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【手続補正書】
【提出日】平成22年2月26日(2010.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、
前記ベース基板上に形成された第１透明電極層と、
前記第１透明電極層上に形成された超音波導波層と、
前記超音波導波層上に形成された第２透明電極層と、
前記第２透明電極層上に形成された超音波発信部及び超音波受信部と、
前記第２透明電極層上に形成された保護層と、を有することを特徴とするタッチパネル。
【請求項２】
前記超音波発信部は、前記ベース基板の一側周縁に形成されたＸ軸発信部と、該Ｘ軸発信部が形成された一側と隣接した他側周縁に形成されたＹ軸発信部と、を含み、
前記超音波受信部は、前記Ｘ軸発信部と対向する周縁に形成されたＸ軸受信部と、前記Ｙ軸発信部と対向する周縁に形成されたＹ軸受信部と、を含むことを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項３】
前記超音波導波層は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アゾ（ＡＺＯ）、及びフッ化ポリビニリデン（ＰＶＤＦ）の中から選択された一つ以上の素材を含んで形成されることを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項４】
複数の画素で画像を表示する表示パネルと、
前記表示パネルの前面上に形成されたタッチパネルと、を備え、
前記タッチパネルは、ベース基板と、該ベース基板上に形成された第１透明電極層と、該第１透明電極層上に形成された超音波導波層と、該超音波導波層上に形成された第２透明電極層と、該第２透明電極層上に形成された超音波発信部及び超音波受信部と、該第２透明電極層上に形成された保護層と、を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項５】
前記超音波発信部は、前記ベース基板の一側周縁に形成されたＸ軸発信部と、該Ｘ軸発信部が形成された一側と隣接した他側周縁に形成されたＹ軸発信部と、を含み、
前記超音波受信部は、前記Ｘ軸発信部と対向する周縁に形成されたＸ軸受信部と、前記Ｙ軸発信部と対向する周縁に形成されたＹ軸受信部と、を含むことを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記超音波導波層は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アゾ（ＡＺＯ）、及びフッ化ポリビニリデン（ＰＶＤＦ）の中から選択された一つ以上の素材を含んで形成されることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項７】
前記表示パネルは、背面に配置された第１表示板及び該第１表示板と合着されて前面に配置された第２表示板を含み、
前記タッチパネルは、前記第２表示板の前面上に形成されることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１表示板の背面上に形成されたバックライトアセンブリーをさらに備えることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記バックライトアセンブリーは、光源用基板と、該光源用基板上に形成された駆動回路部と、該駆動回路部に連結された正極と、該正極上に形成された有機層と、該有機層上に形成された負極と、を含むことを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記ベース基板、前記第１表示板、前記第２表示板、及び前記光源用基板は、セラミック系の素材を用いて剛性を有するように形成されることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】タッチパネルとこれを備えた表示装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、タッチパネルとこれを備えた表示装置に関し、より詳しくは構造を改善して生産性を向上させたタッチパネルとこれを備えた表示装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
そこで、本発明は上記従来の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の第１の目的は、構造方法を改善して生産性を向上させたタッチパネルを提供することにある。
本発明の第２の目的は、このタッチパネルを備えて全体的な構造を簡素化させ、生産性を向上させて薄形短小化された表示装置を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置は、複数の画素で画像を表示する表示パネルと、前記表示パネルの前面上に形成されたタッチパネルと、を備え、前記タッチパネルはベース基板と、該ベース基板上に形成された第１透明電極層と、該第１透明電極層上に形成された超音波導波層と、該超音波導波層上に形成された第２透明電極層と、該第２透明電極層上に形成された超音波発信部及び超音波受信部と、該第２透明電極層上に形成された保護層と、を含むことを特徴とする。
前記超音波発信部は、前記ベース基板の一側周縁に形成されたＸ軸発信部と、該Ｘ軸発信部が形成された一側と隣接した他側周縁に形成されたＹ軸発信部と、を含み、前記超音波受信部は、前記Ｘ軸発信部と対向する周縁に形成されたＸ軸受信部と、前記Ｙ軸発信部と対向する周縁に形成されたＹ軸受信部と、を含むことができる。
前記超音波導波層は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アゾ（ＡＺＯ）、及びフッ化ポリビニリデン（ＰＶＤＦ）の中から選択された一つ以上の素材を含んで形成できる。
前記表示パネルは、背面に配置された第１表示板及び該第１表示板と合着されて前面に配置された第２表示板を含み、前記タッチパネルは、前記第２表示板の前面上に形成できる。
前記第１表示板の背面上に形成されたバックライトアセンブリーをさらに備えることができる。
前記バックライトアセンブリーは、光源用基板と、該光源用基板上に形成された駆動回路部と、該駆動回路部に連結された正極と、該正極上に形成された有機層と、該有機層上に形成された負極と、を含むことができる。
前記ベース基板、前記第１表示板、前記第２表示板、及び前記光源用基板は、セラミック系の素材を用いて剛性を有するように形成できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明のタッチパネルとこれを備えた表示装置によれば、タッチパネルの構造を改善して生産性を向上できる。また、このタッチパネルを備えて、全体的な構造を簡素化させ、生産性を向上させて薄形短小化された表示装置を提供できる。
