Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月15日(2009.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光信号の伝送を行う光通信システムに設置される光信号受信機であって、
光伝送路を伝送する光信号は、誤り訂正用のパリティが含まれるＦＥＣフレームを含むものであり、
前記ＦＥＣフレームは、同期ヘッダとパケットデータとからなるブロック及び／又は同期ヘッダとアイドルデータとからなるブロックにより構成されるものであり、
前記同期ヘッダの値のうち、理論的にとり得ない値を持つ同期ヘッダの値を、パケットデータを示す同期ヘッダの値及び／又はアイドルデータを示す同期ヘッダの値に修正する同期ヘッダ修正部と、
前記同期ヘッダ修正部により前記同期ヘッダが修正された後のＦＥＣフレームに基づいてＦＥＣデータの誤り訂正・復号を行うＦＥＣデコーダと、を備える光信号受信機。
【請求項２】
前記同期ヘッダ修正部は、
前記理論的にとり得ない値を持つ同期ヘッダの値を持つブロックについて、当該ブロックの前のブロックの同期ヘッダ又は後のブロックの同期ヘッダの値がパケットデータを示す同期ヘッダの値であれば、当該ブロックの同期ヘッダの値を、パケットデータを示す同期ヘッダの値に修正する、請求項１記載の光信号受信機。
【請求項３】
前記同期ヘッダ修正部は、
前記理論的にとり得ない値を持つ同期ヘッダの値を持つブロックについて、当該ブロックの前のブロックの同期ヘッダ又は後のブロックの同期ヘッダの値がアイドルデータを示す同期ヘッダの値であれば、当該ブロックの同期ヘッダの値を、アイドルデータを示す同期ヘッダの値に修正する、請求項１記載の光信号受信機。
【請求項４】
同期の確立したＦＥＣフレームごとに、前記誤り訂正用のパリティを用いて、当該ＦＥＣフレームのデータの誤り訂正・復号を行うＦＥＣデコーダをさらに有し、
当該ＦＥＣデコーダにより復号が失敗したＦＥＣフレームについて、前記同期ヘッダ修正部が前記修正を行う、請求項１〜３のいずれか１項に記載の光信号受信機。
【請求項５】
光信号の伝送を行う光通信システムに用いられる光信号受信方法であって、
光伝送路を伝送する光信号は、誤り訂正用のパリティが含まれるＦＥＣフレームを含むものであり、
前記ＦＥＣフレームは、同期ヘッダとパケットデータとからなるブロック及び／又は同期ヘッダとアイドルデータとからなるブロックにより構成されるものであり、
前記同期ヘッダの値のうち、理論的にとり得ない値を持つ同期ヘッダの値を、パケットデータを示す同期ヘッダの値及び／又はアイドルデータを示す同期ヘッダの値に修正するステップと、
前記同期ヘッダ修正部により前記同期ヘッダが修正された後のＦＥＣフレームに基づいてＦＥＣデータの誤り訂正・復号を行うステップとを有する、光信号受信方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の光信号受信機は、ＦＥＣフレームが、同期ヘッダとパケットデータとからなるブロック及び／又は同期ヘッダとアイドルデータとからなるブロックにより構成されるものであり、前記同期ヘッダの値のうち、理論的にとり得ない値を持つ同期ヘッダの値を、パケットデータを示す同期ヘッダの値及び／又はアイドルデータを示す同期ヘッダの値に修正する同期ヘッダ修正部と、前記同期ヘッダ修正部により前記同期ヘッダが修正された後のＦＥＣフレームに基づいてＦＥＣデータの誤り訂正・復号を行うＦＥＣデコーダと、を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この構成の光信号受信機であれば、同期ヘッダの値のうち、理論的にとり得ない値を持つ同期ヘッダの値を、パケットデータを示す同期ヘッダの値及び／又はアイドルデータを示す同期ヘッダの値に修正することとしたので、エラービット数を減らすことができる。
したがって、従来、ＦＥＣデコーダの誤り訂正能力以上のビットエラーが発生した場合には、誤り訂正できなかったが、本発明では、ビットエラー数をＦＥＣデコーダの誤り訂正能力以下にすることが期待でき、ＦＥＣによる誤り訂正能力を向上させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の光信号受信機は、同期の確立したＦＥＣフレームごとに、前記誤り訂正用のパリティを用いて、当該ＦＥＣフレームのデータの誤り訂正・復号を行うＦＥＣデコーダをさらに有し、当該ＦＥＣデコーダにより復号が失敗したＦＥＣフレームについて、前記同期ヘッダ修正部が前記修正を行うこととしてもよい。
ここでこのＦＥＣデコーダは、同期ヘッダ修正部により同期ヘッダが修正された後のＦＥＣフレームに基づいてＦＥＣデータの誤り訂正・復号を行う請求項１記載の「ＦＥＣデコーダ」とは別のデコーダであり、以下に説明する［発明を実施するための最良の形態］の第１のＦＥＣデコーダ１０ａがこれに相当する。請求項１記載の「ＦＥＣデコーダ」に対応するものは、第２のＦＥＣデコーダ１０ｃである。
また、本発明の光信号受信方法は、前記光信号受信機の発明と実質同一の発明に係る方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月20日(2010.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体を撮像して画像データを取得する撮像手段と、
前記撮像手段により取得した画像データに基づく被写体画像を表示する表示手段と、
前記撮像手段の撮像面に入射する光束を調節する絞りを制御する絞り制御手段とを備え、
前記絞り制御手段は、前記表示手段に前記撮像手段により取得した画像データに基づく被写体画像を逐次表示している際に、当該被写体画像以外の画像を前記表示手段に表示する指示がなされた場合、前記絞りを絞り込むように制御することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記絞り制御手段は、前記表示手段に前記撮像手段により取得した画像データに基づく被写体画像を逐次表示している際に、当該被写体画像以外の画像を前記表示手段に表示する指示がなされた場合、前記表示手段に前記被写体画像以外の画像が表示されてから前記絞りを絞り込むように制御することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記絞り制御手段は、前記被写体以外の画像を表示する指示がなされてから所定時間内に前記被写体画像以外の画像の表示を終了させる指示がなされない場合に、前記絞りを絞り込むように制御することを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記絞り制御手段は、前記表示手段に前記撮像手段により取得した画像データに基づく被写体画像を逐次表示している際に表示させた、前記被写体画像以外の画像の表示を終了させる指示がなされた場合、前記絞りを開くように制御することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記絞り制御手段は、前記表示手段に前記撮像手段により取得した画像データに基づく被写体画像を逐次表示している際に表示させた、前記被写体画像以外の画像の表示を終了させる指示がなされた場合、前記被写体画像以外の画像の表示が終了する前に前記絞りを開くように制御することを特徴とする請求項４に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記被写体画像以外の画像は、メニュー画面であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
