(57)【要約】【課題】  耐候性に優れるとともに、薄形化も図れる電子部品およびその製造方法を提供する。【解決手段】  半導体基板１の一方の面１ａに絶縁層３、導電層４、封止層５を順に積層した構造体と、電極パッド６上に載置された半田バンプ７とを備えた半導体装置１０において、半田バンプ７の頂部７ａが平坦面を有し、平坦面が露出するように、半田バンプ７が載置された面上の全域にわたって保護層８を設ける。半田バンプ７の高さをｄ１、半導体基板１の厚みをｄ２とした場合、ｄ１≧ｄ２とする。電子部品の製造方法において、電極パッド６上に半田バンプ７を形成する工程Ａ、保護層８を形成する工程Ｂ、頂部７ａを露出させて半田バンプ７が平坦面を有するように保護層８の表面を研削する工程Ｃ、半導体基板１の他面をバックグラインド加工する工程Ｄを行う。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の一面に絶縁層、導電層、封止層を順に積層し、該封止層に前記導電層を露出させた電極パッドを設けた構造体と、前記電極パッド上に載置された半田バンプとを備えた電子部品において、
前記半田バンプにおける前記電極パッドと反対側の頂部が平坦面を有し、該平坦面が露出するように、前記構造体のうち前記半田バンプが載置された面上の全域にわたって保護層が設けられていることを特徴とする電子部品。
【請求項２】
半導体基板の一面に絶縁層、導電層、封止層を順に積層し、該封止層に前記導電層を露出させた電極パッドを設けた構造体と、前記電極パッド上に載置された半田バンプとを備えた電子部品において、
前記半田バンプにおける前記電極パッドと反対側の頂部が露出するように、前記構造体のうち前記半田バンプが載置された面上の全域にわたって保護層が設けられていることを特徴とする電子部品。
【請求項３】
前記半田バンプの高さをｄ１、前記半導体基板の厚みをｄ２とした場合、ｄ１≧ｄ２であることを特徴とすることを特徴とする請求項１または２に記載の電子部品。
【請求項４】
半導体基板の一面に絶縁層、導電層、封止層を順に積層し、該封止層に前記導電層を露出させた電極パッドを設けた構造体を用いて、少なくとも前記電極パッド上に半田バンプを形成する半田バンプ形成工程Ａ、前記構造体のうち前記半田バンプが載置された面上の全域にわたって前記半田バンプの高さと略同一またはそれ以上の厚さの保護層を形成する工程Ｂ、前記半田バンプにおける前記電極パッドと反対側の頂部を露出させて、前記半田バンプが平坦面を有するように前記保護層の表面を研削する工程Ｃ、および、前記半導体基板の他面をバックグラインド加工する工程Ｄを行うことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項５】
半導体基板の一面に絶縁層、導電層、封止層を順に積層し、該封止層に前記導電層を露出させた電極パッドを設けた構造体を用いて、少なくとも前記電極パッド上に半田バンプを形成する工程Ｆ、前記構造体のうち前記半田バンプが載置された面上の全域にわたって前記半田バンプの高さと略同一またはそれ以上の厚さの保護層を形成する工程Ｇ、および、前記半導体基板の他面をバックグラインド加工する工程Ｈを順次行うことを特徴とする電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置や、ＬＳＩチップを裏返して回路基板に接合する実装方法であるフリップチップに代表される、半田バンプを介して基板間の電気的接続が図られる電子部品およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子部品で用いられる半導体装置構造として、例えば半導体チップを樹脂により封止したパッケージ（いわゆるＤｕａｌ  Ｉｎｌａｉｎｅ  ＰａｃｋａｇｅやＱｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）では、樹脂パッケージ周辺の側面に金属リード線を配置する周辺端子配置型が主流であった。
【０００３】
これに対し、近年、急速に普及している半導体装置構造として、例えばＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ／Ｓｃａｌｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれ、パッケージの平坦な表面に電極を平面状に配置した、いわゆるボールグリッドアレイ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ、以下、「ＢＧＡ」と略す。）技術の採用により、同一電極端子数を有する同一投影面積の半導体チップを、従来よりも小さい面積で電子回路基板に高密度実装することを可能にしたパッケージ構造がある。
