(57)【要約】【課題】  生産性良くレジストパターンを形成できる方法を提供する。【解決手段】  光エネルギーを熱エネルギーに変換する光熱変換材料を含む基材５上に設けられたレジスト材料を含むレジスト層６と被処理材１とを対向し、基材５の所定領域に光を照射することで、所定領域に応じたレジスト材料を被処理材１に転写し、被処理材１上にレジスト材料をパターニングする。【選択図】    図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光エネルギーを熱エネルギーに変換する光熱変換材料を含む基材上に、レジスト材料を含むレジスト層を設け、前記レジスト層と被処理材とを対向させた状態で、前記基材の所定領域に光を照射することで、前記所定領域に応じた前記レジスト材料を前記被処理材に転写し、前記被処理材上にレジスト材料をパターニングすることを特徴とするレジストパターンの形成方法。
【請求項２】
前記基材、前記レジスト層、及び前記光熱変換材料を含む光熱変換層のそれぞれが互いに独立して設けられていることを特徴とする請求項１記載のレジストパターンの形成方法。
【請求項３】
前記光熱変換層は、前記基材と前記レジスト層との間に設けられていることを特徴とする請求項２記載のレジストパターンの形成方法。
【請求項４】
前記光熱変換層は、前記基材の前記レジスト層が設けられていない他方の面側に設けられていることを特徴とする請求項２又は３記載のレジストパターンの形成方法。
【請求項５】
前記基材に、前記光熱変換材料が混在されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載のレジストパターンの形成方法。
【請求項６】
レジスト層に、前記光熱変換材料が混在されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項記載のレジストパターンの形成方法。
【請求項７】
前記基材と前記レジスト層との間に、光照射又は加熱によりガスを発生するガス発生材料を含むガス発生層が設けられていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項記載のレジストパターンの形成方法。
【請求項８】
前記基材に、光照射又は加熱によりガスを発生するガス発生材料が混在されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項記載のレジストパターンの形成方法。
【請求項９】
所定のパターンを有するマスクを介した光を前記基材に照射することを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項記載のレジストパターンの形成方法。
【請求項１０】
前記光に対して前記基材及び前記被処理材を相対移動させながら、照射を行うことを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項記載のレジストパターンの形成方法。
【請求項１１】
前記基材の前記レジスト層と前記被処理材とを密着させた状態で前記光を照射することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項記載のレジストパターンの形成方法。
【請求項１２】
前記基材の前記レジスト層と前記被処理材とを対向させた後、前記レジスト層と前記被処理材との間の空間を減圧することで密着させることを特徴とする請求項１１記載のレジストパターンの形成方法。
【請求項１３】
前記転写した後、前記減圧を解除することで前記基材と前記被処理材とを離すことを特徴とする請求項１２記載のレジストパターンの形成方法。
【請求項１４】
前記被処理材は被エッチング層を含み、前記レジスト材料を前記被エッチング層上に転写した後エッチング処理することにより、レジストパターンに応じたパターンを前記被エッチング層に形成することを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一項記載のレジストパターンの形成方法。
【請求項１５】
請求項１〜請求項１４のいずれか一項記載の形成方法により前記被処理材上に形成されたレジストパターンを使ってバンクを形成し、前記バンク間に配線パターン形成用材料を含む液滴を配置させて該被処理材上に配線パターンを形成することを特徴とする配線パターンの形成方法。
【請求項１６】
請求項１〜請求項１４のいずれか一項記載の形成方法により前記被処理材上に形成されたレジストパターンを使って、該被処理材上に半導体素子を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
光エネルギーを熱エネルギーに変換する光熱変換材料を含む基材上に、レジスト材料を含むレジスト層を設け、前記レジスト層と被処理材上に設けられた被エッチング層とを対向し、前記基材の所定領域に光を照射することで、前記所定領域に応じた前記レジスト材料を前記被エッチング層上に転写し、前記転写した後エッチング処理することにより、レジストパターンに応じたパターンを前記被エッチング層に形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１５記載の形成方法により形成された配線パターンを有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項１９】
請求項１６又は１７記載の製造方法により製造された半導体装置を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２０】
請求項１８又は１９記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理材上にレジストをパターニングするレジストパターンの形成方法、そのレジストパターンを使った配線パターンの形成方法及び半導体装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体集積回路等の微細な配線パターンを有するデバイスの製造方法としてフォトリソグラフィ法が多用されている。下記特許文献１には、液滴吐出法を用いて機能液の液滴を配置するためのバンク（ブラックマトリクス）をフォトリソグラフィ法により形成する技術が開示されている。
【特許文献１】特開平６−３４７６３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
フォトリソグラフィ法では、被処理材上にレジスト材料を塗布してレジスト層を形成し、そのレジスト層に対して露光処理を行い、その後現像処理を行うことで、所定のレジストパターンを得ている。この場合、多くの工程を必要とし生産性が低い。
