(57)【要約】【課題】  単結晶シリコンをエッチングにより微細加工するに際して、フォトレジスト処理、遠紫外線の照射作業、酸化処理等を必要とせずに、任意の形状で且つ任意の高さの微細構造物を製作可能な微細構造作製方法を得る。【解決手段】  単結晶シリコン材料表面に摩擦力顕微鏡の機構を用いて所定形状の微細機械加工を施し、エッチング溶液により前記材料をエッチングすることによって所定形状の微細パターンを形成するに際して、微細機械加工部分の垂直荷重を任意に選択し、或いは微細機械加工時の送り量を任意に選択することにより、エッチング液の濃度を変化させずに、形成される微細パターンの高さを調節することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶シリコン材料表面に所定形状の微細機械加工を施し、エッチング溶液により前記材料をエッチングすることによって所定形状の微細パターンを形成する微細構造作製方法において、前記微細機械加工部分の垂直荷重を任意に選択することにより、形成される微細パターンの高さを調節することを特徴とする微細構造作製方法。
【請求項２】
単結晶シリコン材料表面に所定形状の微細機械加工を施し、エッチング溶液により前記材料をエッチングすることによって所定形状の微細パターンを形成する微細構造作製方法において、前記微細機械加工時の送り量任意に選択することにより、形成される微細パターンの高さを調節することを特徴とする微細構造作製方法。
【請求項３】
前記微細機械加工を摩擦力顕微鏡の機構により行うことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の微細構造作製方法。
【請求項４】
前記微細機械加工において、工具先端部を適度に鈍くすることで、除去加工を行わずに、表面に加工変質層を形成し、微細パターンを得ることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一つに記載の微細構造作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、単結晶シリコンをパターンニングするに際して、従来行っていた複雑なマスキング作業を必要とせず、かつ、所定形状の微細機械加工を施す際の加工条件により、形成される微細パターンの高さを調節するようにした微細構造作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より半導体製造に際しては、薄く切断した単結晶シリコンウエハの表面に光に感光するフォトレジストを塗布した後、この表面を露光マスクパターンで覆って遠紫外線を照射し感光させ、これを現像することによりマスクの模様をフォトレジストに転写している。次いでこれを酸化させ、このようにしてできたレジスト模様をエッチング処理することにより実回路の模様を形成している。このような技術は半導体製造に限らず、例えば単結晶シリコンを素材とする微小部材の成形等においても広く使用されている。
【０００３】
なお、以下に示す発明が解決しようとする課題について、本発明と異なる手法で解決した技術として、本発明者等による下記の特許文献１が存在する。  
【特許文献１】特開２００２−６４０８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このように単結晶シリコンをエッチングにより微細加工する際、フォトレジストの付着処理、遠紫外線の照射によるマスク模様の転写作業、酸化処理等が必要であり、複雑な工程を何度も行う必要があるため、多くの手数と時間がかかるという問題点があった。
【０００５】
また、現在存在するパターンを変更するためには、露光マスクを作り直す必要があり、試作などの自由度を求められる微細構造製作には向かないという問題点もあった。
【０００６】
更に、単結晶シリコンに対して各種形状の凹部や凸部を形成するに際しては、マスキングした部分を凸部として形成する以外ないので、凹部や凸部の形成方法が限定されてしまうという問題もあった。
【０００７】
したがって、本発明は、単結晶シリコンをエッチングにより微細加工するに際して、フォトレジスト処理、遠紫外線の照射作業、酸化処理等を必要とせず、単に微細加工時の条件によって、任意の形状で任意の高さの微細構造物を製作することができるようにした微細構造作製方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
