(57)【要約】【課題】  電気的特性を劣化させることなく、焼成後の誘電体セラミック層と内部電極との接合強度を向上させることで、水分の侵入を抑制し、直流及び交流耐湿負荷試験における絶縁抵抗不良の発生を解消した、積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】  ＮｉまたはＮｉ合金を内部電極とする積層セラミックコンデンサにおいて、誘電体セラミック層がＣａＺｒＯ3系固溶体である主成分と、少なくともＳｉＯ2とＭＯ（但し、ＭはＮｉおよび／またはＭｎ元素である。）を含有する副成分を含有する誘電体セラミック組成物からなり、前記内部電極の酸化度（Ｓ）を、酸化度（Ｓ）＝（（強還元処理後の飽和磁化−焼成後の飽和磁化）／強還元処理後の飽和磁化）×１００（％）で表わしたとき、３＜Ｓ＜３０の範囲内にある。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された複数の誘電体セラミック層と、
該誘電体セラミック層間に形成されたＮｉまたはＮｉ合金からなる内部電極と、
該内部電極に電気的に接続された外部電極と、
を備える積層セラミックコンデンサにおいて、
前記誘電体セラミック層は、ＣａＺｒＯ3系固溶体である主成分と、少なくともＳｉＯ2とＭＯ（但し、ＭはＮｉおよび／またはＭｎ元素である。）を含有する副成分を含有する誘電体セラミック組成物からなり、
前記内部電極の酸化度（Ｓ）を、
酸化度（Ｓ）＝（（強還元処理後の飽和磁化−焼成後の飽和磁化）／強還元処理後の飽和磁化）×１００（％）
で表わしたとき、前記内部電極の酸化度（Ｓ）が、３＜Ｓ＜３０の範囲内にあることを特徴とする、積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ＮｉまたはＮｉ合金を内部電極とする積層セラミックコンデンサ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサは、誘電体セラミック層と内部電極が積層されたものであり、最近ではコスト低減のため、内部電極材料として高価な貴金属であるＰｄまたはＡｇ−Ｐｄ合金に代わって、安価な卑金属であるＮｉまたはＮｉ合金が用いられるようになった。
【０００３】
ここで、積層セラミックコンデンサの内部電極にＮｉまたはＮｉ合金が用いられる場合、誘電体セラミックの焼成は、内部電極が酸化しないＮｉ／ＮｉＯの平衡酸素分圧より還元側の雰囲気中で行なわれる。
【０００４】
ただし、焼成前の脱脂は、通常大気中で行なわれることが多く、その際に内部電極金属粉末の表面は、わずかに酸化されることになる。また、焼成工程でも、一次的にＮｉ／ＮｉＯの平衡酸素分圧より酸化側の雰囲気中に晒されることがあるため、それらの段階で生成したＮｉ酸化物は、誘電体セラミック層と内部電極の界面の極めて薄いＮｉ酸化物層として残存する。
【０００５】
誘電体セラミック層と内部電極は、このようなＮｉ酸化物層の媒介により接合強度を保持している（特許文献１参照）。
【０００６】
このＮｉ酸化物層の生成量は、積層セラミックコンデンサの焼成雰囲気（特許文献２）や内部電極ペースト中に含まれるＮｉ粉末の酸化度（特許文献３）によって影響されると考えられる。
【特許文献１】特開２００３−７７７７７号公報
【特許文献２】特開平６−３４９６７３号公報
【特許文献３】特開平１３−６８３７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
誘電体セラミック層と内部電極の接合の媒介となる、前記Ｎｉ酸化物層の量が少ないと、両者間の接合強度が充分得られず、僅かな空隙が生じることがある。
【０００８】
前記の空隙が存在すると、焼成後の外部電極形成工程においてめっき処理を施す際、あるいは完成後の積層セラミックコンデンサに対して耐湿負荷試験を行なう際に、コンデンサ内部に水分が侵入する。
【０００９】
その結果、侵入した水分と、耐湿負荷試験時に印加された電圧による電気化学反応が起こり、誘電体セラミック層の還元による伝導性の高い領域や、内部電極のマイグレーションによる伝導経路等が生じるため、絶縁抵抗を劣化させることになる。
