Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月5日(2010.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基部及び前記基部から延びる振動腕を含む水晶振動片と、
前記振動腕に形成された励振電極と、
前記水晶振動片に形成され前記励振電極に電気的に接続された接続電極と、
前記水晶振動片を内部に収容するパッケージと、
前記パッケージの内面に形成された固定電極と、
前記接続電極と前記固定電極を電気的及び機械的に接合する導電性接着剤と、
を含み、
前記接続電極及び前記固定電極は、Ａｕを含む表面を有し、
前記導電性接着剤は、バインダ及び前記バインダに分散された導電性フィラーを含み、前記バインダは、ビスマレイミド樹脂のみか、もしくは低分子化合物を添加したビスマレイミド樹脂で構成されている水晶振動子。
【請求項２】
基部と前記基部から延びる振動腕とを含み前記振動腕に形成された励振電極を有し前記励振電極に電気的に接続された接続電極が形成されてなる水晶振動片を、固定電極が内面に形成されたパッケージの内部に収容し、前記接続電極と前記固定電極を、導電性接着剤によって、電気的及び機械的に接合することを含み、
前記接続電極及び前記固定電極は、Ａｕを含む表面を有し、
前記導電性接着剤は、バインダ及び前記バインダに分散された導電性フィラーを含み、前記バインダは、ビスマレイミド樹脂のみか、もしくは低分子化合物を添加したビスマレイミド樹脂で構成されている水晶振動子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
（１）本発明に係る水晶振動子は、
基部及び前記基部から延びる振動腕を含む水晶振動片と、
前記振動腕に形成された励振電極と、
前記水晶振動片に形成され前記励振電極に電気的に接続された接続電極と、
前記水晶振動片を内部に収容するパッケージと、
前記パッケージの内面に形成された固定電極と、
前記接続電極と前記固定電極を電気的及び機械的に接合する導電性接着剤と、
を含み、
前記接続電極及び前記固定電極は、Ａｕを含む表面を有し、
前記導電性接着剤は、バインダ及び前記バインダに分散された導電性フィラーを含み、前記バインダは、ビスマレイミド樹脂のみか、もしくは低分子化合物を添加したビスマレイミド樹脂で構成されている。本発明によれば、バインダを構成する高分子化合物はビスマレイミド樹脂だけなので、Ａｕとの密着性、耐熱性及び柔軟性に優れており、水晶振動片とパッケージとの良好な電気的及び機械的な接合状態を得ることができる。
（２）水晶振動子において、
前記バインダは、低分子化合物からなる添加剤をさらに含んでもよい。
（３）本発明に係る水晶振動子の製造方法は、
基部と前記基部から延びる振動腕とを含み前記振動腕に形成された励振電極を有し前記励振電極に電気的に接続された接続電極が形成されてなる水晶振動片を、固定電極が内面に形成されたパッケージの内部に収容し、前記接続電極と前記固定電極を、導電性接着剤によって、電気的及び機械的に接合することを含み、
前記接続電極及び前記固定電極は、Ａｕを含む表面を有し、
前記導電性接着剤は、バインダ及び前記バインダに分散された導電性フィラーを含み、前記バインダは、ビスマレイミド樹脂のみか、もしくは低分子化合物を添加したビスマレイミド樹脂で構成されている。本発明によれば、バインダを構成する高分子化合物前駆体はビスマレイミド樹脂前駆体だけなので、Ａｕとの密着性、耐熱性及び柔軟性に優れており、水晶振動片とパッケージとの良好な電気的及び機械的な接合状態を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月23日(2010.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持板の上に配置された部材にスルーホールが設けられ、前記スルーホール内に前記部材と電気的に絶縁された状態で前記部材の厚み方向に貫通する導電性ポストが立設する構造体を用意する工程と、
前記構造体をその側面から水平方向に切断して分離することにより、前記導電性ポストが切断されて得られる貫通電極を備えた複数の基板を得る工程とを有することを特徴とする貫通電極付き基板の製造方法。
【請求項２】
前記構造体を用意する工程は、
前記導電性ポストが立設する前記支持板と、スルーホールが設けられた基板とを用意する工程と、
前記スルーホールに前記導電性ポストを挿通させた状態で前記基板を前記支持板の上に配置した後に、前記基板の上面及び前記スルーホールの内面と前記導電性ポストとの間に絶縁層を形成する一連の工程をｎ回（ｎは２以上の整数）繰り返すことにより、前記支持板の上に前記基板と前記絶縁層とを交互に積層する工程とを含み、
前記複数の基板を得る工程において、前記支持板と前記基板との間及び前記基板間の前記絶縁層の側面から水平方向に切断することを有することを特徴とする請求項１に記載の貫通電極付き基板の製造方法。
【請求項３】
前記構造体を用意する程は、
前記導電性ポストが立設する前記支持板と、スルーホールが設けられた基板とを用意する工程と、
前記スルーホールに前記導電性ポストを挿通させた状態で前記基板を前記支持板の上に配置する工程をｎ回（ｎは２以上の整数）繰り返すことにより、前記支持板の上に前記基板を積層する工程と、
前記スルーホールの内面と前記導電性ポストとの間に絶縁部を充填する工程とを含み、
前記複数の基板を得る工程において、前記支持板と前記基板の間及び前記基板同士の間で切断することを特徴とする請求項１に記載の貫通電極付き基板の製造方法。
【請求項４】
前記構造体を用意する程は、
前記支持板と、スルーホールが設けられた基板とを用意する工程と、
前記基板を前記スルーホールが連通するように前記支持板の上にｎ層（ｎは２以上の整数）で積層する工程と、
前記スルーホールの中に前記導電性ポストを挿通させて立設する工程と、
前記スルーホールの内面と前記導電性ポストとの間に前記絶縁部を充填する工程とを含み、
前記複数の基板を得る工程において、前記支持板と前記基板の間及び前記基板同士の間で切断することを特徴とする請求項１に記載の貫通電極付き基板の製造方法。
【請求項５】
前記構造体を得る工程は、
前記導電性ポストが立設する支持板と、スルーホールが設けられて厚み方向から複数の基板が得られる厚みに設定された１枚の基板とを用意する工程と、
前記スルーホールに前記導電性ポストを挿通させた状態で前記１枚の基板を前記支持板の上に配置する工程と、
前記スルーホールの内面と前記導電性ポストとの間に絶縁部を充填する工程とを含み、
前記複数の基板を得る工程において、前記支持板と前記基板との間で切断すると共に、前記基板を側面から水平方向に切断することを特徴とする請求項１に記載の貫通電極付き基板の製造方法。
【請求項６】
前記構造体を得る工程は、
前記支持板と、スルーホールが設けられて厚み方向から複数の基板が得られる厚みに設定された１枚の基板とを用意する工程と、
前記１枚の基板を前記支持板の上に配置する工程と、
前記スルーホールの中に導電性ポストを挿通させて立設する工程と、
前記スルーホールの内面と前記導電性ポストとの間に前記絶縁部を充填する工程とを含み、
