(57)【要約】【課題】平板状の入出力端子を熱膨張係数の大きい銅などからなる金属基体に接合するに際し、入出力端子に発生するクラックを抑制し、内部に収容する半導体素子を長期にわたり正常かつ安定に作動させ得るとともに低背の半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置を提供すること。【解決手段】入出力端子４は、モリブデン板１ｃの上面に上側銅板１ａ、下面に下側銅板１ｂが接合された金属基体１における上側銅板１ａに形成された切欠き部２に配置され、線路導体４ｂ方向の中央部に幅狭部Ａを有してなるとともに、切欠き部２は幅狭部Ａ以外の入出力端子４の側面との間に隙間が形成され、入出力端子４は、入出力端子４の幅狭部Ａを切欠き部２の狭部に嵌着し、幅狭部Ａの側面が切欠き部にロウ付けされている。【選択図】  図１
2005011910.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モリブデン板の上面に上側銅板が、下面に下側銅板がロウ付けされるとともに、前記上側銅板の上面に半導体素子の載置部が設けられた金属基体と、該金属基体の上面に前記載置部を囲繞するように接合された金属枠体と、前記金属基体の上面で前記金属枠体の下方の部位に形成された切欠き部に中央部が前記金属枠体の直下に位置するとともに一端部が前記金属枠体の内側に他端部が外側に位置するように嵌着された直方体状の入出力端子とを具備しており、該入出力端子は、直方体状の誘電体板の下面に接地導体が形成され、上面の対向する両端部から内側方向に向けて一直線上を延びるように形成されるとともにそれぞれの先端部が前記金属枠体の厚さより大きな間隔を隔てて対向するように形成された一対の線路導体と、所定間隔をもって前記線路導体を囲むように形成された同一面接地導体と、該同一面接地導体から前記接地導体にかけて電気的に接続された貫通導体と、前記一対の線路導体の対向する各先端部同士を接続用貫通導体を介して前記誘電体板の内部で電気的に接続する内層線路導体と、前記誘電体板の側面に形成された側面接地導体とから成るとともに、前記線路導体の線路方向の中央部に幅狭部を有しており、前記上側銅板は、前記入出力端子の前記幅狭部以外の側面との間に隙間を形成して前記入出力端子を嵌着する前記切欠き部を有しており、前記幅狭部の側面が前記切欠き部にロウ付けされていることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
【請求項２】
請求項１記載の半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置されるとともに前記入出力端子に電気的に接続された半導体素子と、前記金属枠体の上面に接合された蓋体とを具備していることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は入出力端子を有する半導体素子収納用パッケージに関し、詳しくは入出力端子の接合構造を改良した半導体素子収納用パッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、マイクロ波帯やミリ波帯の高周波信号を用いる高周波用半導体素子などを気密封止して収容する半導体素子収納用パッケージ（以下、パッケージともいう）としては、例えば特許文献１に開示されるパッケージが知られている。以下、このパッケージを図３に基づいて説明する。
【０００３】
この従来のパッケージは、上面に半導体素子Ｃが載置固定される載置部１０１ｄを有する銅（Ｃｕ）からなる金属基体１０１と、この載置部１０１ｄを囲繞するように金属基体１０１の上面外周部にロウ付けされた鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金などの鉄系合金からなる枠部と蓋部とを合わせた金属キャップ１０３−Ａと、金属基体１０１の上面に形成された切欠き１０２に嵌着接合された高周波伝送線路が形成された入出力端子１０４とで構成されている。
