(57)【要約】  対象検査システムのシステムパラメータ値を校正する方法およびシステム。校正誤差ベース校正（ＳＥＢＣ）は、所定の標本または一連の標本に対して、異なる検査システム間のスペクトル誤差における差異を最小限に抑えることで、検査システム間の一貫性を向上させる。上記システムパラメータ値は、上記対象検査システムによる標本の測定に関連したスペクトル誤差と、基準検査システムによる同じ標本の測定に関連したスペクトル誤差間の差異が最小限に抑えられるよう、決定される。一部の例では、システムパラメータ値は、標本パラメータを変更することなく校正される。上記対象システムおよび上記参照システムの両方が、標本または一連の標本を測定するため、標本パラメータ値における僅かな不確実性が上記校正に影響を与えることはほとんどない。一連の標本でＳＥＢＣを実行することで、その結果となる校正は、試験中の広範な標本に対して確実なものとなる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象検査システムによる第１の標本の測定に基づく前記第１の標本の測定されたスペクトル感度の表示値を受信するステップと、
前記第１の標本の前記測定されたスペクトル感度と、少なくとも部分的に前記対象検査システムの少なくとも１つのシステムパラメータに基づく、前記対象検査システムによる前記第１の標本のモデル化されたスペクトル感度間の差異に基づいて、前記対象検査システムに関連した第１のスペクトル誤差を決定するステップと、
測定されたスペクトル感度と、前記基準検査システムによる前記第１の標本のモデル化されたスペクトル感度間の差異に基づいて、基準検査システムに関連した第１のスペクトル誤差を受信するステップと、
前記対象検査システムの前記第１のスペクトル誤差と前記基準検査システムの前記第１のスペクトル誤差間の差異を含む誤差関数が最小限に抑えられるよう、前記対象検査システムの前記少なくとも１つのシステムパラメータの値を決定するステップとを含む、方法。
【請求項２】
前記対象検査システムと前記基準検査システムが分光エリプソメータである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基準検査システムが、第１の物理的構成にある検査システムであり、かつ、前記対象検査システムが第２の物理的構成である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記基準検査システムが、第１の時間に測定された検査システムであり、かつ、前記対象検査システムが、第１の時間後の第２の時間に測定された検査システムである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記少なくとも１つのシステムパラメータが、前記第１の標本に関連したパラメータを含まない、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記基準検査システムが、前記対象検査システムの公称入射角とは異なる公称入射角を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記対象検査システムによる第２の標本の測定に基づく前記第２の標本の測定されたスペクトル感度の表示値を受信するステップと、
前記第２の標本の前記測定されたスペクトル感度と、少なくとも部分的に前記対象検査システムの前記少なくとも１つのシステムパラメータに基づく、前記対象検査システムによる測定に対する前記第２の標本のモデル化されたスペクトル感度間の差異に基づいて、前記対象検査システムに関連した第２のスペクトル誤差を決定するステップと、
測定されたスペクトル感度と、前記基準検査システムによる測定に対する前記第２の標本のモデル化されたスペクトル感度間の差異に基づいて、前記対象検査システムに関連した第２のスペクトル誤差を受信するステップとをさらに含み、前記対象検査システムの前記少なくとも１つのシステムパラメータの値を決定する前記ステップが、前記対象検査システムの前記第１のスペクトル誤差と第２のスペクトル誤差と、前記基準検査システムの前記第１のスペクトル誤差と第２のスペクトル誤差を含む誤差関数を最小限に抑えるステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
コンピュータに、対象検査システムによる第１の標本の測定に基づく前記第１の標本の測定されたスペクトル感度の表示値を受信させるコードと、
前記コンピュータに、前記第１の標本の前記測定されたスペクトル感度と、少なくとも部分的に前記対象検査システムの少なくとも１つのシステムパラメータに基づく、前記対象検査システムによる前記第１の標本のモデル化されたスペクトル感度間の差異に基づいて、前記対象検査システムに関連した第１のスペクトル誤差を決定させるコードと、
前記コンピュータに、測定されたスペクトル感度と、基準検査システムによる前記第１の標本のモデル化されたスペクトル感度間の差異に基づいて、前記基準検査システムに関連した第１のスペクトル誤差を受信させるコードと、
前記コンピュータに、前記対象検査システムの前記第１のスペクトル誤差と前記基準検査システムの前記第１のスペクトル誤差間の差異を含む誤差関数が最小限に抑えられるよう、前記対象検査システムの前記少なくとも１つのシステムパラメータの値を決定させるコードとを含む、コンピュータ可読媒体。
【請求項９】
前記対象検査システムと前記基準検査システムが分光エリプソメータである、請求項８に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項１０】
前記基準検査システムが、第１の物理的構成にある検査システムであり、かつ、前記対象検査システムが第２の物理的構成である、請求項８に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項１１】
前記基準検査システムが、第１の時間に測定された検査システムであり、かつ、前記対象検査システムが、第１の時間後の第２の時間に測定された検査システムである、請求項８に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項１２】
前記少なくとも１つのシステムパラメータが、前記第１の標本に関連したパラメータを含まない、請求項８に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項１３】
