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【手続補正書】
【提出日】平成22年10月15日(2010.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セリアック病を治療又は予防するために使用される薬剤であって、当該薬剤は、
（ａ）トランスグルタミナーゼにより脱アミド化された配列番号：１９（ＦＰＱＰＱＱＰＦＰ）及び３９（ＱＱＰＦＰＱＰＱＱＰＦＰ）からなる群から選択される配列を含む少なくとも一つのエピトープを含むペプチド；及び
（ｂ）任意に、（ａ）のペプチドに加えて、配列番号：１及び配列番号：２から選択される配列を含む少なくとも一つのエピトープを含むペプチド
を含む、前記薬剤。
【請求項２】
薬剤がＨＬＡ−ＤＱ２に制限的である、請求項１記載の薬剤。
【請求項３】
薬剤がＨＬＡ−ＤＱ８に制限的である、請求項１記載の薬剤。
【請求項４】
一つのペプチドがＨＬＡ−ＤＱ２に制限的であり、そして第２のペプチドがＨＬＡ−ＤＱ８に制限的である、請求項１記載の薬剤。
【請求項５】
ペプチドがコムギのエピトープ、ライムギのエピトープ、又はオオムギのエピトープを含む、請求項１記載の薬剤。
【請求項６】
一つのペプチドがコムギのエピトープを含み、そして一つのペプチドがライムギのエピトープを含む、請求項１記載の薬剤。
【請求項７】
一つのペプチドがコムギのエピトープを含み、そして一つのペプチドがオオムギのエピトープを含む、請求項１記載の薬剤。
【請求項８】
一つのペプチドがライムギのエピトープを含み、そして一つのペプチドがオオムギのエピトープを含む、請求項１記載の薬剤。
【請求項９】
一つのペプチドがコムギのエピトープを含み、一つのペプチドがオオムギのエピトープを含み、そして一つのペプチドがライムギのエピトープを含む、請求項１記載の薬剤。
【請求項１０】
薬剤が、薬学上許容し得るキャリアー又は希釈剤を含む薬剤組成物中に存在する、請求項１記載の薬剤。
【請求項１１】
薬剤を認識するＴ細胞を寛容化することによりセリアック病を治療又は予防する方法における使用のための、任意にキャリアーと組み合わせた、請求項１記載の薬剤。
【請求項１２】
Ｔ細胞の生産又は請求項１記載の薬剤に対する抗体応答を抑制するために個体をグリアジン蛋白質に対して寛容にするための組成物であって、請求項１記載の薬剤を含む組成物。
【請求項１３】
請求項１記載のペプチドをコードするコーディング配列を含むポリヌクレオチド。
【請求項１４】
コーディング配列に作動可能に連結された一つ又はそれより多い制御配列を追加して含み、当該制御配列は細胞中でコーディング配列の発現を保証することができる、請求項１３記載のポリヌクレオチド。
【請求項１５】
請求項１３又は１４記載のポリヌクレオチドを含むか、又はそのようなポリヌクレオチドにより形質転換された、細胞。
【請求項１６】
請求項１（ａ）記載のペプチドを認識するＴ細胞受容体を発現するトランスジェニック非ヒト哺乳動物。
【請求項１７】
個体においてセリアック病を検出するか又はセリアック病に対する感受性を検出する方法であって、
（ａ）（ｉ）トランスグルタミナーゼにより脱アミド化された配列番号：１９（ＦＰＱＰＱＱＰＦＰ）及び３９（ＱＱＰＦＰＱＰＱＱＰＦＰ）からなる群から選択される配列を含む少なくとも一つのエピトープを含むペプチド；及び
（ｉｉ）任意に、（ｉ）のペプチドに加えて、配列番号：１及び配列番号：２から選択される配列を含む少なくとも一つのエピトープを含むペプチド
から選択される少なくとも一つの薬剤を個体から得たサンプルに接触させ；そして
（ｂ）サンプル中のＴ細胞が薬剤を認識するか否かをインビトロにて決定して、Ｔ細胞による認識が、個体がセリアック病を有するか又はセリアック病に感受性であることを示すこと
を含む前記方法。
【請求項１８】
個体においてセリアック病を診断するか又はセリアック病に対する感受性を診断する方法における使用のための診断手段の製造のために使用される請求項１７記載の薬剤であって、上記方法は、個体のＴ細胞が薬剤を認識するか否かを決定することを含み、Ｔ細胞による認識が個体がセリアック病を有するか又はセリアック病に感受性であることを示す、前記薬剤。
【請求項１９】
方法が、薬剤を個体の皮膚に投与し、そして投与の部位において炎症の存在を検出することを含み、炎症の検出が、個体のＴ細胞が薬剤を認識することを示す、請求項１８記載の薬剤。
【請求項２０】
サンプルが血液サンプルである、請求項１７記載の方法。
【請求項２１】
決定の前に抗原特異的方法にてインビトロにおいてＴ細胞が再刺激されない、請求項１７又は２０記載の方法。
【請求項２２】
Ｔ細胞による薬剤の認識がＴ細胞によるサイトカインの分泌を検出することにより決定される、請求項１７、２０、及び２１の何れか１項記載の方法。
【請求項２３】
薬剤がＴ細胞受容体に結合するか否かを測定することにより上記決定を行う、請求項１７、２０、２１、及び２２の何れか１項記載の方法。
【請求項２４】
薬剤がＴ細胞受容体に結合するか否かを測定することにより上記決定を行う、請求項１８又は１９記載の薬剤。
【請求項２５】
個体においてセリアック病又はセリアック病に対する感受性を検出する方法であって、請求項１７記載の配列を含むエピトープに結合する抗体の、個体からのサンプル中における存在を決定することを含み、抗体の存在が、個体がセリアック病を有するか又はセリアック病に感受性であることを示す、前記方法。
【請求項２６】
組成物がセリアック病を引き起こし得るか否かを決定する方法であって、請求項１記載のオリゴペプチド配列へトランスグルタミナーゼにより修飾され得る蛋白質が組成物中に存在するか否かを決定することを含み、当該蛋白質の存在が、当該組成物がセリアック病を引き起こすことを示す、前記方法。
【請求項２７】
上記オリゴペプチド配列に修飾され得る配列に特異的な抗体に組成物を接触させることにより上記決定を行い、組成物中の蛋白質への抗体の結合が、組成物がセリアック病を引き起こすことを示す、請求項２６記載の方法。
【請求項２８】
請求項１７、２０、２１、２２、及び２３の何れか１項記載の方法を実施するためのキットであって、請求項１８記載の薬剤及びＴ細胞によるペプチドの認識を検出する手段を含む、前記キット。
【請求項２９】
セリアック病の治療用の生成物を同定する方法であって、候補物質を、セリアック病を有するか又はセリアック病に感受性の請求項１６記載のトランスジェニック非ヒト哺乳動物に投与し、そして当該物質がトランスジェニック非ヒト哺乳動物においてセリアック病を予防又は治療するか否かを決定することを含み、セリアック病の予防又は治療が、当該物質が治療用生成物であることを示す、前記方法。
【請求項３０】
セリアック病を予防又は治療する方法において使用するための、請求項２９記載の方法により同定された治療用生成物。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月22日(2010.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被験体における腫瘍を処置するための組成物であって、該組成物は、早期活性化分子に結合して早期活性化分子発現細胞を枯渇させる、有効量の早期活性化分子枯渇剤を含み、該早期活性化分子枯渇剤は、枯渇性抗ＣＤ６９抗体分子、枯渇性抗ＡＩＣＬ抗体分子、および枯渇性抗ＬＬＴ１抗体分子からなる群より選択される、組成物。
