(57)【要約】【課題】プラズマディスプレイパネルの初期放電特性の安定性、均一性を向上させ、エージング時間の短縮を実現する。【解決手段】前面ガラス基板上に維持電極、走査電極、誘電体層、保護層を順次形成して前面板を製造する工程Ｓ１０と、背面ガラス基板上にデータ電極、下地誘電体層、複数の隔壁、蛍光体層を順次形成して背面板を製造する工程Ｓ２０と、前面板と背面板を重ね合わせて接合し、接合した基板内部を排気して放電ガスを封入する組立工程Ｓ３０を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法において、前面板を製造する工程Ｓ１０にて製造された前面ガラス基板を大気中に露出した後、前面板を加熱し、所定の圧力に保った水を含むガス中に保持する工程Ｓ１４２が含まれる。【選択図】図１
2005183243.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のガラス基板上に第１の電極を形成し、前記第１のガラス基板上と前記第１の電極上とに第１の誘電体層を形成し、前記第１の誘電体層上に保護層を形成して第１の基板を製造する工程と、第２のガラス基板上に第２の電極を形成し、前記第２のガラス基板上と前記第２の電極上とに第２の誘電体層を形成し、前記第２の誘電体層上に複数の隔壁を形成し、前記隔壁の間に蛍光体層を形成して第２の基板を製造する工程と、前記第１の基板と前記第２の基板とを重ね合わせて接合し、接合した基板内部を排気して放電ガスを封入する組立工程とを有するプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記第１の基板を製造する工程にて製造された前記第１の基板を大気中に露出した後、前記第１の基板を加熱し、所定の圧力に保った水分を含むガス中に保持する工程を有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
第１のガラス基板上に第１の電極を形成し、前記第１のガラス基板上と前記第１の電極上とに第１の誘電体層を形成し、前記第１の誘電体層上に保護層を形成して第１の基板を製造する工程と、第２のガラス基板上に第２の電極を形成し、前記第２のガラス基板上と前記第２の電極上とに第２の誘電体層を形成し、前記第２の誘電体層上に複数の隔壁を形成し、前記隔壁の間に蛍光体層を形成して第２の基板を製造する工程と、前記第１の基板と前記第２の基板とを重ね合わせて接合し、接合した基板内部を排気して放電ガスを封入する組立工程とを有するプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記第１の基板を製造する工程に、前記第１の基板を所定の圧力に保った水分を含むガス中に保持する工程を有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
所定の圧力に保った水分を含むガスをプラズマ化することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平板型表示装置（フラットパネルディスプレイとも呼ぶ）として大型のテレビジョンや広告・情報等の公衆表示用への利用が拡大してきているプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰとも記す）の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、大型の平板型表示装置として希ガス放電による紫外線で蛍光体を励起発光させて画像・映像表示に利用するＰＤＰは、対角１ｍ以上になるような大型製品を目標に開発されてきた。ＰＤＰの開発は加速してきており、コンピューター等に代表される情報処理装置の表示機器として、あるいは大型のテレビジョン受信機や公衆表示用モニターとして、高性能化、低価格化、最適量産化等を目指して次々と新しい技術が開発されてきている。
【０００３】
ＰＤＰには交流駆動方式と直流駆動方式があるが、ここでは一般的な交流駆動方式のＰＤＰ（以下、交流駆動方式のＰＤＰをＡＣ型ＰＤＰと記す）の構造を図６に示した。ＡＣ型ＰＤＰには各種の方式があり、図６は面放電型と呼ばれる方式の一例として、その一部を立体的に描いた斜視図で構造を示している。ＰＤＰは、ガラス製の前面板１、背面板２にそれぞれ行電極、列電極が直交配置され、画素（ピクセル）となる行・列両電極の交点及び両基板間にある隔壁により放電空間３を形成する構造となっている。
【０００４】
図７は、従来のＡＣ型ＰＤＰの製造方法を概略的に示す製造工程の流れ図である。図７において、従来のＡＣ型ＰＤＰの製造工程は前面板の形成工程Ｓ１０、背面板の形成工程Ｓ２０及びこれらの組立工程Ｓ３０に大別される。前面板形成工程Ｓ１０は、走査電極／維持電極形成工程Ｓ１１と、誘電体層形成工程Ｓ１２と、誘電体保護膜形成工程（以下、単に保護膜形成工程とも記す）Ｓ１３からなり、その後で、保護膜形成装置から大気中に前面板１が取り出され、必然的に大気暴露工程Ｓ１４を経る。一方、背面板形成工程Ｓ２０はデータ電極形成工程Ｓ２１と、下地誘電体層形成工程Ｓ２２と、隔壁形成工程Ｓ２３と、蛍光体層形成工程Ｓ２４とからなり、組立工程Ｓ３０は、封着工程Ｓ３１、排気工程Ｓ３２、放電ガス封入工程Ｓ３３、エージング工程Ｓ３４とＰＤＰパネル完成工程Ｓ３５の各工程とからなっており、これらの工程を経てＰＤＰパネルが完成する。なお、背面板形成工程Ｓ２０においては、隔壁形成工程Ｓ２３及び蛍光体層形成工程Ｓ２４は空気中で工程が進められるので、特に大気暴露の工程を入れる必要はない。
【０００５】
以下、図６に示した従来の面放電型のＡＣ型ＰＤＰの前面板１及び背面板２の構成について、図７に示した工程と対応させながら説明する。
【０００６】
前面板１は、前面ガラス基板１０上に放電の維持信号を入力するための維持電極１３及び順次表示用の走査信号を入力するための走査電極１４が、図７に示した走査電極／維持電極形成工程Ｓ１１を経て、それぞれ対をなして平行に複数形成されて行電極が構成されている。次いで、これら行電極上に放電による壁電荷を形成するための透明な誘電体層１１が誘電体層形成工程Ｓ１２を経て成膜される。更に、誘電体層１１上に放電によるイオン衝撃から誘電体層１１を保護するための誘電体保護膜（以下、単に保護膜と記すが、保護膜を保護層と記すこともある）１２が保護膜形成工程Ｓ１３を経て形成され、保護膜形成装置から大気中に前面板１が取り出され、大気暴露工程Ｓ１４を経ている。また、隣り合う維持電極１３と走査電極１４対間に、表示面のコントラストを高めるため、遮光層となるブラックマトリクス１５を必要に応じて形成することもあるがこの形成工程は図７には示していない。
