【手続補正書】
【提出日】平成22年8月20日(2010.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリプロピレン系樹脂及びβ晶核剤を含有するβ晶核剤含有多孔性ポリプロピレン逐次二軸延伸フィルムであって、フィルムの厚さは１０〜１００μｍであり、フィルムの厚み均一性が０．１以下であり、フィルムの厚みの均一性は式（Tmax−Tmin）／Taveより算出した値であり、式中、Taveは平均厚みであり、Tmaxは最大厚みであり、そしてTminは最小厚みであり、電子顕微鏡を用いたフィルムの縦及び横方向に沿った断面観察で下記(a)及び(b)の多孔構造：
(a)横方向に沿った断面：縦方向に沿った断面像に比べて、多くのラメラ断面が存在する。当該ラメラ断面間に多数の空孔が有り、当該空孔の厚み方向の最大孔径及び横方向の最大孔径はそれぞれ０．１〜５μｍ及び１〜５０μｍで、厚み方向の最大孔径／横方向の最大孔径の比は１／２〜１／２０である；
(b)縦方向に沿った断面：横方向に沿った断面像に比べて、ラメラ断面が少ないか又は存在しない。多数の空孔が有り、当該空孔の厚み方向の最大孔径及び縦方向の最大孔径はそれぞれ０．１〜５μｍ及び１〜５０μｍで、厚み方向の最大孔径／縦方向の最大孔径の比は１／２〜１／２０である。
を示し、
β晶核剤が、
下記一般式（１）〜（３）で表される少なくとも１種のアミド系化合物である：
Ｒ２−ＮＨＣＯ−Ｒ１−ＣＯＮＨ−Ｒ３  （１）
［式中、Ｒ１は炭素数１〜２４の飽和若しくは不飽和の脂肪族ジカルボン酸残基、炭素数４〜２８の飽和若しくは不飽和の脂環族ジカルボン酸残基又は炭素数６〜２８の芳香族ジカルボン酸残基を表す。Ｒ２及びＲ３は、同一又は異なって、それぞれ炭素数３〜１８のシクロアルキル基、一般式（ａ）、一般式（ｂ）、一般式（ｃ）又は一般式（ｄ）で示される基を表し、
【化１】
2008111134.tif 000001
上記各式中、Ｒ４は水素原子、炭素数１〜１２の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、炭素数６〜１０のシクロアルキル基又はフェニル基を表し、Ｒ５は炭素数１〜１２の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を表し、Ｒ６及びＲ７は同一又は異なって、炭素数１〜４の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基を表す。］
Ｒ９−ＣＯＮＨ−Ｒ８−ＮＨＣＯ−Ｒ１０  （２）
［式中、Ｒ８は炭素数１〜２４の飽和若しくは不飽和の脂肪族ジアミン残基、炭素数４〜２８の脂環族ジアミン残基、炭素数４〜１４の複素環式ジアミン残基又は炭素数６〜２８の芳香族ジアミン残基を表す。Ｒ９及びＲ１０は同一又は異なって、それぞれ炭素数３〜１２のシクロアルキル基、一般式（ｅ）、一般式（ｆ）、一般式（ｇ）又は一般式（ｈ）で示される基を表し、
【化２】
2008111134.tif 000002
上記各式中、Ｒ１１は水素原子、炭素数１〜１２の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、炭素数６〜１０のシクロアルキル基又はフェニル基を表し、Ｒ１２は炭素数１〜１２の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、炭素数６〜１０のシクロアルキル基又はフェニル基を表す。Ｒ１３及びＲ１４は炭素数１〜４の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基を表す。］
Ｒ１６−ＣＯＮＨ−Ｒ１５−ＣＯＮＨ−Ｒ１７  （３）
［式中、Ｒ１５は炭素数１〜２８の飽和又は不飽和の脂肪族アミノ酸残基、炭素数６〜１２の飽和又は不飽和の脂環族アミノ酸残基又は炭素数６〜１４の芳香族アミノ酸残基を表す。Ｒ１６は一般式（１）におけるＲ２又はＲ３と同義であり、Ｒ１７は一般式（２）におけるＲ９又はＲ１０と同義である。］であることを特徴とするβ晶核剤含有多孔性ポリプロピレン逐次二軸延伸フィルム。
【請求項２】
