(57)【要約】【課題】コンパクト化が可能であり、製造工程を簡略化することで製造コストを抑制可能なＲＦＩＤ用タグおよびそれを用いた管理システムである。【解決手段】基板１１上に固有振動周波数の異なる複数の共振器３１が配置されたＲＦＩＤ用タグ１０と、ＲＦＩＤ用タグ１０から出力された信号を処理することでＩＤを認識するリーダー２０とを備えた管理システムであって、各共振器３１は、基板１１上に設けられた入力電極１２および出力電極１３と、入力電極１２および出力電極１３を空間Ｗを介して跨ぐように配置され、固有振動周波数に応じた長さの振動電極１４とを備えているとともに、各共振器３１が、入力電極１２から入力される固有振動周波数の信号を透過可能または透過不能に構成されており、複数の共振器３１から出力電極１３に出力される信号の透過特性の組み合わせによりＩＤが形成されるＲＦＩＤ用タグおよびそれを用いた管理システムである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に固有振動周波数の異なる複数の共振器が配置されたＲＦＩＤ用タグであって、
前記各共振器は、基板上に配置された入力電極および出力電極と、前記入力電極および前記出力電極を空間を介して跨ぐように配置され、前記固有振動周波数に応じた長さの振動電極とを備えているとともに、
前記各共振器が、前記入力電極から入力される前記固有振動周波数の信号を透過可能または透過不能に構成されており、
前記複数の共振器から前記出力電極に出力される信号の透過特性の組み合わせによりＩＤが形成される
ことを特徴とするＲＦＩＤ用タグ。
【請求項２】
前記複数の共振器における前記振動電極が並列に配置されている
ことを特徴とする請求項１記載のＲＦＩＤ用タグ。
【請求項３】
基板上に固有振動周波数の異なる複数の共振器が配置されたＲＦＩＤ用タグと、前記ＲＦＩＤ用タグから出力された信号を処理することでＩＤとして認識するリーダーとを備えた管理システムであって、
前記各共振器は、基板上に配置された入力電極および出力電極と、前記入力電極および前記出力電極を空間を介して跨ぐように配置され、前記固有振動周波数に応じた長さの振動電極とを備えているとともに、
前記各共振器が、前記入力電極から入力される前記固有振動周波数の信号を透過可能または透過不能に構成されており、
前記複数の共振器から前記出力電極に出力される信号の透過特性の組み合わせによりＩＤが形成される
ことを特徴とするＲＦＩＤ用タグを用いた管理システム。
【請求項４】
前記複数の共振器における前記振動電極が並列に配置されている
ことを特徴とする請求項３記載のＲＦＩＤ用タグを用いた管理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＲＦＩＤ（Radio Frequency-Identification：電波方式認識）用タグおよびそれを用いた管理システムに関するものであって、特にＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）型共振器を備えたＲＦＩＤ用タグおよびそれを用いた管理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＲＦＩＤシステムとは、ＲＦＩＤ用タグとそのＩＤを認識するためのリーダーとで構成され、リーダーから外界に信号を発振し、ＲＦＩＤ用タグから出力された信号を処理することで、そのＲＦＩＤタグ固有のＩＤを認識するシステムである。この技術は、無線通信によりデータ交信することが可能であるため、商品の管理などの手段として現在注目されており、今後のユビキタスネットワーク時代に向けて重要なものと考えられている。
【０００３】
一般的に、ＲＦＩＤ用タグは商品に付けられたり、埋め込まれて使用されるため、使い捨てで使用されることが多い。このため、ＲＦＩＤ用タグは、大きさが小さい（数ｍｍ角以下が望ましい）ことと、低コスト（一個当たりのコストが数十円以下）であることが望まれている。
【０００４】
ここで、従来から用いられているＲＦＩＤ用タグは、情報を電子回路に記憶可能に構成されており、ＲＯＭと通信回路とを有している（例えば、特許文献１参照）。具体的な構成としては、例えば、基板に設けられたＣＭＯＳトランジスタと、その上層に設けられた配線層と、配線層の上層または別個に設けられたフラッシュメモリとを備えている。
