(57)【要約】【課題】プリント配線基板の絶縁信頼性を高め、製造歩留まりの向上を図ること。【解決手段】絶縁層１０と導体層１２とを熱可塑性接着剤１１によって接着してなる３層構造基材を形成する。次に、導体層１２を所定の配線回路パターンに形成し、更にこの導体層１２を、熱可塑性接着剤１１の溶融温度以上の温度を加えながら加圧し、熱可塑性接着剤１１の中に埋め込むことによってプリント配線基板を製造する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と導体層とを熱可塑性接着剤によって接着してなる３層構造基材を形成し、
前記導体層を所定の配線回路パターンに形成し、
この導体層を、前記熱可塑性接着剤の溶融温度以上の温度を加えながら加圧し、前記熱可塑性接着剤の中に埋め込むことによってプリント配線基板を製造するようにした方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、
前記熱可塑性接着剤として、ポリイミドまたはエポキシを用いた方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の方法において、
前記３層構造基材における導体層と熱可塑性接着剤との厚みをほぼ同一とした方法。
【請求項４】
絶縁層と導体層とを熱可塑性接着剤によって接着してなる３層構造基材を形成し、
前記導体層を所定の配線回路パターンに形成し、
この導体層を、前記熱可塑性接着剤の溶融温度以上の温度を加えながら加圧し、前記熱可塑性接着剤の中に埋め込むことによって製造したプリント配線基板を用いた半導体装置。
【請求項５】
所定の配線回路パターンを備えてなるプリント配線基板の配線回路パターンに半導体素子のバンプ電極が接続されてなる半導体装置であって、
前記プリント配線基板の基材となる絶縁層と、前記所定の配線回路パターンに形成される導体層とを、前記導体層の厚みと前記バンプ電極の高さとを加えた値以上の厚みを有する熱可塑性接着剤によって接着してなる３層構造基材を形成し、
前記導体層を前記所定の配線回路パターンに形成し、
配線回路の所定位置に、対応する前記バンプ電極を当接し、
このバンプ電極を、前記熱可塑性接着剤の溶融温度以上の温度を加えながら前記高さ方向に沿って加圧し、このバンプ電極に当接する配線回路とともに前記熱可塑性接着剤の中に埋め込むことによって製造されてなる半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線基板の製造方法および半導体装置に係り、特に、プリント配線基板の絶縁信頼性と製造歩留まりとを向上する製造方法、およびこの製造方法によって製造されたプリント配線基板を用いた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、ＴＡＢ用のキャリアテープ、ＣＯＦ（Chip On Film）用のキャリアテープ、ＦＰＣ（Flexible Print Circuit）等のようなプリント配線基板は、モニタ、携帯機器等の液晶ドライバーや、半導体ＩＣ、あるいは部品同士を実装するケーブル等といった様々な用途に使用されている。
【０００３】
この種のプリント配線基板は、一般に、図４に示すような複雑な工程を経て製造される。すなわち、先ず、プリント配線基板の基材となるポリイミド等の絶縁層１０に、所定の配線回路パターンに形成される銅等の導体層１２が積層され、導体層１２の表面が脱脂、化学研磨等によって洗浄される（ａ）。次に、導体層１２の表面にフォトレジスト１４が塗布され（ｂ）た後に、所定の配線回路パターンが形成された露光マスク１６を介して、フォトレジスト１４に向けて紫外線１８が照射される（ｃ）。その後フォトレジスト１４を現像することによって、配線回路パターンに相当する部位のフォトレジスト１４が残る（ｄ）。更に、エッチング液を用いてエッチング処理を施すことにより、フォトレジスト１４が残っていない部位における導体層１２が除去される（ｅ）。その後、残ったフォトレジスト１４が剥離されることによって、絶縁層１０上に所定の配線回路に形成された導体層１２が得られる（ｆ）。しかる後に、これら導体層１２のうち接続端子以外の導体層１２（＃ａ）がソルダーレジスト２０によって埋め込まれ（ｇ）、更に、接続端子となる導体層１２（＃ｂ）の表面が錫（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等によって表層処理２２が施される（ｈ）。このようにしてプリント配線基板３４が製造される。
