(57)【要約】【課題】  印刷方式を用いてバンプ用パッド部にバンプが安定して転写できる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】  基板１１上の配線パターン１２にはバンプ用パッド部１３が設けられ、バンプ用パッド部１３を除いて基板１１上に配線パターン１２の保護層、ここではソルダレジスト１４が形成される。バンプ用パッド部１３上にワイヤボンディングしワイヤ端部１６を配置し、底上げ材料とする。印刷マスク１７上に、はんだペースト等の導電性ペースト１８が塗布され、スキージ１９の移動によって各マスク開口部１７１に押入される。導電性ペースト１８はその粘性によりワイヤ端部１６を芯として良好な形状を保ち、印刷マスク１７からバンプ用パッド部１３側にバンプ部材２０として転写された形態になる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路と電気的につながる基板上の配線パターンと、
前記配線パターンに設けられたバンプ用パッド部と、
前記パッド部を除いて前記基板上に設けられた前記配線パターンの保護層と、
前記バンプ用パッド部上に設けられたボンディングワイヤ部材と、
前記ボンディングワイヤ部材上に設けられたバンプ部材と、
を具備したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
集積回路と電気的につながる基板上の配線パターンと、
前記配線パターンに設けられたバンプ用パッド部と、
前記パッド部を除いて前記基板上に設けられた前記配線パターンの保護層と、
前記バンプ用パッド部上に設けられた前記保護層との段差を縮小する導電性部材と、
前記導電性部材上に設けられたバンプ部材と、
を具備したことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記導電性部材は、導電性ペーストの滴下部材であることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記導電性部材は、メッキ金属部材であることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項５】
前記バンプ用パッド部は、前記配線パターンとは別の金属薄膜の積層を含んで構成されていることを特徴とする請求項１〜４いずれか一つに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記基板は配線基板であることを特徴とする請求項１〜５いずれか一つに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記基板は半導体ウェハであることを特徴とする請求項１〜５いずれか一つに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記基板は半導体チップと電気的に繋がるインターポーザであることを特徴とする請求項１〜５いずれか一つに記載の半導体装置。
【請求項９】
集積回路と電気的につながる配線パターンが配された基板上において前記配線パターンのバンプ用パッド部を除いて保護層を形成する工程と、
前記バンプ用パッド部上にワイヤボンディングしワイヤ端部を配置する工程と、
前記バンプ用パッド部に対応した印刷マスクを準備し前記基板上に位置合わせして置く工程と、
前記印刷マスク上に導電性ペーストを塗布し、ワイヤ端部上を含んで前記バンプ用パッド部に接続されるバンプ部材を形成する工程と、
を具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
集積回路と電気的につながる配線パターンが配された基板上において前記配線パターンのバンプ用パッド部を除いて保護層を形成する工程と、
前記バンプ用パッド部上に第１の導電性ペーストを滴下し、前記保護層との段差を縮小する工程と、
前記バンプ用パッド部に対応した印刷マスクを準備し前記基板上に位置合わせして置く工程と、
前記印刷マスク上に第２の導電性ペーストを塗布し、前記第１の導電性ペースト上を含んで前記バンプ用パッド部に接続されるバンプ部材を形成する工程と、
を具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
