(57)【要約】【課題】  従来の技術の欠点を有さず、しかも特に改善された量子効率を有する光検出器を提供すること。【解決手段】  半導体、特にシリコンに基づく光検出器であって、検出器表面(1.2)を有する検出器本体(1.1)と、該検出器表面(1.2)上に配置されたカバー層(2)とを有しており、該カバー層が少なくとも1つの第1層(2.1)を有している形式のものにおいて、該カバー層(2)が、量子効率を高めるために、少なくとも1つの作業波長領域内に、同じ厚さのSiO2から成るカバー層の透過率よりも高い透過率を有しているように、構成する。【選択図】      図１
2005094004.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検出器表面(1.2)を有する検出器本体(1.1;1,1';1.1'';1.1''')と、該検出器表面(1.2)上に配置されたカバー層(2;2';2'';2''')とを有しており、該カバー層が少なくとも1つの第1層(2.1;2.1';2.1'';2.1''')を有している形式の半導体に基づく光検出器において、該カバー層(2;2';2'';2''')が、量子効率を高めるために、少なくとも1つの作業波長領域内に、同じ厚さのSiO2から成るカバー層の透過率よりも高い透過率を有していることを特徴とする、半導体に基づく光検出器。
【請求項２】
該カバー層(2;2';2'';2''')が、該少なくとも1つの作業波長領域内の反射率を、SiO2カバー層と比較して低減する少なくとも1つの層(2.2;2.2';2.1'';2.2'';2.1''')を有している、請求項1に記載の光検出器。
【請求項３】
該反射率を低減する少なくとも1つの層(2.2;2.2';2.1'';2.2'';2.1''')の材料が、該少なくとも1つの作業波長領域内で低い吸光度を有している、請求項2に記載の光検出器。
【請求項４】
該第1層(2.1''; 2.1''')が、該反射率を低減する少なくとも1つの層を形成している、請求項2又は3に記載の光検出器。
【請求項５】
該反射率を低減する少なくとも1つの層(2.1'';2.1''')の材料が、SiO2よりも高い屈折率を有している、請求項2〜4のいずれか1項に記載の光検出器。
【請求項６】
該反射率を低減する少なくとも1つの層(2.1'';2.1''')の材料が、Si3N4である、請求項2〜5のいずれか1項に記載の光検出器。
【請求項７】
該カバー層(2;2';2'')が、該少なくとも1つの作業波長領域内の反射率を、SiO2層と比較して低減する少なくとも1つの第2層(2.2;2.2';2.2'')を有している、請求項1〜6のいずれか1項に記載の光検出器。
【請求項８】
該第2層(2.2;2.2')の材料が、該少なくとも1つの作業波長領域内で低い吸光度を有する誘電性被覆材料である、請求項7に記載の光検出器。
【請求項９】
該第2層(2.2;2.2';2.2'')の材料が、HfO2/SiO2、HfO2/MgF2及びSiO2/Si3N4の組み合わせ材料から成る群のうちの少なくとも1つの組み合わせ材料である、請求項7又は8に記載の光検出器。
【請求項１０】
複数の第2層(2.2;2.2';2.2'')が設けられている、請求項7〜9のいずれか1項に記載の光検出器。
【請求項１１】
該第2層が同一材料から成っている、請求項10に記載の光検出器。
【請求項１２】
該カバー層の層(2.1,2.2;2.1',2.2';2.1'',2.2'')の材料及び/又は数及び/又は厚さが、少なくとも第1作業波長領域に関連して選択されている、請求項1〜11のいずれか1項に記載の光検出器。
【請求項１３】
該少なくとも1つの作業波長領域が、UV領域内にある、請求項1〜12のいずれか1項に記載の光検出器。
【請求項１４】
該カバー層(2.1';2.2')が、量子効率を高めるために、少なくとも2つの作業波長領域内に、同じ厚さのSiO2から成るカバー層の透過率よりも高い透過率を有している、請求項1〜13のいずれか1項に記載の光検出器。
【請求項１５】
該カバー層(2.1';2.2')が、量子効率を高めるために、3つの作業波長領域内に、同じ厚さのSiO2から成るカバー層の透過率よりも高い透過率を有している、請求項14に記載の光検出器。
