(57)【要約】【課題】  特に従来に比べて接触子の生産コストを低減できるとともに、前記接触子の微細加工にも優れた接続装置の製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】  ガラス基板３０上にＺｎＯ等からなる剥離膜３１を設け、その上にＣｕメッキ層３２を設け、さらに前記Ｃｕメッキ層３２の上に積層メッキで形成されたスパイラル接触子２０をメッキ形成する。前記スパイラル接触子２０の形成後、前記スパイラル接触子２０を、前記剥離膜３１上から剥離でき、剥離膜３１を有するガラス基板３０は何度でもスパイラル接触子２０の形成の度に使用できる。よってスパイラル接触子２０の形成の際の生産コストを低減でき、また前記接触子２０を超微細加工することも可能である。【選択図】図１１
2005126770.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基台と、前記基台に設けられた複数の接触子とを有し、電子部品の複数の外部接続部が、前記接触子にそれぞれ接触する接続装置の製造方法において、
（ａ）  基板上に、剥離膜を形成する工程と、
（ｂ）  前記剥離膜上に前記接触子をメッキ形成する工程と、
（ｃ）  前記接触子を前記剥離膜上から剥離する工程と、
（ｄ）  前記接触子を前記基台に取り付ける工程と、
を有することを特徴とする接続装置の製造方法。
【請求項２】
前記（ａ）工程で、前記基板にセラミック材あるいはプラスチック材を用いる請求項１記載の接続装置の製造方法。
【請求項３】
前記（ａ）工程で、前記基板にガラス基板を用いる請求項１記載の接続装置の製造方法。
【請求項４】
前記剥離膜には酸化物からなる剥離膜を用いる請求項１ないし３の記載の接続装置。
【請求項５】
前記剥離膜をＺｎＯで形成する請求項３に記載の接続装置の製造方法。
【請求項６】
前記（ｂ）工程には、以下の工程を用いる請求項１ないし５のいずれかに記載の接続装置の製造方法。
（ｅ）  前記剥離膜上にレジスト層を形成し、前記レジスト層に前記接触子のパターンを形成する工程と、
（ｆ）  前記パターン内に露出した剥離膜上に、前記接触子をメッキ形成する工程。
【請求項７】
前記（ｂ）工程、あるいは前記（ｆ）工程で、前記接触子をメッキ形成する際、前記剥離膜上に直接メッキ形成するメッキ層を無電解メッキ法を用いてメッキ形成する請求項１ないし６のいずれかに記載の接続装置の製造方法。
【請求項８】
前記無電解メッキ法で形成されたメッキ層はＡｕである請求項７記載の接続装置の製造方法。
【請求項９】
前記（ｅ）工程で、前記剥離膜上に無電解メッキ法を用いて第１のメッキ層を形成した後、前記第１のメッキ層上に前記レジスト層を形成し、
前記（ｆ）工程で、前記パターン内に露出した前記第１のメッキ層上に、前記接触子をメッキ形成する請求項６記載の接続装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１のメッキ層を、前記（ｃ）工程後、前記（ｄ）工程の前に除去する請求項９記載の接続装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１のメッキ層をＣｕで形成する請求項９または１０に記載の接続装置の製造方法。
【請求項１２】
前記接触子を構成するメッキ層を、前記無電解メッキ法で形成されたメッキ層をメッキ下地層として、その上に電解メッキ法により形成する請求項７ないし１１のいずれかに記載の接続装置の製造方法。
【請求項１３】
前記接触子をＡｕ／Ｎｉ／Ａｕの積層メッキで形成する請求項１ないし１２のいずれかに記載の接続装置の製造方法。
【請求項１４】
前記（ａ）工程で、前記基板の表面に複数の凸型条部あるいは凹型条部を形成し、前記凸型条部上あるいは凹型条部上に少なくとも一部の接触子が形成されるようにして、前記接触子を立体成形する請求項１ないし１３のいずれかに記載の接続装置の製造方法。
【請求項１５】
