(57)【要約】【課題】容器内へのガスの封入を防止して高真空状態で封止可能な電子部品封止体の製造方法及び該製造方法により製造された電子部品封止体を提供する。【解決手段】一次溶接工程ステップＳ３の第一のビーム照射工程ステップＳ３−１において、未溶接部分の一端となる点Ｐから蓋体の外周に沿って時計と順方向に順次電子ビームを走査し、未溶接部分の他端となる点Ｒよりも走査方向上流側の点Ｑまでビーム照射を行う。続いて、第二のビーム照射工程ステップＳ３−２において、点Ｒから蓋体の外周に沿って第一のビーム照射工程ステップＳ３−１のビーム走査方向と対向する方向に順次ビームを走査して点Ｑまで電子ビームを照射する。それにより、点Ｐと点Ｒとの間に未溶接部分が形成される。【選択図】        図１
2005251812.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を収納する容器と前記容器を封止する蓋体とを、前記容器と前記蓋体との間に配設した封止材をビーム照射により溶融させることにより該封止材を介して溶接して封止する電子部品封止体の製造方法において、
所定領域を除く領域に前記ビームを照射して該所定領域を除く領域を溶接封止するとともに該所定領域に未溶接部分を形成する一次溶接工程と、
前記未溶接部分から前記容器内のガスを排気するための所定時間経過後に前記未溶接部分に前記ビームを照射して前記未溶接部分を溶接封止する二次溶接工程とを含み、
前記一次溶接工程では、前記ビームの照射を２回以上に分けて行い、第一のビーム照射における始点と第二のビーム照射における始点との間に、該両始点を両端として、前記未溶接部分が形成されることを特徴とする電子部品封止体の製造方法。
【請求項２】
電子部品を収納する容器と前記容器を封止する蓋体とを、前記容器と前記蓋体との間に配設した封止材をビーム照射により溶融させることにより該封止材を介して溶接して封止する電子部品封止体の製造方法において、
所定領域を除く領域に前記ビームを照射して該所定領域を除く領域を溶接封止するとともに該所定領域に未溶接部分を形成する一次溶接工程と、
前記未溶接部分から前記容器内のガスを排気するための所定時間経過後に前記未溶接部分に前記ビームを照射して前記未溶接部分を溶接封止する二次溶接工程とを含み、
前記一次溶接工程は、
前記未溶接部分の一端となる第一の点を始点として前記蓋体の外周に沿って所定方向に順次前記ビームを走査し、前記未溶接部分の他端となる第二の点よりもビーム走査方向上流側に位置する第三の点を終点として前記ビームを照射して前記第一の点から前記第三の点までを溶接封止する第一のビーム照射工程と、
前記未溶接部分の他端となる前記第二の点を始点として前記蓋体の外周に沿って前記所定方向と対向する方向に順次前記ビームを走査し、少なくとも前記第一のビーム照射工程の終点たる前記第三の点まで前記ビームを照射して前記第二の点から前記第三の点までを溶接封止して前記未溶接部分を形成する第二のビーム照射工程と、を含むことを特徴とする電子部品封止体の製造方法。
【請求項３】
前記容器は四角形状を有し、
前記一次溶接工程では、前記容器の４つの角部が前記第一の点と前記第三の点との間に含まれるか又は前記第二の点と前記第三の点との間に含まれるように、前記第一の点、前記第二の点、及び前記第三の点の位置が設定されることを特徴とする請求項２に記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項４】
前記蓋体を前記容器に仮付けする工程を前記一次溶接工程の前にさらに含み、
前記一次溶接工程の前記第一及び第二のビーム照射工程では、前記蓋体と前記容器との仮付け部分を除く領域に前記ビームの照射始点たる前記第一の点及び前記第二の点を配置することを特徴とする請求項２又は３に記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項５】
前記一次溶接工程では、電子ビーム又はレーザビームを前記ビームとして照射して前記溶接封止を行い、
前記二次溶接工程では、電子ビーム又はレーザビームを前記ビームとして照射して前記溶接封止を行うことを特徴とする請求項２〜４のいずれか一つに記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項６】
前記電子ビームの照射による前記溶接封止は、
前記電子ビームの照射により前記容器と前記蓋体と前記封止材とを所定温度まで加熱する予熱工程たる予熱ビーム照射工程と、
前記電子ビームの照射により前記封止材を溶融させて前記容器と前記蓋体とを前記封止材を介して溶接する溶接ビーム照射工程と、を含むことを特徴とする請求項５に記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項７】
前記予熱ビーム照射工程は、溶接領域に対して前記電子ビームを複数回照射することを特徴とする請求項６に記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項８】
前記一次溶接工程では、前記電子ビームを前記ビームとして照射して前記溶接封止を行い、
前記二次溶接工程では、前記レーザビームを前記ビームとして照射して前記溶接封止を行うことを特徴とする請求項５〜７のいずれか一つに記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項９】
前記封止材を予め前記容器に配設することを特徴とする請求項１〜８のいずれか一つに記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項１０】
前記電子部品が水晶振動子であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一つに記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項１１】
前記一次溶接工程により形成される前記未溶接部分の幅が０．３ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一つに記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか一つに記載の電子部品封止体の製造方法により製造されたことを特徴とする電子部品封止体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、容器内に水晶振動子、圧電振動子、ＩＣチップ等の電子部品を収納した後に容器を蓋体で気密封止して構成される電子部品封止体の製造方法及び該方法により製造された電子部品封止体に関する。