【０００４】
ＢＧＡタイプの半導体装置においては、パッケージの面積が半導体チップの面積にほぼ等しい、いわゆるチップスケールパッケージ（ＣＳＰ）と呼ばれる構造が、前述のＢＧＡの電極配置構造とともに開発され、電子機器の小型軽量化に大きく貢献している。
チップスケールパッケージは、回路を形成したシリコンウエハを切断し、個々の半導体チップに対して個別にパッケージ工程を施し、パッケージを完成するものである。
【０００５】
これに対し、一般的に「ウエハレベルＣＳＰ」と呼ばれる製造方法においては、このシリコンウエハ上に、絶縁層、再配線層、封止層などを形成し、はんだバンプを形成する。そして、最終工程においてウエハを所定のチップ寸法に切断することで、パッケージ構造を具備した半導体チップを得ることができる。ウエハ全面にこれらの回路を積層し、最終工程においてウエハをダイシングすることから、切断したチップそのものの大きさが、パッケージの施された半導体チップとなり、実装基板に対して最小投影面積を有する半導体チップを得ることが可能となる。
【０００６】
図８は、従来の半導体装置の構造を示す概略断面図である。
この半導体装置１００は、半導体基板１０１と、その表面に形成された電極１０２と、半導体基板１０１の表面に設けられた絶縁層１０３と、電極１０２と接続されて絶縁層１０３上に配線された導電層１０４と、導電層１０４を覆う封止層１０５と、封止層１０５に導電層１０４が露出されてなる電極パッド１０６と、この電極パッド１０６上に載置された半田バンプ１０７とから概略構成されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００７】
半導体装置１００では、プリント基板などとの接続に直接関与しない部位、すなわち、半導体基板１０１上の半田バンプ１０７が設けられていない部分も、半田バンプ１０６の側面も露出している。このため、半導体装置１００は耐候性に劣るという問題がある。
【０００８】
また、半田バンプを有する半導体装置とプリント基板などとの熱膨張率は相違しているので、熱膨張率の相違に基づく応力が半導体装置の端子に集中し、接続不良などの不良品を生じるため、半導体装置の信頼性を低下させていた。
そこで、ここで使用される半田バンプは、熱膨張率の相違に基づく応力を分散させるために、半田バンプ１０７の高さをできるだけ高くすることが要求されている。
【０００９】
しかしながら、半田バンプ１０７の高さが、例えば１００μｍ以上ある場合、その分、半導体装置１００の表面の凹凸が大きくなってしまう。このため、半導体基板１０１のバックグラインド加工を行うために、図９に示すように、半導体装置１００の表面に表面保護シート１１０を貼ると、保護シート１１０の表面が平らでなくなるため、真空吸着できない。
【００１０】
その結果、半導体基板１０１のバックグラインド加工ができなくなるという問題がある。
【００１１】
また、この種の半導体装置は、携帯電話に代表されるモバイル機器に対する小型化の要求が依然として高く、さらにはＩＣカードの普及開始などにより、半導体装置のさらなる薄形化が要求されている。これらの要求に応えるために、半導体チップのバックグラインド加工が実施されている。
【００１２】
半導体装置を薄形化するために、ウエハレベルＣＳＰの加工を行う前に、予め半導体基板１０１のバックグラインド加工を行うことが検討されている。このようなバックグラインド加工を行うと、半導体基板１０１が反ってしまい、ＣＳＰ加工ができなくなる場合がある。また、半導体基板１０１が割れ易くなり、ＣＳＰ加工中に半導体基板１０１が割れる可能性が高くなる。
【特許文献１】特開２００２−１６１７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、前記事情に鑑みてなされたもので、耐候性に優れるとともに、薄形化も図れる電子部品およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、上記課題を解決するために、半導体基板の一面に絶縁層、導電層、封止層を順に積層し、該封止層に前記導電層を露出させた電極パッドを設けた構造体と、前記電極パッド上に載置された半田バンプとを備えた電子部品において、前記半田バンプにおける前記電極パッドと反対側の頂部が平坦面を有し、該平坦面が露出するように、前記構造体のうち前記半田バンプが載置された面上の全域にわたって保護層が設けられている電子部品を提供する。
