(57)【要約】【課題】偏向ヨークの漏洩磁界が消磁コイルに影響を与えることにより生じたミスランディングが低減されている陰極線管を提供する。【解決手段】パネル２と、ファンネル３と、パネル２およびファンネル３で外囲された磁性部品と、ファンネルのネック部内に設置された電子銃７と、ファンネル３のネック部外周に取り付けられた偏向ヨーク４と、ファンネル３の外側に設置された消磁コイル５とを備えた陰極線管１において、消磁コイル５の電子銃７側部分が、偏向ヨーク４のパネル２側端よりも電子銃７側に延在するように、消磁コイル５が設置されている【選択図】  図１
2005086775.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パネルと、ファンネルと、前記パネルおよび前記ファンネルで外囲された磁性部品と、前記ファンネルのネック部内に設置された電子銃と、前記ファンネルのネック部外周に取り付けられた偏向ヨークと、前記ファンネルの外側に設置された消磁コイルとを備えた陰極線管において、
前記消磁コイルの前記電子銃側部分が、前記偏向ヨークの前記パネル側端よりも前記電子銃側に延在するように、前記消磁コイルが設置されていることを特徴とする陰極線管。
【請求項２】
前記消磁コイルの前記電子銃側部分が、前記偏向ヨークの前記パネル側端と前記電子銃側端との中央部近傍をまたぐように、前記消磁コイルが設置されている、請求項１に記載の陰極線管。
【請求項３】
前記消磁コイルの前記電子銃側部分は、前記偏向ヨークの中心軸を含む水平平面および前記鉛直平面の少なくとも一方に対して対称である、請求項１に記載の陰極線管。
【請求項４】
前記消磁コイルは、前記偏向ヨークの鉛直方向の位置近傍においては平面視において略コの字状である、請求項１に記載の陰極線管。
【請求項５】
前記消磁コイルは、前記偏向ヨークの鉛直方向の位置近傍においては平面視において略円弧状である、請求項１に記載の陰極線管。
【請求項６】
前記磁性部品は、電子ビームの色選別機能を有するシャドウマスク、前記シャドウマスクを固定するためのフレームおよび外部磁界を遮断するための磁気シールドである、請求項１に記載の陰極線管。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テレビジョン受像機やコンピューター用モニター等に用いられる陰極線管に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的にテレビジョン受像機やコンピューター用モニターに用いられる陰極線管は、ミスランディングの発生を防止するため消磁回路を備えている。以下に、ミスランディングの発生を防止するための消磁回路を備えた従来の陰極線管について説明する。
【０００３】
まず、図１０を用いてミスランディングについて説明する。図１０は、シャドウマスクと蛍光体ドットの関係を示す模式図である。電子銃１２１から射出した３本の電子ビーム１２２は、シャドウマスク１２３を介して、それぞれ対応する赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の蛍光体ドット１２４のみに照射される（ランディング）。シャドウマスク１２３は色選別機能を有し、電子ビーム１２２が対応する蛍光体ドット１２４に射突するように制御している。しかし、地磁気や陰極線管周辺の磁性体からの磁界の影響を受けて、電子ビーム１２２の軌道が変化し、見かけの電子ビーム１２２の入射角が変化するために、対応する蛍光体ドット１２４に正確に射突しなくなる。つまり、それぞれの電子ビーム１２２が対応する蛍光体ドット１２４にランディングしなくなり、それによって表示画像が乱れる。この現象をミスランディングという。
【０００４】
ミスランディングを防ぐための従来の陰極線管について説明する。図１１は従来の陰極線管１０１の断面図である。色選別機能を有するシャドウマスク１２３、シャドウマスク１２３を固定するためのマスクフレーム１１４および外部磁界を遮断するための磁気シールド１１５が、パネル１０２とファンネル１０３とで外囲されている。電子銃１２１から射出された電子ビーム１２２が対応する蛍光体ドット１２４に射突するよう、水平および垂直方向に電子ビーム１２２を偏向するための偏向ヨーク１０４は、ファンネル１０３のネック部外周の所定位置に設置されている。
