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【手続補正書】
【提出日】平成22年4月13日(2010.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体の上方に第１の白金膜を形成する工程と、
前記第１の白金膜に熱処理を施す工程と、
前記第１の白金膜上に第２の白金膜を形成する工程と、
前記第２の白金膜の上に誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜の上に電極を形成する工程と、
を含む、誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記熱処理を施す工程では、前記第１の白金膜の成膜温度より高い温度で加熱する、誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記熱処理を施す工程では、３５０℃〜８００℃の温度で加熱する、誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、
前記誘電体膜は、ペロブスカイト型の結晶構造を有し、（１１１）面に優先配向するように形成される、誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記誘電体は、一般式ＡＢ１−ＸＣＸＯ３で示される結晶によって形成され、
Ａ元素は、少なくともＰｂであり、
Ｂ元素は、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｖ、ＷおよびＨｆの少なくとも１つからなり、
Ｃ元素は、Ｌａ、Ｓｒ、ＣａおよびＮｂの少なくとも１つからなる、誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかにおいて、
前記第２の白金膜の最上層は、（１１１）面に優先配向した面心立方型結晶構造を有し、前記基体の表面と平行ではない（１００）面が前記誘電体との界面に表出するように形成される、誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項７】
請求６において、
前記第２の白金膜の最上層の（１００）面と前記誘電体膜の（００１）面とが格子整合するように形成する、誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかにおいて、
前記第１の白金膜を形成する前に、
前記基体の上方に酸化イリジウム膜を形成する工程をさらに含み、
前記第１の白金膜は、前記酸化イリジウム膜上に形成される、誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記第１の白金膜は、前記酸化イリジウムが真空中で分解する温度より低い温度で形成される、誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項１０】
請求項８において、
前記第１の白金膜は、４００℃以下の成膜温度で形成される、誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項１１】
請求項８ないし１０のいずれかにおいて、
前記酸化イリジウム膜を形成する前に、
前記基体の上方にイリジウム膜を形成する工程をさらに含み、
前記酸化イリジウム膜は、前記イリジウム膜上に形成される、誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記イリジウム膜を形成する前に、
基体の上方にＴｉＡｌＮ膜を形成する工程をさらに含み、
前記イリジウム膜は、前記ＴｉＡｌＮ膜上に形成される、誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項１３】
請求項４において、
前記誘電体膜は、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３：ＰＺＴ）、又は、Ｌａ、Ｓｒ、ＣａおよびＮｂの少なくとも１つが添加されたＰＺＴを含む、誘電体キャパシタの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月20日(2009.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の不揮発性メモリと、
第１の揮発性メモリと、
前記第１の不揮発性メモリと前記第１の揮発性メモリが接続された第１のマイクロプロセッサユニットと、
第２の不揮発性メモリと、
第２の揮発性メモリと、
前記第２の不揮発性メモリと前記第２の揮発性メモリが接続された第２のマイクロプロセッサユニットと、
前記第１のマイクロプロセッサユニットと前記第２のマイクロプロセッサユニットとを接続する通信インタフェースと、
電源投入時に、前記第１のマイクロプロセッサユニットが行う、第１の不揮発性メモリに保存されている初期化の必要なデータを前記第１の揮発性メモリに対して初期化して第１の初期化データとして格納する処理と、前記第２のマイクロプロセッサユニットが行う、第２の不揮発性メモリに保存されている初期化の必要なデータを前記第２の揮発性メモリに対して初期化して第２の初期化データとして格納する処理とを並行に行い、かつ、前記第２の揮発性メモリに格納された前記第２の初期化データを、前記通信インタフェースを介して前記第１の揮発性メモリにコピーする初期化手段とを有することを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記初期化手段は更に、前記第１の揮発性メモリに格納された前記第１の初期化データを、前記通信インタフェースを介して前記第２の揮発性メモリにコピーすることを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記初期化手段は、前記第１の初期化データと前記第２の初期化データが重複しないように初期化することを特徴とする請求項１または２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記第１の不揮発性メモリに保存されている初期化の必要なデータと、前記第２の不揮発性メモリに保存されている初期化の必要なデータは、それぞれ初期化処理の進行に合わせて必要とされるデータに分割されており、前記初期化手段は、当該分割されたデータの初期化処理が完了した時点で初期化データのコピー処理を行うことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の電子機器。
【請求項５】
前記分割されたデータは、互いに同じデータサイズとなるように分割されていることを特徴とする請求項４に記載の電子機器。
【請求項６】
前記分割されたデータは、互いに同じ処理時間を要するように分割されていることを特徴とする請求項４に記載の電子機器。
【請求項７】
