(57)【要約】  【課題】金属膜および酸化膜が混在する基板の表面に対して酸化膜に対する選択的なエッチングを良好な選択性で行える基板処理方法および基板処理装置を提供する。  【解決手段】処理対象のウエハＷの表面には、金属膜および酸化膜が混在している。このウエハＷは、スピンチャック１によって保持される。このウエハＷの表面Ｗａに対して、遮断板１０の基板対向面１４が近接配置される。この状態で、ウエハＷの表面Ｗａに処理液ノズル１２からふっ酸水溶液が供給される。また、表面Ｗａと基板対向面１４との間の空間の雰囲気は、窒素ガス流通路１３から供給される窒素ガスによって置換される。こうして、酸素を排除した雰囲気中でふっ酸水溶液による酸化膜の選択エッチングが進行する。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に金属膜および酸化膜が形成された基板を基板保持機構によって保持する基板保持工程と、
この基板保持工程において保持されている基板の表面に近接した位置に、遮断部材の基板対向面を配置する遮断部材配置工程と、
上記基板保持工程および遮断部材配置工程と並行して、上記酸化膜をエッチングするためのふっ酸を上記基板の表面に供給するふっ酸供給工程と、
上記基板保持工程、遮断部材配置工程およびふっ酸供給工程と並行して、上記基板と基板対向面との間の空間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給工程とを含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
上記ふっ酸供給工程は、窒素を溶存させたふっ酸水溶液を基板表面に供給する工程であることを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。
【請求項３】
上記基板は、上記酸化膜の表面に、ドライエッチング工程後のレジスト残渣が存在している基板であり、上記酸化膜の選択的エッチングによって上記レジスト残渣をリフトオフすることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理方法。
【請求項４】
表面に金属膜および酸化膜が形成された基板を保持する基板保持機構と、
この基板保持機構に保持された基板の表面に対向する基板対向面を当該基板の表面に近接した位置に配置することができる遮断部材と、
上記基板保持機構に保持された基板の表面に、上記酸化膜をエッチングするためのふっ酸を供給するふっ酸供給手段と、
少なくとも上記ふっ酸供給手段から基板表面にふっ酸が供給されている期間において、上記基板保持機構に保持された基板と、この基板に接近した位置に配置された上記遮断部材の基板対向面との間の空間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを含むことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、金属膜および酸化膜が混在する基板表面の上記酸化膜を選択的にエッチングするための基板処理方法および基板処理装置に関する。処理対象の基板には、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、フォトマスク用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板などの各種の基板が含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハ等の基板の表面に形成された酸化膜（たとえばシリコン酸化膜）に微細加工を施すときには、ドライエッチングが適用される。ドライエッチングでは、酸化膜の表面に所望のパターンの開口を有するレジスト膜がマスクとして形成され、その状態で、加速されたイオン粒子が半導体ウエハに向けて供給される。ドライエッチング後の基板に対しては、レジスト膜を灰化させるためのアッシング処理や、ＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture（硫酸過酸化水素水））などのレジスト剥離液を用いてレジスト膜を除去するためのウェット剥離処理などのレジスト剥離処理が行われる。このレジスト剥離処理の後の基板上には、ポリマーと呼ばれるレジスト残渣が残留する。