【０００４】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、生産性良くレジストパターンを形成できるレジストパターンの形成方法を提供することを目的とする。更に、そのレジストパターンを使った配線パターンの形成方法、そのレジストパターンを使った半導体装置の製造方法、その配線パターンあるいは半導体装置を有する電気光学装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するため、本発明のレジストパターンの形成方法は、光エネルギーを熱エネルギーに変換する光熱変換材料を含む基材上に、レジスト材料を含むレジスト層を設け、前記レジスト層と被処理材とを対向させた状態で、前記基材の所定領域に光を照射することで、前記所定領域に応じた前記レジスト材料を前記被処理材に転写し、前記被処理材上にレジスト材料をパターニングすることを特徴とする。本発明によれば、基材に光熱変換材料を含ませることにより、照射した光の光エネルギーを効率良く熱エネルギーに変換することができる。そして、その熱エネルギーをレジスト材料に供与することで、レジスト材料の一部を一旦溶融状態にして被処理材に転写することができる。したがって、形成しようとするレジストパターンに応じた基材上の所定領域に対して光を照射することで、その所定領域に応じたレジスト材料を被処理材に転写し、被処理材上に所望のレジストパターンを形成することができる。そして、本発明では、光を照射するだけで所望のレジストパターンを被処理材上に形成でき、従来のような現像処理を必要としないため、生産性を向上することができる。
【０００６】
本発明のレジストパターンの形成方法において、前記基材、前記レジスト層、及び前記光熱変換材料を含む光熱変換層のそれぞれが互いに独立して設けられている構成を採用することが可能であるし、前記基材に、前記光熱変換材料が混在されている構成を採用することも可能であるし、レジスト層に、前記光熱変換材料が混在されている構成を採用することも可能である。いずれの構成であっても、光熱変換材料は照射された光の光エネルギーを効率良く熱エネルギーに変換し、その熱エネルギーをレジスト材料に供与することができる。
【０００７】
前記基材、前記レジスト層、及び前記光熱変換材料を含む光熱変換層のそれぞれを互いに独立して設ける構成において、前記光熱変換層を、前記基材の前記レジスト層が設けられた一方の面側に設ける構成を採用することも可能であるし、前記基材の前記レジスト層が設けられていない他方の面側に設ける構成を採用することも可能である。いずれの構成であっても、照射した光の光エネルギーを熱エネルギーに変換し、その熱エネルギーをレジスト材料に供与することができる。特に、前記光熱変換層を、前記基材と前記レジスト層との間に設けることにより、光熱変換層で生成された熱エネルギーを、その光熱変換層に隣接するレジスト層に良好に供与することができる。
【０００８】
本発明のレジストパターンの形成方法において、前記基材と前記レジスト層との間に、光照射又は加熱によりガスを発生するガス発生材料を含むガス発生層が設けられている構成を採用することができる。あるいは、前記基材に、光照射又は加熱によりガスを発生するガス発生材料が混在されている構成を採用することができる。ガス発生材料より発生したガスにより、基材とレジスト層とを分離するエネルギーが提供され、レジスト層を被処理材に対して円滑に転写することができる。
【０００９】
本発明のレジストパターンの形成方法において、前記光はレーザ光であり、前記光熱変換材料に応じた波長を有する光を照射することを特徴とする。これにより、光熱変換材料に照射した光エネルギーを効率良く熱エネルギーに変換できる。
【００１０】
本発明のレジストパターンの形成方法において、所定のパターンを有するマスクを介した光を前記基材に照射する構成を採用することができる。これにより、照射する光の光束径以下の微細なレジストパターンを形成することができる。一方、前記光に対して前記基材及び前記被処理材を相対移動させながら、照射を行う構成を採用することもできる。つまり、照射する光（レーザ光）と基材及び被処理材とを相対移動してレジストパターンを描画するようにしてもよく、この構成によればマスクを製造する工程を省略できる。
【００１１】
本発明のレジストパターンの形成方法において、前記基材の前記レジスト層と前記被処理材とを密着させた状態で前記光を照射する構成を採用可能である。これにより、レジスト材料を基材から被処理材に円滑に転写できる。この場合において、前記基材の前記レジスト層と前記被処理材とを対向させた後、前記レジスト層と前記被処理材との間の空間を減圧することで密着させることができる。また、前記転写した後、前記減圧を解除することで前記基材と前記被処理材とを離すことができる。
【００１２】
本発明のレジストパターンの形成方法において、前記被処理材は被エッチング層を含み、前記レジスト材料を前記被エッチング層上に転写した後エッチング処理することにより、レジストパターンに応じたパターンを前記被エッチング層に形成することを特徴とする。これにより、耐エッチング性を有するレジストパターンを使って被処理材上の被エッチング層にパターンを形成することができる。
【００１３】
本発明の配線パターンの形成方法は、上記記載のレジストパターンの形成方法により前記被処理材上に形成されたレジストパターンを使ってバンクを形成し、前記バンク間に配線パターン形成用材料を含む液滴を配置させて該被処理材上に配線パターンを形成することを特徴とする。本発明によれば、液滴吐出法に基づいて、消費する材料の無駄を抑えつつ、微細な配線パターンを良好に形成することができる。
【００１４】
ここで、バンクとは、被処理材上の所定領域を区画する仕切部材であって、配線パターン等のパターン線幅の精度を出すのためのバンクの他に、液晶表示装置のカラーフィルタに設けられ、隣り合う画素どうしを隔離するバンク（ブラックマトリクス）、及び有機ＥＬ表示装置に設けられ、隣り合う画素どうしを隔離するバンク等を含む。
【００１５】
本発明の半導体装置の製造方法は、上記記載のレジストパターンの形成方法により前記被処理材上に形成されたレジストパターンを使って、該被処理材上に半導体素子を形成することを特徴とする。また、本発明の半導体装置の製造方法は、光エネルギーを熱エネルギーに変換する光熱変換材料を含む基材上に、レジスト材料を含むレジスト層を設け、前記レジスト層と被処理材上に設けられた被エッチング層とを対向し、前記基材の所定領域に光を照射することで、前記所定領域に応じた前記レジスト材料を前記被エッチング層上に転写し、前記転写した後エッチング処理することにより、レジストパターンに応じたパターンを前記被エッチング層に形成する工程を有することを特徴とする。本発明によれば、従来のような現像処理を行わずに被処理材上にレジストパターンを形成できるため、半導体素子を含む半導体装置を生産性良く製造することができる。
【００１６】