主たるマイクロプロセッサユニットである前記第１のマイクロプロセッサユニットに接続された前記第１の揮発性メモリが、初期化データのコピーを最初に受け取ることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の電子機器は、第１の不揮発性メモリと、第１の揮発性メモリと、前記第１の不揮発性メモリと前記第１の揮発性メモリが接続された第１のマイクロプロセッサユニットと、第２の不揮発性メモリと、第２の揮発性メモリと、前記第２の不揮発性メモリと前記第２の揮発性メモリが接続された第２のマイクロプロセッサユニットと、前記第１のマイクロプロセッサユニットと前記第２のマイクロプロセッサユニットとを接続する通信インタフェースと、電源投入時に、前記第１のマイクロプロセッサユニットが行う、第１の不揮発性メモリに保存されている初期化の必要なデータを前記第１の揮発性メモリに対して初期化して第１の初期化データとして格納する処理と、前記第２のマイクロプロセッサユニットが行う、第２の不揮発性メモリに保存されている初期化の必要なデータを前記第２の揮発性メモリに対して初期化して第２の初期化データとして格納する処理とを並行に行い、かつ、前記第２の揮発性メモリに格納された前記第２の初期化データを、前記通信インタフェースを介して前記第１の揮発性メモリにコピーする初期化手段とを有することを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月1日(2009.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリに記憶されたデータの読み出し速度及び読み出し順序に関する指示操作を受け付け
る操作子であって、
回転軸の一端に設けられ回転操作を受け付ける回転可能な操作円盤部と、
前記回転軸に挿通され、前記操作円盤部に対向する面に、静電容量を検出するためのセン
サパターンが設けられたセンサ基板部と、
前記操作円盤部と前記センサ基板部との間に、前記センサパターンをカバーするとともに
前記操作円盤部の押下の際にたわむよう設けられ、グランド電位に設定された導電カバー
部とを備える
ことを特徴とする操作子。
【請求項２】
請求項１に記載の操作子であって、
前記導電カバー部と前記センサパターンとの間の静電容量値が所定の閾値を下回ったとき
、その旨の信号を出力するセンサチップを備えることを特徴とする操作子。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の操作子であって、
前記センサパターンは、互いに等間隔に４つの同心円上に設けられ、中心角が７０°の扇
形状を有して互いに１０°離間して配置されることを特徴とする操作子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の操作子であって、
前記導電カバー部と前記センサパターンとの間隔は０．５ｍｍであることを特徴とする操
作子。
【請求項５】
メモリに記憶されたデータの読み出し速度及び読み出し順序に関する指示操作を操作子を
介して受け付ける操作部と、
前記操作部が受け付けた指示に基づいてメモリに記憶されたデータを読出し再生する制御
を行う制御部とを備える再生装置であって、
前記操作子は、
回転軸の一端に設けられ回転操作を受け付ける回転可能な操作円盤部と、
前記回転軸に挿通され、前記操作円盤部に対向する面に、静電容量を検出するためのセン
サパターンが設けられたセンサ基板部と、
前記操作円盤部と前記センサ基板部との間に、前記センサパターンをカバーするとともに
前記操作円盤部の押下の際にたわむよう設けられ、グランド電位に設定された導電カバー
部とを備える
ことを特徴とする再生装置。
【請求項６】
請求項５に記載の再生装置であって、
前記制御部は、操作者による前記操作円盤部の押圧によりたわむ前記導電カバー部と前記
センサパターンとの間の静電容量値が所定の閾値を下回ったとき、前記操作子が押圧され
たと判別することを特徴とする再生装置。
【請求項７】
請求項５又は請求項６に記載の再生装置であって、
前記センサパターンは、互いに等間隔に４つ同心円上に設けられ、中心角が７０°の扇形
状を有して互いに１０°離間して配置されることを特徴とする再生装置。
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれか１項に記載の再生装置であって、
前記導電カバー部と前記センサパターンとの間隔は０．５ｍｍであることを特徴とする再
生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明の第１の態様における操作子は、メモリに記憶されたデ
ータの読み出し速度及び読み出し順序に関する指示操作を受け付ける操作子であって、回
転軸の一端に設けられ回転操作を受け付ける回転可能な操作円盤部と、前記回転軸に挿通
され、前記操作円盤部に対向する面に、静電容量を検出するためのセンサパターンが設け
られたセンサ基板部と、前記操作円盤部と前記センサ基板部との間に、前記センサパター
ンをカバーするとともに前記操作円盤部の押下の際にたわむよう設けられ、グランド電位
に設定された導電カバー部とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記構成において、前記導電カバー部と前記センサパターンとの間隔は０．５ｍｍである
ことが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記目的を達成するため、本発明の第２の態様における再生装置は、メモリに記憶された
データの読み出し速度及び読み出し順序に関する指示操作を操作子を介して受け付ける操
作部と、前記操作部が受け付けた指示に基づいてメモリに記憶されたデータの読出し再生
する制御を行う制御部とを備える再生装置であって、前記操作子は、回転軸の一端に設け
られ回転操作を受け付ける回転可能な操作円盤部と、前記回転軸に挿通され、前記操作円
盤部に対向する面に、静電容量を検出するためのセンサパターンが設けられたセンサ基板
部と、前記操作円盤部と前記センサ基板部との間に、前記センサパターンをカバーすると
ともに前記操作円盤部の押下の際にたわむように設けられ、グランド電位に設定された導
電カバー部とを備える。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
上記構成において、前記導電カバー部と前記センサパターンとの間隔は０．５ｍｍである
ことが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月21日(2010.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記憶装置の駆動方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンとシリサイド反応する材料を用いて形成された第１の導電層と、前記第１の導電層より仕事関数の小さい第２の導電層との間にシリコンを含む膜が形成されたメモリ素子を有する記憶装置の駆動方法であって、
前記メモリ素子にデータを書き込む際に、前記第１の導電層にハイレベルの電圧値を印加し、前記第２の導電層にロウレベルの電圧値を印加し、
前記メモリ素子のデータを読み出す際に、前記第２の導電層にハイレベルの電圧値を印加し、前記第１の導電層にロウレベルの電圧値を印加し、前記第１の導電層の電位を読み出すことを特徴とする記憶装置の駆動方法。
【請求項２】
シリコンとシリサイド反応する材料を用いて形成された第１の導電層と、前記第１の導電層より仕事関数の小さい第２の導電層との間にシリコンを含む膜が形成されたメモリ素子と、
第１の電極、第２の電極及びゲート電極を有する第１のトランジスタと、
