(57)【要約】【課題】配向膜に配向性を与えるラビング工程において、塵埃や静電気の発生を抑制することを可能とする。【解決手段】対向する１対の基板１１に少なくとも液晶駆動用電極と液晶を特定の方向に配向させる配向膜２１とが形成され、前記基板１１間の間隔を保って形成された空間に液晶が封止されてなる液晶表示装置７１の製造方法において、基板１１に形成された配向膜２１に特定の方向に配向性を持たせるラビング処理は、配向膜２１に配向性を持たせるための溝３３が形成された転写基板３１を用いて、該転写基板３１に形成された溝３３の形状を前記基板１１に形成された配向膜２１表面に転写することにより行うことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する１対の基板に少なくとも液晶駆動用電極と液晶を特定の方向に配向させる配向膜とが形成され、前記基板間の間隔を保って形成された空間に液晶が封止されてなる液晶表示装置の製造方法において、
前記基板に形成された配向膜に特定の方向に配向性を持たせるラビング処理は、
前記配向膜に配向性をもたせるための溝が形成された転写基板を用いて、該転写基板に形成された溝形状を前記基板に形成された配向膜表面に転写することにより行う
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記配向膜に前記転写基板に形成された溝を転写する際に、
前記基板を加熱する工程と、
前記基板を冷却する工程と
を備えたことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
対向する１対の基板に少なくとも液晶駆動用電極と液晶を特定の方向に配向させる配向膜とが形成され、前記基板間の間隔を保って形成された空間に液晶が封止されてなる液晶表示装置において、
前記配向膜に配向性をもたせるための溝が形成された転写基板を前記基板に形成された配向膜表面に押し付けて、前記溝形状を前記配向膜に転写することで、前記配向膜に特定の方向に配向性を持たせるラビング処理を行った
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
対向する１対の基板に少なくとも液晶駆動用電極と液晶を特定の方向に配向させる配向膜とが形成され、前記基板間の間隔を保って形成された空間に液晶が封止されてなる液晶表示装置の製造方法において、
前記基板に形成された配向膜に特定の方向に配向性を持たせるラビング処理は、
前記配向膜に配向性をもたせるための溝が形成された転写ローラを用いて、該転写ローラに形成された溝形状を前記基板に形成された配向膜表面に転写することにより行う
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記配向膜に前記転写ローラに形成された溝を転写する際に、
前記基板を加熱する工程と、
前記基板を冷却する工程と
を備えたことを特徴とする請求項４記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
対向する１対の基板に少なくとも液晶駆動用電極と液晶を特定の方向に配向させる配向膜とが形成され、前記基板間の間隔を保って形成された空間に液晶が封止されてなる液晶表示装置において、
前記配向膜に配向性をもたせるための溝が形成された転写ローラを前記基板に形成された配向膜表面に転動させて押し付け、前記溝形状を前記配向膜に転写することで、前記配向膜に特定の方向に配向性を持たせるラビング処理を行った
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
基板に形成された配向膜に特定の方向に配向性を持たせるラビング処理を行うラビング装置であって、
ラビング処理がなされる配向膜が形成された基板を載置するステージと、
前記配向膜に配向性をもたせるための溝が形成された転写基板と、
前記転写基板を昇降自在にして、前記ステージに載置された基板に形成された配向膜に前記転写基板の溝が形成された面を押し付ける押し付け手段と
を備えたことを特徴とするラビング装置。
【請求項８】
前記ステージに、
前記基板を加熱する加熱手段と、
前記基板を冷却する冷却手段と
が備えられたことを特徴とする請求項７記載のラビング装置。
【請求項９】
前記転写基板に、
前記基板を加熱する加熱手段と、
前記基板を冷却する冷却手段と