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−３２２２５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、上述したような従来からのＲＦＩＤ用タグは、基板に設けられたＣＭＯＳトランジスタと、その上層に設けられた配線層と、フラッシュメモリを備えた構成であることから、その構造は複雑であり、コンパクト化が困難であるという問題があった。また、製造工程において工程負荷の大きなリソグラフィー工程を多く行う必要があり、それにともない露光マスクの枚数も多く必要となる。このため、製造工程が複雑であるだけでなく、露光マスクの設計も煩雑であることから、製造コストが高くなるという問題も生じていた。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述したような課題を解決するために、本発明のＲＦＩＤ用タグは、基板上に固有振動周波数の異なる複数の共振器が配置されており、各共振器が、基板上に配置された入力電極および出力電極と、入力電極および出力電極を空間を介して跨ぐように配置された振動電極とを備えたＲＦＩＤ用タグである。そして、各共振器は、その固有振動周波数に応じた長さの振動電極を備えているとともに、入力電極から入力される固有振動周波数の信号を透過可能または透過不能に構成されており、各共振器から出力電極に出力される信号の透過特性の組み合わせによりＩＤが形成されることを特徴としている。
【０００８】
このようなＲＦＩＤ用タグおよびそれを用いた管理システムによれば、基板上に固有振動周波数の異なる複数の共振器が配置されており、これらの共振器における信号の透過特性でＩＤが形成される。このため、背景技術で説明したＲＯＭと通信回路を備えたＲＦＩＤ用タグと比較して、構造が簡略化される。また、固有振動周波数の異なる複数の共振器は、一般的な半導体製造プロセスで製造することが可能であり、背景技術で説明したＲＯＭと通信回路を備えたＲＦＩＤ用タグと比較して、構造が簡略化されることで、工程負荷の大きなリソグラフィー工程の工程数を抑制することができ、製造工程の簡略化が図れる。また、リソグラフィー工程の工程数を抑制できるため、設計の煩雑な露光マスクの枚数も抑制される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のＲＦＩＤ用タグおよびそれを用いた管理システムによれば、基板上に固有振動周波数の異なる複数の共振器が配置されており、これらの共振器における信号の透過特性でＩＤが形成される。このため、背景技術で説明したＲＯＭと通信回路を備えたＲＦＩＤ用タグと比較して、構造が簡略化される。したがって、ＲＦＩＤ用タグの設計が容易であり、コンパクト化を図ることができる。
【００１０】
また、固有振動周波数の異なる複数の共振器を備えたＲＦＩＤ用タグは、一般的な半導体製造プロセスで製造することが可能であり、背景技術で説明したＲＯＭと通信回路を備えたＲＦＩＤ用タグと比較して、構造が簡略化されているため、工程負荷の大きなリソグラフィー工程の工程数を抑制することができる。したがって、製造工程の簡略化が図れるとともに、設計の煩雑な露光マスクの枚数も抑制できることから、製造コストを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１２】
図１は、本発明のＲＦＩＤ用タグとそれを用いた管理システムの一実施形態を説明するための構成図である。この図に示すＲＦＩＤ用タグを用いた管理システムは、ＲＦＩＤ用タグ１０と、ＲＦＩＤ用タグ１０から信号を読み出すリーダー（スキャナ）２０とを備えている。
【００１３】
ここで、本発明に特徴的なＲＦＩＤ用タグ１０の構成について説明する。このＲＦＩＤ用タグ１０は、表面に絶縁膜が形成された基板１１上に、固有振動周波数の異なるＭＥＭＳ型共振器３１が複数配置されている。ここでは、基板１１上に、例えば１０個の共振器３１が配置された例について説明する。
【００１４】
各共振器３１は、基板１１上に配置された入力電極１２および出力電極１３と、これら入力電極１２および出力電極１３を空間を介して跨ぐように配置された振動電極１４とを備えている。