【０００３】
このレジスト残渣を除去するための処理はポリマー除去処理と呼ばれる。ポリマー除去処理は、基板に対してポリマー除去液を供給するようにして行われる。ポリマー除去液には、有機物系のものおよび無機物系のものがあるが、無機物系のポリマー除去液の代表例は、ふっ酸（とくに希ふっ酸（ＤＨＦ））である。ふっ酸によるポリマー除去処理は、酸化膜の表面をエッチングしてポリマーをリフトオフすることによって達成される。
【特許文献１】特開２００２−１６９３０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
最近の半導体プロセスでは、半導体ウエハ上に銅薄膜が形成される場合がある。この銅薄膜上に酸化膜を積層形成し、これをドライエッチングによって微細加工した後に、上記のようなレジスト剥離処理およびふっ酸を用いたポリマー除去処理を行うと、銅薄膜が損傷を受けるという問題がある。すなわち、ふっ酸を半導体ウエハに供給すると、酸化膜の表面だけでなく、酸化膜の開口から露出する銅薄膜も浸食されてしまうのである。
【０００５】
そこで、この発明の目的は、金属膜および酸化膜が混在する基板の表面に対して酸化膜に対する選択的なエッチングを良好な選択性で行える基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、表面に金属膜および酸化膜が形成された基板（Ｗ）を基板保持機構（１）によって保持する基板保持工程と、この基板保持工程において保持されている基板の表面に近接した位置に、遮断部材（１０）の基板対向面（１４）を配置する遮断部材配置工程と、上記基板保持工程および遮断部材配置工程と並行して、上記酸化膜をエッチングするためのふっ酸を上記基板の表面に供給するふっ酸供給工程と、上記基板保持工程、遮断部材配置工程およびふっ酸供給工程と並行して、上記基板と基板対向面との間の空間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給工程とを含むことを特徴とする基板処理方法である。なお、括弧内の英数字は後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
【０００７】
上記基板保持機構は、基板をほぼ水平に保持するものであってもよい。また、この基板保持回転機構は、基板を保持して回転させる基板保持回転機構であってもよい。
また、上記基板対向面は、基板表面のほぼ全域を覆う大きさおよび形状を有していることが好ましい。
この発明によれば、基板保持機構によって基板が保持されるとともに、この基板の表面に近接した位置に遮断部材の基板対向面が配置されることにより、基板の表面の近傍の空間が制限される。この状態で、基板と基板対向面との間に不活性ガスを供給することにより、基板の表面の近傍の雰囲気を不活性ガスに置換して、基板表面の近傍から酸素を排除できる。このような酸素を排除した状態で、基板の表面にふっ酸が供給されることにより、金属膜に対する酸化膜のエッチング選択比を著しく高くすることができ、酸化膜の選択的なエッチングを良好な選択性で行える。
【０００８】
ふっ酸による金属膜の浸食には、酸素が関与している。すなわち、金属表面に酸化物が形成されていると、この酸化物がふっ酸によってエッチング除去される。このエッチングによって新たに露出した金属表面が空気に触れることにり、新たな酸化物が形成され、この新たな酸化物がふっ酸によってさらにエッチング除去される。こうして、金属膜の浸食が進行するのである。つまり、ふっ酸は、本来、金属に対するエッチング力が弱いのであるが、金属表面に空気中の酸素が供給されることによって酸化物が形成されるがゆえに、金属に対する浸食作用を有するに至るのである。
【０００９】
