(57)【要約】【課題】  発光作用領域面積を増加可能な発光装置の提供。【解決手段】  ダイ基板上に順に設けられた第２エピタキシャル層及び少なくとも一つの第１エピタキシャル層、第１エピタキシャル層の上表面の少なくとも一つの第１電極、第１エピタキシャル層を通り電極絶縁層により第１エピタキシャル層と絶縁され並びに電気的に第２エピタキシャル層に接続された第２電極を具え、第１電極と第２電極が相互に離間し且つ交錯するよう配列され、このほか、電力供給基板上に第１電極及び第２電極位置に基づき第１電極或いは第２電極に個別に対応し貼り合わされて電気的に接続される第１電力供給回路と第２電力供給回路が設けられ、複数の第１電力供給回路に第１連通回路が電気的に接続され、第２電力供給回路が第２連通回路に電気的に接続され、第１連通回路と第２連通回路が発光ダイオード上でなく電力供給基板上に設けられて、発光作用領域面積を増して発光効率を増す。【選択図】        図９
2005252191.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの発光ダイオードダイと電力供給基板を具え、
各発光ダイオードダイはダイ基板を具え、該ダイ基板に第２エピタキシャル層が設けられ、該第２エピタキシャル層に少なくとも一つの第１表面と少なくとも一つの第２表面が画定され、第１表面に更に第１エピタキシャル層が形成され、該第１エピタキシャル層と該第２エピタキシャル層の間に発光作用領域が形成され、該第１エピタキシャル層の一部表面に少なくとも一つの第１電極が設けられ、第２エピタキシャル層の一部表面に少なくとも一つの第２電極設けられ、
該電力供給基板は、その表面にあって第１電極及び第２電極に対応する位置に、少なくとも一つの第１電力供給回路と少なくとも一つの第２電力供給回路が設けられ、各第１電力供給回路が第１連通回路により電気的に接続され、各第２電力供給回路が第２連通回路により電気的に接続され、第１電力供給回路とそれに対応する第１電極が相互に電気的に接続され、第２電力供給回路とそれに対応する第２電極が相互に電気的に接続されたことを特徴とする、発光作用領域面積を増加可能な発光装置。
【請求項２】
請求項１記載の発光作用領域面積を増加可能な発光装置において、電力供給基板が表面絶縁基板とされたことを特徴とする、発光作用領域面積を増加可能な発光装置。
【請求項３】
請求項２記載の発光作用領域面積を増加可能な発光装置において、電力供給基板が、窒化ケイ素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）及びその組合せのいずれかで形成されたことを特徴とする、発光作用領域面積を増加可能な発光装置。
【請求項４】
請求項１記載の発光作用領域面積を増加可能な発光装置において、発光ダイオードダイにフリップチップパッケージ方式が採用され、該発光ダイオードダイが逆転されて電力供給基板に貼り合わされることを特徴とする、発光作用領域面積を増加可能な発光装置。
【請求項５】
請求項１記載の発光作用領域面積を増加可能な発光装置において、電力供給基板に固定されて第１連通回路と第２電力供給回路に電気的に接続された静電放電保護装置を更に具えたことを特徴とする、発光作用領域面積を増加可能な発光装置。
【請求項６】
請求項５記載の発光作用領域面積を増加可能な発光装置において、静電放電保護装置がツェナダイオード又はショットキーバリアダイオードのいずれかとされたことを特徴とする、発光作用領域面積を増加可能な発光装置。
【請求項７】
請求項１記載の発光作用領域面積を増加可能な発光装置において、電力供給基板に固定されて第２連通回路と第１電力供給回路に電気的に接続された静電放電保護装置を更に具えたことを特徴とする、発光作用領域面積を増加可能な発光装置。
【請求項８】
請求項１記載の発光作用領域面積を増加可能な発光装置において、ダイ基板が、炭化ケイ素、砒素化ガリウム、サファイア、窒化ガリウム及びその組合せのいずれかで形成されたことを特徴とする、発光作用領域面積を増加可能な発光装置。