前記接触子をスパイラル形状で形成する請求項１ないし１４のいずれかに記載の接続装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばＩＣ（集積回路）等が装着されるＩＣソケットである接続装置の製造方法に係わり、特に、前記接続装置を構成する接触子を形成する際の生産コストを大幅に削減できるとともに、前記接触子を微細加工できる接続装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に記載されている半導体検査装置は、半導体を外部の回路基板などに電気的に仮接続させるものである。半導体の背面側には格子状またはマトリックス状に配置された多数の球状接触子が設けられており、これに対向する絶縁基板上には多数の凹部が設けられ、この凹部内にスパイラル接触子が対向配置されている。
【０００３】
前記半導体の背面側を前記絶縁基板に向けて押圧すると、前記球状接触子の外表面に前記スパイラル接触子が螺旋状に巻き付くように接触するため、個々の球状接触子と個々のスパイラル接触子との間の電気的接続が確実に行われるようになっている。
【特許文献１】特開２００２−１７５８５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで特許文献１では図３７以降に、スパイラル接触子の形成方法について開示されている。
【０００５】
図３７以降では、一般によく使用されるフォトリソグラフィ技術を用い、前記スパイラル接触子を形成している。
【０００６】
特許文献１には詳しく述べられていないが、スパイラル接触子のように超微細加工品では、スパイラル接触子を基板上にメッキ等で形成するため、基板と接触子間は密着しており、そのため前記基板は、前記スパイラル接触子を形成した後、エッチング等で除去され、前記スパイラル接触子を形成する度に形成されるのが一般的である。
【０００７】
前記基板にはＣｕ基板が比較的よく用いられる。Ｃｕ基板の表面は、その上に接触子形状のレジストパターンを形成するため凹凸やうねりがあっては好ましくなく、前記表面を平坦化加工などするために前記Ｃｕ基板は比較的厚みを持って形成されていた。最低でも７０μｍの厚みを必要としていた。
【０００８】
上記したように、スパイラル接触子を形成する度に、新たなＣｕ基板を設けなければならず、また前記Ｃｕ基板を厚い膜厚で、且つ表面をきれに平坦化加工する等の事情により、材料費のコスト高が問題視された。
【０００９】
また、特許文献１では全く触れられていないが、スパイラル接触子を立体成形してＩＣ側の接触子との接触性を良好にしようとする改良が考えられている。かかる場合、基板側を予め立体加工しておくことが望ましく、このとき前記基板の立体加工としては鋳造や鍛造が考えられたが、鋳造や鍛造法では工程が複雑になり生産コストの上昇を招く結果となる。
【００１０】
また鋳造法に比べ鍛造では安価に基板の立体加工を施せるが、微細加工が難しく、スパイラル接触子を所定形状に高精度に立体成形することが困難であった。
【００１１】
またステンレスを基板として用いることも考えられたが、ステンレス基板では微細加工性が劣るとともに、ステンレス基板上に形成されたスパイラル接触子を、前記ステンレス基板上から取り外しにくいといった問題点もあった。ステンレス基板を用いる技術は特許文献１の図３７にも開示されている。
【００１２】
そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に従来に比べて接触子の生産コストを低減できるとともに、前記接触子の微細加工にも優れた接続装置の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、基台と、前記基台に設けられた複数の接触子とを有し、電子部品の複数の外部接続部が、前記接触子にそれぞれ接触する接続装置の製造方法において、
（ａ）  基板上に、剥離膜を形成する工程と、
（ｂ）  前記剥離膜上に前記接触子をメッキ形成する工程と、
（ｃ）  前記接触子を前記剥離膜上から剥離する工程と、
（ｄ）  前記接触子を前記基台に取り付ける工程と、
を有することを特徴とするものである。
【００１４】
