(57)【要約】【課題】  材料ガスのガス吹出し口に付着したＳｉＯ２等の堆積物に、クリーニングガスを吹き付け、ガス化して除去する常圧ＣＶＤ装置を提供する。【解決手段】  常圧熱ＣＶＤ装置１は、材料ガスを供給するユニット２０を備え、材料ガスを供給して気相化学反応により被処理物の表面に薄膜を形成する装置であり、被処理物を加熱するヒーターユニット１０と、ガス吹出し口として材料ガス供給ユニット２０のガス分散器２２に付着したＳｉＯ２等の堆積物を除去するプラズマ化クリーニングガス３８を吹出すクリーニングユニット３０とを備える。クリーニングユニット３０は、間隙を有して対向する電極３２，３３を備えており、該電極間に電圧を電源３４から印加して大気圧近傍下で放電させ、クリーニングガスを放電空間３６に通してプラズマ化する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
材料ガスを供給するユニットを備え、前記材料ガスを被処理物に供給して気相化学反応により該被処理物の表面に薄膜を形成する常圧ＣＶＤ装置において、
前記材料ガス供給ユニットのガス吹出し口に付着した堆積物を除去するクリーニングガスを吹出すクリーニングユニットを備えることを特徴とする常圧ＣＶＤ装置。
【請求項２】
前記クリーニングユニットは、前記クリーニングガスを吹出すときに前記材料ガス供給ユニットに対向して該材料ガス供給ユニットを覆うカバー部材を備えていることを特徴とする請求項１に記載の常圧ＣＶＤ装置。
【請求項３】
前記クリーニングユニットは、間隙を有して対向する電極を備えており、該電極間に電圧を印加して大気圧近傍下で放電させ、前記クリーニングガスを前記放電空間に通してプラズマ化することを特徴とする請求項１または２に記載の常圧ＣＶＤ装置。
【請求項４】
前記常圧ＣＶＤ装置は、常圧熱ＣＶＤ装置であり、被処理物を加熱するヒーターユニットを備えており、該ヒーターユニットと前記クリーニングユニットとを並設すると共に、前記ヒーターユニットとクリーニングユニットを前記材料ガス供給ユニットに対して移動する移動機構を備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の常圧ＣＶＤ装置。
【請求項５】
材料ガスを供給するユニットを備え、前記材料ガスを被処理物に供給して気相化学反応により該被処理物の表面に薄膜を形成する常圧ＣＶＤ装置において、
前記材料ガス供給ユニットのガス吹出し口に付着した堆積物を除去するクリーニングガスを吹出すクリーニングユニットと、前記クリーニングユニットを前記材料ガス供給ユニットに対して移動する移動機構とを備え、
前記クリーニングユニットは、前記移動機構による移動中、該クリーニングユニットが前記ガス吹出し口または該ガス吹出し口の近傍に対向したとき前記クリーニングガスを吹出すように制御されることを特徴とする常圧ＣＶＤ装置。
【請求項６】
前記材料ガス供給ユニットは、ガス吹出し口の周囲に前記材料ガスおよび／または処理済みの排ガスを吸引する吸引部を備えており、前記クリーニングユニットはその移動中、当該クリーニングユニットが前記吸引部と前記ガス吹出し口との境界に対向したとき前記クリーニングガスを吹出すと共に、反対側の前記ガス吹出し口と前記吸引部との境界に対向したとき前記クリーニングガスの吹出しを停止するように制御されることを特徴とする請求項５に記載の常圧ＣＶＤ装置。
【請求項７】
前記移動機構は、前記ガス吹出し口または前記境界に対向したとき、前記移動方向と直交する方向に移動したあと折り返し移動するように構成されていることを特徴とする請求項５または６に記載の常圧ＣＶＤ装置。
【請求項８】
材料ガスを供給するユニットを備え、前記材料ガスを被処理物に供給して気相化学反応により該被処理物の表面に薄膜を形成する常圧ＣＶＤ装置において、
前記材料ガス供給ユニットのガス吹出し口に付着した堆積物を除去するクリーニングガスを吹出すクリーニングユニットと、前記クリーニングユニットを前記材料ガス供給ユニットに対して移動する移動機構とを備え、
前記クリーニングユニットは、前記移動機構による移動方向と直交する方向に沿う所定幅のガス吹出し部を備え、該ガス吹出し部の幅は、前記ガス吹出し口の前記移動方向と直交する方向の幅より小さく設定されていることを特徴とする常圧ＣＶＤ装置。
【請求項９】
材料ガスを供給するガス吹出し口と、その周囲に吸引部を有する材料ガス供給ユニットを備え、前記材料ガスを被処理物に供給して気相化学反応により該被処理物の表面に薄膜を形成する常圧ＣＶＤ装置において、
前記材料ガス供給ユニットのガス吹出し口に付着した堆積物を除去するクリーニングガスを吹出すクリーニングユニットと、前記クリーニングユニットを前記材料ガス供給ユニットに対して移動する移動機構とを備え、
前記クリーニングユニットは、前記移動機構による移動方向と直交する方向に沿う所定幅のガス吹出し部を備え、該ガス吹出し部の幅は、前記ガス吹出し口の前記移動方向と直交する方向の幅より大きく、前記吸引部の前記移動方向と直交する方向の幅より小さく設定されていることを特徴とする常圧ＣＶＤ装置。
【請求項１０】
前記クリーニングユニットは、前記移動機構の全ストロークの内、前記ガス吹出し口の外周側と前記吸引部の内周側との間で、前記クリーニングガスを吹出すように制御されていることを特徴とする請求項８または９に記載の常圧ＣＶＤ装置。
【請求項１１】
材料ガスを供給するユニットと、被処理物を保持して加熱するヒーターユニットとを備え、前記材料ガスを被処理物に供給して気相化学反応により該被処理物の表面に薄膜を形成する常圧ＣＶＤ装置において、
前記ヒーターユニットに連結され前記材料ガス供給ユニットのガス吹出し口に付着した堆積物を除去するクリーニングガスを吹出すクリーニングユニットと、前記ヒーターユニットおよびクリーニングユニットを前記材料ガス供給ユニットに対して移動する移動機構とを備え、
前記ヒーターユニットが前記被処理物を保持して所定の位置に移動し、その移動中に前記クリーニングユニットが前記材料ガス供給ユニットと対向する間に、前記クリーニングガスを吹出すことを特徴とする常圧ＣＶＤ装置。
【請求項１２】
前記クリーニングユニットは、前記クリーニングガスを吹出すときに前記材料ガス供給ユニットに対向して該材料ガス供給ユニットを覆うカバー部材を備えていることを特徴とする請求項５〜１１のいずれかに記載の常圧ＣＶＤ装置。
【請求項１３】
常圧下で材料ガスを被処理物の表面に供給して気相化学反応により、被処理物の表面に薄膜を形成する常圧ＣＶＤ装置の前記材料ガスを吹出すガス吹出し口のクリーニング方法であって、
前記ガス吹出し口に付着した堆積物にクリーニングガスを吹き付け、前記堆積物をガス化して除去することを特徴とする常圧ＣＶＤ装置のガス吹出し口クリーニング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大気圧近傍の圧力下で、気相化学反応により絶縁膜、半導体膜、金属薄膜等を被処理物の表面に形成する常圧ＣＶＤ装置に係り、特に、材料ガスを吹出すガス吹出し口のクリーニングヘッドを備えた常圧ＣＶＤ装置と、ガス吹出し口のクリーニング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種のプラズマＣＶＤ装置として、特許文献１に記載の遠隔プラズマ発生器を用いて堆積システムの部品を洗浄する方法は、堆積チャンバから誘電材料の堆積物を洗浄する方法であって、ＮＦ３のようなクリーニングプラズマ前駆体を遠隔マイクロ波キャビティへ流し込み（ステップ３０２）、クリーニングプラズマ前躯体にマイクロ波エネルギーを照射し、前駆体をプラズマ化学種に解離し、プラズマを生成させ（ステップ３０４）、ガス分配面板とブロッカープレート間に形成されたプレナム内で、窒素のようなガスで希釈され（ステップ３０６）、プラズマがガス分配面板を経てチャンバへ流し込まれ（ステップ３０８）、酸化ケイ素ガラスのような堆積物を高速で、更に十分に希釈したプラズマで洗浄する（ステップ３１０）。
【０００３】
前記のクリーニング方法は、真空下でフッ素等の含有ガスをプラズマ化させＳｉＯ２の腐食ガスを生成させ、その後、このプラズマガスをＳｉＯ２のパーティクル付着部に吹き付けてパーティクルを気化させ除去している。真空のＣＶＤ装置では、そのまま同じチャンバ内にフッ素等の含有ガスを流し、真空下のもと、このガスをプラズマ化しＳｉＯ２を除去している。
【０００４】
また、特許文献２に記載のＣＶＤ装置は、反応室内の異なる位置にウエハ保持部及び反応ガス供給部を配置し、ウエハを保持したウエハ保持部を反応ガス供給部の上方に移動して、この反応ガス供給部からウエハの反応ガスを吹き付けることによりウエハに所望の薄膜を堆積させるＣＶＤ装置において、反応室内に反応時反応ガス供給部に堆積した不要な薄膜を除去する薄膜除去機構を配置し、この機構を反応終了後にウエハ保持部が元の位置に戻る動作と連動して動作させている。そして、薄膜除去機構の回転ブラシを回転させてガスヘッドの表面に接触させることにより、このガスヘッドの表面に堆積していた不要な薄膜を除去する。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−１００６２４号公報（段落［００４１］、図３Ａ）
