(57)【要約】【課題】  保護層に依らず、配線電極の構造のみで配線電極間のマイグレーションを防止する。【解決手段】  互いに近接した少なくとも２本の配線電極１１を絶縁性の基板１０上に形成した配線基板１であって、配線電極１１は、マイグレーションを生じ易い金属が含まれる低抵抗配線部分１１ａと、低抵抗配線部分１１ａに導通して低抵抗配線部分１１ａと他の配線電極との間の基板１０上に形成される配線領域１１ｂとを有し、配線領域１１ｂ（１２ｂ〜２２ｂ）はマイグレーションを生じ易い金属が含まれない材料で形成されている。【選択図】図１
2005243793.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに近接した少なくとも２本の配線電極を絶縁性の基板上に形成した配線基板であって、
前記配線電極の少なくとも一方は、マイグレーションを生じ易い金属が含まれる低抵抗配線部分と、該低抵抗配線部分に導通して少なくとも該低抵抗配線部分と他の配線電極との間の前記基板上に形成される配線領域とを有し、該配線領域はマイグレーションを生じ易い金属が含まれないことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記配線領域は、前記低抵抗配線部分に沿って形成された線状パターンを有することを特徴とする請求項１に記載された配線基板。
【請求項３】
前記配線領域は、前記２本の配線電極のそれぞれに互いに向き合うように形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載された配線基板。
【請求項４】
前記配線領域は、前記低抵抗配線部分の両側に形成されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載された配線基板。
【請求項５】
前記配線領域は、前記低抵抗配線部分と部分的に接続される接続部を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載された配線基板。
【請求項６】
前記接続部は、前記配線電極の配列方向で互いに隣り合った接続部の位置が、前記配線電極に沿った同列位置に並ばないように形成されることを特徴とする請求項５に記載された配線基板。
【請求項７】
前記接続部は、一つの前記配線領域に対して複数形成されることを特徴とする請求項５又は６に記載された配線基板。
【請求項８】
前記配線領域は、前記配線電極に沿って部分的に形成されることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載された配線基板。
【請求項９】
前記配線電極は、前記低抵抗配線部分を形成する第１の電極層と前記配線領域を形成する第２の電極層とを有することを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載された配線基板。
【請求項１０】
前記配線電極は、前記第１の電極層を前記第２の電極層で覆うように形成されることを特徴とする請求項９に記載された配線基板。
【請求項１１】
前記配線電極は、前記基板上に形成された前記第２の電極層上に直接又は他の層を介して前記第１の電極層を積層して形成することを特徴とする請求項９又は１０に記載された配線基板。
【請求項１２】
前記第２の電極層は、前記第１の電極層に対して幅広に形成されることを特徴とする請求項１１に記載された配線基板。
【請求項１３】
前記マイグレーションを生じ易い金属は、Ａｇ（銀），Ｃｕ（銅），Ｓｎ（錫），Ｐｂ（鉛）の中の一つ又は複数であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載された配線基板。
【請求項１４】
前記低抵抗配線部分には銀パラジウム（ＡｇＰｄ）合金が含まれていることを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載された配線基板。
【請求項１５】
互いに近接した少なくとも２本の配線電極を絶縁性の基板上に形成した配線基板の形成方法であって、
前記配線電極の少なくとも一方には、マイグレーションを生じ易い金属が含まれる低抵抗配線部分が形成されると共に、少なくとも該低抵抗配線部分と他の配線電極との間の前記基板上に前記低抵抗配線部分に導通する配線領域が形成され、該配線領域はマイグレーションを生じ易い金属が含まれない材料で形成されることを特徴とする配線基板の形成方法。
【請求項１６】
前記低抵抗配線部分を形成する第１の電極層を成膜して、前記低抵抗配線部分をパターニングする工程と、前記配線領域を形成する第２の電極層を成膜して、前記配線領域をパターニングする工程とを有することを特徴とする請求項１５に記載された配線基板の形成方法。
【請求項１７】
前記基板上に前記配線領域を形成する第２の電極層を成膜して、前記配線領域をパターニングする工程の後、前記第２の電極層の上に直接又は他の層を介して前記低抵抗配線部分を形成する第１の電極層を成膜して、前記低抵抗配線部分をパターニングすることを特徴とする請求項１５又は１６に記載された配線電極の形成方法。
【請求項１８】
一対の電極の間に有機発光機能層を含む有機材料層を挟持して絶縁性の基板上に複数の有機ＥＬ素子を形成し、前記一対の電極から引き出された配線電極を前記基板上に形成した有機ＥＬパネルであって、
