(57)【要約】【課題】放電電極を処理容器内部に持つ基板処理装置であって、放電状態を容易に確認することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板収容空間を形成する処理容器２０３と、一対の電極２６９、２７０と、の一部分を少なくとも覆うように断熱部材２０８を設け、処理容器２０３に、一対の電極２６９、２７０における放電状態を確認するための窓部２５１を設ける、【選択図】        図１2005251775.tif 000003
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板収容空間を形成する処理容器と、一対の電極と、の一部分を少なくとも覆うように断熱部材を設け、
前記処理容器に、前記一対の電極における放電状態を確認するための窓部を設けたことを特徴する基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関し、特に、半導体基板に成膜を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板に成膜を行う基板処理装置として、放電構造を反応管内部に持つバッチ式成膜装置が使用されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
このような放電構造を反応管内部に持つバッチ式処置装置において、放電状態を確認しようとしても、放電管周囲には、ヒータ、断熱材、スカベンジャ、炉口シャッタ（蓋体）等があり、放電状態の確認が不可能であった。
【０００４】
従って、本発明は、放電電極を処理容器内部に持つ基板処理装置であって、放電状態を容易に確認することができる基板処理装置を提供することを主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明によれば、基板収容空間を形成する処理容器と、一対の電極と、の一部分を少なくとも覆うように断熱部材を設け、
前記処理容器に、前記一対の電極における放電状態を確認するための窓部を設けたことを特徴する基板処理装置が提供される。
【０００６】
好ましくは、該窓部が処理容器の該断熱部材に覆われていない部分に設けられている。
【０００７】
また、好ましくは、該基板処理装置が基板を加熱する加熱手段を有し、該処理容器が少なくとも下方開口を有す処理管と、該開口を閉塞する蓋体とを備え、該断熱材が該処理管の上方端を覆うように配置されている場合に、該窓部を該蓋体に設ける。
【０００８】
この様な基板処理装置、特に縦型の基板処理装置においては、例えば、天井部に窓を設けると、断熱材等に穴を開ける事になり、熱が上へ移動する関係上、反応炉内の熱均一性に問題が生じるので、断熱材に覆われていない部分または下部開口部に位置する蓋体に設けることで、上述の熱不均一を生じることなく確認が可能となる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、放電電極を処理容器内部に持つ基板処理装置であって、放電状態を容易に確認することができる基板処理装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
次に、図面を参照して本発明の好ましい実施例を説明をする。
図１は、本発明の実施例に係る基板処理装置の縦型の基板処理炉の一例を説明するための概略縦断面図である。
【００１１】
石英反応管２０３の中にバッファ室２３７があり、バッファ室２３７内の電極２６９、２７０にて放電が起きる。しかし電極２６９、２７０は、断熱部材２０８、ヒータ２０７、スカベンジャ２２１、炉口シャッタ１１６により外部より観察することができない状態にある。そのため、炉口シャッタ１１６を開閉して確認する必要があり、利便性が悪い。
そこで、炉口シャッタ１１６に透明な小窓２５１を作成することにより、炉口シャッタ１１６を開閉することなく放電状態を確認することができるようにしている。
【００１２】
図２は、本発明の実施例に係る基板処理装置の縦型の基板処理炉の他の例を説明するための概略縦断面図である。
図２の様に、炉口シャッタ１１６の真下に半導体基板（ウエハ）２００を装填するためのボート２１７がある場合、炉口シャッタ１１６に透明な小窓２５１を設けても、真下から放電状態を確認することができない。そのため、小窓２５１の下に鏡２５２を設置することにより容易に放電状態を確認することができる。
