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【手続補正書】
【提出日】平成22年9月13日(2010.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半透明な基板と、
基板上に配置された不透明な多層型吸収層であり、バルク吸収層上に配置された自己マスク層を備え、自己マスク層が酸化及び窒素化タンタル・ケイ素系材料（ＴａＳｉＯＮ）、タンタル・ホウ素酸化物系材料（ＴａＢＯ）、又は酸化及び窒素化タンタル系材料（ＴａＯＮ）の１つを含む多層型吸収層とを備えたフォトマスク。
【請求項２】
バルク吸収層がケイ化タンタル系材料（ＴａＳｉ）、窒素化ホウ化タンタル系材料（ＴａＢＮ）、又は窒化タンタル系材料（ＴａＮ）の１つを含む請求項１記載のフォトマスク。
【請求項３】
バルク吸収層の厚さが多層型吸収層の約８０〜８５％であり、又は自己マスク層の厚さが多層型吸収層の約１５〜２０パーセントである請求項１記載のフォトマスク。
【請求項４】
フォトマスクの厚さが０．１５〜０．２５インチである請求項１記載のフォトマスク。
【請求項５】
不透明な多層型吸収層の厚さが４０〜１００ｎｍである請求項１記載のフォトマスク。
【請求項６】
自己マスク層が酸化及び窒素化タンタル・ケイ素系材料（ＴａＳｉＯＮ）を含み、バルク吸収層がケイ化タンタル系材料（ＴａＳｉ）を含むか、
自己マスク層がタンタル・ホウ素酸化物系材料（ＴａＢＯ）を含み、バルク吸収層が窒素化ホウ化タンタル系材料（ＴａＢＮ）を含むか、又は
自己マスク層が酸化及び窒素化タンタル系材料（ＴａＯＮ）を含み、バルク吸収層が窒化タンタル系材料（ＴａＮ）を含むかのいずれかである請求項１〜５のいずれか１項記載のフォトマスク。
【請求項７】
多層型吸収層をその上に有する透明基板を備えるフォトマスクを提供する工程と、多層型吸収層がバルク吸収層上に配置された自己マスク層を備え、自己マスク層はタンタルと酸素を含み、バルク吸収層はタンタルを含み基本的に酸素を含まない工程と、
第１エッチング処理を用いて自己マスク層をエッチングする工程と、
第１エッチング処理とは異なる第２エッチング処理を用いてバルク吸収層をエッチングする工程を含み、ここでバルク吸収層のエッチング速度が、第２エッチング処理中、自己マスク層のエッチング速度より速いフォトマスクのエッチング方法。
【請求項８】
フォトマスクが多層型吸収層上に配置されたフォトレジスト層を更に備えるブランクフォトマスクであり、自己マスク層は反射防止サブ層であり、バルク吸収層はバルクサブ層であり、
フォトレジスト層にパターン像を形成する工程と、
パターン像に対応しないフォトレジスト層部位を除去することでパターン像に対応しない不透明層の反射防止サブ層の部位を露出させる工程と、
自己マスク層のエッチング工程が第１エッチング処理を用いてパターン像に対応しない反射防止サブ層の露出部位を除去することでパターン像に対応しないバルクサブ層の部位を露出させることを更に含み、
バルク吸収層のエッチング工程がバルクサブ層除去速度が反射防止サブ層除去速度の少なくとも１０倍である第２エッチング処理を用いて、パターン像に対応しない、反射防止サブ層の下のバルクサブ層の露出部位を除去することでパターン像に対応しない実質的に透明な層の部位を露出させることを更に含み、
フォトレジスト層を除去する工程を更に含む請求項７記載の方法。
【請求項９】
自己マスク層が酸化及び窒素化タンタル・ケイ素系材料（ＴａＳｉＯＮ）、タンタル・ホウ素酸化物系材料（ＴａＢＯ）、又は酸化及び窒素化タンタル系材料（ＴａＯＮ）の１つを含むか、
バルク吸収層がケイ化タンタル系材料（ＴａＳｉ）、窒素化ホウ化タンタル系材料（ＴａＢＮ）、又は窒化タンタル系材料（ＴａＮ）の１つを含むかのいずれかである請求項７〜８のいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
自己マスク層が酸化及び窒素化タンタル・ケイ素系材料（ＴａＳｉＯＮ）を含み、バルク吸収層がケイ化タンタル系材料（ＴａＳｉ）を含むか、
自己マスク層がタンタル・ホウ素酸化物系材料（ＴａＢＯ）を含み、バルク吸収層が窒素化ホウ化タンタル系材料（ＴａＢＮ）を含むか、又は
自己マスク層が酸化及び窒素化タンタル系材料（ＴａＯＮ）を含み、バルク吸収層が窒化タンタル系材料（ＴａＮ）を含むかのいずれかである請求項７〜８のいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
第１エッチング処理がフッ素含有ガス、四塩化炭素（ＣＣｌ４）、又は塩化水素（ＨＣｌ）の少なくとも１つを含む処理ガスを用いて自己マスク層をエッチングする工程を含む請求項７〜８のいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
第１エッチング処理がトリフルオロメタン（ＣＨＦ３）、四フッ化炭素（ＣＦ４）、六フッ化硫黄（ＳＦ６）、六フッ化炭素（Ｃ２Ｆ６）、四塩化炭素（ＣＣｌ４）、又は塩化水素（ＨＣｌ）の少なくとも１つを含む処理ガスを用いて自己マスク層をエッチングする工程を含む請求項７〜８のいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
第２エッチング処理がバルク吸収層を少なくとも１つの塩素含有処理ガスを用いてエッチングする工程を含む請求項７〜８のいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
第２エッチング処理が塩素（Ｃｌ２）、四塩化炭素（ＣＣｌ４）、又は塩化水素（ＨＣｌ）の少なくとも１つを含む処理ガスを用いてバルク吸収層をエッチングする工程を含む請求項７〜８のいずれか１項記載の方法。
【請求項１５】
第２エッチング処理は自己マスク層に対してバルク吸収層の選択性を少なくとも１０で維持する請求項７記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月14日(2010.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィーシステムの照射源により生成される種類の光に対して実質的に透明な基板と、
前記基板上に配置され、少なくとも１つの開口部を有するパターン化フィルムスタックとを含む位相シフトフォトマスクであって、
フィルムスタックは、
前記基板に配置され、前記光に対して所定値の透明度を有する第１の層と、
第１の層上に配置された第２の層とを有し、
前記第１及び第２の層を選択して、前記第１及び第２の層を通して形成された前記開口部を通過する光に対して、前記第１及び第２の層を通過する光において１８０度位相シフトとなるようにする位相シフトフォトマスク。
【請求項２】
前記第１の層がタンタル（Ｔａ）層であり、前記第２の層が二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）層であり、前記基板が水晶又はガラスから形成されている請求項１記載のフォトマスク。
