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【手続補正書】
【提出日】平成22年4月12日(2010.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
島状の半導体層を形成し、
前記半導体層上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層を選択的にエッチングして前記半導体層を局所的に露出させ、
前記露出させた領域の前記半導体層の表面をエッチングすることにより、前記半導体層を局所的に薄膜化し、
前記半導体層の薄膜化した領域及び残存する前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層上に導電層を形成し、
前記導電層上に塗布法を用いて表面が平坦化された第３の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上に形成された前記第２の絶縁層、又は前記第１の絶縁層が露出するまで、前記第３の絶縁層及び前記導電層を略同じエッチング速度でエッチングすることによって、前記半導体層の薄膜化した領域に前記導電層を残存させてゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして、前記第２の絶縁層及び前記第１の絶縁層、又は前記第１の絶縁層をエッチングすることにより、前記ゲート電極と重ならない領域の前記半導体層を露出させ、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体層に不純物元素を添加し、自己整合的に一対の不純物領域と、前記一対の不純物領域の間にチャネル形成領域を形成し、
前記チャネル形成領域は前記一対の不純物領域に比べて膜厚が薄いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
島状の半導体層を形成し、
前記半導体層上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層を選択的にエッチングして前記半導体層を局所的に露出させ、
前記露出させた領域の前記半導体層の表面をエッチングすることにより、前記半導体層を局所的に薄膜化し、
前記半導体層の薄膜化した領域及び残存する前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層上に導電層を形成し、
前記導電層上に塗布法を用いて表面が平坦化された第３の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上に形成された前記第２の絶縁層、又は前記第１の絶縁層が露出するまで、前記第３の絶縁層及び前記導電層を略同じエッチング速度でエッチングすることによって、前記半導体層の薄膜化した領域に前記導電層を残存させてゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして、前記第２の絶縁層及び前記第１の絶縁層、又は前記第１の絶縁層をエッチングすることにより、前記ゲート電極と重ならない領域の前記半導体層を露出させ、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体層に不純物元素を添加し、自己整合的に一対の不純物領域と、前記一対の不純物領域の間にチャネル形成領域を形成し、
前記半導体層及び前記ゲート電極を覆って第４の絶縁層を形成し、
前記第４の絶縁層を異方性エッチングすることによって、前記ゲート電極の側壁にサイドウォール絶縁層を形成して、前記半導体層に形成された不純物領域の一部を露出させ、
前記露出させた不純物領域上に金属層を形成し、
熱処理を行うことにより、前記不純物領域にシリサイド領域を形成し、
前記チャネル形成領域は前記不純物領域に比べて膜厚が薄いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
金属層は、ニッケル、チタン、コバルト、又は白金から選ばれる金属元素、又は当該金属元素を含む合金材料を用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第３の絶縁層は、スピンコート法、スキャニング法又はインクジェット法から選ばれる塗布法を用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記チャネル形成領域は、膜厚５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲で形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月22日(2010.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドナー不純物とアクセプタ不純物とを含み、ドナー不純物よりもアクセプタ不純物の濃度が低い６Ｈ型ＳｉＣ結晶からなる蛍光基板と、
前記蛍光基板上に形成され、複数の窒化物半導体層により構成され、ピーク波長が３７０ｎｍから４２０ｎｍの光を発する発光部と、を備え、
前記蛍光基板は、前記発光部の光を励起光として、ドナー・アクセプタ・ペアにより発光する半導体発光装置。
【請求項２】
前記ドナー不純物は窒素であり、
前記アクセプタ不純物はホウ素である請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記窒素の濃度が４×１０１９ｃｍ−３以下である請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記窒素の濃度が、前記ホウ素の濃度の２倍に対して８×１０１８ｃｍ−３以上低い請求項３に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記窒素の濃度と前記ホウ素の濃度の差が、２×１０１８ｃｍ−３以上である請求項４に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記蛍光基板上に形成され、窒素とアルミニウムが添加された６Ｈ型ＳｉＣ層を含む請求項１から５のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項７】
６Ｈ型ＳｉＣ結晶からなり、
ドナー不純物とアクセプタ不純物とを含み、
ドナー不純物よりもアクセプタ不純物の濃度が低い蛍光基板。
【請求項８】
前記ドナー不純物は窒素であり、
前記アクセプタ不純物はホウ素である請求項７に記載の蛍光基板。
【請求項９】
前記窒素の濃度が４×１０１９ｃｍ−３以下である請求項８に記載の蛍光基板。
【請求項１０】
前記窒素の濃度が、前記ホウ素の濃度の２倍に対して８×１０１８ｃｍ−３以上低い請求項９に記載の蛍光基板。
【請求項１１】
