(57)【要約】      （修正有）【課題】パソコンなどデジタル電子機器に使用されているＡＣアダプタはコンデンサインプット整流による高調波電流が電源供給の障害なり問題になっている。力率改善回路を新たに追加すると、力率は改善するものの、効率が悪化する。その原因は、交流⇒直流⇒交流⇒直流⇒交流⇒直流と何度も変換しているためで、変換たびに、発生するダイオードの順電圧損失が発生する。このダイオードの損失に着目して、力率改善しながら効率改善を可能にしたスイッチング電源を提供する。【解決手段】交流電圧を整流平滑することで低周波成分を除去するのでなく、交流電圧をスイッチングして、高周波電圧に変換してから、高周波トランスにとって悪影響を与える低周波成分と直流成分を、分離回路により除去する。この基本的回路方式を変更することで、交流⇒交流⇒分離⇒直流の変換過程を最小限にすることで、整流ダイオードの損失を削減した。【選択図】  図１
2005086995.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
交流電源を直流電圧に変換する電源回路において、スイッチング回路と分離回路とトランスと整流回路を備え、前記交流電源の電圧を前記スイッチング回路で高周波電圧に変換して、前記分離回路で分離した高周波電圧を、整流することを特徴とした高力率スイッチング電源回路。
【請求項２】
双方向スイッチング回路を備え、交流電圧をスイッチングすることを特徴とする請求項１の高力率スイッチング電源回路。
【請求項３】
絶縁トランスの２次側に出力電圧保持回路を備え、出力リップル電圧を少なくすることを特徴とする請求項１の高力率スイッチング電源回路。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、パソコンなど電子機器に使用されるスイッチング電源回路で、力率を改善したＡＣアダプタなどの高力率スイッチング電源回路に関する。
【背景技術】  従来の高力率スイッチング電源の基本回路は、図５に示す通り、交流電源８６の交流電圧９３を整流回路８７で全波整流する。この直流電圧９４を昇圧型のＤＣ／ＤＣコンバータ回路構成の力率改善回路８８で、平滑した安定な直流電圧９５に変換する。この直流電圧９５をスイッチング回路８９で、高周波数の電圧９６に変換して、トランス９０で絶縁して変圧した電圧９７にする。トランス９０の交流電圧９７を整流回路９１で直流電圧９８に整流平滑して、負荷９２に直流電圧を供給する。【０００２】  次に、従来回路の図６を説明する。交流電源９９はフィルタ回路１００とサーミスタ１０１を経由して、ダイオード１０２、１０３、１０４、１０５でブリッジに構成した全波整流回路の交流端子に接続する。ダイオード１０２のアノード端子とダイオード１０３のカソード端子の接続点と、ダイオード１０４のアノード端子とダイオード１０５のカソード端子の接続点が、交流端子である。ダイオード１０２のカソード端子とダイオード１０４のカソード端子の接続点が正端子である。この正端子はインダクタ１０９を経由して、半導体スイッチ１１０のドレイン端子とダイオード１１１のアノード端子に接続する。ダイオード１１１のカソード端子はコンデンサ１１２の正端子に接続するとともに、トランス１１５の１次巻線を経由して半導体スイッチ１１４のドレイン端子に接続する。【０００３】  ダイオード１０３のアノード端子とダイオード１０５のアノード端子の接続点が負端子である。この負端子は抵抗器１０７を経由して半導体スイッチ１１０のソース端子とコンデンサ１１２の負端子と半導体スイッチ１１４のソース端子に接続する。トランス１１５の２次巻線は、ダイオード１１７を経由して、コンデンサ１１８と負荷１１９に接続する。
半導体スイッチ１１０を制御する制御回路１０８は、半導体スイッチ１１０のゲート端子に接続する。制御回路１０８は、ダイオード１０２のカソード端子とダイオード１０４のカソード端子の接続点である正端子の電圧波形を検知するために抵抗器１０６を経由して接続する。制御回路１０８は、電流を検知するために、抵抗器１０７の両端に接続する。コンデンサ１１２の電圧を安定化するために、その電圧を検知して、制御回路１０８へフィードバック（帰還）する。【０００４】  半導体スイッチ１１４を制御する制御回路１１３は、半導体スイッチ１１４のゲート端子に接続する。負荷１１９の電圧を安定化するために、その電圧を検知して、フォトカプラなどの絶縁機能を含めた制御回路１１６を経由して、制御回路１１３へフィードバック（帰還）する。