【０００４】
この入出力端子１０４は例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）セラミックスからなる誘電体基板１０４ａ、誘電体基板１０４ａの上面において両端部から内側方向に向けて互いに一直線上に形成された一対の線路導体１０４ｂ、各線路導体１０４ｂの縁から所定距離を隔てて線路導体１０４ｂを囲むとともに誘電体基板の上面に形成された同一面接地導体（図示せず）、誘電体基板１０４ａの側面に形成された側面接地導体（図示せず）、誘電体基板１０４ａの下面に形成された下面接地導体１０４ｃとから成り、さらに上面に形成された一対の線路導体１０４ｂは、中央部で対向する端部同士が誘電体基板１０４ａを厚さ方向に導通するビア導体１０４ｆを介して内層線路導体１０４ｇにより電気的に接続されている。
【０００５】
このように構成された入出力端子１０４は、金属基体１０１に穿設された切欠き１０２に、下面接地導体１０４ｃおよび側面接地導体がロウ材を介して嵌着されることにより、入出力端子１０４の良好な接地を実現する。さらに、入出力端子１０４の上面を金属基体１０１の上面と面一とすることにより金属キャップ１０３−Ａに入出力端子１０４を挿着させるための切り欠きを設ける必要がなく、その結果、金属キャップ１０３−Ａを信頼性良く金属基体１０１および入出力端子１０４上に接合することができ、パッケージの内側を気密に封止することを可能とするとともに、低背のパッケージを可能としている。
【０００６】
また、特許文献２には、図４に示すように、金属基体１０１がモリブデン（Ｍｏ）板１０１ｃの上下面に、上側銅板１０１ａおよび下側銅板１０１ｂをロウ付けにより接合した３層からなり、金属基体１０１の上面、すなわち上側銅板１０１ａの上面外周部に金属枠体１０３が設けられ、金属枠体１０３で囲まれた内部に半導体素子Ｃを載置するとともに、側断面が凸字状の入出力端子１０４−Ａを金属枠体１０３に設けられた切欠き１０２にロウ材を介して嵌着させたパッケージが開示されている。
【０００７】
【特許文献１】
特開平８−４６０８９号公報
【０００８】
【特許文献２】
特開平５−２２６５１４号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年、半導体素子として大電流で作動するＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）やＭＭＩＣ（Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ  Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  ＩＣ）の発する熱が半導体素子の高集積化に伴って飛躍的に増大しつつあり、この熱を効率よく外部に導出させるために図３に示すようなＣｕからなる金属基体１０１が使用されると、Ｃｕの熱膨張係数（約１７×１０−６／℃）に比して入出力端子１０４の熱膨張係数（アルミナセラミックスであれば約７×１０−６／℃）が約２分の１と小さいために、入出力端子１０４にクラックが発生するという問題があった。
【００１０】
また、入出力端子１０４を切欠き１０２に嵌着接合するに際しては、入出力端子１０４の側面にメタライズ層を予め形成しておかなければならないが、この形成に際してはメタライズ層の厚さを安定させることが困難であり、メタライズ層の厚さが薄いとロウ材の量が不足して入出力端子１０４の側面と切欠き１０２の側部との間に隙間が生じることとなる。パッケージの表面が酸化腐食するのを防止するために入出力端子１０４をロウ付けした後に、ニッケル（Ｎｉ）メッキ膜および金（Ａｕ）メッキ膜をパッケージ表面に被着させるが、このときにメッキ液がこの隙間に充分に行きわたらないことから、隙間の内面に必要な厚さのＡｕメッキを被着させることができなくなり、その結果隙間における入出力端子１０４の側面のメタライズ層に酸化腐食が発生して気密性が劣化するという問題があった。
【００１１】
