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【手続補正書】
【提出日】平成22年2月24日(2010.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結合ポリマー；及び
該結合ポリマー内に分散させた非晶質のリン酸アルミニウム顔料を含む被覆用組成物であって、該非晶質のリン酸アルミニウム顔料が、下記の方法：
リン酸、硫酸アルミニウム及びアルカリ溶液を組み合わせて、かつ該組み合わせた材料を、一定時間、互いに反応できるようにして、反応生成物を形成すること；かつ
該反応生成物を約１３０℃未満の温度で乾燥させて、１つの粒子につき１以上の閉じた空隙を含み、開いた細孔を実質的に含まない、非晶質のリン酸アルミニウム粒子を形成することによって製造される、前記被覆用組成物。
【請求項２】
前記非晶質のリン酸アルミニウムが、実質的に０．１ｃｃ／ｇより小さいマクロ細孔容積を有する、請求項１記載の被覆用組成物。
【請求項３】
前記組み合わせ工程の間に、リン酸、硫酸アルミニウム及びアルカリ溶液が、一斉に組み合わされる、請求項１記載の被覆用組成物。
【請求項４】
前記組み合わせ工程の間に、組み合わせた材料が、およそ３０分間反応することができる、請求項１記載の被覆用組成物。
【請求項５】
結合ポリマー及び不透明化顔料を含む、被覆用組成物の製造方法であって、下記の工程：
リン酸、硫酸アルミニウム、及び水酸化ナトリウムを一斉に組み合わせ、かつ該組み合わせた材料を、およそ３０分間、互いに反応できるようにして、沈殿物を形成することによって、不透明化顔料を形成すること；
該沈殿物を約１３０℃未満の温度で乾燥させて、１つの粒子につき１以上の閉じた空隙を含み、開いた細孔を実質的に含まない、非晶質のリン酸アルミニウム粒子を形成すること；かつ
定量の該非晶質のリン酸アルミニウムと結合ポリマーとを組み合わせて、該被覆用組成物を形成することを含む、前記製造方法。
【請求項６】
前記アルカリ溶液が水酸化ナトリウムである、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記形成工程の間に、組み合わせた材料のpHが、さらなる水酸化ナトリウムの添加によって、pH３〜５に制御される、請求項６記載の方法。
【請求項８】
形成された前記非晶質のリン酸アルミニウムが、オルトリン酸ヒドロキソアルミニウムである、請求項５記載の方法。
【請求項９】
前記組み合わせ工程の前に、リン酸を過酸化水素で、高温にて処理する、請求項５記載の方法。
【請求項１０】
前記乾燥工程の後に、非晶質のリン酸アルミニウムが、実質的に０．１ｃｃ／ｇより小さいマクロ細孔容積を有する、請求項５記載の方法。
【請求項１１】
水をベースにした被覆用組成物の製造方法であって、下記の工程：
リン酸、硫酸アルミニウム及び水酸化ナトリウムを、約３０分間、ともに組み合わせて、沈殿物を形成することによって、非晶質のリン酸アルミニウムを形成すること；かつ
該沈殿物を約１３０℃未満の温度で乾燥させて、１つの粒子につき１以上の閉じた空隙を有する、非晶質のリン酸アルミニウム粒子を形成することであり、ここで、該粉末が、実質的に０．１ｃｃ／ｇより小さいマクロ細孔容積を有し、示差操作熱量法において約９０℃〜約２５０℃の間に２つの吸熱ピークを示し、水１．０ｇにつき少なくとも０．０２５ｇで水に対する分散性を有し、かつ５〜８０ナノメートルの平均個別粒子半径を有し；かつ
該非晶質のリン酸アルミニウムとラテックス被覆用組成物の形成に有用な結合ポリマーとを組み合わせることを含む、前記製造方法。
【請求項１２】
前記リン酸、硫酸アルミニウム及び水酸化ナトリウムが、ともに一斉に組み合わされる、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記非晶質のリン酸アルミニウムが不透明化顔料であり、かつ該被覆用組成物が、該組成物の総重量を基準にして、最大約２７重量パーセントのスラリー形態の非晶質のリン酸アルミニウムを含むことができる、請求項１１記載の方法。
【請求項１４】
前記組み合わせ工程の前に、リン酸を過酸化水素で、高温にて処理する、請求項１１記載の方法。
【請求項１５】
前記形成工程の間に、組み合わせた材料のpHが、さらなる水酸化ナトリウムの添加によって、pH３〜５に制御される、請求項１１記載の方法。
【請求項１６】
前記乾燥工程の後に、非晶質のリン酸アルミニウムが、開いた細孔を実質的に含まない、請求項１１記載の方法。
【請求項１７】
不透明化被覆用組成物の製造方法であって、下記の工程：
リン酸と、硫酸アルミニウム及び水酸化ナトリウムとを組み合わせて、かつ該組み合わせた材料を、所定時間、ともに反応させて、非晶質のリン酸アルミニウムを形成すること；
該非晶質のリン酸アルミニウムを約１３０℃以下の温度で乾燥させることであり、ここで、該乾燥した非晶質のリン酸アルミニウムが、粉末形態の場合、１つの粒子につき１以上の閉じた空隙を含み；かつ
該非晶質のリン酸アルミニウムを、結合ポリマーとともに添加すること
を含む、前記製造方法。
【請求項１８】
前記添加工程の間の所定時間が、約３０分である、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
前記乾燥した非晶質のリン酸アルミニウム粒子が、粉末形態の場合、開いた細孔を実質的に含まない、請求項１７記載の方法。
【請求項２０】
前記粒子が、約２０〜１００ナノメートルの平均サイズを有する、請求項１７記載の方法。
【請求項２１】
前記被覆用組成物が、ラテックス材料を含み、かつ前記非晶質のリン酸アルミニウムが、前記被覆用組成物の不透明化顔料である、請求項１７記載の方法。
【請求項２２】
前記被覆用組成物が、該被覆用組成物の総重量を基準にして、最大約２７重量パーセントのスラリー形態の非晶質のリン酸アルミニウムを含む、請求項１７記載の方法。
【請求項２３】
前記非晶質のリン酸アルミニウムが、実質的に０．１ｃｃ／ｇより小さいマクロ細孔容積を有する、請求項１７記載の方法。
【請求項２４】
前記組み合わせ工程の間に、リン酸、硫酸アルミニウム及び水酸化ナトリウムが、一斉に組み合わされる、請求項１７記載の方法。
【請求項２５】
前記組み合わせ工程の間に、非晶質のリン酸アルミニウムの形成後、さらなる水酸化ナトリウムを添加して、pHを３〜５に制御する、請求項１７記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