【０００７】
次に、背面板２は、背面ガラス基板１６上に複数の表示データ信号を入力するための列電極となるデータ電極（アドレス電極とも呼ばれる）１９が、前面板１の行電極を構成する維持電極１３及び走査電極１４とそれぞれ交差する方向に、図７に示したデータ電極形成工程Ｓ２１を経て複数形成されている。データ電極１９の上にやはり放電による壁電荷を形成するための下地誘電体層１７が下地誘電体層形成工程Ｓ２２を経て成膜され、更にその上にアドレス電極１９と平行して隔壁１８が隔壁形成工程Ｓ２３により形成され、隔壁１８間には赤、青、緑各色に発光する蛍光体層２０が蛍光体層形成工程Ｓ２４を経て設けられている。
【０００８】
そして、前面板１と背面板２とを対向させながら貼り合せてフリットガラス等のシール材を用いて封着パネル化（封着工程Ｓ３１）して、加熱しながら脱ガス処理（排気工程Ｓ３２）を行なった後、放電ガスとしてネオン（Ｎｅ）、キセノン（Ｘｅ）等を主体とする希ガスを封入（放電ガス封入工程Ｓ３３）して、パネルの各電極に所定の電圧、波形の駆動パルスを印加して放電を行なうエージングを実施（エージング工程Ｓ３４）し、放電空間３が形成されたＰＤＰパネルが完成する（ＰＤＰパネル完成工程Ｓ３５）。
【０００９】
完成したＰＤＰパネルには、走査電極１４と維持電極１３及びデータ電極１９とに電気信号を供給するため、これらの電極の電極端子に駆動用のドライバＩＣが搭載された回路基板が接続され、制御信号回路や電源回路と共に筐体に組み込んで表示装置として完成する。維持電極１３及び走査電極１４、アドレス電極１９に所定の信号の電圧パルスを印加することにより封入された希ガスが励起され紫外線を放出し、その紫外線により隔壁１８間に設けられた蛍光体層２０が可視光を励起発光し、情報を表示することができる。
【００１０】
特に、前面板１の形成工程Ｓ１０において、前面ガラス基板１０上に維持電極１３、走査電極１４と誘電体層１１を形成し、その上に、放電によるイオン衝撃から誘電体層１１を保護すると共に、２次電子放出による蛍光体の発光を促進する目的で、保護膜１２が所定の条件下で電子ビーム蒸着などによって形成されているが、この保護膜１２は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）が広く用いられている。このような電子ビーム蒸着で形成されたＭｇＯ膜は、結晶性が高く緻密な膜であり、耐スパッタ性に優れ、且つ２次電子放出係数が高いという優れた特徴を有している。しかし、従来のＰＤＰの製造方法では、前面板１はＭｇＯ膜形成後に、一旦大気に曝される。その時、ＭｇＯ膜は、大気中の水分（Ｈ2Ｏ）や二酸化炭素（ＣＯ2）と反応して水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）2）、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ3）などの化合物を生成し、その化合物がＭｇＯ膜の表面に析出するほか、大気中の埃やダスト等の不純物もＭｇＯ膜の表面に吸着、付着する。そして、このような保護膜（ＭｇＯ膜）１２の表面に存在する化合物や吸着、付着物を含む層（以下、化合物や吸着、付着物を含む層を単に化合物層と記す）は、周囲の環境によって、例えば、季節により変動する気温や湿度等による影響、あるいは大気中での放置時間などにより、緻密な構造になったり、厚い膜となったり、均一に化合物層が形成されず一部分のみ膜質が変わったりしてしまうなど、さまざまな膜質、膜厚の化合物からなる層が、しかも分布をもって形成される。
【００１１】
この前面板１に生成・形成された化合物層は、前面板１と背面板２を貼り合せてパネル化（封着工程Ｓ３１）し、排気工程Ｓ３２、放電ガス封入工程Ｓ３３を経てＰＤＰのパネル完成後に、エージングと呼ばれる工程（エージング工程Ｓ３４）にて、ＰＤＰパネル管内を放電させ、放電ガスのプラズマのスパッタ性を利用することにより、このような化合物を除去し、ＭｇＯ膜の表面に清浄なＭｇＯ結晶面を露出させ、ＰＤＰパネルの放電特性安定化を実現させようとしている。しかし、エージング工程に多量の時間を要するだけでなく、部分的に不均一にごく薄い化合物層の膜が残るなどして、均一且つ完全に除去することは難しく、最悪なケースとして保護膜の表面を部分的に損傷させることもあった。従って、このようなＭｇＯ膜からなる保護膜１２の表面に形成された化合物層の影響のため、ＰＤＰパネルの放電特性の劣化、悪化を招き、ＰＤＰパネルの表示領域内における特性がばらつき、均一な表示ができないということを生じさせていた。そこで、前面板１に化合物層を生成・形成させないように、誘電体保護膜１２の表面を更にＳｉＮ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＴｉＯ2、ＭｇＦ2などの別の材料でコーティング被覆して第２の保護膜を形成し、保護膜１２を水分や炭酸ガスの吸着から防止するという試みが提案されている（例えば、特許文献１参照）。そして、この第２の保護膜は、大気暴露により保護膜表面に形成された化合物層と同様に、エージング工程（Ｓ３４）において、エージング放電時のスパッタ性を利用して除去している。
【特許文献１】特許第３０７３４５１号公報（第３−５頁、第１−３図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上述したように前面板１の保護膜１２の上部に更に第２の保護膜を形成した場合、前面板１を大気に曝しても第２の保護膜により保護膜１２の表面に水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）2）や炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ3）などの化合物が析出することはない。しかしながら、ＰＤＰパネルを組み立ててエージング工程Ｓ３４で放電を行なって、スパッタリングにより形成した第２の保護膜を除去する必要がある。更に、形成した第２の保護膜は、ＭｇＯなどの保護膜１２と同様に結晶性が高く、緻密で安定した膜であることが多く、スパッタリングによってなかなか除去できず、その下の保護膜１２が露出するまでにはより多大なエージング時間を必要とすることが多かった。また、エージング工程Ｓ３４における放電によるスパッタリングで除去された第２の保護膜の成分がＰＤＰパネル内に残留し、ＰＤＰパネルの放電特性やＰＤＰパネルで構成される表示装置の寿命特性に大きな影響を与えるという課題に加えて、第２の保護膜としてコーティング、被覆した材料そのものがＰＤＰパネルのエージング工程Ｓ３４ではがれてＰＤＰパネル内に残留し、表示装置としての品質問題を引き起こすなどの新たな課題もあった。
