(57)【要約】【課題】誘電材の膜厚のバラツキを低減させ、キャパシタ容量の精度を向上させた、誘電材の高誘電率化を可能とする、キャパシタが内蔵されるプリント配線基板の製造方法。【解決手段】・誘電材の両面に金属箔を有する部材３を形成する、・半硬化性絶縁樹脂シート５介して部材を配線上に接着する、・金属箔１にフォトレジストパターン６を形成する、・エッチングを行いフォトレジストパターンを剥離しキャパシタ上部電極７を形成する、・誘電材を除去し誘電材パターン２ａを形成する、・キャパシタ下部電極及び配線のフォトレジストパターンを形成する、・エッチングを行い、フォトレジストパターンの剥離を行い、キャパシタ下部電極９及び配線１０を形成すること。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャパシタが内蔵される配線基板の製造方法において、
１）誘電材の両面に金属箔を有する部材を形成する工程、
２）配線基板の積層途中工程における配線上に、半硬化性絶縁樹脂シートを介して該部材を接着する工程、
３）金属箔表面にフォトレジストを設け、露光、現像を行い、キャパシタ上部電極となる部分のフォトレジストパターンを形成する工程、
４）露出した金属箔にエッチングを行い、フォトレジストパターンを剥離し、キャパシタ上部電極を形成する工程、
５）露出した誘電材を除去し、誘電材パターンを形成する工程、
６）露出した該金属箔表面及び該キャパシタ上部電極上にフォトレジストを設け、露光、現像を行い、キャパシタ下部電極及び配線となる部分のフォトレジストパターンを形成する工程、
７）露出した該金属箔にエッチングを行い、フォトレジストパターンの剥離を行い、キャパシタ下部電極及び配線を形成する工程、
を具備することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記誘電材が、３００℃以上で焼成されたセラミックであることを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記誘電材が、有機系の絶縁樹脂にセラミック系の粉末が分散されてなることを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記誘電材が、金属箔上にスパッタリング、ＣＶＤ等で形成される誘電体薄膜であることを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記部材が、金属箔と誘電材が交互に形成された多層の部材であることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記部材が、誘電材の両面に金属箔を有する部材の片面に抵抗体となる抵抗金属が形成されている部材であることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記部材を、金属箔と誘電材シートをラミネートし、誘電材の両面に金属箔を有する部材として形成することを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種電子機器の配線基板の製造方法に係わり、さらに詳しくは、内蔵されるキャパシタの膜厚精度を向上させた、且つ誘電材のあらゆる種類に対応可能な配線基板の製造方法に関するものである。尚、本願においては、インターポーザーも配線基板に含むものとする。
【背景技術】
【０００２】
従来の配線基板の製造方法について以下に説明する。
【０００３】
従来、キャパシタが内蔵される配線基板の製造方法としては、図６（ａ）〜（ｄ）に示す様に、配線基板の積層途中工程における配線上に、例えば、エポキシ系樹脂等の絶縁樹脂１２を形成する（図６（ａ））。次いで、例えば、Ｃｕ金属などのキャパシタ下部電極、いわゆる導体層となる金属１６を形成する（図６（ｂ））。
【０００４】
