(57)【要約】【課題】  液晶装置等の電気光学装置において、そのサンプリング回路内の薄膜トランジスタ相互間の寄生容量に基づく画像不良を低減する。【解決手段】  シリアル−パラレル変換されたｎ個の画像信号が供給されるｎ本の画像信号線を備えた電気光学装置において、駆動回路は、(i) データ線に接続されたドレインと、(ii) 画像信号線に接続されたソースと、(iii) ソースとドレインとの間のチャネルの導通をサンプリング回路駆動信号に応じて制御するゲートとを夫々備えると共に、複数のデータ線に対応して配列された複数の薄膜トランジスタを含むサンプリング回路を備える。複数の薄膜トランジスタのうち、グループの境目を介して相隣接する二つの薄膜トランジスタの少なくとも一方は、複数のデータ線に対する画像信号のドレインからの出力値が一定化されるように、同一のグループ内における他の薄膜トランジスタとは特性が異ならしめられている。【選択図】      図３
2005243825.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上における画像表示領域に、相交差して配列された複数の走査線及び複数のデータ線と前記複数の走査線及び前記複数のデータ線に接続された複数の画素部とを備え、
前記画像表示領域の周辺に位置する周辺領域に、
シリアル−パラレル変換されたｎ（但し、ｎは２以上の自然数）個の画像信号が供給されるｎ本の画像信号線と、
(i) 前記データ線に電気的に接続されたドレインと、(ii) 前記画像信号線に電気的に接続されたソースと、(iii) 前記ソースと前記ドレインとの間のチャネルの導通をサンプリング回路駆動信号に応じて制御するゲートとを夫々備えると共に、前記複数のデータ線に対応して配列された複数の薄膜トランジスタを含むサンプリング回路と、
前記複数の薄膜トランジスタのうち、前記複数のデータ線のうち同時に駆動されるｎ本のデータ線に電気的に接続されたｎ個の薄膜トランジスタのグループ毎に、前記ゲートに対して共通配線を介して共通に接続され、前記共通配線を通じて、前記グループ毎に前記ゲートに前記サンプリング回路駆動信号を供給するデータ線駆動回路と
を備え、
前記複数の薄膜トランジスタのうち、前記グループの境目を介して相隣接する二つの薄膜トランジスタの少なくとも一方は、前記複数のデータ線に対する前記画像信号の前記ドレインからの出力値が一定化されるように、同一の前記グループ内における前記少なくとも一方の薄膜トランジスタを除く他の薄膜トランジスタとは特性が異ならしめられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
隣接する前記グループに係る前記薄膜トランジスタ、前記画像信号線及び前記共通配線からの電気的影響を相殺又は低減するように、前記少なくとも一方の薄膜トランジスタは、前記特性が異ならしめられていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記グループの境目を介して相隣接する二つの薄膜トランジスタのうち、前記ドレインにおいて隣接する薄膜トランジスタの特性が、前記他の薄膜トランジスタの特性とは異なるように調整されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記境目を介して相隣接する二つの薄膜トランジスタの少なくとも一方の特性は、前記他の薄膜トランジスタの特性とは異なるようにチャネル長が調整されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記境目を介して相隣接する二つの薄膜トランジスタの少なくとも一方の特性は、前記他の薄膜トランジスタの特性とは異なるようにチャネル幅が調整されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記複数の薄膜トランジスタのうち、前記境目を介して相隣接する二つの薄膜トランジスタの少なくとも一方とそれ以外の薄膜トランジスタとは、全体又は一部のレイアウトが相異なるように構成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及びこれを備えた例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置は、例えば液晶装置として、基板上に、複数の走査線及びデータ線に接続された複数の画素部の他、データ線を駆動するためのデータ線駆動回路、走査線を駆動するための走査線駆動回路、画像信号をサンプリングするためのサンプリング回路等が作り込まれる。そしてその動作時には、データ線駆動回路から供給されるサンプリング回路駆動信号のタイミングで、サンプリング回路が画像信号線上に供給される画像信号をサンプリングし、データ線に供給するように構成されている。
更に、駆動周波数の上昇を抑えつつ高精細な画像表示を実現するために、シリアルな画像信号を、例えば３相、６相、１２相、２４相、…など、複数のパラレルな画像信号に変換（即ち、相展開）してから、複数本の画像信号線を介して当該電気光学装置に対して供給する技術も既に実用化されている。この場合、複数の画像信号が、複数のサンプリングスイッチによって同時にサンプリングされ、複数本のデータ線に対して同時に供給されるように構成されている（例えば、特許文献１等を参照）。尚、本明細書では、このような変換を“シリアル−パラレル変換”と称する。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−４９３５７号公報
