Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月22日(2010.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９  ００２０  ００２１  ００２２  ００２３  ００２４  ００２５  ００２６  ００２７  ００２８  ００２９  ００３０  ００３１  ００３２  ００３３  ００３４  ００３５  ００３６  ００３７  ００３８  ００３９
【補正方法】追加
【補正の内容】
【００１９】
以上を、仮称〔原式永久機関Ｉ型〕と呼称させて頂くが、反転ギヤ、及び、バネ（スプリング）の製作時間、又、コスト面からもっと安価に製作する為に、〔原式永久機関ＩＩ型〕を、ここに図面化した。
【００２０】
図１０は平面図で、図１１は正面図であるが、ここで４の回転本体を並列（数を増やす）することにより、自在に大きな力を得ることが可能になることを前提に、以下詳細な説明を行う。
【符号の説明】
【００２１】
１    →  台座
２    →  支柱
３    →  回転軸
４    →  回転体
４−１→  過度倒角止めストッパー
５−６→  取付穴及びボルト
６    →  鉄球
７    →  車輪
８    →  ガイドレール
８−１→  ガイド可動部取付ボルト
８−２→  ガイドレバー
８−３→  ガイド駆動ベアリング
８−４→  駆動ベアリング案内ガイド
８−イ→  ７の車輪を本体中心より外へ押し出す面
８−ロ→  ７の車輪を本体中心へ引き込む面
１０    →  可動本体連結プレート
１１    →  ７車輪側案内プレート
１１−１→  ６鉄球側案内プレート
１２    →  案内ケース
１３    →  ジョイントプレート
１４    →  回転プレート
１５    →  継ぎ手ボルト
【００２２】
図１２は、１０の可動本体連結プレートの部品組立全体図である。
Ｉ型でも述べているように、円を１２等分よりも２４等分、さらには３４…と、１０の部品を製作可能な限り増やすことにより、力を大きくすることができる。
【００２３】
図１３では、７の車輪の移動を容易に動かすことができるように、８のガイド部品を曲げ、加工したものである。
【００２４】
８のガイドは、８−２と一体化したものであり、８−１を支点とし可動するもので、１０の可動範囲∠３０°以内を１０の支点５−６方向へ、７の車輪を常に誘導する働きを持っている。
【００２５】
図１３で画いているように、１０の可動本体連結プレートが下降する時、８−４駆動案内ガイドによって、８−３を介して破線図へ移動を行う。
【００２６】
このとき、７の車輪は図のようにＬ寸の分だけ移動を行う。
この移動した長さの分だけ、１３のジョイントプレートを動かし、１４の回転プレートによって６の鉄球が逆に引き込まれる。
【００２７】
ここで、今一度確認をしておくが、７の車輪と６の鉄球の動きは相反するものであり、鉄球の移動変化によって重量のバランスが異なり回転運動を行う。
【００２８】
原式永久機関ＩＩ型では、全てが「てこの原理」の応用といっても過言ではない。
Ｙ線を基軸とした
１．左右の鉄球の位置
２．５−６を支点とした１０の部品の重力利用
３．８−１を支点とした８−２のレバーによって、８のガイドを動かすこと
４．１４の回転プレート
【００２９】
図１４では、６の鉄球位置変化図である。
Ｙ基線より左側部分は省略した。
【００３０】
図１５は、回転体上部の図である。真上に移動してきた破線図である鉄球ＸＩＩは、倒角度に達したとき、１０の部品及び６の鉄球の重みによって、実線図∠３０°に移動する。
【００３１】
この移動と同時に、７の車輪は８のガイドの、８−ロの面を接しながら引き込まれていく。
７の車輪が引き込まれたために、６の鉄球は逆に押し出されていく。
【００３２】
押し出された位置と、引き込まれていた位置の差がＬ寸である。この鉄球の位置変化で、重みのバランスが崩れ、回転本体に力が加わり回転を始める。
【００３３】
回転によって引き出される力関係は、次の通りである。
全体の（回転体の重量、可動本体の重量、鉄球の重量）重量は、変化を加えなければ停止したままであり、何も変わらない。
【００３４】
第１に、８のガイドの位置を変えることで、力の強弱が変化する。それは、１０の取付部を支点とする側へ近づけるほど、７の車輪を楽に押し出すことができる。
しかし、７の車輪の移動する距離は短くなる。逆に遠ざけると、移動距離は増大させることができる。
【００３５】
第２に、１４の回転プレートの可動ボルトの位置を変え、効率の良い位置の設定。
また、回転プレートの可動ボルトの位置変化によって、当然、６の鉄球の移動する長さも変わってくる。
【００３６】
図１６は、回転本体下部の図である。真下に移動してきた鉄球は、破線図のように、伸びきった状態で移動してくるが、１０の部品及び６の鉄球の重みによって、７の車輪は８ガイドの８−イ面を接しながら、鉄球を引き込んでいく。
【００３７】
真下での鉄球の長さの変化によって、次のステップとなるＹ基線を境に、回転方向（→ＲＴ）へ移動と同時に重量軽減することにより、連続回転を行い続けるのである。
【００３８】
一つの例を挙げてみれば、水車を想像してみよう。高い位置から水を落とし、水を溜める木枠に、上部で溜められた水の重みで回転を始めるわけだが、下部で水を捌かさなければ回転しない。
下部で、鉄球の引き込むことと、水を捌かせることは同じことである。
【００３９】
Ｉ型及びＩＩ型、この永久機関を世の人々が利用し、自然、また地球を人々の手で守って行くことができれば、幸いに思います。
他に人類の居場所は無いのだから。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０〜図１６
【補正方法】追加
【補正の内容】
【図１０】
2009281371.tif 000001
【図１１】
2009281371.tif 000002
【図１２】
2009281371.tif 000003
【図１３】
2009281371.tif 000004
【図１４】
2009281371.tif 000005
【図１５】
2009281371.tif 000006
【図１６】
2009281371.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月26日(2010.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリンダブロック（１３）に摺動自在に嵌合されるピストン（２２）と、クランクケース（１２）に回転自在に支承されるクランクシャフト（１７）と、該クランクシャフト（１７）と平行な軸線を有して前記クランクケース（１２）に回転可能に支承されるとともに偏心位置には偏心軸（５３）が設けられる回転軸（５０）とが、前記クランクシャフト（１７）のクランクピン（１７ｃ）を相対回動可能に嵌合せしめる連結筒部（５７）を有して前記クランクピン（１７ｃ）に回動可能に連結されるサブコンロッド（５８Ａ，５８Ｂ）と、該サブコンロッド（５８Ａ，５８Ｂ）および前記ピストン（２２）間を連結する主コンロッド（５９）と、前記サブコンロッド（５８Ａ，５８Ｂ）および前記偏心軸（５３）間を連結するスイングロッド（６０）とを備えるリンク機構（５６）で連結され、前記クランクケース（１２）内に飛散したオイルが前記サブロッド（５８Ａ，５８Ｂ）の連結筒部（５７）および前記クランクピン（１７ｃ）間に導かれるリンク式ストローク可変エンジンにおいて、前記サブコンロッド（５８Ａ，５８Ｂ）の連結筒部（５７）および前記クランクピン（１７ｃ）間に潤滑油を給油するための給油孔（７０）が、最大筒内圧によって前記連結筒部（５７）の内面に前記クランクピン（１７ｃ）から作用する最大荷重の荷重方向を避けるとともに前記サブコンロッド（５８Ａ，５８Ｂ）に対する前記クランクピン（１７ｃ）の相対回動方向に沿って前記最大荷重の作用点の直ぐ後側に配置されるようにして、前記連結筒部（５７）の上部に設けられることを特徴とするリンク式ストローク可変エンジン。
