(57)【要約】  【課題】対向基板上に設けたカバーガラスにチッピングを発生させることなく、大型基板から複数枚のチップ状対向基板の切り出しを可能とする。  【解決手段】大型基板２１にはマイクロレンズ層９を介してカバーガラス１０が接合されている。カバーガラス１０は複数枚に切り出されるチップ基板領域３毎に設けられており、互いに隣接するカバーガラス１０の端縁間にはスクライブラインＬを略中心として間隔Ｓが設けられている。ダイシングブレード１３０をスクライブラインＬに沿って移動させてチップ状対向基板３を切り出すに際し、ダイシングブレード３による切削方向にはカバーガラス１０が配設されていないため、カバーガラス１０に無理な力がかかることが無く、カバーガラス１０の端縁を割れ、欠け等のチッピングの発生から保護することができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数枚のチップ状基板が切り出される大型の透明基板上にマイクロレンズ層が設けられ、
上記マイクロレンズ層上の、上記各チップ状基板が切り出される領域毎にカバーガラスが配設されていることを特徴とする大型基板。
【請求項２】
複数枚のチップ状基板が切り出される大型の透明基板上にマイクロレンズ層が設けられ、
上記マイクロレンズ層上の、上記チップ状基板が切り出される領域の１列毎にカバーガラスが配設されていることを特徴とする大型基板。
【請求項３】
互いに隣接する上記カバーガラスの端縁同士の間隔は、少なくとも上記各チップ状基板を切り出す際に使用するダイシングブレードの刃幅よりも広いことを特徴とする請求項１或いは２記載の大型基板。
【請求項４】
上記マイクロレンズ層が上記カバーガラスと略同一の形状を有して、該カバーガラスと略同一の位置に設けられていることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の大型基板。
【請求項５】
透明基板と、
上記透明基板上に設けたマイクロレンズ層と、
上記マイクロレンズ層上に設けたカバーガラスと
を備え、
上記透明基板の周縁に対して上記カバーガラスの周縁が内方に位置していることを特徴とするチップ状基板。
【請求項６】
上記透明基板の周縁に面取り部が形成されていることを特徴とする請求項５記載のチップ状基板。
【請求項７】
請求項５或いは６記載のチップ状基板を用いた電気光学装置であって、
上記チップ状基板と該チップ状基板に対設する他のチップ状基板との間に電気光学物質が保持されていることを特徴とするチップ状基板を用いた電気光学装置。
【請求項８】
複数枚のチップ状基板が切り出される大型の透明基板上にエッチングによりマイクロレンズ用凹湾曲部を多数形成する凹湾曲部形成工程と、
上記凹湾曲部が形成されている側の上記透明基板上にマイクロレンズ層となる接着剤を配設すると共に該接着剤を上記凹湾曲部に充填するマイクロレンズ形成工程と、
上記接着剤上の上記チップ状基板が切り出される領域と該チップ状基板が切り出される１列の領域との何れか一方の領域毎にカバーガラスを接合すると共に、互いに隣接する該カバーガラスの端縁間を少なくとも上記各チップ状基板を切り出す際に使用するダイシングブレードの刃幅よりも広く設定するカバーガラス接合工程と、
上記接着剤を硬化させる接着剤硬化工程と、
上記カバーガラス上に薄膜層を形成する薄膜層形成工程と、
上記透明基板を上記チップ状基板となる領域毎に切り出すダイシング工程と
を備えることを特徴とするチップ状基板の製造方法。
【請求項９】
上記マイクロレンズ形成工程では上記マイクロレンズ層となる接着剤を上記チップ状基板が切り出される領域毎に配設することを特徴とする請求項８記載のチップ状基板の製造方法。
【請求項１０】
上記マイクロレンズ層は印刷或いはエッチングにより上記チップ状基板が切り出される領域毎に形成されることを特徴とする請求項９記載のチップ状基板の製造方法。
【請求項１１】
