【手続補正書】
【提出日】平成22年4月13日(2010.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
四硼酸リチウム圧電基板の表面上に少なくとも１つのＩＤＴ電極を備えた弾性表面波デバイスであって、
前記圧電基板の裏面に前記ＩＤＴ電極によって励起される弾性表面波の伝搬方向に対し、傾斜角θを有する複数の溝を備え、
前記溝は、前記圧電基板の厚さＨの２９％よりも深く、
前記傾斜角θが３５°≦θ≦５５°の範囲内であり、
前記複数の溝のピッチｐは、前記圧電基板のＩＤＴ電極により励起される弾性表面波の
波長λの３６．８λ≦ｐ≦４４．２λの範囲内であることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項２】
前記溝の平均本数が４．３本以上、５．２本以下の範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項３】
前記弾性表面波デバイスの面積に対する前記溝の合計面積の比が０．２５以上、０．３０以下の範囲内であることを特徴とする請求項１又は２に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項４】
前記複数の溝を有する四硼酸リチウム圧電基板の凹部と凸部とを均した平均厚さが、０．３１１ｍｍ以上、０．３１８ｍｍ以下の範囲内であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項５】
四硼酸リチウム圧電基板の表面上に少なくとも１つのＩＤＴ電極を備えた弾性表面波デバイスであって、
前記圧電基板の裏面に前記ＩＤＴ電極によって励起される弾性表面波の伝搬方向に対し、傾斜角θを有する複数の溝を備え、
前記溝は、前記圧電基板の厚さＨの２９％よりも深く
前記傾斜角θが３５°≦θ≦５５°の範囲内であり、
前記複数の溝のピッチが前記四硼酸リチウム圧電基板の厚さＨの１．４３Ｈ以上、１．７１Ｈ以下の範囲内であることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】弾性表面波デバイス
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明に係る弾性表面波デバイスは、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
第１の形態は、四硼酸リチウム圧電基板の表面上に少なくとも１つのＩＤＴ電極を備えた弾性表面波デバイスであって、前記圧電基板の裏面に前記ＩＤＴ電極によって励起される弾性表面波の伝搬方向に対し、傾斜角θを有する複数の溝を備え、前記溝は、前記圧電基板の厚さＨの２９％よりも深く、前記傾斜角θが３５°≦θ≦５５°の範囲内であり、前記複数の溝のピッチｐは、前記圧電基板のＩＤＴ電極により励起される弾性表面波の波長λの３６．８λ≦ｐ≦４４．２λの範囲内であることを特徴とする弾性表面波デバイス。
第２の形態は、第１の形態においては、前記溝の平均本数が４．３本以上、５．２本以下の範囲内であることを特徴とする弾性表面波デバイス。
第３の形態は、第１又は２の形態においては、前記弾性表面波デバイスの面積に対する前記溝の合計面積の比が０．２５以上、０．３０以下の範囲内であることを特徴とする弾性表面波デバイス。
第４の形態は、第１乃至３の何れか一の形態においては、前記複数の溝を有する四硼酸リチウム圧電基板の凹部と凸部とを均した平均厚さが、０．３１１ｍｍ以上、０．３１８ｍｍ以下の範囲内であることを特徴とする弾性表面波デバイス。
第５の形態は、四硼酸リチウム圧電基板の表面上に少なくとも１つのＩＤＴ電極を備えた弾性表面波デバイスであって、前記圧電基板の裏面に前記ＩＤＴ電極によって励起される弾性表面波の伝搬方向に対し、傾斜角θを有する複数の溝を備え、前記溝は、前記圧電基板の厚さＨの２９％よりも深く前記傾斜角θが３５°≦θ≦５５°の範囲内であり、前記複数の溝のピッチが前記四硼酸リチウム圧電基板の厚さＨの１．４３Ｈ以上、１．７１Ｈ以下の範囲内であることを特徴とする弾性表面波デバイス。
適用例１の弾性表面波デバイスは、圧電基板に四硼酸リチウムを用いた弾性表面波デバイスにおけるバルク波に
よるスプリアスを抑圧するため、四硼酸リチウム圧電基板の表面上に少なくとも１つのＩ
ＤＴ電極を備えた弾性表面波デバイスであって、前記圧電基板の裏面に前記ＩＤＴ電極に
