【手続補正書】
【提出日】平成22年2月25日(2010.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理領域を画成する本体と、
上記基板処理領域内に基板を支持するように適応された基板支持体と、
上記基板支持体から離間され上記基板支持体上に配置された基板へ紫外線を発生し伝送するように構成された紫外線（ＵＶ）放射線ランプであって、ＵＶ放射線源、及び該ＵＶ放射線源を部分的に取り囲む一次リフレクタを含むようなＵＶ放射線ランプと、
上記一次リフレクタと上記基板との間に配置された二次リフレクタであって、このようにしなければ上記基板に当たらない紫外線放射線を上記基板の方へ向け直すように適応された二次リフレクタと、
を備える基板処理ツール。
【請求項２】
上記ＵＶ放射線ランプは、ＵＶ放射線の実質的に矩形のフラッドパターンを発生し、上記二次リフレクタは、上記フラッドパターンを実質的に円形のフラッドパターンへと変える、請求項１に記載の基板処理ツール。
【請求項３】
上記二次リフレクタは、上方部分及び下方部分を備え、上記上方部分及び下方部分の各々は、（i）長手方向の面の長さ方向を横切る頂上にて交差する対向する長手方向の面及び（ii）上記長手方向の面の端部の間に延長する対向する横断方向の面を含む、請求項１又は２に記載の基板処理ツール。
【請求項４】
上記二次リフレクタの上記上方部分及び下方部分の両者の上記長手方向の面は、長手方向に沿って全体として凹状である、請求項３に記載の基板処理ツール。
【請求項５】
上記二次リフレクタの上記上方部分及び下方部分の上記対向する横断方向の面は、横断方向に沿って全体として凸状である、請求項４に記載の基板処理ツール。
【請求項６】
上記二次リフレクタの上記上方部分の上記対向する長手方向の面は、上記リフレクタの上部から上記頂上へと全体として内方に延長し、上記二次リフレクタの上記下方部分の上記対向する長手方向の面は、上記頂上から上記リフレクタの底部へと全体として外方に延長している、請求項４に記載の基板処理ツール。
【請求項７】
上記基板支持体から離間され且つ窓の上方に配設された少なくとも２つの紫外線ランプを備え、各々の紫外線ランプは、細長いＵＶ放射線源と、上記細長いＵＶ放射線源を部分的に取り囲む対応する一次リフレクタとを含み、上記少なくとも２つの紫外線ランプは、組み合わさって上記基板支持体の方へ向けられた紫外線のフラッドパターンを生成する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理ツール。
【請求項８】
上記基板処理領域を上記少なくとも２つの紫外線ランプから分離する窓を更に備え、該窓は、上記紫外線のフラッドパターンが上記基板に達する前に上記窓を透過するよう配置されている、請求項７に記載の基板処理ツール。
【請求項９】
上記少なくとも２つの紫外線ランプは、垂直に対して対向する角度をなして互いに面するように取り付けられている、請求項７に記載の基板処理ツール。
【請求項１０】
互いに離れて隣接している第１処理領域及び第２の処理領域を画成する本体と、
上記第１の処理領域内に基板を支持するように適応された第１の基板支持体及び上記第２の処理領域内に基板を支持するように適応された第２の基板支持体と、
上記第１の基板支持体から離間され紫外線を上記第１の基板支持体上に配置された第１の基板へ伝送するように構成された第１のＵＶ放射線ランプモジュールと、
上記第２の基板支持体から離間され紫外線を上記第２の基板支持体上に配置された第２の基板へ伝送するように構成された第２のＵＶ放射線ランプモジュールと、
上記第１のＵＶランプモジュールと上記基板支持体との間に配置された第１の二次リフレクタであって、このようにしなければ上記第１の基板に当たらないような紫外線を上記第１の基板の方へ向け直すように適応された第１の二次リフレクタと、
