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【手続補正書】
【提出日】平成22年8月10日(2010.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ライトデータ又はメモリセルブロックから出力されるリードデータを保存した後、出力制御信号によって出力する保存手段と、
ライトトレーニング信号が活性化したか否かにより、前記出力制御信号を互いに異なるタイミングで発生させる制御手段と
を備えることを特徴とするライトトレーニング機能を持つ半導体メモリ装置。
【請求項２】
データのライト及びリード共用として使用されるデータラインと、
前記データラインを介して外部から入力されるライトデータ又は前記データラインを介してメモリセルブロックから出力されるリードデータを保存した後、出力制御信号によって出力する保存手段と、
ライトトレーニング信号が活性化したか否かにより、前記出力制御信号を互いに異なるタイミングで発生させる制御手段と
を備えることを特徴とするライトトレーニング機能を持つ半導体メモリ装置。
【請求項３】
前記保存手段は、ＦＩＦＯ構造のレジスタであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のライトトレーニング機能を持つ半導体メモリ装置。
【請求項４】
前記ライトデータを半導体メモリ装置内に駆動するためのライトドライバーをさらに備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のライトトレーニング機能を持つ半導体メモリ装置。
【請求項５】
前記制御手段は、ライトトレーニング信号によって前記ライトドライバーのデータ出力時点を決定する信号、及び前記メモリセルブロックのデータリード時点を決定する信号の一つを選択し、前記選択された信号を用いて前記出力制御信号を生成する多重化部を備えることを特徴とする請求項４に記載のライトトレーニング機能を持つ半導体メモリ装置。
【請求項６】
メモリセルブロックと、
ライトトレーニング信号に応じて、半導体メモリ装置の外部から第１の経路を介して入力されるデータ、及び前記メモリセルブロックから第２の経路を介して出力されるデータの一つを選択して出力するスイッチング手段と、
前記スイッチング手段から出力されたデータを保存した後、出力制御信号に応じて出力する保存手段と
を備えることを特徴とするライトトレーニング機能を持つ半導体メモリ装置。
【請求項７】
前記第１の経路は、データをドライドするライトドライバーと、前記ライトドライバー及び前記メモリセルブロック間に連結している第１のデータラインとを備えることを特徴とする請求項６に記載のライトトレーニング機能を持つ半導体メモリ装置。
【請求項８】
前記第２の経路は、前記メモリセルブロック及び前記データスイッチング手段間に連結している第２のデータラインを備えることを特徴とする請求項６に記載のライトトレーニング機能を持つ半導体メモリ装置。
【請求項９】
前記ライトトレーニング信号によって前記ライトドライバーのデータ出力時点を決定する入力ストロボ信号、及びリードストロボ信号の一つを選択し、前記出力制御信号を生成する制御手段をさらに備えることを特徴とする請求項７に記載のライトトレーニング機能を持つ半導体メモリ装置。
【請求項１０】
前記リードストロボ信号は、前記メモリセルブロックに記録されたデータを読み出すための信号であることを特徴とする請求項９に記載のライトトレーニング機能を持つ半導体メモリ装置。
【請求項１１】
前記制御手段は、前記入力ストロボ信号及び前記リードストロボ信号の一つを選択し、選択された信号を遅延させることで、前記出力制御信号を生成する多重化部を備えることを特徴とする請求項９に記載のライトトレーニング機能を持つ半導体メモリ装置。
【請求項１２】
前記保存手段は、ＦＩＦＯ構造のレジスタであることを特徴とする請求項６に記載のライトトレーニング機能を持つ半導体メモリ装置。
【請求項１３】
ライトトレーニング信号に応じて、第１のデータラインを介して外部から入力されるライトデータ、及びメモリセルブロックから第２のデータラインを介して出力されるリードデータの一つを選択して出力するスイッチング手段と、
前記スイッチング手段から出力されるデータを保存した後、出力制御信号によって出力する保存手段と、
前記ライトトレーニング信号が活性化したか否かにより、前記出力制御信号を互いに異なるタイミングで発生させる制御手段と
を備えることを特徴とするライトトレーニング機能を持つ半導体メモリ装置。
【請求項１４】
前記第１のデータラインは、ライト用広域データラインであることを特徴とする請求項１３に記載のライトトレーニング機能を持つ半導体メモリ装置。
【請求項１５】
前記第２のデータラインは、リード用広域データラインであることを特徴とする請求項１３又は１４に記載のライトトレーニング機能を持つ半導体メモリ装置。
【請求項１６】
外部から入力されたデータを駆動して前記第１のデータラインに伝送するためのライトドライバーをさらに備えることを特徴とする請求項１３又は１５に記載のライトトレーニング機能を持つ半導体メモリ装置。
【請求項１７】
前記保存手段は、ＦＩＦＯ構造のレジスタであることを特徴とする請求項１３に記載のライトトレーニング機能を持つ半導体メモリ装置。
【請求項１８】
前記制御手段は、ライトトレーニング信号によって前記ライトドライバーのデータ出力時点を決定する信号、及び前記メモリセルブロックのデータリード時点を決定する信号の一つを選択し、前記選択された信号を用いて前記出力制御信号を生成する多重化部を備えることを特徴とする請求項１６に記載のライトトレーニング機能を持つ半導体メモリ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月25日(2009.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
