【手続補正書】
【提出日】平成22年9月8日(2010.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）複数のデバイス領域および前記複数のデバイス領域の間に位置するダイシング領域を有する基材と、前記複数のデバイス領域にそれぞれ搭載された複数の半導体チップと、前記複数の半導体チップを一括で封止する一括封止部とを備えた組み立て体を準備する工程；
（ｂ）前記（ａ）工程の後、前記基材の前記ダイシング領域に対応する溝および前記基材の前記複数のデバイス領域にそれぞれ対応する複数の貫通孔を有する製品支持部を備えた基材保持治具を介して、前記組み立て体をダイサーカットステージ上に配置する工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記ダイサーカットステージに設けられた吸着孔および前記基材保持治具の前記製品支持部に設けられた前記複数の貫通孔を介して前記一括封止部の表面を吸着保持した状態で、前記ダイシング領域に沿ってブレードを走行させることで前記一括封止部および前記基材を分割する工程；
ここで、
前記（ｂ）工程では、前記一括封止部の前記表面が前記基材保持治具の前記製品支持部と対向し、かつ前記製品支持部に設けられた前記溝および前記複数の貫通孔が前記ダイシング領域および前記複数のデバイス領域とそれぞれ対応するように、前記組み立て体は前記基材保持治具上に配置され、
前記製品支持部は、ゴムで構成されている。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記製品支持部は、プレート状の治具本体上に固定されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程の後、かつ前記（ｂ）工程の前に、
（ｄ）前記基材の複数の外部端子を治具移載ハンドのスポンジに接触させた状態で、前記治具移載ハンドを用いて前記組み立て体を保持し、
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記一括封止部の前記表面が前記製品支持部と対向し、かつ前記溝および前記複数の貫通孔が前記ダイシング領域および前記複数のデバイス領域とそれぞれ対応するように、前記組み立て体を保持している前記治具移載ハンドを用いて前記基材保持治具を保持する、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｅ）工程では、位置決めピンで前記治具移載ハンドをガイドすることで、前記溝および前記複数の貫通孔を前記ダイシング領域および前記複数のデバイス領域とを、それぞれ対応させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数の半導体チップは、複数のワイヤを介して前記複数のデバイス領域とそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）複数のデバイス領域が形成された主面、前記主面と反対側の裏面、及び前記複数のデバイス領域の間に位置するダイシング領域を有する配線基板を準備する工程；
（ｂ）前記（ａ）工程の後、前記配線基板の前記複数のデバイス領域に複数の半導体チップをそれぞれ固定する工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記配線基板の前記主面上に、前記複数の半導体チップを一括で覆う一括封止部を形成する工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記複数のデバイス領域のそれぞれに対応するように、前記配線基板の前記裏面に複数の外部端子を取り付ける工程；
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記配線基板の前記ダイシング領域に対応する溝、及び前記配線基板の前記複数のデバイス領域にそれぞれ対応する複数の貫通孔を有する製品支持部を備えた基板保持治具を介して、前記配線基板をダイサーカットステージ上に配置する工程；
（ｆ）前記（ｅ）工程の後、前記ダイサーカットステージに設けられた吸着孔及び前記基板保持治具の前記製品支持部に設けられた前記複数の貫通孔を介して前記一括封止部の表面を吸着保持した状態で、前記配線基板の前記裏面側から前記ダイシング領域に沿ってダイシング用のブレードを走行させることで前記一括封止部及び前記配線基板を分割し、複数の組み立て体を取得する工程；
ここで、
前記（ｅ）工程では、前記配線基板の前記一括封止部の前記表面が前記基板保持治具の前記製品支持部と対向し、かつ前記製品支持部に設けられた前記溝及び前記複数の貫通孔が前記配線基板の前記ダイシング領域及び前記複数のデバイス領域とそれぞれ対応するように、前記配線基板は前記基板保持治具上に配置され、
前記製品支持部は、ゴムで構成されている。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置の製造方法において、前記製品支持部は、プレート状の治具本体上に固定されており、
前記（ｆ）工程の後、前記複数の組み立て体が配置された前記基板保持治具を、治具移載ハンドを用いて次工程に搬送することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｆ）工程の後、前記複数の組み立て体を洗浄することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置の製造方法において、前記複数の組み立て体を洗浄した後、前記基板保持治具を介して前記複数の組み立て体のそれぞれをスピンステージ上に配置し、前記スピンステージを回転させ、前記複数の組み立て体のそれぞれにエアーを噴射し、前記複数の組み立て体のそれぞれを乾燥させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置の製造方法において、前記乾燥工程の後、さらに以下の（ｇ）工程−（ｉ）工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ｇ）前記複数の組み立て体のそれぞれの封止部の表面が水切りハンドの吸水スポンジに接触するように、前記複数の組み立て体のそれぞれを前記水切りハンドにセットし、前記水切りハンドの前記吸水スポンジに設けられた複数の貫通孔を介して前記複数の組み立て体のそれぞれの前記封止部の前記表面を吸着する工程；