本発明では、前記（ａ）工程のように、基板上に剥離膜を設け、前記（ｃ）工程で、前記（ｂ）工程でメッキ形成された接触子を前記剥離膜上から剥離する。よって接触子を剥離後、表面に剥離膜が形成された基板を何回も接触子形成のために使用でき、材料面でのコスト低下を図ることができる。また前記基板表面を、接触子を形成する度に平坦化加工する等の必要が無くなるから加工面でのコストも低減できる。従って前記接触子を形成する際の生産コストの低減を図ることが可能である。
【００１５】
本発明では、前記（ａ）工程で、前記基板にセラミック材あるいはプラスチック材を用いることが好ましく、前記（ａ）工程で、前記基板にガラス基板を用いることがより好ましい。基板にセラミック材やプラスチック材、特にガラス基板を用いることで基板の面精度をシリコンウエハーレベルまで高精度にでき、よって接触子の微細化加工を実現できる。
【００１６】
また、前記剥離膜には酸化物からなる剥離膜を用いることが好ましく、前記剥離膜をＺｎＯで形成することがより好ましい。
【００１７】
ＺｎＯは、その上にＣｕやＮｉ、Ａｕ等の金属メッキ層が形成されても、前記金属メッキ層をＺｎＯ膜上から剥離しやすく、取り扱いに優れ接触子の形成にかかる生産コストの低減をより促進させることが可能である。
【００１８】
また、前記（ｂ）工程には、以下の工程を用いることが好ましい。
（ｅ）  前記剥離膜上にレジスト層を形成し、前記レジスト層に前記接触子のパターンを形成する工程と、
（ｆ）  前記パターン内に露出した剥離膜上に、前記接触子をメッキ形成する工程。
【００１９】
また本発明では、前記（ｂ）工程、あるいは前記（ｆ）工程で、前記接触子をメッキ形成する際、前記剥離膜上に直接メッキ形成するメッキ層を無電解メッキ法を用いてメッキ形成することが好ましい。前記剥離膜はＺｎＯ膜などの非金属膜であるから、前記剥離層は電解メッキ法におけるメッキ下地層（電極）として機能しにくく、よって前記剥離膜の上に、無電解メッキ法を用いて前記メッキ層をメッキ形成する。
【００２０】
このとき、前記無電解メッキ法で形成されたメッキ層はＡｕであることが好ましい。このＡｕメッキ層は、将来的に接触子の一部を構成する。
【００２１】
あるいは本発明では、前記（ｅ）工程で、前記剥離膜上に無電解メッキ法を用いて第１のメッキ層を形成した後、前記第１のメッキ層上に前記レジスト層を形成し、
前記（ｆ）工程で、前記パターン内に露出した前記第１のメッキ層上に、前記接触子をメッキ形成することが好ましい。
【００２２】
かかる場合、前記第１のメッキ層を、前記（ｃ）工程後、前記（ｄ）工程の前に除去することが好ましい。この第１のメッキ層は、接触子を構成する各接触子片間にも残されるため、除去して初めて接触子が完成する。ただしこの第１のメッキ層は非常に薄いメッキ膜であるため、材料費のコストは（除去される第１のメッキ層を設けない場合に比べて）若干上がるものの、従来に比べればなおコストの低減を図ることができる。
なお前記第１のメッキ層をＣｕで形成することが好ましい。
【００２３】
また本発明では、前記接触子を構成するメッキ層を、前記無電解メッキ法で形成されたメッキ層をメッキ下地層として、その上に電解メッキ法により形成することが好ましい。
【００２４】
また本発明では、前記接触子をＡｕ／Ｎｉ／Ａｕの積層メッキで形成することが好ましい。
【００２５】
また本発明では、前記（ａ）工程で、前記基板の表面に複数の凸型条部あるいは凹型条部を形成し、前記凸型条部上あるいは凹型条部上に少なくとも一部の接触子が形成されるようにして、前記接触子を立体成形することが好ましい。かかる場合でも本発明では前記接触子を微細加工できる。
【００２６】
また本発明では、前記接触子をスパイラル形状で形成することが好ましい。
【発明の効果】
【００２７】
本発明における接触子の製造方法によれば、大幅な生産コストの削減を図ることができる。特に表面に剥離膜が施された基板は、何回も繰返し接触子の製造過程で用いることができるから、材料費及び加工費の両面でのコストダウンを図ることが可能である。
【００２８】
また本発明では、基板としてガラス基板等を用いることで前記接触子を超微細加工で成形しやすく、特に接触子の立体成形にあっては、従来に比べて前記接触子を効果的に所定形状に精度良く立体成形できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
