Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月15日(2010.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトニック結晶の欠陥により形成された導波路と、該導波路へキャリアを伝導するキャリア伝導領域と、該キャリア伝導領域にキャリアを注入する電極と、前記導波路へ伝導されるキャリア量を制御するための電流制御手段とを有し、前記フォトニック結晶および前記電極を構成する材料の主組成はTiO2であって、前記電流制御手段は、前記導波路へ伝導されるキャリア量に応じて前記導波路を形成する媒質の屈折率を変化させることにより前記導波路を導波する光を変調することを特徴とする光変調素子。
【請求項２】
前記キャリア伝導領域はｎ型TiO2とｐ型TiO2で前記導波路を挟むように構成されており、前記ｎ型TiO2とｐ型TiO2で挟まれた領域のうち前記導波路以外の領域には絶縁部材が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の光変調素子。
【請求項３】
前記電極はNbがドープされたTiO2で構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の光変調素子。
【請求項４】
前記フォトニック結晶は、該フォトニック結晶よりも抵抗値が高い材料で構成された基板上に形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光変調素子。
【請求項５】
前記導波路は１つの導波路から２つの導波路に分岐されたのち１つの導波路へ合成されており、分岐された一方の導波路を形成する媒質の屈折率を変化させることにより該一方の導波路を導波する光が変調されることを特徴とする請求項１乃至４に記載の光変調素子。
【請求項６】
２つの導波路のうち一方の導波路を形成する媒質の屈折率を変化させて該一方の導波路を導波する光が変調されることにより、前記２つの導波路を導波する光が分岐される分岐部を介して、前記２つの導波路のいずれかの導波路へ選択的に光が導波されることを特徴とする請求項４に記載の光変調素子。
【請求項７】
フォトニック結晶の欠陥により形成された導波路と、フォトニック結晶の欠陥により形成された共振器と、該共振器へキャリアを伝導するキャリア伝導領域と、該キャリア伝導領域にキャリアを注入する電極と、前記共振器へ伝導されるキャリア量を制御するための電流制御手段とを有し、前記フォトニック結晶と前記電極を構成する材料の主組成はTiO2であって、前記電流制御手段は、前記共振器へ伝導されるキャリア量に応じて前記共振器を形成する媒質の屈折率を変化させることにより前記共振器の共振モード周波数を変化させて、前記導波路から前記共振器への導波を制御することを特徴とする光変調素子。
【請求項８】
フォトニック結晶の欠陥により形成された導波路と、該導波路の周囲に設けられた屈折率変調領域と、該屈折率変調領域へキャリアを伝導するキャリア伝導領域と、該キャリア伝導領域にキャリアを注入する電極と、前記屈折率変調領域へ伝導されるキャリア量を制御するための電流制御手段とを有し、前記フォトニック結晶および前記電極を構成する材料の主組成はTiO2であって、前記電流制御手段は、前記屈折率変調領域へ伝導されるキャリア量に応じて前記屈折率変調領域を形成する媒質の屈折率を変化させることにより前記導波路を導波する光を変調することを特徴とする光変調素子。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項の光変調素子と、光源部と、前記光変調素子と前記光源を結合する光結合部を有することを特徴とする光変調装置。
【請求項１０】
前記光源部あるいは前記光結合部の少なくとも一部はフォトニック結晶で構成されていることを特徴とする請求項９に記載の光変調装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
図１は本発明の実施例１の要部概略図である。図２は図１の一部分の説明図である。３次元のフォトニック結晶と電流制御手段を有するマッハ・ツェンダー型の光変調素子の要部概略図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
実施例３においては、光源（光源部）４１と可視光の波長帯域で動作する光変調素子と、光結合部４２とを有している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
図５において光源部４１は２つの光源４１１、４１２を有している。光結合部４２は光源部４１と光変調素子４３を結合している。光源部４１に設けられた光源４１１、４１２から出射する光の使用波長は、TiO２がもつバンドギャップ（３５０ｎｍ近傍）よりも長波長側である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
本実施例において光源部４１の一部あるいは前記光結合部に具備されている少なくとも一部がフォトニック結晶で構成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月12日(2010.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
空孔率８０％以上の多孔性材料により構成され且つ移動する被清掃体に接触して前記被清掃体を清掃する清掃部材と、
前記清掃部材を前記被清掃体に対して押し当てる部材と、
を備えたことを特徴とする清掃器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
前記技術的課題を解決するために、請求項１に記載の発明の清掃器は、
空孔率８０％以上の多孔性材料により構成され且つ移動する被清掃体に接触して前記被清掃体を清掃する清掃部材と、
前記清掃部材を前記被清掃体に対して押し当てる部材と、
を備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月19日(2010.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
物体側から順に、第１レンズ群と、第２レンズ群と、第３レンズ群と、第４レンズ群とを備え、前記第２レンズ群および前記第４レンズ群を光軸上で移動させることにより変倍を行うようになされたズームレンズであって、
前記第１レンズ群は全体として正のパワーを有すると共に、物体側から順に、負レンズと、光路を略９０度折り曲げる反射部材と、少なくとも１面を非球面とした両凸形状の正レンズとからなり、
