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【手続補正書】
【提出日】平成22年7月1日(2010.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体の流れを制御するための方法であって：
（ａ）複数のチャンバを備えるハウジング、および（ｉｉ）複数の外部ポート、流体移動チャンバおよび流体試料処理領域を備える弁を提供する工程であって、該流体移動チャンバが、少なくとも２つの外部ポートと流体工学的に結合される流体試料処理領域と流体工学的に連続的に結合される、工程；
（ｂ）該ハウジングに対して該弁を調整する工程であって、外部ポートを該ハウジング中の複数のチャンバの第１のチャンバと選択的に流体連通するように配置する、工程；
（ｃ）該流体移動チャンバを減圧する工程であって、該第１のチャンバから流体を該流体移動チャンバ中に吸引する工程；
（ｄ）該弁を該ハウジングに対して調整する工程であって、外部ポートと該流体移動チャンバを、該ハウジング中の複数のチャンバの第２のチャンバと選択的に流体連通するように配置する、工程；および
（ｅ）該流体移動チャンバを加圧する工程であって、該第２のチャンバ中に該流体移動チャンバから流体を排出する工程、を包含する方法。
【請求項２】
前記第１のチャンバが、試料チャンバ、洗浄チャンバ、溶解チャンバ、主要混合チャンバ、および反応容器からなる群から選択され、そして前記第２のチャンバが廃棄チャンバである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記弁が、前記流体移動チャンバに配置された流体移動部材をさらに備え、該流体移動チャンバの容量を調整し、前記流体移動チャンバを減圧する工程が、該流体移動部材を移動し、該流体移動チャンバの容量を増加することを含み、そして前記流体移動チャンバを加圧する工程が、該流体移動部材を移動し、該流体移動チャンバの容量を減少することを含む、請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記流体を流体移動チャンバ中に吸引する工程が、前記流体処理領域をバイパスする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記流体試料処理領域が、前記流体移動チャンバと前記外部ポートの少なくとも１つとの間に配置され、前記流体移動チャンバから流体を排出する工程が、流体を前記第２のチャンバ中に流れる前に該流体試料処理領域を通って駆動する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記流体試料処理領域が、流体試料の成分を捕獲するための捕獲部材をさらに備える、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記工程（ｄ）の後に、前記弁が前記ハウジングに対して調整され、前記流体移動チャンバおよび前記流体試料処理領域をハウジングにある前記複数のチャンバから流体工学的に隔離するさらなる工程を包含する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記弁を調整し、前記流体移動チャンバおよび前記流体試料処理領域を複数のチャンバから流体工学的に隔離する工程の後に、該流体移動チャンバを加圧する工程をさらに包含する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記流体試料処理領域の外側カバーに作動可能に連結された音響部材をさらに備えるシステムを用い、音響エネルギーを該流体試料処理領域に伝送し試料成分の溶解を容易にする、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記システムが交差チャンネルさらに備え、そして前記ハウジング中の複数のチャンバが主要混合チャンバおよび反応容器を備え、前記方法が、（ｉ）前記弁を、該交差チャンネルを該主要混合チャンバおよび該反応容器との流体連通に配置するよう調整する工程、および（ｉｉ）前記流体移動チャンバを減圧し、該交差チャンネルを通って該反応容器中に該主要混合チャンバから流体を吸引する工程をさらに包含する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記弁がロータリ弁であり、そして前記方法が、該弁を軸の周りで、かつ前記複数のチャンバに対して回転する工程を包含し、前記外部ポートが該複数のチャンバと選択的に流体連通するように配置されることを可能にする、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月31日(2010.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁放射または素粒子放射の作用により三次元物体の個々の断面に対応する位置で構築材料の層を凝固させる三次元物体の製造装置であって、
前記構築材料を周囲から隔離する処理室（１６）と、
前記構築材料の層の部分領域である測定領域（１４）内の構築材料の温度分布を前記測定領域（１４）からの熱放射を前記処理室（１６）の壁（２２）に接続する筐体（２１）内の開口（２４）を介して検出することにより電磁放射または素粒子放射の作用中に非接触状態で測定する温度測定機構（１３）と、
前記電磁放射または素粒子放射が作用する露光領域の位置の変化と独立して温度測定機構（１３）の測定領域（１４）の位置を変化させる位置調整機構（１５）と、
を備えていることを特徴とする三次元物体の製造装置。
【請求項２】
前記位置調整機構（１５）が、前記構築材料の層に関して温度測定機構（１３）の角度位置（α）を変化させる旋回機構（２３、２５、２６）を備えていることを特徴とする請求項１に記載された三次元物体の製造装置。
【請求項３】
前記位置調整機構（１５）が、前記構築材料の層の全域にわたって温度測定機構（１３）を移動させることが可能な機構を備えていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載された三次元物体の製造装置。
【請求項４】
前記位置調整機構（１５）が、前記測定領域（１４）から温度測定機構（１３）中へ放出される熱放射を映像化する可変光学システムを備え、前記測定領域（１４）の位置が、前記温度測定機構（１３）中に映像として表示されるとともに可変光学システムを介して変更できるようになっていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載された三次元物体の製造装置。
【請求項５】
前記温度測定機構（１３）が、ポイントパイロメータであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載された三次元物体の製造装置。
【請求項６】
