Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月18日(2010.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放送信号を受信する受信手段と、
前記受信手段により受信された放送信号から放送番組に関する番組情報を取得する番組情報取得手段と、
前記番組情報取得手段により取得された番組情報に基づいて、電子番組表を生成する番組表生成手段と、
前記電子番組表の表示に用いる言語の設定を行う言語設定手段と、
前記番組情報取得手段により取得された番組情報に含まれる放送言語に関する情報に基づいて、前記言語設定手段により設定された言語の音声で放送される番組を選別する選別手段とを備え、
前記番組表生成手段は、前記選別手段により前記設定された言語の音声で放送される番組として選別された番組と他の番組とを区別して表示した電子番組表を生成することを特徴とする放送受信機。
【請求項２】
前記番組表生成手段は、チャンネル軸と時間軸とで構成される電子番組表に設定言語チャンネル枠を設け、前記設定された言語の音声で放送される番組として選別された番組に関する番組情報を前記設定言語チャンネル枠に表示した電子番組表を生成することを特徴とする請求項１に記載の放送受信機。
【請求項３】
前記番組表生成手段は、前記設定された言語の音声で放送される番組として選別された番組が同時間帯に複数存在する場合、電子番組表に前記設定言語チャンネル枠を複数設けることを特徴とする請求項２に記載の放送受信機。
【請求項４】
前記設定言語チャンネル枠の最大数を設定可能であることを特徴とする請求項３に記載の放送受信機。
【請求項５】
前記番組表生成手段は、前記設定された言語の音声で放送される番組として選別された番組が存在しない場合、前記設定された言語の音声で放送される番組が存在しないことを通知することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の放送受信機。
【請求項６】
前記設定された言語が副音声で放送される番組について、前記設定された言語を主音声に変更して出力するように制御する制御手段をさらに備えることを特徴とする請求項５に記載の放送受信機。
【請求項７】
放送信号を受信する放送受信機で実行される電子番組表の表示方法であって、
受信した放送信号から放送番組に関する番組情報を取得する番組情報取得ステップと、
前記番組情報取得ステップにより取得された番組情報に基づいて、電子番組表を生成する番組表生成ステップと、
前記電子番組表の表示に用いる言語の設定を行う言語設定ステップと、
前記番組情報取得ステップにより取得された番組情報に含まれる放送言語に関する情報に基づいて、前記言語設定ステップにより設定された言語の音声で放送される番組を選別する選別ステップと備え、
前記番組表生成ステップは、前記選別ステップにより前記設定された言語の音声で放送される番組として選別された番組と他の番組とを区別して表示した電子番組表を生成することを特徴とする電子番組表の表示方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記目的を達するために、本発明による放送受信機は、例えば、放送信号を受信する受信手段と、前記受信手段により受信された放送信号から放送番組に関する番組情報を取得する番組情報取得手段と、前記番組情報取得手段により取得された番組情報に基づいて、電子番組表を生成する番組表生成手段と、前記電子番組表の表示に用いる言語の設定を行う言語設定手段と、前記番組情報取得手段により取得された番組情報に含まれる放送言語に関する情報に基づいて、前記言語設定手段により設定された言語の音声で放送される番組を選別する選別手段とを備え、前記番組表生成手段は、前記選別手段により前記設定された言語の音声で放送される番組として選別された番組と他の番組とを区別して表示した電子番組表を生成することを特徴とする。