【請求項３】
前記フィルムスタックがＭｏＳｉｘＯｙＮｚスタックとして形成されている請求項１記載のフォトマスク。
【請求項４】
前記第１の層がタンタル（Ｔａ）から形成されており、約５〜約５０ｎｍの厚さを有し、
前記第２の層が二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）から形成されており、約５０〜約３００ｎｍの厚さを有する請求項１記載のフォトマスク。
【請求項５】
前記フィルムスタック及び基板が、前記基板のみを通過する光に対して、前記フィルムスタックを通過する光の１８０度位相シフトとなる特徴を有している請求項２記載のフォトマスク。
【請求項６】
リソグラフィーシステムの照射源により生成される光に実質的に透明な基板を提供する工程を含み、前記基板がフィルムスタックと基板を含み、前記フィルムスタックに形成された開口部を通過する光に対して前記フィルムスタックを通過する光の１８０度位相シフトとなる特徴を有し、
前記フィルムスタックが、
犠牲上層と、
前記光に対して所定値の透明度を有する第１の層を備え、前記第１の層が金属で形成され、
前記光に実質的に透明な第２の層を備え、前記第２の層が誘電体で形成され、
前記犠牲上層上にパターン化エッチングマスクを形成する工程と、
前記犠牲上層の露出部分をエッチングする工程と、
前記第２の層の露出部分をエッチングする工程と、
エッチングストップ層として前記基板を用いて、前記第１の層の露出部分をエッチングする工程と、
前記パターン化エッチングマスクを除去する工程と、
前記犠牲上層を除去する工程を含み、
前記残りのフィルムスタック及び基板が、前記フィルムスタックの開口部を通過する光に対して前記フィルムスタックを通過する光の１８０度位相シフトとなる特徴を有する位相シフトフォトマスクを製造する方法。
【請求項７】
前記基板が水晶で形成されており、
前記パターン化エッチングマスクがフォトレジストを含み、
前記犠牲上層がクロム（Ｃｒ）で形成され、約２０〜約２００ｎｍの厚さを有し、
前記第１の層がタンタル（Ｔａ）で形成され、約５〜約５０ｎｍの範囲の所定の厚さを有し、
前記第２の層が二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）で形成され、約５０〜約３００ｎｍの範囲の所定を厚さを有する請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記犠牲上層の前記露出部分をエッチングする工程が、
少なくとも１種類の塩素含有ガス又は少なくとも１種類のフッ素含有ガスを含むプラズマを提供する工程を含む請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記第２の層の前記露出部分をエッチングする工程が、
四フッ化炭素（ＣＦ４）及びトリフルオロメタン（ＣＨＦ３）を、約１：５０：〜約１０：１の範囲の流量比ＣＦ４：ＣＨＦ３で流す工程と、
約１００〜約１５００Ｗのプラズマ電源を印加する工程と、
約１０〜約２００Ｗのバイアス電力を印加する工程と、
前記処理チャンバのガス圧を約０．５〜約２０ミリトルに維持する工程とを含む請求項７記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の層の前記露出部分をエッチングする工程が、
塩素（Ｃｌ２）及びアルゴン（Ａｒ）を、約１：２０：〜約２０：１の範囲の流量比Ｃｌ２：Ａｒで流す工程と、
約７５〜約１５００Ｗのプラズマ電源を印加する工程と、
約５〜約１００Ｗのバイアス電力を印加する工程と、
前記処理チャンバのガス圧を約１〜約２０ミリトルに維持する工程とを含む請求項７記載の方法。
【請求項１１】
パターン化エッチングマスクを、アッシングプロセス又はウェットエッチングプロセスを用いて除去する工程を含む請求項７記載の方法。
【請求項１２】
前記犠牲上層を、少なくとも１種類の過塩素酸系溶剤、又は少なくとも１種類の塩素含有ガス又は少なくとも１種類のフッ素含有ガスを含むプラズマを用いて除去する工程を含請求項７記載の方法。
【請求項１３】
タンタル（Ｔａ）層と、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）層と、クロム（Ｃｒ）含有層と、前記Ｃｒ含有層上にパターン化フォトレジストエッチングマスクとを有する水晶基板を提供する工程と、
前記エッチングマスクを通して露出した前記Ｃｒ含有層の部分をエッチングする工程と、
前記エッチングされたＣｒ含有層を通して露出した前記ＳｉＯ２層の部分をエッチングする工程と、
前記エッチングされたＳｉＯ２層を通して露出した前記Ｔａ層の部分を、前記基板をエッチングストップ層として用いてエッチングする工程と、
前記パターン化エッチングマスクを除去する工程と、
前記Ｃｒ含有層を除去する工程とを含む位相シフトフォトマスクを製造する方法。
【請求項１４】
前記Ｃｒ含有層が約２０〜約２００ｎｍの厚さを有し、前記ＳｉＯ２層が約５０〜約３０ｎｍの厚さを有しており、前記Ｔａ層が約５〜約５０ｎｍの厚さを有している請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
前記ＳｉＯ２層の前記露出部分をエッチングする工程が、
四フッ化炭素（ＣＦ４）及びトリフルオロメタン（ＣＨＦ３）を、約１：５０：〜約１０：１の範囲の流量比ＣＦ４：ＣＨＦ３で提供する工程と、
約１００〜約１５００Ｗのプラズマ電源を印加する工程と、
約１０〜約２００Ｗのバイアス電力を印加する工程と、
前記処理チャンバのガス圧を約０．５〜約２０ミリトルに維持する工程とを含む請求項１３記載の方法。
【請求項１６】
前記Ｔａ層の前記露出部分をエッチングする工程が、
塩素（Ｃｌ２）及びアルゴン（Ａｒ）を、約１：２０：〜約２０：１の範囲の流量比Ｃｌ２：Ａｒで提供する工程と、
約７５〜約１５００Ｗのプラズマ電源を印加する工程と、
約５〜約１００Ｗのバイアス電力を印加する工程と、
前記処理チャンバのガス圧を約１〜約２０ミリトルに維持する工程とを含む請求項１３記載の方法。
【請求項１７】
前記Ｃｒ含有層を除去する工程が、少なくとも１種類の過塩素酸系溶剤、又は少なくとも１種類の塩素含有ガス又は少なくとも１種類のフッ素含有ガスを含むプラズマに前記Ｃｒ含有層を露出する少なくとも１つの工程を含む請求項１３記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月7日(2010.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性母基板の一面に静電力を印加する段階、
前記可撓性母基板を支持体に据置く段階、
前記可撓性母基板を真空で吸着して前記支持体に付着する段階、そして
前記可撓性母基板上に薄膜パターンを形成する段階を含む可撓性表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記真空吸着段階は、
外部の真空吸着装置及び前記支持体を貫通する真空路を連結する段階、
