(57)【要約】    【課題】比誘電率が小さく比透磁率の低下を抑制した高周波帯域に適した磁性体焼結体を得るようにする。    【解決手段】Ｓｉ−Ｂ系ガラス（又はＳｉ−Ｂ−Ｋ系ガラス）の含有量が５〜１４重量％、Ｓｉ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｂａ系ガラスの含有量がＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料１００重量部に対し５〜１５０重量部となるようにＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料、Ｓｉ−Ｂ系ガラス（又はＳｉ−Ｂ−Ｋ系ガラス）、及びＳｉ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｂａ系ガラスを混合して湿式粉砕し、その後成形加工を経て焼成処理を行ない、磁性体焼結体を製造する。  【選択図】図１
2005252128.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フェライト材料とガラス成分とを混合し、その後成形加工を経て焼成処理を行ない、磁性体焼結体を製造する磁性体焼結体の製造方法において、
前記ガラス成分は、ホウケイ酸系ガラスと、亜鉛酸化物、アルミニウム酸化物、及びバリウム酸化物を含有したケイ酸系ガラスとを含み、
前記フェライト材料９５〜８６重量％に前記ホウケイ酸系ガラスを５〜１４重量％添加すると共に、前記ケイ酸系ガラスを前記フェライト材料１００重量部に対し５〜１５０重量部添加することを特徴とする磁性体焼結体の製造方法。
【請求項２】
前記ホウケイ酸系ガラスは、ケイ素酸化物とホウ素酸化物とカリウム酸化物とを主成分とすることを特徴とする請求項１記載の磁性体焼結体の製造方法。
【請求項３】
前記フェライト材料は、ニッケル成分と亜鉛成分と銅成分とを含有していることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の磁性体焼結体の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の製造方法を使用して製造された磁性体焼結体からなるセラミック素体を具備していることを特徴とする電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波帯域での使用に適した磁性体焼結体の製造方法、及びこの製造方法を使用して製造された磁性体焼結体、並びにこの磁性体焼結体を使用した積層インダクタ等の電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、各種磁性体材料は、その優れた磁気特性から各種磁心材料として広く使用されている。
【０００３】
そして、この種の磁性体材料として、Ｎｉ系フェライト材料にホウケイ酸ガラスを１５〜７５ｗｔ％含有させたフェライト焼結体が提案されている（特許文献１）。
【０００４】
【特許文献１】特許第２６９１７１５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１のフェライト焼結体では、上述したようにホウケイ酸ガラスをＮｉ系フェライト材料に含有させており、比誘電率が４〜７の低誘電率のホウケイ酸ガラスを使用した場合は、Ｎｉ系フェライト材料の低誘電率化を実現することが可能となり、導体パターン間の浮遊容量を減少させることができるため、高いインピーダンスＺを得ることができ、１００ＭＨｚ以上の高周波帯に適した積層インダクタを得ることが可能となる。
【０００６】
しかしながら、上述したホウケイ酸ガラスは、熱膨張係数が３０×１０−７／℃であるのに対し、Ｎｉ系フェライト材料の熱膨張係数は８０〜１００×１０−７／℃であり、したがってホウケイ酸ガラスの熱膨張係数はＮｉ系フェライトの熱膨張係数に比べて小さく、このため焼成処理時に残留応力が発生し、斯かる残留応力に起因して磁性体材料の比透磁率が低下してしまうという問題点があった。
【０００７】
また、積層インダクタ等の積層セラミック電子部品の内部導体としてＡｇを使用した場合、ホウケイ酸ガラスはＡｇを拡散し易いことから、特に高温で使用した場合に特性劣化を招き易く、信頼性を損なうおそれがあるという問題点があった。
【０００８】
本発明はこのような問題点に鑑みなされたものであって、比誘電率が小さく比透磁率の低下を抑制した高周波帯域に適した磁性体焼結体の製造方法、及び磁性体焼結体、並びに内部導体が拡散するのを防止して信頼性の優れた電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは上記目的を達成するために鋭意研究したところ、所定量のホウケイ酸系ガラスに加え、熱膨張係数がフェライト材料の熱膨張係数に近い所定量のＳｉ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｂａ系ガラスをフェライト材料に添加して混合させることにより、比誘電率が小さくしかも比透磁率の低下を抑制することができ、さらに内部導体の拡散を阻止して信頼性の向上を図ることができる積層型の電子部品を得ることができるという知見を得た。
