(57)【要約】      （修正有）【課題】メッキ処理時における薄板型ウェハの破損を回避し、メッキ処理を伴う薄板型半導体ウェハをベースとする半導体素子を効率よく製造する方法を提供すること。【解決手段】上記課題を解決する半導体素子製造方法は、半導体ウェハ１とウェハ保持用粘着テープ６とダイシング用フレーム７とを用意する工程と、前記テープの粘着部６ｂに前記ウェハの一方の面を貼り付け且つその外側には前記フレームを貼り付けて該テープを介して前記ウェハと前記フレームとを一体に保持する工程と、該ウェハを前記フレームに保持した状態でメッキ処理に要する複数の液剤によって処理して前記ウェハの表面にメッキ層１２を形成する工程と、前記ウェハを所定の回路パターンを備える複数のチップ１４にダイシングする工程とを含む方法である。【選択図】図１
2005252173.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メッキ層を備える半導体素子を製造する方法であって、
少なくとも一方の面に前記半導体素子の回路パターンが複数配列するとともに少なくとも一方の面側をメッキ処理しようとする半導体ウェハと、少なくとも一方の面に粘着部が形成されたウェハ保持用粘着テープと、ダイシング用フレームとを用意する工程と、
前記テープの粘着部に、前記ウェハの一方の面を貼り付け且つその外側には前記フレームを貼り付けて、該テープを介して前記ウェハと前記フレームとを一体に保持する工程と、
該ウェハを前記フレームに保持した状態で、メッキ処理に要する複数の液剤によって処理して、前記ウェハの表面にメッキ層を形成する工程と、
前記ウェハを、所定の回路パターンを備える複数のチップにダイシングする工程と、
を含む、製造方法。
【請求項２】
前記メッキ層形成工程の前に、前記テープの粘着部の一部であって、前記フレーム及び前記ウェハのいずれにも接触せずに露出した粘着部分を前記液剤と実質的に反応させない非反応化処理を行う工程を含む、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記非反応化処理は、前記保持された状態のウェハの表面の外周部から前記フレームにかけてシール材を貼り付けて、前記露出した粘着部分を被覆することを含む、請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記粘着部の粘着材成分としてＵＶ硬化性樹脂成分を含み、前記非反応化処理は、前記露出した粘着部分をＵＶ照射により硬化処理して、実質的に前記液剤に対する反応性を低下させることを含む、請求項２に記載の製造方法。
【請求項５】
前記粘着部の粘着材成分として有機溶剤可溶性成分を含み、前記非反応化処理は、前記露出した粘着部分を有機溶剤で処理することにより実質的に除去することを含む、請求項２に記載の製造方法。
【請求項６】
メッキ処理しようとする部位が露出した状態でウェハ保持用粘着テープの粘着部に貼り付けられた半導体ウェハと、該ウェハの外側において該テープの粘着部に貼り付けられて該テープを介して該ウェハと一体に保持されるダイシング用フレームとから成るフレーム付ウェハを配置するセット部と、
該セット部に配置されたフレーム付ウェハのウェハ露出面側に、前記ウェハ及びフレームの表面に接着可能なシール材を供給するシール材供給手段と、
該供給されたシール材を、前記半導体ウェハの外縁部分とシール材の一部が重なり合うようにして該ウェハの外周よりもややウェハ内側の位置であって前記メッキ処理しようとする部位が露出し得る位置でカットする、内側カット手段と、
前記供給されたシール材を、前記ダイシング用フレームの少なくとも内縁部分とシール材の一部が重なり合うようにして該フレームの内周よりもフレーム外側の位置でカットする、外側カット手段と、
前記シール材を前記半導体ウェハの外縁部分及び／又は前記フレームの内縁部分に押圧して、前記シール材を該部分に接着させる貼付手段と、
を有する、シール材供給装置。
【請求項７】
前記内側カット手段によってカットされたシール材断片を前記ウェハ表面近傍から排除する排除手段を備える、請求項６に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メッキ処理された半導体素子の製造方法に関し、特に半導体素子製造プロセスにおけるメッキ処理に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子（デバイス）の高密度化、高性能化に伴い、そのベースとなる半導体ウェハの大型化及び薄型化が進行している。しかし、半導体ウェハを大型化及び／又は薄型化すればするほど該ウェハの機械的強度は低下する。それゆえ、かかる大型及び／又は薄型の半導体ウェハを使用する場合には、従来にもましてその取り扱いを慎重にする必要がある。また、半導体素子の製造プロセスにおいて、かかる大型及び／又は薄型のウェハの破損を防止する工夫が必要となる。
特に、半導体ウェハをベースとする種々の素子（デバイス）、例えば薄板状の半導体ウェハに所定の回路パターンを碁盤の目状に配列して成る半導体素子基板（即ちダイシング前のＩＣチップ等の素子の集合体を構成するウェハ）の表面をメッキ処理する際、ウェハ破損の防止に留意する必要がある。すなわち、前記半導体素子基板の表面をメッキ処理（例えばハンダ付け性の付与等を目的とする無電解ニッケルメッキ）するには、内容の異なる数多くの処理を連続的に行う必要があり、その過程においてウェハの破損が生じ易い。従って、大型及び／又は薄型の半導体ウェハ（以下「薄板型ウェハ」と略称する。）を使用する場合には、かかるメッキ処理時における該ウェハの取り扱いにとりわけ注意が必要である。
