【手続補正書】
【提出日】平成22年3月12日(2010.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を液体吐出口から吐出するためのエネルギーを発生するエネルギー発生素子を備えた基板と、
前記液体吐出口と、該液体吐出口に液体を供給するための液路の内面を構成している部分と、を具備し、前記内面を構成している部分を内側にして前記基板の前記エネルギー発生素子を備えた側の上に設けられていることで、前記液路を構成する樹脂構造物と、
を有する液体吐出ヘッド基体であって、
前記液路の内面は、触媒化学蒸着法で形成された親水性の保護層を有することを特徴とする液体吐出ヘッド基体。
【請求項２】
液体を液体吐出口から吐出するためのエネルギーを発生するエネルギー発生素子を備えた基板と、
前記液体吐出口と該液体吐出口に液体を供給するための液路の内面を構成している部分と、を具備し、前記内面を構成している部分を内側にして前記基板の前記エネルギー発生素子を備えた側の上に設けられていることで、前記液路を構成する樹脂構造物と、
を有する液体吐出ヘッド基体であって、
前記内面を構成している部分が前記基板と対向する面を有し、少なくとも該基板と対向する面に触媒化学蒸着法で形成された保護層が設けられていることを特徴とする液体吐出ヘッド基体。
【請求項３】
前記保護層は、親水性を有することを特徴とする請求項２に記載の液体吐出ヘッド基体。
【請求項４】
前記保護層は、原料ガスを触媒反応させて分解したガスの原子もしくは分子を堆積させて設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の液体吐出ヘッド基体。
【請求項５】
前記保護層は、前記樹脂構造物が変形する温度より低い基板温度を用いて設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の液体吐出ヘッド基体。
【請求項６】
前記保護層は、ＳｉＮまたはＳｉＯＮを含む材料で設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の液体吐出ヘッド基体。
【請求項７】
前記保護層は、２００℃以下で成膜されていることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の液体吐出ヘッド基体。
【請求項８】
前記樹脂構造物はエポキシ樹脂又はアクリル樹脂の硬化物として設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の液体吐出ヘッド基体。
【請求項９】
前記樹脂構造物の前記液体吐出口が設けられた面には、撥水性の他の保護層が設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の液体吐出ヘッド基体。
【請求項１０】
前記他の保護層は、触媒化学蒸着法で設けられていることを特徴とする請求項９に記載の液体吐出ヘッド基体。
【請求項１１】
前記他の保護層は、SiC、SiOC及びSiCNのいずれか１つを含む材料からなることを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の液体吐出ヘッド基体。
【請求項１２】
前記他の保護層は、触媒化学蒸着法で設けられた親水性を有する層に撥水処理することで設けられていることを特徴とする請求項９に記載の液体吐出ヘッド基体。
【請求項１３】
前記撥水処理は、イオン注入法を用いてフッ素イオンを注入することで行われることを特徴とする請求項１２に記載の液体吐出ヘッド基体。
【請求項１４】
前記基板と前記樹脂構造物との接合部位には、触媒化学蒸着法を用いて形成された密着層が設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項１３のいずれかに記載の液体吐出ヘッド基体。
【請求項１５】
前記密着層は、SiN又はSiONを含む材料からなることを特徴とする請求項１４に記載の液体吐出ヘッド基体。
【請求項１６】
液体を液体吐出口から吐出するためのエネルギーを発生するエネルギー発生素子を備えた基板と、
