(57)【要約】【課題】単位素子が周期的なパターンで形成されており、該パターンの一部を緩衝領域を持ってつなぎ露光の接続部分とする半導体装置において、接続部分の単位素子とそれ以外の周期的に配された単位素子の形状のばらつきを抑える。【解決手段】半導体装置は、半導体基板１００上の少なくとも一部に単位素子であるフォトダイオード１０２ａ、１０２ｂ及びその駆動用の配線１０１Ａ、１０１Ｂが所定の画素ピッチＣ−Ｃ’で周期的に配置される。半導体基板１００は、第一のレチクルにより露光形成された第一の領域と、第二のレチクルにより第一の領域の一部分と相互に接続するように露光形成された第二の領域とに分割される。第一及び第二の領域をつなぐ接続部の二重露光によって形成される形状１１１に略同一の形状１１１Ａ、１１１Ｂを、該接続部以外の周期的に配された単位素子中の、接続部の位置と周期的に対応する場所にあらかじめ設ける。【選択図】  図１
2005183600.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上の少なくとも一部に単位素子が周期的に配された半導体装置であり、且つ該単位素子の一部が第一のレチクルにより前記半導体基板上に露光形成された第一の領域と、第二のレチクルにより前記第一の領域の一部分と相互に接続するように露光形成された第二の領域とに分割された半導体装置において、
前記第一及び第二の領域をつなぐ接続部の二重露光によって形成される形状に同一又は略同一の形状を、該接続部以外の周期的に配された単位素子中の、前記接続部の位置と周期的に対応する場所にあらかじめ設けたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記接続部にアライメント誤差補償用の部分を設けたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体装置から構成され、
前記単位素子は受光画素であることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項４】
前記接続部の二重露光によって形成される形状に同一又は略同一の形状は、前記受光画素を駆動するための配線の形状であることを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
請求項３又は４に記載の固体撮像装置から構成され、
前記配線は多層構造であることを特徴とする増幅型固体撮像装置。
【請求項６】
請求項３又は４に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の該複数の光電変換領域からの信号をディジタル信号に変換するアナログ・ディジタル変換回路と、
前記アナログ・ディジタル変換回路からの信号を処理する信号処理回路と、
前記信号処理回路で処理された信号を記憶する記憶回路とを有することを特徴とする撮像システム。
【請求項７】
請求項１又は２に記載の半導体装置で用いる第一及び第二のレチクルを備え、
前記第一及び第二のレチクル上に前記接続部の二重露光によって形成される形状に同一又は略同一の形状を設けたことを特徴とするマスク装置。
【請求項８】
請求項７記載のマスク装置を用いたことを特徴とする露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、固体撮像装置、増幅型固体撮像装置、マスク装置、及び露光装置に関し、特に所望の回路を複数の領域に分割し、これらをつなぎ露光することにより形成される半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置の製造方法は、半導体基板上にチップサイズの大きな半導体装置を形成する場合、露光領域の大きな等倍露光、例えば、反射型投影露光装置を使用し、縮小投影露光装置を利用しなかった。しかし、この場合、特許文献１に詳しく指摘されているように解像度、アライメント精度の２点において近年の微細化の要求には応えられない。