前記第２レンズ群は２枚のレンズよりなり、全体として負のパワーを有し、
前記第３レンズ群は全体として正のパワーを有し、
前記第４レンズ群は全体として正のパワーを有すると共に、物体側から順に、負のパワーを有する接合レンズと、少なくとも１面を非球面とし物体側が凸面である正メニスカスレンズとからなり、
かつ、以下の条件式を満足するように構成されている
ことを特徴とするズームレンズ。
−０．６＜ｆ２／ｆｔ＜−０．３  ……（１）
０．８＜ｆ４／ｆｔ＜１．５  ……（２）
３０＜νｄ１  ……（３）
ただし、
ｆ２：第２レンズ群の焦点距離
ｆ４：第４レンズ群の焦点距離
ｆｔ：望遠端での全系の焦点距離
νｄ１：第１レンズ群の最も物体側の負レンズのｄ線に対するアッベ数
とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明によるズームレンズは、物体側から順に、第１レンズ群と、第２レンズ群と、第３レンズ群と、第４レンズ群とを備え、第２レンズ群および第４レンズ群を光軸上で移動させることにより変倍を行うようになされたズームレンズであって、第１レンズ群は全体として正のパワーを有すると共に、物体側から順に、負レンズと、光路を略９０度折り曲げる反射部材と、少なくとも１面を非球面とした両凸形状の正レンズとからなり、第２レンズ群は２枚のレンズよりなり、全体として負のパワーを有し、第３レンズ群は全体として正のパワーを有し、第４レンズ群は全体として正のパワーを有すると共に、物体側から順に、負のパワーを有する接合レンズと、少なくとも１面を非球面とし物体側が凸面である正メニスカスレンズとからなるものである。かつ、以下の条件式を満足するように構成されているものである。式中、ｆ２は第２レンズ群の焦点距離、ｆ４は第４レンズ群の焦点距離、ｆｔは望遠端での全系の焦点距離、νｄ１は第１レンズ群の最も物体側の負レンズのｄ線に対するアッベ数を示す。
−０．６＜ｆ２／ｆｔ＜−０．３  ……（１）
０．８＜ｆ４／ｆｔ＜１．５  ……（２）
３０＜νｄ１  ……（３）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
このズームレンズは、以下の条件式を満足している。式中、ｆ２は第２レンズ群Ｇ１の焦点距離、ｆ４は第４レンズ群Ｇ４の焦点距離、ｆｔは望遠端での全系の焦点距離、νｄ１は第１レンズ群Ｇ１の最も物体側の負レンズ（負メニスカスレンズＬ１１）のｄ線に対するアッベ数を示す。
−０．６＜ｆ２／ｆｔ＜−０．３  ……（１）
０．８＜ｆ４／ｆｔ＜１．５  ……（２）
３０＜νｄ１  ……（３）
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月12日(2010.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
一次転写手段の一例である一次転写ローラ１５ｄは、中間転写ベルト１を介して感光ドラム１１ｄに圧接して、感光ドラム１１ｄと中間転写ベルト１との間に一次転写部Ｔ１ｄを形成する。なお、本明細書中では、中間転写ベルト１の感光ドラム１１ｄに接触する領域を一次転写部Ｔ１と定義する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
しかし、制御部１１０が可変に設定する紙間距離の最小値は、感光ドラム１１ｄの一次転写部Ｔ１ｄから二次転写部までの距離Ｌ１２よりも大きい。定着部Ｔ３の温度低下が問題とならない画像形成条件、記録材種類であったり、定着装置１７の処理能力に余裕があったりした場合でも、紙間距離は、一次転写部Ｔ１ｄから二次転写部までの距離Ｌ１２以下には設定しない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
制御部１１０は、露光装置１３を制御して、感光ドラム１１ｄへの書き込み開始時期を調整することにより、図３に示すように、先行する記録材Ｐ１と後続の記録材Ｐ２との間に距離ＬＰＳの紙間距離を設定する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
図５に示すように、第１実施形態では、紙間距離７３ｍｍで連続画像形成した場合、１枚目の画像のトナー像の二次転写が終了したとき、感光ドラム１ｄの一次転写部Ｔ１ｄでは２枚目の画像のトナー像の一次転写は開始されていない。感光ドラム１１ｄの一次転写部Ｔ１ｄから二次転写部Ｔ２までの距離Ｌ１２が６０ｍｍで紙間距離７３ｍｍよりも小さいからである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
しかし、図７に示すように、比較例では、紙間距離７３ｍｍで連続画像形成した場合、１枚目の画像のトナー像の二次転写が終了したとき、感光ドラム１１ｄの一次転写部Ｔ１ｄでは２枚目の画像のトナー像の一次転写が既に１７ｍｍ進行している。感光ドラム１１ｄの一次転写部Ｔ１ｄから二次転写部Ｔ２までの距離Ｌ１２が９０ｍｍで、紙間距離７３ｍｍよりも１７ｍｍ大きいからである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
従って、図６に示すように、記録材が二次転写部Ｔ２を抜けたときに発生する中間転写ベルト１の振動（張力変動）が、感光ドラム１１ｄの一次転写部Ｔ１ｄで一次転写されたトナー像に振動による濃度ムラを形成する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３６】
感光ドラム１１は、感光層を表面に形成した金属円筒で構成され、所定のプロセススピードで回転する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月19日(2010.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶装置に記憶された複数のデータを、予め定められた分類条件で分類する分類手段と、
前記分類条件を表示する第１の表示手段と、
前記第１の表示手段により表示されたいずれかの分類条件が選択指示された場合に、前記記憶装置に記憶された複数のデータのうち、該選択指示された分類条件により分類されるデータに関する情報を選択する選択手段と、
前記選択手段により選択された前記データに関する情報を表示する第２の表示手段と、
予め定められた指示が入力された場合に、前記第２の表示手段によりその情報が表示された前記データが検索結果として取得されるようにするための検索条件を、前記選択指示された分類条件に基づいて生成する生成手段と
