(57)【要約】【課題】  被処理材の材質に左右されずにその被処理材を効率良く熱処理できる熱処理方法を提供する。【解決手段】  光エネルギーを熱エネルギーに変換する光熱変換層４及び基材５を有する熱処理シート７と被処理材１とを対向し、熱処理シート７に光を照射し、光熱変換層４で生成される熱エネルギーを使って被処理材１を熱処理する。【選択図】    図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光エネルギーを熱エネルギーに変換する光熱変換材料を含む基材と被処理材とを対向させた状態で、前記基材に光を照射し、前記光熱変換材料を使って前記被処理材を熱処理することを特徴とする熱処理方法。
【請求項２】
前記基材と前記被処理材とを密着させた状態で前記光を照射することを特徴とする請求項１記載の熱処理方法。
【請求項３】
前記光熱変換材料を含む光熱変換層が、前記基材上に該基材とは独立して設けられていることを特徴とする請求項１又は２記載の熱処理方法。
【請求項４】
前記光熱変換層と前記被処理材とを対向させた状態で、前記光を照射することを特徴とする請求項３記載の熱処理方法。
【請求項５】
前記光熱変換層と前記被処理材とを密着させた状態で前記光を照射することを特徴とする請求項３又は４記載の熱処理方法。
【請求項６】
前記基材に、前記光熱変換材料が混在されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項記載の熱処理方法。
【請求項７】
前記熱処理は、乾燥処理及び焼成処理のうちの少なくともいずれか一方を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項記載の熱処理方法。
【請求項８】
前記被処理材は導電性材料を含み、前記導電性材料を熱処理することを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項記載の熱処理方法。
【請求項９】
前記光熱変換材料に応じた波長を有する光を照射することを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項記載の熱処理方法。
【請求項１０】
請求項１〜請求項９のいずれか一項記載の熱処理方法により被処理材上に設けられた導電性材料層を熱処理する工程を有することを特徴とする配線パターンの形成方法。
【請求項１１】
請求項１〜請求項９のいずれか一項記載の熱処理方法により被処理材上に設けられた機能性材料層を熱処理する工程を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０記載の形成方法により形成された配線パターンを有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項１３】
請求項１１記載の製造方法により製造されたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１４】
請求項１２又は１３記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理材を熱処理する熱処理方法、配線パターンの形成方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、例えば基板上に導電性薄膜を形成し、その導電性薄膜を熱処理して改質することが行われている。下記特許文献１には、基板上に形成された金属薄膜に対してレーザ光を照射することで金属薄膜を改質するレーザアニール処理に関する技術が開示されている。
【特許文献１】特開平５−２１３８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、基板上に導電性材料を含む機能液を塗布した後、導電性を発現させるために熱処理（焼成処理）が行われるが、例えば少なくとも３００℃以上で３０分以上熱処理しなければならず、熱処理に長時間を要し生産性向上の妨げとなる。また、基板がプラスチック製など耐熱性を有していない場合、高温で長時間の熱処理は基板の変形等の不都合を引き起こす。
【０００４】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、被処理材（基板）の材質に左右されずにその被処理材を効率良く熱処理できる熱処理方法を提供することを目的とする。更に、その熱処理方法を使った配線パターンの形成方法及び電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するため、本発明の熱処理方法は、光エネルギーを熱エネルギーに変換する光熱変換材料を含む基材と被処理材とを対向させた状態で、前記基材に光を照射し、前記光熱変換材料を使って前記被処理材を熱処理することを特徴とする。本発明によれば、基材に光熱変換材料を含ませることにより、照射した光の光エネルギーを効率良く熱エネルギーに変換し、被処理材を熱処理するのに十分な熱エネルギーを被処理材に供与することができる。そして、本発明では、光熱変換材料に光を照射して瞬間的に高温を発生させる構成であるため、短時間で被処理材を熱処理できる。また、本発明では、被処理材に対して熱エネルギーを瞬間的に供与する構成であるため、被処理材（基板）が例えばプラスチック等の耐熱性を有していない材料を含んでいる場合であっても、その被処理材に与える影響を抑えることができる。
【０００６】
本発明の熱処理方法において、前記基材と前記被処理材とを密着させた状態で前記光を照射することが好ましい。こうすることにより、基材の光熱変換材料から発生した熱エネルギーを被処理材に効率良く供与することができる。
【０００７】
本発明の熱処理方法において、前記光熱変換材料を含む光熱変換層が、前記基材上に該基材とは独立して設けられている構成を採用することが可能であるし、前記基材に、前記光熱変換材料が混在されている構成を採用することも可能である。いずれの構成であっても、光熱変換材料により生成された熱エネルギーを被処理材に供与し、その被処理材を熱処理することができる。
【０００８】
前記光熱変換材料を含む光熱変換層が、前記基材上に該基材とは独立して設けられている構成の場合、前記光熱変換層と前記被処理材とを対向させた状態で、前記光を照射することが好ましく、更には、前記光熱変換層と前記被処理材とを密着させた状態で前記光を照射することが好ましい。こうすることにより、光熱変換層で生成された熱エネルギーを被処理材に効率良く供与することができる。
【０００９】
本発明の熱処理方法において、前記熱処理は、乾燥処理及び焼成処理のうちの少なくともいずれか一方を含む。つまり、光熱変換材料を使って被処理材を乾燥処理あるいは焼成処理するのに十分な熱エネルギーを提供することができる。
【００１０】
本発明の熱処理方法において、前記被処理材は導電性材料を含み、前記導電性材料を熱処理することを特徴とする。これにより、導電性材料を含む材料層を例えば焼成処理し、導電性を発現させることができる。また、材料層が、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置形成用材料や、液晶表示装置形成用材料、あるいはプラズマ表示装置形成用材料を含む構成である場合、それら各表示装置を製造する工程のうちの乾燥処理あるいは焼成処理において、本発明の熱処理方法を適用することができる。