つまり、表示装置は、各構成、即ち、タッチパネル、表示パネル、及びバックライトアセンブリーのいろいろな種類の膜が連続的に積層されて形成された構造を有するため、薄膜形成工程だけで製造できる。従って、タッチパネル及びバックライトアセンブリーの製造工程を、これらを付着させる表示パネルの製造工程と一元化させることができて、表示装置の全体的な製造工程が簡素化されて生産性を向上できる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月10日(2010.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック基板、該セラミック基板上に形成された第１活性金属層、該第１活性金属層上に形成され、エッチングにより形成された凹形状を有するアルミニウム電極、
該アルミニウム電極表面の前記凹形状に形成されたバリア層、該バリア層上に形成されたはんだ層を備えて構成される、メタライズ基板。
【請求項２】
セラミック基板、該セラミック基板上に形成された第１活性金属層、該第１活性金属層上に形成され、エッチングにより形成された凹形状を有するアルミニウム電極、
該アルミニウム電極表面の前記凹形状に形成された第２活性金属層、該第２活性金属層上に形成されたバリア層、該バリア層上に形成されたはんだ層を備えて構成される、メタライズ基板。
【請求項３】
前記第１活性金属層および前記第２活性金属層を構成する活性金属が、チタン、クロム、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、タンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属または合金である、請求項１または２に記載のメタライズ基板。
【請求項４】
前記セラミック基板が、窒化アルミニウム基板である、請求項１〜３のいずれかに記載のメタライズ基板。
【請求項５】
前記はんだ層が、金を含まないものである、請求項１〜４のいずれかに記載のメタライズ基板。
【請求項６】
前記はんだ層が、錫、銀、鉛からなる群から選ばれる一種以上の金属または該金属を主成分とする合金により形成されている、請求項１〜５のいずれかに記載のメタライズ基板。
【請求項７】
前記バリア層が、白金、ニッケル、パラジウム、銅、コバルト、または、銀のいずれかにより形成されている、請求項１〜６のいずれかに記載のメタライズ基板。
【請求項８】
前記アルミニウム電極におけるはんだ層が形成されていない表面露出部分に、酸化アルミニウム層が形成されている、請求項１〜７のいずれかに記載のメタライズ基板。
【請求項９】
前記アルミニウム電極表面の前記凹形状の深さが、０．０１μｍから０．２μｍである、請求項１〜８のいずれかに記載のメタライズ基板。
【請求項１０】
前記バリア層の厚みが、０．１μｍ〜５μｍである、請求項１〜９のいずれかに記載のメタライズ基板。
【請求項１１】
前記請求項１〜１０のいずれかに記載のメタライズ基板、および該メタライズ基板のはんだ層に接合された半導体発光素子を備えて構成される、半導体装置。
【請求項１２】
セラミック基板上に、第１活性金属層を形成する工程、
該第１活性金属層上に、アルミニウム電極を形成する工程、
該アルミニウム電極表面の少なくとも一部を、エッチングする工程、
該アルミニウム電極表面のエッチングした箇所に、バリア層を形成する工程、
該バリア層上にはんだ層を形成する工程、
を備えた、請求項１に記載のメタライズ基板の製造方法。
【請求項１３】
セラミック基板上に、第１活性金属層を形成する工程、
該第１活性金属層上に、アルミニウム電極を形成する工程、
該アルミニウム電極表面の少なくとも一部を、エッチングする工程、
該アルミニウム電極表面のエッチングした箇所に、第２活性金属層を形成する工程、
該第２活性金属層上にバリア層を形成する工程、
該バリア層上にはんだ層を形成する工程、
を備えた、請求項２に記載のメタライズ基板の製造方法。
【請求項１４】
前記アルミニウム電極を形成する工程の後に、
エッチングする前記アルミニウム電極表面以外の部分をパターニングによりマスクする工程をさらに備え、その後の工程で形成される各層をリフトオフにより所定のパターンに形成する請求項１２または１３に記載のメタライズ基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月4日(2010.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ．基板と、
ｂ．前記基板に取り付けられた、Ｎを少なくとも２とする、複数のＮ個の半導体ＩＣデバイスと、
ｃ．各ＩＣデバイスに取り付けられ、上端と下端とを有し、前記下端を１つのＩＣデバイスに取り付けられた複数のＮ個のヒート・シンクと、
ｄ．前記Ｎ個の半導体ＩＣデバイスおよび前記Ｎ個のヒート・シンクを封止し、露出された前記ヒート・シンクの前記上端とともに上部表面を形成するポリマー性のオーバーモールドと、
ｅ．前記ヒート・シンクの前記露出された上端に選択的に付された第１のポリマー材料の複数のＮ個のプラグと、
ｆ．第２のポリマー材料１５によって前記オーバーモールドに取り付けられた蓋と、
を具備するオーバーモールドされたＭＣＭ  ＩＣパッケージ。
【請求項２】
前記第２のポリマー材料は、前記オーバーモールドおよび前記プラグの両方を覆うように付された接着性熱インターフェース材料（ＴＩＭ）である、請求項１に記載のパッケージ。
【請求項３】
前記プラグを覆うことなく前記オーバーモールドに選択的に付された接着性ポリマーをさらに含む、請求項１に記載のパッケージ。
【請求項４】
前記第１のポリマー材料は、０．７Ｗ／ｍＫを超える伝導率を有する、請求項１に記載のパッケージ。
【請求項５】
前記第２のポリマー材料は、０．３Ｗ／ｍＫ未満の伝導率を有する、請求項４に記載のパッケージ。
【請求項６】
ａ．Ｎを少なくとも２とするＮ個の半導体ＩＣデバイスを基板に取り付けること、
ｂ．各ＩＣデバイスに１つのヒート・シンクが設けられるように、１つのＩＣデバイスに取り付けられる下端および上端を有するＮ個のヒート・シンクを前記ＩＣデバイスに取り付けること、
ｃ．前記ヒート・シンクの上端を露出させながら前記ＩＣデバイスおよび前記ヒート・シンクを封止するオーバーモールドを成形すること、
d．第１のポリマー材料からなる複数のＮ個のプラグを選択的に前記ヒート・シンクの前記露出された上端に付すこと、
e．第２のポリマー材料を前記オーバーモールドの表面に付すこと、および
f．前記第２のポリマー材料に蓋を付すこと、
を含む、オーバーモールドされたＭＣＭ  ＩＣパッケージの製造方法。
【請求項７】
前記第１および第２のポリマー材料が付され、前記蓋が付され、次いで前記第１および第２の材料が同じ硬化工程で硬化させられる、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第２のポリマー材料は、前記オーバーモールドおよび前記第１のポリマー材料を覆うように付される、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記第１のポリマー材料は、０．７Ｗ／ｍＫを超える伝導率を有する、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記第２のポリマー材料は、０．３Ｗ／ｍＫ未満の伝導率を有する、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月4日(2010.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ．基板と、
