(57)【要約】  光学較正ディスクのためのシステムおよび方法は、基板の一部の上にレジスト層を供給するステップを含む。基板の表面とテンプレートの所定の物体のトポグラフィ的にパターン化された面とを接触させ、接触させることにより、基板の一部とテンプレートとの間のレジスト層が、トポグラフィ的にパターン化された面に適合し、レジスト層は、ナノスケールの空隙を含む。拡散時間をより長くし、レジストをより薄くし、デスカムステップを用いて空隙とともに残留レジスト層を除去することによって、ナノスケールの空隙を減少させる。レジスト層は、トポグラフィ的にパターン化された面の陰画に固められ、陰画は、光学式読取装置によって個々に測定されるように操作可能な面を含む。基板とテンプレートとは分離され、レジスト層は、基板の表面に接着する。
2015500547.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一部の上にレジスト層を供給するステップと、
前記基板の表面とテンプレートの所定の物体のトポグラフィ的にパターン化された面とを接触させるステップとを備える方法であって、
前記接触させるステップにより、前記基板の前記一部と前記テンプレートとの間の前記レジスト層が、前記トポグラフィ的にパターン化された面に適合し、
前記レジスト層は、ナノスケールの空隙を備え、
前記方法はさらに、
前記ナノスケールの空隙を減少させるステップと、
前記レジスト層を前記トポグラフィ的にパターン化された面の陰画に強化するステップとを備え、前記陰画は、光学式読取装置によって個々に測定されるように操作可能な面を備え、
前記方法はさらに、
前記基板と前記テンプレートとを分離するステップを備え、前記レジスト層は、前記基板の前記表面に接着する、方法。
【請求項２】
前記レジスト層は、残留レジスト層を備え、
前記残留レジスト層は、前記ナノスケールの空隙を備え、
前記方法はさらに、
前記残留レジスト層を除去するステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記減少させるステップは、前記ナノスケールの空隙を実質的に除去するステップを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記減少させるステップは、反応性イオンエッチング系のデスカム動作を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記減少させるステップは、前記強化するステップの前に前記ナノスケールの空隙を実質的に除去するために、インプリント拡散時間の間待機するステップを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記レジスト層を供給する前記ステップは、前記レジスト層を滴下供給するステップを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記強化するステップは、ＵＶ光照射によって前記レジスト層を硬化させるステップを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記レジスト層の上に保護用オーバーコートを堆積させるステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
基板の一部の上に複数のレジスト滴を供給するステップと、
テンプレートの予測可能な物体のトポグラフィ的にパターン化された面を前記複数のレジスト滴の上に押付けるステップとを備える方法であって、
前記押付けるステップにより、前記複数のレジスト滴が、複数のレジスト隆起部および残留レジスト層を備えるレジスト層を形成し、
前記押付けるステップにより、前記レジスト層が、前記トポグラフィ的にパターン化された面に適合し、
前記方法はさらに、
前記レジスト層に複数のナノスケールの空隙を形成するステップと、
レジスト拡散時間の間待機するステップとを備え、前記待機するステップは、前記複数のナノスケールの空隙を実質的に除去し、
前記方法はさらに、
前記レジスト層を前記トポグラフィ的にパターン化された面の陰画に固めるステップと、
前記残留レジスト層を除去するステップとを備え、前記除去するステップは、前記複数のナノスケールの空隙をさらに実質的に除去する、方法。
【請求項１０】