次に、図６の動作を説明する。交流電源９９の交流電圧をダイオード１０２、１０３、１０４、１０５のブリッジ回路で全波整流する。この電圧をインダクタ１０９とダイオード１１１と半導体スイッチ１１０とコンデンサ１１２で構成する力率改善回路（図５の８８）の昇圧コンバータにより、３９０Ｖの安定した直流電圧に変換する。このとき、制御回路１０８に内蔵している基準電圧と、コンデンサ１１２に比例検知した電圧を比較して、その誤差を制御回路１０８に内蔵している誤差増幅器で誤差信号電圧を作る。【０００５】  この誤差信号電圧と、抵抗器１０６を経由して検知した電圧を、制御回路１０８に内蔵のカケ算（×）回路により、高力率に成る電流波形の基準信号を作る。この高力率に成る電流波形の基準信号と、抵抗器１０７の電流信号が同じ波形になるように、半導体スイッチ１１０の開閉を制御回路１０８に内蔵している第２の誤差増幅器で制御する。これにより、交流電源の電流は、交流電源の電圧波形に比例した電流波形になるため、力率は、０．９５以上になる。
半導体スイッチ１１４と制御回路１１３と制御回路１１６で構成するスイッチング回路（図５の８９）と、トランス１１５と、ダイオード１１７と、コンデンサ１１８で構成するフライバックコンバータは、リップル電圧の軽減と、交流電源９９の停電時の出力電圧保持と、絶縁の目的のために備えている。【０００６】  半導体スイッチ１１４が閉すると、コンデンサ１１２の電圧がトランス１１５の１次巻線に印加する。黒点印に正の電圧が印加するため、トランス１１５の２次巻線電圧はダイオード１１７により阻止されて電流は流れない。半導体スイッチ１１４が閉している時間は、トランス１１５に励磁電流が流れる。この励磁電流は、時間に比例して値が上昇する。ある時間後に半導体スイッチ１１４が開すると、トランス１１５の励磁電流は流れ続けようと逆起電力が発生する。この逆起電力は黒点印が負電圧であるために、トランス１１５の２次巻線よりダイオード１１７を経由してコンデンサ１１８と負荷１１９に電流が流れる。
ダイオード１１７の逆印加電圧は、トランス１１５の設計にもよるが、負荷１１９電圧が１６Ｖの場合で、８０Ｖ以上になる。損失を重視して、耐圧が９０Ｖのダイオードを採用しても、その順方向電圧は、約０．８Ｖである。【０００７】  負荷１１９の電圧であるところのコンデンサ１１８電圧を検知して、制御回路１１６に内蔵した基準電圧と誤差増幅器とフォトカプラなどの絶縁信号伝達器の働きによりの誤差信号を絶縁して制御回路１１３へ送る。この誤差信号で半導体スイッチ１１４の開閉は制御回路１１３で制御する。
サーミスタ１０１は、交流電源９９の投入時に、交流電源９９から、サーミスタ１０１とダイオード１０２、１０３、１０４、１０５とインダクタ１０９とダイオード１１１を経由して、コンデンサ１１２へ流れ込む突入電流を制限するために備えている。
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】  従来、回路構成が単純であることから、コンデンサインプット方式の整流回路がスイッチング電源に採用されていた。しかし、このコンデンサインプット方式は、高調波電流を多く含んだ電流が流れるために、その力率は、０．６程度で無駄な電流を余分に交流電源に負担していた。近年、この力率を改善する目的に、力率改善回路を備えるスイッチング電源の需要が増えている。
一方、スイッチング電源の変換効率は、当然、良いものを要求されている。力率改善回路を備えると、力率は、０．９５以上（近似１．０）に改善されるが、この力率改善回路の損失も加わり、変換効率は、８５％程度である。そこで、力率を悪化させずに、効率向上を強く求められている。
