(57)【要約】  【課題】本発明の目的は、熱処理中に発生する基板のスリップ転位欠陥、基板裏面傷の発生を抑制し、高品質な半導体装置（デバイス）や基板を製造することができる熱処理装置、半導体装置の製造方法、基板の製造方法及び基板処理方法を提供することを目的としている。  【解決手段】基板６８を基板支持体３０により支持した状態で熱処理する熱処理装置において、基板支持体３０は、本体部５６と、この本体部５６に設けられ、基板６８と接触する支持部５８とを有し、この支持部５８は、基板６８のエッジからデバイス作製領域に至るまでの領域に対応する裏面部分においてのみ基板６８と接触するよう構成されてなる。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を基板支持体により支持した状態で熱処理する熱処理装置において、
前記基板支持体は、本体部と、この本体部に設けられ、前記基板と接触する支持部とを有し、この支持部は、前記基板のエッジからデバイス作製領域に至るまでの領域に対応する裏面部分においてのみ基板と接触するよう構成されてなることを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】
基板を基板支持体により支持した状態で熱処理する熱処理装置において、
前記基板支持体は、本体部と、この本体部に設けられ、前記基板と接触する支持部とを有し、この支持部は、前記基板のエッジから１．５〜３ｍｍの領域においてのみ基板と接触するよう構成されてなることを特徴とする熱処理装置。
【請求項３】
基板を基板支持体により支持した状態で熱処理する熱処理装置において、
前記基板支持体は、本体部と、この本体部に設けられ、前記基板と接触する支持部とを有し、この支持部は、基板と同心円状のリング状部材または一部が切り欠かれたリング状部材からなり、リング状部材または一部が切り欠かれたリング状部材の内径が２９４ｍｍ以上、基板径未満であることを特徴とする熱処理装置。
【請求項４】
請求項１記載の熱処理装置において、前記支持部は、基板と同心円状のリング状部材からなることを特徴とする熱処理装置。
【請求項５】
請求項４記載の熱処理装置において、前記支持部にはテーパ面が設けられ、前記基板を支持する際はこのテーパ面で基板を支持することを特徴とする熱処理装置。
【請求項６】
請求項４記載の熱処理装置において、前記支持部の基板との接触面には表面粗度が０．１μｍ以下の鏡面加工が施されていることを特徴とする熱処理装置。
【請求項７】
請求項４記載の熱処理装置において、前記本体部には支持部を載置する載置部が設けられ、前記支持部には前記本体部の載置部と嵌合する凹部が設けられることを特徴とする熱処理装置。
【請求項８】
請求項４記載の熱処理装置において、前記支持部には基板を支持部に載置する際に、基板を搬送する基板保持プレートとの干渉を避けるための凹部が設けられることを特徴とする熱処理装置。
【請求項９】
請求項４記載の熱処理装置において、前記本体部には支持部を載置する載置部が設けられ、前記支持部の基板載置面と反対側には前記本体部の載置部と嵌合する凹部が設けられ、前記支持部の基板載置面側には基板を支持部に載置する際に、基板を搬送する基板保持プレートとの干渉を避けるための凹部が設けられることを特徴とする熱処理装置。
【請求項１０】
請求項４記載の熱処理装置において、前記リング状部材の一部は、基板を搬送する基板保持プレートとの干渉を避けるよう切り欠かれていることを特徴とする熱処理装置。
【請求項１１】
請求項４記載の熱処理装置において、前記本体部または／および支持部の構成物は炭化珪素（ＳｉＣ）であることを特徴とする熱処理装置。
【請求項１２】
請求項４記載の熱処理装置において、前記基板支持体は、複数枚の基板を略水平状態で隙間をもって複数段に支持されるように構成されてなることを特徴とする熱処理装置。
【請求項１３】
請求項４記載の熱処理装置において、熱処理は１０００°Ｃ以上の温度で行うことを特徴とする熱処理装置。
【請求項１４】
請求項４記載の熱処理装置において、熱処理は、１３５０°Ｃ以上の温度で行うことを特徴とする熱処理装置。
【請求項１５】
基板を処理室に搬入する工程と、
基板のエッジからデバイス作製領域に至るまでの領域に対応する裏面部分においてのみ基板と接触するよう構成されてなる支持部により基板を支持する工程と、
基板を前記支持部により支持した状態で熱処理する工程と、