次いで、導体層となる金属１６上に、例えば、エポキシ系樹脂等にセラミック粉末等を分散させた誘電材２を形成し（図６（ｃ））、更に、例えば、Ｃｕ金属などのキャパシタ上部電極、いわゆる導体層となる金属１６’を形成する（図６（ｄ））。次いで、キャパシタ上部電極となる金属１６’表面にフォトレジストを形成し、露光現像によりフォトレジストパターンとし、所望のキャパシタ上部電極となるパターンを得るべく金属を露出させ、塩化第二銅等を用いたエッチング法により、キャパシタ上部電極を形成し、且つ誘電材表面を露出させる。
【０００５】
次いで、キャパシタ上部電極をバリアとして、専用のアルカリエッチング液を用い、誘電材２をキャパシタ上部電極と同形状にエッチングし、且つキャパシタ下部電極となる金属１６表面を露出させる。次に、キャパシタ上部電極上のフォトレジストをバリアとして、キャパシタ下部電極となる金属１６をエッチングし、キャパシタ下部電極を形成し、フォトレジストを専用の剥離液で剥離しする事でキャパシタを作製するといった方法であった。
【０００６】
現在、配線基板の製造には、ガラスクロスを有する有機系の樹脂シートの両面にＣｕ箔が貼り付けられた銅張り両面板がコアとして多く用いられ、その表面は２μｍ程度の荒れが生じている。また、キャパシタ等の受動素子を内蔵する基板は、図７に示すように、ビルドアップ法、すなわち、コアに配線１０等を形成し、絶縁樹脂１２を形成し、更に絶縁樹脂１２上に配線１０’を形成するといった工程が繰り返されられるため、その表面は配線１０（一般に、１０μｍから２０μｍ厚）の厚み等により、やはり２〜５μｍ程度の荒れが生じてしまう。
【０００７】
上記したような配線基板の製造方法では、キャパシタ下部電極となる金属を形成する基板表面が荒れているため、形成した誘電材の膜厚のバラツキが大きくなり、得られるキャパシタ容量の精度が悪いといった問題があった。
また、有機系基板に直接、誘電材を形成するため、有機系基板の耐熱性の点から、誘電材の焼成温度は、通常２００℃以下、高耐熱性基板でも２５０℃程度以下で処理する必要があり、そのため、使用可能な誘電材の比誘電率は数十程度であり、小さな面積で大きな容量を得ることができないといった問題があった。
【特許文献１】特願２０００−５９２８４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、前記問題点を鑑みなされたものであり、その課題とするところは、キャパシタが内蔵される配線基板の製造方法において、誘電材の膜厚のバラツキを低減させ、キャパシタ容量の精度を向上させた、且つ、誘電材の高誘電率化を可能とするプリント配線基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、キャパシタが内蔵される配線基板の製造方法において、
１）誘電材の両面に金属箔を有する部材を形成する工程、
２）配線基板の積層途中工程における配線上に、半硬化性絶縁樹脂シートを介して該部材を接着する工程、
３）金属箔表面にフォトレジストを設け、露光、現像を行い、キャパシタ上部電極となる部分のフォトレジストパターンを形成する工程、
４）露出した金属箔にエッチングを行い、フォトレジストパターンを剥離し、キャパシタ上部電極を形成する工程、
５）露出した誘電材を除去し、誘電材パターンを形成する工程、
６）露出した該金属箔表面及び該キャパシタ上部電極上にフォトレジストを設け、露光、現像を行い、キャパシタ下部電極及び配線となる部分のフォトレジストパターンを形成する工程、
７）露出した該金属箔にエッチングを行い、フォトレジストパターンの剥離を行い、キャパシタ下部電極及び配線を形成する工程、
を具備することを特徴とする配線基板の製造方法である。
【００１０】
また、本発明は、上記発明による配線基板の製造方法において、前記誘電材が、３００℃以上で焼成されたセラミックであることを特徴とする配線基板の製造方法である。
【００１１】
また、本発明は、上記発明による配線基板の製造方法において、前記誘電材が、有機系の絶縁樹脂にセラミック系の粉末が分散されてなることを特徴とする配線基板の製造方法である。
【００１２】
また、本発明は、上記発明による配線基板の製造方法において、前記誘電材が、金属箔上にスパッタリング、ＣＶＤ等で形成される誘電体薄膜であることを特徴とする配線基板の製造方法である。
【００１３】