前記真空吸着装置を利用して前記真空路を真空状態にする段階、そして
前記真空吸着装置及び前記支持体を分離する段階を含む請求項１に記載の可撓性表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記可撓性母基板はプラスチックを含む請求項１に記載の可撓性表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記可撓性母基板は、
有機膜、
前記有機膜の両面に形成されている下部塗布膜、
前記下部塗布膜上に形成されている障壁層、そして
前記障壁層上に形成されている硬性塗布膜を含む請求項１に記載の可撓性表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記有機膜は、ポリエチレンエーテルフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン酸、ポリイミド、及びポリアクリレートからなる群より選択されるいずれか１つ以上の物質である請求項４に記載の可撓性表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記下部塗布膜及び前記硬性塗布膜はアクリル樹脂を含む請求項５に記載の可撓性表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記障壁層はＳｉＯ２またはＡｌ２Ｏ３を含む請求項５に記載の可撓性表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記支持体はアルミニウムを含む請求項１に記載の可撓性表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記薄膜パターンは非晶質シリコン薄膜トランジスタを含む請求項１に記載の可撓性表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記薄膜パターンは有機薄膜トランジスタを含む請求項１に記載の可撓性表示装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月8日(2010.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート配線及びデータ配線によって複数の画素部が形成され、前記ゲート配線と平行に延長されたストレージ配線が形成された表示パネルと、
前記ゲート配線にゲート信号を出力するゲート駆動回路と、
前記データ配線にデータ電圧を出力するデータ駆動回路と、
複数のステージで構成され、フレームごとに反転するストレージ電圧を前記ストレージ配線に出力するストレージ駆動回路と、
を含み、
前記複数のステージのうちの第ｋステージは（ｋは自然数）、
第ｋゲート信号に応答して、第ｋストレージ配線に第１駆動電圧を出力するカウンタチャージング部と、
第ｋ＋２ゲート信号に応答して、前記第ｋストレージ配線に第２駆動電圧を出力するブースト部と、
第ｋ＋１ゲート信号に応答して、前記第ｋストレージ配線に第２駆動電圧に対応するレベルのストレージ電圧を１フレーム期間に出力する電圧ストレージ部と、
を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記データ電圧は、水平画素列ごとに反転し、さらにフレームごとに反転することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１駆動電圧及び第２駆動電圧は、フレームごとに反転することを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記電圧ストレージ部は、
前記第ｋ＋１ゲート信号に応答して、第１スイッチング電圧を出力する第１スイッチング素子と、
前記第ｋ＋１ゲート信号に応答して、第２スイッチング電圧を出力する第２スイッチング素子と、
前記第１スイッチング電圧に応答して、前記第ｋストレージ配線に第１ストレージ電圧を出力する第３スイッチング素子と、
前記第２スイッチング電圧に応答して、前記第ｋストレージ配線に第２ストレージ電圧を出力する第４スイッチング素子と、
前記第１スイッチング電圧が充電され、前記第３スイッチング素子のオン／オフ状態を１フレーム期間維持する第１キャパシタと、
前記第２スイッチング電圧が充電され、前記第４スイッチング素子のオン／オフ状態を１フレーム期間維持する第２キャパシタと、を含むことを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１ストレージ電圧及び第２ストレージ電圧は、それぞれ一定の電圧であることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１スイッチング電圧及び第２スイッチング電圧は、フレームごとに反転することを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記データ電圧が正極性である場合に、
前記第２駆動電圧は第１レベルを有し、前記第１駆動電圧は前記第１レベルが反転した第２レベルを有し、
前記第１ストレージ電圧は前記第１レベルを有し、前記第２ストレージ電圧は前記第２レベルを有し、
前記第１スイッチング電圧はターンオンレベルを有し、前記第２スイッチング電圧は前記ターンオンレベルが反転したターンオフレベルを有することを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第３及び第４スイッチング素子のチャンネル領域の幅／長さの比は、前記カウンタチャージング部及びブースト部のスイッチング素子におけるチャンネル領域の幅／長さの比の１／１０以下であることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項９】
前記ストレージ駆動回路は、
前記第１駆動電圧及び第２駆動電圧がそれぞれ印加される第１電圧配線及び第２電圧配線と、
前記第１ストレージ電圧及び第２ストレージ電圧がそれぞれ印加される第１ストレージ配線及び第２ストレージ配線と、
前記第１スイッチング電圧及び第２スイッチング電圧がそれぞれ印加される第１スイッチング配線及び第２スイッチング配線と
を含むことを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記ストレージ駆動回路は、前記表示パネルに集積回路の形態で集積されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月13日(2010.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体（２１）内の粒子（２）の少なくとも１つのパラメタを測定する装置（１０）であって、
該装置（１０）はビーム源（１）およびビームセンサ（３）を有しており、
該装置（１０）は、流体（２１）に接している流体領域（２２）を有しており、