またロウ材の量が多すぎると入出力端子１０４が嵌着接合される切欠き１０２の上端から入出力端子１０４の表面へとロウ材が溢れてしまい、その結果、金属基体１０１と入出力端子１０４の接合部の周囲にロウ材溜まりが発生し、半導体素子Ｃが作動する際にこのロウ材溜まりのロウ材と入出力端子１０４との間に大きな熱応力が発生してロウ材や入出力端子１０４にクラックが発生し、気密性が損なわれるという問題があった。また、このクラックにより内層線路導体１０４ｇが断線したり、あるいは、ロウ材がパッケージの内側の線路導体１０４ｂ上に流れた場合にはボンディングワイヤの接合不良を招来したりするという問題があった。
【００１２】
また、特許文献２に開示された図４に示すパッケージの構造では、入出力端子１０４−Ａの高さを確保する必要があるゆえに枠体１０３の高さを低くすることができず、その結果、低背化の市場要求の流れに背くという問題があった。
【００１３】
したがって、本発明はかかる上記問題に鑑み完成されたものであり、その目的は、クラックの発生を防止する入出力端子の構造とし、気密性が良好で低背化された半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、モリブデン板の上面に上側銅板が、下面に下側銅板がロウ付けされるとともに、前記上側銅板の上面に半導体素子の載置部が設けられた金属基体と、該金属基体の上面に前記載置部を囲繞するように接合された金属枠体と、前記金属基体の上面で前記金属枠体の下方の部位に形成された切欠き部に中央部が前記金属枠体の直下に位置するとともに一端部が前記金属枠体の内側に他端部が外側に位置するように嵌着された直方体状の入出力端子とを具備しており、該入出力端子は、直方体状の誘電体板の下面に接地導体が形成され、上面の対向する両端部から内側方向に向けて一直線上を延びるように形成されるとともにそれぞれの先端部が前記金属枠体の厚さより大きな間隔を隔てて対向するように形成された一対の線路導体と、所定間隔をもって前記線路導体を囲むように形成された同一面接地導体と、該同一面接地導体から前記接地導体にかけて電気的に接続された貫通導体と、前記一対の線路導体の対向する各先端部同士を接続用貫通導体を介して前記誘電体版の内部で電気的に接続する内層線路導体と、前記誘電体板の側面に形成された側面接地導体とから成るとともに、前記線路導体の線路方向の中央部に幅狭部を有しており、前記上側銅板は、前記入出力端子の前記幅狭部以外の側面との間に隙間を形成して前記入出力端子を嵌着する前記切欠き部を有しており、前記幅狭部の側面が前記切欠き部にロウ付けされていることを特徴とするものである。
【００１５】
モリブデン板は縦弾性係数が３３×１０３ｋｇ／ｍｍ２と比較的硬い金属であるが、上下面に接合されている銅板により、モリブデン板の熱膨張係数が本来の熱膨張係数（５．１×１０−６／℃）よりも若干大きくなり、よって入出力端子が切欠き部に嵌着接合されると、互いの熱膨張率がより近接するために、半導体素子から発する熱によりパッケージが昇温しても入出力端子に大きな熱応力が発生せず、その結果入出力端子にクラックが発生することが有効に防止される。また、入出力端子は切欠き部に嵌着されるので金属枠体の高さを低いものとでき、気密性が高く低背なパッケージとすることができる。
【００１６】
さらに、入出力端子の幅狭部を基体の切欠き部にロウ付けするに際して、ロウ材を多めにしてロウ材不足が生じないようにしておくと、ロウ付け部に隙間が発生しなくなり、その結果、メッキ液を隙間に回り込ませる必要がないとともに、十分なロウ材により入出力端子を確実強固に接合できるという利点が得られる。このとき、余ったロウ材が入出力端子の幅狭部以外の側面との間に形成された隙間に広がることで大きなロウ材溜まりが金属枠体と入出力端子との接合部周辺に生成することがなく、よって、入出力端子にクラックが発生したり、余ったロウ材が線路導体上に流れてボンディングワイヤの接合不良が発生したりするのを有効に防止することができる。
【００１７】