【０００３】
また一方、一般的に微細加工対応の縮小投影装置は露光領域が小さく、露光面積の大きい縮小投影装置は微細加工に対応しない。このため大面積にわたって微細なパターンを形成するには、所望パターンを複数に分割し、この分割されたパターンを微細加工対応の縮小投影装置を用いてつなぎ合わせて露光する分割露光技術という方法を取る必要が出てくる。
【０００４】
例えば、従来の分割露光技術が用いられる半導体装置として、図１０に示すように微細加工対応の縮小投影装置の露光面積よりも大きなサイズの撮像素子１０３を備えた固体撮像装置（光電変換装置）を例に挙げ、その撮像素子１０３中に二次元的に配置された複数の画素（光電変換素子及びその配線部等を含む単位画素）から成る画素領域１０４が形成される場合を考える。この場合、図１１に示す半導体装置のチップ２１０が形成されるウェハ２２０の露光工程で用いる露光機（光源２３０、コンデンサレンズ２４０、ウェハ２２０上に縮小投影して露光形成すべき半導体素子のパターン２５１が形成されたレチクル２５０、投影レンズ２６０、及びステージ２００を有する露光装置）の最大露光領域が撮像素子１０３より狭い領域であった場合、一つのチップ２１０を複数回にわたり露光する必要が生じる。図１０の例では、２回の露光により第１及び第２の露光領域１０５Ｌと１０５Ｒに分けてその間をつなぎ合わせて露光する、つなぎ露光が必要になる。
【０００５】
このつなぎ露光の際に分割された２つの領域間でのアライメントズレによる配線の断線等を防ぐため、図１２に示すように、配線用パターン２５１Ａ及び２５１Ｂが形成された２つのレチクル、すなわち第１及び第２のレチクル２５０Ａ及び２５０Ｂを用いて、アライメント誤差を考慮して図１２中の２つのレチクル２５０Ａ及び２５０Ｂの接続側端部に設定される基準線Ｍ１及びＭ２が重なるように所定の緩衝領域を持って露光することが行なわれる。これによれば、例えばレジストがポジ型のものであった場合、半導体基板上の出来上がり配線は、２つの領域間の緩衝領域部分が二重露光されることによって、図１３に示すように半導体基板１００上に形成される配線２５１Ａ及び２５１Ｂの接続部（Ａ−Ａ線を挟むＮ１−Ｎ２間）に設けた緩衝領域部（以下、場合によって「つなぎ部」及び「つなぎ露光部」と呼ぶ）の配線幅Ｓ４がその他の配線幅よりＳ１だけ細い接続部形状（出来上がり配線形状）１１１になってしまう。
【０００６】
そこで、接続部の断線及びその二重露光による配線幅の縮小等を抑えるために、図１４に示すように、配線用パターン２５１Ａ及び２５１Ｂよりも配線幅の広いアライメント誤差（ズレ）補償用パターン２５２Ａ及び２５２Ｂを第１及び第２のレチクル２５０Ａ及び２５０Ｂのつなぎ箇所に導入し、図１４中の２つのアライメント誤差補償用パターン２５２Ａ及び２５２Ｂの基準線Ｍ１及びＭ２が重なるように所定の緩衝領域を持って露光することがよく行われる(例えば、特許文献２参照)。これによれば、図１５に示すように、半導体基板１００上に形成される配線２５１Ａ及び２５１Ｂの接続部（Ａ−Ａ線を挟むＮ１−Ｎ２間）に設けた緩衝領域部の接続部形状（出来上がり配線形状）１１２は、アライメント誤差補償用パターン２５２Ａ及び２５２Ｂによる出来上がり配線形状のうち二重露光されない端部（長さＳ２）の配線幅より狭くなることはあるものの、その他の通常領域での出来上がり配線形状の配線幅Ｓ５より少なくとも細くなることはなく、これにより接続部の二重露光による配線幅の縮小を抑制可能となっている。
【特許文献１】特開平５−６８４９号公報
