(57)【要約】【課題】ＧＮＤ層を安定して切断するために、加工溝を小さくする回路部品内蔵モジュールの製造方法を提供する。【解決手段】基板上に複数形成された部品実装済ユニットを絶縁樹脂１０７でモールドし硬化させた後、基板の中ほどの深さの溝を格子状に加工し、その後めっき処理を施してめっきの表層１１５を形成した後に、基板の厚みの残りの部分を除去して単体のモジュール１０１にするという回路部品内蔵モジュールの製造方法において、基板の中ほどの深さの溝加工をするダイシング用ブレードの幅が、その後の基板の厚みの残りの部分を除去する際のダイシング用ブレードの刃幅よりも小さくする回路部品内蔵モジュールの製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に複数形成された部品実装済ユニットを絶縁樹脂でモールドし硬化させた後、基板の中ほどの深さの溝を格子状に加工し、その後めっき処理を施してめっきの表層を形成した後、基板の厚みの残りの部分を除去して単体のモジュールにするという回路部品内蔵モジュールの製造方法において、基板の中ほどの深さの溝加工をするダイシング用ブレードの幅が、その後の基板の厚みの残りの部分を除去する際のダイシング用ブレードの刃幅よりも小さいことを特徴とする回路部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項２】
基板の中ほどの深さの溝を加工するダイシング用ブレードと、その後めっき処理した基板の厚みの残りの部分を除去する際のダイシング用ブレードの刃幅がほぼ同一であることを特徴とする請求項１に記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項３】
基板の中ほどの深さの溝を加工する際に、定ピッチで各列の加工を行った後、一定寸法ずらした状態で再度各列の溝加工を定ピッチで行うことを特徴とする請求項１または２記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路部品を基板上に複数実装し、絶縁樹脂でモールドした回路部品内蔵モジュールの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、基板上に複数の回路部品を搭載してなる小型の電子機器が急速に普及してきた。この種の電子機器は従来、電磁界ノイズからの保護の目的で、金属ケースで部品を覆ったものや、金属ケースに収納されたものが、存在していた。また、これら金属ケースに代わる技術として、最近では樹脂モールドされた回路部品内蔵モジュールが提案されている。また、樹脂モールドにより実装された回路部品の補強や、モジュール自体を四角形のブロックに形成することで、実装し易くする効果を有している。
【０００３】
図９〜図１１に、従来の回路部品内蔵モジュールの製造方法を示す。図９の断面図に示すように、基板の中ほどの深さまでの溝加工をするダイシング用ブレード３０１ａは、製品設計上のその溝の幅とほぼ等しい幅のダイシング用ブレード３０１ａであり、また図１０に示すように、個片に分断する際に用いるダイシング用ブレード３０１ｂは、幅の狭いダイシング用ブレード３０１ｂである。その状況を平面図で示したものが、図１１である。
【０００４】
なお、背景技術に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開平１１−１６３５８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、この方法では最初に使用するダイシング用ブレード３０１ａの幅と後で使用するダイシング用ブレード３０１ｂの幅が違うため、その都度ブレードの交換および微調整作業を行う必要がある。また、幅の広いブレード３０１ａは、角部のＲも大きいためＧＮＤ層をバリ等が発生しないように切断するためには、ブレード３０１ａのＲ部よりも上のフラットな部分で切断する必要があり、ブレード３０１ａをより深く入れる必要がある。結果として、基板の残りの肉厚が薄くなる。したがって、めっき工程の際、基板の残りの肉厚が薄いことにより基板が反りやすい、割れるなどの強度的な問題が発生する。本発明は、これらの従来の問題を解決し、品質及び生産性の高い回路部品内蔵モジュールの製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために本発明の請求項１に記載の発明は、基板上に複数形成された部品実装済ユニットを絶縁樹脂でモールドし硬化させた後、基板の中ほどの深さの溝を格子状に形成し、その後めっき処理を施して表層を構成した後に、基板の不要な部分等の残りの部分を除去して単体のモジュールにするという回路部品内蔵モジュールの製造方法において、基板の中ほどの深さの溝加工をするダイシング用ブレードの幅がその後基板の残りの部分を除去する際のダイシング用ブレードの刃幅よりも小さいことを特徴とする回路部品内蔵モジュールの製造方法としたものであり、ダイシング用ブレードの切刃の幅が小さいことによりＲが小さいため、幅の広いダイシング用ブレードと比べてＧＮＤ層をバリ等の発生なく切断するという条件のもとで、より浅く溝加工をすることができる。したがって残りの基板の厚みが多く取れるため、めっき工程への搬送等に対してもより安定した強度を保つことができ、クラックや反りなどの発生を抑えることができるという作用効果を有する。
