【手続補正書】
【提出日】平成22年10月7日(2010.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モル％で、酸化ジルコニウム：１０〜７０％、非晶質の二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化ランタンおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットでおいて、ターゲット素地中にＬａ２ＳｉＯ５の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有することを特徴とする高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット。
【請求項２】
モル％で、酸化ハフニウム：１０〜７０％、非晶質の二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化ランタンおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット素地中にＬａ２ＳｉＯ５の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有することを特徴とする高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット。
【請求項３】
モル％で、酸化ジルコニウム：１０〜７０％、酸化イットリウム：０．１〜８．４％、非晶質の二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化ランタンおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット素地中にＬａ２ＳｉＯ５の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有することを特徴とする高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット。
【請求項４】
モル％で、酸化ジルコニウム：１０〜７０％、非晶質の二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化インジウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット素地中にＩｎ２Ｓｉ２Ｏ７の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有することを特徴とする高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット。
【請求項５】
モル％で、酸化ハフニウム：１０〜７０％、非晶質の二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化インジウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット素地中にＩｎ２Ｓｉ２Ｏ７の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有することを特徴とする高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット。
【請求項６】
モル％で、酸化ジルコニウム：１０〜７０％、酸化イットリウム：０．１〜８．４％、非晶質の二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化インジウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット素地中にＩｎ２Ｓｉ２Ｏ７の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有することを特徴とする高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット。
【請求項７】
素地にＬａ２ＳｉＯ５の組成を有する複合酸化物相を持つ高強度光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、
モル％で、酸化ジルコニウム：１０〜７０％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化ランタンおよび不可避不純物からなる配合組成を有する混合粉末を成形および焼結する焼結工程を有し、
上記混合粉末中の二酸化ケイ素粉末は非結晶質の二酸化ケイ素からなり、
上記焼結工程では、上記混合粉末を酸素雰囲気中にて、１３００℃以上の温度で焼結することを特徴とする光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項８】
素地にＬａ２ＳｉＯ５の組成を有する複合酸化物相を持つ高強度光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、
モル％で、酸化ハフニウム：１０〜７０％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化ランタンおよび不可避不純物からなる配合組成を有する混合粉末を成形および焼結する焼結工程を有し、
上記混合粉末中の二酸化ケイ素粉末は非結晶質の二酸化ケイ素からなり、
上記焼結工程では、上記混合粉末を酸素雰囲気中にて、１３００℃以上の温度で焼結することを特徴とする光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項９】
素地にＬａ２ＳｉＯ５の組成を有する複合酸化物相を持つ高強度光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、
モル％で、酸化ジルコニウム：１０〜７０％、酸化イットリウム：０．１〜８．４％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化ランタンおよび不可避不純物からなる配合組成を有する混合粉末を成形および焼結する焼結工程を有し、
