(57)【要約】【課題】  磁気ディスク基板の表面粗さが小さく、かつ突起や研磨傷を発生させず、表面の付着残留物のない、高密度記録が達成可能であり、しかも経済的な速度で研磨できる磁気ディスク基板の研磨用組成物を提供すること。【解決手段】  水、研磨砥粒、研磨促進剤、及び、酸素を含んでもよい炭素数２〜６個の主鎖に多価水酸基を有する化合物（グリセリン、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコールなど）のうちの少なくとも一種である表面清浄剤を含有してなる研磨用組成物。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
水、研磨砥粒、研磨促進剤、及び、酸素を含んでもよい炭素数２〜６個の主鎖に多価水酸基を有する化合物である表面清浄剤を含有してなることを特徴とする研磨用組成物。
【請求項２】
表面清浄剤が、グリセリン、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、およびプロピレングリコールからなる群より選ばれた少なくとも一種である請求項１）に記載の研磨用組成物。
【請求項３】
表面清浄剤の研磨用組成物全体に占める含有率が、０．１〜１５質量％である請求項１または２）に記載の研磨用組成物。
【請求項４】
研磨砥粒が、アルミナ、チタニア、シリカ及びジルコニアからなる群より選ばれた少なくとも１種である請求項１〜３のいずれか１項）に記載の研磨用組成物。
【請求項５】
研磨砥粒の平均粒子径が、０．００１〜０．５μｍの範囲である請求項１〜４のいずれか１項）に記載の研磨用組成物。
【請求項６】
研磨砥粒が、コロイド粒子である請求項１〜５のいずれか１項）に記載の研磨用組成物。
【請求項７】
研磨促進剤が、リンを含む無機酸又はその塩、リンを含まない無機酸又はその塩、有機ホスホン酸系キレート性化合物、及び酸化剤からなる群から選ばれた少なくとも１種である請求項１〜６のいずれか１項）に記載の研磨用組成物。
【請求項８】
研磨促進剤として、(i)リンを含む無機酸又はその塩、及び、(ii)リンを含まない無機酸又はその塩、及び／又は、有機ホスホン酸系キレート性化合物、及び、(iii)酸化剤を含む請求項１〜７のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
【請求項９】
リンを含む無機酸がリン酸またはホスホン酸である請求項７又は８）に記載の研磨用組成物。
【請求項１０】
リンを含まない無機酸が、硝酸、硫酸、アミド硫酸、ホウ酸からなる群より選ばれた少なくとも一種である請求項７〜９のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
【請求項１１】
酸化剤が、過酸化物または硝酸塩である請求項７〜１０のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
【請求項１２】
過酸化物が、過酸化水素、過ホウ酸塩及び過硫酸塩からなる群より選ばれた少なくとも一種である請求項１１）に記載の研磨用組成物。
【請求項１３】
ｐＨが１〜５である請求項１〜１２のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
【請求項１４】
研磨材の含有量が３〜３０質量％の範囲内である請求項７〜１３のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
【請求項１５】
無機酸又はその塩の含有量が０．１〜８質量％の範囲内である請求項７〜１４のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
【請求項１６】
有機ホスホン酸系キレート性化合物の含有量が０．０１〜１０質量％の範囲内である請求項７〜１５のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
【請求項１７】
酸化剤の含有量が０．２〜５質量％の範囲内である請求項７〜１６のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
【請求項１８】
研磨材の含有量が３〜３０質量％の範囲内であり、無機酸又はその塩の含有量が０．１〜８質量％の範囲内であり、有機ホスホン酸系キレート性化合物の含有量が０．０１〜１０質量％の範囲内であり、酸化剤の含有量が０．２〜５質量％の範囲内である請求項７〜１３のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
【請求項１９】
さらに界面活性剤を含む請求項１〜１８のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
