(57)【要約】【課題】  パーティクルを発生することなく、引火性雰囲気中および腐食性雰囲気中においても基板の除電を行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】  ケーシング２０の基板搬入出口７と反対側の側面に透過窓６が設けられている。イオナイザ５は、洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２の透過窓６側の外部に設けられている。透過窓６は、ポリイミド系樹脂またはアクリル系樹脂等からなる。イオナイザ５から照射された微弱Ｘ線は、透過窓６を通って、洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２の基板搬入出口７、シャッタＳＨ、スピンチャック２１、ガード２４等に到達する。スピンチャック２１は複数の導電性保持ピンＰを備える。【選択図】        図２ 
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する基板保持手段と、
Ｘ線を発生して前記基板保持手段を含む雰囲気の少なくとも一部に向けて照射するＸ線照射手段と、
前記基板保持手段と前記Ｘ線照射手段との間に配置された隔壁とを備え、
前記隔壁は、少なくとも一部に前記Ｘ線照射手段により発生されるＸ線を透過するＸ線透過部を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記基板保持手段は、前記基板に接触する部分の少なくとも一部が導電性材料からなることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記導電性材料は、導電性樹脂を含むことを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記導電性樹脂は、導電性ポリエーテルエーテルケトンを含むことを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記導電性材料は、金属材料を含むことを特徴とする請求項２〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記金属材料は、金または白金を含むことを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記Ｘ線透過部は、樹脂材料からなることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記樹脂材料は、ポリイミド系樹脂を含むことを特徴とする請求項７記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記樹脂材料は、アクリル系樹脂を含むことを特徴とする請求項７または８記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記基板保持手段は、基板を保持しつつ回転させることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記基板保持手段に保持された基板に処理流体を供給する処理流体供給手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記基板保持手段に保持された基板の周囲を取り囲み、処理流体の飛散を防止する飛散防止手段をさらに備え、
前記Ｘ線照射手段は、前記飛散防止手段の近傍の雰囲気に向けてＸ線を照射することを特徴とする請求項１１記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記基板保持手段に保持された基板に熱処理を行う熱処理手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記Ｘ線照射手段は、前記基板保持手段の近傍の雰囲気に向けてＸ線を照射することを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１５】
前記Ｘ線照射手段は、前記基板保持手段の上方における下降流に向けてＸ線を照射することを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１６】
前記基板保持手段の周囲を取り囲む処理室をさらに備え、
前記隔壁は、前記処理室の一側面であることを特徴とする請求項１〜１５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１７】
前記処理室は、基板の搬入または搬出のための開口部をさらに備え、
前記Ｘ線照射手段は、前記開口部の近傍の雰囲気に向けてＸ線を照射することを特徴とする請求項１６記載の基板処理装置。
【請求項１８】
基板搬送手段をさらに備え、
前記Ｘ線照射手段は、前記基板搬送手段が搬送する基板の移動経路に交差するようにＸ線を照射することを特徴とする請求項１〜１７のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１９】
基板搬送手段をさらに備え、
前記Ｘ線照射手段は、前記基板搬送手段が搬送する基板の移動経路の上方における下降流に向けてＸ線を照射することを特徴とする請求項１〜１７のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項２０】
基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段を含む雰囲気を除電する除電手段とを備え、
前記基板保持手段は、前記基板に接触する部分の少なくとも一部が導電性材料からなることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２１】
基板保持手段により基板を保持するステップと、
前記基板保持手段に保持された基板に処理を行うステップと、
隔壁の少なくとも一部に設けられたＸ線透過部を通して前記基板保持手段を含む雰囲気にＸ線を照射するステップとを備えたことを特徴とする基板処理方法。
【請求項２２】
前記基板を保持するステップは、基板に接触する部分の少なくとも一部が導電性材料からなる基板保持手段により基板を保持するステップを含むことを特徴とする請求項２１記載の基板処理方法。
【請求項２３】
基板に接触する部分の少なくとも一部が導電性材料からなる基板保持手段により基板を保持するステップと、
前記基板保持手段に保持された基板に処理を行うステップと、
前記基板保持手段を含む雰囲気を除電するステップとを備えたこと特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス、液晶ディスプレイ等の製造工程では、半導体ウエハ、ガラス基板等の基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、イオン注入、レジスト剥離、層間絶縁膜の形成、熱処理等の各種処理が行われる。
【０００３】