【００１５】
ここで、入力電極１２および出力電極１３は、各共振器３１の共通電極として設けられており、例えば長尺状の入力電極１２と出力電極１３とが互いに所定の間隔を有した状態で、基板１１上に並列に設けられている。また、入力電極１２は入力アンテナ１５に、出力電極１３は出力アンテナ１６にそれぞれ接続されている。
【００１６】
そして、図２（ａ）のＸ-Ｘ’断面図に示すように、各共振器３１の振動電極１４は、入力電極１２および出力電極１３を空間Ｗを介してブリッジ状に跨ぐ状態で配置されている。
【００１７】
振動電極１４は、ビーム（振動部）１４ａと、このビーム１４ａを両端で支持し、ビーム１４ａと一体に構成された支持部１４ｂとで構成されている。ここで、例えばこの支持部１４ｂの中心間のビーム１４ａの長さが、この振動電極１４のビーム長Ｌとなる。支持部１４ｂは入力電極１２および出力電極１３の外側に配置された配線層１７ａ、１７ｂに接続されるように構成されている。
【００１８】
ここで、図２（ｂ）の領域Ｓの拡大図に示すように、本実施形態における１０個の共振器３１Ａ〜３１Ｊは、その振動電極１４が、共通の入力電極１２および出力電極１３に対して直交する状態で、入力電極１２と出力電極１３の延設方向に並列に設けられていることとする。これら１０個の共振器３１Ａ〜３１Ｊは、それぞれ異なる固有振動周波数を有しており、ここでは例えば１３．５０ＭＨｚから１３．５９ＭＨｚの間で０．０１ＭＨｚ間隔の固有振動周波数を有することとする。なお、この固有振動周波数の周波数帯域は、上記の例に限定されるものではない。
【００１９】
具体的には、共振器３１Ａ（固有振動周波数：13.50ＭＨｚ）、３１Ｂ（13.51ＭＨｚ）、３１Ｃ（13.52ＭＨｚ）、３１Ｄ（13.53ＭＨｚ）、３１Ｅ（13.54ＭＨｚ）、３１Ｆ（13.55ＭＨｚ）、３１Ｇ（13.56ＭＨｚ）、３１Ｈ（13.57ＭＨｚ）、３１Ｉ（13.58ＭＨｚ）、３１Ｊ（13.59ＭＨｚ）が、図面上右から順に並列されている。
【００２０】
そして、各共振器３１は、各共振器３１の固有振動周波数に応じた長さの振動電極１４を備えている。具体的には、振動電極１４のビーム長Ｌ（図２（ａ）参照）が各共振器３１の固有振動周波数に応じた長さに設けられている。ここで、固有振動周波数が大きい程、ビーム長Ｌは短くなるため、共振器３１Ａ（13.50ＭＨｚ）から共振器３１Ｊ（13.59ＭＨｚ）に向かって、ビーム長Ｌは徐々に短くなるように設けられる。これらの共振器３１Ａ〜３１Ｊは、各固有振動周波数以外の周波数の信号が入力されても、その振動電極１４は共振しないように構成されている。
【００２１】
なお、ここでは、各共振器３１の振動電極１４が並列に配置されており、各共振器３１の固有振動周波数が図面上右側から順に大きくなるような配置例について説明したが、各共振器３１の配置については特に限定されるものではなく、どのような順序で配置されていてもよい。さらに、振動電極１４は並列に配置されていなくても、本発明は適用可能である。ただし、本実施形態のように振動電極１４が並列に配置されていた方が、共振器３１の占有面積を小さくでき、ＲＦＩＤ用タグ１０をさらに小さくすることができるため、好ましい。
【００２２】
ここで、各共振器３１Ａ〜３１Ｊは、入力電極１２から入力されるそれぞれの固有振動周波数の信号を透過可能または透過不能に設けられていることとする。すなわち、共振器３１Ａ〜３１Ｊには、信号を透過可能に構成されている場合と、その固有振動周波数に応じたビーム長Ｌのビーム１４ａを備えていても、化学的処理または機械的処理によりその固有振動周波数の信号が透過不能に構成されている場合がある。
【００２３】
例えば１つの共振器３１Ａにおいては、その固有振動周波数（13.50ＭＨｚ）の信号が透過可能または透過不能の２通りのうち、どちらかで構成される。これにより、ここでは１０個の共振器３１が配置されていることから、全ての共振器３１Ａ〜３１Ｊにおける信号の透過特性の組み合わせは、２の１０乗で１０２４通りとなる。したがって、この信号の透過特性により１０２４個のＩＤが形成される。
【００２４】
