(57)【要約】【課題】  発振波長帯が１．３μｍ以上の、長波長領域での光発振が可能な半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】  ＳＤＨ型半導体レーザ装置を構成する場合に、活性層５を、ＧａＡｓＳｂもしくはＧａＡｓＳｂＮによって構成する。これによって、（１１１）結晶面による斜面２２及び２３の平滑性を低下させることなく、長波長領域での発振が可能なＳＤＨ型半導体レーザ素子を有する半導体レーザ装置を構成することができる。【選択図】        図１ 
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＧａＡｓによる基体の｛１００｝結晶面に、ストライプ状のリッジが形成され、
上記リッジを有する主面上に、少なくともクラッド層と、ＧａＡｓＳｂを有する活性層と、電流阻止層とが形成され、
上記リッジ上に上記少なくともクラッド層及び上記活性層による半導体ストライプ部が、｛１１１｝結晶面による斜面で挟み込まれた断面３角形状に形成され、
上記斜面に沿って上記半導体ストライプ部を構成する活性層と他部を構成する活性層との間に断層が形成され、
上記半導体ストライプ部を挟んでその両側に電流阻止層が形成されて成る半導体レーザ素子を有することを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
上記活性層がＮ（窒素）を含有することを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
上記活性層がＡｌを含有することを特徴とする請求項１及び２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
上記活性層が、多重量子井戸（ＭＱＷ；Multi Quantum Well）構造を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
上記半導体ストライプ部の斜面を構成する結晶面が、｛１１１｝Ｂ面であることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
上記半導体ストライプ部の長手方向の寸法が、３００μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】
上記半導体ストライプ部の幅の選定によって、発光波長帯が変化することを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザ装置として、ＳＤＨ（Separated Double Heterostructure）型半導体レーザ素子を有する半導体レーザ装置がある（例えば特許文献１及び特許文献２）。
【０００３】
このＳＤＨ型半導体レーザ装置は、半導体基板上に、所定の結晶面による上面を有し、所定の結晶軸方向に延長するリッジが形成され、このリッジ上からリッジ溝内に渡って、クラッド層、活性層等の半導体層がエピタキシャル成長され、リッジ上において、特定結晶面による斜面によって挟み込まれた発光部を構成する半導体ストライプ部が形成された半導体レーザ素子を有して成る。そして、この半導体レーザ素子は、半導体ストライプ部の両側にエピタキシャル成長によって上述した電流阻止層が形成される。
このＳＤＨ型半導体レーザ装置における半導体レーザ素子は、その半導体ストライプ部によるレーザ共振器の幅の設定、電流阻止層との位置関係の整合が正確になされることから、低閾値電流と均一な光学的特性とを得ることができる。
【０００４】
図３は、この従来のＳＤＨ型半導体レーザ装置の要部の概略断面図である。
このＳＤＨ型半導体レーザ装置は、通常、ＡｌＧａＡｓ系の半導体レーザに適用され、第１導電型（例えばｎ型）のＧａＡｓ基板１０２の、（１００）結晶面による一主面に＜０１１＞或いは＜０１−１＞結晶軸方向に沿って所要の幅を有するストライプ状のリッジ１０２ｂが形成される。そして、このリッジ１０２ｂ上を覆って全面的に第１導電型クラッド層１０４、活性層１０５、第２導電型例えばｐ型の第２導電型クラッド層１０６、電流阻止層１０７、上層の第２導電型クラッド層１０８、第２導電型のキャップ層１０９が、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）による連続エピタキシーによって形成される。
