【手続補正書】
【提出日】平成22年5月18日(2010.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体、光学及び磁性基材の少なくとも一つを平坦化するのに適した研磨パッドであって、ポリマーマトリックスを含み、前記ポリマーマトリックスが上研磨面を有し、前記上研磨面が、ポリマー研磨アスペリティを有するか、砥粒でコンディショニングされるとポリマー研磨アスペリティを形成し、前記ポリマー研磨アスペリティが、前記ポリマーマトリックスから延び、基材と接することができる前記上研磨面の部分であり、前記研磨パッドが、前記上研磨面の摩耗又はコンディショニングによって前記ポリマーマトリックスからさらなるポリマー研磨アスペリティを形成し、前記ポリマー研磨アスペリティが、少なくとも４５重量％の硬質セグメント及び少なくとも６，５００psi（４４．８MPa）のバルク極限引張り強さを有するポリマーマトリックスからのものであり、前記ポリマーマトリックスが、硬質相と軟質相との二相構造を有し、前記二相構造が、１．６未満の前記軟質相の平均面積に対する前記硬質相の平均面積の比を有する研磨パッド。
【請求項２】
前記ポリマーマトリックスが硬質セグメント５０〜８０重量％を有する、請求項１記載の研磨パッド。
【請求項３】
前記ポリマーマトリックスが、二官能性又は多官能性イソシアネートから誘導されるポリマーを含み、前記ポリマーが、ポリエーテルウレア、ポリイソシアヌレート、ポリウレタン、ポリウレア、ポリウレタンウレア、それらのコポリマー及びそれらの混合物から選択される少なくとも一つを含む、請求項１記載の研磨パッド。
【請求項４】
前記ポリマーマトリックスが、硬化剤とイソシアネート終端化ポリマーとの反応生成物からのものであり、前記硬化剤が、前記イソシアネート終端化反応生成物を硬化させる硬化剤アミンを含み、前記イソシアネート終端化反応生成物が、１００超〜１２５％のＮＣＯに対するＮＨ2の化学量論比を有する、請求項３記載の研磨パッド。
【請求項５】
前記軟質相が、断面で計測して少なくとも４０nmの平均長さを有する、請求項１記載の研磨パッド。
【請求項６】
半導体、光学及び磁性基材の少なくとも一つを平坦化するのに適した研磨パッドであって、ポリマーマトリックスを含み、前記ポリマーマトリックスが上研磨面を有し、前記上研磨面が、ポリマー研磨アスペリティを有するか、砥粒でコンディショニングされるとポリマー研磨アスペリティを形成し、前記ポリマー研磨アスペリティが、前記ポリマーマトリックスから延び、基材と接することができる前記上研磨面の部分であり、前記研磨パッドが、前記上研磨面の摩耗又はコンディショニングによって前記ポリマーマトリックスからさらなるポリマー研磨アスペリティを形成し、ポリマーマトリックスが、二官能性又は多官能性イソシアネートから誘導されるポリマーを含み、前記ポリマーが、ポリエーテルウレア、ポリイソシアヌレート、ポリウレタン、ポリウレア、ポリウレタンウレア、それらのコポリマー及びそれらの混合物から選択される少なくとも一つを含み、前記ポリマー研磨アスペリティが、５０〜８０重量％の硬質セグメント及び６，５００〜１４，０００psi（４４．８〜９６．５MPa）のバルク極限引張り強さを有するポリマーマトリックスからのものであり、前記ポリマーマトリックスが、硬質相と軟質相との二相構造を有し、前記二相構造が、１．６未満の前記軟質相の平均面積に対する前記硬質相の平均面積の比を有する研磨パッド。
【請求項７】
前記融解熱が２５〜５０J/gである、請求項６記載の研磨パッド。
【請求項８】
半導体、光学及び磁性基材の少なくとも一つを平坦化するのに適した研磨パッドであって、ポリマーマトリックスを含み、前記ポリマーマトリックスが上研磨面を有し、前記上研磨面が、ポリマー研磨アスペリティを有するか、砥粒でコンディショニングされるとポリマー研磨アスペリティを形成し、前記ポリマー研磨アスペリティが、前記ポリマーマトリックスから延び、基材と接することができる前記上研磨面の部分であり、前記ポリマーマトリックスが、少なくとも４５重量％の硬質セグメント及びポリエーテルウレア、ポリイソシアヌレート、ポリウレタン、ポリウレア、ポリウレタンウレア、それらのコポリマー及び混合物から選択される少なくとも一つを含むポリマーを含み、ポリマーマトリックスが二相構造を有し、ポリマーが、二官能性又は多官能性イソシアネートと、未反応ＮＣＯ８．７５〜１２重量％を有し、９７〜１２５％の未反応ＮＣＯに対するＯＨ又はＮＨ２の化学量論比を有するＰＴＭＥＧ又はＰＴＭＥＧ／ＰＰＧブレンドとから誘導されるポリマーである研磨パッド。
