(57)【要約】【課題】ヒートボルトとヒートボルト周辺との間の熱的絶縁性を確保すること。【解決手段】リテーナ部２と、成形機本体２に支持されるダイ１と、成形機本体２に支持され軸方向に膨張収縮するヒートボルト９と、ヒートボルト９の内部領域に高密度に軸方向に通る磁束を生成する誘導加熱コイル３４とから構成されている。ヒートボルト９の伸縮端部は軸方向に変位しダイ１の変位可能部分６に機械的に結合する。ヒートボルト９の外周面と誘導加熱コイル３４の内周面との間に、環状空隙４２が与えられ得る。環状空隙４２は、課題の熱的絶縁性を確保する。【選択図】          図１
2005186481.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
押出成形機のダイと、
前記ダイに支持され軸方向に膨張収縮するヒートボルトと、
前記ヒートボルトの内部領域に高密度に軸方向に通る磁束を生成する誘導加熱コイルとを具え、
前記ヒートボルトの伸縮端部は前記軸方向に変位し前記ダイの変位可能部分に機械的に結合し、
前記ヒートボルトの外周面と前記誘導加熱コイルの内周面との間に環状空隙が与えられている
ダイ用アクチュエータ。
【請求項２】
前記内部領域は前記ヒートボルトの中心線領域又は前記中心線領域の近傍領域である
請求項１のダイ用アクチュエータ。
【請求項３】
前記ヒートボルトを円筒状に囲むボビンを更に具え、
前記誘導加熱コイルは、前記ボビンの外周面側に巻き付き、
前記誘導加熱コイルの有効中心線は前記ボビンの有効中心線に概ね一致し、
前記環状空隙は、前記ヒートボルトの外周面と前記ボビンの内周面との間に形成されている
請求項１のダイ用アクチュエータ。
【請求項４】
前記環状空隙に冷却媒体が通される
請求項３のダイ用アクチュエータ。
【請求項５】
前記誘導加熱コイルの外周面側に配置される磁束誘導路形成体を更に具え、前記磁束誘導路形成体は、前記誘導加熱コイルの周囲への漏れ磁束を前記磁束誘導路形成体に集中させる
請求項３のダイ用アクチュエータ。
【請求項６】
前記磁束誘導路形成体は、
前記軸方向に延びる軸方向磁束誘導部分と、
前記ヒートボルトに対して半径方向に向く半径方向磁束誘導部分とを形成する
請求項５のダイ用アクチュエータ。
【請求項７】
前記磁束誘導路形成体は、周方向に分割される複数の分割体を構成し、
前記複数の分割体の間には隙間が形成され、前記磁束誘導路形成体と前記誘導加熱コイルの熱は前記隙間を介して放熱される
請求項５又は６のダイ用アクチュエータ。
【請求項８】
前記隙間には冷却媒体が通される
請求項７のダイ用アクチュエータ。
【請求項９】
前記ダイは前記ヒートボルトの軸心線のまわりに非対称密度で分布し、前記複数の分割体は前記ダイに近接する部分により高密度に分布する
請求項７のダイ用アクチュエータ。
【請求項１０】
前記変位可能部分は前記押出成形機のダイリップとして形成され、
前記ヒートボルトと前記ダイリップを機械的に結合する連結体を更に具え、
前記連結体は磁束非透過性材料で形成されている
請求項１〜９から選択される１請求項のダイ用アクチュエータ。
【請求項１１】
前記磁束非透過性材料としてインコネルが適用される
請求項１０のダイ用アクチュエータ。
【請求項１２】
前記ヒートボルトを前記ボビンに対して複数箇所で支持する支持器を更に具え、
前記支持器の内側端面と前記ヒートボルトの外周面とは摺動自在である
請求項３のダイ用アクチュエータ。
【請求項１３】
ダイ本体と、
前記ダイ本体に対して変位するリップ部分とを具え、
前記ダイ本体と前記リップ部分との間に溶融樹脂を押し出して通す隙間が形成され、
前記リップ部分に変位力を与えて前記隙間の幅を調整する調整機構を更に具え、
前記調整機構は、
前記ダイ本体に支持され軸方向に膨張収縮するヒートボルトと、
前記ヒートボルトの伸縮端部を前記リップ部分に機械的に結合する連結体と、
前記ヒートボルトの内部領域に高密度に軸方向に通る磁束を生成する誘導加熱コイルと、
前記磁束のうち前記連結体に向かう磁束部分を前記軸方向に直交する方向に向かわせる磁束誘導体とを備え、