ポリプロピレン系樹脂及びβ晶核剤を含有するβ晶核剤含有多孔性ポリプロピレン逐次二軸延伸フィルムであって、フィルムの厚み均一性が０．０７〜０．０４であることを特徴とする請求項１に記載のβ晶核剤含有多孔性ポリプロピレン逐次二軸延伸フィルム。
【請求項３】
ＡＳＴＭ  Ｄ７２６に従って測定したガーレ透気度が１０〜１００sec/10mlであり、空孔率が３０〜６５％である請求項１に記載のβ晶核剤含有多孔性ポリプロピレン逐次二軸延伸フィルム。
【請求項４】
ガーレ透気度と平均孔径から下記の式に従い算出した電気抵抗推定値Ｒが、３０ｏｈｍ・ｉｎ／ｍｉｌ未満である請求項１に記載のβ晶核剤含有多孔性ポリプロピレン逐次二軸延伸フィルム：
Ｒ＝２５（４.２ｔGurｄ）／Ｌ
［式中、Ｒは３１重量％ＫＯＨ溶液中のフィルムの電気抵抗の推定値（ｏｈｍ・ｉｎ／ｍｉｌ）を示し、ｔGurはＡＳＴＭ  Ｄ７２６に従って測定したガーレ透気度（ｓｅｃ／１０ｍｌ）を示し、ｄは水銀圧入法により求めた平均孔径（μｍ）を示し、Ｌはフィルム厚み（μｍ）を示す］。
【請求項５】
平均孔径が、バブルポイント法（ＪＩＳ  Ｋ  ３８３２）で測定した場合に０．０４〜０．０６μｍであり、水銀圧入法で測定した場合に０．１０〜０．５０μｍであり、
フィルム断面の電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察から求めた場合に、フィルム厚み方向の最大孔径が０．１〜５μｍ、厚み方向に垂直な方向の最大孔径が１〜５０μｍであり、
ＪＩＳ  Ｚ  ０２０８に準拠して測定した透湿度が、３０００〜６０００ｇ／ｍ2・２４ｈであり、
ＪＩＳ  Ｋ  ７１２７に準拠して測定した引張強度が、縦方向及び横方向共に５０〜１００ＭＰａであり、
純水の代わりに界面活性剤（ポリオキシエチレンラウリルエーテル硫酸ナトリウム（エチレンオキシド付加モル数＝３モル））の０．２５重量％水溶液を用いた以外はＪＩＳ  Ｌ  １０９２に準拠して測定した耐水圧が２００〜４００ｋＰａである
ことを特徴とする請求項１に記載のβ晶核剤含有多孔性ポリプロピレン逐次二軸延伸フィルム。
【請求項６】
β晶核剤が、(1)Ｎ，Ｎ'−ジフェニルヘキサンジアミド、Ｎ，Ｎ'−ジシクロヘキシルテレフタルアミド及びＮ，Ｎ'−ジシクロヘキシル−２，６−ナフタレンジカルボキサミドからなる群から選択される少なくとも１種、
(2)Ｎ，Ｎ'−ジシクロヘキサンカルボニル−ｐ−フエニレンジアミン、Ｎ，Ｎ'−ジベンゾイル−１，５−ジアミノナフタレン、Ｎ，Ｎ'−ジベンゾイル−１，４−ジアミノシクロヘキサン及びＮ，Ｎ'−ジシクロヘキサンカルボニル−１，４−ジアミノシクロヘキサンからなる群から選択される少なくとも１種、
(3)Ｎ−シクロヘキシル−４−（Ｎ−シクロヘキサンカルボニルアミノ）ベンズアミド及びＮ−フェニル−５−（Ｎ−ベンゾイルアミノ）ペンタンアミドからなる群から選択される少なくとも１種、又は
(4)上記(1)〜(3)のアミド系化合物の２種以上の混合物
である請求項１に記載のβ晶核剤含有多孔性ポリプロピレン逐次二軸延伸フィルム。
【請求項７】
ポリプロピレン系樹脂及びβ晶核剤を含有するβ晶核剤含有多孔性ポリプロピレン逐次二軸延伸フィルムであって、フィルムの厚さは１０〜１００μｍであり、フィルムの厚み均一性が０．１以下であり、フィルムの厚みの均一性は式（Tmax−Tmin）／Taveより算出した値であり、式中、Taveは平均厚みであり、Tmaxは最大厚みであり、そしてTminは最小厚みであり、電子顕微鏡を用いたフィルムの縦及び横方向に沿った断面観察で下記(a)及び(b)の多孔構造：
(a)横方向に沿った断面：縦方向に沿った断面像に比べて、多くのラメラ断面が存在する。当該ラメラ断面間に多数の空孔が有り、当該空孔の厚み方向の最大孔径及び横方向の最大孔径はそれぞれ０．１〜５μｍ及び１〜５０μｍで、厚み方向の最大孔径／横方向の最大孔径の比は１／２〜１／２０である；
(b)縦方向に沿った断面：横方向に沿った断面像に比べて、ラメラ断面が少ないか又は存在しない。多数の空孔が有り、当該空孔の厚み方向の最大孔径及び縦方向の最大孔径はそれぞれ０．１〜５μｍ及び１〜５０μｍで、厚み方向の最大孔径／縦方向の最大孔径の比は１／２〜１／２０である、
を示し、
