(57)【要約】      （修正有）【課題】表面に凹凸を有する結晶性シリコン薄膜を備えた薄膜半導体及びその形成方法を提供するものである。【解決手段】本発明に係る薄膜半導体１０は、基板１１上に、表面に所定間隔Ｐで断面鋸刃状の凸条１２を複数有する結晶性シリコン薄膜１４を設けたものである。また基板上に、表面に四角錘状の凸部が所定パターンで、複数配列された結晶性シリコン薄膜を設けたものである。ここで、凸条又は凸部の、表面粗さの平均二乗根が６０ｎｍ以上であることが好ましい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、表面に凸条を有する結晶性シリコン薄膜を設けたことを特徴とする薄膜半導体。
【請求項２】
基板上に、表面に所定間隔で断面鋸刃状の凸条を複数有する結晶性シリコン薄膜を設けたことを特徴とする薄膜半導体。
【請求項３】
基板上に、表面に四角錐状の凸部が所定パターンで複数配列された結晶性シリコン薄膜を設けたことを特徴とする薄膜半導体。
【請求項４】
上記凸条又は凸部の、表面粗さの平均二乗根が６０ｎｍ以上である請求項１から３いずれかに記載の薄膜半導体。
【請求項５】
基板上に設けた非単結晶シリコン薄膜に光の強度分布を有する連続波レーザ光を照射し、上記非単結晶シリコン薄膜を、表面に凸条を有する結晶性シリコン薄膜に形成することを特徴とする薄膜半導体の形成方法。
【請求項６】
基板上に設けた非単結晶シリコン薄膜に光の強度分布を有する連続波レーザ光を照射し、上記非単結晶シリコン薄膜を、表面に所定間隔で断面鋸刃状の凸条を複数有する結晶性シリコン薄膜に形成することを特徴とする薄膜半導体の形成方法。
【請求項７】
基板上に設けた非単結晶シリコン薄膜に光の強度分布を有する連続波レーザ光を照射し、上記非単結晶シリコン薄膜を、表面に四角錐状の凸部が所定パターンで複数配列された結晶性シリコン薄膜に形成することを特徴とする薄膜半導体の形成方法。
【請求項８】
上記連続波レーザ光を、上記非単結晶シリコン薄膜の表面をある方向に走査させながら照射する請求項５又は６記載の薄膜半導体の形成方法。
【請求項９】
上記連続波レーザ光を、上記非単結晶シリコン薄膜の表面をある方向に走査させながら照射した後、走査方向を変えて、再び連続波レーザ光を非単結晶シリコン薄膜の表面を走査させながら照射する請求項７記載の薄膜半導体の形成方法。
【請求項１０】
上記連続波レーザ光は、レーザ光の走査方向と垂直なレーザ幅方向に光の強度分布を有する請求項５から９いずれかに記載の薄膜半導体の形成方法。
【請求項１１】
上記連続波レーザ光は、非単結晶シリコン薄膜のレーザ光照射部が完全に融解する強度を有する請求項５から１０いずれかに記載の薄膜半導体の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、結晶性シリコン薄膜を有する薄膜半導体及びその形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、非導電性の異種基板、例えばガラス基板等の上に、シリコン結晶薄膜を形成する研究が盛んに行なわれている。このガラス基板上に形成したシリコン結晶薄膜の用途は広く、液晶デバイス用ＴＦＴ（Thin Film Transistor）や薄膜光電変換素子などに用いられている。
【０００３】
薄膜太陽光発電素子は、安価な基板上に、低温プロセスによって良好な結晶性をもつ結晶性シリコン薄膜を形成し、これを光電変換素子に用いて、低コスト化と高性能化を図ったものである。この結晶性シリコン薄膜を光電変換素子に用いた結晶シリコン光電変換素子は、非晶質シリコン光電変換素子の問題点である光劣化が生じることはなく、また、非晶質シリコン光電変換素子では感度のない（変換不能な）長波長光をも、電気的エネルギーに変換することができる。この技術は、光電変換素子だけではなく、光センサ等の光電変換装置への応用も可能であると期待されている。
【０００４】
