(57)【要約】【課題】生産性が高く、かつ安価な薄膜トランジスタの製造方法を提供すること。【解決手段】ガラス基板１の表面にインクジェット方式によって下地膜用材料を塗布し、下地膜２を形成する下地膜形成工程と、上記下地膜２の表面にメッキまたは常圧化学気相成長によってアモルファスシリコン膜を形成し、上記アモルファスシリコン膜を多結晶化することで、ポリシリコン膜３を形成するポリシリコン膜形成工程と、上記ポリシリコン膜３の表面にグラフト重合体からなる第１のマスクパターン６を形成するマスクパターン形成工程と、上記第１のマスクパターン６を用いて上記ポリシリコン膜３をエッチングすることで、ポリシリコン島７を形成するポリシリコン島形成工程とを具備することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面にインクジェット方式により下地膜用材料を塗布し、下地膜を形成する下地膜形成工程と、
上記下地膜の表面にメッキ又は常圧化学気相成長によりアモルファスシリコン膜を形成し、このアモルファスシリコン膜を多結晶化することで、ポリシリコン膜を形成するポリシリコン膜形成工程と、
上記ポリシリコン膜の表面にグラフト重合体からなるマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程と、
上記マスクパターンを用いて上記ポリシリコン膜をエッチングすることで、ポリシリコン島を形成するポリシリコン島形成工程と、を具備することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項２】
半導体層としてポリシリコン膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法において、
上記ポリシリコン膜の表面にインクジェット方式によりゲート絶縁膜用材料を塗布し、ゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程と、
上記ゲート絶縁膜の表面の所定部分にメッキによりゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、を具備することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項３】
ポリシリコン膜の表面にゲート絶縁膜を介してゲート電極を備えた薄膜トランジスタの製造方法において、
上記ゲート電極をマスクにして上記ポリシリコン膜に不純物を注入する不純物注入工程と、
上記ゲート絶縁膜の表面に常圧化学気相成長によって上記トランジスタを保護するための保護膜を形成する保護膜形成工程と、
上記保護膜の表面にグラフト重合体からなるマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程と、
上記マスクパターンを用いて上記保護膜及びゲート絶縁膜をエッチングすることで、上記保護膜の表面から上記ポリシリコン膜に連通するコンタクトホールを形成するコンタクトホール形成工程と、
少なくとも上記コンタクトホールの内部にメッキにより配線を形成する配線形成工程と、を具備することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項４】
薄膜トランジスタを有する表示装置の製造方法において、
上記保護膜の表面にインクジェット方式によりカラーレジスト用材料を塗布し、カラーレジストを形成するカラーレジスト形成工程と、
上記カラーレジストの表面にインクジェット方式によりＩＴＯ膜用材料を塗布し、ＩＴＯ膜を形成するＩＴＯ膜形成工程と、を具備することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項５】
基板の表面にインクジェット方式により下地膜用材料を塗布し、下地膜を形成する下地膜形成工程と、
上記下地膜の表面にメッキ又は常圧化学気相成長によりアモルファスシリコン膜を形成し、上記アモルファスシリコン膜を多結晶化することで、ポリシリコン膜を形成するポリシリコン膜形成工程と、
上記ポリシリコン膜の表面にインクジェット方式によりマスク用材料を塗布し、上記マスク用材料の所定部分をグラフト重合させた後、上記マスク用材料をグラフト重合した部分を残して除去することで、上記ポリシリコン膜の表面にグラフト重合体からなる第１のマスクパターンを形成する第１のマスクパターン形成工程と、
