(57)【要約】【課題】  コア基板の片面に積層体を形成する配線基板において、反りの少ない配線基板の製造方法およびそれを用いた配線基板を提供するものである。【解決手段】  コア基板形成後、積層体を形成する面と反対のコア基板の面に熱硬化型材料を付着して裏面絶縁層を形成し、その熱硬化型材料をガラス転移温度以下の温度領域で中間熱処理した後に、ガラス転移温度以上の第一加熱温度で保持し、次いで前記第一加熱温度よりも高温の第二加熱温度に保持する加熱処理を行い、その後、積層体を形成する。裏面絶縁層は、２次元重合型の樹脂からなる樹脂、例えばＢＴ樹脂を使用する。また１次元重合型の樹脂を使用することもできる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア基板の片面に、絶縁層と配線層とを交互に積層した積層体を有する配線基板の製造方法であって、
前記コア基板形成後、前記積層体を形成する面と反対の前記コア基板の面に熱硬化型材料を付着して裏面絶縁層を形成し、その熱硬化型材料をガラス転移温度以下の温度領域で中間熱処理した後に、前記ガラス転移温度以上の第一加熱温度で保持し、次いで前記第一加熱温度よりも高温の第二加熱温度に保持する加熱処理を行い、
その後、前記積層体を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記第一加熱温度は、前記配線基板に電子部品を実装するために形成されたハンダ接続部のリフロー温度より低温であり、かつ前記第二加熱温度は、前記リフロー温度より高温である請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記加熱処理は、前記熱硬化型材料の前記ガラス転位温度以上の第一加熱温度で保持し、前記ガラス転移温度未満に下げた後、前記第一加熱温度よりさらに高温度の第二加熱温度で保持する請求項１または２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記第二加熱温度を第一加熱温度より３０℃以上高温で行う請求項１ないし３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
コア基板の片面に、絶縁層および配線層を交互に積層した積層体を有する配線基板であって、
前記コア基板に形成された前記積層体と反対の面に熱硬化型材料が付着されて裏面絶縁層が形成され、
前記熱硬化型材料が、ガラス転移温度以上の第一加熱温度で保持し、次いで前記第一加熱温度以上の第二加熱温度で保持する加熱処理されたことを特徴とする配線基板。
【請求項６】
前記裏面絶縁層は、２次元重合型の樹脂からなる請求項５に記載の配線基板。
【請求項７】
前記加熱処理により、前記配線基板の反りが矯正されるように前記裏面絶縁層の厚みが調整された請求項５または６に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
微細な配設をするための配線基板として、両面プリント配線基板をコア層とし、これに薄い絶縁性樹脂層と導体層を交互に積み上げて形成するビルドアップ基板が開発された。そして導体回路のファインパターン化に対する設計のし易さや、低重量化などのために、このビルドアップ工法が普及している。
【０００３】
プリント配線基板は、金属箔張りの積層板の表面に回路形成を行うなどして製造される。この積層板は、プリプレグを用いて作製される。プリプレグは、一般に、ガラス布やアラミド繊維布等の基材にエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの合成樹脂を含浸し、乾燥させて半硬化させて得られたものである。プリプレグは、有機樹脂製のフィルム体であって、加熱されると樹脂成分が粘性液体になって時間の経過とともに漸次硬化する特性を有している。その為、これによって、積層された各層の基板セグメント同士を接着して一体化することができる。
【０００４】
多層配線板の製造は、内層回路が形成された内層用基板にプリプレグを介して銅箔等の外層用金属箔を積層して積層体とし、この積層体を加熱加圧することによって得られる多層板を用いて行われることが多い。
【０００５】
多層配線板としては、多層板の外層用金属箔に加工を施して外層回路を形成すると共に、プリプレグが硬化して形成された絶縁層に孔をあけてビアホールを形成し、このビアホールにめっきを施して外層回路と内層回路を導通させて製造されるものがある。
