基体１１の電流密度が、例えば、２Ａ／ｄｍ２〜１５Ａ／ｄｍ２となるようにメッキ槽１６との間に所定の電位差を設け、前述した基体１１の各矩形状領域に電解メッキを施すことにより基体１１の凸曲面に沿って金属メッキ膜９が形成される。
【００４３】
このように、円筒状もしくは円柱状の基体１１をその軸周りに回転させながら、メッキ槽１６のメッキ液１７に浸漬するとともに、基体１１とメッキ槽１６との間のメッキ液１７に電界を印加して金属メッキ膜９を形成することにより、金属メッキ膜９を連続的に形成することができ、これによって積層セラミックコンデンサの生産性を向上させることが可能となる。しかもこの場合、基体１１とメッキ槽１７との間の電流密度は略均一になることから、金属メッキ膜９を略一定の厚みで形成することもできるようになる。
【００４４】
尚、前記基体１１の回転軸１２は、その両端部が図示しない軸受けによって支持されており、基体１１が上下左右の移動しない構造となっている。このような回転軸１２と原動機の主軸とを連結して、原動機の回転運動を伝達させることにより基体１１が所定の速度で軸周りに回転するようになっている。
【００４５】
また、基体１１の回転軸１２は回転ブラシを介して電源装置１３と電気的に接続されており、これによって基体１１を電解メッキにおける陰極として機能させるようになっている。
【００４６】
一方、メッキ槽１６は、その内部でメッキ液１７を保持するとともに、電解メッキに際して陽極として機能するものであり、その内面は、例えば、基体１１の外表面と同心円上に配され、メッキ槽１６との間にメッキ液１７を充填するための所定の間隙、例えば、５〜３０ｍｍの間隙を形成している。
【００４７】
このようなメッキ槽１６内のメッキ液１７は、均質な金属メッキ膜９を得るために、電界メッキを行う際、循環装置１４等によって常に所定の方向に流動させておくことが好ましく、また、純度の高いニッケル金属メッキ膜９を析出するには、メッキ槽１８の内面を金属メッキ膜９と同質の金属材料によって形成しておくことが好ましい。
【００４８】
そして、上述のような基体１１の表面に形成された金属メッキ膜９は、基体１１の回転によってメッキ液１７中より引き上げられた後、洗浄手段１５によって水洗浄及び乾燥が行われる。
【００４９】
尚、上述した基体１１の材料としては、先に述べたステンレス以外にも、鉄、アルミニウム、銅、ニッケル、チタン、タンタル、モリブデン等の導電性を備えた金属材料が用いられ、これらの金属材料の中でも、耐薬品性の観点から、ステンレス、チタンを用いるのが好ましい。
【００５０】
また、前記基体表面の曲率半径は、５０ｍｍ〜２０００ｍｍの範囲に設定しておくのが好ましく、メンテナンスの容易性や生産性等の観点からは５０ｍｍ〜５００ｍｍに設定しておくのが特に好ましい。
【００５１】
更に、上述した基体表面の表面粗さは、例えば、最大高さＲｙで０．５μｍ以下に設定され、より好ましくはＲｙ０．２μｍ以下に設定する。ここで、基体表面の表面粗さを小さくしておくのは、金属メッキ膜９の厚みが薄くなると、基体１１の凸部が金属メッキ膜９に転写されて金属メッキ膜９にピンホールが形成され、これを熱処理した際に構造欠陥を生じてしまう恐れがあるからである。
【００５２】
また一方、前記基体１１の表面に形成される導電性膜７としては、硬質でピンホール等の膜欠陥が少ない、滑らかな膜質のものを用いるのが好ましい。かかる導電性膜７としては、比抵抗が１０−２Ωｃｍ以下のものを用いるのが好ましく、電解メッキの際の電流密度の観点からは、比抵抗が１０−３Ωｃｍ以下のもの、例えば、窒化チタンアルミニウム、窒化クロム、窒化チタン、窒化チタンクロム、炭窒化チタン、炭化チタン、導電性ＤＬＣ等によって導電性膜７を形成するのが好ましい。また、これらの材料の中でも、金属メッキ膜９の剥離性を考慮すると、窒化チタンアルミニウム、窒化クロム、窒化チタン、窒化チタンクロム、炭窒化チタンが特に好ましく、耐久性の観点からは、窒化チタンが好ましい。
