(57)【要約】      （修正有）【課題】微小プラズマを発生させるための電極間距離の制御を精度良く行うことが可能であって、且つ試料にプラズマ加工を施した直後の試料観察を可能とするマイクロプラズマ発生装置の提供。【解決手段】走査型電子顕微鏡２と、走査型電子顕微鏡２の内に配設されるとともに試料Ｐが載置される載置電極３２と、載置電極３２の上面に配設されるとともに上下、左右及び前後方向に移動可能であって、試料Ｐの上に走査型電子顕微鏡２の外部から供給されるガスを吹付ける毛細管３３５とからなり、毛細管３３５の外面には金属被膜３４０が施され、金属被膜部３４０に電圧が印加される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査型電子顕微鏡と、
前記走査型電子顕微鏡内に配設されるとともに試料が載置される載置電極と、
前記載置電極の上面に配設されるとともに上下、左右及び前後方向に移動可能であって、前記試料上に前記走査型電子顕微鏡外部から供給されるガスを吹付ける毛細管とからなり、
前記毛細管の外面には金属被膜が施され、
前記金属被膜部に電圧が印加されることを特徴とするマイクロプラズマ発生装置。
【請求項２】
走査型電子顕微鏡と、
前記走査型電子顕微鏡内に配設されるとともに試料が載置される載置電極と、
前記載置電極の上面に配設されるとともに上下、左右及び前後方向に移動可能な放電電極と、
前記走査型電子顕微鏡外部からプラズマを発生させるためのガスを導入する毛細管からなり、
前記毛細管の一端が前記放電電極と前記載置電極の間の空間近傍に配設されることを特徴とするマイクロプラズマ発生装置。
【請求項３】
走査型電子顕微鏡と、
前記走査型電子顕微鏡内に配設される放電ガスセルと、
前記放電ガスセル内に配設されるとともに試料が載置される載置電極と、
前記放電ガスセル内に配設され、前記載置電極の上面に配設されるとともに、上下、左右及び前後方向に移動可能な放電電極からなり、
前記放電ガスセルは、一端有底筒形状のセル本体部と
前記セル本体に対して左右移動可能であるとともに、前記セル本体に嵌合することで前記放電セルを密閉状態にするセル蓋部とからなり、
前記セル本体部の底部にはガス導入口とガス排出口が設けられることを特徴とするマイクロプラズマ発生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極間隔をミクロン単位で調整可能であり、かつ放電加工された試料の観測が直ちに行うことが可能なマイクロプラズマ発生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現代の材料開発、生産技術において、多くの分野で、プラズマ材料加工技術が用いられており、今後、ますますその地位は重要なものとなっていくものと考えられている。
特許文献１には、高圧環境下における微小電極間隔でマイクロプラズマを発生させる装置が開示されている。特許文献１に開示されるマイクロプラズマ発生装置において、電極間距離とプラズマを発生させるための作動ガスの圧力は、以下の２つの関係に従うものとされている。以下の式において、Ｄは電極間距離、Ｐはプラズマを発生させるための作動圧力である。
【０００３】
【数１】
2005243279.tif 000003
【０００４】
上記式で示されるように、プラズマを発生させるためには、電極間距離Ｄをナノメータからミクロンメータの範囲で制御することを要する。しかしながら、従来電極間距離を精度良く計測し、制御できる技術は存在しなかった。
【０００５】
特許文献２には、電子顕微鏡による試料観察を可能とする試料室を併設したプラズマ発生装置が開示されている。特許文献２に開示される技術によれば、プラズマ加工時の高圧環境と電子顕微鏡による試料観察時の低圧環境とを１つの空間内で同時に実現し、プラズマ加工直後の試料観察が可能となる。
しかしながら、特許文献２に開示される技術は、電子サイクトロン共鳴によってプラズマを発生させるものであって、電極間の電圧によって放電プラズマを発生させるものではなく、マイクロプラズマを発生させるための精度の高い電極間距離の制御を可能とするものではなかった。