【特許文献２】特開平９-２５１９５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、撮像素子のように１％以下の出力ズレが致命的な欠陥になる素子においては、上記の様につなぎ個所（接続部分）だけ二重露光により配線幅が縮小したり、特殊なパターンを設けたことにより、つなぎ箇所の単位素子とそれ以外の周期的に配された単位素子の配線形状にばらつきが生じ、この形状のばらつきにより両場所の単位素子には例えば光電変換素子に入射する入射光の配線による光線の蹴られや反射の違いが生じ、これに起因して出力段差、輝線、黒線等の悪影響が大いに懸念される。
【０００８】
更に具体的に言えば、光線の蹴られとはつなぎ箇所の単位素子のフォトダイオード上に設けられた開口部の一部をつなぎ箇所の配線形状ばらつきによって塞いでしまうことで、フォトダイオードに入射する光量を減らしてしまうことであり、また、反射の違いとは、
斜めから入射した光がつなぎ箇所の配線にあたることで、通常の配線に当たった光に比べて反射される方向が異なり、フォトダイオードに入射する光量が異なってしまう、という現象である。この場合は、必ずしも配線形状のばらつきが開口部直上に位置しなくても起こる可能性がある。
【０００９】
このように、外部から入射された光量が仮に同じであっても、つなぎ箇所の単位素子のフォトダイオードへ入射する光量と、それ以外の単位素子のフォトダイオードに入射する光量とが異なるために、結果として出力段差、輝線、黒線等の現象が懸念されるわけである。
【００１０】
本発明は、単位素子が周期的なパターンで形成されており、該パターンの一部を緩衝領域を持ってつなぎ露光の接続部分とする半導体装置において、接続部分の単位素子とそれ以外の周期的に配された単位素子の形状のばらつきを抑えることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため、本発明は、接続部分以外の周期的に配された単位素子にも接続部の二重露光によって形成される形状をあらかじめ設けている。
【００１２】
すなわち、本発明は、その一部に単位素子が周期的に配された半導体装置であり、且つ該単位素子の一部が第一のレチクルにより半導体基板上に露光形成された第一の領域と、第二のレチクルにより、前記第一の領域の一部分と相互に接続するように露光形成された第二の領域とに分割された半導体装置において、前記第一及び第二の領域をつなぐ接続部の二重露光によって形成される形状に同一又は略同一（概ね等しい）形状をあらかじめ該接続部以外の周期的に配された単位素子中の、前記接続部の位置に周期的に対応する場所に設けたことにより、つなぎ部分と通常領域の出来上がり形状のばらつきを抑えている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、周期的なパターンを形成する必要が有り且つ該パターンを一部つなぎ露光によって形成しなければならない場合において、つなぎ部と周期的なパターンの通常領域における出来上がり形状の差異の少ない半導体装置、固体撮像装置、及び増幅型固体撮像装置を得ることができる。これにより、撮像素子のようにつなぎばらつきが致命的な欠陥になるような素子において、つなぎ露光による悪影響(出力段差、輝線、黒線等)の少ない半導体装置を形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明に係る半導体装置、固体撮像装置、増幅型固体撮像装置、撮像システム、マスク装置、及び露光装置を実施するための最良の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【実施例１】
【００１５】
図１及び図２を参照して、本実施例の半導体装置及びマスクについて説明する。
【００１６】
