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【手続補正書】
【提出日】平成21年11月20日(2009.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
接着シートが貼付された被着体を支持する支持手段と、前記接着シートに剥離用テープを貼付するテープ貼付手段と、前記剥離用テープを引っ張る引張手段と、前記支持手段と引張手段との間に位置して前記接着シートの折り曲げ縁を形成する剥離補助手段とを備えたシート剥離装置において、
前記剥離補助手段は、前記接着シート上に位置するガイド部材と、このガイド部材の外周側に設けられるとともに、前記接着シートの剥離動作に追従して回行するエンドレス部材とを備えていることを特徴とするシート剥離装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
前記目的を達成するため、本発明は、接着シートが貼付された被着体を支持する支持手段と、前記接着シートに剥離用テープを貼付するテープ貼付手段と、前記剥離用テープを引っ張る引張手段と、前記支持手段と引張手段との間に位置して前記接着シートの折り曲げ縁を形成する剥離補助手段とを備えたシート剥離装置において、
前記剥離補助手段は、前記接着シート上に位置するガイド部材と、このガイド部材の外周側に設けられるとともに、前記接着シートの剥離動作に追従して回行するエンドレス部材とを備える、という構成を採っている。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月7日(2010.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明支持体と、該透明支持体上に形成されたメッシュ状の導電性金属薄膜とを有する透光性電磁波シールド膜において、
前記導電性金属薄膜を構成するメッシュラインの交差部に、モアレ抑止部が形成され、
前記交差部の面積をＳａ、前記モアレ抑止部の面積をＳｂとしたとき、
Ｓａ×０．０１＜Ｓｂ＜Ｓａ×５．００
であることを特徴とする透光性電磁波シールド膜。
【請求項２】
請求項１記載の透光性電磁波シールド膜において、
Ｓａ×０．９０＜Ｓｂ＜Ｓａ×１．１０
であることを特徴とする透光性電磁波シールド膜。
【請求項３】
請求項１又は２記載の透光性電磁波シールド膜において、
前記モアレ抑止部は、
第１メッシュラインの一方の側面と、第２メッシュラインの一方の側面との間に形成された第１抑止部と、
前記第１メッシュラインの一方の側面と、前記第２メッシュラインの他方の側面との間に形成された第２抑止部と、
前記第１メッシュラインの他方の側面と、前記第２メッシュラインの一方の側面との間に形成された第３抑止部と、
前記第１メッシュラインの他方の側面と、前記第２メッシュラインの他方の側面との間に形成された第４抑止部とを有することを特徴とする透光性電磁波シールド膜。
【請求項４】
請求項３記載の透光性電磁波シールド膜において、
前記第１抑止部、前記第２抑止部、前記第３抑止部、前記第４抑止部の各面積をＳｂ１、Ｓｂ２、Ｓｂ３、Ｓｂ４としたとき、
Ｓｂ＝Ｓｂ１＋Ｓｂ２＋Ｓｂ３＋Ｓｂ４
であることを特徴とする透光性電磁波シールド膜。
【請求項５】
請求項３又は４記載の透光性電磁波シールド膜において、
前記第１メッシュライン及び前記第２メッシュラインの線幅が５〜４０μｍであることを特徴とする透光性電磁波シールド膜。
【請求項６】
請求項５記載の透光性電磁波シールド膜において、
前記第１メッシュライン及び前記第２メッシュラインの線幅が１１〜２０μｍであることを特徴とする透光性電磁波シールド膜。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の透光性電磁波シールド膜において、
前記導電性金属薄膜が、前記透明支持体上に設けられた銀塩感光層を露光して現像することによって形成された金属銀部を有することを特徴とする透光性電磁波シールド膜。
【請求項８】
請求項７記載の透光性電磁波シールド膜において、
前記金属銀部は、ハロゲン化銀を現像して形成された現像銀からなることを特徴とする透光性電磁波シールド膜。
【請求項９】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の透光性電磁波シールド膜において、
前記導電性金属薄膜が第１導電層と第２導電層とを有し、
前記第１導電層が前記透明支持体上に設けられた銀塩感光層を露光して現像することによって形成された金属銀部であり、
前記第２導電層が前記金属銀部に導電性金属が担持されたものであることを特徴とする透光性電磁波シールド膜。
【請求項１０】
請求項７〜９のいずれか１項に記載の透光性電磁波シールド膜において、
前記銀塩感光層に対する露光にて使用されるマスクは、前記メッシュラインの交差部にモアレ抑止部が形成されたパターンに対応したマスクパターンを有することを特徴とする透光性電磁波シールド膜。
【請求項１１】
請求項７〜９のいずれか１項に記載の透光性電磁波シールド膜において、
前記銀塩感光層に対するデジタル書込み露光によって、前記銀塩感光層に、メッシュラインの交差部にモアレ抑止部が形成されたパターンが露光されることを特徴とする透光性電磁波シールド膜。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の透光性電磁波シールド膜において、
赤外線遮蔽性、ハードコート性、反射防止性、防眩性、静電気防止性、防汚性、紫外線カット性、ガスバリア性、表示パネル破損防止性から選ばれる機能のうち、少なくとも１つを備えた機能性透明層を有することを特徴とする透光性電磁波シールド膜。
【請求項１３】
請求項１２記載の透光性電磁波シールド膜において、
赤外線遮蔽性を有することを特徴とする透光性電磁波シールド膜。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれかに記載の透光性電磁波シールド膜を備えたことを特徴とする光学フィルタ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月21日(2010.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データに含まれるオブジェクトの特徴を示すメタデータを外部のサーバと通信する撮像装置であって、
撮影画像データを当該外部のサーバに送信する送信手段と、
当該外部のサーバから当該送信された撮影画像データに対応する当該メタデータを取得可能な取得手段と、
