(57)【要約】  【課題】薄膜を形成する際に生産性が向上するＣＶＤ装置を提供すること。  【解決手段】本発明のＣＶＤ装置は、ガス種が封入された真空容器と、真空容器内に設けられた駆動電極と、真空容器内に設けられた接地電極とを具備する。駆動電極と接地電極との間には、真空容器内で発生するプラズマにより薄膜が形成される成膜基板が設けられている。駆動電極は複数のラダー電極を含み、複数のラダー電極の各々は等間隔に配置されている。複数のラダー電極の各々には、薄膜が均一に形成されるように、溝（１３）が設けられている。  【選択図】図３
2005072102.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス種が封入された真空容器と、
前記真空容器内に設けられた駆動電極と、
前記真空容器内に前記駆動電極から離れて設けられた接地電極とを具備し、
前記駆動電極と前記接地電極との間には、前記真空容器内で発生するプラズマにより薄膜が形成される成膜基板が設けられ、
前記駆動電極は複数のラダー電極を含み、前記複数のラダー電極の各々は等間隔に配置され、
前記複数のラダー電極の各々には、前記薄膜が均一に形成されるように、溝が設けられている
ＣＶＤ装置。
【請求項２】
ガス種が封入された真空容器と、
前記真空容器内に設けられた駆動電極と、
前記真空容器内に前記駆動電極から離れて設けられた接地電極とを具備し、
前記駆動電極と前記接地電極との間には、前記真空容器内で発生するプラズマにより薄膜が形成される成膜基板が設けられ、
前記駆動電極はラダー電極群を含み、前記ラダー電極群の各々は等間隔に配置され、
前記ラダー電極群のうちの１番目のラダー電極と最終番目のラダー電極以外の複数のラダー電極の各々には、前記薄膜が均一に形成されるように、溝が設けられている
ＣＶＤ装置。
【請求項３】
前記ラダー電極の形状は棒状であり、
前記ラダー電極の溝は、前記ラダー電極の軸方向に延びる
請求項１又は２に記載されたＣＶＤ装置。
【請求項４】
前記ラダー電極の溝は、前記ラダー電極の隣り合うラダー電極に対向する面と、前記ラダー電極の前記成膜基板に対向する面とに設けられている
請求項３に記載されたＣＶＤ装置。
【請求項５】
前記ラダー電極の溝は、前記ラダー電極の隣り合うラダー電極に対向する面に設けられている
請求項３に記載されたＣＶＤ装置。
【請求項６】
ガス種が封入された真空容器と、前記真空容器内に設けられた駆動電極と、前記真空容器内に前記駆動電極から離れて設けられた接地電極とを備え、前記駆動電極と前記接地電極との間には、前記真空容器内で発生するプラズマにより薄膜が形成される成膜基板が設けられ、前記駆動電極は複数のラダー電極を含み、前記複数のラダー電極の各々は等間隔に配置され、前記ラダー電極には、前記薄膜が均一に形成されるように、溝が設けられている、ＣＶＤ装置を用いるプラズマ生成方法であって、
前記真空容器内に前記プラズマを発生するための高周波電圧を前記駆動電極に供給するステップと、
前記薄膜が均一に形成されるように、前記駆動電極に供給される前記高周波電圧により前記ラダー電極の溝内にホロー放電を発生するステップと
を具備するプラズマ生成方法。
【請求項７】
ガス種が封入された真空容器と、前記真空容器内に設けられた駆動電極と、前記真空容器内に前記駆動電極から離れて設けられた接地電極とを備え、前記駆動電極と前記接地電極との間には、前記真空容器内で発生するプラズマにより薄膜が形成される成膜基板が設けられ、前記駆動電極はラダー電極群を含み、前記ラダー電極群の各々は等間隔に配置され、前記ラダー電極群のうちの１番目のラダー電極と最終番目のラダー電極以外の複数のラダー電極の各々には、前記薄膜が均一に形成されるように、溝が設けられている、ＣＶＤ装置を用いるプラズマ生成方法であって、
前記真空容器内に前記プラズマを発生するための高周波電圧を前記駆動電極に供給するステップと、
前記薄膜が均一に形成されるように、前記駆動電極に供給される前記高周波電圧により前記ラダー電極の溝内にホロー放電を発生するステップと
を具備するプラズマ生成方法。
【請求項８】
前記ラダー電極の形状は棒状であり、
前記ラダー電極の溝は、前記ラダー電極の軸方向に延びる
請求項６又は７に記載されたプラズマ生成方法。
【請求項９】
前記ラダー電極の溝は、前記ラダー電極の隣り合うラダー電極に対向する面と、前記ラダー電極の前記成膜基板に対向する面とに設けられている
請求項８に記載されたプラズマ生成方法。
【請求項１０】
前記ラダー電極の溝は、前記ラダー電極の隣り合うラダー電極に対向する面に設けられている
請求項８に記載されたプラズマ生成方法。
【請求項１１】
請求項６〜１０のいずれか一項に記載のプラズマ生成方法を用いて製作される太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマを用いてＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）反応で薄膜を形成するＣＶＤ装置、プラズマ生成方法、及び、太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマを用いてＣＶＤ反応で薄膜を形成するＣＶＤ装置が知られている。ＣＶＤ装置は、真空容器、駆動電極、接地電極、プラズマ発生用電源を具備する。駆動電極と接地電極との間には成膜基板が設けられている。プラズマ発生用電源は、真空容器内にプラズマを発生するための高周波電圧を駆動電極に供給する。高周波電圧とは、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）帯の周波数の正弦波の交流電圧である。成膜基板には、真空容器内に発生されたプラズマにより、薄膜が形成される。
【０００３】
ＣＶＤ装置を用いて薄膜を形成する方法として、
（Ａ）  駆動電極が平板である場合、
