(57)【要約】【課題】  ＭＯＣＶＤ法によって化合物半導体薄膜を成長するに際し，簡単な方法によって基板裏面への堆積物の付着を防ぎ，クロスハッチの発生防止を図る。【解決手段】  表面にＭＯＣＶＤ法によって化合物半導体薄膜を成長させる化合物半導体基板の裏面に，例えば有機Ｓｉ化合物などといったＳｉとＯを有する化合物を予め塗布しておく。化合物半導体基板の表面にＭＯＣＶＤ法を施す際に，加熱によって基板の裏面に非常に薄いＳｉＯ２の保護膜を形成することができる。その結果，原料ガスが基板の裏面に侵入しても，堆積物が付着しなくなり，基板の温度不均一を原因とするクロスハッチの発生を防止できる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
化合物半導体基板の表面にＭＯＣＶＤ法によって化合物半導体薄膜を成長するに際し，成長前に，前記化合物半導体基板の裏面に，ＳｉとＯを有する化合物を塗布することを特徴とする，半導体基板の処理方法。
【請求項２】
前記化合物半導体基板が，III−Ｖ族化合物半導体基板であることを特徴とする，請求項１に記載の半導体基板の処理方法。
【請求項３】
前記III−Ｖ族化合物半導体基板が，ＧａＡｓ，ＩｎＰ，ＧａＰ，ＧａＳｂ及びＩｎＡｓのいずれかからなることを特徴とする。請求項２に記載の半導体基板の処理方法。
【請求項４】
前記化合物半導体薄膜が，III−Ｖ族化合物半導体薄膜であることを特徴とする，請求項１，２又は３に記載の半導体基板の処理方法。
【請求項５】
前記III−Ｖ族化合物半導体薄膜が，（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）またはＩｎｘＧａ１−ｘＡｓｙＰ１−ｙ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）からなることを特徴とする，請求項４に記載の半導体基板の処理方法。
【請求項６】
前記ＳｉとＯを有する化合物が，オルガノシロキサンもしくはオルガノシラザンであることを特徴とする，請求項１，２，３，４又は５に記載の半導体基板の処理方法。
【請求項７】
前記ＳｉとＯを有する化合物の分子中におけるＳｉ原子の数が，３〜１２の範囲であることを特徴とする，請求項１，２，３，４，５又は６に記載の半導体基板の処理方法。
【請求項８】
前記ＳｉとＯを有する化合物を，有機溶剤に溶かして塗布することを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６又は７に記載の半導体基板の処理方法。
【請求項９】
前記ＳｉとＯを有する化合物を有機溶剤に溶かした溶液において，Ｓｉの含有量が，０．１ｍ  ｍｏｌ／リットル以上であることを特徴とする，請求項８に記載の半導体基板の処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，化合物半導体基板上に，有機金属を用いた化学的気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）によって化合物半導体薄膜を成長するに際し，成長前の半導体基板を処理する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＧａＡｓ，ＩｎＰなどの化合物半導体素子は，その高い駆動速度を利用して携帯電話を始めとする移動体通信機器に，また，広い波長域を持つ発光特性を利用して光通信機器及び表示装置に使用されている。これらの化合物半導体素子は，化合物単結晶基板（以下単に「基板」と言う）上に化合物半導体薄膜をエピタキシャル成長させて作成される。薄膜の作成方法としては有機金属を用いた化学的気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）が広く用いられている。