Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月14日(2010.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投射面に光を走査して画像を表示する画像表示装置であって、
表示画像に対応する階調信号が入力され、当該階調信号に応じた駆動信号を生成する駆動信号生成手段と、  
前記駆動信号に応じて光を発生する光源と、
所定の軸について所定の角度範囲内で往復して回動する反射ミラーによって前記光源から発生する光を前記投射面に走査する走査手段と、
前記走査手段の前記反射ミラーの回転角度を検出する角度検出手段と、
前記駆動信号を補正するための補正信号を前記駆動信号生成手段に出力する補正手段と、
を具備し、
前記補正手段は、前記角度検出手段が検出した前記反射ミラーの回転角度に応じて前記駆動信号を補正する利得を補正信号として出力し、
前記駆動信号生成手段は、前記補正信号を基に前記駆動信号を補正する、
ことを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記補正手段は、前記検出した回転角度と前記反射ミラーの回動中心となる角度との差の絶対値が大きくなるにつれて利得が小さくなるように補正信号を出力する、
ことを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記光源は、レーザダイオードであり、
前記駆動信号生成手段は、前記駆動信号として電流値を前記レーザダイオードに出力し、
前記補正手段は、前記反射ミラーの回転角度に応じて前記電流値を補正するための電流利得を前記補正信号として前記駆動信号生成手段に出力する、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記駆動信号生成手段は、
前記階調信号として、前記反射ミラーの回転角度に応じて定まる前記投射面の照射位置に対応する画素の階調値を規定するビット数Ｎのデジタル階調データを入力とし、
前記デジタル階調データの各ビットに対応して設けられ、各々に対応するビットデータに応じて２端子間の接続／非接続を切り替える第１〜第Ｎのスイッチ素子と、
前記第１〜第Ｎのスイッチ素子の各々に対応して設けられ、制御端子を除く２端子の内の第１の端子が各々に対応する第１〜第Ｎのスイッチ素子の一方の端子と接続され、第２の端子が共通電位線と接続された第１〜第Ｎの出力側トランジスタ素子と、
前記補正信号を入力とし、当該補正信号によって指示される前記電流利得を用いて最大階調値に対応する電流を生成する第１の電流源と、
制御端子を除く２端子の内の第１の端子が前記第１の電流源と接続され、第２の端子が前記共通電位線と接続されると共に、制御端子が自身の前記第１の端子と前記第１〜第Ｎの出力側トランジスタ素子の制御端子と接続された入力側トランジスタ素子と、
前記レーザダイオードの閾値電流を生成すると共に、一端が前記第１〜第Ｎのスイッチ素子の他方の端子と接続され、他端が前記共通電位線と接続された第２の電流源と、
前記閾値電流と前記第１〜第Ｎのスイッチ素子の他方の端子に流れる電流との合成電流を入力とし、当該合成電流と略同一の電流値を有する電流を前記駆動信号として生成するカレントミラー回路と、
を備え、
前記第１〜第Ｎの出力側トランジスタ素子の電気的特性は、各々に対応するビットデータに応じた電流を生成するように設定されている、
ことを特徴とする請求項３記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記駆動信号生成手段は、
前記階調信号として、前記反射ミラーの回転角度に応じて定まる前記投射面の照射位置に対応する画素の階調値を規定するＰＷＭ(Pulse Width Modulation)階調信号を入力とし、
前記ＰＷＭ階調信号に応じて２端子間の接続／非接続を切り替えるスイッチ素子と、
制御端子を除く２端子の内の第１の端子が前記スイッチ素子の一方の端子と接続され、第２の端子が共通電位線と接続された出力側トランジスタ素子と、
前記補正信号を入力とし、当該補正信号によって指示される前記電流利得を用いて最大階調値に対応する電流を生成する第１の電流源と、
制御端子を除く２端子の内の第１の端子が前記第１の電流源と接続され、第２の端子が前記共通電位線と接続されると共に、制御端子が自身の前記第１の端子と前記出力側トランジスタ素子の制御端子と接続された入力側トランジスタ素子と、
前記レーザダイオードの閾値電流を生成すると共に、一端が前記スイッチ素子の他方の端子と接続され、他端が前記共通電位線と接続された第２の電流源と、
前記閾値電流と前記スイッチ素子の他方の端子に流れる電流との合成電流を入力とし、当該合成電流と略同一の電流値を有する電流を前記駆動信号として生成するカレントミラー回路と、
を備える、
ことを特徴とする請求項３記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記走査手段は、前記光を反射する前記反射ミラーと、前記反射ミラーの反射面に沿った第１の軸回りに前記反射ミラーを回転させるための第１の回転支持部と、前記反射面に沿い、且つ前記第１の軸に直交する第２の軸回りに前記反射ミラーを回転させるための第２の回転支持部とを備えるＭＥＭＳ(Micro Electro Mechanical System)スキャナであり、
前記角度検出手段は、前記反射ミラーの前記第１の軸回りの回転角及び前記第２の軸回りの回転角を検出する、
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の画像表示装置。
【請求項７】
投射面に光を走査して画像を表示する画像表示方法であって、
表示画像に対応する階調信号に応じた駆動信号を生成する第１の工程と、  
前記駆動信号に応じて光を発生する第２の工程と、
前記光源から発生する光を前記投射面に所定の角度範囲内で往復して走査する第３の工程と、
前記前記光の走査角度を検出する第４の工程と、
前記検出した光の走査角度に応じて前記駆動信号を補正するための利得を生成する第５の工程と、
前記生成された利得を基に駆動信号を補正する第６の工程と、
を有することを特徴とする画像表示方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月14日(2010.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に乾式現像剤が固着した弾性ローラの再生方法であって、
（１）清掃ブラシのブラシ部分を該弾性ローラの表面に対して乾式状態で接触させ、該ブラシ部分を高周波振動させることにより該乾式現像剤を該弾性ローラの表面から遊離させると共に該乾式現像剤を帯電させる工程、および
（２）該弾性ローラの表面と、該弾性ローラの周囲に設置した集塵ローラの表面との間に電圧を印加し、該工程（１）により前記弾性ローラの表面から遊離し、かつ帯電された該乾式現像剤に電界をかけて、静電気力により該乾式現像剤を該集塵ローラに移動させる工程、を有することを特徴とする弾性ローラの再生方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】弾性ローラの再生方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記課題を解決するため、本発明は、以下の構成を有することを特徴とする。