また、本発明は、上記発明による配線基板の製造方法において、前記部材が、金属箔と誘電材が交互に形成された多層の部材であることを特徴とする配線基板の製造方法である。
【００１４】
また、本発明は、上記発明による配線基板の製造方法において、前記部材が、誘電材の両面に金属箔を有する部材の片面に抵抗体となる抵抗金属が形成されている部材であることを特徴とする配線基板の製造方法である。
【００１５】
また、本発明は、上記発明による配線基板の製造方法において、前記部材を、金属箔と誘電材シートをラミネートし、誘電材の両面に金属箔を有する部材として形成することを特徴とする配線基板の製造方法である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明による配線基板の製造方法によると、基板とは別に、予め平滑な面の金属箔に膜厚の均一な誘電材をラミネートするといった方法、或いは、平滑な金属面に、スパッタで
誘電材を形成するので、基板上に接着された後でも誘電材の厚さは、基板面内で均一となり、精度の良いキャパシタ容量が得られる。
また、有機系基板上で誘電材の熱処理を行わないため、誘電材の所望の比誘電率を得るための高温焼成が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【００１８】
図１（ａ）〜（ｈ）は、本発明による配線基板の製造方法の一実施例の工程説明図である。本発明による配線基板の製造方法は、まず、誘電材２の両面に金属箔１を有する部材３を形成する（図１（ａ））。
この部材３は、例えば、有機系の絶縁樹脂にセラミック系粉末を分散させた樹脂シートやグリーンシートなどの誘電材シートの両面に金属箔１、例えば、Ｃｕ箔をラミネートし、所望の熱処理を行う方法や、高濃度ゾルゲル法、スパッタリング法やＣＶＤ法等により誘電体薄膜をＣｕ箔上に設け、必要であれば所望の熱処理を行い、更にＣｕ薄膜を形成し、必要であればＣｕ薄膜上にＣｕをめっきし、厚膜化するといった方法で形成する。
【００１９】
この際、誘電材２の種類等によって引き起こる問題に対応して、金属を多種金属の多層化にすることも容易に考えられる。
【００２０】
また、必要であれば、得られた部材の片面に抵抗体１１、例えば、ニッケル−リン系金属を電解めっきするといった方法などで製造する。
【００２１】
次いで、図１（ｂ）に示すように、配線基板の積層途中工程における配線上に、半硬化性絶縁樹脂シート５を介して上記部材３を接着し、必要な熱処理を行う。
次いで、露出している金属箔１表面にフォトレジストを設け、露光、現像を行い、キャパシタ上部電極７となる所望のフォトレジストパターン６を形成し、露出した金属箔のエッチングを行い（図１（ｃ））、フォトレジストパターン６を剥離することでキャパシタ上部電極７を形成する。
【００２２】
次いで、露出した誘電材２を、例えば、専用のエッチング液によるエッチングといった化学的方法、或いは、ルータやサンドブラスト法により機械的、物理的に除去し、所望の誘電材パターン２ａを形成する（図１（ｄ））。
尚、フォトレジストパターン６は、誘電材２を除去した後に剥離することもできる。
【００２３】
次いで、図１（ｅ）に示すように、露出した金属箔１表面及びキャパシタ上部電極７上に、フォトレジスト８を形成し、露光、現像を行い、キャパシタ下部電極９及び配線１０となる所望のフォトレジストパターン８’を形成し、露出した金属箔１のエッチングを行い（図１（ｆ））、フォトレジストパターン８’を剥離する事でキャパシタ下部電極９及び配線１０を形成する（図１（ｇ））。
【００２４】
また、部材３の片面に抵抗体１１を設ける場合は、図１（ｈ）に示すように、続いて、フォトレジストを形成し、露光現像を行い、専用のエッチング液にて配線の一部をエッチングし、所望の形状の抵抗体１１を露出した後、フォトレジストを剥離する。
次いで、残された一連の配線基板の工程を行うといった製造方法である。尚、配線１０と同時にスパイラル型インダクタ等を形成しても良い。
【００２５】
本発明による配線基板の製造方法によると、基板とは別に、予め平滑な面の金属箔に膜厚の均一な誘電材をラミネートするといった方法、或いは、平滑な金属面に、スパッタで誘電材を形成するので、基板上に接着された後でも誘電材の厚さは、基板面内で均一とな