図１は電子部品の動作を確認するための試験に用いられる検査装置を示す斜視図、図２は図１の２−２線における断面図を示し、電子部品が装着された状態の断面図である。
【００３０】
図１に示すように、検査装置１０は基台１１と、この基台１１の一方の縁部に設けられたひんじ部１３を介して回動自在に支持された蓋体１２とで構成されている。前記基台１１および蓋体１２は絶縁性の樹脂材料などで形成されており、前記基台１１の中心部には図示Ｚ２方向に凹となる装填領域１１Ａが形成されている。そして、前記装填領域１１Ａ内に半導体などの電子部品１が装着できるようになっている。また基台１１の他方の縁部には、被ロック部１４が形成されている。
【００３１】
図２に示すように、この検査装置１０は、電子部品１の下面に多数の球状接触子（外部接続部）１ａがマトリックス状（格子状または碁盤の目状）に配置されたものを検査対象とするものである。
【００３２】
図２に示すように、前記装填領域１１Ａには所定の径寸法からなり、装填領域１１Ａの表面から基台１１の裏面に貫通する複数の凹部（スルーホール）１１ａが、前記電子部品１の球状接触子１ａに対応して設けられている。
【００３３】
前記凹部１１ａの上面（装填領域１１Ａの表面）には、接触子が渦巻き状に形成された複数のスパイラル接触子２０が設けられている。
【００３４】
図３は前記スパイラル接触子２０の斜視図である。図３に示すように、前記スパイラル接触子２０は基台１１に、図示Ｘ方向及びＹ方向に所定間隔を空けて複数形成されている。
【００３５】
前記各スパイラル接触子２０は、図３のように、前記凹部１１ａの上方の開口端の縁部に固定された基部２１を有し、スパイラル接触子２０の巻き始端２２が前記基部２１側に設けられている。そして、この巻き始端２２から渦巻き状に延びる巻き終端２３が前記凹部１１ａの中心に位置するようになっている。
【００３６】
前記凹部１１ａの内壁面には図示しない導通部が形成されており、導通部の上端と前記スパイラル接触子２０の前記基部２１とが導電性接着材などで接続されている。また凹部１１ａの下方の開口端は前記導通部に接続された接続端子１８で塞がれている。
【００３７】
図２に示すように、前記基台１１の下方には複数の配線パターンやその他の回路部品を有するプリント基板２９が設けられており、前記基台１１はこのプリント基板２９上に固定されている。前記プリント基板２９の表面には前記基台１１の底面に設けられた接続端子１８に対向する対向電極２８が設けられており、前記各接続端子１８が各対向電極２８にそれぞれ接触することにより、電子部品１とプリント基板２９とが検査装置１０を介して電気的に接続される。
【００３８】
一方、検査装置１０の蓋体１２の内面の中央の位置には、電子部品１を図示下方に押し付ける凸形状の押圧部１２ａが前記装填領域１１Ａに対向して設けられている。また前記ひんじ部１３と逆側となる位置にはロック部１５が形成されている。
【００３９】
前記蓋体１２の内面と押圧部１２ａとの間には前記押圧部１２ａを蓋体１２の内面から遠ざかる方向に付勢するコイルスプリングなどからなる付勢部材が設けられている（図示せず）。従って、電子部品１を前記凹部１１ａ内に装着して蓋体１２を閉じてロックすると、電子部品１を装填領域１１Ａの表面に接近する方向（Ｚ２方向）に弾性的に押し付けることが可能となっている。
【００４０】
前記基台１１の装填領域１１Ａの大きさは、前記電子部品１の外形とほぼ同じ大きさであり、電子部品１を前記装填領域１１Ａに装着して蓋体１２をロックすると、電子部品１側の各球状接触子１ａと検査装置１０側の各スパイラル接触子２０とが正確に対応して位置決めできるようになっている。
【００４１】
蓋体１２のロック部１５が基台１１の被ロック部１４にロックされると、電子部品１が前記押圧部１２ａによって図示下方に押し付けられるため、前記各球状接触子１ａが各スパイラル接触子２０を凹部１１ａの内部方向（図示下方）に押し下げる。同時に、スパイラル接触子２０の外形は、前記巻き終端２３から巻き始端２２方向（渦巻きの中心から外方向）に押し広げられるように変形し、前記球状接触子１ａの外表面を抱き込むように巻き付き、各球状接触子１ａと各スパイラル接触子２０とが接続される。