【特許文献２】特開２００２−４９３３１号公報
【特許文献３】特開２００２−４９０５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、この種の複数本のデータ線を同時に駆動する電気光学装置においては、サンプリング回路を構成する複数のサンプリングスイッチとしての複数の薄膜トランジスタ（以下適宜“ＴＦＴ”と称す）相互間及びそれらの配線相互間における寄生容量に起因して、データ線に沿った画素列間で画像信号の干渉が生じ、画像不良が多かれ少なかれ発生している。
【０００５】
そして特に、同時駆動されるデータ線からなるグループの境目に、ゴースト或いはクロストークといった画像不良が顕著に認められるという技術的問題点がある。このようなゴースト等の画像不良は、後述の如く本願発明者の研究によれば、サンプリング回路を構成する複数の薄膜トランジスタのうち、同時駆動されるデータ線からなるグループの境目を介して相隣接する二つの薄膜トランジスタ間における寄生容量に起因しているものと考察され、少なくとも該グループの境目において画像不良が顕在化し易いことが判明している。
【０００６】
本発明は、例えば上記問題点に鑑みなされたものであり、複数本のデータ線を同時に駆動する際に、特に同時駆動されるデータ線からなるグループの境目において顕在化される画像不良を低減し得る、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び例えば液晶プロジェクタ等の電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上における画像表示領域に、相交差して配列された複数の走査線及び複数のデータ線と前記複数の走査線及び前記複数のデータ線に接続された複数の画素部とを備え、前記画像表示領域の周辺に位置する周辺領域に、シリアル−パラレル変換されたｎ（但し、ｎは２以上の自然数）個の画像信号が供給されるｎ本の画像信号線と、(i) 前記データ線に電気的に接続されたドレインと、(ii) 前記画像信号線に電気的に接続されたソースと、(iii) 前記ソースと前記ドレインとの間のチャネルの導通をサンプリング回路駆動信号に応じて制御するゲートとを夫々備えると共に、前記複数のデータ線に対応して配列された複数の薄膜トランジスタを含むサンプリング回路と、前記複数の薄膜トランジスタのうち、前記複数のデータ線のうち同時に駆動されるｎ本のデータ線に電気的に接続されたｎ個の薄膜トランジスタのグループ毎に、前記ゲートに対して共通配線を介して共通に接続され、前記共通配線を通じて、前記グループ毎に前記ゲートに前記サンプリング回路駆動信号を供給するデータ線駆動回路とを備え、前記複数の薄膜トランジスタのうち、前記グループの境目を介して相隣接する二つの薄膜トランジスタの少なくとも一方は、前記複数のデータ線に対する前記画像信号の前記ドレインからの出力値が一定化されるように、同一の前記グループ内における前記少なくとも一方の薄膜トランジスタを除く他の薄膜トランジスタとは特性が異ならしめられている。
【０００８】
本発明の電気光学装置によれば、サンプリング回路を構成する、サンプリングスイッチとしての薄膜トランジスタは、複数のデータ線に対応して配列されている。その動作時には、ｎ本の画像信号線に供給されるシリアル−パラレル変換（即ち、相展開）されたｎ個の画像信号は、サンプリング回路を構成するｎ個の薄膜トランジスタのグループ毎に、夫々サンプリングされて、ｎ本のデータ線に対して同時に供給される。他方で、例えば走査線駆動回路から走査信号が走査線に対して順次に供給される。これらにより、例えば画素スイッチング用ＴＦＴ、画素電極、蓄積容量等を備えた画素部では、例えば液晶駆動等の電気光学動作がアクティブマトリクス方式により画素単位で行われる。
【０００９】
ここで本願発明者の研究によれば、一般には、データ線をｎ本同時に駆動する場合には、サンプリング回路内において相隣接する薄膜トランジスタ間の寄生容量及び該薄膜トランジスタに接続されており相隣接して延びる複数の配線間の寄生容量により、同時に駆動されるｎ本のデータ線及びそれらに隣接するデータ線に接続された薄膜トランジスタのソース配線やドレイン配線間で相互の電位変動が影響を及ぼしあう結果、ゴースト或いはクロストーク等が発生することが確認されている。そして特に、サンプリング回路内において相隣接する薄膜トランジスタ間及びその配線間の寄生容量のうち、表示画像に対する悪影響を顕在化させるのは、グループの境目を介しての寄生容量であることが判明している。より具体的には、同一グループ内での、相隣接する薄膜トランジスタ間及びその配線間の寄生容量によっては、例えば数μｍ〜数十μｍ程度の狭い配線ピッチで相隣接するライン（即ち、データ線に沿った画素列）間におけるゴースト等のみが表示されるので、人間の視覚上では殆ど又は全く識別されない。これに対し、グループの境目を介して相隣接する薄膜トランジスタ間の寄生容量によっては、何らの対策を施さない状況下では、次のようにゴースト等が人間の視覚上で識別されてしまう。
【００１０】