【請求項１６】
波長に関する該カバー層(2.1';2.2')の透過率特性曲線が、該それぞれの作業波長領域内で、際立った最大値を有している、請求項1〜15のいずれか1項に記載の光検出器。
【請求項１７】
該半導体がシリコンである、請求項1〜16のいずれか1項に記載の光検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体に基づく、換言すると、半導体をベースとした、特にケイ素（シリコン）をベースとした光検出器であって、検出器表面を有する検出器本体と、該検出器表面上に配置されたカバー層とを有しており、該カバー層が少なくとも1つの第1層を有している形式の光検出器に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体に基づくこのような光検出器は、たいていの場合、ケイ素に基づく検出器本体を備えたいわゆるケイ素検出器（シリコン検出器）である。この検出器本体は、相応のドーピング材料でドーピングされている。カバー層は通常、1つ又は2つ以上のSiO2(石英)層から成っており、これらの層はドーピング材料のための拡散バリヤとして作用する。
【０００３】
半導体に基づくこのような光検出器は、数多くの光学測定用途に使用される。例えば相応の検査用光学素子と結びついた半導体技術におけるケイ素検出器は、ウェハー検査等にしばしば使用される。種々のファクターによって制限される所与の光量を用いて、できる限り良好な測定結果を得るために、使用される測定装置の感度を高めようと絶えず努力が為されている。
【０００４】
使用される検査用光学素子を相応に変化させることの他に、このような測定装置の感度を高めるための1つの可能性は、使用される光検出器の量子効率を高めることにある。量子効率は、光検出器内に入射するフォトンの平均数に対する、光検出器によって発生した光電子の平均数の比を意味する。周知の光検出器の場合、量子効率は、使用される光の波長の他に、SiO2カバー層の厚さにも関連する。このSiO2カバー層は特に、入射光のある程度の部分を反射する。
【０００５】
このような光検出器の量子効率を改善する1つの可能性は、所望の周波数帯域にカバー層の光学作用を適合させることにある。UV光の領域においては、このために例えば、SiO2カバー層の厚さを小さくしなければならない。このような改善は特に、ウェハー検査の際に頻繁に使用されるUV光の領域においては、小さく制限される。例えば、UV光に関しては、一方ではSiO2カバー層の厚さを低減することによって、量子効率は比較的僅かにしか高めることができない。他方では、カバー層は任意に薄いものを選択することはできない。それというのも、薄いものを選択すると、カバー層の拡散バリヤとしての機能を制限された状態でしか発揮できず、ひいては、光検出器の耐用寿命が不適当に著しく短くなってしまうからである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
したがって、本発明の課題は、上述の欠点を全く有さないか、又は最低でも僅かしか有さず、しかも特に改善された量子効率を有する、冒頭で述べた形式の光検出器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明はこのような課題を、特許請求の範囲に記載される請求項1の上位概念に記載の形式の光検出器から出発して、請求項1の特徴部分に記載された特徴によって解決する。すなわち、本発明は、検出器表面(1.2)を有する検出器本体(1.1;1,1';1.1'';1.1''')と、該検出器表面(1.2)上に配置されたカバー層(2;2';2'';2''')とを有しており、該カバー層が少なくとも1つの第1層(2.1;2.1';2.1'';2.1''')を有している形式の半導体に基づく光検出器において、該カバー層(2;2';2'';2''')が、量子効率を高めるために、少なくとも1つの作業波長領域内に、同じ厚さのSiO2から成るカバー層の透過率よりも高い透過率を有していることを特徴とする、半導体に基づく光検出器にある。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明の根底は、カバー層が、量子効率を高めるために、少なくとも1つの作業波長領域内に、同じ厚さのSiO2から成るカバー層の透過率よりも高い透過率を有すると、従来の検出器と比較して改善された量子効率が、光検出器のこのような作業波長領域内に得られるという技術思想にある。同じ厚さのSiO2から成るカバー層の透過率よりも高い透過率によって、検出器表面により多くの光が達し、これにより光検出器の量子効率も高められるので有利である。