そこで、この発明では、基板表面の近傍の空間を遮断板によって制限したうえで、この制限された空間の雰囲気を不活性ガスに置換した状態とし、基板上の金属膜に対する酸素の供給を制限している。これにより、酸化膜のエッチング選択性を上げることができ、金属膜の浸食を抑制できる。
請求項２記載の発明は、上記ふっ酸供給工程は、窒素を溶存させたふっ酸水溶液を基板表面に供給する工程であることを特徴とする請求項１記載の基板処理方法である。
【００１０】
この方法によれば、ふっ酸水溶液中には窒素が溶存させてあり、この水溶液中からも酸素が排除されている。これにより、酸化膜のエッチング選択性をさらに向上できる。窒素は酸素に比較して水に対する溶解度が高いので、窒素を溶存させておくことによって、ふっ酸水溶液中への酸素の溶解を抑制できる。たとえば、ふっ酸水溶液中で窒素をバブリングさせることによって、ふっ酸水溶液中の酸素を追い出し、同溶液中に窒素を溶存させることができる。
【００１１】
請求項３記載の発明は、上記基板は、上記酸化膜の表面に、ドライエッチング工程後のレジスト残渣が存在している基板であり、上記酸化膜の選択的エッチングによって上記レジスト残渣をリフトオフすることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理方法である。
この方法によれば、ふっ酸によって酸化膜の表面部分がエッチングされることによって、レジスト残渣をリフトオフすることができ、いわゆるポリマー除去処理を実現できる。上述のように、不活性ガス雰囲気中では、ふっ酸は金属膜に対してはほとんど作用しないので、金属膜が大きな損傷を受けるおそれはない。金属膜の表面に若干の酸化膜（自然酸化膜）が形成されていれば、この酸化膜とともにその上のレジスト残渣もリフトオフされることになるが、この酸化膜が除去された後には金属膜に対する浸食はほとんど進まない。
【００１２】
請求項４記載の発明は、表面に金属膜および酸化膜が形成された基板を保持する基板保持機構（１）と、この基板保持機構に保持された基板の表面に対向する基板対向面（１４）を当該基板の表面に近接した位置に配置することができる遮断部材（１０）と、上記基板保持機構に保持された基板の表面に、上記酸化膜をエッチングするためのふっ酸を供給するふっ酸供給手段（１２，２０〜２４）と、少なくとも上記ふっ酸供給手段から基板表面にふっ酸が供給されている期間において、上記基板保持機構に保持された基板と、この基板に接近した位置に配置された上記遮断部材の基板対向面との間の空間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段（１３，１９）とを含むことを特徴とする基板処理装置である。
【００１３】
この構成によって、請求項１の発明と同様な効果を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な縦断面図である。この基板処理装置は、基板の一例である半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）Ｗに対して、処理液による処理を施すためのものであり、特にウエハＷのデバイス形成領域が設けられた側の面である表面に金属膜および酸化膜の両方が形成された状態のウエハＷに対し、ふっ酸水溶液を供給することにより、ウエハＷの表面の酸化膜を選択的にエッチングするための装置である。より具体的には、ドライエッチング処理後のレジスト剥離工程を経てレジストの残渣（ポリマー）が残留している状態のウエハＷの表面に対し、酸化膜の選択的エッチングを施すことにより、この酸化膜上に存在しているポリマーをリフトオフして除去するポリマー除去処理を行うことができる。
【００１５】
この基板処理装置は、ほぼ円形の基板であるウエハＷをほぼ水平な姿勢で保持するとともに、その中心を通るほぼ鉛直な回転軸線回りに回転させるためのスピンチャック１を備えている。