第１の電極、第２の電極及びゲート電極を有する第２のトランジスタと、を有し
前記第１のトランジスタの第１の電極が前記第１の導電層と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの第１の電極が前記第１の導電層と電気的に接続され、前記第２のトランジスタの第２の電極が接地される記憶装置の駆動方法であって、
前記メモリ素子にデータを書き込む際に、前記第１のトランジスタをオンにし、前記第１のトランジスタの第２の電極にハイレベルの電圧値を印加することによって前記第１の導電層にハイレベルの電圧値を印加し、かつ前記第２のトランジスタをオフにするとともに前記第２の導電層にロウレベルの電圧値を印加し、
前記メモリ素子に書き込まれたデータを読み出す際に、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタをオンにして、前記第１の導電層にロウレベルの電圧値を印加するとともに、前記第２の導電層にハイレベルの電圧値を印加して、前記第１のトランジスタの第２の電極から前記第１の導電層の電位を読み出すことを特徴とする記憶装置の駆動方法。
【請求項３】
シリコンとシリサイド反応する材料を用いて形成された第１の導電層と、前記第１の導電層より仕事関数の小さい第２の導電層との間にシリコンを含む膜が形成されたメモリ素子と、
第１の電極、第２の電極及びゲート電極を有する第１のトランジスタと、
第１の電極、第２の電極及びゲート電極を有する第２のトランジスタと、
第１の電極、第２の電極及びゲート電極を有する第３のトランジスタと、を有し
前記第１のトランジスタの第１の電極が前記第１の導電層と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの第１の電極が前記第１の導電層と電気的に接続され、前記第２のトランジスタの第２の電極が接地され、
前記第３のトランジスタの第１の電極が前記第２の導電層と電気的に接続され、前記第３のトランジスタの第２の電極が前記第２のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、前記第３のトランジスタのゲート電極が前記第１のトランジスタのゲート電極と電気的に接続される記憶装置の駆動方法であって、
前記メモリ素子にデータを書き込む際に、前記第１のトランジスタをオンにし、前記第１のトランジスタの第２の電極にハイレベルの電圧値を印加することによって、前記第１の導電層にハイレベルの電圧値を印加し、かつ前記第３のトランジスタをオンにし、前記第２のトランジスタをオフにすることによって前記第２の導電層にロウレベルの電圧値を印加し、
前記メモリ素子のデータを読み出す際に、前記第１のトランジスタをオンにし、前記第３のトランジスタをオンにし、前記第２のトランジスタをオンにして、前記第１の導電層にロウレベルの電圧値を印加するとともに、前記第２の導電層にハイレベルの電圧値を印加し、前記第１のトランジスタの第２の電極から前記第１の導電層の電位を読み出すことを特徴とする記憶装置の駆動方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記メモリ素子にデータを書き込む際に前記第１の導電層に印加する前記ハイレベルの電圧値と、前記メモリ素子のデータを読み出す際に前記第２の導電層に印加する前記ハイレベルの電圧値が同一であることを特徴とする記憶装置の駆動方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記シリコンを含む膜は、アモルファスシリコン膜、微結晶シリコン膜、又は多結晶シリコン膜であることを特徴とする記憶装置の駆動方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
以下に、回路の動作方法について具体的に説明する。本実施の形態において、メモリ素子のＡ点側（第１の電極側）に例えばＷなどの金属からなる電極が設けられ、Ｂ点側（第２の電極側）に例えばＴｉなどのシリサイド化しやすい金属からなる電極が設けられており、メモリ素子のＡ点側にＨＩＧＨレベル、Ｂ点側にＬＯＷレベルの電圧値が印加された場合に、シリコン膜がシリサイド化するものとする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月27日(2010.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁膜上に設けられた、フォトダイオードと、前記フォトダイオードの出力電流を増幅する増幅回路と、前記フォトダイオード及び前記増幅回路を覆う第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の開口部に設けられ、前記フォトダイオードと電気的に接続された電極とを有する光電変換素子と、
第３の絶縁膜上に設けられた、カラーフィルタと、前記カラーフィルタ上のオーバーコート層とを有する積層体と、
を有し、
前記電極はＮｉ及び前記Ｎｉ上に積層されたＣｕを有し、前記Ｎｉの上面は前記第２の絶縁膜の上面より高く、
前記第１の絶縁膜と前記第３の絶縁膜とを接着材で接着することにより、前記光電変換素子と前記積層体とは貼り合わされていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の絶縁膜上に設けられた、フォトダイオードと、前記フォトダイオードの出力電流を増幅する増幅回路と、前記フォトダイオード及び前記増幅回路を覆う第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の開口部に設けられ、前記フォトダイオードと電気的に接続された電極とを有する光電変換素子と、
基板上に設けられた、カラーフィルタと、前記カラーフィルタ上のオーバーコート層とを有する積層体と、
を有し、
前記電極はＮｉ及び前記Ｎｉ上に積層されたＣｕを有し、前記Ｎｉの上面は前記第２の絶縁膜の上面より高く、
前記第１の絶縁膜と前記オーバーコート層とを接着材で接着することにより、前記光電変換素子と前記積層体とは貼り合わされていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板上に設けられた、フォトダイオードと、前記フォトダイオードの出力電流を増幅する増幅回路と、前記フォトダイオード及び前記増幅回路を覆う第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の開口部に設けられ、前記フォトダイオードと電気的に接続された電極とを有する光電変換素子と、
第２の絶縁膜上に設けられた、カラーフィルタと、前記カラーフィルタ上のオーバーコート層とを有する積層体と、
を有し、
前記電極はＮｉ及び前記Ｎｉ上に積層されたＣｕを有し、前記Ｎｉの上面は前記第１の絶縁膜の上面より高く、
前記基板と前記第２の絶縁膜とを接着材で接着することにより、前記光電変換素子と前記積層体とは貼り合わされていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１の絶縁膜上に設けられた、フォトダイオードと、前記フォトダイオードの出力電流を増幅する増幅回路と、前記フォトダイオード及び前記増幅回路を覆う第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の開口部に設けられ、前記フォトダイオードと電気的に接続された電極とを有する素子と、