前記ビーム源（１）を構成して、流体領域（２２）に向かって第１方向（１１）に測定ビーム（１５）が放射されるようにし、
前記ビームセンサ（３）を構成して、流体領域（２２）から第２方向（１２）に遠ざかる反射測定ビーム（１５’）が検出されるようにした形式の装置において、
前記のビームセンサ（３）は、複数のセンサ素子（３１，３３）を有しており、
前記の反射測定ビーム（１５’）を波長選択的に検出するため、相異なるセンサ素子（３１，３３）のスペクトル的な感度を変えることを特徴とする、
流体内の粒子の少なくとも１つのパラメタを測定する装置（１０）。
【請求項２】
前記の装置（１０）は、マイクロメカニカルビームセンサ（３）を有するか、または前記のビームセンサ（３）がマイクロメカニカルセンサ素子（３１，３３）を有する、
請求項１に記載の装置（１０）。
【請求項３】
前記の装置（１０）は、吸収素子（４）を有している、
請求項１または２に記載の装置（１０）。
【請求項４】
前記の吸収素子（４）は、流体領域（２２）を制限するように設けられている、
請求項３に記載の装置（１０）。
【請求項５】
前記の測定ビーム（１５）は、可視の波長領域および／または近赤外領域および／また遠赤外領域に設けられている、
請求項１から４までのいずれか１項に記載の装置（１０）。
【請求項６】
各センサ素子（３１，３３）はそれぞれ、スペクトル的な感度を調整するための少なくとも１つのビームフィルタ（３２，２４）を有する、
請求項１から５までのいずれか１項に記載の装置（１０）。
【請求項７】
前記のセンサ素子（３１，３３）は、ビーム吸収層（３７）および／またはサーモパイル素子（３６）を有する、
請求項１から６までのいずれか１項に記載の装置（１０）。
【請求項８】
流体（２１）内の粒子（２）の少なくとも１つのパラメタを測定する方法において、
ビームセンサ（３）の複数のセンサ素子（３１，３３）の測定信号に基づいて粒子（２）のパラメタを求めることを特徴とする、
請求項１から７までのいずれか１項に記載の装置によって流体（２１）内の粒子（２）の少なくとも１つのパラメタを測定する方法。
【請求項９】
前記のパラメタとして、流体（２１）内の粒子サイズおよび／または粒子形状および／または粒子タイプおよび／または粒子密度を測定する、
請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月15日(2010.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を保持するための液体保持部と、
前記液体の吸引量を特定する吸引量特定手段と、
特定された吸引量の液体を前記液体保持部に吸引し、前記液体保持部から前記液体を吐出する吸引・吐出部と、
前記液体保持部に保持された前記液体を加温するヒータと、
前記液体保持部に保持された前記液体の温度を検出する温度センサと、
前記吸引量特定手段により特定された吸引量に対応した液体の目標設定温度を決定する目標設定温度決定手段と、
前記温度センサにより検出された前記液体の温度が前記目標設定温度決定手段により決定された目標設定温度に近づくよう前記ヒータを制御する制御手段とを備えた分注装置。
【請求項２】
前記液体保持部は、前記液体として試薬を保持するピペットであり、
前記ヒータは、前記ピペット内に配設されている請求項１に記載の分注装置。
【請求項３】
前記吸引・吐出部により吸引される液体の量と、液体の目標設定温度との関係を記憶する記憶部をさらに備え、
前記目標設定温度決定手段は、前記吸引量特定手段により特定された液体の吸引量と前記記憶部に記憶されている前記関係とに基づいて、前記液体の目標設定温度を決定する請求項１又は２に記載の分注装置。
【請求項４】
前記目標設定温度決定手段は、前記吸引量特定手段により特定された液体の吸引量が大きくなるほど、前記液体の目標設定温度を高く決定する請求項１〜３のいずれか１項に記載の分注装置。
【請求項５】
前記ピペットは、ピペットの吸引口側に位置し、所定量の試薬を保持可能な小径部分と、前記小径部分より径の大きい大径部分とを備え、
前記目標設定温度決定手段は、前記吸引量特定手段により特定された試薬の吸引量が前記所定量より大きい場合には、前記吸引量が大きくなるほど、前記試薬の目標設定温度を高く決定する請求項２に記載の分注装置。
【請求項６】
前記ヒータは、前記ピペットの吸引口近傍を除くピペット内の試薬通路に沿って配設されており、
前記目標温度決定手段は、前記吸引量特定手段により特定された試薬の吸引量が所定の基準量よりも小さい場合には、前記吸引量が小さくなるほど、前記試薬の目標温度を高く決定する請求項２又は５に記載の分注装置。
【請求項７】
前記制御手段は、前記液体の温度が定常状態になる前に、前記液体保持部に保持された液体を吐出するよう前記吸引・吐出部を制御する請求項１〜６のいずれか１項に記載の分注装置。
【請求項８】
分注対象の試薬の種類を特定する試薬種類特定手段と、
試薬を保持する試薬ピペットと、
前記試薬種類特定手段により特定された種類の試薬を前記試薬ピペットに吸引し、前記試薬ピペットから前記試薬を吐出する吸引・吐出部と、
前記試薬ピペットにより保持された前記試薬を加温するヒータと、
前記試薬ピペットにより保持された前記試薬の温度を検出する温度センサと、
前記試薬種類特定手段により特定された試薬の種類に対応した試薬の目標設定温度を決定する目標設定温度決定手段と、
前記温度センサにより検出された前記試薬の温度が前記目標設定温度決定手段により決定された目標設定温度に近づくよう前記ヒータを制御する制御手段とを備えた試薬分注装置。
【請求項９】
試薬の種類と、試薬の目標設定温度との関係を記憶する記憶部をさらに備え、
前記目標設定温度決定手段は、前記試薬種類特定手段により特定された試薬の種類と前記記憶部に記憶されている前記関係とに基づいて、試薬の目標設定温度を決定する請求項８に記載の試薬分注装置。
【請求項１０】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の分注装置と、
容器に検体を分注する検体分注部と、
検出部とをさらに備え、
前記液体保持部は、前記液体として試薬を保持する試薬ピペットであり、
前記吸引・吐出部は、前記試薬ピペットから試薬を前記容器に吐出し、
前記検出部は、検体と試薬とから調製された前記容器内の測定試料から光学的情報を検出する、検体分析装置。
【請求項１１】
請求項８または９に記載の分注装置と、
容器に検体を分注する検体分注部と、
検出部と、をさらに備え、
前記吸引・吐出部は、前記試薬ピペットから試薬を前記容器に吐出し、
前記検出部は、検体と試薬とから調製された前記容器内の測定試料から光学的情報を検出する、検体分析装置。
【請求項１２】
検体の分析項目を含むオーダ情報を取得するオーダ取得手段と、
前記オーダ取得手段により取得されたオーダ情報に含まれる分析項目と、前記分析項目の検体の分析において使用される試薬の種類と、前記吸引・吐出部により吸引される試薬の量とを対応付けた対応データを記憶する記憶部とをさらに備え、
