(57)【要約】      （修正有）【課題】高周波回路用パッケージにおいて、空洞共振を抑制し、伝送特性および信頼性に優れた高周波回路用パッケージを得る。【解決手段】高周波回路用パッケージ蓋体１０を、表面に金属皮膜１１ｂを形成した金属製の基体１１と、Ｆｅ２Ｏ３を主成分とし、その残部にＮｉＯを含有する焼結体からなる電波吸収体１２の表面に金属皮膜１２ｂを形成したものとをろう材１３にて止着した構成とする。【選択図】図１
2005072156.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波回路を収納するパッケージベースと組み合わせて気密封止パッケージを形成する高周波回路用パッケージ蓋体において、金属またはセラミックスからなる基体の表面の少なくとも一部に金属膜を形成するとともに、Ｆｅ２Ｏ３を主成分とし、その残部にＮｉＯを含有する焼結体からなる電波吸収体の表面の少なくとも一部に金属膜を形成し、前記基体にろう材を用いて前記電波吸収体を止着したことを特徴とする高周波回路用パッケージ蓋体。
【請求項２】
前記電波吸収体は、Ｆｅ２Ｏ３の含有量が７０〜９５ｍｏｌ％であることを特徴とする請求項１記載の高周波回路用パッケージ蓋体。
【請求項３】
前記ろう材は、融点が１００℃〜４００℃であることを特徴とする、請求項１記載の高周波回路用パッケージ蓋体。
【請求項４】
前記基体と前記電波吸収体を、箔片状に加工した前記ろう材を介して積層した後、酸素濃度１０００ｐｐｍ以下の窒素雰囲気下で、前記ろう材の融点温度以上に加熱して止着する工程を含む請求項１乃至３のいずれかに記載の高周波回路用パッケージ蓋体の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれかに記載の高周波回路用パッケージ蓋体と、高周波回路を収納するパッケージベースとからなることを特徴とする高周波回路パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に高速の情報通信および高周波計測用に使用される光素子パッケージ並びに高周波回路パッケージ等に使用される高周波回路用パッケージ蓋体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光素子パッケージ並びに高周波回路パッケージでは、金属またはセラミックス等からなる蓋体を金属またはセラミックス等からなるパッケージベースに取り付けることにより気密封止を行って内部に実装される半導体素子や伝送線路等の保護を行う。従って、これらの高周波回路用パッケージ内には概直方体状の空洞が形成されることから、高周波回路用パッケージは方形空洞共振器と同様の性質を有する。
【０００３】
そのため前記空洞の寸法によって定まる遮断周波数より高い周波数帯域で、空洞共振を生じ、高周波での伝送特性が劣化するので、前記周波数帯域で動作する光素子、高周波半導体素子あるいはその他の回路素子をパッケージに実装する場合には、前記空洞の寸法を小さくすることによって、遮断周波数を前記素子が動作する周波数帯域よりも十分に高くする必要がある。
【０００４】
しかしながら前記方法では、素子の動作周波数が高周波化するに伴い、前記素子が動作する周波数帯域より空洞共振が生じる周波数の方が低くなる為、素子の動作周波数近傍で空洞共振が生じてしまい、高周波特性が劣化するという問題がある。
【０００５】
特に近年では、光通信、無線通信の高速化への要求が高まると共に、これらの素子の動作周波数もますます高速化しており、このような問題が避けられない状況にある。
【０００６】
さらに、高周波回路用パッケージでは、空洞共振のみならず、高周波回路用パッケージ内に実装する増幅器の発振現象を引き起こすこともある。
【０００７】