【００１１】
本発明の熱処理方法において、前記光はレーザ光であり、前記光熱変換材料に応じた波長を有する光を照射することを特徴とする。これにより、光熱変換材料に照射した光エネルギーを効率良く熱エネルギーに変換できる。
【００１２】
本発明の配線パターンの形成方法は、上記記載の熱処理方法により被処理材上に設けられた導電性材料層を熱処理する工程を有することを特徴とする。本発明によれば、被処理材の材質に左右されることなく、短時間のうちに導電性材料層を焼成して導電性を発現させ、配線パターンを形成することができる。
【００１３】
本発明の電気光学装置の製造方法は、上記記載の熱処理方法により被処理材上に設けられた機能性材料層を熱処理する工程を有することを特徴とする。本発明によれば、電気光学装置の製造工程において熱処理工程がある場合、その熱処理工程に本発明の熱処理方法を適用することにより、被処理材の材質に左右されることなく、短時間のうちに機能性材料層を熱処理することができ、生産性を向上することができる。
【００１４】
本発明の電気光学装置は、上記記載の配線パターンの形成方法により形成された配線パターンを有することを特徴とする。また、本発明の電気光学装置は、上記記載の電気光学装置の製造方法により製造されたことを特徴とする。更に、本発明の電子機器は、上記記載の電気光学装置を有することを特徴とする。本発明によれば、生産性良く製造され、所望の性能を発揮できる電気光学装置及びそれを有する電気機器を提供することができる。なお、電気光学装置としては、液晶表示装置、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置、及びプラズマ表示装置等が挙げられる。
【００１５】
上記材料層（導電性材料層、機能性材料層）を被処理材上に設ける場合、機能液の液滴を被処理材（基板）上に吐出することで配置する液滴吐出法を適用することができる。液滴吐出法は、吐出ヘッドを備えた液滴吐出装置を使って実現され、該液滴吐出装置はインクジェットヘッドを備えたインクジェット装置を含む。インクジェット装置のインクジェットヘッドは、インクジェット法により機能液を含む液状体材料の液滴を定量的に吐出可能であり、例えば１ドットあたり１〜３００ナノグラムの液状体材料を定量的に断続して滴下可能な装置である。なお、液滴吐出装置としてはディスペンサー装置であってもよい。
【００１６】
液状体材料とは、液滴吐出装置の吐出ヘッドの吐出ノズルから吐出可能（滴下可能）な粘度を備えた媒体をいう。水性であると油性であると問わない。吐出ノズル等から吐出可能な流動性（粘度）を備えていれば十分で、固体物質が混入していても全体として流動体であればよい。また、液状体材料に含まれる材料は融点以上に加熱されて溶解されたものでも、溶媒中に微粒子として攪拌されたものでもよく、溶媒の他に染料や顔料その他の機能性材料を添加したものであってもよい。
【００１７】
また、上記機能液とは機能性材料を含む液状体材料であって、基板上に配置されることにより所定の機能を発揮するものである。機能性材料としては、カラーフィルタを含む液晶表示装置を形成するための液晶表示装置形成用材料、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置を形成するための有機ＥＬ表示装置形成用材料、プラズマ表示装置を形成するためのプラズマ表示装置形成用材料、及び電力を流通する配線パターンを形成するための金属を含む配線パターン形成用材料などが挙げられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
＜熱処理方法＞
以下、本発明の熱処理方法について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の熱処理方法に用いられる熱処理装置の一実施形態を示す概略構成図である。図１において、熱処理装置１０は、所定の波長を有するレーザ光束を射出するレーザ光源１１と、被処理材１を支持するステージ１２とを備えている。被処理材１は、基板３と、基板３の上面に設けられた材料層２とを有している。レーザ光源１１及び被処理材１を支持するステージ１２はチャンバ１４内に配置されている。チャンバ１４には、このチャンバ１４内のガスを吸引可能な吸引装置１３が接続されている。本実施形態では、レーザ光源１１として近赤外半導体レーザ（波長８３０ｎｍ）が使用される。
【００１９】
ここで、以下の説明において、水平面内における所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸及びＹ軸のそれぞれに直交する方向（鉛直方向）をＺ軸方向とする。
【００２０】
被処理材１に対して熱処理シート７が密着されている。熱処理シート７は、基材５と、基材５上に設けられた光熱変換層４とを備えている。光熱変換層４は基材５上にこの基材５とは独立した層として設けられている。光熱変換層４は、図１中、基材５の下面に設けられている。
【００２１】
ステージ１２は、被処理材１及びこの被処理材１に密着した熱処理シート７を支持した状態でＸ軸方向及びＹ軸方向に移動可能に設けられており、被処理材１及び熱処理シート７はステージ１２の移動により光源１１から射出された光束に対して移動可能となっている。また、ステージ１２はＺ軸方向にも移動可能となっている。ここで、光源１１とステージ１２に支持された熱処理シート７との間には不図示の光学系が配置されている。被処理材１及び熱処理シート７を支持したステージ１２はＺ軸方向に移動することにより、前記光学系の焦点に対する熱処理シート７（被処理材１）の位置を調整可能となっている。そして、光源１１より射出された光束は、ステージ１２に支持されている熱処理シート７（基材５）を照射するようになっている。
【００２２】
基材５としては、レーザ光束を透過可能な例えばガラス基板や透明性高分子等を用いることができる。透明性高分子としては、ポリエチレンテレフタレートのようなポリエステル、ポリアクリル、ポリエポキシ、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリサルホン、ポリイミド等が挙げられる。透明性高分子により基材５を形成した場合、その厚さは１０〜５００μｍであることが好ましい。こうすることにより、例えば、基材５を帯状に形成してロール状に巻くことができ、回転ドラム等に保持させつつ搬送（移動）することもできる。
【００２３】
なお、ここでは基材１をＸＹ方向に並進移動するステージ１２に支持させているが、基材１を回転ドラムに保持させる場合、回転ドラムは、水平並進方向（走査方向、Ｘ方向）、回転方向（Ｙ方向）、及び鉛直方向（Ｚ軸方向）に移動可能である。
【００２４】
