(57)【要約】【課題】  光ファイバ母材のコアロッドとクラッド層との界面近傍、および、クラッド層における水酸基の濃度をほぼ零とみなせる程度に低減する光ファイバ母材の製造方法、および、光ファイバ母材の製造装置を提供する。【解決手段】  コアロッド３１の外周面に、ガラス微粒子を堆積して多孔質ガラス層３２を形成して、光ファイバ用多孔質母材３０を形成する多孔質母材形成工程と、光ファイバ用多孔質母材３０を加熱処理する加熱処理工程を備えた光ファイバ母材の製造方法において、加熱処理工程において、光ファイバ用多孔質母材３０の加熱処理中に、コアロッド３１を、支持棒４４を通じて加熱する。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コアロッドの外周面に、ガラス微粒子を堆積して多孔質ガラス層を形成して、光ファイバ用多孔質母材を形成する多孔質母材形成工程と、該光ファイバ用多孔質母材を加熱処理する加熱処理工程を備えた光ファイバ母材の製造方法であって、
前記加熱処理工程において、前記光ファイバ用多孔質母材の加熱処理中に、前記コアロッドを加熱することを特徴とする光ファイバ母材の製造方法。
【請求項２】
コアロッドの外周面に、ガラス微粒子を堆積して多孔質ガラス層を形成して、光ファイバ用多孔質母材を形成する多孔質母材形成工程と、該光ファイバ用多孔質母材を加熱処理する加熱処理工程を備えた光ファイバ母材の製造方法であって、
前記加熱処理工程の前に、前記コアロッドを加熱して、前記コアロッドの外周面と、前記多孔質ガラス層との界面近傍の温度を１２０℃以上とすることを特徴とする光ファイバ母材の製造方法。
【請求項３】
加熱処理前の光ファイバ用多孔質母材をなすコアロッドを加熱する手段を備えたことを特徴とする光ファイバ母材の製造装置。
【請求項４】
光ファイバ用多孔質母材を加熱処理する加熱炉を備えた光ファイバ母材の製造装置であって、
前記加熱炉は、前記光ファイバ用多孔質母材を収容する炉心管と、該炉心管内に収容された光ファイバ用多孔質母材を加熱処理するためのヒータと、加熱処理中の光ファイバ用多孔質母材をなすコアロッドを加熱する手段を備えたことを特徴とする光ファイバ母材の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ファイバ用多孔質母材を加熱処理して光ファイバ母材を形成する光ファイバ母材の製造方法、および、光ファイバ母材の製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光ファイバの製造に用いられる光ファイバ母材の製造方法としては、一般的に、光ファイバ用多孔質母材を形成し、この光ファイバ用多孔質母材を光ファイバ母材の製造装置に備えられた加熱炉内において加熱処理（脱水、焼結）して、光ファイバ母材とする方法が挙げられる。
【０００３】
図４は、従来の光ファイバ母材の製造装置に備えられた加熱炉の一例を示す概略構成図である。
この例の加熱炉１００は、光ファイバ用多孔質母材１０１を収容する石英ガラスからなる円筒形の炉心管１０２と、炉心管１０２内に収容された光ファイバ用多孔質母材１０１を加熱処理するためのヒータ１０３と、ヒータ１０３を収容している筺体１０４と、炉心管１０２内に不活性ガスを導入するための導入口１０５と、光ファイバ用多孔質母材１０１を支持する支持棒１０６とから概略構成されている。
【０００４】
この加熱炉１００により、光ファイバ用多孔質母材１０１を脱水する場合、その温度を、光ファイバ用多孔質母材１０１が透明ガラス化しない程度に低く、かつ、脱水反応が十分に進行する程度に高く設定している。
また、光ファイバ母材を焼結する場合、多孔質母材が完全に透明ガラス化する程度に温度を高く、かつ、光ファイバ母材が熱により大きく変形しない程度に温度を低く設定する必要がある。
【０００５】