前記窒素の濃度と前記ホウ素の濃度の差が、２×１０１８ｃｍ−３以上である請求項１０に記載の蛍光基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によれば、ドナー不純物とアクセプタ不純物とを含み、ドナー不純物よりもアクセプタ不純物の濃度が低い６Ｈ型ＳｉＣ結晶からなる蛍光基板と、前記蛍光基板上に形成され、複数の窒化物半導体層により構成され、ピーク波長が３７０ｎｍから４２０ｎｍの光を発する発光部と、を備え、前記蛍光基板は、前記発光部の光を励起光として、ドナー・アクセプタ・ペアにより発光する半導体発光装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明によれば、６Ｈ型ＳｉＣ結晶からなり、ドナー不純物とアクセプタ不純物とを含み、ドナー不純物よりもアクセプタ不純物の濃度が低い蛍光基板が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月25日(2010.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
その結果、接触角が下がりきるには大気中では、40J/cm2の照射量が必要であった。トルエン、TMAH中での露光では、大気中と比較しておよそ6分の1の照射量である６J/cm2で接触角が20度に落ち着くことが分かった。このように、液体中で露光することにより、照射量が6分の１に出来ることがわかった。なお、トルエン中露光の場合は、露光後リンス前にTMAHに1分間浸漬させた。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月24日(2010.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
頭部装着型表示装置が有する第一のカメラが撮像する現実空間の画像を受信する第一の画像処理装置と、当該頭部装着型表示装置が有する第二のカメラが撮像する現実空間の画像を受信する第二の画像処理装置と、を備える画像処理システムであって、
前記第一の画像処理装置は、
前記第一のカメラがマスタであるか否かを判断する第一の判断手段と、
前記第一の判断手段の判断の結果、前記第一のカメラがマスタである場合は前記第一のカメラの位置姿勢情報を取得し、前記第一のカメラがマスタでない場合は前記第二の画像処理装置から前記第二のカメラの位置姿勢情報を取得する手段と、
前記第一の判断手段の判断の結果、前記第一のカメラがマスタである場合、前記第一のカメラの位置姿勢情報を前記第二の画像処理装置に対して出力する手段と、
前記第一の判断手段の判断の結果、前記第一のカメラがマスタでない場合、前記第一のカメラと前記第二のカメラとの位置姿勢関係を示す位置姿勢関係情報を取得する手段と、
前記第一の判断手段の判断の結果、前記第一のカメラがマスタでない場合、前記第二のカメラの位置姿勢情報と前記位置姿勢関係情報に基づいて前記第一のカメラの位置姿勢情報を求める手段と、
前記第一のカメラの位置姿勢情報に基づいて仮想空間画像を生成する手段と、
前記第一のカメラが撮像した現実空間の画像を取得する手段と、
前記現実空間の画像と前記仮想空間画像とを合成した合成画像を生成する生成手段と、
前記合成画像を前記頭部装着型表示装置に対して出力する手段とを備え、
前記第二の画像処理装置は、
前記第二のカメラがマスタであるか否かを判断する第二の判断手段と、
前記第二の判断手段の判断の結果、前記第二のカメラがマスタである場合は前記第二のカメラの位置姿勢情報を取得し、前記第二のカメラがマスタでない場合は前記第一の画像処理装置から前記第一のカメラの位置姿勢情報を取得する手段と、
前記第二の判断手段の判断の結果、前記第二のカメラがマスタである場合、前記第二のカメラの位置姿勢情報を前記第一の画像処理装置に対して出力する手段と、
前記第二の判断手段の判断の結果、前記第二のカメラがマスタでない場合、前記第一のカメラと前記第二のカメラとの位置姿勢関係を示す位置姿勢関係情報を取得する取得手段と、
前記第二の判断手段の判断の結果、前記第二のカメラがマスタでない場合、前記第一のカメラの位置姿勢情報と前記取得手段が取得した位置姿勢関係情報とに基づいて前記第二のカメラの位置姿勢情報を求める手段と、
前記第二のカメラの位置姿勢情報に基づいて仮想空間画像を生成する手段と、
前記第二のカメラが撮像した現実空間の画像を取得する手段と、
前記第二のカメラが撮像した現実空間の画像と、前記第二のカメラの位置姿勢情報に基づいて生成した仮想空間画像と、を合成した合成画像を生成する生成手段と、
前記第二の画像処理装置の生成手段が生成した合成画像を前記頭部装着型表示装置に対して出力する手段と
を備えることを特徴とする画像処理システム。
【請求項２】
前記頭部装着型表示装置は、
前記第一の画像処理装置の生成手段が生成した合成画像を表示する第一の表示装置と、
前記第二の画像処理装置の生成手段が生成した合成画像を表示する第二の表示装置とを備える
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理システム。
【請求項３】
前記第一の判断手段と、前記第二の判断手段は、前記第一のカメラと前記第二のカメラのそれぞれから送信される識別情報に基づきマスタであるか否かを判断する
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理システム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の目的を達成するために、例えば、本発明の画像処理システムは以下の構成を備える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
即ち、頭部装着型表示装置が有する第一のカメラが撮像する現実空間の画像を受信する第一の画像処理装置と、当該頭部装着型表示装置が有する第二のカメラが撮像する現実空間の画像を受信する第二の画像処理装置と、を備える画像処理システムであって、
前記第一の画像処理装置は、
前記第一のカメラがマスタであるか否かを判断する第一の判断手段と、
前記第一の判断手段の判断の結果、前記第一のカメラがマスタである場合は前記第一のカメラの位置姿勢情報を取得し、前記第一のカメラがマスタでない場合は前記第二の画像処理装置から前記第二のカメラの位置姿勢情報を取得する手段と、
前記第一の判断手段の判断の結果、前記第一のカメラがマスタである場合、前記第一のカメラの位置姿勢情報を前記第二の画像処理装置に対して出力する手段と、
前記第一の判断手段の判断の結果、前記第一のカメラがマスタでない場合、前記第一のカメラと前記第二のカメラとの位置姿勢関係を示す位置姿勢関係情報を取得する手段と、
前記第一の判断手段の判断の結果、前記第一のカメラがマスタでない場合、前記第二のカメラの位置姿勢情報と前記位置姿勢関係情報に基づいて前記第一のカメラの位置姿勢情報を求める手段と、
前記第一のカメラの位置姿勢情報に基づいて仮想空間画像を生成する手段と、
前記第一のカメラが撮像した現実空間の画像を取得する手段と、
