(57)【要約】【課題】  弾性表面波素子片のすだれ状電極に、エッチングガスの残留に起因するアフターコロージョンが発生することのない弾性表面波素子片の製造方法および弾性表面波素子片並びに弾性表面波デバイスを提供する。【解決手段】  弾性波素子片を構成するすだれ状電極は、圧電基板１２上に金属を成膜するとともに、前記金属を陽極酸化して金属表面に陽極酸化膜２２を形成し、前記金属および前記陽極酸化膜２２をドライエッチングして形成する構成とした。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板上に金属を成膜するとともに、前記金属を陽極酸化して金属表面に陽極酸化膜を形成し、前記金属および前記陽極酸化膜をドライエッチングして、すだれ状電極を形成することを特徴とした弾性表面波素子片の製造方法。
【請求項２】
圧電基板上に金属を成膜するとともに、前記金属を陽極酸化して金属表面に陽極酸化膜を形成し、前記陽極酸化膜の表面から前記圧電基板表面に達する前までをドライエッチングし、このドライエッチングを止めた位置から圧電基板の表面までをウエットエッチングして、すだれ状電極を形成することを特徴とした弾性表面波素子片の製造方法。
【請求項３】
前記金属はアルミニウムまたはアルミニウム系合金であることを特徴とする請求項１または２に記載の弾性表面波素子片の製造方法。
【請求項４】
圧電基板上に複数の金属膜を積層して金属電極を形成するとともに、前記金属電極の最表面にある第１金属膜を陽極酸化して陽極酸化膜を形成し、
前記陽極酸化膜の表面から、前記第１金属膜と、前記第１金属膜の下層に積層された第２金属膜との界面に達する前までをドライエッチングし、
ドライエッチングを止めた位置から圧電基板の表面までをウエットエッチングして、すだれ状電極を形成する、
ことを特徴とした弾性表面波素子片の製造方法。
【請求項５】
前記第１金属膜はアルミニウムまたはアルミニウム系合金であることを特徴とする請求項４に記載の弾性表面波素子片の製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の弾性表面波素子片の製造方法を用いて製造したことを特徴とする弾性表面波素子片。
【請求項７】
請求項６に記載の弾性表面波素子片を有することを特徴とする弾性表面波デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波を利用する弾性表面波素子片の製造方法および弾性表面波素子片並びに弾性表面波デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
弾性表面波（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ：以下、ＳＡＷという）素子片は圧電効果を有する材料からなる圧電基板の表面に、一対のすだれ状電極（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ：以下、ＩＤＴという）を形成し、このＩＤＴの両端に反射器を形成したものが主な構成である。このようなＳＡＷ素子片の製造方法は、まず圧電ウエハ上にアルミニウムまたはアルミニウム系合金等の金属膜を形成する。この金属膜上にフォトレジストを塗布し、露光および現像して、ＩＤＴや反射器等の電極パターン以外の部分を除去する。そしてフォトレジストを除去した部分の金属膜をドライエッチング、またはドライエッチングした後にウエットエッチングしてＩＤＴや反射器等を形成している。なおドライエッチングのエッチングガスとして塩素や塩化ホウ素等が用いられ、ウエットエッチングのエッチング液としてリン酸系溶液等が用いられている。そして最後に金属膜上に残るフォトレジストのマスクを剥離した後に、圧電ウエハをダイシングしてＳＡＷ素子片が製造される（例えば、特許文献１を参照）。
【０００３】
ところで近年では、ＩＤＴ上に落下した導電材によりＩＤＴが短絡するのを防止するため、および汚染物からＩＤＴを保護するために、ＩＤＴの表面に保護膜が形成されている。この保護膜は、圧電基板上に金属膜を形成した後に蒸着法、スパッタ法または気相成長法を用いて金属膜上に酸化チタン、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム等を成膜して形成される（例えば、特許文献２を参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−１３５７５９号公報