ここで番組情報取得手段、番組を選別する選別手段、番組表生成手段は、図１の制御部１０５による機能部であり、電子番組表を生成する際、番組表生成手段は、番組情報に基づいて番組表生成データを作成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、本発明による電子番組表の表示方法は、例えば、放送信号を受信する放送受信機で実行される電子番組表の表示方法であって、受信した放送信号から放送番組に関する番組情報を取得する番組情報取得ステップと、前記番組情報取得ステップにより取得された番組情報に基づいて、電子番組表を生成する番組表生成ステップと、前記電子番組表の表示に用いる言語の設定を行う言語設定ステップと、前記番組情報取得ステップにより取得された番組情報に含まれる放送言語に関する情報に基づいて、前記言語設定ステップにより設定された言語の音声で放送される番組を選別する選別ステップとを備え、前記番組表作成ステップは、前記選別ステップにより前記設定された言語の音声で放送される番組として選別された番組と他の番組とを区別して表示した電子番組表を生成することを特徴とする。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年8月23日(2010.8.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
変異型ｐｒｓＤＳ遺伝子（変異型ｐｒｓＤＳ遺伝子によってコードされるＰＲＰＰシンセターゼにおいて１１５位のアスパラギン酸をセリンに置換したもの）を２つの連続したＰＣＲにより構築した。第１段階では、エシェリヒア・コリＫ１２株の染色体ＤＮＡを鋳型として、第１のフラグメント用にプライマー１（配列番号３）及び３（配列番号５）を、第２のフラグメント用にプライマー２（配列番号４）及び４（配列番号６）を用いて、２つのフラグメントを増幅した。次に、得られたＰＣＲ産物を電気泳動で分離し、ゲルから溶出した。第２のＰＣＲでは、２つのＤＮＡフラグメントをアニールさせ、変異型ｐｒｓＤＳ遺伝子を完成させた。得られた、プロモーターを含まないｐｒｓＤＳ遺伝子を含むＰＣＲフラグメントをＢｇｌＩＩとＸｂａＩで処理し、同じ制限酵素で前もって処理された統合用ベクターｐＭＷ１１９−ＰRのＰRプロモーターの制御下に挿入した。このようにしてｐＭＷ１１９−ＰR−ｐｒｓＤＳを得た。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月25日(2010.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
潮流発電装置を兼ねた風力発電装置１は縦回転シャフト２を横回転シャフト３が上下に貫通し十字となり、左右に風受け回転羽根４が約９０度違えてクランジカプラー２７で調節取り付け、受けた風圧を上下に迂回しないように迂回防止板５及び迂回防止板支柱６を設け、回転羽根の下方や横に横回転羽根ストッパー７を縦シャフトに固定し、羽根４の外周部に羽根の回転誘導折り曲げ１８を設け調節できるものとし、摩擦する部位にベアリング９を設け、加速回転ボックス１１には複数の大小ギヤやチエーンの連結を繰り返し、数十倍、数百倍等に高速回転させ、複数の発電機１０を強風や暴風によって次々に作動させ、加速回転ボックス内にはブレーキを設け、又縦回転シャフトにブレーキ付シャフト受け２４を設けて安全を確保し、羽根は回転誘導折り曲げに風圧を受けて自動的に正回転し垂直と成り、縦シャフトに段違いに同じ角度で回転羽根をつけることにより、同方向のすべての羽根が垂直となり、５枚１０枚、数十枚、数百枚と縦に長い超大型羽根が瞬時に出来上がり風圧を受け、風下付近に至るときいっせいに約９０度逆回転し水平に近い角度で風上に向かう。水平方向の羽根が上又は下に風圧を受けることによって垂直になった羽根が下ストッパーに当たる前に羽根バネでストッパー衝撃速度を緩めて止まり、横ストッパーにも同時に羽根バネで衝撃速度を緩め、羽根尾部の頭部より長い部分の重さによって緩く止まるよう羽根角度調節可能とし、風上付近に至ったとき回転誘導折り曲げに受ける風力で一斉に自動回転を繰り返すことを特徴とする、潮流発電装置を兼ねた風力発電装置１．
【請求項２】
強風の吹く所によって横回転羽根および迂回防止板に通風路を設け、しなる羽根４０１，４０２、しなる羽根バネ２８により風圧を下げ、突風などの多い地では空気を逃がし、少なく風圧を受け、風力の状況に応じて安全性を確保せしめた請求項１の潮流発電装置を兼ねた風力発電装置１。
