(57)【要約】【課題】熱衝撃が加えられた場合も、モールド封止樹脂とインターポーザ基板との剥離が起こらず、樹脂内の破壊を防止できる、信頼性の高いエリアアレイ型半導体装置を提供する。【解決手段】半導体チップ１，１２を実装するインターポーザ基板７に、前記半導体チップ１，１２を覆って設けるモールド封止樹脂５との接合面を凹凸状にする溝部１６または凸条を形成する。これにより、インターポーザ基板７とモールド封止樹脂５との接合面積を増加させて、基板表面に沿う方向のストレス、および基板厚み方向の引き離しストレスへの抵抗を高めることができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路配線層を有した少なくとも１つの半導体素子と、前記半導体素子と接続する配線層を有したインターポーザ基板と、前記半導体素子とインターポーザ基板との間に配され両者を接着固定する接着層と、前記インターポーザ基板上に固定され電気的に接続された前記半導体素子および接着層を覆う封止樹脂部とを有した半導体装置において、
前記インターポーザ基板と封止樹脂部との接合面を凹凸状にする溝部または凸条をインターポーザ基板に形成した半導体装置。
【請求項２】
溝部または凸条は、半導体素子を囲む方向に延びた円弧部を少なくとも一部に有した請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
溝部または凸条は、装置中心軸に対する周方向に沿って配置した請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項４】
溝部または凸条を、装置外周に沿う方向に直線状に配置するとともに、少なくとも１つの装置コーナー部の近傍では装置中心軸に対する周方向に沿って配置した請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
溝部または凸条は断面が矩形である請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
溝部または凸条は断面が三角形である請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
溝部または凸条は、前記溝部内あるいは複数の前記凸条間に形成される溝部内に封止樹脂中に含まれるフィラーの各粒が侵入しない寸法に形成した請求項１から請求項６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
インターポーザ基板にさらに微細な凹凸部を形成した請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
微細な凹凸部は、封止樹脂中に含まれるフィラーの各粒が侵入しない寸法に形成した請求項８記載の半導体装置。
【請求項１０】
インターポーザ基板がセラミック製基板である請求項１から請求項９のいずれかに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多数の配線接続を一層高密度な実装を可能とした半導体素子の実装方法に関するもので、とりわけ、情報通信機器、事務用電子機器等の高機能化・小型化を容易にするエリアアレイ状に配列された半導体装置において、該半導体の集積回路部を保護する樹脂封止をもって、半導体素子の電気的な接続信頼性を安定に確保するパッケージ構成に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図９に、リードフレームを用いた従来の周辺端子型パッケージ半導体装置を示す。
【０００３】
半導体素子１（以下半導体チップ１）は、シリコン材からなる基板の表面に電極端子パッド（図示せず）が微細なピッチで形成されたものであり、金属製リードフレームのベース２上に接着ペーストや接着テープで固定され、金細線などのボンディングワイヤー３で周辺のリード４に電気的に接続されている。半導体チップ１およびボンディングワイヤー３の周囲は、これら半導体チップ１、ボンディングワイヤー３、接続部を保護するために、熱硬化性エポキシ樹脂等のモールド封止樹脂５で覆われている。
【０００４】
ところが、パッケージ半導体装置は一般に、製造時のモールド樹脂封止工程や、製造後に電子機器のマザー回路基板に自動半田付けする工程などで、各部材の熱膨張係数の差から生じる変形や熱ストレスが生じ、装置の破壊に至ることがある。また一度に破壊に至らずとも、繰り返して上下する温度負荷を受けて、装置の特性が劣化することがある。
