(57)【要約】  【課題】  高湿度や高温度などの環境による変化、劣化が抑制されるなど特性に優れており、また生産性が改善可能なコンデンサとその製造方法とを提供する。  【解決手段】  誘電体膜（１３）と、誘電体膜（１３）の少なくとも一部を挟んで対向するように配置された１対の電極（下部電極膜（１２）および上部電極膜（１４））とを備えるコンデンサであって、誘電体膜（１３）が、樹脂モノマーを含む薄膜を形成したのち薄膜中の樹脂モノマーを重合反応させることによって形成された膜であり、上記樹脂モノマーは、下記の式（１）で示されるジビニルビフェニルを含むことを特徴とする。【化１】（式中、２つのベンゼン環が置換されている位置は、一方がメタ位、他方がメタ位またはパラ位である。）【選択図】  図１
2005183714.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体膜と、前記誘電体膜の少なくとも一部を挟んで対向するように配置された１対の電極とを備えるコンデンサであって、
前記誘電体膜が、樹脂モノマーを含む薄膜を形成したのち前記薄膜中の前記樹脂モノマーを重合反応させることによって形成された膜であり、
前記樹脂モノマーが、下記の式（１）で示されるジビニルビフェニルを含むことを特徴とするコンデンサ。
【化１】
2005183714.tif 000013
（式中、２つのベンゼン環が置換されている位置は、一方がメタ位、他方がメタ位またはパラ位である。）
【請求項２】
前記樹脂モノマーは、２つのベンゼン環がともにメタ位で置換されているジビニルビフェニルを含む請求項１に記載のコンデンサ。
【請求項３】
前記薄膜が重合開始剤および酸化防止剤から選ばれる少なくとも１つをさらに含む請求項１または２に記載のコンデンサ。
【請求項４】
前記１対の電極は第１の電極と第２の電極とを含み、
前記第１の電極は、前記誘電体膜の表面に形成された第１の外部電極と、前記誘電体膜の内部に配置され且つ前記第１の外部電極に接続された複数の第１の電極膜とを備え、
前記第２の電極は、前記誘電体膜の表面に形成された第２の外部電極と、前記誘電体膜の内部に配置され且つ前記第２の外部電極に接続された複数の第２の電極膜とを備え、
前記第１の電極膜と前記第２の電極膜とは、互いに接触しないように前記誘電体膜中で平行に配置されている請求項１〜３のいずれかに記載のコンデンサ。
【請求項５】
誘電体膜と前記誘電体膜の少なくとも一部を挟んで対向するように配置された１対の電極とを備えるコンデンサの製造方法であって、
樹脂モノマーを含む薄膜を形成する第１の工程と、
前記樹脂モノマーを重合反応させることによって前記誘電体膜を形成する第２の工程とを含み、
前記樹脂モノマーが、下記の式（１）で示されるジビニルビフェニルを含むことを特徴とするコンデンサの製造方法。
【化２】
2005183714.tif 000014
（式中、２つのベンゼン環が置換されている位置は、一方がメタ位、他方がメタ位またはパラ位である。）
【請求項６】
前記第１の工程において、前記薄膜を蒸着法によって形成する請求項５に記載のコンデンサの製造方法。
【請求項７】
前記樹脂モノマーは、２つのベンゼン環がともにメタ位で置換されているジビニルビフェニルを含む請求項５に記載のコンデンサの製造方法。
【請求項８】
前記誘電体膜の一部の上に、前記１対の電極の一部となる金属膜を形成する第３の工程をさらに含み、
前記第１〜第３の工程を繰り返すことによって、複数の金属膜が平行に埋め込まれた誘電体膜を形成する工程をさらに含む請求項５に記載のコンデンサの製造方法。
【請求項９】
前記第２の工程の後であって前記第３の工程の前に、前記第２の工程で形成された誘電体膜の表面を酸素プラズマで処理する工程をさらに含む請求項８に記載のコンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜形成された誘電体膜を備えるコンデンサおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、コンデンサなどに用いられる誘電体膜には、樹脂膜が用いられている。このような樹脂膜は、基板に蒸着した樹脂モノマーに電子線や紫外線を照射し、樹脂モノマーを重合させることによって形成されている（例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４などを参照）。
【０００３】
上記誘電体膜を形成するための樹脂モノマーとしては、例えば、以下の化学式（Ａ）で示されるジメチロールトリシクロデカンジアクリレートや、以下の化学式（Ｂ）で示される１，９−ノナンジオールジアクリレート、以下の化学式（Ｃ）で示される４、４’−ジビニルビフェニルなどが用いられてきた。
【０００４】
【化３】
2005183714.tif 000003
【０００５】
【化４】
2005183714.tif 000004
【０００６】
【化５】
2005183714.tif 000005
【０００７】
【特許文献１】特公昭６３−３１９２９号公報
【特許文献２】特開平１１−１４７２７２号公報
【特許文献３】特開２００３−１５１８４９号公報
【特許文献４】米国特許第５,１２５,１３８号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記樹脂モノマーによって形成された誘電体膜を用いたコンデンサは、特性が十分でないなどの問題があった。例えば、化学式（Ａ）の樹脂モノマーによって形成された誘電体膜を用いたコンデンサは、高湿度下での特性が十分でないという問題があった。また、化学式（Ｂ）の樹脂モノマーによって形成された誘電体膜を用いたコンデンサは、高温時に誘電体膜が酸化分解しやすいという問題があった。さらに、化学式（Ａ）または（Ｂ）の樹脂モノマーによって形成された誘電体膜を用いたコンデンサは、誘電損失が大きく、コンデンサの消費電力が大きいという問題があった。
【０００９】
また、化学式（Ｃ）の樹脂モノマーによって形成された誘電体膜を用いたコンデンサは、その製造時に、誘電体膜の成膜速度を向上できないなどの問題があった。具体的に説明すると、化学式（Ｃ）の樹脂モノマーは、室温〜１５０℃程度の温度範囲において固体であり、化合物（Ｃ）の樹脂モノマーによって形成された誘電体膜を形成する際には、特許文献３に記載されているように、上記モノマーからなるターゲットを用いたスパッタリング法を用いる必要がある。このため、誘電体膜の蒸着速度が低く、生産性よく誘電体膜を形成することが困難であった。さらに、蒸着後、基板上で固体になると紫外線や電子線による硬化反応を進めることが困難となるために、化学式（Ｃ）の樹脂モノマーを基板上に蒸着する際には上記モノマーの融点以上に基板を加熱する必要があった。この結果、蒸着したモノマーが基板上で再蒸発しやすくなり、蒸着および成膜速度の向上が困難であった。
【００１０】
上記問題を解決するために、本発明は、高湿度下や高温度下においても優れた特性を有し、生産性が改善可能なコンデンサと、その製造方法とを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明のコンデンサは、誘電体膜と、前記誘電体膜の少なくとも一部を挟んで対向するように配置された１対の電極とを備えるコンデンサであって、前記誘電体膜が、樹脂モノマーを含む薄膜を形成したのち前記薄膜中の前記樹脂モノマーを重合反応させることによって形成された膜であり、前記樹脂モノマーが、下記の式（１）で示されるジビニルビフェニルを含むことを特徴とする。