【０００５】
この構成において、リッジ１０２ｂの高さ、幅、各半導体層の厚さ等の選定によって、リッジ１０２ｂ上に上述した半導体ストライプ部１２１が形成される。
この半導体ストライプ部１２１の形成は、リッジ１０２ｂ上とその両側のリッジ溝との段差によって、すなわちリッジ１０２ｂの高さによって、半導体層の成長がリッジ１０２ｂ上と、リッジ溝内のエピタキシャル成長に分離してなされることによる。
このとき、リッジ１０２ｂの上面と、リッジ溝内の底面の（１００）結晶面に対する成長速度に比し、（１１１）Ｂ結晶面及び（１１１）Ａ結晶面の成長速度が、特段に低いことから、＜０１１＞方向或いは＜０１−１＞方向に延びるリッジの縁部から（１１１）Ｂ結晶面或いは（１１１）Ａ結晶面が生じて来ると、これら面に対する成長が殆ど生じないことから、リッジ上においては、これら結晶面による斜面１２２及び１２３が形成され、結果的にこれら斜面１２２及び１２３によって挟み込まれ、他部との間に断層が生じた半導体ストライプ部１２１が形成される。
【０００６】
そして、このとき、上述したように、リッジ１０２ｂの幅、高さ、各半導体層の厚さ等の選定によって、斜面１２２及び１２３によって挟み込まれた例えば第１導電型クラッド層１０４と活性層１０５と第２導電型クラッド層１０６とによる、レーザ発光部を構成する半導体ストライプ部１２１が構成される。
一方、リッジ溝内には、リッジ１０２ｂ上の各半導体層すなわち第１導電型クラッド層１０４、活性層１０５、第２導電型クラッド層１０６と分離して、これらと同時にエピタキシャル成長によって、第１導電型クラッド層１０４ａ、活性層１０５ａ、第２導電型クラッド層１０６ａが形成される。
そして、この上に電流阻止層１０７を、半導体ストライプ部１２１によって分断されて、その両側に形成され、この上に全面的に上層の第２導電型クラッド層１０８とキャップ層１０９とが形成されて、半導体レーザ素子すなわちこれを有するＳＤＨ型半導体レーザ装置１０１が構成される。
【特許文献１】特開昭６１−１８３９８７号公報
【特許文献２】特開平６−７７５９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、例えば、１．３μｍ帯や１．５５μｍ帯の長波長領域での発振光は、いわゆる光アクセス系、光通信系の光源として用いられることから重要であるが、この波長領域の光発振を半導体レーザ装置によって実現する構造としては、主としてＩｎＰによる基板上にＩｎＧａＡｓＰ系の積層半導体層が形成されたものが用いられている。
しかし、ＩｎＧａＡｓＰ系の半導体レーザ素子による半導体レーザ装置は電子の閉じ込めが弱いことや特性温度が低いなど、問題点が多い。
【０００８】
また、近年、ＧａＩｎＮＡｓ系の半導体レーザ装置、特に酸化狭窄型の面発光半導体レーザ装置であるＧａＩｎＮＡｓ系ＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）によって、１．３μｍ帯の光発振が可能な半導体レーザ装置が開発されている。
しかし、ＧａＩｎＮＡｓ系の半導体レーザ装置は、製造におけるエピタキシーによる半導体層の成長が難しいことに加え、電流狭窄及び光閉じ込めに用いられるＡｌ２Ｏ３の酸化層により、ＧａＩｎＮＡｓ活性層などの半導体層との間の大きな格子不整合による歪みが生じることから、信頼性及び歩留まりの低下等が問題となる。更に、このような酸化狭窄型の面発光半導体レーザ装置からの発振光には、ＴＭ（Transverse Magnetic）及びＴＥ（Transverse Electric）という互いに異なる偏波面の光が混在していることから、発振光の偏波面の制御を行うことも極めて困難である。
【０００９】
したがって、ＧａＩｎＮＡｓ系のＳＤＨ型半導体レーザ装置によって上述の長波長領域の発振光を得ることが考えられるが、ＳＤＨ型半導体レーザ装置の作製においては、そのエピタキシャル成長による結晶成長時の温度を高くすることによって、半導体ストライプ部を挟み込む斜面上における結晶成長を抑制する必要がある。しかし、成長温度の上昇は結晶内へのＮの取り込みを困難とすることに加え、Ｉｎが共存した場合には、これもＳＤＨ型半導体レーザ装置の作製における結晶内へのＮの取り込みの阻害要因となってしまう。