【特許文献２】特開平８−１５３６８４号公報（段落［００１２］、［００３０］）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、前記のクリーニング方法は、真空下でプラズマを発生させることにより、ＳｉＯ２腐食ガスを生成させ、パーティクルをガスとして除去しており、真空設備を必要としている。このため、常圧のＣＶＤ装置では、準常圧ＣＶＤ装置、真空ＣＶＤ装置で行われている真空プラズマを用いるには、新たに真空設備が必要となり装置の価格が高くなること、フットプリントが大きくなる等の欠点がある。
【０００７】
したがって、現状では手作業でＳｉＯ２のパーティクルをこすり落とし、掃除機で吸引して除去している。そのため、クリーンルーム内での作業、かつ装置内に入り込むという煩わしさ、パーティクルが装置内に飛散し、装置内を汚染し、成膜時にウエハーにパーティクルが付着するという欠点があった。また、半導体素子等の製造や、処理の歩留まりを
低下させる問題点があった。
【０００８】
特許文献２に記載のＣＶＤ装置は、パーティクル等の不要な薄膜を回転ブラシ等のメカニカルなクリーニングで行っているため、装置内にパーティクルを飛散させてしまう。この結果、飛散したパーティクルがウエハ上に乗り移り、製造されたチップや半導体デバイスが所定の機能をせず、製品の歩留まりを低下させてしまう。
【０００９】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、フッ素含有ガス等のクリーニングガスを使用し、これをガス吹出し口に付着したＳｉＯ２等のパーティクルに吹き付けて、パーティクルをガス状にして除去する常圧ＣＶＤ装置と、そのガス吹出し口クリーニング方法を提供することにある。また、前記の構成により、手作業のクリーニングを自動化できる常圧ＣＶＤ装置を提供することにある。さらに、クリーニングガスの供給量を減らすことができ、有効利用して外部への飛散を防止し、人体への悪影響を低減できる常圧ＣＶＤ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記目的を達成すべく、本発明に係る常圧ＣＶＤ装置の第１の態様は、材料ガスを供給するユニットを備え、材料ガスを被処理物に供給して気相化学反応により被処理物の表面に薄膜を形成する常圧ＣＶＤ装置において、材料ガス供給ユニットのガス吹出し口に付着した堆積物を除去するクリーニングガスを吹出すクリーニングユニットを備えることを特徴とする。材料ガスとしては、シリコンを含有するＴＥＯＳ等を使用する。クリーニングユニットは、クリーニングガス吹出し部を有するものが好ましい。また、クリーニングユニットはクリーニングガス吹出し部と材料ガス供給ユニットのガス吹出し口とが対向するように構成されると好ましい。
【００１１】
前記のごとく構成された本発明の常圧ＣＶＤ装置は、気相化学反応により被処理物の表面にＳｉＯ２等の薄膜を形成した後、成膜によりガス吹出し口に付着したＳｉＯ２等の堆積物にクリーニングガスを吹き付けることにより、手作業を必要としないで自動的にＳｉＯ２等の堆積物を効率良く除去することができる。また、この常圧ＣＶＤ装置を使用することにより半導体素子等の製造や、処理の歩留まりを向上させることができる。この装置は真空設備が不要であり、装置の小型化を達成でき、コストを下げることができる。クリーニングガスとしては、エッチング処理やアッシング処理に用いられるものが挙げられる。例えば、ＣＦ４等のハロゲンガスをプラズマ化したもの、オゾン、フッ酸を気化したＨＦベーパ等が用いられる。
【００１２】
本発明に係る常圧ＣＶＤ装置の好ましい具体的な態様としては、前記クリーニングユニットは、前記クリーニングガスを吹出すときに前記材料ガス供給ユニットに対向して該材料ガス供給ユニットを覆うカバー部材を備えていることを特徴としている。カバー部材はクリーニングユニットの側面から材料ガス供給ユニットに平行に延出し、材料ガス供給ユニットの上面を覆う形状が好ましく、材料ガス供給ユニットに接近していると好適である。このように構成すると、クリーニングユニット作動時に、材料ガス供給ユニットをカバー部材で覆いクリーニングガスの放散を防止できるため、少ない供給量で効率良く堆積物を除去することができる。また、クリーニングガスやクリーニング排ガスの外部への放出を防止でき、人体や周辺機器への影響を最小限とすることができる。
【００１３】
また、本発明に係る常圧ＣＶＤ装置の好ましい具体的な他の態様としては、前記クリーニングユニットは、間隙を有して対向する電極を備えており、該電極間に電圧を印加して大気圧近傍下で放電させ、前記クリーニングガスを放電空間に通して常圧でプラズマ化することを特徴としている。この構成によれば、人体への影響の少ないフッ素を含有するクリーニングガスは、高周波電圧が印加されて放電している電極間を通過して活性化され、
ガス吹出し口に付着しているＳｉＯ２等の堆積物を効率良く、自動的に除去することができる。このため、安全で、環境への負荷を最小限とすることができる。
【００１４】
本発明に係る常圧ＣＶＤ装置の好ましい具体的な他の態様としては、前記常圧ＣＶＤ装置は、常圧熱ＣＶＤ装置であり、被処理物を加熱するヒーターユニットを備えており、該ヒーターユニットとクリーニングユニットとを並設すると共に、ヒーターユニットとクリーニングユニットを材料ガス供給ユニットに対して移動する移動機構を備えることを特徴とする。ヒーターユニットとクリーニングユニットとを別々に並設しても、一体的に並設してもよく、別々の場合にはそれぞれに移動機構が必要であり、一体の場合には１つの移動機構でよい。この構成によれば、薄膜を形成した後、ヒーターユニットを移動し、同時にクリーニングユニットを材料ガス供給ユニットのガス吹出し口に対向させるように移動し、クリーニング作業を連続して実施することができ、ガス吹出し口に付着したＳｉＯ２を効率良く除去することができる。ヒーターユニットとクリーニングガスユニットは、材料ガス供給ユニットのガス吹出し口と対向するように設けるのが好ましい。
【００１５】
本発明に係る常圧ＣＶＤ装置の第２の態様としては、材料ガスを供給するユニットを備え、材料ガスを被処理物に供給して気相化学反応により該被処理物の表面に薄膜を形成する常圧ＣＶＤ装置において、材料ガス供給ユニットのガス吹出し口に付着した堆積物を除去するクリーニングガスを吹出すクリーニングユニットと、クリーニングユニットを材料ガス供給ユニットに対して移動する移動機構とを備え、クリーニングユニットは、移動機構による移動中、該クリーニングユニットがガス吹出し口または該ガス吹出し口の近傍に対向したときクリーニングガスを吹出すように制御されることを特徴とする。
【００１６】
このように構成された常圧ＣＶＤ装置は、クリーニングユニットを移動機構で移動中に、材料ガス供給ユニットのガス吹出し口、あるいはその近傍と対向したときにクリーニングガスを吹出しガス吹出し口に付着した堆積物を除去するため、除去作業を効率良く実施できると共に、クリーニングガスを効率良く吹出すため供給量を減らすことができる。また、クリーニングガスの大気中への放出を減らすことができる。クリーニングガスユニットの移動速度は、堆積物の除去量等に応じて調整すればよい。移動速度は一定である必要はなく、堆積物の量に応じて移動速度を変えればよい。もちろん、一時停止してスリーニング処理を行ってもよい。
【００１７】
前記の常圧ＣＶＤ装置において、材料ガス供給ユニットは、ガス吹出し口の周囲に材料ガスおよび／または処理済みの排ガスを吸引する吸引部を備えており、クリーニングユニットはその移動中、当該クリーニングユニットが吸引部とガス吹出し口との境界に対向したときクリーニングガスを吹出すと共に、反対側のガス吹出し口と吸引部との境界に対向したときクリーニングガスの吹出しを停止するように制御されると好ましい。これにより、クリーニングガスを効率良く吹出し、供給量を減らして大気中への放出を減らすことができる。
【００１８】
また、前記移動機構は、ガス吹出し口または境界に対向したとき、移動方向と直交する方向に移動したあと折り返し移動するように構成されていると好ましい。この構成により、ガス吹出し口の幅に対してクリーニングユニットの幅が小さくても、クリーニングユニットの折り返し移動でガス吹出し口に付着した堆積物を効率良く除去できる。また、一度の移動で完全に堆積物を除去できないとき、クリーニングユニットを往復させて堆積物を確実に除去することができる。
【００１９】
本発明に係る常圧ＣＶＤ装置の第３の態様としては、材料ガスを供給するユニットを備え、材料ガスを被処理物に供給して気相化学反応により該被処理物の表面に薄膜を形成する常圧ＣＶＤ装置において、材料ガス供給ユニットのガス吹出し口に付着した堆積物を除
去するクリーニングガスを吹出すクリーニングユニットと、クリーニングユニットを材料ガス供給ユニットに対して移動する移動機構とを備え、クリーニングユニットは、移動機構による移動方向と直交する方向に沿う所定幅のガス吹出し部を備え、該ガス吹出し部の幅は、ガス吹出し口の移動方向と直交する方向の幅より小さく設定されていることを特徴としている。
【００２０】
このように構成された常圧ＣＶＤ装置は、クリーニングユニットのガス吹出し部の幅が材料ガス供給ユニットのガス吹出し口の幅より小さいため、材料供給ユニットの外側までクリーニングガスを吹出すことがなく、クリーニングガスの消費量を減らすことができるので供給量を減らすことができ、処理済みガスの大気中への放出を減らすことができる。
【００２１】