【００１３】
このように、本発明の上記各実施例においては、半導体基板に成膜を行うバッチ式装置において、放電構造を反応管内部に持ち、炉口シャッタに設けられた小窓から電極間の放電状態を容易に確認することができる。
【００１４】
なお、上記各実施例においては、放電状態は、次のような理由により確認する必要性がある。すなわち、石英反応管２０３を洗浄するとき、電極保護管２７５から電極２６９、２７０を抜き取る。そのため、石英反応管２０３洗浄後は、電極２６９、２７０を取り付ける必要がある。その際、取り付けに不備があると異常放電（局部的に放電したりなど）が生じるので、毎回電極２６９、２７０を取り付けた後、放電状態を確認する必要がある。また成膜に異常があった場合に、プラズマ放電に起因する原因かを確認するため、放電状態を目視確認する必要がある。
【００１５】
また、上記各実施例において、小窓２５１は、パイレックスまたは石英製であり、大きさは、直径５ｃｍである。また、炉口シャッタ１１６の一部に穴と溝があり、溝に対してゴムをのせ、その上に小窓２５１、SUSホルダを取り付け、ネジで固定する。小窓２５１は、炉口シャッタ１１６に対して電極２６９、２７０と反対位置に設けられている。
【００１６】
次に、図３を参照して、本発明が適用される基板処理装置の一例である半導体製造装置についての概略を説明する。
【００１７】
筐体１０１内部の前面側には、図示しない外部搬送装置との間で基板収納容器としてのカセット１００の授受を行う保持具授受部材としてのカセットステージ１０５が設けられ、該カセットステージ１０５の後側には昇降手段としてのカセットエレベータ１１５が設けられ、該カセットエレベータ１１５には搬送手段としてのカセット移載機１１４が取りつけられている。又、カセットエレベータ１１５の後側には、カセット１００の載置手段としてのカセット棚１０９が設けられると共にカセットステージ１０５の上方にも予備カセット棚１１０が設けられている。予備カセット棚１１０の上方にはクリーンユニット１１８が設けられクリーンエアを筐体１０１の内部を流通させるように構成されている。
【００１８】
筐体１０１の後部上方には、処理炉２０２が設けられ、該処理炉２０２の下方には基板としてのウエハ２００を水平姿勢で多段に保持する基板保持手段としてのボート２１７を該処理炉２０２に昇降させる昇降手段としてのボートエレベータ１２１が設けられ、該ボートエレベータ１２１に取りつけられた昇降部材１２２の先端部には蓋体としてのシールキャップ２１９が取りつけられ該ボート２１７を垂直に支持している。ボートエレベータ１２１とカセット棚１０９との間には昇降手段としての移載エレベータ１１３が設けられ、該移載エレベータ１１３には搬送手段としてのウエハ移載機１１２が取りつけられている。又、ボートエレベータ１２１の横には、開閉機構を持ち処理炉２０２の下面を塞ぐ遮蔽部材としての炉口シャッタ１１６が設けられている。
本発明の上記各実施例においては、この炉口シャッタ１１６の小窓２５１が設けられている。
【００１９】
ウエハ２００が装填されたカセット１００は、図示しない外部搬送装置からカセットステージ１０５に該ウエハ２００が上向き姿勢で搬入され、該ウエハ２００が水平姿勢となるよう該カセットステージ１０５で９０°回転させられる。更に、カセット１００は、カセットエレベータ１１５の昇降動作、横行動作及びカセット移載機１１４の進退動作、回転動作の協働によりカセットステージ１０５からカセット棚１０９又は予備カセット棚１１０に搬送される。
【００２０】
カセット棚１０９にはウエハ移載機１１２の搬送対象となるカセット１００が収納される移載棚１２３があり、ウエハ２００が移載に供される該カセット１００はカセットエレベータ１１５、カセット移載機１１４により該移載棚１２３に移載される。
【００２１】
カセット１００が移載棚１２３に移載されると、ウエハ移載機１１２の進退動作、回転動作及び移載エレベータ１１３の昇降動作の協働により該移載棚１２３から降下状態のボート２１７にウエハ２００を移載する。
【００２２】
ボート２１７に所定枚数のウエハ２００が移載されるとボートエレベータ１２１により該ボート２１７が処理炉２０２に挿入され、シールキャップ２１９により処理炉２０２が気密に閉塞される。気密に閉塞された処理炉２０２内ではウエハ２００が加熱されると共に処理ガスが該処理炉２０２内に供給され、ウエハ２００に処理がなされる。