従来より摩擦力顕微鏡（ＦＦＭ）、あるいは原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）等の走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）の技術を利用したマイクロ加工技術の研究がなされている。例えば、摩擦力顕微鏡の原理を利用したマイクロ加工機としては図１９に示すように、従来の摩擦力顕微鏡において用いられる柔軟なカンチレバーに替えて高剛性の加工用カンチレバー４を用い、レーザーダイオード１からのレーザー光をレンズ２を介して、材料３の表面に接触しているダイヤモンド砥粒５を先端に設けた加工用カンチレバー４の先端裏面に照射し、その反射光を４分割フォトディテクタ６で受光するものである。
【０００９】
その受光信号は加工用カンチレバー４の状態を光てこ方式で検出した信号であり、加工用カンチレバー４のたわみとねじれの状態を表しているので、その信号をフィードバック制御装置８に入力して現在の加工用カンチレバーのたわみとねじれを演算し、これを予め設定されている値と比較し、誤差信号をチューブ型のＰＺＴスキャナ７に出力し、材料３をＸ、Ｙ、Ｚ方向に移動して所定の切り込み深さに維持しつつ、所定形状の加工を行うことができるようにしている。
【００１０】
前記加工用カンチレバー４は図１（ｂ）に拡大図で示すように、レバー１０の先端に同図（ｃ）に更に拡大して示すような先端をもったダイヤモンド砥粒５を取り付けたものであり、このカンチレバーは前記のように高剛性をなしている。このような工具を用いることにより材料表面を摩擦し、ナノメートルオーダの切り込みで微細な切削加工を行うことができるようになっている。
【００１１】
このようなマイクロ加工機を用いて所定のマスキング形状に沿ってダイヤモンド砥粒により微細な切削加工を行う。このとき、切削加工を施した後の表面には結晶性の乱れや残留応力が存在し、加工変質層が形成され、単結晶シリコンに対してこのような処理を行うとこの加工変質層が水酸化カリウムを用いた異方性エッチングに対してマスキング作用をなす。
【００１２】
このマスキング作用は、水酸化カリウム等のエッチング溶液の濃度によって異なることを発見し、上記特許文献１に示すような発明に至ったものであり、このたび特許査定が確定している。本発明者等は更にこの研究を進め、上記課題を他の手段によって解決することができることを見いだしたものであり、このような微細加工に際して、形成される微細パターンの高さを調節することにより、また、微細機械加工時の送り量を調節するのみで、エッチング液の濃度を調節することなく、形成される微細パターンの高さを調節することができることを発見し、本発明に至ったものである。
【００１３】
より具体的には、本発明の微細構造作製方法は上記課題を解決するため、単結晶シリコン材料表面に所定形状の微細機械加工を施し、エッチング溶液により前記材料をエッチングすることによって所定形状の微細パターンを形成する微細構造作製方法において、前記微細機械加工部分の垂直荷重を任意に選択することにより、形成される微細パターンの高さを調節するようにしたものである。
【００１４】
また、本発明に係る他の微細構造作製方法は、単結晶シリコン材料表面に所定形状の微細機械加工を施し、エッチング溶液により前記材料をエッチングすることによって所定形状の微細パターンを形成する微細構造作製方法において、前記微細機械加工時の送り量任意に選択することにより、形成される微細パターンの高さを調節するようにしたものである。
【００１５】
また、本発明に係る他の微細構造作製方法は、前記微細機械加工を摩擦力顕微鏡の機構により行うようにしたものである。
【００１６】
また、本発明に係る他の微細構造作製方法は、前記微細機械加工において、工具先端部を適度に鈍くすることで、除去加工を行わずに、表面に加工変質層を形成し、微細パターンを得るようにしたものである。
【００１７】