本発明の電気光学装置は、上記記載の配線パターンの形成方法により形成された配線パターンを有することを特徴とする。また、本発明の電気光学装置は、上記記載の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置を有することを特徴とする。更に、本発明の電子機器は、上記記載の電気光学装置を有することを特徴とする。本発明によれば、生産性良く製造され、所望の性能を発揮できる電気光学装置及びそれを有する電気機器を提供することができる。なお、電気光学装置としては、液晶表示装置、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置、及びプラズマ表示装置等が挙げられる。
【００１７】
上述した液滴吐出法は、吐出ヘッドを備えた液滴吐出装置を使って実現され、該液滴吐出装置はインクジェットヘッドを備えたインクジェット装置を含む。インクジェット装置のインクジェットヘッドは、インクジェット法により機能液を含む液状体材料の液滴を定量的に吐出可能であり、例えば１ドットあたり１〜３００ナノグラムの液状体材料を定量的に断続して滴下可能な装置である。なお、液滴吐出装置としてはディスペンサー装置であってもよい。
【００１８】
液状体材料とは、液滴吐出装置の吐出ヘッドの吐出ノズルから吐出可能（滴下可能）な粘度を備えた媒体をいう。水性であると油性であると問わない。吐出ノズル等から吐出可能な流動性（粘度）を備えていれば十分で、固体物質が混入していても全体として流動体であればよい。また、液状体材料に含まれる材料は融点以上に加熱されて溶解されたものでも、溶媒中に微粒子として攪拌されたものでもよく、溶媒の他に染料や顔料その他の機能性材料を添加したものであってもよい。
【００１９】
また、上記機能液とは機能性材料を含む液状体材料であって、基板上に配置されることにより所定の機能を発揮するものである。機能性材料としては、カラーフィルタを含む液晶表示装置を形成するための液晶表示装置形成用材料、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置を形成するための有機ＥＬ表示装置形成用材料、プラズマ表示装置を形成するためのプラズマ表示装置形成用材料、及び電力を流通する配線パターンを形成するための金属を含む配線パターン形成用材料などが挙げられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
＜レジストパターンの形成方法＞
以下、本発明のレジストパターンの形成方法について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明のレジストパターンの形成方法に用いられるレジストパターン形成装置の一実施形態を示す概略構成図である。図１において、レジストパターン形成装置１０は、所定の波長を有するレーザ光束を射出するレーザ光源１１と、被処理材１を支持するステージ１２とを備えている。被処理材１は、基板３と、基板３の上面に設けられた被エッチング層２とを有している。レーザ光源１１及び被処理材１を支持するステージ１２はチャンバ１４内に配置されている。チャンバ１４には、このチャンバ１４内のガスを吸引可能な吸引装置１３が接続されている。本実施形態では、レーザ光源１１として近赤外半導体レーザ（波長８３０ｎｍ）が使用される。
【００２１】
ここで、以下の説明において、水平面内における所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸及びＹ軸のそれぞれに直交する方向（鉛直方向）をＺ軸方向とする。
【００２２】
被処理材１に対してドナーシート７が密着されている。ドナーシート７は、基材５と、基材５上に設けられた光熱変換層４及びレジスト層６とを備えている。基材５、レジスト層６、及び光熱変換層４のそれぞれは互いに独立した層として設けられている。レジスト層６は基材５の下面側に設けられ、光熱変換層４も基材５のレジスト層６が設けられた下面側に設けられている。光熱変換層４は、基材５とレジスト層６との間に設けられ、光熱変換層４とレジスト層６とが隣り合っている。そして、ドナーシート７のレジスト層６と被処理材１の被エッチング層２とが対向しており、これらレジスト層６と被エッチング層２とが密着している。
【００２３】
ステージ１２は、被処理材１及びこの被処理材１に密着したドナーシート７を支持した状態でＸ軸方向及びＹ軸方向に移動可能に設けられており、被処理材１及びドナーシート７はステージ１２の移動により光源１１から射出された光束に対して移動可能となっている。また、ステージ１２はＺ軸方向にも移動可能となっている。ここで、光源１１とステージ１２に支持されたドナーシート７との間には不図示の光学系が配置されている。被処理材１及びドナーシート７を支持したステージ１２はＺ軸方向に移動することにより、前記光学系の焦点に対するドナーシート７（被処理材１）の位置を調整可能となっている。そして、光源１１より射出された光束は、ステージ１２に支持されているドナーシート７（基材５）を照射するようになっている。
【００２４】
基材５としては、レーザ光束を透過可能な例えばガラス基板や透明性高分子等を用いることができる。透明性高分子としては、ポリエチレンテレフタレートのようなポリエステル、ポリアクリル、ポリエポキシ、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリサルホン等が挙げられる。透明性高分子により基材５を形成した場合、その厚さは１０〜５００μｍであることが好ましい。こうすることにより、例えば、基材５を帯状に形成してロール状に巻くことができ、回転ドラム等に保持させつつ搬送（移動）することもできる。
【００２５】
なお、ここでは基材５をＸＹ方向に並進移動するステージ１２に支持させているが、基材５を回転ドラムに保持させる場合、回転ドラムは、水平並進方向（走査方向、Ｘ方向）、回転方向（Ｙ方向）、及び鉛直方向（Ｚ軸方向）に移動可能である。
【００２６】
光熱変換層４は、光エネルギーを熱エネルギーに変換する光熱変換材料を含んで構成されている。光熱変換層４を構成する光熱変換材料としては公知のものを使用することができ、レーザ光を効率よく熱に変換できる材料であれば特に限定されないが、例えば、アルミニウム、その酸化物及び／又はその硫化物よりなる金属層や、カーボンブラック、黒鉛又は赤外線吸収色素等が添加された高分子よりなる有機層等が挙げられる。赤外線吸収色素としては、アントラキノン系、ジチオールニッケル錯体系、シアニン系、アゾコバルト錯体系、ジインモニウム系、スクワリリウム系、フタロシアニン系、ナフタロシアニン系等が挙げられる。また、エポキシ樹脂等の合成樹脂をバインダとし、そのバインダ樹脂に前記光熱変換材料を溶解又は分散して基材５上に設けるようにしてもよい。この場合、エポキシ樹脂は硬化剤としての機能を有し、硬化させることにより光熱変換層４を基材５上に定着することができる。また、バインダに溶解又は分散せずに、前記光熱変換材料を基材５上に設けることももちろん可能である。
【００２７】
