(57)【要約】【課題】      中高圧コンデンサー電極に適し、粗面化処理に際し高い粗面化率を示すアルミニウム原箔を提供する。【解決手段】  アルミニウム純度が９９．９６重量％以上あるいはそれをベースにＰｂが２〜１０ppm（重量比）含まれた冷間圧延薄板を、５００°Ｃ以上の温度で焼鈍し、続いて冷間加工率２０〜８０％の加工を行った後、温度１００〜５００°Ｃの回復熱処理を行う。その際の加熱速度は、回復熱処理温度が２００〜２５０°Ｃの場合は５０°Ｃ／時間以下で、回復熱処理の温度が２５０°Ｃを越える場合は加熱速度１００°Ｃ／分以上の加熱速度で行う。【選択図】  なし           【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウム純度が９９．９６重量％以上であり、温度５００°Ｃ以上で完全焼鈍された原薄板に２０〜８０％の冷間加工を加え、その後１００〜５００°Ｃの温度範囲で回復処理を行う方法において、２００〜２５０°Ｃの温度範囲の回復処理を行う場合は加熱速度５０°Ｃ／時間以下の速度で行い、回復処理温度が２５０°を越える場合は加熱速度１００°Ｃ／分以上の急速加熱を行うことを特徴とする電解コンデンサー電極用アルミニウム原箔。
【請求項２】
アルミニウム純度が９９．９６重量％以上で、且つ金属元素Ｐｂが２〜１０ppm（重量比）含まれており、温度５００°Ｃ以上で完全焼鈍された原薄板に３０〜８０％の冷間加工を加え、その後１００〜５００°Ｃの温度範囲で回復処理をする方法において、２００〜２５０°Ｃの温度範囲の回復処理を行う場合は、加熱速度５０°Ｃ／時間以下の速度で行い、回復処理温度が２５０°Ｃを越える場合は加熱速度１００°Ｃ／分以上の急速加熱を行うことを特徴とする電解コンデンサー電極用アルミニウム原箔。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、粗面化処理に供する電解コンデンサー電極用アルミニウム原箔の製造方法に関するものであり、とくに中高圧用電解コンデンサー電極に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に中高圧電解コンデンサー電極用アルミニウム原箔の製造方法は、Aｌ純度９９．９９２％前後のスラブをシートインゴットの形状に半連続鋳造法で鋳込み、その後面削、熱間圧延、冷間圧延を行って所定の厚みに達した所で中間焼鈍を施し、更に最終冷間圧延を行ったのちに最終工程で５００°Ｃ以上で、不活性ガス雰囲気で数時間熱処理をして製品とするのが通常である。
【０００３】
更に電解コンデンサー電極として用いられるためには、これらの原箔に電気化学的粗面化処理が施され、有効表面積を拡大した上で、誘電体である陽極酸化膜が形成される。この際の実質的有効表面積の拡大率が大きいと、即ち粗面化率が大きいと、それだけ得られる単位面積あたりの静電容量は大きくなり、コンデンサーの小型化と省資源化に寄与するため、箔メーカーは該粗面化率の高い箔の製造工程の開発に努力を注いできた。
【０００４】
その一つが、最終高温焼鈍の際、焼鈍雰囲気を不活性ガスなどによる方法により、粗面化処理の際に均一に表面が腐食されるように、箔表面に出来るだけ薄い酸化膜の形成を目的とした焼鈍雰囲気技術が開発されている。
【０００５】
二つには例えば特許文献１にあるように中間焼鈍と最終焼鈍の間で表面除去を行って高い立方体方位率を得る工程も提案されている。
【特許文献１】特開平１０―８１９４５号公報
【０００６】
三つ目としては特許文献２に見られるように、金属元素Ｐｂ（以降Ｐｂ）などの不純物元素を表面に濃縮させる技術および特許文献３などのように表面酸化膜中に粗面化処理の際エッチング性の良い結晶性γ―アルミナ粒子を生成させる技術も提案されている。また最近ではＰｂの表面濃縮技術に関連し、本発明者らが考案した特許文献４，特許文献５などに見られるようにＰｂの酸化膜中における存在状態に関する考案がされている。