り、精度の良いキャパシタ容量が得られる。
また、有機系基板上で誘電材の熱処理を行わないため、誘電材の所望の比誘電率を得るための高温焼成が可能となる。
【実施例１】
【００２６】
以下に、実施例により本発明を具体的に説明する。
【００２７】
図２（ａ）〜（ｃ）に従って実施例１を説明する。
【００２８】
両面に所定の回路パターンが形成された不織ガラスエポキシ樹脂を含浸させた銅張り樹脂基板（図示せず）を用いた、所定のビルドアップ工程における途中工程において、絶縁樹脂１２としてのエポキシ系樹脂上に専用の処理液を用い、無電解Ｃｕめっきを行う事で、Ｃｕ薄膜を形成した。
【００２９】
次いで、Ｃｕ薄膜表面に厚さ１２μｍのドライフィルムフォトレジストをラミネートし、露光現像を行い、所望の配線１０となるＣｕ薄膜表面を露出させた。
次に、露出しているＣｕ薄膜表面に電解Ｃｕめっきを行い、Ｃｕを１２μｍ程度析出させた。
次いで、４０μｍ厚のドライフィルムレジストをラミネートし、ＵＶＹＡＧレーザーを用い、層間の電気的接続用のバンプとなる穴を形成した。
【００３０】
次いで、電解Ｃｕめっきを行い、バンプとなる穴にＣｕを４０μｍ程度析出させた。
次に、表面を１、２μｍ程度研磨しバンプ１３の高さを揃え、更にバンプ１３先端に電解金めっきを行い、１μｍ程度の金１４を形成した。
次に、ドライフィルムフォトレジストおよびドライフィルムレジストを専用の剥離液で剥離し、Ｃｕ薄膜を過硫酸アンモニウム水溶液等でソフトエッチングすることにより、配線１０を形成し、所望の基板を作製した（図２（ａ））。
【００３１】
次いで、専用のエッチング液で表面が０．５μｍ程度粗化された１２μｍ厚の２枚のＣｕ箔１ａ、１ａ’の間に、誘電材２となるエポキシ系樹脂にチタン酸バリウム等を混入させ加工された２０μｍ厚の半硬化性の樹脂シートが位置するように、１３０℃、３０Ｎ／ｃｍ2の条件で加熱加圧ラミネートを行い、更に２００℃、１時間の熱処理を行うことで部材を作製した。
【００３２】
次に、上記部材の片面に、抵抗体１１となるニッケル−リン系金属１５を１μｍ厚程度、電解めっきした。
次いで、５０μｍ厚のエポキシ系の半硬化性絶縁樹脂シート５を上記部材のニッケル−リン系金属１５が存在する面に、１３０℃、３０Ｎ／ｃｍ2の条件で加熱加圧ラミネートし、続いて、上記基板の絶縁樹脂１２上に、１３０℃、５０Ｎ／ｃｍ2の条件で加熱加圧ラミネートし、更に２００℃、１時間の熱処理を行うことで、エポキシ系の半硬化性絶縁樹脂シート５の硬化および層間の電気的接続を行った（図２（ｂ））。
【００３３】
次に、Ｃｕ箔１ａ表面に厚さ１５μｍのウレタン樹脂系のドライフィルムフォトレジストをラミネートし、露光現像を行い、所望のキャパシタ上部電極７以外のＣｕ箔表面を露出させた。ここで、ウレタン樹脂系を用いた理由として、後工程で行うサンドブラスト時において、衝撃吸収性に優れているためである。
【００３４】
次に、塩化第２銅液等でＣｕ箔１ａのエッチングを行い、キャパシタ上部電極７を作製した。
次に、数μｍから数十μｍ径の微細砥粒をノズルから噴出させ、対象物の表面を削るサン
ドブラスト工法を用い、誘電材２を除去し、誘電材パターン２ａを形成し、キャパシタ下部電極９および配線１０となるＣｕ箔１ａ’表面を露出させた。
【００３５】
次に、ドライフィルムフォトレジストを専用の剥離液で剥離した。
次に、基板表面に液状フォトレジストを塗布し、露光現像を行い、所望の配線１０およびキャパシタ下部電極９のフォトレジストパターンを形成した。
次に、塩化第２鉄液等でＣｕ箔１ａ’及びニッケル−リン系金属のエッチングを行い、フォトレジストパターンを専用の剥離液で剥離し、所望の配線１０およびキャパシタ下部電極９を作製した。
【００３６】
次に、基板表面に液状フォトレジストを塗布し、露光現像を行い、所望の抵抗体１１が得られる様、フォトレジストパターンを形成した。
次に、チヨ尿素水溶液等で配線１０をエッチングすることで、所望の抵抗体１１を作製した。
【００３７】
次に、フォトレジストを専用の剥離液で剥離した（図２（ｃ））。