１．表面に乾式現像剤が固着した弾性ローラの再生方法であって、
（１）清掃ブラシのブラシ部分を該弾性ローラの表面に対して乾式状態で接触させ、該ブラシ部分を高周波振動させることにより該乾式現像剤を該弾性ローラの表面から遊離させると共に該乾式現像剤を帯電させる工程、および
（２）該弾性ローラの表面と、該弾性ローラの周囲に設置した集塵ローラの表面との間に電圧を印加し、該工程（１）により前記弾性ローラの表面から遊離し、かつ帯電された該乾式現像剤に電界をかけて、静電気力により該乾式現像剤を該集塵ローラに移動させる工程、を有することを特徴とする弾性ローラの再生方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月2日(2010.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
吸気ダクト２の一端部３は、車両フロントの前面で車両前方（図１における下方側）に向かって開口する吸気取入口９を有している。また、吸気ダクト２の一端部３は、他端部４側からこの吸気取入口９に向かって通路断面積が漸次拡張するよう形成されており、図１に示すように、上方から見て略漏斗形状に形成されている。また、吸気ダクト２は、吸気取入口９が、車両の幅方向中央位置を基準として、車幅方向の一方の側（図２における右側）に偏って位置するように配置されている。すなわち、吸気取入口９が車両の幅方向中央位置を示す基準線Ｓよりも、車両前方から見て右側に偏って位置するように、吸気ダクト２は、上記エンジンルーム内に配置されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
レゾネータ１は、図３に示すように、大略すると、円筒形状の首部１０と、レゾネータ本体部１１とを有してる。レゾネータ本体部１１は、首部１０を介して吸気ダクト２に連通する主容積室１２と、主容積室１２に直接接続された細長い副容積室１３と、を備えている。首部１０は、第２本体部材６に形成されている。レゾネータ本体部１１は、第１本体部材５及び第２本体部材６により形成されている。主容積室１２及び副容積室１３は、それぞれ扁平な直方体形状を呈しているが、主容積室１２の容積（内部の容積）は、副容積室１３の容積（内部容積）よりも大きくなるよう形成されている。また、主容積室１２は、平面視すると略正方形に形成され、副容積室１３は、平面視すると細長い長方形に形成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月10日(2010.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
気体の流れと、各ポートとの関係は、以下のとおりである。供給口からの供給圧Ｐｓの気体は、気体流路の絞り装置３０の１次側に供給される。気体流路の絞り装置３０の内部構成については、次に図７、図８を用いて詳述する。気体流路の絞り装置３０の２次側は、ノズル２２の後端の開口に接続されるとともに、負荷口に接続される。ノズル２２の先端の開口から噴き出し、フラッパ２０に当たった後の気体は使用済みのものとして、排気口に導かれる。すなわち、気体流路の絞り装置３０の２次側からの気体は、ノズル２２と負荷口の先の負荷とに並列に供給される。したがって、ノズル２２から噴き出す状態、すなわちノズル２２とフラッパ２０との間隔に応じ、負荷口の出力圧力である気体圧Ｐａが変化する。これを利用し、上記のように、リニアモータ６０の駆動によりフラッパ２０の軸方向の位置を変え、ノズル２２からの噴き出しを変化させ、気体圧Ｐａを所望の値に制御できる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
図８（ｂ）に示す隙間保持ベース３４は、下部の段差付円板であるディスク部と、ディスク部の上部の円環状部材であるリング部と、ディスク部とリング部とを接続する４個の支え脚部とを含む部材である。その外径は隙間形成蓋３２の外径と同じ大きさの約１０ｍｍである。また隙間保持ベース３４全体の高さは約４ｍｍ、その中でディスク部の厚みを約０．８ｍｍとすることができる。隙間保持ベース３４は、機械加工等によりディスク部と支え脚部とリング部とを一体に形成してもよく、あるいはこれらを個別に製作して組み合わせた組立体とすることもできる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年3月29日(2010.3.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  後方端（４６）を終端とする後縁（４０）と、後縁（４０）の前方にあって熱媒体を受入れるキャビティ（４４）とを有するタービン静翼（２２）を備えてなり、
上記後縁（４０）が後縁の翼長方向の長さに沿って互いに離隔した複数の隔離通路（４２）を含んでいて、該通路（４２）が、熱媒体を上記キャビティから受入れて後縁（４０）の後方端に沿って設けられた複数の開口（４５）の各々へと該通路の各々を通して流すため、その一端で上記キャビティと直接連通しており、かつ
上記通路（４２）内にその後部（５０）に設けられた複数のタービュレータ（５２）を備えており、該通路の後部（５０）前方の上記通路の長さの大部分をなす部分（５４）にはタービュレータ（５２）が設けられておらず、各タービュレータは、該通路後部（５０）を通る熱媒体に乱流を生じて後縁を冷却し後縁（４０）での熱勾配及び応力を最小限に抑制するため、該通路後部（５０）内に突当たり面を形成している、タービン冷却装置。
【請求項２】  前記前方通路部分（５４）が滑らかな内径を有する、請求項１記載の装置。
【請求項３】  前記通路（４２）が円形断面を有する、請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】  前記タービュレータ（５２）が前記通路（４２）内で半径方向内側に突出した複数のリブからなる、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】  前記通路（４２）の前方部分（５４）が、該通路内への熱媒体の流れを制限するため、前記キャビティ（４４）と該通路（４２）の連絡部近傍に流量削減導入口（５６）を有している、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】  前記タービュレータ（５２）は、前記通路後部（５０）にのみ沿って設けられている、請求項１に記載の装置。
【請求項７】  前記前方通路部分（５４）がその全長に渡り滑らかな内径を有する、請求項６記載の装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
