(57)【要約】【課題】  高結晶性単結晶Ｓｉ若しくは歪みＳｉの高い電子・正孔移動度を有し、高輝度、高コントラスト、高精細の電気光学表示装置の製造方法及び電気光学表示装置を提供する。【解決手段】  多孔質Ｓｉ層（低多孔質Ｓｉ層１１ａ，高多孔質Ｓｉ層１１ｂ，低多孔質Ｓｉ層１１ｃ）及び単結晶Ｓｉ層或いは歪印加のＳｉＧｅ層１２を形成した単結晶Ｓｉの種子基板１０と、透明絶縁層１３及び少なくとも画素開口部を有する遮光性金属層を形成した石英ガラス基板３０からなる支持基板を貼り合せ、種子基板を高多孔質Ｓｉ層１１ｂから分離し、単結晶Ｓｉ層或いは歪印加のＳｉＧｅ層１２の表示領域をエッチングして透明絶縁層１３を露出させた後に、Ｓｉエピタキシャル成長によって周辺回路領域に高結晶性単結晶Ｓｉ層或いは歪Ｓｉ層１５、表示領域にポリＳｉ層１６を形成する。その後、表示領域のポリＳｉ層に表示素子部と画素開口部を、周辺回路領域の高結晶性単結晶Ｓｉ層或いは歪Ｓｉ層にシステムＬＳＩを含むＬＣＤ周辺回路部を形成する。【選択図】    図３０
2005333042.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体からなる種子基板に多孔質半導体層を形成する工程と、
前記種子基板上に前記多孔質半導体層を介して第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、
ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして透明絶縁層を形成する工程と、
前記種子基板の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と前記支持基板の透明絶縁層を貼り合せる工程と、
前記種子基板を前記多孔質半導体層から分離する工程と、
前記多孔質半導体層の分離残りをエッチングし、前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層の表示領域をエッチングして前記透明絶縁層を露出する工程と、
表示領域に結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層を、周辺回路領域に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、
前記表示領域の結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える
ことを特徴とする電気光学表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記エッチングにより露出した前記透明絶縁層に画素開口部領域が開口した遮光性金属層を介して第２の透明絶縁層を形成した後に、表示領域に結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層を、周辺回路領域に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項３】
単結晶半導体からなる種子基板に多孔質半導体層を形成する工程と、
前記種子基板上に前記多孔質半導体層を介して第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、
ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして透明絶縁層を形成する工程と、
前記種子基板の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と前記支持基板の透明絶縁層を貼り合せる工程と、
前記種子基板を前記多孔質半導体層から分離する工程と、
前記多孔質半導体層の分離残りをエッチングし、第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、
表示領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える
ことを特徴とする電気光学表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記透明絶縁層は、少なくとも窒化系シリコン膜を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記透明絶縁層は、少なくとも窒化系シリコン膜を含む
ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記透明絶縁層は、少なくとも窒化系シリコン膜を含む
ことを特徴とする請求項３に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項７】
単結晶半導体若しくは歪み印加の単結晶半導体からなる種子基板の所定深さにイオン注入層を形成する工程と、
ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして透明絶縁層を形成する工程と、
該透明絶縁層を介して前記種子基板と前記支持基板を貼り合せる工程と、
前記種子基板のイオン注入層に歪部形成する工程と、
前記種子基板を前記イオン注入層の歪部から分離し、前記イオン注入層の分離残りをエッチングして第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、
前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層の表示領域をエッチングして前記透明絶縁層を露出させる工程と、
表示領域に結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層を、周辺回路領域に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、
前記表示領域の結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える
ことを特徴とする電気光学表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記エッチングにより露出した前記透明絶縁層に画素開口部領域が開口した遮光性金属層を介して第２の透明絶縁層を形成した後に、表示領域に結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層を、周辺回路領域に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する
ことを特徴とする請求項７に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項９】
単結晶半導体若しくは歪み印加の単結晶半導体からなる種子基板の所定深さにイオン注入層を形成する工程と、
ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして透明絶縁層を形成する工程と、
該透明絶縁層を介して前記種子基板と前記支持基板を貼り合せる工程と、
前記種子基板のイオン注入層に歪部形成する工程と、
前記種子基板を前記イオン注入層の歪部から分離し、前記イオン注入層の分離残りをエッチングして第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、
前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、
表示領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える
ことを特徴とする電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記透明絶縁層は、少なくとも窒化系シリコン膜を含む
ことを特徴とする請求項７に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記透明絶縁層は、少なくとも窒化系シリコン膜を含む
ことを特徴とする請求項８に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記透明絶縁層は、少なくとも窒化系シリコン膜を含む
ことを特徴とする請求項９に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１３】
ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして透明絶縁層を形成する工程と、
該透明絶縁層を介して前記支持基板と単結晶半導体若しくは歪み印加の単結晶半導体からなる種子基板を貼り合せる工程と、
前記支持基板と貼り合せた前記種子基板を裏面加工して第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、
前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層の表示領域をエッチングして前記透明絶縁層を露出する工程と、
表示領域に結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層を、周辺回路領域に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、
前記表示領域の結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える
ことを特徴とする電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記エッチングにより露出した前記透明絶縁層に画素開口部領域が開口した遮光性金属層を介して第２の透明絶縁層を形成した後に、表示領域に結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層を、周辺回路領域に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する
ことを特徴とする請求項１３に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１５】
ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして透明絶縁層を形成する工程と、
該透明絶縁層を介して前記支持基板と単結晶半導体若しくは歪み印加の単結晶半導体からなる種子基板を貼り合せる工程と、
前記支持基板と貼り合せた前記種子基板を裏面加工して第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、
前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、
表示領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える
ことを特徴とする電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記透明絶縁層は、少なくとも窒化系シリコン膜を含む
ことを特徴とする請求項１３に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記透明絶縁層は、少なくとも窒化系シリコン膜を含む
ことを特徴とする請求項１４に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記透明絶縁層は、少なくとも窒化系シリコン膜を含む
ことを特徴とする請求項１５に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１９】
単結晶半導体からなる種子基板上にエッチング停止層を介して第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、
ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして透明絶縁層を形成する工程と、
前記種子基板の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と前記支持基板の透明絶縁層を貼り合せる工程と、
前記支持基板と貼り合せた前記種子基板及び前記エッチング停止層をエッチングして前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を露出させる工程と、
前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層の表示領域をエッチングして前記透明絶縁層を露出する工程と、
表示領域に結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層を、周辺回路領域に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、
前記表示領域の結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える
ことを特徴とする電気光学表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記エッチングにより露出した前記透明絶縁層に画素開口部領域が開口した遮光性金属層を介して第２の透明絶縁層を形成した後に、表示領域に結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層を、周辺回路領域に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する
ことを特徴とする請求項１９に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項２１】
単結晶半導体からなる種子基板上にエッチング停止層を介して第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、
ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして透明絶縁層を形成する工程と、
前記種子基板の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と前記支持基板の透明絶縁層を貼り合せる工程と、
前記支持基板と貼り合せた前記種子基板及び前記エッチング停止層をエッチングして前記第１の単結晶半導体層もしくは歪み印加の単結晶半導体層を露出させる工程と、
前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と
表示領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える
ことを特徴とする電気光学表示装置の製造方法。
【請求項２２】
前記透明絶縁層は、少なくとも窒化系シリコン膜を含む
ことを特徴とする請求項１９に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項２３】
前記透明絶縁層は、少なくとも窒化系シリコン膜を含む
ことを特徴とする請求項２０に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項２４】
前記透明絶縁層は、少なくとも窒化系シリコン膜を含む
ことを特徴とする請求項２１に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項２５】
単結晶半導体からなる種子基板に多孔質半導体層を形成する工程と、
前記種子基板上に前記多孔質半導体層を介して第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、
ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして第１の透明絶縁層を形成する工程と、
該第１の透明絶縁層上に画素開口部領域が開口した遮光性金属層を形成する工程と、
該遮光性金属層上に第２の透明絶縁層を形成する工程と、
前記種子基板の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と前記支持基板の第２の透明絶縁層を貼り合せる工程と、
前記種子基板を前記多孔質半導体層から分離する工程と、
前記多孔質半導体層の分離残りをエッチングし、前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層の表示領域をエッチングして前記第２の透明絶縁層を露出する工程と、
表示領域に結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層を、周辺回路領域に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、
前記表示領域の結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える
ことを特徴とする電気光学表示装置の製造方法。
【請求項２６】
単結晶半導体からなる種子基板に多孔質半導体層を形成する工程と、
前記種子基板上に前記多孔質半導体層を介して第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、
ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして第１の透明絶縁層を形成する工程と、
該第１の透明絶縁層上に画素開口部領域が開口した遮光性金属層を形成する工程と、
該遮光性金属層上に第２の透明絶縁層を形成する工程と、
前記種子基板の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と前記支持基板の第２の透明絶縁層を貼り合せる工程と、
前記種子基板を前記多孔質半導体層から分離する工程と、
前記多孔質半導体層の分離残りをエッチングし、前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、
表示領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える
ことを特徴とする電気光学表示装置の製造方法。
【請求項２７】
少なくとも前記第１の透明絶縁層は、少なくとも窒化系シリコン膜を含む
ことを特徴とする請求項２５に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項２８】
少なくとも前記第１の透明絶縁層は、少なくとも窒化系シリコン膜を含む
ことを特徴とする請求項２６に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項２９】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで、支持基板側からの入射集光レンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き駆動基板と全面に透明電極形成した対向基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項２５に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項３０】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで、支持基板側からの入射集光レンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き駆動基板と全面に透明電極形成した対向基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項２６に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項３１】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き駆動基板を形成し、該マイクロレンズ付き駆動基板の複数の画素開口部に相当する対向基板表面をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜によりマイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成して全面に透明電極を形成することで入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板を形成し、入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板と出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項２５に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項３２】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き駆動基板を形成し、該マイクロレンズ付き駆動基板の複数の画素開口部に相当する対向基板表面をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜によりマイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成して全面に透明電極を形成することで入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板を形成し、入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板と出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項２６に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項３３】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き駆動基板を形成し、該マイクロレンズ付き駆動基板の複数の画素開口部に相当する対向基板表面をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜によりマイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成して全面に透明電極を形成することで入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き対向基板を形成し、入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板と出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項２５に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項３４】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き駆動基板を形成し、該マイクロレンズ付き駆動基板の複数の画素開口部に相当する対向基板表面をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜によりマイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成して全面に透明電極を形成することで入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き対向基板を形成し、入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板と出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項２６に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項３５】
単結晶半導体若しくは歪み印加の単結晶半導体からなる種子基板の所定深さにイオン注入層を形成する工程と、
ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして第１の透明絶縁層を形成する工程と、
該第１の透明絶縁層上に画素開口部領域が開口した遮光性金属層を形成する工程と、
該遮光性金属層上に第２の透明絶縁層を形成する工程と、
該第２の透明絶縁層を介して前記種子基板と前記支持基板を貼り合せる工程と、
前記種子基板のイオン注入層に歪部を形成する工程と、
前記種子基板を前記イオン注入層の歪部から分離し、前記イオン注入層の分離残りをエッチングして第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、
前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層の表示領域をエッチングして前記第２の透明絶縁層を露出する工程と、
表示領域に結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層を、周辺回路領域に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、
前記表示領域の結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える
ことを特徴とする電気光学表示装置の製造方法。
【請求項３６】
単結晶半導体若しくは歪み印加の単結晶半導体からなる種子基板の所定深さにイオン注入層を形成する工程と、
ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして第１の透明絶縁層を形成する工程と、
該第１の透明絶縁層上に画素開口部領域が開口した遮光性金属層を形成する工程と、
該遮光性金属層上に第２の透明絶縁層を形成する工程と、
該第２の透明絶縁層を介して前記種子基板と前記支持基板を貼り合せる工程と、
前記種子基板のイオン注入層に歪部を形成する工程と、
前記種子基板を前記イオン注入層の歪部から分離し、前記イオン注入層の分離残りをエッチングして第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、
前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、
表示領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える
ことを特徴とする電気光学表示装置の製造方法。
【請求項３７】
少なくとも前記第１の透明絶縁層は、少なくとも窒化系シリコン膜を含む
ことを特徴とする請求項３５に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項３８】
少なくとも前記第１の透明絶縁層は、少なくとも窒化系シリコン膜を含む
ことを特徴とする請求項３６に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項３９】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで、支持基板側からの入射集光レンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き駆動基板と全面に透明電極形成した対向基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項３５に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項４０】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで、支持基板側からの入射集光レンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き駆動基板と全面に透明電極形成した対向基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項３６に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項４１】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板を形成し、該マイクロレンズ付き駆動基板の複数の画素開口部に相当する対向基板表面をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜によりマイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成して全面に透明電極を形成することで入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板を形成し、入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板と出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項３５に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項４２】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板を形成し、該マイクロレンズ付き駆動基板の複数の画素開口部に相当する対向基板表面をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜によりマイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成して全面に透明電極を形成することで入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板を形成し、入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板と出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項３６に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項４３】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き駆動基板を形成し、該マイクロレンズ付き駆動基板の複数の画素開口部に相当する対向基板表面をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜によりマイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成して全面に透明電極を形成することで入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き対向基板を形成し、入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板と出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項３５に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項４４】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き駆動基板を形成し、該マイクロレンズ付き駆動基板の複数の画素開口部に相当する対向基板表面をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜によりマイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成して全面に透明電極を形成することで入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き対向基板を形成し、入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板と出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項３６に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項４５】
ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして第１の透明絶縁層を形成する工程と、
該第１の透明絶縁層上に画素開口部領域が開口した遮光性金属層を形成する工程と、
該遮光性金属層上に第２の透明絶縁層を形成する工程と、
該第２の透明絶縁層を介して前記支持基板と単結晶半導体若しくは歪み印加の単結晶半導体からなる種子基板を貼り合せる工程と、
前記支持基板と貼り合せた前記種子基板を裏面加工して第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、
前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層の表示領域をエッチングして前記第２の透明絶縁層を露出する工程と、
表示領域に結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層を、周辺回路領域に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、
前記表示領域の結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える
ことを特徴とする電気光学表示装置の製造方法。
【請求項４６】
ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして第１の透明絶縁層を形成する工程と、
該第１の透明絶縁層上に画素開口部領域が開口した遮光性金属層を形成する工程と、
該遮光性金属層上に第２の透明絶縁層を形成する工程と、
該第２の透明絶縁層を介して前記支持基板と単結晶半導体若しくは歪み印加の単結晶半導体からなる種子基板を貼り合せる工程と、
前記支持基板と貼り合せた前記種子基板を裏面加工して第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、
前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、
表示領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える
ことを特徴とする電気光学表示装置の製造方法。
【請求項４７】
少なくとも前記第１の透明絶縁層は、少なくとも窒化系シリコン膜を含む
ことを特徴とする請求項４５に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項４８】
少なくとも前記第１の透明絶縁層は、少なくとも窒化系シリコン膜を含む
ことを特徴とする請求項４６に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項４９】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで、支持基板側からの入射集光レンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き駆動基板と全面に透明電極形成した対向基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項４５に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項５０】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで、支持基板側からの入射集光レンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き駆動基板と全面に透明電極形成した対向基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項４６に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項５１】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板を形成し、該マイクロレンズ付き駆動基板の複数の画素開口部に相当する対向基板表面をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜によりマイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成して全面に透明電極を形成することで入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板を形成し、入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板と出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項４５に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項５２】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板を形成し、該マイクロレンズ付き駆動基板の複数の画素開口部に相当する対向基板表面をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜によりマイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成して全面に透明電極を形成することで入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板を形成し、入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板と出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項４６に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項５３】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き駆動基板を形成し、該マイクロレンズ付き駆動基板の複数の画素開口部に相当する対向基板表面をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜によりマイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成して全面に透明電極を形成することで入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き対向基板を形成し、入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板と出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項４５に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項５４】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き駆動基板を形成し、該マイクロレンズ付き駆動基板の複数の画素開口部に相当する対向基板表面をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜によりマイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成して全面に透明電極を形成することで入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き対向基板を形成し、入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板と出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項４６に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項５５】
単結晶半導体からなる種子基板上にエッチング停止層を介して第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、
ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして第１の透明絶縁層を形成する工程と、
該第１の透明絶縁層上に画素開口部領域が開口した遮光性金属層を形成する工程と、
該遮光性金属層上に第２の透明絶縁層を形成する工程と、
前記種子基板の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と前記支持基板の第２の透明絶縁層を貼り合せる工程と、
前記支持基板を貼り合せた前記種子基板及び前記エッチング停止層をエッチングして前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を露出させる工程と、
前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層の表示領域をエッチングして前記第２の透明絶縁層を露出する工程と、
表示領域に結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層を、周辺回路領域に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、
前記表示領域の結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える
