(57)【要約】【課題】  より簡易な製造工程で作製することが可能な、又は調心工程を行う必要がない、若しくは、より少ない調心工程で作成することが可能な光伝送路基板を作製できる製造方法を提供する。【解決手段】  基材４０上に導電性材料を含む層を形成する第１工程と、前記基材４０上に形成された前記導電性材料を含む層をパターニングして、少なくとも一部は電気回路用の、一部は光伝送路を位置的に規制する配線パターン１５を形成する第２工程を備えた、光伝送路基板の製造方法。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に導電性材料を含む層を形成する第１工程と、
前記基材上に形成された前記導電性材料を含む層をパターニングして、少なくとも一部は電気回路用の、一部は光伝送路を位置的に規制する配線パターンを形成する第２工程を備えた、光伝送路基板の製造方法。
【請求項２】
前記光伝送路を位置的に規制する配線パターンは、前記規制を行うガイド壁を形成する、請求項１記載の光伝送路基板の製造方法。
【請求項３】
前記第２工程は、前記配線パターンとして、一部が前記光伝送路基板に実装される光素子を位置決めする光学素子マーカー用として用いられる配線パターンを形成する工程である、請求項１記載の光伝送路基板の製造方法。
【請求項４】
前記第２工程は、前記配線パターンとして、一部が前記電気回路用、前記ガイド壁、及び前記光学素子マーカー用から選択される２つ又は全てを兼ねている配線パターンを形成する工程である、請求項３記載の光伝送路基板の製造方法。
【請求項５】
前記第２工程の後に、前記光伝送路を位置的に規制する配線パターンの上部にガイド層を積層するＡ工程を更に備えた、請求項１記載の光伝送路基板の製造方法。
【請求項６】
前記第２工程の後に、前記電気回路用として用いられる配線パターンの上部を削るＢ工程を更に備えた、請求項１記載の光伝送路基板の製造方法。
【請求項７】
前記第１工程の後に、前記導電性材料を含む層の上部に、前記導電性材料を含む層とは材料の異なる層を積層するＣ工程を更に備え、
前記Ｂ工程は、前記材料の異なる層を削る工程である、請求項６記載の光伝送路基板の製造方法。
【請求項８】
前記ガイド壁として用いられる配線パターンに基づいて光伝送路を配置する第３工程と、
前記配線パターン及び前記光伝送路を覆うように、前記基材上に光伝送路を保持するための保持基板を形成する第４工程と、
前記保持基板から前記基材を取り除く第５工程を備えた、請求項２記載の光伝送路基板の製造方法。
【請求項９】
前記第２工程は、前記配線パターンに対応したマスクを用いて、前記導電性材料を含む層をエッチングすることにより前記配線パターンを形成する工程である、請求項１記載の光伝送路基板の製造方法。
【請求項１０】
前記光伝送路は、光ファイバであり、
前記ガイド壁の前記保持基板の表面に対する垂直方向の長さは、前記光ファイバの半径よりも大きくなるように形成される、請求項２記載の光伝送路基板の製造方法。
【請求項１１】
前記光伝送路が前記ガイド壁に実質的に接する様に、所定の間隔を保って前記ガイド壁が形成されている、請求項１０記載の光伝送路基板の製造方法。
【請求項１２】
前記光伝送路の上方に配置される様に、前記配線パターン上に光素子を実装する第６工程を更に備え、
前記光素子は、レーザー素子又は受光素子である、請求項４記載の光伝送路基板の製造方法。
【請求項１３】
光伝送路と、
前記光伝送路を保持する保持基板と、
前記保持基板上に形成された、一部が電気回路用に用いられる配線パターンとを備え、
前記光伝送路は、一部の前記配線パターンにより位置的に規制されている、光伝送路基板。
【請求項１４】
前記光伝送路は、前記配線パターンの下部に形成されたガイド壁の間に配置されている、請求項１３記載の光伝送路基板。
【請求項１５】
前記配線パターンは、前記保持基板の厚み方向に所定の厚みを持って形成されており、
前記光伝送路は、前記配線パターンをガイド壁として、前記配線パターンの間に配置されている、請求項１３記載の光伝送路基板。
【請求項１６】
前記光伝送路は、前記ガイド壁に実質的に接する様に配置されている、請求項１４又は１５記載の光伝送路基板。
【請求項１７】
前記光伝送路は、前記保持基板に埋設されており、前記保持基板の上面と実質的に同一面上に、前記光伝送路の最上部が配置されている、請求項１３記載の光伝送路基板。
【請求項１８】
前記配線パターンは、前記保持基板の上面よりも低い部分を有している、請求項１３記載の光伝送路基板。
【請求項１９】
前記保持基板の上面よりも低い部分は、ランド部である、請求項１８記載の光伝送路基板。
【請求項２０】
前記光伝送路は、光ファイバである、請求項１３に記載の光伝送路基板。
【請求項２１】
請求項１３〜２０のいずれかに記載の光伝送路基板と、
前記光伝送路基板上に実装されたメモリＬＳＩ及びロジックＬＳＩのうち少なくとも１つの半導体素子と、
前記配線パターンの一部に実装されたレーザー素子及び／又は受光素子とを備え、
前記光伝送路基板は複数の前記光伝送路を有する、データ処理装置。
【請求項２２】
導電性材料を含む層をパターニングしてなる、少なくとも、一部は電気回路用の、一部は光伝送路マーカー用の配線パターンを保持基板上に埋め込む第１工程と、
前記光伝送路マーカー用の配線パターンを前記保持基板上から除去することにより、前記保持基板上に、前記光伝送路用の溝を作成する第２工程とを備えた、光伝送路基板の製造方法。
【請求項２３】
導電性材料を含む層をパターニングしてなる、少なくとも、一部は電気回路用の、一部は光伝送路マーカー用の配線パターンを保持基板上に埋め込む第１工程と、
前記配線パターンのうち、隣接するものの間にある、基板部分の一部を除去することにより、前記保持基板上に、前記光伝送路用の溝を作成する第２工程とを備えた、光伝送路基板の製造方法。
【請求項２４】
前記第１工程は、前記配線パターンとして、光学素子を位置決めするための光学素子マーカー用として用いられる配線パターンを形成する、請求項２２または２３に記載の、光伝送路基板の製造方法。
【請求項２５】
前記第１工程は、前記配線パターンとして、一部が前記電気回路用と前記光学素子マーカー用とを兼ねている配線パターン、又は一部が前記光学素子マーカー用と前記光伝送路マーカー用とを兼ねている配線パターンを形成する工程である、請求項２４記載の光伝送路基板の製造方法。
【請求項２６】
前記第１工程は、前記配線パターンとして、一部が前記電気回路用、前記光学素子マーカー用、及び前記光伝送路マーカー用から選択される２つ又は全てを兼ねている配線パターンを形成する工程である、請求項２４記載の光伝送路基板の製造方法。
【請求項２７】
前記第２工程は、前記基板部分に対応したマスクを用いて、エッチングすることにより前記溝を作成する工程である、請求項２４記載の光伝送路基板の製造方法。
【請求項２８】
前記導電性材料を含む層は、樹脂と無機フィラーを含むコンポジット材料である、請求項２２または２３に記載の光伝送路基板の製造方法。
【請求項２９】
前記第１工程は、前記配線パターンに対応するマスクを用いて、前記導電性材料を含む層をエッチングすることにより前記配線パターンを形成する工程である、請求項２２または２３記載の光伝送路基板の製造方法。
【請求項３０】
前記溝に光伝送路を配置する第３工程を更に備えた、請求項２２または２３に記載の光伝送路基板の製造方法。
【請求項３１】
前記光伝送路の上方に配置される様に前記配線パターンに光学素子を実装する第４工程を更に備え、
前記光学素子とは、レーザー素子及び受光素子の少なくとも一方である、請求項３０記載の光伝送路基板の製造方法。
【請求項３２】
前記光伝送路とは光ファイバである、請求項１、２２、２３のいずれかに記載の光伝送路基板の製造方法。
【請求項３３】
基板と、
前記基板上に形成され、複数の配線を含む配線パターンと、
前記基板内に埋設された複数の光伝送路と、を備え、
前記複数の光伝送路は、前記基板の厚み方向に複数配列されており、
前記複数の光伝送路のそれぞれの一端周辺において、前記配線パターンと電気的に接続される光素子が前記光伝送路と光学的に接続可能である光伝送路内蔵基板。
【請求項３４】
前記基板は、複数のサブ基板を含む積層基板であり、
前記各サブ基板毎に、単数又は複数の前記光伝送路が前記厚み方向に配列されている請求項３３記載の光伝送路内蔵基板。
【請求項３５】
前記光伝送路は、前記厚み方向に実質上直交する方向にも複数配列されている請求項３４記載の光伝送路内蔵基板。
【請求項３６】
前記複数の光伝送路は、前記基板の同一層内で、前記厚み方向に配列されている請求項３３記載の光伝送路内蔵基板。
【請求項３７】
前記光伝送路は、前記厚み方向に実質上直交する方向にも複数配列されている請求項３６記載の光伝送路内蔵基板。
【請求項３８】
前記光伝送路は、前記複数の配線の間に埋設されている請求項３３記載の光伝送路内蔵基板。
【請求項３９】
前記複数の光伝送路は、それぞれ光ファイバである請求項３３記載の光伝送路内蔵基板。
【請求項４０】
前記基板は、樹脂と無機フィラーとを含むコンポジット材料から構成されている請求項３４記載の光伝送路内蔵基板。
【請求項４１】
前記光素子は、面発光型垂直共振器レーザである請求項３３記載の光伝送路内蔵基板。
【請求項４２】
前記面発光型垂直共振器レーザの発光面と、前記基板の表面とは対向しており、
前記発光面には、複数の発光点が配列されている請求項４１記載の光伝送路内蔵基板。
【請求項４３】
前記光伝送路の前記一端は、実質上４５°の角度にカットされている請求項３３記載の光伝送路内蔵基板。
【請求項４４】
前記光伝送路の前記一端の前記周辺には、当該光伝送路の一端と前記光素子とを光接続するための傾斜面が設けられている請求項３４記載の光伝送路内蔵基板。
【請求項４５】
請求項３３に記載の光伝送路内蔵基板と、
前記光伝送路内蔵基板上に配置された前記光素子と、
前記光伝送路内蔵基板上に実装された半導体素子と、を備えたデータ処理装置。
【請求項４６】
配線パターンの全部又は一部を形成する第１工程と、
光伝送路を位置決めするためのガイド手段を、前記配線パターンを利用して、又は、前記配線パターンの少なくとも一部と共に形成する第２工程と、
前記ガイド手段を利用して前記光伝送路を埋設し、サブ基板を形成する第３工程と、
前記サブ基板を複数用意して、それら複数のサブ基板を積層する第４工程と、
を備えた光伝送路内蔵基板の製造方法。
【請求項４７】
配線パターンの全部又は一部を形成する第１工程と、
光伝送路を位置決めするためのガイド手段を、前記配線パターンを利用して、又は、前記配線パターンの少なくとも一部と共に形成する第２工程と、
前記ガイド手段を利用して前記光伝送路を複数埋設し、基板を形成する第３工程とを備え、
前記第３工程では、前記光伝送路を前記基板の厚み方向に複数配列する光伝送路内蔵基板の製造方法。
【請求項４８】
前記第１工程と第２工程とは、実質上同時に行うものであり、前記ガイド手段を前記配線パターンに含まれる所定の配線と共に形成する請求項４６又は４７記載の光伝送路内蔵基板の製造方法。
【請求項４９】
前記光伝送路は一方の端面が傾斜面である光ファイバであり、前記傾斜面が、前記配線パターンと電気的に接続される光素子が実装される前記基板の面と反対側に向く様に前記光ファイバを埋設する請求項４６又は４７記載の光伝送路内蔵基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光伝送路基板の製造方法、光伝送路基板、光伝送路内蔵基板、光伝送路内蔵基板の製造方法、およびデータ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近の光通信や光情報処理の高度化に伴って、光部品を高密度かつ経済的に集積できるような光回路実装技術、又は光モジュールが果たす役割は、ますます重要となっている。従来の光モジュールとしては、例えば図５０に示すものを挙げることができる（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
図５０に示す様に、従来の光モジュール１０００は、Ｓｉ基板（Ｓｉテラス）１１０１と、光ファイバ１１０２と、半導体レーザ（光素子）１１０５とから構成されている。Ｓｉ基板１１０１にはガイド溝（Ｖ溝）１１０４が形成されており、そのガイド溝１１０４に沿って光ファイバ１１０２は固定されている。Ｓｉ基板１１０１には、電気配線１１０６および位置決め基準面（位置決め用マーカー）１１０３ａ、１１０３ｂ、１１０３ｃが形成されており、位置決め基準面１１０３ａ、１１０３ｂ、１１０３ｃを利用して、半導体レーザ１１０５はＳｉ基板１１０１上に実装されて、電気配線１１０６に接続される。すなわち、光モジュール１０００では、Ｓｉ基板１１０１上にて光ファイバ１１０２と半導体レーザ（ＬＤ）１１０５との集積が実現されており、電気配線１１０６を用いて駆動することができる。図５０に示した構成では、Ｓｉ基板１１０１の加工性の良さを利用して、精度良くガイド溝１１０４ができるので、光ファイバ１１０２と、半導体レーザ（ＬＤ）１１０５やフォトディテクタ（ＰＤ）等の光素子との一体化を容易に実現することができる。
【０００４】
また、図５１に示すように、光ファイバではなく、Ｓｉ基板１１０１上に光導波路１１２６を形成した光モジュール２０００もある（同じく特許文献１参照）。
【０００５】
図５１に示した光モジュール２０００では、Ｓｉ基板１１０１上に形成された光導波路１１２６と、Ｓｉ基板１１０１に形成された凹部に半田バンプ１１２８を介して実装された光半導体素子１１２７とが光接続している。
【０００６】
次に、図５２を参照しながら、光通信を行う通信系装置３０００の実装階層について説明する。図５２に示した通信系装置３０００は、ブックシェルフ実装と呼ばれる方法で装置化されている。この方法は経済性と実装密度の点で優れており、一般的に用いられている。
【０００７】
以下、さらに説明を続ける。
【０００８】
通信系装置３０００を構成する要素の一つとして、半導体素子（ＬＳＩチップ）１１３０があり、半導体素子１１３０が複数個集積されてＭＣＭ（マルチ・チップ・モジュール）１１３１となり、そして、ＭＣＭ１１３１はボード（プリント基板）１１３３に実装されて、ボードアセンブリとなる。幾つかのボードアセンブリによってサブラック１１３５が形成され、複数のサブラック１１３５が筐体１１３７に収納されて通信系装置３０００が構築されている。
【０００９】
ブックシェルフ実装の実装階層を分類すると、６レベルに分けることができる。Ｌｅｖｅｌ−０がチップ内（〜１ｍｍ）、Ｌｅｖｅｌ−１がチップ間（〜１ｃｍ）、Ｌｅｖｅｌ−２がボード内（〜１０ｃｍ）、Ｌｅｖｅｌ−３がサブラック内（〜１ｍ）、Ｌｅｖｅｌ−４がサブラック間（〜１０ｍ）で、Ｌｅｖｅｌ−５が装置・システム間（〜１００ｍ）である（カッコ内は伝送距離）。このような階層の中で、伝送距離が１ｍを超える範囲（Ｌｅｖｅｌ−３又はＬｅｖｅｌ−４以上）では、伝送媒体としての光ファイバの優位性が生きてくるので、光モジュール（例えば、図５０に示したもの）と光ファイバとの組み合わせを利用するメリットが大きい。一方、今日、ボード内（Ｌｅｖｅｌ−２）での伝送は、プリント基板の銅配線パターンが一般的に使用されており、すなわち、光ではなく電気で行われる。
【００１０】
一方、特許文献２には、光ファイバを内蔵した配線基板（プリント基板）が開示されている。特許文献２に開示された配線基板を、図５３および図５４（ａ）および（ｂ）に示す。
【００１１】
図５３に示した配線基板４０００は、絶縁基板１２０１から構成されており、絶縁基板１２０１は複数数の絶縁層１２０２からなる。絶縁層１２０２には配線回路層１２０３が形成されており、異なる層に位置する配線回路層１２０３は、ビアホール導体１２０４によって接続されている。又、複数の絶縁層のうちの１つである絶縁層１２０２ａには、光ファイバーなどの繊維状の光導波路体１２０５が埋設されている。
【００１２】
そして、図５４（ａ）の平面図に示すように、絶縁基板１２０１の内部には、繊維状の光導波路体１２０５が埋設されており、この光導波路体１２０５によって光信号を伝送可能な光導波回路が形成されている。図５４（ａ）中のＸ−Ｘ’線に沿った断面図が図５４（ｂ）である。尚、図５４（ａ）に示す絶縁基板１２０１の内部はあくまで説明用の概略図であり、図５３の断面図と必ずしも一致していない。
【００１３】
図５４（ａ）、図５４（ｂ）に示す様に、この光導波回路の一端には、光コネクタ１２０６が絶縁基板１２０１の側面に一体的に取り付けられている。また、絶縁基板１２０１の内部または側面には、光信号から電気信号に変換し得る光電気変換素子１２０７が取り付けられている。光電気変換素子１２０７で光信号から電気信号に変換された信号は、絶縁基板１２０１内の配線回路層１２０８（図５３では、配線回路１２０３に対応）やビアホール導体１２０４を経由して、絶縁基板１２０１に搭載された電子素子または電気コネクタ１２０９と電気的に接続される。
【００１４】
又、特許文献３では、大量の光ファイバを配線することができる光配線板が開示されている。
【００１５】
特許文献３に開示された光配線板を図５５に示す。図５５に示した光配線板５０００は、１本または２本以上の各光ファイバ１３１１が一筆書きの手法を用いて基板に搭載されたものであり、光配線板５０００において光ファイバ１３１１は一部分において積層されている。
【００１６】
図示された光配線板５０００は、４層構造を持ち、光ファイバ１３１１は、基板１３１２、１３１２’上に配置されて、光ファイバ１３１１の端部１３１３は、同一平面上に並び、端部１３１４は多層化されている。
【特許文献１】特開平８−７８６５７号公報
【特許文献２】特開２０００−３４０９０７号公報
【特許文献３】特開２０００−６６０３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
図５０に示す光モジュール１０００のような光モジュールを製造する場合、従来の製造方法では、電気配線１１０６をエッチング等により、基板１１０１上に作製した後に、切削等によりガイド溝１１０４を作製していた。この様に電気配線１１０６とガイド溝１１０４の製造工程が完全に分断されるため、製造工程が複雑になり時間がかかり、コストも高くなっていた。
【００１８】
又、図５０に示した光モジュール１０００の場合、一見、当該モジュールを容易に作製できるように思えるが、実際には、各光ファイバ１１０２について光素子１１０５との調心を行わなくてはならず、その調心工程が非常に煩雑である。なお、ここで「調心」とは、光伝送路（光ファイバ）と光素子（例えば、半導体レーザー）との光軸を合わせる工程を意味するものとする。
【００１９】
例えば光ファイバ１１０２がシングルモードファイバのときに、光ファイバ１１０２と光素子１１０５とのずれは、サブミクロンオーダしか許容されていない。しかし、Ｓｉ基板１０１にガイド溝（Ｖ溝）１０４を形成する際のずれ（公差）と、電気配線１１０６とともに形成される、光素子の位置決め基準面１１０３ａ、１１０３ｂ、１１０３ｃを形成する際のずれ（公差）との両者を考えると、光素子の位置決め基準面１１０３ａ、１１０３ｂ、１１０３ｃに合わせて光素子１１０５を実装しただけでは、光ファイバ１１０２と光素子１１０５との間のずれが許容範囲以上となる場合が発生し、それゆえ、調心が必要となる。