本発明の好ましい実施形態では、後方端を終端とする後縁と後縁の前方にあって熱媒体を受入れるキャビティとを有するタービン静翼を備えてなり、上記後縁がその長さに沿って互いに離隔した複数の隔離通路を含んでいて、該通路は、熱媒体を上記キャビティから受入れ該通路を通して後縁の後方端に沿って設けられた複数の開口へと流すため、その一端で上記キャビティと連通しており、かつ、上記通路内にその後部に設けられた複数のタービュレータを備えており、該通路の後部前方の上記通路の長さの大部分をなす部分にはタービュレータが設けられておらず、各タービュレータは、該通路後部を通る熱媒体に乱流を生じて後縁を冷却し後縁での熱勾配及び応力を最小限に抑制するため、該通路後部内に突当たり面を形成している、タービン冷却装置が提供される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
本発明のもう一つの好ましい実施形態では、後方端を終端とする後縁と、後縁の前方にあって熱媒体を受入れるキャビティとを有するタービン静翼を備えてなり、上記後縁がその長さに沿って互いに離隔した複数の隔離通路を有していて、該通路が、熱媒体を上記キャビティから受入れ該通路を通して後縁の後方端に沿って設けられた複数の開口へと流すため、その一端で上記キャビティと連通しており、かつ、上記通路内に設けられた複数のタービュレータを備えており、該通路の後部前方の上記通路の長さの大部分をなす部分にはタービュレータが設けられておらず、各タービュレータは、該通路後部を通る熱媒体に乱流を生じて後縁を冷却し後縁での熱勾配及び応力を最小限に抑制するため、該通路後部内に突当たり面を形成しており、しかも、上記通路の前方部分が、該通路内への熱媒体の流れを制限するため、上記キャビティと該通路の連絡部近傍に流量削減導入口を有している、タービン用冷却装置が提供される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
図４に例示した本発明では、ノズル静翼（例えば、図１の静翼２２）の後縁４０は、その長さに沿って互いに離隔した複数の通路４２を有する。各通路は、冷却空気（好ましくは圧縮機吐出空気）の供給されるキャビティ４４と連通している。通路４２の反対側端部は、使用済み冷却空気を直接高温ガス流路へと流すため、後縁４０の後方端４６を貫通した開口４５に通じている。図４には、後縁４０の両側面に沿って形成された遮熱コーティング（ＴＢＣ）４８も図示してある。ＴＢＣコーティングは通例後縁の後方端に沿って施工されるが、時として取扱い中又は実用作動中に後方端４６から離脱又は剥離して後縁４０の後方端領域がＴＢＣで保護されていない状態に陥ることがある。従って、後縁の後方端領域の冷却作用が高められていることが重要である。また、後縁を横方向に横切る温度分布が、熱応力を最小限にすべく低減した温度勾配を有することも重要である。温度勾配を最小限としつつ、しかも後縁の後方端領域での冷却作用を高めるために、各冷却通路４２は、通路４２の後部５０近傍に位置するタービュレータによって部分的に乱流を発生させる。図４に示す通り、タービュレータは周方向に延在する複数のリブ５２からなり、これらのリブは突当たり面を形成していて通路後部５０を通る空気に乱流を起こし、もって後縁の後方端領域での冷却効果を高める。なお、タービュレータ５２はその他の形態、例えば、ピン、棒、粗面等の形態も取り得る。好ましくは、通路４２は円形の断面をもつ。断面が円形の冷却通路は、長円形のような他の断面形状と比べて、やはり高い冷却効果を与えることが判明した。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月18日(2010.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】    【請求項１】  金属基複合材料用のプリフォームの製造方法であって、以下の手順（ａ）〜（ｅ）を含むことを特徴とするプリフォームの製造方法：(a)強化用材料とフッ化マグネシウムとを塩化マグネシウム水溶液に混合してスラリーを形成し、(b)該スラリーを鋳型の中に注ぎ、(c)該鋳型内でスラリーを固まるまで放置して、グリーン・プリフォームを形成し、(d)該グリーン・プリフォームを乾燥させることにより水分を除去し、(e)該グリーン・プリフォームを約1100℃の温度で焼結することにより、バインダーとして焼結されたフッ化マグネシウムを含む最終形態のプリフォームを形成する。    【請求項２】 請求項１に記載のプリフォームの製造方法において、前記強化用材料が、炭素、グラファイト、炭化シリコン、二ホウ化チタン、炭化ホウ素、窒化ホウ素およびそれらの混合物からなる群から選択された少なくとも一つであることを特徴とするプリフォームの製造方法。    【請求項３】 請求項１に記載のプリフォームの製造方法において、前記手順(a)において用いられる強化用材料の物理的形状は、粒子、繊維、束、ホイスカーおよびそれらの混合物からなる群から選択された少なくとも一つであることを特徴とするプリフォームの製造方法。    【請求項４】 請求項１に記載のプリフォームの製造方法において、前記手順(b)で用いられる前記鋳型は、多孔質鋳型であることを特徴とするプリフォームの製造方法。    【請求項５】 請求項１に記載のプリフォームの製造方法において、前記手順(d)において、前記グリーン・プリフォームは、オーブンを用いて空気中で乾燥されることを特徴とするプリフォームの製造方法。    【請求項６】 請求項１に記載のプリフォームの製造方法において、前記手順(d)において前記グリーン・プリフォームはオーブンを用いて約45℃で空気中で乾燥されることを特徴とするプリフォームの製造方法。    【請求項７】 金属基複合材料の製造方法であって、以下の手順（ａ）〜（ｇ）を含むことを特徴とする金属基複合材料の製造方法：(a)強化用材料とフッ化マグネシウムとを塩化マグネシウム水溶液に混合してスラリーを形成し、(b)該スラリーを第一の鋳型に注ぎ、(c)該第一の鋳型内で前記スラリーを固まるまで放置して、グリーン・プリフォームを形成し、(d)該グリーン・プリフォームを乾燥させることにより水分を除去し、(e)前記グリーン・プリフォームを約1100℃の温度で焼結して、バインダーとして焼結されたフッ化マグネシウムを含む最終形態のプリフォームを形成し、(f)該プリフォームを第二の鋳型の中に配置し、(g)該第二の鋳型内の前記プリフォームに溶融金属を浸透させて、金属基複合材料を形成する。    【請求項８】 請求項７に記載の金属基複合材料の製造方法において、前記強化用材料が、炭素、グラファイト、炭化シリコン、二ホウ化チタン、炭化ホウ素、窒化ホウ素およびそれらの混合物からなる群から選択された少なくとも一つであることを特徴とする金属基複合材料の製造方法。    【請求項９】 請求項７に記載の金属基複合材料の製造方法において、前記手順(a)において用いられる強化用材料の物理的形状は、粒子、繊維、束、ホイスカーおよびそれらの混合物からなる群から選択された少なくとも一つであることを特徴とする金属基���合材料の製造方法。    【請求項１０】 請求項７に記載の金属基複合材料の製造方法において、前記手順(b)で用いられる前記第一の鋳型は、多孔質鋳型であることを特徴とする金属基複合材料の製造方法。    【請求項１１】 請求項７に記載の金属基複合材料の製造方法において、前記手順(d)において、前記グリーン・プリフォームは、オーブンを用いて空気中で乾燥されることを特徴とする金属基複合材料の製造方法。    【請求項１２】 請求項７に記載の金属基複合材料の製造方法において、前記手順(d)において前記グリーン・プリフォームはオーブンを用いて約45℃で空気中で乾燥されることを特徴とする金属基複合材料の製造方法。    【請求項１３】 請求項７に記載の金属基複合材料の製造方法において、前記手順(g)は、スクイーズ・キャスティング法を用いられることを特徴とする金属基複合材料の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月26日(2010.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の上面上に形成された封止樹脂層と、
