(57)【要約】【課題】  めっき層の欠陥を十分に防止し、高密度の配線パターンを実現可能な両面配線回路基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】  絶縁層１０ａと導体層１０ｂとが貼り合わされた二層基材１０が用意され、絶縁層１０ａの所定の位置にビアホール１０Ｖが形成される。ビアホール１０Ｖの内周面は、二層基材１０の平面方向に対して４０度から７０度の角度を有する。ビアホール１０Ｖの底面は導体層１０ｂにより封止されている。その後、二層基材１０の上面側に無電解めっき液を用いて金属薄膜が形成される。金属薄膜をめっき電極として電解めっきが行われ、予め定められた配線パターンのめっき層が形成される。導体層１０ｂの所定の位置にエッチングレジスト層が形成される。そこで、エッチングが行われることにより予め定められた配線パターンの導体層１０ｂが形成される。【選択図】        図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通孔が形成された絶縁層と、
前記絶縁層の一面上に形成された導体層と、
前記絶縁層の他面上、前記貫通孔の内周面および前記貫通孔内の前記導体層上に形成された金属薄膜と、
前記絶縁層の他面側において前記金属薄膜上に形成された電解めっき層とを備え、
前記貫通孔は、前記絶縁層の一面側から他面側に向かって漸次内径が増大するように傾斜した内周面を有し、
前記絶縁層の前記一面に対する前記内周面の傾斜角度は４０度以上７０度以下であることを特徴とする両面配線回路基板。
【請求項２】
前記金属薄膜は、無電解めっき膜であることを特徴とする請求項１記載の両面配線回路基板。
【請求項３】
前記金属薄膜は、スパッタリング膜であることを特徴とする請求項１記載の両面配線回路基板。
【請求項４】
絶縁層の一面上に第１の導体層を有する二層基板を用意する工程と、
前記絶縁層に前記第１の導体層が露出するように貫通孔を形成する工程と、
前記絶縁層の他面上、前記貫通孔の内周面および前記貫通孔内の前記第１の導体層上に金属薄膜を形成する工程と、
前記絶縁層の他面側において前記金属薄膜上に電解めっきにより第２の導体層を形成する工程とを備え、
前記貫通孔を形成する工程は、前記絶縁層の一面側から他面側に向かって漸次内径が増大するように前記絶縁層の前記一面に対して４０度以上７０度以下の角度傾斜した内周面を形成する工程を含むことを特徴とする両面配線回路基板の製造方法。
【請求項５】
無電解めっきにより前記金属薄膜を形成することを特徴とする請求項４記載の両面配線回路基板の製造方法。
【請求項６】
スパッタリングにより前記金属薄膜を形成することを特徴とする請求項４記載の両面配線回路基板の製造方法。
【請求項７】
可撓性樹脂により前記絶縁層を形成することを特徴とする請求項４〜６のいずれかに記載の両面配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁層に形成された貫通孔（ビアホール）を介して両面の導体層が電気的に接続されている両面配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線回路基板の分野では、電子機器の小型化・薄型化および携帯電話等の情報関連機器への適用にともない、高周波数領域での低ノイズ化および配線の高密度化等が必要とされてきた。
【０００３】
このような必要性に応じて、絶縁層の両面に導体層を有する両面配線回路基板を用いた多層構造の配線回路基板が開発されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
両面配線回路基板においては、絶縁層を介して導体層を接続する通路を形成する必要がある。そこで、両面の導体層を接続するためにスルーホールビア構造およびブラインドビア構造等の接続構造が実用化されている。
【０００５】
微細な配線パターンが要求される両面配線回路基板では、ビア内に導電性物質を充填する構造がとりやすいブラインドビア構造を適用することにより、ビアを極力小さくすることができる。それにより、製品全体の小型化、配線の自由度の拡大および配線パターン上への別の配線パターンの積層を好適に実現することができる。
【０００６】