【請求項２】
被験体におけるリンパ性白血病を発現する早期活性化分子を有する被験体を処置するための組成物であって、該組成物は、早期活性化分子に結合して早期活性化分子発現細胞を枯渇させる、有効量の早期活性化分子枯渇剤を含み、
該早期活性化分子は、ＣＤ６９、ＡＩＣＬおよびＬＬＴ１からなる群より選択され、
該早期活性化分子枯渇剤は、枯渇性抗ＣＤ６９抗体分子、枯渇性抗ＡＩＣＬ抗体分子、および枯渇性抗ＬＬＴ１抗体分子からなる群より選択される、組成物。
【請求項３】
前記リンパ性白血病は、免疫グロブリン突然変異を欠くＢ細胞慢性リンパ急性白血病である、請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
前記早期活性化分子アンタゴニストが、早期活性化分子のシグナル伝達を低減するか、早期活性化ポリペプチドレセプターもしくはリガンドとの早期活性化ポリペプチドの相互作用を低減するか、細胞表面における早期活性化ポリペプチドの発現を低減するか、またはＴＧＦ−βの発現を低減する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項５】
前記早期活性化分子枯渇剤が、枯渇性抗ＣＤ６９抗体分子である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項６】
前記枯渇性抗ＣＤ６９抗体分子が、ヒト化抗ＣＤ６９抗体分子、ヒト抗ＣＤ６９抗体分子、キメラ抗ＣＤ６９抗体分子および脱免疫化抗ＣＤ６９抗体分子からなる群より選択される、請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
前記早期活性化分子枯渇剤が、枯渇性抗ＡＩＣＬ抗体分子である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項８】
前記枯渇性抗ＡＩＣＬ抗体分子が、ヒト化抗ＡＩＣＬ抗体分子、ヒト抗ＡＩＣＬ抗体分子、キメラ抗ＡＩＣＬ抗体分子および脱免疫化抗ＡＩＣＬ抗体分子からなる群より選択される、請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
前記早期活性化分子枯渇剤が、枯渇性抗ＬＬＴ１抗体分子である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１０】
前記枯渇性抗ＬＬＴ１抗体分子が、ヒト化抗ＬＬＴ１抗体分子、ヒト抗ＬＬＴ１抗体分子、キメラ抗ＬＬＴ１抗体分子および脱免疫化抗ＬＬＴ１抗体分子からなる群より選択される、請求項９に記載の組成物。
【請求項１１】
前記腫瘍は癌線維症である、請求項１に記載の組成物。
【請求項１２】
被験体における癌を発現する早期活性化分子を有する被験体を処置するための組成物であって、該組成物は、早期活性化分子に結合して早期活性化分子発現細胞を枯渇させる、有効量の早期活性化分子枯渇剤を含み、
該早期活性化分子は、ＣＤ６９、ＡＩＣＬおよびＬＬＴ１からなる群より選択され、
該早期活性化分子枯渇剤は、枯渇性抗ＣＤ６９抗体分子、枯渇性抗ＡＩＣＬ抗体分子、および枯渇性抗ＬＬＴ１抗体分子からなる群より選択される、組成物。
【請求項１３】
前記早期活性化分子枯渇剤が、枯渇性抗ＣＤ６９抗体分子である、請求項１２に記載の組成物。
【請求項１４】
前記枯渇性抗ＣＤ６９抗体分子が、ヒト化抗ＣＤ６９抗体分子、ヒト抗ＣＤ６９抗体分子、キメラ抗ＣＤ６９抗体分子および脱免疫化抗ＣＤ６９抗体分子からなる群より選択される、請求項１３に記載の組成物。
【請求項１５】
前記早期活性化分子枯渇剤が、枯渇性抗ＡＩＣＬ抗体分子である、請求項１２に記載の組成物。
【請求項１６】
前記枯渇性抗ＡＩＣＬ抗体分子が、ヒト化抗ＡＩＣＬ抗体分子、ヒト抗ＡＩＣＬ抗体分子、キメラ抗ＡＩＣＬ抗体分子および脱免疫化抗ＡＩＣＬ抗体分子からなる群より選択される、請求項１５に記載の組成物。
【請求項１７】
前記早期活性化分子枯渇剤が、枯渇性抗ＬＬＴ１抗体分子である、請求項１２に記載の組成物。
【請求項１８】
前記枯渇性抗ＬＬＴ１抗体分子が、ヒト化抗ＬＬＴ１抗体分子、ヒト抗ＬＬＴ１抗体分子、キメラ抗ＬＬＴ１抗体分子および脱免疫化抗ＬＬＴ１抗体分子からなる群より選択される、請求項１７に記載の組成物。
【請求項１９】
前記早期活性化分子が発現する癌が、造血新生物性障害（造血起源の増殖性細胞／新生細胞の関与する疾患（例えば、リンパ腫およびリンパ性白血病）が挙げられる）からなる群より選択される、請求項１２に記載の組成物。
【請求項２０】
前記癌を発現する早期活性化分子は、リンパ腫であり、該リンパ腫は、Ｔ細胞リンパ腫（末梢Ｔ細胞リンパ腫、成人Ｔ細胞白血病／リンパ腫（ＡＴＬ）、皮膚Ｔ細胞リンパ腫（ＣＴＣＬ）、大顆粒球リンパ性白血病（ＬＧＦ）が挙げられる）、Ｂ細胞リンパ腫、ホジキンリンパ腫および非ホジキンリンパ腫からなる群より選択される、請求項１９に記載の組成物。
【請求項２１】
前記早期活性化分子が発現する癌がリンパ性白血病であり、そして該リンパ性白血病が、不完全に分化した急性白血病（例えば、急性巨核芽球白血病）；骨髄性障害（急性前骨髄性白血病（ＡＰＭＬ）、急性骨髄性白血病（ＡＭＬ）および慢性骨髄性白血病（ＣＭＬ）が挙げられるが、これらに限定されない）；リンパ性悪性疾患（急性リンパ芽球白血病（ＡＬＬ）（Ｂ系統ＡＬＬおよびＴ系統ＡＬＬを含む）、慢性リンパ性白血病（ＣＬＬ）、前リンパ性白血病（ＰＬＬ）、毛様細胞白血病（ＨＬＬ）およびヴァルデンストレームマクログロブリン血症（ＷＭ）が挙げられるが、これらに限定されない）からなる群より選択される、請求項１９に記載の組成物。
【請求項２２】
前記早期活性化分子が発現する癌が、早期活性化分子を異所的に発現し得る非造血器腫瘍である、請求項１９に記載の組成物。
【請求項２３】
前記リンパ性白血病が、免疫グロブリン変異を欠くＢ細胞慢性リンパ性白血病である、請求項１９に記載の組成物。
【請求項２４】
生物学的試料中で、ＣＤ６９、ＡＩＣＬおよびＬＬＴ１からなる群より選択される早期活性化分子を検出するためのキットであって、該キットが、以下：
ａ）該早期活性化分子に対して特異的なモノクローナル抗体を含む容器；および、
ｂ）該早期活性化分子に結合して免疫学的複合体を形成するためにモノクローナル抗体を使用すること、および該複合体の存在もしくは非存在を該生物学的試料中の該早期活性化分子の存在もしくは非存在と相関付けるように該複合体を検出することに関する、指示書
を含む、キット。
【請求項２５】
前記生物学的試料が、体液および動物組織からなる群より選択される、請求項２４に記載のキット。
【請求項２６】
前記モノクローナル抗体が、ヒトモノクローナル抗体である、請求項２４に記載のキット。
【請求項２７】
前記抗体分子は、第２の治療剤と結合体化されている、請求項１〜２３のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項２８】
前記第２の治療剤が、化学療法剤；放射性同位体；および細胞毒からなる群より選択される、請求項２７に記載の組成物。
【請求項２９】