【特許文献２】特開２０００−２６９７７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら金属膜表面に保護膜を形成したＩＤＴでは、金属膜上に保護膜を積層させただけなので金属膜を構成する原子と保護膜を構成する原子が互いに完全に結合していなく、金属膜と保護膜の界面は不連続となっている。このため、ドライエッチングを行う際にエッチングガスの塩素成分が金属膜と保護膜の界面に入り込み、かつ残留する問題がある。この界面に入り込むとともに残留した塩素成分によりアフターコロージョンが発生する。すなわち、界面に入り込んだ塩素成分は大気中の水分と反応して塩酸となり、この塩酸により金属膜および保護膜が腐食される。この腐食が生じることにより、所望の共振周波数を得ることができない等、ＳＡＷ素子片の品質に重大な問題が生じることになる。
【０００６】
また酸化シリコン等の保護膜を形成するときは、熱を加えて成膜しなければならないので、圧電基板の焦電性効果によりＩＤＴ等の電極や圧電基板自体に破損が発生する問題点があった。
【０００７】
本発明は上記問題点を解消するためになされたもので、ＩＤＴ等の電極を構成する金属膜上に保護膜を形成しても、金属膜と保護膜の界面にエッチングガスの成分が入りこむことなく、さらに前記電極にアフターコロージョンが発生することのない弾性表面波素子片の製造方法および弾性表面波素子片並びに弾性表面波デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明に係る弾性表面波素子片の製造方法は、圧電基板上に金属を成膜するとともに、前記金属を陽極酸化して金属表面に陽極酸化膜を形成し、前記金属および前記陽極酸化膜をドライエッチングして、すだれ状電極を形成することを特徴としている。金属の膜の表面を陽極酸化して陽極酸化膜を形成したので、金属膜と陽極酸化膜は互いに結合した状態であり、金属膜と陽極酸化膜の界面は連続している。このため金属膜と陽極酸化膜をドライエッチングしても、エッチングガスの塩素成分が金属膜と陽極酸化膜の界面に入り込むとともに、残留することがない。よって前記塩素成分に起因するアフターコロージョンが発生することがないので、腐食が発生することのない弾性表面波素子片を製造することができる。
【０００９】
また圧電基板上に金属を成膜するとともに、前記金属を陽極酸化して金属表面に陽極酸化膜を形成し、前記陽極酸化膜の表面から前記圧電基板表面に達する前までをドライエッチングし、このドライエッチングを止めた位置から圧電基板の表面までをウエットエッチングして、すだれ状電極を形成することを特徴としている。圧電基板上に金属膜を積層して形成したので、圧電基板と金属膜は互いに完全に結合した状態でなく、圧電基板と金属膜の界面は不連続となる。このため、ドライエッチングを圧電基板と金属膜の界面に達する前で止め、この後をウエットエッチングすると、前記界面はウエットエッチングされるので前記界面にエッチングガスの塩素成分が入り込むことがない。よって前記塩素成分に起因するアフターコロージョンが発生することがなく、腐食が発生することのない弾性表面波素子片を製造することができる。また陽極酸化膜は常温で形成される。このため圧電基板に焦電性効果が生じることがなく、圧電基板やすだれ状電極に破損が生じることがない。よってＳＡＷチップの品質の劣化を防止することができる。
【００１０】
また前記金属はアルミニウムまたはアルミニウム系合金であることを特徴としている。これにより、アルミニウムまたはアルミニウム系合金で形成された金属膜の表面を陽極酸化することができる。そして酸化アルミニウムの陽極酸化膜を形成することができる。
【００１１】