このような両面配線回路基板の配線パターンの形成方法として、アディティブ配線形成法、セミアディティブ配線形成法およびサブトラクティブ配線形成法がある。
【０００７】
両面配線回路基板の配線ピッチは、微細化（例えば、５０μｍ以下の配線ピッチ）が求められている。配線ピッチの微細化を考慮した場合、サブトラクティブ配線形成法では高い良品率での配線パターンの形成が困難であるため、アディティブ配線形成法およびセミアディティブ配線形成法の導入が検討されている。
【０００８】
図８は、従来のセミアディティブ配線形成法によるブラインドビア構造を有する両面配線回路基板の製造手順の一例を示す図である。
【０００９】
アディティブ配線形成法では、めっき層により両面の配線パターンの電気的な接続が行われる。めっき層の形成は、無電解めっきまたは電解めっき等の方法により行われ、導体層の皮膜形成速度の点から、電解めっきが多く用いられている。
【００１０】
まず、図８（ａ）に示すように、樹脂等からなる絶縁層９０が用意される。次に、図８（ｂ）に示すように、絶縁層９０にビアホール９０Ｖ（開口部）が形成される。ビアホール９０Ｖの形成は、レーザビーム、金型によるパンチングまたはケミカルエッチング等を用いた方法で行われる。
【００１１】
ここで、図８（ｃ）に示すように、絶縁層９０の一方の面に、接着剤により銅箔等からなる導体層９１が貼り合わされる。その後、図８（ｄ）に示すように、電解めっきを行うために、絶縁層９０の上面、ビアホール９０Ｖの内周面およびビアホール９０Ｖ内の導体層９１の上面に金属薄膜９２が形成される。金属薄膜９２の形成は無電解めっきまたはスパッタリング等により行われる。
【００１２】
続いて、図８（ｅ）に示すように、金属薄膜９２上の所定領域および導体層９１上にめっきレジスト層９０Ｒが形成される。
【００１３】
金属薄膜９２をめっき電極として電解めっきが行われ、めっき層９０Ｍが形成される。その後、金属薄膜９２および導体層９１上のめっきレジスト層９０Ｒが剥離され、露出する金属薄膜９２が除去される。
【００１４】
続いて、図８（ｆ）に示すように、導体層９１上の所定領域にエッチングレジスト層（図示せず）が形成され、導体層９１のエッチングが行われる。導体層９１のエッチング後、エッチングレジスト層が除去される。これにより、絶縁層９０の両面にそれぞれめっき層９０Ｍおよび導体層９１からなる配線パターンが形成される。
【特許文献１】特開平９−１８６４５４号
【特許文献２】特開２００２−２９９３８６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
ところで、上記の金属薄膜９２を無電解めっきにより形成する場合、無電解めっき液をビアホール９０Ｖの内部に浸入させる必要がある。
【００１６】
図９は、従来のビアホール９０Ｖ内部に無電解めっき液を浸入させる様子を示す模式的断面図である。
【００１７】
図９（ａ）に示すように、無電解めっき液９２Ｂをビアホール９０Ｖ内部に浸入させると、ビアホール９０Ｖ内部に混入した気泡９０Ａが底面の縁部に捕捉される場合がある。このように気泡９０Ａが捕捉されると、その部分に金属薄膜９２が形成されなくなり、後工程の電解めっきにより形成される図８（ｆ）のめっき層９０Ｍにも欠陥が生じる。
【００１８】
そこで、ビアホール９０Ｖ内部での気泡９０Ａの捕捉を防止する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【００１９】
ビアホール９０Ｖ内部での気泡９０Ａの捕捉を防止する方法として、例えば、図８（ｃ）の絶縁層９０と導体層９１との貼り合わせ時に接着剤をビアホール９０Ｖ内部にはみ出させる方法がある。
【００２０】
この場合、図９（ｂ）に示すように、絶縁層９０と導体層９１との間に接着剤層９０Ｂが形成されるとともに、ビアホール９０Ｖ内部に接着剤のはみ出しＢＴが形成される。これにより、ビアホール９０Ｖの底面の縁部に角がなくなるので、ビアホール９０Ｖ内部に混入した気泡９０Ａが底面の縁部で捕捉されにくくなる。
【００２１】
しかしながら、この方法は、接着剤を用いて絶縁層９０と導体層９１とを貼り合わせる場合にのみ用いることができる。
【００２２】
一方、上記の金属薄膜９２をスパッタリングにより形成する場合、金属薄膜９２がビアホール９０Ｖの内周面に均一な厚みで形成されにくい場合がある。この場合にも、後工程の電解めっきにより形成されるめっき層９０Ｍに欠陥が生じる。
