Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月12日(2009.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２０】
上記基材を成形する工程が、予め高エネルギー線を照射した上記メチレン基を有する高分子材料を、上記基材の形状に加工する工程であることを特徴とする請求項１７乃至１９のいずれか１項に記載の摺動部材の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
これに対して、特許文献５では、ＵＨＭＷＰＥ基材の表面にホスホリルコリン基を有する高分子鎖をグラフト結合することにより、ホスホリルコリン基を有する高分子鎖とＵＨＭＷＰＥ表面との間の結合力を高めることに成功した。これにより、過酷な摩擦摩耗環境下にあっても剥離しない耐摩耗性皮膜を、ＵＨＭＷＰＥの摺動面に形成した関節摺動部材が得られた。しかしながら、関節摺動部材が長期間にわたって耐摩耗性を維持できるかどうかは十分に確認されていない。例えば、特許文献５では、得られた関節摺動部材の摺動面にステンレス製の鋼球体を負荷状態で接触させて、回転サイクル３００万回までの耐摩耗性の加速試験を行っているが、これは３年の使用に相当し、人工関節に求められる長期間（例えば５年以上）にわたって使用したときの耐摩耗性を知ることはできない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
そこで、本発明では、臼蓋カップ１０の耐久性について、高分子膜３０の膜厚との関係を調べた。その結果、高分子膜３０の膜厚が１０〜２００ｎｍであると、優れた耐摩耗性を示すことがわった。膜厚が１０ｎｍ未満であると、耐摩耗性が不足して短期間で耐久性が劣化するので好ましくない。また、膜厚が２００ｎｍより厚いと、高分子膜３０の均質性が低下する傾向がみられ、部分的に皮膜が薄い又は皮膜がない部分が生じて、その部分から高分子膜３０が剥離し又は臼蓋カップ１０が摩耗して、耐摩耗性が低下するので好ましくない。高分子膜３０の特に好ましい膜厚は、３０〜１００ｎｍである。
臼蓋カップ１０の耐久性が高まると、長期間にわたって摩耗粉の発生を抑えることができるので、ルーズニングが抑制される。よって、再置換の回数の少ない又は不要な人工関節を提供することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、本発明では、臼蓋カップ１０の耐久性を延ばすために、高分子膜３０の密度にも着目した。本発明において高分子膜の「密度」とは、厳密には単位面積当たりに存在するＭＰＣポリマーの量であるが、ＭＰＣポリマーの膜厚が十分に薄い場合には、単位面積当たりのＭＰＣポリマーの密集度の指標として使用できる。よって、密度が高いほど、臼蓋カップの摺動面上にＭＰＣポリマーが密集して存在していると見なすことができる。
本発明では、高分子膜３０の密度を規定する単位として、「リン酸指数」という新たな概念を導入し、耐久性と高分子膜の密度とを定量的に規定した。
ここで「リン酸指数」とは、フーリエ変換赤外線分光（ＦＴ−ＩＲ）分析のスペクトルにおいて、メチレン基の吸収である１４６０ｃｍ−１のピーク強度Ｉメチレンに対するリン酸基の吸収である１０８０ｃｍ−１のピーク強度Ｉリン酸の強度比、つまりＩリン酸／Ｉメチレンと定義する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
さらに、ＵＨＭＷＰＥを架橋処理したＣＬＰＥは、ＵＨＭＷＰＥよりもさらに機械的特性に優れているので、臼蓋カップ１０のカップ基材１２に好ましく利用することができる。ＣＬＰＥ製のカップ基材１２は、ＵＨＭＷＰＥに、例えばＸ線照射、ガンマ線照射又は電子線照射等の高エネルギー線を照射して架橋処理した後に、カップ状に形成することにより得ることができる。ＣＬＰＥの架橋処理は、高エネルギー線の代わりに架橋剤を用いて行うこともできるが、人工関節等の生体材料に用いた場合に、架橋剤の生体安全性が不確実な場合には用いることができない。これに比べて、高エネルギー線による架橋処理は、ＵＨＭＷＰＥの生体安全性を損なうことなく架橋処理を行うことができるので好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
このようなラジカル含有のＣＬＰＥ製カップ基材１２を得るには、カップ基材１２を成形する工程の前に、予め高エネルギー線を照射したメチレン基を有する高分子材料を調製する工程を行うとよい。この高分子材料を調製する工程とは、メチレン基を有する高分子材料にガンマ線を照射する過程と、ガンマ線を照射した高分子材料を、その融点以下の温度で熱処理する過程とを含んでいる。ＵＨＭＷＰＥ製のカップ基材１２に高エネルギー線を照射して大量のフリーラジカルを発生させ、次いで融点以下で熱処理することにより、フリーラジカルの大部分をＣ−Ｃ再結合や架橋結合に消費し、一部をカップ基材１２中に残すことができる。熱処理する過程の処理温度を融点以上にすると、ほぼ全てのフリーラジカルが消費されてしまうので好ましくない。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2008148850.tif 000001
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2008148850.tif 000002
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2008148850.tif 000003
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
2008148850.tif 000004
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
2008148850.tif 000005
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１６】
2008148850.tif 000006
【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１７】
2008148850.tif 000007
【手続補正１４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１８】
2008148850.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月3日(2009.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
打ち込まれた遊技球が流下可能な遊技領域を有する遊技盤と、