【００１３】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたもので、ＰＤＰパネルの初期放電特性の安定性、均一性を向上させるＰＤＰの製造方法を提供し、併せて、この方法でＰＤＰパネルを製造して表示領域内における特性のバラツキが少なく、均一な表示で品位の高い映像・画像が得られるＰＤＰ表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、
第１のガラス基板上に第１の電極を形成し、第１のガラス基板上と第１の電極上とに第１の誘電体層を形成し、第１の誘電体層上に保護層を形成して第１の基板を製造する工程と、第２のガラス基板上に第２の電極を形成し、第２のガラス基板上と第２の電極上とに第２の誘電体層を形成し、第２の誘電体層上に複数の隔壁を形成し、隔壁の間に蛍光体層を形成して第２の基板を製造する工程と、第１の基板と第２の基板を重ね合わせて接合し、接合した基板内部を排気して放電ガスを封入する組立工程を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法において、第１の基板を製造する工程にて製造された第１の基板を大気中に露出した後、第１の基板を加熱し、所定の圧力に保った水（Ｈ2Ｏ）を含むガス中に保持する工程、また、第１の基板を製造する工程に、第１の基板を所定の圧力に保った水（Ｈ2Ｏ）を含むガス中に保持する工程を有すると共に、所定の圧力に保った水（Ｈ2Ｏ）を含むガスをプラズマ化する工程を有している。
【００１５】
プラズマディスプレイパネルの製造に当たって、これらの工程を有することにより、ＭｇＯの保護膜表面への大気中の水分や炭酸ガスの吸着により形成された化合物層や吸着不純物による特性の不均一、不安定性を抑えた、均一且つ均質な保護膜を備えて、バラツキが小さく、特性の安定したプラズマディスプレイパネルを製造できる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、前面ガラス基板のＭｇＯで形成された保護膜表面への大気中の水分や炭酸ガスの吸着により形成された化合物層や吸着不純物による特性の不均一、不安定性を改善できるため、均一且つ均質な保護膜を備えて、特性のバラツキの小さい安定したプラズマディスプレイパネルの製造に適している。
【００１７】
また、本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、誘電体層の保護膜表面への大気中の水分や炭酸ガスの吸着による化合物層や吸着不純物の不均一、不安定性を改善できるため、バラツキの小さい安定したプラズマディスプレイパネルを製造できる効果があるほか、更に、水（Ｈ2Ｏ）を含むガスをプラズマ化して処理するので、プラズマ中の多量の活性種により第１のガラス基板の処理時間の短縮に有効である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００１９】
（第１の実施の形態）
図１は本発明の第１の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法を概略的に示す製造工程の流れ図である。図２は、本発明の実施の形態の製造方法において、保護膜形成工程後の前面板の構造を示す拡大部分断面図である。図２は、図６に示すＡＣ型ＰＤＰのＡ−Ａ’線で前面板１を切断し、１組の維持電極１３と走査電極１４を含む部分のみを拡大して示している。図２（ａ）は保護膜の形成された前面板１に化合物層が不均一に形成された状態を、図２（ｂ）は化合物層が保護膜上に均一に存在する状態を、図２（ｃ）は薄い化合物層が保護膜上にまだらに存在する状態を、図２（ｄ）は保護膜の表面上に何もない清浄な状態をそれぞれ示している。
【００２０】
ここで、図１が図７における従来のＰＤＰの製造方法を概略的に示す流れ図と異なるところは、前面板１の製造工程Ｓ１０において図７に示した大気暴露工程Ｓ１４に相当する第１の大気暴露工程Ｓ１４１の後に前面板保護膜処理工程Ｓ１５及び第２の大気暴露工程Ｓ１４２が追加されている点である。その他は、従来のＰＤＰの製造工程を概略的に示す図７の流れ図の工程とほとんど同じである。また、本発明の第１の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法で製造されるＰＤＰパネルの構造は、図６に示した前面板１の構成とほとんど同じである。異なるところは、図１の前面板１の製造工程Ｓ１０における第１の大気暴露工程Ｓ１４１以降、封着工程Ｓ３１までの間に、前面板１の構造は図２（ａ）あるいは図２（ｂ）に示すように、前面板１の保護膜１２の表面上に化合物層２１Ａまたは２１Ｂが一時的に形成されているところがわずかに異なっている。なお、本発明の第１の実施の形態のＰＤＰの製造方法を示す図１、及び形成される前面板の構造を示す図２においては、それぞれ従来のＰＤＰの製造方法を示す図７、及び形成される前面板の構造を示す図６と同じ構成要素には同じ符号を付している。
【００２１】
続いて、本発明の第１の実施の形態における製造方法で製造されるＰＤＰの構成について、ＡＣ型ＰＤＰを例に挙げ、図６及び図２を参照しつつ、図１に示した工程と対応させて説明する。
【００２２】
前面板１は、前面ガラス基板１０上に放電の維持信号を入力するための維持電極１３及び順次表示用の走査信号を入力するための走査電極１４が、図１に示した走査電極／維持電極形成工程Ｓ１１を経て、それぞれ対をなして平行にストライプ状の表示電極となる行電極が複数形成されて構成されている。次いで、これらの行電極上に放電による壁電荷を形成するための透明な前面側の誘電体層１１が誘電体層形成工程Ｓ１２を経て成膜される。更に、前面側の誘電体層１１上に放電によるイオン衝撃から誘電体層１１を保護するための誘電体保護膜１２が保護膜形成工程Ｓ１３を経て形成されている。この時の前面板１の構造は図２（ｃ）の状態にある。この後、前面板１を大気中に取り出しＭｇＯ膜表面を大気に曝すと、ＭｇＯ膜と大気中の水分（Ｈ2Ｏ）及び二酸化炭素（ＣＯ2）とが反応してヒドロキシ炭酸マグネシウム（３ＭｇＣＯ3・Ｍｇ（ＯＨ）2）・３Ｈ2Ｏ）あるいは、水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）2：水（Ｈ2Ｏ）のみと反応する時）、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ3：二酸化炭素（ＣＯ2）のみと反応する時）などの化合物が生成し、この化合物がＭｇＯ膜の表面に化合物層として形成される（第１の大気暴露工程Ｓ１４１）。この時の前面板１は図２（ａ）に示すように均一ではない状態にある。続いて、ＭｇＯ膜の表面に化合物層が析出した前面板１を図３（ａ）に示す前面板処理装置３０の真空容器３１内に移送、保持し、前面板１の保護膜１２の処理を行なう（前面板保護膜処理工程Ｓ１５）。この処理後、前面板１は図２（ｂ）の状態に変わる。これらの本発明の実施の形態のＰＤＰの製造方法における特徴的な工程の詳しい構成、内容については後述する。なお、この後、前面板１には、隣り合う維持電極１３と走査電極１４対間に、表示面のコントラストを高めるため、遮光層となるブラックマトリクス１５を必要に応じて形成することもあるが、この形成工程は図１には示していない。