ことを特徴とする電気光学表示装置の製造方法。
【請求項５６】
単結晶半導体からなる種子基板上にエッチング停止層を介して第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、
ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして第１の透明絶縁層を形成する工程と、
該第１の透明絶縁層上に画素開口部領域が開口した遮光性金属層を形成する工程と、
該遮光性金属層上に第２の透明絶縁層を形成する工程と、
前記種子基板の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と前記支持基板の第２の透明絶縁層を貼り合せる工程と、
前記支持基板を貼り合せた前記種子基板及び前記エッチング停止層をエッチングして前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を露出させる工程と、
前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、
表示領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える
ことを特徴とする電気光学表示装置の製造方法。
【請求項５７】
少なくとも前記第１の透明絶縁層は、少なくとも窒化系シリコン膜を含む
ことを特徴とする請求項５５に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項５８】
少なくとも前記第１の透明絶縁層は、少なくとも窒化系シリコン膜を含む
ことを特徴とする請求項５６に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項５９】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで、支持基板側からの入射集光レンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き駆動基板と全面に透明電極形成した対向基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項５５に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項６０】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで、支持基板側からの入射集光レンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き駆動基板と全面に透明電極形成した対向基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項５６に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項６１】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板を形成し、該マイクロレンズ付き駆動基板の複数の画素開口部に相当する対向基板表面をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜によりマイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成して全面に透明電極を形成することで入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板を形成し、入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板と出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項５５に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項６２】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板を形成し、該マイクロレンズ付き駆動基板の複数の画素開口部に相当する対向基板表面をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜によりマイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成して全面に透明電極を形成することで入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板を形成し、入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板と出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項５６に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項６３】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き駆動基板を形成し、該マイクロレンズ付き駆動基板の複数の画素開口部に相当する対向基板表面をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜によりマイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成して全面に透明電極を形成することで入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き対向基板を形成し、入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板と出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項５５に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項６４】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き駆動基板を形成し、該マイクロレンズ付き駆動基板の複数の画素開口部に相当する対向基板表面をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜によりマイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成して全面に透明電極を形成することで入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き対向基板を形成し、入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板と出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項５６に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項６５】
単結晶半導体からなる種子基板に多孔質半導体層を形成する工程と、
前記種子基板上に前記多孔質半導体層を介して第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、
該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上に第１の透明絶縁層を形成する工程と、
該第１の透明絶縁層上に画素開口部領域が開口した遮光性金属層を形成する工程と、
該遮光性金属層上に第２の透明絶縁層を形成する工程と、
ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして第３の透明絶縁層を形成する工程と、
前記種子基板の第２の透明絶縁層と前記支持基板の第３の透明絶縁層を貼り合せる工程と、
前記種子基板を前記多孔質半導体層から分離する工程と、
前記多孔質半導体層の分離残りをエッチングし、前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層の表示領域をエッチングして前記第１の透明絶縁層を露出する工程と、
表示領域に結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層を、周辺回路領域に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、
前記表示領域の結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える
ことを特徴とする電気光学表示装置の製造方法。
【請求項６６】
単結晶半導体からなる種子基板に多孔質半導体層を形成する工程と、
前記種子基板上に前記多孔質半導体層を介して第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、
該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上に第１の透明絶縁層を形成する工程と、
該第１の透明絶縁層上に画素開口部領域が開口した遮光性金属層を形成する工程と、
該遮光性金属層上に第２の透明絶縁層を形成する工程と、
ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして第３の透明絶縁層を形成する工程と、
前記種子基板の第２の透明絶縁層と前記支持基板の第３の透明絶縁層を貼り合せる工程と、
前記種子基板を前記多孔質半導体層から分離する工程と、
前記多孔質半導体層の分離残りをエッチングし、前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、
表示領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える
ことを特徴とする電気光学表示装置の製造方法。
【請求項６７】
少なくとも前記第３の透明絶縁層は、少なくとも窒化系シリコン膜を含む
ことを特徴とする請求項６５に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項６８】
少なくとも前記第３の透明絶縁層は、少なくとも窒化系シリコン膜を含む
ことを特徴とする請求項６６に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項６９】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで、支持基板側からの入射集光レンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き駆動基板と全面に透明電極形成した対向基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項６５に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項７０】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで、支持基板側からの入射集光レンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き駆動基板と全面に透明電極形成した対向基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項６６に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項７１】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板を形成し、該マイクロレンズ付き駆動基板の複数の画素開口部に相当する対向基板表面をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜によりマイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成して全面に透明電極を形成することで入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板を形成し、入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板と出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項６５に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項７２】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板を形成し、該マイクロレンズ付き駆動基板の複数の画素開口部に相当する対向基板表面をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜によりマイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成して全面に透明電極を形成することで入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板を形成し、入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板と出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項６６に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項７３】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き駆動基板を形成し、該マイクロレンズ付き駆動基板の複数の画素開口部に相当する対向基板表面をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜によりマイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成して全面に透明電極を形成することで入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き対向基板を形成し、入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板と出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項６５に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項７４】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き駆動基板を形成し、該マイクロレンズ付き駆動基板の複数の画素開口部に相当する対向基板表面をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜によりマイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成して全面に透明電極を形成することで入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き対向基板を形成し、入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板と出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項６６に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項７５】
単結晶半導体若しくは歪み印加の単結晶半導体からなる種子基板に第１の透明絶縁層を形成する工程と、
該第１の透明絶縁層上に画素開口部領域が開口した遮光性金属層を形成する工程と、
該遮光性金属層上に第２の透明絶縁層を形成する工程と、
ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして第３の透明絶縁層を形成する工程と、
前記種子基板の第２の透明絶縁層と前記支持基板の第３の透明絶縁層を貼り合せる工程と、
前記支持基板と貼り合せた前記種子基板を裏面加工により第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、
前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層の表示領域をエッチングして前記第１の透明絶縁層を露出する工程と、
表示領域に結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層を、周辺回路領域に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、
前記表示領域の結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える
ことを特徴とする電気光学表示装置の製造方法。
【請求項７６】
単結晶半導体若しくは歪み印加の単結晶半導体からなる種子基板に第１の透明絶縁層を形成する工程と、
該第１の透明絶縁層上に画素開口部領域が開口した遮光性金属層を形成する工程と、
該遮光性金属層上に第２の透明絶縁層を形成する工程と、
ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして第３の透明絶縁層を形成する工程と、
前記種子基板の第２の透明絶縁層と前記支持基板の第３の透明絶縁層を貼り合せる工程と、
前記支持基板と貼り合せた前記種子基板を裏面加工により第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、
前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、
表示領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える
ことを特徴とする電気光学表示装置の製造方法。
【請求項７７】
少なくとも前記第３の透明絶縁層は、少なくとも窒化系シリコン膜を含む
ことを特徴とする請求項７５に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項７８】
少なくとも前記第３の透明絶縁層は、少なくとも窒化系シリコン膜を含む
ことを特徴とする請求項７６に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項７９】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで、支持基板側からの入射集光レンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き駆動基板と全面に透明電極形成した対向基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項７５に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項８０】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで、支持基板側からの入射集光レンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き駆動基板と全面に透明電極形成した対向基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項７６に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項８１】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板を形成し、該マイクロレンズ付き駆動基板の複数の画素開口部に相当する対向基板表面をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜によりマイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成して全面に透明電極を形成することで入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板を形成し、入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板と出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項７５に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項８２】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板を形成し、該マイクロレンズ付き駆動基板の複数の画素開口部に相当する対向基板表面をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜によりマイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成して全面に透明電極を形成することで入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板を形成し、入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板と出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項７６に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項８３】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き駆動基板を形成し、該マイクロレンズ付き駆動基板の複数の画素開口部に相当する対向基板表面をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜によりマイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成して全面に透明電極を形成することで入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き対向基板を形成し、入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板と出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項７５に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項８４】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き駆動基板を形成し、該マイクロレンズ付き駆動基板の複数の画素開口部に相当する対向基板表面をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜によりマイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成して全面に透明電極を形成することで入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き対向基板を形成し、入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板と出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項７６に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項８５】
単結晶半導体からなる種子基板上にエッチング停止層を介して第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、
該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上に第１の透明絶縁層を形成する工程と、
該第１の透明絶縁層上に画素開口部領域が開口した遮光性金属層を形成する工程と、
該遮光性金属層上に第２の透明絶縁層を形成する工程と、
ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして第３の透明絶縁層を形成する工程と、
前記種子基板の第２の透明絶縁層と前記支持基板の第３の透明絶縁層を貼り合せる工程と、
前記支持基板と貼り合せた前記種子基板及び前記エッチング停止層をエッチングする工程と、
前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層の表示領域をエッチングして前記第１の透明絶縁層を露出する工程と、
表示領域に結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層を、周辺回路領域に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、
前記表示領域の結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える
ことを特徴とする電気光学表示装置の製造方法。
【請求項８６】
単結晶半導体からなる種子基板上にエッチング停止層を介して第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、
該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上に第１の透明絶縁層を形成する工程と、
該第１の透明絶縁層上に画素開口部領域が開口した遮光性金属層を形成する工程と、
該遮光性金属層上に第２の透明絶縁層を形成する工程と、
ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして第３の透明絶縁層を形成する工程と、
前記種子基板の第２の透明絶縁層と前記支持基板の第３の透明絶縁層を貼り合せる工程と、
前記支持基板と貼り合せた前記種子基板及び前記エッチング停止層をエッチングする工程と、
前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、
表示領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える
ことを特徴とする電気光学表示装置の製造方法。
【請求項８７】
少なくとも前記第３の透明絶縁層は、少なくとも窒化系シリコン膜を含む
ことを特徴とする請求項８５に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項８８】
少なくとも前記第３の透明絶縁層は、少なくとも窒化系シリコン膜を含む
ことを特徴とする請求項８６に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項８９】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで、支持基板側からの入射集光レンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き駆動基板と全面に透明電極形成した対向基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項８５に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項９０】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで、支持基板側からの入射集光レンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き駆動基板と全面に透明電極形成した対向基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項８６に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項９１】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板を形成し、該マイクロレンズ付き駆動基板の複数の画素開口部に相当する対向基板表面をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜によりマイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成して全面に透明電極を形成することで入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板を形成し、入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板と出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項８５に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項９２】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板を形成し、該マイクロレンズ付き駆動基板の複数の画素開口部に相当する対向基板表面をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜によりマイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成して全面に透明電極を形成することで入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板を形成し、入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板と出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項８６に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項９３】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き駆動基板を形成し、該マイクロレンズ付き駆動基板の複数の画素開口部に相当する対向基板表面をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜によりマイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成して全面に透明電極を形成することで入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き対向基板を形成し、入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板と出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項８５に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項９４】
前記支持基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜により前記マイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成し、画素開口部上に透明画素電極を形成することで出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き駆動基板を形成し、該マイクロレンズ付き駆動基板の複数の画素開口部に相当する対向基板表面をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜によりマイクロレンズ部を埋め込んで表面平坦化したマイクロレンズアレイを形成して全面に透明電極を形成することで入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き対向基板を形成し、入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板と出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板で液晶を挟み込む
ことを特徴とする請求項８６に記載の電気光学表示装置の製造方法。
【請求項９５】
光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層の表示領域上の表示素子部を有する結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層と、前記第２の透明絶縁層の周辺回路領域上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の周辺回路部を有する第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、
該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示装置であって、
前記遮光性金属層と前記対向基板に形成された透明電極の間に電界を印加しない
ことを特徴とする電気光学表示装置。
【請求項９６】
光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の表示領域に表示素子部が形成され、周辺回路領域に周辺回路部が形成された第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、
該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示装置であって、
前記遮光性金属層と前記対向基板に形成された透明電極の間に電界を印加しない
ことを特徴とする電気光学表示装置。
【請求項９７】
光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層の表示領域上の表示素子部を有する結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層と、前記第２の透明絶縁層の周辺回路領域上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の周辺回路部を有する第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、
該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示装置であって、
前記遮光性金属層と前記対向基板に形成された透明電極の間に任意の固定電界若しくは交流電界を常時印加する
ことを特徴とする電気光学表示装置。
【請求項９８】
光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の表示領域に表示素子部が形成され、周辺回路領域に周辺回路部が形成された第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、
該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示装置であって、
前記遮光性金属層と前記対向基板に形成された透明電極の間に任意の固定電界若しくは交流電界を常時印加する
ことを特徴とする電気光学表示装置。
【請求項９９】
光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層の表示領域上の表示素子部を有する結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層と、前記第２の透明絶縁層の周辺回路領域上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の周辺回路部を有する第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、
該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示装置であって、
前記遮光性金属層を表示領域と周辺回路領域に分割し、前記対向基板に形成された透明電極と表示領域の画素開口部周囲内のアイランド化した表示素子部の遮光性金属層の間及び前記対向基板に形成された透明電極と周辺回路領域全体の遮光性金属層の間に電界を印加せず、前記対向基板に形成された透明電極と表示領域の画素開口部周囲の遮光性金属層の間に任意の交流電界を常時印加する
ことを特徴とする電気光学表示装置。
【請求項１００】
光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の表示領域に表示素子部が形成され、周辺回路領域に周辺回路部が形成された第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、
該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示装置であって、
前記遮光性金属層を表示領域と周辺回路領域に分割し、前記対向基板に形成された透明電極と表示領域の画素開口部周囲内のアイランド化した表示素子部の遮光性金属層の間及び前記対向基板に形成された透明電極と周辺回路領域全体の遮光性金属層の間に電界を印加せず、前記対向基板に形成された透明電極と表示領域の画素開口部周囲の遮光性金属層の間に任意の交流電界を常時印加する
ことを特徴とする電気光学表示装置。
【請求項１０１】
光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層の表示領域上の表示素子部を有する結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層と、前記第２の透明絶縁層の周辺回路領域上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の周辺回路部を有する第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、
該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示装置であって、
前記遮光性金属層を表示領域と周辺回路領域に分割し、前記対向基板に形成された透明電極と表示領域の画素開口部周囲内のアイランド化した表示素子部の遮光性金属層の間及び前記対向基板に形成された透明電極と周辺回路領域全体の遮光性金属層の間に任意の固定電界を常時印加すると共に、前記対向基板に形成された透明電極と表示領域の画素開口部周囲の遮光性金属層の間に任意の交流電界を常時印加する
ことを特徴とする電気光学表示装置。
【請求項１０２】
光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の表示領域に表示素子部が形成され、周辺回路領域に周辺回路部が形成された第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、
該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示装置であって、
前記遮光性金属層を表示領域と周辺回路領域に分割し、前記対向基板に形成された透明電極と表示領域の画素開口部周囲内のアイランド化した表示素子部の遮光性金属層の間及び前記対向基板に形成された透明電極と周辺回路領域全体の遮光性金属層の間に任意の固定電界を常時印加すると共に、前記対向基板に形成された透明電極と表示領域の画素開口部周囲の遮光性金属層の間に任意の交流電界を常時印加する
ことを特徴とする電気光学表示装置。
【請求項１０３】
光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層の表示領域上の表示素子部を有する結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層と、前記第２の透明絶縁層の周辺回路領域上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の周辺回路部を有する第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、
該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示装置であって、
前記遮光性金属層を表示領域と周辺回路領域に分割し、前記対向基板に形成された透明電極も表示領域と周辺回路領域に分割し、対向基板の表示領域の透明電極と前記支持基板上の表示領域の画素開口部周囲内のアイランド化した表示素子部の遮光性金属層の間及び前記対向基板の周辺回路領域の透明電極と前記支持基板上の周辺回路領域の遮光性金属層の間には任意の固定電界を常時印加すると共に、前記対向基板の表示領域の透明電極と前記支持基板上の表示領域の画素開口部周囲の遮光性金属層の間には任意の交流電界を常時印加する
ことを特徴とする電気光学表示装置。
【請求項１０４】
光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の表示領域に表示素子部が形成され、周辺回路領域に周辺回路部が形成された第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、
該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示装置であって、