スピンチャック１は、チャック回転駆動機構２によって回転される回転軸３の上端に固定されていて、ほぼ円板形状のスピンベース４と、このスピンベース４の周縁部の複数箇所にほぼ等角度間隔で設けられ、ウエハＷを挟持するための複数本の挟持部材５とを備えている。回転軸３は、中空軸となっていて、この回転軸３の内部には、処理液としての薬液（たとえばふっ酸水溶液等のエッチング液）または純水（脱イオン化された純水）が選択的に供給される下面処理液供給管６が挿通されている。この下面処理液供給管６は、スピンチャック１に保持されたウエハＷの下面中央に近接する位置まで延びていて、その先端には、ウエハＷの下面中央に向けて処理液を吐出する下面ノズル７が設けられている。
【００１６】
下面処理液供給管６には、薬液供給源からの薬液が薬液バルブ８を介して供給できるようになっており、また純水供給源からの純水が純水バルブ９を介して供給できるようになっている。
スピンチャック１の上方には、ウエハＷとほぼ同じ径を有し、その表面のほぼ全域を覆うことができる円板状の遮断板１０が設けられている。遮断板１０の上面には、スピンチャック１の回転軸３と共通の軸線に沿う回転軸１１が固定されている。この回転軸１１は、中空軸であり、その内部には、ウエハＷの上面に処理液を供給するための処理液ノズル１２が挿通されている。また、回転軸１１の内壁面と、処理液ノズル１２の外壁面との間は、ウエハＷの上面の中央に向けて不活性ガスとしての窒素ガスを供給するための窒素ガス流通路１３を形成している。
【００１７】
図２に拡大して示すように、窒素ガス流通路１３から供給された窒素ガスは、ウエハＷの表面（上面）Ｗａと遮断板１０の下面である基板対向面１４との間の制限された空間に供給され、ウエハＷの上方の空間の空気を窒素ガスに置換し、ウエハＷの近傍を窒素ガス雰囲気に保持する。
図１に示されているように、回転軸１１は、ほぼ水平な方向に沿って設けられたアーム１５の先端付近から垂下した状態に取り付けられている。アーム１５に関連して、このアーム１５を昇降させることにより、遮断板１０をその基板対向面１４がスピンチャック１に保持されたウエハＷの上面に近接した近接位置（図２の位置）と、スピンチャック１の上方に大きく退避した退避位置（図１の位置）との間で昇降させるための遮断板昇降駆動機構１６が設けられている。さらに、アーム１５に関連して、遮断板１０をスピンチャック１によるウエハＷの回転にほぼ同期させて回転させるための遮断板回転駆動機構１７が設けられている。
【００１８】
処理液ノズル１２には、純水供給源からの純水（脱イオン化された純水）が純水バルブ１８を介して供給できるようになっているとともに、ふっ酸供給源２０からのふっ酸水溶液が薬液バルブ２１を介して供給できるようになっている。さらに、窒素ガス流通路１３には、窒素ガス供給源からの窒素ガス（不活性ガスの一例）が窒素ガスバルブ１９を介して供給できるようになっている。なお、下面ノズル７からも、ウエハＷの下面に向けてふっ酸供給源２０からのふっ酸水溶液が供給されている。これにより、ウエハＷ下面にわずかに付着したレジスト残渣をも除去できる。
【００１９】
ふっ酸供給源２０は、ふっ酸水溶液を貯留するためのタンク２２を備えており、このタンク２２に貯留されたふっ酸水溶液２３が、ポンプ２４によって汲み出されて薬液バルブ２１から処理液ノズル１２へと供給されるようになっている。タンク２２内に貯留されたふっ酸水溶液２３には窒素ガス供給配管２５が差し込まれている。この窒素ガス供給配管２５には窒素ガスが供給され、その先端からはふっ酸水溶液２３中に窒素ガスの気泡が形成される。こうして、タンク２２内においてふっ酸水溶液に対する窒素ガスのバブリングが行われ、ふっ酸水溶液中に窒素ガスが溶存させられる。ふっ酸水溶液に対する窒素の溶解度は、酸素の溶解度よりも高いために、ふっ酸水溶液２３に対する窒素ガスのバブリングにより、ふっ酸水溶液中に存在している酸素を排除することができる。
【００２０】
スピンチャック１は、有底容器状の処理カップ３０に収容されている。処理カップ３０の底部には、スピンチャック１の周囲を取り囲むように、ウエハＷの処理に用いられた後の処理液を排液するための排液溝３１が形成されており、さらに、この排液溝３１を取り囲むように、ウエハＷの処理のために用いられた後の処理液（特にふっ酸水溶液）を回収するための回収溝３２が形成されている。排液溝３１と回収溝３２とは、それらの間に形成された筒状の仕切壁３３によって区画されている。また、排液溝３１には、図外の排液処理設備へと処理液を導くための排液ライン３４が接続されており、回収溝３２には、図外の回収設備へと処理液を導くための回収ライン３５が接続されている。
