(57)【要約】  本発明はアレイ基板及び液晶ディスプレイを提供する。  複数のゲートライン及び複数のデータラインを有し、前記ゲートライン及びデータラインが交差して複数のサブ画素領域を画成したアレイ基板であって、各サブ画素領域は、第１の透明電極、第２の透明電極及び薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を有し、該サブ画素領域内において、前記第２の透明電極の、ゲートライン方向に沿ってＴＦＴから離れる第１辺は、隣接するサブ画素領域のゲートラインの第２辺に平行し、前記第２辺は、前記隣接するサブ画素領域のゲートラインのうち前記第１辺に最も接近する辺である。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
水平方向に延びるゲートライン及び鉛直方向に延びるデータラインを有し、前記ゲートライン及び前記データラインが交差して複数のサブ画素領域を画成するアレイ基板であって、
各サブ画素領域内ごとに第１の透明電極及び第２の透明電極が設けられ、
前記第２の透明電極の、前記サブ画素領域の底部にある第１位置に水平方向に対する第１の傾斜角度を有し、第２位置に水平方向に対する第２の傾斜角度を有し、第３位置に水平方向に対する第３の傾斜角度を有し、
前記第１の傾斜角度によって、前記第２の透明電極は、その第１位置での電界方向と摩擦方向との偏差が第１の所定の角度より小さく、前記第２の傾斜角度によって、前記第２の透明電極は、その第２位置での電界方向と前記摩擦方向との偏差が第２の所定の角度より小さく、前記第３の傾斜角度によって、前記第２の透明電極は、その第３位置での電界方向と前記摩擦方向との偏差が第３の所定の角度より小さいことを特徴とするアレイ基板。
【請求項２】
各サブ画素領域ごとに、対応するゲートラインの、前記サブ画素領域の底部にある第１位置に水平方向に対する第４の傾斜角度を有し、第２位置に水平方向に対する第５の傾斜角度を有し、第３位置に水平方向に対する第６の傾斜角度を有し、
前記第４の傾斜角度によって、前記ゲートラインは、その第１位置での電界方向と前記摩擦方向との偏差が第４の所定の角度より小さく、前記第５の傾斜角度によって、前記ゲートラインは、その第２位置での電界方向と前記摩擦方向との偏差が第５の所定の角度より小さく、前記第６の傾斜角度によって、前記ゲートラインは、その第３位置での電界方向と前記摩擦方向との偏差が第６の所定の角度より小さいことを特徴とする請求項１に記載のアレイ基板。
【請求項３】
前記第２の透明電極の前記第１の傾斜角度は２０〜４０度であることを特徴とする請求項１または２に記載のアレイ基板。
【請求項４】
前記第２の透明電極の前記第２の傾斜角度は７度であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のアレイ基板。
【請求項５】
前記第２の透明電極の前記第３の傾斜角度は、４０〜８０度であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のアレイ基板。
【請求項６】
前記対応するゲートラインの前記第４の傾斜角度は、４０〜８０度であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のアレイ基板。
【請求項７】
前記対応するゲートラインの前記第５の傾斜角度は、２０〜５０度であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のアレイ基板。
【請求項８】
前記対応するゲートラインの前記第６の傾斜角度は、８３度であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のアレイ基板。
【請求項９】
対向基板と、
請求項１〜８のいずれか１項に記載のアレイ基板と、
液晶層を有する液晶ディスプレイであって、
前記アレイ基板と前記対向基板は対向して設けられ、前記液晶層は前記対向基板と前記アレイ基板との間に設けられることを特徴とする液晶ディスプレイ。
【請求項１０】
複数のゲートライン及び複数のデータラインを有し、前記ゲートライン及びデータラインが交差して複数のサブ画素領域を画成したアレイ基板であって、
