(57)【要約】    【課題】  回路チップと配線基板との良好な接続状態を確保することを可能とする技術を提供すること。    【解決手段】  本発明の回路基板は、配線(20,22)を有する基板(10)と、電気回路を含み、基板上に配置される回路チップ(16)と、回路チップの一面に突起状に設けられ、電気回路と配線との間の電気的接続を担う複数の第１電極(18)と、基板の一面に第１の電極のそれぞれと対向配置して設けられ、配線と電気回路との間の電気的接続を担う複数の第２電極(24)と、第１電極と第２電極の間に介在し、第１電極と第２電極との相互間距離のばらつきを吸収する導電性の緩和層(26)と、を含んで構成される。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線を有する基板と、
電気回路を含み、前記基板上に配置される回路チップと、
前記回路チップの一面に突起状に設けられ、前記電気回路と前記配線との間の電気的接続を担う複数の第１電極と、
前記基板の一面に前記第１の電極のそれぞれと対向配置して設けられ、前記配線と前記電気回路との間の電気的接続を担う複数の第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極の間に介在し、前記第１電極と前記第２電極との相互間距離のばらつきを吸収する導電性の緩和層と、
を含んで構成される、回路基板。
【請求項２】
前記緩和層は、前記第１電極と前記第２電極との相互間距離に応じてその厚さが異なる、請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記緩和層は、前記第１電極及び前記第２電極よりも硬度が低い、請求項１に記載の回路基板。
【請求項４】
前記緩和層は、ビッカース硬度が５０以上２００以下である、請求項３に記載の回路基板。
【請求項５】
前記緩和層は、金、銀、鉛、スズ、カドミウム、亜鉛、銅、鉄、コバルト、パラジウム、ニッケル、ロジウム、インジウム、アンチモン及び白金のいずれか又はこれらの中の２つ以上を含む合金からなる、請求項３又は４に記載の回路基板。
【請求項６】
前記緩和層がめっき法により形成されるものである、請求項５に記載の回路基板。
【請求項７】
導電性粒子を含んでなり、前記回路チップと前記基板との間に介在する異方性導電材を更に備え、
前記導電性粒子が部分的に前記緩和層に埋没しながら前記第１電極と前記第２電極の相互間に配置される、請求項１に記載の回路基板。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載の回路基板を含んで構成される電気光学装置。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれかに記載の回路基板を含んで構成される電子機器。
【請求項１０】
突起状の第１電極を複数有する回路チップを形成する第１工程と、
配線を有する基板を形成する第２工程と、
複数の前記第１電極のそれぞれと対向配置されるべき複数の第２電極を前記配線上に形成する第３工程と、
前記第１電極上及び／又は前記第２電極上に、前記第１電極と前記第２電極に介在させるべき導電性の緩和層を形成する第４工程と、
前記第１電極と前記第２電極とを位置合わせすると共に、前記第１電極と前記第２電極との相互間距離に応じて前記緩和層の厚さが変化するように前記緩和層に押圧力を与えながら前記回路チップを前記基板上に配置する第５工程と、
を含む、回路基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第１工程は、前記回路チップを転写元基板上に形成し、
前記第５工程は、前記転写元基板上に形成された前記回路チップを当該転写元基板から剥離し、前記絶縁膜の上面に転写することにより行う、請求項１０に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第４工程は、前記緩和層の厚さが前記第１電極と前記第２電極との相互間距離のばらつき幅よりも大きくなるように前記緩和層を形成する、請求項１０に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１３】
前記第４工程は、めっき法によって前記緩和層を形成する、請求項１０に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１４】