【００１２】
【化６】
2005183714.tif 000006
【００１３】
（式中、２つのベンゼン環が置換されている位置は、一方がメタ位、他方がメタ位またはパラ位である。）
【００１４】
上記コンデンサでは、前記樹脂モノマーは、２つのベンゼン環がともにメタ位で置換されているジビニルビフェニルを含んでもよい。
【００１５】
上記コンデンサでは、前記薄膜が重合開始剤および酸化防止剤から選ばれる少なくとも１つをさらに含んでもよい。
【００１６】
上記コンデンサでは、前記１対の電極は第１の電極と第２の電極とを含み、前記第１の電極は、前記誘電体膜の表面に形成された第１の外部電極と、前記誘電体膜の内部に配置され且つ前記第１の外部電極に接続された複数の第１の電極膜とを備え、前記第２の電極は、前記誘電体膜の表面に形成された第２の外部電極と、前記誘電体膜の内部に配置され且つ前記第２の外部電極に接続された複数の第２の電極膜とを備え、前記第１の電極膜と前記第２の電極膜とは、互いに接触しないように前記誘電体膜中で平行に配置されていてもよい。
【００１７】
また、本発明の製造方法は、誘電体膜と前記誘電体膜の少なくとも一部を挟んで対向するように配置された１対の電極とを備えるコンデンサの製造方法であって、樹脂モノマーを含む薄膜を形成する第１の工程と、前記樹脂モノマーを重合反応させることによって前記誘電体膜を形成する第２の工程とを含み、前記樹脂モノマーが、下記の式（１）で示されるジビニルビフェニルを含むことを特徴とする。
【００１８】
【化７】
2005183714.tif 000007
【００１９】
（式中、２つのベンゼン環が置換されている位置は、一方がメタ位、他方がメタ位またはパラ位である。）
【００２０】
上記製造方法では、前記第１の工程において、前記薄膜を蒸着法によって形成してもよい。
【００２１】
上記製造方法では、前記樹脂モノマーは、２つのベンゼン環がともにメタ位で置換されているジビニルビフェニルであってもよい。
【００２２】
上記製造方法では、前記誘電体膜の一部の上に、前記１対の電極の一部となる金属膜を形成する第３の工程をさらに含み、前記第１〜第３の工程を繰り返すことによって、複数の金属膜が平行に埋め込まれた誘電体膜を形成する工程をさらに含んでもよい。このとき、前記第２の工程の後であって前記第３の工程の前に、前記第２の工程で形成された誘電体膜の表面を酸素プラズマで処理する工程をさらに含んでもよい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、高湿度や高温度などの環境による変化、劣化が抑制されるなど特性に優れており、また生産性が改善可能なコンデンサとその製造方法とを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２５】
（実施形態１）
実施形態１では、本発明のコンデンサの一例を説明する。実施形態１のコンデンサ１０の断面図を、図１（ａ）に示す。なお、本発明のコンデンサは、図１（ｂ）に示すコンデンサ１０ａのような形状でもよい。
【００２６】
図１（ａ）を参照して、コンデンサ１０は、支持体１１と、支持体１１上に形成された下部電極膜１２と、主に下部電極膜１２上に配置された誘電体膜１３と、主に誘電体膜１３上に配置された上部電極膜１４とを備える。ここで、誘電体膜１３は、樹脂膜（なお、樹脂膜中にさらに添加剤などを含んでもよい）である。すなわち、コンデンサ１０は、誘電体膜１３と、誘電体膜１３を挟んで対向して配置された１対の電極（下部電極膜１２および上部電極膜１４）とを備える。
【００２７】
支持体１１には、さまざまなものを用いることができる。具体的には、例えば、ポリエチレンテレフタレート（以下、ＰＥＴという場合がある）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリアミド（ＰＡ）、またはポリイミド（ＰＩ）などの高分子フィルムを用いることができる。支持体１１の厚さに限定はないが、一般的には、１μｍ〜７５μｍ程度の場合が多い。なお、下部電極膜１２が支持体を兼ねる場合には、支持体１１は不要である。また、下部電極膜１２、誘電体膜１３および上部電極膜１４を形成したのち、支持体１１を除去してもよい。すなわち、本発明のコンデンサは、支持体がないものであってもよい。
【００２８】
下部電極膜１２および上部電極膜１４には、導電性を有する膜を用いることができ、例えば金属膜を用いることができる。具体的には、アルミ、亜鉛、銅などを主成分とする金属膜を用いることができる。電極膜の膜厚については特に限定はないが、例えば、膜厚が１０ｎｍ〜１５０ｎｍの膜を用いることができ、好ましくは膜厚が２０ｎｍ〜５０ｎｍの膜を用いることができる。コンデンサ１０の下部電極膜１２と上部電極膜１４とは、それぞれ電気回路に接続される。電気回路に接続する方法としては、例えば、はんだ付け、金属溶射、クランプなどの方法を用いることができる。
【００２９】
誘電体膜１３は、下記の式（１）で示されるジビニルビフェニルを樹脂モノマーとして含む薄膜を形成したのち、上記薄膜中の樹脂モノマーを重合反応させることによって形成された膜である。
【００３０】
【化８】
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【００３１】
式（１）中、２つのベンゼン環が置換されている位置は、一方がメタ位、他方がメタ位またはパラ位である。
【００３２】
上記式（１）で示されるジビニルビフェニルを含む樹脂モノマーは、例えば、約−２０℃〜２０℃程度の温度範囲で液体であることが好ましい。樹脂モノマーが液体である場合、スパッタリング法に比べて高い成膜速度が実現可能な蒸着法によって上記モノマーを含む薄膜を成膜することが可能であり、また、上記薄膜における重合反応をより促進させることができる。
【００３３】
式（１）で示されるジビニルビフェニルは、２つのベンゼン環の置換位置が共にメタ位である場合（３，３’−ジビニルビフェニル）に最も融点が低くなり、室温では液体である。２つのベンゼン環がそれぞれメタ位およびパラ位で置換されている場合（３，４’−ジビニルビフェニル）は、その融点は３、３’−ジビニルビフェニルよりも高く、室温では固体である。このため、上述した観点から、式（１）で示されるジビニルビフェニルのうち、２つのベンゼン環が共にメタ位で置換されている３，３’−ジビニルビフェニルを樹脂モノマーが含むことが好ましい。しかし、樹脂モノマーが３、４’−ジビニルビフェニルを主成分として含む場合においても、３、３’−ジビニルビフェニルを、例えば、５重量％程度以上混合することによって、樹脂モノマーを室温で液体として取り扱うことができる。また、樹脂モノマーが式（１）で示されるジビニルビフェニル以外にも、上記ジビニルビフェニルの異性体である４、４’−ジビニルビフェニル（２つのベンゼン環の置換位置がともにパラ位である）を含んでいてもよい。４、４’−ジビニルビフェニルは、３、４’−ジビニルビフェニルよりもさらに融点が高いが、４、４’−ジビニルビフェニルを主成分として含む場合においても、例えば、３，３’−ジビニルビフェニルを５〜２０重量％程度、３，４’−ジビニルビフェニルを０〜１０重量％程度の割合で混合することによって、樹脂モノマーを室温で液体として取り扱うことができる。また、樹脂モノマーは、上述した以外のモノマー、有機化合物を含んでいてもよい。
