(57)【要約】【課題】  内部電極の配置にばらつきのない積層セラミック電子部品を得るための積層セラミック電子部品の製造方法を得る。【解決手段】  積層セラミック電子部品を得るために、内部電極用の導体パターンが形成されたセラミックグリーンシートを積層し、積層体３４を形成する。積層体３４を所定の位置でカットして、複数のチップを形成し、チップを焼成した後に外部電極を形成することにより、積層セラミック電子部品を得る。積層体３４をカットするとき、積層体３４をカットしやくするために、積層体３４を加熱する。このとき、積層体３４を複数のゾーン１〜９に分けて、各ゾーンの温度を管理することにより、積層体３４の形状に歪みが発生しないようにする。【選択図】    図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセラミックグリーンシートを積層した積層体を準備する工程、
前記積層体の複数箇所において熱膨張率を測定する工程、
前記積層体を加熱したときにカットしやすい形状となるように、前記積層体の複数箇所の加熱温度を前記熱膨張率から算出する工程、
前記積層体をカットするためのカットステージに前記積層体を載置する工程、
算出した前記積層体の複数箇所における加熱温度となるように前記カットステージの複数の範囲の温度を調整して加熱する工程、および
前記積層体を所定の寸法でカットする工程を含む、積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記熱膨張率を測定する工程において、前記積層体の面方向の異なる向きにおける熱膨張率が測定され、かつそれぞれの向きにおける熱膨張率の測定は前記積層体の複数箇所で行われる、請求項１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記積層体の複数箇所におけるそれぞれの加熱温度は、前記積層体の複数箇所のそれぞれにおける複数の熱膨張率から算出される加熱温度の平均値により決定される、請求項２に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記積層体を加熱したときに、加熱前の形状と相似形となるように前記積層体の複数箇所の加熱温度が算出される、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項５】
変形した前記積層体を加熱したときに、カットしやすい形状となるように前記積層体の複数箇所の加熱温度が算出される、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、積層セラミック電子部品の製造方法に関し、特にたとえば、セラミックグリーンシートの積層体をカットして複数のチップを得る工程を含む積層セラミック電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミック電子部品を製造するには、まず、セラミック材料を用いてセラミックグリーンシートが形成される。このセラミックグリーンシート上に、導体ペーストを印刷することにより、積層セラミック電子部品の内部電極となる導体パターンが形成される。たとえば、積層セラミックコンデンサを製造する場合、図１２に示すように、セラミックグリーンシート１上に、複数の矩形の導体パターン２が形成される。導体パターン２が形成されたセラミックグリーンシート１が複数枚積層され、図１３に示すような積層体３が形成される。このとき、隣接するセラミックグリーンシート１において、導体パターン２が長手方向に交互にずれるように積層される。
【０００３】
得られた積層体３は、粘着剤層を有する樹脂シート４に貼着され、カットステージ５上に載置される。そして、ブレード６によって積層体３がカットされ、対向する端面に隣接する導体パターン２が交互に露出したチップが形成される。このとき、カットステージ５を加熱状態とすることにより、積層体３を柔らかくして、積層体３をカットしやすくしている。得られたチップは樹脂シート４から取り外され、焼成することによって、内部電極を有する基体が形成される。この基体の内部電極露出面に外部電極を形成することにより、積層セラミックコンデンサが形成される（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開昭６１−１４４８１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、積層体をカットする工程において、積層体をカットしやすくするために加熱すると、積層体が膨張する。