【００３８】
次いで、５０μｍ厚のエポキシ系の半硬化性樹脂シートを加熱加圧ラミネートし、残された一連の配線基板の製造工程を終了させる事により、本発明の製造方法による配線基板を作製した。
【実施例２】
【００３９】
両面に所定の回路パターンが形成された不織ガラスエポキシ樹脂を含浸させた銅張り樹脂基板（図示せず）を用いた、所定のビルドアップ工程における途中工程において、絶縁樹脂１２としてのエポキシ系樹脂上に専用の処理液を用い、無電解Ｃｕめっきを行う事で、Ｃｕ薄膜を形成した。
【００４０】
次いで、Ｃｕ薄膜表面に厚さ１２μｍのドライフィルムフォトレジストをラミネートし、露光現像を行い、所望の配線１０となるＣｕ薄膜表面を露出させた。
次に、露出しているＣｕ薄膜表面に電解Ｃｕめっきを行い、Ｃｕを１２μｍ程度析出させた。
次いで、４０μｍ厚のドライフィルムレジストをラミネートし、ＵＶＹＡＧレーザーを用い、層間の電気的接続用のバンプとなる穴を形成した。
【００４１】
次いで、電解Ｃｕめっきを行い、バンプとなる穴にＣｕを４０μｍ程度析出させた。
次に、表面を１、２μｍ程度研磨しバンプ１３の高さを揃え、更にバンプ１３先端に電解金めっきを行い、１μｍ程度の金１４を形成した。
次に、ドライフィルムフォトレジストおよびドライフィルムレジストを専用の剥離液で剥離し、Ｃｕ薄膜を過硫酸アンモニウム水溶液等でソフトエッチングすることにより、配線１０を形成し、所望の基板を作製した（図２（ａ））。
【００４２】
次いで、専用のエッチング液で表面が０.５μｍ程度粗化された１２μｍ厚の２枚のＣｕ箔の間に、チタン酸バリウム等のセラミック粉末を分散させた水系の溶媒にＰＭＭＡ、ＰＶＢなどの高分子バインダを加えたものを混練し、シート状にした厚さ２０μｍのグリーンシートが位置するように、加熱加圧ラミネートを行い、更に最終温度９００℃前後で熱処理を行うことで部材を作製した。
【００４３】
次いで、５０μｍ厚のエポキシ系の半硬化性樹脂シートと部材とを１３０℃、３０Ｎ／ｃｍ2の条件で加熱加圧ラミネートし、続いて、これを上記基板上に、１３０℃、５０Ｎ／ｃｍ2の条件で加熱加圧ラミネートし、更に２００℃、１時間の熱処理を行うことで、
エポキシ系の半硬化性絶縁樹脂シートの硬化および層間の電気的接続を行った。
【００４４】
次に、Ｃｕ箔表面に厚さ１５μｍのウレタン樹脂系のドライフィルムフォトレジストをラミネートし、露光現像を行い、所望のキャパシタ上部電極以外のＣｕ箔表面を露出させた。ここで、ウレタン樹脂系を用いた理由として、後工程で行うサンドブラスト時において、衝撃吸収性に優れているためである。
【００４５】
次に、塩化第２銅液等でＣｕ箔のエッチングを行い、キャパシタ上部電極を作製した。次に、数μｍから数十μｍ径の微細砥粒をノズルから噴出させ、対象物の表面を削るサンドブラスト工法を用い、誘電材を除去し、誘電材パターンを形成し、キャパシタ下部電極および配線となるＣｕ箔表面を露出させた。
【００４６】
次に、ドライフィルムフォトレジストを専用の剥離液で剥離した。
次に、Ｃｕ箔表面に液状フォトレジストを塗布し、露光現像を行い、所望の配線およびキャパシタ下部電極のフォトレジストパターンを形成した。
次に、塩化第２銅液等でＣｕ箔のエッチングを行い、フォトレジストパターンを専用の剥離液で剥離し、所望の配線およびキャパシタ下部電極を作製した。
次いで、５０μｍ厚のエポキシ系の半硬化性樹脂シートを加熱加圧ラミネートし、残された一連の配線基板の製造工程を終了させる事により、本発明の製造方法による配線基板を作製した。
【実施例３】
【００４７】
両面に所定の回路パターンが形成された不織ガラスエポキシ樹脂を含浸させた銅張り樹脂基板（図示せず）を用いた、所定のビルドアップ工程における途中工程において、絶縁樹脂１２としてのエポキシ系樹脂上に専用の処理液を用い、無電解Ｃｕめっきを行う事で、Ｃｕ薄膜を形成した。
【００４８】
次いで、Ｃｕ薄膜表面に厚さ１２μｍのドライフィルムフォトレジストをラミネートし、露光現像を行い、所望の配線１０となるＣｕ薄膜表面を露出させた。
次に、露出しているＣｕ薄膜表面に電解Ｃｕめっきを行い、Ｃｕを１２μｍ程度析出させた。