【００３４】
複数の樹脂モノマーを含む場合、式（１）で示される樹脂モノマーの割合は本発明の効果が得られる範囲であればよく、例えば、すべての樹脂モノマーの５０重量％以上、７５重量％以上または９０重量％以上といった割合とすればよい。
【００３５】
誘電体膜１３の厚さは、例えば、０．０５μｍ〜１０μｍの範囲、０．０７μｍ〜１μｍの範囲、０．１μｍ〜０．５μｍの範囲などで自由に設定できる。
【００３６】
重合反応によって誘電体膜１３となる薄膜（図２（ｂ）の薄膜１３ａ）は、上記樹脂モノマーに加えて、さらに添加剤を含んでもよい。このような添加剤としては、例えば、重合開始剤、酸化防止剤、可塑剤、界面活性剤、密着性向上剤などが挙げられる。重合開始剤としては、例えば、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフェリノフェニル）−ブタノン−１、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド、２−メチル−１［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン（以上それぞれ、イルガキュア３６９、８１９および９０７、チバスペシャルティケミカルズ製）を用いることができる。また、酸化防止剤としては、例えば、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、ベンゼンプロパン酸，３，５−ビス（１，１−ジメチルエチル）−４−ヒドロキシ，Ｃ７−Ｃ９側鎖アルキルエステル、４，６ビス（オクチルチオメチル）−ｏ−クレゾール（以上それぞれ、ＩＲＧＡＮＯＸ−１０７６、１１３５および１５２０Ｌ、チバスペシャルティケミカルズ製）を用いることができる。
【００３７】
薄膜１３ａが重合開始剤を含む場合には、重合開始剤の含有量は、０．５重量％〜１０重量％であることが好ましく、１重量％〜３重量％であることが特に好ましい。重合開始剤の含有量を０．５重量％以上とすることによって、薄膜１３ａの硬化速度を速めることができる。また、重合開始剤の含有量を１０重量％以下とすることによって、樹脂モノマー３１（図３参照）のポットライフが短くなりすぎるのを防止できる。また、重合開始剤の含有量を１重量％〜３重量％とすることによって、硬化速度を速めるとともに、樹脂モノマー３１のポットライフが短くなることを防止し、コンデンサ１０の製造を容易にできる。
【００３８】
薄膜１３ａが酸化防止剤を含む場合には、酸化防止剤の含有量は、０．１重量％〜１０重量％であることが好ましく、０．５重量％〜５重量％であることが特に好ましい。酸化防止剤の含有量を０．１重量％以上とすることによって、誘電体膜１３の酸化を防止できる。また、酸化防止剤の含有量を１０重量％以下とすることによって、薄膜１３ａの硬化速度を実用的な値にすることができる。また、酸化防止剤の含有量を０．５重量％以上とすることによって、誘電体膜１３の酸化を顕著に防止できる。また、酸化防止剤の含有量を５重量％以下とすることによって、薄膜１３ａの硬化速度を好ましい値にすることができる。
【００３９】
以下に、上記式（１）で示されるジビニルビフェニルの製造方法の一例を説明する。
【００４０】
まず、以下の式（２）で示されるモノハロベンズアルデヒドをカップリング反応させることによって、以下の式（３）で示されるジホルミルビフェニルを製造する。式（２）におけるハロゲンＸとしては、塩素、臭素、ヨウ素などを用いることができる。
【００４１】
【化９】
2005183714.tif 000009
【００４２】
【化１０】
2005183714.tif 000010
【００４３】
式（２）中、ベンゼン環が置換されている位置はメタ位またはパラ位であり、式（３）中、２つのベンゼン環が置換されている位置はそれぞれ独立に、メタ位またはパラ位である。式（２）中の「Ｘ」は、ハロゲン原子を示している。
【００４４】
出発材料である式（２）で示されるモノハロベンズアルデヒドには、オルト体（２−ハロベンズアルデヒド）、メタ体（３−ハロベンズアルデヒド）およびパラ体（４−ハロベンズアルデヒド）の３種類の異性体が存在する。これらは市販されており、各々高純度のものを入手できる。例えば、出発材料として２−ハロベンズアルデヒドを選択することによって、２，２’−ジホルミルビフェニルが得られる。同様に、３−ハロベンズアルデヒドを選択することによって３，３’−ジホルミルビフェニルが得られ、４−ハロベンズアルデヒドを選択することによって４，４’−ジホルミルビフェニルが得られる。例えば、出発材料として、モノハロベンズアルデヒドのメタ体およびパラ体の混合物を用いた場合、ベンゼン環の置換位置が異なる３種類のジホルミルビフェニル異性体（３、３’−ジホルミルビフェニル、３，４’−ジホルミルビフェニル、４、４’−ジホルミルビフェニル）の混合物が得られる。
【００４５】
上記カップリング反応における触媒には、ビス（ブロモトリフェニルホスフィン）ニッケル（II）、ビス（クロロトリフェニルホスフィン）ニッケル（II）等の錯体化合物や、臭化ニッケルとトリフェニルホスフィンの混合物、塩化ニッケルとトリフェニルホスフィンの混合物等を用いることができる。また、溶媒には、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、イソプロピルエーテル、ジブチルエーテル等のエーテル系溶媒や、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、１−メチル−２−ピロリドン、ヘキサメチルホルホリルアミド等を用いることが好ましい。また、カップリング反応は、３０℃〜８０℃程度で、１時間〜１０時間程度行うことが好ましく、反応物の回収に用いる抽出溶媒としては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、イソプロピルエーテル、ジブチルエーテル等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル系溶媒等が適している。
【００４６】
次に、上述の式（３）で表されるジホルミルビフェニルをビニル化することによって、上述の式（１）で示されるジビニルビフェニルが製造できる。
【００４７】
カップリング反応の出発材料として３−ハロベンズアルデヒドを選択することによって３，３’−ジビニルビフェニルが得られ、４−ハロベンズアルデヒドを選択することによって４，４’−ジビニルビフェニルが得られる。また、３−ハロベンズアルデヒドと４−ハロベンズアルデヒドとの混合物を用いることによって、３，３’−ジビニルビフェニル、３、４’−ジビニルビフェニルおよび４，４’−ジビニルビフェニルの混合物が得られる。また、この混合物を精製することによって、３，４’−ジビニルビフェニルのみを得ることも可能である。精製には、一般的な方法を用いればよい。
【００４８】
ビニル化反応では、触媒として塩化アセチル、塩化トリメチルシラン等の酸塩化物で活性化された亜鉛を用いることができ、溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、１−メチル−２−ピロリドン、テトラヒドロフラン等を用いることが好ましい。また、ビニル化反応は、４０℃〜８０℃程度で、０．５時間〜５時間程度行うことが好ましく、反応物の回収に用いる抽出溶媒としては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、イソプロピルエーテル、ジブチルエーテル等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル系溶媒等が適している。