本明細書で考察される新規リン酸アルミニウムの成果及び高い有効性は、その比較的小さな粒子径に部分的には関連している。このような小さな粒子径は、粒子が皮膜中に十分に分布し、樹脂及び無機塗料充填剤と完全に会合し、それによって、塗料が乾燥した場合に広範な空隙形成のための部位であるクラスターを作り出すことを可能にする。本発明のリン酸アルミニウムは、閉じた空隙、又は中空粒子を、リン酸アルミニウム、ポリリン酸アルミニウム又は任意のその他粒子についてこれまで観察されていない程度まで形成する傾向を示す。いくつかの実施態様において、リン酸アルミニウム、ポリリン酸アルミニウム又はメタリン酸アルミニウムの粒子は、多くの閉じた細孔を含むが、開いた細孔を実質上含まない。結果として、このような実施態様において、マクロ細孔容積は、実質上０．１ｃｃ／ｇより小さい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月6日(2010.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属板にパターン状の孔が設けられてなるメタルマスクであって、その被印刷物側の面に、当該面からの高さが略揃い、かつ、その端部が平面状の複数のポストが、全面にわたり配されており、前記被印刷物側の面における前記孔の縁に、当該面からの高さが前記ポストと略同一で、前記孔を取り囲む環状突起が形成されてなることを特徴とするメタルマスク。
【請求項２】
前記環状突起において、その一部に、環の内外に渡り、被印刷物側の面からの高さが低い部位を有することを特徴とする請求項１に記載のメタルマスク。
【請求項３】
平面を有する金属母材の当該平面に対して、所望のパターン状のレジストを形成する第１レジスト形成工程と、
金属母材のレジストが形成された面に金属メッキを施し、前記パターン状の孔が穿たれた金属メッキ層を形成する第１メッキ工程と、
金属母材の金属メッキ層が形成された面に、複数のホール状の貫通孔が穿たれたレジストを形成するとともに、前記金属メッキ層に穿たれた前記パターン状の孔を取り囲む環状、または、当該孔とそれを取り囲む環とからなる円盤状の貫通孔がさらに穿たれたレジストを形成する第２レジスト形成工程と、
金属母材のレジストが形成された面に、再び前記金属メッキと同一材質の金属メッキを施し、前記ホール状の貫通孔に対応する金属メッキのポストを形成するとともに、前記貫通孔における環状の部位に対応する金属メッキの環状突起を形成する第２メッキ工程と、
残存する前記レジストを剥離する剥離工程と、
金属母材から、積層されたメッキ層を脱型してメタルマスクを得る脱型工程と、
を含むことを特徴とするメタルマスクの製造方法。
【請求項４】
第２レジスト形成工程において形成するレジストに穿たれた環状または円盤状の貫通孔が、環状の部位において、環の内外に渡り、レジストが形成されている部位を有することを特徴とする請求項３に記載のメタルマスクの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本実施形態のメタルマスク２０は、円形の開口部（パターン状の孔）２２以外の表面に、多数の円柱状のポスト２４が配されている点は、第１の実施形態のメタルマスク１０と同様である。しかし、本実施形態においては、メタルマスク２０の被印刷物側の面における開口部２２の縁に、当該面からの高さがポスト２４と略同一で、開口部２２を取り囲む額縁（環状突起）２６が形成されている点が、第１の実施形態のメタルマスク１０とは異なる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
本実施形態のメタルマスク３０は、円形の開口部（パターン状の孔）３２以外の表面に、多数の円柱状のポスト３４が配されている点や、メタルマスク３０の被印刷物側の面における開口部３２の縁に、当該面からの高さがポスト３４と略同一で、開口部３２を取り囲む額縁（環状突起）３６が形成されている点は、第２の実施形態のメタルマスク２０と同様である。しかし、本実施形態においては、額縁３６において、谷状の溝部（環の内外に渡り、被印刷物側の面からの高さが低い部位）３８が４箇所設けられている点が、第２の実施形態のメタルマスク２０とは異なる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
（環状突起）
本発明において、メタルマスクのパターン状の孔（開口部）の縁に、これを取り囲む状態で形成される環状突起（額縁）は、前記ポストと同様、材料に特に制限はないが、前記金属板や前記ポストと一体成形することが好ましく、すなわちこれらと同一の材料とすることが望ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
図２および３に示される前記各実施形態のメタルマスクにおいて、環状突起（額縁２６，３６）は、パターン状の孔（開口部２２，３２）が円形であることからリング状となっているが、この形状は、当該孔の形状に準じて如何様にもなり得る。いずれにしても、当該環状突起は、パターン状の孔の縁に沿って、連続状（図２参照）に、あるいは断続状（図３および図１２参照）に環が形成されてなる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月17日(2009.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
つぎに、本実施の形態におけるモールドと基板とのアライメント方法について説明する。
図３に、前記モールド１１を用いてナノインプリントを行うに際し、モールドと基板とのアライメント方法を説明する図を示す。
ナノインプリントを行うに際し、まず、前記モールド１１を用い、該モールドと被転写部材（レジスト３２）を有する基板３１とを対向して配置し、任意の位置にプレスする。
これにより、基板表面に図３（ａ）に示すように凹凸パターンを有する部材を形成する。
すなわち、モールドのパターン形成用の凹凸（第１のパターン）を該転写部材に転写すると同時に、アライメント用の凹凸（第２のパターン）も該被転写部材に転写する。
この時のアライメントは、基板の外周を用いて行う。あるいは、アライメントは行わないでもよい。
次に、モールドと基板間の相対位置を変化させ、基板に形成されたパターンＤ（１５）とモールドのパターンＢ（１４）とを用いてアライメントを行い、再度ナノインプリントを行う（図３（ｂ））。
この再度ナノインプリントにおいては、上記被加工部材上に形成されているパターン上にモールドを重ねるに際し、上記被加工部材上に、既に形成されているパターンと同一のモールドのパターンとが重なるようにアライメントを行う。