例えば、ソース配線、ゲート及びドレイン配線の並び方がサンプリング回路の全域で統一されている複数の薄膜トランジスタのみが配列されている場合を想定する。この場合、Ｍ（但し、Ｍは自然数）番目のグループにおける最初の薄膜トランジスタとＭ＋１番目のグループにおける最初の薄膜トランジスタとは、同一の第１番目の画像信号線に接続されている。ここで、Ｍ番目のグループにおける最後の薄膜トランジスタ（以下適宜、単に“第ｎＴＦＴ”と称する）とＭ＋１番目のグループにおける最初の薄膜トランジスタ（以下適宜、単に“第ｎ＋１ＴＦＴ”と称する）との間にある寄生容量によって、(i)１番目の画像信号線の電位変動が、第ｎ＋１ＴＦＴのＴＦＴのソース配線から第ｎＴＦＴのドレイン配線へと伝達される。すると、第ｎＴＦＴ前者がｎ番目の画像信号線の画像信号をデータ線に供給する際に、当該画像信号に対して、上述の境目を介しての寄生容量により第ｎ＋１ＴＦＴのソース領域から伝えられた第１番目の画像信号線上の画像信号に対応する電位変動がのってしまう結果を招く。或いは、(ii)ｎ番目の画像信号線の電位変動が、第ｎＴＦＴのＴＦＴのソース配線から第ｎ＋１ＴＦＴのドレイン配線へと伝達される。すると、第ｎ＋１ＴＦＴが第１番目の画像信号線の画像信号をデータ線に供給する際に、当該画像信号に対して、上述の境目を介しての寄生容量により第ｎＴＦＴのソース領域から伝えられた第ｎ番目の画像信号線上の画像信号に対応する電位変動がのってしまう結果を招く。
【００１１】
上記(i)及び(ii)のいずれの場合にあっても、上述の境目を介しての寄生容量に起因して、各グループ内において第１番目と第ｎ番目とのデータ線間で、例えば、表示画像の明暗に応じて、ゴースト等として白ライン或いは黒ラインがグループの境目に表示されてしまうのである。そして、このようなゴースト等は、同時駆動されるデータ線群の幅だけ、例えば数μｍ〜数十μｍ程度×（ｎ−１）個の距離を隔てて位置するので、人間の視覚上で認識され得る或いは目立つ、ゴースト等として表示されるのである。
【００１２】
しかるに本発明によれば、ｎ本のデータ線を同時に駆動するｎ個の薄膜トランジスタからなるグループの境目を介して、相隣接する二つの薄膜トランジスタ（即ち、第ｎＴＦＴ及び第ｎ＋１ＴＦＴ）の少なくとも一方は、複数のデータ線に対する画像信号のドレインからの出力値が一定化されるように、同一のグループ内における他の薄膜トランジスタとは特性が異なるように構成されている。
【００１３】
通常の薄膜トランジスタは、同じレイアウトで一括形成されることで同じ特性に揃えられているのに対し、本発明では、グループの両端に位置する２つの薄膜トランジスタの少なくとも一方の特性を、この少なくとも一方の薄膜トランジスタを除いた同じグループ内の他の薄膜トランジスタの特性とは意図的に異ならしめることで、上述の寄生容量によるデータ線の電圧変動、とりわけデータ線群の間隔周期で生じる電圧変動が補償される。
【００１４】
例えば、第ｎＴＦＴのデータ線への出力電圧は、第ｎ＋１ＴＦＴのソースとの間の寄生容量によって低下するが、第ｎＴＦＴの特性を調整し、これまでと同じゲート信号入力に対するドレイン電流を増大させることで、データ線への実効的な出力電圧が増大し、電圧降下分が保障される。従って、データ線に対する画像信号の出力値が一定化され、各グループ内で、第１番目と第ｎ番目とのデータ線間で、寄生容量によるゴースト等は殆ど又は実践上全く生じないで済む。
【００１５】
ここに「一定化」とは、上述の如くに薄膜トランジスタ毎の特性が何ら考慮されず、概ね揃っている場合と比較して、各薄膜トランジスタの特性を調整し、各々からデータ線への出力電圧の差を低減するという意味である。理想的には、係る差を零にする又は零に近付けるという意味であるが、当該特性の調整により多少なりとも差が小さくなれば、ここにいう「一定化」する意味に含まれる。
【００１６】
以上の結果、本発明の電気光学装置によれば、サンプリング回路内の薄膜トランジスタ間の寄生容量に起因して、同時駆動されるデータ線群の境目に発生するゴースト等が低減された、高品位の画像を表示可能となる。
【００１７】
しかも、このような寄生容量による画像表示への悪影響を抑制しつつサンプリング回路内における薄膜トランジスタのピッチを狭めることができるので、データ線の狭ピッチ化、即ち画素ピッチの狭ピッチ化が可能となり、高精細度の画像表示を行うことも可能となる。
【００１８】
本発明の電気光学装置の一態様では、隣接する前記グループに係る前記薄膜トランジスタ、前記画像信号線及び前記共通配線からの電気的影響を相殺又は低減するように、前記少なくとも一方の薄膜トランジスタは、前記特性が異ならしめられている。
【００１９】
この態様によれば、グループの境目に位置する２つの薄膜トランジスタの少なくとも一方、例えば第ｎＴＦＴ及び第ｎ＋１ＴＦＴの少なくとも一方は、隣接するグループに係る薄膜トランジスタ、画像信号線及び共通配線からの電気的影響を相殺又は低減するように特性が調整されるので、寄生容量のうちでも特にグループ間に生じる寄生容量の影響を解消することができ、データ線群の境目に発生するゴースト等が低減された、高品位の画像を表示可能となる。
【００２０】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記グループの境目を介して相隣接する二つの薄膜トランジスタのうち、前記ドレインにおいて隣接する薄膜トランジスタの特性が、前記他の薄膜トランジスタの特性とは異なるように調整されている。
【００２１】
この態様によれば、グループの境目に位置する２つの薄膜トランジスタのうちでも、更にドレイン側が隣接する薄膜トランジスタの特性が調整される。上述した寄生容量が実際に問題となるのは、データ線に接続されたドレイン側の電位に影響する場合であるから、このように特性を調整する対象を選ぶことで、実際に寄生容量の影響が大きい薄膜トランジスタのみを選択的に特性調整することができる。