すなわち、高周波回路用パッケージ及び高周波半導体素子に形成された高周波伝送線路からの輻射電波が、蓋体によって反射されることにより、増幅器入出力線路間に不要信号の帰還が生じ、不要な発振が生じる。
【０００８】
従来の高周波回路用パッケージは、図３に示すように、端子電極３５を有する金属製のパッケージベース３１に、半導体素子３３が実装され、伝送線路３８を有した、セラミックス等からなる回路基板３２を収納し、半導体素子３３、端子電極３５、伝送線路３８のそれぞれの間をボンディングワイヤ３６で接続後、金属製の蓋体３４をシーム溶接等の方法にて接合し、密閉された構造となっている。
【０００９】
しかしながら、このような構造の場合、半導体素子３３の動作周波数が高周波化するに伴い、前記素子３３が動作する周波数帯域が、空洞共振が生じる周波数より高くなった場合に空洞共振が発生し、周波数特性が劣化するという問題が生じていた。
【００１０】
この現象は、半導体素子３３、ボンディングワイヤ３６、周辺の伝送線路３８およびそれらの接続部等から信号周波数帯域の電波が放射され、その放射電波が高周波回路パッケージ３０の内部空間３７の固有振動数と一致した周波数で共振現象が発生し、その結果として伝送特性が劣化するためと考えられる。
【００１１】
これらの問題点を解決するために、図４に示すように、フェライトなどの焼結体からなる電波吸収体４６の片面にメタライズ層を形成し、高周波回路用パッケージの金属製蓋部４４の内面にろう材４５にてろう付けして、高周波回路パッケージ４０内で生じるマイクロ波の反射共振を抑制する方法（特許文献１）が提案されている。
【００１２】
また、図５に示すように、高周波回路基板５２等が実装されたパッケージベース５１と、概パッケージベース５１上の前記高周波回路基板５２等を封止するように前記パッケージベース上に配設された誘電体を素材とする誘電体封止板５６と、該誘電体封止板５６の外側に配設された電波吸収体５５と、該電波吸収体５５をシールドするように該電波吸収体５５を包囲して配設された金属製のキャップ５４とを備える構造（特許文献２）が提案されている。
【特許文献１】実公平２−２３０３５号公報
【特許文献２】特開２０００−１３８４９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、上記空洞共振が発生する周波数は一般に周波数が準ミリ波、ミリ波の領域であり、図４に示すような、従来のフェライト等焼結体からなる電波吸収体４６は、これらの周波数で発生する空洞共振時の電界および磁界のエネルギーに対する吸収量が小さく、空洞共振の発生を押さえることができなかった。
【００１４】
一方、準ミリ波、ミリ波の領域の周波数で発生する空洞共振時の電界および磁界エネルギーの吸収に適した電波吸収体としては、樹脂と軟磁性金属粉末の複合材料からなる電波吸収体が好適とされている。
【００１５】
しかしながら、このような樹脂と軟磁性金属粉末の複合材料からなる電波吸収体では耐熱性が低いため、ろう付け時の温度上昇によって劣化したり、アウトガスが発生したりするため、高い信頼性が要求される前述の高周波回路パッケージ内部には使用することができなかった。
【００１６】
また、図５に示すような構造によって、電波吸収体５５から発生するアウトガスの影響を防止する方法が提案されているが、高周波回路パッケージ５０の構成が複雑となり、価格が高くなる上に、高周波回路パッケージ５０の小型化、低背化が困難であるという問題点があった。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記課題に対して検討を重ねた結果、本発明は、高周波回路を収納するパッケージベースと組み合わせて気密封止パッケージを形成する高周波回路用パッケージ蓋体において、金属またはセラミックスからなる基体の表面の少なくとも一部に金属膜を形成するとともに、Ｆｅ２Ｏ３を主成分とし、その残部にＮｉＯを含有する焼結体からなる電波吸収体の表面の少なくとも一部に金属膜を形成し、前記基体にろう材を用いて前記電波吸収体を止着したことを特徴とするものである。