被写体を撮像して画像データを取得する撮像手段と、前記撮像手段により取得した画像データに基づく被写体画像を表示する表示手段と、を有する撮像装置の制御方法であって、
絞り制御手段が、前記撮像手段の撮像面に入射する光束を調節する絞りを制御する絞り制御工程を備え、
前記絞り制御工程では、前記表示手段に前記撮像手段により取得した画像データに基づく被写体画像を逐次表示している際に、当該被写体画像以外の画像を前記表示手段に表示する指示がなされた場合、前記絞りを絞り込むように制御することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
一方、被写体像を観察する方法として、撮像素子から被写体像の画像信号を間引いて読み出し、読み出した画像信号をカメラ背面に設けられたＬＣＤなどのディスプレイユニットに高い表示レートでリアルタイム表示する電子ファインダ（ＥＶＦ）がある。この場合、撮影レンズから射出した光束を遮ることなく撮像素子に導けるように、反射ミラーは撮影光路から退避し、シャッタは開いた状態を維持する（例えば、特許文献１参照）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は上記問題点を鑑みてなされたものであり、被写体画像の逐次表示中に被写体以外の画像を表示する場合に、撮像素子を保護すると共に、より短時間で被写体画像を逐次表示した画面に復帰できるようにすることを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明に係る撮像装置は、被写体を撮像して画像データを取得する撮像手段と、前記撮像手段により取得した画像データに基づく被写体画像を表示する表示手段と、前記撮像手段の撮像面に入射する光束を調節する絞りを制御する絞り制御手段とを備え、前記絞り制御手段は、前記表示手段に前記撮像手段により取得した画像データに基づく被写体画像を逐次表示している際に、当該被写体画像以外の画像を前記表示手段に表示する指示がなされた場合、前記絞りを絞り込むように制御することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明に係る撮像装置の制御方法は、被写体を撮像して画像データを取得する撮像手段と、前記撮像手段により取得した画像データに基づく被写体画像を表示する表示手段と、を有する撮像装置の制御方法であって、絞り制御手段が、前記撮像手段の撮像面に入射する光束を調節する絞りを制御する絞り制御工程を備え、前記絞り制御工程では、前記表示手段に前記撮像手段により取得した画像データに基づく被写体画像を逐次表示している際に、当該被写体画像以外の画像を前記表示手段に表示する指示がなされた場合、前記絞りを絞り込むように制御することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明によれば、被写体画像の逐次表示中に被写体以外の画像を表示する場合に、撮像素子を保護すると共に、より短時間で被写体画像を逐次表示した画面に復帰することが可能となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
また、メニュー画面を表示した時、即座に絞り１０４を閉じることに限るものではなく、所定時間内に再度のメニュー表示スイッチ１２４の押下がない場合に、絞り１０４を閉じるようにしてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月20日(2010.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
しかしながら、特許文献１では、高精度でＡＤ間バラツキの少ないが、積分型ＡＤ回路を２回直列に用いるため、ＡＤ変換のスピードを十分には速くできないという問題がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
＜１ビット目＝Ｌ、２ビット目＝Ｌの場合＞
ラッチ回路１４０の１ビット目がＬレベルかつ２ビット目がＬレベルだった場合、コン
デンサＣ１〜Ｃ３の電荷Ｑ＝４Ｃ（Ｖｓ−ＶＲＥＦ）＝３Ｃ（ＶＲＮ−ＶＩＮ）＋Ｃ（Ｖ
ｒａｍｐ−ＶＩＮ）となり、負極端子の電圧ＶＩＮ＝ＶＲＥＦ＋（ＶＲＮ×３／４＋Ｖｒ
ａｍｐ／４）−Ｖｓとなる。すなわち、アナログ信号Ｖｓ＞（ＶＲＮ×３／４＋Ｖｒａｍ
ｐ／４）となった時点をコンパレータ１２０で積分比較することであり、アナログ信号Ｖｓの下位３ビットを求めることになる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月30日(2010.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機電界発光素子の有機層を形成するために用いられる組成物であって、その溶媒成分として１気圧における沸点が１６０℃以上の脂環式ケトン系化合物を含むことを特徴とする、有機電界発光素子用組成物。
【請求項２】
さらに、発光材料を含有することを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光素子用組成物。
【請求項３】
基板上に陽極、陰極、および該陽極と該陰極の間に配置された有機層を有する有機電界発光素子の製造方法であって、該有機層のうちの少なくとも１層を請求項１または２に記載の有機電界発光素子用組成物を用いて形成することを特徴とする、有機電界発光素子の製造方法。
【請求項４】
有機層は第１の有機層および第２の有機層を隣接して有し、第１の有機層を湿式成膜法により形成した後、該第１の有機層上に、請求項１または２に記載の有機電界発光素子用組成物を用いて、第２の有機層を湿式成膜法により形成することを特徴とする、請求項３に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項５】
第１の有機層が正孔注入層であることを特徴とする、請求項４に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項６】
請求項３乃至５に記載の製造方法によって製造された、有機電界発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