が備えられたことを特徴とする請求項７記載のラビング装置。
【請求項１０】
基板に形成された配向膜に特定の方向に配向性を持たせるラビング処理を行うラビング装置であって、
ラビング処理がなされる配向膜が形成された基板を載置するステージと、
前記配向膜に配向性をもたせるための溝が形成された転写ローラと、
前記転写ローラを転動自在にして、前記ステージに載置された基板に形成された配向膜に前記転写ローラの溝が形成された面を転動させながら押し付ける転動押し付け手段と
を備えたことを特徴とするラビング装置。
【請求項１１】
前記ステージに、
前記基板を加熱する加熱手段と、
前記基板を冷却する冷却手段と
が備えられたことを特徴とする請求項１０記載のラビング装置。
【請求項１２】
前記転写ローラに、
前記基板を加熱する加熱手段と、
前記基板を冷却する冷却手段と
が備えられたことを特徴とする請求項１０記載のラビング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、塵埃の発生が少ないかつ配向性に優れたラビングが容易な液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置およびラビング装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置の製造においては、ラビング処理と呼ばれる工程を行う。これは、図７に示すように、基板間に封止される液晶を特定の方向（ラビング方向）に配向させるための工程であって、例えばポリイミド膜２２１に所定の方向（液晶を配向させたい方向）にキズをつけることにより形成される。通常、基板２１１に電極（図示せず）を形成した後、配向膜となるポリイミド膜２２１を形成する。このポリイミド膜は、通常、塗布技術により形成される。その後、ベルベット生地のようなバフ布２３１を円柱２４１に巻き付けたものを例えば矢印方向に回転させ、それをポリイミド膜２２１に擦り付けることでポリイミド高分子鎖がラビング方向に配向（ラビング処理）されることにより、配向膜を形成していた。すなわち、基板に配向膜を形成するポリイミド膜を貼り付けた後、ラビング処理を行っていた（例えば、非特許文献１参照。）
【０００３】
上記方法の問題点は、バフ布自体とバフ布を固定するための接着剤からの不純物がポリイミド膜に付着することであった。この根本原因は、基板へポリイミド膜を成膜した後に、ポリイミド膜にバフ布自体が直接的で機械的に接触することに問題がある。また、この方法は簡便で大面積処理が容易であるという特徴を持つが、ラビングによる静電気や塵の発生、定量的な配向処理の制御が困難である点が現在問題となっている。
【０００４】
【非特許文献１】松本正一、角田市良共著「液晶の基礎と応用」株式会社工業調査会出版、１９９１年発行
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
解決しようとする問題点は、ラビングによる静電気や塵の発生、定量的な配向処理の制御が困難である点である。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の液晶表示装置の製造方法は、対向する１対の基板に少なくとも液晶駆動用電極と液晶を特定の方向に配向させる配向膜とが形成され、前記基板間の間隔を保って形成された空間に液晶が封止されてなる液晶表示装置の製造方法において、前記基板に形成された配向膜に特定の方向の配向性を持たせるラビング処理は、前記配向膜に配向性をもたせるための溝が形成された転写基板を用いて、該転写基板に形成された溝形状を前記基板に形成された配向膜表面に転写することにより行うことを最も主要な特徴とする。
【０００７】
本発明の液晶表示装置は、対向する１対の基板に少なくとも液晶駆動用電極と液晶を特定の方向に配向させる配向膜とが形成され、前記基板間の間隔を保って形成された空間に液晶が封止されてなる液晶表示装置において、前記配向膜に配向性をもたせるための溝が形成された転写基板を前記基板に形成された配向膜表面に押し付けて、前記溝形状を前記配向膜に転写することで、前記配向膜に特定の方向の配向性を持たせるラビング処理を行ったことを最も主要な特徴とする。
【０００８】