このとき、セラミックグリーンシート自体の均一性、導体パターンの形状、導体パターンがある部分とない部分との割合、積層体を圧着するときの不均一性などにより、積層体の各部分において熱膨張率に差が生じる。そのため、積層体を加熱すると、図１４に示すように、加熱前の形状に対して歪んだ形状となる。それにより、導体パターンの配置にも歪みが生じ、図１４に点線で示すカットラインにおいて積層体をカットしたときに、得られたチップの側面から導体パターンまでの距離が不揃いになってしまう。したがって、最終的に得られる積層セラミック電子部品の内部電極の配置が不揃いとなり、特性ばらつきが生じる恐れがある。
【０００６】
それゆえに、この発明の主たる目的は、内部電極の配置にばらつきのない積層セラミック電子部品を得るための積層セラミック電子部品の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明は、複数のセラミックグリーンシートを積層した積層体を準備する工程と、積層体の複数箇所において熱膨張率を測定する工程と、積層体を加熱したときにカットしやすい形状となるように、積層体の複数箇所の加熱温度を熱膨張率から算出する工程と、積層体をカットするためのカットステージに積層体を載置する工程と、算出した積層体の複数箇所における加熱温度となるようにカットステージの複数の範囲の温度を調整して加熱する工程と、積層体を所定の寸法でカットする工程とを含む、積層セラミック電子部品の製造方法である。
このような積層セラミック電子部品の製造方法における熱膨張率を測定する工程において、積層体の面方向の異なる向きにおける熱膨張率が測定され、かつそれぞれの向きにおける熱膨張率の測定は積層体の複数箇所で行われることが好ましい。
また、積層体の複数箇所におけるそれぞれの加熱温度は、積層体の複数箇所のそれぞれにおける複数の熱膨張率から算出される加熱温度の平均値により決定されることが好ましい。
なお、積層体を加熱したときに、加熱前の形状と相似形となるように積層体の複数箇所の加熱温度を算出することができる。
また、変形した積層体を加熱したときに、カットしやすい形状となるように積層体の複数箇所の加熱温度を算出してもよい。
【０００８】
セラミックグリーンシートの積層体をカットする際に、積層体の複数箇所において加熱温度を調整することにより、積層体の複数箇所において熱膨張量を調整することができる。したがって、積層体に歪みを生じさせることなく、積層体を加熱することができる。そのため、所定の位置で積層体をカットしたとき、所望の位置で積層体をカットすることができる。したがって、セラミックグリーンシート上に内部電極用の導体パターンを形成した場合、積層体をカットして得られたチップ内の導体パターンの配置が均一となり、最終的に得られる積層セラミック電子部品内の内部電極の配置も均一となる。積層体の複数箇所において加熱温度を調整するために、積層体の複数箇所において、熱膨張率が測定される。
熱膨張率の測定は、積層体の面方向の異なる向きにおいて行われ、それぞれの向きにおいて、複数箇所で熱膨張率が測定される。それにより、複数の向きの熱膨張率を考慮して、積層体の複数箇所の加熱温度を算出することができる。
積層体の複数の向きの熱膨張率を考慮する場合、積層体の複数箇所のそれぞれにおける複数の熱膨張率から算出される加熱温度の平均値により、それぞれの箇所における加熱温度が決定される。
なお、積層体の形状が矩形などの規則正しい形状である場合、加熱後の形状が加熱前の形状の相似形となるように加熱温度を設定することにより、積層体を所望の位置でカットすることができる。
また、積層体がすでに変形している場合、加熱後にカットしやすい形状となるように加熱温度を調整することにより、積層体を所望の位置でカットすることができる。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、セラミックグリーンシートを積層した積層体を所望の位置でカットすることができるため、積層体をカットして得られるチップを設計通りのものとすることができる。したがって、このようなチップを用いて作製した積層セラミック電子部品は、特性ばらつきのないものとすることができる。
【００１０】