このとき、アライメントマークとして基板に形成されたパターンＤ（１５）およびその周辺は、モールドと基板に形成されたパターンが異なっていても良い。
図３（ａ）（ｂ）に示す工程を繰り返すことにより、図３（ｃ）（ｄ）に示すように、複数回のナノインプリントによりパターンＣ（２１）が繋ぎ目の無い連続したパターンとして基板表面に形成される。
本手法により基板表面に凹凸形状のパターンを形成し後、エッチングを行い、さらにレジスト剥離することで、基板表面にパターンを形成する（図３（ｅ）（ｆ））。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月16日(2009.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シートを搬送する搬送手段と、
前記搬送手段によって搬送されるシートの電荷を除電する除電部材と、
導電性部材で形成され、前記搬送手段によって搬送されるシートとの接触により移動可能な移動部材と、
を有し、
前記除電部材は、前記搬送手段によって搬送されるシートの電荷が前記除電部材へ放電可能な範囲内の、前記搬送手段によって搬送されるシートとは接触しない位置に設けられ、前記移動部材とともに移動することを特徴とするシート搬送装置。
【請求項２】
前記移動部材は、前記搬送手段によって搬送されるシートに接触する平滑な面を有していることを特徴とする請求項１に記載のシート搬送装置。
【請求項３】
前記移動部材は、前記搬送手段によって搬送されるシートに最も近づく移動部材の先端側で、搬送中のシートに接触することなく一定の距離を保つ位置に前記除電部材を設けていることを特徴とする請求項１又は２に記載のシート搬送装置。
【請求項４】
前記除電部材は、導電体繊維からなる不織布であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のシート搬送装置。
【請求項５】
前記搬送手段は、正逆回転可能な搬送ローラであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のシート搬送装置。
【請求項６】
前記搬送手段は、積載部に向けてシートを搬送する搬送ローラであり、
前記移動部材は、前記搬送ローラのシート搬送方向下流の積載部側において、前記搬送ローラによって搬送されるシートに接触することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のシート搬送装置。
【請求項７】
前記移動部材は、前記積載部上に積載されたシートの上面に当接して所定積載量を検知するための検知部材であることを特徴とする請求項６に記載のシート搬送装置。
【請求項８】
前記搬送ローラは、正逆回転可能であることを特徴とする請求項６又は７に記載のシート搬送装置。
【請求項９】
前記移動部材は、前記除電部材のアース経路の一部を成していることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のシート搬送装置。
【請求項１０】
前記移動部材は、プラスチック部材に導電材を添加した導電性プラスチック部材で形成され、前記除電部材のアース経路の一部を成していることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のシート搬送装置。
【請求項１１】
前記移動部材は、光学センサをＯＮ・ＯＦＦ作動させる遮蔽部を有することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のシート搬送装置。
【請求項１２】
シートに画像を形成する画像形成部と、前記画像形成部により画像が形成されたシートを搬送する搬送手段として、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のシート搬送装置と、を有することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記目的を達成するための本発明の代表的な構成は、シートを搬送する搬送手段と、前記搬送手段によって搬送されるシートの電荷を除電する除電部材と、導電性部材で形成され、前記搬送手段によって搬送されるシートとの接触により移動可能な移動部材と、を有し、前記除電部材は、前記搬送手段によって搬送されるシートの電荷が前記除電部材へ放電可能な範囲内の、前記搬送手段によって搬送されるシートとは接触しない位置に設けられ、前記移動部材とともに移動することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、両面記録が設定されている場合には、まず、フォトインタラプタと連動してシートの有無を検出する検出レバー８により、上記のように一方の面に記録がなされたシートＳの後端が検出される。そして、前記シートＳの後端が搬送ローラ対１８，１５を通過した後、排出ローラ対６０，６２をそれまでとは逆向きに回転させる。これにより、前記シートＳの後端は、搬送ローラ１８と従動ローラ１９とのニップに誘導され、そのローラ対１８，１９によって再給送路２９へ導かれる。そして、前記シートＳは再給送路２８においてローラ対３０，３１，３４により画像形成部に向けて再搬送され、前述したようにレジストローラ対１２により再び転写部へ搬送される。そして、１面目と同様に、プロセスユニット６、定着ユニット１４で転写、定着処理が行われ、排出ローラ対６０，６２より排出トレイ１７上へ排出される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月21日(2010.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
次に、光強度を１０Ｗまで上げて連続照射を行ったところ、時間が経過してもファラデー回転角に変化は認められず、ＴＧＧの温度変化は無かった。
［比較例１］
特許文献１で開示された図５に示す構成のファラデー回転子を組み立てた。第１の磁石１および第２の磁石２には実施例１と同じものを用い、図３に示すＬ１〜Ｌ３の寸法は、実施例１と同じとした。すなわち、第１の磁石１と第２の磁石２の間には、第３の磁石を挿入せず、Ｌ３の長さだけ空間が設けられている。また、図５に示すように、第１の磁石１と第２の磁石２の外側には、厚さ０．３５ｍｍの円筒状の軟鉄（軟磁性体）６製部材を被せ、貫通孔には厚さが０．３５ｍｍで内径が２．６ｍｍの円筒状軟鉄（軟磁性体）６製部材を挿入した。このため、実施例１とは異なり、比較例１に係るファラデー素子には、直径が２．５ｍｍの円柱状のＴＧＧを使用したが、ＴＧＧの光軸上の長さは実施例１と同じく１２ｍｍとした。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月26日(2010.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