前記基準検査システムが、前記対象検査システムの公称入射角とは異なる公称入射角を含む、請求項８に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項１４】
前記コンピュータに、前記対象検査システムによる第２の標本の測定に基づく前記第２の標本の測定されたスペクトル感度の表示値を受信させるコードと、
前記第２の標本の前記測定されたスペクトル感度と、少なくとも部分的に前記対象検査システムの前記少なくとも１つのシステムパラメータに基づく、前記対象検査システムによる測定に対する前記第２の標本のモデル化されたスペクトル感度間の差異に基づいて、前記対象検査システムに関連した第２のスペクトル誤差を決定させるコードと、
測定されたスペクトル感度と、前記基準検査システムによる測定に対する前記第２の標本のモデル化されたスペクトル感度間の差異に基づいて、前記対象検査システムに関連した第２のスペクトル誤差を受信させるコードとをさらに含み、前記対象検査システムの前記少なくとも１つのシステムパラメータの値を決定する前記ステップが、前記対象検査システムの前記第１のスペクトル誤差と第２のスペクトル誤差と、前記基準検査システムの前記第１のスペクトル誤差と第２のスペクトル誤差を含む誤差関数を最小限に抑えるステップを含む、請求項８に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項１５】
照明器と、
分光計と、
対象検査システムによる第１の標本の測定に基づく前記第１の標本の測定されたスペクトル感度の表示値を受信するよう、
前記第１の標本の前記測定されたスペクトル感度と、少なくとも部分的に前記対象検査システムの少なくとも１つのシステムパラメータに基づく、前記対象検査システムによる前記第１の標本のモデル化されたスペクトル感度間の差異に基づいて、前記対象検査システムに関連した第１のスペクトル誤差を決定するよう、
測定されたスペクトル感度と、前記基準検査システムによる前記第１の標本のモデル化されたスペクトル感度間の差異に基づいて、基準検査システムに関連した第１のスペクトル誤差を受信するよう、かつ、
前記対象検査システムの前記第１のスペクトル誤差と前記基準検査システムの前記第１のスペクトル誤差間の差異を含む誤差関数が最小限に抑えられるよう、前記対象検査システムの前記少なくとも１つのシステムパラメータの値を決定するよう構成された１つまたは複数のコンピュータシステムとを含む、検査システム。
【請求項１６】
前記基準検査システムが、第１の物理的構成にある検査システムであり、かつ、前記対象検査システムが第２の物理的構成である、請求項１５に記載の検査システム。
【請求項１７】
前記基準検査システムが、第１の時間に測定された検査システムであり、かつ、前記対象検査システムが、第１の時間後の第２の時間に測定された検査システムである、請求項１５に記載の検査システム。
【請求項１８】
前記少なくとも１つのシステムパラメータが、前記第１の標本に関連したパラメータを含まない、請求項１５に記載の検査システム。
【請求項１９】
前記基準検査システムが、前記対象検査システムの公称入射角とは異なる公称入射角を含む、請求項１５に記載の検査システム。
【請求項２０】
前記１つまたは複数のコンピュータシステムが、
前記対象検査システムによる第２の標本の測定に基づく前記第２の標本の測定されたスペクトル感度の表示値を受信するよう、
前記第２の標本の前記測定されたスペクトル感度と、少なくとも部分的に前記対象検査システムの前記少なくとも１つのシステムパラメータに基づく、前記対象検査システムによる測定に対する前記第２の標本のモデル化されたスペクトル感度間の差異に基づいて、前記対象検査システムに関連した第２のスペクトル誤差を決定するよう、かつ、
測定されたスペクトル感度と、前記基準検査システムによる測定に対する前記第２の標本のモデル化されたスペクトル感度間の差異に基づいて、前記対象検査システムに関連した第２のスペクトル誤差を受信するよう、さらに構成され、前記対象検査システムの前記少なくとも１つのシステムパラメータの値を決定する前記ステップが、前記対象検査システムの前記第１のスペクトル誤差と第２のスペクトル誤差と、前記基準検査システムの前記第１のスペクトル誤差と第２のスペクトル誤差を含む誤差関数を最小限に抑えるステップを含む、請求項１５に記載の検査システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連案件の相互参照
本出願は、２０１１年１１月２１日出願、および「スペクトルマッチングベースの校正」を名称とする、米国特許仮出願第６１／５６２、１５４号からの３５ Ｕ．Ｓ．Ｃ． １１９条の下で優先権を主張し、その全体が参考として本明細書に援用される。
【０００２】
記載の実施例は、ウェハ検査のシステムに関連し、より詳細には、半導体製造に用いられる薄膜の特性化および不良検出に関する。
【背景技術】
【０００３】
論理素子やメモリ素子などの半導体素子は、典型的には、基板またはウェハに適用される一連の処理手順によって製造される。上記半導体素子の種々の特性および複数の構造レベルは、これらの処理手順によって形成される。例えば、とりわけ、リソグラフィは、半導体ウェハ上へのパターンの生成を伴う半導体製造工程の１つである。半導体製造工程のその他の例としては、化学機械研磨、エッチング、堆積、およびイオン注入が含まれるが、これに限定されない。１枚のウェハで、複数の半導体素子が製造され、次に、個々の半導体素子に分けられうる。
【０００４】
半導体製造行程中、より高い歩留まりを促進するため、ウェハ上の欠陥を検出するよう、種々の手順において、検査工程が用いられる。設計規則および工程ウィンドウにより、サイズの縮小化が進むにつれ、高いスループットを維持しつつ、ウェハ表面上の広範な物理的不良を把握するため、検査システムが必要とされる。
【０００５】
特定の検査システムの測定精度を確保するため、種々の校正手順が半導体検査システムで実行される。一部の例では、既知の特性を持つ、基準ウェハ（もしくは、一連の基準ウェハ）は、検査システムによって測定される。検査システムのパラメータは、検査システムによって生成された測定結果が基準ウェハの既知の特性に一致するように調整される。この手順により、基準ウェハの特性に厳密に一致する特性を持つウェハに対して、校正された検査システムの測定精度が確保される。
【０００６】
