【手続補正書】
【提出日】平成22年4月30日(2010.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光装置のマスクステージにチャックされるマスクブランク用基板であって、
前記マスクステージにチャックされる側の主表面における外周端面から内側２ｍｍの領域を除いた方形の平坦度測定領域の平坦度が０．６μｍ以下であり、
前記平坦度測定領域の四隅のコーナー部のうち、少なくとも３箇所のコーナー部が、外周側に向かって盛り上がった形状をなしていることを特徴とするマスクブランク用基板。
【請求項２】
前記平坦度測定領域は、マスクパターンを形成するための方形領域であるパターンエリアを含む領域であり、
前記平坦度測定領域のコーナー部における前記盛り上がった形状は、前記パターンエリアのコーナーのうち、前記盛り上がった形状の前記コーナー部に最も近い前記コーナーを基準点とした最大高さが０．２５μｍ以下になる形状であることを特徴とする請求項１に記載のマスクブランク用基板。
【請求項３】
前記平坦度測定領域は、マスクパターンを形成するための方形領域であるパターンエリアを含む領域であり、
前記平坦度測定領域のコーナー部における前記盛り上がった形状は、基板主表面の中心を通り基板の四隅の頂点を結ぶ対角方向における基板主表面の表面形状を測定したときに、前記基板主表面における外周端面から内側１５ｍｍの領域を除いた内側方形領域のコーナーにおける高さを基準としたときの外周端面から内側１０ｍｍの領域を除いた外側方形領域のコーナーにおける高さが、−０．０２μｍ以上０．０５μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２記載のマスクブランク用基板。
【請求項４】
露光装置のマスクステージにチャックされるマスクブランク用基板であって、
前記マスクステージにチャックされる側の主表面における外周端面から内側２ｍｍの領域を除いた方形の平坦度測定領域の平坦度が０．６μｍ以下であり、
前記平坦度測定領域は、マスクパターンを形成するための方形領域であるパターンエリアを含む領域であり、
前記平坦度測定領域のコーナー部における形状は、基板主表面の中心を通り基板の四隅の頂点を結ぶ対角方向における基板主表面の表面形状を測定したときに、前記基板主表面における外周端面から内側１５ｍｍの領域を除いた内側方形領域のコーナーにおける高さを基準としたときの外周端面から内側１０ｍｍの領域を除いた外側方形領域のコーナーにおける高さが、−０．０２μｍ以上０．０５μｍ以下であることを特徴とするマスクブランク用基板。
【請求項５】
前記露光装置のマスクステージは、前記マスクブランク用基板の前記主表面を吸着するチャック部材を有し、
前記チャック部材は、
前記主表面と平行に線状に延伸する３本の支持部であって、３本のうちの少なくとも一部により前記主表面を支持する３本の支持部と、
前記３本の支持部の合間に形成される２本の吸引口と
を有することを特徴とする請求項１乃至４の何れか一に記載のマスクブランク用基板。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一に記載のマスクブランク用基板の主表面上にマスクパターンとなる薄膜が形成されていることを特徴とするマスクブランク。
【請求項７】
半導体デザインルールで６５ｎｍ対応のマスクブランクであることを特徴とする請求項６の記載のマスクブランク。
【請求項８】
請求項６又は７記載の前記薄膜をパターニングしてマスクブランク用基板の主表面上にマスクパターンが形成されていることを特徴とする露光用マスク。
【請求項９】
請求項８記載の露光用マスクを露光装置のマスクステージにセットし、前記露光用マスクに露光光を照射して、マスクパターンを転写することで、半導体ウエハー上にパターンを形成することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【請求項１０】
露光装置のマスクステージにチャックされるマスクブランク用基板の製造方法であって、
基板を研磨する研磨工程と、
前記基板における前記マスクステージにチャックされる側の主表面の一部であり、マスクパターンを形成するための方形領域であるパターンエリアを含み、かつ前記基板の外周端面を含まない平坦度測定領域の平坦度を測定する平坦度測定工程と、
