(57)【要約】【課題】製造処理の少なくとも一つの工程である所定の工程に関連した欠陥に基づくチップ単位での生存期待率等が推定可能な生存期待率推定方法を得る。【解決手段】ステップＳ１２で欠陥（新規欠陥）の存在が確認された場合（Ｙｅｓ）、ステップＳ１４〜Ｓ１６の生存期待率算出処理に移行する。ステップＳ１４において、欠陥サイズ・個数別致命率表を参照して、チップに存在する欠陥の欠陥種類に対応する致命率を、チップに存在する欠陥サイズ毎に読み取る。ステップＳ１５において、ステップＳ１４で読み取った欠陥サイズ毎の致命率の補数を得ることにより、当該チップに存在する欠陥サイズそれぞれの生存期待率を求める。その後、ステップＳ１６において、チップに存在する欠陥サイズごとの生存期待率の積によりチップ全体の生存期待率を求める。【選択図】        図１
2005011829.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の工程を経てウェハ上の複数のチップにそれぞれ集積回路が形成されたデバイスに対する解析処理を行い、前記複数の工程中の所定の工程による新規欠陥における少なくとも一種類以上の欠陥種類に対応した致命率を記した致命率情報を得た後、前記複数の工程と同じ工程からなる新たな複数の工程を経て新たなウェハ上の複数のチップにそれぞれ集積回路を新たに形成する際の生存期待率をチップ単位に推定する生存期待率推定方法であって、
（ａ）  前記新たなウェハから一のチップを選択するステップと、
（ｂ）  前記ステップ（ａ）  で選択したチップに前記所定の工程による新規欠陥が存在する場合、前記欠陥種類に対応する致命率を前記致命率情報から取得し、取得した致命率に基づき、前記選択したチップの生存期待率を求めるステップとを備え、
前記ステップ（ｂ）  は、前記選択したチップに複数の前記欠陥種類の欠陥が存在する場合、前記複数の欠陥種類それぞれの致命率の補数の積により前記生存期待率を求めることを特徴とする、
を備える生存期待率推定方法。
【請求項２】
請求項１記載の生存期待率推定方法であって、
前記欠陥種類は欠陥サイズとその個数により分類される種類を含み、
前記ステップ（ｂ）  は、
（ｂ−１）  前記致命率情報から、前記欠陥種類に対応する致命率を欠陥サイズ毎に取得するステップと、
（ｂ−２）  前記ステップ（ｂ−１）  で得た前記致命率に基づき、欠陥サイズ毎に生存期待率を求めるステップと、
（ｂ−３）  前記ステップ（ｂ−２）で求めた欠陥サイズ毎の生存期待率の積によってチップ全体の生存期待率を求めるステップと、
を含む生存期待率推定方法。
【請求項３】
請求項１あるいは請求項２記載の生存期待率推定方法であって、
（ｃ）  前記所定の工程による新規欠陥以外の要因による致命率を加味して、前記ステップ（ｂ）  で得たチップの生存期待率に変更を加えるステップを、
さらに備える生存期待率推定方法。
【請求項４】
請求項２記載の生存期待率推定方法であって、
前記ステップ（ｂ−１）は、
前記欠陥種類に対応する致命率が前記致命率情報に存在しない場合、前記欠陥種類と欠陥サイズが同一の他の欠陥種類に対応する致命率に基づき、前記生存期待率を求めるステップを含む、
生存期待率推定方法。
【請求項５】
請求項１記載の生存期待率推定方法であって、
前記チップは機能が異なる複数の領域を有するチップを含み、
前記致命率情報は前記複数の領域毎に、前記所定の工程による新規欠陥の欠陥種類に対応した致命率を記した情報を含み、
前記ステップ（ｂ）  は、
前記複数の領域毎に前記欠陥種類に対応する致命率を前記致命率情報から取得し、取得した複数の領域毎の致命率に基づき前記複数の領域それぞれの生存期待率を求めた後、前記複数の領域それぞれの生存期待率に基づき、前記選択したチップの生存期待率を求めるステップを含む、
生存期待率推定方法。
【請求項６】
複数の工程を経てウェハ上の複数のチップにそれぞれ集積回路が形成されたデバイスに対する解析処理を行い、前記複数の工程中の所定の工程による新規欠陥の欠陥種類に対応した致命率を記した致命率情報を得た後、前記複数の工程と同じ工程からなる新たな複数の工程を経て新たなウェハ上の複数のチップにそれぞれ集積回路を新たに形成する際の前記所定の工程における歩留まりを推定する歩留まり推定方法であって、
（ａ）  所定の生存期待率推定方法を用いて、前記新たなウェハ上の全てのチップそれぞれの前記所定の工程における生存期待率を求めるステップと、
（ｂ）  前記ステップ（ａ）  で求めた全てのチップの生存期待率に基づき、前記新たなウェハの前記所定の工程における歩留まりを計算するステップとを備え、
前記所定の生存期待率推定方法は、請求項１ないし請求項５のうちいずれか１項に記載の生存期待率推定方法を含む、
歩留まり推定方法。
【請求項７】
請求項６記載の歩留まり推定方法であって、
前記所定の工程は２以上の所定数の工程を含み、