【００１０】
一方、Ｎｉ酸化物層の量が多すぎると、誘電体セラミック層中へのＮｉ拡散量も無視できなくなる。
【００１１】
誘電体セラミック組成物に対するＮｉ成分の添加は、誘電損失、温度特性、または高温負荷試験における寿命等、積層セラミックコンデンサの電気的特性に影響を与えることが知られており、Ｎｉ拡散量が多くなると、積層セラミックコンデンサの電気的特性を悪化させてしまうことが懸念される。
【００１２】
そこで、この発明の目的は、電気的特性を劣化させることなく、焼成後の誘電体セラミック層と内部電極との接合強度を向上させることで、水分の侵入を抑制し、直流及び交流耐湿負荷試験における絶縁抵抗不良の発生を解消した、積層セラミックコンデンサを提供しようとすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
この発明は、積層された複数の誘電体セラミック層と、該誘電体セラミック層間に形成されたＮｉまたはＮｉ合金からなる内部電極と、該内部電極に電気的に接続された外部電極とを備える、積層セラミックコンデンサに向けられるものであって、前記誘電体セラミック層は、ＣａＺｒＯ3系固溶体である主成分と、少なくともＳｉＯ2とＭＯ（但し、ＭはＮｉおよび／またはＭｎ元素である。）を含有する副成分を含有する誘電体セラミック組成物からなり、前記内部電極の酸化度（Ｓ）を、酸化度（Ｓ）＝（（強還元処理後の飽和磁化−焼成後の飽和磁化）／強還元処理後の飽和磁化）×１００（％）で表わしたとき、前記内部電極の酸化度（Ｓ）が、３＜Ｓ＜３０の範囲内にあることを特徴としている。
【００１４】
ここで、焼成後の飽和磁化とは、焼成後の積層体中のＮｉまたはＮｉ合金からなる内部電極について、その飽和磁化を振動型磁化測定装置（ＶＳＭ；Ｖｉｂｒａｔｉｎｇ  Ｓａｍｐｌｅ  Ｍａｇｎｅｔｏｍｅｔｅｒ）により測定した値を表わす。他方、強還元処理後の飽和磁化とは、前記焼成後の積層体を前記内部電極が完全に還元されて金属化するような強還元雰囲気中で熱処理した後の積層体中の内部電極について、同様にＶＳＭにより飽和磁化を測定した値を表わす。
【００１５】
Ｎｉ酸化物は反強磁性体であり、強磁性体である金属Ｎｉに比べて磁化の程度は極めて小さいため、ＶＳＭで測定される飽和磁化は、実質的に内部電極中の金属Ｎｉ比率を反映することになる。
【００１６】
すなわち、焼成後の飽和磁化とは、焼成後の積層体中の内部電極における、金属状態にあるＮｉ元素量を表わす指標であり、また、強還元処理後の飽和磁化とは、内部電極中の全Ｎｉ元素量を表わす指標である。
【００１７】
したがって、前記酸化度の定義式は、内部電極中の全Ｎｉ元素における、酸化された状態にあるＮｉ元素の割合を意味している。
【発明の効果】
【００１８】
この発明に係る積層セラミックコンデンサは、ＮｉまたはＮｉ合金からなる内部電極の酸化度が、３＜Ｓ＜３０の範囲内にあるように酸化しており、誘電体セラミック層と内部電極との接合の媒介となるＮｉ酸化物層が充分形成されているため、焼成後における両者の接合強度を向上させることができる。
【００１９】
その結果、水分の侵入が抑制され、直流及び交流耐湿負荷試験における絶縁抵抗不良の発生を解消することができる。
【００２０】
一方、誘電体セラミック層中へのＮｉ拡散は、Ｎｉが酸化された状態となってから進行するため、内部電極の酸化度を前記範囲内とすることにより、電気的特性に影響を与えない程度にＮｉ拡散を抑えることができる。
【００２１】
したがって、この発明に係る積層セラミックコンデンサは、誘電損失が０．１％以下と小さく、抵抗率が１０13Ω・ｍ以上と高く、静電容量の温度特性の絶対値が１０００ｐｐｍ／℃以内と小さく、また高温負荷試験における寿命が３００時間以上と長く、優れた電気的特性を示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
図１は、この発明に係る積層セラミックコンデンサ１を図解的に示す断面図である。
