(57)【要約】      （修正有）【課題】信号伝達時における信号の減衰を抑えて、タッチ入力位置を正確かつ迅速に検出可能なタッチパネルを提供する。【解決手段】タッチパネル１は、基材及び導電メッシュパターン１２を含む。導電メッシュパターンは、基材上に位置する。導電メッシュパターンは、導電性を持つと共に配線領域を含む。配線領域は、複数の導線１２２，１２３を有する。これら導線は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に交差して設置されて複数の交差部１２４を形成する。各交差部は、交差部から延出する凸部１２５を有する。交差部と凸部とによって導電接続領域１２６が形成される。交差部の配線断面積が大きくなるため、インピーダンスが低減し、信号の減衰を抑えることができる。【選択図】図１Ａ
0003192845.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
タッチパネルであって、
基材と、
前記基材上に位置する導電メッシュパターンと、を含み、
前記導電メッシュパターンは、複数の導線を有する配線領域を含み、
前記複数の導線は、それぞれ、第１方向及び第２方向に交差して設置されて複数の交差部を形成し、
前記交差部と、各前記交差部側から延出する凸部とによって導電接続領域が形成され、
同じ方向の断面において、各前記導電接続領域の配線幅は、各前記導線の配線幅よりも広く、
前記断面の法線ベクトルは、各前記導線の延び方向と実質的に平行になることを特徴とするタッチパネル。
【請求項２】
同じ方向の断面において、各前記導電接続領域の配線幅は、各前記導線の配線幅の２．５〜６倍であることを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項３】
前記導電接続領域は、前記基材に接近する下面と、前記下面に対向して設置される上面と、前記上面及び前記下面に連結される側面とを有し、
前記上面は、第１粗さを有し、
前記側面は、前記第１粗さよりも粗さが小さい第２粗さを有し、
前記第１粗さは、前記上面の単位長さ当たりに最高点と最低点との高低差であり、
前記第２粗さは、前記側面の単位長さ当たりに最高点と最低点との高低差であることを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項４】
前記第１粗さは、５００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項３に記載のタッチパネル。
【請求項５】
前記導電メッシュパターン上に位置する反射防止層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項６】
前記導電接続領域は、前記基材に接近する下面と、前記下面に対向して設置される上面とを有し、
前記断面において、前記上面の配線幅を第１線幅とし、前記下面の配線幅を第２線幅とした場合に、前記導電接続領域は、前記断面における前記上面と前記下面との間に、前記第１線幅及び前記第２線幅よりも幅が狭い第３線幅をさらに有することを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項７】
前記第３線幅は、前記第１線幅及び前記第２線幅よりも幅が０．１μｍ以上狭いことを特徴とする請求項６に記載のタッチパネル。
【請求項８】
タッチパネルであって、
基材と、
前記基材上に位置する導電メッシュパターンと、を含み、
前記導電メッシュパターンは、複数の導線を有する配線領域を含み、
前記複数の導線は、それぞれ、第１方向及び第２方向に交差して設置されて複数の交差部を形成し、
前記交差部と、各前記交差部側から延出する凸部とによって導電接続領域が形成され、
前記導電接続領域は、前記基材に接近する下面と、前記下面に対向して設置される上面と、前記上面及び前記下面に連結される側面とを有し、
前記上面は、第１粗さを有し、
前記側面は、前記第１粗さよりも粗さが小さい第２粗さを有し、
前記第１粗さは、前記上面の単位長さ当たりに最高点と最低点との高低差であり、
前記第２粗さは、前記側面の単位長さ当たりに最高点と最低点との高低差であることを特徴とするタッチパネル。
【請求項９】
前記第１粗さは、５００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項８に記載のタッチパネル。
【請求項１０】