【請求項９】
請求項１記載の発光作用領域面積を増加可能な発光装置において、複数の第２電極が直線配列、環状配列、交錯配列及びその組合せのいずれかの配列方式とされたことを特徴とする、発光作用領域面積を増加可能な発光装置。
【請求項１０】
請求項１記載の発光作用領域面積を増加可能な発光装置において、複数の第２電極の側辺に電極絶縁層が設けられたことを特徴とする、発光作用領域面積を増加可能な発光装置。
【請求項１１】
請求項１記載の発光作用領域面積を増加可能な発光装置において、第２エピタキシャル層の第２表面が第１表面より低いことを特徴とする、発光作用領域面積を増加可能な発光装置。
【請求項１２】
請求項１記載の発光作用領域面積を増加可能な発光装置において、第１連通回路に少なくとも一つの第１ボンディングパッドが設けられ、第２連通回路に少なくとも一つの第２ボンディングパッドが設けられたことを特徴とする、発光作用領域面積を増加可能な発光装置。
【請求項１３】
請求項１記載の発光作用領域面積を増加可能な発光装置において、第１電極と第１電力供給回路、及び、第２電極と第２電力供給回路の間に接合層が設けられたことを特徴とする、発光作用領域面積を増加可能な発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一種の発光装置に係り、特に、発光作用領域面積を増加可能な発光装置であり、第１連通回路と第２連通回路が電力供給基板上に設けられ、直接発光ダイオードの発光作用領域を占拠することがないよう形成された発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオードは体積が小さく、軽量で、電力消耗が少なく、寿命が長い等の長所を有するめ、広くコンピュータ周辺装置、通信製品及びその他の電子装置中に使用されている。一般に量産される発光ダイオードは基板、例えばサファイア基板、炭化ケイ素基板等の材料上に、ｐｎ接合を具えたエピタキシャル層を成長させ、ｐ型エピタキシャル層及びｎ型エピタキシャル層の両側より駆動電圧を導入する時、ｐｎ接合に電子−正孔再結合により光を投射させるものである。
【０００３】
周知の発光ダイオード構造は、図１及び図２に示されるようであり、これはそれぞれ周知の発光ダイオード装置の構造側面図及びその構造平面図である。図示されるように、ダイ基板１１の情報に第２エピタキシャル層１５が成長させられ、第２エピタキシャル層１５は突出する第１表面１５３と凹んだ第２表面１５５が画定され、そのうち、第１表面１５３の上に第１エピタキシャル層１３が形成されて、第１エピタキシャル層１３と第２エピタキシャル層１５の間に自然に光を投射する機能を具えた発光作用領域（即ち第１表面１５３）が形成される。第１エピタキシャル層１３の一部上表面に第１電極１７が形成され、第２エピタキシャル層１５の第１エピタキシャル層１３が設けられていない第２表面１５５に第２電極１９が設けられる。このほか、第１電極１７の一部上表面に、外界回路との接続用の第１ボンディングパッド１７１が設けられ、第２電極１９の上表面に外界回路との接続用の第２ボンディングパッド１９１が設けられる。第１電極１７と第２電極１９に順方向バイアスの駆動電源が導入される時、電流は発光作用領域に進入し、これにより光を生成する。
【０００４】
発光ダイオードに関しては、発光作用領域の作用面積が大きくなるほど、発光量も多くなる。発光作用領域を通過する電流が大きくなるほど、発光強度も大きくなる。ただし、もし発光作用領域を通過する電流密度が不均一であると、一部発光作用領域の電流密度が過高となり、一部の発光作用領域の電流密度が低くなり過ぎる現象が極めて形成されやすくなる。発光作用領域の電流密度が過高となり飽和に達する時、発光効率が下がり、且つ発光作用領域の局部作業温度の上昇を形成し、ひいては損壊を形成しうる。反対に、一部の発光作用領域の電流密度が過低となる時、十分にその発光効率を発揮できなくなり、装置の浪費を形成する。このため、いかに作業電流に均一に発光作用領域を通過させて発光効率を高めるかが発光ダイオードの製造上及び設計上の一大難題となっている。