【００２０】
又、図５１に示した構成の場合でも、半田バンプ１１２８の下に位置する電気配線（不図示）と、光導波路１１２６とを別工程で作製するため、同様に、光ファイバ１１０２と光素子１１０５とのずれの問題が生じる。
【００２１】
また仮に、図５１に示した光モジュール２０００において、光ファイバ１１０２と光素子１１０５とのずれの問題が生じないとしても、光ファイバ１１０２を用いる場合と比べて、Ｓｉ基板１１０１上に光導波路１１２６を形成する場合はコストが高くなるので、経済性の観点から問題が生じ得る。
【００２２】
経済性の観点からは、例えば図５２に示した通信系装置３０００におけるボード内（Ｌｅｖｅｌ−２）伝送で、プリント基板の銅配線パターンを用いるのが有利であるが、それでは、伝送速度の限界が低くなってしまうという問題が生じる。これは、光インターコネクションでＧＨｚレベルの伝送が可能でも、電気インターコネクションではＭＨｚレベルの伝送となってしまうからである。
【００２３】
又、図５３および図５４に示した配線基板４０００の場合、絶縁基板１２０１に埋設されている光導波路体１２０５と光電気変換素子１２０７との調心を行う必要があるので、その調心工程が煩雑となるためコストが高くなる。
【００２４】
さらに、図５２に示した通信系装置３０００内のボード内伝送において、電気インターコネクションを光インターコネクションに代えて、伝送速度の問題を解決すると、基板上に非常に多くの光ファイバ又は光導波路を配置することが必要となり、現実のデバイス構造を考えると、別の問題が生じる。具体的には、基板表面が光ファイバ等で埋め尽くされてしまう結果、取り扱いが難しくなり、また基板自体の寸法も大型化するとともに、光ファイバ等の断線による故障率の増大なども懸念される。
【００２５】
そこで、限られた領域内で数多く光ファイバ又は光伝送路を配列させるために、光ファイバ又は光伝送路を多段化させようとしても、図５０および図５１に示した光モジュール１０００，２０００のような構成においてどのようにして多段化させてよいかは難しい問題であり容易には思いつかない。この問題を解決するには新たな発想が必要となる。すなわち、図５０に示した光モジュール１０００では、Ｓｉ基板１１０１にガイド溝（Ｖ溝）１１０４を形成して、そのガイド溝１１０４に光ファイバ１１０２を固定しているので、基本的に１段配列の構成を取らざるを得ない。一方、図５１に示した光モジュール２０００は、Ｓｉ基板１１０１上に光導波路１１２６を形成するものであり、これも基本的に１段配列の構成を前提としている。
【００２６】
又、図５３および図５４に示した配線基板４０００では、光導波路体１２０５が埋設された絶縁層１２０２ａが一つの場合を開示しているが、仮にそれを複数層設ける構成とすると、光電気変換素子１２０７の取り付け方法について新たな問題が生じる。また、特許文献２では、絶縁基板１２０１に埋設されている光導波路体１２０５と光電気変換素子１２０７とが異なる階層に配置されている場合については、開示が無く、従って、その位置を正確に調整して、両者の光接続を行う手法についての開示も示唆もない。又、図５５に示した光配線板５０００は、光ファイバを内蔵する基板ではあるものの、この光配線板５０００の光ファイバすべてに、直接、光電気変換素子１２０７を取り付けることに関する開示も示唆も無い。従って、その位置を正確に調整して、両者の光接続を行うことは非常に困難である。
【００２７】
上記従来の課題を考慮して、本発明の目的は、より簡易な製造工程で作製することが可能な光伝送路基板の製造方法、光伝送路基板、及び光伝送路基板を用いたデータ処理装置を提供することである。又、本発明の別の目的は、調心工程を行う必要がない、若しくは、より少ない調心工程で作成することが可能な光伝送路基板の製造方法、光伝送路基板、及び光伝送路基板を用いたデータ処理装置を提供することである。
【００２８】
また本発明の目的は、より低コストで作製することができる光伝送路基板の製造方法を提供することである。
【００２９】
また、本発明のさらなる他の目的は、光素子（例えば、半導体レーザ）を実装することが可能で、多数の光伝送路（例えば、光ファイバ）を効率良く設けることが可能な光伝送路内蔵基板を提供するとともに、そのような光伝送路内蔵基板を備えたデータ処理装置および光伝送路内蔵基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００３０】
第１の本発明は、基材上に導電性材料を含む層を形成する第１工程と、
前記基材上に形成された前記導電性材料を含む層をパターニングして、少なくとも一部は電気回路用の、一部は光伝送路を位置的に規制する配線パターンを形成する第２工程を備えた、光伝送路基板の製造方法である。
【００３１】
第２の本発明は、前記光伝送路を位置的に規制する配線パターンは、前記規制を行うガイド壁を形成する、第１の本発明の光伝送路基板の製造方法である。
【００３２】
第３の本発明は、前記第２工程は、前記配線パターンとして、一部が前記光伝送路基板に実装される光素子を位置決めする光学素子マーカー用として用いられる配線パターンを形成する工程である、第１の本発明の光伝送路基板の製造方法である。
【００３３】
第４の本発明は、前記第２工程は、前記配線パターンとして、一部が前記電気回路用、前記ガイド壁、及び前記光学素子マーカー用から選択される２つ又は全てを兼ねている配線パターンを形成する工程である、第３の本発明の光伝送路基板の製造方法である。
【００３４】
第５の本発明は、前記第２工程の後に、前記光伝送路を位置的に規制する配線パターンの上部にガイド層を積層するＡ工程を更に備えた、第１の本発明の光伝送路基板の製造方法である。
【００３５】
第６の本発明は、前記第２工程の後に、前記電気回路用として用いられる配線パターンの上部を削るＢ工程を更に備えた、第１の本発明の光伝送路基板の製造方法である。
【００３６】
第７の本発明は、前記第１工程の後に、前記導電性材料を含む層の上部に、前記導電性材料を含む層とは材料の異なる層を積層するＣ工程を更に備え、
前記Ｂ工程は、前記材料の異なる層を削る工程である、第６の本発明の光伝送路基板の製造方法である。
【００３７】
第８の本発明は、前記ガイド壁として用いられる配線パターンに基づいて光伝送路を配置する第３工程と、
前記配線パターン及び前記光伝送路を覆うように、前記基材上に光伝送路を保持するための保持基板を形成する第４工程と、
前記保持基板から前記基材を取り除く第５工程を備えた、第２の本発明の光伝送路基板の製造方法である。
【００３８】
第９の本発明は、前記第２工程は、前記配線パターンに対応したマスクを用いて、前記導電性材料を含む層をエッチングすることにより前記配線パターンを形成する工程である、第１の本発明の光伝送路基板の製造方法である。
【００３９】
第１０の本発明は、前記光伝送路は、光ファイバであり、
前記ガイド壁の前記保持基板の表面に対する垂直方向の長さは、前記光ファイバの半径よりも大きくなるように形成される、第２の本発明の光伝送路基板の製造方法である。
【００４０】
第１１の本発明は、前記光伝送路が前記ガイド壁に実質的に接する様に、所定の間隔を保って前記ガイド壁が形成されている、第１０の本発明の光伝送路基板の製造方法である。
【００４１】
第１２の本発明は、前記光伝送路の上方に配置される様に、前記配線パターン上に光素子を実装する第６工程を更に備え、
前記光素子は、レーザー素子又は受光素子である、第４の本発明の光伝送路基板の製造方法である。
【００４２】
第１３の本発明は、光伝送路と、
前記光伝送路を保持する保持基板と、
前記保持基板上に形成された、一部が電気回路用に用いられる配線パターンとを備え、
前記光伝送路は、一部の前記配線パターンにより位置的に規制されている、光伝送路基板である。
【００４３】
第１４の本発明は、前記光伝送路は、前記配線パターンの下部に形成されたガイド壁の間に配置されている、第１３の本発明の光伝送路基板である。
【００４４】
第１５の本発明は、前記配線パターンは、前記保持基板の厚み方向に所定の厚みを持って形成されており、
前記光伝送路は、前記配線パターンをガイド壁として、前記配線パターンの間に配置されている、第１３の本発明の光伝送路基板である。
【００４５】
第１６の本発明は、前記光伝送路は、前記ガイド壁に実質的に接する様に配置されている、第１４の本発明又は第１５の本発明の光伝送路基板である。
【００４６】
第１７の本発明は、前記光伝送路は、前記保持基板に埋設されており、前記保持基板の上面と実質的に同一面上に、前記光伝送路の最上部が配置されている、第１３の本発明の光伝送路基板である。
【００４７】
第１８の本発明は、前記配線パターンは、前記保持基板の上面よりも低い部分を有している、第１３の本発明の光伝送路基板である。
【００４８】
第１９の本発明は、前記保持基板の上面よりも低い部分は、ランド部である、第１８の本発明の光伝送路基板である。
【００４９】
第２０の本発明は、前記光伝送路は、光ファイバである、第１３の本発明の光伝送路基板である。
【００５０】
第２１の本発明は、第１３から第２０のいずれかの本発明の光伝送路基板と、
前記光伝送路基板上に実装されたメモリＬＳＩ及びロジックＬＳＩのうち少なくとも１つの半導体素子と、
前記配線パターンの一部に実装されたレーザー素子及び／又は受光素子とを備え、
前記光伝送路基板は複数の前記光伝送路を有する、データ処理装置である。
【００５１】
第２２の本発明は、導電性材料を含む層をパターニングしてなる、少なくとも、一部は電気回路用の、一部は光伝送路マーカー用の配線パターンを保持基板上に埋め込む第１工程と、
前記光伝送路マーカー用の配線パターンを前記保持基板上から除去することにより、前記保持基板上に、前記光伝送路用の溝を作成する第２工程とを備えた、光伝送路基板の製造方法である。
【００５２】
第２３の本発明は、導電性材料を含む層をパターニングしてなる、少なくとも、一部は電気回路用の、一部は光伝送路マーカー用の配線パターンを保持基板上に埋め込む第１工程と、
前記配線パターンのうち、隣接するものの間にある、基板部分の一部を除去することにより、前記保持基板上に、前記光伝送路用の溝を作成する第２工程とを備えた、光伝送路基板の製造方法である。
【００５３】
第２４の本発明は、前記第１工程は、前記配線パターンとして、光学素子を位置決めするための光学素子マーカー用として用いられる配線パターンを形成する、第２２の本発明または第２３の本発明の、光伝送路基板の製造方法である。
【００５４】
第２５の本発明は、前記第１工程は、前記配線パターンとして、一部が前記電気回路用と前記光学素子マーカー用とを兼ねている配線パターン、又は一部が前記光学素子マーカー用と前記光伝送路マーカー用とを兼ねている配線パターンを形成する工程である、第２４の本発明の光伝送路基板の製造方法である。
【００５５】
第２６の本発明は、前記第１工程は、前記配線パターンとして、一部が前記電気回路用、前記光学素子マーカー用、及び前記光伝送路マーカー用から選択される２つ又は全てを兼ねている配線パターンを形成する工程である、第２４の本発明の光伝送路基板の製造方法である。
【００５６】
第２７の本発明は、前記第２工程は、前記基板部分に対応したマスクを用いて、エッチングすることにより前記溝を作成する工程である、第２４の本発明の光伝送路基板の製造方法である。
【００５７】
第２８の本発明は、前記導電性材料を含む層は、樹脂と無機フィラーを含むコンポジット材料である、第２２の本発明または第２３の本発明の光伝送路基板の製造方法である。
【００５８】
第２９の本発明は、前記第１工程は、前記配線パターンに対応するマスクを用いて、前記導電性材料を含む層をエッチングすることにより前記配線パターンを形成する工程である、第２２の本発明または第２３の本発明の光伝送路基板の製造方法である。
【００５９】
第３０の本発明は、前記溝に光伝送路を配置する第３工程を更に備えた、第２２の本発明または第２３の本発明の光伝送路基板の製造方法である。
【００６０】
第３１の本発明は、前記光伝送路の上方に配置される様に前記配線パターンに光学素子を実装する第４工程を更に備え、
前記光学素子とは、レーザー素子及び受光素子の少なくとも一方である、第３０の本発明の光伝送路基板の製造方法である。
【００６１】
第３２の本発明は、前記光伝送路とは光ファイバである、第１、２２，２３のいずれか本発明の光伝送路基板の製造方法である。
【００６２】
第３３の本発明は、基板と、
前記基板上に形成され、複数の配線を含む配線パターンと、
前記基板内に埋設された複数の光伝送路と、を備え、
前記複数の光伝送路は、前記基板の厚み方向に複数配列されており、
前記複数の光伝送路のそれぞれの一端周辺において、前記配線パターンと電気的に接続される光素子が前記光伝送路と光学的に接続可能である光伝送路内蔵基板である。
【００６３】
第３４の本発明は、前記基板は、複数のサブ基板を含む積層基板であり、
前記各サブ基板毎に、単数又は複数の前記光伝送路が前記厚み方向に配列されている第３３の本発明の光伝送路内蔵基板である。
【００６４】
第３５の本発明は、前記光伝送路は、前記厚み方向に実質上直交する方向にも複数配列されている第３４の本発明の光伝送路内蔵基板である。
【００６５】
第３６の本発明は、前記複数の光伝送路は、前記基板の同一層内で、前記厚み方向に配列されている第３３の本発明の光伝送路内蔵基板である。
【００６６】
第３７の本発明は、前記光伝送路は、前記厚み方向に実質上直交する方向にも複数配列されている第３６の本発明の光伝送路内蔵基板である。
【００６７】
第３８の本発明は、前記光伝送路は、前記複数の配線の間に埋設されている第３３の本発明の光伝送路内蔵基板である。
【００６８】
第３９の本発明は、前記複数の光伝送路は、それぞれ光ファイバである第３３の本発明の光伝送路内蔵基板である。
【００６９】
第４０の本発明は、前記基板は、樹脂と無機フィラーとを含むコンポジット材料から構成されている第３４の本発明の光伝送路内蔵基板である。
【００７０】
第４１の本発明は、前記光素子は、面発光型垂直共振器レーザである第３３の本発明の光伝送路内蔵基板である。
【００７１】
第４２の本発明は、前記面発光型垂直共振器レーザの発光面と、前記基板の表面とは対向しており、
前記発光面には、複数の発光点が配列されている第４１の本発明の光伝送路内蔵基板である。
【００７２】
第４３の本発明は、前記光伝送路の前記一端は、実質上４５°の角度にカットされている第３３の本発明の光伝送路内蔵基板である。
【００７３】
第４４の本発明は、前記光伝送路の前記一端の前記周辺には、当該光伝送路の一端と前記光素子とを光接続するための傾斜面が設けられている第３４の本発明の光伝送路内蔵基板である。
【００７４】
第４５の本発明は、第３３の本発明の光伝送路内蔵基板と、
前記光伝送路内蔵基板上に配置された前記光素子と、
前記光伝送路内蔵基板上に実装された半導体素子と、を備えたデータ処理装置である。
【００７５】
第４６の本発明は、配線パターンの全部又は一部を形成する第１工程と、
光伝送路を位置決めするためのガイド手段を、前記配線パターンを利用して、又は、前記配線パターンの少なくとも一部と共に形成する第２工程と、
前記ガイド手段を利用して前記光伝送路を埋設し、サブ基板を形成する第３工程と、
前記サブ基板を複数用意して、それら複数のサブ基板を積層する第４工程と、
を備えた光伝送路内蔵基板の製造方法である。
【００７６】
第４７の本発明は、配線パターンの全部又は一部を形成する第１工程と、
光伝送路を位置決めするためのガイド手段を、前記配線パターンを利用して、又は、前記配線パターンの少なくとも一部と共に形成する第２工程と、
前記ガイド手段を利用して前記光伝送路を複数埋設し、基板を形成する第３工程とを備え、
前記第３工程では、前記光伝送路を前記基板の厚み方向に複数配列する光伝送路内蔵基板の製造方法である。
【００７７】
第４８の本発明は、前記第１工程と第２工程とは、実質上同時に行うものであり、前記ガイド手段を前記配線パターンに含まれる所定の配線と共に形成する第４６の本発明又は第４７の本発明の光伝送路内蔵基板の製造方法である。
【００７８】
第４９の本発明は、前記光伝送路は一方の端面が傾斜面である光ファイバであり、前記傾斜面が、前記配線パターンと電気的に接続される光素子が実装される前記基板の面と反対側に向く様に前記光ファイバを埋設する第４６の本発明又は第４７の本発明の光伝送路内蔵基板の製造方法である。  
【００７９】
以上のような本発明の光伝送路内蔵基板によれば、例えば、基板上に形成された配線パターンと、基板内に埋設された複数の光伝送路とを備え、複数の光伝送路が基板の厚み方向に配列され、例えば、各光伝送路の一端周辺の上方に光素子を実装することができ、多数の光伝送路を効率良く配置することができる。これにより、光素子との光学的な接続が可能で、多数の光伝送路を効率良く配置することが可能な光伝送路内蔵基板の製造方法を提供することが出来る。
【発明の効果】
【００８０】
本発明によれば、より簡易な製造工程で作製可能な光伝送路基板、その製造方法、及び光伝送路基板を備えたデータ処理装置を提供することが出来る。
【００８１】
又、別の本発明によれば、光素子と光伝送路との調心工程がより少なく済み、又は調心工程を行わなくてもよい光伝送路基板、その製造方法、及び光伝送路基板を備えたデータ処理装置を提供することが出来る。また、別の本発明によれば、光素子との光学的な接続が可能で、多数の光伝送路を効率良く配置することが可能となるという長所を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００８２】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面においては、説明の簡潔化のため、実質的に同一の機能を有する構成要素を同一の参照符号で示す。なお、本発明は以下の実施の形態に限定されない。
【００８３】
（実施の形態１）
図１から図４を参照しながら、本実施の形態１に係る光伝送路基板およびその製造方法について説明する。
【００８４】
図１は、本実施の形態１の光伝送路基板１００の構成を模式的に示す斜視図である。
【００８５】
図１に示す様に、本実施の形態１の光伝送路基板１００は、基板１０と、基板１０上に形成された複数の配線１２を含む配線パターン１５とを備えている。又、配線パターン１５の配線１２間に光ファイバ２０が複数本配置されている。なお、本発明の光伝送路は、本実施の形態１における光ファイバ２０であり、本実施の形態１では光ファイバを例に挙げて説明するが、本明細書における「光伝送路」とは、光を伝送することが可能な線状の部材のことをいう。これは以下の各実施の形態においても同様である。
【００８６】