上記混合粉末中の二酸化ケイ素粉末は非結晶質の二酸化ケイ素からなり、
上記焼結工程では、上記混合粉末を酸素雰囲気中にて、１３００℃以上の温度で焼結することを特徴とする光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項１０】
素地にＩｎ２Ｓｉ２Ｏ７の組成を有する複合酸化物相を持つ高強度光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、
モル％で、酸化ジルコニウム：１０〜７０％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化インジウムおよび不可避不純物からなる配合組成を有する混合粉末を成形および焼結する焼結工程を有し、
上記混合粉末中の二酸化ケイ素粉末は非結晶質の二酸化ケイ素からなり、
上記焼結工程では、上記混合粉末を酸素雰囲気中にて、１３００℃以上の温度で焼結することを特徴とする光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項１１】
素地にＩｎ２Ｓｉ２Ｏ７の組成を有する複合酸化物相を持つ高強度光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、
モル％で、酸化ハフニウム：１０〜７０％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化インジウムおよび不可避不純物からなる配合組成を有する混合粉末を成形および焼結する焼結工程を有し、
上記混合粉末中の二酸化ケイ素粉末は非結晶質の二酸化ケイ素をからなり、
上記焼結工程では、上記混合粉末を酸素雰囲気中にて、１３００℃以上の温度で焼結することを特徴とする光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項１２】
素地にＩｎ２Ｓｉ２Ｏ７の組成を有する複合酸化物相を持つ高強度光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、
モル％で、酸化ジルコニウム：１０〜７０％、酸化イットリウム：０．１〜８．４％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化インジウムおよび不可避不純物からなる配合組成を有する混合粉末を成形および焼結する焼結工程を有し、
上記混合粉末中の二酸化ケイ素粉末は非結晶質の二酸化ケイ素からなり、
上記焼結工程では、上記混合粉末を酸素雰囲気中にて、１３００℃以上の温度で焼結することを特徴とする光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【発明の名称】高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット
【技術分野】
【０００１】
この発明は、レーザー光により情報の記録、再生、記録および再生、並びに消去を行うことのできる光記録媒体の保護膜を形成するための高強度を有するスパッタリングターゲット（以下、ターゲットと云う）およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、光ディスクなどの光記録媒体を構成する保護膜（下部保護膜および上部保護膜を含む。以下、同じ）は代表的なものとして二酸化けい素（ＳｉＯ2）：２０％を含有し、残部が酸化亜鉛（ＺｎＳ）からなる組成を有することが知られており、この組成を有する保護膜は二酸化けい素（ＳｉＯ2）：２０％を含有し、残部が酸化亜鉛（ＺｎＳ）からなるＺｎＳ−ＳｉＯ2系ホットプレス焼結体で構成した光記録媒体保護層形成用ターゲットを用いてスパッタリングことにより得られることが知られている。
【０００３】
しかし、このＺｎＳ−ＳｉＯ2系ホットプレス焼結体からなるターゲットは、レーザー光を記録膜に照射して繰り返し書き換えを行うと、ＺｎＳ−ＳｉＯ2系ホットプレス焼結体からなるターゲットを構成するＺｎＳのＳが記録膜中に拡散し、繰り返し書き換えの性能を低下させると言う欠点があった。そのためにＳを含まない保護膜の開発が進められており、Ｓを含まない保護膜の一例としてモル％で、
（イ）酸化ジルコニウム：１０〜７０％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化アルミニウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜、
（ロ）酸化ハフニウム：１０〜７０％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化アルミニウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜、
（ハ）酸化ジルコニウム：１０〜７０％、酸化イットリウム：０．１〜８．４％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化アルミニウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜、
（ニ）酸化ジルコニウム：１０〜７０％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化ランタンおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜、
（ホ）酸化ハフニウム：１０〜７０％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化ランタンおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜、
（ヘ）酸化ジルコニウム：１０〜７０％、酸化イットリウム：０．１〜８．４％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化ランタンおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜、