上記のように、以前よりの研究結果によりＦＦＭ 加工後にエッチングを行うと、ＦＦＭ 加工領域がマスキング効果を示し、凸状構造物を残留形成することが知られ、高さが一様な任意の微細構造物の作製が可能となることが明らかとなり、更にこれを利用してエッチング溶液の濃度によって凹凸形状を任意に形成することができるようになったが、本発明においては更に各種実験を行い、高さ方向を制御した３次元微細構造物を作製するために、ＦＦＭ加工条件がエッチングレートに及ぼす影響について調べた。その結果、
１）垂直荷重の増加にともない、ＦＦＭ加工部のエッチングレートは低下し凸状構造高さが増加する。 
２）走査線送り量が小さくなると、各走査線が影響しあうことによってマスク層は強くなり、エッチングレートは低下する。 
３）加工速度の変化は、マスキング効果に対してほとんど影響を与えない。 
４）エッチング処理時間の増加にともない、ＦＦＭ 加工部に形成される凸状構造高さは増加するが、マスキング効果がなくなると凸状構造高さはほとんど変化しない。
５）加工条件を変化させることにより、高さ方向を制御した３次元微細構造物の作製が可能となる。
６）工具の先端が適度に鈍いとき、材料の表面を除去することなく、表面にエッチングマスクとしての作用をもつ加工変質層を形成できる。
等の作用を奏することが明らかになった。また、加工条件をさらに高精度に制御することにより、さらに複雑な３次元微細構造物の作製が可能となる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明は上記のような微細構造作製方法を採用することにより、単結晶シリコンをエッチングによって微細加工するに際して、フォトレジスト処理、遠紫外線の照射作業、酸化処理等を必要とせず、単に微細機械加工部分の垂直荷重を任意に選択することにより、あるいは微細機械加工時の送り量任意に選択することにより、形成される微細パターンの高さを任意に調節することができる。本発明の
という利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明は、単結晶シリコンをエッチングにより微細加工するに際して、フォトレジスト処理、遠紫外線の照射作業、酸化処理等を必要とせず、単に微細加工時の条件によって、任意の形状で任意の高さの微細構造物を製作することができるようにするため、単結晶シリコン材料表面に所定形状の微細機械加工を施し、エッチング溶液により前記材料をエッチングすることによって所定形状の微細パターンを形成する微細構造作製方法において、前記微細機械加工部分の垂直荷重を任意に選択することにより、形成される微細パターンの高さを調節するようにしたものである。
【実施例１】
【００２０】
以下、本発明について、この発明に至った経緯を含め詳細に説明する。前記のように、ＦＦＭ加工後の試料に対しＫＯＨ水溶液でエッチングを行うとＦＦＭ加工面が強いマスク作用を示すため、凸状構造物が形成されることが明らかとなった。この現象はＦＦＭ加工によって形成される結晶性の低い酸化層に起因して生じる。
【００２１】
これまでの実験では、エッチング前の表面を参照できなかったため、加工条件によるマスキング効果の強弱について充分な検討ができなかったが、エッチング前の表面を基準としたエッチングレート算出方法を導入することで、エッチングレートを正確に測定できるようになった。そこで前記図１９に示す従来の加工装置とほぼ同様の装置を用い、但し、これまでの実験とは異なり図１（ｂ）に示すように、先端１１部分が切れ味の鈍い形状とした加工用カンチレバー１０を用いて加工実験も併せて行った。これによって加工領域を除去することなく、隆起物が生成される条件でのマスク層の構造、厚さを制御し、エッチングレートの制御が可能となることから、ＦＦＭ 加工による加工深さは小さくなり残留形成される凸状構造物の高さの制御も容易になる。 
【００２２】
図２は本発明の作用、効果を確認するために必要となるエッチングレートの算出方法を示しており、最初に単結晶シリコン２１上にＳｉＯ２マスク２２のマスクパターンを描画した加工実験用シリコンウエハ２３を作製した。 シリコンウエハ２３上には加工痕識別のため図３に示すように００〜９９の数字を作製し、その下に高さ測定用に４０×４０μm の正方状のＳｉＯ２マスクパターンを作製した。  このＳｉＯ２膜のマスク近傍にＦＦＭ 加工を行い、加工痕の深さを測定する。次に図１（ｃ）に示す装置によりこのシリコン材料３をエッチング溶液１４に入れてエッチング処理を行い、凸状構造物の高さを測定する。図１（ｃ）に示す例においては、超音波発生装置１２を用いて内部の水１３を振動させて、この振動状態の元でエッチング処理を行っており、それによりエッチングレートと表面粗さとを向上させている。その後フッ酸処理でＳｉＯ２マスクを除去しマスク部の高さを測定する。これらの値より以下の式でエッチング量が与えられる。