【０００９】
透過率を高めることは、換言すれば、本発明に基づいて、カバー層が相応の材料から成る少なくとも1つの層を有し、この材料が、単独で、又は1つ又は2つ以上の別の層、例えばSiO2から成る層との組み合わせで、完全にSiO2から成るカバー層の透過率よりも高い透過率を有することにより達成される。同等の厚さを有することは必要でない。
【００１０】
透過率は種々の方法で高めることができる。例えば一方では、当該作業波長領域に対して、カバー層の反射率を好適な材料の層によって低減することができる。従って、本発明による光検出器の好ましい変化実施態様の場合、カバー層は、当該作業波長領域内の反射率をSiO2カバー層と比較して低減する少なくとも1つの層を有する。このことは例えば、カバー層のそれぞれの層のために使用される材料の屈折率、及び、この屈折率から生じる媒質間の界面の比を好適に選択することにより達成することができる。界面の屈折率の差が小さければ小さいほど、それぞれの界面における反射率も小さくなる。
【００１１】
しかし透過率は、単層又は多層から成るカバー層の吸光度を、SiO2カバー層と比較して相応に低減することによって高めることもできる。従って、カバー層のための材料が、作業波長領域内で低い吸光度を有することが好ましい。このことは、カバー層のための材料を好適に選択することによって実現することもできる。吸光度を低減するのに加えて、カバー層の反射率も低減されることが好ましい。従って、反射率を低減する層の材料が、作業波長領域において低い吸光度を有することが好ましい。
【００１２】
カバー層の反射率は、以下に詳しく説明するように、1つ又は2つ以上の付加的な層のカバー層によって低減することができる。本発明による光検出器の極めて簡単に構成されているがゆえに好ましい変更実施態様の場合、第1層は既に、反射率を低減する層を形成する。この場合、カバー層は第1層に相当する厚さだけから成っていてもよい。
【００１３】
反射率を特に良好に低減する本発明による光検出器の好ましい構成の場合、反射率を低減する層の材料は、SiO2よりも高い屈折率を有している。
【００１４】
反射率は、上記特性を有する任意の好適な材料によって低減することができる。反射率を低減する層のための材料としてSi3N4(窒化ケイ素)が選択されると、特に好適な反射率、ひいては好適な透過率を有する本発明による光検出器の変更実施態様が得られる。
【００１５】
上述のように、反射率を低減し、ひいては透過率を高めるために、本発明に基づいて多層から成るカバー層を設けることもできる。従って、本発明による光検出器の他の好ましい変更実施態様の場合、カバー層は、作業波長領域内の反射率を、SiO2層と比較して低減する少なくとも1つの第2層を有している。この実施態様の場合、既に第1層が単独で、透過率を相応に高めることができる。しかし言うまでもなく、本発明による光検出器の特に容易に実現され得る変更実施態様の場合には、特に、従来のSiO2層が、本発明による第2層を備えていてもよい。
【００１６】
この変更実施態様の場合にも、第2層のためにこのような目的に適した任意の材料を使用することができる。第2層の材料は、作業波長領域内で低い吸光度を有する誘電性被覆材料であることが好ましい。第2層の材料には、HfO2/SiO2、HfO2/MgF2又はSiO2/Si3N4の組み合わせの1つが特に適している。
【００１７】