製造環境においては、同じ測定対象を負う検査システム群にわたる測定の一貫性も重要である。検査システムにわたる測定の一貫性が低下すると、加工された半導体ウェハにわたる一貫性が失われ、歩留まりが許容できないレベルに低下する。検査システム群の各検査システムを基準ウェハ（もしくは、一連の基準ウェハ）に校正することによって、ある程度の測定の一貫性が得られうる。ただし、高い精度結果を得るには、基準ウェハが最初に特性化された際に、環境条件に適切に一致する、慎重に制御された環境において、基準ウェハを伴う校正実験を行う必要がある。これは、ある製造環境では達成が困難な場合があり、検査システムにわたる一貫性が失われる。さらに、製造環境において、高価な一連の基準ウェハのセットを維持する必要がある。ウェハが破損または劣化の危険性は、校正工程の整合性を損なう可能性がある。さらに、基準ウェハに基づいて校正された検査システムの精度は典型的には、基準ウェハの特性に厳密に一致する特性を持つウェハに限定される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００９／０１０３０８１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従って、広範なウェハにおける、かつ、検査システム群にわたる測定の一貫性を確保するために、検査システムのための改良された校正方法を開発することが有利となるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
対象検査システムのシステムパラメータ値を校正する方法およびシステムが提示される。本明細書に記載されている実施例は一般的に、所定の標本または一連の標本に対して、異なる検査システム間のスペクトル誤差における差異を最小限に抑えることで、検査システム間の測定の一貫性を向上させる方法に関する。対象検査システムのシステムパラメータ値は、上記対象検査システムによる標本の測定に関連するスペクトル誤差と、基準検査システムによる同じ標本の測定に関連するスペクトル誤差間の差異が最小限に抑えられるよう、校正される。
【００１０】
校正誤差ベース校正（ＳＥＢＣ）は、所定の標本または一連の標本に対して、異なる検査システム間のスペクトル誤差における差異を最小限に抑えることで、検査システム間の一貫性を向上させる。校正されるシステムパラメータは、結果生じるスペクトル誤差が基準検査システムのスペクトル誤差に近似するよう、標本パラメータを変更することなく調整される。広範な標本パラメータ値で、一連の標本上でＳＥＢＣを実行することで、その結果となる校正は、試験中の広範な標本に対して確実なものとなる。また、測定されたスペクトルではなく、検査システム間のスペクトル誤差を一致させることによって、公称システムパラメータ値が異なる検査システムは、一貫した測定結果を提供できるよう、校正されうる。
【００１１】
１つの例では、対象検査システム１００の標本の測定されたスペクトル感度の表示値は、計算システム１１６によって受信される。対象検査システム１００に関連したスペクトル誤差は、計算システム１１６によって決定される。上記スペクトル誤差は、上記標本の測定されたスペクトル感度と上記標本のモデル化されたスペクトル感度間の差異に基づく。上記モデル化されたスペクトル感度は、少なくとも１つのシステムパラメータと、少なくとも１つの標本パラメータを含む。基準検査システムに関連したスペクトル誤差の表示値も、計算システム１１６によって受信される。上記スペクトル誤差は、上記対象検査システムによって測定された同じ標本の測定されたスペクトル感度と上記基準検査システムによる上記標本のモデル化されたスペクトル感度間の差異に基づく。上記対象検査システムの少なくとも１つのシステムパラメータの値は、計算システム１１６によって決定される。上記１つの値（または複数の値）は、上記対象検査システムの上記スペクトル誤差と上記基準検査システムの上記スペクトル誤差間の差異を含む誤差関数が最小限に抑えられるように、決定される。
【００１２】
基準検査システムと対象検査システムという用語は、一般的に、別の検査シナリオ（例：上記基準検査システム）との測定の一貫性を得るために、システムパラメータの適合を要する検査シナリオ（例：上記対象検査システム）を指す。このように、対象は、基準に関して校正される。
【００１３】
一部の例では、対象検査システムと基準検査システムは異なるツールである。その他の一部の例では、長期間にわたって測定の安定性を維持するために、個々の検査システムで、ＳＥＢＣが定期的に実行される場合がある。長期間にわたって、特定の検査システムの物理特性は、推移する場合がある。長期間にわたる推移を補正するために、ＳＥＢＣを定期的に行うことで、検査システムは、再校正される場合がある。このシナリオでは、基準検査システムは、特定のウェハが検査される際に、比較的早期に物理的状態にある検査システムである。対象検査システムは、同じウェハが再検査される際に、後に（例：推移発生後）変化した物理的状態にある同じ検査システムである。さらに別の例では、ＳＥＢＣは、予防保全作業が特定の検査システムで実行される前後に実行されてもよい。このように、ＳＥＢＣは、予防保全が実行される前に、システムの測定性能を回復させるため、システムを再校正するために実行される。さらに別の例では、ＳＥＢＣは、検査システムの健全性の診断として、実行されうる。スペクトル誤差一致が低下すると、検査システムのハードウェアが損傷し、再度機能するためには、修理を行う必要があることが示される場合がある。
【００１４】
前述の内容は概要であり、従って、必要に応じて、詳細の簡略化、一般化、および省略を含む。その結果、当業者は、本概要が単に例示的なものであり、いかなる形でも限定するものではないことを理解するであろう。本明細書に記載の素子および／または工程のその他の態様、発明の特徴、および利点は、本明細書に明記されている非限定的な詳細な説明において明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本明細書に記載の校正誤差ベース校正（ＳＥＢＣ）に従って動作可能な検査システム１００を示す簡略図である。
【図２】薄膜層１１４Ａおよび１１４Ｂが付着した半導体基板１２を示す簡略図である。
【図３】ＳＥＢＣを実施することによって、２つの異なる検査システム間の測定の一貫性の向上を示すチャート３００である。
【図４】本明細書に記載の通り、ＳＥＢＣを実施することによる、予防保全作業前後における測定の一貫性の向上を示すチャート４００である。
【図５】対象検査システムと基準検査システムにおけるスペクトル誤差間の差異を最小限に抑えるよう、検査システムのシステムパラメータを校正する方法２００を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の背景技術の例および一部の実施例を以下に詳細に参照する。これらの例は、添付の図面において説明される。
