(57)【要約】【課題】  アクティブ型有機発光ダイオードの電流駆動装置と方法の提供。【解決手段】  本発明の提供する駆動装置は、奇数サブ画素と偶数サブ画素からなる隣り合う二つのサブ画素（Ｓｕｂ−Ｐｉｘｅｌ）を利用し、各サブ画素駆動装置が四つの薄膜トランジスタ及び一つのコンデンサを具え、各サブ画素が、書き込み素子、スイッチング素子、駆動素子、コントロール素子、保存素子、発光素子を具え、駆動回路が奇数サブ画素の奇数許可線、偶数サブ画素の偶数許可線、奇数サブ画素と偶数サブ画素の共用のデータ線、走査線、電源供給線、共カソード線を具えている。【選択図】        図１
2005025106.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
隣り合う奇数サブ画素（１０）と偶数サブ画素（２０）で組成された二つのサブ画素を利用したアクティブ型有機発光ダイオードの電流駆動装置において、
各サブ画素駆動装置が、
奇数サブ画素（１０）の奇数許可線（１０１）と、偶数サブ画素（２０）の偶数許可線（２０１）と、
奇数サブ画素（１０）と偶数許可線（２０１）の共用のデータ線（５０）と、
走査線（５１）と、
電源供給線（５２）、（５２’）と、
共カソード線（５３）と、
ソースがデータ線（５０）に接続された書き込み素子（Ｔ１）、（Ｔ１’）と、
ゲートが上述の書き込み素子（Ｔ１）、（Ｔ１’）のゲートに接続され、ソースがデータ線（５０）に接続されたスイッチング素子（Ｔ２）、（Ｔ２’）と、
ゲートが上述の書き込み素子（Ｔ１）、（Ｔ１’）のドレインに接続され、ソースが上述の電源供給線（５２）、（５２’）に接続された駆動素子（Ｔ３）、（Ｔ３’）と、
ゲートが上述の走査線（５１）に接続され、ソースが上述の奇数許可線（１０１）或いは偶数許可線（２０１）に接続され、ドレインが上述のスイッチング素子（Ｔ２）、（Ｔ２’）のゲートに接続されたコントロール素子（Ｔ４）、（Ｔ４’）と、
二端を具え、そのうち一端が上述の駆動素子（Ｔ３）、（Ｔ３’）のソースに接続され、もう一端が上述の駆動素子（Ｔ３）、（Ｔ３’）のゲートと書き込み素子（Ｔ１）、（Ｔ１’）のドレインの接続部分に接続された保存素子（Ｃ）、（Ｃ’）と、
一端がプラス極とされて上述の駆動素子（Ｔ３）、（Ｔ３’）のドレインに接続され、もう一端がマイナス極とされて上述の共カソード線（５３）に接続された、発光素子（１１）、（２１）と、
を具えたことを特徴とする、アクティブ型有機発光ダイオードの電流駆動装置。
【請求項２】
請求項１記載のアクティブ型有機発光ダイオードの電流駆動装置において、書き込み素子（Ｔ１）、（Ｔ１’）が薄膜トランジスタとされたことを特徴とする、アクティブ型有機発光ダイオードの電流駆動装置。
【請求項３】
請求項１記載のアクティブ型有機発光ダイオードの電流駆動装置において、スイッチング素子（Ｔ２）、（Ｔ２’）が薄膜トランジスタとされたことを特徴とする、アクティブ型有機発光ダイオードの電流駆動装置。
【請求項４】
請求項１記載のアクティブ型有機発光ダイオードの電流駆動装置において、駆動素子（Ｔ３）、（Ｔ３’）が薄膜トランジスタとされたことを特徴とする、アクティブ型有機発光ダイオードの電流駆動装置。
【請求項５】
請求項１記載のアクティブ型有機発光ダイオードの電流駆動装置において、コントロール素子（Ｔ４）、（Ｔ４’）が薄膜トランジスタとされたことを特徴とする、アクティブ型有機発光ダイオードの電流駆動装置。
【請求項６】
請求項１記載のアクティブ型有機発光ダイオードの電流駆動装置において、保存素子（Ｃ）、（Ｃ’）がストレージキャパシタとされたことを特徴とする、アクティブ型有機発光ダイオードの電流駆動装置。
【請求項７】
アクティブ型有機発光ダイオードの電流駆動方法において、
駆動時に一つのフレーム（６０）サイクルを二つの期間に分け、その一つを書き込み期間（６０１）、もう一つの表示期間（６０２）とするステップ、