明細書中に記載の発明。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月22日(2010.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という）から半導体チップを切り出す前工程として、リングフレームに貼付けた支持用粘着テープにウエハを貼付け支持し、ウエハ表面に貼付けられた保護テープを剥離し、その後、貼付け支持されたウエハにダイシング処理およびチップ分断処理が施される（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−３４３７５６号公報
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月3日(2009.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の屈折率を有する第１の層及び前記第１の屈折率とは異なる第２の屈折率を有する第２の層を積層した第１の単位多層膜が複数積層されている第１のミラーと、
第３の屈折率を有する第３の層及び前記第３の屈折率とは異なる第４の屈折率を有する第４の層を積層した第２の単位多層膜が複数積層されている第２のミラーと、
前記第１のミラーと前記第２のミラーとの間に位置する活性層と、を含み、
前記第１の単位多層膜と前記第２の単位多層膜は、下記式（１）を満たし、
前記活性層は、下記式（２）を満たす、面発光型半導体レーザ。
ｄＤ ＜ λ／２ｎＤ      ・・・（１）
ｄＡ ＞ ｍλ／２ｎＡ      ・・・（２）
但し、
λは、前記面発光型半導体レーザの設計波長であり、
ｍは、正の整数であり、
ｄＤは、前記単位多層膜の厚さであり、
ｎＤは、前記単位多層膜の平均屈折率であり、
ｄＡは、前記活性層の厚さであり、
ｎＡは、前記活性層の平均屈折率である。
【請求項２】
請求項１において、
前記式（１）は、複数の前記単位多層膜のうちの少なくとも１つに対して満たされる、面発光型半導体レーザ。
【請求項３】
請求項２において、
前記式（１）は、複数の前記単位多層膜のうちの全てに対して満たされる、面発光型半導体レーザ。
【請求項４】
請求項２において、
前記式（１）を満たしていない前記単位多層膜は、下記式（３）を満たす、面発光型半導体レーザ。
ｄＤ ＝ λ／２ｎＤ      ・・・（３）
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記第１の屈折率と前記第３の屈折率とは同じ屈折率であり、
前記第２の屈折率と前記第４の屈折率とは同じ屈折率である、面発光型半導体レーザ。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかにおいて、
前記第１のミラーを支持する基板を含み、
前記基板、前記第１のミラー、前記活性層、前記第２のミラーの順に積層されている、面発光型半導体レーザ。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかにおいて、
下記式（４）を満たす、面発光型半導体レーザ。
ｄＨ＋ｄＬ ＜ λ／４ｎＬ＋λ／４ｎＨ      ・・・（４）
但し、
ｄＨは、前記第１の層の厚さであり、
ｄＬは、前記第２の層の厚さであり、
ｎＨは、前記第１の層の屈折率であり、
ｎＬは、前記第２の層の屈折率である。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかにおいて、
前記第１のミラーおよび前記第２のミラーは、分布ブラッグ反射型（ＤＢＲ）ミラーである、面発光型半導体レーザ。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかにおいて、
前記活性層において共振する光のうち、
低次の共振モード成分は、レーザ発振に至り、
高次の共振モード成分は、レーザ発振に至らない、面発光型半導体レーザ。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかにおいて、
前記活性層において共振する光のうち、
低次の共振モード成分のエネルギー増幅率は正であり、
高次の共振モード成分のエネルギー増幅率は負である、面発光型半導体レーザ。
【請求項１１】
請求項９または１０において、
前記低次の共振モード成分は、０次の共振モード成分であり、
前記高次の共振モード成分は、１次以上の共振モード成分である、面発光型半導体レーザ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
本実験例では、まず、一次元の時間領域差分法（ＦＤＴＤ法）を用いて、本実施形態に係る面発光型半導体レーザ１００について光学シミュレーションを行い、Ｑ値（一次元の
計算なため、縦方向の光閉じ込め効果に相当する）が同程度になるように設計を行った。Ｑ値を同程度に揃えることにより、閾値電流、即ち、最低次のモードが発振に至る電流値を同程度に揃えることができる。本シミュレーションでは、３つの条件Ａ〜Ｃの面発光型半導体レーザに対して行った。数値計算を適用したサンプルの構造は、以下の通りである。なお、特に記載しない限り、上述した数値計算例のサンプルの構造と同じである。
下部ミラー１０の単位多層膜１０ｐ：ｎ型Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層（屈折率３．０４９）とｎ型Ａｌ０．１２Ｇａ０．８８Ａｓ層（屈折率３．５４４）からなる２層構造
下部ミラー１０の単位多層膜１０ｐの平均屈折率ｎＤ：２ｎＨｎＬ／（ｎＨ＋ｎＬ）＝３．２７８
活性層１０３：ＧａＡｓ層（屈折率３．６２０１）とＡｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓ層（屈折率３．４２９７）とからなる量子井戸構造を３層重ねた３ＱＷ構造を、上下のＡｌＧａＡｓからなるグレーデッドインデックス（Graded Index）層で挟み込むＧＲＩＮ−ＳＣＨ（graded-index separate-confinement heterostructure）構造
活性層１０３の平均屈折率ｎＡ：３．３８３８
上部ミラー２０の単位多層膜２０ｐ：ｐ型Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層（屈折率３．０４９）とｐ型Ａｌ０．１２Ｇａ０．８８Ａｓ層（屈折率３．５４４）からなる２層構造
上部ミラー２０の単位多層膜２０ｐの平均屈折率ｎＤ：２ｎＨｎＬ／（ｎＨ＋ｎＬ）＝３．２７８
電流狭窄層１０５の開口部径（開口部直径）：４．５μｍ、６．０μｍ
電流狭窄層１０５の厚さ：１２ｎｍ
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月8日(2009.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部ミラーと、
前記下部ミラーの上方に形成された活性層と、
前記活性層の上方に形成された上部ミラーと、を含み、
前記上部ミラーは、複数の空孔が形成された第１領域と、該第１領域の内側であって、空孔が形成されていない第２領域と、を含み、
前記第１領域は、平面視において、リング状であり、
前記第２領域は、平面視において、円形であり、
前記円形は、前記活性層のエネルギー増加率が、低次の共振モード成分では正になり、高次の共振モード成分では負になる半径を有し、