【背景技術】
【０００２】
水晶振動子等の電子部品は、例えば、セラミックス等からなる容器とこの容器の開口部を封止する蓋体とから構成されたパッケージの内部に、気密状態で収納されて電子部品封止体が構成される。
【０００３】
電子部品封止体の封止方法としては、従来はシーム溶接が行われていたが、シーム溶接はコストが高く、また、電子部品封止体を十分に小型化することが困難であった。また、真空中で容器を加熱して封止材を溶融することにより、容器に蓋体を溶接する真空炉溶接機もあるが、これはコストおよび生産性が優れている一方、封止材の外周部全周にわたって一度に溶接するため、溶接時に封止材から発生するアウトガスがパッケージ内部に閉じ込められ、真空度が悪化する問題があった。このことから、シーム溶接等に代わって電子ビーム溶接による封止が行われている。
【０００４】
図７は、電子ビーム溶接の方法を説明するための平面図であり、蓋体５１側から照射された電子ビーム５３の軌跡を示している。図７に示すように、電子ビーム溶接では、容器５０と容器開口部を封止するよう容器上面に配置された蓋体５１との間に、金属ろう材等の封止材５２を配設する。そして、蓋体５１側から電子ビーム５３を蓋体５１の周縁に沿って所定方向に順次走査して電子ビーム照射を行う。ここでは、ビーム照射の始点と終点とが点Ｐで一致するように電子ビーム５３を照射している。このような電子ビーム５３の照射により、封止材５２が加熱されて溶融し、それにより、容器５０と蓋体５１とが封止材５２により溶接されて電子部品（図示せず）が収納された電子部品封止体５４が封止される。
【０００５】
ところで、上記のような電子ビーム溶接では、金属ろう等の封止材５２の溶融時にガスが発生し、このガスが電子部品封止体５４内に封入されると、電子部品（図示せず）の特性や信頼性等に影響を及ぼす。例えば、水晶振動子を収納して構成された電子部品封止体５４では、溶接時に発生したガスにより、水晶振動子の等価直列抵抗値（ＣＩ値）が大きくなり、その結果、水晶振動子の発振特性が低下する。したがって、電子ビーム溶接では、封止材５２の溶融時に発生するガスを外部に排出し、電子部品封止体５４の内部へのガスの封入を防止する必要がある。
【０００６】
電子部品封止体５４内部へのガスの封入を防止する方法として、図８−１及び図８−２に示すように、電子ビーム５３を一度に蓋体５１の周縁全周にわたって照射するのではなく、蓋体５１の周縁を所定領域毎に複数回に分けて照射する方法がある（例えば、特許文献１から特許文献４参照。）。この方法では、まず、図８−１に示すように、所定の領域を非照射領域５５とし予め設定し、これ以外の領域において、蓋体５１の周縁に沿って所定方向に順次電子ビーム５３を走査してビーム照射を行う。ここでは、点Ｐと点Ｑとの間に非照射領域５５が形成されるように設定されており、点Ｐを始点とするとともに点Ｑを終点として電子ビーム５３が照射される。
【０００７】
非照射領域５５は、電子ビーム５３が照射されないことから、封止材５２が溶融しないので未溶接のままである。以下、この非照射領域５５に形成される未溶接の領域を、未溶接部分５５’と呼ぶ。この未溶接部分５５’は、ガスの排出口として利用可能である。未溶接部分５５’を通じてガスの排出を行った後、図８−２に示すように、未溶接部分５５’に電子ビーム５３を照射して該部分を溶接する。未溶接部分５５’の溶接では、これ以外の部分を溶接した図８−１の場合と同一の方向に電子ビーム５３を走査してビーム照射を行う。ここでは、点Ｑを始点とするとともに点Ｐを終点として電子ビーム５３が照射される。以上のような方法によれば、容器５０内部へのガスの封入を抑制しつつ電子部品封止体５４の封止を行うことが可能となる。
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−１９６１６２号公報
【特許文献２】特開２０００−２２３６０４号公報
【特許文献３】特開２００１−２５７２７９号公報
【特許文献４】特開２００２−１４１４２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、上記のように未溶接部分５５’を形成してガスの排出を行う電子ビーム溶接では、未溶接部分５５’の一端となる点Ｑにおいて電子ビーム５３を瞬時に停止させることが困難である。このため、照射出力レベルを一定に保持したままでビームの移動速度を速くする等して、未溶接部分５５’の終端処理を点Ｑにおいて行う必要がある。それゆえ、図８−１に示す未溶接部分５５’の形成時における電子ビーム５３の点Ｑでの停止動作では、電子ビーム５３の照射が完全に停止されるまでの間に、未溶接部分５５’の点Ｑを越えた点Ｐに近い領域において、電子ビーム５３が若干照射され、それにより、本来は溶融させたくない未溶接部分５５’（すなわち点Ｐと点Ｑとの間の領域）の封止材５２が溶融するおそれがある。また、電子ビーム５３を停止させても、ビームの余熱等の影響により、未溶接部分５５’の封止材５２が溶融するおそれがある。
【００１０】
このように未溶接部分５５’の封止材５２まで溶融させてしまう結果、未溶接部分５５’を設計通りに精度よく形成することが困難となる。ここで、特に、電子部品封止体５４へのガスの封入を極力抑制するためには、未溶接部分５５’の幅Ｗを小さくすることが好ましく、そのためには、未溶接部分５５’の端部となる点Ｐと点Ｑの位置を正確に制御する必要がある。したがって、上記のように点Ｑで正確に電子ビーム５３を停止させることができず、よって、未溶接部分５５’の幅Ｗの制御が困難であると、十分に電子部品封止体５４へのガスの封入を防止することができず、それゆえ、電子部品封止体５４内の電子部品（図示せず）の特性等の劣化を招くおそれがある。
【００１１】
この発明は、上記の従来技術における問題点を解消するために、容器内へのガスの封入を防止して高真空状態で封止可能な電子部品封止体の製造方法及び該製造方法により製造された電子部品封止体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上述した課題を解決し、目的を達成するため、請求項１の発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、電子部品を収納する容器と前記容器を封止する蓋体とを、前記容器と前記蓋体との間に配設した封止材をビーム照射により溶融させることにより該封止材を介して溶接して封止する電子部品封止体の製造方法において、所定領域を除く領域に前記ビームを照射して該所定領域を除く領域を溶接封止するとともに該所定領域に未溶接部分を形成する一次溶接工程と、前記未溶接部分から前記容器内のガスを排気するための所定時間経過後に前記未溶接部分に前記ビームを照射して前記未溶接部分を溶接封止する二次溶接工程とを含み、前記一次溶接工程では、前記ビームの照射を２回以上に分けて行い、第一のビーム照射における始点と第二のビーム照射における始点との間に、該両始点を両端として、前記未溶接部分が形成されることを特徴とする。