集積回路と電気的につながる配線パターンが配された基板上において前記配線パターンのバンプ用パッド部を除いて保護層を形成する工程と、
前記バンプ用パッド部上に前記保護層をマスクとしてメッキ金属を形成し、前記保護層との段差を縮小する工程と、
前記バンプ用パッド部に対応した印刷マスクを準備し前記基板上に位置合わせして置く工程と、
前記印刷マスク上に導電性ペーストを塗布し、前記メッキ金属上を含んで前記バンプ用パッド部に接続されるバンプ部材を形成する工程と、
を具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記バンプ用パッド部として予め前記配線パターンとは別の金属薄膜を予め形成する工程を具備していることを特徴とする請求項９〜１１いずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に外部接続端子として導電性ペーストを用い印刷方式によって形成されたバンプを有する半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置における外部端子にバンプを構成するものがある。バンプを形成する際、ハンダペースト等の導電性ペーストを用い、印刷方式により高集積で微細なバンプ配列を達成する技術が知られている。外部端子へとつながるバンプ用パッド部は、例えばＣｕ配線パターン上のソルダレジストの開口部にある。ソルダレジスト上に印刷マスク（スクリーン版）が位置合わせされ、マスク上にバンプ形成用の導電性ペーストが塗布される。導電性ペーストは、スキージによって開口部に押入され、パッド部に転写される。
【０００３】
従来、このような印刷マスクすなわちスクリーン版を最適化し、バンプ形成の安定化を実現しようとする技術もある。導電性ペーストをバンプ形成該当位置に間欠で印刷したり、重ねて印刷するといった、印刷工程を分割する技術である。これにより、バンプの形状異常、欠損等の欠陥を軽減し、かつスクリーン版離れを良好とする（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−１１７９３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
微細なバンプ配列を要するＢＧＡ（Ball Grid Array）、ＣＳＰ（Chip Size Package）、ウェハレベルＣＳＰ等では、ソルダレジスト上に印刷マスク（スクリーン版）を配置して導電性ペーストを印刷する。このため、バンプ形成位置であるソルダレジストの開口部では、ソルダレジストの厚さと印刷マスクの厚さで総合的に段差は大きくなる。これにより、導電性ペーストは、スキージによって各マスク開口部に押入されても幾つかはソルダレジストの開口部下のバンプ用パッド部に到達しない問題が発生する。そうなると、印刷マスクは、その幾つかの開口部に導電性ペーストを保持したまま離れてしまうことになる。その結果、バンプ用パッド部にバンプが転写できない箇所ができてしまう。
【０００５】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたもので、印刷方式を用いてバンプ用パッド部にバンプが安定して転写できる半導体装置及びその製造方法を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る半導体装置は、集積回路と電気的につながる基板上の配線パターンと、前記配線パターンに設けられたバンプ用パッド部と、前記パッド部を除いて前記基板上に設けられた前記配線パターンの保護層と、前記バンプ用パッド部上に設けられたボンディングワイヤ部材と、前記ボンディングワイヤ部材上に設けられたバンプ部材と、
を具備したことを特徴とする。
【０００７】
本発明に係る半導体装置によれば、バンプ用パッド部上にボンディングワイヤ部材が設けられている。これにより、バンプ用パッド部は底上げされた状態になり、保護層との段差は縮小される傾向となる。バンプ部材はボンディングワイヤ部材を介してバンプ用パッド部と安定して接続される。
【０００８】
本発明に係る半導体装置は、集積回路と電気的につながる基板上の配線パターンと、前記配線パターンに設けられたバンプ用パッド部と、前記パッド部を除いて前記基板上に設けられた前記配線パターンの保護層と、前記バンプ用パッド部上に設けられた前記保護層との段差を縮小する導電性部材と、前記導電性部材上に設けられたバンプ部材と、を具備したことを特徴とする。
