Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月15日(2010.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１支持装置と、
前記第１支持装置に固定されたウェハを洗浄する第１ブラシと、
第２支持装置と、
前記第２支持装置に支持されたウェハを洗浄する第２ブラシと
を具備し、
前記第１支持装置は、ウェハが固定された状態で回転し、
前記第２支持装置は、ウェハの周縁部に接触してウェハを回転させるローラーを備え、
前記第１支持装置は、第１軸まわりに回転し、
前記第１支持装置は、前記第１軸の方向に沿って上昇し、
前記第１支持装置が前記第２支持装置の保持するウェハを受領する機構をさらに備える
半導体製造装置。
【請求項２】
前記第２支持装置は、前記ローラーを含む第１ローラー群が取り付けられた第１ローラー台座と、第２ローラー群が取り付けられた第２ローラー台座とを備え、
前記第１ローラー群及び前記第２ローラー群に含まれる各ローラーは、前記第１軸に平行なローラー回転軸まわりに回転し、
前記第１ローラー台座及び前記第２ローラー台座は、前記第１軸に垂直な方向に沿って接近及び離隔する
請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記第１支持装置は、前記第１軸まわりに回転する第１回転体と、前記第１回転体に対して前記第１軸まわりに回転可能なように前記第１回転体に支持された第２回転体と、複数の可動支持体と、前記複数の可動支持体と前記第２回転体とを接続するリンクとを備え、
前記複数の可動支持体の各々は、前記第１回転体に対して前記第１軸に平行な可動支持体回転軸まわりに回転可能なように前記第１回転体に支持され、前記可動支持体回転軸からずれた位置に設けられウェハの周縁部に当接する当接部を備え、
前記当接部は、前記第１軸を中心軸とする円周上に配置され、
前記リンクは、前記第２回転体の前記第１回転体に対する正逆回転に対応して前記円周が縮径及び拡径するように前記複数の可動支持体を動かし、
前記第１支持装置は、前記第１軸に沿って移動する
請求項１又は２に記載の半導体製造装置。
【請求項４】
前記第２ブラシは、前記第２支持装置に支持されたウェハの前記第１支持装置を向く面を洗浄可能なブラシ本体と、前記ブラシ本体を支持するアームとを備え、
前記アームは、前記第１軸に垂直な揺動軸まわりに揺動し、
前記第１軸の方向は鉛直方向である
請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体製造装置。
【請求項５】
チャンバーと、
前記チャンバーを第１の側と第２の側とに仕切り、開閉可能なシャッターと
を具備し、
前記第１ブラシがウェハを洗浄するときは、前記第１支持装置及び前記第１ブラシが前記第１の側に位置し、
前記第２ブラシがウェハを洗浄するときは、前記第２支持装置及び前記第２ブラシが前記第２の側に位置する
請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体製造装置。
【請求項６】
半導体製造装置を用いる半導体装置の製造方法であって、
前記半導体製造装置は、
ウェハが固定された状態で回転する第１支持装置と、
前記ウェハの周縁部に接触して前記ウェハを回転させるローラーを備えた第２支持装置と
を具備し、
前記半導体装置の製造方法は、
前記第２支持装置に支持された前記ウェハを洗浄する工程と、
前記第１支持装置と前記第２支持装置とを接近させる工程と、
前記第２支持装置から前記第１支持装置に前記ウェハを受け渡す工程と
を具備する
半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１支持装置は、第１軸まわりに回転し、
前記半導体装置の製造方法は、
前記第１支持装置と前記第２支持装置とを接近させる前記工程において、前記第１支持装置と前記第２支持装置とを前記第１軸の方向に沿って接近させる
請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２支持装置は、前記ローラーを含む第１ローラー群が取り付けられた第１ローラー台座と、第２ローラー群が取り付けられた第２ローラー台座とを備え、
前記第１ローラー群及び前記第２ローラー群に含まれる各ローラーは、前記第１軸に平行なローラー回転軸まわりに回転し、
前記第２支持装置から前記第１支持装置に前記ウェハを受け渡す前記工程において、前記第１ローラー台座及び前記第２ローラー台座を前記第１軸に垂直な方向に沿って離隔して前記ウェハを解放する
請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１支持装置は、前記第１軸まわりに回転する第１回転体と、前記第１回転体に対して前記第１軸まわりに回転可能なように前記第１回転体に支持された第２回転体と、複数の可動支持体と、前記複数の可動支持体と前記第２回転体とを接続するリンクとを備え、
前記複数の可動支持体の各々は、前記第１回転体に対して前記第１軸に平行な可動支持体回転軸まわりに回転可能なように前記第１回転体に支持され、前記可動支持体回転軸からずれた位置に設けられた当接部を備え、
前記当接部は、前記第１軸を中心軸とする円周上に配置され、
前記リンクは、前記第２回転体の前記第１回転体に対する正逆回転に対応して前記円周が縮径及び拡径するように前記複数の可動支持体を動かし、
前記半導体装置の製造方法は、
前記第２回転体を前記第１回転体に対して回転させることで前記当接部を前記ウェハの周縁部に当接させて前記ウェハを前記第１支持装置に固定する工程を具備し、
前記第１支持装置と前記第２支持装置とを接近させる前記工程において、前記第１支持装置を前記第１軸の方向に沿って移動する
請求項７又は８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記半導体製造装置は、
前記第２支持装置に支持された前記ウェハの前記第１支持装置を向く面を洗浄可能なブラシ本体と、
前記ブラシ本体を支持するアームとを備え、
前記第１軸の方向は鉛直方向であり、
前記半導体装置の製造方法は、
前記アームを前記第１軸に垂直な揺動軸まわりに揺動して前記ブラシ本体及び前記アームを前記第１支持装置と前記第２支持装置に支持された前記ウェハとの間から退避させる工程を具備する
請求項７乃至９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記半導体製造装置は、
チャンバーと、
前記チャンバーを第１の側と第２の側とに仕切り、開閉可能なシャッターと
を具備し、
前記半導体装置の製造方法は、
前記第１支持装置と前記第２支持装置とを離隔させる工程と、
前記第１支持装置に固定された前記ウェハを洗浄する工程と
を具備し、
前記第２支持装置に支持された前記ウエハを洗浄する前記工程において、前記第２支持装置を前記第２の側に配置し、
前記第１支持装置に固定された前記ウェハを洗浄する前記工程において、前記第１支持装置を前記第１の側に配置する