【００２３】
ウエハ２００への処理が完了すると、該ウエハ２００は上記した作動の逆の手順により、ボート２１７から移載棚１２３のカセット１００に移載され、該カセット１００はカセット移載機１１４により該移載棚１２３からカセットステージ１０５に移載され、図示しない外部搬送装置により筐体１０１の外部に搬出される。尚、炉口シャッタ１１６は、ボート２１７が降下状態の際に処理炉２０２の下面を塞ぎ、外気が該処理炉２０２内に巻き込まれるのを防止している。
【００２４】
カセット移載機１１４等の搬送動作は、搬送制御手段１２４により制御される。
【００２５】
次に、本発明の実施例として、ウエハ等の基板へのプロセス処理例としてＣＶＤ法の中の１つであるＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いた成膜処理について、簡単に説明する。
【００２６】
ＡＬＤ法は、ある成膜条件（温度、時間等）の下で、成膜に用いる２種類（またはそれ以上）の原料となるガスを１種類ずつ交互に基板上に供給し、１原子層単位で吸着させ、表面反応を利用して成膜を行う手法である。
【００２７】
即ち、利用する化学反応は、例えばＳｉＮ（窒化珪素）膜形成の場合ＡＬＤ法ではＤＣＳ（ＳｉＨ２Ｃｌ２、ジクロルシラン）とＮＨ３（アンモニア）を用いて３００〜６００℃の低温で高品質の成膜が可能である。また、ガス供給は、複数種類の反応性ガスを１種類ずつ交互に供給する。そして、膜厚制御は、反応性ガス供給のサイクル数で制御する。（例えば、成膜速度が１Å／サイクルとすると、２０Åの膜を形成する場合、処理を２０サイクル行う。）
【００２８】
図４は、本実施例にかかる縦型の基板処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を縦断面で示し、図５は本実施例にかかる縦型の基板処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を横断面で示す。加熱手段であるヒータ２０７の内側に、基板であるウエハ２００を処理する反応容器として反応管２０３が設けられ、この反応管２０３の下端開口は蓋体であるシールキャップ２１９により気密部材であるＯリング２２０を介して気密に閉塞され、少なくとも、このヒータ２０７、反応管２０３、及びシールキャップ２１９により処理炉２０２を形成している。反応管２０３およびヒータ２０７の外側には断熱部材２０８が設けられている。断熱部材２０８は断熱部材２０８の上方端を覆うように設けられている。シールキャップ２１９には石英キャップ２１８を介して基板保持手段であるボート２１７が立設され、石英キャップ２１８はボートを保持する保持体となっている。そして、ボート２１７は処理炉２０２に挿入される。ボート２１７にはバッチ処理される複数のウエハ２００が水平姿勢で管軸方向に多段に積載される。ヒータ２０７は処理炉２０２に挿入されたウエハ２００を所定の温度に加熱する。
【００２９】
そして、処理炉２０２へは複数種類、ここでは２種類のガスを供給する供給管としての２本のガス供給管２３２ａ、２３２ｂが設けられる。ここでは第１のガス供給管２３２ａからは流量制御手段である第１のマスフローコントローラ２４１ａ及び開閉弁である第１のバルブ２４３ａを介し、更に後述する処理炉２０２内に形成されたバッファ室２３７を介して処理炉２０２に反応ガスが供給され、第２のガス供給管２３２ｂからは流量制御手段である第２のマスフローコントローラ２４１ｂ、開閉弁である第２のバルブ２４３ｂ、ガス溜め２４７、及び開閉弁である第３のバルブ２４３ｃを介し、更に後述するガス供給部２４９を介して処理炉２０２に反応ガスが供給されている。
【００３０】
処理炉２０２はガスを排気する排気管であるガス排気管２３１により第４のバルブ２４３ｄを介して排気手段である真空ポンプ２４６に接続され、真空排気されるようになっている。尚、この第４のバルブ２４３ｄは弁を開閉して処理炉２０２の真空排気・真空排気停止ができ、更に弁開度を調節して圧力調整可能になっている開閉弁である。
【００３１】
