(57)【要約】【課題】半導体素子の接合信頼性を向上できるセラミック基板、半導体素子収納用パッケージ及びその製造方法を提供する。【解決手段】ヒートシンク板１１にろう付け接合されるセラミック基板１０において、セラミック基板１０のヒートシンク板１１との接合部分に、予め溶融付着されるＡｇ−Ｃｕ系ろう膜１４を有する。また、ヒートシンク板１１と枠体状のセラミック基板１０がろう付け接合され、ヒートシンク板１１上に半導体素子１５を搭載するためのキャビティ部１６を有する半導体素子収納用パッケージ２０において、セラミック基板１０にヒートシンク板１１との接合部分に形成されたメタライズ膜１２の表面のＮｉめっき被膜１３に、予め溶融付着されたＡｇ−Ｃｕ系ろう膜１４を有し、Ａｇ−Ｃｕ系ろう膜１４が再溶融されてヒートシンク板１１にセラミック基板１０が接合されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒートシンク板にろう付け接合されるセラミック基板において、
前記セラミック基板の前記ヒートシンク板との接合部分に、予め溶融付着されるＡｇ−Ｃｕ系ろう膜を有することを特徴とするセラミック基板。
【請求項２】
ヒートシンク板と枠体状のセラミック基板がろう付け接合され、前記ヒートシンク板上に半導体素子を搭載するためのキャビティ部を有する半導体素子収納用パッケージにおいて、
前記セラミック基板に前記ヒートシンク板との接合部分に形成されたメタライズ膜の表面のＮｉめっき被膜に、予め溶融付着されたＡｇ−Ｃｕ系ろう膜を有し、該Ａｇ−Ｃｕ系ろう膜が再溶融されて前記ヒートシンク板に前記セラミック基板が接合されていることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
【請求項３】
請求項２記載の半導体素子収納用パッケージにおいて、前記ヒートシンク板がＣｕ、Ｃｕ合金、又はＣｕと他の金属の複合体からなる金属板で、しかもＣｕ合金、又はＣｕと他の金属の複合体からなる前記金属板にはＣｕめっき被膜を有することを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
【請求項４】
ヒートシンク板とセラミック基板をろう付け接合して形成する半導体素子収納用パッケージの製造方法において、
前記セラミック基板に形成された高融点金属からなるメタライズ膜表面にＮｉめっき被膜を設ける工程と、
前記セラミック基板の前記ヒートシンク板との接合部分の前記Ｎｉめっき被膜表面にＡｇ−Ｃｕ系ろう材を載置し、加熱して前記セラミック基板に前記Ａｇ−Ｃｕ系ろう材を溶融付着してＡｇ−Ｃｕ系ろう膜を設ける工程と、
前記セラミック基板に溶融付着された前記Ａｇ−Ｃｕ系ろう膜と前記ヒートシンク板とを当接し、前記Ａｇ−Ｃｕ系ろう膜を加熱、再溶融して前記ヒートシンク板と前記セラミック基板をろう付け接合する工程を有することを特徴とする半導体素子収納用パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波用等の半導体素子からの高発熱をヒートシンク板を介して放熱させることができるヒートシンク板、セラミック基板、及び外部接続端子の接合体に用いられるセラミック基板、接合体からなる半導体素子収納用パッケージ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、例えば、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）基地局用等のシリコンや、ガリウム砒素電界効果トランジスタ等の高周波、高出力の半導体素子は、作動時の発熱が大きいので、発生する熱を大気中に良好に放散させなければ、装置を正常に作動させることができなくなる恐れがある。そこで、図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、従来の高周波用等の半導体素子を実装するための半導体素子収納用パッケージ５０には、半導体素子を搭載する部分となるキャビティ部５１をセラミックと熱膨張係数が近似し、しかも熱伝導率の高い、例えば、銅タングステン（Ｃｕ−Ｗ）系の略長方形状をした高放熱特性を有する複合金属板からなるヒートシンク板５２上に設けている。