効率を悪くしている原因は、交流電圧９３から直流電圧９４にして、力率改善回路８８内部で直流電圧９４をスイッチングで交流電圧にして昇圧から、再び、直流電圧９５に整流している。
【０００９】  さらに、スイッチング回路８９で交流の高周波電圧９６に変換、トランス９０で変圧後、整流回路９１で直流電圧９８に変換している。図６では、ダイオード１０２、１０３、１０４、１０５と、ダイオード１１１と、ダイオード１１７の、合計３回の整流ダイオードを経由している。その中でも、ダイオード１０２、１０３、１０４、１０５は、ブリッジ構成であるために、２個のダイオードを経由している。このすべてのダイオードの損失がないものを使用したとすれば、変換効率９０％以上が可能になる。
【課題を解決するための手段】
交流電圧をスイッチングすると低周波成分を含んだ高周波電圧になる。本発明は、この低周波成分を分離回路で分離することで、ダイオードを削除した。また、投入時の突入電流制限のために、サーミスタなどでなく、電力損失が増えないように、分離回路のコンデンサにより、突入電流を制限した。これら電力損失を発生する部品を削除することで、効率改善を実現した。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】  図１に、本発明によるブロック回路図を示す。
【実施例】  交流電源１の交流電圧７をスイッチング回路２でスイッチングすることで、高周波電圧を含んた電圧に変換する。この低周波を含む高周波電圧８を分離回路３で、直流成分と低周波成分を除去した高周波電圧９を後の回路へ送る。トランス４で変圧した高周波電圧１０を整流回路５で整流して、直流電圧１１を負荷６に供給する。
図２に、従来回路に最も近い本発明実施例の回路図を示す。
交流電源１２はフィルタ回路１３を経由して、ダイオード１４、１５、１６、１７で構成する全波整流回路の交流端子に接続する。ダイオード１４、１５、１６、１７はブリッジ回路に接続している。ダイオード１４のアノード端子とダイオード１５のカソード端子の接続点と、ダイオード１６のアノード端子とダイオード１７のカソード端子の接続点が、交流端子である。ダイオード１４のカソード端子とダイオード１６のカソード端子の接続点が正端子である。この正端子はインダクタ２１を経由して、半導体スイッチ２５のドレイン端子とコンデンサ２４に接続する。コンデンサ２４のもう一方の端子は、ダイオード２６のカソード端子とダイオード２８のアノード端子に接続する。【００１１】  ダイオード２８のカソード端子はコンデンサ２９の正端子に接続するとともに、トランス３２の１次巻線を経由して半導体スイッチ３１のドレイン端子に接続する。ダイオード１５のアノード端子とダイオード１７のアノード端子の接続点が負端子である。この負端子は抵抗器２２を経由して、半導体スイッチ２５のソース端子とダイオード２６のアノード端子とコンデンサ２９の負端子と半導体スイッチ３１のソース端子とトランス３２の補助巻線に接続する。ダイオード１６カソード端子（正）とダイオード１７のアノード端子（負）の直流端子間に、コンデンサ１９を接続する。このコンデンサ１９はノイズフィルタの目的で備えているため、従来の図６と同様に備えなくても基本的動作に問題はない。【００１２】  トランス３２の２次巻線は、ダイオード３４を経由して、コンデンサ３５と負荷３６に接続する。半導体スイッチ２５を制御する制御回路２０は、半導体スイッチ２５のゲート端子に接続する。制御回路２０は、ダイオード１４のカソード端子とダイオード１６のカソード端子の接続点である正端子の電圧波形を検知するために抵抗器１８を経由して接続する。制御回路２０は、電流を検知するために、抵抗器２２の両端に接続する。コンデンサ２９の電圧を安定化するために、その電圧を検知して、その信号を制御回路２０へフィードバック（帰還）する。
半導体スイッチ３１を制御する制御回路３０は、半導体スイッチ３１のゲート端子に接続する。負荷３６の電圧を安定化するために、その電圧を検知して、フォトカプラなどの絶縁機能を含めた制御回路３３を経由して、制御回路３０へフィードバック（帰還）する。