前記遮光性金属層を表示領域と周辺回路領域に分割し、前記対向基板に形成された透明電極も表示領域と周辺回路領域に分割し、対向基板の表示領域の透明電極と前記支持基板の表示領域の画素開口部周囲内のアイランド化した表示素子部の遮光性金属層の間及び前記対向基板の周辺回路領域の透明電極と前記支持基板の周辺回路領域の遮光性金属層の間には任意の固定電界を常時印加すると共に、前記対向基板の表示領域の透明電極と画素開口部周囲の遮光性金属層の間には任意の交流電界を常時印加する
ことを特徴とする電気光学表示装置。
【請求項１０５】
光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層の表示領域上の表示素子部を有する結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層と、前記第２の透明絶縁層の周辺回路領域上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の周辺回路部を有する第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、
該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示装置であって、
前記遮光性金属層を表示領域と周辺回路領域に分割し、前記対向基板に形成された透明電極も表示領域と周辺回路領域に分割し、更に対向基板の表示領域内に表示素子部に対応した反射膜を形成し、対向基板の表示領域の透明電極と前記支持基板の画素開口部周囲内のアイランド化した表示素子部の遮光性金属層の間及び前記対向基板の周辺回路領域の透明電極と前記支持基板の周辺回路領域の遮光性金属層の間には任意の固定電界を常時印加すると共に、前記対向基板の表示領域の透明電極と前記支持基板の画素開口部周囲の遮光性金属層の間には任意の交流電界を常時印加する
ことを特徴とする電気光学表示装置。
【請求項１０６】
光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の表示領域に表示素子部が形成され、周辺回路領域に周辺回路部が形成された第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、
該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示装置であって、
前記遮光性金属層を表示領域と周辺回路領域に分割し、前記対向基板に形成された透明電極も表示領域と周辺回路領域に分割し、更に対向基板の表示領域内に表示素子部に対応した反射膜を形成し、対向基板の表示領域の透明電極と前記支持基板の画素開口部周囲内のアイランド化した表示素子部の遮光性金属層の間及び前記対向基板の周辺回路領域の透明電極と前記支持基板の周辺回路領域の遮光性金属層の間には任意の固定電界を常時印加すると共に、前記対向基板の表示領域の透明電極と前記支持基板の画素開口部周囲の遮光性金属層の間には任意の交流電界を常時印加する
ことを特徴とする電気光学表示装置。
【請求項１０７】
光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層の表示領域上の表示素子部を有する結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層と、前記第２の透明絶縁層の周辺回路領域上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の周辺回路部を有する第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、
該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示装置であって、
前記遮光性金属層は少なくとも画素開口部を形成して相互に層間絶縁した二重の遮光性金属層とし、上部の遮光性金属層上には絶縁層を介して表示素子部及び周辺回路部を形成し、上部の遮光性金属層と前記対向基板に形成された透明電極の間に任意の固定電界を常時印加し、下部の遮光性金属層と前記対向基板に形成された透明電極の間に任意の交流電界を常時印加する
ことを特徴とする電気光学表示装置。
【請求項１０８】
光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の表示領域に表示素子部が形成され、周辺回路領域に周辺回路部が形成された第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、
該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示装置であって、
前記遮光性金属層は少なくとも画素開口部を形成して相互に層間絶縁した二重の遮光性金属層とし、上部の遮光性金属層上には絶縁層を介して表示素子部及び周辺回路部を形成し、上部の遮光性金属層と前記対向基板に形成された透明電極の間に任意の固定電界を常時印加し、下部の遮光性金属層と前記対向基板に形成された透明電極の間に任意の交流電界を常時印加する
ことを特徴とする電気光学表示装置。
【請求項１０９】
表示領域の画素開口部周囲の下部の遮光性金属層は上部の遮光性金属層よりも大きく、且つ画素開口部に形成する画素電極を下部の遮光性金属層よりも大きくして画素電極と下部の遮光性金属層の一部を層間絶縁膜を介して重ね合わせる
ことを特徴とする請求項１０７に記載の電気光学表示装置。
【請求項１１０】
表示領域の画素開口部周囲の下部の遮光性金属層は上部の遮光性金属層よりも大きく、且つ画素開口部に形成する画素電極を下部の遮光性金属層よりも大きくして画素電極と下部の遮光性金属層の一部を層間絶縁膜を介して重ね合わせる
ことを特徴とする請求項１０８に記載の電気光学表示装置。
【請求項１１１】
光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層の表示領域上の表示素子部を有する結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層と、前記第２の透明絶縁層の周辺回路領域上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の周辺回路部を有する第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、
該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備え、前記駆動基板上の画素開口部が前記遮光性金属層に囲まれた電気光学表示装置であって、
一方の遮光性金属層上に絶縁層を介して対向電極を形成し、その反対側の遮光性金属層上に絶縁層を介して表示素子及び画素電極を形成して全面に第１の配向膜を形成し、対向電極及び画素電極と平行或いは任意の角度に配向処理し、対向基板の全面に第２の配向膜を形成して前記第１の配向膜と同様な方向或いは任意の角度に配向処理し、対向電極と画素電極の間の液晶に映像信号に応じた横方向の電界で液晶動作させる
ことを特徴とする電気光学表示装置。
【請求項１１２】
光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の表示領域に表示素子部が形成され、周辺回路領域に周辺回路部が形成された第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、
該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備え、前記駆動基板上の画素開口部が前記遮光性金属層に囲まれた電気光学表示装置であって、
一方の遮光性金属層上に絶縁層を介して対向電極を形成し、その反対側の遮光性金属層上に絶縁層を介して表示素子及び画素電極を形成して全面に第１の配向膜を形成し、対向電極及び画素電極と平行或いは任意の角度に配向処理し、対向基板の全面に第２の配向膜を形成して前記第１の配向膜と同様な方向或いは任意の角度に配向処理し、対向電極と画素電極の間の液晶に映像信号に応じた横方向の電界で液晶動作させる
ことを特徴とする電気光学表示装置。
【請求項１１３】
光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層の表示領域上の表示素子部を有する結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層と、前記第２の透明絶縁層の周辺回路領域上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の周辺回路部を有する第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、
該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示装置であって、
画素開口部以外の表示部及び周辺回路部が前記遮光性金属層により遮光されている駆動基板側から光入射させて液晶動作させる
ことを特徴とする電気光学表示装置。
【請求項１１４】
光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の表示領域に表示素子部が形成され、周辺回路領域に周辺回路部が形成された第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、
該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示装置であって、
画素開口部以外の表示部及び周辺回路部が前記遮光性金属層により遮光されている駆動基板側から光入射させて液晶動作させる
ことを特徴とする電気光学表示装置。
【請求項１１５】
光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層の表示領域上の表示素子部を有する結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層と、前記第２の透明絶縁層の周辺回路領域上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の周辺回路部を有する第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、
該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示パネルが、高熱伝導性モールド樹脂によって枠体に取り付けられた電気光学表示装置であって、
前記対向基板サイズよりも前記駆動基板サイズを大きくし、前記駆動基板上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層及び第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層及び前記遮光性金属層面に絶縁層を介して前記高熱伝導性モールド樹脂を直接接触させる
ことを特徴とする電気光学表示装置。
【請求項１１６】
光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の表示領域に表示素子部が形成され、周辺回路領域に周辺回路部が形成された第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、
該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示パネルが、高熱伝導性モールド樹脂によって枠体に取り付けられた電気光学表示装置であって、
前記対向基板サイズよりも前記駆動基板サイズを大きくし、前記駆動基板上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層及び第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層及び前記遮光性金属層面に絶縁層を介して前記高熱伝導性モールド樹脂を直接接触させる
ことを特徴とする電気光学表示装置。
【請求項１１７】
光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層の表示領域上の表示素子部を有する結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層と、前記第２の透明絶縁層の周辺回路領域上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の周辺回路部を有する第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、
該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示パネルが、高熱伝導性モールド樹脂によって金属膜が表面に形成された樹脂枠体に取り付けられた電気光学表示装置であって、
前記枠体の少なくとも内側部の最表面は黒色系金属膜を形成し、前記枠体の外側部の光入射側は白色系反射膜を形成し、更に、少なくとも前記枠体の外側部の光入射側表面に凹凸形状またはフィン形状または凹凸及びフィン形状を形成する
ことを特徴とする電気光学表示装置。
【請求項１１８】
光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の表示領域に表示素子部が形成され、周辺回路領域に周辺回路部が形成された第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、
該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示パネルが、高熱伝導性モールド樹脂によって金属膜が表面に形成された樹脂枠体に取り付けられた電気光学表示装置であって、
前記枠体の少なくとも内側部の最表面は黒色系金属膜を形成し、前記枠体の外側部の光入射側は白色系反射膜を形成し、更に、少なくとも前記枠体の外側部の光入射側表面に凹凸形状またはフィン形状または凹凸及びフィン形状を形成する
ことを特徴とする電気光学表示装置。
【請求項１１９】
光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層の表示領域上の表示素子部を有する結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層と、前記第２の透明絶縁層の周辺回路領域上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の周辺回路部を有する第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、
該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示パネルが、高熱伝導性モールド樹脂によって金属膜が表面に形成された樹脂枠体に取り付けられた電気光学表示装置であって、
外側部の光入射側は白色系反射膜を形成し、内側部の最表面は黒色系金属膜を形成した前記枠体の入射側の内側に、画素開口部以外の表示部及び周辺回路部が遮光性金属層により光遮光されている駆動基板を取り付け、高熱伝導性モールド樹脂で前記枠体と駆動基板及び対向基板間を充填して固着している
ことを特徴とする電気光学表示装置。
【請求項１２０】
光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の表示領域に表示素子部が形成され、周辺回路領域に周辺回路部が形成された第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、
該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示パネルが、高熱伝導性モールド樹脂によって金属膜が表面に形成された樹脂枠体に取り付けられた電気光学表示装置であって、
外側部の光入射側は白色系反射膜を形成し、内側部の最表面は黒色系金属膜を形成した前記枠体の入射側の内側に、画素開口部以外の表示部及び周辺回路部が遮光性金属層により光遮光されている駆動基板を取り付け、高熱伝導性モールド樹脂で前記枠体と駆動基板及び対向基板間を充填して固着している
ことを特徴とする電気光学表示装置。
【請求項１２１】
光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層の表示領域上の表示素子部を有する結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層と、前記第２の透明絶縁層の周辺回路領域上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の周辺回路部を有する第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、
該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示パネルが、高熱伝導性モールド樹脂によって金属膜が表面に形成された樹脂枠体に取り付けられた電気光学表示装置であって、
外側部の光入射側は白色系反射膜を形成し、内側部の最表面は黒色系金属膜を形成した前記枠体の入射側の内側に対向基板を取り付け、高熱伝導性モールド樹脂で前記枠体と駆動基板及び対向基板間を充填して固着している
ことを特徴とする電気光学表示装置。
【請求項１２２】
光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の表示領域に表示素子部が形成され、周辺回路領域に周辺回路部が形成された第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、
該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示パネルが、高熱伝導性モールド樹脂によって金属膜が表面に形成された樹脂枠体に取り付けられた電気光学表示装置であって、
外側部の光入射側は白色系反射膜を形成し、内側部の最表面は黒色系金属膜を形成した前記枠体の入射側の内側に対向基板を取り付け、高熱伝導性モールド樹脂で前記枠体と駆動基板及び対向基板間を充填して固着している
ことを特徴とする電気光学表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電気光学表示装置の製造方法及び電気光学表示装置に関する。詳しくは、低リーク電流特性の表示素子部と、高い電子・正孔移動度を有する周辺回路部を同一のＳＯＩ層内に形成することによって、高い電子・正孔移動度を有し、高精細で高輝度の電気光学表示装置の製造方法及び電気光学表示装置に係るものである。
【背景技術】
【０００２】
透過型高温多結晶シリコン（以下、「ポリＳｉ」と称す。）ＴＦＴ（Thin Film Transistor）ＬＣＤの場合、石英ガラスに減圧ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等により微結晶Ｓｉ薄膜を形成し、さらにＳｉイオン注入によりアモルファスＳｉ化した後に、例えば６２０℃１２時間の固相成長法により大粒径ポリＳｉ薄膜を形成し、その膜にＬＣＤの表示素子および周辺回路などを形成している。
【０００３】
また、低温ポリＳｉＴＦＴの透過型、半透過型または反射型ＬＣＤあるいは有機ＥＬディスプレイ（以下「有機ＥＬ」と称す。）の場合、ほうけい酸ガラスやアルミノけい酸ガラスなどの低歪点ガラスにプラズマＣＶＤ等によりアモルファスＳｉ薄膜を形成し、エキシマレーザーアニール（ＥＬＡ）による結晶化で大粒径ポリＳｉ薄膜を形成し、その膜にＬＣＤの表示素子および周辺回路、または有機ＥＬの表示素子および周辺回路を形成している。
【０００４】
ところが、これらの高温ポリＳｉＴＦＴＬＣＤ、低温ポリＳｉＴＦＴＬＣＤまたは有機ＥＬの場合、単結晶Ｓｉに比べて電子・正孔移動度が高くないポリＳｉ薄膜上に、ＬＣＤまたは有機ＥＬの周辺回路を形成するため、デバイス特性、高速動作性や消費電力などが問題となる。
【０００５】
近年、ＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）と呼ばれる反射型ＬＣＤが、プロジェクタ等に採用されている。これは単結晶Ｓｉの高い電子・正孔移動度を利用したものである。ＬＣＯＳは、汎用ＭＯＳＬＳＩ技術によって単結晶Ｓｉ基板表面に表示素子および周辺駆動回路のみならず、映像信号処理回路やメモリ回路等の機能を取り込んだものであり、高輝度、高精細、高機能という特徴を有する。
【０００６】
ところが、ＬＣＯＳは、強い入射光の漏れによるＴＦＴリーク電流が画質および信頼性に問題を起こしやすい。そのため、漏れ光対策によって、加工工数増大、歩留および生産性低下をもたらしている。そこで、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板の採用が考えられる。
【０００７】
ここで、ＳＯＩ基板の製法として、キャノン社のＥＬＴＲＡＮ（商標）技術、仏Ｓｏｉｔｅｃ社のＳＭＡＲＴ ＣＵＴ（商標）技術や、ＳＩＭＯＸ（Separation by IMplanted OXygen）技術などが知られている。
【０００８】
例えば、ＥＬＴＲＡＮ法では、特許文献１に開示されているように、まずシードＳｉウエーハ表面を陽極酸化により直径０．０１μｍの極細の穴が無数に空いた多孔質のスポンジ構造に化学処理し、この多孔質Ｓｉ上に単結晶Ｓｉ層をエピタキシャル成長させる。さらに、この単結晶Ｓｉ層表面を熱酸化して絶縁膜を形成し、ハンドルＳｉウエーハと貼り合せた後、ウオータージェットにより多孔質層のところでシードＳｉウエーハを分離する。その後、超高選択エッチングでハンドルＳｉウエーハ上に残された多孔質層を除去する。最後に、水素アニール処理で表面を平滑化することでＳＯＩ基板を作製する。また、特許文献２には、シードＳｉウエーハの分離を、多孔質層の引っ張り剥離により行うことが記載されている。
【０００９】
一方、ＳＭＡＲＴ ＣＵＴ法では、特許文献３，４，５，６などに記載のように、Ｓｉウエーハ表面から所定の深さの所に高濃度水素イオン注入層を形成し、別に熱酸化して絶縁膜を形成したＳｉウエーハと貼り合せした後、剥離熱処理して高濃度水素イオン注入領域で剥離し、最後に水素アニール処理で表面を平滑化することでＳＯＩ基板を作製する。
【００１０】
【特許文献１】特許第２６０８３５１号公報
【特許文献２】特開平１１−１９５５６２号公報
【特許文献３】特許第３０４８２０１号公報
【特許文献４】特開２０００−１９６０４７号公報
【特許文献５】特開２００１−７７０４４号公報
【特許文献６】特開平５−２１１１２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ここで、特許文献１などに記載のＥＬＴＲＡＮ法のポイントは、ウオータージェットにより多孔質層のところでシードＳｉウエーハを分離することであるが、ウエーハサイズが大きくなると分離しにくくなるため、割れ、欠け、クラックの発生などにより歩留および品質が問題となりやすい。また、特許文献２に記載の方法では、多孔質層の引っ張り剥離を行うため、割れ、欠け、クラックの発生などにより歩留および品質が問題となりやすい。
【００１２】
また、特許文献３，４，５，６などに記載のＳＭＡＲＴ ＣＵＴ法のポイントは、剥離アニールにより、水素微小気泡内の圧力作用および結晶再配列作用で高濃度水素イオン注入層に歪みを発生させ、両基板を引張り剥離することであるが、ウエーハサイズが大きくなると分離しにくくなるため、割れ、欠けやクラックの発生などで歩留および品質が問題となりやすい。
【００１３】
また、単結晶シリコンＳｉ基板が光透過しないためにＳＯＩ基板の採用は、反射型ＬＣＤ及び上面発光型有機ＥＬに限定されてしまう。
【００１４】
なお、ＥＬＴＲＡＮ法によってその表面に多孔質Ｓｉ層を介して単結晶Ｓｉ層を形成した単結晶Ｓｉ基板、またはＳＭＡＲＴ ＣＵＴ法によってその表面に単結晶Ｓｉ層（高濃度水素イオン注入層）を形成した単結晶Ｓｉ基板と石英ガラス基板を貼り合せたＳＯＩ基板による透過型ＬＣＤの開発が行われているが、石英ガラス基板表面には酸化セリウム等の研磨剤による研磨のマイクロクラックが無数に存在してナノメーターレベルの凹凸が大きいので、貼り合せ不良、熱ストレスでの単結晶Ｓｉ層への歪み応力等によるＴＦＴ特性劣化等が問題となり易い。更に、単結晶ＳｉのＳＯＩ基板層に周辺回路を形成しているが、更なる高性能化、高集積化が求められている。
【００１５】
本発明は、以上の点に鑑みて創案されたものであって、単結晶Ｓｉの高い電子・正孔移動度を有し、高精細で高輝度の電気光学表示装置、特にプロジェクタ用透過型ＬＣＤの製造方法及び電気光学表示装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記の目的を達成するために、本発明に係る電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板に多孔質半導体層を形成する工程と、前記種子基板上に前記多孔質半導体層を介して第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして透明絶縁層を形成する工程と、前記種子基板の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と前記支持基板の透明絶縁層を貼り合せる工程と、前記種子基板を前記多孔質半導体層から分離する工程と、前記多孔質半導体層の分離残りをエッチングし、前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層の表示領域をエッチングして前記透明絶縁層を露出する工程と、表示領域に結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層を、周辺回路領域に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、前記表示領域の結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える。
【００１７】
また、本発明に係る電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板に多孔質半導体層を形成する工程と、前記種子基板上に前記多孔質半導体層を介して第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして第１の透明絶縁層を形成する工程と、前記種子基板の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と前記支持基板の第１の透明絶縁層を貼り合せる工程と、前記種子基板を前記多孔質半導体層から分離する工程と、前記多孔質半導体層の分離残りをエッチングし、前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層の表示領域をエッチングして前記第１の透明絶縁層を露出する工程と、露出した前記第１の透明絶縁層に画素開口部領域が開口した遮光性金属層を介して第２の透明絶縁層を形成する工程と、表示領域に結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層を、周辺回路領域に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、前記表示領域の遮光性金属層を介した第２の透明絶縁層上の結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える。
【００１８】
また、本発明に係る電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板に多孔質半導体層を形成する工程と、前記種子基板上に前記多孔質半導体層を介して第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして透明絶縁層を形成する工程と、前記種子基板の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と前記支持基板の透明絶縁層を貼り合せる工程と、前記種子基板を前記多孔質半導体層から分離する工程と、前記多孔質半導体層の分離残りをエッチングし、第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える。
【００１９】
本製造方法では、例えば単結晶Ｓｉからなる種子基板に多孔質Ｓｉ層及び第１の単結晶Ｓｉ層若しくは歪み印加のＳｉＧｅ層を形成し、この第１の単結晶Ｓｉ層若しくはＳｉＧｅ層と、例えば石英ガラスの支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして形成した酸化シリコン（ＳｉＯ２）層またはＳｉＯ２と窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４またはＳｉＮｘ、以降はＳｉＮｘと称する）とＳｉＯ２の積層層または酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）層からなる第１の透明絶縁層を貼り合わせ、ウオータージェット、エアージェット、ウオーターエアージェットなどの高圧流体ジェット噴射剥離法、レーザー加工剥離法またはレーザーウオータージェット加工剥離法などにより種子基板を多孔質Ｓｉ層から分離し、第１の単結晶Ｓｉ層若しくはＳｉＧｅ層の表示領域をエッチングして第１の透明絶縁層を露出した後に、露出した第１の透明絶縁層に画素開口部領域が開口した遮光性金属層を介して第２の透明絶縁層を形成し、例えばＣＶＤのＳｉエピタキシャル成長により表示領域に多結晶Ｓｉ層を、周辺回路領域に高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪み単結晶半導体層の歪みＳｉ層を形成し、表示領域の遮光性金属層を介した第２の透明絶縁層上の結晶粒径制御した多結晶Ｓｉ層に表示素子部を、周辺回路領域の高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層に周辺回路部を形成するために、遮光性金属層による低リーク電流特性の表示素子部と、高い電子・正孔移動度で高い駆動能力のシステムＬＳＩを含むＬＣＤ周辺回路部が同一のＳＯＩ層内に形成でき、強い入射光による表示素子のリーク電流が低減し、高精細、高輝度、高機能な透過型ＬＣＤが得られる。
【００２０】
また、本発明に係る電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体若しくは歪み印加の単結晶半導体からなる種子基板の所定深さにイオン注入層を形成する工程と、ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして透明絶縁層を形成する工程と、該透明絶縁層を介して前記種子基板と前記支持基板を貼り合せる工程と、前記種子基板のイオン注入層に歪部形成する工程と、前記種子基板を前記イオン注入層の歪部から分離し、前記イオン注入層の分離残りをエッチングして第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層の表示領域をエッチングして前記透明絶縁層を露出させる工程と、表示領域に結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層を、周辺回路領域に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、前記表示領域の結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える。
【００２１】
また、本発明に係る電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体若しくは歪み印加の単結晶半導体からなる種子基板の所定深さにイオン注入層を形成する工程と、ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして第１の透明絶縁層を形成する工程と、該第１の透明絶縁層を介して前記種子基板と前記支持基板を貼り合せる工程と、剥離アニール等により前記種子基板のイオン注入層に歪み発生させる工程と、前記種子基板を前記イオン注入層の歪部から分離し、前記イオン注入層の分離残りをエッチングする工程と、前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層の表示領域をエッチングして前記第１の透明絶縁層を露出する工程と、露出した前記第１の透明絶縁層に画素開口部領域が開口した遮光性金属層を介して第２の透明絶縁層を形成する工程と、表示領域に結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層を、周辺回路領域に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、前記表示領域の遮光性金属層を介した第２の透明絶縁層上の結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える。
【００２２】
また、本発明に係る電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体若しくは歪み印加の単結晶半導体からなる種子基板の所定深さにイオン注入層を形成する工程と、ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして透明絶縁層を形成する工程と、該透明絶縁層を介して前記種子基板と前記支持基板を貼り合せる工程と、前記種子基板のイオン注入層に歪部形成する工程と、前記種子基板を前記イオン注入層の歪部から分離し、前記イオン注入層の分離残りをエッチングして第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える。
【００２３】
本製造方法では、例えば単結晶Ｓｉ若しくは歪み印加のＳｉＧｅからなる種子基板の所定深さに例えば高濃度水素イオン注入層を形成し、例えば石英ガラスの支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングしてＳｉＯ２またはＳｉＯ２とＳｉＮｘとＳｉＯ２の積層膜またはＳｉＯＮからなる第１の透明絶縁層を形成し、この第１の透明絶縁層を介して種子基板及び支持基板を貼り合わせ、剥離アニールまたはレーザー加工またはレーザーウオータージェット加工などにより種子基板の高濃度水素イオン注入層に歪部を発生させ、種子基板を高濃度水素イオン注入層の歪部から分離し、形成した単結晶Ｓｉ層若しくはＳｉＧｅ層の表示領域をエッチングして第１の透明絶縁層を露出した後に、露出した第１の透明絶縁層に画素開口部領域が開口した遮光性金属層を介して第２の透明絶縁層を形成し、例えばＣＶＤのＳｉエピタキシャル成長により表示領域に多結晶Ｓｉ層を、周辺回路領域に高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層を形成し、表示領域の遮光性金属層を介した第２の透明絶縁層上の結晶粒径制御した多結晶Ｓｉ層に表示素子部を、周辺回路領域の高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層に周辺回路部を形成するために、遮光性金属層による低リーク電流特性の表示素子部と、高い電子・正孔移動度で高い駆動能力のシステムＬＳＩを含むＬＣＤ周辺回路部が同一のＳＯＩ層内に形成でき、強い入射光による表示素子のリーク電流が低減し、高精細、高輝度、高機能な透過型ＬＣＤが得られる。
【００２４】
また、本発明に係る電気光学表示装置の製造方法は、ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして透明絶縁層を形成する工程と、該透明絶縁層を介して前記支持基板と単結晶半導体若しくは歪み印加の単結晶半導体からなる種子基板を貼り合せる工程と、前記支持基板と貼り合せた前記種子基板を裏面加工して第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層の表示領域をエッチングして前記透明絶縁層を露出する工程と、表示領域に結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層を、周辺回路領域に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、前記表示領域の結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える。
【００２５】
また、本発明に係る電気光学表示装置の製造方法は、ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして第１の透明絶縁層を形成する工程と、該第１の透明絶縁層を介して前記支持基板と単結晶半導体若しくは歪み印加の単結晶半導体からなる種子基板を貼り合せる工程と、前記支持基板と貼り合せた前記種子基板を裏面加工して第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層の表示領域をエッチングして前記第１の透明絶縁層を露出する工程と、露出した前記第１の透明絶縁層に画素開口部領域が開口した遮光性金属層を介して第２の透明絶縁層を形成する工程と、表示領域に結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層を、周辺回路領域に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、前記表示領域の遮光性金属層を介した第２の透明絶縁層上の結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える。
【００２６】
また、本発明に係る電気光学表示装置の製造方法は、ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして透明絶縁層を形成する工程と、該透明絶縁層を介して前記支持基板と単結晶半導体若しくは歪み印加の単結晶半導体からなる種子基板を貼り合せる工程と、前記支持基板と貼り合せた前記種子基板を裏面加工して第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える。
【００２７】
本製造方法では、例えば石英ガラスからなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングしてＳｉＯ２またはＳｉＯ２とＳｉＮｘとＳｉＯ２の積層膜またはＳｉＯＮからなる第１の透明絶縁層を形成し、この第１の透明絶縁層を介して支持基板と単結晶Ｓｉ若しくは歪み印加のＳｉＧｅからなる種子基板を貼り合わせ、支持基板と貼り合せた種子基板を裏面加工例えば裏面研削及び化学的エッチングまたは裏面研削及び裏面研磨及び化学的エッチングし、形成した単結晶Ｓｉ層若しくはＳｉＧｅ層の表示領域をエッチングして第１の透明絶縁層を露出した後に、露出した第１の透明絶縁層に画素開口部領域が開口した遮光性金属層を介して第２の透明絶縁層を形成し、例えばＣＶＤなどのＳｉエピタキシャル成長により表示領域に多結晶Ｓｉ層を、周辺回路領域に高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層を形成し、表示領域の遮光性金属層を介した第２の透明絶縁層上の多結晶Ｓｉ層に表示素子部を、周辺回路領域の高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層に周辺回路部を形成するために、遮光性金属層による低リーク電流特性の表示素子部と、高い電子・正孔移動度で高い駆動能力のシステムＬＳＩを含むＬＣＤ周辺回路部が同一のＳＯＩ層内に形成でき、強い入射光による表示素子のリーク電流が低減し、高精細、高輝度、高機能な透過型ＬＣＤが得られる。
【００２８】
また、本発明に係る電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板上にエッチング停止層を介して第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして透明絶縁層を形成する工程と、前記種子基板の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と前記支持基板の透明絶縁層を貼り合せる工程と、前記支持基板と貼り合せた前記種子基板及び前記エッチング停止層をエッチングして前記第１の単結晶半導体層もしくは歪み印加の単結晶半導体層を露出させる工程と、前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層の表示領域をエッチングして前記透明絶縁層を露出する工程と、表示領域に結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層を、周辺回路領域に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、前記表示領域の結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える。
【００２９】