このキャビティ部５１は、ヒートシンク板５２と、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等からなる枠体状のセラミック基板５３上に形成されたタングステン（Ｗ）や、モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属からなるメタライズ膜５４、更にこの上に形成されたＮｉめっき被膜５５との間にＡｇ−Ｃｕろう等のろう材５６を挟み込んで加熱してろう付け接合することで形成している。このろう付け接合によって、キャビティ部５１には、Ａｇ−Ｃｕろう等のろう材５６がキャビティ部５１の中央部に大きく流れ出したろう材流れ５７が発生している。また、セラミック基板５３の下面側には、セラミック基板５３の下面に形成されたタングステン（Ｗ）や、モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属からなるメタライズ膜５４、更にこの上に形成されたＮｉめっき被膜５５と、ＫＶ（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金、商品名「Ｋｏｖａｒ（コバール）」）や、４２アロイ（Ｆｅ−Ｎｉ系合金）等の金属部材からなる外部接続端子５８の間にＡｇ−Ｃｕろう等のろう材５６を挟み込んで加熱してろう付け接合している。そして、ヒートシンク板５２、セラミック基板５３、及び外部接続端子５８の接合体の外部に露出する全ての金属表面には、Ｎｉめっき被膜（図示せず）及びＡｕめっき被膜（図示せず）が施されて半導体素子収納用パッケージ５０とされている。
【０００３】
半導体素子収納用パッケージ５０は、キャビティ部５１に半導体素子（図示せず）が実装された後、蓋体（図示せず）でキャビティ部５１を気密に封止するようになっている。また、高周波信号は、外部接続端子５８を介して入出力されるようになっている。そして、半導体素子が封止された半導体素子収納用パッケージ５０は、ヒートシンク板５２に放熱された熱を更に外部に放熱させるための基台（図示せず）に、ヒートシンク板５２の略長方形状の長手方向の両端部に形成されている切り欠きや、貫通孔等からなる取付部５９にねじが取り付けられてねじ止めして固定される。
【０００４】
半導体素子収納用パッケージには、蓋体との接合用に設けられている金属製のシールリングをパッケージ本体に能率よくろう付け接合させるために、このシールリングである金属板に予めＡｇ−Ｃｕろうを仮付けするものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平６−３２６２０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前述したような従来のセラミック基板、半導体素子収納用パッケージ及びその製造方法は、次のような問題がある。
（１）セラミック基板と、ヒートシンク板の間にろう材を介して接合する場合には、ろう材がヒートシンク板面上への大きなろう材流れが発生する。また、半導体素子収納用パッケージは、ヒートシンク板に枠体状のセラミック基板をろう材でろう付け接合すると、キャビティ部への大きなろう材流れが発生するので、半導体素子を搭載する部位の表面の平坦性が低下し、半導体素子を接合した時の接合信頼性が低下している。特に、高周波用の半導体素子は、ヒートシンク板からの高放熱の必要からヒートシンク板との密着性を重要とし、半導体素子を搭載する部位の表面の平坦性が極めて重要となるが、キャビティ部への大きなろう材流れの発生と、しかも、高周波用の半導体素子が大型であるので、半導体素子を接合した時の接合信頼性が低下している。
（２）ヒートシンク板である金属板側にろう材を仮付けする場合には、ろう材がキャビティ部側へ流れ込むので、仮付けの効果が発揮できない。
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、半導体素子の接合信頼性を向上できるセラミック基板、半導体素子収納用パッケージ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的に沿う本発明に係るセラミック基板は、ヒートシンク板にろう付け接合されるセラミック基板において、セラミック基板のヒートシンク板との接合部分に、予め溶融付着されるＡｇ−Ｃｕ系ろう膜を有する。
