【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年11月13日(2009.11.13)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板を処理する方法であって、
珪素と、酸素と、炭素とを有し、原子量で少なくとも１％の炭素含有量及び３よりも小さい誘電率を有する誘電層を、化学気相堆積により基板上に堆積するステップと、
珪素と炭素を含有する層を前記誘電層の上に堆積するステップであって、
アルキルシラン化合物と不活性なガスとを処理チャンバ内へ導入し、
ＲＦ電力を基板上に供給することによってプラズマを生成する、
ことを含む、該ステップと、
珪素と、酸素と、炭素とを有する前記誘電層、及び、珪素と炭素を含有する前記層を、後続の材料の堆積の前にアニーリングするステップと、
を有する方法。
【請求項２】  前記誘電層が、有機シラン化合物と酸化ガスを反応させることによって堆積される請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記誘電層が、トリメチルシランと、テトラメチルシランと、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンと、ヘキサメチルジシロキサンと、２，２−ビス（１−メチルジシロキサニル）プロパンと、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンと、オクタメチルシクロテトラシロキサンと、１，３，５，７，９−ペンタメチルシクロペンタシロキサンと、これらのフッ素化炭素誘導体と、これらの組み合わせとから成るグループから選択された有機シラン化合物により堆積される請求項１に記載の方法。
【請求項４】  前記有機シラン化合物が、３つ以上のアルキル基を有する請求項２に記載の方法。
【請求項５】  前記酸化ガスが、Ｎ２Ｏと、Ｏ２と、Ｏ３と、これらの組み合わせとから成る群より選択される請求項２に記載の方法。
【請求項６】  前記有機シラン化合物がトリメチルシランを有し、前記酸化ガスがオゾンを有する請求項２に記載の方法。
【請求項７】  前記誘電層が、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンを酸化することによって堆積される請求項２に記載の方法。
【請求項８】  前記誘電層の前記誘電率が、前記珪素と炭素を含有する層を堆積することによって減少する請求項１に記載の方法。
【請求項９】  前記誘電層が、３以下の誘電率を有する請求項１に記載の方法。
【請求項１０】  前記アルキルシラン化合物が、トリメチルシランである請求項１に記載の方法。
【請求項１１】  前記珪素と炭素を含有する層はシリコンカーバイド層であり、前記誘電層の前記誘電率が、該シリコンカーバイド層を堆積することによって減少する請求項１に記載の方法。
【請求項１２】  基板を処理する方法であって、
炭素含有量が原子量で少なくとも１％、誘電率が３よりも小さい誘電層を、有機シラン化合物と酸化ガスとを反応させて基板上に堆積するステップと、
シリコンカーバイド層又はドープシリコンカーバイド層を前記誘電層の上に堆積させて、前記誘電層の前記誘電率を減少させるステップであって、
アルキルシラン化合物と、不活性のガスとを、処理チャンバ内に導入し、
ＲＦ電力を基板上に供給することによってプラズマを生成する、
ことを含む、該ステップと、
前記誘電層、及び、前記シリコンカーバイド層又はドープシリコンカーバイド層を、後続の材料の堆積の前にアニーリングするステップと、
を含む方法。
【請求項１３】  前記誘電層が、トリメチルシランと、テトラメチルシランと、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンと、ヘキサメチルジシロキサンと、２，２−ビス（１−メチルジシロキサニル）プロパンと、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンと、オクタメチルシクロテトラシロキサンと、１，３，５，７，９−ペンタメチルシクロペンタシロキサンと、これらのフッ素化炭素誘導体と、これらの組み合わせとから成る群より選択された有機シラン化合物から堆積される請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】  前記有機シラン化合物が３つ以上のアルキル基を有する請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】  前記酸化ガスが、Ｎ２Ｏと、Ｏ２と、Ｏ３と、これらの組み合わせとから成る群より選択される請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】  