前記除去するステップは、Ｏ２反応性イオンエッチング系のデスカム動作を備える、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記レジスト隆起部は、サイズが約５０ｎｍ〜約１０００ｎｍであり、
前記供給するステップは、前記レジスト滴を滴下供給するステップを備え、
前記レジスト拡散時間は、２〜１０分の長さである、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記残留レジスト層は、厚みが１０ｎｍ未満である、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記固めるステップは、光照射を用いて前記レジスト層を凝固させるステップを備える、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記陰画の上に炭素オーバーコートの保護層を堆積させるステップをさらに備える、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
基板と、
前記基板の一部の上に第１のレジスト隆起部を備える第１の所定の予測可能なパターンとを備える装置であって、
前記第１の所定の予測可能なパターンは、前記第１のレジスト隆起部同士の間で実質的に連続的であり、
前記第１の所定の予測可能なパターンは、記録面光学式読取装置によって測定されるように操作可能であり、
前記装置はさらに、
前記第１のレジスト隆起部および前記基板の上に保護用オーバーコートを備える、装置。
【請求項１６】
前記第１の所定の予測可能なパターンには、実質的にナノ空隙が含まれていない、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記記録面光学式読取装置は、カンデラツールである、請求項１５に記載の装置。
【請求項１８】
前記保護用オーバーコートは、炭素オーバーコートである、請求項１５に記載の装置。
【請求項１９】
前記第１の所定のパターンは、前記第１のレジスト隆起部同士の間に領域をさらに備え、
前記領域の厚みは、実質的に連続的である、請求項１５に記載の装置。
【請求項２０】
前記基板の異なる部分の上に第２のレジスト隆起部の第２の所定の予測可能なパターンをさらに備え、
前記第２の所定の予測可能なパターンは、前記記録面光学式読取装置によって測定されるように操作可能である、請求項１５に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、本願と同一の出願人に譲渡された、Kurataka等による、２０１１年１２月５日に出願された米国出願番号第１３／３１１，３０２号の利益および優先権を主張する。
【０００２】
分野
本発明に係る実施形態は、一般に、ビットパターン媒体技術を含む較正機器に関する。
【背景技術】
【０００３】
背景
磁気記録媒体では、情報は、記録媒体に書込まれ、記録媒体から読出される。例えば、ディスクドライブは、生産ラインで作製され得る１つ以上のハードディスクを含み得る。
【０００４】
ハードディスクは、基板上に構築された複数の層を含む装置である。例えば、基板を覆うシード層が構築されてもよい。シード層を覆うベース層が構築されてもよい。垂直磁気記録アイランドは、ベース層の中およびシード層の上に構築され得る記録領域である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
媒体の生産には光学検査ツールが用いられる。例えば、光学式認識・測定ツールは、ハードディスク作製のプロセスおよび欠陥制御を監視し得る。光学検査ツールは、各プロセスステップ後に、面、例えばハードディスクの面を光学的に調べる。しかし、ハードディスク作製の監視の前に、光学検査ツールを確実かつ正確に較正する必要があるであろう。
【０００６】
添付の図面の図に、限定としてではなく一例として、本発明の実施形態を示す。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施形態に係る較正ディスクの一部の作製の簡略断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る、テンプレートをレジスト滴と接触させた後の較正ディスクの一部の作製の簡略断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る、レジスト層を硬化させた後の較正ディスクの一部の作製の簡略断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る、除去プロセス後の較正ディスクの一部の作製の簡略断面図である。
