(57)【要約】【課題】  化学的機械的研磨における研磨レートや研磨時間の設定を、研磨対象の製品ウエハや使用する装置等の機差を考慮して高精度に行えるようにする。【解決手段】化学的機械的研磨の状況を示す曲線のうち、目標研磨量を示す側の部分を良く近似する式を算出式として用いることで、研磨レートや研磨時間の算出を、実際に製品ウエハの研磨を実施する化学的機械的研磨状況に則して精度高く設定することができる。かかる算出式では、研磨対象の膜の膜性状に関するパラメータＡと、膜表面の起伏状態に関するパラメータＢと、化学的機械的研磨装置の装置間機差に関するパラメータＣとが演算子で結合されている。【選択図】  図１
2005252036.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
製品ウエハに依存するウエハ依存パラメータと、前記ウエハ依存パラメータとは独立して前記製品ウエハを化学的機械的研磨する装置に依存する装置依存パラメータとが、演算子により結合された算出式を用いて算出した値により前記製品ウエハを化学的機械的研磨することを特徴とする化学的機械的研磨方法。
【請求項２】
製品ウエハの化学的機械的研磨を行うに先立って、ダミーウエハを用いることなく、前記製品ウエハの前に処理した製品ウエハを用いて研磨条件を決めることを特徴とする化学的機械的研磨方法。
【請求項３】
製品ウエハの化学的機械的研磨を行うに先立って、製品ウエハとは異なるウエハを用いて設定した基準研磨レートから算出した前記製品ウエハの研磨時間と、前記製品ウエハを前記基準研磨レートで化学的機械的研磨を行った際の実測研磨時間との差を見出す先行研磨を行わず、設計データから研磨条件算出式の前記製品ウエハに依存するウエハ依存パラメータを決めることを特徴とする化学的機械的研磨方法。
【請求項４】
以下のパラメータを用いた算出式により算出した値により化学的機械的研磨を行うことを特徴とする化学的機械的研磨方法；
（ａ）前記化学的機械的研磨に対する被研磨膜の膜性状の影響を示すパラメータ、
（ｂ）前記化学的機械的研磨に対する被研磨膜の起伏状態の影響を示すパラメータ。
【請求項５】
請求項４記載の化学的機械的研磨方法において、
前記算出式に含まれる前記パラメータの少なくとも一つを、製品ウエハの研磨状態に沿って修正することを特徴とする化学的機械的研磨方法。
【請求項６】
以下のパラメータを用いた算出式により算出した値により化学的機械的研磨を行うことを特徴とする化学的機械的研磨方法；
（ａ）前記化学的機械的研磨に対する被研磨膜の膜性状の影響を示すパラメータ、
（ｂ）前記化学的機械的研磨に対する被研磨膜の起伏状態の影響を示すパラメータ、
（ｃ）前記化学的機械的研磨に対する化学的機械的研磨装置の装置間機差の影響を示すパラメータ。
【請求項７】
請求項６記載の化学的機械的研磨方法において、
前記算出式に含まれる前記パラメータの少なくとも一つを、製品ウエハの研磨状態に沿って修正することを特徴とする化学的機械的研磨方法。
【請求項８】
製品ウエハの化学的機械的研磨における研磨条件を、直前ウエハの研磨条件、あるいは直前ウエハまでの任意の複数製品ウエハの研磨条件に基づき算出することを特徴とする化学的機械的研磨方法。
【請求項９】
以下の手段を有することを特徴とする化学的機械的研磨システム；
（ａ）算出式に基づき研磨条件を演算する演算手段、
（ｂ）前記算出式を構成するパラメータのデータを保持するデータ記憶手段、
（ｃ）前記パラメータのデータを製品ウエハの研磨実績に基づき更新するデータ更新手段、
（ｄ）前記製品ウエハの研磨実績を測定する測定手段、
（ｅ）前記製品ウエハを前記算出式に基づき演算した前記研磨条件で化学的機械的研磨を行う化学的機械的研磨手段。
【請求項１０】
請求項９記載の化学的機械的研磨システムにおいて、
前記化学的機械的研磨手段が複数設けられていることを特徴とする化学的機械的研磨システム。
【請求項１１】
以下の処理を行う化学的機械的研磨工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法；
（ａ）製品ウエハの化学的機械的研磨を行うに先立って設定する基準研磨レートを、ダミーウエハを用いることなく前記製品ウエハを用いて設定する処理。
【請求項１２】
以下の処理を行う化学的機械的研磨工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法；
（ａ）製品ウエハの化学的機械的研磨を行うに先立って、製品ウエハとは異なるウエハを用いて設定した基準研磨レートから算出した前記製品ウエハの研磨時間と、前記製品ウエハを前記基準研磨レートで化学的機械的研磨を行った際の実測研磨時間との差を見出す先行研磨を行わずに、前記製品ウエハの化学的機械的研磨を行う処理。
【請求項１３】
以下のパラメータを用いた算出式により算出した値を用いて化学的機械的研磨を行う工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法；
（ａ）前記化学的機械的研磨に対する被研磨膜の膜性状の影響を示すパラメータ、
（ｂ）前記化学的機械的研磨に対する被研磨膜の起伏状態の影響を示すパラメータ。
【請求項１４】
請求項１３記載の半導体装置の製造方法において、
前記算出式に含まれる前記パラメータの少なくとも一つを、製品ウエハの研磨状態に沿って修正することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
以下のパラメータを用いた算出式により算出した値を用いて化学的機械的研磨を行う工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法；
（ａ）前記化学的機械的研磨に対する被研磨膜の膜性状の影響を示すパラメータ、
（ｂ）前記化学的機械的研磨に対する被研磨膜の起伏状態の影響を示すパラメータ、
（ｃ）前記化学的機械的研磨に対する化学的機械的研磨装置の装置間機差の影響を示すパラメータ。
【請求項１６】
請求項１５記載の半導体装置の製造方法において、
前記算出式に含まれる前記パラメータの少なくとも一つを、製品ウエハの研磨状態に沿って修正することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、化学的機械的研磨（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ）に際しての研磨レート等の研磨条件を研磨実績に基づき精度高く算出するのに適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
以下に説明する技術は、本発明を完成するに際し、本発明者によって検討されたものであり、その概要は次のとおりである。
【０００３】
化学的機械的研磨技術は、近年、益々半導体装置の高集積化が要求されるなか、半導体ウエハの高精度平坦化において極めて重要な技術として位置づけられている。化学的機械的研磨は、回転する研磨パッドと半導体ウエハの被研磨面との間に、砥粒と薬液とからなるスラリーを供給しながら行う研磨である。