【００２３】
本発明の目的は、めっき層の欠陥を十分に防止し、高密度の配線パターンを実現可能な両面配線回路基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
第１の発明に係る両面配線回路基板は、貫通孔が形成された絶縁層と、絶縁層の一面上に形成された導体層と、絶縁層の他面上、貫通孔の内周面および貫通孔内の導体層上に形成された金属薄膜と、絶縁層の他面側において金属薄膜上に形成された電解めっき層とを備え、貫通孔は、絶縁層の一面側から他面側に向かって漸次内径が増大するように傾斜した内周面を有し、絶縁層の一面に対する内周面の傾斜角度は４０度以上７０度以下である。
【００２５】
第１の発明に係る両面配線回路基板においては、絶縁層の一面に対する内周面の傾斜角度が、７０度以下となるように形成されているので、貫通孔の内周面および貫通孔内の導体層上に金属薄膜が均一に形成されるとともに、貫通孔内の底面の縁部に金属薄膜の欠陥が生じない。それにより、金属薄膜上に形成される電解めっき層の欠陥が十分に防止される。
【００２６】
さらに、絶縁層の一面に対する内周面の傾斜角度が、４０度以上となるように形成されているので、貫通孔の一面側の面積が小さくなりすぎることによる電気接続の信頼性の低下および貫通孔の他面側の面積が大きくなりすぎることによる導体層の他の配線との短絡が防止される。
【００２７】
したがって、電解めっき層の欠陥が十分に防止され、導体層の高密度な配線パターンが実現される。また、電解めっき層および導体層の電気的な信頼性が向上する。
【００２８】
金属薄膜は、無電解めっき膜であってもよい。この場合、貫通孔内への無電解めっき液の侵入時に、貫通孔内部に混入した気泡が底面の縁部で捕捉されにくくなる。したがって、捕捉された気泡による電解めっき層の欠陥が十分に防止される。
【００２９】
金属薄膜は、スパッタリング膜であってもよい。この場合、貫通孔の内周面および貫通孔内の導体層上にスパッタリング膜が均一に形成されるとともに、貫通孔内の底面の縁部にスパッタリング膜の欠陥が生じない。それにより、スパッタリング膜上に形成される電解めっき層の欠陥が十分に防止される。
【００３０】
第２の発明に係る両面配線回路基板の製造方法は、絶縁層の一面上に第１の導体層を有する二層基板を用意する工程と、絶縁層に第１の導体層が露出するように貫通孔を形成する工程と、絶縁層の他面上、貫通孔の内周面および貫通孔内の第１の導体層上に金属薄膜を形成する工程と、絶縁層の他面側において金属薄膜上に電解めっきにより第２の導体層を形成する工程とを備え、貫通孔を形成する工程は、絶縁層の一面側から他面側に向かって漸次内径が増大するように絶縁層の一面に対して４０度以上７０度以下の角度傾斜した内周面を形成する工程を含むものである。
【００３１】
第２の発明に係る両面配線回路基板の製造方法においては、絶縁層の一面に対する内周面の傾斜角度が、７０度以下となるように形成されるので、貫通孔の内周面および貫通孔内の第１の導体層上に金属薄膜が均一に形成されるとともに、貫通孔内の底面の縁部に金属薄膜の欠陥が生じない。それにより、金属薄膜上に形成される電解めっき層の欠陥が十分に防止される。
【００３２】
さらに、絶縁層の一面に対する内周面の傾斜角度が、４０度以上となるように形成されるので、貫通孔の一面側の面積が小さくなりすぎることによる電気接続の信頼性の低下および貫通孔の他面側の面積が大きくなりすぎることによる第２の導体層の他の配線との短絡が防止される。
【００３３】
したがって、電解めっき層の欠陥が十分に防止され、第１および第２の導体層の高密度な配線パターンが実現される。また、電解めっき層および第１および第２の導体層の電気的な信頼性が向上する。
【００３４】
無電解めっきにより金属薄膜を形成してもよい。この場合、貫通孔内への無電解めっき液の侵入時に、貫通孔内部に混入した気泡が底面の縁部で捕捉されにくくなる。したがって、捕捉された気泡による電解めっき層の欠陥が十分に防止される。
【００３５】
スパッタリングにより金属薄膜を形成してもよい。この場合、貫通孔の内周面および貫通孔内の第１の導体層上にスパッタリング膜が均一に形成されるとともに、貫通孔内の底面の縁部にスパッタリング膜の欠陥が生じない。それにより、スパッタリング膜上に形成される電解めっき層の欠陥が十分に防止される。