本発明の液晶表示装置の製造方法は、対向する１対の基板に少なくとも液晶駆動用電極と液晶を特定の方向に配向させる配向膜とが形成され、前記基板間の間隔を保って形成された空間に液晶が封止されてなる液晶表示装置の製造方法において、前記基板に形成された配向膜に特定の方向の配向性を持たせるラビング処理は、前記配向膜に配向性をもたせるための溝が形成された転写ローラを用いて、該転写ローラに形成された溝形状を前記基板に形成された配向膜表面に転写することにより行うことを最も主要な特徴とする。
【０００９】
本発明の液晶表示装置は、対向する１対の基板に少なくとも液晶駆動用電極と液晶を特定の方向に配向させる配向膜とが形成され、前記基板間の間隔を保って形成された空間に液晶が封止されてなる液晶表示装置において、前記配向膜に配向性をもたせるための溝が形成された転写ローラを前記基板に形成された配向膜表面に転動させて押し付け、前記溝形状を前記配向膜に転写することで、前記配向膜に特定の方向に配向性を持たせるラビング処理を行ったことを最も主要な特徴とする。
【００１０】
本発明のラビング装置は、基板に形成された配向膜に特定の方向に配向性を持たせるラビング処理を行うラビング装置であって、ラビング処理がなされる配向膜が形成された基板を載置するステージと、前記配向膜に配向性をもたせるための溝が形成された転写基板と、前記転写基板を昇降自在にして、前記ステージに載置された基板に形成された配向膜に前記転写基板の溝が形成された面を押し付ける押し付け手段とを備えたことを最も主要な特徴とする。
【００１１】
本発明のラビング装置は、基板に形成された配向膜に特定の方向に配向性を持たせるラビング処理を行うラビング装置であって、ラビング処理がなされる配向膜が形成された基板を載置するステージと、前記配向膜に配向性をもたせるための溝が形成された転写ローラと、前記転写ローラを転動自在にして、前記ステージに載置された基板に形成された配向膜に前記転写ローラの溝が形成された面を転動しながら押し付ける転動押し付け手段とを備えたことを最も主要な特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の液晶表示装置の製造方法は、基板に形成された配向膜に特定の方向に配向性を持たせるラビング処理を、配向膜に配向性をもたせるための溝が形成された転写基板を用いて、該転写基板に形成された溝形状を基板に形成された配向膜表面に転写するため、ラビングによる静電気や塵の発生が無く、また予め配向方向、配向の程度が規定された転写基板を配向膜に押し付けることで配向膜に溝を転写して配向を得ることから、定量的な配向処理ができるという利点がある。
【００１３】
本発明の液晶表示装置は、配向膜に配向性をもたせるための溝が形成された転写基板を基板に形成された配向膜表面に押し付けるので、配向膜に溝を転写することができ、配向膜に特定の方向に配向性を持たせるラビング処理を行うことができるという利点がある。また、ラビングによる静電気や塵を発生すること無く配向処理ができるという利点がある。
【００１４】
本発明の液晶表示装置の製造方法は、基板に形成された配向膜に特定の方向に配向性を持たせるラビング処理を、配向膜に配向性をもたせるための溝が形成された転写ローラを用いて、該転写ローラに形成された溝形状を基板に形成された配向膜表面に転写するため、ラビングによる静電気や塵の発生が無く、また予め配向方向、配向の程度が規定された転写ローラを配向膜に転動させながら押し付けることで配向膜に溝を転写して配向を得ることから、定量的な配向処理ができるという利点がある。
【００１５】
本発明の液晶表示装置は、配向膜に配向性をもたせるための溝が形成された転写ローラを基板に形成された配向膜表面に転動させながら押し付けるので、配向膜に溝を転写することができ、配向膜に特定の方向に配向性を持たせるラビング処理を行うことができるという利点がある。また、ラビングによる静電気や塵を発生すること無く配向処理ができるという利点がある。
【００１６】
本発明のラビング装置は、ラビング処理がなされる配向膜が形成された基板を載置するステージと、配向膜に配向性をもたせるための溝が形成された転写基板と、転写基板を昇降自在にして、ステージに載置された基板に形成された配向膜に転写基板の溝が形成された面を押し付ける押し付け手段とを備えたため、ラビングによる静電気や塵の発生が無く、また予め配向方向、配向の程度が規定された転写基板を配向膜に押し付けることで配向膜に溝を転写して配向を得ることから、定量的な配向処理ができるという利点がある。