【０００４】
かかる化学的機械的研磨では、実際の製品ウエハの研磨に先立ち、ダミーウエハを用いて使用する化学的機械的研磨装置での基準の研磨レートを設定する。かかる設定された基準研磨レートで実際のウエハを何枚か先行研磨し、先行研磨した結果から研磨時間の過不足を確認し、先に設定した基準研磨レートに適した最適研磨時間を設定してその後の製品研磨を行う。基準研磨レートは、研磨時間の設定精度を含めて、研磨の良否を左右する極めて重要なファクターであるため、その後の製品研磨において、定期的に見直しを行いできるだけ正確な値を用いるようにしている。
【０００５】
このように、化学的機械的研磨においては製品ウエハの研磨を開始する前に、ダミーウエハを用いたり、先行研磨を行ったり等して、製品ウエハの基準研磨レートの設定をも含めて諸種の研磨条件を設定するためにかなりの前作業を行っている。
【０００６】
また、適切な基準研磨レートが設定できない場合には、かかる研磨レートに基づき所定時間かけて化学的機械的研磨した結果が研磨不足や過剰研磨となり、追加研磨あるいは研磨済みウエハの廃棄に繋がり、結果として化学的機械的研磨工程のスループットを著しく低下させることとなる。
【０００７】
そこで、かかる研磨レートを効率よく、高精度に算出する技術が求められている。かかる技術の一つとして、研磨前の膜厚データと研磨後の膜厚データの差と、実際の研磨時間とから、最新の研磨レートを算出し、工場ホストコンピュータからプロセスレシピ情報を最適レシピとして化学的機械的研磨装置へ設定する技術が提案されている（特許文献１参照）。
【０００８】
被研磨材の研磨前の厚さ、研磨時間、研磨後の厚さ及び被研磨体の厚さの目標値を含むパラメータと演算子を用いて、任意に設定された計算式に基づき被研磨体の最適研磨時間を算出する技術も提案されている（特許文献２参照）。
【０００９】
さらには、推定研磨レートを算出して、品種／工程／製造設備ごとに推定研磨時間を決定する技術も提案されている（特許文献３参照）。
【特許文献１】特開平１１−１８６２０４号公報
【特許文献２】特開２００２−１５４０５３号公報
【特許文献３】特開２００２−３３４１３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところが、上記研磨レートの設定技術においては、以下の課題があることを本発明者は見出した。
【００１１】
すなわち、特許文献１記載の技術では、被研磨パターン形状または被研磨膜質によって研磨レートが異なるため、多品種生産には不向きな研磨レートの設定技術である。
【００１２】
特許文献２記載の方法では、装置消耗部材の状態により時々刻々と変化する研磨レートの変動が考慮されておらず、研磨レート算出の精度を高めることは期待できない。また、かかる技術では、最適研磨時間を算出するための計算式の決定方法が述べられておらず、どのようにして研磨レートの算出を行えばよいか不明である。
【００１３】
一方、特許文献３に記載の技術では、重み付けを用いて推定研磨レートの算出を行うことができるように配慮されている。しかし、かかる重み付けの定義が不明確である。そのため、推定研磨レート自体の定義が曖昧となり、算出する推定研磨レートの精度を確保することができない。さらには、モデル式が実際とズレていた場合には、その補正機能がないため、研磨量あるいは研磨時間のコントロールができない不都合もある。
【００１４】
また、実際の化学的機械的研磨においては、研磨対象としている膜の凹凸パターンによって、研磨状況が大きく変わるが、かかる点の研磨レートへの配慮を行った技術は見られない。
【００１５】
さらに、化学的機械的研磨においては、同一ロットの製品ウエハの研磨においても、複数台の化学的機械的研磨装置を使用したり、あるいは一台の化学的機械的研磨装置でも、複数の研磨ヘッドを使用したりする場合があり、かかる装置間あるいはヘッド間の差としての所謂機差の研磨レートへの影響を考慮した技術が見当たらない。本発明者は、精度の高い研磨レートの算出には、かかる点の配慮を行うことが重要であると考えた。
【００１６】
本発明の目的は、化学的機械的研磨における研磨レートや研磨時間の設定を高精度に行えるようにすることにある。
【００１７】
他の本発明の目的は、化学的機械的研磨における研磨レートや研磨時間の設定に際して、装置間の機差を考慮できるようにすることにある。
【００１８】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００２０】
研磨レートあるいは研磨時間の算出式を、膜質に関するパラメータ、研磨対象の膜の凹凸パターンに関するパラメータ、装置間機差を示すパラメータを入れた式とすることで、膜質、凹凸パターン、装置間機差に基づく影響を考慮した研磨レート、研磨時間の算出を行う。
【発明の効果】
【００２１】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００２２】
研磨レートあるいは研磨時間の算出式に、膜質に関するパラメータ、凹凸パターンに関するパラメータ、化学的機械的研磨装置の装置間機差に関するパラメータを含めることで、高精度の化学的機械的研磨を行うことができる。
【００２３】
かかる研磨レートを、実際の製品ウエハの研磨実績に基づき補正することで、より研磨レートの算出精度を高めることができ、より一層の研磨工程の効率化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材等には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。
【００２５】
本発明の化学的機械的研磨方法では、新規の算出式を用いて、研磨レートあるいは研磨時間等の研磨条件を算出して、化学的機械的研磨を行う。かかる新規の算出式は、化学的機械的研磨対象の製品ウエハに依存する項、製品ウエハを化学的機械的研磨する装置に依存する項とから構成され、かかる各々の項が演算子により結合されている。
【００２６】
製品ウエハに依存する項は、使用する化学的機械的研磨装置の研磨条件への影響が同様と見做せる条件で、研磨条件への膜質等の膜性状の影響を専ら示すパラメータＡと、研磨条件への研磨対象の膜の凹凸パターン等の起伏状態の影響を専ら示すパラメータＢとを少なくとも有している。パラメータＡとパラメータＢとは各々独立に数値設定することができるものとする。かかるパラメータＡ、Ｂは、それぞれ演算子で結合され、製品ウエハに依存する項を構成している。
【００２７】
また、パラメータＡ、Ｂの数値データは、設計データ、あるいは製品ウエハの研磨実績の測定結果等に基づき、必要に応じて、変更あるいは編集等して更新することができる。
【００２８】
本明細書で製品ウエハとは、化学的機械的研磨を施す生産対象であるウエハを意味し、化学的機械的研磨の条件出し等に使用されるダミーウエハと区別するために用いた言葉である。