【００１５】
本発明は、半導体基板の一面に絶縁層、導電層、封止層を順に積層し、該封止層に前記導電層を露出させた電極パッドを設けた構造体と、前記電極パッド上に載置された半田バンプとを備えた半導体装置において、前記半田バンプにおける前記電極パッドと反対側の頂部が露出するように、前記構造体のうち前記半田バンプが載置された面上の全域にわたって保護層が設けられている電子部品を提供する。
【００１６】
上記構成の電子部品において、前記半田バンプの高さをｄ１、前記半導体基板の厚みをｄ２とした場合、ｄ１≧ｄ２であることが好ましい。
【００１７】
本発明は、半導体基板の一面に絶縁層、導電層、封止層を順に積層し、該封止層に前記導電層を露出させた電極パッドを設けた構造体を用いて、少なくとも前記電極パッド上に半田バンプを形成する半田バンプ形成工程Ａ、前記構造体のうち前記半田バンプが載置された面上の全域にわたって前記半田バンプの高さと略同一またはそれ以上の厚さの保護層を形成する工程Ｂ、前記半田バンプにおける前記電極パッドと反対側の頂部を露出させて、前記半田バンプが平坦面を有するように前記保護層の表面を研削する工程Ｃ、および、前記半導体基板の他面をバックグラインド加工する工程Ｄを行う電子部品の製造方法を提供する。
【００１８】
本発明は、半導体基板の一面に絶縁層、導電層、封止層を順に積層し、該封止層に前記導電層を露出させた電極パッドを設けた構造体を用いて、少なくとも前記電極パッド上に半田バンプを形成する工程Ｆ、前記構造体のうち前記半田バンプが載置された面上の全域にわたって前記半田バンプの高さと略同一またはそれ以上の厚さの保護層を形成する工程Ｇ、および、前記半導体基板の他面をバックグラインド加工する工程Ｈを順次行う電子部品の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係る第一の電子部品は、保護層が封止層上の全域わたって半田バンプの高さと同一の厚みのとなるように設けられており、かつ、半田バンプの頂部が僅かに露出した構成からなるので、半田バンプの耐候性が向上し、電子部品は長期信頼性に優れたものとなる。
【００２０】
また、本発明に係る第二の電子部品は、半田バンプの頂部が僅かに露出するように、封止層上の全域わたって保護層が設けられた構成からなるので、半田バンプの耐候性が向上し、電子部品は長期信頼性に優れたものとなる。
【００２１】
本発明に係る第一の電子部品の製造方法によれば、半田バンプの高さとほぼ同一またはそれ以上の厚みのとなるように保護層を設け、その表面を研削して平坦にすることにより、耐候性に優れた電子部品を得ることができる。また、半田バンプおよび保護層が設けられた構造体を、半田バンプの形状に影響されることなく安定に固定することができるから、半導体基板のバックグラインド加工を行うことができる。その結果、従来よりも半導体基板の厚みを大幅に薄くした電子部品を作製することができる。
【００２２】
また、本発明に係る第二の電子部品の製造方法によれば、半田バンプの頂部が僅かに露出するように保護層を設けるため、耐候性に優れた電子部品を得ることができる。また、頂部と保護層の表面との段差が僅かであるから、保護層の表面を真空吸着することにより、電子部品を安定に固定することができるから、半導体基板のバックグラインド加工を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明を詳しく説明する。
図１は、本発明の電子部品で用いられる半導体装置の第一の実施形態を示す概略断面図である。
この半導体装置１０は、半導体基板１と、その表面に形成された電極２と、半導体基板１の表面に設けられた絶縁層３と、電極２と接続されて絶縁層３上に配線された導電層４と、導電層４を覆う封止層５と、封止層５に導電層４が露出されてなる電極パッド６と、この電極パッド６上に載置された半田バンプ７と、封止層５上に設けられた保護層８とから概略構成されている。
この半導体装置１０では、保護層８が封止層５上の全域わたって半田バンプ７の高さとほぼ同一の厚みのとなるように設けられており、半田バンプ７における電極パッド６と反対側の頂部７ａが平坦面を有している。
【００２４】
また、この半導体装置１０では、半田バンプ７の高さをｄ１、半導体基板１の厚みをｄ２とした場合、ｄ１≧ｄ２となっている。この構成から、半導体装置１０は、後述する製造方法によって初めて得ることが可能となった。これにより、半田バンプ７の高さを十分に確保しながらも、半導体基板１を半田バンプ７の高さよりも薄くすることができるので、その結果、薄形化の図れた半導体装置１０が得られる。