【図５】本発明の実施形態に係る保護用オーバーコートを含む較正ディスクの一部の作製の簡略断面図である。
【図６】空隙のパターンを含む較正ディスクの表面の拡大部の簡略図である。
【図７】本発明の実施形態に係るレジスト隆起部パターンの一部の簡略図である。
【図８】本発明の実施形態に係る較正ディスクの表面の簡略図である。
【図９】本発明の実施形態に係る較正ディスクおよび光学測定機器の簡略断面図である。
【図１０】本発明のいくつかの実施形態に係る較正ディスクを形成するプロセスのフローチャートである。
【図１１】本発明のいくつかの実施形態に係る較正ツールを形成するプロセスのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
詳細な説明
ここで、実施形態を詳細に参照し、実施形態の例が添付の図面に示されている。図面に関連付けて実施形態を説明するが、それらは実施形態を限定するよう意図したものではないということが理解されるであろう。それどころか、実施形態は、代替例、変形例および等価物をカバーするよう意図されている。さらに、以下の詳細な説明では、十分に理解してもらうために、多数の具体的な詳細について説明している。しかし、これらの具体的な詳細がなくても実施形態は実施可能であるということが当業者によって認識されるであろう。他の場合には、実施形態の局面を不必要に曖昧にしないようにするために、周知の方法、手順、構成要素および回路については詳細に記載しなかった。
【０００９】
説明の目的で、本明細書において用いられる「水平な」という用語は、基板の向きに関わらず、基板の平面または面に対して平行な平面を指す。「垂直な」という用語は、たった今規定した水平に対して垂直な方向を指す。「上方」、「下方」、「底部」、「上部」、「側部」、「より高い」、「より低い」、「上部」、「の上」、および「の下」などの用語は、当該水平な平面に対するものである。
【００１０】
本発明の実施形態は、例えば記録媒体の作製に用いられる、光学測定機器、例えばカンデラ（Candela）ツールを較正するための方法およびシステムを提供する。しかし、本発明の実施形態は、較正を必要とするいずれの光学検査ツールにも適用可能である。ある実施形態においては、較正装置、例えば較正ディスクを作るために、ビットパターン媒体（bit patterned media：ＢＰＭ）作製技術およびインプリントリソグラフィが用いられてもよい。いくつかのカンデラツールを較正するために、ＢＰＭ較正ディスクが用いられてもよい。例えば、カンデラは、ＢＰＭ較正ディスク上に形成された公知の所定の予測可能なパターンを光学的に読取り得る。次いで、読取の結果を用いてカンデラ機器を較正する。
【００１１】
図１は、本発明の実施形態に係る較正ディスク１００の一部の作製の簡略断面図である。較正ディスク１００は、基板１０２を含む。ある実施形態においては、基板１０２は、例えばアルミニウムもしくはガラスディスク、Ｓｉウェハ、または他のウェハ材料（例えば２０ｍｍの穴を含む、直径が６５ｍｍのガラスディスク）であってもよい。基板１０２の上方にテンプレート１０４が位置決めされる。テンプレート１０４は、所定のパターン１０６を含む。いくつかの実施形態においては、所定のパターン１０６は、さまざまなサイズの帯状の穴群１０８を含む。
【００１２】
例えば滴下・供給法によって、基板１０２上にレジスト滴１１０が堆積され得る。いくつかの実施形態においては、レジスト滴１１０は、滴体積が約４〜６ｐＬ、滴間の間隔が約１００〜５００μｍで、堆積され得る。基板１０２およびテンプレート１０４とともに、レジスト滴１１０は、滴下・供給ＵＶ硬化ナノインプリントリソグラフィ（以下参照）に基づいたパターン化ステップにおいて用いられる。
【００１３】
図２は、本発明の実施形態に係る、さらなる処理後の較正ディスク１００の一部の作製の簡略断面図である。テンプレート１０４は、レジスト滴１１０（図１）と接触させられている。テンプレート１０４は、レジスト滴１１０（図１）を拡散させ、それによってレジスト層２１２を形成する。（テンプレートがレジストと接触し始めてからレジストを硬化させるためにＵＶ照射が行われるまでの時間として規定される）インプリント拡散時間の間、レジスト層２１２は、テンプレート１０４および基板１０２の全体に拡散する。レジスト層２１２は、帯状の穴群１０８を充填し、レジストパターン２１４を形成する。ある実施形態においては、レジストパターン２１４は、所定のパターン１０６（図１）の陰画である。