また圧電基板上に複数の金属膜を積層して金属電極を形成するとともに、前記金属電極の最表面にある第１金属膜を陽極酸化して陽極酸化膜を形成し、前記陽極酸化膜の表面から、前記第１金属膜と、前記第１金属膜の下層に積層された第２金属膜との界面に達する前までをドライエッチングし、ドライエッチングを止めた位置から圧電基板の表面までをウエットエッチングして、すだれ状電極を形成する、ことを特徴としている。この場合、前記第１金属膜をアルミニウムまたはアルミニウム系合金とすることができる。金属電極は圧電基板上に金属を積層して形成しただけなので、圧電基板と第２金属膜、および第２金属膜と第１金属膜は互いに完全に結合した状態でない。すなわち、圧電基板と第２金属膜の界面、および第２金属膜と第１金属膜の界面は不連続になっている。このため、ドライエッチングを不連続な界面に達する前で止め、不連続な界面を有する部分をウエットエッチングしたので、界面にエッチングガスの塩素成分が入りこむことがない。よって前記塩素成分に起因するアフターコロージョンが発生することがないので、腐食が発生することのない弾性表面波素子片を製造することができる。また陽極酸化膜は常温で形成される。このため圧電基板に焦電性効果が生じることがなく、圧電基板やすだれ状電極に破損が生じることがない。よって弾性表面波素子片の品質の劣化を防止することができる。
【００１２】
また本発明に係る弾性表面波素子片は、上述した弾性表面波素子片の製造方法を用いて製造したことを特徴としている。これによりアフターコロージョンの発生しない弾性表面波素子片を得ることができる。
また本発明に係る弾性表面波デバイスは、上述した弾性表面波素子片の製造方法を用いて製造した弾性表面波素子片を有することを特徴としている。弾性表面波素子片にはアフターコロージョンが発生しないので、信頼性の高い弾性表面波デバイスを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に、本発明に係る弾性表面波素子片の製造方法および弾性表面波素子片並びに弾性表面波デバイスについて説明する。なお、以下に記載するものは本発明の実施の一形態にすぎず、本発明はこれに限定されるものでない。
【００１４】
図１に本実施形態に係る弾性表面波素子片の一部を拡大した断面図を示す。また図２に弾性表面波素子片を説明する平面図を示す。弾性表面波素子片１０（ＳＡＷチップ１０）は、圧電効果を生じる材料からなる圧電基板１２の表面上に、一対のすだれ状電極１４（ＩＤＴ１４）を形成した構成である。このＩＤＴ１４は複数の電極指を有して形成され、一対のＩＤＴ１４が電極指を交互に噛み合わせて配置されている。この噛み合わせに沿う方向のＩＤＴ１４の両側に反射器１６が形成されている。またＩＤＴ１４には引出し電極１８の一端が接続され、該引出し電極１８の他端にはパッド２０が接続されている。このパッド２０は、ワイヤボンディングが施されるとき、またはフリップチップボンディングされるときの電極となる。そしてＩＤＴ１４、反射器１６、引出し電極１８およびパッド２０はアルミニウムやアルミニウム系合金等の金属材料を用いて形成されている。すなわち、圧電基板１２の表面上には金属膜２６が形成されている。
【００１５】
また金属膜２６の上面は、前記金属材料を陽極酸化した陽極酸化膜２２で被われている。前記金属材料に、例えばアルミニウムを用いた場合には、陽極酸化膜２２は酸化アルミニウムになる。そして金属材料の原子と陽極酸化膜２２の原子が互いに結合しているので、金属膜２６と陽極酸化膜２２の界面は連続的になり、金属材料上に保護膜を成膜した場合に生じる金属材料と保護膜の不連続な界面は存在していない。なおＳＡＷチップ１０の設計によっては、陽極酸化膜２２を少なくともＩＤＴ１４のみに設ける構成にできる。
【００１６】
次にＳＡＷチップの製造方法について説明する。まず第１の製造方法について説明する。図３に第１の製造方法の説明図を示す。図３において、右側に示す図は圧電ウエハ上に形成されるＳＡＷチップの平面図であり、左側に示す図はＸ−Ｘ’線における断面図である。まず圧電ウエハ２４の表面全体に、スパッタ法や蒸着法等を用いてアルミニウムやアルミニウム系合金等の金属膜２６を成膜する（Ｓ１１０）。次に、この金属膜２６の表面全体を陽極酸化して陽極酸化膜２２を形成する（Ｓ１２０）。この陽極酸化膜２２の表面全体にフォトレジストを塗布し、露光および現像して、ＩＤＴ１４、反射器１６、引出し電極１８およびパッド２０の位置に対応した部分以外のフォトレジストを除去する。すなわち、ＩＤＴ１４、反射器１６、引出し電極１８およびパッド２０の位置に対応してフォトレジストのマスク２８を形成する（Ｓ１３０）。