【００１７】
図１は、本明細書に提示されている例示的な方法に従って、半導体ウェハの薄膜の特性を測定するシステム１００を示す。図１に示す通り、システム１００は、ウェハ位置決めシステム１１０上に設けられた半導体ウェハ１１２の１つまたは複数の膜１１４上の分光偏光解析法を実行するのに用いられる。この態様において、システム１００は、照明器１０２および分光計１０４を備えた分光エリプソメータを含んでいてもよい。システム１００の照明器１０２は、選択された波長帯（例：１５０−８５０ｎｍ）の照明を生成し、かつ半導体ウェハ１１２の表面上に設けられた薄膜（例：ＨｆＳｉＯＮ薄膜）に向けるように構成される。同様に、分光計１０４は、半導体ウェハ１１２の表面から反射された照明を受け取るよう構成される。照明器１０２から放出される光は、偏光照明ビーム１０６を生成するよう、偏光子１０７によって偏光される。ウェハ１１２上に設けられた薄膜１１４によって反射された放射は、分析器１０９を通過し、かつ、分光計１０４に至る。この点について、収集ビーム１０８内の分光計１０４によって受けられる放射が分析され、これによって、薄膜１１４のスペクトル解析が可能となる。
【００１８】
更なる実施例では、検査システム１００は、対象検査システム１００の校正誤差ベース校正（ＳＥＢＣ）を実行するのに用いられる１つまたは複数の計算システム１１６を含んでいてもよい対象検査システム１００である。１つまたは複数の計算システム１１６は、分光器１０４に通信可能に連結される。１つまたは複数の計算システム１１６は、上記分光計からの１つまたは複数のサンプリング工程の結果を受け取るよう構成される。上記結果は、対象検査システム１００による標本の測定されたスペクトル感度の表示値を含む。
【００１９】
１つまたは複数の計算システム１１６は、対象検査システム１００に関連したスペクトル誤差を決定する。この点について、計算システム１１６は、上記スペクトル誤差を、標本の測定されたスペクトル感度とモデル化されたスペクトル感度間の差異として決定する。
【００２０】
また、１つまたは複数の計算システム１１６はさらに、基準検査システムに関連したスペクトル誤差を受け取るよう構成される。一部の実施例では、上記基準検査システムに関連した上記スペクトル誤差は、分散媒１１８に記憶され、かつ、計算システム１１６によって読み出される。上記基準検査システムに関連した上記スペクトル誤差は、同じ標本の測定されたスペクトル感度とモデル化されたスペクトル感度間の差異に基づく。
【００２１】
上記１つまたは複数の計算システムはさらに、対象検査システム１００と上記基準検査システム間の差異を含む誤差関数が最小限に抑えられるよう、検査システム１００の少なくとも１つのシステムパラメータの値を決定するよう構成される。この点について、上記対象検査システムに関連した上記スペクトル誤差と上記基準検査システムの上記スペクトル誤差間の差異を最小限に抑える上記検査システムのシステムパラメータを特定するため、回帰工程（例：常最小二乗回帰）が用いられてもよい。
【００２２】
出願者は、スペクトル誤差ベース校正に関連した詳細が本明細書においてさらに詳細に論じられることに留意する。
【００２３】
図２に示す通り、一部の実施例では、多くの層が、半導体基板１１２上に設けられてもよい。例えば、中間層１１４Ｂは、上記半導体基板と上記高誘電率絶縁層間の接着を促すために、高誘電率絶縁層１１４Ａと半導体基板１１２（例：シリコン）間に配置される。典型的には、中間層１１４Ｂは、非常に薄い（例：１０オングストローム）。
【００２４】
本開示全体を通じて説明される種々の手順は、単一の計算システム１１６または、代わりに、複数の計算システム１１６によって実行されてもよいことが認識されるべきである。さらに、分光エリプソメータ１０１などの、システム１００の異なるサブシステムは、上記の手順の少なくとも一部を実行するのに適した計算システムを含んでいてもよい。それゆえ、上記の説明は、本発明を限定するものとしてではなく、単なる例示として解釈されるべきである。さらに、１つまたは複数の計算システム１１６は、本明細書に記載の方法の実施例のいずれかのその他いずれかの手順を実行するよう構成されてもよい。
【００２５】
別の実施例では、計算システム１１６は、当技術分野で既知のいかなる方法でも、エリプソメータ１０１の分光計１０４または照明器サブシステム１０２に通信可能に連結されてもよい。例えば、１つまたは複数の計算システム１１６は、エリプソメータ１０１の分光計１０４の計算システムおよび照明器サブシステム１０２の計算システムに連結されてもよい。他の例では、分光器１０４と照明器１０２は単一の計算システムによって制御されてもよい。このように、システム１００の計算システム１１６は、単一のエリプソメータコンピュータシステムに連結されてもよい。
【００２６】
システム１００の計算システム１１６は、有線および／または無線部分を含みうる伝送媒体によって上記システム（例：分光計１０４、照明器１０２など）の上記サブシステムからのデータまたは情報を受信および／または取得するよう構成されてもよい。このように、上記伝送媒体は、コンピュータシステム１１６およびシステム１００のその他のサブシステム間でデータリンクとして機能してもよい。さらに、計算システム１１６は、記憶媒体（つまり、メモリ）を介して、スペクトルの結果を受信するよう構成されてもよい。例えば、エリプソメータの分光計を用いて取得された上記スペクトルの結果は、永久または半永久メモリ素子に記憶されてもよい。この点において、上記スペクトルの結果は、外部システムからインポートされてもよい。
【００２７】
さらに、コンピュータシステム１１６は、伝送媒体を介して、外部システムにデータを送信してもよい。さらに、システム１００のコンピュータシステム１１６は、有線および／または無線部分を含みうる伝送媒体によってその他のシステム（例：検査システムからの検査結果または計測システムからの計測結果）からのデータまたは情報を受信および／または取得するよう構成されてもよい。このように、上記伝送媒体は、コンピュータシステム１１６およびシステム１００のその他のサブシステム間でデータリンクとして機能してもよい。さらに、コンピュータシステム１１６は、伝送媒体を介して、外部システムにデータを送信してもよい。
【００２８】
計算システム１１６は、パーソナルコンピュータシステム、メインフレームコンピュータシステム、ワークステーション、画像コンピュータ、並列プロセッサ、または当技術分野で既知のその他任意の装置を含んでいてもよいが、これに限定されない。一般的に、「計算システム」という用語は、記憶媒体からの命令を実施する、１つまたは複数のプロセッサを有する任意の装置を包含するものとして広く定義されてもよい。