【００１４】
いくつかの実施形態においては、拡散後に、レジスト滴１１０（図１）間の境界におけるレジスト層２１２に、一連の空隙２１６、例えばナノスケールの空隙が形成される。例えば、空隙２１６は、サイズが約５０〜５０００ｎｍであってもよく、レジスト層２１２および基板１０２による気体分子の不完全な吸収により閉じ込められる気泡の結果として形成され得る。空隙２１６の数およびサイズを減少させて空隙２１６の排除を促すために、従来の拡散時間に対してインプリント拡散時間を大幅に増やしてもよく、大幅に薄いレジストが用いられてもよい、ということが理解される。
【００１５】
例えば、インプリント拡散時間は、ＵＶ光照射の前の約２〜１０分に増やしてもよい。また、レジスト層２１２は、等価厚、例えばレジスト層２１２の平均厚みが約１０ｎｍであってもよい。また、このプロセスにより、レジストパターン２１４は、レジスト隆起部３２０（図３参照）と比較して非常に薄い、例えば１０ｎｍ未満の残留レジスト層３１８（図３参照）を有し得る。したがって、拡散時間の増加および非常に薄い残留レジスト層３１８の結果として、空隙２１６は大幅に減少および／または排除される。
【００１６】
図３は、本発明の実施形態に係る、さらなる処理後の較正ディスク１００の一部の作製の簡略断面図である。レジスト層２１２（図２）は、例えばＵＶ光照射によって強化（例えば硬化）されており、剛性のレジスト層３２２に固められ、凝固されている。剛性のレジスト層３２２は、非常に薄い残留レジスト層３１８と、空隙２１６と、レジスト隆起部３２０とを含む。テンプレート１０４（図２）は、剛性のレジスト層３２２および基板１０２から分離されており、基板１０２に取付けられたレジストパターン２１４を含む剛性のレジスト層３２２が残されている。
【００１７】
図４は、本発明の実施形態に係る、さらなる処理後の較正ディスク１００の一部の作製の簡略断面図である。除去プロセス、例えばエッチング系のデスカムは、非常に薄い残留レジスト層３１８および空隙２１６を除去し得る。したがって、基板１０２およびレジスト隆起部３２０が残る。ある実施形態においては、レジスト隆起部３２０は、除去プロセスの影響をほとんど受けない。したがって、レジスト隆起部３２０の所定の予測可能なパターンには、空隙２１６が実質的に含まれていないであろう。
【００１８】
例えば、非常に薄い残留レジスト層３１８を除去するために、Ｏ２反応性イオンエッチング系のデスカムステップが用いられてもよい。その結果、非常に薄い残留レジスト層３１８内の空隙２１６も除去される。いくつかの実施形態においては、レジスト隆起部３２０は、まばらに間隔があいており、非常に薄い残留レジスト層３１８よりもはるかに厚い。したがって、レジスト隆起部３２０は、Ｏ２反応性イオンエッチング系のデスカムステップの影響をほんのわずかしか受けないであろう。
【００１９】
いくつかの実施形態においては、非常に薄い残留レジスト層３１８は、均一でなくてもよい。例えば、非常に薄い残留レジスト層３１８は、基板１０２の横断方向の厚みが約１〜２０ｎｍであってもよい。したがって、除去プロセスは、非常に薄い残留レジスト層３１８における不均一さを除去することによって、レジスト隆起部３２０同士の間に均一な層を形成し得る。
【００２０】
図５は、本発明の実施形態に係る、さらなる処理後の較正ディスク１００の一部の作製の簡略断面図である。いくつかの実施形態においては、基板１０２およびレジスト隆起部３２０の上に保護用オーバーコート５２４が堆積され得る。例えば、厚みが約５ｎｍの保護用炭素オーバーコートが、基板およびレジスト隆起部３２０の上にスパッタ堆積されてもよい。
【００２１】
図６は、空隙６４２のパターン６４０を含む較正ディスク６３８の表面の拡大部６３６の簡略図である。上記のように、空隙６４２は、インプリント中に拡散するにつれてレジスト滴の境界に形成され得る。したがって、空隙６４２は、較正ディスク６３８の表面上に、時には「魚網」パターンと呼ばれるパターン６４０を形成する。いくつかの実施形態においては、パターン６４０は、光学測定機器９００（図９参照）の較正と干渉し得る。したがって、空隙６４２の削減および／または除去のための上記のプロセスは、パターン６４０の除去ももたらし得る。
【００２２】
