(57)【要約】  【課題】  マスク上の照明ビームが照射される位置を高精度で調整することのできる露光方法等を提供する。  【解決手段】  照明ビームＩＢの目標照明位置に照明ビーム調整用マーク１０１が位置するようにマスク１０´を移動し、マスク１０´に電子線ＩＢを照射する。そして、投影系の偏向器１６を用いて、マスク１０´を通過した投影ビームＰＢをピンホール検出器１１１に導く。ピンホール検出器１１１で得られたピンホール像からマスク１０´上における照明ビームの位置ずれを知ることができる。そして、偏向器８を用いて、照明ビームＩＢを偏向させ、照明位置を調整する。【選択図】  図２
2005064433.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスパターン原版であるマスク（レチクルを含む）を荷電粒子線（照明ビーム）で照明し、該マスクを通過した荷電粒子線を感応基板上に照射して、該マスク上のパターンを該感応基板上に転写する荷電粒子線投影露光方法であって、
前記マスク上に、照明ビーム調整用マークが形成されており、
前記照明ビーム調整用マークは、前記マスク上の照明ビームの縁が当たる部分に、列状に配置された、複数個の小開孔であり、
該小開孔を通った照明ビームを、ウェハステージ上に配置された投影結像面上に結像させ、
該小開孔を通った照明ビームの像を観察し、
該小開孔を通った照明ビームの像に基づいて、照明ビームの照射される位置を調整することを特徴とする荷電粒子線投影露光方法。
【請求項２】
該小開孔の像の数を数えて、該照明ビームの照射される位置を測定しながら、該照明ビームの照射位置を調整することを特徴とする請求項１記載の荷電粒子線投影露光方法。
【請求項３】
デバイスパターン原版であるマスク（レチクルを含む）を荷電粒子線（照明ビーム）で照明し、該マスクを通過した荷電粒子線を感応基板上に照射して、該マスク上のパターンを該感応基板上に転写する荷電粒子線露光に用いるマスクであって、
該マスク上の照明ビームの縁が当たる部分に列状に配置された、複数個の小開孔を含む照明ビーム調整用マークを備えることを特徴とするマスク。
【請求項４】
デバイスパターン原版であるマスク（レチクルを含む）を荷電粒子線（照明ビーム）で照明し、該マスクを通過した荷電粒子線を感応基板上に照射して、該マスク上のパターンを該感応基板上に転写する荷電粒子線投影露光装置であって、
前記マスク上の照明ビームの縁が当たる部分に、列状に配置された、複数個の小開孔を含む照明ビーム調整用マークが表面に形成されたマスクが搭載され、
該小開孔を通った照明ビームの像を観察する手段と、
該小開孔を通った照明ビームの像に基づいて、照明ビームの照射される位置を調整する偏向器と、
を具備することを特徴とする荷電粒子線投影露光装置。
【請求項５】
前記該小開孔を通った照明ビームの像を観察する手段が、ピンホール検出器であることを特徴とする請求項４記載の荷電粒子線投影露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体リソグラフィ等に用いられる露光方法等に関する。特には、マスク上の照明ビームが照射される位置を高精度で調整することのできる露光方法等に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の微細化・高集積化に伴い、長年、微細なパターンを形成する手段の主流であった、光を用いたフォトリソグラフィ技術に代わって、電子線やイオンビームのような荷電粒子線やＸ線を利用する新しい露光方式が検討され、実用化されつつある。これらのうち、電子線を利用してパターンを形成する電子線縮小投影露光方法（ＥＰＬ、Electron Beam Projection Lithography）は、高いスループットを達成し得るものであり、メモリ増産にも対応できるため、特に注目されている。
【０００３】
近年、露光の高解像と高スループットの両方を兼ね備えた電子線露光の方式の検討が進められている。