トランス３２の補助巻線はダイオード２７を経由してコンデンサ２３と制御回路２０に接続する。このダイオード２７とコンデンサ２３は、制御回路２０、３０の電源であり、従来回路でも必要であるが図６では省略している。【００１３】  次に、図２の動作を説明する。交流電源１２の交流電圧をダイオード１４、１５、１６、１７のブリッジ回路で全波整流する。この電圧をインダクタ２１と半導体スイッチ２５で構成するスイッチング回路（図１の２）により、直流成分と低周波を含む高周波電圧（図１の８）に変換する。コンデンサ２４の分離回路（図１の３）により、直流成分と低周波成分を除去した高周波電圧（図１の９）をダイオード２６とダイオード２８で整流してコンデンサ２９で平滑する。コンデンサ２９の電圧は、安定した直流電圧に変換する。このとき、制御回路２０に内蔵している基準電圧と、コンデンサ２９に比例検知した電圧を比較して、その誤差を制御回路２０に内蔵している誤差増幅器で誤差信号電圧を作る。この誤差信号電圧と、抵抗器１８を経由して検知した電圧を、内蔵したカケ算（×）回路により、高力率に成る電流波形の基準信号を作る。【００１４】  この高力率に成る電流波形の基準信号と、抵抗器２２の電流波形を比較して、その電流波形を、高力率に成る電流波形に成るように、制御回路２０に内蔵している第２の誤差増幅器で制御する。
半導体スイッチ３１と制御回路３０と制御回路３３とトランス３２とダイオード３４とコンデンサ３５で構成するフライバックコンバータは、リップル電圧の軽減と、交流電源１２の停電時の出力電圧保持と、絶縁の目的のために備えている。このフライバックコンバータは図６と同様に、半導体スイッチ３１が閉すると、コンデンサ２９の電圧がトランス３２の１次巻線に印加する。黒点印に正の電圧が印加するため、トランス３２の２次巻線電圧はダイオード３４により阻止されて電流は流れない。【００１５】  半導体スイッチ３１が閉している時間は、トランス３２に励磁電流が流れる。この励磁電流は、時間に比例して値が上昇する。ある時間後に半導体スイッチ３１が開すると、トランス３２の励磁電流は流れ続けようと逆起電力が発生する。この逆起電力は黒点印が負電圧であるために、トランス３２の２次巻線よりダイオード３４を経由してコンデンサ３５と負荷３６に電流が流れる。
負荷３６電圧であるコンデンサ３５電圧を検知して、制御回路３３に内蔵した基準電圧と誤差増幅器とフォトカプラなどの絶縁信号伝達器の働きによりの誤差信号を絶縁して制御回路３０へ送る。この誤差信号で半導体スイッチ３１の開閉時間を制御回路３０で制御する。
図２では、コンデンサ２４が備えてあるため、交流電源１２の投入時にコンデンサ２９には、突入電流が流れない。突入電流制限用サーミスタが不要でその損失を軽減できる。【００１６】  図３に、図２より改善した本発明実施例の回路図を示す。
交流電源３７はフィルタ回路３８を経由して、ダイオード３９、４０、４１、４２で構成する全波整流回路の交流端子に接続する。ダイオード３９、４０、４１、４２はブリッジ回路に接続している。ダイオード３９のアノード端子とダイオード４０のカソード端子の接続点と、ダイオード４１のアノード端子とダイオード４２のカソード端子の接続点が、交流端子である。ダイオード３９のカソード端子とダイオード４１のカソード端子の接続点が正端子である。【００１７】  この正端子はインダクタ４６を経由して、半導体スイッチ４９のドレイン端子とコンデンサ５０に接続する。コンデンサ２４のもう一方の端子は、トランス５２の１次巻線に接続する。ダイオード４０のアノード端子とダイオード４２のアノード端子の接続点が負端子である。この負端子は抵抗器４７を経由して、半導体スイッチ４９のソース端子とトランス５２の１次巻線とコンデンサ４８と制御回路４５とトランス３２の補助巻線に接続する。トランス５２の補助巻線はダイオード５１を経由してコンデンサ４８と制御回路４５に接続する。
