(57)【要約】    【課題】  薄膜回路チップと配線基板との良好な接続状態を確保することを可能とする技術を提供すること。    【解決手段】  接続端子(16)が一方面に設けられた薄膜回路チップ(14)を当該接続端子を基板(10)と当接しない側へ向けて基板の一方面上に配置する工程と、基板の一方面上に第１配線(12)を形成する工程と、基板の一方面上に、少なくとも第１配線の所定の接続対象箇所と薄膜回路チップとの間を埋めるように絶縁膜(18)を形成する工程と、接続対象箇所と接続端子とを結ぶ所定経路に対応する絶縁膜の表面にエネルギーを与えて凹凸領域(20)を形成する工程と、絶縁膜の凹凸領域上に液体材料を供給する工程と、供給された液体材料を固化させることにより、接続対象箇所と接続端子とを電気的に接続する第２配線(22)を形成する工程と、を含む回路基板の製造方法。【選択図】    図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線を有する基板上に薄膜回路チップを配置して構成される回路基板の製造方法であって、
薄膜回路を含み、当該薄膜回路と外部との電気的な接続を担う接続端子が一方面に設けられた薄膜回路チップを、前記接続端子を基板と当接しない側へ向けて当該基板の一方面上に配置する第１工程と、
前記基板の一方面上に第１配線を形成する第２工程と、
前記基板の一方面上に、少なくとも前記第１配線の所定の接続対象箇所と前記薄膜回路チップとの間を埋めるように絶縁膜を形成する第３工程と、
前記接続対象箇所と前記接続端子とを結ぶ所定経路に対応する前記絶縁膜の表面にエネルギーを与えて凹凸領域を形成する第４工程と、
前記絶縁膜の前記凹凸領域上に液体材料を供給する第５工程と、
供給された前記液体材料を固化させることにより、前記接続対象箇所と前記接続端子とを電気的に接続する第２配線を形成する第６工程と、
を含む、回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記第３工程は、前記絶縁膜を前記基板の一方面上の略全体に形成する、請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記第４工程は、レーザ光の照射によって前記エネルギーの付与を行う、請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記第５工程における前記液体材料が導電性粒子を含む、請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記第４工程は、前記凹凸領域の当該凹凸の差が少なくとも前記導電性粒子の径より大きくなるように前記エネルギーの付与条件を設定して前記凹凸領域を形成する、請求項４に記載の回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記第５工程における前記液体材料の供給を液滴吐出法により行う、請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項７】
基板と、
前記基板の少なくとも一方面に配置される第１配線と、
薄膜回路を含み、前記基板の一方面上に配置される薄膜回路チップと、
前記薄膜回路チップの前記基板と当接しない側の面に配置され、前記薄膜回路と外部との電気的な接続を担う接続端子と、
前記基板の一方面上に、少なくとも前記第１配線の所定の接続対象箇所と前記薄膜回路チップとの間を埋めるように設けられる絶縁膜と、
前記接続対象箇所と前記接続端子とを結ぶ所定経路に沿って前記絶縁膜の表面に設けられる凹凸領域と、
前記絶縁膜の前記凹凸領域上に設けられ、前記第１配線の前記接続対象箇所と前記薄膜回路チップの前記接続端子とを電気的に接続する第２配線と、
を備える、回路基板。
【請求項８】
前記絶縁膜は、前記基板の一方面上の略全体に設けられる、請求項７に記載の回路基板。
【請求項９】
前記第２配線は、導電性粒子を含む液体材料を滴下した後に固化させて形成されるものであり、
前記凹凸領域は、当該凹凸の差が少なくとも前記導電性粒子の径より大きくなるように形成される、請求項７に記載の回路基板。
【請求項１０】
前記絶縁膜は、樹脂材料又は無機材料からなる、請求項７に記載の回路基板。
