(57)【要約】  【課題】  半導体レーザの寿命をより正確にユーザに知らせることができるようにする。  【解決手段】  温度検出手段２が、寿命が温度に依存する電子デバイス１の温度を検出する。計測手段４が、電子デバイス１の稼動時間を計測する。記憶手段５が、実使用環境に対応する平均温度からのズレに応じた重み付け係数を、電子デバイス１の稼動時の温度から導出する導出手段を記憶する。累積手段２０が、導出手段を用いて、温度検出手段２により検出された電子デバイス１の温度から重み付け係数を導出し、導出された重み付け係数を用いて稼動時間を補正し、補正された稼動時間を累積する。表示手段６が、累積された稼動時間を表示する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
寿命が温度に依存する電子デバイスの温度を検出する温度検出手段と、
上記電子デバイスの稼動時間を計測する計測手段と、
実使用環境に対応する平均温度からのズレに応じた重み付け係数を、上記電子デバイスの稼動時の温度から導出する導出手段と、
上記導出手段を用いて、上記温度検出手段により検出された上記電子デバイスの温度から重み付け係数を導出し、導出された上記重み付け係数を用いて上記稼動時間を補正し、補正された上記稼動時間を累積する累積手段と、
累積された上記稼動時間を表示する表示手段と
を備えることを特徴とする寿命提示回路。
【請求項２】
上記導出手段は、上記電子デバイスの稼動時の温度と、実使用環境に対応する平均温度からのズレに応じた重み付け係数とが関係付けられた温度テーブルであることを特徴とする請求項１記載の寿命提示回路。
【請求項３】
上記導出手段は、上記電子デバイスの稼動時の温度を代入することにより、実使用環境に対応する平均温度からのズレに応じた重み付け係数を導出する温度補正関数であることを特徴とする請求項１記載の寿命提示回路。
【請求項４】
累積された上記稼動時間が所定時間に達したら、その旨を上記表示手段に表示することを特徴とする請求項１記載の寿命提示回路。
【請求項５】
上記電子デバイスが半導体レーザであることを特徴とする請求項１記載の寿命提示回路。
【請求項６】
寿命が温度に依存する電子デバイスの温度を検出するステップと、
上記電子デバイスの稼動時間を計測するステップと、
実使用環境に対応する平均温度からのズレに応じた重み付け係数を、上記電子デバイスの稼動時の温度から導出する導出手段を用いて、上記検出ステップにより検出された上記電子デバイスの温度から重み付け係数を導出するステップと、
導出された上記重み付け係数を用いて上記稼動時間を補正し、補正した上記稼動時間を累積するステップと
累積された上記稼動時間を表示するステップと
を備えることを特徴とする寿命提示方法。
【請求項７】
上記導出手段は、上記電子デバイスの稼動時の温度と、実使用環境に対応する平均温度からのズレに応じた重み付け係数とが関係付けられた温度テーブルであることを特徴とする請求項６記載の寿命提示方法。
【請求項８】
上記導出手段は、上記電子デバイスの稼動時の温度を代入することにより、実使用環境に対応する平均温度からのズレに応じた重み付け係数を導出する温度補正関数であることを特徴とする請求項６記載の寿命提示方法。
【請求項９】
上記稼動時間を累積するステップの後に、累積された上記稼動時間が所定時間に達したら、その旨を表示手段に表示するステップをさらに備えることを特徴とする請求項６記載の寿命提示方法。
【請求項１０】
上記電子デバイスが半導体レーザであることを特徴とする請求項６記載の寿命提示方法。
【請求項１１】
記録可能な光ディスクの信号面に対してレーザ光を出射する半導体レーザと、
上記光ディスクにより反射された上記レーザ光を受光し、受光した上記レーザ光に応じた信号を出力する受光手段と、
上記半導体レーザに供給する記録信号の処理および、上記受光手段から供給された再生信号の処理を行う信号処理手段と、
上記半導体レーザの温度を検出する温度検出手段と、
上記半導体レーザの稼動時間を計測する計測手段と、
