(57)【要約】【課題】  放電式のオゾナイザに高純度酸素ガスを供給してオゾンを発生させる際に、窒素ガスの添加による弊害を防止しつつオゾン濃度の低下を防止する。【解決手段】  酸素ガス源からオゾナイザへ高純度酸素ガスを供給する際に、その高純度酸素ガスに炭化水素ガス及び窒素ガスを複合添加する。窒素ガスの添加量を弊害が生じない０．０１％以下に抑制でき、合わせて炭化水素ガスの添加量を、経済性がよく水分の発生が問題にならない０．５％以下に抑制できる。炭化水素ガスは、代表的にはメタンガスである。【選択図】      図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電式のオゾナイザに、オゾン発生用の原料ガスとして炭化水素ガスを０．０００５％以上０．５％以下含む酸素ガスを供給することを特徴とするオゾン発生方法。
【請求項２】
前記酸素ガスが更に窒素ガスを０．００１％以上０．０１％以下含む請求項１に記載のオゾン発生方法。
【請求項３】
前記酸素ガスが窒素ガスを含む場合の炭化水素ガス量が０．０００５％以上０．０１％以下である請求項２に記載のオゾン発生方法。
【請求項４】
酸素ガスが窒素ガスを含まない場合の炭化水素ガス量が０．００５％以上０．５％以下である請求項１に記載のオゾン発生方法。
【請求項５】
炭化水素ガスはメタン（ＣＨ4 ）である請求項１に記載のオゾン発生方法。
【請求項６】
前記オゾナイザにおける放電周波数が１５ｋＨｚ以上である請求項１に記載のオゾン発生方法。
【請求項７】
前記オゾナイザにおける放電ギャップが０．４ｍｍ以下である請求項６に記載のオゾン発生方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放電式のオゾナイザを用いるオゾン発生方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体の製造においては、半導体ウエーハや液晶用ガラス基板といった各種基板上への酸化膜の形成、基板上のレジストのアッシング、基板洗浄等にオゾンガスが用いられ始めた。半導体製造用のオゾンガスは、不純物の少ないことが必要であることから、通常は高純度の酸素ガスを原料ガスとして放電式のオゾナイザに供給して生成される。生成された半導体製造用のオゾンガスは、その汚染を防ぐために、電解研磨処理を施したＳＵＳ３１６Ｌ等のステンレス鋼やＰＦＡ等のフッ素樹脂からなる配管によりユースポイントへ送られる。
【０００３】
しかしなから、原料ガスとして高純度の酸素ガスを使用した場合、低純度の酸素ガスを使用した場合と比べてオゾンガスのオゾン濃度が極端に低下し、オゾナイザの定格濃度に達しないという重大な問題がある。この問題の解決策の一つとして、高純度の酸素ガスに触媒としての窒素ガスを添加することが一般に行われている。窒素ガスの添加量は現在、有効性の点から０．０１％以上が妥当と考えられている。
【０００４】
高純度の酸素ガスに窒素ガスを添加することにより、生成されるオゾンガスのオゾン濃度が上がり、また安定した濃度のオゾンガスの発生が可能になる。しかし、その一方では、オゾンガスの供給先においてそのガス中から金属不純物が検出されることが問題になっている。この原因は、酸素ガスに窒素ガスが含まれることにより、オゾンガス中に副生物として窒素酸化物が生じ、これが金属製配管の内面やチャンバ内面を劣化或いは腐食させ、その結果として配管内面やチャンバ内面から金属不純物が生じることとされている。このような窒素酸化物の生成に起因する金属不純物が半導体製造に悪影響を与えることは言うまでもない。
【０００５】
また最近では、金属製配管の内面やチャンバ内面から二次的に発生する金属不純物だけでなく、オゾンガス中の窒素酸化物が半導体製造に直接悪影響を及ぼすことも指摘し始めちれている。
【０００６】
更に又、生成したオゾンを分解処理する目的で触媒を使用している場合、副生成物である窒素酸化物は触媒に吸着し、その表面を覆うために、その触媒は失活し、オゾン分解性能の低下或いは短寿命化を引き起こすという問題も発生する。