【００１０】
本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係る磁性体焼結体の製造方法は、フェライト材料とガラス成分とを混合し、その後成形加工を経て焼成処理を行ない、磁性体焼結体を製造する磁性体焼結体の製造方法において、前記ガラス成分は、ホウケイ酸系ガラスと、亜鉛酸化物、アルミニウム酸化物、及びバリウム酸化物を含有したケイ酸系ガラスとを含み、前記フェライト材料９５〜８６重量％に前記ホウケイ酸系ガラスを５〜１４重量％添加すると共に、前記ケイ酸系ガラスを前記フェライト材料１００重量部に対し５〜１５０重量部添加することを特徴としている。
【００１１】
また、本発明の磁性体焼結体の製造方法は、前記ホウケイ酸系ガラスが、ケイ素酸化物とホウ素酸化物とカリウム酸化物とを主成分とすることを特徴としている。
【００１２】
また、本発明の磁性体焼結体の製造方法は、前記フェライト材料が、ニッケル成分と亜鉛成分と銅成分とを含有していることを特徴としている。
【００１３】
また、本発明に係る電子部品は、上記製造方法を使用して製造された磁性体焼結体からなるセラミック素体を具備していることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１４】
上記磁性体焼結体の製造方法、及び磁性体焼結体によれば、ホウケイ酸系ガラスを５〜１４重量％と、亜鉛酸化物とアルミニウム酸化物とバリウム酸化物とを含有した熱膨張係数がフェライト材料に近いケイ酸系ガラスをフェライト材料１００重量部に対し５〜１５０重量部添加しているので、焼成工程で残留応力が発生するのを極力回避することができ、比透磁率が低下するのを抑制することができるので、比誘電率が小さくしかも比透磁率の低下を抑制することができる磁性体焼結体を低温焼成して製造することができる。
【００１５】
また、本発明の電子部品は、上記製造方法を使用して製造されているので、当該電子部品はホウ素成分を含有していないケイ酸系ガラスの作用により、内部導体の導電成分にＡｇを使用した場合であってもＡｇの拡散を抑制することができ、信頼性の優れた電子部品を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
次に、本発明の実施の形態を詳説する。
【００１７】
本発明の一実施の形態としての磁性体焼結体は、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料と、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、Ａｌ２Ｏ３、及びＢａＯを含有したＳｉ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｂａ系ガラスと、ＳｉＯ２及びＢ２Ｏ３を含有したＳｉ−Ｂ系ガラス（ホウケイ酸ガラス）とを含有している。
【００１８】
そして、上記磁性体焼結体は、前記Ｓｉ−Ｂ系ガラスの含有量が５〜１４重量％、前記Ｓｉ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｂａ系ガラスの含有量が前記Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト１００重量部に対し５〜１５０重量部となるようにそれぞれ調製されている。
【００１９】
Ｓｉ−Ｂ系ガラス、及びＳｉ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｂａ系ガラスを上述のように限定したのは以下の理由による。
【００２０】
（１）Ｓｉ−Ｂ系ガラス
Ｓｉ−Ｂ系ガラスをＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料に添加することにより、低温で焼成処理で磁性体焼結体を製造することが可能となる。
【００２１】
しかしながら、磁性体焼結体中におけるＳｉ−Ｂ系ガラスの含有量が１４重量％を超えると、Ｓｉ−Ｂ系ガラスの含有量が多くなりすぎ、このため積層セラミック電子部品の内部導体にＡｇを使用した場合、Ａｇの拡散が顕著になり、特に高温時、通電前後における直流抵抗Ｒdcの変化率が大きくなって信頼性の低下を招く。
【００２２】
一方、Ｓｉ−Ｂ系ガラスの含有量が５重量％未満になるとＳｉ−Ｂ系ガラスの含有量が少ないため、比誘電率εが大きくなり、また低温焼結効果を発揮することができなくなる。
【００２３】
そこで、本実施の形態では、Ｓｉ−Ｂ系ガラスの含有量を５〜１４重量％としている。
【００２４】
（２）Ｓｉ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｂａ系ガラス
Ｓｉ−Ｂ系ガラスは低温焼結性には寄与するが、Ｓｉ−Ｂ系ガラスとＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトの熱膨張係数の差異に起因した残留応力が原因で比透磁率μが低下し、インピーダンスＺの低下を招く。
【００２５】