前記誘導加熱器の内面側と前記ヒートボルトの外周面側との間には環状空隙が形成されている
押出成形機。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイ用アクチュエータ、及び、押出成形機に関し、特に、ヒートボルトを熱的制御により伸縮させて押出し隙間を調整するダイ用アクチュエータ、及び、押出成形機に関する。
【背景技術】
【０００２】
フィルム、シート、板、チューブのような断面同形薄肉連続成形体を成形するために、押出成形機が用いられている。高速に射出的に押し出される溶融樹脂を冷却して規定される厚みの成形体を高速に生産するためには、ダイの隙間幅の調整が重要である。その調整は、厳密に行われる。その隙間幅の調整は、位置調整ボルトで行われていた。ボルトの進退量の厳密な制御は困難である。現在では、位置調整ボルトに代替されて、軸方向に長く熱的に膨張収縮するヒートボルトと慣用的に呼ばれる棒状体が用いられている。その熱膨張収縮の微小又は微妙な調整の技術は、後掲特許文献１で知られている。そのような技術は、定量的に微妙な熱制御を可能にする電磁誘導加熱を巧みに利用している。
【０００３】
ヒートボルトは、それの周辺領域から熱的影響を受ける。その周辺領域は、ヒートボルトから熱的影響を受ける。ヒートボルトは、ダイリップに熱を伝達させる。このようにヒートボルトは、それの半径方向周囲環境とそれの軸方向周囲環境に熱的影響を及ぼし、且つ、ヒートボルトは半径方向周囲環境とそれの軸方向周囲環境から熱的影響を受ける。このような環境は、複雑である。その複雑性は、それの熱的影響を制御することを困難にしている。
【０００４】
【特許文献１】特開平５−１１６１９９号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の課題は、ヒートボルトの冷却効率を高めるダイ用アクチュエータを提供することにある。
本発明の他の課題は、更に、誘導加熱によりヒートボルトを加熱するダイ用アクチュエータを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によるダイ用アクチュエータは、リテーナ部（ヒートボルト支持部：２）の他に、ダイ（１）と、リテーナ部（２）に支持され軸方向に膨張収縮するヒートボルト（９）と、ヒートボルト（９）の内部領域に高密度に軸方向に通る磁束を生成する誘導加熱コイル（３４）とから構成されている。ヒートボルト（９）の伸縮端部は軸方向に変位しダイ（１）の変位可能部分（６）に機械的に結合する。ヒートボルト（９）の外周面と誘導加熱コイル（３４）の内周面との間に環状空隙（４２）が与えられている。
【０００７】
ヒートボルト（９）は外側面から加熱されず、その内部に直接に熱エネルギーが供給される。このような内部加熱は、外部から熱を受ける公知技術と異なって、本質的に冷却構造を有していることに技術的に均等である。内部から加熱するこのようなヒートボルト（９）の加熱方法は、ヒートボルト（９）の冷却効率を高くすることができ、温度応答性を向上させ、且つ、電力供給とヒートボルト（９）の伸縮の対応を高速化する一石二鳥の効果がある。ここで、ヒートボルトは、当該技術分野の慣用名称であり、実際にねじ溝を有することは必須ではなく、単に円柱棒であり得る。熱媒体の介在なしに相手側に熱エネルギーを供給する熱誘導加熱方式は、ヒートボルト（９）と加熱器（１９）との間に熱伝達媒体を必要としないので、ヒートボルト（９）と加熱器（１９）との間に環状隙間を与えることを可能にする。このような環状隙間は、ヒートボルト（９）と加熱器（１９）を構成する誘導加熱コイル（３４）との間に形成されている。このような環状空隙（４２）は、ヒートボルト（９）とヒートボルト（９）の周囲環境、特に、ヒートボルト（９）の半径方向領域との間の熱絶縁性を確立させる。真空は最高の熱絶縁性を有し、真空中の空気は高絶縁性を有している。その空気を冷却性空気に積極的に代えることは顕著に効果がある。
【０００８】
