(57)【要約】【課題】    低媒体ノイズで記録再生特性に優れる垂直磁気記録媒体およびその製造方法を提供すること。【解決手段】  Ｃｏまたは酸化物を含有するＣｏの第１の磁性層５ａと、Ｐｔ，Ｐｄ、または酸化物を含有するＰｔ，Ｐｄの第２の磁性層５ｂとを多数積層して垂直磁性層５を構成し、この垂直磁性層を酸素を含有するＲｕ下地層４を介して非磁性基板１上に設けることとした。また、非磁性基板１と下地層４との間に、ＮｉＦｅ系合金配向制御層３を備えるようにして下地層４の結晶配向状態を制御するようにした。さらに、基板１と配向制御層３との間に、ＣｏＺｒＮｂ等の軟磁性裏打ち層２を設けるようにした。【選択図】    図１
2005243093.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板上に、少なくとも、第１の磁性層と第２の磁性層とを交互に多層積層して構成された垂直磁性層が下地層を介して備えられている垂直磁気記録媒体であって、前記第１の磁性層がＣｏまたは酸化物を含有するＣｏであり、
前記第２の磁性層がＰｔ，Ｐｄ、酸化物を含有するＰｔまたは酸化物を含有するＰｄであり、
前記下地層が酸素を含有するＲｕからなることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
前記下地層に含有される酸素の量が２原子％以上、２０原子％以下であることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
前記第１の磁性層に含有される酸化物が、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｍｇ、Ｂａのうちの少なくとも一つの元素の酸化物であり、酸化物の含有量が５モル％以上、２０モル％以下であることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
前記第２の磁性層に含有される酸化物が、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｍｇ、Ｂａのうちの少なくとも一つの元素の酸化物であり、酸化物の含有量が５モル％以上、２０モル％以下であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
前記非磁性基板と前記下地層の間に、軟磁性裏打ち層、ＮｉＦｅ系合金からなる配向制御層を、この順に、さらに備えることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項６】
非磁性基板上に、少なくとも、第１の磁性層と第２の磁性層とを交互に多層積層して構成された垂直磁性層が下地層を介して備えられている垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記下地層の成膜工程が、スパッタリング法であり、ＲｕとＲｕＯ２を混合したターゲットを用い、酸素を添加しないスパッタリングガスを用いることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は固定磁気記録装置に用いられる垂直磁気記録媒体およびその製造方法に関し、より詳細には、低媒体ノイズで記録再生特性に優れる高記録密度の垂直磁気記録媒体およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年のパーソナルコンピュータやワークステーションには、記憶装置として大容量で小型の磁気記録装置が搭載されており、磁気記録媒体としての磁気ディスクにはさらなる高記録密度化が要求されている。
現在実用化されている磁気記録方式は、磁化容易軸を磁気記録媒体面に平行とする面内（長手）磁気記録方式であるが、面記録密度が高くなるにつれ、記録ビットの熱安定性が問題になりつつあり、面記録密度をさらに向上させる手法として垂直磁気記録方式が検討されている。垂直磁気記録媒体は、磁性膜の磁化容易軸が基板面に対し垂直方向に配向しており、磁化遷移領域において互いに隣合った磁化同士が向合っていないため、ビット長が短くなっても磁化が安定で面内磁気記録媒体のような磁束の減少もないことから高密度磁気記録媒体として適している。