【０００５】
半導体チップ１とモールド封止樹脂５との剥離については、従来より幾つかの問題提起と対策がなされている。
たとえば、上記したような周辺端子型パッケージ半導体装置では、半導体チップ１とモールド封止樹脂５との熱膨張係数の差に基づく表面方向のストレスによるダメージや、半導体チップ１とモールド封止樹脂５との界面に侵入し蓄積した水分が熱で蒸発して「水蒸気爆発」する、剥離破壊の恐れが指摘されている。
【０００６】
この対策としてたとえば、図示したように、半導体チップ１の配線接続側の表面を樹脂コーティングする薄い保護膜６の全体を、凹凸形状にする提案がなされている（たとえば特許文献１、２参照）。
【０００７】
また、矩形の半導体チップ１の絶縁膜上に配置する導体膜を、半導体チップ１の角部に屈折部を持ち、その角部を挟む２辺に沿って延びるように、また絶縁膜上に形成された多数本の長溝に沿う凹凸を持つように、形成する提案がなされている（たとえば特許文献３参照）。
【０００８】
これらはいずれも、シリコンなどからなる半導体基板とモールド封止樹脂との剥離を、凹凸部分で熱的ストレスを吸収することにより防止するものである。
近年、電子機器の小型化に伴って半導体装置の小型化が加速してきており、それより要求される接続端子数の増加、配線ピッチの微細化を満足させるために、上記したような周辺端子型パッケージから、半導体装置の裏面全体に円形電極ランドを配置するエリアアレイ型のパッケージへと移行してきている。
【０００９】
図１０，図１１，図１２はそれぞれ、エリアアレイ型のパッケージ半導体装置の断面構造を示したものである。
図１０は、半導体チップをインターポーザ基板上にワイヤーボンディング法で実装したパッケージ半導体装置を示す。
【００１０】
半導体チップ１はインターポーザ基板７上にアンダーフィル樹脂８により封止固定されており、半導体チップ１上の端子（図示せず）はインターポーザ基板７上のチップ実装配線ランド９にボンディングワイヤー３により電気的に接続されている。インターポーザ基板７上の半導体チップ１とボンディングワイヤー３の全体は、モールド封止樹脂５で覆われ封止されている。インターポーザ基板７は多層配線されたものであり、チップ搭載面に背反する面に半田ボール電極端子１０が形成されている。アンダーフィル樹脂８はフリップチップ部用のものが用いられる。
【００１１】
図１１は、半導体チップをインターポーザ基板上にフリップチップ実装したパッケージ半導体装置を示す。
電極端子パッドとしての金などのバンプ１１が形成された半導体チップ１はインターポーザ基板７上に、バンプ１１，チップ実装配線ランド９により電気的に接続され、アンダーフィル樹脂８により封止固定されており、インターポーザ基板７上の半導体チップ１の全体がモールド封止樹脂５で覆われて封止されている。
【００１２】
図１２は、２個の半導体チップを重ねてインターポーザ基板上にフリップチップ実装、ワイヤーボンディング実装したパッケージ半導体装置を示す。低コスト・高密度回路を実現するスタック構成である。
【００１３】
バンプ１１が形成された第１の半導体チップ１はインターポーザ基板７上に、バンプ１１，チップ実装配線ランド９により電気的に接続され、アンダーフィル樹脂８により封止固定されている。また第２の半導体チップ１２は第１の半導体チップ１上にチップ接着材１３により接着され、第２の半導体チップ１２上の端子（図示せず）はインターポーザ基板７上のチップ実装配線ランド９にボンディングワイヤー３により電気的に接続されている。インターポーザ基板７上の第１の半導体チップ１，第２の半導体チップ１２，ボンディングワイヤー３の全体がモールド封止樹脂５で覆われて封止されている。
【００１４】
【特許文献１】
特開平６−１７７２８５号公報
【００１５】
【特許文献２】
特開平６−１６３７５５号公報
【００１６】
【特許文献３】
特開平５−１７５１９８号公報
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年増加しているエリアアレイ型のパッケージ半導体装置においては、従来の周辺端子型パッケージ半導体装置と同様に、半導体チップ１（および半導体チップ１２）とモールド封止樹脂５との剥離の問題があるのみならず、新たにインターポーザ基板７とモールド封止樹脂５との境界面のストレス破壊という問題がある。