図７は、本発明の実施形態に係るレジスト隆起部パターン７００の一部の簡略図である。ある実施形態においては、まばらに間隔があいた隆起部７４６の列７４４が較正ディスク８００（図８）上に配置され得る。隆起部７４６は、隆起部７４６同士の間に公知の間隔７４８を有する状態で、公知のパターンで配置され得る。また、隆起部７４６のサイズは、公知であり得て、実質的に連続的な所定の予測可能なパターンを形成し得る。
【００２３】
例えば、隆起部７４６の第１の群７５０は、８列の１０００ｎｍ隆起部を含み得て、隆起部間の間隔は１００μｍである。隆起部７４６の第２の群７５２は、５列の７００ｎｍ隆起部を含み得て、隆起部間の間隔は１００μｍである。隆起部７４６の第３の群７５４は、５列の４００ｎｍ隆起部を含み得て、隆起部間の間隔は１００μｍである。隆起部７４６の第４の群７５６は、５列の２００ｎｍ隆起部を含み得て、隆起部間の間隔は１００μｍである。また、第３の群７５４と第４の群７５６との間には、１５０μｍの間隔があり得る。隆起部７４６の第５の群７５８は、５列の８０ｎｍ隆起部を含み得て、隆起部間の間隔は１００μｍである。隆起部７４６の第６の群７６０は、８列の５０ｎｍ隆起部を含み得て、隆起部間の間隔は１００μｍである。
【００２４】
さまざまな実施形態において、任意の数の公知の群、隆起部および／または列が用いられ、任意の公知のスペースサイズによって分離され、それによって較正ディスク上に公知のパターンを形成し得る。光学測定機器は、公知のパターンを測定して、測定値を既知の値と比較し得る。その結果、光学測定機器は、公知のパターンを正しく測定するように較正され得る。さらに、単一の較正ディスク上のさまざまなサイズの隆起部の群は、光学測定機器を較正するために必要な時間を減らす。
【００２５】
例えば、基板の一部の上の第１の隆起部、例えば第１の群７５０を含む第１の所定の予測可能なパターン、および、同一の基板の異なる部分の上の第２のレジスト隆起部、例えば第２の群７５２の第２の所定の予測可能なパターンは、記録面光学式読取装置、例えば光学測定機器（図９参照）によって測定されるように操作可能であり得る。さらに、第１および第２の所定の予測可能なパターンは、それらのそれぞれの隆起部間に、実質的に連続的な領域を含み得る。例えば、隆起部は、隆起部間の間隔が１００μｍであってもよく、群間の間隔が１００μｍまたは群間の間隔が１５０μｍであってもよい。
【００２６】
図８は、本発明の実施形態に係る較正ディスク８００の表面の簡略図である。ある実施形態においては、隆起部７４６（図７）の群および列は、較正ディスク８００全体にわたって公知の半径で配置され得る。したがって、第１の群７５０は、較正ディスク８００の内側半径に位置し得る。第２の群７５２は、第１の群７５０に対して外側半径に位置し得る。第３の群７５４は、第２の群７５２に対して外側半径に位置し得る。第４の群７５６は、第３の群７５４に対して外側半径に位置し得る。第５の群７５８は、第４の群７５６に対して外側半径に位置し得る。第６の群７６０は、第５の群７５８に対して外側半径に位置し得る。さまざまな実施形態において、任意の数の群が、較正ディスク８００全体にわたって、任意の公知の配置で位置決めされてもよい。
【００２７】
図９は、本発明の実施形態に係る較正ディスク１００および光学測定機器９００の簡略断面図である。ある実施形態においては、光学測定機器９００は、較正ディスク１００上のレジストパターン２１４を光学的に読取る記録面光学式読取装置、例えばカンデラツールであり得る。例えば、カンデラツールは、ディスク表面上への直接的な複数（例えば１つ、２つ、３つなど）のレーザビームであってもよく、いくつかの検出器が何回かの信号読取を行う。したがって、較正ディスク１００は、さまざまな「粒子」サイズに対する散乱チャネル感度を較正するために用いられ得る。
【００２８】
光学測定機器９００が較正ディスク１００を撮像するより前にレジストパターン２１４が既知であるので、光学測定機器９００が取得する読取値は、レジストパターン２１４と比較され得る。次いで、光学測定機器９００に対して調整が行われ得て、較正が行われる。いくつかの実施形態においては、いくつかのカンデラからの読取値は、カンデラを互いに較正するために用いられ得る。
【００２９】
図１０は、本発明のいくつかの実施形態に係る較正ディスクを形成する例示的なプロセスのフローチャート１０００を示す。ブロック１００２において、基板の一部の上にレジスト層を供給する。いくつかの実施形態においては、レジスト層の供給は、レジスト層を滴下供給することを含む。例えば、図１では、例えば滴下・供給法によって、レジスト滴が基板上に堆積されてもよい。レジスト滴は、滴体積が約４〜６ｐＬ、滴間の間隔が約１００〜５００μｍで、堆積され得る。