光熱変換層４は、光エネルギーを熱エネルギーに変換する光熱変換材料を含んで構成されている。光熱変換層４を構成する光熱変換材料としては公知のものを使用することができ、レーザ光を効率よく熱に変換できる材料であれば特に限定されないが、例えば、アルミニウム、その酸化物及び／又はその硫化物よりなる金属層や、カーボンブラック、黒鉛又は赤外線吸収色素等が添加された高分子よりなる有機層等が挙げられる。赤外線吸収色素としては、アントラキノン系、ジチオールニッケル錯体系、シアニン系、アゾコバルト錯体系、ジインモニウム系、スクワリリウム系、フタロシアニン系、ナフタロシアニン系等が挙げられる。また、エポキシ樹脂等の合成樹脂をバインダとし、そのバインダ樹脂に前記光熱変換材料を溶解又は分散して基材５上に設けるようにしてもよい。この場合、エポキシ樹脂は硬化剤としての機能を有し、硬化させることにより光熱変換層４を基材５上に定着することができる。また、バインダに溶解又は分散せずに、前記光熱変換材料を基材５上に設けることももちろん可能である。
【００２５】
光熱変換層４として前記金属層を用いる場合には、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、又はスパッタリングを利用して基材５上に形成することができる。光熱変換層４として前記有機層を用いる場合には、一般的なフィルムコーティング方法、例えば、押出コーティング方法、スピンコーティング方法、グラビアコーティング方法、リバースロールコーティング方法、ロッドコーティング方法、マイクログラビアコーティング方法、ナイフコーティング方法などにより基材５上に形成することができる。光熱変換層４のコーティング方法においては、基材５の表面に帯電した静電気を除電して光熱変換層形成用機能液を均一に基材５に形成するのが好ましく、各方法に用いられる装置には除電装置が取り付けてあるのが好ましい。
【００２６】
被処理材１の基板３は、例えばガラスプレートや合成樹脂フィルム、あるいは半導体ウエハにより構成されている。材料層２は、ここでは銀等の金属微粒子を含む機能液からなっている。
【００２７】
次に、図２を参照しながら熱処理手順について説明する。図２（ａ）に示すように、熱処理シート７の光熱変換層４と被処理材１の材料層２とを対向した後、密着させる。光熱変換層４と材料層２とを密着させるには、光熱変換層４と材料層２とを対向させた後、吸引装置１３（図１参照）を駆動し、チャンバ１４内のガスを吸引してチャンバ１４内を減圧する。これにより、光熱変換層４と材料層２（被処理材１）との間の空間も減圧されて負圧状態となり、光熱変換層４と材料層２とが密着される。そして、図２（ｂ）に示すように、熱処理シート７（基材５）の上面側から所定の光束径を有するレーザ光束が照射される。レーザ光束が照射されることにより、その照射領域に対応する基材５及び光熱変換層４が加熱される。光熱変換層４は照射されたレーザ光束の光エネルギーを熱エネルギーに変換し、その熱エネルギーを材料層２に供与する。熱エネルギーが供与された材料層２は加熱（焼成）される。以上のようにして、光熱変換層４を使って被処理材１の材料層２が熱処理される。
【００２８】
材料層２が熱処理された後、吸引装置１３の駆動を解除し、前記減圧状態（負圧状態）を解除することで、図２（ｃ）に示すように、熱処理シート７と被処理材１とが分離可能となる。
【００２９】
以上説明したように、基材５上に光熱変換層４を設けたことにより、照射した光の光エネルギーを効率良く熱エネルギーに変換し、被処理材１（材料層２）を熱処理するのに十分な熱エネルギーを被処理材１（材料層２）に供与することができる。そして、本実施形態では、光熱変換層４に基材５を介して光を照射して瞬間的に高温を発生させる構成であるため、短時間で被処理材１（材料層２）を熱処理できる。また、本実施形態では、被処理材１（材料層２）に対して熱エネルギーを瞬間的に供与する構成であるため、被処理材１の基板３が例えばプラスチック等の耐熱性を有していない材料を含んでいる場合であっても、その基板３に与える影響を抑えることができる。また、電子ビームや紫外線を用いずに近赤外レーザ光などを用いても、光熱変換層４を設けたことにより被処理材１（材料層２）を熱処理（焼成処理）するための十分な熱エネルギーをその材料層２に供与することができる。したがって、使用する光照射装置の選択の幅が広がり、高価で大掛かりな光照射装置を用いなくても、十分な熱エネルギーで熱処理シート７の光熱変換層４を使って被処理材１（材料層２）を熱処理（焼成処理）することができる。
【００３０】
また、光熱変換材料を用いることで、被処理材自体が光エネルギー（レーザ光エネルギー）を吸収できない物質、あるいは熱に変換できない物質であっても、光（レーザ光）によるアニールプロセスが可能となる。例えば、銀インクに赤外レーザを直接当てた場合、乾燥（溶媒除去）はできるが焼成することはできず、導電性を発現することができなくなる。また、銀インクに赤外レーザを直接当てた場合、アブレーションを起こして膜化できなくなる等の不都合も生じる。これは、銀インクが光エネルギーを良好に吸収できないために生じる。しかしながら、本発明のように光熱変換材料を用いることで、銀インクのような光エネルギーを良好に吸収できない物質に対しても、光によるアニールプロセスが可能となる。また、赤外光等の長波長側のレーザ光を吸収できる物質は限られているため、光熱変換材料を用いることは有効である。そして、例えば光熱変換材料にカーボンブラック等の物質を用いることにより、数百度以上（例えば３００度以上、あるいは５００度以上）の高温度を発生させることができ、例えば３００度以上でなければ焼成できない銀インクを焼成することができる。
【００３１】
なお本実施形態では、熱処理シート７と被処理材１とを密着させた状態で光を照射する構成であるが、僅かに離間していても、光熱変換層４で発生した熱エネルギーを、その光熱変換層４に対向する被処理材１（材料層２）に供与することができる。
【００３２】
なお、図２では、材料層２は基板３上においてレーザ光束径とほぼ同じ大きさの領域に設けられているが、もちろん基板３全面など、レーザ光束径より広い領域に材料層２を設けることができる。そして、レーザ光束径より広い領域に材料層２を設けた場合、熱処理シート７（基材５）の所定領域に光を照射することで、被処理材１の材料層２に前記所定領域に応じた熱処理領域をパターニングすることができ、材料層２のうち前記所定領域に対応した領域を熱処理（焼成処理）することができる。
【００３３】
材料層２の所定領域を熱処理（焼成処理）する場合、所定のパターンを有するマスクに光を照射し、マスクを介した光を熱処理シート７（基材５）に照射する構成を採用することができる。これにより、照射するレーザ光束径以下の微細な熱処理領域パターンを形成することができる。一方、ステージ１２をＸＹ方向に移動することで、レーザ光束に対して熱処理シート７及び被処理材１を移動しつつレーザ光束を照射する構成を採用することもできる。つまり、照射する光（レーザ光束）と熱処理シート７及び被処理材１とを相対移動して熱処理領域パターンを描画するようにしてもよく、この構成によればマスクを製造する工程を省略できる。
【００３４】
本実施形態において、光熱変換層４は熱処理シート７の材料層２に対向する面（つまり基材５の下面）に設けられているが、熱処理シート７の材料層２に対向しない面（つまり基材５の上面）に設ける構成であってもよい。このような構成であっても、光熱変換層４は生成した熱エネルギーを基材５を介して材料層２に供与することができる。また、光熱変換層４を基材５の上面及び下面の両面に設けてもよい。
【００３５】