【０００５】
上述の発光ダイオードの構造は、第１電極１７と第２電極１９は幾何学上、非対称分布を呈し、このため電流密度分布不均一の現象を極めて形成しやすい。このような電流密度不均一の現象を防止するため、業界は作業電流密度を均一に分布させられる発光ダイオード構造を提供している。例えば、図３及び図４のもう一種の周知の発光ダイオードの構造平面図及びそのＡ−Ｂ線断面図に示されるようである。これによると、発光ダイオード２０はダイ基板２１の上表面に第２エピタキシャル層２５、第２エピタキシャル層２５が形成され複数の突出する第１表面２５３と凹んだ第２表面２５５を画定しており、第１表面２５３と第２表面２５５が相互に離間し且つ交錯するよう配列されている。そのうち、第１表面２５３の上に第１エピタキシャル層２３が形成され、第１エピタキシャル層２３と第２エピタキシャル層２５の接合面に発光作用領域（即ち第１表面２５３）が形成されている。第１エピタキシャル層２３の上表面に第１電極２７１が形成され、各第２エピタキシャル層２５の第２表面２５５の上表面に第２電極２９１が形成され、第１電極２７１と第２電極２９１両者間は同様に第１表面２５３と第２表面２５５の設置位置により相互に離間し且つ交錯するよう配列されている。このほか、さらにこの複数の第１電極２７１に連通し並びに直接第１エピタキシャル層２３に接触する第１連通電極２７３と、電気的にこの複数の第２電極２９１に連通し並びに直接第２エピタキシャル層２５の第２表面２５５に接触する第２連通電極２９３が設けられている。各第１電極２７１の間は電気的に導通可能で、同様に、各第２電極２９１の間もまた電気的に導通可能である。各第１電極２７１及び第２電極２９１は相互に離間し且つ交錯するよう配列され、幾何学上、相当に対称である。これにより、有効に発光作用領域の作業電流密度が不均一となる現象を減らすことができる。
【０００６】
しかし、上述の発光ダイオード構造は作業電流密度の発光ダイオード２５３における分布の不平均の現象を減らすのに有効であるが、第２連通電極２９３が直接第２エピタキシャル層２５の第２表面２５５の上に設けられ、言い換えると、第２連通回路２９３を設置できる一部の第２表面２５５を削り、第２表面２５５の発光ダイオード２０上にあっての占有範囲を拡大しなければならず、このため発光作用領域の作用面積が減少する。これにより第２連通電極２９３が一部の発光作用領域の面積を占用し、このため出光量と発光輝度の低減を形成する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ゆえに、いかに上述の周知の技術の欠点に対して、発光ダイオードの発光作用領域を増加して発光輝度を高め、また作業電流密度を均一に分布させ、これによりその使用寿命を延長した新たな発光装置を提供するかが本発明の重点である。
【０００８】
ゆえに、本発明の主要な目的は、一種の発光作用領域面積を増加可能な発光装置を提供することにあり、それは、電力供給基板上に設置した第１連通回路及び第２連通回路を発光ダイオードダイ上の対応する複数の第１電極及び第２電極に直接電気的に接続可能とすることで、周知の、発光ダイ上の第１連通電極及び第２連通電極の代わりとし、第１連通電極及び第２連通電極が発光作用領域の面積を占用するのを防止し、これにより、出光量と発光輝度を増す効果を達成できるようにした発光装置であるものとする。
【０００９】
本発明の次の目的は、一種の発光作用領域面積を増加可能な発光装置を提供することにあり、それは、複数の第１電極及び第２電極を幾何対称構造に設計し、これにより発光作用領域の電流密度を均一に分配し、これにより発光効率を高め、製品の使用寿命を延長できるようにした発光装置であるものとする。
【００１０】
本発明のもう一つの目的は、一種の発光作用領域面積を増加可能な発光装置を提供することにあり、それは、電力供給基板上に、発光ダイオードダイの第１電極及び第２電極の幾何図形に照らして配置した第１電力供給回路と第２電力供給回路パターンを直接設けることにより、パッケージ密度を高める目標を達成できるようにした発光装置であるものとする。