ところで、各補正動作について考えると、閾値電圧キャンセル処理の前において、駆動トランジスタＴDrvのソース領域に印加される電圧ＶSSは一定である。一方、移動度補正処理においては、駆動トランジスタＴDrvのゲート電極とソース領域との間の電圧は、式（Ｂ）からも明らかなように、駆動信号（輝度信号）ＶSigに依存しており、一定ではない。移動度補正処理にあっては、移動度補正処理中の発光部ＥＬＰのアノード電極の電位（駆動トランジスタＴDrvのソース領域の電位）は、発光部ＥＬＰの発光に必要とされる閾値電圧Ｖth-EL未満とする必要がある。ここで、有機ＥＬ素子の輝度を高くする場合には大きな電流が駆動トランジスタＴDrvを流れるので、発光部ＥＬＰの有する寄生容量ＣELの容量値ｃELが小さいほど、駆動トランジスタＴDrvのソース領域における電位の上昇量ΔＶ（電位補正値）の上昇速度が早くなる。従って、発光部ＥＬＰの有する寄生容量ＣELの容量値ｃELが小さいほど、移動度補正処理を実行する時間をより短くする必要があり、移動度補正処理の時間の制御が非常に難しくなる。また、発光部ＥＬＰの有する寄生容量ＣELの容量値ｃELに相対的に大きなばらつきが存在する場合、駆動トランジスタＴDrvのソース領域における電位の上昇量ΔＶ（電位補正値）に大きなばらつきが発生する虞がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４２】
［期間−ＴＰ（３）1］（図１８の（Ｃ）参照）
そして、現表示フレームにおける第ｍ行目の水平走査期間が開始する。［期間−ＴＰ（３）1］の開始時、映像信号出力回路１０２の動作に基づきデータ線ＤＴＬの電位を、駆動トランジスタＴDrvのゲート電極を初期化するための電圧ＶOfs-Hとし、次いで、走査回路１０１の動作に基づき走査線ＳＣＬをハイレベルとすることによって、映像信号書込みトランジスタＴSigをオン状態とする。その結果、第１ノードＮＤ1の電位は、ＶOfs-Hとなる。上述したように、コンデンサ部Ｃ1の値ｃ1を、設計上、他の駆動回路よりも大きい値としたので、ソース領域の電位（第２ノードＮＤ2の電位）は上昇する。そして、発光部ＥＬＰの両端の電位差が閾値電圧Ｖth-ELを超えるので、発光部ＥＬＰは導通状態となるが、駆動トランジスタＴDrvのソース領域の電位は、再び、（Ｖth-EL＋ＶCat）まで、直ちに低下する。尚、この過程において、発光部ＥＬＰが発光し得るが、発光は一瞬であり、実用上、問題とはならない。一方、駆動トランジスタＴDrvのゲート電極は電圧ＶOfs-Hを保持する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４９】
［期間−ＴＰ（３）5］において、第１ノードＮＤ1の電位が、ＶOfs-LからＶSigへと上昇する。このため、第１ノードＮＤ1の電位変化により生ずる第２ノードＮＤ2の電位変化を考慮すると、第２ノードＮＤ2の電位も、若干、上昇する。即ち、第２ノードＮＤ2の電位を、ＶOfs-L−Ｖth＋α・（ＶSig−ＶOfs-L）と表すことができる。但し、０＜α＜１であり、αの値はコンデンサ部Ｃ1、発光部ＥＬＰの寄生容量ＣELの値（補助容量部ＣSubが接続されている駆動回路にあっては、加えて補助容量部ＣSub）等により定まる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５５】
そして、発光部ＥＬＰの発光状態を第（ｍ＋ｍ’−１）番目の水平走査期間まで継続する。この時点は、［期間−ＴＰ（３）-1］の終わりに相当する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月19日(2009.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録データを情報記録媒体に記録する記録方法であって、
複数のデータフレームを有する第２のデータブロックを複数集めて第１のデータブロックを生成する処理と、
前記第１のデータブロックの境界に位置する第１データフレームに、同期のための信号として第１の信号を付加する処理と、
前記第２のデータブロックの境界に位置し、前記第１データフレームとは異なる第２データフレームに、同期のための信号として第２の信号を付加する処理と、
前記第１データフレーム及び前記第２データフレームとは異なるデータフレームに、同期のための信号として第３の信号を付加する処理と、を含み、
前記第１と第２と第３の信号の互いの符号間距離と反転回数の組み合わせが変更されていること特徴とする記録方法。
【請求項２】
情報記録媒体に記録された記録データを再生する再生方法であって、
複数のデータフレームを有する第２のデータブロックを複数集めて生成された第１のデータブロックの境界に位置する第１データフレームに、同期のための信号として第１の信号が付加され、前記第２のデータブロックの境界に位置し、前記第１データフレームとは異なる第２データフレームに、同期のための信号として第２の信号を付加され、前記第１データフレーム及び前記第２データフレームとは異なるデータフレームに、同期のための信号として第３の信号を付加され、前記第１と第２と第３の信号の互いの符号間距離と反転回数の組み合わせが変更されているディジタル信号が記録された記録媒体に対して記録情報の再生を行うことを特徴とする再生方法。
【請求項３】
記録データが記録される情報記録媒体であって、
複数のデータフレームを有する第２のデータブロックを複数集めて生成された第１のデータブロックの境界に位置する第１データフレームに、同期のための信号として第１の信号が付加され、前記第２のデータブロックの境界に位置し、前記第１データフレームとは異なる第２データフレームに、同期のための信号として第２の信号が付加され、前記第１データフレーム及び前記第２データフレームとは異なるデータフレームに、同期のための信号として第３の信号が付加されたディジタル信号が記録されており、
前記第１と第２と第３の信号の互いの符号間距離と反転回数の組み合わせが変更されていること特徴とする情報記録媒体。
【請求項４】
記録データを含むフレームと、複数のフレームから成る第２のデータブロックと、複数の第２のデータブロックから成る第１のデータブロックと、を生成するディジタル信号生成方法であって、
第１のデータブロックの境界に位置するフレームに同期信号として第１の同期信号が付加され、第２のデータブロックの境界であって第１のデータブロックの境界ではない位置のフレームに同期信号として第２の同期信号が付加され、
第１、第２の同期信号が与えられるフレームを除くフレーム同期信号として第３の同期信号が付加され、
第１と第２と第３の同期信号のビットパターンの反転回数がそれぞれ異なることを特徴とするディジタル信号の生成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月21日(2010.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶手段に記憶した第１の文字コードに対応したソースプログラムを第２の文字コードに対応したソースプログラムに変換するコンパイル装置におけるコンパイル方法において、