上記ダイシング工程では、先ずＶカット用ダイシングブレードを用いて上記透明基板上の上記チップ状基板が切り出される領域の境界にＶノッチを形成し、次いでフルカット用ダイシングブレードを用いて上記各チップ状基板毎に切り出すことを特徴とする請求項８〜１０の何れか１項に記載のチップ状基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大型の透明基板に対して、カバーガラスを分割した状態で配設するようにした大型基板、チップ状基板、チップ状基板を用いた電気光学装置、及びチップ状基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶プロジェクタなどの投射型表示装置は、光源から照射された光をライトバルブとしての電気光学装置で光変調した後、前方へ広大投射するように形成されている。電気光学装置の一例である液晶装置としては、表示品位を高めるためにアクティブマトリクス型の液晶装置が多く用いられている。
【０００３】
アクティブマトリクス型の液晶装置では、アクティブマトリクス基板側に、画素電極を備える画素がマトリクス状に形成されているとともに、各画素毎に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等のアクティブ素子が形成されている。
【０００４】
このようなアクティブマトリクス型の液晶装置は、高いコントラスト比を容易に得ることができる反面、各画素毎にＴＦＴや容量部などを作り込む必要があるため、十分な開口率を得ることが難しいという問題点がある。又、ＴＦＴのチャネル領域やドレイン端に強い光が照射されると、光電流が発生し、ＴＦＴの特性が変化する原因となる。
【０００５】
そこで、液晶装置を構成する一対の基板のうち、光入射側に位置する対向基板にブラックマトリクスを形成して、コントラストの向上を図るとともに、ＴＦＴに強い光が照射されるのを防止した構成が採用されている。
【０００６】
又、対向基板に多数の微少なマイクロレンズを有する層（マイクロレンズ層）を形成し、各マイクロレンズを用いて、ブラックマトリックスにより反射、遮光されて損失する入射光を各画素の開口部分に集光させることで、透過光量を増大させる技術が採用されている。
【０００７】
このようなマイクロレンズ付き対向基板の製造方法は、例えば特開２００３−１４９０７号公報に開示されている。
【０００８】
同公報に開示されている技術では、先ず、ベースとなる大型のガラス基板上にマスキング材を形成し、このマスキング材上にレジストパターンを形成する。次いで、レジストパターンをマスクにしたエッチングによって、マスキング材に、複数のマイクロレンズに対応する開口を形成する。そして、所定に開口を形成した後、レジストパターンを除去する。
【０００９】
次いで、マスキング材上から大型のガラス基板をウェットエッチング、又は等方的にドライエッチングを施して、ガラス基板の表面に複数のマイクロレンズ用凹部を形成する。そして、ガラス基板にマイクロレンズ用凹部を所定に形成した後、マスキング材を除去する。
【００１０】
その後、マイクロレンズ用凹部が形成されている面に、高い屈折率を有する透明樹脂から成る接着剤を塗布する。そして、この接着剤上にカバーガラスを貼り合わせて一体化する。
【００１１】
次いで、カバーガラスの表面に、カラーフィルタを形成すると共に、各画素間にブラックマトリックスを形成する。その後、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）のような透明導電性材料からなる共通電極を形成し、この共通電極上に配向膜を形成することで、大型の対向基板１００を形成する（図１０参照）。
【００１２】
続いて、図１０に示すように、大型の対向基板１００に形成されている、チップ状の各対向基板１１０を区分するスクライブラインＬに沿ってダイシングブレード１３０を押し付けながら移動させて、大型の対向基板１００から、複数枚のチップ状の対向基板１１０を切り出す。
【特許文献１】特開２００３−１４９０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