Ｅ＝Ｈｍ−（Ｈｒ＋Ｄ）                              （１）
この値をエッチング時間で除することによりエッチングレートを算出することができる。
【００２３】
第１の実験は、マスキング作用に及ぼす加工条件の影響について調べるため、先端の鋭い加工用カンチレバーを用い、表１の条件で単結晶シリコンウェハ（１００）面を加工し、次にフッ酸によりシリコンウェハ表面の自然酸化膜を除去し、表２の条件でＫＯＨ水溶液に超音波付加しながら試料をエッチング処理した。最後に流水洗浄を充分に行い、表面を乾燥させ加工部形状の変化を観察用カンチレバーで観察した。
【表１】
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【表２】
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【００２４】
図４は垂直加重と加工部深さ及びエッチングレートとの関係である。微小垂直荷重（２４μＮ）の場合、ＦＦＭ加工部に隆起現象が生じ、凸状となる。垂直荷重の増加に伴い、除去加工に代わり、加工部の深さは大きくなる。加工部のエッチングレートは垂直荷重の増加に伴い、小さくなる。即ち、加工部のマスキング効果が垂直荷重の増加に伴い、強くなることがわかる。
【００２５】
図５は走査線送り量と加工部の深さ及びエッチングレートとの関係である。走査線送り量の増加に伴い、加工部の深さは減少し、加工部のエッチングレートは大きくなる。即ち、加工部のマスキング効果は走査線送り量の減少に伴い、強くなることがわかる。また、この場合、加工部の表面粗さも小さくなる。
【００２６】
図４と図５の関係を応用し、三次元微細構造を形成した。図６は高さが一様な微細構造の形成例である。垂直荷重１８０μＮ、走査線送り量４０ｎｍの加工条件で、面積約５μｍ×１０μｍ、高さ約６０ｎｍの千葉県地図を形状を作成した。同図（ａ）は加工直後のＡＦＭ観察像（凹状）であり、（ｂ）はエッチング処理後のＡＦＭ観察像（凸状）である。
【００２７】
図７は階段状の微細構造の作成例である。Ａ部の垂直荷重９０μＮ、Ｂ部の垂直荷重２２５μｍ、走査線送り量６０ｎｍで加工した（同図（ａ））。エッチング処理後、Ａ部高さ６８ｎｍ、Ｂ部高さ１０４ｎｍの凸状段差が形成された（同図（ｂ））。加工部のエッチングレートが垂直荷重の増加に伴い、小さくなることを利用した。
【００２８】
図８は高さが変化する三次元微細構造の形成例である。外径１０μｍ、凸台直径７μｍ、軸穴径４μｍ、歯部より凸台が高い段差がある三次元歯車を製作した。垂直荷重は凸台部９０μＮで、歯部１８μＮで、走査線送り量６０ｎｍで加工した。表２に示す条件でエッチング処理後、図８（ａ）のような三次元歯車を形成した。図８（ｂ）は三次元歯車の断面図である。歯部高さが６５ｎｍ、凸台高さが７７ｎｍである。
【００２９】
上記のようにＦＦＭ加工部エッチングレートと加工条件の関係を調べた結果、垂直荷重を大きくするとマスキング効果の強さが大きくなり、走査線送り量を小さくするとマスキング効果の強さが大きくなることが確認された。
【実施例２】
【００３０】
ＦＦＭ加工では、加工用カンチレバー先端の鋭さによって垂直荷重と除去深さの関係が変化することから、適度に切れ味の鈍い先端形状をもつ加工用カンチレバーを用いて下記のような第２の実験も行った。即ち、上記の現象を更に確認するために、下記のような第２の実験も行った。即ち、実験はマスキング作用に及ぼす加工条件の影響について調べるため 、表３に示すＦＦＭ 加工条件、表４に示すエッチング条件によって、垂直荷重加工速度および走査線送り量の加工条件を変化させながら行った。
【表３】
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【表４】
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【００３１】