【００１８】
つまり、周辺端子型パッケージ半導体装置の構造では、熱膨張率が低く且つ硬いシリコン材を主体とする半導体チップ１を、上下面ともに同程度の厚さのモールド封止樹脂５層で覆うことが可能であったため、温度が変化しても半導体装置全体の反り変形は生じにくく、反り変形の際に外部露出部位に応力が集中することは無かった。
【００１９】
これに対し、エリアアレイ型パッケージ半導体装置の構造では、材質が相違するモールド封止樹脂５とインターポーザ基板７とが互いに上下になって半導体チップ１（および半導体チップ１２）を挟んだ非対称構造となっているため、モールド封止樹脂５，インターポーザ基板７の熱膨張差によって半導体装置全体の反り変形が生じる。
【００２０】
そのため、半導体チップ１（および半導体チップ１２）とモールド封止樹脂５とを剥離しようとする，図１３（ａ）（ｂ）に示すような従来の境界面方向のストレスｆ１，ｆ２に加えて、モールド封止樹脂５とインターポーザ基板７との境界を引き剥がそうとするストレスｆ３が生じる。
【００２１】
加えて、モールド封止樹脂５とインターポーザ基板７との境界部は外部に露出しているため、露出した境界部からの水分浸入も多い。しかもその境界部では、図１３（ｃ）に示すように、外周側に内部応力が拡大集中する。
【００２２】
その結果、境界部の外周端で亀裂１４が発生しやすい。一旦亀裂１４が発生すると、温度変動等により繰り返し発生する応力でさらに進展していく。そして、モールド封止樹脂５とインターポーザ基板７との境界部での剥がれという装置破壊が起こる。
【００２３】
本発明は上記問題を解決するもので、実装時等の熱衝撃によってもモールド封止樹脂とインターポーザ基板との剥離が起こらず、樹脂内の破壊を防止できる、信頼性の高いエリアアレイ型の半導体装置を提供することを目的するものである。
【００２４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明は、回路配線層を有した少なくとも１つの半導体素子と、前記半導体素子と接続する配線層を有したインターポーザ基板と、前記半導体素子とインターポーザ基板との間に配され両者を接着固定する接着層と、前記インターポーザ基板上に固定され電気的に接続された前記半導体素子および接着層を覆う封止樹脂部とを有した半導体装置において、前記インターポーザ基板と封止樹脂部との接合面を凹凸状にする溝部または凸条をインターポーザ基板に形成したことを特徴とする。ここで凸条は、基板面に沿う方向に長い凸形状を言う。これにより、インターポーザ基板と封止樹脂部との接合面積が増加し、基板表面に沿う方向のストレス、および基板厚み方向の引き離しストレスへの抵抗を高めることができる。
【００２５】
好ましくは、溝部または凸条は、半導体素子を囲む方向に延びた円弧部を少なくとも一部に有するものとする。単一の円弧部を配置してもよいし、複数の円弧部を適当間隔をおいて配置してもよく、リング状のものとして配置してもよい。
【００２６】
より好ましくは、溝部または凸条は、装置中心軸に対する周方向に沿って配置する。
インターポーザ基板と封止樹脂部との界面への熱応力の集中は、両者の線膨張係数の相違に基づき、装置中心軸部分から外周側へ向かって放射方向に熱膨張する量が異なることから発生するもので、熱応力は外周部の近傍で最大になり、内部応力は外周部から中心軸側へ向かう逆放射方向となる。
【００２７】
上記したように装置中心軸に対する周方向に沿って配置した溝部または凸条は、上記放射方向・逆放射方向と直交する方向に延びたものとなるため、放射方向・逆放射方向のストレスへの抵抗を高め、剥離を防止するアンカー効果と、微細な剥離が生じた場合もクラックへの進展拡大を食い止めるクラック進展抑止効果、という２重の剥離抑制効果を発揮する。
【００２８】
また好ましくは、溝部または凸条を、装置外周に沿う方向に直線状に配置するとともに、少なくとも１つの装置コーナー部の近傍では装置中心軸に対する周方向に沿って配置する。
【００２９】