【００４９】
なお、上述のカップリング反応とビニル化反応とを行う順序を逆にしてもよい。この場合でも、同様の出発材料から、同様のジビニルビフェニルが得られる。
【００５０】
次に、コンデンサ１０の製造方法について説明する。図２に、製造工程の一例を示す。
【００５１】
図２（ａ）を参照して、まず、支持体１１上に、下部電極膜１２を形成する。下部電極膜１２は、電子ビーム蒸着、抵抗加熱蒸着、誘導加熱蒸着などの真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法またはメッキ法などで形成できる。なお、下部電極膜１２を所定の形状に形成するには、メタルマスクを用いたり、フォトリソグラフィーやエッチングなどの技術を用いたりすればよい。
【００５２】
次に、図２（ｂ）に示すように、式（１）で示される樹脂モノマーを含む薄膜１３ａを形成する（第１の工程）。薄膜１３ａは、下部電極膜１２上に形成される。薄膜１３ａは、重合反応によって誘電体膜１３となる膜であり、上述した式（１）で示される樹脂モノマーや上述した添加剤を含む。薄膜１３ａは、例えば蒸着法によって形成できる。具体的には、図３に示すように、真空下で、式（１）で示される樹脂モノマー３１を入れた容器３２を下部電極膜１２に向けて配置し、容器３２を加熱して樹脂モノマーを蒸発させることによって形成できる。薄膜１３ａを所定の形状に形成するには、メタルマスク（図示せず）を用いればよい。
【００５３】
次に、薄膜１３ａ中の樹脂モノマーを重合反応させることによって、図２（ｃ）に示すように、誘電体膜１３を形成する（第２の工程）。重合反応（硬化）は、例えば、薄膜１３ａに紫外線や電子線を照射することによって起こさせることができる。
【００５４】
式（１）で示されるジビニルビフェニルにおいて、２つのベンゼン環が共にメタ位で置換されている（３，３’−ジビニルビフェニル）場合、２つのベンゼン環の一方がメタ位、他方がパラ位で置換されている（３，４’−ジビニルビフェニル）場合に比べて、分子内における官能基としてのビニル基間距離が短くなり、重合硬化反応がより進みやすくなる傾向にある。このため、有機化合物における２つのベンゼン環が共にメタ位で置換されている場合、コンデンサとしての誘電正接をより小さくすることができる。同様に、式（１）で示されるジビニルビフェニルの異性体である４，４’−ジビニルビフェニルを主成分として含む樹脂モノマーにおいても、式（１）で示されるジビニルビフェニルを混合することによって、硬化速度をより向上させることができ、コンデンサとしての誘電正接をより改善することができる。
【００５５】
なお、第１の工程と第２の工程とを複数回繰り返すことによって誘電体膜を形成してもよい。このような方法は、樹脂モノマーが室温で液体である場合や、厚い誘電体膜を形成する場合に有効である。この場合、１対の電極に挟まれる誘電体膜は、複数の誘電体膜の積層体によって構成される。また、誘電体膜の一部の上に一対の電極の一部となる金属膜を形成する第３の工程をさらに含み、第１〜第３の工程を繰り返すことによって、複数の金属膜が平行に埋め込まれた誘電体膜を形成してもよい。この方法によれば、実施形態２で説明するコンデンサを製造できる。また、この場合、第２の工程の後であって第３の工程の前に、第２の工程で形成された誘電体膜の表面を酸素プラズマで処理する工程を含んでもよい。
【００５６】
次に、図２（ｄ）に示すように、下部電極膜１２と同様の方法によって、上部電極膜１４を形成する。このようにして、コンデンサ１０を製造できる。なお、コンデンサ１０ａについても同様の製造方法で製造できる。
【００５７】
上記実施形態１のコンデンサでは、誘電体膜１３が、高湿度下や高温度下でも変質しにくいため、環境による変化、劣化などが少ない、優れた特性を有するコンデンサが得られる。また、コンデンサの製造にあたって蒸着法を用いることができるため、誘電体膜の成膜速度を向上させることができ、生産性に優れるコンデンサが得られる。
【００５８】
（実施形態２）
実施形態２では、本発明を積層型のコンデンサに適用した一例を用いて説明する。実施形態２のコンデンサ４０の断面図を図４に示す。なお、実施形態１で説明した部分と同様の部分については重複する説明を省略する。
【００５９】
図４を参照して、コンデンサ４０は、誘電体膜４１（ハッチングは省略する）と、誘電体膜４１を挟んで対向して配置された電極４２および４３とを備える。電極４２は、誘電体膜４１の表面に形成された第１の外部電極４２ｂと、誘電体膜４１の内部に配置され且つ第１の外部電極４２ｂに接続された複数の第１の電極膜４２ａとを備える。また、電極４３は、誘電体膜４１の表面に形成された第２の外部電極４３ｂと、誘電体膜４１の内部に配置され且つ第２の外部電極４３ｂに接続された複数の第１の電極膜４２ａとを備える。そして、第１の電極膜４２ａと第２の電極膜４３ａとは、互いに接触しないように、誘電体膜４１中で平行且つ交互に配置されている。図４に示すように、コンデンサ４０は、誘電体層と電極膜とからなるユニットが積層された構造を有する。
【００６０】
さらにコンデンサ４０は、誘電体膜４１中であって、電極膜４２ａおよび４３ａの外側に配置された金属薄膜４４を備える。コンデンサ４０のうち、電極膜４２ａおよび電極膜４３ａが存在する部分が素子層４０ａとなる。また、コンデンサ４０のうち、金属薄膜４４が形成されている部分が補強層４０ｂとなる。また、コンデンサ４０のうち、誘電体膜４１のみの部分が保護層４０ｃとなる。補強層４０ｂおよび保護層４０ｃは、素子層４０ａが熱負荷や外力によって損傷を受けるのを防止する層である。なお、補強層４０ｂや保護層４０ｃがないコンデンサであってもよいことはいうまでもない。
【００６１】
誘電体膜４１は、実施形態１で説明した誘電体膜１３と同様のものであり、同様の製造方法によって製造できる。以下、実施形態２のコンデンサ４０の製造方法の一例について具体的に説明する。
【００６２】
コンデンサ４０を製造するための製造装置の一例を図５に模式的に示す。図５の製造装置５０は、真空容器５１と、真空容器５１内に配置されたキャンローラ５２と、キャンローラ５２の周辺に配置された樹脂蒸発源５３、樹脂硬化装置５４、表面処理装置５５、パターニング材料付与装置５６、金属蒸着源５７およびパターニング材料除去装置５８とを備える。真空容器５１は、真空ポンプ５９によって減圧される。
【００６３】
キャンローラ５２は、図中の矢印の方向に回転する。回転速度は自由に設定でき、例えば１５〜７０ｒｐｍ程度としてもよい。キャンローラ５２の外周面は、平滑（好ましくは鏡面状）に仕上げられており、その温度は−２０℃〜４０℃（例えば−１０℃〜１０℃）に制御されている。
【００６４】
樹脂蒸発源５３は、キャンローラ５２の表面に向けて樹脂モノマーを蒸発気化させる。キャンローラ５２の表面に蒸着された樹脂モノマーは薄膜を形成する。樹脂モノマー以外の添加剤も、必要に応じて、樹脂蒸発源５３から蒸着できる。
【００６５】