ガーレ透気度と平均孔径から下記の式
Ｒ＝２５（４.２ｔGurｄ）／Ｌ
［式中、Ｒは３１重量％ＫＯＨ溶液中のフィルムの電気抵抗の推定値（ｏｈｍ・ｉｎ／ｍｉｌ）を示し、ｔGurはＡＳＴＭ  Ｄ７２６に従って測定したガーレ透気度（ｓｅｃ／１０ｍｌ）を示し、ｄは水銀圧入法により求めた平均孔径（μｍ）を示し、Ｌはフィルム厚み（μｍ）を示す。］
に従い算出した電気抵抗推定値Ｒが、３０ｏｈｍ・ｉｎ／ｍｉｌ未満であるβ晶核剤含有多孔性ポリプロピレン逐次二軸延伸フィルムを含む電池セパレーターであって、β晶核剤が、
下記一般式（１）〜（３）で表される少なくとも１種のアミド系化合物である：
Ｒ２−ＮＨＣＯ−Ｒ１−ＣＯＮＨ−Ｒ３  （１）
［式中、Ｒ１は炭素数１〜２４の飽和若しくは不飽和の脂肪族ジカルボン酸残基、炭素数４〜２８の飽和若しくは不飽和の脂環族ジカルボン酸残基又は炭素数６〜２８の芳香族ジカルボン酸残基を表す。Ｒ２及びＲ３は、同一又は異なって、それぞれ炭素数３〜１８のシクロアルキル基、一般式（ａ）、一般式（ｂ）、一般式（ｃ）又は一般式（ｄ）で示される基を表し、
【化３】
2008111134.tif 000003
上記各式中、Ｒ４は水素原子、炭素数１〜１２の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、炭素数６〜１０のシクロアルキル基又はフェニル基を表し、Ｒ５は炭素数１〜１２の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を表し、Ｒ６及びＲ７は同一又は異なって、炭素数１〜４の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基を表す。］
Ｒ９−ＣＯＮＨ−Ｒ８−ＮＨＣＯ−Ｒ１０  （２）
［式中、Ｒ８は炭素数１〜２４の飽和若しくは不飽和の脂肪族ジアミン残基、炭素数４〜２８の脂環族ジアミン残基、炭素数４〜１４の複素環式ジアミン残基又は炭素数６〜２８の芳香族ジアミン残基を表す。Ｒ９及びＲ１０は同一又は異なって、それぞれ炭素数３〜１２のシクロアルキル基、一般式（ｅ）、一般式（ｆ）、一般式（ｇ）又は一般式（ｈ）で示される基を表し、
【化４】
2008111134.tif 000004
上記各式中、Ｒ１１は水素原子、炭素数１〜１２の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、炭素数６〜１０のシクロアルキル基又はフェニル基を表し、Ｒ１２は炭素数１〜１２の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、炭素数６〜１０のシクロアルキル基又はフェニル基を表す。Ｒ１３及びＲ１４は炭素数１〜４の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基を表す。］
Ｒ１６−ＣＯＮＨ−Ｒ１５−ＣＯＮＨ−Ｒ１７  （３）
［式中、Ｒ１５は炭素数１〜２８の飽和又は不飽和の脂肪族アミノ酸残基、炭素数６〜１２の飽和又は不飽和の脂環族アミノ酸残基又は炭素数６〜１４の芳香族アミノ酸残基を表す。Ｒ１６は一般式（１）におけるＲ２又はＲ３と同義であり、Ｒ１７は一般式（２）におけるＲ９又はＲ１０と同義である。］である電池セパレーター。
【請求項８】
β晶核剤が、
(1)Ｎ，Ｎ'−ジフェニルヘキサンジアミド、Ｎ，Ｎ'−ジシクロヘキシルテレフタルアミド及びＮ，Ｎ'−ジシクロヘキシル−２，６−ナフタレンジカルボキサミドからなる群から選択される少なくとも１種、
(2)Ｎ，Ｎ'−ジシクロヘキサンカルボニル−ｐ−フエニレンジアミン、Ｎ，Ｎ'−ジベンゾイル−１，５−ジアミノナフタレン、Ｎ，Ｎ'−ジベンゾイル−１，４−ジアミノシクロヘキサン及びＮ，Ｎ'−ジシクロヘキサンカルボニル−１，４−ジアミノシクロヘキサンからなる群から選択される少なくとも１種、
(3)Ｎ−シクロヘキシル−４−（Ｎ−シクロヘキサンカルボニルアミノ）ベンズアミド及びＮ−フェニル−５−（Ｎ−ベンゾイルアミノ）ペンタンアミドからなる群から選択される少なくとも１種、又は
(4)上記(1)〜(3)のアミド系化合物の２種以上の混合物
である請求項７に記載の電池セパレーター。