【手続補正書】
【提出日】平成22年4月8日(2010.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に二次元アレイ状に配列形成された複数の画素と、複数の前記画素によって構成される画素列の各々に沿う複数の垂直電荷転送路と、複数の前記垂直電荷転送路の転送方向端部に沿って形成される水平電荷転送路と、該水平電荷転送路に沿って形成される水平ドレインと、該水平ドレインと前記水平電荷転送路との間に設けられ該水平電荷転送路の転送段の夫々に設けられるポテンシャル障壁とを備え、前記水平電荷転送路の物理的構造が、前記垂直電荷転送路の転送する信号電荷の最大値より大容量の信号電荷を転送できる大容量構造になっており、且つ、前記ポテンシャル障壁が、前記水平電荷転送路で転送される信号電荷の溢れを阻止する高さに対して製造バラツキ分だけ高く製造されているＣＣＤ型固体撮像素子。
【請求項２】
前記ポテンシャル障壁のうち、オプティカルブラック部の検出電荷を転送する部分の初段のポテンシャル障壁を、該初段のポテンシャル障壁より水平電荷転送路の転送方向上流側の後段のポテンシャル障壁より低く設計し製造したことを特徴とする請求項１に記載のＣＣＤ型固体撮像素子。
【請求項３】
前記物理的構造とは、前記水平電荷転送路、前記垂直電荷転送路の各転送容量を決める構造であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のＣＣＤ型固体撮像素子。
【請求項４】
前記垂直電荷転送路の転送方向端部と前記水平電荷転送路との間に、各垂直電荷転送路対応のバッファ領域を有し各垂直電荷転送路によって転送されてきた信号電荷を該バッファ領域で一時保存し前記水平電荷転送路に転送する電荷一時蓄積部を備えると共に、該バッファ領域の容量が、前記水平電荷転送路の前記転送容量と前記垂直電荷転送路の前記転送容量の中間の容量となっていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のＣＣＤ型固体撮像素子。
【請求項５】
前記大容量とは、前記最大値に対して整数倍の容量であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のＣＣＤ型固体撮像素子。
【請求項６】
前記垂直電荷転送路の前記転送容量を“１”としたとき、前記バッファ領域の容量を“２”、前記水平電荷転送路の前記転送容量を“４”とする物理的構造を備えることを特徴とする請求項５に記載のＣＣＤ型固体撮像素子。
【請求項７】
半導体基板に二次元アレイ状に配列形成された複数の画素と、複数の前記画素によって構成される画素列の各々に沿う複数の垂直電荷転送路と、複数の前記垂直電荷転送路の転送方向端部に沿って形成される水平電荷転送路と、前記画素を有効画素領域の画素と前記水平電荷転送路の転送方向上流側に設けられたオプティカルブラック部の画素とに分ける遮光手段とを備えるＣＣＤ型固体撮像素子において、前記水平電荷転送路に沿って形成された水平ドレインと、該水平ドレインと前記水平電荷転送路との間に設けられ該水平電荷転送路の転送段夫々に設けられたポテンシャル障壁とを備え、該ポテンシャル障壁のうち、前記オプティカルブラック部の検出電荷を転送する部分の初段のポテンシャル障壁を、該初段のポテンシャル障壁より水平電荷転送路の転送方向上流側の後段のポテンシャル障壁より低く設計し製造したことを特徴とするＣＣＤ型固体撮像素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明のＣＣＤ型固体撮像素子は、半導体基板に二次元アレイ状に配列形成された複数の画素と、複数の前記画素によって構成される画素列の各々に沿う複数の垂直電荷転送路と、複数の前記垂直電荷転送路の転送方向端部に沿って形成される水平電荷転送路と、該水平電荷転送路に沿って形成される水平ドレインと、該水平ドレインと前記水平電荷転送路との間に設けられ該水平電荷転送路の転送段の夫々に設けられるポテンシャル障壁とを備え、前記水平電荷転送路の物理的構造が、前記垂直電荷転送路の転送する信号電荷の最大値より大容量の信号電荷を転送できる大容量構造になっており、且つ、前記ポテンシャル障壁が、前記水平電荷転送路で転送される信号電荷の溢れを阻止する高さに対して製造バラツキ分だけ高く製造されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明のＣＣＤ型固体撮像素子は、前記ポテンシャル障壁のうち、オプティカルブラック部の検出電荷を転送する部分の初段のポテンシャル障壁を、該初段のポテンシャル障壁より水平電荷転送路の転送方向上流側の後段のポテンシャル障壁より低く設計し製造したことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明のＣＣＤ型固体撮像素子の前記物理的構造とは、前記水平電荷転送路、前記垂直電荷転送路の各転送容量を決める構造であることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明のＣＣＤ型固体撮像素子は、前記垂直電荷転送路の転送方向端部と前記水平電荷転送路との間に、各垂直電荷転送路対応のバッファ領域を有し各垂直電荷転送路によって転送されてきた信号電荷を該バッファ領域で一時保存し前記水平電荷転送路に転送する電荷一時蓄積部を備えると共に、該バッファ領域の容量が、前記水平電荷転送路の前記転送容量と前記垂直電荷転送路の前記転送容量の中間の容量となっていることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明のＣＣＤ型固体撮像素子の前記大容量とは、前記最大値に対して整数倍の容量であることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明のＣＣＤ型固体撮像素子は、前記垂直電荷転送路の前記転送容量を“１”としたとき、前記バッファ領域の容量を“２”、前記水平電荷転送路の前記転送容量を“４”とする物理的構造を備えることを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明のＣＣＤ型固体撮像素子は、半導体基板に二次元アレイ状に配列形成された複数の画素と、複数の前記画素によって構成される画素列の各々に沿う複数の垂直電荷転送路と、複数の前記垂直電荷転送路の転送方向端部に沿って形成される水平電荷転送路と、前記画素を有効画素領域の画素と前記水平電荷転送路の転送方向上流側に設けられたオプティカルブラック部の画素とに分ける遮光手段とを備えるＣＣＤ型固体撮像素子において、前記水平電荷転送路に沿って形成された水平ドレインと、該水平ドレインと前記水平電荷転送路との間に設けられ該水平電荷転送路の転送段夫々に設けられたポテンシャル障壁とを備え、該ポテンシャル障壁のうち、前記オプティカルブラック部の検出電荷を転送する部分の初段のポテンシャル障壁を、該初段のポテンシャル障壁より水平電荷転送路の転送方向上流側の後段のポテンシャル障壁より低く設計し製造したことを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】