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記選択手段が、
前記第１の表示手段により表示された分類条件が複数選択指示された場合、該選択指示された分類条件のいずれにも分類されるデータに関する情報を選択することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記選択手段が、
前記第１の表示手段により表示された分類条件が複数選択指示された場合、該選択指示された分類条件のいずれかに分類されるデータに関する情報を選択することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記選択手段が、
前記第１の表示手段により表示された分類条件が複数選択指示された場合、第１の分類条件により分類されるデータに関する情報を抽出し、該抽出されたデータに関する情報の中から、第２の分類条件により分類されるデータに関する情報を抽出することで、前記選択指示された分類条件により分類されるデータに関する情報を選択することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記生成手段が前記検索条件を生成するためのユーザからの選択指示を受信する指示受信手段を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記第１の表示手段により表示された分類条件に対する選択指示は、解除可能であることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記分類条件は、前記データが有するメタデータの項目および該項目に対応するメタデータの値を用いて定義されることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記分類条件は、前記データが有するメタデータの項目および該項目に対応するメタデータの値がとりうる範囲を用いて定義されることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記分類条件は、前記データを解析することにより得られる該データの属性であることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
前記第１の表示手段により表示された分類条件を選択指示する選択指示手段を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項１１】
情報処理装置が行う情報処理方法であって、
前記情報処理装置の分類手段が、記憶装置に記憶された複数のデータを、予め定められた分類条件で分類する分類工程と、
前記情報処理装置の第１の表示手段が、前記分類条件を表示する第１の表示工程と、
前記情報処理装置の選択手段が、前記第１の表示工程において表示されたいずれかの分類条件が選択指示された場合に、前記記憶装置に記憶された複数のデータのうち、該選択指示された分類条件により分類されるデータに関する情報を選択する選択工程と、
前記情報処理装置の第２の表示手段が、前記選択工程において選択された前記データに関する情報を表示する第２の表示工程と、
前記情報処理装置の生成手段が、予め定められた指示が入力された場合に、前記第２の表示工程においてその情報が表示された前記データが検索結果として取得されるようにするための検索条件を、前記選択指示された分類条件に基づいて生成する生成工程と
を備えることを特徴とする情報処理方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の情報処理方法が備える各工程をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月12日(2010.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示装置が表示した画像を光学系を介してユーザに提示する頭部装着型表示装置、に接続されている画像処理装置であって、
第１の画像を生成する生成手段と、
前記光学系の光学歪み特性とは逆の光学歪み特性に基づいて、前記第１の画像内で非表示対象となる領域を特定する特定手段と、
前記非表示対象となる領域に対して、表示制御を行うために用いる制御情報を埋め込むことで、第２の画像を生成する埋め込み手段と、
前記第２の画像を前記頭部装着型表示装置に対して送信する手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記生成手段は、
撮像装置によって撮像された現実空間画像を取得する手段と、
前記撮像装置の位置姿勢に応じて仮想空間画像を生成する手段と、
前記現実空間画像と前記仮想空間画像との合成画像を、前記第１の画像として生成する手段と
を備えることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記撮像装置は、前記頭部装着型表示装置に備わっていることを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記特定手段は、
前記光学系の光学歪み特性とは逆の光学歪み特性に基づいて前記第１の画像を変形させた画像を前記表示装置の表示画面上にマッピングした場合に、当該マッピングした画像上で非表示対象として予め設定された領域に対応する、前記第１の画像内の領域を特定することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記埋め込み手段は、
前記非表示対象となる領域のデータサイズが、前記制御情報のデータサイズ以下である場合には、前記制御情報を分割する手段を備え、
分割したそれぞれの分割制御情報を、連続する各フレームにおける前記第１の画像の前記非表示対象となる領域に対して埋め込むことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記埋め込み手段は、前記第１の画像を前記光学系の光学歪み特性とは逆の光学歪み特性に基づいて変形させることにより得られる画像に対して、前記制御情報を埋め込むことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記制御情報には、表示時間、表示位置、表示色、文字サイズ、表示内容のうちの少なくとも１つを示す情報が含まれていることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
表示装置が表示した画像を光学系を介してユーザに提示する頭部装着型表示装置、に接続されている画像処理装置が行う画像処理方法であって、