光ファイバ２０は、基板１０の上方から見て（基板１０の法線方向から見て）配線１２に実質的に接するように、配線１２間に配置されており、配線１２間に形成された溝２２内に配置されて、基板１０に内蔵されている。言い換えると、配線１２間に形成された溝２２が、光ファイバ２０の実装部となっている。また、本実施の形態１では、光ファイバ２０の最上部分と、配線パターン１５及び配線１２の上面とが実質的に同一面上に位置している。同一面上に両者を位置づけることができる点については、後述の光伝送路基板１００の製造方法の際にて説明する。
【００８７】
図１に示した光伝送路基板（光ファイバ内蔵基板）１００には、光素子を位置決めする
ためのマーカー（以下、光学素子マーカーと呼ぶ）を基準として光素子３０が実装されており、配線１２と電気的に接続されており、かつ、光ファイバ２０と光接続されている。尚、光学素子マーカーは図示していないが、典型例としては従来例の図５０に記載している位置決め基準面１１０３ａ、１１０３ｂ、１１０３ｃである。又、光素子３０は、例えば、半導体レーザのようなレーザ素子、または、フォトダイオードのような受光素子である。本実施の形態１では、光素子３０は、光ファイバ２０の上方に実質的に接するように配置されている。
【００８８】
尚、本発明の保持基板の一例である基板１０は、本実施の形態１において、樹脂（例えば、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂）と無機フィラーとを含むコンポジット材料から構成されている。ここでは、コンポジット材料の樹脂として、熱硬化性樹脂を用いている。なお、無機フィラーを実質的に用いずに、専ら熱硬化性樹脂のみから基板１０を構成することも可能である。熱硬化性樹脂は、例えば、エポキシ樹脂などであり、無機フィラーを添加する場合、その無機フィラーは、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＭｇＯ、ＢＮ、ＡｌＮなどである。無機フィラーの添加により、種々の物性（例えば、熱膨張係数）を制御することができるので、無機フィラーを含むコンポジット材料から基板１０を形成することが好適である。尚、本実施の形態１において、熱硬化性樹脂１００重量部に対して、無機フィラーは、例えば１００重量部以上（好ましくは、１４０〜１８０重量部）含まれている。
【００８９】
ここで無機フィラーの役割とは次の通りである。無機フィラーとして、Ａｌ２Ｏ３、ＢＮ、ＡｌＮを添加した場合には、基板１０の熱伝導性を良好にすることができる。また、適切な無機フィラーを選択することによって、熱膨張係数を調整することが可能である。樹脂成分によって熱膨張係数が比較的大きくなっているので、ＳｉＯ２やＡｌＮなどの添加により、熱膨張係数を小さくすることができる。また、場合によっては、ＭｇＯを添加することで、熱伝導度を良好にしつつ且つ熱膨張係数を大きくすることもできる。さらに、ＳｉＯ２（特に、非晶質ＳｉＯ２）であれば、熱膨張係数を小さくすることができるともに、誘電率を低くすることができる。
【００９０】
以下に、本実施の形態１の光伝送路基板の製造方法について説明する。
【００９１】
本実施の形態１の光伝送路基板１００は、転写法を利用して作製される。具体的には、支持基板上に形成された金属層をパターニングして、複数の配線１２、他の配線１３及び光学素子マーカーとして用いる配線を含む配線パターン１５を形成した後、配線パターン１５の配線１２間に光ファイバ２０を配置する。次いで、樹脂を含む材料を支持基板上に堆積して、配線パターン１５および光ファイバ２０を覆う。その後、支持基板を取り除くと、表面に配線パターン１５が露出して、本実施の形態１の光伝送路基板１００が得られる。
【００９２】
上述した光伝送路基板の製造方法について更に詳しく図２から図４を参照しながら以下に説明する。
【００９３】
始めに、図２（ａ）に示すように、本発明の導電性材料を含む層の一例である金属層４２が形成されたキャリアシート（転写形成材）４０を用意する。金属層４２は、例えば銅から形成されている。また、本発明の基材の一例であるキャリアシート４０は、例えば金属箔（銅箔またはアルミ箔）や樹脂シートからなる。金属層４２の厚さおよびキャリアシート４０の厚さは、それぞれ、３〜５０μｍ程度および２５〜２００μｍ程度である。
【００９４】
次に、図２（ｂ）に示すように、金属層４２の上方に、配線パターン１５に対応したマスク５０を配置して、金属層４２をエッチングする。すると、図２（ｃ）に示すように、光ファイバ２０の周囲に位置する配線１２、他の配線１３、及び光学素子マーカーとして用いられる配線を含む配線パターン１５が形成される。
【００９５】
上記エッチングによるパターニングを行った後は、光ファイバ２０を配置する際のガイドとなる壁を、配線パターン１５の少なくとも一部に形成する。本実施の形態１では、配線１２の上にガイド壁を形成する。
【００９６】
具体的には、図２（ｃ）に示すように、配線１２の部分に開口部があるマスク５１をキャリアシート４０の上方に配置し、次いで、図２（ｄ）に示すように、配線１２上に、ガイド壁を構成する層であるガイド層１６を堆積する。ガイド層１６は、例えば、金属からなり、スパッタを用いて形成される。スパッタ法の他に、蒸着、めっき、堆積法などを用いても良い。本実施の形態１において、スパッタによってガイド層１６を形成するのは、製造精度の点で好ましいからである。
【００９７】
ガイド層１６だけでは、光ファイバ２０を支持するガイド壁の高さが足りない場合には、図３（ａ）に示すように、ガイド層１６の上方にマスク５２を配置した後、更なるガイド層１７を下地のガイド層１６の上に堆積する。マスク５２は、先のマスク５１と同様のものでよい。また、ガイド層１７を構成する材料は、ガイド層１６を構成する材料と同じものでもよいし、異なるものでもよい。なお、ガイド層１６、１７を構成する材料は、金属に限らず、他の材料（例えば、セラミック）であってもよい。さらに、堆積方法は、スパッタ法に限らず、例えば、火炎堆積法等の他の手法を用いてもよい。
【００９８】
このようにして、図３（ｂ）に示すように、配線１２上に、ガイド層１６およびガイド層１７からなるガイド壁１８を形成する。ガイド壁１８によって、光ファイバ２０が実装される溝２２（光ファイバ実装部）が形成される。本実施の形態１では、配線１２とガイド壁１８（ガイド層１６、１７）とを足した厚さが、ガイド壁１８間に配置される光ファイバ２０の半径よりも大きくなるようにしている。このようにした理由は、実装ずれをより減少させるため、光ファイバ２０が実質的にガイド壁１８に接する様にするためである。
【００９９】
次に、図３（ｃ）に示すように、ガイド壁１８の間（配線１２の間）に光ファイバ２０を配置する。換言すると、ガイド壁１８（又は配線１２）の間に形成された溝２２内に光ファイバ２０を挿入する。
【０１００】
このガイド壁１８の間隔は、光ファイバ２０を配置するとガイド壁１８に実質的に接する様に形成されているが、少しの隙間はあっても良く、具体的には光ファイバ２０とガイド壁１８との左右の隙間はそれぞれ０．１μｍ以下が望ましい。又、光ファイバ２０は、キャリアシート４０に接するように配置される。
【０１０１】
次に、図３（ｄ）に示すように、キャリアシート４０上に、樹脂を含む材料を堆積することによって、基板（絶縁基板）１０を形成する。この堆積は、配線パターン１５および光ファイバ２０を覆うように行われる。すなわち、基板１０を構成する材料によって、配線１２、１３を含む配線パターン１５、ガイド壁１８および光ファイバ２０は覆われることになる。本実施の形態１では、基板１０を構成する材料は、光ファイバ２０の半径の３倍以上の厚さで堆積され、基板１０の厚さは、例えば０．１８〜０．４ｍｍ程度にすることができる。
【０１０２】
次に、図４（ａ）に示すように、基板１０を反転させて、キャリアシート４０を除去すると、本実施の形態１の光伝送路基板１００が得られる。つまり、キャリアシート４０上の配線パターン１５が離れて、転写が完了する。なお、もちろん、キャリアシート４０を取り除いた後に、基板１０を反転させても構わない。
【０１０３】
本実施の形態１の製造方法では、図３（ｄ）に示した状態において、配線パターン１５と光ファイバ２０とを共にキャリアシート４０に接するようにしているので、図４（ａ）に示した状態では、配線パターン１５の上面と光ファイバ２０の最上部分とは、実質的に同一面上に位置する。さらには、基板１０の樹脂面（正確には、コンポジット材料からなる面）と、配線パターン１５の上面および光ファイバ２０の最上部分とが、実質的に同一面上に位置する。
【０１０４】
また、本実施の形態１の製造方法によれば、光ファイバ２０を簡便に基板１０内に埋設（内蔵）させることができ、基板１０の表面に光ファイバ２０を設けた場合と比較して、光ファイバ２０をより適切に保護することができる。
【０１０５】
その後、図４（ｂ）に示すように、基板１０の表面に露出している配線パターン１５上に、光素子３０、電子部品３１を実装すると、光モジュールを構築することができる。
【０１０６】
光素子３０は、例えば、半導体レーザであり、本実施の形態１では、光ファイバ２０の上方に実質的に接する様に配置される。尚、本発明の光伝送路の上方に配置されるようにとは、光伝送路（光ファイバ２０）に実質的に接する様に上方に配置されている状態も含む。また、光素子３０は、受光素子（例えば、フォトダイオード）であってもよい。配線パターン１５のうち配線１３の部分に実装された電子部品３１は、半導体素子（例えば、ロジックＬＳＩ）である。図４（ｂ）に示した例では、電子部品（半導体素子）３１は、半田ボール３２を介して配線１３に電気的に接続されている。
【０１０７】
光素子３０と光ファイバ２０とは、例えば、図５の模式的に示す断面図に示すように光接続を行うことができる。すなわち、図５に示すように、基板１０の一部に反射面（傾斜面）１１を形成して、その反射面１１を介して、光素子３０と光ファイバ２０との間で光（光信号）２５による光接続を行う。反射面１１は、例えば、基板１０に傾斜面を作製して、その傾斜面の表面に金属層（例えば、Ａｕ層など）を形成する等によって構築することができる。また、反射面１１を有する光学部品（ミラー）を基板１０上に載置してもよい。
【０１０８】
あるいは、図６の模式的に示す断面図に示すように、光ファイバ２０の端面２１を斜めにカット（例えば、４５°カット）し、その端面２１で光２５を反射させて、光素子３０と光ファイバ２０との光接続を行うことができる。なお、図５および図６に示した構成において、光２５の経路である光素子３０と光ファイバ２０との間には、透明媒体が存在していればよく、透明媒体は、例えば、空気、ガラス、透明樹脂などである。また、透明樹脂とは光素子３０と光ファイバ２０とを光学的に接続可能な材料であって、波長８５０ｎｍ、１３３０ｎｍ、１５５０ｎｍ等の波長光を透過可能であればよく、具体的には、ポリイミド、エポキシアラミド等を用いればよい。また、光素子３０と光ファイバ２０との間に光学部品（例えば、レンズ）を配置することも可能である。なお、図５，図６に示す例は、図１，図４（ｂ）に示す構成と異なり、光素子３０と光ファイバ２０とは密着しておらず、後述する図７の構成に対応する。
【０１０９】
配線パターン１５における配線１２の部分に光素子３０を実装する場合、配線１２にパッド部を形成して、そのパッド部と光素子３０が有する素子端子とをワイヤーボンディング接続することも可能であるが、ワイヤーボンディング接続だと高速特性を発揮させる上で不利に働く。したがって、例えば、図７に示すように、光素子３０と配線１２との間の接続は、接続部材（例えば、バンプや半田ボール）３２を用いてフリップチップ実装などを行うことが好ましい。その場合、接続部材３２が接触する配線１２の部位には、ランドを形成しておけばよい。
【０１１０】
上述した様に、本実施の形態１では、配線１３と配線１２が配線パターン１５として、一つのマスクを用いて、同時に作製される。又、配線１２を基準にして、光ファイバ２０を位置決めするためのガイド壁１８が形成される。すなわち、本実施の形態１では、配線１２と光ファイバの位置決めに用いるガイド壁１８間（従来のガイド溝１０４に相当）が
配線パターン１５として同一工程で作製されるため、従来と比べて製造工程がより簡易にすることが出来る。
【０１１１】
又、本実施の形態１では、配線パターン１５に含まれる光学素子マーカー（図示せず）が従来の光素子を位置決めするための位置決め基準面１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃに相当し、光ファイバ２０を位置決めするガイド壁１８の間が従来のガイド溝１０４に相当する。そして、ガイド壁１８を形成する基準となるのは、配線パターン１５に含まれている配線１２である。すなわち、光素子３０を位置決めするための光学素子マーカーと、光ファイバ２０を位置的に規制するためのガイド壁１８が同一のマスク５０によって形成されていることとなる。このため、光学素子マーカーとガイド壁の位置は自動的に合わせられているので、それゆえ、調心の問題を解決して、光素子３０と光ファイバ２０とを光接続させることが出来る。
【０１１２】
仮にさらに良好な光接続を得ようとして、本実施の形態１の光伝送路基板１００において調心工程を行う場合でも、従来の構成と比べて、すでにかなり精度レベルの粗調心は終わっているので、あとは、微調心を行うだけでよい。
【０１１３】
尚、本発明の第１工程は、例えば、図２（ａ）に示す工程に対応し、本発明の第２工程は、例えば、図２（ｂ）〜図２（ｃ）に示す工程に対応する。又、本発明のＡ工程は、例えば、図２（ｄ）〜図３（ｂ）に対応し、本発明の第３工程は、例えば、図３（ｃ）に対応する。又、本発明の第４工程は、例えば、図３（ｄ）に対応し、本発明の第５工程は、例えば、図４（ａ）に対応する。又、本発明の第６工程は、例えば、図４（ｂ）に対応する。
【０１１４】
又、本発明の電気回路用として用いられる配線パターンの一部は、本実施の形態１の配線１３に相当し、本発明の光伝送路を位置的に規制するための配線パターンの一部は、本実施の形態１の配線１２に相当する。
【０１１５】
尚、光学素子マーカーは、光伝送路を位置決めするための配線パターンの一部と兼ねられていても良く、更に電気回路用と兼ねられていても良い。又、光伝送路を位置決めするための配線１２は電気回路用として用いても良い。
【０１１６】
又、本実施の形態１では、基板１０の上面および光ファイバ２０の最上部分とが、実質的に同一面上に位置し、ガイド壁１８に接する様に配置されている。しかし図８（ａ）に示す様に、配線１２の間隔が光ファイバ２０の直径よりも小さく、基板１０の上面と光ファイバ２０の最上部分が同一面上に位置しなくても良い。又、図８（ｂ）に示す様にガイド壁１８を設けて、それに接する様に配置しても良い。
【０１１７】
又、図９（ａ）に示す様に、基板１０を設けずにキャリアシート４０を保持基板として配線１２の間に光ファイバ２０を配置して光伝送路基板として用いても良い。尚、図９（ｂ）に示す様に、ガイド壁１８を設けて光ファイバ２０を配置してもよいし、光ファイバ２０が保持基板（キャリアシート４０）に接する様に配置してもよいし、接していなくても良い。
【０１１８】
又、本実施の形態１では、ガイド層１６、１７を積層しているが、図１０（ａ）に示す様に、導電性材料を含む層に光ファイバを位置決め出来る厚みを持たせ、ガイド壁１８を配線１２のみで構成しても良い。
【０１１９】
また、光ファイバ２０と光接続するのは、単体の光素子３０だけでなく、図１１に示すように、ＭＣＭ（マルチ・チップ・モジュール）３５内に存在する光素子であってもよい
。この例では、複数の電子部品３３ａ、３３ｂがインターボーザ３４上に実装されてＭＣＭ３５が構成されており、電子部品３３ａ、３３ｂの少なくとも一方は光素子である。電子部品３３ａ、３３ｂは、両方ともレーザ素子（半導体レーザ）であったり、両方とも受光素子（フォトダイオード）であってよいし、あるいは、レーザ素子と受光素子との組み合わせであってもよい。インターボーザ３４のうち、光素子と光ファイバとの間の光経路の部位には例えば開口部が形成されている。当該開口部の位置に光部品（レンズなど）を配置することも可能である。また、インターポーザ３４の裏面側に光素子３３ａ、３３ｂを実装させることも可能である。
【０１２０】
従来では、溝２２とインターポーザ３４と光ファイバ２０に対応する電子部品３３ａ、３３ｂとの位置調整を行う必要があった。しかし本実施の形態１の製造方法により配線１２を用いた溝２２の位置によって光ファイバ２０が位置決めされ、配線１２と同一のマスクによって形成された光学素子マーカーによってインターボーザ３４を位置決めするため、光ファイバ２０とインターポーザ３４の位置調整が少なくてすむため従来に比べて調心工程がより少なくて済む。
【０１２１】
本実施の形態１の光伝送路基板１００では、配線１２とともに、それ以外の他の配線（１３など）を転写法によって簡便に形成することができるので、光素子以外の電子部品（半導体素子）を、典型的なプリント基板の場合のように実装することができる。図１２は、光伝送路基板１００の上に、光素子３０ａ、３０ｂの他に、電子部品３１（３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄ、３１ｅ）を搭載した光モジュールを示している。図１２に示した光モジュールは、データ処理装置として用いることができる。以下、さらに説明する。
【０１２２】
光素子３０ａは、レーザ素子であり、ここでは、例えば、面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ−Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ）を用いることができる。一方、光素子３０ｂは、受光素子であり、ここでは、受光部を複数有するフォトダイオードを用いることができる。なお、本実施の形態１の構成および理解を容易にするために、光素子３０ａに光接続される光ファイバ２０は省略して、溝２２を図示している。
【０１２３】
レーザ素子３０ａは、ドライバＩＣ３１ａが接続されている。ドライバＩＣ３１ａは、ＬＳＩチップ（例えば、画像処理用ＬＳＩのようなロジックＬＳＩ）３１ｂに接続されており、ＬＳＩチップ３１ｂは、メモリチップ３１ｃに接続されている。受光素子３０ｂは、アンプ（プリアンプ）３１ｄ、アンプ３１ｅを介してＬＳＩチップ３１ｂに接続されている。各電子部品３１は、配線パターン１５中の配線１３によって接続されている。
【０１２４】
なお、調心の問題を解決するのは、配線１２と光素子を位置決めするための光学素子マーカー部分の構成であるので、配線１３については転写工程とは別の工程で（例えば、後工程で別個独立に）基板１０上に形成することも可能である。しかし、製造手順およびコスト等を考慮すると、本実施の形態１の製造方法のように、配線１３も配線１２及び光学素子マーカーと同一工程で作製する方が効率が良い。
【０１２５】