所定の演出画像が表示される演出画像表示装置と、
遊技球の通過または受け入れが可能に開放されている開放口と、
前記遊技領域に設けられ、遊技球を受け入れ可能な受入口と、
前記受入口の近傍に設けられ、当該受入口への遊技球の受け入れが不可能な拒球態様と、当該受入口への遊技球の受け入れが可能な許球態様と、の間で変位しうる可動部材と、
前記遊技領域に設けられ、遊技球の受け入れが不可能な閉鎖態様と遊技球の受け入れが可能な開放態様との間で変位可能な開閉装置と、
遊技球を用いた機械的な抽選処理が行われる機械的抽選装置と、
前記開閉装置から受け入れた遊技球を前記機械的抽選装置に案内しうる案内装置と、
前記機械的な抽選処理に当選したことに応じて遊技者に有利な特別遊技を行う特別遊技実行手段を少なくとも有する遊技制御手段と、
を備える遊技機であって、
前記遊技制御手段は、
前記開放口への遊技球の通過または受け入れがあった旨を検出する開放口検出手段、
前記開放口検出手段による遊技球の検出に基づいて、外れおよび当たりを少なくとも抽選結果に含む内部的な第１の抽選処理を行う第１内部抽選手段、
前記内部的な第１の抽選処理の結果を、二つの図柄の組み合わせにより前記演出画像表示装置に導出する第１内部抽選処理結果導出手段、
常には前記拒球態様に維持される前記可動部材を、特定の条件に応じて前記許球態様に変位させる可動制御手段、
前記受入口への遊技球の受け入れを検出する受入口検出手段、
前記受入口検出手段による前記受入口への遊技球の受入検出に基づいて、特定の当たりを含む複数の当たりを少なくとも抽選結果に含む内部的な第２の抽選処理を行う第２内部抽選手段、
前記演出画像表示装置にて表示される前記内部的な第２の抽選処理にかかる演出画像として複数の演出画像を少なくとも記憶する演出画像記憶手段、
前記受入口検出手段による前記受入口への遊技球の受入検出に基づいて行われる前記内部的な第２の抽選処理に当選したことに応じて、前記演出画像記憶手段に記憶される前記複数の演出画像のなかから任意の演出画像に偏ることなくいずれかに選択決定する演出画像選択決定手段、
前記二つの図柄の組み合わせに代えて前記演出画像選択決定手段により選択決定された演出画像が前記演出画像表示装置にて表示されるように表示制御する演出画像表示制御手段、
常には前記閉鎖態様に維持される前記開閉装置を、前記演出画像が表示されたのちに前記開放態様となるように変位させうると共に、当該開放態様から再び前記閉鎖態様に変位させうる開閉制御手段、および
前記開閉装置から受け入れた遊技球が前記機械的抽選装置に案内されうるように、前記案内装置の作動を制御する案内制御手段、
を有しており、
前記特定の条件としての前記内部的な第１の抽選処理の結果が当たりであることに基づいて前記可動制御手段により前記可動部材を前記許球態様に変位させると共に、前記内部的な第２の抽選処理の結果としての当たりが前記特定の当たりであることに基づいて前記開閉制御手段により前記開閉装置を前記開放態様に変位させることによって、前記特別遊技が実行されるまでの過程を段階的に構成する
ことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記案内装置は、前記開閉装置から受け入れた遊技球のうち１球のみを、前記開閉装置が前記開放態様に変位してから一定時間経過後に前記機械的抽選装置に案内すると共に、
前記機械的抽選装置は、一定の時間毎におとずれる当選タイミングとしての特定時間内に前記１球の遊技球が案内されたときに当選となるように前記機械的な抽選処理を行うものであり、
前記複数の演出画像は、前記１球の遊技球が前記機械的抽選装置に案内されるタイミングを異ならせるべく、それぞれの演出時間が所定時間ずつ異なっており、
前記１球の遊技球が前記特定時間内に前記機械的抽選装置に案内されうる演出画像を当選演出画像としたとき、
前記一定の時間の整数倍が前記複数の演出画像の数と前記所定時間とを乗じた値に相当すると共に、前記特定時間の前記整数倍が前記当選演出画像の数と前記所定時間とを乗じた値に相当することによって、前記受入口への遊技球の受け入れタイミングに拘らず、前記複数の演出画像に対する前記当選演出画像の比率と、前記一定の時間に対する前記特定時間の比率と、がほぼ同じになるように構成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】
前記内部的な第１の抽選処理の結果には、前記内部的な第２の抽選処理が行われうる第１当たり、および、当該第１当たりに当選した場合よりも積極的に前記内部的な第２の抽選処理が行われうる第２当たり、が少なくとも含まれると共に、
第１内部抽選処理結果導出手段は、
前記内部的な第１の抽選処理の結果が前記第２当たりであるときは、当該内部的な第１の抽選処理の結果が当たりである旨を示す態様で前記演出画像表示装置に導出する一方、
前記内部的な第１の抽選処理の結果が前記第１当たりであるときは、前記可動制御手段によって前記可動部材を前記許球態様に変位させるにも拘らず、当該内部的な第１の抽選処理の結果が当たりである旨を示す態様で前記演出画像表示装置に導出しない
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月2日(2009.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技球が流下する遊技領域が前面に形成された遊技盤と、
前記遊技領域に入賞口を形成するように前記遊技盤に配置された入賞装置と、
前記入賞装置を制御する制御基板が収容された基板ユニットと、
前記基板ユニット及び前記入賞装置の配線を中継する中継基板と、
前記中継基板が取付けられる取付部を有する台座と、
を備えた遊技機であって、
前記中継基板が取付けられた前記台座の交換を許容しつつ、前記遊技盤裏面側の構成配置を変化させずに不正基板などが配設される行為を抑制することを特徴とする遊技機。
【請求項２】
遊技球が流下する遊技領域が前面に形成された遊技盤と、
前記遊技領域に入賞口を形成するように前記遊技盤に配置された入賞装置と、
前記入賞装置を制御する制御基板が収容された基板ユニットと、
前記基板ユニット及び前記入賞装置の配線を中継する中継基板と、
前記中継基板が取付けられる取付部を有する台座と、
前記台座の周囲を囲いつつ、前記遊技盤及び前記基板ユニットの間の空間を区画するスペーサと、
を備えた遊技機であって、
前記中継基板は、封止部材によって前記取付部に固定されることで封止状態とされ、封止された状態の前記中継基板及び前記取付部に対して所定の封止解除操作をするとその解除痕跡が残るように構成され、
前記台座は、前記遊技盤側に対し着脱可能に取付けられていることを特徴とする遊技機。
【請求項３】
前記取付部が、前記中継基板の外側面に沿って該中継基板を囲う壁体を有する請求項１又は２に記載の遊技機。
【請求項４】