（ト）酸化ジルコニウム：１０〜７０％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化インジウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜、
（チ）酸化ハフニウム：１０〜７０％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化インジウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜、
（リ）酸化ジルコニウム：１０〜７０％、酸化イットリウム：０．１〜８．４％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化インジウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜、などが開発されている。
さらに、この前記（イ）〜（リ）記載の成分組成を有する光記録媒体保護膜を形成するためのターゲットも開発されており、このターゲットは前記（イ）〜（リ）記載の光記録媒体保護膜と同一の成分組成を有するとされている（特許文献１参照）。
前記ターゲットは、前記（イ）〜（リ）記載の酸化物粉末を原料粉末として用意し、これら原料粉末を所定の割合に配合し混合して混合粉末を作製し、この混合粉末を成形したのち大気中または酸素雰囲気などの酸化性雰囲気中で焼成することにより作製する。
【特許文献１】特開２００５−５６５４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、前記（イ）〜（リ）記載の酸化物粉末を原料粉末として用意し、これら原料粉末を所定の割合に配合し混合して混合粉末を作製し、この混合粉末を成形したのち酸化性雰囲気中において通常の条件で焼成することにより作製したターゲットは、高出力スパッタ中に割れが発生し、光記録媒体用保護膜を効率良く形成することができない。この発明は、高出力でスパッタしても割れることのない高強度の光記録媒体保護膜形成用ターゲットおよびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは高出力スパッタしてもスパッタ中に割れることがない高強度光記録媒体保護膜形成用ターゲットを作製すべく研究を行った。
その結果、（ａ）酸化ジルコニウム：１０〜７０％、非晶質の二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化アルミニウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、
酸化ハフニウム：１０〜７０％、非晶質の二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化アルミニウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、または
酸化ジルコニウム：１０〜７０％、酸化イットリウム：０．１〜８．４％、非晶質の二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化アルミニウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、
ターゲット素地中にＡｌ６Ｓｉ２Ｏ１３の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有するターゲットは、密度および強度が一段と向上し、高出力スパッタ中に割れが発生することはない。
（ｂ）酸化ジルコニウム：１０〜７０％、非晶質の二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化ランタンおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、
酸化ハフニウム：１０〜７０％、非晶質の二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化ランタンおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、または、
酸化ジルコニウム：１０〜７０％、酸化イットリウム：０．１〜８．４％、非晶質の二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化ランタンおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、
ターゲット素地中にＬａ２ＳｉＯ５の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有するターゲットは、密度および強度が一段と向上し、高出力スパッタ中に割れが発生することはない。
（ｃ）酸化ジルコニウム：１０〜７０％、非晶質の二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化インジウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、
酸化ハフニウム：１０〜７０％、非晶質の二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化インジウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、
酸化ジルコニウム：１０〜７０％、酸化イットリウム：０．１〜８．４％、非晶質の二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化インジウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、
