(57)【要約】【課題】  パターン転写処理のサイクル時間および再処理時間を短縮することのできるパターン状フォトレジスト層の形成方法および装置を提供する。【解決手段】所定のウェハ層と整合するパターン状フォトレジスト層の形成方法を提供する。フォトレジスト層は基板上に形成され、露光を行う。フォトレジスト層の露光部分と所定のウェハ層との間のオーバーレイオフセットを測定し、フォトレジスト層の露光部分が所定のウェハ層と整合するか否かを判断する。現像段階は、フォトレジスト層の露光部分が所定のウェハ層と整合する場合に行われる。パターン状フォトレジスト層を形成するための装置も提供する。この装置は、前述の方法を利用し、オーバーレイオフセットを即座にフィードバックして、パターン転写処理のサイクル時間および再処理時間を短縮する。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のウェハ層と整合するパターン状フォトレジスト層の形成に用いられるフォトレジスト層の形成方法であって、
（ａ）基板上にフォトレジスト層を形成する段階と、
（ｂ）前記フォトレジスト層に対して露光を行う段階と、
（ｃ）前記フォトレジスト層の露光部分と前記所定のウェハ層との間のオーバーレイオフセットを測定する段階と、
（ｄ）前記オーバーレイオフセットが許容範囲内であるか否かを判断する段階と、
（ｅ）前記オーバーレイオフセットが許容範囲内である場合には前記フォトレジスト層を現像する段階と、
からなることを特徴とするパターン状フォトレジスト層の形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載のパターン状フォトレジスト層の形成方法であって、前記オーバーレイオフセットが許容範囲を超えている場合に、前記段階（ｅ）の前に、
段階（ｄ）において前記オーバーレイオフセットが許容範囲内であると判断されるまで、フォトレジストを除去する段階（ｆ）と前記段階（ａ）乃至（ｄ）とを順に少なくとも１回繰り返し、各サイクルの段階（ｂ）における露光状態を、前のサイクルの段階（ｃ）において測定される前記オーバーレイオフセットに従って校正することを特徴とするパターン状フォトレジスト層の形成方法。
【請求項３】
請求項１に記載のパターン状フォトレジスト層の形成方法において、前記フォトレジスト層に対して露光を行う段階が前記フォトレジスト層において潜像を形成し、前記オーバーレイオフセットを測定する段階が、
レーザ光線を提供する段階と、
前記レーザ光線を用いて前記潜像を走査し、前記レーザ走査から発生した信号を分析して前記オーバーレイオフセットを得る段階と、
からなることを特徴とするパターン状フォトレジスト層の形成方法。
【請求項４】
所定のウェハ層と整合するパターン状フォトレジスト層の形成方法であって、
（ａ）基板上にフォトレジスト層を形成する段階と、
（ｂ）露光／オーバーレイ測定ツールを用いて前記フォトレジスト層に対して露光を行い、前記フォトレジスト層に潜像を形成する段階と、
（ｃ）前記露光／オーバーレイ測定ツールを用いて、前記潜像と前記所定のウェハ層との間のオーバーレイオフセットを測定する段階と、
（ｄ）前記オーバーレイオフセットと所定の値とを比較する段階と、
（ｅ）前記オーバーレイオフセットが前記所定の値よりも小さい場合には、前記フォトレジスト層を現像する段階と、
からなることを特徴とするパターン状フォトレジスト層の形成方法。
【請求項５】
請求項４に記載のパターン状フォトレジスト層の形成方法であって、前記オーバーレイオフセットが前記所定の値よりも大きい場合に、段階（ｅ）の前に、
前記段階（ｄ）において前記オーバーレイオフセットが前記所定の値よりも小さいとわかるまで、フォトレジストを除去する段階（ｆ）と前記段階（ａ）乃至（ｄ）とを順に少なくとも１回繰り返し、各サイクルの段階（ｂ）における露光状態を、前のサイクルの段階（ｃ）において測定される前記オーバーレイオフセットに従って校正することを特徴とするパターン状フォトレジスト層の形成方法。