露光の高解像と高スループットを実現するために、従来検討されてきた方式が一括転写方式である。一括転写方式とは、１ダイ又は複数ダイを一度に露光する方式をいう。しかしながら、この方式では、転写すべきパターンが形成された原版であるマスクの製作が困難であるという問題がある。また、荷電粒子光学系では、レンズによる像面湾曲や非点収差を補正することができない。このため、半導体装置のような数十ｍｍ単位のパターンを一括して転写するとボケが非常に大きくなる。一括転写方式においては、１ダイ以上という大きな光学フィールドを照明することになるので、所望の露光精度が得られる程度に収差を抑えるのが難しい。このため、最近では、一括転写方式の露光装置の検討は行われなくなってきている。
【０００４】
一括転写方式に代わって検討されているのが、分割転写方式である。分割転写方式においては、感応基板（ウェハ）上に転写するデバイスパターンが数百μｍ角程度の複数の小領域（以下、サブフィールドという）に分割されてマスク（レチクルを含む）上に形成される。そして、サブフィールド毎に露光し、これらのサブフィールドの像がウェハ上でつなぎ合わされるように転写する。
【０００５】
以下に、分割転写方式の電子線露光方法の概要を説明する。
図４は、電子線露光装置（分割転写方式）の光学系全体における結像関係を示す模式図である。
図の上方（光学系の最上流）には、電子銃１が配置されている。この電子銃１は、図の下方に向けて電子線（照明ビームＩＢ）を照射する。電子銃１の下方には、２段のコンデンサレンズ２、３が備えられている。照明ビームＩＢは、これらのコンデンサレンズ２、３によって収束され、ブランキング開口７にクロスオーバーＣ．Ｏ．を結像する。
【０００６】
二段のコンデンサレンズ３の下方には、矩形開口（照明ビーム成形開口）４が備えられている。この矩形開口４は、通常、高融点の金属に正方形の開口を開けたもので、マスク（レチクル）１０の一つのサブフィールド（露光の１単位となるパターン小領域）を照明する照明ビームＩＢのみを通過させる。この開口４の像は、レンズ９によってマスク１０に結像される。
【０００７】
照明ビーム成形開口４の下方には、ブランキング偏向器５が配置されている。この偏向器５は、必要に応じて照明ビームを偏向させ、ブランキング開口７の非開口部に当てて、照明ビームＩＢがマスク１０に当たらないようにする。
【０００８】
ブランキング開口７の下方には、照明ビーム偏向器８が配置されている。この偏向器８は、照明ビームＩＢをＸ軸方向に順次走査して、光学系の視野内にあるマスク１０の各サブフィールドの照明を行う。偏向器８の下方には、照明レンズ９が配置されている。照明レンズ９は、マスク１０上に照明ビームＩＢを結像させる。
【０００９】
マスク１０は、光軸に垂直な平面（Ｘ−Ｙ平面）に広がっており、多数のサブフィールドを有する（図５参照）。マスク１０上には、全体として１つの半導体チップをなすデバイスパターンが形成されている。なお、１つのチップをなすデバイスパターンは、複数のマスク上に分割、形成されていてもよい。
【００１０】
マスク１０は、移動可能なマスクステージ１１上に保持されている。このマスクステージ１１をＸ−Ｙ方向に動かすことにより、照明光学系の視野よりも広範囲に広がる、マスク１０上の各サブフィールドを照明することができる。このマスクステージ１１には、レーザ干渉計を用いた位置検出器１２が付設されており、マスクステージ１１の位置をリアルタイムで正確に把握することができる。
【００１１】
マスク１０の下方には、投影レンズ１５、１９及び偏向器１６が設けられている。マスク１０の１つのサブフィールドを通過した電子線（投影ビームＰＢ）は、投影レンズ１５、１９及び偏向器１６によって、ウェハ２３上の所望の位置に結像される。サブフィールドの大きさは、通常マスク上で１ｍｍ角程度、ウェハ上で０．２５ｍｍ角程度である（図５参照）。このサブフィールドを偏向器１６によって軸外に偏向させて、複数個連結させる。このサブフィールドの像が連結されたものをメインフィールドと呼ぶことにする。通常、このメインフィールドは、サブフィールド２０個分程度であり、ウェハ上でおよそ５×０．２５ｍｍ角となる。