前記吸引量特定手段は、前記オーダ取得手段により取得されたオーダ情報と前記対応データとに基づいて、試薬の吸引量を特定する請求項１０または１１に記載の検体分析装置。
【請求項１３】
前記検体分注部は、前記検体として血液を分注するよう構成されており、
前記検出部は、前記血液の凝固に関する光学的情報を検出するよう構成されている請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の検体分析装置。
【請求項１４】
試薬を冷却した状態で保存する試薬保存部をさらに備える請求項１０〜１３のいずれか１項に記載の検体分析装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の第１の局面による分注装置は、液体を保持するための液体保持部と、前記液体の吸引量を特定する吸引量特定手段と、特定された吸引量の液体を前記液体保持部に吸引し、前記液体保持部から前記液体を吐出する吸引・吐出部と、前記液体保持部に保持された前記液体を加温するヒータと、前記液体保持部に保持された前記液体の温度を検出する温度センサと、前記吸引量特定手段により特定された吸引量に対応した液体の目標設定温度を決定する目標設定温度決定手段と、前記温度センサにより検出された前記液体の温度が前記目標設定温度決定手段により決定された目標設定温度に近づくよう前記ヒータを制御する制御手段とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の第２の局面による試薬分注装置は、分注対象の試薬の種類を特定する試薬種類特定手段と、試薬を保持する試薬ピペットと、前記試薬種類特定手段により特定された種類の試薬を前記試薬ピペットに吸引し、前記試薬ピペットから前記試薬を吐出する吸引・吐出部と、前記試薬ピペットにより保持された前記試薬を加温するヒータと、前記試薬ピペットにより保持された前記試薬の温度を検出する温度センサと、前記試薬種類特定手段により特定された試薬の種類に対応した試薬の目標設定温度を決定する目標設定温度決定手段と、前記温度センサにより検出された前記試薬の温度が前記目標設定温度決定手段により決定された目標設定温度に近づくよう前記ヒータを制御する制御手段とを備える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月28日(2009.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
例えば、補正対象画素を含めて５つの画素の信号を用いて補正を行う場合、補正式は次式（２）〜（４）のように表される。式（２）〜（４）において、画素81B，81G，81Rからの出力をB[h，v]、G[h，v]、R[h，v]とし、補正後の値をBf[h，v]、Gf[h，v]、Rf[h，v]とする。また、Fb[i]，Fg[i]，Fr[i]は補正係数である。なお、h，v，iは画素の位置を表しており、０は補正対象となっている画素の位置で、±１はその画素の両隣の同色画素の位置を、±２はさらに外側の同色画素の位置を表している。
【数１】
2008070427.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
図１０は、補正係数Fb[i]，Fg[i]，Fr[i]の一例を示したものである。Ｂ光成分に関しては、両隣のＢ画素81Bの出力信号を用いて補正を行っており、補正後の出力Bf[h，v]は次式（５）のようになる。すなわち、両隣の画素81Bの出力値を0.1倍した出力値に相当する他次数（１次光以外の回折光）のＢ光成分が対象画素に入射しているので、その影響を除去するために0.1×B[h±1，i]を差し引いている。
Bf[h，v]＝−0.1×B[h−1，i]＋0.8×B[h，i]−0.1×B[h＋1，i]      …（５）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
【図１】本発明による測光装置が組み込まれたカメラの一実施の形態を示す概略構成図である。
【図２】測光素子８に用いられる２次元イメージセンサの模式図である。
【図３】測光素子８の各画素８１の分光感度を示す図である。
【図４】本実施の形態における回折格子６による回折を説明する図である。
【図５】溝間隔ｄの設定方法を説明する図である。
【図６】点光源白色光を回折格子６を介して観察した場合の、ＢＧＲ各色ごとの結像状態を示す図である。
【図７】０次光および２次光の影響の除去方法を説明する模式図である。
【図８】ＢＧＲの各１画素のスクリーン３上での感度分布を示す図であり、（ａ）はＢ光成分の感度分布、（ｂ）はＧ光成分の感度分布、（ｃ）はＲ光成分の感度分布である。
【図９】０次光の感度分布Dg0および２次光の感度分布Dg2の影響を説明する図である。
【図１０】補正係数Fb[i]，Fg[i]，Fr[i]の一例を示す図である。
【図１１】補正係数を示す図であり、（ａ）〜（ｃ）は図８（ａ）〜（ｃ）の各感度分布に対する補正係数を示している。
【図１２】補正後の感度分布を示す図であり、（ａ）〜（ｃ）は図８（ａ）〜（ｃ）の各感度分布に対応している。
【図１３】変形例を示す図であり、（ａ）はカメラの構成を示す図、（ｂ）は直角プリズム６２、レンズ７および測光素子８をカメラ前方から見た図である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月25日(2010.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成装置本体から排出されるシート材周辺の気体を吸引する吸引手段と、
該吸引手段によって吸引された気体に含まれる揮発性有機化合物の浄化処理を行う浄化手段と、を備え、
排出される前記シート材周辺の気体を吸引し、前記浄化手段により前記気体に対して浄化処理を行った後、外気に排出する構成を有する
ことを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記画像形成装置本体の外部に露出し、排出される前記シート材が積載されるシート材排出部をさらに備え、