このことに関し、特許文献１には、半導体素子の製造プロセスにおける薄板型ウェハの破損防止対策として、半導体素子基板にダミー基板（補強板）を熱発泡性接着シートで接着し、半導体素子基板とダミー基板とを一体化した状態でメッキ処理を行う方法が記載されている。また、特許文献２には、半導体ウェハに保護部材（補強材）を貼り付けて金属膜を形成（例えばメッキ処理）後、該金属膜側に補強枠付粘着テープを貼り付けて、前記保護部材を剥離する半導体装置の製造方法が記載されている。さらに、特許文献３には、メッキ用開口部が設けられた表面被覆材と、裏面被覆材との間にウェハを挟んでメッキを施すメッキ方法が記載されている。その後、メッキ処理された薄板型ウェハをダイシングしていくつかのチップ（典型的には、個々のチップがそれぞれ半導体素子を構成する。）に分断する。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１５１４４２号公報
【特許文献２】特開２００３−２９７７８６号公報
【特許文献３】特開平８−３１１６８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１又は３に記載の方法では、メッキ処理後にダミー基板や被覆材を薄型ウェハ（素子）から剥離する必要がある。かかる剥離の際には、より薄いウェハを使用した場合にはウェハを破損させないため、非常にデリケートな操作が要求される。また、特許文献２に記載の方法では、補強枠付粘着テープにより補強してから保護部材を剥離しているが、やはり剥離の際に薄板型ウェハを破損してしまう虞があり、根本的な破損防止策にはなっていない。
そこで本発明は、かかる従来の課題を根本から解決すべく開発されたものであり、その目的とするところは、メッキ処理を伴う薄板型半導体ウェハをベースとする半導体素子の製造方法であってメッキ処理時における薄板型ウェハの破損を回避し得る製造方法を提供することである。また、そのような製造方法によって製造された半導体素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明によって、メッキ層を備える半導体素子を製造する方法であって、少なくとも一方の面に前記半導体素子の回路パターン（電極層である場合を含む。以下同じ。）が複数配列するとともに少なくとも一方の面側をメッキ処理しようとする半導体ウェハと、少なくとも一方の面に粘着部が形成されたウェハ保持用粘着テープと、ダイシング用フレームとを用意する工程と、前記テープの粘着部に前記ウェハの一方の面を貼り付け且つその外側には前記フレームを貼り付けて該テープを介して前記ウェハと前記フレームとを一体に保持する工程と、該ウェハを前記フレームに保持した状態で、メッキ処理に要する複数の液剤によって処理して、前記ウェハの表面にメッキ層を形成する工程と、前記ウェハを所定の回路パターンを備える複数のチップにダイシングする工程とを含む製造方法が提供される。
ここで「半導体素子」とは、シリコンウェハ等の半導体ウェハをベースに製造される電子デバイス（素子）を総称する用語であり、特定の用途・形状に限定されない。ウェハから切り出されるＩＣチップ、パワーデバイス等の半導体装置は、ここでいう半導体素子に包含される典型例である。また、「ダイシング用フレーム」とは、ダイシング工程においてウェハを保持するために用いられる枠体を意味する。従って、ダイシング用フレームに保持した状態で、そのままウェハをダイシングすることができる。さらに、「ウェハ保持用粘着テープ」とは、ダイシング用フレームにウェハを保持するために用い得る粘着材を総称する用語であり、特定の組成・サイズに限定されない。
【０００６】
かかる構成の製造方法は、所定の回路パターンが多数配列（形成）された半導体ウェハ（典型的には素子集合体を構成するウェハ）の表面をメッキ処理する従来の方法とは異なり、先ず粘着テープを介して該ウェハをダイシング用フレームと一体に保持する。この工程は、従来の半導体素子製造プロセスにおいては、通常、ダイシング工程時におけるウェハの保持のために、メッキ処理後ダイシング前に行われる。
一方、本発明の方法では、メッキ処理工程前においてかかる組み付けを行うことを特徴とする。然る後にダイシング用フレームに保持された状態の該ウェハに対してメッキ処理を行う。これにより、機械的強度の低い薄板型ウェハをダイシング用フレームによって補強し得るため、繁雑な操作が要求されるメッキ処理時（典型的には多くの液剤処理を要する無電解メッキ処理）におけるウェハの破損を回避し、該破損に起因する不良品の発生を抑止して高い生産効率でメッキ層を有する半導体素子を製造することができる。
また、本発明によると、ウェハ補強手段としてダイシング用フレームと粘着テープを使用するため、ダイシング前に従来のダミー基板や保護部材を接着しておいて、また剥離するといった煩雑な工程を増やすことがなく、メッキ処理を終了した後にダイシング用フレームを取り外すことなくそのままダイシングする（典型的には、それぞれ半導体素子を構成するいくつかのチップに分断する。）ことができる。従って、作業性及び製造効率が良好である。ここで開示される方法では、従来のように補強のために接着したダミー基板や保護部材を剥離する必要がなく、剥離による破損の虞もない。
また本発明は他の側面として、ここで開示されたいずれかの方法によって製造された半導体素子を提供する。ここで開示された方法では、ウェハの破損が防止され、信頼性の高い半導体素子を効率よく製造することができる。
