(57)【要約】  【課題】  他の端末の通信を妨げることなく、初期消光比と平均光パワーをシステムの仕様に適合させ、バースト信号の１つ目の送信時から安定した送信を可能にする光モジュール、その消光比と平均光パワーの設定方法、送信装置、並びに通信システムを提供する。  【解決手段】  電源投入時にレーザチップ６の位置を、圧電アクチュエータ１１によってずらすことにより、光ファイバ１２との結合効率を低下させ、レーザダイオードが発する光が、光ファイバに入射しないようにし、その間に所望の消光比、及び、平均光パワーに設定することで、最初のバースト信号の送出時までに、所望の消光比、及び、平均光パワーに設定する。【選択図】        図１
2005072999.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザダイオードと光ファイバとを光学的に結合させ、間欠的に発生する光バースト信号を送信するに当たり、前記レーザダイオードの消光比とバーストごとの平均光パワーを設定する光モジュールにおいて、
前記レーザダイオードから発生する光が前記光ファイバに入射しないように、前記レーザダイオードを変位させることと、前記レーザダイオードから発生する光が前記光ファイバに入射するように、前記レーザダイオードを元の位置に戻すこととを可能にする圧電アクチュエータを備えたことを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
前記レーザダイオードを実装する基板にフレキシブル基板を使用することを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
レーザダイオードと光ファイバとを光学的に結合させ、間欠的に発生する光バースト信号を送信するに当たり、前記レーザダイオードの消光比とバーストごとの平均光パワーを設定する光モジュールの消光比と平均光パワーの設定方法において、
電源投入時に前記レーザダイオードから発生する光が前記光ファイバに入射しないように、前記レーザダイオードを変位させ、
前記レーザダイオードの変位中に、前記レーザダイオードの消光比とバーストごとの平均光パワーとを所望の値に設定し、
これらの設定を終了した後に、前記レーザダイオードから発生する光が前記光ファイバに入射するように、前記レーザダイオードを元の位置に戻すことを特徴とする光モジュールの消光比と平均光パワーの設定方法。
【請求項４】
前記レーザダイオードに供給するバイアス電流と変調電流、又は、消光比と平均光パワーが一定になったとき、前記レーザダイオードを元の位置に戻すことを特徴とする請求項３に記載の光モジュールの消光比と平均光パワーの設定方法。
【請求項５】
前記レーザダイオードの変位中に、一定数のバースト信号を送出し、前記レーザダイオードに供給するバイアス電流と変調電流を制御することによって、前記レーザダイオードの消光比とバーストごとの平均光パワーを設定することを特徴とする請求項３に記載の光モジュールの消光比と平均光パワーの設定方法。
【請求項６】
前記レーザダイオードの変位中に、固定パターンのバースト信号を送出することを特徴とする請求項３に記載の光モジュールの消光比と平均光パワーの設定方法。
【請求項７】
前記レーザダイオードの変位中に、マーク率が一定のバースト信号を送出することを特徴とする請求項３に記載の光モジュールの消光比と平均光パワーの設定方法。
【請求項８】
前記マーク率を５０％とすることを特徴とする請求項７に記載の光モジュールの消光比と平均光パワーの設定方法。
【請求項９】
請求項１又は２に記載の光モジュールを用いた送信装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の送信装置を用いた通信システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光モジュール及びその消光比と平均光パワーの設定方法、送信装置、並びに通信システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に広く知られた従来の光モジュールの内部構成の一例を図６に示す。同図において、ステム１０１にはリードピン１０３及び１０４が貫装され、その部品取り付け面にヒートシンク１０２が固着されている。ヒートシンク１０２は、適当な厚みを持つ円板を軸方向に裁断して平坦面が形成された形状を有している。このヒートシンク１０２の一方の端面がステム１０１に固着され、その平坦面に、例えば、ステアタイトなどの磁器に導体のパターンが形成された基板１０９が装着されている。さらに、この基板１０９上にレーザダイオードとしてのレーザチップ１０６が実装されている。