誘導加熱器（１９）は、ヒートボルト（９）を円筒状に囲むボビン（３３）と、ボビン（３３）の外周面側に巻き付く誘導加熱コイル（３４）とから形成されている。この場合に、誘導加熱コイル（３４）の有効中心線はボビン（３３）の有効中心線に概ね一致することが重要である。このような軸心線の一致は、誘導磁束（５８）をヒートボルト（９）の中心領域に集中させることができる点で効果的である。
【０００９】
ヒートボルト（９）の外周面とボビン（３３）の内周面との間に環状空隙（４２）が形成される。環状空隙（４２）に冷却媒体が通される。冷却媒体としては、空気が適正である。媒体が必要ではない電磁誘導は、環状空隙の存在を可能にする。ヒートボルト（９）を外表面から冷却することにより、ヒートボルト（９）の熱安定性が保証される。環状空隙（４２）は、ヒートボルト（９）を冷却すると同時に、誘導加熱コイル（３４）を冷却し、ヒートボルト（９）の周囲の磁気環境の温度の変化を小さく抑制することができる。循環空気を積極的に冷却する冷却器の追加は、否定されない。
【００１０】
磁束誘導路形成体（３５）は、誘導加熱コイル（３４）の外周面側に効果的に配置される。磁束誘導路形成体（３５）は、磁束（５８）が周囲のダイ構造物に漏洩することを抑制する。磁束誘導路形成体（３５）は、軸方向に延びる軸方向磁束誘導部分（５５）と、ヒートボルト（９）に対して半径方向に向く半径方向磁束誘導部分（５６）とから形成されている。半径方向磁束誘導部分（５６）は、磁束（５８）の既述の集中を強化する。磁束誘導路形成体（３５）は、周方向に分割され、複数の分割体の間には隙間（５６’）が形成され、磁束誘導路形成体（３５）と誘導加熱コイル（３４）の熱は隙間（５６’）を介して放熱される。隙間（５６’）には冷却媒体（周囲の空気）が通され得る。
【００１１】
リテーナ部（２）は、ヒートボルト（９）の軸心線（Ｌ）のまわりに非対称密度で分布することが普通である。複数の分割体（３５−１，２）は、成形機本体（２）の高密度分布領域でより高密度に分布することが磁束の既述の集中のために望ましい。
【００１２】
その変位可能部分は、押出成形機のダイリップ（６）として形成される。本発明は、フィルムのような薄い成形品を押し出し成形により高速に生産する押出成形機のダイリップの隙間制御に適用されて特に効果的である。
【００１３】
ヒートボルト（９）とダイリップ（６）を機械的に結合する連結体（１６）は、磁束非透過性材料で形成されていることが効果的である。その磁束非透過性材料は、ダイリップ（６）への磁束漏洩を抑制し、且つ、ヒートボルトからの熱の影響を抑制することができる。磁束非透過性材料として選択されるインコネルは、後述される４物性を充足する優れた材料である。
【００１４】
誘導加熱コイル（３４）の有効中心線はボビン（３３）の有効中心線に概ね一致している。ヒートボルト（９）は、ボビン（３３）に対して複数箇所で支持器（４１）により支持される。支持器（４１）の内側端面とヒートボルト（９）の外周面とは摺動自在であることがヒートボルト（９）に無用の応力を発生させない点で望ましい。
【００１５】
リテーナ部（２）に嵌め込まれる断熱体（７１）の追加が好ましい。ボビン（３３）の軸方向端部は断熱体（７１）に形成される凹面に挿入される。このような挿入は、ヒートボルト（９）の軸心線（Ｌ）を設計通りに位置づけることができる。
【００１６】
本発明による押出成形機は、リテーナ部（２）と、ダイ（１）とから構成される。ダイ（１）は、ダイ本体部分（５又は７）と、ダイ本体部分（５）に対して変位するリップ部分（６）とから形成されている。ダイ本体部分（５）とリップ部分（６）との間に溶融樹脂を押し出して通す隙間（８）が形成されている。調整機構は、リップ部分（６）に変位力を与えて隙間（８）の幅を調整する。調整機構は、リテーナ部（２）に支持され軸方向に膨張収縮するヒートボルト（９）と、ヒートボルト（９）の伸縮端部をリップ部分（６）に機械的に結合する連結体（１６）と、ヒートボルト（９）の内部領域に高密度に軸方向に通る磁束（５８）を生成する誘導加熱器（１９）と、磁束（５８）のうち連結体（１６）に向かう磁束部分を軸方向に直交する方向に向かわせる磁束誘導体（３５）とから形成されている。誘導加熱器（１９）の内面側とヒートボルト（９）の外周面側との間には環状空隙（４２）が形成されることは、既述の通り本発明で本質的である。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によるダイ用アクチュエータ、及び、押出成形機は、ヒートボルトの誘導加熱部分とダイ周辺部分との熱的絶縁性を確保することができる。更に、誘導加熱の加熱効率の変動を回避することができる。更に、加熱効率の低減を抑制することができる。結果的に、成形精度を向上させることができる。