【０００３】
このように、垂直磁気記録媒体は面内磁気記録媒体よりも高密度磁気記録媒体として有利である反面、媒体ノイズが高いという欠点を有している。一般に、媒体ノイズを低減させるほど記録再生特性は向上して高密度記録化が達成されるため、媒体ノイズの低減を図るべく垂直磁気記録媒体の層構成を工夫する試みがなされてきている。
このような公知の垂直磁気記録媒体の構成としては、例えば、アルミやガラス等の非磁性基板上に軟磁性の裏打ち層を形成し、その上に磁性層を垂直に配向させるための下地層を形成し、さらに、その上に垂直磁気記録層と保護層を形成するという「２層垂直磁気記録媒体」が知られており（例えば、特許文献１参照）、この垂直磁気記録層として、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ−ＰｔなどのＣｏ基合金からなる垂直磁化膜、Ｃｏ層とＰｔ層（あるいはＰｄ層）とを所定の層数だけ交互に積層して人工格子膜からなる積層磁気記録層を形成した、Ｃｏ／ＰｔやＣｏ／Ｐｄなどの多層積層垂直磁化膜、Ｔｂ−ＣｏやＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏなどの非晶質垂直磁化膜、などの多くの多層膜構成が検討されており、なかでも、Ｃｏ／ＰｔやＣｏ／Ｐｄなどの多層積層垂直磁化膜は垂直磁気異方性（Ｋｕ）が大きく、熱安定性が高く、保磁力が大きく、さらに、角型比も容易に１．０近傍の値が得られることなどの理由により、将来の高記録密度媒体として盛んに研究されている。  しかしながら、Ｃｏ／Ｐｔなどの多層積層垂直磁化膜は、そのままでは媒体ノイズが高く、媒体ノイズを低減するために、各種の研究が行われている。例えば、Ｂチップをターゲット表面に置きＡｒとＯ２混合ガス中でスパッタすることにより、磁性層の粒界にＢとＯを偏析させる方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。この方法では、Ｂの添加量が０から１．０原子％程度まではＳ／Ｎが改善される効果はあるものの、これ以上の添加量ではＳ／Ｎは飽和している。また、Ｏを添加する場合においても、Ｏの添加量が０から０．１原子％程度まではＳ／Ｎが改善される効果はあるものの、これ以上の添加量ではＳ／Ｎは飽和している。
【０００４】
他の方法として、Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｃｕの面心立方構造の金属にＳｉＯ２などの酸化物を加えた下地層あるいは分断層を用いる方法も提案されている（例えば、特許文献３参照）。この方法では、磁性層を構成するＣｏ層、Ｐｔ層（あるいはＰｄ層）では、Ｃｏ、Ｐｔ（あるいはＰｄ）の粒同士はあまり離れず、磁性層を形成する結晶粒間の磁気的な相互作用が強く、媒体ノイズの原因となっている。
【特許文献１】特開２０００−１５８９２５号公報
【特許文献２】特開２００２−２５０３２号公報
【特許文献３】特開２００１−１５５３２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
以上述べたように、従来の多層積層膜構成の垂直磁気記録媒体の媒体ノイズの低減化は未だ充分ではなく、面記録密度をさらに上げるためには、一層の媒体ノイズの低減が必要である。  本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、媒体ノイズの低減を図り、高記録密度で記録再生特性に優れる垂直磁気記録媒体およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、かかる目的を達成するために、非磁性基板上に、少なくとも、第１の磁性層と第２の磁性層とを交互に多層積層して構成された垂直磁性層を下地層を介して備えられている垂直磁気記録媒体において、前記第１の磁性層をＣｏまたは酸化物を含有するＣｏで構成し、前記第２の磁性層をＰｔ，Ｐｄ、酸化物を含有するＰｔまたは酸化物を含有するＰｄで構成し、前記下地層を酸素を含有するＲｕから構成することを特徴とする。