前記第１の絶縁膜と、接着材により接着されたカラーフィルムと、
を有し、
前記電極はＮｉ及び前記Ｎｉ上に積層されたＣｕを有し、前記Ｎｉの上面は前記第２の絶縁膜の上面より高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１、２及び４のいずれか一において、
前記Ｎｉ及び前記Ｃｕは印刷法で形成されたことによって、前記第２の絶縁膜上では前記Ｎｉ及び前記Ｃｕの形状が上に向かって細くなっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記フォトダイオードは光電変換層を有し、
前記光電変換層の最下層の電極の一端は、前記増幅回路と電気的に接続され、
前記最下層の電極の他端の形状は、上面からみて格子状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記増幅回路は、薄膜トランジスタを有するカレントミラー回路であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記接着材は、反応硬化型接着材、熱硬化型接着材、光硬化型接着材、及び嫌気硬化型接着材のいずれかであることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
第１の絶縁膜上にフォトダイオード、前記フォトダイオードの出力電流を増幅する増幅回路を形成し、
前記フォトダイオード及び前記増幅回路を覆う第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜に開口部を形成し、
前記開口部に前記フォトダイオードと電気的に接続されたＮｉを印刷法により、前記第２の絶縁膜の上面より高く形成し、
前記Ｎｉ上に積層するＣｕを印刷法により形成して光電変換素子を形成する工程と、
第３の絶縁膜上にカラーフィルタ、及び前記カラーフィルタ上のオーバーコート層を有する積層体を形成する工程と、を有し、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とを接着材で接着することにより、前記光電変換素子と前記積層体とを貼り合わせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
第１の基板上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上にフォトダイオード、前記フォトダイオードの出力電流を増幅する増幅回路を形成し、
前記フォトダイオード及び前記増幅回路を覆う第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜に開口部を形成し、
前記開口部に前記フォトダイオードと電気的に接続されたＮｉを印刷法により、前記第２の絶縁膜の上面より高く形成し、
前記Ｎｉ上に積層するＣｕを印刷法により形成して光電変換素子を形成し、
前記第１の基板を剥離する工程と、
第２の基板上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上にカラーフィルタ、及び前記カラーフィルタ上のオーバーコート層を有する積層体を形成し、
前記第２の基板を剥離する工程と、を有し、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とを接着材で接着することにより、前記光電変換素子と前記積層体とを貼り合わせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記Ｃｕの上方を平坦化するように、水溶性樹脂が塗布された有機材料からなる粘着材を有する第２の接着材を接着した後に、前記第１の基板を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月24日(2010.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層および前記基板上を覆うように無機材料を含むゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に前記有機重合層を選択的に形成し、
前記有機重合層の形成領域以外の前記ゲート絶縁層上に加水分解基を有する有機シラン膜を形成し、
前記有機重合層上に導電性材料を含む組成物を吐出し、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ゲート電極層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上に半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
透光性を有する基板上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層および前記基板上を覆うように無機材料を含む透光性を有するゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に光重合性反応基を含む有機層を形成し、
前記ゲート電極層をマスクとして、前記基板および前記ゲート絶縁層を通過した光を前記光重合性反応基を含む有機層に選択的に照射し、前記光重合性反応基を含む有機層を選択的に重合し、
前記光重合性反応基を含む有機層の前記重合した領域以外を除去した有機重合層を形成し、
前記有機重合層の形成領域以外の前記ゲート絶縁層上に加水分解基を有する有機シラン膜を形成し、
前記有機重合層上に導電性材料を含む組成物を吐出し、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ゲート電極層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上に半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
透光性を有する基板上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層および前記基板上を覆うように無機材料を含む透光性を有するゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に光重合性反応基を含む有機層を形成し、
前記ゲート電極層をマスクとして、前記基板および前記ゲート絶縁層を通過した光を前記光重合性反応基を含む有機層に選択的に照射し、前記光重合性反応基を含む有機層を選択的に重合し、
前記光重合性反応基を含む有機層の前記重合した領域以外を除去した有機重合層を形成し、
前記有機重合層の形成領域以外の前記ゲート絶縁層上に第１の加水分解基を有する有機シラン膜を形成し、
前記有機重合層上に導電性材料を含む組成物を吐出し、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記第１の加水分解基を有する有機シラン膜を除去し、
前記ゲート電極層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上に第２の加水分解基を有する有機シラン膜を形成し、