【請求項１１】
請求項７乃至１０のいずれかに記載の回路基板を含んで構成される電気光学装置。
【請求項１２】
請求項７乃至１０のいずれかに記載の回路基板を含んで構成される電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタ等の薄膜素子を含む薄膜回路チップを基板上に設けてなる回路基板及び当該回路基板を含んで構成される装置等に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜トランジスタ等の薄膜素子の形成法として転写技術を用いる手法が知られている。例えば、特開平１０−１２５９３１号公報（特許文献１）には、予め転写元基板上に剥離層を介して薄膜回路チップ等の被転写体を形成しておき、その後当該薄膜回路チップ等を転写先基板に接合し、剥離層に光照射等を行って剥離を生じさせることにより被転写体を転写先基板に転写する手法が開示されている。この手法によれば、薄膜回路チップ等を好適な製造条件で転写元基板上に形成した後に所望の転写先基板へ移動させることができるので、例えばプラスチック基板など、薄膜素子等の製造条件に適合する特性（耐熱性等）が乏しい基板上に薄膜素子等を形成することが可能となる。  
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−１２５９３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述した転写法によって薄膜回路チップを基板上に形成する場合に、薄膜回路チップに設けておいた接続端子（電極パッド）と基板側の配線の所定箇所との間に異方性導電材を介在させて電気的接続を確保する手法が検討されていた。かかる手法は、通常の半導体チップ等における電気的接続の手段としては広く利用されているものである。
【０００５】
しかしながら、上記手法を薄膜回路チップの接続に適用した場合には、接続箇所の信頼性を確保することが難しかった。これは、薄膜回路チップがその薄さ故に通常の半導体チップ等に比べて機械的強度が弱いことに起因する。すなわち、異方性導電材を用いる場合には、当該異方性導電材を薄膜回路チップと基板の間に介在させた後に薄膜回路チップと基板とを圧着するが、この圧着時の圧力によって薄膜回路チップに亀裂或いは変形などの損傷が生じ、接続箇所に接触不良が生じるためである。これらの損傷は導電性粒子を含む接着剤等の特性として要求される適正な圧力をかけた場合であっても生じ得るものであった。よって、上記課題を解決し得る新たな接続手法が望まれていた。
【０００６】
そこで、本発明は、薄膜回路チップと配線基板との良好な接続状態を確保することを可能とする技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１の態様の本発明は、配線を有する基板上に薄膜回路チップを配置して構成される回路基板の製造方法であって、薄膜回路を含み、当該薄膜回路と外部との電気的な接続を担う接続端子が一方面に設けられた薄膜回路チップを、上記接続端子を基板と当接しない側へ向けて当該基板の一方面上に配置する第１工程と、上記基板の一方面上に第１配線を形成する第２工程と、上記基板の一方面上に、少なくとも上記第１配線の所定の接続対象箇所と上記薄膜回路チップとの間を埋めるように絶縁膜を形成する第３工程と、上記接続対象箇所と上記接続端子とを結ぶ所定経路に対応する上記絶縁膜の表面にエネルギーを与えて凹凸領域を形成する第４工程と、上記絶縁膜の上記凹凸領域上に液体材料を供給する第５工程と、供給された上記液体材料を固化させることにより、上記接続対象箇所と上記接続端子とを電気的に接続する第２配線を形成する第６工程と、を含む。
【０００８】
かかる製造方法によれば、薄膜回路チップに圧力をかけることなく薄膜回路チップと基板側の配線とを電気的に接続することが可能となる。したがって、薄膜回路チップに圧力による損傷が生じることがなく、薄膜回路チップと配線基板との良好な接続状態を容易に確保することが可能となる。
【０００９】
上述した第３工程は、上記絶縁膜を上記基板の一方面上の略全体に形成することが好ましい。この絶縁膜は、例えば樹脂材料や無機材料によって形成するとよい。