一連の処理の過程において基板が静電気により帯電すると、放電現象により基板表面の回路パターンが損傷を受けたり、また、塵埃等のパーティクルが基板に付着しやすくなったりする。そのため、基板の静電気を除去する除電装置が開発されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
例えば、除電装置として放電式除電器が用いられる。この放電式除電器は、電極から発生される高電圧スパークにより電極周りの大気をプラズマイオン化し、帯電した基板をプラズマイオンにより電気的に中和するものである。
【特許文献１】特開平９−１０２４４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、放電式除電器の高電圧スパークにより電極が融解し、パーティクルとして基板に付着する原因となる。また、引火性雰囲気中では発火の原因となるため、高電圧スパークを発する放電式除電器は使用できない。さらに、高腐食性を有する薬品（薬液、薬液の蒸気、およびケミカルガスを含む）を用いる処理においては、腐食性雰囲気が除電器に悪影響を及ぼすおそれもある。
【０００６】
一方、引火性および腐食性でない雰囲気中では、放電式除電器を用いることができるが、基板の除電をより効果的に行うことが望まれる。
【０００７】
本発明の目的は、パーティクルを発生することなく、引火性雰囲気中および腐食性雰囲気中においても基板の除電を行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【０００８】
本発明の他の目的は、基板の除電をより効果的に行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
第１の発明に係る基板処理装置は、基板を保持する基板保持手段と、Ｘ線を発生して基板保持手段を含む雰囲気の少なくとも一部に向けて照射するＸ線照射手段と、基板保持手段とＸ線照射手段との間に配置された隔壁とを備え、隔壁は、少なくとも一部にＸ線照射手段により発生されるＸ線を透過するＸ線透過部を有するものである。
【００１０】
第１の発明に係る基板処理装置においては、Ｘ線照射手段により発生されたＸ線が隔壁のＸ線透過部を通り、基板が保持された基板保持手段を含む雰囲気の少なくとも一部に照射される。
【００１１】
この場合、Ｘ線が照射された雰囲気内の原子および分子が電離し、高濃度の気体原子イオンおよび気体分子イオンが生成される。それにより、生成されたイオンのうち基板の電荷と逆極性のイオンが基板やその周囲の電荷と結合し、基板やその周囲の静電気が除去される。
【００１２】
このように、第１の発明に係る基板処理装置においては、放電針式除電器が発するような高電圧スパークを用いないため、引火性雰囲気中においても基板の静電気除去を行うことが可能であるとともにパーティクルが発生することもない。また、Ｘ線照射手段と基板保持手段との間に隔壁が存在するため、腐食性雰囲気中においても基板やその周囲の静電気除去を行うことが可能である。
【００１３】
基板保持手段は、基板に接触する部分の少なくとも一部が導電性材料からなってもよい。この場合、基板保持手段の基板に接触する部分の導電性材料が接地されることにより基板に発生した静電気が高速に除去される。また、Ｘ線照射手段で基板やその周囲を除電しつつ、導電性材料によって基板の除電を高速に行うので、基板の帯電をより効果的に防止することができる。
【００１４】
導電性材料は、導電性樹脂からなっていてもよい。この場合、導電性樹脂は耐腐食性を有しているので、腐食性のある薬品による基板処理を行う場合であっても、基板の静電気を効果的に除去することができる。
【００１５】
導電性樹脂は、導電性ポリエーテルエーテルケトンからなっていてもよい。この場合、導電性ポリエーテルエーテルケトンは高い耐腐食性を有しているので、腐食性の高い薬品による基板処理を行う場合であっても、基板の静電気を効果的に除去することができる。
【００１６】
導電性材料は、金属材料からなっていてもよい。この場合、金属は高い導電率を有するので、基板の静電気をより効果的に除去することができる。
【００１７】
導電性材料は、金または白金からなっていてもよい。この場合、金または白金は耐腐食性および耐酸化性が高いので、腐食性や酸化性の高い薬品を用いて処理を行う場合であっても、基板の静電気をより効果的に除去することができる。また、金または白金はイオン化傾向が極めて小さく、金属イオンとして溶出することがほとんどないため、基板の金属汚染を効果的に防止することができる。
【００１８】
Ｘ線透過部は、樹脂材料からなっていてもよい。この場合、樹脂材料はＸ線を容易に透過するので、Ｘ照射手段により照射されたＸ線は、強度が弱まることなく基板保持手段を含む雰囲気に到達する。それにより、効率良く基板の静電気除去を行うことが可能である。
【００１９】
樹脂材料は、ポリイミド系樹脂を含んでもよい。この場合、ポリイミド系樹脂はＸ線を容易に透過するので、Ｘ照射手段により照射されたＸ線は、強度が弱まることなく基板保持手段を含む雰囲気に到達する。それにより、効率良く基板の静電気除去を行うことが可能である。
【００２０】
樹脂材料は、アクリル系樹脂を含んでもよい。この場合、アクリル系樹脂はＸ線を容易に透過するので、Ｘ照射手段により照射されたＸ線は、強度が弱まることなく基板保持手段を含む雰囲気に到達する。それにより、効率良く基板やその周囲の静電気除去を行うことが可能である。
【００２１】
基板保持手段は、基板を保持しつつ回転させるものであってもよい。この場合、基板に均一に処理を施すことができる。
【００２２】
基板保持手段に保持された基板に、処理液または処理ガス等の処理流体を供給する処理流体供給手段をさらに備えてもよい。この場合、基板に処理流体供給手段から供給された処理流体による処理を施しつつ、基板の静電気除去を行うことが可能である。また特に、基板表面に処理流体が衝突する際には基板が帯電する現象が起こる場合があるので、このような場合に特に有効である。これにより、基板上に形成されたパターンの損傷が防止されるとともに、基板へのパーティクル付着を抑制することができる。
【００２３】
基板保持手段に保持された基板の周囲を取り囲み、処理流体の飛散を防止する飛散防止手段をさらに備え、Ｘ線照射手段は、飛散防止手段の近傍の雰囲気に向けてＸ線を照射してもよい。
【００２４】
この場合、Ｘ線により飛散防止手段の静電気が除去される。それにより、飛散防止手段にパーティクルが付着することが防止される。その結果、基板へのパーティクル落下等による汚染が防止される。
【００２５】
基板に加熱処理や冷却処理などの熱処理を行う熱処理手段をさらに備えてもよい。この場合、基板に熱処理を施しつつ、基板の静電気除去を行うことが可能である。
【００２６】
Ｘ線照射手段は、基板保持手段の近傍の雰囲気、例えば、基板保持手段を避けた近傍の位置に向けてＸ線を照射してもよい。この場合、基板保持手段の近傍の雰囲気がイオン化するため、基板保持手段やその周囲の静電気が効率良く除去される。
【００２７】
