【手続補正書】
【提出日】平成22年3月19日(2010.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に、活性層と、前記活性層へ注入される電流を狭窄する１または複数の帯状の電流狭窄構造と、前記電流狭窄構造の延在方向に向けて延在する１または複数の帯状の凸部とを含む積層構造を備えた
ことを特徴とする半導体レーザ。
【請求項２】
前記積層構造は、第１導電型半導体層、前記活性層および第２導電型半導体層を前記半導体基板側からこの順に有し、
前記凸部は、前記第１導電型半導体層および前記第２導電型半導体層の少なくとも一方の内部に形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。
【請求項３】
前記凸部が、前記第１導電型半導体層の内部に形成されている場合には、前記半導体基板側に突出しており、前記第２導電型半導体層の内部に形成されている場合には、前記半導体基板とは反対側に突出している
ことを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザ。
【請求項４】
前記凸部の高さは、５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、
前記凸部の幅は、２μｍ以上５μｍ以下である
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体レーザ。
【請求項５】
前記半導体基板は、前記凸部に対応する領域に、前記凸部の高さよりも深く、かつ前記凸部の幅よりも広い帯状の凹部を有している
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。
【請求項６】
前記凹部の深さは、１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、
前記凹部の幅は、５μｍ以上１０μｍ以下である
ことを特徴とする請求項５に記載の半導体レーザ。
【請求項７】
前記活性層は、凹凸の無い平坦な面内に形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。
【請求項８】
前記凸部は、前記電流狭窄構造の幅方向における中央部分との対向領域に形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。
【請求項９】
前記凸部が複数形成され、
前記凸部同士の間隔は、前記電流狭窄構造の幅よりも狭い
ことを特徴とする請求項８に記載の半導体レーザ。
【請求項１０】
前記凸部は、前記電流狭窄構造の幅方向における中央部分との対向領域を挟み込む一対の領域に形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。
【請求項１１】
前記凸部が複数形成されると共に、前記対向領域を挟み込む一対の領域の双方に形成され、
前記一対の領域の一方に形成された前記凸部と、前記一対の領域の他方に形成された前記凸部との間の間隔は、前記電流狭窄構造の幅よりも広い
ことを特徴とする請求項１０に記載の半導体レーザ。
【請求項１２】
前記凸部が複数形成されると共に、前記対向領域を挟み込む一対の領域の双方に形成され、
前記一対の領域の一方に形成された前記凸部と、前記一対の領域の他方に形成された前記凸部との間の間隔は、前記電流狭窄構造の幅と略等しい
ことを特徴とする請求項１０に記載の半導体レーザ。
【請求項１３】
前記凸部は、前記電流狭窄構造の幅方向の中心軸に関して線対称に形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。
【請求項１４】
前記凸部は、前記電流狭窄構造の延在方向と平行な方向に延在して形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。
【請求項１５】
前記凸部は、前記電流狭窄構造の延在方向と交差する方向に延在して形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。
【請求項１６】
前記電流狭窄構造は、リッジ形状となっている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。
【請求項１７】
前記電流狭窄構造は、電流注入領域を一対の高抵抗領域で挟んだ構造となっている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の半導体レーザは、半導体基板上に、活性層と、１または複数の帯状の電流狭窄構造と、電流狭窄構造の延在方向に向けて延在する１または複数の帯状の凸部とを含む積層構造を備えている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の半導体レーザでは、電流狭窄構造の延在方向に向けて延在する１または複数の帯状の凸部が積層構造内に設けられている。これにより、活性層で発光した光が、電流狭窄構造および凸部によって形成される屈折率分布に対応した導波機構によって導波する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