【０００６】
ビルドアップ法により製造する多層プリント配線板は、従来の積層方式の多層プリント配線板に比較して高い配線設計自由度を有するものであるが、この特徴を活かして高性能プリント配線板として用いられるために、層間絶縁層の更なる薄手化、回路パターンの平坦性の向上が要求されている。ビルドアップ多層配線基板は、セラミック製または樹脂製のコア基板の両面上に樹脂絶縁層を積層した両面積層の多層基板や、コア基板の片面上に樹脂絶縁層を積層した片面積層の多層配線基板（特許文献１）がある。
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−８２３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしその片面上にのみビルドアップ層を形成した配線基板では、積層により基板の反りが増大する。さらにビルドアップ層およびコア基板の熱膨張率の差に起因して、反りが発生してしまうという問題があった。そこで配線基板の裏面に裏面樹脂を付着することにより、反りを防止する方法（特許文献１）がある。
【０００９】
配線基板の裏面に裏面樹脂を付着し反りを防止する方法では、裏面樹脂付着後、この裏面樹脂を加熱処理する。ここで裏面樹脂の従来の熱処理について、図７を用いて説明する。まず１３０℃まで２０分程で上昇させ、中間熱処理を２０分程行い、続いてＴｇ（ガラス転位温度）以上（この例では２００℃）まで２０分くらいで上昇させる。この間に、樹脂は、半硬化状態からゴム状態へ変化する。これにより分子運動が盛んになってさらに反応が進行する。その後、再びガラス状態に達し、最初より高反応率の状態で、反応が停止する。つまりＴｇ温度で一定時間維持することにより、ゴム状態の樹脂は、ガラス状態となり硬化する。この温度を１１０分くらい維持する。その後、加熱を終了する。
【００１０】
裏面樹脂に無機繊維入り熱硬化製樹脂を使用した場合、ビルドアップ絶縁層に使用する樹脂よりも硬化温度が高い。ビルドアップ絶縁層は、複数層形成する度に熱硬化処理を行うため、高収率でポリマーが形成されているが、裏面樹脂はハンダリフローや電子部品実装時まで、硬化温度以上の加熱が行われないため多数の未重合モノマーが存在する。そこで、前述ような裏面側樹脂の加熱方法によると、電子部品をハンダバンプ上に実装し、接着するために、配線基板を加熱すると、裏面樹脂が再び硬化、縮小し、配線基板が、裏面側樹脂層側が凹部となる形状に逆に反ってしまい不都合であった。つまりパッケージの反り量が変化し、作業上不具合であった。
【００１１】
そこで本発明の課題は、片面に積層体を形成する配線基板において、反りの少ない配線基板の製造方法およびそれを用いた配線基板を提供することである。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明の配線基板の製造方法は、
コア基板の片面に、絶縁層と配線層とを交互に積層した積層体を有する配線基板の製造方法であって、
コア基板形成後、積層体を形成する面と反対のコア基板の面に熱硬化型材料を付着して裏面絶縁層を形成し、その熱硬化型材料をガラス転移温度以下の温度領域で中間熱処理した後に、ガラス転移温度以上の第一加熱温度で保持し、次いで前記第一加熱温度よりも高温の第二加熱温度に保持する加熱処理を行い、
その後、積層体を形成することを特徴とする。
【００１３】
コア基板の片面にのみビルドアップした配線基板は、片面にのみ積層体であるビルドアップ層が形成されていること、銅などによる配線パターンが形成されていることなどから、ビルドアップ層側に反りを生じやすい。そこで、コア基板のビルドアップ層が形成された側と反対側に、熱硬化型材料を付着し、裏面絶縁層を形成し、これによって反りを防止する。しかしこの裏面絶縁層は、配線基板に実装する電子部品のハンダ接合部をリフローすると収縮し、反りの原因となるため、この熱硬化型材料をあらかじめガラス転移温度以上の第一加熱温度と、それよりも高温の第二加熱温度とで加熱処理することにより未重合のモノマーを再重合させる。この再重合により、熱硬化型材料の収縮を安定させることができる。つまりその後のリフローおよびチップ実装などによる配線基板への加熱工程により、熱硬化型材料が収縮することなく、パッケージの反り量を安定させることができる。
【００１４】