なお、上記実施形態では、光熱変換材料は、基材５とは独立した層（光熱変換層４）に設けられているが、基材５に光熱変換材料を混在させる構成も可能である。このような構成であっても、照射したレーザ光の光エネルギーを熱エネルギーに変換し、その熱エネルギーを被処理材１（材料層２）に供与することができる。なお、光熱変換材料が混在された基材５上に、それとは別に光熱変換層４を設けてもよい。
【００３６】
上記実施形態では、熱処理シート７と被処理材１とを密着させた状態で熱処理シート７側から光を照射しているが、被処理材１側から光を照射してもよい。なおこの場合、被処理材１の基板３及び材料層２は、光を透過可能な透明材料により構成され、これら基板３及び材料層２を介して光熱変換層４に光が照射される。
【００３７】
なお、光源１１としては、近赤外半導体レーザの他に、水銀ランプ、ハロゲンランプ、キセノンランプ、フラッシュランプなどを用いることも可能である。また、紫外線レーザなど、近赤外線レーザ以外の全ての汎用的なレーザを用いることができる。
【００３８】
光熱変換層４を設けた場合、光熱変換材料に応じた波長を有する光を照射することが好ましい。つまり、使用する光熱変換材料に応じて良好に吸収する光の波長帯域は異なるため、光変換材料に応じた波長を有する光を照射することにより、光エネルギーを熱エネルギーに効率良く変換できる。換言すれば、照射する光に応じて使用する光熱変換材料を選択する。本実施形態では、レーザ光源として近赤外半導体レーザ（波長８３０ｎｍ）を使用しているため、光熱変換材料としては、赤外線〜可視光線領域の光を吸収する性質を有している材料を用いることが好ましい。
【００３９】
また、基材５と光熱変換層４との間、あるいは光熱変換層４の表面に、光熱変換層４の光熱変換作用を均一化するための中間層を設けることができる。このような中間層形成材料としては、上記要件を満たすことのできる樹脂材料を挙げることができる。このような中間層は、所定の組成を有する樹脂組成物を例えばスピンコーティング方法、グラビアコーティング方法、ダイコーティング法等の公知のコーティング方法に基づいて光熱変換層４の表面に塗布し、乾燥させることによって形成可能である。レーザ光束が照射されると、光熱変換層４の作用により、光エネルギーが熱エネルギーに変換され、さらにこの熱エネルギーが中間層の作用により均一化される。したがって、光照射領域に該当する部分の材料層２（被処理材１）には均一な熱エネルギーが供与される。
【００４０】
＜実施例＞
熱処理シート７の基材５として厚さ０．２ｍｍ程度のボリカーボネート製シートを用い、そのシート上に光熱変換層４としてカーボンブラックを混合した熱硬化型エポキシ樹脂を厚さ２μｍ程度にコーティングして硬化させたものを使用した。一方、被処理材１として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製フィルム上に、液滴吐出法に基づいて銀インクからなる材料層を形成した。そして、その被処理材である前記フィルムをその材料層形成面が外側となるように回転ドラムに保持させ、そのフィルム上に熱処理シートである前記シートをその光熱変換層形成面が内側となるように、前記フィルム上に巻きつけて密着させた。そして、回転ドラムを５０ｒｐｍで回転しつつ、シートに対して出力１４Ｗの近赤外半導体レーザ装置より波長８３０ｎｍのレーザ光を２回照射した。すると、銀インクが銀色を呈して、抵抗値が３０Ω／ｃｍを示すようになり、導電性が発現されたことを確認できた。
【００４１】
＜配線パターンの形成方法＞
以下、本発明に係る熱処理工程を有する配線パターンの形成工程の一例について説明する。本実施形態では、被処理材１の基板３上に配線パターン形成用材料を配置し、その配置された配線パターン形成用材料を、本発明に係る熱処理方法に基づいて熱処理する。そして、本実施形態では、配線パターン形成用材料を基板３上に配置するために、配線パターン形成用材料を含む機能液の液滴を吐出する液滴吐出法（インクジェット法）を用いる。液滴吐出法では、吐出ヘッド２０と基板３とを対向させた状態で配線パターン形成用材料を含む機能液の液滴が吐出ヘッド２０より吐出される。
【００４２】
ここで、液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気熱変換方式、静電吸引方式、電気機械変換方式等が挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御して吐出ノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ２程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進して吐出ノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散して吐出ノズルから吐出されない。また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、吐出ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出して吐出ノズルから吐出させるものである。この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される液体材料の一滴の量は例えば１〜３００ナノグラムである。本実施形態では、電気機械変換方式（ピエゾ方式）を用いる。
【００４３】
図３はピエゾ方式による機能液（液状体材料）の吐出原理を説明するための図である。図３において、吐出ヘッド２０は、機能液（配線パターン形成用材料を含む液状体材料）を収容する液体室２１と、その液体室２１に隣接して設置されたピエゾ素子２２とを備えている。液体室２１には、機能液を収容する材料タンクを含む供給系２３を介して機能液が供給される。ピエゾ素子２２は駆動回路２４に接続されており、この駆動回路２４を介してピエゾ素子２２に電圧を印加し、ピエゾ素子２２を変形させることにより、液体室２１が変形し、吐出ノズル２５から機能液が吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることによりピエゾ素子２２の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることによりピエゾ素子２２の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
【００４４】
以下、配線パターンを形成する手順について説明する。図４は配線パターンの形成手順を示すフローチャート図である。配線パターンを形成するための機能液には、溶媒（分散媒）をジエチレングリコールジエチルエーテルとする有機銀化合物を用いる。図４において、本実施形態に係る配線パターンの形成方法は、機能液の液滴が配置される基板上に配線パターンに応じたバンクを形成するバンク形成工程（ステップＳ１）と、バンク間の溝部の底部に親液性を付与する親液化処理工程（ステップＳ２）と、バンクに撥液性を付与する撥液化処理工程（ステップＳ３）と、バンク間の溝部に液滴吐出法に基づいて機能液の液滴を配置して膜パターンを形成（描画）する材料配置工程（ステップＳ４）と、基板上に配置された機能液の液体成分の少なくとも一部を除去する熱処理を含む中間乾燥工程（ステップＳ５）と、所定の膜パターンが形成された基板を焼成する焼成工程（ステップＳ７）とを有している。なお、中間乾燥工程の後、所定のパターン描画が終了したかどうかが判断され（ステップＳ６）、パターン描画が終了したら焼成工程が行われ、一方、パターン描画が終了していなかったら材料配置工程が行われる。