上記第１のマスクパターンを用いて上記ポリシリコン膜をエッチングすることで、ポリシリコン島を形成するポリシリコン島形成工程と、
上記ポリシリコン島の表面にインクジェット方式によりゲート絶縁膜用材料を塗布し、ゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程と、
上記ゲート絶縁膜の表面の所定部分にメッキによりゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、
上記ゲート電極をマスクにして上記ポリシリコン膜に不純物を注入する不純物注入工程と、
上記ゲート絶縁膜の表面に常圧化学気相成長により上記ゲート電極を保護するための保護膜を形成する保護膜形成工程と、
上記保護膜の表面にインクジェット方式によりマスク用材料を塗布し、上記マスク用材料の所定部分をグラフト重合させた後、上記マスク用材料をグラフト重合した部分を残して除去することで、上記保護膜の表面にグラフト重合体からなる第２のマスクパターンを形成する第２のマスクパターン形成工程と、
上記第２マスクパターンを用いて上記保護膜及びゲート絶縁膜をエッチングすることで、上記保護膜の表面から上記ポリシリコン膜に連通するコンタクトホールを形成するコンタクトホール形成工程と、
少なくとも上記コンタクトホールの内部にメッキにより配線を形成する配線形成工程と、
上記保護膜の表面にインクジェット方式によりカラーレジスト用材料を塗布し、カラーレジストを形成するカラーレジスト形成工程と、
上記カラーレジストの表面にインクジェット方式によりＩＴＯ膜用材料を塗布し、ＩＴＯ膜を形成するＩＴＯ膜形成工程と、を具備することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項６】
基板の表面に成膜とエッチングを繰り返して薄膜トランジスタを形成する薄膜トランジスタの製造方法において、
上記成膜とエッチングを行う際に、高真空環境を利用しないことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項７】
基板の表面に成膜とエッチングを繰り返して薄膜トランジスタを形成する薄膜トランジスタの製造方法において、
上記成膜とエッチングを常圧下で行うことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項８】
膜の表面に形成されたマスクを用いて上記膜をエッチングする工程を有する薄膜トランジスタの製造方法において、
上記膜の表面にマスクを形成する際に、上記マスクの材料となる液体をスピンコート以外の方法を用いて塗ることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項９】
膜の表面にエッチング用のマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程を有する薄膜トランジスタの製造方法において、
上記マスクパターン形成工程は、
上記膜の表面にインクジェット方式によりマスク用材料を塗布するマスク用材料塗布工程と、
上記マスク用材料の所定部分をグラフト重合させるグラフト重合工程と、
上記マスク用材料をグラフト重合した部分を残して除去することで、上記マスクパターンを形成する除去工程と、を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板の表面に形成される薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
薄膜トランジスタの製造方法では、成膜とエッチングが繰り返し行われる。最近では、これらの成膜やエッチングにプラズマを用いることが多い。プラズマを用いて成膜やエッチングを行う場合、周囲を高真空環境にする必要がある。
【０００３】
また、エッチングに用いるマスクを形成する場合、エッチング対象となる膜の表面にスピンコートによってフォトレジストを塗布し、このフォトレジストにフォトマスクを通して光を照射することにより形成している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、成膜やエッチングにプラズマを用いると、高真空環境を形成するために長い時間がかかり、生産性が低下するという問題がある。
【０００５】