【請求項２】
前記サブコンロッド（５８Ｂ）は、前記主コンロッド（５９）および前記スイングロッド（６０）の前記サブコンロッド（５８Ｂ）側の端部を両側から挟むようにして前記連結筒部（５７）の上部に直角にかつ一体に連設されて相互に対向する一対の対向板部（６１ｂ）と、前記連結筒部（５７）の外面への前記給油孔（７０）の開口端よりも下方で前記連結筒部（５７）の外面から立ち上がって前記両対向板部（６１ｂ）間を結ぶ連結板部（６１ｃ）とを有し、前記給油孔（７０）に通じて上方に開放したオイル溜め（７２）が、前記連結筒部（５７）の外面、前記両対向板部（６１ｂ）および前記連結板部（６１ｃ）で形成されることを特徴とする請求項１記載のリンク式ストローク可変エンジン。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
一方、ピストンと、クランクシャフトと、クランクシャフトと平行な回転軸に設けられた偏心軸とが、クランクピンを相対回動可能に嵌合せしめる連結筒部を有してクランクピンに回動可能に連結されるサブコンロッドと、ピストンおよびサブコンロッド間を連結する主コンロッドと、前記サブコンロッドおよび前記偏心軸間を連結するスイングロッドとを備えるリンク機構で連結されるリンク式ストローク可変エンジンが、特許文献１で既に知られており、このようなリンク式ストローク可変エンジンにおいても、クランクケース内に飛散したオイルによる飛沫潤滑方式でサブコンロッドの連結筒部およびクランクピン間を潤滑するためには、サブコンロッドの連結筒部に給油孔を設けることが必要である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するために、請求項１記載の発明は、シリンダブロックに摺動自在に嵌合されるピストンと、クランクケースに回転自在に支承されるクランクシャフトと、該クランクシャフトと平行な軸線を有して前記クランクケースに回転可能に支承されるとともに偏心位置には偏心軸が設けられる回転軸とが、前記クランクシャフトのクランクピンを相対回動可能に嵌合せしめる連結筒部を有して前記クランクピンに回動可能に連結されるサブコンロッドと、該サブコンロッドおよび前記ピストン間を連結する主コンロッドと、前記サブコンロッドおよび前記偏心軸間を連結するスイングロッドとを備えるリンク機構で連結され、前記クランクケース内に飛散したオイルが前記サブロッドの連結筒部および前記クランクピン間に導かれるリンク式ストローク可変エンジンにおいて、前記サブコンロッドの連結筒部および前記クランクピン間に潤滑油を給油するための給油孔が、最大筒内圧によって前記連結筒部の内面に前記クランクピンから作用する最大荷重の荷重方向を避けるとともに前記サブコンロッドに対する前記クランクピンの相対回動方向に沿って前記最大荷重の作用点の直ぐ後側に配置されるようにして、前記連結筒部の上部に設けられることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
そこで本発明に従えば、前記給油孔７０は、最大筒内圧によって連結筒部５７の内面にクランクピン１７ｃから作用する最大荷重ＦＳＭ（図３参照）の荷重方向を避ける位置に配置される。しかもピストン２２がシリンダボア２３内を往復摺動するのに応じてクランクピン１７ｃが図１に矢印７３で示す方向に回転するのに伴って、クランクピン１７ｃはサブコンロッド５８Ａに対して矢印７４で示す相対回動方向に相対回動するのであるが、前記給油孔７０は、前記相対回動方向７４に沿って前記最大荷重ＦＳＭの作用点の直ぐ後側に配置されるようにして連結筒部５７の上部に設けられる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月26日(2010.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
ところで、クランク室内で発生したオイルミストを、クランク室内の圧力変動を利用しつつブリーザ通路からシリンダヘッド側に導くには、クランク室側への逆流を阻止する一方向弁が必要であり、上記特許文献１および特許文献２で開示されたものでは、吸気弁および排気弁を開閉駆動する動弁機構を収容する動弁室をシリンダヘッドとの間に形成するヘッドカバーに、一方向弁が配設されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また請求項２記載の発明によれば、ブリーザ通路の上流端に通じるブリーザ室から下方に延びる下降通路部が形成されるので、ブリーザ室からクランク室側にオイルが戻ることを防止しつつ、ブリーザ室およびブリーザ通路内で液化したオイルを下降通路部に溜めることができ、下降通路部にクランク室側から作用する圧力で溜まったオイルがシリンダヘッド側に効率よく送られることになる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
前記ブリーザ通路６２は、前記第２ブリーザ室６４側から順に、第２ブリーザ室６４から下方に延びて前記ケース本体１５に設けられる第１下降通路部６２ａと、第１下降通路部６２ａの下端からシリンダヘッド１４側に延びるようにしてケース本体１５、シリンダブロック１３およびシリンダヘッド１４に前記シリンダボア２４の軸線と平行にして設けられる上昇通路部６２ｂと、図４、図６および図７で示すように、上昇通路部６２ｂの上端から吸気弁３８側に傾斜して下方に延びて動弁室５７に開口するようにしてシリンダヘッド１４に設けられる第２下降通路部６２ｃとから成る。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月15日(2010.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨用品であって、
研磨層と、前記研磨層に成形された直線的な透明部分とを有する直線的な研磨シートを備え、前記研磨層は、固定されていない研磨材料から形成され、前記研磨材料は、空隙を持つポリウレタンを含み、前記直線的な研磨シートの最上面は、前記直線的な透明部分の最上面と同一平面にあり、
