(57)【要約】    【課題】煩雑な作業を要することもなく、広範なプラズマ密度領域において常に均一なイオンビームの電流密度を容易に得ることができるようにする。    【解決手段】遮蔽グリッド６の上面に密着させた中間グリッド８を設けると共に、プラズマ密度に応じて前記中間グリッド８の厚みｔを異ならせる。そしてこれにより電極間距離をプラズマ密度に応じて実質的に異ならせ、イオンビームの発散性を制御して均一な電流密度を有するイオンビームを得る。例えば、プラズマ室中央部のプラズマ密度が周縁部のプラズマ密度よりも高い場合は、中央部における中間グリッド８の厚みを周縁部における中間グリッド８の厚みよりも薄くし、これにより中央部における電極間距離を周縁部における電極間距離よりも長くし、中央部の引出孔６ａ、７ａから引き出されるイオンビームの発散性を高め、均一な電流密度分布を有するイオンビームを得る。  【選択図】  図７
2005183331.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数の引出孔が形成された複数の引出電極が、プラズマ室のイオン引出口に配設されたイオン源装置において、
前記引出孔に対応して多数の引出孔が設けられた中間電極が、前記複数の引出電極間に介装されていることを特徴とするイオン源装置。
【請求項２】
前記中間電極が、前記プラズマ室内のプラズマ密度に応じて異なる厚みに形成されていることを特徴とする請求項１記載のイオン源装置。
【請求項３】
前記複数の引出電極が、前記プラズマ室の上面に設けられた第１の引出電極と、該第１の引出電極と一定の離間距離を有して対向状に配された第２の引出電極とからなり、前記中間電極は、前記第１の引出電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のイオン源装置。
【請求項４】
前記中間電極が、前記プラズマ室内のプラズマ密度の高領域部分の厚みが前記プラズマ密度の低領域部分の厚みよりも薄く形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のイオン源装置。
【請求項５】
前記中間電極の厚みが、前記引出孔の孔径に応じて設定されることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のイオン源装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のイオン源装置を使用して部品素子の表面に加工処理を施し、電子部品を製造することを特徴とする電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はイオン源装置、及び電子部品の製造方法に関し、より詳しくはプラズマにより正イオン又は負イオンを発生させるイオン源装置、及び該イオン源装置を使用してフィルタ素子等の部品素子の表面を加工し、弾性表面波フィルタ等の電子部品を製造する電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマをイオン源としたイオン源装置は、今日、固体表面処理に広く使用されている。
【０００３】
この種のイオン源装置では、通常、多数の引出孔が形成された複数の引出電極をプラズマ室のイオン引出口に配し、引出電極間に電圧を印加することによって、プラズマ室からイオンビームを引き出している。
【０００４】
そして、従来より、前記引出孔の内、一部又は全部に、前記引出孔の孔面積を減少させる、前記引出孔の孔面積より小さな孔面積を有する部材を配置し、これによりイオンビームの電流密度分布を制御しようとしたイオン源装置が提案されている（特許文献１）。
【０００５】
特許文献１は、イオンビームの電流密度を小さくしたい箇所に、引出孔の面積よりも小さな孔面積を有するように筒部と鍔部とからなる部材を引出孔に嵌め合わせて挿入し、引出孔の孔面積を実質的に小さくしてイオンビーム量を減少させ、これによりプラズマのイオン密度（以下、「プラズマ密度」という）が不均一で、かつ、イオンビームの発散角が小さい場合であっても、基板上にイオンビームがほとんど照射されない部分が生じるのを回避し、基板上のイオンビームの電流密度分布を制御しようとしている。