【００５３】
尚、前記導電性膜７は、従来周知の薄膜形成法、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、化学的気相成長法（ＣＶＤ）等によって形成される。
【００５４】
また、前記導電性膜７の表面に形成されるマスク層８は、金属メッキ膜９の析出領域を規制するためのもので、金属メッキ膜が表面に析出されない程度の十分な電気絶縁性を備え、その比抵抗は、例えば、１０４Ωｃｍ以上に設定され、ビッカース硬度Ｈｖが１０００以上、摩擦係数μが０．３以下の膜によって形成される。このような諸特性を満足することができる材料としては、例えば、アモルファス構造のＤＬＣやＧＬＣ等が挙げられる。
【００５５】
このように、基体１１の表面に金属メッキ膜９の析出領域を規制するマスク層８を形成しておくことにより、フォトエッチング等の煩雑な工程を経ることなく、基体１１をメッキ液１７に浸漬してメッキ槽１６との間に電界を印加するだけで所望するパターンの金属メッキ膜９を容易に得ることができ、積層セラミックコンデンサの生産性を向上させることが可能となる。
【００５６】
かかるマスク層８の厚みは、所望する金属メッキ膜９の厚みによって任意に設定され、金属メッキ膜９の厚みと同じか、或いは、金属メッキ膜９の厚みよりもやや厚く形成することが好ましい。これは、析出途中の金属メッキ膜９がマスク層８を乗り越えて広がるのを防止するためである。
【００５７】
尚、前記マスク層８は、例えば、ＤＬＣ，ＧＬＣ等を従来周知のスパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の薄膜形成法によって基体１１の表面に所定厚みに被着・形成し、しかる後、従来周知のフォトエッチング法等を採用して、得られた膜を金属メッキ膜９の析出領域に対応する複数個の開口部を有した所定パターンに加工することによって形成される。
【００５８】
このようなマスク層８の材質として用いられるＤＬＣやＧＬＣは、その電気抵抗が高いことから、マスク層８の表面にメッキが析出することはない上に、表面の剥離性が良好で、摩擦抵抗も小さいため、金属メッキ膜９を本実施形態における被転写体である樹脂フィルム２１に対して転写する際、被転写体が損傷を受けることは少なく、基体１１の耐久性が高められ、長期にわたって繰り返し使用しても高品質の金属メッキ膜９を形成することができる。
【００５９】
そして、上述のような基体１１の表面に形成される金属メッキ膜９は、ニッケル、銅、銀、金、プラチナ、パラジウム、クロム等やこれら金属の合金からなり、従来周知の電解メッキ法にて基体１１の表面に析出・形成される。
【００６０】
かかる金属メッキ膜９の形成には、金属メッキ膜９をニッケルで形成する場合、例えば、スルファミン酸ニッケルメッキ液が用いられ、かかるスルファミン酸ニッケルメッキ液を用いて金属メッキ膜９を形成することにより、内部応力の少ない金属メッキ膜９を形成することができる。尚、スルファミン酸ニッケルメッキ液としては、例えば、塩化ニッケル３０ｇ／リットル、スルファミン酸ニッケル３００ｇ／リットル、ほう酸３０ｇ／リットルの組成を有した水溶液等が用いられ、そのｐＨ値は、例えば、３．０〜４．２に設定され、金属メッキ膜９中の内部応力を小さく抑えるには、ｐＨ値を３．５〜４．０に設定しておくことが好ましい。またメッキ液の温度は、例えば、２５℃〜７０℃に設定され、金属メッキ膜９中の内部応力を小さく抑えるには、４５〜５０℃に設定しておくことが好ましい。
【００６１】