【００１７】
本発明のラビング装置は、ラビング処理がなされる配向膜が形成された基板を載置するステージと、配向膜に配向性をもたせるための溝が形成された転写ローラと、転写ローラを転動自在にして、ステージに載置された基板に形成された配向膜に転写基板の溝が形成された面を転動させながら押し付ける転動押し付け手段とを備えたため、ラビングによる静電気や塵の発生が無く、また予め配向方向、配向の程度が規定された転写ローラを配向膜に転動させながら押し付けることで配向膜に溝を転写して配向を得ることから、定量的な配向処理ができるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
ラビングによる静電気や塵の発生を無くし、かつ定量的な配向処理の制御を可能とするという目的を、ラビング処理を工夫することで、すなわち、予め配向膜に特定の方向の配向性を持たせるための転写手段を用意し、その転写手段に形成された溝を配向膜に転写することで、基板への配向膜の形成を従来のラビング処理を行わずに容易に実現した。
【実施例１】
【００１９】
本発明の液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置に係る第１実施例を、図１の概略構成図および図２の概略断面図によって説明する。
【００２０】
図１に示すように、配向膜２１が形成された基板１１を用意する。上記配向膜２１は、例えばポリビニルアルコール膜もしくはポリイミド膜で形成することができる。上記配向膜２１は、例えばポリイミド膜で形成される場合には、例えば１０ｎｍ〜１０μｍ程度の厚さに形成される。これは、液晶を配向させるために、配向膜２１には深さが１０ｎｍ程度の溝を形成する必要があること、および配向膜２１の透明性を確保する必要があることによる。上記基板１１は、少なくとも液晶駆動用電極が形成されたもので、例えば液晶駆動素子が形成されていてもよい。また、カラーフィルターが形成されたものであってもよい。すなわち、上記基板１１は、液晶表示装置に用いる配向膜を貼り付ける基板の全てが対象となる。
【００２１】
上記基板１１をステージ５１上に載置し、配向膜２１に配向性をもたせるための溝（図示せず）が形成された転写基板３１を用いて、この転写基板３１に形成された溝形状を上記配向膜２１表面に転写することにより、配向膜２１に特定の方向に配向性を持たせる配向処理を行う。すなわち、ラビング処理を行う。このラビング装置については、後に詳細に説明する。また、図２に示すように、上記転写基板３１は、例えば幅ｗが１μｍ〜１０μｍで、深さｈが１０ｎｍ〜５０ｎｍの溝３３が、例えば１ｎｍ〜１０μｍ、好ましくは１μｍ〜１０μｍの間隔ｄで形成されたものである。上記溝３３の断面形状は矩形断面、半円形断面、半楕円形断面、Ｖ字形断面もしくは台形断面であってもよい。ただし、溝３３の開口部より溝３３の底部の幅が広いような溝は好ましくない。
【００２２】
上記転写基板３１を配向膜２１に押し付ける際には、配向膜２１を加熱することが好ましい。加熱温度は、例えば配向膜２１が軟化する温度、例えば軟化点程度とすることが好ましい。例えば配向膜２１をポリイミド膜で形成した場合には、例えば８０℃〜１６０℃程度に加熱することが好ましい。この加熱方法は、例えば転写基板３１上に加熱手段（例えばヒータ）を設置してもよく、転写基板３１の内部に加熱手段（例えばヒータ）（図示せず）を配置したものであってもよく、または基板１１が載置されるステージ５１内部に加熱手段（例えばヒータ）（図示せず）を形成したものであってもよい。さらに転写基板３１を配向膜２１に押し付けるラビング処理の後に、配向膜２１と転写基板３１とを剥離し易くするために、上記加熱手段の熱容量を十分に小さくし、空冷しやすくするか、上記加熱手段に冷却手段（例えば冷却媒体送給用配管）を設置するか、いずれかの方法により、加熱手段の温度を速く冷却できるようにすることが最も望ましい。
【００２３】
また、転写基板３１を配向膜２１に押し付ける方法は、転写基板３１の全体に均一に圧力を加えるようにすることが好ましい。ただし、転写基板３１の耐久性が十分であるならば、転写基板３１上を転写基板３１側に圧力をかけながらローラを転動させることで、上記転写基板３１を配向膜２１に押し付ける方法であってもよい。なお、転写基板３１を均一に配向膜２１に押し付けるという点では、転写基板３１の全面に均一な圧力を加える方法が好ましいといえる。また、転写基板３１を配向膜２１に押し付ける圧力は、例えば転写基板３１の全面を均一に押し付ける場合には、９８０Ｐａ〜９８ＭＰａ程度とすることが好ましい。上記押し付け圧力とすることにより、基板１１および転写基板３１を損傷することなく、配向膜２１に対して確実にかつ正確に配向処理を行うことができる。