また、本発明に係る電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板上にエッチング停止層を介して第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして第１の透明絶縁層を形成する工程と、前記種子基板の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と前記支持基板の第１の透明絶縁層を貼り合せる工程と、前記支持基板と貼り合せた前記種子基板及び前記エッチング停止層をエッチングして前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を露出させる工程と、前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層の表示領域をエッチングして前記第１の透明絶縁層を露出する工程と、露出した前記第１の透明絶縁層に画素開口部領域が開口した遮光性金属層を介して第２の透明絶縁層を形成する工程と、表示領域に結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層を、周辺回路領域に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、前記表示領域の遮光性金属層を介した第２の透明絶縁層上の結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える。
【００３０】
また、本発明に係る電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板上にエッチング停止層を介して第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして透明絶縁層を形成する工程と、前記種子基板の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と前記支持基板の透明絶縁層を貼り合せる工程と、前記支持基板と貼り合せた前記種子基板及び前記エッチング停止層をエッチングして前記第１の単結晶半導体層もしくは歪み印加の単結晶半導体層を露出させる工程と、前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と表示領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える。
【００３１】
本製造方法では、例えば単結晶Ｓｉからなる種子基板上に高濃度ｐ型単結晶Ｓｉ層のエッチング停止層を介して第１の単結晶Ｓｉ層若しくは歪み印加のＳｉＧｅ層を形成し、この第１の単結晶Ｓｉ層若しくはＳｉＧｅ層と、例えば石英ガラスからなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングしてＳｉＯ２またはＳｉＯ２とＳｉＮｘとＳｉＯ２の積層膜またはＳｉＯＮからなる第１の透明絶縁層を貼り合わせ、支持基板と貼り合せた種子基板及びエッチング停止層をエッチングして形成した第１の単結晶Ｓｉ層若しくはＳｉＧｅ層の表示領域をエッチングして第１の透明絶縁層を露出した後に、露出した第１の透明絶縁層に画素開口部領域が開口した遮光性金属層を介して第２の透明絶縁層を形成し、ＣＶＤなどのＳｉエピタキシャル成長により表示領域に多結晶Ｓｉ層を、周辺回路領域に高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪Ｓｉ層を形成し、表示領域の遮光性金属層を介した第２の透明絶縁層上の結晶粒径制御した多結晶Ｓｉ層に表示素子部を、周辺回路領域の高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層に周辺回路部を形成するために、遮光性金属層による低リーク電流特性の表示素子部と、高い電子・正孔移動度で高い駆動能力のシステムＬＳＩを含むＬＣＤ周辺回路部が同一のＳＯＩ層内に形成でき、強い入射光による表示素子のリーク電流が低減し、高精細、高輝度、高機能な透過型ＬＣＤが得られる。
【００３２】
また、本発明に係る電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板に多孔質半導体層を形成する工程と、前記種子基板上に前記多孔質半導体層を介して第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして第１の透明絶縁層を形成する工程と、該第１の透明絶縁層上に画素開口部領域が開口した遮光性金属層を形成する工程と、該遮光性金属層上に第２の透明絶縁層を形成する工程と、前記種子基板の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と前記支持基板の第２の透明絶縁層を貼り合せる工程と、前記種子基板を前記多孔質半導体層から分離する工程と、前記多孔質半導体層の分離残りをエッチングし、前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層の表示領域をエッチングして前記第２の透明絶縁層を露出する工程と、表示領域に結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層を、周辺回路領域に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、前記表示領域の結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える。
【００３３】
本製造方法では、例えば単結晶Ｓｉからなる種子基板に多孔質Ｓｉ層及び第１の単結晶Ｓｉ層若しくは歪み印加のＳｉＧｅ層を形成し、例えば石英ガラスからなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングしてＳｉＯ２またはＳｉＯ２とＳｉＮｘとＳｉＯ２の積層膜またはＳｉＯＮからなる第１の透明絶縁層、画素開口部領域が開口した遮光性金属層及びＳｉＯ２またはＳｉＯ２とＳｉＮｘとＳｉＯ２の積層膜またはＳｉＯＮからなる第２の透明絶縁層を形成し、種子基板の第１の単結晶Ｓｉ層若しくはＳｉＧｅ層と支持基板の第２の透明絶縁層を貼り合わせ、ウオータージェット、エアージェット、ウオーターエアージェットなどの高圧流体ジェット噴射剥離法、レーザー加工剥離法またはレーザーウオータージェット加工剥離法などにより種子基板を多孔質Ｓｉ層から分離し、第１の単結晶Ｓｉ層若しくはＳｉＧｅ層の表示領域をエッチングして第２の透明絶縁層を露出した後に、例えばＣＶＤなどのＳｉエピタキシャル成長により表示領域に多結晶Ｓｉ層を、周辺回路領域に高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層を形成し、表示領域の結晶粒径制御した多結晶Ｓｉ層に表示素子部を、周辺回路領域の高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層に周辺回路部を形成するために、遮光性金属層による低リーク電流特性の表示素子部と、高い電子・正孔移動度で高い駆動能力のシステムＬＳＩを含むＬＣＤ周辺回路部が同一のＳＯＩ層内に形成でき、強い入射光による表示素子のリーク電流が低減し、更に、画素開口部領域以外に遮光性金属層が形成されており、反射光による表示領域及び周辺回路領域内の素子リーク電流を抑制でき、高精細、高輝度、高機能な透過型ＬＣＤが得られる。
【００３４】
また、本発明に係る電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板に多孔質半導体層を形成する工程と、前記種子基板上に前記多孔質半導体層を介して第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして第１の透明絶縁層を形成する工程と、該第１の透明絶縁層上に画素開口部領域が開口した遮光性金属層を形成する工程と、該遮光性金属層上に第２の透明絶縁層を形成する工程と、前記種子基板の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と前記支持基板の第２の透明絶縁層を貼り合せる工程と、前記種子基板を前記多孔質半導体層から分離する工程と、前記多孔質半導体層の分離残りをエッチングし、半導体エピタキシャル成長により前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える。
【００３５】
本製造方法では、例えば単結晶Ｓｉからなる種子基板に多孔質Ｓｉ層及び第１の単結晶Ｓｉ層若しくは歪み印加のＳｉＧｅ層を形成し、例えば石英ガラスからなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングしてＳｉＯ２またはＳｉＯ２とＳｉＮｘとＳｉＯ２の積層膜またはＳｉＯＮからなる第１の透明絶縁層、画素開口部領域が開口した遮光性金属層、ＳｉＯ２またはＳｉＯ２とＳｉＮｘとＳｉＯ２の積層膜またはＳｉＯＮからなる第２の透明絶縁層を形成し、種子基板の第１の単結晶Ｓｉ層若しくはＳｉＧｅ層と支持基板の第２の透明絶縁層を貼り合わせ、ウオータージェット、エアージェット、ウオーターエアージェットなどの高圧流体ジェット噴射剥離法、レーザー加工剥離法またはレーザーウオータージェット加工剥離法などにより種子基板を多孔質Ｓｉ層から分離し、例えばＣＶＤのＳｉエピタキシャル成長により第１の単結晶Ｓｉ層若しくはＳｉＧｅ層上に高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層を形成した後、表示領域の高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層に表示素子部と、周辺回路領域の高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層にシステムＬＳＩを含むＬＣＤ周辺回路部を形成するために、遮光性金属層による低リーク電流特性の表示素子部と、高い電子・正孔移動度で高い駆動能力のシステムＬＳＩを含むＬＣＤ周辺回路部が同一のＳＯＩ層内に形成でき、強い入射光による表示素子のリーク電流が低減し、更に、画素開口部領域以外に遮光性金属層が形成されており、反射光による表示領域及び周辺回路領域内の素子リーク電流を抑制でき、高精細、高輝度、高機能な透過型ＬＣＤが得られる。
【００３６】
また、本発明に係る電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体若しくは歪み印加の単結晶半導体からなる種子基板の所定深さにイオン注入層を形成する工程と、ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして第１の透明絶縁層を形成する工程と、該第１の透明絶縁層上に画素開口部領域が開口した遮光性金属層を形成する工程と、該遮光性金属層上に第２の透明絶縁層を形成する工程と、該第２の透明絶縁層を介して前記種子基板と前記支持基板を貼り合せる工程と、剥離アニール等により前記種子基板の前記イオン注入層に歪部発生させる工程と、前記種子基板を前記オン注入層の歪部から分離する工程と、前記イオン注入層の分離残りをエッチングして第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、形成した第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層の表示領域をエッチングして前記第２の透明絶縁層を露出する工程と、表示領域に結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層を、周辺回路領域に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、前記表示領域の結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える。
【００３７】
本製造方法では、例えば単結晶Ｓｉ若しくは歪み印加のＳｉＧｅからなる種子基板の所定深さに高濃度水素イオン注入層を形成し、例えば石英ガラスからなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングしてＳｉＯ２またはＳｉＯ２とＳｉＮｘとＳｉＯ２の積層膜またはＳｉＯＮからなる第１の透明絶縁層、画素開口部領域が開口した遮光性金属層及びＳｉＯ２またはＳｉＯ２とＳｉＮｘとＳｉＯ２の積層膜またはＳｉＯＮからなる第２の透明絶縁層を形成し、この第２の透明絶縁層を介して種子基板と支持基板を貼り合わせ、剥離アニールまたはレーザー加工またはレーザーウオータージェット加工などにより種子基板の高濃度水素イオン注入層に歪部発生させ、種子基板を高濃度水素イオン注入層の歪部から分離して形成した単結晶Ｓｉ層もしくはＳｉＧｅ層の表示領域をエッチングして第２の透明絶縁層を露出した後に、、例えばＣＶＤのＳｉエピタキシャル成長により表示領域に多結晶Ｓｉ層を、周辺回路領域に高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層を形成し、表示領域の結晶粒径制御した多結晶Ｓｉ層に表示素子部を、周辺回路領域の高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層に周辺回路部を形成するために、遮光性金属層による低リーク電流特性の表示素子部と、高い電子・正孔移動度で高い駆動能力のシステムＬＳＩを含むＬＣＤ周辺回路部が同一のＳＯＩ層内に形成でき、強い入射光による表示素子のリーク電流が低減し、更に、画素開口部領域以外に遮光性金属層が形成されており、反射光による表示領域及び周辺回路領域内の素子リーク電流を抑制でき、高精細、高輝度、高機能な透過型ＬＣＤが得られる。
【００３８】
また、本発明に係る電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体若しくは歪み印加の単結晶半導体からなる種子基板の所定深さにイオン注入層を形成する工程と、ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして第１の透明絶縁層を形成する工程と、該第１の透明絶縁層上に画素開口部領域が開口した遮光性金属層を形成する工程と、該遮光性金属層上に第２の透明絶縁層を形成する工程と、該第２の透明絶縁層を介して前記種子基板と前記支持基板を貼り合せる工程と、剥離アニール等により前記種子基板の前記イオン注入層に歪部発生させる工程と、前記種子基板を前記イオン注入層の歪部から分離して第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、半導体エピタキシャル成長により前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える。
【００３９】
本製造方法では、例えば単結晶Ｓｉ若しくは歪み印加のＳｉＧｅからなる種子基板の所定深さに高濃度水素イオン注入層を形成し、例えば石英ガラスからなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングしてＳｉＯ２またはＳｉＯ２とＳｉＮｘとＳｉＯ２の積層膜またはＳｉＯＮからなる第１の透明絶縁層、画素開口部領域が開口した遮光性金属層及びＳｉＯ２またはＳｉＯ２とＳｉＮｘとＳｉＯ２の積層膜またはＳｉＯＮからなる第２の透明絶縁層を形成し、この第２の透明絶縁層を介して種子基板と支持基板を貼り合わせ、剥離アニールまたはレーザー加工またはレーザーウオータージェット加工などにより前記種子基板の前記高濃度水素イオン注入層に歪部発生させて種子基板を高濃度水素イオン注入層の歪部から分離して第１の単結晶Ｓｉ層若しくはＳｉＧｅ層を形成し、半導体エピタキシャル成長により第１の単結晶Ｓｉ層若しくはＳｉＧｅ層上に高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層を形成した後に、表示領域の高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層に表示素子部を、周辺回路領域の高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層に周辺回路部を形成するために、遮光性金属層による低リーク電流特性の表示素子部と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高いシステムＬＳＩを含むＬＣＤ周辺回路部が同一のＳＯＩ層内に形成でき、強い入射光による表示素子のリーク電流が低減し、更に、画素開口部領域以外に遮光性金属層が形成されており、反射光による表示領域及び周辺回路領域内の素子リーク電流を抑制でき、高精細、高輝度、高機能な透過型ＬＣＤが得られる。
【００４０】
また、本発明に係る電気光学表示装置の製造方法は、ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして第１の透明絶縁層を形成する工程と、該第１の透明絶縁層上に画素開口部領域が開口した遮光性金属層を形成する工程と、該遮光性金属層上に第２の透明絶縁層を形成する工程と、該第２の透明絶縁層を介して前記支持基板と単結晶半導体若しくは歪み印加の単結晶半導体からなる種子基板を貼り合せる工程と、前記支持基板と貼り合せた前記種子基板を裏面加工して第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層の表示領域をエッチングして前記第２の透明絶縁層を露出する工程と、表示領域に結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層を、周辺回路領域に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、前記表示領域の結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える。
【００４１】
本製造方法では、例えば石英ガラスからなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングしてＳｉＯ２またはＳｉＯ２とＳｉＮｘとＳｉＯ２の積層膜またはＳｉＯＮからなる第１の透明絶縁層、画素開口部領域が開口した遮光性金属層及びＳｉＯ２またはＳｉＯ２とＳｉＮｘとＳｉＯ２の積層膜またはＳｉＯＮからなる第２の透明絶縁層を形成し、この第２の透明絶縁層を介して支持基板と単結晶Ｓｉ若しくは歪み印加のＳｉＧｅからなる種子基板を貼り合わせ、支持基板と貼り合せた種子基板を裏面加工、例えば裏面研削及び化学的エッチングまたは裏面研削及び裏面研磨及び化学的エッチングして形成した第１の単結晶Ｓｉ層若しくはＳｉＧｅ層の表示領域をエッチングして第２の透明絶縁層を露出した後に、例えばＣＶＤのＳｉエピタキシャル成長により表示領域に多結晶Ｓｉ層を、周辺回路領域に高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層を形成し、表示領域の結晶粒径制御した多結晶Ｓｉ層に表示素子部を、周辺回路領域の高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層に周辺回路部を形成するために、遮光性金属層による低リーク電流特性の表示素子部と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高いシステムＬＳＩを含むＬＣＤ周辺回路部が同一のＳＯＩ層内に形成でき、強い入射光による表示素子のリーク電流が低減し、更に、画素開口部領域以外に遮光性金属層が形成されており、反射光による表示領域及び周辺回路領域内の素子リーク電流を抑制でき、高精細、高輝度、高機能な透過型ＬＣＤが得られる。
【００４２】
また、本発明に係る電気光学表示装置の製造方法は、ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして第１の透明絶縁層を形成する工程と、該第１の透明絶縁層上に画素開口部領域が開口した遮光性金属層を形成する工程と、該遮光性金属層上に第２の透明絶縁層を形成する工程と、該第２の透明絶縁層を介して前記支持基板と単結晶半導体若しくは歪み印加の単結晶半導体からなる種子基板を貼り合せる工程と、前記支持基板と貼り合せた前記種子基板を裏面加工して第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、半導体エピタキシャル成長により前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える。
【００４３】
本製造方法では、例えば石英ガラスからなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングしてＳｉＯ２またはＳｉＯ２とＳｉＮｘとＳｉＯ２の積層膜またはＳｉＯＮからなる第１の透明絶縁層、画素開口部領域が開口した遮光性金属層及びＳｉＯ２またはＳｉＯ２とＳｉＮｘとＳｉＯ２の積層膜またはＳｉＯＮからなる第２の透明絶縁層を形成し、この第２の透明絶縁層を介して支持基板と単結晶Ｓｉ若しくは歪み印加のＳｉＧｅからなる種子基板を貼り合わせ、支持基板と貼り合せた種子基板を裏面加工、例えば裏面研削及び化学的エッチングまたは裏面研削及び裏面研磨及び化学的エッチングして形成した第１の単結晶Ｓｉ層若しくは歪み印加のＳｉＧｅ層上に例えばＣＶＤのＳｉエピタキシャル成長により高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層を形成した後に、表示領域の高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層に表示素子部を、周辺回路領域の高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層に周辺回路部を形成するために、遮光性金属層による低リーク電流特性の表示素子部と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高いシステムＬＳＩを含むＬＣＤ周辺回路部が同一のＳＯＩ層内に形成でき、強い入射光による表示素子のリーク電流が低減し、更に、画素開口部領域以外に遮光性金属層が形成されており、反射光による表示領域及び周辺回路領域内の素子リーク電流を抑制でき、高精細、高輝度、高機能な透過型ＬＣＤが得られる。
【００４４】
また、本発明に係る電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板上にエッチング停止層を介して第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして第１の透明絶縁層を形成する工程と、該第１の透明絶縁層上に画素開口部領域が開口した遮光性金属層を形成する工程と、該遮光性金属層上に第２の透明絶縁層を形成する工程と、前記種子基板の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と前記支持基板の第２の透明絶縁層を貼り合せる工程と、前記支持基板を貼り合せた前記種子基板及び前記エッチング停止層をエッチングして前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を露出させる工程と、前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層の表示領域をエッチングして前記第２の透明絶縁層を露出する工程と、表示領域に結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層を、周辺回路領域に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、前記表示領域の結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える。
【００４５】
本製造方法では、例えば単結晶Ｓｉからなる種子基板上に高濃度ｐ型単結晶Ｓｉ層のエッチング停止層を介して第１の単結晶Ｓｉ層若しくは歪み印加のＳｉＧｅ層を形成し、例えば石英ガラスからなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングしてＳｉＯ２またはＳｉＯ２とＳｉＮｘとＳｉＯ２の積層膜またはＳｉＯＮからなる第１の透明絶縁層、画素開口部領域が開口した遮光性金属層及びＳｉＯ２またはＳｉＯ２とＳｉＮｘとＳｉＯ２の積層膜またはＳｉＯＮからなる第２の透明絶縁層を形成し、種子基板の第１の単結晶Ｓｉ層若しくはＳｉＧｅ層と支持基板の第２の透明絶縁層を貼り合わせ、支持基板を貼り合せた種子基板及びエッチング停止層をエッチングして形成した第１の単結晶Ｓｉ層若しくはＳｉＧｅ層の表示領域をエッチングして第２の透明絶縁層を露出した後に、例えばＣＶＤのＳｉエピタキシャル成長により表示領域に多結晶Ｓｉ層を、周辺回路領域に高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層を形成し、表示領域の結晶粒径制御した多結晶Ｓｉ層に表示素子部を、周辺回路領域の高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層に周辺回路部を形成するために、遮光性金属層による低リーク電流特性の表示素子部と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高いシステムＬＳＩを含むＬＣＤ周辺回路部が同一のＳＯＩ層内に形成でき、強い入射光による表示素子のリーク電流が低減し、更に、画素開口部領域以外に遮光性金属層が形成されており、反射光による表示領域及び周辺回路領域内の素子リーク電流を抑制でき、高精細、高輝度、高機能な透過型ＬＣＤが得られる。
【００４６】
また、本発明に係る電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板上にエッチング停止層を介して第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして第１の透明絶縁層を形成する工程と、該第１の透明絶縁層上に画素開口部領域が開口した遮光性金属層を形成する工程と、該遮光性金属層上に第２の透明絶縁層を形成する工程と、前記種子基板の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と前記支持基板の第２の透明絶縁層を貼り合せる工程と、前記支持基板を貼り合せた前記種子基板及び前記エッチング停止層をエッチングして前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を露出させる工程と、半導体エピタキシャル成長により前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える。
【００４７】
本製造方法では、例えば単結晶Ｓｉからなる種子基板上に高濃度ｐ型単結晶Ｓｉ層のエッチング停止層を介して第１の単結晶Ｓｉ層若しくは歪み印加のＳｉＧｅ層を形成し、例えば石英ガラスからなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングしてＳｉＯ２またはＳｉＯ２とＳｉＮｘとＳｉＯ２の積層膜またはＳｉＯＮからなる第１の透明絶縁層、画素開口部領域が開口した遮光性金属層及びＳｉＯ２またはＳｉＯ２とＳｉＮｘとＳｉＯ２の積層膜またはＳｉＯＮからなる第２の透明絶縁層を形成し、種子基板の第１の単結晶Ｓｉ層若しくはＳｉＧｅ層と支持基板の第２の透明絶縁層を貼り合わせ、支持基板を貼り合せた種子基板及びエッチング停止層をエッチングして第１の単結晶Ｓｉ層若しくはＳｉＧｅ層を露出させ、例えばＣＶＤのＳｉエピタキシャル成長により第１の単結晶Ｓｉ層若しくはＳｉＧｅ層上に高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層を形成し、表示領域の高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層に表示素子部を、周辺回路領域の高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層に周辺回路部を形成するために、遮光性金属層による低リーク電流特性の表示素子部と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高いシステムＬＳＩを含むＬＣＤ周辺回路部が同一のＳＯＩ層内に形成でき、強い入射光による表示素子のリーク電流が低減し、更に、画素開口部領域以外に遮光性金属層が形成されており、反射光による表示領域及び周辺回路領域内の素子リーク電流を抑制でき、高精細、高輝度、高機能な透過型ＬＣＤが得られる。
【００４８】
また、本発明に係る電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板に多孔質半導体層を形成する工程と、前記種子基板上に前記多孔質半導体層を介して第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上に第１の透明絶縁層を形成する工程と、該第１の透明絶縁層上に画素開口部領域が開口した遮光性金属層を形成する工程と、該遮光性金属層上に第２の透明絶縁層を形成する工程と、ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして第３の透明絶縁層を形成する工程と、前記種子基板の第２の透明絶縁層と前記支持基板の第３の透明絶縁層を貼り合せる工程と、前記種子基板を前記多孔質半導体層から分離して前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を露出させる工程と、前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層の表示領域をエッチングして前記第１の透明絶縁層を露出する工程と、表示領域に結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層を、周辺回路領域に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、前記表示領域の結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える。
【００４９】
本製造方法では、例えば単結晶Ｓｉからなる種子基板に多孔質Ｓｉ層、第１の単結晶Ｓｉ層若しくは歪み印加のＳｉＧｅ層、ＳｉＯ２またはＳｉＯ２とＳｉＮｘとＳｉＯ２の積層膜またはＳｉＯＮからなる第１の透明絶縁層、画素開口部領域が開口した遮光性金属層及びＳｉＯ２またはＳｉＯ２とＳｉＮｘとＳｉＯ２の積層膜またはＳｉＯＮからなる第２の透明絶縁層を形成し、例えば石英ガラスからなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングしてＳｉＯ２またはＳｉＯ２とＳｉＮｘとＳｉＯ２の積層膜またはＳｉＯＮからなる第３の透明絶縁層を形成し、種子基板の第２の透明絶縁層と支持基板の第３の透明絶縁層を貼り合わせ、ウオータージェット、エアージェット、ウオーターエアージェットなどの高圧流体ジェット噴射剥離法、レーザー加工剥離法またはレーザーウオータージェット加工剥離法などにより種子基板を多孔質Ｓｉ層から分離して前記第１の単結晶Ｓｉ層若しくはＳｉＧｅ層を露出させ、第１の単結晶Ｓｉ層若しくはＳｉＧｅ層の表示領域をエッチングして第１の透明絶縁層を露出した後に、例えばＣＶＤのＳｉエピタキシャル成長により表示領域に多結晶Ｓｉ層を、周辺回路領域に高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層を形成し、表示領域の結晶粒径制御した多結晶Ｓｉ層に表示素子部を、周辺回路領域の高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層に周辺回路部を形成するために、遮光性金属層による低リーク電流特性の表示素子部と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高いシステムＬＳＩを含むＬＣＤ周辺回路部が同一のＳＯＩ層内に形成でき、強い入射光による表示素子のリーク電流が低減し、更に、画素開口部領域以外に遮光性金属層が形成されており、反射光による表示領域及び周辺回路領域内の素子リーク電流を抑制でき、高精細、高輝度、高機能な透過型ＬＣＤが得られる。
【００５０】
また、本発明に係る電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板に多孔質半導体層を形成する工程と、前記種子基板上に前記多孔質半導体層を介して第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上に第１の透明絶縁層を形成する工程と、該第１の透明絶縁層上に画素開口部領域が開口した遮光性金属層を形成する工程と、該遮光性金属層上に第２の透明絶縁層を形成する工程と、ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして第３の透明絶縁層を形成する工程と、前記種子基板の第２の透明絶縁層と前記支持基板の第３の透明絶縁層を貼り合せる工程と、前記種子基板を前記多孔質半導体層から分離して前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を露出する工程と、半導体エピタキシャル成長により前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える。
【００５１】
本製造方法では、例えば単結晶Ｓｉからなる種子基板に多孔質Ｓｉ層、第１の単結晶Ｓｉ層若しくは歪み印加のＳｉＧｅ層、ＳｉＯ２またはＳｉＯ２とＳｉＮｘとＳｉＯ２の積層膜またはＳｉＯＮからなる第１の透明絶縁層、画素開口部領域が開口した遮光性金属層及びＳｉＯ２またはＳｉＯ２とＳｉＮｘとＳｉＯ２の積層膜またはＳｉＯＮからなる第２の透明絶縁層を形成し、例えば石英ガラスからなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングしてＳｉＯ２またはＳｉＯ２とＳｉＮｘとＳｉＯ２の積層膜またはＳｉＯＮからなる第３の透明絶縁層し、種子基板の第２の透明絶縁層と支持基板の第３の透明絶縁層を貼り合わせ、ウオータージェット、エアージェット、ウオーターエアージェットなどの高圧流体ジェット噴射剥離法、レーザー加工剥離法またはレーザーウオータージェット加工剥離法などにより種子基板を多孔質Ｓｉ層から分離して前記第１の単結晶Ｓｉ層若しくはＳｉＧｅ層を露出する工程と、例えばＣＶＤのＳｉエピタキシャル成長により第１の単結晶Ｓｉ層若しくはＳｉＧｅ層上に高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層を形成した後に、表示領域の高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層に表示素子部を、周辺回路領域の高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層に周辺回路部を形成するために、遮光性金属層による低リーク電流特性の表示素子部と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高いシステムＬＳＩを含むＬＣＤ周辺回路部が同一のＳＯＩ層内に形成でき、強い入射光による表示素子のリーク電流が低減し、更に、画素開口部領域以外に遮光性金属層が形成されており、反射光による表示領域及び周辺回路領域内の素子リーク電流を抑制でき、高精細、高輝度、高機能な透過型ＬＣＤが得られる。
【００５２】
また、本発明に係る電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体若しくは歪み印加の単結晶半導体からなる種子基板に第１の透明絶縁層を形成する工程と、該第１の透明絶縁層上に画素開口部領域が開口した遮光性金属層を形成する工程と、該遮光性金属層上に第２の透明絶縁層を形成する工程と、ガラス材料からなる支持基表面の光学研磨ダメージをエッチングして第３の透明絶縁層を形成する工程と、前記種子基板の第２の透明絶縁層と前記支持基板の第３の透明絶縁層を貼り合せる工程と、前記支持基板と貼り合せた前記種子基板を裏面加工して第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層の表示領域をエッチングして前記第１の透明絶縁層を露出する工程と、表示領域に結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層を、周辺回路領域に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える。
【００５３】
本製造方法では、例えば単結晶Ｓｉ若しくは歪み印加のＳｉＧｅからなる種子基板にＳｉＯ２またはＳｉＯ２とＳｉＮｘとＳｉＯ２の積層膜またはＳｉＯＮからなる第１の透明絶縁層、画素開口部領域が開口した遮光性金属層及びＳｉＯ２またはＳｉＯ２とＳｉＮｘとＳｉＯ２の積層膜またはＳｉＯＮからなる第２の透明絶縁層を形成し、例えば石英ガラスからなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングしてＳｉＯ２またはＳｉＯ２とＳｉＮｘとＳｉＯ２の積層膜またはＳｉＯＮからなる第３の透明絶縁層を形成し、種子基板の第２の透明絶縁層と支持基板の第３の透明絶縁層を貼り合わせ、支持基板と貼り合せた種子基板を裏面加工、例えば裏面研削及び化学的エッチングまたは裏面研削及び裏面研磨及び化学的エッチングして形成した第１の単結晶Ｓｉ層若しくはＳｉＧｅ層の表示領域をエッチングして第２の透明絶縁層を露出した後に、例えばＣＶＤのＳｉエピタキシャル成長により表示領域に多結晶Ｓｉ層を、周辺回路領域に高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層を形成し、表示領域の結晶粒径制御した多結晶Ｓｉ層に表示素子部を、周辺回路領域の高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層に周辺回路部を形成するために、遮光性金属層による低リーク電流特性の表示素子部と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高いシステムＬＳＩを含むＬＣＤ周辺回路部が同一のＳＯＩ層内に形成でき、強い入射光による表示素子のリーク電流が低減し、更に、画素開口部領域以外に遮光性金属層が形成されており、反射光による表示領域及び周辺回路領域内の素子リーク電流を抑制でき、高精細、高輝度、高機能な透過型ＬＣＤが得られる。
【００５４】
また、本発明に係る電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体若しくは歪み印加の単結晶半導体からなる種子基板に第１の透明絶縁層を形成する工程と、該第１の透明絶縁層上に画素開口部領域が開口した遮光性金属層を形成する工程と、該遮光性金属層上に第２の透明絶縁層を形成する工程と、ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして第３の透明絶縁層を形成する工程と、前記種子基板の第２の透明絶縁層と前記支持基板の第３の透明絶縁層を貼り合せる工程と、前記支持基板と貼り合せた前記種子基板を裏面加工して第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、半導体エピタキシャル成長により前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える。
【００５５】
本製造方法では、例えば単結晶Ｓｉ若しくは歪み印加のＳｉＧｅからなる種子基板にＳｉＯ２またはＳｉＯ２とＳｉＮｘとＳｉＯ２の積層膜またはＳｉＯＮからなる第１の透明絶縁層、画素開口部領域が開口した遮光性金属層及びＳｉＯ２またはＳｉＯ２とＳｉＮｘとＳｉＯ２の積層膜またはＳｉＯＮからなる第２の透明絶縁層を形成し、例えば石英ガラスからなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングしてＳｉＯ２またはＳｉＯ２とＳｉＮｘとＳｉＯ２の積層膜またはＳｉＯＮからなる第３の透明絶縁層を形成し、種子基板の第２の透明絶縁層と支持基板の第３の透明絶縁層を貼り合わせ、支持基板と貼り合せた種子基板を裏面加工、例えば裏面研削及び化学的エッチングまたは裏面研削及び裏面研磨及び化学的エッチングして形成した第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上に、例えばＣＶＤのＳｉエピタキシャル成長により高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層を形成した後に、表示領域の高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層に表示素子部を、周辺回路領域の高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層に周辺回路部を形成するために、遮光性金属層による低リーク電流特性の表示素子部と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高いシステムＬＳＩを含むＬＣＤ周辺回路部が同一のＳＯＩ層内に形成でき、強い入射光による表示素子のリーク電流が低減し、更に、画素開口部領域以外に遮光性金属層が形成されており、反射光による表示領域及び周辺回路領域内の素子リーク電流を抑制でき、高精細、高輝度、高機能な透過型ＬＣＤが得られる。
【００５６】
また、本発明に係る電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板上にエッチング停止層を介して第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上に第１の透明絶縁層を形成する工程と、該第１の透明絶縁層上に画素開口部領域が開口した遮光性金属層を形成する工程と、該遮光性金属層上に第２の透明絶縁層を形成する工程と、ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして第３の透明絶縁層を形成する工程と、前記種子基板の第２の透明絶縁層と前記支持基板の第３の透明絶縁層を貼り合せる工程と、前記支持基板と貼り合せた前記種子基板及び前記エッチング停止層をエッチングして第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を露出する工程と、前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層の表示領域をエッチングして前記第１の透明絶縁層を露出する工程と、表示領域に結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層を、周辺回路領域に第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、前記表示領域の結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える。