本発明に係る常圧ＣＶＤ装置の第４の態様としては、材料ガスを供給するガス吹出し口と、その周囲に吸引部を有する材料ガス供給ユニットを備え、材料ガスを被処理物に供給して気相化学反応により該被処理物の表面に薄膜を形成する常圧ＣＶＤ装置において、材料ガス供給ユニットのガス吹出し口に付着した堆積物を除去するクリーニングガスを吹出すクリーニングユニットと、クリーニングユニットを材料ガス供給ユニットに対して移動する移動機構とを備え、クリーニングユニットは、移動機構による移動方向と直交する方向に沿う所定幅のガス吹出し部を備え、該ガス吹出し部の幅は、ガス吹出し口の移動方向と直交する方向の幅より大きく、吸引部の移動方向と直交する方向の幅より小さく設定されていることを特徴としている。
【００２２】
このように構成すれば、材料ガス供給ユニットのガス吹出し口の移動方向と直交する方向の幅に沿って付着した堆積物を一度に除去することができ、吹出された材料ガスや処理済みの排ガスは吸引部で確実に吸引して廃棄することができ、大気中に放出される量を最小限とすることができる。
【００２３】
また、前記クリーニングユニットは、移動機構の全ストロークの内、ガス吹出し口の外周側と吸引部の内周側との間で、クリーニングガスを吹出すように制御されていることが好ましい。このように構成すると、クリーニングガスの供給量をさらに減らすことができ、大気中への放出もさらに減らすことができる。
【００２４】
本発明に係る常圧ＣＶＤ装置の第５の態様としては、材料ガスを供給するユニットと、被処理物を保持して加熱するヒーターユニットとを備え、材料ガスを被処理物に供給して気相化学反応により該被処理物の表面に薄膜を形成する常圧ＣＶＤ装置において、ヒーターユニットに連結され材料ガス供給ユニットのガス吹出し口に付着した堆積物を除去するクリーニングガスを吹出すクリーニングユニットと、ヒーターユニットおよびクリーニングユニットを材料ガス供給ユニットに対して移動する移動機構とを備え、ヒーターユニットが被処理物を保持して所定の位置に移動し、その移動中にクリーニングユニットが材料ガス供給ユニットと対向する間に、クリーニングガスを吹出すことを特徴としている。
【００２５】
このように構成された常圧ＣＶＤ装置は、例えば処理前の被処理物、あるいは処理後の被処理物をヒーターユニットで保持して移動中に、ヒーターユニットと連動して移動するクリーニングユニットが材料ガス供給ユニットのガス吹出し口と対向したとき、クリーニングガスを吹出すため、移動中の所定のタイミングで堆積物が増えたときに効率良く除去することができる。このため、クリーニング処理だけのためのクリーニングユニットの移動動作を不要とすることができ、効率良い除去処理が可能となる。
【００２６】
本発明に係る常圧ＣＶＤ装置の第２の態様〜第５の態様においても、前記クリーニングユニットは、前記クリーニングガスを吹出すときに前記材料ガス供給ユニットに対向して該材料ガス供給ユニットを覆うカバー部材を備えていることが好ましい。カバー部材はク
リーニングユニットの側面から材料ガス供給ユニットに平行に延出し、材料ガス供給ユニットの上面を覆う形状が好ましく、材料ガス供給ユニットの面積より広い面積が好ましい。このように構成すると、クリーニングユニット作動時に、クリーニングガスの放散を防止できるため、少ない供給量で効率良く堆積物を除去することができ、クリーニングガスやクリーニング排ガスの外部への放出を防止できるため、人体や周辺機器への影響を最小限とすることができる。
【００２７】
さらに、本発明に係る常圧ＣＶＤ装置のガス吹出し口クリーニング方法は、常圧下で材料ガスを被処理物の表面に供給して気相化学反応により被処理物の表面に薄膜を形成する常圧ＣＶＤ装置の材料ガスを吹出すガス吹出し口のクリーニング方法であって、ガス吹出し口に付着した堆積物にクリーニングガスを吹き付け、堆積物をガス化して除去することを特徴としている。クリーニングガスを常圧でプラズマ化して活性化させて吹き付けると好ましい。
【００２８】
前記のごとく構成された本発明の常圧ＣＶＤ装置のガス吹出し口クリーニング方法は、常圧ＣＶＤ装置で成膜したときに、材料ガスを供給するガス吹出し口に付着したＳｉＯ２等の堆積物を、クリーニングガスでガス化して除去するため、フッ素を含有するクリーニングガスで効率良く除去することができる。このため、手作業によるＳｉＯ２等の堆積物の除去を自動化することができ、生産性を向上できる。また、人体への影響の大きい腐食ガスを使用せずにクリーニングを実施できる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、被処理物に材料ガスを吹き付けて、気相化学反応により被処理物の表面に薄膜を形成した後、ガス吹出し口に付着したＳｉＯ２等の堆積物にクリーニングガスを吹き付けてＳｉＯ２等の堆積物を除去するため、手作業を必要とせず、自動的に除去することができ、成膜作業を安定して実施することができる。また、プラズマ化したクリーニングガスを使用することにより、有害な腐食ガスを使用しないため、安全な作業で環境負荷を小さくすることができる。そして、クリーニングガスの供給量を減らすことができ、材料ガスや処理済みの排ガスの大気中への放出を最小限とすることができる。さらに、クリーニング排ガスを効率良く排出でき、大気中への放出を最小限として人体への悪影響を低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明に係る常圧ＣＶＤ装置の第１の実施形態を図面に基づき詳細に説明する。図１は、本実施形態に係る常圧ＣＶＤ装置の要部構成図、図２は、図１の装置構成を示す要部斜視図である。図１，２において、本実施形態では、常圧ＣＶＤ装置として常圧熱ＣＶＤ装置を用いた例について説明する。常圧熱ＣＶＤ装置は、被処理物を加熱し材料ガスを供給して気相化学反応（ＣＶＤ）により表面に薄膜を形成する装置である。
【００３１】
常圧熱ＣＶＤ装置１は、上部のヒーターユニット１０と、下部の材料ガス供給ユニット２０と、クリーニングユニット３０とを備えており、ヒーターユニット１０は移動機構１１により、水平方向に移動可能に構成されており、材料ガス供給ユニット２０の上方から退避することができ、材料ガス供給ユニット２０の上方を開放することができる。材料ガス供給ユニット２０の上部にヒーターユニット１０が位置するときには、被処理物と材料ガス供給ユニットとの間隔は５〜１０ｍｍ程度に設定される。クリーニングユニット３０は、移動機構３１により水平方向に移動して材料ガス供給ユニット２０の上部をスキャンすることができる構成となっている。
【００３２】
クリーニングユニット３０と材料ガス供給ユニット２０との間隔は、０．５〜１０ｍｍ程度に設定されることが好ましい。間隔が０．５ｍｍより小さいと、排気が強くなりすぎ
てクリーニングの効果が低下する。また、間隔が１０ｍｍより大きいと、クリーニングガスが届きにくくなり、クリーニングの効率が低下する。
【００３３】
ヒーターユニット１０は、平面視で例えば１辺が２０〜３０ｃｍ程度の正方形をしており、クリーニングユニット３０は長手方向の長さがヒーターユニット１０と略同じの２０〜３０ｃｍ程度で、ヒーターユニット１０の１辺と平行状態に配置されている。ヒーターユニット１０およびクリーニングユニット３０は、例えば２本の平行なガイドレール（図示せず）に移動可能に支持されている。ヒーターユニット１０の移動機構１１は、退避させる機能を有するものであればよく、クランク機構や直動機構等の適宜の機構を使用できるが、クリーニングユニット３０の移動機構３１は、クリーニング時の移動速度が一定の機構が好ましい。
【００３４】
ヒーターユニット１０は、下方が開口する断熱性を有する容器１２の内側に断熱材１２ａを挟んでヒーター１３が設置されており、容器１２の下面からヒーター１３の下面が露出している。本実施形態では、ヒーターユニット１０は被処理物であるウエハーＷを４００〜５００℃程度の温度に加熱する装置である。ヒーターユニット１０の下方には、被処理物である例えばシリコン等のウエハーＷを保持するサセプター１４が固定されている。サセプター１４は詳細には図示していないが、例えば真空設備等の減圧装置に接続され、ウエハーＷを下面に吸着して保持するものであり、熱伝導率の大きい金属材料等が好ましい。なお、サセプターは吸着して保持するものに限らない。
【００３５】
材料ガス供給ユニット２０は、上部が開口している容器２１を備えており、この容器は内周空間と、この内周空間を囲む外周空間とを有する二重構造となっている。容器２１の内周空間内には被処理物に材料ガスを吹き付ける吹出し口として多数のスリットを有するガス分散器２２が設置されている。容器２１の外周空間は、上方に向けて開口しており、吹出された材料ガスや処理済み後の排ガスを吸引して排出する吸引部２１ａを構成している。吸引部２１ａはガス分散器２２を囲んでいるため、処理済の材料ガスを確実に排出できる。また、クリーニングユニット３０から吹出されたクリーニングガスも、この吸引部２１ａから排出できる。
【００３６】
このガス分散器２２は、数ｍｍピッチで１ｍｍ程度のスリットが多数連続して形成されており、このスリットがガス吹出し口を構成しており、ウエハーＷに材料ガスを均一に吹き付けることができる。材料ガス供給ユニット２０は、容器２１の下方から配管２３が延出しており、この配管パイプは二重パイプとなっており、内周パイプ２３ａは材料ガス供給源２４から、例えばシリコンを含有するＴＥＯＳ、ＴＭＯＳ等の材料ガスと、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ２、Ｈ２Ｏ等の酸化性ガスが供給され、スリットから被処理物に吹き付けられた材料ガスや酸化性ガスは外周パイプ２３ｂから排出される構成となっている。また、ＳｉＯ２を成膜するときにはＨＭＤＳＯと、Ｏ２等の酸化性ガスを使用し、ＴＥＢ、ＴＭＯＰ等の不純物を混ぜてもよい。