近年、光ファイバ母材は大型化し、さらに、光ファイバ母材の高品質化に伴って、これを用いて製造される光ファイバは、従来よりも水酸基の濃度が低いものが一般的になりつつある。
【０００６】
このような水酸基の濃度が低い光ファイバを製造するためには、光ファイバ母材のクラッド層の水酸基の濃度のみならず、コアロッドとクラッド層との界面近傍の水酸基の濃度もほとんど零とみなせる程度に低くする必要がある。
【０００７】
光ファイバ母材のクラッド層の水酸基の濃度をほとんど零とみなせる程度に低くする方法としては、例えば、光ファイバ用多孔質母材を、脱水剤を含む雰囲気中で加熱処理する方法が挙げられる（例えば、特許文献１参照。）。
【０００８】
しかしながら、この方法には、特に、光ファイバ母材が大型化した場合、コアロッドとクラッド層との界面近傍の水酸基を除去することが難しいという欠点がある。このことは、光ファイバ用多孔質母材の脱水反応の効率は、その反応温度に大きく影響されることに起因している。光ファイバ用多孔質母材の脱水は、これを加熱炉に設けられた炉心管内に収容し、その外周を囲むように設けられたヒータによる加熱処理によってなされている。したがって、光ファイバ用多孔質母材は熱伝導率が低いので、その中心部（コアロッド）には熱が伝わり難く、結果として、この方法では、光ファイバ母材のコアロッドとクラッド層との界面近傍の水酸基の濃度を、ほとんど零とみなせる程度に低くすることができないという問題があった。
また、焼結の場合も、光ファイバ母材が大型化してくると中心まで熱が伝わり難く、中心部が透明ガラス化する温度に達しないうちに、外側は変形してしまうほど高温になってしまうという問題があった。
【特許文献１】特開昭５７−１７４３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、前記事情に鑑みてなされたもので、光ファイバ母材のコアロッドとクラッド層との界面近傍、および、クラッド層における水酸基の濃度をほぼ零とみなせる程度に低減する光ファイバ母材の製造方法、および、光ファイバ母材の製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、上記課題を解決するために、コアロッドの外周面に、ガラス微粒子を堆積して多孔質ガラス層を形成して、光ファイバ用多孔質母材を形成する多孔質母材形成工程と、該光ファイバ用多孔質母材を加熱処理する加熱処理工程を備えた光ファイバ母材の製造方法であって、前記加熱処理工程において、前記光ファイバ用多孔質母材の加熱処理中に、前記コアロッドを加熱する光ファイバ母材の製造方法を提供する。
【００１１】
本発明は、コアロッドの外周面に、ガラス微粒子を堆積して多孔質ガラス層を形成して、光ファイバ用多孔質母材を形成する多孔質母材形成工程と、該光ファイバ用多孔質母材を加熱処理する加熱処理工程を備えた光ファイバ母材の製造方法であって、前記加熱処理工程の前に、前記コアロッドを加熱して、前記コアロッドの外周面と、前記多孔質ガラス層との界面近傍の温度を１２０℃以上とする光ファイバ母材の製造方法を提供する。
【００１２】
本発明は、加熱処理前の光ファイバ用多孔質母材をなすコアロッドを加熱する手段を備えた光ファイバ母材の製造装置を提供する。
【００１３】
本発明は、光ファイバ用多孔質母材を加熱処理する加熱炉を備えた光ファイバ母材の製造装置であって、前記加熱炉は、前記光ファイバ用多孔質母材を収容する炉心管と、該炉心管内に収容された光ファイバ用多孔質母材を加熱処理するためのヒータと、加熱処理中の光ファイバ用多孔質母材をなすコアロッドを加熱する手段を備えた光ファイバ母材の製造装置を提供する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の光ファイバ母材の製造方法によれば、光ファイバ用多孔質母材の加熱処理中に、コアロッドの外周面と、多孔質ガラス層との界面近傍を同時に加熱するから、脱水反応が促進され、光ファイバ母材のコアロッドとクラッド層との界面近傍の水酸基の濃度を、ほとんど零とみなせる程度に低くすることができる。