すなわち、本発明の要旨は、有機電界発光素子の有機層を形成するために用いられる組成物であって、その溶媒成分として１気圧における沸点が１６０℃以上の脂環式ケトン系化合物を含むことを特徴とする有機電界発光素子用組成物、に存する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月21日(2010.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動画像データと前記動画像データのコピー制御情報とを含む信号を受信し、前記動画像データと前記コピー制御情報とを出力する受信手段と、
前記受信手段から出力された動画像データを記録媒体に記録する記録手段と、
前記記録媒体に記録された動画像データをファイルとして管理する管理手段と、
前記受信手段から出力されたコピー制御情報に基づいて、前記記録媒体に記録された一つのファイルの動画像データにおいてコピー制御の状態が異なる部分を識別するための管理データを生成する生成手段とを備える記録装置。
【請求項２】
前記管理データに基づいて、前記一つのファイルの動画像データにおいてコピー制御の状態が異なる部分を示す情報を表示装置に表示する表示制御手段を備えたことを特徴とする請求項１記載の記録装置。
【請求項３】
前記表示制御手段は更に、前記管理データに基づいて、前記一つのファイルにおいてコピー制御の状態が異なる部分に対応するコンテンツ毎に、コピー制御の状態を示す情報を表示することを特徴とする請求項２記載の記録装置。
【請求項４】
前記記録媒体から動画像データを再生する再生手段と、前記再生手段により再生された動画像データを第２の記録媒体に記録する第２の記録手段を備え、
前記制御手段は、前記管理データに基づいて、前記再生手段により再生され前記第２の記録媒体に記録された動画像データのファイルを、コピーが可能な部分のファイルと、コピーが禁止でムーブが可能な部分のファイルとに分割し、前記コピーが禁止でムーブが可能な部分のファイルを前記記録媒体から削除することを特徴とする請求項１記載の記録装置。
【請求項５】
前記生成手段は、前記記録手段による前記動画像データの記録中に前記コピー制御情報の変化を検出したことに応じて前記管理データを更新することを特徴とする請求項１記載の記録装置。
【請求項６】
前記記録手段は、記録開始の指示に応じて前記動画像データの記録を開始し、記録停止の指示に応じて前記動画像データの記録を停止し、
前記管理手段は、前記記録開始の指示から記録停止の指示までの間に前記記録手段により記録された動画像データを一つのファイルとして管理することを特徴とする請求項１記載の記録装置。
【請求項７】
動画像データと前記動画データのコピー制御情報とを含む信号を受信し、前記動画像データと前記コピー制御情報とを出力する受信手段と、
前記受信手段から出力された動画像データを第１の記録媒体に記録し、前記第１の記録媒体から動画像データを再生する記録再生手段と、
第２の記録媒体に動画像データを記録する記録手段と、
前記記録媒体に記録された動画像データをファイルとして管理する管理手段と、
前記第１の記録媒体に記録された動画像データを再生して前記第２の記録媒体に記録するように、前記記録再生手段と前記記録手段とを制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、前記受信手段から出力されたコピー制御情報に基づいて、前記第１の記録媒体から再生され前記第２の記録媒体に記録された一つのファイルの動画像データのうち、コピーワンスの部分を前記第１の記録媒体から削除することを特徴とする記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明は、動画像データと前記動画像データのコピー制御情報とを含む信号を受信し、前記動画像データと前記コピー制御情報とを出力する受信手段と、前記受信手段から出力された動画像データを記録媒体に記録する記録手段と、前記記録媒体に記録された動画像データをファイルとして管理する管理手段と、前記受信手段から出力されたコピー制御情報に基づいて、前記記録媒体に記録された一つのファイルの動画像データにおいてコピー制御の状態が異なる部分を識別するための管理データを生成する生成手段とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月20日(2010.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体から映像データを再生する再生手段と、
前記再生手段によって再生される映像データを外部装置に送信する送信手段と、
前記外部装置の識別情報を取得する取得手段と、
前記再生手段によって再生される映像データを停止した際の再生停止位置を示す第１の停止位置情報と、前記取得手段によって取得される前記外部装置の識別情報とを対応付けて記憶する記憶手段と、
前記取得手段により取得される前記外部装置の識別情報に対応する第１の停止位置情報を前記記憶手段から読み出し、前記読み出された第１の停止位置情報によって示される再生停止位置から前記映像データを再生するように前記再生手段を制御する制御手段とを有し、
前記送信手段は、前記読み出された第１の停止位置情報によって示される再生停止位置から前記再生手段により再生される映像データを前記外部装置に送信することを特徴とする映像再生装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記取得手段によって取得される前記外部装置の識別情報に対応する第１の停止位置情報が前記記憶手段に記憶されていない場合、所定の再生停止位置から前記映像データを再生するように前記再生手段を制御することを特徴とする請求項１に記載の映像再生装置。
【請求項３】
前記再生手段によって再生される映像データを表示する表示手段を有し、
前記記憶手段は、前記再生手段によって再生され、前記表示手段に表示される映像データを停止した際の再生停止位置を示す第２の停止位置情報を記憶し、