【０００５】
シャドウマスク１２３、マスクフレーム１１４および磁気シールド１１５は、鉄などの強磁性体で構成されている。磁性体は、それぞれ材料固有の透磁率を有している。鉄においても初期透磁率に近ければ、磁界を遮蔽することができる。すなわち、磁気シールド効果を得ることができる。そのため、磁性材料である鉄で構成されるシャドウマスク１２３、マスクフレーム１１４および磁気シールド１１５のこれら磁性部品は、地磁気や陰極線管１０１周辺の磁性体からの磁界のほとんどを遮蔽する。
【０００６】
従来の陰極線管１０１は、このような構成であるため、地磁気や陰極線管１０１周辺の磁性体からの磁界による影響を受けることがなく、蛍光体ドットに電子ビーム１２２をランディングさせることができる。
【０００７】
また、陰極線管１０１の向きが変化するなど陰極線管１０１に相対的に磁界が加わると、地磁気程度の磁界においても透磁率の低下および着磁のために磁界の一部が陰極線管の内部に浸透してしまう。そのため電子ビーム１２２の軌道が変化し、ミスランディングが生じることになる。このようなミスランディングを回避するため、陰極線管１０１にはシャドウマスク１２３、マスクフレーム１１４および磁気シールド１１５を広く包含するように、パネル３９およびファンネル３７の外周に沿って消磁コイル１０５が配置されている。この消磁コイル１０５に漸減する交流電流を流すことにより漸減する交番磁界を発生させ、シャドウマスク１２３、マスクフレーム１１４および磁気シールド１１５の磁性部品のシールド効果が最大となるように磁気的状態を回復できることが一般的に知られている。この効果には大別して以下に示す二つの要因が挙げられる。
【０００８】
第１は、磁性体の着磁による効果である。図１２は消磁処理を行う前の磁気シールド１１５周辺の磁界を示す模式図である。また、図１３は消磁処理を行った後の磁気シールド１１５周辺の磁界を示す模式図である。図１２に示しているように、消磁処理を行う前は、地磁気等の外部磁界１３１のうち一部の外部磁界１３１ａは、磁気シールド１１５に吸収され、磁気シールド１１５内を通って噴き出されるので、電子ビーム１２２には影響を与えない。しかし、磁気シールド１１５に吸収されなかった残りの外部磁界１３１ｂは、磁気シールド１１５内の空間をそのまま通過するので、電子ビーム１２２に影響を与える。例えば、図１２に示すように、電子ビーム１２２が紙面の表面から裏面に向かって進んでいる場合、右から左方向への磁界の影響を受けることで電子ビーム１２２には上向きの力がかかる。
【０００９】
消磁コイル１０５（図１１）により磁気シールド１１５に消磁処理を行うと、磁気シールド１１５は着磁する。磁気シールド１１５の極性は、図１３に示すように右がＳ極となり左がＮ極となるため、磁気シールド１１５により磁界１３３が生じる。磁界１３３の電子ビーム１２２周辺の空間１３４では、磁気シールド１１５による磁界１３３の向きは、外部磁界１３１を打ち消す方向である。それにより、空間１３４は外部磁界１３１の影響を受けない領域となり、電子ビーム１２２を外部磁界１３１から保護することができる。
【００１０】
第２は透磁率の増加による効果である。図１４は磁性部品の一般的なヒステリシスカーブを示している。図１４において、縦軸は磁束密度Ｂを、横軸は磁界Ｈを示している。図１４に示したヒステリシスカーブの傾きが透磁率を表わし、縦軸とヒステリシスカーブの交点が着磁量を表わしている。図１１に示す陰極線管１０１において、地磁気や陰極線管周辺の磁性体からの磁界により磁気シールド１１５が着磁すると、ヒステリシスカーブに従って透磁率が減少する。したがって、シャドウマスク１２３、マスクフレーム１１４および磁気シールド１１５の磁性部品を通過する磁束が減り、結果として電子ビーム１２２が存在する内部空間へ磁界が浸透する。この磁界の影響を受け、電子ビーム１２２の軌道が変化してミスランディングが発生するが、消磁コイル１０５により消磁を行なう。すなわち、図１４で示すように、磁性部品の飽和磁束密度であるＢ１、Ｂ２まで磁界Ｈ１、Ｈ２を加えた後に、漸減する交番磁界を０となるまで加える。それにより、ヒステリシスカーブに示すように矢印の経路で着磁が減少していき、図１４に示すように、磁性部品の初期透磁率に回復する。