前記現実空間の画像と前記仮想空間画像とを合成した合成画像を生成する生成手段と、
前記合成画像を前記頭部装着型表示装置に対して出力する手段とを備え、
前記第二の画像処理装置は、
前記第二のカメラがマスタであるか否かを判断する第二の判断手段と、
前記第二の判断手段の判断の結果、前記第二のカメラがマスタである場合は前記第二のカメラの位置姿勢情報を取得し、前記第二のカメラがマスタでない場合は前記第一の画像処理装置から前記第一のカメラの位置姿勢情報を取得する手段と、
前記第二の判断手段の判断の結果、前記第二のカメラがマスタである場合、前記第二のカメラの位置姿勢情報を前記第一の画像処理装置に対して出力する手段と、
前記第二の判断手段の判断の結果、前記第二のカメラがマスタでない場合、前記第一のカメラと前記第二のカメラとの位置姿勢関係を示す位置姿勢関係情報を取得する取得手段と、
前記第二の判断手段の判断の結果、前記第二のカメラがマスタでない場合、前記第一のカメラの位置姿勢情報と前記取得手段が取得した位置姿勢関係情報とに基づいて前記第二のカメラの位置姿勢情報を求める手段と、
前記第二のカメラの位置姿勢情報に基づいて仮想空間画像を生成する手段と、
前記第二のカメラが撮像した現実空間の画像を取得する手段と、
前記第二のカメラが撮像した現実空間の画像と、前記第二のカメラの位置姿勢情報に基づいて生成した仮想空間画像と、を合成した合成画像を生成する生成手段と、
前記第二の画像処理装置の生成手段が生成した合成画像を前記頭部装着型表示装置に対して出力する手段と
を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月1日(2010.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像光学系により結像された被写体像を光電変換する撮像素子と、
前記撮像素子に結像される被写体像と前記撮像素子とを相対的に移動させるための移動手段と、
複数の図形から一つを選択する選択手段と、
重力方向を検出する重力方向検出手段と、
前記撮像素子の露光中に、前記選択手段により選択された図形の軌跡に従って、前記移動手段の移動を制御する制御手段とを有し、
前記制御手段は、前記重力方向検出手段によって検出された重力方向に基づいて、前記図形の軌跡を変換して前記移動手段の移動を制御することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
手振れを検出する手振れ検出手段と、
前記手振れ検出手段の出力に基づいて、前記手振れを打ち消すための前記移動手段の移動量を算出する算出手段とを更に有し、
前記制御手段は、前記選択された図形の軌跡に、前記算出手段によって算出された移動量を重畳して、前記移動手段を移動させることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記重力方向検出手段によって検出された重力方向に基づいて前撮像装置の姿勢を検出し、前記姿勢に基づいて前記図形の軌跡に対して座標変換を行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の撮像装置。
【請求項４】
撮像光学系により結像された被写体像を光電変換する撮像素子と、前記撮像素子に結像される被写体像と前記撮像素子とを相対的に移動させるための移動手段とを有する撮像装置の制御方法であって、
複数の図形から一つを選択する選択ステップと、
重力方向を検出する重力方向検出ステップと、
前記撮像素子の露光中に、前記選択ステップにより選択された図形の軌跡に従って、前記移動手段の移動を制御する制御ステップとを有し、
前記制御ステップは、前記重力方向検出ステップによって検出された重力方向に基づいて前記図形の軌跡を変換し、前記移動手段の移動を制御することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項５】
請求項４に記載の制御方法をコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の側面は、撮像装置に係り、撮像光学系により結像された被写体像を光電変換する撮像素子と、前記撮像素子に結像される被写体像と前記撮像素子とを相対的に移動させるための移動手段と、複数の図形から一つを選択する選択手段と、重力方向を検出する重力方向検出手段と、前記撮像素子の露光中に、前記選択手段により選択された図形の軌跡に従って、前記移動手段の移動を制御する制御手段とを有し、前記制御手段は、前記重力方向検出手段によって検出された重力方向に基づいて、前記図形の軌跡を変換して前記移動手段の移動を制御することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月1日(2010.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像光学系により結像された被写体像を光電変換する撮像素子と、
前記撮像素子に結像される被写体像と前記撮像素子とを相対的に移動させるための移動手段と、
複数の図形から一つを選択する選択手段と、
重力方向を検出する重力方向検出手段と、
前記撮像素子の露光中に、前記選択手段により選択された図形の軌跡と前記重力方向検出手段により検出された重力方向に従って、前記移動手段の移動を制御する制御手段とを有し、
前記制御手段は、前記重力方向検出手段によって重力方向の変化が検出された場合に、前記重力方向の変化を検出した時ではなく、予め定められたタイミングで前記重力方向の変化に応じて前記移動手段の移動を制御することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
手振れを検出する手振れ検出手段と、
前記手振れ検出手段の出力に基づいて、前記手振れを打ち消すための前記移動手段の移動量を算出する算出手段とを更に有し、
前記制御手段は、前記選択された図形の軌跡に、前記算出手段によって算出された移動量を重畳して、前記移動手段を移動させることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記図形の軌跡に従って前記移動手段を移動させることなく撮影を行う通常撮影モードと前記図形の軌跡に従って前記移動手段を移動させて撮影を行う軌跡描画モードとを切り替えるモード切替え手段を更に有し、
前記予め定められたタイミングは、前記モード切替え手段により前記軌跡描画モードに切り替えられた時、前記選択手段により図形が選択された時、撮影準備指示がなされた時、撮影指示がなされた時、の少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記駆動手段は、前記変化に応じた前記移動手段の移動として、前記変化に応じて変換される前記軌跡データの描画開始点へ前記移動手段を移動させることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項５】