前記下地層に含有される酸素の量は好ましくは２原子％以上、２０原子％以下である。
また、前記第１の磁性層に含有される酸化物は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｍｇ、Ｂａのうちの少なくとも一つの元素の酸化物であり、かつ酸化物の含有量が５モル％以上、２０モル％以下であることが好ましい。
【０００７】
前記第２の磁性層に含有される酸化物は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｍｇ、Ｂａのうちの少なくとも一つの元素の酸化物であり、酸化物の含有量が５モル％以上、２０モル％以下であることが好ましい。
前記非磁性基板と前記下地層の間に、軟磁性裏打ち層、ＮｉＦｅ系合金からなる配向制御層を、この順に、さらに備えてもよい。
また、非磁性基板上に、少なくとも、第１の磁性層と第２の磁性層とを交互に多層積層して構成された垂直磁性層が下地層を介して備えられている垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記下地層の成膜工程が、スパッタリング法であり、ＲｕとＲｕＯ２を混合したターゲットを用い、酸素を添加しないスパッタリングガスを用いることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
垂直磁気記録媒体を上述のように構成することで、多層積層膜からなる垂直磁性層の結晶粒の分離をすすめ、結晶粒間の磁気的な交換相互作用を低減することが可能となる。この結果、媒体ノイズが低減し、記録再生時の信号対雑音比（ＳＮＲ）が向上し、面記録密度の増大が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。  図１は、本発明の垂直磁気記録媒体の構成例を説明するための図で、垂直磁気記録媒体は、非磁性基板１上に、軟磁性裏打ち層２、配向制御層３、酸素を含有するＲｕ下地層４、垂直磁性層５、および保護層６が順次積層され、更に、保護層６の上には潤滑剤層７が形成されて構成されている。垂直磁性層５は第１の磁性層５ａ、第２の磁性層５ｂが交互に多層積層されて構成される。
本発明の垂直磁気記録媒体において、非磁性基板１としては、通常の磁気記録媒体用に用いられるＮｉＰメッキを施したＡｌ合金や強化ガラス、或いは結晶化ガラス等を用いることができる。  軟磁性裏打ち層２は、磁気記録に用いる磁気ヘッドからの磁束を制御して記録・再生特性を向上するために形成することが好ましい層で、軟磁性裏打ち層を省略することも可能である。軟磁性裏打ち層としては、多結晶性のＮｉＦｅ合金、センダスト（ＦｅＳｉＡｌ）合金、ＣｏＦｅ合金、ＦｅＴａＣ，ＣｏＦｅＮｉ，ＣｏＮｉＰ等を用いることができるが、非晶質のＣｏ合金、例えばＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＴａＺｒなどを用いることでより良好な電磁変換特性を得ることができる。なお、軟磁性裏打ち層２の膜厚の最適値は、磁気記録に用いる磁気ヘッドの構造や特性によって変化するが、他の層と連続成膜で形成する場合などは、生産性との兼ね合いから１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが望ましい。他の層の成膜前に、めっき法などによって、あらかじめ非磁性基板に成膜する場合、数μｍと厚くすることも可能である。
【００１０】
配向制御層３は、下地層４の配向性を向上するために、下地層直下に形成することが好ましい層で、配向制御層は省略することも可能である。配向制御層は非磁性材料、軟磁性材料を用いることができる。
配向制御層３の下層に軟磁性層裏打ち層２を形成する場合は、軟磁性層裏打ち層の一部としての働きを担うことが可能な軟磁性材料がより好ましく用いられる。
軟磁性特性を示す配向制御層３の材料としては、ＮｉＦｅ，ＮｉＦｅＮｂ，ＮｉＦｅＢ，ＮｉＦｅＣｒなどのＮｉ基合金や、Ｃｏ或いは、ＣｏＢ，ＣｏＳｉ，ＣｏＮｉ，ＣｏＦｅ等のＣｏ基合金が挙げられる。なかでもＮｉＦｅ系合金が、酸素を含有するＲｕ下地層４の配向を制御するためには好適である。また、結晶格子整合性確保と結晶粒径制御などを機能分離する意味で、上記の材料を積層して複数の層とすることも可能である。