【０００９】
本発明に係る半導体装置によれば、バンプ用パッド部上に導電性部材が設けられている。これにより、バンプ用パッド部は底上げされた状態になり、保護層との段差は縮小される傾向となる。バンプ部材は導電性部材を介してバンプ用パッド部と安定して接続される。
なお、好ましい実施態様として、前記導電性部材は、導電性ペーストの滴下部材であることを特徴とする。また、前記導電性部材は、メッキ金属部材であることを特徴とする。また、前記バンプ用パッド部は、前記配線パターンとは別の金属薄膜の積層を含んで構成されていることを特徴とする。
【００１０】
さらには、上記それぞれ本発明に係る半導体装置に関し、好ましい実施態様として、前記基板は配線基板であることを特徴とする。また、前記基板は半導体ウェハであることを特徴とする。また、前記基板は半導体チップと電気的に繋がるインターポーザであることを特徴とする。
【００１１】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、集積回路と電気的につながる配線パターンが配された基板上において前記配線パターンのバンプ用パッド部を除いて保護層を形成する工程と、前記バンプ用パッド部上にワイヤボンディングしワイヤ端部を配置する工程と、前記バンプ用パッド部に対応した印刷マスクを準備し前記基板上に位置合わせして置く工程と、前記印刷マスク上に導電性ペーストを塗布し、ワイヤ端部上を含んで前記バンプ用パッド部に接続されるバンプ部材を形成する工程と、を具備したことを特徴とする。
【００１２】
上記本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、印刷マスクを置く前にバンプ用パッド部上にワイヤボンディングしワイヤ端部を配置する。これにより、バンプ用パッド部は底上げされた状態になり、保護層との段差は縮小される傾向となる。よって、印刷マスクの厚みが深刻に影響することなく、バンプ部材はワイヤ端部を介してバンプ用パッド部と安定して接続される。
【００１３】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、集積回路と電気的につながる配線パターンが配された基板上において前記配線パターンのバンプ用パッド部を除いて保護層を形成する工程と、前記バンプ用パッド部上に第１の導電性ペーストを滴下し、前記保護層との段差を縮小する工程と、前記バンプ用パッド部に対応した印刷マスクを準備し前記基板上に位置合わせして置く工程と、前記印刷マスク上に第２の導電性ペーストを塗布し、前記第１の導電性ペースト上を含んで前記バンプ用パッド部に接続されるバンプ部材を形成する工程と、を具備したことを特徴とする。
【００１４】
上記本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、印刷マスクを置く前にバンプ用パッド部上に第１の導電性ペーストを滴下する。これにより、バンプ用パッド部は底上げされた状態になり、保護層との段差は縮小される。よって、印刷マスクの厚みが深刻に影響することなく、バンプ部材は第１の導電性ペーストを介してバンプ用パッド部と安定して接続される。
【００１５】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、集積回路と電気的につながる配線パターンが配された基板上において前記配線パターンのバンプ用パッド部を除いて保護層を形成する工程と、前記バンプ用パッド部上に前記保護層をマスクとしてメッキ金属を形成し、前記保護層との段差を縮小する工程と、前記バンプ用パッド部に対応した印刷マスクを準備し前記基板上に位置合わせして置く工程と、前記印刷マスク上に導電性ペーストを塗布し、前記メッキ金属上を含んで前記バンプ用パッド部に接続されるバンプ部材を形成する工程と、を具備したことを特徴とする。
【００１６】
上記本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、印刷マスクを置く前にバンプ用パッド部上にメッキ金属を形成する。これにより、バンプ用パッド部は底上げされた状態になり、保護層との段差は縮小される。よって、印刷マスクの厚みが深刻に影響することなく、バンプ部材はメッキ金属を介してバンプ用パッド部と安定して接続される。