前記複数の基板を得る工程において、前記支持板と前記基板との間で切断すると共に、前記基板を側面から水平方向に切断することを特徴とする請求項１に記載の貫通電極付き基板の製造方法。
【請求項７】
前記基板は、半導体素子が作り込まれて上面側に接続パッドを備えた素子内蔵シリコンウェハであって、前記素子内蔵シリコンウェハは前記接続パッドの一部から下面に貫通する前記スルーホールが設けられて、前記スルーホールの周辺に前記接続パッドが配置されており、
前記複数の基板を得る工程において、前記貫通電極を備えた複数の前記素子内蔵シリコンウェハが得られ、
前記複数の素子内蔵シリコンウェハを得る工程の後に、前記貫通電極と前記接続パッドとを接続する局所配線部を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に記載の貫通電極付き基板の製造方法。
【請求項８】
前記個々の素子内蔵シリコンウェハを得る工程の後に、前記素子内蔵シリコンウェハ又はそれを厚み方向に切断して得られる素子内蔵シリコンチップを積層して前記貫通電極を介して相互接続することを特徴とする請求項７に記載の貫通電極付き基板の製造方法。
【請求項９】
前記複数の基板を得る工程において、ワイヤーソー工法、ウォータジェット工法又はダイシング工法によって切断することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の貫通電極付き基板の製造方法。
【請求項１０】
前記基板は、シリコンウェハ、ガラス基板、セラミック基板、金属基板、及びカーボン基板のいずれかであることを特徴とする請求項２乃至６のいずれか一項に記載の貫通電極付き基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月26日(2010.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、前記半導体基板の一方の面に設けられ、前記半導体基板と絶縁されたパッドと、前記パッドと対向する部分の前記半導体基板を貫通するように配置され、一方の端部が前記パッドと接続されると共に、前記半導体基板と絶縁された貫通電極と、を備えた基板の製造方法であって、
前記半導体基板に前記パッドの母材となる金属膜を形成する金属膜形成工程と、
前記パッドの形成領域に対応する部分の前記金属膜と対向する部分の前記半導体基板に貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記貫通孔に前記貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、
前記半導体基板に前記貫通電極の側面を露出する貫通部を形成する貫通部形成工程と、
少なくとも前記貫通部を充填するように絶縁材を形成する絶縁材形成工程と、
前記絶縁材形成工程後に、前記金属膜をパターニングして前記パッドを形成するパッド形成工程と、を含むことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項２】
前記貫通電極形成工程では、前記金属膜を給電層とする電解めっき法により、前記貫通電極を形成することを特徴とする請求項１記載の基板の製造方法。
【請求項３】
前記貫通電極は、複数設けられており、
前記貫通部形成工程では、少なくとも２つ以上の前記貫通電極の側面を露出するように前記貫通部を形成することを特徴とする請求項１又は２記載の基板の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁材形成工程では、前記貫通部を充填すると共に、前記一方の面とは反対側に位置する前記半導体基板の他方の面を覆うように前記絶縁材を形成することを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか一項記載の基板の製造方法。
【請求項５】
前記絶縁材形成工程では、前記絶縁材を印刷法により形成することを特徴とする請求項１ないし４のうち、いずれか一項記載の基板の製造方法。
【請求項６】
前記貫通電極形成工程では、前記パッドと接続されていない側の前記貫通電極の端部が前記半導体基板の他方の面から突出するように前記貫通電極を形成することを特徴とする請求項１ないし５のうち、いずれか一項記載の基板の製造方法。
【請求項７】
前記金属膜形成工程の前に、前記半導体基板の一方の面に、前記パッドと電気的に接続される半導体デバイスを形成する半導体デバイス形成工程を設けたことを特徴とする請求項１ないし６のうち、いずれか一項記載の基板の製造方法。
【請求項８】
前記パッド形成工程の後に、拡散防止膜が形成される接続面を除いてソルダーレジストを形成するソルダーレジスト形成工程を有することを特徴とする、請求項１ないし６のうち、いずれか一項記載の基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
次いで、図１７に示す工程では、図１６に示す構造体に設けられたレジスト膜４５を除去する。次いで、図１８に示す工程では、半導体基板４１の裏面４１Ｂに、後述する貫通部４９（図１９参照）の形成領域に対応する部分の半導体基板４１の裏面４１Ｂを露出する開口部４７Ａを有したレジスト膜４７を形成する（図１８に示す構造体を平面視した図は図２６を参照。）。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月16日(2010.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の基板の主面上に第一の回路電極が形成された第一の回路部材と、第二の基板の主面上に第二の回路電極が形成された第二の回路部材とを、前記第一の回路電極と前記第二の回路電極とを対向させた状態で接続するための回路接続材料であって、
光の最大吸収波長が８００〜１２００ｎｍの範囲内にある近赤外線吸収色素を含む接着剤組成物を有し、前記近赤外線吸収色素がフタロシアニン系化合物である、回路接続材料。
【請求項２】
前記接着剤組成物の樹脂固形分全体に対する前記近赤外線吸収色素の含有量が０．１〜１０質量％である請求項１記載の回路接続材料。
【請求項３】
前記接着剤組成物が導電粒子を含有する請求項１又は２に記載の回路接続材料。
【請求項４】
前記接着剤組成物がフィルム形成性高分子を含有する請求項１〜３のいずれか一項に記載の回路接続材料。
【請求項５】
第一の基板の主面上に第一の回路電極が形成された第一の回路部材と、
第二の基板の主面上に第二の回路電極が形成され、前記第二の回路電極と前記第一の回路電極とが対向するように配置された第二の回路部材と、
前記第一の基板と前記第二の基板との間に設けられ、前記第一の回路部材と前記第二の回路部材とを接続する回路接続部と、を備える接続構造体であって、
前記回路接続部が、請求項１〜４のいずれか一項に記載の回路接続材料に近赤外線領域の光を照射することにより前記接着剤組成物を硬化させた樹脂硬化物を含む接続構造体。
【請求項６】
前記第一の回路部材及び前記第二の回路部材の少なくとも一方は、波長８００〜１２００ｎｍの光の分光透過率が５０％以上である、請求項５記載の接続構造体。
