(57)【要約】【課題】  ＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、電解メッキによって形成される柱状電極の高さにバラツキが生じにくいようにし、且つ、回路基板上に実装したとき、半導体基板と回路基板との間の熱膨張係数差に起因して発生する応力による破損を防止する。【解決手段】  半導体基板２上の４隅を除く領域には複数の柱状電極１２がマトリックス状に設けられ、半導体基板２上の４隅にはダミー柱状電極１３が設けられている。そして、柱状電極１３上には半田ボール１５が設けられているが、ダミー柱状電極１３上には半田ボールは設けられていない。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、前記半導体基板上の４隅の領域中、少なくとも１領域に設けられたダミー柱状電極と、前記半導体基板上のダミー柱状電極が形成された１領域を除く領域に設けられた複数の柱状電極と、前記半導体基板上の前記柱状電極および前記ダミー柱状電極を除く領域に設けられた封止膜と、前記柱状電極上に設けられた半田層とを備え、前記ダミー柱状電極上には半田層が設けられていないことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記柱状電極はマトリックス状に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
半導体基板と、前記半導体基板上の４隅の領域中、少なくとも１領域に設けられたダミー柱状電極と、前記半導体基板上のダミー柱状電極が形成された１領域を除く領域に設けられた複数の柱状電極と、前記半導体基板上の前記柱状電極および前記ダミー柱状電極を除く領域に設けられた封止膜とを備えた半導体装置と、前記半導体装置の前記柱状電極に対応して配置された接続端子を有する回路基板と、前記半導体装置の前記柱状電極と前記回路基板の前記接続端子を接合する半田層とを備え、前記半導体装置の前記ダミー柱状電極は、前記回路基板には接合されていないことを特徴とする半導体装置の実装構造。
【請求項４】
請求項３に記載の発明において、前記柱状電極はマトリックス状に設けられていることを特徴とする半導体装置の実装構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、柱状電極を有する半導体装置およびその実装構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置には、半導体基板の上面周辺部に複数の接続パッドが設けられ、接続パッドを除く半導体基板の上面に絶縁膜が設けられ、絶縁膜の上面に配線が接続パッドに接続されて設けられ、配線の接続パッド部上面に柱状電極が設けられたものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開平５−２１８０４２号公報
【０００４】
そして、上記従来の半導体装置を回路基板上に実装する場合、柱状電極を回路基板上の接続端子に接合させて、実装している。この場合、上記従来の半導体装置では、半導体基板と回路基板との間の熱膨張係数差に起因して発生する応力による破損を防止するため、特に破損しやすい領域である半導体基板上の４隅には柱状電極が設けられていない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記従来の半導体装置では、柱状電極を電解メッキにより形成するとき、メッキ電流密度が一定であるため、半導体基板上の４隅に柱状電極を形成しない領域が存在すると、当該領域付近のメッキ電流が増大し、柱状電極の高さにバラツキが生じ、柱状電極の回路基板上の接続端子に対する接合不良が発生しやすいという問題があった。
【０００６】
そこで、この発明は、電解メッキにより形成される柱状電極の高さにバラツキが生じにくいようにすることができ、且つ、回路基板上に実装したとき、半導体基板と回路基板との間の熱膨張係数差に起因して発生する応力による破損を防止することができる半導体装置およびその実装構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、半導体基板と、前記半導体基板上の４隅の領域中、少なくとも１領域に設けられたダミー柱状電極と、前記半導体基板上のダミー柱状電極が形成された１領域を除く領域に設けられた複数の柱状電極と、前記半導体基板上の前記柱状電極および前記ダミー柱状電極を除く領域に設けられた封止膜と、前記柱状電極上に設けられた半田層とを備え、前記ダミー柱状電極上には半田層が設けられていないことを特徴とするものである
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記柱状電極はマトリックス状に設けられていることを特徴とするものである