光熱変換層４として前記金属層を用いる場合には、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、又はスパッタリングを利用して基材５上に形成することができる。光熱変換層４として前記有機層を用いる場合には、一般的なフィルムコーティング方法、例えば、押出コーティング方法、スピンコーティング方法、グラビアコーティング方法、リバースロールコーティング方法、ロッドコーティング方法、マイクログラビアコーティング方法、ナイフコーティング方法などにより基材５上に形成することができる。光熱変換層４のコーティング方法においては、基材５の表面に帯電した静電気を除電して光熱変換層形成用機能液を均一に基材５に形成するのが好ましく、各方法に用いられる装置には除電装置が取り付けてあるのが好ましい。
【００２８】
レジスト層６は、レジスト材料を含んで構成されている。レジスト材料は、後述するエッチング処理において耐エッチング性を有する材料により構成されており、例えばノボラック系樹脂やフェノール系樹脂などの公知の材料を使用することができる。また、レジスト層６は、被エッチング層２に対する転写性（密着性）を有する材料により構成される。レジスト層６は、一般的なフィルムコーティング方法、例えば、押出コーティング方法、スピンコーティング方法、グラビアコーティング方法、リバースロールコーティング方法、ロッドコーティング方法、マイクログラビアコーティング方法などにより、光熱変換層４（基材５）上に形成することができる。レジスト層６のコーティング方法においては、光熱変換層４（基材５）の表面に帯電した静電気を除電してレジスト層形成用機能液を均一に光熱変換層４（基材５）に形成するのが好ましく、各方法に用いられる装置には除電装置が取り付けてあるのが好ましい。
【００２９】
被処理材１の基板３は、例えばガラスプレートや合成樹脂フィルム、あるいは半導体ウエハにより構成されている。被エッチング層２は、後述するエッチング処理においてエッチングされる層であり、半導体、絶縁物、導電体などの膜により構成されている。
【００３０】
次に、図２を参照しながらレジストパターンの形成手順について説明する。図２（ａ）に示すように、ドナーシート７のレジスト層６と被処理材１の被エッチング層２とを対向した後、密着させる。レジスト層６と被エッチング層２とを密着させるには、レジスト層６と被エッチング層２とを対向させた後、吸引装置１３（図１参照）を駆動し、チャンバ１４内のガスを吸引してチャンバ１４内を減圧する。これにより、レジスト層６と被エッチング層２との間の空間も減圧されて負圧状態となり、レジスト層６と被エッチング層２とが密着される。そして、ドナーシート７（基材５）の上面側から所定の光束径を有するレーザ光束が照射される。レーザ光束が照射されることにより、その照射領域に対応する基材５及び光熱変換層４が加熱される。光熱変換層４は照射されたレーザ光束の光エネルギーを熱エネルギーに変換し、その熱エネルギーを隣接するレジスト層６に供与する。熱エネルギーが供与されたレジスト層６の一部（光熱変換層４との界面付近の一部）は、例えばガラス転移温度以上に加熱されて溶融状態となり、被処理材１の被エッチング層２に転写される。ここで、レジスト層６が転写可能となるのは、レーザ光束の照射領域に対応した領域である。したがって、レーザ光束の照射領域に対応したレジスト層６が被処理材１の被エッチング層２に転写される。
【００３１】
そして、照射するレーザ光束に対してステージ１２をＸＹ平面に沿って移動することにより、そのステージ１２の移動軌跡に応じたレジスト層６の一部が被処理材１に転写される。こうして、被処理材１の被エッチング層２上にレジストパターンが形成される。
【００３２】
レジスト層６が被エッチング層２に転写された後、吸引装置１３の駆動を解除し、前記減圧状態（負圧状態）を解除することで、図２（ｂ）に示すように、ドナーシート７と被処理材１とが分離可能となる。
【００３３】
レジスト層６を被エッチング層２上に転写した後、図２（ｃ）に示すように、エッチング処理が行われる。レジスト層６を形成するレジスト材料は耐エッチング性を有しており、被エッチング層２上に転写されたレジスト層６はエッチングマスクとしての機能を有する。エッチング処理としては、ドライエッチング、ウエットエッチングなど、公知のエッチング処理方法を採用することができる。
【００３４】
そして、図２（ｄ）に示すように、被処理材１上のレジスト層６を除去（アッシング）することにより、被エッチング層２はレジストパターンに応じたパターンを形成される。
【００３５】
以上説明したように、基材５上に光熱変換層４を設けたことにより、照射した光の光エネルギーを効率良く熱エネルギーに変換することができる。そして、その熱エネルギーをレジスト層６に供与することで、レジスト層６の光照射領域に対応する部分を被処理材１（被エッチング層２）に転写することができる。したがって、形成しようとするレジストパターンに応じた基材５上の所定領域に対して光を照射することで、その所定領域に応じたレジスト層６のレジスト材料を被処理材１に転写し、被処理材１上に所望のレジストパターンを形成することができる。また、電子ビームや紫外線を用いずに近赤外レーザ光などを用いても、光熱変換層４を設けたことによりレジスト層６を転写するための十分な熱エネルギーをそのレジスト層６に供与することができる。したがって、使用する光照射装置の選択の幅が広がり、高価で大掛かりな光照射装置を用いなくても、十分な熱エネルギーでドナーシート７よりレジスト層６を良好に転写してパターニングすることができる。
【００３６】
そして、本発明では、光照射をするだけで所望のレジストパターンを被処理材１上に形成でき、従来のような現像処理を必要としないため、生産性を向上することができる。また、従来のレジスト材料と異なり、レジスト層に光酸発生剤や光塩基発生剤などを混在させる必要もなく、レジスト材料の主鎖骨格に感光基を組み込む必要もない。すなわち本発明によれば、レジスト材料は被処理材１に対する密着性を有する官能基、耐エッチング性を有する官能基のみを有していればよく、材料設計が容易となる。
【００３７】
なお本実施形態では、被処理材１及びドナーシート７を支持したステージ１２を移動することで、被処理材１（被エッチング層２）上に所定のレジストパターンを形成しているが、もちろん、被処理材１及びドナーシート７を停止した状態で照射する光束を移動するようにしてもよいし、被処理材１及びドナーシート７と光束との双方を移動するようにしてもよい。また、被処理材１及びドナーシート７を移動する場合、ステージ１２でＸＹ平面内を移動する構成の他に、上述したように回転ドラムに保持させた状態で移動する構成も可能である。
【００３８】