【請求項７】
第一の基板の主面上に第一の回路電極が形成された第一の回路部材と第二の基板の主面上に第二の回路電極が形成された第二の回路部材とを、前記第一の回路電極及び前記第二の回路電極が対向するように配置し、これらの間に請求項１〜４のいずれか一項に記載の回路接続材料を介在させて、前記第一の回路部材及び前記第二の回路部材と前記回路接続材料とを密着させた状態で近赤外線領域の光を照射して前記回路接続材料の前記接着剤組成物を硬化させることにより、前記第一の回路部材と前記第二の回路部材とを接続する工程を備える接続構造体の製造方法。
【請求項８】
前記第一の回路部材及び前記第二の回路部材の少なくとも一方は、波長８００〜１２００ｎｍの光の分光透過率が５０％以上である、請求項７記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月8日(2010.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型半導体層、活性層、第２導電型半導体層、第２電極層、絶縁層、第１電極層及び導電性基板が順次積層された半導体発光素子であって、
前記第２電極層は、第２導電型半導体層との界面中の一部が露出された領域を含み、
前記第１電極層は、前記第１導電型半導体層に電気的に接続され、前記第２導電型半導体層及び活性層とは電気的に絶縁されて第１電極層の一面から第１導電型半導体層の少なくとも一部領域まで延長された一つまたはそれ以上のコンタクト孔を含むことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記第２電極層の露出された領域上に形成された電極パッド部をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記第２電極層の露出された領域は、前記第１導電型半導体層、活性層および第２導電型半導体層を貫通して形成されたビアホールにより露出された領域であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記ビアホールの直径は、前記第２電極層から第１導電型半導体層の方向に増加することを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記ビアホールは、内側面に絶縁層が形成されたことを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記第２電極層の露出された領域は、前記半導体発光素子の角部に形成された領域であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記第２電極層は、前記活性層から発生した光を反射させることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項８】
前記第２電極層は、Ａｇ、Ａｌ及びＰｔのいずれか一つの金属を含むことを特徴とする請求項７に記載の半導体発光素子。
【請求項９】
前記活性層と界面を形成する前記第１導電型半導体層の面の反対側の表面には、凹凸パターンが形成されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
前記凹凸パターンは、光結晶（ｐｈｏｔｏｎｉｃ  ｃｒｙｓｔａｌ）構造を有することを特徴とする請求項９に記載の半導体発光素子。
【請求項１１】
前記導電性基板は、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｕ及びＷのいずれか一つの金属を含む金属性基板であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項１２】
前記導電性基板は、Ｓｉ、Ｇｅ、及びＧａＡｓのいずれか一つを含む半導体基板であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項１３】
第１導電型半導体層、活性層、第２導電型半導体層、第２電極層、絶縁層、第１電極層及び導電性基板を順次積層する段階と、
前記第２電極層の第２導電型半導体層との界面のうち一部が露出された領域を形成する段階と、
前記第１電極層は、前記第１導電型半導体層に電気的に接続され、前記第２導電型半導体層及び活性層とは電気的に絶縁され第１電極層の一面から第１導電型半導体層の少なくとも一部領域まで延長された一つまたはそれ以上のコンタクト孔を含むよう形成する段階と、を含む半導体発光素子の製造方法。
【請求項１４】
前記第２電極層の露出された領域を形成する段階は、前記第１導電型半導体層、前記活性層及び前記第２導電型半導体層をメサ蝕刻して行われることを特徴とする請求項１３に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１５】
前記導電性基板は、メッキ法を用いて形成されて積層されることを特徴とする請求項１３に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１６】
前記導電性基板は、基板接合法を用いて積層されることを特徴とする請求項１３に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１７】
上面に溝部が形成された半導体発光素子パッケージ本体と、
前記パッケージ本体に装着され、前記溝部の底面に露出され相互所定の距離が離隔されている第１リードフレーム及び第２リードフレームと、
前記第１リードフレーム上に実装される半導体発光素子と、を含み、
前記半導体発光素子は、第１導電型半導体層、活性層、第２導電型半導体層、第２電極層、絶縁層、第１電極層及び導電性基板が順次積層された半導体発光素子であって、
前記第２電極層は、第２導電型半導体層との界面中の一部が露出された領域を含み、
前記第１電極層は、前記第１導電型半導体層に電気的に接続され、前記第２導電型半導体層及び活性層とは電気的に絶縁されて第１電極層の一面から第１導電型半導体層の少なくとも一部領域まで延長された一つまたはそれ以上のコンタクト孔を含むものである半導体発光素子パッケージ。
【請求項１８】
前記半導体発光素子は第２電極層の露出された領域上に形成された電極パッド部をさらに含み、
前記電極パッド部は前記第２リードフレームと電気的に連結されたことを特徴とする請求項１７に記載の半導体発光素子パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月28日(2010.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】パターン形成方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
ポリ（（ターシャリーブチル＝ノルボルネン−5−メチレンカルボキシレート）(50mol%)−（無水マレイン酸）(50mol%)）（ベースポリマー）…………………………………………………２ｇ
トリフェニルスルフォニウムノナフレート（酸発生剤）………………………０．０６ｇ