【００５７】
本製造方法では、例えば単結晶Ｓｉからなる種子基板上に高濃度ｐ型単結晶Ｓｉ層のエッチング停止層、第１の単結晶Ｓｉ層若しくは歪み印加のＳｉＧｅ層、ＳｉＯ２またはＳｉＯ２とＳｉＮｘとＳｉＯ２の積層膜またはＳｉＯＮからなる第１の透明絶縁層、画素開口部領域が開口した遮光性金属層及びＳｉＯ２またはＳｉＯ２とＳｉＮｘとＳｉＯ２の積層膜またはＳｉＯＮからなる第２の透明絶縁層を形成し、例えば石英ガラスからなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングしてＳｉＯ２またはＳｉＯ２とＳｉＮｘとＳｉＯ２の積層膜またはＳｉＯＮからなる第３の透明絶縁層を形成し、種子基板の第２の透明絶縁層と支持基板の第３の透明絶縁層を貼り合わせ、支持基板と貼り合せた種子基板及びエッチング停止層をエッチングして第１の単結晶Ｓｉ層若しくは歪み印加のＳｉＧｅ層を露出させ、第１の単結晶Ｓｉ層若しくは歪み印加のＳｉＧｅ層の表示領域をエッチングして第２の透明絶縁層を露出した後に、例えばＣＶＤのＳｉエピタキシャル成長により表示領域に多結晶Ｓｉ層を、周辺回路領域に高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層を形成し、表示領域の結晶粒径制御した多結晶Ｓｉ層に表示素子部を、周辺回路領域の高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層に周辺回路部を形成するために、遮光性金属層による低リーク電流特性の表示素子部と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高いシステムＬＳＩを含むＬＣＤ周辺回路部が同一のＳＯＩ層内に形成でき、強い入射光による表示素子のリーク電流が低減し、更に、画素開口部領域以外に遮光性金属層が形成されており、反射光による表示領域及び周辺回路領域内の素子リーク電流を抑制でき、高精細、高輝度、高機能な透過型ＬＣＤが得られる。
【００５８】
また、本発明に係る電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板上にエッチング停止層を介して第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上に第１の透明絶縁層を形成する工程と、該第１の透明絶縁層上に画素開口部領域が開口した遮光性金属層を形成する工程と、該遮光性金属層上に第２の透明絶縁層を形成する工程と、ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして第３の透明絶縁層を形成する工程と、前記種子基板の第２の透明絶縁層と前記支持基板の第３の透明絶縁層を貼り合せる工程と、前記支持基板と貼り合せた前記種子基板及び前記エッチング停止層をエッチングする工程と、前記第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上に半導体エピタキシャル成長により第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える。
【００５９】
本製造方法では、例えば単結晶Ｓｉからなる種子基板上に高濃度ｐ型単結晶Ｓｉ層のエッチング停止層、第１の単結晶Ｓｉ層若しくは歪み印加のＳｉＧｅ層、ＳｉＯ２またはＳｉＯ２とＳｉＮｘとＳｉＯ２の積層膜またはＳｉＯＮからなる第１の透明絶縁層、画素開口部領域が開口した遮光性金属層及びＳｉＯ２またはＳｉＯ２とＳｉＮｘとＳｉＯ２の積層膜またはＳｉＯＮからなる第２の透明絶縁層を形成し、ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングしてＳｉＯ２またはＳｉＯ２とＳｉＮｘとＳｉＯ２の積層膜またはＳｉＯＮからなる第３の透明絶縁層を形成し、種子基板の第２の透明絶縁層と支持基板の第３の透明絶縁層を貼り合わせ、支持基板と貼り合せた種子基板及びエッチング停止層をエッチングして第１の単結晶Ｓｉ層若しくは歪み印加ＳｉＧｅ層を露出させ、例えばＣＶＤのＳｉエピタキシャル成長により第１の単結晶Ｓｉ層若しくはＳｉＧｅ層上に高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層を形成し、表示領域の高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層に表示素子部を、周辺回路領域の高結晶性単結晶Ｓｉ層若しくは歪みＳｉ層に周辺回路部を形成するために、遮光性金属層による低リーク電流特性の表示素子部と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高いシステムＬＳＩを含むＬＣＤ周辺回路部が同一のＳＯＩ層内に形成でき、強い入射光による表示素子のリーク電流が低減し、更に、画素開口部領域以外に遮光性金属層が形成されており、反射光による表示領域及び周辺回路領域内の素子リーク電流を抑制でき、高精細、高輝度、高機能な透過型ＬＣＤが得られる。
【００６０】
また、本発明に係る電気光学表示装置の製造方法は、周辺回路部及び表示素子部を光遮蔽した遮光性金属層を有するガラス材料からなる支持基板上の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜によりマイクロレンズアレイ部を埋め込み、必要に応じて表面を光学研磨して表面平坦化して画素開口部上に透明画素電極を形成することで、入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き駆動基板（以下、ＴＦＴ基板とも称する。）と、全面に透明電極形成した対向基板で液晶を挟み込む、いわゆるシングルマイクロレンズ構造をした高輝度、高コントラスト、高機能の透過型ＬＣＤを形成することが出来る。
この時は、駆動基板側から光入射するが、画素開口部以外の表示素子部及び周辺回路部に遮光性金属層があるので、改めて個々のマイクロレンズ部周囲に遮光膜を形成する必要は無く、更に対向基板側のＴＦＴ部対応領域に遮光膜を形成する必要はないのでコストダウン出来る。
【００６１】
また、本発明に係る電気光学表示装置の製造方法は、遮光性金属層上に表示素子部及び周辺回路部が形成された駆動基板の複数の画素開口部をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜によりマイクロレンズアレイ部を埋め込み、必要に応じて表面を光学研磨して表面平坦化して画素開口部上に透明画素電極を形成することでマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き駆動基板を形成し、更に前記駆動基板の画素開口部に相当する対向基板表面をエッチングして任意の凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜によりマイクロレンズアレイを形成し、必要に応じて表面を光学研磨して表面平坦化して全面に透明電極を形成することでマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き対向基板を形成し、入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板と出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板、或いは入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き駆動基板と出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板で液晶を挟み込む、いわゆるデュアルマイクロレンズ構造をした高輝度、高コントラスト、高機能の透過型ＬＣＤを形成することが出来る。
これにより、コントラストを高めて画質向上させ、液晶温度上昇を低減させて高輝度化、長寿命化、高精細の透過型ＬＣＤを得ることが出来る。
【００６２】
また、本発明に係る電気光学表示装置は、光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層の表示領域上の表示素子部を有する結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層と、前記第２の透明絶縁層の周辺回路領域上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の周辺回路部を有する第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示装置であって、前記遮光性金属層と前記対向基板に形成された透明電極の間に電界を印加しない。
【００６３】
また、本発明に係る電気光学表示装置は、光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の表示領域に表示素子部が形成され、周辺回路領域に周辺回路部が形成された第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示装置であって、前記遮光性金属層と前記対向基板に形成された透明電極の間に電界を印加しない。
【００６４】
また、本発明に係る電気光学表示装置は、光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層の表示領域上の表示素子部を有する結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層と、前記第２の透明絶縁層の周辺回路領域上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の周辺回路部を有する第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示装置であって、前記遮光性金属層と前記対向基板に形成された透明電極の間に任意の固定電界若しくは交流電界を常時印加する。
【００６５】
また、本発明に係る電気光学表示装置は、光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の表示領域に表示素子部が形成され、周辺回路領域に周辺回路部が形成された第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示装置であって、前記遮光性金属層と前記対向基板に形成された透明電極の間に任意の固定電界若しくは交流電界を常時印加する。
【００６６】
また、本発明に係る電気光学表示装置は、光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層の表示領域上の表示素子部を有する結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層と、前記第２の透明絶縁層の周辺回路領域上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の周辺回路部を有する第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示装置であって、前記遮光性金属層を表示領域と周辺回路領域に分割し、前記対向基板に形成された透明電極と表示領域の画素開口部周囲内のアイランド化した表示素子部の遮光性金属層の間及び前記対向基板に形成された透明電極と周辺回路領域全体の遮光性金属層の間に電界を印加せず、前記対向基板に形成された透明電極と表示領域の画素開口部周囲の遮光性金属層の間に任意の交流電界を常時印加する。
【００６７】
また、本発明に係る電気光学表示装置は、光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の表示領域に表示素子部が形成され、周辺回路領域に周辺回路部が形成された第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示装置であって、前記遮光性金属層を表示領域と周辺回路領域に分割し、前記対向基板に形成された透明電極と表示領域の画素開口部周囲内のアイランド化した表示素子部の遮光性金属層の間及び前記対向基板に形成された透明電極と周辺回路領域全体の遮光性金属層の間に電界を印加せず、前記対向基板に形成された透明電極と表示領域の画素開口部周囲の遮光性金属層の間に任意の交流電界を常時印加する。
【００６８】
また、本発明に係る電気光学表示装置は、光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層の表示領域上の表示素子部を有する結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層と、前記第２の透明絶縁層の周辺回路領域上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の周辺回路部を有する第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示装置であって、前記遮光性金属層を表示領域と周辺回路領域に分割し、前記対向基板に形成された透明電極と表示領域の画素開口部周囲内のアイランド化した表示素子部の遮光性金属層の間及び前記対向基板に形成された透明電極と周辺回路領域全体の遮光性金属層の間に任意の固定電界を常時印加すると共に、前記対向基板に形成された透明電極と表示領域の画素開口部周囲の遮光性金属層の間に任意の交流電界を常時印加する。
【００６９】
また、本発明に係る電気光学表示装置は、光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の表示領域に表示素子部が形成され、周辺回路領域に周辺回路部が形成された第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示装置であって、前記遮光性金属層を表示領域と周辺回路領域に分割し、前記対向基板に形成された透明電極と表示領域の画素開口部周囲内のアイランド化した表示素子部の遮光性金属層の間及び前記対向基板に形成された透明電極と周辺回路領域全体の遮光性金属層の間に任意の固定電界を常時印加すると共に、前記対向基板に形成された透明電極と表示領域の画素開口部周囲の遮光性金属層の間に任意の交流電界を常時印加する。
【００７０】
また、本発明に係る電気光学表示装置は、光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層の表示領域上の表示素子部を有する結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層と、前記第２の透明絶縁層の周辺回路領域上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の周辺回路部を有する第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示装置であって、前記遮光性金属層を表示領域と周辺回路領域に分割し、前記対向基板に形成された透明電極も表示領域と周辺回路領域に分割し、対向基板の表示領域の透明電極と前記支持基板上の表示領域の画素開口部周囲内のアイランド化した表示素子部の遮光性金属層の間及び前記対向基板の周辺回路領域の透明電極と前記支持基板上の周辺回路領域の遮光性金属層の間には任意の固定電界を常時印加すると共に、前記対向基板の表示領域の透明電極と前記支持基板上の表示領域の画素開口部周囲の遮光性金属層の間には任意の交流電界を常時印加する。
【００７１】
また、本発明に係る電気光学表示装置は、光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の表示領域に表示素子部が形成され、周辺回路領域に周辺回路部が形成された第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示装置であって、前記遮光性金属層を表示領域と周辺回路領域に分割し、前記対向基板に形成された透明電極も表示領域と周辺回路領域に分割し、対向基板の表示領域の透明電極と前記支持基板の表示領域の画素開口部周囲内のアイランド化した表示素子部の遮光性金属層の間及び前記対向基板の周辺回路領域の透明電極と前記支持基板の周辺回路領域の遮光性金属層の間には任意の固定電界を常時印加すると共に、前記対向基板の表示領域の透明電極と画素開口部周囲の遮光性金属層の間には任意の交流電界を常時印加する。
【００７２】
また、本発明に係る電気光学表示装置は、光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層の表示領域上の表示素子部を有する結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層と、前記第２の透明絶縁層の周辺回路領域上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の周辺回路部を有する第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示装置であって、前記遮光性金属層を表示領域と周辺回路領域に分割し、前記対向基板に形成された透明電極も表示領域と周辺回路領域に分割し、更に対向基板の表示領域内に表示素子部に対応した反射膜を形成し、対向基板の表示領域の透明電極と前記支持基板の画素開口部周囲内のアイランド化した表示素子部の遮光性金属層の間及び前記対向基板の周辺回路領域の透明電極と前記支持基板の周辺回路領域の遮光性金属層の間には任意の固定電界を常時印加すると共に、前記対向基板の表示領域の透明電極と前記支持基板の画素開口部周囲の遮光性金属層の間には任意の交流電界を常時印加する。
【００７３】
また、本発明に係る電気光学表示装置は、光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の表示領域に表示素子部が形成され、周辺回路領域に周辺回路部が形成された第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示装置であって、前記遮光性金属層を表示領域と周辺回路領域に分割し、前記対向基板に形成された透明電極も表示領域と周辺回路領域に分割し、更に対向基板の表示領域内に表示素子部に対応した反射膜を形成し、対向基板の表示領域の透明電極と前記支持基板の画素開口部周囲内のアイランド化した表示素子部の遮光性金属層の間及び前記対向基板の周辺回路領域の透明電極と前記支持基板の周辺回路領域の遮光性金属層の間には任意の固定電界を常時印加すると共に、前記対向基板の表示領域の透明電極と前記支持基板の画素開口部周囲の遮光性金属層の間には任意の交流電界を常時印加する。
【００７４】
また、本発明に係る電気光学表示装置は、光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層の表示領域上の表示素子部を有する結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層と、前記第２の透明絶縁層の周辺回路領域上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の周辺回路部を有する第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示装置であって、前記遮光性金属層は少なくとも画素開口部を形成して相互に層間絶縁した二重の遮光性金属層（上部の遮光性金属層及び下部の遮光性金属層）とし、上部の遮光性金属層上には絶縁層を介して表示素子部及び周辺回路部を形成し、上部の遮光性金属層と前記対向基板に形成された透明電極の間に任意の固定電界を常時印加し、下部の遮光性金属層と前記対向基板に形成された透明電極の間に任意の交流電界を常時印加する。
【００７５】
また、本発明に係る電気光学表示装置は、光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の表示領域に表示素子部が形成され、周辺回路領域に周辺回路部が形成された第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示装置であって、前記遮光性金属層は少なくとも画素開口部を形成して相互に層間絶縁した二重の遮光性金属層（上部の遮光性金属層及び下部の遮光性金属層）とし、上部の遮光性金属層上には絶縁層を介して表示素子部及び周辺回路部を形成し、上部の遮光性金属層と前記対向基板に形成された透明電極の間に任意の固定電界を常時印加し、下部の遮光性金属層と前記対向基板に形成された透明電極の間に任意の交流電界を常時印加する。
【００７６】
上記した本発明に係る電気光学表示装置は、ＴＮ（ツイストネマティック）モード液晶などのノーマルホワイト液晶状態において、表示素子部を含む画素開口部周囲及び周辺回路部全体にノーマルブラック液晶領域が常時形成されるようにすることで、画素間の横方向電界による液晶配向乱れ防止と画素間の光洩れ防止が出来るので、入射光及び反射光の洩れ光によるＴＦＴリーク電流抑制、コントラスト向上を図ることができる。
このように、液晶のノーマルブラック領域が表示部の画素開口部周囲及び周辺回路部全体を覆うことで洩れ光防止できるので、ＴＦＴ洩れ光対策プロセス低減によるＴＦＴプロセスのスリム化、例えばＴＦＴフォトマスク枚数削減、ＣＭＰ工程削減などでのコストダウンが実現する。
【００７７】
さらに、下記のように電界印加方法を適正化することで、表示領域の液晶焼き付き等の液晶動作不具合を防止し、表示部及び周辺回路領域内のＴＦＴのゲート電位変動による特性悪化を防止し、ノーマルブラック液晶化用回路の負荷低減を図ることが出来る。
【００７８】
[１]駆動基板上の遮光性金属層を表示領域と周辺回路領域に分割し、対向基板の共通透明電極と駆動基板上の表示領域の画素開口部周囲内のアイランド化した表示素子部の遮光性金属層の間及び対向基板の共通透明電極と駆動基板上の周辺回路領域全体の遮光性金属層の間に電界を印加せず、対向基板の共通透明電極と駆動基板上の表示領域の画素開口部周囲の遮光性金属層の間に任意の交流電界を常時印加する。
[２]駆動基板上の遮光性金属層を表示領域と周辺回路領域に分割し、対向基板の共通透明電極と駆動基板上の周辺回路領域の遮光性金属層間及び画素開口部周囲内のアイランド化した表示素子部の遮光性金属層間には任意の固定電界を印加し、対向基板の共通透明電極と駆動基板上の画素開口部周囲の遮光性金属層間には任意の交流電界を印加する。
この時に、ノーマルブラック液晶化用回路の負荷低減のために、対向基板の共通透明電極と駆動基板上の周辺回路領域の遮光性金属層間には必ずしも固定電界を印加しなくてもよい。
[３]駆動基板上の遮光性金属層を表示領域と周辺回路領域に分割し、それに対応する対向基板の透明電極も表示領域と周辺回路領域に分割し、対向基板の表示領域の透明電極と駆動基板上の表示領域の画素開口部周囲内のアイランド化した表示素子部の遮光性金属層の間及び対向基板の周辺回路領域の透明電極と駆動基板上の周辺回路領域の遮光性金属層の間には任意の固定電界を印加し、対向基板の表示領域の透明電極と駆動基板上の表示領域の画素開口部周囲の遮光性金属層の間には任意の交流電界を印加する。
この時に、ノーマルブラック液晶化用回路の負荷低減のために、対向基板の周辺回路領域の透明電極と駆動基板の周辺回路領域の遮光性金属層間には必ずしも固定電界を印加しなくてもよい。
[４]駆動基板上の遮光性金属層を表示領域と周辺回路領域に分割し、それに対応する対向基板の透明電極も表示領域と周辺回路領域に分割し、対向基板の表示領域内に表示素子部に対応したブラックマスクの反射膜を形成し、対向基板の表示領域の透明電極と駆動基板上の画素開口部周囲内のアイランド化した表示素子部の遮光性金属層の間及び対向基板の周辺回路領域の透明電極と駆動基板上の周辺回路領域の遮光性金属層の間には任意の固定電界を印加し、対向基板の表示領域の透明電極と駆動基板上の画素開口部周囲の遮光性金属層の間には任意の交流電界を印加する。
この時に、ノーマルブラック液晶化用回路の負荷低減のために、対向基板の周辺回路領域の透明電極と駆動基板の周辺回路領域の遮光性金属層間には必ずしも固定電界を印加しなくてもよい。
[５] 光学研磨ダメージがエッチングされたガラスからなる支持基板上に絶縁膜を介して画素開口部形成して相互に層間絶縁した二重した遮光性金属層を形成し、上部の遮光性金属層上に絶縁膜を介して表示素子部及び周辺回路部を形成し、上部の遮光性金属層と対向基板の透明電極間に任意の固定電界を常時印加し、下部の遮光性金属層と対向基板の透明電極間に任意の交流電界を常時印加して、表示素子部を含む画素開口部周囲及び周辺回路部全体にノーマルブラック液晶領域が常時形成されるようにする。
この時に、画素開口部周囲の下部の遮光性金属層は上部の遮光性金属層よりも大きく、且つ画素開口部に形成する画素電極を下部の遮光性金属層よりも大きくして層間絶縁膜等を介して一部を重ね合わせることで、即ち、オーバーラップさせることで、隙間による光抜けがないようにすることが必要である。
【００７９】
また、本発明に係る電気光学表示装置は、光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層の表示領域上の表示素子部を有する結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層と、前記第２の透明絶縁層の周辺回路領域上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の周辺回路部を有する第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備え、前記駆動基板上の画素開口部が前記遮光性金属層に囲まれた電気光学表示装置であって、一方の遮光性金属層上に絶縁層を介して対向電極を形成し、その反対側の遮光性金属層上に絶縁層を介して表示素子及び画素電極を形成して全面に第１の配向膜を形成し、対向電極及び画素電極と平行或いは任意の角度に配向処理し、対向基板の全面に第２の配向膜を形成して前記第１の配向膜と同様な方向或いは任意の角度に配向処理し、対向電極と画素電極の間の液晶に映像信号に応じた横方向の電界で液晶動作させている。
【００８０】
また、本発明に係る電気光学表示装置は、光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の表示領域に表示素子部が形成され、周辺回路領域に周辺回路部が形成された第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備え、前記駆動基板上の画素開口部が前記遮光性金属層に囲まれた電気光学表示装置であって、一方の遮光性金属層上に絶縁層を介して対向電極を形成し、その反対側の遮光性金属層上に絶縁層を介して表示素子及び画素電極を形成して全面に第１の配向膜を形成し、対向電極及び画素電極と平行或いは任意の角度に配向処理し、対向基板の全面に第２の配向膜を形成して前記第１の配向膜と同様な方向或いは任意の角度に配向処理し、対向電極と画素電極の間の液晶に映像信号に応じた横方向の電界で液晶動作させている。
【００８１】
上記した本発明に係る電気光学表示装置は、光学研磨ダメージをエッチングしたガラスからなる支持基板上の画素開口部が遮光性金属層に囲まれた構造の表示部において、一方の遮光性金属層上に対向電極を形成し、その反対側の遮光性金属層上に表示素子及び画素電極を形成して全面に配向膜形成し、対向電極及び画素電極と平行或いは任意の角度に配向処理させ、必要に応じて透明電極無しの対向基板にも全面に配向膜を形成し、同様な方向或いは任意の角度に配向処理させ、対向電極と画素電極間に映像信号に応じた横方向の電界で液晶動作させる、いわゆるＩＰＳ（In-Plane Switching）モード液晶動作により、液晶の上下左右方向からの視野角特性を改善して広視野角の透過型ＬＣＤが実現出来る。
【００８２】
また、本発明に係る電気光学表示装置は、光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層の表示領域上の表示素子部を有する結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層と、前記第２の透明絶縁層の周辺回路領域上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の周辺回路部を有する第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示装置であって、画素開口部以外の表示部及び周辺回路部が前記遮光性金属層により遮光されている駆動基板側から光入射させて液晶動作させている。
【００８３】
また、本発明に係る電気光学表示装置は、光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の表示領域に表示素子部が形成され、周辺回路領域に周辺回路部が形成された第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示装置であって、画素開口部以外の表示部及び周辺回路部が前記遮光性金属層により遮光されている駆動基板側から光入射させて液晶動作させている。
【００８４】
また、本発明に係る電気光学表示装置は、光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層の表示領域上の表示素子部を有する結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層と、前記第２の透明絶縁層の周辺回路領域上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の周辺回路部を有する第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示パネルが、高熱伝導性モールド樹脂によって枠体に取り付けられた電気光学表示装置であって、前記対向基板サイズよりも前記駆動基板サイズを大きくし、前記駆動基板上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層及び第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層及び前記遮光性金属層面に絶縁層を介して前記高熱伝導性モールド樹脂を直接接触させている。
【００８５】
また、本発明に係る電気光学表示装置は、光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の表示領域に表示素子部が形成され、周辺回路領域に周辺回路部が形成された第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示パネルが、高熱伝導性モールド樹脂によって枠体に取り付けられた電気光学表示装置であって、前記対向基板サイズよりも前記駆動基板サイズを大きくし、前記駆動基板上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層及び第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層及び前記遮光性金属層面に絶縁層を介して前記高熱伝導性モールド樹脂を直接接触させている。
【００８６】
上記した本発明に係る電気光学表示装置は、対向基板よりも駆動基板を若干大きく設計して、駆動基板上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層及び第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層及び遮光性金属層面に高熱伝導性モールド樹脂を直接接触させることで放熱効果を高め、高輝度化と長寿命化を図ることが出来る。
【００８７】
また、本発明に係る電気光学表示装置は、光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層の表示領域上の表示素子部を有する結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層と、前記第２の透明絶縁層の周辺回路領域上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の周辺回路部を有する第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示パネルが、高熱伝導性モールド樹脂によって金属膜が表面に形成された樹脂枠体に取り付けられた電気光学表示装置であって、前記枠体の少なくとも内側部の最表面は黒色系金属膜を形成し、前記枠体の外側部の光入射側は白色系反射膜を形成し、更に、少なくとも前記枠体の外側部の光入射側表面に凹凸形状またはフィン形状または凹凸及びフィン形状を形成している。
【００８８】
また、本発明に係る電気光学表示装置は、光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の表示領域に表示素子部が形成され、周辺回路領域に周辺回路部が形成された第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示パネルが、高熱伝導性モールド樹脂によって金属膜が表面に形成された樹脂枠体に取り付けられた電気光学表示装置であって、前記枠体の少なくとも内側部の最表面は黒色系金属膜を形成し、前記枠体の外側部の光入射側は白色系反射膜を形成し、更に、少なくとも前記枠体の外側部の光入射側表面に凹凸形状またはフィン形状または凹凸及びフィン形状を形成している。
【００８９】
また、本発明に係る電気光学表示装置は、光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層の表示領域上の表示素子部を有する結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層と、前記第２の透明絶縁層の周辺回路領域上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の周辺回路部を有する第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示パネルが、高熱伝導性モールド樹脂によって金属膜が表面に形成された樹脂枠体に取り付けられた電気光学表示装置であって、外側部の光入射側は白色系反射膜を形成し、内側部の最表面は黒色系金属膜を形成した前記枠体の入射側の内側に、画素開口部以外の表示部及び周辺回路部が遮光性金属層により遮光されている駆動基板を取り付け、高熱伝導性モールド樹脂で前記枠体と駆動基板及び対向基板間を充填して固着している。
【００９０】
また、本発明に係る電気光学表示装置は、光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の表示領域に表示素子部が形成され、周辺回路領域に周辺回路部が形成された第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示パネルが、高熱伝導性モールド樹脂によって金属膜が表面に形成された樹脂枠体に取り付けられた電気光学表示装置であって、外側部の光入射側は白色系反射膜を形成し、内側部の最表面は黒色系金属膜を形成した前記枠体の入射側の内側に、画素開口部以外の表示部及び周辺回路部が遮光性金属層により遮光されている駆動基板を取り付け、高熱伝導性モールド樹脂で前記枠体と駆動基板及び対向基板間を充填して固着している。
【００９１】
また、本発明に係る電気光学表示装置は、光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層の表示領域上の表示素子部を有する結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層と、前記第２の透明絶縁層の周辺回路領域上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の周辺回路部を有する第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示パネルが、高熱伝導性モールド樹脂によって金属膜が表面に形成された樹脂枠体に取り付けられた電気光学表示装置であって、外側部の光入射側は白色系反射膜を形成し、内側部の最表面は黒色系金属膜を形成した前記枠体の入射側の内側に対向基板を取り付け、高熱伝導性モールド樹脂で前記枠体と駆動基板及び対向基板間を充填して固着している。
【００９２】
また、本発明に係る電気光学表示装置は、光学研磨ダメージがエッチングされたガラス材料からなる支持基板と、該支持基板上の第１の透明絶縁層と、該第１の透明絶縁層上の少なくとも画素開口部領域が開口した遮光性金属層と、該遮光性金属層上の第２の透明絶縁層と、該第２の透明絶縁層上の第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と、該第１の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層上の表示領域に表示素子部が形成され、周辺回路領域に周辺回路部が形成された第２の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を有する駆動基板と、該駆動基板と液晶を挟んで対向させた対向基板を備える電気光学表示パネルが、高熱伝導性モールド樹脂によって金属膜が表面に形成された樹脂枠体に取り付けられた電気光学表示装置であって、外側部の光入射側は白色系反射膜を形成し、内側部の最表面は黒色系金属膜を形成した前記枠体の入射側の内側に対向基板を取り付け、高熱伝導性モールド樹脂で前記枠体と駆動基板及び対向基板間を充填して固着している。
【００９３】
上記した本発明に係る電気光学表示装置は、枠体の少なくとも内側部の最表面は黒色系金属膜形成（例えば樹脂枠の場合にはクロムメッキ膜または酸化クロムメッキ膜またはクロム蒸着膜またはクロムスパッタリング膜または酸化クロム蒸着膜または酸化クロムスパッタリング膜、或いは黒色系高熱伝導性樹脂表面の透明樹脂コート形成、金属枠の場合にはアルマイト黒化処理のアルミニウム製金属枠など）して写り込み防止させ、枠体の外側部の光入射側は白色系反射膜（アルミニウム、ニッケル等）を形成して光反射させて光吸収による枠体温度上昇を低減させ、更に、少なくとも枠体の外側部の光入射側は表面凹凸形状形成することにより光散乱させて写り込み防止させ、熱放散の表面積が増加して放熱効果が高まる。
そして、枠体の内側部に表面凹凸形状形成することで、高熱伝導性モールド樹脂との接触面積が増大して放熱効果が高まる。
更に、枠体の外側部に表面凹凸形状のみならず、フィン形状または凹凸及びフィン形状を形成することで、熱放散の表面積が増加して放熱効果が高まるようにしてもよい。
【発明の効果】
【００９４】
本発明により、以下の効果を奏することができる。
【００９５】
（１）低リーク電流特性を有する多結晶半導体層、非晶質半導体層、単結晶半導体層或いは歪み単結晶半導体層の表示素子部と、高移動度の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層の周辺回路部の一体型で構成される高輝度、高精細、高性能の電気光学表示装置を実現することができる。
【００９６】
（２）ガラス材料からなる支持基板上のＳＯＩ層にシステムＬＳＩを集積できるために、周辺回路部に取り込める周辺ＬＳＩ機能が増え、低コストで電気光学表示装置の高性能化を図ることができる。
【００９７】
（３）画素開口部以外に遮光性金属層を形成したガラス材料からなる支持基板上に超薄型ＳＯＩ構造の低リーク電流特性を有する多結晶半導体層、非晶質半導体層、単結晶半導体層或いは歪み単結晶半導体層の表示素子部と高移動度の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層の周辺回路部を形成することによって、表示素子部及び周辺回路部への漏れ光及び静電気ダメージに強い高輝度、高精細、高性能の電気光学表示装置を実現することができる。
この時に、画素開口部以外の表示部及び周辺回路部が遮光性金属層により光遮蔽されている駆動基板側から光入射させて使用できるので、対向基板側に遮光膜が不要でコストダウン出来る。
【００９８】
（４）ガラス材料からなる支持基板表面の酸化セリウム等の研磨剤による光学研磨ダメージ（歪み、ナノメーターレベルのクラックなど）をエッチングし、支持基板上にエッチングしたナノメーターレベルのエッチング溝部の埋め込み及び平坦性向上のために透明絶縁層を形成するので、貼り合せ不良、熱ストレスによる単結晶半導体層への歪み応力等が低減し、透過型ＬＣＤの歩留・品質向上を図ることができる。なお、窒化系シリコン膜を含む透明絶縁層を形成することによって、液晶組立後やデバイスプロセス中の支持基板からのハロゲン元素（Ｎａイオンなど）汚染を防止することができると共に、表示領域をエッチングして透明絶縁層を露出させる際のエッチングストッパとして作用するので歩留・品質向上を図ることができる。
【００９９】