前記取付部が矩形状の上面開口の箱状体に形成され、該箱状体の長辺側の二つの壁体の少なくとも一つの位置に、前記中継基板の表面を抑える押さえ部が内側に向けて延設され、且つ、少なくとも一つの該押さえ部に対応する位置の中継基板にコネクタが近接して配置されている請求項１、２又は３に記載の遊技機。
【請求項５】
前記取付部を遊技盤に対して、一旦封止が行われた後は解除痕跡を残すことなく封止解除が不能な封止部材により封止してある請求項１〜４のいずれか一項に記載の遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月4日(2009.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ケース及び第２ケースを有して内部に制御基板が設けられた基板ユニットであって、前記第１ケース側に設けられる第１封止部と、前記第２ケース側に設けられる第２封止部と、前記第１封止部と前記第２封止部とを連結する第１の封止部材とを有し、前記封止部材によって前記第１封止部と第２封止部とが連結されている場合に前記制御基板を取り出すときには基板ユニットを破壊するか或いは所定の部位を切断することを必要とする基板ユニットを備え、前記第１ケースに、前記制御基板に接続されるコネクタのための接続用窓部が設けられた遊技機において、
前記コネクタの配線を外部に導出する状態で前記第１ケースの前記接続用窓部を覆うように設けられた接続部カバーと、
前記接続部カバーに設けられた第３封止部と、
前記第３封止部に対応する第４封止部と、
前記接続部カバーが前記接続用窓部を覆う閉状態において、前記第３封止部と前記第４封止部とを連結する第２の封止部材と、を備え、
前記第２の封止部材によって前記第３封止部と前記第４封止部とが連結されている場合に前記接続部カバーを開くときには該接続部カバーを破壊するか或いは所定の部位を切断することを必要とするように構成してある、
ことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記第４封止部を前記第２ケース、前記基板ユニットの取付台又は前記第１ケースに設けてある請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】
前記接続部カバーの一側部に、該接続部カバーの長手方向に沿う軸心を持つ支軸が設けられ、前記第１ケースに対して回動可能に枢着され、前記接続用窓部を開閉できるように構成されている請求項１又は２に記載の遊技機。
【請求項４】
前記接続用窓部を密着状態で覆い、少なくとも一つのコネクタ用開口部を有する第３ケースを、前記第１ケースの内側から着脱自在に取り付け得るように構成し、
前記第３ケースのうち、前記接続用窓部を覆う本体部の周辺部の一部に、前記窓部壁体の内側面に沿って設けられる内側壁体を立設させ、該内側壁体に複数の軸支持用板部を突設し、該軸支持用板部に対応させて前記窓部壁体に、該軸支持用板部を挿通するスリットが夫々設け、前記軸支持用板部が前記軸受鈎部の鈎形を閉じて軸受けを形成するように構成してある請求項１、２又は３に記載の遊技機。
【請求項５】
前記第１ケースの内側面に、前記第３ケースの内側壁体の上端部と嵌合する溝が設けられた請求項１〜４のいずれか一項に記載の遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月2日(2009.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１流入規制状態と前記第１流入規制状態より遊技媒体の流入規制が緩い第２流入規制状態との間を相互に移行自在であり、前記第１流入規制状態と前記第２流入規制状態との相違により所定の領域への前記遊技媒体の流入を規制する媒体流入規制手段と、
前記媒体流入規制手段の流入規制状態を前記第１流入規制状態と前記第２流入規制状態との間で移行させる規制変更手段と、
遊技進行の包括的な制御を行う遊技進行制御手段と、
前記遊技進行制御手段による遊技進行の制御に基づいて、前記規制変更手段の駆動を制御する規制制御手段と、
を含む遊技機であって、
前記規制変更手段を制御する電流の過渡応答に基づいて前記媒体流入規制手段における規制状態移行の異常を検知する規制異常検知手段と、
前記規制異常検知手段による前記規制状態移行の異常の検知に応じて、前記規制状態移行の異常の報知を制御する規制異常報知制御手段と、
を更に含むことを特徴とする遊技を更に含むことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記規制変更手段が、前記媒体流入規制手段の流入規制状態の移行と連動する磁性部と、前記磁性部を移動させる応力を発生するソレノイドコイルとを含み、
前記規制制御手段が、前記ソレノイドコイルへの電流の供給を制御し、
前記電流の過渡応答が、前記ソレノイドコイルに流れる電流の過渡応答である請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】
前記規制異常検知手段が、前記電流の過渡応答を前記電流の過渡応答と定性的に同一な電圧の過渡応答に変換して、前記電圧の過渡応答に基づいて前記媒体流入規制手段の前記規制状態移行の異常を検知する請求項２に記載の遊技機。
【請求項４】
前記規制異常検知手段が、
前記規制制御手段に基づく前記ソレノイドコイルの励磁開始からの時間が所定の判定時間を経過したことを検知する規定時間経過検知手段と、
前記ソレノイドコイルに流れる前記電流の過渡応答を前記電圧の過渡応答に変換する過渡応答変換手段と、
所定の断線検知閾電圧を生成する断線検知閾電圧生成手段と、
前記規定時間経過検知手段による前記所定の判定時間の経過の検知に応じて、前記過渡応答変換手段による監視電圧が前記所定の断線検知閾電圧未満である場合に断線異常であると判定する断線判定手段と、
を含み、
前記規制異常報知制御手段が、前記断線判定手段による断線異常の判定に応じて前記断線異常の報知を制御し、
前記所定の判定時間が、前記媒体流入規制手段の初期の正常な駆動に対する前記ソレノイドコイルの励磁開始から前記ソレノイドコイルの励磁が完了するまでの時間未満であり、
前記媒体流入規制手段の初期の正常な駆動に対する前記ソレノイドコイルの励磁開始からの時間が前記所定の判定時間を経過した場合の電圧を正常電圧とし、かつ前記媒体流入規制手段の初期の正常な駆動において前記ソレノイドコイルの励磁が完了した場合の電圧を定常電圧として、前記所定の断線検知閾電圧が、前記正常電圧以上であり前記定常電圧以下である請求項２又は３に記載の遊技機。
【請求項５】
前記規制異常検知手段が、
前記ソレノイドコイルに流れる前記電流の過渡応答を監視電圧の過渡応答に変換する過渡応答変換手段と、
前記過渡応答変換手段により監視される前記監視電圧のアナログ情報を前記監視電圧に対応するデジタル情報である監視電圧情報に変換する情報形式変換手段と、