【００２２】
尚、通常のサンプリング回路では、配列する薄膜トランジスタのソースとドレインとの位置関係は統一されていることから、グループの境目を介して相隣接する第ｎＴＦＴと第ｎ＋１ＴＦＴとでは、ドレインにおいて隣接するのはいずれか一方になる。
【００２３】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記境目を介して相隣接する二つの薄膜トランジスタの少なくとも一方の特性は、前記他の薄膜トランジスタの特性とは異なるようにチャネル長が調整されている。
【００２４】
この態様によれば、上述の薄膜トランジスタの特性調整が、チャネル長を加減することで行われる。一般に、トランジスタの特性は、チャネル長及びチャネル幅に強く依存しており、オン状態時におけるトランジスタ抵抗は、チャネル長に比例、チャネル幅に反比例することが知られている。そこで、チャネル長を変えることで、薄膜トランジスタを容易に所望の特性に調整することができる。
【００２５】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記境目を介して相隣接する二つの薄膜トランジスタの少なくとも一方の特性は、前記他の薄膜トランジスタの特性とは異なるようにチャネル幅が調整されている。
【００２６】
この態様によれば、上述の薄膜トランジスタの特性調整が、チャネル幅を加減することで行われる。通常のサンプリング回路では、薄膜トランジスタのドレイン配線、ゲート及びソース配線は、データ線の延びる方向、例えば縦方向或いはＹ方向に延設され、複数の薄膜トランジスタは、複数のデータ線に対応して、例えば横方向或いはＸ方向に配列されている。この場合のチャネル長は、チャネルのデータ線配列方向の寸法を指し、チャネル幅はチャネルのデータ線の延びる方向の寸法を指す。よって、チャネル長を変更すると、隣接する薄膜トランジスタ間の距離等を考慮する必要があるが、チャネル幅は、そのような相互間の影響を考慮せずに変更できるため、好都合である。
【００２７】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記複数の薄膜トランジスタのうち、前記境目を介して相隣接する二つの薄膜トランジスタの少なくとも一方とそれ以外の薄膜トランジスタとは、全体又は一部のレイアウトが相異なるように構成されている。
【００２８】
この態様によれば、上述の薄膜トランジスタの特性調整が、トランジスタのレイアウト変更によって実現される。ここでいうレイアウトの変更とは、個々のトランジスタの全体又は一部の位置形状を変更することに加え、並列又は直列に接続する単位素子の個数を変えることで、全体の特性を調整することも含まれる。但し、通常、加減されるトランジスタの特性ばらつきは僅差であることや、サンプリング回路のスペース等の関係から、前者の方式が採用されると考えられる。
【００２９】
尚、以上に述べたチャネル長及びチャネル幅の調整やレイアウト変更は、夫々単独で行っても良いが、これらを組み合わせて行うようにしても構わない。
【００３０】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を具備してなる。
【００３１】
本発明の電子機器は、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品位の画像表示画が可能な、投射型表示装置、テレビジョン受像機、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）等を実現することも可能である。
【００３２】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下では、本発明の実施の形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００３４】
＜第１実施形態＞
先ず、本発明の第１実施形態について、図１から図４を参照して説明する。
【００３５】
（表示パネルの構成）
図１は、本実施形態の液晶装置のうち、表示パネルの構成を示している。この液晶装置は、駆動回路内蔵型の表示パネル１００と、全体の駆動制御や画像信号に対する各種処理を行う、図示しない回路部により構成されている。
【００３６】
表示パネル１００は、ＴＦＴアレイ基板１と対向基板（図示せず）とが液晶層を介して対向配置されることにより構成され、画像表示領域１０において区画配列された画素部４毎に液晶層に電界を印加することにより両基板間の透過光量が制御され、画像が階調表示される。また、この液晶装置はＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式を採り、表示パネル１００では、ＴＦＴアレイ基板１上の画素表示領域１０に、複数の走査線２及びデータ線３が相交差して配列され、走査線２及びデータ線３の夫々に画素部４が接続されている。画素部４は、データ線３に供給される画像信号Ｓｖを選択的に入力するスイッチング素子としてのＴＦＴと、入力電圧を液晶層に印加し保持するための、即ち対向電極と共に液晶保持容量をなす画素電極とを含んで構成されている。
【００３７】