【０００６】
【特許文献１】特開平８−３０６４９９号公報
【特許文献２】特開平６−８４４９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上記実情を鑑みてなされたものであって、微小プラズマを発生させるための電極間距離の制御を精度良く行うことが可能であって、且つ試料にプラズマ加工を施した直後の試料観察を可能とするマイクロプラズマ発生装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１記載の発明は、走査型電子顕微鏡と、前記走査型電子顕微鏡内に配設されるとともに試料が載置される載置電極と、前記載置電極の上面に配設されるとともに上下、左右及び前後方向に移動可能であって、前記試料上に前記走査型電子顕微鏡外部から供給されるガスを吹付ける毛細管とからなり、前記毛細管の外面には金属被膜が施され、前記金属被膜部に電圧が印加されることを特徴とするマイクロプラズマ発生装置である。
請求項２記載の発明は、走査型電子顕微鏡と、前記走査型電子顕微鏡内に配設されるとともに試料が載置される載置電極と、前記載置電極の上面に配設されるとともに上下、左右及び前後方向に移動可能な放電電極と、前記走査型電子顕微鏡外部からプラズマを発生させるためのガスを導入する毛細管からなり、前記毛細管の一端が前記放電電極と前記載置電極の間の空間近傍に配設されることを特徴とするマイクロプラズマ発生装置である。
請求項３記載の発明は、走査型電子顕微鏡と、前記走査型電子顕微鏡内に配設される放電ガスセルと、前記放電ガスセル内に配設されるとともに試料が載置される載置電極と、前記放電ガスセル内に配設され、前記載置電極の上面に配設されるとともに、上下、左右及び前後方向に移動可能な放電電極からなり、前記放電ガスセルは、一端有底筒形状のセル本体部と、前記セル本体に対して左右移動可能であるとともに、前記セル本体に嵌合することで前記放電セルを密閉状態にするセル蓋部とからなり、前記セル本体部の底部にはガス導入口とガス排出口が設けられることを特徴とするマイクロプラズマ発生装置である。
【発明の効果】
【０００９】
請求項１記載の発明によれば、走査型電子顕微鏡内に載置電極及び放電可能な毛細管が配設されるので、電子顕微鏡による電極間距離の計測が可能となり、極めて精度良く電極間距離を制御できる。したがって、試料に対する加工精度は飛躍的に向上する。毛細管のガス噴出口と金属被膜部が同位置にあり、またガス噴出方向と放電方向が一致しているのでより精度の高いプラズマ加工が可能となる。
また、プラズマを発生させるときのみ載置電極と放電電極の間にガスを流入させればよいので、使用するガスの量が微量である。
請求項２記載の発明によれば、走査型電子顕微鏡内に載置電極及び放電電極が配設されるので、電子顕微鏡による電極間距離の計測が可能となり、極めて精度良く電極間距離を制御できる。したがって、試料に対する加工精度は飛躍的に向上する。また、放電加工中の試料、載置電極及び放電電極の状態が観測可能となる。
請求項３記載の発明によれば、走査型電子顕微鏡内に載置電極及び放電電極が配設されるので、電子顕微鏡による電極間距離の計測が可能となり、極めて精度良く電極間距離を制御できる。したがって、試料に対する加工精度は飛躍的に向上する。
ガス導入口とガス排出口を備える放電ガスセルが電子顕微鏡内で開閉可能とされるので、プラズマ発生時のガス圧と電子顕微鏡による観察時の低圧状態とをすばやく切換えることが可能となる。
【００１０】
以下、本発明に係るマイクロプラズマ発生装置の第１の実施形態について、図を参照しつつ説明する。図１はマイクロプラズマ発生装置の概略図である。図１（ａ）は第１の実施形態のプラズマ発生装置の概略図であり、図１（ｂ）は、第１の実施形態の放電電極先端の拡大図である。
本発明に係るマイクロプラズマ発生装置（１）は走査型電子顕微鏡（２）と電子顕微鏡（２）の筐体内部に配設されたマイクロプラズマ発生機器（３）を備えることを特徴とする。
尚、本実施例においては、走査型電子顕微鏡（２）は特に限定されないが例示として、日立製作所製Ｓ−３０００Ｎが挙げられる。