また、マスクの形成にスピンコートを用いると、殆んどのフォトレジストが廃棄されることになり、材料の使用効率が低下するという問題がある。
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、生産性が高い安価な薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決し目的を達成するために、本発明の薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置の製造方法は次のように構成されている。
【０００８】
（１）基板の表面にインクジェット方式により下地膜用材料を塗布し、下地膜を形成する下地膜形成工程と、上記下地膜の表面にメッキ又は常圧化学気相成長によりアモルファスシリコン膜を形成し、このアモルファスシリコン膜を多結晶化することで、ポリシリコン膜を形成するポリシリコン膜形成工程と、上記ポリシリコン膜の表面にグラフト重合体からなるマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程と、上記マスクパターンを用いて上記ポリシリコン膜をエッチングすることで、ポリシリコン島を形成するポリシリコン島形成工程とを具備することを特徴とする。
【０００９】
上記マスクパターン形成工程は、上記ポリシリコン膜の表面にインクジェット方式によりマスク用材料を塗布するマスク用材料塗布工程と、上記マスク用材料の所定部分に紫外線を照射してこの照射した部分をグラフト重合させるグラフト重合工程と、上記マスク用材料をグラフト重合した部分を残して除去することで、上記ポリシリコン膜の表面に上記マスクパターンを形成する除去工程とを有することを特徴とする。
【００１０】
上記マスクパターン形成工程は、上記ポリシリコン膜の表面の所定部分にインクジェット方式により重合開始剤を塗布する重合開始剤塗布工程と、上記ポリシリコン膜の表面に上記重合開始剤の上からインクジェット方式によりマスク用材料を塗布することで、上記マスク用材料の上記重合開始剤と接触した部分をグラフト重合させるグラフト重合工程と、上記マスク用材料をグラフト重合した部分を残して除去することで、上記ポリシリコン膜の表面に上記マスクパターンを形成する除去工程とを有することを特徴とする。
【００１１】
（２）半導体層としてポリシリコン膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法において、上記ポリシリコン膜の表面にインクジェット方式によりゲート絶縁膜用材料を塗布し、ゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程と、上記ゲート絶縁膜の表面の所定部分にメッキによりゲート電極を形成するゲート電極形成工程とを具備することを特徴とする。
【００１２】
上記ゲート電極形成工程は、上記ゲート絶縁膜の表面全体にメッキにより導電材料を付着、堆積させる全面メッキ工程と、上記導電材料をエッチングにより上記所定部分を残して除去することで上記ゲート電極を形成するエッチング工程とを有することを特徴とする。
【００１３】
上記ゲート電極形成工程は、上記ゲート絶縁膜の表面の所定部分にメッキを促進させるための触媒をインクジェット方式によって塗布する触媒塗布工程と、上記ゲート絶縁膜の表面に上記触媒の上から上記導電材料をメッキし、上記導電材料と上記触媒の反応を利用して、上記触媒を塗布した上記所定部分のみに上記導電材料を付着、堆積させて上記ゲート電極を形成する部分メッキ工程とを有することを特徴とする。
【００１４】
（３）ポリシリコン膜の表面にゲート絶縁膜を介してゲート電極を備えた薄膜トランジスタの製造方法において、上記ゲート電極をマスクにして上記ポリシリコン膜に不純物を注入する不純物注入工程と、上記ゲート絶縁膜の表面に常圧化学気相成長によって上記トランジスタを保護するための保護膜を形成する保護膜形成工程と、上記保護膜の表面にグラフト重合体からなるマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程と、上記マスクパターンを用いて上記保護膜及びゲート絶縁膜をエッチングすることで、上記保護膜の表面から上記ポリシリコン膜に連通するコンタクトホールを形成するコンタクトホール形成工程と、少なくとも上記コンタクトホールの内部にメッキにより配線を形成する配線形成工程とを具備することを特徴とする。
