【手続補正書】
【提出日】平成21年11月30日(2009.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子と、前記光電変換素子で光電変換して得られる電荷に応じた信号を増幅して出力する増幅トランジスタとを含む単位画素が配列されてなる固体撮像装置であって、
前記増幅トランジスタのチャネル領域が素子分離領域から離れて形成される
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
光電変換素子と、前記光電変換素子で光電変換して得られる電荷に応じた信号を増幅して出力する増幅トランジスタとを含む単位画素が配列されてなる固体撮像装置であって、
前記増幅トランジスタには、第１チャネル領域と第２チャネル領域の少なくとも２種類のチャネル領域を有する
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項３】
前記第１チャネル領域が素子分離領域のエッジ部を含まない領域に形成され、
前記第２チャネル領域が素子分離領域のエッジ部を含む領域に形成されている
ことを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記増幅トランジスタは、ソースフォロワ構成である
ことを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記増幅トランジスタにおいて、ソースフォロワを構成する定電流源に流れる電流量は、前記第１チャネル領域に流れる電流が支配的である
ことを特徴とする請求項４記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記第１チャネル領域と前記第２チャネル領域に流れる電流量が、ソースバイアスによって変化し、支配的に流れるチャネル領域の電流をコントロールする
ことを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記増幅トランジスタの前記第１チャネル領域と前記第２チャネル領域をそれぞれ飽和動作させたとき、チャネル単位長さ当たりに流れる電流量は、前記第２チャネル領域より前記第１チャネル領域の方が大きい
ことを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記増幅トランジスタは、少なくとも前記第１チャネル領域が埋込みチャネル型のトランジスタである
ことを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記増幅トランジスタのゲート電極が第１導電型で形成され、
前記第１チャネル領域が第２導電型で形成され、
前記第２チャネル領域が第１導電型で形成されている
ことを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記第１チャネル領域では、第２の不純物と第１の不純物が存在し、
前記第１の不純物は前記第２の不純物より深い領域に分布している
ことを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記第１チャネル領域と前記第２チャネル領域上に形成されたゲート電極の導電型が互いに異なる
ことを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
前記第１チャネル領域の導電型が、増幅トランジスタのソース／ドレイン領域の導電型と同じであり、
前記第２チャネル領域の導電型が、前記ソース／ドレイン領域の導電型と逆であり、
前記第１チャネル領域、前記第２チャネル領域と前記第１チャネル領域との境界及び第２チャネル領域の一部の上部にあるゲート電極の導電型がソース／ドレイン領域の導電型と逆であり、
前記第２チャネル領域の他部の上部にあるゲート電極が、前記ソース／ドレイン領域の導電型と同じである
ことを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
前記第１チャネル領域の導電型が、増幅トランジスタのソース／ドレイン領域の導電型と逆であり、
前記第２チャネル領域の導電型が、前記ソース／ドレイン領域の導電型と同じであり、
前記第１チャネル領域、前記第２チャネル領域と前記第１チャネル領域との境界及び第２チャネル領域の一部の上部にあるゲート電極の導電型がソース／ドレイン領域の導電型と同じであり、
前記第２チャネル領域の他部の上部にあるゲート電極が、前記ソース／ドレイン領域の導電型と逆である
ことを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置。
【請求項１４】
前記第１チャネル領域の導電型が、増幅トランジスタのソース／ドレイン領域の導電型と同じであり、
前記第２チャネル領域の導電型が、前記ソース／ドレイン領域の導電型と逆であり、
前記第１チャネル領域の内側の上部にあるゲート電極の導電型がソース／ドレイン領域の導電型と逆であり、
前記第２チャネル領域、前記第２チャネル領域と前記第１チャネル領域との境界及び第１チャネル領域の一部の上部にあるゲート電極が、前記ソース／ドレイン領域の導電型と同じである
ことを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置。
【請求項１５】
前記第１チャネル領域の導電型が、増幅トランジスタのソース／ドレイン領域の導電型と逆であり、
前記第２チャネル領域の導電型が、前記ソース／ドレイン領域の導電型と同じであり、
前記第１チャネル領域の内側の上部にあるゲート電極の導電型がソース／ドレイン領域の導電型と同じであり、
前記第２チャネル領域、前記第２チャネル領域と前記第１チャネル領域との境界及び第１チャネル領域の一部の上部にあるゲート電極が、前記ソース／ドレイン領域の導電型と逆である
ことを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置。
【請求項１６】
光電変換素子と、前記光電変換素子で光電変換して得られる電荷に応じた信号を増幅して出力する増幅トランジスタとを含む単位画素が配列されてなる固体撮像装置の製造方法であって、
前記増幅トランジスタの形成に際し、
素子分離領域よりも内側に開口を有する不純物導入マスクを形成する工程と、
前記不純物導入マスクの開口から２導電型の不純物を導入して前記素子分離領域よりも内側へ第１チャネル領域を形成し、第１チャネル領域の形成後、または形成前に前記不純物導入マスクを用いて第１導電型の不純物を角度を付けて導入して第１導電型領域を形成する工程とを有する
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項１７】
光電変換素子と、前記光電変換素子で光電変換して得られる電荷に応じた信号を増幅して出力する増幅トランジスタとを含む単位画素が配列されてなる固体撮像装置の製造方法であって、
前記増幅トランジスタの形成に際し、
素子分離領域よりも内側に第１の開口を有する不純物導入マスクを形成する工程と、
前記不純物導入マスクの第１の開口から第２導電型の不純物を注入して前記素子分離領域よりも内側に第１チャネル領域を形成する工程と、
前記第１の開口より大きい第２の開口を有する不純物導入マスクを用いて第１の不純物を導入して前記第１チャネル領域を囲う第１導電型領域を形成する工程とを有する
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項１８】
光電変換素子と、前記光電変換素子で光電変換して得られる電荷に応じた信号を増幅して出力する増幅トランジスタとを含む単位画素が配列されてなる固体撮像装置の製造方法であって、
前記増幅トランジスタの形成に際し、
素子分離領域よりも内側に第１の開口を有する不純物導入マスクを形成する工程と、
前記不純物導入マスクの第１の開口から第２導電型の不純物を注入して前記素子分離領域よりも内側に第１チャネル領域を形成する工程と、
前記第１の開口を後退させて大きい第２の開口とし、該不純物導入マスクを用いて第１の不純物を導入し、前記第１チャネル領域を囲う第１導電型領域を形成する工程とを有する
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項１９】
増幅トランジスタを有し、
前記増幅トランジスタのチャネル領域が素子分離領域から離れて形成される
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
増幅トランジスタを有し、
前記増幅トランジスタには、第１チャネル領域と第２チャネル領域の少なくとも２種類のチャネル領域を有する
ことを特徴とする半導体装置。