（Ｂ）  駆動電極が複数のラダー電極により構成されている場合、
が考えられる。
（Ｂ）の場合では、（Ａ）の場合に比べて、高周波を伝搬し易い。このため、（Ｂ）の場合では、真空容器内にプラズマを発生させたときに、（Ａ）の場合に比べて、プラズマ密度が高く、成膜を高速に行うことができる。薄膜を形成する際に（太陽電池を製作する際に）生産性を向上させるためには、成膜を更に高速に行う必要がある。
（Ｂ）の場合に成膜を更に高速に行う方法として、
（Ｃ）  プラズマ発生用電源により供給される高周波電圧（プラズマに投入する投入電力）を（Ｂ）の場合よりも上げる場合、
（Ｄ）  圧力を（Ｂ）の場合よりも上げ（特に微結晶シリコン薄膜の場合）、ラダー電極と成膜基板との距離を（Ｂ）の場合よりも短くする場合、
が考えられる。
【０００４】
（Ｃ）の場合では、投入電力を上げた場合、プラズマ中の電子温度が、適切に薄膜を形成するべき電子温度（最適電子温度）よりも高くなってしまう。このような高い電子温度を用いてＣＶＤ反応で薄膜を形成すると、膜質が劣化し、太陽電池の性能が悪くなる。
（Ｄ）の場合では、ラダー電極と成膜基板との距離を（Ｂ）の場合よりも短くすると、ラダー電極と成膜基板との単位体積当たりの放電（プラズマ）が不均一となってしまう。このような不均一なプラズマを用いてＣＶＤ反応で薄膜を形成すると、不均一なプラズマの影響が薄膜に現われる。その薄膜には、ラダー電極が配置された状態に相当する縞模様が現われて、その薄膜（特に膜厚）が不均一となり、太陽電池の性能が悪くなる。
【０００５】
従来のＣＶＤ装置を紹介する（特許文献１参照）。特許文献１に記載されたＣＶＤ装置は、反応容器（真空容器）と、この反応容器内に反応ガスを導入し、排出する手段と、上記反応容器内に収容された放電用電極と、この放電用電極にグロー放電用電力を供給する電源とを有する。このＣＶＤ装置は、反応容器内に設置された基板表面にシリコン系薄膜を形成するものである。ＣＶＤ装置では、上記放電用電極を、数本の線材から構成し、かつ同線材がすべて直線的に導通状態とした一体のはしご状の平面型コイルで形成し、上記基板を上記放電用電極と平行に支持したことを特徴としている。
【０００６】
【特許文献１】特許第２９８９２７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の課題は、薄膜を形成する際に生産性が向上するＣＶＤ装置、プラズマ生成方法、及び、太陽電池を提供することにある。
【０００８】
本発明の他の課題は、成膜を高速に行うことができるＣＶＤ装置、プラズマ生成方法、及び、太陽電池を提供することにある。
【０００９】
本発明の更に他の課題は、薄膜を均一に形成することができるＣＶＤ装置、プラズマ生成方法、及び、太陽電池を提供することにある。
【００１０】
本発明の更に他の課題は、プラズマ密度を均一にすることができるＣＶＤ装置、プラズマ生成方法、及び、太陽電池を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
以下に、発明を実施するための最良の形態で使用する番号・符号を用いて、課題を解決するための手段を説明する。これらの番号・符号は、特許請求の範囲の記載と発明を実施するための最良の形態の記載との対応関係を明らかにするために付加されたものであるが、特許請求の範囲に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
【００１２】
本発明のＣＶＤ装置は、ガス種が封入された真空容器（１）と、真空容器（１）内に設けられた駆動電極（２）と、真空容器（１）内に駆動電極（２）から離れて設けられた接地電極（３）とを具備する。駆動電極（２）と接地電極（３）との間には、真空容器（１）内で発生するプラズマにより薄膜が形成される成膜基板（４）が設けられている。駆動電極（２）は複数のラダー電極（２−１〜２−ｎ）を含み、複数のラダー電極（２−１〜２−ｎ）の各々は等間隔に配置されている。複数のラダー電極（２−１〜２−ｎ）の各々には、薄膜が均一に形成されるように、溝（１３）が設けられている。
本発明のＣＶＤ装置は、真空容器（１）内にプラズマを発生するための高周波電圧が駆動電極（２）に供給されたとき、駆動電極（２）に供給される高周波電圧によりラダー電極（２−１〜２−ｎ）の溝（１３）内にホロー放電が発生する。このため、本発明のＣＶＤ装置は、駆動電極（２）と成膜基板（４）との間のプラズマ密度が高くなり、薄膜を形成する際に（太陽電池を製作する際に）生産性が向上する。
【００１３】
本発明のＣＶＤ装置において、ラダー電極（２−１〜２−ｎ）の形状は棒状であり、ラダー電極（２−１〜２−ｎ）の溝（１３）は、ラダー電極（２−１〜２−ｎ）の軸方向に延びる。
【００１４】
本発明のＣＶＤ装置において、ラダー電極（２−ｉ；ｉ＝２、３、…、ｎ−１）の溝（１３）は、ラダー電極（２−ｉ）の隣り合うラダー電極｛２−（ｉ−１）、２−（ｉ＋１）｝に対向する面（１４）と、ラダー電極（２−ｉ）の成膜基板（４）に対向する面（１５）とに設けられている。
本発明のＣＶＤ装置は、ラダー電極（２−１〜２−ｎ）の溝（１３）内でホロー放電が発生するため、駆動電極（２）と成膜基板（４）との間のプラズマ密度が上記（Ｃ）の場合よりも高くなる。このため、本発明のＣＶＤ装置は、膜質が劣化することなく、成膜を高速に行うことができる。本発明のＣＶＤ装置は、成膜を高速に行うことにより、薄膜を形成する際に（太陽電池を製作する際に）生産性が向上する。
【００１５】
本発明のＣＶＤ装置において、ラダー電極（２−ｉ；ｉ＝２、３、…、ｎ−１）の溝（１３）は、ラダー電極（２−ｉ）の隣り合うラダー電極｛２−（ｉ−１）、２−（ｉ＋１）｝に対向する面（１４）に設けられている。