請求項３に記載の発明は、半導体基板と、前記半導体基板上の４隅の領域中、少なくとも１領域に設けられたダミー柱状電極と、前記半導体基板上のダミー柱状電極が形成された１領域を除く領域に設けられた複数の柱状電極と、前記半導体基板上の前記柱状電極および前記ダミー柱状電極を除く領域に設けられた封止膜とを備えた半導体装置と、前記半導体装置の前記柱状電極に対応して配置された接続端子を有する回路基板と、前記半導体装置の前記柱状電極と前記回路基板の前記接続端子を接合する半田層とを備え、前記半導体装置の前記ダミー柱状電極は、前記回路基板には接合されていないことを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の発明において、前記柱状電極はマトリックス状に設けられていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、半導体基板上の４隅の領域中、少なくとも１領域にダミー柱状電極を設け、半導体基板上のダミー柱状電極が形成された１領域を除く領域に複数の柱状電極を設けているので、電解メッキにより形成されるダミー柱状電極を含む柱状電極の高さにバラツキが生じにくいようにすることができる。また、柱状電極上に半田層を設け、ダミー柱状電極上に半田層を設けていないため、この半導体装置を回路基板上に実装するとき、柱状電極をその上に設けられた半田層を介して回路基板上の接続端子に接合しても、ダミー柱状電極は、その上に半田層を有していないため、回路基板上に接合されず、したがって、半導体基板と回路基板との間の熱膨張係数差に起因して発生する応力による破損を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
図１はこの発明の一実施形態としての半導体装置の平面図を示し、図２は図１のＡ−Ａ線にほぼ沿う断面図を示す。この半導体装置１は、一般的にはＣＳＰ(chip size package)と呼ばれるものであり、平面正方形状のシリコン基板等からなる半導体基板２を備えている。半導体基板２の上面中央部には所定の機能の集積回路（図示せず）が設けられ、上面周辺部にはアルミニウム系金属等からなる複数の接続パッド３が集積回路に接続されて設けられている。
【００１０】
接続パッド３の中央部を除く半導体基板２の上面には酸化シリコン等からなる絶縁膜４が設けられ、接続パッド３の中央部は絶縁膜４に設けられた開口部５を介して露出されている。絶縁膜４の上面にはエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等からなる保護膜（絶縁膜）６が設けられている。この場合、絶縁膜４の開口部５に対応する部分における保護膜６には開口部７が設けられている。
【００１１】
保護膜６の上面には銅等からなる下地金属層８およびダミー下地金属層９が設けられている。下地金属層８およびダミー下地金属層９の上面全体には銅からなる配線１０およびダミー接続パッド部１１が設けられている。下地金属層８を含む配線１０の一端部は、両開口部５、７を介して接続パッド３に接続されている。ダミー下地金属層９を含むダミー接続パッド部１１は、島状に設けられている。ダミー下地金属層９を含むダミー接続パッド部１１は、半導体基板２の集積回路に接続されていてもよく、接続されていなくてもよいが、後述する如く、電気的に外部回路には接続されないものであるため、島状に形成するものであるが、半導体基板２の集積回路に接続させる場合には、配線９の接続パッド３と共に接続させる必要がある。
【００１２】
配線１０の接続パッド部上面には銅からなる柱状電極１２が設けられている。ダミー接続パッド部１１の上面には銅からなるダミー柱状電極１３が設けられている。ここで、図１に示すように、ダミー柱状電極１３は、特に破損しやすい領域である半導体基板２上の４隅に設けられている。そして、柱状電極１２は、半導体基板２上の４隅を除く領域にマトリックス状に設けられている。
【００１３】
配線１０およびダミー接続パッド部１１を含む保護膜６の上面にはエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等からなる封止膜１４がその上面が柱状電極１２およびダミー柱状電極１３の上面と面一となるように設けられている。封止膜１４から露出された柱状電極１２の上面には半田ボール（半田層）１５が設けられているが、封止膜１４から露出されたダミー柱状電極１３の上面には半田ボールは設けられていない。
【００１４】
次に、この半導体装置１の製造方法の一例について説明する。まず、図３および図４に示すように、シリコン等の半導体からなるウエハ２１上にアルミニウム系金属等からなる接続パッド３、酸化シリコン等からなる絶縁膜４およびエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等からなる保護膜６が設けられ、接続パッド３の中央部が絶縁膜４および保護膜６に形成された開口部５、７を介して露出されたものを用意する。