この結晶シリコン光電変換素子の一般的な製造方法として、基板上に、プラズマＣＶＤ法により結晶性シリコン薄膜を直接堆積させる手法が用いられている。これによって、基板上に、結晶性シリコン薄膜を比較的低温で形成することができ、低コストで結晶性シリコン薄膜を成膜することができる。プラズマＣＶＤ法による成膜条件は、水素でシラン系原料ガスを約１５倍以上に希釈し、プラズマ反応室内圧力を１．３３〜１．３３×１０3Ｐａ（１０mTorr〜１０Torr）、基板温度を１５０〜５５０℃、望ましくは１５０〜４００℃の範囲内に制御するものであり、これによって、基板上に結晶性シリコン薄膜を形成することができる。
【０００５】
しかし、このプラズマＣＶＤ法による成膜方法では、結晶粒径の大きなポリシリコンを形成することは困難であった。また、発電機能の根幹を担うｉ層（真性半導体の薄膜）は、素子構造最適化のためにドーピングを行なうと品質が急激に低下するという問題があった。これらのことから、低コスト化に有利なシングルセルで、１０％を大きく上回る高い変換効率を達成することは困難であった。
【０００６】
結晶性シリコン薄膜の他の形成方法として、レーザ光を照射しながら走査することによって、結晶性シリコン薄膜の結晶化を行う試みも種々検討されている。この方法は、異種基板上に非晶質シリコン層を形成し、この非晶質シリコン層に帯状の連続波レーザ光を照射しながら走査することで、非晶質シリコン層を融解・結晶化させて多結晶シリコン層を得るものであり、走査方向に長い結晶粒を成長させることができる（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
この連続波レーザ光の照射による結晶化方法は、ディスプレイ用ＴＦＴ基板向けに開発が進められている。ディスプレイ用ＴＦＴ基板の表面にはＭＯＳＦＥＴを形成する必要があることから、この結晶化方法により得られた結晶性シリコン薄膜には平坦であることが求められている。ここで、固体レーザを用いることで、非常に平坦な結晶性シリコン薄膜が得られることが報告されている（例えば、非特許文献１参照）。
【０００８】
また、ＴＦＴ等の電子デバイスで用いる表面に凹凸を有する結晶性シリコン薄膜を、レーザ光を用いて形成する場合、膜厚５０ｎｍのアモルファスシリコンにエキシマレーザ光を照射することで、表面に、平均二乗根（ＲＭＳ）が最大５０ｎｍの凹凸を有する結晶性シリコン薄膜が得られることが報告されている（例えば、非特許文献２参照）。
【０００９】
【特許文献１】特開平２００１−３５１８６３号公報
【非特許文献１】佐々木伸夫、外６名,「ＣＷラテラル結晶化（ＣＬＣ）技術による移動度５００ｃｍ2／Ｖｓを超える新低温ポリＳｉＴＦＴ技術」,電子情報通信学会論文誌,C vol.J85-C,No.8,２００２年８月,p.601-608
【非特許文献２】菅勝行  外４名,「エキシマレーザアニールpoly-Si膜におけるレーザ照射雰囲気と照射回数が表面モフォロジーに与える影響」,電子情報通信学会論文誌,C vol.J85-C,No.8,２００２年８月,p.630-638
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、非特許文献２記載の凹凸を有する結晶性シリコン薄膜は、エキシマレーザを用いて５００回のパルス照射を行うことで得られたものであり、非常に極端な製造条件であることから生産性が悪く、量産に適した製造方法ではなかった。また、このレーザ光によるアニール後の結晶シリコンは凝集し、かつ、点在していることから、電子デバイスとしての使用に適したものではなかった。
【００１１】
以上の事情を考慮して創案された本発明の目的は、表面に凹凸を有する結晶性シリコン薄膜を備えた薄膜半導体及びその形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成すべく本発明に係る薄膜半導体は、基板上に、表面に凸条を有する結晶性シリコン薄膜を設けたものである。
【００１３】
また、本発明に係る薄膜半導体は、基板上に、表面に所定間隔で断面鋸刃状の凸条を複数有する結晶性シリコン薄膜を設けたものである。