【００１８】
本発明によるダイ用アクチュエータ、及び、押出成形機は、更により具体的には、冷却効果と磁束透過抑制効果と熱透過抑制効果は、リップ部分に熱が伝達されることを相乗的に抑制する効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
図に対応して、本発明による押出成形機のダイ調整装置は、溶融樹脂射出ダイにヒートボルト支持用本体が設けられている。溶融樹脂射出ダイ１には、図１に示されるように、締付けボルト３により取付け面４でヒートボルト支持用本体２が接合されていてヒートボルト支持用本体２が強固に取り付けられている。
【００２０】
溶融樹脂射出ダイ１は、ダイ本体部分５とリップ部分６と溶融樹脂射出隙間形成不動体部分７とから形成されている。リップ部分６は、ダイ本体部分５に一体に形成されているが、変位自在である。溶融樹脂射出隙間８は、リップ部分６と溶融樹脂射出隙間形成不動体部分７との間でそれらの対向面間隙間として形成されている。リップ部分６を溶融樹脂射出隙間形成不動体部分７に対して微妙に進退動させることにより、溶融樹脂射出隙間８の隙間幅が微妙に調整される。
【００２１】
ヒートボルト９は、軸方向前後部位でヒートボルト支持用本体２に支持されている。ヒートボルト９の前方部位は、ダイ本体部分５を介してヒートボルト支持用本体２に対して支持されるサポート板１１を貫通している。ヒートボルト９の後方部位は、ヒートボルト支持用本体２の後方部位１２に貫通して支持されている。ヒートボルト９の後方部位は、引張機構１４に結合している。引張機構１４は、既述の特許文献２に詳細に述べられている。ヒートボルト９は、引張機構１４により後方に引張されているが、その軸方向初期位置が規定され得る。
【００２２】
ヒートボルト９の前方部位とリップ部分６との間に、力学的に（機械的に）強固に連結し熱的に非連結化する機械的連結熱的非連結器１５が介設されている。機械的連結熱的非連結器１５は、ヒートボルト９の前方部位に強固にねじ連結する第１連結体１６と、第１連結体１６とリップ部分６との間に介設される第２連結体１７とから構成されている。
【００２３】
ヒートボルト９の中間部位に対応する位置に、電磁誘導加熱器１９が配置されている。電磁誘導加熱器１９の内周面側とヒートボルト９の外周面側との間に、環状空隙４２が与えられている。環状空隙４２には空気が流通自在に侵入し、又は、環状空隙４２には積極的に冷却媒体が通され得る。電磁誘導加熱器１９とヒートボルト支持用本体２の間に、一方側断熱板２２が介設されている。
【００２４】
一方側断熱板２２は、ヒートボルト支持用本体２と電磁誘導加熱器１９との間を熱的に遮蔽し、且つ、ダイ本体部分５と電磁誘導加熱器１９との間を熱的に遮蔽する。他方側断熱板２３は、外気と電磁誘導加熱器１９との間を熱的に遮蔽する。一方側断熱板２２と電磁誘導加熱器１９との間は、環状隙間２４として形成されている。環状隙間２４には、冷却媒体が通され得る。
【００２５】
図２は、ヒートボルト９を加熱し冷却してヒートボルト９の温度を制御する加熱温度制御機構を示している。その加熱温度制御機構は、既述の電磁誘導加熱器１９を含む加熱系３１と冷却系３２とから構成されている。その加熱系３１は、ボビン３３と、ボビン３３の周面に巻き付く電磁誘導加熱コイル３４と、ボビン３３に外装され電磁誘導加熱コイル３４を覆う磁束誘導フェライトコア３５とから形成されている。電磁誘導加熱コイル３４は、ボビン３３の外周面と磁束誘導フェライトコア３５の内周面との間に収容されている。磁束誘導フェライトコア３５は、磁束誘導フェライトコア３５の外周面の軸方向に離隔する複数位置で環状の結束バンド３６により締結されている。