すなわち、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料は、熱膨張係数が８０〜１００×１０−７／℃であるのに対し、Ｓｉ−Ｂ系ガラスの熱膨張係数が約３０×１０−７／℃であり、したがってＳｉ−Ｂ系ガラスの熱膨張係数はＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料の熱膨張係数に比べて小さい。このため焼成時の残留応力に起因して磁性体焼結体の比透磁率μが低下し、インピーダンスＺの低下を招く。
【００２６】
したがって、残留応力の発生を極力防止するためには熱膨張係数が近いフェライトの熱膨張係数に近いガラス成分を混入させるのが望ましいと考えられる。
【００２７】
そこで、本実施の形態では、熱膨張係数がフェライトの熱膨張係数（８０〜１００×１０−７／℃）に近いＳｉ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｂａ系ガラス（熱膨張係数：７０〜８０×１０−７／℃）を磁性体焼結体中に含有させ、これにより焼成時の残留応力を小さくし、比透磁率μが低下するのを抑制している。
【００２８】
しかしながら、Ｓｉ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｂａ系ガラスが、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料１００重量部に対し１５０重量部を超えてしまうと、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料に対するＳｉ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｂａ系ガラスの含有量が過剰となり、却って比透磁率μが低下してしまい、インピーダンスＺの低下を招く。
【００２９】
一方、Ｓｉ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｂａ系ガラスが、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料１００重量部に対し５重量部未満になると、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料に対するガラス成分量が過少となり、内部導体の導電成分としてＡｇを使用して積層インダクタ等の積層セラミック電子部品を製造する場合、Ａｇが拡散し易くなって通電前後における直流抵抗Ｒdcの変化率が大きくなり、電子部品の信頼性低下を招く。
【００３０】
そこで、本実施の形態では、Ｓｉ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｂａ系ガラスの含有量を、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料１００重量部に対し５〜１５０重量部となるようにしている。
【００３１】
このようにＳｉ−Ｂ系ガラスの含有量を５〜１４重量％、Ｓｉ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｂａ系ガラスの含有量をＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料１００重量部に対し５〜１５０重量部とすることにより、比誘電率εが高くなるのを回避しつつ比透磁率μの低下を抑制することができる。
【００３２】
具体的には、比誘電率εが９以下であって比透磁率μが２以上の磁性体焼結体を得ることができ、これにより高周波帯域での使用に好適な積層インダクタ等の電子部品を得ることができる。
【００３３】
尚、比誘電率εが９以下であって比透磁率μが２以上の磁性体焼結体が高周波帯域での使用に適しているのは以下の理由による。
【００３４】
一般に、浮遊容量Ｃによって生じるインピーダンスＺは、数式（１）で表される。
【００３５】
Ｚ＝１／２πｆＣ…（１）
ここで、ｆは周波数である。したがって、周波数ｆが高くなると浮遊容量Ｃを小さくしなければ高いインピーダンスＺを得ることができず、例えば、４ＧＨｚの高周波帯域で高いインピーダンスＺを得るためには、比誘電率μは９以下とする必要があり、特に８以下が望ましい。
【００３６】
一方、共振点よりも低い周波数、例えば１ＧＨｚでは、比透磁率μが２以上を有さないと高いインピーダンスＺを得ることができない。
【００３７】
しかるに、本実施の形態では、Ｓｉ−Ｂ系ガラスの含有量を５〜１４重量％、Ｓｉ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｂａ系ガラスの含有量をＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料１００重量部に対し５〜１５０重量部となるように調製しているので、比誘電率εが９以下、比透磁率μが２以上の高周波数帯域で使用可能な高インピーダンスの磁性体焼結体を得ることができる。
【００３８】
次に、上記磁性体焼結体の製造方法を説明する。
【００３９】