【００３７】
クリーニングユニット３０はガス分散器２２のスリットに付着したＳｉＯ２等の堆積物を除去するプラズマ化クリーニングガスを吹出す装置であり、ヒーターユニット１０が移動機構１１によって材料ガス供給ユニット２０の上部から退避したときに、移動機構３１により材料ガス供給ユニット２０の上部に移動できる構成である。そして、この移動機構３１により、材料ガス供給ユニット２０の全幅に亘って、スキャンすることができるように構成されている。
【００３８】
クリーニングユニット３０は、プラズマ発生ユニットとしてケース内部に所定の間隙を有して対向する長尺板状または長尺棒状の２つの電極３２，３３を備えており、一方の電極３２に電源３４から高周波電圧を印加し、他方の電極３３をＧＮＤ３５に接地すること
により電極間の間隙でグロー放電を行わせ、この放電空間３６にクリーニングガス供給源３７から供給されるフッ素を含有するクリーニングガスを流してプラズマ化し、プラズマ化クリーニングガス３８をクリーニングガス吹出し部３０ａから吹出す構成であり、ガス分散器２２の多数のスリット等で形成されたガス吹出し口に堆積したＳｉＯ２等の堆積物をガス化して除去する装置である。クリーニングガスは、Ｏ２、Ｈ２Ｏを含んでいてもよい。
【００３９】
電源３４から供給される高周波電圧としては、例えば、電圧立ち上がり時間が１００μｓ以下、電界強度が１〜１００ｋＶ／ｃｍ程度で、周波数が０．５ｋＨｚ〜１００ｋＨｚのインパルス型が使用されている。パルス状の電圧波形は、インパルス型の他に、方形波型、変調型、あるいは前記の波形を組み合わせた波形等の適宜の波形を用いることができる。また、電圧波形は、電圧印加が正負の繰り返しであるものの他に、正又は負のいずれかの極性側に電圧を印加する、いわゆる片波状の波形を用いてもよい。また、バイポーラ型の波形を用いてもよい。もちろん、一般的なサイン波である交流波形を用いてもよい。
【００４０】
このクリーニングユニット３０は、大気圧近傍の圧力下で放電が行われ、プラズマ化クリーニングガス３８を吹出す。大気圧近傍の圧力とは、１００〜８００Ｔｏｒｒ（約１．３３３×１０4〜１０．６６４×１０4Ｐａ）の圧力であり、実際には圧力調整が容易で、かつ放電プラズマを発生させる装置が簡便となる、７００〜７８０Ｔｏｒｒ（約９．３３１×１０4〜１０．３９７×１０4Ｐａ）の圧力が好ましい。このように、クリーニングユニット３０は真空設備を必要とせず、構成を簡単にできるため小型化が可能となる。
【００４１】
前記の如く構成された本実施形態の常圧熱ＣＶＤ装置１の動作について、図３を参照して以下に説明する。この常圧熱ＣＶＤ装置１を用いて、ウエハーＷ上に絶縁膜としてＳｉＯ２を形成するときは、ヒーターユニット１０のヒーター１３を加熱して、ウエハーＷを成膜に最適な温度、例えば４５０℃程度まで加熱する。この状態で、材料ガス供給源２４から、Ｓｉを含有するＴＥＯＳ等の材料ガスと、酸化性のガスとして、例えばオゾン（Ｏ３）ガスを混合して配管２３の内周パイプ２３ａを通して材料ガス供給ユニット２０のガス分散器２２に導入し、ウエハーＷに均一に吹き付ける。このようにして、ウエハーＷの表面にはＳｉＯ２の絶縁膜が形成されるが、このときウエハー表面以外のサセプター１４や、ガス分散器２２の上部にもＳｉＯ２の膜やパーティクルが付着する。処理済の材料ガスは、吸引部２１ａから外周パイプ２３ｂを通して排出される。
【００４２】
このように、ウエハーＷに成膜するときには、クリーニングユニット３０は材料ガス供給ユニット２０の上方の邪魔にならない位置に待機され、クリーニングガスの供給がＯＦＦで、放電がＯＦＦとなっている。なお、一方がＯＦＦの場合、他方はＯＮでも良いが、人体への安全性や大気への放出防止、他の周辺部材を腐食しない点を考慮すると、ガス供給をＯＦＦすることが好ましい。成膜終了後、材料ガスの供給を停止し、Ｎ２等の不活性なパージガスを材料ガス供給ユニット２０から流す。前記の邪魔にならない位置は、ガス分散器２２と対向する位置の近傍でなければよい。例えば、材料ガス供給ユニット２０の側方や下方であってもよい。
【００４３】
上部のサセプター１４に付着するＳｉＯ２はヒーターユニット１０と接触しており、緻密な薄いＳｉＯ２の膜が密着して生成するのでパーティクルが発生せず、長時間成膜しても成膜に大きな影響は与えない。しかも、サセプター１４は軽く、手で持つことが容易であるため、除去が必要となる場合には、クリーニング済のサセプターと交換することができ、短時間でクリーニング作業が終了する。
【００４４】
一方、ガス分散器２２の上部、例えば、ガス吹出し口である多数のスリットの周囲等にＳｉＯ２が付着した場合、こちら側のＳｉＯ２は密着力が弱く、厚いポーラスな粉状のパ
ーティクルが生成されるため、成膜時のデポジションレートや膜厚の面内分布に影響を及ぼし、さらにウエハーＷへＳｉＯ２のパーティクルが乗り移る可能性が高く、クリーニング頻度を多くする必要がある。
【００４５】
このようにして、材料ガス供給ユニット２０に付着したＳｉＯ２がある程度の量となったときには、図３ａの矢印Ａのように、ヒーターユニット１０を移動機構１１により水平方向に移動して退避させ、材料ガス供給ユニット２０の上部を開放状態とする。そして、開放された材料ガス供給ユニット２０の上部近傍（例えば３ｍｍ〜３０ｍｍ上方）に、図３ｂの矢印Ｂで示すようにクリーニングユニット３０を移動機構３１で移動させ、電極３２，３３に電源３４から高周波電圧を供給して放電させる。クリーニングガス供給源３７からハロゲン系ガス、具体的にはフッ素を含有するクリーニングガスをこの放電空間３６に通し、材料ガス供給ユニット２０とクリーニングユニット３０のガス吹出し部３０ａとが対向したらプラズマ化クリーニングガス３８をガス分散器２２上に吹き付ける。
【００４６】
クリーニングユニット３０は、材料ガス供給ユニット２０の横幅（移動方向）に対して小さい幅なので、図３ｃの矢印Ｃで示すように、このユニットをスキャンして材料ガス供給ユニット２０の全幅に亘って、プラズマ化したクリーニングガス３８を吹き付ける。プラズマ化クリーニングガス３８の吹き付けにより、このプラズマガスが付着したＳｉＯ２のパーティクルと反応してガス化し、材料ガス供給ユニット２０の周囲の吸引部２１ａから排出される。クリーニングユニット３０がスキャンすることにより、材料ガス供給ユニット２０の上部のすべてのパーティクル（堆積物）は気化して除去される。
【００４７】
すなわち、クリーニングユニットからＰＦＣガス等のクリーニングガスが流れている状態で電極３２，３３に電源２４からパルス状の電圧を印加すると、安定なＰＦＣガスはＦラジカル等の反応性を有するプラズマ化クリーニングガスへ変化し、材料ガス供給ユニット２０のガス分散器２２に付着しているＳｉと反応し、ＳｉがＳｉＦ４等のガスとなってガス分散器２２に付着した堆積物のクリーニングがなされる。これにより、次の成膜工程で堆積物がウエハーの表面に付着して品質が低下することを防止できる。なお、クリーニングユニットは定速で連続して移動させてもよいが、吸引部２１ａあるいはその近傍で停止させて放電を開始し、プラズマ化クリーニングガスが安定して吹出すようになってから、スキャンを開始させてガス分散器２２の全面を均一にクリーニングするようにしてもよい。
【００４８】
ＳｉＯ２を除去した後の排ガスは、材料ガス供給ユニット２０の容器２１の外周側から吸引部２１ａを通して排出されるが、この排気が排気管（図示せず）内を通過することにより、成膜時に排気管内に付着したパーティクルも同時に除去することができる。また、本実施形態の常圧熱ＣＶＤ装置１は、クリーニングユニット３０に真空設備が不要であるため装置構成が簡単となり、フットプリントを小さくできると共に、装置の低価格を達成できる。
【００４９】
プラズマ化したクリーニングガスを吹き付けなくても、例えばフッ酸ガス（ＨＦ）や、フッ化カルボニルガス（ＣＯＦ２）といった腐食ガスを流してＳｉＯ２のパーティクルを除去することもできる。このときクリーニングユニット３０においては、電極３２，３３が不要となる。ただし、これらのガスは人体に悪影響を及ぼすおそれのあるガスであり、危険である。しかし、本実施形態ではクリーニングガスに無毒なＣＦ４やＣ２Ｆ６等を使用し、このガスをプラズマ化することで、万一のガスの漏洩にも危険はない。なお、クリーニングガスとして前記の例のほかに、Ｃ３Ｆ８、ＮＦ３、ＳＦ６等のフッ素を含むガス、好ましくはそのままの状態では安全なフッ素を含むガスを使用し、これらのガスを常圧でプラズマ化して使用してもよい。また、ＨＦベーパ（フッ酸ガス）等、酸を気化器で気化させたものや、オゾン等を使用することができる。人体に悪影響を及ぼすおそれのある
ガスを用いる場合は、気密状態を保つ等、漏洩に十分な対策を施せばよい。
【００５０】
ここで、ＨＦベーパの発生装置について、図４，５を参照して説明する。図４はＨＦベーパの発生装置の一例を示す要部構成図、図５は他の例を示す要部構成図である。先ず、図４を参照して気化器を使用した発生装置６０を説明する。ＨＦの液体６１を貯留するタンク６２には開口部にキャップが固定され、キャップに２本のパイプが貫通固定されている。１本のパイプ６３ａは短く、液体６１の上方空間に一端が位置し、他端がガス供給源６４に接続されキャリアガスとして、例えば窒素ガスがタンク６２内に供給される。もう１本のパイプ６３ｂは一端が液体６１内に位置し、他端が気化器６５に接続されている。気化器６５は、基本的にはケース内にヒータを内蔵して供給された液体を加熱気化する機能を有している。気化器６５内には搬送ガスとしてガス供給源６４から窒素ガスが導入されている。気化器６５から搬送パイプ６６が導出され、この搬送パイプがクリーニングユニット３０に接続されている。搬送パイプ６６の周囲には配管ヒータ６７が設置されている。なお、図示していないが、タンク６２内のＨＦの液体６１は、所定の液高範囲となるように供給されることが好ましい。