【００２４】
なお、転写基板３１の全面を均一に圧力をかける方法では、加熱手段の温度を速やかに下げて転写基板３１と配向膜２１とを剥離する方法を行う際の温度制御が困難になってしまう傾向がある。この対策としては、加熱手段を冷却する能力を大きくすることにより解決することができる。
【００２５】
上記第１実施例の液晶表示装置の製造方法は、基板１１に形成された配向膜２１に特定の方向に配向性を持たせるラビング処理を、配向膜２１に配向性をもたせるための溝３３が形成された転写基板３１を用いて、該転写基板３１に形成された溝３３の形状を基板１１に形成された配向膜２１表面に転写するため、ラビングによる静電気や塵の発生が無く、また予め配向方向、配向の程度が規定された転写基板３１を配向膜２１に押し付けることで配向膜２１に溝３３を転写して配向を得ることから、定量的な配向処理ができるという利点がある。
【００２６】
また、本発明の液晶表示装置は、上記第１実施例で説明した液晶表示装置の製造方法で形成されたものである。すなわち、対向する１対の基板１１に少なくとも液晶駆動用電極と液晶を特定の方向に配向させる配向膜２１とが形成され、基板１１間の間隔を保って形成された空間に液晶が封止されてなる液晶表示装置において、上記配向膜２１に配向性をもたせるための溝３３が形成された転写基板３１を基板１１に形成された上記配向膜２１表面に押し付けて、上記転写基板３１に形成された溝３３の形状を上記配向膜２１に転写することで、上記配向膜２１に特定の方向に配向性を持たせるラビング処理を行ったものである。
【００２７】
上記第１実施例の液晶表示装置は、配向膜２１に配向性をもたせるための溝３３が形成された転写基板３１を基板１１に形成された配向膜２１表面に押し付けるので、配向膜２１に溝３３を転写することができ、配向膜２１に特定の方向に配向性を持たせるラビング処理を行うことができるという利点がある。また、ラビングによる静電気や塵を発生すること無く配向処理ができるという利点がある。
【実施例２】
【００２８】
本発明の液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置に係る第２実施例を、図３の概略構成図および図４の概略断面図によって説明する。
【００２９】
図３に示すように、配向膜２１が形成された基板１１を用意する。上記配向膜２１は、例えばポリビニルアルコール膜もしくはポリイミド膜で形成することができる。上記配向膜２１は、例えばポリイミド膜で形成される場合には、例えば１０ｎｍ〜１０μｍ程度の厚さに形成される。これは、液晶を配向させるために、配向膜２１には深さが１０ｎｍ程度の溝を形成する必要があること、および配向膜２１の透明性を確保する必要があることによる。上記基板１１は、少なくとも液晶駆動用電極が形成されたもので、例えば液晶駆動素子が形成されていてもよい。また、カラーフィルターが形成されたものであってもよい。すなわち、上記基板１１は、液晶表示装置に用いる配向膜を貼り付ける基板の全てが対象となる。
【００３０】
上記基板１１をステージ５１上に載置し、配向膜２１に配向性をもたせるための溝（図示せず）が形成された転写ローラ４１を用いて、この転写ローラ４１を上記配向膜２１表面に押し付け（例えば矢印ア方向に押し付け）ながら転動（例えば矢印イ方向に転動）させることにより、この転写ローラ４１に形成された溝形状を上記配向膜２１表面に転写して、配向膜２１に特定の方向に配向性を持たせる配向処理を行う。すなわち、ラビング処理を行う。このラビング装置については、後に詳細に説明する。また、図４に示すように、上記転写ローラ４１は、円筒状のローラ表面に、例えば幅ｗが１μｍ〜１０μｍで、深さｈが１０ｎｍ〜５０ｎｍの溝４３が、例えば１ｎｍ〜１０μｍ、好ましくは１μｍ〜１０μｍの間隔ｄで形成されたものである。上記溝４３の断面形状は矩形断面、半円形断面、半楕円形断面、Ｖ字形断面もしくは台形断面であってもよい。ただし、溝４３の開口部より溝４３の底部の幅が広いような溝は好ましくない。
【００３１】