【請求項３】
潮流発電装置として用いる場合、請求項１に加え、杭８に潮位可変リング１６を設け、本体上部に浮き１５や、碇２１で固定し、潮位調節波浪吸収バネで次々に横に連結し、水深の深さによって羽根を下へ５段１０段と重ね、同時回転連動棒２７によって大量の水圧を受け、回転運動を起こし、発電機１０や加速回転ボックス１１を上又は下に設け、作動させて電力を起こす請求項１の潮流発電装置を兼ねた風力発電装置１．
【請求項４】
寒冷地や雪害の地では積雪や氷結して回転が止まらないよう迂回防止板や横回転羽根ガイドレール、ストッパーガイドレールを加熱し、氷結しないようにし、南極北極等寒冷地でも風力で発電を可能ならしめた請求項１の潮流発電装置を兼ねた風力発電装置１。
【請求項５】
小型軽量化しかつ移動組み立て式にし、地震被災地や津波被災地、台風等電力の供給が途絶えた場所に急遽海上輸送又は空輸によって設置し、風力や潮流、河川の流れから電力を供給し、人名救助や災害復興をする臨時組み立て式、請求項１の潮流発電装置を兼ねた風力発電装置１。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
【図１】正面説明図
【図２】正面図Ａ＝Ａ線間の説明平面図
【図３】羽根回転部分説明斜視図
【図４】横シャフト及び羽根の説明図
【図５】ストッパーと羽根の部分説明図
【図６】応用例連続使用説明図
【図７】潮流発電兼用応用例の説明図
【図８】海洋設置の平面説明図
【図９】海洋設置側面説明図
【図１０】建物屋上の応用例の説明図
【図１１】風力発電ビルの応用例図
【図１２】羽根ガイドリング及び羽根回転誘導折り曲げ参考図及びＣ−Ｃ線間拡大断面図
【図１３】羽根同時回転連動棒の説明図
【図１４】羽根同時回転連動棒の側面説明図
【図１５】しなる羽根の説明図
【図１６】しなる羽根側面説明図
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】１  風力発電装置
２  縦回転シャフト
３  横回転シャフト
４  回転羽根
５  迂回防止板
６  迂回防止板支柱
７  横回転羽根ストッパー
８  杭
９  ベアリング
１０  発電機
１１  加速回転ボックス
１２  潮位調節波浪吸収バネ
１３  ストッパーの衝撃防止バネ
１４  フエンス
１５  浮き
１６  潮位対応可変リング
１７  横回転シャフト及びストッパーのガイドレール
１８  羽根の回転誘導折り曲げ
１９  高層ビル
２０  作業用フオーク
２１  碇
２２  羽根頭部
２３  羽根尾部
２４  ブレーキ付シャフト受け
２５  フエンス用浮き
２６  羽根ガイドリング
２７  同時回転連動棒
２８  しなる羽根バネ
２９  羽根角度調節具クランジカプラー
４０１  しなる羽根２
４０２  しなる羽根１
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2010180876.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2010180876.tif 000002
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2010180876.tif 000003
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2010180876.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月8日(2010.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材に含浸させてシート状のプリプレグを形成するために用いる樹脂組成物であって、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂と、ジシアンジアミドと、分子内にアミノ基を１つ有する芳香族アミノ化合物とを含有し、かつ、前記ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂の含有量は、エポキシ樹脂全体の７０〜９０重量％であることを特徴とする樹脂組成物。
【請求項２】