【００２３】
積層セラミックコンデンサ１は、積層体２を備えている。積層体２は、積層される複数の誘電体セラミック層３と、複数の誘電体セラミック層３の間の特定の複数の界面に沿ってそれぞれ形成される複数の内部電極４及び５とをもって構成される。
【００２４】
内部電極４及び５は、積層体２の外表面にまで到達するように形成されるが、積層体２の一方の端面８にまで引き出される内部電極４と、他方の端面９にまで引き出される内部電極５とが、積層体２の内部において交互に配置されている。
【００２５】
この内部電極４及び５と、誘電体セラミック層３の界面には、Ｎｉ酸化物層６及び７があり、内部電極４及び５と、誘電体セラミック層３の接合の媒介となっている。
【００２６】
また、積層体２の外表面上であって、端面８及び９上には、外部電極１０及び１１がそれぞれ形成されている。また、必要に応じて、外部電極１０及び１１上には、Ｎｉ、Ｃｕ等からなる第１のめっき層１２及び１３がそれぞれ形成され、さらにその上には、はんだ、Ｓｎ等からなる第２のめっき層１４及び１５がそれぞれ形成されている。
【００２７】
次に、上述のような積層セラミックコンデンサ１の製造方法について、製造工程順に説明する。
【００２８】
まず、誘電体セラミック組成物のための原料粉末を用意し、これをスラリー化し、このスラリーをシート状に成形して、誘電体セラミック層３のためのグリーンシートを得る。ここで、誘電体セラミック原料粉末として、後に詳細に説明するように、この発明に係る誘電体セラミック組成物のための原料粉末が用いられる。
【００２９】
次に、グリーンシートの特定のものの各一方主面に、内部電極４及び５を形成する。内部電極４及び５は、ＮｉまたはＮｉ合金により構成される。これら内部電極４及び５は、通常、上述のような導電性材料により構成される導電性ペーストを用いて、スクリーン印刷法や転写法により形成されるが、これらに限らずどのような方法によって形成されてもよい。
【００３０】
次に、内部電極４または５を形成した誘電体セラミック層３のためのグリーンシートを必要数積層すると共に、これらグリーンシートを、内部電極が形成されない適当数のグリーンシートによって挟んだ状態とし、これを熱圧着することによって、生の積層体を得る。
【００３１】
次に、この生の積層体を、大気中で所定の温度に加熱保持し、グリーンシート及び導電性ペースト中に含まれる樹脂成分を燃焼させることによって、脱脂後の積層体を得る。その際、加熱温度と保持時間を適宜変更することにより、脱脂処理後の残留炭素量を調整することができる。
【００３２】
次に、この脱脂後の積層体を、所定の還元性雰囲気中で所定の温度に加熱保持して焼成し、図１に示すような焼結後の積層体２を得る。その際、脱脂処理後の残炭量と、焼成雰囲気中の酸素分圧を適宜変更することにより、焼成後のＮｉ酸化物層６及び７の生成量を調整することができる。
【００３３】
その後、この積層体２の両端面８および９上に、内部電極４及び５とそれぞれ電気的に接続されるように、外部電極１０及び１１を形成する。これら外部電極１０及び１１の材料としては、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｇ、またはＡｇ合金等を用いることができる。外部電極８及び９は、通常、金属粉末にガラスフリットを添加して得られた導電性ペーストを、積層体２の両端面８及び９上に塗布し、これを焼き付けることによって形成される。
【００３４】
なお、外部電極１０及び１１となるべき導電性ペーストは、通常、上述のように焼結後の積層体２に塗布され、焼き付けられるが、焼成前の生の積層体に塗布しておき、積層体２を得るための焼成と同時に焼き付けられてもよい。
【００３５】
次に、外部電極１０及び１１上に、Ｎｉ、Ｃｕ等のめっきを施し、第１のめっき層１２および１３を形成する。最後に、これら第１のめっき層１２及び１３上に、はんだ、Ｓｎ等のめっきを施し、第２のめっき層１４及び１５を形成し、積層セラミックコンデンサ１を完成させる。
【００３６】