【００１１】
走査型電子顕微鏡（２）は電子銃（２１）を備え、電子銃（２１）から電子を飛ばし、試料（Ｐ）やマイクロプラズマ発生機器（３）の放電電極（３１）及び載置電極（３２）の間隔を計測する。電子銃（２１）は図１中左右及び前後（紙面と直角方向）に移動可能であり、試料（Ｐ）、放電電極（３１）及び載置電極（３２）の所望の部分を観察可能である。
【００１２】
マイクロプラズマ発生機器（３）は、放電電極（３１）及び載置電極（３２）を備える。この放電電極（３１）及び載置電極（３２）はいずれがアノード、カソードであってもよい。尚、第１の実施形態においては、放電電極（３１）として、図１（ｂ）に示す如く外面（ａ）を金属被膜（３４０）された毛細管（３３５）が用いられている。ここで外面（ａ）とは、毛細管（３３５）の先端外表面（ｂ）及び先端部表面（ｃ）を指す。金属被膜には、金、プラチナ或いはアルミニウムが用いられることが好ましい。また、載置電極（３２）にはダイヤモンド硬化炭素膜が用いられている。
第１の実施形態の放電電極（３１）を形成する毛細管（３３５）の先端は、試料（Ｐ）を載置する載置電極（３２）上に配され、毛細管（３３５）を通じて供給されるガス体が試料（Ｐ）上に吹付けられるようにされる。ここで、毛細管（３３５）の内径は１μｍ程度であることが好ましい。
また、放電電極（３１）及び載置電極（３２）は走査型電子顕微鏡（２）の壁面に直接取り付けられている。
毛細管（３３５）外面に施された金属被膜部（３４０）は走査型電子顕微鏡（２）の外部において、抵抗器（３１１）及び電源（３１２）を介して地面と接続している。載置電極（３２）は走査型電子顕微鏡（２）外部において、地面と接続している。
尚、本実施例において、抵抗器（３１１）の抵抗値は１０ＭΩであり、電源（３１２）は１ｋＶまでの電圧を印加することが可能である。
【００１３】
試料（Ｐ）は、載置電極（３２）上であって、電子銃（２１）の下方作動範囲内に載置される。また、放電電極（３１）は載置電極（３２）上に載置された試料（Ｐ）上に所定の距離をもって配設される。したがって、放電電極（３１）も電子銃（２１）の下方作動範囲内に配設されることとなる。よって、試料（Ｐ）及び放電電極（３１）と載置電極（３２）の間に形成される電極間隔は走査型電子顕微鏡（２）により観測可能となる。
放電電極（３１）は載置電極（３２）上方において、左右方向、上下方向及び前後方向（紙面に対して直角方向）に移動可能とされる。したがって、放電電極（３１）からの試料（Ｐ）に対する放電位置や、放電電極（３１）と載置電極（３２）との間隔は、走査型電子顕微鏡（２）により極めて精度良く調整されることとなる。
尚、放電電極（３１）の上記のような動作に対しては、駆動手段としてマイクロマニピュレータが用いられ、特に試料（Ｐ）と放電電極（３１）との距離を調整する上下方向の動きに対しては、ピエゾ素子が用いられ、１μｍ以下の単位で試料（Ｐ）との距離を制御可能である。
【００１４】
以下に、第１の実施形態に係るマイクロプラズマ発生装置（１）によるマイクロプラズマ発生工程を説明する。
まず、載置電極（３２）上に加工対象たる試料（Ｐ）を載置する。その後、走査型電子顕微鏡（２）内の気圧を走査型電子顕微鏡（２）による観測が可能なように、１Ｐａ以下とする。この状態において、毛細管（３３５）の外面に金属被膜（３４０）を施すことによって形成された放電電極（３１）をマイクロマニピュレータ及びピエゾ素子を用いて、毛細管（３３５）先端が試料（Ｐ）上の所望の加工位置及び距離となるように移動させる。毛細管（３３５）先端の位置は走査型電子顕微鏡（２）による観測を伴って制御されるので、精度よく位置決めをすることが可能である。
【００１５】
上記設定の後、毛細管（３３５）を介してＡｒガスが導入され、毛細管（３３５）の金属被膜部（３４０）には電源（３１２）から電圧が印加される。第１の実施形態においては、毛細管（３３５）先端のガス噴出口と毛細管（３３５）の金属被膜部（３４０）が略同位置に形成されるため、放電領域が確実に導入ガスによって満たされるので、プラズマ加工がより精度よく行われる。また放電方向とガス噴出方向が一致するのでプラズマ加工精度はより一層向上する。