以下、各工程について説明する。
【００４５】
＜バンク形成工程＞
まず、図５（ａ）に示すように、表面改質処理として基板３に対してＨＭＤＳ処理が施される。ＨＭＤＳ処理はヘキサメチルジシラサン（(ＣＨ３)３ＳｉＮＨＳｉ(ＣＨ３)３）を蒸気状にして塗布する方法である。これにより、バンクと基板３との密着性を向上する密着層としてのＨＭＤＳ層３２が基板３上に形成される。バンクは、基板３上の所定領域（配線パターン形成領域）を区画する仕切部材として機能する部材であり、バンクの形成はフォトリソグラフィ法や印刷法等、任意の方法で行うことができる。例えば、フォトリソグラフィ法を使用する場合は、スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等所定の方法で、図５（ｂ）に示すように、基板３のＨＭＤＳ層３２上にバンクの高さに合わせてバンク形成用材料である有機材料３１を塗布し、その上にレジスト層を塗布する。そして、バンク形状（配線パターン）に合わせてマスクを施しレジストを露光・現像することによりバンク形状に合わせたレジストを残す。最後にエッチングしてレジスト以外の部分の有機材料３１を除去する。また、下層が無機物で上層が有機物で構成された２層以上でバンクを形成してもよい。これにより、図５（ｃ）に示すように、配線パターン形成予定領域の周辺を囲むようにバンクＢ、Ｂが設けられる。バンクを形成する有機材料としては、機能液に対して撥液性を示す材料でも良いし、後述するようにプラズマ処理による撥液化が可能で下地基板との密着性が良くフォトリソグラフィによるパターニングがし易い絶縁有機材料でも良い。例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂等の高分子材料を用いることが可能である。
【００４６】
基板３上にバンクＢ、Ｂが形成されると、フッ酸処理が施される。フッ酸処理は、例えば２．５％フッ酸水溶液でエッチングを施すことでバンクＢ、Ｂ間のＨＭＤＳ層３２を除去する処理である。フッ酸処理では、バンクＢ、Ｂがマスクとして機能し、バンクＢ、Ｂ間に形成された溝部３４の底部３５にある有機物であるＨＭＤＳ層３２が除去される。これにより、図５（ｄ）に示すように、残渣であるＨＭＤＳが除去される。
【００４７】
＜親液化処理工程＞
次に、溝部３４の底部３５に親液性を付与する親液化処理工程が行われる。親液化処理工程としては、紫外線を照射することにより親液性を付与する紫外線（ＵＶ）照射処理や大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするＯ２プラズマ処理等を選択できる。そして、基板がガラス基板の場合、その表面は機能液に対して親液性を有しているが、Ｏ２プラズマ処理や紫外線照射処理を施すことで、バンクＢ、Ｂ間で露出する基板３表面（底部３５）の親液性を高めることができる。
【００４８】
なお、Ｏ２プラズマ処理や紫外線照射処理は、底部３５に存在する残渣の一部を構成するＨＭＤＳを除去する機能を有する。そのため、上述したフッ酸処理によりバンクＢ、Ｂ間の底部３５の有機物残渣（ＨＭＤＳ）が完全に除去されない場合が生じても、Ｏ２プラズマ処理あるいは紫外線照射処理を行うことによりこの残渣を除去できる。なおここでは、残渣処理の一部としてフッ酸処理を行うが、Ｏ２プラズマ処理あるいは紫外線照射処理によりバンク間の底部３５の残渣を十分に除去できるため、フッ酸処理は行わなくてもよい。またここでは、残渣処理としてＯ２プラズマ処理又は紫外線照射処理のいずれか一方を行うように説明したが、もちろん、Ｏ２プラズマ処理と紫外線照射処理とを組み合わせてもよい。
【００４９】
＜撥液化処理工程＞
続いて、バンクＢに対し撥液化処理を行い、その表面に撥液性を付与する。撥液化処理としては、大気雰囲気中で四フッ化炭素（テトラフルオロメタン）を処理ガスとするプラズマ処理法（ＣＦ４プラズマ処理法）を採用することができる。なお、処理ガスとしては、四フッ化炭素に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることもできる。このような撥液化処理を行うことにより、バンクＢ、Ｂにはこれを構成する樹脂中にフッ素基が導入され、高い撥液性が付与される。なお、上述した親液化処理としてのＯ２プラズマ処理は、バンクＢの形成前に行ってもよいが、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等は、Ｏ２プラズマによる前処理がなされた方がより撥液化（フッ素化）されやすいという性質があるため、バンクＢを形成した後にＯ２プラズマ処理することが好ましい。
【００５０】
なお、バンクＢ、Ｂに対する撥液化処理により、先に親液化処理したバンク間の基板３露出部に対し多少は影響があるものの、特に基板３がガラス等からなる場合には、撥液化処理によるフッ素基の導入が起こらないため、基板３の親液性、すなわち濡れ性が実質上損なわれることはない。また、バンクＢ、Ｂについては、撥液性を有する材料（例えばフッ素基を有する樹脂材料）によって形成することにより、その撥液化処理を省略するようにしてもよい。
【００５１】
＜材料配置工程＞
材料配置工程は、図６（ｅ）に示すように、配線パターン形成用材料を含む機能液の液滴３０を液滴吐出装置の液滴吐出ヘッド２０より吐出してバンクＢ、Ｂ間の溝部３４に配置することにより基板３上に線状の膜パターン（配線パターン）を形成する工程である。本実施形態において、機能液は配線パターン形成用材料である銀を含む有機銀化合物をジエチレングリコールジエチルエーテルに分散したものである。液滴が吐出される配線パターン形成予定領域（すなわち溝部３４）はバンクＢ、Ｂに囲まれているので、液滴が所定位置以外に拡がることを阻止できる。また、バンクＢ、Ｂには撥液性が付与されているため、吐出された液滴の一部がバンクＢ上に乗っても、バンク表面が撥液性となっていることによりバンクＢからはじかれ、バンク間の溝部３４に流れ落ちるようになる。さらに、基板３が露出している溝部３４の底部３５は親液性を付与されているため、吐出された液滴が底部３５にてより拡がり易くなり、これにより機能液は、図６（ｆ）に示すように、所定位置内で均一に配置される。
【００５２】
＜中間乾燥工程＞
基板３に液滴３０を吐出した後、分散媒の除去及び膜厚確保のため、必要に応じて乾燥処理をする。乾燥処理は、本発明に係る熱処理方法に基づいて行われる。つまり、被処理材としての基板３上に設けられたバンクＢ及び溝部３４内の機能液に対して熱処理シート７を密着させ、熱処理シート７のうち少なくとも溝部３４に対応する領域にレーザ光束を照射することで、熱処理シート７の光熱変換層４で生成された熱エネルギーに基づいて溝部３４内の機能液（導電性材料層）を乾燥する（図７参照）。そして、この中間乾燥工程と上記材料配置工程とを繰り返し行うことにより、図６（ｇ）に示すように、機能液の液滴が複数層積層され、膜厚の厚い配線パターン（膜パターン）３３Ａが形成される。