ところで、ダイシングブレード１３０には、図１１に示すように、大型の対向基板１００に形成した、チップ状の各対向基板１１０を区分するスクライブラインＬ（図１０参照）に沿って矩形溝１００ａを段階的に深く切削することで切り出すフルカット用ダイシングブレード１４０や、図１２に示すように、対向基板１１０を切り出す前にスクライブラインＬ（図１０参照）に沿ってＶノッチ１００ｂを切削するＶカット用ダイシングブレード１５０等がある。
【００１４】
フルカット用ダイシングブレード１４０を用いて、カバーガラス１２０を切削する過程を分析すると、図１１（ａ）に示すように、先ず、フルカット用ダイシングブレード１４０の刃先がカバーガラス１２０の表面に押し当てられ、次いで、カバーガラス１２０を押し下げる方向へ切り裂いて切り込みが入れられる。
【００１５】
フルカット用ダイシングブレード１４０にてカバーガラス１２０が押し下げられると、カバーガラス１２０と、ガラス、石英などの透明基板１６０との間に介装されている高屈折率のマイクロレンズ層１７０が押圧されて弾性変形する。カバーガラス１２０の膜厚は数十〜数百ミクロン程度であるため、マイクロレンズ層１７０が弾性変形すると、それに倣って屈曲しようとする。
【００１６】
しかし、カバーガラス１２０は硬質脆性材であるため、マイクロレンズ層１７０の変形が大きくなると、その変形に耐えられずに、図１１（ｂ）に示すように、端縁に、小さな割れや欠け等のチッピング１２０ａが発生する。カバーガラス１２０の端縁にチッピング１２０ａが発生しても、直ちに製品不良となるものではないが、チッピング１２０ａ、及びチッピング１２０ａに起因して発生するクラックが、有効画素領域まで及んだ場合は製品不良となる。
【００１７】
一方、図１２（ａ）に示すように、Ｖカット用ダイシングブレード１５０を用いて、大型の対向基板１００にＶノッチ１００ｂを形成する場合、その押し付け力はフルカット用ダイシングブレード１４０よりも小さく、従って、カバーガラス１２０を無理に変形させることは少ないが、カバーガラス１２０の端縁は鋭角に形成されるため、その先端部１２０ｂは極めて薄くなり、その結果、その先端部１２０ｂは僅かな接触でも簡単に欠けてしまう等、チッピング１２０ａが発生し易い状態にある。
【００１８】
又、カバーガラス１２０にチッピング１２０ａが発生すると、その欠片が工程内において製品に付着する等の悪影響を及ぼし易くなり、不良率を高めてしまう問題がある。
【００１９】
更に、スクライブラインＬをダイヤモンドカッタ等を用いて罫描く際にもカバーガラス１２０にチッピングが発生する。このチッピングは、ダイシングブレード１３０によって発生するチッピング１２０ａ程大きくはないが、チッピングにより欠片が発生するため、この欠片が工程内の製品に付着しての製品不良を起因する等の悪影響を及ぼし易くなる。
【００２０】
本発明は、上記事情に鑑み、スクライブやダイシングブレードを行う際に、マイクロレンズ層が弾性変形してもカバーガラスが撓むことなく、従ってカバーガラスにチッピングが発生することも無く、その結果、チッピングによって発生する欠片も無く、工程内において欠片に起因する製品不良が無くなり、製品の歩留まりを大幅に向上させることのできる大型基板、チップ状基板、チップ状基板を用いた電気光学装置、及びチップ状基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上記目的を達成するため本発明による第１の大型基板は、複数枚のチップ状基板が切り出される大型の透明基板上にマイクロレンズ層が設けられ、上記マイクロレンズ層上の、上記各チップ状基板が切り出される領域毎にカバーガラスが配設されていることを特徴とする。
【００２２】
このような構成では、大型の透明基板に対し、カバーガラスを各チップ状基板が切り出される領域毎に配設することで、大型基板からチップ状基板を切り出す際にカバーガラスを切削する必要がなくなり、カバーガラスの端縁を割れや欠け等によるチッピング発生から有効に保護することができる。
【００２３】