前記ステップ（ｂ）  は
（ｂ−１）  前記所定数の工程それぞれにおける全てのチップの生存期待率に基づき、前記所定数の工程全体における全てのチップの生存期待率を求めるステップと、
（ｂ−２）  前記所定数の工程全体における全てのチップの生存期待率に基づき、前記新たなウェハの前記所定数の工程全体における歩留まりを計算するステップとを含む、
歩留まり推定方法。
【請求項８】
複数の工程を経てウェハ上の複数のチップにそれぞれ集積回路が形成されたデバイスに対する解析処理を行い、前記複数の工程中の少なくとも一つの工程による新規欠陥の欠陥種類に対応した致命率を記した致命率情報を得た後、前記複数の工程と同じ工程からなる新たな複数の工程を経て新たなウェハ上の複数のチップにそれぞれ集積回路を新たに形成した際の、前記新たなウェハに対するチップ毎のウェハ検査方法であって、
（ａ）  所定の生存期待率推定方法を用いて、前記新たなウェハ上の全てのチップそれぞれの前記少なくとも一つの工程における生存期待率を求めるステップと、
（ｂ）  前記新たなウェハにおいて、前記ステップ（ａ）  で求めた生存期待率の高いチップから優先的に検査を行うステップとを備え、
前記所定の生存期待率推定方法は、請求項１ないし請求項５のうちいずれか１項に記載の生存期待率推定方法を含む、
ウェハ検査方法。
【請求項９】
請求項１記載の生存期待率推定方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項１０】
請求項６記載の歩留まり推定方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、製造処理の少なくとも一つの工程である所定の工程に関連した欠陥に基づく、チップ単位の生存期待率推定方法及びウェハの歩留まり推定方法並びにウェハ検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
複数の工程を経てウェハ上の複数のチップにそれぞれ集積回路が形成されたデバイスに対する解析結果を得た後、上記複数の工程と同じ工程からなる新たな複数の工程を経て新たなウェハ上の複数のチップにそれぞれ集積回路を新たに形成する際の歩留まりを工程単位に推定する工程管理方法として特許文献１に開示された方法がある。
【０００３】
しかしながら、この工程管理方法では、基本的に上記複数の工程の歩留まりを各単独工程の積で表すことにより得ており、その対象となる基本単位は複数のチップが形成されるウェハであった。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１１−２６４７９７号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来の工程管理方法は以上のように実行されており、ウェハより小さなチップ単位での歩留まり等の管理が行われていないという問題点があった。
【０００６】
この発明は上記問題点を解決するためになされたもので、製造処理の少なくとも一つの工程である所定の工程に関連した欠陥に基づくチップ単位での生存期待率等が推定可能な生存期待率推定方法等を得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この発明にかかる請求項１記載の生存期待率推定方法は、複数の工程を経てウェハ上の複数のチップにそれぞれ集積回路が形成されたデバイスに対する解析処理を行い、前記複数の工程中の所定の工程の新規欠陥における少なくとも一種類以上の欠陥種類に対応した致命率を記した致命率情報を得た後、前記複数の工程と同じ工程からなる新たな複数の工程を経て新たなウェハ上の複数のチップにそれぞれ集積回路を新たに形成する際の生存期待率をチップ単位に推定する方法であって、（ａ）  前記新たなウェハから一のチップを選択するステップと、（ｂ）  前記ステップ（ａ）  で選択したチップに前記所定の工程による新規欠陥が存在する場合、前記欠陥種類に対応する致命率を前記致命率情報から取得し、取得した致命率に基づき、前記選択したチップの生存期待率を求めるステップとを備え、前記ステップ（ｂ）  は、前記選択したチップに複数の前記欠陥種類の欠陥が存在する場合、前記複数の欠陥種類それぞれの致命率の補数の積により前記生存期待率を求めている。
【０００８】
この発明に係る請求項６記載の歩留まり推定方法は、複数の工程を経てウェハ上の複数のチップにそれぞれ集積回路が形成されたデバイスに対する解析処理を行い、前記複数の工程中の所定の工程による新規欠陥の欠陥種類に対応した致命率を記した致命率情報を得た後、前記複数の工程と同じ工程からなる新たな複数の工程を経て新たなウェハ上の複数のチップにそれぞれ集積回路を新たに形成する際の前記所定の工程における歩留まりを推定する方法であって、（ａ）  所定の生存期待率推定方法を用いて、前記新たなウェハ上の全てのチップそれぞれの前記所定の工程における生存期待率を求めるステップと、（ｂ）  前記ステップ（ａ）  で求めた全てのチップの生存期待率に基づき、前記新たなウェハの前記所定の工程における歩留まりを計算するステップとを備え、前記所定の生存期待率推定方法は、請求項１ないし請求項５のうちいずれか１項に記載の生存期待率推定方法を含んでいる。