【請求項６】
請求項５に記載のパターン状フォトレジスト層の形成方法において、前記オーバーレイオフセットに従って前記露光状態を校正する段階が、
前記オーバーレイオフセットに基づいて発生した制御信号を前記露光／オーバーレイ測定ツールへフィードバックし、前記露光／オーバーレイ測定ツールに命令して前記露光状態を校正することを特徴とするパターン状フォトレジスト層の形成方法。
【請求項７】
請求項４に記載のフォトレジスト層の形成方法において、前記オーバーレイオフセットを測定する段階が、
前記露光／オーバーレイ測定ツールが提供するレーザ光線を用いて前記潜像を走査する段階と、
前記レーザ光線から発生した信号を分析して前記オーバーレイオフセットを求める段階と、
からなることを特徴とするフォトレジスト層の形成方法。
【請求項８】
所定のウェハ層と整合するパターン状フォトレジスト層の形成に用いられるパターン状フォトレジスト層の形成装置であって、
基板上にフォトレジスト層を塗布するためのフォトレジスト塗布ツールと、
前記フォトレジスト層に対して露光を行い、潜像を形成するとともに、前記潜像と前記所定のウェハ層との間のオーバーレイオフセットを測定するための露光／オーバーレイ測定装置と、
前記フォトレジスト層を現像するための現像ツールと、
前記フォトレジスト塗布ツール、前記露光／オーバーレイ測定ツールおよび前記現像ツールと接続した基板搬送ツールと、
を備えることを特徴とするパターン状フォトレジスト層の形成装置。
【請求項９】
請求項８に記載のパターン状フォトレジスト層の形成装置であって、フォトレジスト除去ツールをさらに備え、
前記フォトレジスト除去ツールは、前記基板搬送ツールを介して前記露光／オーバーレイ測定ツールと接続していることを特徴とするパターン状フォトレジスト層の形成装置。
【請求項１０】
請求項９に記載のパターン状フォトレジスト層の形成装置において、前記フォトレジスト除去ツールは、前記基板搬送ツールを介して前記フォトレジスト塗布ツールと接続していることを特徴とするパターン状フォトレジスト層の形成装置。
【請求項１１】
請求項９に記載のパターン状フォトレジスト層の形成装置において、前記基板搬送ツールが、前記オーバーレイオフセット値に従って、前記フォトレジスト除去ツールまたは前記現像ツールに前記基板を移動することを特徴とするフォトレジスト層の形成装置。
【請求項１２】
請求項８に記載のフォトレジスト層の形成装置において、前記露光／オーバーレイ測定ツールが、
前記フォトレジスト層に潜像を形成するための露光モジュールと、
前記潜像と前記所定のウェハ層との間のオーバーレイオフセットを測定し、前記オーバーレイオフセットに基づいて発生した制御信号を前記露光モジュールにフィードバックするためのオーバーレイ測定モジュールと、
を備えることを特徴とするフォトレジスト層の形成装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載のフォトレジスト層の形成装置において、前記露光モジュールが、
前記基板の上に配置された露光光源と、
前記露光光源と前記基板との間に配置されたフォトマスクと、
を備えることを特徴とするフォトレジスト層の形成装置。
【請求項１４】
請求項１２に記載のフォトレジスト層の形成装置において、前記オーバーレイ測定モジュールが、
前記フォトレジスト層において前記潜像を走査するためのレーザ光源と、
前記レーザ走査から発生した、前記オーバーレイオフセットの情報を含むテスト信号を受信するための信号受信デバイスと、
前記テスト信号に基づいて前記制御信号を発生し、前記露光モジュールに前記制御信号をフィードバックするための信号フィードバックデバイスと、