【００１３】
具体例として、請求項２の発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、電子部品を収納する容器と前記容器を封止する蓋体とを、前記容器と前記蓋体との間に配設した封止材をビーム照射により溶融させることにより該封止材を介して溶接して封止する電子部品封止体の製造方法において、所定領域を除く領域に前記ビームを照射して該所定領域を除く領域を溶接封止するとともに該所定領域に未溶接部分を形成する一次溶接工程と、前記未溶接部分から前記容器内のガスを排気するための所定時間経過後に前記未溶接部分に前記ビームを照射して前記未溶接部分を溶接封止する二次溶接工程とを含み、前記一次溶接工程は、前記未溶接部分の一端となる第一の点を始点として前記蓋体の外周に沿って所定方向に順次前記ビームを走査し、前記未溶接部分の他端となる第二の点よりもビーム走査方向上流側に位置する第三の点を終点として前記ビームを照射して前記第一の点から前記第三の点までを溶接封止する第一のビーム照射工程と、前記未溶接部分の他端となる前記第二の点を始点として前記蓋体の外周に沿って前記所定方向と対向する方向に順次前記ビームを走査し、少なくとも前記第一のビーム照射工程の終点たる前記第三の点まで前記ビームを照射して前記第二の点から前記第三の点までを溶接封止して前記未溶接部分を形成する第二のビーム照射工程と、を含むことを特徴とする。
【００１４】
かかる構成によれば、ビーム照射始点を両端とする未溶接部分を形成することが可能となるため、電子ビームの照射終点により端部が構成される従来の場合に比べて、未溶接部分を精度よく所望の位置及び所望の幅で形成することが可能となる。それゆえ、電子部品封止体内部の真空度をより高めることが可能となり、その結果、電子部品封止体内部の電子部品の特性や信頼性の向上が図られる。
【００１５】
また、請求項３の発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、請求項２に記載の発明において、前記容器が四角形状を有し、前記一次溶接工程では、前記容器の４つの角部が、前記第一の点と前記第三の点との間に含まれるか又は前記第二の点と前記第三の点との間に含まれるように、前記第一の点、前記第二の点、及び前記第三の点の位置が設定されることを特徴とする。
【００１６】
かかる構成によれば、未溶接部分以外の領域における気密封止性が向上するため、良品率の向上が図られる。
【００１７】
また、請求項４の発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、請求項２又は３に記載の発明において、前記蓋体を前記容器に仮付けする工程を前記一次溶接工程の前にさらに含み、前記一次溶接工程の前記第一及び第二のビーム照射工程では、前記蓋体と前記容器との仮付け部分を除く領域に前記ビームの照射始点たる前記第一の点及び前記第二の点を配置することを特徴とする。
【００１８】
かかる構成によれば、容器の上に配置された蓋体のずれを防止しつつビーム照射を行うことが可能となるため、歩留まり及び生産効率が向上する。
【００１９】
また、請求項５の発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、請求項２〜４のいずれか一つの発明において、前記一次溶接工程では、電子ビーム又はレーザビームを前記ビームとして照射して前記溶接封止を行い、前記二次溶接工程では、電子ビーム又はレーザビームを前記ビームとして照射して前記溶接封止を行うことを特徴とする。
【００２０】
かかる構成においては、溶接封止時に、電子ビームやレーザビームの照射により容器内にガスが発生するが、このガスを未溶接部分から排出させて高真空状態を保持しつつ溶接封止を行うことが可能となる。ここで、電子ビームやレーザビームの照射では、ビーム照射の終点を制御することが困難であるが、本発明によれば、上記のように未溶接部分の両端がビーム照射の始点から構成されることから、所望の幅及び所望の位置で容易にかつ精度よく未溶接部分を形成することが可能となるため、より良好な高真空状態を保持しつつ溶接封止を行うことが可能となる。
【００２１】
また、請求項６の発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、請求項５に記載の発明において、前記電子ビームの照射による前記溶接封止が、前記電子ビームの照射により前記容器と前記蓋体と前記封止材とを所定温度まで加熱する予熱工程たる予熱ビーム照射工程と、前記電子ビームの照射により前記封止材を溶融させて前記容器と前記蓋体とを前記封止材を介して溶接する溶接ビーム照射工程と、を含むことを特徴とする。また、請求項７の発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、請求項６に記載の発明において、前記予熱ビーム照射工程が、溶接領域に対して前記電子ビームを複数回照射することを特徴とする。
【００２２】
かかる構成によれば、蓋体の周縁に沿って所望の部分で確実に溶接封止を行うことが可能となる。
【００２３】
また、請求項８の発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、請求項５〜７のいずれか一つに記載の発明において、前記一次溶接工程では、前記電子ビームを前記ビームとして照射して前記溶接封止を行い、前記二次溶接工程では、前記レーザビームを前記ビームとして照射して前記溶接封止を行うことを特徴とする。
【００２４】
かかる構成によれば、二次溶接工程において、幅の小さい未溶接部分にレーザビームを局所的に照射することにより、未溶接部分の点封止を行うことが可能となる。また、レーザビームの照射は、ガス排出のために行う加熱処理と同じ加工室で行うことが可能であるため、レーザビームを用いることにより、生産効率の向上や製造装置の簡素化を図ることが可能となる。
【００２５】