所定の断線検知閾電圧に対応する断線検知閾電圧情報を保持する断線検知閾電圧情報保持手段と、前記規制変更手段による前記ソレノイドコイルの駆動開始からの駆動時間が規定時間を経過したことを検知する規定時間経過検知手段と、
前記駆動時間が前記規定時間を経過したことの検知に応じて、前記情報形式変換手段からの前記監視電圧情報と前記断線検知閾電圧情報保持手段に保持された前記断線検知閾電圧情報とに基づいて、前記監視電圧が前記断線検知閾電圧未満である場合に前記媒体流入規制手段の前記状態移行が異常であると判定する断線判定手段と、
を含み、
前記規制異常報知制御手段が、前記断線判定手段による前記異常の判定に応じて断線報知信号を生成して異常の報知を制御し、
前記断線検知閾電圧情報が、前記規制変更手段による初期の正常な前記媒体流入規制手段の駆動において前記駆動時間が前記規定時間を経過した場合の監視電圧より小さい電圧に対応する情報である請求項２又は３に記載の遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月16日(2009.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
島設備に設置される遊技機本体と、
遊技球が打ち込まれる遊技領域に設けられ、該遊技領域の下端部まで流下した遊技球を当該遊技領域から排出するアウト口と、
前記遊技領域のうちの前記アウト口よりも上側に設けられ、遊技球を受け入れ困難な閉状態と当該閉状態よりも遊技球を受け入れ容易な開状態との間で開閉動作可能な開閉装置と、
前記遊技領域のうちの前記アウト口よりも上側に設けられ、遊技球を受け入れ可能な始動口と、
前記始動口への遊技球の入球があったか否かの判断を行う始動判断手段と、
前記始動判断手段により前記始動口への遊技球の入球があった旨判断されることに基づいて大当たりについての抽選処理を行う抽選手段と、
前記抽選手段による抽選処理の結果、前記大当たりが当選されたとき、前記開閉装置が開閉動作される特別遊技を実行する特別遊技実行手段と、
前記遊技領域を有し、前記遊技機本体の下端部近傍の領域にてその横方向のいずれか一方に偏倚するように収められる簡易遊技盤と、
前記遊技機本体の下端部近傍の領域にてその横方向のいずれか一方に偏倚するように収められる前記簡易遊技盤に対して前記遊技機本体の横方向に並ぶように配設されて、前記簡易遊技盤の遊技領域に遊技球を発射する横側打出装置と、
前記遊技機本体の下端部近傍の領域にてその横方向のいずれか一方に偏倚するように収められる前記簡易遊技盤に対して前記遊技機本体の高さ方向に並ぶように配設されて、前記抽選手段による抽選処理の結果状況を遊技者に示唆する演出装置と、を備える
ことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記始動口は、当該始動口への遊技球の受け入れが容易となるように動作可能な可動片を有するものである
請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】
前記演出装置は、前記抽選手段による抽選処理の結果が遊技者に示唆されるように特定の図柄が表示される表示領域を有するものである
請求項１または２に記載の遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月15日(2010.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外装ケース内に、収納容器内に複数の燃料電池セルを収納してなる燃料電池モジュールと、該燃料電池モジュールを動作させるための補機とを有し、前記外装ケース内に設けられた仕切部材により前記燃料電池モジュールが収納されたモジュール収納室と前記補機が収納された補機収納室とに区画されてなる燃料電池装置であって、前記モジュール収納室を構成する前記外装ケースの上部に前記モジュール収納室内の空気を排気するための排気口を備えるとともに、前記燃料電池モジュールの底部周囲に、前記補機収納室内の空気を前記モジュール収納室内に供給するための空気流通孔を複数有してなることを特徴とする燃料電池装置。
【請求項２】
前記補機収納室に、前記空気流通孔を通して前記補機収納室内の空気を前記モジュール収納室内に供給するための空気ブロワを具備することを特徴とする請求項１に記載の燃料電池装置。
【請求項３】
前記燃料電池モジュールが前記仕切部材上に配置された台座部材上に配置されているとともに、前記空気流通孔が少なくとも前記台座部材に設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の燃料電池装置。
【請求項４】
前記空気流通孔が少なくとも前記仕切部材に設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のうちいずれかに記載の燃料電池装置。
【請求項５】
前記排気口が前記モジュール収納室を構成する前記外装ケースの１つの側壁に設けられ、前記空気流通孔が前記台座部材と前記仕切部材とにそれぞれ設けられているとともに、前記台座部材に設けられた前記空気流通孔の出口が前記排気口を有する前記外装ケースの側壁と隣り合うそれぞれの前記外装ケースの側壁と面して設けられているとともに、前記仕切部材に設けられた前記空気流通孔の出口が、前記排気口を有する側壁と対向して配置される前記外装ケースの側壁と前記燃料電池モジュールとの間に設けられていることを特徴とする請求項４に記載の燃料電池装置。
【請求項６】
前記排気口が前記モジュール収納室を構成する前記外装ケースの１つの側壁に設けられ、前記空気流通孔が前記台座部材と前記仕切部材とにそれぞれ設けられているとともに、前記台座部材に設けられた前記空気流通孔の出口が、前記排気口を有する側壁と対向して配置される前記外装ケースの側壁側に設けられていることを特徴とする請求項５に記載の燃料電池装置。
【請求項７】
前記補機収納室内の空気が、前記仕切部材内を流通した後、該仕切部材に設けられた前記空気流通孔から前記モジュール収納室内に供給されるとともに、前記仕切部材内を流通した空気の一部が、前記台座部材内を流通した後、該台座部材に設けられた前記空気流通孔から前記モジュール収納室内に供給されることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の燃料電池装置。
【請求項８】