各サブ画素領域ごとは、第１の透明電極、第２の透明電極及び薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を有し、該サブ画素領域内において、前記第２の透明電極の、ゲートライン方向に沿ってＴＦＴから離れる第１辺は、隣接するサブ画素領域のゲートラインの第２辺に平行し、
前記第２辺は、前記隣接するサブ画素領域のゲートラインのうち前記第１辺に最も接近する辺であることを特徴とするアレイ基板。
【請求項１１】
前記第１辺及び第２辺は前記アレイ基板の摩擦方向に垂直することを特徴とするアレイ基板。
【請求項１２】
前記第１辺と前記第２辺との間の距離は５〜１０μｍであることを特徴とする請求項１０または１１に記載のアレイ基板。
【請求項１３】
前記摩擦方向と前記データラインとが成す角は７°であることを特徴とする請求項１１に記載のアレイ基板。
【請求項１４】
対向基板と、
請求項１０〜１３のいずれか１項に記載のアレイ基板と、
液晶層を有する液晶ディスプレイであって、
前記アレイ基板と前記対向基板は対向して設けられ、前記液晶層は前記対向基板と前記アレイ基板との間に設けられることを特徴とする液晶ディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アレイ基板及び液晶ディスプレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
高級超次元スイッチング技術（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ Ｓｗｉｔｃｈ、ＡＤ−ＳＤＳまたはＡＤＳと略称する）は、同一の平面内におけるスリット電極の縁部に発生する電界、及びスリット電極層と板状電極層との間に発生する電界によって、多次元電界を形成して、液晶セル内におけるスリット電極の間、および電極の真上の配向液晶分子のすべてを回転させることで、液晶の作動効率及び透過効率を向上した。高級超次元スイッチング技術は、ＴＦＴ−ＬＣＤ製品の画面品質を向上でき、解像度及び透過率が高くて、消費電力が低く、視野角が広く、開口率が大きく、色差が低く、プッシュムラ（Ｐｕｓｈ Ｍｕｒａ）がない等のメリットを具備する。
【０００３】
従来の３．５インチ（インチ）シングルドメインのＡＤＳ型製品は、暗状態の場合に著しい漏光をしている。３．５インチシングルドメインのＡＤＳ型製品の摩擦方向が９７度であるので、通電されていない場合、液晶分子の大部分が配向層の摩擦方向に沿って配列し、優れた暗状態を図れる。サブ画素領域の周辺では、データラインに接続されるソース電極、及びゲートラインに接続されるゲート電極等の電極が存在するので、これらの電極間に複雑な電界が発生する。これらの電界によって、画素の縁部の液晶分子は、摩擦方向に沿って配列することなく、電界方向に沿って配列するようになる。よって、これらの箇所で漏光が生じる。
【０００４】
図１は、従来技術に係るＴＦＴアレイ基板を示す。該ＴＦＴアレイ基板は、縦横に交差するようにしてサブ画素領域を画成するゲートライン１１及びデータライン１２を有し、各サブ画素領域は、画素電極１３及び共通電極１４を有する。ゲートライン１１、データライン１２、画素電極１３及び共通電極１４の間に複雑な電界が発生するため、これらの電界によって、図におけるＡ領域にある液晶分子は、摩擦方向に沿って配列することなく、電界方向にそって配列するようになる。よって、ＴＦＴ−ＬＣＤが通電して作動する場合、Ａ領域において暗状態漏光が生じてしまう。
【０００５】
これらの漏光領域を遮蔽するようにブラックマトリックス（ＢＭ）の面積を大きくすると、液晶分子が摩擦方向から偏移されて漏光が低減されるが、開口率が小さくなり、透過率及びコントラストが影響されてしまう。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、サブ画素領域の周辺に形成される電界の方向を改善し、暗状態での液晶分子の配列を改善し、暗状態漏光を低下するためのアレイ基板及び液晶ディスプレイを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の１つの実施例は、水平方向に延びるゲートライン及び鉛直方向に延びるデータラインを有し、上記ゲートライン及び上記データラインが交差して複数のサブ画素領域を画成するアレイ基板であって、各サブ画素領域内ごとに第１の透明電極及び第２の透明電極が設けられ、上記第２の透明電極の、上記サブ画素領域の底部にある第１位置に水平方向に対する第１の傾斜角度を有し、第２位置に水平方向に対する第２の傾斜角度を有し、第３位置に水平方向に対する第３の傾斜角度を有し、上記第１の傾斜角度によって、上記第２の透明電極は、その第１位置での電界方向と摩擦方向との偏差が第１の所定の角度より小さく、上記第２の傾斜角度によって、上記第２の透明電極は、その第２位置での電界方向と上記摩擦方向との偏差が第２の所定の角度より小さく、上記第３の傾斜角度によって、上記第２の透明電極は、その第３位置での電界方向と上記摩擦方向との偏差が第３の所定の角度より小さい、ことを特徴とするアレイ基板を提供する。
