(57)【要約】  【課題】  ディシング、スクラッチ、及びエロージョンの発生を抑制して精度良く被加工膜を研磨すると共に、研磨時の研磨速度（スループット）を低下させずに効率良く研磨することができる実用的な化学機械研磨方法及び化学機械研磨装置を提供する  【解決手段】  基板帯電工程での基板帯電手段１ｔへの正電圧の印加により半導体基板１の表面には負電荷１ｎが帯電している。研磨部帯電工程での研磨部帯電手段への正電圧の印加により研磨部９には正電荷９ｐが帯電している。研磨粒子１０には半導体基板１から研磨部９の方向へ向かう静電力１０ｆが作用し、研磨粒子１０は被加工膜から離れる方向へ移動するので、被加工膜での研磨粒子１０による摩擦を低減することができる。従って、被加工膜は研磨終点近くにおいて研磨速度を抑制された状態で研磨されるので、高精度の研磨処理を施される。【選択図】      図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨粒子を含有する研磨液を研磨部へ供給することにより半導体基板の表面に形成された被加工膜を研磨して平坦化する化学機械研磨方法において、
前記半導体基板の表面を前記研磨粒子の帯電電荷と同極性の電荷で帯電させる基板帯電工程を備えることを特徴とする化学機械研磨方法。
【請求項２】
前記基板帯電工程は前記被加工膜を所定の厚さまで化学機械研磨した後に施される工程であることを特徴とする請求項１記載の化学機械研磨方法。
【請求項３】
前記研磨部を前記研磨粒子の帯電電荷と逆極性の電荷で帯電させる研磨部帯電工程を備えることを特徴とする請求項１又は２記載の化学機械研磨方法。
【請求項４】
前記研磨部帯電工程は前記被加工膜を所定の厚さまで化学機械研磨した後に施される工程であることを特徴とする請求項３記載の化学機械研磨方法。
【請求項５】
前記研磨液中での研磨粒子の帯電電荷量及び研磨粒子の濃度の少なくとも一方の制御を行う研磨粒子制御工程を備えることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の化学機械研磨方法。
【請求項６】
前記制御は研磨部へ供給する前の研磨液へ電界を印加することにより行うことを特徴とする請求項５記載の化学機械研磨方法。
【請求項７】
前記研磨粒子制御工程は前記被加工膜を所定の厚さまで化学機械研磨した後に施される工程であることを特徴とする請求項５又は６記載の化学機械研磨方法。
【請求項８】
研磨粒子を含有する研磨液を研磨部に供給することにより半導体基板の表面に形成された被加工膜を研磨して平坦化する化学機械研磨方法において、
前記研磨部を前記研磨粒子の帯電電荷と逆極性の電荷で帯電させる研磨部帯電工程を備えることを特徴とする化学機械研磨方法。
【請求項９】
前記研磨部帯電工程は前記被加工膜を所定の厚さまで化学機械研磨した後に施される工程であることを特徴とする請求項８記載の化学機械研磨方法。
【請求項１０】
前記研磨液中での研磨粒子の帯電電荷量及び研磨粒子の濃度の少なくとも一方の制御を行う研磨粒子制御工程を備えることを特徴とする請求項８又は９記載の化学機械研磨方法。
【請求項１１】
前記制御は研磨部へ供給する前の研磨液へ電界を印加することにより行うことを特徴とする請求項１０記載の化学機械研磨方法。
【請求項１２】
前記研磨粒子制御工程は前記被加工膜を所定の厚さまで化学機械研磨した後に施される工程であることを特徴とする請求項１０又は１１記載の化学機械研磨方法。
【請求項１３】
研磨粒子を含有する研磨液を研磨部に供給することにより半導体基板の表面に形成された被加工膜を研磨して平坦化する化学機械研磨方法において、
前記研磨液中での研磨粒子の帯電電荷量及び研磨粒子の濃度の少なくとも一方の制御を行う研磨粒子制御工程を備えることを特徴とする化学機械研磨方法。
【請求項１４】
前記制御は研磨部へ供給する前の研磨液へ電界を印加することにより行うことを特徴とする請求項１３記載の化学機械研磨方法。
【請求項１５】
前記研磨粒子制御工程は前記被加工膜を所定の厚さまで化学機械研磨した後に施される工程であることを特徴とする請求項１３又は１４記載の化学機械研磨方法。
【請求項１６】
被加工膜を表面に形成された半導体基板を保持する基板保持部と、前記被加工膜を研磨するために被加工膜の表面に研磨部を圧接して回転する研磨回転台と、前記研磨部へ研磨粒子を含有する研磨液を供給する研磨液供給部とを備える化学機械研磨装置において、
前記半導体基板の表面を前記研磨粒子の帯電電荷と同極性の電荷で帯電させる基板帯電手段を備えることを特徴とする化学機械研磨装置。
【請求項１７】
前記基板帯電手段は前記半導体基板に対向して基板保持部に設けた電極であることを特徴とする請求項１６記載の化学機械研磨装置。
【請求項１８】
前記研磨部を前記研磨粒子の帯電電荷と逆極性の電荷で帯電させる研磨部帯電手段を備えることを特徴とする請求項１６又は１７記載の化学機械研磨装置。
【請求項１９】
前記研磨部帯電手段は前記研磨部に対向するように研磨回転台に設けた電極であることを特徴とする請求項１８記載の化学機械研磨装置。
【請求項２０】
前記研磨液供給部は研磨液中での研磨粒子の帯電電荷量及び研磨粒子の濃度の少なくとも一方の制御を行う粒子制御手段を備えることを特徴とする請求項１６ないし１９のいずれか一つに記載の化学機械研磨装置。
【請求項２１】
前記粒子制御手段は前記研磨液供給部に設けた電極であることを特徴とする請求項２０記載の化学機械研磨装置。
【請求項２２】
被加工膜を表面に形成された半導体基板を保持する基板保持部と、前記被加工膜を研磨するために被加工膜の表面に研磨部を圧接して回転する研磨回転台と、前記研磨部へ研磨粒子を含有する研磨液を供給する研磨液供給部とを備える化学機械研磨装置において、
前記研磨部を前記研磨粒子の帯電電荷と逆極性の電荷で帯電させる研磨部帯電手段を備えることを特徴とする化学機械研磨装置。
【請求項２３】