【００２６】
電磁誘導加熱コイル３４の両端には、接続端子３８とコード３９とを介して交流電力が電源（図示されず）から供給される。ボビン３３は、複数箇所に配置される複数の螺子４１により支持されている。このような支持により、ヒートボルト９の外周面とボビン３３の内周面との間に既述の環状隙間が環状冷気通路４２として形成されている。螺子４１はヒートボルト９に完全に固着することは好ましくない。ヒートボルト９が軽く螺子４１の内側端面に摺動することが許容され、又は、螺子４１の内側端面とヒートボルト９の外周面との間に適正に狭い隙間が与えられている。
【００２７】
サポート板１１の内部には、冷却媒体が通される冷却媒体通路４３が形成されている。サポート板１１の穴の内周面側に、冷気導入用環状路４４が形成されている。冷気導入用環状路４４は、ヒートボルト９の外周面とサポート板１１の穴の内周面との間に形成されている。冷却媒体通路４３は、冷気導入用環状路４４に連通している。サポート板１１とヒートボルト９との間に介設されるシールパッキン４５は、冷却媒体の漏れを防止している。冷気導入用環状路４４は、環状冷気通路４２に軸方向に連結している。
【００２８】
サポート板１１に支持されているケーシング４６（図１参照）の中に、図１に示されるように、冷却媒体供給管４７が配置されている。冷却媒体供給管４７から吐出される冷却媒体は、図２に示されるように、第１流線４８で示されるように冷却媒体通路４３の開口４９に案内され、第２流線５１で示されるように、磁束誘導フェライトコア３５の外周面領域に案内される。冷却媒体通路４３に支持されている既述の他方側断熱板２３には、冷気通し穴５２が開けられている。第２流線５１は、冷気通し穴５２を通っている。環状冷気通路４２の中の冷却媒体は、環状冷気通路４２の閉じられた一方側から侵入し、開放されている他方側５３から排出される。
【００２９】
図３は、ヒートボルト９とボビン３３の位置取り関係を示している。既述の通り、複数の螺子４１、特に、軸心線まわりに等角度間隔で配置される３つの螺子４１のそれぞれの内側端面は、ヒートボルト９をボビン３３中で浮遊的に支持している。螺子４１の螺子軸は、ロックナット５４によりボビン３３の外周面に締め付けられている。ロックナット５４の締付け位置の調整により、ヒートボルト９とボビン３３は同一軸心線を共有する。
【００３０】
電磁誘導加熱器１９は、磁性剛体（高透磁率剛体）に近接して配置されている。その磁性剛体は、ヒートボルト支持用本体２とダイ本体部分５とから形成される剛性的単一磁性体である。ヒートボルト支持用本体２とダイ本体部分５は、溶融樹脂射出隙間８の微妙な隙間幅を安定的に収斂する制御値に維持するために、剛体として一体物的に組立られていて、締付けボルト３はヒートボルト支持用本体２とダイ本体部分５を強固に結合してその組立体の全体の剛性を保証している。
【００３１】
そのような剛性を与えるために、ヒートボルト支持用本体２とダイ本体部分５とは通常は金属で製作され、電磁誘導加熱器１９が生成する磁束に影響を与える程度の磁性を有している。電磁誘導加熱器１９は、そのような磁性的影響を弱くするためのセット構造を有している。そのセット構造には、磁性的遮蔽性（磁気シールド）が与えられている。そのような磁気遮蔽性は、次に述べられるように具体化されている。
【００３２】
１つの磁束誘導フェライトコア３５は、図４に示されるように、軸方向にヒートボルト９に沿って長く延びる磁束誘導軸方向部分５５と、磁束誘導軸方向部分５５の軸方向両端部位でヒートボルト９に向かって半径方向（向心方向）に延びる磁束誘導半径方向部分５６とから構成されている。磁束誘導軸方向部分５５と磁束誘導半径方向部分５６は、一体の強磁性体材料、例えば、フェライト材で形成され得る。
【００３３】