【０００８】
上記アレイ基板では、例えば、各サブ画素領域ごとに、対応するゲートラインが上記サブ画素領域の底部にある第１位置に水平方向に対する第４の傾斜角度を有し、第２位置に水平方向に対する第５の傾斜角度を有し、第３位置に水平方向に対する第６の傾斜角度を有する。上記第４の傾斜角度によって、上記ゲートラインは、その第１位置での電界方向と上記摩擦方向との偏差が第４の所定の角度より小さく、上記第５の傾斜角度によって、上記ゲートラインは、その第２位置での電界方向と上記摩擦方向との偏差が第５の所定の角度より小さく、上記第６の傾斜角度によって、上記ゲートラインは、その第３位置での電界方向と上記摩擦方向との偏差が第６の所定の角度より小さい。
【０００９】
上記アレイ基板では、例えば、上記第２の透明電極の上記第１の傾斜角度が２０〜４０度であってもよい。
【００１０】
上記アレイ基板では、例えば、上記第２の透明電極の上記第２の傾斜角度が７度であってもよい。
【００１１】
上記アレイ基板では、例えば、上記第２の透明電極の上記第３の傾斜角度が、４０〜８０度であってもよい。
【００１２】
上記アレイ基板では、例えば、上記対応するゲートラインの上記第４の傾斜角度が、４０〜８０度であってもよい。
【００１３】
上記アレイ基板では、例えば、上記対応するゲートラインの上記第５の傾斜角度が、２０〜５０度であってもよい。
【００１４】
上記アレイ基板では、例えば、上記対応するゲートラインの上記第６の傾斜角度が、８３度であってもよい。
【００１５】
本発明の他の実施例は、複数のゲートライン及び複数のデータラインを有し、上記ゲートライン及びデータラインが交差して複数のサブ画素領域を画成したアレイ基板であって、各サブ画素領域ごとは、第１の透明電極、第２の透明電極及び薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を有し、該サブ画素領域内には、上記第２の透明電極の、ゲートライン方向に沿ってＴＦＴから離れる第１辺は、隣接するサブ画素領域のゲートラインの第２辺に平行し、上記第２辺は、上記隣接するサブ画素領域のゲートラインのうち上記第１辺に最も接近する辺である。
【００１６】
上記アレイ基板では、例えば、上記第１辺及び第２辺は上記アレイ基板の摩擦方向に垂直してもよい。
【００１７】
上記アレイ基板では、例えば、上記第１辺と上記第２辺との間の距離が５〜１０μｍであってもよい。
【００１８】
アレイ基板では、例えば、上記摩擦方向と上記データラインとが成す角が７°であってもよい。
【００１９】
本発明の他の実施例は、対向基板、上記のいずれかのアレイ基板及び液晶層を有する液晶ディスプレイであって、上記アレイ基板と上記対向基板は対向して設けられ、上記液晶層は上記対向基板と上記アレイ基板との間に設けられる。
【００２０】
本発明実施例に係るアレイ基板及び液晶ディスプレイによれば、従来の漏光領域における液晶分子が配向層の摩擦方向に沿って配列されるようになるので、簡単な形態で液晶ディスプレイの暗状態漏光という問題が解決された。
【００２１】
以下、本発明実施例の技術案をさらに明確に説明するように、実施例の図面を簡単に説明する。当然ながら、下記図面は本発明の一部の実施例に関するものであり、本発明を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】従来のアレイ基板の一部を示す概略図である。
【図２】本発明の実施例１に係るアレイ基板の一部を示す上面図である。
【図３】本発明の実施例２に係るアレイ基板の一部を示す上面図である。
【図４】本発明の実施例に係る液晶ディスプレイを示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明実施例の目的、技術案及びメリットをさらに明確にするように、図面を参照しながら、本発明実施例の技術案を明確で完全に説明する。下記の実施例は、当然ながら、本発明実施例の一部であり、全ての実施例ではない。本発明実施例に基づき、当業者が創造性のある労働をする必要がない前提で得られる全ての他の実施例は、いずれも本発明の保護範囲に入る。