また、請求項９の発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、請求項１〜８のいずれか一つの発明において、前記封止材を予め前記容器に配設することを特徴とする。
【００２６】
かかる構成によれば、ビームの照射時に、従来のように治具を用いて容器と蓋体とを固定する必要がなくなる。
【００２７】
また、請求項１０の発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、請求項１〜９のいずれか一つの発明において、前記電子部品が水晶振動子であることを特徴とする。
【００２８】
かかる構成によれば、電子部品封止体の内部が高真空状態に保持されているため、水晶振動子の等価直列抵抗値（ＣＩ値）の低減化が図られる。したがって、品質が一定で安定した発振特性を有する水晶振動子を備えた電子部品封止体を実現することが可能となる。
【００２９】
また、請求項１１の発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、請求項１〜１０のいずれか一つの発明において、前記一次溶接工程により形成される前記未溶接部分の幅が０．３ｍｍ以下であることを特徴とする。
【００３０】
かかる構成によれば、幅の小さい未溶接部分が形成されるため、二次溶接工程における溶接量が小さくなる。このため、二次溶接工程の際に容器内に発生するガスの量が低減され、よって、容器内をより高真空状態に保持することが可能となる。
【００３１】
また、請求項１２の発明にかかる電子部品封止体は、請求項１〜１１のいずれか一つに記載の電子部品封止体の製造方法により製造されたことを特徴とする。
【００３２】
かかる構成の電子部品封止体では、容器内が高真空状態に保持されており、よって、良好なデバイス特性及び安定した高い信頼性を実現することが可能となる。
【発明の効果】
【００３３】
本発明にかかる電子部品封止体の製造方法によれば、溶接時に封止材から発生するガスが封止体内に残存するのを防止することが可能となり、よって、電子部品封止体の内部を高い真空状態とすることができる。それゆえ、溶接時に発生したガスにより、内部に収納された電子部品が経時的変化を起こすことがなく、電子部品の特性や信頼性等の劣化を防止することが可能となる。したがって、良好な特性を有する信頼性の高い電子部品封止体が実現可能であるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる電子部品封止体の製造方法及び該製造方法により製造された電子部品封止体の好適な実施の形態を詳細に説明する。ここでは、電子部品封止体として、容器内に電子部品たる水晶振動子デバイスが収納されて封止された水晶振動子封止体について例示し、特に、水晶振動子が表面実装されたものについて説明する。また、以下においては、水晶振動子封止体を、単にパッケージと呼ぶ。
【００３５】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１にかかるパッケージの製造方法における各工程を示すフローチャートである。また、図２−１から図２−３は、図１の一次溶接工程における電子ビームの照射方法を説明するための模式的な平面図であり、蓋体側からパッケージに照射された電子ビームの軌跡を示している。また、図３は、図１の製造方法により製造されたパッケージの模式的な断面図である。
【００３６】
図１及び図３に示すように、本実施の形態のパッケージの製造方法においては、まず、容器２内に、水晶振動子１を収納する（ステップＳ１）。図３に示すように、容器２は、底壁と、底壁の外周に沿って配置された側壁とから構成され、上部が開口した矩形の箱形形状を有している。容器２の構成材料としては、セラミックス、金属、樹脂等が挙げられるが、ここでは、容器２がセラミックスから構成されている。また、容器２の寸法は、ここでは、長辺が４．１ｍｍ、短辺が１．５ｍｍ、及び、高さが０．８ｍｍ以下である。容器２の底面には支持台５が配設されており、接合材６を介して、支持台５に、水晶振動子１たる水晶片を容器２の底面と平行に配設する。それにより、容器２内に水晶振動子１が収納された構成が実現される。
【００３７】
ここでは、水晶振動子１として、Ｕ字形状を有する音叉型水晶振動子を用いている。音叉型水晶振動子１の開口端の配置方向は任意である。ここでは、Ｕ字の立ち上がり部が容器２の長辺に沿うように配置されている。
【００３８】
上記のようにして容器２内に水晶振動子１を配置して収納した後、容器２の開口を封止するように、蓋体３を、封止材４を介して容器２の側壁上面に配置する。そして、蓋体３側から蓋体３の２つの短辺中央部に抵抗溶接機のローラ電極を押圧し、それにより、短辺中央部２ヶ所において、蓋体３を容器２に抵抗溶接して仮付け（仮溶接）する（ステップＳ２）。なお、ここでは蓋体３の短辺中央部を仮付けしているが、これ以外の部分を押圧して仮付けしてもよい。
【００３９】
図３に示すように、蓋体３は、平面視において外周が容器２の外周とほぼ一致する形状を有する。蓋体３は金属から構成されており、ここでは、鉄系合金から構成されている。容器２と蓋体３との間に介在する封止材４は、金属ろうから構成され、ここでは金錫合金や銀合金やアルミニウム合金等から構成される金属ろうが用いられている。そして、封止材４は、予め容器２の側壁上面に配設されている。図３には示していないが、容器２の側壁上面にはタングステンからなるメタライズ層が設けられており、そのメタライズ層上にはさらに、ニッケルメッキ、金メッキが設けられている。そして封止材４はこの金メッキ上に予め設けられている。このように予め容器２の側壁上面に封止材４を配設することにより、後述の電子ビーム照射の際は、蓋体３と封止材４が溶接されれば良く、熱伝導性が良い蓋体３は封止材４と溶接しやすいので、従来の電子ビーム溶接の場合のように容器２上に配設した蓋体３を治具で押さえる必要がなくなる。なお、封止材４は蓋体３側に設けても良い。
【００４０】
このようにして蓋体３を容器２に仮付けした後、図２−１から図２−３に示すように、蓋体３側から蓋体３の周縁に沿って所定方向に電子ビーム１０Ａ，１０Ｂを走査してビーム照射を行い、該照射部分の封止材４を溶融させる。それにより、蓋体３を容器２に固着させてパッケージ２０を封止する。図１に示すように、パッケージ２０の封止工程は、所定領域には電子ビーム１０Ａ，１０Ｂを照射せずに未溶接部分１５として残しそれ以外の領域を封止する一次溶接工程（ステップＳ３）と、一次溶接工程において発生したガスを、形成した未溶接部分１５から排出する工程（ステップＳ４）と、未溶接部分１５にレーザビーム１０Ｃを照射して完全にパッケージ２０を封止する二次溶接工程（ステップＳ５）とを含み、さらに、一次溶接工程（ステップＳ３）は、それぞれ照射パターン（照射軌跡）の違う第一のビーム照射工程（ステップＳ３−１）と、第二のビーム照射工程（ステップＳ３−２）とに分かれている。