前記空気流通孔が、前記仕切部材のうち前記排気口を有する前記側壁と前記燃料電池モジュールとの間に設けられていることを特徴とする請求項５乃至請求項７のうちいずれかに記載の燃料電池装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の燃料電池装置は、外装ケース内に、収納容器内に複数の燃料電池セルを収納してなる燃料電池モジュールと、該燃料電池モジュールを動作させるための補機とを有し、前記外装ケース内に設けられた仕切部材により前記燃料電池モジュールが収納されたモジュール収納室と前記補機が収納された補機収納室とに区画されてなる燃料電池装置であって、前記モジュール収納室を構成する前記外装ケースの上部に前記モジュール収納室内の空気を排気するための排気口を備えるとともに、前記燃料電池モジュールの底部周囲に、前記補機収納室内の空気を前記モジュール収納室内に供給するための空気流通孔を複数有してなることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月21日(2010.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
磁気回路部１６にあって、偏向コイル２には抵抗器Ｒ５が直列に接続され、さらにこれに並列にダンピング抵抗器Ｒ６が並列接続されている。容量Ｃｃは偏向コイル２の浮遊容量である。ダンピング抵抗器Ｒ６は、偏向コイル２のインダクタンス成分と浮遊容量Ｃｃとで形成されるＬＣ共振回路による振動特性を抑制（ダンピング）するために挿入されているものである。上述のように電流増幅部１４から供給される駆動電流Ｉｄはこの磁気回路部１６に流れ、さらに入力バッファ部１０に負帰還されることになる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月13日(2010.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
再生するための線速度が複数可能な記録媒体に対し、駆動電流に高周波電流を変調して
半導体レーザを駆動し、出射したレーザ光を記録媒体に照射して再生する、記録媒体の再
生方法であって、
複数の線速度の内、一つの線速度を選択するステップ、および
レーザ光の光強度の最大瞬時光強度（Ｐｐ）と平均リードパワー（Ｐｒ）の比を光変調
率（Ｐｐ／Ｐｒ）としたときに、選択した線速度に応じて光変調率を変えるステップ、を
有し、
第１の線速度（Ｌｖ１）で再生するときの、レーザ光の平均リードパワーを第１の平均
リードパワー（Ｐｒ１）、前記光変調率を第１の光変調率（Ｍｏｄ１）とし、前記第１の
線速度の２倍以上である第２の線速度（Ｌｖ２）で再生するときの、レーザ光の平均リードパワーを第２の平均リードパワー（Ｐｒ２）、前記光変調率を第２の光変調率（Ｍｏｄ２）としたときに、
前記第２の平均リードパワー（Ｐｒ２）が前記第１の平均リードパワー（Ｐｒ１）より
大きく、前記第２の光変調率（Ｍｏｄ２）が前記第１の光変調率（Ｍｏｄ１）以下であり、
かつ、下記の式（１）
【数１】
2009224027.tif 000001
を満たすことを特徴とする記録媒体の再生方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月10日(2010.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板における第１の活性領域上に形成され、第１の金属含有導電膜を有する第１のゲート電極と、
前記半導体基板における第２の活性領域上に形成され、第２の金属含有導電膜を有する第２のゲート電極と、
前記第１の活性領域と前記第２の活性領域とを区画するように前記半導体基板に形成された素子分離領域とを備え、
前記第１の金属含有導電膜及び前記第２の金属含有導電膜はそれぞれ前記素子分離領域上に互いに離間して形成されており、
前記第１の金属含有導電膜上から前記素子分離領域上を経て前記第２の金属含有導電膜の上まで、前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極のそれぞれの一部となる第３の金属含有導電膜が連続的に形成されており、
前記第３の金属含有導電膜上に、前記第１の金属含有導電膜の上方から前記素子分離領域の上方を経て前記第２の金属含有導電膜の上方まで、前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極のそれぞれの一部となるシリコン膜が連続して形成されており、
前記第３の金属含有導電膜は、前記第１の金属含有導電膜及び前記第２の金属含有導電膜のそれぞれと接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１のゲート電極はＮ型ＭＩＳトランジスタのゲート電極であり、
前記第２のゲート電極はＰ型ＭＩＳトランジスタのゲート電極であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置において、
前記第１の金属含有導電膜は、仕事関数が４．５５ｅＶ以下の材料からなり、
前記第２の金属含有導電膜は、仕事関数が４．６５ｅＶ以上の材料からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置において、
前記第１の金属含有導電膜は、Ｔａ化合物及びＨｆ化合物のうちの少なくとも１つを含む材料からなり、
前記第２の金属含有導電膜は、Ｔｉ化合物及びＲｕ化合物のうちの少なくとも１つを含む材料からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記第３の金属含有導電膜は、高融点金属含有材料からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記第１の活性領域と前記第１のゲート電極との間に形成された第１の高誘電率ゲート絶縁膜と、
前記第２の活性領域と前記第２のゲート電極との間に形成された第２の高誘電率ゲート絶縁膜とをさらに備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置において、
前記第１の高誘電率ゲート絶縁膜及び前記第２の高誘電率ゲート絶縁膜はそれぞれ前記素子分離領域上に互いに離間して形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体装置において、
前記第３の金属含有導電膜は、前記素子分離領域の上面と接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項６〜８のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記素子分離領域上において、前記第１の金属含有導電膜と前記第２の金属含有導電膜とは、少なくとも前記第２の高誘電率ゲート絶縁膜及び前記第２の金属含有導電膜の合計厚さ以上離間していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記シリコン膜の表面はシリサイド化されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記第３の金属含有導電膜は、前記素子分離領域上における前記第１の金属含有導電膜と前記第２の金属含有導電膜とに挟まれたスペース内に凹部が残るように形成されており、