【特許文献２】特開昭５７−１９４５１６号公報
【特許文献３】特開平０１―２４８６０６号公報
【特許文献４】特開２００２−４３１８３号公報
【特許文献５】特開２００２−４３１８７号公報
【０００７】
更にごく最近では、特許文献６に見られる様に、新しい技術として材料の歪み組織の改善に関わる技術が提案されている。
【特許文献６】特開２００３−１１９５５５号公報
【０００８】
更に電解コンデンサー電極として用いられる場合は、上記のアルミニウム原箔は電気化学的な粗面化処理、即ち塩酸を主たる電解液とした電解エッチングが施されることが通常である。この際の粗面化率が高いと、所定の静電容量を得るための箔の量は少なくて済み、省資源、コストダウン更には部品の小型化に直接寄与するため工業的には非常に好ましいものである。
【０００９】
上記粗面化率を構成する要素であるエッチングピットは、その細長く直線的に伸びることから、キャピラリー状、あるいはトンネルピット（以降ピット）と呼ばれている。粗面化率はこのピットの密度と径と長さが決定することは衆知の事である。したがって箔の厚みが一定とするとピットの長さは一定となるため、粗面化率はピットの密度と径に依存する事になる。更にピットの径はエッチング条件でコントロールできるため、それぞれの試料について一定に出来る。これらのことから粗面化率に対し最も重要な要素はピット密度であることがわかる。またこれらのピットは不均一に分布していると、径が大きくなった場合、合体してしまうことは容易に推定出来る。その場合は有効な表面積は低下し粗面化率も低下するため、次に重要な要素はピットが如何に均一に分散するかである。前述の従来技術は殆ど全てがこのピット密度と均一性の改善に関するものであった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし上記従来例をはじめとした今までの方法では、ピットの発生が所望の密度および
均一性が十分でない。例えば前述の特許文献２に始まるＰｂの表面濃縮技術、更には特許文献２などのＰｂの存在形態を達成しても所望のピット密度、分散性は得られていない。またごく最近の上記特許文献６の技術を用いても市場から要求されるピット密度、均一性は得られていなく、したがって所望の粗面化率は得られていないのが現状である。
【００１１】
本発明はかかる状況を背景としてなされたものであり、ピットの密度を極限的に高く、且つ均一に発生する原箔の製造方法を提供する事を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、請求項１記載の電解コンデンサー電極用アルミニウム原箔は、アルミニウム純度が９９．９６重量％以上であり、５００°Ｃ以上の温度で完全焼鈍された原薄板に２０〜８０％の冷間加工を加え、その後１００〜５００°Ｃの温度範囲で回復処理を行う方法において、２００〜２５０°Ｃの温度範囲の回復処理を行う場合は加熱速度５０°Ｃ／時間以下の速度で行い回復処理温度が２５０°Ｃを越える場合は加熱速度１００°Ｃ／分以上の急速加熱を行うことを特徴とする。
【００１３】
請求項２に記載の電解コンデンサー電極用アルミニウム原箔は、アルミニウム純度が９９．９６％以上で且つＰｂを２〜１０ppm含み、５００°Ｃ以上の温度で完全焼鈍された原薄板に３０〜８０％の冷間加工を加え、その後１００〜５００°Ｃの温度範囲で回復処理を行う方法において、２００〜２５０°Ｃの温度範囲で回復処理を行う場合は、加熱速度５０°Ｃ／時間以下の速度で熱処理を行い、回復処理温度が２５０°Ｃを越える場合は加熱速度１００°Ｃ／分以上の急速加熱を行うことを特徴とする。
【００１４】
本発明に到った理由は以下の通りである。本発明者らは前記特許文献６において電解コンデンサー電極箔の新しい技術を提案した。その基本を成すものは、金属組織のうち、加工歪みに代表される転位構造の改善によるピット密度と分散性の改善であった。しかしながらその実施例でも見られるごとく従来例と比較した場合高々１０％の粗面化率の改善であった。この技術では益々高まる市場の高容量化の要求には答えられないのが現状である。