前記直線的な透明部分は、空隙を持たないポリウレタンを含み約２．５インチの直径のローラの周囲に大きなひび割れを生じることなく巻着されるように可撓性を有する材料で形成されている、研磨用品。
【請求項２】
前記直線的な透明部分の材料が６０のショアＤ硬度を有する、請求項１に記載の研磨用品。
【請求項３】
前記直線的な透明部分の材料の厚さが５０ミルである、請求項１に記載の研磨用品。
【請求項４】
前記直線的な研磨シートが、最上部層、底部層、前記最上部層と前記底部層との間に結合層を備える、請求項１に記載の研磨用品。
【請求項５】
研磨カートリッジであって、
供給ローラと巻取りローラと、
請求項１に記載の前記直線的な研磨シートと、
を備え、
前記直線的な研磨シートの第１端部が前記供給ローラの周囲に巻着され、前記直線的な研磨シートの第２端部が、前記巻取りローラの周囲に巻着している研磨カートリッジ。
【請求項６】
研磨用品を形成する方法であって、
非固体材料を研磨材料のシートの非直線縁に接触させるステップであって、研磨材料の前記シートが研磨面を有する、前記ステップと、
前記研磨材料の前記非直線縁と接触する窓を形成するために、前記非固体材料を固体化させるステップであって、前記窓が前記研磨面と平行な主要軸を有し、前記シートの前記非直線縁が前記主要軸に沿って延び、前記主要軸に沿って離間された複数の突起部を含む、前記ステップと、
を備える方法。
【請求項７】
前記非固体材料を研磨材料の第２シートの非直線的な第２縁に接触させ、前記非固体材料を固体化させ、研磨材料の前記第２シートの前記非直線的な第２縁と接触する窓を形成するステップであって、前記第２シートの前記非直線的な第２縁が前記主要軸に沿って延びている、前記ステップを更に備える、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
間に隙間を設けた前記第１シートと前記第２シートを支持し、前記非固体材料を前記隙間内に堆積するステップを更に備える、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
非固体材料を研磨材料の前記シートの前記縁と、研磨材料の前記第２のシートの前記第２縁とに接触させるステップが、前記縁と前記第２縁の間に液体前駆物質材料を注入する工程を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
研磨用品であって、
研磨面を有する研磨シートと、
前記研磨シートに設けられている固体の光伝播窓であって、前記研磨シートに接触する非直線縁と前記研磨面に対して平行な主要軸を有し、前記非直線縁は、前記主要軸に沿って延び、前記主要軸に沿って離間された複数の突起部を含む、前記光伝播窓と、
を備える、研磨用品。
【請求項１１】
前記研磨シートが長さと幅を設けた細長い形状をしており、前記長さが前記幅よりも長く、前記主要軸が前記長さと平行している、請求項１０に記載の研磨用品。
【請求項１２】
前記窓が、前記研磨シートの、ほぼ全長に延びている、請求項１１に記載の研磨用品。
【請求項１３】
前記窓が、鳩尾状接合部によって前記シート内に嵌合する、請求項１０に記載の研磨用品。
【請求項１４】
前記窓の露出面と前記研磨材料の露出面とが実質的に同一平面にある、請求項１０に記載の研磨用品。
【請求項１５】
前記窓が、前記研磨層に接触する非直線的な第２縁をさらに備え、前記非直線的な第２縁は、前記主要軸に沿って延びており、前記主要軸に沿って離間された複数の第２突起部を含む、請求項１０に記載の研磨用品。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月5日(2010.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】白色発光装置およびバックライト
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
青色ＬＥＤと、
前記青色ＬＥＤ上に設けられた、ＣａｘＳｉ１２−（ｚ＋ｗ）Ａｌｚ＋ｗＯｗＮ１６−ｗ：Ｅｕｙ２＋（０．５＜ｘ＜０．９、０．０１＜ｙ＜０．１５、０＜ｚ＜４、０＜ｗ＜４、０＜ｚ＋ｗ＜４）の組成を有するＣａ−αサイアロン蛍光体と、
前記青色ＬＥＤ上に設けられた緑色蛍光体とを備える白色発光装置。
【請求項２】
前記緑色蛍光体は、Ｅｕに活性化されたβサイアロン蛍光体を含む請求項１に記載の白色発光装置。
【請求項３】
前記緑色蛍光体は、（Ｓｒ１−ｘ−ｙ、Ｃａｘ）Ｇａ２（Ｓｚ、Ｓｅ１−ｚ）４：Ｅｕｙ２＋（０≦ｘ＜１、０＜ｙ＜０．２、０＜ｘ＋ｙ≦１、０＜ｚ≦１）の組成を有する蛍光体を含む請求項１に記載の白色発光装置。
【請求項４】
前記緑色蛍光体は、（Ｓｒ１−ｘ−ｙ−ｚ、Ｃａｘ、Ｂａｙ、Ｍｇｚ）２ＳｉＯ４：Ｅｕｗ２＋（０＜ｘ＜１、０．５＜ｙ＜１、０＜ｚ＜１、０．０３＜ｗ＜０．２、０＜ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＜１）の組成を有する蛍光体を含む請求項１に記載の白色発光装置。
【請求項５】
前記緑色蛍光体は、Ｙ３（Ａｌ１−ｘ、Ｇａｘ）５Ｏ１２：Ｃｅ（０＜ｘ≦1）、ＳｒＳｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ、ＣａＳｃ２Ｓｉ３Ｏ１２：Ｃｅ、ＣａＳｃ２Ｏ４：Ｅｕ 及びこれらの組み合わせから成るグループから選択された蛍光体を含む請求項１に記載の白色発光装置。
【請求項６】
前記緑色蛍光体は、（Ｓｒ１−ｘ−ｙ、Ｃａｘ）Ｇａ２（Ｓｚ、Ｓｅ１−ｚ）４：Ｅｕｙ２＋（０≦ｘ＜１、０＜ｙ＜０．２、０＜ｘ＋ｙ≦１、０＜ｚ≦１）と、（Ｓｒ１−ｘ−ｙ−ｚ、Ｃａｘ、Ｂａｙ、Ｍｇｚ）２ＳｉＯ４：Ｅｕｗ２＋（０＜ｘ＜１、０．５＜ｙ＜１、０＜ｚ＜１、０．０３＜ｗ＜０．２、０＜ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＜１）と、Ｅｕに活性化されたβサイアロンと、Ｙ３（Ａｌ１−ｘ、Ｇａｘ）５Ｏ１２：Ｃｅ（０＜ｘ≦１）と、ＳｒＳｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕと、ＣａＳｃ２Ｓｉ３Ｏ１２：Ｃｅと、ＣａＳｃ２Ｏ４：Ｅｕのうちから選択された２以上の蛍光体を含む請求項１に記載の白色発光装置。
【請求項７】
前記青色ＬＥＤを封止する樹脂をさらに含む請求項１から６のいずれか一項に記載の白色発光装置。
【請求項８】
前記樹脂に、前記Ｃａ−αサイアロン蛍光体と前記緑色蛍光体とが分散されている請求項７に記載の白色発光装置。
【請求項９】
１９３１ＣＩＥ色座標上において、ｘ＝０．２７〜０．３３、ｙ＝０．２５〜０．３５領域の白色光を発する請求項１から８のいずれか一項に記載の白色発光装置。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載の白色発光装置を備えたバックライト。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月22日(2010.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】有機電界効果トランジスタ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機半導体材料を含む半導体層と、ソース電極及びドレイン電極と、を有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方が、有機化合物と遷移金属酸化物とを含む複合層を有し、