【００３６】
可撓性樹脂により絶縁層を形成してもよい。この場合、高密度の配線パターンを有し、かつ、信頼性の高いフレキシブル両面配線回路基板が実現される。
【発明の効果】
【００３７】
本発明に係る両面配線回路基板においては、絶縁層の一面に対する内周面の傾斜角度が、７０度以下となるように形成されているので、貫通孔の内周面および貫通孔内の導体層上に金属薄膜が均一に形成されるとともに、貫通孔内の底面の縁部に金属薄膜の欠陥が生じない。それにより、金属薄膜上に形成される電解めっき層の欠陥が十分に防止される。
【００３８】
さらに、絶縁層の一面に対する内周面の傾斜角度が、４０度以上となるように形成されているので、貫通孔の一面側の面積が小さくなりすぎることによる電気接続の信頼性の低下および貫通孔の他面側の面積が大きくなりすぎることによる導体層の他の配線との短絡が防止される。
【００３９】
したがって、電解めっき層の欠陥が十分に防止され、導体層の高密度な配線パターンが実現される。また、電解めっき層および導体層の電気的な信頼性が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
以下、本発明の一実施の形態に係る両面配線回路基板を図１〜図７に基づき説明する。
【００４１】
初めに、本実施の形態に係る両面配線回路基板の製造方法について説明する。図１〜図４は、本発明の一実施の形態に係る両面配線回路基板の製造手順の一例を示す模式的断面図である。
【００４２】
まず、図１（ａ）に示すように、樹脂等からなる絶縁層１０ａと銅板等からなる導体層１０ｂとが予め貼り合わされた二層基材１０を用意する。以下の説明において、二層基材１０の絶縁層１０ａ側を上面側とし、二層基材１０の導体層１０ｂ側を下面側とする。なお、絶縁層１０ａと導体層１０ｂとは必ずしも予め貼り合わされている必要はなく、絶縁層１０ａと導体層１０ｂとを圧着したり、接着剤等により接着してもよい。
【００４３】
ここで、図１（ｂ）に示すように、絶縁層１０ａの所定の位置にビアホール（貫通孔）１０Ｖを形成する。
【００４４】
ビアホール１０Ｖの直径が下端から上端へ漸次増加するようにビアホール１０Ｖの内周面がテーパ状に傾斜している。ビアホール１０Ｖの下端は導体層１０ｂにより封止されている（ブラインドビア構造）。ビアホール１０Ｖの形状および形成方法についての詳細は後述する。
【００４５】
その後、図１（ｃ）に示すように、二層基材１０の上面側に無電解めっき液を用いて金属薄膜１２を形成する。それにより、絶縁層１０ａの上面、ビアホール１０Ｖの内周面およびビアホール１０Ｖ内の導体層１０ｂの上面に金属薄膜１２が形成される。金属薄膜１２は後述の電解めっき時のめっき電極として用いられる。なお、金属薄膜１２の形成をスパッタリングまたは真空蒸着法等により行ってもよい。
【００４６】
続いて、図２（ｄ）に示すように、金属薄膜１２上の所定領域にめっきレジスト層１０Ｒを形成する。また、導体層１０ｂの下面にもめっきレジスト層１０Ｒを形成する。
【００４７】
ここで、図２（ｅ）に示すように、金属薄膜１２をめっき電極として電解めっきを行う。これにより、後述する配線パターンに応じためっき層１０Ｍが形成される。
【００４８】
その後、図２（ｆ）に示すように、金属薄膜１２および導体層１０ｂ上のめっきレジスト層１０Ｒを剥離し、図３（ｇ）に示すように、露出している金属薄膜１２を薬液を用いたソフトエッチングにより除去する。
【００４９】
ソフトエッチングの薬液としては、金属薄膜がクロムの場合は、過マンガン酸水溶液、フェリシアン化カリウム水溶液など、金属薄膜が銅の場合は、硫酸、硝酸、過硫酸ナトリウム水溶液、過酸化水素水溶液またはそれらの混合液など、金属薄膜がニッケルの場合は、硫酸と過酸化水素の混合液などが用いられる。
【００５０】
次に、図３（ｈ）に示すように、二層基材１０の上面側および導体層１０ｂの所定領域にエッチングレジスト層ＥＲを形成する。
【００５１】
さらに、図３（ｉ）に示すように、塩化第二鉄水溶液等の薬液を用いて導体層１０ｂをエッチングする。
【００５２】