【０００７】
ここで開示される方法の好ましい一態様は、前記メッキ層形成工程の前に、前記テープの粘着部の一部であって、前記フレーム及び前記ウェハのいずれにも接触せずに露出した粘着部分を前記液剤と実質的に反応させない非反応化処理を行う工程を含む方法である。
ここで「非反応化処理」とは、前記テープの粘着部分がメッキ処理に要する液剤と結果的に反応しないようにする処理であればよく、物理的手段であるか化学的手段であるかを問わない。
前記テープにおいて、前記フレーム及び前記ウェハのいずれにも接触せずに粘着部分が露出した場合には、メッキ処理（典型的には多くの液剤処理を要する無電解メッキ処理）時において各液剤と接触することによりその粘着材成分が溶け出す虞がある。本態様の方法では、露出した粘着部分を非反応化処理により実質的にメッキ処理に要する液剤と反応させないようにすることを特徴とする。このことにより、粘着材成分が液剤に溶け出すことを抑制し、該液剤の変質を防止し得、該変質によるメッキ層に及ぼす不具合を回避することができる。
【０００８】
この非反応化処理の好ましい一態様は、前記保持された状態のウェハの表面の外周部から前記フレームにかけてシール材を貼り付けて、前記露出した粘着部分を被覆することを含む。
ウェハ保持用粘着テープのウェハ配置部分とフレーム配置部分の間において粘着部分が露出する場合には、本態様の方法によってシール材でこの露出した粘着部分を被覆することにより、この露出した粘着部分が前記液剤と接触することを効果的に防止することができる。
なお、この非反応化処理では、典型的には、ウェハの端部で回路パターンが形成されていない部分（即ち半導体素子を構成しない部分）にシール材を貼り付けることにより、メッキ処理に影響を与えることがない。また、この部分をメッキ処理に供しないため、無駄な部分がメッキ処理されるのを防止し、それに要する薬剤等を節約することができる。
【０００９】
また、この非反応化処理の他の好ましい一態様は、前記粘着部の粘着材成分としてＵＶ硬化性樹脂を含み、前記非反応化処理は、前記露出した粘着部分をＵＶ照射により硬化処理して、実質的に前記液剤に対する反応性を低下させることを含む。
テープの粘着材成分としてＵＶ硬化性樹脂を用いた場合には、ＵＶ照射処理により露出した粘着部分の反応性を低下させ、メッキ処理に要する種々の液剤（薬剤）との接触による溶出を防止し得る。
【００１０】
あるいは、好ましくは、前記粘着部の粘着材成分として有機溶剤可溶性成分を含み、前記非反応化処理は、前記露出した粘着部分を有機溶剤で処理（典型的には浸漬による洗浄）することにより実質的に除去することを含む。
テープの粘着材成分として有機溶剤可溶性物質を用いた場合には、メッキ処理前に露出した粘着部分を適当な有機溶剤で処理することにより実質的に除去し、その後の液剤との接触による溶出を防止し得る。
【００１１】
また、本発明は、他の側面として、ここで開示される方法であって前記非反応化処理を行うときに好適に用い得るシール材供給装置を提供する。
すなわち、ここで開示される好適なシール材供給装置は、メッキ処理しようとする部位が露出した状態でウェハ保持用粘着テープの粘着部に貼り付けられた半導体ウェハと、該ウェハの外側において該テープの粘着部に貼り付けられて該テープを介して該ウェハと一体に保持されるダイシング用フレームとから成るフレーム付ウェハを配置するセット部と、該セット部に配置されたフレーム付ウェハのウェハ露出面側に前記ウェハ及びフレームの表面に接着可能なシール材を供給するシール材供給手段と、該供給されたシール材を前記半導体ウェハの外縁部分とシール材の一部が重なり合うようにして該ウェハの外周よりもややウェハ内側の位置であって前記メッキ処理しようとする部位が露出し得る位置でカットする内側カット手段と、前記供給されたシール材を前記ダイシング用フレームの少なくとも内縁部分とシール材の一部が重なり合うようにして該フレームの内周よりもフレーム外側の位置でカットする外側カット手段と、前記シール材を前記半導体ウェハの外縁部分及び／又は前記フレームの内縁部分に押圧して前記シール材を該部分に接着させる貼付手段とを有する。
かかる構成の装置によれば、フレーム付ウェハに上述の目的のためにシール材を効率よく貼り付けることができる。即ち、ウェハ配置部分とフレーム配置部分との間に露出するウェハ保持用粘着テープの粘着部分を好適に被覆し、メッキ処理時に該粘着部分が液剤と接触することを防止することができる。
【００１２】
この装置は、好ましくは、前記内側カット手段によってカットされたシール材断片を前記ウェハ表面近傍から排除する排除手段を備える。
シール材断片を排除することにより、該断片がウェハ表面に付着してウェハ表面の被メッキ処理面（例えば回路パターン形成部分）が被覆されることを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の好適な実施形態を説明する。なお、本明細書において特に言及している事項（例えばダイシング用フレーム、ウェハ保持用粘着テープ及びシール材の構成及び組成、シール材の供給装置の構成）以外の事柄であって本発明の実施に必要な事柄（例えばウェハの作製方法、ウェハ上に回路パターンを形成する方法、メッキ処理に要する液剤の組成）は、当該分野における従来技術に基づく当業者の設計事項として把握され得る。本発明は、本明細書に開示されている内容と当該分野における技術常識とに基づいて実施することができる。
【００１４】