前記有機化合物は、下記一般式（１）で表されるカルバゾール誘導体であることを特徴とする有機電界効果トランジスタ。
【化１】
2007227907.tif 000001
（式中、Ｒ11およびＲ13は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、水素、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数６以上２５以下のアリール基、炭素数５以上９以下のヘテロアリール基、アリールアルキル基、炭素数１以上７以下のアシル基のいずれかを表し、Ａｒ11は、炭素数６以上２５以下のアリール基、炭素数５以上９以下のヘテロアリール基のいずれかを表し、Ｒ12は、水素、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基のいずれかを表し、Ｒ14は、水素、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基、下記一般式（２）で表される置換基のいずれかを表し、下記一般式（２）で表される置換基において、Ｒ15は、水素、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数６以上２５以下のアリール基、炭素数５以上９以下のヘテロアリール基、アリールアルキル基、炭素数１以上７以下のアシル基のいずれかを表し、Ａｒ12は、炭素数６以上２５以下のアリール基、炭素数５以上９以下のヘテロアリール基のいずれかを表し、Ｒ16は、水素、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基のいずれかを表す。）
【化２】
2007227907.tif 000002
【請求項２】
請求項１において、Ｒ11およびＲ13の少なくとも一方は、フェニル基であることを特徴とする有機電界効果トランジスタ。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、Ｒ12は、ｔｅｒｔ−ブチル基、フェニル基、ビフェニル基のいずれかであることを特徴とする有機電界効果トランジスタ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、Ｒ14はｔｅｒｔ−ブチル基、フェニル基、ビフェニル基のいずれかであることを特徴とする有機電界効果トランジスタ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、Ｒ15は、フェニル基であることを特徴とする有機電界効果トランジスタ。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、Ｒ16はｔｅｒｔ−ブチル基、フェニル基、ビフェニル基のいずれかであることを特徴とする有機電界効果トランジスタ。
【請求項７】
有機半導体材料を含む半導体層と、前記半導体層に接して、有機化合物と遷移金属酸化物とを含む複合層を電極として有し、
前記有機化合物は、下記一般式（３）で表されるカルバゾール誘導体であることを特徴とする有機電界効果トランジスタ。
【化３】
2007227907.tif 000003
（式中、Ｒ21は、水素、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数６以上２５以下のアリール基、炭素数５以上９以下のヘテロアリール基、アリールアルキル基、炭素数１以上７以下のアシル基のいずれかを表し、Ｒ22は、水素、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基のいずれかを表し、Ｒ23は、下記一般式（４）で表される置換基を表し、一般式（４）で表される置換基において、Ｒ24は、水素、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数６以上２５以下のアリール基、炭素数５以上９以下のヘテロアリール基、アリールアルキル基、炭素数１以上７以下のアシル基のいずれかを表し、Ａｒ21は、炭素数６以上２５以下のアリール基、炭素数５以上９以下のヘテロアリール基のいずれかを表し、Ｒ25は、水素、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基のいずれかを表す。）
【化４】
2007227907.tif 000004
【請求項８】
請求項７において、Ｒ22は、ｔｅｒｔ−ブチル基、フェニル基、ビフェニル基のいずれかであることを特徴とする有機電界効果トランジスタ。
【請求項９】
請求項７又は請求項８において、Ｒ25は、ｔｅｒｔ−ブチル基、フェニル基、ビフェニル基のいずれかであることを特徴とする有機電界効果トランジスタ。
【請求項１０】
請求項７乃至請求項９のいずれか一項において、Ｒ24は、フェニル基であることを特徴とする有機電界効果トランジスタ。
【請求項１１】
請求項７乃至請求項１０のいずれか一項において、Ｒ21は、フェニル基であることを特徴とする有機電界効果トランジスタ。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、前記遷移金属酸化物が、チタン酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、バナジウム酸化物、ニオブ酸化物、タンタル酸化物、クロム酸化物、モリブデン酸化物、タングステン酸化物、レニウム酸化物、およびルテニウム酸化物から選ばれるいずれかであることを特徴とする有機電界効果トランジスタ。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、前記半導体層に含まれる有機半導体材料が、前記複合層に含まれる有機化合物と同一材料であることを特徴とする有機電界効果トランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月24日(2010.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コネクタ内に突出した接続端子の後部をコネクタ外に引き出して基板上の回路に接続する接続端子を用いた基板用コネクタにおいて、前記接続端子は１枚の導電性金属条片を基材とし、前記コネクタ内に突出した相手側接続端子との接続端は前記条片を折り重ねて断面略四角状に形成し、前記コネクタの外部に引き出した導電部分は前記条片を折り重ねることなくその端部を前記基板上の回路に接続したことを特徴とする基板用コネクタの端子構造。
【請求項２】
前記端部は前記基板の回路に半田付けにより接続したことを特徴とする請求項１に記載の基板用コネクタの端子構造。