【００１１】
シャドウマスク１２３、マスクフレーム１１４および磁気シールド１１５等の、陰極線管１０１内部の着磁した磁性部品を消磁するため、消磁コイル１０５は、これら磁性部品を広く包含するような構成であることが望ましい。
【００１２】
上述したような従来の陰極線管は、例えば特許文献１に開示されている。
【特許文献１】特開平６−６２４１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
陰極線管を設計する場合には、使用する偏向ヨークの特性を考慮することが重要である。また、単に部品を組み合わせるだけでは所望の性能を得ることができず、偏向ヨークの位置決め、ランディングおよびコンバーゼンスなどの調整が必須となる。一般的には陰極線管の製造元でこれらの調整を行なう。テレビジョン受像機やコンピューター用モニターなどの表示装置の製造元は、調整の済んだ陰極線管を用いて表示装置を作製するので、消磁コイルの取り付けや駆動回路の調整を行なうだけでよく、組み立てや調整の効率を上げることができる。
【００１４】
図１５は、従来の陰極線管１０１の背面図である。図１１および図１５に示すように、消磁コイル１０５は、ファンネル１０３に沿って設置されている。このとき、アノード電圧供給点１０６と、消磁コイル１０５との最短距離である沿面距離Ａを一定距離確保し、アノード電圧のリークを避けなければならない。沿面距離Ａは、陰極線管の画面サイズやアノード電圧にもよるが、通常は７ｃｍ以上を確保している。前述のように、偏向ヨーク１０４が取り付けられ、その調整がされてから、消磁コイル１０５を取り付ける。そのため、アノード電圧供給点１０６と偏向ヨーク１０４との位置関係が決まっている状態で、沿面距離Ａを確保しなければならない。したがって、必然的に消磁コイル１０５と偏向ヨーク１０４が近接してしまう。
【００１５】
このように、上述の偏向ヨーク１０４の取り付けおよび調整において、ミスランディングのない状態に調整されているが、後から取り付ける消磁コイル１０５の設置位置により、ミスランディングが生じるおそれがある。すなわち、例えば、消磁コイル１０５が偏向ヨーク１０４と近接すると、消磁コイル１０５と偏向ヨーク１０４との相互の磁気結合が強くなり、ミスランディングが発生するおそれがある。特に、全長短縮管は、構造的に偏向ヨーク１０４と消磁コイル１０５とを近接させざるを得ない。このような、偏向ヨーク１０４と消磁コイル１０５とが近接するような陰極線管１０１の場合、磁気結合が原因のミスランディングによる色むらが無視できない。
【００１６】
図１６は、偏向ヨーク１０４からの漏洩磁界を模式的に示した図である。図１６は、従来の陰極線管１０１の左側面図である。図１６に示すように、偏向ヨーク１０４から陰極線管１０１の外部に漏洩している水平偏向磁界１１８は、消磁コイル１０５と鎖交している。それにより、消磁コイル１０５に電流が誘起され、以下に示す２つの理由によってミスランディングが発生する。
【００１７】
まず、第１の理由を説明する。図１７は、偏向ヨーク１０４の水平偏向電流と消磁コイル１０５に誘起された電流との時間経過に対する変化を示している。実線１７１は水平偏向電流を表わし、破線１７２は消磁コイル１０５に誘起された電流を表わしている。図１６に示すように水平偏向磁界１１８が消磁コイル１０５と鎖交しているので、消磁コイル１０５には水平偏向電流と相似の電流が誘起される。それにより、図１７に示すように、消磁コイル１０５には水平偏向磁界１１８と相似の磁界が発生する。この磁界によって、電子ビームの軌道が変化させられ、ミスランディングが発生する。なお、水平偏向磁界１１８とは、陰極線管１０１内での電子ビーム１２２の水平方向の軌道を制御するために、偏向ヨーク１０４で発生させられる磁界のことである。また、水平偏向電流とは、水平偏向磁界１１８を発生させるための電流である。このように、漏洩した水平偏向磁界１１８により、消磁コイル１０５に磁界が生じる。このような現象を磁界結合という。
【００１８】