冷却装置による冷却によって貯蔵物を冷却保存する冷却室と、ワインを貯蔵するワイン室と、前記ワイン室内に配されるヒータと、前記冷却装置から前記ワイン室に冷気を導く導入通風路と、前記ワイン室内の空気を前記冷却装置に戻す戻り通風路と、前記ワイン室内の空気を循環する循環送風機とを備え、前記ワイン室が所定の温度範囲よりも高い時に前記導入通風路を介して前記冷却装置から前記ワイン室に冷気を導入するとともに、前記温度範囲よりも低い時に前記導入通風路及び前記戻り通風路を閉じて前記ヒータ及び前記循環送風機の駆動により前記ワイン室内の空気を循環させることを特徴とする冷蔵庫。
【請求項２】
開口を有した貯水部を前記ワイン室内に設け、前記温度範囲内の時に前記導入通風路及び前記戻り通風路を閉じ、前記循環送風機を駆動して前記ワイン室内の空気を循環させることを特徴とする請求項１に記載の冷蔵庫。
【請求項３】
水平に対して奥側を高く傾斜した状態でワインを収納するラックと、前記ラックを前後に案内する案内部とを設けたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の冷蔵庫。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月22日(2010.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電話装置に関連する１又は複数の電話装置に係る関連電話装置情報を登録している関連電話装置登録手段と、
上記第１の電話装置が、自装置を介して第２の電話装置と接続中に、上記関連電話装置情報において上記第１の電話装置に関連する電話装置として登録されている第３の電話装置から第４の電話装置に向けて発信する信号が自装置に与えられた場合、上記第２の電話装置と上記第４の電話装置とを接続させる転送手段と
を有することを特徴とする交換装置。
【請求項２】
交換装置に搭載されたコンピュータを、
第１の電話装置に関連する１又は複数の電話装置に係る関連電話装置情報を登録している関連電話装置登録手段と、
上記第１の電話装置が、上記交換装置を介して第２の電話装置と接続中に、上記関連電話装置情報において上記第１の電話装置に関連する電話装置として登録されている第３の電話装置から第４の電話装置に向けて発信する信号が上記交換装置に与えられた場合、上記第２の電話装置と上記第４の電話装置とを接続させる転送手段と
して機能させることを特徴とする転送プログラム。
【請求項３】
交換装置において、通話を転送する転送方法において、
関連電話端末登録手段及び転送手段を有し、
上記関連電話装置登録手段は、第１の電話装置に関連する１又は複数の電話装置に係る関連電話装置情報を登録しており、
上記転送手段は、上記第１の電話装置が、上記交換装置を介して第２の電話装置と接続中に、上記関連電話装置情報において上記第１の電話装置に関連する電話装置として登録されている第３の電話装置から第４の電話装置に向けて発信する信号が上記交換装置に与えられた場合、上記第２の電話装置と上記第４の電話装置とを接続させる
ことを特徴とする転送方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月27日(2010.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に少なくともｎチャネル型ＭＯＳトランジスタとｐチャネル型ＭＯＳトランジスタとを含む半導体装置の製造方法であって、以下の工程を含む。半導体基板を準備する工程。前記半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程。前記ゲート絶縁膜上に非単結晶シリコン膜を形成する工程。前記非単結晶シリコン膜をパターニングし、前記ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタの第１ゲート電極及び前記ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタの第２ゲート電極を形成する工程。前記第１ゲート電極に質量数７０以上のｎ型ドーパントイオンを注入する工程。前記第２ゲート電極にＢイオンを注入する工程。前記ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタ及び前記ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ上に絶縁膜を形成して、前記ｎ型ドーパントイオンが注入されたことで非晶質化した前記第１ゲート電極と前記Ｂイオンが注入されたことで非晶質化した前記第２ゲート電極とを覆う絶縁膜を形成する工程。前記絶縁膜で前記第１ゲート電極と前記第２ゲート電極とを覆った状態で、前記半導体基板に５５０℃以上の温度の熱処理を施し、前記第１ゲート電極を再結晶化させることにより、前記第１ゲート電極に内部応力として圧縮応力を残留させ、且つ、前記残留する圧縮応力により前記第１ゲート電極の下方のチャネル領域に３×１０9ｄｙｎ／ｃｍ2以上の引っ張り応力を印加させると共に、前記第２ゲート電極を再結晶化させる工程。前記熱処理工程後、前記第１ゲート電極及び前記第２ゲート電極上に形成された前記絶縁膜を除去する工程。前記絶縁膜を除去後、前記第１ゲート電極及び前記第２ゲート電極表面にシリサイド層を形成する工程。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタ（ｎＭＯＳトランジスタ）のゲート電極に内部応力として圧縮応力を残留させ、その下のシリコン基板に引っ張り応力を印加することができる。よって、シリコン基板のその部分の格子間隔は広がり、ｎＭＯＳトランジスタにおけるキャリア移動度が向上し当該ｎＭＯＳトランジスタの性能向上に寄与できる。さらに、ｎＭＯＳトランジスタのゲート電極とｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ（ｐＭＯＳトランジスタ）のゲート電極とを同一の工程で形成しても、ゲート電極の種類に応じて注入するイオンの質量に差をつけることで、ｎＭＯＳトランジスタのゲート電極のみに強い圧縮応力を発生させることができ、製造工程の複雑化は抑えられる。また熱処理工程後に、ゲート電極上の絶縁膜が除去されるため、当該ゲート電極表面にシリサイド層を形成できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に少なくともｎチャネル型ＭＯＳトランジスタとｐチャネル型ＭＯＳトランジスタとを含む半導体装置の製造方法において、