【００１５】
本発明は上記の技術では実現しなかった、更に微細な転位組織を実現する加工工程を提案し更にはその工程の途中で発生する、未エッチ部の発生も抑制する方法も提案することによって、従来材に較べて格段に優れた静電容量が得られる電解コンデンサー電極用アルミニウム原箔の製造方法を提案する。
【００１６】
前記特許文献６に於いては所望の転位組織を達成するには、高温焼鈍後の冷間加工率は１０％以下に限定されていた。そのため、より微細な転位組織を得るには限界があった。加工率が１０％如何に限定された理由として、それ以上だと、後で行う回復処理を行った場合に再結晶を起こし転位組織の粗大化を招き著しく粗面化率が低下することが主たる理由であった。
【００１７】
本発明はその加工率を、特許文献６に比して２倍以上の加工率でもっても組織が粗大化しないばかりか、粗面化率を飛躍的に向上する技術を提供するものである。本方法の特徴の一つは加工により導入した歪み量の大きさと、その後に行われる最終段階での加熱方法にある。通常のアルミ箔の焼鈍では、焼鈍温度により加熱速度を大きく変えることは無いが、本発明の方法は加熱温度によりその加熱速度を大きく変えることである。本発明の方法によると、例えば回復処理温度が２００〜２５０°Ｃまでの場合は加熱速度を５０°Ｃ／時間以下の速度で加熱すると加工率に応じたピット密度が得られることが判明したのである。この理由はおそらく加工率に応じた転位組織の微細化が達成されたためと考えられる。したがって本発明の方法によると特許文献６では達成されなかった、通常材に較べて１０％以上の静電容量の向上が認められたのである。
【００１８】
この結果が得られた理由として、本発明の方法のように、加工率が高くなり、内部に歪みが多く蓄積されるようになると、加熱時の熱ショックを少なくしなければ不安定な歪みは容易に解放され、即ち明瞭な亜粒界とか時には再結晶が生じ、組織の粗大化を招く。しかしながらゆっくりと加熱する事により、熱ショックをそれだけ少なくすることになり、転位に与える衝撃力が少なくなる事により、転位移動の駆動力が減少し初期の微細な組織は安定になり保持されたものと考えられる。
【００１９】
また本発明は最高到達温度が２５０°Ｃを越える場合は加熱速度を急速にすることである。この場合も何故同様に微細な組織が得られるかというと、加工率が大きい場合は前述のように歪みが不安定な状態であるが、一旦初期の熱ショックにより安定化した組織はその再配列にはある程度の時間が必要である。この現象を利用したのが、この急速加熱である。即ち加熱速度を急速にして２５０°Ｃ以上に露呈される時間を非常に短くした場合、２５０°以下の初期に形成された転位組織は、明瞭な転位セル組織の形成、あるいは再結晶などの粗大組織にはなり難いということで説明される。
【００２０】
ここで特許文献６でいう転位組織と本発明で得られた転位組織の違いを、本発明から得られた結果から類推してみる。特許文献６では亜結晶粒あるいは転位セルサイズに注目して、その円相当径で組織の大小を規定している。その理由はピットは転位セル壁とか亜粒界にのみ形成されることを想定しているからである。しかし本発明でいう所の転位組織は転位セル内あるいは亜結晶粒の内部の残存する転位群も組織と考えている。おそらく特許文献６では加工歪量は少ないため回復熱処理の際に十分明瞭な亜粒界とか転位セル組織が得られたものと考えられるが、本発明の場合の様な加工歪みが大きい場合は回復熱処理に於いては完全に明瞭なセル壁あるいは転位セル組織に到らず、セル内部にも回復途中の転位群が残存していたものと考えられる。これらが結果的にピットの開始点となりピット密度を飛躍的に向上させたものと考えられる。このように考えると、今後のピット密度向上の指針として、この様な転位セル組織内部あるいは亜結晶粒内に残存する転位群の分布、量も視野に入れなければならないだろう。
