(57)【要約】【課題】集合基板を単位に加工してコストダウンを計る。【解決手段】個別セラミック基板２を多数個取りする集合基板１０２を個別基板に分割するための分割溝２９が交差する各個別基板の四隅にはスルーホール２ｃが形成されている。基板下面のスルーホール２ｃの周囲にはコーナー電極２２ｃが形成されており、スルーホール２ｃの内部には側面配線層２８が形成されている。セラミック基板２の両短辺に近接して形成されている一対の端子電極２２は、基板上面の一対の接続電極２１と内部配線を介して導通しており、また、コーナー電極２２ｃを介して側面配線層２８に導通している。端子電極２２とコーナー電極２２ｃは分割溝２９に沿って形成された十字穴３０で個別基板毎に切り離され絶縁されている。各配線層、各電極面にはＮｉ−Ａｕ無電解メッキが施されている。【選択図】      図１
2005072050.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の個別基板を配列した集合基板に形成される電子デバイス基板において、電子デバイスと導通する端子電極と、該端子電極と導通し且つ前記個別基板の側面に形成される側面配線層とを有するとともに、前記集合基板に形成されている隣り合う個別基板の各電極が個別基板毎に互いに電気的に絶縁されるような切断部を有することを特徴とする電子デバイス基板。
【請求項２】
前記電子デバイス基板には、前記電子デバイスと導通する接続電極を有し、該接続電極は前記端子電極と導通すると共に、該端子電極はコーナー電極を介して前記側面配線層と導通しており、前記コーナー電極も前記切断部により個別基板毎に互いに電気的に絶縁されていることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス基板。
【請求項３】
前記集合基板は複数のグリーンシートを積層して成るセラミック基板であり、前記側面配線層は少なくとも最下層のグリーンシートに設けられたホール部に形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電子デバイス基板。
【請求項４】
前記切断部は十字状に形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の電子デバイス基板。
【請求項５】
前記電子デバイスが圧電デバイスであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の電子デバイス基板。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の電子デバイス基板に前記電子デバイスを搭載し、該電子デバイスを蓋部材で封止した後に前記集合基板を前記切断部に沿って切断して得られることを特徴とする電子デバイス。
【請求項７】
複数の個別基板を配列したグリ−ンシート状の集合基板上に、前記個別基板に分割する分割溝が交差する位置に側面配線層を有するホール部を形成し、前記ホール部周辺のコーナー電極と前記側面配線層とを前記個別基板毎に電気的に絶縁する切断部を形成し、焼成後の前記集合基板上の各電極に無電解メッキを施すことによって前記集合基板を形成する工程と、前記集合基板の各個別基板に電子デバイス体を搭載する工程と、前記集合基板上の前記電子デバイスを駆動して電気的調整をする工程と、調整した前記電子デバイスを蓋部材で封止して集合電子デバイスを形成する工程と、前記集合電子デバイスを切断して単個の電子デバイスを得る工程を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記電子デバイスが圧電デバイスであることを特徴とする請求項７記載の電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子デバイス基板、電子デバイス及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、水晶振動体などの圧電振動体を含む圧電デバイスや各種センサー素子を含むセンサーである電子デバイスは、各種産業用あるいは民生用電子機器などに広く適用されている。このような電子デバイスは、回路基板への高密度実装に適するように、他の電子部品と同様に小型チップ化されて、電子機器の回路基板の片面だけで半田付けできる表面実装型のものが出現している。そして、携帯電話に代表される携帯用通信機器等の普及に伴い、電子機器の小型化・軽量化が求められ、電子デバイスの小型化、軽量化、そしてコストダウンの要求がますます強くなっている。