本発明の半導体素子製造方法は、目的とする半導体素子に含まれるべき回路パターンが複数配列するウェハをウェハ保持用粘着テープによってダイシング用フレームに一体に保持し、その後にメッキ処理を施すという実施工程によって特徴付けられるものであり、該方法に用いられるウェハの種類や形状、或いはウェハに形成された電子回路パターンの構造やその内容は特に限定されない。同様に、本発明の方法によって製造される半導体素子は、最終的に少なくとも一部にメッキ層を有するものであればよく、本発明の方法を特定の目的・用途、特定のタイプ・形状の素子の製造に限定して適用することを意図していない。例えば、表面にハンダ付け性改善等を目的としてメッキ層を有する半導体素子（例えば多層（電子部品内蔵）基板／モジュールに実装されるＩＣチップ、ＭＯＳ型ＦＥＴのようなパワーデバイス）は、ここで開示されるいずれかの製造方法によって好適に製造される半導体素子の一例である。
【００１５】
本発明の半導体素子製造方法は、本発明を特徴付ける前述の各工程以外に、製造すべき半導体素子の内容（構造）に応じて種々の工程を含み得る。かかる付加的工程として、不純物をドープする工程、ウェハの表面に所定パターンの配線（電極層）や酸化膜を形成する工程、ウェハを薄く研削する工程、メッキ前又はメッキ後に素子（チップ）に電極を形成する工程、ダイシング後に得られた素子の導電性をチェックする工程、等が挙げられる。これら工程（プロセス）は、一般的な半導体素子の製造において目的に応じて適宜行われているものと同様でよく、本発明の実施にあたって特殊な技法を採用する必要はない。
【００１６】
ここで開示される製造方法の好適な一態様の処理フローを図１に模式的に示す。この図の（１）乃至（５）は、本発明の実施に用いられる少なくとも一方の面に前記半導体素子の回路パターンが複数配列する半導体ウェハ５（以下「素子集合基板５」ともいう。）の作製に関する。すなわち、先ず、スパッタリングその他の蒸着法によって、所定のサイズ・厚さのウェハ１の一方の面（表面）に金属薄膜（電極層）２を形成し、さらにフォトリソグラフィ法、レーザー法（ドライプロセス）等の採用により所定の回路パターンを形成する（１）。次いで、所定の回路パターンを構成する電極層２を形成した側に補強シール３を貼り付け（２）、ウェハ１を研削して薄型化する（３）。そして、所望により、ウェハ１の研削面（裏面）側にも、表面側と同様の手法により、金属薄膜（電極層）４を形成し、所定の回路パターンを形成する（４）。その後、前記補強シール３を剥がし、目的の半導体素子を構成する回路パターンが複数配列するウェハ１から成る素子集合基板５が得られる（５）。
なお、本発明の実施にあたっては、目的の回路パターンが形成されたウェハ（即ち素子集合基板）５を後の工程のために用意（例えば購入）すればよく、図１（１）〜（５）に示す工程を本発明の実施の際に同時に行う必要はない。
【００１７】
次に、得られた素子集合基板５をウェハ保持用粘着テープ６に貼り付けるとともに、その外側には、ダイシング処理に用いられる一般的な性状のダイシング用フレーム７を貼り付ける（６）。この状態の平面図を図２に示す。
ここで、ウェハ保持用粘着テープ６としては、図３に図１（６）の一部拡大断面図を示すように、テープ基材６ａの一方の面に粘着部６ｂが形成されており、素子集合基板５及びダイシング用フレーム７を一体に保持可能なものであればよく、特にその構成や粘着材成分の組成は限定されない。典型的には、ダイシング用フレームとともにウェハを保持するために従来用いられているダイシング用粘着テープを特に制限なく用いることができる。例えば、素子集合基板５をダイシング後に剥離容易なように、粘着部６ｂには粘着材成分として、ＵＶ（紫外線）硬化性樹脂（例えばＵＶ硬化性アクリル系樹脂）、有機溶剤可溶性物質、熱発泡性物質、又は再剥離可能な物質を用いることができる。また、テープ基材６ａとしては、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリオレフィン（ＰＯ）等の種々の合成樹脂製のものが使用し得る。ダイシング後に延伸可能なポリマー基材、例えばポリエステル樹脂を採用することが好ましい。
【００１８】
また、ダイシング用フレーム７としては、ダイシング工程においてウェハを保持するために従来用いられているものを特に制限なく用いることができ、特にその構成や形状は限定されない。例えば、その材質としては、ステンレス鋼を採用することができる。また、その形状としては、ウェハの形状及びメッキ処理に使用する装置（例えばメッキ槽）の形状に応じて適宜選択することができ、例えば上面からみて八角形、六角形、又は略円形状のフレームを採用することができる。
特に、ダイシング用フレーム７には、メッキ処理時に各液剤に浸漬及び引き上げることが容易なように、ダイシング用フレーム７の一方の端部に図４に示すようなフック２０又は図５に示すような引掛け穴２２を形成することができる。この構成によれば、フック２０又は引掛け穴２２にワイヤ等を係止して容易にメッキ処理、即ち、各液剤への浸漬及び引き上げをすることができる。このため、メッキ処理時に通常使用されているウェハ保持用のラック等を必要としない。従って、ウェハをラックに保持させるための工程を削減できて作業性が簡素化されるとともに、製造コストも低減される。尚、フック２０又は引掛け穴２２を設ける位置は、図４及び図５では一方の端部側において４箇所設けたが、これに限定されず、ダイシング用フレームの形状及びメッキ処理装置等に応じて好適な位置および個数を適宜選択して形成することができる。