図１８は、水平偏向磁界１１８により消磁コイル１０５に生じた磁界によるミスランディングのパターンの一例を示す模式図である。点１８１は偏向ヨークの中心位置を示している。また、矢印１８２は正規のランディング位置からの電子ビームのずれる方向と大きさ（矢印の長さ）を示している。なお、矢印１８２の起点は正規のランディング位置を示している。偏向ヨーク１０４の中心軸（点１８１）を含む鉛直平面に対して、水平偏向電流は極性が反転する。したがって、この面に対して、電子ビーム１２２に作用する力も反転する。したがってミスランディングによる電子ビームがずれる向きは、この面に対して対称となる。
【００１９】
次に、第２の理由を説明する。消磁コイル１０５の巻数は通常５０回以上１５０回以下と多い。そのため、消磁コイル１０５の線間浮遊容量と消磁コイル１０５自身のインダクタンスとによって共振回路が構成される。図１９は水平偏向電流と共振電流との時間経過に対する変化の一例を示している。なお、この共振電流とは、消磁コイル１０５に誘起された電流がエネルギー源となり消磁コイル１０５内に流れる電流のことである。図１９において、実線１９１は水平偏向電流を表わし、破線１９２は消磁コイル１０５に流れる共振電流を表わしている。例えば、図１９の破線１９２で示すように、共振電流が生じる。この共振電流によって消磁コイル１０５に磁界が発生する。この磁界によって、電子ビームの軌道が変化させられ、ミスランディングが発生する。なお、図１９において、水平偏向電流を表す実線１９１が山側（正）の場合は、電子ビームがパネル表面に向かって左側に偏向する。逆に、水平偏向電流を表す実線１９１が谷側（負）の場合は、電子ビームがパネル表面に向かって左側に偏向する。
【００２０】
図２０は、図１９で示した共振電流によって生じたミスランディングのパターンの一例を示す模式図である。点２０１は偏向ヨークの中心軸を示している。矢印２０２は正規のランディング位置からの電子ビームのずれる方向と大きさ（矢印の長さ）を示している。なお、矢印２０２の起点は正規のランディング位置を示している。共振電流の周期は水平周期の数倍程度であり、正および負極性の電流が交互に流れるため、ミスランディングの向きも１水平周期内で極性に合わせて内側および外側に交互に現れる。図１９で示したように、水平偏向電流が正の時に共振電流が発生している場合は、図２０に示すように、偏向ヨークの中心軸である点２０１の左側において、共振電流の影響が生じる。そのため、偏向ヨークの中心軸である点２０１の左側には、右向きおよび左向きの矢印２０２が示されている。なお、水平偏向電流が負の場合にも共振電流が発生すれば、正規のランディング位置２０１の右側および左側の両方で共振電流の影響が生じる。
【００２１】
上記説明したように第１および第２の理由により、偏向ヨーク１０４から漏洩した水平偏向磁界１１８によりミスランディングが生じる。
【００２２】
本発明はかかる問題に鑑みてなされたもので、偏向ヨークの漏洩磁界が消磁コイルに影響を与えることにより生じたミスランディングが低減されている陰極線管を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本発明の陰極線管は、パネルと、ファンネルと、前記パネルおよび前記ファンネルで外囲された磁性部品と、前記ファンネルのネック部内に設置された電子銃と、前記ファンネルのネック部外周に取り付けられた偏向ヨークと、前記ファンネルの外側に設置された消磁コイルとを備えた陰極線管において、前記消磁コイルの前記電子銃側部分が、前記偏向ヨークの前記パネル側端よりも前記電子銃側に延在するように、前記消磁コイルが設置されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、ミスランディングが低減された陰極線管を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本実施の形態の陰極線管は、消磁コイルが、偏向ヨークからの漏洩磁界の影響を受けにくいので、消磁コイルの誘起電流や共振電流が低減され、ミスランディングが低減されるという効果を奏する。
【００２６】
また、好ましくは、前記消磁コイルの前記電子銃側部分が、前記偏向ヨークの前記パネル側端と前記電子銃側端との中央部近傍をまたぐように、前記消磁コイルが設置されている。それにより、消磁コイルは、偏向ヨークから漏洩する偏向磁界の影響を受けにくく、ミスランディング量を減少させることができる。