請求項６乃至１０のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月25日(2010.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学機能層と、前記光学機能層外周を囲み、位置合わせ構造を形成された枠部と、発光素子と、を含み、前記発光素子に、前記枠部と前記光学機能層が前記位置合わせ構造によって位置合わせがされた状態で戴置されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記枠部には、前記発光素子との間に電気的接続部が形成され、更に外部電気回路と接続するための外部電気端子が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記枠部は、放熱コーティングが施されていることを特徴とする請求項１から請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記枠部は、シリコン(Si)からなると共に前記発光素子との間に電気的接続部が形成され、更に外部電気回路と接続するための外部電気端子が形成され、かつ、静電保護素子としてコンデンサまたはダイオードが形成されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
前記枠部は、遮光部を持つことを特徴とする請求項１から請求項４に記載の発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月24日(2010.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）記憶手段と、
（Ｂ）球状の操作子と、前記操作子を回転自在に支持する支持手段と、前記支持手段により支持されつつ回転する前記操作子の回転量および回転方向を検出し、その検出結果を示す回転量データを出力するセンサと、前記操作子の回転方向および回転量を示す回転制御データを外部から与えられた場合に、その回転制御データにしたがって前記操作子を回転させる駆動手段とを有するトラックボールユニット、をマトリクス状に複数配列してなる入出力手段と、
（Ｃ）記録モードと再生モードの２つの作動モードの何れか一方で作動し、前記記録モードにおいては、前記入出力手段を構成する各トラックボールユニットのセンサから出力される回転量データをそのトラックボールユニット毎に前記記憶手段へ書き込む一方、前記再生モードにおいては、トラックボール毎に前記記憶手段に記憶されている回転量データを順次読み出し前記回転制御データとして該当するトラックボールユニットの駆動手段へ与える制御手段と、
（Ｄ）前記制御手段の作動モードを切り替えるスイッチと
を有することを特徴とする記録再生装置。
【請求項２】
前記制御手段による制御下で音声信号を出力する音声出力手段を有し、
前記各トラックボールユニットには、各々異なる音声が予め対応付けられており、
前記制御手段は、前記再生モードにおいて前記記憶手段から読み出した回転量データを前記回転制御データとして該当するトラックボールユニットの駆動手段へ与える際に、そのトラックボールユニットに対応する音声を示す音声信号を出力するよう前記音声出力手段を制御する
ことを特徴とする請求項１に記載の記録再生装置。
【請求項３】
前記各トラックボールユニットの操作子の回転方向には、そのトラックボールユニットに対応する音声に付与する音響効果の種類が対応付けられているとともに、その回転量にはその音響効果を付与する度合いが対応付けられており、
前記制御手段は、前記再生モードにおいて前記各トラックボールユニットに対応する音声の音声信号を出力するよう前記音声出力手段を制御する際に、そのトラックボールユニットのセンサから回転量データを受け取った場合には、その回転量データの示す種類の音響効果をその回転量データの示す度合いでその音声に付与するよう前記音声出力手段を制御する
ことを特徴とする請求項２に記載の記録再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月4日(2010.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オブジェクトをレイアウトするためのレイアウトルールが記述された構造化文書から前記レイアウトルールをレイアウト可能な所定の処理単位ずつ順次取得する取得手段と、
前記取得手段において順次取得された前記所定の処理単位のレイアウトルールに基づいて矩形情報を順次生成する矩形情報生成手段と、
前記矩形情報生成手段において順次生成された前記所定の処理単位のレイアウトルールに基づいた矩形情報をレイアウト領域内に配置可能か否かを順次判定する判定手段と、
前記判定手段において前記レイアウト領域内に配置可能であると判定された矩形情報を順次蓄積する蓄積手段と、
前記判定手段において前記矩形情報をレイアウト領域内に配置不可能と判定された場合、前記蓄積手段において蓄積された矩形情報に基づいて前記レイアウト領域内に配置可能なオブジェクトをレイアウトしたレイアウト情報を生成するレイアウト情報生成手段と、
を有する情報処理装置。
【請求項２】
情報処理装置が実行する情報処理方法であって、
オブジェクトをレイアウトするためのレイアウトルールが記述された構造化文書から前記レイアウトルールをレイアウト可能な所定の処理単位ずつ順次取得する取得ステップと、
前記取得ステップにおいて順次取得された前記所定の処理単位のレイアウトルールに基づいて矩形情報を順次生成する矩形情報生成ステップと、
前記矩形情報生成ステップにおいて順次生成された前記所定の処理単位のレイアウトルールに基づいた矩形情報をレイアウト領域内に配置可能か否かを順次判定する判定ステップと、
前記判定ステップにおいて前記レイアウト領域内に配置可能であると判定された矩形情報を順次蓄積する蓄積ステップと、
前記判定ステップにおいて前記矩形情報をレイアウト領域内に配置不可能と判定された場合、前記蓄積ステップにおいて蓄積された矩形情報に基づいて前記レイアウト領域内に配置可能なオブジェクトをレイアウトしたレイアウト情報を生成するレイアウト情報生成ステップと、
を有する情報処理方法。
【請求項３】
コンピュータを、
オブジェクトをレイアウトするためのレイアウトルールが記述された構造化文書から前記レイアウトルールをレイアウト可能な所定の処理単位ずつ順次取得する取得手段と、
前記取得手段において順次取得された前記所定の処理単位のレイアウトルールに基づいて矩形情報を順次生成する矩形情報生成手段と、
前記矩形情報生成手段において順次生成された前記所定の処理単位のレイアウトルールに基づいた矩形情報をレイアウト領域内に配置可能か否かを順次判定する判定手段と、
前記判定手段において前記レイアウト領域内に配置可能であると判定された矩形情報を順次蓄積する蓄積手段と、