通常，基板の片方の面（表面）のみにエピタキシャル層を成長させ，裏面にはエピタキシャル層を成長させないが，成長時に，基板と基板を支持する部品の隙間から薄膜の原料である有機金属を含んだガスが基板裏面にも供給され，熱分解によって分解した原料が堆積し付着する。そのため，基板裏面の状態が変化し，基板の熱吸収が不均一になり，基板の温度分布が不均一になる。特にＧａＡｓ基板上におけるＡｌＧａＩｎＰ層あるいはＩｎＰ基板上におけるＩｎＧａＡｓＰ層の成長に代表される混晶系の成長においては，基板とエピタキシャル層の格子間距離が一致する原料組成範囲が狭い。そのため基板の温度分布の不均一により，基板の外周部において，基板とエピタキシャル層の格子間距離が一致する原料組成範囲を外れ，クロスハッチと呼ばれる欠陥が発生するという問題があった。クロスハッチの発生した領域に作成された半導体素子はその特性が劣化するため，半導体素子製造工程の歩留まりが低下してしまう。このため従来より，特許第３１２７６１６号公報，特開２００３−２２９７５号公報に示されるように，エピタキシャル層の成長速度や基板の昇温速度を制御する方策などが知られている。
【０００３】
【特許文献１】特許第３１２７６１６号公報
【特許文献２】特開２００３−２２９７５号公報
【０００４】
また，クロスハッチの発生防止のため，基板裏面側にキャリアガスであるＨ２あるいはＶ族を含んだＨ２ガスを少量導入することによって，基板表面側への有機金属を含んだ原料ガスの侵入を防ぐ方法が採用されている。また，裏面を基板支持リングに密着させて基板裏面の空間を無くすことにより，原料ガスが基板裏面に侵入することを防ぐ方法が採用されている。また，基板支持リングと基板周縁部との隙間をなくし，有機金属を含んだ原料ガスが基板裏面に侵入することを防ぐ方法が採用されている。更に，スパッタ法，ＥＢ蒸着法，Ｐ−ＣＶＤ法又はゾルゲル法により，基板の裏面に数１０ｎｍから数μｍのＳｉＮあるいはＳｉＯ２からなる膜を成長させてを保護する方法が採用されている。
【０００５】
しかしながら，基板裏面側にキャリアガスであるＨ２等を導入した場合，そのガスが基板の表面側にも流れ込み，原料ガスの組成が変化し，エピタキシャル膜の成長速度が低下したり，面内の膜厚の均一性を悪くしてしまう。この問題を回避するために裏面側に供給したガスを基板の外周部で排気して，表面に流れ込まないようにする方法もあるが，一般的な量産用ＭＯＣＶＤ装置では，エピタキシャル膜の面内均一性及びバッチ内の均一性を上げる目的で基板を自公転させているため，そのような排気ラインを設けるには基板回転機構そのものに配管を内蔵させる必要があり，困難である。また，裏面側に導入するガスの流量を，セットされている基板１枚毎に制御する機構を設ける必要がある。そのため装置の構造が非常に複雑になり，装置の価格が高くなってしまうだけでなく，装置のメンテナンス性も悪いためランニングコストも高くなってしまう。
【０００６】
また，基板裏面を平板に密着させるためには，両者の寸法精度を非常に高くする必要がある。通常，２インチ基板で，常温においても５μｍ以上の反りがあり，基板支持リングの材料として一般的に使用されるカーボン部品の寸法精度は１０μｍ程度である。また，加熱中に基板がさらに反ることにより，基板支持リングとの隙間はさらに広がるので，基板裏面を基板支持リングに密着させた状態を維持することは難しい。また，基板と基板支持リングが接触している箇所と接触していない箇所で，基板の表面温度に差が生じ，エピタキシャル層の特性が不均一になってしまう。
【０００７】
また，基板支持リングと基板との隙間をなくす場合も，同様に，寸法精度を高くしなくてはならず，隙間なく基板を支持しておくことが難しい。前記と同様に，加熱中における基板の反りによって隙間を生じ，そこから原料ガスが裏面側に侵入してしまう。
【０００８】