前記第５工程に先立って、導電性粒子を含んでなり前記回路チップと前記基板との間に介在すべき異方性導電材を、前記回路チップ上及び／又は前記基板上に形成する第６工程を更に含み、
前記第５工程においては、前記緩和層に対する押圧力の付与により前記導電性粒子が部分的に前記緩和層に埋没して前記第１電極と前記第２電極の相互間に配置させる、請求項１０に記載の回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子などの電気素子を含む回路チップを基板上に実装する技術の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップなどの回路チップの実装技術として、フリップチップ接続法が知られている。フリップチップ接続法では、回路チップ側に突起電極（バンプ）を設けておき、この突起電極を配線基板上のパッド電極と位置合わせし、フェースダウンボンディングを行うことにより、回路チップを配線基板上に実装する。フリップチップ接続法によれば、ワイヤーボンディングによる場合に比べてワイヤーの引き回しが不要となり、コンパクトな実装が可能となる。このような技術は、例えば、特開平５−２４３３３０号公報（特許文献１）、特開平９−９７８１６号公報（特許文献２）などの文献に開示されている。
【０００３】
また、半導体素子などの電気素子の形成法として、転写技術を用いる手法が知られている。例えば、特開平１０−１２５９３１号公報（特許文献３）には、予め転写元基板上に剥離層を介して回路チップ等の被転写体を形成しておき、その後回路チップ等を転写先基板に接合し、剥離層に光照射等を行って剥離を生じさせることにより、回路チップ等の被転写体を転写先基板に転写する手法が開示されている。この手法によれば、製造条件の異なる複数種類の回路チップ等をそれぞれ最適な条件で転写元基板上に形成した後に、転写先基板へ移動させることにより、所望の電子デバイスを製造することができる。
【０００４】
【特許文献１】特開平５−２４３３３０号公報
【特許文献２】特開平９−９７８１６号公報
【特許文献３】特開平１０−１２５９３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
電子製品の歩留まり向上や信頼性確保などの観点から、回路チップと配線基板との接続をいかに確実かつ安定なものとするかは重要な課題である。しかし、突起電極の厚さやパッド電極の厚さ（高さ）を均一に形成することは容易ではない。このような突起電極等の厚さのばらつきにより突起電極と電極パッドとの相互間距離が不均一になると、各接続箇所の全てについて確実な接続を図ることが難しくなる。かかる不都合は、特に、上述した転写法を適用して薄膜状の回路チップを基板上に転写する場合に顕著となる。これは、転写法を適用する場合には従来の半導体チップ等における実装技術をそのまま適用することが難しいためである。
【０００６】
そこで、本発明は、回路チップと配線基板との良好な接続状態を確保することを可能とする技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の回路基板は、配線を有する基板と、電気回路を含み、基板上に配置される回路チップと、この回路チップの一面に突起状に設けられ、電気回路と配線との間の電気的接続を担う複数の第１電極と、基板の一面に第１の電極のそれぞれと対向配置して設けられ、配線と電気回路との間の電気的接続を担う複数の第２電極と、第１電極と第２電極の間に介在し、第１電極と第２電極との相互間距離のばらつきを吸収する機能を担う導電性の緩和層とを含んで構成される。
【０００８】
かかる構成によれば、第１電極（突起電極）及び／又は第２電極（パッド電極）の厚さのばらつきにより、両者間の距離が各箇所によって不均一となったときにも、かかる相互間距離のばらつきが緩和層によって吸収される。これにより、各接続箇所の全てについて確実な接続を図ることが可能となり、回路チップと配線基板との良好な接続状態を確保することができる。回路チップが薄膜状のものである場合には、この回路チップの一面に設けられる第１電極に対して平坦化処理を行うことが難しく第１電極の厚さが不均一になりやすいので、このような場合に特に本発明が有効に適用される。
【０００９】
上述した緩和層は、第１電極と第２電極との相互間距離に応じてその厚さが異なることが好ましい。これにより、第１電極と第２電極との相互間距離のばらつきがより確実に補償される。
【００１０】
