(57)【要約】【課題】基板の表面に形成するパターンの照明プロファイルを所与のマスクに対して最適化する方法及びプログラム製品を提供すること。【解決手段】方法ステップは、所与のマスクの１つ又は複数の解像可能な画像構造を数学的に表現するステップと、上記ステップから干渉マップ表示を生成するステップと、干渉マップ表示を修正して、解像可能な画像構造に対応する強度を最大化するステップと、１つ又は複数の補助画像構造サイズを、強度サイド・ローブがプリントされないように決定するステップとを含む。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に形成するパターンの照明プロファイルを所与のマスクに対して最適化する方法であって、
（ａ）前記所与のマスクの１つ又は複数の解像可能な画像構造を数学的に表現するステップと、
（ｂ）ステップ（ａ）から干渉マップ表示を生成するステップと、
（ｃ）前記干渉マップ表示を修正して、前記解像可能な画像構造に対応する強度を最大化するステップと、
（ｄ）１つ又は複数の補助画像構造サイズを、強度サイド・ローブがプリントされないように決定するステップと
を含む方法。
【請求項２】
ステップ（ｃ）が、１つ又は複数の前記解像可能な画像構造の中心に関して前記干渉マップ表示が最大化されるように前記表示を離散マスクトランスミッションに置き換えることによって、前記表示を修正することを含む、請求項１に記載の照明プロファイルの最適化方法。
【請求項３】
ステップ（ｄ）が、１つ又は複数の前記解像可能な画像構造の外側の１つ又は複数の領域に関して前記表示が最小化されるように、離散マスクトランスミッションを選択することを含む、請求項２に記載の照明プロファイルの最適化方法。
【請求項４】
ステップ（ｄ）に従って露光寛容度を最適化することをさらに含む、請求項１に記載の照明プロファイルの最適化方法。
【請求項５】
（ｅ）ステップ（ｃ）に続いて、焦点深度（ＤＯＦ）を最大化するため、ピーク強度の変化を焦点に関して最小化するステップ
をさらに含む、請求項１に記載の照明プロファイルの最適化方法。
【請求項６】
ステップ（ｅ）が、
（ｉ）焦点に関して偏導関数をとることによって前記干渉マップ表示を修正するステップと、
（ｉｉ）前記偏導関数を最小化する１つ又は複数の離散マスクトランスミッションを選択するステップと
を含む、請求項５に記載の照明プロファイルの最適化方法。
【請求項７】
ステップ（ｅ）が、前記所与のマスクの限界寸法（ＣＤ）の係数である範囲内でＤＯＦを最大化することを含む、請求項５に記載の照明プロファイルの最適化方法。
【請求項８】
前記範囲が前記ＣＤの３倍である、請求項７に記載の照明プロファイルの最適化方法。
【請求項９】
ステップ（ｂ）が、ステップ（ａ）の結果と照明に対応する少なくとも１つの固有関数との畳込みをとって前記干渉マップを生成することを含む、請求項１に記載の照明プロファイルの最適化方法。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの固有関数が第１固有関数である、請求項９に記載の照明プロファイルの最適化方法。
【請求項１１】
ステップ（ａ）が、ディラックのデルタ関数によって正方形コンタクト・ホールを表現することを含む、請求項１に記載の照明プロファイルの最適化方法。
【請求項１２】
ステップ（ａ）が、行関数によって長方形コンタクト・ホールを表現することを含む、請求項１に記載の照明プロファイルの最適化方法。
【請求項１３】
交代ＰＳＭのため、ステップ（ａ）において、位相シフトが１８０°のコンタクトを逆ディラックのデルタ関数に置き換える、請求項１に記載の照明プロファイルの最適化方法。
【請求項１４】
少なくとも１つの機械可読媒体によって移送可能な実行可能コードを含むプログラム製品において、少なくとも１つのプログラム可能コンピュータによる前記コードの実行によって、基板の表面に形成するパターンの照明プロファイルを所与のマスクに対して最適化するための一連のステップを、前記少なくとも１つのプログラム可能コンピュータが実行するプログラム製品であって、前記一連のステップが、
（ａ）前記所与のマスクの１つ又は複数の解像可能な画像構造を数学的に表現するステップと、
（ｂ）ステップ（ａ）から干渉マップ表示を生成するステップと、
（ｃ）前記干渉マップ表示を修正して、前記解像可能な画像構造に対応する強度を最大化するステップと、
（ｄ）１つ又は複数の補助画像構造サイズを、強度サイド・ローブがプリントされないように決定するステップと
を含むプログラム製品。
【請求項１５】
ステップ（ｃ）が、１つ又は複数の前記解像可能な画像構造の中心に関して前記干渉マップ表示が最大化されるように前記表示を離散マスクトランスミッションに置き換えることによって、前記表示を修正することを含む、請求項１４に記載のプログラム製品。
【請求項１６】
ステップ（ｄ）が、１つ又は複数の前記解像可能な画像構造の外側の１つ又は複数の領域に関して前記表示が最小化されるように、離散マスクトランスミッションを選択することを含む、請求項１５に記載のプログラム製品。
【請求項１７】
ステップ（ｄ）に従って露光寛容度を最適化することをさらに含む、請求項１４に記載のプログラム製品。
【請求項１８】
（ｅ）ステップ（ｃ）に続いて、焦点深度（ＤＯＦ）を最大化するため、ピーク強度の変化を焦点に関して最小化するステップ
をさらに含む、請求項１４に記載のプログラム製品。
【請求項１９】
ステップ（ｅ）が、
（ｉ）焦点に関して偏導関数をとることによって前記干渉マップ表示を修正するステップと、
（ｉｉ）前記偏導関数を最小化する１つ又は複数の離散マスクトランスミッションを選択するステップと
を含む、請求項１８に記載のプログラム製品。
【請求項２０】
ステップ（ｅ）が、前記所与のマスクの限界寸法（ＣＤ）の係数である範囲内でＤＯＦを最大化することを含む、請求項１８に記載のプログラム製品。
【請求項２１】
前記範囲が前記ＣＤの３倍である、請求項２０に記載のプログラム製品。
【請求項２２】
ステップ（ｂ）が、ステップ（ａ）の結果と照明に対応する少なくとも１つの固有関数との畳込みをとって前記干渉マップを生成することを含む、請求項１４に記載のプログラム製品。
【請求項２３】
前記少なくとも１つの固有関数が第１固有関数である、請求項２２に記載のプログラム製品。
【請求項２４】
ステップ（ａ）が、ディラックのデルタ関数によって正方形コンタクト・ホールを表現することを含む、請求項１４に記載のプログラム製品。
【請求項２５】
ステップ（ａ）が、行関数によって長方形コンタクト・ホールを表現することを含む、請求項１４に記載のプログラム製品。
【請求項２６】
交代ＰＳＭのため、ステップ（ａ）において、位相シフトが１８０°のコンタクトを逆ディラックのデルタ関数に置き換える、請求項１４に記載のプログラム製品。
【請求項２７】
最適なマスクを設計する方法であって、
（ａ）基板の表面に形成するパターンの照明プロファイルを所与のマスクに対して生成するステップと、
（ｂ）前記所与のマスクの１つ又は複数の解像可能な画像構造を数学的に表現するステップと、
（ｃ）ステップ（ｂ）から干渉マップ表示を生成するステップと、
（ｄ）前記干渉マップ表示を修正して、前記解像可能な画像構造に対応する強度を最大化するステップと、
（ｅ）１つ又は複数の補助画像構造サイズを、強度サイド・ローブがプリントされないように決定するステップと、
（ｆ）ステップ（ｅ）からの１つ又は複数のそれぞれのサイズの補助画像構造を前記マスク上に配置することによって前記最適なマスクを生成するステップと
を含む方法。
【請求項２８】
ステップ（ｄ）が、１つ又は複数の前記解像可能な画像構造の中心に関して前記干渉マップ表示が最大化されるように前記表示を離散マスクトランスミッションに置き換えることによって、前記表示を修正することを含む、請求項２７に記載の照明プロファイルの最適化方法。
【請求項２９】
ステップ（ｅ）が、１つ又は複数の前記解像可能な画像構造の外側の１つ又は複数の領域に関して前記表示が最小化されるように離散マスクトランスミッションを選択することを含む、請求項２８に記載の照明プロファイルの最適化方法。
【請求項３０】
ステップ（ｅ）に従って露光寛容度を最適化することをさらに含む、請求項２７に記載の照明プロファイルの最適化方法。
【請求項３１】
（ｇ）ステップ（ｄ）に続いて、焦点深度（ＤＯＦ）を最大化するため、ピーク強度の変化を焦点に関して最小化するステップ
をさらに含む、請求項２７に記載の照明プロファイルの最適化方法。
【請求項３２】
ステップ（ｇ）が、
（ｉ）焦点に関して偏導関数をとることによって前記干渉マップ表示を修正するステップと、
（ｉｉ）前記偏導関数を最小化する１つ又は複数の離散マスクトランスミッションを選択するステップと
を含む、請求項３１に記載の照明プロファイルの最適化方法。
【請求項３３】
ステップ（ｇ）が、前記所与のマスクの限界寸法（ＣＤ）の係数である範囲内でＤＯＦを最大化することを含む、請求項３１に記載の照明プロファイルの最適化方法。
【請求項３４】
前記範囲が前記ＣＤの３倍である、請求項３３に記載の照明プロファイルの最適化方法。
【請求項３５】
ステップ（ｃ）が、ステップ（ｂ）の結果と照明に対応する少なくとも１つの固有関数との畳込みをとって前記干渉マップを生成することを含む、請求項２７に記載の照明プロファイルの最適化方法。
【請求項３６】