更に，基板裏面をＳｉＮ等の膜で保護する方法は，堆積物の付着は抑制できるが，保護膜と基板の熱膨張率の差からエピタキシャル成長中に基板が著しく反ってしまい，基板の格子定数が変化し所望の組成のエピタキシャル膜の成長を阻害する。また，基板が加熱または冷却される時に生じる熱歪みにより，基板表面にスリップが発生してしまう。また，基板裏面に作成する保護膜は極力薄くする必要があり，好ましくは１０ｎｍ以下の膜厚にする必要があるが，基板裏面に均一に１０ｎｍ以下の薄膜を形成するためには非常に高度な製膜技術が必要であり，製膜装置も複雑な構造になり，量産用ＭＯＣＶＤと同等またはそれ以上に高価になってしまう。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従って，本発明の目的は，ＭＯＣＶＤ法によって化合物半導体薄膜を成長するに際し，簡単な方法によって基板裏面への堆積物の付着を防ぎ，クロスハッチの発生防止を図ることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この目的を達成するために，化合物半導体基板の表面にＭＯＣＶＤ法によって化合物半導体薄膜を成長するに際し，成長前に，前記化合物半導体基板の裏面に，ＳｉとＯを有する化合物を塗布することを特徴とする，半導体基板の処理方法が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
成長前に，化合物半導体基板の裏面に，例えば有機Ｓｉ化合物などといったＳｉとＯを有する化合物を予め塗布しておくことにより，化合物半導体基板の表面にＭＯＣＶＤ法を施す際に，基板の裏面に非常に薄いＳｉＯ２の保護膜を形成することができる。その結果，原料ガスが基板の裏面に侵入しても，堆積物が付着しなくなり，基板の温度不均一を原因とするクロスハッチの発生を防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明にあっては，化合物半導体基板の表面にＭＯＣＶＤ法によって化合物半導体薄膜を成長するに際し，化合物半導体薄膜を成長させる前に，半導体薄膜を成長させる表面と反対側となる化合物半導体基板の裏面に，例えば有機Ｓｉ化合物などといったＳｉとＯを有する化合物を予め塗布しておく。ここで，化合物半導体基板は，例えばIII−Ｖ族化合物半導体基板であり，その具体例として，ＧａＡｓ，ＩｎＰ，ＧａＰ，ＧａＳｂ及びＩｎＡｓのいずれかなどがあげられる。
【００１３】
化合物半導体基板の裏面に塗布されるＳｉとＯを有する化合物として，オルガノシロキサンもしくはオルガノシラザンなどといった有機Ｓｉ化合物が例示される。これらは工業的に生産されており，半導体工業に適した純度の高い薬品として入手しやすい。
【００１４】
また，このように化合物半導体基板の裏面に塗布されるＳｉとＯを有する化合物の分子中におけるＳｉ原子の数は，３〜１２の範囲であることが好ましい。原子数が３未満では例えば有機Ｓｉ化合物などといったＳｉとＯを有する化合物の揮発性が高く，ＭＯＣＶＤ法の昇温過程でそのほとんどが基板裏面から蒸発してしまい，化合物半導体薄膜を成長する過程において十分な厚みの保護膜を維持することが難しい。また，Ｓｉの原子数が１２を超える有機Ｓｉ化合物などは化学的安定性に乏しく，空気中の水分によって容易に加水分解してしまい，取り扱いが難しい。
【００１５】
化合物半導体基板の裏面にＳｉとＯを有する化合物を塗布する場合，例えば有機ケイ素化合物を有機溶剤に溶かし，その溶液を化合物半導体基板の裏面に塗布しても良い。その場合，溶液において，Ｓｉの含有量が，０．１ｍ  ｍｏｌ／リットル以上であることが望ましい。溶液中のＳｉの含有量が０．１ｍ  ｍｏｌ／リットル未満だと，ＭＯＣＶＤ法の昇温過程でそのほとんどが基板裏面から蒸発してしまい，化合物半導体薄膜を成長する過程において十分な厚みの保護膜を維持することが難しい。なお，溶液中のＳｉ濃度をあまり高くすると基板裏面に形成されるＳｉＯ２の膜厚が厚くなり過ぎ，基板が加熱または冷却される時に生じる熱歪みにより，基板表面にスリップが発生してしまう。このような不具合を発生させないために，使用する化合物半導体基板やＳｉとＯを有する化合物，有機Ｓｉ化合物の物性，成長させる化合物半導体薄膜の組成，成長温度，ＭＯＣＶＤ装置の条件などに基き，基板裏面に塗布する溶液中のＳｉ濃度の上限を適宜定める。