形成された薄膜は、その中に含まれる樹脂モノマーが樹脂硬化装置５４によって重合（および／または架橋）され、誘電体膜となる。樹脂硬化装置５４としては、例えば、電子線照射装置または紫外線照射装置を用いることができる。重合の度合いは、照射する電子線や紫外線の量などによって制御できる。
【００６６】
キャンローラ５２上に形成された誘電体膜は、必要に応じて、表面処理装置５５によって表面処理がなされる。具体的には、酸素プラズマ処理などの処理を行う。酸素プラズマ処理を行うことによって、誘電体膜の表面に酸素を結合させ、その上に形成される金属膜と誘電体膜との結合力を高めることができる。
【００６７】
次に、誘電体膜上に、パターニング材料付与装置５６によってパターニング材料を所定の形状に堆積させる。パターニング材料が堆積した箇所には、以下の工程で金属薄膜は形成されず、この部分が電気絶縁帯となる。パターニング材料としては、例えばオイルを使用できる。パターニング材料の付与は、蒸発気化させたパターニング材料をノズルから噴射して誘電体膜表面で液化させる方法や、液状のパターニング材料を噴射する方法といった非接触の方法のほか、リーバースコートやダイコートといった塗布による方法によって行うことができる。これらの中でも、蒸発させたパターニング材料を誘電体膜表面で液化させる方法が、誘電体膜を変形させず且つ容易であるので好ましい。
【００６８】
パターニング材料付与装置５６の一例の概略斜視図を図６に示す。図６の装置は、蒸発させたオイルを噴射することによって、誘電体膜表面に帯状のオイル膜を形成する。パターニング材料付与装置５６の面６１は、キャンローラ５２の外周面の法線に垂直となるように配される。面６１には、気化したオイルが噴出されるノズル６２が所定の間隔で、所定の数だけ配されている。ノズル６２の形状および配置は図６のものに限定されない。例えば、ノズル６２は、図６のような円形のほか、楕円状や角型状であってもよい。
【００６９】
図５の装置を用いて積層体を形成する場合、積層数が多くなるにつれて積層体が厚くなる。このため、積層体の表面とパターニング材料付与装置５６のノズル部分との距離Ｄｎ（図５参照）が一定になるように、パターニング材料付与装置５６の位置を制御することが好ましい。パターニング材料付与装置５６の位置は、距離Ｄｎを測定する装置とパターニング材料付与装置５６を移動させる装置とによって制御できる。距離Ｄｎを測定する装置としては、例えば、レーザを用いた距離測定装置を適用できる。パターニング材料付与装置５６を移動させる装置としては、例えばアクチュエータを用いることができる。
【００７０】
補強層と素子層との切り替え、および、素子層における電極膜の電気絶縁帯位置の切り替えは、パターニング材料の付着位置をキャンローラ５２の外周面の法線方向に変えることによって行うことができる。
【００７１】
パターニング材料が塗布された樹脂膜には、金属蒸着源５７によって金属膜が形成される。金属膜は、パターニング材料が存在しない部分に形成される。ここで形成される金属膜が、素子層の電極膜および補強層の金属薄膜となる。蒸着金属としては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｕ、ＡｇおよびＰｔからなる群から選ばれる少なくとも１つを使用できる。なお、蒸着に代えて、スパッタリングやイオンプレーティングといった一般的な手段で金属膜を形成してもよい。
【００７２】
次に、パターニング材料除去装置５８によって、パターニング材料が除去される。なお、パターニング材料の大部分は金属膜を形成する際に蒸発して消失するが、パターニング材料除去装置５８によって残存するパターニング材料を確実に除去することが好ましい。パターニング材料の除去手段は特に制限はないが、例えばパターニング材料がオイルの場合は、ヒーターによる加熱蒸発、またはプラズマ照射による分解除去、あるいはこれらの組み合わせにより行うことができる。このとき、照射するプラズマには、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ、窒素プラズマといったプラズマを使用できるが、この中でも酸素プラズマが特に好ましい。
【００７３】
以上の工程を必要な回数だけ繰り返すことによって、キャンローラ５２の外周面に、誘電体膜と金属膜とが順次積層された積層体が形成される。次に、円筒状の積層体を半径方向に分割（例えば、４５°ごとに８分割）して、キャンローラ５２から取り外し、それぞれ加熱・加圧プレスをすることにより平板状の母素子を得る。
【００７４】
このようにして得られる平板状の母素子の一部斜視図を図７に示す。図中、矢印７１は、キャンローラ５２上での移動方向（円周方向）を示している。図７に示すように、母素子７０は、積層された誘電体膜７２および金属膜７３を含む。母素子７０を切断面７４ａで切断し、切断面７４ａ面に外部電極を形成したのち、切断面７４ｂで更に切断することによって、図４に示すコンデンサが得られる。
【００７５】
外部電極は、例えば黄銅等の金属を溶射することによって形成することができる。この際、溶射する金属を変更して複数の金属層からなる外部電極を形成してもよい。例えば、積層体との付着強度が良好な金属層を形成したのち、その上に、他の金属層を形成してもよい。最表面の金属層は、その上に接触させる各種金属又は樹脂との接着性が良好な金属で形成できる。
【００７６】
また、実装時の半田付け性を向上させるために、外部電極の上に、溶解錫めっき、鉛フリーはんだの溶融めっき、電解あるいは無電解錫めっき等を施してもよい。その場合には、溶射された金属層の表面に、めっきの下地層を形成してもよい。下地層としては、熱硬化性フェノール樹脂中に銅粉等を分散した導電性ペーストを塗布して加熱硬化させた層、あるいは銅／リン／銀からなる合金の金属溶射層などを適用できる。
【００７７】
また、外部電極にバンプ電極を設けてもよい。これにより、回路基板への実装がより容易になる。バンプ電極としては、周知の材料、形状のものから適宜選択して設けることができる。
【００７８】
さらに、用途に応じて必要な外装を行ってもよい。例えば、積層体の耐湿性の向上や、露出した金属膜の保護を目的として、素子の表面に保護層を形成してもよい。保護層は、例えば、シランカップリング剤等の表面処理剤を厚さ数ｎｍ程度にコーティングしたり、金属膜が露出している面に、光硬化性樹脂または熱硬化性樹脂を厚さ数百μｍ程度に塗布し、硬化させることによって形成できる。
【００７９】
なお、図５の装置では、円筒状のキャンローラ５２上に積層体を形成したが、積層体を形成する支持体はこれに限られず、真空装置内で周回するものであれば構わない。例えば、複数本のロールの間を周回するベルト状支持体上に積層体を形成してもよい。ベルト状支持体としては、金属、樹脂、布帛、あるいはこれらの複合体などからなるものを使用できる。また、回転する円盤も使用できる。
【００８０】
上記実施形態２のコンデンサ４０では、誘電体膜４１が、高湿度下や高温度下でも変質しにくいため、環境による変化、劣化などが少ない、優れた特性を有するコンデンサが得られる。また、コンデンサの製造にあたって蒸着法を用いることができるため、誘電体膜の成膜速度を向上させることができ、生産性に優れるコンデンサが得られる。
【００８１】
なお、実施の形態１と同様に、誘電体膜４１の形成に用いる樹脂モノマーは、すべて式（１）で示されるジビニルビフェニルであってもよいし、他のモノマー、有機化合物などを含んでいてもよい。また、誘電体膜４１が添加剤を含んでいてもよい。これによって、硬化速度の調整や誘電体膜４１の酸化の抑制が可能となる。