第１の参考例に係る第２半導体レーザは、活性層と、活性層へ注入される電流を狭窄する１または複数の帯状の電流狭窄構造とを含む積層構造を備えたものである。電流狭窄構造は、リッジ形状となっており、そのリッジ形状の上部に、当該電流狭窄構造の延在方向に向けて延在する１または複数の帯状の凹部を有している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
第１の参考例に係る半導体レーザでは、リッジ形状となっている電流狭窄構造の上部に、当該電流狭窄構造の延在方向に向けて延在する１または複数の帯状の凸部が設けられている。これにより、活性層で発光した光が、電流狭窄構造および凸部によって形成される屈折率分布に対応した導波機構によって導波する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
第２の参考例に係る半導体レーザは、活性層と、活性層へ注入される電流を狭窄する１または複数の帯状の電流狭窄構造とを含む積層構造を備えたものである。電流狭窄構造は、帯状の電流注入領域を一対の高抵抗領域で挟んだ構造となっており、かつ電流注入領域の幅方向における中央部分に、電流注入領域の延在方向に向けて延在する１または複数の帯状の凹部を有している。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
第２の参考例に係る半導体レーザでは、電流狭窄構造が帯状の電流注入領域を一対の高抵抗領域で挟んだ構造となっており、また、電流注入領域の幅方向における中央部分に、電流注入領域の延在方向に向けて延在する１または複数の帯状の凹部が設けられている。これにより、活性層で発光した光が、電流狭窄構造および凹部によって形成される屈折率分布に対応した導波機構によって導波する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
第３の参考例に係る半導体レーザは、活性層と、活性層へ注入される電流を狭窄する１または複数の帯状の電流狭窄構造とを含む積層構造を備えたものである。電流狭窄構造は、リッジ形状となっており、そのリッジ形状の上部に、電流狭窄構造の上部の幅よりも狭い幅のコンタクト層を有している。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
第４の参考例に係る半導体レーザでは、リッジ形状となっている電流狭窄構造の上部に、電流狭窄構造の上部の幅よりも狭い幅のコンタクト層が設けられている。これにより、活性層で発光した光が、電流狭窄構造と、コンタクト層を介して注入される電流分布とによって形成される屈折率分布に対応した導波機構によって導波する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
参考例に係る半導体レーザの製造方法は、以下の（Ａ）〜（Ｃ）の各工程を含むものである。
（Ａ）１または複数の帯状の凹部を半導体基板の表面に形成する凹部形成工程
（Ｂ）凹部の形成された半導体基板の凹部側の表面上に、第１導電型半導体層、活性層および第２導電型半導体層を順に形成することにより、第１導電型半導体層の内部のうち活性層側の凹部との対応領域に帯状の凸部を形成する凸部形成工程
（Ｃ）第２導電型半導体層の上部に、活性層へ注入される電流を狭窄する電流狭窄構造を、凹部の延在方向に向けて延在して形成する電流狭窄構造形成工程
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
参考例に係る半導体レーザの製造方法では、電流狭窄構造の延在方向に向けて延在する１または複数の帯状の凸部が、半導体基板の表面に形成された凹部を利用して第１導電型半導体層内に形成される。これにより、活性層で発光した光が、電流狭窄構造および凸部によって形成される屈折率分布に対応した導波機構によって導波する。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の半導体レーザ、第１の参考例に係る半導体レーザ、および参考例に係る半導体レーザの製造方法によれば、活性層で発光した光が、電流狭窄構造および凸部によって形成される屈折率分布に対応した導波機構によって導波するようにしたので、電流狭窄構造および凸部の双方の導波機構の相互作用により、横モードを安定化し、フィラメント発光を抑制することができる。これにより、ＮＦＰを安定で均一な形状にすることができる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
第２の参考例に係る半導体レーザによれば、活性層で発光した光が、電流狭窄構造および凹部によって形成される屈折率分布に対応した導波機構によって導波するようにしたので、電流狭窄構造および凹部の双方の導波機構の相互作用により、横モードを安定化し、フィラメント発光を抑制することができる。これにより、ＮＦＰを安定で均一な形状にすることができる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
第３の参考例に係る半導体レーザによれば、活性層で発光した光が、電流狭窄構造と、コンタクト層を介して注入される電流分布とによって形成される屈折率分布に対応した導波機構によって導波するようにしたので、電流狭窄構造と、コンタクト層を介して注入される電流分布との双方の導波機構の相互作用により、横モードを安定化し、フィラメント発光を抑制することができる。これにより、ＮＦＰを安定で均一な形状にすることができる。