この発明の上述の目的，その他の目的，特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための最良の形態の説明から一層明らかとなろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図１は、積層セラミック電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサを示す図解図である。積層セラミックコンデンサ１０は、基体１２を含む。基体１２は、複数のセラミック層１４と内部電極１６とが交互に積層された構造を有する。このような基体１２において、隣接する内部電極１６は、交互に基体１２の対向端面に引き出される。内部電極１６が引き出された基体１２の端面には、外部電極１８が形成される。外部電極１８は、たとえば内部電極１６が露出した基体１２の端面に電極ペーストを塗布し、焼き付けることによって形成される。なお、必要に応じて、焼付け電極上にめっき処理を施して、半田喰われを防ぐためのＮｉ電極層や、半田付け性を良好にするためのＳｎ電極層などを形成してもよい。
【００１２】
このような積層セラミックコンデンサ１０を作製するために、誘電体材料を用いてセラミックスラリーが形成される。このセラミックスラリーを用いて、図２に示すように、たとえば正方形状のセラミックグリーンシート３０が形成される。セラミックグリーンシート３０の一方面上には、導体ペーストを印刷することにより、複数の内部電極用の導体パターン３２が形成される。導体パターン３２は、たとえば長方形状に形成され、縦横に規則正しく配列される。
【００１３】
次に、セラミックグリーンシート３０が積層圧着されて、図３に示すように、積層体３４が形成される。このとき、まず導体パターン３２が形成されていないセラミックグリーンシート３０が積層され、その上に導体パターン３２が形成されたセラミックグリーンシート３０が積層され、さらにその上に導体パターン３２が形成されていないセラミックグリーンシート３０が積層される。なお、隣接するセラミックグリーンシート３０において、導体パターン３２は、その長手方向に互い違いとなるように配置される。したがって、１つのセラミックグリーンシート３０の導体パターン３２の長手方向中央部の両側に、隣接するセラミックグリーンシート３０の２つの導体パターン３２が配置される。
【００１４】
得られた積層体３４は、図４に示すように、カットステージ３６上に載置された樹脂シート３８の粘着剤層上に貼着される。カットステージ３６には、ヒータ４０が組み込まれ、ヒータ４０によってカットステージ３６の温度を上昇させることができるようになっている。なお、カットステージ３６は、複数のゾーンにおいて、個別に温度調整が可能に形成されている。また、カットステージ３６には、吸引孔４２が形成され、樹脂シート３８を吸引保持できるようになっている。
【００１５】
積層体３４は、ブレード４４によって縦横にカットされる。このとき、導体パターン３２の長手方向の中央部でカットすることにより、対向する端面に導体パターン３２が露出したチップを得ることができる。積層体３４をカットするとき、積層体３４の温度を上昇させることにより、積層体３４が柔らかくなってカットしやすくなる。そのため、ヒータ４０によって、カットステージ３６が加熱される。
【００１６】
なお、セラミックグリーンシート３０自体の均一性、導体パターン３２の形状、導体パターン３２がある部分とない部分との割合、積層体３４を圧着するときの不均一性などにより、積層体３４の各部分において熱膨張率に差が生じる。そのため、積層体３４を均一に加熱すると、たとえば図５に示すように、積層体３４の形状が正方形とならない場合がある。このような状態で積層体３４をカットすると、図５にギャップＡおよびギャップＢとして示したように、積層体３４をカットするためのカットラインと導体パターン３２との距離にばらつきが生じ、最終的に得られる積層セラミックコンデンサ１０の特性にばらつきが生じる。そこで、積層体３４を複数のゾーンに分割し、それぞれのゾーンの温度を調整することにより、加熱後の積層体３４が正方形となるように管理される。
【００１７】
積層体３４の温度を調整するために、積層体３４の複数箇所における熱膨張率（線膨張率）が測定される。このとき、積層体３４の直交する向きの熱膨張率が測定される。また、それぞれの向きにおいて、積層体３４の複数箇所の熱膨張率が測定される。この例では、積層体３４の２つの向きにおいて、それぞれ５箇所の熱膨張率が測定される。そして、これらの熱膨張率から、積層体３４の各部における加熱温度が算出される。
【００１８】