前記配線電極は互いに近接した少なくとも２本の配線電極を有し、該配線電極の少なくとも一方は、マイグレーションを生じ易い金属が含まれる低抵抗配線部分と、該低抵抗配線部分に導通して少なくとも該低抵抗配線部分と他の配線電極との間の前記基板上に形成される配線領域とを有し、該配線領域はマイグレーションを生じ易い金属が含まれないことを特徴とする有機ＥＬパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、配線基板の形成方法、有機ＥＬパネルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器或いは電子部品の小型化及び高性能化の要求に応じるために配線の高密度化，低抵抗化が進められているが、これに合わせてマイグレーション（migration）による性能低下や故障の問題が顕在化してきた。ここでいうマイグレーションとは、配線電極を形成する金属（金属イオン）が隣接する配線電極間に形成される電界によって絶縁基板の表面又は内部を経時的に移動して、電気的に絶縁しているはずの配線電極間を導通させてしまう現象を言う。
【０００３】
このマイグレーションは、配線電極間を近接させて、低抵抗材料として知られる銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ），錫（Ｓｎ），鉛（Ｐｂ）等の金属またはこれらの金属を含む合金を電極材料として用いる場合に発生し易いことが確認されている。したがって、配線電極の高密度化と低抵抗化（高性能化）を進める際に、マイグレーションの防止は避けて通れない重要な課題になっている。
【０００４】
そして、高精細な画像表示を目標に開発が進められている表示装置にあっては、各画素を駆動するために引き出された配線電極が高密度化の傾向にある。また特に、有機ＥＬパネルのような電流駆動の表示パネルでは、駆動電流の大小によって発光特性が変化してしまい表示性能に大きな影響を与えるので、表示性能を向上させるためには配線電極を低抵抗にする必要がある。このため、有機ＥＬパネルにおいては、高密度化された配線電極に銀パラジウム（ＡｇＰｄ）合金等のマイグレーションを生じ易い低抵抗材料を用いることがなされており、前述したマイグレーションを防止することが有機ＥＬパネルにおける重要な課題になっている。
【０００５】
マイグレーションの防止策としては各種の提案が為されている。例えば下記特許文献１，２においては、配線基板の上面に、銀、アルミニウム或いはこれらの金属の合金を含む複数個の配線導体を１０μｍ〜１００μｍの間隔を空けて並設すると共に、これら配線導体をエポキシ樹脂を主成分とする絶縁性の保護層で共通に被覆し、この保護層の中に０．５μｍ〜５．０μｍの特定樹脂フィラーを特定配分で含有させることが開示されている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−２３７５２３号公報
【特許文献２】特開２００１−３３９１４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前述した従来技術によると、保護層内で特定樹脂フィラーを特定配分で含有させる必要があるので、保護層の形成が煩雑であると同時にコスト高になってしまうという問題がある。
【０００８】
また、最近の研究では、マイグレーションを生じ易い金属（銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ），錫（Ｓｎ），鉛（Ｐｂ）等）と絶縁性材料が直接接触することがマイグレーションの発生要因の一つであるとも言われており、絶縁性の保護層によって配線電極を覆うことが有効なマイグレーション防止にならないことも懸念されている。
【０００９】
本発明は、このような問題に対処することを課題の一例とするものである。すなわち、煩雑な保護層の形成を行うことなく、配線電極の構造のみで確実に配線電極間のマイグレーションを防止すること、更には、マイグレーションの防止によって有機ＥＬパネル等の表示装置の高性能化を達成できること等が本発明の目的である。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
このような目的を達成するために、本発明は、以下の各独立請求項に係る構成を少なくとも具備するものである。
【００１１】
［請求項１］互いに近接した少なくとも２本の配線電極を絶縁性の基板上に形成した配線基板であって、前記配線電極の少なくとも一方は、マイグレーションを生じ易い金属が含まれる低抵抗配線部分と、該低抵抗配線部分に導通して少なくとも該低抵抗配線部分と他の配線電極との間の前記基板上に形成される配線領域とを有し、該配線領域はマイグレーションを生じ易い金属が含まれないことを特徴とする配線基板。
【００１２】
［請求項１５］互いに近接した少なくとも２本の配線電極を絶縁性の基板上に形成した配線基板の形成方法であって、前記配線電極の少なくとも一方には、マイグレーションを生じ易い金属が含まれる低抵抗配線部分が形成されると共に、少なくとも該低抵抗配線部分と他の配線電極との間の前記基板上に前記低抵抗配線部分に導通する配線領域が形成され、該配線領域はマイグレーションを生じ易い金属が含まれない材料で形成されることを特徴とする配線基板の形成方法。
【００１３】
［請求項１８］一対の電極の間に有機発光機能層を含む有機材料層を挟持して絶縁性の基板上に複数の有機ＥＬ素子を形成し、前記一対の電極から引き出された配線電極を前記基板上に形成した有機ＥＬパネルであって、前記配線電極は互いに近接した少なくとも２本の配線電極を有し、該配線電極の少なくとも一方は、マイグレーションを生じ易い金属が含まれる低抵抗配線部分と、該低抵抗配線部分に導通して少なくとも該低抵抗配線部分と他の配線電極との間の前記基板上に形成される配線領域とを有し、該配線領域はマイグレーションを生じ易い金属が含まれないことを特徴とする有機ＥＬパネル。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。図１〜３，図５〜７は本発明の一実施形態に係る配線基板の構成例を示す説明図（断面図）である。これらの図に示した配線基板１は、互いに近接した少なくとも２本の配線電極を絶縁性の基板１０上に形成したものである。以下の説明では、２本の配線電極を示して説明しているが、これによって多数本の配線電極を同様に説明できることは言うまでもない。