を備えることを特徴とするフォトレジスト層の形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン状フォトレジスト層の形成方法および装置に関する。より詳細には、オーバーレイオフセットを即座に測定およびフィードバックするパターン状フォトレジスト層の形成方法および装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体産業の進展に伴い、無数のトランジスタ、キャパシタ、レジスタ等を備えた数々の高性能半導体機器や集積回路が開発されている。半導体機器や集積回路の性能を高めるには、これらの集積度を高める必要がある。具体的には、導電性層の数の増加および／またはデバイスの最小寸法の縮小が不可欠である。
【０００３】
集積回路の集積度が継続的に高まっていることから、異なるウェハ層間における整合精度は重要な問題である。例えば、ある集積回路の導電線とプラグとの間に不整合が生じると、集積回路の性能が低下するか、あるいは機能しない。不整合は、不純物添加処理やイオン注入処理においても発生し易く、集積回路の性能を低下させてしまう。
【０００４】
一般的に、集積回路においては、フィルムあるいはフィルムの不純物添加／イオン注入領域のパターンをパターン状フォトレジスト層によって区画する。このフォトレジスト層は、露光段階および現像段階からなるパターン転写処理において形成される。したがって、パターン転写処理の後にパターン状フォトレジスト層のオーバーレイオフセットを測定し、起こり得る不整合を検出する必要がある。
【０００５】
図１に示すのは、従来技術によるパターン状フォトレジスト層を形成するための処理フロー図である。図１に示すように、フォトレジスト層をウェハに塗布し（Ｓ１００）、露光ツールを用いて露光を行い（Ｓ１１０）、現像して（Ｓ１２０）パターン状フォトレジスト層を形成する。続いて、フォトレジストパターンと別のフィルムとの間のオーバーレイオフセットを測定する（Ｓ１３０）。さらに、オーバーレイオフセットが許容範囲内であるか否かを判断する（Ｓ１４０）。すなわち、フォトレジストパターンが他のフィルムと十分に整合しているか否かを判断する。許容範囲内であれば、次の段階（Ｓ１５０）を実行する。許容範囲外の場合には、フォトレジスト層を除去および再処理し、オーバーレイ測定ツールから露光ツールへと制御信号をフィードバックする（Ｓ１６０）。これにより、再処理の際に露光状態を調節することが可能となる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来技術における一般的なオーバーレイ測定ツールはＡＣＭＬ（製品名）ツールである。しかし、ＡＣＭＬツールは現像段階の後に用いるので、再処理が必要な場合には現像液が無駄になってしまう。また、ＡＣＭＬツールは、オーバーレイの測定を行ったり、露光ツールに即座に制御信号をフィードバックしたりすることができない。したがって、オーバーレイオフセットが許容範囲外である場合には、制御信号の受信以前に処理されたウェハを再処理しなければならない。
さらに、ＡＣＭＬツールは高価であるため、製造コストが増大してしまう。その上、ＡＣＭＬツールを使用する場合には、スクライブ領域を狭めないよう、ウェハのスクライブ領域の上にオーバーレイマークを形成する必要がある。
【０００７】
以上の課題に鑑み、本発明が提供するのは、パターン状フォトレジスト層の形成方法である。この方法においては、フォトレジストパターンのオーバーレイオフセットを即座にフィードバックするので、パターン転写処理のサイクル時間および再処理時間が短縮される。
また、本発明はパターン状フォトレジスト層を形成するための装置も提供する。この装置は、フォトレジストパターンのオーバーレイオフセットを即座にフィードバックすることが可能な構造を有するので、パターン転写処理のサイクル時間および再処理時間が短縮される。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明が提供するパターン状フォトレジスト層の形成方法は、所定のウェハ層と整合するパターン状フォトレジスト層を形成するのに用いられる。この方法は、以下の段階（ａ）乃至（ｅ）からなる。
