【手続補正書】
【提出日】平成22年9月10日(2010.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンからなる収音素子部と、
前記収音素子部の上部を覆うカバー部材とを備え、
前記収音素子部は、基板と、前記基板上に振動可能に設けられた振動電極部と、前記振動電極部から所定の間隔を隔てて対向配置された背面電極部と、前記基板の厚み方向に前記基板を貫通する収音用の開口部とを含み、
少なくとも前記基板には、上面から下面まで厚み方向に貫通する導電性の第１貫通電極部が複数形成されていることを特徴とする、半導体センサ装置。
【請求項２】
収音素子部と、
前記収音素子部の上部を覆うカバー部材とを備え、
前記収音素子部は、基板と、前記基板上に振動可能に設けられた振動電極部と、前記振動電極部から所定の間隔を隔てて対向配置された背面電極部と、前記基板の厚み方向に前記基板を貫通する開口部とを含み、
前記基板を貫通する導電性の第１貫通電極部が形成されていることを特徴とする、半導体センサ装置。
【請求項３】
収音素子部と、
前記収音素子部の上部を覆うカバー部材とを備え、
前記収音素子部は、基板と、前記基板上に振動可能に設けられた振動電極部と、前記振動電極部から対向配置された背面電極部と、前記基板を貫通する開口部とを含み、
前記基板を貫通する導電性の第１貫通電極部が形成されていることを特徴とする、半導体センサ装置。
【請求項４】
前記複数の第１貫通電極部のうちの少なくとも１つは、前記振動電極部と電気的に接続されており、
前記複数の第１貫通電極部のうちの少なくとも他の１つは、前記背面電極部と電気的に接続されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体センサ装置。
【請求項５】
前記基板の下面上には、前記開口部を覆う板状部材が設けられていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体センサ装置。
【請求項６】
前記板状部材の前記開口部に対応する領域には、格子状に形成された複数の貫通孔部が設けられていることを特徴とする、請求項５に記載の半導体センサ装置。
【請求項７】
前記板状部材は、シリコンから構成されていることを特徴とする、請求項５または６に記載の半導体センサ装置。
【請求項８】
前記カバー部材の上面上には、圧電振動素子が設けられているとともに、前記カバー部材の外周部の領域には、前記カバー部材の上面から下面まで厚み方向に貫通する第２貫通電極部が形成されており、
前記第２貫通電極部の一方端部は、前記圧電振動素子と電気的に接続されているとともに、前記第２貫通電極部の他方端部は、前記第１貫通電極部と電気的に接続されていることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体センサ装置。
【請求項９】
前記カバー部材は、シリコンから構成されていることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体センサ装置。
【請求項１０】
前記収音素子部の下面上に、前記第１貫通電極部と電気的に接続された導電性ペースト層をさらに備えることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体センサ装置。
【請求項１１】
前記導電性ペースト層は、Ａｇペーストから構成されていることを特徴とする、請求項１０に記載の半導体センサ装置。
【請求項１２】
前記収音素子部の下面上に、前記複数の第１貫通電極部の各々と電気的に接続された突起電極部をさらに備えることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体センサ装置。
【請求項１３】
前記半導体センサ装置はＷＬＣＳＰ型であることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の半導体センサ装置。
【請求項１４】
前記振動電極部は、第１金属層と第１絶縁層とを含むことを特徴とする、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の半導体センサ装置。
【請求項１５】
前記第１金属層はアルミニウムからなることを特徴とする、請求項１４に記載の半導体センサ装置。
【請求項１６】
前記第１絶縁層は酸化シリコンからなることを特徴とする、請求項１４または１５に記載の半導体センサ装置。
【請求項１７】