熱処理後の基板を処理室より搬出する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
基板を処理室に搬入する工程と、
基板のエッジから１．５〜３ｍｍの領域においてのみ基板と接触するよう構成されてなる支持部により基板を支持する工程と、
基板を前記支持部により支持した状態で熱処理する工程と、
熱処理後の基板を処理室より搬出する工程と、
を有することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項１７】
基板を処理室に搬入する工程と、
内径が２９４ｍｍ以上、基板径未満であるリング状部材により基板を支持する工程と、
基板を前記リング状部材により支持した状態で熱処理する工程と、
熱処理後の基板を処理室より搬出する工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハやガラス基板等を熱処理するための熱処理装置、基板処理方法、半導体装置（デバイス）の製造方法及び半導体ウェハやガラス基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば縦型バッチ式熱処理炉を用いて、複数のシリコンウェハ等の基板を熱処理する場合、炭化珪素製の基板支持体（ボート）が用いられている。この基板支持体には、例えば３点で基板を支持する支持溝が設けられている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−７５９７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
この場合、基板と基板支持体との接触面積が小さく、また基板自重に対する荷重分散が適当でないために局所的な荷重が発生し、基板自重応力を緩和できず、特に１０００°Ｃ程度以上の温度で熱処理すると、支持溝付近で、基板にスリップ転位欠陥が発生し、これがスリップラインになるという問題があった。スリップラインが発生すると、基板の平坦度が劣化する。これらのため、ＬＳＩ製造工程における重要な工程の一つであるリソグラフィ工程で、マスク合わせずれ（焦点ずれ又は変形によるマスク合わせずれ）が生じ、所望パターンを有するＬＳＩの製造が困難であるという問題が発生していた。また、基板支持体の鋭角部分が基板裏面に局所的に接触したり、基板支持体の基板との接触部の表面粗度が粗い場合、基板加熱時の基板変形、延び、及び、熱による基板軟化により基板裏面傷が発生するという問題があった。
【０００４】
本発明の目的は、熱処理中に発生する基板のスリップ転位欠陥、基板裏面傷の発生を抑制し、高品質な半導体装置（デバイス）や基板を製造することができる熱処理装置、半導体装置の製造方法、基板の製造方法及び基板処理方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１の特徴とするところは、基板を基板支持体により支持した状態で熱処理する熱処理装置において、前記基板支持体は、本体部と、この本体部に設けられ、前記基板と接触する支持部とを有し、この支持部は、前記基板のエッジからデバイス作製領域に至るまでの領域に対応する裏面部分においてのみ基板と接触するよう構成されてなることを特徴とする熱処理装置にある。
【０００６】
本発明の第２の特徴とするところは、基板を基板支持体により支持した状態で熱処理する熱処理装置において、前記基板支持体は、本体部と、この本体部に設けられ、前記基板と接触する支持部とを有し、この支持部は、前記基板のエッジから１．５〜３ｍｍの領域においてのみ基板と接触するよう構成されてなることを特徴とする熱処理装置にある。
【０００７】
本発明の第３の特徴とするところは、基板を基板支持体により支持した状態で熱処理する熱処理装置において、前記基板支持体は、本体部と、この本体部に設けられ、前記基板と接触する支持部とを有し、この支持部は、基板と同心円状のリング状部材または一部が切り欠かれたリング状部材からなり、リング状部材または一部が切り欠かれたリング状部材の内径が２９４ｍｍ以上、基板径未満であることを特徴とする熱処理装置にある。
【０００８】
本発明の第４の特徴とするところは、第１の特徴において、前記支持部は、基板と同心円状のリング状部材からなることを特徴とする熱処理装置にある。
【０００９】