【００１８】
また、本発明の高周波回路用パッケージ蓋体は、前記電波吸収体が、Ｆｅ２Ｏ３の含有量が７０〜９５ｍｏｌ％であることを特徴とするものである。
【００１９】
さらに、本発明の高周波回路用パッケージ蓋体は、前記ろう材の融点が１００℃〜４００℃であることを特徴とするものである。
【００２０】
さらに、本発明の高周波回路用パッケージ蓋体の製造方法は、前記基体と前記電波吸収体を、箔片状に加工した前記ろう材を介して積層した後、酸素濃度１０００ｐｐｍ以下の窒素雰囲気中にて、前記ろう材の融点温度以上に加熱して止着する工程を含むことを特徴とするものである。
【００２１】
さらに、本発明の高周波回路パッケージは、前記高周波回路用パッケージ蓋体と、高周波回路を収納するパッケージベースとからなることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、高周波回路を収納するパッケージベースと組み合わせて気密封止パッケージを形成する高周波回路用パッケージ蓋体において、Ｆｅ２Ｏ３を主成分とし、その残部にＮｉＯを含有する焼結体からなる電波吸収体の表面の少なくとも一部に金属膜を形成し、該電波吸収体を前記基体にろう材を用いて止着することにより、共振、発振を生じず、高周波特性に優れ、かつ、信頼性に優れた高周波回路パッケージを得ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下に、本発明の実施形態として、高周波回路用パッケージ蓋体と高周波回路パッケージについて説明する。
【００２４】
まず、図１に示すように、基体１１と電波吸収体１２、および両者を止着するろう材１３よりなる蓋体１０を構成する。
【００２５】
そして、例えば図２に示すように、半導体素子２３が実装された高周波回路基板２２を実装したパッケージベース２１の上部に上記蓋体１０を取り付け、Ａｕ−Ｓｎ合金によるろう付け、またはシーム溶接等の方法で気密封止して高周波回路パッケージ２０を構成する。
【００２６】
基体１１はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金等の金属合金板からなり、その表面全体に下地層Ｎｉ、表面層Ａｕの２層からなる金属膜１１ｂが形成された構成となっている。また、電波吸収体１２は、Ｆｅ２Ｏ３を主成分とし、その残部にＮｉＯを含有する焼結体からなり、基体１１と止着される面に金属膜１２ｂを形成してある。
【００２７】
ここで、蓋体１０が、基体１１にろう材１３を介して電波吸収体１２を止着した構成であることにより、空洞共振、帰還発振等による高周波特性の劣化を防止することができる。
【００２８】
ここで、金属膜１１ｂ、１２ｂは、ろう材１３との濡れ性を考慮するとＡｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ等の金属、及びこれらを含む合金を使用することが好ましく、１層または２層以上の構成としても構わない。化学的安定性が高いことから表面層としてはＡｕが好ましいが、特に半田との濡れ性、封止接合の信頼性の高いことから表面層がＡｕ、その下地層がＮｉとすることが好ましい。
【００２９】
さらに電波吸収体１２に形成される金属膜１２ｂにおいては、化学的安定性が高いことから表面層としてはＡｕが好ましいが、特に半田との濡れ性、接合の信頼性の高いことから表面層がＡｕ、その下地層がＮｉとすることが好ましく、さらにＮｉ層と電波吸収体の密着性を向上させる目的で両者の間にＣｒ層を設けることが好ましい。
【００３０】