【００１５】
上記マスクパターン形成工程は、上記保護膜の表面にインクジェット方式によりマスク用材料を塗布するマスク用材料塗布工程と、上記マスク用材料の所定部分に紫外線を照射してこの照射した部分をグラフト重合させるグラフト重合工程と、上記マスク用材料をグラフト重合した部分を残して除去することで、上記保護膜の表面に上記マスクパターンを形成する除去工程とを有することを特徴とする。
【００１６】
上記マスクパターン形成工程は、上記保護膜の表面の所定部分にインクジェット方式により重合開始剤を塗布する重合開始剤塗布工程と、上記保護膜の表面にインクジェット方式により上記重合開始剤の上からマスク用材料を塗布することで、上記マスク用材料の上記重合開始剤と接触する部分をグラフト重合させるグラフト重合工程と、上記マスク用材料をそのグラフト重合した部分を残して除去することで、上記保護膜の表面に上記マスクパターンを形成する除去工程とを有することを特徴とする。
【００１７】
上記配線形成工程は、上記保護膜の表面全体にメッキにより配線用材料を付着、堆積させる全面メッキ工程と、上記配線用材料を少なくとも上記コンタクトホールの内部を残してエッチングにより除去することで上記配線を形成するエッチング工程とを有することを特徴とする。
【００１８】
上記配線形成工程は、少なくとも上記コンタクトホールの内面にインクジェット方式によりメッキを促進させるための触媒を塗布する触媒塗布工程と、上記保護膜の表面に上記触媒の上から導電材料をメッキし、上記導電材料と上記触媒の反応を利用して、少なくとも上記触媒が塗布された上記コンタクトホールの内面のみに上記導電材料を付着、堆積させて上記配線を形成する部分メッキ工程とを有することを特徴とする。
【００１９】
（４）薄膜トランジスタを有する表示装置の製造方法において、上記薄膜トランジスタ上に設けられた保護膜の表面にインクジェット方式によりカラーレジスト用材料を塗布し、カラーレジストを形成するカラーレジスト形成工程と、上記カラーレジストの表面にインクジェット方式によりＩＴＯ膜用材料を塗布し、ＩＴＯ膜を形成するＩＴＯ膜形成工程とを具備することを特徴とする。
【００２０】
（５）基板の表面にインクジェット方式により下地膜用材料を塗布し、下地膜を形成する下地膜形成工程と、上記下地膜の表面にメッキ又は常圧化学気相成長によりアモルファスシリコン膜を形成し、上記アモルファスシリコン膜を多結晶化することで、ポリシリコン膜を形成するポリシリコン膜形成工程と、上記ポリシリコン膜の表面にインクジェット方式によりマスク用材料を塗布し、上記マスク用材料の所定部分をグラフト重合させた後、上記マスク用材料をグラフト重合した部分を残して除去することで、上記ポリシリコン膜の表面にグラフト重合体からなる第１のマスクパターンを形成する第１のマスクパターン形成工程と、上記第１のマスクパターンを用いて上記ポリシリコン膜をエッチングすることで、ポリシリコン島を形成するポリシリコン島形成工程と、上記ポリシリコン島の表面にインクジェット方式によりゲート絶縁膜用材料を塗布し、ゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程と、上記ゲート絶縁膜の表面の所定部分にメッキによりゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、上記ゲート電極をマスクにして上記ポリシリコン膜に不純物を注入する不純物注入工程と、上記ゲート絶縁膜の表面に常圧化学気相成長により上記ゲート電極を保護するための保護膜を形成する保護膜形成工程と、上記保護膜の表面にインクジェット方式によりマスク用材料を塗布し、上記マスク用材料の所定部分をグラフト重合させた後、上記マスク用材料をグラフト重合した部分を残して除去することで、上記保護膜の表面にグラフト重合体からなる第２のマスクパターンを形成する第２のマスクパターン形成工程と、上記第２マスクパターンを用いて上記保護膜及びゲート絶縁膜をエッチングすることで、上記保護膜の表面から上記ポリシリコン膜に連通するコンタクトホールを形成するコンタクトホール形成工程と、少なくとも上記コンタクトホールの内部にメッキにより配線を形成する配線形成工程と、上記保護膜の表面にインクジェット方式によりカラーレジスト用材料を塗布し、カラーレジストを形成するカラーレジスト形成工程と、上記カラーレジストの表面にインクジェット方式によりＩＴＯ膜用材料を塗布し、ＩＴＯ膜を形成するＩＴＯ膜形成工程とを具備することを特徴とする。