本発明の第５の特徴とするところは、第４の特徴において、前記支持部にはテーパ面が設けられ、前記基板を支持する際はこのテーパ面で基板を支持することを特徴とする熱処理装置にある。
【００１０】
本発明の第６の特徴とするところは、第４の特徴において、前記支持部の基板との接触面には表面粗度が０．１μｍ以下の鏡面加工が施されていることを特徴とする熱処理装置にある。
【００１１】
本発明の第７の特徴とするところは、第４の特徴において、前記本体部には支持部を載置する載置部が設けられ、前記支持部には前記本体部の載置部と嵌合する凹部が設けられることを特徴とする熱処理装置にある。
【００１２】
本発明の第８の特徴とするところは、第４の特徴において、前記支持部には基板を支持部に載置する際に、基板を搬送する基板保持プレートとの干渉を避けるための凹部が設けられることを特徴とする熱処理装置にある。
【００１３】
本発明の第９の特徴とするところは、第４の特徴において、前記本体部には支持部を載置する載置部が設けられ、前記支持部の基板載置面と反対側には前記本体部の載置部と嵌合する凹部が設けられ、前記支持部の基板載置面側には基板を支持部に載置する際に、基板を搬送する基板保持プレートとの干渉を避けるための凹部が設けられることを特徴とする熱処理装置にある。
【００１４】
本発明の第１０の特徴とするところは、第４の特徴において、前記リング状部材の一部は、基板を搬送する基板保持プレートとの干渉を避けるよう切り欠かれていることを特徴とする熱処理装置にある。
【００１５】
本発明の第１１の特徴とするところは、第４の特徴において、前記本体部または／および支持部の構成物は炭化珪素（ＳｉＣ）であることを特徴とする熱処理装置にある。
【００１６】
本発明の第１２の特徴とするところは、第４の特徴において、前記基板支持体は、複数枚の基板を略水平状態で隙間をもって複数段に支持されるように構成されてなることを特徴とする熱処理装置にある。
【００１７】
本発明の第１３の特徴とするところは、第４の特徴において、熱処理は１０００°Ｃ以上の温度で行うことを特徴とする熱処理装置にある。
【００１８】
本発明の第１４の特徴とするところは、第４の特徴において、熱処理は、１３５０°Ｃ以上の温度で行うことを特徴とする熱処理装置にある。
【００１９】
本発明の第１５の特徴とするところは、基板を処理室に搬入する工程と、基板のエッジからデバイス作製領域に至るまでの領域に対応する裏面部分においてのみ基板と接触するよう構成されてなる支持部により基板を支持する工程と、基板を前記支持部により支持した状態で熱処理する工程と、熱処理後の基板を処理室より搬出する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法にある。
【００２０】
本発明の第１６の特徴とするところは、基板を処理室に搬入する工程と、基板のエッジから１．５〜３ｍｍの領域においてのみ基板と接触するよう構成されてなる支持部により基板を支持する工程と、基板を前記支持部により支持した状態で熱処理する工程と、熱処理後の基板を処理室より搬出する工程と、を有することを特徴とする基板の製造方法にある。
【００２１】
本発明の第１７の特徴とするところは、基板を処理室に搬入する工程と、内径が２９４ｍｍ以上、基板径未満であるリング状部材により基板を支持する工程と、基板を前記リング状部材により支持した状態で熱処理する工程と、熱処理後の基板を処理室より搬出する工程と、を有することを特徴とする基板処理方法にある。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、基板をリング状の部材からなる支持部にて、基板のデバイス作製領域外を保持するようにしたので、基板の自重及び熱処理時の基板変形による擦れが生じたとしても、基板に裏面傷やスリップの発生が抑制され、又、仮に発生したとしてもデバイスの品質には関係ないため、製品歩留まりを向上させることができる。また、支持部に凹部を設け、載置部と嵌合させることにより、基板同士の載置間隔を狭くすることができ、１バッチ当たりの基板の処理枚数を増加させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