【００３０】
図１０のブロック１００４において、基板の表面とテンプレートの所定の予測可能な物体のトポグラフィ的にパターン化された面とを接触させ、接触させることにより、基板の一部とテンプレートとの間のレジスト層が、トポグラフィ的にパターン化された面に適合し、レジスト層は、ナノスケールの空隙を備える。例えば、図２では、テンプレートは、レジスト滴と接触させられている。テンプレートは、レジスト滴を拡散させ、それによってレジスト層を形成する。レジスト層は、テンプレートおよび基板全体に拡散し、帯状の穴群を充填し、レジストパターンを形成する。拡散後に、レジスト滴間の境界におけるレジスト層に、一連の空隙、例えばナノスケールの空隙が形成される。空隙は、サイズが約１００〜３００ｎｍであり得て、レジスト層および基板による気体分子の不完全な吸収により閉じ込められる気泡の結果として形成され得る。
【００３１】
いくつかの実施形態においては、レジスト層は残留レジスト層を含み、残留レジスト層はナノスケールの空隙を含む。例えば、図３では、剛性のレジスト層は、非常に薄い残留レジスト層と、空隙と、レジスト隆起部とを含む。さらなる実施形態においては、当該プロセスは、残留レジスト層を除去するステップを含んでいてもよい。例えば、図４では、除去プロセス、例えばエッチング系のデスカムは、非常に薄い残留レジスト層および空隙を除去し得る。
【００３２】
図１０のブロック１００６において、ナノスケールの空隙を減少させる。いくつかの実施形態においては、減少させるステップは、ナノスケールの空隙を実質的に除去するステップを含む。例えば、図２では、インプリント拡散時間を増やしてもよい。別の例においては、図４で、除去プロセスは、非常に薄い残留レジスト層および空隙を除去し得る。
【００３３】
さまざまな実施形態において、減少させるステップは、反応性イオンエッチング系のデスカム動作を含む。例えば、図４では、除去プロセス、例えばエッチング系のデスカムは、非常に薄い残留レジスト層および空隙を除去し得る。したがって、基板およびレジスト隆起部が残る。レジスト隆起部は、除去プロセスの影響をほとんど受けないであろう。
【００３４】
さらなる実施形態においては、減少させるステップは、レジスト層を強化する前にナノスケールの空隙を実質的に除去するために、インプリント拡散時間の間待機するステップを含む。例えば、図２では、インプリント拡散時間は、従来の拡散時間に対して大幅に増やされてもよい。例えば、インプリント拡散時間は、ＵＶ光照射の前の約２〜１０分に増やされてもよい。
【００３５】
図１０のブロック１００８において、レジスト層を、トポグラフィ的にパターン化された面の陰画に固め、陰画は、光学式読取装置によって個々に測定されるように操作可能な面を含む。いくつかの実施形態においては、強化するステップは、ＵＶ光照射によってレジスト層を硬化させるステップを含む。例えば、図３では、例えばＵＶ光照射によってレジスト層を硬化させ、剛性のレジスト層に凝固させている。さらに、図９では、光学測定機器は、較正ディスク上のレジストパターンを光学的に読取るカンデラであり得る。
【００３６】
図１０のブロック１０１０において、基板とテンプレートとを分離し、レジスト層は、基板の表面に接着する。例えば、図３では、テンプレートは、剛性のレジスト層および基板から分離され、基板に取付けられたレジストパターンを含む剛性のレジスト層が残されている。さらなる実施形態においては、保護用オーバーコートがレジスト層上に堆積される。例えば、図５では、保護用オーバーコートは、基板およびレジスト隆起部の上に堆積されてもよい。例えば、厚みが約５ｎｍの保護用炭素オーバーコートが、基板およびレジスト隆起部の上にスパッタ堆積されてもよい。
【００３７】
図１１は、本発明のいくつかの実施形態に係る較正ツールを形成する例示的なプロセスのフローチャート１１００を示す。ブロック１１０２において、基板の一部の上にいくつかのレジスト滴を供給する。いくつかの実施形態においては、供給するステップは、レジスト滴を滴下供給するステップを含む。例えば、図１では、レジスト滴は、例えば滴下・供給法によって基板上に堆積されてもよい。レジスト滴は、滴体積が約４〜６ｐＬ、滴間の間隔が約１００〜５００μｍで、堆積され得る。