【００１１】
本発明のさらにもう一つの目的は、一種の発光作用領域面積を増加可能な発光装置を提供することにあり、それは、そのボンディングパッドの位置が電力供給基板上に設置され、直接発光ダイオードダイ上でワイヤボンディング工程を実施するのではないため、ワイヤボンディング工程により発光ダイオードに対する遮光効果が形成されるのを防止するようにした発光装置であるものとする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
請求項１の発明は、少なくとも一つの発光ダイオードダイと電力供給基板を具え、
各発光ダイオードダイはダイ基板を具え、該ダイ基板に第２エピタキシャル層が設けられ、該第２エピタキシャル層に少なくとも一つの第１表面と少なくとも一つの第２表面が画定され、第１表面に更に第１エピタキシャル層が形成され、該第１エピタキシャル層と該第２エピタキシャル層の間に発光作用領域が形成され、該第１エピタキシャル層の一部表面に少なくとも一つの第１電極が設けられ、第２エピタキシャル層の一部表面に少なくとも一つの第２電極設けられ、
該電力供給基板は、その表面にあって第１電極及び第２電極に対応する位置に、少なくとも一つの第１電力供給回路と少なくとも一つの第２電力供給回路が設けられ、各第１電力供給回路が第１連通回路により電気的に接続され、各第２電力供給回路が第２連通回路により電気的に接続され、第１電力供給回路とそれに対応する第１電極が相互に電気的に接続され、第２電力供給回路とそれに対応する第２電極が相互に電気的に接続されたことを特徴とする、発光作用領域面積を増加可能な発光装置としている。
請求項２の発明は、請求項１記載の発光作用領域面積を増加可能な発光装置において、電力供給基板が表面絶縁基板とされたことを特徴とする、発光作用領域面積を増加可能な発光装置としている。
請求項３の発明は、請求項２記載の発光作用領域面積を増加可能な発光装置において、電力供給基板が、窒化ケイ素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）及びその組合せのいずれかで形成されたことを特徴とする、発光作用領域面積を増加可能な発光装置としている。
請求項４の発明は、請求項１記載の発光作用領域面積を増加可能な発光装置において、発光ダイオードダイにフリップチップパッケージ方式が採用され、該発光ダイオードダイが逆転されて電力供給基板に貼り合わされることを特徴とする、発光作用領域面積を増加可能な発光装置としている。
請求項５の発明は、請求項１記載の発光作用領域面積を増加可能な発光装置において、電力供給基板に固定されて第１連通回路と第２電力供給回路に電気的に接続された静電放電保護装置を更に具えたことを特徴とする、発光作用領域面積を増加可能な発光装置としている。
請求項６の発明は、請求項５記載の発光作用領域面積を増加可能な発光装置において、静電放電保護装置がツェナダイオード又はショットキーバリアダイオードのいずれかとされたことを特徴とする、発光作用領域面積を増加可能な発光装置としている。
請求項７の発明は、請求項１記載の発光作用領域面積を増加可能な発光装置において、電力供給基板に固定されて第２連通回路と第１電力供給回路に電気的に接続された静電放電保護装置を更に具えたことを特徴とする、発光作用領域面積を増加可能な発光装置としている。
請求項８の発明は、請求項１記載の発光作用領域面積を増加可能な発光装置において、ダイ基板が、炭化ケイ素、砒素化ガリウム、サファイア、窒化ガリウム及びその組合せのいずれかで形成されたことを特徴とする、発光作用領域面積を増加可能な発光装置としている。
請求項９の発明は、請求項１記載の発光作用領域面積を増加可能な発光装置において、複数の第２電極が直線配列、環状配列、交錯配列及びその組合せのいずれかの配列方式とされたことを特徴とする、発光作用領域面積を増加可能な発光装置としている。