レジストパターンを形成する際、図３に示すように、形成しようとするレジストパターンに応じたパターンを有するマスク１５に対して光を照射し、マスク１５を介した光をドナーシート７に照射するようにしてもよい。図３に示す例において、マスク１５は、マスク１５を透過した光を通過するための開口部１６Ａを有するマスク支持部１６に支持されている。光源１１から射出された光束は、光学系１７により均一な照度分布を有する照明光に変換された後、マスク１５を照明する。マスク１５を通過した光は、ステージ１２に支持されているドナーシート７を照射し、その照射された光に基づいて発生する熱によりレジスト層６の一部が被処理材１に転写され、レジストパターンが形成される。マスク１５を用いることにより、レーザ光源１１から射出された光束の径より微細なレジストパターンを形成することができる。一方、図１を参照して説明したように、光束とドナーシート７（被処理材１）とを相対移動しつつ光照射することによりマスク１５を製造する手間が省ける。
【００３９】
なお、図３に示す例では、マスク１５とドナーシート７とを離した状態で、ドナーシート７に対して光を照射しているが、マスク１５とドナーシート７とを密着させた状態でマスク１５に光を照射し、そのマスク１５を介した光をドナーシート７に照射するようにしてもよい。
【００４０】
なお、光源１１としては、近赤外半導体レーザの他に、水銀ランプ、ハロゲンランプ、キセノンランプ、フラッシュランプなどを用いることも可能である。また、紫外線レーザなど、近赤外線レーザ以外の全ての汎用的なレーザを用いることができる。
【００４１】
なお、上記実施形態において、被処理材１は基板３とその基板３上に設けられた被エッチング層２とを有し、被エッチング層２上にレジスト層６を転写して被エッチング層２をエッチングするように説明したが、被エッチング層２を設けずに、基板３上にレジスト層６を直接転写するようにしてもよい。
【００４２】
図４に示すように、光熱変換層４を基材５のレジスト層６が設けられていない上面側に設ける構成も可能である。このとき、光熱変換層４より発生した熱エネルギーを下面側に設けたレジスト層６に良好に伝えるために、基材５はその厚さ及び材料を最適に選択される。なお、光熱変換層４を基材５の上面側及び下面側の双方に設けるようにしてもよい。
【００４３】
光熱変換層４を設けた場合、光熱変換材料に応じた波長を有する光を照射することが好ましい。つまり、使用する光熱変換材料に応じて良好に吸収する光の波長帯域は異なるため、光変換材料に応じた波長を有する光を照射することにより、光エネルギーを熱エネルギーに効率良く変換できる。換言すれば、照射する光に応じて使用する光熱変換材料を選択する。本実施形態では、レーザ光源として近赤外半導体レーザ（波長８３０ｎｍ）を使用しているため、光熱変換材料としては、赤外線〜可視光線領域の光を吸収する性質を有している材料を用いることが好ましい。
【００４４】
なお、上記各実施形態では、光熱変換材料は、基材５及びレジスト層６とは独立した層（光熱変換層４）に設けられているが、基材５に光熱変換材料を混在させる構成も可能であり、レジスト層６に光熱変換材料を混在させる構成も可能である。このような構成であっても、照射したレーザ光の光エネルギーを熱エネルギーに変換し、その熱エネルギーをレジスト層６に供与することができる。なお、光熱変換材料が混在された基材５に、それとは別に光熱変換層４を設けてもよい。
【００４５】
図５に示すように、基材５とレジスト層６との間に、光照射又は加熱によりガスを発生するガス発生材料を含むガス発生層８を設けてもよい。ガス発生材料は、光を吸収したり光エネルギーから変換された熱エネルギーを吸収すると、分解反応を起こして窒素ガスや水素ガスなどを放出するものであって、発生したガスによりレジスト層６を基材５より分離するエネルギーを提供する役割を有する。このようなガス発生材料としては、四窒酸ペンタエリトリトール(pentaerythritol tetranitrate ：ＰＥＴＮ）及びトリニトロトルエン(trinitrotoluene：ＴＮＴ）よりなる群から選択された少なくとも一つの物質等が挙げられる。
【００４６】
また、図６に示すように、基材５の下面側に光熱変換層４が設けられている構成の場合、光熱変換層４とレジスト層６との間にガス発生層８を設けることもできる。あるいは、基材５と光熱変換層４との間にガス発生層８を設けることもできる。また、光熱変換層４にガス発生材料を混在させてもよい。また、基材５にガス発生材料を混在させてもよい。
【００４７】
また、図２等に示す実施形態において、光熱変換層４とレジスト層６との間に、光熱変換層４の光熱変換作用を均一化するための中間層を設けることができる。このような中間層形成材料としては、上記要件を満たすことのできる樹脂材料を挙げることができる。このような中間層は、所定の組成を有する樹脂組成物を例えばスピンコーティング方法、グラビアコーティング方法、ダイコーティング法等の公知のコーティング方法に基づいて光熱変換層４の表面に塗布し、乾燥させることによって形成可能である。レーザ光束が照射されると、光熱変換層４の作用により、光エネルギーが熱エネルギーに変換され、さらにこの熱エネルギーが中間層の作用により均一化される。したがって、光照射領域に該当する部分のレジスト層６には均一な熱エネルギーが供与される。
【００４８】
また、図２等に示す実施形態において、光熱変換層４とレジスト層６との間に熱伝播層や剥離層を形成してもよい。熱伝播層や剥離層を構成する材料としては、例えばポリαメチルスチレン酸等が挙げられる。また、熱伝播層及び剥離層は、特に限定されないが、それぞれ１μｍ程度に形成される。
【００４９】
また、光熱変換層４とレジスト層６との離型性を向上させるために、光熱変換層４中に離型剤を含有させてもよい。離型剤としては、ポリエチレンワックス、アミドワックス、シリコン系樹脂の微粉末、フッ素系樹脂の微粉末等の固形あるいはワックス状物質；フッ素系、リン酸エステル系等の界面活性剤；パラフィン系、シリコーン系、フッ素系のオイル類等、従来公知の離型剤がいずれも使用できるが、特にシリコーンオイルが好ましい。シリコーンオイルとしては、無変性のもの以外にカルボキシ変性、アミノ変性、エポキシ変性、ポリエーテル変性、アルキル変性等の変性シリコーンオイルを単独あるいは２種以上併用して用いることができる。
【００５０】
＜配線パターンの形成方法＞
以下、被処理材１の基板３上に配線パターンを形成する方法について説明する。図７は、本発明のレジストパターンの形成方法により被エッチング層２上にレジスト層６を転写し、その後、エッチング処理及びアッシング処理することで、基板３上に溝部９を有する被エッチング層２をパターニングし、バンクＢを形成した状態を示している。本実施形態では、配線パターン形成用材料を基板３上に配置するために、配線パターン形成用材料を含む機能液の液滴を吐出する液滴吐出法（インクジェット法）を用いる。バンクＢは、基板３上に予め設定された配線パターン形成領域を区画するように設けられる。液滴吐出法では、吐出ヘッド２０と基板３とを対向させた状態で、バンクＢ、Ｂ間の溝部９に対して配線パターン形成用材料を含む機能液の液滴が吐出ヘッド２０より吐出される。
【００５１】