なお、ここでは１０個の共振器３１Ａ〜３１Ｊが配置される例について説明したが、本発明はこれに限定されず、共振器３１の個数は、形成するＩＤの数により適宜決定されるものとする。例えば１６個の共振器３１を配置する場合には、信号の透過特性の組み合わせは２の１６乗で６５５３６通りとなり、６５５３６個のＩＤが形成可能である。この場合には、各共振器３１に設定する固有振動周波数の帯域を広くしてもよく、また、各共振器３１の固有振動周波数の間隔を狭くしてもよい。ただし、各共振器３１の固有振動周波数の間隔を狭くする場合には、各共振器３１の固有振動周波数の信号を分離して処理するため、ある共振器３１、例えば共振器３１Ａの周波数をｆ、ピークのＱ値をＱとし、この共振器３１Ａと最も近い固有振動周波数を有する共振器３１Ｂとの周波数差をｆｄとした場合に、ｆｄ＞ｆ/Ｑとなるような、固有振動周波数の間隔とする。
【００２５】
そして、ここでの図示は省略したが、各共振器３１を覆う状態で、保護膜が基板１１上に設けられていることとする。この保護膜は、特に、固有振動周波数の信号を透過可能に構成された共振器３１において、振動電極１４の形状を維持するように設けられるものである。
【００２６】
次に、上述したようなＲＦＩＤ用タグ１０を備えた管理システムについて説明する。この管理システムは、再び図１に示すように、ＲＦＩＤ用タグ１０とＲＦＩＤ用タグ１０から信号を読み出すリーダー２０を備えている。リーダー２０は、例えば、ＲＦＩＤ用タグ１０に高周波信号を発振する発振部２１と、ＲＦＩＤ用タグ１０から出力された信号を処理することでＩＤとして認識する処理部２２とで構成される。
【００２７】
発振部２１は、ある周波数帯域の信号を発振部２１に接続された出力アンテナ２３から発振可能に構成されていることとする。ここでは、ＲＦＩＤ用タグ１０が１３．５０ＭＨｚ〜１３．５９ＭＨｚの帯域で０．０１ＭＨｚ間隔の固有振動周波数を有する共振器３１Ａ〜３１Ｊ（図２（ｂ）参照）を備えているため、リーダー２０の発振器２１は、少なくとも１３．５ＭＨｚ〜１３．６ＭＨｚの帯域の高周波信号を出力アンテナ２３から発振可能に構成されていることとする。
【００２８】
また、処理部２２は、ＲＦＩＤ用タグ１０からの出力信号を処理し、Ｂｉｔと見立てることでＩＤとして認識可能に構成されている。ここでは、処理部２２は、例えば、アナログデジタルコンバータ（Analog Digital Converter （ＡＤＣ））２２ａとデジタルシグナルプロセッサ（Digital Signal Processor）２２ｂとを備えていることとする。
【００２９】
このようなリーダー２０とＲＦＩＤ用タグ１０とを備えた管理システムの処理フローは次のようになる。まず、リーダー２０の発振部２１から出力アンテナ２３を介して１３．５ＭＨｚ〜１３．６ＭＨｚの帯域の高周波信号を発振する。この信号は、ＲＦＩＤ用タグ１０の入力アンテナ１５を通じて入力電極１２に入力される。
【００３０】
ここで、上述したＲＦＩＤ用タグ１０における共振器３１Ａ〜３１Ｊは、例えばそれぞれの固有振動周波数の信号を透過可能に構成されていることとする。これにより、全ての共振器３１Ａ〜３１Ｊの振動電極１４が共振し、それぞれの固有振動周波数に対応した信号が出力電極１３から出力アンテナ１６を通じて出力される。ここで、図３（ａ）のグラフに、横軸を周波数、縦軸を出力電圧とした場合の出力電極１３からの透過信号を示す。
【００３１】
そして、出力電極１３からの出力信号は、リーダー２０の入力アンテナ２３を通じて処理部２２のＡＤＣ２２ａに入力される。ＡＤＣ２２ａには、例えば各共振器３１の固有振動周波数に応じたフィルタが設けられており、閾値電圧以上を示す透過した周波数の信号を１、透過していない周波数の信号を０と判定する。そして、ＤＳＰ２２ｂにより、各周波数成分に分配される。この場合には、全ての共振器３１Ａ〜３１Ｊの固有振動周波数に対応した信号が、出力電極１３から出力アンテナ１６を介して出力されていることから、ＩＤ「１１１１１１１１１１」として認識される。
【００３２】