前記封止樹脂層から上面が露出するように前記半導体基板の上面上に設けられたメタルポストと、
前記メタルポストの上面上に設けられた突起電極と、
前記封止樹脂層よりも弾性率が低い樹脂材料から構成され、前記突起電極と前記封止樹脂層との間に少なくとも一部が介在するように、前記封止樹脂層の上面上に設けられた低弾性樹脂層とを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体基板と、
前記半導体基板の上面上に形成された封止樹脂層と、
前記封止樹脂層から上面が露出するように前記半導体基板の上面上に設けられたメタルポストと、
前記メタルポストの上面上に設けられた突起電極と、
前記封止樹脂層よりも弾性率が低い樹脂材料から構成され、前記突起電極と前記封止樹脂層との間に少なくとも一部が前記メタルポストに接して介在するように、前記封止樹脂層の上面上に設けられた低弾性樹脂層とを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
半導体基板と、
前記半導体基板の上面上に形成された封止樹脂層と、
前記封止樹脂層から上面が露出するように前記半導体基板の上面上に設けられたメタルポストと、
前記メタルポストの上面上に設けられた突起電極と、
前記封止樹脂層よりも弾性率が低い樹脂材料から構成され、前記突起電極と前記封止樹脂層と前記メタルポストとの間に少なくとも一部が介在するように、前記封止樹脂層の上面上に設けられた低弾性樹脂層とを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
半導体基板と、
前記半導体基板の上面上に形成された封止樹脂層と、
前記封止樹脂層から上面が露出するように前記半導体基板の上面上に設けられたメタルポストと、
前記メタルポストの上面上に設けられた突起電極と、
前記突起電極と前記メタルポストとの境界表面と、前記封止樹脂層の表面とを覆うように設けられ、前記封止樹脂層よりも弾性率が低い樹脂材料から構成された低弾性樹脂層とを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
半導体基板と、
前記半導体基板の上面上に形成された封止樹脂層と、
前記半導体基板に接続するように前記封止樹脂層の開口に設けられたメタルポストと、
前記メタルポストの上面上に設けられた突起電極と、
前記封止樹脂層よりも弾性率が低い樹脂材料から構成され、前記突起電極と前記封止樹脂層との間に少なくとも一部が介在するように、前記封止樹脂層の上面上に設けられた低弾性樹脂層とを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
平面視において、前記低弾性樹脂層は、前記メタルポストの周縁部に設けられていることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
平面視において、前記低弾性樹脂層は、前記メタルポストの周縁部の少なくとも一部に設けられることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
平面視において、前記低弾性樹脂層は、前記封止樹脂層と前記メタルポストとが接する境界表面に設けられることを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
平面視において、前記低弾性樹脂層は、前記境界表面の少なくとも１部に設けられることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記低弾性樹脂層は、前記封止樹脂層の上面を全て被覆していることを特徴とする請求項１〜請求項９のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記低弾性樹脂層は、ポリイミドからなることを特徴とする請求項１〜請求項１０のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記突起電極は、半田からなることを特徴とする請求項１〜請求項１１のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記半導体基板は、シリコン基板であることを特徴とする請求項１〜請求項１２のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記封止樹脂層は、エポキシ複合材料からなることを特徴とする請求項１〜請求項１３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記メタルポストは、Ｃｕからなることを特徴とする請求項１〜請求項１４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記半導体基板は、その上面に、前記メタルポストと電気的に接続される電気パッドを有し、
前記メタルポストは、前記電気パッドの上面に形成されることを特徴とする請求項１〜請求項１５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記電気パッドは、前記半導体基板の上面に形成された配線部の一部であることを特徴とする請求項１６に記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記メタルポストの上面は、前記封止樹脂層の上面よりも下方にあることを特徴とする請求項１〜請求項１７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１９】
前記メタルポストの上面は、前記封止樹脂層の上面と同一面であることを特徴とする請求項１〜請求項１８のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項２０】
前記メタルポストの上面は、前記封止樹脂層の上面よりも上方よりも上方に突出した位置にあることを特徴とする請求項１〜請求項１９のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項２１】