このようにコア基板のビルドアップ層と反対の一面に熱硬化型材料を付着し、前述の２段階の熱処理を行うことにより、配線基板の反りを減少することができる。２段階の熱処理は前述のように、ガラス転移温度とさらに高温において行うと、熱硬化型材料の重合が進み、後に配線基板が加熱された際にも、再び熱硬化型材料が反応を起こしにくくなり、収縮せずによい。
【００１５】
これは以下のように考えられる。高分子材料は、ガラス転移温度以下の中間熱処理により半硬化状態となる。そして、ガラス転移温度Ｔｇ以上に加熱すると、ゴム状態になり、ゴム状態の高分子材料は、反応が進んだ後、ガラス状態となり硬化する。そこでさらに高温度にすることで、再びゴム状態となり、さらに橋架けしたポリマーが生成する。こうしてガラス転移温度以上の第一加熱温度とそれよりも高温の第二加熱温度において熱処理することにより、高効率で架橋ポリマーを生成することができる。これにより、後に配線基板を熱処理する際に、裏面高分子材料が再重合を起こすことなく、収縮するのを防ぐことができる。
【００１６】
さらに第一加熱温度は、配線基板に電子部品を実装するために形成されたハンダ接続部のリフロー温度より低温であり、かつ第二加熱温度は、リフロー温度より高温であるように裏面絶縁層の加熱を行う。このようにガラス転移温度以上リフロー温度未満の温度において第一加熱を行い、さらにリフロー温度以上の温度において第二加熱を行うことにより、後に電子部品を実装するハンダ接続部のリフローを行った際に、配線基板の反りを少なくすることができる。
【００１７】
加熱処理は、熱硬化型材料のガラス転位温度以上の第一加熱温度で保持し、ガラス転移温度未満に下げた後、第一加熱温度よりさらに高温度の第二加熱温度で保持するように行うこともできる。また加熱処理は、熱硬化型材料のガラス転位温度以上の第一加熱温度で保持し、室温まで下げた後、第一加熱温度よりさらに高温度の第二加熱温度で保持するように行うこともできる。
【００１８】
このように第一加熱温度において加熱処理を行った後、ガラス転移温度未満に下げてから第二加熱温度まで上昇させてもよい。また室温まで下げてもよい。このように第一加熱の後、一端ガラス転移温度未満にまでさげることにより、熱硬化型材料を高割合でガラス状態に戻すことができ、これにより第二加熱温度での重合を高収率で進めることができる。そしてハンダ接続部のリフローによる裏面熱硬化材料の再重合を防ぎ、配線基板の反りを防ぐことができる。なお第一加熱温度において加熱処理を行った後、室温まで下げれば、熱硬化型材料を高収率で重合させ、裏面絶縁層の安定化を図ることができるが、作業効率の点からは、ガラス転移温度未満まで下げてから、第二加熱温度による加熱処理を行うようにしてもよい。
【００１９】
第二加熱温度を第一加熱温度より３０℃以上高温で行うことにより、裏面熱硬化材料の硬化収縮を安定させ、ハンダ接合部のリフローにおける基板の反りを抑制ことができる。以上のように裏面熱硬化材料の加熱処理を行うことにより、加熱処理を終了した際に、コア基板の反りが矯正される。
【００２０】
さらに本発明の配線基板は、
コア基板の片面に、絶縁層と配線層とを交互に積層した積層体を有する配線基板であって、
コア基板に形成された積層体と反対の面に熱硬化型材料が付着されて裏面絶縁層が形成され、
前記熱硬化型材料が、ガラス転移温度以上の第一加熱温度で保持し、次いで前記第一加熱温度以上の第二加熱温度で保持する加熱処理されたことを特徴とする。
【００２１】
配線基板の積層体であるビルドアップ層と反対の一面に熱硬化型材料（例えば高分子材料）を付着して裏面絶縁層を形成し、前述の熱処理を行うことにより、配線基板の反りを減少することができる。熱処理は前述のように、ガラス転移温度以上の第一加熱温度とさらに高温の第二加熱温度において行うと、熱硬化型材料の重合が進み、後に配線基板が加熱された際にも、再び熱硬化型材料が反応を起こしにくくなる。
【００２２】
ところで裏面絶縁層は、高分子材料、特に２次元重合型の樹脂を用いるとよい。つまり配線基板の反りを防止するためのコア基板の裏面に形成する裏面側絶縁層に用いる樹脂は、１次元重合型の高分子つまり線状高分子よりも、２次元重合型の高分子つまり網目状高分子がよい。なぜなら２次元重合型の樹脂は、１次元重合型の樹脂に比べて、硬化収縮が大きく、また曲げ弾性率も大きいからである。このため、配線基板の反りを矯正するのに線状高分子よりも、優れている。例えば、２次元重合型の樹脂としては、ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）樹脂があげられる。また配線基板の反り矯正力を大きくするために、裏面高分子材料は、ガラス繊維入りにするとよい。ＢＴ樹脂を用いた場合、具体的に加熱処理は、第一加熱温度の２００℃で６０分行われ、さらにそれ以上の高温の第二加熱温度にて行われる。