前記制御手段は、前記送信手段と前記外部装置とが接続されていない場合に、前記第２の停止位置情報によって示される再生停止位置から前記映像データを再生するように前記再生手段を制御することを特徴とする請求項１または２に記載の映像再生装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記取得手段により前記外部装置の識別情報が取得できない場合に、前記第２の停止位置情報によって示される再生停止位置から前記映像データを再生するように前記再生手段を制御することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の映像再生装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記記憶手段に複数の前記第１の停止位置情報が記録されている場合、複数の前記第１の停止位置情報のうち前記取得手段により取得される前記外部装置の識別情報に対応する第１の停止位置情報を前記記憶手段から読み出し、前記読み出された第１の停止位置情報によって示される再生停止位置から前記映像データを再生するように前記再生手段を制御することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の映像再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】映像再生装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は映像再生装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、映像再生装置を複数の表示装置で利用する場合に、各々の表示装置において過去に再生した映像の続きから再生できるようにすることを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る映像再生装置は、記録媒体から映像データを再生する再生手段と、前記再生手段によって再生される映像データを外部装置に送信する送信手段と、前記外部装置の識別情報を取得する取得手段と、前記再生手段によって再生される映像データを停止した際の再生停止位置を示す第１の停止位置情報と、前記取得手段によって取得される識別情報とを対応付けて記憶する記憶手段と、前記取得手段により取得される前記外部装置の識別情報に対応する第１の停止位置情報を前記記憶手段から読み出し、前記読み出された第１の停止位置情報によって示される再生停止位置から前記映像データを再生するように前記再生手段を制御する制御手段とを有し、前記送信手段は、前記読み出された第１の停止位置情報によって示される再生停止位置から前記再生手段により再生される映像データを前記外部装置に送信することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明によれば、映像再生装置を複数の表示装置で利用する場合に、各々の表示装置において過去に再生した映像の続きから再生することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月19日(2010.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
（１）気化器２４２の２次側の流路分岐機構が無い。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
（２）気化器２４２から処理室２０１間に配されるバルブ数が最小限に抑えられている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
（３）気化器２４２の２次側の構造がシンプルである。上記（１）では、流路分岐が無くなることで、圧力損失と淀み点を低減させる効果が得られる。上記（２）では、バルブ数が最小限であることで、設置スペースが小さくなり、流路を短くすることが可能となり、これによっても圧力損失を低減させる効果が得られる。上記（３）では、気化器２４２の２次側の構造がシンプルであることで、配管やバルブを加熱するヒータの構造も単純化し、制御性能の向上やコスト低減、メンテナンスの容易さが得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月18日(2010.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室内に収納した基板を加熱して処理する基板処理装置に於いて、基板を載置して加熱する基板載置台と該基板載置台に対向する熱反射板とを具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
処理室内に収納した基板を加熱して処理する基板処理装置に於いて、基板を載置して加熱する基板載置台と該基板載置台に対向する熱反射板とを具備することを特徴とする基板処理装置を用いて処理する半導体装置の製造方法であって、
前記基板載置台に基板を載置し、
前記載置された基板を、前記基板載置台及び前記熱反射板によって加熱し、
前記処理室に処理ガスを供給し
前記基板に処理を施す半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板処理装置及び半導体装置の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月10日(2010.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
裏面側である第１基板面（裏面）１０１よりセル内に光を入射させ、セル内のｐ−型導電層１１１内で主に光電効果により電子・ホール対が発生され、生じた電子がセルの壁面を形成するｎ型分離層１１３を通じて外部に排出される。
そして、ホールのみがｐ型導電層１１２に蓄積され、第１のＭＯＳトランジスタとしての検出トランジスタ１２３のソース・ドレイン間のゲート領域半導体表面近傍に形成される電位井戸（ホールポケット）内に蓄積され、検出トランジスタ１２３を通じて、蓄積電荷の信号が増幅されて検出され、第２のＭＯＳトランジスタとしてのリセットトランジスタ１２４を通じて、蓄積電荷が適宜排出され、混色や飽和電荷量の制御が行われる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
また、固体撮像装置１のセンサの半導体層の厚さは〜２μｍ程度であり、光の波長範囲で光電変換の量子効果が十分発揮される程度の厚みになっている。
これに対し、前面照射型の場合、通常、半導体基板の厚みは素子が割れにくい厚み（〜数百μｍ）に保つ必要があり、そのため、素子の基板を通してソース・ドレイン間のリーク電流が無視できず、問題になる場合がある。
これに対して、本実施形態においては、素子の厚みを十分薄くしているため、基板を通してのリーク電流を減らすことができ、この問題も回避している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
第３の実施形態に係る固体撮像装置１Ｂにおいては、受光側（第１基板面１０１）側の第１ｐ−型領域１１１−１を含む破線で囲む第１領域２０１にセンシング＆メモリ機能を、中央のｐ−型領域（第２ｐ−型領域）１１１−２を含む破線で囲む第２領域２０２には検出転送機能を、第２基板面１０２側の破線で囲む第３領域２０３は変調および出力ラインの機能をそれぞれ担っている。また、ＥＡＰは素子領域部を示している。
第１領域２０１を除く第２領域２０２および第３領域２０３の構造は、図２の場合と同様の構造を有することから、同様の構造部分の説明はここでは省略する。
この場合、光照射時に透明電極（ＭＧ）１３３に負の電圧を印加すると、フォトホールが基板表面に引き寄せられ、ＭＧに負の電圧が印加されている間、ホールを一時的にピニングすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
（i）グローバルリセット