また、緩和層は、第１電極及び第２電極よりも硬度が低いことが好ましい。より具体的には、緩和層の硬度は、ビッカース硬度Ｈｖ（ｋｇ／ｍｍ２）で表記した場合に５０以上２００以下であることが好ましい。すなわち、緩和層としては比較的に柔らかいものが好適である。これにより、製造プロセス中において、第１電極と第２電極との相互間距離に応じて緩和層の厚みを変化させて当該相互間距離のばらつきを吸収させることが容易となる。
【００１１】
上述した緩和層は、導電性を有し、かつ上述した硬度の条件を満たす限り、各種の材料を用いることが可能である。このような緩和層は、例えば、金、銀、鉛、スズ、カドミウム、亜鉛、銅、鉄、コバルト、パラジウム、ニッケル、ロジウム、インジウム、アンチモン及び白金のいずれか又はこれらの中の２つ以上を含む合金によって形成することが可能である。合金としては、例えば、ニッケル−金、銅−スズ、ニッケル−金−銅−スズ、鉛−スズなど各種のものが挙げられる。このような緩和層は、例えばめっき法により容易に形成可能である。これらの材料を採用することにより好適な緩和層を得ることができる。
【００１２】
また、導電性粒子を含んでなり、回路チップと基板との間に介在する異方性導電材を更に備えることが好ましい。この場合に、異方性導電材に含まれる導電性粒子が部分的に緩和層に埋没しながら第１電極と第２電極の相互間に配置されると更に好適である。これにより、第１電極と第２電極との接続の信頼性を更に向上させることが可能となる。
【００１３】
なお、上述した異方性導電材が固定材としての機能を兼ね備えていると更に好適である。これにより、回路チップと基板との接続強度を一層高めることが可能となる。
【００１４】
また本発明は、上述した回路基板を含んで構成される電気光学装置でもある。ここで「電気光学装置」とは、電気的作用によって発光するあるいは外部からの光の状態を変化させる電気光学素子を備えた表示装置一般をいい、自ら光を発するものと外部からの光の通過を制御するもの双方を含む。例えば、電気光学素子として、液晶素子、電気泳動粒子が分散した分散媒体を有する電気泳動素子、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、電界の印加により発生した電子を発光板に当て発光させる電子放出素子を備えたアクティブマトリクス型の表示装置等をいう。
【００１５】
また本発明は、上述した回路基板あるいは電気光学装置を含んで構成される電子機器でもある。ここで「電子機器」とは、回路基板やその他の要素を要素を備え、一定の機能を奏する機器一般をいい、その構成に特に限定はない。かかる電子機器としては、例えば、ＩＣカード、携帯電話、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、リア型またはフロント型のプロジェクター、テレビジョン（ＴＶ）、ロールアップ式ＴＶ、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ等が含まれる。
【００１６】
本発明の回路基板の製造方法は、突起状の第１電極を複数有する回路チップを形成する第１工程と、配線を有する基板を形成する第２工程と、複数の第１電極のそれぞれと対向配置されるべき複数の第２電極を配線上に形成する第３工程と、第１電極上及び／又は第２電極上に、第１電極と第２電極に介在させるべき導電性の緩和層を形成する第４工程と、第１電極と第２電極とを位置合わせすると共に、第１電極と第２電極との相互間距離に応じて緩和層の厚さが変化するように緩和層に押圧力を与えながら上記回路チップを基板上に配置する第５工程と、を含む。なお、第１工程と、第２工程及び第３工程とは、並行して行うことや順序を入れ換えて行うことが可能である。
【００１７】
かかる製造方法によれば、第１電極及び／又は第２電極の厚さのばらつきにより、両者間の距離が各箇所によって不均一となっていても、かかる相互間距離のばらつきに応じて緩和層の厚さを変化させて当該相互間距離のばらつきを吸収しながら回路チップの実装が行われる。これにより、各接続箇所の全てについて確実な接続を図ることが可能となり、回路チップと配線基板との良好な接続状態を確保することができる。本発明の製造方法は、回路チップが薄膜状のものである場合に特に有効に適用される。
【００１８】
