【手続補正書】
【提出日】平成22年3月10日(2010.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウム箔からなる陽極体の所定の位置に絶縁部を設けて陽極部と陰極形成部に分離し、この陰極形成部上に導電性高分子からなる固体電解質層、陰極層を順次積層形成することにより陰極部を形成したコンデンサ素子と、このコンデンサ素子の陽極部と陰極部に接合された陽極端子ならびに陰極端子と、この陽極端子ならびに陰極端子の一部を除いて上記コンデンサ素子を被覆した絶縁性の外装樹脂からなる電解コンデンサにおいて、上記陽極体は、上記アルミニウム箔の表面に形成された誘電体酸化皮膜層の表面に金属酸化物層を形成して構成され、この金属酸化物層は、溶液中にフルオロ金属錯化合物および／または金属フッ化物を存在させることで生じるＭaＦbc-＋ｄＨ2Ｏ→ＭaＯd＋ｂＦ-＋２ｄＨ+（ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｉｎ、Ｓｎ、希土類元素からなる群から選ばれた１種、ａ、ｂ、ｃ、ｄは係数であり、ｍａ＝ｂ−ｃ＝２ｄ、ｍは金属Ｍの酸化数、ａ＞０、ｂ＞０、ｃ≧０、ｄ＞０、の関係を満たす）の反応を利用して、前記誘電体酸化皮膜層の表面に島状に形成されたものである電解コンデンサ。
【請求項２】
アルミニウム箔からなる陽極箔と陰極箔をその間にセパレータを介在させて巻回することにより形成されたコンデンサ素子と、このコンデンサ素子を駆動用電解液と共に収容した有底筒状の金属ケースと、この金属ケースの開口部を封止した封口部材からなる電解コンデンサにおいて、上記コンデンサ素子を構成する前記陽極箔と陰極箔のうち少なくとも一方は、上記アルミニウム箔の表面に形成された誘電体酸化皮膜層の表面に金属酸化物層を形成して構成され、この金属酸化物層は、溶液中にフルオロ金属錯化合物および／または金属フッ化物を存在させることで生じるＭaＦbc-＋ｄＨ2Ｏ→ＭaＯd＋ｂＦ-＋２ｄＨ+（ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｉｎ、Ｓｎ、希土類元素からなる群から選ばれた１種、ａ、ｂ、ｃ、ｄは係数であり、ｍａ＝ｂ−ｃ＝２ｄ、ｍは金属Ｍの酸化数、ａ＞０、ｂ＞０、ｃ≧０、ｄ＞０、の関係を満たす）の反応を利用して、前記誘電体酸化皮膜層の表面に島状に形成されたものである電解コンデンサ。
【請求項３】
金属酸化物層は、誘電体酸化皮膜層の比誘電率より大きいものである請求項１または２に記載の電解コンデンサ。
【請求項４】
金属酸化物層として酸化チタン、または酸化ジルコニウムを用いた請求項１または２に記載の電解コンデンサ。
【請求項５】
アルミニウム箔からなる陽極体の所定の位置に絶縁部を設けて陽極部と陰極形成部に分離し、この陰極形成部上に導電性高分子からなる固体電解質層、陰極層を順次積層形成することにより陰極部を形成したコンデンサ素子と、このコンデンサ素子の陽極部と陰極部に接合された陽極端子ならびに陰極端子と、この陽極端子ならびに陰極端子の一部を除いて上記コンデンサ素子を被覆した絶縁性の外装樹脂からなり、上記陽極体は、上記アルミニウム箔の表面に形成された誘電体酸化皮膜層と、この誘電体酸化皮膜層の表面に形成された金属酸化物層と、を有する、電解コンデンサの製造方法であって、
前記アルミニウム箔の表面に前記誘電体酸化皮膜層を形成する工程と、
表面に前記誘電体酸化皮膜が形成された前記アルミニウム箔を、フルオロ金属錯化合物および／または金属フッ化物が存在する溶液に浸漬し、
ＭaＦbc-＋ｄＨ2Ｏ→ＭaＯd＋ｂＦ-＋２ｄＨ+（ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｉｎ、Ｓｎ、希土類元素からなる群から選ばれた１種、ａ、ｂ、ｃ、ｄは係数であり、ｍａ＝ｂ−ｃ＝２ｄ、ｍは金属Ｍの酸化数、ａ＞０、ｂ＞０、ｃ≧０、ｄ＞０、の関係を満たす）の反応を利用して、前記誘電体酸化皮膜層の表面に前記金属酸化物層を島状に形成する工程と、を含む、電解コンデンサの製造方法。
【請求項６】
アルミニウム箔からなる陽極箔と陰極箔をその間にセパレータを介在させて巻回することにより形成されたコンデンサ素子と、このコンデンサ素子を駆動用電解液と共に収容した有底筒状の金属ケースと、この金属ケースの開口部を封止した封口部材からなり、上記コンデンサ素子を構成する前記陽極箔と陰極箔のうち少なくとも一方は、上記アルミニウム箔の表面に形成された誘電体酸化皮膜層と、この誘電体酸化皮膜層の表面に形成された金属酸化物層と、を有する、電解コンデンサの製造方法であって、