当該取得手段がメタデータを取得した場合には、当該送信された撮影画像データに係る画像に当該取得されたメタデータをオーバーレイ表示するための表示信号を生成し、当該取得手段がメタデータを未取得の場合には、当該画像に当該メタデータの未取得を示す情報をオーバーレイ表示するための表示信号を生成する表示信号生成手段
とを具備することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
画像データに含まれるオブジェクトを説明するためのメタデータを検索可能な外部のサーバと通信する撮像装置であって、
撮影画像データを当該外部のサーバに送信する送信手段と、
当該外部のサーバから当該送信された撮影画像データに対する返信を受信する受信手段と、
当該受信された返信が当該送信された撮影画像データに対応する当該メタデータである場合には、当該送信された撮影画像データに係る画像に当該受信されたメタデータをオーバーレイ表示するための表示信号を生成し、当該受信された返信が当該メタデータの検索失敗を示すデータである場合には、当該撮影画像データに当該メタデータの未取得を示す情報をオーバーレイ表示するための表示信号を生成する表示信号生成手段
とを具備することを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記の目的を達成するために、本発明に係る撮像装置は、画像データに含まれるオブジェクトの特徴を示すメタデータを外部のサーバと通信する撮像装置であって、撮影画像データを当該外部のサーバに送信する送信手段と、当該外部のサーバから当該送信された撮影画像データに対応する当該メタデータを取得可能な取得手段と、当該取得手段がメタデータを取得した場合には、当該送信された撮影画像データに係る画像に当該取得されたメタデータをオーバーレイ表示するための表示信号を生成し、当該取得手段がメタデータを未取得の場合には、当該画像に当該メタデータの未取得を示す情報をオーバーレイ表示するための表示信号を生成する表示信号生成手段とを具備することを特徴とする。
本発明に係る撮像装置は、画像データに含まれるオブジェクトを説明するためのメタデータを検索可能な外部のサーバと通信する撮像装置であって、撮影画像データを当該外部のサーバに送信する送信手段と、当該外部のサーバから当該送信された撮影画像データに対する返信を受信する受信手段と、当該受信された返信が当該送信された撮影画像データに対応する当該メタデータである場合には、当該送信された撮影画像データに係る画像に当該受信されたメタデータをオーバーレイ表示するための表示信号を生成し、当該受信された返信が当該メタデータの検索失敗を示すデータである場合には、当該撮影画像データに当該メタデータの未取得を示す情報をオーバーレイ表示するための表示信号を生成する表示信号生成手段とを具備することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によれば、外部のサーバからのメタデータ取得状況を簡潔にユーザに知らせることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月11日(2010.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンテナ回路と、電力供給制御回路と、バッテリー部を有し、
前記電力供給制御回路は、前記アンテナ回路で受信した信号を整流する整流回路と、制御回路と、スイッチ回路と、低周波信号発生回路と、電源回路を有し、
前記バッテリー部は、前記整流回路で整流された信号により充電されるバッテリー及び充電管理回路を有し、
前記充電管理回路は、前記バッテリーの充電量を管理する回路であり、
前記制御回路は、
前記アンテナ回路より供給される電力と、前記バッテリーから供給される電力とを比較して、前記スイッチ回路に供給する電力を選択する回路であり、
前記整流回路からの電力が前記バッテリーからの電力より小さいときは、前記バッテリーと前記スイッチ回路とを接続し、前記バッテリーからの電力が前記整流回路からの電力より小さいときは、前記バッテリーと前記スイッチ回路とを接続しない回路であり、
前記スイッチ回路は、前記低周波信号発生回路からの信号により、前記制御回路に選択された電力を、前記電源回路に出力することを制御する回路であることを特徴とする蓄電装置。
【請求項２】
請求項１において、前記バッテリーは、リチウム電池、リチウムポリマー電池、リチウムイオン電池、ニッケル水素電池、ニカド電池、有機ラジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニッケル亜鉛電池、銀亜鉛電池または、コンデンサーであることを特徴とする蓄電装置。
【請求項３】
請求項１において、前記バッテリーは、負極活物質層と、前記負極活物質層上の固体電解質層と、前記固体電解質層上の正極活物質層と、前記正極活物質層上の集電体薄膜とで構成されていることを特徴とする蓄電装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記アンテナ回路は、電磁誘導方式により無線信号を受信することを特徴とする蓄電装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記蓄電装置はブースターアンテナを有し、前記アンテナ回路は前記ブースターアンテナを介して前記バッテリーを充電するための信号を受信するものであることを特徴とする蓄電装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記アンテナ回路は、複数のアンテナを具備することを特徴とする蓄電装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、前記低周波信号発生回路は、生成されるクロック信号を分周することにより、前記スイッチ回路に出力する信号を生成する回路であることを特徴とする蓄電装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一に記載の蓄電装置を備えたことを特徴とする移動型電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月17日(2010.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