バックゲートＭＧとドレイン電極ＭＤにたとえば−２０Ｖを印加すると、Ａ１−Ａ２断面に沿った電位は破線の状態から実線の状態に変化し、セル内残存するキャリア（電子およびホール）が排出される。すなわち、第１ｐ−型領域１１１−１内のホールおよびホールポケット内のホールはドレイン電極ＭＤより排出され、ｎ＋層内およびｎ型分離層１１３内の電子はドレインＤ（１１６）より排出される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
図１６において、ＨＳＣＡＮはカラム水平走査期間（１フレーム分）を示し、１ショット期間にバックゲートＭＧへのバックゲート信号ＶＢＧおよびドレイン電極へのホールドドレイン信号ＶＨＤが印加される。
そして、１ショット期間の終了時にバックゲート信号ＶＢＧがローレベルから２０Ｖのハイレベルに切り替えられ、バックゲート信号ＶＢＧがハイレベルに切り替わるタイミングで信号ＶＨＤがＨｉ−Ｚ（ハイインピーダンス）とされる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
第４の実施形態に係る固体撮像装置１Ｃが第３の実施形態に係る固体撮像装置１Ｂ（図１１）と異なる点は、基板１００の第１基板面１０１のｎ＋層１１４Ｂの代わりに、酸化膜などの絶縁膜１３６を介して、ＩＴＯ等の透明電極１３７を配置していることにある。
今、光照射時に透明電極（ＭＧ）１３７に負の電圧を印加すると、フォトホールが基板表面に引き寄せられ、ＭＧに負の電圧が印加されている間、ホールを一時的にピニングすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月20日(2009.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶Ｚｎ１−ｘＭｇｘＯ（ｘ＞０）を活性層として用いたことを特徴とする紫外発光素子において、
前記活性層を挟持する第１及び第２のバリア層として、Ｚｎ１−ｙＭｇｙＯ（ｙ＞ｘ）又はＺｎ１−ｙＭｇｙＯ（ｙ＞ｘ）及びＺｎ１−ｚＭｇｚＯ（ｚ＞ｘ、ｙとｚとは異なる）を用いたことを特徴とする高効率紫外発光素子。
【請求項２】
前記ｘ値が、０．０５〜０．５２までの間の値であることを特徴とする請求項１に記載の高効率紫外発光素子。
【請求項３】
前記ｘ値が、０．１１以上の値であり、
発光波長が３６５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項２に記載の高効率紫外発光素子。
【請求項４】
前記活性層は、前記ｘ値を大きくすると、前記活性層における禁制帯が増大するとともに、発光効率も増大する特性を有する材料であることを特徴とする請求項１から３までのいずれか１項に記載の高効率紫外発光素子。
【請求項５】
温度に依存する発光強度の減少が、ｘの増大によりゆるやかになることを特徴とする請求項４に記載の高効率紫外発光素子。
【請求項６】
前記単結晶Ｚｎ１−ｘＭｇｘＯ（ｘ＞０）活性層は、Ｍｇ濃度に空間的な揺らぎを有し、励起子局在が誘起される特性を持つことを特徴とする請求項１から５までのいずれか１項に記載の高効率紫外線発光素子。
【請求項７】
前記単結晶Ｚｎ１−ｘＭｇｘＯ（ｘ＞０）活性層は、Ｍｇ濃度の高い領域と低い領域とが混ざって形成されていることを特徴とする請求項６に記載の高効率紫外発光素子。
【請求項８】
ｎ型Ｚｎ１−ｚＭｇｚＯ（バリア層）/Ｚｎ１−ｘＭｇｘＯ（活性層）/ｐ型Ｚｎ１−ｙＭｇｙＯからなり（ｘ＜ｙかつｘ＜ｚ）、該活性層から発光する構造を有することを特徴とする請求項６又は７に記載の高効率紫外線発光素子。
【請求項９】
前記活性層を挟持するバリア層として、ＺｎＳ又はＢｅＯを用いたことを特徴とする請求項１に記載の高効率紫外発光素子。
【請求項１０】
前記活性層を挟持するバリア層として、前記ラジカル・ソース分子線エピタキシャル法により成長したＺｎＳ又はＢｅＯを用いたことを特徴とする請求項９に記載の高効率紫外発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月23日(2010.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極との間に、少なくとも正孔輸送層と発光層とを有する発光素子であって、
前記正孔輸送層は、下記一般式（１）で表される化合物を含有する、発光素子。
【化１】
2008294161.tif 000001
（Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ同一であっても、異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基を表す。Ａは、アリーレン基、ヘテロアリーレン基を表す。Ａｒ１〜Ａｒ３は、それぞれ同一であっても、異なっていてもよい、アリール基である。Ａｒ２−Ｎ−Ａｒ３は、縮合して環を形成していてもよい。）
【請求項２】
前記陰極と前記発光層との間に、少なくとも電子輸送層を有し、
前記電子輸送層は、不対電子対を有する含窒素芳香族化合物を含有する、請求項1に記載の発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月13日(2010.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に導体層を形成する導体層の形成方法であって、
ポリイミド前駆体樹脂と、金属化合物と、粘度調整剤としての含窒素複素環化合物とを含有する導体層形成用組成物を塗布液として前記基材の表面に塗布し、乾燥して塗布膜を形成する塗布膜形成工程と、
前記塗布膜を、ホウ素化合物を含む還元剤溶液に浸漬して前記塗布膜中に存在する金属イオンを還元し、前記塗布膜の表面に前記導体層としての金属析出層を形成する還元工程と、
前記金属析出層を核として、無電解めっきおよび／または電気めっきを行うめっき工程と、
熱処理を行って前記塗布膜中の前記ポリイミド前駆体樹脂をイミド化してポリイミド樹脂層を形成するイミド化工程と、
を含むことを特徴とする導体層の形成方法。
【請求項２】
前記含窒素複素環化合物が、第３級アミノ化合物であることを特徴とする請求項１に記載の導体層の形成方法。
【請求項３】
前記含窒素複素環化合物が、置換または非置換の、ピリジンまたはイミダゾールであることを特徴とする請求項１に記載の導体層の形成方法。
【請求項４】
前記塗布膜形成工程では、前記導体層形成用組成物を細線状に塗布することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の導体層の形成方法。
【請求項５】