また、基体１１は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金あるいはＦｅ−Ｎｉ合金等の金属板の代わりに、アルミナ、ステアタイト、コージェライト等のセラミックスを使用しても良く、この場合、蓋体１０とパッケージベース２１の接合方法としては、あらかじめセラミックスの封止部分にＭｏ−Ｍｎメタライズ、その後Ｎｉメッキ、さらにＡｕメッキを施した金属膜を形成しておき、パッケージベースとＡｕ−Ｓｎ合金によりろう付けする等の方法を使用すれば良い。
【００３１】
また、前記電波吸収体１２は、Ｆｅ２Ｏ３を主成分とし、残部にＮｉＯを含有する焼結体とすることが重要である。
【００３２】
前記電波吸収体１２を、Ｆｅ２Ｏ３を主成分とし、残部にＮｉＯを含有する焼結体とすることで、準ミリ波、ミリ波領域の電磁波に対する電波吸収特性に優れ、また焼結体であるため耐熱性に優れたものとなり、熱処理によって各部品を接合する際、変質、変形及び強度劣化が少なく、脱ガスの発生を無くすことができる。
【００３３】
ここで、前記電波吸収体１２は、Ｆｅ２Ｏ３の含有量が５０ｍｏｌ％未満となると、準ミリ波帯、ミリ波帯での電波吸収特性が得られず、パッケージ内部で発生する輻射電磁波に起因する空洞共振現象やアンプの帰還発振現象を抑制することが出来ない。
【００３４】
また、前記電波吸収体１２は、Ｆｅ２Ｏ３の含有量が７０〜９５ｍｏｌ％であることがより好ましい。
【００３５】
Ｆｅ２Ｏ３の含有量を７０ｍｏｌ％以上とするのは、５０ｍｏｌ％以上、７０ｍｏｌ％未満では、準ミリ波帯、ミリ波帯における電波吸収特性は良好であるものの、Ｆｅ２Ｏ３の含有量の僅かなぶれにより電波吸収特性が大きく変化するため、高周波回路パッケージの設計を困難にするためである。
【００３６】
一方、Ｆｅ２Ｏ３の含有量を９５ｍｏｌ％以下とするのは、９５ｍｏｌ％を超えると、整形時の圧力によっては焼結させることが困難になり、良好な電波吸収特性が得られなかったり、歩留まりが低下したりするからである。
【００３７】
また、その残部にＮｉＯを含有させたのは、ＮｉＯを全く含まない場合は、電波吸収体の体積固有抵抗値が上昇し、良好な電波吸収特性が得られないとともに、低温で焼結させることが困難になるからである。
【００３８】
本発明の電波吸収体１２は、以下の方法によって作製される。
【００３９】
先ず、Ｆｅ２Ｏ３５０ｍｏｌ％以上の原料粉末及びＮｉＯの原料粉末を、水とともにボールミルまたはビーズビルに投入調合した後、６〜１０時間湿式混合を行うことで、所定の粘性を有するスラリーを得る。
【００４０】
ここで、Ｆｅ２Ｏ３原料粉末やＮｉＯ原料粉末をボールミルまたはビーズビルに投入調合する際、本発明の範囲内において公知の硬化剤、硬化助剤、可塑剤、分散剤、離型剤、着色剤、増量剤（無機材）を少量添加しても何ら差し支えない。
【００４１】
また、焼結性確保のため、平均粒径１μｍ以下、好ましくは０．８５μｍ以下のＦｅ２Ｏ３原料粉末やＮｉＯ原料粉末を用いることが好ましい。
【００４２】
さらに、より低圧での成形を可能にするという観点から、ＺｎＯ，ＣｕＯ，Ｂｉ２Ｏ３の少なくとも一種の原料粉末を添加することが好ましく、その添加量の合計が５〜１０ｍｏｌ％であることが特に好適であり、このようにすることで、成形に用いる装置のコスト低減を計ることができ、複雑な形状の電磁波吸収体を作製することもできるようになる。
【００４３】
次に、噴霧乾燥機を用い、上記スラリーを乾燥、造粒した後、得られた造粒粉を所望の成形手段、例えば、粉末加圧成形法により、任意形状の成形体を得る。
【００４４】
あるいは、上記スラリーを乾燥したものを７００〜９００℃程度で仮焼合成を行い、ボールミルやビーズミル等で粉砕し、噴霧乾燥機で再度乾燥させた後、所望の成形手段、例えば、粉末加圧成形法により、任意形状の成形体を作製してもよい。
【００４５】
ここで、粉末加圧成形法を用いる場合、その成形圧は、例えば１００〜３００ＭＰａとすればよい。