前記少なくとも１つの固有関数が第１固有関数である、請求項３５に記載の照明プロファイルの最適化方法。
【請求項３７】
ステップ（ｂ）が、ディラックのデルタ関数によって正方形コンタクト・ホールを表現することを含む、請求項２７に記載の照明プロファイルの最適化方法。
【請求項３８】
ステップ（ｂ）が、行関数によって長方形コンタクト・ホールを表現することを含む、請求項２７に記載の照明プロファイルの最適化方法。
【請求項３９】
交代ＰＳＭのため、ステップ（ｂ）において、位相シフトが１８０°のコンタクトを逆ディラックのデルタ関数に置き換える、請求項２７に記載の照明プロファイルの最適化方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、参照によって本明細書に組み込まれる「Ｍｅｔｈｏｄ  ｏｆ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ  Ｄｅｓｉｇｎ  ｆｏｒ  Ｃｏｎｔａｃｔ  Ｈｏｌｅ  Ｍａｓｋ」という名称の米国出願（２００４年１月１４日出願の米国出願番号１０／７５６８２９）に関連する。
【０００２】
本発明は、２００３年１２月１９日出願の「Ｅｘｔｅｎｄｉｎｇ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ  Ｍａｐｐｉｎｇ  ｔｏ  Ｉｍｐｒｏｖｅ  ｔｈｅ  Ｄｅｐｔｈ／Ｆｏｃｕｓ  ａｎｄ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｌａｔｉｔｕｄｅ」という名称の米国仮出願番号６０／５３０６５６、及び２００４年１月１４日出願の「Ｍｅｔｈｏｄ  ｏｆ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ  Ｄｅｓｉｇｎ  ｆｏｒ  Ｃｏｎｔａｃｔ  Ｈｏｌｅ  Ｍａｓｋ」という名称の米国非仮出願番号１０／７５６８２９の優先権を主張するものである。
【０００３】
本発明はフォトリソグラフィに関し、詳細には、焦点深度（Ｄｅｐｔｈ  Ｏｆ  Ｆｏｃｕｓ）及び露光寛容度（Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｌａｔｉｔｕｄｅ）を最大化することによって像の照明を最適化することに関する。
【背景技術】
【０００４】
リソグラフィ装置は例えば集積回路（ＩＣ）製造で使用することができる。このような場合、マスクは、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを含むことができ、このパターンを、放射感受性材料（レジスト）の層でコーティングされた基板（シリコン・ウェーハ）の標的部分（例えば１つ又は複数のダイを含む部分）に結像させることができる。一般に単一のウェーハは、投影系によって１度に１つずつ連続して照射された隣接する標的部分の全ネットワークを含む。１つのタイプのリソグラフィ投影装置では、１つの標的部分にマスク・パターン全体を一度に露光することによってそれぞれの標的部分に照射する。このような装置は普通、ウェーハ・ステッパと呼ばれている。走査ステップ式（ｓｔｅｐ−ａｎｄ−ｓｃａｎ）装置と一般に呼ばれている代替装置では、投影ビームの下のマスク・パターンを、与えられた基準方向（「走査」方向）に漸進走査し、同時にこの方向に平行に又は非平行に基板を同期走査することによってそれぞれの標的部分に照射する。投影系は一般に倍率Ｍ（一般に＜１）を有するので、基板テーブルを走査する速度Ｖは、倍率Ｍにマスク・テーブルを走査する速度を掛けたものになる。ここで説明したリソグラフィ装置に関する詳細な情報は、例えば参照によって本明細書に組み込まれる米国特許第６０４６７９２号から得ることができる。
【０００５】
リソグラフィ投影装置を使用した製造プロセスでは、放射感受性材料（レジスト）の層によって少なくとも部分的に覆われた基板上にマスク・パターンを結像させる。この結像ステップの前に、基板は、例えばプライマーの塗布、レジストの塗布、ソフト・ベークなど、さまざまな手順を経験する。露光後に、基板は、例えば露光後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハード・ベーク、結像させた画像構造の測定／検査など、他の手順にさらされる。この一連の手順は、デバイス、例えばＩＣの個々の層にパターンを形成するベースとして使用される。パターン形成されたこのような層は次いで、例えばエッチング、イオン注入（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、化学機械研摩など、さまざまなプロセスにさらされる。これらのプロセスは全て、個々の層の完成を意図したものである。複数の層が必要な場合には、この手順全体又はその変形手順をそれぞれの新しい層に対して繰り返さなければならない。最終的に、基板（ウェーハ）上にデバイスの列が得られる。これらのデバイスは次いで、ダイシング、ソーイングなどの技法によって互いから分離され、個々のデバイスはその後、キャリヤ上に取り付けたり、ピンに接続等をすることができる。このようなプロセスに関する詳細な情報は、例えば参照によって本明細書に組み込まれるＰｅｔｅｒ  ｖａｎ  Ｚａｎｔ著「Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ  Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ：Ａ  Ｐｒａｃｔｉｃａｌ  Ｇｕｉｄｅ  ｔｏ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ」、第３版、ＭｃＧｒａｗ  Ｈｉｌｌ  Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ  Ｃｏ．、１９９７年、ＩＳＢＮ  ０−０−７−０６７２５０−４から得ることができる。
【０００６】
分かりやすくするため、今後、投影系を「レンズ」と呼ぶことがある。しかし、用語「レンズ」は、例えば屈折光学系、反射光学系及び反射屈折光学系を含む、さまざまなタイプの投影系を包含するものと広く解釈しなければならない。放射系も、上記の任意の設計タイプに従って動作して放射投影ビームを誘導し、成形し、制御する構成要素を含むことができ、以下、このような構成要素を集合的に又は単独で「レンズ」と呼ぶ場合がある。さらに、リソグラフィ装置は、２つ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスク・テーブル）を有するタイプの装置とすることができる。このような「多重ステージ」装置では、これらの追加のテーブルを並列に使用することができ、或いは、１つ又は複数のテーブルを露光に使用している間に他の１つ又は複数のテーブル上で準備ステップを実施することができる。２重ステージ・リソグラフィ装置は例えば、参照によって本明細書に組み込まれる米国特許第５９６９４４１号及びＷＯ９８／４０７９１に記載されている。
【０００７】
先に言及したフォトリソグラフィ・マスクは、シリコン・ウェーハ上へ集積させる回路構成要素に対応する幾何学パターンを含む。このようなマスクの生成に使用するパターンはＣＡＤ（ｃｏｍｐｕｔｅｒ−ａｉｄｅｄ  ｄｅｓｉｇｎ：計算機援用設計）プログラムを利用して生み出され、このプロセスはしばしばＥＤＡ（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ｄｅｓｉｇｎ  ａｕｔｏｍａｔｉｏｎ：電子的自動設計）と呼ばれる。ほとんどのＣＡＤプログラムは、所定の一組のデザイン・ルールに従って機能マスクを生み出す。これらのルールは処理及び設計上の限界に基づいて設定される。デザイン・ルールは例えば、回路デバイス（ゲート、コンデンサなど）又は相互接続線が互いに望ましくない方法で相互作用することがないように、回路デバイス間又は相互接続線間の間隔公差を定義する。このデザイン・ルール上の限界は一般に「限界寸法」（ｃｒｉｔｉｃａｌ  ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ：ＣＤ）と呼ばれる。回路の限界寸法は、線の最小幅又は２本の線間の最小間隔と定義することができる。したがってＣＤは、設計された回路の全体的な大きさ及び密度を決定する。
【０００８】
言うまでもないが、集積回路製造における目標の１つは、原回路設計を（マスクを通して）ウェーハ上に忠実に再現することである。他の目標は、半導体ウェーハの面積をできるだけ多く使用することである。他の目標は、照明を最適化しウェーハ上での像のコントラストを高めることである。さらに他の目標は、焦点深度（ＤＯＦ）及び露光寛容度（ＥＬ）を増大させることである。しかし、コンタクト・ホールなどのリソグラフィ画像構造のサイズがますます微小化しているため、対応するマスク上の穴に光を通すことがますます難しくなっている。このことはＤＯＦ及びＥＬを低下させる。この問題を解決するための従来の技法には、基板上に補助画像構造を配置して、生成中の画像構造上の光の強度を増大させることが含まれる。生成中の画像構造上の光の強度を増大させるとＤＯＦ及びＥＬも増大する。しかし、補助画像構造の最適な位置を決定するための最適化法及びモデル法を生み出す必要がある。これに反して、補助画像構造は、人間による試験基板の検査の後で配置されている。そのため、補助画像構造を利用することによって得られる補正はしばしば、補助画像構造の配置を担当する人／設計者の技能及び能力によって制限される。補助画像構造の大きさを最適化する方法も開発しなければならない。補助画像構造サイズの最適化もまた、人／設計者の技能及び能力に制限されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