【００１５】
そして、本発明の実施形態では、図１に示すように、この配線基板１における配線電極１１，１１の少なくとも一方は、マイグレーションを生じ易い金属（例えば、Ａｇ（銀），Ｃｕ（銅），Ｓｎ（錫），Ｐｂ（鉛）の中の一つ又は複数）が含まれる低抵抗配線部分１１ａと、この低抵抗配線部分１１ａに導通して少なくとも低抵抗配線部分１１ａと他の配線電極との間の基板１０上に形成される配線領域１１ｂとを有し、この配線領域１１ｂはマイグレーションを生じ易い金属が含まれないことを特徴としている。図１の実施形態では、配線電極１１，１１の両方に配線領域１１ｂを設けているが、これに限らず、配線電極１１，１１の一方に配線領域１１ｂを設けたものであっても良い。
【００１６】
図２及び図３は、本発明の実施形態に係る配線基板１の変形例を示したものである。本発明の実施形態に係る配線基板１は、図２に示すように、配線電極１２１，１２２の両方に、マイグレーションを生じ易い金属が含まれる低抵抗配線部分１２ａとマイグレーションを生じ易い金属が含まれない配線領域１２ｂを設けて、この配線領域１２ｂを低抵抗配線部分１２ａに対する同方向の片側のみに設けるようにしても良いし、或いは、図３に示すように、配線電極１３１，１３２の両方に、マイグレーションを生じ易い金属が含まれる低抵抗配線部分１３ａとマイグレーションを生じ易い金属が含まれない配線領域１３ｂを設けて、この配線領域１３ｂを低抵抗配線部分１３ａに対する異なる方向の片側のみに設けて、配線領域１３ｂが、２本の配線電極１３１，１３２間でそれぞれ互いに向き合うように形成するようにしても良い。
【００１７】
図４は、このような実施形態に係る配線基板１の作用を示す説明図であって、配線電極１１，１１間の電位差状態を示す線図である。このような実施形態に係る配線基板１では、図示のように、２つの配線電極１１，１１間に電位差が生じた場合にも、マイグレーションを生じ易い金属が含まれる低抵抗配線部分１１ａとマイグレーションを生じ易い金属が含まれない配線領域１１ｂが同電位になることで、マイグレーションを生じ易い金属の金属イオン（例えば、Ａｇ＋）が配線電極１１，１１間の電界勾配Ｅａに関わることが無い。したがって、電界勾配Ｅａによる金属イオンの移動を抑制することが可能になり、マイグレーション現象を効果的に防止することができる。この作用は、図３に示した実施形態における配線電極１３１，１３２間でも同様である。
【００１８】
また、図２に示した実施形態のように、２つの配線電極１２１，１２２間の一方側のみに配線領域１２ｂが形成される場合であっても、前述と同様の作用で少なくとも配線電極１２１側から配線電極１２２側に移動する金属イオンを抑制することができるので、一定のマイグレーション防止効果が期待できる。また両配線電極１２１，１２２間の電位差状態が画一的（相当の比率で配線電極側１２１が高電位）な場合等には、このような配線領域１２ｂの配置であっても、効果的にマイグレーション現象を防止することができる。
【００１９】
図５〜図７は、本発明の更に具体的な実施形態を示す説明図（断面図）である。これらの実施形態では、前述したマイグレーションを生じ易い金属が含まれる低抵抗配線部分１４ａ，１５ａ，１６ａを第１の電極層１４Ａ，１５Ａ，１６Ａで形成しており、前述したマイグレーションを生じ易い金属が含まれない配線領域１４ｂ，１５ｂ，１６ｂを第２の電極層１４Ｂ，１５Ｂ１，１５Ｂ２，１６Ｂで形成している。
【００２０】
具体的に説明すると、図５の実施形態に係る配線基板１では、配線電極１４，１４は、低抵抗配線部分１４ａを形成する第１の電極層１４Ａと配線領域１４ｂを形成する第２の電極層１４Ｂとを有し、基板１０上に形成された第２の電極層１４Ｂ上に第１の電極層１４Ａを積層して形成したものである。また、第２の電極層１４Ｂは第１の電極層１４Ａに対して幅広に形成したものである。図示の例では、第２の電極層１４Ｂ上に直接第１の電極層１４Ａを積層しているが、これに限らず、第２の電極層１４Ｂと第１の電極層１４Ａとの間に他の層を介して積層したものであっても良い。
【００２１】
また、図６の実施形態に係る配線基板１では、配線電極１５，１５は、基板１０上に形成された第２の電極層１５Ｂ１上に低抵抗配線部分１５ａを形成する第１の電極層１５Ａを積層して形成したところまでは前述した図５の実施形態と同様であるが、更に、マイグレーションを生じ易い金属が含まれない第２の電極層１５Ｂ２をその上に積層して、第１の電極層１５Ａを第２の電極層１５Ｂ２で覆うように形成している。
【００２２】
また、図７の実施形態に係る配線基板１では、配線電極１６，１６は、基板１０上に低抵抗配線部分１６ａを形成する第１の電極層１６Ａを形成して、マイグレーションを生じ易い金属が含まれない第２の電極層１６Ｂをその上に積層しており、第１の電極層１６Ａを第２の電極層１６Ｂで覆うように形成している。
【００２３】
このような実施形態では、一方の配線電極と他方の配線電極における低抵抗配線部分１４ａ，１５ａ，１６ａ間の基板１０上に、マイグレーションを生じ易い金属が含まれない配線領域１４ｂ，１５ｂ，１６ｂが形成されることになり、前述したように、両電極間に電位差が生じた場合にもマイグレーションを生じ易い金属イオンの移動を抑制することができ、効果的にマイグレーション現象による配線電極間の短絡等の不具合を防止することができる。
【００２４】
図８〜１０，図１２〜１４は、本発明の実施形態に係る配線基板を説明する説明図であって、各配線電極のパターン構成を示す平面図である。ここに示した配線電極のパターン構成は、前述した配線領域が前述した低抵抗配線部分に沿って形成された線状パターンを有する構成になっているが、本発明の実施形態としては、特にこれに限定されるものではない。また、以下に示す実施形態の配線電極は、図１〜３，図５〜７に示した断面構造の何れかによって形成することができる。