この場合にも言うまでもなく、前述の第2層のうちの唯1つの層によって、本発明による光検出器の特に容易に製造可能な実施態様の透過率を、所望の通りに高めることができる。しかし、複数の第2層が設けられていると、場合によっては複数の作業波長領域に対しても、透過率を特に良好に微調整することができる。これらの層の寸法は、1つ又は2つ以上の作業波長領域に調和されていてよい。この場合、第2層は特に同一材料から成っていてもよい。しかし言うまでもなく、上記実施態様に加えて又はこれとは別に、第2層は材料の点でも、対応する用途、特に対応する1つ又は2つ以上の作業波長領域に調和されていてよい。この場合、その都度の使用事例に応じて、所要パラメータ、例えばスペクトルバンド幅、個々の波長の重み付けなどに合わせて調和を行うことができる。従って、カバー層の層の材料及び/又は数及び/又は厚さが、少なくとも第1作業波長領域に関連して選択されていることが好ましい。
【００１８】
光検出器は、基本的には1つ又は2つ以上の任意の作業波長領域に対して最適化することができる。本発明を特に好ましく使用することができるウェハー検査用途の場合、光検出器の最適化は好ましくはUV領域で行われる。従って好ましくは、第1作業波長領域はUV領域内にある。
【００１９】
本発明は、任意の半導体に基づく光検出器と共に使用することができる。本発明は、ケイ素検出器と共に使用することができると特に好ましい。それというのも、ケイ素検出器と共に使用すると、本発明の利点が良好に提供されるからである。さらに言うまでもなく、本発明はそれぞれの光検出器の実際の形態とは無関係に、特に、それぞれの光検出器の実際の幾何学的形状とは無関係に、使用することができる。
【００２０】
本発明の別の好ましい構成は、特許請求の範囲に記載の請求項2〜17、もしくは、添付の図面を参考にして以下に説明する好ましい実施例から明らかである。
【実施例】
【００２１】
図1は、ケイ素検出器1の形態の、半導体に基づく本発明による光検出器の好ましい1実施態様を概略的に示している。このケイ素検出器1は、検出器本体1.1と活性検出器表面1.2とを備えている。活性検出器表面1.2は、カバー層2によって覆われている。活性検出器表面1.2には、検出しようとする光が矢印3の方向に入射する。
【００２２】
ケイ素検出器1は、その他の点では従来の形式で構成されている。例えばケイ素検出器1は、前側電極1.4と後側電極1.5とを備えている。検出器本体1.1は、従来の形式でpドープ領域1.6と、空乏領域1.7と、n-Si領域1.8と、nドープ領域1.9とを有している。このnドープ領域1.9に続いて、後側電極1.5が設けられている。カバー層2によって覆われていない前側表面部分は、従来のSiO2保護層4によって覆われている。このSiO2保護層4はこの領域では拡散バリヤとして役立つ。
【００２３】
ケイ素検出器1は、第1作業波長領域において使用されるように構成されている。この第1作業波長領域は、275nmと400nmとの間のUV領域内に位置する。図1の詳細を示す図2から判るように、拡散バリヤとして作用するカバー層2は、図示の実施例において、検出器表面1.2上に被せられたSiO2から成る1つの第1層2.1と、同一材料から成る2つの第2層2.2とを有している。第2層2.2は、検出器表面1.2とは反対側に、互いに上下に配置されている。第1層2.1の厚さ、すなわち矢印3の方向における横方向寸法は100nmである。
【００２４】
それぞれの第2層2.2は、HfO2/SiO2から成る組み合わせ材料から成っている。この組み合わせ材料は、従来の形式で、第1層2.1上に蒸着されている。HfO2/SiO2から成る組み合わせ材料は、UVに適した誘電性被覆材料である。この被覆材料はさらに、低い吸光度を有している。低い吸光度は、カバー層2の透過率ができるだけ高くなるのを保証する。
【００２５】
それぞれの第2層2.2は反射防止コーティングを形成する。この反射防止コーティングは、同じ厚さのSiO2カバー層と比較して、カバー層3の反射率を低減し、ひいてはこの理由から、同じ厚さのSiO2カバー層と比較してカバー層3の透過率を高める。このことは図3及び4から明らかである。
【００２６】
図3は、カバー層の厚さに対するSiO2カバー層の透過率の相関関係を示している。曲線5は、使用される光の波長の関連において、厚さ100nmのSiO2カバー層の透過率を%で示している。曲線6は、厚さ80nmのSiO2カバー層に関するこの相関関係を示している。曲線7は、厚さ60nmのSiO2カバー層に関するこの相関関係を示している。これらの曲線から判るように、第1の作業波長領域(275nm〜400nm)に関しては、カバー層の厚さが増大するにつれて透過率が減少するという、カバー層の厚さに対する透過率の明白な相関関係が存在する。