前記空孔は、前記エネルギー増加率が、前記低次の共振モード成分では正になり、前記高次の共振モード成分では負になる深さを有する、面発光型半導体レーザ。
【請求項２】
下部ミラーと、
前記下部ミラーの上方に形成された活性層と、
前記活性層の上方に形成された上部ミラーと、を含み、
前記上部ミラーは、複数の空孔が形成された第１領域と、該第１領域の内側であって、空孔が形成されていない第２領域と、を含み、
前記第１領域は、平面視において、リング状であり、
前記第２領域は、平面視において、円形であり、
前記円形は、前記活性層のエネルギー増加率において、低次の共振モード成分と高次の共振モード成分のエネルギー増加率差が、前記空孔が存在しない場合の前記エネルギー増加率差よりも大きくなる半径を有し、
前記空孔は、前記エネルギー増加率差が、前記空孔が存在しない場合の前記エネルギー増加率差よりも大きくなる深さを有する、面発光型半導体レーザ。
【請求項３】
請求項２において、
前記円形は、前記エネルギー増加率差が最大となる半径を有し、
前記空孔は、前記エネルギー増加率差が最大となる深さを有する、面発光型半導体レーザ。
【請求項４】
請求項１において、
前記上部ミラーは、第１の屈折率を有する第１の層と、前記第１の屈折率よりも小さい第２の屈折率を有する第２の層と、を交互に積層して形成され、
前記円形の半径は、２．５μｍ以下であり、
前記空孔の深さｘは、下記式（１）を満たす、面発光型半導体レーザ。
ｄ×７  ≦  ｘ  ≦  ｄ×１２      ・・・（１）
ただし、ｄは、前記第１の層および前記第２の層の合計厚さである。
【請求項５】
請求項１において、
前記円形の半径は、２．５μｍ以下であり、
前記空孔の深さｘは、１．０μｍ以上１．５μｍ以下である、面発光型半導体レーザ。
【請求項６】
請求項２において、
前記上部ミラーは、第１の屈折率を有する第１の層と、前記第１の屈折率よりも小さい第２の屈折率を有する第２の層と、を交互に積層して形成され、
前記円形の半径は、２．５μｍ以下であり、
前記空孔の深さｘは、下記式（２）、または、下記式（３）を満たす、面発光型半導体レーザ。
ｄ×０．５  ≦  ｘ  ≦  ｄ×１３．５      ・・・（２）
ｄ×１６  ≦  ｘ  ≦  ｄ×２０．５      ・・・（３）
ただし、ｄは、前記第１の層および前記第２の層の合計厚さである。
【請求項７】
請求項２において、
前記円形の半径は、２．５μｍ以下であり、
前記空孔の深さｘは、０．１μｍ以上１．７μｍ以下、または、２．１μｍ以上２．６μｍ以下である、面発光型半導体レーザ。
【請求項８】
請求項４乃至７のいずれかにおいて、
前記円形の半径は、２．５μｍである、面発光型半導体レーザ。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかにおいて、
前記低次の共振モード成分は、０次の共振モード成分であり、
前記高次の共振モード成分は、１次以上の共振モード成分である、面発光型半導体レーザ。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかにおいて、
前記活性層のエネルギー増加率は、時間領域差分法により求められる、面発光型半導体レーザ。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれかにおいて、
前記活性層のエネルギー増加率は、２次元時間領域差分法により求められる、面発光型半導体レーザ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月30日(2010.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
読み取り／書き込みヘッドが搭載されたスライダーを支持するロードビームと；
前記ロードビームに隣接して配されるベースプレートと；
前記ロードビームと前記ベースプレートとの各一側で前記ロードビームと前記ベースプレートとが相互に段付けされるように連結する段差連結部と；
を備えることを特徴とする、ヘッドジンバル組立体。
【請求項２】
前記段差連結部に離隔配されて前記ロードビームと前記ベースプレートとの各他側で前記ロードビームと前記ベースプレートとを相互に連結する基準連結部をさらに備え、
前記段差連結部は、ディスクの振動時に前記スライダーが前記ディスクの半径方向に移動するように前記基準連結部を基準として段付けされた形状を有することを特徴とする、請求項１に記載のヘッドジンバル組立体。
【請求項３】
前記基準連結部は、前記段差連結部の連結方向の横方向に沿って前記ロードビームと前記ベースプレートとに対して実質的に水平に配される水平連結部であることを特徴とする、請求項２に記載のヘッドジンバル組立体。
【請求項４】
前記水平連結部は、前記段差連結部と実質的に同一の厚さを有することを特徴とする、請求項３に記載のヘッドジンバル組立体。
【請求項５】
前記段差連結部と前記基準連結部とは、前記ベースプレートと前記ロードビームと個別に製作され、前記ベースプレートと前記ロードビームとにそれぞれ結合されることを特徴とする、請求項２に記載のヘッドジンバル組立体。
【請求項６】
前記段差連結部が結合される前記ベースプレートおよび前記ロードビーム上の一側面は実質的に同一の平面を形成し、
前記ベースプレートおよび前記ロードビームのうちいずれか一つには、前記段差連結部が段付けされるように結合される段差部が設けられることを特徴とする、請求項１に記載のヘッドジンバル組立体。
【請求項７】
前記段差部は、前記ベースプレートの一側面から前記ベースプレートの厚さ方向に沿って所定深さほど陷沒形成されて設けられることを特徴とする、請求項６に記載のヘッドジンバル組立体。
【請求項８】
前記ベースプレートは、
第１ベースプレートと；
切り取り形成された切り取り部を有する第２ベースプレートと；
前記第１ベースプレートおよび第２ベースプレートが相互結合されるときに前記切り取り部によって設けられる前記段差部と；
を備えることを特徴とする、請求項６に記載のヘッドジンバル組立体。
【請求項９】
前記段差連結部は、
前記段差部に結合されるプレートヒンジと；
前記ロードビームの一側に結合されるロードビームヒンジと；
前記プレートヒンジと前記ロードビームヒンジとを連結させる傾斜ヒンジと；
を備えることを特徴とする、請求項６に記載のヘッドジンバル組立体。
【請求項１０】
前記プレートヒンジ、前記ロードビームヒンジおよび前記傾斜ヒンジは、一体に形成されることを特徴とする、請求項９に記載のヘッドジンバル組立体。
【請求項１１】
データの記録および再生のためのディスクと；
前記ディスク上を移動するアクチュエータアームと；
前記アクチュエータアームに結合されるヘッドジンバル組立体と；
を備え、
前記ヘッドジンバル組立体は、
読み取り／書き込みヘッドが搭載されたスライダーを支持するロードビームと；
前記ロードビームに隣接して配されるベースプレートと；
前記ロードビームと前記ベースプレートとの各一側で前記ロードビームと前記ベースプレートとが相互に段付けされるように連結する段差連結部と；
を備え、
前記段差連結部が結合される前記ベースプレートおよび前記ロードビーム上の一側面は実質的に同一の平面を形成し、