【００２７】
また、好ましくは、前記消磁コイルの前記電子銃側部分は、前記偏向ヨークの中心軸を含む水平平面および前記鉛直平面の少なくとも一方に対して対称である構成としてもよい。消磁コイルの形状が水平平面に対称であれば、水平平面の上側の消磁コイルと下側の消磁コイルとが受ける漏洩磁界の影響を等しくすることができる。また、消磁コイルの形状が鉛直平面に対称であれば、鉛直平面の右側の消磁コイルと左側の消磁コイルとが受ける漏洩磁界の影響を等しくすることができる。それにより、ミスランディング量を減少させることができる。
【００２８】
また、前記消磁コイルは、前記偏向ヨークの鉛直方向の位置近傍においては平面視において略コの字状としてもよい。
【００２９】
また、前記消磁コイルは、前記偏向ヨークの鉛直方向の位置近傍においては平面視において略円弧状としてもよい。
【００３０】
また、前記磁性部品は、電子ビームの色選別機能を有するシャドウマスク、前記シャドウマスクを固定するためのフレームおよび外部磁界を遮断するための磁気シールドであるとしてもよい。
【００３１】
以下、本発明のさらに具体的な実施の形態について説明する。
【００３２】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１に係る陰極線管１について図面を用いて説明する。図１は、実施の形態１に係る陰極線管１の背面斜視図である。また、図２は、実施の形態１に係る陰極線管１の背面図であり、図３は実施の形態１に係る陰極線管１の平面図であり、図４は実施の形態１に係る陰極線管１の右側面図である。なお、図１において、偏向ヨーク４の中心軸方向（管軸方向）をＺ軸方向とし、Ｚ軸に垂直で陰極線管１の水平方向をＸ軸方向とし、陰極線管１の鉛直方向をＹ軸方向とする。また、他の図においても、同様の座標軸とする。
【００３３】
図１〜図４に示すように、陰極線管１は、パネル２と、ファンネル３と、パネル２とファンネル３とで外囲された磁性部品（図示せず）と、ファンネル３のネック部内に設置された電子銃７と、偏向ヨーク４と、消磁コイル５とを備えている。
【００３４】
パネル２とファンネル３とで外囲された磁性部品は、図示はしていないが、例えば、色選別機能を有するシャドウマスク、シャドウマスクを固定するためのマスクフレームおよび外部磁界を遮断するための磁気シールド等である。磁性部品は、鉄等の磁性材料で構成されている。
【００３５】
偏向ヨーク４は、水平コイル（図示せず）、垂直コイル４１、制御回路４３、絶縁枠（図示せず）およびフェライトコア４２などで構成されている。偏向ヨーク４は、ファンネル３のネック部の外周に設置されている。偏向ヨーク４は、電子銃７より射出される電子ビームが対応する蛍光ドットにランディングするように、電子ビームの進路を制御する働きがある。
【００３６】
消磁コイル５は、パネル２およびファンネル３の外側において、それらの内部に設置された磁性部品を取り囲み、包含するように設置されている。例えば、消磁コイル５は上下に二つ設置されていて、一つはパネル２およびファンネル３の上半分を、もう一つはパネル２およびファンネル３の下半分を包含していて、それぞれ対称に設置されている。すなわち、図１に示しているように、消磁コイル５は、ファンネル３のパネル２側の端部においては、ファンネル３に沿って設置されている。ファンネル３側面においては、消磁コイル５は水平方向に（Ｚ−Ｘ平面に沿って）、偏向ヨーク４には接しないようにファンネル３に沿って偏向ヨーク４に向かって伸びていて、偏向ヨーク４の近傍ではファンネル３から離れて鉛直方向（Ｙ軸方向）に伸びている（特に、図４参照）。消磁コイル５は、偏向ヨーク４をまたぐ際には、偏向ヨーク４の中心軸方向に沿った偏向ヨーク４の中央部に設置されている。消磁コイル５は、偏向ヨーク４の鉛直方向の位置においては平面視（Ｚ−Ｘ平面）において略コの字状である（特に、図３参照）。
【００３７】
なお、図１において破線で示されている箇所は、従来の陰極線管における消磁コイル５１の設置位置を比較のために図示している。実施の形態１の消磁コイル５の配置と従来の消磁コイル５１の配置とは、ファンネル４をまたぐ位置が異なるが、それ以外は同一である。つまり、実施の形態１の陰極線管１は、消磁コイル５の電子銃７側部分が偏向ヨーク４のパネル２側端よりも電子銃７側に延在されている（特に、図４参照）。