前記第２の加水分解基を有する有機シラン膜上に半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、前記第２の加水分解基を有する有機シラン膜をオクタデシルトリメトキシシランを用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層と電気的に接続する表示素子を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、前記半導体層は有機半導体材料を用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
絶縁表面を有する基板上に形成されているゲート電極層と、
前記ゲート電極層および前記基板上に形成されている無機材料を含むゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に選択的に形成されている有機重合層と、
前記有機重合層上に形成されているソース電極層及びドレイン電極層と、
前記ゲート絶縁層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上に形成されている半導体層と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
絶縁表面を有する基板上に形成されているゲート電極層と、
前記ゲート電極層および前記基板上に形成されている無機材料を含むゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に選択的に形成されている有機重合層と、
前記有機重合層上に形成されているソース電極層及びドレイン電極層と、
前記ゲート絶縁層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上に加水分解基を有する有機シラン膜を介して形成されている半導体層と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８において、前記加水分解基を有する有機シラン膜は、オクタデシルトリメトキシシラン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項７乃至９のいずれか一項において、前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層と電気的に接続する表示素子を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項７乃至１０のいずれか一項において、前記半導体層は、有機半導体層であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月7日(2010.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層型軟磁性シートの製造方法であって、以下の工程（Ａ）〜（Ｄ）：
（Ａ）少なくとも扁平な軟磁性粉末と、グリシジル基を有するアクリルゴムと、エポキ
シ樹脂と、エポキシ樹脂用潜在性硬化剤と、溶剤とを混合してなる軟磁性組成物を、剥離
基材上に塗布し、軟磁性組成物の硬化反応が実質的に生じない温度Ｔ１で乾燥し、剥離基
材を取り除いて硬化性軟磁性シートを取得する工程；
（Ｂ）該硬化性軟磁性シートを２以上用意し、それらを積層して積層物を取得する工程
；
（Ｃ）得られた積層物を、硬化反応が実質的に生じない温度Ｔ２において、線圧を印加
するラミネーターにて線圧力Ｐ１、線圧力Ｐ２及び線圧力Ｐ３（但し、Ｐ１＜Ｐ２＜Ｐ３
）で順次圧縮する工程；  及び
（Ｄ）続いて硬化反応が生ずる温度Ｔ３において、圧縮された積層物を、面圧を印加す
るプレス機で圧縮して積層型軟磁性シートを得る工程
を有することを特徴とする製造方法。
【請求項２】
Ｐ１が２〜１０ｋｇｆ／ｃｍであり、Ｐ２が１０〜２０ｋｇｆ／ｃｍであり、Ｐ３が２
０〜５０ｋｇｆ／ｃｍであり、面圧が１０〜６０ｋｇｆ／ｃｍ２である請求項１記載の製
造方法。
【請求項３】
Ｔ１が５０〜９０℃であり、Ｔ２が７０〜１３０℃であり、Ｔ３が１４０〜２００℃で
ある請求項１または２記載の製造方法。
【請求項４】
工程（Ｃ）におけるラミネーターのラインスピードが０．１〜５ｍ／分である請求項１
〜３のいずれかに記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月7日(2010.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層上に、第１のレーザビームを吸収する材料で第１材料層を形成する第１の工程と、
前記第１材料層上に、前記第１のレーザビームを透過し且つ第２のレーザビームを吸収する材料で第２材料層を形成する第２の工程と、
前記第１のレーザビーム及び前記第２のレーザビームが一部重畳するように、前記第１のレーザビーム及び前記第２のレーザビームを前記第２材料層側から照射することによって、前記第１材料層及び前記第２材料層を除去して開口を形成する第３の工程と、
前記開口に第２の導電層を形成することによって、前記第１の導電層と前記第２の導電層とを電気的に接続する第４の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１材料層は、導電材料又は半導体材料から構成され、
前記第２材料層は、絶縁材料から構成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１材料層の沸点の温度又は昇華点の温度は、前記第１の導電層の融点の温度よりも低いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１のレーザビームのビームスポットの面積は、前記第２のレーザビームのビームスポットの面積よりも小さいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第３の工程において、前記第２のレーザビームにより前記第２材料層を予め加熱した状態で、前記第１のレーザビームの照射を開始することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
第１のレーザビームを吸収する材料で第１材料層を形成する第１の工程と、
前記第１材料層上に、前記第１のレーザビームを透過し且つ第２のレーザビームを吸収する材料で第２材料層を形成する第２の工程と、
前記第１のレーザビーム及び前記第２のレーザビームが一部重畳するように、前記第１のレーザビーム及び前記第２のレーザビームを前記第２材料層側から照射することによって、前記第１材料層及び前記第２材料層を除去する第３の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月26日(2010.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれが複数のグループのいずれかに属する複数の営業店端末であって、注文要求を送信する営業店端末と接続され、
前記グループごとに、注文銘柄を含む注文要求を受付け、受付けられた注文要求を正常に受信したか否かを確認して、正常な受信の場合、当該注文要求を送信した営業店端末に受信結果を送信して、前記注文要求を注文受付キューに格納する手段と、注文要求を受付けたことを注文処理装置へ連絡する手段とを有する受付装置と、