ｂ．前記基板に接着された少なくとも２つの半導体ＩＣデバイスと、
ｃ．少なくとも２つのヒート・シンクであって、各ＩＣデバイスに１つのヒート・シンクが接着され、前記ヒート・シンクは上部および底部を有し、前記底部がＩＣデバイスに接着される、少なくとも２つのヒート・シンクと、
ｄ．前記半導体デバイスおよび前記ヒート・シンクを封止するポリマー・オーバーモールドであって、露出された前記ヒート・シンクの前記上部と共に上部表面を形成し、前記上部表面上に複数のリッド押えを有するポリマー・オーバーモールドと、
ｅ．オーバーモールドに接着されたリッドであって、複数のリッド押えを有し、前記オーバーモールド内の前記リッド押えが前記リッド内の前記リッド押えと係合する、リッドと
を含むオーバーモールドされたＭＣＭ  ＩＣパッケージ。
【請求項２】
前記オーバーモールド内のリッド押えおよび前記リッド内のリッド押えがそれぞれある形状を有し、前記オーバーモールド内の前記リッド押えの形状が前記リッド内の前記リッド押えの形状の補足物に一致する、請求項１に記載のパッケージ。
【請求項３】
第１の伝導性ポリマーが前記ヒート・シンクと前記リッドとの間に選択的に配置される、請求項２に記載のパッケージ。
【請求項４】
第２の伝導性ポリマーが前記オーバーモールドと前記リッドとの間に選択的に配置され、前記第１の伝導性ポリマーが前記第２の伝導性ポリマーと異なる、請求項３に記載のパッケージ。
【請求項５】
前記第１のポリマーが粘着性ポリマーではない、請求項３に記載のパッケージ。
【請求項６】
オーバーモールドＭＣＭ  ＩＣパッケージを作製する方法であって、
ａ．Ｎ個の半導体ＩＣデバイスを基板に接着することであって、Ｎが少なくとも２であることと、
ｂ．前記ＩＣデバイスにＮ個のヒート・シンクを接着することであって、各ＩＣデバイス２０が１つのヒート・シンクを備え、前記ヒート・シンクがＩＣデバイスに接着された底部および上部を有することと、
ｃ．前記ヒート・シンクの前記上部にリッドを接着することであって、前記リッドが複数のリッド押えを有することと、
ｄ．前記ＩＣデバイスおよび前記ヒート・シンクを封止するオーバーモールドをモールドすることを含み、前記オーバーモールドをモールドする工程が、前記オーバーモールドと一体をなす複数のリッド押えを形成することを含み、前記オーバーモールド内の前記リッド押えが前記リッド内の前記リッド押えを満たす、方法。
【請求項７】
前記オーバーモールド内の前記リッド押えおよび前記リッド内の前記リッド押えがそれぞれある形状を有し、前記オーバーモールド内の前記リッド押えの形状が前記リッド内の前記リッド押えの形状の補足物に一致する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記リッドが、第１の伝導性ポリマーを使用して前記ヒート・シンクに接着される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記リッドを前記ヒート・シンクに接着する前に第２の伝導性ポリマーが前記リッドに付けられ、前記第１の伝導性ポリマーが前記第２の伝導性ポリマーと異なる、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の伝導性ポリマーが粘着性ポリマーではない、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月23日(2009.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】手続補正書
【補正対象項目名】手続補正１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【発明の名称】半導体素子及び各種部品をレーザー昇温し加工調整する装置。
【技術分野】
【０００１】本考案は、短時間で半導体素子、及び各種部品（被測定物）を温め、高温状態での試験を可能にし特性の良いものを選択し加工調整させ、且つ、従来の恒温槽式高温装置を不要とする為の技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】従来用いられていた恒温槽で半導体素子、及び各種部品（被測定物）を温める方式では、ワークが暖まる迄にある程度の時間を要し、又機構が複雑であった為、ワークの製造コストが高くなることが問題になっている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】半導体素子、各種部品（被測定物）を簡便な機構、且つ短い時間に設定温度まで暖めることができる機械装置が無い為、検査・試験のコストが高くなっている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】レーザーを半導体素子及び各種部品（被測定物）に的を絞り照射し、設定温度まで暖める。【０００５】半導体素子及び各種部品の場合は、温度センサーを部品内に設置する。
半導体素子の場合はサーミスターを半導体回路に作り込み、又半導体以外の部品は温度センサーを組み付け、温度を計測、確認する。【０００６】熱感知センサー（非接触タイプ）で半導体素子及び各種部品の温度を外部から計測、確認する。
【発明の効果】
【０００７】半導体素子、各種部品（被測定物）を簡便な機構で短い時間に設定温度まで暖めることができ、また温度を維持した状態での検査・試験が可能になる為、ワークの製造コスト低減が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】（イ）温めようとする半導体素子、及び各種部品のみにレーザーを照射する。
（ロ）設定温度まで上昇したら照射を中止する。
（ハ）半導体素子、及び各種部品の性能を試験・評価する。
（ニ）特性の良いものを選択しレーザー加工し調整する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】温度センサーとしてサーミスタや温度センサーを使用した場合の説明。
【図２】温度センサーとして非接触型温度センサーを使用した場合の説明。
【符号の説明】
【００１０】１  試験装置からのテストスタート信号がコントロールユニット経由でレーザー装置に指令を出し、半導体素子、及び各種部品（被測定物）にレーザー照射を開始する。
２  半導体素子、及び各種部品の温度センサー（サーミスタ）から信号をコントロールユニットが連続判定し、設定温度に達したら、レーザー照射を中止させる。
３  同時に試験装置にテスト開始の指令を出し、半導体素子、及び各種部品の試験を行い良否判定と分類信号を選別機に送信する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月12日(2010.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成されるデータ線と、
前記データ線と交差し、ゲート電極を有するゲート線と、
前記データ線に接続されるソース電極と、
前記ソース電極と対向するドレイン電極と、
開口部を有し、フッ素含有化合物を含むアクリル系感光性樹脂を使用して形成される絶縁膜と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極と接触する有機半導体とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２】