前記温度測定機構（１３）の測定領域（１４）が前記電磁放射または素粒子放射が作用中の層のビームスポット領域（３０）と重ならないように、前記位置調整機構（１５）を制御する制御機構（１７）を備えていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載された三次元物体の製造装置。
【請求項７】
前記温度測定機構（１３）により測定された温度とは独立して、導入された放射エネルギーを調整する制御機構（１７）を備えていることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載された三次元物体の製造装置。
【請求項８】
前記構築材料のための加熱機構（１２）と、前記温度測定機構（１３）により測定された温度に基づいて構築材料のための加熱機構（１２）の出力を制御する制御機構（１７）とを備えていることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載された三次元物体の製造装置。
【請求項９】
レーザー焼結装置であることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれかに記載された三次元物体の製造装置。
【請求項１０】
（ａ）周囲の環境から隔離された処理室（１６）内において電磁放射または素粒子放射により凝固すべき構築材料の層を基材または既に凝固した層上に塗布する工程と、
（ｂ）物体の断面に対応する層内のビームスポット領域（３０）に対して電磁放射または素粒子放射で露光することにより、構築材料の層を凝固させる工程と、
（ｃ）三次元物体（３）が完成するまで前記工程（ａ）及び工程（ｂ）を繰り返す工程とからなる三次元物体の製造方法であって、
前記構築材料の温度が、前記構築材料の層の部分領域である測定領域（１４）において、温度測定機構（１３）により非接触に測定され、
前記温度測定機構（１３）が、前記処理室（１６）の壁（２２）に接続する筐体（２１）を備えて前記測定領域（１４）からの熱放射を該筐体（２１）内の開口（２４）を介して検出しており、前記工程（ｂ）において電磁放射または素粒子放射が作用する露光領域の位置の変化とは独立して、前記温度測定機構（１３）の測定領域（１４）の位置を位置調整機構（１５）により調整あるいは変化させ、前記測定領域（１４）内の構築材料の温度が電磁放射または素粒子放射の作用中に測定されることを特徴とする三次元物体の製造方法。
【請求項１１】
前記測定領域（１４）と凝固中またはこの層より前に凝固した層内のビームスポット領域（３０）とが重ならないように、前記位置調整機構（１５）により測定領域（１４）の位置を調整あるいは変化させることを特徴とする請求項１０に記載された三次元物体の製造方法。
【請求項１２】
前記測定領域（１４）とまだ凝固中の層内のビームスポット領域（３０）とが重ならないように、前記測定領域（１４）の位置を調整あるいは変化させることを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載された三次元物体の製造方法。
【請求項１３】
前記構築材料を加熱するために用いる加熱出力を前記温度測定機構（１３）により測定された温度に応じて調節することを特徴とする請求項１０乃至請求項１２のいずれかに記載された三次元物体の製造方法。
【請求項１４】
前記層内の構築材料の温度を互いに異なる複数の測定領域（１４）で測定することを特徴とする請求項１０乃至請求項１３のいずれかに記載された三次元物体の製造方法。
【請求項１５】
前記複数の測定領域（１４）に割り当てられた複数の加熱領域において構築材料を加熱し、割り当てられた測定領域（１４）の温度に応じて種々の加熱領域に対する加熱出力を調節または制御することを特徴とする請求項１４に記載された三次元物体の製造方法。
【請求項１６】
前記層を凝固させるための層の局部に照射により導入されるエネルギーを、前記温度測定機構（１３）により測定された温度に応じて調節することを特徴とする請求項１０乃至請求項１５のいずれかに記載された三次元物体の製造方法。  
【請求項１７】
前記温度測定機構（１３）の測定領域（１４）の位置を、前記構築材料の層に対して温度測定機構の角度位置（α）を変更することにより変化させることを特徴とする請求項１０乃至請求項１６のいずれかに記載された三次元物体の製造方法。
【請求項１８】
前記温度測定機構（１３）の測定領域（１４）の位置を、前記構築材料の上方の平面内で温度測定機構（１３）を移動することにより変化させることを特徴とする請求項１０乃至請求項１７のいずれかに記載された三次元物体の製造方法。
【請求項１９】
前記温度測定機構（１３）の測定領域（１４）の位置を、前記温度測定機構（１３）の可変光学システムを調整することにより変化させることを特徴とする請求項１０乃至請求項１８のいずれかに記載された三次元物体の製造方法。
【請求項２０】
前記測定領域（１４）を最上部の層内および直下の予め凝固した露光領域から所定の距離だけ離すように、前記測定領域（１４）の位置の調整を行うことを特徴とする請求項１０乃至請求項１９のいずれかに記載された三次元物体の製造方法。
【請求項２１】
粉末からなる構築材料を使用するとともに放射源（６）としてレーザービーム（１８）を使用することを特徴とする請求項１０乃至請求項２０のいずれかに記載された三次元物体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月5日(2010.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を出射するＬＥＤユニットと、ＬＥＤユニットから出射され、側端面から入射した光によって点灯する導光板とを備えたＬＥＤ表示パネルを陳列棚の前縁に立設する態様で配設し、配送対象となる商品が保管されている保管位置を表示することを特徴とするピッキング用棚装置。
【請求項２】
前記ＬＥＤユニットは、二色以上の光を出射するＬＥＤを備えたユニットであって、導光板が点灯する色を選択可能にしたことを特徴とする請求項１に記載のピッキング用棚装置。
【請求項３】
前記導光板の上端面に前下がりとなる傾斜面を設けたことを特徴とする請求項１または２に記載のピッキング用棚装置。
【請求項４】
前記ＬＥＤ表示パネルは、前記導光板の後面側に光を反射する反射板を備えたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載のピッキング用棚装置。
【請求項５】
前記ＬＥＤ表示パネルは、前記導光板の後面側に白色に塗装した塗装板を備えたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載のピッキング用棚装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明の請求項２にかかるピッキング用棚装置は、上記請求項１において、前記ＬＥＤユニットは、二色以上の光を出射するＬＥＤを備えたユニットであって、導光板が点灯する色を選択可能にしたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月8日(2010.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、