すなわち、低閾値電流や偏波面の制御の観点からは、低閾値電流を有する半導体レーザ素子であるＳＤＨ型半導体レーザ素子等による半導体レーザ装置が最適であるものの、上述の理由から、例えば従来のＧａＩｎＮＡｓ系材料による半導体レーザ素子を有する半導体レーザ装置を構成して長波長領域の光発振を行うことには製造上の問題が生じる。
【００１０】
本発明は、光アクセス系、光通信系の光源として用いて好適な、長波長、低閾値の半導体レーザ装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明による半導体レーザ装置は、ＧａＡｓによる基体の｛１００｝結晶面に、ストライプ状のリッジが形成され、このリッジを有する主面上に、少なくともクラッド層と、ＧａＡｓＳｂを有する活性層と、電流阻止層とが形成され、上述のリッジ上に少なくともクラッド層及び上記活性層による半導体ストライプ部が、｛１１１｝結晶面による斜面で挟み込まれた断面３角形状に形成され、上述の斜面に沿って半導体ストライプ部を構成する活性層と他部を構成する活性層との間に断層が形成され、上述の半導体ストライプ部を挟んでその両側に電流阻止層が形成されて成る半導体レーザ素子を有することを特徴とする。
【００１２】
また、本発明は、上述の半導体レーザ装置において、活性層がＮ（窒素）を含有することを特徴とする。
また、本発明は、上述の半導体レーザ装置において、活性層がＡｌを含有することを特徴とする。
また、本発明は、上述の半導体レーザ装置において、活性層が多重量子井戸（ＭＱＷ；Multi Quantum Well）構造を有することを特徴とする。
また、本発明は、上述の半導体レーザ装置において、半導体ストライプ部の斜面を構成する結晶面が、｛１１１｝Ｂ面であることを特徴とする。
また、本発明は、上述の半導体ストライプ部の長手方向の寸法が、３００μｍ以上であることを特徴とする。
また、本発明は、上述の半導体レーザ装置において、半導体ストライプ部の幅の選定によって、発光波長帯が変化することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
上述したように、本発明による半導体レーザ装置においては、これを構成する半導体レーザ素子が、｛１１１｝結晶面、具体的には｛１１１｝Ｂ面或いは｛１１１｝Ａ面による斜面によって挟み込まれた断面３角形状の半導体ストライプ部を有し、その両側に形成された電流阻止層によって、半導体レーザ素子の半導体ストライプ部に限定的に電流通路を形成する構成としたものである。
【００１４】
そして、特に本発明においては、このような半導体レーザ装置の半導体ストライプ部を構成する活性層をＧａＡｓＳｂによって構成することにより、発振波長帯を長波長の１．３μｍ帯もしくはこれを超える波長帯に制御することが可能となった。
また、このＧａＡｓＳｂによる活性層を有する半導体レーザ装置は、特性温度が８０Ｋ程度であることから、ＩｎＰ系の半導体レーザ装置における６０Ｋ程度に比して良好なものとすることができる。
更に、本発明による半導体レーザ装置によれば、活性層にＮを添加することによって、発振光の長波長化が促進される。また、活性層とクラッド層とのバンドギャップΔＥｃの増大化がなされることから、特性温度の向上が図られ、例えば１２０Ｋ〜１５０Ｋ程度の特性温度を有する半導体レーザ装置を構成することができる。
【００１５】
また、本発明による半導体レーザ装置によれば、上述の半導体ストライプ部を挟み込む斜面が｛１１１｝結晶面例えば｛１１１｝Ｂ結晶面であることから、装置の作製時にはこの斜面における結晶成長を抑制する上で、エピタキシャル成長を高温で行うことが望ましいが、成長温度の上昇は、上述のＮの活性層への導入を低下させてしまう。
しかし、本発明によれば、例えば本発明による半導体レーザ装置の活性層をＡｌを有して構成することによって、Ｎの導入効率の向上が図られることから、装置を作製する際のエピタキシャル成長温度の上昇が可能となり、これによって半導体ストライプ部の結晶性の向上も図られるものである。
【００１６】