【０００４】
なお、プリント配線基板３４の製造方法については、製造性の向上を図るべく、上記工程に示す方法の他にも様々な発明がなされている。例えば、特許文献１には、配線回路が絶縁層から剥離することのない製造方法が記載されている。
【特許文献１】特開平９−６４５１４号公報
【特許文献２】特開２０００−３３２３８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、このような従来のプリント配線基板の製造方法では、以下のような問題がある。
【０００６】
プリント配線基板３４は、上述したような複雑な工程を経て製造される訳であるが、近年の軽薄短小化、高密度化、小型実装化といった要求に伴い、配線ピッチ（配線幅／配線スペース）は年々ファイン化する傾向にあり、製造側に対する要求は益々厳しくなる一方である。
【０００７】
このため、隣接配線間の絶縁信頼性が低下したり、製造歩留まりが低下するという問題がある。したがって、このようなプリント配線基板３４を用いた半導体装置の信頼性もまた低下するという問題もある。
【０００８】
まず、プリント配線基板３４の引き回し部分においては、接続端子以外の導体層１２（＃ａ）付近の部分拡大図である図５（ａ）に示すように、配線回路パターン後のソルダーレジスト２０の印刷やラミネート時に配線回路パターンの側壁面にエアーを巻き込み、ボイド２４が形成される。このようなボイド２４は、配線ピッチが小さくなるほど発生し易く、外観不良の原因となり、製造歩留まり低下をもたらす問題がある。
【０００９】
更に、配線回路間にボイド２４が存在した状態で温度サイクル試験、半田耐熱性試験、高温保存試験等の信頼性試験を行った場合、試験中にボイド２４内のエアーが膨張し、ソルダーレジスト２０が部分剥離してしまう問題がある。
【００１０】
また、ソルダーレジスト２０が部分剥離すると、露出した配線回路パターンが腐食してしまい、配線回路パターンの断線や、イオンマイグレーションにより配線のショートをもたらす等、信頼性を低下させる問題がある。
【００１１】
次に、接続端子である導体層１２（＃ｂ）付近の部分拡大図である図５（ｂ）に示すように、ＬＳＩやＩＣ等の半導体チップ２６が実装された場合、プリント配線基板３４と半導体チップ２６との間の隙間に封止材である封止樹脂３０をサイドポッティング方法で充填される。この封止の際に、プリント配線基板３４の表面が配線回路パターンの存在、すなわち導体層１２（＃ｂ）によって凹凸状になっているため流動性が阻害され、隙間全体に封止樹脂３０を１００％充填できず、製造歩留まりの低下および信頼性を低下させる問題がある。
【００１２】
また、封止樹脂３０が１００％充填されない問題の他に、充填する際に、表面張力によって、プリント配線基板３４の表面に突出した配線回路パターン、すなわち導体層１２（＃ｂ）の側壁面にエアーを巻き込みボイド２４が形成される、このようなボイド２４は、外観不良となり製造歩留まり低下をもたらす問題がある。
【００１３】
更に、このようなボイド２４が存在した状態で温度サイクル試験、半田耐熱性試験、高温保存試験等の信頼性試験を行った場合、試験中にボイド２４内のエアーが膨張し、封止樹脂３０が部分剥離し（ポップコーン現象）、露出した配線回路パターンが腐食してしまい、接続部の断線や、イオンマイグレーションにより配線のショートをもたらす等、信頼性を低下させる問題がある。
【００１４】
このような問題は、配線ピッチが小さくなるほど大きくなる。このような問題は、上記特許文献２でも指摘されている。
【００１５】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、プリント配線基板の絶縁信頼性を高め、もって、製造歩留まりの向上を図ることが可能なプリント配線基板の製造方法を提供することを目的とする。また、この製造方法によって製造されたプリント配線基板を用いることによって、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記の目的を達成するために、本発明では、以下のような手段を講じる。