【００１４】
また、本発明に係る薄膜半導体は、基板上に、表面に四角錐状の凸部が所定パターンで複数配列された結晶性シリコン薄膜を設けたものである。
【００１５】
ここで、凸条又は凸部の、表面粗さの平均二乗根が６０ｎｍ以上であることが好ましい。
【００１６】
以上によれば、結晶性シリコン薄膜の表面に設けた凸条又は凸部の、表面粗さの平均二乗根を６０ｎｍ以上とすることで、光閉じ込め効果が大きな薄膜半導体を得ることができる。
【００１７】
一方、本発明に係る薄膜半導体の形成方法は、基板上に設けた非単結晶シリコン薄膜に光の強度分布を有する連続波レーザ光を照射し、上記非単結晶シリコン薄膜を、表面に凸条を有する結晶性シリコン薄膜に形成するものである。
【００１８】
また、本発明に係る薄膜半導体の形成方法は、基板上に設けた非単結晶シリコン薄膜に光の強度分布を有する連続波レーザ光を照射し、上記非単結晶シリコン薄膜を、表面に所定間隔で断面鋸刃状の凸条を複数有する結晶性シリコン薄膜に形成するものである。
【００１９】
また、本発明に係る薄膜半導体の形成方法は、基板上に設けた非単結晶シリコン薄膜に光の強度分布を有する連続波レーザ光を照射し、上記非単結晶シリコン薄膜を、表面に四角錐状の凸部が所定パターンで複数配列された結晶性シリコン薄膜に形成するものである。
【００２０】
ここで、連続波レーザ光は、非単結晶シリコン薄膜の表面をある方向に走査させながら照射する又は非単結晶シリコン薄膜の表面をある方向に走査させながら照射した後、走査方向を変えて、再び連続波レーザ光を非単結晶シリコン薄膜の表面を走査させながら照射する。また、連続波レーザ光は、レーザ光の走査方向と垂直なレーザ幅方向に光の強度分布を有することが好ましい。さらに、連続波レーザ光は、非単結晶シリコン薄膜のレーザ光照射部が完全に融解する強度を有することが好ましい。
【００２１】
以上によれば、結晶性シリコン薄膜の表面に、表面粗さの平均二乗根が６０ｎｍ以上の凸条又は凸部を形成することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、基板上に、表面に凸条を有する結晶性シリコン薄膜を設けることで、光閉じ込め効果が大きな薄膜半導体を得ることができるという優れた効果を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の好適一実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
【００２４】
本発明の好適な一実施形態に係る薄膜半導体の斜視図を図１に示す。
【００２５】
図１に示すように、本実施の形態に係る薄膜半導体１０は、基板１１上の少なくとも一部に、表面に所定間隔Ｐで断面鋸刃状の凸条１２を複数有する結晶性シリコン薄膜１４を設けたものである。凸条１２の群が凹凸部１３を形成する。
【００２６】
凹凸部１３の表面粗さの平均二乗根は、６０ｎｍ以上、好ましくは１００ｎｍ以上である。
【００２７】
次に、本実施の形態に係る薄膜半導体１０の製造方法を、添付図面に基づいて説明する。
【００２８】
図２に示すように、ガラス基板等の異種基板１１上に、非晶質シリコンや微結晶シリコン等の非単結晶シリコン薄膜２４を形成する。次に、この非単結晶シリコン薄膜２４に、領域Ａで示す矩形状のレーザ光（半導体レーザ光）を照射する。その後、レーザ光を照射しながら、矢印ＤSの方向に走査する。このレーザ光の照射、走査によってレーザアニールがなされ、図３に示すように、レーザ光が照射された部分の非単結晶シリコン薄膜２４が融解、結晶化し、多結晶シリコン等の結晶性シリコン薄膜３４となる。この時、レーザ光に、走査方向ＤSと垂直なレーザ幅方向（図３中では左右方向）に強度分布を持たせることで、結晶性シリコン薄膜３４の表面に凸条１２が形成される。
【００２９】