走査線２は、例えば両端において走査線２を順次選択駆動する走査線駆動回路５Ａ及び５Ｂに接続されている。走査線駆動回路５Ａ及び５Ｂは、画像表示領域１０の周辺領域に設けられ、各走査線２に両端から同時に電圧を印加するように構成されている。
【００３８】
データ線３は、画像信号Ｓｖを供給する画像信号線６に、サンプリング回路７を介して接続されている。サンプリング回路７は、画像信号線６から画像信号Ｓｖを受けるデータ線３を選択するためにデータ線３毎に付設されるスイッチング素子からなり、そのスイッチング動作は、データ線駆動回路８によってタイミング制御されるように構成されている。尚、プリチャージ回路９は、画像信号Ｓｖの印加前に、データ線３にプリチャージレベルを印加するために設けられている。尚、サンプリング回路７を構成するスイッチング素子は、例えば片チャネル型のＴＦＴ、ＣＭＯＳ型のＴＦＴ等からなる。
【００３９】
また、本実施形態における表示パネル１００は、“シリアル−パラレル変換”を利用して駆動されるように構成されている。即ち、図示したように、画像信号線６は複数（ここでは４本）配設され、その各々に対して配列順に接続したデータ線３（つまり４本）が１グループにまとめられており、データ線３に対応したスイッチング素子が、制御配線Ｘ（Ｘ１、Ｘ２、…、Ｘｎ）によってグループ毎にデータ線駆動回路８に接続されている。そして、データ線駆動回路８内に設けられたシフトレジスタから順次出力されるパルスがサンプリング回路駆動信号として、制御配線Ｘ１、Ｘ２、…、Ｘｎを介して、サンプリング回路７に順番に入力される。この際、同一の制御配線Ｘに接続された一グループをなす複数のスイッチング素子は、同時に駆動される。即ち、本発明に係る「共通配線」の一例を構成する、シフトレジスタから分岐して延びるサンプリング回路７に至る複数の分岐配線を介して、サンプリング回路駆動信号は供給される。これらにより、データ線３のグループ毎に、画像信号線６上の画像信号がサンプリングされるように構成されている。このように、複数の画像信号線６に対し、シリアルな画像信号を変換して得たパラレルな画像信号を同時に供給すると、データ線３への画像信号入力をグループ毎に同時に行うことができるので、駆動周波数が抑えられる。
【００４０】
（サンプリング回路の機能的構成）
図２は、表示パネルのうち、データ線の駆動に関する回路系を示したものである。尚、同図は、簡便のため、制御配線Ｘ１，Ｘ２に接続されたグループＧ１，Ｇ２のデータ線３の系についてのみ代表的に表しており、以下においても、この２つのグループの回路系に基づいてより詳細な説明を行うことにする。
【００４１】
ここで、画像信号線６は４本であり、画像信号Ｓｖ１〜Ｓｖ４が夫々供給されるように構成されている。また、サンプリング回路７のスイッチング素子は、具体的にはサンプリング用ＴＦＴ７１（以下、適宜ＴＦＴ７１と略称する）として構成される。ＴＦＴ７１の夫々は、データ線３にソース−ドレイン間で直列に接続され、そのゲートは、データ線駆動回路８に接続されている。尚、個々のデータ線３は、サンプリング回路７とは反対側において多数の画素部４に接続されており、選択された画素部４の液晶容量Ｃｓに信号電圧を供給するようになっている。尚、液晶容量Ｃｓに蓄積容量が別途並列に接続されていてもよい。
【００４２】
（サンプリング回路のレイアウト）
次に、サンプリング回路のＴＦＴアレイ基板上におけるレイアウトについて、図３及び図４を参照して説明する。
【００４３】
本実施形態のサンプリング回路７では、グループの境目を介して相隣接する２つのＴＦＴ７１のうち、ドレイン配線側で隣接しているＴＦＴ７１Ａ（図３中、各グループの左端）は、データ線３に対する画像信号の出力値が一定化されるように、同一グループ内における他のＴＦＴ７１Ｂとは特性が異ならしめられている。
【００４４】
具体的には、ＴＦＴ７１は、図３に示したレイアウトで配置されている。複数のＴＦＴ７１は、制御配線Ｘ１及びＸ２に対応してグループＧ１及びＧ２にグループ化されている。グループＧ１及びＧ２は夫々、左端のＴＦＴ７１Ａと、それ以外のＴＦＴ７１Ｂの計４個のＴＦＴ７１を含んでなる。ＴＦＴ７１Ａは、データ線３の延びる方向に延設されたソース配線７２Ｓ及びドレイン配線７２Ｄ、並びにデータ線３の延びる方向にソース配線７２Ｓ及びドレイン配線７２Ｄに挟まれて延設されたゲート配線７２Ｇを備えている。また、ＴＦＴ７１Ｂは、データ線３の延びる方向に延設された７３Ｓ及びドレイン配線７３Ｄ、並びにデータ線３の延びる方向にソース配線７３Ｓ及びドレイン配線７３Ｄに挟まれて延設されたゲート配線７３Ｇを備えている。
【００４５】
図４は、Ｉ−Ｉ'線におけるＴＦＴ７１Ａの断面構成を拡大表示している。ＴＦＴ７１Ａは、例えばこのようにＴＦＴアレイ基板１の上に設けられた半導体層７４のソース領域７４Ｓ及びドレイン領域７４Ｄにソース配線７２Ｓ及びドレイン配線７２Ｄが夫々接続され、チャネル領域７４Ｃの上層に、チャネル領域７４Ｃとゲート絶縁膜７５を介して正対するようにゲート配線７２Ｇが設けられることによりゲートが形成されている。ソース配線７２Ｓ、ゲート配線７２Ｇ及びドレイン配線７２Ｄは、層間絶縁膜７６によって互いに電気的に絶縁されている。尚、ＴＦＴ７１Ｂも、基本構成は図４と同様である。
【００４６】
そして、本実施形態では、ＴＦＴ７１Ａにおけるチャネル領域７４Ｃのチャネル幅Ｗchは、ＴＦＴ７１Ｂのチャネル幅Ｗchよりも長く設定されている。一般に、ＴＦＴの抵抗はチャネル幅寸法に強く依存しており、チャネル幅が広いほど、抵抗は低下する。即ち、同等のゲート電圧が印加された場合には、チャネル幅が広い方がより多くのドレイン電流が流れる。ここでは、以下に詳述するように、ＴＦＴ７１Ａに対する寄生容量の影響を補償するために、ＴＦＴ７１Ａのみチャネル幅Ｗchが調整されており、結果的に、ＴＦＴ７１からデータ線３への画像信号の出力値が一定化されている。