【請求項２０】
さらに防錆剤を含む請求項１〜１９のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
【請求項２１】
さらに防腐剤を含む請求項１〜２０のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
【請求項２２】
さらにゲル化防止剤を含む請求項１〜２１のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
【請求項２３】
２種の組成物のキットであって、それらの組成物を混合することにより、または混合及び希釈することにより、請求項１〜２２のいずれか１項に記載の研磨用組成物となるキット。
【請求項２４】
１つの組成物が研磨砥粒および水を含むスラリーであり、１つの組成物が無機酸、酸化剤および表面清浄剤を含む溶液である請求項２３に記載のキット。
【請求項２５】
輸送用または保管用である請求項２３または２４に記載のキット。
【請求項２６】
希釈して請求項１〜２２のいずれか１項に記載の研磨用組成物となる組成物。
【請求項２７】
請求項２３〜２６のいずれか１項に記載の組成物を輸送または保管用の組成物として用いる方法。
【請求項２８】
請求項１〜２６のいずれか１項に記載の研磨用組成物を用いて磁気ディスク基板を研磨する研磨方法。
【請求項２９】
請求項２３〜２５のいずれか１項に記載のキットの２つの組成物を混合して研磨用組成物を得ることを特徴とする研磨用組成物の製造方法。
【請求項３０】
請求項２３〜２５のいずれか１項に記載のキットの２つの組成物を混合して、得られる研磨組成物を用いて研磨することを特徴とする研磨方法。
【請求項３１】
研磨時の濃度より高い成分濃度で組成物を調製し、濃度を希釈して請求項１〜２２のいずれか１項に記載の研磨用組成物とし、研磨に使用することを特徴とする研磨方法。
【請求項３２】
請求項２８、３０及び３１のいずれか１項に記載の研磨方法を用いた磁気ディスク基板の製造方法。
【請求項３３】
磁気ディスク基板が３Ｇｉｔ／ｉｎｃｈ２以上の記録密度を有する請求項３２に記載の磁気ディスク基板の製造方法。
【請求項３４】
磁気ディスク基板がアルミニウム基板である請求項３２または３３に記載の磁気ディスク基板の製造方法。
【請求項３５】
磁気ディスク基板がＮｉＰをメッキしたアルミニウム基板である請求項３４に記載の磁気ディスク基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属、プラスチック、ガラス等を精密研磨仕上げするのに用いられる研磨用組成物に関し、詳しくは、コンピュータ等の記憶装置に使用される磁気ディスク基板等の研磨に好適な研磨用組成物に関し、さらに詳しくは、磁気ヘッドが低浮上量で飛行するのに適した研磨精度の高い磁気ディスク表面を提供し得る磁気ディスク基板等の研磨用組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピューターやワードプロセッサーの外部記憶装置の中で、高速でアクセスできる手段として磁気ディスク（メモリーハードディスク）が広く使われている。この磁気ディスクの代表的な一例は、Ａｌ合金基板の表面にＮｉＰを無電解メッキしたものを基板とし、この基板を表面研磨した後、Ｃｒ合金下地膜、Ｃｏ合金磁性膜、カーボン保護膜を順次スパッターで形成したものである。
【０００３】
しかしながら、磁気ディスク表面に磁気ヘッド浮上量以上の高さを有する突起が残っていると、所定高さにて浮上しながら高速で飛行する磁気ヘッドがその突起に衝突して損傷する原因になる。また、磁気ディスク基板に突起や研磨傷などがあるとＣｒ合金下地膜やＣｏ合金磁性膜などを形成したとき、それらの膜の表面に突起が現れ、また研磨傷に基づく欠陥が生じ、磁気ディスク表面が精度の高い平滑面にならないので、ディスク表面の精度を上げるには基板を精密に研磨する必要がある。
【０００４】
又上述の突起発生原因のひとつとしては、研磨促進剤として使用される薬剤等で研磨されることにより表面活性が強くなったＮｉＰ面上に研磨砥粒及び薬剤が付着残存することがあり、特にサブミクロン、ナノメーターの大きさの粒子が付着すると、通常の外力だけでは除去しにくくなる。このためその付着防止対策としての表面清浄剤が必要且つ有効になる。
【０００５】
このため、磁気ディスク基板の研磨において、突起物をなくし、またはその高さをできるだけ低くし、かつ研磨傷が生じ難い研磨用組成物として多くのものが提案されてきた。
【０００６】