【００２４】
本発明では、技術用語または科学技術用語は、特別に定義されていない場合、当業者が理解できる一般的な意味を有する。本願明細書及び特許請求の範囲に記載の「第一」、「第二」及び類似する用語は、順序、数量または重要性を示すものではなく、異なる組成部分を区分するものにすぎない。同じように、「１つ」または「１」などの用語も数量を制約するものではなく、少なくとも１つがあることを示すものである。「備える」または「含む」等の用語は、「備える」または「含む」の前の素子または部材が、「備える」または「含む」の後に挙げられる素子または部材及びそれらと同等のものをカバーすることを指し、他の素子または部材を排除しない。「接続」または「つながる」等の用語は、物理的または機械的な接続に限定されるのではなく、直接的または間接的な接続にもかかわらず、電気的な接続も含む。「上」、「下」、「左」、「右」等は、相対的な位置関係を指すだけであり、説明された対象の絶対的な位置が変化した後、該相対的な位置関係も対応に変化する可能性がある。
【００２５】
液晶ディスプレイでは、アレイ基板とカラーフィルタ基板との間に充填された液晶は、アレイ基板及びカラーフィルタ基板の摩擦された配向層に作用された後、液晶セル内において一定の方向に沿って配列する。通常、この方向は、基板表面における配向層の摩擦方向との間に２〜３度の角をなす。また、この方向の、アレイ基板またはカラーフィルタ基板の平面への投影を、配向方向と称する。該配向方向は配向層の摩擦方向と一致する。
【００２６】
実施例１
図２に示すように、本実施例１に係るアレイ基板は、複数のゲートライン１１３及び複数のデータライン１１４を有し、上記ゲートライン１１３及び上記データライン１１４が互いに交差することによってマトリクス状に配列する複数のサブ画素領域を画成し、各サブ画素領域内ごとに、第１の透明電極１１１、第２の透明電極１１２、及びスイッチング素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が設けられる。各サブ画素領域ごとに、対応するゲートライン１１３がＴＦＴのゲート電極（図示しない）に接続され、対応するデータライン１１４がＴＦＴのソース電極（図示しない）に接続される。
【００２７】
第１の透明電極１１１及び第２の透明電極１１２は、互いに重なり合い、その中の１つが画素電極であり、ＴＦＴのドレイン電極に電気的に接続され、他の１つが共通電極であり、例えば、共通電極ライン（図示しない）に接続される。ここで、第２の透明電極１１２は、上層に設けられるスリット電極であり、第１の透明電極１１１は、下層に設けられ、板状電極またはスリット電極である。スリット電極は、互いに平行するスリット（例えば、第２の透明電極１１２のスリット１１６）を複数有する。これらのスリットは、電極を複数のストリップ形状の部分に分割する。スリットは、密閉するものであってもよいし、一端が開放するものであってもよい。
【００２８】
第１の透明電極１１１及び第２の透明電極１１２は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の透明導電材料によって形成されてもよい。
【００２９】
図２において、上記第２の透明電極１１２の、上記サブ画素領域の底部にある第１位置１２１は、水平方向に対する第１の傾斜角度を有し、上記第２の透明電極１１２の、上記サブ画素領域の底部にある第２位置１２２は、水平方向に対する第２の傾斜角度を有し、上記第２の透明電極１１２の、上記サブ画素領域の底部にある第３位置１２３は、水平方向に対する第３の傾斜角度を有する。
【００３０】
上記アレイ基板の表面に配向層（上面図には示さない）が形成される。該配向層は、例えば、ポリイミド（ＰＩ）によって形成され、且つ液晶を配向するための細い溝を形成するように所定方向（即ち、摩擦方向）に沿って摩擦される。
【００３１】