【００１６】
そして，裏面にＳｉとＯを有する化合物を予め塗布した化合物半導体基板を，乾燥後，ＭＯＣＶＤ装置にセットし，化合物半導体薄膜を成長させる温度まで化合物半導体基板を加熱する。この昇温過程において，基板裏面に塗布されたＳｉとＯを有する化合物中に含まれているＳｉが，ＳｉとＯを有する化合物中もしくは基板裏面に形成された酸化膜中，周囲雰囲気中等に存在している酸素と反応し，基板裏面にＳｉＯ２の極薄い保護膜を形成する。
【００１７】
その後，原料ガスを供給して化合物半導体基板の表面にＭＯＣＶＤ法によって化合物半導体薄膜をエピタキシャル成長させる。この場合，化合物半導体薄膜は，例えばIII−Ｖ族化合物半導体薄膜であり，（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１），ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓｙＰ１−ｙ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）からなるものが例示される。
【実施例】
【００１８】
以下，本発明の実施例を，従来のものと比較して説明する。図１に示すように，実施例で使用したＭＯＣＶＤ装置１は，減圧可能なケーシング１０の内部に形成された反応室１１に，サセプタ１２を配置している。サセプタ１２の上面中央には回転支持軸１３が取付けられ，この回転支持軸１３を介してサセプタ１２は，反応室１１内部で回転駆動させられる。
【００１９】
サセプタ１２には，略円盤形状の化合物半導体基板（ウェハ）Ｗを支持する基板支持部１５が複数箇所に設けてある。これら基板支持部１５に，化合物半導体基板Ｗが表面（ＭＯＣＶＤ法によって化合物半導体薄膜を成長させる面）を下に向けた姿勢で支持されている。機構の説明は省略するが，これら基板支持部１５も，化合物半導体基板Ｗをそれぞれ回転駆動自在に支持している。
【００２０】
図２に示すように，基板支持部１５は，均熱板１６と基板支持リング１７を上下に重ねて配置し，これら均熱板１６と基板支持リング１７の周りをリング形状のホルダ１８で囲んだ構成を通している。この実施例では，二通りの構成の基板支持リング１７ａ，１７ｂを使用している。
【００２１】
一方の支持リング１７ａは，図３に示すように，互いに間隔をあけて配置された３つの爪２０の上に化合物半導体基板Ｗの周縁部を載せて支持する構成である。他方の支持リング１７ｂは，図４に示すように，化合物半導体基板Ｗの周縁部に連続して接触するように配置されたリング形状の爪２１の上に化合物半導体基板Ｗの周縁部を載せて支持する構成である。
【００２２】
図２に示すように，基板支持部１５に支持された化合物半導体基板Ｗの裏面（化合物半導体薄膜を成長させない面であり，図２にでは上面）上方には，均熱板１６との間に空間２２が形成されている。図３に示す如き３つの爪２０に周縁部を載せて化合物半導体基板Ｗ支持する一方の支持リング１７ａを使用した場合は，支持リング１７ａの内側縁と化合物半導体基板Ｗの周縁部との間に２００μｍ程度の隙間が形成されるので，化合物半導体基板Ｗの表面側（化合物半導体薄膜を成長させる面側であり，図２にでは下面側）の雰囲気（原料ガス）が，その隙間を通じて，化合物半導体基板Ｗの裏面側（空間２２）にも容易に入り込むことができる。一方，図４に示す如きリング形状の爪２１に周縁部を載せて化合物半導体基板Ｗ支持する他方の支持リング１７ｂを使用した場合は，化合物半導体基板Ｗの周縁部にリング形状の爪２１が連続して接触しているため，化合物半導体基板Ｗの表面側の雰囲気（原料ガス）は化合物半導体基板Ｗの裏面側（空間２２）に入り込むことがほとんどできない。