さらに入出力端子の幅狭部の側面が切欠き部にロウ付けされていることから、接合面積を小さくできることにより、入出力端子に発生する金属基体の面に平行な方向の熱応力を小さくすることができ、その結果、入出力端子が横方向に引き裂かれるように発生するクラックを防止することができる。
【００１８】
また、本発明の半導体装置は、前記本発明の半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置されるとともに前記入出力端子に電気的に接続された半導体素子と、前記金属枠体の上面に接合された蓋体とを具備していることを特徴とするものである。
【００１９】
本発明の半導体装置によれば、上記本発明の半導体素子収納用パッケージを用いた放熱性、気密信頼性および導通信頼性が高くまた低背化が実現されたものとできる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体素子収納用パッケージを添付図面に基づき詳細に説明する。図１は本発明の半導体素子収納用パッケージの実施の形態の一例を示す平面図であり、図２（ａ）は図１の要部拡大平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＹ−Ｙ’線における断面図である。これらの図において１は金属基体、１ａは上側銅板、１ｂは下側銅板、１ｃはモリブデン板、２は切欠き部、３は金属枠体、４は入出力端子、４ａは誘電体基板、４ｂは線路導体、４ｃは接地導体、４ｄは同一面接地導体、４ｅは側面接地導体、４ｆは貫通導体、４ｈは接続用貫通導体、４ｇは内層線路導体、Ａは入出力端子４の幅狭部、Ｂは切欠き部２の狭部、Ｃは半導体素子である。
【００２１】
金属基体１は、モリブデン板１ｃの上面に上側銅板１ａが、下面に下側銅板１ｂがロウ付けされて成り、上側銅板１ａの上面に半導体素子Ｃの載置部１ｄが設けられている。金属基体１の上面には載置部１ｄを囲繞するように金属枠体３が銀ロウ等のロウ材を介して接合されており、この金属枠体３によって囲まれる金属基体１の上面には半導体素子Ｃが例えば金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）合金等の接合材を介して載置される。
【００２２】
金属基体１はモリブデン（Ｍｏ）板１ｃの上面に切欠き部２を有する上側銅（Ｃｕ）板１ａ、下面に下側銅（Ｃｕ）板１ｂをロウ付けにより接合した３層構造を有しており、下側銅板１ｂ、モリブデン板１ｃ、上側銅板１ａと入出力端子４、および金属枠体３を順次配置するとともに銀ロウ等のロウ材（ＢＡｇ８：ＪＩＳ  Ｚ３２６１）で接合させることによって、金属基体１の上面外周部に金属枠体３を設けるとともに切欠き部２に入出力端子４を接合したパッケージが得られる。入出力端子４は金属枠体３の下方の部位に形成された切欠き部２に、中央部が金属枠体３の直下に位置するとともに、一端部が金属枠体３の内側に他端部が外側に位置するように、そしてその幅狭部Ａが切欠き部２の狭部Ｂに嵌着されるようにしてロウ材を介して接合されて成り、狭部Ｂを除く部位の側面は隙間が形成されて金属基体１とは接合されない。
【００２３】
上側銅板１ａにおける切欠き部２は、ロウ付けに先立って上側銅板１ａに打ち抜き金型による打ち抜き法やエッチング法により形成される。また、上側銅板１ａ，下側銅板１ｂ，モリブデン板１ｃ，および入出力端子４の導体層の部位にはロウ付けを良好とするために表面にＮｉメッキ層を０．５〜９μｍの厚みで予め被着させておくとよい。
【００２４】
金属基体１を構成する上側銅板１ａおよび下側銅板１ｂは、間に熱膨張係数が小さい金属であるモリブデン板１ｃを挟み込むことにより、銅の良好な熱伝導を利用できるとともに、モリブデン板１ｃで上側銅板１ａおよび下側銅板１ｂの熱膨張を抑制することで、これらからなる金属基体１の熱膨張係数を金属枠体３の熱膨張係数に近似させることができ、金属基体１に反りが発生するのを有効に防止することができる。これによって金属基体１は反りを発生することなくその上面に半導体素子Ｃを信頼性良く接合することができる。
【００２５】