前記コンパイル装置は、プロファイル情報出力手段と、プロファイル更新処理埋込手段と、コンパイル実行手段とを備え、
前記プロファイル情報出力手段は、前記第１の文字コードに対応したソースプログラムのプロファイル情報を解析して第１のプロファイル情報を生成して前記記憶手段に出力し、
前記プロファイル更新処理埋込手段は、ロードモジュールの実行時に必要なプロファイル更新処理を、前記第１の文字コードに対応したソースプログラムからロードモジュールを生成する過程で埋め込み、
前記コンパイル実行手段は、前記ロードモジュールを実行することにより埋め込まれた前記プロファイル更新処理を実行し、前記記憶した第１のプロファイル情報を参照して第２のプロファイル情報を生成して前記記憶手段に出力することを特徴とするコンパイル方法。
【請求項２】
前記コンパイル装置内に、ソースプログラム変換手段をさらに備え、該ソースプログラム変換手段は、前記第２のプロファイル情報に基づいて、前記第１の文字コードに対応した前記記憶したソースプログラムを前記第２の文字コードに対応したソースプログラムに変換することを特徴とする請求項１記載のコンパイル方法。
【請求項３】
前記ソースプログラム変換手段は、前記第２のプロファイル情報で定義された第２の文字コードの最大長を１から２に設定することにより、前記第１の文字コードに対応した前記記憶したソースプログラムを前記第２の文字コードに対応したソースプログラムに変換することを特徴とする請求項２記載のコンパイル方法。
【請求項４】
記憶手段に記憶した第１の文字コードに対応したソースプログラムを第２の文字コードに対応したソースプログラムに変換するコンパイル装置において、
コンパイル装置は、プロファイル情報出力手段と、プロファイル更新処理埋込手段と、コンパイル実行手段と、ソースプログラム変換手段とを備え、
前記プロファイル情報出力手段は、前記第１の文字コードに対応したソースプログラムのプロファイル情報を解析して第１のプロファイル情報を生成して前記記憶手段に出力し、
前記プロファイル更新処理埋込手段は、ロードモジュールの実行時に必要なプロファイル更新処理を、前記第１の文字コードに対応したソースプログラムからロードモジュールを生成する過程で埋め込み、
前記コンパイル実行手段は、前記ロードモジュールを実行することにより埋め込まれた前記プロファイル更新処理を実行し、前記記憶した第１のプロファイル情報を参照して第２のプロファイル情報を生成して前記記憶手段に出力し、
前記ソースプログラム変換手段は、前記第２のプロファイル情報に基づいて、前記第１の文字コードに対応した前記記憶したソースプログラムを前記第２の文字コードに対応したソースプログラムに変換することを特徴とするコンパイル装置。
【請求項５】
記憶手段に記憶した第１の文字コードに対応したソースプログラムを第２の文字コードに対応したソースプログラムに変換するためにコンパイル装置を機能させるコンパイルプログラムであって、
前記コンパイル装置は、プロファイル情報出力手段と、プロファイル更新処理埋込手段と、コンパイル実行手段と、ソースプログラム変換手段とを備え、
前記プロファイル情報出力手段は、前記第１の文字コードに対応したソースプログラムのプロファイル情報を解析して第１のプロファイル情報を生成して前記記憶手段に出力するステップを有し、
前記プロファイル更新処理埋込手段は、ロードモジュールの実行時に必要なプロファイル更新処理を、前記第１の文字コードに対応したソースプログラムからロードモジュールを生成する過程で埋め込むステップを有し、
前記コンパイル実行手段は、前記ロードモジュールを実行することにより埋め込まれた前記プロファイル更新処理を実行し、前記記憶した第１のプロファイル情報を参照して第２のプロファイル情報を生成して前記記憶手段に出力するステップを有し、
前記ソースプログラム変換手段は、前記第２のプロファイル情報に基づいて、前記第１の文字コードに対応した前記記憶したソースプログラムを前記第２の文字コードに対応したソースプログラムに変換するステップを有することを特徴とするコンパイルプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明によれば前記目的は、記憶手段に記憶した第１の文字コードに対応したソースプログラムを第２の文字コードに対応したソースプログラムに変換するコンパイル装置におけるコンパイル方法において、前記コンパイル装置は、プロファイル情報出力手段と、プロファイル更新処理埋込手段と、コンパイル実行手段とを備え、前記プロファイル情報出力手段は、前記第１の文字コードに対応したソースプログラムのプロファイル情報を解析して第１のプロファイル情報を生成して前記記憶手段に出力し、前記プロファイル更新処理埋込手段は、ロードモジュールの実行時に必要なプロファイル更新処理を、前記第１の文字コードに対応したソースプログラムからロードモジュールを生成する過程で埋め込み、前記コンパイル実行手段は、前記ロードモジュールを実行することにより埋め込まれた前記プロファイル更新処理を実行し、前記記憶した第１のプロファイル情報を参照して第２のプロファイル情報を生成して前記記憶手段に出力することにより達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月15日(2010.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アプリケーションで生成したデータをプリンタで印刷させる際に、前記アプリケーションが生成したデータを、オペレーティングシステムの描画制御部に供給することにより供給されたデータに基づく中間データを生成させ、この中間データをプリンタドライバに供給することによって前記プリンタで印刷を行わせる情報処理装置であって、
前記アプリケーションにおいて、前記プリンタで印刷させるためのデータを暗号化する暗号化手段と、
前記アプリケーションにおいて、印刷対象のデータが前記暗号化手段により暗号化されていることを示す情報を前記プリンタドライバに設定する設定手段と、
前記アプリケーションにおいて、前記暗号化手段により暗号化されたデータを印刷対象のデータとして前記描画制御部に供給することにより暗号化された中間データを生成させ、当該暗号化された中間データを前記プリンタドライバに供給して前記プリンタで印刷させる印刷制御手段と、