前記研磨部帯電手段は前記研磨部に対向するように研磨回転台に設けた電極であることを特徴とする請求項２２記載の化学機械研磨装置。
【請求項２４】
前記研磨液供給部は研磨液中での研磨粒子の帯電電荷量及び研磨粒子の濃度の少なくとも一方の制御を行う粒子制御手段を備えることを特徴とする請求項２２又は２３記載の化学機械研磨装置。
【請求項２５】
前記粒子制御手段は前記研磨液供給部に設けた電極であることを特徴とする請求項２４記載の化学機械研磨装置。
【請求項２６】
被加工膜を表面に形成された半導体基板を保持する基板保持部と、前記被加工膜を研磨するために被加工膜の表面に研磨部を圧接して回転する研磨回転台と、前記研磨部へ研磨粒子を含有する研磨液を供給する研磨液供給部とを備える化学機械研磨装置において、
前記研磨液供給部は研磨液中での研磨粒子の帯電電荷量及び研磨粒子の濃度の少なくとも一方の制御を行う粒子制御手段を備えることを特徴とする化学機械研磨装置。
【請求項２７】
前記粒子制御手段は前記研磨液供給部に設けた電極であることを特徴とする請求項２６記載の化学機械研磨装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路などの半導体装置の製造工程において半導体基板（半導体素子）の表面に形成された絶縁膜上の配線材料及び絶縁膜（被加工膜）が有する表面の凹凸を化学機械研磨方法により平坦化、又は除去するための化学機械研磨方法及び化学機械研磨装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路（以下、ＬＳＩという）の高集積化、高性能化に伴って新たな微細加工技術が開発されている。化学機械研磨（Chemical  Mechanical  Polishing。以下、ＣＭＰともいう）法もその一つであり、ＬＳＩ製造工程、特に多層配線形成工程における層間絶縁膜の平坦化、金属プラグ形成、埋め込み配線（ダマシン配線）形成などにおいて頻繁に利用される技術である。
【０００３】
配線に用いられる銅合金等による金属膜のＣＭＰを例にとり研磨の基本的なメカニズムを説明する。被研磨物である半導体基板（被加工膜としての金属膜を表面に形成された半導体基板）は基板保持部により保持され、基板保持部に保持された半導体基板の表面は研磨部により研磨される。この研磨の際には、研磨部と半導体基板の表面との間に研磨剤が供給される。供給される研磨剤は、研磨粒子（固体砥粒）と酸化性物質を主成分とするものが一般的である。他の成分としては必要に応じて固体砥粒の分散剤、界面活性剤、防食剤なども加えられる。つまり、ＣＭＰは酸化性物質の酸化作用で金属表面を酸化しながら、固体砥粒によってその酸化物を機械的に除去するものである。
【０００４】
ＣＭＰによる研磨の際の平坦性を確保するための従来技術として特許文献１に記載されたものがある。従来のＣＭＰでは、研磨液に固体砥粒を含まないか、含むとしても１重量％未満の低濃度の固体砥粒を含むとしている。また、ｐＨ及び酸化還元電位が金属膜の腐食(酸化)域である研磨液を用いて、研磨すべき金属膜表面を酸化しながら機械的に摩擦することにより平坦化を行っている。
【０００５】
特許文献１記載の従来技術により研磨した半導体装置の配線幅と表面平坦性（エロージョン及びディシング）の関係は次のようになっている。固体砥粒としてのアルミナ砥粒を含む研磨液を使用した場合、アルミナ砥粒を含まない研磨液を使用した場合のいずれにおいても、ディシング量、エロージョン量ともに配線幅が太くなるにつれて大きくなる傾向にある。また、例えば、配線幅１００μｍでは、アルミナ砥粒を含む場合のエロージョン量は１００ｎｍ程度、ディシング量及びエロージョン量の合計は２３０ｎｍ程度であり、アルミナ砥粒を含まない場合のエロージョン量は４０ｎｍ程度、ディシング量及びエロージョン量の合計は１００ｎｍ程度である。つまり、アルミナ砥粒をなくすことによってディシング量は約半分に低減され、配線幅４μｍ以下の配線のエロージョン量はほとんどＳＥＭでは観察できない程度（１０ｎｍ以下）に低減されている。
【０００６】
また、特許文献１では、研磨した半導体装置（配線幅９０μｍの銅配線）の断面について、アルミナ砥粒を含む研磨液を使用した場合とアルミナ砥粒を含まない研磨液を使用した場合のＳＥＭ観察の結果を比較し、両者の間では平坦性に顕著な差が観察されたとしている。つまり、アルミナ砥粒濃度が０．５重量％以下の研磨液（アルミナ砥粒を含まない研磨液）を用いてＣＭＰを行うことにより、ディシングとエロージョンを抑制した埋め込み配線構造を形成できるとしている。
【０００７】
また、特許文献１では、アルミナ砥粒を含む研磨液を使用した場合とアルミナ砥粒を含まない研磨液を使用した場合のスクラッチ（研磨傷）抑制効果を比較し、両者の間ではスクラッチ抑制効果に顕著な差が観察されたとしている。つまり、１重量％以上のアルミナ砥粒濃度の研磨液（アルミナ砥粒を含む研磨液）でＣＭＰを行ったシリコン酸化膜表面にはウエハ当たり１００〜１０００個の点状スクラッチが光学顕微鏡で観察されたのに対し、アルミナ砥粒濃度が０．５重量％以下の研磨液（アルミナ砥粒を含まない研磨液）を用いてＣＭＰを行った場合には、点状スクラッチをウエハ当たり数個程度に抑制されたとしている。
【特許文献１】特開平１１−１３５４６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来の金属膜研磨用の固体砥粒（一般にアルミナ砥粒）を主成分として含む研磨液（スラリー）を用いて半導体基板の表面に形成された被加工膜（絶縁膜、金属膜）の平坦化を行う場合、特に線幅１００μｍ程度以上の広い線幅のパターンにて絶縁膜に形成された溝の内部に埋め込まれる金属配線を平坦化する場合、金属配線の表面中央部分が周辺部分よりも過剰に研磨されて凹む現象（ディシング）によって１００nm程度の深さの凹みが発生し、金属配線抵抗のバラツキを増加させるという問題がある。又、研磨用の固体砥粒により半導体表面にスクラッチ（研磨傷）が発生するという問題がある。ディシングやスクラッチが発生する原因としては、研磨砥粒の主材料であるアルミナ砥粒は銅などの配線金属材料だけではなく、絶縁膜の主材料である酸化シリコンなどよりも硬度が高いことが挙げられる。このため、配線用金属膜の表面にディシングが入るだけでなくＣＭＰによって露出した絶縁膜の表面にもスクラッチやエロージョン（配線部周辺の絶縁膜表面が研磨される現象）が発生し、さらに大きな問題となる。