【００２３】
次に、背面板２は、背面ガラス基板１６上に複数の表示データ信号を入力するための列電極となるデータ電極１９が、前面板１の行電極を構成する維持電極１３及び走査電極１４とそれぞれ交差する方向に、図１に示したデータ電極形成工程Ｓ２１を経てストライプ状に複数形成されている。ストライプ状のデータ電極１９の上にやはり放電による壁電荷を形成するための背面側の下地誘電体層１７が下地誘電体層形成工程Ｓ２２を経て成膜され、更にその上にストライプ状のアドレス電極１９と平行して隔壁１８が隔壁形成工程Ｓ２３により形成され、隔壁１８間には赤、青、緑各色に発光する蛍光体層２０が蛍光体層形成工程Ｓ２４を経て設けられている。
【００２４】
そして、前面板１と背面板２とをフリットガラス等のシール材を用いて対向させながら貼り合せてパネル化（封着工程Ｓ３１）して、加熱しながら脱ガス処理（排気工程Ｓ３２）を行なった後、放電ガスとしてＮｅ、Ｘｅ等を主体とする希ガスを封入（放電ガス封入工程Ｓ３３）して、パネルの各電極に所定の電圧、波形の駆動パルスを印加して放電を行なうエージングを実施し（エージング工程Ｓ３４）、放電空間３が形成されたＰＤＰパネルが完成する（ＰＤＰパネル完成工程Ｓ３５）。この時、ＰＤＰパネルの前面板１の断面構造は図２（ｄ）の状態にある。
【００２５】
完成したＰＤＰパネルには、走査電極１４と維持電極１３及びデータ電極１９とに電気信号を供給するため、これらの電極の電極端子に駆動用のドライバＩＣが搭載された回路基板が接続され、制御信号回路や電源回路と共に筐体に組み込んで表示装置として完成する。維持電極１３及び走査電極１４、アドレス電極１９に所定の信号の電圧パルスを印加することにより封入された希ガスが励起され紫外線を放出し、その紫外線により隔壁１８間に設けられた蛍光体層２０が可視光を励起発光し、情報を表示することができる。
【００２６】
次に、本発明の実施の形態におけるＰＤＰパネルの製造方法の特徴である前面板保護膜処理の方法について、詳しく説明する。
【００２７】
前面ガラス基板１０上に維持電極１３、走査電極１４と誘電体層１１を形成し、その上に、放電によるイオン衝撃から誘電体層１１を保護すると共に、２次電子放出による蛍光体の発光を促進する目的で、保護膜１２が所定の条件下で電子ビーム蒸着などによって形成されている。続いて、保護膜１２を成膜形成した前面板１を保護膜形成装置から、大気中に取り出す。周知のように、ＭｇＯからなる保護膜１２が形成された前面板１は、大気中の二酸化炭素（ＣＯ2）、水（Ｈ2Ｏ）と反応し、ヒドロキシ炭酸マグネシウム（ｐＭｇＣＯ3・ｑＭｇ（ＯＨ）2）・ｒＨ2Ｏ：但し、ｐ、ｑ、ｒは整数）あるいは炭酸マグネシウムや水酸化マグネシウムからなる化合物層２１Ａが形成される（第１の大気暴露工程Ｓ１４１）。形成された化合物層２１Ａは図２（ａ）に模式的に示したように不均一になっている。保護膜１２の形成後、一旦大気中に曝されて保護膜１２の表面上に化合物層２１Ａが形成された前面板１を、図３（ａ）に示す前面板処理装置３０の真空容器３１内に搬送して載置台３３上に置く。載置台３３は、例えば、抵抗加熱ヒータ等の加熱手段３４により、前面板１を加熱昇温させることが可能である。
【００２８】
引き続き、保護膜１２の表面上に化合物層２１Ａが形成された前面板１を処理する（前面板保護膜処理工程Ｓ１５）。前面板１の処理は２段階で行なう。第１段階の処理は加熱手段３４により前面板１を所定の温度に加熱することにより行なう。加熱により、化合物層２１Ａ中に含まれるヒドロキシ炭酸マグネシウム、あるいは炭酸マグネシウムや水酸化マグネシウムは分解して、気相中に水（Ｈ2Ｏ）や二酸化炭素（ＣＯ2）となって放出されるので、化合物層２１Ａは図２（ａ）に模式的に示したような不均一性が緩和されて凹凸が緩やかになり、且つ厚さも薄くなる。この第１段階の処理の後、水（Ｈ2Ｏ）のガスを供給するガス供給装置３８を経てガス導入装置３７から真空容器３１内に導入し、排気装置３５により排気しながら圧力調整装置３６で真空容器３１内を所定の圧力に保持することにより、前面板１の第２段階の処理を実施する。
【００２９】
そして、第１段階の処理を終えた化合物層２１Ａを所定の温度に加熱しつつ、水（Ｈ2Ｏ）を含むガス中で、排気しながら所定の圧力に保って、第２段階の処理を実施すると、図２（ａ）のような不均一な化合物層２１Ａから図２（ｂ）に示すような、均一な化合物層２１Ｂに変わる。このように、均一な化合物層２１Ｂに変わるのは、水（Ｈ2Ｏ）を含むガス中で、不均一な化合物層２１Ａは水（Ｈ2Ｏ）と化合物層２１Ａとの反応を一定且つ均一に制御し、結果として図２（ｂ）示す均一、且つ薄く均質なＭｇＯの保護膜１２上の化合物層２１Ｂに変わると考えられる。
【００３０】
なお、ここでは加熱手段３４として抵抗加熱ヒータを用いたが、載置台３３に配置する抵抗加熱ヒータの代わりにレーザビーム照射や赤外線照射による加熱も利用できる。また、加熱温度は、２００℃よりも低い温度では化合物層の分解反応が遅く処理に長時間を要し、６００℃よりも高温では、基板のガラスが変形してしまうので、２００℃〜６００℃の温度範囲が望ましい。ここでは、化合物層の除去後のパネル冷却に要する時間との兼ね合いで４００℃を採用している。
【００３１】
また、処理時の真空容器３１内の圧力を１０Ｐａ〜２００Ｐａに設定すると薄くて、非常に均一な化合物層２１Ｂを保護膜１２上に備えた前面板１を得られることが、試作実験の結果から明らかになった。水（Ｈ2Ｏ）を含むガスの真空容器３１内の圧力が１０Ｐａ以下では、化合物層２１Ａの分解反応が進み過ぎて、図２（ａ）のような不均一な状態が残る。また、水（Ｈ2Ｏ）を含むガスの真空容器３１内の圧力が２００Ｐａ以上でも、やはり、図２（ａ）のような不均一性が解消されない状態が残ってしまう。従って、水（Ｈ2Ｏ）を含むガスの真空容器３１内の圧力を１０Ｐａ〜２００Ｐａに設定することが望ましい。加熱温度を４００℃に設定した時、８０Ｐａに設定すると、処理時間が短くなり、非常に均一、且つ、薄く均質な化合物層２１ＢをＭｇＯの保護膜１２上に備えた前面板１が得られ、最も好ましい結果となった。