【００２５】
また、半田バンプ７の高さｄ１は、具体的には１００μｍ以上であることが好ましい。半田バンプ７の高さｄ１が１００μｍ以上であれば、半導体装置１０とプリント基板などとの接続において、両者の熱膨張率の相違に基づく応力が発生しても、その応力を半田バンプ７において分散させることができる。加えて、半導体装置１０とプリント基板などとの接続において、十分な接続強度を確保することができる。
【００２６】
半導体基板１としては、特に制限されないが、例えば配線基板（インタボーザ）を使用しないウエハレベルＣＳＰなどの半導体装置、各種半導体装置、各種電子装置などに用いられる基板が用いられる。
【００２７】
導電層４（電極パッド６）をなす材料としては、銅（Ｃｕ）などの導電性の良好な金属が用いられる。
絶縁層３をなす材料としては、例えば感光性ポリイミド、感光性エポキシ、感光性ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）などの合成樹脂が用いられる。
【００２８】
封止層５をなす材料としては、例えば感光性アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂などの合成樹脂材料が用いられる。
半田バンプ７をなす材料としては、半田バンプ形成用、あるいは回路内または回路間の半田接続などに用いられる半田が用いられる。
保護層８をなす材料としては、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂などからなる感光性樹脂、フェノール系樹脂が用いられる。
【００２９】
なお、電極パッド６に半田バンプ７が押し付けられた際に生じる力を緩和する目的で、電極パッド６と絶縁層３との間に緩衝部を設けてもよい。
【００３０】
この半導体装置１０では、保護層８が封止層５上の全域わたって半田バンプ７の高さと同一の厚みのとなるように設けられており、かつ、半田バンプ７における電極パッド６と反対側に位置する頂部７ａが僅かに露出しているだけであるから、半田バンプ７の耐候性が向上し、半導体装置１０は長期信頼性に優れたものとなる。
【００３１】
また、保護層８の最表面と半田バンプ７の頂部７ａの平坦面が同一平面上に存在しているから、半導体装置１０は、保護層８の表面を真空吸着することにより、半田バンプ７の形状に影響されることなく安定に固定することができるから、半導体基板１のバックグラインド加工を行うことができる。
【００３２】
図２は、本発明の電子部品で用いられる半導体装置の第二の実施形態を示す概略断面図である。
この半導体装置２０は、半導体基板１１と、その表面に形成された電極１２と、半導体基板１１の表面に設けられた絶縁層１３と、電極１２と接続されて絶縁層１３上に配線された導電層１４と、導電層１４を覆う封止層１５と、封止層１５に導電層１４が露出されてなる電極パッド１６と、この電極パッド１６上に載置された半田バンプ１７と、封止層１５上に設けられた保護層１８とから概略構成されている。
この半導体装置２０では、半田バンプ１７における電極パッド１６と反対側の頂部１７ａが僅かに露出するように、封止層１５上の全域わたって保護層１８が設けられている。
【００３３】
また、この半導体装置２０では、半田バンプ１７の高さをｄ１、半導体基板１１の厚みをｄ２とした場合、ｄ１≧ｄ２となっている。この構成から、半導体装置２０は、後述する製造方法によって初めて得ることが可能となった。これにより、半田バンプ１７の高さを十分に確保しながらも、半導体基板１１を半田バンプ１７の高さよりも薄くすることができるので、その結果、薄形化の図れた半導体装置２０が得られる。
【００３４】
また、半田バンプ１７の高さｄ１は、具体的には１００μｍ以上であることが好ましい。半田バンプ１７の高さｄ１が１００μｍ以上であれば、半導体装置２０とプリント基板などとの接続において、両者の熱膨張率の相違に基づく応力が発生しても、その応力を半田バンプ１７において分散させることができる。加えて、半導体装置２０とプリント基板などとの接続において、十分な接続強度を確保することができる。
【００３５】
半導体基板１１としては、特に制限されないが、例えば配線基板（インタボーザ）を使用しないウエハレベルＣＳＰなどの半導体装置、各種半導体装置、各種電子装置などに用いられる基板が用いられる。
【００３６】