磁束誘導フェライトコア３５は、図５に示されるように、分割されて多体に形成されている。磁気シールドの点では、磁束誘導フェライトコア３５は一体的環状体（円筒体）であることが好ましいが、後述される冷却のために、互いの間の隙間幅が広い分割多体構造に形成されている。そのように形成される冷却用隙間５６’は、円周方向に複数箇所で分割的に与えられている。図５は、その一例を示し、磁束誘導フェライトコア３５は、軸心線対称に形成されている。１対を形成する２体の磁束誘導フェライトコア３５は円周方向に互いに１８０゜で離隔し、他の１対を形成する２体の磁束誘導フェライトコア３５は円周方向に互いに１８０゜で離隔し、一方の１対と他方の１対は、円周方向に互いに９０゜で離隔している。
【００３４】
図６は、磁束誘導フェライトコア３５の磁気遮蔽効果を示している。ヒートボルト支持用本体２とダイ本体部分５と他の機器とから構成される磁性体構造（ヒートボルト周辺環境）は、代表的に周囲磁性環境５７として代表的に（抽象的に）示されている。ヒートボルト９に高周波電流が通され、ヒートボルト９に高周波的な中心磁束５８が生起する。磁束誘導フェライトコア３５の不存在下では、中心磁束５８の多くの部分がヒートボルト９の端面を直角に通り抜ける。本発明では、機械的連結熱的非連結器１５は、機械的連結熱的非連結磁性的非連結性を有し、その中心磁束５８がリップ部分６と溶融樹脂射出隙間形成不動体部分７に向かう方向に誘導され難く、中心磁束５８がヒートボルト９とダイ本体部分５とヒートボルト支持用本体２とを通って一周する磁束線は形成され難い。
【００３５】
本発明では特に、ヒートボルト９の中に形成される誘導磁束５８は、磁束誘導半径方向部分５６で強引に半径方向外側に曲げられて誘導され、磁束誘導半径方向部分５６に誘導される半径方向外側向き磁束５９は、磁束誘導フェライトコア３５の磁束誘導半径方向部分５６で半径方向外向きに曲げられ、磁束誘導半径方向部分５６の中で外向きに進み、磁束誘導半径方向部分５６の中で外向きに進む半径方向外側向き磁束５９は、磁束誘導軸方向部分５５の中で軸方向に曲げられる。このように軸方向に曲げられ磁束誘導軸方向部分５５の中で軸方向に誘導される軸方向磁束６１は、他方側の磁束誘導半径方向部分５６で半径方向内側に曲げられる。
【００３６】
このように半径方向内側に曲げられる半径方向磁束６２は、再度にヒートボルト９に侵入してヒートボルト９の中で曲げられて、中心磁束５８に接続する。ヒートボルト９と磁束誘導半径方向部分５６と磁束誘導軸方向部分５５とにより誘導されて閉じる磁束は、周囲磁性環境５７の側に漏れ難く、ヒートボルト９と磁束誘導フェライトコア３５との中に高密度に狭く閉じ込められる。このような閉じ込めのため、磁気力は、機械的連結熱的非連結器１５に伝達され難い。このような集中性を有する中心磁束５８は、ヒートボルト９の中央領域を集中的に加熱し、ヒートボルト９の熱安定性に寄与する。
【００３７】
図には現れない厚みセンサによりフィルム厚みが検出され、その高低変化に対応して電磁誘導加熱コイル３４で電力供給のオンオフが制御され、ヒートボルト９の温度は、制御対象のヒートボルト９の伸びに対応する温度に制御される。電磁誘導加熱は、ヒートボルト９の中心線領域の温度を効果的に制御するが、その中心領域の熱はヒートボルト９の外周面に近接するボビン３３と磁束誘導フェライトコア３５に伝播して、ヒートボルト９の周囲環境の熱変動を招くことを完全には回避することができない。
【００３８】
引張機構１４により、ヒートボルト９の先端面の規定前進後退位置が調整され、その位置は引張機構１４により初期的に強固に固定される。ヒートボルト９は、前進することにより第１連結体１６を介してリップ部分６を前進方向に直接に押す。ヒートボルト９は、後退することにより第２連結体１７を介してリップ部分６を後退方向に直接に引き戻す。このような調整の後に、溶融樹脂射出隙間８に溶融樹脂が導入される。溶融樹脂射出隙間８の線状開口から押し出される溶融樹脂は、高速で射出され冷却されて、自己の粘性に基づく表面張力により自己制御的に一定の厚みを持つシートに成形される。その厚みは、厳密に規定される仕様寸法にはなっていない。その厚みが仕様寸法になるように、ヒートボルト９の初期位置が調整されている。
【００３９】