外部に露出する前記シート材排出部の上方の気体を吸引し浄化処理することを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記画像形成装置本体に接続されシート材の後処理を行う後処理装置を有し、該後処理装置を介してシート材が前記シート材排出部に排出される構成で、前記後処理装置内の気体についても吸引し浄化処理することを特徴とする請求項２記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記吸引手段および前記浄化手段は前記画像形成装置本体に設けられ、前記浄化手段により浄化された気体を前記画像形成装置本体から外気に排出する構成となっていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記画像形成装置本体に接続されシート材の後処理を行う後処理装置を有し、該後処理装置を介してシート材が前記シート材排出部に排出される構成で、前記後処理装置内に、該後処理装置内および前記シート材排出部の上方の気体を前記画像形成装置本体内に引き込む流路を有することを特徴とする請求項４記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記後処理装置内に、前記吸引手段を補助して、該後処理装置内および前記シート材排出部の上方の気体を前記画像形成装置本体内に引き込む補助吸引手段を有することを特徴とする請求項５記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記吸引手段の風量が前記補助吸引手段の風量より大きくなるように前記吸引手段及び
前記補助吸引手段の風量が設定されたことを特徴とする請求項６記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記画像形成装置本体内におけるオゾンを含んだ気体についても、前記吸引手段によって吸引することを特徴とする請求項４記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記吸引手段および前記浄化手段は前記後処理装置に設けられ、浄化した気体を前記後処理装置から外気に排出する構成となっていることを特徴とする請求項３記載の画像形成装置。
【請求項１０】
前記シート材排出部の上方の気体の拡散を防止し整流する整流手段を有することを特徴とする請求項２記載の画像形成装置。
【請求項１１】
前記シート材排出部全体を囲むカバーを有することを特徴とする請求項２記載の画像形成装置。
【請求項１２】
前記吸引手段および前記浄化手段が前記カバーに設けられ、前記浄化手段により浄化された気体をカバーから外気に排出する構成となっていることを特徴とする請求項１１記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために、この発明は、
画像形成装置本体から排出されるシート材周辺の気体を吸引する吸引手段と、
該吸引手段によって吸引された気体に含まれる揮発性有機化合物の浄化処理を行う浄化手段と、を備え、
排出される前記シート材周辺の気体を吸引し、前記浄化手段により前記気体に対して浄化処理を行った後、外気に排出する構成を有する
ことを特徴とする画像形成装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月14日(2010.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のギア比によりギアを介してモータにより回転駆動される回転体と同軸上に配設された被検出部材のパターンを検出するごとに検出信号を出力する検出手段を備え、前記検出手段により出力された検出信号によって、前記回転体の角速度を検出し、前記検出手段の検出結果を基に前記回転体の回転駆動制御を行う速度制御装置であって、
前記検出手段により前記回転体の１回転当たりに出力される検出信号数は、前記ギア比の整数倍であり、前記検出手段により出力された検出信号に基づき、前記回転体の１回転当たりの回転ムラ成分と前記モータの回転ムラ成分とを示す回転ムラプロファイルを算出し、前記回転ムラプロファイルに基づいて前記回転体の回転駆動制御を行う制御手段、を備えることを特徴とする速度制御装置。
【請求項２】
前記モータは、ステッピングモータであり、
前記ギアは、前記回転体と同軸上に配設されたギアであり、
前記検出手段は、前記回転体と同軸上に配設された被検出部材のスリットパターンを検出するエンコーダであることを特徴とする請求項１記載の速度制御装置。
【請求項３】
前記検出手段により出力された任意の検出信号及び該検出信号が出力された前後に出力された検出信号からなる複数の検出信号に対して所定のフィルタ係数に基づくデジタル信号処理を行い、前記回転体の角速度において所定の周波数成分を予め設定されたレベルだけ有する角速度変動データを算出する算出手段を備えることを特徴とする請求項１又は２記載の速度制御装置。
【請求項４】
前記算出手段より算出された前記角速度変動データに基づいて、前記回転体の角速度変動を補正するための前記モータの駆動周波数の設定プロファイルを、前記検出手段による前記回転体１周分の検出データとして生成し、前記検出手段により出力される検出信号に同期して、前記設定プロファイルに基づいた、前記モータを駆動するパルスにより前記モータを駆動する駆動制御手段、を備えることを特徴とする請求項３に記載の速度制御装置。
【請求項５】
前記デジタル信号処理対象の前記複数の検出信号数は、前記モータの１回転に相当する前記検出手段により出力される検出信号数に対して少なくとも同数以下であることを特徴とする請求項３記載の速度制御装置。
【請求項６】
前記所定のフィルタ係数に基づく前記デジタル信号処理は、複数の遮断周波数を有するフィルタ演算処理であり、
前記所定のフィルタ係数は、低域通過型フィルタ特性を有すると共に、前記モータの１回転の周波数より高い周波数成分を遮断する特性を有することを特徴とする請求項３記載の速度制御装置。
【請求項７】
前記請求項１乃至６の何れかに記載の速度制御装置を備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項８】
前記速度制御装置により回転駆動制御される前記回転体は、電子写真方式による画像形成に用いる感光体であることを特徴とする請求項７記載の画像形成装置。
【請求項９】
所定のギア比によりギアを介してモータにより回転駆動される回転体と同軸上に配設された被検出部材のパターンを検出するごとに検出信号を出力する検出手段を備え、前記検出手段により出力された検出信号によって、前記回転体の角速度を検出し、前記検出手段の検出結果を基に前記回転体の回転駆動制御を行う速度制御装置の制御方法であって、
前記検出手段により前記回転体の１回転当たりに出力される検出信号数は、前記ギア比の整数倍であり、前記検出手段により出力された検出信号に基づき、前記回転体の１回転当たりの回転ムラ成分と前記モータの回転ムラ成分とを示す回転ムラプロファイルを算出し、前記回転ムラプロファイルに基づいて前記回転体の回転駆動制御を行う制御ステップ、を備えることを特徴とする制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