【００１９】
図示するように、素子集合基板５をダイシング用フレーム７に一体に保持することにより、薄板形状のウェハのみの場合のように慎重に取り扱わなくてもメッキ処理時におけるウェハ（又はダイシング前の素子）の破損の発生頻度は極めて低い。このため、メッキ処理時における損失を抑え、一枚のウェハからより多くの素子を効率的に作製することができる。
素子集合基板５及びダイシング用フレーム７にウェハ保持用粘着テープ６を貼り付ける順序はいずれであってもよく、先にダイシング用フレーム７をウェハ保持用粘着テープ６に貼り付けてから、次に素子集合基板５を貼り付けてもよく、或いはその逆であってもよい。特に、作業性が良好で位置決めが容易であるために、素子集合基板５及びダイシング用フレーム７を所定の位置に配置してからウェハ保持用粘着テープ６を同時に貼り付けることが好ましい。
【００２０】
ウェハ保持用粘着テープ６を介して素子集合基板５をダイシング用フレーム７に一体に保持したフレーム付ウェハ（フレーム付素子集合基板）８は、素子集合基板５の配置部分とダイシング用フレーム７の配置部分との間に粘着テープ６の粘着部分６ｂが露出し得る。好適な態様においては、この露出した粘着部６ｂをメッキ処理前に各液剤に対して反応しないように処理、即ち、非反応化処理を行う。
【００２１】
例えば、一つの好適な態様としては、非反応化処理は、フレーム付素子集合基板８の露出した粘着部６ｂをシール材１０により被覆する（７）。好適には、素子集合基板５の表面１１側の外縁（外周）部分からダイシング用フレーム７の内縁（内周）部分にかけてシール材（保護テープ）１０を貼り付ける。この状態の平面図を図６に示す。このとき、ウェハ１表面上に形成された回路パターンを構成する電極層２はメッキ処理のために露出した状態とする必要があるため、その部位よりも外側の位置からシール材１０を配置することが必要である。例えば、シール材１０の内径は、素子集合基板５（即ちウェハ１）の外周よりも約１〜５ｍｍ程度小さくすることが好適である。シール材１０により露出した粘着部６ｂは外部から遮断され、メッキ処理時に種々の反応性に富む液剤が該粘着部６ｂに接触するのを防止し得る。このため、粘着部６ｂから粘着成分が液剤（各種メッキ液）へ溶出することが防止される。
シール材１０の構成としては、一方の面に粘着部を有するテープであればよく、その構成は特に限定されない。例えば、前記ウェハ保持用粘着テープ６と同様なもの（全く同一の組成の粘着テープを使用しても構わない。）を採用することができる。
【００２２】
或いは、他の好適な態様において、ウェハ保持用粘着テープ６の粘着材成分としてＵＶ硬化性樹脂を使用した場合には、例えば、図７に示すように、非反応化処理としてメッキ処理前にフレーム付素子集合基板８に対してＵＶ照射処理し、露出した粘着部６ｂの液剤に対する反応性を実質的に低下させることができる（７’）。ＵＶ硬化性樹脂成分を含むテープとしては、従来公知のもの（例えば購買可能なＵＶ硬化型ダイシング用粘着テープ）を特に制限なく採用することができる。また、ＵＶ照射手段としては、いずれのＵＶ照射装置を使用して行ってもよく、特に好適にはダイシング後にＵＶ硬化性粘着テープをウェハから剥離するために用いられている装置をそのまま使用することができる。このとき、粘着部６ｂ側からＵＶ照射しても、素子集合基板5及びダイシング用フレーム７が配置された粘着部６ｂは、これら部品によってＵＶ光が遮蔽されるため、ウェハ保持用粘着テープ６が素子集合基板５及びダイシング用フレーム７から剥離する虞はない。
【００２３】
または、他の好適な態様において、ウェハ保持用粘着テープ６の粘着材成分として有機溶剤可溶性物質（例えば有機溶剤可溶型ポリエステル樹脂、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルブチラール）を使用する場合には、非反応化処理として、メッキ処理前に適当な有機溶剤を用いて浸漬処理（洗浄処理）を施し、実質的に粘着材成分を除去してもよい。有機溶剤可溶性成分を使用したテープとしては、従来公知のものを特に制限なく採用することができ、市場から入手可能である。また、有機溶剤としては、素子集合基板５に影響を与えないいずれの有機溶剤であっても特に限定されない。具体的には、トルエン、キシレン等の炭化水素系、メタノール等のアルコール系、アセトン等のケトン系、又はエステル系、エーテル系等が挙げられる。
【００２４】
さらに、得られた素子集合基板５の表面に対してメッキ層１２を形成する（８又は８’）。なお、図１（８）のように、シール材１０を貼り付けた場合には、素子集合基板５の端面は、シール材１０により外部から遮蔽されているため、無電解メッキ液と接触せず、メッキ層は形成されない。また、図７（８’）のように、シール材１０を用いずにウェハ保持用粘着テープ６の粘着材成分としてＵＶ硬化性樹脂成分又は有機溶剤可溶性成分を用いた場合であっても、素子集合基板５の端面には表面電極層２の形成がないため、無電解メッキ液と反応せず、メッキ層は形成されない。ここでは、得られる素子集合基板５の表面にハンダ付け性を付与するべく、表面電極層２側にメッキ層１２を形成する。
【００２５】