前記液体吐出口と該液体吐出口に液体を供給するための液路の内面を構成している部分と、を具備し、前記液路の内面を構成している部分を内側にして前記基板の前記エネルギー発生素子を備えた側の上に設けられることで、前記液路を構成する樹脂構造物と、
を有する液体吐出ヘッド基体であって、
前記基板と前記樹脂構造物との接合部位には、触媒化学蒸着法を用いて形成された密着層が設けられていることを特徴とする液体吐出ヘッド基体。
【請求項１７】
前記密着層は、原料ガスを触媒反応させて分解したガスの原子もしくは分子を堆積させて設けられていることを特徴とする請求項１６に記載の液体吐出ヘッド基体。
【請求項１８】
前記密着層は、親水性を有することを特徴とする請求項１６又は１７に記載の液体吐出ヘッド基体。
【請求項１９】
前記密着層は、ＳｉＮまたはＳｉＯＮを含む材料からなることを特徴とする請求項１６乃至請求項１８のいずれかに記載の液体吐出ヘッド基体。
【請求項２０】
液体を液体吐出口から吐出するためのエネルギーを発生するエネルギー発生素子を備えた基板と、
前記液体吐出口と該液体吐出口に液体を供給するための液路の内面を構成している部分と、を具備し、前記液路の内面を構成している部分を内側にして前記基板の前記エネルギー発生素子を備えた側の上に設けられることで、前記液路を構成する樹脂構造物と、
を有する液体吐出ヘッド基体の製造方法であって、
前記基板上の前記液路となる領域に型材を形成する工程と、
前記型材を覆うとともに前記基板上に、前記液路の内面に設ける流路内面保護層となる部分と、前記基板と前記樹脂構造物との界面を保護する界面保護層となる部分とを有する層を、触媒化学蒸着法により形成する工程と、
前記流路内面保護層と前記界面保護層との上に、前記前記樹脂構造物となる部材を設ける工程と、
前記部材の前記エネルギー発生素子と対向する位置に、前記型材に至る開孔を設け、前記液体吐出口を形成する工程と、
前記型材を除去し、前記液路を形成する工程と、
を有することを特徴とする液体吐出ヘッド基体の製造方法。
【請求項２１】
前記液体吐出口を形成する工程と、前記液路を形成する工程と、の間に、前記液体吐出口が形成される前記樹脂構造物の面に、該面を保護する吐出口開口面保護層を触媒化学蒸着法により形成する工程を有することを特徴とする請求項２０に記載の液体吐出ヘッド基体の製造方法。
【請求項２２】
前記吐出口開口面保護層を触媒化学蒸着法により形成する際の基板温度は、前記樹脂構造物が変形する温度より低い温度であることを特徴とする請求項２１に記載の液体吐出ヘッド基体の製造方法。
【請求項２３】
前記吐出口開口面保護層が親水性の層であり、該親水性の層を撥水処理する工程を有することを特徴とする請求項２１又は請求項２２に記載の液体吐出ヘッド基体の製造方法。
【請求項２４】
前記流路内面保護層となる部分と前記界面保護層となる部分とを触媒化学蒸着法により形成する際の基板温度は、前記型材が変形する温度より低い温度であることを特徴とする請求項２０乃至請求項２３のいずれかに記載の液体吐出ヘッド基体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上述の目的を達成するための本発明にかかる液体吐出ヘッド基体には、以下の構成のものが含まれる。
（１）液体を液体吐出口から吐出するためのエネルギーを発生するエネルギー発生素子を備えた基板と、
前記液体吐出口と、該液体吐出口に液体を供給するための液路の内面を構成している部分と、を具備し、前記内面を構成している部分を内側にして前記基板の前記エネルギー発生素子を備えた側の上に設けられていることで、前記液路を構成する樹脂構造物と、
を有する液体吐出ヘッド基体であって、
前記液路の内面は、触媒化学蒸着法で形成された親水性の保護層を有することを特徴とする液体吐出ヘッド基体。
（２）液体を液体吐出口から吐出するためのエネルギーを発生するエネルギー発生素子を備えた基板と、
前記液体吐出口と該液体吐出口に液体を供給するための液路の内面を構成している部分と、を具備し、前記内面を構成している部分を内側にして前記基板の前記エネルギー発生素子を備えた側の上に設けられていることで、前記液路を構成する樹脂構造物と、
を有する液体吐出ヘッド基体であって、