【００３８】
図１１のブロック１１０４において、テンプレートの所定の予測可能な物体のトポグラフィ的にパターン化された面をいくつかのレジスト滴の上に押付け、押付けることにより、いくつかのレジスト滴が、いくつかのレジスト隆起部および残留レジスト層を含むレジスト層を形成し、押付けることにより、レジスト層が、トポグラフィ的にパターン化された面に適合する。例えば、図２では、テンプレートは、レジスト滴と接触させられている。テンプレートは、レジスト滴を拡散させ、それによってレジスト層を形成する。レジスト層は、テンプレートおよび基板全体に拡散し、帯状の穴群を充填して、レジストパターンを形成する。
【００３９】
さまざまな実施形態において、残留レジスト層は、厚みが１０ｎｍ未満である。例えば、図２では、レジスト層は、等価厚、例えばレジスト層の平均厚みが約１０ｎｍであってもよい。また、レジストパターンは、レジスト隆起部と比較して非常に薄い、例えば１０ｎｍ未満の残留レジスト層（図３）を有し得る。
【００４０】
いくつかの実施形態においては、レジスト隆起部は、サイズが約５０ｎｍ〜約１０００ｎｍである。例えば、図７では、隆起部の第１の群は、８列の１０００ｎｍ隆起部を含んでいてもよい。隆起部の第２の群は、５列の７００ｎｍ隆起部を含んでいてもよい。隆起部の第３の群は、５列の４００ｎｍ隆起部を含んでいてもよい。隆起部の第４の群は、５列の２００ｎｍ隆起部を含んでいてもよい。隆起部の第５の群は、５列の８０ｎｍ隆起部を含んでいてもよい。隆起部の第６の群は、８列の５０ｎｍ隆起部を含んでいてもよい。
【００４１】
図１１のブロック１１０６において、レジスト層にいくつかのナノスケールの空隙を形成する。例えば、図２では、拡散後に、レジスト滴間の境界におけるレジスト層に、一連の空隙、例えばナノスケールの空隙が形成される。空隙は、サイズが約１００〜３００ｎｍであり得て、レジスト層および基板による気体分子の不完全な吸収により閉じ込められる気泡の結果として形成され得る。
【００４２】
図１１のブロック１００８において、レジスト拡散時間の間待機し、当該待機は、複数のナノスケールの空隙を実質的に除去する。さまざまな実施形態において、レジスト拡散時間は、２〜１０分の長さであり得る。例えば、図２では、インプリント拡散時間は、従来の拡散時間に対して大幅に増やされてもよい。例えば、インプリント拡散時間は、ＵＶ光照射の前の約２〜１０分に増やされてもよい。したがって、拡散時間の増加の結果として、空隙は大幅に減少および／または排除される。
【００４３】
図１１のブロック１１１０において、レジスト層を、トポグラフィ的にパターン化された面の陰画に固める。いくつかの実施形態においては、固めるステップは、光照射を用いてレジスト層を凝固させるステップを含む。例えば、図３では、例えばＵＶ光照射によってレジスト層を硬化させ、剛性のレジスト層に凝固させている。レジストパターンは、所定のパターン（図１）の陰画であり得る。
【００４４】
図１１のブロック１１１２において、残留レジスト層を除去し、当該除去は、いくつかのナノスケールの空隙をさらに実質的に除去する。さらなる実施形態においては、除去するステップは、Ｏ２反応性イオンエッチング系のデスカム動作を含む。例えば、図４では、除去プロセス、例えばエッチング系のデスカムは、非常に薄い残留レジスト層および空隙を除去し得る。したがって、基板およびレジスト隆起部が残る。レジスト隆起部は、除去プロセスの影響をほとんど受けないであろう。
【００４５】
さらなる実施形態においては、炭素オーバーコートの保護層が陰画の上に堆積される。例えば、図５では、保護用オーバーコートは、基板およびレジスト隆起部の上に堆積されてもよい。例えば、厚みが約５ｎｍの保護用炭素オーバーコートが、基板およびレジスト隆起部の上にスパッタ堆積されてもよい。
【００４６】
一実施形態によれば、基板の一部の上にレジスト層を供給する。上記基板の表面とテンプレートの所定の物体のトポグラフィ的にパターン化された面とを接触させる。一実施形態においては、接触させることにより、上記基板の上記一部と上記テンプレートとの間の上記レジスト層が、上記トポグラフィ的にパターン化された面に適合する。一実施形態においては、上記レジスト層は、ナノスケールの空隙を備える。一例においては、上記ナノスケールの空隙を減少させる。レジスト層を、上記トポグラフィ的にパターン化された面の陰画に強化し、上記陰画は、光学式読取装置によって個々に測定されるように操作可能な面を備える。一実施形態によれば、上記基板と上記テンプレートとを分離し、上記レジスト層は、上記基板の上記表面に接着する。