ここで、液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気熱変換方式、静電吸引方式、電気機械変換方式等が挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御して吐出ノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ２程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進して吐出ノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散して吐出ノズルから吐出されない。また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、吐出ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出して吐出ノズルから吐出させるものである。この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される液体材料の一滴の量は例えば１〜３００ナノグラムである。本実施形態では、電気機械変換方式（ピエゾ方式）を用いる。
【００５２】
図８はピエゾ方式による機能液（液状体材料）の吐出原理を説明するための図である。図８において、吐出ヘッド２０は、機能液（配線パターン形成用材料を含む液状体材料）を収容する液体室２１と、その液体室２１に隣接して設置されたピエゾ素子２２とを備えている。液体室２１には、機能液を収容する材料タンクを含む供給系２３を介して機能液が供給される。ピエゾ素子２２は駆動回路２４に接続されており、この駆動回路２４を介してピエゾ素子２２に電圧を印加し、ピエゾ素子２２を変形させることにより、液体室２１が変形し、吐出ノズル２５から機能液が吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることによりピエゾ素子２２の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることによりピエゾ素子２２の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
【００５３】
以下、配線パターンを形成する手順について説明する。上記説明した方法によりバンクＢ、Ｂを形成した後、まず、バンクＢ、Ｂ間の溝部９の底部９Ｂ（基板３の露出部）の残渣を除去する残渣処理を行うことが好ましい。残渣処理としては、溝部９の底部９Ｂに対して例えば紫外線（ＵＶ）等の光を照射することにより、光励起により、底部９Ｂに残存する特に有機系の残渣を良好に除去することができる。なお、残渣処理としては、所定の処理ガスとして例えば酸素（Ｏ２）を含む処理ガスを用いたＯ２プラズマ処理によっても残渣を除去することができる。また、紫外線照射処理やＯ２プラズマ処理は底部９Ｂ（基板３の露出部）に対して親液性を付与する親液化処理としての役割も有し、底部９Ｂ（基板３の露出部）に親液性を付与することで後述するように機能液の液滴を溝部９に配置したとき、その機能液を底部９Ｂに良好に濡れ拡がらせることができる。
【００５４】
続いて、バンクＢに対し撥液化処理を行い、その表面に撥液性を付与する。撥液化処理としては、例えば大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理法（ＣＦ４プラズマ処理法）を採用することができる。なお、処理ガスとしては、テトラフルオロメタン（四フッ化炭素）に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることもできる。更に、機能液に対する撥液性を付与可能なものであれば、フッ素系以外の処理ガスを用いてもよい。また、撥液化処理としては、ＦＡＳ（フルオロアルキルシラン）で処理する方法（自己組織化膜法、化学気相蒸着法等）や、共役メッキ法、あるいは金チオールで撥液化する方法など、公知の様々な方法を採用することができる。バンクＢに撥液性を付与することにより、吐出ヘッド２０より吐出された液滴の一部がバンクＢの上面９Ａに乗っても、バンク表面が撥液性となっていることによりバンクＢからはじかれ、バンクＢ、Ｂ間の溝部９に流れ落ちるようになる。したがって、吐出された機能液は基板３上のバンクＢ、Ｂ間に良好に配置される。
【００５５】
なお、バンクＢ、Ｂに対する撥液化処理により、先に親液化処理したバンク間の底部９Ｂ（基板３の露出部）に対し多少は影響があるものの、特に基板３がガラス等からなる場合には、撥液化処理によるフッ素基の導入が起こらないため、基板３はその親液性を実質上損なわれない。また、バンクＢ（被エッチング層２）に予め撥液性を有する調整材料を混在させておくことにより、この撥液化処理工程を省略することが可能である。
【００５６】
次に、吐出ヘッド２０を用いて、基板３上のバンクＢ、Ｂ間に配線パターン形成用材料を含む機能液の液滴を配置する材料配置工程が行われる。ここでは、配線パターン形成用材料を構成する導電性材料として有機銀化合物を用い、溶媒（分散媒）としてジエチレングリコールジエチルエーテルを用い、その有機銀化合物を含む機能液を吐出する。材料配置工程では、図７に示したように、吐出ヘッド２０から配線パターン形成用材料を含む機能液を液滴にして吐出する。吐出された液滴は、基板３上のバンクＢ、Ｂ間の溝部９に配置される。このとき、液滴が吐出される配線パターン形成領域はバンクＢにより区画されているので、液滴が所定位置以外に拡がることを阻止できる。また、バンクＢ、Ｂには撥液性が付与されているため、吐出された液滴の一部がバンクＢ上に乗ってもバンク間の溝部９に流れ落ちるようになる。更に、基板３が露出している溝部９の底部９Ｂは親液性を付与されているため、吐出された液滴が底部９Ｂにてより拡がり易くなり、これにより機能液は所定位置内で均一に配置される。
【００５７】
なお、機能液としては、導電性微粒子を分散媒に分散した分散液を用いることも可能である。導電性微粒子としては、例えば、金、銀、銅、アルミニウム、パラジウム、及びニッケルのうちの少なくともいずれか１つを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。
【００５８】
材料配置工程（液滴吐出工程）の後、焼成工程が行われる。導電性材料を含む機能液に対して焼成処理を行うことにより導電性が得られる。特に有機銀化合物の場合、焼成処理を行ってその有機分を除去し銀粒子を残留させることで導電性が発現される。そのため、材料配置工程後の基板３に対して、焼成処理として熱処理及び光処理のうちの少なくとも一方が施される。熱処理・光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行なうこともできる。熱処理・光処理の処理温度は、溶媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や有機銀化合物、酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。たとえば、有機銀化合物の有機分を除去するためには、約２００℃で焼成することが必要である。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下で行なうことが好ましい。以上の工程により吐出工程後の導電性材料（有機銀化合物）は、銀粒子の残留により、導電性を有する配線パターンに変換される。