【００２１】
かくのごとく本発明の製造工程を経れば、転位セル内部にも転位群が存在することになる。これらの転位群はピットの開始点にもなり得るから、結局ピットは転位セル壁およびセル内部にも形成されることになり、ピット密度は特許文献６で得られたものと較べると格段に高くなると共に、ピットの分散性、均一性も転位セルサイズ分布には依存しないため良好になるものと考えられる。
【００２２】
ここで本発明の方法である、回復処理温度範囲により加熱速度を変える方法に若干の矛盾を感じる所があるとすればそれは回復処理温度２５０°Ｃの所での加熱速度の急変であろう。例えば回復処理温度が２５１°Ｃでは急速加熱であり回復処理温度が２５０°Ｃでは徐熱である。温度１°Ｃの差でこれほど加熱速度の違いが出ることが果たしてあるのだろうかと疑問が湧くのが当然であろう。
【００２３】
しかしながらこの様に境界温度を設定した理由は次のように考えたからである。回復処理温度が２５０°Ｃの場合、通常の加熱速度（３００°Ｃ／時間）で加熱すると組織の粗大化が生じてしまう。しかし本発明の方法の様に例えば５０°Ｃ／時間以下の加熱速度で行うと粗大化は起こらない、それだけ熱ショックが少ないからである。この場合、請求範囲内の急速加熱を行っても組織の粗大化は起こらなかった。急速加熱による短時間保持のためであると考えられる。但しその両者の粗面化率に対する効果を見ると、２５０°Ｃ加熱の場合少し徐熱の方が効果が高く静電容量が良かったため、２５０°Ｃ加熱の場合は徐熱側に入れ、２５０°Ｃを境に急速加熱と徐熱の領域を区別したものである。実際はこのような、加熱速度の違いによっても効果が重複する温度領域は数度はあるものと考えられる。
【００２４】
本発明では加工率が高いために、解決すべき技術的問題が発生する。その中で重要なものの一つに、粗面化処理の際に、特に加工率が５０％以上の材料について、未エッチ部が発生することがあげられる。未エッチ部が発生した材料は若干ながら粗面化率が低い傾向にある。この未エッチ部が発生する原因としては、例えば特許文献４で記載されている様に、アルミニウム原箔表面にはＰｂを含む酸化物粒子が露出してエッチング性を良くしているが、本発明の様に冷間加工率が大きいと、そのＰｂを含む酸化物粒子は、圧延ロールに剥ぎ取られてしまうことが生じる。これは一般のアルミニウムの圧延ではよく起こる現象であり、ロールコーティングの形成がそれである。アルミニウムに形成されていた酸化膜が圧延ロールに奪われその酸化膜がロール表面に堆積していく現象である。本発明の場合もよく似た現象として、アルミニウム表面に形成されていたＰｂを含む酸化膜が、たとえ１パスの圧延であろうと、部分的には圧延ロールに奪われることは容易に考えられる。この場合アルミニウム表面にはＰｂを含む酸化膜は不均一に残っているためエッチングは不均一になる。高加工率の場合の未エッチ部の発生は以上の事から説明出来る。しかしながらＰｂ添加による表面エッチング性向上の効果は、最表面に形成された酸化膜内に存在するＰｂだけでは無く、アルミ地の表面層のＰｂ濃縮層も表面エッチング性に効果があると考えた。その実験結果により、本発明の請求項２の様にＰｂを常法の1ppm添加よりは更に多く添加し、表面でのＰｂ濃縮層の厚みを増やすことにより、高加工率の加工を行っても未エッチング部が残らない均一なエッチング表面状況が得られたのである。この高いＰｂの添加は高加工率の場合に効果が見られることは、上記のＰｂ添加の理由により明らかである。
【００２５】
以上の研究結果により本発明の電解コンデンサー電極用アルミニウム箔の製造方法が提案されるに到った。本発明の製造方法は高加工率による高濃度の転位の導入にかかわらず、熱処理後も微細な組織を保ち、いままで得ることが出来なかった高いピット密度および分散性が得られるアルミニウム箔の製造方法に関するものである。
【００２６】