トランス５２の２次巻線は逆位相２巻線を備える。ダイオード５４、５５はセンタータップ全波整流回路の構成に接続する。ダイオード５４、５５で整流した電圧はコンデンサ５６で平滑して負荷５７に接続する。【００１８】  次に、図３の動作を説明する。交流電源３７の交流電圧はフィルタ回路３８を経由後、ダイオード３９、４０、４１、４２のブリッジ回路で全波整流する。この電圧をインダクタ４６と半導体スイッチ４９で構成するスイッチング回路（図１の２）により、直流成分と低周波を含む高周波電圧（図１の８）に変換する。コンデンサ５０の分離回路（図１の３）により、直流成分と低周波成分を除去した高周波電圧（図１の９）をトランス５２の１次巻線に印加する。トランス５２の２次巻線は、センタータップ全波整流回路に構成されて直接コンデンサ５６に接続しているために、その２次巻線電圧の正負両極とも尖頭値は、ダイオード５４、５５により、コンデンサ５６の電圧にクランプされている。このコンデンサ５６の負荷５７の電圧は、制御回路５３に内蔵した基準電圧と誤差増幅器とフォトカプラなどの絶縁信号伝達器の働きによりの誤差信号を絶縁して制御回路４５へ送る。【００１９】  制御回路４５に送られたこの誤差信号と、抵抗器４３を経由して検知した電圧を、制御回路４５に内蔵したカケ算（×）回路により、高力率に成る電流波形の基準信号を作る。この高力率に成る電流波形とは電圧に比例した電流波形である。この電流波形の基準信号と、抵抗器４７の電流波形を比較して、その電流波形を、電圧に比例した電流波形に成るように、制御回路４５に内蔵している第２の誤差増幅器で負帰還増幅制御する。その結果、抵抗器４３を経由して検知した電圧が、正弦波の全波整流波形であるときは、その波形に比例の相似した波形で、その平均値は、コンデンサ５６の電圧が一定になる電流に制御されている。
図３の負荷５７の電圧には、低周波リップル電圧が多く含まれている。交流電源３７の停電時は、負荷５７の電圧は、電圧値を保持できずに、すぐに、低下する。負荷５７が電池で充電目的のスイッチング電源回路である場合、または、ＤＣ／ＤＣコンバータが備えられている場合など、低周波リップル電圧と電圧保持性能が問題でない場合は、このまま、使用可能である。【００２０】  図４に、本発明実施例の回路図を示す。図４は代表的機能を備えている。
交流電源５８はフィルタ回路５９を経由して、コンデンサ６１に接続する。コンデン６１はインダクタ６４と抵抗器６５を経由して、逆直列の半導体スイッチ６８、６９に接続するとともに、コンデンサ６７とインダクタ７１の直列回路を経由して、トランス７３の１次巻線とコンデンサ７０の並列回路に接続する。
トランス７３の補助巻線は、ダイオード７２を経由して、コンデンサ６６と制御回路６２に接続する。制御回路６２は、抵抗器６０を経由して、コンデンサ６１に接続する。制御回路６２は抵抗器６５の両端子に接続する。制御回路６２はトランス６３を経由して、半導体スイッチ６８，６９のゲート端子に接続する。【００２１】  トランス７３の２次巻線は、センタータップ全波整流回路にダイオード７５、７７とコンデンサ７９をセンタータップ全波整流回路に接続する。ダイオード７６、７８とコンデンサ８０もセンタータップ全波整流回路に接続する。
インダクタ８１と半導体スイッチ８２とダイオード８３を昇圧コンバータ回路に接続する。負荷８５はコンデンサ７９に接続する。制御回路８４は負荷８５の電圧を検知するために接続して、半導体スイッチ８２のケートに接続する。【００２２】  次に、図４の動作は図７を使用して説明する。図７波形１２０は交流電源５８の交流電圧の波形であり、この電圧はフィルタ回路５９を経由後、インダクタ６４と半導体スイッチ６８、６９で構成するスイッチング回路（図１の２）により、低周波を含む高周波電圧（図１の８）に変換する。この低周波を含む高周波電圧は、波形１２１である。コンデンサ６７とインダクタ７１の直列共振回路と、トランス７３の１次巻線とコンデンサ７０の並列共振回路で構成した分離回路（図１の３）により、低周波成分を除去した高周波電圧（図１の９）をトランス７３の１次巻線に印加する。トランス７３の２次巻線は、センタータップ全波整流回路に構成されて直接コンデンサ７９に接続しているために、その２次巻線電圧の正負両極とも尖頭値は、ダイオード７５、７７により、コンデンサ７９の電圧にクランプされている。この電圧は波形１２２である。