上記第１の傾斜角度によって、上記第２の透明電極１１２は、その第１位置１２１での電界方向と摩擦方向との偏差が第１の所定の角度より小さくなり、該第１の所定の角度は０に接近する角度であってもよい。つまり、上記第２の透明電極１１２は、その第１位置１２１での電界方向と摩擦方向とが接近し、または同じである。上記第２の傾斜角度によって、上記第２の透明電極は、その第２位置１２２での電界方向と上記摩擦方向との偏差が第２の所定の角度より小さくなり、該第２の所定の角度は０に接近する角度であってもよい。つまり、上記第２の透明電極１１２は、その第２位置２２での電界方向と摩擦方向とが接近し、または同じである。上記第３の傾斜角度によって、上記第２の透明電極１１２は、その第３位置１２３での電界方向と上記摩擦方向との偏差が第３の所定の角度より小さくなり、該第３の所定の角度は０に接近する角度であってもよい。つまり、上記第２の透明電極１１２は、その第３位置１２３での電界方向と摩擦方向と接近し、または同じである。
【００３２】
さらに、該実施例では、例えば、上記ゲートライン１１３の、上記サブ画素領域の底部にある第１位置１２４に水平方向に対する第４の傾斜角度を有し、上記サブ画素領域の底部にある第２位置１２５に水平方向に対する第５の傾斜角度を有し、上記サブ画素領域の底部にある第３位置１２６に水平方向に対する第６の傾斜角度を有する。
【００３３】
上記第４の傾斜角度によって、上記ゲートライン１１３は、その第１位置１２４での電界方向と上記摩擦方向との偏差が第４の所定の角度より小さくなり、該第４の所定の角度は０に接近する角度であってもよい。つまり、上記ゲートライン１１３は、その第１位置１２４での電界方向と摩擦方向とが接近し、または同じである。上記第５の傾斜角度によって、上記ゲートライン１１３は、その第２位置１２５での電界方向と上記摩擦方向との偏差が第５の所定の角度より小さくなり、該第５の所定の角度は０に接近する角度であってもよい。つまり、上記ゲートライン１１３は、その第２位置１２５での電界方向と摩擦方向とが接近し、または同じである。上記第６の傾斜角度によって、上記ゲートライン１１３は、その第３位置での電界方向と上記摩擦方向との偏差が第６の所定の角度より小さくなり、該第６の所定の角度は０に接近する角度であってもよい。つまり、上記ゲートライン１１３は、その第３位置１２６での電界方向と摩擦方向とが接近し、または同じである。
【００３４】
該実施例のアレイ基板は、液晶セルを形成するように、カラーフィルタ基板と対向して設けられる。該液晶セルは、液晶パネルを得るように、液晶材料が充填される。カラーフィルタ基板は、対向基板の一例であり、透明ベース基板、該透明ベース基板上に形成されるブラックマトリックス、及びカラーフィルタサブ画素領域を有してもよい。該カラーフィルタサブ画素領域は、アレイ基板上のサブ画素領域に対応する。
【００３５】
上記実施例の１つの例示では、該アレイ基板は、サブ画素領域間に介在するブラックマトリックス１１５をさらに有することが好ましい。これによって、該アレイ基板と組み合わせて液晶セルを形成する対向基板上に、ブラックマトリックスが形成されなくてもよい。該ブラックマトリックス１１５は、上記薄膜トランジスタ、第１及び第２の透明電極等を有する構造の下方に形成されてもよい。
【００３６】
上記第２の透明電極１１２の第１位置１２１の水平方向（図では、平面座標系のＸ方向）に対する第１の傾斜角度が、２０〜４０度であってもよく、暗状態の液晶分子を、摩擦（ｒｕｂｂｉｎｇ）方向に接近する方向に配列させる。
【００３７】
上記第２の透明電極１１２の上記第１位置１２１での長さが２０μｍであってもよい。上記第２の透明電極の該第１位置１２１での長さは、液晶ディスプレイパネルによって異なってもよい。第２の透明電極１１２の該第１位置１２１での長さを２０μｍにすることによって、該第１位置の電界方向を摩擦方向に接近することができ、最終的に、該第１位置の液晶分子の配列を該電界方向に従って配列させるようになる。
【００３８】
上記第２の透明電極１１２の第２位置１２２の水平方向（図において、平面座標系のＸ方向）に対する第２の傾斜角度が７度であってもよい。これによって、ここの電界方向が摩擦方向に接近するように変化される。
【００３９】
上記第２の透明電極１１２の上記第２位置１２２での下にリフトする長さは３μｍであってもよい。これによって、ブラックマトリックス１１５の縁部の電界が低減される。なお、上記第２の透明電極１１２の該第２位置１２２での下にリフトする長さは、液晶パネルによって異なってもよいが、ブラックマトリックス１１５の縁部の電界を低減する目的は同一である。
【００４０】