【００２１】
スピンチャック１の側方において処理カップ３０の上方には、ウエハＷの回転に伴ってその外方に振り切られる処理液が外部に飛散することを防止するためのスプラッシュガード３６が設けられている。このスプラッシュガード３６は、ウエハＷの回転軸線に対してほぼ回転対称な形状を有しており、その上方部の内面は、ウエハＷの回転軸線に対向するように開いた断面横向きＶ字状の排液捕獲部３７となっている。また、スプラッシュガード３６の下方部には、ウエハＷの回転半径方向外方に向かうに従って下方に向かう凹湾曲傾斜面の形態に形成された回収液捕獲部３８が形成されている。そして、回収液捕獲部３８の上端付近には、処理カップ３０の仕切壁３３を受け入れるための仕切壁収容溝３９が形成されている。
【００２２】
スプラッシュガード３６に関連して、たとえば、ボールねじ機構等を含むスプラッシュガード昇降駆動機構４０が設けられている。スプラッシュガード昇降駆動機構４０は、スプラッシュガード３６を、回収液捕獲部３８がスピンチャック１に保持されたウエハＷの周端面に対向する回収位置（図１に示す位置）と、排液捕獲部３７がスピンチャック１に保持されたウエハＷの端面に対向する排液位置との間で上下動させる。また、スプラッシュガード昇降駆動機構４０は、スピンチャック１に対してウエハＷの搬入／搬出の際には、スプラッシュガード３６を排液位置よりも下方の退避位置に退避させる。
【００２３】
この基板処理装置には、さらに、マイクロコンピュータなどを含む制御部４５が備えられている。この制御部４５が上述の各部を制御することによって、次のような基板処理動作が実行される。
未処理のウエハＷは、基板搬送ロボット（図示せず）により、その表面を上方に向けた水平姿勢でスピンチャック１に受け渡されて保持される。ウエハＷがスピンチャック１に保持されると、制御部４５が遮断板昇降駆動機構１６を制御することによって、遮断板１０がスピンチャック１に保持されたウエハＷの上面にその基板対向面１４を近接させた近接位置（図２参照）まで下降され、この状態で処理が開始される。すなわち、制御部４５がチャック回転駆動機構２を制御することによって、スピンチャック１が予め定める回転速度で回転され、これにより、ウエハＷはその中心を通る鉛直軸線回りに回転されることになる。
【００２４】
一方、制御部４５が遮断板回転駆動機構１７を制御することにより、遮断板１０は、ウエハＷの上面に近接した状態で、ウエハＷと同じ方向にほぼ同じ速度で回転される。この状態で、制御部４５による制御によって、薬液バルブ２１，８が開かれ、スピンチャック１とともに回転するウエハＷの表面（上面）Ｗａおよび裏面（下面）Ｗｂの各中央に向けて、処理液ノズル１２および下面ノズル７から薬液（ふっ酸水溶液）が吐出される。この薬液は、ウエハＷの上下面の各中心付近に到達し、ウエハＷの回転に伴う遠心力を受けて、ウエハＷの表面Ｗａおよび裏面Ｗｂをそれぞれ伝わり、その周縁部へと導かれる。これにより、ウエハＷの上下面のほぼ全域に対して薬液をくまなく行き渡らせることができ、ウエハＷの上下面に対する処理が実現される。
【００２５】
この薬液処理の際、制御部４５による制御によって、窒素ガスバルブ１９が開かれ、基板対向面１４とスピンチャック１に保持されたウエハＷの表面Ｗａとの間の制限された空間に窒素ガスが供給される。
このようにして、ウエハＷの表面Ｗａでは、窒素ガス雰囲気中でふっ酸水溶液による処理が進行する。すなわち、酸素を排除した状態でふっ酸水溶液によるエッチング処理を行うことができ、これにより、ウエハＷ上の金属膜に損傷を与えることなく、その表面の酸化物とともにポリマーをリフトオフして除去することができる。
【００２６】