前記ベースプレートおよび前記ロードビームのうちいずれか一つには、前記段差連結部が段付けされるように結合される段差部が設けられ、
前記ベースプレートは、
第１ベースプレートと；
切り取り形成された切り取り部を有する第２ベースプレートと；
前記第１ベースプレートおよび第２ベースプレートが相互に結合されるときに前記切り取り部によって設けられる前記段差部と；
を備え、
前記第２ベースプレートの前記切り取り部は、所定厚さおよび広さで前記第２ベースプレートの一側に切り取りされて形成されることを特徴とする、ハードディスクドライブ。
【請求項１２】
ベースプレートと；
ディスクにデータの記録および再生のための読み取り／書き込みヘッドを有するスライダーを備えるロードビームと；
ディスクの表面が反っている場合、前記ベースプレートに対して前記ロードビームが非対称に駆動されるように前記ベースプレートと前記ロードビームとを連結する連結部と；
を備えることを特徴とする、ハードディスクドライブのヘッドジンバル組立体。
【請求項１３】
前記連結部は、
前記ベースプレートに前記ロードビームを連結させるための第１部分と；
前記第１部分から離隔されるように設けられて前記ロードビームと前記ベースプレートとを連結する第２部分と；
を備え、
前記ディスクの表面が反っている場合、前記ベースプレートに対して前記ロードビームが非対称に駆動されるように前記第１部分および前記第２部分は、互いに対して段付けされることを特徴とする、請求項１２に記載のハードディスクドライブのヘッドジンバル組立体。
【請求項１４】
前記連結部は、前記ディスクが振動時に前記ディスクの半径方向に前記ロードビームが駆動されるように前記ロードビームを前記ベースプレートに連結させるフレックシャを備えることを特徴とする、請求項１２に記載のハードディスクドライブのヘッドジンバル組立体。
【請求項１５】
前記ロードビームは、前記ディスクの反り方向に沿って左右非対称に駆動されることを特徴とする、請求項１２に記載のハードディスクドライブのヘッドジンバル組立体。
【請求項１６】
アクチュエータアームと；
前記アクチュエータアームに結合されるベースプレートと；
ディスクにデータの記録およびデータの再生のための読み取り／書き込みヘッドを有するスライダーを備えるロードビームと；
前記ロードビームに結合されて前記ベースプレートと前記ロードビームとの共通平面に配される第１端部と、前記第１端部から延びて、前記ベースプレートと前記ロードビームとの前記共通平面から離隔されて前記ベースプレートに結合される前記ベースプレートの第２平面上に配される第２端部とを備え、前記ロードビームと前記ベースプレートとを連結させる連結部と；
を備えることを特徴とする、ハードディスクドライブ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月29日(2010.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワード線及び第１のビット線に電気的に接続された第１のメモリセルと、
前記ワード線及び第２のビット線に電気的に接続された第２のメモリセルと、
前記第１のメモリセルに保持されたデータを読み出すための電位を前記第１のビット線に出力する第１のプリチャージ回路と、
前記第２のメモリセルに保持されたデータを読み出すための電位を前記第２のビット線に出力する第２のプリチャージ回路と、
前記第１のビット線と前記第１のプリチャージ回路の間に設けられた第１のスイッチング素子と、
前記第２のビット線と前記第２のプリチャージ回路の間に設けられた第２のスイッチング素子と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１のプリチャージ回路が含む第１のトランジスタは、ソース又はドレインの一方が前記第１のスイッチング素子に電気的に接続され、
前記第２のプリチャージ回路が含む第２のトランジスタは、ソース又はドレインの一方が前記第２のスイッチング素子に電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ワード線及び第１のビット線に電気的に接続された第１のメモリセルと、
前記ワード線及び第２のビット線に電気的に接続された第２のメモリセルと、
前記第１のメモリセル又は前記第２のメモリセルの一方に保持されたデータを読み出すための電位を、前記第１のビット線又は前記第２のビット線に出力するプリチャージ回路と、
前記第１のビット線と前記プリチャージ回路の間に設けられた第１のスイッチング素子と、
前記第２のビット線と前記プリチャージ回路の間に設けられた第２のスイッチング素子と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記プリチャージ回路が含むトランジスタは、ソース又はドレインの一方が前記第１のスイッチング素子又は前記第２のスイッチング素子の一方に電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１のメモリセルが含む第３のトランジスタは、ゲートが前記ワード線に電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が前記第１のビット線に電気的に接続され、
前記第２のメモリセルが含む第４のトランジスタは、ゲートが前記ワード線に電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が前記第２のビット線に電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記第３のトランジスタと前記第４のトランジスタは、同一の基板上に設けられ、
前記基板は、ガラス基板、石英基板、及びプラスチック基板のいずれかであることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項５において、
前記第３のトランジスタと前記第４のトランジスタは、ＳＯＩ基板を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第１のビット線に電気的に接続され、前記第１のメモリセルに保持されたデータを読み出すための電位が保持される第１のラッチ回路と、
前記第２のビット線に電気的に接続され、前記第２のメモリセルに保持されたデータを読み出すための電位が保持される第２のラッチ回路と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記第１のビット線、前記第２のビット線及び前記ワード線に電気的に接続されたデコーダを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の半導体装置を具備する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月14日(2010.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成されたトンネル絶縁膜と、
前記トンネル絶縁膜上に形成され、遷移金属がドーピングされた誘電膜を含む電荷トラップ層と、
前記電荷トラップ層上に形成されたブロッキング絶縁膜と、