【００４１】
ところで、本実施の形態における電子ビームの照射は、通常の電子ビーム加工装置を用いて行う。電子ビーム加工装置の詳細については、ここでは説明を省略するが、電子ビーム加工装置は、少なくとも、電子ビームを発生させる電子銃と、加工対象物（ここではパッケージ２０に相当）が内部に配置されるとともに発生した電子ビームがこの加工対象物に照射されて溶接が行われる加工室と、電子ビームの進路を制御する偏向器とを備える。電子銃で発生した電子ビームは、偏向器により偏向されて加工室に導入され、さらに、加工対象物であるパッケージ２０に蓋体３側からその周縁に沿って所望のビーム軌道で照射されるように、偏向器により進路が制御される。このような電子ビーム加工装置による加工では、装置内が真空状態に保持される。また、偏向器は、磁界により電子ビームを偏向させるものであり、例えば、コイル等から構成されている。
【００４２】
以下に、パッケージ２０の封止工程について詳細に説明し、特に、本発明の特徴的構成である一次溶接工程ステップＳ３から二次溶接工程ステップＳ５まで（図１参照）を、図２−１から図２−３の図面を参照して説明する。
【００４３】
パッケージ２０の封止時には、まず、図２−１及び図２−２に示すように、未溶接部分１５を形成するための一次溶接工程ステップＳ３（図１参照）が行われる。未溶接部分１５は、溶接時に発生するガスを効率よく排出してパッケージ２０内を高真空に保持可能なように、幅Ｗが予め設計される。ここでは、点Ｐと点Ｒとの間の領域（以下、未溶接部分形成領域１５’と呼ぶ）に、所定幅Ｗの未溶接部分１５が、第一及び第二のビーム照射工程ステップＳ３−１，ステップＳ３−２（図１参照）により形成される。
【００４４】
具体的には、図２−１に示すように、まず、電子ビーム１０Ａが、未溶接部分形成領域１５’の一端である（すなわち、未溶接部分１５の一端となる）点Ｐを始点として蓋体３側からパッケージ２０に照射され、矩形状の蓋体３の周縁に沿って点Ｑまで時計と順方向に順次走査される。ここでは、このような点Ｐから点Ｑまでの時計と順方向の電子ビーム１０Ａの照射を、第一のビーム照射工程ステップＳ３−１と呼ぶ（図１参照）。第一のビーム照射工程ステップＳ３−１では、ビーム照射の始点となる点Ｐを蓋体３の一対の長辺の一方の中央付近に設定し、電子ビーム１０Ａは、点Ｐから蓋体３の周縁に沿って一方の短辺、他方の長辺、及び、他方の短辺を順次走査する。また、ビーム照射の終点となる点Ｑを、点Ｐと同一辺上に設定し、この点Ｑまで電子ビーム１０Ａを走査してビーム照射を行う。ここで、点Ｑは、図２−２に示すように、未溶接部分形成領域１５’の他端である（すなわち、未溶接部分１５の他端となる）点Ｒよりも、電子ビーム１０Ａの走査方向において上流側に位置している。
【００４５】
従来技術において前述したように、点Ｑにおいて電子ビーム１０Ａの照射を停止させる際には、ビーム照射速度の増加等の終端処理が行われる。このような停止動作では、終端処理における若干のビーム照射や予熱等の影響により、封止材４の溶融を意図しない領域、具体的には、点Ｑよりも点Ｒに近い未溶接部分形成領域１５’の領域において封止材４が溶融して溶接が行われる。しかしながら、電子ビーム１０Ａの終点である点Ｑが未溶接部分形成領域１５’以外の領域に設定されているので、点Ｑにおける電子ビーム１０Ａの照射停止の影響は、未溶接部分形成領域１５’には及ばない。
【００４６】
次に、図２−２に示すように、未溶接部分形成領域１５’の他端である（すなわち、未溶接部分１５の他端となる）点Ｒを始点として、電子ビーム１０Ｂが、蓋体３側からパッケージ２０に照射される。電子ビーム１０Ｂは、前述の第一のビーム照射工程の終点である点Ｑに向かって、蓋体３の周縁に沿って、第一のビーム照射工程のビーム走査方向と対向する方向、すなわち、時計と逆方向、に順次走査される。ここでは、このような点Ｒから点Ｑまでの時計と逆方向の電子ビーム１０Ｂの照射を、第二のビーム照射工程ステップＳ３−２と呼ぶ（図１参照）。なお、ここでは第二のビーム照射工程の終点を点Ｑとしたが、点Ｑを越えてさらに点Ｑよりビーム走査方向下流側の所定地点（すなわち点Ｐにより近い点）を終点としてもよい。また、第二のビーム照射工程では、前述のように第一のビーム照射工程におけるビーム走査方向と対向する方向に電子ビームを走査するが、このような電子ビームの走査方向の制御は、前述の電子ビーム加工装置の偏向器により容易に制御することが可能である。
【００４７】
点Ｑにおいて電子ビーム１０Ｂの照射を停止させる際にも、第一のビーム照射工程の場合と同様、終端処理が行われる。したがって、電子ビーム１０Ｂの停止動作では、前述のように、終端処理における若干のビーム照射や予熱等の影響により、封止材４の溶融を意図しない領域、具体的には、点Ｑよりも点Ｐに近い領域において封止材４が溶融して溶接が行われる。しかしながら、電子ビーム１０Ｂの終点である点Ｑが未溶接部分形成領域１５’以外の領域に設定されているので、点Ｑにおける電子ビーム１０Ｂの照射停止の影響は、未溶接部分形成領域１５’には及ばない。
【００４８】
以上のような第一及び第二のビーム照射工程により、電子ビーム１０Ａ，１０Ｂが照射された領域の封止材４が溶融し、それにより、蓋体３と容器２とが封止材４により溶接されて固着される。一方、電子ビーム１０Ａ，１０Ｂが照射されない未溶接部分形成領域１５’、すなわち点Ｐと点Ｒとの間の領域に、所定幅Ｗの未溶接部分１５が形成される。
【００４９】
前述のように、図８−１及び図８−２に示す従来の方法により点Ｐから時計と順方向に点Ｒまで電子ビームを走査して未溶接部分１５を形成した場合には、ビームの終点を未溶接部分１５の一端である点Ｒに一致させることが困難であり、それゆえ、設計通りの幅Ｗで未溶接部分１５を形成することが困難となる。
【００５０】