同じ方向の断面において、各前記導電接続領域の配線幅は、各前記導線の配線幅よりも広く、
前記断面の法線ベクトルは、各前記導線の延び方向と実質的に平行になることを特徴とする請求項８に記載のタッチパネル。
【請求項１１】
同じ方向の断面において、各前記導電接続領域の配線幅は、各前記導線の配線幅の２．５〜６倍であることを特徴とする請求項１０に記載のタッチパネル。
【請求項１２】
前記導電メッシュパターン上に位置する反射防止層をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載のタッチパネル。
【請求項１３】
前記導電接続領域の断面において、前記上面の配線幅を第１線幅とし、前記下面の配線幅を第２線幅とした場合に、前記導電接続領域は、前記断面における前記上面と前記下面との間に、前記第１線幅及び前記第２線幅よりも幅が狭い第３線幅をさらに有することを特徴とする請求項８に記載のタッチパネル。
【請求項１４】
タッチパネルであって、
基材と、
前記基材上に位置する導電メッシュパターンと、を含み、
前記導電メッシュパターンは、複数の導線を有する配線領域を含み、
前記複数の導線は、それぞれ、第１方向及び第２方向に交差して設置されて複数の交差部を形成し、
前記交差部と、各前記交差部側から延出する凸部とによって導電接続領域が形成され、
前記導電接続領域は、前記基材に接近する下面と、前記下面に対向して設置される上面と、前記上面及び前記下面に連結される側面とを有し、
前記導電接続領域の断面において、前記上面の配線幅を第１線幅とし、前記下面の配線幅を第２線幅とした場合に、前記導電接続領域は、前記断面における前記上面と前記下面との間に、前記第１線幅及び前記第２線幅よりも幅が狭い第３線幅をさらに有することを特徴とすることを特徴とするタッチパネル。
【請求項１５】
前記第３線幅は、前記第１線幅及び前記第２線幅よりも幅が０．１μｍ以上狭いことを特徴とする請求項１４に記載のタッチパネル。
【請求項１６】
同じ方向の断面において、各前記導電接続領域の配線幅は、各前記導線の配線幅よりも広く、
前記断面の法線ベクトルは、各前記導線の延び方向と実質的に平行になることを特徴とする請求項１４に記載のタッチパネル。
【請求項１７】
同じ方向の断面において、各前記導電接続領域の配線幅は、各前記導線の配線幅の２．５〜６倍であることを特徴とする請求項１６に記載のタッチパネル。
【請求項１８】
前記上面は、第１粗さを有し、
前記側面は、前記第１粗さよりも粗さが小さい第２粗さを有し、
前記第１粗さは、前記上面の単位長さ当たりに最高点と最低点との高低差であり、
前記第２粗さは、前記側面の単位長さ当たりに最高点と最低点との高低差であることを特徴とする請求項１４に記載のタッチパネル。
【請求項１９】
前記導電メッシュパターン上に位置する反射防止層をさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載のタッチパネル。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、タッチパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、種々多様なタッチ入力技術は、電子製品に幅広く適用されている。例えば、携帯電話やタブレットＰＣでは、タッチパネルを入力インタフェースとして採用することがもはや一般的といえる。このような入力インタフェースは、使用者に直感的な操作を提供することができる。すなわち、使用者は、手指やタッチペンで入力パネルに直接触れることによって指令を与えたり、タッチパネルの表面をなぞる操作することによってターゲットの選択や操作を行ったり、手書きで入力したりする。
【０００３】
従来のタッチパネルは、少なくとも１つの基材、基材上に形成される導電パターン、配線層、絶縁層、及びフレキシブルプリント基板上のパターン等を含む。通常、導電パターンの材質としては、透明導電材料であるインジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ，ＩＴＯ）を用いている。しかし、タッチパネルのサイズが大きいほど、基板上に敷設されたＩＴＯの面積は大きくなる。その場合には、ＩＴＯからなる導電パターンの表面抵抗が著しく上昇することで、導電パターン上信号を伝達するときに信号に大きな減衰が生じてしまう。このように、後端の信号プロセッサは、タッチ入力位置を正確かつ迅速に検出することができなく、その後の信号処理及び運用の正確性に悪影響を与える。