次に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１には、本発明の実施形態に係る熱処理装置１０が示されている。この熱処理装置１０は、例えば縦型であり、主要部が配置された筺体１２を有する。この筺体１２には、ポッドステージ１４が接続されており、このポッドステージ１４にポッド１６が搬送される。ポッド１６は、例えば２５枚の基板が収納され、図示しない蓋が閉じられた状態でポッドステージ１４にセットされる。
【００２４】
筺体１２内において、ポッドステージ１４に対向する位置には、ポッド搬送装置１８が配置されている。また、このポッド搬送装置１８の近傍には、ポッド棚２０、ポッドオープナ２２及び基板枚数検知器２４が配置されている。ポッド搬送装置１８は、ポッドステージ１４とポッド棚２０とポッドオープナ２２との間でポッド１６を搬送する。ポッドオープナ２２は、ポッド１６の蓋を開けるものであり、この蓋が開けられたポッド１６内の基板枚数が基板枚数検知器２４により検知される。
【００２５】
さらに、筺体１２内には、基板移載機２６、ノッチアライナ２８及び基板支持体３０（ボート）が配置されている。基板移載機２６には基板を保持し搬送する基板保持プレート（ツイーザ）３２が設けられ（図１では５枚）、基板移載機２６はこの基板保持プレート３２を動かすことにより、ポッドオープナ２２の位置に置かれたポッド、ノッチアライナ２８及び基板支持体３０間で基板を搬送する。ノッチアライナ２８は、基板に形成されたノッチまたはオリフラを検出して基板のノッチまたはオリフラを一定の位置に揃えるものである。
【００２６】
図２において、反応炉４０が示されている。この反応炉４０は、反応管４２を有し、この反応管４２内に基板支持体３０が挿入される。基板支持体３０は、複数枚の基板６８を略水平状態で隙間（基板ピッチ間隔）をもって複数段に支持するように構成されている。反応管４２の下方は、基板支持体３０を挿入するために開放され、この開放部分はシールキャップ４４により密閉されるようにしてある。また、反応管４２の周囲は、均熱管４６により覆われ、さらに均熱管４６の周囲にヒータ４８が配置されている。熱電対５０は、反応管４２と均熱管４６との間に配置され、反応炉４０内の温度をモニタできるようにしてある。そして、反応管４２には、処理ガスを導入する導入管５２と、処理ガスを排気する排気管５４とが接続されている。
【００２７】
次に上述したように構成された熱処理装置１０の作用について説明する。
まず、ポッドステージ１４に複数枚の基板６８を収容したポッド１６がセットされると、ポッド搬送装置１８によりポッド１６をポッドステージ１４からポッド棚２０へ搬送し、このポッド棚２０にストックする。次に、ポッド搬送装置１８により、このポッド棚２０にストックされたポッド１６をポッドオープナ２２に搬送してセットし、このポッドオープナ２２によりポッド１６の蓋を開き、基板枚数検知器２４によりポッド１６に収容されている基板６８の枚数を検知する。
【００２８】
次に、基板移載機２６により、ポッドオープナ２２の位置にあるポッド１６から基板６８を取り出し、ノッチアライナ２８に移載する。このノッチアライナ２８においては、基板６８を回転させながら、ノッチを検出し、検出した情報に基づいて複数枚の基板６８のノッチを同じ位置に整列させる。次に、基板移載機２６により、ノッチアライナ２８から基板６８を取り出し、基板支持体３０に移載する。
【００２９】
このようにして、１バッチ分の基板６８を基板支持体３０に移載すると、例えば７００°Ｃ程度の温度に設定された反応炉４０内に複数枚の基板６８を装填した基板支持体３０を装入し、シールキャップ４４により反応管４２内を密閉する。次に、炉内温度を熱処理温度まで昇温させて、導入管５２から処理ガスを導入する。処理ガスには、窒素、アルゴン、水素、酸素等が含まれる。基板６８を熱処理する際、基板６８は例えば１０００°Ｃ程度以上の温度に加熱される。なお、この間、熱電対５０により反応管４２内の温度をモニタしながら、予め設定された昇温、熱処理プログラムに従って基板６８の熱処理を実施する。
【００３０】
基板６８の熱処理が終了すると、例えば炉内温度を７００°Ｃ程度の温度に降温した後、基板支持体３０を反応炉４０からアンロードし、基板支持体３０に支持された全ての基板６８が冷えるまで、基板支持体３０を所定位置で待機させる。なお、炉内温度降温の際も、熱電対５０により反応管４２内の温度をモニタしながら、予め設定された降温プログラムに従って降温を実施する。次に、待機させた基板支持体３０の基板６８が所定温度まで冷却されると、基板移載機２６により、基板支持体３０から基板６８を取り出し、ポッドオープナ２２にセットされている空のポッド１６に搬送して収容する。次に、ポッド搬送装置１８により、基板６８が収容されたポッド１６をポッド棚２０に搬送し、さらにポッドステージ１４に搬送して完了する。