まず、フェライト素原料としてのＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯ、Ｆｅ２Ｏ３を所定量秤量した後、これら秤量物を粉砕媒体（例えば、部分安定化ジルコニア（ＰＳＺ））を内有したボールミルに投入して湿式で混合粉砕し、次いで乾燥・仮焼を行い、さらにこの仮焼物を再度ボールミルで十分に湿式粉砕し、乾燥し、これによりＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料（仮焼粉末）を作製する。
【００４０】
また、Ｈ３ＢＯ３及びＳｉＯ２を所定量秤量し、これら秤量物を１０００〜１４００℃で溶融させた後、急冷してガラス化させ、これを粗粉砕した後、微粉砕し、Ｓｉ−Ｂ系ガラス（ガラスフリット）を作製する。
【００４１】
さらに、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、Ａｌ（ＯＨ）３、及びＢａＣＯ３を所定量秤量し、これら秤量物を１０００〜１４００℃で溶融させた後、急冷してガラス化させ、これを粗粉砕した後、微粉砕し、Ｓｉ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｂａ系ガラス（ガラスフリット）を作製する。
【００４２】
次に、Ｓｉ−Ｂ系ガラスの含有量が５〜１４重量％、Ｓｉ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｂａ系ガラスの含有量がＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料１００重量部に対し５〜１５０重量部となるように、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料、Ｓｉ−Ｂ系ガラス、及びＳｉ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｂａ系ガラスをそれぞれ秤量し、次いで、これら秤量物に所定量の分散剤を混ぜた純水を加え、ボールミルを使用して所定時間湿式で混合粉砕し、さらにバインダ樹脂や湿潤剤、可塑剤、消泡剤等を添加して所定時間湿式粉砕し、フェライトスラリーを作製する。
【００４３】
次に、このフェライトスラリーに真空脱泡処理を施した後、ドクターブレード法等の成形加工法を使用して所定厚みの磁性体シートを作製する。
【００４４】
次いで、磁性体シートを所定寸法に切断した後、所定枚数積層して圧着し、積層体とし、該積層体に脱バインダ処理を施した後、温度８６０〜９４０℃で焼成処理を施し、これにより磁性体焼結体が製造される。
【００４５】
次に、上記磁性体焼結体を使用した電子部品としての積層インダクタについて詳述する。
【００４６】
図１は積層インダクタの一実施の形態を示す斜視図であって、該積層インダクタは、フェライト素体１にコイル状の内部導体２が埋設され、かつフェライト素体１の両端部には外部導体３ａ、３ｂが形成されている。そして、内部導体２の一方の引出電極２ａは外部導体３ａに電気的に接続され、内部導体２の一方の引出電極２ｂは外部導体３ｂに電気的に接続されている。
【００４７】
上記積層インダクタは、以下のようにして製造される。
【００４８】
まず、上述した磁性体シート、及びＡｇを導電成分とした内部導体用導電性ペーストを用意する。
【００４９】
次に、レーザ加工機を使用して磁性体シートの所定位置にビアホールを形成し、次いで前記導電ペーストを使用して磁性体シートにスクリーン印刷を施し、コ字状の導電パターンを磁性体シートの表面に形成する。次に、コイル状の内部導体２が形成されるように、導電パターンの形成された複数枚の磁性体シートを適宜積層し、その後導電パターンの形成されていない磁性体シートを積層し、圧着して積層体を作製する。次いで、この磁性体シートを所定寸法に切断した後、温度約５００℃で熱処理を施して脱バインダ処理を行ない、次いで、大気中温度８６０〜９４０℃で焼成処理を施し、これによりフェライト素体１が製造される。
【００５０】
そしてこの後、導電成分としてＡｇを含有した外部導体用導電性ペーストをし、該外部電極用導電性ペーストを前記フェライト素体１の両端部に塗布した後、焼付け処理を行なって外部導体３ａ、３ｂを形成し、これにより積層インダクタが製造される。
【００５１】
このようにして製造された積層インダクタは、Ｓｉ−Ｂ系ガラスの含有量が５〜１４重量％、Ｓｉ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｂａ系ガラスの含有量がＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料１００重量部に対し５〜１５０重量部の磁性体焼結体からなるフェライト素体１を具備しているので、比誘電率εが９以下であって比透磁率μが２以上の高インピーダンスを有する積層インダクタを得ることができる。また、このようにＳｉ−Ｂ系ガラス、及びＳｉ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｂａ系ガラスを配合することにより、Ａｇの拡散が抑制され、通電前後の直流抵抗Ｒdcの変化率も抑制することができ、信頼性の優れた積層インダクタを得ることができる。