【００２７】
図4は、図3に示した曲線5、つまり厚さ100nmのSiO2カバー層に対応する波長関連透過率と、図2に示したカバー層2並びに本発明による別のカバー層に対応する透過率特性曲線との比較を示す。曲線8は、使用される光の波長と関連して、カバー層2、つまり厚さ100nmの1つの第1層2.1(SiO2)と、薄い2つの第2層2.2(HfO2/ SiO2)とを有するカバー層の透過率を示す。カバー層2の厚さは、従って100nmよりも大きい。
【００２８】
図4の曲線5及び曲線8に基づいて十分に明らかなように、カバー層2の付加的な2つの第2層2.2によって、第1作業波長領域全体で、厚さ100nmの純粋なSiO2カバー層と比較して透過率が著しく高められる。カバー層2の厚さは100nmよりも大きいので、図3との関連において示されるように、SiO2カバー層の厚さが増大するにつれて透過率が減少することにより、カバー層2の透過率は、同じ厚さのSiO2から成るカバー層の透過率よりも高いことが明らかになる
【００２９】
従って、同じ厚さのSiO2から成るカバー層を有する検出器と比較して透過率が高いことにより、ケイ素検出器1の量子効率は、同じ厚さのSiO2から成るカバー層を有する検出器と比較して高くなる。
【００３０】
図4に示す曲線9は、使用される光の波長に関連して、本発明による光検出器1'の別の好ましい実施態様のカバー層の透過率を示している。光検出器1'の部分断面図が図5に示されている。この光検出器1'の基礎的な構造は、図1及び図2に示す光検出器1と同じなので、相違点のみに触れることにする。
【００３１】
唯一の相違点は、ケイ素検出器1'における2つの第2層の代わりに、従来の形式で第1層2.1上に蒸着されたHfO2/SiO2の組み合わせ材料から成る第2層2,2'が8層設けられていることにある。つまりカバー層2'は、このような変更実施態様において、換言するならば、検出器本体1.1'に被せられた厚さ100nmの1つの第1層2.1'(SiO2)と、8つの薄い第2層2.2'(HfO2/SiO2)とから成る。
【００３２】
曲線9から判るように、これにより、比較的狭く仕切られた3つの作業波長領域に対してケイ素検出器1が最適化される。これらの作業波長領域において、波長に関する透過率の特性曲線は、それぞれ1つの際立った相対最大値を有している。これらの作業波長領域には、230nmと250nmとの間の第2作業波長領域9.1と、300nmと325nmとの間の第3作業波長領域9.2と、350nmと400nmとの間の第4作業波長領域9.3とが属している。
【００３３】
このことから明らかなように、第2層の数を相応に変えるだけで、1つ又は2つ以上の作業波長領域に対して、本発明による光検出器を最適化することができる。言うまでもなく、本発明による光検出器の別の変更実施態様において、1つ又は2つ以上の作業波長領域に対する最適化のために、カバー層の層の数を変える他に、当該層の厚さを変えることもできる。同じく言うまでもなく、前記実施態様に加えて又はこれとは別に、層の材料を変えることにより、1つまたは2つ以上の作業波長領域に対して光検出器を最適化することもできる。
【００３４】
図6の曲線10及び曲線11は、使用される光の波長に関連して、本発明による光検出器の別の好ましい実施態様のカバー層の反射率を示す。これらの光検出器の基礎的な構造は、図1及び図2に示すものと同じなので、ここでは相違点にのみ触れることにする。
【００３５】
唯一の相違点はそれぞれ、ケイ素検出器1における2つの第2層2.2の代わりに、同じ材料から成る第2層2,2'が8層被せられていることである。曲線10に所属する本発明による光検出器の場合、第2層は、従来の形式で蒸着されたそれぞれHfO2/MgF2の組み合わせ材料から成っている。曲線11に所属する本発明による光検出器の場合、第2層はそれぞれ、従来の形式で蒸着されたHfO2/SiO2の組み合わせ材料から成っている。従って、両光検出器の層の数は、図5に示した光検出器と同じである。
