【手続補正書】
【提出日】平成22年5月6日(2010.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体メモリから構成される第１の記憶領域と、
前記第１の記憶領域以上のデータ記憶容量を有する退避バッファと、
消去単位であるブロックを複数含む不揮発性半導体メモリから構成される第２及び第３の記憶領域と、
前記不揮発性半導体メモリの記憶領域を、１以上の前記ブロックに対応付けられた論理ブロック単位で前記第２及び第３の記憶領域に割り当てるコントローラと、を具備し、
前記コントローラは、
セクタ単位の複数のデータを前記第１の記憶領域に記憶する第１の処理と、
前記第１の記憶領域から出力されるデータを、前記セクタ単位の２以上の自然数倍である第１の管理単位で前記第２の記憶領域に記憶する第２の処理と、
前記第１の記憶領域から出力されるデータを、前記第１の管理単位の２以上の自然数倍である第２の管理単位で前記第３の記憶領域に記憶する第３の処理と、
前記第２の記憶領域に割り当てられた論理ブロック数が所定値を超えている場合に、前記第２の記憶領域内の有効データを整理して、前記論理ブロック数を所定値以下に戻す第４の処理と、
書き込み要求の発行から所定時間が経過した場合に、前記第４の処理を中断して、前記第１の記憶領域に記憶されている全ての有効データを前記退避バッファに書き込む第５の処理と、
を実行することを特徴とするメモリシステム。
【請求項２】
前記コントローラは、前記第２の記憶領域に割り当てられた論理ブロックの一部を、前記第２の処理の対象とならない前記退避バッファとして管理することを特徴とする請求項１に記載のメモリシステム。
【請求項３】
前記コントローラは、前記第１の記憶領域及び前記退避バッファを前記第１の管理単位で管理することを特徴とする請求項２に記載のメモリシステム。
【請求項４】
前記コントローラは、前記第５の処理実行後に、前記書き込み要求に伴う入力データを、前記第１の記憶領域を経由して前記第３の記憶領域に書き込む第６の処理を実行することを特徴とする請求項１に記載のメモリシステム。
【請求項５】
前記コントローラは、前記第６の処理実行後に、前記第４の処理を再開することを特徴とする請求項４に記載のメモリシステム。
【請求項６】
前記第４の処理は、前記第２の記憶領域に記憶された前記第一の管理単位の有効データを、前記第２の管理単位のデータに統合して、前記第３の記憶領域に記憶する処理を含むことを特徴とする請求項１に記載のメモリシステム。
【請求項７】
前記第４の処理は、前記第２の記憶領域に記憶された前記第一の管理単位の有効データを集め、前記第２の記憶領域に割り当てられた新しい論理ブロックに書き直す処理を含むことを特徴とする請求項１に記載のメモリシステム。
【請求項８】
半導体メモリから構成される第１の記憶領域と、
前記第１の記憶領域以上の記憶容量を有する退避バッファと、
消去単位であるブロックを複数含む不揮発性半導体メモリから構成される第２、第３、及び第４の記憶領域と、
前記不揮発性半導体メモリの記憶領域を、１以上の前記ブロックに対応付けられた論理ブロック単位で前記第２、第３、及び第４の記憶領域に割り当てるコントローラと、を具備し、
前記コントローラは、
セクタ単位の複数のデータを前記第１の記憶領域に記憶する第１の処理と、
前記第１の記憶領域から出力されるデータを、前記セクタ単位の２以上の自然数倍である第１の管理単位で前記第４の記憶領域に記憶する第２の処理と、
前記第１の記憶領域から出力されるデータを、前記第１の管理単位の２以上の自然数倍である第２の管理単位で前記第３の記憶領域に記憶する第３の処理と、
前記第４の記憶領域に割り当てられた論理ブロック数が所定値を超えている場合に、前記第４の記憶領域から前記第２の記憶領域に論理ブロックを移動する第４の処理と、
前記第２の記憶領域に割り当てられた論理ブロック数が所定値を超えている場合に、前記第２の記憶領域内の有効データを整理して、前記論理ブロック数を所定値以下に戻す第５の処理と、
書き込み要求の発行から所定時間が経過した場合に、前記第４及び第５の処理を中断して、前記第１の記憶領域に記憶されている全ての有効データを前記退避バッファに書き込む第６の処理と、
を実行することを特徴とするメモリシステム。
【請求項９】
前記コントローラは、前記第４の記憶領域に割り当てられた論理ブロックの一部を、前記第２の処理の対象とならない前記退避バッファとして管理することを特徴とする請求項８に記載のメモリシステム。
【請求項１０】
前記コントローラは、前記第１の記憶領域及び前記退避バッファを前記第１の管理単位で管理することを特徴とする請求項９に記載のメモリシステム。
【請求項１１】
前記コントローラは、前記第６の処理実行後に、前記書き込み要求に伴う入力データを、前記第１の記憶領域を経由して前記第３の記憶領域に書き込む第７の処理を実行することを特徴とする請求項８に記載のメモリシステム。
【請求項１２】
前記コントローラは、前記第７の処理実行後に、前記第４及び第５の処理の少なくとも一方を再開することを特徴とする請求項１１に記載のメモリシステム。
【請求項１３】