本発明の製造方法においては、回路チップの形成について上述した転写法を採用するとより好適である。この場合には、上述した第１工程においては、回路チップを転写元基板上に形成する。そして、第５工程においては、この転写元基板上に形成された回路チップを当該転写元基板から剥離して絶縁膜の上面に転写することにより、回路チップの実装が行われる。かかる転写プロセスは、例えば上述した特許文献３に記載されるような転写法を採用することが可能である。このような転写法を用いて回路チップの実装する場合に、本発明の製造方法は特に効果的である。
【００１９】
上述した第４工程は、緩和層の厚さが第１電極と第２電極との相互間距離のばらつき幅よりも大きくなるように当該緩和層の形成を行うとよい。これにより、第１電極と第２電極との相互間距離のばらつきがより確実に補償される。当該第４工程における緩和層の形成には、例えばめっき法を採用することが可能である。
【００２０】
また、上述した第５工程に先立って、導電性粒子を含んでなり回路チップと基板との間に介在すべき異方性導電材を、回路チップ上及び／又は基板上に形成する第６工程を更に含むことが好ましい。この場合に、第５工程においては、導電性粒子が部分的に緩和層に埋没して第１電極と第２電極の相互間に配置されるように、緩和層に対する押圧力の付与を行うとよい。これにより、第１電極と第２電極との接続の信頼性を更に向上させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００２２】
図１は、一実施形態の回路基板の構造を説明する図（断面図）である。図１に示す回路基板は、多層配線を有する配線基板上に、半導体素子などの電子素子を含んでなる回路チップを実装してなるものである。また、図２及び図３は、配線基板と回路チップとの接続箇所について詳細に説明する図である。
【００２３】
基板１０は、回路基板の土台（ベース）となるものである。この基板１０としては、ガラス基板、プラスチック基板など種々のものを用いることができる。また、基板１０として、ポリイミドなど各種の樹脂材料からなりフレキシブル性を有する基板を用いることもできる。
【００２４】
絶縁膜１２、１４は、配線２０、２２と共に多層配線を構成するものである。これらの絶縁膜１２、１４は、絶縁体からなる膜であり、各配線の相互間を電気的に絶縁するためのものである。絶縁体としては、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）、シリコン窒化物（Ｓｉ３Ｎ４）、リンシリケートガラス（ＰＳＧ）、ボロンリンシリケートガラス（ＢＰＳＧ）、或いは有機高分子材料など種々のものを用いることができる。
【００２５】
なお、本例では多層配線を含む回路基板を示しているが、実施の形態はこれに限定されるものではなく、少なくとも１層の配線が備わっていればよい。
【００２６】
回路チップ１６は、トランジスタ、ダイオード等の能動素子や、抵抗、キャパシタ、インダクタ等の受動素子を用いて構成される電気回路を含み、基板１０上（本例では絶縁膜１４上）に配置される。この回路チップ１６に含まれる電気回路は、突起電極１８を介し、更にパッド電極２４を介して配線２２と電気的に接続される。本実施形態では、この回路チップ１６として、薄膜トランジスタ等の薄膜素子からなる薄膜回路を含んでなる薄膜状の回路チップを用いる。このような回路チップ１６は、例えば、転写技術を用いて実装される。転写技術を用いた製造プロセスの詳細については後述する。
【００２７】
突起電極（第１電極）１８は、回路チップ１６の一面に突起状に設けられており、回路チップ１６内の電気回路と配線２０、２２との電気的接続を担うものである。この突起電極１８は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、錫（Ｓｎ）などの導電体からなる。突起電極１８のサイズは、設計上やその他の都合により適宜設定し得るものであり、例えば２０μｍ〜１００μｍ角程度に設定される。
【００２８】
配線２０、２２は、上述したように絶縁膜１２等と共に多層配線を構成するものである。これらの配線２０、２２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）などの導電体からなるものである。また、各配線の相互間及び配線２２とパッド電極２４との相互間は、コンタクトホールに埋め込まれたプラグ（埋め込み電極）を介して電気的接続が図られている。
【００２９】
パッド電極（第２電極）２４は、突起電極１８のそれぞれと対向配置するように基板１０の一面側（本例では絶縁膜１４上）に設けられており、配線２０、２２と回路チップ１６に含まれる電気回路との間の電気的接続を担う。このパッド電極２４は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、錫（Ｓｎ）などの導電体からなる。