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−１３４７２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１は、イオンビームの発散角が小さく、該イオンビームが収束状態で引き出される領域では、イオンビームの電流密度を小さくすることが可能であるが、イオンビームの発散角が大きく、該イオンビームが発散状態で引き出される領域では、引出孔の孔径を小さくするとイオンビームの電流密度が大きくなり、したがって広範なプラズマ密度領域で均一な電流密度を有するイオンビームを得ることができないという問題点があった。
【０００８】
また、特許文献１では、直径４ｍｍ程度の引出孔に内径２ｍｍの小さな部材を嵌め合わせて挿入しており、しかも引出孔は６ｍｍ間隔程度で列設されているため、上記部材を引出孔毎に取り付けなければならず、このため煩雑で細かい作業が必要となり、孔面積の変更に伴う部材の組込み作業に長時間を要するという問題点があった。
【０００９】
本発明はこのような問題点に鑑みなされたものであって、煩雑な作業を要することもなく、広範なプラズマ密度領域において常に均一なイオンビームの電流密度を容易に得ることができるイオン源装置、及び該イオン源装置を使用した電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意研究を行なったところ、引出電極間に中間電極を介装することにより、イオンビームの発散性を変えることができ、これにより引出孔から放出されるイオンビームの電流密度を制御することができるという知見を得た。
【００１１】
本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係るイオン源装置は、多数の引出孔が形成された複数の引出電極が、プラズマ室のイオン引出口に配設されたイオン源装置において、前記引出孔に対応して多数の引出孔が設けられた中間電極が、前記複数の引出電極間に介装されていることを特徴としている。
【００１２】
イオンビームの発散性は、中間電極の厚みを適宜異ならせることにより制御することができ、したがって、プラズマ室のプラズマ密度に応じて所望の発散性が得られるように中間電極の厚みを選定することにより、均一な電流密度を有するイオンビームを得ることが可能となる。
【００１３】
すなわち、本発明のイオン源装置は、前記中間電極が、前記プラズマ室内のプラズマ密度に応じて異なる厚みに形成されていることを特徴としている。
【００１４】
また、本発明者らがさらに鋭意研究を行なったところ、プラズマ室の上面に第１の引出電極を設け、第２の引出電極を前記第１の引出電極と一定の離間距離を有して対向状に配した場合、前記中間電極が前記第１の引出電極と同電位となるように該第１の引出電極と電気的に接続することにより、プラズマ放出面の形状を容易に制御することができ、これによりイオンビームの発散性が制御されて所望の電流密度を有するイオンビームを得ることができるということが分かった。
【００１５】
すなわち、本発明のイオン源装置は、前記複数の引出電極が、前記プラズマ室の上面に設けられた第１の引出電極と、一定の離間距離を有して前記第１の引出電極と対向状に配された第２の引出電極とからなり、前記中間電極は、前記第１の引出電極と電気的に接続されていることを特徴としている。
【００１６】
また、プラズマ密度の高領域における中間電極の厚みをプラズマ密度の低領域における中間電極の厚みに比べて薄くすることにより、前記高領域における電極間距離が相対的に長くなってプラズマ放出面を凸状とすることができ、これによりイオンビームの発散性を高めることが可能になるということが分かった。
【００１７】
すなわち、本発明のイオン源装置は、前記中間電極が、前記プラズマ室内のプラズマ密度の高領域部分の厚みが前記プラズマ密度の低領域部分の厚みよりも薄く形成されていることを特徴としている。
【００１８】
さらに、本発明者らの研究結果により、特許文献１のように引出孔の孔面積を実質的に小さくした場合であっても、中間電極の厚みを適宜調整することにより、広範なプラズマ密度領域でイオンビームの電流密度分布の精細な制御を行なうことができる。すなわち、中間電極の厚みを引出孔の孔径に応じて選定することにより、均一な電流密度分布を有するイオンビームを得ることが可能となる。
【００１９】
そこで、本発明のイオン源装置は、前記中間電極の厚みが、前記引出孔の孔径に応じて設定されることを特徴としている。
【００２０】
また、本発明に係る電子部品の製造方法は、上記イオン源装置を使用して部品素子の表面に加工処理を施し、電子部品を製造することを特徴としている。
【発明の効果】