たとえば、図６に示すように、１つの向きにおいて、積層体３４の中央部と、端部と、中央部と端部との間において熱膨張率を測定する場合について説明する。まず、室温（２５℃）において、正方形である積層体３４の１辺の長さが測定される。そして、積層体３４をカットするときの温度（たとえば、１００℃）に加熱し、各箇所における積層体３４の長さα、β、γが測定され、室温における積層体３４の１辺の長さとの差が計算される。そして、測定結果から、積層体３４の各箇所における熱膨張率（線膨張率）が計算される。ここで、加熱前の形状が１辺２００ｍｍの正方形である積層体３４の熱膨張率を測定した例を表１に示す。表１において、ΔＬは、加熱前後の積層体３４の寸法差であり、ΔＴは、加熱前後の温度差である。したがって、ここでは、ΔＴは７５℃となる。
【００１９】
【表１】
2005243705.tif 000003
【００２０】
表１からわかるように、積層体３４の中央部においては、加熱前後の寸法差ΔＬは２．０ｍｍであり、端部側に向かうにしたがって、ΔＬが大きくなっている。次に、加熱後の積層体３４の形状を正方形とするために、積層体３４の各箇所における熱膨張率から、各箇所における加熱後の寸法が同じになる温度が算出される。ここでは、積層体３４の中央部における寸法に合わせるため、積層体３４の端部、および中央部と端部との間の寸法差ΔＬが２．０ｍｍとなる温度差が算出される。算出した結果を表２に示す。
【００２１】
【表２】
2005243705.tif 000004
【００２２】
表２からわかるように、積層体３４の各箇所におけるΔＬを２．０ｍｍとするためには、積層体３４の端部と中央部との間の温度差ΔＴは６９℃となり、端部側の温度差ΔＴは６５℃となる。これらの結果から、積層体３４の中央部の温度を１００℃にするとき、端部と中央部との間の温度を２５℃＋６９℃＝９４℃とし、端部側の温度を２５℃＋６５℃＝９０℃とすることにより、積層体３４の各箇所における寸法を揃えることができる。
【００２３】
このようにして、積層体３４の各箇所における加熱温度が算出されるが、積層体３４の縦横に、それぞれ５箇所ずつ熱膨張率を測定すると、図７に示すように、５行×５列の２５のゾーンができる。横方向のゾーンについてＡ〜Ｙの符号を付して考えると、横方向の１行の熱膨張率は同じになる。たとえば、ゾーンＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅの熱膨張率は同じになる。したがって、これらのゾーンＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅにおいては、熱膨張率から算出される加熱温度も同じになる。他の横方向の加熱温度も同様である。また、縦方向のゾーンについてａ〜ｙの符号を付して考えると、縦方向の１列の熱膨張率は同じになる。たとえば、ゾーンａ，ｆ，ｋ，ｐ，ｕの熱膨張率は同じになる。したがって、これらのゾーンａ，ｆ，ｋ，ｐ，ｕにおいては、熱膨張率から算出される加熱温度も同じになる。他の縦方向の加熱温度も同様である。
【００２４】
これらの加熱温度から、実際に調整を行う箇所の加熱温度が算出される。たとえば、図８に示すように、積層体３４をゾーン１〜９に分けて温度を調整する場合、ゾーン１〜９のそれぞれに含まれるゾーンＡ〜Ｙおよびゾーンａ〜ｙの加熱温度の平均値をとることにより決定される。つまり、ゾーンＡ〜Ｙおよびゾーンａ〜ｙにおける加熱温度をそれぞれＡ〜Ｙおよびａ〜ｙで表したとき、ゾーン１〜９における加熱温度は、次のように表される。
【００２５】
ゾーン１＝（Ａ＋Ｂ＋Ｆ＋Ｇ＋ａ＋ｂ＋ｆ＋ｇ）／８
ゾーン２＝（Ｂ＋Ｃ＋Ｄ＋Ｇ＋Ｈ＋Ｉ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｇ＋ｈ＋ｉ）／１２
ゾーン３＝（Ｄ＋Ｅ＋Ｉ＋Ｊ＋ｄ＋ｅ＋ｉ＋ｊ）／８
ゾーン４＝（Ｆ＋Ｇ＋Ｋ＋Ｌ＋Ｐ＋Ｑ＋ｆ＋ｇ＋ｋ＋ｌ＋ｐ＋ｑ）／１２
ゾーン５＝（Ｍ＋ｍ）／２
ゾーン６＝（Ｉ＋Ｊ＋Ｎ＋Ｏ＋Ｓ＋Ｔ＋ｉ＋ｊ＋ｎ＋ｏ＋ｓ＋ｔ）
ゾーン７＝（Ｐ＋Ｑ＋Ｕ＋Ｖ＋ｐ＋ｑ＋ｕ＋ｖ）／８
ゾーン８＝（Ｑ＋Ｒ＋Ｓ＋Ｖ＋Ｗ＋Ｘ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｖ＋ｗ＋ｘ）／１２
ゾーン９＝（Ｓ＋Ｔ＋Ｘ＋Ｙ＋ｓ＋ｔ＋ｘ＋ｙ）／８
【００２６】