前記半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に非単結晶シリコン膜を形成する工程と、
前記非単結晶シリコン膜をパターニングし、前記ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタの第１ゲート電極及び前記ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタの第２ゲート電極をそれぞれ形成する工程と、
前記第１ゲート電極に質量数７０以上のｎ型ドーパントイオンを注入する工程と、
前記第２ゲート電極にＢイオンを注入する工程と、
前記ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタ及び前記ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ上に絶縁膜を形成して、前記ｎ型ドーパントイオンが注入されたことで非晶質化した前記第１ゲート電極と前記Ｂイオンが注入されたことで非晶質化した前記第２ゲート電極とを覆う絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜で前記第１ゲート電極と前記第２ゲート電極とを覆った状態で、前記半導体基板に５５０℃以上の温度の熱処理を施し、前記第１ゲート電極を再結晶化させることにより、前記第１ゲート電極に内部応力として圧縮応力を残留させ、且つ、前記残留する圧縮応力により前記第１ゲート電極の下方のチャネル領域に３×１０9ｄｙｎ／ｃｍ2以上の引っ張り応力を印加させると共に、前記第２ゲート電極を再結晶化させる工程と、
前記熱処理工程後、前記第１ゲート電極及び前記第２ゲート電極上に形成された前記絶縁膜を除去する工程と、
前記絶縁膜を除去後、前記第１ゲート電極及び前記第２ゲート電極表面にシリサイド層を形成する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体基板上に少なくともｎチャネル型ＭＯＳトランジスタとｐチャネル型ＭＯＳトランジスタとを含む半導体装置の製造方法において、
前記半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に非単結晶シリコン膜を形成する工程と、
前記非単結晶シリコン膜をパターニングし、前記ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタの第１ゲート電極及び前記ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタの第２ゲート電極をそれぞれ形成する工程と、
前記第１ゲート電極と前記第１ゲート電極両側に位置する前記半導体基板の表面に質量数７０以上のｎ型ドーパントイオンを注入する工程と、
前記第２ゲート電極と前記第２ゲート電極両側に位置する前記半導体基板の表面にＢイオンを注入する工程と、
前記ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタ及び前記ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ上に絶縁膜を形成して、前記ｎ型ドーパントイオンが注入されたことで非晶質化した前記第１ゲート電極と前記Ｂイオンが注入されたことで非晶質化した前記第２ゲート電極と前記半導体基板の表面とを覆う絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜で前記第１ゲート電極と前記第２ゲート電極とを覆った状態で、前記半導体基板に５５０℃以上の温度の熱処理を施し、前記第１ゲート電極を再結晶化させることにより、前記第１ゲート電極に内部応力として圧縮応力を残留させ、且つ、前記残留する圧縮応力により前記第１ゲート電極の下方のチャネル領域に３×１０9ｄｙｎ／ｃｍ2以上の引っ張り応力を印加させると共に、前記第２ゲート電極を再結晶化させる工程と、
前記熱処理工程後、前記第１ゲート電極及び前記第２ゲート電極上に形成された前記絶縁膜を除去する工程と、
前記絶縁膜を除去後、前記第１ゲート電極及び前記第２ゲート電極表面にシリサイド層を形成する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁膜は５５０℃以下の温度で成膜される請求項１または請求項２に記載の半導体
装置の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁膜は前記熱処理工程により収縮する請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記
載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記絶縁膜はシリコン酸化膜である請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月24日(2010.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方の面を吸着する第１保持部と、前記基板の他方の面に当接する第２保持部と、前記第２保持部を移動させる機構と、前記第１保持部を前記第２保持部側へ付勢するバネとを有し、
前記バネは、前記基板が前記第１保持部に押付けられた状態で前記第２保持部を前記基板に対向させた際に、前記第２保持部と前記基板との間に空間が形成されるように収縮可能であり、かつ、前記基板を保持する際に、前記対向した第２保持部に前記基板を押付け可能であることを特徴とする基板保持機構。
【請求項２】
前記第１保持部は、静電吸着または真空吸着により前記基板を吸着することを特徴とする請求項１に記載の基板保持機構。
【請求項３】
前記第２保持部を移動させる機構は、前記基板を保持する位置と前記基板の保持を解除する位置とに前記第２保持部を移動させることを特徴とする請求項１または２に記載の基板保持機構。
【請求項４】