よって励起される弾性表面波の伝搬方向に対し、傾斜角θを有する複数の溝を備え、前記
溝は前記圧電基板の厚さＨの２９％より深くして弾性表面波デバイスを構成する。
以上のように弾性表面波デバイスを構成すると、共振周波数より高周波側に発生する、
バルク波に起因するスプリアスを抑圧することができるという効果がある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
適用例２の弾性表面波デバイスは、前記溝の傾斜角θは、０°＜θ＜９０°の範囲内であるが、好ましくは３５°＜θ＜５５°の範囲とした弾性表面波デバイスを構成する。
以上のように溝の傾斜角θをより限定して弾性表面波デバイスを構成すると、共振周波数より高周波側に発生する、バルク波に起因するスプリアスを大きく抑圧することができるという効果がある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
適用例３の弾性表面波デバイスは、前記溝のピッチｐは、前記圧電基板のＩＤＴ電極により励起される弾性表面波の波長λの３６．８λ≦ｐ≦４４．２λの範囲内とした弾性表面波デバイスを構成する。
このようにＩＤＴ電極により励起される弾性表面波の波長λに対し溝のピッチｐを限定した弾性表面波デバイスを構成すると、共振周波数より高周波側に発生する、バルク波に起因するスプリアスを大きく抑圧することができるという効果がある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
適用例４の弾性表面波デバイスは、前記弾性表面波デバイス１チップ当たりの前記溝の平均本数が４．３本以上、５．２本以下の範囲内とした弾性表面波デバイスを構成する。
このように１チップ当たりの溝の平均本数を限定した弾性表面波デバイスを構成すると、共振周波数より高周波側に発生する、バルク波に起因するスプリアスを大きく抑圧することができるという効果がある。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
適用例５の弾性表面波デバイスは、前記弾性表面波デバイス１チップの面積に対する前記溝の合計面積の比が０．２５以上、０．３０以下の範囲内とした弾性表面波デバイスを構成する。
このようにチップの面積に対し溝の合計面積を限定した弾性表面波デバイスを構成すると、共振周波数より高周波側に発生する、バルク波に起因するスプリアスを大きく抑圧することができるという効果がある。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
適用例６の弾性表面波デバイスは、前記複数の溝を有する四硼酸リチウム圧電基板の凹部と凸部とを均した平均厚さを用い、該平均厚さが０．３１１ｍｍ以上、０．３１８ｍｍ以下の範囲内とした弾性表面波デバイスを構成する。
このように圧電基板の平均厚さを限定した弾性表面波デバイスを構成すると、共振周波数より高周波側に発生する、バルク波に起因するスプリアスを大きく抑圧することができるという効果がある。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
適用例７の弾性表面波デバイスは、前記複数の溝のピッチが四硼酸リチウム圧電基板の厚さＨの１．４３Ｈ以上、１．７１Ｈ以下の範囲内とした弾性表面波デバイスを構成する。
このように圧電基板の厚さに対し溝のピッチを限定した弾性表面波デバイスを構成すると、共振周波数より高周波側に発生する、バルク波に起因するスプリアスを大きく抑圧することができるという効果がある。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
適用例８の弾性表面波デバイスは、上記弾性表面波デバイスをトランスバーサル型ＳＡＷフィルタ素子として構成する。
このようにトランスバーサル型ＳＡＷフィルタ素子を構成すると、通過域外高周波側に生ずる、バルク波に起因するスプリアスを、周波数領域ｆ０＋３０ＭＨｚ〜ｆ０＋５０ＭＨｚにおいて、３７ｄＢ〜３８ｄＢと大きく抑圧することができるという効果がある。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
適用例９の弾性表面波デバイスは、記溝をダイシングマシンによる等ピッチの切削加工により形成する。
溝のピッチを等ピッチとすることで、ダイシングマシンを一度設定すればよく、溝加工
が容易となり、溝加工工数が大幅に短縮されるという効果がある。