図９は垂直荷重に対するエッチングレート、加工深さおよび凸状構造高さの変化を示している。垂直荷重が３７２μN 以下ではＦＦＭ 加工によって除去加工は行われずに、図１０に示すように高さ１〜２ｎｍ程度の隆起物が形成された。この現象は、ＦＦＭ 加工時の探針と試料表面において発生する物理化学現象によるものとされている。垂直荷重が増加するにつれ、この現象はなくなり４３３μN 以上では除去加工が行われた。一方、エッチングレートは隆起加工領域においては垂直荷重の増加にともない減少する傾向が見られた。このことから、垂直荷重の増加によってＦＦＭ 加工部の結晶性の乱れは大きくなり、マスキング効果は強くなったものと考えられる。一方、この条件では、除去加工領域になるとエッチングレートに大きな変化は見られなくなった。 
【００３２】
図１１には加工速度によるエッチングレートの変化を示しているが、このグラフから明らかなように、加工速度によるエッチングレートの変化はほとんど見られず、いずれの条件でもほぼ同じ高さの凸状構造物が形成される。したがって、加工速度の変化によるマスキング効果への影響はほとんどないものと考えられる。 
【００３３】
図１２は走査線送り量に対するエッチングレート、加工深さおよび凸状構造高さの変化である。垂直荷重は３１０μN 一定とし、図９で示した隆起加工領域で条件を変化させた。走査線送り量が最も小さな２９ｎｍの場合、ＦＦＭ 加工部ではほとんどエッチングは進行せず、高さ約３３０ｎｍと非常に高い凸状構造物が形成された。走査線送り量の増加にともないマスキング効果は小さくなり、エッチングレートは増加していた。
【００３４】
図１３は走査線送り量２９、４６９ｎｍの時のＡＦＭ観察像である。走査線送り量が小さい２９ｎｍの場合、(ａ)のようにＦＦＭ 加工領域には一様に強いマスク層が形成され凸状構造物が形成されている。一方、走査線送り量が大きくなると走査線上にはマスキング効果が発現しているが、走査線間ではマスキング効果が発現しないためエッチングが進行してＦＦＭ 加工領域はくし状になっている。また、このくし状の山の間隔は走査線送り量と一致している。 
【００３５】
以上のことから、走査線送り量が小さい場合、ＦＦＭ 加工時に隣接する走査線によって加工変質層がさらに影響を受け、マスキング効果が強くなったものと考えられる。 
【００３６】
図１４は前記のようにエッチングレートの違いが大きかった走査線送り量、２９ｎｍ、５９ｎｍの２種類の条件でＦＦＭ加工した試料のエッチング処理時間に対するエッチングレートおよび凸状構造高さの変化である。マスキング効果の強い走査線送り量２９ｎｍの場合、エッチング処理時間が４０分になるまでＦＦＭ 加工領域はほとんどエッチングされておらず、凸状構造高さはほぼ線形的に増加し、約９５０ｎｍの凸状構造物が形成された。その後、６０分に達するとＦＦＭ加工領域のマスク層は浸食されるため、マスキング効果は弱まりエッチングレートは急激に増加した。
【００３７】
一方、走査線送り量５９ｎｍの場合、エッチング処理時間５分まではエッチングは行われないが、１０分になるとＦＦＭ 加工部のマスキング効果は弱まり、その後凸状構造高さの変化は見られなかった。図１５は走査線送り量２９ｎｍで加工した試料のエッチング処理時間４０および６０分後のＡＦＭ 観察像である。エッチング時間が１０分のものと比較すると４０分後のものは凸状構造物上面は平面となっているが、加工領域の形状は若干崩れ、幅が小さくなってきている。また、マスキング効果が低下した６０分後の試料では凸状構造物上面は平面ではなくなり、エッチングが進行したために表面に凹凸が形成されている。 
【００３８】
図１６はＫＯＨ 水溶液濃度に対するエッチングレートの変化である。加工条件は前記と同様とした。走査線送り量が２９ｎｍの場合濃度２０ｗｔ％以下ではＦＦＭ加工領域はほとんどエッチングが行われず、濃度２０％以上になると濃度の増加にともないエッチングレートは増加した。走査線送り量が５９ｎｍの場合、走査線送り量２９ｎｍよりもマスキング効果は小さいが、濃度が５ｗｔ％の時ＦＦＭ 加工領域においてエッチングは行われなかった。濃度が１０ｗｔ％以上になると濃度の増加にともないエッチングレートは増加し、濃度１５ｗｔ％以降は大きな変化が見られなかった。
【００３９】