前記陽極箔と陰極箔のうち少なくとも一方を構成する前記アルミニウム箔の表面に前記誘電体酸化皮膜層を形成する工程と、
表面に前記誘電体酸化皮膜が形成された前記アルミニウム箔を、フルオロ金属錯化合物および／または金属フッ化物が存在する溶液に浸漬し、
ＭaＦbc-＋ｄＨ2Ｏ→ＭaＯd＋ｂＦ-＋２ｄＨ+（ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｉｎ、Ｓｎ、希土類元素からなる群から選ばれた１種、ａ、ｂ、ｃ、ｄは係数であり、ｍａ＝ｂ−ｃ＝２ｄ、ｍは金属Ｍの酸化数、ａ＞０、ｂ＞０、ｃ≧０、ｄ＞０、の関係を満たす）の反応を利用して、前記誘電体酸化皮膜層の表面に前記金属酸化物層を島状に形成する工程と、を含む、電解コンデンサの製造方法。
【請求項７】
誘電体酸化皮膜層の表面に形成された金属酸化物層は、溶液中にフッ化物イオン捕捉剤を存在させて形成した、請求項５または６に記載の電解コンデンサの製造方法。
【請求項８】
誘電体酸化皮膜層の表面に形成された金属酸化物層は、溶液中にフッ化物イオン捕捉剤およびｐＨ調整剤を存在させて形成した、請求項５または６に記載の電解コンデンサの製造方法。
【請求項９】
前記金属酸化物層を形成する工程では、
前記溶液のｐＨが７より大きくなるように調整した、請求項５または６に記載の電解コンデンサの製造方法。
【請求項１０】
前記金属酸化物層を形成する工程では、
前記溶液中に、前記フルオロ金属錯化合物としてのチタンフッ化アンモニウム、またはジルコンフッ化アンモニウムを存在させ、
このチタンフッ化アンモニウム、またはジルコンフッ化アンモニウムの濃度は、０．０００５mol／ｌ以上０．０１mol／ｌ未満である、請求項５または６に記載の電解コンデンサの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電解コンデンサおよび電解コンデンサの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は各種電子機器に使用される電解コンデンサの中で、主に、弁作用金属箔の表面に形成された誘電体酸化皮膜の表面に金属酸化物層を形成した電極箔を用いることによって大容量化を図った電解コンデンサおよび電解コンデンサの製造方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記課題を解決するために本発明は、アルミニウム箔からなる陽極体の所定の位置に絶縁部を設けて陽極部と陰極形成部に分離し、この陰極形成部上に導電性高分子からなる固体電解質層、陰極層を順次積層形成することにより陰極部を形成したコンデンサ素子と、このコンデンサ素子の陽極部と陰極部に接合された陽極端子ならびに陰極端子と、この陽極端子ならびに陰極端子の一部を除いて上記コンデンサ素子を被覆した絶縁性の外装樹脂からなる電解コンデンサにおいて、上記陽極体は、上記アルミニウム箔の表面に形成された誘電体酸化皮膜層の表面に金属酸化物層を形成して構成され、この金属酸化物層は、溶液中にフルオロ金属錯化合物および／または金属フッ化物を存在させることで生じるＭaＦbc-＋ｄＨ2Ｏ→ＭaＯd＋ｂＦ-＋２ｄＨ+（ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｉｎ、Ｓｎ、希土類元素からなる群から選ばれた１種、ａ、ｂ、ｃ、ｄは係数であり、ｍａ＝ｂ−ｃ＝２ｄ、ｍは金属Ｍの酸化数、ａ＞０、ｂ＞０、ｃ≧０、ｄ＞０、の関係を満たす）の反応を利用して、誘電体酸化皮膜層の表面に島状に形成されたものである構成としたものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
以上のように本発明による電解コンデンサは、誘電体酸化皮膜層の表面に金属酸化物層を薄膜で形成したアルミニウム箔を用いることによって電解コンデンサの容量を高めることができるようになり、従来実現が困難であった大容量化を実現することができるという効果が得られるものである。また誘電体酸化皮膜層の弱い箇所が金属酸化物によって優先的に補強され、これにより耐圧が向上するとともに、その部分で容量が増大する。