【０００７】
請求項２に記載の発明は、基板の中ほどの深さの溝を加工するダイシング用ブレードと、その後めっき処理した基板の残りの部分を除去する際のダイシング用ブレードの刃幅がほぼ同一であることを特徴とする回路部品内蔵モジュールの製造方法としたものであり、基板の中ほどまでの深さの溝加工をするダイシング用ブレードの幅と基板の残りの部分を除去するダイシング用ブレードの幅がほぼ同一であることから、同じダイシング用ブレードを使用することができ、ブレードの交換及び微調整を行う必要がなく、なおかつ、従来のダイシング用ブレードの幅よりも小さいブレードを用いて溝加工を行うことから、より浅い溝加工を行うことができる。したがって生産性が高くなおかつ基板の強度も保つことができるという作用効果を有する。
【０００８】
請求項３に記載の発明は、基板の中ほどの深さの溝を加工する際に、定ピッチで各列の加工を行った後、一定寸法ずらした状態で再度各列の溝加工を定ピッチで行うことを特徴とする請求項１〜２のいずれか１つに記載の回路部品内蔵モジュールの製造方法としたものであり、一列ごとにダイシング用ブレードの位置を一定ピッチずらして溝加工を行うよりもはるかに効率的に溝加工が行えるという作用効果を有する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の回路部品内蔵モジュールの製造方法は、めっき前の溝加工において溝深さを最小限にすることが可能であり、めっき工程における基板の強度をより安定化させることができる。また、めっきの前後工程で同じ幅のダイシング用ブレードを用いることによりブレードの交換及び微調整が不要であり、生産性を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について、回路部品内蔵モジュールを事例として説明する。
【００１１】
図１は、本発明の回路部品内蔵モジュール１０１の個片切断前の断面図、図２は、その上面図を示す。
【００１２】
図１において、配線基板１０２は、表面の電極１０３や回路パターン１１１、内部の回路パターン１１２やインナービア１１０、裏面に裏面電極１１３、そして表裏面のはんだソルダーレジスト１０６，１１６が形成された多層配線基板である。回路パターン１１１，１１２は、電気導電性を有する物質からなり、たとえば、Ｃｕ箔や導電性樹脂組成物からなる。本発明において回路パターン１１１，１１２はＣｕ箔を用いている。インナービア１１０は、たとえば、熱硬化性の導電性物質からなる。熱硬化性の導電性物質としては、たとえば、金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性樹脂組成物を用いることができる。金属粒子としては、Ａｕ，ＡｇまたはＣｕなどを用いることができる。Ａｕ，ＡｇまたはＣｕは導電性が高いために好ましく、Ｃｕは導電性が高くマイグレーションも少なく、また、低コストであるため特に好ましい。熱硬化性樹脂としては、たとえば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂またはシアネート樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂は耐熱性が高いために特に好ましい。この配線基板１０２上の所定の位置に、はんだ１０５を用いて電子部品となる回路部品１０４を実装している。回路部品１０４は、たとえば、能動部品および受動部品からなる。能動部品としては、たとえば、トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩなどの半導体素子が用いられる。受動部品としては、抵抗、コンデンサまたはインダクタなどのチップ状部品や振動子、フィルタ等が用いられる。はんだ１０５にはＰｂ−Ｓｎ系の共晶はんだやＰｂフリーはんだ（例えばＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ａｕ−Ｓｎ系またはＳｎ−Ｚｎ系）を用いることができるが、何れの場合も融点が２３０℃以下であって非耐熱性部品であっても使用することが可能である。