前記第１電極上に少なくとも一部が接触し、隣接する結晶性半導体粒子同士が融着している一導電型の結晶性半導体粒子と、
前記結晶性半導体粒子上で、前記結晶性半導体粒子と接合を形成する前記一導電型とは逆の導電型の半導体層と、
前記半導体層上の第２電極とを有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
第１電極と、
前記第１電極上に少なくとも一部が接触し、隣接する結晶性半導体粒子同士が融着している一導電型の結晶性半導体粒子層と、
前記結晶性半導体粒子層上で、前記結晶性半導体粒子層と接合を形成する前記一導電型とは逆の導電型の半導体層と、
前記半導体層上の第２電極とを有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
第１電極と、
前記第１電極上に少なくとも一部が接触し、一導電型の結晶性半導体粒子が複数個積み重なり、隣接する結晶性半導体粒子同士が融着している一導電型の結晶性半導体粒子層と、
前記結晶性半導体粒子層上で、前記結晶性半導体粒子層と接合を形成する前記一導電型とは逆の導電型の半導体層と、
前記半導体層上の第２電極とを有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
第１電極と、
前記第１電極上の一導電型の第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に形成された、隣接する結晶性半導体粒子同士が融着している結晶性半導体粒子と、
前記結晶性半導体粒子上の前記一導電型とは逆の導電型の第２の半導体層と、
前記第２の半導体層上の第２電極とを有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
請求項２または請求項３において、前記結晶性半導体粒子層は、受光面が凹凸していることを特徴とする光電変換装置。
【請求項６】
請求項１または請求項４において、融着している前記結晶性半導体粒子は、受光面が凹凸していることを特徴とする光電変換装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、前記結晶性半導体粒子の粒径は数マイクロメートルから数十マイクロメートルであることを特徴とする光電変換装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、前記結晶性半導体粒子の粒径は数ナノメートルから数百ナノメートルであることを特徴とする光電変換装置。
【請求項９】
第１電極上に一導電型の結晶性半導体粒子を分散させる工程と、
前記第１電極を加熱して前記結晶性半導体粒子を前記第１電極上に固定する工程と、
隣接する前記結晶性半導体粒子同士を融着させる工程と、
融着した前記結晶性半導体粒子上に前記一導電型とは逆の導電型の半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上に第２電極を形成する工程とを有することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項１０】
第１電極上に一導電型の結晶性半導体粒子を分散させる工程と、
前記第１電極を加熱して前記結晶性半導体粒子を前記第１電極上に固定する工程と、
隣接する前記結晶性半導体粒子同士を融着させ結晶性半導体粒子層を形成する工程と、
前記結晶性半導体粒子層上に結晶性半導体粒子を分散させ、融着する処理を一又は複数回行い、前記結晶性半導体粒子層を厚くする工程と、
前記結晶性半導体粒子層上に前記一導電型とは逆の導電型の半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上に第２電極を形成する工程とを有することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項１１】
第１電極上に一導電型の第１の半導体層を形成する工程と、
前記第１の半導体層上に真性の結晶性半導体粒子を形成する工程と、
前記第１電極を加熱して前記結晶性半導体粒子を前記第１電極上に固定する工程と、
前記結晶性半導体粒子同士を融着させる工程と、
融着した前記結晶性半導体粒子上に前記一導電型とは逆の導電型の第２の半導体層を形成する工程と
前記第２の半導体層上に第２電極を形成する工程とを有することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本実施の形態に係る光電変換装置は、結晶性半導体粒子１０４において生成されるキャリアの横方向の移動が阻害されず、この層を単一の単結晶シリコン層で形成した場合とほとんど変わるところがないという有意な効果を得ることができる。さらに、光電変換装置として太陽光を吸収するには厚さは１０マイクロメートルもあれば十分と言われているところ、本実施形態の光電変換装置によれば、数マイクロメートルから数十マイクロメートルの粒径の結晶性半導体粒子を分散させ融着させれば良いので、シリコン資源を無駄に消費することがない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
図６は、このようにして基板１０１に堆積した結晶性半導体粒子１０７を、融着させて結晶性半導体粒子層１０８を形成する工程を行う。また、熱処理により第１電極１０２を加熱して、結晶性半導体粒子１０７を固定する処理も行う。結晶性半導体粒子１０７同士を融着させることにより、基板面内において、光を吸収する面積が増加する。融着した結晶性半導体粒子層１０８は、隣接する結晶性半導体粒子への光生成キャリアの拡散が許容されるのでキャリア収集効率が向上する。すなわち、この工程により、光電変換に寄与する面積が実質的に増加するので、変換効率を向上させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2007221112.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月16日(2010.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のグリフ・イメージを受け取るステップであって、前記グリフ・イメージがフォントにおける文字の特徴的形状を特定し、複数のグリフ・イメージのそれぞれが、同一のグリフ・イメージの別個のインスタンスである、前記受け取るステップと、
前記複数のグリフ・イメージの平均の黒さを算出するステップであって、その際、所与のグリフ・イメージの黒さが、前記所与のグリフ・イメージの中の黒のピクセルの数である、前記算出するステップと
前記複数のグリフ・イメージから複合グレースケール・グリフ・イメージを作成するステップと、
前記複合グレースケール・グリフ・イメージから、前記複数のグリフ・イメージの前記平均の黒さと同一の黒さを有するモノクロ・グリフ・イメージを作成するステップと、
