(57)【要約】【課題】本発明は、信頼性の高い電気的接続性を有し、かつ回路パターンの形成が良好であるとともに生産効率の良好なアンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シートを提供することにある。【解決手段】本発明のアンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シートは、絶縁性基体の表裏両面に導電層が形成され、その表裏両面の導電層が該絶縁性基体を貫通するようにして開孔されているスルホールまたはビアホールを介して互いに電気的に接続されているものであって、該導電層は、該絶縁性基体上に直接形成されているとともに、該スルホールの壁面または該ビアホールの内部と、該絶縁性基体の表裏両面とにおいて同一の構成を有し、かつ該導電層は、アンテナを含む回路を構成することを特徴としている。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基体の表裏両面に導電層が形成され、その表裏両面の導電層が該絶縁性基体を貫通するようにして開孔されているスルホールまたはビアホールを介して互いに電気的に接続されている導電性シートであって、
該導電層は、該絶縁性基体上に直接形成されているとともに、該スルホールの壁面または該ビアホールの内部と、該絶縁性基体の表裏両面とにおいて同一の構成を有し、
かつ該導電層は、アンテナを含む回路を構成することを特徴とする、
アンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シート。
【請求項２】
前記導電層は、前記スルホールの壁面または前記ビアホールの内部と、前記絶縁性基体の表裏両面とにおいて、同一の工程で形成されることを特徴とする、請求項１記載のアンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シート。
【請求項３】
前記導電層は、エッチングによりアンテナを含む回路を形成することを特徴とする、請求項１記載のアンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シート。
【請求項４】
前記導電層は、スパッタリング法または蒸着法により形成される第１導電層と、無電解めっき法または電気めっき法により形成される第２導電層とを含むことを特徴とする、請求項１記載のアンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シート。
【請求項５】
前記第１導電層上の部分をレジストによりマスクした後、該レジストによりマスクされていない部分に対して前記第２導電層を形成することにより、アンテナを含む回路を形成したことを特徴とする、請求項４記載のアンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シート。
【請求項６】
前記導電層の表面に、Ｓｎ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、ＺｎおよびＣｒからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属または前記金属を少なくとも一種含む合金により、厚み０．２〜１５μｍの接続層が形成されていることを特徴とする、請求項１記載のアンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シート。
【請求項７】
前記導電層の表面に、Ｓｎ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、ＺｎおよびＣｒからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属または前記金属を少なくとも一種含む合金により、厚み０．０１〜２μｍの酸化防止層が形成されていることを特徴とする、請求項１記載のアンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シート。
【請求項８】
請求項１記載のアンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シートを用いたことを特徴とする、アンテナ内蔵非接触型ＩＣカード。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シートおよびその導電性シートを用いたアンテナ内蔵非接触型ＩＣカードに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、マイクロコンピュータや各種メモリ等の集積回路（ＩＣチップやＬＳＩ）をプラスチック製カードに搭載し、外部機器とアンテナを介して非接触状態で信号、電源、クロック等の授受を行なう、アンテナ内蔵非接触型ＩＣカードが種々の用途に利用されている。
【０００３】
このようなアンテナ内蔵非接触型ＩＣカードの基体として用いられる導電性シートは、通常、絶縁性基体の表裏両面に導電層を形成し、スルホールやビアホールを介してその表裏両面の導電層を電気的に接続するという構成を有している。たとえば、このような導電性シートとして、スルホールの壁面に対して蒸着法により導電層を形成させて、これにより絶縁性基体の表面に形成された銅箔等の導電層を電気的に接続した構成のものが知られている（特許文献１）。
【０００４】
しかしながら、このような構成の導電性シートにおいては、導電層を構成する銅箔が接着剤により絶縁性基体に貼り合わされた構成となっているため、この接着剤の影響により電気的接続性が悪化したりパターンの形成性が悪化するという問題があった。
【０００５】
また、このような導電性シートでは、絶縁性基体上の導電層とスルホール内の導電層との構成が全く異なり一体性に欠けるため、信頼性の高い電気的接続を保証することはできなかった。また、これら両導電層は全く独立した形成工程を経て製造されるものであるため、生産効率を悪化させていた。
【０００６】
さらに、上記のような蒸着法によって効率的に厚い導電層を形成させることは困難であるため、その導電層の厚みがどうしても薄くなり、この点からも信頼性の高い電気的接続を保証することはできなかった。
【０００７】
一方、これに対して電気的接続の信頼性を高めるために前記スルホール内の蒸着法による導電層上や、無電解めっき法またはカーボン処理法による下地層上にさらに電気めっき法により導電層を厚く積層形成することが試みられている。すなわち、まず絶縁性基体の表裏両面に銅箔等を接着剤により貼り合わせることにより導電層を形成させた後、パンチング、ドリル、プレス、レーザ等の公知の穴開け加工により開孔を施すことにより、絶縁性基体と導電層の両者を貫通するようにしてスルホールを形成させる。その後、蒸着法により導電層や無電解めっき法またはカーボン処理法による下地層を形成した後、電気めっき法によりスルホールの壁面に対してさらに導電層を積層形成させる方法が試みられている。
【０００８】
しかしながら、この方法においても銅箔等が接着剤を介して絶縁性基体に貼り合わされているため前記同様の問題が生じるとともに、絶縁性基体の表裏両面の導電層（銅箔等）とスルホール内の導電層（めっき層等）の構成が全く異なり一体性に欠けることから、信頼性の高い電気的接続を保証することはできなかった。また、これら両導電層は上記のように全く独立した製造工程を経て製造されるものであるため生産効率を悪化させていた。
【０００９】
他方、導電層として絶縁性基体に貼り合わせる銅箔に代えてアルミ箔を貼り合わせた導電性シートも知られているが、該貼り合わせに際しては上記同様の接着剤が用いられており、この点において上記と同様の問題を有するものであった。さらに、絶縁性基体の表裏に存在するアルミ箔は、カシメまたは超音波融着により電気的に接続されるが、アルミ箔の表面自体が酸化物で覆われていることと相俟って、信頼性の高い電気的接続効果を得ることはできなかった。
【００１０】
【特許文献１】