【００２１】
（６）基板の表面に成膜とエッチングを繰り返して薄膜トランジスタを形成する薄膜トランジスタの製造方法において、上記成膜とエッチングを行う際に、高真空環境を利用しないことを特徴とする。
【００２２】
（７）基板の表面に成膜とエッチングを繰り返して薄膜トランジスタを形成する薄膜トランジスタの製造方法において、上記成膜とエッチングを常圧下で行うことを特徴とする。
【００２３】
（８）膜の表面に形成されたマスクを用いて上記膜をエッチングする工程を有する薄膜トランジスタの製造方法において、上記膜の表面にマスクを形成する際に、上記マスクの材料となる液体をスピンコート以外の方法を用いて塗ることを特徴とする。
【００２４】
（９）膜の表面にエッチング用のマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程を有する薄膜トランジスタの製造方法において、上記マスクパターン形成工程は、上記膜の表面にインクジェット方式によりマスク用材料を塗布するマスク用材料塗布工程と、上記マスク用材料の所定部分をグラフト重合させるグラフト重合工程と、上記マスク用材料をグラフト重合した部分を残して除去することで、上記マスクパターンを形成する除去工程とを有することを特徴とする。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。
【００２６】
図１（ａ）〜図１（ｈ）、図２（ａ）〜図２（ｈ）、図３（ａ）〜図３（ｄ）は、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜トランジスタの製造工程を示す工程図である。
【００２７】
まず、図１（ａ）に示すように、ガラス基板１を用意する。
【００２８】
次に、図１（ｂ）に示すように、ガラス基板１の表面全体にインクジェット方式によって液状の下地膜用材料を塗布し、この下地膜用材料をランプによって加熱硬化する。これによって、ガラス基板１の表面全体に下地膜２が形成される。
なお、下地膜２の素材としては、窒化シリコンや酸化シリコンが用いられる。
【００２９】
次に、図１（ｃ）に示すように、下地膜２の表面全体にメッキ又は常圧化学気相成長によってアモルファスシリコン膜を形成し、このアモルファスシリコン膜をランプアニールによって多結晶化する。これによって、下地膜２の表面にポリシリコン膜３が形成される。
【００３０】
次に、図１（ｄ）に示すように、ポリシリコン膜３の表面全体に液状の第１のマスク用材料４をインクジェット方式によって塗布する。この第１のマスク用材料４の素材としては、後述するように、紫外線の照射によりグラフト重合する性質を備えた有機材料、すなわちグラフト重合素材が用いられる。
【００３１】
次に、図１（ｅ）に示すように、第１のマスク用材料４の所定部分に紫外線を照射することで、その照射部分をグラフト重合させる。これによって、第１のマスク用材料４の紫外線が照射された部分は固形状のグラフト重合体５となる。
【００３２】
次に、図１（ｆ）に示すように、第１のマスク用材料４をグラフト重合体５、すなわち紫外線を照射した部分を残して除去する。これによって、ポリシリコン膜３の表面にグラフト重合体からなる第１のマスクパターン６が形成される。
【００３３】
次に、図１（ｇ）に示すように、第１のマスクパターン６を用いてポリシリコン膜３をウェットエッチングし、下地膜２の表面にポリシリコン島７を形成する。そして、このポリシリコン島７が形成されたら、図１（ｈ）に示すように、ポリシリコン島７の表面から第１のマスクパターン６を取り除く。
【００３４】
次に、図２（ａ）に示すように、下地膜２の表面にポリシリコン島７を覆うように液状のゲート絶縁膜用材料をインクジェット方式によって塗布し、このゲート絶縁膜用材料をランプによって加熱硬化する。これによって、下地膜２の表面側にポリシリコン島７を覆うゲート絶縁膜８が形成される。
【００３５】
次に、図２（ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜８の表面の所定部分にインクジェット方式によってメッキを促進させるための触媒３２を塗布する。そして、ゲート絶縁膜８をガラス基板１ごとゲート電極用材料を含む電界溶液に浸漬することで、ゲート絶縁膜８の触媒３２を塗布した部分にだけ電極用材料を付着、堆積させる。これによって、図２（ｃ）に示すように、ゲート絶縁膜８の表面の所定部分にゲート電極１０が形成される。ゲート電極１０の素材としては、ニッケルや銅などが用いられる。