上述の目的を達成するために、本発明の速度制御装置は、所定のギア比によりギアを介してモータにより回転駆動される回転体と同軸上に配設された被検出部材のパターンを検出するごとに検出信号を出力する検出手段を備え、前記検出手段により出力された検出信号によって、前記回転体の角速度を検出し、前記検出手段の検出結果を基に前記回転体の回転駆動制御を行う速度制御装置であって、前記検出手段により前記回転体の１回転当たりに出力される検出信号数は、前記ギア比の整数倍であり、前記検出手段により出力された検出信号に基づき、前記回転体の１回転当たりの回転ムラ成分と前記モータの回転ムラ成分とを示す回転ムラプロファイルを算出し、前記回転ムラプロファイルに基づいて前記回転体の回転駆動制御を行う制御手段、を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、本発明の制御方法は、所定のギア比によりギアを介してモータにより回転駆動される回転体と同軸上に配設された被検出部材のパターンを検出するごとに検出信号を出力する検出手段を備え、前記検出手段により出力された検出信号によって、前記回転体の角速度を検出し、前記検出手段の検出結果を基に前記回転体の回転駆動制御を行う速度制御装置の制御方法であって、前記検出手段により前記回転体の１回転当たりに出力される検出信号数は、前記ギア比の整数倍であり、前記検出手段により出力された検出信号に基づき、前記回転体の１回転当たりの回転ムラ成分と前記モータの回転ムラ成分とを示す回転ムラプロファイルを算出し、前記回転ムラプロファイルに基づいて前記回転体の回転駆動制御を行う制御ステップ、を備えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
１０１  回転体
１０２  駆動ギア
１０３  ステッピングモータ
１０４  モータドライバ
１０５  エンコーダ
１０６  コードホイール
１０７  制御部
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月31日(2010.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
水溶性エチレン系単量体としては、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、フマール酸、イタコン酸などのモノまたはジカルボン酸（無水物）を挙げることができる。エチレン系不飽和カルボン酸単量体は使用する単量体合計１００重量部に対して０．５〜１０重量部の範囲で使用することができる。エチレン系不飽和カルボン酸単量体の使用量が０．５重量部より少ない時は、得られる共重合体ラテックスの機械的安定性および放置安定性が低下し、１０重量部を超える時は得られる共重合体ラテックスの粘度が高くなり取り扱いが困難となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記脂肪族共役ジエン系単量体および水溶性エチレン系単量体と共重合可能な他の単量体としては、芳香族ビニル単量体、不飽和カルボン酸アルキルエステル単量体、ヒドロキシアルキル基を含有する不飽和単量体、シアン化ビニル単量体、不飽和カルボン酸アミド単量体が挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月21日(2010.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
乳化重合にて製造されたゴム強化スチレン系樹脂（ｂ−１）が、酸又は酸とアルカリ土類金属塩にて凝固処理されたものである請求項１または２何れかに記載の熱可塑性樹脂組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明における乳化重合にて製造されたゴム強化スチレン系樹脂（ｂ−１）とは、公知の乳化重合法を用いてゴム状重合体のラテックス中に芳香族ビニル系化合物および共重合可能な他のビニル系化合物を加えて重合することにより得ることができる。
但し、本発明においては、該ゴム強化スチレン系樹脂（ｂ−１）が、酸又は酸とアルカリ土類金属塩にて凝固処理されたものであることが、耐久性の点で好ましい。ここで酸としては、塩酸、硫酸、硝酸、酢酸等が挙げられ、またアルカリ土類金属塩としては、硫酸マグネシウム、硫酸カルシウム、硝酸マグネシウム、硝酸カルシウム、酢酸マグネシウム、酢酸カルシウム、塩化マグネシウム、塩化カルシウム等が挙げられる。
本発明にて用いられるゴム状重合体とは、ポリブタジエン、スチレン−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、スチレン−ブタジエンブロック重合体、ブチルアクリレートあるいはエチルアクリレートを主成分とするアクリルゴム、エチレン−プロピレン（ジエン）重合体、シリコンゴム、塩素化ポリエチレン、ニトリルゴム、ウレタンゴム、イソプレンゴム等から選ばれた少なくとも１種である。特にポリブタジエン、スチレン−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、スチレン−ブタジエンブロック重合体、ブチルアクリレートあるいはエチルアクリレートを主成分とするアクリルゴム、エチレン−プロピレン（ジエン）重合体が好ましく、ポリブタジエン、スチレン−ブタジエン共重合体が最も好ましい。また、これらゴム状重合体は、適宜公知の方法にて凝集肥大化処理されたものを使用することも可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月17日(2009.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ペルオキシド非架橋型炭化水素系ゴム状物質（Ａ）及び鉱物油系軟化剤（Ｂ）を含有する熱可塑性エラストマー（Ｃ）１００重量部に対して、有機ペルオキシドの非存在下でマレイミド化合物０．１〜１０．０重量部が溶融混練されてなることを特徴とする熱可塑性エラストマー組成物（Ｄ）。
【請求項２】
前記マレイミド化合物が、Ｎ，Ｎ’−ｍ−フェニレンビスマレイミドであることを特徴とする請求項１記載の熱可塑性エラストマー組成物（Ｄ）。
【請求項３】
前記熱可塑性エラストマー（Ｃ）１００重量部が、ペルオキシド非架橋型炭化水素系ゴム状物質（Ａ）１〜５０重量部、鉱物油系軟化剤（Ｂ）１〜７０重量部、ペルオキシド架橋型炭化水素系ゴム状物質１〜９０重量部及びペルオキシド非架橋型ポリオレフィン系樹脂１〜８０重量部から成ることを特徴とする請求項１又は２記載の熱可塑性エラストマー組成物（Ｄ）。
【請求項４】
前記熱可塑性エラストマー（Ｃ）のペルオキシド架橋型炭化水素系ゴム状物質が、部分的あるいは完全に架橋されていることを特徴とする請求項３に記載の熱可塑性エラストマー組成物（Ｄ）。
【請求項５】
前記ペルオキシド非架橋型炭化水素系ゴム状物質（Ａ）が、ポリイソブチレン及びブチルゴムから選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の熱可塑性エラストマー組成物（Ｄ）。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月28日(2010.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｘ）で示されることを特徴とするリン光発光材料。
ＭＬmＬ’n            （Ｘ）