トリエタノールアミン（クエンチャー）………………………………………０．００２ｇ
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（溶媒）……………………２０ｇ
次に、図６（ａ）に示すように、基板１の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して、０．３５μｍの厚さを持つレジスト膜２を形成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
ポリ（（ターシャリーブチル＝ノルボルネン−5−メチレンカルボキシレート）(50mol%)−（無水マレイン酸）(50mol%)）（ベースポリマー）…………………………………………………２ｇ
トリフェニルスルフォニウムノナフレート（酸発生剤）………………………０．０６ｇ
トリエタノールアミン（クエンチャー）………………………………………０．００２ｇ
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（溶媒）……………………２０ｇ
次に、図１（ａ）に示すように、ウエハ１０１の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して、０．３５μｍの厚さを持つレジスト膜１０２を形成する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
ポリ（（ターシャリーブチル＝ノルボルネン−5−メチレンカルボキシレート）(50mol%)−（無水マレイン酸）(50mol%)）（ベースポリマー）…………………………………………………２ｇ
トリフェニルスルフォニウムノナフレート（酸発生剤）………………………０．０６ｇ
トリエタノールアミン（クエンチャー）………………………………………０．００２ｇ
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（溶媒）……………………２０ｇ
次に、図３（ａ）に示すように、ウエハ２０の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して、０．３５μｍの厚さを持つレジスト膜２１を形成する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
ポリ（（ターシャリーブチル＝ノルボルネン−5−メチレンカルボキシレート）(50mol%)−（無水マレイン酸）(50mol%)）（ベースポリマー）…………………………………………………２ｇ
トリフェニルスルフォニウムノナフレート（酸発生剤）………………………０．０６ｇ
トリエタノールアミン（クエンチャー）………………………………………０．００２ｇ
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（溶媒）……………………２０ｇ
次に、図５（ａ）に示すように、ウエハ２０の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して、０．３５μｍの厚さを持つレジスト膜２１を形成する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜の上に液体を配し、前記レジスト膜に対して露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行なう工程と、
パターン露光が行なわれた前記レジスト膜に対して現像を行なってレジストパターンを形成する工程とを備え、
前記パターン露光を行なう工程において、前記基板の温度は、露光雰囲気の温度よりも低いことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
基板の上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜の上に液体を配し、前記レジスト膜に対して露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行う工程と、
パターン露光が行われた前記レジスト膜に対して現像を行ってレジストパターンと形成する工程とを備え、
前記パターン露光を行なう工程において、前記基板の温度は、前記液体の温度よりも低いことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項３】
前記露光雰囲気の温度は、０℃よりも高く且つ２３℃よりも低いことを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記液体は、水又はパーフルオロポリエーテルであることを特徴とする請求項１又は２に記載のパターン形成方法。
【請求項５】
前記液体は添加物を含んでいることを特徴とする請求項１又は２に記載のパターン形成方法。
【請求項６】
前記添加物は、硫酸セシウム又はエチルアルコールであることを特徴とする請求項５に記載のパターン形成方法。
【請求項７】
前記露光光は、ＫｒＦエキシマレーザ光、Ｘｅ２レーザ光、ＡｒＦエキシマレーザ光、Ｆ２レーザ光、ＫｒＡｒレーザ光又はＡｒ２レーザ光であることを特徴とする請求項１又は２に記載のパターン形成方法。
【請求項８】
前記レジスト膜は、化学増幅型レジスト材料を用いて形成することを特徴とする請求項１又は２に記載のパターン形成方法。
【請求項９】
前記パターン露光を行なう工程において、前記基板は可動ステージの上に保持することを特徴とする請求項１又は２に記載のパターン形成方法。
【請求項１０】
前記パターン露光を行なう工程において、前記可動ステージの温度を制御することを特徴とする請求項９に記載のパターン形成方法。
【請求項１１】
前記パターン露光を行なう工程の後で且つ前記レジストパターンを形成する工程より前に、前記基板を加熱する工程をさらに備えていることを特徴とする請求項１又は２に記載のパターン形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月5日(2010.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
プラズマ処理容器内の電極上に載置された被処理基板にプロセスガスによるプラズマ処理を施す以前に、
リフトピンによって前記被処理基板を前記電極から離した状態で、前記プラズマ処理容器内に不活性ガスを主体とするガスを導入し、前記電極に前記第１の高周波電力を印加することで前記プラズマ処理容器内に前記プロセスガスによるプラズマ処理よりも微弱なプラズマを発生させ、前記被処理基板を前記微弱なプラズマに曝した後、
前記被処理基板を前記電極表面に載置し、前記第１の高周波電力よりも大の第２の高周波電力を前記電極に印加することで前記被処理基板をプロセスガスによってプラズマ処理すること
を特徴とするプラズマ処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月15日(2010.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークに接続される画像処理装置であって、