【０００７】
このような事情から、窒素ガスを使わずにオゾン濃度を高め、また、その濃度を安定化する方法が模索されており、その一つとして、原料ガスとしての高純度の酸素ガスに水分を０．０５〜４０ｐｐｍ添加する方法が特許文献１に記載されている。また、別方法として、０．０２５％以上の二酸化炭素ガスを単独で添加したり、０．０２５〜０．２５％の窒素ガスと混合して添加する方法が特許文献２に記載されている。
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−２９７１０号公報
【０００９】
【特許文献２】特開平９−２０８２０２号公報
【００１０】
窒素ガスに代えて水分や二酸化炭素ガスを高純度の酸素ガスに添加することにより、高純度の酸素ガスを使用した場合に問題となるオゾン濃度の低下が、窒素ガスを添加した場合と同様に防止される。しかも、水分や二酸化炭素ガスといった触媒は、窒素ガスと異なり、窒素酸化物のような有害物質を副生しない特徴がある。しかしながら、その一方で以下のような問題がある。
【００１１】
半導体製造プロセスはウェット系とドライ系に大別されており、オゾンはいずれのプロセスにも使用されている。ウエット系のプロセスの場合、酸素ガスへの水分添加は問題ない。しかし、ドライ系のプロセスの場合は、水分を含んだオゾンガスは忌避される。この観点から、原料ガスである酸素ガスの露点としては８０℃以下が要求されている。これは、原料ガス中の水分量で言えば０．５２ｐｐｍ以下に相当する。水分添加量がこのような低位に制限されると、オゾン濃度を高める効果が不十分となる。
【００１２】
今一つは、オゾナイザに関係するオゾン濃度低下の問題である。放電式のオゾナイザ、とりわけ半導体製造プロセスに使用されるオゾナイザでは、高濃度のオゾンが必要とされることから、オゾン生成効率の向上が高度に追求されている。その手法は概ね次のとおりである。
【００１３】
誘電体の薄肉化、放電ギャップの縮小（短ギャップ化）、印加電圧の高周波化、並びに放電電圧の低下などである。これらのなかで例えば印加電圧の周波数に関しては、交流の電圧上昇過程でオゾンが生成することから、印加電圧の周波数を高めるほどオゾン生成効率が上がるとされている。このため、この周波数は、従来の１〜数ｋＨｚから１５ｋＨｚ以上、更には可聴域を外れる２０ｋＨｚ以上に高められている。
【００１４】
また、放電ギャップに関しては、冷却効率の向上並びに電界強度の向上の点から、従来の１ｍｍ前後から０．４ｍｍ以下、特に０．１ｍｍ以下に縮小されるのが最近の傾向である。ガスが静止した状態で水温２０℃を想定した場合、熱伝導率から放電中のガス温度を求めると、放電ギャップが１ｍｍのときは１８８℃、０．４ｍｍのときは３８℃になる。オゾンガスは温度が高くなると分解反応が促進される特徴をもつ。高濃度のオゾンガスを得るためにはガス温度を下げる必要があり、熱伝導率からの計算によってもギャップは狭い方が有利である。
【００１５】
水分添加の有効性は、旧タイプのオゾナイザでは確認されている。好ましい水分添加量は０．０５〜４０ｐｐｍである。印加電圧の高周波化や放電ギャップの縮小に代表される高濃度化の改良を施した新タイプのオゾナイザでも、当然、水分添加の有効性は期待され、オゾン濃度は旧タイプのオゾナイザより高くなることが予想される。ところが、実際は、図１に示すように、水分添加によりオゾン濃度は上昇するものの、無添加でのオゾン濃度レベルが低い上に、オゾン濃度の上昇程度が小さく、それらの結果、添加量を増やしても旧タイプを凌ぐことができないという非常に意外なものであった。即ち、新タイプのオゾナイザにおいては、水分添加は全添加領域で有効に機能しないのである。
【００１６】
ちなみに、窒素ガスの方は、図３（ａ）（ｂ）に示すように、０．０１％以下というような微量域を除き、新タイプのオゾナイザにおいても有効に機能し、旧タイプのオゾナイザより高いオゾン濃度を保証する。微量域においては、窒素ガス添加量の減少に伴ってオゾン濃度が極端に低下して旧タイプ以下となる。但し、窒素酸化物の問題は無視できる程度に解決される。