電磁誘導加熱器１９に高周波電流が通される。ヒートボルト９は、電磁誘導加熱器１９が生成する高周波磁束を受けて加熱され、軸方向に膨張する。後端が厳密に位置決めされているヒートボルト９は、軸方向前方方向に膨張する。ヒートボルト９の膨張により前進方向に変位する第１連結体１６から押し力を受けるリップ部分６は、梃子作用を受けて溶融樹脂射出隙間形成不動体部分７に対して前進する。リップ部分６のそのような前進は、溶融樹脂射出隙間８の隙間幅を縮小する。
【００４０】
第１連結体１６は、非磁束誘導性を有し、非熱伝導性を有し、且つ、豊かな剛体性と非膨張性を有する材料で形成されている。そのような４つの性質を同時に有する物性材料として、インコネルが最適切に推奨される。ヒートボルト９の途中でヒートボルト９が形成する磁束は、磁束誘導性が非常に高く、熱伝導性が非常に高く、且つ、膨張率が非常に高い材料（従来通りの既述のＳＳ）で形成されているヒートボルト９の中を通る。
【００４１】
磁束誘導フェライトコア３５は、ヒートボルト９の中の磁束を自己の方に誘導し、ヒートボルト９の中心線領域に集中的に生成される高密度の磁束の大部分は、ヒートボルト９の先端の端面を通らないが、それの少ない一部分はヒートボルト９の先端の端面を貫通して機械的連結熱的非連結器１５に向かう。そのように貫通する一部分は、４物性を同時に持つ第１連結体１６の磁気抵抗に阻まれて、第１連結体１６の中に誘導され難く、その高周波磁束によりリップ部分６が加熱される程度は大幅に減殺される。第１連結体１６は、ヒートボルト９が持つ熱をリップ部分６に伝達する程度を大幅に減殺する。インコネルで形成されている第２連結体１７は、このような磁束誘導阻止効果と熱伝導阻止効果を有している。
【００４２】
一方側断熱板２２は、その表面で熱伝達性を有する。一方側断熱板２２により軸方向前方に伝達される熱の伝達は、電磁誘導加熱器１９とサポート板１１との間に介設されている軸方向熱伝導阻止板７１（図１参照）により有効に阻止される。
【００４３】
図７は、磁束誘導フェライトコア３５の実施の他の形態を示している。図１に示される機器配置構造では、ヒートボルト９の周囲の磁性環境の大半はヒートボルト支持用本体２とダイ本体部分５で形成されていて、その磁性環境はヒートボルト９の軸心線を通る平面に対して一方側に大きく分布する非対称性環境に形成されている。このように磁性環境が大きく分布する一方側の１体の３５−１の円周方向幅と半径方向幅は磁束誘導フェライトコア３５の他体３５−２のそれらより広く厚く形成されることが好ましい。
【００４４】
図８は、磁束誘導フェライトコア３５の実施の更に他の形態を示している。実施の本形態は、磁性環境が非対称であることに対応して磁束誘導フェライトコア３５の存在分布密度が非対称に構造化されている点で、実施の図７の形態の分布構造に同じであるが、非対称に分布する磁束誘導フェライトコア３５は多数体３５−３に円周方向に分割され、隣り合う磁束誘導フェライトコア３５の複数の間はそれぞれに冷却用隙間５６’として形成されている。
【００４５】
図９は、ヒートボルト９の伸びの軸心性をより高精度に保持する軸心保持機構を示している。ヒートボルト９が複数箇所の螺子４１により宙吊り的に保持されることは既述の通りである。本体側の支持部材であるサポート板１１には、断熱体保持穴７２が形成される。断熱体保持穴７２に、既述の軸方向熱伝導阻止板７１に対応する断熱体７１’、又は、軸方向熱伝導阻止板７１に独立に追加される断熱体７３が嵌め込まれている。断熱体７３の中心線Ｌがボビン３３の中心線Ｌと磁束誘導フェライトコア３５の有効中心線Ｌとに一致することは、機械的設計により保証されている。
【００４６】
断熱体７３に、ボビン保持穴７４が形成されている。ボビン保持穴７４の内径は、ボビン３３の外径に適正に等しい。ボビン保持穴７４の中心線Ｌがボビン３３の中心線に一致することは、機械的設計により保証されている。電磁誘導加熱コイル３４により高密度にヒートボルト９の中心線領域に形成される磁束、又は、電磁誘導加熱コイル３４により高密度にヒートボルト９の設定線領域に形成される磁束の位置は、ボビン３３と磁束誘導フェライトコア３５とヒートボルト９の位置関係の厳密な規定に対応して厳密に規定される。