【００１７】
すなわち、請求項１の発明は、絶縁層と導体層とを熱可塑性接着剤によって接着してなる３層構造基材を形成し、導体層を所定の配線回路パターンに形成し、この導体層を、熱可塑性接着剤の溶融温度以上の温度を加えながら加圧し、熱可塑性接着剤の中に埋め込むことによってプリント配線基板を製造する方法である。
【００１８】
請求項２の発明は、請求項１の発明の方法において、熱可塑性接着剤として、ポリイミドまたはエポキシを用いる。
【００１９】
請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明の方法において、３層構造基材における導体層と熱可塑性接着剤との厚みをほぼ同一とする。
【００２０】
従って、請求項１乃至請求項３の発明のプリント配線基板の製造方法においては、以上のような手段を講じることにより、従来技術で実施していたソルダーレジストの埋め込み処理が不要となる。これにより、ソルダーレジストの埋め込み処理時に発生していたボイドの巻き込みを阻止することができる。
【００２１】
また、ＬＳＩやＩＣ等の半導体チップを実装し、この半導体チップとの間の隙間に封止材である封止樹脂をサイドポッティング方法で充填する場合であっても、半導体チップのバンプ電極と接続される導体層間の凹凸が無くなるので、隙間全体に封止樹脂を１００％充填することができるようになり、ボイドの発生を阻止することができる。
【００２２】
このように、ボイドの発生を阻止することができるので、プリント配線基板の絶縁信頼性を更に向上するとともに、製造歩留まりを高めることが可能となる。また、温度サイクル試験、半田耐熱性試験、高温保存試験等の信頼性試験を行った場合であっても、イオンマイグレーションによる配線のショートのない、高い信頼性を備えることが可能となる。
【００２３】
請求項４の発明は、絶縁層と導体層とを熱可塑性接着剤によって接着してなる３層構造基材を形成し、導体層を所定の配線回路パターンに形成し、この導体層を、熱可塑性接着剤の溶融温度以上の温度を加えながら加圧し、熱可塑性接着剤の中に埋め込むことによって製造したプリント配線基板を用いた半導体装置である。
【００２４】
請求項５の発明は、所定の配線回路パターンを備えてなるプリント配線基板の配線回路パターンに半導体素子のバンプ電極が接続されてなる半導体装置であって、まず、前記プリント配線基板の基材となる絶縁層と、前記所定の配線回路パターンに形成される導体層とを、前記導体層の厚みと前記バンプ電極の高さとを加えた値以上の厚みを有する熱可塑性接着剤によって接着してなる３層構造基材を形成する。次に、前記導体層を前記所定の配線回路パターンに形成する。更に、配線回路の所定位置に、対応する前記バンプ電極を当接し、このバンプ電極を、前記熱可塑性接着剤の溶融温度以上の温度を加えながら前記高さ方向に沿って加圧し、このバンプ電極に当接する配線回路とともに前記熱可塑性接着剤の中に埋め込むことによって製造されてなる。
【００２５】
従って、請求項４および請求項５の発明の半導体装置においては、上述したような製造方法によって製造されたプリント配線基板を用いることによって、ボイドの発生を阻止することができるので、信頼性の向上を図った半導体装置を実現することが可能となる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、小ボイドの発生を阻止し、もって、プリント配線基板の絶縁信頼性と、製造歩留まりとの向上を図ることが可能なプリント配線基板の製造方法を実現することができる。
【００２７】
更に、このような製造方法で製造されたプリント配線基板を用いることによって、ソルダーレジスト等の表面保護膜の厚みを薄くすることができるため、使用する材料およびコストをさらに削減でき且つ屈曲性に優れたプリント配線基板を実現することができる。
【００２８】
また、このような製造方法で製造されたプリント配線基板を用いることによって、信頼性の向上を図った半導体装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下に、本発明を実施するための最良の形態について図面を参照しながら説明する。
【００３０】