以下の説明では、散乱バー及び他の補助画像構造の基板表面での最適位置を決定する新規の方法、及びこの方法を実行するための装置について論じる。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
開示された概念は、基板の表面に形成するパターンの照明プロファイルを所与のマスクに対して最適化する方法及びプログラム製品を含む。これは、所与のマスクの１つ又は複数の解像可能な画像構造を数学的に表現し、干渉マップ表示を生成し、干渉マップ表示を修正して、解像可能な画像構造に対応する強度を最大化し、１つ又は複数の補助画像構造サイズを、強度サイド・ローブがプリントされないように決定することによって達成される。さらに、サイズが決定された補助画像構造を、サイド・ローブがプリントされないようにマスク上に配置することによって、最適化されたマスクを生成することができる。
【００１１】
干渉マップ表示を修正するステップが、１つ又は複数の解像可能な画像構造の中心に関して干渉マップ表示が最大化されるように干渉マップ表示を離散マスクトランスミッションに置き換えることによって、干渉マップ表示を修正することを含む。次に、１つ又は複数の解像可能な画像構造の外側の１つ又は複数の領域に関して干渉マップ表示が最小化されるように離散マスクトランスミッションを選択する。これによって露光寛容度を最適化する。
【００１２】
焦点深度も最大化することができる。同じ方法を使用するが、代わりに、ピーク強度の変化を焦点に関して最小化するように干渉マップを修正する。これは、焦点に関して偏導関数をとり、この偏導関数を最小化する１つ又は複数の離散マスクトランスミッションを選択することによって達成される。
【００１３】
本発明の以上の特徴、態様及び利点、並びにその他の特徴、態様及び利点は、本発明の以下の詳細な説明を添付の図面とともに検討したときにより明白となる。
【実施例】
【００１４】
マイクロリソグラフィにおいて、先に論じた焦点深度及び露光寛容度を増大させる１つの方法は、表面上の画像構造を生成するところに光の強度を集中させるため、基板の表面に補助画像構造を戦略的に配置することを含む。本発明の発明者は、基板表面の補助画像構造の配置及びサイズ決定を極めて効率的に最適化する、一般にインターフェレンス・マッピング・リソグラフィ（「ＩＭＬ」）と呼ばれる新規の方法を開発した。
【００１５】
ＩＭＬを使用すると、バイナリ・マスク、減衰位相シフト・マスクなどの２トーン・マスクのコンタクト・ホールの周囲に補助画像構造（ＡＦ）を戦略的に配置して、ＥＬ及びＤＯＦを向上させることができる。例えば、露光ツールの像平面のコヒーレンス値の変化をマップしたコヒーレンス・マップにおいて、強度が０よりも大きい領域は、光が所望の画像構造／パターンと干渉して強め合う位置を表し、強度が０よりも小さい領域は、光が所望の画像構造／パターンと干渉して弱め合う位置を表す。この干渉マップで強め合う干渉が起こるところに透明な補助画像構造（１００％透過）を配置することによって、コンタクト・ホールの空中像を改善することができる。空中像の強度は、干渉マップで弱め合う干渉が起こるところに１８０°補助画像構造（透過−１００％）を配置することによって、したがってＣＰＬマスクを生み出すことによってさらに増大させることができる。言い換えると、１８０°補助画像構造（透過−１００％）は、弱め合う干渉の位相を反転させ、弱め合う干渉が起こる領域に強度の増大に貢献させる。弱め合う干渉が起こる領域のこの位相反転によって、マスクの全ての領域が強度を強めるように使用され、これによって画像構造／パターンを生成するための光の強度が最大になる。
【００１６】
ＩＭＬを説明するためには、コヒーレント光を用いた結像を検討するのが最もよい。例えばレチクルのピンホールをコヒーレント源で照明する場合、ウェーハにおける電界を点像分布関数（ＰＳＦ）によって表すことができる。点像分布関数のグラフを図１ａに示す。点像分布関数はリソグラフィ系の解像能力を表す。投影レンズ（図２６に示す）はピンホール・レチクルからの回折光を帯域フィルタリングするので、ＰＳＦは広げられ、ある有限の解像度を有する。したがって任意のマスクに対して、それぞれのマスクトランスミッションとＰＳＦとの畳込みをとることによってウェーハにおける電界を求めることができる。０．４未満のｋ１（ｋ１は解像度式ｋ１＝ｐＮＡ／２λによって定義される。ｐはピッチ、ＮＡは開口数、λは露光波長である）を有するバイナリ・コンタクト・ホールは実質上レチクルのピンホールである。投影レンズはこのバイナリ・コンタクト・ホールから、このコンタクトによって回折された光をほとんど集めない。この光の損失はウェーハにおけるピーク強度を低減させる。このピーク強度の低減によって、このコンタクト・ホール・プリント・プロセスの露光寛容度（ＥＬ）及び焦点深度（ＤＯＦ）は制限される。
【００１７】
他の光学分野では、物体平面のピンホールに由来する像平面でのピーク強度を増大させる周知のコヒーレント結像法が存在する。この方法では、マスク上のピンホールをフレネル・レンズに置き換える。
【００１８】
フレネル・レンズには、バイナリ・マスク・フレネル・レンズ（図１ｂ）と位相マスク・フレネル・レンズ（図１ｃ）の２種類がある。バイナリ・マスク型のフレネル・レンズには、不透明な領域（透過０）と透明な領域（透過１）とがある。ウェーハにおける強度は、マスクトランスミッションとＰＳＦの畳込みによって与えられるので、マスク上のＰＳＦが０よりも大きいところに透明な領域を配置し、ＰＳＦが０よりも小さいところに不透明な領域を配置することによって、ウェーハにおける強度を最大にすることができる。ＰＳＦとバイナリ・フレネル・レンズの間の相関を図１ａ〜１ｂに示す。
【００１９】
位相マスク型のフレネル・レンズ（図１ｃ）には、透過率１００％の０°領域（透過＋１）と、透過率１００％の１８０°領域（透過−１）とがある。位相フレネル・レンズを用いると、バイナリ・フレネル・レンズに比べてウェーハにおけるピーク強度をさらに増大させることができる。これは、ＰＳＦが０よりも小さいところに１８０°領域を配置し、ＰＳＦが０よりも大きいところに０°領域を配置することによって達成される。すなわちこのマスクはクロムレス・マスクである。ＰＳＦとＣＰＬフレネル・レンズの間の相関を図１ａ及び１ｃに示す。
【００２０】
先に述べたとおり、バイナリ・フレネル・レンズ及びＣＰＬフレネル・レンズはＰＳＦローブ（ｌｏｂｅ）を利用することによって設計される。バイナリ・フレネル・レンズ及びＣＰＬフレネル・レンズのｘ軸に沿った強度を図２に示す。図２では、透明フィールド・マスク（ｃｌｅａｒ  ｆｉｅｌｄ  ｍａｓｋ）の強度が１になるように強度が正規化されている。両タイプのマスクでピーク強度は１を大きく上回っている。バイナリ・フレネル・マスクのピーク強度は約９．２、ＣＰＬフレネル・マスクのピーク強度は約２３．６である。ピーク強度がサイド・ローブの大きさを十分に上回っているので、どちらのタイプのマスクでもサイド・ローブのプリントの問題は生じない。
【００２１】
ランダム・コンタクト・ホール・パターンに対しても、孤立したコンタクトに対して使用した方法と同様の方法でレチクルの最適透過を計算することができる。ウェーハ平面における電界の計算は線形プロセスなので、ランダム・コンタクト・ホール・パターンの電界は重ね合わせによって計算される。重ね合わせにおいて、電界は、それぞれのコンタクト・ホールからの個々の寄与の総和である。この原理を使用すると、ランダム・コンタクト・ホール・パターンに対するレチクルの最適透過も計算することができる。これは、まず最初にそれぞれのコンタクト・ホールをディラックのデルタ関数に置き換えることによって達成される。低ｋ１コンタクト・ホールはＰＳＦと実質上同じ像を有し、ディラックのデルタ関数を使用することができる。しかし、他の関数を使用してコンタクト・ホールを表現してもよい。関数の選択は、当業者の通常の技術レベルの範囲に十分に含まれる。ランダム・コンタクト・ホール・マスクのディラックのデルタ関数表現とＰＳＦとの畳込みをとることによって干渉マップを生成する。次いで、干渉マップが０よりも大きいところに１００％透過の位相シフト０°の領域を配置し、干渉マップが０よりも小さいところに１００％透過の位相シフト１８０°の領域を配置することによって、この干渉マップからＣＰＬマスクを生成する。
【００２２】
図３Ａに、７つのコンタクト・ホールを有するランダム・コンタクト・ホール・パターンを示し、図３Ｂに対応する干渉マップを示す。この干渉マップのＣＰＬマスクへの変換を図４Ａ及びＢに示す。図４Ａでは、陰影のついた領域４０が１００％透過の位相シフト０°の領域を表し、陰影のついた領域４２が１００％透過の位相シフト１８０°の領域を表す。図４Ａのマスクの空中像を図４Ｂに示す。図４Ｂは、ＩＭＬ  ＣＰＬマスクが、透明フィールド・マスクの強度の７倍近い強度を達成できることを示している。この像はさらに、１００％透過の位相シフト０°の領域と１００％透過の位相シフト１８０°の領域からなる大きな領域が干渉マップにある場合であっても、離散した７つのコンタクトが生み出されることを示している。