前記金属化合物が、金属種としてニッケルを含有する化合物であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の導体層の形成方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の導体層の形成方法によって基材上に導体層を形成する工程を含む回路基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月24日(2010.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスセラミックスと、少なくとも前記ガラスセラミックスの一方の主面表面上に形成された外部電極とを備える多層セラミック基板において、少なくとも前記外部電極とガラスセラミックスの界面の一部に樹脂を充填させるとともに、前記樹脂を外部電極の内部に対して外部電極とガラスセラミックスの界面に多く存在させたことを特徴とする多層セラミック基板。
【請求項２】
前記樹脂は撥水作用を持つ請求項１記載の多層セラミック基板。
【請求項３】
前記樹脂は少なくともシランカップリング剤を含む請求項１記載の多層セラミック基板。
【請求項４】
ガラスセラミックスと、少なくとも前記ガラスセラミックスの一方の主面表面上に形成された外部電極とを備えた多層セラミック基板において、焼結させた多層セラミック基板を水溶液に浸漬する工程と樹脂を充填する工程とを備えた多層セラミック基板の製造方法。
【請求項５】
ガラスセラミックスと、少なくとも前記ガラスセラミックスの一方の主面表面上に形成された外部電極とを備える多層セラミック基板において、焼結させた多層セラミック基板を水溶液に浸漬する工程と２５０℃以上８００℃以下で熱処理を行う工程とを備えた多層セラミック基板の製造方法。
【請求項６】
前記水溶液は、ｐＨ６以下の水溶液である請求項４記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項７】
前記水溶液は、少なくともキレート剤を含む請求項４記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項８】
前記水溶液は６５℃以上である請求項４記載の多層セラミック基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月27日(2010.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
前記実施の形態では、光散乱素子４に平面ガラスに所定の粒径の研磨剤にて凹凸面を形成したものを用いたが、光の拡散角度が調整されたホログラフィックディフューザ等の市販の光透過手段を用いても同様の効果があることは言うまでもない。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月24日(2010.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ半導体パッケージを実装した第１及び第２のプリント配線板を互に積層した積層構造を有し、前記第１のプリント配線板と前記半導体パッケージとが、前記第１のプリント配線板の電極パッドに接合されたボール電極によって接続され、前記第２のプリント配線板と前記半導体パッケージとが、前記第２のプリント配線板の電極パッドに接合されたボール電極によって接続された半導体装置において、
前記第１のプリント配線板の前記電極パッドは前記第１のプリント配線板の面方向に凸部を有し、
前記第２のプリント配線板の前記電極パッドは前記第２のプリント配線板の面方向に凸部を有し、
前記第１のプリント配線板の前記電極パッドの前記凸部の透視陰影像と、前記第２のプリント配線板の前記電極パッドの前記凸部の透視陰影像とが、少なくとも一部において重ならないように配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のプリント配線板と、半導体パッケージを実装した第２のプリント配線板とを積層した積層構造を有し、前記第１のプリント配線板と前記第２のプリント配線板とが、前記第１のプリント配線板の電極パッドに接合されたボール電極によって接続され、前記第２のプリント配線板と前記半導体パッケージとが、前記第２のプリント配線板の電極パッドに接合されたボール電極によって接続された半導体装置において、
前記第１のプリント配線板の前記電極パッドは前記第１のプリント配線板の面方向に凸部を有し、
前記第２のプリント配線板の前記電極パッドは前記第２のプリント配線板の面方向に凸部を有し、
前記第１のプリント配線板の前記電極パッドの前記凸部の透視陰影像と、前記第２のプリント配線板の前記電極パッドの前記凸部の透視陰影像とが、少なくとも一部において重ならないように配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１及び第２のプリント配線板を互に積層した積層構造を有し、前記第１のプリント配線板と前記第２のプリント配線板とが、前記第１のプリント配線板の表面側の電極パッドに接続されるボール電極によって接続され、前記第１のプリント配線板の裏面側の電極パッドにボール電極が接続される半導体装置において、
前記第１のプリント配線板の表面側及び裏面側のそれぞれの前記電極パッドは前記第１のプリント配線板の面方向に凸部を有し、
前記第１のプリント配線板の表面側の前記電極パッドの前記凸部の透視陰影像と、前記第１のプリント配線板の裏面側の前記電極パッドの前記凸部の透視陰影像とが、少なくとも一部において重ならないように配置されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月1日(2010.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電子部品と、
第２の電子部品と、
第１の配線が形成されると共に前記第１の電子部品の一面側が搭載される第１の基板と、
第２の配線が形成されると共に前記第１の基板に積層される第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板を電気的に接続する接続部材と、
前記第１の基板と前記第２の基板の間に前記第１の電子部品を封止するよう配設される封止樹脂とを有し、
前記第２の電子部品を、前記第２の基板の前記接続部材が接続されている面に配設し、
前記第２の基板に開口部を形成すると共に、前記第２の電子部品の一面側が該開口部と対向するよう配設した部品内蔵基板。
【請求項２】
前記第２の電子部品は、その一面側に撮像領域を有する撮像素子である請求項１記載の部品内蔵基板。
【請求項３】
前記第２の電子部品の他面側と、前記第１の電子部品の他面側とが互いに対向するよう配置した請求項１記載の部品内蔵基板。
【請求項４】
前記第２の電子部品に、該第２の電子部品の一面側を保護する透明部材を設けた請求項１乃至３のいずれか一項に記載の部品内蔵基板。
【請求項５】
前記透明部材は、前記開口部の少なくとも一部の領域に位置している請求項４記載の部品内蔵基板。
【請求項６】
前記第２の基板に、前記第２の電子部品と対向するレンズが配設されたレンズユニットを設けた請求項１乃至５のいずれか一項に記載の部品内蔵基板。
【請求項７】
第１の電子部品と、