なお、以下の各形態の説明に用いる図中の符号は、図４乃至図５と同一部分については同一符号を付して示すことにする。
【００３１】
［実施例１］
本発明の実施例１を図１乃至図２を用いて説明する。
【００３２】
図１は、本実施例に係るプリント配線基板の製造方法の一例を示す工程図である。
【００３３】
すなわち、本実施例に係るプリント配線基板の製造方法は、図１（ａ）に示すように、まず、ポリイミド等のプリント配線基板の基材となる絶縁層１０と、所定の配線回路パターンに形成される銅等の導体層１２とを、熱可塑ポリイミドやエポキシ等の熱可塑性接着剤１１によって接着してなる３層構造基材を形成し、導体層１２の表面を脱脂、化学研磨等によって洗浄する。絶縁層１０、熱可塑性接着剤１１、および導体層１２の厚みとしては、例えばそれぞれ２５〜５０μｍ、１〜１５μｍ、９〜１２μｍである。
【００３４】
次に、図１（ｂ）から図１（ｊ）に示すような工程を経ることによって導体層１２を所定の配線回路からなるパターンに形成する。すなわち、図１（ｂ）に示すように、導体層１２の表面にフォトレジスト１４を塗布した後に、図１（ｃ）に示すように、所定の配線回路パターンが形成された露光マスク１６を介して、フォトレジスト１４に向けて紫外線１８を照射する。その後フォトレジスト１４を現像することによって、図１（ｄ）に示すように、配線回路パターンに相当する部位のフォトレジスト１４が残る。更に、図１（ｅ）に示すように、エッチング液を用いてエッチング処理を施すことにより、フォトレジスト１４が残っていない開口部位における導体層１２を除去する。その後、図１（ｆ）に示すように、残ったフォトレジスト１４を剥離することによって、絶縁層１０上に所定の配線回路に形成された導体層１２を得る。
【００３５】
次に、図１（ｇ）に示すように、所定の配線回路に形成された導体層１２の全露出面に、従来の電解あるいは無電解めっき法等の表面処理方法により表面保護膜１９を形成する。表面保護膜１９は、具体的にはＮｉを約1μｍから５μｍ析出し、更にその上にＡｕを約０．０５μｍから０．３μｍ析出することによって形成する。あるいは、この導体層１２の全露出面に直接Ａｕを０．０５μｍから０．３μｍ析出させるようにしても構わない。また、Ａｕの代わりに錫を用いるようにしても構わない。
【００３６】
次に、図１（ｈ）に示すように、図示しないヒータを備えた一対のローラ３２（＃ａ），３２（＃ｂ）によって、熱可塑性接着剤１１の溶融温度以上の温度と、図中矢印方向Ｐに沿った所定の圧力を加えながら、このローラ３２（＃ａ），３２（＃ｂ）を回転方向ｆに沿って回転させながら進行方向Ｆに沿って進行させる。これにより、導体層１２を表面保護膜１９とともに熱可塑性接着剤１１の中に埋め込む。これによって、図１（ｉ）に示すように、プリント配線基板３４の表面を平坦化するようにしている。
【００３７】
すなわち、熱可塑性接着剤１１の厚みは、導体層１２の厚みおよび表面保護膜１９の厚みを加えた値よりも大きい。なお、表面保護膜１９の厚みは、例えば０．０５μｍから０．３μｍ程度であり、導体層１２（＃ｂ）の厚み（例えば９〜１２μｍ）に比べて十分小さいために、この厚みＴは、実質的に導体層１２（＃ｂ）と見なすことができる。
【００３８】
熱可塑性接着剤１１への埋めこみ方法は、上記記載の方法以外に、間欠的ではあるが、温度を加えながら既存の高温・高圧プレスを用いて加熱・加圧することによって、導体層１２を表面保護膜１９とともに熱可塑性接着剤１１の中に埋め込み、しかる後にこの高温・高圧プレスをプリント配線基板３４上において方向Ｆに沿って所定の距離搬送させ、そこでまた同様にして導体層１２を表面保護膜１９とともに熱可塑性接着剤１１の中に埋め込むことを繰り返すことによって行うようにしても良い。
【００３９】
最後に、図１（ｊ）に示すように、接続端子以外の導体層１２（＃ａ）を含む領域である接続端子外領域２３に、液状あるいはフィルム状のソルダーレジスト２０を塗布あるいはラミネートし、表面保護膜を形成する。こうして、プリント配線基板３４の表面を平坦化する。なお、２１は、接続端子である導体層１２（＃ｂ）を含む領域である接続端子領域である。ここで使用するソルダーレジスト２０は感光性あるいは非感光性どちらでもかまわない。
【００４０】