【０００３】
レーザチップ１０６の底面のカソード端子は基板１０９と導電性の半田などで接続されている。リードピン１０３と基板１０９上のパターン１０５とがボンディングワイヤ１０８によって接続されており、またリードピン１０４とレーザチップ１０６のアノードとがボンディングワイヤ１０７によって接続されている。この構成により、リードピン１０３からリードピン１０４にレーザ駆動電流を供給することにより、駆動電流に応じた強度でレーザチップ１０６が発光する。レーザチップ１０６が発した光はレンズ１１０で集光され、光ファイバ１１２に入射される。
【０００４】
上述した光モジュールは温度変化や経年変化により、レーザダイオードに流れる電流と、レーザダイオードからの光出力パワーとの関係が変化する。そこで、間欠的にデータが発生するバースト通信にこのレーザダイオードを用いた場合には、消光比及び平均光パワーを一定に制御する制御回路が必要になる。
レーザダイオードの消光比と平均光パワーを制御する従来の制御装置として、レーザダイオードに第１のスイッチとバイアス電流源とを直列に接続するとともに、第２のスイッチと変調電流源との直列接続回路をバイアス電流源に並列接続し、さらに、レーザダイオードの光の一部を電気信号に変換するモニタフォトダイオードを設け、バースト中、データが「０」の場合には第１のスイッチをオン状態にしてレーザダイオードにバイアス電流のみを流し、データが「１」である場合は第２のスイッチもオン状態にしてバイアス電流を変調電流源で変調する一方、レーザダイオードから発せられる光の一部をモニタフォトダイオードで電流に変換し、さらに、この電流を電圧に変換して電圧信号の最大値、最小値に基づいて消光比及び平均光パワーを一定に制御する構成のものが知られている（例えば、下記の特許文献１参照）。
【０００５】
一方、上述したレーザダイオード、すなわち、半導体レーザは気体レーザなどに比べ一般にビーム広がり角が大きく、しかも非等方分布をしているため平行光束にする必要がある。このため、半導体レーザから出射されたレーザ光をレンズで波面変換するに当たり、レンズを取付けた鏡筒の一方の端面側に弾性体部材が設けられ、他方の端面側に印加電圧により光軸方向に変位する圧電アクチュエータが設けられた半導体レーザ光学装置が知られている（例えば、下記の特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平０３−２０９８９０号公報
【特許文献２】特開昭６３−２７６２８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
バースト通信を利用するＰＯＮ(Passive Optical Network)システムは、１つの局側装置を、複数の加入者側端末が共有するトポロジーである。そのため、複数の加入者側の端末が使用する送信波長は同じであり、時分割することにより各端末に帯域を割り当てている。したがって、送信側は他の端末の送信を妨げないように、局側装置によって決められたタイミングでバースト信号を送出しなければならない。
【０００７】
しかしながら、上記従来の制御装置においては、データの速度が速くなるとモニタフォトダイオード、電流−電圧変換部、最大、最小検出部にも高速な動作が要求される。すなわち、レーザダイオードが発する光波形を正確にトレースできる帯域が求められる。このことは、モニタフォトダイオードとレーザダイオードが実装されるモジュールと制御回路の複雑化、高価格化を招くという問題があった。
【０００８】