そしてフォトレジストを除去した部分の陽極酸化膜２２と金属膜２６の全てをドライエッチングして、ＩＤＴ１４、反射器１６、引出し電極１８およびパッド２０を形成する（Ｓ１４０）。このドライエッチングは、例えば電子サイクロトロン共鳴法を用いて塩素や塩化ホウ素等のプラズマを生成し、エッチングガスの塩素成分により陽極酸化膜２２および、金属膜２６を除去して行われる。なおプラズマの生成方法は容量結合型や誘導結合型等を用いてもよく、またエッチングは反応性イオンエッチング装置を用いて行ってもよい。その後、陽極酸化膜２２上に残るフォトレジストのマスク２８を剥離すれば、圧電ウエハ２４の表面にＩＤＴ１４、反射器１６、引出し電極１８およびパッド２０が形成される（Ｓ１５０）。そしてパッド２０の表面を被う陽極酸化膜２２をエッチング等により除去して、金属膜２６のみにする（Ｓ１６０）。図３のＳ１６０において、下段に示す図はＹ−Ｙ’線における断面図である。そして最後に、圧電ウエハ２４をダイシング等により切断して各ＳＡＷチップが製造される。
【００１７】
次に、第２の製造方法について説明する。図４に第２の製造方法の説明図を示す。図４において、右側に示す図は圧電ウエハ２４上に形成されるＳＡＷチップの平面図であり、左側に示す図はＸ−Ｘ’線における断面図である。なおＳ２１０からＳ２３０までの圧電ウエハ２４上に金属膜２６を成膜して、この金属膜２６の表面全体に陽極酸化膜２２を形成し、陽極酸化膜２２上にフォトレジストのマスク２８を形成する工程は、第１の製造方法におけるＳ１１０からＳ１３０までの工程と同じなので、説明を略する。
【００１８】
陽極酸化膜２２上には、ＩＤＴ１４、反射器１６、引出し電極１８およびパッド２０の位置に対応してフォトレジストのマスク２８が形成されている。このフォトレジストのマスク２８が設けられていない部分の陽極酸化膜２２と金属膜２６をドライエッチングにより除去する。このとき陽極酸化膜２２または金属膜２６の途中までを除去する（Ｓ２４０）。このドライエッチングの方法は第１の製造方法と同じものを用いればよい。またドライエッチングを途中で止めるタイミングは任意のタイミングで止めることができるが、少なくとも圧電ウエハ２４と金属膜２６の界面に達する前でドライエッチングを止める必要がある。次にウエットエッチングにより、ドライエッチングを止めたところから圧電ウエハ２４の表面までをエッチングしてＩＤＴ１４、反射器１６、引出し電極１８およびパッド２０を形成する（Ｓ２５０）。このウエットエッチングは、例えばリン酸系の溶液に浸漬して行われる。その後、陽極酸化膜２２上に残るフォトレジストのマスク２８を剥離すれば、圧電ウエハ２４の表面にＩＤＴ１４、反射器１６、引出し電極１８およびパッド２０が形成される（Ｓ２６０）。そしてパッド２０の表面を被う陽極酸化膜２２をエッチング等により除去して、金属膜２６のみにする（Ｓ２７０）。そして最後に、圧電ウエハ２４をダイシング等により切断して各ＳＡＷチップが製造される。
【００１９】
次に、第３の製造方法について説明する。図５に第３の製造方法の説明図を示す。図５において、右側に示す図は圧電ウエハ２４上に形成されるＳＡＷチップの平面図であり、中央に示す図はＹ−Ｙ’線における断面図であり、左側に示す図はＸ−Ｘ’線における断面図である。まず圧電ウエハ２４の表面全体に、スパッタ法や蒸着法等を用いてアルミニウムやアルミニウム系合金等の金属膜２６を成膜する（Ｓ３１０）。この金属膜２６の表面全体にフォトレジストを塗布し、露光および現像して、前記パッド２０が形成される位置に対応した部分以外を除去する。すなわち、パッド２０が形成される位置に対応して第１のフォトレジストマスク３０を形成する（Ｓ３２０）。次に、第１のフォトレジストマスク３０が形成された部分を除く金属膜２６の表面全体を陽極酸化して陽極酸化膜２２を形成する（Ｓ３３０）。次に、第１のフォトレジストマスク３０を剥離後、この陽極酸化膜２２および、第１のフォトレジストマスク３０除去部の表面全体にフォトレジストを塗布し、露光および現像して、ＩＤＴ１４、反射器１６、パッド２０および引出し電極１８の電極パターンが形成される位置に対応した部分以外を除去する。すなわち、ＩＤＴ１４、反射器１６、パッド２０および引出し電極１８の電極パターンが形成される位置に対応して第２のフォトレジストマスク３２を形成する（Ｓ３４０）。