【００２９】
パラメータＡに関しての膜性状とは、研磨条件に影響を及ぼす膜の化学的性状、あるいは物理的性状を意味するもので、膜性状の一例としては、膜の硬さや柔らかさを示す膜質が挙げられる。
【００３０】
パラメータＢに関しての起伏状態とは、化学的機械的研磨の対象となる膜面の凹凸の状態を意味するもので、膜がカバーしている下層のパターン密度、成膜時の膜厚均一性の乱れ等に起因して発生する起伏の状態を意味している。
【００３１】
研磨実績とは、製品ウエハの化学的機械的研磨を実際に行ってその研磨状況を数値として把握できるものを意味し、例えば、研磨後の膜厚、研磨量等がその意味するものの一例として挙げられる。
【００３２】
研磨条件とは、化学的機械的研磨装置で実際に化学的機械的研磨を行わせるにあたり、考慮する条件を意味し、例えば、研磨量、研磨速度、研磨レート、あるいは研磨時間等を一例として挙げることができる。
【００３３】
また、装置に依存する項は、研磨対象とする製品ウエハの研磨条件への影響が同様と見做せる条件で、研磨条件への化学的機械的研磨装置の影響を専らに示すパラメータＣを有する。パラメータＣは化学的機械的研磨装置毎に設定することができるものとし、装置に依存する項を構成する。
【００３４】
パラメータＣは、複数台の化学的機械的研磨装置を使用する場合には、上記のように、個々の化学的機械的研磨装置毎に各々設定することができる。また、例えば、１台の化学的機械的研磨装置でも複数の研磨ヘッドを有するマルチヘッド構成の場合には、複数の研磨ヘッド毎にパラメータＣを設定する。従って、かかるパラメータＣは、装置間の機差を示すパラメータとして把握することができる。
【００３５】
加減乗除（＋、−、×、÷）のいずれかを示す演算子を記号＊で示せば、本発明に係る算出式は、次のように表すことができる。すなわち、
研磨条件（研磨レート、研磨時間等）＝製品ウエハ依存項＊装置依存項・・・式１
製品ウエハ依存項＝ｆ（Ａ、Ｂ）、装置依存項＝ｇ（Ｃ）；ｆ、ｇは関数・・・式２
上記算出式をより具体的に示す一例としては、以下の式を挙げることができる。以下の算出式では、膜性状に依存するパラメータＡ、膜の起伏状態に依存するパラメータＢ、装置間機差に依存するパラメータＣがそれぞれ演算子を介して結合されている。すなわち、
研磨レート＝｛（研磨前膜厚−目標膜厚）−（Ｂ＋Ｃ）｝／（Ａ×研磨時間）・・・式３
研磨時間＝｛（研磨前膜厚−目標膜厚）−（Ｂ＋Ｃ）｝／（Ａ×研磨レート）・・・式４
上記式４は、式３を変形したもので同一式である。
【００３６】
上記式３あるいは式４の研磨量を示す（研磨前膜厚−目標膜厚）は、Ａ×（研磨レート×研磨時間）＋（Ｂ）の項と、Ｃからなる項とが、演算子で結合された式である。Ａ×（研磨レート×研磨時間）＋（Ｂ）は、パラメータＡ、Ｂが演算子で結合された製品ウエハ依存の項と言える。Ｃの項は、装置間の機差を示すパラメータＣからなる装置依存項と言うことができる。すなわち、式３あるいは式４は、式１、あるいは式２をより具体的に例示したものと言える。
【００３７】
本発明者は、かかる提案の算出式を、製品ウエハの実際の化学的機械的研磨を観察する中で、化学的機械的研磨状況をよく近似するものとして見出した。
【００３８】
すなわち、実際の製品ウエハの化学的機械的研磨で、化学的機械的研磨を行いながら、膜厚をモニタリングすると、対数近似的に膜厚が研磨時間と共に変化する。かかる様子を研磨量と研磨時間との２軸のグラフとして示すと、例えば、図１（ａ）、（ｂ）に示すようになる。すなわち、化学的機械的研磨の状況は、対数近似曲線ｈで把握することができる。対数近似曲線ｈ上の点Ｐが、目標研磨量を示す点である。
【００３９】
尚、図１（ａ）に示す場合は、研磨対象の製品ウエハの膜表面における凹凸パターンの凸部で膜厚モニタリングを行った場合であり、図１（ｂ）の場合は凹部で膜厚モニタリングを行った場合である。
【００４０】
本発明者は、対数近似曲線ｈは、図１（ａ）、（ｂ）に示すように、研磨開始から目標研磨量に達して研磨が終了するまでの推移が、研磨される側の製品ウエハの状況に依存して、大きく２パターンに分けられることに気がついた。かかるパターンを、図１（ａ）、（ｂ）に示すように、被研磨パターンＩ、IIとして示した。
【００４１】
研磨前の膜表面に凹凸起伏がある状態から、化学的機械的研磨を開始してある程度に膜表面が平らになる迄のパターン（図中、被研磨パターンＩと表示）と、膜表面がある程度平らになった後、目標膜厚まで膜表面全体が化学的機械的研磨されて行く迄のパターン（図中、被研磨パターンIIと表示）とに分けられることに気がついた。実際の研磨状況は、図１（ａ）、（ｂ）に示すように、被研磨パターンＩを経て、被研磨パターンIIに推移すると把握することができる。
【００４２】
図１（ａ）の場合を例に挙げて説明すると、被研磨パターンＩでは、化学的機械的研磨が開始されると、研磨対象の膜表面の凹凸パターンの凸部が当初研磨されて行くため、単位時間当たりの研磨量は大きく急峻に上昇している。研磨が進行して、凸部が少なくなるにつれて、単位時間当たりの研磨量を示す急峻なカーブの傾きは鈍ってくる。
【００４３】
図１（ａ）に示すように、研磨開始からｔ１時間経過後には、単位時間当たりの研磨量は略一定の傾きの直線で近似できるようになってくる。かかる時間ｔ１が、被研磨パターンＩから被研磨パターンIIへの変わり目の時間である。被研磨パターンＩは、膜の起伏状態の影響が専ら研磨量、研磨速度、研磨時間等の研磨条件に影響を与えているパターンと理解することができる。
【００４４】
一方、研磨時間ｔ１経過後は、化学的機械的研磨の上記研磨条件に影響するファクターは、膜表面の凹凸パターン等の起伏状態ではなくなり、膜質等の膜性状の影響が主として出てくると理解することができる。すなわち、被研磨パターンＩの領域ではパラメータＢの影響が大きく効き、被研磨パターンIIの領域ではパラメータＡの影響が大きく効くものと、本発明者は把握した。
【００４５】
化学的機械的研磨に際しては、理想的には、かかる実際の化学的機械的研磨状況を示す対数近似曲線ｈの式を求めて、かかる式から研磨レートあるいは研磨時間等の必要な研磨条件を算出して、化学的機械的研磨を行えば、実際の化学的機械的研磨状況に則した研磨レートあるいは研磨時間の推定ができ好ましい。しかし、現実には、種々の要因を考慮した対数近似曲線ｈは複雑な式となることが予想され、数式として実際に関数表示することは現実的には困難である。
【００４６】
そこで、如何に、かかる対数近似曲線ｈで示される実際の化学的機械的研磨状況に合わせた近似式を算出式として導き出すことができるかが、より正確な研磨レート、あるいは研磨時間の推定算出に際して必要なこととなる。
【００４７】
本発明者は、このような中、対数近似曲線ｈの近似といっても、対数近似曲線ｈの全体を近似する必要はないと考えた。対数近似曲線ｈのうち、被研磨パターンＩの領域に属する部分は、上記説明のように、化学的機械的研磨開始当初の状況を示す部分で、最終研磨量を示す研磨終点は、被研磨パターンIIの領域に存在する筈である。