【００５１】
このように構成されたＨＦベーパの発生装置６０は、常圧熱ＣＶＤ装置１のガス分散器２２のクリーニング処理に合わせて作動される。気化器６５のヒータに通電し、ガス供給源６４から窒素ガスをタンク６２と気化器６５に供給すると、タンク６２内のＨＦ液体６１は気化器６５に搬送され、そこで加熱気化されＨＦベーパ６８となって、搬送パイプ６６を通してクリーニングユニット３０に供給される。ＨＦベーパ６８は搬送中、配管ヒータ６７で加熱されるため、液化することなくクリーニングユニット３０に搬送される。そして、ガス分散器２２に吹き付けられたＨＦベーパ６８はガス分散器２２の吹出し口等に付着した堆積物をガス化して除去し、クリーニング排ガスと共に容器２１の吸引部２１ａから排出される。
【００５２】
つぎに、図５を参照し、ＨＦベーパの発生装置の他の例であるバブリング装置７０について説明する。図５ａに示すバブリング装置７０はＨＦ液体７１を貯留するタンク７２を備えており、タンクの上部開口にはキャップが固定され、キャップに２本のパイプが貫通固定されている。１本のパイプ７３ａはガス供給源に接続されキャリアガスとして、例えば窒素ガスが供給される。パイプ７３ａの下端には気泡発生部７４が固定されＨＦ液体７１中に位置している。もう１本のパイプ７３ｂは、その下端が上部空間に位置して液体中に没しないように配置され、上端はクリーニングユニット３０に接続されている。
【００５３】
このように構成されたバブリング装置７０は、常圧熱ＣＶＤ装置１のガス分散器２２のクリーニング処理に合わせて作動され、ＨＦ液体７１が貯留されたタンク７２内に窒素ガスを供給する。供給された窒素ガスは気泡発生部７４から泡として液体中に放出され、ＨＦベーパが発生する。そしてＨＦベーパ７５は供給される窒素ガスの圧力により導出用のパイプ７３ｂに押出され、クリーニングユニット３０に供給されてガス分散器２２のガス吹出し口に付着した堆積物をガス化して除去する。
【００５４】
図５ｂに示すバブリング装置７０Ａは、ＨＦベーパとオゾンとを後混合する態様である。すなわち、導出用のパイプ７３ｂの途中にはオゾンガス供給源７６からのパイプが合流しており、導出用のパイプ７３ｂ内のＨＦベーパ７５とオゾンガス７７とが混合するように構成され、混合ガス７８がクリーニングユニット３０に供給される構成となっている。また、図５ｃに示すバブリング装置７０Ｂは、ＨＦベーパとオゾンとを事前混合する態様である。すなわち、タンク７２に導入されるパイプ７３ａにオゾンガス供給源７６が接続され、このオゾンガス７７がタンク７２内の気泡発生部７４に供給されることで、ＨＦベーパ７５とオゾンガス７７が混合された混合ガス７８が、クリーニングユニット３０に供給される構成となっている。
【００５５】
このように、ＨＦベーパの発生装置６０、バブリング装置７０，７０Ａ，７０Ｂで発生させたＨＦベーパ７５やＨＦベーパとオゾンガスとの混合ガス７８は、高周波電圧が印加されている電極間でプラズマ化させなくても堆積物をガス化できるため、クリーニングユニットは電圧が印加されていない電極を整流板として機能させ、電極の間を通して均一に吹出すように構成すればよい。もちろん、電極は無くてもよく、クリーニングガス吹出し部３０ａがあればよい。
【００５６】
つぎに、前記した第１の実施形態の好ましい変形例について、図６を参照して説明する。図６ａは、その要部斜視図、図６ｂ、ｃは動作状態を示す側面図である。図６に示す変形例においては、前記した実施形態のクリーニングユニットは、クリーニングガスを吹出すときに材料ガス供給ユニット２０のガス分散器２２に対向して、このユニットを覆うカバー部材として、平板３９を備えていることを特徴としている。平板としては、例えば金属製の平板が好ましく、特に耐食性に優れたステンレススチール等の板材が最適であり、クリーニングユニット３０の移動方向の前側に延出すると共に、後側に延出している。平板３９の幅は材料ガス供給ユニット２０のガス分散器２２の幅より大きく設定する。また、平板３９の全体の長さは材料ガス供給ユニットのガス分散器２２の長さより大きく設定する。
【００５７】
このように構成された図６に示す好ましい変形例においては、クリーニングユニット３０の作動時に、図６ｂに示すようにヒーターユニット１０を移動機構１１で退避させる。このあと、図６ｃに示すようにクリーニングユニット３０を移動機構３１で移動させ、クリーニング処理を行う。クリーニングユニット３０を材料ガス供給ユニット２０と対向させると、平板３９の前半部は材料ガス供給ユニット２０の上部に近接して対向し、ユニット２０の上部を覆う。このあと、吹出し口であるガス分散器２２にプラズマ化クリーニングガス３８を吹出すと、吹出されたクリーニングガスは平板３９により覆われているためガス分散器２２に効率良く到達し、少ないクリーニングガス量で堆積物をガス化して除去することができる。また、クリーニング排ガスは平板３９で覆われているため上方へ放散することが防止され、ガスの吸引部２１ａから効率良く吸入され外部に放出されない。この結果、作業者への悪影響を最小限とすることができる。
【００５８】
本発明の第２の実施形態を図７に基づき詳細に説明する。図７は本発明に係る常圧熱ＣＶＤ装置の他の実施形態を示す要部構成図である。なお、この実施形態は前記した実施形態に対し、ＳｉＯ２をガス化して除去するクリーニングユニットは、被処理物を加熱するヒーターユニットと並設して構成されており、ヒーターユニットとクリーニングユニットを材料ガス供給ユニットに対して移動する移動機構を備えることを特徴としている。そして、他の実質的に同等の構成については同じ符号を付して詳細な説明は省略する。
【００５９】
図７において、この実施形態の常圧熱ＣＶＤ装置１Ａでは、前記と同様の構成を有するクリーニングユニット３０Ａは、ヒーターユニット１０と並設されて平行状態に固定され、ヒーターユニット１０に連結されてヒーターユニットと共に移動機構１５により移動できる構成となっている。このように構成すると、被処理物であるウエハーＷに材料ガスを吹き付けてＳｉＯ２を成膜した後、クリーニングをする際に、ヒーターユニット１０の退避とクリーニングユニット３０Ａの移動が移動機構１５により同時に行え、クリーニング工程を短縮することができる。また、移動機構を共用できるため構成の簡略化を図ることができる。クリーニング時にクリーニングユニットをスキャンするときは、移動機構１５を用いて行うので、この移動機構は移動速度が一定の機構を使用する。
【００６０】
この実施形態においても、クリーニングユニット３０Ａを材料ガス供給ユニット２０に沿わせてスキャンし、プラズマ化クリーニングガス３８をガス分散器２２上に吹き付ける
ことにより、スリット等のガス吹出し口に付着したＳｉＯ２等の堆積物を自動的に、効率良く除去することができる。プラズマ化クリーニングガス３８は、常圧での放電でプラズマ化できるため、前記の実施形態と同様に真空設備が不要で、クリーニングユニット３０Ａの構成を簡単にできるため、装置の小型化を達成できる。
【実施例】
【００６１】
シリコン基板上にＳｉＯ２を８０μｍ連続成膜したのち、直ちにプラズマ発生ユニットを備えるクリーニングユニット３０を材料ガス供給ユニット２０のガス分散器２２上に移動し、プラズマ化クリーニングガス３８をガス分散器２２のガス吹出し口であるスリットに吹き付けてＳｉＯ２パーティクルを除去した。その後、成膜を実施し、成膜への影響としてデポジションレートと、面内均一性を評価した。
【００６２】
（成膜条件）
ウエハーサイズ：８インチ、
基板温度：４００℃、
材料ガス：ＴＥＯＳ（Ｎ２によるバブリング供給）、Ｎ２、Ｏ３の混合ガス
【００６３】
（クリーニング条件）
クリーニングガス：４フッ化炭素（ＣＦ４）３ｓｌｍ、＋Ｈ２Ｏ、６０ｓｌｍ
プラズマ発生用の高周波電圧：周波数２０ｋＨｚ、立ち上がり速度５μｓｅｃ、Ｖｐｐ１２ｋＶ、ＤＣ１．２Ａ
クリーニングユニットと材料ガス供給ユニットとの間隔ＷＤ：５ｍｍ
【００６４】
（結果）
以下の表１に示すように、成膜開始時には、デポジションレート：１０００Å／Ｍｉｎ、面内均一性：±２．１％であった。８０μｍのＳｉＯ２を連続成膜後には、デポジションレート：１０５０Å／Ｍｉｎ、面内均一性：±２．４％であり、クリーニング後には、デポジションレート：９９７Å／Ｍｉｎ、面内均一性：±２．１％という結果となり、良好であった。
【００６５】
【表１】
2005350762.tif 000003
【００６６】
本発明の第３の実施形態を図８に基づいて説明する。図８ａ，ｂはそれぞれ本発明の第３の実施形態を示す要部平面図である。なお、この実施形態は、クリーニングユニットからプラズマ化クリーニングガスを吹出させるタイミングを設定することで、クリーニングガスの供給量を減らすことができると共に、処理済みのガスが大気中に排出される量を減らすことができることを特徴とするものである。そして、他の実質的に同等の構成については同じ符号を付して詳細な説明は省略する。
【００６７】