図１２に示した光モジュール（データ処理装置）は、光ファイバ２０によって光伝送を行うことができるので、大容量データを高速に伝送することができるとともに、本実施の形態１の製造方法によって作製されているので、低コストで実現可能となっている。
【０１２６】
つまり、配線１２を含む配線パターン１５と溝２２とを一体的に形成することができるので、製造工程をより簡易にすることが可能となり、又、従来の技術では公差ずれが大きくて製造コストが高くなっていたものを低くすることができる。その結果、現在の光通信用（インターネット、電話など）の光モジュールのコストを下げることができ、そのような光モジュールのより一層の普及に寄与することができる。
【０１２７】
さらには、コストの低下により、図５２に示した通信系装置３０００におけるボード内（Level−２）伝送において光伝送を利用することも、経済的に可能となり、ボード内伝
送の高速化に寄与することができる。また、図５２に示したブックシェルフ型の通信系装置３０００に用いるだけでなく、この光伝送路基板または光モジュール１００自体を１つのメインの装置として、次世代向けの高性能光Ｉ／Ｏモジュールや、データ処理装置（例えば、画像処理装置）として使用することができる。
【０１２８】
（実施の形態２）
以下に本実施の形態２における光伝送路基板の製造方法について述べる。図１３（ａ）〜図１３（ｅ）は、本実施の形態２における光伝送路基板の製造方法を説明するための光伝送路基板の断面図である。
【０１２９】
まず、図２（ａ）に示した状態から、金属層４２の上にガイド層１６、１７を積層して、図１３（ａ）に示した状態のものを用意する。次に、図１３（ｂ）に示すように、配線パターン１５の形状を規定するマスク５３を用いて、各層（１７、１６、４２）のエッチングを行って、溝２２を形成する配線１２、他の配線１３、光素子を位置決めする光学素子マーカーを含む配線パターン１５を形成する。
【０１３０】
その後、図１３（ｃ）に示す様に配線１３部分の形状を規定するマスク５４を用いて、配線１３の上部のガイド層１６、１７のエッチングを行う。このエッチングにより図１３（ｄ）に示す様に、ガイド壁１８と配線１３が形成され、実施の形態１における図３（ｂ）に示した構成と同様のものとなる。以下、図３（ｃ）以降の工程を実行すると、図１３（ｅ）に示した光伝送路基板１００又は光モジュールが得られる。
【０１３１】
すなわち、実施の形態１では配線１２を形成した後にガイド層１６、１７を積層していたが、本実施の形態２では始めにガイド層１６、１７を積層してから配線１２の形成を行う。
【０１３２】
尚、本発明の導電性材料を含む層とは材料の異なる層は、本実施の形態２ではガイド層１６、１７に相当するが、２層でなく同一の材料にして所定の厚みの一層だけを積層しても良いし、二層以上積層しても良い。すなわち、光ファイバ２０を位置決め出来さえすればよい。
【０１３３】
又、本発明のＣ工程は、例えば、図１３（ａ）に示す工程に対応し、本発明のＢ工程は、例えば、図１３（ｃ）〜図１３（ｄ）に相当する。
【０１３４】
又、本実施の形態２のマスク５４は、配線１３に対応した形状をしているが、ガイド壁１８を形成している部分（配線１２部）のみ覆われてさえいればよい。
【０１３５】
又、本実施の形態２では、配線１３上部のガイド層１６、１７を除去したが、除去せずに、基板１０内に埋めたままにしておいても良い。
【０１３６】
又、本実施の形態２では、ガイド層１６、１７を積層しているが、図１０（ｂ）に示す様に、導電性材料を含む層に光ファイバを位置決め出来る厚みを持たせ、ガイド壁１８を配線１２のみで構成しても良い。この場合、配線１３の厚みの不要な部分（図に点線で示している部分）、本発明の電気回路用として用いられる配線パターンである配線１３の上部に削っても良い。製造時には光伝送路基板１００は上下逆になっているため、配線１３の上部に該当する。
【０１３７】
又、本実施の形態２では配線パターン１５に対応したマスク５３を用いて、溝２２と配線パターン１５とを同時に形成したが、図１４（ａ）から図１４（ｄ）に示す様に、溝２２を先に形成した後、配線パターン１５を形成してもよい。すなわち、図１４（ｂ）に示す様に、溝２２に対応するマスク５５を用いて、まず溝２２を形成する。ここで、図示していないが、光素子を位置決めするための光学素子マーカーも同時に形成している。その後所定のマスクを用いながらエッチングを行って、図１４（ｃ）に示す様に、ガイド壁１８と、配線１２及び配線１３を含む配線パターン１５とを形成する。図１４（ｃ）は、図３（ｂ）に示した構成と同様のものであるので、図３（ｃ）以降の工程を実行すると、図１４（ｄ）に示した光伝送路基板１００又は光モジュールが得られる。
【０１３８】
次に、新たな図面も参照しながら、光伝送路基板１００の更なる特徴および改変例について説明する。
【０１３９】
実施の形態１において説明した、図２（ａ）から図４（ａ）に示したような工程を経て、配線１２を含む配線パターン１５を形成すると、配線パターン１５の上面と実質的に同一面上に、光ファイバ２０の最上部分が位置付けられることを説明したが、配線パターン１５の所定部分または全てを、基板１０の樹脂面（またはコンポジット材料面）から凹ますことが可能である。
【０１４０】
例えば図１５に示すように、基板１０の表面（樹脂面）１０ａよりも、配線１２の上面が凹んで、段差２６が形成されるようにするには、次のようにすればよい。
【０１４１】
すなわち、図２（ｂ）に示したパターニングの際に、金属層４２の不要部分に加えて、キャリアシート４０のうち当該不要部分の下地となる部分もエッチングするように実行すればよい。そのようにすれば、図３（ｄ）に示した樹脂塗布工程（より詳細には、コンポジット材料を塗布する工程）の際に、樹脂が配線１２の表面よりも深くキャリアシート４０の方にもぐり、その結果、基板１０の表面１０ａと配線１２の上面との間に段差２６が形成されることになる。尚、実施の形態２においても、図１３（ｂ）に示したパターニングの際にキャリアシート４０の所定部分をエッチングするようにすれば段差２６を形成することが出来る。
【０１４２】
配線１２の一部（典型的には一端）に、光素子３０の実装部となるランド２８を設けた場合、段差２６は、半田をとどめるためのダムとして機能し得る。つまり、半田がソルダーレジストの役割またはソルダーレジストの補助として働く。なお、ランド２８の部分は、配線部よりも広くするのが一般的であるので、図１６に示すようなランド２８を形成すればよい。この場合、ランド２８が位置する配線１２の下には、ガイド壁１８を形成しないように設計すれば、光ファイバ２０の実装領域（溝２２）を適切に確保することができる。
【０１４３】
なお、図１６に示したランド２８は、角ランドであるが、丸ランドでもよい。また、配線１２を例示に説明したが、配線パターン１５における他の配線（配線１３）のランドも同様な構成にすることができる。
【０１４４】
尚、実施の形態１及び２の光伝送路基板１００では、光ファイバ２０は基板１０内に埋設されるので、通常であれば、図１７に示すようなＹ分岐部２３を有するために、光ファイバ２０の強度が弱くなるような場合でも、光ファイバ２０の強度の低下を抑制することができる。具体的には、図１７に示すように、配線１２およびその下にあるガイド壁１８によって形成した溝２２（光ファイバの実装部）に、光ファイバ２０を配置すればよい。Ｙ分岐部２３を有する光ファイバ２０を用いることにより、波長多重に適した光モジュール（光ファイバ内蔵基板）を提供することができる。
【０１４５】
また、光素子３０と光ファイバ２０との光接続は、図１８から図２０に示すように行うことができる。図１８、図１９および図２０は、光素子３０と光ファイバ２０との周囲を示す部分拡大斜視図である。なお、分かりやすいように、光素子３０内において、さらに隠れている部位を斜線で表すようにした。
【０１４６】
図１８に示した構成では、反射面１１を有するミラー３６が光素子３０の下に配置されて、そのミラー３６を介して、光素子３０と光ファイバ２０とが光接続されている。なお、この例では、ミラー３６の両端のラインは、配線１２の内側のラインによって規定されて、ミラー３６の位置決めも配線１２を利用して行われている。
【０１４７】
図１９に示した構成では、光ファイバ２０のストッパー３７が形成されている。この例の光ファイバ２０の端面は、図６に示すように４５°カットされており、それによって光ファイバ２０と光素子３０との光接続が行われている。ストッパー３７は、光素子３０の下に設けられており、例えば溝（２２）内に配置されている。ストッパー３７を配置すると、光ファイバ２０の位置決めを効率的に行うことができる。
【０１４８】
また、光素子３０と電気的に接続する配線は、図２０に示すように、光ファイバ２０側から延びてくる配線１２だけでなく、逆向きから延びてくる配線１２’であってもよい。配線１２’は、配線１２と同じ位置精度を持って作成された配線パターンである。図２０に示した例では、配線１２’の先端にランド２８が形成されており、そのランド２８に光素子３０が実装されている。
【０１４９】
なお、本実施の形態１〜２では、光ファイバによる光伝送路基板を例として説明したが、光伝送路２０として、光ファイバに代えて平面導波路（ＰＬＣ）の光導波路を用いることもできる。光伝送路として平面導波路（ＰＬＣ）の光導波路を用いる場合、平面導波路（ＰＬＣ）側に複数溝を形成しておき、同じく複数の溝２２と合わせることにより製造性が増し、また平面導波路（ＰＬＣ）側に配線１３を形成しておく、また平面導波路（ＰＬＣ）側に光素子３０を実装しておくなどすることにより，より製造，調心の問題の簡易化を図ることができる。なお、コスト的な面を考慮すると、平面導波路（ＰＬＣ）の光導波路を形成する製造コストよりも、予め用意した光ファイバを本実施の形態の製造方法に基づいて使用する方がメリットが大きいことがある。
【０１５０】
以上、本発明を好適な実施の形態により説明してきたが、こうした記述は限定事項ではなく、勿論、種々の改変が可能である。
【０１５１】
上述した通り、本発明の光伝送路内蔵基板の製造方法は、支持基板上に形成された金属層をパターニングして、複数の配線を含む配線パターンを形成する工程（ａ）と；前記配線パターンの配線間に光伝送路を配置する工程（ｂ）と；前記配線パターンおよび前記光伝送路を覆うように、前記支持基板上に、樹脂を含む材料を堆積する工程（ｃ）と；前記支持基板を取り除く工程（ｄ）と；を包含する。
【０１５２】
又、例えば、ある好適な実施の形態において、前記工程（ａ）は、支持基板と、前記支持基板上に形成された金属層とを用意する工程と、配線パターンに対応したマスクを用いて、前記金属層をエッチングする工程とを含む。
【０１５３】
又、例えば、前記工程（ｂ）の前に、さらに、光伝送路を配置する際のガイドとなる壁を、前記配線パターンの少なくとも一部に形成する工程を実行することが好ましい。
【０１５４】
又、例えば、ある好適な実施の形態において、前記壁の少なくとも一部は、金属から構成されている。
【０１５５】
又、例えば、ある好適な実施の形態において、前記壁の少なくとも一部は、スパッタを用いて形成される。
【０１５６】
又、例えば、ある好適な実施の形態において、前記光伝送路は、光ファイバであり、前記壁と、その下に位置する前記配線との両者の厚さを足した寸法は、前記光ファイバの半径よりも大きい。
【０１５７】
又、例えば、ある好適な実施の形態では、前記工程（ｂ）において、前記光伝送路は、前記支持基板に接するように配置される。
【０１５８】
又、例えば、ある好適な実施の形態において、前記光伝送路は、前記壁に接するように前記配線間に配置される。
【０１５９】
又、例えば、前記樹脂を含む材料は、樹脂と無機フィラーとを含むコンポジット材料であることが好ましい。
【０１６０】
又、例えば、ある実施の形態において、前記光伝送路は光ファイバであり、前記工程（ｃ）において、前記樹脂を含む材料は、前記光ファイバの半径の３倍以上の厚さで堆積される。
【０１６１】
又、例えば、ある実施の形態では、前記工程（ｃ）の後であって、前記工程（ｄ）の前又は後において、前記工程（ｃ）によって形成された、前記材料からなる堆積膜は、反転される。
【０１６２】
又、例えば、ある好適な実施の形態では、前記工程（ｄ）の後、前記配線パターンの上面と実質的に同一面上に、前記光伝送路の最上部分が位置している。
【０１６３】
又、例えば、ある好適な実施の形態では、前記工程（ｄ）の後、前記配線パターンと電気的に接続される電子部品を実装する工程をさらに行う。
【０１６４】
又、例えば、ある好適な実施の形態において、前記電子部品の少なくとも一つは、レーザ素子および受光素子の少なくとも一方の光素子であり、前記光素子は、前記光伝送路の上方に又は前記光伝送路に実質的に接するように配置される。
【０１６５】
又、例えば、本発明の光伝送路内蔵基板は、樹脂を含む材料から構成された基板と、前記基板上に形成され、複数の配線を含む配線パターンと、前記基板の上方から見て前記配線に実質的に接するように、前記配線パターンの配線間に配置された光伝送路とを備えている。
【０１６６】
又、例えば、ある好適な実施の形態において、前記配線パターンの上面と実質的に同一面上に、前記光伝送路の最上部分が位置している。
【０１６７】
又、例えば、ある好適な実施の形態において、前記配線パターンの上面には、前記基板の上面よりも低い部分が少なくとも一部存在している。
【０１６８】
又、例えば、ある好適な実施の形態において、前記配線パターンの上面の全ては、前記基板の上面よりも低い。
【０１６９】
又、例えば、ある好適な実施の形態において、前記配線パターンにおける前記基板の上面よりも低い前記部分は、ランド部である。
【０１７０】
又、例えば、前記光伝送路は、前記基板内に配置されたＹ分岐部を有していてよい。
【０１７１】
又、例えば、ある好適な実施の形態において、前記光伝送路は、複数本設けられており、前記基板には、さらに、メモリＬＳＩおよびロジックＬＳＩのうちの少なくとも一方の半導体素子と、レーザ素子と、受光素子とが設けられている。
【０１７２】
又、例えば、ある好適な実施の形態において、前記光伝送路は、光ファイバである。
【０１７３】
又、例えば、ある実施の形態における光モジュールは、樹脂を含む材料から構成された基板と、前記基板上に形成され、複数の配線を含む配線パターンと、前記基板の上方から見て前記配線に実質的に接するように、前記配線パターンの配線間に配置された光導波路とを備えている。
【０１７４】
又、例えば、本発明のデータ処理装置は、上記光伝送路内蔵基板と、前記光伝送路内蔵基板上に実装された半導体素子とを備えている。
【０１７５】
（実施の形態３）
図２１は、本実施の形態３の光伝送路基板の構成を模式的に示す斜視図である。
【０１７６】
図２１に示す様に、本実施の形態３の光伝送路基板２００は、樹脂を含む材料から構成された基板１１０と、基板１１０の表面に形成された複数の溝１２２と、各溝１２２に一部が埋め込まれた光ファイバ１２０を備えている。また、基板１１０上には、複数の配線を含む配線パターン（不図示）が形成されている。本実施の形態３の構成では、この配線パターンの一部と、光ファイバ１２０が埋め込まれた溝１２２とは、互いに自己整合的に形成されている。この自己整合的に形成されている点は、後述の光伝送路基板２００の製造方法の際に詳述する。
【０１７７】
尚、本発明の光伝送路は、本実施の形態３においては光ファイバ１２０であり、本実施の形態３では、光ファイバを例にとって説明するが、本明細書における「光伝送路」とは、光を伝送することが可能な線状の部材のことをいう。
【０１７８】
本実施の形態３では、基板１１０は、樹脂と無機フィラーとを含むコンポジット材料から構成されている。基板１１０に形成された溝１２２の深さは、例えば、１μｍ〜５ｍｍである。基板１１０の厚さは、光ファイバ１２０の半径の１／２倍以上の厚さとしてある。図２１に示した光伝送路基板１００には、光素子１３０が実装されており、この光素子１３０は、光ファイバ１２０と光接続されている。そして、光素子１３０は、光ファイバ１２０の実装部である溝１２２と関連性を持たせて形成された、光素子を位置決めするためのマーカー（以下、光学素子マーカーと呼ぶ）を基準として、配線パターンの一部（不図示）に電気的に接続されている。尚、光学素子マーカーは図示していないが、典型例としては従来図５０に記載している位置決め基準面１１０３ａ、１１０３ｂ、１１０３ｃである。
【０１７９】
尚、光素子１３０は、例えば、半導体レーザのようなレーザ素子、または、フォトダイオードのような受光素子である。本実施の形態３では、光素子１３０は、光ファイバ１２０の上方に配置されている。尚、本発明の光伝送路の上方に配置されるようにとは、光伝送路に実質的に接する様に上方に配置されている状態も含む。
【０１８０】
本実施の形態３において、本発明の保持基板の一例である基板１１０を構成する本発明の導電性材料の一例は、樹脂（例えば、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂）と無機フィラーとを含むコンポジット材料である。ここでは、コンポジット材料の樹脂として、熱硬化性樹脂を用いている。なお、無機フィラーを実質的に用いずに、専ら熱硬化性樹脂のみから基板１１０を構成することも可能である。熱硬化性樹脂は、例えば、エポキシ樹脂などであり、無機フィラーを添加する場合、その無機フィラーは、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＭｇＯ、ＢＮ、ＡｌＮなどである。無機フィラーの添加により、種々の物性（例えば、熱膨張係数）を制御することができるので、無機フィラーを含むコンポジット材料から基板１０を形成することが好適である。本実施の形態３において、熱硬化性樹脂１００重量部に対して、無機フィラーは、例えば１００重量部以上（好ましくは、１４０〜１８０重量部）含まれている。
【０１８１】
ここで無機フィラーの役割とは以下の通りである。無機フィラーとして、Ａｌ２Ｏ３、ＢＮ、 ＡｌＮを添加した場合には、基板１１０の熱伝導性を良好にすることができる。また、適切な無機フィラーを選択することによって、熱膨張係数を調整することが可能である。樹脂成分によって熱膨張係数が比較的大きくなっているので、ＳｉＯ２やＡｌＮなどの添加により、熱膨張係数を小さくすることができる。また、場合によっては、ＭｇＯを添加することで、熱伝導度を良好にしつつ且つ熱膨張係数を大きくすることもできる。さらに、ＳｉＯ２（特に、非晶質ＳｉＯ２）であれば、熱膨張係数を小さくすることができるとともに、誘電率を低くすることができる。
【０１８２】
以下、本実施の形態３の光伝送路基板の製造方法について述べる。
【０１８３】
本実施の形態３の光伝送路基板２００は、転写法を利用して作製される。具体的には、支持基板上に形成された金属層をパターニングして、溝を形成する配線、電気回路として用いる配線、及び光学素子マーカーとして用いる配線とを含む配線パターンを形成した後、その配線パターンを覆うように、樹脂を含む材料を支持基板上に堆積する。この堆積された樹脂を含む材料が基板１１０となる。
【０１８４】