本発明のＣＶＤ装置は、ラダー電極（２−１〜２−ｎ）の溝（１３）内でホロー放電が発生するため、駆動電極（２）と成膜基板（４）との間のプラズマ密度が上記（Ｄ）の場合よりも高くなり、駆動電極（２）と成膜基板（４）との間のプラズマ密度の不均一性を抑制することができる。このため、本発明のＣＶＤ装置は、薄膜を均一に形成することができる。本発明のＣＶＤ装置は、薄膜を均一に形成することにより、薄膜を形成する際に（太陽電池を製作する際に）生産性が向上する。
【００１６】
本発明のＣＶＤ装置は、ガス種が封入された真空容器（１）と、真空容器（１）内に設けられた駆動電極（２）と、真空容器（１）内に駆動電極（２）から離れて設けられた接地電極（３）とを具備する。駆動電極（２）と接地電極（３）との間には、真空容器（１）内で発生するプラズマにより薄膜が形成される成膜基板（４）が設けられている。駆動電極（２）はラダー電極群（２−１〜２−ｎ）を含み、ラダー電極群（２−１〜２−ｎ）の各々は等間隔に配置されている。ラダー電極群（２−１〜２−ｎ）のうちの１番目のラダー電極（２−１）と最終番目のラダー電極（２−ｎ）以外の複数のラダー電極｛２−２〜２−（ｎ−１）｝の各々には、薄膜が均一に形成されるように、溝（１３）が設けられている。駆動電極（２）の周辺部（Ｕ）は、周りの構造物｛真空装置（１）を含む｝との相互作用のため、プラズマ密度が高くなる場合がある。この場合、ラダー電極群（２−１〜２−ｎ）のうちの１番目のラダー電極（２−１）と最終番目のラダー電極（２−ｎ）とに上記の溝（１３）を設けない。
本発明のＣＶＤ装置は、真空容器（１）内にプラズマを発生するための高周波電圧が駆動電極（２）に供給されたとき、駆動電極（２）に供給される高周波電圧によりラダー電極｛２−２〜２−（ｎ−１）｝の溝（１３）内にホロー放電が発生する。このため、本発明のＣＶＤ装置は、駆動電極（２）と成膜基板（４）との間のプラズマ密度が高くなり、薄膜を形成する際に（太陽電池を製作する際に）生産性が向上する。
本発明のＣＶＤ装置は、ラダー電極｛２−２〜２−（ｎ−１）｝の溝１３内でホロー放電が発生し、１番目のラダー電極（２−１）と最終番目のラダー電極（２−ｎ）ではホロー放電が発生しない。このため、本発明のＣＶＤ装置は、駆動電極（２）の周辺部（Ｕ）のプラズマ密度が高い場合、上記の効果に加えて、ラダー電極全体のプラズマ密度分布｛駆動電極（２）と成膜基板（４）との間のプラズマ密度｝を均一にすることができる。
【００１７】
本発明のＣＶＤ装置において、ラダー電極｛２−２〜２−（ｎ−１）｝の形状は棒状であり、ラダー電極｛２−２〜２−（ｎ−１）｝の溝（１３）は、ラダー電極｛２−２〜２−（ｎ−１）｝の軸方向に延びる。
【００１８】
本発明のＣＶＤ装置において、ラダー電極（２−ｊ；ｉ＝３、４、…、ｎ−２）の溝（１３）は、ラダー電極（２−ｊ）の隣り合うラダー電極｛２−（ｊ−１）、２−（ｊ＋１）｝に対向する面（１４）と、ラダー電極（２−ｊ）の成膜基板（４）に対向する面（１５）とに設けられている。
本発明のＣＶＤ装置は、ラダー電極｛２−２〜２−（ｎ−１）｝の溝（１３）内でホロー放電が発生するため、駆動電極（２）と成膜基板（４）との間のプラズマ密度が上記（Ｃ）の場合よりも高くなる。このため、本発明のＣＶＤ装置は、膜質が劣化することなく、成膜を高速に行うことができる。本発明のＣＶＤ装置は、成膜を高速に行うことにより、薄膜を形成する際に（太陽電池を製作する際に）生産性が向上し、ラダー電極｛２−２〜２−（ｎ−１）｝の溝１３内でホロー放電を発生させることにより、ラダー電極全体のプラズマ密度分布を均一にすることができる。
【００１９】
本発明のＣＶＤ装置において、ラダー電極（２−ｊ；ｉ＝３、４、…、ｎ−２）の溝（１３）は、ラダー電極（２−ｊ）の隣り合うラダー電極｛２−（ｊ−１）、２−（ｊ＋１）｝に対向する面（１４）に設けられている。
本発明のＣＶＤ装置は、ラダー電極｛２−２〜２−（ｎ−１）｝の溝（１３）内でホロー放電が発生するため、駆動電極（２）と成膜基板（４）との間のプラズマ密度が上記（Ｄ）の場合よりも高くなり、駆動電極（２）と成膜基板（４）との間のプラズマ密度の不均一性を抑制することができる。このため、本発明のＣＶＤ装置は、薄膜を均一に形成することができる。本発明のＣＶＤ装置は、薄膜を均一に形成することにより、薄膜を形成する際に（太陽電池を製作する際に）生産性が向上し、ラダー電極｛２−２〜２−（ｎ−１）｝の溝１３内でホロー放電を発生させることにより、ラダー電極全体のプラズマ密度分布を均一にすることができる。
【００２０】
本発明のプラズマ生成方法は、ＣＶＤ装置を用いて行われる。このＣＶＤ装置は、ガス種が封入された真空容器（１）と、真空容器（１）内に設けられた駆動電極（２）と、真空容器（１）内に駆動電極（２）から離れて設けられた接地電極（３）とを具備する。駆動電極（２）と接地電極（３）との間には、真空容器（１）内で発生するプラズマにより薄膜が形成される成膜基板（４）が設けられている。駆動電極（２）は複数のラダー電極（２−１〜２−ｎ）を含み、複数のラダー電極（２−１〜２−ｎ）の各々は等間隔に配置されている。複数のラダー電極（２−１〜２−ｎ）の各々には、薄膜が均一に形成されるように、溝（１３）が設けられている。
本発明のプラズマ生成方法は、真空容器（１）内にプラズマを発生するための高周波電圧を駆動電極（２）に供給するステップと、薄膜が均一に形成されるように、駆動電極（２）に供給される高周波電圧によりラダー電極（２−１〜２−ｎ）の溝（１３）内にホロー放電を発生するステップとを具備する。このため、本発明のプラズマ生成方法によれば、駆動電極（２）と成膜基板（４）との間のプラズマ密度が高くなり、薄膜を形成する際に（太陽電池を製作する際に）生産性が向上する。
【００２１】
本発明のプラズマ生成方法において、ラダー電極（２−１〜２−ｎ）の形状は棒状であり、ラダー電極（２−１〜２−ｎ）の溝（１３）は、ラダー電極（２−１〜２−ｎ）の軸方向に延びる。
【００２２】