第２の電子部品と、
第１の配線が形成されると共に前記第１の電子部品の一面側が搭載される第１の基板と、
第２の配線が形成されると共に前記第１の基板に積層される第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板を電気的に接続する接続部材と、
前記第１の基板と前記第２の基板の間に前記第１の電子部品を封止するよう配設される封止樹脂とを有し、
前記第２の基板に開口部を形成すると共に、前記第２の電子部品の一面側が該開口部と対向するよう配設し、
前記第２の電子部品が、前記第２の基板とワイヤボンディングにより接続された部品内蔵基板。
【請求項８】
前記第２の基板に、前記第２の電子部品と対向するレンズが配設されたレンズユニットを設けた請求項７記載の部品内蔵基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記の課題は、本発明の第１の観点からは、
第１の電子部品と、
第２の電子部品と、
第１の配線が形成されると共に前記第１の電子部品の一面側が搭載される第１の基板と、
第２の配線が形成されると共に前記第１の基板に積層される第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板を電気的に接続する接続部材と、
前記第１の基板と前記第２の基板の間に前記第１の電子部品を封止するよう配設される封止樹脂とを有し、
前記第２の電子部品を、前記第２の基板の前記接続部材が接続されている面に配設し、
前記第２の基板に開口部を形成すると共に、前記第２の電子部品の一面側が該開口部と対向するよう配設した部品内蔵基板により解決することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、上記発明において、前記第２の基板に、前記第２の電子部品と対向するレンズが配設されたレンズユニットを設けた構成としてもよい。
また上記の課題は、本発明の第２の観点からは、
第１の電子部品と、
第２の電子部品と、
第１の配線が形成されると共に前記第１の電子部品の一面側が搭載される第１の基板と、
第２の配線が形成されると共に前記第１の基板に積層される第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板を電気的に接続する接続部材と、
前記第１の基板と前記第２の基板の間に前記第１の電子部品を封止するよう配設される封止樹脂とを有し、
前記第２の基板に開口部を形成すると共に、前記第２の電子部品の一面側が該開口部と対向するよう配設し、
前記第２の電子部品が、前記第２の基板とワイヤボンディングにより接続された部品内蔵基板により解決することができる。
また、上記発明において、前記第２の基板に、前記第２の電子部品と対向するレンズが配設されたレンズユニットを設けた構成としてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月2日(2010.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機フィラ及び熱硬化性樹脂を含む混合物によって形成され、少なくとも一つ以上の電子部品が内蔵された内蔵層と、
前記内蔵層の少なくとも一方の面に設けられた基板と、
前記内蔵層の一方の面と他方の面の間に形成された貫通孔に、導電性樹脂が充填されて形成されたインナービアとを備え、
前記内蔵層の熱膨張係数は、
前記基板の熱膨張係数以下であり、
前記導電性樹脂の熱膨張係数以下である、部品内蔵モジュール。
【請求項２】
前記電子部品は、前記基板に実装されている半導体素子であり、
前記半導体素子と前記基板の間には、封止樹脂が設けられており、
前記内蔵層の熱膨張係数は、前記封止樹脂の熱膨張係数以下である、請求項１記載の部品内蔵モジュール。
【請求項３】
第１の基板の配線パターンに電子部品を実装する実装工程と、
無機フィラ及び未硬化状態の熱硬化性樹脂を含む混合物によって形成され、硬化後の熱膨張係数が前記第１の基板の熱膨張係数以下となる内蔵層に貫通孔を形成し、前記貫通孔に導電性樹脂を充填し、インナービアを形成するインナービア形成工程と、
前記内蔵層の一方の面に、前記電子部品を実装した面が対向するように前記第１の基板を配置し、前記内蔵層の他方の面に、前記内蔵層の前記硬化後の熱膨張係数以上の熱膨張係数を有する第２の基板を配置し、前記第１の基板、前記内蔵層及び前記第２の基板を加熱及び加圧する加熱・加圧工程とを備えた、部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項４】
基板及び離型キャリアの少なくとも一方の配線パターンに電子部品を実装する実装工程と、
無機フィラ及び未硬化状態の熱硬化性樹脂を含む混合物によって形成され、硬化後の熱膨張係数が前記基板の熱膨張係数以下となる内蔵層に貫通孔を形成し、前記貫通孔に導電性樹脂を充填し、インナービアを形成するインナービア形成工程と、
前記基板及び前記離型キャリアのうち一方を、その電子部品が実装された面と、前記内蔵層の一方の面が対向するように配置し、前記内蔵層の他方の面に、前記基板及び前記離型キャリアのうちの他方を配置し、前記基板、前記内蔵層及び前記離型キャリアを加熱及び加圧する加熱・加圧工程と、
前記離型キャリアを剥離する剥離工程とを備えた、部品内蔵モジュールの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記目的を達成するために、第１の本発明は、
無機フィラ及び熱硬化性樹脂を含む混合物によって形成され、少なくとも一つ以上の電子部品が内蔵された内蔵層と、
前記内蔵層の少なくとも一方の面に設けられた基板と、
前記内蔵層の一方の面と他方の面の間に形成された貫通孔に、導電性樹脂が充填されて形成されたインナービアとを備え、
前記内蔵層の熱膨張係数は、
前記基板の熱膨張係数以下であり、
前記導電性樹脂の熱膨張係数以下である、部品内蔵モジュールである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
又、第２の本発明は、
前記電子部品は、前記基板に実装されている半導体素子であり、
前記半導体素子と前記基板の間には、封止樹脂が設けられており、
前記内蔵層の熱膨張係数は、前記封止樹脂の熱膨張係数以下である、請求項１記載の部品内蔵モジュール。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
又、第３の本発明は、
第１の基板の配線パターンに電子部品を実装する実装工程と、
無機フィラ及び未硬化状態の熱硬化性樹脂を含む混合物によって形成され、硬化後の熱膨張係数が前記第１の基板の熱膨張係数以下となる内蔵層に貫通孔を形成し、前記貫通孔に導電性樹脂を充填し、インナービアを形成するインナービア形成工程と、