メッキ処理の内容は特に限定されず、従来公知の方法である電解メッキ法、真空メッキ法、無電解メッキ法等を採用して行うことができる。本発明の方法では、メッキするために電極（導電体）をウェハに装備することが必要な電解メッキ方式よりも、電源、電極等を用意する必要がなく所定の液剤に浸漬することによって均質なメッキ層を形成し得る無電解メッキ方式（例えば、ジンケート法に基づく）を採用することが好ましい。無電解メッキ処理方法（例えば無電解ニッケルメッキ処理）としては、従来公知のいずれの手段を適用してもよく、かかるメッキ処理工程自体は特に本発明を特徴付けるものではない。例えば、図８に示すように、メッキ処理に要する複数の液剤をそれぞれ貯留する処理槽６５ａ〜６５ｅに、フレーム付素子集合基板８を順次手作業又は自動的に浸漬しながらメッキ処理（典型的には無電解メッキ処理）を行うことができる。また、この工程を例えば電解メッキ処理における前処理に適用することもできる。
【００２６】
そして、前述のようにしてメッキ層１２が形成された素子集合基板５を適当なダイシング装置により回路パターン毎に分断することにより、半導体素子に対応する個々のチップ（半導体素子）１４を得ることができる（９）。
シール材１０を用いた場合には、ダイシングの前又は後のいずれかにおいて剥離するとよい。ウェハの機械的強度を考慮すればダイシング後に行うことが好ましい。ここで、素子集合基板５は、予めダイシング用フレーム７に一体に保持されているため、このままの状態でダイシング処理を行うことができる。また、従来のように補強のためのダミー基板や保護部材を用いていないため、それらの剥離が必要とされず、作業性が良好で素子集合基板５の破損が防止される。かつ、素子集合基板５にはそれらに保持するための接着剤等の残留がなく、次工程におけるハンダ付け性が良好である。
【００２７】
本発明の実施に必要ではないが、典型的には、前述のようにして製造したチップ（半導体素子）１４を他の回路基板等に実装する。すなわち、図１に示すように、個々のチップ１４をハンダ１８を用いて所定の回路基板１６に実装（ハンダ付け）する（１０）。さらにメッキ層１２が付与された面側にも基板、電極等の電子部品２０をハンダ２２を用いて実装することができる（１１）。
以上のプロセスにより、半導体素子１４単体（例えばＩＣチップ単品）のほか、該素子１４を他の電子部品とともに実装して成る部品内蔵基板その他の機能モジュールを作製することができる。
【００２８】
次に、フレーム付素子集合基板８にシール材１０（ここでは前記ウェハ保持用粘着テープ６と同じ保護テープ）を貼り付ける方法について、より詳細に説明する。
シール材１０は、所定の大きさ及び形状（即ち、ここでは図６に示すように、内周が素子集合基板５の外周よりも小さく且つその回路パターンの配列よりも外側であって、外周がダイシング用フレーム７の内周よりも大きく且つ外周よりも小さい環形状）に切断し、これを素子集合基板５の外縁部分からダイシング用フレーム７の内縁部分にかけて貼り付ければよく、その方法は特に限定されるものではない。例えば、シール材１０の切断方法としては、所定の大きさ及び形状に定められたカッターにより切断することができる。また、所定の大きさ及び形状に沿って移動するように制御可能なカット手段により切断することができる。また、シール材１０の貼付手段としては、所定位置に配置した素子集合基板５に所定形状に切断されたシール材１０を手作業又は自動的に位置決めして押圧又は加熱等により貼り付けることができる。
【００２９】
このシール材１０の貼り付けは、以下に示す装置によって好適に実施することができる。具体的な実施形態に係るシール材供給装置１００について図９を参照して説明する。
本装置１００は、主に、セット部１０１と、シール材貼付部１０２とから構成され、シール材貼付部１０２は、主に、シール材供給手段１０３と、カット部１０５と、貼付部１０７とから構成される。なお、図９は、その機能を説明するために、シール材１０及びフレーム付素子集合基板８を配置した状態で装置１００を示しているが、装置１００の構成に含まれるものではない。
【００３０】
セット部１０１は、フレーム付素子集合基板８を固定し得る支持台を構成するものであり、フラットで典型的には円形状の載置面１１０を有する。フレーム付素子集合基板８の固定方法としては、従来公知のいずれの手段であってもよいが、真空吸着又は静電吸着によって固定することが好適である。なお、真空吸着手段又は静電吸着手段としては、従来のこの種の機構をそのまま適用すればよく、本発明の実施にあたって特別な機構を要求するものではない。例えば、従来の静電吸着チャックを構成するように、別途用意した吸着用電源からセット部１０１に吸着用電圧（例えば２００〜１０００Ｖ程度）を印加して載置面１１０に吸着用静電気を発生させ得る手段を設けるとよい。或いは、従来のバキューム式吸着装置を構成するように、多数の吸引用小孔をセット部１０１の載置面１１０に設け、それらを別途用意した吸着用真空ポンプに連通し、該真空ポンプを作動させて載置面１１０にフレーム付素子集合基板８を吸引吸着し得る手段を設けるとよい。これら真空吸着手段或いは静電吸着手段の内容そのものは全く従来の構成でよく本発明を特徴づけるものではないため詳細な説明は省略する。
また、セット部１０１内には、図示しないヒータが内蔵されており、保護シール１０接着時の処理温度（例えば５０〜１００℃程度）を制御可能としている。
【００３１】
シール材供給手段１０３は、セット部１０１に配置したフレーム付素子集合基板８のウェハ露出面側にシール材１０を供給する。供給方法としては、従来公知のいずれの手段であってもよいが、典型的には帯状のシール材１０を巻回したローラ１０ａから所定の位置にシール材１０を供給することが好適である。図９において、シール材供給手段１０３は、送出部１１２、位置決めローラ１１４、及び図示しない巻取り部を有する。この構成により、シール材１０は、まず送出部１１２に配置されたシール材ローラ１０ａから供給される。そして、フレーム付素子集合基板８のウェハ露出面側の両端に設けられた位置決めローラ１１４によって略水平に張った状態で保持されつつ、巻取り部により適度なテンションで引っ張られ、該ウェハ露出面側にたるみなく配置される。