【０００７】
前記目的に沿う本発明に係る半導体素子収納用パッケージは、ヒートシンク板と枠体状のセラミック基板がろう付け接合され、ヒートシンク板上に半導体素子を搭載するためのキャビティ部を有する半導体素子収納用パッケージにおいて、セラミック基板にヒートシンク板との接合部分に形成されたメタライズ膜の表面のＮｉめっき被膜に、予め溶融付着されたＡｇ−Ｃｕ系ろう膜を有し、Ａｇ−Ｃｕ系ろう膜が再溶融されてヒートシンク板にセラミック基板が接合されている。
ここで、半導体素子収納用パッケージは、ヒートシンク板がＣｕ、Ｃｕ合金、又はＣｕと他の金属の複合体からなる金属板で、しかもＣｕ合金、又はＣｕと他の金属の複合体からなる金属板にはＣｕめっき被膜を有するのがよい。
【０００８】
前記目的に沿う本発明に係る半導体素子収納用パッケージの製造方法は、ヒートシンク板とセラミック基板をろう付け接合して形成する半導体素子収納用パッケージの製造方法において、セラミック基板に形成された高融点金属からなるメタライズ膜表面にＮｉめっき被膜を設ける工程と、セラミック基板のヒートシンク板との接合部分のＮｉめっき被膜表面にＡｇ−Ｃｕ系ろう材を載置し、加熱してセラミック基板にＡｇ−Ｃｕ系ろう材を溶融付着してＡｇ−Ｃｕ系ろう膜を設ける工程と、セラミック基板に溶融付着されたＡｇ−Ｃｕ系ろう膜とヒートシンク板とを当接し、Ａｇ−Ｃｕ系ろう膜を加熱、再溶融してヒートシンク板と前記セラミック基板をろう付け接合する工程を有する。
【発明の効果】
【０００９】
請求項１記載のセラミック基板は、セラミック基板のヒートシンク板との接合部分に、予め溶融付着されるＡｇ−Ｃｕ系ろう膜を有するので、ヒートシンク板上へのろう材流れを防止できる。
【００１０】
請求項２又は３記載の半導体素子収納用パッケージは、セラミック基板にヒートシンク板との接合部分に形成されたメタライズ膜の表面のＮｉめっき被膜に、予め溶融付着されたＡｇ−Ｃｕ系ろう膜を有し、Ａｇ−Ｃｕ系ろう膜が再溶融されてヒートシンク板にセラミック基板が接合されているので、セラミック基板に予め溶融付着されたＡｇ−Ｃｕ系ろう材がろう材中のＣｕのＮｉめっき被膜中への拡散で、Ａｇ−Ｃｕ系ろう材のＡｇの比率が上昇し、Ａｇ−Ｃｕ系ろう材を再溶融して接合するときの融点の上昇によって、キャビティ部へのろう材流れを防止でき、半導体素子を搭載した時の接合信頼性を向上させることができる。
特に、請求項３記載の半導体素子収納用パッケージは、ヒートシンク板がＣｕ、Ｃｕ合金、又はＣｕと他の金属の複合体からなる金属板で、しかもＣｕ合金、又はＣｕと他の金属の複合体からなる金属板にはＣｕめっき被膜を有するので、半導体素子接合後の放熱効果を向上することができると共に、Ｃｕ表面、又はＣｕめっき被膜表面でＡｇ−Ｃｕ系ろう材のろう材流れを抑制することができる。
【００１１】
請求項４記載の半導体素子収納用パッケージの製造方法は、セラミック基板に形成された高融点金属からなるメタライズ膜表面にＮｉめっき被膜を設ける工程と、セラミック基板のヒートシンク板との接合部分のＮｉめっき被膜表面にＡｇ−Ｃｕ系ろう材を載置し、加熱してセラミック基板にＡｇ−Ｃｕ系ろう材を溶融付着してＡｇ−Ｃｕ系ろう膜を設ける工程と、セラミック基板に溶融付着されたＡｇ−Ｃｕ系ろう膜とヒートシンク板とを当接し、Ａｇ−Ｃｕ系ろう膜を加熱、再溶融してヒートシンク板とセラミック基板をろう付け接合する工程を有するので、キャビティ部へのろう材流れを防止でき、半導体素子を搭載した時の接合信頼性を向上させることができる半導体素子収納用パッケージの製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態について説明し、本発明の理解に供する。
ここに、図１（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施の形態に係るセラミック基板の説明図、図２（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同半導体素子収納用パッケージの説明図、図３（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ同半導体素子収納用パッケージの製造方法の一部の説明図である。
【００１３】