【０００３】
一方、こうした電子機器、電子装置の小型化の進行に伴い、その製造或は取り扱いを容易にするために、他の一般の電子部品と同様に、複数の電子装置を多数個取りできる集合基板を用いて各工程を処理する方法が、電子装置の望ましい製造方法と考えられ、さまざまな集合基板による製造方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
このような従来の電子デバイスの一例として、圧電デバイスの内水晶振動子を取り上げて説明する。まず、この水晶振動子の構成について説明する。図１０は従来の水晶振動子で（ａ）は平面図、（ｂ）は底面図であり、図１１は同じ水晶振動子の（ｃ）は側面図、（ｄ）は断面図である。図１０、図１１において、７０は表面実装型の水晶振動子であり、６２は水晶振動子７０の筐体を構成する平板状のセラミック基板、３はその上を覆ったコバール（Ｆｅ／Ｎｉ／Ｃｏ合金）製の箱形の蓋部材である。１２はセラミック基板６２の表面に形成された電子要素を収納する方形のキャビティである。１は前述の電子要素としての水晶振動体であり、キャビティ１２と蓋部材３とで規定される内部空間に実装されている。
【０００５】
２１は、セラミック基板６２の上面に、蓋部材３と導通しないように形成された配線層である一対の接続電極であり、２２は同じく下面に形成された配線層である一対の端子電極である。２３はホール部であるスルーホール２３ａに形成された内部配線であり、一方の接続電極２１と一方の端子電極２２とを導通させている。他方の接続電極２１と他方の端子電極２２とを導通させる内部配線は省略してある。２４は導電ペーストであり、水晶振動体１の一端の電極部は導電ペースト２４を介して接続電極２１の上に接合されている。２６は、蓋部材３の接合位置として、セラミック基板６２の表面に形成された配線層であるメタライズ層であり、２５は、メタライズ層２６上に形成された低温金属ロウ材から成る接合層である。蓋部材３は接合層２５を介してセラミック基板６２のメタライズ層２６に溶着されている。
【０００６】
２８は、セラミック基板６２の各コーナーに形成されたスルーホール６２ｃに形成された側面配線層であり、側面配線層２８は、端子電極２２から各２カ所のコーナー電極２２ｃを経て延在して形成されている。この側面配線層２８の役割は、水晶振動子７０を電子機器の回路基板に半田付けした場合に、端子電極２２が回路基板の配線パターンへ良好に半田接合されたか否かを、側面配線層２８に濡れ上がった半田を上から視認することによって確認することができる。
【０００７】
次に、水晶振動子７０の製造方法について、図面を参照して工程順に説明する。図１２は水晶振動子７０の製造工程を示すフローチャートである。図１３は集合基板の製造工程を説明するためのグリーンシート状の定尺シートで、（ａ）は上面側の平面図、（ｂ）は下面側の平面図である。図１４は積層グリーンシート状の集合基板の（ａ）は平面図、（ｂ）は図１４（ａ）のＣ−Ｃ矢視断面の要部を示す部分断面図である。図１５は集合基板を示す（ａ）は上面図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は下面図である。図１６は水晶振動子の組立工程を工程順に説明するための断面図である。
【０００８】
まず、集合状態のセラミック基板１６２を製造する集合基板形成工程Ｓ１について説明する。初めに、グリーンシート形成工程Ｓ１１において、アルミナを主原料とするセラミック粉末、バインダ等を含むスラリーから、長尺で定尺幅のグリーンシートを成形する。その後、この長尺シートから予め設定された収縮率に基づいた寸法になるように、個別セラミック基板６２を多数個取りする大きさの定尺シートの外形をプレス抜きする。セラミック基板１６２は本実施の形態では２層構造とし、図１３（ａ）の上面側定尺シート１６２ａと（ｂ）の下面側定尺シート１６２ｂを積層した構造を有する。