【００５３】
＜焼成工程＞
吐出工程後の乾燥膜は、微粒子間の電気的接触をよくするために、分散媒を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング材がコーティングされている場合には、このコーティング材も除去する必要がある。更に、機能液に有機銀化合物が含まれている場合、導電性を得るために、熱処理を行い、有機銀化合物の有機分を除去し銀粒子を残留させる必要がある。そのため、吐出工程後の基板（被処理材）３に対して、本発明に係る熱処理が施される。すなわち、被処理材としての基板３上に設けられたバンクＢ及び溝部３４内の膜パターン３３Ａに対して熱処理シート７を密着させ、熱処理シート７のうち少なくとも溝部３４に対応する領域にレーザ光束を照射することで、熱処理シート７の光熱変換層４で生成された熱エネルギーに基づいて溝部３４内の膜パターン３３Ａを焼成する（図７参照）。以上の工程により吐出工程後の導電性材料（有機銀化合物）は微粒子間の電気的接触が確保され、図６（ｈ）に示すように、導電性を有する配線パターン３３に変換される。
【００５４】
なお、焼成工程の後、基板３上に存在するバンクＢ、Ｂをアッシング剥離処理により除去することができる。アッシング処理としては、プラズマアッシングやオゾンアッシング等を採用できる。プラズマアッシングは、プラズマ化した酸素ガス等のガスとバンクとを反応させ、バンクを気化させて剥離・除去するものである。バンクは炭素、酸素、水素から構成される固体の物質であり、これが酸素プラズマと化学反応することでＣＯ２、Ｈ２Ｏ、Ｏ２となり、全て気体として剥離することができる。一方、オゾンアッシングの基本原理はプラズマアッシングと同じであり、Ｏ３（オゾン）を分解して反応性ガスのＯ＋（酸素ラジカル）に変え、このＯ＋とバンクとを反応させる。Ｏ＋と反応したバンクは、ＣＯ２、Ｈ２Ｏ、Ｏ２となり、全て気体として剥離される。基板３に対してアッシング剥離処理を施すことにより、基板３からバンクが除去される。
【００５５】
なお、上記実施形態は、基板３上にその基板３上の所定領域を区画するバンクＢを設け、バンクＢ、Ｂ間に機能液の液滴を配置する構成であるが、バンクＢを設けずに、基板３表面に撥液化領域及び親液化領域を設け、前記親液化領域に対して吐出ヘッド２０より機能液の液滴を吐出して配置するようにしてもよい。基板３表面に撥液化領域及び親液化領域を設ける場合には、基板３を例えばＦＡＳ（フルオロアルキルシラン）で自己組織化膜法や化学気相蒸着法等に基づいて処理して撥液性を付与し、次いでその基板３に対して紫外線（ＵＶ）を選択的に照射することで、撥液化領域及び親液化領域のそれぞれを形成することができる。なお、撥液化処理としては、例えば大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理法（ＣＦ４プラズマ処理法）を採用することができる。ここで、処理ガスとしては、テトラフルオロメタン（四フッ化炭素）に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることもできる。更に、機能液に対する撥液性を付与可能なものであれば、フッ素系以外の処理ガスを用いてもよい。
【００５６】
なお、配線パターン形成用材料を含む機能液としては、導電性微粒子を分散媒に分散した分散液を用いることも可能である。導電性微粒子としては、例えば、金、銀、銅、アルミニウム、パラジウム、及びニッケルのうちの少なくともいずれか１つを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。
【００５７】
＜プラズマ表示装置＞
次に、本発明の配線パターンの形成方法により形成された配線パターンを有する電気光学装置の一例として、プラズマディスプレイ（プラズマ表示装置）について図８を参照しながら説明する。図８は、アドレス電極５１１とバス電極５１２ａとが製造されたプラズマディスプレイ５００を示す分解斜視図である。このプラズマディスプレイ５００は、互いに対向して配置されたガラス基板５０１とガラス基板５０２と、これらの間に形成された放電表示部５１０とから概略構成されている。
【００５８】
放電表示部５１０は、複数の放電室５１６が集合されてなり、複数の放電室５１６のうち、赤色放電室５１６（Ｒ）、緑色放電室５１６（Ｇ）、青色放電室５１６（Ｂ）の３つの放電室５１６が対になって１画素を構成するように配置されている。前記（ガラス）基板５０１の上面には所定の間隔でストライプ状にアドレス電極５１１が形成され、それらアドレス電極５１１と基板５０１の上面とを覆うように誘電体層５１９が形成され、さらに誘電体層５１９上においてアドレス電極５１１、５１１間に位置して各アドレス電極５１１に沿うように隔壁５１５が形成されている。なお、隔壁５１５においてはその長手方向の所定位置においてアドレス電極５１１と直交する方向にも所定の間隔で仕切られており（図示略）、基本的にはアドレス電極５１１の幅方向左右両側に隣接する隔壁と、アドレス電極５１１と直交する方向に延設された隔壁により仕切られる長方形状の領域が形成され、これら長方形状の領域に対応するように放電室５１６が形成され、これら長方形状の領域が３つ対になって１画素が構成される。また、隔壁５１５で区画される長方形状の領域の内側には蛍光体５１７が配置されている。蛍光体５１７は、赤、緑、青の何れかの蛍光を発光するもので、赤色放電室５１６（Ｒ）の底部には赤色蛍光体５１７（Ｒ）が、緑色放電室５１６（Ｇ）の底部には緑色蛍光体５１７（Ｇ）が、青色放電室５１６（Ｂ）の底部には青色蛍光体５１７（Ｂ）が各々配置されている。
【００５９】
次に、前記ガラス基板５０２側には、先のアドレス電極５１１と直交する方向に複数のＩＴＯからなる透明表示電極５１２がストライプ状に所定の間隔で形成されるとともに、高抵抗のＩＴＯを補うために金属からなるバス電極５１２ａが形成されている。また、これらを覆って誘電体層５１３が形成され、さらにＭｇＯなどからなる保護膜５１４が形成されている。そして、前記基板５０１とガラス基板５０２の基板２が、前記アドレス電極５１１…と表示電極５１２…を互いに直交させるように対向させて相互に貼り合わされ、基板５０１と隔壁５１５とガラス基板５０２側に形成されている保護膜５１４とで囲まれる空間部分を排気して希ガスを封入することで放電室５１６が形成されている。なお、ガラス基板５０２側に形成される表示電極５１２は各放電室５１６に対して２本ずつ配置されるように形成されている。 前記アドレス電極５１１と表示電極５１２は図示略の交流電源に接続され、各電極に通電することで必要な位置の放電表示部５１０において蛍光体５１７を励起発光させて、カラー表示ができるようになっている。
【００６０】
そして、本例では、特に前記アドレス電極５１１とバス電極５１２ａとが、本発明に係る配線パターンの形成方法により形成される。すなわち、これらアドレス電極５１１やバス電極５１２ａについては、特にそのパターニングに有利なことから、金属コロイド材料（例えば金コロイドや銀コロイド）や導電性微粒子（例えば金属微粒子）を分散させてなる機能液を吐出し、乾燥・焼成することによって形成している。また、蛍光体５１７についても、蛍光体材料を溶媒に溶解させあるいは分散媒に分散させた機能液を吐出ヘッド２０より吐出し、乾燥・焼成することによって形成可能である。