中でも、特許文献１にはコロイダルシリカに硝酸アルミニウム、ゲル化防止剤を添加してなる組成物の使用が開示され、また特許文献２にはヒュームドシリカに硝酸アルミニウムを添加してなる組成物の使用が開示されている。これらの公報に開示の組成物は、砥粒に硬度の小さい酸化ケイ素微粒子を使用しているため、面精度は得られやすいが、実生産でさらに高い研磨速度の達成が困難である。
【０００７】
さらには、特許文献３には研磨速度を高める手段として、多くの酸化剤の使用とＦｅ塩の使用がそれぞれ提案されている。しかしながら、これについても実生産でさらに高い研磨速度を得るには不十分であった。
【０００８】
表面の残留物をなくすものとして、特許文献４には、ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸及びポリオキシエチレンアリルエーテルリン酸が開示されている。しかし、これらの化合物は高分子系で高価であるにもかかわらず、洗浄効果が少ない。
【０００９】
【特許文献１】特開平９−２０４６５７号公報
【特許文献２】特開平９−２０４６５８号公報
【特許文献３】特開平１０−２０４４１６号公報
【特許文献４】特開２００１−８９７４９号公報
【特許文献５】特開２００１−１３１５３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
高密度磁気記録を可能とするアルミニウム磁気ディスク基板研磨用組成物に要求される品質は、ヘッドの低浮上を可能とする高精度ディスク面の達成である。
【００１１】
従って、本発明の目的は、磁気ディスク基板の表面粗さが小さく、かつ突起や研磨傷を発生させず、表面の付着残留物のない、高密度記録が達成可能であり、しかも経済的な速度で研磨できる磁気ディスク基板の研磨用組成物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決し得た本発明の研磨用組成物は、水、研磨砥粒、研磨促進剤、及び酸素を含んでもよい炭素数２〜６個の主鎖に多価水酸基を有する化合物である表面清浄剤を含有するところに要旨を有するものである。
【００１３】
（１）水、研磨砥粒、研磨促進剤、及び、酸素を含んでもよい炭素数２〜６個の主鎖に多価水酸基を有する化合物である表面清浄剤を含有してなることを特徴とする研磨用組成物。
（２）表面清浄剤が、グリセリン、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、およびプロピレングリコールからなる群より選ばれた少なくとも一種である上記（１）に記載の研磨用組成物。
（３）表面清浄剤の研磨用組成物全体に占める含有率が、０．１〜１５質量％である上記（１）または（２）に記載の研磨用組成物。
（４）研磨砥粒が、アルミナ、チタニア、シリカ、ジルコニアからなる群より選ばれた少なくとも１種である上記（１）〜（３）のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
（５）研磨砥粒の平均粒子径が、０．００１〜０．５μｍの範囲である上記（１）〜（４）のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
（６）研磨砥粒が、コロイド粒子である上記（１）〜（５）のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
（７）研磨促進剤が、リンを含む無機酸又はその塩、リンを含まない無機酸又はその塩、有機ホスホン酸系キレート性化合物、及び酸化剤からなる群から選ばれた少なくとも１種である上記（１）〜（６）のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
（８）研磨促進剤として、(i)リンを含む無機酸又はその塩、及び、(ii)リンを含まない無機酸又はその塩、及び／又は、有機ホスホン酸系キレート性化合物、及び、(iii)酸化剤を含む上記（１）〜（７）のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
（９）リンを含む無機酸がリン酸またはホスホン酸である上記（７）又は（８）に記載の研磨用組成物。
（１０）リンを含まない無機酸が、硝酸、硫酸、アミド硫酸、ホウ酸からなる群より選ばれた少なくとも一種である上記（７）〜（９）のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
（１１）酸化剤が、過酸化物または硝酸塩である上記（７）〜（１０）のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
（１２）過酸化物が、過酸化水素、過ホウ酸塩及び過硫酸塩からなる群より選ばれた少なくとも一種である上記（１１）に記載の研磨用組成物。