このような積層セラミックコンデンサ１において、前記誘電体セラミック層３は、ＣａＺｒＯ3系固溶体である主成分と、少なくともＳｉＯ2とＭＯ（但し、ＭはＮｉおよび／またはＭｎ元素である。）を含有する副成分を含有する誘電体セラミック組成物からなり、前記内部電極４または５の酸化度（Ｓ）を、酸化度（Ｓ）＝（（強還元処理後の飽和磁化−焼成後の飽和磁化）／強還元処理後の飽和磁化）×１００（％）で表わしたとき、前記内部電極の酸化度（Ｓ）が、３＜Ｓ＜３０の範囲内にある。
【００３７】
上述のようにして得られた積層セラミックコンデンサ１は、誘電体セラミック層と内部電極との接合の媒介となるＮｉ酸化物層が充分形成されており、焼成後における両者の接合強度を向上させることができるため、水分の侵入が抑制され、直流及び交流耐湿負荷試験における絶縁抵抗不良の発生を解消することができる。
【００３８】
一方で、Ｎｉ拡散量は少なく抑えられており、積層セラミックコンデンサの電気的特性を劣化させることがない。
【００３９】
この発明に係る積層セラミックコンデンサ１に用いられる誘電体セラミック組成物の出発原料は、ＣａＺｒＯ3系固溶体である主成分と、少なくともＳｉＯ2とＭＯ（但し、ＭはＮｉおよび／またはＭｎ元素である。）を含有する副成分を含有するものであるが、誘電体セラミック組成物の原料粉末の製造方法としては、前記主成分及び副成分を実現し得るものであれば、どのような方法を用いてもよい。
【００４０】
次に、この発明を実施例に基づいてより具体的に説明する。
【実施例】
【００４１】
この実施例において、前記図１に示すような積層セラミックコンデンサを作製した。
【００４２】
まず、誘電体セラミックの主成分であるＣａＺｒＯ3系固溶体の出発原料として、高純度のＣａＣＯ3、ＳｒＣＯ3、ＢａＣＯ3、ＭｇＣＯ3、ＺｒＯ2及びＴｉＯ2の各粉末を準備した。
【００４３】
次に、表１に示すａ、ｂ、ｃ、ｍおよびｘにそれぞれ選ばれた、組成式：（Ｃａ1-a-b-cＳｒaＢａbＭｇc）m（Ｚｒ1-xＴｉx）Ｏ3で表わされる組成が得られるように、前記の主成分出発原料粉末を調合した。
【００４４】
これらの調合粉末を、ボールミルを用いて平均粒径が１μｍ以下となるように湿式粉砕し、均一に分散させた後、乾燥及び解砕処理を施して調整粉末を得た。
【００４５】
次に、この調整粉末を大気中、１２００℃の温度で仮焼した後、得られた仮焼粉末を解砕して、誘電体セラミックの主成分であるＣａＺｒＯ3系固溶体の原料粉末とした。
【００４６】
また、誘電体セラミックの副成分の出発原料として、高純度のＳｉＯ2、ＮｉＯ、ＭｎＣＯ3、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、ＣａＣＯ3、ＳｒＣＯ3、ＢａＣＯ3、及びＭｇＣＯ3の各粉末を準備した。
【００４７】
次に、表１に示す組成が得られるように、前記の副成分出発原料粉末を調合した。
【００４８】
この調合粉末を、ボールミルを用いて湿式粉砕し、均一に分散させた後、乾燥及び解砕処理を施して調整粉末を得た。
【００４９】
次に、これらの調整粉末を、表１の試料番号１〜１６については、大気中９００℃の温度で仮焼して反応させ、さらに得られた仮焼粉末を平均粒径が１μｍ以下となるように湿式粉砕した後、乾燥及び解砕処理を施すことにより誘電体セラミックの副成分の原料粉末とした。
【００５０】
また、試料番号１７については、仮焼を行なわず、未反応の調整粉末のままで誘電体セラミックの副成分の原料粉末とした。
【００５１】
上述のようにして得られた主成分原料粉末と副成分原料粉末を、全体として表1に示す組成となるように調合した。
【００５２】
【表１】
2005183491.tif 000002
【００５３】
この調合粉末を、ボールミルを用いて湿式粉砕し、均一に分散させた後、乾燥及び解砕処理を施して誘電体セラミック原料粉末を得た。
【００５４】