【００２３】
コヒーレント結像に関して干渉マップを生成する際に使用した技法を修正して、部分コヒーレント結像に対する干渉マップを生成することができる。部分コヒーレント源の位相はランダム量であり、部分コヒーレント源を用いた場合の結像は確率過程である。したがって先に述べた線形法はもはや適用できない。
【００２４】
像処理では、カルフーネン−レーヴ（Ｋａｒｈｕｎｅｎ−Ｌｏｅｖｅ）変換によって、像の自己相関をコヒーレント系の和に変換することができる。光リソグラフィと同様に、スキャナで使用される源の部分コヒーレンスは、透過交差係数（ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  ｃｒｏｓｓ  ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ：ＴＣＣ）に関して特異値分解（ＳＶＤ）を実行することによって、コヒーレント系の和（ｓｕｍ  ｏｆ  ｃｏｈｅｒｅｎｔ  ｓｙｓｔｅｍｓ：ＳＯＣＳ）に分解することができる。数学的にはＴＣＣは投影瞳を有する源の自己相関である。したがってＴＣＣはスキャナの結像能力を表す。
【００２５】
ＳＯＣＳを使用して、ＴＣＣを、一組の固有関数Φと固有値λに分解することができる。これらの固有関数は、スキャナの擬電界伝達関数を表す。ＳＯＣＳの固有関数は、コヒーレント源を有するスキャナに対して使用されるＰＳＦに類似している。実際、コヒーレント点源のＴＣＣに関してＳＶＤを使用すると１つの固有関数が得られ、この固有関数はＰＳＦである。部分コヒーレント源に対してＳＯＣＳを使用すると、マスクトランスミッションとの畳込みをとったそれぞれの固有関数の二乗を合計することによって、像の全強度を計算することができる。この方法を図５の流れ図に示す。
【００２６】
開示の概念は、図５の流れ図に示された一連のステップによって表すことができる。ステップ５１０で、少なくとも１つのコンタクト・ホールを含むマスク・モデルを生成する。加えて、照明装置のタイプ及び対応するパラメータが選択される。ステップ５１２で衝撃関数が生成され、それによってマスクのそれぞれのコンタクト・ホールは、マスク・タイプ（例えば位相シフト・マスク、通常のマスク）に基づく衝撃デルタ関数によって表現される。同時にステップ５１４で、照明／投影レンズ・モデルに基づいてＴＣＣを生成し、ステップ５１６で、この複雑なＴＣＣ関数を、ＳＶＤを使用した対角化によって単純化し、固有ベクトル及び固有値の関数を得る。ステップ５１８で、ＴＣＣを近似するために少なくとも１つの固有値を選択する。２つ以上の値を選択した場合には、ステップ５２０で、選択されたそれぞれの固有値に対してそれぞれの固有関数の逆フーリエ変換を計算し、ステップ５２２にあるように、ＳＯＣＳに従ってその結果を合計する。一方、固有値を１つだけ選択した場合には、ステップ５２４で、選択された値に対して逆フーリエ変換を計算し、その結果とステップ５１２のフラクションとの畳込みをとって強度マップを生成する（ステップ５２６）。ステップ５２４又は５２６の結果は、基板上の照明に対応する空中像又は干渉マップを表す。ステップ５２８で干渉マップ上で干渉領域を識別し、ステップ５３０で、干渉領域に対応するマスクに補助画像構造を最適に配置する。
【００２７】
この方法の利点は、自己相関量のＳＶＤが優れたエネルギー圧縮を示すことである。すなわち、自己相関を表すのに必要な直交固有関数の数が最も少なくてすむ。したがって、ＳＯＣＳからの固有値は、それぞれの固有値が全強度に関して有するエネルギー量を指示する。ＳＶＤは優れたエネルギー圧縮を示すので、ＳＯＣＳは、全強度を表すのに最も少ない数の固有関数を要求する。この方法の他の利点は、ＴＣＣの固有ベクトルがコヒーレントであることである。したがって、［００１６］から［００２２］に記載したコヒーレント結像理論をそれぞれのコヒーレント固有ベクトルに適用することができる。
【００２８】
この概念を図６Ａに示す。この図には、さまざまな照明条件に対する固有値がプロットされている。図６Ａは、固有値がきわめて急速に減衰し、したがって２、３の固有値及び固有関数があれば空中像の強度を計算できることを示している。例えば、第１固有値（固有番号１）は従来型の照明ではＴＣＣの約８０％、クェーサ（Ｑｕａｓａｒ）／Ｃｑｕａｄ型の照明及び環状照明ではＴＣＣの約５０％を表す。クェーサ／Ｃｑｕａｄ型及び環状照明に対する第１固有関数はＴＣＣの５０％を表すが、第１固有関数は実際に全空中像強度に対して９５％超の寄与を示す。
【００２９】
図６Ｂには、単一の孤立したコンタクト及び２ホール・コンタクトに対してクェーサ型照明を使用した場合のピーク強度に対するそれぞれの固有関数のパーセンテージが計算されており、その結果が表の形で示されている。この図によれば、孤立したコンタクトではピーク強度のほぼ１００％が第１固有関数の寄与によるものであり、２ホール・コンタクトではピーク強度の９９．５％が第１固有関数の寄与によるものである。実際、第１固有関数の及びマスクの対称性のため、第１固有関数はピーク強度の大部分に寄与している。
【００３０】
第１固有関数はｘ及びｙ軸に関して偶関数である。第２固有関数はｘ軸に関して偶関数、ｙ軸に関して奇関数であり、第３固有関数はｘ軸に関して奇関数、ｙ軸に関して偶関数である。孤立コンタクトもｘ及びｙ軸に関して偶対称である。システム分析理論から、ｘ及びｙ軸に関して偶対称のマスクとｘ及びｙ軸に関して偶関数の固有伝達関数との畳込みだけがピーク強度に寄与する。マスクの対称性が変化するにつれてこの寄与は崩れ始める。２コンタクトの例ではマスクはｘ軸に関してもはや対称ではない。その結果、奇対称性（ｏｄｄ  ｓｙｍｍｅｔｒｙ）を有する固有関数が強度に対して影響を示し始める。しかし２コンタクト・ホールの例では、第１固有関数のピーク強度に対する寄与が依然として９９％を超えている。
【００３１】
図７Ａ〜Ｄにはそれぞれ、図６Ａ〜Ｂの固有値を生成する際に使用したクェーサ型、Ｃｑｕａｄ型、環状及び従来型の照明条件に対する第１固有関数がプロットされている。固有関数のプロットは理論上のプロットである。図７ａでは、クェーサ型照明が、ｘ及びｙ軸に沿ったローブを有する固有関数カーネル（ｋｅｒｎｅｌ）を生み出し、図７Ｂでは、Ｃｑｕａｄ型照明が、ｘ及びｙ軸の対角線に沿ってローブを有するカーネルを生み出している。環状照明及び従来型照明（それぞれ図７Ｃ及び７Ｄ）では、照明が回転対称であるため、回転対称のローブが生み出されている。これらのカーネルのｘ軸に沿った断面を図８に示す。この図には比較のためにＰＳＦも示されている。
【００３２】
図８は、クェーサ／Ｃｑｕａｄ型照明のサイド・ローブ・ピーク８０が環状照明のサイド・ローブ・ピーク８２よりも大きいことを示している。したがって、クェーサ及びＣｑｕａｄ型照明におけるＡＦの空中像に対する寄与はより大きい。なぜならこのようなＡＦはより大きな強度を画像構造に集中させるからである。さらに、図８では、クェーサ／Ｃｑｕａｄ型照明及び環状照明の第１極小８４が０よりも大きく、したがってこれらの照明を用いると、位相シフトされた背景はピーク強度に反対方向に寄与する。しかし従来型の照明には大きな負のローブ８６があり、したがって、位相シフトされた背景はピーク強度に肯定的に寄与する。これらのカーネル・ローブを理解することによって強度を向上させることができる。強度は、マスクトランスミッションと第１固有関数カーネルとの畳込みをとることによって計算されるので、ローブが０よりも大きいところに透明な０°の補助画像構造を配置し、ローブが０よりも小さいところに透明な１８０°の補助画像構造を配置することによって、コンタクト・ホールのピーク強度を向上させることができる。
【００３３】
バイナリ・マスクは、固有関数カーネルがしきい値よりも大きいところに透明な画像構造を配置することによって構築することができる。ＣＰＬマスクは、固有関数カーネルが０よりも大きいときに位相シフトが０°の透明な画像構造を配置し、固有関数カーネルが０よりも小さいときに位相シフトが１８０°の透明な画像構造を配置することによって構築することができる。これらの２つのマスクのｘ軸に沿った空中像を図９に示す。ＣＰＬでのピーク強度は約１．４であり、ＡＦを有するバイナリ・マスクでのピーク強度は０．８７である。両マスク・タイプとも、ピーク強度はサイド・ローブの強度の２倍ある。したがってサイド・ローブのプリントが生じる可能性はない。
【００３４】
ＡＦを有するバイナリ・マスクを設計し、ＣＰＬマスクを設計する、以上に記載した方法以外の方法を利用することもでき、それらの方法は当業者の通常の技術レベルの範囲に十分に含まれる。
【００３５】
以下に、ランダム・コンタクト・ホール・パターンの最大露光寛容度（ＥＬ）を向上させる方法を記載する。例示的な流れ図は図５に示されている。
【００３６】
コンタクト・ホールを結像させるため、ピーク強度と露光寛容度（ＥＬ）を相関させる。すなわち、ピーク強度を最大化することによってＥＬを最大化する。
【００３７】
コヒーレント結像と同様、部分コヒーレント系におけるＥＬ最適化の最初のステップ（ステップ１）は、原マスクのコンタクト・ホールＯ（ｘ，ｙ）を、ディラックのデルタ関数又は行関数（ｌｉｎｅ  ｆｕｎｃｔｉｏｎ）に置き換えるステップである。（ｘｉ，ｙｉ）を中心とする正方形コンタクトでは、ディラックのデルタ関数が式１．０によって与えられる。