【００１７】
なお、上記それぞれ本発明に係る半導体装置の製造方法に関し、好ましい実施態様として、前記バンプ用パッド部として予め前記配線パターンとは別の金属薄膜を予め形成する工程を具備していることを特徴とする。それぞれ、バンプが形成されるまでのパッドパターン表面の保護、及び各導電物質の良好な密着性に寄与する。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図１（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置及びその製造方法の要部構成を工程順に示す断面図である。各図において、基板１１は、ベース基板であり、例えばガラスエポキシ基板、ポリイミド基板等で構成される配線基板である。その他、ウェハレベルＣＳＰを構成する半導体基板であることも考えられる。基板１１は、集積回路と電気的につながっている。基板１１上の配線パターン１２にはバンプ用パッド部１３が設けられている。このような配線パターン１２及びバンプ用パッド部１３は基板１１上に複数あり、そのうちの一つを示した形となっている。バンプ用パッド部１３を除いて基板１１上に配線パターン１２の保護層、ここではソルダレジスト１４が形成される。ソルダレジスト１４の厚さは一般に１５〜４０μｍある。ここでは２５μｍ程度のソルダレジスト１４が設けられている。配線パターン１２がＣｕパターンであるとすると、バンプ用パッド部１３では、その表面に例えばＮｉ／Ａｕ積層等の金属薄膜１５が設けられている。金属薄膜１５は例えばＮｉが５μｍ程度、Ａｕが０．３μｍ程度、メッキ処理にて設けられる。金属薄膜１５は、バンプが形成されるまでのパッドパターン表面の保護、及び各導電物質の良好な密着性に寄与する。
【００１９】
図１（ａ）に示すように、バンプ用パッド部１３上にワイヤボンディングしワイヤ端部１６を配置する。ワイヤボンディングは、バンプ用パッド部１３の径がだいたい１００μｍ以上あれば可能である。バンプ用パッド部１３の径を１００μｍとした場合、直径２５μｍのワイヤをボンディングする。ボンディング部の径は７５μｍ程度になる。ボンディング部及びワイヤカットの突起はバンプ用パッド部１３の底上げ材料となる。
【００２０】
次に、図１（ｂ）に示すように、バンプ用パッド部１３に対応した印刷マスク１７を準備し、基板１１上に位置合わせして置く。ここでの印刷マスク１７は、厚さが１００〜１５０μｍ程度のものを用い、バンプ用パッド部１３に対応するようにマスク開口部１７１が設けられている。このような印刷マスク１７上に、はんだペースト等の導電性ペースト１８を塗布する。導電性ペースト１８はスキージ１９の移動によって各マスク開口部１７１に押入される（図１（ｃ）、（ｄ））。これにより、導電性ペースト１８はワイヤ端部１６上を含んでバンプ用パッド部１３上に適量配される。
【００２１】
次に、図１（ｅ）に示すように、基板１１から印刷マスク１７を離す。導電性ペースト１８はその粘性によりワイヤ端部１６を芯として良好な形状を保ち、印刷マスク１７からバンプ用パッド部１３側にバンプ部材２０として転写された形態になる。その後リフロー等の処理を経てバンプ部材２０を定着させる。
【００２２】
上記第１実施形態の構成及び方法によれば、印刷マスク１７を置く前にバンプ用パッド部１３上にワイヤボンディングしワイヤ端部１６を配置する。これにより、バンプ用パッド部１６は底上げされた状態になり、ソルダレジスト１４との段差は縮小される傾向となる。よって、印刷マスク１７の厚みが深刻に影響することなく、スキージ１９の押入により導電性ペースト１８が容易にワイヤ端部１６露出部ほぼ全域に到達する。この結果、バンプ部材２０はワイヤ端部１６を介してバンプ用パッド部１３と安定して接続される。しかも、ワイヤ端部１６が芯になりバンプ全体の強度が向上する。
【００２３】
上記のようなワイヤボンディング処理は、半導体装置組み立て前の工程内（ダイシング〜ワイヤボンド）で対応可能である上、サイズ（体積）コントロールが容易である。ワイヤ端部１６はソルダレジスト１４の厚さを越える高さであってもよいが、印刷マスク１７のマスク開口部１７１を越えないようにする。また、ワイヤ端部１６がソルダレジスト１４の厚さを越えない高さに制御されれば、印刷マスク１７の位置合わせの際、疵付く心配は無くなる。また、ワイヤ端部１６のボンディング部（圧接ヘッド）の高さとソルダレジスト１４の厚みの差ｄ１が１５μｍ以下ならば、より確実で安定したバンプ形成が可能である。