前記第１絶縁層が前記第１金属層の上面および側面を覆うように形成されていることを特徴とする、請求項１４〜１６のいずれか１項に記載の半導体センサ装置。
【請求項１８】
前記振動電極部は、前記開口部に対向する対向部と、前記対向部の一端部に一体的に連結され、前記振動電極部を支持する支持部とを有していることを特徴とする、請求項１〜１７のいずれか１項に記載の半導体センサ装置。
【請求項１９】
前記対向部は、平面的に見て矩形状に形成されていることを特徴とする、請求項１８に記載の半導体センサ装置。
【請求項２０】
前記支持部は、前記対向部の一端部の２カ所に、それぞれ、所定方向に延びるように形成されていることを特徴とする、請求項１８または１９に記載の半導体センサ装置。
【請求項２１】
前記背面電極部は、前記第２金属層と前記第２絶縁層とを含むことを特徴とする、請求項１〜２０のいずれか１項に記載の半導体センサ装置。
【請求項２２】
前記第２金属層は金からなることを特徴とする、請求項２１に記載の半導体センサ装置。
【請求項２３】
前記第２絶縁層は酸化シリコンからなることを特徴とする、請求項２１または２２に記載の半導体センサ装置。
【請求項２４】
前記背面電極部は、前記開口部の上方において、前記振動電極部の上方に所定の間隔を隔てて対向する対向部と、前記対向部の一端部に一体的に連結され、前記背面電極部を支持する支持部とを有していることを特徴とする、請求項１〜２３のいずれか１項に記載の半導体センサ装置。
【請求項２５】
前記背面電極部を支持する支持部と前記振動電極部の支持部とは、保護層を介して、基板の上面上に固定されていることを特徴とする、請求項１〜２４のいずれか１項に記載の半導体センサ装置。
【請求項２６】
前記保護層は酸化シリコンからなることを特徴とする、請求項２５に記載の半導体センサ装置。
【請求項２７】
前記第２金属層の下面は、前記第２絶縁層で覆われていることを特徴とする、請求項２１〜２３のいずれか１項に記載の半導体センサ装置。
【請求項２８】
前記第２金属層の上面および側面は、窒化シリコンからなる表面保護層で覆われていることを特徴とする、請求項２１〜２３のいずれか１項に記載の半導体センサ装置。
【請求項２９】
前記保護層は、金属エッチング液、ポリシリコンエッチング液およびシリコンエッチング液に対する耐性を有していることを特徴とする、請求項２５または２６に記載の半導体センサ装置。
【請求項３０】
前記基板の下面上に、前記板状部材が前記開口部を覆うように封止樹脂層を介して固着されていることを特徴とする、請求項５〜７のいずれか１項に記載の半導体センサ装置。
【請求項３１】
前記板状部材はシリコンからなることを特徴とする、請求項５〜７のいずれか１項に記載の半導体センサ装置。
【請求項３２】
前記板状部材は、前記開口部に対応する領域に、平面的に見て格子状に形成された貫通孔部を有していることを特徴とする、請求項５〜７のいずれか１項に記載の半導体センサ装置。
【請求項３３】
前記第１貫通電極部が４つ形成されていることを特徴とする、請求項１〜３２のいずれか１項に記載の半導体センサ装置。
【請求項３４】
前記振動電極部および前記背面電極部は、それぞれ、支持部を含み、
前記第１貫通電極部は、平面視において、前記振動電極部の支持部の下方および前記背面電極部の支持部の下方にそれぞれ形成されていることを特徴とする、請求項１〜３３のいずれか１項に記載の半導体センサ装置。
【請求項３５】
前記第１貫通電極部は、前記基板の上面および下面から突出するように形成されていることを特徴とする、請求項１〜３４のいずれか１項に記載の半導体センサ装置。
【請求項３６】
前記振動電極部は、第１金属層を含み、
前記振動電極部の支持部の下方に形成された前記第１貫通電極部の一方端部は、前記振動電極部の前記第１金属層と電気的に接続されていることを特徴とする、請求項１８〜２０のいずれか１項に記載の半導体センサ装置。
【請求項３７】
前記背面電極部は、第２金属層を含み、
前記背面電極部の支持部の下方に形成された前記第１貫通電極部の一方端部は、前記背面電極部の前記第２金属層と電気的に接続されていることを特徴とする、請求項２４に記載の半導体センサ装置。
【請求項３８】
前記板状部材の前記第１貫通電極部に対応する領域には、厚み方向に貫通する貫通孔が形成されていることを特徴とする、請求項５〜７のいずれか１項に記載の半導体センサ装置。
【請求項３９】
前記貫通孔内に銅からなる導電体が埋め込まれていることを特徴とする、請求項３８に記載の半導体センサ装置。
【請求項４０】
前記導電体は、前記第１貫通電極部と電気的に接続されていることを特徴とする、請求項３９に記載の半導体センサ装置。