【００３８】
図５は、偏向ヨーク４の中心軸方向における漏洩偏向磁界の強度を示した図である。偏向ヨーク４の側面図と、その位置に対応する磁界の強度を示している。図５よりわかるように、偏向ヨーク４の中心軸方向（Ｚ軸方向）においては、両端部（偏向ヨーク４のパネル２側端および偏向ヨーク４の電子銃７側端（図４））での漏洩磁界の強さが大きく、中央部に近づくに従って小さくなっている。これは、偏向ヨーク４の外周に設置されているフェライトコア４２は透磁率が高く、偏向磁界が漏洩するのは偏向ヨーク４の開口部（端部）からであるためである。このように、偏向ヨーク４の中心軸方向（Ｚ軸方向）における、偏向ヨーク４の中央部付近は、漏洩偏向磁界の影響を受けにくい。
【００３９】
実施の形態１の陰極線管１において、消磁コイル５の電子銃７側部分が、偏向ヨーク４のパネル２側端と偏向ヨーク４の電子銃７側端との中央部近傍をまたぐように、消磁コイル５が設置されている（特に、図４参照）。具体的には、消磁コイル５は偏向ヨーク４の鉛直方向位置においては、偏向ヨーク４とは接触せず、かつ、偏向ヨーク４の中心軸方向に沿った偏向ヨーク４の中央部をまたぐように設置されている（特に、図２参照）。つまり、消磁コイル５は、偏向ヨーク４の中心軸方向における両端部の鉛直方向の位置には設置されていない。
【００４０】
図１において、破線で示した従来の消磁コイル５１は、偏向磁界の漏洩が大きい、偏向ヨーク４の端部近傍に設置されている。したがって、消磁コイル５１は、偏向磁界の影響を受けて電流が誘起され、ミスランディングが生じる。しかし、実施の形態１によれば、消磁コイル５は、偏向磁界の影響をほとんど受けることがない。それにより、漏洩偏向磁界により消磁コイル５に生じる誘起電流が低減される。また、誘起電流によって発生していた共振電流も低減される。したがって、ミスランディングが生じることもない。そのため、従来のように消磁コイル５の端子間にコンデンサを挿入する必要もなくなるので、コストを下げることもできる。また、アノード電圧供給点６と消磁コイル５とが離れた位置に配置されるため、アノード電圧のリークを避けることもできる。
【００４１】
実際に、３２型ＣＲＴにおいて、図１に示した従来の消磁コイル５１を設置した場合は、偏向ヨーク４の開口部との間隔ａ（図１）は１ｃｍ〜３ｃｍであった。このとき、偏向ヨーク４の水平偏向電流が１１Ａp-pの時、５０Ｔの消磁コイル内に生じる誘導電流は６０ｍＡp-p〜７５ｍＡp-p程度になった。なお、単位（Ａp-p）は、電流の正の最大値と負の最大値との差を表している。
【００４２】
一方、同様に３２型ＣＲＴにおいて、図１〜図４に示した実施の形態１の消磁コイル５を設置して実測をした。なお、図３において、ｂを６ｃｍとし、ｃを１２ｃｍとした。このとき、消磁コイル５内に生じる誘導電流は従来の場合の約３０％にあたる２０ｍＡp-pまで低減する事ができた。
【００４３】
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２に係る陰極線管１１について図面を用いて説明する。図６は、実施の形態２に係る陰極線管１１の背面斜視図である。また、図７は、実施の形態２に係る陰極線管１１の背面図であり、図８は実施の形態２に係る陰極線管１１の平面図であり、図９は実施の形態２に係る陰極線管１１の右側面図である。
【００４４】
実施の形態２に係る陰極線管１１の消磁コイル１５は、実施の形態１に係る陰極線管１の消磁コイル５と、偏向ヨーク４の鉛直方向位置での形状が異なる。それ以外は、実施の形態２の陰極線管１１は、実施の形態１の陰極線管１と同様の構成である。なお、同様の機能を有する部材においては、同一の符号を用いている。
【００４５】