【０００９】
図１３（ｂ）に下面側定尺シート１６２ｂとして示すように、後の積層処理のための基準となる作業穴２７、個別セラミック基板６２のコーナーに対応するホール部であるスルーホール６２ｃ、更に上下電極を接続するためのスルーホール２３ａ（ここでは図示していない）も開孔して、定尺シート１６２ｂを形成する。図には、後の工程で加工されるのだが、集合基板を個別基板に分割するための分割溝２９も、理解の補助のため点線で便宜的に示されている。図１３（ａ）は上面側定尺シート１６２ａで、（ｂ）の構成の他、キャビティ１２が形成される。上面側定尺シート１６２ａは、下面側定尺シート１６２ｂから作業穴２７を基準にして、キャビティ１２をプレス成形して形成する。
【００１０】
次いで、配線層形成工程Ｓ１２において、定尺シート１６２ａと１６２ｂの各々のスルーホール６２ｃ及びスルーホール２３ａには、Ｗ、Ｍｏ等の高融点金属から成る厚膜導体ペーストを充填する。また、定尺シート１６２ａの表面側には接続電極２１及びメタライズ層２６を形成する。定尺シート１６２ｂの表面側には図示しない内部配線層、裏面側には端子電極２２を形成する。これら電極やメタライズ層、配線層には、それぞれＷ、Ｍｏ等の高融点金属から成る厚膜導体ペーストを塗布する。
【００１１】
次に、シート積層工程Ｓ１３に移行して、定尺シート１６２ａ及び１６２ｂを、予め定められた組み合わせで積層圧着させる。シート積層工程は、例えば、２００〜２５０℃で一定時間にわたってプレス圧着することによって行うことができる。図１４はこのようにして得られた積層グリーンシート状の集合基板を示している。
【００１２】
次いで、分割溝形成工程Ｓ１４に移行して、得られた積層グリーンシート状の集合基板１６２に対して、図１５（ｂ）に示すように、厚みの約５０％のところまで金型にて切り込むことによって分割溝２９を形成する。ここで、集合基板１６２上の全てのセラミック基板６２の配線間は後の工程で各配線層に電解メッキを施すために、相互に接続されている。
【００１３】
その後、焼成工程Ｓ１５に移行して、積層グリーンシートを水素雰囲気中にて１５５０〜１６５０℃で焼成する。この焼成で寸法が約２０％収縮する。その後メッキ工程Ｓ１６に移行して、各配線面にＡｕの電解メッキが施される。こうして、図１５に示すように、キャビティ１２、接続電極２１、端子電極２２、メタライズ層２６、内部配線２３、分割溝２９及び側面配線層２８が形成された単個のセラミック基板６２を多数個取りできる集合基板１６２が完成する。
【００１４】
図１５（ｃ）に示すように、各スルーホール６２ｃにおいて互いに隣接する四つの個別セラミック基板６２の端子電極２２は、コーナー電極２２ｃ及び側面配線層２８を介して互いに導通している。
【００１５】
次に、集合基板の分割工程Ｓ２に移行して、集合基板１６２をその分割溝２９のところでダイシングにより切り分けると、それぞれが水晶振動子の単位に相当する個別セラミック基板６２が得られる。
【００１６】
次に、図１６により水晶振動子の組立工程Ｓ３について説明する。まず、振動体実装工程Ｓ３１において、セラミック基板６２を図１６（ａ）に示すように、キャリア（搬送治具）１００に装填し、次に、図１６（ｂ）に示すように、セラミック基板６２の上の接続電極２１に導電ペースト２４を塗布し、水晶振動体１を搭載し、その後に加熱する。例えば、導電ペースト２４がＡｇ含有の熱硬化性樹脂であるとき、その加熱温度は約１８０℃である。
【００１７】
水晶振動体１の実装が完了した後、セラミック基板６２は図１６（ｃ）に示す周波数の調整工程Ｓ３２に移行する。ここで、セラミック基板６２を、マスク１０１ａを備えた専用のキャリア１０１に装填し直してから周波数調整機に投入し、真空雰囲気内で水晶振動体１を駆動発振させ、測定した周波数に応じて水晶振動体１の一部にＡｕを蒸着する等によって行う。勿論、レーザーによる錘取り等の方法でも良い。
【００１８】