前記コントローラは、前記第４の記憶領域を論理ブロック単位のＦＩＦＯ構造により管理し、
前記第４の処理は、前記第４の記憶領域に割り当てられた順序が最も古い論理ブロックを前記第２の記憶領域に移動する処理を含むことを特徴とする請求項８に記載のメモリシステム。
【請求項１４】
前記第５の処理は、前記第２の記憶領域に記憶された前記第一の管理単位の有効データを、前記第２の管理単位のデータに統合して、前記第３の記憶領域に記憶する処理を含むことを特徴とする請求項８に記載のメモリシステム。
【請求項１５】
前記第５の処理は、前記第２の記憶領域に記憶された前記第一の管理単位の有効データを集め、前記第２の記憶領域に割り当てられた新しい論理ブロックに書き直す処理を含むことを特徴とする請求項８に記載のメモリシステム。
【請求項１６】
半導体メモリから構成される第１の記憶領域と、
前記第１の記憶領域以上の記憶容量を有する退避バッファと、
消去単位であるブロックを複数含む不揮発性半導体メモリから構成される第２、第３、第４、及び第５の記憶領域と、
前記不揮発性半導体メモリの記憶領域を、１以上の前記ブロックに対応付けられた論理ブロック単位で前記第２、第３、第４、及び第５の記憶領域に割り当てるコントローラと、を具備し、
前記コントローラは、
セクタ単位の複数のデータを前記第１の記憶領域に記憶する第１の処理と、
前記第１の記憶領域から出力されるデータを、前記セクタ単位の２以上の自然数倍である第１の管理単位で前記第４の記憶領域に記憶する第２の処理と、
前記第１の記憶領域から出力されるデータを、前記第１の管理単位の２以上の自然数倍である第２の管理単位で前記第５の記憶領域に記憶する第３の処理と、
前記第４の記憶領域に割り当てられた論理ブロック数が所定値を超えている場合に、前記第４の記憶領域から前記第２の記憶領域に論理ブロックを移動する第４の処理と、
前記第５の記憶領域に割り当てられた論理ブロック数が所定値を超えている場合に、前記第５の記憶領域から前記第３の記憶領域に論理ブロックを移動する第５の処理と、
前記第２の記憶領域に割り当てられた論理ブロック数が所定値を超えている場合に、前記第２の記憶領域内の有効データを整理して、前記論理ブロック数を所定値以下に戻す第６の処理と、
前記第３の記憶領域に割り当てられた論理ブロック数が所定値を超えている場合に、前記第３の記憶領域内の有効データを整理して、前記論理ブロック数を所定値以下に戻す第７の処理と、
書き込み要求の発行から所定時間が経過した場合に、前記第４、第５、第６、及び第７の処理を中断して、前記第１の記憶領域に記憶されている全ての有効データを前記退避バッファに書き込む第８の処理と、
を実行することを特徴とするメモリシステム。
【請求項１７】
前記コントローラは、前記第４の記憶領域に割り当てられた論理ブロックの一部を、前記第２の処理の対象とならない前記退避バッファとして管理することを特徴とする請求項１６に記載のメモリシステム。
【請求項１８】
前記コントローラは、前記第１の記憶領域及び前記退避バッファを前記第１の管理単位で管理することを特徴とする請求項１７に記載のメモリシステム。
【請求項１９】
前記コントローラは、前記第８の処理実行後に、前記書き込み要求に伴う入力データを、前記第１の記憶領域を経由して前記第３の記憶領域に書き込む第９の処理を実行することを特徴とする請求項１６に記載のメモリシステム。
【請求項２０】
前記コントローラは、前記第９の処理実行後に、前記第４、第５、第６、及び第７の処理の少なくとも一つを再開することを特徴とする請求項１９に記載のメモリシステム。
【請求項２１】
前記コントローラは、前記第４の記憶領域を論理ブロック単位のＦＩＦＯ構造により管理し、
前記第４の処理は、前記第４の記憶領域に割り当てられた順序が最も古い論理ブロックを前記第２の記憶領域に移動する処理を含むことを特徴とする請求項１６に記載のメモリシステム。
【請求項２２】
前記コントローラは、前記第５の記憶領域を論理ブロック単位のＦＩＦＯ構造により管理し、
前記第５の処理は、前記第５の記憶領域に割り当てられた順序が最も古い論理ブロックを前記第３の記憶領域に移動する処理を含むことを特徴とする請求項１６に記載のメモリシステム。
【請求項２３】
前記第６の処理は、前記第２の記憶領域に記憶された前記第一の管理単位の有効データを、前記第２の管理単位のデータに統合して、前記第３の記憶領域に記憶する処理を含むことを特徴とする請求項１６に記載のメモリシステム。
【請求項２４】
前記第６の処理は、前記第２の記憶領域に記憶された前記第一の管理単位の有効データを集め、前記第２の記憶領域に割り当てられた新しい論理ブロックに書き直す処理を含むことを特徴とする請求項１６に記載のメモリシステム。
【請求項２５】
前記第７の処理は、前記第３の記憶領域に記憶された前記第二の管理単位の有効データを集め、前記第三の記憶領域に割り当てられた新しい論理ブロックに書き直す処理を含むことを特徴とする請求項１６に記載のメモリシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４０
【補正方法】削除
【補正の内容】