第２の大型基板は、複数枚のチップ状基板が切り出される大型の透明基板上にマイクロレンズ層が設けられ、上記マイクロレンズ層上の、上記チップ状基板が切り出される領域の１列毎にカバーガラスが配設されていることを特徴とする。
【００２４】
このような構成では、大型の透明基板に対し、カバーガラスをチップ状基板が切り出される領域の一列毎に配設することで、大型基板からチップ状基板を切り出す際に、カバーガラスを切削する領域が少なくなり、カバーガラスの端縁をチッピング発生から保護することができると共に、カバーガラスの枚数が少なくなり、作業時間の短縮化を実現できる。
【００２５】
第３の大型基板は、第１或いは第２の大型基板において、互いに隣接する上記カバーガラスの端縁同士の間隔は、少なくとも上記各チップ状基板を切り出す際に使用するダイシングブレードの刃幅よりも広いことを特徴とする。
【００２６】
このような構成では、互いに隣接するカバーガラスの端縁同士の間隔を、少なくともダイシングブレードの刃幅よりも広くしたので、ダイシングブレードにより大型基板を切削するに際し、カバーガラスとダイシングブレードとの干渉を回避することができ、カバーガラスの端縁をチッピング発生から確実に保護することができる。
【００２７】
第４の大型基板は、第１〜第３の大型基板において、上記マイクロレンズ層が上記カバーガラスと略同一の形状を有して、該カバーガラスと略同一の位置に設けられていることを特徴とする。
【００２８】
このような構成では、マイクロレンズ層をカバーガラスと略同一の形状とすると共に、カバーガラスと略同一の位置に設けたので、大型基板からチップ状基板を切り出す際にマイクロレンズ層が切削されることが無く、従って、切削の際にマイクロレンズ層から粉塵が発生せず、粉塵処理を簡素化することができる。
【００２９】
又、本発明による第１のチップ状基板は、透明基板と、上記透明基板上に設けたマイクロレンズ層と、上記マイクロレンズ層上に設けたカバーガラスとを備え、上記透明基板の周縁に対して上記カバーガラスの周縁が内方に位置していることを特徴とする。
【００３０】
このような構成では、カバーガラスが透明基板の端縁よりも内方に位置しているので、工程内を移動する際に、カバーガラスの端部が他の部材に対して干渉し難くなり、移送中におけるチッピングの発生を低減することができる。
【００３１】
第２のチップ状基板は、第１のチップ状基板において、上記透明基板の周縁に面取り部が形成されていることを特徴とする。
【００３２】
このような構成では、透明基板の周縁に面取り部を形成することで、透明基板の周縁が他の部材に干渉した場合であっても、チッピングが発生し難くなり、取扱性が向上する。
【００３３】
又、本発明による電気光学装置は、第１或いは第２のチップ状基板を用いた電気光学装置であって、上記チップ状基板と該チップ状基板に対設する他のチップ状基板との間に電気光学物質が保持されていることを特徴とする。
【００３４】
このような構成では、電気光学装置に第１或いは第２のチップ状基板を用いたことで、電気光学装置を製造する過程において、チップ状基板にチッピンクが発生し難くなり、製品不良率を低減することができると共に、取扱性が良くなる。
【００３５】
又、本発明による、第１のチップ状基板の製造方法は、複数枚のチップ状基板が切り出される大型の透明基板上にエッチングによりマイクロレンズ用凹湾曲部を多数形成する凹湾曲部形成工程と、上記凹湾曲部が形成されている側の上記透明基板上にマイクロレンズ層となる接着剤を配設すると共に該接着剤を上記凹湾曲部に充填するマイクロレンズ形成工程と、上記接着剤上の上記チップ状基板が切り出される領域と該チップ状基板が切り出される１列の領域との何れか一方の領域毎にカバーガラスを接合すると共に、互いに隣接する該カバーガラスの端縁間を少なくとも上記各チップ状基板を切り出す際に使用するダイシングブレードの刃幅よりも広く設定するカバーガラス接合工程と、上記接着剤を硬化させる接着剤硬化工程と、上記カバーガラス上に薄膜層を形成する薄膜層形成工程と、上記透明基板を上記チップ状基板となる領域毎に切り出すダイシング工程とを備えることを特徴とする。
【００３６】