【００２５】
図８に示す実施形態では、配線電極１７は、マイグレーションを生じ易い金属が含まれる低抵抗配線部分１７ａに対して、これに沿って線状パターンが形成され、この線状パターンによってマイグレーションを生じ易い金属を含まない配線領域１７ｂを形成している。ここでは、配線領域１７ｂが、配線電極１７間で互いに向き合うように、且つ低抵抗配線部分１７ａと平行に形成されている。更には、一つの配線領域１７ｂは、低抵抗配線部分１７ａとの間に間隙が形成されており、低抵抗配線部分１７ａと部分的に接続される接続部Ｓを複数有している。
【００２６】
図９に示す実施形態では、配線電極１８は、図８の実施形態と同様に、マイグレーションを生じ易い金属が含まれる低抵抗配線部分１８ａに対して、これに沿って線状パターンが形成され、この線状パターンによってマイグレーションを生じ易い金属を含まない配線領域１８ｂを形成している。また、配線領域１８ｂが、配線電極１８間で互いに向き合うように、且つ低抵抗配線部分１８ａと平行に形成されている。更には、配線領域１８ｂは、低抵抗配線部分１８ａとの間に間隙が形成されており、低抵抗配線部分１８ａと部分的に接続される接続部Ｓ１，Ｓ２を有している。また、配線電極１８の配列方向で互いに隣り合った接続部Ｓ１，Ｓ２の位置が、配線電極１８に沿った同列位置に並ばないように形成されている。
【００２７】
図１０に示す実施形態では、配線電極１９は、図８及び図９の実施形態と同様に、マイグレーションを生じ易い金属が含まれる低抵抗配線部分１９ａに対して、これに沿って線状パターンが形成され、この線状パターンによってマイグレーションを生じ易い金属を含まない配線領域１９ｂを形成している。ここでは、配線領域１９ｂが、配線電極１９間で低抵抗配線部分１９ａの片側のみに形成されている。更には、配線領域１９ｂは、低抵抗配線部分１９ａとの間に間隙が形成されており、低抵抗配線部分１９ａと部分的に接続される接続部Ｓを有している。
【００２８】
図１１は、このような実施形態における配線電極間の電位差状態を示す線図である。このような実施形態において配線電極間に電位差が生じた場合には、例えば、図８におけるＸ１−Ｘ１線上の電位差状態は図４に示す状態と同様になるが、図８におけるＸ２−Ｘ２線上の電位差状態は、図１１（ａ）のようになり、図９におけるＸ３−Ｘ３線上の電位差状態は、図１１（ｂ）のようになる（図１１（ａ）においては左側の配線電極が高電位になった状態を示しており、図１１（ｂ）においては右側の配線電極が高電位になった状態を示している。）。
【００２９】
すなわち、これらの箇所（Ｘ２−Ｘ２線上或いはＸ３−Ｘ３線上）における電位差状態は、低抵抗配線部分１７ａ（又は１８ａ）と配線領域１７ｂ（又は１８ｂ）は等電位になるが、両者の間隙によって電位の凹凸部分が形成されることになり、低抵抗配線部分１７ａ（又は１８ａ）における金属イオン（例えば、Ａｇ＋）は、このような電位差の凹凸部分によって移動が抑制されることになる。これによってマイグレーションを生じ易い金属イオンが配線電極１７（１８）間の電界勾配Ｅａに関わることが無くなり、マイグレーション現象を効果的に防止することができる。
【００３０】
図８〜図１０に示した実施形態では、何れも低抵抗配線部分１７ａ〜１９ａと配線領域１７ｂ〜１９ｂとの間に間隔を形成したものを示しているが、本発明の実施形態に係る配線領域の線状パターンはこれに限定されるものではない。例えば、図１２に示すように、配線電極２０を低抵抗配線部分２０ａとマイグレーションを生じ易い金属を含まない配線領域２０ｂとで形成して、低抵抗配線部分２０ａと配線領域２０ｂとが広い領域で導通しているものであってもよい。この場合には、低抵抗配線部分２０ａの広い範囲で、図４で示した作用が得られることになる。
【００３１】
また、図８〜図１０に示した実施形態では、低抵抗配線部分１７ａ〜１９ａと配線領域１７ｂ〜１９ｂとの接続部を一つの配線領域に対して複数形成したものを示しているが、これに限らず、接続部を一つの配線領域に対して一箇所設けるものであっても良い。
【００３２】
図１３及び図１４は、配線電極のパターン構成に関する他の実施形態を示す説明図である。これらの実施形態では、配線電極２１（２２）を低抵抗配線部分２１ａ（２２ａ）とマイグレーションを生じ易い金属を含まない配線領域２１ｂ（２２ｂ）とで形成し、配線領域２１ｂ（２２ｂ）を線状パターンで低抵抗配線部分２１ａ（２２ａ）に沿って形成している点では、前述の実施形態と同様であるが、この実施形態は、配線領域２１ｂ（２２ｂ）を、配線電極２１（２２）に沿って部分的に形成したものである。
【００３３】
すなわち、この実施形態では、マイグレーションを生じ易い金属を含まない配線領域２１ｂ（２２ｂ）を、選択した箇所にのみ形成することができ、特にマイグレーションの起こり易い箇所を選択してそこに配線領域２１ｂ（２２ｂ）を形成することができる。マイグレーションの起こり易い箇所としては、接着剤を使用する箇所等を挙げることができる。図１３及び図１４の例では、配線電極２１（２２）が形成された基板上に封止基板等を貼り合わせる接着領域Ｍの帯状部分に合わせて、部分的に配線領域２１ｂ（２２ｂ）を形成した例を示している。
【００３４】
また、図１３に示す実施形態は、低抵抗配線部分２１ａの幅を均一にして、その両側又は片側に配線領域２１ｂを形成した例を示しており、図１４に示す実施形態では、配線領域２２ｂが形成される部分において低抵抗配線部分２２ａの幅を狭くして、配線電極２２の全体でほぼ幅が均一になるように形成した例を示している。このような実施形態によると、配線領域２２ａ，２２ｂを形成するためのパターニング領域を狭くできるので工程の簡略化が可能である。
【００３５】