請求項１０の発明は、請求項１記載の発光作用領域面積を増加可能な発光装置において、複数の第２電極の側辺に電極絶縁層が設けられたことを特徴とする、発光作用領域面積を増加可能な発光装置としている。
請求項１１の発明は、請求項１記載の発光作用領域面積を増加可能な発光装置において、第２エピタキシャル層の第２表面が第１表面より低いことを特徴とする、発光作用領域面積を増加可能な発光装置としている。
請求項１２の発明は、請求項１記載の発光作用領域面積を増加可能な発光装置において、第１連通回路に少なくとも一つの第１ボンディングパッドが設けられ、第２連通回路に少なくとも一つの第２ボンディングパッドが設けられたことを特徴とする、発光作用領域面積を増加可能な発光装置としている。
請求項１３の発明は、請求項１記載の発光作用領域面積を増加可能な発光装置において、第１電極と第１電力供給回路、及び、第２電極と第２電力供給回路の間に接合層が設けられたことを特徴とする、発光作用領域面積を増加可能な発光装置としている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の発光作用領域面積を増加可能な発光装置は、発光作用領域面積を増すことができ、並びにこれにより発光効率を高めることができる。ゆえに本発明は新規性、進歩性及び産業上の利用価値を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明によると、発光作用領域面積を増加可能な発光装置は、少なくとも一つの発光ダイ、及び一つの電力供給基板を具えている。該発光ダイは、ダイ基板を具え、該ダイ基板に第２エピタキシャル層が設けられ、該第２エピタキシャル層は少なくとも一つの第１表面及び少なくとも一つの第２表面を画定可能で、第１表面の上に第１エピタキシャル層が形成され、第１エピタキシャル層と第２エピタキシャル層の間の自然に発光作用領域が形成され、第１エピタキシャル層の一部表面に少なくとも一つの第１電極が設けられ、第２エピタキシャル層の一部表面に少なくとも一つの第２電極が設けられている。上記電力供給基板は、その表面にあって上記第１電極及び第２電極に対応する位置に、それぞれ少なくとも一つの第１電力供給回路と少なくとも一つの第２電力供給回路が設けられ、各第１電力供給回路は第１連通回路により電気的に接続され、各第２電力供給回路は第２連通回路により電気的に接続され、第１電力供給回路はそれと対応する第１電極と相互に電気的に接続され、第２電力供給回路はそれと対応する第２電極と相互に電気的に接続されている。
【００１５】
図５から図７は本発明の好ましい実施例の構造平面図、Ｃ−Ｄ線断面図及び電力供給基板の構造平面図である。図示されるように、発光作用領域面積を増加可能な発光装置は、発光ダイオードダイ３０と電力供給基板４１を組み合わせて成る。そのうち、発光ダイオードダイ３０は、ダイ基板３１の上に第２エピタキシャル層３５が形成され、該第２エピタキシャル層３５が突出する第１表面３５３と凹んだ第２表面３５５を画定可能で、第１表面３５３の上にさらに第１エピタキシャル層３３が形成され、これにより第１エピタキシャル層３３と第２エピタキシャル層３５の間に自然に発光作用領域（即ち第１表面３５３）が形成されている。通常、ダイ基板３１は炭化ケイ素、砒素化ガリウム、サファイア、窒化ガリウム等の材料で組成され、第１エピタキシャル層３３及び第２エピタキシャル層３５は、窒化ガリウム（ＧａＮ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、リン化インジウムガリウム（ＩｎＧａＰ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）等、３−５族元素で組成される。
【００１６】
第１エピタキシャル層３３の上表面に第１電極３３１が設けられ、第１電極３３１の両側に第２電極３５１が設けられ、これにより第２電極３５１が第２エピタキシャル層３５の第２表面３５５に接触させられ、並びに電極絶縁層３７で第１エピタキシャル層３３及び第１電極３３１と電気的に絶縁されてい。第１電極３３１及び第２電極３５１は相互に離間し且つ交錯するよう配列され、これにより作用電流が均一に発光作用領域を通過し、これにより発光効率が増し、並びに局部電流密度が過高となり発光作用領域を損壊するのを防止している。