交流入力電流（ＡＣ，１〜３）を静電集塵器の負荷（１２）に供給すべき高電圧の直流（ＤＣ）又は交流（ＡＣ）に変換する高電圧ＡＣ−ＤＣ又はＡＣ−ＡＣコンバータから構成された前記静電集塵器であって、当該コンバータは、交流（ＡＣ）の入力電流を高周波交流（ＡＣ）電流に変換するユニット（２２）から構成され、少なくとも１つの変圧器（１０）が、この高周波交流（ＡＣ）電流を前記負荷（１２）の要求に適合し、共振タンクが、前記ユニット（２２）と前記変圧器（１０）との間に存在する静電集塵器において、
交流（ＡＣ）の入力電流を高周波交流（ＡＣ）電流に変換する少なくとも２つのユニット（２２）が、前記同じ変圧器（１０）に接続されていて、少なくとも２つのユニット（２２）が、前記同じ直列共振タンク（２３）に接続されていて、前記変圧器（１０）に接続されている少なくとも２つのユニット（２２) に共通する前記変圧器（１０) の１次巻線（１８) から離れている少なくとも１つの素子が存在し、この素子が、当該両ユニット（２２) と前記変圧器との結合時の共振周波数を決定し、この共通の素子は、好ましくは前記変圧器（１０）の前記１次巻線（１８）に接続されている少なくとも１つのコンデンサ（Ｃ′）であることを特徴とする静電集塵器。
【請求項２】
前記共振タンクは、前記変圧器（１０）の前記１次巻線（１８）の第１極に直列接続されている少なくとも１つの第１インダクタ（Ｌ１）及び少なくとも１つのコンデンサ（Ｃ′）から構成され、このコンデンサ（Ｃ′）は、前記インダクタ（Ｌ１）と前記変圧器（１０）の前記１次巻線（１８）との間に位置する請求項１に記載の静電集塵器。
【請求項３】
インダクタ（Ｌ２）が、少なくとも１つのユニット（２２）と前記変圧器（１０）の前記１次巻線（１８）の第２極との間に位置する請求項２に記載の静電集塵器。
【請求項４】
少なくとも２つのユニット（２２）の第１出力部がそれぞれ、個々の第１インダクタ（Ｌ１）に接続されていて、これらのユニット（２２) の第１インダクタ（Ｌ１）が、並列に接続されていて、これらの並列接続されているインダクタ（Ｌ１）は、１つの単一コンデンサ（Ｃ′）に接続されているか又は前記直列共振タンクに対して直列若しくは並列にあるコンデンサ群に接続されている請求項１〜３のいずれか１項に記載の静電集塵器。
【請求項５】
単一のコンデンサ（Ｃ′）又は直列若しくは並列にあるコンデンサ群が、前記変圧器（１０) の前記１次巻線（１８）の第１極に接続されている請求項４に記載の静電集塵器。
【請求項６】
少なくとも２つのユニット（２２）の第２出力部がそれぞれ、個々の第２インダクタ（Ｌ２）に接続されていて、これらの第２インダクタ（Ｌ２）はそれぞれ、並列に配置されていて、前記変圧器（１０) の前記１次巻線（１８) の第２極に接続されている請求項１〜５のいずれか１項に記載の静電集塵器。
【請求項７】
前記ユニット（２２) は、交流の入力電流を整流する少なくとも１つの整流器（６）及び生成された直流を高周波交流電流に変換する少なくとも１つのトランジスタブリッジ（８）から構成され、前記第１インダクタ（Ｌ１）及び前記第２インダクタ（Ｌ２）が、前記トランジスタブリッジ（８）のトランジスタ（１４，１５）の端子に接続されている請求項１〜６のいずれか１項に記載の静電集塵器。
【請求項８】
３相入力交流電流（１〜３）が、前記整流器（６）内で整流され、生成された直流が、２つの導線を有し、好ましくはフィルタ要素から構成されているＤＣリンク（７）を介して前記トランジスタブリッジ（８）に入力され、このフィルタ要素は、２つの導線間の少なくとも１つのコンデンサ（１３) 及びオプションでこれらの導線の少なくとも一方にある少なくとも１つのインダクタから構成され、前記トランジスタブリッジ（８）は、少なくとも４つの切り替え可能なトランジスタ（１４，１４′，１５，１５′）を有するＨブリッジである請求項７に記載の静電集塵器。
【請求項９】
前記変圧器（１０）は、高周波交流電流に変換し、この変圧器（１０）の２次巻線が、少なくとも１つの高電圧整流器（１１）に接続されている請求項１〜８のいずれか１項に記載の静電集塵器。
【請求項１０】
前記静電集塵器は、20kVより大きい出力に対して、好ましくは20〜 200kVの範囲内で及び／又は50kVより大きい出力ＤＣ電圧に対して、好ましくは50〜 150kVの範囲内で定格されている請求項１〜９のいずれか１項に記載の静電集塵器。
【請求項１１】
２つ以下のユニット（２２）が、１つの共通の共振タンク（２３）に接続されている請求項１〜１０のいずれか１項に記載の静電集塵器。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月24日(2010.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号送信機と、信号受信機と、上記信号送信機と信号受信機との間を接続する第１、第２及び第３の信号線からなる信号伝送路とを備えた多重差動伝送システムのための信号送信機において、
第１のビット情報信号に応答して、第１出力信号と、上記第１出力信号の位相反転信号である反転第１出力信号とを送信する第１の差動ドライバと、
第２のビット情報信号に応答して、第２出力信号と、上記第２出力信号の位相反転信号である反転第２出力信号とを送信する第２の差動ドライバと、
第３のビット情報信号に応答して、第３出力信号と、上記第３出力信号の位相反転信号である反転第３出力信号とを送信する第３の差動ドライバとを備え、
上記第１出力信号と上記反転第３出力信号とを合成して第１の信号線に送信し、上記第２出力信号と上記反転第１出力信号とを合成して第２の信号線に送信し、上記第３出力信号と上記反転第２出力信号とを合成して第３の信号線に送信し、
上記第３出力信号の２値信号電圧の絶対値は、上記第１出力信号の２値信号電圧の絶対値および上記第２出力信号の２値信号電圧の絶対値のいずれの絶対値よりも大きい、又はいずれの絶対値よりも小さいことを特徴とする信号送信機。
【請求項２】
信号送信機と、信号受信機と、上記信号送信機と信号受信機との間を接続する第１、第２及び第３の信号線からなる信号伝送路とを備えた多重差動伝送システムのための信号受信機であって、請求項１記載の信号送信機からの各出力信号を受信する信号受信機において、
上記第１の信号線と上記第２の信号線との間に接続された第１の終端抵抗に発生する終端電圧の極性を検出して、当該検出結果を第１のビット情報信号として出力する第１の差動レシーバと、
上記第２の信号線と上記第３の信号線との間に接続された第２の終端抵抗に発生する終端電圧の極性を検出して、当該検出結果を第２のビット情報信号として出力する第２の差動レシーバと、
上記第３の信号線と上記第１の信号線との間に接続された第３の終端抵抗に発生する終端電圧の極性を検出して、当該検出結果を第３のビット情報信号として出力する第３の差動レシーバと、
上記第３の終端抵抗に発生する第３の終端電圧の絶対値が所定のしきい値電圧を超えるか否かを判断する比較手段と、