【００１０】
これにより、絶縁膜の形成がより容易となる。
【００１１】
上述した第４工程は、レーザ光の照射によって上記エネルギーの付与を行うことが好ましい。
【００１２】
これにより、必要な強度のエネルギーを凹凸領域を形成すべき箇所へ容易かつ高精度に付与することが可能となる。
【００１３】
上述した第５工程における液体材料は、導電性粒子を含むものであることが好ましい。
【００１４】
凹凸領域の形状効果により、当該領域に導電性粒子が留まりやすくなり、それ以外の領域に広がりにくくする効果（選択性）が得られるため、第２電極の線幅等の精度を確保しやすくなる。また、導電性粒子が留まりやすくなるアンカー効果が得られ、第２配線となる導電膜の密着性を向上させることができる。
【００１５】
上述した第４工程は、上記凹凸領域の当該凹凸の差が少なくとも上記導電性粒子の径より大きくなるように上記エネルギーの付与条件を設定して上記凹凸領域を形成することが好ましい。
【００１６】
これにより、凹凸領域と導電性粒子との上述した相互作用（選択性、アンカー効果等）をより効果的に得ることが可能となる。
【００１７】
上述した第５工程における上記液体材料の供給は、液滴吐出法により行うことが好ましい。
【００１８】
これにより、液体材料の供給量や供給位置などを高精度を制御することが可能となる。
【００１９】
第２の態様の本発明は、上記第１の態様の本発明にかかる製造方法を用いて得られる回路基板であり、以下のような構造的特徴を有する。すなわち、本発明の回路基板は、基板と、上記基板の少なくとも一方面に配置される第１配線と、薄膜回路を含み、上記基板の一方面上に配置される薄膜回路チップと、上記薄膜回路チップの上記基板と当接しない側の面に配置され、上記薄膜回路と外部との電気的な接続を担う接続端子と、上記基板の一方面上に、少なくとも上記第１配線の所定の接続対象箇所と上記薄膜回路チップとの間を埋めるように設けられる絶縁膜と、上記接続対象箇所と上記接続端子とを結ぶ所定経路に沿って上記絶縁膜の表面に設けられる凹凸領域と、上記絶縁膜の上記凹凸領域上に設けられ、上記第１配線の上記接続対象箇所と上記薄膜回路チップの上記接続端子とを電気的に接続する第２配線と、を備える。
【００２０】
かかる構成によれば、薄膜回路チップと配線基板との良好な接続状態を容易に確保することが可能となる。
【００２１】
上述した絶縁膜は、上記基板の一方面上の略全体に設けられることが好ましい。
【００２２】
これにより、絶縁膜を形成する際のプロセスが容易になる。また、当該絶縁膜により第１配線相互間を絶縁する機能や、基板表面を保護する機能などを兼用させて構成の簡素化を図ることも可能となる。
【００２３】
上述した第２配線は、導電性粒子を含む液体材料を滴下した後に固化させて形成されるものであり、上記凹凸領域は、当該凹凸の差が少なくとも上記導電性粒子の径より大きくなるように形成されることが好ましい。
【００２４】
上述した絶縁膜は、樹脂材料又は無機材料からなることが好ましい。
【００２５】
第３の態様の本発明は、上述した回路基板を含んで構成される電気光学装置である。ここで「電気光学装置」とは、電気的作用によって発光するあるいは外部からの光の状態を変化させる電気光学素子を備えた表示装置一般をいい、自ら光を発するものと外部からの光の通過を制御するもの双方を含む。例えば、電気光学素子として、液晶素子、電気泳動粒子が分散した分散媒体を有する電気泳動素子、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、電界の印加により発生した電子を発光板に当て発光させる電子放出素子を備えたアクティブマトリクス型の表示装置等をいう。
【００２６】
第４の態様の本発明は、上述した回路基板あるいは電気光学装置を含んで構成される電子機器である。ここで「電子機器」とは、回路基板やその他の要素を要素を備え、一定の機能を奏する機器一般をいい、その構成に特に限定はない。かかる電子機器としては、例えば、ＩＣカード、携帯電話、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、リア型またはフロント型のプロジェクター、テレビジョン（ＴＶ）、ロールアップ式ＴＶ、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ等が含まれる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００２８】