これに対して、本実施の形態では、未溶接部分１５の一端に相当する点Ｒが第二のビーム照射工程の始点で構成されており、点Ｒが第一及び第二のビーム照射工程のいずれにおいてもビームの終点とならないため、未溶接部分１５の一端を点Ｒに精度よくかつ容易に一致させることが可能となる。また、第一のビーム照射工程の終点である点Ｑでは、点Ｑを越えた部分の封止材４が余熱等により溶融するが、点Ｑ及びその周辺部分は未溶接部分１５の形成に関与しないため、ここでは終点の位置を精度よく制御する必要はない。したがって、本実施の形態の方法によれば、未溶接部分１５を、設計通り点Ｐと点Ｒとの間に、精度よく、かつ容易に形成することが可能となる。その結果、従来は０．５ｍｍ程度であった未溶接部分１５の幅Ｗの形成限界が、０．２ｍｍ程度まで向上する。実際には、パッケージ２０の歩留まりを考慮すると、０．３ｍｍの幅Ｗの未溶接部分１５を安定して形成できる。
【００５１】
上記のようにして未溶接部分１５を形成した後、図１に示すように、上記一次溶接工程ステップＳ３における溶接で発生したガスを、未溶接部分１５に形成された開口を介して、パッケージ２０の内部から外部に排出する（図１のステップＳ４）。パッケージ２０の内部は、封止されていない開口たる未溶接部分１５を通じて電子ビーム加工装置の加工室（図示せず）に連通しており、特に、ここでは該加工室が真空状態であるため、パッケージ２０内から加工室へのガスの排出が促進される。このような未溶接部分１５からのガスの排出により、パッケージ２０内を高真空状態に保持することが可能となる。ここでは、一次溶接工程Ｓ３と二次溶接工程Ｓ４との間において、所定時間加工室内にパッケージ２０を放置することにより、加工室内においてパッケージ２０からのガスの排出が自然に促進される。
【００５２】
上記のようなガスの排出を行った後、未溶接部分１５にレーザビーム１０Ｃを照射して未溶接部分１５の封止材４を溶融させ、パッケージ２０を完全に封止する。ここでは、このような未溶接部分１５を封止する工程を二次溶接工程ステップＳ５と呼ぶ（図１参照）。二次溶接工程では、図２−３に示すように、未溶接部分１５の一端である点Ｒから他端である点Ｐに向かってレーザビーム１０Ｃを走査してビーム照射を行う。それにより、未溶接部分１５が溶接されてパッケージ２０が封止される。実際には点Ｐと点Ｒの距離が０．３ｍｍ程度であり、レーザビームのビーム径とほぼ同じなので、レーザビームを走査しないでスポット状に溶接することができる。ここで、この二次溶接工程では、一次溶接工程よりも溶接領域が狭いので、溶接に伴うガスの発生量が少ない。したがって、最終的なパッケージ２０内へのガス封入が抑制され、パッケージ２０内を１３Ｐａ以下の良好な真空状態に保つことが可能となる。
【００５３】
このようにして、図３に示すように、封止材４を介して蓋体３により密閉された高真空な容器２内に水晶振動子１が収納されてなるパッケージ２０が製造される。
【００５４】
ところで、通常、パッケージ２０の製造時には、一連の製造工程が１バッチにおいて行われてパッケージ２０が製造され、かつ、１バッチにおいて複数のパッケージ２０に各処理が施されて同時に複数のパッケージ２０が製造される。そこで、上記のパッケージの製造方法を適用して複数のパッケージ２０を同時に製造する方法を、以下に例示する。なお、以下においては、一次溶接工程から二次溶接工程までについて説明し、それ以外の工程は、従来と同様の方法により処理されるものとする。
【００５５】
図４−１から図４−３は、上記の製造方法を適用して複数のパッケージ２０を同時に製造する方法を例示する模式的な平面図であり、電子ビーム加工装置の加工室２１内部の平面視を示している。ここでは、加工室２１内に、複数のパッケージ２０が所定の間隔で複数列、複数行配置されている。
【００５６】
図４−１に示すように、まず、加工室２１内に配置された各パッケージ２０において、図２−１に示す第一のビーム照射工程が行われる。この場合、例えば、一つの列について、隣接するパッケージ２０毎に電子ビーム１０Ａが順次照射され、一列終了した後、さらに隣接する列について同様に電子ビーム１０Ａの照射が行われる。あるいは、一つの行について、隣接するパッケージ２０毎に電子ビーム１０Ａが順次照射され、一行終了した後、さらに隣接する行について同様に電子ビーム１０Ａの照射が行われる。電子ビーム１０Ａは、適宜、偏向器（図示せず）により進路が容易に制御される。
【００５７】
続いて、図４−２に示すように、図２−２に示す第二のビーム照射工程が行われる。この場合も、上記第一のビーム照射工程と同様、同じ列又は同じ行に配置された複数のパッケージ２０について、隣接するパッケージ２０毎に電子ビーム１０Ｂが順次照射され、一列又は一行終了した後、さらに隣接する列又は行について同様に電子ビーム１０Ｂの照射が行われる。それにより、複数のパッケージ２０の各々に、未溶接部分１５を形成することが可能となる。
【００５８】
ここで、上記のような第二のビーム照射工程では、一つのパッケージ２０に電子ビーム１０Ｂを照射して未溶接部分１５を形成した後、順次、他のパッケージ２０に電子ビーム１０Ｂを照射して未溶接部分１５を形成するので、未溶接部分１５が形成されたパッケージ２０では、他のパッケージ２０に電子ビーム１０Ｂが照射される間に、未溶接部分１５からガスを排出することが可能となる。したがって、ガスの排出に改めて時間を要することなく、ガスの排出工程（図１のステップＳ４）を第二のビーム照射工程と同時に実施することが可能となる。また、他のパッケージ２０に処理を施す間に、処理済みのパッケージ２０を冷却することができるため、パッケージ２０の冷却に要する時間が不要となる。したがって、効率よく製造を行うことが可能となる。
【００５９】
上記のようにして各パッケージ２０に未溶接部分１５を形成した後、図４−３に示すように、各パッケージ２０の未溶接部分１５にレーザビーム１０Ｃが照射され、図２−３に示す二次溶接工程が行われる。この場合も、上記一次溶接工程の場合と同様、同じ列又は同じ行に配置された複数のパッケージ２０について、隣接するパッケージ２０毎にレーザビーム１０Ｃが順次照射され、一列又は一行終了した後、さらに隣接する列又は行について同様にレーザビーム１０Ｃが照射される。それにより、各パッケージ２０の未溶接部分１５が順次溶接されてパッケージ２０が完全に封止される。
【００６０】