なお、シール材供給手段１０３は、シール材ローラ１０ａを用いて送出部１１２から順次シール材１０を供給することにより、複数のフレーム付素子集合基板８を順次取り替えて、シール材１０を連続的に供給することが可能である。
【００３２】
カット部１０５は、内側カット部１１６と外側カット部１１７とから構成される。内側カット部１１６には、図示しないモータに接続して鉛直方向に移動可能な円板状の支持台１１６ａが備えられており、その支持台１１６ａの縁に沿ってシール材１０方向に刃先が向かう刃部（リング状カッター）１１６ｂが設けられている。この内側カット手段としての刃部１１６ｂは、刃先方向からみて略円形状であり、その直径は素子集合基板５（即ちウェハ１）の外周よりも小さく且つ回路パターン形成部位よりも外側となる大きさに形成されている。而して、支持台１１６ａを下方向に移動させて刃部１１６ｂをシール材１０方向（矢印Ａ方向）に押圧することにより、シール材１０を適当な内周にカットすることができる。シール材１０をカット後には、支持台１１６ａを矢印Ａと反対方向に持ち上げて元の位置に戻す。
かかる内側カット部１１６には、カットされたシール材断片１０ｂをフレーム付素子集合基板８（即ちウェハ表面）の近傍から排除する排除手段が設けられている。好ましくは、図９中の矢印Ｃ方向にシール材断片１０ｂが吸引・回収されるように構成される。回収方法としては、従来公知のいずれの手段であってもよいが、真空吸着又は静電吸着によって回収することが好適である。なお、真空吸着手段又は静電吸着手段としては、従来のこの種の機構をそのまま適用すればよく、例えば、セット部１０１においてフレーム付素子集合基板８を固定するために説明したと同様な機構を適用することができる。即ち、従来の静電吸着チャックを構成するように、別途用意した吸着用電源から内側カット部１１６に吸着用電圧（例えば２００〜１０００Ｖ程度）を印加して支持台１１６ａに吸着用静電気を発生させ得る手段を設けるとよい。或いは、従来のバキューム式吸着装置を構成するように、多数の吸引用小孔を内側カット部１１６の支持台１１６ａに設け、それらを別途用意した吸着用真空ポンプに連通し、該真空ポンプを作動させて支持台１１６ａにシール材断片１０ｂを吸引・吸着し得る手段を設けるとよい。これら真空吸着手段或いは静電吸着手段の内容そのものは全く従来の構成でよく本発明を特徴づけるものではないため詳細な説明は省略する。なお、排除（回収）手段は、内側カット部１１６に付設せずに別途適切な位置に独立して設けることもできる。
【００３３】
一方、外側カット部１１７は、内側カット部１１６の外側に配置され、図示しないモータに接続して鉛直方向に移動可能な略八角形のリング状支持台１１７ａが備えられており、その支持台１１７ａにシール材１０方向に刃先が向かう刃部（リング状カッター）１１７ｂが設けられている。この外側カット手段としての刃部１１７ｂは、刃先方向からみてダイシング用フレーム７の形状に対応する略八角形のリング状であって、その直径は当該ダイシング用フレーム７の内周よりも大きくその外周よりも小さな大きさとなるように形成されている。而して、支持台１１７ａを下方向に移動させて刃部１１７ｂをシール材１０方向（矢印Ｂ方向）に押圧することにより、シール材１０を適当な外周に切断することができる。シール材１０をカット後には、支持台１１７ａを矢印Ｂと反対方向に持ち上げる。
なお、内側カット部１１６及び外側カット部１１７には、所望のカット形状と同等のリング状刃部１１６ａ、１１７ａを設けたが、そのようなリング状刃部を押圧する手段に変えて、所望するカット形状に沿って刃先（形状に制限はない。）が移動するような機構の刃部を用いることもできる。この場合には、異なる大きさ及び形状の素子集合基板やダイシング用フレーム７を用いても、カット部１０５を変更することなく使用することができる。また、内側カット部１１６及び外側カット部１１７の刃部１１６ｂ，１１７ｂの形状及び大きさを変更可能なように、刃部１１６ａ、１１７ａを複数の刃片により構成し、支持台１１６ａ、１１７ａにおいてその位置を移動可能にしてもよい。又は、シール材貼付部１０２において内側カット部１１６及び外側カット部１１７を適宜交換可能に設けてもよい。このようにして、異なるフレーム付素子集合基板８における素子集合基板５及びダイシング用フレーム７の形状及び大きさに応じてシール材１０を適当な形状及び大きさに変更してカットすることができる。
【００３４】
内側カット部１１６を包囲するようにして円環状に形成されている貼付部１０７は、いずれの材料から構成されていてもよいが好適には弾性体から構成され得る。この貼付部１０７はシール材１０を矢印Ｄ方向に押圧して素子集合基板５やダイシング用フレーム７にシール材１０を密着させて貼り付け可能とする部材である。かかる貼付部１０７は、モータに接続して鉛直方向に移動可能なウェハ押圧部１０７ａと該ウェハ押圧部１０７ａとは別個にスライドして鉛直方向に移動可能なフレーム押圧部１０７ｂとを備える。図示されるように、ウェハ押圧部１０７ａはフレーム付素子集合基板８（即ち素子集合基板５）の外周部分にシール材１０を押圧し得る一方、フレーム押圧部１０７ｂはダイシング用フレーム７の内周部にシール材１０を押圧し得る位置に配置・形成されている。これにより、素子集合基板５及びダイシング用フレーム７の両方にシール材１０を確実に強い接着力で貼り付け可能としている。なお、図示するように、フレーム押圧部１０７ｂには前記刃部１１７ｂを貫通させ得る溝が設けられている。なお、貼付部１０７としては、ウェハ押圧部１０７ａ又はフレーム押圧部１０７ｂのうちのいずれか一方のみを設けたものであってもよい。この場合にも、ウェハ押圧部１０７ａ又はフレーム押圧部１０７ｂのうちのいずれか一方を作動させることによってシール材１０を素子集合基板５又はダイシング用フレーム７に押圧することができる。これにより、シール材１０を接着させることができる。