ここで、上述したメッキ液１７には、必要に応じて、ホウ酸、ギ酸ニッケル、酢酸ニッケル等から成るｐＨ緩衝剤やラウリル硫酸ナトリウム等から成るピット防止剤、ベンゼンやナフタレン等の芳香族炭化水素にスルフォン酸、スルフォン酸塩、スルフォンアミド、スルフォンイミド等を付与した化学物質等から成る応力減少剤、芳香族スルフォン酸やその誘導体から成る硬化剤、ブチンジオール、２ブチン１．４ジオール、エチレンシアンヒドリン、ホルムアルデヒド、クマリン、ピリミジン、ピラゾール、イミダゾール等から成る平滑剤等を適宜、添加して用いてもよいことは言うまでもない。尚、応力減少剤の具体的な材料としては、例えば、サッカリン、パラトルエンスルフォンアミド、ベンゼンスルフォンアミド、ベンゼンスルフォンイミド、ベンゼンジスルフォン酸ナトリウム、ベンゼントリスルフォン酸ナトリウム、ナフタレンジスルフォン酸ナトリウム、ナフタレントリスルフォン酸ナトリウム等が挙げられる。
【００６２】
＜工程２＞
次に、工程１により得た金属メッキ膜９を樹脂フィルム２０上に転写する。
【００６３】
樹脂フィルム２０としては、例えば、厚み２０μｍ〜５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴフィルム）等の主面に厚み０．０５μｍ〜１０μｍの粘着層２１を形成したものが用いられる。粘着層２１は、例えば、アクリル系（溶剤系）、アクリルエマルジョン系（水系）、ブチラール系、フェノール系、シリコン系、エポキシ系等の粘着剤（溶剤系）をＰＥＴフィルム等の主面に塗布して乾燥することによって得られ、乾燥後の粘着力が例えば、０．１Ｎ／ｃｍとなるように調整しておくことが好ましい。
【００６４】
このような樹脂フィルム２０は送り出し部２２によって基体１１側へ順次供給され、粘着層２１が形成されている側を金属メッキ膜９が形成されている基体１１の表面に対し加圧ローラ２３によって、例えば、１０Ｎの押圧力で加圧することによって樹脂フィルム２０上に金属メッキ膜９が転写させる。その後、樹脂フィルム２０は基体表面の周速度と同じ速度で巻き取り部２４によって巻き取られる。
【００６５】
このとき、マスク層８の側面と下面との間に形成される角部の角度αを９０度以下になしておけば、基体１１と接する金属メッキ膜９の下面の面積が上面の面積よりも小さくなることから、金属メッキ膜９を樹脂フィルム２０等に転写する際、金属メッキ膜９の外周部がマクス層８に引っ掛かることは殆どなく、金属メッキ膜９の‘抜け’を良好となすことができる。
【００６６】
尚、前記粘着層２１としては、比較的低温で確実に熱分解される材料により形成され、具体的には、金属メッキ膜９に付着した場合であっても焼成に際して熱分解するアクリル系（溶剤系）、アクリルエマルジョン系（水系）、ブチラール系の粘着剤を用いるのが好ましく、これらの中でも剥離性の良好なアクリル系粘着剤を用いるのが特に好ましい。このような粘着層２１の粘着力は、例えば、０．００５Ｎ／ｃｍ〜１．０Ｎ／ｃｍ、また転写性の観点からは、０．０１Ｎ／ｃｍ〜１．０Ｎ／ｃｍのものを用いるのが特に好ましく、剥離性の観点からは、０．０１Ｎ／ｃｍ〜０．２Ｎ／ｃｍのものを用いるのが好ましい。
【００６７】
また、加圧ロール２３としては、樹脂フィルム２０を基体１１に対して均等に加圧することができるように、表面部分をウレタンゴムコート、ネオプレーンゴムコート、天然ゴムコート等の弾力材料によって形成したものを用いることが好ましい。
【００６８】
＜工程３＞
次に、金属メッキ膜９が転写されている樹脂フィルム２０の主面に、金属メッキ膜９を覆うようにしてセラミックスラリ２６を塗布し、これを乾燥させることによりセラミックグリーンシート２６´を形成する。
【００６９】