実使用環境に対応する平均温度からのズレに応じた重み付け係数を、上記半導体レーザの稼動時の温度から導出する導出手段と、
上記導出手段を用いて、上記温度検出手段により検出された上記半導体レーザの温度から重み付け係数を導出し、導出された上記重み付け係数を用いて上記稼動時間を補正し、補正された上記稼動時間を累積する累積手段と、
累積された上記稼動時間を表示する表示手段と
を備えることを特徴とする記録再生装置。
【請求項１２】
上記導出手段は、上記半導体レーザの稼動時の温度と、実使用環境に対応する平均温度からのズレに応じた重み付け係数とが関係付けられた温度テーブルであることを特徴とする請求項１１記載の記録再生装置。
【請求項１３】
上記導出手段は、上記半導体レーザの稼動時の温度を代入することにより、実使用環境に対応する平均温度からのズレに応じた重み付け係数を導出する温度補正関数であることを特徴とする請求項１１記載の記録再生装置。
【請求項１４】
累積された上記稼動時間が所定時間に達したら、その旨を上記表示手段に表示することを特徴とする請求項１１記載の記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電子デバイスの寿命を提示することができる寿命提示回路および寿命提示方法ならびに記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光学記録媒体の信号面に対してレーザ光を照射して情報信号の記録再生を行う記録再生装置が広く普及している。この記録再生装置では、レーザ光を照射する光源として半導体レーザが用いられている。
【０００３】
半導体レーザは時間経過に伴って劣化するため、記録再生動作に問題が生じる前に半導体レーザを交換する必要がある。そこで、半導体レーザの交換時期をユーザに知らせるために、レーザ発光時間を累積し、累積された発光時間が半導体レーザメーカにより提示された動作保証時間に達したか否かを判断する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１９７７０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、従来知られているように半導体レーザの寿命は温度に依存するために、使用環境に応じて半導体レーザの寿命は著しく異なってしまう。したがって、半導体レーザの使用環境を考慮せずにレーザ発光時間を単に累積するのみでは、半導体レーザの交換時期をユーザに正確に知らせることは困難である。
【０００６】
したがって、この発明の目的は、半導体レーザの寿命をより正確にユーザに知らせることができる寿命提示回路および寿命提示方法ならびに記録再生装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、第１の発明は、寿命が温度に依存する電子デバイスの温度を検出する温度検出手段と、
電子デバイスの稼動時間を計測する計測手段と、
実使用環境に対応する平均温度からのズレに応じた重み付け係数を、電子デバイスの稼動時の温度から導出する導出手段と、
導出手段を用いて、温度検出手段により検出された電子デバイスの温度から重み付け係数を導出し、導出された重み付け係数を用いて稼動時間を補正し、補正された稼動時間を累積する累積手段と、
累積された稼動時間を表示する表示手段と
を備えることを特徴とする寿命提示回路である。
【０００８】
第２の発明は、寿命が温度に依存する電子デバイスの温度を検出するステップと、
電子デバイスの稼動時間を計測するステップと、
実使用環境に対応する平均温度からのズレに応じた重み付け係数を、電子デバイスの稼動時の温度から導出する導出手段を用いて、検出ステップにより検出された電子デバイスの温度から重み付け係数を導出するステップと、
導出された重み付け係数を用いて稼動時間を補正し、補正した稼動時間を累積するステップと
累積された稼動時間を表示するステップと
を備えることを特徴とする寿命提示方法である。
【０００９】
第３の発明は、記録可能な光ディスクの信号面に対してレーザ光を出射する半導体レーザと、
