(57)【要約】【課題】  外部出力用電極を備える電力用半導体装置において、パッケージサイズを増大することなく外部出力用電極の表面積を増加させ表皮効果に十全に対応する。【解決手段】  電力用半導体素子を囲鐃する樹脂製ケースで前記電力用半導体素子の主電流を流す複数の主端子を支持し、該主端子が、内側端部に電力用半導体素子と接続するボンディングワイヤの一端をボンデイングする領域をなす大幅主端子部と、該大幅主端子部から延在しその延在端がケースより突出し外部接続部をなす小幅主端子部とで形成された電力用半導体装置において、小幅主端子部と、ケースと同一材質の絶縁層を介し対向する補助主端子とを配設し積層主端子として前記主電流を分流させ得るようにすると共に、隣接する積層主端子の大幅主端子部がボンディングを行なう面に鉛直方向に所定の隙間をおいて配設され、その隙間にケースと同材質の絶縁層を設ける。【選択図】図２
2005072250.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力用半導体素子を囲鐃する樹脂製のケースで前記電力用半導体素子の主電流を流す複数の主端子を支持し、
該主端子が、内側端部に前記電力用半導体素子と接続するボンディングワイヤの一端をボンデイングする領域をなす大幅主端子部と、該大幅主端子部から延在しその延在端が前記ケースより突出し外部接続部をなす小幅主端子部とで形成された電力用半導体装置において、
前記小幅主端子部と、前記ケースと同一材質の絶縁層を介し対向する補助主端子とを配設し積層主端子とし、前記小幅主端子部と前記補助主端子の夫々に前記主電流を分流させ得るようにすると共に、隣接する前記積層主端子の前記大幅主端子部が前記ボンディングを行なう面に鉛直方向に互いに所定の隙間をおいて配設され、前記隙間に前記ケースと同一材質の絶縁層を配設したことを特徴とする電力用半導体装置。
【請求項２】
延在端を折り曲げ、その先端を大幅主端子部まで折り返し、該折り返しの先端部を前記大幅主端子部に導電性接着材にて接着し前記折返し部で補助主電極を構成したことを特徴とする請求項１に記載の電力用半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を有して高周波スイッチングに使用される電力用半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電力用半導体装置では、放熱板上に、はんだを介して導電性の板材を有した絶縁性のセラミック基板が構成される。更にそれら基板・導電性板材上にはんだを介してスイツチング用素子が構成され、それら素子の各々は周知のワイヤ配線により結線されている。
【０００３】
このような電力用半導体装置において、外部出力用電極は、１枚の銅材若しくはアルミニウム材などをプレス加工して形成される。該電極は、ケース内に挿入、若しくははんだ付けされている。
【０００４】
このような従来の電力用半導体装置における外部出力用電極は、１枚の導電材から構成されているので、高周波動作による表皮効果に対応するためには電極の幅を増加させねばならない。そうすると結果としてパッケージサイズが大きくなってしまう、という問題点があった。
【０００５】
特許文献１では、高周波領域にて使用される伝送線路において、表皮効果による抵抗増加を低減するために、誘電膜を介して複数積層することが記載されている。特許文献２では、半導体電力変換装置の主回路導体を表皮効果対策として絶縁コーティングした薄板導体を複数枚積層することが記載されている。特許文献３では、高周波用ＩＣ、又はトランジスタのリードを表皮効果対策として積層したものが記載されている。更に、特許文献４では、パワーモジュールの電極端子の表皮効果対策として表面積を増加させること、具体的にはスリットを設けることが記載されている。
【特許文献１】特開平９−９３００５号公報
【特許文献２】特開平８−１４９７９５号公報
【特許文献３】特開昭６２−２１９６４８号公報
【特許文献４】特開平６−６１４０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、外部出力用電極を備える電力用半導体装置において、パッケージサイズを増大することなく、外部出力用電極の表面積を増加させ表皮効果に十全に対応することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記の目的を達成するために為されたものである。本発明に係る電力用半導体装置は、
電力用半導体素子を囲鐃する樹脂製のケースで前記電力用半導体素子の主電流を流す複数の主端子を支持し、
該主端子が、内側端部に前記電力用半導体素子と接続するボンディングワイヤの一端をボンデイングする領域をなす大幅主端子部と、該大幅主端子部から延在しその延在端が前記ケースより突出し外部接続部をなす小幅主端子部とで形成された電力用半導体装置である。その電力用半導体装置において、
前記小幅主端子部と、前記ケースと同一材質の絶縁層を介し対向する補助主端子とを配設し積層主端子とし、前記小幅主端子部と前記補助主端子の夫々に前記主電流を分流させ得るようにすると共に、隣接する前記積層主端子の前記大幅主端子部が前記ボンディングを行なう面に鉛直方向に互いに所定の隙間をおいて配設され、前記隙間に前記ケースと同一材質の絶縁層を配設したことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明を利用することにより、以下のような効果を得ることができる。
【０００９】