実施の形態２に係る陰極線管１１の消磁コイル１５について説明する。それ以外については、実施の形態１と同様なので説明を省略する。図６〜図９において、消磁コイル１５は、パネル２およびファンネル３の外側に、それらで外囲された磁性部品を取り囲み、包含するように設置されている。消磁コイル１５は上下に二つ設置されていて、一つはパネル２およびファンネル３の上半分を、もう一つはパネル２およびファンネル３の下半分を包含していて、それぞれ対称に設置されている。すなわち、図６に示しているように、消磁コイル１５は、ファンネル３のパネル２側の端部においては、ファンネル３に沿って設置されている。ファンネル３側面においては、消磁コイル１５は水平方向に（Ｚ−Ｘ平面に沿って）、偏向ヨーク４には接しないようにファンネル３に沿って偏向ヨーク４に向かって伸びていて、偏向ヨーク４の近傍ではファンネル３から離れて鉛直方向（Ｙ軸方向）に伸びている（特に、図９参照）。消磁コイル５は、偏向ヨーク４をまたぐ際には、偏向ヨーク４の中心軸方向に沿った偏向ヨーク４の中央部に設置されている。消磁コイル１５は、偏向ヨーク４の鉛直方向の位置近傍においては平面視（Ｚ−Ｘ平面）において略円弧状である（特に、図８参照）。つまり、実施の形態２の陰極線管１１は、消磁コイル１５の電子銃７側部分が偏向ヨーク４のパネル２側端よりも電子銃７側に延在されている（特に、図９参照）。このように、偏向ヨーク４の中心軸方向（Ｚ軸方向）においては、偏向ヨーク４の中央部付近に消磁コイル５を設置すれば、偏向磁界の影響を受けにくい。
【００４６】
実施の形態２の陰極線管１１において、消磁コイル１５の電子銃７側部分が、偏向ヨーク４のパネル２側端と偏向ヨーク４の電子銃７側端との中央部近傍をまたぐように、消磁コイル５が設置されている（特に、図９参照）。具体的には、消磁コイル１５は偏向ヨーク４の鉛直方向位置においては、偏向ヨーク４とは接触せず、かつ、偏向ヨーク４の中心軸方向に沿った偏向ヨーク４の中央部をまたぐように設置されている。つまり、消磁コイル５は、偏向ヨーク４の中心軸方向における両端部の鉛直方向の位置には設置されていない。
【００４７】
それにより、実施の形態２によれば、消磁コイル１５は、漏洩偏向磁界の影響をほとんど受けることがない。それにより、漏洩偏向磁界により消磁コイル１５に生じる誘起電流が低減される。また、誘起電流によって発生していた共振電流も低減される。したがって、ミスランディングが生じることもない。そのため、従来のように消磁コイル１５の端子間にコンデンサを挿入する必要もなくなるので、コストを下げることもできる。また、アノード電圧供給点６と消磁コイル１５とが離れた位置に配置されるため、アノード電圧のリークを避けることもできる。
【００４８】
実際に、実施の形態２の陰極線管１１を作製して実測を行なった。３２型ＣＲＴにおいて、図６〜図９に示した実施の形態２の陰極線管１１を作製した。なお、図８のｄは７ｃｍとし、ｅは１４ｃｍとした。このとき、偏向ヨーク４の水平偏向電流が１１Ａp-pの時、消磁コイル１５内に生じる誘導電流は実施の形態１に示した値と同様に、２０ｍＡp-pであった。
【００４９】
なお、実施の形態１および２において、陰極線管１および１１の構造は、陰極線管１および１１の中心軸（管軸）を含むＸ−Ｚ平面およびＹ−Ｚ平面に対して対称である。そのため、偏向ヨーク４の鉛直方向近傍での消磁コイル５および１５の形状は、陰極線管１および１１の中心軸（管軸）を含む水平平面（Ｘ−Ｚ平面）および鉛直平面（Ｙ−Ｚ平面）の少なくとも一方に対して対称であることが望ましい。
【００５０】
消磁コイル５および１５の形状が水平平面に対称であれば、水平平面の上側の消磁コイル５および１５と下側の消磁コイル５および１５とが受ける漏洩磁界の影響を等しくすることができる。また、消磁コイル５および１５の形状が鉛直平面に対称であれば、鉛直平面の右側の消磁コイル５および１５と左側の消磁コイル５および１５とが受ける漏洩磁界の影響を等しくすることができる。そのため、偏向ヨーク４の鉛直方向近傍での消磁コイル５および１５の形状は、陰極線管１および１１の中心軸（管軸）を含む水平平面（Ｘ−Ｚ平面）および鉛直平面（Ｙ−Ｚ平面）の少なくとも一方に対して対称とすることにより、ミスランディング量を減少させることができる。
【００５１】
特に、消磁コイル５および１５の電子銃７側部分が、偏向ヨーク４の中心軸を含む水平平面および鉛直平面の少なくとも一方に対して対称であればよい。
【００５２】