【００２３】
図１に示すように，サセプタ１２の周囲に石英からなる隔壁２４を配置することにより，ケーシング１０内の反応室１１は，上部空間１１ａと下部空間１１ｂに区分けされている。上部空間１１ａには，サセプタ１２の上面に対向するように複数の抵抗加熱方式のヒータ２５が配置してあり，これらヒータ２５の加熱によって，基板支持部１５に支持された化合物半導体基板Ｗを所望の温度に昇温させることができる。
【００２４】
また，下部空間１１ｂには，サセプタ１２の下面に対向するように冷却盤２６が配置してあり，この冷却盤２６の冷却によって，基板支持部１５に支持された化合物半導体基板Ｗを所望の温度に冷却させることができる。なお，冷却盤２６の上面は，石英板２７によって覆われている。
【００２５】
ケーシング１０の底面中央及びこれら冷却盤２６と石英板２７の中央を貫通して原料ガスの導入ノズル２８が設けてある。また，ケーシング１０の底面側方には排気路２９が設けてある。化合物半導体薄膜を成長するに際しては，導入ノズル２８から反応室１１の下部空間１１ｂに原料ガスを導入し，排気路２９から排気することができる。
【００２６】
以上に説明した減圧型のＭＯＣＶＤ装置１を用いて，２インチのＧａＡｓ基板からなる化合物半導体基板Ｗの表面に，ＭＯＣＶＤ法によってＡｌＧａＩｎＰ薄膜からなる化合物半導体薄膜をエピタキシャル成長させた。成長させるにあたり，有機金属として，トリメチルガリウム（ＴＭＧ），トリメチルインジウム（ＴＭＩ）を使用し，無機原料としてＡｓＨ３，ＰＨ３を使用し，キャリアガスとしてＨ２を使用した。
【００２７】
本発明の実施例として，有機Ｓｉ化合物（ＳｉとＯを有する化合物）であるオクタメチルシクロテトラシロキサンを，有機溶剤であるｎ−ヘキサンに溶かし，その溶液を化合物半導体基板Ｗの裏面に塗布し，それぞれサンプルＡ，Ｂ，Ｃとした。これらサンプルＡ，Ｂ，Ｃにおける溶液中のＳｉの含有量は，サンプルＡが０.０５ｍ  ｍｏｌ／リットル，サンプルＢが０.５ｍ  ｍｏｌ／リットル，サンプルＣが５ｍ  ｍｏｌ／リットルである。
【００２８】
また，本発明の実施例として，オクタメチルシクロテトラシロキサンの代わりに有機Ｓｉ化合物（ＳｉとＯを有する化合物）であるヘキサメチルジシラザンを，有機溶剤であるｎ−ヘキサンに溶かし，その溶液を化合物半導体基板Ｗの裏面に塗布し，サンプルＤとした。このサンプルＤにおける溶液中のＳｉの含有量は，０.５ｍ  ｍｏｌ／リットルである。
【００２９】
一方，比較例として，ＳｉとＯを有する化合物を含まないｎ−ヘキサンのみを化合物半導体基板Ｗの裏面に塗布し，サンプルＥとした。
【００３０】
また，比較例として，化合物半導体基板Ｗの裏面に何も塗布しないサンプルＦ，Ｇを用意した。
【００３１】
そして，これらサンプルＡ〜Ｇを，先に説明したＭＯＣＶＤ装置１において，基板支持部１５にそれぞれ支持し，各サンプルＡ〜Ｇの表面（下面）にＭＯＣＶＤ法によって化合物半導体薄膜を成長させた。
【００３２】
なお，サンプルＡ〜Ｆについては，図３で説明した支持リング１７ａを使用した。これらサンプルＡ〜Ｆについては，支持リング１７ａの内側縁と化合物半導体基板Ｗの周縁部との間に２００μｍ程度の隙間が形成されるので，原料ガスが化合物半導体基板Ｗの裏面側にも容易に入り込むことができる。
【００３３】
一方，サンプルＧについては，図４で説明した支持リング１７ｂを使用した。サンプルＧについては，化合物半導体基板Ｗの周縁部にリング形状の爪２１が連続して接触しているため，原料ガスは化合物半導体基板Ｗの裏面側に入り込むことがほとんどできない。
【００３４】
そして先ず，これらサンプルＡ〜Ｇのそれぞれについて，ＭＯＣＶＤ装置１にてＨ２ガスを流しながら７５Ｔｏｒｒの減圧下で化合物半導体基板Ｗを５００℃まで加熱し，その後ＰＨ３とＨ２を流して，化合物半導体基板Ｗ表面の酸化膜を除去したのち，原料ガスを流して化合物半導体基板Ｗの表面に，図５で示すように，ＧａＡｓ層５１（０．５μｍ），ＡｌＧａＩｎＰ層５２（２．０μｍ），ＧａＡｓ層５３（１．０ｍ）の順にエピタキシャル層を積層させた。