（５）周辺回路部及び表示素子部を光遮蔽した遮光性金属層を有する光学研磨ダメージをエッチングしたガラス材料からなる支持基板上の複数の画素開口部をエッチングして凹形状のマイクロレンズ部を複数形成し、高屈折率透明樹脂または無機系高屈折率透明膜によりマイクロレンズアレイ部を埋め込み、必要に応じて表面を光学研磨して表面平坦化して画素開口部上に透明画素電極を形成することで、入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズアレイ付き駆動基板を備える、いわゆるシングルマイクロレンズ構造の高輝度、高コントラスト、高機能の透過型ＬＣＤを形成することが出来る。
この時は、駆動基板側から光入射するが、画素開口部以外の表示部及び周辺回路部に遮光性金属層があるので、改めてマイクロレンズ周囲に遮光膜を形成する必要は無く、更に対向基板側のＴＦＴ部対応領域にも遮光膜を形成する必要はないのでコストダウン出来る。
【０１００】
（６）上記（５）による入射側の集光レンズとして機能する複数のマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズアレイ付き駆動基板と、出射側のフィールドレンズとして機能する複数のマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズアレイ付き対向基板で液晶を挟み込む、或いは入射側の集光レンズとして機能する複数のマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズアレイ付き対向基板と、上記（５）による出射側のフィールドレンズとして機能する複数のマイクロレンズ部周囲に遮光膜形成したマイクロレンズアレイ付き駆動基板で液晶を挟み込む、いわゆるデュアルマイクロレンズ構造の高輝度、高コントラスト、高機能の透過型ＬＣＤを形成することが出来る。
このように、超薄型駆動基板層の表示素子領域及び画素開口部に対応するマイクロレンズ周囲にブラックマスク作用の反射膜を形成し、強い入射光の不要な部分を反射させ、且つ液晶への遮光作用をさせることで、コントラストを高めて画質向上させ、液晶温度上昇を低減させてＬＣＤの高輝度化、長寿命化を図ることが出来る。
【０１０１】
（７）例えばＴＮ（ツイストネマティック）モード液晶などのノーマルホワイト液晶状態において、表示素子部を含む画素開口部周囲及び周辺回路部全体にノーマルブラック液晶領域が常時形成されるようにすることで、画素間の横方向電界による液晶配向乱れ防止と画素間の光洩れ防止が出来るので、入射光及び反射光の洩れ光によるＴＦＴリーク電流抑制、コントラスト向上を図ることができる。
このように、液晶のノーマルブラック領域が表示部の画素開口部周囲及び周辺回路部全体を覆うことで洩れ光防止できるので、ＴＦＴ洩れ光対策プロセス低減によるＴＦＴプロセスのスリム化、例えばＴＦＴフォトマスク枚数削減、ＣＭＰ工程削減などでのコストダウンが実現する。
さらに、下記のように電界印加方法を適正化することで、表示領域の液晶焼き付き等の液晶動作不具合を防止し、表示部及び周辺回路領域内のＴＦＴのゲート電位変動による特性悪化を防止し、ノーマルブラック液晶化用回路の負荷低減を図ることが出来る。
【０１０２】
例えば、
駆動基板上の遮光性金属層を表示領域と周辺回路領域に分割し、対向基板の共通透明電極と駆動基板上の表示領域の画素開口部周囲内のアイランド化した表示素子部の遮光性金属層の間及び対向基板の共通透明電極と周辺回路領域全体の遮光性金属層の間に電界を印加せず、対向基板の共通透明電極と駆動基板上の表示領域の画素開口部周囲の遮光性金属層の間に任意の交流電界を常時印加する。
あるいは、
駆動基板上の遮光性金属層を表示領域と周辺回路領域に分割し、対向基板の共通透明電極と駆動基板上の周辺回路領域の遮光性金属層間及び表示領域の画素開口部周囲内のアイランド化した表示素子部の遮光性金属層間には任意の固定電界を印加し、対向基板の共通透明電極と駆動基板上の表示領域の画素開口部周囲の遮光性金属層間には任意の交流電界を印加する。
あるいは、
駆動基板上の遮光性金属層を表示領域と周辺回路領域に分割し、それに対応する対向基板の透明電極も表示領域と周辺回路領域に分割し、対向基板の表示領域の透明電極と駆動基板上の画素開口部周囲内のアイランド化した表示素子部の遮光性金属層の間及び対向基板の周辺回路領域の透明電極と駆動基板上の周辺回路領域の遮光性金属層の間には任意の固定電界を印加し、対向基板の表示領域の透明電極と駆動基板上の表示領域の画素開口部周囲の遮光性金属層の間には任意の交流電界を印加する。
あるいは、
駆動基板上の遮光性金属層を表示領域と周辺回路領域に分割し、それに対応する対向基板の透明電極も表示領域と周辺回路領域に分割し、対向基板の表示領域内に表示素子部に対応したブラックマスクの反射膜を形成し、対向基板の表示領域の透明電極と駆動基板上の表示領域の画素開口部周囲内のアイランド化した表示素子部の遮光性金属層の間及び対向基板の周辺回路領域の透明電極と駆動基板上の周辺回路領域の遮光性金属層の間には任意の固定電界を印加し、対向基板の表示領域の透明電極と駆動基板上の画素開口部周囲の遮光性金属層の間には任意の交流電界を印加する。
あるいは、
光学研磨ダメージをエッチングしたガラスからなる支持基板上に画素開口部形成して相互に層間絶縁した二重の遮光性金属層を形成し、上部の遮光性金属層上に絶縁膜を介して表示素子部及び周辺回路部を形成し、上部の遮光性金属層と対向基板の透明電極間に任意の固定電界を常時印加し、下部の遮光性金属層と対向基板の透明電極間に任意の交流電界を常時印加するが、画素開口部周囲の下部の遮光性金属層は上部の遮光性金属層よりも大きく、且つ画素開口部に形成する画素電極を下部の遮光性金属層よりも大きくして層間絶縁膜を介してオーバーラップさせることで、隙間による光抜けがないようにする。
【０１０３】
（８）光学研磨ダメージをエッチングしたガラスからなる支持基板上の画素開口部が遮光性金属層に囲まれた構造において、一方の遮光性金属層上に対向電極を形成し、その反対側の遮光性金属層上に表示素子及び画素電極を形成して全面に配向膜形成し、対向電極及び画素電極と平行或いは任意の角度に配向処理させ、必要に応じて透明電極無しの対向基板にも全面に配向膜を形成し、同様な方向或いは任意の角度に配向処理させ、対向電極と画素電極間に映像信号に応じた横方向の電界で液晶動作させる、いわゆるＩＰＳ（In-Plane Switching）モード液晶動作により、液晶の上下左右方向からの視野角特性を改善して広視野角の透過型LCDが実現出来る。
【０１０４】
（９）対向基板よりも駆動基板を若干大きく設計して、駆動基板上の単結晶Ｓｉ層及び遮光性金属層面に高熱伝導性モールド樹脂を直接接触させることで放熱効果を高め、高輝度化と長寿命化を図ることが出来る。
【０１０５】
（１０）枠体の少なくとも内側部の最表面は黒色系金属膜形成（例えば樹脂枠の場合にはクロムメッキ膜または酸化クロムメッキ膜またはクロム蒸着膜またはクロムスパッタリング膜または酸化クロム蒸着膜または酸化クロムスパッタリング膜、或いは黒色系高熱伝導性樹脂表面の透明樹脂コート形成、金属枠の場合にはアルマイト黒化処理のアルミニウム製金属枠など）して写り込み防止させ、枠体の外側部の光入射側は白色系反射膜（アルミニウム、ニッケル等）を形成して光反射させて光吸収による枠体温度上昇を低減させ、更に、少なくとも枠体の外側部の光入射側は表面凹凸形状形成することにより光散乱させて写り込み防止させ、熱放散の表面積が増加して放熱効果が高まる。
そして、枠体の内側部に表面凹凸形状形成することで、高熱伝導性モールド樹脂との接触面積が増大して放熱効果が高まる。
更に、枠体の外側部に表面凹凸形状のみならず、フィン形状または凹凸及びフィン形状を形成することで、熱放散の表面積が増加して放熱効果が高まるようにしてもよい。
更に、金属製戻り反射防止板の代わりに黒色メッキ樹脂枠にすると、コストダウン出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【０１０６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明し、本発明の理解に供する。なお、以下では、（Ａ）いずれにも遮光性金属層が形成されていない支持基板及び種子基板でＳＯＩ基板を形成する場合、（Ｂ）表示領域及び周辺回路領域に遮光性金属層が形成された支持基板と種子基板でＳＯＩ基板を形成する場合、（Ｃ）表示領域及び周辺回路領域に遮光性金属層が形成された種子基板と支持基板でＳＯＩ基板を形成する場合について説明を行う。
【０１０７】
（Ａ）いずれにも遮光性金属層が形成されていない支持基板及び種子基板でＳＯＩ基板を形成する場合
（Ａ−１）多孔質半導体層分離法
本実施例においては、多孔質シリコン（以下、「Ｓｉ」と称する。）層を使用した多孔質半導体層分離法による透過型ＬＣＤの製造方法について説明する。
【０１０８】
（１）種子基板１０としての単結晶Ｓｉ基板に陽極酸化法で多孔質Ｓｉ層（低多孔質Ｓｉ層１１ａ、高多孔質Ｓｉ層１１ｂ、低多孔質Ｓｉ層１１ｃ）を形成する。
【０１０９】
[１]まず、例えば８インチφのｐ型Ｓｉ単結晶（抵抗率０．０１〜０．０２Ω・ｃｍ）の種子基板（以下、「Ｓｉ基板」とも称する。）１０に、モノシランガス、ジボランガスなどのＣＶＤ法によりボロン１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度の濃度でｐ型不純物を添加し、約１０μｍ厚の高濃度の半導体エピタキシャル成長の単結晶Ｓｉ層（後述する低多孔質Ｓｉ層１１ａに相当する）を形成する。
【０１１０】
[２]この高濃度層表面に、モノシランガス、ジボランガスなどのＣＶＤ法によりボロン５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度の濃度でｐ型不純物を添加し、約２０μｍ厚の低濃度の半導体エピタキシャル成長の単結晶Ｓｉ層（後述する高多孔質Ｓｉ層１１ｂに相当する）を形成する。
【０１１１】
[３]さらに、この低濃度層表面に、モノシランガス、ジボランガスなどのＣＶＤ法によりボロン５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度の濃度でｐ型不純物を添加し、約１０μｍ厚の高濃度の半導体エピタキシャル成長の単結晶Ｓｉ層（後述する低多孔質Ｓｉ層１１ｃに相当する）を形成する。
【０１１２】
なお、気相エピタキシーであるＣＶＤ法での単結晶Ｓｉ層形成には、水素化物原料のモノシラン（ＳｉＨ４）以外に、同じく水素化物原料のジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、トリシラン（Ｓｉ３Ｈ８）、テトラシラン（Ｓｉ４Ｈ１０）や、ハロゲン化物原料のジクロルシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）、トリクロルシラン（ＳｉＨＣｌ３）、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）などの原料ガスを用いることができる。また、単結晶Ｓｉ層の形成方法としては、ＣＶＤ法に限らず、ＭＢＥ（MolecularBeam Epitaxy；分子線エピタキシー）法、スパッター法等でもよい。
【０１１３】
[４]その後、陽極化成法により、例えば電解液に５０％フッ化水素溶液とエチルアルコールとを２：１の体積割合で混合した混合液を用い、例えば約１０ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で５〜１０分間電流を流し、高濃度層に多孔率の低い多孔質Ｓｉ層１１ａ，１１ｃ、低濃度層に多孔率の高い多孔質Ｓｉ層１１ｂを形成する。
【０１１４】
なお、陽極化成におけるＳｉの溶解反応ではフッ化水素溶液中のＳｉの陽極反応には正孔が必要であるため、基板には多孔質化しやすいｐ型Ｓｉ基板を用いるのが望ましいが、これに限るものではない。
【０１１５】
また、このように、陽極化成法により多孔質層を形成する場合は、多孔質層を多孔率の異なる複数の層で構成することができる。なお、上記の様に、単結晶Ｓｉ基板１０上に低多孔質Ｓｉ層１１ａ、高多孔質Ｓｉ層１１ｂ、低多孔質Ｓｉ層１１ｃを順に形成した３層構造とするほか、単結晶Ｓｉ基板１０の上に高多孔質Ｓｉ層１１ｂと低多孔質Ｓｉ層１１ｃとを順に形成した２層構造としてもよい。
【０１１６】
このとき、高多孔質Ｓｉ層１１ｂの多孔率は４０％〜８０％の範囲で、低多孔質Ｓｉ層１１ａ，１１ｃの多孔率は１０〜３０％の範囲とする。この様に異なる多孔率の複数の層のそれぞれの厚みは、陽極化成時の電流密度及び時間や、陽極化成時の化成溶液の種類または濃度を変えることで任意に調整することができる。
【０１１７】
なお、Ｓｉ基板１０としては、ＣＺ（Czochralski）法、ＭＣＺ（Magnetic Field Applied Czochralski）法やＦＺ（Floating Zone）法などで作成された単結晶Ｓｉ基板のみならず、基板表面が水素アニール処理された単結晶Ｓｉ基板、あるいはエピタキシャル単結晶Ｓｉ基板などを用いることができる。もちろん、単結晶Ｓｉ基板に代えて単結晶ＳｉＧｅ基板、更にはＳｉＣ基板、ＧａＡｓ基板やＩｎＰ基板等の単結晶化合物半導体基板を用いることもできる。
【０１１８】
（２）多孔質Ｓｉ層（低多孔質Ｓｉ層１１ｃ）上に半導体エピタキシャル成長の単結晶Ｓｉ層１２を形成する（図１参照）。
【０１１９】
[１]まず、ＣＶＤ半導体エピタキシャル成長装置内において、水素雰囲気中１０００〜１１００℃程度でプリベークを行い、低多孔質Ｓｉ層１１ｃの表面の孔を封止して表面を平坦化する。水素アニールは、１０５０℃で０．００１３ｎｍ／ｍｉｎ、１１００℃で０．００２２ｎｍ／ｍｉｎのエッチング速度で行う。
【０１２０】
[２]この後、１０２０℃まで降温し、シランガスなどを原料ガスとするＣＶＤを行い、約３μｍ厚の半導体エピタキシャル成長の単結晶Ｓｉ層１２を形成する。
【０１２１】
なお、上記同様に、気相エピタキシーであるＣＶＤ法での単結晶Ｓｉ層形成には、水素化物原料のモノシラン（ＳｉＨ４）以外に、同じく水素化物原料のジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、トリシラン（Ｓｉ３Ｈ８）、テトラシラン（Ｓｉ４Ｈ１０）や、ハロゲン化物原料のジクロルシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）、トリクロルシラン（ＳｉＨＣｌ３）、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）などの原料ガスを用いることができる。また、単結晶Ｓｉ層の形成方法としては、ＣＶＤ法に限らず、ＭＢＥ（MolecularBeam Epitaxy；分子線エピタキシー）法、スパッター法等でもよい。
【０１２２】
（３）支持基板としての石英ガラス基板３０表面の光学研磨ダメージ（歪み、ナノメーターレベルのクラックなど）をエッチングし、ＣＶＤ法で透明絶縁層１３を形成する（図１参照）。
石英ガラス基板表面には酸化セリウム等の研磨剤による光学研磨のナノメーターレベルのクラックが無数に存在してナノメーターレベルの凹凸が大きいために、この石英ガラス表面の光学研磨ダメージ及びナノメーターレベルの凹凸内の極微量な研磨剤残りをＨＦ＋Ｈ2Ｏ2＋Ｈ2Ｏ混合液、ＨＦ＋ＨＮＯ3＋ＣＨ3ＣＯＯＨ混合液などのフッ酸系エッチング液でライトエッチング及び洗浄し、発生したナノメーターレベルのエッチング溝などの凹凸をカバーして平坦性を高めるために、ＣＶＤ法等により透明絶縁層１３（ＳｉＯ２またはＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４及びＳｉＯ２積層膜など）を３００ｎｍ〜４００ｎｍ形成する。
【０１２３】
ここで、透明絶縁層は酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）またはＳｉＯ２、窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ）及びＳｉＯ２の積層膜または酸窒化シリコン膜（ＳｉＯＮ）のいずれでも良いが、表示領域の画素開口部をエッチングする際のエッチングムラ防止とハロゲン汚染防止のためには窒化系シリコン膜を含む透明絶縁層が好ましい。
【０１２４】
（４）種子基板の単結晶Ｓｉ層と石英ガラス基板の透明絶縁層を貼り合せる（図２参照）。
室温で種子基板１０の単結晶Ｓｉ層１２と石英ガラス基板３０の透明絶縁層１３の表面同士を接触させ、ファンデスワールス力により結合させる。この後、４００℃３０分間の熱処理を行って共有結合させ、貼り合せを強固にする。
なお、必要に応じて前記よりも高い温度例えば約１０００℃で３０〜６０分の熱処理を追加してより強固な貼り合せにしてもよい。熱処理は、窒素中、不活性ガス中、または窒素と不活性ガスの混合ガス中で行う。このとき、双方の基板の表面に塵や汚れ付着がないことを確認する。なお、異物があった時は、剥離洗浄する。
【０１２５】
あるいは、減圧熱処理炉に重ね合わせた２枚の基板をセットし、真空引きで所定圧力（例えば１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）以下）に保持し、一定時間経過後に大気圧にブレークしたときの加圧で密着させ、連続して窒素中、不活性ガス中、または窒素と不活性ガスの混合ガス中で昇温加熱して熱処理接合する連続作業をしてもよい。
【０１２６】
また、接合面を接合に先立って室温の真空中でアルゴンなどの不活性ガスイオンビームまたは不活性ガス高速原子ビームで照射してスパッタエッチングにより、表面の塵や汚れ付着等を除去して表面に接合するための結合力を付与して表面平滑度を高めて貼り合せを強固にしてもよい。
【０１２７】
（５）種子基板１０及び石英ガラス基板３０裏面を紫外線照射硬化型テープ（以下、「ＵＶテープ」と称する。）９などで貼り合せて保持し、ウオータージェット、エアージェット、ウオーターエアージェットなどの高圧流体ジェット噴射剥離法、レーザー加工剥離法またはレーザーウオータージェット加工剥離法などにより、高多孔質Ｓｉ層１１ｂから種子基板を分離する（図３参照）。分離した種子基板は、必要に応じて表面再研磨、エッチング、水素を含む雰囲気下での熱処理等を行い、再使用することができる。
【０１２８】
ここで、ＵＶテープ９は、ポリオレフィンやポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などのＵＶテープ基材及び強い粘着力で少なくとも糊残りのない帯電防止のアクリル系ＵＶ照射硬化型接着剤からなるものである。ＵＶ照射硬化型接着剤は接着力が強いため、このＵＶテープ９により種子基板１０及び石英ガラス基板３０を強固に保持及び表面保護した状態で、高多孔質Ｓｉ層１１ｂから種子基板を分離することができる。
【０１２９】
なお、帯電防止のＵＶテープ９としては、ＵＶテープ基材の糊側表面に導電性透明酸化膜（ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ；酸化インジュウム・酸化錫の混合透明酸化膜）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ；酸化インジュウム・酸化亜鉛の混合透明酸化膜）など）を形成または導電性の表面化学処理したもの、または、ＵＶ照射硬化型接着剤中に静電気ダメージを防止するレベルの導電性透明酸化物微粒子（ＩＴＯやＩＺＯなど）を混入させたものなどがある。また、必要に応じてこれらを組み合わせたものを用いてもよい。この帯電防止機能により製造工程中の静電破壊を防止することができるため、静電気ダメージによる半導体特性不良を防止することができる。なお、ＵＶ照射硬化型接着剤の硬化前および硬化後の表面抵抗は、１０６〜１０１２Ω／□程度の静電気ダメージを防止するレベルであることが望ましい。
なお、用途に応じて糊残りのない帯電防止の熱膨張剥離型粘着剤のテープを用いてもよい。
【０１３０】
なお、高多孔質Ｓｉ層１１ｂからの分離を、ウオータージェット、エアージェット、ウオーターエアージェットなどの高圧流体ジェット噴射剥離法により行う場合、図９に示す高圧流体ジェット噴射剥離装置を用いる。図９は本発明の実施の形態における高圧流体ジェット噴射剥離装置の概略断面図である。
【０１３１】
図９に示す高圧流体ジェット噴射剥離装置は、上下から基板を真空吸着して回転させる一対のホルダ８１ａ，８１ｂと、高圧流体ジェット８２を噴射する微細ノズル８３を備える。ガードリングストッパ８０は、ホルダ８１ａ，８１ｂの周囲を囲む円筒状の治具である。ガードリングストッパ８０には、微細ノズル８３から噴射される高圧流体ジェット８２の幅を制御して通過させる１０〜５０μｍ程度の径のスリット孔８４が形成されている。なお、スリット孔８４の径については、高圧流体ジェット８２の水圧および風圧との相関によって決定する。
【０１３２】
このような高圧流体ジェット噴射剥離装置において、例えば、ホルダ８１ａ，８１ｂ間に図２に示す種子基板１０と石英ガラス基板３０を貼り合わせた基板を挟持する。ここで分離したい層（分離層）は高多孔質Ｓｉ層１１ｂである。なお、図９においては簡単のため、種子基板１０、高多孔質Ｓｉ層１１ｂおよび石英ガラス基板３０以外については図示を省略している。
【０１３３】
ここで、ガードリングストッパ８０の高さと、ホルダ８１ａ，８１ｂで挟持する種子基板１０および石英ガラス基板３０の高さを調整し、微細ノズル８３から噴射される高圧流体ジェット８２が分離したい回転中の高多孔質Ｓｉ層１１ｂに正確に当たるように微調整する。その後、ホルダ８１ａ，８１ｂを回転させ、微細ノズル８３から噴射する高圧流体ジェット８２の圧力を高多孔質Ｓｉ層１１ｂの横方向から作用させて種子基板１０を分離する。
【０１３４】
このとき、微細ノズル８３から噴射する高圧流体ジェット８２は、ガードリングストッパ８０のスリット孔８４によってその幅が制御されるうえ、分離したい高多孔質Ｓｉ層１１ｂに正確に当たるようにその高さが微調整されているため、狙った高多孔質Ｓｉ層１１ｂ以外の部分には剥離するほど強く当たらない。
【０１３５】
また、高圧流体ジェット８２は、ウオータージェット、エアージェットの他、水、エッチング液やアルコールなどの液体、空気、窒素ガスやアルゴンガスなどの気体や、前記液体に前記気体を適当比率で混在させた液体と気体との混合体などのジェットの噴射により行うこともできる。特に液体と気体との混合体のジェットの噴射、いわゆるウオーターエアージェットでは、液体に気体のバブルが混入し、このバブル破裂時の衝撃作用によってより効果的に分離を行える。
【０１３６】
また、高圧流体ジェット８２を吹き付ける場合には、流体に超音波を印加すると、超音波振動が多孔質層に作用するため、より効果的に多孔質層からの分離を行える。さらに、この高圧流体ジェット８２に、さらに微細な固体としての粒体や粉体（研磨剤、氷、プラスチック片など）の超微粉末を添加してもよい。このように高圧流体ジェット８２に、微細な固体を添加すれば、この微細な固体が高多孔質Ｓｉ層１１ｂに直に衝突することによって、より効果的に分離を行える。
【０１３７】
あるいは、回転中の基板の高多孔質Ｓｉ層１１ｂにレーザー出力部から照射するレーザー光を当てて分離するレーザー加工剥離装置（図示せず）を用いることもできる。なお、このレーザー加工剥離装置と前述の高圧流体ジェット噴射剥離装置との違いは、レーザー出力部が前述の微細ノズル８３とスリット孔８４を組み合わせたものに相当することのみであり、他はほとんど同じ構成である。
【０１３８】
このレーザー加工剥離装置では、回転中の基板の高多孔質Ｓｉ層１１ｂの横方向から一つ以上のレーザー照射によるレーザー加工（アブレーション加工、熱加工など）によって、この高多孔質Ｓｉ層１１ｂから分離することができる。
【０１３９】
ここで、レーザーとしては、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）レーザー、エキシマレーザー、高調波変調レーザーなどからなる可視光、近紫外線、遠紫外線、近赤外線、遠赤外線などのレーザー光を使用できる。
【０１４０】
レーザー加工では、加工対象物が吸収する少なくとも一つ以上のパルス波または連続波のレーザー光を照射して、熱加工やアブレーション加工で分離する方法と、加工対象物に対して透過する波長を有する少なくとも一つ以上のパルス波または連続波の近赤外線レーザー（Ｎｄ：ＹＡＧレーザー、Ｎｄ：ＹＶＯ4レーザー、Ｎｄ：ＹＬＦレーザー、チタンサファイアレーザーなど）を加工対象物内部に焦点を合わせて照射し、多光子吸収による光学的損傷現象を発生させて改質領域（例えばクラック領域、溶融処理領域、屈折率変化領域など）を形成し、そこを起点として比較的小さな力で分離する方法とがある。
【０１４１】
一般的に、後者の場合は加工対象物例えば単結晶半導体基板の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度（パルスレーザー光の集光点の電界強度）が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上で且つパルス幅が１μｓ以下の条件でレーザー光を照射すると、加工対象物内部には多光子吸収による光学的損傷現象が発生し、この光学的損傷により内部に熱ひずみが誘起され、これにより内部に改質領域例えばクラック領域が形成され、そこを起点として比較的小さな力で分離させる方法であるが、単結晶半導体基板に比べ多孔質半導体層や後述するイオン注入層の単結晶半導体層の場合は、上記以下のピークパワー密度により多光子吸収による光学的損傷現象を発生させて改質領域（例えばクラック領域、溶融処理領域、屈折率変化領域など）の形成が可能であり、このレーザー加工による多孔質半導体層や後述するイオン注入層からの分離が容易である。
【０１４２】
レーザー加工の場合は、上記のいずれの方法でもレーザー光線を集光レンズで加工対象物内部(つまり多孔質半導体層や後述するイオン注入層の内部)に焦点を合せ、その焦点を徐々に回転中の加工対象物内部に移動させることで分離することができる。特に、本発明の場合は、加工対象物が多孔質Ｓｉ層やイオン注入層なので、このレーザー光による分離加工を高精度で効率良く行うことができる。このとき、必要に応じて流体冷却した支持治具を用いて、ＵＶテープを介して石英ガラス基板側を冷却しながら多孔質Ｓｉ層またはイオン注入層から支持基板を分離してもよい。
【０１４３】
また、回転中の基板の高多孔質Ｓｉ層１１ｂに、出力部からレーザー光とウオータージェットを組み合わせたレーザーウオータージェットを照射して分離するレーザーウオータージェット加工剥離装置（図示せず）を用いることもできる。なお、このレーザーウオータージェット加工剥離装置と前述のレーザー加工剥離装置および高圧流体ジェット噴射剥離装置との違いは、レーザーウオータージェット出力部が前述の微細ノズル８３とスリット孔８４を組み合わせたものに相当することのみであり、他はほとんど同じ構成である。
【０１４４】
レーザーウオータージェット加工剥離法は、ウオータージェットとレーザーの利点を組み合わせ、水と空気の境界面でレーザー光が完全に反射することを利用し、グラスファイバー内と同じようにウオータージェットがレーザー光を全反射して平行にガイドし、このレーザー光の吸収による熱加工やアブレーション加工で分離する方法である。従来の熱変形が問題となるレーザー加工法と違い、レーザーウオータージェットは常時水による冷却がされているので、分離面の熱影響、例えば熱変形などが低減される。
【０１４５】
このレーザーウオータージェット加工剥離法では、例えば、少なくとも一つ以上のパルス波または連続波の近赤外線レーザー（Ｎｄ：ＹＡＧレーザー、Ｎｄ：ＹＶＯ4レーザー、Ｎｄ：ＹＬＦレーザー、チタンサファイアレーザーなど）が任意の水圧の純水または超純水の水柱内に封じ込まれた一つ以上のレーザーウオータージェットを、回転中の基板の高多孔質Ｓｉ層１１ｂの横方向から照射する加工（アブレーション加工、熱加工など）によって、この高多孔質Ｓｉ層１１ｂから分離することができる。
【０１４６】
なお、レーザーとしては、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー、高調波変調レーザーなどからなる可視光、近赤外線、遠赤外線、近紫外線、遠紫外線などのレーザー光を使用できる。また、任意の水圧のウオータージェットの水柱は水道水でもよいが、レーザーの種類によってはレーザーを乱反射で散乱させずに減衰させない純水または超純水によるウオータージェットの水柱が望ましい。
【０１４７】
なお、上記の高圧流体ジェット噴射剥離法、レーザー加工剥離法およびレーザーウオータージェット加工剥離法は、超薄型半導体層或いは超薄型ＳＯＩ半導体層の剥離による映像信号処理ＬＳＩ、メモリＬＳＩ、ＣＰＵＬＳＩ、ＤＳＰＬＳＩ、音声信号処理ＬＳＩ、ＣＣＤ、ＣＭＯＳセンサ、ＢiＣＭＯＳなどの半導体デバイスの製造にも使用できる。さらに、高圧流体ジェット噴射法、レーザー加工法およびレーザーウオータージェット加工法により、単結晶あるいは多結晶半導体基板あるいは透明または不透明支持基板の切断や、回転中の単結晶あるいは多結晶半導体インゴットのスライシングなどにも使用できる。
【０１４８】
（６）剥離残りの高多孔質Ｓｉ層１１ｂ及び低多孔質Ｓｉ層１１ｃをＨＦ＋Ｈ2Ｏ2＋Ｈ2Ｏ混合液、ＨＦ＋ＨＮＯ3＋ＣＨ3ＣＯＯＨ混合液などのフッ酸系エッチャント又はアルカリ系エッチャントでウエットエッチングした後に、表示領域の単結晶Ｓｉ層１２をエッチングして透明絶縁層１３を露出させる。
【０１４９】
この後に、ＣＶＤ等で全面に遮光性金属層１４（例えば、ＷＳｉ等の遷移系シリサイド）を形成し、エッチングにより表示領域内の表示素子形成部に遮光性金属層１４を残し（図４参照）、全面に透明絶縁層１３を形成し、周辺回路領域の透明絶縁層１３をエッチングする。
【０１５０】
なお、物理的剥離である高圧流体ジェット噴射剥離法の場合は多孔質Ｓｉ層剥離残りしやすいので前記ウエットエッチングが必要であるが、レーザー加工剥離法或いはレーザーウオータージェット加工剥離法の場合は局部的加熱溶融による剥離なので、前記多孔質Ｓｉ層の剥離残りが発生しにくく必ずしもウエットエッチングは必要ではなく、水素アニール処理によるドライエッチングのみでもよい。
【０１５１】
（７）ＣＶＤ前の水素アニールにより単結晶Ｓｉ層表面をエッチングして平坦化し、この平坦化した単結晶Ｓｉ層１２をシードにＣＶＤのＳｉエピタキシャル成長させて周辺回路領域に５０〜１００ｎｍ厚の高結晶性の単結晶Ｓｉ層１５（以下、「高結晶性単結晶Ｓｉ層」と称する。）を形成し、表示領域内の透明絶縁層１３上に５０〜１００ｎｍ厚の多結晶Ｓｉ層１６（以下、「ポリＳｉ層」と称する。）を形成する（図５参照、なお、図５（ａ）は表示領域を示し、図５（ｂ）は周辺回路領域を示している）。
【０１５２】
ところで、上記のエピタキシャル成長では、高結晶性単結晶Ｓｉ層とポリＳｉ層を同一成膜条件で形成するので、周辺回路領域の高結晶性単結晶Ｓｉ層の結晶性（電子・正孔移動度）を重視すると、表示領域のポリＳｉ層の結晶性（電子・正孔移動度）を充分に制御できない場合がある。
そこで、高結晶性単結晶Ｓｉ層の周辺回路領域をフォトレジスト膜で覆い、開口したポリＳｉ層表面にＳｉイオンを高濃度、例えば３０ＫｅＶ，１〜３×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ２で注入して表面層を非晶質Ｓｉ層（以後、アモルファスＳｉ膜とも称する。）化する。
そして、フォトレジスト膜を剥離洗浄した後に窒素ガス雰囲気中の６００〜６５０℃で１０〜１５時間のアニールによる固相成長で、結晶粒径を制御したポリＳｉ層の表面を形成する。
このとき、Ｓｉイオン注入の濃度及び深さ、更にアニール条件を調整することで、任意の結晶粒径による任意の電子・正孔移動度、例えば５０〜１００ｎｍ厚のポリＳｉ層の表面層を得ることが好ましい。
なお、ポリＳｉ層は通常約１０ｎｍ以上の粒径を持つ微細結晶の集合体と定義されており、非結晶質Ｓｉ膜（以下、アモルファスＳｉ膜と称する。）は一般的に１０ｎｍ以下の粒径であり、Ｘ線回折でも結晶配向性を示さない材料である。
【０１５３】
あるいは、ポリＳｉ層のみを選択的に、例えばＸｅランプをフラッシュ照射するフラッシュランプアニール、あるいはパルス状または連続波レーザーアニール例えばＸｅＣｌエキシマレーザー、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーの光高調波変調の遠紫外線レーザー及び近紫外線レーザーのいずれかまたは両方、可視光レーザー、赤外線レーザーなどを照射、あるいは集光ランプアニール例えば超高圧水銀ランプなどの紫外線ランプ、ハロゲンランプ、キセノンランプ、アークランプなどの赤外線ランプなどを照射して、溶融、半溶融または非溶融状態の加熱と冷却により再結晶化させることで、任意に結晶粒径を制御した例えば５０〜１００ｎｍ厚のポリＳｉ層の表面層が形成される。このとき、膜ストレス低減のために適温（例えば、２００〜４００℃）に基板を加熱した状態において、再結晶化させるフラッシュランプあるいはレーザーあるいは集光ランプ照射の強度（ポリＳｉ層表面からの深さ及び時間など）を調整することで、任意の結晶粒径による任意の電子・正孔移動度、例えば５０〜１００ｎｍ厚のポリＳｉ層の表面層を得ることが好ましい。
【０１５４】
この時に、ポリＳｉ層にＧｅ（ゲルマニウム）、Ｓｎ（錫）、Ｐｂ（鉛）等の四族元素の少なくとも１種をイオン注入またはイオンドーピングで適量（合計が例えば１０１７〜１０２２ａｔｏｍ／ｃｃ、好ましくは１０１８〜１０２０ａｔｏｍ／ｃｃ）含有させ、この状態で前記の固相成長、フラッシュランプアニール、パルス状または連続波レーザーアニール、集光ランプアニールなどで再結晶化させると、結晶化を促進すると共に、例えばポリＳｉ薄膜の結晶粒界（グレインバウンダリー）に存在する不整を低減し、その膜ストレスを低減して高キャリア移動度、高品質のポリＳｉＴＦＴが得られ易くなる。
【０１５５】
ところで、この四族元素はイオン注入又はイオンドーピングによりアモルファスＳｉ膜または／およびポリＳｉ層中に含有させることが出来る。
また、ＣＶＤでのＳｉエピタキシャル成長またはプラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤでの成膜時に、原料ガス中にガス成分として混合してアモルファスＳｉまたは／およびポリＳｉ層及び単結晶Ｓｉ膜中に四族元素、例えばＧｅ、錫などを含有させてもよい。
【０１５６】
あるいは、単結晶Ｓｉ層の表示領域を除去して透明絶縁層を露出させ、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着などにより透明絶縁層とアモルファスＳｉ層またはアモルファスＳｉ及びポリＳｉ混在層またはポリＳｉ層を形成し、少なくとも周辺回路領域のアモルファスＳｉ層またはアモルファスＳｉ及びポリＳｉ混在層またはポリＳｉ層を除去し、表示領域にアモルファスＳｉ層またはアモルファスＳｉ及びポリＳｉ混在層またはポリＳｉ層を、周辺回路領域に単結晶Ｓｉ層をそれぞれ形成し、必要に応じてフラッシュランプアニール法または固相成長法またはレーザーアニール法または集光ランプアニール法などにより結晶粒径（電子・正孔移動度）を任意に制御したポリＳｉ層あるいはアモルファスＳｉ層またはアモルファスＳｉ及びポリＳｉ混在層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶Ｓｉ層に周辺回路部をそれぞれ形成してもよい。
【０１５７】
または、単結晶Ｓｉ層の表示領域を除去して透明絶縁層を露出させ、表示領域内の画素表示素子形成領域に遮光性金属層を形成し、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着などにより全面に透明絶縁層とアモルファスＳｉ層またはアモルファスＳｉ及びポリＳｉ混在層またはポリＳｉ層を形成し、少なくとも周辺回路領域のアモルファスＳｉ層またはアモルファスＳｉ及びポリＳｉ混在層またはポリＳｉ層を除去し、表示領域の遮光性金属層上にアモルファスＳｉ層またはアモルファスＳｉ及びポリＳｉ混在層またはポリＳｉ層をそれぞれ形成し、必要に応じてフラッシュランプアニール法または固相成長法またはレーザーアニール法または集光ランプアニール法などにより結晶粒径（電子・正孔移動度）を任意に制御したポリＳｉ層あるいはアモルファスＳｉ層またはアモルファスＳｉ及びポリＳｉ混在層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部をそれぞれ形成してもよい。
【０１５８】
さらに、表示領域の遮光性金属層上のアモルファスＳｉ層またはアモルファスＳｉ及びポリＳｉ混在層またはポリＳｉ層のみを選択的に四族元素（Ｓｉ、Ｇｅ、錫、鉛など）の少なくとも１種のイオン注入またはイオンドーピングした後に、必要に応じてフラッシュランプアニール法または固相成長法またはレーザーアニール法または集光ランプアニール法などにより結晶粒径（電子・正孔移動度）を任意に制御した表示領域のポリＳｉ層あるいはアモルファスＳｉ層またはアモルファスＳｉ及びポリＳｉ混在層非晶質半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶Ｓｉ層に周辺回路部をそれぞれ形成してもよい。
【０１５９】
尚、アモルファスＳｉは原料ガスとして水素化物原料のモノシラン（ＳｉＨ4）、ジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）、トリシラン（Ｓｉ3Ｈ8）、ＳｉＨ2Ｆ2等を用い、プラズマＣＶＤ法により常温〜３００℃の１３．５６ＭＨｚでの高周波放電中で分解させることによりＨを含むアモルファスＳｉ膜を形成する。
また、６００℃がポリＳｉとアモルファスＳｉの境界なので、５８０℃以下のホットウオール減圧ＣＶＤ装置での熱ＣＶＤによりＨを含まないアモルファスＳｉ膜を形成してもよい。
【０１６０】
ところで、電子移動度を高める手段の１つとして、チャネル半導体層に歪み印加する技術が知られている。
これは、チャネル半導体層に歪みをかけると、そのバンド構造が変化し、その結果、縮退が解けて電子散乱が抑制されるので電子移動度を高めることが出来る。
具体的には、単結晶Ｓｉ基板上にＳｉよりも格子定数の大きい材料からなる混晶層の歪み印加の単結晶半導体層、例えば、Ｇｅ濃度２０〜３０％の単結晶ＳｉＧｅ混晶層（以下、ＳｉＧｅ層と称する）を形成し、このＳｉＧｅ層上にチャネル半導体層としての単結晶Ｓｉ層を形成すると、格子定数の違いにより、歪みのかかった単結晶Ｓｉ層（以下、歪みＳｉ層と称する。）が形成される。この歪みＳｉ層を用いると、無歪みＳｉ層を用いた場合に比べ約１．７６倍の大幅な電子移動度の向上を達成できることが報告されている。（Ｊ．Welser，J．L．Hoyt，S．Takagi，and J．F．Gibbons，ＩＥＤＭ94-373）
【０１６１】
そこで、例えば、Ｇｅ濃度２０〜３０％のＳｉＧｅ層である歪み印加の単結晶半導体層としての単結晶Ｓｉ層１２を形成し、その上に歪みＳｉ層を形成すると、従来の無歪みチャネル層の単結晶Ｓｉ層に比べ約１．７６倍の大幅な電子移動度の向上を達成したＭＯＳＴＦＴの表示素子部及び周辺回路部が実現するので、高性能、高精細、高品質の透過型ＬＣＤが実現する。
このＧｅ組成比は大きい方が良く、０．２を大きく下回る場合はＭＯＳＴＦＴの移動度の顕著な向上は期待できず、また、０．５を大きく超える場合はＳｉＧｅ層表面凹凸の増加や膜質低下等の問題があり、０．３程度が好ましい。
また、Ｇｅ濃度はＳｉＧｅ層の中で徐徐に増加させ、表面で所望濃度例えばＧｅ濃度２０〜３０％となる傾斜組成とし、この傾斜組成のＳｉＧｅ層上に歪Ｓｉ層を形成することが好ましい。
【０１６２】
尚、ＳｉＧｅ層の成膜方法としては、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法等のエピタキシャル成長法や、ＬＰＥ（Liqud Phase Epitaxy）法等の液相成長法、ポリＳｉＧｅ層やアモルファスＳｉＧｅ層の固相成長法などがあるが、Ｇｅ組成比の制御が可能な結晶成長方法であれば、他の成長方法でもよい。
また、Ｓｉ原料としては水素化物原料のモノシラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、トリシラン（Ｓｉ３Ｈ８）、テトラシラン（Ｓｉ４Ｈ１０）や、ハロゲン化物原料のジクロルシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ2）、トリクロルシラン（ＳｉＨＣｌ3）、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）など、Ｇｅ原料としてはゲルマン（ＧｅＨ４）、四塩化ゲルマニウム（ＧｅＣｌ４）、四フッ化ゲルマニウム（ＧｅＦ４）などが適している。
【０１６３】
尚、歪み印加の単結晶半導体層としてＳｉＧｅ層の代わりに、ＳｉＣやＳｉＮ等のようにＳｉと他の元素との混晶層、ＺｎＳｅ層等の２−６族混晶層もしくはＧａＡｓやＩｎＰ等の３−５族混晶層などの互いに格子定数の異なる材料からなる混晶層でもよい。
【０１６４】
つまり、本実施例の場合、ＳｉＧｅ層を多孔質Ｓｉ層上に形成した種子基板と、光学研磨ダメージをエッチングして透明絶縁層を形成した石英ガラスの支持基板を貼り合せ、多孔質Ｓｉ層から種子基板を分離し、表示領域のＳｉＧｅ層をエッチングして透明絶縁層を露出させ、水素アニールのエッチングとＳｉエピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層を形成し、周辺回路領域にＳｉＧｅ層をシードに歪Ｓｉ層を形成することにより、高性能、高精細、高品質の透過型ＬＣＤが実現する。
【０１６５】
このように、ＳｉＧｅ層などの歪み印加単結晶半導体層上に形成した歪みＳｉ層などの歪みチャネル半導体層はそのバンド構造が変化し、その結果、縮退が解けて電子散乱が抑制され、更に電子移動度を高めることが出来るので、例えば無歪みチャンネル層の単結晶Ｓｉ層に比べ約１．７６倍の大幅な高い電子移動度が実現し、高い電子・正孔移動度で高い駆動能力を有するＭＯＳＴＦＴの表示素子部及び周辺回路部からなる高性能、高精細、高品質の電気光学表示装置が可能となる。
【０１６６】