前記ジシアンジアミドの含有量は、エポキシ樹脂１００重量部に対して１．５〜３．５重量部である請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項３】
前記分子内にアミノ基を１つ有する芳香族アミノ化合物の含有量は、エポキシ樹脂１００重量部に対して２〜１２重量部である請求項１又は２に記載の樹脂組成物。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の樹脂組成物を基材に含浸させてなることを特徴とするプリプレグ。
【請求項５】
請求項４に記載のプリプレグを１枚以上成形してなることを特徴とする積層板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
このような目的は、下記（１）〜（５）に記載の本発明により達成される。
（１）基材に含浸させてシート状のプリプレグを形成するために用いる樹脂組成物であって、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂と、ジシアンジアミドと、分子内にアミノ基を１つ有する芳香族アミノ化合物とを含有し、かつ、前記ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂の含有量は、エポキシ樹脂全体の７０〜９０重量％であることを特徴とする樹脂組成物。
（２）前記ジシアンジアミドの含有量は、エポキシ樹脂１００重量部に対して１．５〜３．５重量部である上記（１）に記載の樹脂組成物。
（３）前記分子内にアミノ基を１つ有する芳香族アミノ化合物の含有量は、エポキシ樹脂１００重量部に対して２〜１２重量部である上記（１）又は（２）に記載の樹脂組成物。
（４）上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の樹脂組成物を基材に含浸させてなることを特徴とするプリプレグ。
（５）上記（４）に記載のプリプレグを１枚以上成形してなることを特徴とする積層板。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
【表１】
2010180406.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月20日(2009.5.20)
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
【図１】本発明のダニ防除剤をシート状生地で被覆した例である。
【図２】本発明のダニ防除剤を、粘着剤を塗布したシートやフィルム上に設置した例である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月22日(2010.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面プラスモン共鳴で測定した場合に少なくとも1010 M-1の親和性定数 (Ka)で呼吸合胞体ウイルス (RSV) F 抗原に特異的に結合する高親和性中和免疫グロブリンの製造プロセスであって、該プロセスが、既存の抗体の一以上の相補性決定領域 (CDR)に一以上のアミノ酸変化を導入する工程であって、該既存の抗体が以下のCDRを含み：
2010180207.tif 000001
ここで四角で囲まれた部位に該一以上のアミノ酸変化を導入する、上記工程を含む、上記プロセス。
【請求項２】
一以上のアミノ酸変化が、VL CDR2の四角で囲まれた部位におけるアミノ酸変化である、請求項１記載のプロセス。
【請求項３】
VL CDR2の四角で囲まれた部位におけるセリン残基を、フェニルアラニンまたはチロシン残基で置換する、請求項２記載のプロセス。
【請求項４】
一以上のアミノ酸変化が、VL CDR3の四角で囲まれた部位におけるアミノ酸変化である、請求項１〜３のいずれか１項記載のプロセス。
【請求項５】
VL CDR3の四角で囲まれた部位におけるグリシン残基を、フェニルアラニン、トリプトファンまたはチロシン残基で置換する、請求項４記載のプロセス。
【請求項６】
一以上のアミノ酸変化が、VH CDR1の四角で囲まれた部位におけるアミノ酸変化である、請求項１〜５のいずれか１項記載のプロセス。