処理炉２０２を構成している反応管２０３の内壁とウエハ２００との間における円弧状の空間には、反応管２０３の下部より上部の内壁にウエハ２００の積載方向に沿って、ガス分散空間であるバッファ室２３７が設けられており、そのバッファ室２３７のウエハ２００と隣接する壁の端部にはガスを供給する供給孔である第１のガス供給孔２４８ａが設けられている。この第１のガス供給孔２４８ａは反応管２０３の中心へ向けて開口している。この第１のガス供給孔２４８ａは、下部から上部にわたってそれぞれ同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。
【００３２】
そしてバッファ室２３７の第１のガス供給孔２４８ａが設けられた端部と反対側の端部には、ノズル２３３が、やはり反応管２０３の下部より上部にわたりウエハ２００の積載方向に沿って配設されている。そしてノズル２３３には複数のガスを供給する供給孔である第２のガス供給孔２４８ｂが設けられている。この第２のガス供給孔２４８ｂの開口面積は、バッファ室２３７と処理炉２０２の差圧が小さい場合には、上流側から下流側まで同一の開口面積で同一の開口ピッチとすると良いが、差圧が大きい場合には上流側から下流側に向かって開口面積を大きくするか、開口ピッチを小さくすると良い。
【００３３】
本発明において、第２のガス供給孔２４８ｂの開口面積や開口ピッチを上流側から下流にかけて調節することで、まず、第２の各ガス供給孔２４８ｂよりガスの流速の差はあるが、流量はほぼ同量であるガスを噴出させる。そしてこの各第２のガス供給孔２４８ｂから噴出するガスをバッファ室２３７に噴出させて一旦導入し、ガスの流速差の均一化を行うこととした。
【００３４】
すなわち、バッファ室２３７において、各第２のガス供給孔２４８ｂより噴出したガスはバッファ室２３７で各ガスの粒子速度が緩和された後、第１のガス供給孔２４８ａより処理炉２０２に噴出する。この間に、各第２のガス供給孔２４８ｂより噴出したガスは、各第１のガス供給孔２４８ａより噴出する際には、均一な流量と流速とを有するガスとすることができた。
【００３５】
さらに、バッファ室２３７に、細長い構造を有する第１の電極である第１の棒状電極２６９及び第２の電極である第２の棒状電極２７０が上部より下部にわたって電極を保護する保護管である電極保護管２７５に保護されて配設され、この第１の棒状電極２６９又は第２の棒状電極２７０のいずれか一方は整合器２７２を介して高周波電源２７３に接続され、他方は基準電位であるアースに接続されている。この結果、第１の棒状電極２６９及び第２の棒状電極２７０間のプラズマ生成領域２２４にプラズマが生成される。
【００３６】
この電極保護管２７５は、第１の棒状電極２６９及び第２の棒状電極２７０のそれぞれをバッファ室２３７の雰囲気と隔離した状態でバッファ室２３７に挿入できる構造となっている。ここで、電極保護管２７５の内部は外気（大気）と同一雰囲気であると、電極保護管２７５にそれぞれ挿入された第１の棒状電極２６９及び第２の棒状電極２７０はヒータ２０７の加熱で酸化されてしまう。そこで、電極保護管２７５の内部は窒素などの不活性ガスを充填あるいはパージし、酸素濃度を充分低く抑えて第１の棒状電極２６９又は第２の棒状電極２７０の酸化を防止するための不活性ガスパージ機構が設けられる。
【００３７】
さらに、第１のガス供給孔２４８ａの位置より、反応管２０３の内周を１２０°程度回った内壁に、ガス供給部２４９が設けられている。このガス供給部２４９は、ＡＬＤ法による成膜においてウエハ２００へ、複数種類のガスを１種類ずつ交互に供給する際に、バッファ室２３７とガス供給種を分担する供給部である。
【００３８】
このガス供給部２４９もバッファ室２３７と同様にウエハと隣接する位置に同一ピッチでガスを供給する供給孔である第３のガス供給孔２４８ｃを有し、下部では第２のガス供給管２３２ｂが接続されている。
【００３９】
第３のガス供給孔２４８ｃの開口面積はバッファ室２３７と処理炉２０２の差圧が小さい場合には、上流側から下流側まで同一の開口面積で同一の開口ピッチとすると良いが、差圧が大きい場合には上流側から下流側に向かって開口面積を大きくするか開口ピッチを小さくすると良い。
【００４０】
反応管２０３内の中央部には複数枚のウエハ２００を多段に同一間隔で載置するボート２１７が設けられており、このボート２１７は図中省略のボートエレベータ機構により反応管２０３に出入りできるようになっている。また処理の均一性を向上するためにボート２１７を回転するための回転手段であるボート回転機構２６７が設けてあり、ボート回転機構２６７を回転することにより、石英キャップ２１８に保持されたボート２１７を回転するようになっている。
【００４１】