書き込み期間（６０１）に共カソード線（５３）を高電位（Ｖｄｄ）に引き上げ、パネル上の全ての発光素子（１１）、（２１）の前の画面の発光を停止させ、並びに第１条の走査線（５１）より現在のフレーム（６０）データ電流の書き込み動作を開始し、画素中の保存素子（Ｃ）、（Ｃ’）の両端の電圧差を、駆動素子（Ｔ３）、（Ｔ３’）を流通する電流がデータ電流（Ｉdata）に等しくなる時に必要なソース−ゲート電圧（Ｖｓｇ）と等しくなるようにするステップ、
各走査線（５１）の書き込み期間（６０１）が終了した後に、共カソード線（５３）を零電位（ＧＮＤ）に下げて表示期間（６０２）に進入し、パネル上の各画素中の発光素子（１１）、（２１）を書き込みデータ電流に等しい電流が通過するようにし、ディスプレイの発光素子（１１）、（２１）に画面の必要とする輝度を発生させるステップ、
以上のステップを具えたことを特徴とする、アクティブ型有機発光ダイオードの電流駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一種のアクティブ型有機発光ダイオードの電流駆動装置と方法に係り、特にアクティブ型有機発光ダイオードパネルの画像不均一を形成するデータ電流書き込みの問題を改善した装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光ディスプレイは、駆動方式によりパッシブマトリクス型とアクティブマトリクス型の二種類に分けられる。いわゆるアクティブマトリクス型有機発光ディスプレイは、薄膜トランジスタを利用し、コンデンサを利用して信号を保存することにより有機発光ディスプレイの輝度グレースケール表現を制御している。
【０００３】
パッシブマトリクス型有機発光ディスプレイの製造コストと技術は比較的低いが、駆動方式に制限されて解析度を高めることができず、このため応用製品サイズは５英インチ以内に限られ、製品は低解析度の小サイズのものに制限される。高い精密度と大画面の製品にはアクティブマトリクス型のものの採用が主流である。アクティブマトリクス型はコンデンサで信号を保存し、走査線の走査後の画素が依然としてもとの輝度を保持する。一方パッシブマトリクスでは、走査線が選択した画素のみが点灯する。これにより、アクティブマトリクス型では有機発光ディスプレイは非常に高い輝度に駆動する必要はなく、このため寿命が長くなり、高解析度の要求を達成できる。有機発光ディスプレイに薄膜トランジスタを組み合わせる技術をアクティブマトリクス型有機発光ディスプレイに応用すると、現在のディスプレイ市場の画面再生の流暢度、及びますます高くなる解析度に対する要求に符合し、十分に有機発光ディスプレイの優れた特性を現出させることができる。
【０００４】
ガラス基板上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を成長させる技術には、アモルファスシリコン工程（ａ−Ｓｉ）工程と低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）工程があり、ＬＴＰＳ  ＴＦＴとａ−Ｓｉ  ＴＦＴの最大の区別は、その電気性質と工程の複雑さの違いである。ＬＴＰＳ  ＴＦＴは比較的高いキャリア移動度を有し、比較的高いキャリア移動度はＴＦＴが十分な電流を提供できることを意味するが、その製造工程は比較的複雑である。一方、ａ−Ｓｉ  ＴＦＴはその逆であり、ａ−Ｓｉ  ＴＦＴのキャリア移動度はＬＴＰＳ  ＴＦＴほどではないが、その製造工程は簡単で成熟しており、このためコスト上、優れている。
【０００５】