から成ることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記複合グレースケール・グリフ・イメージを作成するステップは、
グリフ・イメージ・スタックを作成するために、その際に、グリフ・イメージ・スタックに既に存在するグリフ・イメージに各グリフ・イメージを整列させるためにサブピクセル整列を使用するようにした、前記複数のグリフ・イメージの中の各グリフ・イメージをスタックするステップと、
前記グリフ・イメージ・スタックを解析グリッドに重ね合わせるステップと、
を含み、
前記解析グリッドにおける各ピクセルに対して、
高解像度グリッドにおけるピクセルの真上にある、前記グリフ・イメージ・スタックにおける関連する位置に関する平均の、位置の黒さを算出するステップと、
前記平均の、位置の黒さを、前記高解像度グリッドにおける前記ピクセルに割り当てて、それにより前記複合グレースケール・グリフ・イメージを作成するステップとを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記モノクロ・グリフ・イメージを作成するステップは、
前記複合グレースケール・グリフ・イメージの合計の黒さに関する黒さ閾値を判定するステップを含み、
前記解析グリッド上の各ピクセルに関して、
前記平均の、位置の黒さが、前記黒さ閾値以上である場合、前記ピクセルの値を黒に設定するステップと、
前記平均の、位置の黒さが、前記黒さ閾値未満である場合、前記ピクセルの値を白に設定するステップを含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記黒さ閾値を判定することに先立ち、
前記複合グレースケール・グリフ・イメージの解像度を高めるステップと、
前記高められた解像度の複合グレースケール・グリフ・イメージに対してぼかしオペレーションを実行するステップをさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
各グリフ・イメージを整列させるステップは、
重心が、前記グリフ・イメージの質量の中心であり、重心整列を実行するステップと、
または
オフセットが前記重心に加えられて、前記グリフ・イメージの整列が判定される、オフセット重心整列を実行するステップと、
を含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記解析グリッドは、前記グリフ・イメージ・スタックにおける各グリフ・イメージより高いピクセル解像度を有することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記モノクロ・グリフ・イメージの解像度を、前記複数のグリフ・イメージの解像度と一致するように低減させるステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載の方法を前記コンピュータに実行させる命令を格納したことを特徴とするコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項９】
フォントにおける文字の特徴的形状を特定し、それぞれが、同一のグリフ・イメージの別個のインスタンスである、複数のグリフ・イメージを受け取るように構成された受け取り機構と、
所与のグリフ・イメージの黒さが、前記所与のグリフ・イメージの中における黒のピクセルの数である、前記複数のグリフ・イメージの平均の黒さを算出するように構成された算出機構と、
前記複数のグリフ・イメージから複合グレースケール・グリフ・イメージを作成するように構成された複合フォント作成機構と、
前記複合グレースケール・グリフ・イメージから、前記複数のグリフ・イメージの前記平均の黒さと同一の黒さを有するモノクロ・グリフ・イメージを作成するように構成されたモノクロ・フォント作成機構と、
から成ることを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月12日(2009.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
第３の不純物拡散領域としての不純物拡散領域１５は、素子分離領域Ｓを挟んで、ゲート長方向のセル端ＣＥに隣り合っている。そして、第２の分離部分領域としての分離部分領域Ｓｃｐ３１は、不純物拡散領域１５とセル端ＣＥとの間に挟まれた素子分離領域である。また、分離部分領域Ｓｃｐ３２は、セルＣ２において、セル端ＣＥに隣り合う不純物拡散領域１６とセル端ＣＥとの間に挟まれた素子分離領域である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
図７に示すセルＣの構造上の特徴は、第１の実施形態に係る特徴に加え、Ｐ型トランジスタＴｐ１のゲート幅とＰ型トランジスタＴｐ２のゲート幅とが異なる場合でも、不純物拡散領域４１の拡散幅Ｗｄｐ２を不純物拡散領域４５の拡散幅Ｗｄｐ１よりも大きくすることによって、素子分離領域Ｓｃｐ１の分離幅Ｗｓｐ１を、大きい方のＰ型トランジスタＴｐ２のゲート幅と等しくしていることである。これにより、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。したがって、ＳＴＩストレスの影響を一定にすることができ、Ｐ型トランジスタＴｐ１，Ｔｐ２，Ｔｐ３の特性のばらつきを抑えることができる。また、Ｎ型トランジスタ配置領域においても同様であり、不純物拡散領域４６の拡散幅Ｗｄｎ２を不純物拡散領域４７の拡散幅Ｗｄｎ１よりも大きくすることによって、素子分離領域Ｓｃｎ１の分離幅Ｗｓｎ１を、大きい方のＮ型トランジスタＴｎ２のゲート幅と等しくしている。したがって、Ｎ型トランジスタＴｎ１，Ｔｎ２，Ｔｎ３の特性のばらつきを抑えることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月25日(2010.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、この基板の上面に設けた櫛型電極と、この櫛型電極を覆うとともに天面に凹凸形状を有する保護膜とを備え、
前記基板は、Ｘ軸周りにＺ軸方向への回転角度をＤ°とした場合、
０°≦Ｄ°≦２５°
のＹ板から切り出されたニオブ酸リチウム基板であり、
かつ前記櫛型電極の１ピッチあたりのピッチ幅をｐ、前記櫛型電極を構成する電極指１本あたりの幅をｐ１、前記電極指間の幅をｐ２、基板表面から前記櫛型電極上部までの高さで定義される櫛型電極の厚さをｈとしたとき、
ｈ／（２×ｐ）≧４．５％（ただし、ｐ１＋ｐ２＝ｐの関係を満たす）
である電子部品。
【請求項２】
共振周波数よりも低周波側のスプリアスを抑制するように、前記保護膜の凹凸形状を形成した請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記櫛型電極がアルミニウムもしくはアルミニウムを主成分とする合金からなる請求項１に記載の電子部品。
【請求項４】