（１３）ｐＨが１〜５である上記（１）〜（１２）のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
（１４）研磨材の含有量が３〜３０質量％の範囲内である上記（７）〜（１３）のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
（１５）無機酸又はその塩の含有量が０．１〜８質量％の範囲内である上記（７）〜（１４）のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
（１６）有機ホスホン酸系キレート性化合物の含有量が０．０１〜１０質量％の範囲内である上記（７）〜（１５）のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
（１７）酸化剤の含有量が０．２〜５質量％の範囲内である上記（７）〜（１６）のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
（１８）研磨材の含有量が３〜３０質量％の範囲内であり、無機酸又はその塩の含有量が０．１〜８質量％の範囲内であり、有機ホスホン酸系キレート性化合物の含有量が０．０１〜１０質量％の範囲内であり、酸化剤の含有量が０．２〜５質量％の範囲内である上記（７）〜（１３）のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
（１９）さらに界面活性剤を含む上記（１）〜（１８）のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
（２０）さらに防錆剤を含む上記（１）〜（１９）のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
（２１）さらに防腐剤を含む上記（１）〜（２０）のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
（２２）さらにゲル化防止剤を含む上記（１）〜（２１）のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
（２３）２種の組成物のキットであって、それらの組成物を混合することにより、または混合及び希釈することにより、上記（１）〜（２２）のいずれか１項に記載の研磨用組成物となるキット。
（２４）１つの組成物が研磨砥粒および水を含むスラリーであり、１つの組成物が無機酸、酸化剤および表面清浄剤を含む溶液である上記（２３）に記載のキット。
（２５）輸送用または保管用である上記（２３）または（２４）に記載のキット。
（２６）希釈して上記（１）〜（２２）のいずれか１項に記載の研磨用組成物となる組成物。
（２７）上記（２３）〜（２６）のいずれか１項に記載の組成物を輸送または保管用の組成物として用いる方法。
（２８）上記（１）〜（２６）のいずれか１項に記載の研磨用組成物を用いて磁気ディスク基板を研磨する研磨方法。
（２９）上記（２３）〜（２５）のいずれか１項に記載のキットの２つの組成物を混合して研磨用組成物を得ることを特徴とする研磨用組成物の製造方法。
（３０）上記（２３）〜（２５）のいずれか１項に記載のキットの２つの組成物を混合して、得られる研磨組成物を用いて研磨することを特徴とする研磨方法。
（３１）研磨時の濃度より高い成分濃度で組成物を調製し、濃度を希釈して上記（１）〜（２２）のいずれか１項に記載の研磨用組成物とし、研磨に使用することを特徴とする研磨方法。
（３２）上記（２８）、（３０）及び（３１）のいずれか１項に記載の研磨方法を用いた磁気ディスク基板の製造方法。
（３３）磁気ディスク基板が３Ｇｉｔ／ｉｎｃｈ２以上の記録密度を有する上記（３２）に記載の磁気ディスク基板の製造方法。
（３４）磁気ディスク基板がアルミニウム基板である上記（３２）または（３３）に記載の磁気ディスク基板の製造方法。
（３５）磁気ディスク基板がＮｉＰをメッキしたアルミニウム基板である上記（３４）に記載の磁気ディスク基板の製造方法。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の研磨用組成物を用いてディスクの研磨を行うと、表面粗さが非常に小さく、突起や表面付着のない高面質で、しかも高い速度で研磨することができる。研磨したディスクを用いた磁気ディスクは低浮上型ハードディスクとして有用であり、高密度記録が可能である。