【請求項７】
VH CDR1の四角で囲まれた部位におけるセリン残基を、アラニンまたはプロリン残基で置換する、請求項６記載のプロセス。
【請求項８】
一以上のアミノ酸変化が、VH CDR3の四角で囲まれた部位におけるアミノ酸変化である、請求項１〜７のいずれか１項記載のプロセス。
【請求項９】
VH CDR3の四角で囲まれた部位におけるグリシン残基を、フェニルアラニンまたはトリプトファン残基で置換する、請求項８記載のプロセス。
【請求項１０】
免疫グロブリンが配列番号2で示されるアミノ酸配列を含むVH (図1B)および配列番号1で示されるアミノ酸配列を含むVL (図1A)を含む抗体と同じ、該RSV F 抗原上のエピトープに結合する、請求項１〜９のいずれか１項記載のプロセス。
【請求項１１】
免疫グロブリンが実施例2に記載される微小中和検定で測定した場合に、RSVを中和する、請求項１〜１０のいずれか１項記載のプロセス。
【請求項１２】
免疫グロブリンが微小中和検定において、IX-493抗体のIC50よりも小さなIC50を有する、請求項１１記載のプロセス。
【請求項１３】
免疫グロブリンが、1010 M-1のKaを有する、請求項１〜１２のいずれか１項記載のプロセス。
【請求項１４】
免疫グロブリンが、1011 M-1のKaを有する、請求項１〜１２のいずれか１項記載のプロセス。
【請求項１５】
免疫グロブリンが、少なくとも1011 M-1のKaを有する、請求項１〜１２のいずれか１項記載のプロセス。
【請求項１６】
既存の抗体が図1, 3, 4, 5, 6または7に開示される枠組み構造領域をさらに含む、請求項１〜１５のいずれか１項に記載のプロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月18日(2010.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リポソームを含む、癌治療用の非経口投与用組成物であって、
インビトロにおいて癌細胞に対して相乗的な細胞傷害作用または細胞分裂抑制作用が示されるような第1の抗腫瘍薬対第2の抗腫瘍薬のモル比で、少なくとも第1の抗腫瘍薬および第2の抗腫瘍薬が該リポソームに安定的に会合しており、
該安定的な会合は、インビボで投与した場合に、血液中における該抗腫瘍薬の該相乗的な比を少なくとも1時間維持し、および
該相乗的な比は、影響を受ける細胞画分が0.20〜0.80である濃度範囲でのインビトロアッセイ法において、該比が該癌に妥当な癌細胞に提供される場合に、相乗作用が該範囲の少なくとも20%にわたって示されるようなものである、組成物。
【請求項２】
前記リポソームの平均径が4.5〜500nmの間である、請求項1記載の組成物。
【請求項３】
前記リポソームの平均径が250nm未満である、請求項２記載の組成物。
【請求項４】
第1および第2の抗腫瘍薬が共封入されている、請求項１〜３のいずれかに記載の組成物。
【請求項５】
抗腫瘍薬の少なくとも1つが、DNA損傷物質、DNA修復阻害物質、トポイソメラーゼI阻害物質、トポイソメラーゼII阻害物質、細胞チェックポイント阻害物質、CDK阻害物質、受容体チロシンキナーゼ阻害物質、細胞傷害物質、アポトーシス誘導物質、代謝拮抗物質、細胞周期制御阻害物質、治療的脂質、テロメラーゼ阻害物質、血管形成抑制物質、ミトコンドリア毒、シグナル伝達阻害物質および免疫作用物質からなる群より選択される、請求項１〜４のいずれかに記載の組成物。
【請求項６】
第1の抗腫瘍薬が細胞傷害物質であって第2の抗腫瘍薬が細胞周期阻害物質である、または
第1の抗腫瘍薬がDNA損傷物質であって第2の抗腫瘍薬がDNA修復阻害物質である、または
第1の抗腫瘍薬がトポイソメラーゼI阻害物質であって第2の抗腫瘍薬がS/G2チェックポイント阻害物質もしくはG2/Mチェックポイント阻害物質である、または
第1の抗腫瘍薬がG1/Sチェックポイント阻害物質もしくはサイクリン依存性キナーゼ阻害物質であって第2の抗腫瘍薬がG2/Mチェックポイント阻害物質である、または
第1の抗腫瘍薬が受容体キナーゼ阻害物質であって第2の抗腫瘍薬が細胞傷害物質である、または
第1の抗腫瘍薬がアポトーシス誘導物質であって第2の抗腫瘍薬が細胞傷害物質である、または