【００２９】
本明細書に記載のものなど、プログラム命令１２０実施方法は、分散媒１１８上で伝送または分散媒１１８に記憶されてもよい。上記分散媒は、ワイヤ、ケーブル、または無線伝送リンクなどの伝送媒体であってもよい。上記分散媒はまた、読み出し専用メモリ、ランダム・アクセス・メモリ、磁気または光学ディスク、または磁気テープなどのコンピュータ可読媒体を含んでいてもよい。
【００３０】
図１に示すシステム１００の実施例はさらに、本明細書に記載の通り構成されてもよい。また、システム１００は、本明細書に記載の方法の実施例のいずれかのその他任意のブロックを実行するよう構成されてもよい。
【００３１】
図１に示すように、照明器１０２からの広帯域放射は、偏光子１０７において直線的に偏光され、次に、上記直線的に偏光されたビームは、標本１１２に入射する。標本１１２からの反射後、上記ビームは、偏光状態が変化し、分析器１０９に伝播する。一部の実施例では、上記反射されたビームは、楕円偏光を有する。上記反射されたビームは、分析器１０９を通じて、分光計１０４に伝播する。分光計１０４では、波長が異なる上記ビーム成分は、異なる検出器への異なる方向に屈折される。上記検出器は、それぞれが異なる波長範囲で放射を測定する、光ダイオードの直線配列であってもよい。
【００３２】
１つの例では、計算システム１１６は、各検出器から上記測定されたデータを受信し、かつ、適切な方法で受信したデータを処するよう、ソフトウェアでプログラムされる。標本の測定されたスペクトル感度は、当技術分野で既知のあらゆる方法で既知の偏光状態を有する入射放射線に応答して、上記標本から反射された放射線の偏光における変化を分析することによって決定されてもよい。
【００３３】
偏光子１０７および分析器１０９のいずれかは、測定動作中、その光軸周辺を回転スルよう構成されてもよい。一部の例では、計算システム１１６は、偏光子１０７および／または分析器１０９、またはシステム１００のその他の要素（例：標本１１２が上にウェハ位置決めシステム１１０）の角度方向を制御するための制御信号を生成するようプログラムされる。計算システム１１６はまた、分析器１０９に関連した分析器位置センサーからの分析器１０９の角度方向を示すデータを受信してもよい。同様に、計算システム１１６はまた、偏光子１０７に関連した偏光子位置センサーからの偏光子１０７の角度方向を示すデータを受信してもよい。計算システム１１６は、適切な方法で、該方向データを処理するソフトウェアでプログラムされてもよい。
【００３４】
１つの実施例では、偏光子１０７は、一定の速度で回転するよう制御される。分光計１０４の各検出器で受信された信号は、以下の式で得られる経時強度になる。
【数１】
2015500460.tif 000003
式中、Ｉ０は、照明器１０２によって放射された放射線の強度に依存する定数、ωは、偏光子１０７の角速度、Ｐ０は、偏光子１０７の光学軸と初期時間（ｔ＝０）での入射面（例：図１の面）間の角度、かつ、αおよびβは、以下のように定義される値である。
【数２】
2015500460.tif 000004
かつ、
【数３】
2015500460.tif 000005
式中、ｔａｎ（Ψ）は、上記標本の反射率のｐおよびｓ成分の複素数比の振幅で、Δは、上記標本の反射率のｐおよびｓ成分の複素数比の相である。「ｐ」成分は、その電界が図１の面にある、偏光放射の成分を表し、かつ、「ｓ」は、その電界が図１の面に対して垂直である、偏光放射の成分を表す。Ａは、公称分析器角度（例：例えば、分析器１０９に関連した、上記分析器位置センサーから提供された配光角の測定値）である。Ａ０は、読み取り値「Ａ」（例：機械的不整合により、Ａ０が非ゼロになる場合がある）からの、分析器１０９の実際の配光角のオフセットである。
【００３５】
方程式（１）−（３）から、αおよびβの値は、検査システム１００による特定の標本の測定に基づいて決定されてもよい。従って、特定の標本の場合、値αｍｅａｓおよびβｍｅａｓは、分光計のデータに基づいて決定される。
【００３６】
一般に、エリプソメータは、検査中の標本の物理的特性を測定する間接的な方法である。ほとんどの場合、測定値（例：αｍｅａｓおよびβｍｅａｓ）は、上記標本の物理的特性を直接決定するのに使用できない。この問題を解決するため、測定値（例：αｍｅａｓおよびβｍｅａｓ）を予測しようと試みるモデルが作成される。方程式（４）および（５）に示すように、上記モデルは、システム（Ｐｓｙｓ）および標本（Ｐｓｐｅｃｉｍｅｎ）に関連するパラメータを含む。
[数４]
αｍｏｄｅｌ＝ｆ(Ｐｓｙｓ, Ｐｓｐｅｃｉｍｅｎ)（４）
[数５]
βｍｏｄｅｌ＝ｇ(Ｐｓｙｓ, Ｐｓｐｅｃｉｍｅｎ)（５）
システムパラメータは、検査具（例：エリプソメータ１０１）を特性化するのに使用されるパラメータである。典型的なシステムパラメータには、入射角（ＡＯＩ）、分析器角度（Ａ０）、偏光子角度（Ｐ０）、照明波長、開口数（ＮＡ）などが含まれる。標本パラメータは、標本（例：層１１４を含む標本１１２）を特性化するのに使用されるパラメータである。典型的な標本パラメータには、屈折率、誘電関数テンソル、全層の公称層厚、層順序などが含まれる。検査中の標本の物理的特性は、反復法（例：回帰）によって決定される。未知の標本パラメータは、様々で、モデル出力値（例：αｍｏｄｅｌおよびβｍｏｄｅｌ）は、結果、上記モデル出力値および実験的に測定された値（例：αｍｅａｓおよびβｍｅａｓ）間で僅差となる一連の標本パラメータ値が決定されるまで計算される。上記検査中の標本のモデル化された感度と実験的に捕らえられた感度間の残りのスペクトルの不一致がスペクトル誤差である。スペクトル感度値αおよびβの場合、個々のスペクトル誤差δαおよびδβは、方程式（６）と（７）で表される。
[数６]
δα＝αｍｅａｓ−αｍｏｄｅｌ（６）
[数７]
δβ＝βｍｅａｓ−βｍｏｄｅｌ（７）
【００３７】