撮像光学系により結像された被写体像を光電変換する撮像素子と、前記撮像素子に結像される被写体像と前記撮像素子とを相対的に移動させるための移動手段とを有する撮像装置の制御方法であって、
複数の図形から一つを選択する選択ステップと、
重力方向を検出する重力方向検出ステップと、
前記撮像素子の露光中に、前記選択ステップにより選択された図形の軌跡と前記重力方向検出ステップにより検出された重力方向に従って、前記移動手段の移動を制御する制御ステップとを有し、
前記制御ステップは、前記重力方向検出ステップによって重力方向の変化が検出された場合に、前記重力方向の変化を検出した時ではなく、予め定められたタイミングで前記重力方向の変化に応じて前記移動手段の移動を制御することを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
請求項５に記載の制御方法をコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の側面は、撮像装置に係り、撮像光学系により結像された被写体像を光電変換する撮像素子と、前記撮像素子に結像される被写体像と前記撮像素子とを相対的に移動させるための移動手段と、複数の図形から一つを選択する選択手段と、重力方向を検出する重力方向検出手段と、前記撮像素子の露光中に、前記選択手段により選択された図形の軌跡と前記重力方向検出手段により検出された重力方向に従って、前記移動手段の移動を制御する制御手段とを有し、前記制御手段は、前記重力方向検出手段によって重力方向の変化が検出された場合に、前記重力方向の変化を検出した時ではなく、予め定められたタイミングで前記重力方向の変化に応じて前記移動手段の移動を制御することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月15日(2010.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の処理を行なう複数の第１の演算処理ユニットと、
複数の前記第１の演算処理ユニットに接続されている第２の演算処理ユニットと、
複数の前記第１の演算処理ユニットのうちの少なくともいずれか一つと通信する第３の演算処理ユニットとを有し、
前記第２の演算処理ユニットは、所定のタイミングで、前記複数の第１の演算処理ユニットのうち前記第３の演算処理ユニットに対して最適な処理を行う第１の演算処理ユニットを選択し、切替えることを特徴とするネットワークシステム。
【請求項２】
所定の処理を行なう複数の第１の演算処理ユニットと、
前記複数の第１の演算処理ユニットに接続されている二つ以上の第２の演算処理ユニットと、
複数の前記第１の演算処理ユニットのうちの少なくともいずれか一つと通信する第３の演算処理ユニットとを有し、
前記第２の演算処理ユニットは、所定のタイミングで、前記複数の第１の演算処理ユニットのうち前記第３の演算処理ユニットに対して最適な処理を行う第１の演算処理ユニットを選択し、切替えることを特徴とするネットワークシステム。
【請求項３】
前記第３の演算処理ユニットの移動に伴い、前記第３の演算処理ユニットが接続する前記第２の演算処理ユニットが順次切り替わるとき、
前記第３の演算処理ユニットと接続している前記第２の演算処理ユニットは、他の前記第２の演算処理ユニットが前記第３の演算処理ユニットと接続していたときの接続情報に基づいて、前記第３の演算処理ユニットに対して最適な処理を行う第１の演算処理ユニットを選択することを特徴とする請求項２に記載のネットワークシステム。
【請求項４】
前記第１の演算処理ユニットは、一つの他の前記第１の演算処理ユニットへデータを渡すことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のネットワークシステム。
【請求項５】
前記第１の演算処理ユニットは、複数の他の前記第１の演算処理ユニットへデータを渡すことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のネットワークシステム。
【請求項６】
前記第２の演算処理ユニットはモニタリングしている前記第１の演算処理ユニットから送信された前記第１の演算処理ユニットの情報に基づいて、前記最適な処理を行う前記第１の演算処理ユニットを選択することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のネットワークシステム。
【請求項７】
前記第２の演算処理ユニットは、前記第１の演算処理ユニットから送信された情報によって前記第１の演算処理ユニットの処理負荷と、前記第１の演算処理ユニットと前記第３の演算処理ユニット間の通信量とを比べて優位性を判断し、その判断結果に応じて前記最適な処理を行う前記第１の演算処理ユニットを選択することを特徴とする請求項６に記載のネットワークシステム。
【請求項８】
前記最適な処理は、前記第１の演算処理ユニットの処理負荷の優位性が高いとき、選択している前記第１の演算処理ユニットよりも処理能力が高い前記第１の演算処理ユニットを選択し、切替えることを特徴とする請求項７に記載のネットワークシステム。
【請求項９】
前記最適な処理は、前記第１の演算処理ユニットと前記第３の演算処理ユニット間の通信量の優位性が高いとき、前記第１の演算処理ユニットのアドレス変更に伴って前記第１の演算処理ユニットと前記第３の演算処理ユニット間の通信量を再び計算し、その計算した結果に基づいて前記第１の演算処理ユニットを選択し直すことを特徴とする請求項７に記載のネットワークシステム。
【請求項１０】
前記第２の演算処理ユニットは、選択された前記第１の演算処理ユニットに、前記第３の演算処理ユニットが要求する機能が存在しないときは、該当する機能を有する前記第１の演算処理ユニットから前記機能を発現させるためのプログラムを、選択された前記第１の演算処理ユニットにコピーすることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載のネットワークシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、所定の処理を行なう複数の第１の演算処理ユニットと、複数の第１の演算処理ユニットに接続されている第２の演算処理ユニットと、複数の第１の演算処理ユニットのうちの少なくともいずれか一つと通信する第３の演算処理ユニットとを有し、第２の演算処理ユニットは、所定のタイミングで、複数の第１の演算処理ユニットのうち第３の演算処理ユニットに対して最適な処理を行う第１の演算処理ユニットを選択し、切替えることを特徴とするネットワークシステムを提供できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明の好ましい態様によれば、所定の処理を行なう複数の第１の演算処理ユニットと、複数の第１の演算処理ユニットに接続されている二つ以上の第２の演算処理ユニットと、複数の第１の演算処理ユニットのうちの少なくともいずれか一つと通信する第３の演算処理ユニットとを有し、第２の演算処理ユニットは、所定のタイミングで、複数の第１の演算処理ユニットのうち第３の演算処理ユニットに対して最適な処理を行う第１の演算処理ユニットを選択し、切替えることが望ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の好ましい態様によれば、第１の演算処理ユニットは、複数の他の第１の演算処理ユニットへデータを渡すことが望ましい。