【００２１】
上記イオン源装置によれば、前記引出孔に対応して多数の引出孔が設けられた中間電極が、前記複数の引出電極間に介装されており、また、該中間電極が、プラズマ室内のプラズマ密度に応じて異なる厚みに形成されているので、イオンビームの発散性を容易に制御することができ、プラズマ室内でプラズマ密度に差異がある場合であっても引出孔から引き出されるイオンビームの電流密度を容易に均一化することができる。
【００２２】
また、複数の引出電極が、前記プラズマ室の上面に設けられた第１の引出電極と、一定の離間距離を有して前記第１の引出電極と対向状に配された第２の引出電極とからなり、前記中間電極は、前記第１の引出電極と電気的に接続された構成とすることにより、上記効果を容易に奏することができる。
【００２３】
また、上記イオン源装置によれば、前記中間電極が、前記プラズマ室内のプラズマ密度の高領域部分の厚みが前記プラズマ密度の低領域部分の厚みよりも薄く形成されているので、プラズマ密度の高領域部分の引出孔から引き出されたイオンビームは十分な発散性を有し、周縁部のイオンビームと重なり合うことにより、イオンビームの電流密度を容易に均一化させることが可能となる。
【００２４】
また、中間電極の厚みは、前記引出孔の孔径に応じて設定されるので、孔径が小さい場合であっても、中間電極の厚みを適宜調整することにより、広範なプラズマ密度領域でイオンビームの電流密度分布の精細な制御を行なうことができ、均一な電流密度分布を有するイオンビームを得ることが可能となる。
【００２５】
また、上記電子部品の製造方法によれば、上記イオン源装置を使用して部品素子の表面に加工処理を施し、電子部品を製造するので、均一な電流密度分布を有するイオンビームを使用して所望の表面加工処理を行なうことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
次に、本発明の実施の形態を図面に基づき詳説する。
【００２７】
図１は本発明に係るイオン源装置の一実施の形態を示す概略構成図であって、該イオン源装置は、電離用ガス（例えば、アルゴンガス）を供給するためのガス供給口１が下部適所に形成されたプラズマ室２と、該プラズマ室２に周設された複数のマグネット３と、絶縁支持体４を介してプラズマ室２内に導入されたフィラメント５と、プラズマ室２のイオン引出口に配設され、多数の引出孔６ａが設けられた正極としての遮蔽グリッド（第１の引出電極）６と、該遮蔽グリッド６と一定の離間距離を有して配設されると共に多数の引出孔７ａが設けられた負極としての加速グリッド（第２の引出電極）７と、前記遮蔽グリッド６に対応して多数の引出孔８ａが形成されると共に前記遮蔽グリッド６の上面に密着された中間グリッド（中間電極）８とを備えている。該中間グリッド８は、遮蔽グリッド６と電気的に接続され、該遮蔽グリッド６と前記中間グリッド８とは同電位とされている。
【００２８】
また、前記複数のマグネット３は、隣接するマグネット間で、例えばカスプ磁場に代表されるプラズマ閉じ込めのための磁場を形成している。
【００２９】
このように構成されたイオン源装置においては、フィラメント５からの加速された熱電子がガス供給口１からの電離用ガスと衝突し、正イオンと電子とからなるプラズマ９が生成され、このプラズマ９は各マグネット３により形成されたカスプ磁場によりプラズマ室２の中央部に閉じ込められる。
【００３０】
そして、遮蔽グリッド６（中間グリッド８）と加速グリッド７との間に電圧（以下、「電極間電圧」という）が印加されると負極である加速グリッド７によって正イオンのみがプラズマ室２から引き出され、正イオンのみが存在するシースが形成される。すなわち、正イオンのみが加速グリッド７に向かって加速され、加速グリッド７の引出孔７ａからイオンビームとして引き出されて放出される。
【００３１】
そして、本実施の形態では、遮蔽グリッド６と加速グリッド７との間に中間グリッド８が介装され、これによりイオンビームの発散性を変えることができ、また、各孔に対応したプラズマ密度に応じて前記中間グリッド８の厚みｔを異ならせることにより、イオンビームの発散性を制御することができ、これによりイオンビームの電流密度を均一化することができるという知見を得たことから、プラズマ密度に応じて厚みｔを異ならせた中間グリッド８を遮蔽グリッド６の上面に密着させている。
【００３２】