ＬＴＰＳ工程能力の制限のため、製造されるＴＦＴ素子のスレショルド電圧及び電子移動度（Ｍｏｂｉｌｉｔｙ）は変異を発生しうるため、各ＴＦＴ素子の特性に違いが生じ得る。駆動システムにアナログ電圧変調方式を使用してグレースケールを表現する時、異なる画素のＴＦＴの特性の違いにより、同じデータ（Ｄａｔａ）電圧信号を入力しても、有機発光ダイオードは異なる出力電流を発生し、ディスプレイパネル上の異なる画素の有機発光ダイオードの発生する輝度を異なるものとさせうる。この現象は有機発光ダイオードパネルにグレースケール不良の画像を表示させ、パネル画像の均一性（Ｉｍａｇｅ  Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）を破壊する。
【０００６】
上述のパネル画像の均一性の欠点を解決するため、特許文献１により、データ電流書き込みのメカニズムを使用してＴＦＴ素子のスレショルド電圧と電子移動度（Ｍｏｂｉｌｉｔｙ）の変異を保証して画像の均一性を改善する方法が開示されている。図３はこの特許文献１の画素回路表示図であり、その回路の動作原理は以下のとおりである。
【０００７】
走査時に、トランジスタＰ１とトランジスタＰ３が導通状態となり、トランジスタＮ１が非導通状態となり、この時、データ線３１上のデータ電流（Ｉdata）がトランジスタＰ１を流れ、このデータ電流（Ｉdata）がトランジスタＰ２を流れる電流（ＩP2）と等しくなければ、電流（Ｉc ）の保存素子Ｃｓに対する充電或いは放電の動作が行なわれ、その電流の大きさはデータ電流（Ｉdata）とトランジスタＰ２を流れる電流（ＩP2）の差に等しい。
【０００８】
ゆえに保存素子Ｃｓに対する充電或いは放電の動作によりトランジスタＰ２を流れる電流（ＩP2）が増加或いは減少し、保存素子Ｃｓの充電或いは放電の動作が、トランジスタＰ２を流れる電流（ＩP2）をデータ電流（Ｉdata）に等しくする時、保存素子Ｃｓの両端の電圧差が、トランジスタＰ２を流れる電流（ＩP2）がデータ電流（Ｉdata）と等しくなる時に必要なソース−ゲート電圧（Ｖｓｇ）を提供する。その後、トランジスタＰ１及びトランジスタＰ３をオフとし、走査が終了し、表示ステップに進入する。表示ステップに進入した後、トランジスタＮ１はオンとされ、トランジスタＰ２のソース端（Ｓ端）が電源供給線３３（Ｓｕｐｐｌｙ  Ｌｉｎｅ）に接続され、保存素子Ｃｓの両端の電圧差がトランジスタＰ２を流れる電流（ＩP2）がデータ電流（Ｉdata）と等しくなるときに必要なソース−ゲート電圧（Ｖｓｇ）を提供し、ゆえに有機発光ダイオード３４を流れる電流がトランジスタＰ２を流れる電流（ＩP2）の大きさ即ちデータ電流（Ｉdata）の大きさに等しくなり、これにより有機発光ダイオード３４がデータ電流（Ｉdata）の大きさに対応する輝度を発生する。
【０００９】
上述の画素回路技術のアクティブマトリックス型有機発光ダイオードディスプレイは、その駆動構造が図４に示されるようであり、フレーム４０（Ｆｒａｍｅ）（１フレーム＝１／６０秒）の開始において、第１条の走査線より現在のフレーム４０データ電流の書き込み動作（Ｗｒｉｔｅ）４０１が開始され、画素中の保存素子Ｃｓの両端の電圧差によりＰ２を流れる電流（ＩP2）がデータ電流（Ｉdata）に等しくなる時に必要なソース−ゲート電圧（Ｖｓｇ）が提供される。第１条の走査線３２が書き込み動作４０１を完成した後、続いて第２条の走査線３２が現在のフレーム４０データ電流の書き込み動作を行ない、このとき、第１条の走査線３２上の有機発光ダイオード３４をデータ書き込み電流と同じ大きさの電流が流れ、第１条の走査線３２上の有機発光ダイオード３４が現在のフレームの輝度を表示４０２する。
【００１０】
第２条の走査線３２が書き込み動作４０１を完成した之、第３条の走査線３２が現在のフレーム４０データ電流の書き込み動作４０１を行ない、このとき、第２条の走査線上の有機発光ダイオード３４をデータ書き込み電流と同じ大きさの電流が流れ、これにより第２条の走査線３２上の有機発光ダイオード３３４が現在のフレームの輝度を表示する。