【実施例１】
【００３１】
次に図３乃至図５を用いて、第１の実施例における上記基板支持体３０について詳述する。図３は基板支持体３０の概略縦断面図、図４は基板支持体３０の概略横断面図である。また、図５は支持部５８の概略斜視図である。
基板支持体３０は、本体部５６と、本体部５６に設けられ基板６８と接触する支持部５８とから構成されている。支持部５８は本体部５６により支持されている。本体部５６は、石英（ＳｉＯ２）、炭化珪素（ＳｉＣ）、シリコン（Ｓｉ）、カーボン（Ｃ）からなる群より選択された少なくとも１種類の材料からなるが、１０００〜１３５０℃の温度帯では炭化珪素が好ましく、本実施形態では炭化珪素からなる。図３に示すように、本体部５６は上部板６０、下部板６２、及び該上部板６０と下部板６２とを接続する複数（ここでは４本）の支柱６４を有する。また、図３及び図４に示すように、この本体部５６には、この支柱６４から支柱６４の配置箇所を通る円の中心（基板中心）側に伸びる載置部６６が多数平行に形成されている。
【００３２】
支持部５８は、本体部５６と同様に、石英（ＳｉＯ２）、炭化珪素（ＳｉＣ）、シリコン（Ｓｉ）、カーボン（Ｃ）からなる群より選択された少なくとも１種類の材料からなるが、１０００〜１３５０℃の温度帯では炭化珪素が好ましく、本実施形態では炭化珪素からなる。図５に示すように第１の実施例における支持部５８は、例えば基板６８と同心円状のリング状（円環状）に形成される。この支持部５８の下面が本体部５６の載置部６６上面に接触して支持部５８が本体部５６の載置部６６上に載置され、支持部５８の上面（基板載置面７７）に基板６８の下面が接触して基板６８を載置支持する。すなわち、支持部５８は本体部５６の支柱６４に設けられた複数の載置部６６上にそれぞれ連続して配置され、この連続して配置された複数の支持部５８上に複数枚の基板６８がそれぞれ連続して配置される。
【００３３】
基板６８と載置部６６とを直接接触支持させた場合、炭化珪素製の載置部６６はシリコンの基板６８より硬いため、基板６８の自重及び熱処理時の基板変形による擦れ、又は、基板移載機構２６により基板６８を移載したとき生じる基板６８と載置部６６との擦れ等により基板６８の裏面には数μｍ程度の裏面傷が生じる場合がある。また基板６８の自重に対する荷重分散が適当でないために局所的な荷重が発生した場合など、基板６８にスリップが発生する場合がある。この裏面傷、スリップがデバイスの作製領域にある場合、デバイスの歩留りが悪化することが考えられる。よって、本発明における支持部５８は、リング状の部材として構成して基板６８を支持することにより基板にかかる荷重を分散させて、基板に局所的な荷重がかかるのを防止し、基板６８にスリップが発生するのを防止するようにしている。また、支持部５８をリング形状（Ｃｌｏｓｅｄ  Ｒｉｎｇ形状）とすることで支持部５８自体の剛性を向上させ、支持部５８の平面度を確保している。これにより、支持部５８の変形による基板への局所荷重の発生と、支持部５８の基板６８との接触部の形状による局所荷重の発生とを防止するようにしている。
【００３４】
また、支持部５８は、支持部５８の基板載置面７７と基板裏面との接触部分がデバイス作製領域に入らないように基板外縁部（エッジ）から１．５〜３．０ｍｍの非デバイス作製領域において基板を保持するように構成されている。つまり、この支持部５８は、基板６８のエッジからデバイス作製領域に至るまでの領域に対応する裏面部分においてのみ基板６８と接触するよう構成されており、本実施例では、支持部５８は、基板６８のエッジから１．５〜３ｍｍの領域においてのみ基板６８と接触するよう構成されている。これにより、仮に、支持部５８と基板６８との接触により基板裏面に傷が発生したとしても、非デバイス領域に傷が発生するだけであり、デバイス作製領域には傷が発生しないのでデバイスの品質上問題ない。
【００３５】