図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本発明の一実施の形態に係るセラミック基板１０は、ヒートシンク板１１（図２参照）にろう付け接合するために準備されている。セラミック基板１０は、その一方の主面（下面側）のヒートシンク板１１との接合部分に形成されたメタライズ膜１２の表面に、例えば、Ｎｉや、Ｎｉ−Ｃｏ等からなるＮｉめっき被膜１３が設けられ、更に、Ｎｉめっき被膜１３の表面に、例えば、ＢＡｇ−８（Ａｇが７２％と、残部がＣｕからなる共晶合金）等のＡｇ−Ｃｕ系ろう材を溶融付着してＡｇ−Ｃｕ系ろう膜１４を設けている。また、このセラミック基板１０の他方の主面（上面側）には、外部接続端子１８（図２参照）との接合部分にメタライズ膜１２ａ及びメタライズ膜１２ａ上に、例えば、Ｎｉや、Ｎｉ−Ｃｏ等からなるＮｉめっき被膜１３ａが設けられている。
【００１４】
図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本発明の一実施の形態に係る半導体素子収納用パッケージ２０は、実装される半導体素子１５から発生する高温、且つ大量の熱を放熱するための高放熱特性を有する略長方形板状の金属板からなるヒートシンク板１１の一方の主面に、枠体状のセラミック基板１０の一方の主面（下面側）をろう付け接合して有している。そして、この接合によって、半導体素子収納用パッケージ２０には、ヒートシンク板１１の一方の主面（上面側）と、セラミック基板１０の内周壁面とで形成される半導体素子１５を搭載するためのキャビティ部１６を形成している。ヒートシンク板１１とセラミック基板１０の接合に際して用いられるセラミック基板１０には、ヒートシンク板１１との接合部分となる所にメタライズ膜１２が形成されており、更にこのメタライズ膜１２の表面にＮｉめっき被膜１３が形成されている。そして、セラミック基板１０のＮｉめっき被膜１３の表面には、予め溶融付着されたＡｇ−Ｃｕ系ろう膜１４を有し、このＡｇ−Ｃｕ系ろう膜１４が再溶融されることで  ヒートシンク板１１とセラミック基板１０の間に接合層である、Ａｇ−Ｃｕ系ろう層１７を形成して、ヒートシンク板１１とセラミック基板１０が接合されている。
【００１５】
この半導体素子収納用パッケージ２０は、セラミック基板１０の他方の主面である上面に、半導体素子１５をキャビティ部１６に搭載して電気的に接続し、外部との電気的導通を行うための金属板からなるリードフレーム形状の外部接続端子１８をろう付け接合して有している。更に、この半導体素子収納用パッケージ２０は、ヒートシンク板１１の長手方向の両端部に、基台（図示せず）にねじ等でねじ止めして取り付けるための切り欠きや、貫通孔等からなる取付部１９を有している。
【００１６】
ヒートシンク板１１、セラミック基板１０、及び外部接続端子１８がろう付け接合され、更にこの接合体の外部に露出する全ての金属表面には、Ｎｉめっき被膜（図示せず）及びＡｕめっき被膜（図示せず）が施されて半導体素子収納用パッケージ２０とされる。そして、この半導体素子収納用パッケージ２０には、キャビティ部１６に半導体素子１５がダイボンドされ、半導体素子１５と外部接続端子１８とがボンディングワイヤで接続された後、樹脂や、セラミックや、金属等からなる蓋体を樹脂や、ガラス等の接着材で接着してキャビティ部１６内が気密に封止されて、高周波用等のモジュール基板を形成している。この高周波用等のモジュール基板は、半導体素子１５からの発熱をヒートシンク板１１に放熱し、更に、ヒートシンク板１１に設けられている取付部１９にねじ等でねじ止めして固定される基台に放熱させている。
【００１７】
ここで、ヒートシンク板１１は、Ｃｕ、Ｃｕ合金、又はＣｕと他の金属の複合体からなる金属板で、しかもＣｕ合金、又はＣｕと他の金属の複合体からなる金属板には、Ｃｕめっき被膜を有するのがよい。ヒートシンク板１１がＣｕ、Ｃｕ合金、又はＣｕと他の金属の複合体からなる金属板である場合には、熱伝導率が高いので、半導体素子１５からの発熱を速やかに放熱させることができる。また、ヒートシンク板１１の表面がＣｕ層で形成されている場合には、Ａｇ−Ｃｕ系ろう材のろう材流れを抑制するように作用させることができる。
【００１８】
次いで、本発明の一実施の形態に係る半導体素子収納用パッケージ２０の製造方法を、一部、図３（Ａ）〜（Ｃ）を参照しながら説明する。