主端子として、大幅主端子部と小幅主端子部とを設け、その大幅主端子部を絶縁層を介し重ね合せると共に、外部接続部を小幅としたので、隣接する主端子を接近させ配設することができる。よって、パッケージサイズの小型化を図り得るだけでなく、小幅主端子部を絶縁層を介し分離し主電流を分流させるので、高周波電流を流す場合表皮効果による電流集中が分散され、抵抗値の低減による損失低減を図ることができる。また、絶縁層をパッケージのケースの成形と同時に行ない得るので、積層主端子の製作や固定を容易且つ廉価とすることができる。
【００１０】
主端子が薄板であっても電流容量を著しく増大できる電力用半導体装置を簡単な構造で提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下において、図面を参照しつつ本発明に係る好適な実施の形態を説明する。
【００１２】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る電力用半導体装置の平面図である。ベース板２上にセラミックス基板６が設定され、更に該セラミックス基板６上に、半導体素子８やダイオード１０が設置される。結線のためにワイヤ１２が利用されている。半導体装置全体はケース４により覆われる。
【００１３】
この実施の形態１における電力用半導体装置では、外部出力用電極１４としてインサート式の積層電極が利用されている。図２は、図１の電力用半導体装置の“ＢＢ”での、（１）縦断面図と、（２）そのうちの外部出力用電極１４の拡大図である。図２に示すように、外部出力用電極１４は、主として導電材から構成されているが内部に絶縁層１６を挟み込む。このように絶縁層１６を導電材の内部に挟み込むことによって、外部出力用電極１４の表面積が増大し、よって表皮効果に十全に対応できる。
【００１４】
なお、図２（２）の外部出力用電極１４は、複数の（２枚の）導電板を接合して形成されている。
【００１５】
図５は、実施の形態１における外部出力用電極１４の導電材部分の斜視図を示す。図５の該導電材部分は、銅材板やアルミニウム板から適宜折り曲げられて形成されている。このとき絶縁層が充填されるべき隙間が設けられる。図５（１）（２）に明確に示されるように、外部出力用電極１４は、大幅主端子部３４と小幅主端子部３２とから構成される。上記の折り曲げが完成すると、小幅主端子部３２の折り返しの先端部は半田２８により大幅主端子部３４表面に固定される。このように絶縁層１６を挟むべき隙間を含む小幅主端子部３２は導電材の折り曲げにより形成されてもよいし、導電材の貼り合わせにより形成されてもよい（図２（２）参照）。
【００１６】
また、大幅主端子部３４は、各種素子と接続するためのボンディングワイヤ２６の一端をボンデイングする領域をなす（図４参照）。
【００１７】
外部出力用電極１４の電力用半導体装置への設定において、外部出力用電極１４は個々に独立していることから、それら外部出力用電極１４の間隔を詰めることにより、装置全体を十分に小さいパッケージサイズとすることができる。このとき大幅主端子部３４同士が重なることがあり得るが、そのような場合には間に絶縁材（層）を挟むようにすればよい。
【００１８】
図４は、図５の外部出力用電極１４が設けられた電力用半導体装置における縦断面図である。特に、外部出力用電極１４の小幅主端子部３２を縦断する断面図である。小幅主端子部３２の周囲は絶縁材１６で固定されるが、小幅主端子部３２に形成される隙間にも同じ絶縁材が層１６をなして充填される。
【００１９】
図３は、（１）実施の形態１に係る外部出力用電極１４が設けられた電力用半導体装置の斜視図と、（２）その一部の拡大図である。（１）に示される電力用半導体装置において、例えば、図の点線に沿って電極１４を折り曲げ、ブスバと接続する部位を形成することができる（図３（２））。図３（１）に示される外部出力用電極１４にて、絶縁層１６の上端部に一致して折り曲げ位置を設定するのは、その折り曲げ位置より上方はブスバ１８と接合するため電流容量増加が不要であるからである。
【００２０】
図３（２）は、外部出力用電極１４とブスバ１８との接合例を示す。外部出力用電極１４の上端部は適宜折り曲げられている。ブスバ１８と外部出力用電極１４とには孔（ブスバ孔２２と電極孔２４）が空けられ、それら孔を貫くねじ２０により外部出力用電極１４とブスバ１８との接合が固定される。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施の形態１に係る電力用半導体装置の平面図である。
【図２】図１の電力用半導体装置の“ＢＢ”での、（１）縦断面図と、（２）そのうちの外部出力用電極の拡大図である。
【図３】（１）実施の形態１に係る外部出力用電極が設けられた電力用半導体装置の斜視図と、（２）その一部の拡大図である。
【図４】外部出力用電極が設けられた電力用半導体装置における縦断面図である。
【図５】実施の形態１における外部出力用電極の導電材部分の斜視図を示す。
【符号の説明】
【００２２】
２  ベース板、  ４  ケース、  ６  セラミックス基板、  ８  素子、  １０  ダイオード、  １２  ワイヤ、  １４  インサート積層電極、  １６  絶縁層、  １８  ブスバ、  ２０  ねじ、  ２２  ブスバ孔、  ２４  電極孔、  ２６  ボンディングワイヤ、  ２８  半田、  ３０  ナット、  ３２  小幅主端子部、  ３４  大幅主端子部。
【図１】
2005072250.tif 000003
【図２】
2005072250.tif 000004
【図３】
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【図４】
2005072250.tif 000006
【図５】
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