特開平４−２８６３９４号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上述の現状に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、信頼性の高い電気的接続性を有し、かつ回路パターンの形成が良好であるとともに生産効率の良好なアンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シートおよびそれを用いたアンテナ内蔵非接触型ＩＣカードを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明のアンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シートは、絶縁性基体の表裏両面に導電層が形成され、その表裏両面の導電層が該絶縁性基体を貫通するようにして開孔されているスルホールまたはビアホールを介して互いに電気的に接続されている導電性シートであって、該導電層は、該絶縁性基体上に直接形成されているとともに、該スルホールの壁面または該ビアホールの内部と、該絶縁性基体の表裏両面とにおいて同一の構成を有し、かつ該導電層は、アンテナを含む回路を構成することを特徴としている。
【００１３】
上記導電層は、上記スルホールの壁面または上記ビアホールの内部と、上記絶縁性基体の表裏両面とにおいて、同一の工程で形成されることが好ましく、また、エッチングによりアンテナを含む回路を形成することができる。
【００１４】
また、上記導電層は、スパッタリング法または蒸着法により形成される第１導電層と、無電解めっき法または電気めっき法により形成される第２導電層とを含むことができる。
【００１５】
また、上記第１導電層上の部分をレジストによりマスクした後、該レジストによりマスクされていない部分に対して上記第２導電層を形成することにより、アンテナを含む回路を形成することができる。
【００１６】
また、上記導電層の表面に、Ｓｎ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、ＺｎおよびＣｒからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属または前記金属を少なくとも一種含む合金により、厚み０．２〜１５μｍの接続層を形成することができる。
【００１７】
また、上記導電層の表面に、Ｓｎ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、ＺｎおよびＣｒからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属または前記金属を少なくとも一種含む合金により、厚み０．０１〜２μｍの酸化防止層を形成することができる。
【００１８】
また、本発明のアンテナ内蔵非接触型ＩＣカードは、上記のアンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シートを用いたものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】
＜アンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シート＞
本発明のアンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シートは、絶縁性基体の表裏両面に導電層が形成され、その表裏両面の導電層が該絶縁性基体を貫通するようにして開孔されているスルホールまたはビアホールを介して互いに電気的に接続された構成を基本的構成としている。
【００２０】
より具体的には、図１および図２に示すように、本発明のアンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シート１は、絶縁性基体２の表裏両面に導電層３が形成されており、この導電層３はアンテナ４を含む回路を構成するとともに、スルホールまたはビアホール５を介してその表裏両面において互いに電気的に接続されている。また、該導電層３は、ＩＣチップ６とも電気的に接続されている。
【００２１】
ここでアンテナとは、主としてコイル状（渦巻き状）の形態をとり、外部機器に対して非接触状態で信号、電源、クロック等の授受や供給を受ける作用を有するものである。以下、本発明のアンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シートの各構成についてさらに詳細に説明する。なお、本願において図面を用いて説明する場合、図面中に付された同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わしている。
【００２２】
＜絶縁性基体＞
本発明のアンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シートの基材として用いられる絶縁性基体としては、この種の用途に用いることができる従来公知のものであれば特に限定なくいかなるものも用いることができる。特に、薄い厚みを有するフイルムの形状のものが好適である。後述の導電層の形成に適しているとともに、ロールのような長尺の連続状のものとして加工することが可能となり生産効率を向上させることができるからである。
【００２３】
このような絶縁性基体の一例を挙げると、たとえばポリイミド、アラミド、ＰＥＴ等のポリエステル、ポリスルフォン、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンオキシド、ＰＥＮ、液晶ポリマー、ガラス繊維強化エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂等のフィルムを挙げることができる。これらの中でも特に柔軟性に優れ高性能化の可能なポリイミド、ＰＥＴまたはガラス繊維強化エポキシ樹脂からなるフィルムを用いることが好ましい。
【００２４】
なお、ここでいうフィルムとは、その厚みが４〜１５０μｍ、好ましくは２５〜５０μｍ程度のものが好適である。４μｍ未満では、強度が弱く加工に耐えられない場合があり、１５０μｍを超えると柔軟性に欠けロール状にして取扱いができなくなる場合があるとともに、後述のようにスルホールの壁面やビアホールの内部に対して導電層を形成する際に支障をきたす場合があるからである。
【００２５】
また、このように絶縁性基体の形状は、フィルム状のものが特に適しているが、フィルム状の形状であれば枚葉の形態のものであってもロールのような長尺の連続状の形態のものであっても差し支えない。本発明においては、特にその生産における加工効率の観点からロールのような長尺の連続状のものを用いることが好適である。
【００２６】
＜スルホール＞
本発明におけるスルホールとは、前記絶縁性基体の表裏を物理的に貫通するように設けられている小孔であって、このスルホールを介して該絶縁性基体の表裏両面に形成される後述の導電層は互いに電気的に接続されることになる。
【００２７】
本発明においては、絶縁性基体に対してこのスルホールを形成した後に後述の導電層を形成することが好ましい。これにより、絶縁性基体の表裏両面の導電層とスルホール内の導電層とを一体的に形成することが可能となり、生産効率の向上に資することができるとともに、信頼性の高い電気的接続を保証することができる。
【００２８】
このようなスルホールの形状は、前記絶縁性基体の表裏を貫通する限り特に限定されることはなく、たとえばその断面形状を円形のものや多角形状のものとすることができる。該形状が円形である場合、その内径は５μｍ〜３ｍｍ、好ましくは２５〜３００μｍとすることが好適である。その内径が５μｍ未満である場合、開孔が困難となり加工コストが高くなるとともに、３ｍｍを超えると絶縁性基体の全表面に占めるスルホールの面積が大きくなり過ぎ有効な回路スペースが確保できなくなる。
【００２９】
また、このようなスルホールの開孔密度（数）は、特に限定されるものではないが、通常１００ｃｍ２当り１０個〜１０００万個、より一般的には１００個〜５０万個、さらに一般的には１００個〜１０万個である。１０個未満では、導電性シートの表裏の導電層をスルホールを介して電気的に接続するという実質的な機能が示されなくなるとともに、１０００万個を超えると加工上絶縁性基体の強度が維持できなくなり精度が劣るため好ましくない。
【００３０】
このようなスルホールは、従来公知の開孔方法（穴開け加工方法）であれば特に限定することなくいずれの方法によっても開孔することができる。たとえば、ＣＯ２レーザ等の各種レーザ、ドリル、パンチ、プレスなどの開孔手段により絶縁性基体を貫通するようにして開孔される。特にスルホールの内径が８０μｍよりも小さくなる場合は、各種レーザにより開孔することが好ましい。