前記感光性樹脂は、熱架橋性を有することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項３】
前記フッ素含有化合物は、フッ素系界面活性剤、フッ素系ナノパーティクル、フッ素系高分子ナノビーズの中から選択された少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項２に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項４】
前記フッ素含有化合物は、前記絶縁膜に対して１〜４０重量％含有することを特徴とする請求項３に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項５】
前記絶縁膜は、厚さが１０〜７０００Åであることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項６】
前記絶縁膜の上部面は、前記有機半導体の下部面と接触する部分より強い疏水性を有することを特徴とする請求項５に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項７】
前記有機半導体と前記ゲート電極の間に位置するゲート絶縁体をさらに有し、
前記有機半導体と前記ゲート絶縁体のうちの少なくとも一つは、溶解性物質を含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項８】
前記データ線と前記ソース電極は異なる物質を含み、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、ＩＴＯ又はＩＺＯを含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項９】
前記有機半導体下部に位置する光遮断膜をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月4日(2010.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）デバイスを含む画像表示システムであって、
画素領域を含む基板、
前記画素領域の前記基板の上に配置され、チャネル領域、該チャネル領域で分けられた一対のソース／ドレイン領域を含む活性層、および
前記活性層の上に配置され、ゲート誘電体層とゲート層の堆積を含むゲート構造を含み、
前記チャネル領域は、第１導電型のドーパントと、該第１導電型とは逆の第２導電型のドーパントを含むシステム。
【請求項２】
前記第１導電型はＮ型であり、前記第２導電型はＰ型である、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記薄膜トランジスタデバイスを含むフラットパネルディスプレイ装置、および
前記フラットパネルディスプレイ装置に接続され、該フラットパネルディスプレイ装置に入力を提供し、前記フラットパネルディスプレイ装置が画像を表示する入力ユニットを更に含む請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記システムは、前記フラットパネルディスプレイ装置を含む電子装置を更に含む請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記電子装置は、ラップトップ型パソコン、携帯電話、デジタルカメラ、ＰＤＡ、デスクトップ型パソコン、テレビ、カーディスプレイ、または携帯型ＤＶＤプレーヤーである請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
薄膜トランジスタデバイスを含む画像表示システムを製造する方法であって、
駆動回路領域と画素領域を含む基板を提供するステップ、
前記駆動回路と前記画素領域の前記基板上にポリシリコン層を形成するステップ、
前記駆動回路領域の前記ポリシリコン層をマスク層によって覆うステップ、
前記画素領域の前記ポリシリコン層に第１導電型のイオン注入を実施するステップ、
前記画素領域の前記ポリシリコン層が、前記第１導電型のドーパントおよび該第１導電型とは逆の導電型の第２導電型のドーパントを含むように、前記画素領域の前記ポリシリコン層に前記第２導電型のイオン注入を実施するステップ、
前記マスク層を取り除くステップ、および
前記ポリシリコン層をアニールし、前記ドーパントを活性化するステップを含む方法。
【請求項７】
前記画素領域の前記ポリシリコン層をパターン化し、前記第１導電型のドーパントと前記第２導電型のドーパントを含む活性層を形成するステップ、
前記活性層をゲート誘電体層とゲート層の堆積によって覆うステップ、および
前記活性層に重イオン注入を実施し、前記ゲート層の下のチャネル領域を形成し、前記チャネル領域の両側に一対のソース／ドレイン領域を形成するステップを更に含む請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ポリシリコン層は、約３００℃〜６００℃の温度の急速熱処理（ＲＴＡ）によってアニールされる請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記第１導電型の前記イオン注入は、１×１０11〜１×１０13イオン／ｃｍ2の注入量のリンイオンを用いる請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記第２導電型の前記イオン注入は、１×１０11〜１×１０13イオン／ｃｍ2の注入量のホウ素イオンを用いる請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月25日(2010.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、ワイヤをボンディングするための電極パッド１０が形成され、電極パッド１０とＧａＮ基板１との間には、ＳｉＯ２絶縁膜９が形成されている。電極パッド１０のサイズは５０μｍ×５０μｍであり、ＳｉＯ２絶縁膜９のサイズは６０μｍ×６０μｍである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
以上の結晶成長が終了したウエハの全面にレジストを塗布し、リソグラフィーによりｐ電極７の形状に対応した所定形状のレジストパターンを形成する。次に、このレジストパターン上に真空蒸着によりＰｔ膜及びＡｕ膜を順次形成し、リフトオフによりレジスト及びレジスト上の電極膜を除去することで、所望の形状のｐ電極７を形成する。このｐ電極７は、ダイボンドを行う面にあるため、ほぼ全面に形成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
実施の形態２．
図４は、本発明の実施の形態２に係る半導体発光ダイオードを基板の裏面側から見た図である。素子のサイズは縦４００μｍ、横４００μｍである。また、ｎ電極６の形状はくし状であり、ｎ電極６の幅は１５μｍであり、開口の幅Ｌは１５０μｍである。また、電極パッド１０のサイズは５０μｍ×５０μｍであり、ＳｉＯ２絶縁膜９のサイズは６０μｍ×６０μｍである。素子の積層構造は、実施の形態１と同じであるため、説明を省略する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