前記判定手段において前記矩形情報をレイアウト領域内に配置不可能と判定された場合、前記蓄積手段において蓄積された矩形情報に基づいて前記レイアウト領域内に配置可能なオブジェクトをレイアウトしたレイアウト情報を生成するレイアウト情報生成手段と、
して機能させるプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
そこで、本発明の情報処理装置は、オブジェクトをレイアウトするためのレイアウトルールが記述された構造化文書から前記レイアウトルールをレイアウト可能な所定の処理単位ずつ順次取得する取得手段と、前記取得手段において順次取得された前記所定の処理単位のレイアウトルールに基づいて矩形情報を順次生成する矩形情報生成手段と、前記矩形情報生成手段において順次生成された前記所定の処理単位のレイアウトルールに基づいた矩形情報をレイアウト領域内に配置可能か否かを順次判定する判定手段と、前記判定手段において前記レイアウト領域内に配置可能であると判定された矩形情報を順次蓄積する蓄積手段と、前記判定手段において前記矩形情報をレイアウト領域内に配置不可能と判定された場合、前記蓄積手段において蓄積された矩形情報に基づいて前記レイアウト領域内に配置可能なオブジェクトをレイアウトしたレイアウト情報を生成するレイアウト情報生成手段と、を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
係る構成とすることにより、レイアウトルールを処理可能な処理単位まで読み込み、逐次処理することができる。より具体的には、矩形情報をレイアウト領域内のレイアウト領域にレイアウトすることができない場合は、次のレイアウト領域にレイアウトすることができる。よって、全てのレイアウトルールをメモリ上に展開せずに、レイアウト処理を行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月21日(2010.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報を１または複数の配信先に配信するようにした情報配信システムにおいて、
対象から遠隔的に情報の取得が可能な、所定のエリアに複数が配置された情報取得部と、
上記情報取得部で取得された上記情報を解析して所定の特徴を示す情報を抽出する情報解析部と、
上記情報解析部で抽出された上記所定の特徴を示す情報に関連付けられた関連情報を検索する検索部と、
少なくとも、上記検索部で検索された上記関連情報に対応する配信先に、上記情報取得部で取得された上記情報のうち上記関連情報に対応する情報を配信する配信部と
を有する
ことを特徴とする情報配信システム。
【請求項２】
請求項１に記載の情報配信システムにおいて、
個別情報を該個別情報を識別する識別情報に対応付けて管理する個別情報管理部をさらに有し、
上記所定の特徴を示す情報は、上記個別情報管理部に管理される上記個別情報に対応する情報である
ことを特徴とする情報配信システム。
【請求項３】
請求項２に記載の情報配信システムにおいて、
上記個別情報と他の個別情報とを上記識別情報に基づき関連付けて管理する関連情報管理部をさらに有し、
上記関連情報は、上記関連情報管理部に管理される上記個別情報および上記他の個別情報である
ことを特徴とする情報配信システム。
【請求項４】
請求項２に記載の情報配信システムにおいて、
上記個別情報が示す実体の特徴を表す特徴情報を該個別情報に対応する上記識別情報に関連付けて管理する特徴情報管理部をさらに有し、
上記情報解析部は、上記所定の特徴を示す情報として、上記情報取得部で取得された上記情報から上記特徴情報に対応する情報を抽出する
ことを特徴とする情報配信システム。
【請求項５】
請求項２に記載の情報配信システムにおいて、
上記情報取得部に対応して配置される、上記識別情報が記憶される携帯可能な記憶媒体からデータを読み出すデータ読出部をさらに有し、
上記データ読出部は、上記記憶媒体から読み出された上記識別情報と、該記憶媒体からデータの読み出しを行った時刻を示す時刻情報と、該データ読出部を識別するためのデータ読出部識別情報とを出力する
ことを特徴とする情報配信システム。
【請求項６】
請求項２に記載の情報配信システムにおいて、
上記情報取得部に対応して配置される、データの書き込みが可能な記憶媒体に対してデータを書き込むデータ書込部と、
上記記憶媒体からデータを読み出すデータ読出部と
をさらに有し、
上記データ書込部は、データを書き込む時刻を示す時刻情報と、該データ書込部を識別するためのデータ書込部識別情報とを上記記憶媒体に対して蓄積的に書き込む
ことを特徴とする情報配信システム。
【請求項７】
請求項６に記載の情報配信システムにおいて、
上記データ読出部により上記記憶媒体から読み出された上記時刻情報と上記データ書込部識別情報とに基づき、上記情報取得部で取得された上記情報のうち処理対象とする情報を特定する
ことを特徴とする情報配信システム。
【請求項８】
請求項１に記載の情報配信システムにおいて、
上記配信部は、上記情報取得部で取得された上記情報のうち、上記情報解析部で上記所定の特徴を示す情報が抽出された上記情報を配信する
ことを特徴とする情報配信システム。
【請求項９】
請求項１に記載の情報配信システムにおいて、
上記配信部は、上記情報取得部で取得された上記情報のうち、上記情報解析部で上記関連情報に対応する上記所定の特徴を示す情報が抽出された上記情報を配信する
ことを特徴とする情報配信システム。
【請求項１０】
請求項１に記載の情報配信システムにおいて、
上記配信部は、上記情報取得部で取得された複数の上記情報を一纏めにパッケージングして上記配信を行う
ことを特徴とする情報配信システム。
【請求項１１】
請求項１に記載の情報配信システムにおいて、
上記配信部は、上記所定の特徴を示す情報をインターネットに向けて公開することで上記配信を行う
ことを特徴とする情報配信システム。
【請求項１２】
請求項１１に記載の情報配信システムにおいて、
上記配信部は、上記インターネット上のＷｅｂサイトを介して上記配信を行う
ことを特徴とする情報配信システム。
【請求項１３】
請求項１に記載の情報配信システムにおいて、
上記情報取得部で取得される上記情報は、画像情報である
ことを特徴とする情報配信システム。
【請求項１４】
請求項１３に記載の情報配信システムにおいて、
上記情報解析部は、上記画像情報を解析して顔を検出し、検出された顔の特徴を示す情報を抽出する
ことを特徴とする情報配信システム。
【請求項１５】
請求項１４に記載の情報配信システムにおいて、
ユーザ情報を該ユーザを識別するユーザＩＤに対応付けて管理するユーザ情報管理部と、
上記ユーザの顔の特徴を示す顔特徴情報を該ユーザに対応する上記ユーザＩＤに関連付けて管理する顔特徴情報管理部と
をさらに有する
ことを特徴とする情報配信システム。
【請求項１６】
請求項１５に記載の情報配信システムにおいて、
上記情報解析部により上記画像情報から抽出された、上記検出された顔の特徴を示す情報と、上記顔特徴情報管理部に管理される上記顔特徴情報とを比較する特徴情報比較部をさらに有し、