次いで、支持基板を取り除いて、基板１１０の表面に配線パターンを露出させる。その後、配線パターンの一部（溝を形成する配線）を除去することによって、基板１１０の表面に溝１２２を形成し、その溝１２２に光ファイバ１２０を配置する。そして、光学素子マーカーを基準にして光素子１３０を実装すれば、本実施の形態３の光伝送路基板２００が得られる。
【０１８５】
この様に配線パターン１１５と溝１２２とを関連性を持たせて形成し、配線パターンの一部を光学素子マーカーとしても用いているため、光素子１３０と光接続する光ファイバ１２０との位置合わせは自動的に行われる。
【０１８６】
そのため図５０における配線パターン（位置基準面１１０３ａ、１１０３ｂ、１１０３ｃを含む）と光ファイバの実装部（ガイド溝１１０４）とを別々に形成する従来の場合と比較して、本実施の形態３では、自己整合的に合わせることが出来る。
【０１８７】
それゆえ、調心の問題を解決して、光素子１３０と光ファイバ１２０とを光接続させることができる。仮にさらに良好な光接続を得ようとして、本実施の形態３の光伝送路基板２００において調心工程を行う場合でも、従来の構成と比べて、すでにかなり精度レベルの粗調心は終わっているので、あとは、微調心を行うだけでよい。
【０１８８】
又、光素子１３０は、例えば、半導体レーザであり、本実施の形態３では、光ファイバ１２０の上方に配置される。また、光素子１３０は、受光素子（例えば、フォトダイオード）であってもよい。本実施の形態３では、光素子１３０は、接続部材（半田またはバンプ）１３２を介して配線１１３上に接続されている。なお、図２４に示した例では、基板１１０上に光素子１３０だけを実装しているが、基板１１０上に他の電子部品（例えば、半導体素子）を実装することができる。
【０１８９】
上述した光伝送路基板の製造方法について更に詳しく図２２から図２４を参照しながら以下に説明する。
【０１９０】
始めに、図２２（ａ）に示すように、金属層１４２が形成されたキャリアシート（転写形成材）１４０を用意する。金属層１４２は、例えば銅から形成されている。また、本発明の支持基板の一例であるキャリアシート１４０は、例えば金属箔（銅箔またはアルミ箔）や樹脂シートからなる。
【０１９１】
次に、図２２（ｂ）に示すように、金属層１４２の上方に、配線パターンに対応したマスク１５０を配置して、金属層１４２をエッチングする。エッチングを行った後マスク１５０を取り除くと、図２２（ｃ）に示すように、このエッチングによって、配線パターン１１５が形成される。配線パターン１１５は、複数の配線１１３となる配線部分と、溝１２２となる予定の溝部分（溝用配線）１１２と光学素子マーカーとなる部分（光学素子マーカー用配線）を含んでいる。
【０１９２】
次に、図２２（ｄ）に示すように、配線パターン１１５を覆うように、キャリアシート（支持基板）１４０上に、樹脂を含む材料を堆積する。この堆積された樹脂を含む材料が、本発明の保持基板の一例である基板１１０となる。
【０１９３】
次に、図２３（ａ）に示すように、樹脂からなる基板１１０を反転させて、キャリアシート１４０を除去すると、溝用配線１１２と配線１１３と光学素子マーカー用配線とを含む配線パターン１１５が基板１１０の表面に露出する。これにより、本発明の第１工程に相当する、配線パターン１１５を基板１１０に埋め込む工程が完了したことになる。ここで、キャリアシート１４０上の配線パターン１１５が離れて、転写が完了する。なお、キャリアシート１４０を取り除いた後に、基板１１０を反転させても構わない。
【０１９４】
次に、図２３（ｂ）に示すように、溝用配線１１２に対応したマスク１５１を基板１１０上に配置する。次いで、溝用配線１１２をエッチングして除去すると、図２３（ｃ）に示すように、基板１１０の表面に溝１２２を形成することができる。ここで、配線１１３及び光学素子マーカー用配線はマスク１５１によって覆われているため、エッチングの際には、溝用配線１１２のみが除去されることになる。
【０１９５】
その後、図２３（ｄ）に示す様に、その溝１２２に光ファイバ１２０を配置すれば、本実施の形態３の光伝送路基板２００が得られる。
【０１９６】
その後、図２４に示すように、基板１１０の表面に露出している配線１１３上に、光学素子マーカーを基準として、電子部品（光素子）１３０を実装すると、光モジュールを構築することができる。配線１１３に電気的に接続された光素子１３０は、溝１２２で固定された光ファイバ１２０と光接続され得る。
【０１９７】
上述した様に、本実施の形態３の光伝送路基板２００の場合、光ファイバ１２０が収納される溝２２を形成する配線１１２と、光学素子マーカーとなる配線が、図２２（ｂ）、（ｃ）に示す様に、同一のマスクによって作成されるため、光素子１３０と光ファイバ１２０とのずれを許容範囲内に収めることが容易となる。
【０１９８】
すなわち、従来の構成では、配線パターンとともに形成される光素子のマーカーの形成と光ファイバ実装部の形成とを関連させていなかったので、それぞれの公差ずれが影響して、光素子１３０と光ファイバ１２０とのずれを許容範囲内に収めるのが困難であり、それゆえ、調心を行う必要があった。
【０１９９】
一方、本実施の形態３では、溝用配線１１２（光ファイバ１２０の実装部となる溝１２２）と光学素子マーカーを含む配線パターン１１５を一つのマスク１５０によって形成するため、一連の製造工程において関連させて形成しているので、専ら配線パターンの公差ずれを考慮すればよく、光素子１３０と光ファイバ１２０とのずれを許容範囲内に収めるのが容易となる。
【０２００】
尚、本実施の形態３の光学素子マーカーは、光素子１３０を位置決めするためのマーカーであるが、電気回路として用いる配線と兼ねていても良い。
【０２０１】
又、本発明の電気回路用として用いられる配線パターンの一部は、本実施の形態３では配線１１３に相当する。又、本発明の光伝送路マーカー用として用いられる配線パターンの一部は、本実施の形態３では、溝用配線１１２に相当するが、光素子を位置決めするための光学素子マーカー用と兼ねていても良い。
【０２０２】
尚、本発明の第１工程は、例えば、図２２（ａ）〜図２２（ｄ）に示す工程に対応する。又、本発明の第２工程は、例えば、図２３（ｂ）〜図２３（ｃ）に対応する。又、本発明の第３工程は、例えば、図２３（ｄ）に対応し、本発明の第４工程は、例えば、図２４に対応する。なお、第１工程は、図２２（ａ）〜２２（ｄ）に示すように、支持基板１４０上にエッチングにより作成した配線パターン１１５を覆うように、樹脂を堆積したのち、支持基盤１４０を除去する工程として説明したが、本発明の第１工程は、これに限定されるものではなく、基板１１０上に溝用配線１１２，複数の配線１１３となるような配線パターンが埋め込まれる状態を作成できるものであれば、他の工程によって実現してもよい。  又、本発明の光伝送路マーカー用として用いられる配線パターンの一部に対応したマスクは、例えば、本実施の形態３の図２３（ｂ）に示すマスク１５１に対応し、マスク１５１は溝用配線１１２になる部分を除いて基板１１０と複数の配線１１３の表面が全て覆われているが、複数の配線１１３部分のみ覆うことができればよく、基板１１０の表面の部分は覆われていなくてもよい。
【０２０３】
図２５は、本実施の形態３の構成の詳細を例示的に示した図である。光ファイバ１２０の一部が溝１２２内に位置しており、光ファイバ１２０の基板１１０からの高さｈは９０μｍである。溝１２２の深さｄは３２μｍであり、溝１２２の幅ｗは１１１μｍである。なお、光ファイバ１２０の寸法・種類によっては、１μｍ以上であれば光ファイバ１２０を固定できる場合もある。なお、本実施の形態３の構成によれば、光ファイバ１２０が基板１１０内に埋設（内蔵）されているので、平面の基板上に光ファイバ１２０を布設するよりも、溝１２２をガイドにすることにより光ファイバ１２０の布設が容易となる。
【０２０４】
光素子１３０と光ファイバ１２０とは、例えば、図２６の模式的に示す断面図に示すように光接続を行うことができる。すなわち、図２６に示すように、基板１１０の一部に反射面（傾斜面）１１１を形成して、その反射面１１１を介して、光素子１３０と光ファイバ１２０との間で光（光信号）１２５による光接続が行われる。この反射面１１１は、例えば、基板１１０に傾斜面を作製して、その傾斜面の表面に金属層（例えば、Ａｕ層など）を形成する等によって構築することができる。また、反射面１１１を有する光学部品（ミラー）を基板１１０上に載置してもよい。
【０２０５】
あるいは、図２７の模式的に示す断面図に示す様に、光ファイバ１２０の端面１２１を斜めにカット（例えば、４５°カット）し、その端面１２１で光１２５を反射させて、光素子１３０と光ファイバ１２０との光接続を行うことができる。なお、図２６および図２７に示した構成において、光１２５の経路である光素子１３０と光ファイバ１２０との間には、透明媒体が存在していればよい。透明媒体としては、例えば、空気、ガラス、透明樹脂などを用いればよい。実施の形態１、２と同様、透明樹脂とは光素子１３０と光ファイバ１２０とを光学的に接続可能な材料であって、波長８５０ｎｍ、１３３０ｎｍ、１５５０ｎｍ等の波長光を透過可能であればよく、具体的には、ポリイミド、エポキシアラミド等を用いればよい。また、光素子１３０と光ファイバ１２０との間に光学部品（例えば、レンズ）を配置することも可能である。
【０２０６】
又、配線パターンにおける配線１１３の部分に光素子１３０を実装する場合、配線１１３にパッド部を形成して、そのパッド部と光素子１３０が有する素子端子とをワイヤーボンディング接続することも可能であるが、ワイヤーボンディング接続だと高速特性を発揮させる上で不利に働く。したがって、例えば、図２４に示すように、光素子１３０と配線１１３との間の接続は、接続部材（例えば、バンプや半田ボール）１３２を用いてフリップチップ実装などを行うことが好ましい。その場合、接続部材１３２が接触する配線１１３の部位には、ランドを形成しておけばよい。
【０２０７】
また、光ファイバ１２０と光接続するのは、単体の光素子１３０だけでなく、図２８に示すように、ＭＣＭ（マルチ・チップ・モジュール）１３５内に存在する光素子であってもよい。図２８に示す様に、複数の電子部品１３３ａ、１３３ｂ、１３３ｃがインターポーザ１３４上に実装されてＭＣＭ１３５が構成されており、電子部品１３３ａ、１３３ｂ、１３３ｃの少なくとも一つは光素子である。電子部品１３３ａ、１３３ｂ、１３３ｃは、すべてがレーザ素子（半導体レーザ）または受光素子（フォトダイオード）であってよいし、あるいは、レーザ素子と受光素子との組み合わせであってもよい。インターポーザ１３４のうち、光素子と光ファイバとの間の光経路の部位には例えば開口部が形成されている。当該開口部の位置に光部品（レンズなど）を配置することも可能である。また、インターポーザ１３４の裏面側に光素子である電子部品１３３ａ、１３３ｂを実装させることも可能である。
【０２０８】
従来では、溝１２２とインターポーザ１３４と光ファイバ１２０に対応する電子部品１３３ａ、１３３ｂ、１３３ｃとの位置調整を行う必要があった。しかし本実施の形態３の製造方法により光学素子マーカーと溝１２２の位置が一つのマスクにより自己整合的に形成される。そのため配線１１３上のインターポーザ１３４と溝１２２上の光ファイバ１２０の位置調整が少なくてすむため従来に比べて調心工程がより少なくて済む。
【０２０９】
本実施の形態３の光伝送路基板２００では、溝用配線１１２とともに配線１１３を含む配線パターン（１１５）を転写法によって簡便に形成することができるので、光素子以外の電子部品（半導体素子）を、典型的なプリント基板の場合のように実装することができる。図２９は、光伝送路基板２００の上に、光素子１３０ａ、１３０ｂの他に、電子部品１３１（１３１ａ、１３１ｂ、１３１ｃ、１３１ｄ、１３１ｅ）を搭載した光モジュールを示している。図２９に示した光モジュールは、データ処理装置として用いることができる。以下、さらに説明する。
【０２１０】
光素子１３０ａは、レーザ素子であり、ここでは、例えば、面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ−Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ）を用いることができる。一方、光素子１３０ｂは、受光素子であり、ここでは、受光部を複数有するフォトダイオードを用いることができる。なお、本実施の形態３の構成および理解を容易にするために、光素子１３０ａに光接続される光ファイバ１２０は省略して、溝１２２を図示している。
【０２１１】
レーザ素子である光素子１３０ａには、ドライバＩＣ１３１ａが接続されている。ドライバＩＣ１３１ａは、ＬＳＩチップ（例えば、画像処理用ＬＳＩのようなロジックＬＳＩ）１３１ｂに接続されており、ＬＳＩチップ１３１ｂは、メモリチップ１３１ｃに接続されている。受光素子である光素子１３０ｂは、アンプ（プリアンプ）１３１ｄ、アンプ１３１ｅを介してＬＳＩチップ１３１ｂに接続されている。各電子部品１３１は、配線パターン１１５中の配線１１３によって接続されている。
【０２１２】
なお、調心の問題を解決するのは、光ファイバ１２０を配置する溝用配線１１２と光学素子マーカー用配線の構成にあるので、それ以外の配線については転写工程とは別の工程で（例えば、後工程で別個独立に）基板１１０上に形成することも可能である。しかし、製造手順およびコスト等を考慮すると、本実施の形態３の製造方法のように、光素子１３０と関係のない他の配線も、配線パターン１１５と同一工程で作製する方が効率が良い。
【０２１３】
図２９に示した光モジュール（データ処理装置）は、光ファイバ１２０によって光伝送を行うことができるので、大容量データを高速に伝送することができるとともに、本実施の形態３の製造方法によって作製されているので、低コストで実現可能となっている。
【０２１４】
つまり、光学素子マーカーと光ファイバ実装部とを別々の工程で作製していた従来の技術では公差ずれが大きく、それゆえ製造コストが高くなっていたが、溝用配線１１２、配線１１３、及び光学素子マーカー用配線を含む配線パターン１１５を一体的に形成した後、溝用配線１１２から、光ファイバ実装部となる溝１２２を形成するので、製造コストを低くすることができる。その結果、現在の光通信用（インターネット、電話など）の光モジュールのコストを下げることができ、そのような光モジュールのより一層の普及に寄与することができる。
【０２１５】
さらには、コストの低下により、図５２に示した通信系装置３０００におけるボード内（Ｌｅｖｅｌ−２）伝送において光伝送を利用することも、経済的に可能となり、ボード内伝送の高速化に寄与することができる。また、図５２に示したブックシェルフ型の通信系装置３０００に用いるだけでなく、この光伝送路基板または光モジュール１０００自体を１つのメインの装置として、次世代向けの高性能光Ｉ／Ｏモジュールや、データ処理装置（例えば、画像処理装置）として使用することができる。
【０２１６】
（実施の形態４）
次に、新たな図面も参照しながら、本実施の形態３の光伝送路基板２００の更なる特徴および改変例について説明する。
【０２１７】
上述した実施の形態３では、溝用配線１１２から溝１２２を形成したが、図２３に示した状態で基板１１０の一部をエッチングして、溝１２２を作製することも可能である。ただし、単に溝１２２を作製するだけでは、光ファイバ実装部としての溝１２２と、光素子１３０が実装される配線１１３とが別の箇所に作製されてしまう。
【０２１８】
そこで、実施の形態３の図２３（ｂ）で示したマスク１５１を用いずに溝用配線１１２の間が開いたマスクを用いる。すなわち、別の箇所で作製されることを避けるために、図３０（ａ）に示すように、配線パターン１１５に含まれる実施の形態３の溝用配線１１２に対応する配線１１２’と配線１１２’との間の部位を除去して、溝１２２を形成することが好ましい。この場合、溝１２２は、配線パターン１１５と関連性をもって形成することが可能である。
【０２１９】
尚、本発明の前記電極パターンのうち、隣接するものの間にある、基板部分の一部とは、例えば、図３０（ａ）に示す配線パターン１１５に含まれる配線１１２’と配線１１２’との間の基板１１０の部位である。
【０２２０】
又、光学素子マーカーは、電気回路として用いる配線と兼ねていても良く、更に光伝送路マーカー用として用いられる配線と兼ねていても良い。
【０２２１】
又、本発明の光伝送路マーカー用として用いられる配線パターンの一部は、本実施の形態４では配線１１２’に相当する。ここで、配線１１２’は、溝１２２を規定するラインであるが、消失する溝用配線１１２（図２３参照）と異なり、最終製品の光伝送路基板２００にも残っているので、本発明の電気回路用として用いる配線である信号用または電源用の配線として利用することができる。本構成で、光ファイバ１２０を搭載すると、図３０（ｂ）に示す様になる。光ファイバ１２０は絶縁体であるので、配線１１２’と接触しても特に問題は生じない。
【０２２２】
又、本発明の保持基板の一部に対応したマスクとは、例えば、本実施の形態４の配線１１２’の間を除去する際のマスクであるが、配線１１２’及び配線１１３の部分は覆われていなくても良い。マスクは配線１１２’の間の樹脂部分が開いていて他の樹脂部分が覆われていさえすればよい。
【０２２３】
又、本実施の形態４では、２つの配線１１２’の基板１１０の表面側のエッジ部分により光ファイバ１２０の位置決めがされている。そのため、図３０（ｃ）に示す様に溝１２２の深さは、配線１１２’の埋設位置よりも深く形成されるようにしてもよい。したがって、光ファイバ１２０は溝１２２の底面に接触しなくても良い。
【０２２４】
又、配線１１２’の間と溝１２２の深さを光ファイバ１２０の直径に合わせることにより、図３０（ｄ）に示す様に、光ファイバ１２０が基板１１０の表面に突出しないようにしても良い。又、溝１２２の深さをさらに深くしてもよい。
【０２２５】
尚、実施の形態３においても溝用配線１１２の大きさを変更することにより、上述した様な光ファイバ１２０が溝１２２の底面に接触しない構成、又は光ファイバ１２０が基板１１０の表面に突出しない構成にすることが可能である。
【０２２６】
尚、実施の形態３及び４で述べた溝１２２の形状は、図３１（ａ）に示すように、その角がテーパー状になるように改変してもよい。具体的には、溝１２２を規定する側面（壁面）１２２ａと、基板１１０の表面（上面）１１０ａとのなす角θは、９０°に限らず、鈍角になるようにしてもよい。角θが鈍角の溝１２２を形成するには、例えば、鋭角方向からエッチングを行えばよい。角がテーパー状の溝１２２の場合、図３１（ｂ）に示すように、傾斜した壁面１２２ａによって光ファイバ１２０の中心線１２７の位置合わせ精度をより高めることができる利点もある。
【０２２７】
又、実施の形態３及び４の光伝送路基板２００における光ファイバ２０に、図３２に示すようなＹ分岐部１２３を形成してもよい。Ｙ分岐部１２３を有する光ファイバ１２０を用いることにより、波長多重に適した光モジュール（光伝送路基板）を提供することができる。Ｙ分岐部１２３を有する光ファイバ１２０でも、溝１２２をそれに対応した形にすればよく、溝１２２によって、光ファイバ１２０を適切に固定することができる。