前記注文要求を受付けたことの連絡を受け、前記注文受付キューから自身の注文銘柄に対応する注文要求を抽出する手段と、抽出した前記注文要求を、取引受付可能な状態として取引注文キューに登録する手段と、前記注文受付キュー内で注文要求が目標処理時間を超過するような滞留時間となった場合、予め設定された１注文処理において一括処理最大数の範囲内で前記注文受付キューに滞留している次に処理すべき注文要求を処理する手段と、取引注文要求を受付けたことを取引所直結装置へ連絡する手段とを有する複数の注文処理装置と、
それぞれが証券取引所の注文銘柄に対応している複数の取引所直結装置であって、前記取引注文要求を受付けたことの連絡を受け、前記取引注文キューに登録された注文要求のうち、自身の注文銘柄に応じた取引注文要求について取引所に注文を出す手段と、前記取引注文キュー内で取引注文要求が目標処理時間を超過するような滞留時間となった場合、前記一括処理最大数の範囲内で前記取引注文キューに滞留している次に処理すべき取引注文要求を連続して処理する手段と、前記取引注文処理結果を反映した注文要求を前記取引注文キューに登録する手段とを有する複数の取引所直結装置とを備え、
複数の証券株式注文処理を並行して実行可能な注文システム。
【請求項２】
請求項１に記載の注文システムにおいて、
前記注文受付キュー内で注文要求が目標処理時間を超過するような滞留時間となった場合、予め設定された１注文処理において一括処理最大数の範囲内で前記注文受付キューに滞留している次に処理すべき注文要求を処理する手段と、
前記取引注文キュー内で取引注文要求が目標処理時間を超過するような滞留時間となった場合、前記一括処理最大数の範囲内で前記取引注文キューに滞留している次に処理すべき取引注文要求を連続して処理する手段とを備え、
複数の証券株式注文処理を並行して実行可能な注文システム。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の注文システムにおいて、
さらに、所定の時間内での取引要求量が予め定められた閾値以上の取引要求量を検知した場合、当該検知された取引状況における平均取引処理時間を算出する手段と、
算出された前記平均処理時間と予め定められている取引時間とから、取引可能な件数を算出する手段と、
算出された取引可能な件数に基づいた取引制御を実行する要求情報を、前記注文処理装置および前記取引所直結装置に対して送信する手段を有すること管理装置を有することを特徴とする注文システム。
【請求項４】
請求項３に記載の注文システムにおいて、
前記管理装置は、前記要求情報として、前記取引可能な件数を前記一括処理最大数とする要求が含まれることを特徴とする注文システム。
【請求項５】
請求項４に記載の注文システムにおいて、
前記管理装置は、前記取引可能な件数を前記一括処理最大数と比較し、比較の結果前記取引可能な件数が、前記一括処理最大数未満の場合、前記要求情報を送信することを特徴とする注文システム。
【請求項６】
請求項２乃至５のいずれかに記載の注文システムにおいて、
前記管理装置は、前記閾値以上の取引要求量があるか否かを、予め定められた期間内での取引要求量が前記閾値と比較することで判定する手段をさらに有することを特徴とする注文システム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月27日(2009.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体から記録情報を読み出して再生可能な再生装置であって、
前記記録媒体は、
自装置を含む複数の再生装置がグループ分けされ、当該グループ分けされたグループ毎に記録情報の再生方法が定義された設定情報を有し、
自装置は、
前記記録媒体に記録された記録情報を再生する再生手段と、
前記記録媒体が有する設定情報のうち、自装置が含まれるグループに対応した再生方法に基づいて前記再生手段を制御する制御手段と、
を備える再生装置。
【請求項２】
前記設定情報は、再生装置の種類に応じて複数の再生装置をグループ分けした情報である、
請求項１に記載の再生装置。
【請求項３】
前記設定情報は、再生装置が持つ固有の識別情報に応じて前記複数の再生装置をグループ分けした情報である、
請求項１に記載の再生装置。
【請求項４】
前記再生装置は、前記記録媒体に記録された設定情報のうち、グループ分けを修正可能である、
請求項１に記載の再生装置。
【請求項５】
前記再生装置は、
前記設定情報のうち、自装置が含まれないグループに再生方法の設定を変更可能な設定変更手段を更に備え、
前記制御手段は、前記設定変更手段で設定が変更された場合、当該変更されたグループに対応した再生方法に基づいて前記再生手段を制御する、
請求項１に記載の再生装置。
【請求項６】
前記再生方法は、再生プレイリスト、又は、音響設定、再生モードの何れかに関する、
請求項１に記載の再生装置。
【請求項７】
複数の再生装置で再生可能な記録情報を記録可能な記録媒体であって、
自装置を含む複数の再生装置がグループ分けされ、当該グループ分けされたグループ毎に記録情報の再生方法が定義された設定情報を有する、
記録媒体。
【請求項８】
外部出力機器と通信可能に構成され、記録媒体から記録情報を読み出して再生可能な再生装置であって、
前記記録媒体は、
外部出力機器がグループ分けされ、当該グループ分けされたグループ毎に記録情報の再生方法が定義された設定情報を有し、
自装置は、
外部出力機器と通信可能な通信手段と、
前記通信手段で通信可能となった外部出力機器を検知する検知手段と、
前記記録媒体に記録された記録情報を再生する再生手段と、
前記記録媒体が有する設定情報のうち、前記検知手段で検知した外部出力機器が含まれるグループに対応した再生方法に基づいて前記再生手段を制御する制御手段と、
を備える再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月25日(2010.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
このような構成により、本実施形態のデータキャリアにおいては、ＲＦ通信及び接触式シリアル通信の両方を行うことができるように構成されている。接触式シリアル通信を行う場合には、第２の接触端子ＩＯ０はシリアルクロックの入力用として用いられ、入出力端子ＩＯ１は多目的データの入出力用として用いられる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月5日(2010.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  １−ブテン系重合体〔Ｉ〕１〜９９重量％とポリオレフィン類〔ＩＩ〕９９〜１重量％からなり、１−ブテン系重合体〔Ｉ〕が、下記の（１）〜（４）を満たすポリオレフィン系樹脂組成物。
（１）示差走査型熱量計（ＤＳＣ）を用い、試料を窒素雰囲気下１９０℃で５分間溶融した後、５℃／分で−１０℃まで降温し、−１０℃で５分間保持した後、１０℃／分で昇温させることにより得られた融解吸熱カーブの最も高温側に観測されるピークのピークトップとして定義される融点（Ｔｍ−Ｐ）が、観測されないか又は０〜１００℃の結晶性樹脂
（２）立体規則性指数｛（ｍｍｍｍ）／（ｍｍｒｒ＋ｒｍｍｒ）｝が２０以下