なお、金属基体１は、モリブデン板１ｃの厚みをＴ１、上側銅板１ａの厚みをＴ２、下側銅板１ｂの厚みをＴ３とすると、Ｔ２／Ｔ１＜１のとき、金属基体１の熱伝導率が低いものとなって半導体素子Ｃの発する熱を有効に除去することができなくなり、またＴ２／Ｔ１＞７のとき、金属基体１の熱膨張係数が大きくなって金属枠体３の熱膨張係数と合わなくなり、その結果、金属基体１に大きな反りが発生して半導体素子Ｃを信頼性良く固定することができない。従って、Ｔ２／Ｔ１＝１〜７の範囲にするのが好ましい。
【００２６】
またＴ３／Ｔ２＜−Ｔ２／１２Ｔ１＋１．３のとき、金属基体１が凹状に大きく湾曲し、金属基体１に半導体素子Ｃを強固に固定させることが困難となり、また、逆にＴ３／Ｔ２＞−Ｔ２／１２Ｔ１＋１．６のとき、金属基体１が凸状に大きく湾曲して金属基体１に半導体素子Ｃを強固に固定させることが困難となる。従って、Ｔ３／Ｔ２＝−Ｔ２／１２Ｔ１＋１．３〜−Ｔ２／１２Ｔ１＋１．６の範囲とするのが好ましい。
【００２７】
また、金属基体１は、３層構造の部位ではその熱伝導率が２５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、切欠き部２が形成されても切欠き部２の金属基体１全体に対する面積比率が小さいので、全体として熱伝導率が若干低下する程度であることから、半導体素子Ｃが作動時に発生する熱の大半を吸収伝導するとともに大気中に良好に放出して半導体素子Ｃを常に低温とする。その結果、半導体素子Ｃを長期間にわたり正常かつ安定に作動させることが可能となる。
【００２８】
また金属基体１の上面外周部に接合される金属枠体３は上述のようにＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ等の鉄系合金材料から成り、半導体素子Ｃを収容する空間を形成するための壁材として用いられる。金属枠体３は上記鉄系合金のインゴット（塊）を金属圧延加工法や研削加工法等、従来周知の金属加工法を採用することによって所定の枠状に形成される。
【００２９】
入出力端子４はアルミナ質焼結体（アルミナセラミックス）から成り、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３），シリカ（ＳｉＯ２），カルシア（ＣａＯ），マグネシア（ＭｇＯ）等の原料粉末に適当な有機溶剤，溶媒を添加混合して泥漿状と成すとともにこれをドクターブレード法やカレンダーロール法を採用することによってグリーンシート（生シート）と成し、しかる後、このグリーンシートを所定形状に打ち抜き加工するとともに複数枚積層し、高温（約１６００℃）で焼成することによって製作される。
【００３０】
入出力端子４には誘電体基板４ａの下面に接地導体４ｃを形成するとともに、誘電体基板４ａの上面に両端部から内側方向に向けて互いに一直線上を延びるように形成された一対の線路導体４ｂ、各線路導体４ｂの縁から所定間隔をもって線路導体４ｂを囲むとともに誘電体基板４ａの上面に形成された同一面接地導体４ｄ、誘電体基板４ａの側面に形成された側面接地導体４ｅが形成されており、さらに上面に形成された一対の線路導体４ｂは、それぞれの先端部が金属枠体３の厚さより大きな間隔を隔てて対向し、その先端部同士が誘電体基板４ａを厚さ方向に導通する接続用貫通導体４ｈを介した内層線路導体４ｇにより電気的に接続されている。
【００３１】
また、入出力端子４には、線路導体４ｂ方向の中央部に幅狭部Ａが形成されている。そして、入出力端子４は、この幅狭部Ａにおいて金属基体１の切欠き部２の狭部Ｂにロウ付け固定される。切欠き部２は、入出力端子４の幅狭部Ａを嵌着する狭部Ｂ以外の側面に入出力端子４の側面と切欠き部２の側面との間に隙間Ｄを有するように形成してあることにより、入出力端子４の側面における金属基体１との接合面積はこの幅狭部Ａ付近に限定して小さくすることができ、これにより金属基体１との熱膨張差による熱応力をこの部分に限定することができることから入出力端子４に加わる熱応力を軽減することができる。
【００３２】