上記特徴情報比較部による比較結果に基づき、上記情報取得部に取得された上記画像情報に上記ユーザ情報管理部に管理される上記ユーザに対応する情報が含まれているか否かを判断する
ことを特徴とする情報配信システム。
【請求項１７】
請求項１３に記載の情報配信システムにおいて、
上記画像は、静止画像である
ことを特徴とする情報配信システム。
【請求項１８】
請求項１３に記載の情報配信システムにおいて、
上記画像は、動画像データである
ことを特徴とする情報配信システム。
【請求項１９】
情報を１または複数の配信先に配信するようにした情報配信装置において、
対象から遠隔的に情報の取得が可能な、所定のエリアに複数が配置された情報取得部で取得された上記情報を解析して、所定の特徴を示す情報を抽出する情報解析部と、
上記情報解析部で抽出された上記所定の特徴を示す情報に関連付けられた関連情報を検索する検索部と、
少なくとも、上記検索部で検索された上記関連情報に対応する配信先に、上記情報取得部で取得された上記情報のうち上記関連情報に対応する情報を配信する配信部と
を有する
ことを特徴とする情報配信装置。
【請求項２０】
情報を１または複数の配信先に配信するようにした情報配信方法において、
所定のエリアに複数が配置された、対象から遠隔的に情報の取得が可能な情報取得部により情報を取得する情報取得のステップと、
上記情報取得のステップにより取得された上記情報を解析して所定の特徴を示す情報を抽出する情報解析のステップと、
上記情報解析のステップにより抽出された上記所定の特徴を示す情報に関連付けられた関連情報を検索する検索のステップと、
少なくとも、上記検索のステップにより検索された上記関連情報に対応する配信先に、上記情報取得のステップにより取得された上記情報のうち上記関連情報に対応する情報を配信する配信のステップと
を有する
ことを特徴とする情報配信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月12日(2009.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子メールを受信する機能と、前記電子メールに含まれるデータを第１のデータ形式および第２のデータ形式に変換する機能と、変換後のデータを送信する機能とを備えるデータ変換装置から、前記第１のデータ形式および前記第２のデータ形式に変換された各ファイルを受信する携帯通信端末であって、
前記データ変換装置から、前記第１のデータ形式のデータあるいは前記第２のデータ形式のファイルを１つ以上受信する受信手段と、
前記受信手段によって受信されたファイルのうち１つ以上のファイルを選択する選択手段と、
いずれのファイルが選択されたかを、前記データ変換装置に通知する通知手段と、
前記データ変換装置の要求に基づいて、前記携帯通信端末の属性であってデータ通信のための属性を前記データ変換装置に通知する属性通知手段と、
前記データ変換装置に対して通知された属性に応じて変換されたデータに基づく画像を表示する表示手段とを備える、携帯通信端末。
【請求項２】
前記属性通知手段は、前記データ変換装置から前記携帯通信端末に対するデータ送信可能量を前記データ変換装置に通知するように構成されている、請求項１に記載の携帯通信端末。
【請求項３】
データ変換装置であって、
電子メールを受信するための受信手段と、
前記電子メールに含まれるデータを第１のデータ形式および第２のデータ形式に変換するための変換手段と、
通信端末と通信するための通信手段と、
前記通信端末の属性であってデータ通信のための属性を前記通信端末に問い合わせる問合手段とを備え、
前記変換手段は、前記通信端末から送られた前記属性に基づいて、前記電子メールに含まれるデータから、前記第１のデータ形式のデータおよび前記第２のデータ形式のデータを生成し、
前記通信手段は、前記属性に基づく変換によって生成された前記第１のデータ形式のデータおよび前記第２のデータ形式のデータを前記通信端末に送信する、データ変換装置。
【請求項４】
前記問合手段は、前記データ変換装置から前記通信端末に対するデータ送信可能量を、前記通信端末に問い合わせるように構成されている、請求項３に記載のデータ変換装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】携帯通信端末およびデータ変換装置
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月2日(2010.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも３つの情報記録面を備えた記録媒体に対して、情報の記録および再生の少なくとも一方を行う光学ヘッドであって、
レーザ光を放射する光源と、
前記記録媒体に対し、前記レーザ光を前記情報記録面のいずれかに収束させる対物レンズと、
前記記録媒体の情報記録面で反射された前記レーザ光を集光させる集光レンズと、
前記記録媒体の情報記録面で反射された前記レーザ光を回折させ、少なくとも０次光と１次光とに分割する光束分割素子と、
前記集光レンズによって集光され、前記光束分割素子で回折された前記レーザ光を受光する光検出部と、
を備え、
前記光束分割素子は、透過部と、前記透過部よりも前記レーザ光の透過率が小さい遮光部とを有し、前記記録媒体の情報記録面で反射された前記レーザ光の光束のうち光軸を含む部分が前記遮光部を通るように配置されている、光学ヘッド。
【請求項２】
前記遮光部における前記レーザ光の透過率は、１０％以下である、請求項１に記載の光学ヘッド。
【請求項３】
少なくとも３つの情報記録面を備えた記録媒体に対して、情報の記録および再生の少なくとも一方を行う光学ヘッドであって、
レーザ光を放射する光源と、
前記記録媒体に対し、前記レーザ光を前記情報記録面のいずれかに収束させる対物レンズと、
前記記録媒体の情報記録面で反射された前記レーザ光を集光させる集光レンズと、
前記記録媒体の情報記録面で反射された前記レーザ光を回折させ、少なくとも０次光と１次光とに分割する光束分割素子と、
前記集光レンズによって集光され、前記光束分割素子で回折された前記レーザ光を受光する光検出部と、
を備え、
前記光束分割素子は、透過部と、前記透過部よりも前記０次光の回折効率が小さい遮光部とを有し、前記記録媒体の情報記録面で反射された前記レーザ光の光束のうち光軸を含む部分が前記遮光部を通るように配置されている、光学ヘッド。
【請求項４】
前記遮光部における前記０次光の回折効率は、１０％以下である、請求項３に記載の光学ヘッド。
【請求項５】
前記光束分割素子は、複数の回折領域を有し、前記記録媒体の情報記録面で反射された前記レーザ光を前記複数の領域で回折させる、請求項１から４のいずれかに記載の光学ヘッド。
【請求項６】
前記光検出部は、前記光束分割素子によって回折された前記レーザ光を受光して、トラッキング誤差信号を検出する、請求項５に記載の光学ヘッド。
【請求項７】
前記光束分割素子は、７つの回折領域を有し、前記記録媒体の情報記録面で反射された前記レーザ光を前記７つの回折領域で回折させ、