【０００９】
この発明に係る請求項８記載のウェハ検査方法は、複数の工程を経てウェハ上の複数のチップにそれぞれ集積回路が形成されたデバイスに対する解析処理を行い、前記複数の工程中の少なくとも一つの工程による新規欠陥の欠陥種類に対応した致命率を記した致命率情報を得た後、前記複数の工程と同じ工程からなる新たな複数の工程を経て新たなウェハ上の複数のチップにそれぞれ集積回路を新たに形成した際の、前記新たなウェハに対するチップ毎の検査方法であって、（ａ）  所定の生存期待率推定方法を用いて、前記新たなウェハ上の全てのチップそれぞれの前記少なくとも一つの工程における生存期待率を求めるステップと、（ｂ）  前記新たなウェハにおいて、前記ステップ（ａ）  で求めた生存期待率の高いチップから優先的に検査を行うステップとを備え、前記所定の生存期待率推定方法は、請求項１ないし請求項５のうちいずれか１項に記載の生存期待率推定方法を含んでいる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
＜実施の形態１＞
実施の形態の１の生存期待率推定方法は、複数の工程を経てウェハ上の複数のチップにそれぞれ集積回路が形成されたウェハに対して解析処理を行い、複数の工程中の所定の工程に関連した欠陥である新規欠陥の欠陥種類に対応した致命率を記した欠陥サイズ・個数別致命率表（致命率情報）を得た後、上記複数の工程と同じ工程からなる新たな複数の工程を経て新たなウェハ上の複数のチップにそれぞれ集積回路を新たに形成する際のチップ単位の生存期待率を推定する方法である。
【００１１】
（欠陥サイズ・個数別致命率表）
図２は上記した欠陥サイズ・個数別致命率表を得るための処理手順を示すフローチャートである。
【００１２】
同図を参照して、ステップＳ１で、検査装置を用いて複数の工程のうち所定の工程後に所定の工程による新規欠陥の座標及び検出サイズを抽出し、ステップＳ２で、全工程終了後に電気テスタによる良否判定をチップ単位に行う。なお、新規欠陥とは、特許文献１に詳細に説明されているように、複数の工程それぞれで行われる欠陥検査において、前の工程後までに検出された欠陥の座標と誤差範囲を考慮して十分に近い座標の検出を除く領域で発生した、その工程のみの欠陥を意味する。
【００１３】
そして、ステップＳ３で、検出されたすべての新規欠陥を欠陥サイズ及び存在数により特定される欠陥種類毎に新規欠陥の有無をチップ単位に判定する。この際、欠陥（検出）サイズが異なる欠陥が同一チップに混在するチップは分類から除外する。
【００１４】
次に、ステップＳ４において、ステップＳ３で検出された欠陥種別毎に、新規欠陥の有無及び当該チップの良・不良判定に基づき４つに分類する。
【００１５】
図３は、ステップＳ４の分類結果例を示す説明図である。同図に示すように、同一種に分類される所定サイズの欠陥が１個存在するチップの有無及び当該チップの良・不良判定に基づき▲１▼〜▲４▼に分類される。すなわち、▲１▼〜▲４▼はそれぞれ４８，４２，９，３６チップに分類される。
【００１６】
その後、ステップＳ５において、４つに分類されたチップの数に基づき、以下の（Ｉ）〜（ＩＩＩ）式に示すように、領域▲１▼，▲２▼における不良率ＲＢ１，所定の工程以外の工程による不良数ＮＥ及び所定の工程の新規欠陥によってのみ不良となった新規不良チップ数Ｎ１を求める。
【００１７】
ＲＢ１＝▲２▼／（▲１▼＋▲２▼）＝４２／（４８＋４２）…（Ｉ）
ＮＥ＝（▲３▼＋▲４▼）×ＲＢ１＝（９＋３６）×ＲＢ１＝２１…（ＩＩ）
Ｎ１＝▲４▼−ＮＥ＝３６−２１＝１５…（ＩＩＩ）
次に、ステップＳ６において、（ＩＶ），（Ｖ）式に示すように、領域▲３▼，▲４▼の良品率ｒｇ３（＝▲３▼／（▲３▼＋▲４▼））と領域▲１▼，▲２▼の良品率ｒｇ１（＝▲１▼／（▲１▼＋▲２▼））とに基づく良品率ＲＧと、良品率ＲＧに基づく所定の工程における新規欠陥の致命率ＲＦとを求める。
【００１８】
ＲＧ＝ｒｇ３／ｒｇ１＝０．３７５…（ＩＶ）
ＲＦ＝１−ＲＧ＝０．６２５…（Ｖ）
この致命率ＲＦを欠陥種類毎に求めることによって、以下の表１に示すような欠陥サイズ・個数別致命率表を得ることができる。
【００１９】
【表１】
2005011829.tif 000003
【００２０】
表１に示すように、新規欠陥の欠陥サイズ（４通り）と同一チップに存在する欠陥数（１１通り）との４４通りの欠陥種類に分類される。なお、表１において「不明」と記載されている箇所は、該当する欠陥種類のサンプルが所定数を満たさず、致命率ＲＦが求めることができなかった場合を意味する。