上述したように、Ｉｎの存在はＮの取り込みの阻害要因となるが、本発明においてはＩｎを含まない構成としたことによってＮを必要十分に取り込むことができる。そして、長波長化のために活性層にＮを導入する場合にも、活性層を構成する他の元素例えばＧａ、Ａｓ、Ｓｂ等は結晶中へのＮの導入を阻害しないことから、Ｎによる発振波長帯の長波長領域への制御が容易に可能となる。
【００１７】
そして、本発明による半導体レーザ装置によれば、上述したＡｌＡｓの酸化によるＡｌ２Ｏ３酸化狭窄層が必要なくなるため、装置を構成する半導体ストライプ部と電流狭窄層とを格子整合性の高い材料のみによって構成することができることから、結晶的な歪みの生成が回避され、装置の信頼性及び歩留まりの改善が図られる。
また、本発明においては、ＳＤＨ型構成とすることができることから、その製造においてエピタキシャル成長を複数の工程にわけて行う必要がないことから、格子整合性の向上による信頼性と歩留まりの改善は、半導体レーザ装置において特に重要である。
【００１８】
また、本発明による半導体レーザ装置においては、利得領域となる主たる発光部が、限定的に狭小に形成される。つまり、この発光部を形成するための主たる電流通路を規定する電流阻止層による電流狭窄と、これに基づく光閉じ込めが十分になされる。したがって、空間ホールバーニングの発生が抑制されるものである。
【００１９】
また、本発明による半導体レーザ装置において、電流阻止層が、半導体ストライプ部の活性層だけでなく例えば第２導電型クラッド層にも対向する構成とするときは、上述の半導体ストライプ部に主たる電流通路を規定し、かつ活性層における主たる発光部をより限定的に形成することができる。
また、本発明による半導体レーザ装置において、電流阻止層が、半導体ストライプ部の活性層だけでなく例えば第１導電型クラッド層にも対向する構成とするときは、上述の半導体ストライプ部に主たる電流通路を規定し、かつ半導体ストライプ部から他部への電流の漏洩をより抑制することができる。
【００２０】
また、本発明による半導体レーザ装置においては、上述した面発光半導体レーザ装置ＶＣＳＥＬにおける偏波面制御の困難性が改善される。例えば、ＴＥ偏波面のみによる光発振が可能になる。
このように、本発明構成によれば、重要かつ多くの効果をもたらすことができるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照して本発明による半導体レーザ装置の一例の実施の形態を、理解を容易にするためにその製造方法の例とともに説明する。
【００２２】
まず、図１の概略断面図を参照して、本発明による半導体レーザ装置の実施の形態例について説明する。
図１は、本発明による半導体レーザ装置１の要部である半導体レーザ素子の概略断面図を示す。
この実施の形態例においては、第１導電型例えばｎ型のＧａＡｓによる基板２の（１００）結晶面による一主面に、＜０１１＞或いは＜０１−１＞結晶軸方向に沿って所要の幅を有するストライプ状リッジ２ｂが形成される。そして、このリッジ２ｂとその両側のリッジ溝２ｄに差し渡って、第１導電型の例えばＧａＡｓによるバッファ層３と、第１導電型例えばｎ型のＡｌ０．４５Ｇａ０．５５Ａｓによる第１導電型クラッド層４と、例えばＧａＡｓＳｂＮとＧａＡｓとの量子井戸構造例えばＤＱＷ（Double Quantum Well）等の多重量子井戸（ＭＱＷ；Multi Quantum Well）構造による活性層５と、第２導電型例えばｐ型のＡｌ０．４５Ｇａ０．５５Ａｓによる第２導電型クラッド層６とが、例えばＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）による連続エピタキシーによって形成されて半導体ストライプ部２１が形成される。
【００２３】
そして、このとき、斜面２２及び２３によって挟み込まれた、第１導電型クラッド層４と、活性層５と、第２導電型クラッド層６とによる、レーザ発光部を構成する断面３角形状の半導体ストライプ部２１が構成される。
一方、リッジ溝２ｄ内には、リッジ２ｂ上の各半導体層すなわち第１導電型クラッド層４、活性層５、第２導電型クラッド層６と分離して、これらと同時にエピタキシャル成長によって、第１導電型クラッド層４ａ、活性層５ａ、第２導電型クラッド層６ａが形成される。