前記画像処理装置の生成手段が、第１の画像を生成する生成工程と、
前記画像処理装置の特定手段が、前記光学系の光学歪み特性とは逆の光学歪み特性に基づいて、前記第１の画像内で非表示対象となる領域を特定する特定工程と、
前記画像処理装置の埋め込み手段が、前記非表示対象となる領域に対して、表示制御を行うために用いる制御情報を埋め込むことで、第２の画像を生成する埋め込み工程と、
前記画像処理装置の送信手段が、前記第２の画像を前記頭部装着型表示装置に対して送信する工程と
を備えることを特徴とする画像処理方法。
【請求項９】
コンピュータに請求項８に記載の画像処理方法を実行させるためのプログラム。
【請求項１０】
請求項９に記載のプログラムを格納した、コンピュータが読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月13日(2010.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
浮上面と、
前記浮上面で露出して、トレーリング側の上辺を有した台形の斜辺、前記台形の下辺、および輪郭線を有した露出面と、
を備え、
前記下辺は、リーディング側で前記上辺と平行に延びるとともに前記上辺よりも短く、
前記輪郭線は、前記斜辺の延長線の間で、前記上辺の一端から他端にかけて延びるとともに前記上辺からトレーリング側に向けて膨出したことを特徴とする磁気記録ヘッド。
【請求項２】
前記輪郭線は多角線であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録ヘッド。
【請求項３】
前記輪郭線は曲線であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録ヘッド。
【請求項４】
前記輪郭線は前記上辺の中点を中心とした半円の弧であることを特徴とする請求項３に記載の磁気記録ヘッド。
【請求項５】
筐体と、
前記筐体内に設けられ、千鳥配置の磁性ドットパターンの記録トラックを有した磁気記憶媒体と、
前記磁気記憶媒体に対向した磁気記録ヘッドと、
を備え、
前記磁気記録ヘッドは、
浮上面と、
前記浮上面で露出して、トレーリング側の上辺を有した台形の斜辺、前記台形の下辺、および輪郭線を有した露出面と、
を有し、
前記下辺は、リーディング側で前記上辺と平行に延びるとともに前記上辺よりも短く、
前記輪郭線は、前記斜辺の延長線の間で、前記上辺の一端から他端にかけて延びるとともに前記上辺からトレーリング側に向けて膨出したことを特徴とする磁気記憶装置。
【請求項６】
前記輪郭線は多角線であることを特徴とする請求項５に記載の磁気記憶装置。
【請求項７】
前記輪郭線は曲線であることを特徴とする請求項５に記載の磁気記憶装置。
【請求項８】
前記輪郭線は前記上辺の中点を中心とした半円の弧であることを特徴とする請求項７に記載の磁気記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
実施形態にかかる磁気記録ヘッドは、浮上面と、前記浮上面で露出して、トレーリング側の上辺を有した台形の斜辺、前記台形の下辺、および輪郭線を有した露出面と、を備え、前記下辺は、リーディング側で前記上辺と平行に延びるとともに前記上辺よりも短く、前記輪郭線は、前記斜辺の延長線の間で、前記上辺の一端から他端にかけて延びるとともに前記上辺からトレーリング側に向けて膨出したことを特徴の一つとする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
実施形態にかかる磁気記憶装置は、筐体と、前記筐体内に設けられ、千鳥配置の磁性ドットパターンの記録トラックを有した磁気記憶媒体と、前記磁気記憶媒体に対向した磁気記録ヘッドと、を備え、前記磁気記録ヘッドは、浮上面と、前記浮上面で露出して、トレーリング側の上辺を有した台形の斜辺、前記台形の下辺、および輪郭線を有した露出面と、を有し、前記下辺は、リーディング側で前記上辺と平行に延びるとともに前記上辺よりも短く、前記輪郭線は、前記斜辺の延長線の間で、前記上辺の一端から他端にかけて延びるとともに前記上辺からトレーリング側に向けて膨出したことを特徴の一つとする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月15日(2010.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
親機３０では警報音がスピーカ３９から１分間出力される（ステップＳ１０３）。外線番号記憶部（図示せず）に予め登録された外出先の電話機３２の番号を自動的にダイヤルし（ステップＳ１０４）、呼び出す（ステップＳ１０５）。外出先の電話機３２と通話状態になったか否かを判定し（ステップＳ１０６）、ＮＯであれば通話ボタン３４を押したか否かを判定する（ステップＳ１０７）、ステップＳ１０７がＮＯであれば、１分間経過したか否かを判定する（ステップＳ１０８）。そして、このステップＳ１０８がＮＯであればステップＳ１０６へ戻り、ＹＥＳであれば警報音の発生を停止する（ステップＳ１０９）。続いて、次の登録先があるか否かを判定し（ステップＳ１１０）、ＹＥＳであればステップＳ１０４へ戻り、ＮＯであれば、呼出終了信号を送信して（ステップＳ１１１）、コードレス子機２２とのリンクが切断され、一連の処理が終了する（ステップＳ１１２）。また上記ステップＳ１０６でＹＥＳであれば、外出先の電話機３２に通話信号を送信する（ステップＳ１１３）。さらに上記ステップＳ１０７でＹＥＳであれば子機２２へ通話信号を送信する（ステップＳ１１４）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
次に、図３に示すように外出先の電話機３２−子機２２が通話状態になる（ステップＳ１０）と、子機２２が警報音発生中の場合は警報音が停止し（ステップＳ１２）、音声出力回路２７および音声入力回路２８がＯＮになる（ステップＳ１３）。外出先の電話機３２との通話状態が保たれたまま（ステップＳ１４）、３分経過したか否かが判定される（ステップＳ１５）。そして、ステップＳ１５がＮＯであれば、終話制御信号を受信したか否かが判定され（ステップＳ１６）、ＮＯであればステップＳ１５へ戻り、ＹＥＳであれば次のステップＳ１７へ移り、音声出力回路２７・音声入力回路２８およびライト点灯スイッチ２０がそれぞれＯＦＦになる。そして、親機３０とのリンクが切断され、一連の処理が終了する（ステップＳ１８）。また、ステップＳ１５でＹＥＳであれば、ステップＳ１６を飛ばしてステップＳ１７へ移る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