【００３６】
図6の曲線12は、曲線10及び曲線11と比較して、第2層を有さない純粋なSiO2カバー層における、使用される光の波長に関連する反射率を示している。図6から難なく判るように、第2層によって、広範囲の波長領域にわたって反射率は著しく低減される。特に明らかなのは、250nm, 300nm及び365nm付近の領域において、反射率が低減されることである。さらに、HfO2/MgF2及びHfO2/SiO2から成る第2層は、250nmを超える波長領域において、パーセント範囲の低い吸光度を有しているので、当該カバー層の透過率、ひいてはそれぞれの本発明による光検出器の量子効率も、純粋なSiO2カバー層(曲線12)を有する検出器と比較して著しく高められる。
【００３７】
図7は、図6との関連において説明した本発明による両光検出器に対して、使用される光の波長に関連する最適化係数fの特性曲線を示す。最適化係数fは、吸光損失が無視できる程度であると仮定して、純粋なSiO2カバー層の透過率TSiO2に比べてカバー層の透過率Tがこの係数だけ改善されることを表す。つまり、次式が当てはまる。
【００３８】
【数１】
2005094004.tif 000003
【００３９】
単純化された最適化係数fは、本発明による光検出器のカバー層の反射率Rと、純粋なSiO2カバー層の反射率R SiO2とを用いて算出される:
【００４０】
【数２】
2005094004.tif 000004
【００４１】
曲線13は、図6の曲線10との関連において説明した本発明による光検出器の変更実施態様(単層の第1層SiO2、8層の第2層HfO2/MgF2)に対応する最適化係数fの特性曲線を示し、これに対して、曲線14は、図5の曲線11との関連において説明した実施態様(単層の第1層SiO2、8層の第2層HfO2/SiO2)に対応する最適化係数fの特性曲線を示す。
【００４２】
図7から判るように、両変更実施態様により、3つの波長領域において、純粋なSiO2カバー層に対して透過率を特に良好に改善することができる。この場合、局所的な最大の改善を伴う波長に関して若干の差異が生じ、このことから、それぞれの層のための材料を好適に選択することにより、規定された所与の波長領域に関して、目的にかなった最適化が可能であることが明らかとなる。
【００４３】
図8は、本発明による光検出器1''の別の好ましい実施態様の部分断面図を示す。この光検出器1''の基礎的な構造は、図1及び図2に示す光検出器1と同じなので、ここでも相違点にのみ触れることにする。
【００４４】
1つの相違点は、ケイ素検出器1'における第1層がSi3N4(窒化ケイ素)から成り、30nmの厚さを有することにある。SiO2と比較して、Si3N4は屈折率が高く、高い屈折率は、UV領域において、ケイ素検出器1''の検出器本体1.1''の反射防止に明らかに適している。従って、第1層のためにSi3N4を使用することにより、純粋なSiO2カバー層と比較して既に反射率が低減され、ひいては透過率が高められる。従って換言すれば、第1層2.1''は既に、純粋なSiO2カバー層に対する反射率の低減、ひいては透過率の上昇を保証する。
【００４５】
図1及び図2に示した光検出器との別の相違点は、ケイ素検出器1'における2つの第2層の代わりに、従来の形式で第1層2.1上に蒸着されたSiO2/Si3N4の組み合わせ材料から成る第2層2,2''が3つ設けられていることである。これらの第2層2,2''によって同様に、簡単な反射防止、すなわち純粋なSiO2カバー層に対する反射率の低減が達成される。
【００４６】
つまり、このカバー層2''はこのような変更実施態様において、換言するならば、検出器本体1.1''上に取り付けられた厚さ30nmの第1層2.1''(Si3N4)と、3つの第2層2.2''(SiO2/ Si3N4)とから成っており、第2層2.2''の全厚は150nmである。従って全体的に見て、180nmの厚さが生じる。
【００４７】
図9は、図4に示した曲線5及び曲線8と、曲線15との比較を示す。曲線5は、厚さ100nmのSiO2カバー層に対応する波長関連透過率を示す。曲線8は、厚さ100nmのSiO2から成る1つの第1層と、HfO2/ SiO2から成る2つの第2層とを備えた図2に示すカバー層2に対応する波長関連透過率を示す。最後に曲線15は、カバー層2''の波長関連透過性を示す。