上記転写ローラ４１を配向膜２１に押し付ける際には、配向膜２１を加熱することが好ましい。加熱温度は、例えば配向膜２１の軟化する温度、例えば軟化点程度とすることが好ましい。例えば配向膜２１をポリイミド膜で形成した場合には、例えば８０℃〜１６０℃程度に加熱することが好ましい。この加熱方法は、例えば転写ローラ４１の内部に加熱手段（例えばヒータ）（図示せず）を配置したものであってもよく、または基板１１が載置されるステージ５１内部に加熱手段（例えばヒータ）（図示せず）を形成したものであってもよい。さらに、転写ローラ４１の配向膜２１に対する接触面積は小さいので（線状の接触であるため）、転写ローラ４１を配向膜２１に押し付けて転動させるラビング処理の後に、配向膜２１と転写ローラ４１とは剥離し易くなっている。さらに、ラビング処理の後において配向膜２１と転写ローラ４１とを剥離し易くするために、上記加熱手段の熱容量を十分に小さくし、空冷しやすくするか、上記加熱手段に冷却手段（例えば冷却媒体送給用配管）を設置するか、いずれかの方法により、加熱手段の温度を速く冷却できるようにすることが最も望ましい。
【００３２】
また、転写ローラ４１を配向膜２１に押し付ける圧力は、例えば９８０Ｐａ〜９８ＭＰａ程度とすることが好ましい。また、転写ローラ４１の回転速度は、例えば０．１ｒｐｍ〜１００ｒｐｍとすることが好ましい。上記押し付け圧力および回転速度とすることにより、基板１１を損傷することなく、配向膜２１に対して確実にかつ正確に配向処理を行うことができる。
【００３３】
上記第２実施例の液晶表示装置の製造方法は、基板１１に形成された配向膜２１に特定の方向に配向性を持たせるラビング処理を、配向膜２１に配向性をもたせるための溝４３が形成された転写ローラ４１を用いて、該転写ローラ４１に形成された溝４３の形状が基板１１に形成された配向膜２１表面に転写されるため、ラビングによる静電気や塵の発生が無い。また予め配向方向、配向の程度が規定された転写ローラ４１を配向膜２１に押し付けて転動させて、配向膜２１に溝４３を転写して配向を得ることから、定量的な配向処理ができるという利点がある。
【００３４】
また、本発明の第２実施例の液晶表示装置は、上記第２実施例で説明した液晶表示装置の製造方法で形成されたものである。すなわち、対向する１対の基板１１に少なくとも液晶駆動用電極と液晶を特定の方向に配向させる配向膜２１とが形成され、基板１１間の間隔を保って形成された空間に液晶が封止されてなる液晶表示装置において、上記配向膜２１に配向性をもたせるための溝４３が形成された転写ローラ４１を基板１１に形成された上記配向膜２１表面に押し付けて転動させ、上記転写ローラ４１に形成された溝４３の形状を上記配向膜２１に転写することで、上記配向膜２１に特定の方向に配向性を持たせるラビング処理を行ったものである。
【００３５】
上記第２実施例の液晶表示装置は、配向膜２１に配向性をもたせるための溝４３が形成された転写基板４１を基板１１に形成された配向膜２１表面に押し付けるので、配向膜２１に溝４３を転写することができ、配向膜２１に特定の方向に配向性を持たせるラビング処理を行うことができるという利点がある。また、ラビングによる静電気や塵を発生すること無く配向処理ができるという利点がある。
【００３６】
上記第１、第２実施例では、冷却手段として、転写基板３１内、転写ローラ４１内、ステージ５１内に冷却手段を設けることを説明したが、基板１１上部に室温程度またはそれ以下に冷却された冷却媒体（例えば窒素ガス、空気、希ガス等）を吹き付けることで冷却してもよい。ここで吹き付ける冷却媒体は室温を大きく下回る温度であってはならない。これは基板１１表面に霜を発生させてしまう恐れがあるからである。また、このことから吹き付ける冷却媒体は乾燥していることが望ましい。以上を総合すると、例えば、０％〜５０％程度の湿度を有し、かつ０℃〜２５℃程度の温度の乾燥空気を用いるのが望ましい。
【００３７】