また、この基板外縁部から１．５〜３．０ｍｍの領域の基板裏面傷を効果的に抑制するために、支持部５８の基板載置面７７に、全周にわたりリング中心方向に向かって２〜１０°のテーパー角度を有するテーパ面となるよう加工を施し、このテーパー面で基板６８を支持するようにし、支持部５８と基板６８との接触面積を減少させるようにしている。またスリップは基板裏面の傷の深さを浅くすることでも抑制できるので、支持部５８の基板載置面７７の摩擦抵抗を減らす為に、基板載置面７７に表面粗度（Ｒａ）が０．１μｍ以下、好ましくは０．０３μｍ以下となるような鏡面加工を施している。なお、ここでＲａとは算術平均粗さをいう
【００３６】
また、図５に示すように、支持部５８の基板載置面７７側（支持部５８の上面側）には、基板６８を基板保持プレート３２から支持部５８に移載する場合、基板保持プレート３２が支持部５８に干渉せずに通過できるよう第１の凹部（切り欠き部）７５が設けられている。すなわち、支持部５８の基板載置面７７側の基板移載機２６と対向する側（前面側）とその反対側（背面側）の２箇所は、基板保持プレート３２との干渉を避けるよう切り欠かれている。
【００３７】
また、支持部５８の基板載置面７７と反対側（支持部５８の底面側）には、本体部５６の載置部６６に対応するように第２の凹部（切り欠き部）７４が設けられている。すなわち支持部５８の底面側の載置部６６に対応する４箇所には、載置部６６の爪形状に合うように切り欠き加工が施されている。この第２の凹部７４と載置部６６を嵌合させるようにして支持部５８を本体部５６で支持するようにしている。こうすることにより、支持部５８に基板保持プレート３２が干渉せずに通過できるスペースを確保したまま、支持部５８と載置部６６との合計の厚さを薄くすることができる。従って、第２の凹部７４の高さ分だけ基板ピッチ間隔を狭くすることができ、一度に処理する基板６８の処理枚数を増やすことができる。例えば、１バッチ当たりの基板処理枚数を７５枚以上にするには、基板保持体３０に支持した各基板６８間の間隔（基板ピッチ間隔）を７．５〜１２ｍｍにする必要があるが、上記実施例のように支持部５８に第２の凹部７４を設け載置部６６と嵌合させて支持部５８と載置部６６との合計の厚さを薄くすることで実現できる。また、第２の凹部７４に載置部６６を嵌合させることにより載置部６６に対する支持部５８の位置決めを行うことができ、支持部５８の位置を安定させることができる。この場合、第２の凹部７４と載置部６６との間には、熱膨張を考慮して若干の隙間を形成してもよい。即ち、支持部５８の基板載置面７７と反対側に、載置部６６と嵌合する凹部（凹型の切り欠け）７４を設けることにより、基板ピッチ間隔を最小限に抑えることができると共に、載置部６６と支持部５８との位置決めを行うことができる。
【００３８】
尚、本実施例１における支持部５８（リング状部材）は、内径を２９４ｍｍ以上基板径未満、外径を３０３〜３０５ｍｍとするのが好ましい。また、リング状部材の製作上、支持部５８の高さ（厚さ）は８ｍｍ以上とするのが好ましい。また、基板６８と支持部５８との接触部分の熱容量差を最小限にするために、支持部５８の基板載置面７７の幅を３ｍｍ程度、支持部５８の高さを８ｍｍ程度とするのが好ましい。
【実施例２】
【００３９】
次に第２の実施例における基板支持体３０について詳述する。本体部５６の構成は実施例１と同一なのでここでは説明を省略する。
【００４０】
図６に第２の実施例における支持部５８を示す。図６は支持部５８の概略斜視図である。図６に示されるように、支持部５８は一部が切り欠かれた略Ｃの文字形状をしたリング状部材（Ｃ型  Ｒｉｎｇ形状）として構成されている。即ち、基板保持プレート３２が支持部５８に干渉せずに通過できるようリング状部材の前面をカットした開口部７９、及び、リング状部材の背面側に基板保持プレート３２を逃げるように出っ張りを設けた凸部（出っ張り部）７８を有したＯｐｅｎ  Ｒｉｎｇ形状をしている。第１の実施例における支持部５８は基板保持プレート３２が通過できる分だけ支持部５８の高さが必要だったのに対し、第２の実施例における支持部５８は基板保持プレート３２が通過できる分の高さを省略することができる。従って、第２の実施例における支持部５８は第１の実施例における支持部５８よりも高さを低くすることができるので、支持部５８と載置部６６との合計の厚さをより薄くすることができ、基板保持ピッチ間隔をさらに小さくすることができる。尚、上述の第２の実施例における支持部５８において、第１の実施例における支持部５８の場合と同様に基板載置面７７にテーパ面を有するように加工を施してもよく、また鏡面加工を施してもよく、また基板載置面７７と反対側の面に第１の実施例の様な凹部７４を設け載置部６６に対する支持部５８の位置を安定させるとともに基板保持ピッチ間隔をさらに狭くするようにしてもよい。