【００４８】
そこで、被研磨パターンIIの領域における対数近似曲線ｈ部分の近似が行えればよいのではないかと着想した。
【００４９】
図１（ａ）に示すように、被研磨パターンIIの領域では、対数近似曲線ｈは、傾きが一定の直線で推移しており、かかる部分は対数近似曲線ｈの漸近線として十分に良好な近似を行うことができると考えた。研磨終点を示す点、すなわち、最終研磨量を示す点は、かかる漸近線の直線式上にあると仮定しても十分に有効なものと考えられる。かかる漸近線を直線ｉ（図中、太線表示）として示す。直線ｉは、切片を有する直線式で示される筈である。
【００５０】
直線ｉは、図１（ａ）に示すように、被研磨パターンIIの領域では、膜質等の膜性状に依存し、且つ、研磨時間、研磨レート（単位時間当たりの研磨量）に比例する関数として表現できる筈である。膜質等の膜性状に関するパラメータと研磨時間との関数となる。
【００５１】
一方、切片部分は、研磨対象の膜表面の凹凸パターン等の起伏状態の影響を示す被研磨パターンＩの領域に起因しているものと見做すことができる。そこで、かかる切片部分は、凹凸パターンに関係するパラメータの関数となるものと思われる。
【００５２】
そこで、本発明者は、上記諸点を考慮して、前述の如く膜質等の膜性状に関してのパラメータをＡ、膜の凹凸パターン等の起伏状態に関するパラメータをＢ、装置間機差に関してのパラメータをＣとすれば、例えば、以下の近似式が成立するものと着想した。
【００５３】
すなわち、
研磨量＝（Ａ×研磨レート×研磨時間＋Ｂ）＊Ｃ・・・式５
上記式５では、装置間機差に関してのパラメータＣは、加減乗除のいずれかの演算子を用いて、研磨パラメータＡ、Ｂに関与していることを示している。
【００５４】
本発明者は、装置間の機差として、現実的に化学的機械的研磨に影響を及ぼす場合としては、例えば、研磨時間の計時開始と実際の研磨開始とに時間差が発生している場合を挙げることができる。すなわち本来０であるべき時間差が０でない場合がある。かかる時間差は、化学的機械的研磨装置間で、同一時間を設定しても、実際の研磨時間が装置毎に異なるもので、装置間の機差として研磨量等の研磨条件に影響を及ぼすこととなる。
【００５５】
例えば、かかる計時開始と研磨開始との時間差を示すものとして機差を示すパラメータＣを定義すれば、パラメータＣは、図１（ａ）における対数近似曲線ｈの立ち上がり位置が原点０ではなく、ズレた位置から立ち上がることとなり、結果的には、直線ｉの切片の値に影響を及ぼすものとなる筈である。
【００５６】
そこで、機差を示すパラメータＣとして、例えば、計時開始と研磨開始の時間差等を挙げれば、上記式５は、以下のように表すことができる。すなわち、
研磨量＝Ａ×研磨レート×研磨時間＋Ｂ＋Ｃ・・・式６
ここで、研磨量は、化学的機械的研磨を施す前の膜厚と、目標膜厚との差に依存するため、研磨量に研磨前膜厚−目標膜厚を代入することで、上記式６は、前述の式３あるいは式４に帰属することとなる。
【００５７】
このように本発明で用いる算出式は、実際の化学的機械的研磨状況を示す対数近似曲線ｈの実際の目標研磨量に係る部分を直線として近似することで得られた式であり、実際の化学的機械的研磨状況に沿って精度高く、研磨レート、研磨時間の算出を行うことができる式と言える。
【００５８】
一方、化学的機械的研磨において、パラメータＡ、Ｂを考慮しないこれまでの方法では、対数表示の研磨量は研磨時間に比例するという仮定を行っていた。かかる場合を、図１（ａ）で示すと、縦軸に対数研磨量、横軸に研磨時間を示すグラフで、原点０と目標研磨量を示す点Ｐとを通る直線ｇとして近似して、化学的機械的研磨状況の把握をしていたこととなる。すなわち、目標研磨量を示す点Ｐに至るまでは、研磨レートは一定で、研磨量は時間に比例すると仮定する考え方である。
【００５９】
直線ｇによるこれまでの近似方法では、図１（ａ）からも明らかなように、実際の化学的機械的研磨状況を示す対数近似曲線ｈとの相似部分は見つけ難い。一方、本発明で提案する式３、あるいは式４、あるいは式６として表現される算出式は、前述の如く、被研磨パターンIIの領域で対数近似曲線ｈを十分に近似している。
【００６０】
そのため本発明で提案する算出式を用いることで、最適な研磨時間を精度高く設定することができる。例えば、目標研磨量を示す点Ｐまで化学的機械的研磨を行ったが、目標研磨量の設定不具合等により、さらに追加研磨を行い最終研磨量を示す点Ｑを再設定する必要が発生したとする。
【００６１】
この場合、最終研磨量を示す点Ｑは、対数近似曲線ｈの被研磨パターンII領域の点Ｐより先にある筈である。かかる場合に、追加研磨に必要な時間は、図１（ａ）に示すように、研磨時間ｔｐ、ｔｑの差であるΔｔｑとなる。
【００６２】
一方、これまでの方法では化学的機械的研磨状況は、目標研磨量を示す点Ｐと原点を結ぶ直線ｇで近似しているため、追加研磨の時間は、直線ｇにおける最終研磨量を示す点Ｑ１における研磨時間ｔｑ１と、点Ｐにおける時間ｔｐとの差であるΔｔｑ１となる。しかし、図１（ａ）に示す如く、Δｔｑ１<<Δｔｑで、大きな誤差が発生することが分かる。これに反して、本発明での式は、漸近線を良く近似する直線ｉとなる算出式を用いているため、かなりの精度でΔｔｑに近い追加研磨に必要な時間を算出することができる。
【００６３】
上記説明では、本発明で提案する式が、実際の化学的機械的研磨状況を良く近似するものであることを、図１（ａ）に示す場合、すなわち、研磨対象の製品ウエハの膜表面における凹凸パターンの凸部で膜厚モニタリングを行った場合を例に挙げて説明したが、膜厚モニタリングを凹部で行った図１（ｂ）に示す場合からも同様にその有効性について説明することができる。本発明で提案する算出式は、化学的機械的研磨対象の膜表面の凹凸いずれのパターンにも適う式である。
【００６４】
以下、本発明における提案の算出式が、凹部で膜厚モニタリングを行った図１（ｂ）に示す場合からも、十分にその有効性が検証できることを説明する。
【００６５】
実際の化学的機械的研磨状況が図１（ｂ）の対数近似曲線ｈで示される凹部で膜厚モニタリングを行った場合は、化学的機械的研磨が開始されると、被研磨パターンＩでは、研磨対象の膜表面の凹凸パターンの凹部は当初研磨されないため、単位時間当たりの当初研磨量はそれ程大きくはならないが、研磨が進行するにつれ研磨量は次第に増えて行く。さらに、研磨が進行すると、被研磨パターンＩから被研磨パターンIIへ移行する。この変わり目を時間ｔ１とすると、研磨開始からｔ１時間経過後には、単位時間当たりの研磨量は略一定の傾きの直線で近似できるようになってくる。
【００６６】
そこで、図１（ｂ）に示す場合にも、図１（ａ）に示す場合と同様に、被研磨パターンＩは、膜の起伏状態の影響が専ら研磨量、研磨速度、研磨時間等の研磨条件に影響を与えているパターンと理解することができる。研磨時間ｔ１経過後は、化学的機械的研磨の上記研磨条件に影響するファクターは、膜表面の凹凸パターン等の起伏状態ではなくなり、膜質等の膜性状の影響が主として出てくると理解することもできる。