【００４２】
図４は、図３に示す前記スパイラル接触子２０を４−４線から切断し、その断面を矢印方向から見た部分拡大断面図である。
【００４３】
図３及び図４に示すように、前記スパイラル接触子２０を構成する各ターン毎の接触子片２０ａは、前記巻き始端２２から巻き終端２３方向に、螺旋階段のごとく斜め上方向（図示Ｚ１方向）に向けて傾斜して延びている。このため図３及び図４では、各スパイラル接触子２０は、その巻き終端２３が最も高く突き出した山型の立体形状として構成されている。
【００４４】
以下では、本発明におけるスパイラル接触子２０の製造方法を説明する。
図５に示す符号３０は基板である。本発明では前記基板３０は、セラミック材あるいはプラスチック材で形成される。特に前記基板３０はガラス基板であることが好ましい。以下では、符号３０を「ガラス基板」と称する。ガラス基板３０は、非常に平滑な表面で微細化加工も簡単で安価に図５に示す形状の基板を成形できる。
【００４５】
図５に示すように、前記ガラス基板３０の表面３０ａには、複数の凸型条部３０ｂ（図５では一つの凸型条部のみを表している）が形成されている。前記凸型条部３０ｂは、前記ガラス基板３０の幅方向及び長さ方向に所定間隔を空けながら規則的に形成されている。
【００４６】
前記凸型条部３０ｂは、円錐形状で形成されることが好ましい。前記凸型条部３０ｂを円錐形状で形成すると、図４で説明したような、山型のスパイラル接触子２０を容易且つ適切に形成できる。
【００４７】
図５に示すように前記ガラス基板３０の表面３０ａに剥離膜３１を成膜する。この剥離膜３１をメッキ等で形成する。前記剥離膜３１は酸化物からなり、具体的にはＺｎＯ膜等の金属酸化物である。前記剥離膜３１の成膜は、脱脂工程、触媒付与工程、メッキ工程の順で行われる。
【００４８】
次に図６に示す工程では、前記剥離膜３１の上に、無電解メッキ法を用いて、Ｃｕメッキ層（第１のメッキ層）３２をメッキ形成する。無電解メッキ法にて前記Ｃｕメッキ層３２をメッキ形成するので、前記Ｃｕメッキ層３２は前記剥離膜３１の上全面に成膜される。
【００４９】
次に図７に示す工程では、前記Ｃｕメッキ層３２の上にレジスト層３３をスピンコート等で塗布する。
【００５０】
次に図８に示す工程では、前記レジスト層３３に図３に示すスパイラル接触子２０の平面形状パターン３３ａを露光現像により形成する。これにより前記パターン３３ａ内から前記Ｃｕメッキ層３２の表面が露出する。
【００５１】
次に図９に示す工程では、前記パターン３３ａ内から露出したＣｕメッキ層３２の上に、スパイラル接触子２０をメッキ形成する。具体的には前記Ｃｕメッキ層３２の上に、Ａｕメッキ層３４をメッキ形成し、前記Ａｕメッキ層３４の上にＮｉメッキ層３５をメッキ形成し、前記Ｎｉメッキ層３５の上にＡｕメッキ層３６をメッキ形成する。すなわちＡｕメッキ層３４／Ｎｉメッキ層３５／Ａｕメッキ層３６の３層メッキ構造でスパイラル接触子２０を形成している。
【００５２】
これらメッキ層３４，３５，３６を、電解メッキ法にてメッキする。最下層であるＡｕメッキ層３４は、その下にあるＣｕメッキ層３３をメッキ下地層（電極）として電解メッキ法にてメッキ形成できる。
【００５３】
次に図１０に示す工程では、図９に示すレジスト層３３をアルカリ水溶液を用いて除去し、各スパイラル接触子２０の基部２１（図３を参照）間にポリイミド等で形成されたガイドフレーム（接合部材）３７を貼り付け、前記基部２１間を前記ガイドフレーム３７によって繋ぐ。前記ガイドフレーム３７により各スパイラル接触子２０の基部２１間を繋げることで、後工程でガラス基板３０及びＣｕメッキ層３２の除去によっても各スパイラル接触子２０がばらばらになることがない。
【００５４】
そして図１１の工程では、前記ガラス基板３０を前記スパイラル接触子２０及びガイドフレーム３７の下面から取り外す。このとき、前記ガラス基板３０の表面３０ａに剥離膜３１が設けられている結果、前記スパイラル接触子２０及びガイドフレーム３７は前記剥離膜３１上から容易に剥離される。一方、ガラス基板３０は、その表面３０ａに剥離膜３１が付着されたまま、前記スパイラル接触子２０の下面から外れる。剥離工程は、例えばガラス基板３０とガイドフレーム３７とを固定部材により押さえるなどし、物理的作用により前記ガラス基板３０を前記スパイラル接触子２０及びガイドフレーム３７から離れる方向に引くことで、行われる。