まず、段階（ａ）において基板上にフォトレジスト層を形成し、段階（ｂ）において露光を行う。続いて、段階（ｃ）において、フォトレジスト層の露光を行った部分と所定のウェハ層との間のオーバーレイオフセットを測定する。次に、段階（ｄ）において、オーバーレイオフセットを用いて、フォトレジスト層の露光部分の整合精度が許容範囲内であるか否かを判断する。許容範囲内である場合には、段階（ｅ）においてフォトレジスト層を現像する。
【０００９】
一方、整合精度が許容範囲を超えている場合には、段階（ｄ）において整合精度が許容範囲内であると判断されるまで、フォトレジストを除去する段階（ｆ）と前述の段階（ａ）乃至（ｅ）とを順に少なくとも１回繰り返す。各サイクルにおける露光状態は、前のサイクルの段階（ｃ）において測定したオーバーレイオフセットに従って校正される。
【００１０】
本発明の実施例によると、露光段階において、フォトレジスト層に潜像を形成する。オーバーレイオフセットの測定は、潜像をレーザ光線で走査し、レーザ走査から発生した信号を分析することによって行われる。オーバーレイオフセットを用いて、潜像の整合精度が許容範囲内であるか否かを判断する。
【００１１】
本発明が提供するパターン状フォトレジスト層の別の形成方法は、以下の段階（ａ）乃至（ｅ）からなる。
まず、段階（ａ）においてフォトレジスト層を基板上に形成し、段階（ｂ）において、露光／オーバーレイ測定ツールを用いてフォトレジスト層に潜像を形成する。次に段階（ｃ）において、露光／オーバーレイ測定ツールを用いて潜像と所定のウェハ層との間のオーバーレイオフセットを測定する。続いて、段階（ｄ）において、オーバーレイオフセットと所定の値とを比較する。オーバーレイオフセットが所定の値より小さい場合には、段階（ｅ）においてフォトレジスト層を現像する。
【００１２】
一方、オーバーレイオフセットが所定の値より大きい場合には、段階（ｄ）においてオーバーレイオフセットが所定の値よりも小さいとわかるまで、フォトレジストを除去する段階（ｆ）と前述の段階（ａ）乃至（ｅ）とを順に少なくとも１回繰り返す。各サイクルにおける露光状態は、前のサイクルの段階（ｃ）で測定したオーバーレイオフセットに従って校正される。
【００１３】
露光状態の校正方法は、例えば、オーバーレイオフセットに基づいて発生した制御信号を、露光／オーバーレイ測定ツールへとフィードバックする段階からなる。フィードバックはフォトレジスト層を除去する前に行われ、露光／オーバーレイ測定ツールに命令して露光状態を校正する。
【００１４】
本発明の方法によれば、前述したオーバーレイオフセット測定は、レーザ光線を用いてフォトレジスト層の潜像を走査し、レーザ走査から発生した信号を分析することによって行われる。オーバーレイオフセットは、潜像の整合精度が許容範囲内であるか否かを判断するのに用いられる。
【００１５】
本発明によるパターン状フォトレジスト層を形成するための装置は、所定のウェハ層と整合するパターン状フォトレジスト層の形成に用いられる。この装置は、少なくとも１つのフォトレジスト塗布ツールと、露光／オーバーレイ測定ツールと、現像ツールと、基板搬送ツールとを備える。
【００１６】
フォトレジスト塗布ツールは、基板上にフォトレジスト層を塗布するためのツールである。露光／オーバーレイ測定ツールは、フォトレジスト層に対して露光を行って潜像を形成し、潜像と所定のウェハ層との間のオーバーレイオフセットを測定するのに用いられる。現像ツールはフォトレジスト層の現像のためのツールである。また、基板搬送ツールはフォトレジスト塗布ツール、露光／オーバーレイ測定ツールおよび現像ツールと接続し、その間で基板を移動する。