（３）ゲルパーミエイションクロマトグラフ（ＧＰＣ）法により測定した分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が４．０以下
（４）ＧＰＣ法により測定した重量平均分子量（Ｍｗ）が１０，０００〜１，０００，０００
【請求項２】  １−ブテン系重合体〔Ｉ〕が１−ブテン単独重合体であり、メソペンタッド分率（ｍｍｍｍ）が２０〜９０％である請求項１に記載のポリオレフィン系樹脂組成物。
【請求項３】  １−ブテン単独重合体が下記式（１）を満たす請求項２に記載のポリオレフィン系樹脂組成物。
（ｍｍｍｍ）≦９０−２×（ｒｒ）      （１）
（ｒｒはラセミトリアッド分率を示す。）
【請求項４】  ポリオレフィン類〔ＩＩ〕がポリエチレン、ポリプロピレン、炭素数４以上のαーオレフィンからなるポリαーオレフィン、ポリビニルシクロアルカン、シンジオクタチックポリスチレンおよびポリアルケニルシランから選ばれた少なくとも１種の化合物である請求項１〜３の何れかに記載のポリオレフィン系樹脂組成物。
【請求項５】  ポリオレフィン類〔ＩＩ〕がポリプロピレンである請求項１〜４の何れかに記載のポリオレフィン系樹脂組成物。
【請求項６】  請求項１〜５の何れかに記載のポリオレフィン系樹脂組成物を成形してなるポリオレフィン系樹脂フイルム。
【請求項７】  引張弾性率ＴＭが５ＭＰａ以上であり、引張弾性率ＴＭ（ＭＰａ）とヒートシール温度ＨＳＴ（℃）の関係が下記（２）式を、引張弾性率ＴＭ（ＭＰａ）と融点Ｔｍ（℃）の関係が下記（３）式を満たす請求項６に記載のポリオレフィン系樹脂フイルム。
ＴＭ≧１２．５×ＨＳＴ−１１００    （２）
ＴＭ≦１７×Ｔｍ−１６００          （３）
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月24日(2010.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式：
【化１】
2006348040.tif 000001
［式中、
Ｒ１は、酸素原子を含む５員環単環式ヘテロ環であり、窒素原子とのＲ１の結合位置は炭素原子であり；
Ｒ２、Ｒ２'およびＲ２''は、独立に、Ｃ１〜８直鎖状、分岐鎖状、または環状アルキル、ピリジル、Ｃ１〜６アルキルアミン、およびＣＨ２Ｘからなる群から選択され、ここでＸは、Ｃ１〜６アルコキシ、ベンジルオキシ、ｐ−ニトロベンジル、アミン、またはフェニルである］
で示される化合物。
【請求項２】
Ｒ２、Ｒ２'およびＲ２''は、プロピル、イソプロピル、シクロペンチル、３−ピリジル、メチル、ブチル、１−アミノ−２−メチルプロピル、−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ３、−ＣＨ２ＯＣＨ２Ｐｈ、−ＣＨ２Ｐｈ−４−ＮＯ２、および−ＣＨ２ＮＨ２からなる群から独立に選択される請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
Ｒ２はイソプロピルであり、Ｒ２'およびＲ２''はメチルである請求項１に記載の化合物。
【請求項４】
Ｒ２はメチルであり、Ｒ２'およびＲ２''はイソプロピルである請求項１に記載の化合物。
【請求項５】
式：
【化２】
2006348040.tif 000002
［式中、
Ｒ１は、酸素原子を含む５員環単環式ヘテロ環であり、窒素原子とのＲ１の結合位置は炭素原子であり；
Ｒ２は、Ｃ１〜８直鎖状、分岐鎖状、または環状アルキル、ピリジル、Ｃ１〜６アルキルアミン、およびＣＨ２Ｘからなる群から選択され、ここでＸは、Ｃ１〜６アルコキシ、ベンジルオキシ、ｐ−ニトロベンジル、アミン、またはフェニルである］
で示される化合物。
【請求項６】
Ｒ２はプロピル、イソプロピル、シクロペンチル、３−ピリジル、メチル、ブチル、１−アミノ−２−メチルプロピル、−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ３、−ＣＨ２ＯＣＨ２Ｐｈ、−ＣＨ２Ｐｈ−４−ＮＯ２、および−ＣＨ２ＮＨ２からなる群から選択される請求項５に記載の化合物。
【請求項７】
Ｒ１は３−テトラヒドロフラニルである請求項１から５のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項８】
Ａ１アデノシン受容体を刺激することによって治療しうる冠状動脈電気障害の哺乳動物を治療するための請求項１に記載の化合物。
【請求項９】
治療有効量が、０.０１から１００ｍｇ/ｋｇ哺乳動物体重である請求項８に記載の化合物。
【請求項１０】
心室上方性頻拍、心房細動、心房粗動およびＡＶ結節再入頻拍からなる群から選択される冠状動脈電気障害の哺乳動物に投与する請求項８に記載の化合物。
【請求項１１】
前記哺乳動物がヒトである請求項８に記載の化合物。
【請求項１２】
請求項１に記載の化合物および医薬上許容されうる担体または賦形剤を含む医薬組成物。
【請求項１３】
前記医薬組成物が液剤の形態である請求項１２に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
前記医薬組成物が錠剤の形態である請求項１２に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月22日(2010.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
図１中の符号３９は、供給装置の電源をオン・オフする電源スイッチであり、この電源スイッチ３９をオンにすると、上記電動モータ３５が正方向に回転して上記溝切りローラ１０及び送りローラ１１が図３の矢印方向に回転し、糸はんだ３が前進すると共に側面に溝が切られる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月25日(2010.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微細気泡が混合、溶解している微細気泡混合液を液中に噴射することによって、当該液中に微細気泡を満たすためのノズルであって、
一端が微細気泡混合液の流入口として開口し、内部が流路となり、他端は液流が衝突する壁面として閉じ、かつ他端よりの周面に内外を通じるノズル孔を有している筒状のノズルケースと、上記ノズルケース内部に配置して流路を遮断する板面を有し、かつ板面に上記微細気泡混合液を通す細孔を形成した圧縮膨張部材と、上記ノズル孔と圧縮膨張部材との間に、それぞれ間隔をあけて配置した攪拌部材とを備えて構成された微細気泡発生用ノズル。
【請求項２】
ノズルケースはその周囲を取り囲む筒状のアタッチメントを具備しており、そのアタッチメントは、流出口の側に設けられた機能部分を有する複数種類から成り、アタッチメントの交換によって異なる機能を発揮するものである請求項１記載の微細気泡発生用ノズル。
【請求項３】
圧縮膨張部材と攪拌部材の間に、間隔をあけるスペーサーと液流の逆流を防ぐシールとを兼ねる中間部材を配置した請求項１または２記載の微細気泡発生用ノズル。
【請求項４】
攪拌部材の外周面とノズルケースの内周面との間に隙間を設け、この隙間に通じるスリットを攪拌部材に形成した請求項１または２記載の微細気泡発生用ノズル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