上記第２のＵＶランプモジュールと上記第２の基板支持体との間に配置された第２の二次リフレクタであって、このようにしなければ上記第２の基板に当たらないような紫外線を上記第２の基板の方へ向け直すように適応された第２の二次リフレクタと、
を備える基板処理システム。
【請求項１１】
紫外線の実質的に円形のフラッドパターンを生成するための装置において、
細長いＵＶ放射線源及び上記細長いＵＶ放射線源を部分的に取り囲む一次リフレクタを備え、上記細長いＵＶ放射線源及び上記一次リフレクタが組み合わさってＵＶ放射線の実質的に矩形のフラッドパターンを生成するような紫外線（ＵＶ）放射線ランプと、
上記一次リフレクタから離間された二次リフレクタであって、上記二次リフレクタに入射する上記ＵＶ放射線の実質的に矩形のフラッドパターンの部分を向け直して上記ＵＶ放射線の実質的に円形のフラッドパターンを生成するように適応された二次リフレクタと、
を備える装置。
【請求項１２】
基板上に形成された誘電体物質の層を硬化する方法において、
上記誘電体物質が形成された上記基板を基板処理チャンバにおける基板支持体上に配置するステップと、
ＵＶ源及び一次リフレクタを用いてＵＶ放射線の実質的に矩形のフラッドパターンを生成し、上記一次リフレクタと上記基板支持体との間に配置された二次リフレクタを用いて上記実質的に矩形のフラッドパターンをＵＶ放射線の実質的に円形のフラッドパターンへと整形し直すことによって上記基板を紫外線に対して露光させるステップと、
を含む方法。
【請求項１３】
基板処理領域を画成する本体と、
上記基板処理領域内に基板を支持するように適応された基板支持体と、
上記基板支持体から離間され紫外線を上記基板支持体上に配置された基板へ伝送するように構成された紫外線ランプと、
上記紫外線ランプ又は基板支持体の少なくとも一方を互いに対して少なくとも１８０度回転させるように作動的に結合されるモータと、
を備えた基板処理ツール。
【請求項１４】
基板処理領域を画成する本体と、
上記基板処理領域内に基板を支持するように適応された基板支持体と、
上記基板支持体から離間され上記基板支持体上に配置された基板へＵＶ放射線を伝送するように構成された第１のＵＶランプと、
を備え、
上記第１のＵＶランプは、第１のＵＶ放射線源と、上記第１のＵＶ放射線源を部分的に取り囲む第１のリフレクタとを備え、上記第１のリフレクタは、対向する内側反射パネル及び外側反射パネルを有し、上記内側反射パネルは、第１の反射面を有し、上記外側反射パネルは、上記第１の反射面と非対称な第２の反射面を有する、
基板処理ツール。
【請求項１５】
基板処理領域を画成する本体と、
上記基板処理領域内に基板を支持するように適応された基板支持体と、
上記基板支持体から離間され且つ上記基板支持体上に配置された基板に対して紫外線を発生して伝送するように構成された紫外線（ＵＶ）放射線ランプであって、ＵＶ放射線源、及び該ＵＶ放射線源を部分的に取り囲む一次リフレクタを含むような紫外線（ＵＶ）放射線ランプと、
上記一次リフレクタと上記基板支持体との間に配置され上記基板の外側での光損失を減少させるように構成された二次リフレクタであって、内側面及び外側面及び上記内側面から上記外側面へと上記リフレクタを横切る少なくとも１つの穴を有するような二次リフレクタと、
上記ＵＶ放射線ランプによって発生されて上記少なくとも１つの穴を通して伝送されるＵＶ放射線光を受け取るように配置された光検出器と、
を備える基板処理ツール。
【請求項１６】
基板処理領域を画成する本体と、
上記基板処理領域内に基板を支持するように適応された基板支持体と、
上記基板支持体から離間され上記基板支持体上に配置された基板へ紫外線を発生し伝送するように構成された紫外線（ＵＶ）放射線ランプと、
を備え、
上記ＵＶ放射線ランプは、ＵＶ放射線源と、該ＵＶ放射線源を部分的に取り囲む一次リフレクタとを含み、上記一次リフレクタは、少なくとも１つの放物線状部分及び少なくとも１つの楕円形状部分を含む反射面を有する、
基板処理ツール。