図１は、一実施形態の回路基板の構造を説明する図（概略図）である。また図２は、回路基板の図１に示すＩＩ−ＩＩ線断面における断面構造を説明する図である。図１及び図２に示す回路基板は、配線を有する基板上に、薄膜トランジスタ等の薄膜素子を含んでなる薄膜回路チップを配置（実装）してなるものである。
【００２９】
基板１０は、本実施形態の回路基板の土台（ベース）となるものである。この基板１０としては、ガラス基板、プラスチック基板など種々のものを用いることができる。また、基板１０として、ポリイミドなど各種の樹脂材料からなりフレキシブル性を有する基板を用いることもできる。
【００３０】
第１配線１２は、薄膜回路チップ１６とともに電気回路を構成するものであり、例えば銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）などの導電体からなるものである。
【００３１】
薄膜回路チップ１４は、一つ以上の薄膜素子（トランジスタ、ダイオード、抵抗、キャパシタ、インダクタ等）からなる電気回路を含み、基板１０上に配置される。この薄膜回路チップ１４は、電極パッド（接続端子）１６を介して外部と電気的に接続される。
【００３２】
電極パッド１６は、薄膜回路チップ１４の上側、すなわち基板１０と当接しない側の面に設けられており、薄膜回路チップ１４内の電気回路と外部との電気的接続を担うものである。この電極パッド１６は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、錫（Ｓｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、窒化チタン（ＴｉＮ）などの導電体からなる。また電極パッド１６のサイズは、設計上やその他の都合により適宜設定し得るものであり、例えば２０μｍ〜１００μｍ角程度に設定される。
【００３３】
絶縁膜１８は、第１配線１２と薄膜回路チップ１４との間を埋めるようにして基板１０の一方面上の略全体に設けられる。本例の絶縁膜１８は、第１配線１２の所定の接続箇所と薄膜回路チップ１４上の電極パッド１６との間に第２配線２２を容易に形成し得るようにすべく設けられるものである。なお、かかる機能に着目すれば、絶縁膜１８は少なくとも第２配線２２の形成対象となる領域にのみ設けられていれば本発明の目的を達し得るが、基板１０の一方面上の略全面に設けるようにすることで絶縁膜１８の形成がより容易となる。本例の絶縁膜１８は、ポリイミド等の樹脂材料（有機高分子材料）を用いて形成される。
【００３４】
凹凸領域２０は、第１配線１２の所定の接続対象箇所とこれに対応する電極パッド１６とを結ぶ所定経路（第２配線２２の形成対象領域）に沿って、絶縁膜１８の表面に設けらるものである。この凹凸領域２０は、詳細を後述するように第２配線２２の形成を容易にすることを主たる機能として設けられるものである。
【００３５】
第２配線２２は、絶縁膜１８の凹凸領域２０上に設けられ、第１配線１２の所定の接続対象箇所と薄膜回路チップ１４の所定の電極パッド１６との間を電気的に接続するものである。本例の第２配線２２は、導電性粒子を含む液体材料を滴下した後に固化させて形成した導電膜を用いて構成されるものである。
【００３６】
図３は、凹凸領域２０の好適な形状と、第２配線２２の形成材料たる導電性粒子との関係について説明する図である。凹凸領域２０は、図３に概略的に示すように、凹部分が上部で狭まっているような断面構造を有することが好適である。また、この凹凸領域２０における当該凹凸の差Ｌ１或いはＬ２が少なくとも導電性粒子の径より大きくなるように形成されると更に好適である。これにより、導電性粒子を含む液体材料を用いて第２配線２２を形成する場合に、当該液体材料が凹凸領域２０に留まってそれ以外の領域に広がりにくくする効果（選択性）をより高めることができる。また、導電性粒子が留まりやすくなるアンカー効果が得られ、第２配線２２となる導電膜の密着性をあげることも可能となる。また、凹凸の差Ｌ１及び／又はＬ２は、第２配線２２の線幅の１／５かそれより小さく形成することが好適である。例えば第２配線２２の線幅が５μｍ〜５０μｍ程度であれば、凹凸の差Ｌ１等は１μｍ〜５μｍ程度かそれより小さくするとよい。これにより、第２配線２２の線幅の精度を確保しやすくなる。