矩形等の多角形の半導体装置では、放射方向・逆放射方向のストレスの最大点は常にコーナー部である。装置外周縁の直線部はコーナー部に比べてストレスが低く、剥離ポイントとならない。このため、装置コーナー部の近傍では、溝部または凸条を装置中心軸に対する周方向に沿って配置することで、すなわち放射方向・逆放射方向と直交する方向に配置することで、放射方向・逆放射方向のストレスへの抵抗を高め、微細な剥離が生じた場合もクラックへの進展拡大を食い止める。装置コーナー部の近傍以外の部分では、クラック進展拡大を抑止することに主眼をおいて、溝部または凸条を装置外周縁の近傍に装置外周に沿う方向に直線状に配置することで、中心部に比べてストレスの高い外周部での密着性を高める。
【００３０】
溝部または凸条は断面が矩形であるのが望ましい。これによれば、インターポーザ基板と封止樹脂部とを引き反す方向の応力が生じ、その界面に沿って微細なクラックが入った場合も、溝部または凸条の上隅や下隅で界面方向が急激に９０度変わるため、亀裂への進展拡大が停止する。このような溝部や凸条がない場合には、クラックは界面に沿って拡大することになる。
【００３１】
溝部または凸条は断面が三角形であるのが望ましい。これによれば、インターポーザ基板と封止樹脂部との界面に沿って微細なクラックが入った場合も、溝部または凸条の隅で界面方向が急激に変わるため、亀裂への進展拡大が停止する。この効果は、溝部の底部、凸条の頂部の角度を９０度にした時に特に大きい。
【００３２】
溝部または凸条は、前記溝部内あるいは複数の前記凸条間に形成される溝部内に、封止樹脂中に含まれるフィラーの各粒が侵入する寸法に形成するのが望ましい。溝部内にフィラーが侵入することで、溝部内の封止樹脂の剛性が高くなり、剥離に対する抵抗が増大する。
【００３３】
インターポーザ基板にさらに微細な凹凸部を形成するのが望ましい。微細な凹凸部によって、接合面での密着性が高まり、熱膨張差で発生するせん断応力による初期クラック発生を抑止できる。
【００３４】
微細な凹凸部は、封止樹脂中に含まれるフィラーの各粒が侵入しない寸法に形成するのが望ましい。フィラーが侵入しないことで、ミクロな表面密着性を確保できる。したがって、溝部，凸条がアンカー効果とクラック進展抑止効果とを発揮し、さらに微細な凹凸部が接合面での密着性そのものを増すことになり、剥離に対する抵抗が高いものとなる。
【００３５】
上記した各構成は、インターポーザ基板がセラミック製基板である時に特に望ましい。セラミック製基板は特に、線膨張係数が大きく、剛性（ヤング率）が高いため、樹脂主体である封止樹脂との間で発生する応力（＝ヤング率×歪み量）が大きくなるので、上記した各構成によって大きな効果が得られる。しかし当然ながら、セラミック以外の材質のインターポーザ基板でも同様の効果が得られる。
【００３６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態におけるパッケージ半導体装置の構造を示す断面図、図１（ｂ）は同パッケージ半導体装置のＡ−Ａ断面図である。このパッケージ半導体装置は先に図１２を用いて説明した従来のエリアアレイ型パッケージ半導体装置とほぼ同様の構成を有しているので、同様の作用を有する部材に図１２と同じ符号を付して説明する。
【００３７】
図１（ａ）に示すように、金，半田などのバンプ１１が形成された第１の半導体チップ１は、セラミック材などのインターポーザ基板７上に、バンプ１１，チップ実装配線ランド９により電気的に接続され、フリップチップ部用のアンダーフィル樹脂８で接着固定されている。インターポーザ基板７は、チップ搭載面に背反する面に半田ボール電極端子１０を有している。
【００３８】
第２の半導体チップ１２は、半導体チップ１上にチップ接着材１３により接着されており、半導体チップ１２上の端子（図示せず）はインターポーザ基板７上のチップ実装配線ランド９に、金などのボンディングワイヤー３を用いるワイヤーボンディング法により電気的に接続されている。
【００３９】
そしてインターポーザ基板７上の半導体チップ１，半導体チップ１２，ボンディングワイヤー３の全体が、外部の影響からの保護を目的として、エポキシ樹脂などのモールド封止樹脂５を用いてトランスファーモールド法などにより封止されている。なお、第１の半導体チップ１，第２の半導体チップ１２，インターポーザ基板７とも矩形である。
【００４０】
このパッケージ半導体装置が従来のものと相違するのは、図１（ｂ）にも示すように、インターポーザ基板７とモールド封止樹脂５との接合面を凹凸状にする溝部１６，１７がインターポーザ基板７に形成されている点である。溝部１６，１７内にはモールド封止樹脂６が充満している。
【００４１】