【０００９】
また、従来技術として研磨砥粒を含まない研磨液にて半導体基板表面の平坦化を行う手法もあるが、この方法では研磨速度が８０ｎｍ／ｍｉｎと極端に遅くなることから、研磨工程（平坦化工程）のスループット（処理能力）を高くすることができなかった。一般に生産工程で運用されている金属配線材料の研磨速度は５００〜８００ｎｍ／ｍｉｎであるので、研磨砥粒を含まない研磨液を用いて研磨する方法はスループットを考慮すると実用的とは言えない。
【００１０】
また、従来技術では研磨強度（研磨速度）の変更手段としては、（１）被研磨物である半導体基板に加える荷重を変更する方法、（２）半導体基板の表面を研磨するために半導体基板の表面に押し当てて回転する回転研磨台（研磨ターンテーブル）の回転数（ターンテーブル回転数）を変更する方法、（３）被研磨物である半導体基板を保持する基板保持部の回転数(トップリング回転数) を変更する方法、のいずれかの方法が取られるが、いずれも機械的な制御が必要で, 多段階で高精度な制御は容易でなかった。
【００１１】
本発明は、斯かる問題に鑑みてなされたものであり、半導体表面の被加工膜の平坦化を行う際に、ディシング、スクラッチ、及びエロージョンの発生を抑制して精度良く被加工膜を研磨すると共に、研磨時の研磨速度（スループット）を低下させずに効率良く研磨することができる実用的な化学機械研磨方法及び化学機械研磨装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る化学機械研磨方法は、研磨粒子を含有する研磨液を研磨部へ供給することにより半導体基板の表面に形成された被加工膜を研磨して平坦化する化学機械研磨方法において、前記半導体基板の表面を前記研磨粒子の帯電電荷と同極性の電荷で帯電させる基板帯電工程を備えることを特徴とする。
【００１３】
本発明に係る化学機械研磨方法では、前記基板帯電工程は前記被加工膜を所定の厚さまで化学機械研磨した後に施される工程であることを特徴とする。
【００１４】
本発明に係る化学機械研磨方法では、前記研磨部を前記研磨粒子の帯電電荷と逆極性の電荷で帯電させる研磨部帯電工程を備えることを特徴とする。
【００１５】
本発明に係る化学機械研磨方法では、前記研磨部帯電工程は前記被加工膜を所定の厚さまで化学機械研磨した後に施される工程であることを特徴とする。
【００１６】
本発明に係る化学機械研磨方法では、前記研磨液中での研磨粒子の帯電電荷量及び研磨粒子の濃度の少なくとも一方の制御を行う研磨粒子制御工程を備えることを特徴とする。
【００１７】
本発明に係る化学機械研磨方法では、前記制御は研磨部へ供給する前の研磨液へ電界を印加することにより行うことを特徴とする。
【００１８】
本発明に係る化学機械研磨方法では、前記研磨粒子制御工程は前記被加工膜を所定の厚さまで化学機械研磨した後に施される工程であることを特徴とする。
【００１９】
本発明に係る化学機械研磨方法は、研磨粒子を含有する研磨液を研磨部に供給することにより半導体基板の表面に形成された被加工膜を研磨して平坦化する化学機械研磨方法において、前記研磨部を前記研磨粒子の帯電電荷と逆極性の電荷で帯電させる研磨部帯電工程を備えることを特徴とする。
【００２０】
本発明に係る化学機械研磨方法では、前記研磨部帯電工程は前記被加工膜を所定の厚さまで化学機械研磨した後に施される工程であることを特徴とする。
【００２１】
本発明に係る化学機械研磨方法では、前記研磨液中での研磨粒子の帯電電荷量及び研磨粒子の濃度の少なくとも一方の制御を行う研磨粒子制御工程を備えることを特徴とする。
【００２２】
本発明に係る化学機械研磨方法では、前記制御は研磨部へ供給する前の研磨液へ電界を印加することにより行うことを特徴とする。
【００２３】
本発明に係る化学機械研磨方法では、前記研磨粒子制御工程は前記被加工膜を所定の厚さまで化学機械研磨した後に施される工程であることを特徴とする。
【００２４】
本発明に係る化学機械研磨方法は、研磨粒子を含有する研磨液を研磨部に供給することにより半導体基板の表面に形成された被加工膜を研磨して平坦化する化学機械研磨方法において、前記研磨液中での研磨粒子の帯電電荷量及び研磨粒子の濃度の少なくとも一方の制御を行う研磨粒子制御工程を備えることを特徴とする。
【００２５】
本発明に係る化学機械研磨方法では、前記制御は研磨部へ供給する前の研磨液へ電界を印加することにより行うことを特徴とする。
【００２６】
本発明に係る化学機械研磨方法では、前記研磨粒子制御工程は前記被加工膜を所定の厚さまで化学機械研磨した後に施される工程であることを特徴とする。
【００２７】
本発明に係る化学機械研磨装置は、被加工膜を表面に形成された半導体基板を保持する基板保持部と、前記被加工膜を研磨するために被加工膜の表面に研磨部を圧接して回転する研磨回転台と、前記研磨部へ研磨粒子を含有する研磨液を供給する研磨液供給部とを備える化学機械研磨装置において、前記半導体基板の表面を前記研磨粒子の帯電電荷と同極性の電荷で帯電させる基板帯電手段を備えることを特徴とする。
【００２８】
本発明に係る化学機械研磨装置では、前記基板帯電手段は前記半導体基板に対向して基板保持部に設けた電極であることを特徴とする。
【００２９】
本発明に係る化学機械研磨装置では、前記研磨部を前記研磨粒子の帯電電荷と逆極性の電荷で帯電させる研磨部帯電手段を備えることを特徴とする。
【００３０】
本発明に係る化学機械研磨装置では、前記研磨部帯電手段は前記研磨部に対向するように研磨回転台に設けた電極であることを特徴とする。