図１は、本実施例の半導体装置、図２は、図１に示す半導体装置の露光工程で用いる露光機のマスク（配線マスク）をそれぞれ示す。本実施例の半導体装置は、例えば固体撮像装置に適用される。また、本実施例のマスクを用いた露光機は、例えば前述の図１１に示す縮小投影露光装置に用いられる。なお、前述の図１２に示す従来例のマスク及び図１３に示す従来例の半導体装置と同様の構成要素については、同一符号を付してその説明を簡略又は省略する。
【００１７】
図１に示す半導体装置は、図２に示すマスクを用いた露光機による露光工程において、半導体装置上の２つの領域の接続部（つなぎ露光部）に形成される出来上がり配線形状（接続部形状）のパターンを、あらかじめレチクル上の接続部以外の周期的なパターンが並ぶ通常領域に設けて露光形成したものである。
【００１８】
図１において、１００は半導体基板、Ａ-Ａ'は半導体基板１００上の２つに分割露光された領域の接続部の中心線、１０２ａ、１０２ｂは半導体基板１００上の２つの領域（図中の中心線Ａ-Ａ'を挟む左右領域）に周期的なパターンで露光形成される単位素子中の、例えば撮像素子を構成する受光画素のホトダイオード（受光領域)を示す。一方のホトダイオード１０２ａは接続部側の単位素子中に配置され、他方のホトダイオード１０２ｂは接続部以外の単位素子中に配置される。また、１０１Ａ、１０１Ｂは、それぞれ第１及び第２の領域に配置される単位素子中の、例えば電源線もしくは駆動線等の配線を示す。配線１０１Ａ、１０１Ｂは、例えばＡＬ等を主成分とした金属配線から成る。本実施例の単位素子は、ホトダイオード１０２ａ、１０２ｂ及びその配線１０１Ａ、１０１Ｂを含む構成となっている。図中のＣ-Ｃ'は、撮像素子の画素ピッチのような単位素子が成す周期的なパターンの一周期を示す。
【００１９】
また、１１１は、接続部側の単位素子中における配線１０１Ａ、１０１Ｂの出来上がり形状（以下、「接続部形状」と呼ぶ）を示す。この接続部形状１１１は、前述の図１３に示すように、二重露光の影響により配線幅が細くなったものである。１１１Ａ、１１１Ｂは、接続部以外の単位素子中における配線１０１Ａ、１０１Ｂの出来上がり形状のうち、接続部の位置と周期的に対応する場所に形成される形状、すなわち接続部形状１１１と概ね等しい形状（以下、「接続部形状と略同一の形状」と呼ぶ）を示す。この接続部形状１１１と略同一の形状１１１Ａ、１１１Ｂは、接続部形状１１１のパターンと概ね等しい形状を、あらかじめ接続部以外の周期的な通常領域に設けたレチクルを用いて露光することにより形成される。
【００２０】
図２は、図１に示す単位素子中の配線１０１Ａ、１０１Ｂを露光形成するために用いるマスクの構成例の概略図である。図２において、２５０Ａ及び２５０Ｂは、半導体基板１００上の２つの領域にそれぞれ対応する左右のレチクル（以下、左側のレチクルを「第１のレチクル」、右側のレチクルを「第２のレチクル」と呼ぶ）である。２５１Ａ、２５１Ｂは、第１及び第２のレチクル２５０Ａ、２５０Ｂにおける、例えば図１に示す配線１０１Ａ、１０１Ｂを形成するためのパターンである。２５３Ａ、２５３Ｂは、図１に示す配線用パターン２５１Ａ、２５１Ｂのうち、接続部形状１１１と略同一の形状１１１Ａ、１１１Ｂを形成するためのパターンである。
【００２１】
上記二つのレチクル２５０Ａ、２５０Ｂを用いて、露光機により半導体基板１００上の２つの領域をつなぎ露光する場合、図２中の接続部側に設定される両レチクル２５０Ａ、２５０Ｂの基準線Ｍ１及びＭ２が互いに重なるようにある所定の緩衝領域を持って露光を行う。
【００２２】
これら二つのレチクル２５０Ａ、２５０Ｂが半導体基板１００上に露光された場合に形成される、接続部形状１１１は、両レチクル２５０Ａ、２５０Ｂが重なって二重露光される影響により配線幅が細くなる（前述の図１３のＳ１参照）。このため、図１に示すように接続部以外の周期的なパターン部に、図２に示す接続部形状１１１を配置しておかないと、接続部だけ寄生容量ズレ、光学的な蹴られによる感度ズレ等の問題が発生してしまう。ゆえに、図１に示すように接続部以外の周期的なパターン部に接続部形状１１１のパターンを配置しておく必要がある。