周波数調整後のセラミック基板６２は、カーボン治具１０２に移し替えて、図１６（ｄ）に示す封止工程Ｓ３３に移行する。ここでは、予めセラミック基板６２のメタライズ層２６上の接合位置に枠状に形成された箔状の低温金属ロウ材（ここでは、Ａｕ−Ｓｎ合金のロウ材を使用）を配設して接合層２５を形成した後、セラミック基板６２と蓋部材３（ここではコバールを使用）とを重ね合わせて、専用のカーボン治具１０２に収納した状態で、真空又は窒素雰囲気の封止炉内で接合層２５を介してロウ付けし気密封止する。このようにして作製した水晶振動子７０は、完成検査の後に市場に出荷される。
【００１９】
【特許文献１】
特開平１１−３４０３５０号公報（第３−４頁、第１図）
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の電子デバイスの製造方法には、多くの問題点が存在していた。即ち、電子デバイスの実装工程以降において、前もってセラミック基板を集合基板状態から単個に切り出して、キャリアに詰める作業が必要であった。従って、その後の電気特性の測定及び調整工程、封止工程においても、単個のセラミック基板に対して作業が行われていて、キャリアの詰め替えなど余分の工数を必要としていた。また、従来の集合基板では、各個別基板の端子電極同士をすべて導通させて電解メッキしていたので、集合基板に電子デバイスを搭載した状態では、個々の電子デバイスを独立して駆動し調整することはできなかった。
【００２１】
また、セラミック基板を単個に切り離す際に、切り粉がキャビティの内部に入り込んだり、セラミック基板をキャリアに装填する際には、セラミック基板の堅いエッジが切れ刃となってキャリアを削り切り粉を発生させるという問題があった。更に、封止工程ではカーボン治具を用いているために、カーボン治具から塵埃が剥離してキャビティへ進入することが避けられなかった。そして、一旦キャビティに入り込んだ切り粉などのゴミは容易に取りきれないという問題があった。ゴミが性能に及ぼす影響は、電子デバイスが小型になるほど増大するので、小型電子デバイスを製造する企業にとっては、塵埃の排除のために膨大な資本投入が必要になっている。
【００２２】
以上のように、集合基板を十分に活用できず、電子デバイスのコストダウンが今ひとつ進まないという問題があった。また、キャリア詰めや、専用キャリアへの移し替え作業がついて回り、製造工程が煩雑であった。
【００２３】
本発明は、以上のような従来の問題点を解決するためになされたもので、その目的は、圧電デバイスを初めとする各種電子デバイスの集合基板を、全工程にわたって十分に活用して製造し、電子デバイスのコストダウンを達成できるようにする電子デバイス基板、電子デバイス及びその製造方法を提供することである。
【００２４】
【課題を解決するための手段】
前述した目的を達成するための本発明の手段は、複数の個別基板を配列した集合基板に形成される電子デバイス基板において、電子デバイスと導通する端子電極と、該端子電極と導通し且つ前記個別基板の側面に形成される側面配線層とを有するとともに、前記集合基板に形成されている隣り合う個別基板の各電極が個別基板毎に互いに電気的に絶縁されるような切断部を有することを特徴とする。
【００２５】
また、前記電子デバイス基板には、前記電子デバイスと導通する接続電極を有し、該接続電極は前記端子電極と導通すると共に、該端子電極はコーナー電極を介して前記側面配線層と導通しており、前記コーナー電極も前記切断部により個別基板毎に互いに電気的に絶縁されていることを特徴とする。
【００２６】
また、前記集合基板は複数のグリーンシートを積層して成るセラミック基板であり、前記側面配線層は少なくとも最下層のグリーンシートに設けられたホール部に形成されていることを特徴とする。
【００２７】
また、前記切断部は十字状に形成されていることを特徴とする。
【００２８】
また、前記電子デバイスが圧電デバイスであることを特徴とする。
【００２９】
前述した目的を達成するための本発明の他の手段は、請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の電子デバイス基板に前記電子デバイスを搭載し、該電子デバイスを蓋部材で封止した後に前記集合基板を前記切断部に沿って切断して得られることを特徴とする。