このような構成では、先ず、複数枚のチップ状基板が切り出される大型の透明基板上にエッチングによりマイクロレンズ用凹湾曲部を多数形成した後、凹湾曲部が形成されている側の透明基板上にマイクロレンズ層となる接着剤を配設し、更に、この接着剤を凹湾曲部に充填する。次いで、接着剤上のチップ状基板が切り出される領域と、チップ状基板が切り出される１列の領域との何れか一方の領域毎にカバーガラスを接合する。このとき、互いに隣接するカバーガラス同士の端縁間を少なくとも、各チップ状基板を切り出す際に使用するダイシングブレードの刃幅よりも広く設定する。その後、接着剤を硬化させ、この接着剤を介して透明基板とカバーガラスとを接合すると共に、凹湾曲部に充填されている接着剤をマイクロレンズとして機能させる。次いで、カバーガラス上に薄膜層を形成して大型基板を完成させる。その後、完成された大型基板をチップ状基板となる領域毎にダイシングブレードを用いて切り出し、複数枚のチップ状基板を形成する。その際、互いに隣接するカバーガラス同士の端縁が、少なくともダイシングブレードの刃幅よりも広く設定されているので、カバーガラスの端縁がダイシングブレードに干渉せず、カバーガラスをチッピング発生から有効に保護することができる。
【００３７】
第２のチップ状基板の製造方法は、第１のチップ状基板の製造方法において、上記マイクロレンズ形成工程では上記マイクロレンズ層となる接着剤を上記チップ状基板が切り出される領域毎に配設することを特徴とする。
【００３８】
このような構成では、マイクロレンズ層となる接着剤を上記チップ状基板が切り出される領域毎に配設するようにしたので、ダイシングブレード等を用いてチップ状基板を切り出す際に、接着剤が切削されず、切削により発生する粉塵処理を簡素化することができる。
【００３９】
第３のチップ状基板の製造方法は、第２のチップ状基板の製造方法において、上記マイクロレンズ層は印刷或いはエッチングにより上記チップ状基板が切り出される領域毎に形成されることを特徴とする。
【００４０】
このような構成では、マクロレンズ層を印刷或いはエッチングによりチップ状基板が切り出される領域毎に形成するようにしたので、製造が容易となる。
【００４１】
第４のチップ状基板の製造方法は、第１〜第３のチップ状基板の製造方法において、上記ダイシング工程では、先ずＶカット用ダイシングブレードを用いて上記透明基板上の上記チップ状基板が切り出される領域の境界にＶノッチを形成し、次いでフルカット用ダイシングブレードを用いて上記各チップ状基板毎に切り出すことを特徴とする。
【００４２】
このような構成では、大型基板からチップ状基板を切り出すに際し、互いに隣接するカバーガラス同士の端縁が、少なくともダイシングブレードの刃幅よりも広く設定されているので、Ｖカット用ダイシングブレードを用いて透明基板にＶノッチを形成する場合、及びフルカット用ダイシングブレードを用いて切り出す際に、カバーガラスの端縁がダイシングブレードに干渉せず、カバーガラスをチッピングの発生から有効に保護することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
以下、図面に基づいて本発明の一形態を説明する。図１〜図７に本発明の第１形態を示す。図１は液晶装置の要部を示す部分拡大断面図である。
【００４４】
同図の符号１は電気光学装置の一例としての液晶装置であり、図においては一方の端部のみが示されているが、他方の端部も同様な構成を有している。液晶装置１は、ＴＦＴ基板２と、これに対向配設するマイクロレンズ付き対向基板（以下、単に「対向基板」と称する）３とを備えていると共に、この両基板２，３がシール材４を介して所定空隙を開けて貼り合わされており、この空隙部に電気光学物質の一例である液晶５が封入されている。尚、両基板２，３はガラス、石英等の透明材料で形成されている。
【００４５】
ＴＦＴ基板２上には、図示しないＴＦＴと、これに接続される画素電極６ａとが画素毎に設けられていると共に、遮光層６ｂが設けられている。画素電極６ａは、例えばＩＴＯのような透明導電性材料によって構成されている。更に、画素電極６ａ上にラビング処理が施された配向膜７が設けられている。