【００１５】
本発明の光ファイバ母材の製造方法によれば、光ファイバ用多孔質母材の加熱処理前に、コアロッドの外周面と、多孔質ガラス層との界面近傍の温度を１２０℃以上とした後、加熱処理を行うから、界面近傍が脱水反応に必要な温度以上に上昇するまでの時間が短くなるため、脱水反応が促進され、光ファイバ母材のコアロッドとクラッド層との界面近傍の水酸基の濃度を、ほとんど零とみなせる程度に低くすることができる。また、焼結においても、コアロッドの外周面と多孔質ガラス層との界面近傍と、多孔質ガラス層との温度差が大きくならないから、光ファイバ用多孔質母材が大型化しても、内側まで完全に透明ガラス化し、かつ、外側は変形が生じない程度の温度に保つことが容易になる。
【００１６】
本発明の光ファイバ母材の製造装置によれば、光ファイバ用多孔質母材の加熱処理前に、加熱手段によりコアロッドを直接加熱して、コアロッドの外周面と、多孔質ガラス層との界面近傍の温度を１２０℃以上とすることができるから、光ファイバ用多孔質母材の加熱処理を行う際に、脱水反応が促進され、光ファイバ母材のコアロッドとクラッド層との界面近傍の水酸基の濃度を、ほとんど零とみなせる程度に低くすることができる。
【００１７】
本発明の光ファイバ母材の製造装置によれば、光ファイバ用多孔質母材の加熱処理中に、加熱手段によりコアロッドを直接加熱して加熱処理を行うから、脱水反応が促進され、光ファイバ母材のコアロッドとクラッド層との界面近傍の水酸基の濃度を、ほとんど零とみなせる程度に低くすることができる。また、焼結においても、効率的に熱を加えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明を実施した光ファイバ母材の製造方法、および、光ファイバ母材の製造装置について、図面を参照して説明する。
【００１９】
（第一の実施形態）
図１は、本発明に係る光ファイバ母材の製造装置の第一の実施形態を示し、光ファイバ母材の製造装置に備えられた光ファイバ用多孔質母材の加熱装置を示す概略構成図である。
【００２０】
図１中、符号１０は光ファイバ用多孔質母材、１１はコアロッド、１２は多孔質ガラス層、２０はコアロッド加熱装置、２１は把持部、２２は保持部、２３はヒータ、２４は支持部、２５は基台をそれぞれ示している。
【００２１】
このコアロッド加熱装置２０は、光ファイバ用多孔質母材１０をなすコアロッド１１を把持する把持部２１、２１と、この把持部２１、２１をその長手方向に保持する保持部２２、２２と、この保持部２２、２２に巻き付けられたコイル状のヒータ２３、２３、基台２５上に設けられ、保持部２２、２２を下方から支持する支持部２４、２４とから概略構成されている。
【００２２】
コアロッド加熱装置２０では、ヒータ２３、２３が電熱線などで形成されており、温度制御装置（図示略）に接続されて所定の温度に制御可能となっている。このヒータ２３、２３により、光ファイバ用多孔質母材１０のコアロッド１１を加熱して、コアロッド１１の外周面と、多孔質ガラス層１２との界面近傍の温度を、所定の温度に制御可能となっている。この実施形態では、このように、ヒータ２３、２３によって、コアロッド１１を、その両端部から加熱して、中心部に熱を伝える。
【００２３】
なお、この実施形態では、コアロッド１１を加熱する手段として、コアロッド加熱装置２０の保持部２２、２２に巻き付けられたコイル状のヒータ２３、２３を例示したが、本発明はこれに限定されない。本発明にあっては、光ファイバ用多孔質母材のコアロッドを加熱することができる手段であれば、いかなる手段でも適用することができる。