【００３０】
前述した目的を達成するための本発明の更に他の手段は、複数の個別基板を配列したグリ−ンシート状の集合基板上に、前記個別基板に分割する分割溝が交差する位置に側面配線層を有するホール部を形成し、前記ホール部周辺のコーナー電極と前記側面配線層とを前記個別基板毎に電気的に絶縁する切断部を形成し、焼成後の前記集合基板上の各電極に無電解メッキを施すことによって前記集合基板を形成する工程と、前記集合基板の各個別基板に電子デバイス体を搭載する工程と、前記集合基板上の前記電子デバイスを駆動して電気的調整をする工程と、調整した前記電子デバイスを蓋部材で封止して集合電子デバイスを形成する工程と、前記集合電子デバイスを切断して単個の電子デバイスを得る工程を含むことを特徴とする。
【００３１】
また、前記電子デバイスが圧電デバイスであることを特徴とする。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面に基づいて詳細に説明する。まず、本発明の第一実施の形態である水晶振動子に使用される集合基板の構成について、図１、図２を参照して説明する。図１（ａ）は本発明の第一実施の形態である水晶振動子の集合基板の部分上面図であり、図１（ｂ）は同じく部分下面図である。図２は図１（ａ）のＡ−Ａ矢視断面を示す部分拡大断面図である。
【００３３】
図１において、１０２は集合基板である。３０は集合基板１０２の分割溝２９の交差するところに分割溝２９に沿って隣り合うセラミック基板２のコーナー電極２２ｃ及び側面配線層２８が互いに電気的に絶縁されるように形成された切断部としての十字状の穴である。この集合基板１０２が従来の集合基板１０６と異なるところは、十字穴３０が存在するところのみであり、他の構成は従来の集合基板と同様であるから、同じ構成要素には同じ符号と名称とを用いて詳細な説明を省略する。なお、図２に示すように、上側の定尺シート１０２ａのホール部であるスルーホール２ｃには側面配線層２８は形成されていない。
【００３４】
次に、集合基板１０２を用いて形成した水晶振動子の構成について図３を参照して説明する。図３はこの水晶振動子の（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は底面図である。図３において、１０は水晶振動体１を収納した水晶振動子であり、２はセラミック基板である。図３に示すように、各コーナーのスルーホール２ｃには、十字穴３０の跡である段部２ｄを有する。但し、切断幅の方が十字穴３０の線幅より大きい場合には段部２ｄを生じない。その場合には、完成された水晶振動子１０は従来技術の構成と全く同じになる。その他の構成は従来技術で説明したものと同様であるから、同じ構成要素には従来技術と同じ符号と名称とを用いて詳細な説明は省略する。
【００３５】
次に、本発明の第一の実施形態である水晶振動子１０の製造方法を図面を参照して説明する。図４は水晶振動子１０の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図５は集合基板１０２を用いた水晶振動子の組立工程を示す断面図である。初めに、この水晶振動子１０の集合基板１０２の形成工程Ｐ１について説明する。まず、グリーンシート形成工程Ｐ１１から積層工程Ｐ１３において、従来技術で説明したＳ１１からＳ１３までの方法と同様にして定尺シート１０２ａ、定尺シート１０２ｂを形成し、そこに各配線層を形成した上で両定尺シートを積層圧着させる。この状態では、接続電極２１と端子電極２２と側面配線層２８は全て導通状態にある。
【００３６】
その後、十字穴形成工程Ｐ１４において、積層グリーンシート状の集合基板１０２をスルーホール２ｃで交差する分割溝２９に沿って、コーナー電極２２ｃとスルーホール２ｃ内の側面配線層２８を４分割するように十文字状にプレス抜きする。これによってスルーホール２ｃに隣接する４個のセラミック基板２の端子電極２２は絶縁されたことになる。次の分割溝形成工程Ｐ１５から焼成工程Ｐ１６までは、従来技術で説明した分割溝形成工程Ｓ１４から焼成工程Ｓ１５までの工程と同様である。最後にメッキ工程Ｐ１７に移行して、各配線層、電極面にＮｉとＡｕによる無電解メッキを施して集合基板１０２を完成させる。