尚、毛細管（３３５）を介して導入されるガスの流量は１０−１２〜１０−８ｍ３／ｍｉｎであることが好ましい。尚、切削加工の場合においては、使用されるガスは、四フッ化炭素（CF4）や四塩化炭素（CCl4）或いは六フッ化硫黄（SF6）であってもよい。ここで、ガスをメタン（CH4）とすると試料（Ｐ）上に炭素薄膜が形成され、シラン（SiH4）とするとアモルファスシリコンの薄膜が試料（Ｐ）上に形成される。
【００１６】
第１の実施形態において、プラズマ発生に要するガス体積は極めて少量であり、走査型電子顕微鏡（２）内の圧力は略真空状態のまま、プラズマ発生させることが可能である。したがって、プラズマ加工前後及び最中を通じて、走査型電子顕微鏡（２）によって、試料（Ｐ）、放電電極（３１）及び載置電極（３２）の観測が可能である。
尚、走査型電子顕微鏡（２）内に導入されたガス体は適宜走査型電子顕微鏡（２）に配設されるガス排出口（３３４）にて排出することも可能であり、良好な観測状態を維持することが可能である。
【００１７】
次に第２の実施形態について説明する。図２に第２の実施形態に係るマイクロプラズマ発生装置（１）の概略図を示す。
第２の実施形態は、第１の実施形態と略同様であるが、第１の実施形態で用いた外面が金属被膜された放電電極（３１）の代わりに、タングステンからなる放電電極（３１）を用いる。
更に、試料（Ｐ）が載置される載置電極（３２）とその上方に所定の距離をもって配置される放電電極（３１）で形成される電極間隔にガスを導入可能なように、これら電極の極近傍に配設される毛細管（３３５）が設けられる。毛細管（３３５）の内径は１μｍ程度であることが好ましい。
また、走査型電子顕微鏡（２）内の気体を適宜排出可能なようにガス排出口（３３４）が走査型電子顕微鏡（２）に直接備えられる。
その他の構成は第１の実施形態と同様である。
【００１８】
更に、試料（Ｐ）が載置される載置電極（３２）とその上方に所定の距離をもって配置される放電電極（３１）で形成される電極間隔にガスを導入可能なように、これら電極の極近傍に配設される毛細管（３３５）が設けられる。毛細管（３３５）の内径は１μｍ程度であることが好ましい。
また、走査型電子顕微鏡（２）内の気体を適宜排出可能なようにガス排出口（３３４）が走査型電子顕微鏡（２）に直接備えられる。
第２の実施形態においても、放電電極（３１）の動作は、第１の実施形態と同様にマイクロマニピュレータ及びピエゾ素子によって制御される。
【００１９】
以下に、第２の実施形態に係るマイクロプラズマ発生装置（１）によるマイクロプラズマ発生工程を説明する。
まず、載置電極（３２）上に加工対象たる試料（Ｐ）を載置する。その後、走査型電子顕微鏡（２）内の気圧を走査型電子顕微鏡（２）による観測が可能なように、１Ｐａ以下とする。この状態において、放電電極（３１）をマイクロマニピュレータ及びピエゾ素子を用いて、試料（Ｐ）上の所望の加工位置及び所望の電極間隔となるように移動させる。放電電極（３１）の位置は走査型電子顕微鏡（２）による観測を伴って制御されるので、極めて精度良く該位置は設定される。
【００２０】
放電電極（３１）の位置の調整後、放電電極（３１）及び載置電極（３２）で形成される電極間近傍に配設される毛細管（３３５）を介してＡｒガスが導入される。このように毛細管（３３５）を通じてガスが導入されると、放電電極（３１）及び載置電極（３２）の間はＡｒガスで満たされることとなる。ここで、放電電極（３１）に電圧を印加すると、放電電極（３１）と載置電極（３２）の間に満たされたガスがプラズマ状態となり、試料（Ｐ）がプラズマ加工され、試料（Ｐ）に溝が形成される。
尚、毛細管（３３５）を介して導入されるガスの流量は１０−１２〜１０−８ｍ３／ｍｉｎであることが好ましい。尚、切削加工の場合においては、使用されるガスは、四フッ化炭素（CF4）や四塩化炭素（CCl4）或いは六フッ化硫黄（SF6）であってもよい。ここで、ガスをメタン（CH4）とすると試料（Ｐ）上に炭素薄膜が形成され、シラン（SiH4）とするとアモルファスシリコンの薄膜が試料（Ｐ）上に形成される。
【００２１】