その後、レーザ光を照射する領域Ａ（図２参照）を、矢印ＤMの方向に所定間隔Ｐで順次ずらしていくことで、基板１１上の少なくとも一部に、表面に所定間隔Ｐで断面鋸刃状の凸条１２を有する結晶性シリコン薄膜１４が形成され、図１に示した薄膜半導体１０が得られる。
【００３０】
ここで、非単結晶シリコン薄膜２４に対する照射に用いるレーザ光として、レーザ幅方向に、弱→強→弱→…→弱（図３中では弱→強→弱→強→弱）のような強度分布を形成することで、強度が強いレーザ光が照射された部分が隆起して凸部となる。レーザ光を走査することで、凸部が連続的につながって凸条１２となる。
【００３１】
弱→強→弱→…→弱のような強度分布には、一般的にガウシアン分布がある。レーザ光の光源として、固体レーザ（例えば、Ｎｄ:ＹＡＧレーザやＮｄ:ＹＶＯ4レーザ）を用いる場合、発振されるレーザ光は、円形のガウシアン分布を有する。従って、これらの固体レーザから発振されるレーザ光は、もともと強度分布を有していることから、レーザ光に光学的な加工を施すことなく、そのまま用いることができるという利点がある。また、レーザ光の光源として、半導体レーザを用いる場合、図５に示すように、矩形の照射領域（例えば、０．１ｍｍ×０．２ｍｍ）５１を有するレーザ光を発振することができる。この場合、レーザ光の光路上に、部分的にスリツトやＮＤフィルタ等を配することで、レーザ光のレーザ幅方向（図５中では左右方向）に強度分布を持たせることが可能となる。尚、レーザ照射に用いるレーザ光としては、固体レーザや半導体レーザに特に限定するものではなく、非単結晶シリコン薄膜２４を融解、結晶化することができる波長のレーザ光であれば全て適用可能である。
【００３２】
次に、本実施の形態の作用を説明する。
【００３３】
非単結晶シリコン薄膜２４に、レーザ幅方向に強度分布を有するレーザ光を照射させながら走査し、その後、レーザ光を照射する領域を所定間隔Ｐで順次ずらしていくことにより、凸条１２を規則的に、所定間隔Ｐで形成することが可能となる。これによって、結晶性シリコン薄膜３４の凹凸部１３における各凸条１２間に、所望の幅のＶ字型の溝を形成することができ、大きな光閉じ込め効果を有する結晶性シリコン薄膜３４を得ることが可能となる。よって、本実施の形態に係る薄膜半導体１０を、太陽電池等のデバイスに適用することで、１０％を大きく上回る高い変換効率を容易に達成することができる。
【００３４】
また、凹凸部１３の表面粗さは、レーザ光の形状（領域Ａの形状）はそのままの状態でレーザ光の強度を調整することで、自在に調整可能である。具体的にはレーザ光のレーザ強度を大きくすることで凸条１２の高さを高く、レーザ光のレーザ強度を小さくすることで凸条１２の高さを低く調整することができる。結晶性シリコン薄膜３４における凸条１２の高さの平均二乗根を６０ｎｍ以上、好ましくは１００ｎｍ以上に調整することで、表面が平坦な結晶性シリコン薄膜と比較して光吸収量を増大させることができる。ここで、レーザ光の強度は、非単結晶シリコン薄膜２４のレーザ光照射部を完全に融解できる範囲であり、非単結晶シリコン薄膜２４の材質、膜厚などに応じて適宜決定される。
【００３５】
また、凹凸部１３を備えた結晶性シリコン薄膜３４の製造は、連続波レーザ光を用いていることから、生産性が良好であり、量産に適している。また、このレーザ光によるアニール後の結晶性シリコン薄膜３４は、連続して、かつ、全面に亘って均一に形成されていることから、電子デバイスとしての使用に適している。
【００３６】
また、レーザ照射に用いるレーザ光として、照射領域が矩形で、かつ、レーザ幅方向が非常に長いものを用いることで、１回の走査で、大面積の非単結晶シリコン薄膜２４を融解、結晶化することができる。これによって、結晶性シリコン薄膜３４の製造工程の作業性が大幅に向上し、延いては薄膜半導体１０の製造コストの低減を図ることができる。
【００３７】
また、レーザ照射に用いるレーザ光として、Ｎｄ:ＹＡＧやＮｄ:ＹＶＯ4等の固体レーザを用い、結晶性シリコン薄膜３４の結晶化を行なうことで、ランニングコストを大幅に低減させることができ、かつ、品質の高い結晶性シリコン薄膜３４（多結晶シリコン）を形成することが可能となる。