Ｘ線照射手段は、基板保持手段の上方における下降流に向けてＸ線を照射してもよい。この場合、基板保持手段の上方における下降流がイオン化するため、基板に効率良くイオンが供給される。それにより、効率良く基板の静電気除去を行うことが可能である。
【００２８】
基板保持手段の周囲を取り囲む処理室をさらに備え、隔壁は、処理室の一側面であってもよい。この場合、処理室の雰囲気とＸ線照射手段が完全に隔離されるため、Ｘ線照射手段が処理室の雰囲気により腐食することが防止される。
【００２９】
処理室は、基板の搬入または搬出のための開口部をさらに備え、Ｘ線照射手段は、開口部の近傍の雰囲気に向けてＸ線を照射してもよい。
【００３０】
この場合、開口部の静電気が除去される。それにより、開口部にパーティクルが付着することが防止される。その結果、基板へのパーティクル落下等による汚染が防止される。
【００３１】
基板搬送手段をさらに備え、Ｘ線照射手段は、基板搬送手段が搬送する基板の移動経路に交差するようにＸ線を照射してもよい。この場合、搬送中の基板が効率良く静電気除去される。それにより、静電気により基板上に付着したパーティクルと基板との間の静電引力が無効化される。その結果、基板上に付着したパーティクルが除去されやすくなる。
【００３２】
また、Ｘ線照射手段は、基板搬送手段が搬送する基板の移動経路の上方における下降流に向けてＸ線を照射してもよい。この場合、基板の移動経路の上方における下降流がイオン化するため、搬送中の基板に効率よくイオンが供給される。それにより、効率良く基板の静電気除去を行うことが可能である。
【００３３】
第２の発明に係る基板処理装置は、基板を保持する基板保持手段と、基板保持手段を含む雰囲気を除電する除電手段とを備え、基板保持手段は、基板に接触する部分の少なくとも一部が導電性材料からなるものである。
【００３４】
第２の発明に係る基板処理装置においては、除電手段により基板保持手段を含む雰囲気が除電される。それにより、雰囲気中の静電気が基板に移動することを防止することができる。また、基板保持手段の基板に接触する部分の導電性材料が接地されることにより基板に発生した静電気が高速に除去される。また、除電手段で基板やその周囲を除電しつつ、導電性材料によって基板の除電を高速に行うので、基板の除電をより効果的に行うことができる。
【００３５】
第３の発明に係る基板処理方法は、基板保持手段により基板を保持するステップと、基板保持手段に保持された基板に処理を行うステップと、隔壁の少なくとも一部に設けられたＸ線透過部を通して基板保持手段を含む雰囲気にＸ線を照射するステップとを備えるものである。
【００３６】
第３の発明に係る基板処理方法においては、Ｘ線が隔壁のＸ線透過部を通り、基板が保持された基板保持手段を含む雰囲気に照射される。
【００３７】
この場合、Ｘ線が照射された雰囲気内の原子および分子が電離し、高濃度の気体原子イオンおよび気体分子イオンが生成される。それにより、生成されたイオンのうち基板の電荷と逆極性のイオンが基板やその周囲の電荷と結合し、基板やその周囲の静電気が除去される。
【００３８】
このように、第３の発明に係る基板処理方法においては、放電針式除電器のような高電圧スパークを用いないため、引火性雰囲気中においても基板の静電気除去を行うことが可能であるとともに、パーティクルが発生することもない。また、隔壁を透過してＸ線が基板を含む雰囲気に照射されるため、腐食性雰囲気中においても基板やその周囲の静電気除去を行うことが可能である。
【００３９】
基板を保持するステップは、基板に接触する部分の少なくとも一部が導電性材料からなる基板保持手段により基板を保持するステップからなっていてもよい。この場合、基板保持手段の基板に接触する部分の導電性材料が接地されることにより基板に発生した静電気が高速に除去される。また、Ｘ線照射手段で基板やその周囲を除電しつつ、導電性材料によって基板の除電を高速に行うので、基板の帯電をより効果的に防止することができる。
【００４０】
第４の発明に係る基板処理方法は、基板に接触する部分の少なくとも一部が導電性材料からなる基板保持手段により基板を保持するステップと、基板保持手段に保持された基板に処理を行うステップと、基板保持手段を含む雰囲気を除電するステップとを備えるものである。
【００４１】
第４の発明に係る基板処理装置においては、除電手段により基板保持手段を含む雰囲気が除電される。それにより、雰囲気中の静電気が基板に移動することを防止することができる。また、基板保持手段の基板に接触する部分の導電性材料が接地されることにより基板に発生した静電気が高速に除去される。また、除電手段で基板やその周囲を除電しつつ、導電性材料によって基板の除電を高速に行うので、基板の除電をより効果的に行うことができる。
【発明の効果】
【００４２】
第１の発明に係る基板処理装置および第３の発明に係る基板処理方法においては、放電針式除電器が発するような高電圧スパークを用いないため、引火性雰囲気中においても基板の静電気除去を行うことが可能であるとともにパーティクルが発生することもない。また、Ｘ線照射手段と基板保持手段との間に隔壁が存在するため、腐食性雰囲気中においても基板やその周囲の静電気除去を行うことが可能である。
【００４３】
第２の発明に係る基板処理装置および第４の発明に係る基板処理方法においては、除電手段により基板保持手段を含む雰囲気が除電される。それにより、雰囲気中の静電気が基板に移動することを防止することができる。また、基板保持手段の基板に接触する部分の導電性材料が接地されることにより基板に発生した静電気が高速に除去される。また、除電手段で基板やその周囲を除電しつつ、導電性材料によって基板の除電を高速に行うので、基板の除電をより効果的に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４４】
以下、本発明の一実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００４５】
以下の説明において、基板とは、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等をいう。
【００４６】
図１は本実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。図１に示すように、基板処理装置１００は、処理領域Ａ，Ｂを有し、処理領域Ａ，Ｂ間に搬送領域Ｃを有する。
【００４７】
処理領域Ａには、メイン制御部４、洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２、流体ボックス部２ａ，２ｂおよびイオナイザ５が配置されている。
【００４８】
流体ボックス部２ａ，２ｂは、それぞれ洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２への処理液の供給および洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２からの使用済処理液の排液等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器、処理液貯留タンク等の流体関連機器を収納する。