光ディスクにより反射されたレーザ光を受光し、受光したレーザ光に応じた信号を出力する受光手段と、
半導体レーザに供給する記録信号の処理および、受光手段から供給された再生信号の処理を行う信号処理手段と、
半導体レーザの温度を検出する温度検出手段と、
半導体レーザの稼動時間を計測する計測手段と、
実使用環境に対応する平均温度からのズレに応じた重み付け係数を、半導体レーザの稼動時の温度から導出する導出手段と、
導出手段を用いて、温度検出手段により検出された半導体レーザの温度から重み付け係数を導出し、導出された重み付け係数を用いて稼動時間を補正し、補正された稼動時間を累積する累積手段と、
累積された稼動時間を表示する表示手段と
を備えることを特徴とする記録再生装置である。
【００１０】
この発明によれば、実使用環境に対応する平均温度からのズレに応じた重み付け係数を、電子デバイスの稼動時の温度から導出する導出手段を用いて、検出手段により検出された電子デバイスの温度から重み付け係数を導出し、導出された重み付け係数を用いて稼動時間を補正し、補正した稼動時間を累積し、累積された稼動時間を表示するので、累積された稼動時間の進行と実時間の進行との間に大きな違いが生じないようにすることができる。
【発明の効果】
【００１１】
以上説明したように、この発明によれば、累積された稼動時間の進行と実時間の進行との間に大きな違いが生じないようにすることができる。したがって、電子デバイスをどの程度使用すると交換時期に達するかを、累積された稼動時間に基づいてユーザがより正確に判断することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、この発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態の全図においては、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
【００１３】
まず、この発明の実施形態の理解を容易にするために、従来技術が有する上述の課題を解決すべく、本発明者が行った検討内容について説明する。
【００１４】
まず、半導体レーザメーカにより提示された半導体レーザ（Laser Diode）の「寿命温度特性」に基づき温度テーブルを作成して、記録再生装置などのメモリに予め記憶しておくようにする。温度テーブルは、半導体レーザの温度と、レーザ発光時間を補正するための寿命係数とが関係付けられたテーブルである。この温度テーブルでは、半導体メーカにより定められた基準温度に対応する寿命係数が「１」の値をとるようになっている。
【００１５】
そして、温度テーブルから半導体レーザの温度に応じた寿命係数を抽出し、抽出された寿命係数を用いてレーザ発光時間を補正し、補正された発光時間を累積して表示するようにする。ところが、半導体レーザメーカにより定められた基準温度と、実使用環境下において基準となる基準温度とは異なるため、寿命係数「１」からずれた寿命係数を用いてレーザ発光時間を補正することになってしまう。したがって、累積されたレーザ発光時間の進行と実時間の進行との間に違いが生じ、半導体レーザをどの程度使用すると交換時期に達するかを、累積されたレーザ発光時間に基づいてユーザが判断するのが困難になってしまう。
【００１６】
そこで、本発明者は検討を重ねた結果、図１に示す方法を想起するに至った。まず、半導体レーザの実使用環境下における平均温度を算出し、算出された平均温度が基準温度となるように上述の温度テーブルを変換する。すなわち、算出された平均温度において、温度テーブルの寿命係数が「１」となるように温度テーブルを変換する。
【００１７】
そして、上述のようにして変換された温度テーブルから半導体レーザの温度に対応した寿命係数を抽出し、抽出された寿命係数を用いてレーザ発光時間を補正し、補正されたレーザ発光時間を累積する。この方法では、実使用環境下の平均温度が基準温度となるため、寿命係数「１」近傍の寿命係数を用いてレーザ発光時間を補正することになる。したがって、累積されたレーザ発光時間の進行と実時間の進行との間に大きな違いが生じることがなく、半導体レーザをどの程度使用すると交換時期に達するかを、累積されたレーザ発光時間に基づいてユーザがより正確に判断することができる。なお、半導体レーザの温度を代入することにより寿命係数を導出する温度補正関数ｆ（Ｔ）を、温度テーブルに代えてメモリ記憶しておき、この温度補正関数ｆ（Ｔ）を用いてレーザ発光時間を補正するようにしてもよい。