【００３０】
緩和層２６は、導電性を有し、突起電極１８とパッド電極２４との間に介在して両者の相互間距離のばらつきを吸収する機能を担う。図２に示すように、本例では主に複数の突起電極１８の厚さが不均一となっており、かかる厚さの不均一に起因して、突起電極１８とパッド電極２４との相互間距離にばらつきΔＴが生じている。緩和層２６は、この突起電極１８とパッド電極２４との相互間距離のばらつきを吸収すべく、当該相互間距離に応じて図示のように厚さが異なっている。
【００３１】
この緩和層２６は、突起電極１８及びパッド電極２４よりも硬度が低くなるように形成される。より具体的には、緩和層２６の硬度は、ビッカース硬度Ｈｖ（ｋｇ／ｍｍ２）で表記した場合に５０以上２００以下であることが好ましい。これにより、後述する製造プロセス中において、突起電極１８とパッド電極２４との相互間距離に応じて緩和層２６の厚みを変化させて当該相互間距離のばらつきを吸収させることが容易となる。
【００３２】
このような緩和層２６は、導電性を有し、かつ上述した硬度の条件を満たす限り、各種の材料を用いることが可能である。かかる緩和層２６は、例えば、金、銀、鉛、スズ、カドミウム、亜鉛、銅、鉄、コバルト、パラジウム、ニッケル、ロジウム、インジウム、アンチモン及び白金のいずれか又はこれらの中の２つ以上を含む合金によって形成される。合金としては、例えば、ニッケル−金、銅−スズ、ニッケル−金−銅−スズ、鉛−スズなど各種のものが挙げられる。このような緩和層２６は、例えばめっき法により容易に形成可能である。これらの材料を採用することにより好適な緩和層２６を得ることができる。
【００３３】
異方性導電材２８は、導電性粒子３０を含み、回路チップ１６と基板１０（本例では絶縁膜１４）との間に介在する。本実施形態の異方性導電材２８は、回路チップ１６と基板１０との接続強度を高める固定材としての機能も兼ねている。導電性粒子３０は、金属核そのもの（ニッケル単体や、金メッキ処理を行ったニッケル等）、樹脂核（スチレン、アクリル等）、あるいはこれらの核の外側に熱や圧力で破壊、溶融する絶縁被膜を施したものなど各種あり、例えば数μｍ〜数十μｍ程度の粒径の略球形のものが用いられる。この導電性粒子３０は異方性導電材２８の中に適度に分散している。図３に示すように、本実施形態では、異方性導電材２８に含まれる導電性粒子３０が部分的に緩和層２６に埋没しながら突起電極１８とパッド電極２４の相互間に配置される。これにより、突起電極１８とパッド電極２４との間の電気的接続の信頼性を更に高めることが可能となる。
【００３４】
本実施形態の回路基板はこのような構成を有しており、次にこの回路基板の製造方法について説明する。本実施形態では、転写法を用いて回路チップ１６の実装を行う。
【００３５】
図４及び図５は、本実施形態の回路基板の製造方法について説明する図である。まず、図４（Ａ）に示すように、上述した基板１０とは別途に用意される転写元基板６０上に、剥離層６２を介して回路チップ１６を形成する。このとき、突起電極１８についても併せて形成される。
【００３６】
ここで、転写元基板６０は、後に剥離層６２に対するエネルギー付与を光照射により行うことができるように、透光性のものを採用することが好ましい。また、転写元基板６０は、信頼性の高い材料で構成されていることが好ましく、特に、耐熱性に優れた材料で構成されていることが好ましい。その理由は、例えば、被転写体としての回路チップ１６を形成する際に、その種類や形成方法によってはプロセス温度が高くなることがあるが、その場合でも、転写元基板６０が耐熱性に優れていれば、転写元基板６０上への回路チップ１６の形成に際し、その温度条件等の成膜条件設定の幅が広がるからである。これにより、転写元基板上に多数の回路チップを製造する際に、所望の高温処理が可能となり、信頼性が高く高性能の素子や回路を製造することができる。転写元基板６０は最終製品となる転写先の基板とは異なり、繰り返し利用することが可能であるため、比較的高価な材料を用いても繰り返し使用によって製造コストの上昇を少なくすることが可能である。
【００３７】