本発明のプラズマ生成方法において、ラダー電極（２−ｉ；ｉ＝２、３、…、ｎ−１）の溝（１３）は、ラダー電極（２−ｉ）の隣り合うラダー電極｛２−（ｉ−１）、２−（ｉ＋１）｝に対向する面（１４）と、ラダー電極（２−ｉ）の成膜基板（４）に対向する面（１５）とに設けられている。
本発明のプラズマ生成方法によれば、ラダー電極（２−１〜２−ｎ）の溝（１３）内でホロー放電が発生するため、駆動電極（２）と成膜基板（４）との間のプラズマ密度が上記（Ｃ）の場合よりも高くなる。このため、本発明のプラズマ生成方法によれば、膜質が劣化することなく、成膜を高速に行うことができる。本発明のプラズマ生成方法によれば、成膜を高速に行うことにより、薄膜を形成する際に（太陽電池を製作する際に）生産性が向上する。
【００２３】
本発明のプラズマ生成方法において、ラダー電極（２−ｉ；ｉ＝２、３、…、ｎ−１）の溝（１３）は、ラダー電極（２−ｉ）の隣り合うラダー電極｛２−（ｉ−１）、２−（ｉ＋１）｝に対向する面（１４）に設けられている。
本発明のプラズマ生成方法によれば、ラダー電極（２−１〜２−ｎ）の溝（１３）内でホロー放電が発生するため、駆動電極（２）と成膜基板（４）との間のプラズマ密度が上記（Ｄ）の場合よりも高くなり、駆動電極（２）と成膜基板（４）との間のプラズマ密度の不均一性を抑制することができる。このため、本発明のプラズマ生成方法によれば、薄膜を均一に形成することができる。本発明のプラズマ生成方法によれば、薄膜を均一に形成することにより、薄膜を形成する際に（太陽電池を製作する際に）生産性が向上する。
【００２４】
本発明のプラズマ生成方法は、ＣＶＤ装置を用いて行われる。このＣＶＤ装置は、ガス種が封入された真空容器（１）と、真空容器（１）内に設けられた駆動電極（２）と、真空容器（１）内に駆動電極（２）から離れて設けられた接地電極（３）とを具備する。駆動電極（２）と接地電極（３）との間には、真空容器（１）内で発生するプラズマにより薄膜が形成される成膜基板（４）が設けられている。駆動電極（２）はラダー電極群（２−１〜２−ｎ）を含み、ラダー電極群（２−１〜２−ｎ）の各々は等間隔に配置されている。ラダー電極群（２−１〜２−ｎ）のうちの１番目のラダー電極（２−１）と最終番目のラダー電極（２−ｎ）以外の複数のラダー電極｛２−２〜２−（ｎ−１）｝の各々には、薄膜が均一に形成されるように、溝（１３）が設けられている。駆動電極（２）の周辺部（Ｕ）は、周りの構造物｛真空装置（１）を含む｝との相互作用のため、プラズマ密度が高くなる場合がある。この場合、ラダー電極群（２−１〜２−ｎ）のうちの１番目のラダー電極（２−１）と最終番目のラダー電極（２−ｎ）とに上記の溝（１３）を設けない。
本発明のプラズマ生成方法は、真空容器（１）内にプラズマを発生するための高周波電圧を駆動電極（２）に供給するステップと、薄膜が均一に形成されるように、駆動電極（２）に供給される高周波電圧によりラダー電極｛２−２〜２−（ｎ−１）｝の溝（１３）内にホロー放電を発生するステップとを具備する。このため、本発明のプラズマ生成方法によれば、駆動電極（２）と成膜基板（４）との間のプラズマ密度が高くなり、薄膜を形成する際に（太陽電池を製作する際に）生産性が向上する。
本発明のプラズマ生成方法によれば、ラダー電極｛２−２〜２−（ｎ−１）｝の溝１３内でホロー放電が発生し、１番目のラダー電極（２−１）と最終番目のラダー電極（２−ｎ）ではホロー放電が発生しない。このため、本発明のプラズマ生成方法によれば、駆動電極（２）の周辺部（Ｕ）のプラズマ密度が高い場合、上記の効果に加えて、ラダー電極全体のプラズマ密度分布｛駆動電極（２）と成膜基板（４）との間のプラズマ密度｝を均一にすることができる。
【００２５】
本発明のプラズマ生成方法において、ラダー電極｛２−２〜２−（ｎ−１）｝の形状は棒状であり、ラダー電極｛２−２〜２−（ｎ−１）｝の溝（１３）は、ラダー電極｛２−２〜２−（ｎ−１）｝の軸方向に延びる。
【００２６】
本発明のプラズマ生成方法において、ラダー電極（２−ｊ；ｉ＝３、４、…、ｎ−２）の溝（１３）は、ラダー電極（２−ｊ）の隣り合うラダー電極｛２−（ｊ−１）、２−（ｊ＋１）｝に対向する面（１４）と、ラダー電極（２−ｊ）の成膜基板（４）に対向する面（１５）とに設けられている。
本発明のプラズマ生成方法によれば、ラダー電極｛２−２〜２−（ｎ−１）｝の溝（１３）内でホロー放電が発生するため、駆動電極（２）と成膜基板（４）との間のプラズマ密度が上記（Ｃ）の場合よりも高くなる。このため、本発明のプラズマ生成方法によれば、膜質が劣化することなく、成膜を高速に行うことができる。本発明のプラズマ生成方法によれば、成膜を高速に行うことにより、薄膜を形成する際に（太陽電池を製作する際に）生産性が向上し、ラダー電極｛２−２〜２−（ｎ−１）｝の溝１３内でホロー放電を発生させることにより、ラダー電極全体のプラズマ密度分布を均一にすることができる。
【００２７】
本発明のプラズマ生成方法において、ラダー電極（２−ｊ；ｉ＝３、４、…、ｎ−２）の溝（１３）は、ラダー電極（２−ｊ）の隣り合うラダー電極｛２−（ｊ−１）、２−（ｊ＋１）｝に対向する面（１４）に設けられている。
本発明のプラズマ生成方法によれば、ラダー電極｛２−２〜２−（ｎ−１）｝の溝（１３）内でホロー放電が発生するため、駆動電極（２）と成膜基板（４）との間のプラズマ密度が上記（Ｄ）の場合よりも高くなり、駆動電極（２）と成膜基板（４）との間のプラズマ密度の不均一性を抑制することができる。このため、本発明のプラズマ生成方法によれば、薄膜を均一に形成することができる。本発明のプラズマ生成方法によれば、薄膜を均一に形成することにより、薄膜を形成する際に（太陽電池を製作する際に）生産性が向上し、ラダー電極｛２−２〜２−（ｎ−１）｝の溝１３内でホロー放電を発生させることにより、ラダー電極全体のプラズマ密度分布を均一にすることができる。
【００２８】