【００６７】
すなわち、図１（ｂ）に示す場合も、図１（ａ）に示す場合と同様に、被研磨パターンＩの領域ではパラメータＢの影響が大きく効き、被研磨パターンIIの領域ではパラメータＡの影響が大きく効くものと把握しても構わない。
【００６８】
また、化学的機械的研磨の研磨レート、研磨時間等の研磨条件の算出に際しては、図１（ｂ）の場合も、図１（ａ）と同様に考えて、対数近似曲線ｈの全体を近似する必要はなく、最終研磨量に関わる研磨終点の情報が得られる被研磨パターンIIの領域における対数近似曲線ｈ部分の近似が行えればよいと考えることができる。
【００６９】
図１（ｂ）に示す場合も、前記のように、被研磨パターンIIの領域では、対数近似曲線ｈは、傾きが一定の直線で推移しており、かかる部分は対数近似曲線ｈの漸近線として十分に良好な近似を行うことができる筈である。かかる漸近線を直線ｉ（図中、太線表示）として示すと、直線ｉは切片を有する直線式で示される筈である。
【００７０】
また、かかる直線ｉは、図１（ｂ）に示す場合も、図１（ａ）に示すと同様に、パラメータＡの影響が大きく効く被研磨パターンIIの領域では、膜質等の膜性状に依存し、且つ、研磨時間、研磨レート（単位時間当たりの研磨量）に比例する関数として表現できる筈で、膜質等の膜性状に関するパラメータＡと研磨時間との関数となる。切片部分は、研磨対象の膜表面の凹凸パターン等の起伏状態の影響を示す被研磨パターンＩの領域に起因しているものと見做すことができ、凹凸パターンに関係するパラメータＢの関数となる筈である。そこで、直線ｉに適う式としては、前述の式５で示す近似式を想定することができる。
【００７１】
また、機差を示すパラメータＣを、例えば、計時開始と研磨開始の時間差等を示すものとして把握し、研磨量を研磨前膜厚−目標膜厚と把握することで、図１（ｂ）に示す対数近似曲線ｈの被研磨パターンII部分を良く近似する式として提案した式５は、図１（ａ）の場合と同様に、式６として、さらには式３あるいは式４として表現することができる。
【００７２】
従って、本発明で用いる算出式は、化学的機械的研磨対象の膜表面の凹凸パターンの如何に関わらず適用できる式であることが分かる。膜表面の凹凸パターンのいずれか一方のモデルにしか適わないという性質のものではなく、双方のモデルに有効に適用できるもので、極めて汎用性の高い算出式ということができる。かかる算出式を用いれば、実際の化学的機械的研磨状況に沿って精度高く、研磨レート、研磨時間の算出を行うことができる。
【００７３】
さらに、図１（ｂ）に示す場合でも、これまでの近似方法と、本発明で提案する算出式を用いた場合とでは、例えば、追加研磨における精度は、図１（ａ）に示す場合と同様に、はるかに本発明に関わる算出式を用いた方が精度が高い。
【００７４】
図１（ｂ）に示す場合も、これまでの近似方法では、前述の説明の如く、原点と目標研磨量の点Ｐとを結ぶ直線ｇで近似が行われている。かかる場合に、目標研磨量を示す点Ｐまで化学的機械的研磨を行ったが、目標研磨量の設定不具合等により、さらに追加研磨を行い最終研磨量を示す点Ｑを再設定する必要が発生したと想定する。
【００７５】
この場合、最終研磨量を示す点Ｑは、対数近似曲線ｈの被研磨パターンII領域の点Ｐより先にある筈で、追加研磨に必要な時間は、図１（ｂ）に示すように、研磨時間ｔｐ、ｔｑの差であるΔｔｑとなる。
【００７６】
一方、直線ｇで近似するこれまでの方法では、追加研磨の時間は、直線ｇにおける最終研磨量を示す点Ｑ１における研磨時間ｔｑ１と、点Ｐにおける時間ｔｐとの差であるΔｔｑ１となる。しかし、図１（ｂ）に示す如く、Δｔｑ１>>Δｔｑで、大きな誤差が発生することとなる。
【００７７】
図１（ｂ）の場合においては、直線ｇによるこれまでの近似方法を用いた追加研磨時間の設定では、過剰研磨が行われ製品ウエハの廃棄に繋がる極めて重大な障害パターンとなる可能性が高いと言える。しかし、本発明における式は、漸近線を良く近似する直線ｉとなる算出式を用いているため、かなりの精度でΔｔｑに近い追加研磨に必要な時間を算出することができ、追加研磨における製品ウエハの過剰研磨による廃棄の危険性を十分に回避することができる。
【００７８】
本発明の化学的機械的研磨方法では、前記式３あるいは式４等で表現される上記説明の算出式を用いて、研磨条件である研磨レートあるいは研磨時間を算出し、それに基づき化学的機械的研磨を行う。次に、前記説明の算出式の使い方について説明する。
【００７９】
前記説明のように、これまでは、製品ウエハの研磨に際しては、ダミーウエハを用いて基準研磨レートを設定していた。基準研磨レートから必要な研磨時間を求め、実際に製品ウエハを用いて先行研磨を行い、その研磨結果から研磨時間の過不足を補正して以降の製品ウエハを所定枚数化学的機械的研磨していた。
【００８０】
所定枚数の製品ウエハの化学的機械的研磨が終了した時点で、そのときの実際の研磨量を研磨時間で割ることにより、研磨レートを再設定する。再設定した研磨レートに見合った研磨時間を再度設定して、この再設定研磨時間で所定枚数の製品ウエハの化学的機械的研磨を行う。このようにして、基準研磨レートを定期的に再設定しながら、製品ウエハの化学的機械的研磨を行っている。
【００８１】
これまでの基準研磨レートは、所定枚数化学的機械的研磨を行う間は、設定した基準研磨レートが変化しないとの大前提に立っている。しかし、実際は、化学的機械的研磨は、所定押圧力で研磨パッドを被研磨面に当て、間に砥粒を含むスラリーで研磨するため、研磨パッド等の消耗材は時々刻々消耗している筈である。しかし、これまでの方法では、かかる研磨パッド等の消耗材は消耗しないとの前提に立っているのである。
【００８２】
図２に、縦軸に研磨レート、横軸に消耗材使用時間を取った場合の実際の研磨レートの推移を模式的に曲線で示した。研磨レートは、時間と共に研磨パッド等の消耗材が消耗して行くために、模式的には、研磨レートは連続的に下がる曲線で示すことができる。
【００８３】
しかし、図２の階段状の破線で示すように、製品ウエハを所定枚数毎に化学的機械的研磨し終えた状態で、品質管理（ＱＣ）時毎に段階的に基準研磨レートの見直しを行うこれまでの手法では、基準研磨レートを設定し直した直後は実際の研磨レートとのズレは少ないものの、所定枚数の化学的機械的研磨を行って基準研磨レートを見直す必要が生じた時点では、当初設定していた基準研磨レートより実際の研磨レートは低くなっており、追加研磨処理が必要な場合が発生する筈である。かかる基準研磨レートの差を図ではΔｒとして示した。
【００８４】
しかし、本発明の算出式は、前述の如く、以下の式３として示されるので、
研磨レート＝｛（研磨前膜厚−目標膜厚）−（Ｂ＋Ｃ）｝／（Ａ×研磨時間）・・・式３
この式３において、目標膜厚を実際の研磨に際して得られた研磨後の膜厚とすることにより、
基準研磨レート＝｛（研磨前膜厚−研磨後膜厚）−（Ｂ＋Ｃ）｝／（Ａ×研磨時間）・・・式７