前記保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりのピッチ幅をＬ、前記保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりの凸部の幅をＬ１、凹部の幅をＬ２、前記櫛型電極の１ピッチあたりのピッチ幅をｐ、前記櫛型電極を構成する電極指１本あたりの幅をｐ１、前記電極指間の幅をｐ２としたとき、
Ｌ１≦ｐ１かつＬ２≧ｐ２
（ただし、ｐ１＋ｐ２＝ｐ、Ｌ１＋Ｌ２＝Ｌの関係を満たす）である請求項１に記載の電子部品。
【請求項５】
基板は、ニオブ酸リチウム基板とシリコン基板との接合基板である請求項１に記載の電子部品。
【請求項６】
基板表面から前記保護膜の凹部までの高さで定義される保護膜の厚さをｔとしたとき、
ｔ／（２×ｐ）≦３０％
である請求項１に記載の電子部品。
【請求項７】
保護膜は二酸化シリコンである請求項１に記載の電子部品。
【請求項８】
保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりのピッチ幅をＬ、前記保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりの凸部の幅をＬ１、凹部の幅をＬ２、前記櫛型電極の１ピッチあたりのピッチ幅をｐ、前記櫛型電極を構成する電極指１本あたりの幅をｐ１、前記電極指間の幅をｐ２としたとき、
Ｌ１≦ｐ１かつＬ２≧ｐ２
（ただし、ｐ１＋ｐ２＝ｐ、Ｌ１＋Ｌ２＝Ｌの関係を満たす）の関係を満たす形状を得る方法として、バイアススパッタリング法を用いたことを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項９】
少なくとも１つのアンテナと、このアンテナに電気的に接続する電気回路とを有する電子機器であって、前記電気回路は複数の電子部品を備え、この複数の電子部品の少なくとも一つは、請求項１に記載の電子部品である電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子部品とその製造方法及びこの電子部品を用いた電子機器
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は上記目的を達成するために、基板と、この基板の上面に設けた櫛型電極と、この櫛型電極を覆うとともに天面に凹凸形状を有する保護膜とを備え、前記基板は、Ｘ軸周りにＺ軸方向への回転角度をＤ°とした場合、
０°≦Ｄ°≦２５°
のＹ板から切り出されたニオブ酸リチウム基板であり、かつ前記櫛型電極の１ピッチあたりのピッチ幅をｐ、前記櫛型電極を構成する電極指１本あたりの幅をｐ１、前記電極指間の幅をｐ２、基板表面から前記櫛型電極上部までの高さで定義される櫛型電極の厚さをｈとしたとき、
ｈ／（２×ｐ）≧４．５％（ただし、ｐ１＋ｐ２＝ｐの関係を満たす）
であり、かつ前記保護膜の凹凸形状が電極膜厚に応じて、任意の形になるように制御したことで、適切な反射特性が実現され、その結果、保護膜が電極を覆うように形成されかつその表面に凸凹状態が存在する場合においても、特性の良い電子部品を得ることができるという作用を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月30日(2010.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
そこで、従来、車両が所定の高度（例えば３０００ｍ）以上に到達したときに、ＨＤＤに記憶されている地図データの一部を外部メモリに記憶した後、ＨＤＤを停止し、３０００ｍ以上の高高地を走行中には外部メモリに記憶されている地図データに基づいて経路案内を行う技術が案出されている（例えば、特許文献１参照）。このような技術により、高高地においてＨＤＤを停止させることでディスクの破損を防止しながらも、経路案内を継続可能にすることを実現している。
また、ＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｋ）に記録された楽曲をリッピングなどにより取得したオーディオデータを、ＨＤＤに記憶させておき、再生可能とする車載用ナビゲーション装置が知られている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００４−３１７３８５号公報
【特許文献２】特開２００５−１９６９１８号公報
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月8日(2010.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の情報層を有する光情報記録媒体に光ビームを照射して情報を再生する光情報再生方法であって、
前記複数の情報層における１つの情報層に焦点を合わせて、再生した再生信号を取り込むステップと、
前記再生信号を記憶するステップと、
前記再生信号がほぼ一定になるような補正係数を求めるステップと、
前記補正係数を記憶するステップと、
前記再生信号または前記再生信号と同じ情報層内にある他の再生信号の少なくとも一方の再生信号に、補正係数を用いて演算することにより再生信号の変動を補正するステップと、
を備えることを特徴とする光情報再生方法。
【請求項２】
前記再生信号を取り込むステップ及び前記補正係数を求めるステップは、前記光情報記録媒体の半径方向に所定の間隔で行い、
前記再生信号または前記補正係数を算出したトラックの内周あるいは外周の隣接した領域もしくは前記補正係数を算出したトラックを含んだ領域の少なくとも一方の再生信号に、前記補正係数を用いて演算することにより再生信号の変動を補正するステップ
をさらに備えることを特徴とする請求項１記載の光情報再生方法。
【請求項３】
複数のトラックの再生信号から得られた複数の補正係数を平均化するステップと、
前記補正係数を求めるために用いた再生信号または前記再生信号と同じ情報層内にある他の再生信号の少なくとも一方の再生信号に、前記平均化された補正係数を用いて演算することにより再生信号の変動を補正するステップと、
をさらに備えることを特徴とする請求項１記載の光情報再生方法。
【請求項４】
複数のトラックにおける再生信号を平均化するステップと、
前記平均化した結果得られた仮想的な再生信号から再生信号をほぼ一定になるような補正係数を求めるステップと、
前記補正係数を求めるために用いた再生信号または前記再生信号と同じ情報層内にある他の再生信号に、前記補正係数を用いて演算することにより前記再生信号の変動を補正するステップと、
をさらに備えることを特徴とする請求項１記載の光情報再生方法。
【請求項５】
前記記憶された補正係数は、補正係数を算出した半径位置の情報とともに記憶され、再生が複数回行われる場合は、予め算出し記憶された補正係数を用いて、再生信号変動を補正することを特徴とする請求項１記載の光情報再生方法。
【請求項６】
前記再生信号を取り込むステップは、第１の半径における円周方向に対して行い、
前記補正係数を求めるステップは、前記第１の半径における円周方向の位置情報を用いて、前記第1の半径とは異なる第２の半径の円周方向に対して行う、