【００５２】
また、本実施の形態によれば、上述したように比透磁率μを２以上に大きくすることができるため、インダクタンスＬを高くすることができる。
【００５３】
すなわち、インダクタンスＬは、数式（２）で表される。
【００５４】
Ｌ＝（Ａ／１）×μ×Ｎ２×Ｋ…（２）
ここで、Ａはコイル断面積、ｌはコイル長、Ｎはコイルのターン数、Ｋは定数である。
【００５５】
このようにインダクタンスＬは比透磁率μに比例することから、比透磁率μが大きくなるとインダクタンスＬを高くすることができ、したがって、積層インダクタの小型化を図ることが可能となる。
【００５６】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。
【００５７】
また、上記実施の形態ではホウケイ酸系ガラスとしてＳｉＯ２とＢ２Ｏ３とを含有したＳｉ−Ｂ系ガラスを使用したが、これらにＫ２Ｏ等のアルカリ金属酸化物を添加したホウケイ酸ガラスを使用しても同様の作用効果を奏することができる。
【００５８】
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
【実施例１】
【００５９】
まず、フェライト素原料として、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯ、Ｆｅ２Ｏ３をＮｉＯ：２６重量％、ＺｎＯ：４重量％、ＣｕＯ：７重量％、Ｆｅ２Ｏ３：６３重量％となるように秤量し、これら秤量物をＰＳＺが内有されたボールミルに投入し      湿式で混合粉砕し、次いで乾燥・仮焼を行い、さらにこの仮焼物を再度ボールミルで十分に湿式粉砕し、乾燥し、これにより平均粒径が０．５μｍのＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料を作製した。
【００６０】
また、Ｈ３ＢＯ３及びＳｉＯ２をＨ３ＢＯ３：２０重量％、ＳｉＯ２：８０重量％となるように秤量し、これら秤量物を１０００℃で溶融させた後、急冷してガラス化させ、これを粗粉砕した後、微粉砕し、平均粒径が３μｍのＳｉ−Ｂ系ガラスを作製した。
【００６１】
さらに、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、Ａｌ（ＯＨ）３、及びＢａＣＯ３をＳｉＯ２：４０重量％、ＺｎＯ：１６重量％、Ａｌ（ＯＨ）３：４重量％、ＢａＣＯ３：４０重量％となるように秤量し、これら秤量物を１０００℃で溶融させた後、急冷してガラス化させ、これを粗粉砕した後、微粉砕し、平均粒径が１．５μｍのＳｉ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｂａ系ガラスを作製した。
【００６２】
次に、これらＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料、Ｓｉ−Ｂ系ガラス、及びＳｉ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｂａ系ガラスを表１のような配合比率となるように秤量した。すなわち、Ｓｉ−Ｂ系ガラス：１〜５０重量％、Ｓｉ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｂａ系ガラス：フェライト１００重量部に対し１〜２００重量部、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料：残部となるようにＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料、Ｓｉ−Ｂ系ガラス、及びＳｉ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｂａ系ガラスを秤量した。
【００６３】
次に、この秤量物に、分散剤のとしてのポリカルボン酸系アンモニウム塩、及び純水を加え、ＰＳＺが内有されたボールミルに投入し、６〜１２時間湿式粉砕した。そしてさらに、バインダ樹脂としてのアクリル樹脂、湿潤剤、可塑剤、消泡剤を添加して０．５〜１時間湿式粉砕し、フェライトスラリーを作製した。次いで、このフェライトスラリーを４００メッシュの網目を通過させて真空脱泡を行い、その後ドクターブレード法を使用して成形加工を施し、膜厚３０〜６０μｍの磁性体シートを作製した。
【００６４】
次に、この磁性体シートを短冊状に切断した後、レーザ加工機を使用して磁性体シートの所定位置にビアホールを穿設し、次いで、Ａｇを主成分とする内部導体用導電性ペーストを磁性体シートにスクリーン印刷してコ字状の導体パターンを形成した。そしてこの後、導体パターンの形成された磁性体シートを所定枚数積層し、導体パターンの形成されていない磁性体シートで挟持・圧着し、所定寸法に切断し、フェライト積層体を得た。そしてこのフェライト積層体を大気中、温度５００℃に加熱して脱バインダ処理を行ない、さらに大気中、温度８６０〜９４０℃で焼成処理を行なってフェライト素体を作製し、その後Ａｇを主成分とする外部電極ペーストを塗布し、ベルト炉で温度８５０〜９００℃で焼付け処理を行ない、縦１．０ｍｍ、横０．５ｍｍ、厚み０．５ｍｍからなる試料番号１〜３６の積層インダクタを作製した。