【００３８】
式１．０  δ（ｘ−ｘｉ，ｙ−ｙｉ）
【００３９】
ｘｉを中心としｙａからｙｂの長さを有する長方形のコンタクトでは、行関数が式２．０によって与えられる。
【００４０】
式２．０  δ（ｘ−ｘｉ）ｒｅｃｔ（ｙａ≦ｙ≦ｙｂ）ただしｙ≧ｙａかつｙ≦ｙｂのときにはｒｅｃｔ（ｙ）＝１、それ以外のときにはｒｅｃｔ（ｙ）＝０
【００４１】
次いで、全てのコンタクト位置（ｘｉ，ｙｉ）についてこれらのデルタ関数及び行関数を合計し、式３．０によって表される関数Δ（ｘ，ｙ）を生成する。
【００４２】
【数１】
2005183981.tif 000003
【００４３】
ＥＬ最適化の第２のステップ（ステップ２）は、Δ（ｘ，ｙ）（式３．０）と、焦点ずれ０における第１固有関数Φ１（ｘ，ｙ，ｚ＝０）との畳込みをとるステップである。２つ以上の固有関数を利用できることに留意されたい。この畳込みは、式４．０によって示される干渉マップＦｉ（ｘ，ｙ）を生成する。
【００４４】
【数２】
2005183981.tif 000004
【００４５】
第３のステップ（ステップ３）では、式５．０によって表される全てのコンタクト（ｘｉ，ｙｉ）の中心におけるＧ１を最大化するために、干渉マップＦｉを離散マスクトランスミッションＦに置き換える。
【００４６】
【数３】
2005183981.tif 000005
【００４７】
ＣＰＬマスクにおいて、離散マスクトランスミッションＦは−１（エッチングされた石英）、０（クロム）及び＋１（エッチングされていない石英）である。バイナリ・マスクでは、Ｆは０（クロム）又は＋１（エッチングされていない石英）である。離散マスクの幾何形状もマスク製造が単純になるように選択する。
【００４８】
最後の第４のステップ（ステップ４）では、強度サイド・ローブがプリントされないようにＦの補助画像構造サイズを選択する。この基準を満たすためには、コンタクトの外側の点Ｏ（ｘ，ｙ）≠１について、式６．０によって表されるＧ２に対する下記の条件が最小になるように離散マスクトランスミッションＦを選択する。
【００４９】
【数４】
2005183981.tif 000006
【００５０】
一実施例として、１００ｎｍコンタクト・ホール設計（ｋ１＝０．３９）に対して、ステップ１及び２に従って干渉マップを生成した。図１０Ａは、先に記載した式３．０によって表したマスク表示を示し、ステップ１の結果に対応する。この図から分かるように、それぞれのコンタクト・ホールはディラックのデルタ関数に置き換えられている。図１０Ｂは、クェーサ型照明に対して生成された固有関数の空中像を示す。図１０Ｃは、ステップ２から得られた空中像又は干渉マップを表す。このマップの生成に使用した条件は、ＡＳＭＬ／１１００  ＡｒＦ  ＮＡ＝０．７５スキャナ、及びクェーサ型照明（σｉｎ＝０．５７、σｏｕｔ＝０．８７、スパン角３０°）である。
【００５１】
この干渉マップから、ＥＬを最大化するステップ３及びサイド・ローブのプリントを最小化するステップ４を使用して、バイナリ離散トランスミッションマスクＦを求める。ＥＬを最適化するバイナリ・マスクを図１１に、図１１の最適化されたマスクの焦点範囲±０．２μｍの空中像を図１２Ａ〜Ｃに示す。図１２Ａ〜Ｃでは、マスクのモデル・ベースのＯＰＣバイアスを実行しなかったが、ＯＰＣバイアスを実行すると、７つの全てのコンタクト・ホールに対してＤＯＦ０．４μｍを通してピーク強度０．４を達成することができ、サイド・ローブはプリントされない。
【００５２】
他の実施例では、Ｃｑｕａｄ型照明（λ＝１９３ｎｍ、ＮＡ＝０．７５、σｉｎ＝０．５、σｏｕｔ＝０．８、スパン角３０°）に対して干渉マップを計算する。干渉マップを図１３に示す。この干渉マップは、ＡＦを配置するのに最適な位置はｘ又はｙ軸上ではなく対角線上であることを指示している。このことは、ＡＦを配置する最適位置が照明に非常に依存することを示している。図１３のこの干渉マップから、先のステップ３及び４を使用することによってバイナリ離散トランスミッションマスクを計算する。ＥＬを最適化するバイナリ・マスクを図１４に示す。最適化された図１４のマスクの焦点範囲±０．２μｍの空中像を図１５に示す。Ｃｑｕａｄ型照明に対する図１５の空中像を、クェーサ型照明に対する図１２の空中像と比較すると、Ｃｑｕａｄ型照明の像はクェーサ型照明に比べて、高密度の２００ｎｍピッチ領域により大きなピーク強度を有することが分かる。この高密度ピッチのため、Ｃｑｕａｄ型照明はクェーサ型照明よりも良い選択である。
【００５３】
以上に示したＥＬを最大化するための４ステップ法は固有関数を１つだけ使用する。しかし、その理論を、複数の固有関数を含むように拡張することもできる。図１６Ａ〜Ｂには、クェーサ型照明（λ＝１９３ｎｍ、ＮＡ＝０．７５、σｉｎ＝０．５７、σｏｕｔ＝０．８７、スパン角３０°）に対する第１固有関数Φ１及び第４固有関数Φ４がプロットされている。第４固有関数はｘ及びｙ軸に関して奇対称性を有する。この奇対称性は、ピーク強度を向上させるためには、対角線に沿った位相外れのＡＦを使用しなければならないことを指示している。
【００５４】
図１６Ａ及びＢでは、Φ１及びΦ４のローブに、最も大きなローブ（Φ４の１で示されている）（図１６Ｂ）から最も小さなローブ（Φ１の４で示されている）（図１６Ａ）まで順番に番号が付けられている。図１６Ａでは、３でマークされたローブなどいくつかのローブが０よりも小さい。０よりも小さいローブには、位相シフトが１８０°の透過率１００％のＡＦを配置しなければならない。図１６Ｃでは、固有関数Φ１及びΦ４から得られる最適マスクがＣＰＬマスクである。塗り潰された領域は位相シフトが０°の透過率１００％の領域、陰影の付いた領域は位相シフトが１８０°の透過率１００％の領域、背景領域は不透明な透過率０％の領域である。
【００５５】
図１７ａには、図１６Ｃの最適マスクの空中像が計算されている。
このｋ１＝０．３９コンタクトについて、最大ピーク強度は焦点ずれ０．２μｍで０．６４５である。この最適マスクの空中像をさらに、最適化されたバイナリ・マスク（図１７Ｂ）、及びＡＦにΦ４からの奇対称性がない、すなわち偶対称性（ｅｖｅｎ  ｓｙｍｍｅｔｒｙ）を有するＣＰＬマスク（図１７Ｃ）と比較する。焦点ずれ０μｍにおいて、最適マスク（図１７Ａ）のピーク強度は０．７７５、バイナリ・マスクのピーク強度は０．５、偶対称性ＣＰＬマスクのピーク強度は０．６である。これから分かるとおり、最適マスクのピーク強度は焦点付近で優れている。
【００５６】
露光寛容度を増大させることに加えて、焦点深度（ＤＯＦ）を最大化することができる。ＤＯＦの増大は、ＤＯＦの増大に対して露光寛容度の増大のバランスをとることによって達成される。まず最初に、ＤＯＦを増大させるため、先に記載したステップ１〜４及び追加のステップ（ステップ５）を実行する。全ての最小化問題と同様に、焦点ｚに関してピーク強度の変化が最小化されればＤＯＦは増大する。数学的にはこれは、焦点に関して強度の偏導関数をとり、式７．０によって表されるこの偏導関数を最小化するマスク透過画像構造を選択することによって達成することができる。Ｇ３（ｘ，ｙ）を最小化することによってＤＯＦは最大になる。
【００５７】
【数５】
2005183981.tif 000007
【００５８】
このステップ（ステップ５）では、その範囲にわたって最大となるＤＯＦ範囲を提供しなければならない。一般的なＤＯＦ範囲は限界寸法（ＣＤ）の３倍である。しかし他の範囲を選択してもよく、範囲の選択は当業者の通常の技術レベルの範囲内に十分に含まれる。
【００５９】
ＥＬの最適化とＤＯＦの最適化の間のトレードオフのため、ステップ５の追加によって、ステップ４で決定された最適化に矛盾がもたらされる。Ｇ２（ｘ，ｙ）が全体の最大となり、同時にＧ３（ｘ，ｙ）が全体の最小となるような最適透過Ｆ（ｘ，ｙ）を選択することはできない。したがって、ＤＯＦを増大させるためには、Ｇ３（ｘ，ｙ）を最小値とし、Ｇ２（ｘ，ｙ）を全体の最大値のある割合とする。
【００６０】
図１８に、ＥＬ及びＤＯＦを最大化するコヒーレント光源の強度分布（ＰＳＦ）を示す。この図から分かるように、最大ＥＬのサイド・ローブ（実線）と最大ＤＯＦのサイド・ローブ（破線）は一致せず、部分的に重なり合っているだけである。したがってＥＬを最大化するのに最適なＡＦ配置はＤＯＦを最大化せず、その逆もまた同様である。
【００６１】
図１９に、ＤＯＦ最大化ＣＰＬマスク、ＥＬ最大化ＣＰＬマスク、及び１４０ｎｍバイナリ・コンタクトの制御マスクの焦点付近のピーク強度のプロットを示す。このグラフには、対応するＤＯＦを最大化するマスク（最大ＤＯＦマスク）とＥＬを最大化するマスク（最大ＥＬマスク）とが重なっており、これらは図１に関して記載したＣＰＬマスクに対応する。
【００６２】
この２つのマスクを比較すると、最大ＤＯＦマスクの位相シフトされた最初の環は、最大ＥＬマスクの位相シフトされた最初の環に比べて中心に近く、かつ幅が広い。ピーク強度を比較すると、最大ＥＬマスクは焦点ずれ０μｍで最も高いピーク強度を有する。しかし、最大ＤＯＦマスクは焦点ずれ０μｍでより小さなピーク強度を有するものの、最大ＤＯＦマスクのピーク強度は焦点付近で最大ＥＬマスクに比べて一定である。
【００６３】