【００１１】
こうして最後の一条の走査線がフレーム４０データ電流の書き込み動作４０１を行なうと、再度第１条の走査線３２に戻り次のフレーム４０データ電流の書き込み動作４０１を行なう。
【００１２】
しかし、上述の特許文献１はＰ型或いはＮ型のＣ−ＴＦＴ  ＬＴＰＳ製造工程を使用しており、製造工程が相当に複雑であり、製造コストが増した。
【００１３】
【特許文献１】米国特許第６，２２９，５０６号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明の主要な目的は、上述の従来の技術の欠点を解決し、欠点の存在を無くすことにあり、即ち、本発明はデータ電流書き込み（Ｃｏｒｒｅｎｔ  Ｐｒｏｇｒａｍｍｅｄ）の駆動方式を実現し、ＴＦＴ素子のスレショルド電圧と電子移動度（Ｍｏｂｉｌｉｔｙ）の変異を補償することにより、アクティブマトリックス型有機発光ダイオードパネルの画像不均一の現象を改善し、また、データ線の数を減らして周知の設計の半分とし、こうして製造コストを節約できるようにする。
【００１５】
上述の目的を達成するため、本発明の提供する駆動装置は、奇数サブ画素と偶数サブ画素からなる隣り合う二つのサブ画素（Ｓｕｂ−Ｐｉｘｅｌ）を利用し、各サブ画素駆動装置が四つの薄膜トランジスタ及び一つのコンデンサを具え、各サブ画素が、書き込み素子、スイッチング素子、駆動素子、コントロール素子、保存素子、発光素子を具え、駆動回路が奇数サブ画素の奇数許可線、偶数サブ画素の偶数許可線、奇数サブ画素と偶数サブ画素の共用のデータ線、走査線、電源供給線、共カソード線を具えている。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
請求項１の発明は、隣り合う奇数サブ画素（１０）と偶数サブ画素（２０）を含む二つのサブ画素を利用したアクティブ型有機発光ダイオードの電流駆動装置において、
各サブ画素が、
奇数サブ画素（１０）の奇数許可線（１０１）と、偶数サブ画素（２０）の偶数許可線（２０１）と、
奇数サブ画素（１０）と偶数許可線（２０１）の共用のデータ線（５０）と、
走査線（５１）と、
電源供給線（５２）、（５２’）と、
共カソード線（５３）と、
ソースがデータ線（５０）が接続された書き込み素子（Ｔ１）、（Ｔ１’）と、
ゲートが上述の書き込み素子（Ｔ１）、（Ｔ１’）のゲートに接続され、ソースがデータ線（５０）に接続されたスイッチング素子（Ｔ２）、（Ｔ２’）と、
ゲートが上述の書き込み素子（Ｔ１）、（Ｔ１’）のドレインに接続され、ソースが上述の電源供給線（５２）、（５２’）に接続された駆動素子（Ｔ３）、（Ｔ３’）と、
ゲートが上述の走査線（５１）に接続され、ソースが上述の奇数許可線（１０１）或いは偶数許可線（２０１）に接続され、ドレインが上述のスイッチング素子（Ｔ２）、（Ｔ２’）のゲートに接続されたコントロール素子（Ｔ４）、（Ｔ４’）と、
二端を具え、そのうち一端が上述の駆動素子（Ｔ３）、（Ｔ３’）のソースに接続され、もう一端が上述の駆動素子（Ｔ３）、（Ｔ３’）のゲートと書き込み素子（Ｔ１）、（Ｔ１’）のドレインの接続部分に接続された保存素子（Ｃ）、（Ｃ’）と、
一端がプラス極とされて上述の駆動素子（Ｔ３）、（Ｔ３’）のドレインに接続され、もう一端がマイナス極とされて上述の共カソード線（５３）に接続された、発光素子（１１）、（２１）と、
を具えたことを特徴とする、アクティブ型有機発光ダイオードの電流駆動装置としている。
請求項２の発明は、請求項１記載のアクティブ型有機発光ダイオードの電流駆動装置において、書き込み素子（Ｔ１）、（Ｔ１’）が薄膜トランジスタとされたことを特徴とする、アクティブ型有機発光ダイオードの電流駆動装置としている。
請求項３の発明は、請求項１記載のアクティブ型有機発光ダイオードの電流駆動装置において、スイッチング素子（Ｔ２）、（Ｔ２’）が薄膜トランジスタとされたことを特徴とする、アクティブ型有機発光ダイオードの電流駆動装置としている。