カメラと接続する接続手段と、
前記カメラにおけるユーザの操作に応じた指示を取得する指示取得手段と、
前記指示取得手段により取得した指示に応じて、前記ネットワーク上の外部記憶装置に保存された画像データを取得する取得手段と、
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記指示取得手段により取得した指示に応じて、前記カメラ内に保存されたデータをネットワーク上の他の装置に送信する送信手段を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記取得手段により取得した画像データを前記カメラに表示させる表示制御手段を更に備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記表示制御手段は、前記取得手段により取得した画像データと前記カメラ内に保存された画像データとを、あわせて表示させることを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記表示制御手段は、前記取得手段により取得した画像データと前記カメラ内に保存された画像データとを、取得先が識別できる態様で表示させることを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記取得手段は、画像データを、随時、先読み、あるいは、分割して取得することを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記取得手段は、前記接続手段により接続された前記カメラが撮影した画像データであって、前記外部記憶装置に保存された画像データを、選択的に取得することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
ネットワークに接続される撮像装置であって、
外部記憶装置内に保存された画像データを取得する外部画像取得手段と、
ユーザの操作に応じた指示を取得する指示取得手段と、
取得した前記指示に応じて、前記撮像装置、又は前記外部記憶装置に保存された画像データを、他の画像処理装置に出力する出力手段と、
を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項９】
指示取得手段と、取得手段とを備える、ネットワーク及びカメラに接続された画像処理装置の制御方法であって、
前記指示取得手段が、前記カメラにおけるユーザの操作に応じた指示を取得する指示取得工程と、
前記取得手段が、前記指示取得工程において取得した指示に応じて、前記ネットワーク上の外部記憶装置に保存された画像データを取得する取得工程と、
を備えることを特徴とする制御方法。
【請求項１０】
請求項９記載の制御方法の各工程をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置、撮像装置、画像処理装置の制御方法、並びにプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、画像処理装置、撮像装置、画像処理装置の制御方法、並びにプログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明に係る方法は、
指示取得手段と、取得手段とを備える、ネットワーク及びカメラに接続された画像処理装置の制御方法であって、
前記指示取得手段が、前記カメラにおけるユーザ操作に応じた指示を取得する指示取得工程と、
前記取得手段が、前記指示取得工程において取得した指示に応じて、前記ネットワーク上の外部記憶装置に保存された画像データを取得する取得工程と、
を含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月30日(2010.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の映像を合成して１つの映像データにして記録する映像データ記録装置であって、
入力される第１の映像データ及び第２の映像データに対してそれぞれ水平画素数を設定する設定手段と、
前記設定手段により設定された水平画素数に応じて、前記第１の映像データの映像及び前記第２の映像データの映像をそれぞれ水平方向に縮小する縮小手段と、
前記縮小手段によりそれぞれ水平方向に縮小された前記第１の映像データの映像及び前記第２の映像データの映像を水平方向に結合するようにして合成し、所定の水平画素数を有する合成映像データに変換する変換手段と、
前記第１の映像データと、前記合成映像データとを選択的に記録媒体に記録する記録手段と、
前記第１の映像データまたは前記第２の映像データの輝度情報のゲインレベルを調整する調整手段とを備え、
前記記録手段による記録動作が、前記第１の映像データの記録から前記合成映像データの記録に切り替わるとき、前記設定手段は、前記第１の映像データに対して設定する水平画素数を前記所定の水平画素数を有する状態から前記所定の水平画素数の半分となる状態まで所定の画面単位で徐々に変化させ、且つ前記第２の映像データに対して設定する水平画素数をゼロの状態から前記所定の水平画素数の半分となる状態まで前記所定の画面単位で徐々に変化させ、前記調整手段は、前記第２の映像データに対する輝度情報のゲインレベルを前記所定の画面単位で徐々に変化させることを特徴とする映像データ記録装置。
【請求項２】
前記記録手段は、前記合成映像データを前記記録媒体に記録するとともに、前記合成映像データであることを示す情報と、前記設定手段により設定された前記第１の映像データ及び前記第２の映像データの水平画素数の情報とを前記合成映像データに関連付けて前記記録媒体に記録することを特徴とする請求項１に記載の映像データ記録装置。
【請求項３】
前記記録手段による記録動作が、前記合成映像データの記録から前記第１の映像データの記録に切り替わるとき、前記設定手段は、前記第１の映像データに対して設定する水平画素数を前記所定の水平画素数の半分の状態から前記所定の水平画素数となる状態まで所定の画面単位で徐々に変化させることを特徴とする請求項１または２に記載の映像データ記録装置。
【請求項４】
前記記録手段は、前記第１の映像データまたは前記合成映像データを符号化する符号化手段を有し、
前記設定手段は、前記第１の映像データ及び前記第２の映像データの水平画素数を前記符号化手段で行われるＤＣＴ処理の処理単位であるＤＣＴブロックに含まれる水平方向の画素数のｎ倍（ｎは自然数）の単位で変化させることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の映像データ記録装置。
【請求項５】
複数の映像を合成して１つの映像データにして記録する映像データ記録装置であって、
入力される第１の映像データ及び第２の映像データに対してそれぞれ水平画素数を設定する設定手段と、
前記設定手段により設定された水平画素数に応じて、前記第１の映像データの映像及び前記第２の映像データの映像をそれぞれ水平方向に縮小する縮小手段と、