ウェハ２３上には、適当なレジストが塗布されている。このレジストに電子線のドーズが与えられ、マスク１０上のデバイスパターンが縮小、転写される。
【００１２】
マスク１０とウェハ２３との間を縮小率比で内分する位置には、クロスオーバーＣ．Ｏ．が形成され、同クロスオーバー位置に、コントラスト開口１８が設けられている。この開口１８は、マスク１０の非パターン部で散乱された投影ビームＰＢがウェハ２３に到達しないように遮断する。
【００１３】
ウェハ２３は、静電チャック（図示されていない）を介して、Ｘ軸及びＹ軸方向に移動可能なウェハステージ２４上に配置されている。上記のマスクステージ１１とウェハステージ２４とを、互いに逆方向に同期移動させることにより、光学系の視野を越えて広がるデバイスパターンを順次露光、転写することができる。なお、ウェハステージ２４にも、上記のマスクステージ１１と同様、位置検出器２５が装備されている。
【００１４】
ウェハ２３の直上には、反射電子検出器２２が配置されている。この反射電子検出器２２は、ウェハ２３の露光面やウェハステージ２４上のマークで反射される電子の量を検出する。例えば、マスク１０上のマークパターンを通過した投影ビームＰＢでウェハ２３上のマークを走査し、マークによって反射される電子を検出することにより、マスク１０とウェハ２３の相対的位置関係を知ることができる。
【００１５】
上記の各レンズ２、３、９、１５、１９及び各偏向器５、８、１６は、それぞれに対応するコイル電源制御部２ａ、３ａ、９ａ、１５ａ、１９ａ及び５ａ、８ａ、１６ａを介して、コントローラ３１により制御される。また、マスクステージ１１及びウェハステージ２４も、それぞれに対応するステージ制御部１１ａ、２４ａを介して、コントローラ３１により制御される。
【００１６】
ステージ位置検出器１２、２５は、アンプやＡ／Ｄ変換器等を含むインターフェイス１２ａ、２５ａを介して、コントローラ３１に信号を送る。反射電子検出器２２も同様に、インターフェイス２２ａを介して、コントローラ３１に信号を送る。
【００１７】
コントローラ３１は、ステージの位置合わせ誤差を把握し、その誤差を像位置調整偏向器１６で補正する。これにより、マスク１０上のサブフィールドの縮小像がウェハ２３上の目標位置に正確に転写される。そして、ウェハ２３上で各サブフィールドの像が複数個つなぎ合わされて、マスク１０上のデバイスパターン全体がウェハ上に転写される。
【００１８】
図５は、電子線露光用のマスクを示す図である。図５（Ａ）は、全体の平面図であり、図５（Ｂ）は、一部の斜視図であり、図５（Ｃ）は、一つの小メンブレン領域の平面図である。
図５に示すマスク１０には、デバイスパターンが分割されて形成されている。図５（Ａ）に示す多数の正方形４１は、各々１つのサブフィールドに対応したデバイスパターンを含む小メンブレン領域である。この小メンブレン領域（サブフィールド）４１は、シリコンメンブレンで、一例で厚さがおよそ２μｍである。小メンブレン領域４１は、一例で１辺が１ｍｍ程度の正方形である。投影の際の縮小率を１／４とすると、ウェハ上に投影されるサブフィールド４２の像は、１辺が０．２５ｍｍの正方形となる。
小メンブレン領域４１は転写すべきパターンの形成された部分である。小メンブレン領域にパターンを形成する形態としては、メンブレンに孔開き部を設けるステンシルタイプと、電子線の高散乱体からなるパターン層をメンブレン上に形成する散乱メンブレンタイプとがある。
【００１９】