【実施例】
【００８２】
以下、実施例を用いて本発明を更に詳細に説明する。
【００８３】
（実施例１）
実施例１では、図１（ａ）に示したコンデンサを作製した一例について、図２を参照しながら説明する。
【００８４】
最初に、上述した式（１）で示されるジビニルビフェニルを含む樹脂モノマーのサンプルを４種類（サンプル１〜４）準備した。サンプル１は式（１）で示されるジビニルビフェニル（３、３’−ジビニルビフェニルおよび３，４’−ジビニルビフェニル）の他に、上記ジビニルビフェニルの異性体（４，４’ジビニルビフェニル）を含んでいる（具体的な組成比については後述する。サンプル３についても同様である）。サンプル２は３，３’−ジビニルビフェニルからなり、サンプル３は３，３’−ジビニルビフェニルと３，４’−ジビニルビフェニルとの混合物からなる。また、サンプル２に酸化防止剤としてＩＲＧＡＮＯＸ１５２０Ｌを添加（３重量％）した樹脂モノマーをサンプル４とした。各々のサンプルの具体的な作製方法は、後述する。
【００８５】
次に、準備した樹脂モノマー（サンプル１〜４）を用いてコンデンサ（同様にサンプル１〜４とし、樹脂モノマーのサンプル１を用いたコンデンサをサンプル１とする。以下同様にコンデンサのサンプル２〜４とする）を作製した。コンデンサの作製方法を以下に示す。
【００８６】
まず、厚さ２５μｍのＰＥＴ基板（支持体１１）を用意し、このＰＥＴ基板上に、アルミニウムからなる下部電極膜１２（厚さ３０ｎｍ）を、１００ｎｍ／秒の堆積速度で蒸着した（図２（ａ）参照）。
【００８７】
その後、下部電極膜１２上に、樹脂モノマーのサンプル１〜４を各々蒸着し、樹脂モノマーからなる薄膜１３ａ（厚さ２００ｎｍ）を形成した（図２（ｂ）参照）。具体的には、樹脂モノマーを収容した容器を、蒸着速度が５００ｎｍ／秒となるように加熱し、下部電極膜１２の一部が露出する位置に薄膜１３ａを形成した。
【００８８】
その後、１５ｋＶの電圧で加速した電子を５０μＡ／ｃｍ2の密度で２秒間、薄膜１３ａに照射することによって、薄膜１３ａ中の樹脂モノマーを重合させ、誘電体膜１３を形成した（図２（ｃ）参照）。その後、誘電体膜１３の上方であって下部電極膜１２と接触しない位置に、アルミニウムからなる上部電極膜１４を、１００ｎｍ／秒の堆積速度で蒸着した（図２（ｄ）参照）。
【００８９】
このようにして、４種類のコンデンサ（サンプル１〜４）を作製した。
【００９０】
また、比較例として、上述した式（Ａ）および式（Ｂ）で示される有機化合物を樹脂モノマーとして用い、各々サンプル１〜４と同様にしてコンデンサ（サンプルＡおよびＢ）を作製した。
【００９１】
このように準備した６種類のコンデンサ（実施例４種類、比較例２種類）について、吸湿容量変化率、高温負荷容量変化率、および、誘電正接（ｔａｎδ）を評価した。測定方法の詳細については後述する。評価結果を表１に示す。
【００９２】
【表１】
2005183714.tif 000011
【００９３】
表１に示すように、サンプル１〜４のコンデンサは、上記いずれの評価においても、比較例であるサンプルＡおよびＢのコンデンサよりも優れた特性を示した。すなわち、式（１）で示されるジビニルビフェニルを含む樹脂モノマーを用いて誘電体膜を形成することによって、高湿度下および高温度下においても優れた特性を示すコンデンサが得られた。さらに、誘電正接（ｔａｎδ）についても、サンプル１〜４のコンデンサは比較例であるサンプルＡおよびＢのコンデンサよりも値が小さくなり、損失が低減されたコンデンサが得られた。
【００９４】
なかでもサンプル２の誘電正接（ｔａｎδ）の値が最も小さく、２つのベンゼン環の置換位置が共にメタ位であるジビニルビフェニルを樹脂モノマーとして用いることによって、より特性に優れるコンデンサが得られる結果となった。これは、上述したように、２つのベンゼン環のメタ位−メタ位にビニル基が配置されると、そうでない場合に比べて官能基間の距離が短くなり、樹脂モノマーの硬化がより進みやすいからであると推定される。
【００９５】
さらに、酸化防止剤を添加したサンプル４では、未添加のサンプル２に比べて高温負荷容量変化率がより小さくなった。このことから、酸化防止剤を添加することによって、高温時に酸化しにくい（すなわち、劣化しにくい）コンデンサが得られることがわかった。
【００９６】
このように、式（１）で示されるジビニルビフェニルを含む樹脂モノマーを用いて形成した誘電体膜は高湿度下や高温度下においても変質しにくいため、環境による変化、劣化などが少ない、優れた特性を有するコンデンサが得られる。また、製造時に蒸着法を用いることができるため誘電体膜の成膜速度を向上させることができ、生産性に優れるコンデンサが得られる。
【００９７】
次に、表１に示した各特性の評価方法について詳述する。
【００９８】
吸湿容量変化率については、以下の様に評価した。まず、コンデンサを１０５℃の環境下で１０時間乾燥させ、初期容量Ｃ11を測定した。容量は、周波数１ｋＨｚ、電圧１Ｖｒｍｓの正弦波をコンデンサに加えて測定した。その後、温度６０℃、湿度９５％Ｒｈの環境下でコンデンサを１００時間放置し、放置後の容量（吸湿時の容量）Ｃ12を、初期容量と同様の条件で測定した。吸湿容量変化率は、（Ｃ12−Ｃ11）×１００／Ｃ11（％）で示される値である。吸湿容量変化率が小さいほど、湿度環境下における容量安定性が高く、製品として好ましい。したがって、この吸湿容量変化率ができるだけ小さいことが特に重要である。
【００９９】
高温負荷容量変化率については、以下のように評価した。まず、コンデンサを１０５℃の環境下で１０時間乾燥させ、初期容量Ｃ21を測定した。容量は、周波数１ｋＨｚ、電圧１Ｖｒｍｓの正弦波をコンデンサに加えて測定した。その後、温度１０５℃の環境下でコンデンサに１６Ｖの直流電圧を印加した状態で５０００時間放置し、放置後の容量Ｃ22を、初期容量と同様の条件で測定した。高温負荷容量変化率は、（Ｃ22−Ｃ21）×１００／Ｃ21（％）で示される値である。次に、温度１０５℃の環境下でコンデンサに１６Ｖの直流電圧を印加した状態でさらに５０００時間（合計１００００時間）放置し、放置後の容量Ｃ23を、初期容量と同様の条件で測定した。１００００時間放置後の高温負荷容量変化率は、（Ｃ23−Ｃ21）×１００／Ｃ21（％）で示される値である。高温負荷容量変化率の絶対値が小さいほど、高温時に酸化しにくいことを示しており、製品として好ましい。特に、近年はＣＰＵの高速化などに伴う電子部品の耐高温性が重要になってきており、高温負荷容量変化率の絶対値が小さいことが、コンデンサの評価の重要な指標となる。
【０１００】
誘電正接（ｔａｎδ）については、周波数１ｋＨｚ、電圧１Ｖｒｍｓの正弦波をコンデンサに加えて測定した。誘電正接が小さいほど、コンデンサ自体で消費する電力がより小さく、製品として好ましい。
【０１０１】
次に、樹脂モノマーのサンプル１〜４の作製方法について説明する。
【０１０２】
サンプル２（３、３’−ジビニルビフェニル）の作製方法について説明する。
【０１０３】
最初に、３−ブロモベンズアルデヒド（東京化成工業株式会社製）：１００ｇ（０．５４０５ｍｏｌ）と、亜鉛粉末：５２．６９ｇ（０．８１０７ｍｏｌ）と、ビス（ブロモトリフェニルホスフィン）ニッケル（II）（Ａｌｄｒｉｃｈ社製）：４０．１６ｇ（０．０５４０５ｍｏｌ）と、ヨウ化カリウム：８．９７ｇ（０．０５４０５ｍｏｌ）と、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド：１リットルとを反応容器中に投入した。次に、反応容器内を脱気したのち、反応容器内にアルゴンガスを封入した。次に、反応容器を４０℃で５時間維持し、カップリング反応を起こさせた。その後、反応容器を室温に戻し、反応を終了させた。