【００３７】
これ以後は、水晶振動子の組立工程Ｐ２に移行する。図５は本発明の第一実施の形態である水晶振動子の製造方法を工程順に示す部分断面図である。この工程Ｐ２では、図５に示すように、水晶振動体の実装工程Ｐ３１から封止工程Ｐ３３までの内容は、従来技術で説明した実装工程Ｓ３１から封止工程Ｓ３３までの内容と同様であるが、いずれの工程においても集合基板１０２の状態で搬送されて集合基板上で作業が行われるところに特徴がある。即ち、（ａ）において水晶振動体１を実装し、（ｂ）において集合基板上で周波数調整を行い、（ｃ）において気密封止を行う。最後に、集合基板１０２の分割工程Ｐ３に移行して、分割溝２９に沿ってダイシングにより切り離し、図３に示す個別の水晶振動子１０を取り出し完成する。
【００３８】
次に、第一の実施形態の作用・効果について説明する。集合基板１０２内において、隣接するセラミック基板２の端子電極２２同士が互いに電気的に分離されているので、集合基板１０２上で個別セラミック基板２ごとに、水晶振動体１の周波数測定及び調整ができるようになるなど、集合基板１０２を基準に搬送する生産方式を各工程に活用することができて、水晶振動子の大幅なコストダウンが可能となった。また、端子電極２２は側面配線層２８と導通しているので、水晶振動子１０を回路基板に表面実装した際に、端子電極２２を固定する半田が、側面配線層２８に濡れ上がったのを視認することで、半田付けの良否を確認することができる。したがって、完成状態では従来の水晶振動子と完全に互換性がある。
【００３９】
そして、実装から封止までの全工程で集合基板を単位に搬送できるから、従来必要だった各種キャリアが不要になると共に、キャリア使用に付随するキャリア詰め工数の削減ができ、これにおいてもコストダウンを可能としている。また、キャリアからセラミック基板２のキャビティ１２へのゴミの侵入を防止できる。
【００４０】
次に、本発明の第二の実施形態である水晶振動子に使用される集合基板の構成について、図６、図７を参照して説明する。図６は本発明の第二実施の形態である集合基板で（ａ）は部分上面図、（ｂ）は同じく部分下面図である。図７は図６（ｂ）のＢ−Ｂ矢視断面を示す部分拡大断面図である。
【００４１】
図６、図７において、１３２は集合基板であり、集合基板１３２が第一実施の形態の集合基板１０２と異なるところは、下面側定尺シート１３２ｂにはホール部２ｃが形成されているが、上面側定尺シート１３２ａの十字穴３０の位置にスルーホール２ｃは形成されていないところである。その他の構成は第一実施の形態の集合基板１０２と同様である。
【００４２】
次に、集合基板１３２を用いた水晶振動子の構成について図８を参照して説明する。図８は完成水晶振動子の（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は底面図である。図８において、４０は水晶振動子であり、水晶振動子４０が第一実施の形態の水晶振動子１０と異なるところは、ホール部３２ｃが貫通していないところである。その他の構成は第一実施の形態の水晶振動子１０と同様である。
【００４３】
本発明の第二の実施形態である水晶振動子４０の製造方法を図９を参照して説明する。図９はこの製造方法のうちで本発明の第二実施の形態である集合基板の製造方法を示すグリーンシート状の上側定尺シート１３２ａの部分上面図である。
【００４４】
第二の実施形態の製造方法が第一実施の形態の製造方法と異なるところは、グリーンシート形成工程Ｐ１１において、図９に示すように、グリーンシート状態の上側定尺シート１３２ａの点線で示す分割溝２９の交差点にスルーホールを形成しないところであって、他は全く第一実施の形態の製造方法と同じであるから、詳細な説明は省略する。従って、図８に示すように、水晶振動子４０の外観において、セラミック基板３２の上面側から見た各コーナーの形状のみが第一実施の形態と異なる。
【００４５】