【００１７】
また、電力供給基板４１の上表面にあって、発光ダイオードダイ３０の第１電極３３１と第２電極３５１に対応する位置に、少なくとも一つの第１電力供給回路４３１と第２電力供給回路４５１が直接設けられる。このほか、更に第１連通回路４３が電気的に該第１電力供給回路４３１に接続され、第２連通回路４５もまた各第２電力供給回路４５１に電気的に接続される。第１電力供給回路４３１及び第２電力供給回路４５１の数量は第１電極３３１及び第２電極３５１の数量と同じである。そのうち、電力供給基板４１には窒化ケイ素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）及び誘電質材料（ＳｉＯ2 、ＴｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 等）を被覆した炭化ケイ素（ＳｉＣ）、シリコン（Ｓｉ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）等の絶縁材料が使用される。
【００１８】
続いて、図８及び図９の、発光ダイオードダイの組合せ後の構造平面図、及びそのＥ−Ｆ線断面図を参照されたい。図示されるように、発光ダイオードダイ３０を倒置し、並びに接合層４８を利用し、その第１電極３３１と第２電極３５１を対応する第１電力供給回路４３１と第２電力供給回路４５１に接合する。本実施例では直接電力供給基板４１上に設けられた第２第２連通回路４５が複数の第２電力供給回路４５１を通してそれぞれ対応する第２電極３５１に接続され、周知の構造において発光ダイオードダイ２０に直接設けられた第２連通電極２９３が各第２電極２９１に接続されて第２連通電極２９３が発光作用領域の面積を占用するのを防止しているのとは異なり、このため本発明は発光作用領域の面積を増すことができる。このほか、接合層４７の材料には錫−金（ＡｕＳｎ）、ケイ素−金（ＡｕＳｉ）、錫−鉛（ＰｂＳｎ）、錫−銀（ＳｎＡｇ）、錫−インジウム−銀（ＳｎＩｎＡｇ）、銀ろう或いは錫ペースト等の材料を選択可能で、これにより発光作用領域の作業の熱を電力供給基板４１より排除することができる。
【００１９】
図１０、図１１は本発明の別の実施例の分解図及びその組合せ表示図である。図示されるように、電力供給基板５１の上表面に第１連通回路５３及び第２連通回路５５が設けられ、第１連通回路５３に複数の第１電力供給回路５３１が接続され、第２連通回路５５に複数の第２電力供給回路５５１が接続されている。複数の発光ダイオードダイ３０が電力供給基板５１の上に貼り合わされる時、各発光ダイオードダイ３０の第１電極３３１と第２電極３５１は対応する第１電力供給回路５３１及び第２電力供給回路５５１に貼り合わされ、これにより電力供給基板５１上に複数の発光ダイオードダイ３０を設けることができ、これにより発光輝度を高めることができる。且つもし複数の発光ダイオードダイ３０に異なる色の光、例えば青光、緑光、或いは赤光を投射するものを選択すれば、全体として白色光或いはフルカラー光を発生するものとなすことができる。
【００２０】
このほか、静電放電保護装置５７、例えばツェナダイオード或いはショットキーバリアダイオードを、電力供給基板５１の上に固定し、並びにその二つの電極を第１連通回路５３及び第２電力供給回路５５１のうちの一つ或いは第２連通回路５５及び第１電力供給回路５３１（図示せず）のうちの一つに電気的に接続すれば、静電放電効果により形成される発光ダイオードダイ３０の意外な毀損を防止でき、これにより発光ダイオードダイ３０の正常使用を確保できる。
【００２１】
電力供給基板５１上の複数の第１電力供給回路５３１及び第２電力供給回路５５１は発光ダイオードダイ３０の第１電極３３１及び第２電極３５１の数量に合わせて設けられ、これにより最小面積の電力供給基板５１上に最も多くの発光ダイオードダイ３０を取り付けることができ、これによりパッケージ密度を高めて発光装置の軽量薄型化、コンパクト化の目的を達成することができる。