本発明の太陽電池は、上記のプラズマ生成方法を用いて製作される。
【発明の効果】
【００２９】
本発明のＣＶＤ装置、プラズマ生成方法、及び、太陽電池は、薄膜を形成する際に生産性が向上する。
【００３０】
本発明のＣＶＤ装置、プラズマ生成方法、及び、太陽電池は、成膜を高速に行うことができる。
【００３１】
本発明のＣＶＤ装置、プラズマ生成方法、及び、太陽電池は、薄膜を均一に形成することができる。
【００３２】
本発明のＣＶＤ装置、プラズマ生成方法、及び、太陽電池は、プラズマ密度を均一にすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
添付図面を参照して、本発明によるＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置を実施するための最良の形態を以下に説明する。この本発明のＣＶＤ装置は、太陽電池を製作するために使用され、真空容器内で発生するプラズマにより成膜基板の表面に薄膜を形成する装置である。薄膜としてはシリコン系薄膜（微結晶シリコン薄膜、アモルファスシリコン薄膜）が例示される。
【００３４】
図１は、本発明のＣＶＤ装置の構成を示す。本発明のＣＶＤ装置は、真空容器１、駆動電極２、接地電極３、成膜基板４、ヒータ５、プラズマ発生用電源６、伝送路７、真空ポンプ８、第１ガスボンベ９、第１ガス導入部１０、第２ガスボンベ１１、第２ガス導入部１２を具備する。真空容器１は、真空ポンプ８に接続されている。真空容器１は、真空ポンプ８によって、例えば、１０−５Ｐａよりも高真空に排気される。真空容器１は、第１ガス導入部１０を介して、第１ガスボンベ９に接続されている。第１ガス導入部１０によって第１ガス種の流量を調整することにより、真空容器１には、第１ガスボンベ９からの第１ガス種が封入される。第１ガス種としては、水素が例示される。
【００３５】
駆動電極２、接地電極３、成膜基板４、ヒータ５は、真空容器１内に設けられ、駆動電極２、接地電極３、成膜基板４、ヒータ５のそれぞれは、図示しない支持部のそれぞれに真空容器１内で支持されている。接地電極３は、平板電極であり、駆動電極２から離れて設けられている。接地電極３は、真空容器１と共に接地されている。接地電極３には、成膜用のヒータ５が設けられている。成膜基板４は、駆動電極２と接地電極３との間に、接地電極３に平行に設けられている。成膜基板４としては、ガラス基板である青板ガラスが例示される。プラズマ発生用電源６は、伝送路７を介して、駆動電極２に接続されている。
【００３６】
駆動電極２は、第２ガス導入部１２を介して、第２ガスボンベ１１に接続されている。第２ガス導入部１２によって第２ガス種の流量を調整することにより、第２ガスボンベ１１からの第２ガス種が駆動電極２を介して真空容器１に噴出される。第２ガス種としては、シランが例示される。第２ガス種が駆動電極２を介して真空容器１に噴出される構成とその効果については後述する第１実施形態〜第４実施形態にて説明する。
【００３７】
プラズマ発生用電源６は、真空容器１内にプラズマを発生するための高周波電圧を駆動電極２に供給する。高周波電圧とは、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）帯の周波数の正弦波の交流電圧である。ＲＦ帯とは、１ｋＨｚ〜１０ＧＨｚの周波数領域を意味する。図示していないが、伝送路７上には、整合器、直流阻止用のコンデンサ（ブロッキングコンデンサ）が設けられている。成膜基板４には、真空容器１内に発生されたプラズマにより、薄膜が形成される。
【００３８】
本発明のＣＶＤ装置によって太陽電池を製作するために、成膜基板４は、その第１面、第２面の面積が例えば１×１０３［ｃｍ２］を超えるような大きい基板である。また、成膜基板４の下に設けられる接地電極３もその第１面、第２面の面積が例えば１×１０３［ｃｍ２］を超えるような大きい電極である。成膜基板４の第１面は、駆動電極２に対向する面であり、成膜基板４の第２面は、接地電極３の第１面に対向する面である。成膜基板４の上に離れて設けられる駆動電極も１×１０３［ｃｍ２］を超えるような電極にする場合（その駆動電極−接地電極３である平行平板にする場合）、その駆動電極を支えることは困難である。また、その駆動電極は、重量の他に、容量、コストの点で採用し難い。したがって、駆動電極２は、棒状であることが好ましい。
【００３９】
駆動電極２は、ｎ個（ｎは２以上の整数）のラダー電極２−１、２−２、…、２−ｎを含む。ラダー電極２−１〜２−ｎの各々の形状は棒状である。図２に示されるように、駆動電極２は、更に、ラダー電極２−１〜２−ｎの各々をＸ方向に等間隔に配置するためのラダー電極２−（ｎ＋１）、２−（ｎ＋２）を含む。ラダー電極２−（ｎ＋１）、２−（ｎ＋２）は、ラダー電極２−１〜２−ｎの軸線方向であるＹ方向に垂直なＸ方向に配置され、ラダー電極２−（ｎ＋１）は、ラダー電極２−１〜２−ｎの一端部に接続され、ラダー電極２−（ｎ＋２）は、ラダー電極２−１〜２−ｎの他端部に接続されている。
【００４０】
ＣＶＤ装置を用いて薄膜を形成する方法として、
（Ａ）  駆動電極が平板である場合、
（Ｂ）  駆動電極が複数のラダー電極により構成されている場合、
があるが、（Ｂ）の場合では、（Ａ）の場合に比べて、高周波を伝搬し易い。このため、（Ｂ）の場合では、真空容器内にプラズマを発生させたときに、（Ａ）の場合に比べて、プラズマ密度が高く、成膜を高速に行うことができる。薄膜を形成する際に（太陽電池を製作する際に）生産性を向上させるためには、成膜を更に高速に行う必要がある。
（Ｂ）の場合に成膜を更に高速に行う方法として、
（Ｃ）  プラズマ発生用電源により供給される高周波電圧（プラズマに投入する投入電力）を（Ｂ）の場合よりも上げる場合、
（Ｄ）  圧力を（Ｂ）の場合よりも上げ（特に微結晶シリコン薄膜の場合）、ラダー電極と成膜基板との距離を（Ｂ）の場合よりも短くする場合、