（８）表示領域の透明絶縁層を介した遮光性金属層上の表示素子部（以後、ＴＦＴ部とも称する）以外のポリＳｉ膜をＳＦ６，ＣＦ４等のプラズマエッチング、反応性イオンエッチング等で除去した後に、汎用技術により表示領域のポリＳｉ層に表示素子のＴＦＴ７１や配線などを、周辺回路領域の高結晶性単結晶Ｓｉ層または歪みＳｉ層１５内にＬＣＤ周辺回路部７０としての単結晶ＳｉＴＦＴまたは歪みＳｉＴＦＴ、ダイオード、抵抗、キャパシタ、コイルや配線等の半導体素子および半導体集積回路のいずれかまたは両方をそれぞれ作製して超薄型電気光学表示素子基板層（以後、超薄型ＴＦＴ基板層とも称する）を形成する。（図５参照、なお、図５(ａ)は表示領域のＴＦＴ部及び画素開口部を示し、図５(ｂ)は周辺回路部の周辺回路領域を示している）。
【０１６７】
なお、高結晶性単結晶Ｓｉ層または歪みＳｉ層１５は、単結晶Ｓｉ基板または歪みＳｉ基板同様の高い電子・正孔移動度を有するので、周辺駆動回路のみならず映像信号処理回路、画質補正回路、メモリ回路、ＣＰＵ（Central Processing Unit）回路やＤＳＰ（Digital Signal Processor）回路などのシステムＬＳＩを取り込んでもよい。また、同時に、超薄型ＴＦＴ基板層の周辺回路に接続する外部取り出し電極（半田バンプ含む）６５を形成するが、ＬＣＤパネル形成後に異方性導電膜接合や超音波接合、半田付けなどでフレキシブル基板との接合やＰＣＢ（Printed  Circuit  Board）へのマウントを行うのが好ましい。なお、ダイオード、抵抗、キャパシタ、コイルや配線等については図示を省略している。
尚、外部取り出し電極に半田などのバンプを形成する場合は、対向基板の厚み以下のバンプ高さとすることが好ましい。
この時に、高結晶性単結晶Ｓｉ層または歪みＳｉ層に多層配線構造の周辺回路または表示部及び周辺回路を形成することで、集積度を高めて高精細、高機能、高品質で安価な超薄型電気光学表示装置が実現する。
更に、シール領域の高結晶性単結晶Ｓｉ層または歪みＳｉ層にも周辺回路を形成することで、ＬＣＤパネルサイズシュリンクによるウエーハ１枚当たりの取り個数が増加してコストダウンが実現する。
【０１６８】
（９）全面にＳｉＯ２層１７及び低反射金属膜１８（ＷＳｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍｏ等の金属膜が好ましい）を形成し、表示領域のＴＦＴ上及び側部以外の低反射金属膜をエッチングし、表示領域の画素開口部を埋める光透過性材料としての透明樹脂またはガラス膜１９を形成し、ＣＭＰなどにより表面平坦化する。なお、低反射金属膜はアース電位にしておくことで、強い入射光による各部のチャージアップを防止し、ＴＦＴのリーク電流を防止することができる。
尚、ポリＳｉＴＦＴ上の金属膜１８を残してポリＳｉＴＦＴ部の電極接続部（ドレインなど）のみ窓開けしてポリＳｉＴＦＴ部の上、横、下側、つまりポリＳｉＴＦＴ部を金属膜で覆って遮光するのが好ましい。
【０１６９】
[１]まず、ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着法などにより、全面に５０〜２００ｎｍ厚の透明絶縁膜１７（例えばＳｉＯ2層１３ｂ、ＳｉＮｘとＳｉＯ2の積層膜、ＳｉＯ2とＳｉＮｘとＳｉＯ2の積層膜、ＳｉＯＮなど）および１００〜３００ｎｍ厚の遮光性金属層１８をそれぞれ順に形成する。なお、低反射金属膜はＷＳｉ以外のＴｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｍｏ−Ｔａその他でもよい。
【０１７０】
[２]続いて、ポリＳｉＴＦＴ部の電極接続部（ドレイン、ソース、ゲートなど）、画素開口部底、周辺回路領域等の低反射金属膜例えばＷＳｉ膜をＣＣｌ4などのプラズマエッチング、或いは酸系エッチング液によりウエットエッチングして、ＴＦＴ部の上及び側部をＷＳｉ膜で覆う。
尚、周辺回路部上に形成された透明絶縁膜及び金属膜はエッチングせずにすることで、強い入射光の漏れを遮光するのでＴＦＴリーク電流を防止してもよい。
要は、プロジェクタ用ＬＣＤのように強い入射光が入射する場合は、画素開口部以外は遮光膜で覆うことが望ましい。
【０１７１】
[３]（１）有機溶剤に分散させた低温用微粉末ガラスパウダーを塗布して画素開口部に充填し、適当な温度（例えば５００℃）で溶融させてガラス厚膜を形成する（２）ＣＶＤにより、ＰＳＧ，ＢＰＳＧ，ＢＳＧで画素開口部を埋める（３）スパッタリングによりＳｉＯ２で画素開口部を埋める（４）透明樹脂をスピンコートなどで塗布し、所定のＵＶ照射または／及び加熱条件で硬化させる等の方法によって、全面に透明樹脂またはガラス膜１９を例えば５〜１０μｍ形成し、画素開口部を埋め込む。その後、ＣＭＰ等により所定膜厚に表面平坦化する。
【０１７２】
（１０）表示領域のポリＳｉＴＦＴ部２０上の透明樹脂またはガラス膜１９に窓開けを行い、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ；酸化インジュウム・酸化錫の混合透明導電膜）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ；酸化インジュウム・酸化亜鉛の混合透明導電膜）などの画素電極としての１３０〜１５０ｎｍ厚の透明電極２１などを形成することにより超薄型ＴＦＴ基板層を形成する（図６参照）。
【０１７３】
（１１）石英ガラス基板３０の超薄型ＴＦＴ基板層と対向基板４０を重ね合わせてシールして空セルを形成する。
【０１７４】
[１]石英ガラス基板３０上の超薄型ＴＦＴ基板層及び対向基板４０上の透明電極２１，２３にスピンコーティング、ディップコーティング、ロールコーティング等によりポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜材料を塗布し、プレベーク（８０℃、１０分）で溶剤を揮発させた後に、１８０℃で１時間焼成し、ポリイミド、ポリアミド等の膜を５〜５０ｎｍ好ましくは２５〜３５ｎｍ程度を形成した後にバフラビング等の配向処理を行い、必要に応じてＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等による有機洗浄を行うことにより、それぞれ配向膜２２，２４を形成する。あるいは、配向膜２２，２４は、ＳｉＯｘなどを斜方蒸着した無機系配向膜としてもよい。
尚、対向基板は反射防止膜無しで直線透過率８０％以上の光学特性を満足する石英ガラス、透明結晶化ガラス（ネオセラム、クリアセラム、ゼロデュアなど）、ほうけい酸ガラス、アルミノけい酸ガラス、マイクロシートガラスや、高い透明性、耐熱性および耐湿性の樹脂フィルムなどで構成され、必要に応じて色フィルタやマイクロレンズアレイなどが形成され、さらに全面に透明電極が形成され、少なくとも１チップごとに配向処理された有機または無機の配向膜が形成されているものとする。
【０１７５】
[２]石英ガラス基板３０の超薄型ＴＦＴ基板層の１パネルごとにシール剤（図示せず）及びコモン電極剤（図示せず）を塗布し、例えば８インチφの対向基板４０を所定の液晶ギャップ例えば２μｍで重ね合わせて封止固着する、いわゆる面面液晶組立｛基板状態（面）の石英ガラス基板３０と、同じく基板状態（面）の対向基板４０とを重ね合わせてシールする。｝を行う。ただし、液晶注入口（図示せず。）は空けておく。
ところでシール剤とコモン剤は、可視光照射硬化型接着剤、熱硬化併用の可視光照射硬化型接着剤、若しくは紫外線照射硬化型接着剤、熱硬化併用の紫外線照射硬化型接着剤、熱硬化型接着剤のいずれでもよいが、特性及び作業面から同じタイプとするのが好ましい。
具体的なシール剤及びコモン剤は、例えばシール剤及びコモン剤の主成分で硬化後の基本特性を出現する変性アクリレートオリゴマー、液の粘度調整するアクリレートモノマー、可視光硬化またはＵＶ硬化部分を硬化する光開始剤、シール剤及びコモン剤の主成分で硬化後の基本特性を出現するエポキシ樹脂、エポキシ樹脂を硬化させる硬化剤、シール剤中には外気からの水分進入を防ぐ充填フィラー（シリカ真球など）、液晶ギャップ相当のファイバーなどから構成されている。
ＴＦＴ基板チップ内のコモンパッド部に塗布されるコモン剤中には液晶ギャップより大きい（例、液晶ギャップより約１μｍ大きい約３μｍΦ）金メッキ樹脂のミクロパールを混入し、ＴＦＴ基板チップと対向基板チップの重ね合わせ時の加圧でミクロパールが破砕されて、破砕された金メッキ樹脂が双方の透明導電膜を電気的に導通させる。
また、シール領域にポリイミド、ポリアミド等の液晶配向膜がある場合は、その膜を破砕された金メッキ樹脂が貫通して双方の透明導電膜を電気的に導通させるように、ミクロパールの材料、大きさなどを工夫する必要がある。
更に、スピンコーティングなどでＴＦＴ基板チップまたは／及び対向基板チップのシール領域にポリイミド等の有機系液晶配向膜形成されている場合は、シール剤中への外気からの水分進入を防ぐフィラー充填は重要で、ＬＣＤパネルサイズによりフィラー充填率の最適化が必要であり、例えば１インチサイズ程度のプロジェクタ用ＬＣＤパネルでは１０〜３０％程度のフィラー充填率が好ましいが、ディスペンス塗布し易さと水分進入率との兼ね合いで決定するのが好ましい。
この時に超薄型のＴＦＴ基板層内の１チップと対向基板４０間の電気的導通をとる為に、その１チップ内の少なくとも２箇所のコモンパッド部に金メッキ樹脂のミクロパール混入したコモン剤をディスペンサーで塗布する。
また、同様に超薄型のＴＦＴ基板層内の１チップ毎にシール領域に液晶ギャップ相当のファイバー（ギャップ剤）を添加したシール剤を塗布する。
ところでこの時に直視型ＬＣＤの場合は、所定形状及び大きさのマイクロスペーサを全画面内に散布することにより液晶ギャップを確保してもよい。
ここで、超薄型ＴＦＴ基板層や対向基板４０に「少なくとも１チップごと」としたのは、全面に有機または無機の配向膜２２，２４を形成してもよい場合があるからである。また、本明細書中において、超薄型ＴＦＴ基板層の１チップと対向基板４０の１チップを重ね合わせて１パネルのＬＣＤと定義する。
【０１７６】
なお、上記面面液晶組立に対して、透明電極２３が形成され配向処理された有機または無機の配向膜２４が形成された対向基板の良品チップを超薄型のＴＦＴ基板層内の良品チップに選択的に重ね合わせてシールする、いわゆる面単液晶組立（基板状態（面）の石英ガラス基板３０と、チップ状態（単個）の対向基板とを重ね合わせてシールする。）としてもよい。
【０１７７】
面面液晶組立は不良チップを含むＴＦＴ基板層と、不良チップを含む対向基板層を重ね合わせてシールすることもあるので、不良ＬＣＤパネルが発生し、コストアップとなる可能性がある。これに対して、面単液晶組立は、良品の対向基板チップを超薄型のＴＦＴ基板層内の良品チップに選択的に重ね合わせてシールするので不良ＬＣＤパネル発生が少なく、コストダウンすることができる。
【０１７８】
なお、表示領域のＴＦＴ部に相当する箇所にブラックマスク７３（Ｔｉ，Ｍｏ，Ｃｒ，黒系樹脂など）が形成された対向基板を石英ガラス基板に所定のギャップで重ね合わせて封止固着しても良い（図７参照）。なお、この際に、ブラックマスクはアース電位にしておくことで、強い入射光による各部のチャージアップを防止できる。
【０１７９】
（１２）スクライブライン内の分割境界線に沿って対向基板４０、超薄型ＴＦＴ基板層及び石英ガラス基板３０を切断する。なお、対向基板４０および石英ガラス基板３０の材質に応じてブレードダイシング、レーザー切断加工（炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等の熱加工及びアブレーション加工、Ｎｄ：ＹＡＧレーザー、Ｎｄ：ＹＶＯ4レーザー、Ｎｄ：ＹＬＦレーザー、チタンサファイアレーザー等の多光子吸収改質レーザー加工等）、ダイアモンドカッター、超硬合金カッター、超音波カッター、高圧流体ジェット噴射切断加工、レーザーウオータージェット切断加工などを使い分けて分割切断してもよい。
【０１８０】
（１３）空セルの液晶注入口から電界印加方法および配向膜に応じた液晶、例えばネマティック液晶｛ＴＮモード液晶、ＶＡ（垂直配向）モード液晶など｝、スメティック液晶（強誘電性液晶、反強誘電性液晶など）、高分子分散型液晶またはその他の液晶を注入封止し、必要に応じて加熱急冷却処理して液晶配向処理することにより透過型ＬＣＤパネルが得られる。
この時に、配向膜と配向処理及び液晶の関係は下記のような組み合わせが好ましい。
[１]５〜５０ｎｍ厚のポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜の場合は、ラビング処理して正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[２]５〜５０ｎｍ厚のポリイミド、ポリアミド等の垂直配向剤添加した有機系配向膜の場合は、ラビング処理が不要で負の誘電異方性のＴＮモード液晶（ＶＡモード液晶）を用いる。
[３]５〜５０ｎｍ厚のポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜の場合は、アルゴンイオンビームを基板に対して１５〜２０°の角度から３００〜４００ｅＶの加速電圧でイオンビーム照射処理して正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[４]５〜５０ｎｍ厚のポリイミド、ポリビニルシンナメート等の有機系配向膜の場合は、２５７ｎｍの直線偏光した紫外線を基板に対して垂直に照射する光配向処理して正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[５]５〜５０ｎｍ厚のポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜の場合は、２６６ｎｍのＹＡＧレーザーを基板に対して任意の角度例えば４５°で照射するレーザー配向処理して正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[６]シリコン原子と酸素原子が錯体を形成したアルキル基がシリコン原子に結合しているシラン系配向膜の場合は、配向処理が不要であり、負の誘電異方性のＴＮモード（ＶＡモード）液晶を用いる。
[７]アミノシラン系配向膜の場合は、ラビング処理して正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[８]１０〜３０ｎｍ厚ＳｉＯｘの斜方蒸着膜の無機系系配向膜の場合は、基板の垂直方向からの蒸着角を調整して配向処理を行い、正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[９]蒸着あるいはスパッタによる１０〜３０ｎｍ厚ＳｉＯｘの無機系系配向膜の場合は、アルゴンイオンビームを基板に対して１５〜２０°の角度から３００〜４００ｅＶの加速電圧でイオンビーム照射処理して正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[１０]ミラートロンスパッタリング（指向性スパッタリング）による１０〜３０ｎｍ厚ＳｉＯｘの無機系配向膜の場合は、基板に対するスパッタリング角度を調整して配向処理を行い、正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[１１]ＣＶＤ法による５〜２０ｎｍ厚のＤＬＣ（Diamond  Like  Carbon）膜の無機系配向膜の場合は、基板に対して例えば４５°の方向から３００〜４００ｅＶの加速電圧でアルゴンイオンビーム照射してイオンビーム配向処理を行い、正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[１２]上記１〜１１の処理を行った第１配向膜の上に、イオン蒸着により約５０ｎｍのＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）膜の第２配向膜を形成し、正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[１３]上記１〜１１の処理を行った第１配向膜の上に、イオン蒸着により約５０ｎｍのＰＥ（ポリエチレン）膜の第２配向膜を形成し、正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[１４]上記１〜１１の処理を行った第１配向膜の上に、イオン蒸着により約５０ｎｍビフェニルー４，４'−ジメタクリレートのポリマー化した第２配向膜を形成し、正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[１５]ポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜の場合は、ラビング配向或いは２５７ｎｍ直線偏光ＵＶ照射の光配向或いはアルゴンイオンビーム照射のイオンビーム配向或いは２６６ｎｍのＹＡＧレーザー照射のレーザー配向処理をして強誘電性（ＦＬＣ）液晶を用いる。
[１６]５〜５０ｎｍ厚のポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜の場合は、ラビング配向或いは２５７ｎｍ直線偏光ＵＶ照射の光配向或いはアルゴンイオンビーム照射のイオンビーム配向或いは２６６ｎｍのＹＡＧレーザー照射のレーザー配向処理をして電界効果複屈折型（ＥＣＢ）型液晶を用いる。
【０１８１】
（１４）透過型ＬＣＤパネルの外部取り出し電極にフレキシブル基板２５を異方性導電膜の熱圧着で取り付ける。
さらに少なくとも片面に反射防止膜２６を形成した直線透過率９５％以上などの光学特性を満足する１（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上の高熱伝導性ガラス例えば石英ガラス、透明結晶化ガラス（ネオセラム、クリアセラム、ゼロデュアなど）など、更に少なくとも片面に反射防止膜２６を形成した直線透過率９５％以上などの光学特性を満足する１０（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上の高い熱伝導性ガラス、例えば高透光性セラミック多結晶体｛酸化物結晶体の電融または焼結ＭｇＯ（マグネシア）、Ｙ２Ｏ３（イットリア）、ＣａＯ（カルシア）、ＡＬ２Ｏ３（単結晶サファイア）、ＢｅＯ（ベリリア）、多結晶サファイアなど、または複酸化物結晶体の単結晶または多結晶ＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）、単結晶または多結晶ＭｇＡｌ２Ｏ４（スピネル）、３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３・ＳｉＯ２など｝、フッ化物単結晶体（フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、フッ化バリウムなど）、気相合成ダイヤモンド膜コートした高透光性セラミック多結晶体またはフッ化物単結晶体または透明結晶化ガラス、水晶などの透明基板を耐光性のＵＶ照射硬化型または可視光照射硬化型透明接着剤などで対向基板チップとＴＦＴチップに貼り合せる。
これにより、例えば入射側より反射防止膜形成の単結晶サファイア防塵ガラス、単結晶サファイアの対向基板（（マイクロレンズ基板、ブラックマスク基板なども含む）、液晶層、超薄型電気光学表示素子基板、石英ガラス基板及び反射防止膜形成の単結晶サファイア防塵ガラスの構造として相互を耐光性の透明接着剤で貼り合せることで、更に高い熱放散効果を期待できる。
【０１８２】
（１５）その後、透過型ＬＣＤパネルを高熱伝導性モールド樹脂２８で、光の入射側に反射膜２９が形成された金属膜コートの樹脂枠（以下、メッキ樹脂枠とも称する）７４に取り付けることによって、図８で示す様な透過型ＬＣＤを得ることができる。
この時に高い放熱効果を期待する樹脂枠の金属膜コートは、無電解メッキ法、電解メッキ法、蒸着法あるいはスパッタリング法などにより行い、金属単層膜（例えば、銅層、ニッケル層、クロム層等）であっても異種金属多層膜（例えば、銅層、ニッケル層及びクロム層あるいはニッケル層及びクロム層あるいは銅層及びクロム層等）であっても良い。
例えば、金属メッキ樹脂枠の場合には金属メッキし易い材料、例えばポリカーボネート樹脂、ＡＢＳ／ポリカーボネート樹脂、ＰＰＳ樹脂、ＬＣＰ樹脂などで成形した樹脂枠に金属メッキが形成された枠体を形成する。
そして更に放熱効果を高める為に、樹脂材料は複合材料、即ち、熱伝導率の高いカーボン、金属（鉄、ステンレスなどの鉄合金、アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ニッケル合金、銅、銅合金、クロム等）、金属酸化物{ＩＴＯ（酸化インジュウム−酸化スズ混合酸化物）、酸化錫、酸化亜鉛、ＩＺＯ（酸化インジュウム−酸化亜鉛混合酸化物）等}等の微粉末フィラーまたは微細ファイバーまたは微粉末フィラー及び微細ファイバーを適量含有させたポリカーボネート、ＰＰＳ、ＬＣＰ等の高熱伝導性樹脂で成形した樹脂枠に、金属メッキ処理したメッキ樹脂枠でもよい。
尚、微粉末フィラーまたは微細ファイバーまたは微粉末フィラー及び微細ファイバーの含有量は、所望の熱伝導度と機械的強度などで決まり、更に混合させる材料により異なるので適正化する必要がある。
ところで、上記の黒色系複合材料のみにより十分な熱伝導性の放熱効果と機械的強度及び光反射の写り込み防止が得られれば、必ずしも黒色系金属膜コート処理する必要はなく、そのままの樹脂枠で使用するのがコストダウン出来るので好ましい。
また、いずれも光反射の写り込み防止の為に、枠体の少なくとも内側部の最表面は黒色系金属膜、例えばクロムメッキ膜または酸化クロムメッキ膜またはクロム蒸着膜またはクロムスパッタリング膜または酸化クロム蒸着膜または酸化クロムスパッタリング膜、或いは黒色系高熱伝導性樹脂或いは黒色系高熱伝導性樹脂表面への透明樹脂コート処理であることが好ましい。
更に、枠体の外側部の光入射側が黒いと光吸収により枠体温度上昇するので、枠体の外側部の光入射側はアルミニウム、ニッケル等の白色系反射膜を形成する必要がある。
また、樹脂枠体芯部表面に凹凸形状部またはフィン形状部または凹凸形状部及びフィン形状部が形成されることが好ましい。これによって、樹脂枠体芯部と金属膜との密着性が向上し、かつ枠体の露出表面積を多くすることにより空中への放熱面積を増大することができる。
尚、アルマイト黒化処理のアルミニウム材などでの金属枠を使用してもよい。この金属枠の場合でも表面に凹凸形状部またはフィン形状部または凹凸形状部及びフィン形状部を形成することで、空中への放熱面積を増大させて冷却効果を高めるのが好ましい。
【０１８３】
（Ａ−２）イオン注入層分離法
本実施例においては、イオン注入層を使用したイオン注入層分離法による透過型ＬＣＤの製造方法について説明する。
【０１８４】
（１）種子基板１０としての単結晶Ｓｉ基板の表面から所定深さに高濃度水素イオン注入層４１を形成する。例えば、１００ＫｅＶ，５×１０１６〜１×１０１７／ｃｍ２のドーズ量で約１μｍ深さに水素イオンを注入する。
この時に、予め種子基板をＧｅ濃度２０〜３０％のＳｉＧｅ基板としておけば、後述する分離後のＳｉエピタキシャル成長で歪みＳｉ層が直に形成できる。
【０１８５】
（２）支持基板としての光学研磨ダメージをエッチングした石英ガラス基板３０に透明絶縁層１３を３００ｎｍ〜４００ｎｍ形成する。なお、条件等は上記（Ａ−１）多孔質半導体層分離法の（３）に準ずる。
【０１８６】
（３）種子基板と石英ガラス基板の透明絶縁層を貼り合せる（図１０参照）。なお、条件等は上記（Ａ−１）多孔質半導体層分離法の（４）に準ずる。
【０１８７】
（４）剥離用アニール及び種子基板分離を行う（図１１参照）。
剥離用アニールは、５００℃、１０〜２０分間の熱処理、または急加熱急冷却のＲＴＡ（Rapid Thermal Anneal；ラピッドサーマルアニール、例えばハロゲンランプアニールの８００℃数秒、Ｘｅフラッシュランプアニール１０００℃数ミリ秒など）などの熱処理により行う。これにより、イオン注入した水素が膨張し、微小気泡内の圧力作用及び結晶再配列作用により水素イオン注入層４１に歪み層を発生させ、両基板裏面をＵＶテープ９等で貼り合せし、引張り剥離する。
この時に、回転する高濃度水素イオン注入層にレーザー照射またはレーザーウオータージェット照射させてイオン注入した水素を膨張し、微小気泡内の圧力作用及び結晶再配列作用により水素イオン注入層４１に歪み層を発生させ、両基板裏面をＵＶテープ９等で貼り合せし、引張り剥離してもよい。
【０１８８】
これ以降の工程については、（Ａ−１）に準ずる。
【０１８９】
なお、本実施例においても、例えば、Ｇｅ濃度２０〜３０％のＳｉＧｅ層である歪み印加の単結晶半導体層としての単結晶Ｓｉ層１２を形成し、その上にＣＶＤのＳｉエピタキシャル成長により歪みＳｉ層を形成すると、従来の無歪みチャネル層の単結晶Ｓｉ層に比べ約１．７６倍の大幅な電子移動度の向上を達成したＭＯＳＴＦＴの表示素子部及び周辺回路部が実現するので、高性能、高精細、高品質の透過型ＬＣＤが実現する。
つまり、本実施例の場合には、ＳｉＧｅ基板である種子基板と、光学研磨ダメージをエッチングして透明絶縁層を形成した石英ガラスの支持基板を貼り合せ、水素イオン注入層の歪部から種子基板を分離し、表示領域のＳｉＧｅ層をエッチングして透明絶縁層を露出させ、水素アニールのエッチングとＳｉエピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層を形成し、周辺回路領域にＳｉＧｅ層をシードに歪Ｓｉ層を形成することにより、高性能、高精細、高品質の透過型ＬＣＤが実現する。
【０１９０】
（Ａ−３）裏面加工法
本実施例においては、裏面加工法による透過型ＬＣＤの製造方法について説明する。
【０１９１】
（１）支持基板としての研磨ダメージをエッチングした石英ガラス基板３０に透明絶縁層１３を３００ｎｍ〜４００ｎｍ形成する。なお、条件等は上記（Ａ−１）多孔質半導体層分離法の（３）に準ずる。
【０１９２】
（２）種子基板１０と石英ガラス基板の透明絶縁層を貼り合せる（図１２参照）。なお、条件等は上記（Ａ−１）多孔質半導体層分離法の（４）に準ずる。
この時に、予め種子基板をＧｅ濃度２０〜３０％のＳｉＧｅ基板としておけば、Ｓｉエピタキシャル成長で歪みＳｉ層が直に形成できる。
【０１９３】
（３）種子基板の裏面加工を行う。
石英ガラス基板３０上を少なくとも糊残りのない帯電防止の紫外線照射硬化型テープ（以下「ＵＶテープ」と称す）などで覆い、ＵＶテープ側を研削装置または／及び研磨装置のステージに真空吸着で保持した状態で、単結晶Ｓｉの種子基板１０の裏面側から砥石、ダイヤモンドホイールなどの研削を行う。例えば、１軸は＃３２０または＃４００、２軸は＃１５００または＃２０００のダイヤモンドホイールで研削を行う。
その後、必要に応じて酸化セリウム等でのバフ研磨またはＣＭＰ（Chemical  Mechanical  Polishing）、さらに化学的エッチングあるいは化学的エッチングのみで、単結晶Ｓｉの種子基板を所定膜厚例えば１〜３μｍに仕上げる。
単結晶Ｓｉの種子基板１０は、所定膜厚の研削後、または、研削および研磨後に、ＨＦ＋Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２Ｏ混合液やＨＦ＋ＨＮＯ３＋ＣＨ３ＣＯＯＨ混合液などの化学的エッチング液によりライトエッチングすることで研削または研磨歪を除去する必要がある。
必要に応じて化学的エッチング液（ＨＦ＋ＨＮＯ３＋ＣＨ３ＣＯＯＨ混合液などの酸性系エッチング液、水酸化ナトリウム液などのアルカリ系エッチング液など）に対する耐薬品性向上のために、ＵＶテープをワックス例えば水溶性接着剤で覆ってもよい。
水溶性接着剤としては、ホットメルト系水溶性固形ワックス（例えば、日化精工社製のアクアワックス２０／５０／８０（商品名）（主成分は脂肪酸グリセリド）、アクアワックス５５３／５３１／４４２／ＳＥ（商品名）（主成分はポリエチレングリコール、ビニルピロリドン共重合物、グリセリンポリエーテル）、ＰＥＧワックス２０（商品名）（主成分はポリエチレングリコール）など）、または水溶性液状ワックス（例えば、日化精工社製の合成樹脂系液状接着剤のアクアリキッドＷＡ−３０２（商品名）（主成分はポリエチレングリコール、ビニルピロリドン誘導体、メタノール）、ＷＡ−２０５１１／ＱＡ−２０５６６（商品名）（主成分はポリエチレングリコール、ビニルピロリドン誘導体、ＩＰＡ、水）など）を使用することができる。そして、化学的エッチング後に、５０〜６０℃の温水洗浄でワックスを除去し、ＵＶ照射硬化してＵＶテープを剥離することで、表面保護することができる。
あるいは、ＨＦ＋Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２Ｏ混合液やＨＦ＋ＨＮＯ３＋ＣＨ３ＣＯＯＨ混合液などの化学的エッチング液のみで単結晶Ｓｉの種子基板１０を所定膜厚化してもよい。
この時に、ＵＶテープ表面から高速ガス流（例えば高速空気流）を噴出しながら回転する公知のベルヌイチャックにより保持すると、化学的エッチング液にＵＶテープ表面が晒されないので、耐酸性のＵＶテープでなくてもよい。
更に、この条件最適化により、ＵＶテープなしで直に石英ガラス基板側をベルヌイチャックで保持して単結晶Ｓｉの種子基板１０を化学的エッチング液によりエッチングしてもよい。
また、ＵＶテープは、ポリオレフィンなどのＵＶテープ基材および強い接着力で糊残りのない帯電防止のアクリル系などのＵＶ照射硬化型接着剤からなるものである。ＵＶ照射硬化型接着剤は接着力が強いため、このＵＶテープにより石英ガラス基板を強固に保持および表面保護した状態で、裏面研削、研磨および化学的エッチングを行うことができる。
この帯電防止機能により製造工程中の静電破壊を防止することができるため、静電気ダメージによる半導体特性不良を防止することができる。なお、ＵＶ照射硬化型接着剤の硬化前および硬化後の表面抵抗は、１０６〜１０１２Ω／□程度の静電気ダメージを防止するレベルであることが望ましい。
なお、化学的エッチングを行う場合、ＵＶテープはフッ酸に対する耐酸性を有することが必要である。これにより、化学的エッチング時の石英ガラス基板などのダメージを防止する。また、ＵＶ照射硬化型接着剤は、紫外線の照射によって粘着力が弱まるため、研削等の後はＵＶテープを糊残りなく剥離することができる。
【０１９４】
これ以降の工程については、（Ａ−１）に準ずる。
【０１９５】
（Ａ−４）Ｓｉエッチング法
本実施例においては、Ｓｉエッチング法による透過型ＬＣＤの製造方法について説明する。
【０１９６】
（１）種子基板１０としてのＰ−型単結晶Ｓｉ基板表面に、Ｓｉエピタキシャル成長によりボロンを高濃度にドープしたエッチング停止層として３〜１０μｍのＰ＋＋型単結晶Ｓｉ層４２を形成し、このＰ＋＋型単結晶Ｓｉ層の上に、Ｓｉエピタキシャル成長により１〜２μｍの単結晶Ｓｉ層１２を形成する。
【０１９７】
（２）支持基板としての光学研磨ダメージをエッチングした石英ガラス基板３０に透明絶縁層１３を３００ｎｍ〜４００ｎｍ形成する。なお、条件等は上記（Ａ−１）多孔質半導体層分離法の（３）に準ずる。
【０１９８】
（３）種子基板と石英ガラス基板の透明絶縁層を貼り合せる（図１３参照）。なお、条件等は上記（Ａ−１）多孔質半導体層分離法の（４）に準ずる。
【０１９９】
（４）貼り合せ面の縁に接着剤を塗布した後に、種子基板１０をエチレンジアミン・ピロカテコールなどでエッチングし、フッ酸、硝酸系エッチング液などによりエッチング停止層をエッチングする。
【０２００】
これ以降の工程については、（Ａ−１）に準ずる。
【０２０１】
（Ｂ）表示領域及び周辺回路領域に遮光性金属層が形成された支持基板と種子基板でＳＯＩ基板を形成する場合
（Ｂ−１）多孔質半導体層分離法
本実施例においては、多孔質Ｓｉ層を使用した多孔質半導体層分離法による透過型ＬＣＤの製造方法について説明する。
【０２０２】
（１）種子基板１０としての単結晶Ｓｉ層に陽極化成法で多孔質Ｓｉ層を形成する（図１４参照）。なお、条件等は上記（Ａ−１）多孔質半導体層分離法の（１）に準ずる。
【０２０３】
（２）多孔質Ｓｉ層上にＣＶＤのＳｉエピタキシャル成長の単結晶Ｓｉ層或いは歪印加のＳｉＧｅ層１２を形成する（図１４参照）。なお、条件等は上記（Ａ−１）多孔質半導体層分離法の（２）に準ずる。
【０２０４】
（３）支持基板としての研磨ダメージをエッチングした石英ガラス基板３０にＣＶＤ法で透明絶縁層１３ａ，１３ｂ及び遮光性金属層４３を形成する（図１４参照）。なお、遮光性金属層はアース電位にしておくことで、強い入射光による各部のチャージアップを防止できる。
【０２０５】
[１]まず、石英ガラス基板表面には酸化セリウム等の研磨剤による光学研磨のナノメーターレベルのクラックが無数に存在してナノメーターレベルの凹凸が大きいために、この石英ガラス基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして形成されたナノメーターレベルのエッチング溝をカバーして平坦性を高めるために、ＣＶＤ法等により透明絶縁層１３ａ（ＳｉＯ２またはＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４及びＳｉＯ２積層膜など）を３００ｎｍ〜５００ｎｍ形成する。
【０２０６】
[２]次に、ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着等で全面に１００〜３００ｎｍの遮光性金属層４３（例えば、ＷＳｉ２（タングステンシリサイド）、ＴｉＳｉ２（チタンシリサイド）ＭｏＳｉ２（モリブデンシリサイド）などの遷移金属シリサイドなど）を形成し、画素開口部の遮光性金属層をエッチングする。この時に、遮光性金属層は後工程でのＳｉエピタキシャル成長作業温度に耐えて、積層する透明絶縁層及び単結晶Ｓｉ層或いは石英ガラス基板との熱ストレス応力が少ない材料で、しかも低反射であることが好ましい。
尚、この遮光性金属層４３の画素開口部をエッチングする時に、同時に遮光性金属層４３を表示領域と周辺回路領域に分割してそれぞれ別の電界印加によるノーマルブラック液晶化をしてもよい。
更に、同時に遮光性金属層４３の画素開口部周囲内の表示素子部周りをエッチングしてアイランド化した表示素子部の遮光性金属層を形成してもよい。
【０２０７】
[３]その後、ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着等で全面に３００ｎｍ〜５００ｎｍ透明絶縁層１３ｂ（ＳｉＯ２またはＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４及びＳｉＯ２積層膜など）を形成する。
尚、透明絶縁層１３ａ、１３ｂのＳｉ３Ｎ４等の窒化系シリコン膜は３０〜１００ｎｍ程度が望ましい。
【０２０８】
（４）種子基板の単結晶Ｓｉ層と石英ガラス基板の透明絶縁層１３ｂを貼り合せる（図１５参照）。なお、条件等は上記（Ａ−１）多孔質半導体層分離法の（４）に準ずる。
【０２０９】
（５）種子基板１０及び石英ガラス基板３０をＵＶテープ９などで保持し、高多孔質Ｓｉ層１１ｂから種子基板１０を分離する（図１６参照）。なお、条件等は上記（Ａ−１）多孔質半導体層分離法の（５）に準ずる。
【０２１０】
（６）剥離残りの高多孔質Ｓｉ層１１ｂ及び低多孔質Ｓｉ層１１ｃをウエットエッチングした後に、表示領域の単結晶Ｓｉ層或いはＳｉＧｅ層をエッチングして透明絶縁層１３ｂを露出させる（図１７参照）。
【０２１１】
（７）ＣＶＤ前の水素アニールにより単結晶Ｓｉ層或いはＳｉＧｅ層表面をエッチングして平坦化し、ＣＶＤのＳｉエピタキシャル成長により周辺回路領域の単結晶Ｓｉ層或いはＳｉＧｅ層をシードに高結晶性単結晶Ｓｉ層或いは歪Ｓｉ層１５を形成し、表示領域の透明絶縁層上にポリＳｉ層１６を形成する。
【０２１２】
（８）高結晶性単結晶Ｓｉ層或いは歪Ｓｉ層１５内にＬＣＤ周辺回路部、ポリＳｉ層に表示部のＴＦＴ等を作製し、表示領域のＴＦＴ部以外のポリＳｉ層を除去する（図１８参照、なお、図１８（ａ）は表示領域の表示素子部と画素開口部を示し、図１８（ｂ）は周辺回路領域を示している）。なお、条件等は上記（Ａ−１）多孔質半導体層分離法の（８）に準ずる。
【０２１３】
なお、上記の実施例では、石英ガラス基板３０の表示領域の単結晶Ｓｉ層或いはＳｉＧｅ層１２をエッチングして透明絶縁層１３ｂを露出させ、ＣＶＤのＳｉエピタキシャル成長により周辺回路領域の単結晶Ｓｉ層或いはＳｉＧｅ層１２をシードに高結晶性単結晶Ｓｉ層或いは歪Ｓｉ層１５を形成し、表示領域の透明絶縁層上にポリＳｉ層１６を形成して、周辺回路領域に単結晶ＳｉＴＦＴ或いは歪ＳｉＴＦＴからなるシステムＬＳＩを含むＬＣＤ周辺回路部、表示領域にポリＳｉＴＦＴからなる表示部を作製し、表示領域のＴＦＴ部以外のポリＳｉ層１６を除去して画素開口部を形成して透明材料で埋め込み平坦化させた透過型ＬＣＤを作製している。
【０２１４】
これに対して図１９のように、石英ガラス基板３０の表示領域の単結晶Ｓｉ層或いはＳｉＧｅ層１２をエッチングすることなく、ＣＶＤのＳｉエピタキシャル成長により単結晶Ｓｉ層或いはＳｉＧｅ層１２をシードに全面に高結晶性単結晶Ｓｉ層或いは歪Ｓｉ層１５を形成し、周辺回路領域に単結晶ＳｉＴＦＴ或いは歪ＳｉＴＦＴからなるシステムＬＳＩを含むＬＣＤ周辺回路部、表示領域に単結晶ＳｉＴＦＴ或いは歪ＳｉＴＦＴからなる表示部を作製し、表示領域のＴＦＴ部以外の単結晶Ｓｉ層或いはＳｉＧｅ層１２及び高結晶性単結晶Ｓｉ層或いは歪Ｓｉ層１５を除去して画素開口部を形成して透明材料で埋め込み平坦化させた、オール単結晶ＳｉＴＦＴ或いは歪ＳｉＴＦＴからなる透過型ＬＣＤを作製しても良い。
【０２１５】
これ以降の工程については、（Ａ−１）に準ずる。
【０２１６】
（Ｂ−２）イオン注入層分離法
本実施例においては、イオン注入層を使用したイオン注入層分離法による透過型ＬＣＤの製造方法について説明する。
【０２１７】
（１）種子基板１０としての単結晶Ｓｉ基板の表面から所定深さに高濃度水素イオン注入層４１を形成する。なお、条件等は上記（Ａ−２）イオン注入層分離法の（１）に準ずる。
【０２１８】
（２）支持基板としての光学研磨ダメージをエッチングした石英ガラス基板３０にＣＶＤ及びリソグラフィとエッチングにより透明絶縁層１３ａ，１３ｂ及び画素開口部を形成した遮光性金属層４３を形成する。
尚、この遮光性金属層４３の画素開口部をエッチングする時に、同時に遮光性金属層４３を表示領域と周辺回路領域に分割してそれぞれ別の電界印加によるノーマルブラック液晶化をしてもよい。
更に、同時に遮光性金属層４３の画素開口部周囲内の表示素子部周りをエッチングしてアイランド化した表示素子部の遮光性金属層を形成してもよい。
なお、条件等は上記（Ｂ−１）多孔質半導体層分離法の（３）に準ずる。
【０２１９】
（３）種子基板と石英ガラス基板の透明絶縁層１３ｂを貼り合せる（図２０参照）。なお、条件等は上記（Ｂ−１）多孔質半導体層分離法の（４）に準ずる。
【０２２０】
（４）剥離用アニールまたはレーザー剥離またはレーザーウオータージェット剥離などにより種子基板分離を行う（図２１参照）。なお、条件等は上記（Ａ−２）イオン注入層分離法の（４）に準ずる。
【０２２１】
これ以降の工程については、（Ｂ−１）に準ずる。
【０２２２】
（Ｂ−３）裏面加工法
本実施例においては、裏面加工法による透過型ＬＣＤの製造方法について説明する。
【０２２３】
（１）支持基板としての光学研磨ダメージをエッチングした石英ガラス基板３０にＣＶＤ及びリソグラフィとエッチングにより透明絶縁層１３ａ，１３ｂ及び画素開口部を形成した遮光性金属層４３を形成する。
尚、この遮光性金属層４３の画素開口部をエッチングする時に、同時に遮光性金属層４３を表示領域と周辺回路領域に分割してそれぞれ別の電界印加によるノーマルブラック液晶化をしてもよい。
更に、同時に遮光性金属層４３の画素開口部周囲内の表示素子部周りをエッチングしてアイランド化した表示素子部の遮光性金属層を形成してもよい。
なお、条件等は上記（Ｂ−１）多孔質半導体層分離法の（３）に準ずる。
【０２２４】
（２）種子基板と石英ガラス基板の透明絶縁層１３ｂを貼り合せる（図２２参照）。なお、条件等は上記（Ｂ−１）多孔質半導体層分離法の（４）に準ずる。
【０２２５】
（３）種子基板の裏面加工を行う。なお、条件等は上記（Ａ−３）裏面加工法の（２）に準ずる。
【０２２６】
これ以降の工程については、（Ｂ−１）に準ずる。
【０２２７】
（Ｂ−４）Ｓｉエッチング法
本実施例においては、Ｓｉエッチング法による透過型ＬＣＤの製造方法について説明する。
【０２２８】
（１）種子基板１０としてのＰ−型単結晶Ｓｉ基板表面にエッチング停止層のＰ＋＋型単結晶Ｓｉ層４２及び単結晶Ｓｉ層１２を形成する。なお、条件等は上記（Ａ−４）Ｓｉエッチング法の（１）に準ずる。
【０２２９】
（２）支持基板としての光学研磨ダメージをエッチングした石英ガラス基板３０にＣＶＤ及びリソグラフィとエッチングにより透明絶縁層１３ａ，１３ｂ及び画素開口部を形成した遮光性金属層４３を形成する。
尚、この遮光性金属層４３の画素開口部をエッチングする時に、同時に遮光性金属層４３を表示領域と周辺回路領域に分割してそれぞれ別の電界印加によるノーマルブラック液晶化をしてもよい。
更に、同時に遮光性金属層４３の画素開口部周囲内の表示素子部周りをエッチングしてアイランド化した表示素子部の遮光性金属層を形成してもよい。
なお、条件等は上記（Ｂ−１）多孔質半導体層分離法の（３）に準ずる。
【０２３０】
（３）種子基板と石英ガラス基板の透明絶縁層１３ｂを貼り合せる（図２３参照）。なお、条件等は上記（Ｂ−１）多孔質半導体層分離法の（４）に準ずる。
【０２３１】
（４）種子基板及びエッチング停止層をエッチングする。なお、条件等は上記（Ａ−４）Ｓｉエッチング法の（４）に準ずる。
【０２３２】
これ以降の工程については、（Ｂ−１）に準ずる。
【０２３３】
（Ｃ）表示領域及び周辺回路領域に遮光性金属層が形成された種子基板と支持基板でＳＯＩ基板を形成する場合
（Ｃ−１）多孔質半導体層分離法
本実施例においては、多孔質Ｓｉ層を使用した多孔質半導体層分離法による透過型ＬＣＤの製造方法について説明する。
【０２３４】
（１）種子基板１０としての単結晶Ｓｉ基板に陽極化成法で多孔質Ｓｉ層を形成する。なお、条件等は上記（Ａ−１）多孔質半導体層分離法の（１）に準ずる。
【０２３５】
（２）多孔質Ｓｉ層上にＣＶＤのＳｉエピタキシャル成長の単結晶Ｓｉ層或いは歪印加のＳｉＧｅ層１２を形成する（図２４参照）。なお、条件等は上記（Ａ−１）多孔質半導体層分離法の（２）に準ずる。