セラミックスラリ２６としては、例えば、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム等を主成分とする誘電体材料粉末に適当な有機溶剤、有機バインダ等を添加・混合して泥漿状となすことによって得られ、これを従来周知のダイコート法等を採用し、塗布手段２７を用いて樹脂フィルム２０上に例えば１μｍ〜２０μｍの厚みに塗布し、しかる後、乾燥手段２８によって例えば７０℃〜８５℃の温度で約３０秒〜６０秒間加熱し、セラミックスラリ２６中に存在する有機溶剤の多くを蒸発させることによってセラミックグリーンシート２６´が得られる。
【００７０】
尚、前記乾燥手段２８としては、熱風、赤外線、マイクロ波等を利用した乾燥手段や、これらを組み合わせて利用する乾燥手段が好適に採用される。
【００７１】
これによって樹脂フィルム２０の主面には、金属メッキ膜９が埋設された状態のセラミックグリーンシート２６´が形成され、金属メッキ膜９とセラミックグリーンシート２６´とが一体化される。
【００７２】
このようなセラミックグリーンシート２６´は、金属メッキ膜９の存在する部位と存在しない部位との間に段差がなく、得られたセラミックグリーンシート２６´を後述する積層工程４において複数枚積層しても、内部電極の変形が抑制されるため、電気不良やデラミネーションの発生を有効に防止することができる。
【００７３】
＜工程４＞
次に、前述の工程３で得た金属メッキ膜９付きのセラミックグリーンシート２６を複数枚準備して、これらを相互に圧着・積層することにより積層体を形成する。
【００７４】
このような積層体は、例えば、６０℃の温度で加熱しながら０．９ＭＰａの圧力で仮圧着され、その後、従来周知の静水圧プレス等によって７０℃の温度、５０ＭＰａの圧力で、積層体を構成する金属メッキ膜９付きのセラミックグリーンシート２６を相互に圧着させることによって形成される。
【００７５】
＜工程５＞
そして最後に、工程４で得た積層体を所定形状に切断し、これらを高温で焼成する。
【００７６】
ここで重要なのは、積層体の焼成温度を、金属メッキ膜９を形成している金属の融点よりも低く、かつ該金属の再結晶温度よりも高い温度で焼成することであり、これによってセラミックグリーンシート２６は積層セラミックコンデンサの誘電体層４となり、金属メッキ膜９は内部電極３となる。
【００７７】
ここで、金属の再結晶とは、加工した金属材料を加熱すると、その金属がある温度を境に急激に軟化して、内部歪みを軽減するように安定化する現象のことである。この再結晶が開始する温度のことを再結晶温度という。例えばニッケルの場合、再結晶温度は５３０℃〜６６０℃、融点は１４５８℃、また銅の場合、再結晶温度は２００℃〜２５０℃、融点は１０８３℃、また金の場合、再結晶温度は約２００℃、融点は１０６０℃である。従って、金属メッキ膜８がニッケルから成る場合、積層体の焼成は、例えば、１３００℃の温度で行われる。
【００７８】
このように金属メッキ膜９を、該メッキ膜９を形成する金属の融点より低い温度で焼成することにより、焼成時に金属メッキ膜９が熔けて金属メッキ膜９が分断されるといった不都合が確実に防止され、連続性に優れた内部電極３を形成することができる。
【００７９】
またこの場合、積層体の焼成温度は、金属メッキ膜９を形成している金属の再結晶温度よりも高く設定されているため、焼成時に金属メッキ膜９を形成している金属の再結晶化が進むことで金属が適度に軟化し、セラミックグリーンシート２６中のセラミック粒子が金属メッキ膜９の表面に入り込むことによって金属メッキ膜９とセラミックグリーンシート２６との密着力を向上せしめ、その結果、構造欠陥の少ない積層セラミックコンデンサが得られるようになる。
【００８０】
＜工程６＞