（ｈ）前記（ｇ）工程の後、前記複数の組み立て体のそれぞれの前記封止部の前記表面を前記水切りハンドの前記吸水スポンジに押し当てる工程；
（ｉ）前記（ｈ）工程の後、前記水切りハンドから前記複数の組み立て体のそれぞれを取り出し、前記複数の組み立て体のそれぞれの前記封止部の前記表面をブラシを用いて擦る工程。
【請求項１１】
請求項１０記載の半導体装置の製造方法において、さらに前記（ｅ）工程では、前記配線基板の前記一括封止部の前記表面が前記基板保持治具の前記製品支持部と対向し、かつ前記製品支持部に設けられた前記溝及び前記複数の貫通孔が前記配線基板のダイシングライン及び前記複数のデバイス領域とそれぞれ対応するように、前記配線基板は前記基板保持治具上に配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｂ）工程の後で、かつ前記（ｃ）工程の前には、さらに以下の（ｊ）工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ｊ）前記複数の半導体チップと前記複数のデバイス領域をそれぞれ複数のワイヤを介して電気的に接続する工程。
【請求項１３】
請求項１１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｄ）工程において取り付けられる前記複数の外部端子のそれぞれは、ボール電極であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｃ）工程では、キャビティを有する上金型、及び前記上金型と対向する下金型を備えた成形金型を準備しておき、前記複数の半導体チップの全てが前記キャビティ内に位置するように前記下金型上に前記配線基板を配置し、前記上金型及び前記下金型とをクランプし、前記キャビティ内に封止用樹脂を注入して前記配線基板の前記主面上に前記複数の半導体チップを一括で覆う前記一括封止部を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、前記配線基板の前記裏面には配線パターンが形成されており、
前記（ｆ）工程では、前記配線パターンを認識カメラで認識することで、前記ダイシング領域を割り出した後、前記配線基板の前記裏面側から前記ダイシング領域に沿って前記ダイシング用のブレードを走行させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｄ）工程の後で、かつ前記（ｅ）工程の前には、さらに以下の（ｋ）工程−（ｌ）工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ｋ）前記（ｄ）工程の後、治具移載ハンドのスポンジに前記配線基板の前記複数の外部端子を接触させた状態で、前記配線基板を前記治具移載ハンドで保持する工程；
（ｌ）前記（ｋ）工程の後、前記配線基板の前記一括封止部の表面が前記基板保持治具の前記製品支持部と対向し、前記製品支持部に設けられた前記溝及び前記複数の貫通孔が前記配線基板の前記ダイシング領域及び前記複数のデバイス領域とそれぞれ対応するように、前記配線基板を保持している前記治具移載ハンドで前記基板保持治具を保持する工程。
【請求項１７】
請求項１６記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｈ）工程では、位置決めピンでガイドすることで、前記製品支持部に設けられた前記複数の貫通孔が前記複数のデバイス領域とそれぞれ対応させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１７記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｂ）工程の後で、かつ前記（ｃ）工程の前には、さらに以下の（ｍ）工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ｍ）前記複数の半導体チップと前記複数のデバイス領域をそれぞれ複数のワイヤを介して電気的に接続する工程。
【請求項１９】
請求項１７記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｄ）工程において取り付けられる前記複数の外部端子のそれぞれは、ボール電極であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１７記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｃ）工程では、キャビティを有する上金型、及び前記上金型と対向する下金型を備えた成形金型を準備しておき、前記複数の半導体チップの全てが前記キャビティ内に位置するように前記下金型上に前記配線基板を配置し、前記上金型及び前記下金型とをクランプし、前記キャビティ内に封止用樹脂を注入して前記配線基板の前記主面上に前記複数の半導体チップを一括で覆う前記一括封止部を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
すなわち、本発明は、以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
製品支持部を備えた基材保持治具を介して、組み立て体（基材、配線基板）をダイサーカットステージ上に配置する工程では、前記組み立て体の一括封止部の表面が前記基材保持治具の前記製品支持部と対向し、かつ前記製品支持部に設けられた前記溝及び前記複数の貫通孔が前記組み立て体の前記ダイシング領域及び前記複数のデバイス領域とそれぞれ対応するように、前記組み立て体を前記基材保持治具上に配置し、
前記製品支持部は、ゴムで構成されている。