ターゲット素地中にＩｎ２Ｓｉ２Ｏ７の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有するターゲットは、密度および強度が一段と向上し、高出力スパッタ中に割れが発生することはない、
Ｉｎ２Ｓｉ２Ｏ７の組成を有する複合酸化物相が生成していないターゲットに比べて密度及び強度が格段に向上するという研究結果が得られたのである。
【０００６】
この発明は、かかる研究結果に基づいて成されたものであって、
（１）モル％で、酸化ジルコニウム：１０〜７０％、非晶質の二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化ランタンおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットでおいて、ターゲット素地中にＬａ２ＳｉＯ５の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有することを特徴とする高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、
（２）モル％で、酸化ハフニウム：１０〜７０％、非晶質の二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化ランタンおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット素地中にＬａ２ＳｉＯ５の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有することを特徴とする高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、
（３）モル％で、酸化ジルコニウム：１０〜７０％、酸化イットリウム：０．１〜８．４％、非晶質の二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化ランタンおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット素地中にＬａ２ＳｉＯ５の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有することを特徴とする高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、
（４）モル％で、酸化ジルコニウム：１０〜７０％、非晶質の二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化インジウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット素地中にＩｎ２Ｓｉ２Ｏ７の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有することを特徴とする高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、
（５）モル％で、酸化ハフニウム：１０〜７０％、非晶質の二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化インジウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット素地中にＩｎ２Ｓｉ２Ｏ７の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有することを特徴とする高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、
（６）モル％で、酸化ジルコニウム：１０〜７０％、酸化イットリウム：０．１〜８．４％、非晶質の二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化インジウムおよび不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット素地中にＩｎ２Ｓｉ２Ｏ７の組成を有する複合酸化物相が生成している組織を有することを特徴とする高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット、
（７）素地にＬａ２ＳｉＯ５の組成を有する複合酸化物相を持つ高強度光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、
モル％で、酸化ジルコニウム：１０〜７０％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化ランタンおよび不可避不純物からなる配合組成を有する混合粉末を成形および焼結する焼結工程を有し、
上記混合粉末中の二酸化ケイ素粉末は非結晶質の二酸化ケイ素からなり、
上記焼結工程では、上記混合粉末を酸素雰囲気中にて、１３００℃以上の温度で焼結することを特徴とする光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法、
（８）  素地にＬａ２ＳｉＯ５の組成を有する複合酸化物相を持つ高強度光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、
モル％で、酸化ハフニウム：１０〜７０％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化ランタンおよび不可避不純物からなる配合組成を有する混合粉末を成形および焼結する焼結工程を有し、
上記混合粉末中の二酸化ケイ素粉末は非結晶質の二酸化ケイ素からなり、
上記焼結工程では、上記混合粉末を酸素雰囲気中にて、１３００℃以上の温度で焼結することを特徴とする光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法、
（９）  素地にＬａ２ＳｉＯ５の組成を有する複合酸化物相を持つ高強度光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、