【００４７】
（表示パネル１００の動作）
このような表示パネル１００では、一水平走査期間中に画像信号Ｓｖを各データ線３に供給する際、データ線駆動回路８が所定のタイミングで制御配線Ｘ１、Ｘ２、…、Ｘｎに制御信号を順次入力することによって、ＴＦＴ７１のオン／オフがグループ毎に制御される。このサンプリング制御に同期して、各グループのうちＴＦＴ７１がオン状態となり、信号入力が許可されたグループの各データ線３に対応する画像信号Ｓｖ１〜Ｓｖ４が、画像信号線６上でサンプリングされて、対応する４本のデータ線３に対して同時に供給される。
【００４８】
いま、制御配線Ｘ１に電圧が印加され、グループＧ１に対して画像信号Ｓｖ１〜Ｓｖ４が供給されたとする（図２及び図３参照）。この場合、グループＧ１のＴＦＴ７１のみオン状態であり、それ以外のＴＦＴ７１は全てオフ状態となっている。よって、グループＧ１内では、ＴＦＴ７１Ａのソース配線７２Ｓ及びドレイン配線７２Ｄ、ＴＦＴ７１Ｂのソース配線７３Ｓ及びドレイン配線７３Ｄに、入力される画像信号Ｓｖ（Ｓｖ１〜Ｓｖ４）に応じた電圧が印加されている。
【００４９】
このとき、隣接するＴＦＴ７１同士には、層間絶縁膜７６を誘電体膜として介して対向することで容量電極として機能する配線部分間において寄生容量が存在している。そして、最近接配線間では特にこのような寄生容量が大きい。寄生容量はまた、高精細化により画素ピッチが狭まり、ＴＦＴ７１の間隔が狭まるにつれて、その誘電体膜が薄くなるので、増大する。動作中のグループ内では、この配線系に結合する寄生容量の大きさに応じて、主に相隣接するソース配線とドレイン配線との間で相互に電位変動の影響を及ぼし合っている。従って、データ線３、更には画素部４に本来供給される画像信号とは別の画像信号に起因した電位変動が多かれ少なかれ生じる。これらは、厳密な意味では全てゴースト発生の原因となり得る。
【００５０】
但し、本発明の発明者は、このようなグループ内におけるＴＦＴ７１相互間の寄生容量に比べ、互いに異なるグループに属し、グループとグループの境界で隣接しているＴＦＴ７１の間の寄生容量（以下、グループ間容量と呼ぶことにする）の方が、画質に与える影響が顕著に大きいことを見出している。
【００５１】
この点について図５を参照して説明する。ここに図５は、本実施形態の場合の、サンプリング回路内における寄生容量の様子を示した等価的な回路図である。
【００５２】
図５に示すように本実施形態の場合、グループ内やグループ間に関わらず、ソース配線と、このソース配線に近接するドレイン配線との間に寄生容量が寄生している。ここでは、便宜的に、グループ内のＴＦＴ７１間における寄生容量をＣ11とし、境界Ｒを挟んで異なるグループに属するＴＦＴ７１同士の間に生じる容量を、グループ間容量Ｃ21としている。
【００５３】
通常、画像は画素単位でみれば急激に変化することはなく、隣接画素同士は似通った表示を行うことが知られている。つまり、近接する画素同士ほど、画素信号電圧も差がないことになる。従って、グループ内については、寄生容量Ｃ11による隣接配線間における電位変動の及ぼす悪影響は、基本的に小さくて済む。更に、仮に画素単位で急激に変化する場合であっても、隣接画素間における急激な変化であれば、相隣接するＴＦＴ７１間での寄生容量によって、相隣接するデータ線に接続された画素ライン間でゴーストが生じても、これを視認するのはむしろ困難である。例えば、白画像と黒画像との境界付近に黒ライン又は白ラインが表示されていても、一ライン分のみ、例えば十数μｍ程度のみ離れた細い当該黒ラインや白ラインは殆ど又は実践的な意味では全く通常視認できない。
【００５４】
しかしながら、グループＧ１に画像信号が供給されるべき期間に、グループＧ１の左端のＴＦＴ７１Ａでは、画像信号線６における電位変動のうち、画像信号Ｓｖ１による電位変動が、境界Ｒを挟んで隣接するグループＧ２のＴＦＴ７１Ｂのソース配線７３Ｓから、グループ間容量Ｃ21を介してドレイン配線７２Ｄに伝わってしまう。
【００５５】
その場合の具体例として、本発明の発明者によれば、例えばグループＧ１において右端の画素部４を黒表示する画像信号Ｓｖ１を与えると、左端の画素部４が白く表示されるという現象が観察されている。これは、グループ間容量Ｃ21が、画像信号Ｓｖ１に応じて左端の画素部４における印加電圧を実効的に減少させていることに起因している。
【００５６】
また、グループ間容量Ｃ21は、このようにグループ内で一端側に配列するデータ線３の電位を他端側のデータ線３の電位に作用させるため、その影響はグループの周期分だけ離間した画素に現れる。従って、隣接画素間で発生するノイズよりもはるかに視認されやすい。このように、何ら対策を施さない場合には、グループ間容量Ｃ21による悪影響が、表示画面上で距離を隔てることで顕在化するゴーストとして視覚上で目立って認識されることになってしまうのである。
【００５７】
これに対し、本実施形態では、グループ左端に位置するＴＦＴ７１Ａのチャネル幅Ｗchを広げている。このチャネル幅Ｗchが広がった分だけ、ＴＦＴ７１Ａは、ＴＦＴ７１Ｂに比べてドレイン電流が増大し、グループ間容量Ｃ21によるドレイン配線７２Ｄ側での電流量減少分が相殺される。その結果、データ線３に印加される画像信号Ｓｖへのグループ間容量Ｃ21の影響が低減され、画素部４に適正電圧を供給することが可能となる。よって、上述のグループの間隔で顕在化する表示ノイズを防止することができる。