【００２３】
本実施例と比較のため、図３は、従来例の半導体装置、図４は、図３に示す半導体装置の露光工程で用いる露光機のマスクをそれぞれ示す。従来例の半導体装置には、図３に示すように、接続部以外の周期的に配置される単位素子中の配線１０１Ａ、１０１Ｂ上に、接続部形状１１１と略同一の形状１１１Ａ、１１１Ｂは形成されていない。また、従来例のマスクには、図４に示すように、第１及び第２のレチクル２５０Ａ、２５０Ｂの配線用パターン２５１Ａ、２５１Ｂ上にも、接続部形状１１１と略同一の形状１１１Ａ、１１１Ｂを形成するためのパターン２５３Ａ、２５３Ｂが形成されていない。
【００２４】
これに対し、本実施例によれば、接続部以外の通常の周期的なパターン領域にも、接続部形状１１１（つなぎ露光のつなぎ部の出来上がり配線形状）と略同一の形状１１１Ａ、１１１Ｂを設けることにより、仮に接続部の単位素子中のホトダイオード１０２ａへの入射光の配線による光線の蹴られが発生した場合でも、接続部以外の通常領域の単位素子中のホトダイオード１０２ｂでも同様の光線の蹴られが発生することになり、ホトダイオード１０２ａと１０２ｂではほぼ同等の入射光となることが予想される。
【００２５】
しかし、図３に示す従来例の接続部にのみ特殊な形状を有している半導体装置（固体撮像装置）では、上記のような場合、ホトダイオード１０２ａ及び１０２ｂでの感度ズレが発生してしまう。その結果、接続部において出力段差、輝線、黒線等の発生が避けられない。
【００２６】
したがって、本実施例のような措置により、つなぎ露光を行なった部分においてもそれ以外の部分と同じ感度を安定して得られるようになる。また、接続部でアライメントズレが生じた際に、つなぎ部分だけ若干配線形状が異なることが考えられるが、その際においても、従来例よりは接続部における感度ズレは小さいものとなる。
【実施例２】
【００２７】
図５及び図６を参照して、本実施例のアライメント誤差補償用パターンを入れた際の半導体装置及びマスクについて説明する。
【００２８】
図５は、本実施例の半導体装置、図６は、図５に示す半導体装置の露光工程で用いる露光機のマスク（配線マスク）をそれぞれ示す。本実施例の半導体装置は、例えば固体撮像装置に適用される。また、本実施例のマスクを用いた露光機は、例えば前述の図１１に示す縮小投影露光装置に用いられる。なお、前述の図１４に示す従来例のマスク及び図１５に示す従来例の半導体装置と同様の構成要素については、同一符号を付してその説明を簡略又は省略する。
【００２９】
図５に示す半導体装置において、１００は半導体基板、Ａ-Ａ'は半導体基板１００上の２つに分割露光された領域の接続部の中心線、１０２ａ、１０２ｂは半導体基板１００上の２つの領域（図中の中心線Ａ-Ａ'を挟む左右領域）に周期的なパターンで露光形成される単位素子中の、例えば撮像素子を構成する受光画素のホトダイオード（受光領域)を示す。一方のホトダイオード１０２ａは接続部側の単位素子中に配置され、他方のホトダイオード１０２ｂは接続部以外の単位素子中に配置される。また、１０１Ａ、１０１Ｂは、それぞれ第１及び第２の領域に配置される単位素子中の、例えば電源線もしくは駆動線等の配線を示す。配線１０１Ａ、１０１Ｂは、例えばＡＬ等を主成分とした金属配線から成る。本実施例の単位素子は、ホトダイオード１０２ａ、１０２ｂ及びその配線１０１Ａ、１０１Ｂを含む構成となっている。図中のＣ-Ｃ'は、撮像素子の画素ピッチのような単位素子が成す周期的なパターンの一周期を示す。
【００３０】