図２は引出孔の孔中心部におけるプラズマ密度とイオンビームの電流密度との関係を示す特性図であって、□印は中間グリッド８が設けられていない場合（厚み：０）を示し、△印は中間グリッド８の厚みが０．３ｍｍ、◇印は中間グリッド８の厚みが０．４ｍｍの場合をそれぞれ示している。
【００３３】
ここで、横軸はプラズマ密度（個／ｍ３）、縦軸はイオンビームの電流密度（Ａ／ｍｍ２）であり、８００Ｖの電極間電圧が印加された場合を示している。
【００３４】
また、図３〜図５は、各中間グリッド８の厚みｔにおけるイオンビームの電流密度分布（ビーム電流密度分布）の一例を示した特性図であって、孔中心部からの偏位とイオンビームの電流密度との関係を示している。すなわち、図３は中間グリッド８が設けられていない場合のビーム電流密度分布の一例を示し、図４は中間グリッド８の厚みが０．３ｍｍの場合のビーム電流密度分布の一例を示し、図５は中間グリッド８の厚みが０．４ｍｍの場合のビーム電流密度分布の一例を示している。また、横軸は孔中心部を「０」とした場合の孔中心部からの偏位（ｍｍ）、縦軸はイオンビームの電流密度（Ａ／ｍｍ２）である。
【００３５】
図２から明らかなように、中間グリッド８が設けられていない場合（□印）は、プラズマ密度が約７．０×１０１７個／ｍ３未満の低密度領域ではイオンビームの電流密度は８．３〜９．０×１０−７Ａ／ｍｍ２の範囲にあるが、プラズマ密度が約７．０×１０１７個／ｍ３以上の高密度領域になるとイオンビームの電流密度が急激に低下し、プラズマ密度が１．０×１０１８個／ｍ３程度になると、電流密度は４．２×１０−７Ａ／ｍｍ２程度にまで低下する。
【００３６】
しかも、図３から明らかなように、ビーム電流密度も、中心部が約９．０×１０−７Ａ／ｍｍ２の場合、周縁部では約６．３×１０−７Ａ／ｍｍ２まで低下し、ビーム電流密度のバラツキも大きい。
【００３７】
これに対し遮蔽グリッド６の上面に中間グリッド８を密着させた場合は、図２に示すように、イオンビームの電流密度は、プラズマ密度の広範な領域において、例えば、中間グリッド８の厚みが０．３ｍｍの場合は７．０〜８．３×１０−７Ａ／ｍｍ２の範囲に抑制され、中間グリッド８の厚みｔが０．４ｍｍの場合は５．９〜７．９×１０−７Ａ／ｍｍ２の範囲に抑制されている。また、ビーム電流密度も、中間グリッド８の厚みｔが０．３ｍｍのときは、図４から明らかなように、中心部で約８．０×１０−７Ａ／ｍｍ２の場合は、周縁部で６．０×１０−７Ａ／ｍｍ２であり、中間グリッド８の厚みｔが０．４ｍｍのときは、図５から明らかなように、中心部で７．０×１０−７Ａ／ｍｍ２の場合は、周縁部で５．９×１０−７Ａ／ｍｍ２（図５）であり、ビーム電流密度のバラツキも抑制されている。
【００３８】
このように遮蔽グリッド６の上面に中間グリッド８を密着させて電極間距離を実質的に短くすることにより、イオンビームの電流密度を変えることができ、また、中間グリッド８の厚みｔを異ならせることにより、イオンビームの電流密度特性を異ならせることができることから、該中間グリッド８の厚みｔをプラズマ密度に応じて適宜選定することにより、均一な電流密度を有するイオンビームを得ることができる。
【００３９】
図６は、中間グリッド８の厚みとイオンビームの電流密度との関係を模式的に示した図である。
【００４０】
図６（ａ）に示すように、プラズマ放出面９ａが平面状となるように中間グリッド８の厚みをｔ１に設定し、電極間電圧を印加すると、プラズマ室２内に閉じ込められているプラズマ中から正イオンのみが引き出され、これにより正イオンのみが存在するシースが形成されると共に、引出孔６ａ〜８ａからは大量のイオンビームが引き出されて放出される。
【００４１】
そして、このとき正イオンはプラズマ放出面９ａに対して法線方向に放出されるため、イオンビーム量の発散性は小さく、多くのイオンビームが上方に放出される。
【００４２】
しかるに、図６（ｂ）に示すように、中間グリッド８の厚みをｔ１より薄いｔ２にすると、プラズマ放出面９ａは引出孔６ａから凸状に飛び出した形状となる。すなわち、加速グリッド７とプラズマ放出面９ａの中心部との間で定義されるシース距離Ｄｓは、数式（１）で表される。
【００４３】
Ｄｓ＝７．６×１０２・ｎ−１／２・Ｔｅ−１／４・Ｖ３／４…（１）
ここで、ｎはプラズマ密度、Ｔｅは電子の温度、Ｖは電極間電圧である。
【００４４】
そして、中間グリッド８の厚みをｔ１からｔ２に薄くすることにより、電極間距離はＬ１からＬ２となって実質的に長くなる。
【００４５】