このようにして、積層体３４のゾーン１〜９の加熱温度が決定される。ここで、中央部のゾーン５は、基本となる加熱温度である。つまり、積層体３４の所定の加熱温度が１００℃である場合、ゾーンＫ，Ｌ，Ｍ，Ｎ，Ｏの加熱温度は１００℃であり、ゾーンｃ，ｈ，ｍ，ｒ，ｗの加熱温度も１００℃である。したがって、中央部のゾーン５の加熱温度も１００℃となる。このような加熱温度の決定の例として、図９に示すように、積層体３４の縦横の各ゾーンの加熱温度が計算された場合、これらの温度を上述の式に代入すれば、図１０に示すようなゾーン１〜９の加熱温度を得ることができる。
【００２７】
このように温度管理を行うことにより、加熱後の積層体３４を正方形に保つことができる。そのため、導体パターン３２の配置に歪みが発生せず、積層体３４をカットしても、得られたチップの側面と導体パターン３２との距離にばらつきが生じない。このチップを焼成することにより、内部電極１６を有する基体１２が形成される。したがって、得られたチップを焼成して、基体１２を形成したとき、基体１２の側面と内部電極１６との間の距離にばらつきが生じない。
【００２８】
得られた基体１２の内部電極１６が露出した端面に、焼付け電極を形成し、さらにめっき処理を施すことにより、外部電極１８が形成され、積層セラミックコンデンサ１０が得られる。得られた積層セラミックコンデンサ１０は、内部電極１６の配置が揃ったものであり、積層セラミックコンデンサ１０の特性ばらつきも小さくすることができる。
【００２９】
なお、加熱後の積層体３４の形状としては、図１１（Ａ）〜（Ｄ）に示すように、種々の形状が考えられるが、個々の積層体３４について熱膨張率を測定し、その熱膨張率から加熱温度を算出することにより、加熱後の積層体の変形を防止することができる。
【００３０】
さらに、セラミックグリーンシート３０を積層圧着するときにすでに変形した積層体３４について、複数のゾーンの加熱温度を調整することにより、加熱後の積層体３４が正方形となるようにしてもよい。このように、加熱前に積層体３４に歪みが生じ、内部の導体パターン３２の配置がずれたものについても、各ゾーンの温度を調整することにより、導体パターン３２を規則正しく配置させることができる。なお、加熱前に変形した積層体３４については、カット後に温度が下がったとき、得られたチップに変形が生じる可能性はあるが、積層体３４の１辺は数十ｃｍのサイズで、カットして得られるチップは数ｍｍというサイズとなるため、カット後のチップの変形量は無視できるほど小さいものとなる。
【００３１】
また、積層体３４の熱膨張率を測定する箇所の数、および加熱温度をコントロールするゾーンの数は、任意に変更可能である。これらの数を増やして、細かい範囲で積層体３４の温度を調整すれば、加熱後の積層体３４の形状をより正確に管理することができる。なお、このような方法は、積層セラミックコンデンサの製造のみでなく、積層チップインダクタなどの他の積層セラミック電子部品の製造にも適用することができる。
【実施例１】
【００３２】
ＢａＴｉＯ3 を主成分とする誘電体セラミック材料を用いて、セラミックスラリーを形成した。このセラミックスラリーを用いて、セラミックグリーンシートを形成した。さらに、セラミックグリーンシート上に、積層セラミックコンデンサの内部電極用の導体パターンを形成した。そして、導体パターンが形成されていないセラミックグリーンシートと、導体パターンが形成されたセラミックグリーンシートとを積層圧着して、積層体を形成した。積層したセラミックグリーンシートの枚数は１００枚であり、得られた積層体のサイズは２００ｍｍ×２００ｍｍである。この積層体を１００℃に加熱することにより、積層体は図５に示すような形状に変形した。
【００３３】
この積層体について、縦横の熱膨張率を測定し、上述のような方法で、ゾーン１〜９の加熱温度を算出した。積層体のゾーン１〜９がこのような加熱温度となるようにカットステージの温度を調整し、積層体をカットしてチップを形成した。また、比較例として、積層体の全体を均一に１００℃に加熱して、同様にチップを形成した。得られたチップのサイズは、未焼成の状態で２．２ｍｍ×１．０ｍｍ×１．０ｍｍである。
【００３４】
これらの積層体について、同一のカットラインと導体パターンの端部との距離を測定し、その最大値と最小値とのギャップ差を比較した。ここでは、図５に示すように、導体パターンの幅方向における最も外側のカットラインについて、最大値（ギャップＢ）と最小値（ギャップＡ）とのギャップ差を測定した。また、得られたチップについて、導体パターンのズレ不良が発生した数を測定した。ここで、カットラインと導体パターンの端部との設定距離１７０μｍに対して、８０μｍ以下のものをズレ不良とした。そして、その結果を表３に示す。