図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に示す小メンブレン領域４１の周囲の格子状の部分は、マイナーストラット４５である。マイナーストラット４５は、マスク１０の機械強度を保つための梁（一例で厚さ０．５〜１ｍｍ、幅０．１ｍｍ）である。また、マイナーストラット４５は、熱伝導性を有し、電子線の照射によりシリコンメンブレンに生じた熱を逃がす役割を果たす。なお、小メンブレン領域４１は、ストラット４５に囲まれて凹状になっている。
【００２０】
図５（Ａ）に示すように、図のＸ方向に多数の小メンブレン領域４１が並んで、１つのグループ（エレクトリカルストライプ４４）を形成している。そして、エレクトリカルストライプ４４が、図のＹ方向に多数並んで１つのメカニカルストライプ４９を形成している。エレクトリカルストライプ４４の長さ（メカニカルストライプ４９の幅）は、光学系の偏向によってカバー可能な視野の広さによって制限される。
【００２１】
メカニカルストライプ４９は、図のＸ方向に複数（本実施例では２つ）並んでいる。隣り合うメカニカルストライプ４９の間の部分は、メジャーストラット４７である。メジャーストラット４７は、マイナーストラット４５よりもやや太い梁であって、マスク１０のたわみを低減する。メジャーストラット４７とマイナーストラット４５とは一体となっている。
２本のメカニカルストライプ４９の図中下部には、マーク領域１４が設けられている。マーク領域１４には、照明位置調整用パターンが形成されている（図６を参照して後述する）。
【００２２】
図５（Ｃ）に示すように、小メンブレン領域４１の周囲に、額縁状の非パターン領域（スカート）４３を設けることもできる。この場合、小メンブレン領域４１は、中央のパターン領域４２と、非パターン領域（スカート）４３とからなる。スカート４３は、パターンが形成されていない額縁状（一例で幅が０．０５ｍｍ）の部分であり、照明ビームＩＢの縁が当たる。
【００２３】
なお、１つのエレクトリカルストライプ４４内において、隣り合うサブフィールドの間に、マイナーストラット等の非パターン領域を設けない方式も検討されている。
【００２４】
上述のような電子線露光装置において、マスク１０上に結像した照明ビームＩＢの像の寸法は、マスク上のパターン領域（サブフィールド）と同じ大きさになるように設定される。また、図５（Ｃ）に示すように、サブフィールドの周りにスカートが設けられている場合には、照明ビームＩＢの像の寸法は、サブフィールドよりやや大きくなるように設定される。
【００２５】
次に、メインフィールド内の各サブフィールドにおける電子線（照明ビーム）を当てる位置を調整する方法について説明する。
図６は、照明位置調整用パターンを示す平面図である。
図中のＩＢ´は、照明ビーム成形開口４によって矩形状に成形され、マスク１０上のマーク領域１４に結像した照明ビームＩＢの像である。照明位置調整用パターン２０１は、スリット状の開孔であり、照明ビームＩＢの像ＩＢ´の各辺に沿って配置される。なお、パターン２０１で囲まれる矩形の領域は、照明ビームＩＢの像ＩＢ´の寸法よりやや大きい。
【００２６】
このような照明位置調整用パターンは、マスク上のマーク領域１４のほか、マスクステージ（図４の符号１１）上のフィデューシャルマーク領域等に設けることもできる。
以下の説明では、Ｘ軸は、照明ビームＩＢの像ＩＢ´の上下の辺、及び、上下の照明位置調整用パターン２０１と平行なものとし、Ｙ軸は、ＩＢ´の左右の辺、及び、左右のパターン２０１と平行なものとする。
【００２７】
図７は、照明位置を調整する際の電子線露光装置の結像関係を模式的に示す図である。
まず、照明位置調整用パターン２０１を調整したいサブフィールド位置に移動する。次に、照明系偏向器８を用いて、マスク１０に照射される照明ビームＩＢを偏向させることにより、マスク１０上の照明位置調整用パターン２０１を走査する。
マスク１０上の照明位置調整用パターン２０１を通過したビームＰＢは、投影系の偏向器１６によって偏向され、ウェハステージ２４上に到達する。ウェハステージ２４上には重金属板２３１が設置されており、ビームＰＢはこの重金属板２３１に結像する。