【００４９】
洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２では、後述するアッシング部ＡＳＨによるアッシング処理後の基板表面に付着した不純物、パーティクル等の残渣を除去するために残渣除去処理を含む洗浄処理が行われるとともに、洗浄処理後の基板の乾燥処理も行われる。
【００５０】
なお本実施の形態においては、洗浄処理部ＭＰＣ１と洗浄処理部ＭＰＣ２は、同等の機能を有しており、基板処理のスループットを向上させるために２台搭載されている。ただし、基板処理のスループットを十分に確保できる場合は、例えば洗浄処理部ＭＰＣ１を１台だけ搭載させてもよい。
【００５１】
イオナイザ５は、洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２それぞれの外部に設けられている。イオナイザ５は、洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２の内部に向けて除電作用のある微弱Ｘ線を照射する。詳細は後述する。
【００５２】
処理領域Ｂには、アッシング部ＡＳＨ、複数のクーリングプレート部ＣＰおよびアッシャ制御部３が配置されている。アッシング部ＡＳＨでは、加熱プレート（図示せず）上に基板が載置された状態にて減圧下で酸素プラズマによりアッシング処理が行われる。
【００５３】
複数のクーリングプレート部ＣＰでは、後述する冷却プレート上に載置された状態でペルチェ素子または恒温水循環等により基板が所定温度（例えば、２３℃）まで冷却される。クーリングプレート部ＣＰは、主としてアッシング処理により昇温した基板Ｗを残渣除去処理または洗浄処理が可能な温度にまで冷却するために用いられる。
【００５４】
以下、アッシング部ＡＳＨ、クーリングプレート部ＣＰ、洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２を処理ユニットと総称する。搬送領域Ｃには、基板搬送ロボットＣＲが配置されている。
【００５５】
処理領域Ａ，Ｂの一端部側には、基板Ｗの搬入および搬出を行うインデクサＩＤが配置されている。インデクサＩＤには、基板Ｗを収納するキャリア１が載置される。本実施の形態においては、キャリア１として、基板Ｗを密閉した状態で収納するＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を用いているが、これに限定されるものではなく、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッド、ＯＣ（Open Cassette）等を用いてもよい。
【００５６】
インデクサＩＤのインデクサロボットＩＲは、矢印Ｕの方向に移動し、キャリア１から基板Ｗを取り出して基板搬送ロボットＣＲに渡し、逆に、一連の処理が施された基板Ｗを基板搬送ロボットＣＲから受け取ってキャリア１に戻す。
【００５７】
基板搬送ロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲから渡された基板Ｗを指定された処理ユニットに搬送し、または、処理ユニットから受け取った基板Ｗを他の処理ユニットまたはインデクサロボットＩＲに搬送する。
【００５８】
アッシャ制御部３は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）を含むコンピュータ等からなり、処理領域Ａのアッシング部ＡＳＨおよびクーリングプレート部ＣＰの動作を制御する。また、メイン制御部４は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）を含むコンピュータ等からなり、処理領域Ａ，Ｂの各処理ユニットの動作、複数のイオナイザ５の動作、搬送領域Ｃの基板搬送ロボットＣＲの動作およびインデクサＩＤのインデクサロボットＩＲの動作を制御する。
【００５９】
図２は本実施の形態に係る基板処理装置の洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２の模式的断面図である。
【００６０】
図２の洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２は、純水または薬液等の処理液によるアッシング処理後の基板Ｗの表面に付着した残渣の除去処理、洗浄処理後の基板Ｗの乾燥処理等を行う。
【００６１】
図２に示すように、洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２は、ケーシング２０に囲まれた構造を有する。ケーシング２０の搬送領域Ｃ側の側面には基板搬入出口７が設けられている。基板搬入出口７には、シャッタＳＨが駆動装置（図示せず）により開閉自在に設けられている。基板Ｗは、基板搬送ロボットＣＲにより、基板搬入出口７から搬送される。
【００６２】
洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２は、ケーシング２０の内部に、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック２１を備える。スピンチャック２１は、基板Ｗを水平に保持するための導電性の保持ピンＰを複数備える。保持ピンＰの詳細は後述する。
【００６３】
スピンチャック２１は、チャック回転駆動機構（図示せず）によって回転される回転軸２５の上端に固定されている。基板Ｗは、アッシング処理後の残渣除去処理、洗浄処理後の基板Ｗの乾燥処理等を行う場合に、スピンチャック２１により水平に保持された状態で回転する。
【００６４】
スピンチャック２１の回転軸２５は中空軸からなる。回転軸２５の内部には、処理液供給管２６が挿通されている。処理液供給管２６には、純水またはエッチング液である薬液等の処理液が供給される。処理液供給管２６は、スピンチャック２１に保持された基板Ｗの下面に近接する位置まで延びている。処理液供給管２６の先端には、基板Ｗの下面中央に向けて処理液を吐出する下面ノズル２７が設けられている。
【００６５】
スピンチャック２１は、処理カップ２３内に収容されている。処理カップ２３の内側には、筒状の仕切壁３３が設けられている。また、スピンチャック２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗの処理に用いられた処理液を排液するための排液空間３１が形成されている。さらに、排液空間３１を取り囲むように、処理カップ２３と仕切壁３３の間に基板Ｗの処理に用いられた処理液を回収するための回収液空間３２が形成されている。
【００６６】
排液空間３１には、排液処理装置（図示せず）へ処理液を導くための排液管３４が接続され、回収液空間３２には、回収処理装置（図示せず）へ処理液を導くための回収管３５が接続されている。
【００６７】