【００４６】
そして、上記成形体を１０００〜１４００℃、保持時間０〜２時間で焼成した後、３００〜５００℃／時間で降温することで本発明の電波吸収体１２が得られる。
【００４７】
また、ろう材１３は、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ａｇ等の金属のうち２種以上の金属の合金を用いれば良いが、前記金属膜１１ｂ、１２ｂとの濡れ性および融点温度を考慮し、Ａｕ−Ｓｎ、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｂｉ−Ａｇ、Ｉｎ−Ｓｎ等の合金を使用するのがよい。
【００４８】
こうすることにより、基体１１と電波吸収体１２の止着が強固な物となり、パッケージベース２１へ蓋体１０を接合する際の工程や、使用条件下における温度上昇の際にも、蓋体１０から電波吸収体１２が脱落せず、さらに有機系の接着剤等を用いないことから、アウトガスが発生せず、内部に封入される半導体素子等の特性劣化が防止できる。
【００４９】
前記接合時には、通常シーム溶接法が用いられ、蓋体１０は１００℃近くまで温度が上昇することから、前記ろう材１３の融点は１００℃以上であることが好ましく、接合条件によって適切に選択することが出来る。
【００５０】
また、前記ろう材１３の融点が高すぎると、基体１１表面の金属膜１１ｂおよび電波吸収体１２表面の金属膜１２ｂが部分的に剥離したり、止着強度が低下するため、前記ろう材１３の融点は４００℃以下とすることが好ましい。
【００５１】
次に、前記高周波回路パッケージの製造方法について説明する。
【００５２】
本発明の高周波回路用パッケージ蓋体１０は、前記基体１１と前記電波吸収体１２とを、あらかじめ箔片状に加工した前記ろう材１３を介して積層し、酸素濃度が１０００ｐｐｍ以下にコントロールされた窒素雰囲気下で、前記ろう材１３の融点温度以上で加熱することにより、前記ろう材１３を介して前記基体１１と前記電波吸収体１２を止着することによって得られる。
【００５３】
次に本発明の高周波回路用パッケージ蓋体１０を使用した高周波回路パッケージ２０を説明する。図１および図２に断面図で示すように、高周波回路パッケージ２０は、半導体素子２３が実装された回路基板２２を収納したパッケージベース２１に、本発明の蓋体１０をＡｕ−Ｓｎ合金によるろう付けあるいはシーム溶接等の方法で、内部空間２７を気密封止するように接合する。蓋体１０の内部空間側には、電波吸収体１２が金属層１２ｂとろう材１３を介して止着されており、半導体素子２３は回路基板２２上の伝送線路２４にボンディングワイヤ２６等で接続され、さらに回路基板２２上の伝送線路２４と端子電極２５がボンディングワイヤ２６等で接続されている。
【００５４】
こうすることにより、高周波回路パッケージ２０は、半導体素子２３、伝送線路２４、ボンディングワイヤ２５、およびそれぞれの接続部分等からの輻射電波が、電波吸収体１２により吸収減衰されるため、蓋体１０による内部反射が抑制された結果、空洞共振や発振現象が抑制され、高周波での周波数特性に優れたものとすることが可能となるのである。
【実施例】
【００５５】
図１および図２に示すように、半導体素子２３が実装された回路基板２２を実装したパッケージベース２１に、金属製の基体１１と電波吸収体１２をろう材１３により止着した蓋体１０をシーム溶接にて気密封止し、高周波回路用パッケージ２０を作製した。ここで、高周波パッケージ２０の端子電極２５と、回路基板２２上に形成された伝送線路２４とはボンディングワイヤ２６で接続されている。
【００５６】
電波吸収体１２は、以下の方法によって作製した。
【００５７】
まず、Ｆｅ２Ｏ３およびＮｉＯの原料粉末が表１に示す比率になるように秤量したものを出発原料とした。この出発原料を水とともにボールミルに投入、調合した後、８時間湿式混合を行うことで、所定の粘度を有するスラリーを得た。