【００２１】
（第１の態様）
図１はこの発明の実施の形態１の第１の態様であるチップ単位の生存期待率推定方法の処理手順を示すフローチャートである。以下、同図を参照して、実施の形態１の第１の態様の処理手順を説明する。
【００２２】
図１を参照して、ステップＳ１１において、計算対象とする１つのチップを選ぶ。そして、ステップＳ１２において、チップにおける欠陥の有無をチェックし、存在しなければ（Ｎｏ）、ステップＳ１３で当該チップの生存期待率を“１”と推定して処理を終了する。
【００２３】
一方、ステップＳ１２で欠陥（新規欠陥）の存在が確認された場合（Ｙｅｓ）、ステップＳ１４以降の生存期待率算出処理に移行する。
【００２４】
ステップＳ１４において、表１で示される欠陥サイズ・個数別致命率表を参照して、チップに存在する欠陥の欠陥種類に対応する致命率を、チップに存在する欠陥サイズ毎に読み取る。
【００２５】
図４はチップに存在する欠陥例を示す説明図である。同図に示すように、計算対象となるウェハ２０上に複数のチップ２１が設けられ、計算対象となるチップ２１Ａに（欠陥サイズ）１．２μｍの欠陥２２ａと、（欠陥サイズ）２．５μｍの欠陥２２ｂとが１ヶずつ存在している。
【００２６】
図４で示すような場合、表２の「欠陥サイズ１〜２μｍ」・個数１の致命率０．３２５と「欠陥サイズ２〜４μｍ」・個数１の致命率０．６８４とを、１．２μｍの欠陥２２ａ及び２．５μｍの欠陥２２の致命率として読み取る。
【００２７】
次に、ステップＳ１５において、ステップＳ１４で読み取った欠陥サイズ毎の致命率の補数を得ることにより、当該チップに存在する欠陥サイズそれぞれの生存期待率を求める。
【００２８】
図４で示す例の場合、ステップＳ１４で得た１．２μｍの欠陥・１個の致命率０．３２５及び２．５μｍの欠陥・１個の致命率０．６８４それぞれに基づき、１．２μｍの欠陥・１個の生存期待率（１−０．３２５）及び２．５μｍの欠陥・１個の生存期待率（１−０．６８４）を求める。
【００２９】
その後、ステップＳ１６において、チップに存在する欠陥サイズごとの生存期待率の積によりチップ全体の生存期待率を求める。
【００３０】
図４で示す例の場合、１．２μｍの欠陥・１個の生存期待率と２．５μｍの欠陥・１個の生存期待率との積により、当該チップ全体の生存期待率０．２１３（＝（１−０．３２５）×（１−０．６８４））を求める。
【００３１】
他の例として、チップに１．２μｍ、２．５μｍ及び４．９μｍの欠陥がそれぞれ１ヶずつ存在した場合、ステップＳ１４〜Ｓ１６によって、チップ全体の生存期待率０．０２２（＝（１−０．３２５）×（１−０．６８４）×（１−０．８９７））を求めることができる。
【００３２】
このように、実施の形態１の第１の態様では複数の欠陥種類の欠陥が一のチップに発生した場合を含めてチップ単位の生存期待率を得ることができる。
【００３３】
すなわち、異なって分類される複数の欠陥サイズの欠陥が同一チップに存在する場合に、欠陥サイズ毎の生存期待率の積によってチップ全体の生存期待率を求めることにより、チップ単位の生存期待率を精度良く得ることができる。
【００３４】
なお、欠陥種類は表１に示すような欠陥サイズ・個数別致命率表のように細かい種類に分類されている方が望ましいが、種類が少数の場合、さらには分類がなく一種類の場合でも、チップ単位の生存期待率の計算は勿論可能である。
【００３５】
（第２の態様）
図５は実施の形態１の第２の態様によるチップ単位の生存期待率推定方法を示すフローチャートである。
【００３６】
同図を参照して、ステップＳ２１で第１の態様によるチップ単位の生存期待率を得る。
【００３７】
そして、ステップＳ２２において、ステップＳ２１で得たチップ単位の生存期待率に、欠陥以外の他の致命率データを加味してチップの生存期待率を計算する。例えば、製造プロセス条件毎の致命率を示すデータ（製造工程時の温度が５００℃以上のときは致命率０．０５等）が考えられる。
【００３８】
上記例において、製造工程時の温度が５００℃以上の場合、図４で示す例では、第１の態様におけるチップの生存期待率は０．２１３であったが、第２の態様では、さらに、ステップＳ２２の生存期待率の変更処理が実行されることにより、チップの生存期待率は、０．２０２（０．２１３×（１−０．０５））となり、より精度の高い生存期待率をチップ単位に求めることができる。
【００３９】
このように、実施の形態１の第２の態様では、チップに発生した新規欠陥以外の要因による致命率を加味して、第１の態様で得たチップの生存期待率に変更を加えることにより、より精度の高い生存期待率をチップ単位に求めることができる。
【００４０】
（第３の態様）
図６は実施の形態１の第３の態様によるウェハの歩留まり推定方法を示すフローチャートである。
【００４１】
同図を参照して、ステップＳ３１で計算態様とする１つのウェハを選ぶ。次に、ステップＳ３２でウェハ上における未選択のチップを選択する。