こうしてポリマー除去処理が行われた後、制御部４５によって、薬液バルブ２１，８が閉じられ、代わって純水バルブ１８，９が開かれる。これにより、ウエハＷの上下面の中央に純水が供給される。この純水は、ウエハＷ上で遠心力を受けてウエハＷの上下面の全域へと広がる。これにより、ウエハＷの上下面に付着した薬液（ふっ酸水溶液）を洗い流すためのリンス処理が行われる。また、このリンス処理時のための純水にも窒素ガスを溶存させておくことが好ましい。
【００２７】
このリンス処理を一定時間行った後には、制御部４５は、純水バルブ１８，９を閉じ、さらに、チャック回転駆動機構２を制御して、スピンチャック１を高速回転させる。これにより、ウエハＷに付着した水滴を遠心力によって振り切るための乾燥処理が行われる。
リンス処理および乾燥処理の期間にも、制御部４５は、窒素ガスバルブ１９を開成状態に保持することが好ましい。これにより、乾燥処理が完了するまでウエハＷの表面Ｗａの近傍を窒素ガス雰囲気に保持できるので、ウエハＷの表面Ｗａに不所望な酸化膜が成長することを抑制または防止できる。
【００２８】
乾燥処理が終了すると、制御部４５による遮断板昇降駆動機構１６の制御によって、遮断板１０は、上方の退避位置まで上昇させられ、スピンチャック１の回転が停止される。そして、制御部４５によるスプラッシュガード昇降駆動機構４０の制御により、スプラッシュガード３６が退避位置に下降させられる。この状態で、基板搬送ロボットにより、スピンチャック１に保持されている処理済のウエハＷが排出されることになる。
【００２９】
スプラッシュガード３６は、薬液バルブ２１，８を開いてウエハＷに薬液を供給しているときには、図１に示す回収位置に上昇させられている。これに対し、純水バルブ１８，８を開いてウエハＷに純水を供給している期間には、排液捕獲部３７がスピンチャック１に保持されたウエハＷの面に対向する排液位置まで下降される。このようにして、薬液を回収して再利用を図ることができる一方で、薬液が混入した純水については、これを廃棄することができる。
【００３０】
図３は、ウエハＷの表面における処理を説明するための断面図である。ウエハＷの表面Ｗａには、銅薄膜等の金属薄膜５０が形成されている。この金属薄膜５０上に、さらに、酸化シリコン等からなる酸化膜５１が積層して形成されている。この酸化膜５１に対してドライエッチングによる微細加工を施すときには、図１(a)に示すように、酸化膜５１上に、所望のパターンに対応した開口５２を有するレジスト膜５３が形成される。この状態で、ドライエッチング装置内において、ウエハＷの表面Ｗａに向けて加速されたイオンビーム５４が供給される。
【００３１】
こうして、図３(b)に示すように、酸化膜５１に微細加工が施され、この酸化膜５１に、レジスト膜５３の開口５２に整合した開口５４が形成されることになる。この状態のウエハＷは、次に、アッシング装置（灰化装置）に搬入され、レジスト膜５３を灰化して除去するためのアッシング処理が施される。
このアッシング処理後のウエハＷの表面には、図３(c)に示すように、ポリマー（レジスト残渣）５５がほぼ全面に付着している。ポリマー５５は、酸化膜５１の表面に付着しているほか、酸化膜５１の開口５４において露出することになる金属薄膜５０の表面にも付着している。ただし、金属薄膜５０の露出部には自然酸化膜（図示せず）が形成されており、この自然酸化膜上にポリマー５５が付着した状態となっている。
【００３２】
この図３（ｃ）に示す状態のウエハＷが、上述の図１に示す基板処理装置に搬入されて処理されることになる。ポリマー除去液としてのふっ酸水溶液をウエハＷの表面Ｗａに供給するとき、ウエハＷの表面Ｗａの上方の空間は遮断板１０によって著しく狭い空間に制限されており、この狭い空間に窒素ガスが供給されて、酸素が排除された状態となっている。また、ウエハＷの表面Ｗａに供給されるふっ酸水溶液は、窒素を溶存させることによって酸素が排除された状態となっている。
【００３３】