また、１１２は、接続部側の単位素子中における配線１０１Ａ、１０１Ｂの出来上がり形状（以下、「接続部形状」と呼ぶ）を示す。この接続部形状１１２は、前述の図１５に示すように、接続部にアライメント誤差補償用パターンを形成した場合の二重露光の影響により該アライメント誤差補償用パターンの配線幅が細くなったものである。１１２Ａ、１１２Ｂは、接続部以外の単位素子中における配線１０１Ａ、１０１Ｂの出来上がり形状のうち、接続部の位置と周期的に対応する場所に形成される形状、すなわち接続部形状１１２と概ね等しい形状（以下、「接続部形状と略同一の形状」と呼ぶ）を示す。この接続部形状１１２と略同一の形状１１２Ａ、１１２Ｂは、アライメント誤差補償用パターンを含む接続部形状１１２のパターンと概ね等しい形状を、あらかじめ接続部以外の周期的な通常領域に設けたレチクルを用いて露光することにより形成される。
【００３１】
図６は、図１に示す単位素子中の配線１０１Ａ、１０１Ｂを露光形成するために用いるマスクの構成例の概略図である。図６において、２５０Ａ及び２５０Ｂは、半導体基板１００上の２つの領域にそれぞれ対応する左右のレチクル（以下、左側のレチクルを「第１のレチクル」、右側のレチクルを「第２のレチクル」と呼ぶ）である。２５１Ａ、２５１Ｂは、第１及び第２のレチクル２５０Ａ、２５０Ｂにおける、例えば図５に示す配線１０１Ａ、１０１Ｂを形成するためのパターンである。２５２Ａ、２５２Ｂは、配線用パターン１０１Ａ、１０１Ｂの接続部側に配置されるアライメント誤差補償用パターン、２５４Ａ、２５４Ｂは、図５に示す配線用パターン２５１Ａ、２５１Ｂのうち、アライメント誤差補償用パターン２５２Ａ、２５２Ｂを含む場合の接続部形状１１２と略同一の形状１１２Ａ、１１２Ｂを形成するためのパターンである。
【００３２】
上記二つのレチクル２５０Ａ、２５０Ｂを用いて、露光機により半導体基板１００上の２つの領域をつなぎ露光する場合、図６中の接続部側に設定される両レチクル２５０Ａ、２５０Ｂの基準線Ｍ１及びＭ２が互いに重なるようにある所定の緩衝領域を持って露光を行う。
【００３３】
これら二つのレチクル２５０Ａ、２５０Ｂが半導体基板１００上に露光された場合に形成される、接続部形状１１１は、両レチクル２５０Ａ、２５０Ｂが重なってアライメント誤差補償用パターン２５２Ａ、２５２Ｂが二重露光される影響により、その配線幅が細くなる（前述の図１５のＳ３参照）。逆に、アライメント誤差補償用パターン２５２Ａ、２５２Ｂが重ならず二重露光されない部分は、両レチクル２５０Ａ、２５０Ｂと同じ幅で出来上がることになる。このため、図５に示すように接続部以外の周期的なパターン部に、図６に示す接続部形状１１２を配置しておかないと、接続部だけ寄生容量ズレ、光学的な蹴られによる感度ズレ等の問題が発生してしまう。ゆえに、図１に示すように接続部以外の周期的なパターン部に接続部形状１１２のパターンを配置しておく必要がある。
【００３４】
本実施例と比較のため、図７は、従来例の半導体装置、図８は、図７に示す半導体装置の露光工程で用いる露光機のマスクをそれぞれ示す。従来例の半導体装置には、図７に示すように、接続部以外の周期的に配置される単位素子中の配線１０１Ａ、１０１Ｂ上に、アライメント誤差補償用パターン２５２Ａ、２５２Ｂを含む場合の接続部形状１１２と略同一の形状１１２Ａ、１１２Ｂは形成されていない。また、従来例のマスクには、図８に示すように、第１及び第２のレチクル２５０Ａ、２５０Ｂの配線用パターン２５１Ａ、２５１Ｂには、アライメント誤差補償用パターン２５２Ａ、２５２Ｂを含む場合の接続部形状１１２と略同一の形状１１２Ａ、１１２Ｂを形成するためのパターン２５４Ａ、２５４Ｂが形成されていない。
【００３５】