前記低弾性樹脂層は、前記メタルポストの上面を被覆しないことを特徴とする請求項１〜請求項２０のいずれかに記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月13日(2010.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、
前記配線基板に搭載されると共に前記配線基板に形成された接続パッドとワイヤボンディング接続された撮像用半導体素子と、
前記撮像用半導体素子の撮像面に、撮像領域の周囲を一周する配置で設けられた封止材と、
前記封止材の内側空間が密閉空間となるように前記封止材に接着された透光板と、
前記封止材の外周囲と前記配線基板と前記透光板の間を充てんする樹脂と、を有していることを特徴とする撮像用半導体装置。
【請求項２】
前記封止材は、紫外線硬化型接着剤であることを特徴とする請求項１記載の撮像用半導体装置。
【請求項３】
前記封止材の上面高さ位置は、前記ワイヤボンディング接続におけるワイヤループ頂上部の高さ位置以上に設けられていることを特徴とする請求項１または２記載の撮像用半導体装置。
【請求項４】
配線基板に撮像用半導体素子を搭載し、配線基板の接続用パッドと撮像用半導体素子の電極とをワイヤボンディングする工程と、
前記撮像用半導体素子の撮像面に、撮像領域の周囲を一周する配置で封止材を供給する工程と、
前記封止材の上面に透光板を搭載し、前記封止材の内側空間が密閉空間となるように前記封止材と前記透光板とを接着する工程と、
前記封止材の外周囲と前記配線基板と前記透光板との間に樹脂を充てんする工程と、を記載順に行うことを特徴とする撮像用半導体装置の製造方法。
【請求項５】
配線基板に複数個の撮像用半導体素子を搭載し、配線基板の接続用パッドと撮像用半導体素子の電極とをワイヤボンディングする工程と、
前記撮像用半導体素子のそれぞれの撮像面に、撮像領域の周囲を一周する配置で封止材を供給する工程と、
前記封止材の上面に透光板を搭載し、前記封止材の内側空間が密閉空間となるように前記封止材と前記透光板とを接着する工程と、
前記封止材の外周囲と前記配線基板と前記透光板との間に樹脂を充てんする工程と、
前記撮像用半導体素子ごとに個片化する工程と、を記載順に行うことを特徴とする撮像用半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記封止材を供給する工程の後に、前記配線基板の前記撮像用半導体素子搭載面に、上端面高さ位置が前記封止材の上端面高さ位置と一致するスペーサを配設する工程をさらに有していることを特徴とする請求項４または５記載の撮像用半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記樹脂を充てんする工程は、樹脂モールド成形法が用いられることを特徴とする請求項４〜６のうちのいずれか一項に記載の撮像用半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記封止材には紫外線硬化型接着剤が用いられ、前記封止材と前記透光板とを接着する工程が、紫外線照射工程であることを特徴とする請求項４〜７のうちのいずれか一項に記載の撮像用半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記封止材を供給する工程には、印刷法が用いられることを特徴とする請求項４〜８のうちのいずれか一項に記載の撮像用半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記スペーサは、前記配線基板の外周縁部分に配設することを特徴とする請求項４〜９のうちのいずれか一項に記載の撮像用半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
デジタルビデオカメラや携帯電話等の電子機器に組み込まれている撮像用半導体素子とレンズユニットからなる光学モジュールは、小型化、薄型化はもちろんのこと、安価で信頼性の高い光学モジュールの提供が強く望まれている。
以上のような要望に応えるべく、光学モジュールの小型化に貢献し、信頼性の向上を図った撮像用の半導体装置（例えば特許文献１）の提案がなされている。
【特許文献１】特開２００３−３３２５４２号公報
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
このような製造方法を採用することにより、撮像用半導体素子１３０の撮像領域（撮像面）を傷めることなく撮像用半導体装置１１０を製造することが可能になるが、撮像用半導体素子１１０の撮像領域に対する保護膜１８０の着脱処理工程が欠かせず、生産性の効率向上の妨げになっているという課題がある。
また、透光板１５０を載置する樹脂１６０は高さ寸法を揃えた状態で形成しているが、樹脂１６０の上面に塗布した接着剤の厚さのばらつき程度によっては、撮像用半導体素子１３０の撮像面に対する透光板１５０のチルト量が大きくなり、不良品となってしまうおそれがあるといった課題がある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、他の発明として、配線基板に撮像用半導体素子を搭載し、配線基板の接続用パッドと撮像用半導体素子の電極とをワイヤボンディングする工程と、前記撮像用半導体素子の撮像面に、撮像領域の周囲を一周する配置で封止材を供給する工程と、前記封止材の上面に透光板を搭載し、前記封止材の内側空間が密閉空間となるように前記封止材と前記透光板とを接着する工程と、前記封止材の外周囲と前記配線基板と前記透光板との間に樹脂を充てんする工程と、を記載順に行うことを特徴とする撮像用半導体装置の製造方法がある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、配線基板に複数個の撮像用半導体素子を搭載し、配線基板の接続用パッドと撮像用半導体素子の電極とをワイヤボンディングする工程と、前記撮像用半導体素子のそれぞれの撮像面に、撮像領域の周囲を一周する配置で封止材を供給する工程と、前記封止材の上面に透光板を搭載し、前記封止材の内側空間が密閉空間となるように前記封止材と前記透光板とを接着する工程と、前記封止材の外周囲と前記配線基板と前記透光板との間に樹脂を充てんする工程と、前記撮像用半導体素子ごとに個片化する工程と、を記載順に行うことを特徴とする撮像用半導体装置の製造方法とすることもできる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2009152481.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月7日(2010.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体の光学像を撮像する撮像装置からリアルタイムで出力される画像を表示装置にライブビュー表示する画像処理装置であって、
前記表示装置は、前記撮像装置の画角全体を表示する第１の表示モードと、前記撮像装置の画角の一部を表示する第２の表示モードとを有し、前記第１の表示モードによるライブビュー表示と、前記第２の表示モードによるライブビュー表示とのいずれかに切り替えることが可能であり、