以上のような製造方法によれば、一次溶接工程において２回に分けて電子ビームを照射して両端がビーム照射の始点で構成された未溶接部分１５を形成することができるため、未溶接部分１５を精度よく形成することができる。それゆえ、所望の幅Ｗの未溶接部分１５を所望の位置で正確に形成でき、かつ、従来に比べて未溶接部分１５の幅Ｗを小さくすることができる。したがって、未溶接部分１５の幅Ｗを小さくしようとして未溶接部分１５を誤って封止することがなく、また、未溶接部分１５の幅Ｗが従来に比べて小さいことから、二次溶接工程における溶接でのガスの発生量を従来よりも低減することが可能となる。したがって、パッケージ２０内を１３Ｐａ以下の高真空に保持することが可能となり、その結果、水晶振動子１が溶接時に発生したガスの影響を受けて特性や信頼性の劣化を生じるのを防止することができる。それゆえ、良好な特性と安定した信頼性とを有する水晶振動子パッケージ２０を実現することができる。具体的には、かかる製造方法によって製造されたパッケージ２０では、水晶振動子１の等価直列抵抗値（ＣＩ値）の低減化を図ることが可能となり、品質が一定で安定した発振特性を有する水晶振動子パッケージ２０が実現可能となる。
【００６１】
なお、複数のパッケージ２０を同時に製造する方法は、上記に限定されるものではない。例えば、一つのパッケージ２０において、図２−１から図２−３に示す一次溶接工程から二次溶接工程までを連続して実施し、一つのパッケージ２０を完成させた後に次のパッケージ２０に処理を施してもよい。
【００６２】
また、第一及び第二のビーム照射工程の終点たる点Ｑの位置は、上記の位置に限定されるものではなく、点Ｒよりも電子ビーム１０Ａの走査方向上流側であれば、点Ｑの位置は特に限定されるものではない。以下に、第一及び第二のビーム照射工程の終点たる点Ｑが、上記以外の位置となる実施の形態について説明する。
【００６３】
（実施の形態２）
図５−１から図５−３は、本発明の実施の形態２にかかるパッケージの製造方法における一次溶接工程の電子ビーム照射方法を説明するための模式的な平面図であり、パッケージに照射した電子ビームの軌跡を示している。
【００６４】
図５−１から図５−３に示すように、本実施の形態は、一次溶接工程において、実施の形態１と同様、第一及び第二のビーム照射工程の２回に分けて電子ビーム１０Ａ，１０Ｂを照射して未溶接部分１５を形成するが、第一のビームの照射工程における終点たる点Ｑ’の位置が、実施の形態１とは異なっている。
【００６５】
すなわち、図５−１に示すように、本実施の形態では、第一のビーム照射工程において、未溶接部分形成領域１５’の一端である（すなわち、未溶接部分１５の一端となる）点Ｐ’を始点として電子ビーム１０Ａが照射される。そして、電子ビーム１０Ａは、矩形状の蓋体３の周縁に沿って時計と順方向に順次走査され、点Ｐ’が配置された蓋体３の長辺と対向する他方の長辺に配置された点Ｑ’まで達する。本実施の形態では、この点Ｑ’が、第一のビーム照射工程の終点となる。
【００６６】
次に、図５−２に示すように、実施の形態１の場合と同様、第二のビーム照射工程において、未溶接部分形成領域１５’の他端である（すなわち、未溶接部分１５の他端となる）点Ｒ’を始点として電子ビーム１０Ｂが照射され、蓋体３の周縁に沿って前述の点Ｑ’に向かって第一のビーム照射工程のビーム走査方向と対向する方向、すなわち時計と逆方向、に順次走査される。なお、ここでは第二のビーム照射工程の終点を点Ｑ’としたが、点Ｑ’を越えてさらに点Ｑ’より点Ｐ’に近いビーム走査方向下流側の所定地点を終点としてもよい。このような第二のビーム照射工程により、実施の形態１と同様、所望の幅Ｗ及び所望の位置で、未溶接部分１５を精度よく形成することが可能となる。
【００６７】
上記のようにして未溶接部分１５を形成した後、図５−３に示すように、実施の形態１の場合と同様、この未溶接部分１５から上記一次溶接工程における溶接で発生したガスを開口たる未溶接部分１５を介してパッケージ２０の内部から外部に排出する。そして、所定時間ガスの排出を行った後、未溶接部分１５にレーザビーム１０Ｃを照射し、未溶接部分１５の封止材４を溶融させてパッケージ２０を完全に封止（すなわち二次溶接）する。このような二次溶接工程では、図５−３に示すように、未溶接部分１５の一端である点Ｒ’から他端である点Ｐ’に向かって、第一の電子ビーム照射工程のビーム走査方向と同一の方向にレーザビーム１０Ｃを走査してビーム照射を行う。実際には点Ｐ’と点Ｒ’の距離が０．３ｍｍ程度であり、レーザビームのビーム径とほぼ同じなので、レーザビームを走査しないでスポット状に溶接することができる。
【００６８】
かかる構成の本実施の形態においても、実施の形態１に前述した効果と同様の効果が得られる。なお、本実施の形態と実施の形態１とでは、良好な特性と安定した信頼性を有する水晶振動子を実現できる点で同一の効果が奏されるが、未溶接部分１５以外の領域の気密封止性に関しては、実施の形態１の方がより好ましい良品率を実現可能である。未溶接部分１５以外の気密封止性の点から、蓋体３の４つの角部は、連続して一度の溶接工程により封止することが好ましい。
【００６９】
本発明にかかる電子部品封止体の製造法において、未溶接部分１５の形成位置は、上記の実施の形態１及び実施の形態２に限定されるものではなく、これ以外の位置であってもよい。未溶接部分の形成位置は、ガスの排出効率等を考慮して適宜設定される。
【００７０】
また、上記においては、一次溶接工程を電子ビーム１０Ａ，１０Ｂを用いて行い二次溶接工程をレーザビーム１０Ｃを用いて行う場合について説明したが、各工程で用いるビームはこれに限定されるものではない。例えば、一次溶接工程及び二次溶接工程において、ともに電子ビームにより封止材４の溶接を行ってもよい。なお、実施の形態１及び実施の形態２では、前述のように未溶接部分１５の幅Ｗを小さくすることが可能であることから、ビームスポット径の小さいレーザビームは、未溶接部分１５の封止（すなわち点封止）に適している。
【００７１】
また、上記においては、一次溶接工程の際、第一のビーム照射工程において蓋体３の外周に沿って時計と順方向に電子ビームを走査し、かつ、第二のビーム照射工程において時計と逆方向に電子ビームを走査しているが、第一のビーム照射工程と第二のビーム照射工程との電子ビーム走査方向が対向するのであれば、電子ビームの走査方向はこれに限定されるものではない。電子ビームの走査方向は、水晶振動子１のマウントとの関係や音叉型の開口端の配置位置等も考慮して、水晶振動子１において良好な特性が実現できるように適宜設定される。また、二次溶接工程におけるレーザビームの走査方向も、上記に限定されるものではない。
【００７２】
さらに、上記の実施の形態１及び実施の形態２において、一次溶接工程において電子ビームを照射する際には、高出力の電子ビームを前述の軌道を描くように一度に照射して蓋体３と容器２との溶接を行ってもよく、あるいは、まず低出力の電子ビームを前述の軌跡を描くように一又は複数回照射して容器２と蓋体３と封止材４とを所定温度まで加熱した後、封止材４を溶融させて蓋体３と容器２との溶接を行ってもよい。