その後、図４（ｊ）に示すように、エッチングレジスト層ＥＲを除去することにより、二層基材１０の上面側および下面側に、それぞれめっき層１０Ｍおよび導体層１０ｂからなる配線パターンを形成する。
【００５３】
次いで、図４（ｋ）に示すように、めっき層１０Ｍおよび導体層１０ｂの一部の領域を除いて絶縁層１０ａの両面にカバー絶縁層ＳＲを形成する。そして、図４（ｌ）に示すように、めっき層１０Ｍおよび導体層１０ｂの露出している部分に、ニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）等のめっき層ＮＡを形成する。これにより、本実施の形態に係る両面配線回路基板１００が作製される。
【００５４】
ビアホール１０Ｖの形状および形成方法についての詳細を説明する。図５は図１のビアホール１０Ｖの形状および形成方法の一例を示す模式的断面図である。
【００５５】
図５（ａ）に示すように、図１（ｂ）のビアホール１０Ｖの内周面は、二層基材１０の表面に対して４０度から７０度の角度を有する。このようなビアホール１０Ｖの形成方法は以下の通りである。以下、二層基材１０の表面に対するビアホール１０Ｖの内周面の角度を開口角度と呼ぶ。
【００５６】
ビアホール１０Ｖはレーザビームによる形成方法またはケミカルエッチングによる形成方法等により形成する。
【００５７】
レーザビームによりビアホール１０Ｖを形成する場合、絶縁層１０ａへ照射するレーザビームのエネルギー密度を変化させる。これにより、ビアホール１０Ｖの４０度から７０度の開口角度を得ることができる。
【００５８】
例えば、図５（ｂ）に示すように、レーザビームＬの焦点Ｆを図１の絶縁層１０ａの上面に合わせた場合、レーザビームＬは、高いエネルギー密度で絶縁層１０ａに入射する。この場合、ビアホール１０Ｖの開口角度は、図５（ｂ）の破線に示すように、ほぼ直角となる。
【００５９】
これに対し、図５（ｃ）に示すように、レーザビームＬの焦点Ｆを図１の絶縁層１０ａの上面からずらした場合、レーザビームＬの焦点Ｆを図１の絶縁層１０ａの上面に合わせた場合に比べて、レーザビームＬは、低いエネルギー密度で絶縁層１０ａに入射する。この場合、ビアホール１０Ｖの開口角度は鋭角となる。つまり、図５（ｃ）の破線に示すように、ビアホール１０Ｖの内周面が傾く。
【００６０】
ビアホール１０Ｖの開口角度は、レーザビームＬのエネルギー密度により変化する。したがって、エネルギー密度を調整しつつ、絶縁層１０ａにレーザビームＬを照射することにより４０度から７０度の開口角度を有するビアホール１０Ｖを形成することができる。
【００６１】
図５では、レーザビームＬのエネルギー密度を調整するためにレーザビームＬの焦点Ｆをずらしているが、これに限らず、レーザビームＬのエネルギー密度を変化させてもよい。
【００６２】
一方、ケミカルエッチングによりビアホール１０Ｖを形成する場合について説明する。ケミカルエッチングによりビアホール１０Ｖを形成する場合には、絶縁層１０ａが感光性ポリイミドなどの感光性材料であることが好ましい。この場合、絶縁層１０ａを所定パターンのマスクを用いて露光し、現像することによってビアホール１０Ｖを形成する。ビアホール１０Ｖの開口角度の調整は、露光量、現像温度および現像時間等を適宜調整することにより行う。
【００６３】
絶縁層が感光性材料でない場合、絶縁層１０ａに所定の開口を有するエッチングレジストを貼り合せ、エッチング液をスプレーしてビアホール１０Ｖを形成することができる。この場合、エッチング液の濃度、エッチング液の温度、エッチングの時間およびスプレー圧等を調整することにより４０度から７０度のビアホール１０Ｖの開口角度を得ることができる。
【００６４】
以上のように、本実施の形態に係る両面配線回路基板は、ビアホール１０Ｖが４０度から７０度の範囲の開口角度で形成される。これにより、無電解めっきにより金属薄膜１２を形成する場合、絶縁層１０ａと導体層１０ｂとが接着剤により貼り合わされているか否かにかかわらず、ビアホール１０Ｖの底面の縁部に角がなくなる。それにより、ビアホール１０Ｖ内部に混入した気泡が底面の縁部で捕捉されにくくなる。その結果、めっき層１０Ｍの欠陥が十分に防止され、高密度の配線パターンが実現される。
【００６５】
また、テーパ状に形成されたビアホール１０Ｖにより、ビアホール１０Ｖ内への無電解めっき液および電解めっき液の浸入性が向上するので、無電解めっき処理および電解めっき処理の処理時間を短くすることができる。