【００４６】
一方、チップ状基板としての対向基板３は、基材となる透明基板８と、この透明基板８上に設けたマイクロレンズ層９と、その上に配設されたカバーガラス１０とを有し、カバーガラス１０の全面に、薄膜層としての対向電極１１（図３参照）が設けられ、更に、対向電極１１上にラビング処理が施された配向膜１４が配設されている。尚、透明基板８とカバーガラス１０とは同一の材質で形成されている。又、対向電極１１は、例えばＩＴＯのような透明導電性材料によって構成されている。更に、配向膜７，１４は、例えばポリイミド膜等の透明な有機膜で構成されている。
【００４７】
透明基板８及びマイクロレンズ層９の四辺は、後述するＶカット用ダイシングブレード１５０によって面取り部１２が形成されている。透明基板８及びマイクロレンズ層９の四辺に面取り部１２を形成することで、工程内の移送中に、透明基板８及びマイクロレンズ層９の四辺が他の部材と干渉した場合でも、チッピングが発生し難く、取扱性が良くなる。
【００４８】
又、カバーガラス１０の四辺は、透明基板８及びマイクロレンズ層９の各四辺よりも内方へ入り込んでおり、カバーガラス１０とマイクロレンズ層９との間に段部１３が形成されている。
【００４９】
ところで、液晶装置１が反射型である場合、ＴＦＴ基板２は透明材料である必要はなく、シリコン基板等を用いても良く、この場合、画素電極６ａは、光反射性を有する導電性材料を用いて形成する。
【００５０】
又、透明基板８の上面の、上記ＴＦＴ基板２に設けた画素電極６ａと対向する各領域の各々に、凹湾曲部８ａが形成されており、この各凹湾曲部８ａに、マイクロレンズ層９のマイクロレンズ部９ａが形成されている。マイクロレンズ層９は、高屈折率の透明樹脂を材料とする接着剤によって形成されており、凹湾曲部８ａに接着剤を充填することで、各凹湾曲部８ａに、湾曲凸状のマイクロレンズ部９ａが形成される。尚、接着剤の材料となる透明樹脂としては、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリルエポキシ系樹脂、ビニル系樹脂、チオウレタン系樹脂等があり、更に、紫外線硬化型樹脂を用いれば製造が容易となる。
【００５１】
対向基板３は、大型の基板から切り出して形成されたものであり、以下においては、チップ状の対向基板３をチップ状対向基板３、大型の基板を大型基板２１として区別し、更に、大型基板２１上の、チップ状対向基板３が切り出される領域（以下「チップ基板領域」と称する）にはチップ状対向基板３と同一の符号（３）を付して説明を簡略化する。
【００５２】
次に、このような構成による大型基板２１の製造方法について、図４の工程図を参照しながら説明する。
【００５３】
（ａ）：予め洗浄されている大型の透明基板８０上に、この透明基板８０をエッチングする際のマスクとなるマスキング層３１をスパッタ法、ＣＤＶ法などにより成膜する。
【００５４】
（ｂ）：マスキング層３１にレジスト３２を塗布し、リソグラフィ法等によって、このレジスト３２にレジストパターンを形成する。このレジストパターンは、後工程において透明基板８０に凹湾曲部８ａを形成するためのものであるので、その開口３２ａはマイクロレンズ形成用の凹湾曲部８ａに対応する位置に配設されている。尚、凹湾曲部８ａは各チップ基板領域３において、ＴＦＴ基板２に設けた画素電極６ａと対向する各領域の各々に形成される。
【００５５】
そして、レジスト３２をマスクとしたエッチングにより、マスキング層３１をパターンニングし、マスキング層３１に複数の開口３１ａを形成する。
【００５６】
（ｃ）：所定に開口３１ａを形成した後、レジスト３２を除去し、その後、透明基板８０に対してウェットエッチング、或いは等方的にドライエッチングを行い、透明基板８０の表面のレジスト３２にて区画された領域に凹湾曲部８ａを各々形成する。
【００５７】
（ｄ）：マスキング層３１を除去すると、透明基板８０の各チップ基板領域３毎に、所定配列の凹湾曲部８ａが各々形成される。
【００５８】