【００３７】
なお、凹凸領域２０の形状は、液体材料に対する選択性やアンカー効果を確保し得るものであれば、上記形状に限定されず他の形状であってもよい。
【００３８】
本実施形態の回路基板はこのような構成を有しており、次に当該回路基板を製造する方法の好適な一例について説明する。
【００３９】
図４は、本実施形態の回路基板の製造方法を説明する図（工程図）である。
【００４０】
まず、図４（Ａ）に示すように、薄膜回路チップ１４を電極パッド１６が基板１０と当接しない側（基板１０の上側）へ向かうようにして基板１０の一方面上に配置する。この薄膜回路チップ１４は、例えば上述した文献「特開平１０−１２５９３１号公報」などに開示される公知の薄膜デバイス転写技術を用いて基板１０上に形成することが好適であるが、それ以外の方法によって形成してもよい。
【００４１】
次に、図４（Ｂ）に示すように、基板１０の一方面上に所定のパターンを有するように第１配線１２を形成する。具体的な形成手法としては、公知の印刷法、めっき法、液滴吐出法など種々の手法を採用し得る。スパッタ法等の成膜法とフォトリソグラフィ法等によるパターン形成とを組み合わせてもよい。この場合には、上記の薄膜回路チップ１４の形成工程よりも第１配線１２の形成工程を先に行うのも好適である。
【００４２】
次に、図４（Ｃ）に示すように、基板１０の一方面上の略全面に、第１配線１２と薄膜回路チップ１４との間を埋めるように絶縁膜１８を形成する。本実施形態では、絶縁膜１８としてポリイミド膜を形成する。ポリイミド膜は塗布法などによって形成可能である。
【００４３】
次に、図４（Ｄ）に示すように、第１配線１２の所定の接続対象箇所と電極パッド１６とを結ぶ所定経路に対応する絶縁膜１８の表面にレーザ光の照射を行って当該表面近傍に変形を生じさせる（荒らす）ことにより、凹凸領域２０を形成する。本工程におけるレーザ光の照射は、上述した凹凸領域２０として好適な状態が実現されるように照射条件（エネルギーの付与条件）が設定される。絶縁膜１８がポリイミド膜からなる場合には、波長が３６０ｎｍ以下のエキシマレーザや、ＹＡＧレーザの第３高調波（３５５ｎｍ）又は第４高調波（２６６ｎｍ）などを用いるのが好ましい。また、レーザ光の強度や照射時間等については適宜調整すればよい。
【００４４】
なお、凹凸領域２０の形成はレーザ光の照射以外の方法（例えば電子ビーム照射など）によってもよい。すなわち、絶縁膜１８の表面を所望の凹凸形状に変形させるに足りるエネルギーの付与を行うことが可能であれば、如何なる方法も採用し得る。
【００４５】
次に、図４（Ｅ）に示すように、絶縁膜１８の凹凸領域２０上に液体材料を供給する。上述したように、本実施形態では導電性粒子を含む液体材料を用いる。導電性粒子は、金属球、樹脂球に金属皮膜を施したものなど種々のものを採用し得る。金属ナノペースト等と称される超微粒子を用いるのも好適である。また、液体材料の供給は、液滴吐出法（いわゆるインクジェット法）によって行うことが好適である。これにより、液体材料の滴下量を高精度に制御することが可能となる。
【００４６】
次に、図４（Ｆ）に示すように、凹凸領域２０上に供給された液体材料を乾燥、固化させることにより、第１配線１２の所定の接続対象箇所とこれに対応付けられた電極パッド１６とを電気的に接続する第２配線２２が形成される。
【００４７】
このように、本実施形態によれば、薄膜回路チップ１４に圧力をかけることなく薄膜回路チップ１４と基板１０側の第１配線１２とを電気的に接続することが可能となる。したがって、薄膜回路チップに圧力による損傷が生じることがなく、薄膜回路チップと配線基板との良好な接続状態を容易に確保することが可能となる。
【００４８】
本実施形態にかかる回路基板は、有機ＥＬ表示装置、液晶表示装置、電気泳動表示装置など種々の電気光学装置（表示装置）、或いはその他各種の装置に適用することが可能である。本実施形態の回路基板を用いて構成される有機ＥＬ表示装置の構成例について以下に説明する。