【００５５】
図１１の状態では、前記スパイラル接触子２０及びガイドフレーム３７の下面にＣｕメッキ層３２が形成されたままである。このＣｕメッキ層３２は、スパイラル接触子２０の各接触子片２０ａ間に渡って形成されているため、除去する必要がある。一般的なエッチング工程を用いて前記Ｃｕメッキ層３２を除去する。
【００５６】
前記Ｃｕメッキ層３２が除去された状態を図１２に示す。そして図１２に示すスパイラル接触子２０を図２、３に示す基台１１に取り付ける。
【００５７】
図５ないし図１２に示した本発明の製造方法の作用効果は次の通りである。
まず第一に、ガラス基板３０上に剥離膜３１を設け、この剥離膜３１上に形成されたスパイラル接触子２０を、前記スパイラル接触子２０をメッキ形成後、前記剥離膜３１上から容易に取り外すことが可能であり、また剥離されたガラス基板３０及び剥離膜３１を繰返し、スパイラル接触子２０の形成過程で使用できる。このため従来、スパイラル接触子２０をメッキ形成するたびに基板の形成やエッチング液が必要であったが、その必要が無くなり、大幅な材料費の削減を実現できる。
【００５８】
第ニに、スパイラル接触子２０の形成の際の加工費も低減できる。従来では基板の形成、基板のエッチング除去が必要であったが、その必要が無いため工程を減らすことができる。特に、スパイラル接触子２０の形成の度に基板が必要になると、その度に基板の表面加工等が必要になったが、本発明では、同じガラス基板３０を何度も使用できるから、その結果、スパイラル接触子２０の加工費の低減を図ることが可能である。また図１１工程で、剥離膜３１から容易にスパイラル接触子２０を剥離できるので、剥離も低コストで実現できる。
【００５９】
以上により、スパイラル接触子２０の形成のために必要な生産コストを従来に比べて大幅に低減できる。
【００６０】
第三に、基板としてガラス基板３０を用いることで前記ガラス基板３０の表面３０ａをシリコンウエハーレベルまで高精度にでき、前記ガラス基板３０上に形成されるスパイラル接触子２０を微細加工することができる。従来、基板としてはＣｕ基板などが主に用いられており、かかる場合、電鋳工程や鍛造工程による表面のうねり等が問題となり、特に図５工程以降に示すようにスパイラル接触子２０を山型に立体成形する際の超微細加工が困難であったが、本発明によれば、スパイラル接触子２０の超微細加工が実現できる。
【００６１】
また図５ないし図１２工程では、無電解メッキ法によって形成されたＣｕメッキ層３２上にスパイラル接触子２０を構成するメッキ層を全て電解メッキ法にて積層メッキできるため、所定高さのスパイラル接触子２０を形成しやすいといった利点もある。また図５ないし図１２工程では、Ｃｕメッキ層３２を形成するため、次の製造方法で説明するように、Ｃｕメッキ層３２の形成が必要ない製造方法に比べて若干、接触子２０の生産コストが高くなるものの、従来のように膜厚が厚く表面加工もスパイラル接触子２０の形成の度に必要であった、Ｃｕ基板を用いる場合に比べれば、大幅なコストダウンを図ることが可能である。
【００６２】
なお図５ないし図１２に示す工程では基板としてガラス基板３０を例に挙げたが、基板３０はガラス以外のセラミック材やプラスチック材であってもよい。
【００６３】
また、ガラス基板３０上に設けられた剥離膜３１は、例としてＺｎＯを挙げたが、この材質以外の剥離膜であってもかまわない。剥離膜３１と、その上に形成されるメッキ層との剥離性が良好であれば、前記剥離膜３１の材質と、その上に形成されるメッキ層の材質との選択を自由に行うことが可能である。例えば剥離膜３１としてＺｎＯ膜を用いた場合、ＺｎＯ膜の上にメッキされる材質がＣｕ、Ｎｉ、Ａｕ等であれば、前記ＺｎＯ膜とその上にメッキされるメッキ層間の剥離性は良好である。
【００６４】