固定部材３０と圧縮膨張部材２４、圧縮膨張部材２４と攪拌部材２５、攪拌部材２５の位置との間に、それぞれ間隔をあけるスペーサーと水流の逆流を防ぐシールを兼ねる中間部材３１、３２が配置されており、中間部材３１、３２はゴム又は類似の弾力性材料より成る。これらは攪拌部材２５を上記段差１４ａに接触させた状態にて、圧縮膨張部材２４及び中間部材３１、３２をセットし、流入口１３内部にリング状の固定部材３０を取り付けることによって組み立てられている。固定部材３０は外周部分に突起３３を複数個有しており、ノズルケース１６に設けたそれと係合可能な凹溝３４に係合して組み立てられる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月8日(2010.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のコマンドからいずれかをプレイヤーに選択させて入力させる入力部と、
前記入力部における入力の時間間隔に基づいて、ゲームの状態を当該プレイヤーが不利になるように変化させるか否かを判定する判定部と、
前記判定部により当該ゲームの状態を変化させると判定された場合に、当該ゲームの状態を当該プレイヤーが不利になるように変化させる変化部と、
前記変化されたゲームの状態を当該プレイヤーに提示する提示部と、
を備えることを特徴とするゲーム装置。
【請求項２】
請求項１に記載のゲーム装置であって、
前記判定部は、前記入力されたコマンドのうち入力順が隣り合う２つのコマンド間の時間間隔をそれぞれ求め、当該求められた時間間隔の分布が所定範囲内にある場合に、前記ゲームの状態を前記プレイヤーに不利になるように変化させると判定する、
ことを特徴とするゲーム装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のゲーム装置であって、
前記変化部は、前記入力されるコマンドに予め対応付けられる複数のイベントの中からいずれかを選択し、当該選択したイベントを当該ゲームにおいて発生させることにより、当該ゲームの状態を当該プレイヤーが不利になるように変化させる、
ことを特徴とするゲーム装置。
【請求項４】
請求項３に記載のゲーム装置であって、
前記変化部は、所定のコマンドに対応付けられる複数のイベントのうち、所定の不利イベントを発生させることにより、当該ゲームの状態を当該プレイヤーが不利になるように変化させ、
当該所定のコマンドに予め対応付けられる複数のイベントのうち、当該不利イベントが発生した場合の当該ゲームの状態の変化の度合いは、当該不利イベント以外の他のイベントが発生した場合の当該ゲームの状態の変化の度合いよりも大きい、
ことを特徴とするゲーム装置。
【請求項５】
請求項１又は２に記載のゲーム装置であって、
前記変化部は、前記入力部に所定のコマンドが所定回数以上入力された場合、当該所定のコマンドに対応付けられる各々のイベントの発生確率を当該プレイヤーが不利になるように変化させる、
ことを特徴とするゲーム装置。
【請求項６】
請求項１又は２に記載のゲーム装置であって、
前記変化部は、前記入力部に所定のコマンドが所定回数以上入力された場合、当該入力された所定のコマンドを所定の不利コマンドに入れ替えることにより、当該ゲームの状態を当該プレイヤーが不利になるように変化させる、
ことを特徴とするゲーム装置。
【請求項７】
請求項２に記載のゲーム装置であって、
前記判定部は、前記求められた時間間隔の分散、標準偏差、又は、平均を表す値が前記所定範囲内にある場合に、前記ゲームの状態を前記プレイヤーが不利になるように変化させると判定する、
ことを特徴とするゲーム装置。
【請求項８】
複数のコマンドからいずれかをプレイヤーに選択させて入力させる入力部と、
前記入力されたコマンドに基づいて、ゲームの状態を当該プレイヤーが不利になるように変化させるか否かを判定する判定部と、
前記判定部により当該ゲームの状態を変化させると判定された場合に、当該ゲームの状態を当該プレイヤーが不利になるように変化させる変化部と、
前記変化されたゲームの状態を当該プレイヤーに提示する提示部と、
を備え、
前記判定部は、前記入力されたコマンドのそれぞれについて、当該プレイヤーによる入力回数を求め、当該求められた入力回数の分布の偏りに基づいて、当該ゲームの状態を当該プレイヤーが不利になるように変化させるか否かを判定する、
ことを特徴とするゲーム装置。
【請求項９】
入力部、判定部、変化部、提示部を有するゲーム装置にて実行されるゲーム処理方法であって、
前記入力部が、複数のコマンドからいずれかをプレイヤーに選択させて入力させる入力ステップと、
前記判定部が、前記入力部における入力の時間間隔に基づいて、ゲームの状態を当該プレイヤーが不利になるように変化させるか否かを判定する判定ステップと、
前記変化部が、前記判定ステップにおいて当該ゲームの状態を変化させると判定された場合に、当該ゲームの状態を当該プレイヤーが不利になるように変化させる変化ステップと、
前記提示部が、前記変化されたゲームの状態を当該プレイヤーに提示する提示ステップと、
を備えることを特徴とするゲーム処理方法。
【請求項１０】
入力部、判定部、変化部、提示部を有するゲーム装置にて実行されるゲーム処理方法であって、
前記入力部が、複数のコマンドからいずれかをプレイヤーに選択させて入力させる入力ステップと、
前記判定部が、前記入力されたコマンドに基づいて、ゲームの状態を当該プレイヤーが不利になるように変化させるか否かを判定する判定ステップと、
前記変化部が、前記判定ステップにおいて当該ゲームの状態を変化させると判定された場合に、当該ゲームの状態を当該プレイヤーが不利になるように変化させる変化ステップと、
前記提示部が、前記変化されたゲームの状態を当該プレイヤーに提示する提示ステップと、
を備え、
前記判定ステップでは、前記判定部は、前記入力されたコマンドのそれぞれについて、当該プレイヤーによる入力回数を求め、当該求められた入力回数の分布の偏りに基づいて、当該ゲームの状態を当該プレイヤーが不利になるように変化させるか否かを判定する、
ことを特徴とするゲーム処理方法。
【請求項１１】
コンピュータを、
複数のコマンドからいずれかをプレイヤーに選択させて入力させる入力部、
前記入力部における入力の時間間隔に基づいて、ゲームの状態を当該プレイヤーが不利になるように変化させるか否かを判定する判定部、
前記判定部により当該ゲームの状態を変化させると判定された場合に、当該ゲームの状態を当該プレイヤーが不利になるように変化させる変化部、
前記変化されたゲームの状態を当該プレイヤーに提示する提示部、
として機能させることを特徴とするプログラム。
【請求項１２】
コンピュータを、
複数のコマンドからいずれかをプレイヤーに選択させて入力させる入力部、
前記入力されたコマンドに基づいて、ゲームの状態を当該プレイヤーが不利になるように変化させるか否かを判定する判定部、
前記判定部により当該ゲームの状態を変化させると判定された場合に、当該ゲームの状態を当該プレイヤーが不利になるように変化させる変化部、
前記変化されたゲームの状態を当該プレイヤーに提示する提示部、
として機能させ、
前記判定部は、前記入力されたコマンドのそれぞれについて、当該プレイヤーによる入力回数を求め、当該求められた入力回数の分布の偏りに基づいて、当該ゲームの状態を当該プレイヤーが不利になるように変化させるか否かを判定する、
ことを特徴とするプログラム。