前記第１の表示モードまたは第２の表示モードでライブビュー表示された画像に対するユーザ操作を受け付ける入力手段と、
前記入力手段によるユーザ操作に応じて、前記ライブビュー表示を行う表示モードを強制的に切り替える表示モード切り替え手段と、を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記表示装置は、前記第１の表示モードによるライブビュー表示を行う第１の表示領域と、前記第２の表示モードによるライブビュー表示を行う第２の表示領域とを有し、前記第１の表示領域に前記第１の表示モードによるライブビュー表示を行っているときに、前記第２の表示領域には前記第１の表示領域に前記ライブビュー表示されている画像より前に前記撮像装置から出力された画像が表示され、前記第２の表示領域に前記第２の表示モードによるライブビュー表示を行っているときに、前記第１の表示領域には前記第２の表示領域に前記ライブビュー表示されている画像より前に前記撮像装置から出力された画像が表示されていることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記表示モード切り替え手段は、前記入力手段によるユーザ操作に応じて前記ライブビュー表示を行う表示モードを切り替えてから所定時間後に、前記表示モード切り替え手段による切り替え前の表示モードに戻すことを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記ユーザ操作が、前記撮像装置の撮影レンズのフォーカス操作である場合には、前記表示モード切り替え手段は、前記第２の表示モードによるライブビュー表示を行うように前記表示モードを強制的に切り替えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記ユーザ操作が、前記撮像装置の露出、ホワイトバランス、画像処理パラメータのいずれかの設定変更操作である場合には、前記表示モード切り替え手段は、前記第１の表示モードによるライブビュー表示を行うように前記表示モードを強制的に切り替えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
被写体の光学像を撮像する撮像装置と、前記撮像装置からリアルタイムで出力される画像の前記撮像装置の画角全体を表示する第１の表示モードと、前記撮像装置からリアルタイムで出力される画像の前記撮像装置の画角の一部を表示する第２の表示モードとを有する表示装置とを有し、前記第１の表示モードによるライブビュー表示と前記第２の表示モードによるライブビュー表示とのいずれかに切り替えて表示することが可能な画像処理装置の制御方法であって、
前記第１の表示モードまたは第２の表示モードでライブビュー表示された画像に対するユーザ操作を受け付ける入力ステップと、
前記入力されたユーザ操作に応じて、前記ライブビュー表示を行う表示モードを強制的に切り替える表示モード切り替えステップと、を有することを特徴とする制御方法。
【請求項７】
前記ユーザ操作が、前記撮像装置の撮影レンズのフォーカス操作である場合には、前記表示モード切り替えステップは、前記第２の表示モードによるライブビュー表示を行うように前記表示モードを強制的に切り替えることを特徴とする請求項６に記載の制御方法。
【請求項８】
前記ユーザ操作が、前記撮像装置の露出、ホワイトバランス、画像処理パラメータのいずれかの設定変更操作である場合には、前記表示モード切り替えステップは、前記第１の表示モードによるライブビュー表示を行うように前記表示モードを強制的に切り替えることを特徴とする請求項６又は７に記載の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明の画像処理装置は、被写体の光学像を撮像する撮像装置からリアルタイムで出力される画像を表示装置にライブビュー表示する画像処理装置であって、前記表示装置は、前記撮像装置の画角全体を表示する第１の表示モードと、前記撮像装置の画角の一部を表示する第２の表示モードとを有し、前記第１の表示モードによるライブビュー表示と、前記第２の表示モードによるライブビュー表示とのいずれかに切り替えることが可能であり、前記第１の表示モードまたは第２の表示モードでライブビュー表示された画像に対するユーザ操作を受け付ける入力手段と、前記入力手段によるユーザ操作に応じて、前記ライブビュー表示を行う表示モードを強制的に切り替える表示モード切り替え手段と、を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明の画像処理装置の制御方法は、被写体の光学像を撮像する撮像装置と、前記撮像装置からリアルタイムで出力される画像の前記撮像装置の画角全体を表示する第１の表示モードと、前記撮像装置からリアルタイムで出力される画像の前記撮像装置の画角の一部を表示する第２の表示モードとを有する表示装置とを有し、前記第１の表示モードによるライブビュー表示と前記第２の表示モードによるライブビュー表示とのいずれかに切り替えて表示することが可能な画像処理装置の制御方法であって、前記第１の表示モードまたは第２の表示モードでライブビュー表示された画像に対するユーザ操作を受け付ける入力ステップと、前記入力されたユーザ操作に応じて、前記ライブビュー表示を行う表示モードを強制的に切り替える表示モード切り替えステップと、を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月26日(2010.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図３（ａ）に示すテレビモードは、主として図１に示した表示装置１１２を操作するための仮想操作ボタンを配置した表示モードである。このテレビモードでは、図３（ａ）で「放送切換」と付され、地上波放送や衛星放送などの放送種別を切換えるための仮想操作ボタン（以下、放送切換ボタン）１３４を、液晶タッチパネル１２５に表示する。この放送切換ボタン１３４が押されると、赤外線送信信号１１５が送信され、テレビなどの表示装置１１２の放送種別の切換えが行われる。さらに、このテレビモードは、図３（ａ）で「１」〜「１２」の番号が付され、選択が可能な受信チャンネルに対応する仮想操作ボタン１３５を、液晶タッチパネル１２５に表示する。使用者により、受信チャンネルに対応する仮想操作ボタン１３５が押されると、テレビなどの表示装置１１２に赤外線送信信号１１５が送信され、その受信チャンネルが、仮想操作ボタン１３５に対応する受信チャンネルに切り換わる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図３（ｃ）に示す予約モードは、主として記録再生装置１１３の録画予約機能を操作するための仮想操作ボタンを配置した表示モードである。この予約モードでは、電子番組表と呼ばれる放送予定番組一覧表において、録画予約される番組を使用者が任意に選択して決定するための仮想操作ボタン１４０を液晶タッチパネル１２５に表示する。電子番組表は、例えば、テレビなどの表示装置１１２、および、ＤＶＤレコーダーなどの記録再生装置１１３が備えるＥＰＧ（Electrical Program Guide）による番組表が該当する。本実施の形態では、電子番組表は、記録再生装置１１３が備えるものとして説明する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