制御手段であるコントローラ３２１は、第１、第２のマスフローコントローラ２４１ａ、２４１ｂ、第１〜第４のバルブ２４３ａ、２４３ｂ、２４３ｃ、２４３ｄ、ヒータ２０７、真空ポンプ２４６、ボート回転機構２６７、図中省略のボート昇降機構、高周波電源２７３、整合器２７２に接続されており、第１、第２のマスフローコントローラ２４１ａ、２４１ｂの流量調整、第１〜第３のバルブ２４３ａ、２４３ｂ、２４３ｃの開閉動作、第４のバルブ２４３ｄの開閉及び圧力調整動作、ヒータ２０７温度調節、真空ポンプ２４６の起動・停止、ボート回転機構２６７の回転速度調節、ボート昇降機構の昇降動作制御、高周波電極２７３の電力供給制御、整合器２７２によるインピーダンス制御が行われる。
【００４２】
次にＡＬＤ法による成膜例について、ＤＣＳ及びＮＨ３ガスを用いてＳｉＮ膜を成膜する例で説明する。
【００４３】
まず成膜しようとするウエハ２００をボート２１７に装填し、処理炉２０２に搬入する。搬入後、次の３つのステップを順次実行する。
【００４４】
［ステップ１］
ステップ１では、プラズマ励起の必要なＮＨ３ガスと、プラズマ励起の必要のないＤＣＳガスとを併行して流す。まず第１のガス供給管２３２ａに設けた第１のバルブ２４３ａ、及びガス排気管２３１に設けた第４のバルブ２４３ｄを共に開けて、第１のガス供給管２３２ａから第１のマスフローコントローラ２４３ａにより流量調整されたＮＨ３ガスをノズル２３３の第２のガス供給孔２４８ｂからバッファ室２３７へ噴出し、第１の棒状電極２６９及び第２の棒状電極２７０間に高周波電源２７３から整合器２７２を介して高周波電力を印加してＮＨ３をプラズマ：励起し、活性種として処理炉２０２に供給しつつガス排気管２３１から排気する。ＮＨ３ガスをプラズマ励起することにより活性種として流すときは、第４のバルブ２４３ｄを適正に調整して処理炉２０２内圧力を１０〜１００Ｐａとする。第１のマスフローコントローラ２４１ａで制御するＮＨ３の供給流量は１０００〜１００００ｓｃｃｍである。ＮＨ３をプラズマ励起することにより得られた活性種にウエハ２００を晒す時間は２〜１２０秒間である。このときのヒータ２０７温度はウエハが３００〜６００℃になるよう設定してある。ＮＨ３は反応温度が高いため、上記ウエハ温度では反応しないので、プラズマ励起することにより活性種としてから流すようにしており、このためウエハ温度は設定した低い温度範囲のままで行える。
【００４５】
このＮＨ３をプラズマ励起することにより活性種として供給しているとき、第２のガス供給管２３２ｂの上流側の第２のバルブ２４３ｂを開け、下流側の第３のバルブ２４３ｃを閉めて、ＤＣＳも流すようにする。これにより第２、第３のバルブ２４３ｂ、２４３ｃ間に設けたガス溜め２４７にＤＣＳを溜める。このとき、処理炉２０２内に流しているガスはＮＨ３をプラズマ励起することにより得られた活性種であり、ＤＣＳは存在しない。したがって、ＮＨ３は気相反応を起こすことはなく、プラズマにより励起され活性種となったＮＨ３はウエハ２００上の下地膜と表面反応する。
【００４６】
［ステップ２］
ステップ２では、第１のガス供給管２３２ａの第１のバルブ２４３ａを閉めて、ＮＨ３の供給を止めるが、引続きガス溜め２４７へ供給を継続する。ガス溜め２４７に所定圧、所定量のＤＣＳが溜まったら上流側の第２のバルブ２４３ｂも閉めて、ガス溜め２４７にＤＣＳを閉じ込めておく。また、ガス排気管２３１の第４のバルブ２４３ｄは開いたままにし真空ポンプ２４６により、処理炉２０２を２０Ｐａ以下に排気し、残留ＮＨ３を処理炉２０２から排除する。また、この時にはＮ２等の不活性ガスを処理炉２０２に供給すると、更に残留ＮＨ３を排除する効果が高まる。ガス溜め２４７内には、圧力が２００００Ｐａ以上になるようにＤＣＳを溜める。また、ガス溜め２４７と処理炉２０２との間のコンダクタンスが１．５×１０−３ｍ３／ｓ以上になるように装置を構成する。また、反応管２０３容積とこれに対する必要なガス溜め２４７の容積との比として考えると、反応管２０３容積１００１（リットル）の場合においては、１００〜３００ｃｃであることが好ましく、容積比としてはガス溜め２４７は反応室容積の１／１０００〜３／１０００倍とすることが好ましい。
【００４７】
［ステップ３］