【請求項４１】
前記カバー部材はシリコンから構成されていることを特徴とする、請求項１〜４０のいずれか１項に記載の半導体センサ装置。
【請求項４２】
前記カバー部材は凹部を有する箱状に形成されていることを特徴とする、請求項１〜４１のいずれか１項に記載の半導体センサ装置。
【請求項４３】
前記カバー部材は、振動電極部および背面電極部を保護するように、封止樹脂層を介して前記収音素子部の上部に取り付けられていることを特徴とする、請求項１〜４２のいずれか１項に記載の半導体センサ装置。
【請求項４４】
前記第１貫通電極部を形成することで、基板の下面側から実装基板の実装面に対向するようにして、実装基板に実装されることを特徴とする、請求項１〜４３のいずれか１項に記載の半導体センサ装置。
【請求項４５】
前記保護層の開口の内側の領域に、ポリシリコン犠牲層が形成されることを特徴とする、請求項２５または２６に記載の半導体センサ装置。
【請求項４６】
前記保護層および前記ポリシリコン犠牲層に跨るように、前記第１金属層を形成することを特徴とする、請求項４５に記載の半導体センサ装置。
【請求項４７】
前記第１金属層は、第１貫通電極部の一方端部と電気的に接続するように形成されていることを特徴とする、請求項１４〜１７のいずれか１項に記載の半導体センサ装置。
【請求項４８】
前記基板上の所定領域に、前記表面保護層を形成することを特徴とする、請求項２８に記載の半導体センサ装置。
【請求項４９】
前記表面保護層は窒化シリコンからなることを特徴とする、請求項４８に記載の半導体センサ装置。
【請求項５０】
前記振動電極部は、第１絶縁層を含むとともに、前記背面電極部は、第２絶縁層を含み、
前記第１絶縁層および前記第２絶縁層との間に、空隙部が形成されることを特徴とする、請求項１〜４９のいずれか１項に記載の半導体センサ装置。
【請求項５１】
前記基板の上面の一部が、保護層非形成領域として前記保護層の開口の内側の領域に露出していることを特徴とする、請求項２５に記載の半導体センサ装置。
【請求項５２】
前記カバー部材の上面上に、圧電振動素子が取り付けられていることを特徴とする、請求項１〜５１のいずれか１項に記載の半導体センサ装置。
【請求項５３】
前記カバー部材は、シリコンから構成されており、外周部の領域に、前記カバー部材の上面から下面まで厚み方向に貫通する第２貫通電極部が形成されていることを特徴とする、請求項１〜５２のいずれか１項に記載の半導体センサ装置。
【請求項５４】
前記カバー部材はシリコンから構成されていることを特徴とする、請求項１〜５３のいずれか１項に記載の半導体センサ装置。
【請求項５５】
前記収音素子部の基板には、前記第１貫通電極部がさらに形成されていることを特徴とする、請求項１〜５４のいずれか１項に記載の半導体センサ装置。
【請求項５６】
平面的に見た場合に、前記カバー部材の前記第２貫通電極部に対応する領域にも、前記第１貫通電極部が形成されていることを特徴とする、請求項８または９に記載の半導体センサ装置。
【請求項５７】
前記カバー部材に形成された前記第２貫通電極部の各々の一方端部は、前記圧電振動素子と電気的に接続されており、前記第２貫通電極部の各々の他方端部は、前記第１貫通電極部と電気的に接続されていることを特徴とする、請求項８または９に記載の半導体センサ装置。
【請求項５８】
前記板状部材における前記第１貫通電極部に対応する領域には、厚み方向に貫通する貫通孔が形成されていることを特徴とする、請求項５〜７のいずれか１項に記載の半導体センサ装置。
【請求項５９】
前記貫通孔内には、銅からなる導電体が埋め込まれていることを特徴とする、請求項３８に記載の半導体センサ装置。
【請求項６０】
前記導電体は、前記第１貫通電極部と電気的に接続された状態となっていることを特徴とする、請求項５９に記載の半導体センサ装置。
【請求項６１】
前記導電性ペースト層はＡｇペーストからなることを特徴とする、請求項１０に記載の半導体センサ装置。
【請求項６２】
前記開口部が、下面側ほどその開口幅が小さくなる断面台形状に形成されることを特徴とする、請求項１〜６１のいずれか１項に記載の半導体センサ装置。
【請求項６３】
前記導電性ペースト層を介して、実装基板上に実装されることを特徴とする、請求項６１に記載の半導体センサ装置。
【請求項６４】
前記カバー部材に、前記収音素子部からの電気信号を処理する制御素子を形成していることを特徴とする、請求項１〜６３のいずれか１項に記載の半導体センサ装置。
【請求項６５】
前記カバー部材が、洋白から構成されていることを特徴とする、請求項１〜６４のいずれか１項に記載の半導体センサ装置。