を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記プリンタドライバにおいて、前記設定手段で設定された情報に基づき前記描画制御部によって生成された暗号化された中間データを復号化する復号化手段を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記設定手段は、さらに暗号化用鍵、暗号化のタイプを示す情報を、前記プリンタドライバに設定することを特徴とする情報処理装置。
【請求項４】
アプリケーションで生成したデータをプリンタで印刷させる際に、前記アプリケーションが生成したデータを、オペレーティングシステムの描画制御部に供給することにより供給されたデータに基づく中間データを生成させ、この中間データをプリンタドライバに供給することによって前記プリンタで印刷を行わせる印刷制御方法であって、
前記アプリケーションにおいて、前記プリンタで印刷させるためのデータを暗号化し、
前記アプリケーションにおいて、印刷対象のデータが暗号化されていることを示す情報を前記プリンタドライバに設定し、
前記アプリケーションにおいて、前記暗号化されたデータを印刷対象のデータとして前記描画制御部に供給することにより暗号化された中間データを生成させ、当該暗号化された中間データを前記プリンタドライバに供給して前記プリンタで印刷させることを特徴とする印刷制御方法。
【請求項５】
請求項４に記載の印刷制御方法を、コンピュータにより実現するためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理装置、印刷制御方法及びプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の情報処理装置は、アプリケーションで生成したデータをプリンタで印刷させる際に、前記アプリケーションが生成したデータを、オペレーティングシステムの描画制御部に供給することにより供給されたデータに基づく中間データを生成させ、この中間データをプリンタドライバに供給することによって前記プリンタで印刷を行わせる情報処理装置であって、前記アプリケーションにおいて、前記プリンタで印刷させるためのデータを暗号化する暗号化手段と、前記アプリケーションにおいて、印刷対象のデータが前記暗号化手段により暗号化されていることを示す情報を前記プリンタドライバに設定する設定手段と、前記アプリケーションにおいて、前記暗号化手段により暗号化されたデータを印刷対象のデータとして前記描画制御部に供給することにより暗号化された中間データを生成させ、当該暗号化された中間データを前記プリンタドライバに供給して前記プリンタで印刷させる印刷制御手段とを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月20日(2009.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラグイン端子金具が設けられたプラグインタイプの回路遮断器を分電盤などの母線が設けられた取付板に取り付けるための回路遮断器と取付板の構造であって、
回路遮断器の底面から突出する、しないを外部つまみで択一的に選択可能なロックレバーを回路遮断器に設けるとともに、
取付板には前記ロックレバーの嵌合部を設け、
取付板の上に載置した回路遮断器を母線の方向にスライドさせていくと母線がプラグイン端子金具に差し込まれていき、
取付板に設けられた爪部が回路遮断器と嵌合することにより、回路遮断器の取付板に対する鉛直方向の動きが規制されるとともに、
回路遮断器の底面からロックレバーが突出して取付板の嵌合部に嵌合することにより、母線から回路遮断器を取り外す方向の動きが規制されて、取付板に回路遮断器が取り付けられた状態となることを特徴とした回路遮断器の取付構造。
【請求項２】
プラグイン端子金具が設けられたプラグインタイプの回路遮断器を分電盤などの母線が設けられた取付板に取り付けるための回路遮断器と取付板の構造であって、
回路遮断器の両側面を規制する突出部を取付板に設け、
回路遮断器の底面から突出する、しないを外部つまみで択一的に選択可能なロックレバーを回路遮断器に設けるとともに、
取付板には前記ロックレバーの嵌合部を設け、
取付板の上に載置した回路遮断器を母線の方向にスライドさせていくと母線がプラグイン端子金具に差し込まれていき、
取付板に設けられた爪部が回路遮断器と嵌合することにより、回路遮断器の取付板に対する鉛直方向の動きが規制されるとともに、
回路遮断器の底面からロックレバーが突出して取付板の嵌合部に嵌合することにより、母線から回路遮断器を取り外す方向の動きが規制されて、取付板に回路遮断器が取り付けられた状態となることを特徴とした回路遮断器の取付構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
そこで、請求項１の発明は、プラグイン端子金具が設けられたプラグインタイプの回路遮断器を分電盤などの母線が設けられた取付板に取り付けるための回路遮断器と取付板の構造であって、回路遮断器の底面から突出する、しないを外部つまみで択一的に選択可能なロックレバーを回路遮断器に設けるとともに、取付板には前記ロックレバー嵌合部を設け、取付板の上に載置した回路遮断器を母線の方向にスライドさせていくと母線がプラグイン端子金具に差し込まれていき、取付板に設けられた爪部が回路遮断器と嵌合することにより、回路遮断器の取付板に対する鉛直方向の動きが規制されるとともに、回路遮断器の底面からロックレバーが突出して取付板の嵌合部に嵌合することにより、母線から回路遮断器を取り外す方向の動きが規制されて、取付板に回路遮断器が取り付けられた状態となることを特徴とした回路遮断器の取付構造を提供したものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、請求項２の発明では、プラグイン端子金具が設けられたプラグインタイプの回路遮断器を分電盤などの母線が設けられた取付板に取り付けるための回路遮断器と取付板の構造であって、回路遮断器の両側面を規制する突出部を取付板に設け、回路遮断器の底面から突出する、しないを外部つまみで択一的に選択可能なロックレバーを回路遮断器に設けるとともに、取付板には前記ロックレバー嵌合部を設け、取付板の上に載置した回路遮断器を母線の方向にスライドさせていくと母線がプラグイン端子金具に差し込まれていき、取付板に設けられた爪部が回路遮断器と嵌合することにより、回路遮断器の取付板に対する鉛直方向の動きが規制されるとともに、回路遮断器の底面からロックレバーが突出して取付板の嵌合部に嵌合することにより、母線から回路遮断器を取り外す方向の動きが規制されて、取付板に回路遮断器が取り付けられた状態となることを特徴とした回路遮断器の取付構造を提供したものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
