【手続補正書】
【提出日】平成21年11月17日(2009.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に堆積物を形成するための堆積システムであって：
材料堆積を容易にするように構成された処理空間を有する第１のアセンブリと；
前記第１のアセンブリに組み合わせられ、前記堆積システムとの間で前記基板の移送を容易にするための移送空間を有する第２のアセンブリと；
前記第２のアセンブリに接続され、前記処理空間のサイズを変化するように前記処理空間の第１の堆積位置から前記処理空間の第２の堆積位置までの間を前記基板を支持し移動するように構成された基板ステージと；
前記処理空間内の前記第１の堆積位置と、前記第２の堆積位置との間の前記基板の移動の間のガス流れを妨げるように構成された封止を有するシーリングアセンブリと；を具備し、
前記第１のアセンブリは、前記第１のアセンブリから前記第２のアセンブリの方へ延びている内側のガス伝導のチャネルを有する延長を備えている堆積システム。
【請求項２】
前記シーリングアセンブリは、前記第１の堆積位置から移送空間の第３の位置まで前記基板の移動の間、封止を分離するように構成されている請求項１の堆積システム。
【請求項３】
前記封止は、前記移送空間から前記処理空間を真空アイソレートするように構成されている請求項１の堆積システム。
【請求項４】
前記封止は、１０−３Ｔｏｒｒ−ｌ／ｓ未満に前記処理空間から前記移送空間までのガスリークを減少するように構成されている請求項３の堆積システム。
【請求項５】
前記封止は、１０−４Ｔｏｒｒ−ｌ／ｓ未満に前記処理空間から前記移送空間までのガスリークを減少するように構成されている請求項３の堆積システム。
【請求項６】
前記第１のアセンブリに組み合わせられ、プロセスの間、前記処理空間を排気するように構成された第１の圧力制御システムと；
前記第２のアセンブリに組み合わせられ、前記移送空間の減じられた汚染物質環境を提供するように構成されている第２の圧力制御システムと；
前記第１のアセンブリに接続し、前記材料堆積の間、前記処理空間にプロセス組成を導入するように構成されているガス注入システムと；
前記基板ステージに組み合わせられ、前記基板の温度を制御するように構成された温度制御システムと；を更に具備する請求項１の堆積システム。
【請求項７】
前記第１のアセンブリは、前記堆積システムの上部部分を備え、
前記第２のアセンブリは、前記堆積システムの下部部分を備え、
前記基板ステージは、前記基板を縦方向に移動するように構成されている請求項１の堆積システム。
【請求項８】
プラズマ形成を容易にするために前記処理空間のプロセスガス組成にパワーを結合させるように構成されている電源を更に具備する請求項１の堆積システム。
【請求項９】
前記電源は、０．１から１００ＭＨｚまでの周波数でＲＦエネルギを出力するように構成されているＲＦ電力電源であり；
前記基板ステージは、前記ＲＦ電力電源に接続され、前記処理空間に前記ＲＦエネルギを結合させるように構成されている電極を含んでいる請求項１の堆積システム。
【請求項１０】
前記内側のガス伝導のチャネルは、前記基板ステージの近くの延長の第１の側部から、前記第１の側部に対向する延長の端部に長手方向に置かれる第２側部までガスコンダクタンスを提供する請求項１の堆積システム。
【請求項１１】
前記延長は、前記延長の前記第１の側部のすぐ近くにシールプレートを備えている請求項１０の堆積システム。
【請求項１２】
前記基板ステージは、前記第１のアセンブリの方へ基板ステージの移動の延長のシールプレートに、接触するように構成されているフランジを備えている請求項１１の堆積システム。
【請求項１３】
前記フランジは、前記シールプレートに対して封止するように構成されている前記封止を含む請求項１２の堆積システム。
【請求項１４】
前記封止は、Ｏリング、先細エラストマ、または螺旋形のスプリング封止のうちの少なくとも１つを備えている請求項１３の堆積システム。
【請求項１５】
前記先細エラストマは、三角形成形加工されたエラストマを備えている請求項１４の堆積システム。
【請求項１６】
前記延長は、前記基板ステージの移動の方向に圧縮するように構成されているベローズユニットを備えている請求項１の堆積システム。
【請求項１７】
前記延長は、前記処理空間から封止部材を保護するために構成されているガードを備えている請求項１の堆積システム。
【請求項１８】
前記延長の部材は、前記基板ステージの方へ延びている少なくとも１つの長手方向のプレートを含んでいるスライダユニットを備えている請求項１の堆積システム。
【請求項１９】
前記基板ステージは、前記第１のアセンブリの方へ前記基板ステージから延びていて、前記長手方向のプレートを有するインターリーブに構成されているレセプションプレートを備えている請求項１８の堆積システム。
【請求項２０】
前記封止の部材は、前記レセプションプレートまたは長手方向のプレートのうちの少なくとも１つに配置されている請求項１９の堆積システム。
【請求項２１】
前記処理空間は、原子層堆積（ＡＬＤ）または化学気相成長（ＣＶＤ）のうちの少なくとも１つのために構成されている請求項１の堆積システム。
【請求項２２】
基板に堆積物を形成するための堆積システムであって：
最も外側の壁と、材料堆積を容易にするように構成された処理空間と、前記処理空間へのプロセスガスの導入のための注入プレートとを有する第１のアセンブリと；