【００１１】
下地層４は、垂直磁性層５の結晶粒の分離をすすめ、結晶粒間の磁気的な交換相互作用を低減するために設けられる層で、酸素を含有するＲｕ膜が好適に用いられる。酸素と六方最密構造（ｈｃｐ）を有するＲｕとから下地層を構成することにより、多層積層膜からなる垂直磁性層を良好に形成して、記録再生時の信号対雑音比（ＳＮＲ）を向上する。
下地層４の成膜は、ＲｕにＲｕＯ２を混合した混合ターゲットを用い、スパッタリング法を用いることが好ましい。スパッタガスとしては、Ａｒガス等の希ガスを用い、酸素を添加しないことが好ましい。ＲｕにＲｕＯ２を混合した混合ターゲットを用い、かつ酸素を添加しない希ガス中で成膜することにより、下地層へ添加する酸素の量を所望の値に制御することが容易となる。
下地層４の膜厚は３ｎｍ以上、５０ｎｍ以下が好ましい。３ｎｍ未満では下地層自体の結晶成長が充分得られず、５０ｎｍを超えると軟磁性裏打ち層２と垂直磁性層５の間隔が離れ、軟磁性裏打ち層が、磁気ヘッドからの磁束を制御する機能が低下する。
【００１２】
垂直磁性層５は、第１の磁性層５ａと、第２の磁性層５ｂを交互に多数積層して構成される。第１の磁性層５ａはＣｏ、またはＳｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｍｇ、Ｂａのうちの少なくとも一つの元素の酸化物をＣｏに添加した材料が好ましい。第２の磁性層は、Ｐｔ，Ｐｄ、またはＳｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｍｇ、Ｂａのうちの少なくとも一つの元素の酸化物をＰｔ、Ｐｄに添加した材料が好ましい。
上述した材料から構成される第１の磁性層と第２の磁性層とを交互に積層することで、界面磁気異方性を利用して大きな結晶磁気異方性（Ｋｕ）を得ることを可能とし、かつ熱安定性が向上する。第１の磁性層に酸化物を添加する場合には、Ｃｏ粒子間に非磁性のＳｉＯ２等の酸化物が偏析して、下地層４の効果に加えて、Ｃｏ粒子の微細化・孤立化がさらに促進される。第２の磁性層に酸化物を添加する場合には、ＰｔまたはＰｄ粒子間に非磁性のＳｉＯ２等の酸化物が偏析して、下地層４の効果に加えて、ＰｔまたはＰｄ粒子の微細化・孤立化がさらに促進される。この結果、いずれの磁性層にも酸化物を添加しない場合と比べて、保磁力（Ｈｃ）を大きくすることができ、媒体ノイズの低減および高記録密度化が可能となる。
【００１３】
上述の効果を担保するためには、Ｃｏを含有する第１の磁性層の膜厚を０．２〜０．５ｎｍの範囲とし、第２の磁性層の膜厚は、Ｐｔを含有する場合は０．０５〜０．２５ｎｍ、Ｐｄを含有する場合には０．４〜１．２ｎｍの範囲に設定することが好ましい。いずれかの層に酸化物を添加する場合は、該当する層への酸化物の添加量は、５モル％以上、２０モル％以下が好ましい。添加量が５モル％未満の場合は、添加によるノイズ低減効果が薄れてＳＮＲの改善が不十分であり、２０モル％を超えると保持力などの磁気特性が劣化するためＳＮＲが劣化する。
なお、第１の磁性層と第２の磁性層を積層する順番を変えて、例えば、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｐｔの順に積層することも可能である。
保護層６は、従来より使用されている保護膜を用いることができ、例えば、カーボンを主体とする保護膜を用いることができる。また、潤滑剤層７も、従来より使用されている材料を用いることができ、例えば、パーフルオロポリエーテル系の液体潤滑剤を用いることができる。なお、保護層６の膜厚等の条件や、潤滑剤層７の膜厚等の条件は、通常の磁気記録媒体で用いられる諸条件をそのまま用いることができる。  以下に本発明の垂直磁気記録媒体の実施例について説明する。なお、これらの実施例は、本発明の垂直磁気記録媒体ならびにその製造方法を好適に説明するための代表例に過ぎず、これらに限定されるものではない。
【実施例１】
【００１４】