なお、実施例では、回路遮断器の側面を位置規制する突出部９、１０を設けた例としたが、爪部３、４と凹部５、６の巾寸法関係を適性に設定することで不要とできる。また、嵌合部８は取付板２の端部を折り曲げて形成された例で説明したが、係止部７０３の大きさに見合った穴としてもよく、穴と係止部の寸法関係で突出部９、１０を不要にできる。これらは、本件発明の請求の範囲内で適宜変更可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月24日(2009.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方の面に配線部が形成されているプリント基板を検査する検査用治具において、
少なくとも検査対象となるプリント基板の表面積よりも大きい表面積を有し、プリント基板の一方の面に対向するように配置されるベース部と、
互いに所定間隔をあけて整列して配置され、いずれかの先端部が前記プリント基板の配線部に当接する複数のプローブピンとを具備し、
複数のプローブピン同士の間隔は、配線部同士の間隔よりも狭くなるように設けられ、
各プローブピンはベース部に対してプローブピンの先端部方向に移動可能に設けられていることを特徴とするプリント基板検査用治具。
【請求項２】
前記ベース部の、前記プローブピンの先端部側が位置する面には、検査対象となるプリント基板の外縁に沿って開口する開口部が形成されたカバーが着脱可能に設けられることを特徴とする請求項１記載のプリント基板検査用治具。
【請求項３】
前記ベース部には、各前記プローブピンが挿入される挿入孔が形成されており、
各前記プローブピンは、自重によって先端部方向に下降するように前記ベース部に対して移動可能に前記挿入孔内に挿入され、且つ下降時に前記挿入孔より抜けないようにするための抜け止め機構を設けていることを特徴とする請求項１または請求項２記載のプリント基板検査用治具。
【請求項４】
各前記プローブピンには、先端部方向に付勢する付勢手段が設けられていることを特徴とする請求項１〜請求項３のうちのいずれか１項記載のプリント基板検査用治具。
【請求項５】
各前記プローブピンの後端部が、外部機器へ電気的な接続を行うための電気配線が接続される端子部として設けられていることを特徴とする請求項１〜請求項４のうちのいずれか１項記載のプリント基板検査用治具。
【請求項６】
前記ベース部の挿入孔の内壁面は導電性物質で形成され、
該挿入孔の内壁面と電気的に接続され、外部機器へ電気的な接続を行うための電気配線が接続される端子部が、ベース部の表面に設けられていることを特徴とする請求項１〜請求項４のうちのいずれか１項記載のプリント基板検査用治具。
【請求項７】
前記ベース部は、少なくとも２層以上の多層構造に形成され、
各前記プローブピンは、ベース部に形成された挿入孔内に配置され、
ベース部の最上層の表面には、外部機器へ電気的な接続を行うための電気配線が接続される複数の端子部が形成され、
各前記プローブピンと各前記端子部とが一対一に電気的に接続されるように、前記ベース部に、配線パターン及びビアが形成されていることを特徴とする請求項１〜請求項６のうちのいずれか１項記載のプリント基板検査用治具。
【請求項８】
前記プローブピンの整列間隔よりも、前記最上層の端子部の整列間隔が広くなるように設けられていることを特徴とする請求項７記載のプリント基板検査用治具。
【請求項９】
両面に配線部が形成され、且つ両面の配線部どうしが電気的に接続されているプリント基板を検査する検査装置において、
請求項１〜請求項８のうちのいずれか１項記載の構成を有する第１のプリント基板検査用治具と、
プリント基板の他方の面に対向して配置され、プリント基板の他方の面に形成された配線部に当接する複数のプローブを有する第２のプリント基板検査用治具と、
前記第１のプリント基板検査用治具の各前記プローブピン及び前記第２のプリント基板検査用治具の各前記プローブに電気配線を介して接続され、各前記プローブピンと各前記プローブの間における導通チェック及び短絡チェックを実行するように制御する制御部とを具備することを特徴とするプリント基板検査装置。
【請求項１０】
前記第２のプリント基板検査用治具は、請求項１〜請求項８のうちのいずれか１項に記載された構成を有するプリント基板検査用治具であることを特徴とする請求項９記載のプリント基板検査装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
すなわち、本発明にかかるプリント基板検査用治具によれば、少なくとも一方の面に配線部が形成されているプリント基板を検査する検査用治具において、少なくとも検査対象となるプリント基板の表面積よりも大きい表面積を有し、プリント基板の一方の面に対向するように配置されるベース部と、互いに所定間隔をあけて整列して配置され、いずれかの先端部が前記プリント基板の配線部に当接する複数のプローブピンとを具備し、複数のプローブピン同士の間隔は、配線部同士の間隔よりも狭くなるように設けられ、各プローブピンはベース部に対してプローブピンの先端部方向に移動可能に設けられていることを特徴としている。
この構成を採用することによって、プリント基板の種類に拘わらずにプリント基板の検査を行うことができるので、専用治具の製造にかかるコストや専用治具の管理の手間などを低減することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月15日(2010.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高分子電解質膜と、
膜状又は板状に、かつ、開口を有するように形成され、その一方の主面が前記高分子電解質膜における一方の主面に接触するように配置された第１膜補強部材と、
前記高分子電解質膜の一方の主面の第１膜補強部材の前記開口に位置する部分を覆うように配置された第１触媒層と、
前記高分子電解質膜の他方の主面の前記第１触媒層に対応する部分を覆うように配置された第２触媒層と、
前記第１触媒層と前記第１膜補強部材の主面の一部とを覆うように配置された第１ガス拡散層と、