【００３２】
実際に、ＭｇＯの保護膜１２を形成した前面板１を大気中に取り出して、約２０分間大気暴露して、保護膜１２上に化合物層２１Ａが形成された前面板１について、前面板処理装置３０の真空容器３１内の載置台３３に載せ、加熱温度を４００℃に設定し、真空容器３１内の水（Ｈ2Ｏ）を含むガスの圧力を８０Ｐａに設定して保持した時、加熱を６０分行ない、水（Ｈ2Ｏ）を含むガスで処理を１０分行なうことで不均一な化合物層２１Ａが非常に均一、且つ、薄く均質な化合物層２１ＢをＭｇＯの保護膜１２上に備えた前面板１に変わり、最も好ましい結果となった。
【００３３】
このようにして、前面板保護膜処理工程Ｓ１５を実施した後、水（Ｈ2Ｏ）を含むガスの導入を停止し、前面板１を冷却して大気中に取り出す（第２の大気暴露工程Ｓ１４２）。前面板保護膜処理工程Ｓ１５により、均一な化合物層２１ＢがＭｇＯの保護膜１２上に形成された前面板１は、この後、Ｈ2Ｏ、ＣＯ2等ＭｇＯと反応する成分が含まれる雰囲気中にあっても、不均一な化合物層に変わることはほとんどない。
【００３４】
なお、上述説明した前面板保護膜処理工程Ｓ１５においては、その第２段階の処理で、水（Ｈ2Ｏ）を含むガスを導入して化合物層２１Ａを処理する時に加熱も同時に行なっているが、本発明の第１の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法においては、第２段階の処理での加熱を行なわなくても前面板１の処理が可能である。但し、第２段階の処理で加熱を行なわない場合、均一な化合物層２１Ｂに変わるのにより長時間を要することになる。
【００３５】
続いて、作製した前面板１と背面板形成工程Ｓ２０で作製した背面板２と共に封着装置に移送し、前面板１と背面板２のそれぞれにガラスフリットを塗布し、各電極位置を合わせて目合わせして貼り合せてから加熱封着し（封着工程Ｓ３１）、ＰＤＰパネル内残存ガスと封着工程で発生する放出ガスとを排気（排気工程Ｓ３２）し、放電ガスとしてＮｅ、Ｘｅ等を主体とする希ガスを封入（放電ガス封入工程Ｓ３３）して、パネルの各電極に所定の電圧、波形の駆動パルスを印加して放電を行なうエージングを実施（エージング工程Ｓ３４）し、前面板１のＭｇＯの保護膜１２の表面上に形成された化合物層２１Ｂをスパッタ除去してＰＤＰパネルの完成となる。前面板１のＭｇＯの保護膜１２の表面上に形成された化合物層２１Ｂは薄く均一であるので、エージング時間を大幅に短縮することが可能になった。
【００３６】
なお、本発明の第１の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法においては、前面板形成工程Ｓ１０の第２の大気暴露工程Ｓ１４２を省略することが可能である。この場合、前面板保護膜処理工程Ｓ１５が終了した後に、前面板処理装置３０から前面板１を大気に曝さずに封着装置に移送し、封着工程Ｓ３１を実施すればよい。
【００３７】
以上説明した製造方法で作製したＰＤＰパネルは、通常のＰＤＰパネルとほぼ同等の特性を有しているのみならず、パネル面内での特性バラツキが向上していた。例えば、放電開始電圧のパネル内でのバラツキは通常は±５Ｖ程度あるのが、±２．５Ｖ内に収まり、また放電維持電圧のパネル内でのバラツキも、通常は±３．５Ｖ程度あるのが、±２．５Ｖ以内のバラツキに低減、良化していた。更に実験パネルの試作をＮ増しし、各パネルの特性評価を行なったところ、パネル間の特性バラツキも約２０％低減していた。更に、第１の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法における保護膜の処理を行なった前面板１を用いて作製したＰＤＰパネルは、そのエージング工程Ｓ３４におけるエージング時間を従来のＰＤＰの製造方法におけるエージング時間の約１／２〜約１／３の時間に短縮できている。
【００３８】
（第２の実施の形態）
引き続き、本発明の第２の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法について説明する。
【００３９】
本発明の第２の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法は、図１に製造工程を概略的に流れ図で示した本発明の第１の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法と基本的に類似している。また、上記の第１の実施の形態における製造方法の説明において示したのと同様に、図２に示すように前面ガラス基板１０に形成された維持電極１３及び走査電極１４からなる行電極上に誘電体層１１を形成後、保護膜１２を成膜し、最終的に均一な化合物層２１Ｂを有する構造とした前面板１の構成も類似している。従って、本発明の第２の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法についての説明は、第１の実施の形態と異なるところに重点を置き、重複を避けるため、第１の実施の形態と同じ内容については省略するか、あるいは簡単な説明に留める。
【００４０】
本発明の第２の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法が、第１の実施の形態におけるＰＤＰのそれと大きく異なるのは、保護膜１２を形成後、前面板１を大気中に取り出して曝すことなく、図３（ｂ）に示す前面板処理装置３０の真空容器３１内に真空搬送して保持し、前面板１の保護膜１２の処理を行なうところにある。この処理により、本発明の第２の実施の形態におけるＰＤＰの前面板１は図２（ａ）に示す不均一な化合物層２１Ａを有する状態を経ることなく、図２（ｂ）に示す均一な化合物層２１Ｂを有する状態に変わる。図４を用いて本発明の第２の実施の形態におけるＰＤＰ製造方法における特徴的な工程である均一な化合物層２１Ｂを形成する方法、手順についての構成、内容について以下に説明する。
【００４１】
保護膜１２が形成された前面板１を図３（ｂ）に示す前面板処理装置３０の真空容器３１内に真空搬送したら、パネルの載置台３３上に載置する。第２の実施の形態における載置台３３には、第１の実施の形態のような加熱手段３４は備えていない。その後、水（Ｈ2Ｏ）をのガスを供給するガス供給装置３８を経てガス導入装置３７から真空容器３１内に導入し、排気装置３５により排気しながら圧力調整装置３６で真空容器３１内を所定の圧力で一定に保って、ＭｇＯからなる保護膜１２の表面を水（Ｈ2Ｏ）を含むガスに一定時間曝して前面板１の保護膜１２を処理する（前面板保護膜処理工程Ｓ１５１）。