第二の実施形態の効果は、第一実施の形態の効果とほぼ同様である。また、水晶振動子４０を実装基板に半田付けする場合にも、コーナーホール部の側面配線層２８への半田の濡れ上がりを視認するのに支障がない。集合基板１３２の製造段階でホール部の加工が省略されているので、その分のコストダウンが期待できる。
【００４６】
なお、以上説明した本発明の実施の形態において、集合基板の構成要素である定尺シートの枚数は必ずしも上下２枚に限定されるものではなく、内部配線の都合により３枚以上採用する場合もあり、これも本発明に含まれるものである。水晶振動体の接続電極への接合は導電ペーストによらずに、スタッドバンプを介して超音波圧接で行っても良い。以上、水晶振動子を例にあげて、本発明の実施の形態を説明したが、本発明の技術思想は、水晶振動子に限らず、他の振動子や発振器など圧電デバイスやセンサー機器などの電子デバイス一般に広く応用できるものである。
【００４７】
【発明の効果】
以上説明したように、個別基板の四隅に形成したスルーホールに複数の前記個別基板毎に電気的に絶縁するように切断部を設けたので、集合基板上での個別基板同士の配線が切り離された結果、集合基板上での電子デバイスの単独電気駆動が可能となり、電気特性の測定や調整が可能になるなど、集合基板を単位に搬送して加工する生産方式を各工程に活用することができて、電子デバイスの大幅なコストダウンを達成することができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一の実施の形態である集合基板の（ａ）は部分上面図、（ｂ）は部分下面図である。
【図２】図１（ａ）のＡ−Ａ矢視断面を示す部分断面図である。
【図３】本発明の第一の実施の形態である水晶振動子の（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は底面図である。
【図４】本発明の第一の実施の形態である水晶振動子の製造工程を示すフローチャートである。
【図５】本発明の第一の実施の形態である水晶振動子の製造方法を工程順に示す部分断面図である。
【図６】本発明の第二の実施の形態である集合基板の（ａ）は部分上面図、（ｂ）は部分下面図である。
【図７】図６のＢ−Ｂ矢視断面を示す部分拡大断面図である。
【図８】本発明の第二の実施の形態である水晶振動子の（ａ）は上面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は底面図である。
【図９】本発明の第二の実施の形態である集合基板の製造方法を示すグリーンシート状の上側定尺シートの部分上面図である。
【図１０】従来の水晶振動子の（ａ）は平面図、（ｂ）は下面図である。
【図１１】従来の水晶振動子の（ｃ）は側面図、（ｄ）は断面図である。
【図１２】従来の水晶振動子の製造工程を示すフローチャートである。
【図１３】従来の水晶振動子の製造工程を示すグリーンシート状の上側定尺シートの（ａ）は平面図、（ｂ）下側定尺シートの平面図である。
【図１４】従来の水晶振動子の製造工程を示すグリーンシート状の面図である。
【図１５】従来の水晶振動子の集合基板の（ａ）は部分上面図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は部分下面図である。
【図１６】従来の水晶振動子の組立工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１  水晶片
２  セラミック基板
２ｃ  スルーホール
３  蓋部材
１０、４０  水晶振動子
２１  接続電極
２２  端子電極
２２ｃ  コーナー電極
２８  側面配線層
２９  分割溝
３０  十字穴
１０２、１３２  集合基板
１０２ａ、１０２ｂ、１３２ａ  定尺シート
【図１】
2005072050.tif 000003
【図２】
2005072050.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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