【００７３】
上記の実施の形態１及び実施の形態２においては、本発明にかかる電子部品封止体（パッケージ２０）が、容器２内に音叉型の水晶振動子１を収納する場合について説明したがこれ以外の水晶振動子が収納されてもよい。さらに、水晶振動子１に限らず、その他の電子部品を収納する構成の電子部品封止体についても、本発明は適用可能である。例えば、圧電振動子、集積回路、ＳＷＡフィルタ等を容器内に収納する電子部品封止体に本発明を適用してもよい。
【００７４】
上記の実施の形態１及び実施の形態２は、本発明にかかる電子部品封止体の製造方法の例示であって、本発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、これらに限定されるものではない。本発明にかかる電子部品封止体の製造方法が、図１に示す工程以外の工程、例えば、電子部品封止体の加熱工程等を含んでもよい。また、四角形状以外の形状を有する電子部品封止体にも本発明にかかる製造方法は適用可能である。また、前述の実施形態で説明した各ビーム照射工程は、例えば予熱ビーム照射と溶接ビーム照射とを組合せたものであっても良い。
【実施例】
【００７５】
実施例においては、上記の実施の形態１及び実施の形態２の製造方法により水晶振動子パッケージを製造し、その特性を調べた。また、比較のため、従来の製造方法により製造した水晶振動子パッケージについても特性を調べた。以下、詳細を説明する。
【００７６】
（実施例１）
実施例１においては、実施の形態１で前述した方法にしたがい、図２−１から図２−３に示す一次溶接工程を行ってパッケージ２０を製造した。
【００７７】
（実施例２）
実施例２においては、実施の形態２で前述した方法にしたがい、図５−１から図５−３に示す一次溶接工程を行ってパッケージ２０を製造した。
【００７８】
（比較例１）
比較例１においては、図７に示すように、一度に電子ビーム５３を蓋体５１の全周に走査してビーム照射を行い、未溶接部分を形成することなく一度の照射工程で封止を行ってパッケージ５４を製造した。
【００７９】
（比較例２）
比較例２においては、図８−１及び図８−２に示すように、１回目の電子ビーム照射により未溶接部分５５’を形成し、その後、１回目の電子ビーム走査方向と同一の方向に電子ビームを走査してビーム照射を行い未溶接部分５５’を封止してパッケージ５４を製造した。
【００８０】
図６は、実施例１及び実施例２、ならびに比較例１及び比較例２の方法により製造した水晶振動子パッケージの等価直列抵抗値（ＣＩ値）の測定結果である。
【００８１】
図６に示すように、本発明の製造方法にかかる実施例１及び実施例２の方法により製造した水晶振動子パッケージでは、前述のように未溶接部分を精度よく形成することが可能であることから、比較例２に比べてより小さな幅の未溶接部分を形成可能であることが明らかとなった。また、このような未溶接部分を形成可能であることから、実施例１及び実施例２では、比較例１及び比較例２に比べて、水晶振動子の等価直列抵抗値（ＣＩ値）の低減化を図ることができ、良好な特性が実現されることが明らかとなった。
【産業上の利用可能性】
【００８２】
以上のように、本発明にかかる電子部品封止体の製造方法及び該方法により製造された電子部品封止体は、内部を高真空に保持する電子部品封止体の実現に有用であり、特に、内部の真空状態が収納されたデバイスの特性や信頼性に大きく影響する電子部品封止体、例えば、水晶振動子等を収納した電子部品封止体の製造に適している。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の実施の形態１にかかるパッケージの製造方法における各工程を示すフローチャートである。
【図２−１】図１の製造方法の一次溶接工程における電子ビームの照射方法を説明するための模式的な平面図である。
【図２−２】図１の製造方法の一次溶接工程における電子ビームの照射方法を説明するための模式的な平面図である。
【図２−３】図１の製造方法の一次溶接工程における電子ビームの照射方法を説明するための模式的な平面図である。
【図３】図１の製造方法により製造されたパッケージの模式的な断面図である。
【図４−１】図１の製造方法を適用して複数のパッケージを同時に製造する方法を例示する模式的な平面図である。
【図４−２】図１の製造方法を適用して複数のパッケージを同時に製造する方法を例示する模式的な平面図である。
【図４−３】図１の製造方法を適用して複数のパッケージを同時に製造する方法を例示する模式的な平面図である。
【図５−１】本発明の実施の形態２にかかるパッケージの製造方法の一次溶接工程における電子ビームの照射方法を説明するための模式的な平面図である。
【図５−２】本発明の実施の形態２にかかるパッケージの製造方法の一次溶接工程における電子ビームの照射方法を説明するための模式的な平面図である。
【図５−３】本発明の実施の形態２にかかるパッケージの製造方法の一次溶接工程における電子ビームの照射方法を説明するための模式的な平面図である。
【図６】実施例及び比較例の結果を示す図である。
【図７】従来のパッケージの製造方法の一例を示す模式的な平面図である。
【図８−１】従来のパッケージの製造方法の他の例を示す模式的な平面図である。
【図８−２】従来のパッケージの製造方法の他の例を示す模式的な平面図である。
【符号の説明】
【００８４】
１  水晶振動子
２  容器
３  蓋体
４  封止材
５  支持台
６  接合材
１０Ａ，１０Ｂ  電子ビーム
１０Ｃ  レーザビーム
１５  未溶接部分
２０  パッケージ
【図１】
2005251812.tif 000003
【図２−１】
2005251812.tif 000004
【図２−２】
2005251812.tif 000005
【図２−３】
2005251812.tif 000006
【図３】
2005251812.tif 000007
【図４−１】
2005251812.tif 000008
【図４−２】
2005251812.tif 000009
【図４−３】
2005251812.tif 000010
【図５−１】
2005251812.tif 000011
【図５−２】
2005251812.tif 000012
【図５−３】
2005251812.tif 000013
【図６】
2005251812.tif 000014
【図７】
2005251812.tif 000015
【図８−１】
2005251812.tif 000016
【図８−２】
2005251812.tif 000017