【００３１】
＜ビアホール＞
本発明におけるビアホールとは、前記絶縁性基体の表裏を物理的に貫通するように設けられている小孔であって、このビアホールを介して該絶縁性基体の表裏両面に形成される後述の導電層は互いに電気的に接続されることになる。このようにビアホールは、上記スルホールと同様の作用を有するものであるが、上記スルホールがその壁面のみに導電層が形成され中心部に空洞状の部分が残る形態をとるのに対して、このビアホールはホール内部が全て導電層により充填されて空洞状の部分を有さない点においてその形態が異なっている。
【００３２】
絶縁性基体の表裏両面の導電層をスルホールを介して電気的に接続するか、あるいはビアホールを介して電気的に接続するかは、アンテナを含む回路パターンの形状や集積回路の大きさ等により任意に選択することができ、これら両者を各単独でまたは併用して形成することができる。
【００３３】
本発明においては、絶縁性基体に対してこのビアホールを形成した後に後述の導電層を形成することが好ましい。これにより、絶縁性基体の表裏両面の導電層とビアホール内に充填される導電層とを一体的に形成することが可能となり、生産効率の向上に資することができるとともに、信頼性の高い電気的接続を保証することができる。
【００３４】
このようなビアホールの形状は、前記絶縁性基体の表裏を貫通する限り特に限定されることはなく、たとえばその断面形状を円形のものや多角形状のものとすることができる。該形状が円形である場合、その内径は５〜１００μｍ、好ましくは１０〜２５μｍとすることが好適である。その内径が５μｍ未満である場合、開孔が困難となり加工コストが高くなるとともに、１００μｍを超えると導電層によりホール内部を充填するのに長時間を要し、生産効率を悪化させることになる。
【００３５】
また、このようなビアホールの開孔密度（数）は、特に限定されるものではないが、通常１００ｃｍ２当り１０個〜１０００万個、より一般的には１００個〜５０万個、さらに一般的には１００個〜１０万個である。１０個未満では、導電性シートの表裏の導電層をビアホールを介して電気的に接続するという実質的な機能が示されなくなるとともに、１０００万個を超えると加工上絶縁性基体の強度が維持できなくなり精度が劣るため好ましくない。
【００３６】
このようなビアホールは、従来公知の開孔方法（穴開け加工方法）であれば特に限定することなくいずれの方法によっても開孔することができる。たとえば、ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ等の各種レーザにより絶縁性基体を貫通するようにして開孔される。
【００３７】
＜導電層＞
本発明の導電層は、前記絶縁性基体の表裏両面に形成されるとともに、前記スルホールの壁面にも形成され、またビアホールに対してはその内部を充填するようにして形成されるものである。このような導電層は、前記絶縁性基体上に直接形成され、かつ該スルホールの壁面または該ビアホールの内部と、該絶縁性基体の表裏両面とにおいて同一の構成を有するようにして形成される。
【００３８】
ここで、該導電層が絶縁性基体上に直接形成されるとは、接着剤などを介さずに直接絶縁性基体と接するようにして形成されることを意味し、絶縁性基体の表裏両面だけではなくスルホールやビアホールにおいても絶縁性基体と直接接するようにして形成されるものである。これにより、従来接着剤を使用することに起因して発生していた諸問題を解消することに成功したものである。
【００３９】
このような絶縁性基体の表裏両面の導電層は、スルホールまたはビアホールを介して互いに電気的に接続されるものであるが、ここでスルホールを介して電気的に接続されるとは、具体的にはこのように絶縁性基体の表裏両面に形成されている導電層がスルホールの壁面に形成される同一構成の導電層により電気的に接続されていることを意味している。また、ビアホールを介して電気的に接続されるとは、このように絶縁性基体の表裏両面に形成されている導電層が、ビアホールの内部に充填される同一構成の導電層により電気的に接続されていることを意味している。このように、スルホールの壁面の導電層またはビアホールの内部に充填される導電層と、絶縁性基体の表裏両面の導電層とが同一の構成を有することにより、信頼性の高い電気的接続が可能となる。
【００４０】
このような導電層は、電気導電性の作用を有する限りその組成が特に限定されるものではないが、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｐｄ、ＳｎおよびＣｏからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属または前記金属を少なくとも一種含む合金により構成されることが好ましく、単一層として形成することができるとともに、同一組成のものあるいは異なった組成のものを複数層積層して形成することもできる。
【００４１】
上記導電層がスルホールの壁面またはビアホールの内部と、絶縁性基体の表裏両面とにおいて同一の構成を有するとは、上記のような積層状態が同一であることを意味し、必ずしもその層の厚さまでもが同一であることを意味するものではない。
【００４２】
また、上記導電層は、アンテナを含む回路を構成するものであり、このアンテナは非接触型ＩＣカードに内蔵されるものとなる。このようなアンテナを含む回路の形成方法としては、後述のエッチング法またはアディティブ法によることが好ましい。
【００４３】
また、上記導電層は、前記スルホールの壁面または前記ビアホールの内部と、前記絶縁性基体の表裏両面とにおいて、同一の工程で形成されることが好ましい。なお、同一の工程で形成する方法については、後述する。
【００４４】
このような導電層は、スパッタリング法または蒸着法により形成される第１導電層と、無電解めっき法または電気めっき法により形成される第２導電層とを含むことができる。本発明においては、これらの第１導電層および第２導電層がそれぞれ単層または複数層積層されて、導電層を構成することができる。
【００４５】
＜第１導電層＞
本発明の第１導電層は、前記絶縁性基体上に直接形成されるものであり、上記に示した金属または該金属を少なくとも一種含む合金、より好ましくはＣｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、ＴｉまたはＺｎから選ばれる少なくとも一種の金属または該金属を少なくとも一種含む合金をスパッタリング法または蒸着法により形成することができる。この第１導電層は、後述の第２導電層を形成するための言わば下地層としての作用を有するものであり、第２導電層の絶縁性基体に対する密着性を向上させる作用を有するものである。
【００４６】
このような第１導電層は、５００〜５０００Å、好ましくは１０００〜３０００Åの厚みで形成することが好適である。５００Å未満では、後述の第２導電層の密着性を向上させる作用を十分に示すことができず、また５０００Åを超えても第２導電層の密着性に大差なく却ってコスト的に不利となる。
【００４７】
このような第１導電層は、前述の通り１層（単層）または２層以上（複数層）積層して形成することができ、２層以上積層される場合は全体として上記厚みを有するものとすることができる。
【００４８】
なお、この第１導電層を２層以上積層する場合は、絶縁性基体上にまずＮｉ、Ｃｒ、Ｔｉ等の金属や該金属を含む合金を積層し、その上にＣｕ等の金属や該金属を含む合金を積層させることが好ましい。Ｃｕ等の金属は、良好な電気特性を有しかつ第２導電層との密着性にも優れ、また比較的安価であることからこのような用途に用いることが有利であるが、容易に酸化され電気特性が害されるという問題を有している。そこで、この酸化の問題を解消するためにこのようなＣｕ等の金属層の下に（すなわち絶縁性基体との間に）耐酸化性を有する金属、たとえばＮｉ、Ｃｒ、Ｔｉ等の金属からなる層を形成すれば、酸化による経時的な密着力の劣化を防止することができる。
【００４９】
このような耐酸化性を有する金属からなる層は、その厚みを１０〜２００Å、好ましくは３０〜７０Åとすることが好適である。１０Å未満の場合は、耐酸化性が充分作用しない場合があり、また２００Åを超えると回路パターンを形成する際にエッチングが困難となる場合がある。
【００５０】
＜第２導電層＞