前記ブロッキング絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を備えることを特徴とする不揮発性半導体メモリ素子。
【請求項２】
前記誘電膜は、ＳｉｘＯｙ膜、ＨｆｘＯｙ膜、ＺｒｘＯｙ膜、ＳｉｘＮｙ膜、ＡｌｘＯｙ膜、ＨｆｘＳｉｙＯｚＮｋ膜、ＨｆｘＯｙＮｚ膜及びＨｆｘＡｌｙＯｚ膜で構成されたグループから選択される何れか一つであることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性半導体メモリ素子。
【請求項３】
前記遷移金属は、ｄ軌道に原子が電子を有する金属であることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性半導体メモリ素子。
【請求項４】
前記誘電膜がＨｆｘＯｙ膜である場合、前記誘電膜内にドーピングされた遷移金属は、Ｔａ、Ｖ、Ｒｕ及びＮｂで構成されたグループから選択される一つ以上の遷移金属であり、前記誘電膜がＡｌｘＯｙ膜である場合は、前記誘電膜内にドーピングされた遷移金属は、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔｉ及びＺｎで構成されたグループから選択される一つ以上の遷移金属であることを特徴とする請求項２に記載の不揮発性半導体メモリ素子。
【請求項５】
前記遷移金属は、０.０１％〜１５％でドーピングされたことを特徴とする請求項１に記載の不揮発性半導体メモリ素子。
【請求項６】
前記遷移金属は、前記誘電膜内に電子トラップと正孔トラップとを同時に形成するように少なくとも２種類以上ドーピングされたことを特徴とする請求項１に記載の不揮発性半導体メモリ素子。
【請求項７】
半導体基板上にトンネル絶縁膜用の第１絶縁膜を形成する工程と、
前記第１絶縁膜上に電荷トラップ層として遷移金属がドーピングされた誘電膜を形成する工程と、
前記遷移金属がドーピングされた誘電膜上にブロッキング絶縁膜用の第２絶縁膜を形成する工程と、
前記第２絶縁膜上にゲート電極用の導電膜を形成する工程と、
前記導電膜、第２絶縁膜、遷移金属がドーピングされた誘電膜及び第１絶縁膜をパターニングしてトンネル絶縁膜、電荷トラップ層、ブロッキング絶縁膜及びゲート電極が順次に積層されたゲート構造物を形成する工程と、を含むことを特徴とする不揮発性半導体メモリ素子の製造方法。
【請求項８】
前記誘電膜は、ＳｉｘＯｙ膜、ＨｆｘＯｙ膜、ＺｒｘＯｙ膜、ＳｉｘＮｙ膜、ＡｌｘＯｙ膜、ＨｆｘＳｉｙＯｚＮｋ膜、ＨｆｘＯｙＮｚ膜及びＨｆｘＡｌｙＯｚ膜で構成されたグループから選択される何れか一つであることを特徴とする請求項７に記載の不揮発性半導体メモリ素子の製造方法。
【請求項９】
前記遷移金属がドーピングされた誘電膜は、前記第１絶縁膜上に未ドーピング誘電膜を形成した後に、前記未ドーピング誘電膜内に遷移金属原子をイオン注入して形成することを特徴とする請求項７に記載の不揮発性半導体メモリ素子の製造方法。
【請求項１０】
前記遷移金属がドーピングされた誘電膜は、少なくとも８００℃以上の温度で形成することを特徴とする請求項７に記載の不揮発性半導体メモリ素子の製造方法。
【請求項１１】
前記遷移金属がドーピングされた誘電膜を形成する工程後に、前記遷移金属がドーピングされた誘電膜を少なくとも８００℃以上の温度でアニーリングする工程をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の不揮発性半導体メモリ素子の製造方法。
【請求項１２】
前記アニーリングは、酸素雰囲気または窒素雰囲気で行うことを特徴とする請求項１１に記載の不揮発性半導体メモリ素子の製造方法。
【請求項１３】
前記アニーリングは、急速熱処理方式または電気炉熱処理方式で行うことを特徴とする請求項１１に記載の不揮発性半導体メモリ素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月26日(2010.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を有する島状半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を有する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜中に設けられ、前記ソース領域または前記ドレイン領域の一方に達する複数のコンタクトホールを含む第１のコンタクトホールと、
前記層間絶縁膜中に設けられ、前記ソース領域または前記ドレイン領域の他方に達する第２のコンタクトホールと、
を有し、
前記第２のコンタクトホールの径は、前記第１のコンタクトホールに含まれる前記複数のコンタクトホールのそれぞれの径より大きく、
前記第１のコンタクトホールの底面積の合計と、前記第２のコンタクトホールの底面積
は等しいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のチャネル形成領域、第１のソース領域及び第１のドレイン領域を有する第１の島状半導体膜と、ゲート絶縁膜と、第１のゲート電極と、を有する第１の薄膜トランジスタと、
第２のチャネル形成領域、第２のソース領域及び第２のドレイン領域を有する第２の島状半導体膜と、前記ゲート絶縁膜と、第２のゲート電極と、を有する第２の薄膜トランジスタと、
前記第１の薄膜トランジスタ及び前記第２の薄膜トランジスタ上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜中に設けられ、前記第１のソース領域または前記第１のドレイン領域の一方に達する複数のコンタクトホールを含む第１のコンタクトホールと、
前記層間絶縁膜中に設けられ、前記第２のソース領域または前記第２のドレイン領域の一方に達する複数のコンタクトホールを含む第２のコンタクトホールと、
前記層間絶縁膜中に設けられ、前記第１のソース領域もしくは前記第１のドレイン領域の他方、または前記第２のソース領域もしくは前記第２のドレイン領域の他方に達する第３のコンタクトホールと、
を有し、
前記第３のコンタクトホールの径は、前記第１のコンタクトホールに含まれる前記複数のコンタクトホール及び前記第２のコンタクトホールに含まれる前記複数のコンタクトホールのそれぞれの径より大きく、
前記第１のコンタクトホールの底面積の合計と、前記第２のコンタクトホールの底面積
の合計と、前記第３のコンタクトホールの底面積は等しいことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１のチャネル形成領域、第１のソース領域及び第１のドレイン領域を有する第１の島状半導体膜と、第１のゲート絶縁膜と、第１のゲート電極と、を有する第１の薄膜トランジスタと、
第２のチャネル形成領域、第２のソース領域及び第２のドレイン領域を有する第２の島状半導体膜と、第２のゲート絶縁膜と、第２のゲート電極と、を有する第２の薄膜トランジスタと、
前記第１の薄膜トランジスタ及び前記第２の薄膜トランジスタ上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜中に設けられ、前記第１のソース領域または前記第１のドレイン領域の一方に達する第１のコンタクトホールと、
前記層間絶縁膜中に設けられ、前記第１のソース領域または前記第１のドレイン領域の他方に達する第２のコンタクトホールと、