前記第１のアセンブリの最も外側の壁を前記第２のアセンブリに接続するシールされた接合を渡って前記第１のアセンブリに結合され、前記堆積システムとの間で前記基板の移送を容易にするための移送空間を有する第２のアセンブリと；
前記第２のアセンブリに接続され、前記処理空間のサイズを変化するように前記処理空間の第１の堆積位置から前記処理空間の第２の堆積位置までの間を前記基板を支持し移動するように構成された基板ステージと；
前記処理空間内の前記第１の堆積位置と、前記第２の堆積位置との間の前記基板の移動の間のガス流れを妨げるように構成された封止を有するシーリングアセンブリと；を具備し、
前記第１のアセンブリは、前記最も外側の壁の内側に配置され、および、前記最も外側の壁から取り外される延長を備え、前記延長は、前記第１のアセンブリから前記第２のアセンブリの方へ延びている内側のガス伝導のチャネルを有する堆積システム。
【請求項２３】
移送空間から分離される処理空間を有する蒸着システムの基板上に材料を堆積するための方法であって、
移送空間から真空アイソレートされた前記処理空間に前記基板を配置することと；
前記移送空間から真空アイソレーションを維持する間、前記処理空間の第１の位置または第２の位置のいずれかで前記基板を処理することと；
前記第１の位置または前記第２の位置のいずれかで前記基板上に材料を堆積させることとを具備する方法。
【請求項２４】
前記処理空間を１００℃以上に維持することと、
前記移送空間を１００℃未満に維持することとを更に具備する請求項２３の方法。
【請求項２５】
前記処理空間を５０℃以上に維持することと、
前記移送空間を５０℃未満に維持することとを更に具備する請求項２３の方法。
【請求項２６】
前記材料を堆積させることは、蒸着のための前記処理空間にプロセスガス組成を導入することを備えている請求項２３の方法。
【請求項２７】
前記材料を堆積させることは、プラズマ増強蒸着のための前記処理空間にプロセスガス組成を導入することと、
前記プロセスガス組成からプラズマを形成することとを備えている請求項２３の方法。
【請求項２８】
前記材料を堆積させることは、タンタル膜、タンタル炭化物、タンタル窒化膜、またはタンタル炭窒化物膜のうちの少なくとも１つを堆積させることを備えている請求項２３の方法。
【請求項２９】
前記材料を堆積させることは、金属、金属炭化物、金属酸化物、金属窒化、金属炭窒化物、若しくは金属シリサイド、またはこれらの膜のいずれかの組合せのうちの少なくとも１つを堆積させることを備えている請求項２３の方法。
【請求項３０】
前記配置することは、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセス、プラズマ増強ＡＬＤ（ＰＥＡＬＤ）プロセス、化学気相成長（ＣＶＤ）プロセス、またはプラズマ増強ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）プロセスのうちの少なくとも１つを実行するように構成されているチャンバに前記基板を配置していることを備えている請求項２３の方法。
【請求項３１】
前記材料を堆積させることは、前記ＡＬＤプロセスを使用して第１の膜を堆積させることと；
前記ＰＥＣＶＤまたは前記ＰＥＡＬＤプロセスを使用して第２の膜を堆積させることとを備えている請求項３０の方法。
【請求項３２】
前記材料を堆積させることは、前記ＣＶＤプロセスを使用して第１の膜を堆積させることと；
前記ＰＥＣＶＤまたは前記ＰＥＡＬＤプロセスを使用して第２の膜を堆積させることとを備えている請求項３０の方法。
【請求項３３】
前記材料を堆積させることは、
前記ＡＬＤプロセスを使用して第１の膜を堆積させることと；
前記ＣＶＤプロセスを使用して第２の膜を堆積させることとを備えている請求項３０の方法。
【請求項３４】
前記材料を堆積させることは、前記処理空間のプロセスガスに０．１から１００ＭＨｚまでの周波数でＲＦエネルギを印加することである請求項３２の方法。
【請求項３５】
前記材料を堆積させた後にパージガスを導入することを更に具備する請求項３２の方法。
【請求項３６】
堆積される材料の均一性を改良するように、前記処理空間内の前記基板を移動することを更に具備する請求項２３の方法。
【請求項３７】
前記材料を堆積させることは、前記処理空間のプラズマ均一性が３００ｍｍの直径の基板に渡って２％より良くなるような位置に、前記基板を保持している基板ステージの位置をセットすることと；
前記基板の上に材料堆積のためのプラズマを形成することとを備えている請求項２３の方法。
【請求項３８】
前記セットすることは、前記基板ステージをプラズマ均一性が３００ｍｍの直径の基板に渡って１％より良くなるような位置にセットすることを備えている請求項３７の方法。
【請求項３９】
前記基板を配置することは、前記処理空間から前記移送空間までのガスリークが１０−３Ｔｏｒｒ−ｌ／ｓ未満を有する処理空間に前記基板を配置することを備えている請求項２３の方法。
【請求項４０】
前記基板を配置することは、前記処理空間から前記移送空間までのガスリークが１０−４Ｔｏｒｒ−ｌ／ｓ未満を有する処理空間に前記基板を配置することを備えている請求項２３の方法。
【請求項４１】
基板処理システムプロセッサ上の実行のためのプログラム命令を含んでいるコンピュータ読み取り可能なメディアであって、
請求項２３−４０において詳述されるステップのいずれかを実行するように前記基板処理システムを起動するメディア。