前記光検出部は、前記７つの回折領域のうち、少なくとも６つの回折領域で回折された前記レーザ光を受光して、トラッキング誤差信号を検出する、請求項１から４のいずれかに記載の光学ヘッド。
【請求項８】
前記複数の回折領域のうち、前記記録媒体の情報記録面で反射された前記レーザ光の光軸を含む部分が通る領域を非使用領域とするとき、前記遮光部の面積は前記非使用領域の面積より小さく、
前記遮光部は、前記非使用領域内に形成され、
前記光検出部は、前記非使用回折領域で回折された前記レーザ光を使用せずに前記トラッキング誤差信号を検出する、請求項６または請求項７に記載の光学ヘッド。
【請求項９】
前記遮光部の形状は円形状である、請求項１から８のいずれかに記載の光学ヘッド。
【請求項１０】
前記遮光部の直径Ｄ２は、前記記録媒体の情報記録面で反射されたレーザ光の前記光束分割素子上における光束の直径Ｄ１の２０％未満である、請求項９に記載の光学ヘッド。
【請求項１１】
前記遮光部は、前記レーザ光の透過率が１０％以下の蒸着膜によって形成される、請求項２に記載の光学ヘッド。
【請求項１２】
前記蒸着膜は、誘電体膜である、請求項１１に記載の光学ヘッド。
【請求項１３】
前記光束分割素子は、前記遮光部によって前記レーザ光の±１次光の少なくとも一部を遮ることより、前記±１次光を前記光検出部に入射させないように構成されている、請求項３に記載の光学ヘッド。
【請求項１４】
少なくとも３つの情報記録面を備えた記録媒体に対して、情報の記録および再生の少なくとも一方を行う光学ヘッドに用いられる光束分割素子であって、
前記記録媒体の情報記録面で反射されたレーザ光を回折させ、少なくとも０次光と１次光とに分割し、
透過部と、前記透過部よりも前記レーザ光の透過率が小さい遮光部とを有し、
前記記録媒体の情報記録面で反射された前記レーザ光の光束のうち光軸を含む部分が前記遮光部を通るように配置される、光束分割素子。
【請求項１５】
少なくとも３つの情報記録面を備えた記録媒体に対して、情報の記録および再生の少なくとも一方を行う光学ヘッドに用いられる光束分割素子であって、
前記記録媒体の情報記録面で反射されたレーザ光を回折させ、少なくとも０次光と１次光とに分割し、
透過部と、前記透過部よりも前記０次光の回折効率が小さい遮光部とを有し、
前記記録媒体の情報記録面で反射された前記レーザ光の光束のうち光軸を含む部分が前記遮光部を通るように配置される、光束分割素子。
【請求項１６】
複数の回折領域を有し、前記記録媒体の情報記録面で反射された前記レーザ光を前記複数の領域で回折させる、請求項１４または請求項１５に記載の光束分割素子。
【請求項１７】
前記遮光部の形状は、円形状である、請求項１４から請求項１６のいずれかに記載の光束分割素子。
【請求項１８】
前記遮光部の直径Ｄ２は、前記記録媒体の情報記録面で反射されたレーザ光の前記光束分割素子上における光束の直径Ｄ１の２０％未満である、請求項１７に記載の光束分割素子。
【請求項１９】
前記遮光部は、誘電体膜によって形成されている、請求項１４に記載の光束分割素子。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月20日(2010.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
次に、透明電極２を形成した積層体を抵抗加熱蒸着装置内に移し、正孔輸送層、有機発光層、および電子注入輸送層を、真空を破らずに順次形成した。これらの層の形成に際して、抵抗加熱蒸着装置の真空槽内圧を１×１０−４Ｐａまで減圧した。正孔輸送層として、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）を５０ｎｍ形成した。有機発光層として、ＤＰＶＢｉ（４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ビフェニル）：ＤＣＪＴＢ（０．５％）を３０ｎｍ形成した。電子注入輸送層として、Ａｌｑ３（トリス８−キノリノラトアルミニウム錯体）を２０ｎｍ形成した。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月1日(2009.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、一対の電極の間に挟持された有機機能層を有する発光素子と、
この発光素子が複数配列されてなる画素領域と、
この画素領域を区画するバンクとを備える有機エレクトロルミネッセンス装置において、
前記バンクと前記画素領域との間に溝部が形成されていることを特徴とする有機エレク
トロルミネッセンス装置。
【請求項２】
前記溝部内に有機機能層の一部が配置されていることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
前記溝部は前記画素領域の長手方向の周縁に沿って形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
前記溝部は前記画素領域の長手方向の両端部に形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
前記溝部は前記バンクの内壁に沿って形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
基板上に、一対の電極の間に挟持された有機機能層を有する発光素子と、
この発光素子が複数配列されてなる画素領域と、
この画素領域を区画するバンクとを備える有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記画素領域を形成する工程は、基板上に第１の電極を形成する工程と、
前記画素領域の形成領域を取り囲む前記バンクを形成する工程と、
前記画素領域の形成領域と前記バンクとの間に溝部を形成する工程と、
前記画素領域上に前記有機機能層を形成する工程とを有し、
前記有機機能層の形成工程では、前記有機機能層の形成材料を液相プロセスにて前記溝部に充填しつつ形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置製造方法に関するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月30日(2010.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理液によって処理する処理装置であって、
ナノバブルを発生させ、そのナノバブルを上記処理液に混合させるナノバブル発生手段
を備え、
上記ナノバブル発生手段は、
内部に剪断室が形成された気体剪断器と、
上記気体剪断器の軸方向の一端部に設けられ上記気体を上記剪断室に旋回させて供給する気体供給部と、
上記気体剪断器の一端部の外周面に設けられ上記処理液を上記剪断室に旋回させて供給し、上記気体との旋回速度の差によって上記気体から上記ナノバブルを発生させる液体供給部と