【００５８】
このように本実施形態では、全てのＴＦＴ７１からデータ線３への画像信号の出力値が一定化されるように、ＴＦＴ７１Ａの特性をＴＦＴ７１Ｂと異ならしめるようにしたので、グループ間容量Ｃ21の影響を受けるＴＦＴ７１Ａからデータ線３への出力電圧が、本来データ線３に供給されるべき画像信号Ｓｖ４の電圧値に近づく又は一致し、ゴースト等による画質劣化を殆ど又は全く生じさせずに画像表示を行うことができる。
【００５９】
また、このように従来のサンプリング回路に対し一部分だけレイアウト変更を加えるだけで、グループ間容量という特に大きな寄生容量成分を軽減し、画質を飛躍的に改善するという大きな効果を得ることができる。特に、本実施形態ではＴＦＴ７１Ａの特性調整をチャネル幅Ｗchの変更により行うようにしたので、調整自体が容易であるのに加え、レイアウト変更も簡便に行うことができる。
【００６０】
更に、このような方法で、特に画質に及ぼす影響が大きい寄生容量成分を低減することで、寄生容量とトレードオフの関係にあるＴＦＴ７１の配線ピッチを（画質を落とさずに）狭めることができる。よって、表示パネル１００は、従来に比して高精細化を図ることが可能となる。
【００６１】
＜第２実施形態＞
次に、図６及び図７を参照して第２実施形態について説明する。
【００６２】
図６は、第２実施形態に係るサンプリング回路の構成を表しており、図７は、この場合のサンプリング回路内における寄生容量の様子を示した等価的な回路図である。尚、第２実施形態に係る電気光学装置の主要構成は、第１実施形態と同様であり、サンプリング回路のレイアウトが異なるのみである。従って、第１実施形態と同様の構成要素については、同一の符号を付し、その説明を適宜省略するものとする。
【００６３】
図６におけるサンプリング回路は、右端のＴＦＴ８１Ａと、それ以外のＴＦＴ８１Ｂの計４個のＴＦＴ８１を１単位とするグループによって構成されている。ここにＴＦＴ８１は、ＴＦＴ７１とはソース配線及びドレイン配線の配置が逆になっている。つまり、ここでは、ＴＦＴ８１の構造はＴＦＴ７１の鏡像となっているとみなしてよい。そして、グループの境目を介して相隣接する２つのＴＦＴ８１のうち、ドレイン配線側で隣接しているＴＦＴ８１Ａ（図６中、各グループの右端）は、データ線３に対する画像信号の出力値が一定化されるように、特性が調整されている。
【００６４】
この場合には、図７のように、ソース配線と、このソース配線に近接するドレイン配線との間には寄生容量が寄生している。そこで、グループＧ２に画像信号が供給されるべき期間に、グループＧ２の右端のＴＦＴ８１Ａでは、画像信号線６における電位変動のうち、画像信号Ｓｖ４による電位変動が、境界Ｒを挟んで隣接するグループＧ１のＴＦＴ８１Ｂのソース配線からグループ間容量Ｃ22を介してドレイン配線に伝わってしまう。
【００６５】
但し、本実施形態におけるＴＦＴ８１Ａによれば、チャネル幅Ｗchが広がった分だけ、ＴＦＴ８１Ｂに比べてドレイン電流が増大し、グループ間容量Ｃ22によるドレイン配線側での電流量減少分が相殺される。そのため、データ線３に印加される画像信号Ｓｖへのグループ間容量Ｃ22の影響が低減され、画素部４に適正電圧を供給することが可能となる。従って、上述のグループの間隔周期で顕在化する表示ノイズを防止することができる。
【００６６】
このように本実施形態では、全てのＴＦＴ８１からデータ線３への画像信号の出力値が一定化されるように、ＴＦＴ８１Ａの特性をＴＦＴ８１Ｂと異ならしめるようにしたので、データ線３ひいては画素部４の容量Ｃ22に起因する電圧変動が軽減され、ゴースト等による画質劣化を殆ど又は全く生じさせずに画像表示を行うことができる。
【００６７】
更に、このように特に画質に及ぼす影響が大きい寄生容量成分を低減することで、寄生容量とトレードオフの関係にあるＴＦＴ７１の配線ピッチを（画質を落とさずに）狭めることができる。よって、表示パネル１００は、従来に比して高精細化を図ることが可能となる。
【００６８】
尚、上記第１及び第２の実施形態では、サンプリング回路のＴＦＴの特性を、チャネル幅Ｗchを変化させることで調整する場合について説明したが、例えば、そのチャネル長を変化させることによっても特性を調整することができる。チャネル長は、ＴＦＴ７１では図４におけるチャネル領域２４Ｃの横方向の長さであり、一般にトランジスタ抵抗と比例関係にある。よって、チャネル長を長くすれば、チャネル幅を短くするのと同等の効果が得られる。
【００６９】
このようなＴＦＴの特性調整は、更に、チャネル長とチャネル幅の両方を変えることで行うようにしてもよく、チャネル領域に限らず、ＴＦＴのレイアウトを変えることで行うようにしてもよい。
【００７０】
更に、上記実施形態では、サンプリング回路のＴＦＴのうち、グループの境目を介して相隣接する二つの薄膜トランジスタの一方について特性を調整する場合について説明したが、本発明に係るサンプリング回路では、例えば回路レイアウトや駆動方法等によっては、グループの境目を介して相隣接する二つの薄膜トランジスタの両方の特性が調整されていてもよい。
【００７１】
次に、以上に説明した液晶装置を、各種の電子機器に適用する場合について説明する。
【００７２】
（プロジェクタ）