実施の形態３．
図５は、本発明の実施の形態３に係る半導体発光ダイオードを基板の裏面側から見た図である。素子のサイズは縦４００μｍ、横４００μｍである。また、ｎ電極６の形状は網目状であり、ｎ電極６の幅は２０μｍであり、開口の幅Ｌは１００μｍである。また、電極パッド１０のサイズは５０μｍ×５０μｍであり、ＳｉＯ２絶縁膜９のサイズは６０μｍ×６０μｍである。素子の積層構造は、実施の形態１と同じであるため、説明を省略する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月6日(2010.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向に配列されて第１カッティング軸を有する複数の第１ヒューズを備えるが、各第１ヒューズは、第１ヒューズピッチを有する第１部分、前記第１ヒューズピッチより小さな第２ヒューズピッチを有する第２部分、及び前記第１部分と前記第２部分とを連結する第３部分を備える第１ヒューズ群と、
前記第１方向に配列されて第２カッティング軸を有する複数の第２ヒューズを備えるが、各第２ヒューズは、第１ヒューズピッチを有する第１部分、前記第１ヒューズピッチより小さな第２ヒューズピッチを有する第２部分、及び前記第１部分と前記第２部分とを連結する第３部分を備える第２ヒューズ群と、
複数の第３ヒューズを備えるが、各第３ヒューズは、前記第１カッティング軸または前記第２カッティング軸のうち一つのカッティング軸を有し、前記第１方向に配列されて第１ヒューズピッチを有する第１パターンと、第２方向に配列されて前記第１ヒューズピッチより小さな第２ヒューズピッチを有し、前記第１ヒューズまたは前記第２ヒューズをバイパスするように配列された第２パターンとを備える第３ヒューズ群と、を備える半導体素子のヒューズボックス。
【請求項２】
前記第１ヒューズ群の前記第１ヒューズの前記第１部分と前記第２ヒューズ群の前記第２ヒューズの前記第２部分とは、前記第１方向に平行に配列され、前記第１ヒューズ群の前記第１ヒューズの前記第２部分と前記第２ヒューズ群の前記第２ヒューズの前記第１部分とは、前記第１方向に平行に配列され、
前記第３ヒューズ群の前記第３ヒューズの前記第１パターンは、前記第１ヒューズの前記第１部分または前記第２ヒューズの前記第１部分と平行に、前記第１方向に配列されることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のヒューズボックス。
【請求項３】
前記第１ヒューズの前記第１ヒューズピッチは、前記第２ヒューズの前記第１ヒューズピッチ及び前記第３ヒューズの前記第１ヒューズピッチと同一であり、前記第１ヒューズの前記第２ヒューズピッチは、前記第２ヒューズの前記第２ヒューズピッチ及び前記第３ヒューズの前記第２ヒューズピッチと同一であることを特徴とする請求項２に記載の半導体素子のヒューズボックス。
【請求項４】
前記第１ヒューズ群の前記第１ヒューズの前記第１部分が、前記第１カッティング軸に配列され、前記第２ヒューズ群の前記第２ヒューズの前記第１部分が、前記第２カッティング軸に配列され、前記第３ヒューズ群の前記第３ヒューズの前記第１パターンが、前記第１または前記第２カッティング軸のうち前記一つのカッティング軸に配列されることを特徴とする請求項３に記載の半導体素子のヒューズボックス。
【請求項５】
前記第３ヒューズ群の前記第１パターンと前記第２パターンとは、コンタクトを介して連結されることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のヒューズボックス。
【請求項６】
半導体基板上に配列されて、第２ヒューズピッチを有する第３ヒューズ群の第２パターンと、
前記第３ヒューズ群の前記第２パターン上に形成される第１絶縁膜と、
前記第３ヒューズ群の前記第２パターンの一部分を選択的に露出させるコンタクトと、
前記第１絶縁膜上に配列され、各第１ヒューズが第１ヒューズピッチを有する第１部分、前記第１ヒューズピッチより小さな第２ヒューズピッチを有する第２部分、及び前記第１部分と前記第２部分とを連結する第３部分を備える第１ヒューズ群と、
前記第１絶縁膜上に配列され、各第２ヒューズが第１ヒューズピッチを有する第１部分、前記第１ヒューズピッチより小さな第２ヒューズピッチを有する第２部分、及び前記第１部分と前記第２部分とを連結する第３部分を備える第２ヒューズ群と、
前記第１絶縁膜上に配列され、前記コンタクトを介して前記第３ヒューズ群の前記第２パターンと連結され、第１ヒューズピッチを有する前記第３ヒューズ群の第１パターンと、を備える半導体素子のヒューズボックス。
【請求項７】
前記第１ないし第３ヒューズ群の各ヒューズは、金属膜またはポリシリコン膜を含むことを特徴とする請求項６に記載の半導体素子のヒューズボックス。
【請求項８】
前記第３ヒューズ群の前記第２パターンは、前記第１ヒューズの前記第２部分または前記第２ヒューズの前記第２部分に対応して配列されることを特徴とする請求項６に記載の半導体素子のヒューズボックス。
【請求項９】
前記第１ヒューズ群の各ヒューズの前記第１部分と前記第２ヒューズ群の各ヒューズの前記第２部分とは、前記第１方向に平行に配列され、前記第１ヒューズ群の各ヒューズの前記第２部分と前記第２ヒューズ群の各ヒューズの前記第１部分とは、前記第１方向に平行に配列され、
前記第３ヒューズ群の各ヒューズの前記第１パターンは、前記第１ヒューズ群の各ヒューズの前記第１部分または前記第２ヒューズ群の各ヒューズの前記第１部分と平行に、前記第１方向に配列されることを特徴とする請求項６に記載の半導体素子のヒューズボックス。
【請求項１０】
前記第１ヒューズ群の各ヒューズの前記第１ヒューズピッチは、前記第２ヒューズ群の各ヒューズの前記第１ヒューズピッチ及び前記第３ヒューズ群の各ヒューズの前記第１ヒューズピッチと同一であり、前記第１ヒューズ群の各ヒューズの前記第２ヒューズピッチは、前記第２ヒューズ群の各ヒューズの前記第２ヒューズピッチ及び前記第３ヒューズ群の各ヒューズの前記第２ヒューズピッチと同一であることを特徴とする請求項９に記載の半導体素子のヒューズボックス。
【請求項１１】
前記第１絶縁膜上に形成される第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に形成され、前記第１ヒューズ群の各ヒューズの前記第１部分、前記第２ヒューズ群の各ヒューズの前記第１部分、及び前記第３ヒューズ群の各ヒューズの前記第１パターンの一部を露出させるヒューズ開口領域が形成されたキャッピング層と、をさらに備えることを特徴とする請求項６に記載の半導体素子のヒューズボックス。
【請求項１２】
前記キャッピング層は、金属膜を含むことを特徴とする請求項１１に記載の半導体素子のヒューズボックス。
【請求項１３】
前記キャッピング層上に、前記第１ヒューズ群及び前記第２ヒューズ群の各ヒューズの前記第３部分に対応して形成されたパッシベーション膜をさらに備えることを特徴とする請求項１１に記載の半導体素子のヒューズボックス。
【請求項１４】