によって構成されていることを特徴とする基板の処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月11日(2009.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
そこで、一般的なディップ対策としてシールドを施す手法が考えられる。フレキシブル基板を用いたものにおけるノイズ対策として、フレキシブル基板にシールドを施す手法は多用されており、特許文献１にはフレキシブル基板の全面にシールドを設けた技術が記載されている。実際に、光送信モジュールにおいてフレキシブル基板を導体でシールドすると、図１（ｂ）に示したように周波数特性は大きく改善される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明の実施例３を図８を用いて説明する。ここで、図８はフレキシブルプリント基板の断面図である。
実施例３では、フレキシブル基板１０３ＣにおけるＸ寸法とＹ寸法の関係は、実施例２と同様にＸ＞Ｙである。ただし、実施例３では図８に示すようにグランド導体パタン１０６を２つに分け、信号パタン１０４から離す構造にしている。こうすることで、グランド導体パタン１０６からの特性インピーダンスへの影響が小さくなり、Ｙ寸法を実施例２よりも更に小さくすることが可能になる。この結果、より良好なシールド効果を得ることができる。また、グランド導体パタン１０５、１０６と、被覆導体層１０７、１０８とを、ＶＩＡ等を利用して導通させても良い。
〔図面の簡単な説明〕
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2008198931.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月22日(2010.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
エッチング液供給手段３６は、酸エッチング液をノズル３７に供給するものである。エッチング液供給手段３６は、酸をあらかじめ所定の混合比に混合して酸エッチング液を調製した後にノズル３７に供給しても良いし、別々にノズル３７に供給してノズル３７付近でそれぞれが混合するようにしても良い。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
ノズル３７の水平移動は概ね０．１〜２０ｍｍ／秒の速度で、ガイド端部を支点とし、旋回するガイド上をウェーハ中心からウェーハ周辺まで水平駆動によって移動するか、又はウェーハ中心からウェーハの半径方向に往復動することにより行われる。ウェーハ２１の他方の面上に供給されたエッチング液は、ウェーハ回転の遠心力によりウェーハ中心側からウェーハ外周縁側へとウェーハの他方の面の加工変質層をエッチングしながら徐々に移動し、ウェーハの外周縁から液滴となって飛散する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月3日(2010.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板の位相差板が内蔵された主面と第２基板との間に液晶層を封止する半透過型の液晶表示装置の製造方法であって、
前記第１基板の主面に前記位相差板の下地層となる光硬化性樹脂組成物を塗布する第１ステップと、
マスク露光による前記光硬化性樹脂組成物の塗膜の部分的な硬化処理と、該硬化処理後に残された該塗膜の未硬化部分を取り除く現像処理により、塗布した前記光硬化性樹脂組成物の前記位相差板が配される部分に、選択的に、凹凸を形成する第２ステップと、
前記光硬化性樹脂組成物の硬化された塗膜に前記位相差板の材料を塗布して、該硬化された塗膜の前記凹凸を形成した部分の配向規制力により、位相差板を形成する第３ステップとをこの順に行うことを特徴とする半透過型の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
複数の画素に対応するカラーフィルタが主面に形成されたカラーフィルタ基板を備え、該画素に対応する該カラーフィルタの各々は反射表示部と透過表示部とからなり、該カラーフィルタ基板の該反射表示部には位相差板が内蔵された半透過型の液晶表示装置の製造方法であって、
前記カラーフィルタ基板の前記主面に前記カラーフィルタとして夫々形成された着色レジスト層の上面に、その平坦化層として光硬化性樹脂組成物を塗布する平坦化層塗布ステップと、
前記光硬化性樹脂組成物を部分的に露光し硬化させる平坦化層硬化ステップと、
前記光硬化性樹脂組成物の未硬化部分を取り除く現像ステップと、
前記光硬化性樹脂組成物の層に前記位相差板の材料を塗布するステップと、
塗布した前記位相差板の材料を加熱する加熱ステップと、
前記位相差板材料を露光し硬化させる位相差板硬化ステップと
をこの順に行い、
前記平坦化層硬化ステップでは、
前記光硬化性樹脂組成物の前記位相差板が配される部分において、露光部分と非露光部分とが交互に並ぶようにマスク露光を行うことを特徴とする半透過型の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記加熱ステップは、
前記位相差板の材料の融点より高く、かつ前記位相差板の材料のネマチック・等方相転移温度より低い温度で加熱することを特徴とする請求項２に記載の半透過型の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
主面にカラーフィルタが形成された第１基板、該主面に対向し且つ該第１基板に貼り合わされた第２基板、及び該第１基板と該第２基板との間に封入された液晶層を備え、
前記カラーフィルタの画素毎に対応する領域の各々は、反射表示部と透過表示部とを有する半透過型の液晶表示装置であって、
前記第１基板の主面には、前記カラーフィルタ、第１樹脂層、及び第２樹脂層がこの順に積層され、
前記第２樹脂層は前記第１樹脂層に接し、且つ該第１樹脂層及び該第２樹脂層の各々は前記画素に対応する領域毎に前記反射表示部から前記透過表示部に亘り延在し、
前記第２樹脂層は、前記反射表示部において位相差性を備え、
前記第２樹脂層の位相差性を備えた部分に接する前記第１樹脂層の部分には、前記第２樹脂層を成す分子を配向するための構造が形成されていることを特徴とする半透過型の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第２の樹脂層は、前記透過表示部においては位相差性を備えていないことを特徴とする請求項４に記載の半透過型の液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月7日(2010.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カンチレバー上に突出して形成され、前記カンチレバーの長手方向（第２方向）に対して直交する第１方向に延びる突出部と、
前記突出部に離隔して形成されている第１および第２電極領域と、