また、狭部Ｂ以外の側面に隙間Ｄを有するように形成してあるので、入出力端子４の幅狭部Ａの側面が切欠き部２の狭部Ｂにロウ付けされる際に、余分なロウ材が隙間Ｄの方へ流れることとなり、入出力端子４上へ這い上がってくることがない。その結果、入出力端子４の上面にロウ溜まりができて、ロウ溜まりと入出力端子４の間に生じる熱応力によって入出力端子４にクラックを発生させることを防止できる。また、十分な量のロウ材によって確実強固に入出力端子４を接合することができる。
【００３３】
また、入出力端子４は切欠き部２に嵌め込まれて嵌着されるので、金属枠体３に切欠きを設ける必要がなく、さらに金属枠体３は入出力端子４の高さ分の高さを確保する必要がない分だけ低くすることができ、パッケージを低背化することができる。
【００３４】
上記各線路導体４ｂ、各接地導体などの導電部はタングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属粉末から成り、Ｗ粉末等に適当な有機溶剤，溶媒を添加混合して得た金属ペーストを誘電体基板４ａとなるグリーンシートに予めスクリーン印刷法等の厚膜手法で印刷塗布しておくことによって誘電体基板４ａの所定部位に所定形状で形成される。
【００３５】
なお、線路導体４ｂは最終的にその表面にニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等の耐蝕性に優れ、且つ良導電体である金属材料をメッキ法により１．０乃至２０．０μｍの厚みに被着させておくと線路導体４ｂの酸化腐食を有効に防止することができるとともに、線路導体４ｂと半導体素子Ｃとを電気的に接続するためのボンディングワイヤ（図示せず）および外部リード端子（図示せず）を強固に接合させることができる。従って、線路導体４ｂの表面にはＮｉ，Ａｕ等からなる金属層をそれぞれ１．０乃至２０．０μｍの厚みに被着させておくことが好ましい。
【００３６】
また線路導体４ｂの金属枠体３外側の一端にロウ付けされる外部リード端子はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金等の金属材料から成り、この外部リード端子を外部電気回路に接続することによって内部に収容する半導体素子Ｃはその電極が外部電気回路に電気的に接続されることとなる。
【００３７】
外部リード端子はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等のインゴット（塊）を圧延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を採用することによって所定の板状に形成され、その一端が銀ロウ等のロウ材を介し入出力端子４の線路導体４ｂに取着される。尚、外部リード端子は、最終的にその表面に耐蝕性に優れ、且つ良導電性であるＮｉ，Ａｕ等をメッキ法により１．０〜２０．０μｍに被着させておくと外部リード端子の酸化腐食を有効に防止することができるとともに外部リード端子を外部電気回路に強固に接続させることができる。従って、外部リード端子はその表面にＮｉ，Ａｕ等をそれぞれ１．０乃至２０．０μｍの厚みに被着させておくことが好ましい。
【００３８】
そして、入出力端子４および外部リード端子にＮｉ，Ａｕ層を被着させるに際して、パッケージ全体に同様にＮｉ，Ａｕ層がメッキ法により被着され、本発明の半導体素子収納用パッケージが得られる。
【００３９】
かくして、本発明の半導体素子収納用パッケージによれば、金属枠体３に囲まれた金属基体１の表面に半導体素子Ｃを接合材を介して固定するとともに半導体素子Ｃの電極をボンディングワイヤを介して入出力端子４の線路導体４ｂに接続し、しかる後、金属枠体３の上面に蓋体をロウ材等の封止材を介して接合させ、半導体素子Ｃを気密に封止することによって最終製品としての半導体装置となる。
【００４０】