前記パッシベーション膜は、窒化膜を含むことを特徴とする請求項１３に記載の半導体素子のヒューズボックス。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月12日(2010.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極集電体上に配設される正極電極層と、負極集電体上に配設される負極電極層とが、多孔質のセパレータを挟んで互いに対向するように配置された、複数の単セルを備え、上記複数の単セルが積層され電解液が充填された外装ケースに収納され、並列接続される電気二重層キャパシタであって、
上記正極電極層は、静電容量の異なる大容量正極電極層と小容量正極電極層とに区別され、
上記負極電極層は、静電容量の異なる大容量負極電極層と小容量負極電極層とに区別され、
少なくとも１つの単セルは、大容量正極電極層と大容量負極電極層との組み合わせであり、
少なくとも１つの単セルは、小容量正極電極層と小容量負極電極層との組み合わせであり、
且つ、上記大容量正極電極層および上記大容量負極電極層により挟まれるセパレータの厚さは、
上記小容量正極電極層および上記小容量負極電極層により挟まれるセパレータの厚さよりも厚いことを特徴とする電気二重層キャパシタ。
【請求項２】
上記大容量正極電極層の静電容量が上記小容量正極電極層の静電容量の２倍以上であり、
上記大容量負極電極層の静電容量が上記小容量負極電極層の静電容量の２倍以上であることを特徴とする請求項１に記載する電気二重層キャパシタ。
【請求項３】
上記大容量負極電極層の静電容量が上記大容量正極電極層の静電容量を超え、
上記小容量負極電極層の静電容量が上記小容量正極電極層の静電容量を超えることを特徴とする請求項１に記載する電気二重層キャパシタ。
【請求項４】
上記小容量正極電極層および小容量負極電極層が配置される単セルの数が、
上記大容量正極電極層および大容量負極電極層が配置される単セルの数の２倍以上であることを特徴とする請求項１に記載する電気二重層キャパシタ。
【請求項５】
上記大容量正極電極層および大容量負極電極層が配置される単セルは、
積層方向に対して一方の片側に配置され、
上記小容量正極電極層および小容量負極電極層が配置される単セルは、
積層方向に対して他方の片側に配置されることを特徴とする請求項１に記載する電気二重層キャパシタ。
【請求項６】
上記大容量正極電極層および大容量負極電極層が配置される単セルは、
積層方向に対して中央に配置され、
上記小容量正極電極層および小容量負極電極層が配置される単セルは、
積層方向に対して外側に配置されることを特徴とする請求項１に記載する電気二重層キャパシタ。
【請求項７】
上記大容量正極電極層および大容量負極電極層が配置される単セルと、
上記小容量正極電極層および小容量負極電極層が配置される単セルとは、
積層方向に対して交互に配置されることを特徴とする請求項１に記載する電気二重層キャパシタ。
【請求項８】
上記大容量正極電極層および大容量負極電極層の電極層の厚さは、
上記小容量正極電極層および小容量負極電極層の電極層の厚さよりも厚いことを特徴とする請求項１に記載する電気二重層キャパシタ。
【請求項９】
上記大容量正極電極層および大容量負極電極層の主成分であるカーボン粒子の静電容量は、
上記小容量正極電極層および小容量負極電極層の主成分であるカーボン粒子の静電容量より大きいことを特徴とする請求項１に記載する電気二重層キャパシタ。
【請求項１０】
上記小容量正極電極層および小容量負極電極層がそれぞれ配設される正極集電体および負極集電体の厚みは、
上記大容量正極電極層および大容量負極電極層がそれぞれ配設される正極集電体および負極集電体の厚みより厚いことを特徴とする請求項１に記載する電気二重層キャパシタ。
【請求項１１】
表裏それぞれに上記大容量正極電極層と上記小容量正極電極層が設けられる複数の正極集電体と、
表裏それぞれに上記大容量負極電極層と上記小容量負極電極層が設けられる複数の負極集電体と、
上記大容量正極電極層と上記大容量負極電極層との間および上記小容量正極電極層と上記小容量負極電極層との間でそれぞれ挟持されるセパレータと、を備え、
上記正極集電体と上記負極集電体が交互に配置され、上記複数の正極集電体が電気的に並列に接続され、上記複数の負極集電体が電気的に並列に接続されることを特徴とする請求項１に記載する電気二重層キャパシタ。
【請求項１２】
上記大容量電極層には、上記小容量電極層のセパレータよりも、平均気孔径の大きなセパレータが配置されていることを特徴とする請求項１に記載する電気二重層キャパシタ。
【請求項１３】
上記大容量電極層に、ナノゲートカーボンもしくは黒鉛系のカーボンを用いたことを特徴とする請求項１に記載する電気二重層キャパシタ。
【請求項１４】
上記大容量負極電極層に、リチウムイオンがインターカレーションするカ−ボンを用いたことを特徴とする請求項１に記載する電気二重層キャパシタ。
【請求項１５】
上記集電箔に、表面がエッチングされて凹凸が設けられているエッチド箔、エキスパンドメタルや多穴金属箔を用いたことを特徴とする請求項１に記載する電気二重層キャパシタ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月8日(2010.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、ソース電極及びドレイン電極とを有する半導体素子と、
前記半導体素子上に形成され、第１のコンタクトホール及び前記第１のコンタクトホールよりも深さが浅い第２のコンタクトホールを有する層間絶縁膜と、
前記第１のコンタクトホールに形成された第１の配線と、
前記第２のコンタクトホールに形成された第２の配線と、
を有し、
前記第１のコンタクトホールは、前記第１のコンタクトホールの底面において、前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方に達せず、
前記第２のコンタクトホールは、前記第２のコンタクトホールの底面において、前記ソース電極または前記ドレイン電極の他方に達し、
前記第１の配線は前記ソース電極または前記ドレイン電極の前記一方と電気的に接続せず、前記第２の配線は前記ソース電極または前記ドレイン電極の前記他方と電気的に接続することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上に、
半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、前記ゲート電極上の第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜上のソース電極及びドレイン電極とを有する半導体素子と、
前記半導体素子上に形成され、第１のコンタクトホール及び前記第１のコンタクトホールよりも深さが浅い第２のコンタクトホールを有する第２の層間絶縁膜と、
前記第１のコンタクトホールに形成された第１の配線と、
前記第２のコンタクトホールに形成された第２の配線と、
を有し、
前記第１のコンタクトホールは、前記第１のコンタクトホールの底面において、前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方に達せず、
前記第２のコンタクトホールは、前記第２のコンタクトホールの底面において、前記ソース電極または前記ドレイン電極の他方に達し、