第２の実施形態においては、上記プラズマ加工において、極めて微小間隔に形成された放電電極（３１）と載置電極（３２）の間を満たすだけのガスを導入すればよいので、走査型電子顕微鏡（２）内の導入ガスの占める体積は無視できる程度のものでしかない。したがって、走査型電子顕微鏡（２）内全体における圧力変動は微小であり、プラズマ加工前後及び最中を通じて、プラズマ加工時の試料（Ｐ）、放電電極（３１）及び載置電極（３２）の観測が可能である。
尚、走査型電子顕微鏡（２）内に導入されたガス体は適宜ガス排出口（３３４）にて排出することも可能であるので、良好な観測状態を作り出すことができる。
【００２２】
図３に第３の実施形態に係るマイクロプラズマ発生装置（１）を示す。
第３の実施形態に係るマイクロプラズマ発生装置（１）は第１の実施形態と略同様の構成を有するが、放電電極（３１）及び載置電極（３２）を内部に配置するように放電ガスセル（３３）を備える点で異なる。また、第１の実施形態で放電電極（３１）と載置電極の間に毛細管（３３５）を通じてガス体を導入したが、第３の実施形態ではこれに代えて、放電ガスセル（３３）内にガスを導入するガス導入口（３３３）を備える。また、放電ガスセル（３３）内に封入されたガスを排出するためのガス排出口（３３４）が設けられている。
【００２３】
放電ガスセル（３３）は、一端有底筒形状のセル本体部（３３１）とセル蓋部（３３２）とからなる。セル蓋部（３３２）はセル本体部（３３１）に対して左右に移動可能である。セル蓋部（３３２）を右方に移動させることによって、セル蓋部（３３２）はセル本体部（３３１）と嵌合し、放電ガスセル（３３）を密閉状態とする。また、セル蓋部（３３２）を左方に移動させることによって、放電ガスセル（３３）を開放状態にし、放電ガスセル（３３）内部に配設される試料（Ｐ）、放電電極（３１）及び載置電極（３２）を走査型電子顕微鏡（２）の電子銃（２１）下方に露出させ、走査型電子顕微鏡（２）による試料観察、放電電極（３１）と載置電極（３２）間の距離或いは放電電極（３１）や載置電極（３２）の観察が可能となる。尚、本実施例において、セル蓋部（３３２）は中空の略直方体形状をしており、セル蓋部（３３２）上面及び側面には円形の観察窓（３３９）が設けられ、観察窓（３３９）を介して電極間のプラズマ発生状況が観察可能とされる。
【００２４】
セル本体部（３３１）の底部（３３１ａ）は走査型電子顕微鏡（２）外部に露出している。セル本体部（３３１）の底部（３３１ａ）には、プラズマを発生させるためのガスを導入するためのガス導入口（３３３）と放電ガスセル（３３）に圧封されたガスを排出するためのガス排出口（３３４）が設けられている。
また、放電電極（３１）及び載置電極（３２）の一端部もセル本体部（３３１）の底部（３３１ａ）に接続している。放電電極（３１）は放電ガスセル（３３）の外部において、抵抗器（３１１）及び電源（３１２）を介して地面と接続している。載置電極（３２）は放電ガスセル（３３）外部において、地面と接続している。
【００２５】
上記構造のマイクロプラズマ発生装置（１）によるマイクロプラズマ発生工程を説明する。
まず、載置電極（３２）上に加工対象たる試料（Ｐ）を載置する。その後、走査型電子顕微鏡（２）内の気圧を走査型電子顕微鏡（２）による観測が可能なように、１Ｐａ以下とする。この状態において、放電電極（３１）をマイクロマニピュレータ及びピエゾ素子を用いて、試料（Ｐ）上の所望の加工位置及び所望の電極間隔となるように移動させる。放電電極（３１）の位置は走査型電子顕微鏡（２）による観測を伴って制御されるので、極めて精度良く該位置は設定される。
【００２６】
放電電極（３１）の位置の調整後、放電ガスセル（３３）のセル蓋部（３３２）を移動させ、セル本体部（３３１）に嵌合させ、放電ガスセル（３３）を密閉状態にする。