重金属板２３１によって反射されたビームＰＢは、反射電子検出器２２によって検出される。照明ビームＩＢをＸ方向及びＹ方向に偏向させながら、この反射電子の強度を測定することにより、各方向における、ビーム中心と偏向中心との位置誤差を求める。
【００２８】
以下に、反射電子の強度から照明ビームのビーム中心と偏向中心との位置誤差を求める方法について説明する。
図８は、反射電子の強度から照明ビームのビーム中心と偏向中心との位置誤差を求める方法を説明するためのグラフである。図８（Ａ）は、反射電子検出信号を示すグラフである。図８（Ｂ）は、反射電子検出信号の１階微分信号を示すグラフであり、図８（Ｃ）は、反射電子検出信号の２階微分信号を示すグラフである。
図の横軸はマスク１０上における照明ビームＩＢの走査距離を示しており、縦軸は反射電子検出信号の強度を示している。
図８（Ａ）のグラフは、左右に反射電子検出信号のピークがあり、中央部は平坦になっている。これは、例えば、照明ビームＩＢをＸ方向に偏向した際、照明ビームＩＢを照明位置調整用パターン２０１の間の非開孔部分（図６参照）では、電子線はマスク１０を透過しないが、非開孔部分の左側又は右側では、照明位置調整用パターン２０１に照明ビームＩＢが照射されて、同パターン２０１を通過する電子が増加するためである。
【００２９】
図８（Ａ）には理想的な台形状の信号波形が示されているが、実際の計測で得られる信号波形はビームのボケやノイズによってぼやける。このため、この信号波形を２階微分して、信号の両側の立ち上がり部の変曲点を求めて、２つの変曲点の中点を求めることにより、照明ビームＩＢの中心位置を測定する。
【００３０】
図８（Ａ）の信号波形を２階微分して得られた図８（Ｃ）のグラフは、点Ａ１及び点Ａ２で横軸と交差している。これらの交点Ａ１、Ａ２は、それぞれ図８（Ａ）に示す反射電子検出信号の立ち上がり部分の変曲点であり、交点Ａ１とＡ２の中点Ａ３が照明ビームＩＢのビーム中心位置となる。こうして、照明ビームＩＢのビーム中心Ａ３と、偏向器８の偏向中心（照明ビームＩＢが照射されるべき目標位置の中心）との位置誤差ΔＸが求められる。
【００３１】
上述のようなビーム中心と偏向中心との位置誤差の測定を各サブフィールドについて繰り返し、照明系の偏向器８にフィードバックすることにより照明位置を調整する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３２】
上述のような照明位置検出方法によると、照明ビームＩＢが、照明位置検出用マーク２０１の間の非開孔部分に照射されている際には、照明位置調整用マーク２０１を電子が通過しないので、反射電子検出器２２で反射電子が検出されない。このため、サブフィールドに照明ビームが正確に当たっているかどうか、判断することが難しい。
上記の点に鑑み、本発明は、マスク上の照明ビームが照射される位置を高精度で調整することのできる露光方法等を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３３】
本発明の荷電粒子線投影露光方法は、デバイスパターン原版であるマスク（レチクルを含む）を荷電粒子線（照明ビーム）で照明し、該マスクを通過した荷電粒子線を感応基板上に照射して、該マスク上のパターンを該感応基板上に転写する荷電粒子線投影露光方法であって、前記マスク上に、照明ビーム調整用マークが形成されており、前記照明ビーム調整用マークは、前記マスク上の照明ビームの縁が当たる部分に、列状に配置された、複数個の小開孔であり、該小開孔を通った照明ビームを、ウェハステージ上に配置された投影結像面上に結像させ、該小開孔を通った照明ビームの像を観察し、該小開孔を通った照明ビームの像に基づいて、照明ビームの照射される位置を調整することを特徴とする。
【００３４】
上記の荷電粒子線投影露光方法においては、該小開孔の像の数を数えて、該照明ビームの照射される位置を測定しながら、該照明ビームの照射位置を調整することができる。
【００３５】