尚本発明の方法は冷間加工後、必ず熱処理を行うことで構成されているが、冷間加工のままではピットの発生は非常に少なくなることが経験上知られているからである。この理由は、加工を行ったままでは、加工転位セルの内部にも隙間無く転位が存在しておることが認められており、またこの様な転位が一様に高密度で存在している所には、ピットは発生しないことも過去の経験からおよび電子顕微鏡観察結果から判明している。その理由は、おそらくピット発生の起点となりうる組織学的な場所は、転位セル壁の様に転位密度が非常に高い所と低いところの界面とか、セル内部の転位群の自由端とかのように、化学的ポテンシャルの差が大きい場所であると考えられるからである。加工後に熱処理を行うことは、加工によって生じた転位組織を回復させ、転位セル壁の形成と、その内部の個々の転位の群集化の様に、転位を局在化しピットの活性点として働かせようとする作用工程であり、ピット密度を高めるためには必ず必要な工程であると言える。
【００２７】
以下に本発明で定めた製造条件について説明する。
【００２８】
アルミニウム純度が９９．９６重量％以上
本発明のアルミニウム箔は、中高圧用コンデンサーの電極に用いられるものである。それ未満の純度ではコンデンサー電極として用いられた場合、リーク電流が多くなり、コンデンサーの寿命を著しく短くし実用に耐えないからである。この観点からアルミニウム純度は９９．９９０重量％がより好ましいと考えられる。
【００２９】
５００°Ｃ以上で完全焼鈍された原薄板
この様な高純度アルミニウムは２５０°Ｃ位で再結晶をするが、本発明に用いる原薄板は、粗面化率の観点から出来るだけ立方体方位率の高い材料が好ましい。立方体方位を高めるには焼鈍温度が高い方が良く、特に５００°Ｃを超すと方位が高くなる。好ましくは５３０°Ｃ以上の温度での焼鈍である。またこの原薄板の元板は通常の熱間圧延、冷間圧延、中間焼鈍、冷間圧延を経たものでも良く、また連続鋳造材そのまま、あるいはその冷間圧延材を元板として用いても良い。実用的には中高圧コンデンサーの電極には０．１１mm位の厚みの箔が使われることから、この原薄板の厚みは１mm以下が本発明の対象になる。
【００３０】
２０〜８０％の冷間加工を加える
加工率が２０％未満では粗面化率向上は少なく所望の静電容量は得られない。２０％以上で１０％以上の粗面化率向上が得られた。しかし加工率が８０％を越えると、立方体方位率の減少が大きくなり、したがって所望の粗面化率の向上が認められ無くなったためである。好ましくは冷間加工率は３０〜６０％である。
【００３１】
１００〜５００°Ｃの温度範囲で回復熱処理を行う方法において、２００〜２５０°Ｃの温度範囲での回復処理を行う場合は加熱速度５０°Ｃ／時間以下の速度で行い、回復処理温度が２５０°Ｃを越える場合は加熱速度１００°Ｃ／分以上の急速加熱を行う
回復処理温度が２００〜２５０°Ｃの場合
加工率が２０〜８０％で歪み量が十分大きいため、５０°Ｃ／時間以上の加熱速度では、組織が粗大化し粗面化率の向上が見られなかったため。好ましくは、この温度領域の加熱速度は２０〜４０°Ｃ／時間である。回復温度の下限の１００°Ｃはこれ未満の温度では粗面化率の向上が見られなかったためである。又２５０°Ｃを越えるとこの加熱速度領域では組織の粗大化が始まり粗面化率の低下傾向が見られたからである。好ましくは回復処理温度は１５０〜２４０°Ｃである。ここで１００〜２００°Ｃの間の加熱速度は特に限定されないと考えて良い。
回復熱処理温度が２５０°Ｃを越え５００°Ｃの場合
この温度領域の場合１００°Ｃ／分以下の速度で焼鈍すると粗面化率が急速に低下したからである。この原因は組織の粗大化に起因するものと考えられる。好ましくはこの温度領域では、加熱速度は２００°Ｃ／分以上である。回復処理温度が２５０°Ｃ以下の場合と５００°Ｃ以上の場合は粗面化率で、加熱速度の低い方がより好ましいかまたは粗面化率が低下したためである。この領域での好ましい回復処理温度は３００〜４００°Ｃである。
【００３２】