前記第１の配線は前記ソース電極または前記ドレイン電極の前記一方と電気的に接続せず、前記第２の配線は前記ソース電極または前記ドレイン電極の前記他方と電気的に接続することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記半導体素子は、不揮発性メモリ回路に用いられることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記半導体素子はノーマリーオフ型であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
基板上に、半導体膜、ゲート絶縁膜、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を有する半導体素子を形成し、
前記半導体素子上に層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜に、前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方に達する第１のコンタクトホール、及び前記ソース電極または前記ドレイン電極の他方に達する第２のコンタクトホールを形成し、
前記ソース電極または前記ドレイン電極の前記一方に電圧をかけつつ電解液に浸すことにより、前記ソース電極または前記ドレイン電極の前記一方を溶解し、
前記第１のコンタクトホールに前記ソース電極または前記ドレイン電極の前記一方に電気的に接続しない第１の配線を形成するとともに、前記第２のコンタクトホールに前記ソース電極または前記ドレイン電極の前記他方に電気的に接続する第２の配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
基板上に、半導体膜、ゲート絶縁膜、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を有する半導体素子を形成し、
前記半導体素子上に層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜に、前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方に達する第１のコンタクトホールを形成し、
前記ソース電極または前記ドレイン電極の前記一方に電圧をかけつつ電解液に浸すことにより、前記ソース電極または前記ドレイン電極の前記一方を溶解し、
前記層間絶縁膜に、前記ソース電極または前記ドレイン電極の他方に達する第２のコンタクトホールを形成し、
前記第１のコンタクトホールに前記ソース電極または前記ドレイン電極の前記一方に電気的に接続しない第１の配線を形成するとともに、前記第２のコンタクトホールに前記ソース電極または前記ドレイン電極の前記他方に電気的に接続する第２の配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項５または請求項６において、
前記半導体素子は、不揮発性メモリ回路に用いられることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月14日(2010.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱膨張率６×１０−７／℃より大きく３８×１０−７／℃以下のガラス基板上に、加熱後の全応力が−５００Ｎ／ｍ以上＋５０Ｎ／ｍ以下となる半導体膜を含む層を形成し、
前記半導体膜を含む層を加熱し、
前記加熱された半導体膜を含む層に連続発振または繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のレーザビームを照射し、結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
熱膨張率６×１０−７／℃より大きく３８×１０−７／℃以下のガラス基板上に、半導体膜を含む層を形成し、
前記半導体膜を含む層を加熱し、前記半導体膜を含む層の全応力を−５００Ｎ／ｍ以上＋５０Ｎ／ｍ以下とし、
前記加熱された半導体膜を含む層に連続発振または繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のレーザビームを照射し、結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記半導体膜を含む層は、前記基板上に窒化酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、非晶質半導体膜を順に積層して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１または２において、
前記半導体膜を含む層は、前記基板上に酸化窒化珪素膜、非晶質半導体膜を順に積層して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
熱膨張率が３８×１０−７／℃で厚さが０．５ｍｍ以上１．２ｍｍ以下のガラス基板に、厚さ４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の窒化酸化珪素膜、厚さ８０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下の酸化窒化珪素膜、及び厚さ５０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の非晶質半導体膜を順にプラズマＣＶＤ法で成膜し、
５００℃以上６５０℃以下で加熱し、前記窒化酸化珪素膜、前記酸化窒化珪素膜、及び前記非晶質半導体膜の全応力を−５００Ｎ／ｍ以上−１６Ｎ／ｍ以下とし、
連続発振または繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のレーザビームを照射し、結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
熱膨張率が３１．８×１０−７／℃で厚さが０．５ｍｍ以上１．２ｍｍ以下のガラス基板に、厚さ４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の窒化酸化珪素膜、厚さ８０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下の酸化窒化珪素膜、及び厚さ５０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の非晶質半導体膜を順にプラズマＣＶＤ法で成膜し、
５００℃以上６５０℃以下で加熱し、前記窒化酸化珪素膜、前記酸化窒化珪素膜、及び前記非晶質半導体膜の全応力を−５００Ｎ／ｍ以上＋２８Ｎ／ｍ以下とし、
連続発振または繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のレーザビームを照射し、結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月6日(2010.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
希ガス、酸素ガス及び水素ガスを含む第１のガスから希ガス及び酸素ガスを含む第２のガスに途中で切り替えて高密度プラズマ処理を行うことにより、半導体層の表面に絶縁層を形成する