【００３１】
本発明に係る化学機械研磨装置では、前記研磨液供給部は研磨液中での研磨粒子の帯電電荷量及び研磨粒子の濃度の少なくとも一方の制御を行う粒子制御手段を備えることを特徴とする。
【００３２】
本発明に係る化学機械研磨装置では、前記粒子制御手段は前記研磨液供給部に設けた電極であることを特徴とする。
【００３３】
本発明に係る化学機械研磨装置は、被加工膜を表面に形成された半導体基板を保持する基板保持部と、前記被加工膜を研磨するために被加工膜の表面に研磨部を圧接して回転する研磨回転台と、前記研磨部へ研磨粒子を含有する研磨液を供給する研磨液供給部とを備える化学機械研磨装置において、前記研磨部を前記研磨粒子の帯電電荷と逆極性の電荷で帯電させる研磨部帯電手段を備えることを特徴とする。
【００３４】
本発明に係る化学機械研磨装置では、前記研磨部帯電手段は前記研磨部に対向するように研磨回転台に設けた電極であることを特徴とする。
【００３５】
本発明に係る化学機械研磨装置では、前記研磨液供給部は研磨液中での研磨粒子の帯電電荷量及び研磨粒子の濃度の少なくとも一方の制御を行う粒子制御手段を備えることを特徴とする。
【００３６】
本発明に係る化学機械研磨装置では、前記粒子制御手段は前記研磨液供給部に設けた電極であることを特徴とする。
【００３７】
本発明に係る化学機械研磨装置は、被加工膜を表面に形成された半導体基板を保持する基板保持部と、前記被加工膜を研磨するために被加工膜の表面に研磨部を圧接して回転する研磨回転台と、前記研磨部へ研磨粒子を含有する研磨液を供給する研磨液供給部とを備える化学機械研磨装置において、前記研磨液供給部は研磨液中での研磨粒子の帯電電荷量及び研磨粒子の濃度の少なくとも一方の制御を行う粒子制御手段を備えることを特徴とする。
【００３８】
本発明に係る化学機械研磨装置では、前記粒子制御手段は前記研磨液供給部に設けた電極であることを特徴とする。
【００３９】
本発明にあっては、半導体基板の表面を研磨粒子の帯電電荷と同極性の電荷で帯電させ、研磨粒子を被加工膜の面から離すこととしたので、研磨粒子の影響すなわち研磨速度を抑制でき、高精度に研磨量を制御できる化学機械研磨方法となる。
【００４０】
本発明にあっては、研磨部を研磨粒子の帯電電荷と逆極性の電荷で帯電させ、研磨粒子を被加工膜の面から離すこととしたので、研磨粒子の影響すなわち研磨速度を抑制でき、高精度に研磨量を制御できる化学機械研磨方法となる。
【００４１】
本発明にあっては、研磨液中での研磨粒子の帯電電荷量及び研磨粒子の濃度の少なくとも一方の制御を行うこととしたので、被加工膜の面での研磨粒子の濃度を抑制でき、高精度に研磨量を制御できる化学機械研磨方法となる。
【００４２】
本発明にあっては、半導体基板の表面を研磨粒子の帯電電荷と同極性の電荷で帯電させる基板帯電手段を備えることとしたので、研磨粒子の影響すなわち研磨速度を抑制でき、高精度に研磨量を制御できる化学機械研磨装置となる。
【００４３】
本発明にあっては、研磨部を研磨粒子の帯電電荷と逆極性の電荷で帯電させる研磨部帯電手段を備えることとしたので、研磨粒子の影響すなわち研磨速度を抑制でき、高精度に研磨量を制御できる化学機械研磨装置となる。
【００４４】
本発明にあっては、研磨液供給部は研磨液中での研磨粒子の帯電電荷量及び研磨粒子の濃度の少なくとも一方の制御を行う粒子制御手段を備えることとしたので、研磨粒子の影響すなわち研磨速度を抑制でき、高精度に研磨量を制御できる化学機械研磨装置となる。
【発明の効果】
【００４５】
本発明にあっては、半導体基板表面を研磨粒子の帯電電荷と同極性に帯電させるので、研磨粒子の影響を抑制し、高精度に研磨速度を制御可能な化学機械研磨方法及び化学機械研磨装置を提供できる。
【００４６】
本発明にあっては、研磨部を研磨粒子の帯電電荷と逆極性の電荷で帯電させるので、研磨粒子を制御し、高精度に研磨速度を制御可能な化学機械研磨方法及び化学機械研磨装置を提供できる。
【００４７】
本発明にあっては、研磨液中での研磨粒子の帯電電荷量及び研磨粒子の濃度の少なくとも一方の制御を行うので、研磨粒子の影響を抑制し、高精度に研磨速度を制御可能な化学機械研磨方法及び化学機械研磨装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４８】
以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて説明する。
【００４９】
（実施の形態１）図１〜図４は本発明の実施の形態１に係る化学機械研磨方法を説明するための各工程での半導体装置の概略断面図である。
【００５０】
図１はダマシン配線形成を行うための溝部を絶縁膜に形成した状態の半導体装置の概略断面図である。同図において、１は例えばシリコン単結晶で構成される半導体基板である。半導体基板１には各種の処理が施されて最終的には半導体装置が形成される。半導体基板１の表面には、例えばＢＰＳＧ（Boron  Phosphorous  Silicate  Glass）で構成される絶縁膜２が形成される。また、半導体基板１の基板内部には内部に形成される能動素子などを分離するための素子分離膜３が形成される。絶縁膜２には、半導体基板１の内部に形成された能動素子などの所定領域とのコンタクトを取るために、例えば埋め込みタングステン膜で構成されるタングステンプラグ４が形成される。絶縁膜２の上部にはさらにダマシン配線形成用の絶縁膜５が形成され、銅などの金属配線を埋め込んでダマシン配線を形成するための溝部５ｈがタングステンプラグ４に対応させて形成される。絶縁膜５は、例えば酸化珪素又は低誘電率膜などで構成される。
【００５１】