また、コアロッド加熱装置２０は、コアロッド１１の外周にガラス微粒子を堆積させる工程の装置に備え、ガラス微粒子の堆積後に、あるいはガラス微粒子を堆積させながらコアロッド１１を加熱させてもよい。
【００２４】
次に、図１を参照して、この実施形態における光ファイバ母材の製造方法について説明する。
【００２５】
この実施形態の光ファイバ母材の製造方法では、まず、所定の工程を経て形成されたコアロッド（両端、あるいは片端にダミーを接続したものも含む）を把持して、その中心軸を中心にして回転させる。
次いで、ガラス合成用バーナ（図示略）を用いて、このガラス合成用バーナから噴出される火炎中における加水分解反応または酸化反応によりガラス微粒子を合成し、このガラス微粒子を、回転しているコアロッドを平行に移動させながら、この外周に堆積して、コアロッド１１と、多孔質ガラス層１２とからなる光ファイバ用多孔質母材１０を形成する（多孔質母材形成工程）。
【００２６】
次いで、光ファイバ用多孔質母材１０のコアロッド１１を、コアロッド加熱装置２０の把持部２１、２１に固定する。
次いで、ヒータ２３、２３によりコアロッド１１を直接加熱して、コアロッド１１の外周面と、多孔質ガラス層１２との界面近傍の温度（以下、「界面温度」と略す。）を１２０℃以上とする。
【００２７】
上記界面温度が１２０℃未満では、光ファイバ用多孔質母材１０の加熱処理を、その外周から熱を加える方法により実施すると、界面温度が、脱水反応が十分に促進されるのに必要な温度まで上昇せず、光ファイバ母材のコアロッドとクラッド層との界面近傍の水酸基の濃度を、ほとんど零とみなせる程度に低くすることができない。
【００２８】
一方、上記界面温度が１２０℃以上であれば、界面温度を高くするほど、光ファイバ用多孔質母材１０の加熱処理を、その外周から熱を加える方法により実施しても、脱水反応が促進される。したがって、多孔質ガラス層１２がガラス化しない範囲の温度であれば、界面温度をどれだけ高くしてもよい。しかしながら、製造コストなどを考慮すると、実用的には界面温度は１５０〜７００℃が好ましく、２００〜３００℃がより好ましい。
なお、界面温度を、７００℃を超える温度まで上げても、脱水反応の促進に大きな変化はなく、また、光ファイバ用多孔質母材１０を外部から加熱すること、および、加熱する光ファイバ用多孔質母材１０の取り扱いを考慮すると、界面温度を２００〜３００℃程度とすることが好ましい。
【００２９】
次いで、光ファイバ用多孔質母材１０の界面温度が上記範囲であるうちに、ヒータにより所定の温度（例えば、１２００〜１３００℃程度）に設定された加熱炉をなす炉心管（図示略）内に収容し、塩素系ガスを含むヘリウム雰囲気内を通過させて、脱水、焼結し、光ファイバ母材を得る（加熱処理工程）。
【００３０】
この実施形態では、光ファイバ用多孔質母材１０の加熱処理前に、界面温度を１２０℃以上として、この界面温度を保ったまま加熱処理を行うから、脱水反応が促進され、光ファイバ母材のコアロッドとクラッド層との界面近傍の水酸基の濃度を、ほとんど零とみなせる程度に低くすることができる。
【００３１】
（第二の実施形態）
図２は、本発明に係る光ファイバ母材の製造装置の第二の実施形態を示し、光ファイバ母材の製造装置に備えられた加熱炉を示す概略構成図である。
図２中、符号３０は光ファイバ用多孔質母材、３１はコアロッド、３２は多孔質ガラス層、４０は加熱炉、４１は炉心管、４２は炉心管ヒータ、４３は導入口、４４は支持棒、４５は把持部、４６はコアロッドヒータ、４７は保持部、４８は支持部、４９は軸棒をそれぞれ示している。
【００３２】