また、従来の光モジュールの構成では、レーザダイオードとしてのレーザチップと光ファイバの相対位置が固定されているため、電源投入直後に自らが発した光の強度をモニタリングし、変調電流、バイアス電流を調節する過程において、レーザチップが発した光が、光ファイバ中に入射されてしまうため、他の端末の通信を妨げることがある。そこで、バイアス電流の調整時にレーザダイオードの光の放射方向を変えて光ファイバ中に入らないようにし、調整を終了した段階でレーザ光が光ファイバに入射されるようにすることが考えられるが、上述した圧電アクチュエータは、レンズを光軸方向に移動させるだけで、光の放射方向を変えることはできないという問題もあった。
【０００９】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたもので、他の端末の通信を妨げることなく、初期消光比と平均光パワーをシステムの仕様に適合させ、バースト信号の１つ目の送信時から安定した送信を可能にする光モジュール、その消光比と平均光パワーの設定方法、送信装置、並びに通信システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１に係る発明は、レーザダイオードと光ファイバとを光学的に結合させ、間欠的に発生する光バースト信号を送信するに当たり、レーザダイオードの消光比とバーストごとの平均光パワーを設定する光モジュールにおいて、
レーザダイオードから発生する光が光ファイバに入射しないように、レーザダイオードを変位させることと、レーザダイオードから発生する光が光ファイバに入射するように、レーザダイオードを元の位置に戻すこととを可能にする圧電アクチュエータを備えたことを特徴とするものである。
この構成により、レーザダイオードの電流と光出力パワーとの関係を示す特性曲線の素子によるばらつき、環境温度などによる電流と光出力パワーとの関係を示す特性曲線の変化の大きさのばらつきに関係なく、電源投入後、バースト信号の１つ目の送信時から、システムに適合する消光比と平均光パワーでの送信が可能となる。
【００１１】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載の光モジュールにおいて、レーザダイオードを実装する基板にフレキシブル基板を使用することを特徴とするものである。
この構造により、圧電アクチュエータの伸縮による周辺部へのストレスを緩和することができる。
【００１２】
請求項３に係る発明は、レーザダイオードと光ファイバとを光学的に結合させ、間欠的に発生する光バースト信号を送信するに当たり、レーザダイオードの消光比とバーストごとの平均光パワーを設定する光モジュールの消光比と平均光パワーの設定方法において、
電源投入時にレーザダイオードから発生する光が光ファイバに入射しないように、レーザダイオードを変位させ、
レーザダイオードの変位中に、レーザダイオードの消光比とバーストごとの平均光パワーとを所望の値に設定し、
これらの設定を終了した後に、レーザダイオードから発生する光が光ファイバに入射するように、レーザダイオードを元の位置に戻すことを特徴とするものである。
この方法により、レーザダイオードの電流と光出力パワーとの関係を示す特性曲線の素子によるばらつき、環境温度などによる電流と光出力パワーとの関係を示す特性曲線の変化の大きさのばらつきに関係なく、電源投入後、バースト信号の１つ目の送信時から、システムに適合する消光比と平均光パワーでの送信が可能となる。
【００１３】
請求項４に係る発明は、請求項３に記載の光モジュールの消光比と平均光パワーの設定方法において、レーザダイオードに供給するバイアス電流と変調電流、又は、消光比と平均光パワーが一定になったとき、レーザダイオードを元の位置に戻すことを特徴とする。
この方法により、フィードバック制御を用いて所望の消光比と平均光パワーになる変調電流及びバイアス電流に設定し、電源投入後、バースト信号の１つ目の送信時から、システムに適合する消光比、及び、平均光パワーでの送信とが可能になる。
【００１４】
請求項５に係る発明は、請求項３に記載の光モジュールの消光比と平均光パワーの設定方法において、レーザダイオードの変位中に、一定数のバースト信号を送出し、レーザダイオードに供給するバイアス電流と変調電流を制御することによって、レーザダイオードの消光比とバーストごとの平均光パワーを設定することを特徴とする。
この方法により、フィードバック制御を用いて所望の消光比、及び、平均光パワーに設定する場合に、変調電流、バイアス電流が一定値に収束しない場合があっても、電源投入後、上記バースト信号の１つ目の送信時から、システムに適合する消光比、及び、平均光パワーでの送信が可能となる。