請求項４の発明は、請求項１記載のアクティブ型有機発光ダイオードの電流駆動装置において、駆動素子（Ｔ３）、（Ｔ３’）が薄膜トランジスタとされたことを特徴とする、アクティブ型有機発光ダイオードの電流駆動装置としている。
請求項５の発明は、請求項１記載のアクティブ型有機発光ダイオードの電流駆動装置において、コントロール素子（Ｔ４）、（Ｔ４’）が薄膜トランジスタとされたことを特徴とする、アクティブ型有機発光ダイオードの電流駆動装置としている。
請求項６の発明は、請求項１記載のアクティブ型有機発光ダイオードの電流駆動装置において、保存素子（Ｃ）、（Ｃ’）がストレージキャパシタとされたことを特徴とする、アクティブ型有機発光ダイオードの電流駆動装置としている。
請求項７の発明は、アクティブ型有機発光ダイオードの電流駆動方法において、
駆動時に一つのフレーム（６０）サイクルを二つの期間に分け、その一つを書き込み期間（６０１）、もう一つの表示期間（６０２）とするステップ、
書き込み期間（６０１）に共カソード線（５３）を高電位（Ｖｄｄ）に引き上げ、パネル上の全ての発光素子（１１）、（２１）の前の画面の発光を停止させ、並びに第１条の走査線（５１）より現在のフレーム（６０）データ電流の書き込み動作を開始し、画素中の保存素子（Ｃ）、（Ｃ’）の両端の電圧差を、駆動素子（Ｔ３）、（Ｔ３’）を流通する電流がデータ電流（Ｉdata）に等しくなる時に必要なソース−ゲート電圧（Ｖｓｇ）と等しくなるようにするステップ、
各走査線（５１）の書き込み期間（６０１）が終了した後に、共カソード線（５３）を零電位（ＧＮＤ）に下げて表示期間（６０２）に進入し、パネル上の各画素中の発光素子（１１）、（２１）を書き込みデータ電流に等しい電流が通過するようにし、ディスプレイの発光素子（１１）、（２１）に画面の必要とする輝度を発生させるステップ、
以上のステップを具えたことを特徴とする、アクティブ型有機発光ダイオードの電流駆動方法としている。
【発明の効果】
【００１７】
本発明のアクティブ型有機発光ダイオードの電流駆動装置は以下の長所を有している。
（１）本発明の技術はデータ電流書き込みの駆動方式により、薄膜トランジスタ素子のスレショルド電圧と電子移動度の変異を補償し、アクティブ型有機発光ダイオードパネルの画像不均一の現象を改善する。
（２）本発明の技術はデータ線の数を節約でき、周知の設計の半分の数とすることができ、これにより回路コストを節約し、ボンディングにかかるコストを節約し、ボンディングの強健性（Ｒｏｂｕｓｔｎｅｓｓ）を増すことができる。
（３）本発明の技術はＰ型及びＮ型のＣ−ＴＦＴ  ＬＴＰＳ工程を使用する必要がなく、製造コストを減らすことができる。
（４）本発明の技術は有機発光ダイオード素子を操作時にある時間、逆バイアスの状況となし、このような操作モードにより、有機発光ダイオードの使用の寿命を増すことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１は本発明の装置表示図である。図示されるように、本発明の提供する駆動装置は奇数サブ画素（１０）と偶数サブ画素（２０）で組成された隣り合う二つの隣り合うサブ画素の駆動装置とされ、各サブ画素駆動装置はいずれも四つの薄膜トランジスタと一つのコンデンサを具えている。奇数サブ画素（１０）と偶数サブ画素（２０）はそれぞれが、一つの書き込み素子（Ｔ１）、（Ｔ１’）、一つのスイッチング素子（Ｔ２）、（Ｔ２’）、一つの駆動素子（Ｔ３）、（Ｔ３’）、一つのコントロール素子（Ｔ４）、（Ｔ４’）、一つの保存素子（Ｃ）、（Ｃ’）、一つの発光素子（１１）、（２１）を具えている。駆動回路は奇数サブ画素（１０）の奇数許可線（１０１）と電源供給線（５２）、偶数サブ画素（２０）の偶数許可線（２０１）と電源供給線（５２’）、奇数サブ画素（１０）と偶数サブ画素（２０）の共用のデータ線（５０）、一つの走査線（５１）、一つの共カソード線（５３）を具えている。