前記有機シラン化合物がトリメチルシランを有し、前記酸化ガスがオゾンを有する請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】  前記有機シラン化合物が１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンを有する請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】  前記誘電層が、前記シリコンカーバイド層又はドープシリコンカーバイド層を堆積する前に、原子量で１％〜５０％の炭素含有量を有する請求項１２に記載の方法。
【請求項１９】  前記誘電層が、前記シリコンカーバイド層又はドープシリコンカーバイド層を堆積する前に３以下の誘電率を有する請求項１２に記載の方法。
【請求項２０】  前記アルキルシラン化合物が、トリメチルシランである請求項１２に記載の方法。
【請求項２１】  前記誘電層の前記誘電率が、前記シリコンカーバイド層又はドープシリコンカーバイド層を堆積した後で２．４よりも小さい請求項１２に記載の方法。
【請求項２２】  基板を処理する方法であって、
炭素含有量が原子量で５％〜５０％、誘電率が３より小さい誘電層を、３つ以上のアルキル基を有する有機シラン化合物をオゾンと反応させることによって基板上に堆積するステップと、
前記誘電層の誘電率を減少させるのに十分なプラズマ条件でアルキルシラン化合物を反応させることによって、シリコンカーバイド層又はドープシリコンカーバイド層を前記誘電層の上に堆積するステップであって、ＲＦ電力を基板上に供給することにより前記プラズマが生成される、該ステップと、
前記誘電層、及び、前記シリコンカーバイド層又はドープシリコンカーバイド層を、後続の材料の堆積の前にアニーリングするステップと、
を有する方法。
【請求項２３】  前記有機シラン化合物が、３つ以上のアルキル基を含む請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】  前記有機シラン化合物がトリメチルシランであり、前記アルキルシラン化合物がトリメチルシランである請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】  前記有機シラン化合物が、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンである請求項２２に記載の方法。
【請求項２６】  前記誘電層が、前記シリコンカーバイド層又はドープシリコンカーバイド層を堆積した後で２．４以下の誘電率を有する請求項２２に記載の方法。
【請求項２７】 珪素と、酸素と、炭素とを有する前記誘電層が、ジメチルシラネジオール、ジフェニルシラネジオール、ジメチルジメトオキシシラン、ジエチルジエトオキシシラン、ジメチルジエトオキシシラン、ジエチルジメトオキシシラン、１，３−ジメチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン、１，３−ビス（シラノメチレン）ジシロキサン、ビス（１−メチルジシロキサニル）メタン、２，２−ビス（１−メチルジシロキサニル）プロパン、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７，９−ペンタメチルシクロペンタシロキサン、１，３，５，７−テトラシラノ−２，６−ジオキシ−４，８−ジメチレン、１，３，５−トリシラネテトラヒドロピラン、及び、２，５−ジシラネテトラヒドロフランからなる群から選択される有機珪素化合物を反応させることにより堆積される、請求項１に記載の方法。
【請求項２８】  
前記アルキルシラン化合物は、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、ジエチルシラン、プロピルシラン、ビニルメチルシラン、１，１，２，２−テトラメチルジシラン、ヘキサメチルジシラン、１，１，２，２，３，３−ヘキサメチルトリシラン、１，１，２，３，３−ペンタメチルトリシラン、ジメチルジシラノエタン、ジメチルジシラノプロパン、テトラメチルジシラノエタン、及び、テトラメチルジシラノプロパンからなる群から選択される化合物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２９】