剥離層６２は、エネルギーの付与によって状態変化を生じて、その層内および／または界面において剥離（以下、「層内剥離」、「界面剥離」と言う）を生じる性質を有するものである。より好ましくは、剥離層６２は、光の照射により剥離層６２を構成する物質の原子間または分子間の結合力が消失または減少すること、すなわち、アブレーションが生じて層内剥離および／または界面剥離に至るものがよい。さらに、光の照射により、剥離層６２から気体が放出され、分離効果が発現される場合もある。すなわち、剥離層６２に含有されていた成分が気体となって放出される場合と、剥離層６２が光を吸収して一瞬気体になり、その蒸気が放出され、分離に寄与する場合とがある。このような剥離層６２の組成としては、例えば、（Ａ）アモルファスシリコン、（Ｂ）酸化ケイ素又はケイ酸化合物、酸化チタンまたはチタン酸化合物等の各種酸化物セラミックス、強誘電体あるいは半導体、（Ｃ）ＰＺＴ、ＰＬＺＴ、ＰＬＬＺＴ、ＰＢＺＴ等のセラミックスあるいは誘電体、（Ｄ）窒化珪素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化物セラミックス、（Ｅ）ポリエチレン，ポリイミド，ポリアミド，ポリエステル等の有機高分子材料、（Ｆ）Ａｌ，Ｌｉ，Ｔｉ等を含む金属、が挙げられる。本実施形態ではアモルファスシリコンによって剥離層６２を形成する。
【００３８】
このような剥離層６２を介在させて、転写元基板６０上に一又は複数の回路チップ１６が形成される。薄膜トランジスタ等の回路素子の製造時には、ある程度の高温プロセスが要求されるので、転写元基板６０は種々の条件を満たす必要がある。転写技術を用いた製造方法では、種々の製造条件を満たす転写元基板６０で回路チップ１６を製造してから、かかる製造条件を満たさない最終基板に回路チップ２６を転写することが可能となる。すなわち、本製造方法では、最終基板たる基板１０として、より安価な材料からなる基板を用いることができるようになり、製造コストを削減することが可能となる。また、基板１０は高温プロセスに耐える必要がないため、プラスチック基板やフレキシブル基板などを用いることができるようになり、基板１０の選択の幅が広くなる。
【００３９】
また、図４（Ｂ）に示すように、各絶縁膜１２、１４と各配線２０、２２からなる多層配線を有する基板１０を形成する。多層配線の具体的な形成方法としては、周知の各種方法を採用することが可能である。なお、上述したように配線は少なくとも１層あればよく、その場合には、基板１０上に配線２２を形成し、その後必要に応じて配線２２の相互間を絶縁する絶縁膜を形成する。
【００４０】
次に、図４（Ｃ）に示すように、配線２０、２２上の所定位置に、複数の突起電極１８のそれぞれと対向配置されるべき複数のパッド電極２４を形成する。これらのパッド電極２４は、例えばスパッタ法によって絶縁膜１４上に導電体膜を形成した後、当該導電体膜を所望形状にパターニングすることによって形成することができる。
【００４１】
次に、図４（Ｄ）に示すように、突起電極１８上又はパッド電極２４上の少なくとも一方に、両者間に介在させるべき導電性の緩和層２６を形成する。本実施形態では、パッド電極２４上にのみ緩和層２６を形成しているが、突起電極１８上に形成してもよい。これらの緩和層２６は、例えばめっき法を用いて金、銀、スズなどの導電体を突起電極１８の表面に析出させることによって形成すると好適である。緩和層２６は、その厚さが突起電極１８とパッド電極２４との相互間距離のばらつき幅ΔＴ（図３参照）よりも大きくなるように形成される。例えば、製造条件等の都合から、突起電極１８とパッド電極２４との相互間距離のばらつき幅ΔＴが２μｍ程度となる場合には、緩和層２６はこのばらつき幅よりも大きい厚さ（例えば３μｍ程度）に形成される。
【００４２】
次に、図５（Ａ）に示すように、回路チップ１６と基板１０との間に介在すべき異方性導電材２８を回路チップ１８上及び／又は基板１０上に形成する。本実施形態では、この異方性導電材２８を基板１０上（絶縁膜１４上）に形成する。異方性導電材２８としては、流動性のある異方性導電ペーストを用いることが好適であるが、フィルム状に形成された異方性導電膜を用いてもよい。
【００４３】
次に、図５（Ｂ）に示すように、突起電極１８とパッド電極２４とを位置合わせして、回路チップ１６を基板１０上に配置する。このとき、突起電極１８とパッド電極２４との相互間距離に応じて緩和層２６の厚さが変化するように緩和層２６に押圧力を与える。本実施形態では、転写元基板６０を介して回路チップ１６を基板１０側へ押圧することによって緩和層２６に押圧力を与える。これにより、突起電極１８及び／又はパッド電極２４の厚さのばらつきによる両者間の距離のばらつきに応じて緩和層２６の厚さを変化させて当該距離のばらつきを吸収しながら回路チップ１６の実装を行うことが可能となる。更に本実施形態では、異方性導電材２８に含まれる導電性粒子３０が部分的に緩和層２６に埋没して突起電極１８とパッド電極２４の相互間に配置されるように、緩和層２６に対する押圧力の付与が行われる。