上記第１、第２及び第３の差動レシーバからそれぞれ出力される第１、第２及び第３のビット情報信号を出力するのか、上記第３の差動レシーバから出力される第３のビット情報信号に基づいて第１、第２及び第３のすべてのビット情報信号を０または１として出力するのかを、上記第３の終端電圧の絶対値が所定のしきい値電圧を超えるか否かに基づいて制御する制御手段とを備えたことを特徴とする信号受信機。
【請求項３】
請求項１記載の信号送信機と、請求項２記載の信号受信機とを備えたことを特徴とする多重差動伝送システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
第３の実施形態．
図１５は本発明の第３の実施形態に係る多重差動伝送システム（図８の構成を用いて設定条件のみ異なる。）において伝送されるビット情報と、各信号線３１，３２，３３を伝送する伝送信号の各信号電圧Ｖｓ１，Ｖｓ２，Ｖｓ３と、信号受信機３０の各終端抵抗４１，４２，４３の終端電圧Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３とその極性との関係を示す図である。第３の実施形態は、第２の実施形態に比較して設定条件のみが異なり、Ｖｄ３＜Ｖｄ１（例えば、Ｖｄ１＝Ｖｄ２＝１．０［Ｖ］；Ｖｄ３＝０．８［Ｖ］のとき）と設定されることを特徴としている。なお、装置構成は図８の多重差動伝送システムを用いる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月17日(2010.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
文書処理システム上において選択された処理を行う電子文書を含むジョブデータを受信するジョブデータ受信手段と、
このジョブデータ受信手段により受信された前記電子文書を、一連の離散的な処理段階で処理する処理パイプラインと、
前記一連の離散的な処理段階のそれぞれに先立って、データの可用性をテストするデータ可用性テスト手段、および前記一連の離散的な処理段階のそれぞれにおいて処理容量をテストする容量テスト手段を有する処理装置と、
前記データ可用性テスト手段および前記容量テスト手段の出力に従って、連続する処理段階で、電子文書に関連付けされたデータを選択的に移動する関連データ移動手段と、
前記電子文書に関連付けされたデータを、それに対する一連の離散的な処理段階の完了時に出力する関連データ出力手段と、
を有することを特徴とする、パイプライン化されたデータフロー文書処理システム。
【請求項２】
不揮発性ストレージ内および揮発性ストレージ内における関連データのストアを伴って処理段階が完了するデータフロー文書処理システムであって、
処理段階間のデータフローの間に割り込みを表す割り込み信号を受信する割り込み受信手段と、最後の段階における電子文書のための関連データの処理を再スタートする再スタート手段と、を更に有し、
関連データが不揮発性ストレージ内にあることを特徴とする請求項１記載の、パイプライン化されたデータフロー文書処理システム。
【請求項３】
受信されたジョブデータに関連付けされる第１の並列操作を選択的に開始する並列操作開始手段を更に備え、
前記処理装置が、文書出力が並列操作のそれぞれの結果を含むという結果がもたらされるように前記並列操作を同期させる並列操作同期手段を有することを特徴とする請求項１記載の、パイプライン化されたデータフロー文書処理システム。
【請求項４】
前記並列操作が出力メディア処理操作を含むことを特徴とする請求項３記載のパイプライン化されたデータフロー文書処理システム。
【請求項５】
不揮発性ストレージ内および揮発性ストレージ内における関連データのストアを伴って処理段階が完了するデータフロー文書処理システムであって、
処理段階間のデータのフロー間に割り込みを表す割り込み信号を受信する割り込み信号受信手段と、
最後の段階における電子文書のための関連データの処理を再スタートする再スタート手段を更に備え、
関連データが不揮発性ストレージ内にありかつ、
前記処理装置が、割り込みの受信の後に前記一連の処理段階からの処理済み電子文書データの出力が前記出力メディア処理の操作と同期されるように並列操作を同期させる並列操作同期手段を有することを特徴とする請求項４記載の、パイプライン化されたデータフロー文書処理システム。
【請求項６】
前記処理装置は、ＸＭＬ記述子から成ることを特徴とする請求項１記載の、パイプライン化されたデータフロー文書処理システム。
【請求項７】
関連ユーザに対して前記一連の離散的な処理段階を表すグラフィカル出力を生成するグラフィカル出力生成手段を更に有することを特徴とする請求項６記載の、パイプライン化されたデータフロー文書処理システム。
【請求項８】
関連ユーザから受信した入力に従って前記一連の離散的な処理段階を構成する手段を更に有することを特徴とする請求項１記載の、パイプライン化されたデータフロー文書処理システム。
【請求項９】
文書処理システム上において選択された処理を行う電子文書を含むジョブデータを受信するジョブデータ受信ステップと、
このジョブデータ受信ステップにより受信された前記電子文書を、一連の離散的な処理段階で処理する処理ステップと、
前記一連の離散的な処理段階のそれぞれに先立って、データの可用性をテストするデータ可用性テストステップと、
前記一連の離散的な処理段階のそれぞれにおいて処理容量をテストする容量テストステップと、
前記データ可用性テストステップおよび前記容量テストステップの出力に従って、連続する処理段階で電子文書に関連付けされたデータを選択的に移動する関連データ移動ステップと、
前記電子文書に関連付けされたデータを、それに対する一連の離散的な処理段階の完了時に出力する関連データ出力ステップと、
を有することを特徴とする、パイプライン化されたデータフロー文書の処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月15日(2010.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
高周波信号の流れを制御する高周波スイッチ回路であって、
高周波信号を入出力する２つの入出力端子の間に、直列接続で挿入される少なくとも１つのトランジスタと、
前記少なくとも１つのトランジスタの各ソース及びドレインを、所定の抵抗値を介して接地させる複数の抵抗と、
前記少なくとも１つのトランジスタの各ゲートに、所定の抵抗値を介して制御電圧を印加させる複数のゲート抵抗とを備え、