一方、中間グリッド８と遮蔽グリッド６とは同電位であることから、電極間電圧Ｖは図６（ａ）と同一であり、したがって、数式（１）よりシース距離Ｄｓは変動しない。つまり、シース距離Ｄｓに変動は生じず、電極間距離がＬ１からＬ２に長くなることから、プラズマ放出面９ａは、必然的に凸状となる。そして、上述したように正イオンはプラズマ放出面９ａから法線方向に放出されるため、イオンビームの発散角が大きくなって発散性が増大し、イオンビームは放射状に拡散され、イオンビームの電流密度を低下させることができる。
【００４６】
一方、図６（ｃ）に示すように、中間グリッド８の厚みをｔ１より厚いｔ３にした場合は、中間グリッド８と遮蔽グリッド６とは同電位であり、シース距離Ｄｓが変動せず、電極間距離のみがＬ１からＬ３に短くなることから、プラズマ放出面９ａは、必然的に凹状に窪んだ状態となる。そして、上述したように正イオンはプラズマ放出面９ａから法線方向に放出されるため、イオンビームは収束状態で引き出されることになるが、空間電荷制限により引出量が制限されるため、イオンビームの電流密度は低下する。
【００４７】
このように中間グリッド８の厚みｔをプラズマ密度に応じて異ならせることにより、電極間距離Ｌのみが実質的に変動する一方、シース距離Ｄｓが不変であることから、プラズマ放出面９ａの形状を平面状から凸状や凹状に変化させることができ、これによりイオンビームの発散性が変化し、イオンビームの電流密度が均一となるように制御することができる。
【００４８】
例えば、プラズマ室２の中央部におけるプラズマ密度が周縁部のプラズマ密度よりも高い場合は、中央部における電極間距離を周縁部における電極間距離よりも長くすることにより、中央部からのイオンビームの発散性を高める一方、周縁部からのイオンビームの発散性を弱めることにより均一な電流密度分布を有するイオンビームを得ることができる。
【００４９】
図７は、プラズマ室２内のプラズマ密度が中央部は高く、周縁部が低い場合であって、周縁部における中間グリッド８の厚みをｔ１、中央部における中間グリッド８の厚みをｔ１より薄いｔ２とした場合を示している。
【００５０】
この図７では電極間距離Ｌ１である周縁部からは発散角の小さいイオンビームが引出孔７ａから放出される一方、電極間距離Ｌ２である中央部のプラズマ放出面は凸状となって発散角の大きなイオンビームが引出孔７ａから放出され、これによりイオンビームの電流密度の均一化を図ることができる。
【００５１】
また、イオンビームの電流密度分布はプラズマ密度の他、引出孔の孔径によっても影響を受けるが、本発明では中間グリッド８の厚みを異ならせることにより、電極間距離を変え、これによりイオンビームの発散性を制御しているので、常に均一な電流密度を有するイオンビームを得ることができる。
【００５２】
図８は引出孔６ａ〜８ａの孔径をパラメータとし、プラズマ密度とイオンビームの電流密度との関係を示した特性図である。横軸がプラズマ密度（個／ｍ３）、縦軸がイオンビーム電流密度（Ａ／ｍｍ２）であり、△印は孔径が１．１ｍｍ、□印は孔径が１．３ｍｍの場合を示している。また、各電流密度は、電極間電圧が８００Ｖの場合のピーク値を示している。
【００５３】
この図８から明らかなようにプラズマ密度が７．０×１０１７個／ｍ３以下の領域（ａ領域）では孔径に略比例して電流密度が変化し、孔径を小さくすることにより電流密度を小さくすることができるが、プラズマ密度が７．０×１０１７個／ｍ３を超える領域（ｂ領域）では孔径が１．３ｍｍの場合は電流密度の低下が顕著となり、プラズマ密度が７．５×１０１７個／ｍ３以上になると、孔径が１．１ｍｍの場合よりもイオンビームの電流密度は小さくなる。
【００５４】
すなわち、ａ領域では孔径を小さくすることによってイオンビームの電流密度が小さくなり、したがってイオンビームは収束状態で引き出されることとなるが、この場合は、例えば、図６の電極間距離をＬ３の状態からＬ１の状態に短くすることにより、イオンビームの電流密度を大きくすることができる。
【００５５】
一方、ｂ領域では孔径を小さくすることによりイオンビームの電流密度が大きくなるが、この場合は、例えば、図６の電極間距離をＬ１の状態からＬ２の状態に長くすることにより、発散性を高めることができ、これによりイオンビームの電流密度を小さくすることができる。
【００５６】
このように本発明によれば、グリッド電極８の厚みｔと孔径の組み合わせを孔毎に変更することによって、より高精度にイオンビームの電流密度を均一化することが可能となる。
【００５７】
図９は上記イオン源装置を使用して電子部品としての弾性表面波フィルタを製造する様子を模式的に示した図である。