【００３５】
次に、図１０を参照して、この装置１００を作動させてシール材１０をフレーム付素子集合基板８に貼り付ける方法を順に説明する。
まず、セット部１０１にシール材１０を貼り付けるべくフレーム付素子集合基板８を固定する（１）。次に、セット部１０１をシール材接着温度（例えば、８０℃程度）に加熱する。そして、シール材供給手段１０３にシール材ローラ１０ａをセットして素子集合基板５の露出面側にシール材１０を配置する（２）。さらに、内側カット部１１６をシール材１０に矢印方向で押圧することにより、シール材１０をカットするとともに、内側カット部１１６に備えられる回収手段によって切断された円形状のシール材断片１０ｂを排除する（３）。また、貼付部１０７を所定の圧力で矢印方向に押し下げることにより、貼付部１０７をシール材１０に押圧して素子集合基板５及びダイシング用フレーム７にそれぞれ貼り付ける（４）。このとき、本実施例で用いたフレーム付素子集合基板８は、素子集合基板５の外縁部分の鉛直方向の厚さ（高さ）がダイシング用フレーム７の鉛直方向の厚さ（高さ）よりも薄い（低い）ため、素子集合基板押圧部１０７ａはフレーム押圧部１０７ｂよりもさらに押し下げられている。しかし、用いるフレーム付素子集合基板の素子集合基板外縁部分の厚さ及びダイシング用フレームの厚さに応じて、素子集合基板押圧部１０７ａ及びフレーム押圧部１０７ｂの位置及び押圧力を適宜変更することができる。
例えば、ウェハ押圧部１０７ａとは別個にモータに接続して独立して鉛直方向に移動可能なフレーム押圧部１０７ｂを備えることによって、本実施例とは異なりダイシング用フレーム７の鉛直方向の厚さ（高さ）が素子集合基板５の外縁部分の鉛直方向の厚さ（高さ）よりも薄い（低い）場合にも、シール材１０を素子集合基板５及びダイシング用フレーム７のそれぞれに押圧して貼り付けることができる。
次いで、外側カット部１１７をシール材１０に矢印方向で押圧し、シール材１０の外周をカットする（５）。シール材１０を貼り付けてから外周をカットすることにより、シール材１０の位置決めが容易となり、所定の位置にシール材１０を正確に貼り付けることができる。なお、貼付工程（４）と外側カット工程（５）は、いずれの順序であってもよく、例えば、シール材１０の外周をカットしてから素子集合基板５及びダイシング用フレーム７に貼り付けることもできる。最後に、シール材貼付部１０２を矢印方向に持ち上げて、シール材１０が所定位置に貼り付けられたフレーム付素子集合基板８を取り出すことができる（６）。
【００３６】
その後、再び次のフレーム付素子集合基板を配置する工程（１）から、同様にシール材を複数のフレーム付素子集合基板に連続的に貼り付けることができる。尚、シール材供給工程（２）において、シール材は巻取り部側の位置決めローラ１１４を介して巻取り部に順次送られる。
【００３７】
以上、本発明の好適な実施態様を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した態様を様々に変形、変更したものが含まれる。また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】一実施形態に係る本発明の製造方法の製造工程を模式的に示す説明図。
【図２】一実施形態に係る素子集合基板（ウェハ）をダイシング用フレームに保持した状態を示す平面図。
【図３】図１（６）の要部の拡大断面図。
【図４】一実施形態に係るダイシング用フレームの一例を模式的に示す説明図。
【図５】一実施形態に係るダイシング用フレームの他の例を模式的に示す説明図。
【図６】一実施形態に係るフレーム付ウェハにシール材を貼り付けた例を示す説明図。
【図７】一実施形態に係るＵＶ照射処理工程を示す説明図。
【図８】一実施形態に係るメッキ処理工程を模式的に示す説明図。
【図９】一実施形態に係る本発明のシール材供給装置を模式的に示す説明図。
【図１０】図９に示すシール材供給装置の一実施形態に係る使用方法を模式的に示す説明図。
【符号の説明】
【００３９】
１…ウェハ
２，４…電極層
５…素子集合基板（回路パターンが形成されたウェハ）
６…ウェハ保持用粘着テープ
６ａ…粘着部
７…ダイシング用フレーム
８…フレーム付素子集合基板
１０…シール材
１２…メッキ層
１４…チップ（素子）
６５ａ，６５ｂ，６５ｃ，６５ｄ，６５ｅ…メッキ処理槽
１００…シール材供給装置
１０１…セット部
１０２…シール材貼付部
１０３…シール材供給部
１０５…カット部
１０７…貼付部
１１６…内側カット部
１１７…外側カット部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2005252173.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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