【００３６】
なお、ゲート絶縁膜８の表面全体にメッキによってニッケルや銅等の導電材料を付着、堆積させ、その後、これをウェットエッチングすることで、ゲート絶縁膜８の表面の所定部分にゲート電極１０を形成してもよい。
【００３７】
次に、図２（ｄ）に示すように、ゲート電極１０をマスクにしてポリシリコン島７に不純物を注入する。そして、ポリシリコン島７をランプによって加熱することで、注入した不純物を活性化させる。これによって、ポリシリコン島７にソース領域７ａとドレイン領域７ｂが形成される。さらに、ポリシリコン島７を構成するシリコン原子の未結合手を水素原子によって終端する。
【００３８】
次に、図２（ｅ）に示すように、ゲート絶縁膜８の表面に保護膜１１を常圧化学気相成長によってゲート電極１０を覆うように形成する。保護膜１１の素材としては、窒化シリコン等が用いられる。
【００３９】
次に、図２（ｆ）に示すように、保護膜１１の表面全体に液状の第２のマスク用材料１２をインクジェット方式によって塗布する。第２のマスク用材料１２の素材としては、上述の第１のマスク用材料４と同じ性質を有する有機材料、すなわちグラフト重合素材が用いられる。
【００４０】
次に、図２（ｇ）に示すように、この第２のマスク用材料１２の所定部分に紫外線を照射し、その照射部分をグラフト重合させる。これによって、第２のマスク用材料１２の紫外線が照射された部分は固形状のグラフト重合体１３となる。
【００４１】
次に、図２（ｈ）に示すように、第２のマスク用材料１２をグラフト重合体１３、すなわち紫外線が照射された部分を残して除去する。これによって、保護膜１１の表面にグラフト重合体からなる第２のマスクパターン１４が形成される。
【００４２】
次に、図３（ａ）に示すように、第２のマスクパターン１４を用いて保護膜１１とゲート絶縁膜８をウェットエッチングし、保護膜１１の表面からポリシリコン島７のソース領域７ａとドレイン領域７ｂにそれぞれ連通するコンタクトホール１５を形成する。なお、このコンタクトホール１５が形成されたら、図３（ｂ）に示すように、保護膜１１の表面から第２のマスクパターン１４を取り除く。
【００４３】
次に、図３（ｃ）に示すように、コンタクトホール１５の内面及び信号線部分にインクジェット方式によってメッキを促進させるための触媒３３を塗布する。
そして、保護膜１１をガラス基板１ごと配線用材料を含む電界溶液に浸漬し、保護膜１１の触媒３３を塗布したコンタクトホール１５内及び信号線部２１にだけ配線用材料を付着、堆積させる。
【００４４】
これによって、図３（ｄ）に示すように、ソース領域７ａ及びドレイン領域７ｂにそれぞれ接続される配線１７ａ及び配線１７ｂが形成される。配線用材料の素材としては、ニッケルや銅等が用いられる。
【００４５】
なお、保護膜１１の表面及びコンタクトホール１５内にメッキによってニッケルや銅等の導電材料を付着させ、その後、コンタクトホール１５の内部及び信号線部分だけを残して導電材料をウェットエッチングにより除去することで配線１７ａ、配線１７ｂを形成してもよい。
【００４６】
以上で、薄膜トランジスタの製造工手が終了となる。
【００４７】
この薄膜トランジスタを用いて表示装置等に用いられるＴＦＴ基板を製造する場合、上述の工程に加えて、さらに以下のような工程を行う。
【００４８】
図４（ａ）〜図４（ｃ）は同実施の形態に係るＴＦＴ基板を製造する工程を示す工程図である。
【００４９】
図４（ａ）に示すように、保護膜１１の表面全体にインクジェット方式によって赤色、緑色、青色の３色からなる液状のカラーレジスト用材料を交互に塗布し、このカラーレジスト用材料をランプによって加熱硬化する。これによって、保護膜１１の表面に赤色、緑色、青色のカラーレジスト１８が形成される。なお、ここでは、赤色、緑色、青色のうちの２色のカラーレジスト１８ａ、１８ｂのみ示している。
【００５０】
次に、図４（ｂ）に示すように、カラーレジスト１８をウェットエッチングし、カラーレジスト１８の表面から配線１７ｂに連通するコンタクトホール２０を形成する。なお、ここでは、カラーレジスト１８ａに形成されたコンタクトホール２０だけを示している。
【００５１】