そしてフォトレジストを除去した部分をドライエッチングする。このドライエッチングにより陽極酸化膜２２または金属膜２６の途中までを除去する（Ｓ３５０）。このドライエッチングの方法は第１の製造方法と同じものを用いればよく、またドライエッチングを途中で止めるタイミングは第２の製造方法のＳ２４０と同じにすればよい。次にウエットエッチングにより、ドライエッチングを途中で止めたところから圧電ウエハ２４の表面まで除去して前記電極パターンを形成する（Ｓ３６０）。次に、第２のフォトレジストマスク３２を剥離する（Ｓ３７０）。そして最後に、圧電ウエハ２４をダイシング等により切断して各ＳＡＷチップが製造される。
【００２０】
次に、アルミニウム系の金属膜２６上に酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）の陽極酸化膜２２を形成し、ドライエッチングした後にウエットエッチングして製造したＳＡＷチップ１０のアフターコロージョンについて評価を行った。ドライエッチングは電子サイクロトロン共鳴法により塩化ホウ素および塩素のプラズマを生成して行い、ウエットエッチングはリン酸系の溶液に浸漬して行った。このドライエッチングとウエットエッチングした後に、陽極酸化膜２２上に形成されたフォトレジストのマスク２８を剥離し、水洗およびスピンドライしてＳＡＷチップ１０を製造した。そして、このＳＡＷチップ１０を大気中で９６時間放置した後に、金属膜２６と陽極酸化膜２２の部分を外観観察した。この評価結果を表１に示す。また表１には従来技術に係る方法、すなわち金属膜上にスパッタ法または化学気相成長（ＣＶＤ）法を用いて酸化シリコン（ＳｉＯ2）を成膜して保護膜を形成し、ドライエッチングした後にウエットエッチングして製造したＳＡＷチップのアフターコロージョンの評価結果を示す。
【表１】
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【００２１】
表１の評価結果より、本実施形態に係るＳＡＷチップ１０のアフターコロージョン発生比を１とすると、スパッタ法で酸化シリコンを成膜したＳＡＷチップではアフターコロージョン発生比が６００となり、ＣＶＤ法で酸化シリコンを成膜したＳＡＷチップではアフターコロージョン発生比が７５となった。これにより、本実施の形態に係るＳＡＷチップ１０の製造方法では、従来技術に係るＳＡＷチップの製造方法と比べてアフターコロージョンがほとんど発生しないことがわかる。
【００２２】
そして、本実施の形態に係るＳＡＷチップ１０をパッケージに実装すればＳＡＷ共振子となり、ＳＡＷチップと発振回路をパッケージに実装すればＳＡＷ発振器となる。また本実施の形態に係るＳＡＷチップ１０をＳＡＷフィルタとすることもできる。このようにしてＳＡＷデバイスが形成される。
【００２３】
このように、ＩＤＴ１４および反射器１６等を構成する金属膜２６上に、この金属の陽極酸化膜２２を形成したので、金属膜２６を構成する原子と陽極酸化膜２２原子とが結合した、すなわち金属膜２６と陽極酸化膜２２の界面が連続した電極となる。このため、ドライエッチングしてＩＤＴ１４および反射器１６等の電極を形成するときに、金属膜２６と陽極酸化膜２２の界面にエッチングガスの塩素成分が入り込み、そして残留することがない。よって前記電極にアフターコロージョンが発生することがなく、ＳＡＷチップ１０の品質を維持することができる。
【００２４】
また陽極酸化膜２２は、例えばリン酸塩等の水溶液に圧電ウエハ２４を浸漬して、圧電ウエハ２４上に形成された金属膜２６を陽極にするとともに、前記水溶液中に陰極電極を浸漬し、前記陽極と前記陰極電極に電圧を加えることにより形成される。この陽極酸化膜２２は常温で形成することができるので、圧電ウエハ２４に熱が加わることはない。このため、圧電ウエハ２４の焦電性効果によりＩＤＴ１４等の電極や圧電ウエハ２４自体に破損が生じることがなく、ＳＡＷチップ１０の品質の劣化を防止することができる。
【００２５】