前記制御電圧に、負バイアス電圧または０Ｖ以上かつショットキー順方向電圧以下の正バイアス電圧のいずれかを印加して、高周波信号の流れをオンとオフとに切り替える、高周波スイッチ回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
高周波信号の流れを制御する高周波スイッチ回路であって、
高周波信号を入出力する入出力端子と接地端子との間に、直列接続で挿入される少なくとも１つのトランジスタと、
前記少なくとも１つのトランジスタの各ソース及びドレインを、所定の抵抗値を介して接地させる複数の抵抗と、
前記少なくとも１つのトランジスタの各ゲートに、所定の抵抗値を介して制御電圧を印加させる複数のゲート抵抗とを備え、
前記制御電圧に、負バイアス電圧または０Ｖ以上かつショットキー順方向電圧以下の正バイアス電圧のいずれかを印加して、高周波信号の流れをオンとオフとに切り替える、高周波スイッチ回路。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
高周波信号の流れを制御する高周波スイッチ回路であって、
高周波信号を入出力する１つの共通入出力端子と第１〜第ｎの入出力端子との間に、それぞれ少なくとも１つが直列接続された複数のトランスファートランジスタと、
前記第１〜第ｎの入出力端子と接地端子との間に、それぞれ少なくとも１つが直列接続で挿入される複数のシャントトランジスタと、
前記複数のトランスファートランジスタ及び前記複数のシャントトランジスタの各ソース及びドレインを、所定の抵抗値を介して接地させる複数の抵抗と、
前記複数のトランスファートランジスタ及び前記複数のシャントトランジスタの各ゲートに、所定の抵抗値を介して異なる複数の制御電圧を印加させる複数のゲート抵抗とを備え、
前記異なる複数の制御電圧に、負バイアス電圧または０Ｖ以上かつショットキー順方向電圧以下の正バイアス電圧のいずれかを印加して、各経路における高周波信号の流れをオンとオフとに切り替える、高周波スイッチ回路。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、高周波信号の流れを制御する高周波スイッチ回路に向けられている。そして、上記目的を達成するために、本発明の高周波スイッチ回路は、高周波信号を入出力する２つの入出力端子の間に直列接続で挿入されるか、又は高周波信号を入出力する入出力端子と接地端子との間に直列接続で挿入される少なくとも１つのトランジスタと、少なくとも１つのトランジスタの各ソース及びドレインを、所定の抵抗値を介して接地させる複数の抵抗と、少なくとも１つのトランジスタの各ゲートに、所定の抵抗値を介して制御電圧を印加させる複数のゲート抵抗とを備えて、制御電圧に負バイアス電圧または０Ｖ以上かつショットキー順方向電圧以下の正バイアス電圧のいずれかを印加して高周波信号の流れをオンとオフとに切り替えることを行う。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明の他の高周波スイッチ回路は、高周波信号を入出力する１つの共通入出力端子と第１〜第ｎの入出力端子との間にそれぞれ少なくとも１つが直列接続された複数のトランスファートランジスタと、第１〜第ｎの入出力端子と接地端子との間にそれぞれ少なくとも１つが直列接続で挿入される複数のシャントトランジスタと、複数のトランスファートランジスタ及び複数のシャントトランジスタの各ソース及びドレインを所定の抵抗値を介して接地させる複数の抵抗と、複数のトランスファートランジスタ及び複数のシャントトランジスタの各ゲートに所定の抵抗値を介して異なる複数の制御電圧を印加させる複数のゲート抵抗とを備えて、異なる複数の制御電圧に負バイアス電圧または０Ｖ以上かつショットキー順方向電圧以下の正バイアス電圧のいずれかを印加して各経路における高周波信号の流れをオンとオフとに切り替えてもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
この高周波スイッチ回路２は、ＯＦＦスイッチ型のＳＰＳＴ高周波スイッチ回路であり、制御端子Ｖ１２に印加される制御電圧に応じて、第１の入出力端子Ｐ１１から第２の入出力端子Ｐ１２へ伝達される経路のＯＮ／ＯＦＦを切り替える機能を有する。この制御端子Ｖ１２に印加される制御電圧は、負バイアス電圧（非動作電圧）または０Ｖ以上かつショットキー順方向電圧以下の正バイアス電圧（動作電圧）のいずれかである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
この構成の場合、一方の高周波スイッチ回路３のトランスファー回路部と他方の高周波スイッチ回路３のシャント回路部とが一対でＯＮ状態になるように、制御端子Ｖ１１及びＶ１２に印加する制御電圧（負バイアス電圧または０Ｖ以上かつショットキー順方向電圧以下の正バイアス電圧）が制御される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月27日(2010.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１サーバと、前記第１サーバとＳＩＰプロトコルで接続設定をする装置と、前記第１サーバと通信する第１端末とを有する通信システムであって、
前記第１サーバは、
接続要求メッセージを受信するインタフェースと、
受信した前記接続要求メッセージに従い、前記ＳＩＰプロトコルで前記装置に対して接続設定を行う処理部と、
前記処理部の接続設定の後に、前記第１端末から受信したデータを前記装置に転送する第１制御部と
を有する前記通信システム。
【請求項２】
前記装置は第２端末であり、
前記通信システムは、前記第１サーバへ、前記第１端末と前記第２端末とで通信するための前記接続要求メッセージを送信する第２サーバをさらに備え、
前記処理部は、前記ＳＩＰプロトコルで前記第１端末及び前記第２端末に対して接続設定を行い、
前記第１制御部は、前記第２端末から受信したデータを前記第１端末に、前記第１端末から受信したデータを前記第２端末に、各々転送することを特徴とする請求項１に記載の通信システム。
【請求項３】
前記通信システムは、第２端末をさらに備え、
前記装置は、第２制御部を備えた第３サーバであり、
前記第２制御部は、前記第１制御部が転送する前記データを受信し、該データを前記第２端末へ転送することを特徴とする請求項１に記載の通信システム。
【請求項４】
前記第１端末が、前記第１サーバへ、前記第２端末と通信するための接続要求メッセージを送信する請求項３に記載の通信システム。
【請求項５】
前記処理部は、前記接続要求メッセ−ジに基づいて、前記第１端末と前記第２端末とのセッションに関するセッションＩＤを生成することを特徴とする請求項２に記載の通信システム。