【００１７】
一方、二酸化炭素ガスの添加についてはドライ系、ウエット系を問わず適用が可能である。しかし、図２に示すように、この二酸化炭素ガスも窒素ガスと同様に旧タイプのオゾナイザでは高い効力を示すが、新タイプのオゾナイザでは、旧タイプのオゾナイザと比べて、二酸化炭素ガスの効きが悪くなり、１０％を超える多量の添加が必要になる。一方、５％以下の少量域では、添加量の減少に伴ってオゾン濃度が極端に低下して旧タイプ以下となる。
【００１８】
二酸化炭素ガスは窒素ガスと異なり高価であり、多量の使用は経済性を悪化させる。また、ボンベで供給する場合は、使用量が多いために、ボンベの交換頻度が高くなる。このような経済的見地から、二酸化炭素ガスの添加量は１．０％以下に制限したい。しかし、そうすると、特に新タイプのオゾナイザでは、十分な添加効果が得られないのである。
【００１９】
窒素ガスと混合添加する場合、二酸化炭素ガスの使用量は低減される。しかし、従来の窒素ガスの混合添加量（０．０２５〜０．２５％）は、窒素酸化物による問題を十分に解決するものではない。窒素酸化物による問題を解決するための窒素ガスの添加量は、前述した微量域である０．０１％以下である。
【００２０】
このように、窒素ガス以外の触媒の場合、オゾン発生効率を追求した新タイプのオゾナイザでは、添加効果が低下する傾向があり、しかも、その傾向は触媒の種類によって様々に相違する。このため、窒素酸化物の問題を解決し、合わせてオゾナイザの種類に関係なく安定にオゾン濃度を高めることは困難であった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
本発明の目的は、ドライ系、ウエット系を問わず適用が可能であり、しかもオゾン発生効率を追求した新タイプのオゾナイザにあっても、窒素酸化物による問題を生じることなくオゾン濃度低下の問題を効果的に解決できるオゾン発生方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
上記目的を達成するために、本発明者らはオゾン発生効率を追求した新タイプのオゾナイザにおいて水分や二酸化炭素ガスの効きが悪化する問題に対する解決策について鋭意検討した。その結果、水分や二酸化炭素に代わる触媒として、メタン（ＣＨ4 ）に代表される炭化水素の使用が有効なことが判明した。
【００２３】
この炭化水素ガスは、単独でも十分な添加効果を挙げることができる。ただし、単独の場合は添加量が多くなるので、窒素ガスとの併用が好ましい。窒素ガスと併用することにより、炭化水素ガスの添加量を少なくでき、炭化水素ガスによる弊害を抑制できると共に、窒素ガスの添加量も０．０１％以下という、窒素ガス単独では十分な添加効果を上げることができない、非常に微量な領域まで低減できる。
【００２４】
また、炭化水素ガスや、これと二酸化炭素ガスと組み合わせは、オゾナイザの新旧を問わずオゾン濃度を高め、特に新タイプのオゾナイザで大きな添加効果を発揮することにより、有効な炭化水素ガス量を０．５％以下に低減できる。また、微量の窒素ガスは、窒素酸化物の生成に起因する問題を皆無にし、或いは皆無にできないまでもその問題が生じる危険性を大きく低減できることは言うまでもない。
【００２５】
本発明のオゾン発生方法は、放電式のオゾナイザに、オゾン発生用の原料ガスとして炭化水素ガスを０．０００５％以上０．５％以下含む酸素ガスを供給するものである。
【００２６】
好ましくは、酸素ガスに更に窒素ガスを０．００１％以上０．０１％以下を含有させる。窒素ガスを含有させる場合、炭化水素ガス量は０．０００５％以上０．０１％以下に低減することが可能となる。ちなみに、酸素ガスが窒素ガスを含まない場合の炭化水素ガス量として０．００５％以上０．５％以下が好ましい。なお、本明細書において、％は特にことわりのない限りｖｏｌ％である。
【００２７】