本実施例の垂直磁気記録媒体では、図１において、第１の磁性層としてＣｏを用い、第２の磁性層としてＰｔを用いて、下地層４への酸素添加量を変えた例について示す。以下、この垂直磁性層５を（Ｃｏ／Ｐｔ）ｎと表す。ここで添字のｎはＣｏとＰｔの組合わせをｎ回積層したことを表す。
以下にこの垂直磁気記録媒体の製造プロセスについて説明する。
非磁性基板１として２．５インチ径で厚さ０．６４ｍｍのガラス基板を用いた。ガラス基板を充分に洗浄したのちに、軟磁性のＣｏＺｒＮｂをスパッタ成膜して軟磁性裏打ち層２とする。ここで用いたターゲットは８７原子％Ｃｏ‐５原子％Ｚｒ‐８原子％Ｎｂの組成である。スパッタガスとしてＡｒガスを用い、１Ｐａのガス圧下で室温にて２００ｎｍの厚さに成膜した。なお、ＣｏＺｒＮｂは室温成膜した非晶質状態でも充分な軟磁気特性を有する。
【００１５】
このＣｏＺｒＮｂ軟磁性裏打ち層の上に、連続して、ＮｉＦｅ系合金配向制御層３をスパッタ成膜する。用いたターゲットは  ７２原子％Ｎｉ−１８原子％Ｆｅ−１０原子％Ｃｒである。Ａｒガスでスパッタを行い、膜厚１０ｎｍの厚さに成膜した。成膜温度は室温、ガス圧は１Ｐａである。
このＮｉＦｅ系合金膜３の上に、連続して、酸素を含有するＲｕ下地層４をスパッタ成膜する。用いたターゲットはＲｕにＲｕＯ２を混合したターゲットであり、ＲｕＯ２を混合する比率を変えて下地層４中の酸素添加量を制御した。Ａｒガスでスパッタを行い、１０ｎｍの厚さに成膜した。成膜温度は室温、ガス圧は約１Ｐａである。比較のために、ターゲットにＲｕＯ２を混合せず、下地層４に酸素を添加しない例についても試作を行った。
【００１６】
次に、下地層４の上に、（Ｃｏ／Ｐｔ）２０多層積層膜からなる垂直配向した垂直磁性層５をスパッタリングにより形成する。用いたターゲット組成は純Ｃｏと純Ｐｔであり、これらのターゲットを同時に放電してスパッタさせながら回転させることで、Ｃｏ層とＰｔ層とを交互に積層する。Ａｒガスでスパッタを行い、膜厚はＣｏ層が０．４４ｎｍ、Ｐｔ層が０．１２ｎｍである。なお、この成膜は室温で行っており、ガス圧は５Ｐａである。
次に、垂直磁性層５の最表面にカーボン保護層６をスパッタリング法により形成する。ターゲットはカーボンを用い、膜厚７ｎｍで成膜した。なお、成膜温度は室温、Ａｒガス圧は約１Ｐａである。
最後に、カーボン保護層６の表面に、潤滑剤層７を形成する。パーフルオロポリエーテルからなる液体潤滑剤を用い、ディップ塗布法にて膜厚１．５ｎｍにて形成した。  図２は、Ｒｕ下地層４に酸素を添加する効果を説明するための図で、上述した方法で作製された本発明の垂直磁気記録媒体を用いて信号対雑音比（ＳＮＲ）を評価した結果である。ＳＮＲの評価はスピンスタンドテスターを用いて、線記録密度４００ｋＦＣＩ（ｋｉｌｏ  ｆｌｕｘ  ｃｈａｎｇｅ  ｐｅｒ  ｉｎｃｈ）にて行った。
【００１７】
Ｒｕ下地層に酸素が含まれない場合に比較して、酸素を添加することにより媒体ノイズが低減され、ＳＮＲが増大することを示している。Ｒｕ下地層に酸素が添加されると、その上に成膜される（Ｃｏ／Ｐｔ）ｎ多層積層膜の結晶粒の分離がすすみ結晶粒間の磁気的な交換相互作用が低減されるためＳＮＲが改善する。酸素の添加量が過剰となると、保持力などの磁気特性が劣化するためＳＮＲは劣化する。
【実施例２】
【００１８】
本実施例の垂直磁気記録媒体では、図１において、第１の磁性層としてＣｏ−ＳｉＯ２を用い、第２の磁性層としてＰｔを用いて、下地層４への酸素添加量を変えた例について示す。以下、この垂直磁性層５を（Ｃｏ−ＳｉＯ２／Ｐｔ）ｎと表す。ここで添字のｎは前述と同様である。
本実施例２の垂直磁気記録媒体は、垂直磁性層５を除いて、実施例１と同様の方法を用いて作製した。
垂直磁性層５は、下地層４の上に、（Ｃｏ−ＳｉＯ２／Ｐｔ）２０多層積層膜からなる垂直配向した垂直磁性層をスパッタリングにより形成する。用いたターゲット組成は第１の磁性層の場合はＣｏにＳｉＯ２を  ７モル％混合したターゲットを用い、第２の磁性層の場合は純Ｐｔである。これらのターゲットを同時に放電してスパッタさせながら回転させることで、Ｃｏ−ＳｉＯ２層とＰｔ層とを交互に積層する。Ａｒガスでスパッタを行い、膜厚はＣｏ−ＳｉＯ２層が０．４４ｎｍ、Ｐｔ層が０．１２ｎｍである。なお、この成膜は室温で行っており、ガス圧は５Ｐａである。