【請求項６】
前記第１サーバは、前記セッションＩＤと、前記第１端末とのセッションに関する第１セッション情報及び前記第２端末とのセッションに関する第２セッション情報とを対応して記憶する記憶部をさらに有することを特徴とする請求項２に記載の通信システム。
【請求項７】
前記第２サーバは、前記セッションＩＤの入力を受け付ける入力部をさらに有し、
前記処理部は、前記入力部により入力された前記セッションＩＤを含む情報要求を前記インタフェースを介して前記第２サーバから受信し、前記セッションＩＤに基づいて前記記憶部に対して検索処理を実行し、該当するセッションＩＤに対応する第１及び第２セッション情報を、前記インタフェースを介して前記第２サーバへ送信することを特徴とする請求項６に記載の通信システム。
【請求項８】
前記記憶部は、前記第１セッション情報が前記第１端末のユーザのＳＩＰ−ＵＲＩに対応して記憶され、前記第２セッション情報が前記第２端末のユーザのＳＩＰ−ＵＲＩに対応して記憶され、
前記第２サーバは、前記セッションＩＤ及びＳＩＰ−ＵＲＩの入力を受け付ける入力部をさらに有し、
前記処理部は、前記入力部により入力された前記セッションＩＤ及びＳＩＰ−ＵＲＩを含む情報要求を前記第２インタフェースを介して前記第２サーバから受信し、前記セッションＩＤ及びＳＩＰ−ＵＲＩに基づいて前記記憶部に対して検索処理を実行し、該当するセッションＩＤ及びＳＩＰ−ＵＲＩに対応する第１セッション情報又は第２セッション情報を、前記インタフェースを介して前記第２サーバへ送信することを特徴とする請求項６に記載の通信システム。
【請求項９】
前記第１サーバは、前記処理部による前記第１端末又は前記第２端末に対する前記接続設定の後に、前記第１端末又は前記第２端末に対して接続維持メッセージを送信することを特徴とする請求項２に記載の通信システム。
【請求項１０】
前記第２サーバは、前記セッションＩＤの入力を受け付ける入力部をさらに有し、
前記処理部は、前記入力部により入力された前記セッションＩＤを含む切断要求を前記インタフェースを介して前記第２サーバから受信し、前記セッションＩＤに対応するセッションについて、前記ＳＩＰプロトコルで前記第１端末及び／又は前記第２端末に対して接続切断設定を行うことを特徴とする請求項６に記載の通信システム。
【請求項１１】
前記処理部は３ＰＣＣモジュールを含むことを特徴とする請求項１に記載の通信システム。
【請求項１２】
前記第１制御部は、
前記第１端末及び前記第２端末に対する前記接続設定において、前記第１端末と前記第２端末のアドレス情報を取得し、
前記第１端末と前記第２端末のアドレス情報の対を記憶し、
該記憶されたアドレス情報の対を参照して、前記第２端末から受信したデータを前記第１端末に、前記第１端末から受信したデータを前記第２端末に、各々転送する請求項２に記載の通信システム。
【請求項１３】
前記処理部は、前記第１端末及び前記第２端末に対する接続設定において、前記第１サーバのアドレス情報を前記第１端末及び前記第２端末に通知し、
前記第１端末及び前記第２端末は、通知されたアドレス情報を宛先としてデータを前記第１サーバに送信する請求項２に記載の通信システム。
【請求項１４】
サーバと、前記サーバとＳＩＰプロトコルで接続設定をする装置と、前記サーバと通信する端末とを有する通信システムにおける前記サーバであって、
前記接続要求メッセージを受信するインタフェースと、
受信した前記接続要求メッセージに従い、前記ＳＩＰプロトコルで前記装置に対して接続設定を行う処理部と、
前記処理部の接続設定の後に、前記端末から受信したデータを前記装置に転送する制御部と
を有する前記サーバ。
【請求項１５】
前記第１制御部は、前記第１端末との接続設定の後に、前記第１端末へ擬似ＲＢＴを送信することを特徴とする請求項１に記載の通信システム。
【請求項１６】
前記制御部は、前記第１端末との接続設定の後に、前記第１端末へ擬似ＲＢＴを送信することを特徴とする請求項１４に記載のサーバ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月19日(2010.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
オキサホスホランが式 (III) 
【化１】
2007254741.tif 000001
［式中、AはC1-C18 -アルキル、 C6-C18-アルキルアリール、C6-C18-アルアルキルまたはアリールである。］ 
に相当する、請求項６に記載の方法。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
オキサホスホランは好ましくは式 (III)
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
本発明の混合物は０．００５重量％より多い塩化物含有量を有していない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
オキサホスホランは好ましくは粉末として添加しそして該オキソホスホランの平均粒度は好ましくは0.1〜1000 μm、特に好ましくは10〜300μm である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１１】
有利なポリメチルメタクリレートは以下のモノマーの１種以上のホモ−またはコポリマーである：１〜２０の炭素原子数のアルキルを有する（メタ）アクリル酸モノマー、例えば（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸 n-プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸 n-ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸第二ブチル、（メタ）アクリル酸第三ブチル、（メタ）アクリル酸 n-ヘキシル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル酸 n-オクチル、（メタ）アクリル酸 2-エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸 n-デシル、（メタ）アクリル酸ドデシル、（メタ）アクリル酸トリシクロデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシル、（メタ）アクリル酸ボルニル、（メタ）アクリル酸イソボルニル、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸フェニル、（メタ）アクリル酸 1-ナフチル、（メタ）アクリル酸ベンジル、（メタ）アクリル酸 2-ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸シアノアルキル、アクリルアミド、置換アクリルアミド類、例えば N,N'-ジメチルアクリルアミドおよびN-ビニルピロリドン、N-ビニルカプロラクタム、N-ビニルピペリジンおよびアクリロニトリルがある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１９】