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、従来のタッチパネルに用いられるＩＴＯの代替材料として、金属メッシュ（Ｍｅｔａｌ  Ｍｅｓｈ）が検討されている。金属材料固有の導電性により、従来のＩＴＯの場合に生じた、画面サイズの大面積化による信号の減衰を抑えることができる。さらに、ＩＴＯに比べ、金属材料は可撓性に優れるため、可撓性タッチパネルに適用することができる。しかし、金属材料の遮光性のため、開口率が低下することがある。開口率の低下を防止するために、金属メッシュの配線を一層細くするように製造する。そうすることで、従来の、フォトリソグラフィーによる金属層のエッチングで金属メッシュパターンを製造する過程において、金属メッシュでは、配線の交差箇所の過剰エッチングによる断線がしばしば発生する。
【０００５】
そこで、断線することなく、信号伝達時における信号の減衰を抑えて、タッチ入力位置を正確かつ迅速に検出可能な金属メッシュのタッチパネルを提供することは、重要な課題となっている。
【０００６】
上述した課題を鑑み、本考案の目的は、信号伝達時における信号の減衰を抑えて、タッチ入力位置を正確かつ迅速に検知可能なタッチパネルを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本考案に係るタッチパネルは、基材と、基材上に位置する導電メッシュパターンとを含む。導電メッシュパターンは、導電性を持つと共に配線領域を含む。配線領域は複数の導線を有する。これら導線は、第１方向及び第２方向に交差して設置されて複数の交差部を形成する。各交差部は、交差部側から延出する凸部を有する。交差部と凸部とによって導電接続領域が形成される。同じ方向の断面において、各前記導電接続領域の配線幅は、各前記導線の配線幅よりも広い。前記断面の法線ベクトルは、各前記導線の延び方向と実質的に平行となる。
【０００８】
また、本考案に係るタッチパネルは、基材と、基材上に位置する導電メッシュパターンとを含む。導電メッシュパターンは、導電性を持つと共に配線領域を含む。配線領域は複数の導線を有する。これら導線は、第１方向及び第２方向に交差して設置されて複数の交差部を形成する。各交差部は、交差部から延出する凸部を有する。交差部と凸部とによって導電接続領域が形成される。導電接続領域は、基材に接近する下面と、下面に対向して設置される上面と、上面及び下面に連結される側面とを有する。導電接続領域の断面における上面は、第１粗さを有し、導電接続領域の断面における側面は、第１粗さよりも粗さが小さい第２粗さを有する。断面の法線ベクトルは、第１方向または第２方向と実質的に平行になる。第１粗さは、上面の単位長さ当たりに最高点と最低点との高低差である。第２粗さは、側面の単位長さ当たりに最高点と最低点との高低差である。
【０００９】
なお、本考案に係るタッチパネルは、基材と、基材上に位置する導電メッシュパターンとを含む。導電メッシュパターンは、導電性を持つと共に配線領域を含む。配線領域は複数の導線を有する。これら導線は、第１方向及び第２方向に交差して設置されて複数の交差部を形成する。各交差部は、交差部から延出する凸部を有する。交差部と凸部とによって導電接続領域が形成される。導電接続領域の１つの断面は、基材に接合される下面と、下面に対向して設置される上面とを有する。上面の断面における配線幅を第１線幅とし、下面の断面における配線幅を第２線幅とした場合に、導電接続領域は、断面における上面と下面との間に、第１線幅及び第２線幅よりも幅が狭い第３線幅をさらに有する。断面の法線ベクトルは、第１方向または第２方向と実質的に平行になる。
【００１０】
以上の内容をまとめると、本考案に係るタッチパネルでは、導電性のある導電メッシュパターンが基材上に設置され、導電メッシュパターンの配線領域の導線が第１方向及び第２方向に沿って互いに交差して交差部が形成され、各交差部が交差部から延出する凸部を有し、交差部と凸部とによって導電接続領域が形成される。
【考案の効果】
【００１１】
本考案のタッチパネルによれば、信号伝達時における信号の減衰を抑えて、タッチ入力位置を正確かつ迅速に検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１Ａ】本考案の好適な実施形態に係るタッチパネルを示す図である。