【００２２】
また、図１２から図１４は本発明のさらに別の実施例の発光ダイオードダイの構造平面図、断面図及び電力供給基板の構造平面図である。図示されるように、発光ダイオードダイ６０のダイ基板６１を具え、その上表面に第２エピタキシャル層６５が設けられ、該第２エピタキシャル層６５に複数の突出する第１表面６５３と複数の凹んだ第２表面６５５が画定されている。各第１表面６５３の上に第１エピタキシャル層６３が設けられ、各第１エピタキシャル層６３と第２エピタキシャル層６５の間に自然に発光作用領域（即ち第１表面６５３）が形成されている。各第１エピタキシャル層６３の上表面に第１電極６３１が設けられ、第２エピタキシャル層６５の第２表面６５５の上表面に第２電極６５１が設けられ、第１電極６３１と第２電極６５１が相互に離間し且つ交錯するよう配置される。このほか、第２電極６５１の周囲に一層の電極絶縁層６７が設けられて、第２電極６５１の第１エピタキシャル層６３及び第１電極６３１との直接接触が防止されている。
【００２３】
電力供給基板７１の情報に第１連通回路７３及び第２連通回路７５が設けられ、第１連通回路７３に複数の第１電力供給回路７３１が接続され、第２連通回路７５に複数の第２電力供給回路７５１が接続されている。そのうち、複数の第１電力供給回路７３１と複数の第２電力供給回路７５１の位置及び数量は第１電極６３１及び第２電極６５１の位置及び数量に合わせて設けられる。
【００２４】
また、第１連通回路７３の適当な位置に第１ボンディングパッド７３５が設けられ、第２連通回路７５の適当な位置に第２ボンディングパッド７５５が設けられ、ワイヤボンディング工程に供される。第１ボンディングパッド７３５と第２ボンディングパッド７５５は電力供給基板７１の上に設けられ、直接発光ダイオードダイ６０の上に設けられるのではなく、これによりワイヤボンディング工程で発光ダイオードダイ６０に対して直接損害形成されるのを防止し、これにより発光ダイオードダイ６０の正常作業を保護することができる。
【００２５】
最後に、図１５及び図１６は図１２及び図１３に示される実施例の組合せ後の構造平面図及びその断面表示図である。図示されるように、発光ダイオードダイ６０を裏返した後に電力供給基板７１に貼り合わせ、複数の第１電極６３１を対応する第１電力供給回路７３１に接続し、第２電極６５１を対応する第２電力供給回路７５１に接続する。
【００２６】
第１電極６３１と第２電極６５１は相互に離間し且つ交錯するように設置され、対称性を具備し、これにより各発光作用領域の作業電流密度は非常に均一となる。このほか、各第２電極６５１は電力供給基板７１上に設けられた第２連通回路７５により導通し、これにより、本発明は、周知の構造における発光ダイオードダイ２０上に各第２電極２９１を接続する第２連通電極２９３が直接設ける必要があるために発光作用領域の面積を占用するという問題がない。
【００２７】
また、上述の実施例はいずれも直線配列の第２電極で説明しているが、これに限定されるわけではなく、環状配列、交錯配列及びその他の幾何対称配列により実施可能で、ただ第１連通回路７３及び第２連通回路７５が電力供給基板７１の上に設けられて、発光ダイオードダイ６０の上に直接設けられないことが必要で、これにより発光作用面積を増す効果を達成する。
【００２８】
また、上述の各実施例中、各発光ダイオードダイ３０、６０の第２電極３５１、６５１は第１電極３３１、６３１と近似或いは同じ水平高度に設計されているが、本発明の技術特徴下で、図４に示される周知の発光ダイオードダイ２０もまた適用可能であり、ただ第２連通回路２９３が電力供給基板４１の上に設けられればよく、同様に本発明の達成したい効果を達成する。
【００２９】