が考えられる。
【００４１】
（Ｃ）の場合では、投入電力を上げた場合、プラズマ中の電子温度が、適切に薄膜を形成するべき電子温度（最適電子温度）よりも高くなってしまう。このような高い電子温度を用いてＣＶＤ反応で薄膜を形成すると、膜質が劣化し、太陽電池の性能が悪くなる。
（Ｄ）の場合では、ラダー電極と成膜基板との距離を（Ｂ）の場合よりも短くすると、ラダー電極と成膜基板との単位体積当たりの放電（プラズマ）が不均一となってしまう。このような不均一なプラズマを用いてＣＶＤ反応で薄膜を形成すると、不均一なプラズマの影響が薄膜に現われる。その薄膜には、ラダー電極が配置された状態に相当する縞模様が現われて、その薄膜（特に膜厚）が不均一となり、太陽電池の性能が悪くなる。
【００４２】
本発明の第１実施形態に係るＣＶＤ装置は、各ラダー電極２−１〜２−ｎと成膜基板４との間のプラズマ密度が低く、プラズマ中の電子温度が高い場合、上記の（Ｃ）の課題を解決するために、各ラダー電極２−１〜２−ｎと成膜基板４との間のプラズマ密度を高くする。これにより、本発明の第１実施形態に係るＣＶＤ装置は、膜質が劣化することなく、成膜を高速に行うことができる。
本発明の第２実施形態に係るＣＶＤ装置は、第１ラダー電極（例示；ラダー電極２−２）と第１ラダー電極に隣り合う第２ラダー電極（例示；ラダー電極２−３）との間のプラズマ密度が低く、薄膜を形成した結果、薄膜（特に膜厚）が不均一である場合、上記の（Ｄ）の課題を解決するために、第１ラダー電極と第２ラダー電極との間のプラズマ密度を高くして、各ラダー電極２−１〜２−ｎと成膜基板４との間のプラズマ密度の不均一性を抑制する。これにより、本発明の第２実施形態に係るＣＶＤ装置は、薄膜を均一に形成することができる。
本発明の第３実施形態に係るＣＶＤ装置は、本発明の第１実施形態に係るＣＶＤ装置に対して、ラダー電極全体のプラズマ密度分布を補正する。
本発明の第４実施形態に係るＣＶＤ装置は、本発明の第２実施形態に係るＣＶＤ装置に対して、ラダー電極全体のプラズマ密度分布を補正する。
【００４３】
（第１実施形態）
まず、本発明の第１実施形態に係るＣＶＤ装置について説明する。
【００４４】
図３（ａ）は、本発明の第１実施形態に係るＣＶＤ装置のラダー電極２−１〜２−（ｎ＋２）を示し、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＷ−Ｗ’拡大断面図である。ラダー電極２−１〜２−（ｎ＋２）の各々の形状は同じであり、ラダー電極２−１〜２−（ｎ＋２）のうちのラダー電極２−１〜２−ｎを用いて説明する。
各ラダー電極２−１〜２−ｎの表面には、軸線方向（Ｙ方向）に延びる溝１３が設けられている。各ラダー電極２−１〜２−ｎの溝１３は、各ラダー電極２−１〜２−ｎの隣り合うラダー電極に対向する面１４と、各ラダー電極２−１〜２−ｎの成膜基板４に対向する面１５とに設けられている。
【００４５】
各ラダー電極２−１〜２−（ｎ＋２）の内部には、上記の第２ガス導入部１２に接続された電極内ガス導入部１６が設けられ、各ラダー電極２−１〜２−ｎの表面には、電極内ガス導入部１６に通じる貫通孔１７が設けられている。貫通孔１７は、例えば、溝１３内から電極内ガス導入部１６に向かって延びる。第２ガス導入部１２によって第２ガス種の流量を調整することにより、第２ガスボンベ１１からの第２ガス種が電極内ガス導入部１６、貫通孔１７、溝１３を介して真空容器１に噴出される。
【００４６】
プラズマ発生用電源６によって高周波電圧が駆動電極２に供給されたとき、各ラダー電極２−１〜２−（ｎ＋２）と成膜基板４との間にプラズマＰが発生し、各ラダー電極２−１〜２−（ｎ＋２）の溝１３内でホロー放電が発生する。本発明の第１実施形態に係るＣＶＤ装置を用いて、プラズマを発生させるプラズマ条件と、ホロー放電を発生させる溝サイズ条件とについて説明する。
【００４７】
プラズマ条件として、成膜基板４のサイズを４０ｃｍ×５０ｃｍとする。プラズマ発生用電源６のプラズマ電源周波数を６０ＭＨｚとする。プラズマ発生用電源６の出力を３００Ｗとする。真空容器１内の圧力を１３３Ｐａとし、第２ガス種分圧（シラン分圧）を３．２Ｐａとする。各ラダー電極２−１〜２−（ｎ＋２）と成膜基板４との最短距離を１８ｍｍとする。
【００４８】
上記のプラズマ条件のときの溝サイズ条件（ホロー放電を発生させる条件）として、溝１３の幅である溝幅をＬとし、各ラダー電極２−１〜２−（ｎ＋２）近傍のシース長をＳ（図示しない）としたとき、溝幅Ｌの制約として、（Ｌ／２）＞Ｓを満足する必要がある。シース長Ｓを上記のプラズマ条件により解析した結果、０．３８ｍｍという値が得られた。従って、溝幅Ｌは０．７６ｍｍ以上となる。溝幅Ｌの上限は、その幅が広すぎると電子の閉じ込めができなくなることから、（Ｌ／２）＞Ｓを満足する範囲で狭いほどよい。しかしシース長Ｓはプラズマ条件によって異なるため、シース長Ｓを小さくすると、プラズマ条件が制約されることになる。溝１３の深さである溝深さＭは、その深さが浅いと電子のトラップが不充分であるため、溝深さＭの制約として、ＣＶＤ装置の制約の許す範囲で狭いほどよい。溝幅Ｌの制約と溝深さＭの制約とプラズマ条件とにより、溝幅Ｌが１．５ｍｍであり、溝深さＭが１ｍｍであることが好ましい。
【００４９】
次に、本発明の第１実施形態に係るＣＶＤ装置に用いるプラズマ生成方法について説明する。
真空容器１内にプラズマを発生するために、プラズマ発生用電源６によって高周波電圧を駆動電極２に供給する。このとき、駆動電極２に供給される高周波電圧により各ラダー電極２−１〜２−（ｎ＋２）の溝１３内でホロー放電が発生する。
【００５０】