【００５８】
次に、噴霧乾燥機（スプレードライヤー）を用い、上記スラリーを乾燥、造粒した後、得られた造粒粉を粉末加圧成形法により、成形圧力１００ＭＰａで成形することで成形体を得た。そして、上記成形体を空気中１３００℃の雰囲気で焼成することにより、電波吸収体１２を得た。
【００５９】
さらに、得られた電波吸収体１２の一方の主面に薄膜法により下地Ｎｉ、表面層Ａｕの金属膜を形成し、別途、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金からなる基体１１の表面にＮｉ、さらにＡｕの金属膜を電解メッキ法にて形成後、電波吸収体１２が内部空間２７側となるようにろう材を用いて接合し、蓋体１０を得た。
【００６０】
なお、高周波回路パッケージ２０は、内部に１０ｍｍ×１０ｍｍ、高さ５ｍｍの概直方体の空洞２７を有している。
【００６１】
まず、電波吸収体１２のＦｅ２Ｏ３およびＮｉＯの含有量の最適範囲を検証するために、それぞれの含有量を変化させた電波吸収体１２を用いて蓋体を作製し、減衰量および空洞共振を抑制する効果の有無を検証した。
【００６２】
減衰量は、あらかじめ測定範囲の高周波信号を透過できるよう設計された伝送線路の両端に、ネットワークアナライザのポート１、ポート２を、同軸ケーブルおよびプローブを介して接続し、伝送線路を覆うように電波吸収体１２を載置した時の１０ＧＨｚにおける電力透過係数Ｓ２１の変化量を測定し、減衰量とした。
【００６３】
空洞共振を抑制する効果の測定は、ネットワークアナライザを使用し、ポート１、ポート２にそれぞれ高周波回路パッケージ２０の高周波入力側、出力側の端子電極２５を接続し、試料１〜７の電波吸収体を接合した蓋体を高周波回路パッケージ２０に封止接合した状態で、１０ＭＨｚ〜７０ＧＨｚまでの伝送特性を測定し、空洞共振抑制効果の有無を確認した。
【００６４】
その結果、本発明実施例であるＮｏ．２〜Ｎｏ．６の電磁波吸収体では、準ミリ波、ミリ波帯域における空洞共振を抑制する効果を有するのに対し、比較例であるＦｅ２Ｏ３を主成分としないＮｏ．１、ＮｉＯを含有しないＮｏ．７では、電波吸収特性に劣り、準ミリ波、ミリ波帯域の空洞共振を抑制することができず、本発明の電波吸収体１２として使用することは困難であった。
【００６５】
さらに好ましくは、Ｆｅ２Ｏ３の含有量を７０〜９５％の範囲とすることで、電磁波の減衰量がＦｅ２Ｏ３の含有量の変化に対して安定した領域で製造することが可能となり、製造条件管理が容易になると共に、電波吸収体として安定した特性が得られるため、歩留まりが向上し、さらに高周波回路パッケージの設計が容易になるため好都合である。
【表１】
2005072156.tif 000003
【００６６】
次に、従来の金属のみからなる蓋体を使用した場合と、従来の電波吸収体を止着した蓋体、および本発明の蓋体１０を使用したときの共振抑制効果の有無を確認した。
【００６７】
さらに、パッケージ内部空間のガス成分を、ＭＩＬ−ＳＴＤ  ８８３Ｅに記載の方法で測定した。
【００６８】
その結果、従来の金属製のみからなる蓋体を使用した場合（Ｎｏ．９）は、１０ＧＨｚ付近で空洞共振が発生して、高周波回路パッケージの周波数特性が劣化したのに対し、本発明の蓋体１０を使用した場合（Ｎｏ．８）は、電波吸収体１２の作用により空洞共振が抑制され、周波数特性に優れた高周波回路パッケージ２０となることが確認された。
【００６９】
また、パッケージ内部のガス成分測定結果においても腐食性ガスの発生は確認されず、半導体素子の信頼性に影響を与えないことが解った。
【００７０】
次に、従来技術である、フェライト板の表面に金属膜を形成し、本発明と同様に金属合金の止着材で金属板からなる基体に止着した蓋体（Ｎｏ．１０）を使用し、測定を行ったが、フェライトは、空洞共振が発生する周波数に対する吸収特性に劣るため、空洞共振を防止することができなかった。