次いで、４０μｍ厚のドライフィルムレジストをラミネートし、ＵＶＹＡＧレーザーを用い、層間の電気的接続用のバンプとなる穴を形成した。
【００４９】
次いで、電解Ｃｕめっきを行い、バンプとなる穴にＣｕを４０μｍ程度析出させた。
次に、表面を１、２μｍ程度研磨しバンプ１３の高さを揃え、更にバンプ１３先端に電解金めっきを行い、１μｍ程度の金１４を形成した。
次に、ドライフィルムフォトレジストおよびドライフィルムレジストを専用の剥離液で剥離し、Ｃｕ薄膜を過硫酸アンモニウム水溶液等でソフトエッチングすることにより、配線１０を形成し、所望の基板を作製した（図２（ａ））。
【００５０】
次いで、１２μｍ厚のＣｕ箔の平滑面に、チタン酸バリウムストロンチウム等のセラミック薄膜を０．２μｍ厚程度スパッタリングし、更に１０００℃前後で熱処理を行い、更にセラミック薄膜上にＣｕ薄膜をスパッタリングした。
次いで、電解Ｃｕめっきを行い、５μｍ厚のＣｕを厚付けすることで部材を作製した。
【００５１】
次いで、５０μｍ厚のエポキシ系の半硬化性樹脂シートと部材の１２μｍ厚Ｃｕ箔側とを１３０℃、３０Ｎ／ｃｍ2の条件で加熱加圧ラミネートし、続いて、これを上記基板上に、１３０℃、５０Ｎ／ｃｍ2の条件で加熱加圧ラミネートし、更に２００℃、１時間の熱処理を行うことで、エポキシ系の半硬化性絶縁樹脂シートの硬化および層間の電気的接
続を行った。
【００５２】
次に、Ｃｕ箔表面に厚さ１５μｍのウレタン樹脂系のドライフィルムフォトレジストをラミネートし、露光現像を行い、所望のキャパシタ上部電極以外のＣｕ箔表面を露出させた。ここで、ウレタン樹脂系を用いた理由として、後工程で行うサンドブラスト時において、衝撃吸収性に優れているためである。
【００５３】
次に、塩化第２銅液等でＣｕ箔のエッチングを行い、キャパシタ上部電極を作製した。次に、数μｍから数十μｍ径の微細砥粒をノズルから噴出させ、対象物の表面を削るサンドブラスト工法を用い、誘電材を除去し、誘電材パターンを形成し、キャパシタ下部電極および配線となるＣｕ箔表面を露出させた。
【００５４】
次に、ドライフィルムフォトレジストを専用の剥離液で剥離した。
次に、Ｃｕ箔表面に液状フォトレジストを塗布し、露光現像を行い、所望の配線およびキャパシタ下部電極のフォトレジストパターンを形成した。
次に、塩化第２銅液等でＣｕ箔のエッチングを行い、フォトレジストを専用の剥離液で剥離し、所望の配線およびキャパシタ下部電極を作製した。
【００５５】
次いで、５０μｍ厚のエポキシ系の半硬化性樹脂シートを加熱加圧ラミネートし、残された一連の配線基板の製造工程を終了させる事により、本発明の製造方法による配線基板を作製した。
【実施例４】
【００５６】
両面に所定の回路パターンが形成された不織ガラスエポキシ樹脂を含浸させた銅張り樹脂基板（図示せず）を用いた、所定のビルドアップ工程における途中工程において、絶縁樹脂１２としてのエポキシ系樹脂上に専用の処理液を用い、無電解Ｃｕめっきを行う事で、Ｃｕ薄膜を形成した。
【００５７】
次いで、Ｃｕ薄膜表面に厚さ１２μｍのドライフィルムフォトレジストをラミネートし、露光現像を行い、所望の配線１０となるＣｕ薄膜表面を露出させた。
次に、露出しているＣｕ薄膜表面に電解Ｃｕめっきを行い、Ｃｕを１２μｍ程度析出させた。
次いで、４０μｍ厚のドライフィルムレジストをラミネートし、ＵＶＹＡＧレーザーを用い、層間の電気的接続用のバンプとなる穴を形成した。
【００５８】
次いで、電解Ｃｕめっきを行い、バンプとなる穴にＣｕを４０μｍ程度析出させた。
次に、表面を１、２μｍ程度研磨しバンプ１３の高さを揃え、更にバンプ１３先端に電解金めっきを行い、１μｍ程度の金１４を形成した。
次に、ドライフィルムフォトレジストおよびドライフィルムレジストを専用の剥離液で剥離し、Ｃｕ薄膜を過硫酸アンモニウム水溶液等でソフトエッチングすることにより、配線１０を形成し、所望の基板を作製した（図２（ａ））。
【００５９】