特に、研磨したディスクを用いた磁気ディスク磁気抵抗効果を利用したＭＲヘッド用メディアに代表される高記録密度媒体（３Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ2以上の記録密度を有する）として有用度が高いが、それ以下のメディアにおいても高信頼性媒体あると言う観点で有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の研磨用組成物で用いる表面清浄剤は、多価水酸基を有する炭素数２〜６個の主鎖に酸素を含んでもよい炭化水素、すなわち、酸素を含んでもよい炭素数２〜６個の主鎖に多価水酸基を有する化合物である。この表面清浄剤の効果としては、磁気ディスク基板に付着して後洗浄では、除去できない研磨材砥粒残渣や薬剤残渣の付着防止と洗浄除去が挙げられる。その機構は必ずしも明確ではないが、アルコール等と同様に多価ある水酸基が砥粒、薬剤と基板面への濡れ性を良くし、付着防止や剥離に大きな効果があり、その結果高品質の研磨面を形成するのに大きな役割を果たしているものと考えられる。但し簡単な構造のアルコール系薬剤では、水濡れ性が弱く、また蒸発や飛散し易い一方炭素数の多い高分子系では水に溶解しにくい固形薬剤となるため、上記の多価水酸基をもつ分子量の適当な薬剤が清浄剤として適当と考えられる。
【００１６】
このような表面清浄剤の好ましい具体例には、グリセリン、エチレングリコール（ＥＧ：表２中の略称）、ジエチレングリコール（ＤＥＧ：表２中の略称）、トリエチレングリコール、プロピレングリコールがある。
【００１７】
表面清浄剤の研磨用組成物全体に占める含有率が、０．１〜１５質量％（以下特に断りない場合の％は質量％とする）が好ましく、より好ましくは０．５〜１０％、もっとも好ましくは１〜５％であるものが本発明の好ましい態様である。
【００１８】
本発明の研磨用組成物に研磨材として含まれる砥粒は、特に限定されるものではなく、例えばアルミナ、チタニア、シリカ、ジルコニア等を使用することができる。また、それらの結晶型には限定されるものではない。例えば、アルミナ（酸化アルミニウム）には結晶型としてα型、γ型、δ型、η型、θ型、κ型、χ型等があり、チタニア（酸化チタン）には結晶型としてルチル型、アナターゼ型、ブルーカイト型等があり、シリカ（酸化ケイ素）にはコロイダルシリカ、フュームドシリカ、ホワイトカーボン等があり、ジルコニア（酸化ジルコニウム）には単斜晶系、正方晶系、非晶質等があり、いずれも好ましく使用できる。これらの砥粒はコロイド状粒子だとマイクロスクラッチの発生抑止効果が大きくより好ましい。
【００１９】
研磨材砥粒の平均粒子径は、通常０．００１〜０．５μｍの範囲、好ましくは０．０１〜０．２μｍの範囲、より好ましくは０．０２〜０．２μｍの範囲、最も好ましくは０．０３〜０．２μｍの範囲であり、更に、コロイド状粒子であれば前記したようにより好ましい。ここで、平均粒子径はレーザードップラー周波数解析式粒度分布測定器、マイクロトラックＵＰＡ１５０（Ｈｏｎｅｙｗｅｌｌ社製）により測定した値が適用される。
【００２０】
砥粒の粒子径が大きくなると細目粒子によるゲル化、凝集は抑制しやすくなるが、粗い粒子の存在確率も高くなるため、研磨傷発生の原因となりやすい。また、粒子径が小さくなると、前述のゲル化、凝集が起きやすくなり、この場合も研磨傷発生の原因となることがある。
【００２１】
本研磨用組成物中の研磨材砥粒濃度が３％未満の場合は研磨速度を高くしにくい。また、濃度が高くなるにつれて研磨速度は高くなるが、３０％を越えると研磨速度の上昇は少なくなり、特にコロイド状粒子ではゲル化しやすくなる。経済性を加味すると実用的には３０％以下が好ましい。従って、砥粒の組成物中濃度としては３〜３０％の範囲であることが好ましく、更には５〜１５％が好ましい。
【００２２】
研磨促進剤として、リンを含む無機酸またはその塩、リンを含まない無機酸またはその塩（「他の無機酸またはその塩」ともいう。）、有機ホスホン酸系キレート性化合物、及び／又は、酸化剤を配合することが好ましい。
【００２３】
本発明の研磨用組成物ではリンを含む無機酸またはその塩及び他の無機酸またはその塩を併用できる。リンを含む無機酸は化合物の構成元素としてリンを含むものでリン酸またはホスホン酸が好ましい。リンを含む無機酸にはその誘導体も含む。リンを含む無機酸は２種以上を併用してもよい。
【００２４】
リンを含む無機酸と共に用いられる他の無機酸としては、硝酸、塩酸、硫酸、クロム酸、炭酸、アミド硫酸、ホウ酸等を用いることができるが、硝酸、硫酸、アミド硫酸、ホウ酸が好ましい。これらの酸はその誘導体である場合も含む。
【００２５】
リンを含む無機酸の塩及び他の無機酸の塩としてはＬｉ、Ｂｅ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｋ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ等の金属を含む塩を用いることができる。これらの塩は、例えば、上記金属の酸化物または炭酸塩を、リンを含む無機酸及び他の無機酸に溶解して得ることができる。