本発明のマスクは、デバイスパターン原版であるマスク（レチクルを含む）を荷電粒子線（照明ビーム）で照明し、該マスクを通過した荷電粒子線を感応基板上に照射して、該マスク上のパターンを該感応基板上に転写する荷電粒子線露光に用いるマスクであって、該マスク上の照明ビームの縁が当たる部分に列状に配置された、複数個の小開孔を含む照明ビーム調整用マークを備えることを特徴とする。
【００３６】
本発明の荷電粒子線投影露光装置は、デバイスパターン原版であるマスク（レチクルを含む）を荷電粒子線（照明ビーム）で照明し、該マスクを通過した荷電粒子線を感応基板上に照射して、該マスク上のパターンを該感応基板上に転写する荷電粒子線投影露光装置であって、前記マスク上の照明ビームの縁が当たる部分に、列状に配置された、複数個の小開孔を含む照明ビーム調整用マークが表面に形成されたマスクが搭載され、該小開孔を通った照明ビームの像を観察する手段と、該小開孔を通った照明ビームの像に基づいて、照明ビームの照射される位置を調整する偏向器と、を具備することを特徴とする。
【００３７】
上記の荷電粒子線投影露光装置においては、前記該小開孔を通った照明ビームの像を観察する手段が、ピンホール検出器であってもよい。
【発明の効果】
【００３８】
本発明によれば、照明ビームの縁が当たる部分に照明ビーム調整用マークを設けたため、照明ビームが当たっている位置を検出することができる。そして、マスク上における照明位置の調整を容易に行うことができる。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【実施例】
【００４０】
図１は、本発明の一実施例に係る照明位置調整用マスクを示す平面図である。
図に示す照明位置調整用マスク１０´には、図６で説明したものと同様の照明位置調整用パターン２０１が形成されている。この４つの照明位置調整用パターン２０１で囲まれた部分の内側には、照明ビーム調整用マーク１０１が形成されている。照明ビーム調整用マーク１０１は複数のスリット状開孔であり、一例で５μｍライン・アンド・スペースが、その外側の照明位置調整用パターン２０１と平行に延びるように列状に配置されている。左右及び上下のマーク１０１のライン・アンド・スペースは同じ本数であり、それぞれビームの照射されるべき位置の中心Ｏを通る線分Ｘ−Ｘ、Ｙ−Ｙ、及び、中心Ｏに対して対称に並べられている（図１（Ａ）参照）。照明ビーム調整用マーク１０１は、照明位置調整用パターン２０１の内側近傍から照明ビームの像ＩＢ´の縁の内側まで延びているが（図１（Ｂ）参照）、図の中央で交わることはなく、４つのパターン２０１の近傍に分かれて配置されている。
以下の説明では、Ｘ軸は、照明ビームの像ＩＢ´の上下の辺、及び、上下の照明位置調整用パターン２０１及び照明ビーム調整用マーク１０１と平行であるとし、Ｙ軸は、照明ビームの像ＩＢ´の左右の辺、及び、左右のパターン２０１及びマーク１０１と平行であるとする。
【００４１】
このような照明位置調整用パターン２０１及び照明ビーム調整用マーク１０１は、マスク上のマーク領域１４のほか、マスクステージ（図４の符号１１）上のフィデューシャルマーク領域等に設けることもできる。
【００４２】
図２は、照明位置を調整する際の電子線露光装置の結像関係を模式的に示す図である。
本実施例においては、マスクステージ１１（図４参照）上に図１の照明位置調整用マスク１０´を配置し、ウェハステージ２４（図４参照）上にピンホール検出器１１１を配置する。
【００４３】
以下に、照明位置を調整する方法について説明する。
まず、照明ビームＩＢの目標照明位置に照明ビーム調整用マーク１０１が位置するようにマスク１０´を移動し、マスク１０´に電子線ＩＢを照射する。
そして、投影系の偏向器１６を用いて、マスク１０´を通過した投影ビームＰＢをピンホール検出器１１１に導く。ピンホール検出器１１１で得られたピンホール像からマスク１０´上における照明ビームの位置を知ることができる。