また、上記第１、第２実施例に用いる配向膜２１は、上記説明したように、ポリイミド膜を用いることができ、その膜厚は１０ｎｍ〜１０μｍ程度であることが望ましい。これは、液晶を配向させるためにポリイミド膜に必要となる１０ｎｍ程度以上の深さの溝を確保するためと、ポリイミド膜の透明度を保つためである。またポリイミド膜には、１０ｎｍ〜５０ｎｍ程度の配向させるための溝を確保する必要があることから、転写基板３１および転写ローラ４１には１０ｎｍ〜５０ｎｍ程度の深さの溝３３および溝４３を形成しておくことが必要である。また、溝と溝との間は液晶表示装置の画素の大きさよりも狭い間隔とする必要がある。つまり、１ｎｍ〜１０μｍ程度とする必要がある。さらに転写された溝の幅は液晶が入り込む幅であることが求められ、画素と同等の幅であることも求められる。つまり、１μｍ〜１０μｍである必要がある。転写された溝の断面形状は液晶が入り込む形状である必要がある。また、転写基板３１および転写ローラ４１の押し付けにより形成できる形状とすることとなる。したがって、上記図２および図４によって説明した形状をとることができる。
【実施例３】
【００３８】
本発明のラビング装置に係る第１実施例を、図５の概略構成図および拡大断面図によって説明する。
【００３９】
図５に示すように、ラビング装置７１は、基板１１に形成された配向膜２１に特定の方向に配向性を持たせるラビング処理を行うラビング装置であって、ラビング処理がなされる配向膜２１が形成された基板１１を載置するステージ５１が備えられている。このステージ５１の基板載置面側に対向する位置には、配向膜２１に配向性をもたせるための溝３３が形成された転写基板３１が押し付け手段５３に設置されて昇降自在に設けられている。この押し付け手段５３は、転写基板３１を昇降自在にさせるもので、かつ転写基板３１を配向膜２１に対して均一な圧力で押し付けるものである。
【００４０】
上記転写基板３１もしくは上記ステージ５１には、図示はしないが、冷却手段と過熱手段が設けられている。これらの加熱手段と冷却手段は、上記液晶表示装置の製造方法の第１、第２実施例で説明したような構成をとることができる。すなわち、この加熱手段は、例えば転写基板３１の内部に加熱手段（例えばヒータ）を配置したものであってもよく、または基板１１が載置されるステージ５１内部に加熱手段（例えばヒータ）を形成したものであってもよい。すなわち加熱手段は配向膜２１を加熱するものであればよい。さらに転写基板３１を配向膜２１に押し付けるラビング処理の後に、配向膜２１と転写基板３１とを剥離し易くするために、上記加熱手段の熱容量を十分に小さくし、空冷しやすくするか、上記加熱手段に冷却手段（例えば冷却媒体送給用配管）を設置するか、いずれかの方法により、加熱手段の温度を速く冷却できるようにすることが最も望ましい。
【００４１】
上記ラビング装置７１の動作は、配向膜２１が形成された基板１１を、配向膜２１を上にしてステージ５１に載置する。その後、押し付け手段５３によって転写基板３１の溝３３が形成されている側を配向膜２１に対して均一な押し付け圧力となるように、押し付ける。このとき、加熱手段によって配向膜２１を加熱して軟化させておくことが好ましい。そして、所定の時間、すなわち、配向膜２１に転写基板３１の溝３３が転写されたならば、配向膜２１より転写基板３１を剥離し、ラビング処理が終了する。これによって、配向膜２１には、特定の方向に転写基板３１の溝３３が転写され、転写後は転写基板３１の溝に対応する部分が配向膜２１では線状部が形成される。
【００４２】
第１実施例のラビング装置７１は、ラビング処理がなされる配向膜２１が形成された基板１１を載置するステージ５１と、配向膜２１に配向性をもたせるための溝３３が形成された転写基板３１と、転写基板３１を昇降自在にして、ステージ５１に載置された基板１１に形成された配向膜２１に転写基板３１の溝３３が形成された面を押し付ける押し付け手段５３とを備えたため、ラビングによる静電気や塵の発生が無く、また予め配向方向、配向の程度が規定された転写基板３１を配向膜２１に押し付けることで配向膜２１に溝３３を転写して配向性を得ることから、定量的な配向処理ができるという利点がある。
【実施例４】
【００４３】
次に、本発明のラビング装置に係る第２実施例を、図６の概略構成図および拡大断面図によって説明する。
【００４４】
図６に示すように、ラビング装置７３は、基板１１に形成された配向膜２１に特定の方向に配向性を持たせるラビング処理を行うラビング装置であって、ラビング処理がなされる配向膜２１が形成された基板１１を載置するステージ５１が備えられている。このステージ５１の基板載置面側に対向する位置には、配向膜２１に配向性をもたせるための溝４３が形成された転写ローラ４１が押し付け手段５５とともに設けられている。この押し付け手段５５は、転写ローラ４１を回動自在かつ昇降自在にさせるもので、かつ転写ローラ４１を配向膜２１に対して均一な圧力で押し付けるものである。