前記一方の面が前記基板の上面であり、前記他方の面が前記基板の下面であり、前記基板を下向きに保持することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の基板保持機構。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１つに記載の基板保持機構を用いて前記基板としてのレチクルをステージに置き、該レチクルのパターンをウエハに露光することを特徴とする露光装置。
【請求項６】
請求項５に記載の露光装置を用いてウエハを露光する工程と、該露光したウエハを現像する工程とを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記の課題を解決するため、本発明では、基板の一方の面を吸着する第１保持部と、前記基板の他方の面に当接する第２保持部と、前記第２保持部を移動させる機構と、前記第１保持部を前記第２保持部側へ付勢するバネとを有し、前記バネは、前記基板が前記第１保持部に押付けられた状態で前記第２保持部を前記基板に対向させた際に、前記第２保持部と前記基板との間に空間が形成されるように収縮可能であり、かつ、前記基板を保持する際に、前記対向した第２保持部に前記基板を押付け可能であることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月3日(2010.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】
フレーム内符号化であるイントラモードとフレーム間符号化であるインターモードとを適応的に選択して、所定のブロック画像を順次符号化する画像符号化方法を用いる撮像システムであって、
入射した画像光を結像する光学系と、
前記結像された画像光を画像信号に変換するセンサーと、
前記画像信号を画像処理する画像処理回路とを備え、
前記画像処理回路は、請求項１〜１０のいずれかに記載の画像符号化方法を実行することを特徴とする、撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
上記目的を達成させるために、本発明の撮像システムは、フレーム内符号化であるイントラモードとフレーム間符号化であるインターモードとを適応的に選択して、所定のブロック画像を順次符号化する画像符号化方法を用いる撮像システムであって、入射した画像光を結像する光学系と、結像された画像光を画像信号に変換するセンサーと、画像信号を画像処理する画像処理回路とを備え、画像処理回路は、上述した本発明の画像符号化方法を実行することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
このように、上述したようにイントラ・インター判定を行うことによって、残像ノイズが発生するブロックのみにイントラモードを適用することができる。図３は、本発明の第１の実施形態におけるイントラ・インター判定によって、ブロックの符号化モードの選択を示す図である。図３において、フレーム３０１内で、破線で示す移動前画像３０２が、実線で示す移動後画像３０３の位置に移動している。フレーム３０１を８列５行のブロックに分割し、第Ａ列〜第Ｈ列および第１行〜第５行とする。ドット模様で示したＤ２〜Ｄ４は、イントラモードを適用するイントラブロックであり、その他の部分は、インターモードを適用するインターブロックである。本発明の第１の実施形態におけるイントラ・インター判定では、図１３に示した従来技術におけるイントラ・インター判定と比較して、動いている物体自体が存在しているため実際には残像ノイズによる画像劣化が目立たない領域（Ｅ２〜Ｅ４、およびＦ２〜Ｆ４）には、イントラモードでなく、インターモードが適用される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
（第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態では、本発明の第１および第２の実施形態で説明した動画像符号化方法を利用した、例えば、デジタルスチルカメラやネットワークカメラ等の撮像システム（映像システム）の一例について説明する。図７は、本発明の第４の実施形態における撮像システム７００の構成を示す図である。撮像システム７００は、光学系７０１と、センサー７０２と、Ａ／Ｄ変換回路７０３と、画像処理回路７０４と、記録系／転送系７０５と、再生系７０６と、タイミング制御回路７０７と、システム制御回路７０８とから構成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
以上のように、本発明の第４の実施形態における撮像システムによれば、画像処理回路において、本発明の第１および第２の実施形態で示した動画像符号化方法を用いることによって、残像ノイズの発生するブロックのみにイントラモードを適用することができ、低ビットレート時の動画像の符号化における符号量の増加を抑止しつつ、画質劣化を防ぐ撮像システムを実現することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
なお、図７に示した撮像システム７００では、光学系７０１からの画像光をセンサー７０２で光電変換して、Ａ／Ｄ変換回路７０３に入力したカメラ機器等について説明したが、本発明における撮像システムは、これに限定されるものではない。その他、テレビ等のＡＶ機器のアナログ映像入力を、直接、Ａ／Ｄ変換回路７０３に入力しても良いことは言うまでもない。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
１００    差分情報メモリ
２００、５００    符号化対象ブロック
２０１、５０１    左隣接ブロック
２０２、５０２    上隣接ブロック
５０３    右上隣接ブロック
３０１、１２０１    フレーム
３０２、１２０２    移動前画像
３０３、１２０３    移動後画像
６００    画像符号化装置
６０１    ブロック分割部
６０２    直交変換部
６０３    量子化部
６０４    エントロピー符号化部
６０５    逆量子化部
６０６    逆直交変換部
６０７    ループフィルタ
６０８    第１フレームメモリ
６０９    イントラ予測部
６１０    第２フレームメモリ
６１１    インター予測部
６１２    セレクタ
６１３    イントラ・インター判定部
６１４    差分情報メモリ
７００    撮像システム
７０１    光学系
７０２    センサー
７０３    Ａ／Ｄ変換回路