モル％で、酸化ジルコニウム：１０〜７０％、酸化イットリウム：０．１〜８．４％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化ランタンおよび不可避不純物からなる配合組成を有する混合粉末を成形および焼結する焼結工程を有し、
上記混合粉末中の二酸化ケイ素粉末は非結晶質の二酸化ケイ素からなり、
上記焼結工程では、上記混合粉末を酸素雰囲気中にて、１３００℃以上の温度で焼結することを特徴とする光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法、
（１０）  素地にＩｎ２Ｓｉ２Ｏ７の組成を有する複合酸化物相を持つ高強度光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、
モル％で、酸化ジルコニウム：１０〜７０％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化インジウムおよび不可避不純物からなる配合組成を有する混合粉末を成形および焼結する焼結工程を有し、
上記混合粉末中の二酸化ケイ素粉末は非結晶質の二酸化ケイ素からなり、
上記焼結工程では、上記混合粉末を酸素雰囲気中にて、１３００℃以上の温度で焼結することを特徴とする光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法、
（１１）  素地にＩｎ２Ｓｉ２Ｏ７の組成を有する複合酸化物相を持つ高強度光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、
モル％で、酸化ハフニウム：１０〜７０％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化インジウムおよび不可避不純物からなる配合組成を有する混合粉末を成形および焼結する焼結工程を有し、
上記混合粉末中の二酸化ケイ素粉末は非結晶質の二酸化ケイ素をからなり、
上記焼結工程では、上記混合粉末を酸素雰囲気中にて、１３００℃以上の温度で焼結することを特徴とする光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法、
（１２）  素地にＩｎ２Ｓｉ２Ｏ７の組成を有する複合酸化物相を持つ高強度光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、
モル％で、酸化ジルコニウム：１０〜７０％、酸化イットリウム：０．１〜８．４％、二酸化ケイ素：５０％以下（０％を含まず）を含有し、残部：酸化インジウムおよび不可避不純物からなる配合組成を有する混合粉末を成形および焼結する焼結工程を有し、
上記混合粉末中の二酸化ケイ素粉末は非結晶質の二酸化ケイ素からなり、
上記焼結工程では、上記混合粉末を酸素雰囲気中にて、１３００℃以上の温度で焼結することを特徴とする光記憶媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法、に特徴を有するものである。
【０００７】
この発明の高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットを製造するには、原料粉末として、酸化ジルコニウム粉末、イットリア安定化酸化ジルコニウム粉末、酸化ハフニウム粉末、非晶質二酸化ケイ素粉末、酸化アルミニウム粉末、酸化ランタン粉末および酸化インジウム粉末を用意し、これら原料粉末を、前記（１）〜（６）記載の成分組成となるように配合し混合して混合粉末を作製し、この混合粉末をプレス成形して得られた成形体を、酸素雰囲気中、通常の焼結温度よりも高い温度：１３００℃以上で活性焼結することにより作製することができる。
【０００８】
この発明の高強度光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットを製造するにおいて、原料粉末として非晶質の二酸化ケイ素粉末を使用すること、雰囲気を酸素雰囲気にすること、温度：１３００℃以上で焼成することが重要であり、結晶質の二酸化ケイ素粉末を使用すると、得られたターゲットに反りが発生したり強度が低下したりするので好ましくない。また、原料粉末として使用する酸化ジルコニウム粉末は、安定化または部分安定化された酸化ジルコニウム粉末であっても良い。この安定化または部分安定化された酸化ジルコニウム粉末としては、例えば、Ｙ２Ｏ３：１〜１２モル％含む酸化ジルコニウム粉末が知られている。
【発明の効果】
【０００９】
この発明の光記録媒体保護膜形成用のターゲットは、強度が一層向上するところから大型化することができ、高出力のスパッタを行ってもターゲットに割れが生じないので一層効率良く光記録媒体保護膜を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
つぎに、この発明の光記録媒体保護膜形成用ターゲットを実施例により具体的に説明する。
原料粉末として、平均粒径：０．２μｍを有する純度：９９．９９％以上のＺｒＯ２粉末、平均粒径：０．２μｍを有する純度：９９．９９％以上のＨｆＯ２粉末、平均粒径：０．２μｍを有する純度：９９．９９％以上の非晶質ＳｉＯ2粉末、平均粒径：１μｍを有する純度：９９．９９％以上の結晶質ＳｉＯ2粉末、平均粒径：０．５μｍを有する純度：９９．９％以上のＩｎ2Ｏ3粉末、平均粒径：０．５μｍを有する純度：９９．９％以上のＡｌ2Ｏ3粉末および平均粒径：０．５μｍを有する純度：９９．９％以上のＬａ2Ｏ3粉末を用意し、さらにＹ２Ｏ３：３モル％含有した安定化ＺｒＯ２粉末を用意した。
【００１１】
参考例１
先に用意したＺｒＯ２粉末、非晶質ＳｉＯ2粉末、結晶質ＳｉＯ2粉末およびＡｌ2Ｏ3粉末を表１に示される配合組成となるように秤量しヘンシェルミキサーで均一に混合した後、この混合粉末をプレス成形し、得られた成形体を表１に示される条件で焼成することにより、いずれも直径：２００ｍｍ×厚さ：６ｍｍの寸法をもったＺｒＯ２：３０％、ＳｉＯ2：２０％を含有し、残部：Ａｌ2Ｏ3からなる組成を有する参考ターゲット１および従来ターゲット１を作製した。この参考ターゲット１および従来ターゲット１の切断面を研磨したのちＸ線回折およびＥＰＭＡにより観察し、素地中にＡｌ６Ｓｉ２Ｏ１３の組成を有する複合酸化物相が生成しているか否かを観察し、その結果を表１に示した。さらに参考ターゲット１および従来ターゲット１の密度および抗折強度を測定し、その結果を表１に示した。