この実施形態における加熱炉４０は、光ファイバ用多孔質母材３０を収容する石英ガラスからなる円筒形の炉心管４１と、炉心管４１内に収容された光ファイバ用多孔質母材３０を加熱処理するための炉心管ヒータ４２と、炉心管４１内に不活性ガスを導入するための導入口４３と、コアロッド３１に接続して、光ファイバ用多孔質母材３０を支持する支持棒４４と、支持棒４４を把持する把持部４５と、この把持部４５に設けられたコアロッドヒータ４６と、把持部４５を長手方向に保持する保持部４７と、軸棒４９に設けられ、保持部４７を、その長手方向と垂直な方向から支持する支持部４８とから概略構成されている。
【００３３】
加熱炉４０では、コアロッドヒータ４６が電熱器などで形成されており、温度制御装置（図示略）に接続されて所定の温度に制御可能となっている。このコアロッドヒータ４６により、光ファイバ用多孔質母材３０のコアロッド３１を加熱して、コアロッド３１の外周面と、多孔質ガラス層３２との界面近傍の温度を、所定の温度に制御可能となっている。この実施形態では、このように、コアロッドヒータ４６によって、コアロッド３１を、その一方の端部から加熱して、中心部に熱を伝える。
【００３４】
なお、この実施形態では、コアロッド３１を加熱する手段として、把持部４５に設けられた電熱器のコアロッドヒータ４６を例示したが、本発明はこれに限定されない。本発明にあっては、光ファイバ用多孔質母材のコアロッドを局所的に加熱することができる手段であれば、いかなる手段でも適用することができる。
【００３５】
次に、図２を参照して、この実施形態における光ファイバ母材の製造方法について説明する。
【００３６】
この実施形態の光ファイバ母材の製造方法では、まず、所定の工程を経て形成されたコアロッドを把持して、その中心軸を中心にして回転させる。
次いで、ガラス合成用バーナ（図示略）を用いて、このガラス合成用バーナから噴出される火炎中における加水分解反応または酸化反応によりガラス微粒子を合成し、このガラス微粒子を、回転しているコアロッドを平行に移動させながら、この外周に堆積して、コアロッド３１と、多孔質ガラス層３２とからなる光ファイバ用多孔質母材３０を形成する（多孔質母材形成工程）。
【００３７】
次いで、光ファイバ用多孔質母材３０のコアロッド３１を、加熱炉４０の支持棒４４に固定する。
次いで、炉心管ヒータ４２により所定の温度（例えば、１２００〜１３００℃程度）に設定された炉心管４１内に収容し、塩素系ガスを含むヘリウム雰囲気内を通過させて、脱水、焼結し、光ファイバ母材を得る（加熱処理工程）。
【００３８】
この実施形態では、上記加熱処理工程において、光ファイバ用多孔質母材３０を加熱処理中に、コアロッドヒータ４６によりコアロッド３１を、支持棒４４を通じて加熱する。
【００３９】
一方、上記界面温度を高くするほど、光ファイバ用多孔質母材３０の加熱処理を、その外周から熱を加える方法により実施しても、脱水反応が促進されるので、多孔質ガラス層３２がガラス化しない程度であれば、界面温度をどれだけ高くしてもよい。しかしながら、支持棒４４からの輻射熱などを考慮すると、実用的には、コアロッド３１の外周と多孔質ガラス層３２との界面を加熱するヒータの温度は１５０〜３００℃程度が好ましい。
【００４０】
この実施形態では、光ファイバ用多孔質母材３０の加熱処理中に、界面も加熱しながら加熱処理を行うから、脱水反応が促進され、光ファイバ母材のコアロッドとクラッド層との界面近傍の水酸基の濃度を、ほとんど零とみなせる程度に低くすることができる。
さらに、焼結時も界面を加熱できるので、界面近傍の焼結不良や、光ファイバ母材の変形が生じることもない。
【００４１】
（第三の実施形態）
図３は、本発明に係る光ファイバ母材の製造装置の第三の実施形態を示し、光ファイバ母材の製造装置に備えられた加熱炉を示す概略構成図である。
図３中、符号５０は光ファイバ用多孔質母材、５１はコアロッド、５２は多孔質ガラス層、６０は加熱炉、６１は炉心管、６２は炉心管ヒータ、６３は導入口、６４は支持棒、６５は把持部、６６はコアロッドヒータ、６７は保持部、６８は支持部、６９は軸棒をそれぞれ示している。