図７（ａ）は、実施の形態１で説明したテレビモードにおける遠隔操作装置３７１の表示を示し、図７（ｂ）は、図７（ａ）において放送切換ボタン１３４を押下した後の遠隔操作装置３７１の表示を示している。図７（ｂ）に示すように、遠隔操作装置３７１は、放送切換ボタン１３４を押下された後、地上波デジタル放送選択ボタン３７２、ＢＳ（Broadcasting Satellite）デジタル放送選択ボタン３７３、ＣＳ（Communication Satellite）デジタル放送選択ボタン３７４、地上波アナログ放送選択ボタン３７５を表示する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2009152836.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2009152836.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月21日(2010.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
一方、非特許文献７には、酸化物エピタキシャル成長技術を用いて、超平坦な酸化物半導体／強誘電体界面を有するＭＦＳＦＥＴを形成する技術が記載されている。すなわち、（１００）面に切り出されたチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３；ＳＴＯ）単結晶基板上に、ゲート電極としてルテニウム酸ストロンチウム（ＳｒＲｕＯ３）、強誘電体膜としてジルコンチタン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３；ＰＺＴ）をそれぞれエピタキシャル成長させ、原子層単位に近いレベルの平坦な強誘電体膜表面を得ている。さらに、強誘電体膜上に、酸化物半導体として酸化亜鉛（ＺｎＯ）を強誘電体膜より低い成長温度で形成して、急峻な酸化物半導体／強誘電体界面を形成している。これにより、１０４倍のオン・オフ比で、かつ長時間のデータ保持特性を有するＭＦＳＦＥＴが得られている。
【非特許文献１】アプライド・フィジックス・レターズ（Applied Physics Letters）Vol.68、1996年6月、p.3650〜3652
【非特許文献２】アプライド・フィジックス・レターズ（Applied Physics Letters）Vol.86、2005年4月、p.16290-1〜-3
【非特許文献３】ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス（Japanese Journal of Applied Physics）、Vol. 43, No. 5A, 2004, p.2651〜2654
【非特許文献４】ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス(Journal of Applied Physics) Vol.89、2001年5月、p.6370
【非特許文献５】アプライド・フィジックス・レターズ（Applied Physics Letters）Vol.85、2004年9月、p.2541〜2543
【非特許文献６】アプライド・フィジックス・レターズ（Applied Physics Letters）Vol.89、2006年7月、p.41109-1〜-3
【非特許文献７】Extended Abstract of 2007 on International Conference of Solid State Devices and Materials、2007年、p.1156〜1157
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
本実施形態において、平滑化された第１の強誘電体膜１３ａ上に形成された第２の強誘電体膜１３ｂは、平滑な表面を有し、かつ、平滑化処理で第１の強誘電体膜１３ａ表面に発生した結晶欠陥が表面に露出していないため、キャリアの捕獲準位が低減された良好な界面特性を有する。そのため、リーク電流が低く、分極反転による疲労劣化のない良好な特性を有する強誘電体キャパシタを実現することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
次に、図１４（ｃ）に示すように、下部電極１２上に、ＰＬＤ法を用いて、厚さ８５０ｎｍ程度のＰＺＴからなる第１の強誘電体膜１３ａを形成する。ここで、ＰＬＤのターゲット焼結体の組成は、Ｐｂ：Ｚｒ：Ｔｉ＝１：０.３０：０.７０である。また、ＳＲＯ膜を介して成長したＰＺＴ膜１３ａは完全に（１１１）配向しているため、強誘電体キャパシタを微細化してもキャパシタ毎の分極ばらつきを極めて少なく抑えられる。なお、このときのＰＺＴ膜１３ａの表面ラフネスは、ＲＭＳ値で８〜１２ｎｍ程度である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
ここで、ＰＺＴ膜１３ａ、１３ｂは、ランタン（Ｌａ）、ニオブ（Ｎｂ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、プラセオジウム（Ｐｒ）、サマリウム（Ｓｍ）等の元素を添加したものを用いてもよい。他元素の添加により、結晶化温度が下げられるため、低温形成が可能になるとともに、繰り返し分極反転疲労を低減する効果も得られる。また、ＰＺＴ膜以外に、ビスマスチタネート（Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２）、ビスマスランタチタネート（Ｂｉ３．２５Ｌａ０．７５Ｔｉ３Ｏ１２）、ストロンチウムビスマスタンタレート（Ｓｒ（Ｂｉ,Ｔａ）２Ｏ９）、ビスマスフェライト（ＢｉＦｅＯ３）、イットリウムマンガナイト（ＹＭｎＯ３）等の強誘電体膜を用いてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
データの書き込み動作では、第２のゲート電極２８に正電圧（例えば１２Ｖ）を印加してＭＩＳＦＥＴ３２をオンさせた状態で、ドレイン電極２６及び第１のゲート電極２２に電圧を印加し、チャネルと第１のゲート電極２２間に書き込み電圧を印加する。すなわち、データ”１”の場合、ドレイン電極２６を接地し、第１のゲート電極２２に正電圧（例えば１０Ｖ）を印加する。データ“０”の場合、第１のゲート電極２２を接地し、ドレイン電極２６に正電圧（例えば１０Ｖ）を印加する。これにより、データ“０”の場合には、図２２（ａ）に示すように、ＰＺＴ膜２３の分極は上方向（第１のゲート電極２２方向）を向き、データ“０”の場合には、ＰＺＴ膜２３の分極は下方向（チャネル２４方向）を向く。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月29日(2010.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】成膜装置及び成膜方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