また、本発明の好ましい態様によれば、第２の演算処理ユニットはモニタリングしている第１の演算処理ユニットから送信された第１の演算処理ユニットの情報に基づいて、最適な処理を行う第１の演算処理ユニットを選択することが望ましい。
また、本発明の好ましい態様によれば、第２の演算処理ユニットは、第１の演算処理ユニットから送信された情報によって第１の演算処理ユニットの処理負荷と、第１の演算処理ユニットと第３の演算処理ユニット間の通信量とを比べて優位性を判断し、その判断結果に応じて最適な処理を行う第１の演算処理ユニットを選択することが望ましい。
また、本発明の好ましい態様によれば、最適な処理は、第１の演算処理ユニットの処理負荷の優位性が高いとき、選択している第１の演算処理ユニットよりも処理能力が高い第１の演算処理ユニットを選択し、切替えることが望ましい。
また、本発明の好ましい態様によれば、最適な処理は、第１の演算処理ユニットと第３の演算処理ユニット間の通信量の優位性が高いとき、第１の演算処理ユニットのアドレス変更に伴って第１の演算処理ユニットと第３の演算処理ユニット間の通信量を再び計算し、その計算した結果に基づいて第１の演算処理ユニットを選択し直すことが望ましい。
また、本発明の好ましい態様によれば、第２の演算処理ユニットは、選択された第１の演算処理ユニットに、第３の演算処理ユニットが要求する機能が存在しないときは、該当する機能を有する第１の演算処理ユニットから機能を発現させるためのプログラムを、選択された第１の演算処理ユニットにコピーすることが望ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月17日(2010.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記第４の半導体層および前記第５の半導体層が同一の不純物領域形成工程で形成された請求項３から７のいずれかに記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月19日(2010.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コイルと、
前記コイルにより生じる磁力線を収束する磁性体コアと、
前記コイルと前記磁性体コアの間の前記所定のスペース内に挿入される、絶縁体と、
前記コイル、前記絶縁体及び前記磁性体コアを位置決めする、位置決めホルダと、
液状で成型した後に硬化して、位置決めされた前記コイル、前記絶縁体及び前記磁性体コアを、前記位置決めホルダと共に固定する、固定体とを具備することを特徴とするコイルユニット。
【請求項２】
絶縁性の位置決めホルダと、
前記位置決めホルダに支持されるコイルと、
前記コイルにより生じる磁力線を収束する磁性体コアと、
前記コイルと前記磁性体コアの間に挿入される絶縁体と、
前記コイル、前記絶縁体及び前記磁性体コアを、前記位置決めホルダに一体に保持する絶縁性の固定体とを具備することを特徴とするコイルユニット。
【請求項３】
前記絶縁固定体は、液状にて前記コイル、前記絶縁体、前記磁性体コア及び前記位置決めホルダを一体にモールドした後硬化することを特徴とする請求項１または請求項２記載のコイルユニット。
【請求項４】
前記絶縁体の成型温度は前記固定体の成型温度未満であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のコイルユニット。
【請求項５】
前記絶縁体は、厚さが一様で無いことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のコイルユニット。
【請求項６】
金属導電層を有する被加熱部材と、
前記被加熱部材の外周に配置され、コイルと、前記コイルにより生じる磁力線を収束する磁性体コアと、前記コイルと前記磁性体コアの間の前記所定のスペース内に挿入される絶縁体と、前記コイル及び前記絶縁体並びに前記磁性体コアを位置決めする位置決めホルダと、液状で成型した後に硬化して、位置決めされた前記コイル及び前記絶縁体並びに前記磁性体コアを、前記位置決めホルダと共に固定する固定体を有する、コイルユニットと、
前記被加熱部材に圧接して前記被加熱部材と共に被定着媒体を所定方向に挟持搬送する加圧部材とを具備することを特徴とする定着装置。
【請求項７】
金属導電層を有する被加熱部材と、
前記被加熱部材の外周に配置され、絶縁性の位置決めホルダと、前記位置決めホルダに支持されるコイルと、前記コイルにより生じる磁力線を収束する磁性体コアと、前記コイルと前記磁性体コアの間に挿入される絶縁体と、前記コイル、前記絶縁体及び前記磁性体コアを、前記位置決めホルダに一体に保持する絶縁性の固定体を有する、コイルユニットと、
前記被加熱部材に圧接して前記被加熱部材と共に被定着媒体を所定方向に挟持搬送する加圧部材とを具備することを特徴とする定着装置。
【請求項８】
前記コイルユニットは、前記被加熱部材の回転軸方向に、複数個配置されることを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の定着装置。
【請求項９】
前記複数個のコイルユニットと前記被加熱部材とのギャップが、前記複数個のコイルユニット毎に設定されることを特徴とする請求項８記載の定着装置。
【請求項１０】
前記複数個のコイルユニットを支持するフレームと、
前記コイルユニットと前記フレームとの間に介在され、前記複数個のコイルユニット毎に厚さの異なる位置調整部材とを更に有することを特徴とする請求項８又は請求項９記載の定着装置。
【請求項１１】
前記絶縁体は、厚い領域と薄い領域とを有し、前記複数個のコイルユニット毎に前記厚い領域と前記薄い領域の配置パターンが異なることを特徴とする請求項８乃至請求項１０のいずれかに記載の定着装置。
【請求項１２】
コイルと磁性体コアとの間に絶縁体を挟んで、前記コイルと前記磁性体コアを位置決めホルダに取着する工程と、
前記コイル、前記絶縁体、前記磁性体コア及び前記位置決めホルダを金型にセットする工程と、