先ず、半導体素子収納用パッケージ２０を形成するのに用いられる各部材について、説明する。セラミック基板１０は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）や、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や、低温焼成セラミック等からなるセラミックから形成されている。セラミック基板１０がセラミックの一例であるＡｌ２Ｏ３からなる場合には、先ず、Ａｌ２Ｏ３粉末にマグネシア、シリカ、カルシア等の焼結助剤を適当量加えた粉末に、ジオクチルフタレート等の可塑剤と、アクリル樹脂等のバインダー、及びトルエン、キシレン、アルコール類等の溶剤を加え、十分に混練し、脱泡して粘度２０００〜４００００ｃｐｓのスラリーを作製している。次いで、ドクターブレード法等によって、例えば、厚み０．２５ｍｍのロール状のシートを形成し、適当なサイズの矩形状に切断したセラミックグリーンシートを作製している。
【００１９】
１又は複数枚のセラミックグリーンシートには、例えば、枠体状になるように中空部を打ち抜き加工すると共に、タングステンや、モリブデン等の高融点金属からなる金属導体ペーストを用いて、セラミック基板１０の下面側が一方の主面、上面側が他方の主面となるようにスクリーン印刷してそれぞれろう付け接合用の導体パターンを形成する。また、セラミックグリーンシートが複数枚の場合には、積層して積層体の一方の主面、及び他方の主面が導体パターンとなるようにスクリーン印刷して形成する。そして、図３（Ａ）に示すように、導体パターンが形成されたセラミックグリーンシートは、高融点金属とセラミックグリーンシートを還元雰囲気中で同時焼成して両表面にメタライズ膜１２、１２ａを有するセラミック基板１０を作製する。なお、一方の主面のメタライズ膜１２は、ヒートシンク板１１とろう付け接合するために、例えば、枠体状の下面全周面に形成されており、他方の主面のメタライズ膜１２ａは、外部接続端子１８とろう付け接合するために、例えば、枠体状の上面周面に部分的に形成されている。更に、セラミック基板１０のメタライズ膜１２、１２ａの表面には、例えば、Ｎｉや、Ｎｉ−Ｃｏ等のＮｉ合金等からなるＮｉめっき被膜１３、１３ａが電解めっき法や、無電解めっき法で形成される。そして、更に、図３（Ｂ）に示すように、ヒートシンク板１１とろう付け接合されるセラミック基板１０のメタライズ膜１２のＮｉめっき被膜１２の上面には、例えば、ＢＡｇ−８等からなるＡｇ−Ｃｕ系ろう材が載置され、非酸化性雰囲気中、約７８０〜９００℃で加熱してＡｇ−Ｃｕ系ろう材を溶融し、Ｎｉめっき被膜１２の上面に付着させてＡｇ−Ｃｕ系ろう膜１４を設けることでセラミック基板１０を作製している。
【００２０】
次に、ヒートシンク板１１は、熱伝導率の高い高放熱特性を有する、例えば、Ｃｕや、Ｃｕ合金からなる金属板や、熱膨張係数をセラミックの熱膨張係数と近似させ、熱伝導率の比較的高い高放熱特性を有する、例えば、ポーラス状のタングステン（Ｗ）に銅（Ｃｕ）を含浸させたりして作製されるＣｕ−Ｗ系の複合金属板や、Ｃｕとモリブデン（Ｍｏ）からなるＣｕ−Ｍｏ系の合金金属板や、Ｃｕ−Ｍｏ系複合金属板の両面にＣｕ板をクラッドしたＣｕ／Ｃｕ−Ｍｏ／Ｃｕの接合板等から形成されている。ヒートシンク板１１の選定には、放熱特性を向上させるために、熱伝導性のよいＣｕの比率を高めたものを用いることが有効であるが、Ｃｕは熱膨張係数が高いので、セラミックとの熱膨張係数の整合性を図るためのＣｕ以外の材料選定や、Ｃｕと他の金属との板材としての構造が重要となる。そして、ヒートシンク板１１は、切削加工や、粉末冶金等の手法を用いて基台にねじ止め固定するための取付部１９を設けて、実質的に長方形状に形成されている。なお、因みに、ヒートシンク板１１がＣｕ−Ｗの場合は、熱伝導率が２２０Ｗ／ｍ・Ｋ程度、熱膨張係数が７．８×１０−６／Ｋ（３０〜８００℃）程度であり、Ｃｕ／Ｃｕ−Ｍｏ／Ｃｕ（厚さ比率＝２：３：２）の場合は、熱伝導率が２６０Ｗ／ｍ・Ｋ程度、熱膨張係数が９．２×１０−６／Ｋ（３０〜８００℃）程度である。
【００２１】