【図１Ｂ】本考案の好適な実施形態に係るタッチパネルを示す図である。
【図２Ａ】図１Ｂに示す切断面線Ａ−Ａ’における断面図である。
【図２Ｂ】図１Ｂに示す切断面線Ｂ−Ｂ’における断面図である。
【図３Ａ】本考案の好適な実施形態の導電接続領域の多様な形態を示す図である。
【図３Ｂ】本考案の好適な実施形態の導電接続領域の多様な形態を示す図である。
【図３Ｃ】本考案の好適な実施形態の導電接続領域の多様な形態を示す図である。
【図３Ｄ】本考案の好適な実施形態の導電接続領域の多様な形態を示す図である。
【図３Ｅ】本考案の好適な実施形態の導電接続領域の多様な形態を示す図である。
【図３Ｆ】本考案の好適な実施形態の導電接続領域の多様な形態を示す図である。
【図３Ｇ】本考案の好適な実施形態の導電接続領域の多様な形態を示す図である。
【図３Ｈ】本考案の好適な実施形態の導電接続領域の多様な形態を示す図である。
【図４】本考案の他の好適な実施形態に係るタッチパネルを示す図である。
【図５】本考案の別の好適な実施形態に係るタッチパネルを示す図である。
【図６】本考案の更なる他の好適な実施形態に係るタッチパネルを示す図である。
【考案を実施するための形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照しながら、本考案の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一要素には同一の符号を付与する。
【００１４】
まず、図１Ａ及び図１Ｂを参照しながら説明する。図１Ａ及び図１Ｂは、それぞれ、本考案の好適な実施形態に係るタッチパネル１を示す図である。タッチパネル１は、基材１１及び導電メッシュパターン１２を含む。本実施形態において、基材１１は、透明基材、例えば、ガラス基材また透明フィルム状基材であり、その材質がポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ, ＰＩ）またはポリエチレンテレフタラート（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ,ＰＥＴ）のフィルム状基材から選定されることが好ましい。このように、基材１１は、透明性、薄型軽量性、及び可撓性を有する。
【００１５】
導電メッシュパターン１２は、基材１１上に位置し、導電性を有する。本実施形態において、導電メッシュパターン１２の材質は金属、例えば、銅である。スパッタリングや蒸着によって基材１１の表面に銅薄膜が形成された後、スレジスト塗布、露光、現像及びエッチングの手順で導電メッシュパターン１２が形成される。
また、他の実施形態において、導電メッシュパターン１２は、その材質が他の金属またはグラフェンから選定されて、他の製造工程によって基材１１上に形成されてもよい。本実施例において、導電メッシュパターン１２は、単層の金属がフォトリソグラフィーによって形成される単層の導電パターン構造であり、その厚さが０．０１〜２０μｍである。実際製品の需要、設計及び採用される製造工程の差異を考慮すると、導電メッシュパターン１２の厚さが０．１〜１０μｍ、または、０．２〜１０μｍであることが好ましい。
【００１６】
導電メッシュパターン１２は、複数の第１導線１２２及び複数の第２導線１２３を有する配線領域１２１を含む。各第１導線１２２は、互いに並列して第１方向Ｄ１に沿って基材１１の表面に設置され、第２方向Ｄ２に沿って延びるものである。各第２導線１２３は、互いに並列して第２方向Ｄ２に沿って基材１１の表面に設置され、第１方向Ｄ１に沿って延びるものである。実施上、各第１導線１２２はＹ軸方向に沿って延びるように設置される一方、各第２導線１２３はＸ軸方向に沿って延びるように設置されてもよい。当然ながら、他の実施形態においては、各第１導線１２２がＸ軸方向に沿って延びる一方、各第２導線１２３がＹ軸方向に沿って延びる方法、または、各第１導線１２２がＸ軸から４５°の方向に沿って延びるように設置される一方、各第２導線１２３がＹ軸から１３５°の方向に沿って延びるように設置される方法を採用してもよい。第１導線１２２と第２導線１２３とは、互いに交差して複数の交差部１２４を形成する。各交差部１２４側から凸部１２５が延出する。ここで、交差部１２４と、当該交差部１２４から延出する凸部１２５とによって、導電接続領域１２６が形成される。
【００１７】