前記誘電層は、ジメチルシラネジオール、ジフェニルシラネジオール、ジメチルジメトオキシシラン、ジエチルジエトオキシシラン、ジメチルジエトオキシシラン、ジエチルジメトオキシシラン、１，３−ジメチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン、１，３−ビス（シラノメチレン）ジシロキサン、ビス（１−メチルジシロキサニル）メタン、２，２−ビス（１−メチルジシロキサニル）プロパン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７，９−ペンタメチルシクロペンタシロキサン、１，３，５，７−テトラシラノ−２，６−ジオキシ−４，８−ジメチレン、１，３，５−トリシラネテトラヒドロピラン、及び、２，５−ジシラネテトラヒドロフラン、これらのフッ素化誘導体、並びに、これらの化合物からなる群から選択される有機珪素化合物を反応させることにより堆積される、請求項１２に記載の方法
【請求項３０】
前記アルキルシラン化合物は、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、ジエチルシラン、プロピルシラン、ビニルメチルシラン、１，１，２，２−テトラメチルジシラン、ヘキサメチルジシラン、１，１，２，２，３，３−ヘキサメチルトリシラン、１，１，２，３，３−ペンタメチルトリシラン、ジメチルジシラノエタン、ジメチルジシラノプロパン、テトラメチルジシラノエタン、及び、テトラメチルジシラノプロパンからなる群から選択される化合物を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項３１】
三つ以上のアルキル基を含む前記有機シラン化合物は、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、及び、１，３，５，７，９−ペンタメチルシクロペンタシロキサンからなる群から選択される、請求項２２に記載の方法。
【請求項３２】
前記アルキルシラン化合物は、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、ジエチルシラン、プロピルシラン、ビニルメチルシラン、１，１，２，２−テトラメチルジシラン、ヘキサメチルジシラン、１，１，２，２，３，３−ヘキサメチルトリシラン、１，１，２，３，３−ペンタメチルトリシラン、ジメチルジシラノエタン、ジメチルジシラノプロパン、テトラメチルジシラノエタン、及び、テトラメチルジシラノプロパンからなる群から選択される化合物を含む、請求項２２に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
メチルシラン                  ＣＨ３−ＳｉＨ３、
ジメチルシラン                （ＣＨ３）２−ＳｉＨ２、
トリメチルシラン              （ＣＨ３）３−ＳｉＨ、
テトラメチルシラン            （ＣＨ３）４−Ｓｉ、
ジメチルシラネジオール        （ＣＨ３）２−Ｓｉ（ＯＨ）２、
エチルシラン                  ＣＨ３−ＣＨ２−ＳｉＨ３、
フェニルシラン                Ｃ６Ｈ５−ＳｉＨ３、
ジフェニルシラン              （Ｃ６Ｈ５）２−ＳｉＨ２、
ジフェニルシラネジオール      （Ｃ６Ｈ５）２−Ｓｉ−（ＯＨ）３、
メチルフェニルシラン          Ｃ６Ｈ５−ＳｉＨ２−ＣＨ３、
ジシラノメタン                ＳｉＨ３−ＣＨ２−ＳｉＨ３、
ビス（メチルシラノ）メタン    ＣＨ３−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−ＣＨ３、
１，２−ジシラノエタン        ＳｉＨ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３、
１，２−ビス（メチルシラノ）エタン
ＣＨ３−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−ＣＨ３、
２，２−ジシラノプロパン      ＳｉＨ３−Ｃ（ＣＨ３）２−ＳｉＨ３、
１，３，５−トリシラノ−２，４，６−トリメチレン
−（−ＳｉＨ２ＣＨ２−）３−（cyclic）、
ジメチルジメトオキシシラン    （ＣＨ３）２−Ｓｉ−（ＯＣＨ３）２、
ジエチルジエトオキシシラン    （ＣＨ３ＣＨ２）２−Ｓｉ−（ＯＣＨ３）２、
ジメチルジエトオキシシラン    （ＣＨ３）２−Ｓｉ−（ＯＣＨ２ＣＨ３）２、
ジエチルジメトオキシシラン    （ＣＨ３ＣＨ２）２−Ｓｉ−（ＯＣＨ３）２、
１，３−ジメチルジシロキサン  ＣＨ３−ＳｉＨ２−Ｏ−ＳｉＨ２−ＣＨ３、
１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン
（ＣＨ３）２ＳｉＨ−Ｏ−ＳｉＨ−（ＣＨ３）２、
ヘキサメチルジシロキサン      （ＣＨ３）３−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ−（ＣＨ３）３、