【００１５】
請求項６に係る発明は、請求項３に記載の光モジュールの消光比と平均光パワーの設定方法において、レーザダイオードの変位中に、固定パターンのバースト信号を送出することを特徴とする。
この方法により、送出する上記バースト信号のデータの変化による影響を排除することが可能となる。
【００１６】
請求項７に係る発明は、請求項３に記載の光モジュールの消光比と平均光パワーの設定方法において、レーザダイオードの変位中に、マーク率が一定のバースト信号を送出することを特徴とする。
この方法により、上記バースト信号ごとのマーク率の変動による影響を排除することが可能となる。
【００１７】
請求項８に係る発明は、請求項７に記載の光モジュールの消光比と平均光パワーの設定方法において、マーク率を５０％とすることを特徴とする。
この方法により、上記バースト信号ごとのマーク率の変動による影響を排除することが可能となる。
【００１８】
請求項９に係る発明は、請求項１又は２に記載の光モジュールを用いた送信装置である。
この構成により、他の端末の通信を妨げることなく、初期消光比と平均光パワーをシステムの仕様に適合させ、バースト信号の１つ目の送信時から安定した送信が可能になる。
【００１９】
請求項１０に係る発明は、請求項９に記載の送信装置を用いた通信システムである。
この構成により、他の端末の通信を妨げることなく、初期消光比と平均光パワーをシステムの仕様に適合させ、バースト信号の１つ目の送信時から安定した送信が可能になる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明に係る光モジュールは、レーザダイオードから発生する光が光ファイバに入射しないように、レーザダイオードを変位させることと、レーザダイオードから発生する光が光ファイバに入射するように、レーザダイオードを元の位置に戻すこととを可能にする圧電アクチュエータを備えているので、他の端末の通信を妨げることなく、初期消光比と平均光パワーをシステムの仕様に適合させ、バースト信号の１つ目の送信時から安定した送信が可能になる。
【００２１】
また、本発明に係る消光比と平均光パワーの設定方法は、上記の光モジュールを用いて、電源投入時にレーザダイオードから発生する光が光ファイバに入射しないように、レーザダイオードを変位させ、レーザダイオードの変位中に、レーザダイオードの消光比とバーストごとの平均光パワーを所望の値に設定し、これらの設定を終了した後に、レーザダイオードから発生する光が光ファイバに入射するように、レーザダイオードを元の位置に戻すので、他の端末の通信を妨げることなく、初期消光比と平均光パワーをシステムの仕様に適合させ、バースト信号の１つ目の送信時から安定した送信が可能になる。
【００２２】
さらに、本発明に係る送信装置は上述した光モジュールを用い、さらに、本発明に係る通信システムはこの送信装置を用いているので、これらはいずれも他の端末の通信を妨げることなく、初期消光比と平均光パワーをシステムの仕様に適合させ、バースト信号の１つ目の送信時から安定した送信が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
＜第１の実施の形態＞
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
図１は本発明に係る光モジュール及びその消光比と平均光パワーの設定方法を実施する第１の実施の形態の概略構成図である。同図において、ステム１にはリードピン３、４が貫装され、その部品取り付け面にヒートシンク２が固着されている。ヒートシンク２は、適当な厚みを持つ円板を軸方向に裁断して平坦面が形成された形状を有している。このヒートシンク２の一方の端面がステム１に固着され、その平坦面に、例えば、PbTiO3-PbZrO3（ＰＺＴ）、PbTiO3-PbZO3-Pb(B1B2)O3（ＰＣＭ）でなる圧電アクチュエータ１１を介して、磁器に導体のパターン５が形成された基板９が装着されている。さらに、この基板９上にレーザダイオードとしてのレーザチップ６が実装されている。レーザチップ６の底面のカソード端子は基板と導電性の半田などで接続されている。リードピン３と基板９上のパターン５とがボンディングワイヤ８によって接続されており、またリードピン４とレーザチップ６のアノードとがボンディングワイヤ７によって接続されている。この構成により、リードピン３からリードピン４にレーザ駆動電流を供給することにより、駆動電流に応じた強度でレーザチップ６が発光する。