【００１９】
そのうち、該書き込み素子（Ｔ１）、（Ｔ１’）のソースがデータ線（５０）に接続され、スイッチング素子（Ｔ２）、（Ｔ２’）のゲートが上述の書き込み素子（Ｔ１）、（Ｔ１’）の書き込み素子（Ｔ１）、（Ｔ１’）のゲートに接続され、スイッチング素子（Ｔ２）、（Ｔ２’）のソースがデータ線（５０）に接続されている。該駆動素子（Ｔ３）、（Ｔ３’）のゲートが上述の書き込み素子（Ｔ１）、（Ｔ１’）のドレインに接続され、該駆動素子（Ｔ３）、（Ｔ３’）のソースが上述の電源供給線（５２）、（５２’）に接続されている。該コントロール素子（Ｔ４）、（Ｔ４’）のゲートは上述の走査線（５１）に接続され、該コントロール素子（Ｔ４）、（Ｔ４’）のソースが上述の奇数許可線（１０１）又は偶数許可線（２０１）に接続され、そのドレインが上述のスイッチング素子（Ｔ２）、（Ｔ２’）のゲートに接続されている。
【００２０】
該保存素子（Ｃ）、（Ｃ’）は二端を具え、一端が上述の駆動素子（Ｔ３）、（Ｔ３’）のソースに接続され、もう一端が上述の駆動素子（Ｔ３）、（Ｔ３’）のゲートと書き込み素子（Ｔ１）、（Ｔ１’）のドレインの接続部分に接続されている。該発光素子（１１）、（２１）の一端はプラス極とされて上述の駆動素子（Ｔ３）、（Ｔ３’）のドレインに接続され、もう一端はマイナス極とされて上述の共カソード線（５３）に接続されている。
【００２１】
本発明の駆動構造は図２に示されるように、一つのフレーム（６０）サイクル（１フレーム＝１／６０秒）が二つの期間に分けられ、その一つが書き込み期間（６０１）、もう一つが表示期間（６０２）とされる。
【００２２】
書き込み期間（６０１）にあって、共カソード線（５３）が高電位（Ｖｄｄ）に引き上げられ、パネル上の全ての発光素子（１１）、（２１）が前のフレームの発光を停止し、並びに第１条の走査線（５１）より現在のフレーム（６０）データ電流の書き込み動作を開始し、画素中の保存素子（Ｃ）、（Ｃ’）の両端の電圧差を、駆動素子（Ｔ３）、（Ｔ３’）を流通する電流がデータ電流（Ｉdata）に等しくなる時に必要なソース−ゲート電圧（Ｖｓｇ）とし、最後の１条の走査線（５１）までデータ電流の書き込み動作を実行し、データ電流の書き込み動作を完成する。各走査線（５１）の書き込み期間（６０１）を完成した後、さらに共カソード線（５３）を零電位（ＧＮＤ）に下げて表示期間（６０２）に進入し、パネル上の各画素中の発光素子（１１）、（２１）に書き込みデータ電流（Ｉdata）と同じ大きさの電流を流すことにより、ディスプレイの発光素子（１１）、（２１）に現在のフレームの輝度を表示させる。
【００２３】
本発明の動作原理は以下のとおりである。書き込み期間（６０１）の時、共カソード線（５３）が高電位（Ｖｄｄ）に引き上げられることにより、発光素子（１１）、（２１）は逆バイアス状態とされて発光不能となり、発光素子（１１）、（２１）を流れる電流が零となる。
【００２４】
ゆえに、走査線（５１）が走査駆動信号を送出する時、奇数サブ画素（１０）中のコントロール素子（Ｔ４）と偶数サブ画素（２０）中のコントロール素子（Ｔ４’）が導通する。奇数許可線（１０１）上の信号はコントロール素子（Ｔ４）の導通により奇数サブ画素（１０）中の書き込み素子（Ｔ１）及びスイッチング素子（Ｔ２）を導通させ、偶数許可線（２０１）上の信号はコントロール素子（Ｔ４’）の導通により偶数サブ画素（２０）中の書き込み素子（Ｔ１’）及びスイッチング素子（Ｔ２’）を非導通とする。これと同時に、データ線（５０）で奇数サブ画素（１０）のデータ電流（Ｉdata-ODD）が送出される。
【００２５】