図２は溝部にバリアメタル膜を形成し、さらにダマシン配線用の配線膜を堆積した状態の半導体装置の概略断面図である。同図において、絶縁膜５及びタングステンプラグ４の表面には、例えばタンタル（Ｔａ）やチタン（Ｔｉ）などで構成されるバリアメタル膜６を堆積し、さらにバリアメタル膜６の表面に例えば銅（Ｃｕ）などで構成される配線材料膜７を堆積（積層）する。バリアメタル膜６及び配線材料膜７を積層形成した後、適宜の条件でアニール処理を行い、各積層膜相互間の密着性を確保する。バリアメタル膜６及び配線材料膜７は前工程での下地膜（絶縁膜５）の段差の影響を受けることから、表面に凹凸状の段差が生じるので、化学機械研磨法（以下、ＣＭＰ法ともいう）を用いて平坦化処理（溝部５ｈへの埋め込み処理）を施す。ここでは、バリアメタル膜６及び配線材料膜７が被加工膜となる。バリアメタル膜６は配線材料膜７とタングステンプラグ４とのコンタクト性を改善する他に、配線材料膜７の平坦化処理時のエッチングストッパとして作用させる場合がある。
【００５２】
ＣＭＰに用いる研磨液は水を主成分（例えば９０％以上）とし、例えば研磨粒子を数％以下含み、比重は約１．０１〜１．０３程度である。研磨粒子は例えば、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）、フュームドシリカ、コロイダルシリカなどのシリカ（ＳｉＯ）、セリア（ＣｅＯ）、酸化マンガン（ＭｎＯ2 、Ｍｎ2 Ｏ3 ）で構成される。
【００５３】
配線材料膜７の研磨に対する主な研磨条件は、スラリフロー（研磨液の流量）：２００ｃｃ／ｍｉｎ、研磨部（研磨パッド）：ＩＣ１０００／ＳＵＢＡ４００（ロデ−ル社の商品名）、荷重（ＤＦ）：３００ｇ／ｃｍ2 、半導体ウェハ（半導体基板１をウェハ状態で処理）を回転させるトップリング（ＴＲ）回転数：１００ｒｐｍ、研磨パッドを回転させるターンテーブル（ＴＴ）回転数：１００ｒｐｍである。なお、化学機械研磨装置の各部の名称、研磨粒子の構成などは後述する。
【００５４】
図３は堆積した配線膜をバリアメタル膜が露出する直前まで研磨した状態の半導体装置の概略断面図である。同図において、半導体基板１の表面に形成された被加工膜（配線材料膜７）の表面にできた凹凸状の段差がＣＭＰにより研磨処理されて平坦化が進み、バリアメタル膜６が露出する直前に至った状態（配線材料膜７を所定の厚さまで研磨した状態）を示す。ここまでの研磨は通常のＣＭＰによるものとするが、これに限るものではない。また、所定の膜厚になるまでは通常のＣＭＰを適用することから、実質的に研磨速度を従来のＣＭＰと同程度に維持することが可能となる。
【００５５】
研磨粒子制御工程（粒子制御手段）
通常のＣＭＰによる配線材料膜７の研磨の終点に近づいた段階（被加工膜である配線材料膜７を所定の厚さまで研磨した段階。所定の厚さは適宜設定するものとする。）、例えば配線材料膜７の下地であるバリアメタル膜６が露出する直前に、研磨液に含有される研磨粒子の帯電電荷量及び研磨粒子の研磨液での濃度の少なくとも一方を制御するために、研磨液に電界を印加するための研磨粒子制御工程を設ける。つまり、後述する化学機械研磨装置の研磨液供給部に設けた電極（粒子制御手段）に例えば１〜２０Ｖ程度の直流電圧を印加する。研磨粒子は後述するように負に帯電していることから、電界の印加により影響されるので、例えば正の電圧を印加すれば、研磨粒子に対し電極方向への静電的な吸引力を作用させることにより研磨部（被加工膜）に供給される研磨液での研磨粒子の濃度を抑制することができる。研磨粒子の濃度を抑制する結果、研磨速度を抑制することができ、高精度に研磨速度の制御をすることが可能となる。高精度に研磨速度の制御をすることから、被加工膜に対する高精度の研磨処理を施すことができる。また、研磨粒子により発生するスクラッチ、ディッシング、エロージョンを抑制することができる。
【００５６】
基板帯電工程（基板帯電手段）
研磨粒子制御工程の次に、又は多少前後して、あるいは独立した個別の工程として、半導体基板１の表面を研磨粒子の帯電電荷と同極性の電荷で帯電させる基板帯電工程を設ける。つまり、後述する化学機械研磨装置の基板保持部に半導体基板１と対向するようにして設けた電極（基板帯電手段）に例えば５〜１０秒程度の短い期間、−１０Ｖ程度の電圧（負電圧）を印加する。半導体基板１は全体として見ると、誘電体の状態となっていることから、基板側に正の電荷が誘引され、被加工膜の面側（研磨液側の面）に負の電荷が誘引される。つまり、被加工膜の面側に研磨粒子と同極性の電荷を帯電させることができる。研磨粒子は研磨液の中で移動可能な状態であるから、同極性の電荷同士に作用する静電的な反発力により、研磨粒子は被加工膜の表面から離れる方向に移動することになる。従って、被加工膜の表面では実質上研磨粒子の濃度が抑制された状態となり、研磨粒子の濃度が抑制された結果、研磨速度を抑制することができ、高精度に研磨速度の制御をすることが可能となる。高精度に研磨速度の制御をすることから、被加工膜に対する高精度の研磨処理を施すことができる。また、研磨粒子により発生するスクラッチ、ディッシング、エロージョンを抑制することができる。
【００５７】
研磨部帯電工程（研磨部帯電手段）
研磨粒子制御工程、基板帯電工程の次に、あるいは多少前後して、被加工膜を研磨する研磨部を研磨粒子の帯電電荷と逆極性の電荷で帯電させる研磨部帯電工程を設ける。つまり、後述する化学機械研磨装置の研磨部に対向して設けた電極（研磨部帯電手段）に適宜の正電圧を印加する。この電圧の印加により、研磨部（研磨液側の表面）には研磨粒子の帯電電荷と逆極性の正の電荷が誘引される。逆極性の電荷同士に作用する静電的な吸引力により、研磨粒子は研磨部の側に引き寄せられ、結果として研磨粒子は被加工膜の表面から離れる方向に移動することになる。従って、被加工膜の表面では実質上研磨粒子の濃度が抑制された状態となり、研磨粒子の濃度が抑制された結果、研磨速度を抑制することができ、高精度に研磨速度の制御をすることが可能となる。高精度に研磨速度の制御をすることから、被加工膜に対する高精度の研磨処理を施すことができる。また、研磨粒子により発生するスクラッチ、ディッシング、エロージョンを抑制することができる。
【００５８】