【００６６】
一方、スパッタリングにより金属薄膜１２（スパッタリング皮膜）を形成する場合、ビアホール１０Ｖの内周面が傾いていることにより、金属薄膜１２がビアホール１０Ｖの内周面に均一な厚みで形成されやすくなる。その結果、めっき層１０Ｍの欠陥が十分に防止され、高密度の配線パターンが実現される。
【００６７】
ビアホール１０Ｖの開口角度を４０度から７０度とした理由について説明する。
【００６８】
ビアホール１０Ｖの開口角度が４０度より小さい場合、ビアホール１０Ｖへの無電解めっき液および電解メッキ液の浸入性が向上する。また、スパッタリング時においては、金属薄膜１２のビアホール１０Ｖの内周面での厚みの均一性が向上する。しかしながら、ビアホール１０Ｖの底面の面積が小さくなり電気接続の信頼性が低下する場合がある。また、ビアホール１０Ｖの上端の開口面積が大きくなるので、隣接する他の配線と短絡する可能性がある。
【００６９】
一方、ビアホール１０Ｖの開口角度が７０度より大きい場合、ビアホール１０Ｖへの無電解めっき液の浸入性が低下するので、気泡がビアホール１０Ｖの底面の縁部に捕捉され、その部分の無電解めっきができなくなる場合がある。さらに、スパッタリング時においては、金属薄膜１２のビアホール１０Ｖの内周面での厚みが不均一になったり、孔ができたりする場合がある。
【００７０】
これらの理由から、本実施の形態に係る両面配線回路基板では、ビアホール１０Ｖの開口角度を４０度から７０度としている。
【００７１】
本実施の形態に係る両面配線回路基板１００は、ブラインドビア構造を有する。この場合、上述のようにビアホール１０Ｖ内部に金属薄膜１２およびめっき層１０Ｍが充填されるので、めっき層１０Ｍの配線パターン上にさらに別の配線パターンを積層することが可能となる。そして、ビアホール１０Ｖを極力小さくして製品全体の大きさを小さくしたり、配線パターンの設計の自由度を大きくすることが可能となる。
【００７２】
本実施の形態に係る両面配線回路基板１００は、フレキシブル両面配線回路基板であってもよい。この場合、両面配線回路基板１００は電子機器および情報関連機器等の様々な分野に用いることができる。
【００７３】
本実施の形態においては、絶縁層１０ａが絶縁層に相当し、導体層１０ｂが導体層に相当し、金属薄膜１２が金属薄膜に相当し、ビアホール１０Ｖが貫通孔に相当する。また、めっき層１０Ｍが電解めっき層に相当し、金属薄膜１２が無電解めっき膜およびスパッタリング膜に相当する。さらに、導体層１０ｂが第１の導体層に相当し、めっき層１０Ｍが第２の導体層に相当し、絶縁層１０ａが可撓性樹脂に相当する。
【００７４】
［実施例１］
以下の方法により実施例１の両面配線回路基板を作製した。なお、両面配線回路基板の製造手順は、上記と同様である。
【００７５】
図６（ａ）は、実施例１の両面配線回路基板の構造を示す模式的断面図である。
【００７６】
初めに、絶縁層１０ａおよび導体層１０ｂからなる二層基材１０を用意した。絶縁層１０ａは厚さ２５μｍのポリイミドからなり、導体層１０ｂは厚さ１８μｍの圧延銅からなる。
【００７７】
続いて、ビアホール１０Ｖを形成するために二層基材１０の所定の位置に、レーザビームＬを照射した。レーザビームＬの照射は、レーザビームＬの焦点Ｆを絶縁層１０ａの表面から下へ１．５ｍｍ軸方向にずらした位置となるようにして行った。これにより、絶縁層１０ａにはエネルギー密度が低い状態でレーザビームＬが照射される。その結果、下端側が直径１００μｍで、開口角度が５０度のビアホール１０Ｖが形成された。
【００７８】
なお、本実施例に係る両面配線回路基板では、ビアホール１０Ｖの底面は導体層１０ｂにより封止されており、ブラインドビア構造となっている。
【００７９】
次に、スパッタリングにより絶縁層１０ａの上面、ビアホール１０Ｖの内周面およびビアホール１０Ｖ内の導体層１０ｂの上面に、厚さ３００Åのクロム（Ｃｒ）および厚さ８００Åの銅（Ｃｕ）の金属薄膜１２（スパッタリング皮膜）を形成した。
【００８０】
その後、フォトリソグラフィー法により、金属薄膜１２上の所定領域に厚さ１５μｍのめっきレジスト層１０Ｒを形成した。そこで、電解銅めっきを行うことにより、最小幅が３０μｍで、最小間隔が３０μｍのめっき層１０Ｍを厚み１０μｍで形成した。その後、めっきレジスト層１０Ｒを剥離した。そして、露出している金属薄膜１２をソフトエッチングにより除去した。