本発明の第２導電層は、前記第１導電層上に形成されるものであり、上記に示した金属または該金属を少なくとも一種含む合金、より好ましくはＣｕ、ＡｇまたはＺｎから選ばれる少なくとも一種の金属または該金属を少なくとも一種含む合金を無電解めっき法または電気めっき法により適用することにより形成されるものである。この第２導電層は、前記第１導電層よりも厚く形成することにより主として電気導電性を付与する作用を奏し、アンテナを含む回路の導通に資するものである。また、この第２導電層は、電気導電性を示すことから絶縁性基板の表裏両面で対向するように配置すればコンデンサとしての作用も示すことができる。
【００５１】
このような第２導電層は、１〜１００μｍ、好ましくは５〜４０μｍの厚みで形成することが好適である。１μｍ未満では、十分な電気導電性が得られず電気抵抗が大きくなり過ぎるという問題があり、また１００μｍを超えても電気導電性に大差なく却ってコスト的に不利となる。
【００５２】
このような第２導電層は、前述の通り１層（単層）または２層以上（複数層）積層して形成することができ、２層以上積層される場合は全体として上記厚みを有するものとすることができる。
【００５３】
なお、この第２導電層は、比較的厚く形成させる場合には電気めっき法を採用して形成することが好ましく、また比較的薄く形成させる場合には、無電解めっき法を採用して形成することが好ましい。
【００５４】
＜導電層の形成方法＞
本発明の前記導電層は、前記絶縁性基体にスルホールまたはビアホールが開孔された後、該絶縁性基体の表裏両面と該スルホールの壁面またはビアホールの内部とにおいて同一工程で形成されるものとすることが好ましい。これにより、絶縁性基体の表裏両面の導電層とスルホール内の壁面またはビアホールの内部の導電層とを一体的に形成することが可能となり、生産効率の向上に資することができるとともに、信頼性の高い電気的接続を保証することができる。また、寸法精度の向上にも資するものとなる。
【００５５】
ここで、導電層が同一工程で形成されるとは、該絶縁性基体の表裏両面と、該スルホールの壁面または該ビアホールの内部とにおいて該導電層が同時的かつ一体的に形成されることを意味している。
【００５６】
すなわち、たとえば該導電層が第１導電層と第２導電層とを含む場合、まず第１導電層が該絶縁性基体の表裏両面と該スルホールの壁面または該ビアホールの内部とに対してスパッタリング法または蒸着法により同時的かつ一体的に形成され、続いて第２導電層が該第１導電層上に対して無電解めっき法または電気めっき法により同時的かつ一体的に形成されるような場合が含まれる。なお、該ビアホールの内部を該絶縁性基体の表裏両面と同時的かつ一体的に導電層により充填する場合、第１導電層は主としてビアホールの壁面に形成され、その第１導電層上に形成される第２導電層によりホール内が充填され、空洞部が埋められることになる。
【００５７】
このように、導電層が第１導電層と第２導電層を含む場合や、それぞれの層が複数層積層される場合には、各層が上記のように同時的かつ一体的に形成される限り、導電層が同一工程で形成されるものとする。
【００５８】
なお、該導電層がスパッタリング法や蒸着法により形成される場合であって、加工装置の特性等により絶縁性基体の表裏両面を一度に処理することができない場合において、表と裏それぞれについて二回の操作で導電層が形成されるとしても、表裏両面の導電層と、スルホールの壁面またはビアホールの内部の導電層とは同一工程で形成されるものとする。またこの場合、スルホールの壁面またはビアホールの内部の導電層は、この二回の操作のそれぞれの操作によりホールの中位の高さ（深さ）まで形成されると考えられ、結局二回の操作によりスルホールの壁面またはビアホールの内部全体に導電層が形成されるものと考えられる。また、該ホールの中位の高さ（深さ）部分において導電層が加重的に積層されていたとしても、その部分の構成は絶縁性基体の表面部の導電層の構成と同一の構成とみなすものとする。
【００５９】
このように導電層を同一工程で形成することにより、従来、絶縁性基体の表裏両面にまず導電層を形成させた後、スルホールまたはビアホールを開孔させ、その後改めてそのスルホールの壁面またはビアホールの内部に対して導電層を形成させていた方法と比較して、導電層の形成工程の回数を半減化することができるため、生産効率を大きく向上させることが可能となった。しかも、同一工程で一体的に形成されるため、信頼性の高い接続効果が得られる。
【００６０】
また、上記のような従来法においては、スルホールの壁面またはビアホールの内部のみに対して選択的に導電層を形成させることは困難であり、どうしても絶縁性基体上に予め形成されている導電層の上にまで回り込む形で導電層が形成されてしまう。しかし、これでは導電層の厚みが加重されて形成されることとなり、このように絶縁性基体上の導電層の厚みが厚くなると、回路を形成する加工が困難となり寸法精度そのものも悪化する。これに対して、本発明の上記形成方法によれば、導電層の厚みが加重されることがなく、もって可能な限り導電層の厚みを薄くすることが可能となり、回路を容易に形成することができるとともに寸法精度を悪化することもない。
【００６１】
＜導電層による回路等の形成方法＞
本発明の導電層は、アンテナを含む回路を構成するものであるが、その回路形成方法としては次のような方法によることが好ましい。以下、図３および図４に基づいて説明する。
【００６２】
まず、上述の様にしてスルホール５ａを有する絶縁性基体２上に、第１導電層３ａおよび第２導電層３ｂを形成する（図３（ａ）〜（ｃ））。続いて、導電層３（第１導電層３ａおよび第２導電層３ｂを含む）の全面に対して、レジスト７を塗布（ドライフィルムをラミネートする場合を含む。以下同じ）し（図３（ｄ））、所望の回路パターンをあらわしたマスク８と重ね合わせた後、露光する（図３（ｅ））。該図においては、マスク８の白抜きの部分が露光される態様を示している。
【００６３】
次いで、現像して回路を形成しない部分９（上記で露光されなかった部分）のレジストを除去し（図３（ｆ））、そのレジストが除去された部分の導電層をエッチングにより除去する（図３（ｇ））。そして、エッチングされなかった導電層上に残存するレジストを剥離することにより、該導電層３による回路１０が形成される（図３（ｈ））。以上により、該導電層３は、エッチングによりアンテナを含む回路を形成することとなる。
【００６４】
なお、上記においては、スルホール５ａを例にとり説明したが、ビアホールの場合でも同様である。また、導電層３の全面にレジスト７を塗布しているが、この方法に代えてレジスト７を所望の回路パターンをあらわすように印刷塗布することもできる。この場合、上述のマスク８を用いた露光および現像処理は不要となる。
【００６５】
一方、上記とは異なった方法によっても導電層による回路を形成することができる。すなわち、スルホール５ａを有する絶縁性基体２に対して第１導電層３ａを形成する（図４（ａ）〜（ｂ））。続いて、この第１導電層３ａ上にレジスト７を塗布し（図４（ｃ））、所望の回路パターンをあらわしたマスク８と重ね合わせた後、露光する（図４（ｄ））。該図においては、マスク８の白抜きの部分が露光される態様を示している。
【００６６】
次いで、現像して回路を形成する部分１１（上記で露光されなかった部分）のレジストを除去し（図４（ｅ））、そのレジストが除去された部分に第２導電層３ｂを形成する（図４（ｆ））。そして、第２導電層３ｂが形成されなかった部分上に残存するレジストを剥離した後（図４（ｇ））、そのレジストを剥離した部分の第１導電層３ａをソフトエッチングすることにより、該導電層３による回路１０が形成される（図４（ｈ））。以上により、前記第１導電層上の部分をレジストによりマスクした後、該レジストによりマスクされていない部分に対して前記第２導電層を形成することにより、アンテナを含む回路を形成したことになる（以上の方法をアディティブ法と呼ぶ）。
【００６７】
なお、上記においては、スルホール５ａを例にとり説明したが、ビアホールの場合でも同様である。また、第１導電層３ａの全面にレジスト７を塗布しているが、この方法に代えてレジスト７を所望の回路パターンをあらわすように印刷塗布することもできる。この場合、上述のマスク８を用いた露光および現像処理は不要となる。
【００６８】
＜接続層＞
本発明の上記導電層上には、さらに接続層を形成することができる。該接続層は、集積回路（ＩＣチップやＬＳＩ）を絶縁性基体に搭載させることを容易化する作用を有するものであり、上記導電層と集積回路を直接電気的に接続するものである。