【００４２】
その後、ステップＳ３３において、上述した第１及び第２の態様による生存期待率推定方法のうちいずれかの方法を用いて、ステップＳ３２で選択したチップの生存期待率を計算する。
【００４３】
次に、ステップＳ３４でウェハ上に未選択のチップ（生存期待率が求められていないチップ）の有無を確認し、存在すれば（ＹＥＳ）ステップＳ３２に戻り、以降、ステップＳ３４で全てのチップの選択が確認されるまで（ＮＯ）ステップＳ３２〜Ｓ３４の処理が続行される。
【００４４】
図７はウェハ上の全チップの生存期待率が求められた後の状況を模式的に示す説明図である。同図に示すように、ステップＳ３４で全てのチップの選択が確認されると、ウェハ２０上の全チップ２１の生存期待率が得られたことになる。
【００４５】
ステップＳ３４で全てのチップの選択が確認されると、ステップＳ３５により、全チップの生存期待率に基づき、ウェハ１枚の工程単独歩留まりＢＤを計算する。
【００４６】
すなわち、各チップの生存期待率の総和をＳＣ、総チップ数ＡＣとしたとき、工程単独歩留まりＢＤ（＝ＳＣ／ＡＣ）で求めることができる。図７の例では、２０個のチップそれぞれの生存期待率の総和ＳＣ（＝０．９＋０．９＋…＋０．２）を総チップ数ＡＣ（＝２０）で除算することにより、工程単独歩留まりＢＤを得ることができる。
【００４７】
このように、実施の形態１の第３の態様では、第１あるいは第２の態様の生存期待率推定方法を利用して各チップの生存期待率に基づくことにより、ウェハ１枚の工程単独歩留まりＢＤを精度よく求めることができる。
【００４８】
なお、実施の形態１では、欠陥サイズが異なる欠陥が同一チップに混在した場合は、欠陥サイズ・個数別致命率表から除外したが、除外することなくサイズが大きい方の欠陥サイズとその個数を優先させて分類し、欠陥サイズ・個数別致命率表に登録するようにしても良い。この場合、表１よりも精度が落ちるものの、１チップに複数種の欠陥サイズが存在する場合は実際には少ないため、実質的な精度劣化は小さいと推測される。
【００４９】
＜実施の形態２＞
欠陥サイズ・個数別致命率表は、表１に示したように、欠陥サイズとその個数による欠陥種類に分類されるが、該当する欠陥種類のサンプルが所定数を満たさず、致命率ＲＦが求めることができなかった場合（表１の「不明」に相当）がある。この場合に、既に登録された欠陥種類の致命率ＲＦから、未登録の欠陥種類の生存期待率ＬＥを推定してチップの生存期待率を算出するのが実施の形態２である。
【００５０】
具体的には、同一の欠陥サイズにおいて個数ｎの致命率ＲＦが未登録の場合、同一サイズの個数ｍ（＜ｎ）の生存期待率ＬＥを用いて推定する。
【００５１】
例えば、欠陥サイズ１μｍ未満の欠陥であれば、２つの欠陥が存在するチップの生存期待率ＬＥ２を、１つの欠陥が存在する致命率ＲＦ１に基づき、以下の（ＶＩ）式で推定することができる。
【００５２】
ＬＥ２＝（１−ＲＦ１）２…（ＶＩ）
したがって、表１のデータを用いた場合、０．７１２（＝（１−０．１５６）２）として、欠陥サイズ１μｍ未満・２個の致命率ＲＦが仮に未登録であっても、その生存期待率を比較的高い精度（実際には、「０．６８９」）で推定することができる。
【００５３】
図８は同一の欠陥サイズの欠陥が複数個発生した状態を模式的に示す説明図である。同図に示すように、チップ２１内に欠陥サイズ１μｍ未満の欠陥２２ｃが５個発生している。
【００５４】
この場合に、欠陥サイズ１μｍ未満の欠陥５個という欠陥種類に対応する致命率ＲＦが未登録の場合、例えば、欠陥サイズ１μｍ未満の欠陥５個という欠陥種類における生存期待率ＬＥ５は、欠陥サイズ１μｍ未満の欠陥が２個存在する致命率ＲＦ２と同３個存在する致命率ＲＦ３に基づき、以下の（ＶＩＩ）式で推定することができる。
【００５５】
ＬＥ５＝（１−ＲＦ２）・（１−ＲＦ３）…（ＶＩＩ）
したがって、表１のデータを用いた場合、０．３４０（＝（１−０．３１１）・（１−０．５０６）として、欠陥サイズ１μｍ未満・５個の致命率ＲＦが欠陥サイズ・個数別致命率表に未登録であっても推定することができる。
【００５６】
図９はこの発明の実施の形態２である生存期待率推定方法の処理の一部を示すフローチャートである。同図で示す処理は、図１で示した実施の形態１の処理のステップＳ１５に相当する。
【００５７】
図９を参照して、ステップＳ１５１で、欠陥サイズ・個数別致命率表に検出された欠陥種類に対応する致命率の登録の有無をチェックし、未登録の場合（ＮＯ）はステップＳ１５２に、登録があった場合（ＹＥＳ）はステップＳ１５３に移行する。
【００５８】
ステップＳ１５１で欠陥サイズ・個数別致命率表に検出された欠陥種類に対応する致命率が未登録であった場合に実行されるステップＳ１５２において、上述したように、致命率未登録の欠陥種類と同一の欠陥サイズの致命率を用いて、当該致命率未登録欠陥種類の生存期待率を推定する。