【００８１】
二層基材１０の導体層１０ｂ上の所定の領域に厚さ１５μｍのエッチングレジスト層ＥＲを形成した。エッチングレジスト層ＥＲの形成はフォトリソグラフィー法により行った。
【００８２】
続いて、エッチングを行うことにより最小幅が７０μｍで、最小間隔が７０μｍの導体層１０ｂを形成した。その後、エッチングレジスト層ＥＲを除去することによりめっき層１０Ｍおよび導体層１０ｂからなる配線パターンを形成した。
【００８３】
最後に、配線パターンが完成した基板の所定の領域にカバー絶縁層ＳＲを形成し、端子となるめっき層１０Ｍが露出している部分にニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）めっきＮＡを施した。これにより、実施例１に係る両面配線回路基板１００Ａを得た。図６（ａ）に示すように、実施例１の両面配線回路基板１００Ａのビアホール１０Ｖの開口角度は５０度となっている。
【００８４】
［実施例２］
実施例２に係る両面配線回路基板は以下の点を除き、実施例１の両面配線回路基板１００Ａと同様の製造手順により作製した。
【００８５】
図６（ｂ）は、実施例２の両面配線回路基板の構造を示す模式的断面図である。
【００８６】
実施例２に係る両面配線回路基板の製造時において、ビアホール１０Ｖを次のように形成した。
【００８７】
ビアホール１０Ｖを形成するために二層基材１０の所定の位置に、レーザビームＬを照射した。レーザビームＬの照射は、レーザビームＬの焦点Ｆを絶縁層１０ａの表面から下へ２．０ｍｍ軸方向にずらした位置となるようにして行った。それにより、底面が直径１００μｍで、開口角度が４０度のビアホール１０Ｖ（ブラインドビア）が形成された。
【００８８】
これにより、実施例２に係る両面配線回路基板１００Ｂを得た。図６（ｂ）に示すように、実施例２の両面配線回路基板１００Ｂのビアホール１０Ｖの開口角度は４０度となっている。
【００８９】
［実施例３］
実施例３に係る両面配線回路基板は以下の点を除き、実施例１の両面配線回路基板１００Ａと同様の製造手順により作製した。
【００９０】
図６（ｃ）は、実施例３の両面配線回路基板の構造を示す模式的断面図である。
【００９１】
実施例３に係る両面配線回路基板の製造時において、ビアホール１０Ｖを次のように形成した。
【００９２】
ビアホール１０Ｖを形成するために二層基材１０の所定の位置に、レーザビームＬを照射した。レーザビームＬの照射は、レーザビームＬの焦点Ｆを絶縁層１０ａの表面から下へ０．５ｍｍ軸方向にずらした位置となるようにして行った。それにより、底面が直径１００μｍで、開口角度が７０度のビアホール１０Ｖ（ブラインドビア）が形成された。
【００９３】
これにより、実施例３に係る両面配線回路基板１００Ｃを得た。図６（ｃ）に示すように、実施例３の両面配線回路基板１００Ｃのビアホール１０Ｖの開口角度は７０度となっている。
【００９４】
［比較例１］
比較例１に係る両面配線回路基板は以下の点を除き、実施例１の両面配線回路基板１００Ａと同様の製造手順により作製した。
【００９５】
図７（ｄ）は、比較例１の両面配線回路基板の構造を示す模式的断面図である。
【００９６】
比較例１に係る両面配線回路基板の製造時において、ビアホール１０Ｖを次のように形成した。
【００９７】
ビアホール１０Ｖを形成するために二層基材１０の所定の位置に、レーザビームＬを照射した。レーザビームＬの照射は、レーザビームＬの焦点Ｆが絶縁層１０ａの表面に合わせた位置となるようにして行った。これにより、底面が直径１００μｍで、開口角度が８０度のビアホール１０Ｖ（ブラインドビア）が形成された。
【００９８】
これにより、比較例１に係る両面配線回路基板１００Ｄを得た。図７（ｄ）に示すように、比較例１の両面配線回路基板１００Ｄのビアホール１０Ｖの開口角度は８０度となっている。
【００９９】
［比較例２］
比較例２に係る両面配線回路基板は以下の点を除き、実施例１の両面配線回路基板１００Ａと同様の製造手順により作製した。
【０１００】
図７（ｅ）は、比較例２の両面配線回路基板の構造を示す模式的断面図である。
【０１０１】