前記層間絶縁膜中に設けられ、前記第２のソース領域または前記第２のドレイン領域の一方に達する複数のコンタクトホールを含む第３のコンタクトホールと、
前記層間絶縁膜中に設けられ、前記第２のソース領域または前記第２のドレイン領域の他方に達する第４のコンタクトホールと、
を有し、
前記第１のコンタクトホールの底面積と、前記第２のコンタクトホールの底面積は等し
く、
前記第４のコンタクトホールの径は、前記第３のコンタクトホールに含まれる前記複数のコンタクトホールのそれぞれの径より大きく、
前記第３のコンタクトホールの底面積の合計、及び前記第４のコンタクトホールの底面
積は、それぞれ前記第１のコンタクトホールの底面積よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１において、
前記薄膜トランジスタは、不揮発性メモリ回路に用いられることを特徴とする半導体装
置。
【請求項５】
請求項２において、
前記第１の薄膜トランジスタ及び前記第２の薄膜トランジスタは、不揮発性メモリ回路に用いられることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項３において、
前記第１の薄膜トランジスタは、不揮発性メモリ回路を制御するロジック回路に用いられ、前記第２の薄膜トランジスタは、不揮発性メモリ回路に用いられることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
チャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を有する島状半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を有する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜中に設けられ、前記ソース領域または前記ドレイン領域の一方に達する複数のコンタクトホールを含む第１のコンタクトホールと、
前記層間絶縁膜中に設けられ、前記ソース領域または前記ドレイン領域の他方に達する第２のコンタクトホールと、
を有し、
前記第２のコンタクトホールの径は、前記第１のコンタクトホールに含まれる前記複数のコンタクトホールのそれぞれの径より大きいことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月19日(2010.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に撥液性を有する膜を形成し、
前記撥液性を有する膜上に選択的にマスクを形成し、
前記マスクを用いて露光することにより、前記マスクが形成され前記撥液性を有する膜が露光されていない第１の領域と、前記マスクが形成されておらず前記撥液性を有する膜が露光された第２の領域を形成し、
前記第１の領域に形成された前記マスクを除去し、
前記第１の領域と前記第２の領域上に下地膜を形成し、
前記第１の領域に形成された前記下地膜上に半導体素子群を形成し、
前記半導体素子群を囲むように溝を形成した後、前記半導体素子群を前記基板から剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に選択的にマスクを形成し、
前記基板及び前記マスク上に撥液性を有する膜を形成し、
前記マスクを用いて露光することにより、前記マスクが形成され前記撥液性を有する膜が露光されていない第１の領域と、前記マスクが形成されておらず前記撥液性を有する膜が露光された第２の領域を形成し、
前記第１の領域と前記第２の領域上に下地膜を形成し、
前記第１の領域に形成された前記下地膜上に半導体素子群を形成し、
前記半導体素子群を囲むように溝を形成した後、前記半導体素子群を前記基板から剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に選択的にマスクを形成し、
前記基板及び前記マスク上に光触媒物質を有する膜を形成し、
前記光触媒物質を有する膜上に撥液性を有する膜を形成し、
前記マスクを用いて露光することにより、前記マスクが形成され前記撥液性を有する膜が露光されていない第１の領域と、前記マスクが形成されておらず前記撥液性を有する膜が露光された第２の領域を形成し、
前記第１の領域と前記第２の領域上に下地膜を形成し、
前記第１の領域に形成された前記下地膜上に半導体素子群を形成し、
前記半導体素子群を囲むように溝を形成した後、前記半導体素子群を前記基板から剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に選択的にマスクを形成し、
前記基板及び前記マスク上に撥液性を有する膜を形成し、
前記撥液性を有する膜上に光触媒物質を有する膜を形成し、
前記マスクを用いて露光することにより、前記マスクが形成され前記撥液性を有する膜が露光されていない第１の領域と、前記マスクが形成されておらず前記撥液性を有する膜が露光された第２の領域を形成し、
前記第１の領域と前記第２の領域上に下地膜を形成し、
前記第１の領域に形成された前記下地膜上に半導体素子群を形成し、
前記半導体素子群を囲むように溝を形成した後、前記半導体素子群を前記基板から剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板上に選択的にマスクを形成し、
前記マスク上に撥液性を有する膜を選択的に形成し、前記マスク及び前記撥液性を有する膜が形成された第１の領域と、前記マスク及び前記撥液性を有する膜が形成されていない第２の領域を形成し、
前記第１の領域と前記第２の領域上に下地膜を形成し、
前記第１の領域に形成された前記下地膜上に半導体素子群を形成し、
前記半導体素子群を囲むように溝を形成した後、前記半導体素子群を前記基板から剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項２乃至請求項４のいずれか一項において、
前記基板は透光性を有し、
前記基板の裏面から前記マスクを用いて露光することにより、前記第１の領域と前記第２の領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記撥液性を有する膜は、フルオロアルキル基を有するシランカップリング剤を用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項５において、
前記撥液性を有する膜は、メルカプト基を有する薬液を用いて形成し、
前記マスクは、金、銀、白金、銅、パラジウム、ロジウム及びルテニウムのいずれか一つ又は複数から選ばれた元素を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項３または請求項４において、
前記光触媒物質を有する膜は、酸化チタンを用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記下地膜は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂及びポリイミドから選ばれたいずれか一つ又は複数の材料を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記半導体素子群は薄膜トランジスタを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