【００２６】
本研磨用組成物中における、リンを含む無機酸またはその塩及び他の無機酸またはその塩の合計の配合量は、研磨用組成物に対し、０．１〜８％、好ましくは０．２〜６％、さらに好ましくは０．４〜４％の範囲がよい。無機酸またはその塩の配合量が０．１％未満ではマイクロスクラッチの抑制及び研磨速度の増大効果が少ない。また８％を越えるとｐＨが大きく低下することがあるため、研磨機材に耐酸性が必要となる。リンを含む無機酸またはその塩と他の無機酸またはその塩の混合割合は前者１モルに対し、後者が０．１〜５モルの範囲が好ましい。後者が０．１モル未満ではスラリーの分散性が悪化することがありマイクロスクラッチが増加しやすい。また５モルを越えるとｐＨが低下し、研磨機材に与えるダメージが大きくなる。
【００２７】
本発明の研磨組成物は特定の無機酸またはその塩が１種以上含まれるが、リンを含む無機酸またはその塩を成分とすることにより、研磨速度の増大、マイクロスクラッチの発生抑止効果が高まる。
【００２８】
本発明において、特定の無機酸またはその塩を１種以上用いることの作用効果の機構については定かでないが一つは研磨組成物としての分散状態が良好になるためと推測される。
【００２９】
上記研磨促進剤のひとつとして、有機ホスホン酸系キレート性化合物（例えば、特許文献５）を使用する事ができる。
【００３０】
有機ホスホン酸系キレート性化合物の具体例としては、例えば、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸、ホスホノブタントリカルボン酸（ＰＢＴＣ：表2中の略称）、ホスホノヒドロキシ酢酸、ヒドロキシエチルジメチルホスホン酸、アミノトリスメチレンホスホン酸（ＮＴＭＰ：表2中の略称）、ヒドロキシエタンジホスホン酸（ＨＥＤＰ：表2中の略称）、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸、ヘキサメチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸及びこれらの塩が挙げられる。
【００３１】
有機ホスホン酸系キレート性化合物の研磨用組成物全体に占める含有率は、０．０１〜１０％の範囲が好ましく、少な過ぎると研磨速度向上効果が少なく、多すぎるとピット、突起等の表面欠陥を発生することがあるとともに、コロイド粒子ではゲル化しやすくなる。より好ましくは０．０５〜５％である。
【００３２】
有機ホスホン酸系キレート性化合物は単独でも使用できるが、更に研磨レートを向上させる目的から、他の研磨促進剤と併用することもできる。
【００３３】
本発明の研磨用組成物に含むことができる酸化剤は、好ましくは過酸化物または硝酸塩である。その代表例としては過酸化物として、過酸化水素、過ホウ酸塩（例えば、過ホウ酸ナトリウム）、過硫酸塩（例えば、過硫酸アンモニウム）、硝酸塩（例えば、硝酸アンモニウム）が好ましい。酸化剤の効果として研磨速度の増大、面粗度の低下が挙げられる。その機構については明らかではないが、Ｎｉ−Ｐ表面のエッチング剤としての効果が考えられている。
【００３４】
なお、前記の他の無機酸またはその塩が酸化作用を有する場合は、酸化剤としても用いることができる。例えば硝酸塩は他の酸の塩として及び酸化剤として用いられる。勿論他の無機酸またはその塩が酸化作用を有する場合でも、さらに他の酸化剤を加えてもよい。
【００３５】
酸化剤（例えば過酸化水素）の配合量は０．２〜５％、好ましくは０．５〜２％である。酸化剤の配合量が０．２％未満では研磨速度の増大、面粗度の低下の効果が少なく、また５％を越えるとその効果は飽和状態となる。
【００３６】
他の無機酸またはその塩が酸化剤としても用いることができる場合の好ましい配合量は、両者の好ましい配合量の合量、即ち、他の無機酸またはその塩の好ましい配合量（０．１〜８％）と酸化剤の好ましい配合量（０．２〜５％）の合量となる。したがってこの場合のリンを含む無機酸またはその塩と他の無機酸またはその塩の合計量は好ましくは、０．３〜１３％、より好ましくは０．７〜８％である。
【００３７】
さらに上記の組成に、酸化剤とならない無機酸またはその塩及び酸化剤（無機酸またはその塩ではない）を含む場合は、酸化剤としても用いることができる無機酸またはその塩の配合量を決めて、残りの酸化剤（無機酸またはその塩ではない）の配合量の上限を決めることができる。例えば、リン酸、硝酸塩（他の無機酸の塩であり、かつ酸化剤）、過酸化水素の組み合わせの場合、硝酸塩をすべて他の無機酸の塩として配合量を定め、過酸化水素は酸化剤として、その上限を５％とすることができる。また、例えば、硝酸塩に酸化剤でない無機酸またはその塩を含める場合は、硝酸塩を酸化剤として５％を限度として含め、残りの酸化剤でない無機酸またはその塩の量を定めることができる。いずれの場合もリンを含む無機酸またはその塩、他の無機酸またはその塩、酸化剤の合計の配合量は好ましくは０．３〜１３％、より好ましくは０．７〜８％である。