一方、親機３０では警報音発生中の場合は警報音を停止し（ステップＳ１１５’）、センサライト１の子機２２との通話状態が保たれたまま、音声出力回路２７および音声入力回路４０がそれぞれＯＮになる（ステップＳ１１６’）。次に通話ボタン３４を押したか否かが判定され（ステップＳ１１８’）、ＮＯであれば３分経過したか否かが判定される（ステップＳ１１９’）。ステップＳ１１９’がＮＯであればステップＳ１１８’へ戻り、ステップＳ１１８’がＹＥＳの場合あるいはステップＳ１１９’でＹＥＳの場合には、ステップＳ１２０’へそれぞれ移る。ステップＳ１２０’では終話制御信号を子機２２へ送信する。そして、音声切替スイッチ４２および音声入力回路４０がそれぞれＯＦＦになり（ステップＳ１２２）、子機２２とのリンクが切断され、一連の処理が終了する（ステップＳ１２３）。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
外出先の電話機３２からの呼出が停止したか否かを判定（ステップＳ１５４）し、ＮＯであれば設定回数呼出コールしたか否かを判定する（ステップＳ１５５）。ＮＯならばステップＳ１５４へ戻り、ＹＥＳであれば通話状態となって通話成立信号を外出先の電話機３２へ送出する（ステップＳ１５６）。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
センサライト１の子機２２側では、音声入力回路２８がＯＮになる（ステップＳ６３）。そして、親機３０から制御トーン信号を受信可能な状態となる（ステップＳ６４）。ここで、親機３０のダイヤルボタン４６の操作により、制御トーン信号に応じてセンサライト１に対し防犯機能（ライト点灯、フラッシング、警報音発生）が実行される（ステップＳ６５）。続いて３分経過したか否かが判定される（ステップＳ６６）。ＮＯであれば終話信号を受信したか否かが判定（ステップＳ６７）され、ＮＯであればステップＳ６４へ戻って繰り返し防犯制御操作が行われる。一方、上記ステップＳ６６でＹＥＳの場合およびステップＳ６７でＹＥＳの場合は、音声出力回路２７・音声入力回路２８およびライト点灯スイッチ２０がそれぞれＯＦＦになる（ステップＳ６８）。そして、親機３０とのリンクが切断され、一連の処理が終了する（ステップＳ６９）。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月8日(2010.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各種フォーマット光ディスクの再生や記録を実行する過程で、各フォーマットタイプに適したフォーカス及びトラッキング制御をするため、光ピックアップ部から出力されるアナログ信号を増幅させるアナログ増幅器のゲイン設定が複数可能であるアナログ増幅器を有する光ディスク装置において、
前記増幅器内で設定するゲインに対してオフセット電圧量を、傾きと切片としてメモリ内に保存し、ゲインが切り替わる際に前記保存した傾きと切片に基づいて最適なオフセット電圧を設定するオフセット電圧補正手段を設けた
光ディスク装置。
【請求項２】
オフセット電圧補正手段は、
前記オフセット電圧の設定を光ディスクのフォーマットタイプを変更するときに、計算されたオフセット電圧を設定指示するマイコン部を備えた
請求項１記載の光ディスク装置。
【請求項３】
オフセット電圧補正手段は、
入力するオフセット電圧を変化させながら基準電圧値と等しくなるオフセット電圧を求めるよう構成した
請求項１記載の光ディスク装置。
【請求項４】
入力オフセット電圧に対する出力オフセット電圧の関係を一次近似式として計算するよう構成した
請求項３記載の光ディスク装置。
【請求項５】
一次近似式を求める際、少なくとも異なる３点の入力オフセット電圧に対する出力特性との関係式を求め、出力特性としての飽和状態を検出するよう構成した
請求項４記載の光ディスク装置。
【請求項６】
出力値が飽和して検出された領域の傾きや切片を求める計算式に加えないよう構成した請求項５記載の光ディスク装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の請求項２記載の光ディスク装置は、請求項１において、オフセット電圧補正手段は、前記オフセット電圧の設定を光ディスクのフォーマットタイプを変更するときに、計算されたオフセット電圧を設定指示するマイコン部を備えたことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の請求項３記載の光ディスク装置は、請求項１において、オフセット電圧補正手段は、入力するオフセット電圧を変化させながら基準電圧値と等しくなるオフセット電圧を求めるよう構成したことを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の請求項４記載の光ディスク装置は、請求項３において、入力オフセット電圧に対する出力オフセット電圧の関係を一次近似式として計算するよう構成したことを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の請求項５記載の光ディスク装置は、請求項４において、一次近似式を求める際、少なくとも異なる３点の入力オフセット電圧に対する出力特性との関係式を求め、出力特性としての飽和状態を検出するよう構成したことを特徴とする。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の請求項６記載の光ディスク装置は、請求項５において、出力値が飽和して検出された領域の傾きや切片を求める計算式に加えないよう構成したことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月14日(2010.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の基板に蛍光体層が設けられたプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記蛍光体層に、電子線によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う特性を有する酸化マグネシウム結晶体と、酸化マグネシウムよりも仕事関数が低い低仕事関数材料とが含まれていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記低仕事関数材料が、
金属であるＡｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉ、