また、回路部品１０４を実装するためのはんだ１０５と回路部品内蔵モジュールをマザー基板（図示せず）へ実装するためのはんだ１１４は同一材料であってもかまわないし、異なる材料を用いてもかまわない。しかしながら、近年の環境問題への配慮を考えるとＰｂフリーはんだを用いる方が望ましい。第１の絶縁樹脂１０７は、回路部品１０４を完全に覆うように形成している。第１の絶縁樹脂１０７は、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる。無機フィラーには、たとえば、Ａｌ2Ｏ3，ＭｇＯ，ＢＮ，ＡｌＮ，ＳｉＯ2およびＢａＴｉＯ3などを用いることができる。熱硬化性樹脂には、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、またはシアネート樹脂が好ましい。エポキシ樹脂は、耐熱性が高いために特に好ましい。そして、第１の絶縁樹脂１０７の表層にめっきによる金属膜１１５を形成し、電磁界シールド層として作用させている。めっきによる金属膜１１５は、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｚｎ，Ｔｉ，Ａｌ等の材料を少なくとも１種類以上用いて形成している。
【００１３】
以下この回路部品内蔵モジュールを個片にして行く過程を図で説明する。図３は幅０．３ｍｍのダイシング用ブレードで、基板の中ほどまで切断している状況を示す。このようにして全列を切断し、基板を直角に回して直角の列をも同様に全列加工した後、図４のようにダイシング用ブレードを０．２ｍｍずらした状態で溝の幅が０．５ｍｍになるように各列加工していく。こうして作られた基板の上面図が図５である。
【００１４】
この後基板をめっき工程に移し、めっきを表層に形成する。めっき処理個片に切断しているのが図６である。ここでは幅０．３ｍｍのダイシング用ブレードを使用し、ダイシングテープの中ほどの深さまで切削することによって、各モジュールを完全に個片化していく。なお各個片はダイシングテープに装着されており、後工程でダイシングテープから各個片に完全に分離する。分離した状態を示すのが図７である。
【００１５】
図８はブレードの幅と加工溝の深さの関係を表す拡大図である。Ｒが大きければ大きいほどＧＮＤ層をブレードのフラットな部分で切断するためにはより深くブレードを基板に対して切断しながら追い込む必要があり、これは基板の強度保持にとって不利になる。したがってよりＲの小さい幅の狭いブレードを用いることにより、溝の深さを浅くすることができ、基板の強度を安定化させることができる。この事例の場合はめっきの前工程で用いたブレードと後工程で用いたブレードの幅をほぼ同じにしてあり、ダイシング機のブレード交換および微調整は不要であり、より効率的な生産をすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００１６】
本発明の回路部品内蔵モジュールの製造方法は、めっき前の溝加工において溝深さを最小限にすることが可能であり、めっき工程における基板の強度をより安定化させることができる。また、めっきの前後工程で同じ幅のダイシング用ブレードを用いることによりブレードの交換及び微調整が不要であり、生産性を高めることができ、回路部品を基板上に複数実装し、絶縁樹脂でモールドした回路部品内蔵モジュールの製造方法などの用途として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】（ａ）本発明の切削加工前の基板の断面図、（ｂ）同要部の拡大図
【図２】本発明の切削加工前の基板の上面図
【図３】本発明による基板の溝加工の状態を示す断面図
【図４】本発明による基板の溝加工の状態を示す断面図
【図５】本発明による溝加工後の基板の上面図
【図６】本発明による個片分割加工を示す断面図
【図７】モジュール単体の断面図
【図８】溝加工の拡大断面図
【図９】従来の溝加工を示す断面図
【図１０】従来の個片分割加工を示す断面図
【図１１】加工後の平面図
【符号の説明】
【００１８】
１０１  回路部品内蔵モジュール
１０２  配線基板
１０３  電極
１０４  回路部品（電子部品）
１０５  はんだ
１０６  ソルダーレジスト
１０７  第１の絶縁樹脂
１１０  インナービア
１１１  回路パターン
１１２  回路パターン
１１３  裏面電極
１１４  はんだ
１１５  シールド層
１１６  ソルダーレジスト
３０１ａ  ダイシング用ブレード
３０１ｂ  ダイシング用ブレード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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