【００２３】
また裏面絶縁層としては、エポキシ樹脂を用いてもよい。同様にエポキシ樹脂のガラス転移温度以上の第一加熱温度とさらに高温の第二加熱温度とにおいて、加熱処理することにより、前述と同様に、配線基板の反り矯正を行うことができる。
【００２４】
このように加熱処理により、配線基板の反りが矯正されるように裏面絶縁層の厚みを調整して配線基板を作製する。つまり裏面絶縁層を形成する熱硬化型材料を真空熱プレスにより硬化収縮させ、配線基板の反りを矯正するが、このような加熱処理が終了した際に平らになるように、裏面絶縁層の厚みを調整する。もし裏面絶縁層の厚みが薄ければ、十分な矯正力を得ることができない。また裏面絶縁層の厚みを厚くしすぎれば、矯正力が強くなりすぎ、配線基板が逆に反ってしまう結果となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、図面に示す実施例を参照しつつ、本発明の実施形態を説明する。図１に本発明の配線基板１の断面図を示す。耐熱性樹脂板（例えば、ビスマレイミド−トリアジン樹脂板）や繊維強化樹脂板（例えばガラス繊維強化エポキシ樹脂）等で構成された板状のコア基板２と、このコア基板２の表面と裏面との間を貫通する複数のスルーホール導体４と、コア基板２の表面と裏面とに形成されたコア配線層１０，１１とを備える。
【００２６】
コア基板２には、複数のスルーホール３が形成され、各スルーホール３には、銅メッキ製のスルーホール導体４が形成されている。また各スルーホール導体４の内側には、無機フィラを含む充填樹脂５が充填されている。
【００２７】
さらにコア基板２の表面側には、高分子材料からなる複数のビルドアップ絶縁層１５，２３やソルダーレジスト層２９、複数のビルドアップ配線層２１，２７とが形成され、ビルドアップ絶縁層１５，２３やソルダーレジスト層２９とビルドアップ配線層２１，２７とが交互に積層されて、積層体（ビルドアップ層）が形成されている。コア配線層１０とビルドアップ配線層２１，２７とを接続するために、ビルドアップ絶縁層１５，２３には、銅メッキ製のフィルドビア導体１６，２４が形成されている。
【００２８】
最上層のビルドアップ配線層２７上の所定の位置には、ソルダーレジスト層２９を貫通し第一主表面３０を突出するように、配線基板に電子部品を実装するためのハンダ接続部（ハンダバンプ）３１が形成されている。このハンダバンプ３１は、例えばＳｎ−Ａｇ系などの低融点合金からなる。
【００２９】
またコア基板２の裏面でコア配線層１１の所定の位置には、ガラス繊維または炭素繊維を含有した樹脂により、裏面絶縁層（裏面樹脂層）１２が形成されている。つまりプリプレグを使用することができる。この裏面樹脂層を形成する裏面樹脂としては、２次元重合型（網目状高分子）の樹脂、例えば、ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）樹脂を使用する。または、１次元重合型（線状高分子）の樹脂、例えばエポキシ樹脂を使用することもできる。この裏面絶縁層１２の所定の位置には、第二主表面３２に開口する開口部１４が形成され、コア配線層１１の一部が露出している。このコア配線層１１は、その表面にＮｉおよびＡｕメッキが被覆され、マザーボードなどの基板との接続端子となる。
【００３０】
裏面絶縁層１２は、無機繊維を含む樹脂により形成され、コア基板２の表面に形成されたビルドアップ層の熱収縮とのバランスを保つことができ、これによって配線基板１の反りを抑制することができる。ビルドアップ層による反りを防止するという観点からは、特に２次元重合型（網目状高分子）の樹脂を使用するのが望ましい。
【００３１】
図２から図４において、本発明の配線基板を形成するまでの工程を示す。まず図２（ａ）に示すように、耐熱性樹脂板や繊維強化樹脂板等で構成された板状のコア基板２の表面と裏面に銅箔１０，１１を貼り付ける。次に図２（ｂ）に示すように、このコア基板２の所定の位置をレーザー照射か、またはドリルによって孔をあける。こうして複数のスルーホール３が形成される。
【００３２】