【００２４】
この光モジュールを構成する圧電アクチュエータ１１は、円板状に形成され、図示を省略した一対の電極によって挟持されたもので構成され、これらの電極間に電圧が印加されていないとき（又は電圧が印加されたとき）図１に示したように厚みｔ１に短縮した状態に保持され、この状態でレーザチップ６が発した光はレンズ１０で集光され、光ファイバ１２に入射される。一方、図示を省略した一対の電極間に電圧が印加されたとき（又は電圧が印加されていないとき）図２に示したように厚みｔ２（＞ｔ１）に伸長され、レーザチップ６から発する光の結合効率が低下されて、光ファイバ１２に入射しないようにしたものである。
【００２５】
この構成により、電源投入後、変調電流、バイアス電流の初期設定を行う際に、図２に示すように圧電アクチュエータ１１を伸長させて変調電流、バイアス電流の制御を行うことで、消光比及び平均光パワーの設定を行う。そして、消光比及び平均光パワーの設定完了後、図１に示すように、圧電アクチュエータ１１を元の短縮した状態に戻すことによって、レーザチップ６から発する光がレンズ１０で集光され、光ファイバ１２に入射される。
【００２６】
図３は電源投入後、変調電流、バイアス電流の初期設定を行う制御回路の構成を示すブロック図である。図３には、制御回路２０の他、レーザダイオード３２、変調電流源３５、バイアス電流源３６、レーザダイオード３２の光の一部を電気信号に変換するモニタフォトダイオード３１が示されている。バースト出力中はスイッチ３３が接続状態となり、レーザダイオード３２にはIbの電流が流れるだけであるが、データが「１」である場合はスイッチ３４が接続状態となり、レーザダイオード３２にはIb＋Imの電流が流れる。ここでは、バーストデータのマーク率を0.5とする。
【００２７】
制御回路２０は、モニタフォトダイオード３１からの信号により光パワーを測定するパワー測定部２１と、パワー測定部２１で測定された値をデータとして記憶する記憶部２２と、パワー測定部２１で測定された値と記憶部２２に先に記憶された値との差を検出する差検出部２３と、基準値ΔＰrefがあらかじめ格納されている基準値格納部（図中ΔＰref）２４と、差検出部２３の出力信号と基準値ΔＰrefとを比較する比較部２５と、比較部２５の出力信号に応じて変調電流Imを設定する変調電流（Im）設定部２６と、基準値Ｐrefがあらかじめ格納されている基準値格納部（図中Ｐref）２７と、パワー測定部２１の出力信号と基準値Ｐrefとを比較する比較部２８と、比較部２８の出力信号に応じてバイアス電流Ibを設定するバイアス電流（Ib）設定部２９と、これらの各部及び前述した圧電アクチュエータ１１を制御する制御部３０とを備えている。
【００２８】
この制御回路２０の動作を図３及び図４を参照して説明する。制御回路２０は電源投入後、制御部３０が基準値ΔＰref及びＰrefをそれぞれ基準値格納部２４、２７に格納する。引き続き、変調電流Im、バイアス電流Ibの初期値をそれぞれ、変調電流設定部２６、バイアス電流設定部２９に設定する。また、制御部３０はその内部にプリセットカウンタを含み、このプリセットカウンタに設定動作の回数ｋ（ｋ＝１、２、３、…）を設定し、さらに、圧電アクチュエータ１１に電圧を印加して、図２に示すように、圧電アクチュエータ１１を伸長させて、光ファイバ１２に対するレーザチップ６から発する光の結合効率を低下させ、光ファイバに入射しないようにする。
【００２９】
１つ目のバースト＃１を送信する場合、パワー測定部２１はモニタフォトダイオード３１からの信号を基に当該バーストの平均光パワーを測定する。その結果は、いったん記憶部２２に記憶される。その後、変調電流設定部２６は現状の変調電流Imの、例えば１％にあたる電流ΔImを増加させる。次のバースト＃２を送信する間、パワー測定部２１は当該バーストの平均光パワーを測定する。その後、差検出部２３にて記憶部２２に先に記憶されていた値との差を取り、この差を比較部２５で基準値ΔＰrefと比較する。その結果、差＞ΔＰrefであれば、変調電流設定部２６は変調電流Imを規定量Ａだけ減少させる。逆に、差＜ΔＰrefであれば変調電流設定部２６は、変調電流Imを規定量Ａだけ増加させる。