と変形することができ、この式７にパラメータＡ、Ｂ、Ｃの値と、直前の化学的機械的研磨の研磨実績に基づく研磨時間、実際の研磨量とを代入することで、直前の製品ウエハの化学的機械的研磨の実際に基づく最新の研磨レートを基準研磨レートとして算出することができる。すなわち、常に、消耗材の消耗に伴う低下を反映した研磨レートをリアルタイムに算出して、基準研磨レートとすることができる。
【００８５】
かかる算出式は、次のように表現することができる。すなわち、
（最適研磨時間）n＝｛（研磨前膜厚−目標膜厚）−（Ｂ＋Ｃ）｝／Ａ×（基準研磨レート）n-1・・・式８
（最適研磨時間）n：ｎ番目の製品ウエハの最適研磨時間
（基準研磨レート）n-1：ｎ−１番目の製品ウエハの研磨実績により求めた研磨レート
そこで、製品ウエハの最適研磨時間は、これから化学的機械的研磨を行おうとする製品ウエハの直前の製品ウエハの研磨実績を踏まえた最新の研磨レートを基準研磨レートとして採用しながら設定できることとなり、例えば、図２に示すような、研磨レートの連続的推移を反映した最適な研磨時間で化学的機械的研磨を行うことができる。
【００８６】
そのため、研磨終了後の追加研磨、あるいは過剰研磨による廃棄を避けることができる。結果として、化学的機械的研磨工程におけるスループットの向上を図ることができる。
【００８７】
このように、本発明で提案の算出式を用いれば、常に最新の研磨レートを基準研磨レートとして用いることで、一度設定した基準研磨レートを所定枚数の製品ウエハの化学的機械的研磨の間は一定であるとの仮定を設けることなく、直前の研磨実績に基づく精度の高い値を基準研磨レートとして使用して、研磨時間を精度高く設定することができる。
【００８８】
このように算出式を用いることで、実際の化学的機械的研磨の研磨実績を常に研磨レートに反映することができる。さらには、実際の化学的機械的研磨の研磨実績に基づき、パラメータＡ、Ｂの値をも実際の研磨状況に算出式が沿うように補正することもできる。
【００８９】
パラメータＡ、Ｂ、Ｃは、当初より固定値を用いても、かかるパラメータＡ、Ｂ、Ｃを用いない場合より、研磨レートあるいは研磨時間の算出を精度高く行うことができることは前述の通りであるが、より精度を高める手段として、パラメータＡ、Ｂの自己補正を行うようにしてもよい。
【００９０】
かかるパラメータＡ、Ｂの自己補正は、次のようにして行う。すなわち、現在行っている化学的機械的研磨について、製品ウエハ毎に研磨が終了したら、研磨実績を、研磨時間、研磨量をそれぞれ示す２軸上の点として把握する。例えば、図３に示すように、研磨実績を打点する。研磨実績の打点は化学的機械的研磨を行う製品ウエハの処理数に応じて増えるので、ある程度の打点数が確保された時点で、例えば、最小二乗法等用いて、複数打点に対応した相関係数が高くなる適切な直線式を設定することができる。かかる直線式に重なるように算出式のパラメータＡ、Ｂを変えることで、パラメータＡ、Ｂの値を補正することができる。かかる操作は、実際には、コンピュータの演算機能を用いて行うようにすれば、容易に行える。
【００９１】
図３には、かかる様子を示した。すなわち、横の破線で示す目標研磨量に対して、研磨実績を示す打点が複数図示されている。かかる打点は、設計データ等から設定したパラメータＡ、Ｂ、Ｃを用いて表現した算出式により算出した研磨条件で、実際に研磨を行って、その研磨毎の実績を示したものである。
【００９２】
図３では、研磨実績を示す打点数が多くなるにつれて、当初の設計データ等から設定したパラメータＡ、Ｂ、Ｃを用いた算出式を示す直線ｊと打点との相関関係が低くなり、直線ｋが研磨実績の打点との相関係数が高い直線となっている様子を示す。この場合に、直線ｋを示す式のパラメータＡ、Ｂに相当する項がα、βの値を示しているとすれば、当初設定していたパラメータＡ、Ｂをα、βに自己補正することで、より現状の研磨実績に沿った形の算出式に変更することができる。すなわち、
研磨量＝α×研磨レート×研磨時間＋β＋Ｃ・・・式６
上記パラメータＡ、Ｂの補正を適宜行うことで、常に現在行っている化学的機械的研磨状況に合わせた算出式を形成していることとなる。パラメータＡ、Ｂ、Ｃを固定方式とする場合は、当初の算出式で表現された化学的機械的研磨モデルに実際の化学的機械的研磨状況が固定される場合を前提としているが、かかるパラメータＡ、Ｂの自己補正を行う方法では、実際の化学的機械的研磨状況を示す化学的機械的研磨モデルが微妙に変化していることを受けた対応と言える。
【００９３】
次に、算出式におけるパラメータＡ、Ｂ、Ｃの扱いについて説明する。パラメータＡは化学的機械的研磨対象の膜質等の膜性状に関するもので、製品ウエハの化学的機械的研磨に際しては、既に同種の製品ウエハにおいて、かかる算出式を用いた化学的機械的研磨実績がある場合には、そこで用いたパラメータＡの値を踏襲して化学的機械的研磨を開始する。化学的機械的研磨の開始後、前記説明のように、実際の研磨状況に合わせてパラメータを自己補正することで、より実際に行っている化学的機械的研磨の状況を反映したパラメータＡの設定を行うことができる。
【００９４】
パラメータＢは、前述の如く、化学的機械的研磨対象の膜の凹凸パターン等の起伏状態に関してのものである。かかるパラメータＢに関しては、上記パラメータＡと同様に、既に算出式を用いた化学的機械的研磨実績がある場合には、そこで用いた値を当初使用すればよい。その後は、実際の化学的機械的研磨状況に合わせて、パラメータＢの補正を行いながら、より実際の化学的機械的研磨状況に合わせるようにすればよい。
【００９５】
パラメータＣは、前述の如く、複数台の化学的機械的研磨装置を使用する場合の研磨量等の研磨条件における装置間機差、あるいは、同一化学的機械的研磨装置における複数の研磨ヘッドを用いる際のヘッド間機差を表すものである。化学的機械的研磨装置、研磨ヘッドに係る以外の製品ウエハ側の条件を同様と見做せる下で、化学的機械的研磨を行った際の装置間の研磨状況の差を示すものとして定義すればよい。
【００９６】
かかるパラメータＣは、装置毎、ヘッド毎に予め設定しておき、実際の化学的機械的研磨を行う装置、ヘッド毎にその値を選定して使用すればよい。パラメータＣは、このように装置あるいはヘッドに固有の値として設定するもので、製品ウエハの研磨実績につれて変化するものではない。かかるパラメータＣとしては、例えば、前述の如く、研磨時間の計時開始と実際の研磨開始の時間差等として定義することができる。
【００９７】
上記時間差としてパラメータＣを定義する場合は、パラメータＣは、式３等に示すように、加算（＋）の演算子を用いて算出式中に含ませればよい。パラメータＣの定義の仕方に応じて、適宜、算出式中に、乗算（×）、あるいは除算（÷）の演算子を用いて含ませるようにしても構わない。
【００９８】
また、上記パラメータＡ、Ｂ、Ｃの算出に際して、新品種の製品ウエハ、あるいは新しい工程の実施等で、過去に研磨実績がない場合には、製品ウエハの設計データを用いればよい。あるいは、製品ウエハに類似した製品ウエハの過去の実績データを用いるようにしても構わない。