また、偏向ヨーク４の鉛直方向での消磁コイル５および１５の形状は、平面視においてコの字状および円弧状としたが、これらの形状に限られるわけではない。この箇所の形状は多少の角度の違い、寸法のバラツキがあってもよい。消磁コイル５および１５が、偏向ヨーク４とは接触せず、漏洩した偏向磁界の強度が低い箇所である偏向ヨーク４の中心軸方向に沿った、偏向ヨーク４の中央部をまたぐように設置されていればよい。それにより、消磁コイル５および１５は、偏向ヨーク４から漏洩する偏向磁界の影響を受けにくい。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明の陰極線管は、ミスランディングが低減されるという効果を有し、テレビジョン受像機やコンピューター用モニター等として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】実施の形態１に係る陰極線管の背面斜視図
【図２】実施の形態１に係る陰極線管の背面図
【図３】実施の形態１に係る陰極線管の平面図
【図４】実施の形態１に係る陰極線管の右側面図
【図５】偏向ヨークの中心軸方向における漏洩偏向磁界の強度を示した図
【図６】実施の形態２に係る陰極線管の背面斜視図
【図７】実施の形態２に係る陰極線管の背面図
【図８】実施の形態２に係る陰極線管の平面図
【図９】実施の形態２に係る陰極線管の右側面図
【図１０】シャドウマスクと蛍光体ドットの関係を示す模式図
【図１１】従来の陰極線管の断面図
【図１２】消磁処理を行う前の磁気シールド周辺の磁界を示す模式図
【図１３】消磁処理を行った後の磁気シールド周辺の磁界を示す模式図
【図１４】磁性部品の一般的なヒステリシスカーブを示す図
【図１５】従来の陰極線管の背面図
【図１６】偏向ヨークからの漏洩磁界を模式的に示した図
【図１７】水平偏向電流と消磁コイルに誘起された電流との時間経過に対する変化を示す図
【図１８】水平偏向磁界により消磁コイルに生じた磁界によるミスランディングのパターンの一例を示す模式図
【図１９】水平偏向電流と共振電流との時間経過に対する変化の一例を示す図
【図２０】図１９で示した共振電流によって生じたミスランディングのパターンの一例を示す模式図
【符号の説明】
【００５５】
１、１１                    陰極線管
２                          パネル
３                          ファンネル
４                          偏向ヨーク
５、１５、５１              消磁コイル
６                          アノード電圧供給点
７                          電子銃
４１                        垂直コイル
４２                        フェライトコア
４３                        制御回路
１０１                      陰極線管
１０２                      パネル
１０３                      ファンネル
１０４                      偏向ヨーク
１０５                      消磁コイル
１０６                      アノード電圧供給点
１１４                      マスクフレーム
１１５                      磁気シールド
１１８                      水平偏向磁界
１２１                      電子銃
１２２                      電子ビーム
１２３                      シャドウマスク
１２４                      蛍光体ドット
１３１、１３１ａ、１３１ｂ  外部磁界
１３３                      磁界
１３４                      空間
１７１、１９１              実線
１７２、１９２              破線
１８１、２０１              点
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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