【００５９】
なお、材料配置工程の後、中間乾燥工程（あるいは焼成工程）を行い、これら材料配置工程と中間乾燥工程（焼成工程）とを交互に複数回繰り返すことにより、配線パターン形成用材料をバンクＢ、Ｂ間で積層することができる。
【００６０】
なお、焼成工程の後、基板３上に存在するバンクＢを除去することができる。例えば、所定の溶剤により洗浄することでバンクＢを基板３から除去することができる。
【００６１】
＜プラズマ表示装置＞
次に、本発明の配線パターンの形成方法により形成された配線パターンを有する電気光学装置の一例として、プラズマディスプレイ（プラズマ表示装置）について図９を参照しながら説明する。図９は、アドレス電極５１１とバス電極５１２ａとが製造されたプラズマディスプレイ５００を示す分解斜視図である。このプラズマディスプレイ５００は、互いに対向して配置されたガラス基板５０１とガラス基板５０２と、これらの間に形成された放電表示部５１０とから概略構成されている。
【００６２】
放電表示部５１０は、複数の放電室５１６が集合されてなり、複数の放電室５１６のうち、赤色放電室５１６（Ｒ）、緑色放電室５１６（Ｇ）、青色放電室５１６（Ｂ）の３つの放電室５１６が対になって１画素を構成するように配置されている。前記（ガラス）基板５０１の上面には所定の間隔でストライプ状にアドレス電極５１１が形成され、それらアドレス電極５１１と基板５０１の上面とを覆うように誘電体層５１９が形成され、さらに誘電体層５１９上においてアドレス電極５１１、５１１間に位置して各アドレス電極５１１に沿うように隔壁５１５が形成されている。なお、隔壁５１５においてはその長手方向の所定位置においてアドレス電極５１１と直交する方向にも所定の間隔で仕切られており（図示略）、基本的にはアドレス電極５１１の幅方向左右両側に隣接する隔壁と、アドレス電極５１１と直交する方向に延設された隔壁により仕切られる長方形状の領域が形成され、これら長方形状の領域に対応するように放電室５１６が形成され、これら長方形状の領域が３つ対になって１画素が構成される。また、隔壁５１５で区画される長方形状の領域の内側には蛍光体５１７が配置されている。蛍光体５１７は、赤、緑、青の何れかの蛍光を発光するもので、赤色放電室５１６（Ｒ）の底部には赤色蛍光体５１７（Ｒ）が、緑色放電室５１６（Ｇ）の底部には緑色蛍光体５１７（Ｇ）が、青色放電室５１６（Ｂ）の底部には青色蛍光体５１７（Ｂ）が各々配置されている。
【００６３】
次に、前記ガラス基板５０２側には、先のアドレス電極５１１と直交する方向に複数のＩＴＯからなる透明表示電極５１２がストライプ状に所定の間隔で形成されるとともに、高抵抗のＩＴＯを補うために金属からなるバス電極５１２ａが形成されている。また、これらを覆って誘電体層５１３が形成され、さらにＭｇＯなどからなる保護膜５１４が形成されている。そして、前記基板５０１とガラス基板５０２の基板２が、前記アドレス電極５１１…と表示電極５１２…を互いに直交させるように対向させて相互に貼り合わされ、基板５０１と隔壁５１５とガラス基板５０２側に形成されている保護膜５１４とで囲まれる空間部分を排気して希ガスを封入することで放電室５１６が形成されている。なお、ガラス基板５０２側に形成される表示電極５１２は各放電室５１６に対して２本ずつ配置されるように形成されている。 前記アドレス電極５１１と表示電極５１２は図示略の交流電源に接続され、各電極に通電することで必要な位置の放電表示部５１０において蛍光体５１７を励起発光させて、カラー表示ができるようになっている。
【００６４】
そして、本例では、特に前記アドレス電極５１１とバス電極５１２ａとが、本発明に係る配線パターンの形成方法により形成される。すなわち、これらアドレス電極５１１やバス電極５１２ａについては、特にそのパターニングに有利なことから、金属コロイド材料（例えば金コロイドや銀コロイド）や導電性微粒子（例えば金属微粒子）を分散させてなる機能液を吐出し、乾燥・焼成することによって形成している。また、蛍光体５１７についても、蛍光体材料を溶媒に溶解させあるいは分散媒に分散させた機能液を吐出ヘッド２０より吐出し、乾燥・焼成することによって形成可能である。
【００６５】
＜薄膜トランジスタ＞
次に、本発明に係るレジストパターンを使って半導体素子を形成する一例として、薄膜トランジスタを形成する手順について、図１０を参照しながら説明する。図１０（ａ）に示すように、ゲート電極４０２が形成された基板４０１上に、ゲート絶縁層４０３、ドープしていないアモルファスシリコンからなる活性半導体層であるa-Si層４０４、リン等を高濃度でドープしたシリコンからなるN+a-Si層４０５、ソース／ドレイン電極形成用金属層４０６が順次積層され、ソース／ドレイン電極形成用金属層４０６上の一部に、本発明に係るレジストパターンの形成方法によりレジスト層４０７がパターニングされる。次いで、図１０（ｂ）に示すように、a-Si層４０４、N+a-Si層４０５、及びソース／ドレイン電極形成用金属層４０６がエッチングされ、図１０（ｃ）に示すように、レジスト層４０７がアッシングされる。次に、図１０（ｄ）に示すように、再びレジスト層４０７が本発明に係るレジストパターンの形成方法に基づいて設けられる。そして、図１０（ｅ）に示すように、薄膜トランジスタのチャネル部４０８に対応する部分のN+a-Si層４０５、及びソース／ドレイン電極形成用金属層４０６がエッチングされ、レジスト層４０７をアッシングすることで、図１０（ｆ）に示すように、チャネル部４０８、ソース電極４０９、及びドレイン電極４１０が形成される。そして、ドレイン電極４１０に接続する不図示の画素電極を形成することで薄膜トランジスタが形成される。
【００６６】
＜有機ＥＬ表示装置＞
次に、上記薄膜トランジスタ（半導体素子）を有する電気光学装置の一例として、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置について図１１を参照しながら説明する。