【００３５】
次いで，化合物半導体基板ＷをＨ２雰囲気下で１００℃まで冷却後，ＭＯＣＶＤ装置１から取り出し，各サンプルＡ〜Ｇのそれぞれについて，表面と裏面の状態を目視および光学顕微鏡で観察した。さらに，裏面をＥＳＣＡで観察しＳｉ−Ｏ間の結合に起因するピークの有無を観察した。表１に，各サンプルＡ〜Ｇについて，基板表面のクロスハッチの程度，基板裏面への原料ガスの回り込みによる原料分解物の付着の程度，ＥＳＣＡによる裏面観察におけるＳｉ−Ｏ間の結合によるピークの有無を比較して示した。
【００３６】
オクタメチルテトラシクロシロキサンを塗布したサンプルＢ，Ｃとヘキサメチルジシラザンを塗布したサンプルＤは基板裏面への堆積物の付着がなく，基板裏面の堆積物の付着に起因する基板表面のクロスハッチの発生がなかった。また，ＥＳＣＡの観察結果では，サンプルＢ，Ｃ，ＤからＳｉ−Ｏの結合に起因するピークが観察された。これはサンプルＢ，Ｃ，Ｄの裏面に非常に薄いＳｉＯ２の保護膜が形成されていることを示している。サンプルＥからはＳｉ−Ｏ間に起因するピークは観察されなかったことから，ＳｉＯ２の起源はオクタメチルテトラシクロシロキサンおよびヘキサメチルジシラザンであることが解かる。また，サンプルＡとサンプルＢ，Ｃの比較から，有機Ｓｉ化合物（ＳｉとＯを有する化合物）の濃度が低すぎるとＭＯＣＶＤ装置１内で昇温中にほとんど揮発してしまい，基板裏面に十分な保護膜が形成されないことが解かる。なお，オルガノシロキサンに近い特性をもつオルガノシラザンについても同様の結果が容易に予想される。また，サンプルＧの結果が示すように，支持リング１７ｂを用いて原料ガスが化合物半導体基板Ｗの裏面側に入り込まないようにしても，加熱中における化合物半導体基板Ｗの変形で，化合物半導体基板Ｗと支持リング１７ｂの間に隙間ができ，そこから侵入した原料ガスにより，基板裏面に堆積物が付着してしまう。
【００３７】
【表１】
2005251914.tif 000003
裏面付着物：＋＋（全面に付着），＋（部分的に付着），−（ほとんど付着無し）
クロスハッチ：＋＋（全周に渡って発生），＋（部分的に発生），−（ほとんど発生無し）
ＥＳＣＡ測定におけるＳｉ−Ｏピーク：＋＋（ピーク大），＋（ピーク小），−（ピーク無し）
【産業上の利用可能性】
【００３８】
本発明によれば，原料ガスによって発生する基板裏面への堆積物の付着を防止することができる。そのため基板温度が均一になり，基板表面にクロスハッチが発生しない。本発明は，その原理上，ＩｎＰ基板上におけるＩｎＧａＡｓＰ層に代表される他の混晶系のエピタキシャル成長にも，同様に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】ＭＯＣＶＤ装置の説明図である。
【図２】基板支持部の説明図である。
【図３】３つの爪に基板の周縁部を載せて支持する支持リングの底面図である。
【図４】リング形状の爪の上に基板の周縁部を載せて支持する支持リングの底面図である。
【図５】基板表面に積層される各エピタキシャル層の説明図である。
【符号の説明】
【００４０】
Ｗ    化合物半導体基板
１    ＭＯＣＶＤ装置
１０  ケーシング
１１  反応室
１２  サセプタ
１３  回転支持軸
１５  基板支持部
１６  均熱板
１７  基板支持リング
１８  ホルダ
２０，２１  爪
２２  空間
２４  隔壁
２５  ヒータ
２６  冷却盤
２７  石英板
２８  導入ノズル
２９  排気路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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