そして最後に、積層体の両端部に外部電極用の導体ペーストを塗布して焼成し、更にメッキ処理を施すことによって外部電極５が形成され、これによって製品としての積層セラミックコンデンサ１が完成する。
【００８１】
以上のような第１実施形態の製造方法によれば、凸曲面を有した基体１１の表面に断面が凸曲面状の金属メッキ膜９を形成し、得られた金属メッキ膜９をセラミックグリーンシート２６の主面に転写するようにしたことから、金属メッキ膜９を析出させる際、金属メッキ膜９中に内部応力（引張応力）が生じても、金属メッキ膜９を基体１１より剥離させると凸曲面状の金属メッキ膜９は平坦化する方向に変形する。したがって、金属メッキ膜９を樹脂フィルム２０の主面に転写した際、金属メッキ膜９に変形やクラックが発生するといった不都合が有効に防止されるようになり、しかも樹脂フィルム２０は金属メッキ膜９が転写された後も略平坦に維持されることから、樹脂フィルム２０上に塗布されるセラミックスラリ２６の厚みを高精度に制御することができ、積層セラミックコンデンサ１の生産性を向上させることができる。
【００８２】
尚、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
【００８３】
例えば、上述の実施形態においては、セラミックスラリ２６を従来周知のダイコート法によって樹脂フィルム２０上に塗布する場合について説明したが、これに代えて、セラミックスラリ２６をロールコート法やスクリーン印刷法等の他の塗布法によって樹脂フィルム２０上に塗布するようにしても構わない。
【００８４】
また図２には、塗布手段２７を樹脂フィルム２０の下方に配置させて、セラミックスラリ２６を樹脂フィルム２０の下方より塗布する場合について示したが、セラミックスラリ２６は樹脂フィルム２０の上方より塗布したり、樹脂フィルム２０の側方より塗布するようにしても構わない。
【００８５】
更に上述した実施形態において、塗布手段２７に対して樹脂フィルム２０の搬送方向下流側にドクターブレードを配置させて、樹脂フィルム２０上に塗布されるセラミックスラリ２６の厚みを均一化するようにしても良い。
【００８６】
更に上述した実施形態においては、積層セラミックコンデンサを製造する場合を例にとって説明したが、積層セラミックコンデンサ以外の電子部品、例えば、インダクタ，フィルタ，回路基板等の他の電子部品を製造する場合においても本発明が適用可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明の一実施形態に係る製造方法によって製作した電子部品としての積層セラミックコンデンサを示す断面図である。
【図２】本発明の製造方法に用いられる製造装置の構成を模式的に示す図である。
【図３】図２の製造装置に用いられる基体１１を図２のＡ方向から見た平面図である。
【図４】図３の製造装置に用いられる基体表面の構造を示す拡大断面図である。
【符号の説明】
【００８８】
１・・・積層セラミックコンデンサ（電子部品）
２・・・絶縁層
３・・・内部電極（導体層）
４・・・セラミック層（誘電体層）
５・・・外部電極
７・・・導電性膜
８・・・マスク層
９・・・金属メッキ膜
１１・・・基体
１２・・・回転軸
１３・・・電源装置
１４・・・循環装置
１５・・・乾燥部
１６・・・メッキ槽（陽極）
１７・・・メッキ液
２０・・・樹脂フィルム
２１・・・粘着層
２２・・・送り出し部
２３・・・加圧ローラ
２４・・・巻き取り部
２６・・・セラミックスラリ（誘電体スラリ）
２６´・・セラミックグリーンシート（誘電体シート）
２７・・・塗布手段
２８・・・乾燥手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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