【００７１】
さらに、ゴムを基材とし、磁性金属粉末を添加した従来の電波吸収体を、エポキシ系の接着剤で接合した蓋体を使用し、測定を行った結果（Ｎｏ．１１）、空洞共振が抑制され、良好な周波数特性が得られたが、パッケージ内部空間のガス分析結果より、腐食性を有するアウトガスの発生が確認され、半導体素子の信頼性が低下することが予想されるため、高い信頼性が要求される高周波パッケージの封止用蓋体として適切ではない。
【表２】
2005072156.tif 000004
【００７２】
次に、基体１１と電波吸収体１２を、ろう材１３にて止着する時の酸素濃度の最適範囲を確認するため、酸素濃度を様々に変化させて実験を行った（Ｎｏ．１２〜Ｎｏ．１６）。
【００７３】
接合状態の確認は、基体１１が下側になるように固定した状態で電波吸収体１２を上方に引っ張り、両者がはがれたときの応力を測定し、接合強度とした。
【００７４】
その結果、酸素濃度１０００ｐｐｍを超える範囲（Ｎｏ．１２、Ｎｏ．１３）では、ろう材１３と金属膜１１ｂ、１２ｂの濡れ性が悪く、全く接合出来ないか、出来ても接合強度が低かった。
【００７５】
一方、酸素濃度１０００ｐｐｍ以下の範囲（Ｎｏ．１４〜Ｎｏ．１６）では、接合強度が十分高いものであった。
【００７６】
このため、止着時の酸素濃度は１０００ｐｐｍ以下であることが好ましく、止着後の強度を考慮すると、５００ｐｐｍ以下であることがさらに好ましいと言える。
【００７７】
【表３】
2005072156.tif 000005
【産業上の利用可能性】
【００７８】
本発明は、特に高速の情報通信および高周波計測用に使用される光素子パッケージ並びに高周波回路パッケージ等に使用される高周波回路用パッケージ蓋体に利用でき、その結果、各種パッケージの特性を向上させることが可能となるものである。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の高周波回路用パッケージ蓋体の断面図である。
【図２】本発明の高周波回路パッケージの断面図である。
【図３】従来の高周波回路パッケージの断面図である。
【図４】従来の電波吸収体を用いた高周波回路パッケージの断面図である。
【図５】従来の電波吸収体を用いた高周波回路パッケージの断面図である。
【符号の説明】
【００８０】
１０・・・高周波回路用パッケージ蓋体
１１・・・基体
１１ｂ・・・金属膜
１２・・・電波吸収体
１２ｂ・・・金属膜
１３・・・ろう材
２０・・・高周波回路パッケージ
２１・・・パッケージベース
２２・・・回路基板
２３・・・半導体素子
２４・・・伝送線路
２５・・・端子電極
２６・・・ボンディングワイヤ
２７・・・内部空間
３０・・・高周波回路パッケージ
３１・・・パッケージベース
３２・・・回路基板
３３・・・半導体素子
３４・・・蓋体
３５・・・端子電極
３６・・・ボンディングワイヤ
３７・・・内部空間
３８・・・伝送線路
４１・・・パッケージベース
４２・・・回路基板
４３・・・半導体素子
４４・・・蓋体
４５・・・ろう材
４６・・・焼結電波吸収体
５０・・・高周波回路パッケージ
５１・・・パッケージベース
５２・・・回路基板
５３・・・半導体素子
５４・・・蓋体
５５・・・電波吸収体
５６・・・誘電体封止板
【図１】
2005072156.tif 000006
【図２】
2005072156.tif 000007
【図３】
2005072156.tif 000008
【図４】
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【図５】
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