【００４７】
一実施形態においては、上記レジスト層は、残留レジスト層を備え、上記残留レジスト層は、上記ナノスケールの空隙を備える。一例においては、上記残留レジスト層は、除去される。
【００４８】
一実施形態においては、上記減少させるステップは、上記ナノスケールの空隙を実質的に除去するステップを備える、ということが理解される。一実施形態によれば、上記減少させるステップは、反応性イオンエッチング系のデスカム動作を備える。例示的な一実施形態においては、上記減少させるステップは、上記強化するステップの前に上記ナノスケールの空隙を実質的に除去するために、インプリント拡散時間の間待機するステップを備える。
【００４９】
一実施形態においては、上記レジスト層を供給する上記ステップは、上記レジスト層を滴下供給するステップを備える、ということが理解される。強化するステップは、ＵＶ光照射によって上記レジスト層を硬化させるステップを備える。一実施形態においては、保護用オーバーコートは、上記レジスト層の上に堆積される。
【００５０】
一実施形態によれば、方法は、基板の一部の上に複数のレジスト滴を供給するステップと、テンプレートの予測可能な物体のトポグラフィ的にパターン化された面を上記複数のレジスト滴の上に押付けるステップとを含み、上記押付けるステップにより、上記複数のレジスト滴が、複数のレジスト隆起部および残留レジスト層を備えるレジスト層を形成し、上記押付けるステップにより、上記レジスト層が、上記トポグラフィ的にパターン化された面に適合し、上記方法はさらに、上記レジスト層に複数のナノスケールの空隙を形成するステップと、レジスト拡散時間の間待機するステップとを含み、上記待機するステップは、上記複数のナノスケールの空隙を実質的に除去し、上記方法はさらに、上記レジスト層を上記トポグラフィ的にパターン化された面の陰画に固めるステップと、上記残留レジスト層を除去するステップとを含み、上記除去するステップは、上記複数のナノスケールの空隙をさらに実質的に除去する。
【００５１】
一実施形態によれば、上記除去するステップは、Ｏ２反応性イオンエッチング系のデスカム動作を備える。レジスト隆起部は、サイズが約５０ｎｍ〜約１０００ｎｍであり、上記供給するステップは、上記レジスト滴を滴下供給するステップを備え、上記レジスト拡散時間は、一例では、２〜１０分の長さである。残留レジスト層は、一実施形態においては、厚みが１０ｎｍ未満である。
【００５２】
固めるステップは、光照射を用いて上記レジスト層を凝固させるステップを備える。当該方法は、上記陰画の上に炭素オーバーコートの保護層を堆積させるステップをさらに含み得る。
【００５３】
一実施形態においては、装置は、基板と、上記基板の一部の上に第１のレジスト隆起部を備える第１の所定の予測可能なパターンとを備え、上記第１の所定の予測可能なパターンは、上記第１のレジスト隆起部同士の間で実質的に連続的であり、上記第１の所定の予測可能なパターンは、記録面光学式読取装置によって測定されるように操作可能であり、上記装置はさらに、上記第１のレジスト隆起部および上記基板の上に保護用オーバーコートを備える。
【００５４】
一実施形態によれば、第１の所定の予測可能なパターンには、実質的にナノ空隙が含まれていない。記録面光学式読取装置は、一例では、カンデラツールである。
【００５５】
保護用オーバーコートは、一実施形態においては、炭素オーバーコートである。一実施形態によれば、第１の所定のパターンは、上記第１のレジスト隆起部同士の間に領域をさらに備え、上記領域の厚みは、実質的に連続的である。当該装置は、上記基板の異なる部分の上に第２のレジスト隆起部の第２の所定の予測可能なパターンを含み得て、上記第２の所定の予測可能なパターンは、上記記録面光学式読取装置によって測定されるように操作可能である。
【００５６】
上記の説明は、説明の目的で、具体的な実施形態を参照して記載してきた。しかし、上記の例示的な記載は、網羅的であるよう意図したものではなく、開示されている厳密な形態に本発明を限定するよう意図したものではない。上記の教示に鑑みて、多くの変形および変更が可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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