前記シリコン膜は、前記凹部を埋めるように形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記第３の金属含有導電膜は、前記素子分離領域上における前記第１の金属含有導電膜と前記第２の金属含有導電膜とに挟まれたスペースを埋めるように形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
半導体基板における第１の活性領域と第２の活性領域とを区画するように、前記半導体基板に素子分離領域を形成する工程（ａ）と、
前記第１の活性領域上に、第１のゲート電極の一部となる第１の金属含有導電膜を形成する工程（ｂ）と、
前記第２の活性領域上に、第２のゲート電極の一部となる第２の金属含有導電膜を形成する工程（ｃ）と、
前記第１の金属含有導電膜上から前記素子分離領域上を経て前記第２の金属含有導電膜の上まで、前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極のそれぞれの一部となる第３の金属含有導電膜を前記第１の金属含有導電膜及び前記第２の金属含有導電膜のそれぞれと接するように連続的に形成する工程（ｄ）と、
前記工程（ｄ）よりも後に、前記第３の金属含有導電膜上に、前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極のそれぞれの一部となるシリコン膜を形成する工程（ｅ）とを備え、
前記工程（ｄ）において、前記第１の金属含有導電膜及び前記第２の金属含有導電膜はそれぞれ前記素子分離領域上に互いに離間して形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｅ）よりも後に、前記第１の金属含有導電膜、前記第２の金属含有導電膜、前記第３の金属含有導電膜及び前記シリコン膜をパターニングして、前記第１の活性領域上に前記第１の金属含有導電膜、前記第３の金属含有導電膜及び前記シリコン膜からなる前記第１のゲート電極を形成すると共に、前記第２の活性領域上に前記第２の金属含有導電膜、前記第３の金属含有導電膜及び前記シリコン膜からなる前記第２のゲート電極を形成する工程（ｆ）をさらに備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月25日(2010.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板用の基板テーブルと、
放射線ビームを基板に投影する投影装置と、
基板の温度、前記投影装置の温度、または、前記基板の温度及び前記投影装置の温度の両方を測定するセンサと、
前記投影装置と前記基板との間のスペースに液体を供給する液体供給装置であって、測定された温度に基づいて前記基板、前記液体、及び前記投影装置の最終部材の温度を実質的に共通の目標温度に調整する温度制御器を含む液体供給装置と、を備えることを特徴とするリトグラフ装置。
【請求項２】
前記温度制御器は、前記基板、前記液体、及び前記投影装置の最終部材の温度と、前記共通の目標温度との差を小さくするように前記液体の流量を調整する液体流速調整装置を含むことを特徴とする請求項１に記載のリトグラフ装置。
【請求項３】
前記温度制御器は、前記基板、前記液体、及び前記投影装置の最終部材の温度と、前記共通の目標温度との差を小さくするように前記液体の温度を調整する液体温度調整装置を含むことを特徴とする請求項１または２に記載のリトグラフ装置。
【請求項４】
前記温度制御器は、前記共通の目標温度に向けて収束させるＰＩＤ制御器を含むことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のリトグラフ装置。
【請求項５】
前記共通の目標温度は、所定の値に設定されることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のリトグラフ装置。
【請求項６】
投影装置を使用して、パターン化された放射線ビームを液体を通じて基板に投影し、
基板の温度、前記投影装置の温度、または、前記基板の温度及び前記投影装置の温度の両方を測定し、
測定された温度に基づいて前記基板、前記液体、及び前記投影装置の最終部材の温度を実質的に共通の目標温度に調整することを含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項７】
温度の調整は、前記基板、前記液体、及び前記投影装置の最終部材の温度と、前記共通の目標温度との差を小さくするように前記液体の流量を調整することを含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
温度の調整は、前記基板、前記液体、及び前記投影装置の最終部材の温度と、前記共通の目標温度との差を小さくするように前記液体の温度を調整することを含むことを特徴とする請求項６または７に記載の方法。
【請求項９】
温度の調整は、前記共通の目標温度に向けて収束させるＰＩＤ制御器を使用して実行されることを特徴とする請求項６から８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記共通の目標温度は、所定の値に設定されることを特徴とする請求項６から９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
基板用の基板テーブルと、
光学素子を備え、放射線ビームを基板に投影する投影装置と、
前記光学素子と前記基板との間のスペースに液体を供給する液体供給装置であって、前記光学素子の温度プロファイル、前記基板の温度プロファイル、または前記光学素子及び前記基板の両方の温度プロファイルを受け取り、受け取った温度プロファイルに基づいて前記光学素子、前記基板、及び前記液体の温度を実質的に共通の目標温度に調整する温度制御器を含む液体供給装置と、を備えることを特徴とするリトグラフ装置。
【請求項１２】
前記液体供給装置は液体温度調整装置を含み、前記温度制御器は前記光学素子、前記基板、及び前記液体の温度を調整するよう前記液体温度調整装置の動作を制御することを特徴とする請求項１１に記載のリトグラフ装置。
【請求項１３】
前記液体供給装置は液体流速調整装置を含み、前記温度制御器は前記光学素子、前記基板、及び前記液体の温度を調整するよう前記液体流速調整装置の動作を制御することを特徴とする請求項１１または１２に記載のリトグラフ装置。
【請求項１４】
前記温度制御器は、ＰＩＤ制御器を含むことを特徴とする請求項１１から１３のいずれかに記載のリトグラフ装置。
【請求項１５】
投影装置の光学素子と基板との間に液体を供給し、