また、例えば、共振器３１Ａ〜３１Ｊのうち、共振器３１Ａ（13.50MHz）、３１Ｃ（13.52MHz）、３１Ｅ（13.54MHz）、３１Ｇ（13.56MHz）、３１Ｉ（13.58MHz）のみが、それぞれの固有振動周波数の信号を透過可能に構成された例について説明する。この場合の出力電極１３からの透過信号を、図３（ｂ）のグラフに示す。このグラフに示すように、13.50MHz、13.52MHz、13.54MHz、13.56MHz、13.58MHzの信号が出力されており、この透過信号がリーダー２０の処理部２２で処理される。そして、上述した例と同様に、閾値電圧以上を示す透過した周波数の信号を１、透過していない周波数の信号を０と判定し、周波数成分に分配されることで、ＩＤ「１０１０１０１０１０」として認識される。
【００３３】
次に、本発明のＲＦＩＤ用タグ１０に係る製造方法の一例を、図４および図５の製造工程断面図を用いて説明する。
【００３４】
まず、図４（ａ）に示すように、半導体基板１１ａに絶縁膜１１ｂを形成する。半導体基板１１ａには、例えばシリコン基板を用い、絶縁膜１１ｂには、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）を用いることとする。ここまでの構成を基板１１とする。なお、ここでは絶縁膜１１ｂにＳｉＮを用いることとしたが、絶縁膜１１ｂは半導体基板１１ａ上に酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜とＳｉＮ膜がこの順に積層された積層膜であってもよい。続いて、絶縁膜１１ｂ上に、例えばポリシリコン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）からなる第１導電膜４１を形成する。
【００３５】
その後、第１のリソグラフィー工程を行う。すなわち、第１導電膜４１上に第１のレジストパターン５１を形成し、第１のレジストパターン５１をマスクに用いたエッチングにより、第１導電膜４１をパターニングする。
【００３６】
これにより、図４（ｂ）に示すように、絶縁膜１１ｂ上に入力電極１２および出力電極１３を形成するとともに、入力電極１２および出力電極１３の外側に、配線層１７ａ、１７ｂを形成する。この配線層１７ａ、１７ｂには、後工程で形成する振動電極の支持部が接続される。
【００３７】
次に、図４（ｃ）に示すように、例えば蒸着法により、入力電極１２、出力電極１３および配線層１７ａ、１７ｂを覆う状態で、絶縁膜１１ｂ上に犠牲層４２を成膜する。この犠牲層４２は、下地の絶縁膜１１ｂ、入力電極１２、出力電極１３および配線層１７ａ、１７ｂに対して選択的に除去が可能な材料で形成される。ここでは、絶縁膜１１ｂがＳｉＮにより形成されており、入力電極１２、出力電極１３および配線層１７ａ、１７ｂがＰｏｌｙ−Ｓｉで形成されていることから、犠牲層４２は、例えばＳｉＯ2で形成されることとする。
【００３８】
次いで、図４（ｄ）に示すように、例えば化学的機械的研磨（Chemical Mechanical Polishing（ＣＭＰ））法により、犠牲層４２を平坦化する。このとき、入力電極１２および出力電極１３上に、犠牲層４２が薄く残るようにする。この残す犠牲層４２の厚さは、後工程で形成する振動電極と、入力電極１２および出力電極１３との間隔を決定することになるため、その間隔分だけ残す。
【００３９】
その後、第２のリソグラフィー工程を行う。すなわち、この犠牲層４２上に第２のレジストパターン５２を形成し、この第２のレジストパターン５２をマスクに用いたエッチングにより、図５（ｅ）に示すように、犠牲層４２に配線層１７ａ、１７ｂに達する接続孔４３ａ、４３ｂをそれぞれ形成する。
【００４０】
ここで、後工程で、この接続孔４３ａ、４３ｂを埋め込むように、犠牲層４２上に第２導電膜を成膜し、接続孔４３ａ、４３ｂを含む帯状に第２導電膜をパターニングすることで、ブリッジ状の振動電極を形成する。このため、接続孔４３ａ、４３ｂ内の第２導電膜は、振動電極のビームを両持ち梁構造として両端で支持する支持部（アンカー）となる。
【００４１】
ここで、振動電極のビーム長は、ビームを支持する支持部の例えば中心の間隔で決定されるため、接続孔４３ａと４３ｂの中心の間隔Ｌ’で決定される。ここでは、共振器の固有振動周波数に応じて長さの異なる１０個の振動電極を形成するため、各共振器の振動電極のビーム長となるように、接続孔４３ａと４３ｂとの間隔Ｌ’を調整する。
【００４２】