図４に示されるように、例えばラダー電極２−（ｉ−１）、２−ｉ、２−（ｉ＋１）（ｉ＝２、３、…、ｎ−１）に高周波電圧が供給されたとき、各ラダー電極２−（ｉ−１）、２−ｉ、２−（ｉ＋１）と成膜基板４との間にプラズマＰが発生し、ラダー電極２−（ｉ−１）、２−ｉ、２−（ｉ＋１）の溝１３内でホロー放電が発生する。このとき、各ラダー電極２−（ｉ−１）、２−ｉ、２−（ｉ＋１）と成膜基板４との間のプラズマＰ内のプラズマ密度が上記（Ｃ）の場合よりも高くなる。特に、各ラダー電極２−（ｉ−１）、２−ｉ、２−（ｉ＋１）の溝１３と成膜基板４との間に電界がかかる領域Ｑ内のプラズマ密度が上記（Ｃ）の場合よりも高くなる。
【００５１】
本発明の第１実施形態に係るＣＶＤ装置は、各ラダー電極２−１〜２−（ｎ＋２）の溝１３内でホロー放電が発生するため、駆動電極２と成膜基板４との間のプラズマ密度が上記（Ｃ）の場合よりも高くなる。このため、本発明の第１実施形態に係るＣＶＤ装置は、膜質が劣化することなく、成膜を高速に行うことができる。本発明の第１実施形態に係るＣＶＤ装置は、成膜を高速に行うことにより、薄膜を形成する際に（太陽電池を製作する際に）生産性が向上する。
【００５２】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係るＣＶＤ装置について説明する。
【００５３】
図５（ａ）は、本発明の第２実施形態に係るＣＶＤ装置のラダー電極２−１〜２−（ｎ＋２）を示し、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＷ−Ｗ’拡大断面図である。ラダー電極２−１〜２−（ｎ＋２）の各々の形状は同じであり、ラダー電極２−１〜２−（ｎ＋２）のうちのラダー電極２−１〜２−ｎを用いて説明する。
各ラダー電極２−１〜２−ｎの表面には、軸線方向（Ｙ方向）に延びる溝１３が設けられている。各ラダー電極２−１〜２−ｎの溝１３は、各ラダー電極２−１〜２−ｎの隣り合うラダー電極に対向する面１４に設けられている。
【００５４】
各ラダー電極２−１〜２−（ｎ＋２）の内部には、上記の第２ガス導入部１２に接続された電極内ガス導入部１６が設けられ、各ラダー電極２−１〜２−ｎの表面には、電極内ガス導入部１６に通じる貫通孔１７が設けられている。貫通孔１７は、例えば、溝１３内から電極内ガス導入部１６に向かって延びる。第２ガス導入部１２によって第２ガス種の流量を調整することにより、第２ガスボンベ１１からの第２ガス種が電極内ガス導入部１６、貫通孔１７、溝１３を介して真空容器１に噴出される。
【００５５】
本発明の第２実施形態に係るＣＶＤ装置において、プラズマを発生させるプラズマ条件と、ホロー放電を発生させる溝サイズ条件とは、第１実施形態と同じであるものとする。
【００５６】
次に、本発明の第２実施形態に係るＣＶＤ装置に用いるプラズマ生成方法について説明する。
真空容器１内にプラズマを発生するために、プラズマ発生用電源６によって高周波電圧を駆動電極２に供給する。このとき、駆動電極２に供給される高周波電圧により各ラダー電極２−１〜２−（ｎ＋２）の溝１３内でホロー放電が発生する。
【００５７】
図６に示されるように、例えばラダー電極２−（ｉ−１）、２−ｉ、２−（ｉ＋１）（ｉ＝２、３、…、ｎ−１）に高周波電圧が供給されたとき、各ラダー電極２−（ｉ−１）、２−ｉ、２−（ｉ＋１）と成膜基板４との間にプラズマＰが発生し、ラダー電極２−（ｉ−１）、２−ｉ、２−（ｉ＋１）の溝１３内でホロー放電が発生する。このとき、各ラダー電極２−（ｉ−１）、２−ｉ、２−（ｉ＋１）と成膜基板４との間のプラズマＰ内のプラズマ密度が上記（Ｄ）の場合よりも高くなる。特に、各ラダー電極２−（ｉ−１）、２−ｉ、２−（ｉ＋１）と成膜基板４との間のプラズマ密度のうち、各ラダー電極２−（ｉ−１）、２−ｉ、２−（ｉ＋１）の溝１３と成膜基板４との間に電界がかかる領域Ｒ内のプラズマ密度が上記（Ｄ）の場合よりも高くなる。これにより、各ラダー電極２−１〜２−ｎと成膜基板４との間のプラズマ密度が均一になる。
【００５８】
本発明の第２実施形態に係るＣＶＤ装置は、各ラダー電極２−１〜２−（ｎ＋２）の溝１３内でホロー放電が発生するため、駆動電極２と成膜基板４との間のプラズマ密度が上記（Ｄ）の場合よりも高くなり、駆動電極２と成膜基板４との間のプラズマ密度の不均一性を抑制することができる。このため、本発明の第２実施形態に係るＣＶＤ装置は、薄膜を均一に形成することができる。本発明の第２実施形態に係るＣＶＤ装置は、薄膜を均一に形成することにより、薄膜を形成する際に（太陽電池を製作する際に）生産性が向上する。
【００５９】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態に係るＣＶＤ装置について説明する。本発明の第３実施形態に係るＣＶＤ装置は、本発明の第１実施形態に係るＣＶＤ装置に対して、ラダー電極全体のプラズマ密度分布を補正するものであり、本発明の第３実施形態に係るＣＶＤ装置では、第１実施形態と重複する説明については省略する。
【００６０】
図７に示されるように、駆動電極２の周辺部Ｕは、周りの構造物（真空装置１、上記の支持部を含む）との相互作用のため、プラズマ密度が高くなる場合がある。この場合、駆動電極２｛ラダー電極２−１〜２−（ｎ＋２）｝の中の、駆動電極２の周辺部Ｕのラダー電極２−１、２−ｎ、２−（ｎ＋１）、２−（ｎ＋２）に上記の溝１３、電極内ガス導入部１６、貫通孔１７を設けない。本発明の第３実施形態に係るＣＶＤ装置では、ラダー電極２−２〜２−（ｎ−１）にのみ上記の溝１３、電極内ガス導入部１６、貫通孔１７を設け、ラダー電極全体のプラズマ密度分布（駆動電極２と成膜基板４との間のプラズマ密度）を均一にする。
【００６１】
次に、本発明の第３実施形態に係るＣＶＤ装置に用いるプラズマ生成方法について説明する。
【００６２】