【００２４】
図２（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置及びその製造方法の要部構成を工程順に示す断面図である。各図において、第１実施形態と同様の箇所には同一の符号を付し説明は省略する。第１実施形態では、バンプ用パッド部１３の底上げ材料としてボンディングワイヤ部材（ワイヤ端部１６）を用いたが、この第２実施形態では、バンプ用パッド部１３の底上げ材料として導電性ペーストの滴下、いわゆるポッティングを利用する。
【００２５】
図２（ａ）に示すように、バンプ用パッド部１３上に導電性ペースト２６を滴下する。導電性ペースト２６は、クリームはんだ材料、銀ペースト材料等、その他適当なものを選べばよい。滴下ノズルの直径が０．１〜０．２μｍ位であれば吐出量の制御が容易である。これにより、導電性ペースト２６は、バンプ用パッド部１３の底上げ材料となる。
【００２６】
次に、図２（ｂ）に示すように、バンプ用パッド部１３に対応した印刷マスク１７を準備し、基板１１上に位置合わせして置く。その後、印刷マスク１７上にはんだペースト等の導電性ペースト１８を塗布する。導電性ペースト１８はスキージ１９の移動によって各マスク開口部１７１に押入される（図２（ｃ）、（ｄ））。これにより、導電性ペースト１８は導電性ペースト２６上を含んでバンプ用パッド部１３上に適量配される。
【００２７】
次に、図２（ｅ）に示すように、基板１１から印刷マスク１７を離す。導電性ペースト１８はその粘性により良好な形状を保ち、印刷マスク１７からバンプ用パッド部１３側にバンプ部材２０として転写された形態になる。その後リフロー等の処理を経てバンプ部材２０を定着させる。
【００２８】
上記第２実施形態の構成及び方法によれば、印刷マスク１７を置く前にバンプ用パッド部１３上に第１の導電性ペースト２６を滴下する。これにより、バンプ用パッド部１６は底上げされた状態になり、ソルダレジスト１４との段差は縮小される傾向となる。よって、印刷マスク１７の厚みが深刻に影響することなく、スキージ１９の押入により第２の導電性ペースト１８が容易に第１の導電性ペースト２６露出部ほぼ全域に到達する。この結果、バンプ部材２０は導電性ペースト２６を介してバンプ用パッド部１３と安定して接続される。
【００２９】
上記のような導電ペーストの滴下処理は、比較的安価なポッティング装置で対応可能である上、サイズ（体積）コントロールが容易である。好ましくは、滴下した導電性ペースト２６の最上部の高さとソルダレジスト１４の厚みの差ｄ２を１５μｍ以下に制御する。これにより、より確実で安定したバンプ形成が可能である。
【００３０】
図３（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第３実施形態に係る半導体装置及びその製造方法の要部構成を工程順に示す断面図である。各図において、第１実施形態と同様の箇所には同一の符号を付し説明は省略する。第１実施形態では、バンプ用パッド部１３の底上げ材料としてボンディングワイヤ部材（ワイヤ端部１６）を用いたが、この第３実施形態では、バンプ用パッド部１３の底上げ材料としてソルダレジスト１４の厚さ以下での厚メッキ、ここでは電解メッキを用いる。
【００３１】
図３（ａ）に示すように、バンプ用パッド部１３上にソルダレジスト１４をマスクとした電解メッキによるメッキ金属３６を形成する。メッキ金属３６は、下地の金属を基にしてのメッキ、あるいは新たな金属をメッキしてもよい。下地に金属メッキがあれば増加させる形態をとってもよい。ここでは、Ｎｉ／Ａｕ積層等の金属薄膜１５の材料を厚メッキする。Ｎｉ／Ａｕの積層の割合を双方とも増やす。これにより、ソルダレジスト１４の厚さ以下でかつ１０μｍを越える厚さのメッキ金属３６を形成する。これにより、メッキ金属３６は、バンプ用パッド部１３の底上げ材料となる。
【００３２】
次に、図３（ｂ）に示すように、バンプ用パッド部１３に対応した印刷マスク１７を準備し、基板１１上に位置合わせして置く。その後、印刷マスク１７上にはんだペースト等の導電性ペースト１８を塗布する。導電性ペースト１８はスキージ１９の移動によって各マスク開口部１７１に押入される（図３（ｃ）、（ｄ））。これにより、導電性ペースト１８はメッキ金属３６上を含んでバンプ用パッド部１３上に適量配される。