【００４７】
このような規定は、ヒートボルト９の中の温度分布を制御温度で一定に維持し、電磁誘導加熱コイル３４に対する電力供給量にヒートボルト９の伸び量を厳密に一意的に対応させることができる。ヒートボルト９を柔軟に支持するシールパッキン４５は、ヒートボルト９の中の応力分布を円滑化して、ヒートボルト９の伸び量の制御精度を安定化することができる。環状冷気通路４２は、ヒートボルト９の熱が誘導加熱領域に伝播することを有効に抑制する。
【００４８】
図１０は、ヒートボルト９とリップ部分６とを連結する第１連結体１６と第２連結体１７の詳細を示している。第１連結体１６は、第２連結体１７に直接に連結する円筒体部分又は円柱体部分８１と、ヒートボルト９に直接に連結するヒートボルト側連結部分８２とから形成されている。円柱体部分８１の円筒面には、部分環状係合溝形成凹面８３が形成されている。ヒートボルト側連結部分８２には、ヒートボルト側連結部分８２の軸直角端面で開口するねじ穴８４が形成されている。ヒートボルト９の伸縮側端部は、ねじ穴８４にねじ込まれている。第２連結体１７は、部分環状係合溝形成凹面８３に係合する部分環状凸面８５を有する第１係合部位８６と、リップ部分６に係合する第２係合部位８７とから形成されている。第２連結体１７には、ねじ通し穴８８が開けられている。第２連結体１７は、ねじ通し穴８８を通るねじによりリップ部分６に結合される。
【００４９】
ヒートボルト９の前端部位に、ねじ穴８４が限界までねじ込まれる。第２連結体１７の第１係合部位８６の部分環状凸面８５が第１連結体１６の円柱体部分８１の部分環状係合溝形成凹面８３に当てられる。ねじがねじ通し穴８８に通されリップ部分６にねじ込まれて、第２連結体１７がリップ部分６に固着される。部分環状凸面８５は、確実に部分環状係合溝形成凹面８３に嵌まり込む。ヒートボルト９は、引張機構１４により後退方向に引かれて、その軸方向初期位置（機械的原点位置）が確定される。ヒートボルト９が加熱されて、ヒートボルト９の伸縮前端部位が前進する。
【００５０】
コイルによる誘導加熱は、ヒートボルトの中心線領域に高密度に熱を供給することができ、熱変化とヒートボルトの伸縮の対応が高速度である。熱が第１連結体１６を介してヒートボルト９からリップ部分６に伝達することは、
（１）ヒートボルト９と磁束誘導フェライトコア３５を含む誘導加熱領域の冷却
（２）第１連結体１６の磁束透過の抑制
（３）第１連結体１６の熱透過の抑制
の３つの同時的技術的解決により有効に相乗的に抑制される。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】図１は、本発明による押出成形機のダイ調整装置の実施の形態を示す正面断面図である。
【図２】図２は、図１の部分の詳細を示す正面断面図である。
【図３】図３は、図１の部分を示す側面断面図である。
【図４】図４は、磁束誘導形成体を示す斜軸投影図である。
【図５】図５は、磁束誘導形成体を示す側面断面図である。
【図６】図６は、磁束誘導を示す正面断面図である。
【図７】図７は、他の磁束誘導形成体を示す斜軸投影図である。
【図８】図８は、更に他の磁束誘導形成体を示す斜軸投影図である。
【図９】図９は、ヒートボルトの軸心調整を示す正面断面図である。
【図１０】図１０は、連結体を示す斜軸投影図である。
【符号の説明】
【００５２】
１…ダイ本体（ダイ）
２…リテーナ（ヒートボルト支持部）
５，７…ダイ本体部分
６…ダイリップ
８…隙間
９…ヒートボルト
１６…連結体
１９…誘導加熱器
３３…ボビン
３４…誘導加熱コイル
３５…磁束誘導路形成体
３５−１，２…分割体
４１…支持器
４２…環状空隙
５５…軸方向磁束誘導部分
５６…半径方向磁束誘導部分
５６’…隙間
５８…誘導磁束
７３…軸方向端部は断熱体
Ｌ…中心線領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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