次に、図２Ａ及び図２Ｂを参照しながら説明する。図２Ａは、図１Ｂに示す切断面線Ａ−Ａ’における断面図である。本実施例において、切断面線Ａ−Ａ’における断面は第１断面である。導電接続領域１２６の第１断面における上面Ｓ１の配線幅を第１線幅Ｗ１１とし、第１線幅Ｗ１１は、第１導線１２２の第１断面における配線幅Ｗａよりも実質的に広い。特に、導電接続領域１２６の第１断面における上面Ｓ１の配線幅は、第１導線１２２の第１断面における配線幅の２．５〜６倍である。ここで、切断面線Ａ−Ａ’は、第２方向Ｄ２と実質的に平行になる。言い換えれば、第１断面の法線ベクトルは、第１方向Ｄ１と実質的に平行になる。
また、図２Ｂは、図１Ｂに示す切断面線Ｂ−Ｂ’における断面図である。本実施形態において、切断面線Ｂ−Ｂ’における断面は第２断面である。導電接続領域１２６の第２断面における上面Ｓ１の配線幅は、第２導線１２３の第２断面における配線幅よりも広い。特に、導電接続領域１２６の第２断面における上面Ｓ１の配線幅は、第２導線１２３の第２断面における配線幅の２．５〜６倍である。ここで、切断面線Ｂ−Ｂ’は、第１方向Ｄ１と実質的に平行になる。言い換えれば、第２断面の法線ベクトルは、第２方向Ｄ２と実質的に平行になる。
上記の内容をまとめると、同じ方向の断面において、各導電接続領域の上面の配線幅は、各導線の配線幅よりも広く、断面の法線ベクトルは、各導線の延び方向と実質的に平行になることがわかる。
【００１８】
なお、異なる実施形態において、導電接続領域１２６の第１断面における上面の配線幅は、各第１導線１２２の第１断面における配線幅の２．５〜５倍で、または、導電接続領域１２６の第２断面における上面の配線幅は、各第２導線１２３の第２断面における配線幅の２．５〜５倍であってもよい。さらに、導電接続領域１２６の第１断面における上面の配線幅は、各第１導線１２２の第１断面における配線幅の３〜４倍で、または、導電接続領域１２６の第２断面における上面の配線幅は、各第２導線１２３の第２断面における配線幅の３〜４倍であってもよい。
【００１９】
本実施形態において、第１導線１２２、第２導線１２３、交差部１２４及び当該交差部１２４から延出する凸部１２５により形成される導電接続領域１２６の構成によれば、導電性材質からなる導電メッシュパターン１２は、全体のインピーダンスを効果的に低減して信号伝達時における信号の減衰を抑えることができるほか、インジウム錫酸化物に替えて、製造コストを低減し、かつインジウム錫酸化物による不可撓性の欠点を克服することができる。なお、製造過程において交差部１２４の過剰エッチングによる断線の発生を防止することができ、第１導線１２２及び第２導線１２３に比較的に高い電流値の信号を供給することができ、インピーダンスの整合を改善する効果が得られる。
【００２０】
また、図１Ａ及び図１Ｂに示すように、交差部１２４側から延出する凸部１２５は交差部１２４を取り囲むように設置されることを例として挙げるが、これに限定されない。導電接続領域１２６の多様な実施形態について、図３Ａ乃至図３Ｈを参照しながら説明する。図３Ａに示す凸部１２５は交差部１２４取り囲んで、外観が菱形または矩形の導電接続領域１２６を形成する。図３Ｂに示す凸部１２５は円弧辺を有して交差部１２４に隣接することで、外観が円形または楕円形の導電接続領域１２６を形成する。図３Ｃに示す凸部１２５は、内側に凹む円弧辺を有する。図３Ｄに示す凸部１２５は交差部１２４を取り囲んで、外観が多辺形の導電接続領域１２６を形成する。また、図３Ｅ乃至図３Ｈは、導電接続領域１２６の凸部１２５の交差部１２４に対する位置についての異なる変形例を示す。
【００２１】
なお、同じタッチパネル上に形成される導電メッシュパターン１２の複数の導電接続領域１２６は、回路全体のレイアウト、実際製品の需要、または製造工程に応じて、異なる実施形態を組み合わせたものであってもよい。例えば、導電メッシュパターン１２の一部が図３Ｅまたは図３Ｆに示す導電メッシュパターンで、残りが図３Ｃまたは図３Ｄに示す導電メッシュパターンであってもよい。
【００２２】
次に、図２Ａに示す断面図を参照する。本実施形態において、導電接続領域１２６の切断面線Ａ−Ａ’における第１断面は、基材１１に接近する下面Ｓ３と、下面Ｓ３に対向して設置される上面Ｓ１と、上面Ｓ１及び下面Ｓ３に連結される側面Ｓ２とを有する。上面Ｓ１は第１粗さＲ１を有し、第１断面の側面Ｓ２は、第１粗さＲ１よりも粗さが小さい第２粗さＲ２を有する。導電接続領域１２６の上面Ｓ１は、内側へ凹んだり、外側へ突出したりする規則的な凹凸構造またはランダムな凹凸構造を有する。上記第１粗さＲ１は、単位長さ当たりに、上面Ｓ１に形成された凹凸構造の最高点と最低点との間の高さ方向の距離（高低差）である。本実施形態において、導電接続領域１２６の側面Ｓ２は、内側へ凹む曲面である。内側へ凹む当該曲面に垂直する方向から、側面Ｓ２の第２粗さＲ２は、この曲面の最高点と最低点との間の高さ方向の距離（高低差）ではなく、単位長さ当たりに、側面Ｓ２に形成された、内側へ凹んだり、外側へ突出したりする規則的な凹凸構造またはランダムな凹凸構造の最高点と最低点との間の高さ方向の距離（高低差）である。