先ず、本発明の「電気光学装置」の一例たる液晶装置を、ライトバルブに適用したプロジェクタについて説明する。図８は、このプロジェクタの構成例を示す平面図である。同図に示したように、プロジェクタ１１００の内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶装置１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。液晶装置１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、例えば上記実施形態における液晶装置と同等であり、夫々において、画像信号処理回路（図示せず）から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号が変調される。これらの液晶装置によって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。ダイクロイックプリズム１１１２では、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。これにより各色の画像が合成され、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写される。
【００７３】
（モバイル型コンピュータ）
次に、この電気光学装置たる液晶装置を、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図９は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。液晶表示ユニット１２０６は、前述の電気光学装置としての液晶装置１００５に、バックライトを付加した構成となっている。
【００７４】
（携帯電話）
更に、この電気光学装置たる液晶装置を、携帯電話に適用した例について説明する。図１０は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。同図における携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２及び内蔵回路と共に、液晶装置１００５を備える。ここに液晶装置１００５は反射型であり、必要に応じてその前面にフロントライトが設けられる。
【００７５】
以上では、本発明の電気光学装置について、液晶装置を例に挙げて具体的に説明したが、本発明の電気光学装置は、その他にも“シリアルーパラレル変換”による駆動を行うものであって、サンプリング用スイッチング素子にＴＦＴを用いる装置全般に広く適用可能である。そのような装置としては、例えば、電子ペーパなどの電気泳動装置や、電子放出素子を用いた表示装置（Field Emission Display及びSurface-Conduction Electron-Emitter Display）等を挙げることができる。
【００７６】
また、このような本発明の電気光学装置は、先に説明した電子機器の他にも、テレビジョン受像機や、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等などに適用可能である。
【００７７】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及びこれを具備する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の表示パネルを示すブロック図である。
【図２】図１に示した表示パネルにおけるデータ線駆動回路系の構成を示す回路図である。
【図３】図２に示したサンプリング回路の配線レイアウト図である。
【図４】図３のＩ−Ｉ’断面図である。
【図５】図２に示したサンプリング回路における寄生容量について説明するための図である。
【図６】第２実施形態に係るサンプリング回路の配線レイアウト図である。
【図７】図６に示したサンプリング回路における寄生容量について説明するための図である。
【図８】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す断面図である。
【図９】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す断面図である。
【図１０】電気光学装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７９】
１…ＴＦＴ基板、２…走査線、３…データ線、４…画素部、５Ａ，５Ｂ…走査線駆動回路、６…画像信号線、７…サンプリング回路、８…データ線駆動回路、９…プリチャージ回路、１０…画像表示領域、７１（７１Ａ、７１Ｂ）、８１（８１Ａ，８１Ｂ）…ＴＦＴ、７２Ｓ、７３Ｓ…ソース、７２Ｇ、７３Ｇ…ゲート、７２Ｄ、７３Ｄ…ドレイン、Ｘ、Ｘ１、Ｘ２…制御配線、Ｇ１，Ｇ２…（同時駆動される配線系の）グループ、Ｒ…グループ間の境界、Ｓｖ、Ｓｖ１〜Ｓｖ４…画像信号、Ｗch…チャネル幅、Ｃ11…寄生容量、Ｃ21、Ｃ22…グループ間容量、１００…表示パネル。
【図１】
2005243825.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2005243825.tif 000010
【図９】
2005243825.tif 000011
【図１０】
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