前記縮小手段によりそれぞれ水平方向に縮小された前記第１の映像データの映像及び前記第２の映像データの映像を水平方向に結合するようにして合成し、所定の水平画素数を有する合成映像データに変換する変換手段と、
前記第１の映像データまたは前記合成映像データを符号化する符号化手段と、
前記符号化手段によって符号化された前記第１の映像データの符号化データと、前記符号化手段によって符号化された前記合成映像データの符号化データとを選択的に記録媒体に記録する記録手段とを備え、
前記記録手段による記録動作が、前記第１の映像データの符号化データの記録から前記合成映像データの符号化データの記録に切り替わるとき、前記設定手段は、前記第１の映像データに対して設定する水平画素数を前記所定の水平画素数を有する状態から前記所定の水平画素数の半分となる状態まで、前記符号化手段で行われるＩピクチャの符号化タイミングに従って徐々に変化させ、且つ前記第２の映像データに対して設定する水平画素数をゼロの状態から前記所定の水平画素数の半分となる状態まで、前記符号化手段で行われるＩピクチャの符号化タイミングに従って徐々に変化させることを特徴とする映像データ記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の映像データ記録装置は、複数の映像を合成して１つの映像データにして記録する映像データ記録装置であって、入力される第１の映像データ及び第２の映像データに対してそれぞれ水平画素数を設定する設定手段と、前記設定手段により設定された水平画素数に応じて、前記第１の映像データの映像及び前記第２の映像データの映像をそれぞれ水平方向に縮小する縮小手段と、前記縮小手段によりそれぞれ水平方向に縮小された前記第１の映像データの映像及び前記第２の映像データの映像を水平方向に結合するようにして合成し、所定の水平画素数を有する合成映像データに変換する変換手段と、前記第１の映像データと、前記合成映像データとを選択的に記録媒体に記録する記録手段と、前記第１の映像データまたは前記第２の映像データの輝度情報のゲインレベルを調整する調整手段とを備え、前記記録手段による記録動作が、前記第１の映像データの記録から前記合成映像データの記録に切り替わるとき、前記設定手段は、前記第１の映像データに対して設定する水平画素数を前記所定の水平画素数を有する状態から前記所定の水平画素数の半分となる状態まで所定の画面単位で徐々に変化させ、且つ前記第２の映像データに対して設定する水平画素数をゼロの状態から前記所定の水平画素数の半分となる状態まで前記所定の画面単位で徐々に変化させ、前記調整手段は、前記第２の映像データに対する輝度情報のゲインレベルを前記所定の画面単位で徐々に変化させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月8日(2010.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
こうした問題を解消するため、近年では、基板を起立させた状態で搬送及び処理を行う方式の基板処理装置が考案されており、例えば、特許文献１には、フラットパネルを斜めに起立させた状態で枚葉毎に搬送する機構を備えた基板処理装置が記載されている。このような構成とすることにより、ガラス基板の撓みを低減して基板の破損を防止できると共に、搬送ラインの占有面積を低減させることが可能となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の基板処理装置は、基板をリフターによって上層の処理部と同じ高さまで上昇させた上で該基板を処理部の前方から搬入し、その後、該処理部の後方から搬出された処理済み基板を別のリフターによって共通搬送室まで下降させる構成であるため、各処理部の前後にリフターを停留させるための空間を設ける必要がある。このため、処理室同士を大きく離間させて配置する必要があり、装置全体の占有面積を十分に縮小することができなかった。また、処理部毎に基板の搬入用と搬出用の２台のリフターを設ける必要があるため、設備コストが増大するという問題もあった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
更に、枠体１１１には、基板Ｗの左右二辺（すなわち起立時の上下二辺）に対応する位置に、起立状態の基板を搬送するための糸巻き状の起立搬送ローラ１２０が取り付けられている。起立搬送ローラ１２０は、回転軸と一体に形成された円柱形の筒状部と、筒状部の両端に設けられ基板Ｗの脱落を防止するためのフランジ部から成る。各ローラの回転軸は、それぞれ枠体１１１に設けられたローラ駆動部１２４に接続されており、枠体１１１を起立させた状態でこれらのローラ駆動部１２４によって各起立搬送ローラ１２０を一定方向に回転させることにより、上下の起立搬送ローラ１２０によって保持された基板Ｗを該ローラ１２０の配列方向に沿って移動させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
共通搬送室２２０内の基板保持プレート２２１から搬送台車２７０へ基板Ｗを移載する際には、まず、図１１、１２に示すように搬送台車２７０を２枚の基板保持プレート２２１の間の空間に移動させる。続いて、シリンダ２２５によって各基板保持プレート２２１を共通搬送室２２０の中央方向へ移動させることにより基板保持プレート２２１上の各基板Ｗを搬送台車２７０の基板保持体２７１に接近させる（図１３）。なお、このとき、基板保持体２７１上の基板保持ローラ２８０は保持解除状態となっており、更に、基板保持プレート２２１上の起立搬送ローラ２２２と基板保持体２７１上の基板保持ローラ２８０は、図１１に示すように互いに干渉しない位置に設けられているため、基板保持プレート２２１上の起立搬送ローラ２２２と基板保持体２７１上の基板保持ローラ２８０、及び基板保持体２７１上の基板保持ローラ２８０と基板Ｗとを接触させることなく各基板Ｗを基板保持体２７１に接近させることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
なお、予熱室２３０内に設けられる基板保持機構は上記構成のものに限られず、例えば、一方の面に図９、１０と同様の複数の基板保持ローラを備え、該基板保持ローラによって基板Ｗの上下２辺を保持可能な２枚の板状部材を予熱室２３０の内部に設け、該２枚の板状部材をローラ取付面を内側にして対向配置すると共に、各板状部材を互いに接近又は離間する方向へ移動可能な構成としたものであってもよい。このような基板保持機構を備えた予熱室２３０に基板Ｗを搬入する際には、まず、該２枚の板状部材を離間させた状態で両者の間に搬送台車２７０の基板保持体２７１を進入させ、その後、各板状部材を移動させて基板保持体２７１に接近させる。続いて、各板状部材の基板保持ローラを基板保持状態に、基板保持体２７１の基板保持ローラ２８０を保持解除状態とすることにより、各基板Ｗを基板保持体２７１の基板保持ローラ２８０から前記板状部材上の基板保持ローラへと掴み換え、基板Ｗを搭載した各板状部材を再び互いに離間する方向へ移動させた上で、基板保持体２７１を予熱室２３０から退避させる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