【００１５】
この場合、ウエハ２１には、各半導体装置１が形成される領域に所定の機能の集積回路が形成され、接続パッド３は、それぞれ、対応する領域に形成された集積回路に電気的に接続されている。また、ウエハ２１の各半導体装置１が形成される領域間はダイシングライン２２となっている。
【００１６】
次に、図５に示すように、両開口部５、７を介して露出された接続パッド３の上面を含む保護膜６の上面全体に下地金属層２３を形成する。この場合、下地金属層２３は、無電解メッキにより形成された銅層のみであってもよく、またスパッタにより形成された銅層のみであってもよく、さらにスパッタにより形成されたチタン等の薄膜層上にスパッタにより銅層を形成したものであってもよい。
【００１７】
次に、下地金属層２３の上面にメッキレジスト膜２４をパターン形成する。この場合、配線１０形成領域およびダミー接続パッド部１１形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜２４には開口部２５、２６が形成されている。次に、下地金属層２３をメッキ電流路として銅の電解メッキを行なうことにより、メッキレジスト膜２４の開口部２５、２６内の下地金属層２３の上面に配線１０およびダミー接続パッド部１１を形成する。次に、メッキレジスト膜２４を剥離する。
【００１８】
次に、図６および図７に示すように、配線１０およびダミー接続パッド部１１を含む下地金属層２３の上面にメッキレジスト膜２７をパターン形成する。この場合、柱状電極１２形成領域およびダミー柱状電極１３形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜２７には開口部２８、２９が形成されている。ここで、開口部２８は、ウエハ２１の各半導体装置１形成領域上の４隅を除く領域にマトリックス状に設けられている。開口部２９は、ウエハ２１の各半導体装置１形成領域上の４隅に設けられている。
【００１９】
次に、下地金属層２４をメッキ電流路として銅の電解メッキを行なうことにより、メッキレジスト膜２７の開口部２８内の配線１０の接続パッド部上面に柱状電極１２を形成し、また、メッキレジスト膜２７の開口部２９内のダミー接続パッド部１１の上面にダミー柱状電極１３を形成する。この状態では、柱状電極１２は、ウエハ２１の各半導体装置１形成領域上の４隅を除く領域にマトリックス状に形成されている。ダミー柱状電極１３は、ウエハ２１の各半導体装置１形成領域上の４隅に形成されている。
【００２０】
次に、メッキレジスト膜２７を剥離し、次いで、柱状電極１２を含む配線１０およびダミー柱状電極１３を含むダミー接続パッド部１１をマスクとして下地金属層２３の不要な部分をエッチングして除去すると、図８に示すように、配線１０下にのみ下地金属層８が残存され、また、ダミー接続パッド部１１下にのみダミー下地金属層１０が残存される。
【００２１】
次に、図９に示すように、スクリーン印刷法、スピンコーティング法、ダイコート法等により、柱状電極１２、配線１０およびダミー柱状電極１３を含む保護膜６の上面全体にエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等からなる封止膜１４をその厚さが柱状電極１２およびダミー柱状電極１３の高さよりも厚くなるように形成する。したがって、この状態では、柱状電極１２およびダミー柱状電極１３の上面は封止膜１４によって覆われている。
【００２２】
次に、封止膜１４、柱状電極１２およびダミー柱状電極１３の上面側を適宜に研磨し、図１０に示すように、柱状電極１２およびダミー柱状電極１３の上面を露出させ、且つ、この露出された柱状電極１２およびダミー柱状電極１３の上面を含む封止膜１４の上面を平坦化する。これにより、柱状電極１２およびダミー柱状電極１３の高さは均一になる。
【００２３】
ここで、図６に示すように、半導体基板２上の４隅を除く領域に柱状電極１２をマトリックス状に形成し、半導体基板２上の４隅にダミー柱状電極１３を形成しているので、柱状電極１２およびダミー柱状電極１３は縦横に等ピッチのマトリックス状に配置されることになり、電解メッキ時の電流密度が均一になるので、電解メッキにより形成したダミー柱状電極１３を含む柱状電極１２の高さにバラツキが生じにくいようにすることができる。この結果、柱状電極１２およびダミー柱状電極１３の上面側を研磨する際の研磨量を少なくすることができる。
【００２４】
次に、図１１および図１２に示すように、封止膜１４から露出された柱状電極１２の上面のみに半田ボール１５を形成する。この場合、例えば、柱状電極１２に対応する部分に半田ボール吸着孔を有し、且つ、ダミー柱状電極１３に対応する部分に半田ボール吸着孔を有していない半田ボール吸着治具を用いて、柱状電極１２の上面のみに半田ボールを供給して、リフローにより半田ボール１５を形成するようにしてもよい。
【００２５】