次いで、図３に示すように、専用のエッチング液で表面が０．５μｍ程度粗化された１２μｍ厚の３枚のＣｕ箔１ａ、１ａ’、１ａ’’の間に、誘電材２、２’となるエポキシ系樹脂にチタン酸バリウム等を混入させ加工された２０μｍ厚の半硬化性の２枚の樹脂シートが交互に位置するように、１３０℃、３０Ｎ／ｃｍ2の条件で加熱加圧ラミネートを行い、更に２００℃、１時間の熱処理を行うことで部材を作製した。
【００６０】
次いで、５０μｍ厚のエポキシ系の半硬化性絶縁樹脂シート５を上記部材に、１３０℃、３ＯＮ／ｃｍ2の条件で加熱加圧ラミネートし、続いて、上記基板４上に１３０℃、５
０Ｎ／ｃｍ2の条件で加熱加圧ラミネートし、更に２００℃、１時間の熱処理を行うことで、エポキシ系の半硬化性絶縁樹脂シート５の硬化および層間の電気的接続を行った。
【００６１】
次に、Ｃｕ箔１ａ表面に厚さ１５μｍのウレタン樹脂系のドライフィルムフォトレジストをラミネートし、露光現像を行い、所望のキャパシタ上部電極７以外のＣｕ箔表面を露出させた。ここで、ウレタン樹脂系を用いた理由として、後工程で行うサンドブラスト時において、衝撃吸収性に優れているためである。
次に、塩化第２銅液等でＣｕ箔のエッチングを行い、キャパシタ上部電極７を作製した。
【００６２】
次に、数μｍから数十μｍ径の微細砥粒をノズルから噴出させ、対象物の表面を削るサンドブラスト工法を用い、誘電材２を除去し、誘電材パターン２ａを形成し、キャパシタ中部電極１７となるＣｕ箔１ａ’表面を露出させた。
次に、塩化第２銅液等でＣｕ箔１ａ’のエッチングを行い、キャパシタ中部電極１７を作製した。
【００６３】
次に、数μｍから数十μｍ径の微細砥粒をノズルから噴出させ、対象物の表面を削るサンドブラスト工法を用い、誘電材２’を除去し、誘電材パターン２ａ’を形成し、キャパシタ下部電極９および配線となるＣｕ箔１ａ’’表面を露出させた。
【００６４】
次に、ドライフィルムフォトレジストを専用の剥離液で剥離した。
次に、Ｃｕ箔表面に液状フォトレジストを塗布し、露光現像を行い、所望の配線およびキャパシタ下部電極のフォトレジストパターンを形成した。
次に、塩化第２銅液等でＣｕ箔のエッチングを行い、フォトレジストパターンを専用の剥離液で剥離し、所望の配線１０およびキャパシタ下部電極９を作製した。
【００６５】
次いで、５０μｍ厚のエポキシ系の半硬化性樹脂シートを加熱加圧ラミネートし、残された一連の配線基板の製造工程を終了させる事により、本発明の製造方法による配線基板を作製した。尚、キャパシタ上部電極を形成した後、ドライフィルムフォトレジストを剥離し、改めて、キャパシタ中部電極を形成しても良い。また、図４、図５にキャパシタの電気的接続例を示す。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】（ａ）〜（ｈ）は、本発明による配線基板の製造方法の一実施例の工程説明図である。
【図２】（ａ）は、実施例１〜４の工程説明図の一部である。
【００６７】
（ｂ）、（ｃ）は、実施例１の工程説明図である。
【図３】実施例４の工程説明図である。
【図４】実施例４の工程説明図である。
【図５】実施例４の工程説明図である。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は、キャパシタが内蔵される配線基板の従来の製造方法の説明図である。
【図７】配線基板の表面の荒れの説明図である。
【符号の説明】
【００６８】
１・・・金属箔
１ａ、１ａ’、１ａ’’・・・Ｃｕ箔
２、２’・・・誘電材
２ａ、２ａ’・・・誘電材パターン
３・・・部材
４・・・基板
５・・・半硬化性絶縁樹脂シート
６・・・フォトレジストパターン
７・・・キャパシタ上部電極
８・・・フォトレジスト
８’・・・フォトレジストパターン
９・・・キャパシタ下部電極
１０、１０’・・・配線
１１・・・抵抗体
１２・・・絶縁樹脂
１３・・・バンプ
１４・・・金
１５・・・ニッケル−リン系金属
１６、１６’・・・金属
１７・・・キャパシタ中部電極
１８・・・ビア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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