続いて、図５（ｆ）に示すように、接続孔４３ａ、４３ｂを埋め込む状態で、犠牲層４２上に例えば多結晶シリコン膜からなる第２導電膜４４を成膜する。ここで、接続孔４３ａ、４３ｂに埋め込まれた第２導電膜４４は、振動電極の支持部となり、配線層１７ａ、１７ｂにそれぞれ接続される。
【００４３】
その後、第３のリソグラフィー工程を行う。すなわち、第２導電膜４４上に、第３のレジストパターン５３を形成し、第３のレジストパターン５３をマスクに用いたエッチングにより、図５（ｇ）に示すように、この第２導電膜４４を接続孔４３ａ、４３ｂを含んだ１０個の帯状にパターニングする。この際、接続孔４３ａと４３ｂの中心の間隔Ｌ’は、共振器の固有振動周波数に応じた振動電極のビーム長となるように形成されている。そして、接続孔４３ａ、４３ｂよりも外側の第２導電膜４４の長さは一定になるようにパターニングする。
【００４４】
その後、図５（ｈ）に示すように、犠牲層４２（前記図５（ｇ）参照）をエッチング除去する。本実施形態では、犠牲層４２はＳｉＯ2により形成されていることから、フッ酸溶液を用いたウェットエッチングにより、犠牲層４２を除去する。これにより、入力電極１２および出力電極１３を空間Ｗを介して跨ぐ状態で配置された１０個の振動電極１４が、入力電極１２および出力電極１３の延設方向に並列に形成される。したがって、基板１１上に、固有振動周波数に応じたビーム長Ｌの振動電極１４を備えた、複数のＭＥＭＳ型の共振器３１が形成される。
【００４５】
この後の工程の図示は省略するが、各共振器３１の信号の透過特性によりＩＤを形成するために、各共振器３１を、それぞれの固有振動周波数の信号が透過可能または透過不能に構成する必要がある。ここまでの工程で、共振器３１はそれぞれの固有振動周波数の信号を透過可能に構成されている。このため、固有振動周波数の信号を透過不能に構成する共振器３１に対して、化学的処理または機械的処理を行うことで、固有振動周波数の信号が透過不能となるようにする。例えば、機械的処理としては、共振器３１への配線をレーザーで切断する、または、この配線の途中にヒューズを挿入し、その部分に高電圧を印加して切断するなどの方法がある。
【００４６】
その後、固有振動周波数の信号を透過可能に構成された共振器３１の振動電極１４の形状を維持するように、共振器３１を覆う状態で、基板１１上に保護膜（図示省略）を形成する。
【００４７】
このようなＲＦＩＤ用タグ１０およびそれを用いた管理システムによれば、基板１１上に配置された固有振動周波数の異なる複数の共振器３１Ａ〜３１Ｊにおける信号の透過特性でＩＤが形成される。このため、背景技術で説明したＲＯＭと通信回路を備えたＲＦＩＤ用タグと比較して、構造が簡略化される。したがって、ＲＦＩＤ用タグ１０の設計が容易であり、コンパクト化を図ることができる。
【００４８】
また、固有振動周波数の異なる複数の共振器３１Ａ〜３１Ｊは、半導体製造プロセスで製造することが可能であり、背景技術で説明したＲＯＭと通信回路を備えたＲＦＩＤ用タグと比較して、工程負荷の大きなリソグラフィー工程の工程数を例えば３回に抑制することができる。これにより、製造工程の簡略化が図れるとともに、設計の煩雑な露光マスクの枚数も抑制できるため、製造コストを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】実施形態におけるＲＦＩＤ用タグおよびそれを用いた管理システムを説明するための構成図である。
【図２】実施形態におけるＲＦＩＤ用タグを説明するための断面図（ａ）および要部拡大図（ｂ）である。
【図３】実施形態におけるＲＦＩＤ用タグの出力電極からの透過信号を示すグラフである。
【図４】実施形態におけるＲＦＩＤ用タグの製造方法を説明するための製造工程断面図（その１）である。
【図５】実施形態におけるＲＦＩＤ用タグの製造方法を説明するための製造工程断面図（その２）である。
【符号の説明】
【００５０】
１０…ＲＦＩＤ用タグ、１１…基板、１２…入力電極、１３…出力電極、１４…振動電極、２０…リーダー、３１…共振器、Ｗ…空間
【図１】
2005122585.tif 000003
【図２】
2005122585.tif 000004
【図３】
2005122585.tif 000005
【図４】
2005122585.tif 000006
【図５】
2005122585.tif 000007