【００４２】
処理時の真空容器３１内の圧力を１０Ｐａ〜８０Ｐａに設定すると薄くて、非常に均一な化合物層２１Ｂを保護膜１２上に備えた前面板１を得られることが、試作実験の結果から明らかになった。水（Ｈ2Ｏ）を含むガスの真空容器３１内の圧力が１０Ｐａ以下では、水（Ｈ2Ｏ）と保護膜１２のＭｇＯとの反応が遅くなり、しかも均一にならず図２（ｃ）のような薄くてまだらな化合物層２１Ｃの状態になってしまう。また、水（Ｈ2Ｏ）を含むガスの真空容器３１内の圧力が８０Ｐａ以上では、水（Ｈ2Ｏ）と保護膜１２のＭｇＯとの反応が均一にならず、図２（ａ）のような不均一な化合物層２１Ａの状態になり易い。従って、水（Ｈ2Ｏ）を含むガスの真空容器３１内の圧力を１０Ｐａ〜８０Ｐａに設定することが望ましい。６０Ｐａに設定した時、非常に均一、且つ、薄く均質な化合物層２１ＢをＭｇＯの保護膜１２上に備えた前面板１が得られ、最も好ましい結果となった。更に、処理時間については、真空容器内の圧力により変動するが、形成される化合物層の膜厚、膜の状態に影響するので、薄くて均質な化合物層が形成される最適な時間を設定する。
【００４３】
実際に、ＭｇＯの保護膜１２を形成した前面板１を大気中に取り出すことなく、前面板処理装置３０の真空容器３１内に真空搬送して載置台３３に載せて真空容器３１内の水（Ｈ2Ｏ）を含むガスの圧力を６０Ｐａに設定して保持した時、約１０分間の処理で非常に均一、且つ、薄く均質な化合物層２１ＢをＭｇＯの保護膜１２上に備えた前面板１が得られ、最も好ましい結果となった。
【００４４】
処理後、水（Ｈ2Ｏ）を含むガスの導入を停止し、前面板処理装置３０の真空容器３１から大気中に前面板１を取り出す（大気暴露工程Ｓ１４３）。前面板保護膜処理工程Ｓ１５１により、均一な化合物層２１ＢがＭｇＯの保護膜１２上に形成された前面板１は、この後、Ｈ2Ｏ、ＣＯ2等ＭｇＯと反応する成分が含まれる雰囲気中にあっても、不均一な化合物層に変わることがほとんどないのは、第１の実施の形態の場合と同様である。続いて、作製した前面板１と背面板形成工程Ｓ２０で作製した背面板２と共に、封着工程Ｓ３１からエージング工程Ｓ３４まで実施してＰＤＰパネルを完成させるのは第１の実施の形態と同様である。ただ、前面板１のＭｇＯの保護膜１２の表面上に形成された化合物層２１Ｂは第１の実施の形態の場合よりも更に薄く均一に形成されるので、エージング時間はより一層大幅に短縮することが可能になった。
【００４５】
以上説明した第２の実施の形態における製造方法で作製したＰＤＰパネルは、通常のＰＤＰパネルとほぼ同等の特性を有しているのみならず、パネル面内での特性バラツキが向上していた。例えば、放電開始電圧のパネル内でのバラツキは通常は±５Ｖ程度あるのが、±２．５Ｖ内に収まり、また放電維持電圧のパネル内でのバラツキも、通常は±３．５Ｖ程度あるのが、±２．５Ｖ以内のバラツキに低減、良化していた。更に実験パネルの試作をＮ増しし、各パネルの特性評価を行なったところ、パネル間の特性バラツキも約２０％低減している等、第１の実施の形態における方法で作製したＰＤＰパネルと同様の特性改善の効果が得られている。また、第２の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法における保護膜の処理、即ち、大気に曝すことなく水（Ｈ2Ｏ）を含む低圧下のガス中に一定時間保持する処理を行なった前面板１を用いて作製したＰＤＰパネルは、前面板保護膜処理の工程の処理時間が前述の第１の実施の形態の処理方法に比べ、処理時間を約１／１０に短縮でき、更にエージング工程Ｓ３４におけるエージング時間を第１の実施の形態のＰＤＰの製造方法におけるエージング時間の約１／２の時間に短縮できている。
【００４６】
（第３の実施の形態）
次に、本発明の第３の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法について説明する。
【００４７】
本発明の第３の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法は、図１に製造工程を概略的に流れ図で示した本発明の第１の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法と基本的に同じである。また、上記の第１の実施の形態における製造方法の説明において示したのと同様に、図２（ａ）に示すように前面ガラス基板１０に形成された維持電極１３及び走査電極１４からなる行電極上に誘電体層１１を形成後、保護膜１２を成膜し、更に保護膜１２の表面を大気に曝して、保護膜１２の表面上に形成された化合物層２１Ａが形成された構造とした前面板１の構成及びこの化合物層２１Ａが形成された前面板１を処理するところも同じである。従って、本発明の第３の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法についての説明は、第１の実施の形態と異なるところに重点を置き、重複を避けるため、第１の実施の形態と同じ内容については省略するか、あるいは簡単な説明に留める。
【００４８】
本発明の第３の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法が、第１の実施の形態におけるＰＤＰのそれと大きく異なるところは、前面板保護膜処理における処理方法にある。以下、この前面板保護膜処理方法について、詳しく説明する。
【００４９】
ＰＤＰパネルの前面板１の保護膜１２はＭｇＯが大気中の水分や炭酸ガスと反応して、化合物層２１Ａが形成されるが、この化合物層２１Ａは、処理せずに製造工程を続けると、そのまま保護膜１２表面上に残留し、特性劣化に大きく影響を及ぼすので、ＰＤＰパネルが完成するまでに適切な処理等を実施し、除去しなければならないことは、既に本発明の第１の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法の説明で述べた通りである。
【００５０】