【００６９】
このような接続層は、Ｓｎ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、ＺｎおよびＣｒからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属または前記金属を少なくとも一種含む合金により構成することが好ましい。また、その厚みは０．２〜１５μｍ、好ましくは０．５〜５μｍとすることが好適である。０．２μｍ未満の場合には、集積回路の搭載容易化という効果が示されなくなるとともに、１５μｍを超えても集積回路の搭載容易化という効果に大差なく、却ってコストが高くなるため好ましくない。
【００７０】
このような接続層は、無電解めっき法、電気めっき法またはクロメート法のいずれかの方法により、導電層上の全面またはバンプのように部分に、単層または複数層として形成することができる。
【００７１】
＜酸化防止層＞
本発明の上記導電層上には、また酸化防止層を形成することができる。該酸化防止層は、導電層が酸化され導電性が示されなくなったり、絶縁性基体との密着性が不良となることを防止する作用を有するものである。
【００７２】
このような酸化防止接続層は、Ｓｎ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、ＺｎおよびＣｒからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属または前記金属を少なくとも一種含む合金により構成することが好ましい。また、その厚みは０．０１〜２μｍ、好ましくは０．０５〜１μｍとすることが好適である。０．０１μｍ未満の場合には、上記のような作用が示されなくなるとともに、２μｍを超えても上記作用に大差なく、却ってコストが高くなるため好ましくない。
【００７３】
このような酸化防止層は、無電解めっき法、電気めっき法またはクロメート法のいずれかの方法により、導電層上の全面または部分に、単層または複数層として形成することができる。
【００７４】
なお、このような酸化防止層および上記接続層は、実質的に同一の素材により構成することができるため、その厚みのみを調節することによりこれら両者を同時的かつ一体的に導電層上に形成することができる。すなわち、厚み０．０１〜２μｍのものを酸化防止層として導電層上の全面に形成し、そしてそのうち集積回路の搭載部分に該当する部分（バンプとなる部分）のみ、その厚みが０．２〜１５μｍとなる接続層として形成することができる。
【００７５】
＜アンテナ内蔵非接触型ＩＣカード＞
本発明のアンテナ内蔵非接触型ＩＣカードは、上記で説明した導電性シートを用いるものであって、該導電性シートに集積回路（ＩＣチップやＬＳＩ）を搭載し、最終的にこれらを樹脂で封止したり、合成樹脂フィルムに挟み込んだような形態とすることができるものである。
【００７６】
このようなアンテナ内蔵非接触型ＩＣカードは、たとえば各種ＩＤカード、テレホンカード、トラフィックカード（乗車定期券とプリペイドカードの両機能を持つようなもの）、電子マネー等に利用することができる。
【００７７】
＜その他＞
本発明の絶縁性基体には、アライメントマークを形成することができる。当該アライメントマークはスルホールやビアホールの所定の位置を決定する基準となるものであり、通常絶縁性基体の両端（スルホールの設けられていない位置）に形成するのが好適である。
【００７８】
このようなアライメントマークは光学的、電子的、磁気的、目視的あるいはその他の読み取り手段によりスルホールやビアホールの所定の位置を決定できるものであればいかなるものであっても差し支えなく、またその形成方法としても特に限定されるものではない。たとえば、目視的に読み取る場合にはこのアライメントマークとして絶縁性基体の両端にこの基体を貫通させるようにしてホールを開けたものが好適である。そしてこのホール（アライメントホールと呼ぶ）はさらに好ましくは一定の間隔を持って連続的に開孔させるのが好適である。このような構成を取ることによりスルホールやビアホールの位置をさらに簡単に決定することができるようになるからである。
【００７９】
このようなアライメントホールの大きさとしては、通常２０μｍ〜３ｍｍ程度、好ましくは５０μｍ〜２ｍｍとするのが好適である。２０μｍ未満では、位置決め精度は良好となる反面、高価な加工設備を要することとなり、また３ｍｍを超えると良好な位置決め精度が得られなくなってしまう。
【００８０】
このようなアライメントホールは、たとえば各種レーザ、ドリル、パンチ、プレスなどにより開孔させることが可能であり、特にその大きさが８０μｍよりも小さい場合には、各種レーザを用いることが好ましい。
【００８１】
また、このようなアライメントホールは上記のスルホールと同様、その内壁面に導電層が形成されていても差し支えない。
【００８２】
【実施例】
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００８３】
＜実施例１＞
まず、絶縁性基体として、厚み５０μｍ、幅２５０ｍｍ、長さ１００ｍにスリットしたＰＥＴフィルム（商品名：エンプレット、ユニチカ（株）製）を、合成樹脂製のコアに巻き取った後、ＣＯ２レーザ加工機（三菱電機製）にセットした。そして、この加工機により、該ＰＥＴフィルムの表裏両面を貫通するようにして内径１００μｍのスルホールと、内径１．０ｍｍのアライメントホールをそれぞれ開孔させた。
【００８４】
続いて、該ＰＥＴフィルムを純水洗浄装置にセットし、２ｋｇ／ｃｍ２の水圧でシャワーリングすることにより、該ＰＥＴフィルムの表裏両面の汚れを洗浄した。その後、高性能フィルタ（フィルタの開孔部の大きさが０．５μｍ以下）を通した１０５℃の乾燥エアにより水切りを行ない、充分に乾燥させた。
【００８５】
次いで、このように洗浄された絶縁性基体の一端をスパッタリング装置の送出しシャフトにセットし、他端を巻取りシャフトにセットした。一方、このスパッタリング装置の４つのターゲットには、ターゲットＮｏ．１としてＮｉ／Ｃｒ合金（Ｎｉ／Ｃｒ＝８０／２０）を、ターゲットＮｏ．２〜４としてＣｕをそれぞれ取付けた。
【００８６】
その後該スパッタリング装置のチャンバーを閉じ、真空ポンプにより真空度を１×１０−４Ｐａとした後、Ｎｉ／Ｃｒ合金を取付けたターゲットＮｏ．１に対してはアルゴンガスの注入量１００ｃｃ／分、ターゲット電流０．３Ａ／ｄｍ２、およびＣｕを取付けたターゲットＮｏ．２〜４に対してはアルゴンガスの注入量各２００ｃｃ／分、ターゲット電流０．９Ａ／ｄｍ２の条件下でこれらの金属をスパッタリングさせることにより、絶縁性基体の一方の表面上に第１導電層を形成した。その後、該スパッタリング装置の真空状態を解除した。
【００８７】
続いて、上記の絶縁性基体の第１導電層が形成されていない方の表面に対して上記と同様の第１導電層が形成できるように、上記絶縁性基体の表裏を逆にして再度該スパッタリング装置にセットしなおした。そして、上記と同一の条件でスパッタリングを行なうことにより絶縁性基体のもう一方の表面に上記と同じ第１導電層を形成した。
【００８８】
これにより、絶縁性基体の表裏両面とスルホールの壁面（およびアライメントホールの壁面）に対して第１導電層を直接形成することができた（図３（ｂ）参照）。なお、図３（ｂ）には示されていないが、第１導電層は絶縁性基体上にＮｉ／Ｃｒ合金層がまず積層されその上にＣｕ層が積層された構成となっている。そしてこの構成は絶縁性基体上の表裏両面とスルホールの壁面とにおいて同一の構成となっている。
【００８９】
また、上記の絶縁性基体の一方の端から１０ｍ、５０ｍおよび９０ｍの地点においてサンプリングを行ない、ＦＩＢ装置を用いて断面をカットしその厚みを測定したところ、各地点とも絶縁性基体の表裏両面共通で、Ｎｉ／Ｃｒ合金層が６０Å、Ｃｕ層は２９００Åであり、またスルホールの壁面においても同じ厚みであることが確認できた。
【００９０】
続いて、数回の純水による洗浄を行なった後、表裏両面に上記のようにして第１導電層を形成した絶縁性基体を連続めっき装置にセットし、以下の条件で電気めっきを行なった。すなわち、まず７％の硫酸が充填されている酸活性化槽（３０℃）に上記絶縁性基体を６０秒間連続的に浸漬することにより、上記第１導電層に対して酸活性化処理を行なった。
【００９１】