７０４    画像処理回路
７０５    記録系／転送系
７０６    再生系
７０７    タイミング制御回路
７０８    システム制御回路
７０９    画像符号化部
Ｓ１０１    符号化対象ブロック差分絶対値和算出ステップ
Ｓ１０２    周辺ブロック差分絶対値和取得ステップ
Ｓ１０３    イントラ・インター判定ステップ
Ｓ１０４    イントラモード適用ステップ
Ｓ１０５    インターモード適用ステップ
Ｓ１０６    差分絶対値和保存ステップ
Ｓ４０１    符号化対象ブロック動きベクトル算出ステップ
Ｓ４０２    周辺ブロック差分絶対値和取得ステップ
Ｓ４０３    イントラ・インター判定ステップ
Ｓ４０１１〜Ｓ４０１３    差分絶対値和比較ステップ
Ｓ４０２１〜Ｓ４０２３    動きベクトル比較ステップ
Ｓ８０１〜Ｓ８０５、Ｓ１００１〜Ｓ１００６    イントラ・インター判定における各ステップ
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月12日(2010.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線伝送ユニットを介して表示装置に接続する映像音声再生装置であって、
映像データと、音声データと、映像データ及び音声データの再生同期のための第１の再生同期情報とを受信する第１受信部と、
前記無線伝送ユニットから、伝送処理により生じる映像データ及び音声データの再生同期のずれを修正するための第２の再生同期情報を受信し、前記表示装置から表示装置における処理により生じる映像データ及び音声データの再生同期のずれを修正するための第３の再生同期情報を受信する第２受信部と、
前記第１受信部及び前記第２受信部で受信した第１、第２及び第３の再生同期情報に基づいて、前記第１受信部で受信した映像データと音声データとを再生する制御部とを有する映像音声再生装置。
【請求項２】
請求項１の映像音声再生装置であって、
前記第１の再生同期情報は受信データに含まれる時間情報、
前記第２の再生同期情報は前記無線伝送ユニット内でのデータ処理時間情報、
前記第３の再生同期情報は前記表示装置内でのデータ処理時間情報を含む映像音声再生装置。
【請求項３】
請求項１の映像音声再生装置であって、
前記第１の再生同期情報は受信データに含まれる時間情報、
前記第２の再生同期情報は前記無線伝送ユニット内でのデータ処理時間情報に基づく時間情報、
前記第３の再生同期情報は前記表示装置内でのデータ処理時間情報に基づく時間情報である映像音声再生装置。
【請求項４】
映像音声再生方法であって、
映像データ及び音声データと、当該映像データ及び音声データの再生同期のための第１の再生同期情報とを映像音声再生装置で受信し、
映像音声出力装置から、当該映像音声出力装置で映像データ及び音声データの再生同期させるための第２の再生同期情報を中継装置を介して映像音声再生装置で受信し、
映像データ及び音声データを中継装置から出力するときに再生同期させるための第３の再生同期情報と、前記第２の再生同期情報とに基づいて第４の再生同期情報を作成し、
前記第１の再生同期情報と前記第４の再生同期情報とに基づいて、前記受信した映像データ及び音声データを前記映像音声再生装置で再生する映像音声再生方法。
【請求項５】
請求項４の映像音声再生方法であって、
前記第１の再生同期情報は受信データに含まれる時間情報であり、
前記第２の再生同期情報は前記映像音声出力装置内でのデータ処理時間情報であり、
前記第３の再生同期情報は前記中継装置内でのデータ処理時間情報であり、
前記第４の再生同期情報は前記映像音声出力装置内でのデータ処理時間情報と前記中継装置内でのデータ処理時間情報とを羅列した情報である映像音声再生方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】映像音声再生装置及び映像音声再生方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、例えば特許請求の範囲に記載の構成を採用する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月18日(2010.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と前記基材上に形成された配線とを有する配線基板と、前記配線基板の配線上に設置されることによって電気的に接続された複数の太陽電池セルと、が封止材によって封止された太陽電池モジュールを製造する方法であって、
前記配線基板の前記配線上に前記太陽電池セルを少なくとも１つ設置する第１の工程と、
前記太陽電池セルを固定部材により前記配線基板に固定する第２の工程と、
前記配線基板と前記太陽電池セルとを前記封止材によって封止する第３の工程と、を有し、
前記第１の工程の後であって前記第２の工程の前に前記太陽電池セルと前記配線との電気的接続を検査する工程を含むことを特徴とする、太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項２】
前記検査する工程は、前記太陽電池セルが電気的に接続された前記配線基板の前記配線にプローブを接触させることにより行なわれることを特徴とする、請求項１に記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項３】
前記検査する工程において、所定の基準を満たしていないことが判明した前記太陽電池セルを前記配線基板の前記配線上から取り除き、前記太陽電池セルの代わりに他の太陽電池セルを前記配線上に設置する工程を含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項４】
前記検査する工程は、前記太陽電池セルを前記配線基板に圧着させて前記太陽電池セルの電極を前記配線に直接接触させることにより行なわれることを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項５】
前記固定部材は、接着テープ、粘着テープ、接着剤および粘着剤からなる群から選択された少なくとも１種であることを特徴とする、請求項１から４のいずれかに記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項６】
前記固定部材は、透明樹脂および紫外線硬化型樹脂の少なくとも一方からなることを特徴とする、請求項１から５のいずれかに記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項７】