これに対し、本実施例によれば、接続部以外の通常の周期的なパターン領域にも、接続部形状１１２（つなぎ露光のつなぎ部の出来上がり配線形状）と略同一の形状１１２Ａ、１１２Ｂを設けることにより、仮に接続部の単位素子中のホトダイオード１０２ａへの入射光の配線による光線の蹴られが発生した場合でも、接続部以外の通常領域の単位素子中のホトダイオード１０２ｂでも同様の光線の蹴られが発生することになり、ホトダイオード１０２ａと１０２ｂではほぼ同等の入射光となることが予想される。
【００３６】
しかし、図７に示す従来例の接続部にのみ特殊な形状を有している半導体装置（固体撮像装置）では、上記のような場合、ホトダイオード１０２ａ及び１０２ｂでの感度ズレが発生してしまう。その結果、接続部において出力段差、輝線、黒線等の発生が避けられない。
【００３７】
従って、本実施例では、上記実施例１と同様の効果に加え、アライメント誤差補償用パターンを設けることによってアライメントズレマージンが大きくなるメリットがあるのはもちろんだが、上記実施例１においては、配線の最少幅は、接続部の配線幅（図１３のＳ４）が最小ルールになるのに対して、本実施例においては、接続部においてアライメント誤差補償パターンを設けることによって、配線の最小幅は、非接続部の配線の配線幅（Ｓ５）に設定することができるため、接続部以外の箇所ではレイアウトにより余裕が生まれ、また本実施例の様な撮像素子においては開口率の点からも有利である。
【００３８】
なお、本実施例では固体撮像素子に関して例に取り説明を行なっているが、本発明はこの限りでは無く、周期的なパターンが形成されていて、その一部がつなぎ露光のつなぎ部分である半導体装置ならば本発明の効果は同様に得られる。
【００３９】
また、本発明による効果は、光学的なものはもちろん、他の配線との寄生容量形成にも有効なことは自明である。従って、つなぎ露光を行なう半導体装置に適用することにより効果があることは明らかであるが、光学的要因の大きな固体撮像装置に用いると更に有効である。
【００４０】
また、本発明は光学的要因の大きな固体撮像装置においても特に配線層が多くなる増幅型固体撮像装置に適用することによって更に有効である。
【００４１】
尚、本発明の適用範囲は、実施例に記載された固有のつなぎレイヤ(アルミ線)等に制限されるものではない。例えばｐｏｌｙ層などの配線にとどまらず、拡散層に適用した場合も有効であることは自明である。
【実施例３】
【００４２】
図９を参照して、本発明の固体撮像装置をスチルカメラに適用した撮像システムの一実施例について詳述する。
【００４３】
図９は、本発明の固体撮像装置をスチルビデオカメラに適用した撮像システムを示すブロック図である。図９において、１はレンズのプロテクトとメインスイッチを兼ねるバリア、２は被写体の光学像を固体撮像素子４に結像させるレンズ、３はレンズ２を通った光量を可変するための絞り、４はレンズ２で結像された被写体を画像信号として取り込むための固体撮像素子（本発明の固体撮像装置又は増幅型固体撮像装置を成す）、６は固体撮像素子４より出力される画像信号のアナログ−ディジタル変換を行うＡ／Ｄ変換器、７はＡ／Ｄ変換器６より出力された画像データに各種の補正を行ったりデータを圧縮する信号処理部、８は固体撮像素子４、撮像信号処理回路５、Ａ／Ｄ変換器６、信号処理部７に、各種タイミング信号を出力するタイミング発生部、９は各種演算とスチルビデオカメラ全体を制御する全体制御・演算部、１０は画像データを一時的に記憶する為のメモリ部、１１は記録媒体に記録または読み出しを行うためのインターフェース部、１２は画像データの記録または読み出しを行うための半導体メモリ等の着脱可能な記録媒体、１３は外部コンピュータ等と通信するためのインターフェース部である。
【００４４】