前記突出部上に形成され、前記第１および第２電極領域の間に位置する凸状の抵抗性チップと、
を備え、
前記カンチレバーは、第１不純物でドーピングされており、
前記第１および第２電極領域と前記抵抗性チップとは、前記第１不純物とは極性の異なる第２不純物とから形成され、
前記抵抗性チップは、前記第１および第２電極領域よりも低い濃度でドーピングされていることを特徴とする凸状の抵抗性チップを備えた半導体探針。
【請求項２】
前記抵抗性チップは、一辺の長さが１００ｎｍ以下の四角柱であることを特徴とする請求項１に記載の半導体探針。
【請求項３】
前記抵抗性チップの底面の一辺の長さは、１４〜５０ｎｍであることを特徴とする請求項２に記載の半導体探針。
【請求項４】
前記抵抗性チップの前記第２方向に垂直な面には、第１スペーサがさらに形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体探針。
【請求項５】
前記第１スペーサは、絶縁物質から形成されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体探針。
【請求項６】
前記抵抗性チップの前記第１方向に垂直な面には、第２スペーサがさらに形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体探針。
【請求項７】
前記第２スペーサは、絶縁物質または金属物質から形成されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体探針。
【請求項８】
第１不純物がドーピングされた基板の上面の第２方向にストライプ状の第１マスク膜を形成する第１段階と、
前記第１マスク膜の上方から前記基板をエッチングして、前記ストライプ状の凸部を形成する第２段階と、
前記エッチングにより露出された前記基板の領域に前記第１不純物とは異なる極性の第２不純物をドーピングして、第１および第２半導体電極領域を形成し、前記凸部を抵抗領域とする第３段階と、
前記基板上に前記第２方向に対して直交する第１方向にストライプ状の感光剤層を形成する第４段階と、
前記感光剤層を第２マスク膜として前記第１および第２半導体電極領域を除去して、前記基板上に所定高さの突出部を形成し、前記突出部上に凸状の抵抗性チップを形成する第５段階と、
前記基板の下面をエッチングして、前記抵抗性チップが末端部に位置するようにカンチレバーを形成する第６段階と、
を含むことを特徴とする凸状の抵抗性チップを備えた半導体探針の製造方法。
【請求項９】
前記第３段階は、
前記電極領域の間の前記凸部に第２不純物が前記第１及び第２半導体領域より低濃度でドーピングされるようにすることを含むことを特徴とする請求項８に記載の半導体探針の製造方法。
【請求項１０】
前記第３段階は、
前記基板にイオン注入するエネルギーが１０ｋｅＶ以下であることを特徴とする請求項８または請求項９に記載の半導体探針の製造方法。
【請求項１１】
前記第３段階は、
前記基板を急速熱処理（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ：ＲＴＡ）する段階を含むことを特徴とする請求項８〜１０のいずれか一項に記載の半導体探針の製造方法。
【請求項１２】
前記第１および第２マスク膜の幅は、１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項８〜１１のいずれか一項に記載の半導体探針の製造方法。
【請求項１３】
前記第５段階は、
前記感光剤層を第２マスク膜として露出された前記凸部を除去して、前記凸状の抵抗性チップを形成する段階と、
前記基板および前記第２マスク膜上に絶縁物質層を蒸着する段階と、
前記基板の上方から異方性エッチング工程で前記絶縁物質層を除去して、前記抵抗性チップの前記第２方向に垂直な面に第１スペーサを形成する段階と、
前記基板を所定深さにエッチングして前記第１および第２半導体電極領域を除去して、前記突出部を形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項８〜１２のいずれか一項に記載の半導体探針の製造方法。
【請求項１４】
前記第２段階は、前記凸部の前記第１方向に垂直な面に第２スペーサを形成する段階をさらに含み、
前記第３段階は、前記第１マスク膜および前記第２スペーサに露出された前記基板の領域に前記第１不純物とは異なる極性の第２不純物を高濃度でドーピングして、第１および第２半導体電極領域を形成し、前記凸部を抵抗領域に形成する段階であることを特徴とする請求項８〜１３のいずれか一項に記載の半導体探針の製造方法。
【請求項１５】
前記第２スペーサを形成する段階は、
前記第１マスク膜および前記基板上に絶縁物質または金属物質を蒸着する段階と、
前記基板上部から異方性エッチング工程で前記第１マスク膜および前記基板表面を露出する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１４に記載の半導体探針の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月13日(2010.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プローブを有する走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）を用いてサンプルを走査する方法であって、
前記サンプルの表面を走査して前記表面に対応するデータを取得するステップであって、前記走査ステップが少なくとも一つの走査パラメータによって特徴付けられる、走査ステップと、
前記走査ステップ中に、走査線に沿った前記表面における変移部を略自動的に識別するステップと、
識別された変位部に基づいて走査線に沿った走査ステップを停止するステップと、
走査線に沿った走査ステップを継続して前記サンプルの表面を撮像する前に、前記識別された変移部に関連する走査線に沿った前記サンプルの領域を再走査するステップと、
前記走査ステップから取得したデータの少なくとも一部分を前記再走査ステップから取得したデータで修正するステップとを備える方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記修正ステップはノッチングを略排除するように前記データを置換すること、及び前記データを増大させることのうちの少なくとも一つを含む、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、前記少なくとも一部分は前記識別された変移部の場所に対応する、方法。
【請求項４】
プローブを有する走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）を用いてサンプルを走査する方法であって、
前記サンプルの表面を走査して前記表面に対応するデータを取得するステップであって、前記走査ステップが少なくとも一つの走査パラメータによって特徴付けられる、走査ステップと、