そして、この上に電流阻止層７が、半導体ストライプ部２１によって分断されて、その両側に形成され、この上に全面的に上層の第２導電型クラッド層８とキャップ層９とが形成されて、本発明による半導体レーザ素子を有する半導体レーザ装置が構成される。
この実施の形態例においては、上述のストライプ部２１を規定する（１１１）Ｂ結晶面或いは（１１１）Ａ結晶面による斜面２２及び２３に沿って、半導体ストライプ部２１を構成する活性層５と他部を構成する活性層５ａとの断層が形成される。
【００２４】
続いて、図２Ａ〜図２Ｃの概略断面図を参照して、本発明による半導体レーザ装置の製造方法の例について、工程ごとに分けて説明する。
【００２５】
まず、（１００）結晶面の主面を有する第１導電型例えばｎ型のＧａＡｓ基板による基体２を用意する。この基板２の（１００）結晶面からなる一主面を＜０１１＞或いは＜０１−１＞結晶軸の方向に沿って、少なくとも一対の平行リッジ溝２ｄをウェットエッチングによって形成して、図２Ａに示すように、対のリッジ溝２ｄ間に、（１００）結晶面より成るリッジ上面２ｃを有する所要の幅を有するリッジ２ｂを形成する。
【００２６】
次に、リッジ２ｂ上とリッジ溝２ｄに渡って、すなわちリッジ上面２ｃからリッジ溝底面２ｅに渡って、例えば第１導電型のＧａＡｓからなるバッファ層３を、例えばエピタキシャル成長によって０．５μｍの厚さに形成する。
その後、バッファ層３上に、例えば第１導電型のＡｌ０．４５Ｇａ０．５５Ａｓによる厚さ１μｍの第１導電型クラッド層４と、例えばＧａＡｓＳｂＮ（厚さ０．０１μｍ）とＧａＡｓ（厚さ０．０２μｍ）との多重量子井戸（ＭＱＷ；Multi Quantum Well）構造による活性層５と、第２導電型例えばｐ型のＡｌ０．４５Ｇａ０．５５Ａｓによる厚さ１μｍの第２導電型クラッド層６とを、エピタキシャル成長によって順次積層形成して、図２Ｂに示すように、半導体ストライプ部２１を形成する。
なお、この構成において、活性層５の幅は１μｍとするが、これに限られず、例えば０．５〜２μｍの範囲で好適な発振特性が得られる。また、活性層と各クラッド層との間に、例えばＧａＡｓによる厚さ０．１５μｍのガイド層を形成することも可能である。
【００２７】
このリッジ２ｂ上における半導体ストライプ部２１の形成は、リッジ２ｂの（１００）結晶面による上面２ｃに対する＜１００＞軸方向の結晶成長速度に比し、（１１１）Ｂ結晶面や（１１１）Ａ結晶面の結晶成長速度が遅いことから、リッジ２ｂの両側縁が＜０１１＞或いは＜０１−１＞結晶軸方向に沿って（１１１）結晶面による斜面２２及び２３が発生し、両斜面が衝合した段階で、図２Ｂに示すように、半導体ストライプ部２１の断面３角形状が完結形成される。
なお、上述の（１１１）結晶面が（１１１）Ｂ結晶面である場合には、斜面２２及び２３からの新たな結晶成長が特に抑止されることから、斜面２２及び２３の平滑性の向上によって、半導体ストライプ部２１の形状が、より再現性良く規定される。
【００２８】
すなわち、これら結晶面による斜面２２及び２３によってリッジ２ｂ上の半導体ストライプ部２１と、他部のリッジ溝２ｄ上の、第１導電型クラッド層４ａ、活性層５ａ、第２導電型クラッド層６ａによる半導体層との間に断層が生じ、これらが分離される。
【００２９】
このようにして、斜面２２と斜面２３とによって第２導電型クラッド層６の頂部を完結形成して半導体ストライプ部２１を形成した後、続いて、すなわち連続エピタキシャル成長によって、例えば第１導電型のＡｌ０．４５Ｇａ０．５５Ａｓによる厚さ０．４μｍの電流阻止層７を、第２導電型クラッド層６の頂部が覆われない厚さに形成する。
その後、例えば第２導電型のＡｌ０．４５Ｇａ０．５５Ａｓによる厚さ１μｍの上層の第２導電型クラッド層８を第２導電型クラッド層６の頂部を覆って形成し、図２Ｃに示すように、上層の第２導電型クラッド層８の上面に例えば第２導電型のＧａＡｓによる厚さ５００ｎｍのキャップ層９を例えばエピタキシャル成長によって形成する。
【００３０】
そして、キャップ層９の形成後、基板２の裏面に第１電極を例えば蒸着、スパッタ等によって被着形成し、キャップ層９の上面に第２電極を例えば蒸着、スパッタ等によって被着形成することにより、図１に示すような、本発明による半導体レーザ装置１を得る。
