【手続補正書】
【提出日】平成22年9月30日(2010.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イメージセンサのロジック回路領域とピクセル領域の双方の基板上に絶縁膜を形成するステップと、
前記絶縁膜上にフォトレジストを塗布するステップと、
前記フォトレジストをパターニングして、前記ピクセル領域の絶縁膜を露出させる一方、前記ロジック回路領域の絶縁膜は露出させないステップであって、前記ピクセル領域と前記ロジック回路領域との境界部分において、前記ロジック回路領域から前記ピクセル領域へ進むにしたがって、フォトレジストパターンの厚さを徐々に小さくするサブステップを含むステップと、
前記フォトレジストパターンと前記絶縁膜とのエッチング率を実質的に同一にして、前記絶縁膜及び前記フォトレジストパターンをエッチバックするステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記フォトレジストを塗布するステップの前に、前記絶縁膜上に反射防止膜を形成するステップを更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記エッチバックするステップにより、前記境界部分におけるフォトレジストパターンが、約０．４゜〜約１５゜の範囲にある傾斜角を有することとなる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記エッチバックするステップにより、前記境界部分におけるフォトレジストパターンが、約０．４゜〜約１５゜の範囲にある傾斜角を有することとなる、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記絶縁膜を形成するステップが、酸化物を用いて当該絶縁膜を形成するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記エッチバックするステップが、
約５０ｍＴ〜約１５００ｍＴの範囲の圧力を用いるステップと、
約３００Ｗ〜約１０００Ｗの範囲のパワーを用いるステップと、
約１０ｓｃｃｍ〜約５０ｓｃｃｍの範囲のＣＨＦ３ガスと、約１０ｓｃｃｍ〜約５０ｓｃｃｍの範囲のＯ２ガスと、約３００ｓｃｃｍ〜約１５００ｓｃｃｍの範囲のＡｒガスとを用いるステップと
を含む請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記絶縁膜を形成するステップが、約４０，０００Å〜７０，０００Åの範囲にある厚さの絶縁膜を形成するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記絶縁膜を形成するステップが、約４６，０００Åの厚さの絶縁膜を形成するステップを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記エッチバックするステップが、前記絶縁膜の厚さのうちの約１５，０００Åを除去するステップを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記エッチバックするステップの後に、前記ピクセル領域の絶縁膜上にカラーフィルタを形成するステップを更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記エッチバックするステップの後に、前記ピクセル領域の絶縁膜上にカラーフィルタを形成するステップを更に含む請求項２に記載の方法。
【請求項１２】
基板上のフォトレジストが除去されているピクセル領域と、
前記基板上にフォトレジストが残留しているロジック回路領域と、
前記ピクセル領域と前記ロジック回路領域との境界領域であって、前記ピクセル領域から前記ロジック回路領域へ進むにしたがって、前記基板に伝達される露光量を徐々に減少させるパターンを有する境界領域と
を備えたフォトマスク。
【請求項１３】
前記ピクセル領域が透光領域であり、前記ロジック回路領域が遮光領域であることを特徴とする請求項１２に記載のフォトマスク。
【請求項１４】
前記境界領域のパターンが、前記基板上にその形状が転写されないピッチを有するのこぎり歯状であることを特徴とする請求項１２に記載のフォトマスク。
【請求項１５】
前記ロジック回路領域の角部が、４５゜で面取り接合したパターンを有することを特徴とする請求項１４に記載のフォトマスク。
【請求項１６】
前記境界領域が、前記基板上に透光パターンの形状が転写されないピッチを有する複数の透光パターンを有しており、
前記境界領域の透光パターンの数が一定であり、当該透光パターンのサイズによって透光量が定められていることを特徴とする請求項１２に記載のフォトマスク。
【請求項１７】
前記境界領域が、前記基板上に透光パターンの形状が転写されないピッチを有する複数の透光パターンを有しており、
前記境界領域の透光パターンのサイズが一定であり、当該透光パターンの数によって透光量が定められていることを特徴とする請求項１２に記載のフォトマスク。
【請求項１８】
前記境界領域が、前記基板上に透光パターンの形状が転写されないピッチを有する複数の透光パターンを有しており、
前記透光パターンのサイズ及び数によって透光量が定められていることを特徴とする請求項１２に記載のフォトマスク。
【請求項１９】
イメージセンサのロジック回路領域とピクセル領域の双方の基板上に絶縁膜を形成するステップと、
前記絶縁膜上にフォトレジストを塗布するステップと、
前記ピクセル領域と前記ロジック回路領域との境界部分に対応するパターンであって、前記ロジック回路領域から前記ピクセル領域へ進むにしたがって、前記基板に伝達される露光量を徐々に減少させる前記パターンを有するフォトマスクを用意するステップと、
前記フォトマスクを用いて前記フォトレジストをパターニングすることによって、前記ピクセル領域の絶縁膜を露出させる一方、前記ロジック回路領域の絶縁膜は露出させないステップであって、前記ロジック回路領域から前記ピクセル領域へ進むにしたがって、前記境界部分のフォトレジストパターンの厚さを徐々に小さくするサブステップを含むステップと、
露出した絶縁膜をエッチバックするステップと
を含む方法。
【請求項２０】
前記フォトレジストを塗布するステップの前に、前記絶縁膜上に反射防止膜を形成するステップを更に含む請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記フォトレジストを塗布するステップが、ポジ型フォトレジストを塗布するステップを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
前記フォトレジストを塗布するステップが、ポジ型フォトレジストを塗布するステップを含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
前記エッチバックするステップの後に、前記ピクセル領域の絶縁膜上にカラーフィルタを形成するステップを更に含む請求項１９に記載の方法。
【請求項２４】
前記エッチバックするステップの後に、前記ピクセル領域の絶縁膜上にカラーフィルタを形成するステップを更に含む請求項２０に記載の方法。
【請求項２５】
ロジック回路領域と、ピクセル領域と、前記ロジック回路領域と前記ピクセル領域との間に位置している境界領域とを持つ基板と、
前記ロジック回路領域と前記境界領域と前記ピクセル領域とにわたって形成された絶縁膜であって、約０．４゜〜約１５゜の範囲にある傾斜により前記境界領域の絶縁膜の厚さが徐々に小さくなっている、絶縁膜と
を備えたイメージセンサ。
【請求項２６】
前記傾斜が約０．５°である、請求項２５に記載のイメージセンサ。
【請求項２７】
前記絶縁膜の厚さが約３１０００Åである、請求項２５に記載のイメージセンサ。
【請求項２８】
前記絶縁膜の上に形成されているカラーフィルタをさらに備えた請求項２５に記載のイメージセンサ。
【請求項２９】
前記絶縁膜が窒化物膜を含んでいる、請求項２５に記載のイメージセンサ。
【請求項３０】
前記絶縁膜が酸化物膜と窒化物膜とを含んでいる、請求項２５に記載のイメージセンサ。
【請求項３１】
前記境界領域の幅が約１００μｍである、請求項２５に記載のイメージセンサ。
【請求項３２】
前記基板のピクセル領域が、受けた光により信号を生成するフォトダイオードを有しており、
前記基板のロジック回路領域が、前記フォトダイオードの信号を処理する回路を有している、請求項２５に記載のイメージセンサ。