処理カップ２３の上方には、基板Ｗからの処理液が外方へ飛散することを防止するためのガード２４が設けられている。このガード２４は、回転軸２５に対して回転対称な形状からなっている。ガード２４の上端部の内面には、断面く字状の排液案内溝４１が環状に形成されている。
【００６８】
また、ガード２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部４２が形成されている。回収液案内部４２の上端付近には、処理カップ２３の仕切壁３３を受け入れるための仕切壁収納溝４３が形成されている。
【００６９】
このガード２４には、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構（図示せず）が設けられている。ガード昇降駆動機構は、ガード２４を、回収液案内部４２がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する回収位置と、排液案内溝４１がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する排液位置との間で上下動させる。ガード２４が回収位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が回収液案内部４２により回収液空間３２に導かれ、回収管３５を通して回収される。一方、ガード２４が排液位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が排液案内溝４１により排液空間３１に導かれ、排液管３４を通して排液される。以上の構成により、処理液の排液および回収が行われる。
【００７０】
なお、図２に示すように、スピンチャック２１への基板Ｗの搬入の際には、ガード昇降駆動機構は、ガード２４を排液位置よりもさらに下方の基板受入位置まで退避させ、ガード２４の上端部２４ａがスピンチャック２１の基板Ｗ保持高さよりも低い位置となるように移動させる。
【００７１】
スピンチャック２１の上方には、中心部に開口を有する円板状の遮断板２２が設けられている。アーム２８の先端付近から鉛直下方向に支持軸２９が設けられ、その支持軸２９の下端に、遮断板２２がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの上面に対向するように取り付けられている。
【００７２】
支持軸２９の内部には、遮断板２２の開口に連通した窒素ガス供給路３０が挿通されている。窒素ガス供給路３０には、窒素ガス（Ｎ2）が供給される。この窒素ガス供給路３
０は、基板Ｗの洗浄処理後の基板Ｗの乾燥処理時に、基板Ｗに対して窒素ガスを供給する。なお、基板に対して供給するガスは窒素ガスに限らず、他の不活性ガスを用いてもよい。
【００７３】
ここで、基板Ｗの材料がシリコン（Ｓｉ）等のように疎水性を有する場合には、基板Ｗの表面で乾燥むらが生じやすく、乾燥後に基板Ｗの表面にしみ（以下、ウォーターマークと呼ぶ）が発生する。洗浄処理後の基板Ｗの乾燥処理時に、遮断板２２を基板Ｗに近接させた状態で、基板Ｗと遮断板２２との間の隙間に対して窒素ガスを供給することにより、基板Ｗの表面にウォーターマークが発生することを防止することができる。
【００７４】
また、窒素ガス供給路３０の内部には、遮断板２２の開口に連通した処理液供給管３９が挿通されている。処理液供給管３９には、純水等のリンス液が供給される。リンス液を処理液供給管３９を通して基板Ｗの表面に供給することにより、洗浄処理後の基板Ｗの表面に残留する処理液が洗い流される。リンス液の他の例としては、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等の有機溶剤、オゾンを純水に溶解させたオゾン水または水素を純水に溶解させた水素水等が挙げられる。
【００７５】
アーム２８には、遮断板昇降駆動機構（図示せず）および遮断板回転駆動機構（図示せず）が接続されている。遮断板昇降駆動機構は、遮断板２２をスピンチャック２１に保持された基板Ｗの上面に近接した位置とスピンチャック２１から上方に離れた位置との間で上下動させる。
【００７６】
ケーシング２０の基板搬入出口７と反対側の側面には透過窓６が設けられている。イオナイザ５は、洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２の透過窓６側の外部に設けられている。イオナイザ５は、除電作用のある電磁波である微弱Ｘ線を照射する微弱Ｘ線照射装置である。
【００７７】
透過窓６は、ポリイミド系樹脂またはアクリル系樹脂等からなる。ポリイミド系樹脂またはアクリル系樹脂はＸ線を通しやすい性質を有する。それにより、イオナイザ５から発生する微弱Ｘ線は透過窓６を透過する。なお、透過窓６の材料として、Ｘ線を通しやすい他の種々の樹脂を用いても良い。
【００７８】
図２に示すように、ガード２４が基板受入位置にあり、アーム２８がスピンチャック２１から上方に離れた位置にある場合、イオナイザ５から照射された微弱Ｘ線は、透過窓６を通って、洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２の基板搬入出口７、シャッタＳＨ、スピンチャック２１、ガード２４等の近傍の雰囲気に到達する。
【００７９】
それにより、基板搬入出口７、シャッタＳＨ、スピンチャック２１、ガード２４等の静電気が除去される。その結果、洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２の雰囲気中のパーティクルが基板搬入出口７、シャッタＳＨ、スピンチャック２１、ガード２４等に静電付着することが防止され、基板Ｗへのパーティクル落下等による汚染が防止される。
【００８０】
また、イオナイザ５から照射された微弱Ｘ線は、基板搬送ロボットＣＲによる基板Ｗの搬送経路に交差するように照射される。それにより、搬送中の基板Ｗにパーティクルが付着しても基板Ｗとパーティクルとの間の静電引力が無効化される。したがって、洗浄処理においてパーティクルが効率良く除去される。また、洗浄処理後の基板Ｗの帯電が防止され、パーティクルの再付着が防止される。イオナイザ５による静電気除去作用の詳細は後述する。
【００８１】
図３は、基板Ｗに洗浄処理がなされている場合の洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２の模式的断面図である。
【００８２】
基板Ｗの洗浄中においては、イオナイザ５から照射された微弱Ｘ線は、透過窓６を通って、洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２のガード２４、遮断板２２、基板Ｗ等に到達する。それにより、基板Ｗの帯電が防止され、基板上に形成されたパターンの損傷が防止される。
【００８３】
また、基板Ｗの洗浄処理中に飛散した薬液は、ケーシング２０および透過窓６により阻まれ、イオナイザ５に付着することはない。それにより、イオナイザ５の故障が防止される。
【００８４】