【００４４】
このような緩和層２６に対する押圧力の付与と並行して、回路チップ１６を転写元基板６０から基板１０上に転写する処理を行う。具体的には、転写元基板６０と転写先たる基板１０との接合体の転写元基板６０側から、転写対象の回路チップ１６に対応する剥離層６２に選択的に光照射を行うことによって、転写するべき回路チップ１６を支持している剥離層６２に剥離（層内剥離および／または界面剥離）を生じさせる。その後、転写元基板６０と転写先たる基板１０に、双方を離間させる方向に力を加えることによって、基板１０から転写元基板６０を取り外す。これにより、基板１０上の所望位置に回路チップ１６が転写されて、図５（Ｃ）に示すように本実施形態の回路基板が完成する。
【００４５】
剥離層６２の層内剥離および／または界面剥離が生じる原理は、剥離層６２の構成材料にアブレーションが生じること、また、剥離層６２に含まれているガスの放出、さらには照射直後に生じる溶融、蒸散等の相変化によるものである。ここで、アブレーションとは、照射光を吸収した固定材料（剥離層６２の構成材料）が光化学的または熱的に励起され、その表面や内部の原子または分子の結合が切断されて放出することをいい、主に、剥離層６２の構成材料の全部または一部が溶融、蒸散（気化）等の相変化を生じる現象として現れる。また、上記相変化によって微小な発泡状態となり、結合力が低下することもある。剥離層６２が層内剥離を生じるか、界面剥離を生じるか、またはその両方であるかは、剥離層６２の組成や、その他種々の要因に左右され、その要因の１つとして、照射光の種類、波長、強度、到達深さ等の条件が挙げられる。照射光としては、剥離層６２に層内剥離および／または界面剥離を起こさせるものであればいかなるものでもよく、例えば、Ｘ線、紫外線、可視光、赤外線、レーザ光等が挙げられる。特に、剥離層６２の剥離（アブレーション）を生じさせ易く、かつ高精度の局部照射が可能である点でレーザ光が好ましい。
【００４６】
このように、本実施形態の回路基板は、突起電極１８及び／又はパッド電極２４の厚さのばらつきにより、両者間の距離が各箇所によって不均一となったときにも、かかる相互間距離のばらつきが緩和層２６によって吸収される。これにより、各接続箇所の全てについて確実な接続を図ることが可能となり、回路チップ１６と基板１０側の配線２０、２２との良好な接続状態を確保することができる。
【００４７】
本実施形態にかかる回路基板は、有機ＥＬ表示装置、液晶表示装置、電気泳動表示装置など種々の電気光学装置（表示装置）に適用することが可能である。本実施形態の回路基板を用いて構成される有機ＥＬ表示装置の構成例について以下に説明する。
【００４８】
図６は、本実施形態にかかる回路基板を用いた有機ＥＬ表示装置の構成例を示す図（断面図）である。図６に示す有機ＥＬ表示装置は、本実施形態にかかる回路基板１００と、有機ＥＬ素子１１２を備える表示素子基板１１０とを対向配置し、両者間を導電性部材１１４により電気的に接続して構成されている。回路基板１００と表示素子基板１１０との相互間には、不活性ガスなどが適宜充填される。この有機ＥＬ表示装置では、回路基板１００側の回路チップ１６によって、表示素子基板１１０側の有機ＥＬ素子１１２を駆動している。例えば、図示の有機ＥＬ素子１１２が３つ１組となって一画素を構成しており、この１画素分に対応する画素駆動回路が１つの回路チップ１６に含まれている。
【００４９】
図７は、回路チップ１６に含まれる電気回路（有機ＥＬ素子の駆動回路）の一例を示す回路図である。図７では、１つの有機ＥＬ素子１１２に対応する駆動回路の一例が点線内に示されている。なお、走査線１３０、信号線１３２、電源線１３４及び容量線１３６は、上述した回路基板に含まれる配線２０等のいずれかに対応している。
【００５０】
図７に示す駆動回路は、スイッチング薄膜トランジスタ１２０、ドライビング薄膜トランジスタ１２２及び保持容量１２４から構成されており、有機ＥＬ素子１１２に流す電流を制御する機能を有する。具体的には、信号線１３２から制御電圧が供給され、スイッチング薄膜トランジスタ１２０を介して保持容量１２４に当該電圧が記憶される。ドライビング薄膜トランジスタ１２２は、スイッチング薄膜トランジスタ１２０によってサンプリングされた電圧に応じてゲート電圧が制御され、電源線１３４から供給されて有機ＥＬ素子１１２に流れ込む電流の量を制御し、有機ＥＬ素子１１２の発光状態を制御する。