【請求項３】
前記端部に孔部を形成し、該孔部に溶着用半田チップを取り付けたことを特徴とする請求項１又は２に記載の基板用コネクタの端子構造。
【請求項４】
前記接続端の先端を錐状に形成したことを特徴とする請求項１〜３の何れか１つの請求項に記載の基板用コネクタの端子構造。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月17日(2010.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに絶縁された１次巻線と２次巻線を有するトランスと、
前記トランスの１次巻線に流れる電流をスイッチングするスイッチング素子と、
前記トランスの２次巻線の出力を整流平滑する整流平滑手段と、
前記整流平滑手段によって整流平滑されて得られた前記トランスの２次側の出力電圧と基準電圧を比較して信号を出力するフィードバック手段と、
前記フィードバック手段からの信号に応じて前記スイッチング素子のオン時間を制御するオン時間制御手段と、
前記２次側の出力電圧が供給される負荷の動作を制御するコントローラと、を備え、
前記コントローラは、前記負荷が動作中の場合、前記オン時間制御手段からの信号に基づき前記スイッチング素子が動作するように制御し、
前記負荷が非動作中の場合、前記２次側の出力電圧が第１の電圧より小さくなるまでは前記スイッチング素子のオン時間が長くなるよう前記オン時間制御手段からの信号を変化させることを特徴とする電源装置。
【請求項２】
前記コントローラは、前記２次側の出力電圧が前記第１の電圧より小さくなった後、前記スイッチング素子のオン時間が更に長くなるように前記オン時間制御手段からの信号を変化させることを特徴とする請求項１に記載の電源装置。
【請求項３】
前記コントローラは、前記２次側の出力電圧が前記第１の電圧よりも小さい第２の電圧より小さくなるまでは、前記オン時間制御手段からの信号を変化させて前記スイッチング素子の動作を制御し、前記２次側の出力電圧が前記第２の電圧以上から前記第１の電圧より小さく前記第２の電圧より大きい第３の電圧になるまでの間前記オン時間制御手段からの信号に基づき前記スイッチング素子の動作を制御することを特徴とする請求項１または２に記載の電源装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電源装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、電源装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項１の発明は、互いに絶縁された１次巻線と２次巻線を有するトランスと、前記トランスの１次巻線に流れる電流をスイッチングするスイッチング素子と、前記トランスの２次巻線の出力を整流平滑する整流平滑手段と、前記整流平滑手段によって整流平滑されて得られた前記トランスの２次側の出力電圧と基準電圧を比較して信号を出力するフィードバック手段と、前記フィードバック手段からの信号に応じて前記スイッチング素子のオン時間を、制御するオン時間制御手段と、前記２次側の出力電圧が供給される負荷の動作を制御するコントローラと、を備え、前記コントローラは、前記負荷が動作中の場合、前記オン時間制御手段からの信号に基づき前記スイッチング素子が動作するように制御し、前記負荷が非動作中の場合、前記２次側の出力電圧が第１の電圧より小さくなるまでは前記スイッチング素子のオン時間が長くなるよう前記オン時間制御手段からの信号を変化させることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月17日(2010.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子と画素トランジスタからなる画素が複数配列され、
前記画素トランジスタのうちの転送トランジスタにおける転送ゲートのチャネル幅が、
前記光電変換素子側よりフローティングディフージョン領域側で広く構成されている
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記転送ゲートが前記光電変換素子の角部に配置され、かつ前記フローティングディフージョン領域側で凸形状に形成されている
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記転送ゲートに接する前記フローティングディフージョン領域の一部が高濃度領域で形成され、
前記フローティングディフージョン領域の、前記高濃度領域を囲いかつ素子分離領域との間の他部が、前記高濃度領域の不純物濃度より低い低濃度領域で形成されている
ことを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記フローティングディフージョン領域の前記高濃度領域がコンタクト部と共用されている
ことを特徴とする請求項３記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記光電変換素子は複数存在し、前記複数の光電変換素子は前記フローティングディフージョン領域を共有している
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記フローティングディフージョン領域を共有している前記複数の光電変換素子は前記フローティングディフージョン領域を囲う４個の光電変換素子である
ことを特徴とする請求項５記載の固体撮像装置。
【請求項７】
複数の光電変換素子と該それぞれの光電変換素子の信号電荷を読み出す複数の転送トランジスタの組が、他の画素トランジスタを共有している
ことを特徴とする請求項４記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記複数の光電変換素子と該それぞれの光電変換素子の信号電荷を読み出す複数の転送トランジスタの組が、垂直及び水平方向の直交座標系に配列されている
ことを特徴とする請求項７記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記複数の光電変換素子と該それぞれの光電変換素子の信号電荷を読み出す複数の転送トランジスタの組が、垂直及び水平方向から斜めに傾いた軸に直交する座標系に配列されている
ことを特徴とする請求項７記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記転送ゲートに接する前記フローティングディフージョン領域の一部が高濃度領域で形成され、
前記フローティングディフージョン領域の、前記高濃度領域を囲いかつ素子分離領域との間の他部が、前記高濃度領域の不純物濃度より低い低濃度領域で形成されている
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記フローティングディフージョン領域の前記高濃度領域がコンタクト部と共用されている
ことを特徴とする請求項１０記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