このときの成膜室２４０の断面を図１８に示す。成膜室２４０の中央には給電部２４３を備えた電極２４２が設けられ、該電極２４２を挟んで対向する位置に上記予熱室２３０と同様の基板保持プレート２３１が設けられている（図１６と対応する構成については同一符号を付し、説明を省略する）。なお、電極２４２の前後方向（図１のＹ軸方向）の長さは、搬送台車２７０上の基板保持体２７１の一対のアームの間隔よりも小さくなっており、成膜室２４０へ基板保持体２７１を進入させた際には電極２４２が両アームの間に位置した状態となるため、基板保持体２７１と電極２４２とが干渉することはない。また、成膜室２４０と共通搬送室２２０との間の開口は通常はゲートバルブ２４１によって閉鎖されており、基板Ｗを搬入及び搬出するときのみ該ゲートバルブ２４１を開放して基板Ｗを通過させる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
１１０…ローラコンベア
１２０，２１４，２２２…起立搬送ローラ
２１０，２６０…ロードロック室
２１１，２１２，２４１，２６１，２６２…ゲートバルブ
２１３，２２１，２３１…基板保持プレート
２２０…共通搬送室
２２１ａ…上側プレート
２２６…レール
２３０…予熱室
２３１ａ…下側プレート
２４０…成膜室
２５０…冷却室
２７０…搬送台車
２７１…基板保持体
２７２…走行基台
２７４…パンタグラフ機構
２８０…基板保持ローラ
Ｗ…基板
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月7日(2010.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに絶縁された複数の電極が順次表面に露出する芯棒を有する多極プラグと、
前記多極プラグの芯棒が収容されるプラグ収容空間を有し、前記多極プラグとの接続時に、前記電極とそれぞれ導電接触するように前記プラグ収容空間に面して設置された複数の導電端子を有する多極ジャックと、を備えた回転コネクタにおいて、
前記多極プラグの芯棒の先端部又は前記多極ジャックのプラグ収容空間の奥部の一方に設けられた軸受けと、
他方に設けられた回転軸であって、前記多極プラグと前記多極ジャックとが接続された際に前記軸受けに支持される回転軸と、を備えると共に、
前記多極ジャックは、前記多極プラグの各電極とそれぞれ導電接触する２組の導電端子を有しており、第１の組の導電端子と第２の組の導電端子は、同一の電極に導電接触する導電端子が、軸方向において互いにずれた位置で導電接触するように配置されていることを特徴とする回転コネクタ。
【請求項２】
前記多極プラグと前記多極ジャックとが接続された際の前記第１の組の導電端子の前記プラグの電極への接触力が、前記第２の組の導電端子の接触力よりも大きくなるように構成されていることを特徴とする請求項１記載の回転コネクタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明に係る回転コネクタは、互いに絶縁された複数の電極が順次表面に露出する芯棒を有する多極プラグと、前記多極プラグの芯棒が収容されるプラグ収容空間を有し、前記多極プラグとの接続時に、前記電極とそれぞれ導電接触するように前記プラグ収容空間に面して設置された複数の導電端子を有する多極ジャックと、を備えた回転コネクタにおいて、前記多極プラグの芯棒の先端部又は前記多極ジャックのプラグ収容空間の奥部の一方に設けられた軸受けと、他方に設けられた回転軸であって、前記多極プラグと前記多極ジャックとが接続された際に前記軸受けに支持される回転軸と、を備えると共に、前記多極ジャックは、前記多極プラグの各電極とそれぞれ導電接触する２組の導電端子を有しており、第１の組の導電端子と第２の組の導電端子は、同一の電極に導電接触する導電端子が、軸方向において互いにずれた位置で導電接触するように配置されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月19日(2010.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レチクルのパターンを介して基板を露光する露光装置であって、
位置、姿勢及び形状の少なくとも１つを調整可能な光学素子を含み、前記パターンからの光を前記基板に投影する投影光学系と、
前記光学素子の位置、姿勢及び形状の少なくとも１つを調整する調整部と、
前記調整部による前記光学素子の調整量の１次関数で表される前記投影光学系の１次光学特性値の上限としての第１のダミー変数と、前記調整部による前記光学素子の調整量の２次関数で表される前記投影光学系の２次光学特性値の上限としての第２のダミー変数とによって表される目的関数の値を最小化する前記光学素子の調整量を、２次計画法を用いて算出し、該算出された調整量に基づいて前記調整部を制御する制御部と、
を有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
レチクルのパターンを介して基板を露光する露光装置であって、
位置、姿勢及び形状の少なくとも１つを調整可能な光学素子を含み、前記パターンからの光を前記基板に投影する投影光学系と、
前記光学素子の位置、姿勢及び形状の少なくとも１つを調整する調整部と、
前記調整部による前記光学素子の調整量の１次関数で表される前記投影光学系の１次光学特性値の上限としての第１のダミー変数と、前記調整部による前記光学素子の調整量の２次関数で表される前記投影光学系の２次光学特性値の上限としての第２のダミー変数とによって表される目的関数の値を最小化する前記光学素子の調整量を、２次錘計画法を用いて算出し、該算出された調整量に基づいて、前記調整部を制御する制御部と、
を有することを特徴とする露光装置。
【請求項３】
前記１次光学特性値は、波面収差係数の線形結合で表される光学特性の値である、ことを特徴とする請求項１又は２記載の露光装置。
【請求項４】
前記１次光学特性値は、前記投影光学系の収差としてのディストーションの値である、ことを特徴とする請求項１又は２記載の露光装置。
【請求項５】
前記２次光学特性値は、波面収差係数の重みつき２乗和で表される光学特性の値である、ことを特徴とする請求項１又は２記載の露光装置。
【請求項６】
前記波面収差係数は、ゼルニケ係数である、ことを特徴とする請求項５記載の露光装置。
【請求項７】
前記２次光学特性値は、波面収差ＲＭＳ値の平方である、ことを特徴とする請求項１又は２記載の露光装置。
【請求項８】
前記基板を保持して前記基板の位置及び姿勢の少なくとも１つを調整するステージを更に有し、
前記１次光学特性値は、前記ステージによる前記基板の位置及び姿勢の少なくとも１つの調整量の１次関数で表される前記投影光学系の光学特性値を含み、
前記２次光学特性値は、前記ステージによる前記基板の位置及び姿勢の少なくとも１つの調整量の２次関数で表される前記投影光学系の光学特性値を含み、
前記制御部は、前記目的関数を最小化する前記光学素子の調整量および前記ステージによる前記基板の位置及び姿勢の少なくとも１つの調整量を算出し、該算出された各調整量に基づいて前記調整部および前記ステージを制御する、ことを特徴とする請求項１又は２記載の露光装置。