研磨粒子制御工程（粒子制御手段）、基板帯電工程（基板帯電手段）、研磨部帯電工程（研磨部帯電手段）は、それぞれ個別の工程としても良いし、また同時に施す工程としても同様に作用する。また、任意の組み合わせを取ることも可能である。いずれも、被加工膜を所定の厚さまで研磨した段階で採用することにより、研磨速度を抑制することが可能となり、研磨速度を精密に制御することができる。印加電圧の大きさなどは、化学機械研磨装置の大きさなどから適宜設定すべきものであり、上述した実施例に限定されるものではない。通常の化学機械研磨による研磨で被加工膜を所定の厚さまで研磨した後に、本実施の形態に係る化学機械研磨法を適用することにより、実質的に研磨速度（処理能力）を落とすことなく、被加工膜に対する高精度の研磨処理を施すことができる。さらに、研磨粒子により発生するスクラッチ、ディッシング、エロージョンを抑制することができる。
【００５９】
図４は本発明の化学機械研磨装置を適用した研磨状態での半導体装置の概略断面図である。同図において、被加工膜（配線材料膜７）が研磨による平坦化処理をほぼ終了し、ダマシン配線膜７ｗが形成され、次には被加工膜（バリアメタル膜６）の研磨が開始される直前の状態を示す。バリアメタル膜６と研磨部９との間に研磨液８が注入（導入）されてあり、研磨液８の中には適宜の濃度に制御（調整）された研磨粒子１０が分布している。上述したとおり、基板帯電工程での基板帯電手段１ｔへの正電圧の印加により半導体基板１の表面には負電荷１ｎが帯電している。また、研磨部帯電工程での研磨部帯電手段への正電圧の印加により研磨部９（研磨液側の表面）には正電荷９ｐが帯電している。研磨粒子１０には半導体基板１から研磨部９の方向へ向かう静電力１０ｆが作用し、研磨粒子１０は被加工膜（バリアメタル膜６）から離れる方向へ移動するので、被加工膜での研磨粒子１０による摩擦を低減（つまり、研磨速度を抑制）することができる。従って、被加工膜（配線材料膜７）は研磨終点近くにおいて研磨速度を抑制された状態で研磨されるので、高精度の研磨処理を施される。
【００６０】
配線材料膜７の研磨を終了した後、通常のＣＭＰによりバリアメタル膜６の研磨を行う。バリアメタル膜６の研磨に対する主な研磨条件は、スラリフロー（研磨液の流量）：２００ｃｃ／ｍｉｎ、研磨部（研磨パッド）にＩＣ１０００／ＳＵＢＡ４００（ロデ−ル社の商品名）、荷重（ＤＦ）：２００ｇ／ｃｍ2 、半導体ウェハを回転させるトップリング（ＴＲ）回転数：４０ｒｐｍ、研磨パッドを回転させるターンテーブル（ＴＴ）回転数：５０ｒｐｍである。バリアメタル膜６の膜厚は先に研磨した配線材料膜７の膜厚よりも薄いので、配線材料膜７の研磨に対する研磨条件に比べ、バリアメタル膜６の研磨に対する研磨条件は、研磨速度を落として平坦化処理の加工精度を確保するように各条件を選定している。
【００６１】
研磨粒子制御工程（粒子制御手段）
通常のＣＭＰによるバリアメタル膜６の研磨が終点に近づいた段階（被加工膜であるバリアメタル膜６を所定の厚さまで研磨した段階。所定の厚さは適宜設定するものとする。）、例えばバリアメタル膜６の下地である絶縁膜５が露出する直前に、配線材料膜７の研磨の場合と同様にして、研磨液８に含有される研磨粒子１０の帯電電荷量及び研磨粒子１０の研磨液での濃度の少なくとも一方を制御するために、研磨液８に電界を印加するための研磨粒子制御工程を設ける。つまり、後述する化学機械研磨装置の研磨液供給部に設けた電極（粒子制御手段）に例えば１〜２０Ｖ程度の直流電圧を印加する。研磨粒子１０の作用、効果などは上述した配線材料膜７の場合と同様である。なお、バリアメタル膜６は薄いので配線材料膜７の研磨工程よりも研磨速度をさらに抑制することが好ましい。
【００６２】
基板帯電工程（基板帯電手段）
配線材料膜７の研磨の場合と同様に、バリアメタル膜６の研磨の場合も研磨粒子制御工程の次に、又は多少前後して、あるいは独立した個別の工程として、半導体基板１の表面を研磨粒子１０の帯電電荷と同極性の電荷で帯電させる基板帯電工程を設ける。つまり、後述する化学機械研磨装置の基板保持部に半導体基板１と対向するようにして設けた電極（基板帯電手段）に例えば５〜１０秒程度の短い期間、−１０Ｖ程度の電圧（負電圧）を印加する。研磨粒子１０の作用、効果などは上述した配線材料膜７の場合と同様である。なお、バリアメタル膜６は薄いので配線材料膜７の研磨工程よりも研磨速度をさらに抑制することが好ましい。
【００６３】
研磨部帯電工程（研磨部帯電手段）
配線材料膜７の研磨の場合と同様に、バリアメタル膜６の研磨の場合も研磨粒子制御工程、基板帯電工程の次に、あるいは多少前後して、被加工膜（バリアメタル膜６）を研磨する研磨部を研磨粒子１０の帯電電荷と逆極性の電荷で帯電させる研磨部帯電工程を設ける。つまり、後述する化学機械研磨装置の研磨部に対向して設けた電極（研磨部帯電手段）に適宜の正電圧を印加する。研磨粒子１０の作用、効果などは上述した配線材料膜７の場合と同様である。なお、バリアメタル膜６は薄いので配線材料膜７の研磨工程よりも研磨速度をさらに抑制することが好ましい。
【００６４】
（実施の形態２）図５〜図７は本発明の実施の形態２に係る化学機械研磨方法を説明するための各工程での半導体装置の概略断面図である。
【００６５】
図５は半導体基板にＭＯＳトランジスタを形成した状態を示す半導体装置の概略断面図である。同図において、半導体基板１には、ゲート酸化膜１２、多結晶シリコンなどで構成されるゲート電極１３、ＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域１４、ＨＴＯ膜で構成されるサイドウォール１５、サリサイド膜１６及び熱ＣＶＤなどで形成した表面保護膜としてのＢＰＳＧ膜１７が形成されている。ＢＰＳＧ膜１７の表面は、ＭＯＳトランジスタが有する各部の段差による影響を受けて凹凸状の段差を生じる。
【００６６】