複数の光電変換素子と該それぞれの光電変換素子の信号電荷を読み出す複数の転送トランジスタの組が、他の画素トランジスタを共有している
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
前記複数の光電変換素子と該それぞれの光電変換素子の信号電荷を読み出す複数の転送トランジスタの組が、垂直及び水平方向の直交座標系に配列されている
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項１４】
前記複数の光電変換素子と該それぞれの光電変換素子の信号電荷を読み出す複数の転送トランジスタの組が、垂直及び水平方向から斜めに傾いた軸に直交する座標系に配列されている
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項１５】
固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の光電変換素子に入射光を導く光学系と、
前記固体撮像装置の出力信号を処理する信号処理回路を備えたカメラであって、
前記固体撮像装置は、
前記光電変換素子と画素トランジスタからなる画素が複数配列され、
前記画素トランジスタのうちの転送トランジスタにおける転送ゲートのチャネル幅が、
前記光電変換素子側よりフローティングディフージョン領域側で広く構成されている
ことを特徴とするカメラ。
【請求項１６】
前記転送ゲートが前記光電変換素子の角部に配置され、かつ前記フローティングディフージョン領域側で凸形状に形成されている
ことを特徴とする請求項１５記載のカメラ。
【請求項１７】
前記転送ゲートに接する前記フローティングディフージョン領域の一部が高濃度領域で形成され、
前記フローティングディフージョン領域の、前記高濃度領域を囲いかつ素子分離領域との間の他部が、前記高濃度領域の不純物濃度より低い低濃度領域で形成されている
ことを特徴とする請求項１６記載のカメラ。
【請求項１８】
前記フローティングディフージョン領域の前記高濃度領域がコンタクト部と共用されている
ことを特徴とする請求項１７記載のカメラ。
【請求項１９】
複数の光電変換素子と該それぞれの光電変換素子の信号電荷を読み出す複数の転送トランジスタの組が、他の画素トランジスタを共有している
ことを特徴とする請求項１８記載のカメラ。
【請求項２０】
前記光電変換素子は複数存在し、前記複数の光電変換素子は前記フローティングディフージョン領域を共有している
ことを特徴とする請求項１５記載のカメラ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月16日(2010.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、半導体素子がフリップチップ接続される接続パッドがヘキサゴナルグリッド配置に配置されたパッド配置領域が設けられ、
該パッド配置領域に設けられた接続パッドに一端が接続され、他端が前記パッド配置領域から外側に引き出された配線パターンを備えた多層配線基板であって、
前記パッド配置領域の外周縁に沿って周期的にパッド非配置領域が設けられ、
前記接続パッドのパッドピッチＰ、接続パッド径ｄ、配線パターンの最小配置間隔および配線パターンと接続パッドとの最小間隔ｓ、配線パターンの最小配線幅ｗ、前記パッド非配置領域においてパッドが配置されていない行数をＮdl、前記パッド非配置領域においてパッドが配置されていない列数をＮdrとしたとき、式、
（（Ｎdl＋１）Ｐ−ｄ−ｓ）／（ｗ＋ｓ）≧２Ｎdr＋Ｎdl−１
を満足する配置に、接続パッドと配線パターンが配置されていることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
引き出し層数をＮl、前記パッド非配置領域間に挟まれた接続パッドの数をパッド非配置領域の間隔としたとき、式、
Ｎl≦パッド非配置領域の間隔≦Ｎl＋（Ｎdr−１）
を満足して、複数層に配線パターンを引き回すことを特徴とする請求項１記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記接続パッドおよび配線パターンが、式、
（√３×Ｐ−ｄ−ｓ）／（ｗ＋ｓ）≧１
を満足する配置に設けられていることを特徴とする請求項１または２記載の多層配線基板。
【請求項４】
前記パッド配置領域における接続パッドの配置が、式、
Ｐ−ｄ＜ｗ＋２ｓ
を満足する配置となっていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の多層配線基板。
【請求項５】
前記パッド非配置領域が、前記パッド配置領域の行方向には１行分、列方向には複数列分の接続パッドを取り除いた領域として設定されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の多層配線基板。
【請求項６】
前記パッド非配置領域が、前記パッド配置領域の行方向に３行中に１行の周期で、接続パッドの非配置行を１行、非配置列を複数列として設定されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の多層配線基板。
【請求項７】
前記パッド非配置領域が、前記パッド配置領域の行方向に４行中に２行の周期で、接続パッドの非配置行を２行、非配置列を複数列として設定されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の多層配線基板。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項記載の多層配線基板に、半導体素子がフリップチップ接続によって搭載されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明は次の構成を備える。
すなわち、基板上に、半導体素子がフリップチップ接続される接続パッドがヘキサゴナルグリッド配置に配置されたパッド配置領域が設けられ、該パッド配置領域に設けられた接続パッドに一端が接続され、他端が前記パッド配置領域から外側に引き出された配線パターンを備えた多層配線基板であって、前記パッド配置領域の外周縁に沿って周期的にパッド非配置領域が設けられ、前記接続パッドのパッドピッチＰ、接続パッド径ｄ、配線パターンの最小配置間隔および配線パターンと接続パッドとの最小間隔ｓ、配線パターンの最小配線幅ｗ、前記パッド非配置領域においてパッドが配置されていない行数をＮdl、前記パッド非配置領域においてパッドが配置されていない列数をＮdrとしたとき、式、（（Ｎdl＋１）Ｐ−ｄ−ｓ）／（ｗ＋ｓ）≧２Ｎdr＋Ｎdl−１を満足する配置に、接続パッドと配線パターンが配置されていることを特徴とする。また、引き出し層数をＮlとし、前記パッド非配置領域間に挟まれた接続パッドの数をパッド非配置領域の間隔としたとき、式、Ｎl≦パッド非配置領域の間隔≦Ｎl＋（Ｎdr−１）を満足して、複数層に配線パターンを引き回すことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、前記接続パッドおよび配線パターンが、式、(√3×P-d-s)/(w+s)≧１をさらに満足する配置に設けられていることにより、パッド配置領域に形成された接続パッドからさらに効率的に配線パターンをパッド配置領域外に引き出すことができ、多層配線基板を構成する配線層の層数を効率的に減らすことができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