上述のようにして得られた誘電体セラミック原料粉末にポリビニルブチラール系のバインダ、可塑剤及びエタノール等の有機溶剤を加え、ボールミルにより湿式混合して誘電体セラミック組成物のスラリーを得た。このスラリーをポリエチレンテレフタレート等からなるキャリアフィルム上にシート状に成形して、誘電体セラミック組成物のグリーンシートを得た。得られたグリーンシートの厚みは２２μｍであった。
【００５５】
次に、得られたグリーンシート上に、平均粒径１μｍ以下のＮｉ粉末を主成分とする導電性ペーストを用いて内部電極パターンを印刷した後、互いに対向して複数の静電容量を構成するように３１枚積み重ね、さらにその上下面に内部電極パターンが形成されないセラミックグリーンシートを適当数積み重ねて熱圧着し、生の積層体を得た。
【００５６】
この生の積層体を大気中、３．３３℃／分以下の速さで昇温し、表２に示す各温度で２時間保持して脱脂した。その際、
残留炭素含有率（ＲＣ）＝（脱脂後積層体中の残留炭素量／脱脂後積層体重量）×１００（重量％）
で表わしたとき、表２に示すように残留炭素含有率（ＲＣ）が０．０１≦ＲＣ≦２．０となるようにした。脱脂後積層体中の残留炭素量は、脱脂後積層体をＯ2雰囲気中で１３００℃以上に加熱し、残留している有機成分を完全に燃焼させた際の発生ガス量から算出した。なお、測定試料は２０個である。
【００５７】
その後、Ｎ2−Ｈ2−Ｈ2Ｏの混合ガスを用いて、表２に示す各条件で１時間保持して焼成し、積層体を得た。その際、
残留炭素量／投入水分比（Ｃ／Ｈ）＝（投入した脱脂後積層体中の残留炭素量の総和／焼成工程における全投入水分量）×１００（重量％）
で表わしたとき、表２に示すように残留炭素量／投入水分比（Ｃ／Ｈ）が、０．０００１≦Ｃ／Ｈ≦１０となるようにした。なお、全投入水分量は、３００℃以上から焼成工程終了までの、焼成工程の各段階において設定した単位時間あたりの投入水分量と、各段階に要する時間の積を総和して算出した。
【００５８】
さらに、セラミック焼結時雰囲気中の酸素分圧（ＰＯ2(FT)）は、Ｎ2−Ｈ2−Ｈ2Ｏの混合比を調整して、その温度でのＮｉ／ＮｉＯの平衡酸素分圧（ＰＯ2(Ni/NiO)）に対し、
ｌｏｇ（ＰＯ2(Ni/NiO)／ＭＰａ）−３≦ｌｏｇ（ＰＯ2(FT)／ＭＰａ）≦ｌｏｇ（ＰＯ2(Ni/NiO)／ＭＰａ）
を満足するようにした。各試料焼成時の実測値を表２に示した。
【００５９】
また、焼成工程の降温時において、表２に示す温度で混合ガス中のＨ2投入を止め、それ以後はＮ2−Ｈ2Ｏガスからなる弱酸化性雰囲気とした。
【００６０】
上述のように、脱脂の程度と焼成条件を種々変更することにより、内部電極の酸化度Ｓが異なる焼成後積層体を得た。
【００６１】
次に、内部電極の酸化度Ｓを、ＶＳＭによる飽和磁化測定結果から算出した。
【００６２】
ここで飽和磁化は、磁極間距離３２ｍｍの試料磁化用磁石の間に積層体を保持し、積層体中の内部電極を７９６ｋＡ／ｍの磁界強度で磁化した後、積層体を振幅５ｍｍ、周波数３０Ｈｚで正弦的に振動させることにより、近接して設置された測定用コイルに電磁誘導されて発生する起電力の大きさから測定した。測定は室温で行なった。
【００６３】
まず、焼成後の積層体における内部電極の飽和磁化を、前記条件にてＶＳＭで測定した。
【００６４】
その後、焼成後の積層体を、焼成温度と同じ温度で、かつ内部電極中のＮｉ元素が完全に還元されて金属化するような強還元雰囲気中で熱処理した。本実施例では、焼成温度をＦＴとした場合、ｌｏｇ（ＰＯ2／ＭＰａ）≦０．０１１ＦＴ／℃−２５．２１であるような酸素分圧の雰囲気とした。例えば、１２５０℃ではｌｏｇ（ＰＯ2／ＭＰａ）＝−１１．５となるようにＮ2−Ｈ2の混合比を設定した。
【００６５】
前記強還元処理後の積層体における内部電極の飽和磁化を同様にしてＶＳＭで測定し、以下の計算式から、焼成後の内部電極の酸化度Ｓを算出した。その結果を表２に示す。
酸化度（Ｓ）＝（（強還元処理後の飽和磁化−焼成後の飽和磁化）／強還元処理後の飽和磁化）×１００（％）
【００６６】
【表２】
2005183491.tif 000003
【００６７】
次に、焼成後の積層体の両端面に、Ｃｕを主成分とする導電性ペーストを塗布し、Ｎ2雰囲気中において７００℃の温度で焼き付けた。
【００６８】