図６はＢＰＳＧ膜の表面を研磨してほぼ平坦化した状態の半導体装置の概略断面図である。凹凸状の大きな段差を有していたＢＰＳＧ膜１７は通常のＣＭＰにより平坦化されて表面の段差が低減されたＢＰＳＧ膜１７ａとなった状態を示している。ＢＰＳＧ膜１７の主な研磨条件は、スラリフロー（研磨液の流量）：２００ｃｃ／ｍｉｎ、研磨部（研磨パッド）：ＩＣ１０００／ＳＵＢＡ４００（ロデ−ル社の商品名）、荷重（ＤＦ）：２００ｇ／ｃｍ2、半導体ウェハ（半導体基板１をウェハ状態で処理）を回転させるトップリング（ＴＲ）回転数：８０ｒｐｍ、研磨パッドを回転させるターンテーブル（ＴＴ）回転数：９０ｒｐｍである。なお、使用する化学機械研磨装置は実施の形態１と同様である。
【００６７】
図７は本発明の化学機械研磨装置を適用した研磨状態での半導体装置の概略断面図である。同図において、被加工膜（ＢＰＳＧ膜１７）が所定の厚さ（ＢＰＳＧ膜１７ａ）まで研磨され、通常のＣＭＰでの研磨による平坦化処理を終了し、本発明によるＣＭＰ法を開始した直後の状態を示す。研磨液８、研磨部９、研磨粒子１０などの状態は図４（実施の形態１）と基本的には同一であるので、同一部分には同一符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【００６８】
研磨粒子制御工程（粒子制御手段）
通常のＣＭＰによるＢＰＳＧ膜１７の研磨が終点に近づいて、ＢＰＳＧ膜１７ａとなった段階（被加工膜であるＢＰＳＧ膜１７を所定の厚さまで研磨した段階。所定の厚さは適宜設定するものとする。）で、実施の形態１の場合と同様にして研磨液８に含有される研磨粒子１０の帯電電荷量及び研磨粒子１０の研磨液での濃度の少なくとも一方を制御するために、研磨液８に電界を印加するための研磨粒子制御工程を設ける。つまり、後述する化学機械研磨装置の研磨液供給部に設けた電極（粒子制御手段）に例えば１〜２０Ｖ程度の直流電圧を印加する。研磨粒子制御工程での研磨粒子１０の作用、効果などは上述した実施の形態１の場合と同様である。
【００６９】
基板帯電工程（基板帯電手段）
実施の形態１の場合と同様に、ＢＰＳＧ膜１７ａの研磨の場合も研磨粒子制御工程の次に、又は多少前後して、あるいは独立した個別の工程として、半導体基板１の表面（被加工膜であるＢＰＳＧ膜１７ａの表面）を研磨粒子１０の帯電電荷と同極性の電荷で帯電させる基板帯電工程を設ける。つまり、後述する化学機械研磨装置の基板保持部に半導体基板１と対向するようにして設けた電極（基板帯電手段）に例えば５〜１０秒程度の短い期間、−１０Ｖ程度の電圧（負電圧）を印加する。基板帯電工程での研磨粒子１０の作用、効果などは上述した実施の形態１の場合と同様である。
【００７０】
研磨部帯電工程（研磨部帯電手段）
実施の形態１の場合と同様に、ＢＰＳＧ膜１７ａの研磨の場合も研磨粒子制御工程、基板帯電工程の次に、あるいは多少前後して、被加工膜を研磨する研磨部を研磨粒子の帯電電荷と逆極性の電荷で帯電させる研磨部帯電工程を設ける。つまり、後述する化学機械研磨装置の研磨部に対向して設けた電極（研磨部帯電手段）に適宜の正電圧を印加する。研磨部帯電工程での研磨粒子１０の作用、効果などは上述した実施の形態１の場合と同様である。
【００７１】
（実施の形態３）図８は本発明の実施の形態３に係る化学機械研磨装置の概略説明図である。本発明の実施の形態１、２に係る化学機械研磨方法は、実施の形態３に示す化学機械研磨装置により実現することができるものである。
【００７２】
同図において、化学機械研磨装置２０は半導体基板１を保持して回転させる基板保持部（トップリング）２１、基板保持部２１を回転方向２２ｒに回転するための基板回転駆動部２２、半導体基板１の表面に形成された被加工膜の表面に研磨部（研磨パッド）２６（研磨部９に対応）を圧接する研磨回転台（ターンテーブル）２７、研磨回転台２７を回転方向２８ｒに回転するための研磨回転台駆動部２８、研磨液８を研磨部２６へ供給する研磨液供給部３１を備える。なお、回転方向２２ｒと回転方向２８ｒとは相互に逆回転となるようにすることが均一な研磨特性を得るためには好ましい。
【００７３】
基板保持部２１、基板回転駆動部２２は加圧手段２３により加圧方向２３ｆに加圧され、半導体基板１を研磨部２６に圧接することにより、研磨部２６により半導体基板１の表面に形成された被加工膜を研磨する。基板保持部２１は半導体基板１に電圧を印加して半導体基板１の表面（被加工膜の面）を研磨粒子１０の帯電電荷と同極性の電荷で帯電させる基板帯電手段としての電極（基板電極）２４を備える。電極２４は半導体基板１に対向し、半導体基板１の裏面に直接接触できる平板が均一な電界を得るためには好ましいがこれに限るものではない。基板帯電工程で、電極２４に外部から適宜の手段により所定の電圧を印加することにより、半導体基板１の表面を帯電させることができる。
【００７４】
半導体基板１に対向して配置され被加工膜の表面に研磨部２６を圧接して回転する研磨回転台２７は、研磨部２６を研磨粒子１０の帯電電荷と逆極性の電荷で帯電させる研磨部帯電手段としての電極（研磨部電極）２９を備える。電極２９は研磨部２６に対向して、研磨部２６の表面（研磨液８に対向する面）を均一に帯電させる構成とされる。電極２４と同様に平板が好ましいがこれに限るものではない。研磨部帯電工程で、電極２９に外部から適宜の手段により所定の電圧を印加することにより、研磨部２６の表面を帯電させることができる。なお、研磨部２６には商用の研磨パッド（研磨布）を用いることが便宜である。
【００７５】
研磨液供給部３１は、その先端にノズルを有し、ノズルから研磨粒子１０を含む研磨液８を研磨部２６の表面に供給する。研磨供給部３１は研磨液８を流す管路で構成され、管路の周囲に研磨粒子１０の濃度の制御及び研磨粒子１０の帯電電荷量の少なくとも一方の制御をする粒子制御手段としての電極３２（研磨液制御電極３２）をリング状（リング電極）に備える。電極３２に、例えば１〜２０Ｖの直流電圧を印加することにより、研磨粒子１０の電荷量及び研磨液中の研磨粒子数量を制御することができる。