前記平坦度測定領域の平坦度が所定の範囲内であり、かつ前記平坦度測定領域の四隅のコーナー部のうち、少なくとも３箇所のコーナー部が、外周側に向かって盛り上がった形状をなしている前記基板を選定する選定工程と
を備えることを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項１１】
露光装置のマスクステージにチャックされるマスクブランク用基板の製造方法であって、
基板を研磨する研磨工程と、
前記基板における前記マスクステージにチャックされる側の主表面の一部であり、マスクパターンを形成するための方形領域であるパターンエリアを含み、かつ前記基板の外周端面を含まない平坦度測定領域の平坦度を測定する平坦度測定工程と、
前記平坦度測定領域の平坦度が所定の範囲内であり、かつ前記平坦度測定領域のコーナー部の形状は、基板主表面の中心を通り基板の四隅の頂点を結ぶ対角方向における基板主表面の表面形状を測定したときに、前記基板主表面における外周端面から内側１５ｍｍの領域を除いた内側方形領域のコーナーにおける高さを基準としたときの外周端面から内側１０ｍｍの領域を除いた外側方形領域のコーナーにおける高さが、−０．０２μｍ以上０．０５μｍ以下である前記基板を選定する選定工程とを備えることを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項１２】
露光装置のマスクステージにチャックされる側の基板の主表面上にマスクパターンが形成された薄膜を備える露光用マスクであって、
前記基板は、前記マスクステージにチャックされる側の主表面における外周端面から内側２ｍｍの領域を除いた方形の平坦度測定領域の平坦度が０．６μｍ以下であり、
前記平坦度測定領域の四隅のコーナー部のうち、少なくとも３箇所のコーナー部が、外周側に向かって盛り上がった形状をなしていることを特徴とする露光用マスク。
【請求項１３】
前記平坦度測定領域は、マスクパターンを形成するための方形領域であるパターンエリアを含む領域であり、
前記平坦度測定領域のコーナー部における前記盛り上がった形状は、前記パターンエリアのコーナーのうち、前記盛り上がった形状の前記コーナー部に最も近い前記コーナーを基準点とした最大高さが０．２５μｍ以下になる形状であることを特徴とする請求項１２に記載の露光用マスク。
【請求項１４】
前記平坦度測定領域は、マスクパターンを形成するための方形領域であるパターンエリアを含む領域であり、
前記平坦度測定領域のコーナー部における前記盛り上がった形状は、基板主表面の中心を通り基板の四隅の頂点を結ぶ対角方向における基板主表面の表面形状を測定したときに、前記基板主表面における外周端面から内側１５ｍｍの領域を除いた内側方形領域のコーナーにおける高さを基準としたときの外周端面から内側１０ｍｍの領域を除いた外側方形領域のコーナーにおける高さが、−０．０２μｍ以上０．０５μｍ以下であることを特徴とする請求項１２または１３記載の露光用マスク。
【請求項１５】
露光装置のマスクステージにチャックされる側の基板の主表面上にマスクパターンが形成された薄膜を備える露光用マスクであって、
前記基板は、前記マスクステージにチャックされる側の主表面における外周端面から内側２ｍｍの領域を除いた方形の平坦度測定領域の平坦度が０．６μｍ以下であり、
前記平坦度測定領域は、マスクパターンを形成するための方形領域であるパターンエリアを含む領域であり、
前記平坦度測定領域のコーナー部における形状は、基板主表面の中心を通り基板の四隅の頂点を結ぶ対角方向における基板主表面の表面形状を測定したときに、前記基板主表面における外周端面から内側１５ｍｍの領域を除いた内側方形領域のコーナーにおける高さを基準としたときの外周端面から内側１０ｍｍの領域を除いた外側方形領域のコーナーにおける高さが、−０．０２μｍ以上０．０５μｍ以下であることを特徴とする露光用マスク。
【請求項１６】
前記露光装置のマスクステージは、露光用マスクを吸着するチャック部材を有し、
前記チャック部材は、
前記主表面と平行に線状に延伸する３本の支持部であって、３本のうちの少なくとも一部により前記露光用マスクを支持する３本の支持部と、
前記３本の支持部の合間に形成される２本の吸引口と