【００９９】
新品種、新工程においては、上記の如くパラメータを新たに設定する必要があるが、算出式のパラメータＡは、研磨対象の膜質等の膜性状に依存しており、パラメータＢは研磨対象の膜表面の起伏状態に依存しているので、半導体デバイスの設計データ、例えばパターン占有率、パターンの疎密、パターンの高さ等のデータから決定することができる性質のものである。
【０１００】
このように予めパラメータを設計データ等から決定することができるため、パラメータ決定のための条件出しが不要となり、ダミーウエハを用いたり、先行研磨を行ったり等する必要がなく、人手を要する面倒な条件出し処理の手間が省け、省人化、工数削減を図ることができる。
【０１０１】
さらには、条件出しに際しては、実際に使用する化学的機械的研磨装置を用いて行うため、これまでは条件出しの処理を行う間は、実際の製品ウエハの化学的機械的研磨を行うことができなかった。しかし、かかる条件出しを不要とすることができるため、化学的機械的研磨装置の生産能力を損なわずに済む。
【０１０２】
上記説明の算出式を用いることで、これまでの方法とは異なり、より実際に適用している化学的機械的研磨の状況に沿った精度の高い基準研磨レート、あるいは最適研磨時間を設定して化学的機械的研磨が行えることについては、前述の説明の如くであるが、半導体装置の製造においてかかる化学的機械的研磨方法を実施する際に有効に使用することができる化学的機械的研磨システムについて、以下説明する。
【０１０３】
図４は、本発明の半導体装置の製造に際しての化学的機械的研磨方法を行うための化学的機械的研磨システムの構成を模式的に示す図である。
【０１０４】
図４に示す化学的機械的研磨システムの構成では、化学的機械的研磨工程より以前の工程で成膜した製品ウエハの膜厚を測定する測定手段１０、化学的機械的研磨を行う化学的機械的研磨手段２０、化学的機械的研磨後の製品ウエハの膜厚を測定する測定手段３０を有する。かかる測定手段１０、３０、化学的機械的研磨手段２０は、化学的機械的研磨工程の管理手段４０としてのホストコンピュータ４０ａにデータのやりとり可能に接続されている。
【０１０５】
また、ホストコンピュータ４０ａは、化学的機械的研磨手段２０の製品ウエハの研磨レート、あるいは研磨時間等の研磨条件を演算する演算手段５０としての演算コンピュータ５０ａに、データのやりとり可能に接続されている。演算コンピュータ５０ａは、製品ウエハの堆積パターンや目標膜厚等の半導体デバイス等の半導体装置の設計データを有するデータ記憶手段６０にデータのやりとり可能に接続されている。
【０１０６】
さらに、演算コンピュータ５０ａの処理に際して、使用する算出式のパラメータを必要に応じて変更、編集等して必要の都度、クリーンルームの外等からパラメータのデータ更新を行うことができるように、演算コンピュータ５０ａはデータ更新手段７０としてのコンピュータ７０ａにデータ更新可能に接続されている。
【０１０７】
かかる図４に示す化学的機械的研磨システムを用いて、製品ウエハの化学的機械的研磨を行うに際しては、先ず、化学的機械的研磨工程の管理手段４０としてのホストコンピュータ４０ａで、これから行う化学的機械的研磨における製品ウエハの種類、半導体装置の製造工程のどの工程に当該化学的機械的研磨工程が該当するか、どの化学的機械的研磨装置を使用するか等の設定がレシピに合わせて行われる。
【０１０８】
ホストコンピュータ４０ａからの指令により、演算コンピュータ５０ａでは、前記説明の式４で示す算出式に基づき、製品ウエハの化学的機械的研磨を行うに際しての研磨条件の算出を行う。算出に際して必要なデータは、演算コンピュータ５０ａ内に予め保持されたパラメータテーブル５１内から選択される。
【０１０９】
パラメータテーブル５１内には、図４に示すように、算出式に含まれるパラメータＡ、Ｂ、Ｃの数値データが、過去の研磨実績等に基づき保持されている。パラメータＡ、Ｂは、製品ウエハの品種、工程毎に個々に数値データとして保持されている。パラメータＣは、化学的機械的研磨装置毎に、１台に複数の研磨ヘッドを有する場合にはヘッド毎に、設定された数値データが保持されている。
【０１１０】
前述のように、これから行おうとする製品ウエハが新品種の場合、あるいは新工程での化学的機械的研磨等の場合には、過去の研磨実績に基づく数値データは存在しないので、演算コンピュータ５０ａは、記憶手段６０にアクセスして、記憶手段６０に保持されている製品ウエハ毎の設計データから、パラメータＡ、Ｂとして使用する数値データを選択する。
【０１１１】
また、算出式で必要とする目標膜厚の値は、ホストコンピュータ４０ａが有する化学的機械的研磨のレシピから得られる。勿論、記憶手段６０の有する設計データを参照して取得するようにしても構わない。
【０１１２】
併せて、化学的機械的研磨対象の製品ウエハの膜厚については、測定手段１０を構成する非接触式の膜厚測定装置１０ａ等を用いて製品ウエハ毎に測定し、かかる膜厚測定データをホストコンピュータ４０ａを介して演算コンピュータ５０ａが入手する。精度は劣るが、場合によっては、記憶手段６０にアクセスして、設計データから化学的機械的研磨対象とする膜の成膜時の目標膜厚データを使用することも考えられる。
【０１１３】
研磨レートは、過去の研磨実績があればその数値データを用いればよいが、過去の研磨実績が全くない場合、もしくは人為的要因により研磨レートの変動が予想される場合には、初回に限り品質管理（ＱＣ）を実施し設定すればよい。
【０１１４】
このようにして、研磨前膜厚、目標膜厚、パラメータＡ、Ｂ、Ｃ、研磨レートを設定することにより、演算コンピュータ５０ａでは、算出式として例えば以下の式４を用いて、
研磨時間＝｛（研磨前膜厚−目標膜厚）−（Ｂ＋Ｃ）｝／（Ａ×研磨レート）・・・式４
から最初の製品ウエハの研磨時間を算出する。
【０１１５】
かかる算出した研磨時間をホストコンピュータ４０ａは入手し、化学的機械的研磨のレシピに合わせてかかる研磨時間で、特定した化学的機械的研磨手段２０の化学的機械的研磨装置２０ａで化学的機械的研磨を行う。
【０１１６】
化学的機械的研磨終了後は、製品ウエハの研磨後の膜厚が、測定手段３０を構成する非接触式の膜厚測定装置３０ａ等で測定され、ホストコンピュータ４０ａに送られる。最初の製品ウエハの化学的機械的研磨の進行に応じて、２枚目の製品ウエハの研磨前膜厚も測定手段１０により測定され、ホストコンピュータ４０ａに前記要領で送られる。
【０１１７】
２枚目の製品ウエハの研磨時間は、演算コンピュータ５０ａにより、最初の製品ウエハの研磨後の膜厚データを用いて式７により算出した基準研磨レート、最初の製品ウエハの研磨時間の算定に使用したパラメータＡ、Ｂ、Ｃと、２枚目の製品ウエハの研磨前の膜厚実測データとから、式８を用いて、２枚目の製品ウエハの研磨時間を算出する。
【０１１８】
算出した２枚目の製品ウエハの研磨時間を用いて化学的機械的研磨を実際に行う。このようにして、直前の製品ウエハの研磨実績から算出した研磨レートを基準として次の製品ウエハの化学的機械的研磨を行う。