前述した本発明の実施形態に係る配線基板１の形成方法は、各種の方法で実施可能である。要するに、配線電極に対して、前述したマイグレーションを生じ易い金属が含まれる低抵抗配線部分とマイグレーションを生じ易い金属を含まない配線領域とを形成する方法であれば、どのような形成方法であっても良い。
【００３６】
図５〜図７に示した実施形態を対象にして形成方法の具体例を示すと、低抵抗配線部分１４ａ，１５ａ，１６ａを形成する第１の電極層１４Ａ，１５Ａ，１６Ａを成膜して、この低抵抗配線部分１４ａ，１５ａ，１６ａをパターニングする工程と、配線領域１４ｂ，１５ｂ，１６ｂを形成する第２の電極層１４Ｂ，１５Ｂ，１６Ｂを成膜して、この配線領域１４ｂ，１５ｂ，１６ｂをパターニングする工程とを有する。
【００３７】
図５の実施形態においては、基板１０上に第２の電極層１４Ｂを成膜して、配線領域１４ｂをパターニングする工程の後、第２の電極層１４Ｂ上に直接又は他の層を介して第１の電極層１４Ａを成膜して、低抵抗配線部分１４ａをパターニングすることにより形成することができる。
【００３８】
図６の実施形態においては、基板１０上に第２の電極層１５Ｂ１を成膜して、配線領域１５ｂをパターニングする工程の後、第２の電極層１５Ｂ１上に直接又は他の層を介して第１の電極層１５Ａを成膜して、低抵抗配線部分１５ａをパターニングし、更に、第２の電極層１５Ｂ２を成膜して、配線領域１５ｂをパターニングすることにより形成することができる。
【００３９】
図７の実施形態においては、基板１０上に第１の電極層１６Ａを成膜して、低抵抗配線部分１６ａをパターニングする工程の後、この低抵抗配線部分１６ａを覆うように、第２の電極層１６Ｂを成膜して、配線領域１６ｂをパターニングすることにより形成することができる。
【実施例】
【００４０】
以下に、本発明の一実施例として、前述した実施形態に係る配線基板が適用される有機ＥＬパネルを示す。しかしながら、本発明の実施形態に係る配線基板又はその形成方法は、以下の用途に限定されるものではなく、他の電子機器や電子部品にも広く適用可能であることは言うまでもない。
【００４１】
図１５及び図１６は、本発明の実施例に係る有機ＥＬパネルを説明する説明図（断面図）である。図１５は図１６におけるＡ２−Ａ２断面図を示しており、図１６は図１５におけるＡ１−Ａ１断面図を示している。
【００４２】
図において、有機ＥＬパネル１００の基本構成は、第１電極３１と第２電極３２との間に有機発光機能層を含む有機材料層３３を挟持して基板１０上に複数の有機ＥＬ素子３０を形成したものである。図示の例では、基板１０上にシリコン被覆層１０ａを形成しており、その上に形成される第１電極３１をＩＴＯ等の透明電極からなる陽極に設定し、第２電極３２をＡｌ等の金属材料からなる陰極に設定して、基板１０側から光を取り出すボトムエミッション方式を構成している。また、有機材料層３３としては、正孔輸送層３３Ａ，発光層３３Ｂ，電子輸送層３３Ｃの３層構造の例を示している。そして、基板１０と封止部材４０とを接着層４１を介して貼り合わせることによって基板１０上に封止空間４０Ｓを形成し、封止空間４０Ｓ内に有機ＥＬ素子３０からなる表示部を形成している。
【００４３】
有機ＥＬ素子４０からなる表示部は、図示の例では、第１電極３１を絶縁層３４で区画すると共に、第２電極３２を陰極隔壁３５によって絶縁区画しており、区画された第１電極３１の下に各有機ＥＬ素子３０による単位表示領域（３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂ）を形成している。また、封止空間４０Ｓを形成する封止部材４０の内面には乾燥手段４２が取り付けられて、湿気による有機ＥＬ素子３０の劣化を防止している。
【００４４】
ここで、図１５は陰極となる第２電極３２の引出配線電極を示している（ここでは、この引出配線電極に、図５に示す配線電極１４を採用した例を示す。）。第２電極３２の引出配線電極には、第１電極３１と同材料，同工程で形成される配線領域１４ｂ（図示省略）を有する第２の電極層１４Ｂが、第１電極３１とは絶縁層３４で絶縁された状態でパターン形成されている。第２の電極層１４Ｂの引出部分には、銀パラジウム（ＡｇＰｄ：マイグレーションを生じ易い金属が含まれる材料）合金等を含む低抵抗配線部分１４ａを形成する第１の電極層１４Ａが形成されており、更にその上に、必要に応じてＩＺＯ等の保護被膜１４Ｃが形成されて、第２の電極層１４Ｂ，第１の電極層１４Ａ，保護被膜１４Ｃからなる配線電極１４が形成されている。そして、封止空間４０Ｓ内端部で第２電極３２の端部３２ａが配線電極１４に接続されている。
【００４５】
一方、図１６は陽極となる第１電極３１の引出配線電極を示している。第１電極３１の引出配線電極では、第１電極３１を延出して封止空間４０Ｓ外に引き出すことによって配線電極３１ａを形成している。ここでは、陽極側の引出配線電極にのみ本発明の実施形態に係る配線電極を採用しているが、陰極側の引出配線電極にのみ本発明の実施形態に係る配線電極を採用しても良いし、陽極側，陰極側の両方に採用しても良い。また、これらの引出配線電極の中から特定の配線電極を選択して本発明の実施形態に係る配線電極を採用しても良い。
【００４６】
更には、前述したように、配線電極１４における配線領域１４ｂは、一本の配線電極１４の全域に形成することもできるし、例えば、接着領域Ｍのみといった特定部分に部分的に形成することもできる。
【００４７】
このような本発明の実施例に係る有機ＥＬパネル１００によると、陰極側（或いは陽極側）から引き出された配線電極１４が近接配置され、配線電極１４の低抵抗化を図るためにマイグレーションを生じ易い金属が含まれる低抵抗配線部分１４ａが形成された場合にも、配線電極１４の周囲に生じた金属イオン（銀イオンＡｇ＋）が隣の配線電極に向かう電界勾配の上に乗ることがないので、マイグレーションによる配線電極間の短絡或いは配線電極を流れる電流の変動等の不具合を未然に回避することができる。
【００４８】