以下に本発明で定めた製造条件について説明する。
【００３３】
アルミニウム純度が９９．９６％以上で且つＰｂを２〜１０ppm含む
純度が９９．９６％以上であることは、中高圧コンデンサーの電極に用いられた場合、リーク電流を抑え寿命を十分長く保持出来るが、それ以下の純度では実用に耐えない。好ましくは純度は９９．９９０％以上である。またＰｂが２ppm未満では粗面化率がそれ未満のＰｂ添加と変わらなかったためであり、１０ppm以下に限定した理由はそれを越える場合は、粗面化処理の際、腐食減量が多く有効表面積拡大率が低下し、粗面化率が低下する傾向が認められなかったためである。環境的にも配慮し１０ppm以下とした。Ｐｂ量は３〜５ppmが好ましい。
【００３４】
温度５００°Ｃ以上で完全焼鈍された原薄板
冷間加工に先立ち、かような高温で焼鈍するもう一つの理由は、添加されたＰｂの表面濃縮をねらったためであり、粗面化処理の際に表面を一様に溶解し内部のピット開始点を活性化しやすくするための工程でもある。好ましくは５３０°Ｃ以上である。前述の様にこの熱処理は立方体方位形成のためであるとも言えるが、このことは立方体方位形成とＰｂの表面偏析の温度領域とは酷似していることを示している。この理由はＰｂの表面偏析の機構と立方体方位形成の機構が、両者とも金属組織学でいう原子空孔の移動が律速しているからと考えられる。
【００３５】
３０〜８０％の冷間加工を加え、１００〜５００°Ｃの回復熱処理を加える。回復処理温度が２００〜２５０°Ｃの場合は加熱速度５０°Ｃ／時間以下の速度で熱処理を行い、回復処理温度が２５０°Ｃを越える場合は加熱速度１００°Ｃ／分以上の急速加熱を行う
この工程の意味は前述と同じである。Ｐｂが添加されていてもこの工程の作用は変わらない。ただしＰｂが添加されている場合は、加工率が３０％未満では、添加なしとその粗面化率において変わらなかったため、加工率は３０％以上とした。加工率の好ましい範囲は５０〜６０％である。回復熱処理温度２００〜２５０°Ｃの温度範囲では２０〜４０°Ｃ／時間の加熱速度、回復熱処理温度が２５０°Ｃを越え５００°Ｃまでは、加熱速度は２００°Ｃ／分以上が好ましい。また好ましい回復処理温度は１５０〜２４０°Ｃあるいは３００〜４００°Ｃである。
【発明の効果】
【００３６】
以上説明したように、下記に示す本発明の電解コンデンサー電極用原箔の製造方法によれば、アルミニウム純度が９９．９６重量％以上でPbを２〜１０ppm含む場合とそうでない場合の材料を、箔製造工程途中の中間薄板の段階で５００°Ｃ以上の温度で完全焼鈍を行う。続いて２０〜８０％の冷間加工を行った後に、回復熱処理を１００〜５００°Ｃの温度で行う方法において、２００°Ｃ〜２５０°Ｃの回復処理温度の際は、加熱速度５０°Ｃ／時間以下の加熱速度で行い、回復処理温度が２５０°Ｃを越える場合は加熱速度１００°Ｃ／分以上の速度で加熱する事により得られるアルミニウム原箔は、中高圧コンデンサー電極用箔として使用される際の前処理である粗面化処理を行った際、非常に高い粗面化率が得られ、したがって誘電体被膜を形成したあとの静電容量が、従来材に較べ格段に高い値がえられた。このことが本発明の効果である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下に本発明の最良の実施形態を説明する。本発明の実施で得られる最良の効果は、以下の条件で実施された場合に得られる。用いるアルミニウム原薄板は、純度９９．９９２％以上をベースにＰｂを３〜5ppmの範囲で含有するかあるいは１ppm含有しているように調整し、鋳造されて常法の熱間圧延、冷間圧延での途中、おおよそ1mm以下の厚みで５３０°Ｃ以上の温度で完全焼鈍を行う。またこの完全焼鈍の前工程は、高立方体方位を得るための中間熱処理および冷間加工を行ったものが本発明の効果が著しい。更にこの完全焼鈍はＰｂの表面拡散を狙った工程と且つ高立方体方位率が得られる工程であるから５３０°Ｃ以上で、不活性ガス雰囲気で加熱する。