図８ａにおいて、常圧ＣＶＤ装置１Ｂは、上部のヒーターユニット（図示せず）と、下部の材料ガス供給ユニット２０Ａとを備え、材料ガスを被処理物であるウエハーに供給して気相化学反応によりウエハーの表面に薄膜を形成する装置であり、材料ガス供給ユニット２０Ａのガス吹出し口に付着した堆積物を除去するプラズマ化クリーニングガスを吹出すクリーニングユニット３０Ｂと、材料ガス供給ユニット２０Ａに対してクリーニングユ
ニット３０Ｂを移動させる移動機構４０とを備えている。材料ガス供給ユニット２０Ａは、ガス分散器２２の外周に吸引部を備えていない構成となっている。ヒーターユニットについては、前記の実施形態と同等な構成であり、説明を省略する。
【００６８】
このクリーニングユニット３０Ｂは移動機構４０による移動中、ガス吹出し口すなわちガス分散器２２の上方開口部またはその近傍にクリーニングユニット３０Ｂが対向したときに、クリーニングガスが吹出されるように吹出しタイミングが制御されている。図８ａの例では、クリーニングユニット３０Ｂの処理幅、すなわち移動方向と直交する方向のガス吹出し部３０ａの幅Ｌ１は材料ガス供給ユニット２０Ａのガス分散器２２の移動方向と直交する方向の吹出し口の幅Ｌより僅かに大きく設定され、クリーニングユニット３０Ｂを一度スキャンさせると全幅の処理が可能となるように設定されている。なお、ガス吹出し部３０ａは長方形状をしているが、これに限らず円形や、楕円形状等、適宜の形状とすることができる。
【００６９】
この実施形態の常圧ＣＶＤ装置１Ｂでは、薄膜を形成する成膜工程でガス分散器２２のガス吹出し口にＳｉＯ２等の堆積物が付着し、付着量が所定の量に達するとクリーニングユニット３０Ｂを作動させてプラズマ化で活性化されたクリーニングガスを吹き付けることにより、自動的にＳｉＯ２等の堆積物を気化させ効率良く除去することができる。クリーニングユニット３０Ｂを移動する際、クリーニングガスの吹出しタイミングをクリーニングユニット３０Ｂがガス分散器２２の吹出し口に対向したときと設定しており、ガス吹出し口と対向しないスキャン距離Ｓ１ではクリーニングガスは吹出さないのでガスの供給量を減らすことができる。また、ガス分散器２２に対応してスキャン距離Ｓ２間だけプラズマ化クリーニングガスを吹出すため、堆積物の除去処理が効率良く行え、クリーニングガスを有効利用して外部への飛散を減らすことができる。
【００７０】
また、図８ｂに示す常圧ＣＶＤ装置１Ｃでは、移動機構４１により移動されるクリーニングユニット３０Ｃは、移動方向と直交する方向の処理幅Ｌ２（ガス吹出し部３０ａの幅）が材料ガス供給ユニット２０Ａのガス分散器２２の吹出し口の移動方向と直交する方向の幅Ｌより小さく設定されている。この場合は、クリーニングユニット３０Ｃを一方向（Ｘ方向）に移動させても、ガス分散器２２のガス吹出し口全面の除去処理ができないため、一方向への移動のあと、クリーニングユニットをずらしてから他方向に移動させて除去処理を行うように制御されている。
【００７１】
すなわち、Ｘ方向への移動中、スキャン距離Ｓ１だけ移動させ、クリーニングユニット３０Ｃがガス分散器２２と対向するスキャン距離Ｓ２だけプラズマ化クリーニングガスを吹出して堆積物の除去を行う。このあと、移動方向と直交する方向（Ｙ方向）にシフト距離Ｓ３だけ平行移動させたあと、他方向（−Ｘ方向）に移動するように折り返して移動させる。そして、この移動中、クリーニングユニット３０Ｃがガス分散器２２と対向するスキャン距離Ｓ４だけプラズマ化クリーニングガスを吹出して堆積物の除去を行い、ガス分散器２２の全面に付着した堆積物を除去し、そのあとスキャン距離Ｓ５ではクリーニングガスの吹出しを停止して、クリーニングユニット３０Ｃを元位置に復帰させる。なお、シフト距離Ｓ３だけ平行移動したときに、処理幅Ｌ２は重複するように設定されていることが好ましい。
【００７２】
すなわち、移動機構４１はＸ方向に沿ってクリーニングユニット３０Ｃを移動させることができると共に、Ｘ方向と直交するＹ方向に沿って移動させることができる機構であり、一方向に移動させてクリーニングユニット３０Ｃがガス吹出し口の外周、あるいは外周近傍の好ましくは外側に対向したとき直角方向に移動させ、ついで移動機構４１を反転させて他方向に移動させる。なお、往復させてもガス分散器２２の吹出し口の全面の処理幅が足りない場合には、再度折り返して１往復半移動させる等の除去処理を行い、そのあと
所定位置に復帰するように制御してもよい。この移動機構４１は、Ｘ−Ｙテーブルの駆動機構等でよく知られているため、詳細については説明を省略する。
【００７３】
本発明の第４の実施形態を図９に基づいて説明する。図９は本発明の第４の実施形態を示す要部平面図である。なお、この実施形態では、材料ガス供給ユニット２０は、ガス分散器２２のガス吹出し口の周囲に処理済みの排ガスを吸引する吸引部２１ａを備えており、クリーニングユニット３０Ｄからプラズマ化クリーニングガスを吹出させるタイミングをガス分散器２２と吸引部２１ａとの境界に設定することで、クリーニングガスの供給量を減らすことができると共に、材料ガスや処理済みの排ガスが大気中に排出される量をさらに減らすことができることを特徴とするものである。そして、他の実質的に同等の構成については同じ符号を付して詳細な説明は省略する。
【００７４】
図９において、常圧ＣＶＤ装置１Ｄは、上部のヒーターユニット（図示せず）と、下部の材料ガス供給ユニット２０とを備え、材料ガスを被処理物であるウエハーに供給して気相化学反応によりウエハーの表面に薄膜を形成する装置であり、材料ガス供給ユニット２０のガス吹出し口であるガス分散器２２に付着した堆積物を除去するプラズマ化クリーニングガスを吹出すクリーニングユニット３０Ｄと、材料ガス供給ユニット２０に対してクリーニングユニット３０Ｄを移動させる移動機構４２とを備えている。そして、クリーニングユニット３０Ｄの処理幅（ガス吹出し部３０ａの幅）Ｌ３は、ガス分散器２２の幅Ｌと略同じに設定されている。
【００７５】
この実施形態の材料ガス供給ユニット２０は、ガス吹出し口の周囲に処理済みの排ガスを吸引する吸引部２１ａを備えている。そして、この常圧ＣＶＤ装置１Ｄでは、クリーニングユニット３０Ｄは移動機構４２により移動され、ガス分散器２２と吸引部２１ａとの境界にクリーニングユニット３０Ｄが対向したときに、クリーニングガスが吹出されるように吹出しタイミングが制御されており、スキャン幅Ｓ６だけ移動したあと、スキャン幅Ｓ７間にプラズマ化クリーニングガスを吹出すように制御されている。
【００７６】
図９の実施形態の常圧ＣＶＤ装置１Ｄでは、薄膜を形成する成膜工程でガス分散器２２のガス吹出し口にＳｉＯ２等の堆積物が付着し、徐々に堆積して付着量が所定の量に達すると除去処理を実施する。クリーニングユニット３０Ｄを移動機構４２で移動させ、プラズマ化で活性化されたクリーニングガスをガス分散器２２に吹き付けることにより、ガス分散器２２に付着したＳｉＯ２等の堆積物を自動的に効率良く除去することができる。
【００７７】
この際、クリーニングガスの吹出しタイミングをクリーニングユニット３０Ｄが吸引部２１ａとガス分散器２２との境界に対向したときと、反対側のガス分散器２２と吸引部２１ａとの境界に対向したときとの間に設定しており、スキャン距離Ｓ７の範囲でプラズマ化クリーニングガスを吹出しているため、対向しないときには吹出さないのでガスの供給量を減らすことができる。また、クリーニングガスを有効利用して外部への放散を減らすことができると共に、処理済みの排ガスを効率良く吸引して処理することができる。この実施形態でも、クリーリングユニット３０Ｄの処理幅がガス分散器２２の幅より小さい場合は、クリーニングユニットを往復移動させて、あるいは複数回往復移動させて全面の処理を行うことができる。
【００７８】
本発明の第５の実施形態を図１０，１１に基づいて説明する。図１０は本発明の第５の実施形態を示す要部平面図、図１１はその変形例を示す要部平面図である。なお、この実施形態は、クリーニングユニットの移動方向と直交する方向の幅、すなわちクリーニングユニットの長手方向の長さを設定することで、材料ガス供給ユニットのガス吹出し口に付着した堆積物の除去処理を効率良く行えると共に、クリーニングガスの大気中に排出される量を減らすことができることを特徴とするものである。そして、他の実質的に同等の構
成については同じ符号を付して詳細な説明は省略する。
【００７９】
図１０において、常圧ＣＶＤ装置１Ｅは、上部のヒーターユニット（図示せず）と、下部の材料ガス供給ユニット２０Ａとを備え、材料ガスを被処理物であるウエハーに供給して気相化学反応によりウエハーの表面に薄膜を形成する装置であり、材料ガス供給ユニット２０Ａのガス吹出し口であるガス分散器２２に付着した堆積物を除去するプラズマ化クリーニングガスを吹出すクリーニングユニット３０Ｅと、材料ガス供給ユニット２０Ａに対してクリーニングユニット３０Ｅを移動させる移動機構４３とを備えている。そして、クリーニングユニットの移動方向と直交する方向のクリーニングガスが吹出す処理幅（ガス吹出し部３０ａの幅）Ｌ４は、材料ガス供給ユニット２０Ａのガス分散器２２の幅Ｌより小さく設定してある。なお、この移動機構４３はクリーニングユニットをＸ方向に沿って移動させると共に、直交するＹ方向にも移動させることができる機構となっており、前記の移動機構４１と基本的の同等な構成となっている。
【００８０】