【００３８】
本発明の研磨用組成物において、ｐＨの範囲は１〜５であることが好ましく、更には１〜４、また更には１〜３であることがより好ましい。液性を酸性とすることでＮｉの酸化を促進し研磨速度を向上させることができるが、ｐＨが低すぎると装置の腐食等の問題もあるため、ｐＨは１〜３、さらには１〜２であることがより好ましい。
【００３９】
本発明の研磨用組成物は、上記の各成分の他に界面活性剤、防錆剤及び防腐剤等を添加してもよい。しかし、その種類及び添加量はゲル化を引き起こさないよう細心の注意が必要である。
【００４０】
また、ゲル化の抑制のため、本発明の研磨用組成物にゲル化防止剤を添加してもよい。用いられるゲル化防止剤として好ましくはホスホン酸系化合物、フェナントロリン及びアセチルアセトンアルミニウム塩から選ばれた少なくとも１種が好ましい。具体的には、ホスホン酸系化合物としては、１−ヒドロキシエタン−１，１−ジホスホン酸（Ｃ2Ｈ6Ｏ7Ｐ2）若しくはアミノトリメチレンホスホン酸（Ｃ2Ｈ12Ｏ9Ｐ3Ｎ）を例示することが出来る。フェナントロリンとしては、１，１０−フェナントロリン一水和物（Ｃ１2Ｈ8  Ｎ2・Ｈ2Ｏ）を、アセチルアセトンアルミニウム塩としては、アセチルアセトンのアルミニウム錯塩（ＡｌＣＨ（ＣＯＣＨ3）3〕）をそれぞれ例示することができる。これらは２％以内で添加することが好ましい。
【００４１】
なお、上記の各成分濃度は磁気ディスク基板を研磨する際の濃度である。研磨用組成物を製造し、運搬、保管等する場合は上記濃度より濃厚な組成物とし、使用に際して上記の濃度に薄めて使用するのが効率的である。
【００４２】
本発明の研磨用組成物は、従来の研磨用組成物と同様に、水に研磨材を懸濁し、例えば、これにリン酸及び硝酸等の無機酸、酸化剤、更には表面清浄剤を添加して調製することができる。使用の際には、全ての成分を混合したものを薄めて使用しても良いが、例えば、輸送または保管時の安定性が有利となるように成分により２種類の組成物に分けて準備しておき必要ならば輸送、保管の後、使用直前などに、それら２種に分かれた組成物を混合する方法をとっても良い。例えば、スラリーと溶液、具体的には水、及び研磨砥粒と、水、無機酸、酸化剤、及び表面清浄剤とに分けることが好ましい。
【００４３】
本発明の研磨用組成物は、例えば磁気抵抗（ＭＲ）効果を利用した磁気ヘッド用磁気ディスクに代表される高記録密度用の基板（通常、３Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ2  以上の記録密度を有する）に有利に適用できるが、それ以下の記録密度を有する磁気ディスクに対しても信頼性向上という見地から効果的に応用できる。
【００４４】
本発明の研磨用組成物を適用する磁気ハードディスク基板は格別限定されるものではないが、アルミニウム基板（合金を含む）、とくに、ＮｉＰを例えば無電解メッキしたアルミニウム基板に本発明の組成物を適用すると、高品質の研磨面が工業上有利に得られる。
【００４５】
研磨方法は一般にスラリー状研磨材に用いられる研磨パッドを磁気ディスク基板上に摺り合わせ、パッドと基板の間にスラリーを供給しながらパッドまたは基板を回転させる方法である。
【００４６】
本発明の研磨用組成物により研磨した基板からつくられた磁気ディスクは、マイクロピット、マイクロスクラッチ等微細な欠陥について発生頻度が非常に低く、また表面粗さ（Ｒａ）も３Å以下であり、非常に平滑性に優れている。
【実施例】
【００４７】
以下、本発明の実施例について具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではなく、前・後記の趣旨を逸脱しない範囲で変更実施することは、全て本発明の技術範囲に包含される。
実施例、比較例において用いた研磨材及びその特徴を表１に示す。
【００４８】
（実施例１〜５）
デュポン(株)製のコロイダルシリカ（サイトンＨＴ−５０）に水、無機酸１（リンを含む無機酸またはその塩：以下同様とする）、無機酸２（他の無機酸またはその塩：以下同様とする）及び／又は有機ホスホン酸系キレート性化合物、酸化剤、表面清浄剤を表２に示す割合で添加し、種々の水性研磨用組成物を調製し、以下に示す研磨装置及び研磨条件で研磨を行った。その結果を表２に示す。
【００４９】
（実施例６，７）