【００４１】
尚、本実施例２における支持部５８（Ｃ型リング状部材）は、内径を２９４ｍｍ以上基板径未満、外径を３０３〜３０５ｍｍとするのが好ましい。また、Ｃ型リング状部材の製作上、支持部５８の高さ（厚さ）は３ｍｍ以上とするのが好ましい。また、基板６８と支持部５８との接触部分の熱容量差を最小限にするために、支持部５８の基板載置面７７の幅を３ｍｍ程度、支持部５８の高さを３〜８ｍｍ程度とするのが好ましい。
【００４２】
なお、上記実施形態及び実施例の説明にあっては、熱処理装置として、複数の基板を熱処理するバッチ式のものを用いたが、これに限定するものではなく、枚葉式のものであってもよい。
【００４３】
本発明の熱処理装置は、基板の製造工程にも適用することができる。
【００４４】
ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエハの一種であるＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｂｙ  Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ  Ｏｘｙｇｅｎ）ウエハの製造工程の一工程に本発明の熱処理装置を適用する例について説明する。
【００４５】
まずイオン注入装置等により単結晶シリコンウエハ内へ酸素イオンをイオン注入する。その後、酸素イオンが注入されたウエハを上記実施形態の熱処理装置を用いて、例えばＡｒ、Ｏ２雰囲気のもと、１３００°Ｃ〜１４００°Ｃ、例えば１３５０°Ｃ以上の高温でアニールする。これらの処理により、ウエハ内部にＳｉＯ２層が形成された（ＳｉＯ２層が埋め込まれた）ＳＩＭＯＸウエハが作製される。
【００４６】
また、ＳＩＭＯＸウエハの他、水素アニールウエハの製造工程の一工程に本発明の熱処理装置を適用することも可能である。この場合、ウエハを本発明の熱処理装置を用いて、水素雰囲気中で１２００°Ｃ程度以上の高温でアニールすることとなる。これによりＩＣ（集積回路）が作られるウエハ表面層の結晶欠陥を低減することができ、結晶の完全性を高めることができる。
【００４７】
また、この他、エピタキシャルウエハの製造工程の一工程に本発明の熱処理装置を適用することも可能である。
【００４８】
以上のような基板の製造工程の一工程として行う高温アニール処理を行う場合であっても、本発明の熱処理装置を用いることにより、基板のスリップの発生を防止することができる。
【００４９】
本発明の熱処理装置は、半導体装置の製造工程にも適用することも可能である。
特に、比較的高い温度で行う熱処理工程、例えば、ウェット酸化、ドライ酸化、水素燃焼酸化（パイロジェニック酸化）、ＨＣｌ酸化等の熱酸化工程や、硼素（Ｂ）、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）等の不純物（ドーパント）を半導体薄膜に拡散する熱拡散工程等に適用するのが好ましい。
このような半導体デバイスの製造工程の一工程としての熱処理工程を行う場合においても、本発明の熱処理装置を用いることにより、スリップの発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施形態に係る熱処理装置を示す概略斜視図
【図２】本発明の実施形態に係る熱処理装置に用いた反応炉を示す概略断面図
【図３】本発明の実施形態に係る熱処理装置に用いた基板支持体を示す概略縦断面図
【図４】本発明の実施形態に係る熱処理装置に用いた基板支持体を示す概略横断面図
【図５】本発明の実施形態に係る熱処理装置に用いた支持部の概略斜視図（第１の実施例）
【図６】本発明の実施形態に係る熱処理装置に用いた支持部の概略斜視図（第２の実施例）
【符号の説明】
【００５１】
１０    熱処理装置
３０    基板支持体
５６    本体部
５８    支持部
６６    載置部
６８    基板
７４    第２の凹部
７５    第１の凹部
７７    基板載置面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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