前記金型と、前記コイル、前記絶縁体、前記磁性体コア及び前記位置決めホルダとのスペースにモールド材を注入して、前記コイル、前記絶縁体及び前記磁性体コアを前記位置決めホルダに封止する工程とを具備することを特徴とするコイルユニットの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は上記課題を解決するための手段として、コイルと、前記コイルにより生じる磁力線を収束する磁性体コアと、前記コイルと前記磁性体コアの間の前記所定のスペース内に挿入される、絶縁体と、前記コイル、前記絶縁体及び前記磁性体コアを位置決めする、位置決めホルダと、液状で成型した後に硬化して、位置決めされた前記コイル、前記絶縁体及び前記磁性体コアを、前記位置決めホルダと共に固定する、固定体とを有するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月3日(2010.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集電体上に活物質層が設けられたリチウム二次電池用電極であって、前記活物質層の表面にスリット状または格子状の溝が形成されており、
前記溝が、４００μｍ以下の間隔で形成され、
該溝の面方向の端部が前記活物質層の周縁部に達しないように前記溝が形成されていることを特徴とするリチウム二次電池用電極。
【請求項２】
集電体上に活物質層が設けられたリチウム二次電池用電極であって、前記活物質層の表面にスリット状または格子状の溝が形成されており、
前記溝が、前記活物質層の厚みの１／２以上となる深さで形成され、
該溝の面方向の端部が前記活物質層の周縁部に達しないように前記溝が形成されていることを特徴とするリチウム二次電池用電極。
【請求項３】
前記活物質層の周縁部から内側に１ｍｍまでの領域に、前記溝が形成されていないことを特徴とする請求項１又は２に記載のリチウム二次電池用電極。
【請求項４】
前記溝が、前記集電体表面に達しない深さで形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のリチウム二次電池用電極。
【請求項５】
前記溝の体積が、前記溝と前記活物質層の体積の総和に対し３％以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載のリチウム二次電池用電極。
【請求項６】
前記溝の体積が、前記溝と前記活物質層の体積の総和に対し４％以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載のリチウム二次電池用電極。
【請求項７】
前記溝が、前記活物質層の厚みの１／２以上となる深さで形成されていることを特徴とする請求項１に記載のリチウム二次電池用電極。
【請求項８】
前記溝が、前記集電体表面に対して略垂直方向に延びるように形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のリチウム二次電池用電極。
【請求項９】
前記溝が、４００μｍ以下の間隔で形成されていることを特徴とする請求項２に記載のリチウム二次電池用電極。
【請求項１０】
正極であることを特徴とする請求項１又は２に記載のリチウム二次電池用電極。
【請求項１１】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の電極からなる正極と、負極と、非水電解質とを備えることを特徴とするリチウム二次電池。
【請求項１２】
前記非水電解質中の電解質塩の濃度が、１．５モル／リットル以上であることを特徴とする請求項１１に記載のリチウム二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
（溝深さ（μｍ））＝｛（溝空隙率（％））÷１００｝×２００００（μｍ）×２００００（μｍ）×（膜厚ｔ（μｍ））÷（１６０００（μｍ）×溝幅（μｍ）×溝数））  …式（１）
（溝空隙率（％））＝（１−（膜重量（ｍｇ））÷（溝を形成していない電極の膜重量（１９７．８ｍｇ）））×１００  …式（２）
なお、上記式（１）中の２００００μｍは電極の幅、１６０００μｍは溝長さである。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月9日(2010.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に導電性物質と水溶性バインダーとを含有する導電性金属部を形成する工程と、
前記導電性金属部を４０℃以上の温水に浸漬させる温水浸漬工程と
を有することを特徴とする導電膜の製造方法。
【請求項２】
前記の温水への浸漬時間が５分以下であることを特徴とする請求項１に記載の導電膜の製造方法。
【請求項３】
前記水溶性バインダーが水溶性ポリマーであることを特徴とする請求項１または２に記載の導電膜の製造方法。
【請求項４】
前記温水の温度が６０℃以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。
【請求項５】
前記温水の温度が８０℃以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。
【請求項６】
前記温水のｐＨが２〜１３であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。
【請求項７】
前記の導電膜に硬膜剤が含まれていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。
【請求項８】
前記温水浸漬工程の前に、前記導電性金属部を平滑化処理する平滑化処理工程を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。
【請求項９】
前記平滑化処理を線圧力１９６０Ｎ／ｃｍ（２００ｋｇｆ／ｃｍ）以上で行うことを特徴とする請求項８記載の導電膜の製造方法。
【請求項１０】
前記導電性物質が導電性金属微粒子であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。
【請求項１１】
支持体上に感光性銀塩と水溶性バインダーとを含有する感光層を有する感光材料を露光し現像することによって、前記支持体上に導電性金属銀部を形成する工程と、
前記導電性金属銀部を４０℃以上の温水に浸漬させる温水浸漬工程と
を有することを特徴とする導電膜の製造方法。
【請求項１２】
前記水溶性バインダーが水溶性ポリマーであることを特徴とする請求項１１記載の導電膜の製造方法。
【請求項１３】
前記温水の温度が６０℃以上であることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の導電膜の製造方法。
【請求項１４】
前記温水の温度が８０℃以上であることを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。
【請求項１５】
前記温水のｐＨが２〜１３であることを特徴とする請求項１１〜１４のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。
【請求項１６】
前記支持体上のいかなる層にも硬膜剤を含有しないことを特徴とする請求項１１〜１５のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。 
【請求項１７】