【００１９】
図３は、Ｒｕ下地層４に酸素を添加する効果を説明するための図で、上述した方法で作製された本発明の垂直磁気記録媒体を用いて信号対雑音比（ＳＮＲ）を評価した結果である。ＳＮＲの評価は実施例１と同様にして行った。
垂直磁性層が（Ｃｏ−ＳｉＯ２／Ｐｔ）ｎの場合も、Ｒｕ下地層に酸素が含まれない場合に比較して、酸素を添加することにより媒体ノイズが低減され、ＳＮＲが増大することを示している。垂直磁性層が（Ｃｏ−ＳｉＯ２／Ｐｔ）ｎの場合は、Ｒｕ下地層に酸素を添加する効果に加えて、Ｃｏ第１磁性層にＳｉＯ２を添加することにより、さらに結晶粒の分離が進み、ＳＮＲが向上する。
下地層への酸素の添加量が過剰となると、保持力などの磁気特性が劣化するためＳＮＲが劣化する影響も同様である。
【実施例３】
【００２０】
本実施例の垂直磁気記録媒体では、図１において、第１の磁性層としてＣｏ−ＳｉＯ２を用い、第２の磁性層としてＰｔ−ＳｉＯ２を用いた例について示す。以下、この垂直磁性層５を（Ｃｏ−ＳｉＯ２／Ｐｔ−ＳｉＯ２）ｎと表す。ここで添字のｎは前述と同様である。
本実施例３の垂直磁気記録媒体は、垂直磁性層５を除いて、実施例１と同様の方法を用いて作製した。なお、Ｒｕ下地層４に添加する酸素の量は１０原子％に固定した。比較のために、ターゲットにＲｕＯ２を混合せず、下地層４に酸素を添加しない例についても試作を行った。
垂直磁性層５は、下地層４の上に、（Ｃｏ−ＳｉＯ２／Ｐｔ−ＳｉＯ２）２０多層積層膜からなる垂直配向した垂直磁性層をスパッタリングにより形成する。用いたターゲット組成は第１の磁性層の場合はＣｏにＳｉＯ２を７モル％混合したターゲットを用い、第２の磁性層の場合はＰｔにＳｉＯ２を７モル％混合したターゲットを用いた。これらのターゲットを同時に放電してスパッタさせながら回転させることで、Ｃｏ−ＳｉＯ２層とＰｔ−ＳｉＯ２層とを交互に積層する。Ａｒガスでスパッタを行い、膜厚はＣｏ−ＳｉＯ２層が０．４４ｎｍ、Ｐｔ−ＳｉＯ２層が０．１２ｎｍである。なお、この成膜は室温で行っており、ガス圧は５Ｐａである。
【００２１】
上述した方法で作製された本発明の垂直磁気記録媒体を用いて信号対雑音比（ＳＮＲ）の評価を行った。ＳＮＲの評価は実施例１と同様にして行っている。Ｒｕ下地層に酸素を１０原子％添加した場合のＳＮＲは１６ｄＢであり、Ｒｕ下地層に酸素を添加しない場合のＳＮＲは１１ｄＢであった。
垂直磁性層が（Ｃｏ−ＳｉＯ２／Ｐｔ−ＳｉＯ２）ｎの場合も、Ｒｕ下地層に酸素が含まれない場合に比較して、酸素を添加することにより媒体ノイズが低減され、ＳＮＲが増大することを示している。垂直磁性層が（Ｃｏ−ＳｉＯ２／Ｐｔ−ＳｉＯ２）ｎの場合は、Ｒｕ下地層に酸素を添加する効果、第１の磁性層のＣｏにＳｉＯ２を添加する効果に加えて、Ｐｔ第２磁性層にＳｉＯ２を添加することにより、さらに結晶粒の分離が進み、ＳＮＲが向上する。
【００２２】
なお、第１の磁性層、第２の磁性層に添加する酸化物として、ＳｉＯ２以外に、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｍｇ、Ｂａの酸化物を添加した場合においても同様の効果を奏することも確認している。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の垂直磁気記録媒体の構成例を説明するための図である。
【図２】垂直磁性層に（Ｃｏ／Ｐｔ）ｎ多層積層膜を用いた場合において、下地層に添加する酸素濃度を変化させた場合のＳＮＲの変化を説明するための図である。
【図３】垂直磁性層に（Ｃｏ−ＳｉＯ２／Ｐｔ）ｎ多層積層膜を用いた場合において、下地層に添加する酸素濃度を変化させた場合のＳＮＲの変化を説明するための図である。
【符号の説明】
【００２４】
１  非磁性基板
２  軟磁性裏打ち層
３  配向制御層
４  酸素を含有するＲｕ下地層
５  垂直磁性層
５ａ  第１の磁性層
５ｂ  第2の磁性層
６  保護層
７  潤滑剤層
【図１】
2005243093.tif 000003
【図２】
2005243093.tif 000004
【図３】
2005243093.tif 000005