アルカリ金属元素，アルカリ土類金属元素，ホウ素，土類金属元素，
ケイ素，チタン，イットリウムの中の１種類以上を含む酸化物、
ＬａＢ6,Ｌａ2Ｏ3,Ｃｓ2ＳＯ4，Ｃｓ2ＣＯ3，（Ｓｒ，Ｃａ）ＣＯ3、
の材料の中の１種類以上の材料を含んでいる請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
一方の基板に蛍光体層が設けられたプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記蛍光体層を形成する工程では、蛍光材と、電子線によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う特性を有する酸化マグネシウム結晶体と、酸化マグネシウムよりも仕事関数が低い低仕事関数材料とを、混合したペーストによって、前記蛍光体層を形成することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
エージング工程を有することを特徴とする請求項３の記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
一方の基板に複数の行電極対が設けられ、他方の基板に列電極と蛍光体層とを設けたプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、
前記蛍光体層に、電子線によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う特性を有する酸化マグネシウム結晶体と、酸化マグネシウムよりも仕事関数が低い低仕事関数材料とが含まれ、
前記行電極対を構成する一方の行電極に電圧パルスが印加されるとともに、この電圧パルスが印加された一方の行電極に対して列電極の電位が相対的に負極側に設定されることによって、列電極と一方の行電極との間に対向放電が発生される行程が含まれている、
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月13日(2010.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１版上に液組成物を塗布することで、液組成物塗膜を形成する第１工程と、
表面側に凹凸パターンを有する第２版を、前記第１版の前記液組成物塗膜の形成面側に押圧し、当該第２版の凸部の頂面に、前記液組成物塗膜の不要なパターンを転写して除去することで、前記第１版上にパターンを形成する第２工程と、
前記第１版の前記パターンの形成面側を、被転写基板の表面に押圧することで、当該被転写基板の表面に前記パターンを転写する第３工程、
とを有し、
前記第１版における前記液組成物が塗布される表面の表面張力をα、最大泡圧法による１００ｍｓｅｃ時の前記液組成物の動的表面張力をβ、前記第２版における凸部の頂面の表面張力をγとした場合、γ＞α≧βとなるように、前記液組成物の組成または前記第１版もしくは前記第２版の表面の材質を設定するパターン形成方法。
【請求項２】
前記液組成物の粘度が、５０ｍＰａ・ｓ以下である請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記液組成物は導電性材料を含有しており、
前記第１工程では、前記第１版上に前記液組成物を塗布することで、導電性膜を形成する請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
第１版上に液組成物を塗布することで、液組成物塗膜を形成する第１工程と、
表面側に凹凸パターンを有する第２版を、前記第１版の前記液組成物塗膜の形成面側に押圧し、当該第２版の凸部の頂面に、前記液組成物塗膜の不要なパターンを転写して除去することで、前記第１版上にパターンを形成する第２工程と、
前記第１版の前記パターンの形成面側を、被転写基板の表面に押圧することで、当該被転写基板の表面に前記パターンを転写する第３工程、
とを有し、
前記第１版における前記液組成物が塗布される表面の表面張力をα、最大泡圧法による１００ｍｓｅｃ時の前記液組成物の動的表面張力をβ、前記第２版における凸部の頂面の表面張力をγとした場合、γ＞α≧βとなるように、前記液組成物の組成または前記第１版もしくは前記第２版の表面の材質を設定する電子素子の製造方法。
【請求項５】
前記電子素子は、基板上に、ソース・ドレイン電極、ゲート絶縁膜およびゲート電極がこの順またはこれと逆の順に積層され、ソース・ドレイン電極の上層側または下層側に半導体層を備えた半導体装置であり、
前記第１工程では、前記第１版上に導電性材料を含有する前記液組成物を塗布することで、導電性膜を形成し、
前記第２工程では、前記第２版を前記第１版の前記導電性膜の形成面側に押圧し、当該第２版の凸部の頂面に、前記導電性膜の不要なパターンを転写して除去することで、前記第１版上に導電性パターンを形成し、
前記第３工程では、前記第１版の前記導電性パターンの形成面側を、被転写基板の表面に押圧し、当該被転写基板の表面に前記導電性パターンを転写することで、前記ソース・ドレイン電極または前記ゲート電極を形成する請求項４に記載の電子素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
上述したように、第２版２０における凸部２０ａの頂面の表面張力（γ）と第１版１０の表面張力（α）がγ＞αの関係を満たすことで、第１版１０の表面よりも、第２版２０の凸部２０ａの頂面の方が導電性膜Ｄとの密着性が高くなる。これにより、図１（ｄ）に示すように、第２版２０を第１版１０の導電性膜Ｄの形成面側に押圧することで、凸部２０ａの頂面に導電性膜Ｄ（前記図１（ｃ）参照）の不要なパターンが確実に転写し、第１版１０上に導電性パターンＤ’が形成される。なお、凸部２０ａの頂面に転写された導電性膜Ｄの不要なパターンは回収して再利用されることとする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
ここで、第１版１０の表面よりも被転写面となる絶縁膜３２の表面３２ａが導電性パターンＤ’との密着性が高くなるように、絶縁膜３２は、第１版１０よりも表面張力が高い材質で構成される。これにより、第１版１０の導電性パターンＤ’の形成面側を、被転写基板３０の被転写面に押圧することで、図２（ｆ）に示すように、導電性パターンＤ’が絶縁膜３２の表面３２ａに転写される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