以下、本発明の実施例に係る有機ＥＬパネル１００の各構成要素について、更に具体的な構成を示す。
【００４９】
ａ．基板；
有機ＥＬパネル１００の基板１０としては、透明性を有する平板状、フィルム状のものが好ましく、材質としてはガラス又はプラスチック等を用いることができる。
【００５０】
ｂ．電極；
前述の実施例では、第１電極３１を陽極、第２電極３２を陰極として、第１電極３１側から正孔輸送層３３Ａ，発光層３３Ｂ，電子輸送層３３Ｃを積層させているが、本質的には、第１電極３１，第２電極３２のどちらを陰極又は陽極に設定しても構わない。電極材料としては、陽極は陰極より仕事関数の高い材料で構成され、クロム（Ｃｒ），モリブデン（Ｍｏ），ニッケル（Ｎｉ），白金（Ｐｔ）等の金属膜やＩＴＯ，ＩＺＯ等の酸化金属膜等の透明導電膜が用いられる。逆に陰極は陽極より仕事関数の低い材料で構成され、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ）等の金属膜、ドープされたポリアニリンやドープされたポリフェニレンビニレン等の非晶質半導体、Ｃｒ２Ｏ３，ＮｉＯ，Ｍｎ２Ｏ５等の酸化物を使用できる。また、第１電極３１，第２電極３２ともに透明な材料により構成した場合には、光の放出側と反対の電極側に反射膜を設けた構成にする。
【００５１】
ｃ．有機材料層；
有機材料層３３は、前述した実施例のように、正孔輸送層３３Ａ，発光層３３Ｂ，電子輸送層３３Ｃの組み合わせが一般的であるが、正孔輸送層３３Ａ，発光層３３Ｂ，電子輸送層３３Ｃはそれぞれ１層だけでなく複数層積層して設けても良く、正孔輸送層３３Ａ，電子輸送層３３Ｃについてはどちらかの層を省略しても、両方の層を省略しても構わない。また、正孔注入層，電子注入層等の有機材料層を用途に応じて挿入することも可能である。正孔輸送層３３Ａ，発光層３３Ｂ，電子輸送層３３Ｃは従来の使用されている材料（高分子材料、低分子材料を問わない）を適宜選択可能である。
【００５２】
また、発光層３３Ｂを形成する発光材料としては、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（蛍光）を呈するもの、三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（りん光）を呈するもののいずれであっても構わない。
【００５３】
ｄ．封止部材；
有機ＥＬパネル１００において、有機ＥＬ素子３０を気密に封止するための封止部材４０としては、金属製，ガラス製，プラスチック製等による板状部材又は容器状部材を用いることができる。ガラス製の封止基板にプレス成形，エッチング，ブラスト処理等の加工によって封止用凹部（一段掘り込み、二段掘り込みを問わない）を形成したものを用いることもできるし、或いは平板ガラスを使用してガラス（プラスチックでも良い）製のスペーサにより基板１０との間に封止空間４０Ｓを形成することもできる。
【００５４】
ｅ．接着層；
有機ＥＬパネル１００における接着層４１を形成する接着剤は、熱硬化型，化学硬化型（２液混合），光（紫外線）硬化型等を使用することができ、材料としてアクリル樹脂，エポキシ樹脂，ポリエステル，ポリオレフィン等を用いることができる。特には、加熱処理を要さず即硬化性の高い紫外線硬化型のエポキシ樹脂製接着剤の使用が好ましい。
【００５５】
ｆ．乾燥手段；
乾燥手段４２は、ゼオライト，シリカゲル，カーボン，カーボンナノチューブ等の物理的乾燥剤、アルカリ金属酸化物，金属ハロゲン化物，過酸化塩素等の化学的乾燥剤、有機金属錯体をトルエン，キシレン，脂肪族有機溶剤等の石油系溶媒に溶解した乾燥剤、乾燥剤粒子を透明性を有するポリエチレン，ポリイソプレン，ポリビニルシンナエート等のバインダに分散させた乾燥剤により形成することができる。
【００５６】
ｇ．有機ＥＬ表示パネルの各種方式等；
本発明の実施例となる有機ＥＬパネル１００としては、本発明の要旨を逸脱しない範囲で各種の設計変更が可能である。例えば、有機ＥＬ素子３０の発光形態は、前述した実施例のように基板１０側から光を取り出すボトムエミッション方式でも、基板１０とは逆側から光を取り出すトップエミッション方式でも構わない。また、本発明の実施例に係る有機ＥＬパネル１００は単色表示であっても複数色表示であっても良く、複数色表示を実現するためには、塗り分け方式を含むことは勿論のこと、白色や青色等の単色の発光機能層にカラーフィルタや蛍光材料による色変換層を組み合わせた方式（ＣＦ方式、ＣＣＭ方式）、単色の発光機能層の発光エリアに電磁波を照射する等して複数発光を実現する方式（フォトブリーチング方式）、２色以上の単位表示領域を縦に積層し一つの単位表示領域を形成した方式（ＳＯＬＥＤ(transparent Stacked OLED)方式）等を採用することができる。
【００５７】
本発明の各実施形態又は実施例の特徴をまとめると以下の通りである（以下の符号は、図１〜図１６の各図に対応している。）。
【００５８】
一つには、互いに近接した少なくとも２本の配線電極１１（１２〜２２）を絶縁性の基板１０上に形成した配線基板１であって、配線電極１１（１２〜２２）の少なくとも一方は、マイグレーションを生じ易い金属が含まれる低抵抗配線部分１１ａ（１２ａ〜２２ａ）と、低抵抗配線部分１１ａ（１２ａ〜２２ａ）に導通して少なくとも該低抵抗配線部分１１ａ（１２ａ〜２２ａ）と他の配線電極との間の基板１０上に形成される配線領域１１ｂ（１２ｂ〜２２ｂ）とを有し、該配線領域１１ｂ（１２ｂ〜２２ｂ）はマイグレーションを生じ易い金属が含まれないことを特徴とする。
【００５９】