前記第２触媒層と前記高分子電解質膜の前記第２触媒層側の主面であって前記第１膜補強部材に対応する部分の一部とを覆うように配置された第２ガス拡散層と、を備え、
前記第１膜補強部材の前記開口の縁部の少なくとも一部に前記高分子電解質膜側の主面につながるように面取り部が形成されている、膜−電極接合体。
【請求項２】
高分子電解質膜と、
膜状又は板状に、かつ、開口を有するように形成され、その一方の主面が前記高分子電解質膜における一方の主面に接触するように配置された第１膜補強部材と、
膜状又は板状に、かつ、開口を有するように形成され、その一方の主面が前記高分子電解質膜における他方の主面に接触するように配置された第２膜補強部材と、
前記高分子電解質膜の一方の主面の第１膜補強部材の前記開口に位置する部分を覆うように配置された第１触媒層と、
前記高分子電解質膜の他方の主面の第２膜補強部材の前記開口に位置する部分を覆うように配置された第２触媒層と、
前記第１触媒層と前記第１膜補強部材の主面の一部とを覆うように配置された第１ガス拡散層と、
前記第２触媒層と前記第２膜補強部材の主面の一部とを覆うように配置された第２ガス拡散層と、を備え、
前記第１及び第２膜補強部材の少なくともいずれかの前記開口の縁部の少なくとも一部に前記高分子電解質膜側の主面につながるように面取り部が形成されている、膜−電極接合体。
【請求項３】
前記第１膜補強部材が環状に形成され、前記開口が前記環状の形状の中央開口である、請求項１又は請求項２に記載の膜−電極接合体。
【請求項４】
前記第１及び第２膜補強部材が環状に形成され、前記開口が前記環状の形状の中央開口である、請求項２に記載の膜−電極接合体。
【請求項５】
前記第１及び第２ガス拡散層は前記高分子電解質膜の厚み方向から見て各々の周縁部が全周に亘って重なるように配置されている、請求項１又は２に記載の膜−電極接合体。
【請求項６】
前記第１ガス拡散層の周囲及び第２ガス拡散層の周囲にそれぞれ配置され、前記高分子電解質膜を挟むように配置される一対の環状のガスケットをさらに備える、請求項１又は２に記載の膜−電極接合体。
【請求項７】
請求項１、請求項２、及び請求項６のいずれかに記載の膜−電極接合体を備える、高分子電解質形燃料電池。
【請求項８】
膜状又は板状の膜補強部材に開口を形成する工程と、
前記膜補強部材の一方の主面の開口の縁部の少なくとも一部に前記一方の主面につながるように面取り部を形成する工程と、
前記膜補強部材の一方の主面と高分子電解質膜の主面とを接触させ、これらを接合する工程と、を含む、膜−膜補強部材接合体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月24日(2010.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも動画素材を編集して送出するバンクシステムにおいて、該バンクシステム内
のマトリックススイッチャのリエントリー系統にデジタル字幕インサータを導入し、上記
デジタル字幕インサータで、上記マトリックススイッチャのリエントリー系統を介して入
力した、字幕データの入っていない素材データにデジタル字幕重畳装置からのデジタル字
幕データの重畳およびデジタル字幕データの重畳された素材データにおけるデジタル字幕
データの編集の少なくとも一方を行い、デジタル字幕データの重畳された素材データを上
記マトリックススイッチャを介してビデオサーバに収録する構成としたことを特徴とする
バンクシステム。
【請求項２】
上記バンクシステムにおいて、上記マトリックススイッチャのリエントリー系統を介して入力した、字幕データの入っていない素材データは、ＶＴＲの素材データまたは上記ビデオサーバに収録済みの素材データの少なくとも一方であることを特徴とするバンクシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月25日(2010.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フープ状に巻き取られた板状のワイヤと、拡散領域により素子が作りこまれ、前記素子と電気的に接続されたボンディング電極が表面に設けられた半導体チップを用意し、
前記ワイヤを所定の長さで切断し、板状リードを形成し、
前記板状リードを保持して、前記半導体チップのボンディング電極に載置固着する事を特徴とした半導体装置の製造方法。
【請求項２】
フープ状に巻き取られたワイヤと、拡散領域により素子が作りこまれ、前記素子と電気的に接続されたボンディング電極が表面に設けられた半導体チップを用意し、
前記ワイヤをプレスして板状にし、所定の長さで切断して、板状リードを形成し、
前記板状リードを保持して、前記半導体チップのボンディング電極に載置固着する事を特徴とした半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記板状リードの切断面に形成されるバリ面が、上に向いて前記半導体チップに設けられる請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記板状リードは、複数本設けられ、前記複数本の板状リードは、粘着性のテープにより支持されてから前記半導体チップに搭載固着される請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月25日(2010.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
拡散領域により素子が作りこまれ、前記素子と電気的に接続されたボンディング電極が表面に設けられた半導体チップと、前記半導体チップの前記ボンディング電極に固着される第１の領域と、前記第１の領域から前記半導体チップの外に延在されてなる第２の領域を有する板状リードとを用意し、
前記板状リードを前記ボンディング電極に固着し、
前記板状リードに封止容器の開口部を当接さて、前記半導体チップを前記封止容器に入れ、
前記開口部から樹脂を注入することを特徴とした半導体装置の製造方法。
【請求項２】
拡散領域により素子が作りこまれ、前記素子と電気的に接続されたボンディング電極が表面に設けられた半導体チップと、前記半導体チップの前記ボンディング電極に固着される第１の領域と、前記第１の領域から前記半導体チップの側面近傍に延在する延在部と前記延在部から前記半導体チップの裏面と実質同一面となる第２の領域を有する板状リードとを用意し、
前記板状リードを前記ボンディング電極に固着し、
前記板状リードの第２の領域を封止容器の開口部を当接さて、前記半導体チップを前記封止容器に入れ、