【請求項９】
前記レチクルを保持して前記レチクルの位置及び姿勢の少なくとも１つを調整するステージを更に有し、
前記１次光学特性値は、前記ステージによる前記レチクルの位置及び姿勢の少なくとも１つの調整量の１次関数で表される前記投影光学系の光学特性値を含み、
前記２次光学特性値は、前記ステージによる前記レチクルの位置及び姿勢の少なくとも１つの調整量の２次関数で表される前記投影光学系の光学特性値を含み、
前記制御部は、前記目的関数を最小化する前記光学素子の調整量および前記ステージによる前記レチクルの位置及び姿勢の少なくとも１つの調整量を算出し、該算出された各調整量に基づいて前記調整部および前記ステージを制御する、ことを特徴とする請求項１又は２記載の露光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
該露光された基板を現像するステップと、
を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月18日(2010.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップが搭載され、配線層を有する基板と、
前記基板に形成された外部接続電極と、
前記基板の前記半導体チップが搭載された領域とは異なる領域において、前記外部接続電極が形成された面とは反対の面に形成され、導電性材料からなる複数の放熱部材と、
前記放熱部材の少なくとも一部が露出するように前記半導体チップを覆う封止樹脂層と、を含み、
前記放熱部材の少なくとも一部は、所定の前記配線層と電気的に接続されていることを特徴とする、樹脂封止型半導体装置。
【請求項２】
半導体チップが搭載され、配線層を有する基板と、
前記基板に形成された外部接続電極と、
前記基板の前記半導体チップが搭載された領域とは異なる領域において、前記外部接続電極が形成された面とは反対の面に形成され、導電性材料からなる複数の放熱部材と、
前記放熱部材が同一平面で露出するように前記半導体チップを覆う封止樹脂層と、を含み、
前記放熱部材の少なくとも一部は、所定の前記配線層と電気的に接続されていることを特徴とする、樹脂封止型半導体装置。
【請求項３】
半導体チップが搭載され、配線層を有する基板と、
前記基板に形成された外部接続電極と、
前記基板の前記半導体チップが搭載された領域とは異なる領域において、前記外部接続電極が形成された面とは反対の面に形成され、導電性材料からなる複数の放熱部材と、
前記放熱部材が同一平面で露出するように前記半導体チップと前記放熱部材とを覆う封止樹脂層と、を含み、
前記放熱部材の少なくとも一部は、所定の前記配線層と電気的に接続されていることを特徴とする、樹脂封止型半導体装置。
【請求項４】
半導体チップが所定領域上に搭載された基板と、
前記基板に形成された外部接続電極と、
前記基板の前記半導体チップが搭載された領域とは異なる領域において、前記外部接続電極が形成された面とは反対の面に形成され、互いに所定間隔を隔てて配列された複数の放熱部材と、
前記放熱部材の少なくとも一部が露出するように前記半導体チップを覆う封止樹脂層とを備え、
前記基板は、前記放熱部材が接続された導体層と、前記半導体チップが搭載される搭載部と、前記導体層と前記搭載部とを熱的に接続する接続部とを含む配線層を有するとともに、所定の配線パターンに形成された複数の前記配線層を含む配線基板であり、
前記複数の放熱部材の各々は導電性材料から構成されているとともに、前記複数の放熱部材の少なくとも一部は、所定の前記配線層と電気的に接続されていることを特徴とする、樹脂封止半導体装置。
【請求項５】
半導体チップが搭載され、配線層を有する基板と、
前記基板に形成された外部接続電極と、
前記基板の前記半導体チップが搭載された領域とは異なる領域において、前記外部接続電極が形成された面とは反対の面に形成され、導電性材料からなる複数の放熱部材と、
前記放熱部材の少なくとも一部が露出するように前記半導体チップを覆う封止樹脂層と、を含み、
前記放熱部材の少なくとも一部は、所定の前記配線層と電気的に接続され、前記放熱部材に他の半導体装置が積層されていることを特徴とする、樹脂封止型半導体装置。
【請求項６】
前記複数の放熱部材は、それぞれ、金属柱から構成されており、平面視において、前記半導体チップを囲むように配列されていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項７】
前記樹脂封止層の上面上に搭載されるヒートシンクをさらに備え、
前記ヒートシンクと前記放熱部材とは、互いに熱的に接続されていることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項８】
前記半導体チップが前記封止樹脂層で封止されることによって、ＢＧＡ型のパッケージ形態に構成されていることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項９】
前記基板は、樹脂材料、有機高分子材料およびセラミクス材料の少なくとも１つを含む構成材料から構成されていることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載の樹脂封止半導体装置。
【請求項１０】
前記基板は、前記放熱部材が接続された導体層と、前記半導体チップが搭載される搭載部と、前記導体層と前記搭載部とを熱的に接続する接続部とを含む配線層を有し、
前記接続部が、前記搭載部における４つの角部の各々に１つずつ形成されていることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項に記載の樹脂封止半導体装置。
【請求項１１】
前記接続部は、平面視において放射状に形成されていることを特徴とする、請求項１０に記載の樹脂封止半導体装置。
【請求項１２】
前記基板において、前記導体層、４つの前記接続部および前記搭載部は、互いに一体的に連結されていることを特徴とする、請求項１１に記載の樹脂封止半導体装置。
【請求項１３】
前記配線層は、接続電極層をさらに含み、
前記半導体チップは、ボンディングワイヤを介して前記接続電極層と電気的に接続されていることを特徴とする、請求項１２に記載の樹脂封止半導体装置。
【請求項１４】
前記接続電極層は、前記搭載部、前記導体層および前記接続部に囲まれた領域に形成されていることを特徴とする、請求項１３に記載の樹脂封止半導体装置。
【請求項１５】
前記放熱部材は、前記導体層上に形成されていることを特徴とする、請求項１０〜１４のいずれか１項に記載の樹脂封止半導体装置。
【請求項１６】
前記ヒートシンクは、アルミニウムからなることを特徴とする、請求項７に記載の樹脂封止半導体装置。
【請求項１７】
前記放熱部材は、銅またはアルミニウムからなることを特徴とする、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の樹脂封止半導体装置。
【請求項１８】
前記放熱部材は、前記基板の各辺に沿って形成されていることを特徴とする、請求項１〜１７のいずれか１項に記載の樹脂封止半導体装置。