【００３０】
次のバースト♯３では、パワー測定部２１の出力は比較部２８にて基準値Ｐrefと比較され、測定パワー＞Ｐrefであれば、バイアス電流設定部２９はバイアス電流Ibを規定量Ｂだけ減少させる。逆に、測定パワー＜Ｐrefであれば、バイアス電流設定部２９はバイアス電流Ibを規定量Ｂだけ増加させる。
これらの処理はレーザダイオードの特性変化の速度に比べて十分に頻繁であれば、連続するバーストに対して行われなくてもよい。すなわち、バースト♯１、♯２、♯３の間に制御に寄与しないバーストがあってもよい。
【００３１】
上記の動作によって、平均光パワーと変調電流を変化させたときの平均光パワーの変動量ΔＰが一定になるように制御すれば、消光比が一定に保たれる。そこで、制御部３０は圧電アクチュエータ１１に対する電圧の印加を停止して、図１に示すように、圧電アクチュエータ１１を短縮した状態に保持する。この状態でレーザチップ６が発した光はレンズ１０で集光され、光ファイバ１２に入射されて、バースト信号の１つ目の送信が行われる。
【００３２】
ところで、上記の実施の形態では制御部３０の制御の下に各部が動作する構成のものについて説明したが、モニタフォトダイオード３１の出力信号をAD変換し、ＣＰＵ（中央演算処理装置）に取り込む形にしてソフトウェアにて、これらの処理を行うことも可能である。その場合の処理手順は図４のフローチャートに示したものとなる。すなわち、ステップＳ１で基準値ΔＰref及びＰrefをそれぞれ設定し、ステップＳ２で変調電流Im、バイアス電流Ibの初期値をそれぞれ設定する。次に、ステップＳ３で設定動作の繰り返し回数を計数するプリセットカウンタにｋ（ｋ＝１、２、３、…）を設定し、ステップＳ４で圧電アクチュエータに電圧を印加する。次に、ステップＳ５で１つ目のバースト（バースト＃１）を送信し、ステップＳ６ではモニタフォトダイオード３１からの信号を基に当該バーストの平均光パワーを測定する。その結果はステップＳ７で記憶される。その後、ステップＳ８で現状の変調電流Imの例えば１％にあたる電流ΔImを増加させる。次に、ステップＳ９で次のバースト（バースト＃２）を送信し、ステップＳ１０で当該バーストの平均光パワーを測定する。
【００３３】
その後、ステップＳ１１で先に記憶されていた値と、現在の測定値との差を取り、この差をステップＳ１２で基準値ΔＰrefと比較する。その結果、差＞ΔＰrefであれば、ステップＳ１３で変調電流Imを規定量Ａだけ減少させる。逆に、差＜ΔＰrefであれば、ステップＳ１４で変調電流Imを規定量Ａだけ増加させる。ステップＳ１３又はステップＳ１４の処理が終了すると、ステップＳ１５の処理に進み、次のバースト（バースト＃３）を送信する。ステップＳ１６では、平均光パワーを測定し、その値はステップＳ１７で基準値Ｐrefと比較される。ここで、測定パワー＞Ｐrefであれば、ステップＳ１８でバイアス電流Ibを規定量Ｂだけ減少させる。逆に、測定パワー＜Ｐrefであれば、ステップＳ１９でバイアス電流Ibを規定量Ｂだけ増加させる。ステップＳ１８又はステップＳ１９の後はステップＳ２０に進み、ここで、プリセットされたカウンタの値ｎを「１」だけデクリメントし、次のステップＳ２１にてカウンタの値がゼロであるか否かを判定し、ゼロでなければステップＳ５に戻り、以後ステップＳ５〜ステップＳ２１の処理を繰り返す。ステップＳ２１にてカウンタの値がゼロであると判定した場合にはステップＳ２２にて圧電アクチュエータ１１に対する電圧の印加を解除し、ステップＳ２３でレーザチップ６が発した光はレンズ１０で集光され、光ファイバ１２に入射されて、バースト信号の１つ目の送信が行われる。
なお、ステップＳ３にカウンタにプリセットする値ｋは、レーザダイオードの電流と光出力パワーとの関係を示す特性曲線の素子によるばらつき、環境温度、あるいは、システムの仕様に応じて最適な値を設定し、この設定数に応じた回数だけ消光比、及び、平均光パワーの調整を行うことになる。
【００３４】
このように、図１から図４を用いて説明した第１の実施の形態によれば、他の端末の通信を妨げることなく、初期消光比と平均光パワーをシステムの仕様に適合させ、バースト信号の１つ目の送信時から安定した送信が可能になる。