炭化水素は、代表的にはメタン（ＣＨ4 ）であるが、それ以外にエタン（Ｃ2 Ｈ6 ）、プロパン（Ｃ3 Ｈ8 ）、アセチレン（Ｃ2 Ｈ2 ）などを挙げることができる。炭化水素が新タイプのオゾナイザにおけるオゾン濃度の向上に有効な理由としては次のようなことが考えられる。オゾン生成過程では、分解反応を促進する余剰な酸素原子或いは酸素イオンが生成する。新タイプのオゾナイザでは反応効率が高い分、余剰な酸素原子或いは酸素イオンの生成量も多くなる。炭化水素は余剰な酸素原子或いは酸素イオンと結合することにより、分解反応を抑制する。余剰な酸素原子或いは酸素イオンとの結合の結果、ＣＯ、ＣＯ2 が副生され、酸性雰囲気が形成されることからも反応効率が高くなる。更にはＨ2 Ｏも副生され、これが触媒的な働きをする。このような相乗的な触媒作用により、新タイプのオゾナイザでの触媒効果が向上する。
【００２８】
炭化水素ガスに対する微量の窒素ガスの併用により、炭化水素ガスの使用量を大幅に低減することができ、経済性が向上するだけでなく、炭化水素ガスの使用による物理的、化学的な弊害を抑制するとこができる。炭化水素ガスは大量に添加すると水分を生成し、オゾンの発生に悪影響を与えると共に、オゾンガス中の水分量を増加させる原因にもなる。炭化水素ガスの使用量を抑制できることは、これらの問題の解決に有効となる。
【００２９】
半導体製造分野においてオゾン発生用原料ガスとして使用される酸素ガスは、通常は９９．９９％以上の高純度酸素ガスで、ボンベに充填された液化酸素又は酸素ガスを酸素ガス源としてオゾナイザに供給される。酸素ガス中の水分は不純物のなかでも比較的除去が容易であり、不純物を除去するための精製に伴って殆ど除去されている。このため、その酸素ガス中の水分量は、９９．９９％の場合で０．０１ｐｐｍ以下であり、９９．９９９９％の場合では０．００１ｐｐｍ以下である。
【００３０】
触媒を添加する前の酸素ガスは、純度９９．９％以上、特に９９．９９％以上の高純度酸素ガスが好ましく、そのなかでも９９．９９９９％以上の超高純度酸素ガスが特に好ましい。なぜなら、酸素ガスの高純度化により不純物が排除されることにより、本発明の効果を奏するための所定の触媒ガスを必要量のみ制御性よく添加することができるからである。
【００３１】
本発明のオゾン発生方法では、オゾナイザへ供給する酸素ガス中の炭化水素ガス量を０．０００５％以上０．５％以下とする。その理由は、０．０００５％未満ではオゾン濃度を上昇させる効果が不足し、一方、０．５％を超えると、副生される水分により生成オゾンが分解され、逆にオゾン濃度が低下する傾向となるからである。また、オゾンガス中の水分量、経済性の悪化も問題になる。
【００３２】
この炭化水素ガスは、窒素ガスとの併用が望ましい。その場合の炭化水素ガス量は０．０００５％以上０．１％以下が好ましく、０．００１％以上０．１％以下が更に好ましく、０．００２％以上０．１％以下が特に好ましい。０．１％以下で水分による悪影響を排除できる。０．００１％以上であれば、０．０１％以下の窒素ガス量で定格オゾン濃度を確保できる。０．１％以下の範囲内で炭化水素ガス量が多くなるほど窒素ガス量を低減できる。
【００３３】
窒素ガス量については０．００１％以上０．０１％以下とする。その理由は、０．００１％未満ではオゾン濃度を上昇させる効果が不足し、０．０１％超ではオゾン濃度を上昇させる効果はあるが、窒素酸化物の生成による弊害が問題になるからである。特に好ましい窒素ガス量は、下限については０．００２％以上である。０．００２％未満の場合、顕著な効果を得ようとすると炭化水素ガス量として０．００５％以上、好ましくは０．０１％以上が必要になる。上限については０．００５％以下が好ましい。この領域で炭化水素ガスの効きが特に顕著である。また少量の方が窒素酸化物の生成による弊害も、より少ないことは言うまでもない。
【００３４】
酸素ガスに窒素ガスを添加するタイミングは、炭化水素ガスを添加する前後、同時のいずれでもよく、オゾナイザに直接供給してここで酸素ガスと混合することもできる。使用する窒素ガス及び炭化水素ガスの各純度は、酸素ガスを高純度化する理由と同じく添加ガス種及び添加量の制御性を向上させるために９９．９９９％以上が望ましい。