また、柱状電極１２に対応する部分に半田ペースト印刷用開口部を有し、且つ、ダミー柱状電極１３に対応する部分に半田ペースト印刷用開口部を有していない半田ペースト印刷マスクを用いて、柱状電極１２の上面のみに半田ペーストを印刷して、リフローにより半田ボール１５を形成するようにしてもよい。
【００２６】
次に、ウエハ２１をダイシングテープ（図示せず）に貼り付け、図１３に示すように、ウエハ２１、絶縁膜４、保護膜６および封止膜１４をダイシングライン２２に沿って切断した後に、ダイシングテープから剥がすと、図１および図２に示す半導体装置１が複数個得られる。
【００２７】
次に、図１４は図２に示す半導体装置１を回路基板３１上に実装した状態の断面図を示す。半導体装置１は、半田ボール１５が回路基板３１の上面に設けられた接続端子３２に接合されていることにより、回路基板３１上に実装されている。
【００２８】
この場合、半導体装置１においては、半導体基板２上の４隅を除く領域にマトリックス状に設けられた柱状電極１２上に半田ボール１５を設け、半導体基板２上の４隅に設けられたダミー柱状電極１３上に半田ボールを設けていないため、この半導体装置１を回路基板３１上に実装するとき、柱状電極１２をその上に設けられた半田ボール１５を介して回路基板３１上の接続端子３２に接合しても、ダミー柱状電極１３は、その上に半田ボールを有していないため、回路基板３１上に接合されず、したがって、半導体基板２と回路基板３１との間の熱膨張係数差に起因して発生する応力による破損を防止することができる。
【００２９】
なお、半導体装置１を回路基板３１に実装する際、回路基板３１の接続端子３２上に印刷、転写等により半田層を形成しておき、柱状電極１２上に半田ボール１５が形成されていない半導体装置１を接合するようにしてもよい。ここで、半田ボールあるいは半田層は低融点金属からなるもので、Ｐｂを含んでいても含んでいなくてもよい。
【００３０】
また、上記実施形態では、半導体基板１の４隅の領域全てにダミー柱状電極１３を形成したものとしたが、半導体基板１の形状や、回路基板３１の材質、あるいは適用される温度、湿度等の使用環境により応力の作用は変動するので、４隅の全ての領域が応力により破損することでもないので、ダミー柱状電極１３は４隅の領域の中、少なくとも１領域に形成するようにすればよい。また、柱状電極１２を等ピッチのマトリックス状に配列するために半導体基板１の４隅以外の領域にダミー柱状電極１３を設けるようにしてもよい。この場合、半導体基板１の４隅以外の領域に形成したダミー柱状電極１３は、回路基板３１に接合してもよいし、接合しなくてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】この発明の一実施形態としての半導体装置の平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線にほぼ沿う断面図。
【図３】図１および図２に示す半導体装置の製造に際し、当初用意したものの一部の平面図。
【図４】図３のＢ−Ｂ線にほぼ沿う断面図。
【図５】図３および図４に続く工程の断面図。
【図６】図５に続く工程の平面図。
【図７】図６のＣ−Ｃ線にほぼ沿う断面図。
【図８】図６および図７に続く工程の断面図。
【図９】図８に続く工程の断面図。
【図１０】図９に続く工程の断面図。
【図１１】図１０に続く工程の平面図。
【図１２】図１１のＤ−Ｄ線にほぼ沿う断面図。
【図１３】図１２に続く工程の断面図。
【図１４】図２に示す半導体装置を回路基板上に実装した状態の断面図。
【符号の説明】
【００３２】
１  半導体装置
２  半導体基板
３  接続パッド
４  絶縁膜
６  保護膜
１０  配線
１１  ダミー接続パッド部
１２  柱状電極
１３  ダミー柱状電極
１４  封止膜
１５  半田ボール
３１  回路基板
３２  接続端子
【図１】
2005183868.tif 000003
【図２】
2005183868.tif 000004
【図３】
2005183868.tif 000005
【図４】
2005183868.tif 000006
【図５】
2005183868.tif 000007
【図６】
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【図７】
2005183868.tif 000009
【図８】
2005183868.tif 000010
【図９】
2005183868.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
2005183868.tif 000013
【図１２】
2005183868.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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