【００１７】
本発明の実施例によると、この装置はさらにフォトレジスト除去ツールを含んでもよい。フォトレジスト除去ツールは、基板搬送ツールを介して露光／オーバーレイ測定ツールおよび／またはフォトレジスト塗布ツールと接続してもよい。
基板搬送ツールは、オーバーレイオフセット値に従って、基板をフォトレジスト除去ツールまたは現像ツールに移動してもよい。具体的には、オーバーレイオフセットが許容範囲を超える場合には、基板搬送ツールが基板をフォトレジスト除去ツールに移動し、再処理を行う。また、オーバーレイオフセットが許容範囲内である場合には、基板搬送ツールが基板を現像ツールに移動し、フォトレジスト層を現像する。
【００１８】
露光／オーバーレイ測定ツールは、例えば露光モジュールとオーバーレイ測定モジュールとからなる。露光モジュールは、フォトレジスト層において潜像を形成するためのものである。また、オーバーレイ測定モジュールは、潜像と所定のウェハ層との間のオーバーレイオフセットを測定するためのものであり、オーバーレイオフセットに基づいて制御信号を露光モジュールにフィードバックする。
【００１９】
露光モジュールは、露光光源およびフォトマスクを含む。露光光源は、例えば基板の上に設置されてもよい。また、フォトマスクは露光光源と基板との間に設置されてもよい。オーバーレイ測定モジュールは、レーザ光源と、信号受信デバイスと、信号フィードバックデバイスとを含んでもよい。レーザ光源は潜像を走査するためのものであり、信号受信デバイスがレーザ走査から発生したテスト信号を受信する。レーザ走査はオーバーレイオフセットの情報を含む。信号フィードバックデバイスはテスト信号に基づいて制御信号を発生し、露光モジュールに制御信号をフィードバックする。
オーバーレイ測定は露光段階の後で行われる。これは本発明においては現像段階の前であるため、オーバーレイオフセットは即座にフィードバックされ、好ましくない再処理を回避することができる。
【００２０】
以上の概略的な説明と以下の詳細な説明とはともに例であり、特許請求の範囲に記載の発明をさらに説明するものであることは理解されなければならない。
添付の図面は本発明の理解を深めるためのものであり、本明細書に組み込まれ、その一部を構成する。また、図面は本発明の実施例を説明しており、明細書とあわせて、本発明の理念を説明する。
【発明の効果】
【００２１】
前述した従来技術の課題を解決するため、本発明はオーバーレイ測定モジュールと露光モジュールとを備える。したがって、露光段階の後、現像段階の前にオーバーレイ測定を行って、即座にオーバーレイオフセットを監視することができる。これにより、パターン転写におけるサイクル時間および再処理時間が効果的に短縮される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
図２は、本発明の好適な実施例によるパターン状フォトレジスト層を形成するための処理フロー図である。当初、基板の上にはフィルムが備えられている。この基板は、例えば半導体デバイスや集積回路の製造に用いられるウェハ、ガラス基板、水晶基板、プラスチック基板、ディスプレイパネルを製造するためのシリコン基板、あるいはプリント基板（ＰＣＢ）の製造に用いられるプラスチック基板やセラミック基板である。
【００２３】
まず、フォトレジスト層を基板上に形成する（Ｓ２００）。フォトレジスト層に対して露光を行い、フォトレジスト層の露光部分と所定のウェハ層との間のオーバーレイオフセットを測定する（Ｓ２１０）。本実施例においては、露光段階とオーバーレイ測定段階とが同一の露光／オーバーレイ測定ツールにおいて行われる。このツールはフォトレジスト層を露光して潜像を形成するのに用いられた後、潜像と所定のウェハ層との間のオーバーレイオフセットの測定に用いられる。
【００２４】