図１０の実施形態では、材料ガス供給ユニット２０Ａのガス分散器２２に堆積物が付着したときには、クリーニングユニット３０Ｅを移動させてプラズマ化クリーニングガスを堆積物に吹き付け、堆積物のパーティクルを気化させ除去処理を行う。この際に、クリーニングユニット３０Ｅの処理幅（ガス吹出し部３０ａの幅）Ｌ４は、対向するガス分散器２２の幅Ｌより小さく設定されているため、供給されたクリーニングガスの全てを堆積物の除去に使用できる。また、ガス分散器２２の吹出し口の外側にクリーニングガスを吹出さず、大気中へのクリーニングガスの放出を防止できる。図示の例では、クリーニングユニット３０Ｅのガスが吹出す処理幅Ｌ４は、材料ガス供給ユニット２０Ａのガス吹出し口の幅Ｌの半分程度であり、図８ｂで示す動作と同様に、移動機構４３によりＸ方向に移動してからＹ方向にクリーニングユニット３０Ｅをずらし、−Ｘ方向に往復移動させることでガス分散器２２の全面を処理することができる。
【００８１】
また、図１１に示す常圧ＣＶＤ装置１Ｆでは、材料ガス供給ユニット２０は、ガス吹出し口であるガス分散器２２の周囲に処理済みの排ガスを吸引する吸引部２１ａを備えており、クリーニングユニット３０Ｆの移動方向に直交する方向のガス分散器２２のガス吹出し口の幅をＬとし、吸引部２１ａの外側の幅をＬ５としたとき、クリーニングユニット３０Ｆの処理幅（ガス吹出し部３０ａの幅）Ｌ６は、Ｌ＜Ｌ６＜Ｌ５となるように設定している。すなわち、材料ガス供給ユニット２０のガス分散器２２の幅Ｌよりクリーニングユニット３０Ｆのガス吹出し部の幅Ｌ６が大きく、吸引部２１ａの幅Ｌ５より小さくなるような幅となっている。そして、クリーニングユニット３０Ｆの移動は、移動機構４４の全ストロークの内、ガス分散器２２の外周側と吸引部２１ａの内周側との間で、プラズマ化クリーニングガスを吹出すように制御されており、スキャン距離Ｓ８では供給せず、スキャン距離Ｓ９間のみ供給するように制御されている。
【００８２】
この実施形態では、材料ガス供給ユニット２０のガス分散器２２に堆積物が付着したときには、クリーニングユニット３０Ｆを移動させてプラズマ化クリーニングガスを吹出し、付着した堆積物を気化して除去する。この際に、クリーニングユニット３０Ｆの処理幅Ｌ６は材料供給ユニット２０のガス分散器２２の幅Ｌより大きいためクリーニングユニットを１回スキャンさせることで除去処理を終了することができて好ましい。また、クリーニングユニット３０Ｆの両端近傍から吹出されたクリーニングガスは、より大きい幅Ｌ５を有する周囲の吸引部２１ａで吸引されるため、大気中に放出されることがない。
【００８３】
そして、クリーニングユニット３０Ｆからのクリーニングガスの吹出しは、移動機構４４の全ストロークの内、ガス分散器２２の外周側と吸引部２１ａの内周側との間のスキャン距離Ｓ９でのみ、プラズマ化クリーニングガスを吹出すように制御されており、クリーニングガスの供給量を減らすことができる。このように所定の方向に１回クリーニングユ
ニット３０Ｆを移動させるだけで、確実に堆積物を除去でき、しかもクリーニングガスの大気中への放出を最小限とすることができる。
【００８４】
本発明の第６の実施形態を図１２，１３に基づいて説明する。図１２は本発明の第６の実施形態を示す要部断面図、図１３は動作状態説明図である。なお、この実施形態では、常圧ＣＶＤ装置１Ｇは、材料ガス供給ユニット２０と、ウエハーを保持して加熱するヒーターユニット１０Ａとを備え、さらに材料ガス供給ユニット２０に対してヒーターユニット１０Ａおよびクリーニングユニット３０Ｇを移動させる移動機構４５を備えており、ヒーターユニット１０ＡがウエハーＷを保持して待機位置等の所定の位置に移動し、その移動中にクリーニングユニット３０Ｇが材料ガス供給ユニット２０と対向する間に、プラズマ化クリーニングガスを吹出すことを特徴とするものである。そして、他の実質的に同等の構成については同じ符号を付して詳細な説明は省略する。
【００８５】
図１２において、常圧ＣＶＤ装置１Ｇは、材料ガス供給ユニット２０を備え、材料ガスをウエハーＷに供給して気相化学反応によりウエハーの表面に薄膜を形成する装置である。常圧ＣＶＤ装置１Ｇは、材料ガス供給ユニット２０のガス吹出し口であるガス分散器２２に付着した堆積物を除去するプラズマ化クリーニングガスを吹出すクリーニングユニット３０Ｇと、材料ガス供給ユニット２０に対してヒーターユニット１０Ａおよびクリーニングユニット３０Ｇを移動させる移動機構４５とを備え、クリーニングユニット３０Ｇはヒーターユニット１０Ａに連結され、一体的に移動される。
【００８６】
ヒーターユニット１０Ａは、前記の第１の実施形態と同等な構成であり、下方が開口する断熱性を有する容器１２の内側に断熱材１２ａを挟んでヒーター１３が設置されており、容器１２の下面からヒーター１３の下面が露出し、その下方のアセプター１４によりウエハーＷを吸着して保持する。材料ガス供給ユニット２０は、ガス分散器２２の外周に吸引部２１ａを備え、この吸引部は配管２３の外周パイプ２３ｂを通して排気装置２５に接続されている。
【００８７】
クリーニングユニット３０Ｇは、ケース内に所定の間隙を有して配置された電極３２，３３を備えており、一方の電極には電源３４から例えばパルス状の高電圧が印加され、他方の電極はＧＮＤ３５に接地されている。そして、電極３２，３３間の放電空間３６には、クリーニングガス供給源３７から、例えばフッ素を含有するクリーニングガスを供給している。
【００８８】
図１２，１３において、左方には材料としてのウエハーＷをヒーターユニット１０Ａに保持させるために上昇させるエレベータ機構５０が設置されており、上部のトレイ５１にウエハーを載置して上昇、下降させることができる構成となっている。エレベータ機構５０は電動式の機構や、油圧を用いた機構等を適宜採用できる。ウエハーＷは成膜後、ヒーターユニット１０Ａでエレベータ機構５０上に移動され、トレイ５１上に載置され、ロボット（図示せず）等により冷却ステージ（図示せず）に移送されたあと、カセット等に移送される。移動機構４５はヒーターユニット１０Ａをエレベータ機構５０の上部から材料ガス供給ユニット２０の上部まで移動させることができる構成となっている。
【００８９】
ヒーターユニット１０Ａは例えばウエハーＷを負圧で吸着して保持して加熱する機能を有し、材料としてのウエハーＷを供給用のカセット（図示せず）から常圧ＣＶＤ装置１Ｇの材料ガス供給ユニット２０上方に搬送すると共に、処理後のウエハーを所定の位置へ搬送するものである。そして、ヒーターユニット１０ＡがウエハーＷを保持して例えば待機位置に移動し、その移動中にクリーニングユニット３０Ｇが材料ガス供給ユニット２０のガス分散器２２と対向するスキャン距離間にプラズマ化クリーニングガスを吹出すように制御されている。
【００９０】
このように構成された常圧ＣＶＤ装置１Ｇでは、図１３に示すように、移動機構４５でウエハーＷを保持して搬送する移動中に、クリーニングユニット３０Ｇも連動して移動する構成であり、クリーニングユニット３０Ｇが材料ガス供給ユニット２０のガス分散器２２と対向する間にプラズマ化クリーニングガスを吹出させる。すなわち、図１３ａのように移動機構４５の移動ストローク中で、クリーニングユニット３０Ｇのホーム位置Ｈから吸引部２１ａの外側壁までのスキャン距離Ｓ１０ではクリーニングガスを吹出さない。
【００９１】
そして、図１３ｂのように、クリーニングユニット３０Ｇが反対側の吸引部２１ａの外側壁と対向するまでのスキャン距離Ｓ１１の間にプラズマ化クリーニングガスを吹出して、堆積物の除去処理を行う。さらに、図１３ｃのように、クリーニングユニット３０Ｇはスキャン距離Ｓ１２だけ移動されて、ウエハーＷの着脱位置まで搬送される。この着脱位置では、処理済みのウエハーＷを外して所定の場所に移送し、新たなウエハーを装着して成膜処理を行う。このように、ウエハーＷを搬送等で移動する動作を利用してクリーニング処理を行うことができ、堆積物の除去処理のためのクリーニングユニットの移動機構を新たに設ける必要がないため、構成を簡単にできる。
【００９２】
なお、前記した第１〜第５の実施形態においても、クリーニングユニットの移動は被処理物の搬送等の移動中に行ってもよいのは勿論である。また、第６の実施形態において、クリーニングユニットの処理幅がガス分散器の幅より小さい場合は、クリーニングユニットをずらして往復移動させるように構成することができ、この移動によりガス分散器の全面の堆積物処理が行える。
【００９３】
つぎに、本発明の第７の実施形態を図１４に基づいて説明する。図１４は本発明の第７の実施形態を示す要部構成図と、そのヒーターユニットとクリーニングユニットを移動させた状態の平面図、および動作状態説明図である。なお、この実施形態では、常圧ＣＶＤ装置１Ｈは、材料ガス供給ユニット２０と、ウエハーを保持して加熱するヒーターユニット１０Ｂとを備え、ヒーターユニット１０Ｂはクリーニングユニット３０Ｈを固定して並設すると共に、ヒーターユニットとクリーニングユニットを材料ガス供給ユニット２０に対して移動する移動機構４６を備え、クリーニングユニット３０Ｈは、クリーニングガスを吹出すときに材料ガス供給ユニット２０のガス分散器２２に対向して、この材料ガス供給ユニットを覆うカバー部材として平板３９Ａを備えていることを特徴とする。そして、他の実質的に同等の構成については同じ符号を付して詳細な説明は省略する。
【００９４】