前記固定部材は、前記太陽電池セルの受光面と前記配線基板の前記太陽電池セル設置側の表面とを連結していることを特徴とする、請求項１から６のいずれかに記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項８】
前記配線基板には、前記基材の一方の表面から他方の表面に突き抜ける貫通孔が形成されていることを特徴とする、請求項１から７のいずれかに記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項９】
前記配線基板の前記基材が透明樹脂からなることを特徴とする、請求項１から８のいずれかに記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項１０】
前記封止材は、エチレンビニルアセテート樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、オレフィン系樹脂、ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂およびゴム系樹脂からなる群から選択された少なくとも１種の透明樹脂を含むことを特徴とする、請求項１から９のいずれかに記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項１１】
前記太陽電池セルは、裏面電極型太陽電池セルであることを特徴とする、請求項１から１０のいずれかに記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は、基材と基材上に形成された配線とを有する配線基板と、配線基板の配線上に設置されることによって電気的に接続された複数の太陽電池セルとが封止材によって封止された太陽電池モジュールを製造する方法であって、配線基板の配線上に太陽電池セルを少なくとも１つ設置する第１の工程と、太陽電池セルを固定部材により配線基板に固定する第２の工程と、配線基板と太陽電池セルとを封止材によって封止する第３の工程とを有し、第１の工程の後であって第２の工程の前に太陽電池セルと配線との電気的接続を検査する工程を含む太陽電池モジュールの製造方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
ここで、本発明の太陽電池モジュールの製造方法において、検査する工程は、太陽電池セルが電気的に接続された配線基板の配線にプローブを接触させることにより行なわれることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明の太陽電池モジュールの製造方法においては、検査する工程において、所定の基準を満たしていないことが判明した太陽電池セルを配線基板の配線上から取り除き、太陽電池セルの代わりに他の太陽電池セルを配線上に設置する工程を含むことが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明の太陽電池モジュールの製造方法において、検査する工程は、太陽電池セルを配線基板に圧着させて太陽電池セルの電極を配線に直接接触させることにより行なわれることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
そして、図１のステップ４（Ｓ４）においては、上記の検査終了後の太陽電池セル１００が配線基板２００に固定される（第２の工程）。ここで、太陽電池セル１００の配線基板２００への固定は固定部材を用いて行なうことが好ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
次に、図１のステップ５（Ｓ５）において、配線基板２００の配線パターン上に複数の太陽電池セル１００を設置した後に封止材に封止することが行なわれる（第３の工程）。たとえば図１２の模式的斜視図に示すように、複数の太陽電池セル１００が設置された配線基板２００を保護シート１２８上に配置した状態で封止材１２５中に封止することにより行なうことができる。なお、封止材１２５の表面にはさらに透明基板１２４を設置してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月18日(2010.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の第１面（以下、表面という。）側に二次元アレイ状に複数のフォトダイオードが形成され、該半導体基板の第２面（以下、裏面という。）側から入射した光によって発生した信号電荷を前記フォトダイオードの各々が検出する裏面照射型固体撮像素子において、前記フォトダイオードの各々を隣接する前記フォトダイオードから分離するトレンチ構造の溝を持つ素子分離領域が前記裏面側に形成され、前記溝の中に光を遮断する金属が充填され、前記金属に外部から所定電圧を印加する配線が接続されていることを特徴とする裏面照射型固体撮像素子。
【請求項２】
前記所定電圧が電子シャッタ時に印加されたとき前記フォトダイオードの蓄積電荷が前素子分離領域の前記金属を通して廃棄されることを特徴とする請求項１に記載の裏面照射型固体撮像素子。
【請求項３】
前記所定電圧は、前記溝の内周面電位を安定化させ暗電流発生を抑制する電圧であることを特徴とする請求項１に記載の裏面照射型固体撮像素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
（１）半導体基板の第１面（以下、表面という。）側に二次元アレイ状に複数のフォトダイオードが形成され、該半導体基板の第２面（以下、裏面という。）側から入射した光によって発生した信号電荷を前記フォトダイオードの各々が検出する裏面照射型固体撮像素子において、前記フォトダイオードの各々を隣接する前記フォトダイオードから分離するトレンチ構造の溝を持つ素子分離領域が前記裏面側に形成され、前記溝の中に光を遮断する金属が充填され、前記金属に外部から所定電圧を印加する配線が接続されていることを特徴とする裏面照射型固体撮像素子。
（２）前記所定電圧が電子シャッタ時に印加されたとき前記フォトダイオードの蓄積電荷が前素子分離領域の前記金属を通して廃棄されることを特徴とする（１）に記載の裏面照射型固体撮像素子。
（３）前記所定電圧は、前記溝の内周面電位を安定化させ暗電流発生を抑制する電圧であることを特徴とする（１）に記載の裏面照射型固体撮像素子。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】