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
希ガス、酸素ガス及び水素ガスを含む第１のガスから希ガス及び酸素ガスを含む第２のガスに途中で切り替えて高密度プラズマ処理を行うことにより、半導体基板の表面に絶縁層を形成する
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
希ガス、酸素ガス及び水素ガスを含む第１のガスから希ガス及び酸素ガスを含む第２のガスに途中で切り替えて高密度プラズマ処理を行うことにより、半導体層の表面に第１の絶縁層を形成し、
前記半導体層上に前記第１の絶縁層を介して第１のゲート電極を形成し、
前記第１のゲート電極上に第２の絶縁層を形成し、
前記第１のゲート電極上に前記第２の絶縁層を介して第２のゲート電極を形成することで不揮発性半導体記憶装置を形成する
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
希ガス、酸素ガス及び水素ガスを含む第１のガスから希ガス及び酸素ガスを含む第２のガスに途中で切り替えて高密度プラズマ処理を行うことにより、半導体基板の表面に第１の絶縁層を形成し、
前記半導体基板上に前記第１の絶縁層を介して第１のゲート電極を形成し、
前記第１のゲート電極上に第２の絶縁層を形成し、
前記第１のゲート電極上に前記第２の絶縁層を介して第２のゲート電極を形成することで不揮発性半導体記憶装置を形成する
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記高密度プラズマ処理は、高周波を用いて励起され、電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上、且つ電子温度が１．５ｅＶ以下のプラズマを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第１のガスから前記第２のガスに切り替える際に、大気に曝すことなく連続して前記高密度プラズマ処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１のガスにおける前記水素ガスの供給を止めることで、前記第２のガスに切り替えることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記希ガスとしてＡｒガスを用い、前記酸素ガスとしてＯ２ガスを用い、前記水素ガスとしてＨ２ガスを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月5日(2010.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パネルに平面的に配列し太陽光のエネルギを電気エネルギに変換する複数個の太陽電池セルと、該太陽電池セル間の近傍に配置した発光ダイオードとから成り、集電のために前記太陽電池セル間を導電材により接続し、前記太陽電池セルの正極に、前記発光ダイオードのカソードを接続し、前記太陽電池セルの負極に前記発光ダイオードのアノードを接続したことを特徴とする太陽光発電装置。
【請求項２】
前記発光ダイオードは前記太陽電池セルごとに配置したことを特徴とする請求項１に記載の太陽光発電装置。
【請求項３】
前記発光ダイオードは複数の前記太陽電池セルごとに配置したことを特徴とする請求項１に記載の太陽光発電装置。
【請求項４】
前記発光ダイオードは前記太陽電池セルで得て蓄電した電気エネルギ又は商用電源を用いて発光することを特徴とする請求項１〜３の何れか１つの請求項に記載の太陽光発電装置。
【請求項５】
前記発光ダイオードを筐体内に組み込み、前記筐体に設けた接続端を前記太陽電池セルの正極と負極に接続したことを特徴とする請求項１〜４の何れか１つの請求項に記載の太陽光発電装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月27日(2010.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビーム経路に沿って質量分析された一定方向のイオンビームを供給し、
前記イオンビームをワークピースの方に向け、
前記ワークピースの先行縁から後行縁へ、低速スキャン軸に沿って第１方向にワークピースをスキャンし、そして、
前記ワークピースの先行縁で次のスキャンを始めるために、前記低速スキャン軸に沿って前記第１方向と反対の第２方向に前記次のスキャンのためにワークピースを回転させることを含む、
前記一定方向のイオンビームをワークピースに供給する方法。
【請求項２】
前記ワークピースの少なくとも二つのスキャンは、最初のスキャンと次のスキャンの間で、前記ワークピースを少なくとも一回転して前記低速スキャン軸に沿って実行されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ワークピースは、１８０度回転されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記ワークピースは、半導体ウエハ基板であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
イオンビームを作り出すように操作可能なイオン源と、
前記イオン源からイオンビームを受け入れ、ビームライン軸に沿って所望の質量範囲にあるイオンを含む質量分析されたイオンビームを供給する質量分析器と、
高速スキャン軸と低速スキャン軸に沿って、イオンビーム中でワークピースをスキャンするように構成され、各低速スキャン間でビームライン軸に平行な軸の回りに前記ワークピースを１８０度回転するように構成された回転機構を含むエンドステーションと、
を含むことを特徴とするイオン注入システム。
【請求項６】
前記イオンビームは、一定方向のイオンビームであることを特徴とする請求項５記載のイオン注入システム。
【請求項７】
ワークピースにイオン注入するためにイオンビームを生成するための手段と、
イオンビーム中を行ったり来たり横断するために、第２の方向に直交する第１の方向に前記ワークピースを繰り返し往復させる手段と、
イオンビーム中でウエハの低速スキャン軸に沿って、各連続するスキャン間でビームライン軸の回りに前記ワークピースを回転させるための手段と、
を含むことを特徴とするワークピースをイオン注入するための装置。
【請求項８】
前記イオンビームは、一定方向のイオンビームであることを特徴とする請求項７記載の装置。
【請求項９】
前記ワークピースは、１８０度回転されることを特徴とする請求項７記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
他方、典型的なシリアル処理では、イオンビームは、静止したウエハを横切って単一軸線方向にスキャンされるか、又はウエハは、一方向の扇形状に広がって、走査されるイオンビームに対して、一方向に平行移動させるか、あるいは、固定（一定の方向）のイオンビーム”スポットビーム”に対してほぼ直交する軸線に沿ってウエハを一方向に平行移動させて走査されるかのいずれか一方である。しかしながら、一様なイオンビームをスキャンする又は形成する工程は、概して、複雑な及び／又は長いビームラインを要求し、それは、概して、低エネルギーで望ましくない。