なお、活性層がＡｌを含有する場合、Ａｌの量が多くなり過ぎると発振波長の短波長化が進行してしまうことから、活性層におけるＡｌの割合は１０％以下とすることが望ましい。
【００３１】
以上、本発明による半導体レーザ装置、またこの半導体レーザ装置の製造方法の実施の形態例について説明したが、本発明による半導体レーザ装置、またその製造方法は、上述した実施の形態例に限られるものでないことは言うまでもない。
【００３２】
例えば、この実施の形態例においては第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型としたが、両者を逆導電型とすることも可能である。
また、この実施の形態例においてはリッジの形状を逆メサ状としたが、この形状は逆メサ状に限られないものである。
【００３３】
また、いわゆる光アクセス系光源として、半導体レーザ装置が通信用レーザ光の発振に用いられる場合には縦モードがシングルモードとされた発振が望ましいが、一般に、ＳＤＨ型レーザ装置は発光層体積が小さいためにマルチモード化しやすい傾向がある。しかし、共振器長すなわち半導体ストライプ部のストライプ長の拡大等により主たる発光部すなわち半導体ストライプ部の少なくとも一部の体積を増大化することによって、発振光の縦モードのシングルモード化が図られ、マルチモード化の回避が可能となる。
【００３４】
本発明による半導体レーザ装置においては、共振器長の拡大によって発光層体積の増大化を図る場合には、例えば半導体ストライプ部のストライプ長を３００μｍ以上に選定することにより、発振光のシングルモード化が可能となる。なお、このストライプ長は、装置の規模に応じて適宜選定をし得る。
例えば、本発明による半導体レーザ装置に要求される発振モードや、ストライプ部等を構成する材料に応じて、極端に高い出力が求められない限り、ストライプ長（共振器長）は、３００μｍ〜５００μｍの範囲で好適な発振特性が得られると考えられる。  
【００３５】
また、本発明による半導体レーザ装置は、ＳＤＨ型半導体レーザ素子による構成をとる場合をはじめとして、集積化が可能であることから、通信系の用途におけるＷＤＭ（Wavelength Division Multiplexing）通信用の多波長光源として用いることも可能である。
更に、ＳＤＨレーザでは、基板のリッジ幅を変えることにより、活性層幅を変化させ、波長を変化させることができる。したがって、本発明による半導体レーザ装置によって多波長光源のアレイ装置を構成することもできるなど、本発明による半導体レーザ装置は種々の変形、変更をなされ得るものである。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明による半導体レーザ装置の、一例の概略断面図である。
【図２】図２Ａ〜図２Ｃは、それぞれ、本発明による半導体レーザ装置の説明に供する製造方法の一工程を示す概略断面図である。
【図３】従来のＳＤＨ型半導体レーザ装置の概略断面図である。
【符号の説明】
【００３７】
１・・・半導体レーザ素子（半導体レーザ装置要部）、２・・・基体（基板）、２ｂ・・・リッジ、２ｃ・・・リッジ上面、２ｄ・・・リッジ溝、２ｅ・・・リッジ溝底面、２ｆ・・・リッジ側面、３・・・バッファ層、３ａ・・・バッファ層、４・・・第１導電型クラッド層、４ａ・・・第１導電型クラッド層、５・・・活性層、５ａ・・・活性層、６・・・第２導電型クラッド層、６ａ・・・第２導電型クラッド層、７・・・電流阻止層、８・・・第２導電型クラッド層、９・・・キャップ層、１１・・・電極、１２・・・電極、２１・・・半導体ストライプ部、２２・・・斜面、２３・・・斜面、１０１・・・従来の半導体レーザ装置、１０２・・・基体（基板）、１０２ｂ・・・リッジ、１０４・・・第１導電型クラッド層、１０４ａ・・・第１導電型クラッド層、１０５・・・活性層、１０５ａ・・・活性層、１０６・・・第２導電型クラッド層、１０６ａ・・・第２導電型クラッド層、１０７・・・電流阻止層、１０８・・・第２導電型クラッド層、１０９・・・キャップ層、１２１・・・半導体ストライプ部、１２２・・・斜面、１２３・・・斜面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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