【００６１】
＜カラーフィルタ＞
次に、本発明に係る熱処理方法を使って、電気光学装置としての液晶表示装置のカラーフィルタを製造する手順について、図９及び図１０を参照しながら説明する。まず、図９（ａ）に示すように透明の基板Ｐの一方の面に対し、ブラックマトリックス（バンク）５２を形成する。このブラックマトリックス５２は、カラーフィルタ形成領域を区画するものであり、例えばフォトリソグラフィ法に基づいて形成される。
【００６２】
次に、図９（ｂ）に示すように、前記吐出ヘッド２０からカラーフィルタ形成用材料を含む機能液の液滴５４を吐出し、これをフィルタエレメント５３に着弾させる。吐出する機能液５４の量については、加熱工程（乾燥・焼成工程）における機能液の体積減少を考慮した十分な量とする。
【００６３】
このようにして基板Ｐ上のすべてのフィルタエレメント５３に液滴５４を充填した後、本発明の熱処理方法に基づいて機能液の液滴５４を加熱する。つまり、図１０に示すように、ブラックマトリクス５２に対して熱処理シート７の光熱変換層４を密着させ、この熱処理シート７に対して光を照射する。この熱処理により、カラーフィルタ形成用材料を含む機能液（機能性材料層）の溶媒が蒸発して機能液の体積が減少する。この体積減少の激しい場合には、カラーフィルタとして十分な膜の厚みが得られるまで、液滴吐出工程と加熱工程とを繰り返す。この処理により、機能液に含まれる溶媒が蒸発して、最終的に機能液に含まれる固形分（機能性材料）のみが残留して膜化し、図９（ｃ）に示すようにカラーフィルタ５５となる。
【００６４】
次いで、基板Ｐを平坦化し、且つカラーフィルタ５５を保護するため、図９（ｄ）に示すようにカラーフィルタ５５やブラックマトリックス５２を覆って基板Ｐ上に保護膜５６を形成する。この保護膜５６の形成にあたっては、スピンコート法、ロールコート法、リッピング法等の方法を採用することもできるが、カラーフィルタ５５の場合と同様に、前記吐出装置を用いて行うこともできる。次いで、図９（ｅ）に示すようにこの保護膜５６の全面に、スパッタ法や真空蒸着法等によって透明導電膜５７を形成する。その後、透明導電膜５７をパターニングし、図９（ｆ）に示すように画素電極５８を前記フィルタエレメント５３に対応させてパターニングする。なお、液晶表示パネルの駆動にＴＦＴ（Thin Film Transistor）を用いる場合には、このパターニングは不用となる。このようなカラーフィルタの製造において、前記吐出ヘッド２０を用いているので、カラーフィルタ材料を支障なく連続的に吐出することができ、したがって良好なカラーフィルタを形成することができるとともに、生産性を向上することができる。
【００６５】
＜有機ＥＬ表示装置＞
本発明の熱処理方法は、電気光学装置としての有機ＥＬ表示装置を製造する場合にも適用できる。図１１〜図１３を参照しながら有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する。なお、図１１〜図１３には、説明を簡略化するために単一の画素についてのみが図示されている。
まず、基板Ｐが用意される。ここで、有機ＥＬ素子では後述する発光層による発光光を基板側から取り出すことも可能であり、また基板と反対側から取り出す構成とすることも可能である。発光光を基板側から取り出す構成とする場合、基板材料としてはガラスや石英、樹脂等の透明ないし半透明なものが用いられるが、特に安価なガラスが好適に用いられる。本例では、基板として図１１（ａ）に示すようにガラス等からなる透明基板Ｐが用いられる。そして、基板Ｐ上にアモルファスシリコン膜からなる半導体膜７００が形成される。次いで、この半導体膜７００に対してレーザアニール又は本発明に係る熱処理方法により結晶化工程が行われ、半導体膜７００がポリシリコン膜に結晶化される。なお、結晶化工程としては固相成長法などを用いることもできる。次いで、図１１（ｂ）に示すように、半導体膜（ポリシリコン膜）７００をパターニングして島状の半導体膜７１０が形成され、その表面に対してゲート絶縁膜７２０が形成される。次いで、図１１（ｃ）に示すようにゲート電極６４３Ａが形成される。次いで、この状態で高濃度のリンイオンが打ち込まれ、半導体膜７１０に、ゲート電極６４３Ａに対して自己整合的にソース・ドレイン領域６４３ａ、６４３ｂが形成される。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域６４３ｃとなる。次いで、図１１（ｄ）に示すように、コンタクトホール７３２、７３４を有する層間絶縁膜７３０が形成された後、これらコンタクトホール７３２、７３４内に中継電極７３６、７３８が埋め込まれる。次いで、図１１（ｅ）に示すように、層間絶縁膜７３０上に、信号線６３２、共通給電線６３３及び走査線（図１１に示さず）が形成される。ここで、中継電極７３８と各配線とは、同一工程で形成されていてもよい。このとき、中継電極７３６は、後述するＩＴＯ膜により形成されることになる。そして、各配線の上面を覆うように層間絶縁膜７４０が形成され、中継電極７３６に対応する位置にコンタクトホール（図示せず）が形成され、そのコンタクトホール内にも埋め込まれるようにＩＴＯ膜が形成され、さらにそのＩＴＯ膜がパターニングされて、信号線６３２、共通給電線６３３及び走査線（図示せず）に囲まれた所定位置に、ソース・ドレイン領域６４３ａに電気的に接続する画素電極６４１が形成される。ここで、信号線６３２及び共通給電線６３３、さらには走査線（図示せず）に挟まれた部分が、後述するように正孔注入層や発光層の形成場所となっている。
【００６６】
次いで、図１２（ａ）に示すように、前記の形成場所を囲むようにバンク６５０が形成される。このバンク６５０は仕切部材として機能するものであり、例えばポリイミド等の絶縁性有機材料で形成するのが好ましい。また、バンク６５０は、液滴吐出ヘッドから吐出される機能液に対して非親和性を示すものが好ましい。バンク６５０に非親和性を発現させるためには、例えばバンク６５０の表面をフッ素系化合物などで表面処理するといった方法が採用される。フッ素化合物としては、例えばＣＦ４、ＳＦ５、ＣＨＦ３などがあり、表面処理としては、例えばプラズマ処理、ＵＶ照射処理などが挙げられる。そして、このような構成のもとに、正孔注入層や発光層の形成場所、すなわちこれらの形成材料の塗布位置とその周囲のバンク６５０との間に、十分な高さの段差６１１が形成される。次いで、図１２（ｂ）に示すように、基板Ｐの上面を上に向けた状態で、正孔注入層形成用材料を含む機能液６１４Ａが液滴吐出ヘッド２０によりバンク６５０に囲まれた塗布位置、すなわちバンク６５０内に選択的に塗布される。次いで、基板Ｐ上に配置された機能液６１４Ａに対して、本発明に係る熱処理方法に基づく熱処理（乾燥処理）が行われる。すなわち、図１４に示すように、バンク６５０に対して熱処理シート７が密着され、この熱処理シート７に対して光が照射される。これにより、機能液（機能性材料層）６１４Ａの溶媒が蒸発され、図１２（ｃ）に示すように、画素電極６４１上に、固形の正孔注入層６４０Ａが形成される。