以上のことから、基板搬送ロボットＣＲによる基板Ｗの搬送中および洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２による基板Ｗの洗浄中のいずれにおいても洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２内の部材および基板Ｗの帯電が防止され、基板Ｗのパーティクル付着が防止されるとともに基板上に形成されたパターンの損傷が防止される。
【００８５】
図４は、洗浄処理部ＭＰＣ１内におけるイオナイザ５による静電気除去作用について説明する図である。
【００８６】
イオナイザ５から照射される微弱Ｘ線は、イオナイザ５の照射口から１２０度の角度を有する円錐状に広がる。
【００８７】
イオナイザ５から照射される微弱Ｘ線は、２Åを中心とする１．３Å以上の波長を有し、３〜９．５ｅＶのエネルギー強度を有する電磁波である。イオナイザ５から微弱Ｘ線が照射されると、照射範囲内に含まれる安定状態の気体原子および気体分子が電離し、高濃度の気体原子イオンおよび気体分子イオンが生成される。それにより、生成されたイオンのうち照射範囲内の部材の電荷と逆極性のイオンがその帯電した部材の電荷と結合し、静電気が除去される。
【００８８】
特に、基板処理装置１００がダウンフロー方式のクリーンルーム内に配置されている場合には、イオナイザ５から発生された微弱Ｘ線は、上方からスピンチャック２１に向かう下降流（図２の破線矢印で示す）に照射されるよう、スピンチャック２１の上方の空間に対しても照射されるのが好ましい。それにより、高濃度の気体原子イオンおよび気体分子イオンがスピンチャック２１に効率よく供給される。
【００８９】
また、イオナイザ５から発生された微弱Ｘ線は、上方から基板の搬送経路に向かう下降流に照射されるよう、基板の搬送経路や基板搬入出口７の上方の空間に対しても照射されるのが好ましい。その結果、搬送中および洗浄中の基板Ｗの静電気が効率良く除去される。
【００９０】
なお、イオナイザ５により生成されるイオンは濃度が高く、イオンバランスが優れているため、帯電した部材の静電気除去が瞬時になされ、その部材が逆帯電することはない。
【００９１】
図５は、図２および図３の洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２における保持ピンＰの一例を示す側面図である。
【００９２】
図５の保持ピンＰは、支持ピン５１、棒状のピン部材５２、ピン固定板５３および連結部材５４により構成される。支持ピン５１およびピン部材５２はピン固定板５３上に固定されている。支持ピン５１は、基板Ｗの底面を支持する。ピン部材５２はＶ字状の溝を有し、基板Ｗの端面を支持する。ピン固定板５３は連結部材５４を介してリンク５５に回転自在に取り付けられている。リンク５５は、図２および図３のスピンチャック２１内に設けられている。
【００９３】
保持ピンＰは、導電性樹脂により形成される。導電性樹脂としては、例えばカーボンが含まれる導電性ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）が用いられる。リンク５５は、例えば金属等の導電性材料からなる。リンク５５は導電性部材や導線を介して接地（アース）されている。これにより、保持ピンＰが接地される。
【００９４】
保持ピンＰを接地することにより、基板Ｗに発生した静電気を高速に除去することができる。その結果、基板Ｗが帯電することが防止される。
【００９５】
図６（ａ）は、図２および図３の洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２における保持ピンＰの他の例を示す模式的断面図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）のピン部材５２の平面図である。
【００９６】
図６の保持ピンＰの支持ピン５１、ピン部材５２、ピン固定板５３および連結部材５４は、非導電性樹脂により形成される。非導電性樹脂としては、カーボンを含まない樹脂、例えば非導電性ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）やフッ素樹脂、塩化ビニル樹脂等が用いられる。また、導電性材料からなる板状部材Ｍ１が、ピン部材５２に径方向に挿入されている。ピン部材５２および板状部材Ｍ１にはＶ字状の溝が形成され、少なくとも溝の内面において板状部材Ｍ１の一部が露出している。
【００９７】
ピン固定板５３内および連結部材５４内に導電性材料からなる配線部材Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４が挿入され、板状部材Ｍ１は配線部材Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４を通してリンク５５に電気的に接続されている。板状部材Ｍ１および配線部材Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４の導電性材料としては、例えば純金または高純度白金が用いられる。リンク５５は接地されている。これにより、保持ピンＰが接地される。
【００９８】
保持ピンＰを接地することにより、基板Ｗに発生した静電気を高速に除去することができる。したがって、基板Ｗの処理やその周囲の雰囲気による基板Ｗの帯電速度（帯電量の増加速度）より、保持ピンＰによる除電速度（帯電量の減少速度）の方が大きくなり、その結果、基板Ｗが帯電することが防止される。なお、基板Ｗが帯電するのは、例えば、基板Ｗに処理液（特に純水）を供給して基板Ｗ表面に処理液が衝突する場合、基板Ｗの周囲雰囲気自身が既に帯電している場合、あるいは基板Ｗを回転させて、基板Ｗと周囲雰囲気や処理液との間に摩擦が発生する場合等がある。
【００９９】
図７は、図１の基板処理装置１００の制御系の構成を示すブロック図である。
【０１００】
アッシャ制御部３は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）等からなり、アッシング部ＡＳＨで行われる基板Ｗのアッシング処理についての各種動作を制御する。また、アッシャ制御部３は、クーリングプレート部ＣＰで行われる基板Ｗの冷却についての各種動作を制御する。
【０１０１】
また、メイン制御部４は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）等からなり、インデクサロボットＩＲおよび基板搬送ロボットＣＲの基板搬送動作、洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２およびイオナイザ５の動作を制御する。
【０１０２】
以上のように、本実施の形態に係る基板処理装置においては、放電針式除電器が発するような高電圧スパークを用いないため、引火性雰囲気中においても基板Ｗの静電気除去を行うことが可能であるとともにパーティクルが発生することもない。また、イオナイザ５とスピンチャック２１との間にケーシング２０が存在するため、腐食性雰囲気中においても基板Ｗの静電気除去を行うことが可能である。