【０１１９】
尚、基準研磨レートとして、上記説明では、直前の製品ウエハの研磨実績から算定した研磨レートを基準とする場合について説明したが、製品ウエハが新品種、あるいは新工程での研磨等の場合には、製品ウエハの化学的機械的研磨が安定していない場合も十分に想定されるため、化学的機械的研磨が安定したと見做されるまでは、初期設定の研磨レートを基準として化学的機械的研磨を行い、その後に、化学的機械的研磨が安定したと見做された段階で、直前の製品ウエハの研磨実績を次の製品ウエハの研磨時間の算出に使用するようにしてもよい。
【０１２０】
さらには、直前の製品ウエハの研磨実績のみを基準研磨レートとして採用する場合には、万が一、直前の製品ウエハの研磨が異常である場合には、かかる異常値を基準として採用する虞も十分にあるため、直前の製品ウエハ迄の過去の複数枚の製品ウエハの研磨実績に基づき、例えば、平均研磨レートを用いる等して、基準研磨レートを算出する方法を採用しても勿論構わない。
【０１２１】
このようにして上記構成の化学的機械的研磨システムを使用することで、半導体装置の製造における化学的機械的研磨工程では、これまでとは異なり、製品ウエハの化学的機械的研磨に先立ってのダミーウエハ、あるいは先行研磨を行う等の条件出しを省くことができ、半導体装置の製造コストの低減等を図ることができる。
【０１２２】
また、上記構成の化学的機械的研磨システムを使用することで、演算コンピュータ５０ａで演算するに際して使用する算出式中の当初設定のパラメータＡ、Ｂを、研磨実績に合わせて適正値に適宜補正することもできる。例えば、上記説明の要領で当初設定したパラメータＡ、Ｂ、Ｃを用いて製品ウエハの化学的機械的研磨を実施し、研磨実績を前記説明のように研磨量、研磨時間の２軸で示す象限内に打点し、この打点との相関係数が高くなるように当初の算出式のパラメータを変更する。
【０１２３】
上記算出式の変更に際しては、演算コンピュータ５０ａ等の演算手段５０を用いて、パラメータＡ、Ｂに種々の値を入力しながら行えばよい。このようにして研磨実績を示す打点との相関係数が高くなるように変更した場合のパラメータＡ、Ｂの値を、当初設定のパラメータＡ、Ｂの値と置き換えることで漸次算出式を自己補正して、より実際の化学的機械的研磨状況に合った化学的機械的研磨を行うようにすることができる。
【０１２４】
尚、かかるパラメータＡ、Ｂの自己補正に関しても、研磨実績の数が少ない場合には、異常値を元に補正する虞もあるため、ある程度の研磨時実績が蓄積されるまでは、かかるパラメータの自己補正を行わないように、パラメータの補正機能の設定、解除が自在に行えるようにしておいても構わない。
【０１２５】
また、演算コンピュータ５０ａにおける研磨時間、研磨レート等の研磨条件の算出に用いる算出式に関しては、パラメータの定義を変えたり、あるいは、別系統の化学的機械的研磨における状況からパラメータの値を全く異なる値に変更したり、あるいは、別のパラメータを追加したり、あるいは減らしたりする等のパラメータ編集が必要となる場合も十分に想定される。
【０１２６】
かかる場合には、図４に示す化学的機械的研磨システムでは、データ更新手段７０としてのコンピュータ７０ａ等から演算コンピュータ５０ａ内の算出式に含まれるパラメータの編集を適宜行って更新することができる。かかるコンピュータ７０ａは、製品ウエハの化学的機械的研磨を行う当該化学的機械的研磨装置が接続されているネットワーク、あるいは、かかるネットワークが接続されている基幹ネットワークに接続させておく等して、当該化学的機械的研磨装置が収容されているクリーンルームの外から、パラメータの編集等の更新処理が行えるようにしておいても構わない。
【０１２７】
このようなシステム構成にしておけば、クリーンルームの外で、現在進行中の化学的機械的研磨の状況を把握することができ、都度クリーンルーム内に立ち入って化学的機械的研磨の状況確認、あるいは、ホストコンピュータ４０ａからのパラメータ更新処理を行わなくても済み、かかる間接業務の省力化、効率化をも図ることができる。
【０１２８】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０１２９】
例えば、上記説明では膜性状に関するパラメータとして膜質に関する場合を一例として挙げたが、膜質以外の他の膜性状を示すパラメータを用いて構わない。
【０１３０】
装置間機差を示すパラメータとして、計時開始と研磨開始の時間差を示す場合を一実施例として挙げたが、これ以外の機差を示すパラメータを用いても構わない。
【０１３１】
上記説明の化学的機械的研磨システムの構成では、測定手段と化学的機械的研磨手段とを独立して図示説明したが、化学的機械的研磨手段を構成する化学的機械的研磨装置が測定手段を併有する構成であっても構わない。
【０１３２】
さらには、ホストコンピュータ、演算手段、記憶手段をそれぞれ独立して図示説明したが、適宜、各々の手段として機能する装置内に他の手段を併有しても構わないことは言うまでもない。各手段間のデータのやりとりはケーブルを介しても、無線でも構わない。勿論、必要に応じて、運搬可能なＣＤ、ＤＶＤ、ＦＤ等のデータ格納手段を用いても構わない。
【産業上の利用可能性】
【０１３３】
本発明は、化学的機械的研磨を行う半導体装置の製造分野で利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１３４】
【図１】（ａ）、（ｂ）は、それぞれ本発明で使用する算出式の概念を説明する説明図である。
【図２】化学的機械的研磨における研磨レートの推移状況を示す図である。
【図３】算出式を構成するパラメータの補正概念を説明する説明図である。
【図４】本発明の一実施の形態における化学的機械的研磨システムの一例を示す説明図である。
【符号の説明】
【０１３５】
１０      測定手段
１０ａ    膜厚測定装置
２０      化学的機械的研磨手段
２０ａ    化学的機械的研磨装置
３０      測定手段
３０ａ    膜厚測定装置
４０      管理手段
４０ａ    ホストコンピュータ
５０      演算手段
５０ａ    演算コンピュータ
５１      パラメータテーブル
６０      記憶手段
７０      データ更新手段
７０ａ    コンピュータ
Ｐ        点
Ｑ        点
Ｑ１      点
ｇ        直線
ｈ        対数近似曲線
ｉ        直線
ｊ        直線
ｋ        直線
ｔ        研磨時間
ｔ１      研磨時間
ｔｐ      研磨時間
ｔｑ      研磨時間
ｔｑ１    研磨時間
Δｒ      基準研磨レートの差
【図１】
2005252036.tif 000003
【図２】
2005252036.tif 000004
【図３】
2005252036.tif 000005
【図４】
2005252036.tif 000006