前記開口部から樹脂を注入することを特徴とした半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記半導体チップの裏面は、前記封止部から露出する請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記半導体チップは、板状アイランドリードに固着され、前記アイランドリードおよび前記第２の領域に対応する板状リードが前記封止部から露出する請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記板状リードは、板状のワイヤの両端が切断され、前記半導体チップに設けられる請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記板状リードは、断面が実質円の形状のワイヤが板状につぶされて成り、前記対向する切断面と角部を成す側面は、湾曲されている請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記板状リードの両端に形成されるバリ面が、上に向いて前記半導体チップに設けられる請求項1または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記板状リードは、複数本設けられ、前記複数本の板状リードは、粘着性のテープにより支持されている請求項１〜請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月30日(2009.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
請求項１に記載の磁気デバイスの製造方法であって、
前記磁性層を形成する工程は、
バナジウム、クロム、ルテニウム、オスミウムの群から選択される少なくとも一種の元素を含有した金属層を含む多層構造で前記磁性層を形成する
ことを特徴とする磁気デバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
基板上に、鉄、コバルト、ニッケルの群から選択される少なくとも一種の元素を含有した磁性層を有した磁気デバイスの製造装置であって、
前記基板上にシクロペンタジエンを供給する供給手段と、
前記基板上からメタロセンを排気する排気手段と、
前記供給手段を駆動し、前記磁性層上に形成されたマスクの開口から露出する前記磁性層と前記シクロペンタジエンとによってメタロセンを生成させ、前記排気手段を駆動し、前記メタロセンを排気させる制御手段と、
を備えたことを特徴とする磁気デバイスの製造装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
請求項７に記載の磁気デバイスの製造装置であって、
前記磁性層は、
バナジウム、クロム、ルテニウム、オスミウムの群から選択される少なくとも一種の元素を含有した金属層を含む多層構造である
ことを特徴とする磁気デバイスの製造装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の磁気デバイスの製造方法であって、前記磁性層を形成する工程は、バナジウム、クロム、ルテニウム、オスミウムの群から選択される少なくとも一種の元素を含有した金属層を含む多層構造で前記磁性層を形成することを要旨とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
上記課題を解決するため、請求項７に記載の発明では、磁気デバイスの製造装置であって、基板上に、鉄、コバルト、ニッケルの群から選択される少なくとも一種の元素を含有した磁性層を有し、前記基板上にシクロペンタジエンを供給する供給手段と、前記基板上からメタロセンを排気する排気手段と、前記供給手段を駆動し、前記磁性層上に形成されたマスクの開口から露出する前記磁性層と前記シクロペンタジエンとによってメタロセンを生成させ、前記排気手段を駆動し、前記メタロセンを排気させる制御手段と、を備えたことを要旨とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
請求項８に記載の発明では、請求項７に記載の磁気デバイスの製造装置であって、前記磁性層は、バナジウム、クロム、ルテニウム、オスミウムの群から選択される少なくとも一種の元素を含有した金属層を含む多層構造であることを要旨とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月25日(2010.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
救済回路を備える半導体記憶装置において、
前記救済回路が、
救済対象アドレスを指定するためのアドレスヒューズと、該アドレスヒューズにより指定される前記救済対象アドレスと入力アドレスとを比較して比較結果を出力する比較部と、を含むアドレス比較回路と、
複数種の不良に対応する複数の救済モードのうちのひとつを選択するためのモードヒューズを含み、前記比較結果と前記モードヒューズにより選択される選択救済モードとに応じた救済信号を出力する調整回路と、
を含む、ことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
請求項１に記載された半導体記憶装置において、
前記モードヒューズが、マージン性不良を救済するための信号タイミングの調整を行うタイミング調整ヒューズを兼ねている、ことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体記憶装置において、
伝送遅延時間の異なる２つの経路と、
前記救済信号に応じて前記２つの経路の一方の経路を導通させるゲート回路と、
をさらに備える、ことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項４】
半導体記憶装置において、
複数種の不良に対応する複数の救済モードのうちのひとつを選択するためのモードヒューズを含む救済回路を備え、
前記救済モードには、メインアンプ起動タイミング不良、書き込みマージン不足による不良及び読み出しマージン不足による不良のうちの少なくとも一つの不良を救済するモードが含まれる、ことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体記憶装置において、