（ｅ）：透明基板８０上に、マイクロレンズ層９を形成するために、未硬化の接着剤（９）を塗布する。この接着剤（９）は高屈折率の透明樹脂を材料としており、本形態では紫外線硬化型接着剤を採用している。
【００５９】
（ｆ）：接着剤（９）上にカバーガラス１０を装着する。図２に示すように、カバーガラス１０は、予め、チップ基板領域３毎の大きさに形成されており、各チップ基板領域３に対して所定にアライメントを行いながらカバーガラス１０を接合し、押圧・密着させる。この場合、カバーガラス１０は、その上面に対向電極１１を形成することができ、しかも、液晶装置１の有効画素領域をカバーできればよいので、高精度にアライメントを行う必要はない。
【００６０】
次いで、接着剤に紫外線を照射して硬化させる。すると、透明基板８０とカバーガラス１０とが接着剤を介して接合されると共に、この接着剤によりマイクロレンズ層９が形成され、凹湾曲部８ａ内に充填された接着剤がマイクロレンズ部９ａとなる。
【００６１】
尚、接着剤の硬化方法は、紫外線硬化に限らず、接着剤の種類や機能等によって適宜選択することができる。例えば接着剤として熱硬化型接着剤を採用した場合は、加熱照射により硬化させることができる。
【００６２】
又、図２、図３に示すように、各チップ基板領域３にカバーガラス１０が接合された状態では、互いに隣接するカバーガラス１０の端縁間に、スクライブラインＬを略中心として所定間隔Ｓが形成される。この間隔Ｓは、ダイシングブレード１３０との干渉を回避すべく、少なくともダイシングブレード１３０の刃幅よりも広い幅を有している。
【００６３】
（ｇ）：各カバーガラス１０上に対向電極１１を各々形成する。尚、その後、マイクロレンズ層９上に、各チップ基板領域３を区画するスクライブラインＬ（図２参照）を形成し、大型基板２１を完成する。
【００６４】
次に、図５に示す工程図を参照しながら、大型基板２１から複数枚のチップ状対向基板３を切り出す手順について説明する。
【００６５】
（ａ）：先ず、図６（ａ）に示すようなＶカット用ダイシングブレード１５０を用い、スクライブラインＬに沿ってＶノッチ２１ａを切削する。
【００６６】
このとき、互いに隣接するカバーガラス１０，１０の間隔Ｓが、少なくともＶカット用ダイシングブレード１５０との干渉を回避する幅に形成されているため、カバーガラス１０の端縁が、Ｖカット用ダイシングブレード１５０と干渉することが無い。従って、カバーガラス１０の端縁にチッピングが発生することは無い。
【００６７】
（ｂ）：次いで、図６（ｂ）に示すようなフルカット用ダイシングブレード１４０を用い、Ｖノッチ２１ａに沿って段階的に深く切削して、大型基板２１からチップ状対向基板３を切り出す。
【００６８】
このときも、互いに隣接するカバーガラス１０の端縁が、フルカット用ダイシングブレード１４０と干渉することが無いので、カバーガラス１０の端縁にチッピングが発生することが無い。その結果、カバーガラス１０にダイシングによるチッピングが発生せず、製品歩留まりを大幅に向上させることができる。尚、切り出された各チップ状対向基板３は、カバーガラス１０の外形が透明基板８の外形よりも小さく形成されているため、カバーガラス１０の周縁と透明基板８の周縁との間に段部１３が形成される。
【００６９】
カバーガラス１０の端縁を透明基板８及びマイクロレンズ層９の端縁よりも内方へ入り込ませて段部１３を形成したことで、例えば対向基板３を工程内で移送するに際し、カバーガラス１０の縁部が他の部材と干渉し難くなり、移送中における割れ、欠け等のチッピングの発生を減少させることができる。
【００７０】
又、ダイシングの際にチッピングが発生しないので、チッピングに起因する欠片が発生せず、工程内における欠片に起因する製品不良も無くなり、製品不良率を大幅に低減することができ、その分、品質の高い製品を得ることができる。
【００７１】
尚、図７に示すように、大型基板２１からチップ状対向基板３を切り出す際に、Ｖカット用ダイシングブレード１５０を用いず、フルカット用ダイシングブレード１４０を使用した場合も、同様に、フルカット用ダイシングブレード１４０がカバーガラス１０の端縁に干渉しないため、カバーガラス１０にチッピングが発生することはない。