図８に示されるように、例えばラダー電極２−（ｊ−１）、２−ｊ、２−（ｊ＋１）（ｊ＝３、４、…、ｎ−２）に高周波電圧が供給されたとき、各ラダー電極２−（ｊ−１）、２−ｊ、２−（ｊ＋１）と成膜基板４との間にプラズマＰが発生し、ラダー電極２−（ｊ−１）、２−ｊ、２−（ｊ＋１）の溝１３内でホロー放電が発生する。このとき、各ラダー電極２−（ｊ−１）、２−ｊ、２−（ｊ＋１）と成膜基板４との間のプラズマＰ内のプラズマ密度が上記（Ｃ）の場合よりも高くなる。特に、各ラダー電極２−（ｊ−１）、２−ｊ、２−（ｊ＋１）の溝１３と成膜基板４との間に電界がかかる領域Ｑ内のプラズマ密度が上記（Ｃ）の場合よりも高くなる。
【００６３】
本発明の第３実施形態に係るＣＶＤ装置は、各ラダー電極２−２〜２−（ｎ−１）の溝１３内でホロー放電が発生し、ラダー電極２−１、２−ｎ、２−（ｎ＋１）、２−（ｎ＋２）ではホロー放電が発生しない。このため、本発明の第３実施形態に係るＣＶＤ装置は、駆動電極２の周辺部Ｕのプラズマ密度が高い場合、第１実施形態の効果に加えて、ラダー電極全体のプラズマ密度分布（駆動電極２と成膜基板４との間のプラズマ密度）を均一にすることができる。
【００６４】
（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態に係るＣＶＤ装置について説明する。本発明の第４実施形態に係るＣＶＤ装置は、本発明の第２実施形態に係るＣＶＤ装置に対して、ラダー電極全体のプラズマ密度分布を補正するものであり、本発明の第４実施形態に係るＣＶＤ装置では、第２実施形態と重複する説明については省略する。
【００６５】
図７に示されるように、駆動電極２の周辺部Ｕは、周りの構造物（真空装置１、上記の支持部を含む）との相互作用のため、プラズマ密度が高くなる場合がある。この場合、駆動電極２｛ラダー電極２−１〜２−（ｎ＋２）｝の中の、駆動電極２の周辺部Ｕのラダー電極２−１、２−ｎ、２−（ｎ＋１）、２−（ｎ＋２）に上記の溝１３、電極内ガス導入部１６、貫通孔１７を設けない。本発明の第４実施形態に係るＣＶＤ装置では、ラダー電極２−２〜２−（ｎ−１）にのみ上記の溝１３、電極内ガス導入部１６、貫通孔１７を設け、ラダー電極全体のプラズマ密度分布（駆動電極２と成膜基板４との間のプラズマ密度）を均一にする。
【００６６】
次に、本発明の第４実施形態に係るＣＶＤ装置に用いるプラズマ生成方法について説明する。
【００６７】
図９に示されるように、例えばラダー電極２−（ｊ−１）、２−ｊ、２−（ｊ＋１）（ｊ＝３、４、…、ｎ−２）に高周波電圧が供給されたとき、各ラダー電極２−（ｊ−１）、２−ｊ、２−（ｊ＋１）と成膜基板４との間にプラズマＰが発生し、ラダー電極２−（ｊ−１）、２−ｊ、２−（ｊ＋１）の溝１３内でホロー放電が発生する。このとき、各ラダー電極２−（ｊ−１）、２−ｊ、２−（ｊ＋１）と成膜基板４との間のプラズマＰ内のプラズマ密度が上記（Ｄ）の場合よりも高くなる。特に、各ラダー電極２−（ｊ−１）、２−ｊ、２−（ｊ＋１）と成膜基板４との間のプラズマ密度のうち、各ラダー電極２−（ｊ−１）、２−ｊ、２−（ｊ＋１）の溝１３と成膜基板４との間に電界がかかる領域Ｒ内のプラズマ密度が上記（Ｄ）の場合よりも高くなる。これにより、駆動電極２と成膜基板４との間のプラズマ密度が均一になる。
【００６８】
本発明の第４実施形態に係るＣＶＤ装置は、各ラダー電極２−２〜２−（ｎ−１）の溝１３内でホロー放電が発生し、ラダー電極２−１、２−ｎ、２−（ｎ＋１）、２−（ｎ＋２）ではホロー放電が発生しない。このため、本発明の第４実施形態に係るＣＶＤ装置は、駆動電極２の周辺部Ｕのプラズマ密度が高い場合、第２実施形態の効果に加えて、ラダー電極全体のプラズマ密度分布（駆動電極２と成膜基板４との間のプラズマ密度）を均一にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】図１は、本発明のＣＶＤ装置の構成を示す。
【図２】図２は、本発明のＣＶＤ装置のラダー電極を示す平面図である。
【図３】図３（ａ）は、本発明の第１実施形態に係るＣＶＤ装置のラダー電極を示し、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＷ−Ｗ’拡大断面図である。
【図４】図４は、図２のＶ−Ｖ’断面図であり、本発明の第１実施形態に係るＣＶＤ装置のラダー電極を示す。
【図５】図５（ａ）は、本発明の第２実施形態に係るＣＶＤ装置のラダー電極を示し、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＷ−Ｗ’拡大断面図である。
【図６】図６は、図２のＶ−Ｖ’断面図であり、本発明の第２実施形態に係るＣＶＤ装置のラダー電極を示す。
【図７】図７は、本発明のＣＶＤ装置のラダー電極を示す平面図であり、本発明の第３実施形態、第４実施形態に係るＣＶＤ装置のプラズマ密度を説明するための図である。
【図８】図８は、図７のＶ−Ｖ’断面図であり、本発明の第３実施形態に係るＣＶＤ装置のラダー電極を示す。
【図９】図９は、図７のＶ−Ｖ’断面図であり、本発明の第４実施形態に係るＣＶＤ装置のラダー電極を示す。
【符号の説明】
【００７０】
１    真空容器
２    駆動電極
２−１〜２−ｎ    ラダー電極
３    接地電極
４    成膜基板
５    ヒータ
６    プラズマ発生用電源
７    伝送路
８    真空ポンプ
９    第１ガスボンベ
１０    第１ガス導入部
１１    第２ガスボンベ
１２    第２ガス導入部
１３    溝
１４、１５    面
【図１】
2005072102.tif 000003
【図２】
2005072102.tif 000004
【図３】
2005072102.tif 000005
【図４】
2005072102.tif 000006
【図５】
2005072102.tif 000007
【図６】
2005072102.tif 000008
【図７】
2005072102.tif 000009
【図８】
2005072102.tif 000010
【図９】
2005072102.tif 000011