この状態において、放電ガスセル（３３）内に、ガス導入口（３３３）を通じて、Ａｒガスを導入する。放電ガスセル（３３）内のガス圧は、２０ｋＰａから１００ｋＰａに設定される。尚、ガス圧が２０ｋＰａのとき、放電電圧５６０〜７８０Ｖ、電流値０．０２ｍＡのグロー放電が生ずる。またガス圧が１００ｋＰａのとき、放電電圧４２０〜５８０Ｖ、電流値０．０５ｍＡのアーク放電が生ずる。広い加工面積を得たい場合にはグロー放電とすることが好ましく、小さな加工面積で加工精度を要する場合にはアーク放電が好ましい。また、短時間（１０−７ｓｅｃ程度）電圧を印加するパルス放電であれば、グロー放電状態のまま小さな加工面積で試料（Ｐ）に加工を施すことができ、電極へのダメージが少なく、且つ精度のよい加工を得ることができる。
尚、切削加工の場合においては、使用されるガスは四フッ化炭素（CF4）、四塩化炭素（CCl4）或いは六フッ化硫黄（SF6）が好ましい。ここで、ガスをメタン（CH4）とすると試料（Ｐ）上に炭素薄膜が形成され、シラン（SiH4）とするとアモルファスシリコンの薄膜が試料（Ｐ）上に形成される。
【００２７】
上記のように放電電極（３１）に所定の電圧を印加すると、ガス放電により放電電極（３１）と載置電極（３２）の間のガス体がプラズマ状態となり、試料（Ｐ）がプラズマ加工される。
プラズマ加工の後、放電ガスセル（３３）内のガスをガス排出口（３３４）から排出する。その後、放電ガスセル（３３）のセル蓋部（３３２）を右方に移動させ、放電ガスセル（３３）を開放状態にし、試料（Ｐ）、放電電極（３１）及び載置電極（３２）を走査型電子顕微鏡（２）で観察可能とする。
このように、走査型電子顕微鏡（２）内に配設された放電ガスセル（３３）にガスの流入・流出のみで、プラズマ加工に必要な気圧と走査型電子顕微鏡（２）による観測に必要な気圧の２つの気圧状態を実現できるので、速やかな試料（Ｐ）、放電電極（３１）及び載置電極（３２）の観測が可能となる。
【００２８】
上記構造のマイクロプラズマ発生装置（１）を用いたプラズマ加工の一例を以下に示す。試料（Ｐ）としてアモルファスシリコンウェハーを用いる。シリコンウェハー上に、放電電極（３１）を近接させ、走査型電子顕微鏡（２）でシリコンウェハーと放電電極（３１）との距離を観測しながら、放電電極（３１）との距離をマイクロマニピュレータ及びピエゾ素子を用いて精度よく合わせる。
アーク放電が得られるように高いガス圧或いはガス流量で電極間或いは載置電極（３２）と金属被膜部（３１）との間にガス体（CF4或いはSF６）を供給する。ガス体を供給し、電圧を印加すると、マイクロプラズマが発生する。この状態で、マイクロマニピュレータ及びピエゾ素子を用いて放電電極（３１）或いは金属被膜部（３１）をシリコンウェハー上で移動させると、シリコンウェハー表面が切削され、該移動経路に沿って溝がシリコンウェハー上に形成される。
【００２９】
上記実施例において、試料（Ｐ）を載置電極（３２）上に載置してきたが、本発明はこれに限られるものではなく、試料（Ｐ）と載置電極（３２）とを一体に形成して、試料（Ｐ）を載置電極（３２）として作用させてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００３０】
本発明は、電極間隔をミクロン単位で調整可能であり、かつ放電加工された試料の観測が直ちに行うことが可能なマイクロプラズマ発生装置に好適に適用される。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るマイクロプラズマ発生装置の概略図である。（ａ）はマイクロプラズマ発生装置の概略図であり、（ｂ）は毛細管先端の拡大図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係るマイクロプラズマ発生装置の概略図である。
【図３】本発明の第３の実施形態に係るマイクロプラズマ発生装置の概略図である。
【符号の説明】
【００３２】
１・・・・・マイクロプラズマ発生装置
２・・・・・走査型電子顕微鏡
３１・・・・放電電極
３２・・・・載置電極
３３・・・・放電ガスセル
３３１・・・セル本体部
３３２・・・セル蓋部
３３３・・・ガス導入口
３３４・・・ガス排出口
３３５・・・毛細管
３４０・・・金属被膜
Ｐ・・・・・試料
【図１】
2005243279.tif 000004
【図２】
2005243279.tif 000005
【図３】
2005243279.tif 000006