図２０に、クェーサ型照明（λ＝１９３ｎｍ、ＮＡ＝０．７５、σｉｎ＝０．７２、σｏｕｔ＝０．９２、スパン角３０°）に対して生成された最大ＥＬ及び最大ＤＯＦマスクを示す。クェーサ型照明に対する最大ＤＯＦマスクは、最大ＥＬマスクの位相シフトＡＦに比べて中心に近い位相シフトＡＦを有する。この位相シフトＡＦはさらに、最大ＥＬマスクに比べて幅が広い。最大ＥＬマスクは焦点ずれ０μｍで最も高いピーク強度を有する。しかし、最大ＤＯＦマスクは焦点ずれ０μｍでより小さなピーク強度を有するものの、最大ＤＯＦマスクのピーク強度は焦点付近で最大ＥＬマスクに比べて一定である。
【００６４】
いずれの場合（図１９又は図２０）も、設計者は、与えられたパラメータに対して最適なＥＬとＤＯＦの間のトレードオフを選択することができる。
【００６５】
ＩＭＬは、コンタクト層のＥＬ及びＤＯＦを最大化することができる。先に示したアルゴリズムを使用すると、チップ全体の干渉マップを生成することができ、ルール・ベースのＯＰＣを用いてＡＦを配置するのに必要な時間と同じ時間でＡＦを配置することができる。将来、ＡＦのルール・ベースの配置はＡＦのＩＭＬ配置に置き換えられよう。
【００６６】
この開示では主としてコンタクト・ホールの最適化を論じたが、ＩＭＬの理論を使用して、ＡＦを全ての層に配置し、又は全ての層に対するＣＰＬマスクを設計することができる。トレンチ・バックエンド・マスクなどの暗視野マスクに対しては、ディラックのデルタ関数の代わりに行関数を使用する。明視野マスクに関しては、先に論じた理論とともにバビネの原理を使用する。バビネの原理では、明視野マスクをその相補物である暗視野マスクに置き換える。この相補暗視野マスクを用い、先に論じた理論に従ってＡＦを配置する。この相補暗視野マスクにＡＦを配置した後、バビネの原理を使用してそれを再び明視野マスクに変換することができる。
【００６７】
さらに、先に記載した技法を、コンタクト・プリントのための交代ＰＳＭ（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ  ＰＳＭ）に適用して、ＡＦの配置及び位相を最適化することができる。一般に交代ＰＳＭでは、位相シフトＡＦを一組のルールに基づいて配置する。交代ＰＳＭに対してＩＭＬを使用するこの方法では、まず最初にマスク上のコンタクト・ホールに色をつける。すなわちコンタクトに交代ＰＳＭを適用する。しかしステップ１を修正する必要がある。ステップ１は、位相シフトが１８０°の全てのコンタクトをディラックのデルタ関数の逆関数−δ（ｘ−ｘｉ，ｙ−ｙｉ）に置き換えることによって修正され、シフトのない全てのコンタクトがディラックのデルタ関数δ（ｘ−ｘｉ，ｙ−ｙｉ）を使用する。この修正の後、残りのステップ２から５を使用して、位相シフト０°のＡＦ及び位相シフト１８０°のＡＦを配置する。
【００６８】
交代ＰＳＭに加えて、ＩＭＬは、近隣のコンタクトの位相を推奨することができる。例えば、あるコンタクトのピッチが、Φ１が０よりも小さくなるようなものであるときには、このコンタクトの位相をシフトさせなければならない。Φ１の位相に基づいてこのコンタクトの位相をシフトさせることによって、禁制ピッチ領域を排除することができる。
【００６９】
先に論じたとおり、ＥＬ又はＤＯＦを最大化し、或いはこれらの２つの基準間のトレードオフを満足する補助画像構造サイズが決定される。補助画像構造の離隔距離はピーク強度を最大化する別の因子である。図２１にＡＦの離隔距離を示す。これは第１のＡＦの中点から第２のＡＦの中点までに対応する。
【００７０】
従来の方法によれば、ＡＦの離隔距離はホプキンズ（Ｈｏｐｋｉｎｓ）の公式を使用して求めることができる。しかし、ＡＦの離隔距離は、図２２〜２５に示すように第１固有関数Φに基づいて近似することができる。これらの図は、ホプキンズの公式（図２２Ａ、２３Ａ、２４Ａ及び２５Ａ）及び第１の固有関数（図２２Ｂ、２３Ｂ、２４Ｂ及び２５Ｂ）に基づいて決定された、ＡＦの離隔距離とコンタクト・サイズのプロットを示している。図２２〜２３は、バイナリ・マスクに対して求められた最大ピーク強度を示し、図２４〜２５は０％減衰ＰＳＭマスクの最大ピーク強度を示す。
【００７１】
ホプキンズに従って求められたプロット２２Ａと第１固有関数を使用して求められた近似のプロット２２Ｂとを比較すると、バイナリ・マスクについては、ホプキンズ公式を使用する代わりに、第１固有関数又は第１カーネルΦ１によって、ピーク強度を最大化するコンタクト・サイズの範囲に対して最適なＡＦ離隔距離を近似することができる。
【００７２】
言い換えると、２２Ａと２２Ｂ、２３Ａと２３Ｂ、２４Ａと２４Ｂ、及び２５Ａと２５Ｂの比較は、最適なＡＦ離隔距離を正確に予測するためには固有関数が１つあれば十分であることを示している。
【００７３】
将来、ＩＭＬは、さまざまな解像度向上技法を最適化する欠くことのできない要素となろう。可能な１つのシナリオは、最初に、メモリ・デバイスのコア又は論理デバイスの限界パターンに関して源とマスクを同時に最適化することである。次いで最適化された源をコア又は限界パターンに対して使用し、デバイスの残り部分（メモリ・デバイスの周辺又は論理デバイスの非限界パターン）にＩＭＬを適用する。ＴＣＣの固有関数を、製造のための設計（ｄｅｓｉｇｎ  ｆｏｒ  ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｅ：ＤＦＭ）で使用することもできる。固有関数はデバイスを設計する数学的基礎を表す。例えば、第１固有関数Φ１が０よりも小さい領域は禁制ピッチ範囲を表し、設計においては回避しなければならない。第１固有関数を用いると、設計者は、リソグラフィ性能に関する設計のロバストネスをすぐにチェックすることができる。
【００７４】
図２６に、本発明を用いて設計されたマスクとともに使用するのに適したリソグラフィ投影装置を概略的に示す。この装置は、
−放射投影ビームＰＢを供給する放射系Ｅｘ、ＩＬ、及びこの特定のケースではさらに放射源ＬＡと、
−マスクＭＡ（例えばレチクル）を保持するマスク・ホルダを備え、アイテムＰＬに対してマスクを正確に配置する第１の位置決め手段に接続された第１の物体テーブル（マスク・テーブル）ＭＴと、
−基板Ｗ（例えばレジストでコーティングされたシリコン・ウェーハ）を保持する基板ホルダを備え、アイテムＰＬに対して基板を正確に配置する第２の位置決め手段に接続された第２の物体テーブル（基板テーブル）ＷＴと、
−マスクＭＡの照射された部分を、基板Ｗの（例えば１つ又は複数のダイを含む）標的部分Ｃの表面に結像させる投影系（「レンズ」）ＰＬ（例えば屈折、反射又は反射屈折光学系）と
を備えている。
【００７５】
図示のとおり、この装置は反射型の装置である（すなわち反射マスクを有する）。しかし一般に、例えば（例えばトランスミッションマスクを有する）透過型装置とすることもできる。この装置は或いは、マスクを使用する代わりに他の種類のパターン形成手段を使用することもでき、その例にはプログラム可能ミラー・アレイ、ＬＣＤマトリックスなどがある。
【００７６】
放射源ＬＡ（例えば水銀ランプ又はエキシマ・レーザ）は放射ビームを生み出す。このビームは直接に、又は例えばビーム・エキスパンダＥｘなどの調整手段を通過させた後に、照明系（照明装置）ＩＬに供給される。照明装置ＩＬは、ビームの角強度分布の半径方向外側及び／又は半径方向内側の広がり（普通はそれぞれσ内側及びσ外側と呼ばれる）を設定する調整手段ＡＭを備えることができる。さらに照明装置は一般に、インテグレータＩＮ、コンデンサＣＯなど、他のさまざまな構成要素を備える。このようにして、マスクＭＡに入射するビームＰＢは、所望の均一性及び断面強度分布を有する。
【００７７】
図２６に関して、放射源ＬＡは、（例えば放射源ＬＡが水銀ランプであるときにしばしばそうであるように）リソグラフィ投影装置のハウジングの中に収容することができるが、放射源をリソグラフィ投影装置から離して配置し、放射源が生み出した放射ビームを（例えば適当な誘導ミラーを用いて）装置に供給するようにすることもできることに留意されたい。この後者のシナリオは、放射源ＬＡが（例えばＫｒＦ、ＡｒＦ又はＦ２レージングに基づく）エキシマ・レーザであるときにしばしば用いられる。本発明は少なくともこれらの両方のシナリオを包含する。
【００７８】
投影ビームＰＢは、その後マスク・テーブルＭＴ上に保持されたマスクＭＡで反射される。マスクＭＡで反射された後、投影ビームＰＢはレンズＰＬを通過する。レンズＰＬは投影ビームＰＢを、基板Ｗの標的部分Ｃの表面に集束させる。第２の位置決め手段（及び干渉計測定手段ＩＦ）を用いて、基板テーブルＷＴを、例えばビームＰＢの光路に別の標的部分Ｃが配置されるように正確に移動させることができる。同様に、第１の位置決め手段を使用して、例えばマスクＭＡをマスク・ライブラリから機械的に取り出した後に、又は走査中に、マスクＭＡをビームＰＢの経路に対して正確に配置することができる。物体テーブルＭＴ及びＷＴの移動は一般に、図２６には明示されていない長ストローク・モジュール（おおまかな位置決め）及び短ストローク・モジュール（細かい位置決め）を用いて実現される。しかし、ウェーハ・ステッパの場合には（走査ステップ式ツールとは対照的に）、マスク・テーブルＭＴを短ストローク・アクチュエータにだけ接続し、又はマスク・テーブルＭＴを固定することができる。
【００７９】
図示のツールは異なる２つのモードで使用することができる。
−ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴを実質的に静止した状態に保ち、マスクの像全体を１つの標的部分Ｃの表面に一度に（すなわち１回の「フラッシュ」で）投影する。次いで、ビームＰＢによって別の標的部分Ｃを照射できるように、基板テーブルＷＴをＸ及び／又はＹ方向に移動させる。
−走査モードでは、本質的に同じシナリオが適用されるが、与えられた標的部分Ｃが１回の「フラッシュ」では露光されない点が異なる。その代わりに、マスク・テーブルＭＴが、与えられた方向（いわゆる「走査方向」、例えばｙ方向）に速度ｖで移動することができ、そのため投影ビームＰＢはマスクの像の上を走査する。同時に、基板テーブルＷＴを、同じ方向又は反対方向に速度Ｖ＝Ｍｖで同期移動させる。ただし、ＭはレンズＰＬの倍率である（一般にＭ＝１／４又は１／５）。このようにすると、解像度を犠牲にすることなく、比較的に大きな標的部分Ｃを露光することができる。
【００８０】
本明細書に開示した概念は、サブ波長画像構造を結像する任意の総称結像系をシミュレートし又は数学的にモデル化することができ、ますます小さなサイズの波長を生み出すことができる将来の結像技術とともに使用すると特に有効である。すでに使用されている将来の技術には、ＡｒＦレーザを使用して１９３ｎｍ波長を生み出すことができ、フッ素レーザを使用して１５７ｎｍ波長を生み出すことができるＥＵＶ（極端紫外線）リソグラフィが含まれる。さらに、ＥＵＶリソグラフィは、シンクロトロンを使用することによって２０〜５ｎｍの範囲の波長を生み出し、又は高エネルギー電子を物質（固体又はプラズマ）に衝突させることによってこの範囲の光子を生み出すことができる。ほとんどの物質はこの範囲では吸収性なので、モリブデン及びシリコンの多重スタックを有する反射ミラーによって照明を生み出すことができる。この多重スタック・ミラーは、モリブデンとシリコンの組を４０層持つ。それぞれの層の厚さは４分の１波長である。Ｘ線リトグラフィを用いるとよりいっそう短い波長を生み出すことができる。Ｘ線波長を生み出すために一般にシンクロトロンが使用される。ほとんどの物質がＸ線波長で吸収性なので、吸収性材料の薄片が、画像構造が印刷されるのか（ポジ型フォトレジスト）か、又は印刷されないのか（ネガ型フォトレジスト）を規定する。
【００８１】
本明細書に開示の概念は、シリコン・ウェーハなどの基板上への結像に使用することができるが、開示の概念を、任意のタイプのリソグラフィ結像系、例えばシリコン・ウェーハ以外の基板上への結像に使用されるリソグラフィ結像系とともに使用できることを理解されたい。
【００８２】
コンピュータ・システムのソフトウェア機能は、実行可能コードを含むプログラミングを含み、先に説明した結像モデルを実現するために使用することができる。このソフトウェア・コードは汎用コンピュータによって実行可能である。動作時、コード及びおそらく関連データ・レコードは汎用コンピュータ・プラットホームに記憶される。しかしそれ以外のときには、ソフトウェアを他の場所に記憶し、かつ／又はこれを移送して適当な汎用コンピュータ・システムにロードすることができる。したがって、これまでに論じた実施例は、少なくとも１つの機械可読媒体によって保持された１つ又は複数のコード・モジュールの形態の１つ又は複数のソフトウェア製品を含む。コンピュータ・システムのプロセッサがこのようなコードを実行することによって、プラットホームは、本明細書で論じ図示した実施例において実質上実行される方法で、カタログ及び／又はソフトウェア・ダウンロード機能を実現することができる。
【００８３】
本明細書で使用するコンピュータ「可読媒体」、機械「可読媒体」などの用語は、実行のためプロセッサに命令を与える際に関与する任意の媒体を指す。このような媒体は、不揮発性媒体、揮発性媒体及び伝送媒体を含む多くの形態をとることができる。ただしこれらに限定されるわけではない。不揮発性媒体には例えば、先に論じたサーバ・プラットホームの１つとして動作するコンピュータの中の記憶装置などの光又は磁気ディスクが含まれる。揮発性媒体には、このようなコンピュータ・プラットホームのメイン・メモリなどのダイナミック・メモリが含まれる。物理伝送媒体には、コンピュータ・システム内のバスを含むワイヤを含む、銅線及び光ファイバ等の同軸ケーブルが含まれる。搬送波伝送媒体は、無線周波（ＲＦ）及び赤外線（ＩＲ）データ通信中に生成されるものなどの電気信号、電磁気信号、音波又は光波の形態をとることができる。したがってコンピュータ可読媒体の一般的な形態には例えば、フロッピー（登録商標）・ディスク、フレキシブル・ディスク、ハード・ディスク、磁気テープ、他の磁気媒体、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ、他の光媒体、あまり一般的でないパンチ・カード、紙テープ、穿孔パターンを有する他の物理媒体などの媒体、ＲＡＭ、ＰＲＯＭ及びＥＰＲＯＭ、フラッシュＥＰＲＯＭ、他のメモリ・チップ又はカートリッジ、データ又は命令を運ぶ搬送波、このような搬送波を運ぶケーブル又はリンク、或いはコンピュータがそれからプログラミング・コード及び／又はデータを読み取ることができる他の媒体が含まれる。これらの形態のコンピュータ可読媒体の多くを、１つ又は複数の命令からなる１つ又は複数のシーケンスを実行のためプロセッサに送る際に関与させることができる。
【００８４】
本発明を詳細に説明し図示したが、それらの説明及び図は例示のためのものに過ぎず、本発明を限定しようとするものではないことを明確に理解されたい。本発明の範囲は添付の請求項の用語によってのみ限定される。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１（ａ）】点像分布関数（ＰＳＦ）のプロットを示す図である。
【図１（ｂ）】ＰＳＦとバイナリ・フレネル・レンズの間の相関を示す図である。
【図１（ｃ）】ＰＳＦとＣＰＬフレネル・レンズの間の相関を示す図である。
【図２】バイナリ・マスク及びＣＰＬマスクのｘ軸に沿った正規化された空中像を示す図である。
【図３（ａ）】７つのコンタクト・ホールからなる例示的なランダム・パターンを示す図である。
【図３（ｂ）】図３（ａ）に示したパターンに対応した干渉マップを示す図である。
【図４（ａ）】図３（ａ）のコンタクト・ホール・パターン用の例示的なＣＰＬマスクを示す図である。
【図４（ｂ）】図４（ａ）のマスクに対応した空中像を示す図である。
【図５】補助画像構造の配置を決定し、ＥＬ及びＤＯＦを最大化するためのステップの流れ図である。
【図６（ａ）】さまざまな照明に対する固有値のプロットを示す図である。
【図６（ｂ）】孤立したコンタクト・ホール及び２コンタクト・ホールについて、それぞれの固有番号に対する固有値を記載した表である。
【図７Ａ−１】クェーサ型照明に対する第１固有関数のプロットを示す図である。
【図７Ａ−２】クェーサ型照明に対する第１固有関数のプロットを示す図である。
【図７Ｂ−１】Ｃｑｕａｄ型照明に対する第１固有関数のプロットを示す図である。
【図７Ｂ−２】Ｃｑｕａｄ型照明に対する第１固有関数のプロットを示す図である。
【図７Ｃ−１】環状照明に対する第１固有関数のプロットを示す図である。
【図７Ｃ−２】環状照明に対する第１固有関数のプロットを示す図である。
【図７Ｄ−１】従来型の照明に対する第１固有関数のプロットを示す図である。
【図７Ｄ−２】従来型の照明に対する第１固有関数のプロットを示す図である。
【図８】さまざまなタイプの照明に対するｘ軸に沿った空中像を示す図である。
【図９】ＣＰＬマスク及びバイナリ・マスクに対するｘ軸に沿った空中像を示す図である。
【図１０（ａ）】ディラックのデルタ関数に置き換えられたコンタクト・ホールを有する図３（ａ）のマスクを示す図である。
【図１０（ｂ）】クェーサ型照明に対して生成された固有関数の空中像を示す図である。
【図１０（ｃ）】図１０（ａ）のマスク表示と図１０（ｂ）の空中像（固有関数）との畳込みから得られた空中像を示す図である。
【図１１】図１０（ｃ）の空中像に従って最適化したバイナリ・マスクを示す図である。
【図１２（ａ）】０μｍの焦点に関してプロットした図１１の最適化されたマスクの空中像を示す図である。
【図１２（ｂ）】０．１μｍの焦点に関してプロットした図１１の最適化されたマスクの空中像を示す図である。
【図１２（ｃ）】０．２μｍの焦点に関してプロットした図１１の最適化されたマスクの空中像を示す図である。
【図１３】図３（ａ）のマスクに対して生成されたＣｑｕａｄ型照明に対する干渉マップを示す図である。
【図１４】図１３の干渉マップについて露出寛容度を最適化するバイナリ・マスクを示す図である。
【図１５（ａ）】０μｍの焦点についてプロットした図１４の最適化されたマスクの空中像を示す図である。
【図１５（ｂ）】０．１μｍの焦点についてプロットした図１４の最適化されたマスクの空中像を示す図である。
【図１５（ｃ）】０．２μｍの焦点についてプロットした図１４の最適化されたマスクの空中像を示す図である。
【図１６（ａ）】クェーサ型照明に対してプロットされた第１固有関数を示す図である。
【図１６（ｂ）】クェーサ型照明に対してプロットされた第４固有関数を示す図である。
【図１６（ｃ）】図１６（ａ）〜（ｂ）の第１及び第４固有関数に従って生成された最適化されたＣＰＬマスクを示す図である。