【００５９】
ステップＳ１５１で欠陥サイズ・個数別致命率表に検出された欠陥種類に対応する致命率が登録された場合に実行されるステップＳ１５３において、実施の形態１の第１の態様と同様、登録されている欠陥種類に対応する致命率に基づき生存期待率を計算する。
【００６０】
その後、ステップＳ１５４において、計算対象のチップで検出されたすべての欠陥種類の生存期待率が求められた否かがチェックされ、すべての欠陥種類の生存期待率が求められるまでステップＳ１５１〜Ｓ１５３の処理が繰り返された後、図１のステップＳ１６の処理に移行し、ステップＳ１６においてチップ全体の生存期待率が求められる。
【００６１】
このように、実施の形態２の生存期待率推定方法では、欠陥サイズ・個数別致命率表において対応する致命率が未登録な欠陥種類の欠陥がチップに発生した場合にもチップ全体の生存期待率を求めることができる。
【００６２】
＜実施の形態３＞
実施の形態３では、機能が異なる複数の領域を有するチップに対し、複数の領域それぞれの電気的特性等の検査が個別に行われ、複数の領域それぞれに発生した欠陥種類に基づく欠陥サイズ・個数別致命率表が存在する場合を想定している。例えば、チップのメモリ部とロジック部に分けてそれぞれ欠陥検査と電気的特性検査が行われ、メモリ部用及びロジック部用の欠陥サイズ・個数別致命率表が予め得られた場合を想定した生存期待率推定方法である。
【００６３】
図１０は計算対象となるチップ例を模式的に示す説明図である。同図に示すように、一のチップ２１Ｃ内に複数の領域に相当するロジック部２３、第１のメモリ部２４ａ及び第２のメモリ部２４ｂが設けられ、ロジック部２３には２つの欠陥２２が、第１のメモリ部２４ａには１個の欠陥２２が、第２のメモリ部２４ｂには２個の欠陥が存在している場合を示している。
【００６４】
なお、欠陥検査は、各領域２３，２４ａ，２４ｂ毎に分けて行うことにより通常行われるが、チップ単位に一括して行う場合もある。しかしながら、チップ内に形成される各領域の位置は予め決まっているため、チップ内の欠陥の座標に基づき、どの領域で発生した欠陥であるかを認識することにより、各領域毎に欠陥を集計することができる。
【００６５】
図１１は欠陥の領域分類方法を模式的に説明するための説明図である。同図に示すように、チップ２１Ｃにロジック部２３、第１のメモリ部２４ａ及び第２のメモリ部２４ｂが形成され、ロジック部２３の左下端を原点とした座標軸を設定した場合、欠陥の座標を（Ｘ、Ｙ）としたとき、「Ｘ＞ｘ１かつＹ＞ｙ１」のとき第１のメモリ部２４ａ、「Ｘ＞ｘ２かつＹ＜ｙ１」のとき第２のメモリ部２４ｂ、「Ｘ＜ｘ２かつＹ＜ｙ１」あるいは「Ｘ＜ｘ１かつＹ＞ｙ１」のときロジック部２３で発生した欠陥と認識することができる。
【００６６】
図１２はこの発明の実施の形態３であるチップ単位の生存期待率推定方法を示すフローチャートである。図１１では図１０で示すチップ２１Ｃを計算対象としている。
【００６７】
図１０を参照して、ステップＳ５１で、チップ２１Ｃのロジック部２３に対する生存期待率ＬＥ２３を計算する。その内容は、対象がチップからロジック部２３に代わる点を除いて、実施の形態１（第１及び第２の態様）あるいは実施の形態２で示したチップ単位の生存期待率推定方法と同様にして行われる。
【００６８】
次に、ステップＳ５２で、チップ２１Ｃの第１のメモリ部２４ａに対する生存期待率ＬＥ２４ａを計算し、ステップＳ５３で、チップ２１Ｃの第２のメモリ部２４ｂに対する生存期待率ＬＥ２４ｂを計算する。
【００６９】
ステップＳ５２，Ｓ５３の処理も、ステップＳ５１と同様、対象がチップから第１のメモリ部２４ａあるいは第２のメモリ部２４ｂに代わる点を除いて、実施の形態１あるいは実施の形態２で示したチップ単位の生存期待率推定方法と同様にして行われる。
【００７０】
最後に、ステップＳ５４において、ステップＳ５１〜Ｓ５３で求めた各領域（ロジック部２３，第１及び第２のメモリ部２４ａ及び２４ｂ）の生存期待率に基づき、チップ全体の生存期待率ＬＥ（＝ＬＥ２３・ＬＥ２４ａ・ＬＥ２４ｂ）を計算する。
【００７１】
このように、実施の形態３の生存期待率推定方法は、チップ内に機能の異なる複数の領域が設けられている場合にも、複数の領域毎に生存期待率を求めた後にチップ全体の生存期待率を精度良く求めることができる。
【００７２】
＜実施の形態４＞
実施の形態４では、Ａ工程〜Ｃ工程からなる製造方法によりウェハが製造され、Ａ工程〜Ｃ工程それぞれの新規欠陥における欠陥種類に基づく欠陥サイズ・個数別致命率表が存在する場合を想定している。すなわち、Ａ〜Ｃ工程用欠陥サイズ・個数別致命率が予め得られている場合を想定している。
【００７３】
図１３は、実施の形態４によるウェハの歩留まり計算方法を示すフローチャートである。
【００７４】