【００５１】
なお、本例では画素駆動回路を含む回路チップ１６について説明したが、これ以外にも、画素駆動回路の動作を制御するためのドライバ等の周辺回路を回路チップ１６によって構成してもよい。
【００５２】
図８及び図９は、上述した電気光学装置を適用可能な電子機器の例を示す図である。図８（Ａ）は携帯電話への適用例であり、当該携帯電話２３０はアンテナ部２３１、音声出力部２３２、音声入力部２３３、操作部２３４、および本発明の電気光学装置２００を備えている。このように本発明に係る電気光学装置は表示部として利用可能である。図８（Ｂ）はビデオカメラへの適用例であり、当該ビデオカメラ２４０は受像部２４１、操作部２４２、音声入力部２４３、および本発明の電気光学装置２００を備えている。
【００５３】
図８（Ｃ）は携帯型パーソナルコンピュータ（いわゆるＰＤＡ）への適用例であり、当該コンピュータ２５０はカメラ部２５１、操作部２５２、および本発明に係る電気光学装置２００を備えている。図８（Ｄ）はヘッドマウントディスプレイへの適用例であり、当該ヘッドマウントディスプレイ２６０はバンド２６１、光学系収納部２６２および本発明に係る電気光学装置２００を備えている。
【００５４】
図８（Ｅ）はリア型プロジェクターへの適用例であり、当該プロジェクター２７０は筐体２７１に、光源２７２、合成光学系２７３、ミラー２７４、２７５、スクリーン２７６、および本発明に係る電気光学装置２００を備えている。図８（Ｆ）はフロント型プロジェクターへの適用例であり、当該プロジェクター２８０は筐体２８２に光学系２８１および本発明に係る電気光学装置２００を備え、画像をスクリーン２８３に表示可能になっている。
【００５５】
図９（Ａ）はテレビジョンへの適用例であり、当該テレビジョン３００は本発明に係る電気光学装置２００を備えている。なお、パーソナルコンピュータ等に用いられるモニタ装置に対しても同様に本発明に係る電気光学装置を適用し得る。図９（Ｂ）はロールアップ式テレビジョンへの適用例であり、当該ロールアップ式テレビジョン３１０は本発明に係る電気光学装置２００を備えている。
【００５６】
また、本発明に係る電気光学装置は、上述した例に限らず有機ＥＬ表示装置や液晶表示装置などの表示装置を適用可能なあらゆる電子機器に適用可能である。例えばこれらの他に、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイなどにも活用することができる。
【００５７】
なお、本発明は上述した実施形態の内容に限定されることなく、本発明の要旨の範囲内で種々に変形実施が可能である。例えば、上述した実施形態では、本発明にかかる回路基板の適用例として電気光学装置を説明していたが、これ以外にも各種の電子機器（例えば、ＩＣカード等）に適用することが可能である。
【００５８】
また、上述した実施形態では、転写法を用いて回路チップ１６の基板１０上への実装を行っていたが、回路チップ１６の実装方法はこれに限定されるものではなく、他の方法を採用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】一実施形態の回路基板の構造を説明する図である。
【図２】配線基板と回路チップとの接続箇所について詳細に説明する図である。
【図３】配線基板と回路チップとの接続箇所について詳細に説明する図である。
【図４】回路基板の製造方法について説明する図である。
【図５】回路基板の製造方法について説明する図である。
【図６】回路基板を用いた有機ＥＬ表示装置の構成例を示す図である。
【図７】回路チップに含まれる電気回路の一例を示す回路図である。
【図８】電気光学装置を適用可能な電子機器の例を示す図である。
【図９】電気光学装置を適用可能な電子機器の例を示す図である。
【符号の説明】
【００６０】
１０…基板、  １２、１４…絶縁膜、  １６…回路チップ、  １８…突起電極（第１電極）、  ２０、２２…配線、  ２４…パッド電極（第２電極）、  ２６…緩和層、  ２８…異方性導電材、  ３０…導電性粒子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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