【００３８】
次に、本発明の他の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
【００３９】
本発明の他の好適な一実施形態に係る薄膜半導体の斜視図を図４に示す。
【００４０】
図４に示すように、本実施の形態に係る薄膜半導体４０は、基板４１上の少なくとも一部に、表面に四角錐状の凸部４２が所定間隔Ｐで複数配列された結晶性シリコン薄膜４４を設けたものである。凸部４２の群が凹凸部４３を形成する。
【００４１】
凹凸部４３の表面粗さの平均二乗根は、６０ｎｍ以上、好ましくは１００ｎｍ以上である。
【００４２】
次に、本実施の形態に係る薄膜半導体４０の製造方法を、添付図面に基づいて説明する。
【００４３】
先ず、図１に示した薄膜半導体１０を形成する。次に、薄膜半導体１０を、凸条１２の長手方向に対して９０°水平に回転させる。その後、前実施の形態で説明した結晶性シリコン薄膜３４の形成手順と同様の手順で、凸条の長手方向と直交する方向に再びレーザ光を照射させながら走査する。この時、各凸条１２の長手方向の一部で、強度が強いレーザ光が照射された部分が更に隆起する。これによって、各凸条１２の長手方向の一部が凸条１２よりも更に隆起した四角錐状の凸部４２に形成される。
【００４４】
その後、レーザ光を照射する領域を、新たなレーザ光の走査方向と直交する方向に所定間隔Ｐで順次移動させていくことを繰り返すことで、基板４１上の少なくとも一部に、表面に四角錐状の凸部４２が所定間隔Ｐで複数配列された結晶性シリコン薄膜４４が形成され、図４に示した薄膜半導体４０が得られる。
【００４５】
本実施の形態に係る薄膜半導体４０においても、前実施の形態に係る薄膜半導体１０と同様の作用効果が得られる。
【００４６】
それに加え、本実施の形態に係る薄膜半導体４０によれば、結晶性シリコン薄膜４４の凹凸部４３における各凸部４２間に、所望の幅のＶ字型の溝を有しており、これらの溝の数は、前実施の形態に係る薄膜半導体１０における溝の数の約２倍に達する。また、結晶性シリコン薄膜４４の凹凸部４３における各凸部４２の表面粗さの平均二乗根は、前実施の形態に係る薄膜半導体１０の凹凸部１３における各凸条１２のそれよりも大きい。これらにより、前実施の形態に係る薄膜半導体１０の結晶性シリコン薄膜３４よりも、更に大きな光閉じ込め効果を有する結晶性シリコン薄膜４４が得られる。
【００４７】
以上、本発明の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、他にも種々のものが想定されることは言うまでもない。
【００４８】
次に、本発明の実施の形態について、実施例に基づいて説明するが、本発明の実施の形態はこれらの実施例に限定されるものではない。
【実施例１】
【００４９】
１×１０-7ＰａのＵＨＶ（Ultra High Vacuum）雰囲気下、真空蒸着法を用いて、石英基板上に３００ｎｍの膜厚の非晶質シリコン薄膜を形成した。この非晶質シリコン薄膜に、半導体レーザを発振源としたレーザ光を照射した。この半導体レーザ光はガウシアン分布を有しており、波長は８００ｎｍのものを使用した。このレーザ光を、走査速度１ｃｍ／ｓｅｃで直線状に走査させたところ、非晶質シリコン薄膜は融解、その後結晶化し、多結晶シリコン薄膜が得られた。この多結晶シリコン薄膜は、幅が数μｍ以上、長さが数十μｍ以上であった。
【００５０】
この多結晶シリコン薄膜は、レーザ光の走査方向と垂直なレーザ幅方向の膜厚が異なっており、図６に示すように、レーザ光照射部の中心部分が高さ１μｍ程度に隆起した凸条となっていることが、段差測定から分かった。なお、この凸条は、レーザ光を照射した箇所が完全融解するようなレーザ強度とした場合に出現した。また、レーザ光の形状を変えずにレーザ強度を小さくすることで、高さが１００ｎｍ（０．１μｍ）の凸条の作製も可能であつた。
【実施例２】
【００５１】