【００３８】
このようにして得られた原薄板に５０〜６０％の圧延加工を行う。この冷間圧延は現行の箔圧延機によると問題なく行える。なぜなら完全焼鈍された原材料であるため圧延機に負荷が掛からなく特に加工率が５０％位までは１パスで行える。その後の回復処理の温度は１８０〜２３０°Ｃが適切な加熱温度である。また加熱速度は２０〜３０°Ｃ／時間の速度で加熱を行えば良く、非常に良好な粗面化率を得ることが出来る。設備的に連続加熱装置があれば最高到達温度が３５０°Ｃで１分以内の加熱で良好な粗面化率が得られている。
【００３９】
上記処理を行ったアルミニウム原箔は、コンデンサーの電極に用いられるには、電気化学的なエッチングによる粗面化処理が施されアルミナの誘電体被膜の形成である化成被膜処理が施される。本発明の最良の方法で製造されたアルミニウム原箔を用いると、粗面化処理後はピットが高密度に均一に発生しており化成処理後の単位面積あたりの静電容量は従来材に較べて最大１９％の向上がみられた。したがって本発明のアルミニウム原箔を用いることにより、コンデンサーの小型化はもちろんのこと、コストダウン更には省資源化にも大いに寄与出来るものである。
【実施例】
【００４０】
以下に本発明の実施例を比較例、従来材と対比しつつ説明する。本発明材の製造条件は、まず通常の方法で溶製したアルミニウム純度９９．９９０重量％のものとその上にＰｂが０．５〜１０ppm含まれた成分のインゴットを熱間圧延、冷間圧延、中間焼鈍、冷間圧延を経て０。１２〜０．５mmの厚みの薄板にする。その後これらの薄板に温度５３０°Ｃの焼鈍を不活性ガス中で行った。これらの薄板が種々の厚みを持つ理由は、以下で行う冷間加工率を２０〜８０％までの範囲で行った後、一定の厚み、０．１０mmになるようにするためである。これらの薄板の焼鈍後の立方体方位率は全て９５％以上であった。以上の各厚みの完全焼鈍された薄板は、表１に示される様に冷間圧延により加工率が２０〜８０％になるように加工される。また冷間圧延を行ったあとは、加工率が６０％までは立方体方位率の減少は数％であったが加工率が８０％になると１０％低下した。これらの冷間加工材は２００〜２５０°Ｃの加熱の場合は５０°Ｃ／時間以下の加熱速度で回復熱処理を行い、２５０°Ｃを越え５００°Ｃまでの加熱の場合は、所定の温度に達した炉中のアルミ板のホットプレートにサンプルを１枚ずつ置き、接触させることで１００°Ｃ／分以上の加熱速度を得た。比較材の作製条件は、本発明条件の範囲外のものを作製し本発明品と比較した。表１にこれらの作製条件も示した。尚これらの作製条件で特に粗面化率に効果のあったものについては、１０００ＫＶ超高圧透過型電子顕微鏡で転位組織の観察を行い、ピットと組織の関係の考察に用いた。
【００４１】
上記の熱処理後、粗面化率を求めるために、各供試材について、下記の条件で粗面化処理を行った。化成電圧は３８０Ｖで行い、単位面積あたりの静電容量を比較した。それらの結果を表１に示した。粗面化率は化成電圧が一定の場合は単位面積あたりの静電容量に比例することから、粗面化率を比較するには静電容量を比較すればよい。また静電容量とピット密度との関係を調べるため、粗面化処理後のアルミ表面を走査型電子顕微鏡で観察した。
（粗面化処理条件）
ＨＣｌ        １モル／ｌ
Ｈ２ＳO４      ３モル／ｌ
温度          ７８°Ｃ
電流密度      ０．２A／ｃｍ２
通電時間      ６分
【００４２】
表１の結果から見られる様に、本発明材については従来材あるいは比較材に対しても非常に優れた粗面化率を示すことが解る。特にＰｂを含んだ材料は最高値を示した。この実施例の結果からは従来材に較べ最大１９％の粗面化率の改善がされた。この原因としては本発明の高い加工率による転位組織の微細化であることが、電子顕微鏡によるピットの観察、あるいは転位組織の観察結果から判明した。
【００４３】
【表１】
2005248254.tif 000002