なお、本発明は上述の実施の形態の一例に限定されるものではなく本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。例えば、本実施の形態の例では隙間を入出力端子に沿って入出力端子の端部まで形成しているが、余分なロウ材の這い上がりを防止できるものであればよく、途中で閉じられた隙間であってもよい。
【００４１】
【発明の効果】
本発明の半導体素子収納用パッケージによれば、モリブデン板の上面に上側銅板が、下面に下側銅板がロウ付けされるとともに、上側銅板の上面に半導体素子の載置部が設けられた金属基体と、金属基体の上面に載置部を囲繞するように接合された金属枠体と、金属基体の上面で金属枠体の下方の部位に形成された切欠き部に中央部が金属枠体の直下に位置するとともに一端部が金属枠体の内側に他端部が外側に位置するように嵌着された直方体状の入出力端子とを具備しており、この入出力端子は、直方体状の誘電体板の下面に接地導体が形成され、上面の対向する両端部から内側方向に向けて一直線上を延びるように形成されるとともに、それぞれの先端部が金属枠体の厚さより大きな間隔を隔てて対向するように形成された一対の線路導体と、所定間隔をもって線路導体を囲むように形成された同一面接地導体と、この同一面接地導体から接地導体にかけて電気的に接続された貫通導体と、一対の線路導体の対向する各先端部同士を接続用貫通導体を介して誘電体板の内部で電気的に接続する内層線路導体と、誘電体板の側面に形成された側面接地導体とから成るとともに、線路導体の線路方向の中央部に幅狭部を有しており、上側銅板は、入出力端子の幅狭部以外の側面との間に隙間を形成して入出力端子を嵌着する切欠き部を有しており、幅狭部の側面が前記切欠き部にロウ付けされていることより、入出力端子の幅狭部の側面で金属基体の切欠き部とロウ付けするときに、入出力端子の幅狭部以外の側面との間に隙間が形成されているので、入出力端子上へのロウ材の這い上がりを防止して金属基体と入出力端子の接合部におけるロウ材のクラック、および入出力端子に発生するクラックを防止することができるとともに、十分なロウ材によって確実強固に入出力端子を接合することができる。
【００４２】
また金属基体は、モリブデン板の上面に上側銅板が、下面に下側銅板がロウ付けされているので、金属基体の熱膨張係数を誘電体板から成る入出力端子の熱膨張係数に近づけることができて、熱応力による入出力端子およびロウ付け部のクラックを防止することができる。
【００４３】
また、入出力端子が切欠き部に嵌着されるので、金属枠体を入出力端子の高さ分低いものとでき、パッケージの低背化を可能とする。
【００４４】
また、本発明の半導体装置によれば、上記本発明の半導体素子収納用パッケージと、載置部に載置されるとともに入出力端子に電気的に接続された半導体素子と、金属枠体の上面に接合された蓋体とを具備していることより、放熱性、気密信頼性、導通信頼性が高くまた低背の半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体素子収納用パッケージの実施の形態の一例を示す平面図である。
【図２】（ａ）は図１の半導体素子収納用パッケージの要部拡大平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＹ−Ｙ’線における断面図である。
【図３】従来の半導体素子収納用パッケージの例を示す断面図である。
【図４】従来の半導体素子収納用パッケージの他の例を示す要部拡大断面図である。
【符号の説明】
１：金属基体
１ａ：上側銅板
１ｂ：下側銅板
１ｃ：モリブデン板
１ｄ：載置部
２：切欠き部
３：金属枠体
４：入出力端子
４ａ：誘電体基板
４ｂ：線路導体
４ｃ：接地導体
４ｄ：同一面接地導体
４ｅ：側面接地導体
４ｆ：貫通導体
４ｇ：内層線路導体
４ｈ：接続用貫通導体
Ａ：幅狭部
Ｂ：狭部
Ｃ：半導体素子
Ｄ：隙間
【図１】
2005011910.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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