よって、ダイオード７５、７６、７７、７８の逆印加電圧は、コンデンサ７９の２倍電圧である。負荷８５電圧が１６Ｖのとき、３２Ｖであり、４０Ｖ耐圧のダイオード（順方向電圧０．５５Ｖ）が使用できる。【００２３】  コンデンサ８０は、電圧保持用コンデンサである。コンデンサ７９に比較して十分に大きい容量品を備える。例えば、１６Ｖ５Ａ８０Ｗ負荷の場合は、コンデンサ７９が２５Ｖ１ｍＦで、コンデンサ８０は、２５Ｖ１０ｍＦを採用する。交流電源５８の電圧が正常であるとき、コンデンサ７９とコンデンサ８０は、２０Ｖの同じ電圧である。交流電源５８が停電すると、ダイオード７５、７６、７７、７８の電流が停止するために、コンデンサ７９、８０の両電圧とも低下する。このとき制御回路８４が働き、半導体スイッチ８２を駆動する。半導体スイッチ８２が閉すると、コンデンサ８０の電圧は、インダクタ８１に印加する。半導体スイッチ８２が閉している時間に比例して、インダクタ８１の電流が増える。【００２４】  その後、半導体スイッチ８２が開すると、インダクタ８１の電流が流れ続けようと、逆起電力が発生して、ダイオード８３へ転流する。インダクタ８１と半導体スイッチ８４とダイオード８３で構成する昇圧コンバータの働きにより、コンデンサ８０の電圧が低下しても、コンデンサ８０に残電圧がある限り、コンデンサ７９と負荷８５の電圧は保持している。この負荷８５の電圧は波形１２４である。インダクタ８１と半導体スイッチ８４とダイオード８３で構成する昇圧コンバータ回路がない場合は、負荷８５の電圧が波形１２３になる。よって、図３の負荷５７の電圧は波形１２３である。【００２５】  負荷８５の電圧は、制御回路７４に内蔵した基準電圧と誤差増幅器とフォトカプラなどの絶縁信号伝達器の働きによりの誤差信号を絶縁して制御回路６２へ送る。制御回路６２に送られたこの誤差信号と、抵抗器６０を経由して検知した電圧を、制御回路６２に内蔵したカケ算（×）回路により、高力率に成る電流波形の基準信号を作る。
この高力率に成る電流波形は電圧に比例した電流波形である。この電流波形の基準信号と、抵抗器６５の電流波形を比較して、その電流波形を、電圧に比例した電流波形に成るように、制御回路６２に内蔵している第２の誤差増幅器で負帰還増幅制御する。その結果、抵抗器６０を経由して検知した電圧が、正弦波であるときは、その波形に比例の相似した波形で、その平均値は、負荷８５の電圧が一定になる電流に制御されている。
コンデンサ６７とインダクタ７１の直列共振周波数と、トランス７３の１次巻線とコンデンサ７０の並列共振周波数を、同一周波数に設定すれば、共振フィルタ回路として働き、性能の良い分離回路（図１の３）を構成できる。【００２６】  半導体スイッチ６８、６９の合成出力容量とインダクタ６４の共振周波数に近く、その周波数より少し高い値に設定すると、半導体スイッチ６８、６９電圧が下がったタイミングに閉できるために損失を軽減できる。この周波数選定するために、半導体スイッチ６８、６９の内部コンデンサ成分（前記、合成出力容量）が不足の場合に、半導体スイッチ６８、６９の直列回路に並列にコンデンサを接続すると良い。図４では、このコンデンサは省略されている。
【発明の効果】
本発明は、整流平滑することで低周波成分を除去するのではなく、分離回路にで、直流成分や低周波成分を分離除去するために、ダイオード損失を削減できる。
【００２７】  例えば、１００Ｖ交流電源を直流１６Ｖ５Ａ８０ＷのＡＣアダプタの場合に、従来、ブリッジ整流回路のダイオード損失は、約２．５Ｗ、力率改善回路のダイオード損失は、約０．４Ｗ、出力整流回路のダイオード損失は、約４．０Ｗ、であったのに対して、本発明では、ダイオード損失は、出力整流回路の約３．０Ｗのみで、その差は、３．９Ｗである。この値は、出力容量８０Ｗに対して、約４．９％であるが、従来の効率８５％のとき、その全損失は、１５％＝１２Ｗであり、この値に対しては、約３３％の損失を軽減できることを意味している。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明によるブロック回路図である。
【図２】  本発明実施例の回路図である。
【図３】  本発明実施例の回路図である。
【図４】  本発明実施例の回路図である。
【図５】  従来のブロック回路図である。