またＩＤＴ１４等の電極を、少なくとも圧電ウエハ２４と金属膜２６の界面に達する前までドライエッチングを行い、その後ウエットエッチングを行って形成しているので、圧電ウエハ２４と金属膜２６の界面はウエットエッチングされることになる。このため、圧電ウエハ２４と金属膜２６の界面にアフターコロージョンの原因となるエッチングガスの塩素成分が入り込み、かつ残留することがないのでアフターコロージョンが発生しない。よって、エッチング工程以降の工程において、およびＳＡＷチップ１０の完成以降にＩＤＴ１４等の電極に腐食が発生せず、高い信頼性を有するＳＡＷチップ１０を製造することができる。
【００２６】
また上述したＳＡＷチップ１０のＩＤＴ１４等の電極は単層の金属から形成されていたが、複数の金属を積層してなる電極についてもドライエッチングとウエットエッチングを組み合わせて形成することができる。次に、この場合の電極の形成方法を説明する。図６は複数の金属膜を積層して形成した電極の断面図である。圧電基板４０上には複数の金属が積層され、最表面に陽極酸化膜４６が形成されている。すなわち、圧電基板４０上には第２金属膜４２が成膜され、この第２金属膜４２の上面に第１金属膜４４が成膜されて金属電極を形成している。第２金属膜４２は、例えばチタンまたはクロム等からなり、第１金属膜４４は、例えばアルミニウムまたはアルミニウム系合金からなる。なお、これらの金属の種類はＳＡＷチップの構成により適宜変更して用いればよい。また金属電極は２層構造であるが、金属膜を３層以上積層して金属電極を形成してもよい。そして第１金属膜４４の表面を陽極酸化して、陽極酸化膜４６を形成する。この電極４８において、圧電基板４０の原子と第２金属膜４２の原子、および第２金属膜４２の原子と第１金属膜４４の原子は互いに完全に結合していないので、圧電基板４０と第２金属膜４２の界面、および第２金属膜４２と第１金属膜４４の界面は不連続となる。しかし第１金属膜４４の原子と陽極酸化膜４６の原子は互いに結合しているので、第１金属膜４４と陽極酸化膜４６の界面は連続となる。
【００２７】
次に、陽極酸化膜４６の表面全体にフォトレジストを塗布し、露光および現像をしてＩＤＴ等の電極パターン以外の部分のフォトレジストを除去する。そして陽極酸化膜４６の表面から、第１金属膜４４と第２金属膜４２の界面に達する前までをドライエッチングする。このドライエッチングは、上述した第１の製造方法と同様にして行えばよい。この後、ウエットエッチングにより、ドライエッチングを止めたところから圧電基板４０の表面までをエッチングしてＩＤＴ等の電極４８を形成する。このウエットエッチングは、上述した第２の製造方法と同様にして行えばよい。そして最後に、陽極酸化膜４６上に形成されたフォトレジストのマスクを剥離すれば、複数の金属膜を積層し、最表面に陽極酸化膜４６を形成してなる前記電極４８を形成することができる。
【００２８】
これにより、陽極酸化膜４６と第１金属膜４４の界面、第１金属膜４４と第２金属膜４２の界面および第２金属膜４２と圧電基板４０の界面に、エッチングガスの塩素成分が入り込み、かつ残留することがないので、アフターコロージョンが発生することがない。よって、高い信頼性を有するＳＡＷチップを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本実施形態に係る弾性表面波素子片の断面図である。
【図２】本実施形態に係る弾性表面波素子片の概略を示す平面図である。
【図３】弾性表面波素子片の第１の製造方法に係る説明図である。
【図４】弾性表面波素子片の第２の製造方法に係る説明図である。
【図５】弾性表面波素子片の第３の製造方法に係る説明図である。
【図６】複数の金属膜を積層して形成した電極の断面図である。
【符号の説明】
【００３０】
１０………ＳＡＷチップ（弾性表面波素子片）、１２………圧電基板、１４………ＩＤＴ（すだれ状電極）、１６………反射器、２２………陽極酸化膜、２４………圧電ウエハ、２６………金属膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【手続補正書】
【提出日】平成16年3月10日(2004.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2005072942.tif 000010
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
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