以上のようにして、基板（ゲート電極）３１上に、絶縁膜（ゲート絶縁膜）３２、ソース・ドレイン電極３３および半導体層３４がこの順に積層されたボトムゲート・ボトムコンタクトトランジスタ型の薄膜トランジスタが製造される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
上記実施例１、２および比較例１〜３の結果を表３に示す。
2008251887.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
上記表３に示すように、実施例１、２では、第１版１０への塗布および第２版２０への転写が問題なく行われ、Ｌ／Ｓ＝５μｍの配線パターンを確実に形成できることが確認された。これに対し、比較例１、２では、第１版１０上の導電性膜Ｄに欠損部分が発生し、上記配線パターンを形成することが出来なかった。また、比較例３では、第１版１０から第２版２０に導電性膜Ｄの不要なパターンが完全には転写されず、第１版１０上に導電性パターンＤ’を形成することができなかった。特に、比較例３の結果から、液組成物の静的表面張力（β’）が第１版１０の表面張力（α）より小さい値であったとしても、液組成物の動的表面張力（β）が第１版１０の表面張力（α）より小さい値でなければ、導電性膜Ｄは形成されないことが確認された。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月24日(2010.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
こうした課題を解決し、耐久性を向上させる方法として、延伸処理により多数の微小結節部の間に無数の微細繊維を形成した多孔質PTFEフィルムにパーフルオロ系イオン交換樹脂を含浸一体化した電解隔膜、放射線グラフト法によってスルホン酸基が導入された架橋PTFE多孔質体にパーフルオロスルホン酸系イオン交換材料等が含浸され、複合型イオン交換膜として一体に成形された高分子電解質膜、あるいはフッ素樹脂フィブリル化繊維を均一に分散含有する含フッ素イオン交換樹脂をＴＱ(重合体の分子量に関係する容量流速100mm2/秒を示す温度)よりも低い温度で延伸し、薄膜化したイオン交換膜などが提案されている。
【特許文献１】特公平５−７５８３５号公報
【特許文献２】特開２００４−２７３２９８号公報
【特許文献３】特公昭６３−６１３３７号公報
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
PVA系繊維不織布は、PVA系繊維をPVAの電解紡糸法により不織布化することによって得られ、その厚さ(測定法：JIS B7502(1994)に規定されている外側マイクロメーター(0〜25mm)を用いて、JIS C2111 5.1(1)の測定法により測定した、無作為により選んだ10点の平均値)が約40μm以下、好ましくは約10〜30μmで、かつその平均孔径(バブルポイント法による自動細孔径分布測定器：PMI社製パームポロメーターにより測定)が約1μm以下、好ましくは約1〜0.1μmのものが用いられる。厚さについては、これ以上の膜厚では電解質物質含浸時の抵抗値の増大を招き、ただしあまり薄すぎると機械的強度が損なわれるようになる。平均孔径については、これ以上の孔径では電解質含浸時の保持力が低下するようになり、ただしあまり小さすぎると電解質が含浸し難くなる。また、その空隙率は約60％以上、好ましくは約70〜90％であるものが一般に用いられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
PVA系繊維不織布はまた、繊維径が1μm以下、好ましくは約0.2μm以下、特に好ましくは約0.1μm以下のPVA系繊維から形成されていることが好ましい。なお、繊維径とは、繊維横断面形状が円形の場合にはその直径であり、非円形の場合には、その断面積と同じ面積を有する円の直径を繊維径とみなしている。このような繊維径のPVA系繊維を用いることにより、不織布膜厚の薄膜化および高空隙率を同時に達成せしめ、これによって電解質含浸時のプロトン伝導性を高め、また発電性を高めることができる。さらに、繊維径が小さいものは、細孔径も小さくなり、電解質含浸時のピンホール形成を軽減できる。なお、不織布の形成は、前述の如く、PVAの電解紡糸法などによって行われる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月9日(2010.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔質シリカフィルムであって、このフィルムから得られる赤外吸収スペクトルの４０００ｃｍ−１から２２００ｃｍ−１の範囲において、
(i)アルキル基のＣ−Ｈ伸縮運動に起因する明確な１つの吸収ピークを有し、かつ、
(ii)ＳｉＯＨ基のＳｉ−Ｏ伸縮運動に起因するピーク強度がアルキル基のＣ−Ｈ伸縮運動に起因するピーク強度の０．２倍以下であり、かつ、
(iii)ＨＳｉＯ３基のＳｉ−Ｈ伸縮運動に起因する明確な１つの吸収ピークを有し、その波数が２２７０ｃｍ−１より小さく、かつ、その強度が、アルキル基のＣ−Ｈ伸縮運動に起因する吸収ピークの０.５倍から３倍であること
を特徴とする多孔質シリカフィルム。
【請求項２】
前記アルキル基に起因する明確な１つの吸収ピークの強度が、１０００ｃｍ−１から１２００ｃｍ−１の間に現れるＳｉ−Ｏ結合に起因する吸収ピークに対して、０．０５倍以下であることを特徴とする請求項１に記載の多孔質シリカフィルム。
【請求項３】
前記アルキル基のＣ−Ｈ伸縮運動に起因するピークが３０００ｃｍ−１付近にあることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の多孔質シリカフィルム。
【請求項４】
多孔質シリカフィルムに存在する細孔の平均径が０．５ｎｍから５ｎｍの範囲にあることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の多孔質シリカフィルム。
【請求項５】
多孔質シリカフィルムの膜厚が、５０ｎｍから５０００ｎｍの範囲にあることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の多孔質シリカフィルム。
【請求項６】
請求項１又は請求項２に記載の多孔質シリカフィルムを含み、比誘電率が２．４以下であることを特徴とする層間絶縁膜。
【請求項７】
請求項６に記載の層間絶縁膜を含むことを特徴とする半導体材料。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体材料を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