【００６７】
次いで、図１３（ａ）に示すように、基板Ｐの上面を上に向けた状態で、液滴吐出ヘッド２０より、発光層形成用材料（発光材料）を含む機能液６１４Ｂがバンク６５０内の正孔注入層６４０Ａ上に選択的に塗布される。発光層形成用材料を含む機能液６１４Ｂを液滴吐出ヘッドから吐出すると、機能液６１４Ｂはバンク６５０内の正孔注入層６４０Ａ上に塗布される。ここで、機能液６１４Ｂの吐出による発光層の形成は、赤色の発色光を発光する発光層形成用材料を含む機能液、緑色の発色光を発光する発光層形成用材料を含む機能液、青色の発色光を発光する発光層形成用材料を含む機能液を、それぞれ対応する画素に吐出し塗布することによって行う。なお、各色に対応する画素は、これらが規則的な配置となるように予め決められている。このようにして各色の発光層形成用材料を含む機能液６１４Ｂを吐出し塗布した後、本発明に係る熱処理方法に基づいて熱処理（乾燥処理）し、機能液６１４Ｂ中の溶媒を蒸発させることにより、図１３（ｂ）に示すように正孔層注入層６４０Ａ上に固形の発光層６４０Ｂが形成され、これにより正孔層注入層６４０Ａと発光層６４０Ｂとからなる発光部６４０が得られる。その後、図１３（ｃ）に示すように、透明基板Ｐの表面全体に、あるいはストライプ状に反射電極６５４（対向電極）が形成される。こうして、有機ＥＬ素子が製造される。
なお、画素電極を反射特性を有する電極とし、対向電極として透明性を有する電極（透明電極）を形成する構造であっても構わない。その場合、図面上、上方に発光する光が射出する。更には、画素電極として透明性を有する電極を形成し、画素電極よりも下層に反射性を有する材料を形成することも可能である。この場合、例えば、アルミニウム（Ａｌ）等の材料を主成分とする材料により形成することができ、前述同様、図面上の上方に光が射出する構造となる。
【００６８】
上述したように、本実施形態では、正孔注入層６４０Ａ及び発光層６４０Ｂが液滴吐出法に基づいて形成され、本発明の熱処理方法が適用される。また、信号線６３２、共通給電線６３３、走査線、及び画素電極６４１等も、本発明の配線パターンの形成方法に基づいて形成される。
【００６９】
＜電子機器＞
以下、上記電気光学装置（有機ＥＬ表示装置、プラズマ表示装置、液晶表示装置等）を備えた電子機器の適用例について説明する。図１５（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１５（ａ）において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記の電気光学装置を用いた表示部を示している。図１５（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１５（ｂ）において、符号１１００は時計本体を示し、符号１１０１は上記の電気光学装置を用いた表示部を示している。図１５（ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１５（ｃ）において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置本体、符号１２０６は上記の電気光学装置を用いた表示部を示している。図１５（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上記実施の形態の電気光学装置を備えているので、表示品位に優れ、明るい画面の表示部を備えた電子機器を実現することができる。
【００７０】
なお、上述した例に加えて、他の例として、液晶テレビ、ビューファインダ型やモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、電子ペーパー、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。本発明の電気光学装置は、こうした電子機器の表示部としても適用できる。
【００７１】
＜マイクロレンズ＞
図１６は、本発明に係る熱処理方法を使ってマイクロレンズを形成する工程の一例を示す図である。
図１６（ａ）に示すように、基板８１０上にバンク８１１が形成される。そして、そのバンク８１１、８１１間の溝部に対してレンズ材料を含む機能液８１２が吐出ヘッド２０より吐出される。レンズ材料としては、透明且つ高屈折率の材料であることが好ましく、例えば、光硬化性や熱硬化性の樹脂、無機材料などが用いられる。本例では、熱硬化性の樹脂を用いる。なお、機能液８１２を吐出する工程の前に、バンク８１１に対して上述した撥液化処理を行うことが好ましい。次いで、図１６（ｂ）に示すように、基材８１０上に配置されたレンズ材料８１２を硬化させる。硬化処理として、本発明に係る熱処理方法が適用される。つまり、バンク８１１に対して熱処理シート７が密着され、その熱処理シート７に光が照射される。なお、レンズ材料として光硬化性の樹脂を用いた場合、レンズ材料に対して所定波長の光を照射することにより硬化処理が行われる。硬化処理により、バンク８１１によって区画された領域に凸状の曲面レンズ８１３が形成される。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の熱処理方法に使う熱処理装置の一実施形態を示す概略構成図である。
【図２】本発明の熱処理方法の一実施形態を示す模式図である。
【図３】本発明に係る配線パターンを形成するための吐出ヘッドを示す概略構成図である。
【図４】本発明の配線パターンの形成方法の一実施形態を示すフローチャート図である。
【図５】本発明の配線パターンの形成方法の一実施形態を示す模式図である。
【図６】本発明の配線パターンの形成方法の一実施形態を示す模式図である。
【図７】本発明の熱処理方法により導電性材料層を熱処理している様子を示す模式図である。
【図８】本発明の配線パターンの形成方法により形成された配線パターンを有する電気光学装置の一例を示すプラズマディスプレイの分解斜視図である。
【図９】本発明の電気光学装置の製造方法の一例として液晶表示装置のカラーフィルタの製造工程の一例を示す模式図である。
【図１０】本発明の熱処理方法によりカラーフィルタ材料を熱処理している様子を示す模式図である。
【図１１】本発明の電気光学装置の製造方法の一例として有機ＥＬ表示装置の製造工程の一例を示す模式図である。
【図１２】本発明の電気光学装置の製造方法の一例として有機ＥＬ表示装置の製造工程の一例を示す模式図である。
【図１３】本発明の電気光学装置の製造方法の一例として有機ＥＬ表示装置の製造工程の一例を示す模式図である。
【図１４】本発明の熱処理方法により有機ＥＬ素子材料を熱処理している様子を示す模式図である。
【図１５】本発明の電気光学装置を有する電子機器の一例を示す図である。
【図１６】マイクロレンズの製造工程の一例を示す模式図である。
【符号の説明】
【００７３】
１…被処理材、２…材料層、４…光熱変換層、５…基材、７…熱処理シート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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