そこで、化合物層２１Ａが形成された前面板１の処理を行なわなければならないのであるが、その処理方法は本発明の第１の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法における前面板１の処理方法と類似しているが、少し異なる方法、装置により行なっている。本発明の第３の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法において特徴となる前面板１の処理は以下に示す手順で行なわれる。また、前面板１を処理するのに図５に示す本発明の第３の実施の形態のＰＤＰ製造方法における前面板処理装置を使用する。図５で、図３（ａ）に示した本発明の第１の実施の形態のＰＤＰの製造方法における前面板処理装置と同じ構成要素には同じ符号を付している。
【００５１】
前面ガラス基板１０上に維持電極１３、走査電極１４と誘電体層１１を形成し、その上に、保護膜１２が所定の条件下で電子ビーム蒸着などによって形成されている。続いて、保護膜１２を成膜形成した前面板１を保護膜形成装置から、大気中に取り出す。ＭｇＯからなる保護膜１２が形成された前面板１は、大気中の二酸化炭素（ＣＯ2）、水（Ｈ2Ｏ）と反応し、図２（ａ）に模式的に示したように不均一な化合物層２１Ａが形成される（第１の大気暴露工程Ｓ１４１）ことは、第１の実施の形態の場合と同じである。
【００５２】
保護膜１２の形成後、一旦大気中に曝された保護膜１２上に化合物層２１Ａが形成された前面板１を、図５に示すような前面板処理装置４０の真空容器３１に搬送して載置台３３上に置く。載置台３３は、例えば、抵抗加熱ヒータ等の加熱手段３４により、前面板１を加熱昇温させることが可能である。
【００５３】
続いて、保護膜１２の表面上に化合物層２１Ａが形成された前面板１を処理する（前面板保護膜処理工程Ｓ１５）。前面板１の処理は２段階で行なう。第１段階の処理は加熱手段３４により前面板１を所定の温度に加熱することにより行なう。加熱により、化合物層２１Ａは分解して、気相中に水や二酸化炭素が放出されるので、化合物層２１Ａは図２（ａ）に模式的に示したような不均一性が緩和されて凹凸が緩やかになり、且つ厚さも薄くなる。この第１段階の処理の後、水（Ｈ2Ｏ）のガスを供給するガス供給装置３８を経てガス導入装置３７から真空容器３１内に導入し、排気装置３５により排気しながら圧力調整装置３６で真空容器３１内を所定の圧力に保ちつつ、真空容器３１に具備された誘電体で構成された板材４１を介して真空容器３１外に設置されたアンテナ４２に高周波電源４３から高周波電力を供給する構成のプラズマ源により、真空容器３１内に存在する水（Ｈ2Ｏ）を含むガスを高周波放電によりプラズマ化させ、この状態で前面板１１の保護膜１２表面を後述する水（Ｈ2Ｏ）を含むガスのプラズマ化で生ずるプラズマに一定時間曝すことにより、前面板１の第２段階の処理を実施する。
【００５４】
本発明の第３の実施の形態においては、加熱による前面板１の第１段階の処理の後に、前面板１を加熱して水（Ｈ2Ｏ）を含むガス中で、排気しながら所定の圧力に保ちつつ、高周波放電による水（Ｈ2Ｏ）を含むガスをプラズマ化し、水（Ｈ2Ｏ）を含むガスのプラズマに曝すことにより第２段階の処理を実施している。水（Ｈ2Ｏ）を含むガスのプラズマ存在により、水（Ｈ2Ｏ）と化合物層２１Ａとの反応を一定且つ均一に制御することが、第１の実施の形態における方法に比べると、より促進されるために、より均一で均質、且つ薄い化合物層２１Ｂが短い時間で形成されると考えられる。
【００５５】
なお、ここでは加熱手段３４として抵抗加熱ヒータを用いたが、載置台３３に配置する抵抗加熱ヒータの代わりにレーザビーム照射や赤外線照射による加熱も利用できる。また、加熱温度は、２００℃よりも低い温度では化合物層の分解反応が遅く処理に長時間を要し、６００℃よりも高温では、基板のガラスが変形してしまうので、２００℃〜６００℃の温度範囲に設定することは第１の実施の形態の場合と同じである。加熱温度として、化合物層の除去後のパネル冷却に要する時間との兼ね合いで、第１の実施の形態と同じ４００℃を採用した。
【００５６】
また、処理時の真空容器３１内の圧力を１０Ｐａ〜１５０Ｐａに設定すると良好なＭｇＯの保護膜１２を備えた前面板１を得られることが、試作実験の結果から明らかになった。水（Ｈ2Ｏ）を含むガスの真空容器３１内の圧力が１０Ｐａ以下では、水（Ｈ2Ｏ）を含むガスのブラズマ種のスパッタ性が高く、化合物層２１Ａの分解反応が進み過ぎて、図２（ｃ）のような不均一な状態が残るのみならず誘電体保護膜１２や蛍光体層２０にもダメージを与えてしまうことがある。また、水（Ｈ2Ｏ）を含むガスの真空容器３１内の圧力が１５０Ｐａ以上では、プラズマが発生しにくいため、図２（ａ）のような不均一性が解消されない状態が残ってしまう。従って、水（Ｈ2Ｏ）を含むガスの真空容器３１内の圧力を１０Ｐａ〜１５０Ｐａに設定することが望ましい。また、真空容器３１内に具備された誘電体の板材４１に高周波電源４３からアンテナ４２を通して供給する電力は、単位面積当たりで５．５ｋＷ／ｍ2以上が望ましい。特に、（１１±３）ｋＷ／ｍ2前後の電力が、化合物層２１Ａの反応を適度に進めるレベルのプラズマを発生させるので、保護膜１２への影響が少なくて好ましい。５．５ｋＷ／ｍ2より少ない電力では放電の効果がほとんどなく化合物層２１と水（Ｈ2Ｏ）を含むガスとの反応が促進されず、あまりに大きい電力では放電により発生するプラズマのイオン衝撃で保護膜１２を損傷する恐れがある。また、水を含むガスをプラズマ化する方法は図５（ａ）に示した誘導結合型のプラズマ源に限られるものではなく、例えば、図５（ｂ）に示した前面板処理装置４５の真空容器３１内の金属電極４６に高周波電源４３から電力を供給してガスをプラズマ化させる構成のプラズマ源やマイクロ波を使用したプラズマ源等他のプラズマ源を用いても同様の効果が得られる。
【００５７】
実際に、ＭｇＯの保護膜１２を形成した前面板１を大気中に取り出して、約２０分間大気暴露して、保護膜１２上に化合物層２１Ａが形成された前面板１について、前面板処理装置４０の真空容器３１内の載置台３３に載せ、加熱温度を４００℃に設定し、真空容器３１内の圧力を６０Ｐａに設定して、１１ｋＷ／ｍ2の高周波電力をプラズマ源に供給した時、約１分間の処理で不均一な化合物層２１Ａが非常に均一、且つ、薄く均質な化合物層２１ＢをＭｇＯの保護膜１２上に備えた前面板１に変わり、最も好ましい結果となった。
【００５８】
このようにして、前面板保護膜処理工程Ｓ１５を実施した後、高周波電力の供給及び水（Ｈ2Ｏ）を含むガスの導入を停止し、前面板１を冷却して大気中に取り出す（第２の大気暴露工程Ｓ１４２）。前面板保護膜処理工程Ｓ１５により、均一な化合物層２１ＢがＭｇＯの保護膜１２上に形成された前面板１は、この後、Ｈ2Ｏ、ＣＯ2等ＭｇＯと反応する成分が含まれる雰囲気中にあっても、不均一な化合物層に変わることがほとんどないことは、第１の実施の形態と同じである。
【００５９】