を有することを特徴とする請求項１２乃至１５の何れか一に記載の露光用マスク。
【請求項１７】
半導体デザインルールで６５ｎｍの仕様を満たしていることを特徴とする請求項１２乃至１６の何れか一に記載の露光用マスク。
【請求項１８】
基板の主表面上にマスクパターンが形成された薄膜を備える露光用マスクを露光装置のマスクステージにセットし、前記露光用マスクに露光光を照射して、マスクパターンを転写することで、半導体ウエハー上にパターンを形成する半導体デバイスの製造方法であって、
前記基板は、前記マスクステージにチャックされる側の主表面における外周端面から内側２ｍｍの領域を除いた方形の平坦度測定領域の平坦度が０．６μｍ以下であり、
前記平坦度測定領域の四隅のコーナー部のうち、少なくとも３箇所のコーナー部が、外周側に向かって盛り上がった形状をなしていることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【請求項１９】
前記平坦度測定領域は、マスクパターンを形成するための方形領域であるパターンエリアを含む領域であり、
前記平坦度測定領域のコーナー部における前記盛り上がった形状は、前記パターンエリアのコーナーのうち、前記盛り上がった形状の前記コーナー部に最も近い前記コーナーを基準点とした最大高さが０．２５μｍ以下になる形状であることを特徴とする請求項１８に記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項２０】
前記平坦度測定領域は、マスクパターンを形成するための方形領域であるパターンエリアを含む領域であり、
前記平坦度測定領域のコーナー部における前記盛り上がった形状は、基板主表面の中心を通り基板の四隅の頂点を結ぶ対角方向における基板主表面の表面形状を測定したときに、前記基板主表面における外周端面から内側１５ｍｍの領域を除いた内側方形領域のコーナーにおける高さを基準としたときの外周端面から内側１０ｍｍの領域を除いた外側方形領域のコーナーにおける高さが、−０．０２μｍ以上０．０５μｍ以下であることを特徴とする請求項１８または１９記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項２１】
基板の主表面上にマスクパターンが形成された薄膜を備える露光用マスクを露光装置のマスクステージにセットし、前記露光用マスクに露光光を照射して、マスクパターンを転写することで、半導体ウエハー上にパターンを形成する半導体デバイスの製造方法であって、
前記基板は、前記マスクステージにチャックされる側の主表面における外周端面から内側２ｍｍの領域を除いた方形の平坦度測定領域の平坦度が０．６μｍ以下であり、
前記平坦度測定領域は、マスクパターンを形成するための方形領域であるパターンエリアを含む領域であり、
前記平坦度測定領域のコーナー部における形状は、基板主表面の中心を通り基板の四隅の頂点を結ぶ対角方向における基板主表面の表面形状を測定したときに、前記基板主表面における外周端面から内側１５ｍｍの領域を除いた内側方形領域のコーナーにおける高さを基準としたときの外周端面から内側１０ｍｍの領域を除いた外側方形領域のコーナーにおける高さが、−０．０２μｍ以上０．０５μｍ以下であることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【請求項２２】
前記露光装置のマスクステージは、露光用マスクを吸着するチャック部材を有し、
前記チャック部材は、
前記主表面と平行に線状に延伸する３本の支持部であって、３本のうちの少なくとも一部により前記露光用マスクを支持する３本の支持部と、
前記３本の支持部の合間に形成される２本の吸引口と
を有することを特徴とする請求項１８乃至２１の何れか一に記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項２３】
露光用マスクに照射される前記露光光は、ＡｒＦエキシマレーザーであることを特徴とする請求項１８乃至２２の何れか一に記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項２４】
半導体ウエハー上にデザインルール６５ｎｍノードの回路パターンを形成することを特徴とする１８乃至２４の何れか一に記載の半導体デバイスの製造方法。