【００３５】
【表３】
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【００３６】
表３からわかるように、積層体をゾーン１〜９に分けて温度管理を行った積層体については、ギャップ差が３０μｍと小さく、ズレ不良も発生しなかった。それに対して、全体を均一に１００℃に加熱した積層体については、ギャップ差が１３０μｍと大きく、ズレ不良の発生数も多かった。
【実施例２】
【００３７】
実施例１と同様にして、１００℃に加熱したときに、図１１（Ｂ）に示すように変形する積層体について、ゾーン１〜９に分けて温度管理した場合と、全体的に均一に１００℃に加熱した場合について、ギャップ差およびズレ不良の発生数を調べた。そして、その結果を表４に示す。
【００３８】
【表４】
2005243705.tif 000006
【００３９】
図４からわかるように、この実施例においても、積層体をゾーン１〜９に分けて温度管理を行った積層体については、ギャップ差が３０μｍと小さく、ズレ不良も発生しなかった。それに対して、全体を均一に１００℃に加熱した積層体については、ギャップ差が１３０μｍと大きく、ズレ不良の発生数も多かった。
【００４０】
これらの実施例からも、積層体をカットするときに、積層体を複数のゾーンに分けて温度管理を行うことにより、カット時における積層体を所望の形状にすることができ、導体パターンの配置も正確に調整できることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】この発明の積層セラミック電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサを示す図解図である。
【図２】図１に示す積層セラミックコンデンサを作製するためのセラミックグリーンシートと導体パターンとを示す平面図である。
【図３】図２に示すセラミックグリーンシートを積層した積層体を示す図解図である。
【図４】図３に示す積層体をカットステージに載置した状態を示す図解図である。
【図５】積層体を加熱したときに生じる変形の例を示す平面図である。
【図６】積層体の熱膨張率を測定するために複数箇所の長さを測定する例を示す図解図である。
【図７】積層体の縦横のそれぞれにおいて５箇所ずつ熱膨張率を測定する場合における５行５列のゾーンを示す説明図である。
【図８】図７に示す５行５列のゾーンにおける加熱温度をもとにして実際に加熱温度の管理を行う９つのゾーンを示す説明図である。
【図９】図７に示すゾーンの加熱温度の一例を示す説明図である。
【図１０】図８に示すゾーンの加熱温度の一例を示す説明図である。
【図１１】加熱された積層体の変形の種類を示す図解図である。
【図１２】従来の方法で積層セラミック電子部品を作製するときに用いられるセラミックグリーンシートと導体パターンとを示す平面図である。
【図１３】図１２に示すセラミックグリーンシートを積層した積層体をカットステージに載置した状態を示す図解図である。
【図１４】図１３に示す積層体を加熱したときに生じる変形の例を示す平面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１０  積層セラミックコンデンサ
１２  基体
１４  セラミック層
１６  内部電極
１８  外部電極
３０  セラミックグリーンシート
３２  導体パターン
３４  積層体
３６  カットステージ
【図１】
2005243705.tif 000007
【図２】
2005243705.tif 000008
【図３】
2005243705.tif 000009
【図４】
2005243705.tif 000010
【図５】
2005243705.tif 000011
【図６】
2005243705.tif 000012
【図７】
2005243705.tif 000013
【図８】
2005243705.tif 000014
【図９】
2005243705.tif 000015
【図１０】
2005243705.tif 000016
【図１１】
2005243705.tif 000017
【図１２】
2005243705.tif 000018
【図１３】
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【図１４】
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