袋体と、
前記袋体に囲まれる真空チャンバーとを有し、
前記袋体の内部に希ガスまたは水素ガスが供給されることにより、前記真空チャンバーの外壁が大気と隔離されることを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
第１のガス供給手段が設けられた袋体と、
前記袋体に囲まれる真空チャンバーとを有し、
前記第１のガス供給手段から前記袋体の内部に希ガスまたは水素ガスが供給されることにより、前記真空チャンバーの外壁が大気と隔離されることを特徴とする成膜装置。
【請求項３】
第１の真空排気手段及び第１のガス供給手段が設けられた袋体と、
前記袋体に囲まれる真空チャンバーと、
前記第１の真空排気手段により前記袋体の内部を排気した後に、前記第１のガス供給手段から前記袋体の内部に希ガスまたは水素ガスが供給されることにより、前記真空チャンバーの外壁が大気と隔離されることを特徴とする成膜装置。
【請求項４】
気泡緩衝材と、
前記気泡緩衝材に囲まれる真空チャンバーとを有し、
前記気泡緩衝材と前記真空チャンバーとの間に希ガスまたは水素ガスが供給されることにより、前記真空チャンバーの外壁が大気と隔離されることを特徴とする成膜装置。
【請求項５】
請求項４において
前記気泡緩衝材の内部には、周りを樹脂で密閉された希ガスまたは水素ガスの気泡を有することを特徴とする成膜装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の成膜装置を用いて、
前記真空チャンバー内に材料ガスを導入して、前記真空チャンバー内に設けられたプラズマ発生手段によりプラズマを発生させて、半導体膜を形成することを特徴とする成膜方法。
【請求項７】
大気と真空チャンバーの外壁との間に希ガスまたは水素ガスを導入した空間を真空チャンバーの外壁に接して設け、前記真空チャンバーと大気とを隔離し、
前記真空チャンバー内に基板を設置し、
前記真空チャンバー内に材料ガスを導入してプラズマを発生させて前記基板上に半導体膜を形成することを特徴とする成膜方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記希ガスまたは前記水素ガスを導入した前記空間は、大気圧よりも圧力が高い陽圧であることを特徴とする成膜方法。
【請求項９】
請求項７または請求項８において、
前記希ガスまたは前記水素ガスに含まれる酸素濃度および窒素濃度はそれぞれ３０ｐｐｍ以下であることを特徴とする成膜方法。
【請求項１０】
請求項７乃至請求項９のいずれか一において、
前記材料ガスは、シランガスを含むことを特徴とする成膜方法。
【請求項１１】
請求項７乃至請求項１０のいずれか一において、
前記半導体膜は微結晶半導体膜であることを特徴とする成膜方法。
【請求項１２】
請求項７乃至請求項１０のいずれか一において、
前記半導体膜は化合物半導体であることを特徴とする成膜方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月10日(2010.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
被処理基板が収容される処理室と、
前記処理室内で相対向して設けられる第１電極および第２電極と、
前記第１電極または前記第２電極に周波数が１０ＭＨｚ以上の第１の高周波電力を印加する第１の高周波電力印加手段と、
前記第１電極に周波数が２ＭＨｚ以上１０ＭＨｚ未満の第２の高周波電力を印加する第２の高周波電力印加手段と、
前記第２電極に周波数が４００ｋＨｚ以上１．６ＭＨｚ以下の高周波電力を印加する第３の高周波電力印加手段と、
前記処理室内にプラズマ生成のための処理ガスを供給するガス供給機構と、
前記処理室を排気する排気機構と
を具備することを特徴とするプラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
被処理基板が収容される処理室で相対向して第１電極および第２電極を設け、これらの間に高周波電界を形成し、この高周波電界により処理ガスをプラズマ化して被処理体にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、
前記第１電極または前記第２電極に周波数が１０ＭＨｚ以上の第１の高周波電力を印加し、前記第１電極に周波数が２ＭＨｚ以上１０ＭＨｚ未満の第２の高周波電力を印加してプラズマを生成し、
前記第２電極に周波数が４００ｋＨｚ以上１．６ＭＨｚ以下の第３の高周波電力を印加して前記第１電極または前記第２電極の表面をスパッタしてクリーニングすることを特徴とするプラズマ処理方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明の第１の観点では、被処理基板が収容される処理室と、前記処理室内で相対向して設けられる第１電極および第２電極と、前記第１電極または前記第２電極に周波数が１０ＭＨｚ以上の第１の高周波電力を印加する第１の高周波電力印加手段と、前記第１電極に周波数が２ＭＨｚ以上１０ＭＨｚ未満の第２の高周波電力を印加する第２の高周波電力印加手段と、前記第２電極に周波数が４００ｋＨｚ以上１．６ＭＨｚ以下の高周波電力を印加する第３の高周波電力印加手段と、前記処理室内にプラズマ生成のための処理ガスを供給するガス供給機構と、前記処理室を排気する排気機構とを具備することを特徴とするプラズマ処理装置を提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の第２の観点では、被処理基板が収容される処理室で相対向して第１電極および第２電極を設け、これらの間に高周波電界を形成し、この高周波電界により処理ガスをプラズマ化して被処理体にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、前記第１電極または前記第２電極に周波数が１０ＭＨｚ以上の第１の高周波電力を印加し、前記第１電極に周波数が２ＭＨｚ以上１０ＭＨｚ未満の第２の高周波電力を印加してプラズマを生成し、前記第２電極に周波数が４００ｋＨｚ以上１．６ＭＨｚ以下の第３の高周波電力を印加して前記第１電極または前記第２電極の表面をスパッタしてクリーニングすることを特徴とするプラズマ処理方法を提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明によれば、第１の高周波電力を第１電極または第２電極に印加し、第２の高周波電力を第１電極に印加することにより、プラズマシースが広がって異常放電を生じ難くすることができ、また、第３の高周波電力を第２電極に印加することにより、そのスパッタ効果により、第１または第２電極、典型的には上部電極の表面をクリーニングすることができる。