【００６５】
次に、各試料１〜３６の比誘電率及び比透磁率をインピーダンスアナライザーで測定した。
【００６６】
また、各試料１〜３６について、ＷＤＸ（波長分散型Ｘ線分析法）を用いたマッピング分析で内部導体（Ａｇ）の拡散の有無を観察した。
【００６７】
さらに、各試料１〜３６を温度１２５℃の高温槽に浸漬し、１５０ｍＡの電流を１０００時間通電し、通電前後の直流抵抗Ｒdcを計測し、その変化率から信頼性を評価した。
【００６８】
表１は各試料１〜３６のガラス含有量と、測定結果（比誘電率μ、比透磁率ε、内部導体の拡散有無、信頼性評価）を示している。
【表１】
2005252128.tif 000003
尚、信頼性評価は、直流抵抗Ｒdcの変化率が±１０％未満を「○（良）」、±１０％以上を「×（不良）」と評価した。
【００６９】
この表１から明らかなように、試料番号１〜６は、Ｓｉ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｂａ系ガラスの含有量が、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料１００重量部に対し１重量部と少ないため、Ｓｉ−Ｂ系ガラスの影響を受けて内部導体の拡散が認められ、通電前後の直流抵抗Ｒdcの変化率も大きく信頼性評価も不良であった。しかも、試料番号１は、Ｓｉ−Ｂ系ガラスの含有量も１重量％と少ないため比誘電率εは１０を超えた。
【００７０】
試料番号１１、１２、１７、１８、２３、及び２４は、Ｓｉ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｂａ系ガラスについては、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料１００重量部に対し５〜１５０重量部であり本発明範囲内であるが、Ｓｉ−Ｂ系ガラスの含有量が２０重量％又は５０重量％と多いため、内部導体の拡散が認められ、通電前後の直流抵抗Ｒdcの変化率も大きく信頼性評価も不良であった。
【００７１】
試料番号７、１３、１９、及び２５は、Ｓｉ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｂａ系ガラスについては、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料１００重量部に対し５〜１５０重量部であり本発明範囲内であるが、Ｓｉ−Ｂ系ガラスの含有量が１重量％と少ないため、比誘電率εが９〜１０と大きくなった。
【００７２】
試料番号２９、３０は、Ｓｉ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｂａ系ガラスについては、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料１００重量部に対し１５０重量部であり本発明範囲内であるが、Ｓｉ−Ｂ系ガラスの含有量が２０重量％、又は５０重量％と多いため、比透磁率μが２以下となり、しかも内部導体の拡散が認められ、通電前後の直流抵抗Ｒdcの変化率も大きく信頼性評価も不良であった。
【００７３】
試料番号３１〜３６は、Ｓｉ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｂａ系ガラスの含有量が、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料１００重量部に対し２００重量部と多いため、比透磁率μが２未満に低下した。特に、試料番号３５、３６はＳｉ−Ｂ系ガラスの含有量が２０重量％、又は５０重量％と多いため、内部導体の拡散も認められ、通電前後の直流抵抗Ｒdcの変化率も大きく信頼性評価も不良であった。
【００７４】
これに対し試料番号８〜１０、１４〜１６、２０〜２２、２６〜２８は、Ｓｉ−Ｂ系ガラスの含有量が５〜１４重量％、Ｓｉ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｂａ系ガラスの含有量が、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料１００重量部に対し５〜１５０重量部であり、いずれも本発明範囲内であるので、比誘電率εは９以下、比透磁率μは２以上であり、また内部導体の拡散も認められず、通電前後の直流抵抗Ｒdcの変化率も±１０％以内となって小さく、信頼性評価も良好であった。
【実施例２】
【００７５】
ホウケイ酸ガラスとしてＳｉ−Ｂ−Ｋ系ガラスを使用し、上述と同様にして積層インダクタを作製し、特性を評価した。
【００７６】
すなわち、ＳｉＯ２、Ｈ３ＢＯ３、Ｋ２ＣＯ３をＳｉＯ２：８２重量％、Ｈ３ＢＯ３：１４重量％、Ｋ２ＣＯ３：４重量％となるように秤量し、これら秤量物を１０００℃で溶融させた後、急冷してガラス化させ、これを粗粉砕した後、微粉砕し、平均粒径が３μｍのＳｉ−Ｂ−Ｋ系ガラスを作製した。
【００７７】