次いで、純水による水洗を３回繰り返した後、上記装置のめっき浴にめっき液（硫酸銅１１０ｇ／ｌ、硫酸１６０ｇ／ｌ、塩素６０ｐｐｍおよびトップルチナ３８０Ｈ（奥野製薬工業（株）製）１０ｃｃ／ｌからなるもの）を充填し、上記絶縁性基体を１．０ｍ／分の移動速度で連続的に浸漬させ、液温３０℃、電流密度４Ａ／ｄｍ２の条件下で１１分間電気めっきすることにより、前記第１導電層上にＣｕからなる第２導電層を形成した。
【００９２】
これにより、絶縁性基体の表裏両面とスルホールの壁面（およびアライメントホールの壁面）に対して第１導電層が形成され、その第１導電層上に第２導電層を形成することができた（図３（ｃ）参照）。なお、第２導電層の構成は絶縁性基体上の表裏両面とスルホールの壁面とにおいて同一の構成となっている。したがって、該導電層は第１導電層と第２導電層とを含み、該絶縁性基体の表裏両面と該スルホールの壁面とにおいて同一の構成を有する導電層が形成されていることになる。
【００９３】
続いて、このように第２導電層が形成された絶縁性基体に対して純水による水洗を５回繰り返して行なった。次いで、高性能フィルタ（フィルタの開孔部の大きさが０．５μｍ以下）を通した１０５℃の乾燥エアにより水切りを行ない、充分に乾燥させた。その後、このようにして第２導電層を形成した絶縁性基体の一方の端から１０ｍ、５０ｍおよび９０ｍの地点においてサンプリングを行ない、ＦＩＢ装置を用いて断面をカットし第２導電層の厚みを測定したところ、各地点とも絶縁性基体の表裏両面共通で１０．２μｍであり、スルホールの壁面では１０．０μｍであった。
【００９４】
次いで、上記の絶縁性基体の第２導電層上の全面にレジストとしてドライフィルム（商品名：ＮＩＴ２１５、ニチゴーモートン製）を、温度１１０℃、圧力２．５ｋｇ／ｃｍ２の条件下でラミネートさせたることにより、第２導電層上にレジストを形成した（図３（ｄ））参照）。
【００９５】
次いで、上記の絶縁性基体の表裏両面において所望の回路パターンをあらわしたマスクを上記のレジスト上に重ね合わせた後、平均露光機（自社製）を用いて光量１２０ｍＪで露光した（図３（ｅ）参照）。続いて、回路を形成しない部分のレジストを除去するため、現像装置を用いて炭酸ソーダ１ｇ／ｌ、温度３０℃、スプレー圧１．５ｋｇ／ｃｍ２の条件下で現像することによりレジストを除去した（図３（ｆ）参照）。
【００９６】
次いで、レジストを除去した部分の導電層（第１導電層と第２導電層を含む）を除去するため、エッチング装置を用いて塩化第２鉄４７％、温度４８℃、スプレー圧２．５ｋｇ／ｃｍ２の条件下でエッチングすることにより導電層を除去した（図３（ｇ）参照）。
【００９７】
そして、上記でエッチングされていない導電層上のレジストを剥離するため、レジスト剥離装置を用いて苛性ソーダ１００ｇ／ｌ、温度６０℃、スプレー圧２．０ｋｇ／ｃｍ２の条件下でレジストを剥離することにより、本発明のアンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シートを得た（図３（ｈ）参照）。
【００９８】
なお、引続き、上記の回路を形成した導電層（第２導電層）上に対して無電解Ｓｎめっき液（商品名：サブスターＳｎ、奥野製薬工業（株）製）を用いて温度２８℃で無電解めっき処理を施すことによってＳｎからなる酸化防止層を形成した。蛍光Ｘ線膜厚計（商品名：＃３２００、セイコー製）を用いてこの酸化防止層の厚みを測定したところ、酸化防止層の厚みは０．０９μｍであった。
【００９９】
このようにして得られたアンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シートは、上記導電層による回路の一部がコイル状のアンテナを構成し、また表裏両面において電気導電性には何等問題はなく信頼性の高い電気的接続性を示し、また良好な回路パターン形成性および良好な生産効率を有していた。
【０１００】
＜実施例２＞
第１導電層を絶縁性基体の表裏両面に形成させるところまでは、実施例１と全く同様にして第１導電層を形成した絶縁性基体を得た。
【０１０１】
このようにして得た絶縁性基体を、１００ｃｃ／ｌのパラジウム系触媒（商品名：アクセレータ、奥野製薬工業（株）製）の浸漬浴に室温で１分間浸漬させることにより、前記第１導電層上に対して触媒処理を施した。
【０１０２】
続いて、純水による水洗を５回繰り返した後、触媒処理された第１導電層上に対してスルホール用無電解銅めっき液（商品名：ＯＰＣ−７５０無電解銅Ｍ（商品名）、奥野製薬工業（株）製）を用いて室温、ｐＨ１２．９の条件下で無電解めっき処理を施すことによって銅からなる厚さ１μｍの第２導電層を形成した。
【０１０３】
次いで、このように第２導電層が形成された絶縁性基体に対して純水による水洗を５回繰り返して行なった。その後、高性能フィルタ（フィルタの開孔部の大きさが０．５μｍ以下）を通した１０５℃の乾燥エアにより水切りを行ない、充分に乾燥させることにより、絶縁性基体上に第１導電層と第２導電層とを含む導電層を形成した。
【０１０４】
その後、上記の実施例１と同様にして回路を形成し、また導電層上には酸化防止層を形成した。
【０１０５】
このようにして得られたアンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シートは、信頼性の高い電気的接続性を示すとともに優れた回路パターン形成性を示し、また優れた生産効率を有していた。
【０１０６】
＜実施例３＞
まず、絶縁性基体として、厚み２５μｍ、幅２５０ｍｍ、長さ１００ｍにスリットしたＰＥＴフィルム（商品名：エンプレット、ユニチカ（株）製）を、合成樹脂製のコアに巻き取った後、ＹＡＧレーザ加工機（三菱電機製）にセットした。そして、この加工機により、該ＰＥＴフィルムの表裏両面を貫通するようにして内径２５μｍのビアホールと、内径１．０ｍｍのアライメントホールをそれぞれ開孔させた。
【０１０７】
続いて、該ＰＥＴフィルムを純水洗浄装置にセットし、２ｋｇ／ｃｍ２の水圧でシャワーリングすることにより、該ＰＥＴフィルムの表裏両面の汚れを洗浄した。その後、高性能フィルタ（フィルタの開孔部の大きさが０．５μｍ以下）を通した１０５℃の乾燥エアにより水切りを行ない、充分に乾燥させた。
【０１０８】
次いで、このように洗浄された絶縁性基体の一端をスパッタリング装置の送出しシャフトにセットし、他端を巻取りシャフトにセットした。一方、このスパッタリング装置の４つのターゲットには、ターゲットＮｏ．１としてＮｉ／Ｃｒ合金（Ｎｉ／Ｃｒ＝８０／２０）を、ターゲットＮｏ．２〜４としてＣｕをそれぞれ取付けた。
【０１０９】
その後該スパッタリング装置のチャンバーを閉じ、真空ポンプにより真空度を１×１０−４Ｐａとした後、Ｎｉ／Ｃｒ合金を取付けたターゲットＮｏ．１に対してはアルゴンガスの注入量１００ｃｃ／分、ターゲット電流０．３Ａ／ｄｍ２、およびＣｕを取付けたターゲットＮｏ．２〜４に対してはアルゴンガスの注入量各２００ｃｃ／分、ターゲット電流０．９Ａ／ｄｍ２の条件下でこれらの金属をスパッタリングさせることにより、絶縁性基体の一方の表面上に第１導電層を形成した。その後、該スパッタリング装置の真空状態を解除した。
【０１１０】
続いて、上記の絶縁性基体の第１導電層が形成されていない方の表面に対して上記と同様の第１導電層が形成できるように、上記絶縁性基体の表裏を逆にして再度該スパッタリング装置にセットしなおした。そして、上記と同一の条件でスパッタリングを行なうことにより絶縁性基体のもう一方の表面に上記と同じ第１導電層を形成した。
【０１１１】
これにより、絶縁性基体の表裏両面とビアホールの壁面（およびアライメントホールの壁面）に対して第１導電層を直接形成することができた（図４（ｂ）参照）。なお、図４（ｂ）には示されていないが、第１導電層は絶縁性基体上にＮｉ／Ｃｒ合金層がまず積層されその上にＣｕ層が積層された構成となっている。そしてこの構成は絶縁性基体上の表裏両面とビアホールの壁面とにおいて同一の構成となっている。
【０１１２】
また、上記の絶縁性基体の一方の端から１０ｍ、５０ｍおよび９０ｍの地点においてサンプリングを行ない、ＦＩＢ装置を用いて断面をカットしその厚みを測定したところ、各地点とも絶縁性基体の表裏両面共通で、Ｎｉ／Ｃｒ合金層が５０Å、Ｃｕ層は２５００Åであり、またビアホールの壁面においても同じ厚みであることが確認できた。
【０１１３】
その後、数回の純水による洗浄を行なった後、上記の第１導電層上に所望の回路パターンを形成するようにしてレジストを印刷塗布した（図４（ｅ）参照）。