カバー部材としての平板３９Ａは、クリーニングユニット３０Ｈのヒーターユニット１０Ｂと反対側に、移動方向に沿ってガス分散器２２と平行状態に延出しており、材料ガス供給ユニット２０に近接してその上面を覆う面積を有している。すなわち、平板３９Ａの縦横寸法は材料ガス供給ユニット２０の平面視の縦横寸法より大きく設定されている。具体的には材料ガス供給ユニット２０の長さを２０ｘ、幅を２０ｙとすると、平板３９Ａの長さおよび幅はこれより大きく設定される。平板３９Ａは、前記した図６に示す第１の実施形態の変形例と同様に、例えば金属製の平板が好ましく、特に耐食性に優れたステンレススチール等の板材が最適である。平板３９Ａは材料ガス供給ユニット２０に接近していることが好ましく、クリーニングユニット３０Ｈと材料ガス供給ユニット２０との間隔と同様に、０．５〜１０ｍｍ程度が好ましい。
【００９５】
このように構成された第７の実施形態では、材料ガス供給ユニット２０のガス分散器２２にＳｉＯ２等の堆積物が付着すると、クリーニングガスユニット３０Ｈを作動させる。すなわち、図１４ｃに示すように、ヒーターユニット１０Ｂとクリーニングガスユニット３０Ｈを移動機構４６で移動させ、クリーニングガスユニット３０Ｈが材料ガス供給ユニット２０と対向するとプラズマ化クリーニングガス３８を吹出し、材料ガス供給ユニット
２０と対向している移動ストローク中クリーニングガスを吹出す。さらに移動してクリーニングガスユニット３０Ｈが材料ガス供給ユニット２０の左端から外れるとクリーニングガスの吹出しを停止する。
【００９６】
クリーニングガスの吹き付けにより、ガス分散器２２に付着した堆積物はガス化され、吸引部２１ａから排ガスとして吸入され排気される。吹き付けられたクリーニングガスは平板３９Ａで上方への放散が防止されるため、効率良く堆積物に作用してガス化を速めることができる。この結果、少ないクリーニングガス供給量で確実に堆積物を除去することができる。また、クリーニングガスは平板３９Ａにより上方への放散が防止されているため、大気中への排ガス放出を最小限とすることができ、作業者等への悪影響を低減することができる。さらに、周辺へのクリーニングガスの放散が少ないため、周辺機器への腐食等の影響を少なくすることができる。
【００９７】
本発明の第７の実施形態の変形例について、図１５を参照して説明する。図１５ａは第１の変形例の一部を破断した要部構成図、図１５ｂは第２の変形例の一部を破断した要部構成図である。図１５ａにおいて、常圧熱ＣＶＤ装置１Ｉは、前記した常圧熱ＣＶＤ装置１Ｈのカバー部材である平板３９Ａと同様な平板３９Ｂに、複数のクリーニングユニットを並設してある。３つのクリーニングユニット３０Ｉは同一構成であり、平板３９Ｂ上に等間隔で設置されている。そして、平板３９Ｂは、材料ガス供給ユニット２０を十分覆うことができる面積を有している。このように構成された常圧ＣＶＤ装置１Ｉでは、クリーニング処理を３つのクリーニングユニットで行うため、処理時間を大幅に短縮できる効果を奏する。
【００９８】
図１５ｂに示す第２の変形例では、常圧ＣＶＤ装置１Ｊは、カバー部材である平板３９Ｃには面状のクリーニングユニット３０Ｊが設置されている。クリーニングユニット３０Ｊの大きさは材料ガス供給ユニット２０のガス分散器２２の面積より僅かに大きく設定されている。クリーニングユニット３０Ｊは、クリーニングガス発生部位の下に、ガス分散板３９ｄを設けてあるシャワーヘッド構造となっている。そして、クリーニングガスの吹出し面積は材料ガス供給ユニット２０のガス分散器２２の面積より大きく設定してあり、広い面積からクリーニングガスが均一に吹出す構成となっている。
【００９９】
したがって、第２の変形例では、移動機構４６によりクリーニングユニット３０Ｊを一気に材料ガス供給ユニット２０の上部に移動させて対向させ、ガス分散器２２と同等の広い面積から一気にクリーニングガスを吹出すことにより付着したＳｉＯ２等の堆積物を速やかにガス化して除去することができる。このようにクリーニング処理の間、クリーニングユニット３０Ｊをスキャンさせる必要がないため、短時間で堆積物の除去が可能となる。また、移動機構４６は等速で移動することを必要とせず、単なる移動のみの機能を有していればよく、簡単な構成で達成することができる。
【０１００】
以上、本発明の一実施形態について詳述したが、本発明は、前記の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の精神を逸脱しない範囲で、種々の設計変更を行うことができるものである。例えば、常圧ＣＶＤ装置として、常圧熱ＣＶＤ装置の例を示したが、例えば常圧プラズマＣＶＤ装置であってもよい。また、常圧ＣＶＤ装置として、上部にヒーターユニットを備え、被処理物を下面に支持する例を示したが、下部にヒーターユニットを備えて、上面に被処理物を支持する構成でもよいことは勿論である。
【０１０１】
ガス分散器のスリットの幅やピッチは任意に設定することができる。また、ガス分散器はスリットに限らず、多数の孔を連続して形成し、材料ガスを被処理物に均一に吹き付けるようにしてもよい。ヒーターユニットやクリーニングユニットを移動する移動機構とし
ては機械的な直動機構を使用できるが、エアーシリンダーや油圧シリンダー等を用いて構成することもできる。クリーニングユニットは、ガス分散器等のガス吹出し口の全面にクリーニングガスを吹出すように構成し、スキャンさせる移動機構を備えなくてもよい。
【０１０２】
ガス分散器２２よりもガス流れ上流側に電極を設け、電極に例えば高周波電圧を印加して放電させ、プラズマ化した材料ガスを供給する常圧プラズマＣＶＤ装置に、このクリーニングユニットを適用してもよい。堆積物は、ＳｉＯ２に限らず、ＰＳＧ、ＢＳＧ等、常圧ＣＶＤ装置で成膜できるものであれば、どのような堆積物でもよい。クリーニングガスは堆積物に合わせて最適なものを使用することが好ましい。
【０１０３】
前記した第１の実施形態の変形例で記載したカバー部材としての平板３９や、第７の実施形態で備えているカバー部材３９Ａ〜３９Ｃを、前記の第２の実施形態で示した常圧熱ＣＶＤ装置１Ａ〜第６の実施形態で示した常圧熱ＣＶＤ装置１Ｇでも適用できることは勿論である。これらの常圧熱ＣＶＤ装置においても、ガス吹出し口を備える材料ガス供給ユニットに近接して対向するカバー部材を備えることにより、クリーニングガスの放散を防止して、効率良い堆積物の除去が可能となり、人体や周辺機器への影響を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】本発明に係る常圧ＣＶＤ装置の第１の実施形態を示す要部構成図。
【図２】図１の装置構成を示す要部斜視図。
【図３】図１の常圧ＣＶＤ装置の動作状態を示す説明図。
【図４】ＨＦベーパの発生装置の一例を示す要部構成図。
【図５】ＨＦベーパの発生装置の他の例を示す要部構成図。
【図６】（ａ）は第１の実施形態の変形例を示す要部斜視図、（ｂ）、（ｃ）は動作状態を示す側面図。
【図７】本発明に係る常圧ＣＶＤ装置の第２の実施形態を示す要部構成図。
【図８】（ａ）は本発明に係る常圧ＣＶＤ装置の第３の実施形態を示す要部平面図、（ｂ）はその変形例の要部平面図。
【図９】本発明に係る常圧ＣＶＤ装置の第４の実施形態を示す要部平面図。
【図１０】本発明に係る常圧ＣＶＤ装置の第５の実施形態を示す要部平面図。
【図１１】図１０の実施形態の変形例を示す要部平面図。
【図１２】本発明に係る常圧ＣＶＤ装置の第６の実施形態を示す要部断面図。
【図１３】図１２の実施形態の動作説明図。
【図１４】（ａ）は本発明に係る常圧ＣＶＤ装置の第７の実施形態を示す要部構成図、（ｂ）はその要部平面図、（ｃ）は動作説明図。
【図１５】本発明の係る常圧ＣＶＤ装置の第７の実施形態の変形例を示し、（ａ）は第１の変形例の一部を破断した要部構成図、（ｂ）は第２の変形例の一部を破断した要部構成図。
【符号の説明】
【０１０５】
１，１Ａ〜１Ｊ：常圧熱ＣＶＤ装置、１０，１０Ａ，１０Ｂ：ヒーターユニット、１１，１５：移動機構、１３：ヒーター、１４：サセプター、２０：材料ガス供給ユニット、２１ａ：吸引部、２２：ガス分散器（ガス吹出し口）、２４：材料ガス供給源、３０，３０Ａ〜３０Ｊ：クリーニングユニット、３０ａ：ガス吹出し部、３１：移動機構、３２，３３：電極、３４：電源、３６：放電空間、３７：クリーニングガス供給源、３８：プラズマ化クリーニングガス、３９，３９Ａ，３９Ｂ，３９Ｃ：平板（カバー部材）、４０〜４６：移動機構、Ｌ：ガス分散器の幅、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ６：クリーニングユニットの処理幅（ガス吹出し部の幅）、Ｌ５：吸引部の幅、Ｓ２，Ｓ４，Ｓ７，Ｓ９，Ｓ１１：クリーニングユニットのガス吹出しスキャン幅、Ｓ３：シフト距離、Ｗ：ウエハー
（被処理物）
【図１】
2005350762.tif 000004
【図２】
2005350762.tif 000005
【図３】
2005350762.tif 000006
【図４】
2005350762.tif 000007
【図５】
2005350762.tif 000008
【図６】
2005350762.tif 000009
【図７】
2005350762.tif 000010
【図８】
2005350762.tif 000011
【図９】
2005350762.tif 000012
【図１０】
2005350762.tif 000013
【図１１】
2005350762.tif 000014
【図１２】
2005350762.tif 000015
【図１３】
2005350762.tif 000016
【図１４】
2005350762.tif 000017
【図１５】
2005350762.tif 000018