先に述べたように、ＳｉＯ２のエッチングレートはＫＯＨ水溶液濃度に依存する。このことから、ＫＯＨ 水溶液濃度が高くなるとエッチング初期の段階でマスク層は消滅し、エッチングレートは増加する。一方、濃度５ｗｔ％の場合マスク層はＫＯＨ により浸食されにくいために、いずれの加工条件でもエッチングが行われていない。このことから加工条件によりエッチングレートを制御するためには濃度１０〜２０ｗｔ％が適切であると考えられる。 
【００４０】
上記の結果によってもＦＦＭ 加工条件、特に垂直荷重と走査線送り量を制御することによりＦＦＭ 加工部のマスキング効果に変化が生じ、凸状構造高さを制御できることがわかった。これを応用することで３次元微細構造物の作製が可能であることがわかる。 
【００４１】
図１７は垂直荷重を段階に変化させ作製した階段状構造物である。垂直荷重を（ａ）のＡの側から１２４、２４８、３７２Ｎの段階に変化させＦＦＭ 加工を行った。ＦＦＭ 加工後には加工部では隆起加工が行われているが、垂直荷重による高さの変化はほとんど見られない。（ｂ）はＦＦＭ 加工後１０ｗｔ％ＫＯＨ水溶液で１０分間のエッチング処理を行ったものである。図より垂直荷重が大きいほど、マスキング作用は強くなり、高い凸状構造物が形成されることがわかる。    
【００４２】
図１８はさらに細かく垂直荷重を変化させ作製した段の階段状構造物である。垂直荷重は（ａ）のＡ側から１２４、１８６、２４８、３１０、３７２Ｎの段階で、同様のエッチング処理を行い作製したものである。 
【００４３】
これらの結果より、加工条件を制御することにより高さを制御した３次元微細構造物の作製が可能であることがわかった。また。加工条件をさらに詳細に制御することで、高精度の３次元微細構造物の作製が可能であると考えられる。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明は上記のように極めて微細な加工を容易に実施することができるので、電子産業、情報産業、光産業分野などで使用される各種機器の超精密加工として利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明を実施する装置の概要を示す斜視図である。
【図２】本発明におけるエッチングレートの算出方法を示す図である。
【図３】本発明において用いた加工実験用シリコンウエハを示す図である。
【図４】第１の実験における垂直荷重と加工部エッチングレートとの関係を示すグラフである。
【図５】第１の実験における走査線送り量と加工部エッチングレートとの関係を示すグラフである。
【図６】第１の実験において製作した千葉県地図の形状の例である。
【図７】第１の実験において製作した階段状の微細構造の作成例である。
【図８】第１の実験において製作した三次元歯車の作成例である。
【図９】第２の実験において垂直荷重によるエッチングレートの変化を示すグラフである。
【図１０】第２の実験において本発明における隆起加工痕のＡＦＭ観察像を示す図である。
【図１１】第２の実験において加工速度によるエッチングレートの変化を示すグラフである。
【図１２】第２の実験において走査線送り量よるエッチングレートの変化を示すグラフである。
【図１３】第２の実験において本発明における走査線送り量によるエッチング後の形状変化を示す図である。
【図１４】第２の実験においてエッチング処理時間によるエッチングレートの変化を示すグラフである。
【図１５】第２の実験において本発明におけるエッチング処理時間による形状の変化を示す図である。
【図１６】第２の実験においてスキング効果のＫＯＨ水溶液濃度依存性を示すグラフである。
【図１７】第２の実験において本発明における垂直荷重変化により作成した３段階の階段状構造物を示す図である。
【図１８】第２の実験において本発明における垂直荷重変化により作成した５段階の階段状構造物を示す図である。
【図１９】先に提案した微細構造作製方法を実施する装置の概要図である。
【符号の説明】
【００４６】
１  レーザーダイオード
２  レンズ
３  材料
４  加工用カンチレバー
５  ダイヤモンド砥粒
６  ４分割フォトディテクタ
７  チューブＰＺＴスキャナ
８  フィードバック制御装置
１０  カンチレバー
１１  先端
１２  超音波発生装置
１３  水
１４  エッチング液
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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