【０２２８】
また、光素子１３０と光ファイバ１２０との光接続に関して、反射面１１１（図２６参照）を有するミラーを光素子１３０の下に配置して、そのミラーによって、光素子１３０と光ファイバ１２０との光接続を行ってもよい。また、光ファイバ１２０のストッパーを設けて、そのストッパーで光ファイバ１２０の位置決めを行っても良い。ストッパーは、光素子１３０の下に設けられ、例えば溝１２２内に配置すればよい。
【０２２９】
又、本発明の光学素子は、実施の形態３及び４では光素子１３０に相当し、図２６に示す様に光ファイバ１２０の上方に位置している。この光学素子が発光素子である場合、光学素子１３０は面発光素子（底部から発光する）である。この面発光素子を用いず、光ファイバ１２０の延長方向（光ファイバと実質的に同一平面上）に端面発光素子（光学素子の端部から発光する）を設置した構成であってもよい。
【０２３０】
図３３は、端面発光素子１６０を用いた場合の光伝送路基板の側面図である。図３３に示す様に、端面発光素子を用い光接続を行うためには光ファイバ１２０を設置するための溝の深さを端面発光素子１６０の高さとあわせる様に調整する必要がある。従来の端面発光素子を用いた光伝送路基板では掘り下げる深さ（基板１１０の平面に対して垂直方向）と基板１１０の平面に対して平行な方向の位置調整が必要であったが、本実施の形態３及び４の製造方法により平行な方向の位置調整はほとんど必要なくなり、従来と比べると調心工程が少なくて済むため、より安価に製造することが出来る。
【０２３１】
なお、本実施の形態３及び４では、光ファイバによる光伝送路基板を例として説明したが、光伝送路として、光ファイバ１２０に代えて平面導波路（ＰＬＣ）の光導波路を用いることもできる。光伝送路として平面導波路（ＰＬＣ）の光導波路を用いる場合、平面導波路（ＰＬＣ）側に複数溝を形成しておき、同じく複数の溝１２２と合わせることにより製造性が増し、また平面導波路（ＰＬＣ）側に配線１１３を形成しておく、また平面導波路（ＰＬＣ）側に光素子１３０を実装しておくなどすることにより，より製造，調心の問題の簡易化を図ることができる。なお、コスト的な面を考慮すると、平面導波路（ＰＬＣ）の光導波路を形成する製造コストよりも、予め用意した光ファイバを実施の形態３及び４の製造方法に基づいて使用する方がメリットが大きいことがある。
【０２３２】
以上、本発明を好適な実施の形態により説明してきたが、こうした記述は限定事項ではなく、勿論、種々の改変が可能である。例えば、上記の実施の形態では、図２４に示す光学素子１３０を配置するための配線パターンも埋め込むものとしたが、光学素子用マーカー用の配線パターンを埋め込む工程は省いてもよい。
【０２３３】
上述した通り、本発明の光伝送路基板の製造方法は、支持基板上に形成された金属層をパターニングして、複数の配線を含む配線パターンを形成する工程（ａ）と；前記配線パターンを覆うように、前記支持基板上に、樹脂を含む材料を堆積する工程（ｂ）と；前記支持基板を取り除き、それによって、前記樹脂を含む材料からなる樹脂膜の表面に前記配線パターンを露出させる工程（ｃ）と；前記配線パターンの一部を除去することによって、前記樹脂膜の表面に溝を形成する工程（ｄ）と；前記溝に光伝送路に配置する工程（ｅ）と；を包含する。
【０２３４】
又、例えば、ある好適な実施の形態において、前記工程（ａ）は、支持基板と、前記支持基板上に形成された金属層とを用意する工程と、前記配線パターンを含むパターンに対応したマスクを用いて、前記金属層をエッチングする工程とを含む。
【０２３５】
又、例えば、ある好適な実施の形態において、前記配線パターンは、前記複数の配線となる配線部分と、前記溝となる溝部分とを含んでいる。
【０２３６】
又、例えば、前記樹脂を含む材料は、樹脂と無機フィラーとを含むコンポジット材料であることが好ましい。
【０２３７】
又、例えば、ある実施の形態において、前記溝の深さは、１μｍ以上５ｍｍ以下である。
【０２３８】
又、例えば、ある実施の形態では、前記工程（ｂ）において、前記樹脂を含む材料は、前記光伝送路の半径の１／２倍以上の厚さで堆積される。
【０２３９】
又、例えば、ある好適な実施の形態では、前記工程（ｄ）において、前記溝の角がテーパー状になるように、前記溝を形成する。
【０２４０】
又、例えば、ある好適な実施の形態では、前記工程（ｅ）の後、前記配線パターンと電気的に接続される電子部品を実装する工程をさらに行う。
【０２４１】
又、例えば、ある好適な実施の形態において、前記電子部品の少なくとも一つは、レーザ素子および受光素子の少なくとも一方の光素子であり、前記光素子は、前記光伝送路の上又は上方に配置される。
【０２４２】
又、例えば、本発明の他の光伝送路基板の製造方法は、支持基板上に形成された金属層をパターニングして、複数の配線を含む配線パターンを形成する工程（ａ）と；前記配線パターンを覆うように、前記支持基板上に、樹脂を含む材料を堆積する工程（ｂ）と；前記支持基板を取り除き、それによって、前記樹脂を含む材料からなる樹脂膜の表面に前記配線パターンを露出させる工程（ｃ）と；前記配線パターンの配線間に存在する樹脂を除去することによって、前記樹脂膜の表面に溝を形成する工程（ｄ）と；前記溝に光伝送路に配置する工程（ｅ）と；を包含する。
【０２４３】
又、例えば、ある好適な実施の形態において、前記光伝送路は、光ファイバである。
【０２４４】
又、例えば、本発明の光伝送路基板は、樹脂を含む材料から構成された基板と、前記基板上に形成され、複数の配線を含む配線パターンとを備え、前記基板の表面には、溝が複数形成されており、前記複数の溝のそれぞれには、光伝送路の一部が埋め込まれている。
【０２４５】
又、例えば、ある好適な実施の形態において、前記光伝送路が埋め込まれた前記溝と、前記配線パターンの一部とは、互いに自己整合的に形成されている。
【０２４６】
又、例えば、ある好適な実施の形態において、前記光伝送路は、前記溝内に配置されたＹ分岐部を有している。
【０２４７】
又、例えば、ある好適な実施の形態において、前記溝の角は、テーパー状となっている。
【０２４８】
又、例えば、ある好適な実施の形態において、前記基板には、さらに、メモリＬＳＩおよびロジックＬＳＩのうちの少なくとも一方の半導体素子と、レーザ素子と、受光素子とが設けられている。
【０２４９】
又、例えば、ある好適な実施の形態において、前記光伝送路は、光ファイバである。
【０２５０】
又、例えば、本発明のデータ処理装置は、上記光伝送路基板と、前記光伝送路基板上に実装された半導体素子とを備えている。
【０２５１】
（実施の形態５）
図３４から図３９を参照しながら、本発明の実施の形態５に係る光伝送路内蔵基板３００について説明する。図３４は、本実施の形態５の光伝送路内蔵基板３００の構成を模式的に示す斜視図である。
【０２５２】
本実施の形態５の光伝送路内蔵基板３００は、基板２１０と、基板２１０上に形成された複数の配線２１２を含む配線パターン２１５と、基板２１０内に埋設された複数の光伝送路２２０（２２０ａ、２２０ｂ）とを備えている。光伝送路２２０ａと光伝送路２２０ｂとは、基板２１０の深さ方向２１９における異なる階層で配列されており、それゆえ、光伝送路２２０は多層配列されている。各光伝送路２２０（２２０ａ、２２０ｂ）の一端周辺の上方には、光素子２３０が配置されている。そして、基板２１０の上面に形成された配線パターン２１５の一部（配線２１２）と、光素子２３０とは電気的に接続されている。又、図５０で説明した位置決め基準面１０３ａ〜１０３ｃと同様の光素子２３０の位置決め用のマーカー（図示省略）が、基板２１０上に形成されている。又、配線パターン２１５には、位置決め用のマーカーも含まれる。尚、本発明の基板の厚み方向は、例えば、基板２１０の深さ方向２１９に対応する。
【０２５３】
本実施の形態５では、配線２１２の間に溝２２２が形成されており、溝２２２に光伝送路２２０が配置されている。図３４に示した例では、上段の光ファイバ（光導波路）２２０ａに対応する溝２２２を明示しているが、下段の光ファイバ（光導波路）２２０ｂに対応する溝も存在し得る。また、この例では、２段の構成（２２０ａ、２２０ｂ）を示しているが、３段またはそれ以上の構成にしてもよい。本実施の形態５における光伝送路２２０は光ファイバであり、本実施の形態５では、光ファイバを例にとって説明する。
【０２５４】
光ファイバ２２０は、基板２１０の上方から見て（基板２１０の法線方向から見て）配線２１２に接するように、接着剤などで固着され、配線２１２間に配置されている。上述のとおり、本実施の形態５では、光ファイバ２２０は、配線２１２間に形成された溝２２２内に配置されて、基板２１０に内蔵されている。言い換えると、配線２１２間に形成された溝２２２が、光ファイバ２２０の実装部となっている。本実施の形態５では、光ファイバ２２０の最上部分と、配線パターン２１５の上面（言い換えると、配線２１２の上面）とが実質的に同一面上に位置している。
【０２５５】
図３４に示した光伝送路内蔵基板（光ファイバ内蔵基板）３００には、光素子２３０が実装されており、配線２１２と電気的に接続されており、かつ、光ファイバ２２０（２２０ａ、２２０ｂ）と光接続されている。本実施の形態５では、光素子２３０は、光ファイバ２２０（２２０ａ、２２０ｂ）の上方に配置されるか、あるいは、最上段の光ファイバ２２０ａに実質的に接するように配置されている。
【０２５６】
光素子２３０は、例えば、半導体レーザのようなレーザ素子、または、フォトダイオードのような受光素子である。ここでは、光素子２３０は、面発光型垂直共振器レーザ（ＶＣＳＥＬ）を用いている。光素子（ＶＣＳＥＬ）２３０の発光面と、基板２１０の表面とは対向しており、発光面には、複数の発光点が配列されている。光素子２３０が受光素子の場合、光素子２３０の受光面と、基板２１０の表面とは対向しており、その受光面には、複数の受光点が配列されている。
【０２５７】
基板２１０は、樹脂を含む材料から構成されており、本実施の形態５では、基板２１０を構成する材料は、樹脂（例えば、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂）と無機フィラーとを含むコンポジット材料である。ここでは、コンポジット材料の樹脂として、熱硬化性樹脂を用いている。
【０２５８】
なお、無機フィラーを実質的に用いずに、専ら熱硬化性樹脂のみから基板２１０を構成することも可能である。熱硬化性樹脂は、例えば、エポキシ樹脂などであり、無機フィラーを添加する場合、その無機フィラーは、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＭｇＯ、ＢＮ、ＡｌＮなどである。無機フィラーの添加により、種々の物性（例えば、熱膨張係数）を制御することができるので、無機フィラーを含むコンポジット材料から基板２１０を形成することが好適である。本実施の形態５において、熱硬化性樹脂１００重量部に対して、無機フィラーは、例えば１００重量部以上（好ましくは、１４０〜１８０重量部）含まれている。
【０２５９】
無機フィラーの役割を少し説明すると次の通りである。無機フィラーとして、Ａｌ２Ｏ３、ＢＮ、 ＡｌＮを添加した場合には、基板２１０の熱伝導性を良好にすることができる。
【０２６０】
また、適切な無機フィラーを選択することによって、熱膨張係数を調整することが可能である。樹脂成分によって熱膨張係数が比較的大きくなっているので、ＳｉＯ２やＡｌＮなどの添加により、熱膨張係数を小さくすることができる。
【０２６１】
また、場合によっては、ＭｇＯを添加することで、熱伝導度を良好にしつつ且つ熱膨張係数を大きくすることもできる。
【０２６２】
さらに、ＳｉＯ２（特に、非晶質ＳｉＯ２）であれば、熱膨張係数を小さくすることができるともに、誘電率を低くすることができる。
【０２６３】
図３５は、本実施の形態５の光伝送路内蔵基板（光ファイバ内蔵基板）３００の構成の一例を模式的に示す断面図である。
【０２６４】
図３５に示した光伝送路内蔵基板３００は、サブ基板２１０ａとサブ基板２１０ｂとが積層された基板２１０から形成されている。サブ基板２１０ａおよび２１０ｂともに、溝２２２が形成されており、溝２２２内に光ファイバ２２０（２２０ａ、２２０ｂ）が配置されている。配線パターン２１５に含まれている配線２１２の下には、ガイド層２１６、２１７からなるガイド壁２１８があり、ガイド壁２１８間に光ファイバ２２０が配置されている。具体的には、光ファイバ２２０とガイド壁２１８との左右の隙間はそれぞれ０．１μｍ以下が望ましい。
【０２６５】
尚、本発明のガイド手段は、例えば、ガイド壁２１８に対応する。
【０２６６】
サブ基板２１０ａにおける配線２１２と、光素子２３０とは電気的に接続されている。この例では、配線２１２以外の配線２１３も配線パターン２１５中に形成されており、サブ基板２１０ａにおける配線２１３には、電子部品（例えば、半導体素子）２３１が電気的に接続されている。
【０２６７】
ここで、電子部品２３１は半田ボール２３２を介して配線２１３に接続している。サブ基板２１０ｂにおける配線２１３は、ビア（不図示）を介して、サブ基板２１０ａにおける配線パターン２１５と接続することができ、その場合、サブ基板２１０ａと２１０ｂとからなる基板２１０を多層基板として利用することができる。なお、サブ基板２１０ｂにおける配線２１３は省略することも可能である。
【０２６８】
本実施の形態５の光伝送路内蔵基板３００の場合、溝２２２内に光伝送路（光ファイバ）２２０を収納して固定するので、光素子２３０と光ファイバ２２０（２２０ａ、２２０ｂ）と位置合わせを行うことが容易である。なぜならば、溝２２２は、配線パターン２１５の一部（２１２）を基準に形成しており、その基準に光素子２３０も合わせることができるからである。図３５に示した構成では、サブ基板２１０ａ、２１０ｂを積層して作製することができるので、２段のみならず、３段またはそれ以上でも簡便に多段光伝送路基板を作製することができ、そして、多層電気配線基板も作製することができる。
【０２６９】
光素子２３０と光ファイバ２２０とは、例えば、図３６の、図３５に示す構成を模式的に示す部分断面図に示すように光接続を行うことができる。すなわち、図３６に示すように、基板２１０の一部に反射面（傾斜面）２１１を形成して、その反射面２１１を介して、光素子２３０と光ファイバ２２０との間で光（光信号）２２５による光接続を行う。反射面２１１は、例えば、基板２１０に傾斜面を作製して、その傾斜面の表面に金属層（例えば、Ａｕ層など）を形成する等によって構築することができる。また、反射面２１１を有する光学部品（ミラー）を基板２１０上に載置してもよい。
【０２７０】
具体的には、反射面２１１は，後述する例えば、図４１（ｃ）の工程より前において、あるいは、図４５（ａ）〜（ｃ）の工程の間において、例えばエッチング，機械加工などで予め傾斜面を作製して，その傾斜面の表面に金属層（例えばＡｕ層など）を形成する新たな工程を追加するか、上記工程と共に行うことによって形成することができる。
【０２７１】
あるいは、図３７の、図３５に示す構成を模式的に示す部分断面図に示すように、光ファイバ２２０の端面２２１を斜めにカット（例えば、４５°カット）し、その端面２２１で光２２５を反射させて、光素子２３０と光ファイバ２２０との光接続を行うことができる。この場合、同図に示すように、光ファイバ２２０の端面２２１は、光素子２３０が実装される基板２１０の上面と反対側に向いている。
【０２７２】
なお、図３６および図３７に示した構成において、光２２５の経路である光素子２３０と光ファイバ２２０との間は密着しているが、透明媒体が存在していてもよい。透明媒体は、例えば、空気、ガラス、透明樹脂などを用いればよい。実施の形態１〜４と同様、透明樹脂とは光素子２３０と光ファイバ２２０とを光学的に接続可能な材料であって、波長８５０ｎｍ、１３３０ｎｍ、１５５０ｎｍ等の波長光を透過可能であればよく、具体的には、ポリイミド、エポキシアラミド等を用いればよい。また、光素子２３０と光ファイバ２２０との間に光学部品（例えば、レンズ）を配置することも可能である。
【０２７３】
そして、多段光伝送路の場合は、図３８の、図３５に示す構成を模式的に示す断面図に示すようになる。ここで、上段の光ファイバ２２０ａは、光２２５ａによって光素子２３０と光接続し、一方、下段の光ファイバ２２０ｂは、光２２５ｂによって光素子２３０と光接続する。この場合、同図に示すように、光ファイバ２２０の端面２２１ａ，２２１ｂは、光素子２３０が実装される基板２１０の上面と反対側に向いている。
【０２７４】
光ファイバ２２０の端面２２１ａ，２２１ｂの位置あわせを精度良く行う方法は次の通りである。例えば、図４２（ｂ）に示す場合は、上層のサブ基板２１０ａのパターン２１４に対して，下層のサブ基板２１０ｂ上のパターン２１４とを光学的に位置合わせすることにより、精度良く積層できる。又、図４６に示す場合は、上下の光ファイバ２２０ａ，２２０ｂを予め密接して固着することにより、端面２２１ａ，２２１ｂの位置あわせを精度良く行える。
【０２７５】
また、図３９の、図３５に示す構成を模式的に示す断面図に示すように、光素子２３０との光接続でなく、上段の光ファイバ２２０ａと下段の光ファイバ２２０ｂとの光接続を行うことも可能である。
【０２７６】
ここで、本実施の形態５の光伝送路内蔵基板（光ファイバ内蔵基板）３００は、詳細については、後述するが、複数の配線２１２を含む配線パターン２１５が表面に形成され、且つ、配線２１２間に形成された溝２２２に光伝送路（光ファイバ）２２０が配置されたサブ基板２１０ａ、２１０ｂを用意し、その後、サブ基板２１０ａと２１０ｂとを積層すればよい。サブ基板２１０ａ、２１０ｂは、転写法を利用して作製することができる。具体的には、支持基板（図４０の符号２４０参照）上に形成された金属層をパターニングして、複数の配線２１２を含む配線パターン２１５を形成した後、配線パターン２１５の配線２１２間に光ファイバ２２０（２２０ａ又は２２０ｂ）を配置し、次いで、樹脂を含む材料を支持基板上に堆積して、配線パターン２１５および光ファイバ２２０（２２０ａ又は２２０ｂ）を覆う。その後、支持基板を取り除くと、表面に配線パターン２１５が露出して、サブ基板２１０ａ、２１０ｂを得ることができる。
【０２７７】
次に、本発明の一実施の形態５の光ファイバ内蔵基板３００の製造方法について詳述する。
【０２７８】
まず、図４０（ａ）に示すように、金属層２４２が形成されたキャリアシート（転写形成材）２４０を用意する。金属層２４２は、例えば銅から形成されている。また、キャリアシート２４０は、支持基板であり、例えば金属箔（銅箔またはアルミ箔）や樹脂シートからなる。金属層２４２の厚さおよびキャリアシート２４０の厚さは、それぞれ、３〜５０μｍ程度および２５〜２００μｍ程度である。
【０２７９】