【００７６】
尚、本発明に係る化学機械研磨方法、化学機械研磨装置を用いれば、実施の形態１での配線材料の研磨、実施の形態２でのＢＰＳＧ膜の研磨のみならず、ＣＭＰ研磨が適用される他の工程、すなわち素子分離形成でのＳＴＩ（Shallow  Trench  Isolation）形成用ＣＭＰ、コンタクト部埋め込みタングステン形成用ＣＭＰ、層間絶縁膜（酸化珪素、及び低誘電率膜）形成用ＣＭＰなどの工程にも適用でき、高精度な研磨処理が可能となり、スクラッチ、ディッシング、エロージョンを大きく抑制することができる。
【００７７】
図９は本発明の原理を説明するための研磨液中での研磨粒子の帯電状態の模式図である。水などの溶媒（研磨液８）中に分散させたアルミナやシリカなどの研磨粒子１０の表面にはヒドロキシル基（ＯＨ−基）が形成されることから、研磨粒子１０の表面は負に帯電し、その負の電荷量は水素イオン濃度ｐＨ値に依存し、高いｐＨ値になるほど増大する。
また、研磨粒子１０の周囲では、研磨粒子１０の表面の負電荷による影響を受けて、水溶液中のＫ＋（カリウムのプラスイオン）やＮａ＋（ナトリウムのプラスイオン）などの正の電荷が取り巻くことになり、滑り層として作用する電気二重層１０ｄが形成される。また、電気二重層１０ｄの周囲には研磨液８の中の自由電荷８ｃが存在する。つまり、研磨粒子１０は負に帯電していることがわかる。
【００７８】
電気二重層１０ｄの最外面（滑り面）の電位、すなわち研磨液（スラリ）中の加工液及び研磨粒子１０の電位であるζ電位を調整して予め高くした研磨液８を使用することで、外部からの電界（静電力）に効果的に反応する研磨粒子１０とすることができる。外部から電界を印加する方法としては、半導体基板１（の裏面）に電圧を印加することにより半導体基板１の表面（被加工膜形成面）に研磨粒子１０と同極性の負電荷を帯電させること、及び研磨部９、２６の表面（研磨液８側の面）に研磨粒子１０と逆極性の正電荷を帯電させることにより、半導体基板１から研磨部９、２６側へ研磨粒子１０を移動させるような静電力を生じさせることができる。研磨粒子１０を半導体基板１から引き離すことができるので、研磨液８中での研磨粒子１０の濃度を被加工膜の付近では減少させることができ、研磨粒子１０による被加工膜での研磨粒子による摩擦を抑制でき、研磨速度を抑制することになる。被加工膜の付近での研磨粒子１０の濃度を減少させることから、被加工膜表面でのスクラッチ、ディシング及びエロージョンの発生を防止することができる。また、研磨速度を抑制する結果、高精度の研磨制御が可能となる。さらに通常のＣＭＰと併用し、所定の膜厚になった段階で本発明に係る化学機械研磨方法を適用するので、全体としての研磨速度の低下を抑え、スループットの低下を防止することができる。
【００７９】
本発明に係る実施の形態１〜３によれば、所定の膜厚までは通常のＣＭＰによる研磨とし、その後に本発明に係る研磨とすることにより高速研磨（例えば、８００ｎｍ／ｍｉｎ）を維持できると共に低ディシング（例えば、１００μｍ幅の配線パターンで３０ｎｍ以下）を実現でき、また、研磨粒子による半導体基板表面でのスクラッチを数個（ウエハ１枚当り）に低減できた。また、低ディシングにより配線抵抗のばらつきを約１０％以下とすることができた。さらに、本発明では研磨強度（研磨速度）の変更を電極への電圧の印加という電気的な制御により行うことから、研磨工程途中での多段階の高精度な制御が容易にできる。また、コンピュータを用いて制御することが容易であり、さらに制御性を向上することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明の実施の形態１に係る化学機械研磨方法を説明するための各工程での半導体装置の概略断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る化学機械研磨方法を説明するための各工程での半導体装置の概略断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る化学機械研磨方法を説明するための各工程での半導体装置の概略断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る化学機械研磨方法を説明するための各工程での半導体装置の概略断面図である。
【図５】本発明の実施の形態２に係る化学機械研磨方法を説明するための各工程での半導体装置の概略断面図である。
【図６】本発明の実施の形態２に係る化学機械研磨方法を説明するための各工程での半導体装置の概略断面図である。
【図７】本発明の実施の形態２に係る化学機械研磨方法を説明するための各工程での半導体装置の概略断面図である。
【図８】本発明の実施の形態３に係る化学機械研磨装置の概略説明図である。
【図９】本発明の原理を説明するための研磨液中での研磨粒子の帯電状態の模式図である。
【符号の説明】
【００８１】
１  半導体基板
１ｔ  基板帯電手段
１ｎ  負電荷
６  バリアメタル膜（被加工膜）
７  配線材料膜（被加工膜）
８  研磨液
９  研磨部
９ｐ  正電荷
１０  研磨粒子
１７、１７ａ  ＢＰＳＧ膜（被加工膜）
２０  化学機械研磨装置
２１  基板保持部
２４  電極（基板帯電手段）
２６  研磨部
２７  研磨回転台
２９  電極（研磨部帯電手段）
３１  研磨液供給部
３２  粒子制御手段電極（粒子制御手段）
【図１】
2005183738.tif 000003
【図２】
2005183738.tif 000004
【図３】
2005183738.tif 000005
【図４】
2005183738.tif 000006
【図５】
2005183738.tif 000007
【図６】
2005183738.tif 000008
【図７】
2005183738.tif 000009
【図８】
2005183738.tif 000010
【図９】
2005183738.tif 000011