【０１０３】
また、イオナイザ５によりスピンチャック２１を含む雰囲気が除電されるため、雰囲気中の静電気が基板Ｗに移動することを防止することができる。また、保持ピンＰが接地されることにより保持ピンＰに保持されている基板Ｗの静電気が高速に除去される。それにより、基板Ｗの除電をより効果的に行うことができる。
【０１０４】
本実施の形態においては、スピンチャック２１が基板保持手段に相当し、イオナイザ５がＸ線照射手段または除電手段に相当し、ケーシング２０のイオナイザ５側の側面が隔壁に相当し、透過窓６がＸ線透過部に相当し、処理液供給管２６，３９が処理流体供給手段に相当し、クーリングプレート部ＣＰが熱処理手段に相当し、ガード２４が飛散防止手段に相当し、ケーシング２０が処理室に相当し、基板搬送ロボットＣＲが基板搬送手段に相当し、基板搬入出口７が開口部に相当する。
【０１０５】
（第２の実施の形態）
図８は、第２の実施の形態に係る基板処理装置１００ａの平面図である。
【０１０６】
基板処理装置１００ａが図１の基板処理装置１００と異なる点は、イオナイザ５がクーリングプレート部ＣＰの外部に設けられている点である。イオナイザ５は、クーリングプレート部ＣＰの内部に向けて微弱Ｘ線を照射する。
【０１０７】
図９は、クーリングプレート部ＣＰの構造の一例を示す模式的断面図である。
【０１０８】
図９において、クーリングプレート部ＣＰは、基板搬入出口ＯＳを有する筐体６０を備える。筐体６０の基板搬入出口ＯＳには、シャッタＳＨがエアシリンダ等の駆動装置ＰＳにより開閉自在に設けられている。
【０１０９】
筐体６０内には、冷却プレートＰＬが設けられている。冷却プレートＰＬの上面には基板Ｗの裏面を支持する３つの球状スペーサ６１が略正三角形状に配置されている。この冷却プレートＰＬは、伝熱性の高い部材から構成され、冷却プレートＰＬの上方にわずかな隙間をもって支持された基板Ｗの温度が所定の温度に冷却される。冷却プレートＰＬには、温度センサ６２が埋設されている。この温度センサ６２の出力は、図８のメイン制御部４に入力される。球状スペーサ６１は金属材料またはカーボンを含むガラス等の導電性材料により形成されている。これらの球状スペーサ６１は接地されている。
【０１１０】
また、冷却プレートＰＬの下面には冷却装置６３が設けられる。この冷却装置６３は、例えばぺルチェ素子から構成される。ぺルチェ素子は、電流が供給されることにより一面側で吸熱し、他面側で放熱する。これにより、熱を移動させることができる。このぺルチェ素子を用いた冷却装置６３は、冷却プレートＰＬの温度を短時間で調整することができる。
【０１１１】
さらに、冷却装置６３の下面には、水冷ジャケット６４が設けられる。水冷ジャケット６４は、伝熱性の高い板状部材の内部に冷却水を循環させるための冷却水通路６５を有する。冷却水通路６５は、循環配管６６を介して外部、例えば基板処理装置１００が配置される工場の冷却水ユーティリティ６７に接続されている。冷却装置６３は、基板Ｗが持つ熱を水冷ジャケット６４に移動させる。
【０１１２】
また、冷却プレートＰＬ、冷却装置６３および水冷ジャケット６４には、複数の貫通孔６９が形成される。本実施の形態においては、貫通孔６９は３個である。この貫通孔６９の内部には、基板Ｗの裏面を支持する複数の昇降ピン６８が設けられる。複数の昇降ピン６８は、基板昇降装置７０により上下方向に移動することにより、基板Ｗを基板搬送ロボットＣＲとの間で受け渡す。
【０１１３】
筐体６０内の上部には、不活性ガス供給チャンバ１５が配設されている。不活性ガス供給チャンバ１５の上面には不活性ガス導入口１４が設けられ、下面には複数の不活性ガス噴出孔１６が設けられている。
【０１１４】
不活性ガス供給チャンバ１５の不活性ガス導入口１４には、窒素ガス等の不活性ガスを導く給気管路１３が接続されている。給気管路１３は、流量調整弁Ｖ１を介して窒素ガス等の不活性ガスを供給するガスユーティリティ（図示せず）に接続されている。
【０１１５】
また、筐体６０の下方には、排気口１７が設けられている。排気口１７には、排気ガスを排出する排気管路１８が接続されている。排気管路１８は、流量調整弁Ｖ２を介して工場の排気設備（図示せず）に接続されている。
【０１１６】
流量調整弁Ｖ１が開放されることにより、窒素ガス等の不活性ガスが、不活性ガス導入口１４および複数の不活性ガス噴出孔１６を介して基板Ｗに噴射される。また、流量調整弁Ｖ２が開放されることにより、基板Ｗに噴射された不活性ガスが、排気口１７および排気管路１８より排気される。
【０１１７】
筐体６０の基板搬入出口ＯＳと反対側に透過窓６０ａが設けられている。透過窓６０ａは、図２の透過窓６と同じ素材から構成されている。
【０１１８】
イオナイザ５は、クーリングプレート部ＣＰの外部から透過窓６０ａを通してクーリングプレート部ＣＰ内の不活性ガスに微弱Ｘ線を照射する。それにより、不活性ガスは電離し、高濃度の気体分子イオンが生成される。それにより、生成されたイオンのうち照射範囲内の部材の電荷と逆極性のイオンがその帯電した部材の電荷と結合し、静電気が除去される。
【０１１９】
この場合、不活性ガスは、不活性ガス噴出孔１６から基板Ｗに向けて噴出されているため、電離した不活性ガスは基板Ｗの静電気を効率良く除去する。
【０１２０】
以上のように、本実施の形態に係る基板処理装置においては、放電針式除電器が発するような高電圧スパークを用いないため、引火性雰囲気中においても基板Ｗの静電気除去を行うことが可能であるとともにパーティクルが発生することもない。また、イオナイザ５と冷却プレートＰＬとの間に筐体６０が存在するため、腐食性雰囲気中においても基板Ｗの静電気除去を行うことが可能である。
【０１２１】
また、イオナイザ５により冷却プレートＰＬを含む雰囲気が除電されるため、雰囲気中の静電気が基板Ｗに移動することを防止することができる。また、球状スペーサ６１が接地されることにより基板Ｗの静電気が高速に除去される。それにより、基板Ｗの除電をより効果的に行うことができる。
【０１２２】
本実施の形態においては、冷却プレートＰＬが基板保持手段に相当し、イオナイザ５がＸ線照射手段または除電手段に相当し、筐体６０のイオナイザ５側の側面が隔壁に相当し、透過窓６０ａがＸ線透過部に相当し、クーリングプレート部ＣＰが熱処理手段に相当し、筐体６０が処理室に相当し、基板搬送ロボットＣＲが基板搬送手段に相当し、基板搬入出口ＯＳが開口部に相当する。
【０１２３】
なお、本実施の形態においては、熱処理手段としてクーリングプレート部ＣＰを用い、イオナイザ５はクーリングプレート部ＣＰにより冷却される基板Ｗの除電を行っているが、それに限られない。例えば、熱処理手段として基板Ｗに対して加熱処理を行うホットプレート等を用い、ホットプレート部の外部にイオナイザ５を設け、加熱処理が施される基板Ｗの除電を行う構成にしてもよい。
【０１２４】
（他の変形例）