【００４９】
図５は、本実施形態にかかる回路基板を用いた有機ＥＬ表示装置の構成例を示す図（断面図）である。図５に示す有機ＥＬ表示装置は、本実施形態にかかる回路基板１００と、有機ＥＬ素子１１１を備える表示素子基板１１０とを対向配置し、両者間を銀ペースト等の導電性部材１０３により電気的に接続して構成されている。回路基板１００と表示素子基板１１０との相互間には、不活性ガスなどが適宜充填される。この有機ＥＬ表示装置では、回路基板１００側の薄膜回路チップ１０２によって、表示素子基板１１０側の有機ＥＬ素子１１１を駆動している。有機ＥＬ表示素子１１１は、陽極１１２と陰極１１３との間に発光層１１４を介在させてなり、陰極１１３が配線１０１及び導電性部材１０３を介して薄膜回路チップ１０２と電気的に接続されている。例えば、図示の有機ＥＬ素子１１１が３つ１組となって一画素を構成しており、この１画素分に対応する画素駆動回路が１つの薄膜回路チップ１０２に含まれている。そして、回路基板１００上の配線１０１と薄膜回路チップ１０２の上面の電極パッド１０５との間が本実施形態にかかる第２配線１０６によって電気的に接続されている。
【００５０】
図６は、上述した電気光学装置を含んで構成される電子機器の具体例を説明する図である。図６（Ａ）は携帯電話への適用例であり、当該携帯電話２３０はアンテナ部２３１、音声出力部２３２、音声入力部２３３、操作部２３４、および本発明の電気光学装置１００を備えている。このように本発明に係る電気光学装置は表示部として利用可能である。図６（Ｂ）はビデオカメラへの適用例であり、当該ビデオカメラ２４０は受像部２４１、操作部２４２、音声入力部２４３、および本発明の電気光学装置１００を備えている。図６（Ｃ）はテレビジョンへの適用例であり、当該テレビジョン３００は本発明の電気光学装置１００を備えている。なお、パーソナルコンピュータ等に用いられるモニタ装置に対しても同様に本発明に係る電気光学装置を適用し得る。図６（Ｄ）はロールアップ式テレビジョンへの適用例であり、当該ロールアップ式テレビジョン３１０は本発明の電気光学装置１００を備えている。また、電子機器はこれらに限定されず、表示機能を有する各種の電子機器に適用可能である。例えばこれらの他に、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイなども含まれる。なお、本発明にかかる回路基板は、電気光学装置の構成部品として上記のような電子機器に含まれる場合の他に、単独で電子機器の構成部品としても適用し得る。
【００５１】
なお、本発明は上述した実施形態の内容に限定されることなく、本発明の要旨の範囲内で種々に変形実施が可能である。
【００５２】
上述した実施形態では、ポリイミド等の樹脂材料からなる絶縁膜を用いていたが、当該絶縁膜を二酸化シリコン（ＳｉＯ2）やシリコン窒化物（Ｓｉ3Ｎ4）等の無機材料によって構成してもよい。この場合には、凹凸領域の形成に用いるレーザ光として、ＣＯ2レーザ（波長１０６０ｎｍ）やＹＡＧレーザ（波長１０６４ｎｍ）などを用いることが好適である。
【００５３】
また、上述した導電性粒子を含む液体材料によって第２配線を形成していたが、導電性高分子を液状にしたもの等を用いることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】一実施形態の回路基板の構造を説明する図である。
【図２】図１に示すＩＩ−ＩＩ線断面における断面構造を説明する図である。
【図３】凹凸領域の好適な形状と、第２配線の形成材料たる導電性粒子との関係について説明する図である。
【図４】回路基板の製造方法を説明する図（工程図）である。
【図５】回路基板を用いた有機ＥＬ表示装置の構成例を示す図である。
【図６】電気光学装置を適用可能な電子機器の例を示す図である。
【符号の説明】
【００５５】
１０…基板、  １２…第１配線、  １４…薄膜回路チップ、  １６…電極パッド（接続端子）、  １８…絶縁膜、  ２０…凹凸領域、２２…第２配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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