【００７２】
又、図８に本発明の第２形態による図３相当の拡大断面図を示す。上述した第１形態では、透明基板８０の表面全体にマイクロレンズ層９を形成したが、本形態では、各チップ基板領域３にのみマイクロレンズ層９’を形成したものである。
【００７３】
この場合、マイクロレンズ層９’はフレキソ印刷で、間隔Ｓを回避する形状に形成するか、或いは第１形態と同様に透明基板８０の表面全体にマイクロレンズ層９を一端形成した後、エッチングにより間隔Ｓのマイクロレンズ層を除去することで形成する。
【００７４】
このような形態によれば、ダイシングの際にマイクロレンズ層９’が切削されないので、マイクロレンズ層を切削することにより発生する粉塵が無くなり、粉塵処理を簡素化することができる。
【００７５】
又、図９に本発明の第３形態による図２相当の斜視図を示す。第１形態では、カバーガラス１０をチップ基板領域３毎の大きさに形成して接合したが、本形態によるカバーガラス１０’は長尺状に形成し、１列に配列されている各チップ基板領域３に対し、１枚のカバーガラス１０’を接合するようにしたものである。
【００７６】
本形態によれば、カバーガラス１０’を一列ずつ接合させればよいので、第１形態に比しカバーガラス１０’の枚数が少なくなり、その分、作業時間の短縮化が実現できる。
【００７７】
この場合、同図（ｂ）に示すように、ダイシングブレード１３０をカバーガラス１０の短辺方向（長辺に直交する方向）へ移動させるときは、カバーガラス１０’を切削することになるが、その切削距離は短いためカバーガラス１０が大きく撓まされることはなく、チッピングの発生を最小限とすることができる。
【００７８】
尚、電気光学装置は、ＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置１以外に、パッシブマトリックス型の液晶装置、ＴＦＤ（薄型ダイオード）をスイッチング素子として備えた液晶装置であっても良く、更に、液晶装置に限らず、エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置（Field Emission Display、及びSurface-Conduction Electron-Emitter Display）等の各種の電気光学装置であっても良い。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】第１形態による液晶装置の要部を示す部分拡大断面図
【図２】同、大型基板からチップ状対向基板を切り出す状態を示す斜視図
【図３】同、図２のIII-III断面図
【図４】同、大型基板の製造方法を示す工程図
【図５】同、チップ状対向基板の製造方法を示す工程図
【図６】同、（ａ）は大型基板にＶノッチを形成する状態の断面図、（ｂ）は大型基板からチップ状対向基板を切り出す状態の断面図
【図７】同、他の態様による大型基板からチップ状対向基板を切り出す状態の断面図
【図８】第２形態による図３相当の断面図
【図９】第３形態を示し、（ａ）はダイシングブレードにて互いに隣接するカバーガラスの間を切り出す状態を示す大型基板の斜視図、（ｂ）はダイシングブレードにてカバーガラスを横切る方向へ切り出す状態を示す大型基板の斜視図
【図１０】従来の大型基板の斜視図
【図１１】従来の大型基板からチップ状対向基板を切り出す状態の断面図
【図１２】従来の大型基板にＶノッチを形成する状態を示す断面図
【符号の説明】
【００８０】
１…液晶装置、２…ＴＦＴ基板、３…チップ状対向基板（チップ基板領域）、８…透明基板、８ａ…凹湾曲部、９…マイクロレンズ層、９ａ…マイクロレンズ部、１０…カバーガラス、１２…面取り部、１３…段部、２１…大型基板、２１ａ…Ｖノッチ、８０…透明基板、Ｌ…スクライブライン、Ｓ…間隔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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