【００１８】
図２は、この発明の第１の実施形態による寿命提示回路の一構成例を示すブロック図である。図２に示すように、この寿命提示回路は、半導体レーザ１の温度を検出する温度検出手段２、レーザ駆動回路３、タイマ４、ＲＯＭ(Read Only Memory)５、表示手段６および制御部２０を備える。
【００１９】
半導体レーザ１は、例えばＧａＮ／ＧａＩｎＮ系半導体レーザなどのIII族窒化物半導体レーザであり、例えば波長３９５ｎｍ〜４１５ｎｍ、より具体的には４０５ｎｍのレーザ光を出射可能に構成されている。
【００２０】
温度検出手段２は、半導体レーザ１の温度を検出し、検出した温度を制御部２０に供給する。レーザ駆動回路３は、外部らか供給される信号に基づき、半導体レーザ１を制御する。タイマ４は、時間を計測し、計測した時間を制御部２０に供給する。制御部２０は、寿命提示回路に備えられた各部を制御する。例えば、各部を制御することにより、後述する寿命提示動作などを行う。
【００２１】
ＲＯＭ５は、温度テーブルおよび動作保証時間を記憶する。温度テーブルは、半導体レーザ１の温度と、半導体レーザ１に温度に対応する寿命係数とが関係付けられたテーブルである。ＲＯＭ５としては、データ書換に対応することを考慮すると、ＥＥＰＲＯＭ(Electrical Erasable Programmable ＲＯＭ)などの書換可能なＲＯＭを用いることが好ましい。
【００２２】
この温度テーブルは、例えば以下のようにして作成される。まず、半導体レーザメーカにより提示された半導体レーザ１の「寿命温度特性」に基づき温度テーブルを作成する。そして、半導体レーザ１の実使用環境下における平均温度を算出し、算出された平均温度が基準温度となるように上述の温度テーブルを変換する。すなわち、算出された平均温度において、温度テーブルの寿命係数が「１」となるように温度テーブルを変換する。
【００２３】
図３は、ＲＯＭ５に記憶された温度テーブルの一例を示す略線図である。温度中心は、例えば、温度範囲ａ≦Ｔ＜ｂに半導体レーザ１の温度があるときに代表となる温度である。寿命係数ｋは、レーザ発光時間に対して重み付けを行うための重み付け係数であり、例えば、温度中心でのレーザ発光時間に対する重み付け係数である。
【００２４】
動作保証時間は、実使用環境下での平均温度における半導体レーザ１の動作を保証するための時間であり、例えば半導体メーカにより予め定められる。この動作保証時間は、半導体レーザ１を搭載する装置やその装置の使用環境に応じて規定することが好ましく、半導体レーザ１の劣化により生じる問題をより確実に回避するためには、最大限許容される動作保証時間よりも短くすることが好ましい。
【００２５】
表示手段６は、例えば、液晶表示部を備え、この液晶表示部に制御部２０から供給される信号に基づき各種情報を表示する。例えば、累積されたレーザ発光時間および動作保証時間などを表示する。動作保証時間は、例えば図示を省略した操作部を適宜操作することにより表示される。
【００２６】
図４は、この発明の第１の実施形態による寿命提示回路の寿命提示動作の一例について説明するためのフローチャートである。
【００２７】
ステップＳ１１において、温度検出手段２より供給される温度Ｔが、変換後の温度テーブルの温度範囲ａ≦Ｔ＜ｂ（図３参照）のうち、どの範囲内に属するかを判断する。
【００２８】
ステップＳ１２において、ステップＳ１１にて判断された温度範囲に対応する寿命係数ｋを温度テーブルから抽出する。
【００２９】
ステップＳ１３において、ステップＳ１２にて抽出された寿命係数ｋを用いてレーザ発光時間Δｔを補正する。具体的には、レーザ発光時間Δｔに対して、寿命係数ｋの逆数１／ｋを乗じる。
【００３０】