［実施例１］と同様の非晶質シリコン薄膜が形成された石英基板に、Ｎｄ:ＹＶＯ4レーザを発振源としたレーザ光を照射した。この半導体レーザ光はガウシアン分布を有しており、波長は５３２ｎｍ、レーザ光の径は１０μｍのものを使用した。このレーザ光を、走査速度２ｃｍ／ｓｅｃで直線状に走査させたところ、非晶質シリコン薄膜は融解、その後結晶化し、多結晶シリコン薄膜が得られた。その後、レーザ光の照射領域をレーザ幅方向に９μｍずらし、レーザ光を照射しながら走査するということを１００回繰り返した。その結果、９００μｍの幅で、結晶化された領域が形成された。この結晶化された領域は、レーザ光の走査方向と垂直なレーザ幅方向に、９μｍのピッチで凸条が連続的に形成されていた。
【実施例３】
【００５２】
プラズマＣＶＤ法を用いて、石英基板上に１μｍの膜厚の微結晶シリコン薄膜を形成した。原料ガスは、モノシラン１ｃｃｍに対して、水素５０ｃｃｍを用い、基板温度は４００℃とした。その後、この石英基板に６００℃×３０ｍｉｎの熱処理を行った。次に、半導体レーザ光を用いて微結晶シリコン薄膜にレーザアニールを行った。ここで、半導体レーザ光は、長さが０．１ｍｍ×幅が０．２ｍｍの矩形状であり、長さ方向を走査方向とした。また、レーザ光の光路中に周期的にＮＤフィルターを１００本挿入し、出力されるレーザ光が幅方向に１００回の周期的な強弱を有するようにした。
【００５３】
このようなレーザ光を用いて走査を行ったところ、図１に示したような、光の強弱に対応した周期的な凸条を有する多結晶シリコン薄膜（結晶性シリコン薄膜）が形成された。この多結晶シリコン薄膜の吸収スペクトルを測定した結果、図７に示すように、表面が平坦な多結晶シリコン薄膜と比較して、凸条の高さが高くなるにつれて光吸収量が著しく増大した。凸条の高さは、レーザパワーを変えることで６０〜５００ｎｍの範囲で自在に調節することができた。また、波長３００〜１２００ｎｍの領域において、１．２倍程度の光閉じ込め効果が確認できた。吸収スペクトルの測定結果より、凸条の高さの平均二乗根が１００ｎｍ以上において、光吸収量が増加することが確認できた。
【実施例４】
【００５４】
［実施例３］の多結晶シリコン膜を有する石英基板を、凸条の長手方向に対して９０°回転させる。その後、実施例３と同様の手順で、凸条の長手方向と直交する方向に再び半導体レーザ光を適切な出力で発振させ、照射させながら走査する。
【００５５】
その結果、図４に示したような、表面に四角錐状の凸部が所定間隔で複数配列された多結晶シリコン薄膜が形成された。この多結晶シリコン薄膜の吸収スペクトルを測定した結果、表面が平坦な多結晶シリコン薄膜と比較して、波長３００〜１２００ｎｍの領域において、１．２７倍程度の光閉じ込め効果が確認できた。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の好適な一実施形態に係る薄膜半導体の斜視図である。
【図２】図１の薄膜半導体の製造方法を説明するための図である。
【図３】図１の薄膜半導体の製造方法を説明するための図である。
【図４】本発明の他の好適な一実施形態に係る薄膜半導体の斜視図である。
【図５】非単結晶シリコン薄膜のレーザアニールに用いる半導体レーザ光の模式図である。
【図６】レーザ照射部のレーザ幅方向における隆起状態を示す図である。
【図７】凸条の高さと光吸収量との関係を表す図である。縦軸は、平坦な多結晶シリコン薄膜の光吸収量を１．０とした時の相対値である。
【符号の説明】
【００５７】
１０  薄膜半導体
１１  基板
１２  凸条
１４  結晶性シリコン薄膜
Ｐ  所定間隔
【図１】
2005064134.tif 000003
【図２】
2005064134.tif 000004
【図３】
2005064134.tif 000005
【図４】
2005064134.tif 000006
【図５】
2005064134.tif 000007
【図６】
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【図７】
2005064134.tif 000009