これにより、ウエハＷ上におけるふっ酸水溶液によるポリマー除去処理は、酸素がほとんど存在しない状況下で進行する。その結果、ウエハＷの表面Ｗａ上では、ふっ酸水溶液による酸化物のエッチング選択比が金属薄膜５０に対して著しく高い状態となっている。そのため、ポリマー５５は、酸化膜５１の表面部分および開口５４において露出する金属薄膜５０上の自然酸化膜とともにリフトオフされて除去される。その一方で、自然酸化膜の除去によって露出することになる金属薄膜５０の表面では酸化反応が生じないため、ふっ酸水溶液による浸食はほとんど進行しない。このようにして、図３（ｄ）に示すように、ウエハＷ上のポリマー５５を効率的に除去することができ、かつ、金属薄膜５０に対する損傷を抑制または防止することができる。
【００３４】
もしも、ふっ酸水溶液によるポリマー除去処理を酸素が存在する状況下で行えば、図４に示すとおり、開口５４内の金属薄膜５０が浸食されることになる。
以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は他の形態で実施することもできる。たとえば、上記の実施形態では、基板上に形成される金属薄膜として銅薄膜を例にとったが、アルミニウム等の他の金属薄膜と酸化膜とが混在する基板表面に対するふっ酸水溶液による処理においてもこの発明を適用することができる。
【００３５】
また、上記の実施形態では、アッシング処理によるレジスト剥離工程を経たウエハＷに対するポリマー除去処理について説明したが、レジスト剥離液を用いたレジスト剥離工程を経たウエハＷについても同様に処理することができる。
また、上記の実施形態では、ポリマー除去処理を例にとったが、この発明は、ポリマー除去処理に限らず、金属膜および酸化膜が混在する基板表面に対して酸化膜を選択的にエッチングする基板処理に対して広く適用することが可能である。
【００３６】
さらに、上記の実施形態では、ウエハＷを回転させながらふっ酸水溶液によって処理することとしたが、ウエハＷの回転を停止した状態でふっ酸水溶液による処理を進行させることとしてもよい。具体的には、ほぼ水平に保持されたウエハＷの上面にふっ酸水溶液を液盛りして、この液盛りされたふっ酸水溶液により、酸化膜の選択エッチングを行うこととしてもよい。
【００３７】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な縦断面図である。
【図２】ウエハの表面近傍の様子を拡大して示す図解的な断面図である。
【図３】ウエハの表面における処理を説明するための断面図である。
【図４】ウエハの表面近傍に酸素が存在している状態で処理を行った場合の金属膜の損傷を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００３９】
１    スピンチャック
２    チャック回転駆動機構
３    回転軸
４    スピンベース
５    挟持部材
６    下面処理液供給管
７    下面ノズル
８    薬液バルブ
９    純水バルブ
１０    遮断板
１１    回転軸
１２    処理液ノズル
１３    窒素ガス流通路
１４    基板対向面
１５    アーム
１６    遮断板昇降駆動機構
１７    遮断板回転駆動機構
１８    純水バルブ
１９    窒素ガスバルブ
２０    酸供給源
２１    薬液バルブ
２２    タンク
２３    ふっ酸水溶液
２４    ポンプ
２５    窒素ガス供給配管
３０    処理カップ
３１    排液溝
３２    回収溝
３３    仕切壁
３４    排液ライン
３５    回収ライン
３６    スプラッシュガード
３７    排液捕獲部
３８    回収液捕獲部
３９    仕切壁収容溝
４０    スプラッシュガード昇降駆動機構
４５    制御部
５０    金属薄膜
５１    酸化膜
５２    開口
５３    レジスト膜
５４    イオンビーム
５４    開口
５５    ポリマー
Ｗ      ウエハ
Ｗａ    表面（デバイス形成面）
Ｗｂ    裏面
【図１】
2005252177.tif 000003
【図２】
2005252177.tif 000004
【図３】
2005252177.tif 000005
【図４】
2005252177.tif 000006