前記温水浸漬工程の前に、前記導電性金属部を平滑化処理する平滑化処理工程を有することを特徴とする請求項１１〜１６のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。
【請求項１８】
前記平滑化処理を線圧力１９６０Ｎ／ｃｍ（２００ｋｇｆ／ｃｍ）以上で行うことを特徴とする請求項１７記載の導電膜の製造方法。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれか１項に記載の方法によって製造された導電膜。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月28日(2010.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に形成された第１ミラー、当該第１ミラーの上に形成された活性層、当該活性層の上に形成された第２ミラー、当該第２ミラーの上に開口部を有する状態にて形成された電極、を有する第１の面発光レーザと、
前記基板の上に形成された前記第１ミラー、当該第１ミラーの上に形成された活性層、当該活性層の上に形成された第２ミラー、当該第２ミラーの上に形成され前記第１の面発光レーザの当該電極の当該開口部の径より小さい径である開口部を有する状態にて形成された電極を有し、前記第１の面発光レーザと隣り合う位置に配置された第２の面発光レーザと、
前記基板の上に形成された前記第１ミラー、当該第１ミラーの上に形成された活性層、当該活性層の上に形成された第２ミラー、当該第２ミラーの上に形成され前記第２の面発光レーザの当該電極の当該開口部の径より小さい径である開口部を有する状態にて形成された電極を有し、前記第２の面発光レーザと隣り合う位置に配置された第３の面発光レーザと、
を含む、面発光レーザアレイ。
【請求項２】
同一基板上に配列されている複数の面発光レーザを含む面発光レーザアレイであって、
基板と、
第１の面発光レーザと、
前記第１の面発光レーザと隣り合う第２の面発光レーザと、
前記第２の面発光レーザと隣り合う第３の面発光レーザと、
を含み、
前記第１の面発光レーザ、前記第２の面発光レーザ、および前記第３の面発光レーザは、直線上に配列されており、かつ、
前記基板の上方に形成された第１ミラーと、
前記第１ミラーの上方に形成された活性層と、
前記活性層の上方に形成された第２ミラーと、
前記第２ミラーの上方に形成され、レーザ光を出射するための開口部を有する電極と、を各々が有し、
前記第２の面発光レーザの電極の開口部の径は、前記第１の面発光レーザの電極の開口部の径より小さく、かつ前記第３の面発光レーザの電極の開口部の径より大きい、面発光レーザアレイ。
【請求項３】
請求項１において、
前記第１の面発光レーザ、前記第２の面発光レーザ、および前記第３の面発光レーザは、直線上に配列されている、面発光レーザアレイ。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、
前記面発光レーザの電極の開口部の径は、基板上における前記面発光レーザが形成されている領域の中心から端部にいくにつれて小さくなっている、面発光レーザアレイ。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、
前記第１の面発光レーザ、前記第２の面発光レーザ、および前記第３の面発光レーザは、少なくとも第２ミラーの一部の領域に形成された絶縁領域をさらに有し、
前記絶縁領域は、前記基板面と垂直な方向に開口する開口部を有し、
前記第１の面発光レーザ、前記第２の面発光レーザ、および前記第３の面発光レーザにおいて、前記絶縁領域の開口部の径は、前記電極の開口部の径より大きい、面発光レーザアレイ。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかにおいて、
前記第１の面発光レーザ、前記第２の面発光レーザ、および前記第３の面発光レーザは、少なくとも第２ミラーの一部の領域に形成された絶縁領域をさらに有し、
前記絶縁領域は、前記基板面と垂直な方向に開口する開口部を有し、
前記第１の面発光レーザにおける前記絶縁領域の開口部の径は、前記第２の面発光レーザにおける前記絶縁領域の開口部の径、および前記第３の面発光レーザにおける前記絶縁領域の開口部の径と同一である、面発光レーザアレイ。
【請求項７】
基板と、
前記基板上に設けられた、請求項１に記載の面発光レーザアレイと、
前記基板上に設けられ、前記複数の面発光レーザと電気的に接続されている駆動回路と、
を含み、
前記複数の面発光レーザの各々の電極の開口部の径は、基板上における所定の位置から端部にいくにつれて小さくなっており、
前記基板上における所定の位置は、前記複数の面発光レーザのみが形成されている領域の中心より前記駆動回路側に位置する、半導体装置。
【請求項８】
同一基板上に配列されている複数の面発光レーザを含む面発光レーザアレイの製造方法であって、
（ａ）基板の上方に、当該基板側から第１ミラー、活性層、および第２ミラーを構成するための半導体多層膜を形成する工程と、
（ｂ）前記絶縁領域の上方に、光の出射面を構成する開口部を有する複数の電極を形成する工程と、
（ｃ）前記複数の電極の開口部より小さい開口部を有する他の電極を、前記複数の電極の上に形成する工程と、
を含む、面発光レーザアレイの製造方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記工程（ｂ）の後に、
電極毎に電流を注入しながら、前記半導体多層膜の温度を測定する工程をさらに含み、
前記工程（ｃ）では、測定した前記温度に基づいて、前記他の電極を形成する領域を決定し、決定した当該領域に前記他の電極を形成する、面発光レーザアレイの製造方法。
【請求項１０】
請求項１ないし６記載の面発光レーザアレイを備えたことを特徴とするレーザープリンター。
【請求項１１】
請求項７記載の半導体装置を備えたことを特徴とするレーザープリンター。
【請求項１２】
請求項１ないし６記載の面発光レーザアレイを備えたことを特徴とするプロジェクター。
【請求項１３】
請求項７記載の半導体装置を備えたことを特徴とするプロジェクター。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】面発光レーザアレイおよびその製造方法、半導体装置、レーザープリンター、ならびにプロジェクター
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月23日(2010.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板の上に形成されている複数の画素と、前記複数の画素の上に設けられている円偏光部材と、を有し、
前記各画素は、互いに発光色が異なる複数の副画素から構成されており、前記各副画素は、陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に形成されている発光層と電荷注入層と、を有する発光素子で構成される表示装置において、