前記内面を構成している部分が前記基板と対向する面を有し、少なくとも該基板と対向する面に触媒化学蒸着法で形成された保護層が設けられていることを特徴とする液体吐出ヘッド基体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明にかかる液体吐出ヘッド基体の製造方法は、
液体を液体吐出口から吐出するためのエネルギーを発生するエネルギー発生素子を備えた基板と、
前記液体吐出口と該液体吐出口に液体を供給するための液路の内面を構成している部分と、を具備し、前記液路の内面を構成している部分を内側にして前記基板の前記エネルギー発生素子を備えた側の上に設けられることで、前記液路を構成する樹脂構造物と、
を有する液体吐出ヘッド基体の製造方法であって、
前記基板上の前記液路となる領域に型材を形成する工程と、
前記型材を覆うとともに前記基板上に、前記液路の内面に設ける流路内面保護層となる部分と、前記基板と前記樹脂構造物との界面を保護する界面保護層となる部分とを有する層を、触媒化学蒸着法により形成する工程と、
前記流路内面保護層と前記界面保護層との上に、前記前記樹脂構造物となる部材を設ける工程と、
前記部材の前記エネルギー発生素子と対向する位置に、前記型材に至る開孔を設け、前記液体吐出口を形成する工程と、
前記型材を除去し、前記液路を形成する工程と、
を有することを特徴とする液体吐出ヘッド基体の製造方法である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
インクジェットヘッド基板１には、液体（例えばインク）による液路（ 例えばインク流路８）を形成する樹脂構造物（例えば流路形成部材４ ） の膨潤を抑えるために、以下の部位のうち、少なくとも１つ以上の部位に保護層を有する。この保護層は、触媒化学蒸着法（Ｃａｔａｌｙｔｉｃ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：以下、Ｃａｔ−ＣＶＤ法と称す）を用いて形成される。
（１）吐出口開口面５
（２）シリコン基板２と流路形成部材４との界面（接合面または接合部位）
（３）流路形成部材４に形成されたインク流路８の内面（吐出部１０のインク流路内面を除く部位）
（４）吐出部１０のインク流路内面
（５）流路形成部材４の外側面
上述の（１）〜（５）の全てにすべてにＣａｔ−ＣＶＤ法によるシリコン系の保護層を設けた場合は、流路形成部材４の少なくともインクと接触する部分はＣａｔ−ＣＶＤ法で得られる保護層に覆われることになる。この結果、流路形成部材４が、インクと接触することがない。しかしながら、（１）〜（５）の一部にのみＣａｔ−ＣＶＤ法による保護層を形成した場合であっても、以下のような効果をそれぞれ有するものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
以下、本発明に係わる実施形態であるインクジェットヘッド基板１ となるシリコン基板２の構造と製造方法とを、図面を用いて詳細に説明する。なお、第１の実施形態は参考実施形態である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
次に、流路形成部材４の表側面にＣａｔ−ＣＶＤ法を用いてシリコン系の保護層１１を形成する。（図６（ｄ））。この際、実質的に、流路形成部材４の外側面も同時に保護層１１で覆われる（不図示）。この保護層１１は、後述する吐出口開口面保護層となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
図６には、図６（ｈ）の丸で示した部位付近を拡大した模式図も示されている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
ここで説明する製造方法は、以下の各工程を有するものである。
・後の工程で液路が形成される基体上の領域に型材を形成する工程。
・型材を覆うとともに基体上に、液路の内面を保護する層となる流路内面保護層（詳細は後述）と、基体と樹脂構造物との界面を保護する層となる界面保護層（詳細は後述）と、をＣａｔ−ＣＶＤ法により形成する工程。
・流路内面保護層と界面保護層との上に、エネルギー発生素子を覆って樹脂構造物を形成する工程。
・樹脂構造物の液体吐出口が形成される面に、液体吐出口となる部位から型材に至る開孔を形成する工程。
・型材を除去して樹脂構造物の内部に前記液路を形成する工程。