前記走査ステップ中に、走査線に沿った前記表面における変移部を略自動的に識別するステップと、
識別された変位部に基づいて走査線に沿った走査ステップを停止するステップと、
走査線に沿った走査ステップを継続して前記サンプルの表面を撮像する前に、前記識別された変移部に関連する走査線に沿った前記サンプルの領域を再走査するステップと、
前記走査ステップから取得したデータの少なくとも一部分を前記再走査ステップから取得したデータで修正するステップとを備え、前記変移部は前記サンプルの平坦部から側壁への領域に対応する、方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法において、前記平坦部から側壁への領域は半導体構造によって形成される、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法において、前記識別ステップは前記走査ステップ中に実施される、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法において、前記識別ステップは前記データを用いて前記サンプル表面の傾きを計算することを含む、方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法において、前記傾きは前記走査ステップ中に計算される、方法。
【請求項９】
請求項７に記載の方法において、前記識別ステップは前記傾きの変化を決定することを含む、方法。
【請求項１０】
プローブを有する走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）を用いてサンプルを走査する方法であって、
前記サンプルの表面を走査して前記表面に対応するデータを取得するステップであって、前記走査ステップが少なくとも一つの走査パラメータによって特徴付けられる、走査ステップと、
前記走査ステップ中に、走査線に沿った前記表面における変移部を略自動的に識別するステップと、
識別された変位部に基づいて走査線に沿った走査ステップを停止するステップと、
走査線に沿った走査ステップを継続して前記サンプルの表面を撮像する前に、前記識別された変移部に関連する走査線に沿った前記サンプルの領域を再走査するステップと、
前記走査ステップから取得したデータの少なくとも一部分を前記再走査ステップから取得したデータで修正するステップとを備え、
前記再走査するステップは、前記少なくとも一つの走査パラメータを変更することを含み、
前記少なくとも一つの走査パラメータは走査速度を含み、前記変更ステップは前記走査速度を低下させることを含む、方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法において、前記変移部は側壁によって形成され、前記再走査ステップは選択された量だけ前記プローブを前記側壁から離間することを含む、方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法において、前記選択された量は約１０ｎｍ未満である、方法。
【請求項１３】
請求項１に記載の方法において、前記少なくとも一つの走査パラメータは前記走査ステップの速度および前記走査ステップの方向のうちの少なくとも一つである、方法。
【請求項１４】
請求項４に記載の方法において、前記少なくとも一つの走査パラメータはＣＤモードにおけるＡＦＭ動作に対応する、方法。
【請求項１５】
請求項４に記載の方法において、少なくとも約１００ｎｍ／秒のＳＰＭ走査速度で半導体を走査する、方法。
【請求項１６】
走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）であって、
前記ＳＰＭのプローブとサンプルとの間に相対運動を生じさせるスキャナであって、前記プローブは、走査線に沿った変位部において前記サンプルと相互作用する、前記スキャナを備え、
前記ＳＰＭは、前記サンプルの変移部を識別し、その識別に応答して走査線に沿った走査を継続して前記サンプルの表面を撮像する前に、前記スキャナに前記変移部を再走査させ、
前記ＳＰＭは更にコントローラ及び演算装置を備え、前記コントローラは前記プローブと前記サンプルとの間の相互作用を示す制御信号を生成し、前記演算装置は、前記制御信号に基づいて生成されるサンプル表面のデータの傾きを決定することにより前記変移部を識別する、走査型プローブ顕微鏡。
【請求項１７】
請求項１６に記載の走査型プローブ顕微鏡において、前記演算装置は、前記傾きの変化を計算することにより前記変移部を識別する、走査型プローブ顕微鏡。
【請求項１８】
請求項１６に記載の走査型プローブ顕微鏡において、前記演算装置は、前記変移部を再走査する際に生成される再走査データを用いて前記サンプル表面のデータを修正する、走査型プローブ顕微鏡。
【請求項１９】
請求項１８に記載の走査型プローブ顕微鏡において、前記演算装置は、前記サンプル表面のデータを増大または置換する、走査型プローブ顕微鏡。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月15日(2010.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソフトウェア技法データと、安全度水準ごとのソフトウェア技法の推奨指針データとを含むベストプラクティスデータを保存するベストプラクティスデータ保存手段と、
前記ベストプラクティスデータを参照してソフトウェア技法を表示する表示手段と、
前記表示手段によって表示されたソフトウェア技法に対して入力された適用状況に基づいてソフトウェア技法ごとに適用条件の成立、不成立を判定する適用状況入力手段と、
前記適用状況入力手段の判定結果と前記ベストプラクティスデータ保存手段に保存されている前記推奨指針データとを用いて安全度水準ごとに当該水準を満たしているか否かを判定するＳＩＬ診断手段と、
前記ＳＩＬ診断手段の判定結果を出力する出力手段と、
を備えたことを特徴とするソフトウェア安全性診断装置。
【請求項２】
前記ベストプラクティス保存手段に保存されているベストプラクティスデータを修正する技法データ修正手段を備えたことを特徴とする請求項１記載のソフトウェア安全性診断装置。
【請求項３】
前記ベストプラクティス保存手段は、前記ソフトウェア技法データまたは前記推奨指針データの各項目に関連付けて詳細説明を保存しておき、
前記表示手段は、表示されているソフトウェア技法または推奨指針の詳細説明を表示するガイダンス機能を有することを特徴とする請求項１または２記載のソフトウェア安全性診断装置。
【請求項４】
診断対象とするソフトウェアの安全度水準目標値を入力する目標ＳＩＬ入力手段と、
前記ＳＩＬ診断手段による診断結果から前記安全度水準目標値に到達するために必要なソフトウェア技法を判定するための判定手段と、
を備えたことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一に記載のソフトウェア安全性診断装置。