次に、外部接続端子１８は、ＫＶ（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金、商品名「Ｋｏｖａｒ（コバール）」）や、４２アロイ（Ｆｅ−Ｎｉ系合金）等のセラミックと熱膨張係数が近似する金属部材からなり、切削加工や、エッチング加工や、打ち抜き加工等で１つの高周波用パッケージ２０に備える複数の外部接続端子１８をタイバー部で支え持つようにしたリードフレーム形状に形成されている。なお、因みに、ＫＶの熱膨張係数は、５．３×１０−６／Ｋ程度であり、セラミックの熱膨張係数に近似させている。
【００２２】
次いで、ヒートシンク板１１と、セラミック基板１０、及び外部接続端子１８をろう付け接合して形成する接合体の作製方法を説明する。図３（Ｃ）に示すように、先ず、接合体を形成するためには、ヒートシンク板１１の平面形状からなる一方の主面の中央部に、セラミック基板１０の下面側である一方の主面に形成されたＡｇ−Ｃｕ系ろう膜１４を当接させて載置し、非酸化性雰囲気中、約７８０〜９００℃で加熱してＡｇ−Ｃｕ系ろう膜１４を再溶融してヒートシンク板１１の一方の主面との間にＡｇ−Ｃｕ系ろう層１７を設けてセラミック基板１０をろう付け接合している。このろう付け接合においては、予め溶融付着していたＡｇ−Ｃｕ系ろう膜１４がＡｇ−Ｃｕろう材中のＡｇの比率の上昇によるＡｇ−Ｃｕ系ろう材再溶融時の融点を上昇させるので、キャビティ部１６へのろう材流れ２１を小さくさせている。次に、セラミック基板１０の上面側である他方の主面に、例えば、ＢＡｇ−８等のＡｇ−Ｃｕ系ろう材を介して外部接続端子１８の先端部の下面側を当接させて載置し、非酸化性雰囲気中、約７８０〜９００℃で加熱してＡｇ−Ｃｕ系ろう材を溶融してセラミック基板１０と外部接続端子１８との間にＡｇ−Ｃｕ系ろう層１７ａを設けてろう付け接合している。接合体は、このヒートシンク板１１と、セラミック基板１０の接合、及びセラミック基板１０と、外部接続端子１８のろう付け接合によって形成されている。なお、この接合体の形成は、ヒートシンク板１１と、セラミック基板１０の接合、及びセラミック基板１０と、外部接続端子１８の接合を同時に行って形成することもできる。次に、接合体の外表面に露出する全金属表面上には、例えば、Ｎｉや、Ｎｉ−Ｃｏ等のＮｉ合金等からなるＮｉめっき被膜が施され、更に、このＮｉめっき被膜上にＡｕめっき被膜が施される。上記のようにして形成された接合体は、例えば、高周波用等の半導体素子１５を実装するために、枠体状のセラミック基板１０の開口部とヒートシンク板１１の一方の主面とで形成されているキャビティ部１６を有し、ヒートシンク板１１の他方の主面が放熱用の基台に当接できる半導体素子収納用パッケージ２０として形成されている。
【産業上の利用可能性】
【００２３】
本発明のセラミック基板、半導体素子収納用パッケージ及びその製造方法は、例えば、シリコンや、ガリウム砒素電界効果トランジスタ等の高周波、高出力の半導体素子を実装でき、例えば、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）基地局用等のために用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施の形態に係るセラミック基板の説明図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同半導体素子収納用パッケージの説明図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ同半導体素子収納用パッケージの製造方法の一部の説明図である。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ従来の半導体素子収納用パッケージの説明図である。
【符号の説明】
【００２５】
１０：セラミック基板、１１：ヒートシンク板、１２、１２ａ：メタライズ膜、１３、１３ａ：Ｎｉめっき被膜、１４：Ａｇ−Ｃｕ系ろう膜、１５：半導体素子、１６：キャビティ部、１７、１７ａ：Ａｇ−Ｃｕ系ろう層、１８：外部接続端子、１９：取付部、２０：半導体素子収納用パッケージ、２１：ろう材流れ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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