溝部１６は、インターポーザ基板７のコーナー部７ａに装置中心軸（通常はインターポーザ基板７の中心軸に一致する）に対する周方向に沿って円弧状に配置されている。溝部１７は、溝部１６より内側に、同じく装置中心軸に対する周方向に沿ってリング状に配置されている。
【００４２】
これらの溝部１６，１７が存在することで、インターポーザ基板７とモールド封止樹脂５との接合面積は平坦な接合面構造に比べて増加し、インターポーザ基板７の表面に沿う方向のストレス、および基板厚み方向の引き離しストレスへの抵抗を高めることができる。
【００４３】
しかも装置中心軸に対する周方向に沿って配置した溝部１６，１７は、装置中心軸に対する放射方向・逆放射方向と直交する方向に延びているため、図２に示すように、放射方向・逆放射方向のストレス（それぞれ矢印ｆ１、ｆ２）への抵抗を高め、剥離を防止するアンカー効果と、万が一微細な剥離１５が生じた場合もクラックへの進展拡大を食い止めるクラック進展抑止効果、という２重の剥離抑制効果を発揮する。
【００４４】
インターポーザ基板７が、上記したセラミック材のように剛性が高い材料で構成され、モールド封止樹脂５との熱膨張差が大きい場合には、発生するストレスが特に大きくなるため、上記した剥離抑制効果は顕著となる。
【００４５】
図３（ａ）は、本発明の第２の実施形態におけるパッケージ半導体装置の構造を示す断面図、図３（ｂ）は同パッケージ半導体装置のＢ−Ｂ断面図である。
このパッケージ半導体装置が第１の実施形態のものと相違するのは、矩形の半導体チップ１を中央部に配置する矩形のインターポーザ基板７上に、モールド封止樹脂５との接合面を凹凸状にする四角枠状の溝部１８が形成されている点である。
【００４６】
詳細には、溝部１８は、インターポーザ基板７の周縁部に基板外周に沿う方向に直線状に配置された直線部１８ａと、インターポーザ基板７の４つのコーナー部７ａの近傍に基板中心軸に対する周方向に沿って配置された彎曲部１８ｂとで構成されている。インターポーザ基板７の外周および中心軸は、装置外周および装置中心軸に一致している。
【００４７】
このように、矩形の半導体チップ１，インターポーザ基板７で構成された半導体装置において、放射方向・逆放射方向のストレスの最大点であるコーナー部７ａに、放射方向・逆放射方向と直交する方向の彎曲部１８ｂを配置しているため、上記第１の実施形態と同様に、放射方向・逆放射方向のストレスへの抵抗を高め、微細な剥離が生じた場合もクラックへの進展拡大を食い止めることができる。コーナー部７ａ以外では、周縁部に基板外周に沿う直線部１８ａを配置しているため、ストレスのより高い外周部での密着性を高めることができる。
【００４８】
図４（ａ）は、本発明の第３の実施形態におけるパッケージ半導体装置の構造を示す断面図、図４（ｂ）は同パッケージ半導体装置のＣ−Ｃ断面図である。
このパッケージ半導体装置は上記第２の実施形態のものとほぼ同様であるが、矩形の半導体チップ１を中央部に配置する矩形のインターポーザ基板７上に、モールド封止樹脂５との接合面を凹凸状にする四角枠状の溝部１９，２０，２１が同心状に３本、形成されている点が相違する。
【００４９】
溝部１９，２０，２１はそれぞれ、第２の実施形態の溝部１８と同様に、彎曲部１９ａ，２０ａ，２１ａと、直線部１９ｂ，２０ｂ，２１ｂとを有している。３本の溝部１９，２０，２１が広範囲にわたって形成されていることで、外周部での密着性が高まる。
【００５０】
図５は溝部の断面形状を示す。
図５（ａ）において、インターポーザ基板７に形成された溝部２２は、矩形の断面を有している。インターポーザ基板７とモールド封止樹脂５との界面は、溝部２２の上隅と下隅とで９０度向きが変わるため、界面で亀裂が発生しても、これら上隅と下隅で進展しにくくなり、亀裂の進展を抑止できる。
【００５１】
図５（ｂ）において、インターポーザ基板７に形成された溝部２３は、三角形の断面を有している。インターポーザ基板７とモールド封止樹脂５との界面は、溝部２３の上隅と下隅とで向きが変わるため、界面で亀裂が発生しても、向きが変わる上隅と下隅で進展しにくくなり、亀裂の進展を抑止できる。溝部２３の下隅（底端部）の角度を９０度とした時に最も効果が大きい。
【００５２】
図５（ｃ）は、図５（ｂ）に示した三角形の断面を有する溝部２３が、モールド封止樹脂５中に含まれる無機質フィラー２４の粒子が侵入可能な寸法に形成されていることを示す。フィラー２４も溝部２３内に侵入することで、溝部２３内のモールド樹脂部５の剛性が高くなり、剥離に対する抵抗が増大する。図５（ａ）に示したような矩形の断面を有する溝部２２であっても同様の効果が得られるのは言うまでもない。