１つの態様では、対象検査システムのシステムパラメータ値は、上記対象検査システムによる標本の測定に関連したスペクトル誤差と基準検査システムによる同じ標本の測定に関連したスペクトル誤差間の差が最小限に抑えられるように校正される。校正誤差ベース校正（ＳＥＢＣ）は、所定の標本または一連の標本に対して、異なる検査システム間のスペクトル誤差における差異を最小限に抑えることで、検査システム間の一貫性を向上させる。校正されるシステムパラメータ値は、結果生じるスペクトル誤差が基準検査システムのスペクトル誤差に近似するよう、標本パラメータを変更することなく調整される。上記対象システムおよび上記参照システムの両方が、標本または一連の標本を測定するため、標本パラメータ値における僅かな不確実性が上記校正に影響を与えることはほとんどない。さらに、広範な標本のパラメータ値で、一連の標本にＳＥＢＣを実行することで、その結果となる校正は、試験中の広範な標本に対して確実なものとなる。また、測定されたスペクトルではなく、検査システム間のスペクトル誤差を一致させることで、システムパラメータ値が異なる検査システムは、一貫した測定結果を提供するよう校正されてもよい。例えば、入射角が６５°の検査システムは、入射角が７０°の検査システムと一致する測定結果を提供するよう校正されてもよい。
【００３８】
図５は、本発明の検査システム１００による実施に適した方法２００を示す。１つの態様では、方法２００のデータ処理ブロックは、１つまたは複数の計算システム１１６によって実行される事前プログラムされたアルゴリズムを介して、実行されてもよいことが認識されよう。以下の説明は、検査システム１００との関係において提示されるが、本明細書において、検査システム１００の特定の構造的態様は、制限を示さず、単なる例示目的として解釈されるべきである。
【００３９】
ブロック２０１では、基準検査システムによる標本の測定されたスペクトル感度の表示値は、計算システム１１６によって受信される。例えば、スペクトルは、分光エリプソメータ１０１から受信されてもよい。別の例では、スペクトルは、反射率計（図示せず）から受信されてもよい。スペクトルデータは、分光エリプソメータ１０１を用いて、ウェハ１１２上に配置された薄膜１１４のそれぞれから取得されてもよい。例えば、分光エリプソメータ１０１は、本明細書において前述の通り、照明器１０２と分光計１０４を含んでいてもよい。分光計１０４は、解析のため、１つまたは複数の計算システム１１６に、上記ウェハの上記薄膜の分光計測に関連した結果を送信してもよい。別の例では、複数の薄膜１１４に対するスペクトルは、前に取得されたスペクトルデータをインポートすることによって取得されてもよい。この点について、スペクトルの取得および上記スペクトルデータのその後の解析を同時である、または、空間的近接において実行される必要があることを要しない。例えば、スペクトルデータは、後に解析のために、メモリに記憶されてもよい。別の例では、スペクトル結果は、解析のため、取得され、かつ、遠隔位置にある計算システムに送信されてもよい。
【００４０】
１つの例では、測定されたスペクトル感度の表示値は、方程式（１）−（３）を参照して上述の通り、当技術分野で既知の方法によって測定データから派生したαｍｅａｓおよびβｍｅａｓ値となる。その他の例では、測定されたスペクトル感度のその他の表示値が企図されてもよい（例：ｔａｎΨおよびΔなど）。前述のスペクトル感度の表示値は、非限定的な例によって提供されてもよい。その他の表示値または表示値の組み合わせが企図されてもよい。スペクトル表示値は、標本のスペクトル感度から派生しうる特定の基準（例：膜厚、屈折率、誘電率など）ではなく、上記標本の上記スペクトル感度に基づく。
【００４１】
ブロック２０２では、対象検査システム１００に関連したスペクトル誤差は、計算システム１１６によって決定される。上記スペクトル誤差は、上記標本の測定されたスペクトル感度と上記標本のモデル化されたスペクトル感度間の差異に基づく。上記モデル化されたスペクトル感度は、方程式（４）−（５）を参照して上述の通り、上記対象検査システムによる少なくとも１つのシステムパラメータと、少なくとも１つの標本パラメータを含む。
【００４２】
ブロック２０３では、基準検査システムに関連したスペクトル誤差の表示値は、計算システム１１６によって受信される。上記スペクトル誤差は、上記対象検査システムによって測定された同じ標本の測定されたスペクトル感度と上記基準検査システムによる上記標本のモデル化されたスペクトル感度間の差異に基づく。例えば、上記スペクトル誤差は、以前に取得されたスペクトル誤差データをインポートすることで、受信されてもよい。この点について、上記スペクトルの取得および上記スペクトルデータのその後の解析を同時である、または、空間的近接において実行される必要があることを要しない。例えば、スペクトルデータは、後に解析のために、メモリに記憶されてもよい。別の例では、スペクトル結果は、解析のため、取得され、かつ、遠隔位置にある計算システムに送信されてもよい。
【００４３】
一部の例では、上記基準検査システムに関連した上記スペクトル誤差は、計算システム１１６によって決定されてもよい。一部の例では、計算システム１１６は、上記基準検査システムによる上記標本の上記測定されたスペクトル感度と上記基準検査システムによる上記標本の上記モデル化されたスペクトル感度を受信し、上記差異を決定する。
【００４４】
ブロック２０４では、上記対象検査システムの少なくとも１つのシステムパラメータ値は、計算システム１１６によって決定される。上記１つ、もしくは複数の値は、上記対象検査システムの上記スペクトル誤差と上記基準検査システムの上記スペクトル誤差間の差異を含む誤差関数が最小限に抑えられるよう決定される。
【００４５】
１つの例では、方程式（８）に示す、誤差関数、Ｅが最小限に抑えられるよう、上記対象検査システムのシステムパラメータセット（Ｐｓｙｓ）について解くよう、回帰が実行される。
【数８】
2015500460.tif 000006
（８）
誤差関数、Ｅは、αおよびβの両方に対して捕らえたピクセル（Ｎピクセル）それぞれの上の上記対象検査システムの上記スペクトル誤差（例：δαＴおよびδβＴ）と上記基準検査システムの上記スペクトル誤差（例：δαＲおよびδβＲ）間の差異のぞれぞれの二乗の合計を含む最小二乗誤差関数である。
【００４６】
方程式（８）に示す誤差関数は、例によって提供される。その他多くの誤差関数を用いて、上記システムパラメータ値の回帰を推進させてもよい。例えば、上記誤差関数は、αおよびβにおける不確実性によって重み付けされてもよい。別の例では、上記基準検査システムおよび上記対象検査システムに関連した上記誤差スペクトル間の上記差異の最大値の最小化であってもよい。当技術分野で既知のパラメータ調整方法にも基づいて、その他の例が考えられてもよい。
【００４７】
基準検査システムと対象検査システムという用語は、一般的に、別の検査シナリオ（例：上記基準検査システム）との測定の一貫性を得るために、システムパラメータの適合を要する検査シナリオ（例：上記対象検査システム）を指す。このように、対象は、基準に関して校正される。
【００４８】