【００２３】
本実施形態では、倍率が５０００〜５００００倍の集束イオンビーム顕微鏡（Ｆｏｃｕｓ  ｉｏｎ  ｂｅａｍ：ＦＩＢ）で、導電接続領域１２６の上面Ｓ1の第１粗さＲ１及び側面Ｓ２の第２粗さＲ２を観測した。このような条件下で観測した結果としては、第１粗さＲ１が５００ｎｍ以下、第２粗さＲ２が１００ｎｍ以下である。また、他の実施形態では、観測した結果としては、第１粗さＲ１が３００ｎｍ以下または２００ｎｍ以下である。なお、図２Ｂの断面図に示すように、導電接続領域１２６の切断面線Ｂ−Ｂ’における第２断面の上面Ｓ１の第１粗さＲ１は、第２断面の側面Ｓ２の第２粗さＲ２よりも粗さが大きい。また、第２断面の上面Ｓ１の第１粗さＲ１は、第１断面の上面Ｓ１の第１粗さと同様の技術的特徴を備えるため、その詳細について説明を省略する。
【００２４】
とりわけ、本実施形態では、導電接続領域１２６の上面Ｓ１は、完全に平坦な表面ではないため、その後の製造工程において導電接続領域１２６に対する反射防止層（例えば、黒化層）または保護層の付着性を向上させるとともに、上面Ｓ１が平滑すぎて不要な光反射の発生を防止することができる。
【００２５】
他の実施形態では、上記集束イオンビーム顕微鏡のほか、倍率が５０００〜５００００倍の走査型電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ，ＳＥＭ）、倍率が５０００〜５００００倍の透過型電子顕微鏡（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ，ＴＥＭ）、または、測定長さが１０〜１００μｍの原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ，ＡＦＭ）により導電接続領域１２６の第１粗さＲ１及び第２粗さＲ２を測定する。
【００２６】
次に、図２Ｂの断面図に示すように、上面Ｓ１の断面配線幅を第１線幅Ｗ２１とし、下面Ｓ３の断面配線幅を第２線幅Ｗ２２とする。また、導電接続領域１２６は、上面Ｓ１と下面Ｓ３との間に、長さ（幅）が第１線幅Ｗ２１の長さ（幅）及び第２線幅Ｗ２２の長さ（幅）よりも短い第３線幅Ｗ２３を有する。言い換えれば、導電接続領域１２６の側面Ｓ２は、中央が内側へ凹む弧面または曲面であり、かつ、第１導線１２２や第２導線１２３の中心軸位置、または交差部１２４の中心位置に向かって内側へ凹む。本実施形態では、第３線幅Ｗ２３の長さ（幅）は、第１線幅Ｗ２１の長さ（幅）及び第２線幅Ｗ２２の長さ（幅）よりも０．１μｍ以上短い。また、導電接続領域１２６の切断面線Ａ−Ａ’における第１断面は、第２断面の第３線幅Ｗ２３の長さ（幅）が第１線幅Ｗ２１の長さ（幅）及び第２線幅Ｗ２２の長さ（幅）よりも短いといった技術的特徴を備える。
【００２７】
本実施形態では、導電接続領域１２６の側面Ｓ２の中央が内側へ凹むため、側面Ｓ２が下面Ｓ３に垂直する場合、または側面Ｓ２が外側へ延出する坂状である場合に比べて、光線の反射が発生しにくい。また、側面Ｓ２が下方に向かって内側に後退することで下面Ｓ３と基材１１との接合面積が縮小する形態に比べて、本実施形態では、比較的に大きい接合面（即ち、下面Ｓ３）が得られるため、接合面の面積が小さすぎて導電メッシュパターン１２が基材１１から剥離しやすい問題を回避することができる。
【００２８】
図４は、本考案の他の好適な実施形態に係るタッチパネル２を示す図である。図４に示すタッチパネル２は、主に、導電メッシュパターン１２上に位置する反射防止層２１をさらに含む点でタッチパネル１と異なる。本実施形態では、反射防止層２１のパターンは、導電メッシュパターン１２のパターンと同じである。言い換えれば、反射防止層２１は、導電メッシュパターン１２上に設置されるだけである。また、図５は、本考案の別の好適な実施形態に係るタッチパネル３を示す図である。図５に示すタッチパネル３は、主に、導電メッシュパターン１２を覆うように反射防止層３１が基材１１上に設置される点でタッチパネル２と異なる。