【図１７Ａ−１】焦点付近でプロットした、図１６（ｃ）の最適化されたＣＰＬマスクの空中像を示す図である。
【図１７Ａ−２】焦点付近でプロットした、図１６（ｃ）の最適化されたＣＰＬマスクの空中像を示す図である。
【図１７Ａ−３】焦点付近でプロットした、図１６（ｃ）の最適化されたＣＰＬマスクの空中像を示す図である。
【図１７Ａ−４】焦点付近でプロットした、図１６（ｃ）の最適化されたＣＰＬマスクの空中像を示す図である。
【図１７Ｂ−１】焦点付近でプロットした、最適化されたバイナリ・マスクの空中像を示す図である。
【図１７Ｂ−２】焦点付近でプロットした、最適化されたバイナリ・マスクの空中像を示す図である。
【図１７Ｂ−３】焦点付近でプロットした、最適化されたバイナリ・マスクの空中像を示す図である。
【図１７Ｂ−４】焦点付近でプロットした、最適化されたバイナリ・マスクの空中像を示す図である。
【図１７Ｃ−１】焦点付近でプロットした、奇対称性を有する図１６（ｃ）の最適化されたＣＰＬマスクの空中像を示す図である。
【図１７Ｃ−２】焦点付近でプロットした、奇対称性を有する図１６（ｃ）の最適化されたＣＰＬマスクの空中像を示す図である。
【図１７Ｃ−３】焦点付近でプロットした、奇対称性を有する図１６（ｃ）の最適化されたＣＰＬマスクの空中像を示す図である。
【図１７Ｃ−４】焦点付近でプロットした、奇対称性を有する図１６（ｃ）の最適化されたＣＰＬマスクの空中像を示す図である。
【図１８】露出寛容度及び焦点深度を最大化するためのｘ軸に沿った空中像を示すグラフである。
【図１９Ａ】ＤＯＦが最大になるように最適化されたＣＰＬマスク、ＥＬが最大になるように最適化されたＣＰＬマスク、及び従来型のマスクの焦点付近のピーク強度を示すグラフである。
【図１９Ｂ】ＤＯＦが最大になるように最適化されたＣＰＬマスク、ＥＬが最大になるように最適化されたＣＰＬマスク、及び従来型のマスクの焦点付近のピーク強度を示すグラフである。
【図１９Ｃ】ＤＯＦが最大になるように最適化されたＣＰＬマスク、ＥＬが最大になるように最適化されたＣＰＬマスク、及び従来型のマスクの焦点付近のピーク強度を示すグラフである。
【図２０Ａ】ＤＯＦが最大になるように最適化されたクェーサ型照明用のＣＰＬマスク、ＥＬが最大になるように最適化されたクェーサ型照明用のＣＰＬマスク、及び従来型のマスクの焦点付近のピーク強度を示すグラフである。
【図２０Ｂ】ＤＯＦが最大になるように最適化されたクェーサ型照明用のＣＰＬマスク、ＥＬが最大になるように最適化されたクェーサ型照明用のＣＰＬマスク、及び従来型のマスクの焦点付近のピーク強度を示すグラフである。
【図２０Ｃ】ＤＯＦが最大になるように最適化されたクェーサ型照明用のＣＰＬマスク、ＥＬが最大になるように最適化されたクェーサ型照明用のＣＰＬマスク、及び従来型のマスクの焦点付近のピーク強度を示すグラフである。
【図２１】コンタクト・ホール及び補助画像構造を示す図である。
【図２２（ａ）】ホプキンズに従って決定された強度に基づくコンタクト・サイズとＡＦ離隔距離のグラフである。
【図２２（ｂ）】固有関数を使用することによって決定された強度に基づくコンタクト・サイズとＡＦ離隔距離のグラフである。
【図２３（ａ）】ホプキンズに従って決定された強度差に基づくコンタクト・サイズとＡＦ離隔距離のグラフである。
【図２３（ｂ）】固有関数を使用することによって決定された強度差に基づくコンタクト・サイズとＡＦ離隔距離のグラフである。
【図２４（ａ）】ホプキンズに従って決定された強度に基づくコンタクト・サイズとＡＦ離隔距離のグラフである。
【図２４（ｂ）】固有関数を使用することによって決定された強度に基づくコンタクト・サイズとＡＦ離隔距離のグラフである。
【図２５（ａ）】ホプキンズに従って決定された強度差に基づくコンタクト・サイズとＡＦ離隔距離のグラフである。
【図２５（ｂ）】固有関数を使用することによって決定された強度差に基づくコンタクト・サイズとＡＦ離隔距離のグラフである。
【図２６】本発明を用いて設計されたマスクとともに使用するのに適したリソグラフィ投影装置を概略的に示す図である。
【符号の説明】
【００８６】
１  リソグラフィ投影装置
ＬＡ  放射源
Ｅｘ  ビーム・エキスパンダ
ＩＬ  照明系
ＡＭ  調整手段
ＩＮ  インテグレータ
ＣＯ  コンデンサ
ＰＢ  投影ビーム
ＭＡ  マスク
Ｍ１  マスク・アライメント・マーク
Ｍ２  マスク・アライメント・マーク
Ｃ  標的部分
ＭＴ  マスク・テーブル
ＰＭ  第１の位置決め手段
ＩＦ  干渉計測定手段
ＰＬ  投影系（レンズ）
Ｗ  基板
Ｐ１  基板アライメント・マーク
Ｐ２  基板アライメント・マーク
ＷＴ  基板テーブル
ＰＷ  第２の位置決め手段
【図１（ａ）】
2005183981.tif 000008
【図２】
2005183981.tif 000009
【図３（ａ）】
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【図５】
2005183981.tif 000011
【図６（ａ）】
2005183981.tif 000012
【図６（ｂ）】
2005183981.tif 000013
【図８】
2005183981.tif 000014
【図９】
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【図１０（ａ）】
2005183981.tif 000016
【図１１】
2005183981.tif 000017
【図１４】
2005183981.tif 000018
【図１６（ｃ）】
2005183981.tif 000019
【図１７Ａ−１】
2005183981.tif 000020
【図１７Ｂ−１】
2005183981.tif 000021
【図１７Ｃ−１】
2005183981.tif 000022
【図１８】
2005183981.tif 000023
【図１９Ａ】
2005183981.tif 000024
【図２０Ａ】
2005183981.tif 000025
【図２１】
2005183981.tif 000026
【図２６】
2005183981.tif 000027
【図１（ｂ）】
2005183981.tif 000028
【図１（ｃ）】
2005183981.tif 000029
【図３（ｂ）】
2005183981.tif 000030
【図４（ａ）】
2005183981.tif 000031
【図４（ｂ）】
2005183981.tif 000032
【図７Ａ−１】
2005183981.tif 000033
【図７Ａ−２】
2005183981.tif 000034
【図７Ｂ−１】
2005183981.tif 000035
【図７Ｂ−２】
2005183981.tif 000036
【図７Ｃ−１】
2005183981.tif 000037
【図７Ｃ−２】
2005183981.tif 000038
【図７Ｄ−１】
2005183981.tif 000039
【図７Ｄ−２】
2005183981.tif 000040
【図１０（ｂ）】
2005183981.tif 000041
【図１０（ｃ）】
2005183981.tif 000042
【図１２（ａ）】
2005183981.tif 000043
【図１２（ｂ）】
2005183981.tif 000044
【図１２（ｃ）】
2005183981.tif 000045
【図１３】
2005183981.tif 000046
【図１５（ａ）】
2005183981.tif 000047
【図１５（ｂ）】
2005183981.tif 000048
【図１５（ｃ）】
2005183981.tif 000049
【図１６（ａ）】
2005183981.tif 000050
【図１６（ｂ）】
2005183981.tif 000051
【図１７Ａ−２】
2005183981.tif 000052
【図１７Ａ−３】
2005183981.tif 000053
【図１７Ａ−４】
2005183981.tif 000054
【図１７Ｂ−２】
2005183981.tif 000055
【図１７Ｂ−３】
2005183981.tif 000056
【図１７Ｂ−４】
2005183981.tif 000057
【図１７Ｃ−２】
2005183981.tif 000058
【図１７Ｃ−３】
2005183981.tif 000059
【図１７Ｃ−４】
2005183981.tif 000060
【図１９Ｂ】
2005183981.tif 000061
【図１９Ｃ】
2005183981.tif 000062
【図２０Ｂ】
2005183981.tif 000063
【図２０Ｃ】
2005183981.tif 000064
【図２２（ａ）】
2005183981.tif 000065
【図２２（ｂ）】
2005183981.tif 000066
【図２３（ａ）】
2005183981.tif 000067
【図２３（ｂ）】
2005183981.tif 000068
【図２４（ａ）】
2005183981.tif 000069
【図２４（ｂ）】
2005183981.tif 000070
【図２５（ａ）】
2005183981.tif 000071
【図２５（ｂ）】
2005183981.tif 000072
【外国語明細書】
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