【００５８】
すなわち、イオン源装置から放出されたイオンビームは、加速グリッド７から近距離（例えば、約２５ｍｍ）に配されたフィルタ素子１０に照射され、これによりフィルタ素子１０の表面に形成されている導電部（不図示）にエッチング加工を施すことができ、所望の周波数調整がなされた弾性表面波フィルタを製造することができる。
【００５９】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。図７では中央部のプラズマ密度が周縁部のプラズマ密度よりも高い場合について図示したが、周縁部のプラズマ密度が中央部のプラズマ密度よりも高い場合についても、中間グリッドの厚みを、イオンビームの発散状態を考慮しつつプラズマ密度に応じて決定することにより、イオンビームの電流密度の均一化を図ることができる。すなわち、この場合は、周縁部における電極間距離を中央部における電極間距離よりも長くするか、或いは、中央部における電極間距離を前記周縁部における電極間距離よりも短くすることにより、イオンビームの電流密度の均一化を図ることができる。すなわち、前者の場合は、周縁部からのイオンビームを十分に発散させて電流密度を低下させることにより、電流密度の均一化を図ることができ、後者の場合は、中央部からのイオンビームを収束状態で引き出して放出量が低下するのを避けることにより、均一な電流密度を有するイオンビームを得ることができる。
【００６０】
また、上記実施の形態では、遮蔽グリッド６を正極、加速グリッド７を負極とし、引出孔６ａ、７ａから正イオンを引き出す場合について述べたが、遮蔽グリッド６を負極、加速グリッド７を正極とし、引出孔６ａ、７ａから負イオンを引き出す場合についても同様に適用することができるのはいうまでもない。
【００６１】
また、上記実施の形態では、フィラメントから放出される電子の衝突でガスを電離してプラズマを生成しているが、プラズマ生成方式はＲＦ放電を用いたプラズマ生成方式等、他の方式であってもよく、プラズマ中からグリッドを用いてイオンを引き出すイオンガンタイプであれば、同様に適用することができるのはいうまでもない。
【００６２】
また、上記実施の形態では、中間グリッド８と遮蔽グリッド６とを別体とし、中間グリッド８を遮蔽グリッド６に密着させているが、遮蔽グリッドにエッチング加工等を施し、遮蔽グリッドと中間グリッドとを一体に形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明に係るイオン源装置の一実施の形態を示す概略構成図である。
【図２】引出孔の孔中心部におけるプラズマ密度とイオンビームの電流密度との関係を中間グリッドの厚みをパラメータとして示した特性図である。
【図３】中間グリッドが設けられていない場合の最大電流密度における孔中心部からの偏位とイオンビームの電流密度との関係を示した特性図である。
【図４】中間グリッドの厚みが０．３ｍｍの場合の最大電流密度における孔中心部からの偏位とイオンビームの電流密度との関係を示した特性図である。
【図５】中間グリッドの厚みが０．４ｍｍの場合の最大電流密度における孔中心部からの偏位とイオンビームの電流密度との関係を示した特性図である。
【図６】電極間距離とイオンビーム量及び発散性を模式的に示した図である。
【図７】上記イオン源装置を使用した場合のイオンビームの電流密度分布の一例を模式的に示した図である。
【図８】プラズマ密度とイオンビームの電流密度との関係を、引出孔の孔径をパラメータとして示した図である。
【図９】上記イオン源装置を使用して電子部品としての弾性表面波フィルタを製造している様子を模式的に示した斜視図である。
【符号の説明】
【００６４】
２  プラズマ室
６  遮蔽グリッド（第１の引出電極）
６ａ  引出孔
７  加速グリッド（第２の引出電極）
７ａ  引出孔
８  中間グリッド（中間電極）
９  プラズマ
１０  フィルタ素子（部品素子）
【図１】
2005183331.tif 000003
【図２】
2005183331.tif 000004
【図３】
2005183331.tif 000005
【図４】
2005183331.tif 000006
【図５】
2005183331.tif 000007
【図６】
2005183331.tif 000008
【図７】
2005183331.tif 000009
【図８】
2005183331.tif 000010
【図９】
2005183331.tif 000011