レーザー光を用いて前記溝を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月25日(2010.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ヒューズ素子、半導体装置、及び装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の層と第２の層の一部又は全部が接して設けられたヒューズ素子であって、
前記第１の層は酸素又は窒素を含む化合物を主成分とし、
前記第２の層は導電性を有し、且つ酸化又は窒化により絶縁性を発現する物質を主成分とし、
前記第１の層と前記第２の層の一方又は双方に通電させ、前記第２の層の一部又は全部が酸化又は窒化されることを特徴とするヒューズ素子。
【請求項２】
第１の層と、前記第１の層と一部又は全部が接して設けられた第２の層と、前記第１の層と一部が接するように設けられた第３の層と、を有するヒューズ素子であって、
前記第１の層は酸素又は窒素を含む化合物を主成分とし、
前記第２の層は導電性を有し、且つ酸化又は窒化により絶縁性を発現する物質を主成分とし、
前記第３の層は導電性を有し、且つ第１の電極と第２の電極を形成し、
前記第１の電極と前記第２の電極の間に通電させ、前記第２の層の一部又は全部が酸化又は窒化されることを特徴とするヒューズ素子。
【請求項３】
第１の層と、前記第１の層と一部又は全部が接して設けられた第２の層と、前記第２の層と一部が接するように設けられた第３の層と、を有するヒューズ素子であって、
前記第１の層は酸素又は窒素を含む化合物を主成分とし、
前記第２の層は導電性を有し、且つ酸化又は窒化により絶縁性を発現する物質を主成分とし、
前記第３の層は導電性を有し、且つ第１の電極と第２の電極を形成し、
前記第１の電極と前記第２の電極の間に通電させ、前記第２の層の一部又は全部が酸化又は窒化されることを特徴とするヒューズ素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記酸素又は窒素を含む物質は、酸化物、窒化物又は酸化窒化物のいずれかであることを特徴とするヒューズ素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の層が導電性であることを特徴とするヒューズ素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の層は、インジウム錫酸化物、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物又は酸化インジウム酸化亜鉛からなることを特徴とするヒューズ素子。
【請求項７】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第２の層は、アルミニウム、ビスマス又はスズからなることを特徴とするヒューズ素子。
【請求項８】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の層がインジウム錫酸化物を主成分とし、
前記第２の層がアルミニウムを主成分とすることを特徴とするヒューズ素子。
【請求項９】
酸素又は窒素を含む化合物を主成分とした第１の層と、
導電性を有し、且つ酸化又は窒化により絶縁性を発現する物質を主成分とした第２の層からなり、
前記第１の層と前記第２の層の一部又は全部が接して設けられたヒューズ素子。
【請求項１０】
第１の層と第２の層の一部又は全部が接して設けられたヒューズ素子であって、
前記第２の層が絶縁性を有し、且つ酸素又は窒素を含む化合物から形成されることを特徴とするヒューズ素子。
【請求項１１】
インジウム錫酸化物、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物又は酸化インジウム酸化亜鉛より形成した第１の層と、
アルミニウム、ビスマス又はスズより形成した第２の層からなり、
前記第１の層と前記第２の層の一部又は全部が接して設けられたヒューズ素子。
【請求項１２】
インジウム錫酸化物、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物又は酸化インジウム酸化亜鉛より形成した第１の層と、
酸化されたアルミニウム、酸化されたビスマス又は酸化されたスズより形成した絶縁性を有する第２の層の一部又は全部が接して設けられていることを特徴とするヒューズ素子。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項に記載のヒューズ素子を有する半導体装置。
【請求項１４】
請求項１３において、ＴＦＴのゲート電極を同一層として、同一の工程にて形成された前記第１の層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１３において、ＴＦＴのソース電極及びドレイン電極を同一層として、同一工程にて形成された前記第２の層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
第１の層と第２の層の一部又は全部が接して設けられたヒューズ素子を有する装置の作製方法であって、
前記第１の層を、酸素又は窒素を含む化合物を主成分として形成し、
前記第２の層を、導電性を有し、且つ酸化又は窒化により絶縁性を発現する物質を主成分として形成し、
前記第１の層と前記第２の層の一方又は双方に通電し、前記第２の層の一部又は全部を酸化又は窒化することを特徴とする装置の作製方法。
【請求項１７】
第１の層と第２の層の一部又は全部が接して設けられたヒューズ素子を有する装置の作製方法であって、
前記第１の層をインジウム錫酸化物、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物又は酸化インジウム酸化亜鉛より形成し、
前記第２の層をアルミニウム、ビスマス又はスズより形成し、
前記第１の層と前記第２の層の一方又は双方に通電し、前記第２の層の一部又は全部を酸化することを特徴とする装置の作製方法。
【請求項１８】
酸素又は窒素を含む化合物を主成分とする第１の層と、
導電層を有し且つ酸化又は窒化により絶縁性を発現する物質を主成分とする第２の層と、を有し、
前記第１の層と前記第２の層の一部又は全部が接して設けられたヒューズ素子を有する装置の作製方法であって、
前記第１の層と前記第２の層の一方又は双方に通電し、前記第２の層の一部又は全部を酸化又は窒化することを特徴とする装置の作製方法。
【請求項１９】
インジウム錫酸化物、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物、又は酸化インジウム酸化亜鉛を有する第１の層と、
アルミニウム、ビスマス又はスズを有する第１の層と、を有し、
前記第１の層と前記第２の層の一部又は全部が接して設けられたヒューズ素子を有する装置の作製方法であって、
前記第１の層と前記第２の層の一方又は双方に通電し、前記第２の層の一部又は全部を酸化することを特徴とする装置の作製方法。