【０１１４】
続いて、数回の純水による洗浄を行なった後、表裏両面に上記のようにしてレジストを印刷塗布した絶縁性基体を連続めっき装置にセットし、以下の条件で電気めっきを行なった。すなわち、まず７％の硫酸が充填されている酸活性化槽（３０℃）に上記絶縁性基体を６０秒間連続的に浸漬することにより、上記第１導電層に対して酸活性化処理を行なった。
【０１１５】
次いで、純水による水洗を３回繰り返した後、上記装置のめっき浴にめっき液（硫酸銅１１０ｇ／ｌ、硫酸１６０ｇ／ｌ、塩素６０ｐｐｍおよびトップルチナ３８０Ｈ（奥野製薬工業（株）製）１０ｃｃ／ｌからなるもの）を充填し、上記絶縁性基体を１．０ｍ／分の移動速度で連続的に浸漬させ、液温３０℃、電流密度４Ａ／ｄｍ２の条件下で１５分間電気めっきすることにより、前記第１導電層上のレジストが形成されていない部分にＣｕからなる第２導電層を形成した。
【０１１６】
これにより、絶縁性基体の表裏両面とビアホールの壁面（およびアライメントホールの壁面）に対して第１導電層が形成され、その第１導電層上のレジストが形成されていない部分に第２導電層を形成することができた（図４（ｆ）参照、ただしホール部の構成が異なる）。なお、第２導電層の構成は絶縁性基体上の表裏両面とビアホールの内部とにおいて同一の構成となっている。したがって、該導電層は第１導電層と第２導電層とを含み、該絶縁性基体の表裏両面と該ビアホールの内部とにおいて同一の構成を有する導電層が形成されていることになる。
【０１１７】
続いて、このように第２導電層が形成された絶縁性基体に対して純水による水洗を５回繰り返して行なった。次いで、高性能フィルタを通した１０５℃の乾燥エアにより水切りを行ない、充分に乾燥させた。その後、このようにして第２導電層を形成した絶縁性基体の一方の端から１０ｍ、５０ｍおよび９０ｍの地点においてサンプリングを行ない、ＦＩＢ装置を用いて断面をカットし第２導電層の厚みを測定したところ、各地点とも絶縁性基体の表裏両面共通で１３．５μｍであり、ビアホールの内部は全て充填されており空洞部は存在しなかった。
【０１１８】
次いで、上記のレジストを剥離するため、レジスト剥離装置を用いて苛性ソーダ１００ｇ／ｌ、温度６０℃、スプレー圧２．０ｋｇ／ｃｍ２の条件下でレジストを剥離させた（図４（ｇ）参照、前記同様ホール部の構成が異なる）。
【０１１９】
続いて、レジストを除去した部分の第１導電層を除去するため、エッチング装置を用いて過硫酸アンモニウム５０ｇ／ｌ、温度３５℃、スプレー圧１．５ｋｇ／ｃｍ２の条件下でソフトエッチングすることにより上記第１導電層を除去することにより、本発明のアンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シートを得た（図４（ｈ）参照、上記同様ホール部の構成が異なる）。
【０１２０】
なお、引続き、上記の回路を形成した導電層上に対して無電解Ｓｎめっき液（商品名：サブスターＳｎ、奥野製薬工業（株）製）を用いて温度２８℃で無電解めっき処理を施すことによってＳｎからなる酸化防止層を形成した。蛍光Ｘ線膜厚計（商品名：＃３２００、セイコー製）を用いてこの酸化防止層の厚みを測定したところ、酸化防止層の厚みは０．０９μｍであった。
【０１２１】
さらに引続き、上記の酸化防止層上の集積回路と接続させる部分に対して無電解Ｓｎめっき液（商品名：サブスターＳｎ、奥野製薬工業（株）製）を用いて温度２８℃で無電解めっき処理を施すことによってＳｎからなる接続層を形成した。蛍光Ｘ線膜厚計（商品名：＃３２００、セイコー製）を用いてこの接続層の厚みを測定したところ、その厚みは５μｍであった。
【０１２２】
このようにして得られたアンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シートは、上記導電層による回路の一部がコイル状のアンテナを構成し、表裏両面において電気導電性には何等問題はなく信頼性の高い電気的接続性を示し、また良好な回路パターン形成性および良好な生産効率を有していた。
【０１２３】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【０１２４】
【発明の効果】
本発明のアンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シートは、信頼性の高い電気的接続性を有し、かつ良好な回路パターン形成性および良好な生産効率を有するものである。また、導電層が接着剤を介さずに直接絶縁性基体上に形成されるものであるため、接着剤の使用に起因する一切の問題を解消したものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】アンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シートの概略平面図である。
【図２】上記概略平面図のＩＩ−ＩＩ線の概略断面図である。
【図３】アンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シートの製造工程図である。
【図４】アンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シートの別の製造工程図である。
【符号の説明】
１  アンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シート、２  絶縁性基体、３導電層、３ａ  第１導電層、３ｂ  第２導電層、４  アンテナ、５  スルホールまたはビアホール、５ａ  スルホール、６  集積回路、７  レジスト、８  マスク、９  回路を形成しない部分、１０  回路、１１  回路を形成する部分。
【図１】
2005025514.tif 000003
【図２】
2005025514.tif 000004
【図３】
2005025514.tif 000005
【図４】
2005025514.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月9日(2003.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基体の表裏両面に導電層が形成され、その表裏両面の導電層が該絶縁性基体を貫通するようにして開孔されているスルホールまたはビアホールを介して互いに電気的に接続されている導電性シートであって、
該導電層は、該絶縁性基体上に直接形成されているとともに、該スルホールの壁面または該ビアホールの内部と、該絶縁性基体の表裏両面とにおいて同一の構成を有し、
また該導電層は、アンテナを含む回路を構成し、
かつ該導電層は、スパッタリング法または蒸着法により形成される第１導電層と、無電解めっき法または電気めっき法により形成される第２導電層とを含み、
さらに該第１導電層は、該絶縁性基体上に密着力の劣化を防止する層と、該密着力の劣化を防止する層上に形成される良好な電気特性を有し該第２導電層との密着性に優れる層とを含むことを特徴とする、アンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シート。
【請求項２】
前記導電層は、前記スルホールの壁面または前記ビアホールの内部と、前記絶縁性基体の表裏両面とにおいて、同一の工程で形成されることを特徴とする、請求項１記載のアンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シート。
【請求項３】
前記導電層は、エッチングによりアンテナを含む回路を形成することを特徴とする、請求項１記載のアンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シート。
【請求項４】
前記密着力の劣化を防止する層は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉまたはこれらの金属を含む合金により構成され、かつ前記良好な電気特性を有し該第２導電層との密着性に優れる層はＣｕまたはＣｕ合金により構成されることを特徴とする、請求項１記載のアンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シート。
【請求項５】