比較例２に係る両面配線回路基板の製造時において、ビアホール１０Ｖを次のように形成した。
【０１０２】
ビアホール１０Ｖを形成するために二層基材１０の所定の位置に、レーザビームＬを照射した。レーザビームＬの照射は、レーザビームＬの焦点Ｆを絶縁層１０ａの表面から下へ２．５ｍｍ軸方向にずらした位置となるようにして行った。それにより、底面が直径１００μｍで、開口角度が３０度のビアホール１０Ｖ（ブラインドビア）が形成された。
【０１０３】
これにより、比較例２に係る両面配線回路基板１００Ｅを得た。図７（ｄ）に示すように、比較例２の両面配線回路基板１００Ｅのビアホール１０Ｖの開口角度は３０度となっている。
【０１０４】
［試験］
上記の実施例１〜３および比較例１，２の両面配線回路基板１００Ａ〜１００Ｄの各々についてオイルディップ試験を行った。
【０１０５】
オイルディップ試験は、実施例１〜３および比較例１，２の両面配線回路基板１００Ａ〜１００Ｄを室温および２６０℃のシリコン（Ｓｉ）オイルに、それぞれ１分ずつ１０回繰り返して浸漬させることにより行った。これにより、浸漬された両面配線回路基板１００Ａ〜１００Ｄの導体（上述の導体層１０ｂおよびめっき層１０Ｍ）の配線パターンの短絡の有無および導体の抵抗変化を調べ、各々の導体の信頼性を評価することができる。
【０１０６】
［評価］
上記オイルディップ試験の結果、実施例１〜３の両面配線回路基板１００Ａ〜１００Ｃでは、オイルディップ試験後であっても導体の配線パターンの短絡は認められなかった。また、導体の抵抗変化も認められなかった。したがって、良好な導体の信頼性が得られていることが確認された。
【０１０７】
一方、比較例１の両面配線回路基板１００Ｄでは、オイルディップ試験後に導体の導通不良が発生した。その原因は、めっき層１０Ｍの不良によるものであった。めっき層１０Ｍの不良は金属薄膜１２を形成するための無電解めっき時にビアホール１０Ｖ内部で捕捉された気泡に起因するものであることがわかった。
【０１０８】
比較例２の両面配線回路基板１００Ｅは、作製時にビアホール１０Ｖの上端の面積が非常に大きく形成されている。そのため、隣接するビアホール１０Ｖ同士が重なり合い、電気的に短絡していた。
【０１０９】
以上の試験結果および評価から、両面配線回路基板のビアホール１０Ｖの開口角度は、４０度以上７０度以下であることが望ましい。
【０１１０】
このように、ビアホール１０Ｖの開口角度を設定することにより、めっき層の欠陥を十分に防止し、高密度の配線パターンを実現可能な両面配線回路基板を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１１１】
本発明は、ビアホールを介して両面の導体層が電気的に接続される両面配線回路基板およびその製造方法として有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１１２】
【図１】本発明の一実施の形態に係る両面配線回路基板の製造手順の一例を示す模式的断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係る両面配線回路基板の製造手順の一例を示す模式的断面図である。
【図３】本発明の一実施の形態に係る両面配線回路基板の製造手順の一例を示す模式的断面図である。
【図４】本発明の一実施の形態に係る両面配線回路基板の製造手順の一例を示す模式的断面図である。
【図５】図１のビアホールの形状および形成方法の一例を示す模式的断面図である。
【図６】実施例１〜実施例３の両面配線回路基板の構造を示す模式的断面図である。
【図７】比較例１および比較例２の両面配線回路基板の構造を示す模式的断面図である。
【図８】従来のセミアディティブ配線形成法によるブラインドビア構造を有する両面配線回路基板の製造手順の一例を示す図である。
【図９】従来のビアホールの内部に無電解めっき液を浸入させる様子を示す模式的断面図である。
【符号の説明】
【０１１３】
絶縁層１０ａ
導体層１０ｂ
めっき層１０Ｍ
ビアホール１０Ｖ
金属薄膜１２
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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