同図を参照して、ステップＳ６１で、Ａ工程における全チップそれぞれの生存期待率ＬＥＡを計算する。計算内容はＡ工程後に検出された新規欠陥とその個数による欠陥種類と致命率とが対応づけられたＡ工程用欠陥サイズ・個数別致命率表に基づき、実施の形態１と同様に行われる。
【００７５】
続いて、ステップＳ６２で、Ｂ工程における全チップそれぞれの生存期待率ＬＥＢを計算する。計算内容はＢ工程後に検出された新規欠陥とその個数による欠陥種類と致命率とが対応づけられたＢ工程用欠陥サイズ・個数別致命率表に基づき、実施の形態１と同様に行われる。
【００７６】
その後、ステップＳ６３で、Ｃ工程における全チップそれぞれの生存期待率ＬＥＣを計算する。計算内容はＣ工程後に検出された新規欠陥とその個数による欠陥種類と致命率とが対応づけられたＣ工程用欠陥サイズ・個数別致命率表に基づき、実施の形態１と同様に行われる。
【００７７】
そして、ステップＳ６４で、全工程（Ａ〜Ｃ工程）における全チップそれぞれにおける生存期待率ＬＥ（＝ＬＥＡ・ＬＥＢ・ＬＥＣ）を計算する。
【００７８】
そして、ステップＳ６５において、全チップの生存期待率に基づき、ウェハ１枚の全工程歩留まりＢＤａｌｌを計算する。すなわち、ステップＳ５４で求めた各チップの生存期待率の総和をＳＣ、総チップ数ＡＣとしたとき、全工程歩留まりＢＤａｌｌ（＝ＳＣ／ＡＣ）で求めることができる。
【００７９】
図１４はウェハに生じた欠陥分布の第１の例を示す説明図である。同図に示すように、ウェハ２０に欠陥分布２５及び欠陥分布２６が存在し、欠陥分布２６の略全部が欠陥分布２５に重複している場合、この重複領域に該当するチップの生存期待率は著しく低下する。しかし、上記重複領域以外に設けられるチップは欠陥分布２５のみかいずれの欠陥分布にも該当しないチップとなるため、生存期待率は比較的高い。
【００８０】
全工程におけるウェハ全体の歩留まりを、工程毎のウェハ全体の歩留まりの積として計算した場合は、欠陥分布２６がある領域と欠陥分布２６がない領域それぞれにおける欠陥分布２５の存在比率がおよそ等しいという仮定に基づいている。したがって、欠陥分布２６の略全部が欠陥分布２５のある領域に存在する図１４の状況は、この仮定を大きく逸脱しているため、実際の歩留まりよりも低く計算される可能性が高い。
【００８１】
それに対して、実施の形態４は、全チップそれぞれの生存期待率に基づくことにより上記重複領域の存在を考慮した精度の高い全工程歩留まりＢＤａｌｌを求めることができる。
【００８２】
図１５はウェハに生じた欠陥分布の第２の例を示す説明図である。同図に示すように、ウェハ２０に欠陥分布２７及び欠陥分布２８が存在し、欠陥分布２７と欠陥分布２８との重複領域がなく互いに離散して存在している。
【００８３】
全工程におけるウェハ全体の歩留まりを、工程毎のウェハ全体の歩留まりの積として計算した場合は、欠陥分布２８がある領域と欠陥分布２８がない領域それぞれにおける欠陥分布２７の存在比率がおよそ等しいという仮定に基づいているいる。したがって、欠陥分布２７のある領域に欠陥分布２８が全く存在しない図１５の状況は、上記仮定から大きく逸脱した状況であるため、実際の歩留まりよりも高く計算される可能性が高い。
【００８４】
それに対して、実施の形態４は、全工程における全チップそれぞれの生存期待率に基づくことにより、離散した欠陥分布も考慮した精度の高い全工程歩留まりＢＤａｌｌを求めることができる。
【００８５】
このように、実施の形態４の歩留まり計算方法によって得られる全工程歩留まりＢＤａｌｌは、全工程における全チップの生存期待率に基づくことにより精度が高いため、ウェハ製造工程段階において、全工程歩留まりＢＤａｌｌが予定より低いと計算された場合は製造するウェハ数（投入数）を追加したり、逆に全工程歩留まりＢＤａｌｌが予定より高いと計算された場合は投入数を減らすことが、適切に行える。
【００８６】
なお、実施の形態４ではＡ〜Ｃ工程が全工程である場合を例に挙げて示したが全工程に限らず、複数の工程であれば全工程中の一部でも実施の形態４を適用可能である。この場合、できるだけ多くの工程で実施の形態４を適用すれば、実際に製造される場合のチップの生存期待率に近い値を求めることができる。
【００８７】
＜実施の形態５＞
実施の形態５は、複数の工程を経てウェハ上の複数のチップにそれぞれ集積回路が形成されたデバイスに対する解析処理を行い、上記複数の工程中の少なくとも一つの工程に関連した欠陥の欠陥種類に対応した致命率を記した致命率情報を得た後、前記複数の工程と同じ工程からなる新たな複数の工程を経て新たなウェハ上の複数のチップにそれぞれ集積回路を新たに形成した際の、上記新たなウェハに対するチップ毎のウェハ検査方法である。
【００８８】
図１６はこの発明の実施の形態５であるウェハ判定方法を示すフローチャートである。
【００８９】
同図を参照して、ステップＳ７１で、上記複数の工程を有する所定の製造方法と同一製造方法により製造された電気的特性検査前のウェハを選択する。
【００９０】