本実施例において形成されるパターン状フォトレジスト層は、例えば導電線のパターン、誘電体層の開口パターン、導電性プラグのパターン、あるいは不純物添加領域のパターンなど、半導体デバイスや集積回路のパターンを区画してもよい。さらに、パターン状のフォトレジスト層は、フィルムエッチング処理、不純物添加処理、イオン注入処理、あるいはフィルム蒸着処理においてマスクの役割を果たしてもよい。
いずれにせよ、本発明は以上の場合に制限されることは無く、当業者は、本発明の範囲および理念を離れることなく、前述の方法を適当な形に修正して、正確な整合を必要とする他の場合に用いることができる。
【００２５】
オーバーレイオフセット値は、フォトレジストパターンの整合精度が許容範囲内であるか否かを判断する（Ｓ２２０）のに用いられる。より具体的には、測定されたオーバーレイオフセットと所定の値とを比較して、フォトレジスト層の整合精度が許容範囲内であるか否かを判断する。
オーバーレイオフセットが所定の値より小さい場合、すなわちオーバーレイオフセットが許容範囲内である場合には、フォトレジスト層を現像してフォトレジストパターンを形成する（Ｓ２３０）。パターン状フォトレジスト層はマスクとして用いられ、フィルムエッチング処理、不純物添加処理、イオン注入処理、あるいはフィルム蒸着処理を行って、正確に整合されたパターン状フィルムまたは不純物添加領域を形成する（Ｓ２４０）。
【００２６】
一方、オーバーレイオフセットが所定の値より大きい場合には、オーバーレイオフセットに基づいて発生した制御信号を露光／オーバーレイ測定ツールにフィードバックし、フォトレジスト層を除去および再処理する（Ｓ２５０）。制御信号のフィードバックは、例えばフォトレジスト層の除去に優先する。したがって、段階Ｓ２００乃至Ｓ２２０が再度行われ、フォトレジスト層の露光状態を制御信号に従って校正する。
【００２７】
段階２２０において、オーバーレイオフセットが所定の値より小さい場合には、フォトレジスト層は現像され、フォトレジストパターンを形成する（Ｓ２３０）。それでもオーバーレイオフセットが所定の値より大きい場合には、オーバーレイオフセットが所定の値より小さくなるまで、段階Ｓ２５０、Ｓ２００、Ｓ２１０およびＳ２２０が順に繰り返され、フォトレジスト層を現像してフォトレジストパターンを形成する（Ｓ２３０）。
【００２８】
図３に示すのは、本発明の好適な実施例によるパターン状フォトレジスト層を形成するための装置である。装置３００は、フォトレジスト塗布ツール４００、露光／オーバーレイ測定ツール５００、現像ツール６００および基板搬送ツール７００からなる。フォトレジスト塗布ツール４００は、基板上にフォトレジスト層を塗布するためのものである。露光／オーバーレイ測定ツール５００は、フォトレジスト層に対して露光を行い、潜像を形成して、潜像と所定のウェハ層との間のオーバーレイオフセットを測定する。現像ツール６００はフォトレジスト層を現像するためのものであり、基板搬送ツール７００は、フォトレジスト塗布ツール４００、露光／オーバーレイ測定ツール５００、現像ツール６００と接続し、その間で基板を移動する。
【００２９】
パターン状フォトレジスト層を形成するための装置３００はさらに、フォトレジスト除去ツール８００を含んでいてもよい。フォトレジスト除去ツール８００は、基板搬送ツール７００を介して露光／オーバーレイ測定ツール５００および／またはフォトレジスト塗布ツール４００と接続してもよい。
【００３０】
基板搬送ツール７００は、オーバーレイオフセット値に従って、基板をフォトレジスト除去ツール８００または現像ツール６００に移動することができる。具体的には、オーバーレイオフセットが許容範囲を超える場合には、基板搬送ツール７００が基板をフォトレジスト除去ツール８００に移動し、再処理を行う。オーバーレイオフセットが許容範囲内であれば、基板搬送ツール７００は基板を現像ツール６００に移動し、フォトレジスト層を現像する。
【００３１】