（接続パッドの配置例：ヘキサゴナルグリッド配置）
図６は、接続パッドをヘキサゴナルグリッド配置とした場合で、パッド配置領域の外周縁に沿ってパッド非配置領域Ｂを形成した例を示す。図示例のパッド非配置領域Ｂは、パッド配置領域の外周縁部に沿って６行中に１行の周期で、非配置行を１行、非配置列を３列としたものである。
図６（ｂ）は、一つのパッド非配置領域Ｂを拡大して示す。この場合は、パッド非配置領域Ｂに面するP1〜P6の６個の接続パッドから配線パターンを引き出す必要がある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
図９は、ヘキサゴナルグリッド配置の場合で、上述した配線パターンの引き出し方法を利用して、半導体素子の信号線に接続する接続パッドから配線パターンを一つの配線層内で引き出すことができるようにした配置例である。
図９（ａ）は、パッド配置領域の外周縁に沿って、行方向に３行中に１行の周期で、非配置行を１行とし、非配置列を３列としたパッド非配置領域Ｂを設定した例である。図９（ｂ）は、行方向に３行中に１行の周期で、非配置行を１行とし、非配置列を７列とした、パッド非配置領域Ｂを設定したものである。
図１０は、スクエアグリッド配置の場合で、半導体素子の信号線に接続される接続パッドから、１層の配線層内で配線パターンを引き出す配置としたものである。図１０（ａ）は、パッド配置領域の外周縁に沿って、行方向に３行中に１行の周期で、非配置行を１行、非配置列を３列としたパッド非配置領域Ｂを設定した例である。図１０（ｂ）は、３行中に１行の周期で、非配置行を１行、非配置列を６列とした、パッド非配置領域Ｂを設定したものである。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月13日(2010.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を実装するのに適応された配線基板であって、
前記電子部品が実装される領域に対応する部分に画定された配線形成領域とその外側の周辺領域とを有し、
前記配線形成領域において、複数の配線層が絶縁層に形成されたビアホールを介して層間接続されるとともに、前記複数の配線層のうちの最外層の配線層が前記配線基板の両面に形成されており、
前記周辺領域において、配線が形成されていない部分に、前記配線基板を厚さ方向に貫通する複数の開口部が形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記複数の開口部は、前記電子部品を熱硬化性材料を用いて実装したときに前記配線基板との界面に発生する熱膨張係数の違いに応じた応力が基板内を伝播するのを分断するような配置形態で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記複数の開口部は、前記周辺領域において対角線方向に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
さらに、前記最外層の配線層の所要箇所に画定されたパッド部を露出させ、かつ、前記複数の開口部を露出させてソルダレジスト層が形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
さらに、前記最外層の配線層の所要箇所に画定されたパッド部を露出させ、かつ、前記複数の開口部を覆うようにソルダレジスト層が形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の配線基板に熱硬化性材料を介在させて電子部品が実装されるとともに、該熱硬化性材料の一部が前記複数の開口部に充填されていることを特徴とする電子部品装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
かかる従来技術に関連する技術としては、例えば、特許文献１に記載されるように、半導体装置用多層基板において、半導体素子が搭載される搭載面を可及的に平坦に形成し、且つ厚さを可及的に薄く形成し得るようにしたものがある。また、特許文献２に記載されるように、開口配線層間に挟持配線層が挟持された多層配線基板において、開口配線層にその積層方向に貫通する貫通孔を形成し、挟持配線層に、開口配線層の開口の少なくとも一部と重なり、貫通孔を途中で遮断する遮断部を設けるようにしたものがある。また、特許文献３に記載されるように、配線基板においてチップ搭載部内に、搭載面とその裏面とを連通する連通孔を内周に有し、さらにその連通孔を介して基板両面を導通させる中空筒状のスルーホール導体を設けたものもある。
【特許文献１】特開２０００−３２３６１３号公報
【特許文献２】特開２００７−１８０２４０号公報
【特許文献３】特開２０００−３３２０５７号公報
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上述した従来技術の課題を解決するため、本発明の一形態によれば、電子部品を実装するのに適応された配線基板であって、前記電子部品が実装される領域に対応する部分に画定された配線形成領域とその外側の周辺領域とを有し、前記配線形成領域において、複数の配線層が絶縁層に形成されたビアホールを介して層間接続されるとともに、前記複数の配線層のうちの最外層の配線層が前記配線基板の両面に形成されており、前記周辺領域において、配線が形成されていない部分に、前記配線基板を厚さ方向に貫通する複数の開口部が形成されていることを特徴とする配線基板が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
この形態に係る配線基板の構成によれば、配線形成領域の外側に画定された周辺領域において、配線が形成されていない部分に、配線基板の厚さ方向に貫通する複数の開口部が形成されている。このため、例えば、本配線基板に熱硬化性材料を用いて電子部品を実装したときにその界面に熱膨張係数の違いに応じた応力（つまり、基板の反りの原因となる応力）が発生しても、その応力の伝わり（伝播）を当該開口部において分断することができる。これにより、基板全体の反りを有効に低減させることができ、従来技術に見られたような、チップの「剥がれ」といった不都合を解消することができる。つまり、高信頼度の実装に寄与することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、上記の形態に係る配線基板に、さらに、最外層の配線層の所要箇所に画定されたパッド部を露出させてソルダレジスト層が形成されていてもよい。このソルダレジスト層は、周辺領域において複数の開口部を露出させるように形成されていてもよいし、あるいは複数の開口部を覆うように形成されていてもよい。この形態の配線基板によれば、配線基板の両面がソルダレジスト層で覆われていることにより基板全体が補強されるので、基板全体の反りを更に抑制することができ、電子部品の実装時の取扱い性が向上する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月30日(2010.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体支持基板と、