前記内蔵層の一方の面に、前記電子部品を実装した面が対向するように前記第１の基板を配置し、前記内蔵層の他方の面に、前記内蔵層の前記硬化後の熱膨張係数以上の熱膨張係数を有する第２の基板を配置し、前記第１の基板、前記内蔵層及び前記第２の基板を加熱及び加圧する加熱・加圧工程とを備えた、部品内蔵モジュールの製造方法である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
又、第４の本発明は、
基板及び離型キャリアの少なくとも一方の配線パターンに電子部品を実装する実装工程と、
無機フィラ及び未硬化状態の熱硬化性樹脂を含む混合物によって形成され、硬化後の熱膨張係数が前記基板の熱膨張係数以下となる内蔵層に貫通孔を形成し、前記貫通孔に導電性樹脂を充填し、インナービアを形成するインナービア形成工程と、
前記基板及び前記離型キャリアのうち一方を、その電子部品が実装された面と、前記内蔵層の一方の面が対向するように配置し、前記内蔵層の他方の面に、前記基板及び前記離型キャリアのうちの他方を配置し、前記基板、前記内蔵層及び前記離型キャリアを加熱及び加圧する加熱・加圧工程と、
前記離型キャリアを剥離する剥離工程とを備えた、部品内蔵モジュールの製造方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月24日(2010.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体を撮像して画像情報を生成する撮像手段と、
前記撮像手段により生成された前記画像情報を記録する記録手段と、
前記記録手段への記録直後に今回の撮像により生成された今回画像情報と直前に記録された前回画像情報とを比較して、双方の画像の一致率が所定値以上であるか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段により前記一致率が所定値以上であると判定された場合に、前記記録手段から前記前回画像情報を削除する第一の削除手段と、
前記判定手段により前記一致率が所定値以上ではないと判定された場合に、前記前回画像情報を削除するか否かを表示する表示手段と、
前記表示手段による表示に応答して削除指示を検出すると、前記前回画像情報を削除する第二の削除手段と、
を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記表示手段は更に、前記画像情報に基づいて、撮像画像を表示するとともに、
前記表示手段の表示画面に接触する接触位置を検出するタッチパネルと、
前記判定手段により前記一致率が所定値未満であると判定された場合に、前記撮像手段により今回撮像された今回撮像画像が前記表示手段に表示された後、前記タッチパネルの所定位置と対応付けられ、操作されることにより前記前回画像情報の削除を指示する削除ボタンを前記表示手段に表示させる削除ボタン表示制御手段と、を備え、
前記第二の削除手段は、前記削除ボタンの接触操作に基づいて入力された削除指示に従って、前記記録手段から前記前回画像情報を削除することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
被写体を撮像して画像情報を生成する撮像部と、前記撮像手段により生成された前記画像情報を記録する記録部と、前記画像情報を表示させる表示部とを備えた撮像装置のコンピュータを、
前記記録部への記録直後に今回の撮像により生成された今回画像情報と直前に記録された前回画像情報とを比較して、双方の画像の一致率が所定値以上であるか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段により前記一致率が所定値以上であると判定された場合に、前記記録部から前記前回画像情報を削除する第一の削除手段と、
前記判定手段により前記一致率が所定値以上ではないと判定された場合に、前記前回画像情報を削除するか否かを表示させる表示制御手段と、
前記表示制御手段による表示に応答して削除指示を検出すると、前記前回画像情報を削除する第二の削除手段、
として機能させることを特徴とするプログラム。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
請求項１に記載の発明の撮像装置は、
被写体を撮像して画像情報を生成する撮像手段と、
前記撮像手段により生成された前記画像情報を記録する記録手段と、
前記記録手段への記録直後に今回の撮像により生成された今回画像情報と直前に記録された前回画像情報とを比較して、双方の画像の一致率が所定値以上であるか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段により前記一致率が所定値以上であると判定された場合に、前記記録手段から前記前回画像情報を削除する第一の削除手段と、
前記判定手段により前記一致率が所定値以上ではないと判定された場合に、前記前回画像情報を削除するか否かを表示する表示手段と、
前記表示手段による表示に応答して削除指示を検出すると、前記前回画像情報を削除する第二の削除手段と、
を備えることを特徴としている。 
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の撮像装置において、
前記表示手段は更に、前記画像情報に基いて、撮像画像を表示するとともに、
前記表示手段の表示画面に接触する接触位置を検出するタッチパネルと、
前記判定手段により前記一致率が所定値未満であると判定された場合に、前記撮像手段により今回撮像された今回撮像画像が前記表示手段に表示された後、前記タッチパネルの所定位置と対応付けられ、操作されることにより前記前回画像情報の削除を指示する削除ボタンを前記表示手段に表示させる削除ボタン表示制御手段と、を備え、
前記第二の削除手段は、前記削除ボタンの接触操作に基づいて入力された削除指示に従って、前記記録手段から前記前回画像情報を削除することを特徴としている。 
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項３に記載の発明のプログラムは、
被写体を撮像して画像情報を生成する撮像部、前記撮像部により生成された前記画像情報を記録する記録部、撮像動作直後に今回撮像された今回撮像画像を表示する表示部を備える撮像装置のコンピュータを、
前記記録部への記録直後に今回の撮像により生成された今回画像情報と直前に記録された前回画像情報とを比較して、双方の画像の一致率が所定値以上であるか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段により前記一致率が所定値以上であると判定された場合に、前記記録部から前記前回画像情報を削除する第一の削除手段と、
前記判定手段により前記一致率が所定値以上ではないと判定された場合に、前記前回画像情報を削除するか否かを表示させる表示制御手段と、
前記表示制御手段による表示に応答して削除指示を検出すると、前記前回画像情報を削除する第二の削除手段、
として機能させることを特徴としている。 
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】