導電層１４（電極パッド１６）をなす材料としては、銅（Ｃｕ）などの導電性の良好な金属が用いられる。
絶縁層１３をなす材料としては、例えば感光性ポリイミド、感光性エポキシ、感光性ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）などの合成樹脂が用いられる。
【００３７】
封止層１５をなす材料としては、例えば感光性アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂などの合成樹脂材料が用いられる。
半田バンプ１７をなす材料としては、半田バンプ形成用、あるいは回路内または回路間の半田接続などに用いられる半田が用いられる。
保護層１８をなす材料としては、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂などからなる感光性樹脂、フェノール系樹脂が用いられる。
【００３８】
なお、電極パッド１６に半田バンプ１７が押し付けられた際に生じる力を緩和する目的で、電極パッド１６と絶縁層１３との間に緩衝部を設けてもよい。
【００３９】
この半導体装置２０では、半田バンプ１７における電極パッド１６と反対側の頂部１７ａが僅かに露出するように、封止層１５上の全域わたって保護層１８が設けられているから、半田バンプ１７の耐候性が向上し、半導体装置２０は長期信頼性に優れたものとなる。
【００４０】
また、この半導体装置２０は、頂部１７ａと保護層１８の表面との段差が僅かであるため、保護層１８の表面を真空吸着することにより、半導体装置２０を安定に固定することができるから、加工中に反ることなく、半導体基板１１のバックグラインド加工を行うことができる。
【００４１】
次に、図３〜図５を用いて本発明に係る電子部品で用いられる半導体装置の製造方法の第一の実施形態について説明する。第一の実施形態は、以下の工程Ａ〜工程Ｄからなる。
この実施形態では、保護層の形成、保護層の表面の研削および半導体基板のバックグラインドに関する工程以外は、従来公知の方法を用いることができる。
【００４２】
例えば、まず、電極２を形成した半導体基板１を用意し、この半導体基板１の一方の面１ａ上に、合成樹脂からなる絶縁層３を形成する。次いで、フォトリソグラフィにより電極２の上を開口し、開口部を形成する。次いで、この開口部内および絶縁層３の上に、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）スパッタ法により銅あるいはチタニウムからなる電解めっき用シード層を形成する。次いで、このシード層上に液状レジストをスピンコート法によって塗布し、フォトリソグラフィによって所定のパターンの電解めっき用レジスト膜を形成する。次いで、電極２および絶縁層３の上に電解銅めっきにより導電層４を形成する。次いで、導電層４の形成後、レジスト膜を剥離し、続いてシード層をエッチングにより除去する。次いで、絶縁層３および導電層４の上に、合成樹脂からなる封止層５を形成する。次いで、封止層５の形成後、この封止層５を穿孔して導電層４の銅表面を露出して電極パッド６を形成し、図３（ａ）に示すような構造体を作製する。
【００４３】
次いで、図３（ｂ）に示すように、電極パッド６の上に、ボール搭載法または印刷法により半田ペーストを載置した後、リフロー工程を行い、半田バンプ７を形成する（工程Ａ）。
【００４４】
次いで、図４（ａ）に示すように、上記構造体のうち半田バンプ７が載置された面上（封止層５の上）の全域にわたって、合成樹脂からなる半田バンプ７の高さ以上の厚みの保護層８を形成する（工程Ｂ）。
工程Ｂの保護層８は、例えば、以下の（１）、（２）の方法で形成する。
【００４５】
（１）液状の樹脂を、スピンコート法、ロールコート法、カーテンコート法、スクリーン印刷法などの方法で、上記構造体のうち半田バンプ７が載置された面上（封止層５の上）の全域にわたって、半田バンプ７の高さ以上の厚みに塗布して、保護層８を形成する。
液状の樹脂としては、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂などが用いられる。
【００４６】
（２）金型を用いて、上記構造体のうち半田バンプ７が載置された面上（封止層５の上）の全域にわたって、半田バンプ７の高さ以上の厚みに合成樹脂をモールド成形して、保護層８を形成する。
合成樹脂としては、フェノール樹脂などが用いられる。
【００４７】
次いで、図４（ｂ）に示すように、保護層８の表面を研削し、保護層８の表面を平坦にすると同時に、半田バンプ７における電極パッド６と反対側に位置する頂部７ａを僅かに露出する（工程Ｃ）。この工程により、半田バンプ７の高さと保護層８の厚みがほぼ同一となる。