上記第１および第２の実施の形態では、微弱Ｘ線を照射するイオナイザ５を用いているが、他のイオナイザを用いてもよい。例えば、引火性および腐食性でない雰囲気中で基板処理を行う基板処理装置の場合は、ケーシング２０内および筐体６０内にイオナイザとして放電式の除電器を設けてもよい。
【０１２５】
また、上記第１の実施の形態では、スピンチャック２１に導電性の保持ピンＰを設けているが、非導電性の保持ピンを用いてもよい。さらに、上記第２の実施の形態では、冷却プレートＰＬに導電性の球状スペーサ６１を設けているが、非導電性の球状スペーサを用いてもよい。
【実施例】
【０１２６】
実施例および比較例においては、図２に示した構造を有する洗浄処理部ＭＰＣ１を用いて、ＨＦ（フッ酸）による疎水性処理が施された基板Ｗに、以下の条件で洗浄処理および乾燥処理を行った。
【０１２７】
（実施例）
実施例においては、図５の構造を有する保持ピンＰを用いた。保持ピンＰの材料としては、日本ポリペンコ株式会社製導電性ＰＥＥＫ（ＰＫ−４５０ＣＡ）を用いた。洗浄処理では、スピンチャック２１により基板Ｗを回転させながら純水で基板Ｗを洗浄した。乾燥処理では、スピンチャック２１により基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上の純水を振り切ることにより基板Ｗを乾燥させた。透過窓６にはポリイミド樹脂フィルムを用いた。
【０１２８】
洗浄処理中および乾燥処理中の遮断板２２の位置は、基板Ｗの表面から約７０ｍｍ上方に固定した。
【０１２９】
洗浄処理中、乾燥処理中およびその後の待機中に、イオナイザ５から微弱Ｘ線をケーシング２０内に向けて照射し続けた。
【０１３０】
（比較例）
比較例においては、イオナイザ５から微弱Ｘ線を照射しない点を除いて実施例１と同じ洗浄処理部ＭＰＣ１を用いて同じ条件により基板Ｗに洗浄処理および乾燥処理を行った。
【０１３１】
（帯電量の測定方法）
実施例および比較例において以下の方法で洗浄処理部ＭＰＣ１内の帯電量を測定した。
【０１３２】
図１０は帯電量の測定方法を説明する図である。帯電測定器Ｓを遮断板２２の下面に取り付けた。洗浄処理中および乾燥処理中に、帯電測定器Ｓにより、基板Ｗの表面の測定点Ｑの帯電量を測定した。基板Ｗをケーシング２０外へ搬出した後は、帯電測定器Ｓが遮断板２２とともに上昇するため、スピンチャック２１の上方の雰囲気の帯電量が測定された。
【０１３３】
実施例および比較例における帯電量の測定結果を図１１に示す。ここで、Ｔ１は、基板Ｗがスピンチャック２１に保持されてから洗浄処理が行われるまでの待機期間、Ｔ２は洗浄処理が行われている洗浄処理期間、Ｔ３は乾燥処理が行われている乾燥処理期間、Ｔ４は乾燥処理後の待機期間、Ｔ５は基板Ｗがスピンチャック２１からケーシング２０外へ搬出されるまでの搬出期間、Ｔ６は基板Ｗの搬出から次の基板Ｗが搬入されるまでの待機期間をそれぞれ表している。
【０１３４】
洗浄処理期間Ｔ２では、実施例および比較例における帯電量はほとんど増加していない。すなわち、導電性ＰＥＥＫからなる保持ピンＰが接地されることにより基板Ｗから静電気が高速に除電され、基板Ｗが帯電することを防止できたと考えられる。
【０１３５】
乾燥処理期間Ｔ３および待機期間Ｔ４では、比較例における基板Ｗの帯電量は増加する傾向にある。これは、基板Ｗが乾燥状態で高速回転されているため、洗浄処理部ＭＰＣ１内の帯電した雰囲気と基板Ｗ表面との摩擦によって、基板Ｗが帯電したためであると考えられる。これに対して、実施例における基板Ｗの帯電量はほとんど増加していない。これは、イオナイザ５によって洗浄処理部ＭＰＣ１内の雰囲気が除電されることにより、基板Ｗの帯電が防止されたためであると考えられる。
【０１３６】
搬出期間Ｔ５および待機期間Ｔ６では、比較例における帯電量がさらに増加している。ここで、待機期間Ｔ６における帯電量はスピンチャック２１上方の雰囲気を測定したものである。すなわち、上記の洗浄処理により洗浄処理部ＭＰＣ１内の雰囲気が帯電していると考えられる。これに対して、実施例における帯電量はほとんど増加していない。すなわち、イオナイザ５によって洗浄処理部ＭＰＣ１内の雰囲気が除電されていると考えられる。これにより、雰囲気中の静電気が次に搬入される基板Ｗに移動して基板Ｗが帯電することが防止できる。
【０１３７】
以上の結果から、スピンチャック２１に導電性材料からなる保持ピンＰを用いかつイオナイザ５により微弱Ｘ線を洗浄処理部ＭＰＣ１内に照射することにより、基板Ｗの処理時および非処理時のいずれにおいても基板Ｗの帯電量および洗浄処理部ＭＰＣ１内の雰囲気中の帯電量を小さく抑えることができることがわかった。なお、上記実施例におけるイオナイザ５として上述の放電式除電器を用いても上記と同様の結果となると推測されるため、除電手段としては微弱Ｘ線タイプのイオナイザ５に代えて放電式除電器を用いてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１３８】
以上のように、本発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板に所定の処理を行う用途に適している。
【図面の簡単な説明】
【０１３９】
【図１】本実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】本実施の形態に係る基板処理装置の洗浄処理部の模式的断面図である。
【図３】基板に洗浄処理がなされている場合の洗浄処理部の模式的断面図である。
【図４】洗浄処理部内におけるイオナイザによる静電気除去作用について説明する図である。
【図５】保持ピンの一例を示す側面図である。
【図６】保持ピンの他の例を示す模式的断面図および平面図である。
【図７】図１の基板処理装置の制御系の構成を示すブロック図である。
【図８】第２の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図９】クーリングプレート部の構造の一例を示す模式的断面図である。
【図１０】洗浄処理部内の帯電量の測定方法について説明する図である。
【図１１】実施例および比較例における洗浄処理部内の帯電量の測定結果を示す図である。
【符号の説明】
【０１４０】
３  アッシャ制御部
４  メイン制御部
５  イオナイザ
６  透過窓
７  基板搬入出口
２０  ケーシング
２１  スピンチャック
２４  ガード
２６，３９  処理液供給管
１００，１００ａ  基板処理装置
ＩＲ  インデクサロボット
ＣＲ  基板搬送ロボット
ＡＳＨ  アッシング部
ＣＰ  クーリングプレート部
ＭＰＣ１，ＭＰＣ２  洗浄処理部
Ｗ  基板
Ｐ  保持ピン
【図１】
2005072559.tif 000003
【図２】
2005072559.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005072559.tif 000009
【図８】
2005072559.tif 000010
【図９】
2005072559.tif 000011
【図１０】
2005072559.tif 000012
【図１１】
2005072559.tif 000013