また、もしこの時、データ線（５０）上のデータ電流（Ｉdata-ODD）が駆動素子（Ｔ３）を流れる電流（ＩT3）と不等であれば、電流（Ｉｃ）が保存素子（Ｃ）に対して充電或いは放電を行ない、その電流の大きさはデータ電流（Ｉdata-ODD）と駆動素子（Ｔ３）を流れる電流（ＩT3）の差と等しい。保存素子（Ｃ）の充電或いは放電の動作が続き駆動素子（Ｔ３）を流れる電流（ＩT3）を増加或いは減少させ、保存素子（Ｃ）の充電或いは放電の動作が駆動素子（Ｔ３）を流れる電流（ＩT3）がデータ電流（Ｉdata-ODD）と等しくなる時、保存素子（Ｃ）の両端の電圧差がちょうど駆動素子（Ｔ３）を流れる電流（ＩT3）がデータ電流（Ｉdata-ODD）と等しくなる時に必要なソース−ゲート電圧（Ｖｓｇ）を提供する。
【００２６】
続いて、奇数許可線（１０１）上の信号がコントロール素子（Ｔ４）の導通により奇数サブ画素（１０）中の書き込み素子（Ｔ１）及びスイッチング素子（Ｔ２）を非導通となす。偶数許可線（２０１）の信号がコントロール素子（Ｔ４’）の導通により偶数サブ画素（２０）中の書き込み素子（Ｔ１’）及びスイッチング素子（Ｔ２’）を導通させる。この時、データ線（５０）が偶数サブ画素（２０）のデータ電流（Ｉdata-EVEN ）を送出する。
【００２７】
このとき、データ線（５０）上のデータ電流（Ｉdata-EVEN ）が駆動素子（Ｔ３’）を流れる電流（ＩT3' ）と不等であれば、電流（Ｉc ' ）が保存素子（Ｃ’）に対して充電或いは放電を行ない、その電流の大きさはデータ電流（Ｉdata-EVEN ）と駆動素子（Ｔ３’）を流れる電流（ＩT3' ）の差と等しい。保存素子（Ｃ’）の充電或いは放電の動作は駆動素子（Ｔ３’）を流れる電流（ＩT3' ）を増加或いは減少させ、保存素子（Ｃ’）の充電或いは放電の動作が続き駆動素子（Ｔ３’）を流れる電流（ＩT3' ）がデータ電流（Ｉdata-EVEN ）と等しくなる時、保存素子（Ｃ’）の両端の電圧差がちょうど駆動素子（Ｔ３’）を流れる電流（ＩT3' ）がデータ電流（Ｉdata-EVEN ）と等しくなる時に必要なソース−ゲート電圧（Ｖｓｇ’）を提供する。
【００２８】
各走査線（５１）の書き込みを完成した後、共カソード線（５３）が零電位（ＧＮＤ）に下げられ、表示期間（６０２）に進入し、発光素子（１１）、（２１）が順バイアス状態とされて導通し発光し、保存素子（Ｃ）、（Ｃ’）の両端の電圧差がちょうど駆動素子（Ｔ３）、（Ｔ３’）を流通する電流がデータ電流に等しくなる時に必要なソース−ゲート電圧（Ｖｓｇ）、（Ｖｓｇ’）を提供し、ゆえに、パネル上の各画素中の発光素子（１１）、（２１）をデータ書き込み電流と同じ大きさの電流が通過し、これによりディスプレイの発光素子（１１）、（２１）が現在のフレームの必要とする輝度を表示する。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の装置の表示図である。
【図２】図１の駆動構造表示図である。
【図３】特許文献１の画素回路表示図である。
【図４】図３の駆動構造表示図である。
【符号の説明】
【００３０】
（１０）奇数サブ画素
（２０）偶数サブ画素
（１０１）奇数許可線
（２０１）偶数許可線
（５０）データ線
（５１）走査線
（５２）、（５２’）電源供給線
（５３）共カソード線
（Ｔ１）、（Ｔ１’）書き込み素子
（Ｔ２）、（Ｔ２’）スイッチング素子
（Ｔ３）、（Ｔ３’）駆動素子
（Ｔ４）、（Ｔ４’）コントロール素子
（Ｃ）、（Ｃ’）保存素子
（１１）、（２１）発光素子
（６０）フレーム
（６０１）書き込み期間
（６０２）表示期間
【図１】
2005025106.tif 000003
【図２】
2005025106.tif 000004
【図３】
2005025106.tif 000005
【図４】
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