【００４８】
次いで、保護層８の表面を真空吸着することにより、半田バンプ７および保護層８が設けられた構造体を固定し、半導体基板１の他方の面１ｂをバックグラインド加工して（工程Ｄ）、図５に示すように、半導体基板１を薄形化し、半導体装置１０を得る。
バックグラインド加工では、例えば、バックグラインダーなどを用いて、上記他方の面１ｂを研削する。
【００４９】
この実施形態では、上記構造体のうち半田バンプ７が載置された封止層５上の全域にわたって、合成樹脂からなる半田バンプ７の高さ以上の厚みの保護層８を設け、その表面を研削して平坦にすることにより、耐候性に優れた半導体装置１０を得ることができる。また、半田バンプ７および保護層８が設けられた構造体を、半田バンプ７の形状に影響されることなく安定に固定することができるから、半導体基板１のバックグラインド加工を行うことができる。その結果、従来よりも半導体基板１の厚みを大幅に薄くした半導体装置１０を作製することができる。
【００５０】
次に、図６、図７を用いて本発明に係る電子部品で用いられる半導体装置の製造方法の第二の実施形態について説明する。第二の実施形態は、以下の工程Ｆ〜工程Ｈからなる。
この実施形態では、保護層の形成および半導体基板のバックグラインドに関する工程以外は、従来公知の方法を用いることができる。
例えば、上述の第一の実施形態と同様に、図６（ａ）に示すような構造体を作製する。
【００５１】
次いで、図６（ｂ）に示すように、電極パッド１６の上に、ボール搭載法または印刷法により半田ペーストを載置した後、リフロー工程を行い、半田バンプ１７を形成する（工程Ｆ）。
【００５２】
次いで、図７（ａ）に示すように、半田バンプ１７における電極パッド１６と反対側の頂部１７ａが僅かに露出するように、半田バンプ１７が載置された面上（封止層１５の上）の全域わたって保護層１８を形成する（工程Ｇ）。
工程Ｇの保護層３０は、例えば、以下の方法で形成する。
【００５３】
（１）液状の樹脂を、スピンコート法、ロールコート法、カーテンコート法、スクリーン印刷法などの方法で、半田バンプ１７における電極パッド１６と反対側の頂部１７ａが僅かに露出するように、半田バンプ１７が載置された面上（封止層１５の上）の全域にわたって、半田バンプ１７の高さよりも僅かに薄い厚みに塗布して、保護層１８を形成する。
液状の樹脂としては、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂などが用いられる。
【００５４】
次いで、表面保護シート３０を貼り、その表面を真空吸着することにより、半田バンプ１７および保護層１８が設けられた構造体を固定し、半導体基板１１の他方の面１１ｂをバックグラインド加工して（工程Ｈ）、図７（ｂ）に示すように、半導体基板１１を薄形化し、半導体装置１０を得る。
バックグラインド加工では、例えば、バックグラインダーなどを用いて、上記他方の面１１ｂを研削する。
バックグラインド加工後に、表面の保護シートを剥がす。
【００５５】
この実施形態では、半田バンプ１７の頂部１７ａが僅かに露出するように保護層１８を設けるため、耐候性および均熱性に優れた半導体装置２０を得ることができる。また、頂部１７ａと保護層１８の表面との段差が僅かであるから、保護層１８の表面を真空吸着することにより、半導体装置２０を安定に固定することができるから、加工中に反ることなく、半導体基板１１のバックグラインド加工を行うことができる。その結果、従来よりも半導体基板１１の厚みを大幅に薄くした半導体装置２０を作製することができる。
【実施例】
【００５６】
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００５７】
（実施例１）
この実施例では、上述の本発明に係る半導体装置の製造方法の第一の実施形態によって、半導体装置を作製した。
上述の第一の実施形態において、直径８インチ、厚み７２５μｍの半導体基板１を用い、絶縁層３の厚み５μｍ、導電層４の厚み５μｍの構造体を作製した。
【００５８】
次いで、電極パッド６の上に、印刷法によりスズ（Ｓｎ）−鉛（Ｐｂ）共晶からなる高さ３２０μｍの半田バンプ７を形成した。
次いで、封止層５の全域にわたって、金型を用いてフェノール系樹脂をモールド成形して、厚み３３０μｍの保護層８を形成した。
次いで、半田バンプ７の高さが２７０μｍとなるまで保護層８の表面を研磨し、保護層８の表面を平坦にすると同時に、半田バンプ７の頂部７ａを僅かに露出した。