アルコキシシラン類の加水分解縮合物および細孔形成剤を含む溶液を乾燥してフィルム状の複合体を形成し、このフィルム状の複合体から細孔形成剤を除去することによってＳｉ−Ｏ結合を主として有する多孔質シリカフィルムを形成し、この多孔質シリカフィルムへ非酸素存在下、４００℃以下で紫外線照射を行い、更に多孔質シリカフィルムとアルキル基を有する有機ケイ素化合物との接触反応処理を行うことを特徴とする、請求項１又は請求項２に記載の多孔質シリカフィルムの製造方法。
【請求項１０】
アルキル基を有する有機ケイ素化合物が、１分子中に、Ｓｉ−Ｘ−Ｓｉ結合（Ｘは酸素原子、基−ＮＲ−、炭素数１または２のアルキレン基またはフェニレン基を示し、Ｒは炭素数１〜６のアルキル基またはフェニル基を示す）を１つ以上、およびＳｉ−Ａ結合（Ａは水素原子、水酸基、炭素数１〜６のアルコキシ基、フェノキシ基またはハロゲン原子を示す）を２つ以上有するものであることを特徴とする請求項９に記載の多孔質シリカフィルムの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の多孔質シリカフィルムに存在する細孔の平均径は０．５ｎｍから５ｎｍであることが好ましく、膜厚は、５０ｎｍから５０００ｎｍであることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、本発明によると、アルコキシシラン類の加水分解縮合物および細孔形成剤を含む溶液を乾燥してフィルム状の複合体を形成し、このフィルム状の複合体から細孔形成剤を除去することによってＳｉ−Ｏ結合を主として有する多孔質シリカフィルムを形成し、この多孔質シリカフィルムへ非酸素存在下、４００℃以下で紫外線照射を行い、更に多孔質シリカフィルムとアルキル基を有する有機ケイ素化合物との接触反応処理を行うことを特徴とする、多孔質シリカフィルムの製造方法が得られる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
アルキル基を有する有機ケイ素化合物としては公知のものを使用できるが、１分子中にＳｉ−Ｘ−Ｓｉ結合〔式中、Ｘは酸素原子、基−ＮＲ−（Ｒは炭素数１〜６のアルキル基またはフェニル基を示す）、炭素数１〜２のアルキレン基またはフェニレン基を示す。〕を１つ以上およびＳｉ−Ａ結合（式中Ａは水素原子、水酸基、炭素数１〜６のアルコキシ基、フェノキシ基またはハロゲン原子を示す。）を２つ以上有する有機ケイ素化合物（以後「有機ケイ素化合物（Ａ）」と称す）が挙げられる。有機ケイ素化合物（Ａ）を反応させれば、この化合物も含めたシロキサン結合の再配列が起こるため、機械的強度のさらなる向上が期待される。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月14日(2009.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に形成された複数の基板パッドと、
該基板に実装された電子部品の表面に形成された複数の素子パッドとをキャピラリの先端から突出したワイヤーにより結線するワイヤーボンディング方法において、
前記キャピラリの先端から突出したワイヤーを前記キャピラリによって前記基板パッドに押し付けて前記基板パッドに該ワイヤーを接続し、
該ワイヤーを引き出しながら前記キャピラリを移動し、
該ワイヤーを前記キャピラリによって前記素子パッドに押し付けて前記素子パッドに前記ワイヤーを接続すると同時に前記ワイヤーを切断する一連の動作を複数回行った後、
前記キャピラリの先端から突出したワイヤーを前記キャピラリによって前記基板に形成されたダミーパッドに押し付けて該ダミーパッドに該ワイヤーを接続し、
該ワイヤーを引き出しながら前記キャピラリを移動し、
該ワイヤーを前記キャピラリによって前記ダミーパッドに押し付けて該ダミーパッドに前記ワイヤーを接続すると同時に前記ワイヤーを切断することを特徴とするワイヤーボンディング方法
【請求項２】
前記ダミーパッドは、基板パッドの一部または基板パッドに接続された配線パターンである請求項１に記載のワイヤーボンディング方法
【請求項３】
複数のＬＥＤアレイが実装された基板と、
該基板が固定されたベースと、
該ベースに固定され、レンズアレイを有するカバーとを備えたＬＥＤプリントヘッドの製造方法において、
前記基板は、
該基板に形成された複数の基板パッドと、
該基板に実装されたＬＥＤアレイの表面に形成された複数の素子パッドとをキャピラリによりワイヤーボンディングするに際し、
前記キャピラリの先端から突出したワイヤーを前記キャピラリによって前記基板パッドに押し付けて前記基板パッドに該ワイヤーを接続し、
該ワイヤーを引き出しながら前記キャピラリを移動し、
該ワイヤーを前記キャピラリによって前記素子パッドに押し付けて前記素子パッドに前記ワイヤーを接続させると同時に前記ワイヤーを切断する一連の動作を複数回行った後、
前記キャピラリの先端から突出したワイヤーを前記キャピラリによって前記基板に形成された前記ダミーパッドに押し付けて前記ダミーパッドに該ワイヤーを接続し、
該ワイヤーを引き出しながら前記キャピラリを移動し、
該ワイヤーを前記キャピラリによって前記ダミーパッドに押し付けて前記ダミーパッドに前記ワイヤーを接続すると同時に前記ワイヤーを切断することを特徴とするＬＥＤプリントヘッドの製造方法
【請求項４】
前記ダミーパッドは、基板パッドの一部または基板パッドに接続された配線パターンである請求項３に記載のＬＥＤプリントヘッドの製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ワイヤーボンディング方法およびＬＥＤプリントヘッドの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
しかし、素子パッドは、電子部品を構成する半導体基板（例えば、ガリウム砒素、シリコン等）の上に形成された薄い（例えば、約１μｍ）金属膜により構成されるので、キャピラリの先端に付着した金属カスを放置すると、金属カスが素子パッドに当たるので、キャピラリを素子パッドに十分押し付けることができないという現象が生じる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
また、前記した実施例においては、ダミーパッドとして、基板パッドとは独立したものを用いて説明したが、これに限るものではなく、基板パッド１２の一部をダミーパッドとして用いても良い。
すなわち、図２０に示すように、複数のＬＥＤアレイ２０が実装された電源ラインとしての基板パッド１２の未使用部分である端部を、ダミーパッド１５として用いても良い。