【０２３６】
（３）単結晶Ｓｉ層或いは歪印加のＳｉＧｅ層１２上に、ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着法等により透明絶縁層１３ａ、１３ｂ及び画素開口部を形成した遮光性金属層４３を形成する。（図２４参照）
【０２３７】
[１]まず、単結晶Ｓｉ層１２上に、ＣＶＤ法等により透明絶縁層１３ａ（ＳｉＯ２またはＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４及びＳｉＯ２積層膜など）を３００ｎｍ〜５００ｎｍ形成する。
【０２３８】
[２]次に、ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着等で全面に１００〜３００ｎｍの遮光性金属層４３（例えば、ＷＳｉ２（タングステンシリサイド）、ＴｉＳｉ２（チタンシリサイド）ＭｏＳｉ２（モリブデンシリサイド）などの遷移金属シリサイドなど）を形成し、画素開口部の遮光性金属層をエッチングする。この時に、遮光性金属層は後工程でのＳｉエピタキシャル成長作業温度に耐えて、積層する透明絶縁層及び単結晶Ｓｉ層或いは石英ガラス基板との熱ストレス応力が少ない材料で、しかも低反射であることが好ましい。
尚、この遮光性金属層４３の画素開口部をエッチングする時に、同時に遮光性金属層４３を表示領域と周辺回路領域に分割してそれぞれ別の電界印加によるノーマルブラック液晶化をしてもよい。
更に、同時に遮光性金属層４３の画素開口部周囲内の表示素子部周りをエッチングしてアイランド化した表示素子部の遮光性金属層を形成してもよい。
【０２３９】
[３]その後、ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着等で全面に３００ｎｍ〜５００ｎｍ透明絶縁層１３ｂ（ＳｉＯ２またはＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４及びＳｉＯ２積層膜など）を形成する。
尚、透明絶縁層１３ａ、１３ｂのＳｉ３Ｎ４等の窒化系シリコン膜は３０〜１００ｎｍ程度が望ましい。
【０２４０】
（４）支持基板としての光学研磨ダメージをエッチングした石英ガラス基板３０に透明絶縁層１３を３００ｎｍ〜４００ｎｍ形成する（図２４参照）。なお、条件等は上記（Ａ−１）多孔質半導体層分離法の（３）に準ずる。
【０２４１】
（５）種子基板の透明絶縁層１３ｂと石英ガラス基板の透明絶縁層１３と貼り合せる（図２５参照）。
【０２４２】
（６）種子基板１０及び石英ガラス基板３０をＵＶテープ９などで保持し、高多孔質Ｓｉ層１１ｂから種子基板１０を分離する（図２６参照）。なお、条件等は上記（Ａ−１）多孔質半導体層分離法の（５）に準ずる。
【０２４３】
これ以降の工程については、（Ｂ−１）に準ずる。
【０２４４】
（Ｃ−２）裏面加工法
本実施例においては、裏面加工法による透過型ＬＣＤの製造方法について説明する。
【０２４５】
（１）種子基板１０としての単結晶Ｓｉまたは歪み印加のＳｉＧｅ基板にＣＶＤ、スパッタリング、蒸着法等で透明絶縁層１３ａ，１３ｂ及び画素開口部を形成した遮光性金属層４３を形成する。なお、条件等は上記（Ｂ−１）多孔質半導体層分離法の（３）に準ずる。
尚、この遮光性金属層４３の画素開口部をエッチングする時に、同時に遮光性金属層４３を表示領域と周辺回路領域に分割してそれぞれ別の電界印加によるノーマルブラック液晶化をしてもよい。
更に、同時に遮光性金属層４３の画素開口部周囲内の表示素子部周りをエッチングしてアイランド化した表示素子部の遮光性金属層を形成してもよい。
【０２４６】
（２）支持基板としての光学研磨ダメージをエッチングした石英ガラス基板３０に透明絶縁層１３を３００ｎｍ〜４００ｎｍ形成する。なお、条件等は上記（Ａ−１）多孔質半導体層分離法の（３）に準ずる。
【０２４７】
（３）種子基板１０の透明絶縁層１３ｂと石英ガラス基板の透明絶縁層１３と貼り合せる（図２７参照）。
【０２４８】
（３）種子基板１０の裏面加工を行い、単結晶Ｓｉ層または歪み印加のＳｉＧｅ層１２を形成する。なお、条件等は上記（Ａ−３）裏面加工法の（２）に準ずる。
【０２４９】
これ以降の工程については、（Ｃ−１）に準ずる。
【０２５０】
（Ｃ−３）Ｓｉエッチング法
本実施例においては、Ｓｉエッチング法による透過型ＬＣＤの製造方法について説明する。
【０２５１】
（１）種子基板１０としてのＰ−型単結晶Ｓｉ基板表面にエッチング停止層のＰ＋＋型単結晶Ｓｉ層４２及び単結晶Ｓｉ層１２を形成する。なお、条件等は上記（Ａ−４）Ｓｉエッチング法の（１）に準ずる。
【０２５２】
（２）単結晶Ｓｉ層にＣＶＤ、スパッタリング、蒸着法等で透明絶縁層１３ａ，１３ｂ及び画素開口部形成した遮光性金属層４３を形成する。なお、条件等は上記（Ｃ−１）多孔質半導体層分離法の（３）に準ずる。
尚、この遮光性金属層４３の画素開口部をエッチングする時に、同時に遮光性金属層４３を表示領域と周辺回路領域に分割してそれぞれ別の電界印加によるノーマルブラック液晶化をしてもよい。
更に、同時に遮光性金属層４３の画素開口部周囲内の表示素子部周りをエッチングしてアイランド化した表示素子部の遮光性金属層を形成してもよい。
【０２５３】
（３）支持基板としての研磨ダメージをエッチングした石英ガラス基板３０に透明絶縁層１３を３００ｎｍ〜４００ｎｍ形成する。なお、条件等は上記（Ａ−１）多孔質半導体層分離法の（３）に準ずる。
【０２５４】
（４）種子基板の透明絶縁層１３ｂと石英ガラス基板の透明絶縁層１３と貼り合せる（図２８参照）。
【０２５５】
種子基板及びエッチング停止層をエッチングして、単結晶Ｓｉ層または歪み印加のＳｉＧｅ層１２を露出させる。（図２９参照）。なお、条件等は上記（Ａ−４）Ｓｉエッチング法の（４）に準ずる。
【０２５６】
これ以降の工程については、（Ｃ−１）に準ずる。
【０２５７】
なお、本製造方法によって、図３０（図３０（ａ）は対向基板側から光が入射する透過型ＬＣＤ，図３０（ｂ）は石英ガラス基板側から光が入射する透過型ＬＣＤ）で示す様な透過型ＬＣＤを得ることができる。
【０２５８】
図３０（ａ）はＴＦＴ部に対応する対向基板側と石英ガラス基板側に遮光性金属層形成した実施例で、対向基板側には光反射させる白色系遮光性金属層（アルミニウム、ニッケル、銀など）を形成し、石英ガラス基板側にはＷＳｉ２（タングステンシリサイド）、ＴｉＳｉ２（チタンシリサイド）ＭｏＳｉ２（モリブデンシリサイド）などの遷移金属シリサイド層による低反射の遮光性金属層が形成されている。
この場合、対向基板よりも石英ガラス基板を若干大きく設計することで、石英ガラス基板上の単結晶Ｓｉ層及び遮光性金属層面に高熱伝導性モールド樹脂２８を直接接触させるので冷却効果が高い。更に、石英ガラス基板上の画素開口部以外の表示部及び周辺回路部が遮光性金属層により光遮蔽されているので、戻り反射板が不要となりコストダウンできる。
また、対向基板側からの入射光がメッキ樹脂枠の反射膜２９で反射されるので温度上昇が低減し、対向基板側の反射防止膜付き防塵ガラス２７が高熱伝導性モールド樹脂２８とメッキ樹脂枠７４により十分に接触しているので放熱効果が高い。
【０２５９】
図３０（ｂ）は、石英ガラス基板上の画素開口部以外の表示部及び周辺回路部が遮光性金属層により光遮蔽されているので、石英ガラス基板側から光入射させても表示部のＴＦＴ、周辺回路部のＴＦＴのリーク電流防止できる実施例であり、ＴＦＴ部に対応する石英ガラス基板側にはＷＳｉ２（タングステンシリサイド）、ＴｉＳｉ２（チタンシリサイド）ＭｏＳｉ２（モリブデンシリサイド）などの遷移金属シリサイド層による低反射の遮光性金属層が形成されているが、対向基板側には遮光性金属層は不要なのでコストダウンできる。
この場合にも、対向基板よりも石英ガラス基板を若干大きく設計することで、石英ガラス基板上の単結晶Ｓｉ層及び遮光性金属層面に高熱伝導性モールド樹脂２８を直接接触させるので冷却効果が高い。
また、石英ガラス基板側からの入射光がメッキ樹脂枠の反射膜２９で反射されるので温度上昇が低減し、対向基板側及び石英ガラス基板側の反射防止膜付き防塵ガラス２７が高熱伝導性モールド樹脂２８とメッキ樹脂枠７４に十分に接触しているので放熱効果が高い。
更に、金属製戻り反射防止板の代わりに黒色メッキ樹脂枠７４にすると、コストダウン出来る。
【０２６０】
図３１（ａ）は遮光性金属層４３が形成された石英ガラス基板３０に高屈折率透明樹脂５０によりマイクロレンズアレイを形成し、入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き石英ガラス基板３０を備える、いわゆるシングルマイクロレンズ構造の透過型ＬＣＤの実施例を示している。なお、マイクロレンズアレイは無機系高屈折率透明膜で形成しても良いことは言うまでもない。
【０２６１】
この実施の具体例として、例えば図３１（ａ）で示す様に、
[１]超薄型ＴＦＴ基板層からなる周辺回路部及び表示素子部を光遮蔽した遮光性金属層４３を有する石英ガラス基板３０上の複数の画素開口部に露出した石英ガラスを汎用リソグラフィ及びエッチング法によりエッチングしてマイクロレンズ部を形成する。この時に、マイクロレンズ部の曲率半径及び形状（球面または非球面など）と高屈折率透明樹脂５０の屈折率は、自由に光学設計することで所望の高輝度のＬＣＤを得ることが出来る。
[２]全面に高屈折率透明樹脂５０をコーティングしてマイクロレンズアレイ部を埋め込み、必要に応じて表面を研磨して表面平坦化する。更に、必要に応じてＳｉＯ２またはＳｉＯ２、ＳｉＮｘ及びＳｉＯ２積層膜を形成する。
[３]高屈折率透明樹脂５０または高屈折率透明樹脂５０及びＳｉＯ２またはＳｉＯ２、ＳｉＮｘ及びＳｉＯ２積層膜を窓開けして表示用ＴＦＴのドレインに接続する透明画素電極２１を画素開口部上に形成する。
[４]透明画素電極２１上にポリイミド等の配向膜２２を形成して配向処理したマイクロレンズアレイ形成の超薄型ＴＦＴ基板層からなる石英ガラス基板３０と、透明電極２３とポリイミド等の配向膜２４を形成して配向処理した対向基板４０と重ね合わせシールして空セル形成し、その後に液晶注入封止してシングルマイクロレンズ構造の透過型ＬＣＤを形成する。
【０２６２】
この場合、超薄型ＴＦＴ基板層を有する石英ガラス基板３０側から光入射するが、画素開口部以外の表示部及び周辺回路部は既に遮光性金属層４３があるので、改めてマイクロレンズ周囲に遮光膜を形成する必要は無く、更に対向基板側の表示素子部対応領域にも遮光膜を形成する必要はないのでコストダウン出来る。
これにより、入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ周囲に遮光膜形成したマイクロレンズ付き石英ガラス基板３０を備える、いわゆるシングルマイクロレンズ構造の高輝度、高コントラスト、高機能の透過型ＬＣＤを形成することが出来る。
【０２６３】
図３１（ｂ）は遮光性金属層４３が形成された石英ガラス基板３０及び対向基板４０に高屈折率透明樹脂５０によりマイクロレンズアレイを形成し、入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板４０と出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き石英ガラス基板３０を備える、いわゆるデュアルマイクロレンズ（ダブルマイクロレンズとも言う）構造の透過型ＬＣＤの実施例を示している。なお、マイクロレンズアレイは無機系高屈折率透明膜で形成しても良いことは言うまでもない。
【０２６４】
この実施の具体例として、例えば図３１（ｂ）で示す様に、
[１]汎用リソグラフィ法及びエッチング法により、対向基板４０の石英ガラス、ネオセラム基板等に所定の凹形状のマイクロレンズ部を複数作成する。
[２]複数のマイクロレンズ部に高屈折率透明樹脂５０を充填し、石英ガラス、ネオセラム等の透明ガラス基板を透明接着剤で貼り合わせる。この時に透明ガラス基板を高屈折率透明樹脂５０で対向基板４０に貼り合せて、透明接着剤を使用しないでもよい。
[３]片面研磨又は両面研磨により、約２０μｍの透明ガラス基板（スタック基板）６６でカバーしたマイクロレンズアレイ付き対向基板４０を作成する。
この時に、スタンプ法で石英ガラス、ネオセラム等の対向基板４０に所定の凹凸形状のマイクロレンズを複数作成してもよい。これは、汎用リソグラフィ技術でフォトレジストのマイクロレンズパターンを複数形成し、加熱リフローで所望の凸形状のマイクロレンズを複数形成する。ついで、この凸形状の上に無電解メッキでニッケル等の金属膜を被着し、樹脂及び支持台で凸型を転写して凹形状のスタンパを作成する。そして、対向基板４０上に塗布された高屈折率透明樹脂５０へスタンパを転写して凸形状のマイクロレンズを複数形成し、マイクロレンズ間の凹部に低屈折率透明樹脂を充填して所定厚みの石英ガラス或いはネオセラム等の透明ガラス基板を貼り合せ、片面研磨又は両面研磨により、約２０μｍの透明ガラス基板（スタック基板）６６でカバーしたマイクロレンズアレイ形成の対向基板４０を作成してもよい。
[４]透明電極２３と配向膜２４を形成して配向処理したマイクロレンズアレイ付き対向基板４０と、上記のシングルマイクロレンズアレイ形成した超薄型ＴＦＴ基板層の少なくとも画素電極２１に配向膜２２を形成して配向処理した石英ガラス基板３０とを重ね合わせてシールして空セル形成し、その後に液晶注入封止したデュアルマイクロレンズ構造の透過型ＬＣＤを作成する。
【０２６５】
このときに、超薄型ＴＦＴ基板層を有する石英ガラス基板３０側から光入射する場合には、画素開口部以外の表示部及び周辺回路部は既に遮光性金属層４３があるので、改めてマイクロレンズ周囲に遮光膜を形成する必要は無く、更に対向基板４０側の表示素子部対応領域にも遮光膜を形成する必要はないのでコストダウン出来る。
但し、対向基板側から光入射する場合には、対向基板側のマイクロレンズ部周囲に反射膜４４を形成する必要がある。
【０２６６】
例えば、エッチング法の場合は各マイクロレンズ周囲に相当する領域にアルミニウムなどのブラックマスク作用の反射膜４４を形成した透明ガラス基板の反射膜形成面側と、所定凹形状のマイクロレンズ内に高屈折率透明樹脂５０を充填させた対向基板４０とを透明接着剤で貼り合せて、片面研磨又は両面研磨により約２０μｍの透明ガラス基板（スタック基板）６６でカバーした各マイクロレンズ周囲をブラックマスク作用の反射膜４４で遮光したマイクロレンズアレイ形成の対向基板４０を作成してもよい。
尚、約２０μｍの透明ガラス基板（スタック基板）６６でカバーしたマイクロレンズアレイ対向基板４０を作成した後に、透明ガラス基板（スタック基板）６６表面の各マイクロレンズ周囲に相当する領域にアルミニウム等のブラックマスク作用の反射膜４４を形成してもよい。
つまり、各マイクロレンズ周囲に相当する透明ガラス基板（スタック基板）６６の表面または裏面のいずれか一方にブラックマスク作用の反射膜４４を形成してもよい。
さらに、スタンプ法の場合はそれぞれのマイクロレンズ周囲に相当する対向基板４０の表面にアルミニウム等のブラックマスク作用の反射膜４４を形成し、対向基板４０上に塗布された高屈折率透明樹脂５０にスタンパを転写して凸形状のマイクロレンズを複数形成し、各マイクロレンズ間の凹部に低屈折率透明樹脂を充填して所定厚みの石英ガラス或いはネオセラム等の透明ガラス基板を貼り合せ、片面研磨又は両面研磨により、約２０μｍの透明ガラス基板（スタック基板）６６でカバーしたマイクロレンズ周囲に反射膜４４を形成したマイクロレンズアレイ形成の対向基板４０を作成してもよい。
尚、片面研磨または両面研磨による透明ガラス（スタック基板）６６の膜厚精度が問題となる場合には、所定凹形状のマイクロレンズ内に高屈折率透明樹脂５０を充填させた後に、スピンコーティング等により所定膜厚の透明樹脂膜を形成し、必要に応じて無機系透明絶縁膜（ＳｉＯ２またはＳｉＯ２とＳｉＮｘとＳｉＯ２の積層膜など）を積層形成し、透明樹脂膜または透明無機系絶縁膜表面のマイクロレンズ周囲に相当する領域にブラックマスク作用のアルミニウム或いはクロムまたは酸化クロム等の低反射遮光膜４４を形成してもよい。
このように、超薄型ＴＦＴ基板層の表示素子領域及び画素開口部に対応するマイクロレンズ周囲にブラックマスク作用のアルミニウムなどの反射膜を形成し、強い入射光の不要な部分を反射させ、且つ液晶への遮光作用をさせることで、コントラストを高めて画質向上させ、液晶温度上昇を低減させてＬＣＤの高輝度化、長寿命化を図るのが好ましい。
【０２６７】
上記した本発明を適用した透過型ＬＣＤの製造方法では、多孔質Ｓｉ層分離法、水素イオン注入層分離法、裏面加工法またはＳｉエッチング法により、石英ガラス基板上に透明絶縁膜を介して単結晶Ｓｉ層が形成されたＳＯＩ基板を形成した後に、（１）単結晶Ｓｉ層の表示領域をエッチングして透明絶縁層を露出させ、ＣＶＤなどの水素アニール及びＳｉエピタキシャル成長により周辺回路領域に高結晶性単結晶Ｓｉ層を形成し、同時に表示領域にポリＳｉ層を形成し、高結晶性単結晶Ｓｉ層内にシステムＬＳＩを含むＬＣＤ周辺回路部を、ポリＳｉ層内に表示素子部を形成し、若しくは（２）ＣＶＤなどの水素アニール及びＳｉエピタキシャル成長により表示領域及び周辺回路領域に高結晶性単結晶Ｓｉ層を形成し、この高結晶性単結晶Ｓｉ層内にシステムＬＳＩを含むＬＣＤ周辺回路部及び表示素子部を形成することによって、低リーク電流特性のポリＳｉ或いは高結晶性単結晶ＳｉＴＦＴからなる表示部と、高移動度の高結晶性単結晶ＳｉＴＦＴからなるシステムＬＳＩを含むＬＣＤ周辺回路部が同一のＳＯＩ層内に形成できるので、プロジェクタなどの強い入射光による表示用ＴＦＴのリーク電流が低減し、高精細、高輝度、高機能なプロジェクタ用透過型ＬＣＤを得ることができる。
【０２６８】
また、多孔質Ｓｉ層分離法、水素イオン注入層分離法、裏面加工法またはＳｉエッチング法により、石英ガラス基板上に透明絶縁層を介して歪印加半導体層のＳｉＧｅ層が形成されたＳＯＩ基板を形成した後に、（１）ＳｉＧｅ層の表示領域をエッチングして透明絶縁層を露出させ、ＣＶＤなどの水素アニール及びＳｉエピタキシャル成長により周辺回路領域に歪Ｓｉ層を形成し、同時に表示領域にポリＳｉ層を形成し、歪Ｓｉ層内にシステムＬＳＩを含むＬＣＤ周辺回路部を、ポリＳｉ層内に表示素子部を形成し、若しくは（２）ＣＶＤなどの水素アニール及びＳｉエピタキシャル成長により表示領域及び周辺回路領域に歪Ｓｉ層を形成し、歪Ｓｉ層内に周辺回路部及び表示素子部を形成することによって、低リーク電流特性で従来に比べ１．７６倍の高い電子移動度の歪ＳｉＴＦＴからなる表示部及び周辺回路部が同一のＳＯＩ層内に形成できるので、プロジェクタなどの強い入射光による表示用ＴＦＴのリーク電流が低減し、高精細、高輝度、高機能なプロジェクタ用透過型ＬＣＤを得ることができる。
【０２６９】
また、強力な接着力で糊残りのないＵＶテープなどで種子基板及び支持基板の表面保護及び保持を行い、多孔質Ｓｉ層の高圧流体ジェット分離、レーザー分離、レーザーウオーター分離などにより種子基板を分離し、分離後はＵＶ照射硬化で容易にＵＶテープ剥離ができるために、石英ガラス基板上のＳＯＩ層形成の歩留及び生産性が高い。
【０２７０】
更に、表示用ＴＦＴの上部、側面及び下部に遮光性金属層を形成し、しかもアース電位としているために、強い入射光によるＴＦＴへの漏れ光が無くなり、チャージアップを防止するのでＴＦＴ特性が向上し画質が向上する。
【０２７１】
また、石英ガラス基板表面の画素開口部以外の表示領域及び周辺回路領域に遮光性金属層を形成することによって、反射光による表示素子部及び周辺回路部のＴＦＴリークを防止できるので、高輝度、高精細化のプロジェクタ用透過型ＬＣＤを得ることができる。更に、この遮光性金属層をアース電位とすることで、静電気ダメージに強いＴＦＴとなり、歩留、品質が向上し、コストダウンが実現する。
【０２７２】
ところで、石英ガラス基板上の遮光性金属層４３と対向基板の透明電極２３間の電界印加方法による画素開口部周囲及び周辺回路領域のノーマルブラック液晶化による模式的な平面図（図３２参照）及び断面図（図３３参照）を示す。
【０２７３】
図３３（ａ）の場合は対向基板側から光が入射するので、表示素子部に対応する対向基板表面に反射膜７３が形成されているノーマルブラック液晶動作の模式的な断面図である。
例えばＴＮモード液晶のノーマルホワイト液晶状態において、対向基板の透明電極２３と石英ガラスからなるＴＦＴ基板上の画素開口部以外の遮光性金属層４３間に任意の交流電界を常時印加しておくことで、表示部のＴＦＴ上を含む画素開口部周囲に液晶のノーマルブラック領域（遮光領域）９０が形成されるために、画素間の横方向電界による液晶配向乱れ防止と画素間の光洩れ防止が出来るので、洩れ光による表示素子リーク電流防止、コントラスト向上を図ることができる。
このように、液晶のノーマルブラック領域が表示部の画素開口部周囲及び周辺回路領域全体を覆うことで洩れ光防止できるので、ＴＦＴ洩れ光リーク対策プロセス低減によるＴＦＴプロセスのスリム化、例えばＴＦＴフォトマスク枚数削減、ＣＭＰ工程削減などでのコストダウンが実現する。
【０２７４】
図３３（ｂ）の場合は石英ガラス基板側から光が入射するので、表示素子部に対応する対向基板表面には反射膜７３不要のノーマルブラック液晶動作の模式的な断面図である。
この場合にも、例えばＴＮモード液晶のノーマルホワイト液晶状態において、対向基板の透明電極２３と石英ガラスからなるＴＦＴ基板上の画素開口部以外の遮光性金属層間４３に任意の交流電界を常時印加しておくことで、表示部のＴＦＴ上を含む画素開口部周囲に液晶のノーマルブラック領域（遮光領域）９０が形成されるために、画素間の横方向電界による液晶配向乱れ防止と画素間の光洩れ防止が出来るので、洩れ光による表示素子リーク電流防止、コントラスト向上を図ることができる。
そして同様に、液晶のノーマルブラック領域が少なくとも表示部の画素開口部周囲を覆うことで洩れ光防止できるので、ＴＦＴ洩れ光リーク対策プロセス低減によるＴＦＴプロセスのスリム化、例えばＴＦＴフォトマスク枚数削減、ＣＭＰ工程削減などでのコストダウンが実現すが、更に表示素子部に対応する対向基板表面には反射膜７３が不要なので、対向基板のコストダウンが可能となる。
尚、この場合には周辺回路領域全体には遮光性金属層があるので光入射しないので、必ずしも周辺回路領域全体にはノーマルブラック液晶化する必要はない。
【０２７５】
また、図３４で示す様に、画素開口部周囲内の表示素子部周りをエッチングしてアイランド化した表示素子領域の遮光性金属層９７と対向基板の透明電極２３間に任意の固定電界を常時印加し、画素開口部周囲の遮光性金属層９８と対向基板の透明電極２３間を任意の交流電界を常時印加とすることで、画素開口部周囲のノーマルブラック液晶領域が表示素子領域を覆うので漏れ光防止が出来て、電界の直流成分での液晶焼き付きを低減し、ゲート電位変動防止による表示素子特性安定化を図るのが好ましい。
尚、この時に画素開口部周囲内の表示素子部周りをエッチングしてアイランド化した表示素子領域の遮光性金属層９７を電気的にフローティングとして電界を常時印加せず、画素開口部周囲の遮光性金属層９８と対向基板の透明電極２３間を任意の交流電界を常時印加することによる画素開口部周囲のノーマルブラック液晶領域で表示素子領域を覆うことで漏れ光を防止し、電界の直流成分での液晶焼き付きを低減し、ゲート電位変動防止による表示素子特性安定化ようにしてもよい。
【０２７６】
或いは、図３５で示す様に、ガラスからなる支持基板上に画素開口部形成して相互に層間絶縁した二重の遮光性金属層を形成し、上部の遮光性金属層９９上に絶縁膜を介して表示素子部及び周辺回路部を形成し、上部の遮光性金属層９９と対向基板の透明電極２３間に任意の固定電界を常時印加し、下部の遮光性金属層１００と対向基板の透明電極２３間に任意の交流電界を常時印加して、表示素子部を含む画素開口部周囲及び周辺回路部全体をノーマルブラック液晶領域が常時覆うようにすることで、漏れ光防止が出来て、電界の直流成分による特に画素開口部周囲の液晶焼き付きを低減し、ゲート電位変動防止による表示素子特性安定化を図るのが好ましい。
この時に、表示素子領域の下部の遮光性金属層１００は上部の遮光性金属層９９よりも大きく、且つ画素電極２１を下部の遮光性金属層１００よりも大きくして図３５中符号Ｘで示す領域で層間絶縁層等を介して画素電極２１と下部の遮光性金属層１００をオーバーラップさせることで、隙間による光抜けがないようにすることが好ましい。
【０２７７】
或いは、図３６で示す様に、表示素子部を含む画素開口部周囲及び周辺回路部全体にノーマルブラック液晶領域が常時形成されるように、任意の固定電界または／及び任意の交流電界を常時印加することで、表示領域の液晶焼き付き等の液晶動作不具合を防止し、表示部及び周辺回路領域内のＴＦＴのゲート電位変動による特性悪化を防止し、ノーマルブラック液晶化用回路の負荷低減を図ることが好ましい。
【０２７８】
ここで、図３６（ａ）では、ＴＦＴ基板上の遮光性金属層９８を表示領域Ｆと周辺回路領域Ｅに分割し、対向基板の共通透明電極２３と周辺回路領域の遮光性金属層Ｅ間及び画素開口部周囲内の表示素子部周りをエッチングしてアイランド化した表示素子部の遮光性金属層９７（Ｇ）間には任意の固定電界を常時印加し、対向基板の共通透明電極２３と画素開口部周囲の遮光性金属層Ｆ間には任意の交流電界を常時印加して形成したノーマルブラック液晶領域で表示素子部及び周辺回路部全体を覆っている。
尚、この時にノーマルブラック液晶化用回路の負荷低減のために、対向基板の共通透明電極２３と周辺回路領域の遮光性金属層Ｅ間には必ずしも固定電界を印加しなくてもよく、例えば周辺回路領域の遮光性金属層Ｅは電気的オープンとして電界印加しなくてもよい。
【０２７９】
また、図３６（ｂ）では、ＴＦＴ基板上の遮光性金属層９８を表示領域Ｆと周辺回路領域Ｅに分割し、それに対応する対向基板の透明電極２３も表示領域Ｃと周辺回路領域Ｂに分割し、対向基板の表示領域の透明電極Ｃと画素開口部周囲内の表示素子部周りをエッチングしてアイランド化した表示素子部の遮光性金属層９７（Ｇ）の間及び対向基板の周辺回路領域の透明電極Ｂと周辺回路領域の遮光性金属層Ｅの間には任意の固定電界を常時印加し、対向基板の表示領域の透明電極Ｃと画素開口部周囲の遮光性金属層Ｆの間には任意の交流電界を常時印加して形成したノーマルブラック液晶領域で表示素子部及び周辺回路部全体を覆っている。
尚、この時にノーマルブラック液晶化用回路の負荷低減のために、対向基板の周辺回路領域の透明電極Ｂと支持基板の周辺回路領域の遮光性金属層Ｅ間には必ずしも固定電界を印加しなくてもよく、例えば対向基板の周辺回路領域の透明電極Ｂと支持基板の周辺回路領域の遮光性金属層Ｅは電気的オープンとして電界印加しなくてもよい。
この時に、対向基板の表示領域の透明電極Ｃは、ＴＦＴ基板上の表示領域の遮光性金属層Ｆよりも大きくして、ＴＦＴ基板上の周辺回路領域の遮光性金属層Ｅとオーバーラップさせることで、ＴＦＴ基板上の表示領域の遮光性金属層Ｆと周辺回路領域の遮光性金属層Ｅの隙間から光洩れしないようにするのが好ましい。
【０２８０】
また、図３６（ｃ）では、ＴＦＴ基板上の遮光性金属層９８を表示領域Ｆと周辺回路領域Ｅに分割し、それに対応する対向基板の透明電極２３も表示領域Ｃと周辺回路領域Ｂに分割し、表示領域Ｃ内に表示素子部に対応したブラックマスクの反射膜Ｄを形成し、対向基板の表示領域Ｃと画素開口部周囲内の表示素子部周りをエッチングしてアイランド化した表示素子部の遮光性金属層９７（Ｇ）の間及び対向基板２３の周辺回路領域の透明電極Ｂと周辺回路領域の遮光性金属層Ｅの間には任意の固定電界を常時印加し、対向基板の表示領の域透明電極Ｃと画素開口部周囲の遮光性金属層Ｆの間には任意の交流電界を常時印加して形成したノーマルブラック液晶領域で表示素子部及び周辺回路部全体を覆っている。
尚、この時にノーマルブラック液晶化用回路の負荷低減のために、対向基板の周辺回路領域の透明電極Ｂと支持基板の周辺回路領域の遮光性金属層Ｅ間には必ずしも固定電界を印加しなくてもよく、例えば対向基板の周辺回路領域の透明電極Ｂと支持基板の周辺回路領域の遮光性金属層Ｅは電気的オープンとして電界印加しなくてもよい。
この時も、対向基板の表示領域の透明電極Ｃは、ＴＦＴ基板上の表示領域の遮光性金属層Ｆよりも大きくして、ＴＦＴ基板上の周辺回路領域の遮光性金属層Ｅとオーバーラップさせることで、ＴＦＴ基板上の表示領域の遮光性金属層Ｆと周辺回路領域の遮光性金属層Ｅの隙間から光洩れしないようにするのが好ましい。
【０２８１】
上記における交流電界印加とは、対向基板の透明電極の基準電位（Ｖcom）と０（Ｖ）または任意のプラス（Ｖ）または任意のマイナス（Ｖ）電位に正極性と負極性の階調電圧からなる映像信号を印加した遮光性金属層との間で形成される交流電界などを示しているが、画質に悪影響与えない範囲内で液晶の種類や液晶モードに適合した他の任意の周波数及び／または電位の交流信号、例えばクロック信号、ディスプレイタイミング信号、水平同期信号、垂直同期信号等の表示制御信号、更にはこれらによる水平駆動回路制御信号、垂直駆動回路制御信号、映像信号処理回路制御信号、画素電位制御回路信号等の回路制御信号、或いはこの表示制御信号と回路制御信号を合成した交流信号などによる交流電界を常時印加してもよい。
また、固定電界印加とは、対向基板の透明電極の基準電位（Ｖcom）と０（Ｖ）または任意のプラス（Ｖ）または任意のマイナス（Ｖ）電位の遮光性金属層との間で形成される直流電界或いは前記直流電界と前記交流電界の合成された電界などを示している。
尚、本発明のノーマルブラック液晶動作化の実施例はＴＮモード液晶で説明したが、他のモード液晶においても適用できることは言うまでもない。
【０２８２】
また、ガラスからなる支持基板、例えば石英ガラス基板上の遮光性金属層を活用することでＩＰＳモード（インプレーン・スイッチング方式）液晶のプロジェクタ用透過型ＬＣＤに適用して視野角特性を改善することができる（図３７参照）。
具体的には、
[１]画素開口部９４が石英ガラス基板上の遮光性金属層９８に囲まれた構造において、一方の遮光性金属層上に対向電極９１を形成し、その反対側の遮光性金属層上に画素用ＴＦＴ９２及び画素電極９３を形成して全面にポリイミド等の配向膜形成し、対向電極９１及び画素電極９３と平行或いは適当な角度例えば４５°斜めにバフラビングで配向処理することで、液晶を対向電極９１及び画素電極９３と平行或いは適当な角度例えば４５°斜めに配向させる。
[２]この時に、透明電極無しの対向基板にも全面にポリイミド等の配向膜を形成し、同様な方向或いは適当な角度にバフラビングで配向処理するのが望ましい。但し、ＴＦＴ基板側の液晶配向処理のみで充分な場合には対向基板側には配向膜は不要であり、透明電極及び配向膜が不要でのコストダウンが可能となる。
[３]ノーマルホワイト液晶状態の場合には対向電極９１と画素電極９３間には横方向の電界は印加されていないが、映像信号が画素用ＴＦＴ９２に印加されるとＴＦＴが動作して画素電極９３の電位が低下し、対向電極９１と画素電極９３間にその電位差に応じた横方向の電界が発生し、液晶を電界の大きさに応じて横方向に移動（上からみると回転）させ、映像信号に応じて液晶をスイッチングして光をオン或いはオフさせる。これにより、液晶の上下左右方向からの視野角特性を改善することができる。
[４]ここで、横方向の電界は画素開口部９４の中央部の平行電界部９５と、対向電極９１及び画素電極９３付近の斜め電界部９６に分けられるが、この斜め電界部９６は液晶動作が均一でなく、光漏れが発生しやすいことが知られている。
[５]本発明を適用した透過型ＬＣＤでは、予め形成されている石英ガラス基板上の遮光性金属層９８でこの斜め電界部９６を遮光しているので、その光漏れを抑えることができる。なお、ＩＰＳ方式の透過型ＬＣＤでは、横方向の電界を利用するので、対向基板に透明電極は不要であり、コストダウンが可能となる。
【０２８３】
また、石英ガラス基板表面には酸化セリウム等の研磨剤による光学研磨のナノメーターレベルのクラックが無数に存在してナノメーターレベルの凹凸が存在するが、この石英ガラス基板表面の研磨ダメージをエッチングし、発生したナノメーターレベルのエッチング溝を透明絶縁層若しくは透明絶縁層及び遮光性金属層の積層膜でカバーするので、種子基板と石英ガラス基板の貼り合せ不良、熱ストレスでのＳＯＩ構造の単結晶Ｓｉ層或いは歪Ｓｉ層への歪み等が低減し、ＴＦＴ特性劣化を防止できる。
【０２８４】
また、単結晶Ｓｉ層或いは歪Ｓｉ層と石英ガラス基板間に透明絶縁層として、ＳｉＯ２のみならずＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４及びＳｉＯ２の透明積層膜を用いる等、窒化系シリコン膜を含む透明絶縁層を用いることで、適当な膜厚の窒化系シリコン膜（例えばＳｉ３Ｎ４膜）により、液晶組立後やＴＦＴプロセス中の石英ガラス基板からのハロゲン元素（Ｎａイオンなど）汚染を防止できる。また、表示領域の単結晶Ｓｉ層或いは歪Ｓｉ層あるいはポリＳｉ層をエッチングして透明絶縁層を露出させるときに、エッチングストッパとして作用するので、歩留、品質を向上させることが出来る。
【０２８５】
また、単結晶Ｓｉ或いは歪ＳｉＴＦＴからなるシステムＬＳＩを含むＬＣＤ周辺回路部と電子・正孔移動度制御したポリＳｉＴＦＴ或いは単結晶Ｓｉまたは歪ＳｉＴＦＴからなる表示部が一体化したＳＯＩ構造の超薄型ＴＦＴ基板層、また表示用ＴＦＴの上部、側部、下部、更には周辺回路用ＴＦＴの下部を遮光性金属層で覆うので強い入射光によるＴＦＴリーク電流の防止が実現し、高輝度、高精細、高機能なプロジェクタ用透過型ＬＣＤを得ることができる。
【０２８６】
また、ＴＦＴ基板層形成した石英ガラス基板側から光を入射する方式の場合、画素開口部以外を反射及び遮光用金属膜で覆っているので、強い入射光による表示用ＴＦＴリーク電流が低減すると共に、周辺回路部のＴＦＴリーク電流無しが実現し、かつ対向基板側の表示素子対応ブラックマスクが不要となり、対向基板のコストダウンが実現する。
【０２８７】
上記のように、本発明の実施例は主にプロジェクタ用透過型ＬＣＤで説明したが、本発明は直視用透過型ＬＣＤ、直視用半透過型ＬＣＤ、直視用反射型ＬＣＤ、プロジェクタ用反射型ＬＣＤ、上面発光型有機ＥＬ、下面発光型有機ＥＬ等の電気光学表示装置全般に適用できることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【０２８８】
【図１】多孔質半導体層分離法（Ａ）による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図（１）である。
【図２】多孔質半導体層分離法（Ａ）による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図（２）である。
【図３】多孔質半導体層分離法（Ａ）による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図（３）である。
【図４】多孔質半導体層分離法（Ａ）による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図（４）である。
【図５】多孔質半導体層分離法（Ａ）による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図（５）である。
【図６】多孔質半導体層分離法（Ａ）による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図（６）である。
【図７】多孔質半導体層分離法（Ａ）による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図（７）である。
【図８】本発明を適用した透過型ＬＣＤの製造方法で得られる透過型ＬＣＤの一例を説明するための模式的な断面図（１）である。
【図９】本発明の実施の形態における高圧流体ジェット噴射剥離装置の概略断面図である。
【図１０】イオン注入層分離法（Ａ）による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図（１）である。
【図１１】イオン注入層分離法（Ａ）による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図（２）である。
【図１２】裏面加工法（Ａ）による透過型ＬＣＤの製造工程を示す模式図である。
【図１３】Ｓｉエッチング法（Ａ）による透過型ＬＣＤの製造工程を示す模式図である。
【図１４】多孔質半導体層分離法（Ｂ）による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図（１）である。
【図１５】多孔質半導体層分離法（Ｂ）による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図（２）である。
【図１６】多孔質半導体層分離法（Ｂ）による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図（３）である。
【図１７】多孔質半導体層分離法（Ｂ）による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図（４）である。
【図１８】多孔質半導体層分離法（Ｂ）による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図（５）である。
【図１９】多孔質半導体層分離法（Ｂ）による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図（６）である。
【図２０】イオン注入層分離法（Ｂ）による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図（１）である。
【図２１】イオン注入層分離法（Ｂ）による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図（２）である。
【図２２】裏面加工法（Ｂ）による透過型ＬＣＤの製造工程を示す模式図である。
【図２３】Ｓｉエッチング法（Ｂ）による透過型ＬＣＤの製造工程を示す模式図である。
【図２４】多孔質半導体層分離法（Ｃ）による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図（１）である。
【図２５】多孔質半導体層分離法（Ｃ）による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図（２）である。
【図２６】多孔質半導体層分離法（Ｃ）による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図（３）である。
【図２７】裏面加工法（Ｃ）による透過型ＬＣＤの製造工程を示す模式図である。
【図２８】Ｓｉエッチング法（Ｃ）による透過型ＬＣＤの製造工程を示す模式図（１）である。
【図２９】Ｓｉエッチング法（Ｃ）による透過型ＬＣＤの製造工程を示す模式図（２）である。
【図３０】本発明を適用した透過型ＬＣＤの製造方法で得られる透過型ＬＣＤの一例を説明するための模式的な断面図（２）である。
【図３１】マイクロレンズ構造のプロジェクタ用透過型ＬＣＤを示す模式的な断面図である。
【図３２】液晶のノーマルブラック領域を説明するための模式的な平面図である。
【図３３】液晶のノーマルブラック領域を説明するための模式的な断面図である。
【図３４】遮光性金属層の形成方法の変形例を説明するための模式的な断面図である。
【図３５】遮光性金属層の形成方法の他の変形例を説明するための模式的な断面図であり。
【図３６】ノーマルブラック液晶領域を形成するための電界の印加方法を説明するための模式図である。
【図３７】ＩＰＳモードを説明するための模式図である。
【符号の説明】
【０２８９】
９    ＵＶテープ
１０    種子基板
１１ａ  低多孔質Ｓｉ層
１１ｂ  高多孔質Ｓｉ層
１１ｃ  低多孔質Ｓｉ層
１２    単結晶Ｓｉ層
１３    透明絶縁層
１３ａ  透明絶縁層
１３ｂ  透明絶縁層
１４    遮光性金属層
１５    高結晶性単結晶Ｓｉ層
１６    ポリＳｉ層
１７    ＳｉＯ２層
１８    低反射金属膜
１９    透明樹脂またはガラス膜
２０    ポリＳｉＴＦＴ部
２１    透明電極
２２    配向膜
２３    透明電極
２４    配向膜
２５    フレキシブル基板
２６    反射防止膜
２７    防塵ガラス
２８    高熱伝導性モールド樹脂
２９    反射膜
３０    石英ガラス基板
４０    対向基板
４１    水素イオン注入層
４２    Ｐ＋＋型単結晶Ｓｉ層
４３    遮光性金属層
４４    反射膜
５０    高屈折率透明樹脂
６５    外部取り出し電極
６６    透明ガラス基板
７０    ＬＣＤ周辺回路部
７１    ＴＦＴ
７２    ゲート絶縁膜
７３    ブラックマスク
７４    メッキ樹脂枠
８０    ガードリングストッパ
８１ａ  ホルダ
８１ｂ  ホルダ
８２    高圧流体ジェット
８３    微細ノズル
８４    スリット孔
９０    ノーマルブラック液晶領域
９１    対向電極
９２    画素用ＴＦＴ
９３    画素電極
９４    画素開口部
９５    平行電界部
９６    斜め電界部
９７    表示素子領域の遮光性金属層
９８    画素開口部周囲及び周辺領域回路全体の遮光性金属層
９９    上部の遮光性金属層
１００    下部の遮光性金属層
【図１】
2005333042.tif 000003
【図２】
2005333042.tif 000004
【図３】
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【図４】
2005333042.tif 000006
【図５】
2005333042.tif 000007
【図６】
2005333042.tif 000008
【図７】
2005333042.tif 000009
【図８】
2005333042.tif 000010
【図９】
2005333042.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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