【請求項９】
前記ポリマーマトリックスが少なくとも２５J/gのＤＳＣ融解熱を有する、請求項８記載の研磨パッド。
【請求項１０】
前記ポリマーマトリックス内で２５〜６５容量％の気孔率及び２〜５０μmの平均孔径を含む、請求項８記載の研磨パッド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の態様は、半導体、光学及び磁性基材の少なくとも一つを平坦化するのに適した研磨パッドであって、ポリマーマトリックスを含み、ポリマーマトリックスが上研磨面を有し、上研磨面が、ポリマー研磨アスペリティを有するか、砥粒でコンディショニングされるとポリマー研磨アスペリティを形成し、ポリマー研磨アスペリティが、ポリマーマトリックスから延び、基材と接することができる上研磨面の部分であり、研磨パッドが、上研磨面の摩耗又はコンディショニングによってポリマーマトリックスからさらなるポリマー研磨アスペリティを形成し、ポリマー研磨アスペリティが、少なくとも４５重量％の硬質セグメント及び少なくとも６，５００psi（４４．８MPa）のバルク極限引張り強さを有するポリマーマトリックスからのものであり、ポリマーマトリックスが、硬質相と軟質相との二相構造を有し、二相構造が、１．６未満の軟質相の平均面積に対する前記硬質相の平均面積の比を有する研磨パッドを提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明のもう一つの態様は、半導体、光学及び磁性基材の少なくとも一つを平坦化するのに適した研磨パッドであって、ポリマーマトリックスを含み、ポリマーマトリックスが上研磨面を有し、上研磨面が、ポリマー研磨アスペリティを有するか、砥粒でコンディショニングされるとポリマー研磨アスペリティを形成し、ポリマー研磨アスペリティが、ポリマーマトリックスから延び、基材と接することができる上研磨面の部分であり、研磨パッドが、上研磨面の摩耗又はコンディショニングによってポリマーマトリックスからさらなるポリマー研磨アスペリティを形成し、ポリマーマトリックスが、二官能性又は多官能性イソシアネートから誘導されるポリマーを含み、ポリマーが、ポリエーテルウレア、ポリイソシアヌレート、ポリウレタン、ポリウレア、ポリウレタンウレア、それらのコポリマー及びそれらの混合物から選択される少なくとも一つを含み、ポリマー研磨アスペリティが、５０〜８０重量％の硬質セグメント及び６，５００〜１４，０００psi（４４．８〜９６．５MPa）のバルク極限引張り強さを有するポリマーマトリックスからのものであり、ポリマーマトリックスが、硬質相と軟質相との二相構造を有し、二相構造が、１．６未満の軟質相の平均面積に対する硬質相の平均面積の比を有する研磨パッドを提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明のもう一つの態様で、本発明は、半導体、光学及び磁性基材の少なくとも一つを平坦化するのに適した研磨パッドであって、ポリマーマトリックスを含み、ポリマーマトリックスが上研磨面を有し、上研磨面が、ポリマー研磨アスペリティを有するか、砥粒でコンディショニングされるとポリマー研磨アスペリティを形成し、ポリマー研磨アスペリティが、ポリマーマトリックスから延び、基材と接することができる上研磨面の部分であり、ポリマーマトリックスが、少なくとも４５重量％の硬質セグメント及びポリエーテルウレア、ポリイソシアヌレート、ポリウレタン、ポリウレア、ポリウレタンウレア、それらのコポリマー及び混合物から選択される少なくとも一つを含むポリマーを含み、ポリマーマトリックスが二相構造を有し、ポリマーが、二官能性又は多官能性イソシアネートと、未反応ＮＣＯ８．７５〜１２重量％を有し、９７〜１２５％の未反応ＮＣＯに対するＯＨ又はＮＨ２の化学量論比を有するＰＴＭＥＧ又はＰＴＭＥＧ／ＰＰＧブレンドとから誘導されるポリマーである研磨パッドを提供する。