ステップＳ１４において、累積値Σ（Δｔ×１／ｋ）を算出する。ステップＳ１５において、累積値Σ（Δｔ×１／ｋ）を表示手段６に表示する。
【００３１】
ステップＳ１６において、累積値Σ（Δｔ×１／ｋ）が、ＲＯＭ５に記憶された動作保証時間を越えているか否かを判別する。ステップＳ１６にて動作保証時間を越えていると判別したときには、ステップＳ１７において、半導体レーザ１が寿命に達していることをユーザに促す情報を表示手段６に表示する。ステップＳ１６にて動作保証時間を越えていないと判別したときには、ステップＳ１１に処理を戻す。
【００３２】
図５は、この発明の第１の実施形態による寿命提示回路を備えた記録再生装置の一構成例を示す。光ディスクＤは、基板上に、例えば、情報信号部、光透過層を順次積層してなる。この光ディスクの情報信号の記録再生は、例えば、４００ｎｍ以上４１０ｎｍ以下の範囲の波長にあるレーザ光を、０．８４以上０．８６以下の範囲の開口数を有する光学レンズにより集光し、光透過層側から情報信号部に照射することにより行われる。
【００３３】
記録時には、光ディスクＤに記録するための記録データが、ＥＣＣ(Error Correction Coding)部１９およびメモリコントローラ１７を介してメモリ１８に溜め込まれる。メモリコントローラ１７は、制御部２０の制御に基づきメモリ１８に対するアクセスを制御する。なお、制御部２０は、マイクロコンピュータからなり、記録再生装置を制御する。
【００３４】
メモリ１８に溜め込まれた記録データに対して、ＥＣＣ部１９によりエラー訂正単位毎にエラー訂正符号が生成される。ビデオデータおよびオーディオデータに対するエラー訂正符号としては、積符号を使用することができる。積符号は、ビデオデータまたはオーディオデータの２次元配列の縦方向に外符号の符号化を行い、その横方向に内符号の符号化を行い、データシンボルを２重に符号化するものである。外符号および内符号としては、リードソロモンコード(Reed-Solomon code) を使用できる。積符号で完結するデータ単位をＥＣＣブロックと称する。ＥＣＣブロックは、例えば６４ｋバイト（６５５３６バイト）のサイズを有する。メモリコントローラ１７は、メモリ１８からＥＣＣブロックを読み出し、変調／復調部１６に記録データとして供給する。変調／復調部１６は、この記録データを変調して記録信号を生成し、レーザ駆動回路３に供給する。
【００３５】
ピックアップ部１３は、半導体レーザ１、光電変換素子２１および温度検出手段２２を備える。半導体レーザ１は、レーザ駆動回路３から供給される記録信号に基づきレーザ光を出力して、スピンドルモータ１２により回転駆動される光ディスクＤに記録信号を記録する。
【００３６】
光電変換素子２は、光ディスクＤからの反射光を光電変換して電流信号を生成し、ＲＦ(Radio Frequency)アンプ１４に供給する。ＲＦアンプ１４は、光電変換素子２１からの電流信号に基づいて、フォーカス誤差信号およびトラッキング誤差信号、ならびに、再生信号を生成し、トラッキング誤差信号およびフォーカス誤差信号をサーボ制御部１５に供給する。また、ＲＦアンプ１４は、再生時に再生信号を変調／復調部１６に供給する。
【００３７】
レーザ光の照射位置は、サーボ制御部１５からピックアップ部１３に供給されるサーボ信号により所定の位置に制御される。すなわち、サーボ制御部１５は、フォーカスサーボ動作やトラッキングサーボ動作の制御を行う。具体的には、サーボ制御部１５は、ＲＦアンプ１４からのフォーカス誤差信号とトラッキング誤差信号に基づいてフォーカスサーボ信号とトラッキングサーボ信号をそれぞれ生成し、ピックアップ部１３のアクチュエータ（図示しない）に供給する。またサーボ制御部１５は、スピンドルモータ１２を駆動するスピンドルモータ駆動信号を生成して、光ディスクＤを所定の回転速度で回転させるスピンドルサーボ動作の制御を行う。
【００３８】
さらにサーボ制御部１５は、ピックアップ部１３を光ディスクＤの径方向に移動させてレーザ光の照射位置を変えるスレッド制御を行う。なお、光ディスクＤの信号読み出し位置の設定は、制御部２０によって行われ、設定された読み出し位置から信号を読み出すことができるように、ピックアップ部１３の位置が制御される。