【００４５】
上記転写ローラ４１もしくは上記ステージ５１には、図示はしないが、冷却手段と過熱手段が設けられている。これらの加熱手段と冷却手段は、上記液晶表示装置の製造方法の第１、第２実施例で説明したような構成をとることができる。すなわち、この加熱手段は、例えば転写ローラ４１の内部に加熱手段（例えばヒータ）を配置したものであってもよく、または基板１１が載置されるステージ５１内部に加熱手段（例えばヒータ）を形成したものであってもよい。さらに転写基板３１を配向膜２１に押し付けるラビング処理の後に、配向膜２１と転写ローラ４１とを剥離し易くするために、上記加熱手段の熱容量を十分に小さくし、空冷しやすくするか、上記加熱手段に冷却手段（例えば冷却媒体送給用配管）を設置するか、いずれかの方法により、加熱手段の温度を速く冷却できるようにすることが最も望ましい。
【００４６】
上記ラビング装置７３の動作は、配向膜２１が形成された基板１１を、配向膜を上にしてステージ５１に載置する。その後、押し付け手段５５によって溝４３が形成されている転写ローラ４１を配向膜２１に対して均一な押し付け圧力となるように、例えば矢印ア方向に押し付け、例えば矢印イ方向に転動させる。このとき、加熱手段によって配向膜２１を加熱して軟化させておくことが好ましい。そして、所定の時間、すなわち、配向膜２１に転写ローラ４１の溝４３が転写されたならば、配向膜２１より転写ローラ４１を剥離し、ラビング処理が終了する。これによって、配向膜２１には、特定の方向に転写ローラ４１の溝４３が転写され、転写後は転写ローラ４１の溝４３に対応する部分が配向膜２１では線状部が形成される。
【００４７】
本発明のラビング装置７３は、ラビング処理がなされる配向膜２１が形成された基板１１を載置するステージ５１と、配向膜２１に配向性をもたせるための溝４３が形成された転写ローラ４１と、転写ローラ４１を転動自在にして、ステージ５１に載置された基板１１に形成された配向膜２１に転写基板３１の溝３３が形成された面を転動させながら押し付ける押し付け手段５５とを備えたため、ラビングによる静電気や塵の発生が無く、また予め配向方向、配向の程度が規定された転写ローラ４１を配向膜２１に転動させながら押し付けることで配向膜２１に溝を転写して配向を得ることから、定量的な配向処理ができるという利点がある。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明は、一般的な液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置およびラビング装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置に係る第１実施例を示す概略構成図である。
【図２】本発明の液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置に係る第１実施例を示す概略断面図である。
【図３】本発明の液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置に係る第２実施例を示す概略構成図である。
【図４】本発明の液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置に係る第２実施例を示す概略断面図である。
【図５】本発明のラビング装置に係る第１実施例を示す概略構成図および拡大断面図によって説明する。
【図６】本発明のラビング装置に係る第２実施例を示す概略構成図および拡大断面図によって説明する。
【図７】従来のラビング処理を説明する概略斜視図である。
【符号の説明】
【００５０】
１１…基板、２１…配向膜、３１…転写基板、３３…溝
【図１】
2005148194.tif 000003
【図２】
2005148194.tif 000004
【図３】
2005148194.tif 000005
【図４】
2005148194.tif 000006
【図５】
2005148194.tif 000007
【図６】
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【図７】
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