上記第２の透明電極１１２の第３位置１２３の水平方向（図において、平面座標系のＸ方向）に対する第３の傾斜角度は、ここの電界方向を摩擦方向に接近するように変化させるように、４０〜８０度であってもよい。
【００４１】
上記ゲートライン１１３の第１位置１２４の水平方向に対する第４の傾斜角度は、ここの電界方向を摩擦方向に接近するように変化させるように、４０〜８０度であってもよい。
【００４２】
上記ゲートライン１１３の第２位置１２５の水平方向に対する第５の傾斜角度は、ここの電界方向を摩擦方向に接近するように変化させるように、２０〜５０度であってもよい。
【００４３】
上記ゲートライン１１３の第３位置１２６の水平方向に対する第６の傾斜角度は、ここの電界方向を摩擦方向に接近するように変化させるように、８３度であってもよい。
【００４４】
本実施例は、上記アレイ基板、上記アレイ基板と対向して設けられる対向基板、及び上記対向基板と上記アレイ基板との間の液晶層を備える液晶ディスプレイをさらに提供する。
【００４５】
図４は本発明の実施例に係る液晶ディスプレイを示す概略図である。該ディスプレイは、アレイ基板２００、対向基板３００、及び上記両者間の液晶層４００を備え、液晶セルを形成するようにアレイ基板２００及び対向基板３００が互いに対向して設けられ、該液晶セルが例えば、封止剤３５０によりシールされる。該対向基板は、例えば、カラーフィルタ基板である。例示において、該液晶ディスプレイは、アレイ基板に表示用光源であるバックライト５００をさらに提供する。該アレイ基板２００は図２に示すアレイ基板である。
【００４６】
上記ディスプレイが作動状態にある場合、例えば、アレイ基板上において、ゲートライン１１３の電圧は、−８Ｖ及び＋２０Ｖのパルス信号である。例えば、第１の透明電極１１１に印加されるのはＤＣ電圧であり、即ち、第１の透明電極１１１が共通電極であり、第２の透明電極１１２に印加されるのはデータライン１１４のデータ電圧に従って変化するパルス信号であり、即ち、第２の透明電極１１１が画素電極である。よって、ゲートライン１１３と第１の透明電極１１１との間、ゲートライン１１３と第２の透明電極１１２との間、第１の透明電極１１１と第２の透明電極１１２との間に複雑な電界が発生する。従来技術では、ブラックマトリックスの縁部の周辺において、液晶分子は全く摩擦方向に沿って配列されることではなく、一定程度で偏向しているため、バックライト５００からの光はサブ画素領域の液晶が偏向する箇所で漏光してしまう。
【００４７】
本発明の上記実施例は、サブ画素領域の底部にある第２の透明電極１１２及びゲートライン１１３の形状を変化させ、第２の透明電極１１２及びゲートライン１１３のそれぞれの対応位置で傾斜させることで、ブラックマトリックス１１５の縁部の電界方向を摩擦方向に一致、または一致に接近させる。これによって、液晶分子の従来の漏光箇所での配列が摩擦方向に沿う配列になるので、漏光が低減される。
【００４８】
実施例２
図３は本発明実施例２に係るアレイ基板を示す。該アレイ基板は、複数のゲートライン２２１及び複数のデータライン２２２を有し、複数のゲートライン２２１及び複数のデータライン２２２は縦横に交差して複数のサブ画素領域を画成する。各サブ画素領域ごとは、画素電極２２３、共通電極２２４及びスイッチング素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）２２５を有する。画素電極２２３は、スリット電極であってもよく、互いに平行するスリットを複数有する。該スリットは、密閉するものであってもよいし、一端が開放するものであってもよい。共通電極２２４はスリット電極または板状電極である。
【００４９】
共通電極２２４は第１の透明電極の例示であり、画素電極２２３は第２の透明電極の例示である。第１の透明電極及び第２の透明電極は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の透明導電材料によって形成されてもよい。
【００５０】
各サブ画素領域内において、画素電極２２３の、該サブ画素領域を駆動するためのゲートライン２２１に対してＴＦＴ２２５が所在する領域Ｃから離れるとともにゲートライン方向に沿う辺２３１（第１辺）は、隣接するサブ画素領域を駆動するためのゲートライン２２１の辺２１１（第２辺）に平行する。辺２１１は、隣接するサブ画素領域を駆動するゲートライン２１の中で画素電極の辺２３１に最も接近する辺である。
【００５１】