【０１０４】
次に、反応後の溶液を濾過したのち、分液ロートに移した。そして、溶液に酢酸エチル：３００ｍｌと、５％塩酸水：１００ｍｌと、純水：１９００ｍｌとを加え、溶液内の有機成分を酢酸エチル層に抽出した。その後、溶液から抽出された有機成分を含む酢酸エチル層を分離した。
【０１０５】
次に、酢酸エチル層を中性化した。具体的には、５％塩酸水１００ｍｌによる洗浄と、５％重曹水１００ｍｌによる洗浄と、純水３００ｍｌによる２回の洗浄とを、この順序で行った。
【０１０６】
次に、洗浄後の酢酸エチル層を、硫酸ナトリウムで濾過した。最後に、減圧雰囲気下で酢酸エチルを除去した。以上の操作によって、白色〜薄黄色の粉末を得た。
【０１０７】
次に、得られた粉末にシクロヘキサンを１０ｗｔ％になるように加えた。そして、約７５℃まで加熱し、粉末を完全に溶解させた。その後、溶液を室温に戻したのち、減圧濾過して固体成分を回収した。このようにして、３，３’−ジホルミルビフェニル４５．４０ｇ（０．２１６２ｍｏｌ）を製造した。
【０１０８】
次に、以下の工程によって、３，３’−ジホルミルビフェニルのビニル化反応を行った。
【０１０９】
まず、亜鉛粉末：１０４．６０ｇ（１．６０ｍｏｌ）と、塩化アセチル：１．２６ｇ（０．０１６ｍｏｌ）と、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド：２００ｍｌとを反応容器中に投入した。次に、反応容器内を脱気し、反応容器内にアルゴンを封入した。
【０１１０】
次に、反応容器を７０℃に加熱した。そして、３，３’−ジホルミルビフェニル：４２．００ｇ（０．２０ｍｏｌ）と、ジブロモメタン：１０４．３０ｇ（０．６０ｍｏｌ）と、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド：８００ｍｌとを混合した溶液を、反応容器内の溶液に滴下した。滴下後、反応容器の温度を７０℃に０．５時間維持し、ビニル化反応を起こさせた。その後、反応容器を室温まで冷却した。
【０１１１】
次に、反応後の溶液に、酢酸エチル：３００ｍｌと、５％塩酸水：１００ｍｌと、純水：１９００ｍｌとを加え、溶液内の有機成分を酢酸エチル層に抽出した。そして、溶液から抽出された有機成分を含む酢酸エチル層を分離した。
【０１１２】
次に、酢酸エチル層を中性化した。具体的には、５％塩酸水１００ｍｌによる洗浄と、５％の重曹水１００ｍｌによる洗浄と、純水３００ｍｌによる２回の洗浄を、この順序で行った。
【０１１３】
次に、洗浄後の酢酸エチル層を、硫酸ナトリウムで濾過した。最後に、減圧雰囲気下で酢酸エチルを除去した。以上の操作によって、無色透明の液体３２．９６ｇを得た。
【０１１４】
このようにして得られた液体について、ガスクロマトグラフィー・質量分析（ＧＣ−ＭＳ）による分析を行なった結果、ジビニルビフェニルの質量数、Ｍ／ｅ＝２０６を示す単一の化合物からなることが判明した。次に、プロトン核磁気共鳴法（1ＨＮＭＲ）による分析を行なった結果、ビニル基に基づく５．２〜５．３ｐｐｍ辺りの２本の吸収ピーク、５．７〜５．８ｐｐｍ辺りの２本の吸収ピーク、６．７〜６．８ｐｐｍ辺りの４本の吸収ピークと、ビフェニルの３，３’位が置換されていることに基づく７．３〜７．５ｐｐｍ辺りの複数の吸収ピーク、７．６ｐｐｍ辺りの１本の吸収ピークが検出された。以上のことから、最終的に得られた液体は、以下の化学式（４）で示される３，３’−ジビニルビフェニルであることが判明した。
【０１１５】
【化１１】
2005183714.tif 000012
【０１１６】
サンプル１は、出発材料を３−ブロモベンズアルデヒドと４−ブロモベンズアルデヒドとの１：１混合物とし、サンプル２と同様の方法を用いて作製した。それぞれ、得られた液体について、ガスクロマトグラフィーおよび質量分析（ＧＣ−ＭＳ）を行った結果、ジビニルビフェニルに対応する質量数Ｍ／ｅ＝２０６を示す３種類の生成物が検出された。３種類の生成物の含有率はそれぞれ２４％、２６％、５０％であった。
【０１１７】
次に、この液体をカラムクロマト法によって３種類の生成物ごとに分離した。
【０１１８】
それぞれについてプロトン核磁気共鳴法（1ＨＮＭＲ）による分析を行った。その結果、ビニル基に基づく５．１〜５．２ｐｐｍ辺りの２本の吸収ピーク、５．６〜５．７ｐｐｍ辺りの２本の吸収ピーク、６．６〜６．７ｐｐｍ辺りの４本の吸収ピークが、いずれの生成物からも検出された。
【０１１９】
３種類の生成物のうち、含有率２４％の生成物からはビフェニルの３，３’位が置換されていることに基づく７．３〜７．５ｐｐｍ辺りの複数の吸収ピーク、７．６ｐｐｍ辺りの１本の吸収ピークが検出され、含有率２４％の生成物が３，３’−ジビニルビフェニルであることが判明した。含有率２６％の生成物からは、ビフェニルの４，４’位が置換されていることに基づく７．１〜７．３ｐｐｍ辺りの４本の吸収ピークが検出され、含有率２６％の生成物が４，４’−ジビニルビフェニルであることが判明した。含有率５０％の生成物からは、ビフェニルが有する２つのベンゼン環のうち、一方の４位が置換されていることに基づく７．１〜７．３ｐｐｍ辺りの４本の吸収ピーク、および、他方の３位が置換されていることに基づく７．３〜７．５ｐｐｍ辺りの複数の吸収ピークと７．６ｐｐｍ辺りの１本の吸収ピークとが検出された。これにより、含有率５０％の生成物は３，４’−ジビニルビフェニルであることが判明した。
【０１２０】
以上のことから、最終的に得られた液体は、上記式（１）で示されるジビニルビフェニルを含んでおり、得られた液体のうち２４％がメタ，メタジビニル体であり、５０％がメタ，パラジビニル体であることが判明した（残り２６％は、パラ、パラジビニル体である）。このようにして作製したジビニルビフェニルを、樹脂モノマーサンプル１とした。
【０１２１】
サンプル３は、まず、サンプル１と同様に作製した３種類の異性体を含むジビニルビフェニルから、カラムクロマト法によって３，４’−ジビニルビフェニルのみを精製して取り出し、サンプル２と同様にして作製した３，３’−ジビニルビフェニルと１：１で混合して作製した。
【０１２２】
（実施例２）
本実施例では、図４に示したコンデンサを製造した一例について、図５を参照しながら説明する。
【０１２３】
最初に、コンデンサの保護層となる部分をキャンローラ５２の外周面に積層させた。保護層の材料には実施例１で作製した樹脂モノマーのサンプル２を用い、これを樹脂蒸発源５３において気化させ、キャンローラ５２の外周面に堆積し、薄膜とした。このとき、真空容器５１の内部を２×１０-4Ｔｏｒｒの圧力下とし、キャンローラ５２の外周面を５℃に維持した。以降の工程においても同様である。次に、樹脂硬化装置５４として紫外線硬化装置を用い、キャンローラ５２の外周面に堆積させた薄膜を重合、硬化させ、誘電体膜を形成した。上述の堆積−重合の操作を、キャンローラ５２を回転させることにより繰返し、キャンローラ５２外周面に厚さ１５μｍの保護層を形成した。
【０１２４】