また前記剥離膜３１上に第１のメッキ層として形成されたＣｕメッキ層３２はＣｕ以外の材質であってもよい。ここで第１メッキ層としての条件は、剥離膜３１との間で剥離可能な材質であること、無電解メッキ法によりメッキ形成が行えること、である。
【００６５】
また図５ないし図１２に示すスパイラル接触子２０の製造方法では、前記スパイラル接触子２０を、Ａｕメッキ層３４／Ｎｉメッキ層３５／Ａｕメッキ層３６の３層メッキ構造で形成したが、材質、及び積層構造は、これ以外のものであってかまわない。
【００６６】
Ａｕメッキ層３４／Ｎｉメッキ層３５／Ａｕメッキ層３６の３層メッキ構造では、Ｎｉメッキ層３５が主にばね性を発揮する部分であり、Ａｕメッキ層３４，３６が電気伝導性に優れた部分であり、またＮｉメッキ層３５を酸化等が保護する保護膜として機能している。
【００６７】
例えばＡｕメッキ層３４，３６の部分を白金族元素から成るメッキ層で形成してもよいし、またＮｉメッキ層３５の部分を、Ｎｉ−Ｘ（ただしＸは、Ｐ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｂｅのうちいずれか１種以上）で形成してもよい。またスパイラル接触子２０を積層メッキ構造ではなく、単層メッキ構造で形成してもよい。
【００６８】
また図５ないし図１２工程ではスパイラル接触子２０を山型に立体成形する製造方法であったが、ガラス基板３０の表面３０ａに凹型条部を設け、この凹型条部上にスパイラル接触子２０をメッキ形成して、前記スパイラル接触子２０を谷型に立体成形してもよい。
また接触子２０はスパイラル形状に限らず他の形状であってもかまわない。
【００６９】
図１３ないし図１６は、本発明のスパイラル接触子２０の別の製造方法を示す一工程図である。
【００７０】
図１３に示す工程では、ガラス基板３０の表面３０ａにＺｎＯ等の剥離膜３１を形成し、前記剥離膜３１の上にスピンコート等でレジスト層４０を塗布する。
【００７１】
次に図１４に示す工程では、前記レジスト層４０に、図３に示すスパイラル接触子２０の平面形状のパターン４０ａを露光現像により形成する。これにより前記パターン４０ａ内から前記剥離膜３１の表面が露出する。
【００７２】
次に図１５に示す工程では、パターン４０ａ内に露出した前記剥離膜３１上に、無電解メッキ法により、Ａｕメッキ層４１をメッキ形成する。
【００７３】
さらに前記Ａｕメッキ層４１の上に、電解メッキ法により、Ｎｉメッキ層４２及びＡｕメッキ層４３を積層する。Ａｕメッキ層４１／Ｎｉメッキ層４２／Ａｕメッキ層４３の３層メッキ構造でスパイラル接触子２０が構成される。
【００７４】
次に前記レジスト層４０をアルカリ水溶液等で除去し、さらにスパイラル接触子２０の基部２１間をガイドフレーム３７で繋いだ後、図１６工程に示すようにスパイラル接触子２０及びガイドフレーム３７をガラス基板３０上に設けられた剥離膜３１上から剥離する。
【００７５】
図１３ないし図１６に示す工程では、図５ないし図１２に示す工程と異なり、剥離膜３１上に第１のメッキ層であるＣｕメッキ層３２を無電解メッキ法で形成することなく、前記剥離膜３１上に直接、スパイラル接触子２０を構成するＡｕメッキ層４１を無電解メッキ法によりメッキ形成している。
【００７６】
従って、図５ないし図１２工程に比べ、Ｃｕメッキ層３２の形成が不要な点、前記Ｃｕメッキ層３２を除去する工程が不要な点、で材料費及び加工費の削減が図れ、スパイラル接触子２０の生産コストの低減を図ることが可能である。
【００７７】
なお、基板の材質、剥離膜３１の材質、スパイラル接触子２０の材質及び積層構造等に関しては、図５ないし図１２工程で説明した通りなのでそちらを参照されたい。
【００７８】
図１７ないし図２０に示す工程は、本発明のスパイラル接触子２０の別の製造方法を示す一工程図である。
【００７９】
図１７工程では、ガラス基板３０の表面３０ａにＺｎＯ等からなる剥離膜３１を形成し、前記剥離膜３１の上にレジスト層５０をスピンコート等により塗布する。
【００８０】
前記レジスト層５０には、図３に示すスパイラル接触子２０の平面形状とは逆パターンとなるパターン５０ａを露光現像により形成する。すなわち露光現像により残されたレジスト層５０は図３に示すスパイラル接触子２０の平面形状と同一の形状にて残される。
【００８１】