【００４８】
図9から判るように、第1作業波長領域(250nm〜400nm)に関して、カバー層2''を用いると、純粋なSiO2カバー層(曲線5)に対してだけではなく、図2に示したカバー層2に対しても、透過率が明らかに上昇し、ひいては、これらの光検出器と比較して、量子効率が明らかに高められる。
【００４９】
透過率の上昇以外のカバー層2''の別の利点は、このカバー層2''の厚さが180nmであり、この厚さがほぼ100nmである従来のSiO2カバー層よりも明らかに厚いことにある。これにより、一方では光検出器の安定性が高められ、ひいてはその耐用寿命も高められる。
【００５０】
なおこの場合、図8に示した光検出器の第2層のために、本発明の他の変更実施態様において、別の被覆材料を使用してもよい。例えば、第2層のためにHfO2/ SiO2を使用することもできる。この場合には、曲線15とほぼ同じ透過性の波長関連特性曲線が生じる。
【００５１】
最後に図10は、本発明による光検出器1'''の別の好ましい実施態様の部分断面図を示す。このような光検出器1'''の基礎的な構造は、図1及び図2に示す光検出器と同じなので、ここでも相違点のみに触れることにする。
【００５２】
相違点は、ケイ素検出器1'''の検出器本体1.1'''上のカバー層2'''は、Si3N4(窒化ケイ素)から形成された1つの第1層2.1'''だけから成っていることにある。SiO2と比較して、Si3N4は上述のようにより高い屈折率を有しており、高い屈折率は、UV領域において、ケイ素検出器1'''の検出器本体1.1'''の反射防止に明らかに適している。従って、第1層のためにSi3N4を使用することにより、純粋なSiO2カバー層と比較して反射率が低減され、ひいては透過率が高められる。換言すれば、第1層2.1'''だけで、純粋なSiO2カバー層と比較して反射率を低減し、その結果透過率を高め、ひいては光検出器1'''の量子効率を改善することが保証される。
【００５３】
もっぱらUV領域において最適化されるべきケイ素検出器の例に基づいて、本発明を説明した。しかし言うまでもなく、本発明は他の半導体に基づく任意の光検出器のために使用することもできる。同様に、本発明は他の波長領域における最適化のために使用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明による光検出器の好ましい1実施態様を示す概略断面図である。
【図２】図1の領域IIの詳細を示す概略断面図である。
【図３】カバー層の透過率と厚さとの相関関係を示すグラフである。
【図４】図1の構成をもった光検出器の透過率と波長との相関関係を示すグラフである。
【図５】本発明による光検出器の別の実施態様の詳細を示す概略断面図である。
【図６】本発明による光検出器の別の実施態様に対応する透過率と波長との相関関係を示すグラフである。
【図７】図6に示した本発明による光検出器の構成における、単純なSiO2カバー層に対する透過率の上昇を示すグラフである。
【図８】本発明による光検出器の別の実施態様の詳細を示す概略断面図である。
【図９】図7に示した実施態様に対応する透過率と波長との相関関係を示すグラフである。
【図１０】本発明による光検出器の別の実施態様の詳細を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１    ケイ素検出器
２    カバー層
３    矢印
４    SiO2保護層
【図１】
2005094004.tif 000005
【図２】
2005094004.tif 000006
【図３】
2005094004.tif 000007
【図４】
2005094004.tif 000008
【図５】
2005094004.tif 000009
【図６】
2005094004.tif 000010
【図７】
2005094004.tif 000011
【図８】
2005094004.tif 000012
【図９】
2005094004.tif 000013
【図１０】
2005094004.tif 000014