なお、上述説明した本発明の第３の実施の形態の前面板保護膜処理工程Ｓ１５においては、その第２段階の処理で、水（Ｈ2Ｏ）を含むガスを導入し、高周波放電により水（Ｈ2Ｏ）を含むガスをプラズマ化し、水（Ｈ2Ｏ）を含むガスのプラズマ中で化合物層２１Ａを曝して処理する時に加熱も同時に行なっているが、本発明の第３の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法においては、第２段階における加熱を行なわなくても前面板１の処理が可能である。但し、第２段階の処理で加熱を行なわない場合、均一な化合物層２１Ｂを形成するのにより長時間を要することになる。
【００６０】
続いて、作製した前面板１と背面板形成工程Ｓ２０で作製した背面板２と共に封着装置に移送し、前面板１と背面板２のそれぞれにガラスフリットを塗布し、各電極位置を合わせて目合わせして貼り合せてから加熱封着し（封着工程Ｓ３１）、ＰＤＰパネル内残存ガスと封着工程で発生する放出ガスとを排気（排気工程Ｓ３２）し、放電ガスとしてＮｅ、Ｘｅ等を主体とする希ガスを封入（放電ガス封入工程Ｓ３３）して、パネルの各電極に所定の電圧、波形の駆動パルスを印加して放電を行なうエージングを実施（エージング工程Ｓ３４）し、前面板１のＭｇＯの保護膜１２の表面上に形成された化合物層２１Ｂをスパッタ除去してＰＤＰパネルの完成となる。前面板１のＭｇＯの保護膜１２の表面上に薄く均一な化合物層２１Ｂが形成されているので、エージング時間の大幅な短縮化が可能になることも第１の実施の形態と同じである。
【００６１】
以上説明した製造方法で作製したＰＤＰパネルは、通常の製造方法で作製したＰＤＰパネルに比べパネル面内での特性バラツキ及びパネル間の特性バラツキが低減できており、且つ、パネル特性そのものも向上していた。例えば、放電開始電圧のパネル内でのバラツキは通常は±５Ｖ程度あるのが、±２．０Ｖ内に収まり、また放電維持電圧のパネル内でのバラツキも、通常は±３．５Ｖ程度あるのが、±２．０Ｖ以内のバラツキに低減、良化していた。更に実験パネルをＮ増し試作し、各パネルの特性評価を行なったところ、パネル間の特性バラツキも約３０％低減していた。これらの結果は第１の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法の保護膜処理方法で処理して作製したＰＤＰパネルの特性よりも優れた結果であった。本発明の第３の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法の保護膜の処理時間も第１の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法の保護膜の処理時間の約１０分から１／１０の約１分に短縮できた。また、第１の実施の形態における製造方法と同じように、エージング工程Ｓ３４におけるエージング時間を従来のＰＤＰの製造方法におけるエージング時間の約１／２〜約１／３の時間に短縮できている。
【００６２】
なお、第３の実施の形態のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、第１の実施の形態のように保護膜１２を形成した後に前面板１を保護膜形成装置から大気中に取り出して行なう大気暴露工程Ｓ１４を実施せずに、前面板処理装置３０の真空容器３１内に前面板１を真空搬送して、前面板１を低圧下の水（Ｈ2Ｏ）を含むガス中で高周波放電によるプラズマで処理を行なう方法も可能である。このような第２の実施の形態と第３の実施の形態を組み合わせた製造方法の場合、前面板処理時間が約１分に短縮できると共に、エージング時間も第３の実施の形態の製造方法の場合の約１／２の時間に短縮できるので、製造工程全体の処理時間を大幅に短縮化することが可能になる。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、第１のガラス基板のＭｇＯの保護膜が大気中の水分や炭酸ガスにより形成される化合物層や不純物吸着層を処理して均一且つ均質な化合物層に変えることができ、ＰＤＰパネルのエージング時間を短縮できて製造工数削減に有効であるばかりでなく、プラズマディスプレイパネルの特性改善やそのバラツキも低減できるので、動作が安定した、画質の優れたＰＤＰ表示装置への利用に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の第１及び第２の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法を概略的に示す製造工程の流れ図
【図２】本発明の実施の形態のＰＤＰの製造方法において、保護膜形成工程後の前面板の構造を示す拡大部分断面図
【図３】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ本発明の第１及び第２の実施の形態における製造方法で、ＰＤＰパネル前面板の保護膜に形成された化合物層を処理する装置の概略構成図
【図４】本発明の第２の実施の形態におけるＰＤＰの製造方法を概略的に示す製造工程の流れ図
【図５】（ａ）、（ｂ）は本発明の第３の実施の形態の製造方法において、ＰＤＰパネル前面板に形成した保護層を処理する装置の概略構成図
【図６】一般的な面放電型ＡＣ型ＰＤＰの一部を立体的に描いて構造を示した斜視図
【図７】従来のＰＤＰの製造方法を概略的に示す製造工程の流れ図
【符号の説明】
【００６５】
１    前面板
２    背面板
３    放電空間
１０    前面ガラス基板
１１    誘電体層
１２    保護膜
１３    維持電極
１４    走査電極
１６    背面ガラス基板
１７    下地誘電体層
１８    隔壁
１９    データ電極（アドレス電極）
２０    蛍光体層
２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ    化合物層
３０，４０，４５    前面板処理装置
３１    真空容器
３３    載置台
３４    加熱手段
３５    排気装置
３６    圧力調整装置
３７    ガス導入装置
３８    ガス供給装置
４１    板材
４２    アンテナ
４３    高周波電源
４６    金属電極
【図１】
2005183243.tif 000003
【図２】
2005183243.tif 000004
【図３】
2005183243.tif 000005
【図４】
2005183243.tif 000006
【図５】
2005183243.tif 000007
【図６】
2005183243.tif 000008
【図７】
2005183243.tif 000009