次に前記レジスト層５０に覆われていない前記剥離層３１をエッチングにより除去し、さらに前記レジスト層５０をアルカリ水溶液等で除去する。これにより図１８に示すように、前記ガラス基板３０上には、スパイラル接触子２０の平面形状と同一の平面形状からなる剥離膜３１のみが残される。
【００８２】
次に図１９に示す工程では、前記ガラス基板３０上に残された剥離膜３１上に無電解メッキ法にてＡｕメッキ層５１をメッキ形成する。さらに図２０工程では前記Ａｕメッキ層５１上に、Ｎｉメッキ層５２及びＡｕメッキ層５３を電解メッキ法にてメッキ形成する。
【００８３】
そして、前記Ａｕメッキ層５１／Ｎｉメッキ層５２／Ａｕメッキ層５３の３層メッキ構造からなるスパイラル接触子２０の基部２１間をガイドフレーム３７で繋ぎ、その後、前記スパイラル接触子２０及びガイドフレーム３７を前記ガラス基板３０上に設けられた剥離膜３１上から剥離する。
【００８４】
図１７ないし図２０に示す工程では、図５ないし図１２工程、及び図１３ないし図１６工程で説明したような、スパイラル接触子２０をメッキ形成する際に、そのフレームとなるレジスト層が設けられておらず、スパイラル接触子２０と同形状に加工された剥離膜３１上に、無電解メッキ法及び電解メッキ法を用いて前記スパイラル接触子２０を積層メッキしていく。
【００８５】
図１７ないし図２０工程でのスパイラル接触子２０の形成方法でも、図５ないし図１２工程、及び図１３ないし図１６工程と同様に、スパイラル接触子２０の生産コストの低減を図ることができるし（図１８のように加工された基板３０を接触子形成の度に繰返し使用できる）、スパイラル接触子２０の超微細加工も可能である。
【００８６】
ただし、図１７ないし図２０工程では、特にスパイラル接触子２０が背の高い積層メッキ構造で形成される場合に、スパイラル接触子２０をメッキ形成する際のフレームが設けられていないためスパイラル接触子２０を所定形状で形成しづらい可能性があり、よってスパイラル接触子２０をより高精度に所定形状にてメッキ形成するには、図５ないし図１２工程、あるいは図１３ないし図１６工程を用いる方が好ましいものと思われる。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】電子部品の動作を確認するための試験に用いられる検査装置を示す斜視図、
【図２】図１の２−２線における断面図を示し、電子部品が装着された状態の断面図、
【図３】本発明におけるスパイラル接触子の形状を示す拡大斜視図、
【図４】図３に示す４−４線から切断したスパイラル接触子の部分拡大断面図、
【図５】本発明における接触子の製造方法を示す一工程図、
【図６】図５の次に行われる一工程図、
【図７】図６の次に行われる一工程図、
【図８】図７の次に行われる一工程図、
【図９】図８の次に行われる一工程図、
【図１０】図９の次に行われる一工程図、
【図１１】図１０の次に行われる一工程図、
【図１２】図１１の次に行われる一工程図、
【図１３】図５ないし図１２工程とは別の製造方法を説明するための一工程図、
【図１４】図１３の次に行われる一工程図、
【図１５】図１４の次に行われる一工程図、
【図１６】図１５の次に行われる一工程図、
【図１７】図５ないし図１２工程、及び図１３ないし図１６工程とは別の製造方法を説明するための一工程図、
【図１８】図１７の次に行われる一工程図、
【図１９】図１８の次に行われる一工程図、
【図２０】図１９の次に行われる一工程図、
【符号の説明】
【００８８】
１  電子部品
１ａ  球状接触子（外部接続部）
１０  接続装置
１１  基台
２０  スパイラル接触子
２０ａ  接触子片
２１  基部
２２  巻き始端
２３  巻き終端
３０  ガラス基板
３０ｂ  凸型条部
３１  剥離膜
３２  Ｃｕメッキ層
３３、４０、５０  レジスト層
３４、３６、４１、４３、５１、５３  Ａｕメッキ層
３５、４２、５２  Ｎｉメッキ層
３７  ガイドフレーム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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