（式（Ｘ）において、Ｍは、Ｉｒである。Ｌ及びＬ’は、互いに異なる二座配位子を表す。ｍは１乃至３であり、ｎは０乃至２である。ただし、ｍ＋ｎは３である。部分構造ＭＬmは、下記一般式（１ａ）、（２ａ）、（３ａ）又は（４ａ）で示され、部分構造ＭＬ’nは、下記一般式（６ａ）、（７ａ）又は（８ａ）で示される。）
【化１】
2008297382.tif 000001
（式（１ａ）において、Ｘ1及びＸ2のうちいずれかは炭素原子数１乃至４のフッ素化アルキル基である。Ｘ1及びＸ2のうち炭素原子数１乃至４のフッ素化アルキル基でないものは、アリール基又はアルキル基である。式（２ａ）において、Ｘ3及びＸ4のうちいずれかは炭素原子数１乃至４のフッ素化アルキル基である。Ｘ3及びＸ4のうち炭素原子数１乃至４のフッ素化アルキル基でないものは、アリール基又はアルキル基である。式（３ａ）において、Ｘ5及びＸ6のうちいずれかは炭素原子数１乃至４のフッ素化アルキル基である。Ｘ5及びＸ6のうち炭素原子数１乃至４のフッ素化アルキル基でないものは、アリール基又はアルキル基である。式（４ａ）において、Ｘ7及びＸ8のうちいずれかは炭素原子数１乃至４のフッ素化アルキル基である。Ｘ7及びＸ8のうち炭素原子数１乃至４のフッ素化アルキル基でないものは、アリール基又はアルキル基である。Ｒ1乃至Ｒ38は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１乃至４のアルキル基又は炭素原子数１乃至４のフッ素化アルキル基である。式（６ａ）において、Ａは、フッ素が置換してもよいベンゼン環であり、Ｂは、ピリジン環又はイソキノリン環である。式（７ａ）において、Ｂ’は、ピリジン環である。式（８ａ）において、Ｅ及びＧは、それぞれ炭素原子数１乃至４のアルキル基であり、Ｊは、水素原子である。）
【請求項２】
陽極と陰極と、
前記陽極と前記陰極との間に挟持され、発光層を含む有機化合物からなる層と、から構成され、
前記発光層が請求項１に記載のリン光発光材料を含有することを特徴とする、有機電界発光素子。
【請求項３】
複数の画素を有し、
前記画素が、請求項２に記載の有機電界発光素子と、前記有機電界発光素子に接続するスイッチング素子と、を有することを特徴とする画像表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上述した課題は、本発明のリン光発光材料により課題が達成される。即ち、本発明のリン光発光材料は、下記一般式（Ｘ）で示されることを特徴とする。
ＭＬmＬ’n            （Ｘ）
（式（Ｘ）において、Ｍは、Ｉｒである。Ｌ及びＬ’は、互いに異なる二座配位子を表す。ｍは１乃至３であり、ｎは０乃至２である。ただし、ｍ＋ｎは３である。部分構造ＭＬmは、下記一般式（１ａ）、（２ａ）、（３ａ）又は（４ａ）で示され、部分構造ＭＬ’nは、下記一般式（６ａ）、（７ａ）又は（８ａ）で示される。）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【化１】
2008297382.tif 000002
（式（１ａ）において、Ｘ1及びＸ2のうちいずれかは炭素原子数１乃至４のフッ素化アルキル基である。Ｘ1及びＸ2のうち炭素原子数１乃至４のフッ素化アルキル基でないものは、アリール基又はアルキル基である。式（２ａ）において、Ｘ3及びＸ4のうちいずれかは炭素原子数１乃至４のフッ素化アルキル基である。Ｘ3及びＸ4のうち炭素原子数１乃至４のフッ素化アルキル基でないものは、アリール基又はアルキル基である。式（３ａ）において、Ｘ5及びＸ6のうちいずれかは炭素原子数１乃至４のフッ素化アルキル基である。Ｘ5及びＸ6のうち炭素原子数１乃至４のフッ素化アルキル基でないものは、アリール基又はアルキル基である。式（４ａ）において、Ｘ7及びＸ8のうちいずれかは炭素原子数１乃至４のフッ素化アルキル基である。Ｘ7及びＸ8のうち炭素原子数１乃至４のフッ素化アルキル基でないものは、アリール基又はアルキル基である。Ｒ1乃至Ｒ38は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１乃至４のアルキル基又は炭素原子数１乃至４のフッ素化アルキル基である。式（６ａ）において、Ａは、フッ素が置換してもよいベンゼン環であり、Ｂは、ピリジン環又はイソキノリン環である。式（７ａ）において、Ｂ’は、ピリジン環である。式（８ａ）において、Ｅ及びＧは、それぞれ炭素原子数１乃至４のアルキル基であり、Ｊは、水素原子である。）
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月19日(2010.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
次に、本発明を実施例により、さらに詳細に説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。
〔実施例１、２、比較例１〜４〕
表１に示す配合組成を有する潤滑油組成物を調製し、ロングドレイン性および耐摩耗性を評価した。また、併せて、耐熱性についても確認した。なお、参考例として、ＪＡＳＯ
ＤＬ-1規格相当油となるように、添加剤として金属系清浄剤とＺｎＤＴＰを配合した例も示した。
潤滑油組成物の調製に用いた各成分の詳細は、以下の通りである。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月20日(2010.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
１１−ナイロン樹脂（Ａ）、グラフト共重合体（Ｂ）、不飽和カルボン酸変性共重合体（Ｃ）および共重合体（Ｄ）の混合順序ならびにその状態には何ら制限はなく、パウダー、ペレットなどの形態による、（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、および（Ｄ）成分の一括同時混合、特定の成分を予備混合した後残る成分を混合する方法が例示される。これらの溶融混合に際してはバンバリーミキサー、ロール、押出機等を用いることができる。
なお、混合に際し、必要に応じてポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、６−ナイロン、６６−ナイロン等の他のポリアミド、ポリ乳酸に代表される植物由来の熱可塑性樹脂などの他樹脂、さらには酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、帯電防止剤、滑剤、染料、顔料、可塑剤、難燃剤、離型剤、ガラス繊維、金属繊維、炭素繊維、金属フレーク等の公知の添加剤、補強材、充填材等を配合することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
＜１１−ナイロン樹脂（Ａ）＞
アルケマ株式会社製  「Ｒｉｌｓａｎ  ＢＭＮ  Ｏ」
＜６−ナイロン樹脂＞
ユニチカ株式会社製  「ユニチカナイロン６  Ａ１０３０ＢＲＬ」