前記救済モードには、物理的不良を救済するモードが含まれる、ことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項６】
請求項１乃至３のいずれか一つに記載の半導体記憶装置において、
前記救済モードには、メインアンプ起動タイミング不良、書き込みマージン不足による不良及び読み出しマージン不足による不良のうちの少なくとも一つの不良を救済するモードが含まれる、ことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項７】
救済回路を備える半導体記憶装置において、
前記救済回路が、
複数のヒューズを含むヒューズセットと、
複数種の不良に対応する複数の救済モードのうちのひとつを選択するモードヒューズと、
第１の出力ノードと第２の出力ノードと、
前記モードヒューズの情報によって、前記ヒューズセットの情報を前記第１の出力ノードまたは前記第２の出力ノードの少なくとも一方に出力する選択回路と、
を含む、ことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体記憶装置において、
前記ヒューズセットが、
救済対象アドレスを指定するためのアドレスヒューズと、
該アドレスヒューズにより指定される前記救済対象アドレスと入力アドレスとを比較して比較結果を出力する比較部とを含むアドレス比較回路と、を含み、
前記選択回路が、前記ヒューズセットの情報である前記比較結果を、前記第１の出力ノードまたは第２の出力ノードの少なくとも一方に救済信号として出力する、ことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体記憶装置において、
前記モードヒューズが、マージン性不良を救済するための信号タイミングの調整を行うタイミング調整ヒューズを兼ねている、ことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載の半導体記憶装置において、
伝送遅延時間の異なる２つの経路と、前記救済信号に応じて前記２つの経路の一方の経路を導通させるゲート回路とを、さらに備える、ことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項１１】
請求項７乃至１０のいずれか一つに記載の半導体記憶装置において、
前記救済モードには、メインアンプ起動タイミング不良、書き込みマージン不足による不良及び読み出しマージン不足による不良のうちの少なくとも一つの不良を救済するモードが含まれる、ことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項１２】
請求項７に記載の半導体記憶装置において、
前記モードヒューズは、前記第１の出力ノード及び前記第２の出力ノードにそれぞれ対応する第１のヒューズ及び第２のヒューズを含み、
前記選択回路は、前記第１のヒューズ及び前記第２のヒューズの情報によって、それぞれ対応する前記第１の出力ノード及び前記第２の出力ノードに前記ヒューズセットの情報を出力するか否かを制御する、ことを特徴とする半導体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の一実施の形態に係る半導体記憶装置は、救済回路を備え、前記救済回路が、救済対象アドレスを指定するためのアドレスヒューズと、該アドレスヒューズにより指定される前記救済対象アドレスと入力アドレスとを比較して比較結果を出力する比較部とを含むアドレス比較回路と、複数種の不良に対応する複数の救済モードのうちのひとつを選択するためのモードヒューズを含み、前記比較結果と前記モードヒューズにより選択される選択救済モードとに応じた救済信号を出力する調整回路と、を含む、ことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明の他の実施の形態に係る半導体記憶装置は、複数種の不良に対応する複数の救済モードのうちのひとつを選択するためのモードヒューズを含む救済回路を備え、前記救済モードには、メインアンプ起動タイミング不良、書き込みマージン不足による不良及び読み出しマージン不足による不良のうちの少なくとも一つの不良を救済するモードが含まれることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明のさらに他の実施の形態に係る半導体記憶装置は、救済回路を備え、前記救済回路が、複数のヒューズを含むヒューズセットと、複数種の不良に対応する複数の救済モードのうちのひとつを選択するモードヒューズと、第１の出力ノードと第２の出力ノードと、前記モードヒューズの情報によって、前記ヒューズセットの情報を前記第１の出力ノードまたは前記第２の出力ノードの少なくとも一方に出力する選択回路と、を含むことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月28日(2010.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
複数の前記第１のロウデコーダの前記第２の方向の長さの総和は、前記複数の第１のメモリブロックの前記第２の方向の長さの総和よりも長く、
前記第１のロウデコーダの前記第１の方向の長さは、前記第２のロウデコーダの前記第１の方向の長さ以下である、請求項６または請求項７に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
図３は、図２に示したメモリアレイＭＡおよびその周辺回路の構成を示す回路ブロック図である。図３において、メモリアレイＭＡは、複数行複数列に配置された複数のメモリセルＭＣと、それぞれ複数行に対応して設けられた複数のワード線ＷＬと、それぞれ複数行に対応して設けられた複数のソース線ＳＬと、それぞれ複数列に対応して設けられた複数のビット線ＢＬと、各ビット線ＢＬに対応して設けられた選択ゲート（ＮチャネルＭＯＳトランジスタ）ＳＧと、各隣接する２本のビット線ＢＬに対応して設けられた主ビット線ＭＢＬとを含む。各ワード線ＷＬは、対応の行の各メモリセルＭＣのコントロールゲートＣＧに接続される。各ソース線ＳＬは、対応の行の各メモリセルＭＣのソースに接続される。各ビット線ＢＬは、対応の列の各メモリセルＭＣのドレインに接続される。各選択ゲートＳＧは、対応のビット線ＢＬの一方端と対応の主ビット線ＭＢＬとの間に接続される。メモリアレイＭＡは、１つのＰ型ウェルＰＷの表面に形成され、Ｐ型ウェルＰＷは分離用Ｎ型ウェルＮＷの表面に形成されている。