【００４２】
この実施形態における加熱炉６０は、光ファイバ用多孔質母材５０を収容する石英ガラスからなる円筒形の炉心管６１と、炉心管６１内に収容された光ファイバ用多孔質母材５０を加熱処理するための炉心管ヒータ６２と、炉心管６１内に不活性ガスを導入するための導入口６３と、コアロッド５１に接続して、光ファイバ用多孔質母材５０を支持する支持棒６４、６４と、支持棒６４、６４を把持する把持部６５、６５と、この把持部６５、６５に設けられたコアロッドヒータ６６、６６と、把持部６５、６５を長手方向に保持する保持部６７、６７と、軸棒６９に設けられ、保持部６７、６７を、その長手方向と垂直な方向から支持する支持部６８、６８とから概略構成されている。
【００４３】
加熱炉６０では、炉心管ヒータ６２が炉心管６１の外周を囲むように、炉心管６１の長手方向に沿って並列に配された第一のヒータ６２Ａと、第二のヒータ６２Ｂ、第三のヒータ６２Ｃ、第四のヒータ６２Ｄとから構成されている。また、炉心管ヒータ６２は、炉心管６１内に収容された光ファイバ用多孔質母材５０の長手方向のほぼ全域を囲むように配されている。
【００４４】
加熱炉６０では、コアロッドヒータ６６、６６が電熱器などで形成されており、温度制御装置（図示略）に接続されて所定の温度に制御可能となっている。このコアロッドヒータ６６、６６により、光ファイバ用多孔質母材５０のコアロッド５１を加熱して、コアロッド５１の外周面と、多孔質ガラス層５２との界面近傍の温度を、所定の温度に制御可能となっている。この実施形態では、このように、コアロッドヒータ６６、６６によって、コアロッド５１を、その両端部から加熱して、中心部に熱を伝える。
【００４５】
次に、図３を参照して、この実施形態における光ファイバ母材の製造方法について説明する。
【００４６】
この実施形態の光ファイバ母材の製造方法では、まず、所定の工程を経て形成されたコアロッドを把持して、その中心軸を中心にして回転させる。
次いで、ガラス合成用バーナ（図示略）を用いて、このガラス合成用バーナから噴出される火炎中における加水分解反応または酸化反応によりガラス微粒子を合成し、このガラス微粒子を、回転しているコアロッドを平行に移動させながら、この外周に堆積して、コアロッド５１と、多孔質ガラス層５２とからなる光ファイバ用多孔質母材５０を形成する（多孔質母材形成工程）。
【００４７】
次いで、光ファイバ用多孔質母材５０のコアロッド５１を、加熱炉６０の支持棒６４、６４に固定する。
次いで、炉心管ヒータ６２により所定の温度（例えば、１２００〜１３００℃程度）に設定された炉心管６１内に収容し、塩素系ガスを含むヘリウム雰囲気内を通過させて、脱水、焼結し、光ファイバ母材を得る（加熱処理工程）。
【００４８】
この実施形態では、上記加熱処理工程において、光ファイバ用多孔質母材５０を加熱処理中に、コアロッドヒータ６６、６６によりコアロッド５１を、支持棒６４、６４を通じて加熱する。
【００４９】
一方、上記界面温度が１２０℃以上であれば、界面温度を高くするほど、光ファイバ用多孔質母材５０の加熱処理を、その外周から熱を加える方法により実施しても、脱水反応が促進されるので、多孔質ガラス層５２がガラス化しない程度であれば、界面温度をどれだけ高くしてもよい。しかしながら、支持棒６４、６４からの輻射熱などを考慮し、実用的には界面を加熱するヒータの温度は１５０〜３００℃が好ましい。
【００５０】
この実施形態では、光ファイバ用多孔質母材５０の加熱処理中に、界面温度を１２０℃以上として、この界面温度を保ったまま加熱処理を行うから、脱水反応が促進され、光ファイバ母材のコアロッドとクラッド層との界面近傍の水酸基の濃度を、ほとんど零とみなせる程度に低くすることができる。
【００５１】