【００３９】
スピンドルモータ１２は、サーボ制御部１５からのスピンドルモータ駆動信号に基づいて、光ディスクＤを線速度一定のＣＬＶ(Constant Linear Velocity)、または、角速度一定のＣＡＶ(Constant Angler Velocity)で回転駆動する。スピンドルモータ１２の駆動方式は、制御部２０からの制御信号に基づき、ＣＬＶおよびＣＡＶとで切り替え可能とされている。
【００４０】
再生時には、ピックアップ部１３が光ディスクＤにレーザ光を集光して照射し、光ディスクＤからの反射光を光電変換した電流信号をＲＦアンプ１４に供給する。変調／復調部１６は、ＲＦアンプ１４から供給された再生信号を復調して再生データを生成し、メモリコントローラ１７に供給する。メモリコントローラ１７は、供給された再生データをメモリ１８に書き込む。メモリ１８からＥＣＣブロック単位で再生データが読み出され、ＥＣＣ部１９に供給される。
【００４１】
ＥＣＣ部１９は、供給されたＥＣＣブロック単位の再生データのエラー訂正符号を復号化してエラー訂正を行う。エラー訂正符号の持つエラー訂正能力を超えてエラーが検出されたときは、エラー訂正を行わずに、エラー訂正単位に対してエラーフラグを立てる。
【００４２】
この発明の第１の実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
半導体レーザ１の実使用環境下における平均温度が基準温度となるように温度テーブルを変換するので、累積された発光時間の進行と実時間の進行との間に大きな違いが生じることがなく、半導体レーザ１をどの程度使用すると交換時期に達するかを、表示手段６に表示されたレーザ発光時間の累積値に基づいてユーザがより正確に判断することができる。
【００４３】
次に、この発明の第２の実施形態について説明する。上述の第１の実施形態では、ＲＯＭ５に温度テーブルを記憶している場合を例として説明したが、この発明の第２の実施形態では、ＲＯＭ５に温度補正関数ｆ（Ｔ）を記憶している場合を例として説明する。
【００４４】
ＲＯＭ５に記憶された温度補正関数は、例えば以下のようにして定義される。まず、例えばメーカにより提示された複数の温度補正係数に基づき温度補正関数ｆ′（Ｔ）を定義する。
【００４５】
図６は、温度補正関数ｆ′（Ｔ）の一例を示すグラフである。この温度補正関数ｆ′（Ｔ）は、基準温度６０℃のときに、寿命係数が「１」となるように定義されている。
【００４６】
次に、実使用環境下における平均温度に対応する寿命係数が「１」となるように温度補正関数ｆ′（Ｔ）を変換して、温度補正関数ｆ（Ｔ）を得る。
【００４７】
図７は、温度補正関数ｆ（Ｔ）の一例を示すグラフである。この温度補正関数ｆ（Ｔ）は、基準温度が５３℃のときに、寿命係数が１となるように定義されている。温度補正関数ｆ（Ｔ）は、図７に示すように、温度が上昇するに従って単調に減少しており、温度Ｔを与えることにより一義的に寿命係数が定まる。
【００４８】
これ以外の構成は、上述の第１の実施形態と同様であるので説明を省略する。
【００４９】
図８は、この発明の第２の実施形態による寿命提示回路の寿命提示動作について説明するためのフローチャートである。
【００５０】
ステップＳ２１において、温度検出手段２より供給される温度Ｔを温度補正関数ｆ（Ｔ）に代入して、寿命係数ｆ（Ｔ）を算出する。
【００５１】
ステップＳ２２において、ステップＳ２１にて算出された寿命係数ｆ（Ｔ）を用いて、レーザ発光時間Δｔを補正する。具体的には、レーザ発光時間Δｔに対して、寿命係数ｆ（Ｔ）の逆数を乗じる。
【００５２】
ステップＳ２３において、累積値Σ（Δｔ×１／ｆ（Ｔ））を算出する。ステップＳ２４において、累積値Σ（Δｔ×１／ｆ（Ｔ））を表示手段６に表示する。
【００５３】