熱可塑性ポリマーは好ましくはハロゲン含有ポリマー、例えばポリクロロプレン、塩素化ゴム、イソブチレン−イソプレンの塩素化および臭素化コポリマー（ハロブチルゴム）、塩素化またはクロロスルホン化ポリエチレン、エチレンと塩素化エチレンとのコポリマー、エピクロロヒドリンのホモおよびコポリマー、特にハロゲン含有ビニル化合物のポリマー、例えばポリ塩化ビニル、ポリビニリデンクロライド、ポリフッ化ビニル、ポリビニリデンフルオライド；およびそれらのコポリマー、例えば塩化ビニル−ビニリデンクロライド、塩化ビニル−酢酸ビニルまたはビニリデンクロライド−酢酸ビニルである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４２】
熱硬化性ポリマーは好ましくは飽和および不飽和の多塩基性カルボン酸、ジカルボン酸またはそれの酸無水物と多価アルコールおよび架橋剤としてのビニル化合物とのコポリマーエステルから誘導される不飽和ポリエステル樹脂（ＵＰ樹脂）であるのが有利である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７０】
ポリマーは置換されたアクリレート類、例えばエポキシアクリレート類、ウレタンアクリレート類またはポリエステルアクリレート類から誘導される、架橋性のアクリル酸樹脂が有利である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９１】
全ポリマー含有量を規準として1〜50重量％の他の硬化性コポリマーを好ましくは添加することができる。例えばブタジエンまたはイソプレンとスチレン、α−メチルスチレン、アクリレートまたはメタクリレート、アクリロニトリルモノマー、エチレン、エチレン−プロピレンコポリマーおよびエチレン−プロピレン−ジアミンターポリマー、エチレン−エチレンオキサイドコポリマー、天然ゴム、ノルボルネンポリマー、例えばポリシクロペンタジエン、水素化スチレン−イソプレン−スチレンコポリマーおよびブタジエン−アクリロニトリルコポリマーを添加してもよい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１４】
例１５（実施例）：
60重量部のアリール化ポリフェニレンエーテル、46重量部のトリアリルイソシアヌレート、例１の25重量部の反応性難燃剤、15 重量部のHU-119 (silicone, Dow Corning Toray Silicone, Inc.)およびトルエンに溶解した4重量部の促進剤 (（Ｒ)Par butyl P；日本油脂株式会社)から樹脂を製造する。樹脂の割合50%の厚さ100μm  のプレプレグを、ガラス繊維を樹脂に浸漬することによって製造する。８枚のこれらのプレプレグを互いに重ねて保存する。35 μm の厚さの銅性フィルムを一番下と一番上に置きそしてこのスタックを 4 Mpaの圧力、170℃で100分間加熱圧縮する。1 mm の厚さの積層体が得られる。試験体のサイズに切り取る。難燃剤含有量、達成されたTg値および達成されたUL-94分類を表３に示す。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１６】
例１７（実施例）：
1 kg のRicon XBK 250（スチレン-ブタジエン-ジビニルベンゼン−ターポリマー：Ricon Resins, Inc., Grand Junction, CO) を1 kgのトルエンに溶解し、そして不純物を300μm の篩に通して除く。100ｇのトルエンに溶解した 45 g のジクミルペルオキシドの溶液を上記溶液中に計量供給する。1 kg の合成の珪酸マグネシウム-アルミニウム(INCOR Corporation,HC-ll, 400 μm) および例１の1150 g の反応性難燃剤をゆっくり混入する。更に600 g のトルエンを、混合物の均一化を促進するために添加する。溶液の固形分含有量は50〜60%である。この混合物を再び50μm の篩に通して分級する。 E-ガラス繊維をこの溶液で被覆し、以下の組成物を得た： 20重量％のガラス繊維、 40% のポリマーおよび40%のフィラー。被覆された繊維を300℃で硬化させる。６つの層および銅製フィルム層をプレスして積層体を得る。試験体のサイズに切断する。難燃剤含有量および達成された UL-94 分類を表３に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月10日(2010.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性樹脂を主成分とし、平均粒子径が０．０１μｍ以上１μｍ以下の範囲内の有機微粒子を、５重量％以上５０重量％以下の範囲内で含む樹脂組成物であって、
フィルムとした場合に、粒子径が２０μｍ以上の異物が１０００個／ｍ２以下であることを特徴とする樹脂組成物。
【請求項２】
熱可塑性樹脂を主成分とし、平均粒子径が０．０１μｍ以上１μｍ以下の範囲内の有機微粒子を、５重量％以上５０重量％以下の範囲内で含む光学フィルムであって、
粒子径が２０μｍ以上の異物が１０００個／ｍ２以下であることを特徴とする光学フィルム。
【請求項３】
上記熱可塑性樹脂は、アクリル系樹脂を５０重量％以上１００重量％以下の範囲内で含むことを特徴とする請求項２に記載の光学フィルム。
【請求項４】
ガラス転移温度が１１０℃以上２００℃以下の範囲内であることを特徴とする請求項２または３に記載の光学フィルム。
【請求項５】
上記アクリル系樹脂は、ラクトン環構造を有していることを特徴とする請求項３または４に記載の光学フィルム。
【請求項６】
上記アクリル系樹脂は、下記一般式（１）
【化１】
2007254727.tif 000001
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３はそれぞれ独立に、水素原子または炭素数１〜２０の有機残基を示し、有機残基は酸素原子を含んでいてもよい。）