【図６】  従来の回路図である。
【図７】  本発明の動作説明チャート図である。
【符号の説明】
１：交流電源                    ２：スイッチング回路
３：分離回路                    ４：トランス
５：整流回路                    ６：負荷
７：交流電圧                    ８：低周波を含む高周波電圧
９、１０：高周波電圧            １１：直流電圧
１２：交流電源                  １３：フィルタ回路
１４〜１７：ダイオード          １８：抵抗器
１９：コンデンサ                ２０：制御回路
２１：インダクタ                ２２：抵抗器
２３、２４：コンデンサ          ２５：半導体スイッチ
２６〜２８：ダイオード          ２９：コンデンサ
３０：制御回路                  ３１：半導体スイッチ
３２：トランス                  ３３：制御回路
３４：ダイオード                ３５：コンデンサ
３６：負荷                      ３７：交流電源
３８：フィルタ回路              ３９〜４２：ダイオード
４３：抵抗器                    ４４：コンデンサ
４５：制御回路                  ４６：インダクタ
４７：抵抗器                    ４８：コンデンサ
４９：半導体スイッチ            ５０：コンデンサ
５１：ダイオード                ５２：トランス
５３：制御回路                  ５４、５５：ダイオード
５６：コンデンサ                ５７：負荷
５８：交流電源                  ５９：フィルタ回路
６０：抵抗器                    ６１：コンデンサ
６２：制御回路                  ６３：トランス
６４：インダクタ                ６５：抵抗器
６６：コンデンサ                ６７：コンデンサ
６８、６９：半導体スイッチ      ７０：コンデンサ
７１：インダクタ                ７２：ダイオード
７３：トランス                  ７４：制御回路
７５〜７８：ダイオード          ７９、８０：コンデンサ
８１：インダクタ                ８２：半導体スイッチ
８３：ダイオード                ８４：制御回路
８５：負荷                      ８６：交流電源
８７：整流回路                  ８８：力率改善回路
８９：スイッチング回路          ９０：トランス
９１：整流回路                  ９２：負荷
９３：交流電圧                  ９４：全波整流電圧
９５：直流電圧                  ９６、９７：高周波電圧
９８：直流電圧                  ９９：交流電源
１００：フィルタ回路            １０１：サーミスタ
１０２〜１０５：ダイオード      １０６、１０７：抵抗器
１０８：制御回路                １０９：インダクタ
１１０：半導体スイッチ          １１１：ダイオード
１１２：コンデンサ              １１３：制御回路
１１４：半導体スイッチ          １１５：トランス
１１６：制御回路                １１７：ダイオード
１１８：コンデンサ              １１９：負荷
１２０〜１２４：波形            １２５：時間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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