次にコア基板２の全面に、無電解銅メッキおよび電解銅メッキを施す。これによって図２（ｃ）に示すように、各スルーホール３の内壁の表面にスルーホール導体４が形成される。次に図２（ｄ）に示すように、充填樹脂５をスルーホール導体４の内側に充填する。充填樹脂５は、シリカフィラなどの無機フィラを含むエポキシ樹脂からなる。続いて、全面銅メッキを行い、蓋メッキとする。
【００３３】
続いて、公知のフォトリソグラフィー技術、エッチング技術にて、配線層を形成する。まず銅メッキ層上に、エッチングレジスト層を形成した後、エッチングレジスト層に覆われていない銅メッキ層および銅箔をエッチングして除去する。これにより図３（ａ）に示すように、所定のパターンの配線層１０，１１が形成される。さらに図３（ｂ）に示すように、コア基板２の裏面上に裏面絶縁層１２を形成する。この裏面絶縁層１２は、例えばＢＴ樹脂にガラス繊維を含有させたものである。さらに裏面樹脂１２上に離型シート１３を取り付ける。次に図３（ｃ）に示すように離型シート１３を挟む形態で、２つのコア基板を接合する。
【００３４】
その後、図４（ａ）に示すように、ビルドアップ絶縁層１５中にフィルドビア導体１６が形成され、さらにビルドアップ絶縁層１５上にビルドアップ配線層２１が形成される。以後、ビルドアップ絶縁層２３、ビア導体２４、ビルドアップ配線層２７、絶縁層（ソルダーレジスト層）２９が形成される。最後にＩＣチップを接続するためのハンダバンプ３１が形成される。こうしてビルドアップ層を形成した後、図４（ｂ）に示すように、コア基板２を離型シート１３から分離する。
【００３５】
裏面絶縁層１２に開口部１４を形成し、配線層１１が露出している配線基板１が、図１に示すように製造される。これにより裏面側に導通を取ることができる。さらに配線基板１のビルドアップ層が形成された上面は、ＩＣチップ等を実装するために、ハンダバンプ３１等を形成し、これらハンダバンプ３１が互い融着しないようにソルダーレジスト層２９が設けられている。ソルダーレジストは絶縁性樹脂により構成されており、これは実装されるＩＣチップと配線層が所定の接続位置以外で短絡することを防止するためのものである。
【００３６】
ＩＣチップをはんだを用いて配線基板の配線層に接合した後、アンダーフィルをＩＣチップと配線基板との間に充填する。このアンダーフィルは、流動性を有した状態で、ＩＣチップと配線基板との間に充填し、その後、加熱処理を行うことによって硬化させる。ＩＣチップを実装した後、配線基板１の熱処理を行い、ＩＣチップの接着を完了する。
【００３７】
次に図３（ｂ）に示したように、裏面樹脂層１２を形成するために裏面樹脂（プリプレグ）を付着した後の、裏面樹脂の熱処理について説明する。裏面樹脂としてＢＴ樹脂を使用した場合の本発明の２段階熱処理のプロファイルを図５に示す。初めに２０分程度で、１３０℃に温度を上げる。そして２０分程度この温度を維持する。デラミネーション（層間剥離）を防止することができる。加熱により、ゲル化物となり液体状態からゴム状態に変化し、反応の進行と共にゲル化物の割合が増加すると、系はゴム状態から固体状態（ガラス状態）に変化する。
【００３８】
続いてＴｇ以上まで２０分くらいで上昇させる。ここでは、２００℃まで上昇させる。この間に、樹脂は、半硬化状態からゴム状態へ変化する。ガラス転移温度以上に加熱すると、系は再びゴム状態になり、分子運動が盛んになってさらに反応が進行する。その後、再びガラス状態に達し、最初より高反応率の状態で、反応が停止する。つまりＴｇ温度で一定時間維持することにより、ゴム状態の樹脂は、ガラス状態となり硬化する。ここまでは、従来の加熱方法と同様である。
【００３９】
しかし本実施例では、実線（１）に示すように、ガラス転移温度以上の第一加熱温度である２００℃で６０分くらい維持（第一加熱処理）した後、さらに温度を第二加熱温度まで上昇させ、一定時間この温度を維持する（第二加熱処理）。第一加熱温度の２００℃の間に樹脂は、ゴム状態からガラス状態に変化する。さらに温度を上昇させた第二加熱処理によって、それまでガラス状態となっていた樹脂は、ゴム状態となり再重合する。２０分位この温度で加熱処理を行った後、加熱処理を終了する。これにより裏面樹脂の収縮は安定し、反り量も安定する。後に、ＩＣチップをハンダバンプに装着し、リフローを行った場合でも、不用な基板の反りを防止することができる。
【００４０】