【００２９】
図６は、本考案の更なる他の好適な実施形態に係るタッチパネル４の単位周期における導電メッシュパターン４１を示す図である。本実施形態では、導電メッシュパターン４１における複数の導線領域と複数の導電接続領域とにより、複数の伝送電極４２、複数の検知電極４３、及び複数の伝送線４４が形成される。さらに、複数の導線領域と複数の導線接続領域とにより複数のアース電極４５が形成される。当該アース電極４５は、伝送電極４２と検知電極４３との間に位置する。このように、伝送電極４２及び検知電極４３は、上記導電メッシュパターン１２の技術的特徴を備える。
【００３０】
伝送電極４２と検知電極４３とは、それぞれ一次元的に配列され、互いに隣接するとともに絶縁するように隔てられる。伝送電極４２及び検知電極４３のそれぞれは、導電メッシュパターン４１の側辺に設置された制御ユニット５に電気的に接続される。使用者がタッチパネル４にタッチまたはクリックすると、伝送電極４２による静電容量変化信号は、検知電極によって受信され、さらに検知電極４３に電気的に接続される制御ユニット５における信号処理モジュールまで伝送され、演算及び処理によってタッチ入力を表す座標信号に変換される。また、伝送電極４２及び検知電極４３の駆動検知方式は自己容量式である。すなわち、伝送電極４２及び検知電極４３は、いずれも自身でタッチを検知してタッチ信号を伝送することができる。
【００３１】
各上記の異なるタッチパネルの構成を、表示装置と共に組み合わせてタッチ表示装置に形成することができる。組合せ方式としては、タッチパネルを表示装置の表示面に外付ける方式、または、表示装置の表示面を基材として表示装置の表示面に導電メッシュパターンを直接製作する方式を用いることができる。また、表示装置における一層の材質を基材として、表示装置内に導電メッシュパターンを嵌装して当該基材上に製作する方式も可能である。
【００３２】
以上により、本考案に係るタッチパネルでは、導電性の導電メッシュパターンが基材上に設置され、導電メッシュパターンの配線領域における配線が互いに交差して交差部を形成し、各交差部側から凸部が延出し、交差部及び凸部によって導電接続領域が形成される。これにより、信号伝達時における信号の減衰を抑えて、タッチ入力位置を正確かつ迅速に検出することができる。
【００３３】
本考案の好適な実施形態を前述の通り開示したが、これらは決して本考案を限定するものではない。本考案の明細書および図面による各種の変動および修正は、本考案の保護を求める範囲内に属するものである。
【符号の説明】
【００３４】
１、２、３、４    タッチパネル
１１        基材
１２、４１  導電メッシュパターン
１２１      配線領域
１２２      第１導線
１２３      第２導線
１２４      交差部
１２５      凸部
１２６      導電接続領域
２１、３１  反射防止層
４２        伝送電極
４３        検知電極
４４        伝送線
４５        アース電極
５          制御ユニット
Ａ−Ａ’、 Ｂ−Ｂ’    切断面線
Ｄ１        第１方向
Ｄ２        第２方向
Ｒ１        第１粗さ
Ｒ２        第２粗さ
Ｓ１        上面
Ｓ２        側面
Ｓ３        下面
Ｗ１１、Ｗ１２    第１線幅
Ｗ２２            第２線幅
Ｗ２３            第３線幅
Ｗａ              配線幅
【図１Ａ】
0003192845.tif 000003
【図１Ｂ】
0003192845.tif 000004
【図２Ａ】
0003192845.tif 000005
【図２Ｂ】
0003192845.tif 000006
【図３Ａ】
0003192845.tif 000007
【図３Ｂ】
0003192845.tif 000008
【図３Ｃ】
0003192845.tif 000009
【図３Ｄ】
0003192845.tif 000010
【図３Ｅ】
0003192845.tif 000011
【図３Ｆ】
0003192845.tif 000012
【図３Ｇ】
0003192845.tif 000013
【図３Ｈ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
0003192845.tif 000017