次に、前述の構成における撮影時のスチルビデオカメラの動作について説明する。まず、バリア１がオープンされるとメイン電源がオンされ、次にコントロール系の電源がオンし、更にＡ／Ｄ変換器６などの撮像系回路の電源がオンされる。それから、露光量を制御するために、全体制御・演算部９は絞り３を開放にし、固体撮像素子４から出力された信号はＡ／Ｄ変換器６で変換された後、信号処理部７に入力される。そのデータを基に、露出の演算を全体制御・演算部９で行う。この測光を行った結果により明るさを判断し、その結果に応じて全体制御・演算部９は、絞りを制御する。
【００４５】
次に、固体撮像素子４から出力された信号に基づき、高周波成分を取り出し被写体までの距離の演算を全体制御・演算部９で行う。その後、レンズを駆動して合焦か否かを判断し、合焦していないと判断した時は、再びレンズを駆動し測距を行う。そして、合焦が確認された後に本露光が始まる。
【００４６】
露光が終了すると、固体撮像素子４から出力された画像信号はＡ／Ｄ変換器６でＡ／Ｄ変換され、信号処理部７を通り全体制御・演算部９によりメモリ部に書き込まれる。その後、メモリ部１０に蓄積されたデータは、全体制御・演算部９の制御により記録媒体制御Ｉ／Ｆ部を通り半導体メモリ等の着脱可能な記録媒体１２に記録される。また、外部Ｉ／Ｆ部１３を通り直接コンピュータ等に入力して画像の加工を行ってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
以上説明したように、本発明は、半導体基板上に周期的に配列される単位素子が複数の領域上でつなぎ露光により形成される固体撮像装置等の半導体装置に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の実施例１に係る半導体装置（固体撮像装置）の平面図である。
【図２】図１に示す半導体装置で用いるマスクの平面図である。
【図３】従来例の半導体装置の平面図である。
【図４】図３に示す半導体装置で用いるマスクの平面図である。
【図５】本発明の実施例２に係るアライメント誤差補償用パターンを入れた際の半導体装置（固体撮像装置）の平面図である。
【図６】図１に示す半導体装置で用いるマスクの平面図である。
【図７】従来例の半導体装置の平面図。
【図８】図７に示す半導体装置で用いるマスクの平面図である。
【図９】本発明の実施例３に係る固体撮像装置をスチルカメラに適用した撮像システムの概略ブロック図である。
【図１０】従来例の固体撮像装置の全体平面図である。
【図１１】図１０に示す固体撮像装置の露光工程で用いる露光機の概要図である。
【図１２】マスクの接続部（つなぎ部）側のパターン形状を説明する図である。
【図１３】図１２に示すレチクルにより形成される接続部形状（つなぎ部の出来上がり形状）を説明する図である。
【図１４】マスクの接続部側にアライメント誤差補償用パターンを入れた際のパターン形状を説明する図である。
【図１５】接続部形状を説明する図である。
【符号の説明】
【００４９】
１００  半導体基板
１０１Ａ、１０１Ｂ  配線
１０２ａ、１０２ｂ  ホトダイオード
１１１  接続部形状
１１１Ａ、１１１Ｂ  接続部形状と略同一の形状
１１２  アライメント誤差補償用パターンを入れた際の接続部形状
１１２Ａ、１１２Ｂ  アライメント誤差補償用パターンを入れた際の接続部形状と略同一の形状
２５０Ａ、２５０Ｂ  第１及び第２のレチクル
２５１Ａ、２５１Ｂ  配線用パターン
２５２Ａ、２５２Ｂ  アライメント誤差補償用パターン
２５３Ａ、２５３Ｂ  接続部形状と略同一の形状用パターン
２５４Ａ、２５４Ｂ  アライメント誤差補償用パターンを入れた際の接続部形状と略同一の形状用パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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