で表される構造を有することを特徴とする請求項５に記載の光学フィルム。
【請求項７】
上記有機微粒子は、架橋構造を有していることを特徴とする請求項２〜６の何れか１項に記載の光学フィルム。
【請求項８】
厚さ１００μｍとした場合に、２５℃、６５％ＲＨの雰囲気下、折り曲げ半径１ｍｍにおいて１８０°折り曲げた際、クラックを生じないことを特徴とする請求項２〜７の何れか１項に記載の光学フィルム。
【請求項９】
ヘイズが５％以下であることを特徴とする請求項８に記載の光学フィルム。
【請求項１０】
上記有機微粒子は、平均粒子径が０．０１μｍ以上１μｍ以下の範囲内のコア部となる粒子状重合体に、シェル部として（メタ）アクリル酸エステルを更に重合してなる、コア部とシェル部とからなる多層構造を有し、
上記コア部とシェル部との重量比は、２０：８０〜８０：２０の範囲内であり、
上記シェル部は、５重量％以上５０重量％以下の範囲内の２−（ヒドロキシメチル）アクリル酸エステルの単量体の構造単位を含むことを特徴とする請求項２〜９の何れか１項に記載の光学フィルム。
【請求項１１】
熱可塑性樹脂を主成分とし、有機微粒子を含む光学フィルムの製造方法であって、
上記有機微粒子を熱可塑性樹脂中に５重量％以上５０重量％以下の範囲内で分散させる工程と、
有機微粒子が分散した上記熱可塑性樹脂をポリマーフィルタで濾過する工程とを含むことを特徴とする光学フィルムの製造方法。
【請求項１２】
上記熱可塑性樹脂は、アクリル系樹脂を５０重量％以上１００重量％以下の範囲内で含むことを特徴とする請求項１１に記載の光学フィルムの製造方法。
【請求項１３】
上記ポリマーフィルタは、濾過精度が１μｍ以上２０μｍ以下の範囲内であるリーフディスクタイプのポリマーフィルタであることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の光学フィルムの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月17日(2010.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱障壁として働き、堆積前に粉体の状態である材料を基板（４０）上に堆積する方法であって、前記粉体が第１プラズマトーチ（１０）のプラズマジェット（１２）および少なくとも１個の第２プラズマトーチ（２０）のプラズマジェット（２２）中に導入され、第１プラズマトーチ（１０）および少なくとも１個の第２プラズマトーチ（２０）が容器（２）中に配設されて、そのプラズマジェット（１２、２２）が交差して前記粉体を気化する合成プラズマジェット（３０）を生成するように配列され、前記基板（４０）が前記合成プラズマジェット（３０）の軸上に配置されることを特徴とする、方法。
【請求項２】
前記プラズマトーチ（１０、２０）が２個だけ用いられることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記容器（２）中の圧力が減圧されることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記トーチ（１０、２０）の軸が中心軸（ｚ）の円錐の母線を構成し、前記トーチ（１０、２０）の各々の軸が円錐の中心軸（ｚ）に対して２０°〜６０°の範囲の角度（α）を形成し、円錐の中心軸（ｚ）が、堆積すべき材料を受ける基板（４０）の表面（４２）に向かって導かれることを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記トーチ（１０、２０）の各々と前記基板（４０）の間の距離Ｄが５０ｍｍ〜５００ｍｍの範囲であることを特徴とする、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記材料がセラミックであることを特徴とする、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
セラミックが、イットリウムジルコニア、およびジルコニアを含む群から選択され、該ジルコニアが、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＣｅＯ２、および希土類酸化物から選択される酸化物の少なくとも１つによって任意選択で安定化されることを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記基板（４０）がその表面（４２）に接合下地層を含むことができ、その上に熱障壁として働く前記材料が堆積されることを特徴とする、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記トーチ（１０、２０）の各々の中に粉体の状態で導入される前記材料がトーチごとに異なることを特徴とする、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
熱障壁として働き、堆積前に粉体の状態である材料を、基板（４０）上に堆積する設備であって、中に配設された前記基板を有する容器（２）と、第１プラズマトーチ（１０）と、前記粉体が前記第１プラズマトーチ（１０）のプラズマジェット（１２）中および少なくとも１個の第２プラズマトーチ（２０）のプラズマジェット（２２）中に導入されるとき、前記第１プラズマトーチ（１０）のプラズマジェット（１２）と前記第２プラズマトーチ（２０）のプラズマジェット（２２）が交差し、それによって前記粉体を気化する合成プラズマジェット（３０）を生成するように、前記容器（２）中に配設された少なくとも１個の第２プラズマトーチ（２０）とを備え、前記基板（４０）が前記合成プラズマジェット（３０）の軸上に配置されることを特徴とする、設備。
【請求項１１】
前記トーチ（１０、２０）の各々の内径が６ｍｍよりも大きいことを特徴とする、請求項１０に記載の設備。
【請求項１２】
請求項１から９のいずれか一項に記載の方法によって得られる、熱機械的部品。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月18日(2009.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
上記の試験結果を基にして、本発明では、耐食性を向上する基本元素としてＷとＣｒとを複合含有する成分系を採用し、さらに、耐食性が要求される場合には、Ｓｂ，Ｓｎから選ばれる１種または２種を追加して含有する成分設計を採用することとした。また、さらに優れた耐食性を要求される場合には、Ｎｉ，Ｍｏ，Ｃｏから選ばれる１種または２種以上を含有することとした。