ことを特徴とする請求項1記載の光情報再生方法。
【請求項７】
前記再生信号の変動を補正するステップでは、補正する再生信号の変調度を算出し、予め用意された補正係数換算表を用いて、前記補正する再生信号の上下エンベロープの変動を各々補正することを特徴とした請求項１記載の光情報再生方法。
【請求項８】
複数の情報層を有する光情報記録媒体に光ビームを照射して情報を再生する光情報再生装置であって、
前記複数の情報層における１つの情報層に焦点を合わせて、再生した再生信号を取り込む手段と、
前記再生信号を記憶する手段と、
前記再生信号がほぼ一定になるような補正係数を求める手段と、
前記補正係数を記憶する手段と、
前記再生信号または前記再生信号と同じ情報層内にある他の再生信号の少なくとも一方の再生信号に、補正係数を用いて演算することにより再生信号の変動を補正する手段と、
を備えることを特徴とする光情報再生装置。
【請求項９】
前記再生信号を取り込む手段及び前記補正係数を求める手段は、前記光情報記録媒体の半径方向に所定の間隔で実行され、
前記再生信号または前記補正係数を算出したトラックの内周あるいは外周の隣接した領域もしくは前記補正係数を算出したトラックを含んだ領域の少なくとも一方の再生信号に、前記補正係数を用いて演算することにより再生信号の変動を補正する手段
をさらに備えることを特徴とする請求項８記載の光情報再生装置。
【請求項１０】
複数のトラックの再生信号から得られた複数の補正係数を平均化する手段と、
前記補正係数を求めるために用いた再生信号または前記再生信号と同じ情報層内にある他の再生信号の少なくとも一方の再生信号に、前記平均化された補正係数を用いて演算することにより再生信号の変動を補正する手段と、
をさらに備えることを特徴とする請求項８記載の光情報再生装置。
【請求項１１】
複数のトラックにおける再生信号を平均化する手段と、
前記平均化された仮想的な再生信号から補正係数を求める手段と、
前記補正係数を求めるために用いた再生信号または前記再生信号と同じ情報層内にある他の再生信号に、前記補正係数を用いて演算することにより前記再生信号の変動を補正する手段と、
をさらに備えることを特徴とする請求項８記載の光情報再生装置。
【請求項１２】
前記再生信号の変調度を算出する手段と、
補正係数換算表を記憶する手段と、
前記補正係数換算表を用いて前記再生信号の上下エンベロープの変動を各々補正する手段と、
をさらに備えることを特徴とした請求項８記載の光情報再生装置。
【請求項１３】
複数の情報層を有する光情報記録媒体であって、
前記光情報記録媒体の半径方向に、所定の間隔で、再生信号変動を補正するための記録禁止領域を設けたことを特徴とする光情報記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月8日(2010.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
前記ポリウレタン樹脂は極性基を有することができる。極性基としては、−ＳＯ3Ｍ、−ＯＳＯ3Ｍ、−Ｐ０3Ｍ2、−ＣＯＯＭ（但し、Ｍは水素原子、アルカリ金属、アンモニウムから選ばれる）が好ましく、さらに好ましくは−ＳＯ3Ｍ、−ＯＳ０3Ｍである。極性基の含有量は、１×１０-5〜５×１０-4ｅｑ／ｇであることが好ましい。１×１０-5ｅｑ／ｇ以上であると、磁性体や非磁性粉体への吸着性が高く分散性が良好であり、５×１０-4ｅｑ／ｇ以下であることで高い溶剤溶解性を得ることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
磁性層中の結合剤成分の含有量は、合計量として、強磁性粉末１００質量部あたり１０〜３０質量部であることが好ましく、１５〜２５質量部であることが好ましい。質量平均分子量１０万以上２０万以下のポリウレタン樹脂と他の結合剤成分を併用する場合、結合剤成分全量に占める前記ポリウレタン樹脂の割合（結合剤添加質量を１００％としたときの比率）は、１０質量％以上とすることが好ましく、１５〜７０質量％とすることが更に好ましい。また、非磁性層の結合剤成分としては、質量平均分子量１０万以上２０万以下のポリウレタン樹脂を使用することもでき、他の結合剤を使用することもでき、それらを組み合わせて使用することもできる。非磁性層中の結合剤成分の使用量については、非磁性粉末１００質量部に対し１０〜３０質量部とすることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
磁性層塗布液Ｃ（六方晶フェライト粉末）
強磁性板状六方晶フェライト粉末 １００部
表面処理剤：Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2
Ｈｃ：１９９ｋＡ／ｍ（≒２５００Ｏｅ）、板径：２５ｎｍ
板状比：３、σｓ：５０Ａ・ｍ2／ｋｇ（５０ｅｍｕ／ｇ）
ポリウレタン樹脂（表１参照） １５部
フェニルホスホン酸 ５部
α−Ａｌ2Ｏ3（平均粒子径：０．１５μｍ） １０部
カーボンブラック（粒子サイズ ２０ｎｍ） １部
シクロヘキサノン １１０部
メチルエチルケトン １００部
トルエン １００部
潤滑剤（表１参照） 表１参照
ステアリン酸 １部
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２０】
［比較例１２］
磁性層塗布液中のポリウレタン樹脂を表１に示すものに変更し、カレンダー温度を表１に示す温度に変更した以外は実施例１と同様の方法で磁気テープを得た。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月8日(2010.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
強磁性金属粉末のＢＥＴ法による比表面積（ＳBET）は、３０ｍ2／ｇ以上５０ｍ2／ｇ未満が好ましく、３８ｍ2／ｇ以上４８ｍ2／ｇ以下であることがさらに好ましい。この範囲であれば良好な表面性と低いノイズの両立が可能となる。強磁性金属粉末は必要に応じ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐまたはこれらの酸化物等で表面処理を施してもかまわない。その量は強磁性金属粉末に対し０．１％〜１０％であり表面処理を施すと脂肪酸等の潤滑剤の吸着が１００ｍｇ／ｍ2以下になり好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月9日(2010.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
[実施例１]
磁気テープリールの作製
図１に示すテープリールを作製した。表面コーティングの硬度は、モース硬度として１０であった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
[実施例２]
磁気テープリールの作製