前記投影装置を用いて、パターン化された放射線ビームを前記液体を通じて前記基板に投影し、
前記光学素子の温度プロファイル、前記基板の温度プロファイル、または前記光学素子及び前記基板の両方の温度プロファイルを測定し、
測定された温度プロファイルに基づいて前記光学素子、前記基板、及び前記液体の温度を実質的に共通の目標温度に調整することを含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項１６】
温度の調整は、前記光学素子、前記基板、及び前記液体の温度と、前記共通の目標温度との差を小さくするように前記液体の流量を調整することを含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
温度の調整は、前記光学素子、前記基板、及び前記液体の温度と、前記共通の目標温度との差を小さくするように前記液体の温度を調整することを含むことを特徴とする請求項１５または１６に記載の方法。
【請求項１８】
温度の調整は、前記共通の目標温度に向けて収束させるＰＩＤ制御器を使用して実行されることを特徴とする請求項１５から１７のいずれかに記載の方法。
【請求項１９】
前記受け取った温度プロファイルは、前記基板及び前記光学素子のうち一方または両方における複数位置での温度測定結果を反映していることを特徴とする請求項１１から１４のいずれかに記載のリトグラフ装置。
【請求項２０】
前記光学素子の温度プロファイル、前記基板の温度プロファイル、または前記光学素子及び前記基板の両方の温度プロファイルの測定は、前記光学素子、前記基板、または前記光学素子及び前記基板の両方の温度を、前記基板及び前記光学素子のうち一方または両方における複数位置で測定することを含むことを特徴とする請求項１５から１８のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月25日(2010.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
しかしながら、物体認識、顔認識を行うのに用いられる画像を撮影するための光学系には、少なからず光学収差が存在する。上記の従来の技術においては、画像に含まれる顔や物体の位置関係や形状に基づいて、顔認識や物体認識を行っているので、特に光学系に残存している歪曲収差が問題となる。この問題を解決するために、例えば、特開２００６−０９９５４１号公報（特許文献３）には、撮影画像から抽出する認識候補点（レーンマーキング候補点）に対して、その候補点の座標を収差補正した座標に変換する補正手段を有する、車線認識を行うための車載用画像処理装置が提案されている。
【特許文献１】特開平１−３１４３８５号公報
【特許文献２】特開平６−０４４３６５号公報
【特許文献３】特開２００６−０９９５４１号公報
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月23日(2010.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＲＦ回路のためのスイッチング回路において、
互いに逆極性となるように直列接続された一対のスイッチング素子と、
上記一対のスイッチング素子の中間に接続される少なくとも１つのキャパシタンス素子と、
上記一対のスイッチング素子の導通非導通を制御するバイアス電源と、
を備えることを特徴とするＲＦ回路のためのスイッチング回路。
【請求項２】
請求項１記載のＲＦ回路のためのスイッチング回路において、上記スイッチング素子は、ダイオードであることを特徴とするスイッチング回路。
【請求項３】
請求項２記載のＲＦ回路のためのスイッチング回路において、上記ダイオードは、Ｐｉｎダイオードであることを特徴とするスイッチング回路。
【請求項４】
被検体に高周波信号を送信し、被検体からの核磁気共鳴信号を受信する磁気共鳴イメージング装置用の高周波信号送受信切替回路において、
高周波送信部及び高周波受信部と高周波送受信コイルとの間の信号伝送路に、請求項１に記載のスイッチング回路を備え、高周波送信時には、上記一対のスイッチング素子が非導通となり、高周波受信時には、上記一対のスイッチング素子が導通となるように制御されることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置用の高周波信号送受信切替回路。
【請求項５】
請求項４記載の磁気共鳴イメージング装置用の高周波信号送受信切替回路において、上記一対のスイッチング素子はＰｉｎダイオードであることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置用の高周波信号送受信切替回路。
【請求項６】
請求項４又は５記載の高周波信号送受信切替回路を備えることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項７】
被検体に高周波信号を送信し、被検体からの核磁気共鳴信号を受信する磁気共鳴イメージング装置用の高周波信号送受信コイルにおいて、
高周波送受信用コイルと、
上記送受信用コイルに内蔵される直並列切替型共振回路とを備え、
上記直並列切替型共振回路は、
互いに直列に接続された第１のインダクタンス素子及び第１のキャパシタンス素子からなる第１の直列共振回路と、
互いに直列に接続された第２のインダクタンス素子及び第２のキャパシタンス素子からなる第２の直列共振回路と、
上記第１のインダクタンス素子と第２のキャパシタンス素子からなる第１の並列共振回路と、
上記第１のキャパシタンス素子と第２のインダクタンス素子からなる第２の並列共振回路と、
上記第１及び第２の直列共振回路を並列接続するか、上記第１及び第２の並列共振回路を直列接続するかを切り替えるスイッチング回路とを備え、
上記スイッチング回路は、互いに逆極性となるように直列接続された一対のスイッチング素子と、上記一対のスイッチング素子の中間に接続される少なくとも１つのキャパシタンス素子と、上記一対のスイッチング素子の導通非導通を制御するバイアス電源とからなり、高周波送信時には、上記スイッチング回路のスイッチング素子が非導通となり、高周波受信時には、上記スイッチング回路のスイッチング素子が導通となるように制御されることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置用の高周波信号送受信コイル。
【請求項８】
請求項７記載の磁気共鳴イメージング装置用の高周波信号送受信コイルにおいて、上記スイッチング回路のスイッチング素子は、Ｐｉｎダイオードであることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置用の高周波信号送受信コイル。
【請求項９】