次に、ステップＳ７２で、選択されたウェハに対し、実施の形態１〜実施の形態４のいずれかで示された生存期待率推定方法（歩留まり計算方法の全チップの生存期待率を求めるまでの方法を含む）を実行して、少なくとも一つの工程における新規欠陥に基づくウェハの全チップの生存期待率を求める。
【００９１】
この際、少なくとも一つの工程は実施の形態１〜実施の形態３のように一工程でも、実施の形態４のように２以上の工程（全工程を含む）であっても良い。
【００９２】
そして、ステップＳ７３で、選択したウェハにおける未検査チップのうち、最も生存期待率の高いチップを選択する。
【００９３】
その後、ステップＳ７４で、選択したチップに対して電気的特性テストを実行し、当該チップの良品／不良品の判定を行う。
【００９４】
次に、ステップＳ７５で、良品チップが所定数に達したか否かを判定し、所定数に達した場合（ＹＥＳ）は良品ウェハと判定し、所定数に達していない場合（ＮＯ）はステップＳ７６に移行する。
【００９５】
ステップＳ７６で未検査のチップが存在するか否かをチェックし、存在しない場合（ＮＯ）は不良ウェハと判定し、存在する場合（ＹＥＳ）はステップＳ７３に戻る。
【００９６】
以降、ステップＳ７５でＹＥＳ，ステップＳ７６でＮＯと判定されるまで、ステップＳ７３〜Ｓ７６の処理が繰り返される。なお、実施の形態５では、便宜上、良品チップが所定数以上のウェハを良品ウェハ、そうでないウェハを不良ウェアと称しているが、実用上も通用する概念とは限らない。
【００９７】
このように、実施の形態５では、電気的特性の検査を生存期待率の高いチップから優先的に行うため、良品チップが所定数の良品ウェハを短時間で検出可能となる。
【００９８】
なお、良品ウェハの判定後は、残りのチップの電気的特性の検査をさらに行っても良いし、良品ウェハの判定で処理を終了し、未検査のチップは廃棄するようにしても良い。
【００９９】
＜プログラムへの応用＞
実施の形態１〜実施の形態４で示した生存期待率推定方法あるいは歩留まり計算方法または実施の形態５で示したウェハ判定方法をプログラムとしてコンピュータに実行させることにより、それぞれの処理を自動的に実行することができ、処理の労力を大幅に削減することができる。
【０１００】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明における請求項１記載の生存期待率推定方法は、複数の欠陥種類の欠陥が一のチップに発生した場合を含めて、生存期待率をチップ単位に得ることができる。
【０１０１】
この発明における請求項６記載の歩留まり推定方法は、ウェハ上の全てのチップそれぞれの生存期待率に基づくことにより、新たなウェハの所定の工程における歩留まりを精度良く得ることができる。
【０１０２】
この発明における請求項８記載のウェハ検査方法は、生存期待率の高いチップから優先的に検査を行うため、所定数の良品チップを有するウェハを比較的短時間で検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１の第１の態様であるチップ単位の生存期待率推定方法の処理手順を示すフローチャートである。
【図２】欠陥サイズ・個数別致命率表を得るための処理手順を示すフローチャートである。
【図３】一の欠陥種類の分類結果例を示す説明図である。
【図４】チップに存在する欠陥例を示す説明図である。
【図５】実施の形態１の第２の態様によるチップ単位の生存期待率推定方法を示すフローチャートである。
【図６】実施の形態１の第３の態様によるウェハの歩留まり推定方法を示すフローチャートである。
【図７】ウェハ上の全チップの生存期待率が求められた後の状況を模式的に示す説明図である。
【図８】同一の欠陥サイズの欠陥が複数個発生した状態を模式的に示す説明図である。
【図９】この発明の実施の形態２である生存期待率推定方法の処理の一部を示すフローチャートである。
【図１０】計算対象となるチップ例を模式的に示す説明図である。
【図１１】欠陥の領域分類方法を模式的に説明するための説明図である。
【図１２】この発明の実施の形態３であるチップ単位の生存期待率推定方法を示すフローチャートである。
【図１３】実施の形態４によるウェハの歩留まり計算方法を示すフローチャートである。
【図１４】ウェハに生じた欠陥分布の第１の例を示す説明図である。
【図１５】ウェハに生じた欠陥分布の第２の例を示す説明図である。
【図１６】この発明の実施の形態５であるウェハ判定方法を示すフローチャートである。
【符号の説明】
２０  ウェハ、２１，２１Ａ，２１Ｃ  チップ、２２，２２ａ〜２２ｃ  欠陥、２３  ロジック部、２４ａ  第１のメモリ部、２４ｂ  第２のメモリ部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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