次に、図４０（ｂ）に示すように、金属層２４２の上方に、配線パターン２１５に対応したマスク２５０を配置して、金属層２４２をエッチングする。すると、図４０（ｃ）に示すように、配線２１２を含む配線パターン２１５が形成される。図示した例では、配線パターン２１５中に含まれる配線として、光ファイバ２２０の周囲に位置する配線２１２の以外に、他の配線２１３も明示している。
【０２８０】
上記エッチングによるパターニングを行った後は、光ファイバ２２０を配置する際のガイドとなる壁を、配線パターン２１５の少なくとも一部に形成する。本実施の形態５では、配線２１２の上にガイド壁を形成する。
【０２８１】
具体的には、図４０（ｃ）に示すように、配線２１２の部分に開口部があるマスク２５１をキャリアシート２４０の上方に配置し、次いで、図４０（ｄ）に示すように、配線２１２上に、ガイド壁を構成する層（ガイド層）２１６を堆積する。ガイド層２１６は、例えば、金属からなり、スパッタを用いて形成される。スパッタ法の他に、蒸着、めっき、堆積法などを用いても良い。本実施の形態５において、スパッタによってガイド層２１６を形成するのは、形状での再現性が好ましいからである。
【０２８２】
ガイド層２１６だけでは、光ファイバ２２０を支持するガイド壁の高さが足りない場合には、図４１（ａ）に示すように、ガイド層２１６の上方にマスク２５２を配置した後、更なるガイド層２１７を下地のガイド層２１６の上に堆積する。マスク２５２は、先のマスク２５１と同様のものでよい。また、ガイド層２１７を構成する材料は、ガイド層２１６を構成する材料と同じものでもよいし、異なるものでもよい。なお、ガイド層２１６、２１７を構成する材料は、金属に限らず、他の材料（例えば、樹脂）であってもよい。
【０２８３】
このようにして、図４１（ｂ）に示すように、配線２１２上に、ガイド層２１６およびガイド層２１７からなるガイド壁２１８を形成する。ガイド壁２１８によって、光ファイバ２２０が実装される溝２２２（光ファイバ実装部）が形成される。本実施の形態５では、配線２１２とガイド壁２１８（ガイド層２１６、２１７）とを足した厚さが、ガイド壁２１８間に配置される光ファイバ２２０の半径よりも大きくなるようにしている。このようにした理由は、製造性簡易化，高精度化のためである。
【０２８４】
次に、図４１（ｃ）に示すように、ガイド壁２１８の間（配線２１２の間）に光ファイバ２２０を配置する。換言すると、ガイド壁２１８（又は配線２１２）の間に形成された溝２２２内に光ファイバ２２０を挿入する。本実施の形態５では、光ファイバ２２０は、キャリアシート（支持基板）２４０に接するように配置される。また、光ファイバ２２０は、ガイド壁２１８に接するように配線２１２間に配置される。
【０２８５】
次に、図４１（ｄ）に示すように、キャリアシート２４０上に、樹脂を含む材料を堆積することによって、サブ基板（絶縁基板）２１０ａを形成する。この堆積は、配線パターン２１５および光ファイバ２２０を覆うように行われる。すなわち、サブ基板２１０ａを構成する材料によって、配線２１２、２１３を含む配線パターン２１５、ガイド壁２１８および光ファイバ２２０は覆われることになる。
【０２８６】
次に、図４２（ａ）に示すように、サブ基板２１０ａを反転させて、キャリアシート２４０を除去する。つまり、キャリアシート２４０上の配線パターン２１５が離れて、転写が完了する。なお、もちろん、キャリアシート２４０を取り除いた後に、サブ基板２１０ａを反転させても構わない。同様の製造工程によって、サブ基板２１０ｂも作製して、サブ基板２１０ａとサブ基板２１０ｂとを積層させれば、図４２（ｂ）に示すように、本実施の形態５の光伝送路内蔵基板３００が得られる。
【０２８７】
なお、上記の図４０、４１および図４２（ａ）に示す各工程は、本実施の形態１にて説明した図２，図３および図４（ａ）の各工程と実質上対応する。すなわち、サブ基板２１０ａおよび２１０ｂは、それぞれ、実施の形態１の光伝送路基板の製造方法によって作成することができることになる。
【０２８８】
光伝送路内蔵基板３００を完成した後は、サブ基板２１０ａの配線２１２上に光素子２３０を実装し、配線２１３の上に電子部品２３１を実装すれば、図３５に示した構成となる。
【０２８９】
光素子２３０は、例えば、半導体レーザであり、本実施の形態５では、光ファイバ２２０の上方に、又は光ファイバ２２０に実質的に接するように配置される。また、光素子２３０は、受光素子（例えば、フォトダイオード）であってもよい。配線パターン２１５のうち配線２１３の部分に実装された電子部品２３１は、半導体素子（例えば、ロジックＬＳＩ）である。電子部品（半導体素子）２３１は、半田ボール２３２を介して配線２１３に電気的に接続されている。尚、本発明の第１工程は、例えば、図４０（ａ）〜図４０（ｃ）に示す工程に対応し、本発明の第２工程は、例えば、図４０（ｄ）〜図４１（ｂ）に示す工程に対応する。又、本発明の第３工程は、例えば、図４１（ｃ）〜図４２（ａ）に示す工程に対応し、本発明の第４工程は、例えば、図４２（ｂ）に示す工程に対応する。
【０２９０】
ここで、図４０（ａ）〜図４０（ｃ）に示す工程は、本発明の第１工程で「配線パターンの全部を形成する」場合の一例を示している。又、図４０（ｄ）〜図４１（ｂ）に示す工程は、本発明の第２工程で「ガイド手段を、前記配線パターンを利用して形成する」場合の一例を示している。
【０２９１】
本実施の形態５の製造方法では、図４１（ｄ）に示した状態において、配線パターン２１５と光ファイバ２２０とを共にキャリアシート２４０に接するようにしているので、図４２（ａ）に示した状態では、配線パターン２１５の上面と光ファイバ２２０の最上部分とは、実質的に同一面上に位置する。さらには、サブ基板２１０ａの樹脂面（正確には、コンポジット材料からなる面）と、配線パターン２１５の上面および光ファイバ２２０の最上部分とが、実質的に同一面上に位置する。したがって、図４２（ｂ）に示した工程の際に、サブ基板２１０ａとサブ基板２１０ｂとを積層するのが容易である。
【０２９２】
また、本実施の形態５の製造方法によれば、光ファイバ２２０を簡便に基板２１０（又はサブ基板２１０ａ、２１０ｂ）内に埋設（内蔵）させることができ、基板２１０の表面に光ファイバ２２０を設けた場合と比較して、光ファイバ２２０をより適切に保護することができる。
【０２９３】
配線パターン２１５における配線２１２の部分に光素子２３０を実装する場合、配２線１２にパッド部を形成して、そのパッド部と光素子２３０が有する素子端子とをワイヤーボンディング接続することも可能であるが、ワイヤーボンディング接続だと高速特性を発揮させる上で不利に働く。
【０２９４】
したがって、例えば、図４３に示すように、光素子２３０と配線２１２との間の接続は、接続部材（例えば、バンプや半田ボール）２３２を用いてフリップチップ実装などを行うことが好ましい。その場合、接続部材２３２が接触する配線２１２の部位には、ランドを形成しておけばよい。
【０２９５】
また、光ファイバ２２０と光接続するのは、単体の光素子２３０だけでなく、図４４に示すように、ＭＣＭ（マルチ・チップ・モジュール）２３５内に存在する光素子であってもよい。
【０２９６】
この例では、複数の電子部品２３３ａ、２３３ｂがインターボーザ２３４上に実装されてＭＣＭ２３５が構成されており、電子部品２３３ａ、２３３ｂの少なくとも一方は光素子である。電子部品２３３ａ、２３３ｂは、両方ともレーザ素子（半導体レーザ）であったり、両方とも受光素子（フォトダイオード）であってよいし、あるいは、レーザ素子と受光素子との組み合わせであってもよい。インターボーザ２３４のうち、光素子と光ファイバとの間の光経路の部位には例えば開口部が形成されている。当該開口部の位置に光部品（レンズなど）を配置することも可能である。また、インターポーザ２３４の裏面側に光素子２３３ａ、２３３ｂを実装させることも可能である。
【０２９７】
また、本発明の一実施の形態５の光伝送路内蔵基板３００は、図４５（ａ）から（ｃ）に示すようにして製造することもできる。以下、詳細を説明する。
【０２９８】
まず、図４０（ａ）に示した状態から、金属層２４２の上にガイド層２１６、２１７を積層して、図４５（ａ）に示した状態のものを用意する。次に、図４５（ｂ）に示すように、溝２２２の形状を規定するマスク２５３を用いて、各層（２１７、２１６、２４２）のエッチングを行って、溝２２２を形成する。
【０２９９】
その後、所定のマスクを用いながらエッチングを行って、図４５（ｃ）に示すように、ガイド壁２１８と、配線２１２および配線２１３を含む配線パターン２１５とを形成する。図４５（ｃ）は、図４１（ｂ）に示した構成と同様のものであるので、あと、図４１（ｃ）以降の工程を実行すると、図４２（ｂ）および図３５に示した光伝送路内蔵基板３００を得ることができる。
【０３００】
尚、本発明の「配線パターンの一部を形成する第１工程」と、「配線パターンの少なくとも一部と共に形成する第２工程」とは、例えば、図４５（ｂ）に示す工程に対応しており、実質上同時に行うものである。
【０３０１】
ここでは、溝２２２を先に形成した後、配線パターン２１５を形成したが、図４５（ｂ）の段階から、配線パターン２１５に対応したマスクを用いて、２溝２２と配線パターン２１５とを同時に（同一工程で）形成して、その後、ガイド層２１６、２１７の不要な部位を除去して、図４５（ｃ）に示すようなガイド壁２１８を作製してもよい。なお、その場合、ガイド層２１６、２１７の不要な部位を除去せずに、基板２１０内に埋めたままにしておくことも可能である。上述したように、ガイド層２１６、２１７の２つを用いずに、ガイド層２１６、２１７を同一の材料から構成して、１つのガイド層にしても構わない。
【０３０２】
次に、上記とは別の製造方法として、溝２２２の深さを深くして（言い換えると、ガイド壁２１８の高さを高くして）、溝２２２に縦方向に２つの光ファイバ２２０を挿入して、図４６に示すような光伝送路内蔵基板３００を作製することも可能である。主として図４６を用いて、別の製造方法の本発明の一実施の形態を説明しながら、本発明の光伝送路内蔵基板の一実施の形態についても同時に述べる。
【０３０３】
図４６に示す製造方法と、上述した製造方法との相違点は、光ファイバ２２０ａ，２２０ｂをガイド壁２１８の間に、基板２１０の厚み方向に複数重ねて配列する点である。これにより、図４６に示した光伝送路内蔵基板３００では、光素子に対する距離が短く出来るので、光損失量が小さいという利点もある。尚、図４６では、光ファイバを２本重ねて埋設する場合について説明したが、これに限らず３本以上とすることも可能である。その場合、ガイド壁２１８の高さを調整する。
【０３０４】
図４７は、本実施の形態５の光伝送路内蔵基板（光モジュール）３００の他の構成を模式的に示す断面図である。
【０３０５】
図４７に示した光伝送路内蔵基板３００は、多層配線基板と多段光伝送路基板との両方を兼ねている。基板２１０から延びた光伝送路（光ファイバ）２２０は、光コネクタ２２７に接続されている。基板２１０内の各配線層２１２又は２１３は、層間接続部材（ビア）２３６を介して電気的に接続されている。基板２１０の一方の面には、光素子（ＶＣＳＥＬ）２３０と半導体素子（ＬＳＩチップ）２３１とが接続部材２３２を介して実装されている。基板２１０の他方の面には、電気入出力部（電気Ｉ／Ｏ）２３７が形成されている。上述したように光ファイバ２２０（具体的には、光ファイバ２２０の端面２２１）と光素子２３０との間には、透明媒体（例えば、空気、ガラス、透明樹脂、または光学部材）が存在している。
【０３０６】
本実施の形態５の光伝送路内蔵基板３００では、配線２１２とともに、それ以外の他の配線（配線層２１３など）を転写法によって簡便に形成することができるので、光素子以外の電子部品（半導体素子）を、典型的なプリント基板の場合のように実装することができる。図４８は、光伝送路内蔵基板３００の上に、光素子２３０ａ、２３０ｂの他に、電子部品２３１（２３１ａ、２３１ｂ、２３１ｃ、２３１ｄ、２３１ｅ）を搭載した光モジュールを示している。図４８に示した光伝送路内蔵基板（光モジュール）は、データ処理装置として用いることができる。以下、さらに説明する。
【０３０７】
光素子２３０ａは、レーザ素子であり、ここでは、面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ−Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ）を用いている。一方、光素子２３０ｂは、受光素子であり、ここでは、受光部を複数有するフォトダイオードを用いている。なお、本実施の形態５の構成および理解を容易にするために、光素子２３０ａに光接続される最上段の光ファイバ２２０は省略して、溝２２２を見せており、配線２１２は省略している。
【０３０８】
レーザ素子２３０ａには、ドライバＩＣ２３１ａが接続されている。ドライバＩＣ２３１ａは、ＬＳＩチップ（例えば、画像処理用ＬＳＩのようなロジックＬＳＩ）２３１ｂに接続されており、ＬＳＩチップ２３１ｂは、メモリチップ２３１ｃに接続されている。受光素子２３０ｂは、アンプ（プリアンプ）２３１ｄ、アンプ２３１ｅを介してＬＳＩチップ２３１ｂに接続されている。各電子部品２３１は、配線パターン２１５中の配線２１３によって接続されている。図４８に示した構成中の光ファイバ２２０は、図４７に示したように、光コネクタ２２７に接続することも可能である。
【０３０９】
なお、配線２１３については転写工程とは別の工程で（例えば、後工程で別個独立に）基板２１０上に形成することも可能であるが、製造手順およびコスト等を考慮すると、本実施の形態５の製造方法のように、配線２１３も配線２１２と同一工程で作製する方が効率が良い。
【０３１０】
図４８に示した光モジュール（データ処理装置）３００は、光ファイバ２２０によって光伝送を行うことができるので、大容量データを高速に伝送することができる。また、本実施の形態５の製造方法によれば、そのような光モジュール（データ処理装置）３００を簡便に作製することができるので、低コスト化を図ることができる。その結果、現在の光通信用（インターネット、電話など）の光モジュールのコストを下げることができ、そのような光モジュールのより一層の普及に寄与することができる。
【０３１１】
さらには、コストの低下により、図５２に示した通信系装置３０００におけるボード内（Ｌｅｖｅｌ−２）伝送において光伝送を利用することも、経済的に可能となり、ボード内伝送の高速化に寄与することができる。また、図５２に示したブックシェルフ型の通信系装置３０００に用いるだけでなく、この光伝送路内蔵基板または光モジュール１００自体を１つのメインの装置として、次世代向けの高性能光Ｉ／Ｏモジュールや、データ処理装置（例えば、画像処理装置）として使用することができる。
【０３１２】
さらに、本実施の形態５の光伝送路内蔵基板３００では、光ファイバ２２０は基板２１０内に埋設されるので、通常であれば、図４９に示すようなＹ分岐部２２３を有するために、光ファイバ２２０の強度が弱くなるような場合でも、光ファイバ２２０の強度の低下を抑制することができる。具体的には、図４９に示すように、配線２１２およびその下にあるガイド壁２１８によって形成した溝２２２（光ファイバ２２０の実装部）に、光ファイバ２２０を配置すればよい。Ｙ分岐部２２３を有する光ファイバ２２０を用いることにより、波長多重に適した光モジュールを提供することができる。
【０３１３】
なお、本実施の形態５では、光ファイバによる光伝送路内蔵基板を例として説明したが、光伝送路２２０として、光ファイバに代えて平面導波路（ＰＬＣ）の光導波路を用いることもできる。光伝送路として平面導波路（ＰＬＣ）の光導波路を用いる場合、平面導波路（ＰＬＣ）側に複数溝を形成したサブ基板と、図４２（ａ）に示すサブ基板２１０ａとを用意して、それらサブ基板同士を、例えば、位置合わせ用のマーカーを利用するなど（図４２（ｂ）参照）、所定の方法により積層することにより製造性が向上する。また平面導波路（ＰＬＣ）側に配線２１３を形成しておいたり、平面導波路（ＰＬＣ）側に光素子２３０を実装しておくなどすることにより，より製造，調心の問題の簡易化を図ることができる。なお、コスト的な面を考慮すると、平面導波路（ＰＬＣ）の光導波路を形成する製造コストよりも、予め用意した光ファイバを本実施の形態５の製造方法に基づいて使用する方がメリットは大きいと言える。
【０３１４】
又、上記実施の形態５では、サブ基板毎に、光伝送路を、基板の厚み方向に単数配列した場合について説明したが、これに限らず例えば、基板の厚み方向に光伝送路を複数配列しても良い。この場合、サブ基板は、例えば図４６に示す構成となる。
【０３１５】
又、上記実施の形態５では、基板の厚み方向に実質上直交する方向にも複数配列されている場合について説明したが、これに限らず例えば、上記直交する方向に一列のみ配列する構成としても良い。
【０３１６】
又、上記実施の形態５では、ガイド手段としてガイド壁を用いた場合を中心に説明したが、これに限らず例えば、予め形成されたサブ基板に対して溝等の凹部を形成して、その凹部に光伝送路を配置しても良い。この場合、ガイド壁を用いた上記実施の形態５の構成に比べて、光接続における調心の精度は若干劣る可能性があるが、本発明のガイド手段を利用することなく、即ち、配線パターンの形成と関わりなく形成された溝等の所定の部位に光伝送路を配置する構成としても良い。この場合、サブ基板同士の積層は、位置合わせ用に設けたマーカー等を利用して重ね合わせる。
【０３１７】
又、上記実施の形態５では、図４０、図４１において、配線２１２の上にガイド層２１６〜２１７を積層してガイド壁２１８を形成する場合を示したが、これに限らず、例えば、図４０（ｄ）〜図４１（ｂ）の工程を省略しても良い。この場合、配線２１２がガイド層２１８の機能も兼ね備えており、光ファイバ２２０の位置決めが出来る程度の厚みがあれば良い。
【０３１８】
又、上記実施の形態５では、図４５（ｂ）で配線パターンの一部とガイド壁２１８とを同時に形成し、図４５（ｃ）で更にガイド層２１８と配線２１３を形成する場合を示したが、これに限らず、例えば、図４５（ｂ）において、全ての配線パターンと全てのガイド壁２１８を形成しても良い。この場合、配線パターンとガイド壁の厚みは同じになる。
【０３１９】
又、上記実施の形態５では、本発明の光伝送路内蔵基板は、光素子等が実装された場合について説明したが、これに限らず例えば、光素子等が実装されていなくても実装可能な構造であれば良い。
【０３２０】
又、上記実施の形態５では、光素子は、面発光・受光素子を中心に説明したが、これに限らず例えば、端面発光・受光素子を用いても良い。
【０３２１】
尚、配線パターンに含まれる位置決め用のマーカーと、ガイド壁とは同じマスクで形成するのが望ましい。    
【０３２２】
上述した通り、本発明の光伝送路内蔵基板は、例えば、基板と、前記基板上に形成され、複数の配線を有する配線パターンと、前記基板内に埋設された複数の光伝送路とを備え、前記複数の光伝送路は、前記基板の深さ方向における異なる階層で配列されており、前記複数の光伝送路のそれぞれの一端周辺の上方には、光素子が配置されている。
【０３２３】