【００３５】
炭化水素ガスは、代表的にはメタンガスであるが、２種類以上の炭化水素ガスを混合して使用することも可能である。
【００３６】
オゾナイザで生成されるオゾンガスのオゾン濃度は１００ｇ／ｍ3 （Ｎ）以上が好ましく、１５０ｇ／ｍ3 （Ｎ）以上、とりわけ２００ｇ／ｍ3 （Ｎ）以上が特に好ましい。なぜなら、高濃度化によって反応性が向上するだけでなく、微量の触媒によってオゾン濃度の低下を抑制する効果は、オゾンガスが高濃度であるほど有効であるからである。即ち、オゾン濃度が高くなると、分解反応も同時に増大し、触媒ガスがない場合はこの現象が顕著に現れ、オゾン濃度の低下が大きくなるが、触媒の添加により、高濃度ほど顕著なオゾン濃度の低下を阻止できるのである。
【００３７】
使用するオゾナイザは、放電電圧の高周波化や放電ギャップの縮小によりオゾン発生効率を高めた新タイプのものが好ましい。このタイプのオゾナイザで本発明の効果が特に顕著であるからである。新タイプのオゾナイザは、放電電圧の周波数や放電ギャップの大きさにより旧タイプのオゾナイザから区別される。具体的には、オゾン濃度への影響度は放電電圧の周波数が大きいようであり、その周波数は１５ｋＨｚ以上、特に２０ｋＨｚ以上が好ましい。周波数の次には放電ギャップの影響度が大きいようであり、その放電ギャップは０．４ｍｍ以下、特に０．１ｍｍ以下が好ましい。これらのオゾナイザで本発明は特に有効である。なお、周波数の上限及び放電ギャップの下限は、主にメカ的な制限により決まり、特に規定するものではない。
【発明の効果】
【００３８】
本発明のオゾン発生方法は、放電式のオゾナイザに供給する酸素ガスに僅かの炭化水素ガスを添加することにより、オゾン濃度を高めるための窒素ガスを不要にでき、窒素ガスを使用する場合にあってもその使用量を大幅に低減できる。特に、オゾン発生効率を追求した新タイプのオゾナイザにあっても有効である。これにより、窒素酸化物による問題を生じることなく高濃度のオゾンガスを効率よく製造できる。更にガス使用量の節減により経済性に優れると共に、水分による問題を生じないためドライ系、ウエット系を問わず適用可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
以下に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図４は本発明のオゾン発生方法を実施するのに適したオゾン発生装置の構成図である。
【００４０】
図４に示されたオゾン発生装置は、装置本体として放電式のオゾナイザ１を備えている。オゾナイザ１には、酸素ガス源２から配管３を通して高純度の酸素ガスが供給される。酸素ガス源２は、例えば液体酸素を充填したボンベである。配管３の途中には、炭化水素ガス源４及び窒素ガス源１０が接続されている。炭化水素ガス源１１は、こここではメタン（ＣＨ4 ）を加圧充填したボンベであり、窒素ガス源１０は、ここでは高純度の窒素ガスを加圧充填したボンベである。
【００４１】
このオゾン発生装置では、酸素ガス源２から配管３を通してオゾナイザ１に供給される高純度の酸素ガスに対して、配管３の途中で炭化水素ガス源１１から炭化水素ガスとしてメタンガスが添加されると共に、窒素ガス源１０から窒素ガスが添加される。炭化水素ガス量は０．０００５％以上０．０１％以下、窒素ガス量は０．００１％以上０．０１％以下である。
【００４２】
このオゾン発生装置を用いて実際にオゾンガスを生成した結果を次に説明する。
【００４３】
【表１】
2005350323.tif 000003
【００４４】
オゾナイザとしては表１に示す旧タイプ及び新タイプを使用した。酸素ガスとしては純度が９９．９９９９％以上の超高純度酸素ガスを用いた。このガスの水分含有量は、露点計で測定したところ、その測定限界である−１１０℃以下であり、０．００１ｐｐｍレベルである。
【００４５】