１，３−ビス（シラノメチレン）ジシロキサン
（ＳｉＨ３−ＣＨ２−ＳｉＨ２−）２−Ｏ、
ビス（１−メチルジシロキサニル）メタン
（ＣＨ３−ＳｉＨ２−Ｏ−ＳｉＨ２−）２−ＣＨ２、
２，２−ビス（１−メチルジシロキサニル）プロパン
（ＣＨ３−ＳｉＨ２−Ｏ−ＳｉＨ２−）２−Ｃ（ＣＨ３）２、
１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン
−（−ＳｉＨＣＨ３−Ｏ−）４−（cyclic）、
オクタメチルシクロテトラシロキサン
−（−Ｓｉ（ＣＨ３）２−Ｏ−）４−（cyclic）、
１，３，５，７，９−ペンタメチルシクロペンタシロキサン
−（−ＳｉＨＣＨ３−Ｏ−）５−（cyclic）、
１，３，５，７−テトラシラノ−２，６−ジオキシ−４，８−ジメチレン
−（−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−Ｏ−）２−（cyclic）、
１，３，５−トリシラネテトラヒドロピラン
−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−Ｏ−（cyclic）、
２，５−ジシラネテトラヒドロフラン
−ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ２−Ｏ−（cyclic）、
及びこれらのフッ素化誘導体。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
トリメチルシラン      （ＣＨ３）３−ＳｉＨ、
テトラメチルシラン    （ＣＨ３）４−Ｓｉ、
１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン
（ＣＨ３）２−ＳｉＨ−Ｏ−ＳｉＨ−（ＣＨ３）２、
ヘキサメチルジシロキサン
（ＣＨ３）３−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ−（ＣＨ３）３、
２，２−ビス（１−メチルジシロキサニル）プロパン
ＣＨ３−ＳｉＨ２−Ｏ−ＳｉＨ２−）２−Ｃ（ＣＨ３）２、
１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン
−（−ＳｉＨＣＨ３−Ｏ−）４−（cyclic）、
オクタメチルシクロテトラシロキサン
−（−Ｓｉ（ＣＨ３）２−Ｏ−）４−（cyclic）、
１，３，５，７，９−ペンタメチルシクロペンタシロキサン
−（−ＳｉＨＣＨ３−Ｏ−）５−（cyclic）、
及びこれらのフッ素化誘導体。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
ＣＶＤ反応チャンバの例
図１は、高真空領域１５を有する平行平板化学気相成長処理チャンバ１０の垂直断面図である。処理チャンバ１０はガス分散マニホールド１１を含む。ガス分散マニホールドは、その中の開口を介して処理ガスを基板（図示せず）へ分散させる。基板は、リフトモータ１４によって上昇又は降下される基板支持プレート又はサセプタ１２の上に載っている。例えば、典型的にはＴＥＯＳの液体射出に使用される液体射出システム（図示せず）も、液体の有機珪素化合物を射出するために設けられてよい。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
酸化ガスの追加的解離が望まれるとき、オプションのマイクロ波チャンバ２８を使用して、堆積チャンバへ入る前の酸化ガスへ、約０ワット〜約６０００ワットのマイクロ波電力を入力することができる。マイクロ波電力を別個に加えることは、酸化ガスとの反応の前に有機珪素化合物の過度の解離が生じるのを防止するであろう。マイクロ波電力が酸化ガスへ加えられるとき、有機珪素化合物及び酸化ガスのために別個の通路を有するガス分散プレートが好ましい。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７９】
図８Ａを参照すると、１つの実施形態では、ＰＥＣＶＤライニング層８００は、有機シラン化合物、例えばトリメチルシラン（ＣＨ３）３ＳｉＨを導入し、不活性ガス、例えばヘリウム又はアルゴンのプラズマを生成することによって、処理チャンバ１０の中で堆積される。１つの例示的な処理体制は、トリメチルシランを約３０ｓｃｃｍ〜５００ｓｃｃｍまでの流量で処理チャンバへ導入し、ヘリウム、アルゴン、又はこれらの組み合わせを、約１００ｓｃｃｍ〜約２０００ｓｃｃｍまでの速度で処理チャンバの中へ導入し、チャンバの圧力を約３トール〜約１０トールに維持し、基板表面の温度を約２００℃〜約４００℃に維持し、約３００ワット〜７００ワットをチャンバへ供給して、処理ガスのプラズマを生成することを含む。ガス分散プレート１１と基板との間隔は、約３００ｍｍ〜約６００ｍｍである。