(57)【要約】【課題】  元の電子線露光用マスクパターンを切断線で分割して形成した第１の相補パターン及び第２の相補パターンの位置関係を計算機上で検査することができる電子線露光用マスクパターン検査方法を得る。【解決手段】  第１の相補パターンにおける切断線の両端部と第２の相補パターンにおける切断線の一端部を少なくとも含む多角形の符号付面積を求める工程と、この符号付面積により第１の相補パターンと第２の相補パターンの位置関係を検査する工程を有する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
元の電子線露光用マスクパターンを切断線で分割して形成した第１の相補パターン及び第２の相補パターンの位置関係を検査する電子線露光用マスクパターン検査方法において、
前記第１の相補パターンにおける前記切断線の両端部と前記第２の相補パターンにおける前記切断線の一端部を少なくとも含む多角形の符号付面積を求める工程と、
この符号付面積により前記第１の相補パターンと前記第２の相補パターンの位置関係を検査する工程を有することを特徴とする電子線露光用マスクパターン検査方法。
【請求項２】
前記第１の相補パターン及び前記第２の相補パターンの各頂点にそれぞれ所定の回転方向に番号を割り当てる工程を更に有し、
前記多角形の符号付面積を求める工程において、前記多角形の各頂点に割り当てられた番号の並び順が前記所定の回転方向の場合は正、前記所定の回転方向とは逆方向の場合は負となるように前記符号付面積を定義し、
前記位置関係を検査する工程において、前記符号付面積が正の場合は前記第１の相補パターンと前記第２の相補パターンが重なっており、前記符号付面積が０の場合は前記第１の相補パターンと前記第２の相補パターンが接触しており、前記符号付面積が負の場合は前記第１の相補パターンと前記第２の相補パターンが離れているとそれぞれ判断することを特徴とする請求項１記載の電子線露光用マスクパターン検査方法。
【請求項３】
前記多角形は三角形であることを特徴とする請求項１又は２記載の電子線露光用マスクパターン検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、元の電子線露光用マスクパターンを切断線で分割して形成した第１の相補パターン及び第２の相補パターンの位置関係を検査する電子線露光用マスクパターン検査方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体デバイスの生産では光露光技術が用いられてきたが、近年、先端デバイスのパターン寸法がその限界解像度に近づきつつあり、高解像露光技術の開発が急務となっている。
【０００３】
これに対し、電子線露光技術は本質的に優れた解像性を有しており、ＤＲＡＭを代表とする最先端デバイスの開発や一部のＡＳＩＣの生産に用いられている。しかし、従来の可変成形露光法ではパターンを一筆描きの要領で描画するため単位時間当たりのウェハ処理能力すなわちスループットが低く、デバイスの量産に不向きであった。
【０００４】
そこで、現在、次世代の露光技術として電子線投影露光(Electron Projection Lithography: EPL)が提案されており、昨今、その研究開発が行われている。図２は、電子線投影露光の原理を説明するための概念図である。まず、電子銃から照射された電子線は、偏向部により進行方向を変えられてマスク２１の任意の領域に均一に照射される。マスク２１のパターン部分（開口部分）に照射された電子線は、散乱を受けず、制限アパチャ２２の光軸上に設けられた開口を通過し、ウェハ２３を露光する。一方、マスク２１のパターンでない部分（散乱体部分）に照射された場合、電子線は散乱され、制限アパチャ２２の開口を通過することができない。これにより、マスク２１のパターンがウェハ２３に露光される。なお、マスク２１のパターンは、第１の投影露光レンズ２４及び第２の投影露光レンズ２５により４分の１に縮小される。また、電子線の加速電圧として１００ｋＶが用いられる。
【０００５】
ステンシルマスクは電子線が通過する部分が完全に貫通しているため、例えば図３（ａ）に示すようなドーナツパターンだと内側のマスク部材が欠落してしまう。そのため、図３（ｂ）（ｃ）に示すような２つの相補パターンに分割し、各々のパターンを別のサブフィールド又は別のマスクに配置する。そして、露光時にこれらを重ね合わせることで所望のドーナツパターンをウェハ上に露光することができる。その他、大きなマスク部材を小さな支持部で支えているような機械的強度に問題のあるパターンについても分割する必要がある。現在、このステンシルマスクの分割処理を自動的に行うためのソフトウェアが開発されている。
【０００６】
ところで、近接効果補正のひとつの手法としてリサイズ処理が行われる。このリサイズ処理では、パターン寸法を大きくしたり(プラスバイアス)、小さくしたり(マイナスバイアス)する。例えば、プラスバイアスでは、図４（ａ）に示す２つの相補パターンが図４（ｂ）に示すように重なる。一方、マイナスバイアスでは、図５（ａ）に示す２つの相補パターンが図５（ｂ）に示すように離れる。このため、リサイズ処理後に、それぞれ図４（ｃ）に示すような重なり除去又は図５（ｃ）に示すようなパターン延長によって端部修正を行う。このように元のパターンを分割した後又は更にリサイズ処理した後に、２つの相補パターンの位置関係を検査して、正しく接続されているか否かを調べる必要がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、従来、ステンシルマスクの相補分割が実用化された例はなく、２つの相補パターンをそれぞれ被露光基板に露光した場合の位置関係を計算機上で検査する方法は無かった。