【００１２】
さらに、得られた参考ターゲット１および従来ターゲット１を無酸素銅製の水冷バッキングプレートにハンダ付けした状態で、直流マグネトロンスパッタリング装置に装着し、まず装置内を真空排気装置にて１×１０-6Ｔｏｒｒ以下に排気したのち、Ａｒガスを導入して装置内雰囲気を１．５×１０-3Ｔｏｒｒのスパッタガス圧とした。また、厚さ：０．６ｍｍのポリカーボネート基板をターゲットの間隔：７０ｍｍにて配置し、次いで、かかる状態で参考ターゲット１および従来ターゲット１を用い、直流電源にて通常より高いスパッタ電力：９ｋＷを印加することにより前記ポリカーボネート基板表面に厚さ：５０ｎｍを有する光記録媒体保護膜を形成し、この時ターゲットに割れが発生しているか否かを観察し、その結果を表１に示した。
【００１３】
【表１】
2007327103.tif 000001
【００１４】
表１に示される結果から、成分組成が同じであっても素地中にＡｌ６Ｓｉ２Ｏ１３の組成を有する複合酸化物相が生成している参考ターゲット１は、素地中にＡｌ６Ｓｉ２Ｏ１３の組成を有する複合酸化物相が生成していない従来ターゲット１に比べて密度および強度が高く、さらにスパッタ中に割れが発生しないことが分かる。
【００１５】
参考例２
先に用意したＨｆＯ２粉末、非晶質ＳｉＯ2粉末、結晶質ＳｉＯ2粉末およびＡｌ2Ｏ3粉末を表２に示される配合組成となるように秤量しヘンシェルミキサーで均一に混合した後、この混合粉末をプレス成形し、得られた成形体を表２に示される条件で焼成することにより、いずれも直径：２００ｍｍ×厚さ：６ｍｍの寸法をもったＨｆＯ２：３０％、ＳｉＯ2：２０％を含有し、残部：Ａｌ2Ｏ3からなる組成を有する参考ターゲット２および従来ターゲット２を作製した。この参考ターゲット２および従来ターゲット２の切断面を研磨したのちＸ線回折およびＥＰＭＡにより素地中にＡｌ６Ｓｉ２Ｏ１３の組成を有する複合酸化物相が生成しているか否かを観察し、その結果を表２に示し、さらに参考ターゲット２および従来ターゲット２の密度および抗折強度を測定し、その結果を表２に示した。
【００１６】
さらに、得られた参考ターゲット２および従来ターゲット２を無酸素銅製の水冷バッキングプレートにハンダ付けした状態で、直流マグネトロンスパッタリング装置に装着し、まず装置内を真空排気装置にて１×１０-6Ｔｏｒｒ以下に排気したのち、Ａｒガスを導入して装置内雰囲気を１．５×１０-3Ｔｏｒｒのスパッタガス圧とした。また、厚さ：０．６ｍｍのポリカーボネート基板をターゲットの間隔：７０ｍｍにて配置し、次いで、かかる状態で参考ターゲット２および従来ターゲット２を用い、直流電源にて通常より高いスパッタ電力：７ｋＷを印加することにより前記ポリカーボネート基板表面に厚さ：５０ｎｍを有する光記録媒体保護膜を形成し、この時ターゲットに割れが発生しているか否かを観察し、その結果を表２に示した。
【００１７】
【表２】
2007327103.tif 000002
【００１８】
表２に示される結果から、成分組成が同じであっても素地中にＡｌ６Ｓｉ２Ｏ１３の組成を有する複合酸化物相が生成している参考ターゲット２は、素地中にＡｌ６Ｓｉ２Ｏ１３の組成を有する複合酸化物相が生成していない従来ターゲット２に比べて密度および強度が高く、さらにスパッタ中に割れが発生しないことが分かる。
【００１９】
参考例３
先に用意したＹ２Ｏ３：３モル％含有した安定化ＺｒＯ２粉末、非晶質ＳｉＯ2粉末、結晶質ＳｉＯ2粉末およびＡｌ2Ｏ3粉末を表３に示される配合組成となるように秤量しヘンシェルミキサーで均一に混合した後、この混合粉末をプレス成形し、得られた成形体を表３に示される条件で焼成することにより、いずれも直径：２００ｍｍ×厚さ：６ｍｍの寸法をもったＺｒＯ２：３０％、Ｙ2Ｏ3：０．９％、ＳｉＯ2：２０％を含有し、残部：Ａｌ2Ｏ3からなる組成を有する参考ターゲット３および従来ターゲット３を作製した。この参考ターゲット３および従来ターゲット３の切断面を研磨したのちＸ線回折およびＥＰＭＡにより素地中にＡｌ６Ｓｉ２Ｏ１３の組成を有する複合酸化物相が生成しているか否かを観察し、その結果を表３に示した。さらに参考ターゲット３および従来ターゲット３の密度および抗折強度を測定し、その結果を表３に示した。
【００２０】
さらに、得られた参考ターゲット３および従来ターゲット３を無酸素銅製の水冷バッキングプレートにハンダ付けした状態で、直流マグネトロンスパッタリング装置に装着し、まず装置内を真空排気装置にて１×１０-6Ｔｏｒｒ以下に排気したのち、Ａｒガスを導入して装置内雰囲気を１．５×１０-3Ｔｏｒｒのスパッタガス圧とした。また、厚さ：０．６ｍｍのポリカーボネート基板をターゲットの間隔：７０ｍｍにて配置し、次いで、かかる状態で参考ターゲット３および従来ターゲット３を用い、直流電源にて通常より高いスパッタ電力：９ｋＷを印加することにより前記ポリカーボネート基板表面に厚さ：５０ｎｍを有する光記録媒体保護膜を形成し、この時ターゲットに割れが発生しているか否かを観察し、その結果を表３に示した。
【００２１】
【表３】
2007327103.tif 000003
【００２２】
表３に示される結果から、成分組成が同じであっても素地中にＡｌ６Ｓｉ２Ｏ１３の組成を有する複合酸化物相が生成している参考ターゲット３は、素地中にＡｌ６Ｓｉ２Ｏ１３の組成を有する複合酸化物相が生成していない従来ターゲット３に比べて密度および強度が高く、さらにスパッタ中に割れが発生しないことが分かる。
【００２３】
実施例１