前記第１導電層上の部分をレジストによりマスクした後、該レジストによりマスクされていない部分に対して前記第２導電層を形成することにより、アンテナを含む回路を形成したことを特徴とする、請求項１記載のアンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シート。
【請求項６】
前記導電層の表面に、Ｓｎ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、ＺｎおよびＣｒからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属または前記金属を少なくとも一種含む合金により、厚み０．２〜１５μｍの接続層が形成されていることを特徴とする、請求項１記載のアンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シート。
【請求項７】
前記導電層の表面に、Ｓｎ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、ＺｎおよびＣｒからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属または前記金属を少なくとも一種含む合金により、厚み０．０１〜２μｍの酸化防止層が形成されていることを特徴とする、請求項１記載のアンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シート。
【請求項８】
請求項１記載のアンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シートを用いたことを特徴とする、アンテナ内蔵非接触型ＩＣカード。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明のアンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シートは、絶縁性基体の表裏両面に導電層が形成され、その表裏両面の導電層が該絶縁性基体を貫通するようにして開孔されているスルホールまたはビアホールを介して互いに電気的に接続されている導電性シートであって、該導電層は、該絶縁性基体上に直接形成されているとともに、該スルホールの壁面または該ビアホールの内部と、該絶縁性基体の表裏両面とにおいて同一の構成を有し、また該導電層は、アンテナを含む回路を構成し、かつ該導電層は、スパッタリング法または蒸着法により形成される第１導電層と、無電解めっき法または電気めっき法により形成される第２導電層とを含み、さらに該第１導電層は、該絶縁性基体上に密着力の劣化を防止する層と、該密着力の劣化を防止する層上に形成される良好な電気特性を有し該第２導電層との密着性に優れる層とを含むことを特徴としている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
なお、この第１導電層は、絶縁性基体上にまずＮｉ、Ｃｒ、Ｔｉ等の金属や該金属を含む合金を積層し、その上にＣｕ等の金属や該金属を含む合金を積層させることが好ましい。Ｃｕ等の金属は、良好な電気特性を有しかつ第２導電層との密着性にも優れ、また比較的安価であることからこのような用途に用いることが有利であるが、容易に酸化され電気特性が害されるという問題を有している。そこで、この酸化の問題を解消するためにこのようなＣｕ等の金属層の下に（すなわち絶縁性基体との間に）耐酸化性を有する金属、たとえばＮｉ、Ｃｒ、Ｔｉ等の金属からなる層を形成すれば、酸化による経時的な密着力の劣化を防止することができる。




【手続補正書】
【提出日】平成16年3月29日(2004.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基体の表裏両面に導電層が形成され、その表裏両面の導電層が該絶縁性基体を貫通するようにして開孔されているスルホールまたはビアホールを介して互いに電気的に接続されている導電性シートであって、
該導電層は、該絶縁性基体上に直接形成されているとともに、該スルホールの壁面または該ビアホールの内部と、該絶縁性基体の表裏両面とにおいて同一の構成を有し、
また該導電層は、アンテナを含む回路を構成し、
かつ該導電層は、スパッタリング法または蒸着法により形成される第１導電層と、無電解めっき法または電気めっき法により形成される第２導電層とを含み、
さらに該第１導電層は、５００〜５０００Åの厚みで形成され、該絶縁性基体上にＮｉ、Ｃｒ、Ｔｉまたはこれらの金属を含む合金により構成される厚み１０〜２００Åの密着力の劣化を防止する層と、該密着力の劣化を防止する層上に形成されるＣｕまたはＣｕ合金により構成される良好な電気特性を有し該第２導電層との密着性に優れる層とを含むことを特徴とする、アンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シート。
【請求項２】
前記導電層は、前記スルホールの壁面または前記ビアホールの内部と、前記絶縁性基体の表裏両面とにおいて、同一の工程で形成されることを特徴とする、請求項１記載のアンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シート。
【請求項３】
前記導電層は、エッチングによりアンテナを含む回路を形成することを特徴とする、請求項１記載のアンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シート。
【請求項４】
前記第１導電層上の部分をレジストによりマスクした後、該レジストによりマスクされていない部分に対して前記第２導電層を形成することにより、アンテナを含む回路を形成したことを特徴とする、請求項１記載のアンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シート。
【請求項５】
前記導電層の表面に、Ｓｎ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、ＺｎおよびＣｒからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属または前記金属を少なくとも一種含む合金により、厚み０．２〜１５μｍの接続層が形成されていることを特徴とする、請求項１記載のアンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シート。
【請求項６】
前記導電層の表面に、Ｓｎ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、ＺｎおよびＣｒからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属または前記金属を少なくとも一種含む合金により、厚み０．０１〜２μｍの酸化防止層が形成されていることを特徴とする、請求項１記載のアンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シート。
【請求項７】
請求項１記載のアンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シートを用いたことを特徴とする、アンテナ内蔵非接触型ＩＣカード。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明のアンテナ内蔵非接触型ＩＣカード用の導電性シートは、絶縁性基体の表裏両面に導電層が形成され、その表裏両面の導電層が該絶縁性基体を貫通するようにして開孔されているスルホールまたはビアホールを介して互いに電気的に接続されている導電性シートであって、該導電層は、該絶縁性基体上に直接形成されているとともに、該スルホールの壁面または該ビアホールの内部と、該絶縁性基体の表裏両面とにおいて同一の構成を有し、また該導電層は、アンテナを含む回路を構成し、かつ該導電層は、スパッタリング法または蒸着法により形成される第１導電層と、無電解めっき法または電気めっき法により形成される第２導電層とを含み、さらに該第１導電層は、５００〜５０００Åの厚みで形成され、該絶縁性基体上にＮｉ、Ｃｒ、Ｔｉまたはこれらの金属を含む合金により構成される厚み１０〜２００Åの密着力の劣化を防止する層と、該密着力の劣化を防止する層上に形成されるＣｕまたはＣｕ合金により構成される良好な電気特性を有し該第２導電層との密着性に優れる層とを含むことを特徴としている。