ステップ３では、処理炉２０２の排気が終わったらガス排気管２３１の第４のバルブ２４３ｃを閉じて排気を止める。第２のガス供給管２３２ｂの下流側の第３のバルブ２４３ｃを開く。これによりガス溜め２４７に溜められたＤＣＳが処理炉２０２に一気に供給される。このときガス排気管２３１の第４のバルブ２４３ｄが閉じられているので、処理炉２０２内の圧力は急激に上昇して約９３１Ｐａ（７Ｔｏｒｒ）まで昇圧される。ＤＣＳを供給するための時間は２〜４秒設定し、その後上昇した圧力雰囲気中に晒す時間を２〜４秒に設定し、合計６秒とした。このときのウエハ温度はＮＨ３の供給時と同じく、３００〜６００℃である。ＤＣＳの供給により、下地膜上のＮＨ３とＤＣＳとが表面反応して、ウエハ２００上にＳｉＮ膜が成膜される。成膜後、第３のバルブ２４３ｃを閉じ、第４のバルブ２４３ｄを開けて処理炉２０２を真空排気し、残留するＤＣＳの成膜に寄与した後のガスを排除する。また、この時にはＮ２等の不活性ガスを処理炉２０２に供給すると、更に残留するＤＣＳの成膜に寄与した後のガスを処理炉２０２から排除する効果が高まる。また第２のバルブ２４３ｂを開いてガス溜め２４７へのＤＣＳの供給を開始する。
【００４８】
上記ステップ１〜３を１サイクルとし、このサイクルを複数回繰り返すことによりウエハ上に所定膜厚のＳｉＮ膜を成膜する。
【００４９】
ＡＬＤ装置では、ガスは下地膜表面に吸着する。このガスの吸着量は、ガスの圧力、及びガスの暴露時間に比例する。よって、希望する一定量のガスを、短時間で吸着させるためには、ガスの圧力を短時間で大きくする必要がある。この点で、本実施例では、第４のバルブ２４３ｄを閉めたうえで、ガス溜め２４７内に溜めたＤＣＳを瞬間的に供給しているので、処理炉２０２内のＤＣＳの圧力を急激に上げることができ、希望する一定量のガスを瞬間的に吸着させることができる。
【００５０】
また、本実施例では、ガス溜め２４７にＤＣＳを溜めている間に、ＡＬＤ法で必要なステップであるＮＨ３ガスをプラズマ励起することにより活性種として供給、及び処理炉２０２の排気をしているので、ＤＣＳを溜めるための特別なステップを必要としない。また、処理炉２０２内を排気してＮＨ３ガスを除去しているからＤＣＳを流すので、両者はウエハ２００に向かう途中で反応しない。供給されたＤＣＳは、ウエハ２００に吸着しているＮＨ３とのみ有効に反応させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の実施例に係る基板処理装置の縦型の基板処理炉の一例を説明するための概略縦断面図である。
【図２】本発明の実施例に係る基板処理装置の縦型の基板処理炉の他の例を説明するための概略縦断面図である。
【図３】本発明の実施例に係る基板処理装置を説明するための概略斜視図である。
【図４】本発明の実施例に係る基板処理装置の縦型の基板処理炉を説明するための概略縦断面図である。
【図５】本発明の実施例に係る基板処理装置の縦型の基板処理炉を説明するための概略横断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１００…カセット
１１２…ウエハ移載機
１１４…カセット移載機
１１６…炉口シャッタ
１２１…ボートエレベータ
２００…ウエハ
２０２…処理炉
２０３…反応管
２０７…ヒータ
２０８…断熱部材
２１７…ボート
２１８…石英キャップ
２１９…シールキャップ
２２０…Ｏリング
２２１…スカベンジャ
２２４…プラズマ生成領域
２３１…ガス排気管
２３２ａ…第１のガス供給管
２３２ｂ…第２のガス供給管
２３３…ノズル
２３７…バッファ室
２４１ａ…第１のマスフローコントローラ
２４１ｂ…第２のマスフローコントローラ
２４３ａ…第１のバルブ
２４３ｂ…第２のバルブ
２４３ｃ…第３のバルブ
２４３ｄ…第４のバルブ
２４６…真空ポンプ
２４７…ガス溜め
２４８ａ…第１のガス供給孔
２４８ｂ…第２のガス供給孔
２４８ｃ…第３のガス供給孔
２４９…ガス供給部
２５１…小窓
２５２…鏡
２６７…ボート回転機構
２６９…第１の棒状電極
２７０…第２の棒状電極
２７１…アース
２７２…整合器
２７３…高周波電源
２７５…電極保護管
３２１…コントローラ
【図１】
2005251775.tif 000004
【図２】
2005251775.tif 000005
【図３】
2005251775.tif 000006
【図４】
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【図５】
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