先に用意したＺｒＯ２粉末、非晶質ＳｉＯ2粉末、結晶質ＳｉＯ2粉末およびＬａ2Ｏ3粉末を表４に示される配合組成となるように秤量しヘンシェルミキサーで均一に混合した後、この混合粉末をプレス成形し、得られた成形体を表４に示される条件で焼成することにより、いずれも直径：２００ｍｍ×厚さ：６ｍｍの寸法をもったＺｒＯ２：３０％、ＳｉＯ2：２０％を含有し、残部：Ｌａ2Ｏ3からなる組成を有する本発明ターゲット１および従来ターゲット４を作製した。この本発明ターゲット１および従来ターゲット４の切断面を研磨したのちＸ線回折およびＥＰＭＡにより観察し、素地中にＬａ２ＳｉＯ５の組成を有する複合酸化物相が生成しているか否かを観察し、その結果を表４に示した。さらに本発明ターゲット１および従来ターゲット４の密度および抗折強度を測定し、その結果を表４に示した。
【００２４】
さらに、得られた本発明ターゲット１および従来ターゲット４を無酸素銅製の水冷バッキングプレートにハンダ付けした状態で、直流マグネトロンスパッタリング装置に装着し、まず装置内を真空排気装置にて１×１０-6Ｔｏｒｒ以下に排気したのち、Ａｒガスを導入して装置内雰囲気を１．５×１０-3Ｔｏｒｒのスパッタガス圧とした。また、厚さ：０．６ｍｍのポリカーボネート基板をターゲットの間隔：７０ｍｍにて配置し、次いで、かかる状態で本発明ターゲット１および従来ターゲット４を用い、直流電源にて通常より高いスパッタ電力：９ｋＷを印加することにより前記ポリカーボネート基板表面に厚さ：５０ｎｍを有する光記録媒体保護膜を形成し、この時ターゲットに割れが発生しているか否かを観察し、その結果を表４に示した。
【００２５】
【表４】
2007327103.tif 000004
【００２６】
表４に示される結果から、成分組成が同じであっても素地中にＬａ２ＳｉＯ５の組成を有する複合酸化物相が生成している本発明ターゲット１は、素地中にＬａ２ＳｉＯ５の組成を有する複合酸化物相が生成していない従来ターゲット４に比べて密度および強度が高く、さらにスパッタ中に割れが発生しないことが分かる。
【００２７】
実施例２
先に用意したＨｆＯ２粉末、非晶質ＳｉＯ2粉末、結晶質ＳｉＯ2粉末およびＬａ2Ｏ3粉末を表２に示される配合組成となるように秤量しヘンシェルミキサーで均一に混合した後、この混合粉末をプレス成形し、得られた成形体を表５に示される条件で焼成することにより、いずれも直径：２００ｍｍ×厚さ：６ｍｍの寸法をもったＨｆＯ２：３０％、ＳｉＯ2：２０％を含有し、残部：Ｌａ2Ｏ3からなる組成を有する本発明ターゲット２および従来ターゲット５を作製した。この本発明ターゲット２および従来ターゲット５の切断面を研磨したのちＸ線回折およびＥＰＭＡにより素地中にＬａ２ＳｉＯ５の組成を有する複合酸化物相が生成しているか否かを観察し、その結果を表５に示し、さらに本発明ターゲット２および従来ターゲット５密度および抗折強度を測定し、その結果を表５に示した。
【００２８】
さらに、得られた本発明ターゲット２および従来ターゲット５を無酸素銅製の水冷バッキングプレートにハンダ付けした状態で、直流マグネトロンスパッタリング装置に装着し、まず装置内を真空排気装置にて１×１０-6Ｔｏｒｒ以下に排気したのち、Ａｒガスを導入して装置内雰囲気を１．５×１０-3Ｔｏｒｒのスパッタガス圧とした。また、厚さ：０．６ｍｍのポリカーボネート基板をターゲットの間隔：７０ｍｍにて配置し、次いで、かかる状態で本発明ターゲット２および従来ターゲット５を用い、直流電源にて通常より高いスパッタ電力：７ｋＷを印加することにより前記ポリカーボネート基板表面に厚さ：５０ｎｍを有する光記録媒体保護膜を形成し、この時ターゲットに割れが発生しているか否かを観察し、その結果を表５に示した。
【００２９】
【表５】
2007327103.tif 000005
【００３０】
表５に示される結果から、成分組成が同じであっても素地中にＬａ２ＳｉＯ５の組成を有する複合酸化物相が生成している本発明ターゲット２は、素地中にＬａ２ＳｉＯ５の組成を有する複合酸化物相が生成していない従来ターゲット５に比べて密度および強度が高く、さらにスパッタ中に割れが発生しないことが分かる。
【００３１】
実施例３
先に用意したＹ２Ｏ３：３モル％含有した安定化ＺｒＯ２粉末、非晶質ＳｉＯ2粉末、結晶質ＳｉＯ2粉末およびＬａ2Ｏ3粉末を表６に示される配合組成となるように秤量しヘンシェルミキサーで均一に混合した後、この混合粉末をプレス成形し、得られた成形体を表６に示される条件で焼成することにより、いずれも直径：２００ｍｍ×厚さ：６ｍｍの寸法をもったＺｒＯ２：３０％、Ｙ2Ｏ3：０．９％、ＳｉＯ2：２０％を含有し、残部：Ｌａ2Ｏ3からなる組成を有する本発明ターゲット３および従来ターゲット６を作製した。この本発明ターゲット３および従来ターゲット６の切断面を研磨したのちＸ線回折およびＥＰＭＡにより素地中にＬａ２ＳｉＯ５の組成を有する複合酸化物相が生成しているか否かを観察し、その結果を表６に示した。さらに本発明ターゲット３および従来ターゲット６の密度および抗折強度を測定し、その結果を表６に示した。
【００３２】
さらに、得られた本発明ターゲット３および従来ターゲット６を無酸素銅製の水冷バッキングプレートにハンダ付けした状態で、直流マグネトロンスパッタリング装置に装着し、まず装置内を真空排気装置にて１×１０-6Ｔｏｒｒ以下に排気したのち、Ａｒガスを導入して装置内雰囲気を１．５×１０-3Ｔｏｒｒのスパッタガス圧とした。また、厚さ：０．６ｍｍのポリカーボネート基板をターゲットの間隔：７０ｍｍにて配置し、次いで、かかる状態で本発明ターゲット３および従来ターゲット６を用い、直流電源にて通常より高いスパッタ電力：９ｋＷを印加することにより前記ポリカーボネート基板表面に厚さ：５０ｎｍを有する光記録媒体保護膜を形成し、この時ターゲットに割れが発生しているか否かを観察し、その結果を表６に示した。
【００３３】
【表６】
2007327103.tif 000006
【００３４】
表６に示される結果から、成分組成が同じであっても素地中にＬａ２ＳｉＯ５の組成を有する複合酸化物相が生成している本発明ターゲット３は、素地中にＬａ２ＳｉＯ５の組成を有する複合酸化物相が生成していない従来ターゲット６に比べて密度および強度が高く、さらにスパッタ中に割れが発生しないことが分かる。
【００３５】
実施例４