【００５９】
次いで、保護層８の表面を真空吸着することにより、半田バンプ７および保護層８が設けられた構造体を固定し、半導体基板１の他方の面１ｂをバックグラインド加工して、半導体基板１の厚みを３００μｍとし、半導体装置１０を得た。
得られた半導体装置１０は、耐候性に優れたものであった。
【００６０】
（比較例１）
半導体基板の他方の面をバックグラインド加工しない以外は実施例１と同様にして、半導体装置を作製した。
【００６１】
実施例１で得られた半導体装置１０と、比較例１で得られた半導体装置との比較を表１に示す。
【００６２】
【表１】
2005064228.tif 000003
【００６３】
表１から、実施例１の半導体装置の厚みは、比較例１の半導体装置の厚みの約６０％にすることができた。
【００６４】
（実施例２）
この実施例では、上述の本発明に係る半導体装置の製造方法の第二の実施形態によって、半導体装置を作製した。
上述の第二の実施形態において、直径８インチ、厚み７２５μｍの半導体基板１１を用い、絶縁層１３の厚み２０μｍ、導電層１４の厚み１６μｍの構造体を作製した。
【００６５】
次いで、電極パッド１６の上に、印刷法によりスズ（Ｓｎ）−鉛（Ｐｂ）共晶からなる高さ２００μｍの半田バンプ１７を形成した。
次いで、半田バンプ１７における電極パッド１６と反対側の頂部１７ａが僅かに露出するように、半田バンプ１７が載置された面上（封止層１５の上）の全域わたって、粘度５０００ｃＰの液状の超高粘度シリコーン系樹脂をカーテンコート法により塗布して、厚み１８０μｍの保護層１８を形成した。
次いで、反応ガスとしてアルゴンと窒素の混合ガスを用いたドライエッチングにより、半田バンプ１７の頂部１７ａに僅かに付着したシリコーン系樹脂を除去した。
【００６６】
次いで、保護層１８の表面を真空吸着することにより、半田バンプ１７および保護層１８が設けられた構造体を固定し、半導体基板１１の他方の面１１ｂをバックグラインド加工して、半導体基板１１の厚みを３５０μｍとし、半導体装置２０を得た。
得られた半導体装置２０は、耐候性に優れたものであった。
【００６７】
（比較例２）
半導体基板の他方の面をバックグラインド加工しない以外は実施例２と同様にして、半導体装置を作製した。
【００６８】
実施例２で得られた半導体装置２０と、比較例２で得られた半導体装置との比較を表２に示す。
【００６９】
【表２】
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【００７０】
表２から、実施例２の半導体装置の厚みは、比較例２の半導体装置の厚みの約６０％にすることができた。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
本発明の電子部品およびその製造方法は、ＣＳＰ以外の半導体装置にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の電子部品で用いられる半導体装置の第一の実施形態を示す概略断面図である。
【図２】本発明の電子部品で用いられる半導体装置の第二の実施形態を示す概略断面図である。
【図３】本発明に係る電子部品で用いられる半導体装置の製造方法の第一の実施形態を示す概略断面図である。
【図４】本発明に係る電子部品で用いられる半導体装置の製造方法の第一の実施形態を示す概略断面図である。
【図５】本発明に係る電子部品で用いられる半導体装置の製造方法の第一の実施形態を示す概略断面図である。
【図６】本発明に係る電子部品で用いられる半導体装置の製造方法の第二の実施形態を示す概略断面図である。
【図７】本発明に係る電子部品で用いられる半導体装置の製造方法の第二の実施形態を示す概略断面図である。
【図８】従来の半導体装置の構造を示す概略断面図である。
【図９】従来の半導体装置の構造を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００７３】
１，１１・・・半導体基板、２，１２・・・電極、３，１３・・・絶縁層、４，１４・・・導電層、５，１５・・・封止層、６，１６・・・電極パッド、７，１７・・・半田バンプ、７ａ，１７ａ・・・頂部、８，１８・・・保護層、１０，２０・・・半導体装置、３０・・・表面保護シート。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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