また、上述の各実施例中、電力供給基板４１、５１、７１は絶縁材料で製造されるが、異なる実施例中では硫化ケイ素、シリコン、砒素化ガリウム等の材料に代えてもよく、ただ電力供給基板上を更に絶縁材料で被覆すればよい。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】周知の発光ダイオード装置の構造側面図である。
【図２】周知の発光ダイオード装置の構造平面図である。
【図３】もう一種の周知の発光ダイオードの構造平面図である。
【図４】図３のＡ−Ｂ線断面図である。
【図５】本発明の好ましい実施例の構造平面図である。
【図６】図５のＣ−Ｄ線断面図である。
【図７】本発明の好ましい実施例の及び電力供給基板の構造平面図である。
【図８】本発明の発光ダイオードダイの組合せ後の構造平面図である。
【図９】図８のＥ−Ｆ線断面図である。
【図１０】本発明の別の実施例の分解図である。
【図１１】図１０の組合せ表示図である。
【図１２】本発明のさらに別の実施例の発光ダイオードダイの構造平面図である。
【図１３】図１２の実施例の断面図である。
【図１４】図１２の実施例の電力供給基板の構造平面図である。
【図１５】図１２及び図１３に示される実施例の組合せ後の構造平面図である。
【図１６】図１５に示される実施例の組合せ後の断面表示図である。
【符号の説明】
【００３１】
１１  ダイ基板                        １３  第１エピタキシャル層
１５  第２エピタキシャル層            １５３  第１表面
１５５  第２表面                      １７  第１電極
１９  第２電極                        １７１  第１ボンディングパッド
１９１  第２ボンディングパッド        ２０  発光ダイオード
２１  ダイ基板                        ２３  第１エピタキシャル層
２５  第２エピタキシャル層            ２５３  第１表面
２５５  第２表面                      ２７１  第１電極
２７３  第１連通電極                  ２９１  第２電極
２９３  第２連通電極                  ３０  発光ダイオードダイ
３１  ダイ基板                        ３３  第１エピタキシャル層
３３１  第１電極                      ３５  第２エピタキシャル層
３５１  第２電極                      ３５３  第１表面
３５５  第２表面                      ３７  電極絶縁層
４１  電力供給基板                    ４３  第１連通回路
４３１  第１電力供給回路              ４５  第２連通回路
４５１  第２電力供給回路              ４７  接合層
５１  電力供給基板                    ５３  第１連通回路
５３１  第１電力供給回路              ５５  第２連通回路
５５１  第２電力供給回路              ５７  静電放電保護装置
６０  発光ダイオードチップ            ６１  ダイ基板
６３  第１エピタキシャル層            ６３１  第１電極
６５  第２エピタキシャル層            ６５１  第２電極
６５３  第１表面                      ６５５  第２表面
６７  電極絶縁層                      ７１  電力供給基板
７３  第１連通回路                    ７３１  第１電力供給回路
７３５  第１ボンディングパッド        ７５  第２連通回路
７５５  第２ボンディングパッド        ７５１  第２電力供給回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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