先に用意したＺｒＯ２粉末、非晶質ＳｉＯ2粉末、結晶質ＳｉＯ2粉末およびＩｎ2Ｏ3粉末を表７に示される配合組成となるように秤量しヘンシェルミキサーで均一に混合した後、この混合粉末をプレス成形し、得られた成形体を表７に示される条件で焼成することにより、いずれも直径：２００ｍｍ×厚さ：６ｍｍの寸法をもったＺｒＯ２：３０％、ＳｉＯ2：２０％を含有し、残部：Ｉｎ2Ｏ3からなる組成を有する本発明ターゲット４および従来ターゲット７を作製した。この本発明ターゲット４および従来ターゲット７の切断面を研磨したのちＸ線回折およびＥＰＭＡにより観察し、素地中にＩｎ２Ｓｉ２Ｏ７の組成を有する複合酸化物相が生成しているか否かを観察し、その結果を表７に示した。さらに本発明ターゲット４および従来ターゲット７の密度および抗折強度を測定し、その結果を表７に示した。
【００３６】
さらに、得られた本発明ターゲット４および従来ターゲット７を無酸素銅製の水冷バッキングプレートにハンダ付けした状態で、直流マグネトロンスパッタリング装置に装着し、まず装置内を真空排気装置にて１×１０-6Ｔｏｒｒ以下に排気したのち、Ａｒガスを導入して装置内雰囲気を１．５×１０-3Ｔｏｒｒのスパッタガス圧とした。また、厚さ：０．６ｍｍのポリカーボネート基板をターゲットの間隔：７０ｍｍにて配置し、次いで、かかる状態で本発明ターゲット４および従来ターゲット７を用い、直流電源にて通常より高いスパッタ電力：９ｋＷを印加することにより前記ポリカーボネート基板表面に厚さ：５０ｎｍを有する光記録媒体保護膜を形成し、この時ターゲットに割れが発生しているか否かを観察し、その結果を表７に示した。
【００３７】
【表７】
2007327103.tif 000007
【００３８】
表７に示される結果から、成分組成が同じであっても素地中にＩｎ２Ｓｉ２Ｏ７の組成を有する複合酸化物相が生成している本発明ターゲット４は、素地中にＩｎ２Ｓｉ２Ｏ７の組成を有する複合酸化物相が生成していない従来ターゲット７に比べて密度および強度が高く、さらにスパッタ中に割れが発生しないことが分かる。
【００３９】
実施例５
先に用意したＨｆＯ２粉末、非晶質ＳｉＯ2粉末、結晶質ＳｉＯ2粉末およびＩｎ2Ｏ3粉末を表８に示される配合組成となるように秤量しヘンシェルミキサーで均一に混合した後、この混合粉末をプレス成形し、得られた成形体を表８に示される条件で焼成することにより、いずれも直径：２００ｍｍ×厚さ：６ｍｍの寸法をもったＨｆＯ２：３０％、ＳｉＯ2：２０％を含有し、残部：Ｉｎ2Ｏ3からなる組成を有する本発明ターゲット５および従来ターゲット８を作製した。この本発明ターゲット５および従来ターゲット８の切断面を研磨したのちＸ線回折およびＥＰＭＡにより素地中にＩｎ２Ｓｉ２Ｏ７の組成を有する複合酸化物相が生成しているか否かを観察し、その結果を表８に示し、さらに本発明ターゲット５および従来ターゲット８の密度および抗折強度を測定し、その結果を表８に示した。
【００４０】
さらに、得られた本発明ターゲット５および従来ターゲット８を無酸素銅製の水冷バッキングプレートにハンダ付けした状態で、直流マグネトロンスパッタリング装置に装着し、まず装置内を真空排気装置にて１×１０-6Ｔｏｒｒ以下に排気したのち、Ａｒガスを導入して装置内雰囲気を１．５×１０-3Ｔｏｒｒのスパッタガス圧とした。また、厚さ：０．６ｍｍのポリカーボネート基板をターゲットの間隔：７０ｍｍにて配置し、次いで、かかる状態で本発明ターゲット５および従来ターゲット８を用い、直流電源にて通常より高いスパッタ電力：７ｋＷを印加することにより前記ポリカーボネート基板表面に厚さ：５０ｎｍを有する光記録媒体保護膜を形成し、この時ターゲットに割れが発生しているか否かを観察し、その結果を表８に示した。
【００４１】
【表８】
2007327103.tif 000008
【００４２】
表８に示される結果から、成分組成が同じであっても素地中にＩｎ２Ｓｉ２Ｏ７の組成を有する複合酸化物相が生成している本発明ターゲット５は、素地中にＩｎ２Ｓｉ２Ｏ７の組成を有する複合酸化物相が生成していない従来ターゲット８に比べて密度および強度が高く、さらにスパッタ中に割れが発生しないことが分かる。
【００４３】
実施例６
先に用意したＹ２Ｏ３：３モル％含有した安定化ＺｒＯ２粉末、非晶質ＳｉＯ2粉末、結晶質ＳｉＯ2粉末およびＩｎ2Ｏ3粉末を表９に示される配合組成となるように秤量しヘンシェルミキサーで均一に混合した後、この混合粉末をプレス成形し、得られた成形体を表９に示される条件で焼成することにより、いずれも直径：２００ｍｍ×厚さ：６ｍｍの寸法をもったＺｒＯ２：３０％、Ｙ2Ｏ3：０．９％、ＳｉＯ2：２０％を含有し、残部：Ｉｎ2Ｏ3からなる組成を有する本発明ターゲット６および従来ターゲット９を作製した。この本発明ターゲット６および従来ターゲット９の切断面を研磨したのちＸ線回折およびＥＰＭＡにより素地中にＩｎ２Ｓｉ２Ｏ７の組成を有する複合酸化物相が生成しているか否かを観察し、その結果を表９に示した。さらに本発明ターゲット６および従来ターゲット９の密度および抗折強度を測定し、その結果を表９に示した。
【００４４】
さらに、得られた本発明ターゲット６および従来ターゲット９を無酸素銅製の水冷バッキングプレートにハンダ付けした状態で、直流マグネトロンスパッタリング装置に装着し、まず装置内を真空排気装置にて１×１０-6Ｔｏｒｒ以下に排気したのち、Ａｒガスを導入して装置内雰囲気を１．５×１０-3Ｔｏｒｒのスパッタガス圧とした。また、厚さ：０．６ｍｍのポリカーボネート基板をターゲットの間隔：７０ｍｍにて配置し、次いで、かかる状態で本発明ターゲット６および従来ターゲット９を用い、直流電源にて通常より高いスパッタ電力：９ｋＷを印加することにより前記ポリカーボネート基板表面に厚さ：５０ｎｍを有する光記録媒体保護膜を形成し、この時ターゲットに割れが発生しているか否かを観察し、その結果を表９に示した。
【００４５】
【表９】
2007327103.tif 000009
【００４６】
表９に示される結果から、成分組成が同じであっても素地中にＩｎ２Ｓｉ２Ｏ７の組成を有する複合酸化物相が生成している本発明ターゲット６は、素地中にＩｎ２Ｓｉ２Ｏ７の組成を有する複合酸化物相が生成していない従来ターゲット９に比べて密度および強度が高く、さらにスパッタ中に割れが発生しないことが分かる。