【０００８】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、元の電子線露光用マスクパターンを切断線で分割して形成した第１の相補パターン及び第２の相補パターンの位置関係を計算機上で検査することができる電子線露光用マスクパターン検査方法を得るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の電子線露光用マスクパターン検査方法は、元の電子線露光用マスクパターンを切断線で分割して形成した第１の相補パターン及び第２の相補パターンの位置関係を検査するものであって、第１の相補パターンにおける切断線の両端部と第２の相補パターンにおける切断線の一端部を少なくとも含む多角形の符号付面積を求める工程と、この符号付面積により第１の相補パターンと第２の相補パターンの位置関係を検査する工程を有する。本発明のその他の特徴は以下に明らかにする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明により、元の電子線露光用マスクパターンを切断線で分割して形成した第１の相補パターン及び第２の相補パターンの位置関係を計算機上で検査することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を用いて、本発明の電子線露光用マスクパターン検査方法について説明する。図１は、元の電子線露光用マスクパターンを切断線で分割して形成した第１の相補パターン１１及び第２の相補パターン１２の位置関係を示す図である。図１（ａ）は、第１の相補パターン１１及び第２の相補パターン１２が重なっている状態、図１（ｂ）は接触し正しく接続している状態、図１（ｃ）は離れている状態をそれぞれ示している。
【００１２】
まず、第１の相補パターン１１及び第２の相補パターン１２の各頂点にそれぞれ所定の回転方向に番号を割り当てる。ここでは、図１に示すように、第１の相補パターン１１では、左下から反時計回りに１，２，３，４と番号を割り当て、第２の相補パターン１２では、左下から反時計回りにａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅと番号を割り当てている。ここでは、ｄのように、マスク分割によって直線となっている部分であっても、相手方のパターンの頂点が接触する部分には番号を割り当てているが、必ずしも必要ではない。
【００１３】
次に、第１の相補パターン１１における切断線の両端部１，２と第２の相補パターンにおける切断線の一端部ｅからなる三角形△１２ｅの符号付面積を計算幾何学を用いて求める。この際に、三角形の各頂点に割り当てられた番号の並び順が所定の回転方向の場合は正、所定の回転方向とは逆方向の場合は負となるように符号を定義する。ここでは、三角形△１２ｅの各頂点に割り当てられた番号１，２，ｅの並び順が反時計回りの場合は正、時計回りの場合は負と定義する。
【００１４】
そして、この符号付面積により第１の相補パターン１１と第２の相補パターン１２の位置関係を検査する。即ち、図１（ａ）に示すように、三角形△１２ｅの符号付面積が正の場合は、第１の相補パターン１１と第２の相補パターン１２が重なっていると判断する。また、図１（ｂ）に示すように、三角形△１２ｅの符号付面積が０の場合は、第１の相補パターン１１と第２の相補パターン１２が接触していると判断する。そして、図１（ｃ）に示すように、三角形△１２ｅの符号付面積が負の場合は、第１の相補パターン１１と第２の相補パターン１２が離れていると判断する。なお、三角形△１２ｄ、△ｄｅ１、△ｄｅ２について符号付面積を求めた場合でも同様であるため、いずれか１つの三角形の符号付面積を求めればよい。また、三角形に限らず、四角形１２ｄｅ等の多角形の符号面積を求めてもよい。
【００１５】
以上説明したように、本発明の電子線露光用マスクパターン検査方法は、第１の相補パターンにおける切断線の両端部と第２の相補パターンにおける切断線の一端部を少なくとも含む多角形の符号付面積を求め、この符号付面積により第１の相補パターンと前記第２の相補パターンの位置関係を検査する。これにより、元の電子線露光用マスクパターンを切断線で分割して形成した第１の相補パターン及び第２の相補パターンの位置関係を計算機上で検査することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】元の電子線露光用マスクパターンを切断線で分割して形成した第１の相補パターン及び第２の相補パターンの位置関係を示す図である。
【図２】電子線投影露光の原理を説明するための概念図である。
【図３】ドーナツパターン及びその相補パターンを示す図である。
【図４】プラスバイアスのリサイズ処理及び端部修正した相補パターンを示す図である。
【図５】マイナスバイアスのリサイズ処理及び端部修正した相補パターンを示す図である。
【符号の説明】
【００１７】
１１  第１の相補パターン
１２  第２の相補パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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