焼き付けたＣｕ電極上に、公知の方法にてＮｉめっき処理を施して第１のめっき層とし、その上にＳｎめっき処理を施して第２のめっき層とすることで、内部電極と電気的に接続された外部電極を形成した。
【００６９】
上述のようにして得られた積層セラミックコンデンサは、長さ３．２ｍｍ、幅１．６ｍｍ、厚さ１．２ｍｍであり、誘電体セラミック層の厚さは１８μｍ、特性発現に関わる誘電体セラミック層は３０層であった。
【００７０】
これら得られた試料について、静電容量及び誘電損失（ｔａｎδ）（％）を、自動ブリッジ式測定器を用い、２５℃において１Ｖrms、１ＭＨｚの交流電圧を印加して測定した。
【００７１】
また、絶縁抵抗（Ｒ）（Ω）を、絶縁抵抗計を用い、２５℃において５０Ｖの直流電圧を２分間印加して測定し、得られた絶縁抵抗Ｒから抵抗率（ρ）（Ω・ｍ）を算出した。
【００７２】
また、２５℃〜１２５℃の範囲内で、温度を変化させながら静電容量を測定し、２５℃での静電容量（Ｃ25）を基準とした静電容量の温度変化率（ΔＣTC）（ｐｐｍ／℃）の値を、ΔＣTC＝［｛（Ｃ125−Ｃ25）／Ｃ25）｝／（１２５℃−２５℃）］の式に基づいて算出した。
【００７３】
また、高温負荷寿命試験として、３６個の測定試料に対し、温度１５０℃の高温槽内で２００Ｖの直流電圧を印加した。その絶縁抵抗の経時変化を測定し、各試料の絶縁抵抗値が１０6Ω以下になった時点を故障時間とし、それらの平均故障時間（ＭＴＴＦ）（時間）を求めた。
【００７４】
また、直流耐湿負荷試験として、７２個の測定試料に対し、温度６０℃、相対湿度９０％の恒温恒湿槽内で６３０Ｖの直流電圧を印加した。１０００時間経過後に取り出して、２５℃において５０Ｖの直流電圧を２分間印加して測定した絶縁抵抗値が、１０6Ω以下になった試料数を調べた。
【００７５】
さらに、交流耐湿負荷試験として、７２個の測定試料に対し、温度６０℃、相対湿度９０％で６３０Ｖp-pの交流電圧を印加した。直流耐湿負荷試験と同様にして、絶縁抵抗値が１０6Ω以下になった試料数を調べた。
【００７６】
上述のようにして測定した、試料番号に対応したｔａｎδ、ρ、ΔＣTC、高温負荷寿命試験におけるＭＴＴＦ、直流及び交流耐湿負荷試験結果を表３に示す。
【００７７】
【表３】
2005183491.tif 000004
【００７８】
表１〜３において、試料番号に＊を付したものは、この発明の範囲外の試料である。
【００７９】
表３に示すように、この発明の範囲内にある試料番号８〜１９では、直流及び交流耐湿負荷試験において１０００時間経過後にも故障発生がないばかりでなく、ｔａｎδが０．１％以下と小さく、ρが１０13Ω・ｍ以上と高く、ΔＣTCの絶対値が１０００ｐｐｍ／℃以内と小さく、また高温負荷寿命試験におけるＭＴＴＦが３００時間以上と長い、優れた耐湿負荷信頼性及び電気的特性を示す、積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【００８０】
これらに対して、この発明の範囲外にある試料について考察する。
【００８１】
まず、焼成後の内部電極酸化度Ｓが３％以下である場合は、試料番号１、３、５、及び７に示すように、交流負荷耐湿試験において１０００時間経過後に故障が発生する。他方、Ｓが３０％以上である場合は、試料番号２、４、６に示すように、ρが１０13Ω・ｍ以下となり、また高温負荷試験におけるＭＴＴＦが３００時間未満となる。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】この発明に係る誘電体セラミック組成物を用いて構成される積層セラミックコンデンサ１を図解的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００８３】
１  積層セラミックコンデンサ
２  積層体
３  誘電体セラミック層
４、５  内部電極
６、７  Ｎｉ酸化物層
１０、１１  外部電極
１２、１３  第一めっき層
１４、１５  第二めっき層
【図１】
2005183491.tif 000005