また、光ファイバ用多孔質母材５０の長手方向に並列に配された４つのヒータからなる炉心管ヒータ６２が、炉心管６１内に収容された光ファイバ用多孔質母材５０の長手方向のほぼ全域を囲んでいるので、１つの炉心管ヒータを用いる第二の実施形態よりも短時間で脱水反応を行うことができる。
【実施例】
【００５２】
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００５３】
（実施例）
図２に示したような光ファイバ母材の製造装置を用いて、光ファイバ用多孔質母材の脱水、焼結を行い、光ファイバ母材を製造した。
光ファイバ用多孔質母材３０の脱水において、脱水中の界面を加熱するためのヒータの温度を２５０℃に設定した。
また、炉心管４１内の温度を１２５０℃に設定した。
脱水開始から終了までの脱水時間を４時間とした。
また、焼結時も界面加熱用のヒータを２５０℃に設定し、炉心管４１内の温度を１５５０℃に設定した。
焼結時間を８時間とした。
上記一連の工程を繰り返して、光ファイバ母材を５４個作製した。
【００５４】
（比較例）
図４に示したような光ファイバ母材の製造装置を用いて、光ファイバ用多孔質母材の脱水、焼結を行い、光ファイバ母材を製造した。
光ファイバ用多孔質母材１０１の脱水において、脱水時の炉心管１０２内の温度を１２５０℃に設定した。
脱水開始から終了までの脱水時間を４時間とした。
また、焼結時の炉心管１０２内の温度を１５５０℃に設定した。
焼結時間を８時間とした。
上記一連の工程を繰り返して、光ファイバ母材を５８個作製した。
【００５５】
実施例および比較例で得られた光ファイバ母材を用いて光ファイバを製造し、波長１３８０ｎｍにおける損失を測定した。結果を表１に示す。
【００５６】
【表１】
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【００５７】
表１の結果から、実施例によれば、波長１３８０ｎｍにおける損失の少ない光ファイバを製造可能な光ファイバ母材を製造することができることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明の光ファイバ母材の製造方法、および、光ファイバ母材の製造装置は、脱水および焼結の双方に有効であるから、光ファイバ母材以外のガラス製造にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明に係る光ファイバ母材の製造装置の第一の実施形態を示し、光ファイバ母材の製造装置に備えられた光ファイバ用多孔質母材の加熱装置を示す概略構成図である。
【図２】本発明に係る光ファイバ母材の製造装置の第二の実施形態を示し、光ファイバ母材の製造装置に備えられた加熱炉を示す概略構成図である。
【図３】本発明に係る光ファイバ母材の製造装置の第三の実施形態を示し、光ファイバ母材の製造装置に備えられた加熱炉を示す概略構成図である。
【図４】従来の光ファイバ母材の製造装置に備えられた加熱炉の一例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【００６０】
１０，３０，５０・・・光ファイバ用多孔質母材、１１，３１，５１・・・コアロッド、１２，３２，５２・・・多孔質ガラス層、２０・・・コアロッド加熱装置、２１，４５，６５・・・把持部、２２，４７，６７・・・保持部、２３・・・ヒータ、２４，４８，６８・・・支持部、２５・・・基台、４０，６０・・・加熱炉、４１，６１・・・炉心管、４２，６２・・・炉心管ヒータ、４３，６３・・・導入口、４４，６４・・・支持棒、４６，６６・・・コアロッドヒータ、４９，６９・・・軸棒。
【図１】
2005350287.tif 000004
【図２】
2005350287.tif 000005
【図３】
2005350287.tif 000006
【図４】
2005350287.tif 000007