また、図１（ｉ）に示すようなプリント配線基板３４を複数積層することによって多層基板を形成することも可能としている。図１（ｉ）に示すようなプリント配線基板３４の表面は、平坦であるので、このようなプリント配線基板３４同士を接着剤で貼り合わせることによって、貼り合わせ具合も良好であり、かつ余分な厚みも発生しない多層プリント配線基板を実現可能としている。なお、この場合、特別な接着剤を用いることなく、導体層１２埋め込まれなかった領域にある熱可塑性接着剤１１によって貼り合わせるようにしても良い。
【００４１】
次に、以上のように構成した本実施例に係るプリント配線基板の製造方法の作用について説明する。
【００４２】
すなわち、本実施例に係るプリント配線基板の製造方法によって、図５（ａ）に示すようなソルダーレジスト２０の塗布、あるいはラミネート工程でエアー巻き込みにより発生するボイド２４が阻止され、プリント配線基板３４の製造歩留まりと信頼性との向上を図ることが可能なプリント配線基板３４の製造方法を実現することができる。
【００４３】
また、このように製造されたプリント配線基板３４を複数用いて多層基板を形成する場合には、図１（ｉ）に示すようなプリント配線基板３４同士を接着剤で貼り合わせることによって容易に形成される。この場合、各プリント配線基板３４の表面は、平坦化処理されているので、貼り合わせ具合も良好であり、かつ余分な厚みも発生しない。
【００４４】
この場合、導体層１２が埋め込まれなかった領域にある熱可塑性接着剤１１によって貼り合わせることも可能である。これによって、プリント配線基板３４同士を接着するための特別な接着剤の使用が不要となり、資源及び手間が省略される。
【００４５】
なお、上述したような本実施例に係るプリント配線基板の製造方法は、ＴＣＰ、ＣＯＦ、およびＦＰＣ等のフレキシブルなプリント配線基板はもちろんのこと、通常のガラス−エポキシ等を用いたプリント配線基板に対しても適用可能である。また、本実施例では、図１（ａ）に示すように、絶縁層１０の上に熱可塑性接着剤１１を塗布し、その上に導体層１２を積層した３層構造基材を形成する例を用いて説明したが、その逆に、導体層１２の上に熱可塑性接着剤１１を塗布し、その上に絶縁層１０を積層して３層構造基材を形成するようにしても良い。また、絶縁層１０に熱可塑性接着剤１１を塗布し、しかる後にスパッタ−メッキ等によって配線回路を形成した場合に対しても適用可能である。
【００４６】
また、本実施例では、図１（ｆ）に示すとおり配線回路を形成した後に、図１（ｇ）に示すように表面処理を行なったが、図１（ｆ）に示す処理の後に図１（ｈ）に示す処理を行い、導体層１２を熱可塑性接着剤１１の内部に埋め込んだ後に、表面処理を行っても良い。
【００４７】
また、図２は、このような製造方法で製造されたプリント配線基板３４を用いた半導体装置３６の一例を示す断面図である。
【００４８】
すなわち、図２に示す半導体装置３６は、プリント配線基板３４の導体層１２（＃ｂ）と、半導体チップ２６に予め形成されたバンプ電極２５とを、従来のアライメント方法を用いて位置合わせし、フェースダウンボンディング方法でＰｂ−Ｓｎ系の半田接合材あるいは、Ａｕ−Ｓｎ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系の鉛レス半田接合材を用いて接続する。次に、サイドポッティング法によって、半導体チップ２６とプリント配線基板３４とによって形成された隙間に封止材である封止樹脂３０を充填する。こうして本発明の製造方法で製造されたプリント配線基板３４を用いた半導体装置３６が製造される。
【００４９】
このような半導体装置３６は、プリント配線基板３４の基板表面が平坦であることから、その表面での抵抗が低減され、封止樹脂３０の充填時における流れがスムーズになり、ボイド２４の形成を伴うことなく、半導体チップ２６とプリント配線基板３４との隅間を均一に、かつ完全に封止樹脂３０を充填することができる。
【００５０】
更に、図５（ｂ）の図に示すようなボイド２４の発生を阻止することができるので、製造歩留まりを高くすることが可能となる。以上により、更なる信頼性の向上を図った半導体装置３６を実現することも可能となる。
【００５１】
［実施例２］
本発明の実施例２を図３を用いて説明する。
【００５２】
図３は、実施例２に係るプリント配線基板の製造方法によって製造されたプリント配線基板によって半導体装置を製造する場合の一例を示す工程図である。