【００３５】
＜第２の実施の形態＞
図５は本発明に係る光モジュール及びその消光比と平均光パワーの設定方法を実施する第２の実施の形態の概略構成図である。図中、図１と同一要素には同一の符号を付してその説明を省略する。図１に示した第１の実施の形態では、基板９がヒートシンク２の平坦面と平行な関係を保ったまま、その位置を変化させているが、レーザチップ６から発する光が光ファイバに入射されないようにすればよいので、ヒートシンク２に対して平行ではなく、傾いていてもよい。そこで、この第２の実施の形態は上述した磁器製の基板９の代わりに、弾力性を有するフレキシブル基板を用いている。すなわち、長手方向に導電パターンが形成されたフレキシブル基板１３の基端部がリードピン３、４に接続され、その他端部にレーザチップ６が実装されている。そして、レーザチップ６が実装されている先端部がヒートシンク２の平坦面に対して略平行になるように弾力性を持たせて折り曲げられ、さらに、フレキシブル基板１３とヒートシンク２との間に圧電アクチュエータ１１が介装されている。この圧電アクチュエータ１１は、その厚みを伸長させることによって、レーザチップ６をヒートシンク２の平坦面に対して傾斜させ、光ファイバ１２に光が入射しないようにし、その間に消光比と平均光パワーを設定し、その設定を完了した後、図５に示すように、圧電アクチュエータ１１を元の状態に戻すことで、レーザチップ６から発する光がレンズ１０で集光され、光ファイバ１２に入射される状態に戻す。
【００３６】
この第２の実施の形態によれば、フレキシブル基板１３が弾性を有するため、基板と他の部分の接続部に対するストレスを抑えることが可能である。これにより、電源投入の動作時の、他の部分に対するストレスによる特性の劣化や故障が起こる可能性を小さくすることができる。
なお、第１又は第２の実施の形態に係る光モジュールを送信装置に組み込み、この光モジュールに対して、図３又は図４を用いて説明した消光比と平均光パワーの設定方法を採用することによって、他の端末の通信を妨げることなく、初期消光比と平均光パワーをシステムの仕様に適合させ、バースト信号の１つ目の送信時から安定した送信が可能となり、さらに、この送信装置を用いて通信システムを構築することによって、同様な効果が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明に係る光モジュールは、他の端末の通信を妨げることなく、初期消光比と平均光パワーをシステムの仕様に適合させ、バースト信号の１つ目の送信時から安定した送信が可能になるので、光モジュール自体のみならず、その消光比と平均光パワーの設定方法、光を用いた送信装置並びに通信システムに利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る光モジュールの概略構成図
【図２】図１に示した光モジュールの初期設定動作時の概略構成図
【図３】電源投入後、変調電流、バイアス電流の初期設定を行う制御回路の構成を示すブロック図
【図４】図３に示す制御回路の機能をＣＰＵに取り込む形にしてソフトウェアにて実施する処理手順の一例を示すフローチャート
【図５】本発明の第２の実施の形態による光モジュールの概略構成図
【図６】従来の光モジュールの概略構成図
【符号の説明】
【００３９】
１  ステム
２  ヒートシンク
３、４  リードピン
５  パターン
６  レーザチップ
７、８  ボンディングワイヤ
９  基板
１０  レンズ
１１  圧電アクチュエータ
１２  光ファイバ
１３  フレキシブル基板
２０  制御回路
２１  パワー測定部
２２  記憶部
２３  差検出部
２４、２７  基準値格納部
２５、２８  比較部
２６  変調電流（Im）設定部
２９  バイアス電流（Ib）設定部
３０  制御部
３１  モニタフォトダイオード
３２  レーザダイオード
３３、３４  スイッチ
３５  変調電流源
３６  バイアス電流源
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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