一部の例では、対象検査システムと基準検査システムは異なるツールである。例えば、製造において、単一の基準検査システムに関して、検査システム群をそれぞれＳＥＢＣに校正させることが有利な場合がある。このように、上記検査システム群のそれぞれが単一の基準検査システムと一致する。
【００４９】
図３は、ＳＥＢＣを実施することによって、２つの異なる検査システム間の測定の一貫性の向上を示すチャート３００である。図３に示す通り、第１の列は、基準検査システムによって実行された一連の層厚測定値を示す。第２の列は、ＳＥＢＣを実行せずに、対象検査システムによる同じウェハ上での同じ一連の厚さ測定の結果を示す。上記２つの測定間の差異は、第３の列に示される。第４の列は、本明細書に記載されている通り、ＳＥＢＣ実行後、上記対象検査システムによる同じウェハ上での同じ一連の厚さ測定の結果を示す。校正後の上記対象検査システムおよび基準検査システムによる測定間の差異は、第５の列に示される。第５の列における小さい方の差異によって示される通り、上記対象検査システムおよび上記基準検査システム間の測定の一貫性は、ＳＥＢＣを実施することによって大幅に改善される。
【００５０】
一部の例では、長期間にわたって測定の安定性を維持するために、個々の検査システムで、ＳＥＢＣが定期的に実行される場合がある。例えば、長期間にわたって、特定の検査システムの物理特性は、推移する場合がある。長期間にわたる推移を補正するために、ＳＥＢＣを定期的に行うことで、検査システムは、再校正される場合がある。このシナリオでは、基準検査システムは、特定のウェハが検査される際に、物理的状態にある検査システムである。対象検査システムは、同じウェハが再度検査される際に、後に（例：推移発生後）変化した物理的状態ある検査システムである。このように、ＳＥＢＣは、早期（例：ツールが最初に校正されたとき）に、測定動作が同じツールの測定動作に一致するようにするため、上記検査システムの上記システムパラメータを再校正するよう、実行されてもよい。
【００５１】
別の例では、ＳＥＢＣは、予防保全作業が特定の検査システムで実行される前後に実行されてもよい。予防保全を行うため、定期的に、検査システムは、部分的に分解される必要がある。上記検査システムが再度組み立てられるとき、上記システムの上記物理特性は変更される。ＳＥＢＣは、予防保全実行前に上記システムの測定性能を回復するために上記システムを再校正するよう、実行されてもよい。このように、上記基準検査システムは、上記予防保全を行う前に、物理的状態にある検査システムであり、かつ、上記対象検査システムは、上記予防保全を行った後に、変化した物理的状態にある検査システムである。
【００５２】
図４は、本明細書に記載の通り、ＳＥＢＣを実施することによる、予防保全作業前後における測定の一貫性の向上を示すチャート４００である。図４に示す通り、そのそれぞれの酸化層の厚さが異なる、多くの異なるウェハは、上記予防保全作業が行われる前に、検査システムによって測定される。各ウェハの上記酸化層の公称厚さは、第１の列に、測定結果は、第２の列に示される。第３の列は、上記予防保全作業後の測定結果および従来の技術による初期の校正を示すが、ＳＥＢＣは実行しない。測定結果の推移は、第４の列に示される。上記推移は、従来の校正技術の制限を示す。第５の列は、上記予防保全作業後の測定結果およびＳＥＢＣによる校正を示す。第６の列は、測定結果における結果の推移を示す。この例に示す通り、ＳＥＢＣは、予防保全作業前後において測定の一貫性を向上させる。さらに、（さらに校正作業を行う必要性を最小限にすることによって）システム回復時間が短縮され、一部の場合、さらに校正作業を行うことなく、システムのベースラインおよび相関を維持する。
【００５３】
さらに、図４は、標本の様々な物理的特性上における測定の一貫性の向上を示す。図４に示す通り、そのそれぞれの酸化層の厚さが異なるウェハは、上記検査システムによって測定される。各ウェハの上記酸化層の公称厚さは、第１の列に示される。そのそれぞれの酸化層の厚さが異なる、多くの異なるウェハに対する測定の一貫性における向上が示される。酸化層の厚さが多岐にわたる（３０オングストロームから９０００オングストローム）ウェハに対する測定結果が示される。各酸化層厚に対する測定の一貫性は、本明細書に記載の通り、ＳＥＢＣを実施することによって大幅に改善される。
【００５４】
別の例では、ＳＥＢＣは、検査システムの健全性の診断として実行されてもよい。スペクトル誤差の一致が低下した場合、上記検査システムのハードウェアに障害が発生し、アクティブなサービスに復帰するよう、上記ハードウェアを修理する必要があることの指示がされてもよい。
【００５５】
本明細書に記載の上記実施例は一般的に、所定の標本または一連の標本に対して、異なる検査システム間のスペクトル誤差における差異を最小限に抑えることで、検査システム間の一貫性を向上させる方法に関する。対象検査システムのシステムパラメータ値は、上記対象検査システムによる標本の測定に関連したスペクトル誤差と、基準検査システムによる同じ標本の測定に関連したスペクトル誤差間の差異が最小限に抑えられるよう、校正される。例えば、１つの実施例は、分光エリプソメータのデータに基づいて、所定の標本または一連の標本に対して、異なる検査システム間のスペクトル誤差における差異を最小限に抑えるコンピュータを利用した方法に関する。しかし、本明細書に記載の上記方法は、スペクトル誤差が生じる元である検査システムの種類において、限定されるものではない。例えば、１つの実施例において、上記検査システムは、ウェハの薄膜検査のための反射率計を含む。
【００５６】
本明細書に記載の通り、その他の校正方法以外に、ＳＥＢＣは、１つまたは複数の検査システムに適用されてもよい。一部の例では、各検査システムは、既知の技術を用いて、個別に校正されてもよく、かつ、検査システム群間での一貫性を向上させるため、ＳＥＢＣが適用されてもよい。
【００５７】
本明細書に記載の通り、「検査システム」という用語は、少なくとも部分的に任意の態様で、標本を特性化ために用いられる任意のシステムを含む。当技術分野で使用される例示的な用語は、「欠陥検査」システムまたは「計測」システムを含んでいてもよい。ただし、該専門用語は、本明細書に記載されている通り、「検査システム」という用語の範囲を限定するものではない。さらに、検査システム１００は、パターン化ウェハおよび／または未パターン化ウェハの検査を行うよう構成されてもよい。上記検査システムは、ＬＥＤ検査ツール、端部検査ツール、裏面検査ツール、マクロ検査ツール、またはマルチモード検査ツール（１つまたは複数のプラットフォームからデータを同時に取り込む）、および、基準検査ツールと対象検査ツール間の差異に基づくシステムパラメータの校正の利点を得る、その他任意の計測または検査ツールとして構成されてもよい。