本発明実施例に係るアレイ基板は、各サブ画素領域内において、画素電極の、ゲートラインに沿うＴＦＴ領域から離れる第１辺は、隣接するサブ画素領域におけるゲートラインの第２辺に平行する。該第２辺は、隣接するサブ画素領域におけるゲートラインの中で第１辺に最も接近する辺である。画素電極とゲートラインとの相対的な位置及び形状を変化したため、液晶パネルが通電して作動するとき、サブ画素領域における、ＴＦＴ領域から離れる縁部の電界が変化し、この領域における液晶分子の配列状況を変化し、この領域における液晶分子を配向層の摩擦方向に沿って配列させる。これによって、簡単の形態でパネルの暗状態漏光の問題を解決した。
【００５２】
さらに、アレイ基板上に配向層（上面図では示さない）が設けられる。該配向層は、例えば、ポリイミド（ＰＩ）により形成され、液晶を配向するための狭い溝を形成するように所定方向に沿って摩擦される。画素電極２２３の辺２３１、及びゲートライン２２１の辺２１１は、いずれも配向層の摩擦方向（配向方向）に垂直する。
【００５３】
辺２３１と辺２１１との間の距離ｈは、５〜１０μｍであってもよい。つまり、本実施例における画素電極２３は、従来の画素電極に対して、図２の上方向へ移動し、その辺２３１とゲートライン２１の辺２１１との間の距離ｈが５〜１０μｍであるところまで移動する。
【００５４】
本実施例に係る上記のような構成を有するアレイ基板は、透過領域を変化させないので、製品の開口率に影響しない。
【００５５】
一方、画素電極、ゲートラインの液晶配向方向に対する相対的な位置が変化したので、液晶パネルが通電して作動するとき、サブ画素領域においてＴＦＴ２２５の領域Ｃから離れる辺２３１、即ち、図におけるＢ領域の液晶分子は、配向層の摩擦方向に沿って配列することができるようになり、簡単な形態でパネルの暗状態漏光の問題を改善した。
【００５６】
図３に示すように、データライン２２２が例えば垂直方向に沿って延び、ゲートライン２２１が例えば水平方向に沿って延び、配向層の摩擦方向とデータライン２２２とがなす角αが７°であってもよい。なお、配向層は図に示されないが、その摩擦方向が図における直線ａに沿う方向である。それに応じて、本実施例では、画素電極２２３の辺２３１及びゲートライン２２１の辺２１１が配向層の摩擦方向に垂直し、データラインとなす角が８３°になる。これによって、ゲートライン２２１の、サブ画素領域に対応する部分は、均一のストリップ形状ではなくなり、例えば、左端の幅が右端の幅より大きい形状になり、辺２１１は水平方向に沿うのではなく、水平方向に対して、例えば、７°である夾角を有するようになる。
【００５７】
本発明実施例に係るアレイ基板では、１つのサブ画素領域内において、画素電極の、ゲートライン方向に沿うＴＦＴ領域から離れる第１辺は、隣接するサブ画素領域におけるゲートラインの第２辺に平行する。該第２辺は、隣接するサブ画素領域におけるゲートラインのうち第１辺に最も接近する辺である。さらに、該第１辺及び第２辺は、配向層の摩擦方向に垂直する。第１辺と第２辺との間の距離は５〜１０μｍであってもよい。画素電極とゲートラインとの相対的な位置及び形状を変化したので、液晶パネルが通電して作動するとき、サブ画素領域においてＴＦＴ領域から離れる縁部の電界が変化し、この領域における液晶分子の配列状況が変化され、この領域における液晶分子が配向層の摩擦方向に沿って配列するようになり、簡単な形態でパネルの暗状態漏光の問題が解決された。
【００５８】
本実施例に係る液晶ディスプレイは、上記アレイ基板及び対向基板を有し、図４に示すように、アレイ基板の構造が前の実施例と同じであり、ここで贅言しない。
【００５９】
以上は本発明の例示的な実施例のみであり、本発明の保護範囲を制限するものではない。本発明の保護範囲は特許請求の範囲によって確定される。
【符号の説明】
【００６０】
１１１  第１の透明電極
１１２  第２の透明電極
１１３  ゲートライン
１１４  データライン
１１５  ブラックマトリックス
１１６  スリット
１２１  第１位置
１２２  第２位置
１２３  第３位置
１２４  第１位置
１２５  第２位置
１２６  第３位置
２００  アレイ基板
３００  対向基板
３５０  封止剤
４００  液晶層
５００  バックライト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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