日本シリカ工業（株）製のホワイトカーボン（Ｅ−１５０Ｊ）又は日本アエロジル（株）製のヒュームドシリカ（ＡＥＲＯＳＩＬ−５０）を媒体攪拌ミルにより粉砕、整粒により粗粒子を除去し、平均粒子径が０．１μｍの酸化ケイ素をまず得た。次に、水、無機酸１、無機酸２、酸化剤及び表面清浄剤を表２に示す割合で添加し、種々の水性研磨用組成物を調製し、以下に示す研磨装置および研磨条件で研磨を行った。その結果を表２に示す。
【００５０】
（実施例８〜１０）
昭和タイタニウム（株）製の酸化チタン（スーパータイタニアＦ−４）、アルミナ、ジルコニアを媒体攪拌ミルにより粉砕、整粒により粗粒子を除去し、平均粒子径が０．２μｍの酸化チタン、アルミナ、ジルコニアをまず得た。次に、水、無機酸１、無機酸２又は有機ホスホン酸系キレート性化合物、酸化剤、表面清浄剤を表２に示す割合で添加し、種々の水性研磨用組成物を調製し、以下に示す研磨装置および研磨条件で研磨を行った。その結果を表２に示す。
【００５１】
平均粒子径はレーザードップラー周波数解析式粒度分布測定器、マイクロトラック  ＵＰＡ１５０（Ｈｏｎｅｙｗｅｌｌ社製）により測定した。その粒度測定値を表１に示す。組成物のｐＨは(株)堀場製作所製Ｄ−１３ガラス電極式水素イオン濃度計により測定した。
【００５２】
（研磨条件）
基板として、ＮｉＰを無電解メッキした３．５インチサイズのアルミディスクを使用した。
【００５３】
（研磨装置および研磨条件）
研磨試験機          ４ウェイ式両面ポリシングマシン
研磨パッド          スエードタイプ（ポリテックスＤＧ、ロデール製）
下定盤回転速度      ６０ｒｐｍ
スラリー供給速度    ５０ｍｌ／分
研磨時間            ５分
加工圧力            ４．９ｋＰａ（５０ｇ／ｃｍ2）
（研磨特性の評価）
研磨レート：アルミディスクの研磨前後の重量減より換算
表面粗さ：タリステップ、タリデータ２０００（ランクテーラーホブソン社製）を使用
【００５４】
研磨傷の深さ：触針式表面解析装置Ｐ−１２（ＴＥＮＣＯＲ社製）の３次元モードにより形状解析し深さをもとめた。
【００５５】
研磨特性の評価結果を表２に示す。表２中の研磨傷Ａは研磨傷深さが２ｎｍ以下である。研磨傷Ｂは研磨傷深さが２〜１０ｎｍである。研磨傷深さが１０ｎｍより大なものは、実施例、比較例共に発生しなかった。
【００５６】
表面清浄度（輝点）：ニコン微分干渉顕微鏡暗視野モードで×50倍にて研磨ディスク1枚の上下両面を十文字に観察し光り輝く点数（輝点、研磨材、研磨屑、薬剤等が付着している）を計数した。合計の輝点数20点以下をランクＡ，以上をランクＢとした。
【００５７】
（比較例１〜３、５〜６）
デュポン（株）製のコロイダルシリカ（サイトンＨＴ−５０）に水、無機酸１、無機酸２及び／又は有機ホスホン酸系キレート性化合物、酸化剤を表２に示す割合で添加し、水性研磨用組成物を調製し、実施例と同様に研磨した。その結果を表３に示す。
【００５８】
（比較例４）
デュポン（株）製のコロイダルシリカ（サイトンＨＴ−５０）に水、硝酸アルミニウム、過酸化水素を表２に示す割合で添加し、水性研磨用組成物を調製し、実施例と同様に研磨した。その結果を表３に示す。
【００５９】
（比較例７）
日本シリカ工業（株）製のホワイトカーボン（Ｅ−１５０Ｊ）を媒体攪拌ミルにより粉砕、整粒により粗粒子を除去し、平均粒子径が０．１μｍの酸化ケイ素をまず得た。次に、水、無機酸１、無機酸２、酸化剤を表２に示す割合で添加し、種々の水性研磨用組成物を調製し、実施例と同様に研磨した。その結果を表３に示す。
【００６０】
（比較例８）
昭和タイタニウム（株）製の酸化チタン（スーパータイタニアＦ−４）を媒体攪拌ミルにより粉砕、整粒により粗粒子を除去し、平均粒子径が０．２μｍの酸化チタンをまず得た。次に、水、硝酸アルミニウムを表２に示す割合で添加し、水性研磨用組成物を調製し、実施例と同様に研磨した。その結果を表３に示す。
【００６１】
（比較例９，１０）
アルミナ、ジルコニアを媒体攪拌ミルにより粉砕、整粒により粗粒子を除去し、平均粒子径が０．２μｍのアルミナ、ジルコニアをまず得た。次に、水、無機酸１、無機酸２又は有機ホスホン酸系キレート性化合物、酸化剤を表２に示す割合で添加し、種々の水性研磨用組成物を調製し、実施例と同様に研磨した。その結果を表３に示す。
【００６２】
【表１】
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【００６３】
【表２】
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【００６４】
【表３】
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