これによると、近接された配線電極１１（１２〜２２）間に電位差が生じた場合にも、低抵抗配線部分１１ａ（１２ａ〜２２ａ）と配線領域１１ｂ（１２ｂ〜２２ｂ）が同電位になって低抵抗配線部分１１ａ（１２ａ〜２２ａ）周辺に電界勾配Ｅａを形成しないので、低抵抗配線部分１１ａ（１２ａ〜２２ａ）における金属イオンが配線電極１１（１２〜２２）間の電界勾配Ｅａに関わって移動することがない。したがって、配線電極１１（１２〜２２）間がどのような電位差状態になっても、配線領域１１ｂが形成された配線電極側から他の配線電極に向けた金属イオンの移動を阻止することができる。これによって、マイグレーションを生じ易い金属が含まれる低抵抗配線部分１１ａ（１２ａ〜２２ａ）を含む配線電極１１（１２〜２２）を高密度に配線した場合にも、配線電極の構造のみで効果的にマイグレーションの発生を抑制できる。
【００６０】
また一つには、前述した配線基板１において、配線領域１１ｂ（１２ｂ〜２２ｂ）は、低抵抗配線部分１１ａ（１２ａ〜２２ａ）に沿って形成された線状パターンを有することを特徴とする。これによると、前述の作用と併せて、低抵抗配線部分１１ａ（１２ａ〜２２ａ）に沿って形成された線状パターンの領域で効果的にマイグレーションの発生を抑制できる。
【００６１】
また一つには、前述した配線基板１において、配線領域１１ｂ（１２ｂ〜２２ｂ）は、２本の配線電極１１（１２〜２２）のそれぞれに互いに向き合うように形成されることを特徴とする。これによると、前述の作用と併せて、配線電極１１（１２〜２２）間の電位差状態がどのようになっても、一方から他方（他方から一方）に向かう金属イオンの移動を阻止できるので、効果的にマイグレーションの発生を防止することができる。
【００６２】
また一つには、前述した配線基板１において、配線領域１１ｂ（１２ｂ〜２２ｂ）は、低抵抗配線部分１１ａ（１２ａ〜２２ａ）の両側に形成されることを特徴とする。これによると、前述の作用と併せて、ある配線電極１１（１２〜２２）の低抵抗配線部分１１ａ（１２ａ〜２２ａ）からその両側に配置された配線電極に向かう金属イオンの移動を効果的に阻止することができる。
【００６３】
また一つには、前述した配線基板１において、配線領域１７ｂ（１８ｂ，１９ｂ，２１ｂ，２２ｂ）は、低抵抗配線部分１７ａ（１８ａ，１９ａ，２１ａ，２２ａ）と部分的に接続される接続部Ｓ（Ｓ１，Ｓ２）を有することを特徴とする。
【００６４】
これによると、前述の作用と併せて、配線領域１７ｂ（１８ｂ，１９ｂ，２１ｂ，２２ｂ）と低抵抗配線部分１７ａ（１８ａ，１９ａ，２１ａ，２２ａ）とが接続されていない箇所には、両者間に間隙が形成されることになり、この間隙によって、配線電極間に電位差が生じた場合に電位差の凹凸部分が形成されることになる。この電位差の凹凸部分で低抵抗配線部分１７ａ（１８ａ，１９ａ，２１ａ，２２ａ）における金属イオンの移動を効果的に阻止することができる。
【００６５】
また一つには、前述した配線基板１において、接続部は、配線電極１８の配列方向で互いに隣り合った接続部Ｓ１，Ｓ２の位置が、配線電極１８に沿った同列位置に並ばないように形成されることを特徴とする。
【００６６】
これによると、接続部が同列に並んだ場合には、その接続部を結んだ線上では低抵抗配線部分１８ａと配線領域１８ｂとの間の間隙が形成されないことになり、この間隙による金属イオン移動阻止効果が得られないことになるが、接続部が同列に並ぶことを避けることで、低抵抗配線部分１８ａと配線領域１８ｂとの間の間隙を有効に形成することができる。
【００６７】
また一つには、前述した配線基板１において、接続部Ｓ（Ｓ１，Ｓ２）は、一つの配線領域１７ｂ（１８ｂ，１９ｂ，２１ｂ，２２ｂ）に対して複数形成されることを特徴とする。これによると、低抵抗配線部分１７ａ（１８ａ，１９ａ，２１ａ，２２ａ）と配線領域１７ｂ（１８ｂ，１９ｂ，２１ｂ，２２ｂ）とを確実に同電位にすることができ、低抵抗配線部分１７ａ（１８ａ，１９ａ，２１ａ，２２ａ）周辺に電界勾配Ｅａが形成されることがない。よって、前述したように、効果的にマイグレーションの発生を防止することができる。
【００６８】
また一つには、前述した配線基板１において、配線領域２１ｂ（２２ｂ）は、配線電極２１（２２）に沿って部分的に形成されることを特徴とする。これによると、特にマイグレーションの起き易い箇所に部分的に配線領域２１ｂ（２２ｂ）を形成することができるので、効果的にマイグレーションを防止することができると共に、配線領域２２ａ（２２ｂ）を形成するためのパターニング領域を狭くできるので工程の簡略化が可能である。
【００６９】
また一つには、前述した配線基板１において、配線電極１４（１５，１６）は、低抵抗配線部分１４ａ（１５ａ，１６ａ）を形成する第１の電極層１４Ａ（１５Ａ，１６Ａ）と配線領域１４ｂ（１５ｂ，１６ｂ）を形成する第２の電極層１４Ｂ（１５Ｂ１，１５Ｂ２，１６Ｂ）とを有することを特徴とする。これによると、前述した配線電極１４（１５，１６）を第１の電極層１４Ａ（１５Ａ，１６Ａ）と第２の電極層１４Ｂ（１５Ｂ１，１５Ｂ２，１６Ｂ）の積層で形成でき、形成が比較的容易である。
【００７０】
また一つには、前述した配線基板１において、配線電極１５（１６）は、第１の電極層１５Ａ（１６Ａ）を第２の電極層１５Ｂ２（１６Ｂ）で覆うように形成されることを特徴とする。これによると、低抵抗配線部分１５ａ（１６ａ）と配線領域１５ｂ（１６ｂ）の接触面積を広くできるので、低抵抗配線部分１５ａ（１６ａ）と同電位の配線領域１５ｂ（１６ｂ）を確実に形成することができ、低抵抗配線部分１５ａ（１６ａ）周辺に電界勾配Ｅａが形成されることがない。
【００７１】
また一つには、前述した配線基板１において、配線電極１４（１５）は、基板１０上に形成された第２の電極層１４Ｂ（１５Ｂ１）上に直接又は他の層を介して前記第１の電極層１４Ａ（１５Ａ）を積層して形成することを特徴とする。これによると、低抵抗配線部分１４ａ（１５ａ）と配線領域１４ｂ（１５ｂ）とを有する配線電極１４（１５）を比較的容易に形成することができる。
【００７２】