前記半導体支持基板上に形成される、厚さ１０ｎｍ以下の絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成される半導体層と、
前記半導体層の上面内に配置され、第一のゲート電極を有する第一の電界効果型トランジスタと、
前記半導体層の上面内に配置され、前記半導体層の表面内に配置された素子分離膜により前記第一の電界効果型トランジスタと電気的に絶縁されており、第二のゲート電極を有する第二の電界効果型トランジスタとを、備えており、
前記第一のゲート電極下方において、前記半導体支持基板には、
第１導電型の前記半導体支持基板に第２導電型の第１不純物領域が配置され、前記第１不純物領域内に第１導電型の第２不純物領域が配置されている、 
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第一の電界効果型トランジスタは、
ロジック回路を構成し、
前記第二の電界効果型トランジスタは、
メモリ回路を構成する、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第一の電界効果型トランジスタは、
第２導電型のソース・ドレイン領域を、備えており、
前記ソース・ドレイン領域の下方における前記半導体支持基板の表面内には、
第２導電型の第３の不純物領域が、さらに配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第二のゲート電極の下方に位置する、前記半導体支持基板の表面内付近の不純物濃度は、
前記第一のゲート電極の下方に位置する、前記半導体支持基板の表面内付近の不純物濃度よりも、低い、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第一のゲート電極の両脇における前記半導体層の表面内に配置されており、前記第一の電界効果型トランジスタを構成するソース・ドレイン領域を、さらに備えており、
平面視おいて、前記ソース・ドレイン領域の前記第一のゲート電極形成側の端部は、
前記第一のゲート電極の端部と一致しているか、または前記第一のゲート電極の前記端部と前記第一のゲート電極非形成側に所定の距離だけ隔てて配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ソース・ドレイン領域の前記第一のゲート電極形成側の前記端部と、前記第一のゲート電極の前記端部との平面視における間隔は、
０以上、２ｎｍ以下である、
ことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第二のゲート電極の両脇における前記半導体層の表面内に配置されており、前記第二の電界効果型トランジスタを構成するソース・ドレイン領域を、さらに備えており、
平面視おいて、前記ソース・ドレイン領域の前記第二のゲート電極形成側の端部は、
前記第二のゲート電極の端部と一致しているか、または前記第二のゲート電極の前記端部と前記第二のゲート電極非形成側に所定の距離だけ隔てて配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記ソース・ドレイン領域の前記第二のゲート電極形成側の端部と、前記第二のゲート電極の前記端部との平面視における間隔は、
０以上、２ｎｍ以下である、
ことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
半導体支持基板と、前記半導体支持基板上に配置される、厚さ１０ｎｍ以下の絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成される半導体層と、前記半導体層の上面内に配置され、第一のゲート電極を有し、ロジック回路を構成する第一の電界効果型トランジスタと、前記半導体層の上面内に配置され、前記半導体層の表面内に形成された素子分離膜により前記第一の電界効果型トランジスタと電気的に絶縁されており、第二のゲート電極を有し、メモリ回路を構成する第二の電界効果型トランジスタとを、備えており、前記第一のゲート電極下方において、前記半導体支持基板には、第１導電型の前記半導体支持基板に第２導電型の第１不純物領域が配置され、前記第１不純物領域内に第１導電型の第２不純物領域が配置され
ている、半導体装置の制御方法であって、
前記第一のゲート電極の下方の前記半導体支持基板の領域に、前記第一の電界効果型ト
ランジスタの順方向バイアスを印加し、
前記第二のゲート電極の下方の前記半導体支持基板の領域に、前記第二の電界効果型ト
ランジスタの逆方向のバイアスを印加する、
ことを特徴とする半導体装置の制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月16日(2010.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記ステップ(d) は、
(d-1) 酸素を含んだガスあるいはその活性種を前記リッジ部もしくは前記メサ部の前記コンタクト層に供給し、前記コンタクト層を酸化することにより酸化膜を形成するステップを含み、
前記酸化物は前記酸化膜を含む、
半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記ステップ(d) は、
(d-1) 少なくとも金属及び酸素を含んだ金属化合物を前記コンタクト層上に形成するステップを含み、
前記酸化物は前記金属化合物を含む、
半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
このように、実施の形態１の半導体装置の製造方法において、図４で示す工程は、酸素を含んだガスあるいはその活性種をリッジ部のｐ型ＧａＮコンタクト層７に供給し、当該ｐ型ＧａＮコンタクト層７を酸化することにより酸化膜９を形成している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
この熱処理によって、酸化膜９を介したｐ型ＧａＮコンタクト層７及びｐ型電極１０間の界面構造が変化し、良好なオーミック接触を得ることができる。すなわち、酸素の存在により、ｐ型ＧａＮコンタクト層７とｐ型電極１０との合金化が促進されてオーミック接触として低い接触抵抗を示すことができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2009135181.tif 000001