【００５３】
図６は溝部およびその周辺の詳細構造を示す。
図６（ａ）においては、図５（ａ）に示したような矩形の断面を有する溝部２２の内面とその周囲のインターポーザ基板７の表面に、微細な凹凸部２５が形成されている。
【００５４】
図６（ｂ）においては、図５（ｂ）に示したような三角形の断面を有する溝部２３の内面とその周囲のインターポーザ基板７の表面に、微細な凹凸部２６が形成されている。
【００５５】
これら図６（ａ），図６（ｂ）に示した微細な凹凸部２５，２６は、モールド封止樹脂５中に含まれるフィラーの粒子よりも小さく形成されている。このため、凹凸部２５，２６にモールド封止樹脂５の樹脂成分が入り込み、インターポーザ基板７，モールド封止樹脂５の表面の密着性そのものが増大する。
【００５６】
凹凸部２５，２６を形成する方法としては、インターポーザ基板７の表面をサンドブラストなどで微細に荒らす方法や、プラズマを照射する方法などがある。後者の方法では、インターポーザ基板７の表面の油脂などを取り除き、且つ化学的に表面分子構造を改変させることができるので、それによる密着性向上効果もある。
【００５７】
インターポーザ基板７とモールド封止樹脂５との接合面を凹凸状にするには、上述したように図８（ａ）のような溝部２７をインターポーザ基板７の表面に形成してもよいし、あるいは、図８（ｂ）に示すように、インターポーザ基板７の表面に凸条２８を形成してもよい。
【００５８】
なお、上記した各実施の形態においては、インターポーザ基板７上に半導体チップ１，半導体チップ１２を２段に設けたものを図示して説明したが、半導体チップの段数は１段であっても、３段以上であっても同様の効果が得られる。
【００５９】
また、インターポーザ基板７，半導体チップ１，半導体チップ１２とも矩形のものを例示したが、球形の半導体チップなどを用いる場合も同様の効果が得られる。
【００６０】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、インターポーザ基板と封止樹脂部との接合面を凹凸状にする溝部または凸条をインターポーザ基板に形成することにより、実装時や温度サイクル試験等の熱負荷によっても、インターポーザ基板とモールド封止樹脂との剥離を防止し、樹脂内の亀裂破壊のない信頼性の高い半導体装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態のパッケージ半導体装置の（ａ）縦断面図、（ｂ）Ａ−Ａ断面図
【図２】図１のパッケージ半導体装置を構成する基板とモールド封止樹脂との界面のストレスを説明する模式図
【図３】本発明の第２の実施形態のパッケージ半導体装置の（ａ）縦断面図、（ｂ）Ｂ−Ｂ断面図
【図４】本発明の第３の実施形態のパッケージ半導体装置の（ａ）縦断面図、（ｂ）Ｃ−Ｃ断面図
【図５】本発明の半導体装置に形成され基板とモールド封止樹脂との接合面を凹凸状にする溝部を示す拡大断面図
【図６】本発明の半導体装置に形成される溝部および微細な凹凸部を示す拡大断面図
【図７】図６に示した微細な凹凸部の近傍のストレスを説明する模式図
【図８】本発明の半導体装置に形成され基板とモールド封止樹脂との接合面を凹凸状にする（ａ）溝部および（ｂ）凸条を示す拡大断面図
【図９】従来の周辺端子型パッケージ半導体装置の断面図
【図１０】従来のエリアアレイ型パッケージ半導体装置の断面図
【図１１】従来の他のエリアアレイ型パッケージ半導体装置の断面図
【図１２】従来のさらに他のエリアアレイ型パッケージ半導体装置の断面図
【図１３】半導体チップ、モールド封止樹脂、インターポーザ基板を互いに引き剥がそうとするストレスを説明する模式図
【符号の説明】
１  半導体チップ
５  モールド封止樹脂
７  インターポーザ基板
９  チップ実装配線ランド
１０  半田ボール電極端子
１１  バンプ
１２  半導体チップ
１６，１７，１８，１９，２０，２１，２２，２３  溝部
２４  フィラー
２５，２６  微細な凹凸部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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