この超高純度酸素ガスをダイレクトにオゾナイザに供給した場合、旧タイプではオゾン発生開始時に１５０ｇ／ｍ3 （Ｎ）以上を示したオゾン濃度が７５ｇ／ｍ3 （Ｎ）前後に低下した。一方、新タイプではオゾン発生開始時に２００ｇ／ｍ3 （Ｎ）以上を示したオゾン濃度が５ｇ／ｍ3 （Ｎ）程度に低下した。
【００４６】
この超高濃度酸素ガスに高純度のメタンガス及び窒素ガスを添加した（図４の装置を使用）。これらの添加ガス量が、初期低下後の安定オゾン濃度に与える影響を調査した結果を図５及び図６に示す。
【００４７】
メタンガスを添加しない場合、概ね０．０２％を超える窒素ガスの添加により、オゾン濃度は定格に近い２３０〜２４０ｇ／ｍ3 （Ｎ）を示し、旧タイプより新タイプの方が高濃度となる（図３参照）。そして、０．０５％の添加で定格値に達する。ただし、このような添加域では、窒素酸化物の生成が問題になる。かといって窒素ガス量を０．０１％より少なくすると、オゾン濃度は２００ｇ／ｍ3 （Ｎ）以下となり、定格値に対して大幅に低下する。この傾向は新タイプで顕著であり、０．００２％未満では新タイプが旧タイプより劣る結果になる。
【００４８】
微量のメタンガスを添加すると、主に０．０１％以下の極低窒素ガス領域でのオゾン濃度が向上し、その傾向は新タイプで顕著である。その結果、新タイプで問題になる極低窒素ガス領域での極端なオゾン濃度低下が効果的に解消され、０．１％以下という少量のメタンガス添加にもかかわらず、定格値に近いオゾン濃度が確保される。そして、このような少量のメタンガス添加によれば、水分の発生及び経済性の低下が問題のない程度に抑制される。
【００４９】
オゾン濃度に及ぼすメタンガスの添加効果は、窒素ガスが添加されていない場合にも明確であり、０．０１〜０．１％の添加量で２００ｇ／ｍ3 （Ｎ）以上のオゾン濃度が確保される。これは０．０１％の窒素添加の場合を凌ぐオゾン濃度である。メタンガスに加えて窒素ガスが添加されると、同等のオゾン濃度を確保するのに必要なメタンガス量が減少し、０．０１％の窒素ガス量であれば、０．０００５％以上のメタンガスがあれば定格値に近い２２０〜２３０ｇ／ｍ3 （Ｎ）オゾン濃度が確保される。また、窒素ガス量が０．００５％の場合であっても、０．００１％以上のメタンガス量で定格値に近い２２０〜２３０ｇ／ｍ3 （Ｎ）のオゾン濃度が確保される。
【００５０】
窒素添加率とＮＯ3 生成量の間には線形の関係があり、窒素添加率を低減することでＮＯ3 生成量を低減することが可能になる。従来オゾンガスの分解に触媒を使用していた場合、窒素酸化物が触媒に吸着することで寿命が短くなることは前述したが、窒素添加率の低減による窒素酸化物生成量の低減により、その触媒の長寿命化が図られる。また、加熱式の分解器を使用する場合は、窒素酸化物は殆ど分解されずに排出されるため、窒素添加率の低減による窒素酸化物生成量の低減により、環境負荷の低減も可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】水分添加がオゾン濃度に及ぼす各影響を新旧のオゾナイザについて示す図表である。
【図２】二酸化炭素ガスの添加がオゾン濃度に及ぼす各影響を新旧のオゾナイザについて示す図表である。
【図３】（ａ）（ｂ）は窒素ガスの添加がオゾン濃度に及ぼす各影響を新旧のオゾナイザについて示す図表である。
【図４】本発明のオゾン発生方法を実施するのに適したオゾン発生装置の構成図である。
【図５】窒素ガス量とオゾン濃度との関係をメタンガス量をパラメータとして示したグラフである。
【図６】窒素ガス量とオゾン濃度との関係をメタンガス量をパラメータとして示したグラフである。
【符号の説明】
【００５２】
１  オゾナイザ
２  酸素ガス源
３  配管
１０  窒素ガス源
１１  炭化酸素ガス源
【図１】
2005350323.tif 000004
【図２】
2005350323.tif 000005
【図３】
2005350323.tif 000006
【図４】
2005350323.tif 000007
【図５】
2005350323.tif 000008
【図６】
2005350323.tif 000009