また第二の実施例として、破線（２）に示すように第一加熱温度より、一度ガラス転位温度未満に処理温度を下げ、再び第二加熱温度まで上昇させてもよい。
【００４１】
さらに第三の実施例として、破線（３）に示すように第一加熱温度より、室温まで処理温度を下げ、再び第二加熱温度まで上昇させてもよい。このようにガラス転移温度未満に下げることにより、裏面樹脂を高割合でガラス状態に戻すことができる。これによって第二加熱温度で熱処理すると、高収率で樹脂を重合させることができる。よって、裏面樹脂の収縮を安定させることができる。なお破線（３）の工程を採用した場合、高収率でガラス状態に戻すことができ、第二加熱温度による処理によって高収率で樹脂を重合させ、裏面樹脂を安定化することができるが、この工程では時間が必要となるため、生産性の点からは、破線（２）の工程を採用してもよい。
【００４２】
図６に従来のガラス転移温度における１回のみの加熱処理の場合の配線基板の反り量と、本発明の２回の加熱処理（真空熱プレス）を行った場合の配線基板の反り量を示す。ここでパッケージの大きさは、４２．５ｍｍ角、裏面樹脂は、ガラス不織布入りエポキシ樹脂である。コア基板の表面に、ビルドアップ層を２層、その上にソルダーレジスト層を１層形成し、裏面樹脂層を６０μｍ形成した。横軸は、コア基板の厚み、縦軸が配線基板であるパッケージの反り量を示す。ビルドアップ層側が凹部となるように反った。（１）は、通常の一度のみの加熱処理を、２００℃で１００分間行った結果である。また（２）は、本発明の加熱処理の結果で、第二加熱温度は２５０℃で、３分間処理を行った。図に示すように、例えば、コア基板の厚みが０．８ｍｍの場合、通常の一度のみの熱処理を行った場合は、パッケージの反りは、約２３０μｍであるのに対し、２度の加熱を行った場合のパッケージの反りは、約１６０μｍである。またコア基板の厚みが、１ｍｍの場合、通常の１度のみの加熱処理では、パッケージの反りは約１５０μｍであるのに対し、２度の加熱処理を行った場合は、約１００μｍである。コア基板が１ｍｍと厚くなれば、パッケージの反り量は、減少するが、図に示すようにコア基板の厚さにかかわらず、本発明の２回の加熱処理を行った場合の方が、パッケージの反り量が少ない。
【００４３】
このように、２段階加熱処理によって、パッケージの反りを抑制することができる。つまり２段階熱処理によって、裏面樹脂層の重合が進んで安定化し、基板の反りを抑制する効果が得られることが分かる。ビルトアップ層側が凹部となって反ることを防ぐためには、裏面樹脂層を厚くすることも考えられるが、後工程のレーザー加工による開口形成が難しくなる。なぜなら裏面樹脂層が厚ければ、レーザーショット数が増え、作業時間が膨大化するからである（なお裏面樹脂層厚は、６０μｍ程度以下が望ましい）。従って、基板の反りを少なくするためには、２段階熱処理によって、裏面樹脂層の安定化を図ることが重要である。
【００４４】
以上のように片面ビルドアップ配線基板において、ビルドアップ層側へ配線基板が反ることを抑制するため、裏面側樹脂層を形成した。この裏面側樹脂の熱処理をガラス転移温度以上の２段階で行うことによって、ＩＣチップを実装する際などの高温熱処理により、逆に裏面側樹脂層側へ反ることを抑制することができる。または加熱処理は、２段階に限定されるものではなく、これ以上の回数行ってもよい。このように加熱処理をすることにより配線基板の形状を平らに保ち、配線基板の信頼性を維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の配線基板の断面図。
【図２】本発明の配線基板の製造工程を示す図。
【図３】図２に続く本発明の配線基板の製造工程を示す図。
【図４】図３に続く本発明の配線基板の製造工程を示す図。
【図５】本発明の裏面樹脂の加熱処理（真空熱プレス）の温度プロファイル。
【図６】裏面樹脂の真空熱プレスの違いによる配線基板の反り量を示す図。
【図７】従来の裏面樹脂の加熱処理（真空熱プレス）の温度プロファイル。
【符号の説明】
【００４６】
１    配線基板
２    コア基板
１２  裏面絶縁層（裏面樹脂層）
１３    離型シート
１５，２３    ビルドアップ絶縁層
２９    ソルダーレジスト層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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