次に、コンデンサの補強層となる部分を保護層上に積層させた。補強層の材料には、上述の保護層に用いた材料と同じ材料を用い、これを樹脂蒸発源５３において気化させ、保護層上に堆積し、薄膜とした。続いて、紫外線硬化装置を用い、保護層上に堆積させた薄膜を重合、硬化させ、誘電体膜を形成した。このとき形成した誘電体膜の厚さは０．４μｍとした。次に、表面処理装置５５により、形成した誘電体膜の表面を酸素プラズマ処理した。続いて、パターニング材料付与装置５６により、誘電体膜上の電気絶縁帯を形成する部分にパターニング材料を付着させた。パターニング材料にはフッ素系オイルを使用し、これを気化させて直径５０μｍのノズルより噴出させることによって、幅１５０μｍの帯状に付着させた。次に、金属蒸発源５７により誘電体膜上にアルミニウムを金属蒸着させ、金属薄膜を形成した。金属薄膜の蒸着厚さは３０ｎｍとし、その膜抵抗は３Ω／□であった。次に、パターニング材料除去装置５８を用い、遠赤外線ヒーターによる加熱およびプラズマ放電処理によって、残存したパターニング材料を誘電体膜上から除去した。以上の操作を、キャンローラ５２を回転させることにより５００回繰り返し、総厚さ２１５μｍの補強層を形成した。なお、パターニング材料付与装置５６のノズルと被付着表面との距離Ｄｎは、常に２５０〜３００μｍの範囲が維持できるように制御した。
【０１２５】
次に、誘電体膜と電極膜とからなる素子層を積層した。誘電体膜の材料には、上述の保護層および補強層の材料と同一の材料を用い、これを樹脂蒸発源５３において気化させ、補強層上に堆積し、薄膜とした。続いて、紫外線硬化装置を用い、補強層上に堆積させた薄膜を重合、硬化させ、誘電体膜を形成した。このとき形成した誘電体膜の厚さは０．４μｍとした。次に、表面処理装置５５により、形成した誘電体膜の表面を酸素プラズマ処理した。続いて、パターニング材料付与装置５６により、誘電体膜上の電気的絶縁部に相当する部分にパターニング材料を付着させた。パターニング材料にはフッ素系オイルを使用し、これを気化させて直径５０μｍのノズルより噴出させることによって幅０．１５ｍｍの帯状に付着させた。次に、金属蒸発源５７により誘電体膜上にアルミニウムを金属蒸着させた。アルミニウムの蒸着厚さは２５ｎｍとし、その膜抵抗は６Ω／□であった。その後、パターニング材料除去装置５８を用い、赤外線ヒーターによる加熱およびプラズマ放電処理によって、残存したパターニング材料を除去した。以上の操作を、キャンローラ５２を回転させることにより２０００回繰り返し、総厚さ８５０μｍの素子層を形成した。なお、パターニング材料付与装置５６のノズルと被付着表面との距離Ｄｎは、常に２５０〜３００μｍの範囲が維持できるように制御した。
【０１２６】
次に、素子層の表面に、上述した方法を用いて厚さ２１５μｍの補強層を形成し、形成した補強層の表面に、上述した方法を用いて厚さ１５μｍの保護層を形成することによって、円筒状の積層体を得た。
【０１２７】
次に、得られた積層体を半径方向に８分割（４５°ごとに切断）して取り外し、加熱下でプレスすることによって、図７に示すような平板状の積層体母素子を得た。これを、図７に示す切断面７４ａで切断し、切断面に黄銅を金属溶射して外部電極を形成した。さらに、金属溶射表面に熱硬化性フェノール樹脂中に銅粉を分散させた導電性ペーストを塗布した後に加熱硬化させ、さらに、硬化させた樹脂の表面に溶融ハンダメッキを施した。その後、図７に示す切断面７４ｂに相当する箇所で切断し、図４に示すようなチップコンデンサを得た。得られたチップコンデンサは、積層方向の厚さ１．３ｍｍ、奥行１．６ｍｍ、幅（両外部電極間方向）３．２ｍｍであり、小型ながら容量は０．４７μＦであった。また、絶縁抵抗は７．５×１０10Ω、耐電圧は４８Ｖであった。容量、絶縁抵抗、耐電圧の測定には、一般的な測定手法を用いた。
【０１２８】
このようにして作製したチップコンデンサに対して、実施例１と同様の測定を行った結果、吸湿容量変化率が０％〜＋１％の範囲、高温負荷容量変化率が−２％〜１％の範囲、誘電正接（ｔａｎδ）０．０３％と、実施例１におけるコンデンサのサンプル２と同様な特性が得られた。
【０１２９】
以上、本発明の実施の形態について例を挙げて説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されず本発明の技術的思想に基づき他の実施形態に適用することができる。例えば、本発明のコンデンサは、図１や図４に示すようなコンデンサに限らず、様々な形態のコンデンサに応用することができる。具体的な例としては、例えば、フィルムコンデンサに使用されるポリエチレンテレフタレートフィルムやポリエチレンナフタレートフィルムのように可撓性を有し、誘電正接が大きい誘電体の表面に、上述した樹脂モノマーを直接コーティング、重合させて誘電体膜を形成したコンデンサであってもよい。あるいは、例えば、上記フィルムの両面に、アルミニウムからなるストライプ状の電極を予め形成しておき、上記電極の対抗面よりやや広く、上述した樹脂モノマーをストライプ状にコーティング、重合させて誘電体膜を形成したコンデンサであってもよい。これらの形態のコンデンサとした場合でも、誘電正接が低減されたコンデンサを得ることができる。また、ストリップ線路をコンデンサとして使用する場合、同様に形成した誘電体膜を基板やオーバーコート層に用いることにより、例えば、少なくとも周波数が１００Ｈｚから４ＧＨｚまでの範囲において、０．１％から０．３％と非常に低い誘電正接が実現できる。
【産業上の利用可能性】
【０１３０】
以上説明したように、本発明によれば、高湿度や高温度などの環境による変化、劣化が抑制されるなど特性に優れており、また生産性が改善可能なコンデンサとその製造方法とを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１３１】
【図１】本発明のコンデンサについて（ａ）一例の断面および（ｂ）他の一例の断面を示す図である。
【図２】本発明のコンデンサについて製造方法の一例を示す工程断面図である。
【図３】図２に示した製造工程の一過程を示す図である。
【図４】本発明のコンデンサについてその他の一例を示す（ａ）断面図および（ｂ）斜視図である。
【図５】本発明のコンデンサの製造に用いられる装置の一例を模式的に示す図である。
【図６】図５の装置の一部を示す斜視図である。
【図７】図５の装置で製造される母素子の一例を模式的に示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１３２】
１０、１０ａ、４０  コンデンサ
１１  支持体
１２  下部電極膜
１３  誘電体膜
１３ａ  薄膜
１４  上部電極膜
３１  樹脂モノマー
３２  容器
４０ａ  素子層
４０ｂ  補強層
４０ｃ  保護層
４１  誘電体膜４１
４２  電極
４２ａ、４３ａ  電極膜
４２ｂ、４３ｂ  外部電極
４４  金属薄膜
５０  製造装置
５１  真空容器
５２  キャンローラ
５３  樹脂蒸発源
５４  樹脂硬化装置
５５  表面処理装置
５６  パターニング材料付与装置
５７  金属蒸着源
５８  パターニング材料除去装置
５９  真空ポンプ
６１  面
６２  ノズル
７０  母素子
７１  矢印
７２  誘電体膜
７３  金属膜
７４ａ、７４ｂ  切断面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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