【００４４】
図３は、ピンホール検出器で検出された投影ビームの像の例を示す平面図である。
照明ビームＩＢの照射位置が目標照明位置と合っていれば、マーク１０１の像１０１ｉの数は、上下左右で同じになるはずである。図の例では、左側のマーク１０１の像１０１ｉの数が３、右側が５、上側が５、下側が３となっており、右（＋Ｘ）側及び上（＋Ｙ）側のマーク１０１の像１０１ｉの数が、それぞれ左（−Ｘ）側及び下（−Ｙ）側より多くなっている。したがって、照明ビームＩＢは、マスク上の目標位置から、やや＋Ｘ方向より、＋Ｙ方向よりにずれていることがわかる。そこで、偏向器８を用いて、照明ビームＩＢを−Ｘ方向及び−Ｙ方向に偏向させる。そして、同様にして再度ピンホール検出器１１１でマーク１０１を検出し、上下左右のマーク１０１の像１０１ｉの数が同じになるまで、照明位置の調整を繰り返す。これにより、照明位置を正確に調整することができる。
【００４５】
従来の例においては、照明ビームが目的位置に照射されているときに、照明ビームを検出することができなかったが、本発明によれば、照明ビームを見失うことなく、容易に照明ビームの照射位置を調整することができる。
【００４６】
なお、本実施例においては、照明ビーム調整用マーク１０１を５μｍライン・アンド・スペースとしたが、本発明の範囲はこれに限定されるものではない。このライン又はスペースの幅を調整すれば、照明位置の位置合わせの精度を調整することができる。
【００４７】
また、本実施例においては、図６〜図８で説明した従来の方法を併用することにより、より正確な照明位置の調整を行うことができる。この場合、マーク１０１を通過した電子が反射電子検出器２２で検出される電子の量に影響を与えないように、（照明ビーム調整用マーク１０１の開孔面積）≪（パターン２０１の開孔面積）とする。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の一実施例に係る照明位置調整用マスクを示す平面図である。
【図２】照明位置を調整する際の電子線露光装置の結像関係を模式的に示す図である。
【図３】ピンホール検出器で検出された投影ビームの像の例を示す平面図である。
【図４】電子線露光装置（分割転写方式）の光学系全体における結像関係を示す模式図である。
【図５】電子線露光用のマスクを示す図である。  （Ａ）  全体の平面図である。  （Ｂ）  一部の斜視図である。  （Ｃ）  一つの小メンブレン領域の平面図である。
【図６】照明位置調整用パターンを示す平面図である。
【図７】照明位置を調整する際の電子線露光装置の結像関係を模式的に示す図である。
【図８】反射電子の強度から照明ビームのビーム中心と偏向中心との位置誤差を求める方法を説明するためのグラフである。  （Ａ）  反射電子検出信号を示すグラフである。  （Ｂ）  反射電子検出信号の１階微分信号を示すグラフである。  （Ｃ）  反射電子検出信号の２階微分信号を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４９】
１０´  照明位置調整用マスク
１０１  照明ビーム調整用マーク
２０１  照明位置調整用パターン
ＩＢ  照明ビーム
ＩＢ´  照明ビームの像
ＰＢ  投影ビーム
ＡＸ  光軸
８  照明系の偏向器
１６  投影系の偏向器
１１１  ピンホール検出器
１０１ｉ  照明ビーム調整用マークの像
【図１】
2005064433.tif 000003
【図２】
2005064433.tif 000004
【図３】
2005064433.tif 000005
【図４】
2005064433.tif 000006
【図５】
2005064433.tif 000007
【図６】
2005064433.tif 000008
【図７】
2005064433.tif 000009
【図８】
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