【００５３】
この場合、まず、図３（ａ）に示すように、ポリイミド等のプリント配線基板の基材となる絶縁層１０と、所定の配線回路パターンに形成される銅等の導体層１２とを、熱可塑ポリイミドやエポキシ等の熱可塑性接着剤１１によって接着してなる３層構造基材を形成する。このとき、熱可塑性接着剤１１の厚みＷは、図３（ｊ）に示すように、接続端子となる導体層１２（＃ｂ）の厚みＴと、半導体チップ２６に設けられたバンプ電極２５の高さＨとを加えた値以上、すなわち  Ｗ≧（Ｔ＋Ｈ）とする。なお、導体層１２（＃ｂ）の厚みＴには、表面保護膜１９の厚みを含むが、前述したように、表面保護膜１９の厚みは、導体層１２（＃ｂ）の厚みに比べて十分小さいために、この厚みＴは、実質的に導体層１２（＃ｂ）と見なすことができる。
【００５４】
次に、図３（ｂ）から図３（ｇ）に示すような工程を経ることによって導体層１２を所定の配線回路からなるパターンに形成する。この工程については、図１（ｂ）から図１（ｇ）と同じであるので、重複説明を避ける。
【００５５】
そして、図３（ｈ）では、図１（ｈ）と同様にして、導体層１２（＃ａ）のみを表面保護膜１９とともに熱可塑性接着剤１１の中に埋め込む。更に、図３（ｉ）に示すように、接続端子外領域２３に、液状あるいはフィルム状のソルダーレジスト２０を塗布あるいはラミネートし、表面保護膜を形成する。
【００５６】
次に、図３（ｊ）に示すように、導体層１２（＃ｂ）の所定位置に、半導体チップ２６の対応するバンプ電極２５を当接した状態で、この半導体チップ２６に、熱可塑性接着剤１１の溶融温度以上の温度を加えながら、図中矢印に示す深さ方向Ｐに向けて高温・高圧プレス３３によって加圧する。これによって、図３（ｋ）に示すように、導体層１２（＃ｂ）とそれに当接したバンプ電極２５とをともに熱可塑性接着剤１１の中に埋め込むことによって、プリント配線基板３４に半導体チップ２６を実装し、半導体装置３６を製造する。なお、本製造方法を適用する場合には、半導体チップ２６と基材との実装温度および圧力と、熱可塑性接着剤１１の溶融温度および埋め込み圧力とを近似したものを用いる。
【００５７】
このようにして製造された半導体装置３６では、半導体チップ２６とプリント配線基板３４との隙間が熱可塑性接着剤１１によって充填されるので、封止材である封止樹脂３０を充填することが不要になり、もって、該隙間におけるボイドの発生を阻止することが可能となる。
【００５８】
したがって、半導体装置３６の絶縁信頼性を更に向上するとともに、製造歩留まりを高めることが可能となる。また、温度サイクル試験、半田耐熱性試験、高温保存試験等の信頼性試験を行った場合であっても、イオンマイグレーションによる配線のショートのない、高い信頼性を備えることが可能となる。
【００５９】
以上、本発明を実施するための最良の形態について、添付図面を参照しながら説明したが、本発明はかかる構成に限定されない。特許請求の範囲の発明された技術的思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の実施例１に係るプリント配線基板の製造方法の一例を示す工程図。
【図２】この製造方法によって製造されたプリント配線基板を用いた半導体装置の一例を示す立断面図。
【図３】本発明の実施例２に係るプリント配線基板の製造方法によって製造されたプリント配線基板によって半導体装置を製造する場合の一例を示す工程図。
【図４】従来技術によるプリント配線基板の製造方法を示す工程図。
【図５】ボイドの発生箇所を示すプリント配線基板および半導体装置の部分断面図。
【符号の説明】
【００６１】
１０…絶縁層、１１…熱可塑性接着剤、１２…導体層、１４…フォトレジスト、１６…露光マスク、１８…紫外線、１９…表面保護膜、２０…ソルダーレジスト、２１…接触端子領域、２２…表層処理、２３…接触端子外領域、２４…ボイド、２５…バンプ電極、２６…半導体チップ、３０…封止樹脂、３２…ローラ、３３…高温・高圧プレス、３４…プリント配線基板、３６…半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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