図４に示す上下フランジに部材（補強部材）を有するテープリールを作製した。補強部材のフランジ内面側に設けた表面コーティングの硬度は、モース硬度として１０であった。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月29日(2010.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外付けデバイスとしてホストコンピュータに着脱可能な記憶デバイスであって、
複数のユーザのそれぞれに割り当てられた割り当て済記憶領域を備え、
前記記憶デバイスは、ユーザの認証が成功した旨の認証成功情報を前記ホストコンピュータ又は他の外部装置から受信すると、該ユーザに割り当てられている割り当て済記憶領域をマウントし、他のユーザに割り当てられている割り当て済記憶領域をマウントしない状態を模擬的に形成して、前記ホストコンピュータからのアクセスを制限する、記憶デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の記憶デバイスであって、さらに、
各ユーザ毎に、ユーザ識別情報と該ユーザの割り当て済記憶領域の構成に関する割り当て済記憶領域構成情報とを対応付けて記憶する構成情報記憶部と、
論理デバイス部と、
を備え、
前記認証成功情報は、認証したユーザのユーザ識別情報を含み、
前記論理デバイス部は、
（ｉ）前記記憶デバイスが前記ホストコンピュータに接続されると、前記記憶デバイスがリムーバブル記憶媒体を収容可能な記憶媒体処理装置であることを示すデバイス構成情報を前記ホストコンピュータに送信し、
（ｉｉ）前記ホストコンピュータ又は前記外部装置から前記認証成功情報を受信すると、前記ホストコンピュータに対して前記記憶媒体処理装置に前記リムーバブル記憶媒体がマウントされた旨を通知し、
（ｉｉｉ）さらに、前記ホストコンピュータから前記リムーバブル記憶媒体のデバイス構成情報を要求されると、前記受信した認証成功情報に含まれるユーザ識別情報の示すユーザについての割り当て済記憶領域に関するデバイス構成情報を、前記リムーバブル記憶媒体のデバイス構成情報として前記ホストコンピュータに送信する、記憶デバイス。
【請求項３】
請求項２に記載の記憶デバイスにおいて、
前記リムーバブル記憶媒体はメモリカードであると前記ホストコンピュータが認識し、
前記記憶媒体処理装置はメモリカードリーダ又はメモリカードリーダ／ライタであると前記ホストコンピュータが認識する、記憶デバイス。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の記憶デバイスにおいて、
前記記憶デバイスと前記ホストコンピュータとは、ＵＳＢインタフェース又はｅＳＡＴＡインタフェースで接続される、記憶デバイス。
【請求項５】
外付けデバイスとしてホストコンピュータに着脱可能な記憶デバイスに対して、前記ホストコンピュータからのアクセスを制御するためのアクセス制御方法であって、
（ａ）前記記憶デバイスにおいて、複数のユーザにそれぞれ割り当て済記憶領域を割り当てる工程と、
（ｂ）前記記憶デバイスにおいて、ユーザの認証が成功した旨の認証成功情報を前記ホストコンピュータ又は他の外部装置から受信すると、該ユーザに割り当てられている割り当て済記憶領域をマウントし、他のユーザに割り当てられている割り当て済記憶領域をマウントしない状態を模擬的に形成して、前記ホストコンピュータからのアクセスを許容する工程と、
を備える記憶デバイスアクセス制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
［適用例３］適用例２に記載の記憶デバイスにおいて、前記リムーバブル記憶媒体はメモリカードであると前記ホストコンピュータが認識し、前記記憶媒体処理装置はメモリカードリーダ又はメモリカードリーダ／ライタであると前記ホストコンピュータが認識する、記憶デバイス。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
［適用例４］適用例１ないし適用例３のいずれかに記載の記憶デバイスにおいて、前記記憶デバイスと前記ホストコンピュータとは、ＵＳＢインタフェース又はｅＳＡＴＡインタフェースで接続される、記憶デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月29日(2010.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】車載装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
認証装置へ送信する識別子及び認証子を登録すると共に、前記認証装置への接続に使用する通信装置を登録する入力手段と、
前記入力手段で登録された前記通信装置と通信を行う近距離通信手段と、
前記入力手段で登録された識別子及び認証子を、前記通信装置を介して前記認証装置へ送付後に、前記認証装置が車外装置へ制御命令を送付するための遠隔制御要求を、前記通信装置を介して前記認証装置へ送付する処理手段とを備えた車載装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、通信装置、認証装置を介して、電子機器を遠隔制御する車載装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明に係る車載装置は、認証装置へ送信する識別子及び認証子を登録すると共に、前記認証装置への接続に使用する通信装置を登録する入力手段と、前記入力手段で登録された前記通信装置と通信を行う近距離通信手段と、前記入力手段で登録された識別子及び認証子を、前記通信装置を介して前記認証装置へ送付後に、前記認証装置が車外装置へ制御命令を送付するための遠隔制御要求を、前記通信装置を介して前記認証装置へ送付する処
理手段とを備えた構成である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月23日(2010.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に、コード状ヒータと、温度を検知する温度検知素子とを配設するヒータユニットの製造方法において、上記基材における所定の位置に圧縮痕を付し、該圧縮痕を目印として上記温度検知素子を配設することを特徴とするヒータユニットの製造方法。
【請求項２】
上記圧縮痕は、加熱加圧により付されていることを特徴とする請求項１記載のヒータユニットの製造方法。
【請求項３】
上記コード状ヒータを加熱加圧により基材上に配設すると同時に、上記圧縮痕を加熱加圧により付すことを特徴とする請求項２記載のヒータユニットの製造方法。
【請求項４】
基材と該基材に配設されたコード状ヒータとからなる採暖物と、該採暖物の温度を検知する温度検知素子と、を具備したヒータユニットにおいて、上記基材の所定の位置には、圧縮痕が付され、該圧縮痕上に上記温度検知素子が配設されていることを特徴とするヒータユニット。
【請求項５】