ステップＳ２５において、累積値Σ（Δｔ×１／ｆ（Ｔ））が、ＲＯＭ５に記憶された動作保証時間を越えているか否かを判別する。ステップＳ２５にて動作保証時間を越えていると判別したときには、ステップＳ２６において、半導体レーザ１が寿命に達していることをユーザに促す情報を表示手段６に表示する。ステップＳ２５にて動作保証時間を越えていないと判別したときには、ステップＳ２１に処理を戻す。
【００５４】
この発明の第２の実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
温度補正関数ｆ（Ｔ）に半導体レーザ１の温度を代入して寿命係数を算出するので、連続的な値を有する寿命係数を用いてレーザ発光時間Δｔを補正することができる。よって、第１の実施形態よりも正確にレーザ発光時間を補正することができる。すなわち、第１の実施形態よりも正確に累積値を補正することができる。
【００５５】
以上、この発明の第１および２実施形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の第１および第２の実施形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
【００５６】
例えば、上述の第１および第２の実施形態において挙げた数値はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる数値を用いてもよい。
【００５７】
また、上述の第１および第２の実施形態では、半導体レーザのレーザ発光時間を補正する寿命提示回路に対してこの発明を適用した例について示したが、半導体レーザ以外の発光時間を補正する寿命提示回路に対してもこの発明は適用可能である。例えば、発光ダイオード、高圧水銀ランプなどの発光手段の発光時間を累積する寿命提示回路に対してもこの発明は適用可能である。また、本発明は、発光手段に限らず、これ以外の、寿命が温度に依存する電子デバイスに対しても適用可能である。
【００５８】
また、上述の第１および第２の実施形態では、光学ピックアップを１つ備える記録再生装置に対してこの発明を適用した例について示したが、２以上の光学ピックアップを備える記録再生装置に対してこの発明を適用することも可能である。この場合、各光学ピックアップに備えられた半導体レーザに応じた温度テーブルまたは温度補正関数ｆ（Ｔ）をＲＯＭに記憶するようにする。
【００５９】
また、上述の第１および第２の実施形態では、レーザ発光時間の累積値を表示手段に表示する例について説明したが、半導体レーザの取替時期までの残時間を表示手段に表示するようにしてもよい。
【００６０】
また、上述の第１および第２の実施形態では、実使用環境下での平均温度が基準温度になるように予め変換された温度テーブルおよび温度補正関数をＲＯＭ５に記憶しておく例について示したが、実使用環境下における平均温度を算出し、算出された平均温度に基づき温度テーブルおよび温度補正関数を変換する処理を、温度提示回路において行うようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】この発明の実施形態の概要を説明するための略線図である。
【図２】この発明の第１の実施形態による寿命提示回路の一構成例を示すブロック図である。
【図３】温度テーブルの一例を示す略線図である。
【図４】この発明の第１の実施形態による寿命提示回路の寿命提示動作について説明するためのフローチャートである。
【図５】この発明の第１の実施形態による記録再生装置の一構成例を示すブロック図である。
【図６】温度補正関数ｆ（Ｔ）の一例を示すグラフである。
【図７】温度補正関数ｆ′（Ｔ）の一例を示すグラフである。
【図８】この発明の第２の実施形態による寿命提示回路の寿命提示動作について説明するためのフローチャートである。
【符号の説明】
【００６２】
１・・・半導体レーザ、２・・・温度検出手段、３・・・レーザ駆動回路、４・・・タイマ、５・・・ＲＯＭ、６・・・表示手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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