又、例えば、前記基板上に形成された前記配線パターンの一部と、前記光素子とは電気的に接続されていることが好ましい。
【０３２４】
又、例えば、ある好適な実施の形態において、前記配線の間には溝が形成されており、前記溝に前記光伝送路が配置されている。
【０３２５】
又、例えば、ある好適な実施の形態において、１つの溝内に、前記異なる階層の前記光伝送路が配置されている。
【０３２６】
又、例えば、ある好適な実施の形態において、前記基板は、複数のサブ基板が積層されて形成されており、前記サブ基板には、溝が形成されており、前記溝内に、前記光伝送路が配置されている。
【０３２７】
又、例えば、ある好適な実施の形態において、前記複数の光伝送路は、それぞれ、光ファイバである。
【０３２８】
又、前記基板は、樹脂と無機フィラーとを含むコンポジット材料から構成されていることが好ましい。
【０３２９】
又、前記光素子は、面発光型垂直共振器レーザであることが好ましい。
【０３３０】
又、例えば、ある好適な実施の形態において、前記面発光型垂直共振器レーザの発光面と、前記基板の表面とは対向しており、前記発光面には、複数の発光点が配列されている。
【０３３１】
又、例えば、ある好適な実施の形態において、前記光伝送路の前記一端は、略４５度の角度にカットされている。
【０３３２】
又、例えば、ある好適な実施の形態において、前記光伝送路の前記一端の前記周辺には、当該光伝送路の一端と前記光素子とを光接続するための傾斜面が設けられている。
【０３３３】
又、前記光素子と、前記光伝送路の一端周辺との間には、空間または透明媒体が存在していればよい。
【０３３４】
又、本発明のデータ処理装置は、例えば、上記光伝送路内蔵基板と、前記光伝送路内蔵基板上に実装された半導体素子とを備えている。
【０３３５】
又、本発明の光伝送路内蔵基板の製造方法は、例えば、複数の配線を含む配線パターンが表面に形成され且つ前記配線間に形成された溝内に光伝送路が配置されたサブ基板を用意する工程と、前記サブ基板を積層する工程とを包含する。
【０３３６】
又、本発明の他の光伝送路内蔵基板の製造方法は、例えば、基板の表面に複数の溝を形成する工程と、前記複数の溝のそれぞれに、深さ方向に沿って少なくとも２本の光伝送路を配置する工程とを包含する。
【０３３７】
又、ある好適な実施の形態において、前記光伝送路は、光ファイバである。
【０３３８】
又、ある実施の形態では、支持基板上に形成された金属層をパターニングして、複数の配線を含む配線パターンを形成する工程（ａ）と；前記配線パターンの配線間に光伝送路（例えば、光ファイバ）を配置する工程（ｂ）と；前記配線パターンおよび前記光伝送路を覆うように、前記支持基板上に、樹脂を含む材料を堆積する工程（ｃ）と；前記支持基板を取り除く工程（ｄ）と；を実行する。
【０３３９】
又、ある実施の形態において、前記工程（ａ）は、支持基板と、前記支持基板上に形成された金属層とを用意する工程と、配線パターンに対応したマスクを用いて、前記金属層をエッチングする工程とを含む。
【０３４０】
又、ある実施の形態では、さらに、前記工程（ｂ）の前に、光伝送路を配置する際のガイドとなる壁を、前記配線パターンの少なくとも一部に形成する工程を実行する。
【０３４１】
又、ある実施の形態では、前記工程（ｂ）において、前記光伝送路は、前記支持基板に接するように配置される。
【０３４２】
又、ある好適な実施の形態において、前記光伝送路は、前記壁に接するように前記配線間に配置される。
【０３４３】
又、ある実施の形態において、前記樹脂を含む材料は、樹脂と無機フィラーとを含むコンポジット材料である。
【０３４４】
又、ある実施の形態では、前記工程（ｄ）の後、前記配線パターンの上面と実質的に同一面上に、前記光ファイバの最上部分が位置している。
【０３４５】
又、ある実施の形態では、前記工程（ｄ）の後、前記配線パターンと電気的に接続される電子部品を実装する工程をさらに行う。
【０３４６】
以上、本発明を好適な実施の形態により説明してきたが、こうした記述は限定事項ではなく、勿論、種々の改変が可能である。
【産業上の利用可能性】
【０３４７】
本発明の光伝送路基板の製造方法、光伝送路基板は、より簡易な製造工程で作製可能であり、又、光素子と光伝送路との調心工程がより少なく済み、若しくは調心工程を行わなくてもよい効果を有し、光伝送路基板を備えたデータ処理装置等として有用である。さらに本発明の光伝送路基板は、光素子と光伝送路との調心工程がより少なく済み、又は調心工程を行わなくてもよいため、より安価に光伝送路基板を製造する効果を有し、光伝送路基板の製造方法等として有用である。さらに本発明にかかる光伝送路内蔵基板は、光素子との光学的な接続が可能で、多数の光伝送路を効率良く配置することが可能となるという効果を有し、光伝送路内蔵基板、データ処理装置、及び、光伝送路内蔵基板の製造方法等として有用である。
【図面の簡単な説明】
【０３４８】
【図１】本発明にかかる実施の形態１における光伝送路基板１００の構成を模式的に示す斜視図
【図２】（ａ）本発明にかかる実施の形態１における光伝送路基板１００の製造方法を説明するための図（ｂ）本発明にかかる実施の形態１における光伝送路基板１００の製造方法を説明するための図（ｃ）本発明にかかる実施の形態１における光伝送路基板１００の製造方法を説明するための図（ｄ）本発明にかかる実施の形態１における光伝送路基板１００の製造方法を説明するための図
【図３】（ａ）本発明にかかる実施の形態１における光伝送路基板１００の製造方法を説明するための図（ｂ）本発明にかかる実施の形態１における光伝送路基板１００の製造方法を説明するための図（ｃ）本発明にかかる実施の形態１における光伝送路基板１００の製造方法を説明するための図（ｄ）本発明にかかる実施の形態１における光伝送路基板１００の製造方法を説明するための図
【図４】（ａ）本発明にかかる実施の形態１における光伝送路基板１００の製造方法を説明するための工程断面図（ｂ）本発明にかかる実施の形態１における光伝送路基板１００の製造方法を説明するための図
【図５】本発明にかかる実施の形態１における光素子３０と光ファイバ２０との光接続を説明するための断面図
【図６】本発明にかかる実施の形態１における光素子３０と光ファイバ２０との光接続を説明するための断面図
【図７】本発明にかかる実施の形態１における光伝送路基板１００に光素子３０が実装された構成を模式的に示す断面図
【図８】（ａ）本発明にかかる光伝送路基板１００の変形例を示した断面図（ｂ）本発明にかかる光伝送路基板１００の変形例を示した断面図
【図９】（ａ）本発明にかかる光伝送路基板１００の変形例を示した断面図（ｂ）本発明にかかる光伝送路基板１００の変形例を示した断面図
【図１０】（ａ）本発明にかかる光伝送路基板１００の変形例を示した断面図（ｂ）本発明にかかる光伝送路基板１００の変形例を示した断面図
【図１１】本発明にかかる実施の形態１における光伝送路基板１００にＭＣＭ３５が実装された構成を模式的に示す断面図
【図１２】本発明にかかる実施の形態１における光伝送路基板１００を含む光モジュール（データ処理装置）の構成を模式的に示す斜視図
【図１３】（ａ）本発明にかかる実施の形態２における光伝送路基板１００の製造方法を説明するための図（ｂ）本発明にかかる実施の形態２における光伝送路基板１００の製造方法を説明するための図（ｃ）本発明にかかる実施の形態２における光伝送路基板１００の製造方法を説明するための図（ｄ）本発明にかかる実施の形態２における光伝送路基板１００の製造方法を説明するための図（ｅ）本発明にかかる実施の形態２における光伝送路基板１００の製造方法を説明するための図
【図１４】（ａ）本発明にかかる実施の形態２における光伝送路基板１００の製造方法の変形例を説明するための図（ｂ）本発明にかかる実施の形態２における光伝送路基板１００の製造方法の変形例を説明するための図（ｃ）本発明にかかる実施の形態２における光伝送路基板１００の製造方法の変形例を説明するための図（ｄ）本発明にかかる実施の形態２における光伝送路基板１００の製造方法の変形例を説明するための図
【図１５】本発明にかかる実施の形態１及び２における光伝送路基板１００の配線１２の要部拡大斜視図
【図１６】本発明にかかる実施の形態１及び２における光伝送路基板１００の配線１２の要部拡大斜視図
【図１７】本発明にかかる実施の形態１及び２における光伝送路基板１００にＹ分岐部２３を有する光ファイバ２０の構成を模式的に示す平面図
【図１８】本発明にかかる実施の形態１及び２における光伝送路基板１００の光素子３０と光ファイバ２０との周囲を示す部分拡大斜視図
【図１９】本発明にかかる実施の形態１及び２における光伝送路基板１００の光素子３０と光ファイバ２０との周囲を示す部分拡大斜視図
【図２０】本発明にかかる実施の形態１及び２における光伝送路基板１００の光素子３０と光ファイバ２０との周囲を示す部分拡大斜視図
【図２１】本発明にかかる実施の形態３における光伝送路基板２００の構成を模式的に示す斜視図
【図２２】（ａ）本発明にかかる実施の形態３の光伝送路基板２００の製造方法を説明するための工程断面図（ｂ）本発明にかかる実施の形態３の光伝送路基板２００の製造方法を説明するための工程断面図（ｃ）本発明にかかる実施の形態３の光伝送路基板２００の製造方法を説明するための工程断面図（ｄ）本発明にかかる実施の形態３の光伝送路基板２００の製造方法を説明するための工程断面図
【図２３】（ａ）本発明にかかる実施の形態３の光伝送路基板２００の製造方法を説明するための工程断面図（ｂ）本発明にかかる実施の形態３の光伝送路基板２００の製造方法を説明するための工程断面図（ｃ）本発明にかかる実施の形態３の光伝送路基板２００の製造方法を説明するための工程断面図（ｄ）本発明にかかる実施の形態３の光伝送路基板２００の製造方法を説明するための工程断面図
【図２４】本発明にかかる実施の形態３の光伝送路基板２００の製造方法を説明するための工程断面図
【図２５】本発明にかかる実施の形態３における光伝送路基板２００の溝１２２および光ファイバ１２０の要部拡大断面図
【図２６】本発明にかかる実施の形態３における光伝送路基板２００の光素子１３０と光ファイバ１２０との光接続を説明するための断面図
【図２７】本発明にかかる実施の形態３における光伝送路基板２００の光素子１３０と光ファイバ１２０との光接続を説明するための断面図である。
【図２８】本発明にかかる実施の形態３における光伝送路基板２００にＭＣＭ１３５が実装された構成を模式的に示す断面図
【図２９】本発明にかかる実施の形態３における光伝送路基板２００を含む光モジュール（データ処理装置）の構成を模式的に示す斜視図
【図３０】（ａ）本発明にかかる実施の形態４における光伝送路基板２００の溝１２２の要部拡大図（ｂ）本発明にかかる実施の形態４における光伝送路基板２００の溝１２２に光ファイバ１２０を載置した状態の要部拡大図（ｃ）本発明にかかる実施の形態４における光伝送路基板２００の溝１２２に光ファイバ１２０を載置した状態の要部拡大図（ｄ）本発明にかかる実施の形態４における光伝送路基板２００の溝１２２に光ファイバ１２０を載置した状態の要部拡大図
【図３１】（ａ）本発明の光伝送路基板２００の変形例の溝１２２の要部拡大図（ｂ）本発明の光伝送路基板２００の変形例の溝１２２に光ファイバ１２０を載置した状態の要部拡大図
【図３２】本発明にかかる光伝送路基板２００にＹ分岐部１２３を有する光ファイバ１２０を載置した状態を模式的に示す平面図
【図３３】本発明にかかる光伝送路基板２００に載置した光ファイバ１２０と実装した端面発光素子１６０の関係を示した断面図
【図３４】本発明の実施の形態５に係る光伝送路内蔵基板３００の構成を模式的に示す斜視図
【図３５】本発明の実施の形態５に係る光伝送路内蔵基板３００の構成を模式的に示す断面図
【図３６】光素子２３０と光伝送路２２０との光接続を説明するための断面図
【図３７】光素子２３０と光伝送路２２０との光接続を説明するための断面図
【図３８】光素子２３０と複数の光伝送路２２０ａ、２２０ｂとの光接続を説明するための断面図
【図３９】光伝送路２２０ａと光伝送路２２０ｂとの光接続を説明するための断面図
【図４０】（ａ）光伝送路内蔵基板３００の製造方法を説明するための工程断面図（ｂ）光伝送路内蔵基板３００の製造方法を説明するための工程断面図（ｃ）光伝送路内蔵基板３００の製造方法を説明するための工程断面図（ｄ）光伝送路内蔵基板３００の製造方法を説明するための工程断面図
【図４１】（ａ）光伝送路内蔵基板３００の製造方法を説明するための工程断面図（ｂ）光伝送路内蔵基板３００の製造方法を説明するための工程断面図（ｃ）光伝送路内蔵基板３００の製造方法を説明するための工程断面図（ｄ）光伝送路内蔵基板３００の製造方法を説明するための工程断面図
【図４２】（ａ）光伝送路内蔵基板３００の製造方法を説明するための工程断面図（ｂ）光伝送路内蔵基板３００の製造方法を説明するための工程断面図
【図４３】光素子２３０が実装された光伝送路内蔵基板３００の構成を模式的に示す断面図
【図４４】ＭＣＭ２３５が実装された光伝送路内蔵基板３００の構成を模式的に示す断面図
【図４５】（ａ）光伝送路内蔵基板３００の他の製造方法を説明するための工程断面図（ｂ）光伝送路内蔵基板３００の他の製造方法を説明するための工程断面図（ｃ）光伝送路内蔵基板３００の他の製造方法を説明するための工程断面図
【図４６】光伝送路内蔵基板３００の他の構成を模式的に示す断面図
【図４７】光伝送路内蔵基板３００の構成を模式的に示す断面図
【図４８】光伝送路内蔵基板３００を含む光モジュール（データ処理装置）の構成を模式的に示す斜視図
【図４９】Ｙ分岐部２２３を有する光ファイバ２２０の構成を模式的に示す平面図
【図５０】従来の光モジュール１０００の斜視図
【図５１】従来の光モジュール２０００の断面図
【図５２】従来の光通信を行う通信系装置３０００の実装階層について説明するための斜視図
【図５３】従来の配線基板４０００の断面図
【図５４】（ａ）従来の配線基板４０００の平面図（ｂ）図５４（ａ）中のＸ−Ｘ’線に沿った断面図
【図５５】従来の光配線板５０００の斜視図
【符号の説明】
【０３４９】
１０  基板
１１  反射面
１２  配線
１３  配線
１５  配線パターン
１６、１７  ガイド層
１８  ガイド壁
２０  光ファイバ
２１  端面
２２  溝
２３  分岐部
２５  光（光信号）
２６  段差
２８  ランド
３０  光素子
３２  接続部材
３４  インターボーザ
３６  ミラー
３７  ストッパー
４０  キャリアシート
４２  金属層
５０、５１、５２、５３  マスク
６０  端面発光素子
１００  光伝送路基板
１１０  基板
１１１  反射面
１１２  配線（溝用配線）
１１３  配線
１２０  光ファイバ
１２１  端面
１２２  溝
１２３  分岐部
１２５  光（光信号）
１３０  光素子
１３１  電子部品
１３２  接続部材
１３４  インターポーザ
１４０  キャリアシート
１４２  金属層
１５０、５１  マスク
２００  光伝送路基板
２１０  基板
２１０ａ、２１０ｂ  サブ基板
２１１  反射面
２１２  配線
２１３  配線
２１５  配線パターン
２１６、２１７  ガイド層
２１８  ガイド壁
２２０  光伝送路（光ファイバ）
２２１  端面
２２２  溝
２２３  分岐部
２２５  光（光信号）
２２７  光コネクタ
２３０  光素子
２３２  接続部材
２３４  インターボーザ
２３５  ＭＣＭ
２３６  ビア（層間接続部材）
２３７  電気入出力部
２４０  キャリアシート
２４２  金属層
２５０、２５１、２５２、２５３  マスク
３００  光ファイバ内蔵基板
１０００  光モジュール
２０００  光モジュール
３０００  通信系装置
４０００  配線基板
５０００  光配線板
【図１】
2005234557.tif 000003
【図２】
2005234557.tif 000004
【図３】
2005234557.tif 000005
【図４】
2005234557.tif 000006
【図５】
2005234557.tif 000007
【図６】
2005234557.tif 000008
【図７】
2005234557.tif 000009
【図８】
2005234557.tif 000010
【図９】
2005234557.tif 000011
【図１０】
2005234557.tif 000012
【図１１】
2005234557.tif 000013
【図１２】
2005234557.tif 000014
【図１３】
2005234557.tif 000015
【図１４】
2005234557.tif 000016
【図１５】
2005234557.tif 000017
【図１６】
2005234557.tif 000018
【図１７】
2005234557.tif 000019
【図１８】
2005234557.tif 000020
【図１９】
2005234557.tif 000021
【図２０】
2005234557.tif 000022
【図２１】
2005234557.tif 000023
【図２２】
2005234557.tif 000024
【図２３】
2005234557.tif 000025
【図２４】
2005234557.tif 000026
【図２５】
2005234557.tif 000027
【図２６】
2005234557.tif 000028
【図２７】
2005234557.tif 000029
【図２８】
2005234557.tif 000030
【図２９】
2005234557.tif 000031
【図３０】
2005234557.tif 000032
【図３１】
2005234557.tif 000033
【図３２】
2005234557.tif 000034
【図３３】
2005234557.tif 000035
【図３４】
2005234557.tif 000036
【図３５】
2005234557.tif 000037
【図３６】
2005234557.tif 000038
【図３７】
2005234557.tif 000039
【図３８】
2005234557.tif 000040
【図３９】
2005234557.tif 000041
【図４０】
2005234557.tif 000042
【図４１】
2005234557.tif 000043
【図４２】
2005234557.tif 000044
【図４３】
2005234557.tif 000045
【図４４】
2005234557.tif 000046
【図４５】
2005234557.tif 000047
【図４６】
2005234557.tif 000048
【図４７】
2005234557.tif 000049
【図４８】
2005234557.tif 000050
【図４９】
2005234557.tif 000051
【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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