次いで、〔実施例１〕で作製されたＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料、Ｓｉ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｂａ系ガラス、及び上記Ｓｉ−Ｂ−Ｋ系ガラスを表２のような配合比率となるように秤量し、以下、〔実施例１〕と同様の方法・手順で試料番号５１〜８６の積層インダクタを作製した。
【００７８】
次に、〔実施例１〕と同様の方法で、各試料５１〜８６の比誘電率ε、比透磁率μを測定し、さらに内部導体（Ａｇ）の拡散の有無、及び信頼性を評価した。
【００７９】
表２は各試料５１〜８６のガラス含有量と、測定結果（比誘電率μ、比透磁率ε、内部導体の拡散有無、信頼性評価）を示している。
【表２】
2005252128.tif 000004
尚、信頼性評価は、〔実施例１〕と同様、直流抵抗Ｒdcの変化率が±１０％未満を「○（良）」、±１０％以上を「×（不良）」と評価した。
【００８０】
この表２から明らかなように〔実施例１〕と同様の特性結果を得た。
【００８１】
すなわち、試料番号５１〜５６は、Ｓｉ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｂａ系ガラスの含有量が、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料１００重量部に対し１重量部と少ないため、内部導体の拡散が認められ、通電前後の直流抵抗Ｒdcの変化率も大きく信頼性評価も不良であった。しかも、試料番号５１は、Ｓｉ−Ｂ系ガラスの含有量も１重量％と少ないため比誘電率εは１０を超えた。
【００８２】
試料番号６１、６２、６７、６８、７３、及び７４は、Ｓｉ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｂａ系ガラスについては、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料１００重量部に対し５〜１５０重量部であり本発明範囲内であるが、Ｓｉ−Ｂ系ガラスの含有量が２０重量％又は５０重量％と多いため、内部導体の拡散が認められ、通電前後の直流抵抗Ｒdcの変化率も大きく信頼性評価も不良であった。
【００８３】
試料番号５７、６３、６９、及び７５は、Ｓｉ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｂａ系ガラスについては、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料１００重量部に対し５〜１５０重量部であり本発明範囲内であるが、Ｓｉ−Ｂ系ガラスの含有量が１重量％と少ないため、比誘電率εが９〜１０と大きくなった。
【００８４】
試料番号７９、８０は、Ｓｉ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｂａ系ガラスについては、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料１００重量部に対し１５０重量部であり本発明範囲内であるが、Ｓｉ−Ｂ系ガラスの含有量が２０重量％、又は５０重量％と多いため、比透磁率μが２以下となり、しかも内部導体の拡散が認められ、通電前後の直流抵抗Ｒdcの変化率も大きく信頼性評価も不良であった。
【００８５】
試料番号８１〜８６は、Ｓｉ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｂａ系ガラスの含有量が、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料１００重量部に対し２００重量部と多いため、比透磁率μが２未満に低下した。特に、試料番号８５、８６はＳｉ−Ｂ系ガラスの含有量が２０重量％、又は５０重量％と多いため、内部導体の拡散も認められ、通電前後の直流抵抗Ｒdcの変化率も大きく信頼性評価も不良であった。
【００８６】
これに対し試料番号５８〜６０、６４〜６６、７０〜７２、７６〜７８は、Ｓｉ−Ｂ系ガラスの含有量が５〜１４重量％、Ｓｉ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｂａ系ガラスの含有量が、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料１００重量部に対し５〜１５０重量部であり、いずれも本発明範囲内であるので、比誘電率εは９以下、比透磁率μは２以上であり、また内部導体の拡散も認められず、通電前後の直流抵抗Ｒdcの変化率も±１０％以内と小さく信頼性評価も良好であった。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明に係る磁性体焼結体を使用して製造された電子部品としての積層インダクタの一実施の形態を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００８８】
１  フェライト素体（磁性体焼結体）
【図１】
2005252128.tif 000005