【００５８】
標本の加工に使用されうる半導体加工システム（例：検査システムまたはリソグラフィシステム）に対して、本明細書において、種々の実施例が記載される。「標本」という用語は、本明細書において、ウェハ、レチクル、または当技術分野で既知の手段によって加工されうるその他任意のサンプル（例：印刷または欠陥の検査）を指すのに用いられる。
【００５９】
本明細書で用いられる通り、「ウェハ」という用語は、一般的に、半導体または非半導体材料で形成された基板を指す。例には、単結晶シリコン、ガリウムヒ素、およびン化インジウムが含まれるが、これに限定されない。該基板は、半導体製造施設において、よく見られ、および／かつ加工されうる。一部の例では、ウェハは、該基板（つまり、ベアウェハ）しか含まない場合がある。あるいは、ウェハは、基板上に形成された、材料が異なる１つまたは複数の層を含んでいてもよい。
【００６０】
１つまたは複数の層がウェハ上に形成されてもよい。例えば、該層は、レジスト、誘電材料、導電材料、および半導体材料を含んでいてもよいが、これに限定されない。多くの種類の該層は、当技術分野で既知であり、かつ、本明細書で用いられる通り、ウェハという用語は、上にすべての種類の該層が形成されうるウェハを包含することを意図する。
【００６１】
ウェハ上に形成された１つまたは複数の層は、「パターン化」または「未パターン化」されてもよい。例えば、ウェハは、反復可能なパターン特性を有する複数のダイを含んでいてもよい。材料の該層の形成および加工は最終的に、完成された素子となってもよい。多くの異なる種類の素子がウェハ上に形成されてもよく、かつ、本明細書で用いられる通り、ウェハという用語は、当技術分野で既知のどの種類の素子が上に製造されるウェハを包含することを意図する。
【００６２】
典型的な半導体プロセスは、ロット別のウェハ加工を含む。本明細書で用いられる通り、「ロット」とは、一緒に加工されるウェハ群（例：２５枚のウェハ群）のことである。ロット内の各ウェハは、リソグラフィ加工ツール（例：ステッパ、スキャナなど）からの多くの照射野から成る。各照射野内には、複数のダイが存在しうる。ダイは、最終的に単一のチップとなる機能単位である。ウェハ上に形成された１つまたは複数の層は、パターン化または未パターン化されてもよい。例えば、ウェハは、それぞれが反復可能なパターン特性を有する複数のダイを含んでいてもよい。材料の該層の形成および加工は最終的に、完成された素子となってもよい。多くの異なる種類の素子がウェハ上に形成されてもよく、かつ、本明細書で用いられる通り、ウェハという用語は、当技術分野で既知のどの種類の素子が上に製造されるウェハを包含することを意図する。
【００６３】
「レチクル」という用語は、レチクル製造プロセスの任意の段階でのレチクル、または半導体製造施設での使用のためにリリースされうる、またはされえない完成したレチクルであってもよい。レチクルまたは「マスク」は一般的に、実質上不透明な領域がその上に形成され、パターン内に構成される実質上透明な基板として定義される。上記基板は、例えば、クオーツなどのガラス材料を含んでいてもよい。レチクルは、レチクル上のパターンがレジストに転写されうるよう、リソグラフィプロセスの露出ステップ中に、レジストで覆われたウェハ上に設けられてもよい。
【００６４】
１つまたは複数の例示的な実施例において、記載された機能は、ハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア、またはこれらの組み合わせにおいて実施されてもよい。ソフトウェアで実施される場合、上記機能は、コンピュータ可読媒体上の１つまたは複数の命令またはコードとして、記憶または伝送されてもよい。コンピュータ可読媒体は、コンピュータ記憶媒体と、１つの場所からべつの場所へのコンピュータプログラムの転送を加速化する任意の媒体を含む通信媒体の両方を含む。記憶媒体は、汎用または専用コンピュータによってアクセスされうる任意の利用可能な媒体であってもよい。例として、かつ、これに限定されないが、該コンピュータ可読媒体は、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、ＣＤ−ＲＯＭまたはその他の光学ディスク記憶装置、磁気ディスク記憶装置またはその他の磁気記憶装置、または命令またはデータ構造の形式で必要なプログラムコード手段を形態または記憶するのに使用できうる、かつ、汎用または専用コンピュータ、または、汎用または専用プロセッサによってアクセスしうるその他の任意の媒体が含まれてもよい。また、どの接続も正式にコンピュータ可読媒体と呼ばれる。例えば、ソフトウェアがウェブサイト、サーバー、または同軸ケーブル、光ファイバケーブル、ツイストペアケーブル、デジタル加入者回線（ＤＳＬ）、または赤外線、無線、およびマイクロ波などの無線技術を用いたその他のリモートリソースから送信される場合、上記同軸ケーブル、光ファイバケーブル、ツイストペアケーブル、ＤＳＬ、または赤外線、無線、およびマイクロ波などの無線技術は、媒体の定義に含まれる。本明細書に用いられるように、ディスク（ｄｉｓｋまたはｄｉｓｃ）は、ディスク（ｄｉｓｃ）がレーザーで光学的にデータを再生する一方で、通常、ディスク（ｄｉｓｋ）が磁気的にデータを再生する、コンパクトディスク（ＣＤ）、レーザーディスク（登録商標）、光ディスク、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）、フロッピー（登録商標）ディスク、およびブルーレイディスクを含む。上記ディスクの組み合わせも、コンピュータ可読媒体の範囲に含められるべきである。
【００６５】
ある特定の実施例は、説明のために上述されているが、本特許文献の教義は、一般的な適用性を有し、かつ、上述の特定の実施例に限定されるものではない。それに応じて、特許請求の範囲に記載される通り、本発明の範囲から逸脱することなく、上述の実施例の種々の特性の種々の変更、改変、および組み合わせが予測される。
【図１】
2015500460.tif 000007
【図２】
2015500460.tif 000008
【図３】
2015500460.tif 000009
【図４】
2015500460.tif 000010
【図５】
2015500460.tif 000011
【国際調査報告】
2015500460.tif 000012
2015500460.tif 000013