図１１において、有機ＥＬ表示装置６０１は、光を透過可能な基板（光透過層）６０２と、基板６０２の一方の面側に設けられ一対の電極（陽極６０４及び陰極６０７）に挟持された有機エレクトロルミネッセンス材料からなる発光層（ＥＬ層）６０６と正孔注入／輸送層６０５とからなる有機ＥＬ素子（発光素子）６０３と、基板６０２の一方の面側に設けられ、陽極（画素電極）６０４に接続する薄膜トランジスタＴＦＴと、封止基板６１２とを有している。発光層６０６は赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）の３色の発光層により構成されている。また、封止基板６１２と基板６０２とは接着層で接着されており、封止基板６１２及び接着層により有機ＥＬ素子６０３が封止されている。ここで、図１１に示す有機ＥＬ表示装置６０１は発光層６０６からの発光を基板６０２側から装置外部に取り出す形態（ボトムエミッション型、基板側発光型）である。
【００６７】
基板６０２の形成材料としては、光を透過可能な透明あるいは半透明材料、例えば、透明なガラス、石英、サファイア、あるいはポリエステル、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリエーテルケトンなどの透明な合成樹脂などが挙げられる。特に、基板６０２の形成材料としては、安価なガラスが好適に用いられる。
【００６８】
封止基板６１２としては、例えばガラス基板を用いるが、透明でガスバリア性に優れていれば例えば、プラスチック、プラスチックのラミネートフィルム、ラミネート成型基板等のガラス基板以外の部材、またはガラスのラミネートフィルム等を用いてもよい。また、保護層として紫外線を吸収する部材を用いることも好ましい。
【００６９】
陽極（画素電極）６０４は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）等からなる透明電極であって光を透過可能である。正孔注入／輸送層６０５は、例えば、高分子系材料として、ポリチオフェン、ポリスチレンスルホン酸、ポリピロール、ポリアニリン及びこの誘導体などが例示される。発光層６０６の形成材料としては、高分子発光体や低分子の有機発光色素、すなわち各種の蛍光物質や燐光物質などの発光物質が使用可能である。発光物質となる共役系高分子の中ではアリーレンビニレン又はポリフルオレン構造を含むものなどが特に好ましい。なお、陰極６０７と発光層６０６との間に、必要に応じて電子輸送層や電子注入層を設けてもよい。
【００７０】
有機ＥＬ素子６０３は、バンク６１４によって区画された領域に配置されており、この有機ＥＬ素子６０３を形成する際に、前記吐出ヘッド２０を用いている。
【００７１】
図示はしないが、本実施形態の有機ＥＬ表示装置６０１はアクティブマトリクス型であり、実際には複数のデータ線と複数の走査線とが格子状に基板６０２に配置される。そして、データ線や走査線に区画されたマトリクス状に配置された各画素毎に、スイッチングトランジスタやドライビングトランジスタ等の駆動用ＴＦＴを介して上記の有機ＥＬ素子６０３が接続されている。そして、データ線や走査線を介して駆動信号が供給されると電極間に電流が流れ、有機ＥＬ素子６０３の発光層６０６が発光して基板６０２の外面側に光が射出され、その画素が点灯する。
【００７２】
なおここでは、薄膜トランジスタを有機ＥＬ表示装置に適用した例を説明したが、もちろん、液晶表示装置など、スイッチング素子を有する他の表示装置に、本発明に係る薄膜トランジスタを適用することができる。
【００７３】
＜電子機器＞
以下、上記電気光学装置（有機ＥＬ表示装置、プラズマ表示装置、液晶表示装置等）を備えた電子機器の適用例について説明する。図１２（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１２（ａ）において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記の電気光学装置を用いた表示部を示している。図１２（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１２（ｂ）において、符号１１００は時計本体を示し、符号１１０１は上記の電気光学装置を用いた表示部を示している。図１２（ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１２（ｃ）において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置本体、符号１２０６は上記の電気光学装置を用いた表示部を示している。図１２（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上記実施の形態の電気光学装置を備えているので、表示品位に優れ、明るい画面の表示部を備えた電子機器を実現することができる。
【００７４】
なお、上述した例に加えて、他の例として、液晶テレビ、ビューファインダ型やモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、電子ペーパー、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。本発明の電気光学装置は、こうした電子機器の表示部としても適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明のレジストパターンの形成方法に使うレジストパターン形成装置の一実施形態を示す概略構成図である。
【図２】本発明のレジストパターンの形成方法の一実施形態を示す模式図である。
【図３】本発明のレジストパターンの形成方法に使うレジストパターン形成装置の他の実施形態を示す概略構成図である。
【図４】本発明のレジストパターンの形成方法の他の実施形態を示す模式図である。
【図５】本発明のレジストパターンの形成方法の他の実施形態を示す模式図である。
【図６】本発明のレジストパターンの形成方法の他の実施形態を示す模式図である。
【図７】本発明の配線パターンの形成方法の一実施形態を示す模式図である。
【図８】本発明の配線パターンの形成方法に使う吐出ヘッドを示す概略構成図である。
【図９】本発明の配線パターンの形成方法により形成された配線パターンを有する電気光学装置の一例を示すプラズマディスプレイの分解斜視図である。
【図１０】本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を示す図であって、薄膜トランジスタの製造工程の一例を示す図である。
【図１１】本発明の半導体装置の製造方法により製造された半導体素子を有する電気光学装置の一例を示す有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図１２】本発明の電気光学装置を有する電子機器の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００７６】
１…被処理材、２…被エッチング層、４…光熱変換層、５…基材、６…レジスト層、
７…ドナーシート、８…ガス発生層、１１…光源、１３…吸引装置、１５…マスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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