【００３３】
次に、図３（ｅ）に示すように、基板１１から印刷マスク１７を離す。導電性ペースト１８はその粘性により良好な形状を保ち、印刷マスク１７からバンプ用パッド部１３側にバンプ部材２０として転写された形態になる。その後リフロー等の処理を経てバンプ部材２０を定着させる。
【００３４】
上記第３実施形態の構成及び方法によれば、印刷マスク１７を置く前にバンプ用パッド部１３上にメッキ金属３６を数十μｍと厚く形成する。これにより、バンプ用パッド部１６は底上げされた状態になり、ソルダレジスト１４との段差は縮小される傾向となる。よって、印刷マスク１７の厚みが深刻に影響することなく、スキージ１９の押入により導電性ペースト１８が容易にメッキ金属３６露出部ほぼ全域に到達する。この結果、バンプ部材２０はメッキ金属３６を介してバンプ用パッド部１３と安定して接続される。
【００３５】
上記のようなメッキ金属３６を形成する処理は、製造ライン内の装置で対応可能である。数十μｍのコントロールであれば可能である。好ましくは、メッキ金属３６の最上部の高さとソルダレジスト１４の厚みの差ｄ３を１５μｍ以下に制御する。これにより、より確実で安定したバンプ形成が可能である。
【００３６】
図４は、本発明の第４実施形態に係る半導体装置の要部を示す概観図であり、ＣＳＰ（Chip Size Package）の構成である。半導体チップ４１がインターポーザ４２に電気的に接続され、封止部材４３により保護されている。半導体チップ４１とインターポーザ４２の接続形態、封止形態は様々考えられ別段限定されない。インターポーザ４２の外部端子面では、図示しない配線パターンが保護層４２１により保護され、所定数のバンプ４４が配列されている。このバンプ４４の接続構造は、前記各実施形態いずれかに示したような構成を有する。すなわち、図１〜図３いずれかに示したようなバンプ用パッド部の底上げ材料を備え、印刷によって確実で安定したバンプ形成を可能としている。
【００３７】
図５は、本発明の第５実施形態に係る半導体装置の要部を示す概観図であり、ウェハレベルＣＳＰの構成である。半導体チップ５１を構成するウェハ裏面の最上層には配線パターン（図示せず）の保護層５２が形成されている。保護層５２のそれぞれの開口部におけるバンプ用パッド部にバンプ５４が配列されている。このバンプ５４の接続構造は、前記各実施形態いずれかに示したような構成を有する。すなわち、図１〜図３いずれかに示したようなバンプ用パッド部の底上げ材料を備え、印刷によって確実で安定したバンプ形成を可能としている。
【００３８】
以上説明したように、各実施形態の構成及び方法によれば、バンプ用パッド部上に底上げ用の導電性部材が設けられている。導電性部材としてはボンディングワイヤの端部、滴下された導電性ペースト、厚く形成したメッキ金属を例示したが、このような構成に準じた他の構成でもよい。これにより、バンプ用パッド部は底上げされた状態になり、保護層との段差は縮小される傾向となる。よって、印刷マスクの厚みが深刻に影響することなく、バンプ部材は上記のような導電性部材を介してバンプ用パッド部と安定して接続される。この結果、印刷方式を用いてバンプ用パッド部にバンプが安定して転写できる半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】第１実施形態に係る半導体装置及びその製造方法を工程順に示す断面図。
【図２】第２実施形態に係る半導体装置及びその製造方法を工程順に示す断面図。
【図３】第３実施形態に係る半導体装置及びその製造方法を工程順に示す断面図。
【図４】第４実施形態に係る半導体装置の要部を示す概観図。
【図５】第５実施形態に係る半導体装置の要部を示す概観図。
【符号の説明】
【００４０】
１１…基板、１２…配線パターン、１３…バンプ用パッド部、１４…ソルダレジスト、１５…金属薄膜、１６…ワイヤ端部、１７…印刷マスク、１７１…マスク開口部、１８，２６…導電性ペースト、１９…スキージ、２０…バンプ部材、３６…メッキ金属、４１，５１…半導体チップ、４２…インターポーザ、４２１，５２…保護層、４３…封止部材、４４，５４…バンプ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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