請求項７又は８記載の高周波信号送受信コイルを備えることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＲＦ回路のためのスイッチング回路および磁気共鳴イメージング装置用の高周波信号送受信切替回路、磁気共鳴イメージング装置用の高周波信号送受信コイル、それを備える磁気共鳴イメージング装置
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月26日(2010.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項５の発明は、請求項１〜４の発明において、前記音声信号処理部は、前記移動音の周波数の変換を、前記移動オブジェクトが、前記聴取位置を通過したとき以後に行うことを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
以下、図５〜図８を参照して上記擬似ドップラー効果について説明する。
図５は、ゲームプログラム（発音イベント処理プログラム）が、ブレス３０１の飛翔音に対して付与する擬似ドップラー効果を説明する図である。この擬似ドップラー効果では、ブレス３０１がハンター２００の真横を通りすぎたときから、その飛翔音の周波数（ピッチ）を段階的に下げてゆくことによってドップラー効果に近似した聴感になるようにしている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
攻撃オブジェクトがハンター（主キャラクタ）の真横（Ｐ０）を通過するまで、すなわち、攻撃オブジェクトの進行方向の軸での投影距離が０になるまでは読み出した音声データをそのまま音響として出力する（Ｓ６でＮＯ）。攻撃オブジェクトがハンターの真横を通過した以後は（Ｓ６でＹＥＳ）、Ｓ７以下の擬似ドップラ効果の処理を行う。
ている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
Ｓ７では、通過距離を算出する。通過距離とは、図５におけるＰ０から現在の攻撃オブジェクトの位置Ｐ１までの距離である。なお、この通過距離は、ゲーム進行処理プログラムが算出して発音イベント処理プログラムに渡すようにしてもよい。この通過距離を用いてＳ２で取得したスケールテーブルを参照してその属する区間を割り出し（Ｓ８）、この区間を引数として周波数変換量テーブルから読み出した周波数変換量に基づいて、現在の音声データに掛ける周波数変換の値（セント値）を決定する（Ｓ９）。そしてこの値を音声処理プロセッサ１８に出力する（Ｓ１０）。音声処理プロセッサ１８は、ＣＰＵ１１から入力された音声データに対して、この周波数変換の値に従った周波数変換を行ってスピーカ等に出力する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月8日(2010.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静磁場を発生させる静磁場発生手段と、スライス方向と位相エンコード方向と周波数エンコード方向の傾斜磁場を与える傾斜磁場発生手段と、原子核スピンに核磁気共鳴を起こさせる高周波磁場パルスを照射する高周波磁場送信手段と、核磁気共鳴により放出されるエコー信号を検出するエコー信号受信手段と、前記エコー信号を用いて画像再構成演算を行う信号処理手段と、前記傾斜磁場発生手段と前記高周波磁場送信手段と前記エコー信号受信手段と前記信号処理手段との動作を制御する制御手段とを備える磁気共鳴イメージング装置において、
前記制御手段は、
第一の高周波磁場パルス照射時に被検体中を流れる流体の流れの方向（流れ方向）に第一のスライス傾斜磁場を印加し、
前記第一の高周波磁場パルス照射後の第二の高周波磁場パルス照射時に、前記流れ方向に直交する方向に第二のスライス傾斜磁場を印加し、
前記第二のスライス傾斜磁場により定まるスライスから、エコー信号を収集するよう前記傾斜磁場発生手段、前記高周波磁場送信手段および前記エコー信号受信手段の動作を制御すること
を特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項２】
請求項１記載の磁気共鳴イメージング装置であって、
前記第一の高周波磁場パルスは、９０度高周波磁場パルスであり、前記第二の高周波磁場パルスは、１８０度高周波磁場パルスであること
を特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の磁気共鳴イメージング装置であって、
前記制御手段は、複数のスライス面でエコー信号を収集すること
を特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項４】
請求項３記載の磁気共鳴イメージング装置であって、
前記複数のスライス面は、前記流れ方向に平行であって且つ互いに平行であること
を特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項５】
請求項３記載の磁気共鳴イメージング装置であって、
前記複数のスライス面は、前記流れ方向に平行であって且つ互いに角度を有すること
を特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項６】
請求項１または２記載の磁気共鳴イメージング装置であって、
前記流体が流れる被検体の生体信号を検出する生体信号検出手段をさらに備え、
前記制御手段は、前記生体信号検出手段で検出された信号に同期させて、前記傾斜磁場発生手段と前記高周波磁場送信手段と前記エコー信号受信手段と前記信号処理手段とを動作させること
を特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
具体的には、静磁場を発生させる静磁場発生手段と、スライス方向と位相エンコード方向と周波数エンコード方向の傾斜磁場を与える傾斜磁場発生手段と、原子核スピンに核磁気共鳴を起こさせる高周波磁場パルスを照射する高周波磁場送信手段と、核磁気共鳴により放出されるエコー信号を検出するエコー信号受信手段と、前記エコー信号を用いて画像再構成演算を行う信号処理手段と、前記傾斜磁場発生手段と前記高周波磁場送信手段と前記エコー信号受信手段と前記信号処理手段との動作を制御する制御手段とを備える磁気共鳴イメージング装置において、前記制御手段は、第一の高周波磁場パルス照射時に被検体中を流れる流体の流れの方向（流れ方向）に第一のスライス傾斜磁場を印加し、前記第一の高周波磁場パルス照射後の第二の高周波磁場パルス照射時に、前記流れ方向に直交する方向に第二のスライス傾斜磁場を印加し、前記第二のスライス傾斜磁場により定まるスライス面から、エコー信号を収集するよう前記傾斜磁場発生手段、前記高周波磁場送信手段および前記エコー信号受信手段の動作を制御することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置を提供する。