図４は、図３の露光／オーバーレイ測定ツールの概略図である。露光／オーバーレイ測定ツール５００は、例えばオーバーレイ測定モジュール５１０と露光モジュール５２０とからなる。露光モジュール５２０は、フォトレジスト層に潜像を形成するためのものである。オーバーレイ測定モジュール５１０は、潜像と所定のウェハ層との間でオーバーレイオフセットを測定し、オーバーレイオフセットに基づいて発生した制御信号を露光モジュール５２０にフィードバックして露光状態を校正するためのものである。
【００３２】
図４を参照すると、オーバーレイ測定モジュール５１０は、レーザ光源５１２と、信号受信デバイス５１４と、信号フィードバックデバイス５１６とを備えていてもよい。レーザ光源５１２は潜像の走査に用いられる。また、信号受信デバイス５１４はレーザ走査から発生したテスト信号ＳＭＥＡＳＵＲＥＭＥＮＴを受信するためのものである。このテスト信号ＳＭＥＡＳＵＲＥＭＥＮＴはオーバーレイオフセットの情報を含む。
【００３３】
信号フィードバックデバイス５１６は、テスト信号ＳＭＥＡＳＵＲＥＭＥＮＴに基づいて制御信号ＳＣＯＮＴＲＯＬを発生するとともに、この制御信号ＳＣＯＮＴＲＯＬを露光モジュール５２０にフィードバックして、露光状態を校正するのに用いられる。露光モジュール５２０は、例えば露光光源５２２とフォトマスク５２４とを含む。露光光源５２２は基板の上に設置してもよい。また、フォトマスク５２４は露光光源５２２と基板との間に設置してもよい。
【００３４】
前述したように、本発明では露光段階およびオーバーレイ測定段階が同一のツールにおいて行われるので、パターン転写処理のサイクル時間を短縮することができる。さらに、露光段階の後、現像段階の前にオーバーレイ測定を行うので、オーバーレイオフセットを即座に露光モジュールにフィードバックし、好ましくない再処理を回避することができる。
オーバーレイ測定は現像段階の前に行われるため、その精度は現像段階の処理パラメータの影響を受けることがない。また、本発明は、従来の高価なＡＣＭＬツールに代わって露光／オーバーレイ測定ツールを採用しているので、製造コストを削減することができる。
【００３５】
露光／オーバーレイ測定ツールの走査精度は、現行の露光ツールの露光装置の走査精度と同等である。したがって、オーバーレイ測定は高精度であり、次世代型の製造工程の要件を満たしている。さらに、本発明においては、オーバーレイマークにわずかな修正を加えるだけで、あるいは全く修正を加えずに、フォトレジストパターンの十分な整合精度を達成することができる。したがって、製造コストの心配をする必要がない。加えて、本発明はウェハ上のスクライブを狭めることができるので、ウェハのダイの総数を削減することが可能である。
【００３６】
当業者には、本発明の範囲または理念を離れることなく、本発明の構造に修正および変形を加えられることは明らかである。以上の観点から、本発明は、特許請求の範囲およびそれと同等の範囲内である限り、本発明の修正および変形も含むものとする。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】従来技術によるパターン状フォトレジスト層の形成の処理フロー図である。
【図２】本発明の好適な実施例によるパターン状フォトレジスト層の形成の処理フロー図である。
【図３】本発明の好適な実施例によるパターン状フォトレジスト層の形成のための装置である。
【図４】図３の露光／オーバーレイ測定ツールの概略図である。
【符号の説明】
【００３８】
５２２    露光光源
５２４    フォトマスク
５１２    レーザ光源
５１４    信号受信デバイス
５１６    信号フィードバックデバイス
【図１】
2005252025.tif 000003
【図２】
2005252025.tif 000004
【図３】
2005252025.tif 000005
【図４】
2005252025.tif 000006