次に、図４（ｃ）に示すように、カラーレジスト１８ａ、１８ｂの表面全体に液状のＩＴＯ膜用材料をインクジェット方式によって塗布し、このＩＴＯ膜用材料をランプによって加熱硬化する。これによって、カラーレジスト１８の表面及びコンタクトホール２０の内部には、配線１７ｂに接続されるＩＴＯ膜１９が形成される。
【００５２】
以上で、ＴＦＴ基板の製造工程が終了となる。
【００５３】
本発明の薄膜トランジスタ及び表示装置の製造方法によれば、下地膜２、ポリシリコン膜３、第１のマスクパターン６、ゲート絶縁膜８、ゲート電極１０、保護膜１１、第２のマスクパターン１４、配線１７ａ、配線１７ｂ、カラーレジスト１８ａ、１８ｂ、ＩＴＯ膜１９を形成する際に、インクジェット、ランプ加熱、常圧化学気相成長、メッキなど、プラズマを用いない方法を使用している。また、エッチングする際にも、プラズマを用いないウェットエッチングを用いている。
【００５４】
そのため、プラズマを発生させるための高真空環境を作る必要がないから、そのために要する時間を短縮できる分だけ生産性を向上することができる。
【００５５】
また、第１、第２のマスク用材料４、１２としてグラフト重合素材を用い、このグラフト重合素材をインクジェット方式によって塗布し、その所定部分を紫外線の照射によってグラフト重合させ、グラフト重合した部分を残して第１、第２のマスク用材料４、１２を除去することで、第１、第２のマスクパターン６、１４を形成している。
【００５６】
そのため、従来のように、スピンコートによってフォトレジストを塗布する必要がないため、材料の使用効率を向上させることができる。
【００５７】
次に、図５（ａ）〜（ｃ）を用いて、本発明の第２の実施の形態を説明する。
【００５８】
本実施の形態では、ポリシリコン膜３の表面の所定部分に、第１のマスク用材料４を塗布する前に重合開始剤３１を塗布する。
【００５９】
この重合開始剤３１は、第１のマスク用材料４のグラフト重合を開始させる性質を有している。そのため、図５（ａ）に示すように、グラフト重合させたい部分のポリシリコン膜３表面に重合開始剤３１を塗布しておけば、図５（ｂ）に示すように、重合開始剤３１の上から第１のマスク用材料４を塗布するだけで、第１のマスク用材料４の所定部分をグラフト重合させることができる。
【００６０】
そして、図２（ｃ）に示すように、第１のマスク用材料４のグラフト重合していない部分を除去することで、ポリシリコン膜３の表面に第１のマスクパターン６を形成することができる。なお、上述した重合開始剤３１を用いて第１のマスク用材料４をグラフト重合させる技術は、当然、第２のマスクパターンを形成する際にも用いることができる。
【００６１】
本発明は、上記実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施の形態に亘る構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【００６２】
【発明の効果】
本発明によれば、薄膜トランジスタ及び表示装置の生産性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜トランジスタの製造工程を示す工程図。
【図２】同実施の形態に係る薄膜トランジスタの製造工程を示す工程図。
【図３】同実施の形態に係る薄膜トランジスタの製造工程を示す工程図。
【図４】同実施の形態に係る表示装置の製造工程を示す工程図。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜トランジストの製造工程を示す工程図。
【符号の説明】
１…ガラス基板、２…下地膜、３…ポリシリコン膜、４…第１のマスク用材料、５…所定部分、６…第１のマスクパターン、７…ポリシリコン島、７ａ…ソース領域、７ｂ…ドレイン領域、８…ゲート絶縁膜、９…ゲート電極用材料、１０…ゲート電極、１１…保護膜、１２…第２のマスク用材料、１３…所定部分、１４…第２のマスクパターン、１５…コンタクトホール、１７ａ…配線、１７ｂ…配線、１８ａ、１８ｂ…カラーレジスト、１９…ＩＴＯ膜、２０…コンタクトホール、２１…信号線部、３１…重合開始剤、３２、３３…触媒。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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