上記基材は、熱融着性繊維を含むことを特徴とする請求項４記載のヒータユニット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するべく、本発明の請求項１によるヒータユニット製造方法は、基材上に、コード状ヒータと、温度を検知する温度検知素子とを配設するヒータユニットの製造方法において、上記基材における所定の位置に圧縮痕を付し、該圧縮痕を目印として上記温度検知素子を配設することを特徴とするものである。
又、請求項２記載のヒータユニットの製造方法は、上記圧縮痕は、加熱加圧により付されていることを特徴とするものである。
又、請求項３記載のヒータユニットの製造方法は、上記コード状ヒータを加熱加圧により基材上に配設すると同時に、上記圧縮痕を加熱加圧により付すことを特徴とするものである。
又、請求項４記載のヒータユニットは、基材と該基材に配設されたコード状ヒータとからなる採暖物と、該採暖物の温度を検知する温度検知素子と、を具備したヒータユニットにおいて、上記基材の所定の位置には、圧縮痕が付され、該圧縮痕上に上記温度検知素子が配設されていることを特徴とするものである。
又、請求項５記載のヒータユニットは、上記基材は、熱融着性繊維を含むことを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月7日(2010.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶媒体のデータ記憶領域を大きさの異なる第１ブロック単位および第２ブロック単位に分割して、前記記憶媒体に記憶する記憶データの種別ないしは容量に応じて、前記第１ブロック単位または前記第２ブロック単位で当該記憶データの記憶を行うデータ記憶装置であって、
前記データ記憶領域を複数のサブ領域に分割し、個々のサブ領域における使用区分を、前記第１ブロック単位で使用するサブ領域と、前記第２ブロック単位で使用するサブ領域と、前記第１ブロック単位及び前記第２ブロック単位のどちらにも未使用のサブ領域とに区分して管理するサブ領域管理手段と、
前記サブ領域管理手段の管理に基づいて、個々のサブ領域ごとに、前記第１ブロック単位または前記第２ブロック単位で前記記憶データを記憶する記憶制御手段と
を有することを特徴とするデータ記憶装置。
【請求項２】
前記サブ領域管理手段は、前記第１ブロック単位で使用するサブ領域または前記第２ブロック単位で使用するサブ領域が不足したときに、前記未使用のサブ領域の一部または全部を、前記第１ブロック単位で使用するサブ領域または前記第２ブロック単位で使用するサブ領域に変更することを特徴とする請求項１に記載のデータ記憶装置。
【請求項３】
前記サブ領域管理手段は、前記記憶媒体の内周側に位置するサブ領域を前記第１ブロック単位で使用するサブ領域とし、前記記憶媒体の外周側に位置するサブ領域を前記第２ブロック単位で使用するサブ領域とするとともに、前記未使用のサブ領域の一部または全部を前記第１ブロック単位で使用するサブ領域または前記第２ブロック単位で使用するサブ領域に変更する場合に、前記記憶媒体のより内周側に位置するサブ領域を前記第１ブロック単位で使用するサブ領域とし、前記記憶媒体のより外周側に位置するサブ領域を前記第２ブロック単位で使用するサブ領域とすることを特徴とする請求項２に記載のデータ記憶装置。
【請求項４】
前記サブ領域管理手段は、前記第１ブロック単位で使用するサブ領域の前記記憶媒体の最外周に位置するサブ領域、または、前記第２ブロック単位で使用するサブ領域の前記記憶媒体の最内周に位置するサブ領域から、すべてのデータが削除ないしは移動された場合に、当該サブ領域を前記未使用のサブ領域に変更することを特徴とする請求項３に記載のデータ記憶装置。
【請求項５】
前記第１ブロック単位で使用するサブ領域のうち、前記記憶媒体のより内周側に位置するサブ領域にデータを記憶していない部分が存在する場合に、前記第１ブロック単位で使用するサブ領域のうちの前記記憶媒体の最外周に位置するサブ領域に記憶してあるデータを当該より内周側に位置するサブ領域に移動させる第１のデータ移動手段と、
前記第２ブロック単位で使用するサブ領域のうち、前記記憶媒体のより外周側に位置するサブ領域にデータを記憶していない部分が存在した場合に、前記第２ブロック単位で使用するサブ領域のうちの前記記憶媒体の最内周に位置するサブ領域に記憶してあるデータを当該より外周側に位置するサブ領域に移動させる第２のデータ移動手段とを更に有することを特徴とする請求項４に記載のデータ記憶装置。
【請求項６】
記憶媒体のデータ記憶領域を大きさの異なる第１ブロック単位および第２ブロック単位に分割して、前記記憶媒体に記憶する記憶データの種別ないしは容量に応じて、前記第１ブロック単位または前記第２ブロック単位で当該記憶データの記憶を行うデータ記憶装置が実行するデータ記憶方法であって、
前記データ記憶領域を複数のサブ領域に分割し、個々のサブ領域における使用区分を、前記第１ブロック単位で使用するサブ領域と、前記第２ブロック単位で使用するサブ領域と、前記第１ブロック単位及び前記第２ブロック単位のどちらにも未使用のサブ領域とに区分して管理するサブ領域管理ステップと、
前記サブ領域管理ステップでの管理に基づいて、個々のサブ領域ごとに、前記第１ブロック単位または前記第２ブロック単位で前記記憶データを記憶する記憶制御ステップと
を有することを特徴とするデータ記憶方法。
【請求項７】
記憶媒体のデータ記憶領域を大きさの異なる第１ブロック単位および第２ブロック単位に分割して、前記記憶媒体に記憶する記憶データの種別ないしは容量に応じて、前記第１ブロック単位または前記第２ブロック単位で当該記憶データの記憶を行うコンピュータを、
前記データ記憶領域を複数のサブ領域に分割し、個々のサブ領域における使用区分を、前記第１ブロック単位で使用するサブ領域と、前記第２ブロック単位で使用するサブ領域と、前記第１ブロック単位及び前記第２ブロック単位のどちらにも未使用のサブ領域とに区分して管理するサブ領域管理手段と、
前記サブ領域管理手段の管理に基づいて、個々のサブ領域ごとに、前記第１ブロック単位または前記第２ブロック単位で前記記憶データを記憶する記憶制御手段と
して機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
上述した課題を解決するために本発明は、記憶媒体のデータ記憶領域を大きさの異なる第１ブロック単位および第２ブロック単位に分割して、前記記憶媒体に記憶する記憶データの種別ないしは容量に応じて、前記第１ブロック単位または前記第２ブロック単位で当該記憶データの記憶を行うデータ記憶装置であって、前記データ記憶領域を複数のサブ領域に分割し、個々のサブ領域における使用区分を、前記第１ブロック単位で使用するサブ領域と、前記第２ブロック単位で使用するサブ領域と、前記第１ブロック単位及び前記第２ブロック単位のどちらにも未使用のサブ領域とに区分して管理するサブ領域管理手段と、前記サブ領域管理手段の管理に基づいて、個々のサブ領域ごとに、前記第１ブロック単位または前記第２ブロック単位で前記記憶データを記憶する記憶制御手段とを有することを特徴とするデータ記憶装置等を提供する。