前記円偏光部材は、複数の前記発光色より選択される少なくとも１つの発光色に対する透過率が他の発光色に対する透過率よりも大きく、
前記電荷注入層は、前記選択される発光色の光を吸収することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記選択される発光色を呈する副画素を構成する発光素子の電荷注入層の膜厚は、前記選択される発光色とは異なる発光色を呈する副画素を構成する発光素子の前記電荷注入層の膜厚より薄いことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記選択される発光色を呈する副画素を構成する発光素子が多層干渉膜構造を有し、前記多層干渉膜構造の分光反射率は、前記選択される発光色の発光波長域に最小値若しくは極小値を有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記電荷注入層は、金属酸化物を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記電荷注入層は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属と、有機化合物と、を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記選択される発光色は、前記複数の副画素の中で発光効率が最も低い副画素が呈する発光色であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記選択される発光色は、前記複数の副画素の中で発光半減寿命が最も短い副画素が呈する発光色であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記選択される発光色は、青色であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記課題を解決するための手段として、本発明は、
基板と、前記基板の上に形成されている複数の画素と、前記複数の画素の上に設けられている円偏光部材と、を有し、
前記各画素は、互いに発光色が異なる複数の副画素から構成されており、前記各副画素は、陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に形成されている発光層と電荷注入層と、を有する発光素子で構成される表示装置において、
前記円偏光部材は、複数の前記発光色より選択される少なくとも１つの発光色に対する透過率が他の発光色に対する透過率よりも大きく、
前記電荷注入層は、前記選択される発光色の光を吸収することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
このホール注入層まで成膜した基板を、真空を破ること無しにスパッタ装置に移動し、透明陽極１０３としてＩＴＯの透明電極を６０ｎｍの厚さに成膜する。さらに保護膜として、窒化酸化シリコンを７００ｎｍの厚さに成膜する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２３】
このホール注入層まで成膜した基板を、真空を破ること無しにスパッタ装置に移動し、透明陽極１０３としてＩＴＯの透明電極を６０ｎｍの厚さに成膜する。さらに保護膜として、窒化酸化シリコンを７００ｎｍの厚さに成膜する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月19日(2010.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
ゴムスイッチ１０２によりキートップ１０６を上方に付勢して鍔部１０６Ｂを外装部材１０５の下面に当接させてキートップ１０６の位置決めを行うために、突起部１０６Ｃ先端とスイッチ部を有する回路基板１０４の間には隙間が生じる。押圧操作の際、キートップ１０６の突起部１０６Ｃが回路基板１０４に当接する事になる。そのため、硬質樹脂製である、キートップ１０６と基板１０４とが衝突するので打撃音が発生する。特許文献１の様に回路基板に４方向スイッチを実装する構成であっても４方向スイッチと操作部材先端の隙間により、打撃音が発生する。車の中や音楽鑑賞の場のような静かな使用環境下及び動画の撮影では、この打撃音が気になることから、改善が望まれている。さらに、特許文献１の４方向スイッチの様な構成からなる十字キーは、押圧されることによってキートップが斜めに傾くため、十字キーの外壁と機器ケース１０５との間に隙間が必要である。その隙間のために、十字キーを操作しない時にもキートップに変位が発生する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
図４は本発明の実施例であるスイッチ装置を組み込んだ撮像装置（電子機器）の斜視図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
ゴムスイッチ２によりキートップ６を上方に付勢して鍔部６Ｂを外装部材５の下面に当接させてキートップ６の位置決めを行うために、突起部６Ｃと回路基板４の間には隙間が形成されている。なお、キートップ６が、鍔部６Ｂと外装部材５との当接により水平に保持された状態、すなわち未操作状態をキートップ６の中立状態といい、その状態でのキートップ６の位置を中立位置という。キートップ６は、操作面６Ａが押されると、後述する突起受け部２Ｄに当接することで回路基板４によって支えられる突起部６Ｃを支点として中立位置から傾いて、ゴムスイッチ２の付勢部２Ａを押圧し、スイッチ部の状態を切り換える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
上記の一連の動作において、突起受け部２Ｄはゴムスイッチ２に一体成型された弾性部材であるため、突起部６Ｃが回路基板４上（基板上）で突起受け部２Ｄに当接しても打撃音はほとんど生じない。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
これにより、キートップ６の水平方向の変位を阻止する（隙間Ｙの範囲に抑える）事ができ、押圧時や押圧解除時におけるキートップ６の変位の少ない高品位のスイッチ装置を実現できる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月14日(2010.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
プリント基板８は、ケース本体４の前面開口側（図２において上側）よりタクトスイッチ１１が取り付けられた状態で挿入され、ゴムクッション１２の取付孔１２Ｂａにボス部５ｂに挿入することでゴムクッション１２を取り付けた内部カバー部材５をかぶせ、ケース本体４の裏側より貫通孔４Ａａ，８ａを通じて、ねじ６をボス部５ａの下穴へねじ込まれる。これにより、ケース本体４に、プリント基板８及び内部カバー部材５が固定されて、一体化される。