また一つには、前述した配線基板１において、マイグレーションを生じ易い金属は、Ａｇ（銀），Ｃｕ（銅），Ｓｎ（錫），Ｐｂ（鉛）の中の一つ又は複数であり、また、低抵抗配線部分１１ａ（１２ａ〜２２ａ）には銀パラジウム（ＡｇＰｄ）合金が含まれていることを特徴とする。これらの金属を含む低抵抗配線部分１１ａ（１２ａ〜２２ａ）を有する配線電極１１（１２〜２２）によって、低抵抗でマイグレーションを発生し難い配線基板１を得ることができる。
【００７３】
また、前述の配線基板１を形成する形成方法によると、低抵抗配線電極を高密度に配線し、且つマイグレーションによる不具合が発生し難い配線基板を形成することができるので、製造品質を向上させることができる。
【００７４】
また、前述の配線基板１を形成する形成方法において、低抵抗配線部分１４ａ（１５ａ，１６ａ）を形成する第１の電極層１４Ａ（１５Ａ，１６Ａ）を成膜して、低抵抗配線部分１４ａ（１５ａ，１６ａ）をパターニングする工程と、配線領域１４ｂ（１５ｂ，１６ｂ）を形成する第２の電極層１４Ｂ（１５Ｂ１，１５Ｂ２，１６Ｂ）を成膜して、配線領域１４ｂ（１５ｂ，１６ｂ）をパターニングする工程とを有することを特徴とし、また、基板１０上に配線領域１４ｂ（１５ｂ）を形成する第２の電極層１４Ｂ（１５Ｂ１）を成膜して、配線領域１４ｂ（１５ｂ）をパターニングする工程の後、第２の電極層１４Ｂ（１５Ｂ１）の上に直接又は他の層を介して低抵抗配線部分１４ａ（１５ａ）を形成する第１の電極層１４Ａ（１５Ａ）を成膜して、低抵抗配線部分１４ａ（１５ａ）をパターニングすることを特徴とする。これによると、従来から行われている成膜とパターニングによって配線電極１４（１５）を形成できるので、従来工程を活用した経済的な製法によって、マイグレーション防止効果の高い配線基板を形成することができる。
【００７５】
また、前述した配線基板１を採用した有機ＥＬパネル１００によると、低抵抗の配線電極を用いることで、有機ＥＬ素子３０の発光特性の高品質化を図ることができ、高密度の配線電極を用いることで高精細な画像表示とパネルのコンパクト化を実現することができる。そして、このような性能向上を図った有機ＥＬパネル１００においてもマイグレーションによる電極間短絡等の不具合を解消することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明の一実施形態に係る配線基板の構成例を示す説明図（断面図）である。
【図２】本発明の一実施形態に係る配線基板の構成例を示す説明図（断面図）である。
【図３】本発明の一実施形態に係る配線基板の構成例を示す説明図（断面図）である。
【図４】本発明の実施形態に係る配線基板の作用を示す説明図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る配線基板の構成例を示す説明図（断面図）である。
【図６】本発明の一実施形態に係る配線基板の構成例を示す説明図（断面図）である。
【図７】本発明の一実施形態に係る配線基板の構成例を示す説明図（断面図）である。
【図８】本発明の実施形態に係る配線基板を説明する説明図であって、各配線電極のパターン例を示す平面図である。
【図９】本発明の実施形態に係る配線基板を説明する説明図であって、各配線電極のパターン例を示す平面図である。
【図１０】本発明の実施形態に係る配線基板を説明する説明図であって、各配線電極のパターン例を示す平面図である。
【図１１】本発明の実施形態における配線電極間の電位差状態を示す線図である。
【図１２】本発明の実施形態に係る配線基板を説明する説明図であって、各配線電極のパターン例を示す平面図である。
【図１３】本発明の実施形態に係る配線基板を説明する説明図であって、各配線電極のパターン例を示す平面図である。
【図１４】本発明の実施形態に係る配線基板を説明する説明図であって、各配線電極のパターン例を示す平面図である。
【図１５】本発明の実施例に係る有機ＥＬパネルを説明する説明図（断面図）である。
【図１６】本発明の実施例に係る有機ＥＬパネルを説明する説明図（断面図）である。
【符号の説明】
【００７７】
１    配線基板
１０    基板
11,121,122,131,132,14,15,16,17,18,19,20,21,22    配線電極
11a,12a,13a,14a,15a,16a,17a,18a,19a,20a,21a,22a    低抵抗配線部分
11b,12b,13b,14b,15b,16b,17b,18b,19b,20b,21b,22b    配線領域
１４Ａ，１５Ａ，１６Ａ    第１の電極層
１４Ｂ，１５Ｂ１，１５Ｂ２，１６Ｂ    第２の電極層
Ｓ，Ｓ１，Ｓ２    接続部
Ｅａ    電界勾配
１００  有機ＥＬパネル
３０  有機ＥＬ素子
３１  第１電極
３２  第２電極
３３  有機材料層
３４  絶縁層
３５  陰極隔壁
４０  封止部材    ４０Ｓ  封止空間
４１  接着層
４２  乾燥剤
【図１】
2005243793.tif 000003
【図２】
2005243793.tif 000004
【図３】
2005243793.tif 000005
【図４】
2005243793.tif 000006
【図５】
2005243793.tif 000007
【図６】
2005243793.tif 000008
【図７】
2005243793.tif 000009
【図８】
2005243793.tif 000010
【図９】
2005243793.tif 000011
【図１０】
2005243793.tif 000012
【図１１】
2005243793.tif 000013
【図１２】
2005243793.tif 000014
【図１３】
2005243793.tif 000015
【図１４】
2005243793.tif 000016
【図１５】
2005243793.tif 000017
【図１６】
2005243793.tif 000018