第1の抗腫瘍薬がアポトーシス誘導物質であって第2の抗腫瘍薬が細胞周期制御物質である、または
第1の抗腫瘍薬がテロメラーゼ阻害物質であって第2の抗腫瘍薬が細胞周期制御阻害物質である、または
第1および第2の抗腫瘍薬が代謝拮抗物質である、または
第1および第2の抗腫瘍薬が細胞傷害物質である、または
第1の抗腫瘍薬が治療的脂質であって第2の抗腫瘍薬が細胞傷害物質である、または
第1の抗腫瘍薬がトポイソメラーゼI阻害物質であって第2の抗腫瘍薬がDNA修復阻害物質である、または
アポトーシス誘導物質がセリン含有脂質である、
請求項１〜５のいずれかに記載の組成物。
【請求項７】
第1の抗腫瘍薬がイリノテカンであって第2の抗腫瘍薬が5-FUもしくはFUDRである、または
第1の抗腫瘍薬がシスプラチン（もしくはカルボプラチン）であって第2の抗腫瘍薬が5-FUもしくはFUDRである、または
第1の抗腫瘍薬がイダルビシンであって第2の抗腫瘍薬がAraCもしくはFUDRである、または
第1の抗腫瘍薬がオキサリプラチンであって第2の抗腫瘍薬が5-FUもしくはFUDRである、または
第1の抗腫瘍薬がイリノテカンであって第2の抗腫瘍薬がシスプラチン（もしくはカルボプラチン）である、または
第1の抗腫瘍薬がゲムシタビンであって第2の抗腫瘍薬がシスプラチン（もしくはカルボプラチン）である、または
第1の抗腫瘍薬がメトトレキサートであって第2の抗腫瘍薬が5-FUもしくはFUDRである、または
第1の抗腫瘍薬がパクリタキセルであって第2の抗腫瘍薬がシスプラチン（もしくはカルボプラチン）である、または
第1の抗腫瘍薬がエトポシドであって第2の抗腫瘍薬がシスプラチン（もしくはカルボプラチン）である、または
第1の抗腫瘍薬がドセタキセルもしくはパクリタキセルであって第2の抗腫瘍薬がドキソルビシンである、または
第1の抗腫瘍薬がドキソルビシンであって第2の抗腫瘍薬がビノレルビンである、または
第1の抗腫瘍薬がカルボプラチンであって第2の抗腫瘍薬がビノレルビンである、または
第1の抗腫瘍薬が5-FUもしくはFUDRであって第2の抗腫瘍薬がゲムシタビンである、
請求項１〜６のいずれかに記載の組成物。
【請求項８】
癌治療剤を調製するための、請求項１〜７のいずれか一項記載の組成物の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月25日(2010.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像の表示が可能な携帯電子機器であって、
画像の拡大および縮小の指示を行う指示手段と、
前記携帯電子機器の設定を行う設定手段と、
前記設定手段による設定に関する情報を表示する表示手段とを備え、
前記設定手段により携帯電子機器の設定を行う際に、前記指示手段による拡大、縮小の指示の状態に応じて、前記表示手段が表示する設定に関する情報を切り替えることを特徴とする携帯電子機器。
【請求項２】
前記表示手段により表示される情報は携帯電子機器の設定に関するガイダンス情報であり、前記指示手段による拡大、縮小の指示の状態に応じて、ガイダンス情報の画面の表示、非表示を切り替えることを特徴とする請求項１記載の携帯電子機器。
【請求項３】
前記表示手段により表示される情報は複数の画面から構成される携帯電子機器の設定に関するガイダンス情報であり、前記指示手段による拡大、縮小の状態に応じて、表示されるガイダンス情報の画面を切り替えることを特徴とする請求項１記載の携帯電子機器。
【請求項４】
前記ガイダンス情報の切り替えは、前記指示手段の操作回数に応じて行われることを特徴とする請求項３記載の携帯電子機器。
【請求項５】
前記ガイダンス情報の切り替えは、前記指示手段の操作時間に応じて行われることを特徴とする請求項３記載の携帯電子機器。
【請求項６】
前記複数の画面から構成されるガイダンス情報は、詳細度の異なるガイダンス情報であり、前記指示手段の拡大、縮小の指示の状態に応じて、表示されるガイダンス情報の詳細度を切り替えることを特徴とする請求項３記載の携帯電子機器。
【請求項７】
画像の表示が可能な携帯電子機器であって、
光学ズームあるいは電子ズームにより画像の拡大および縮小の指示を行う指示手段と、
前記携帯電子機器の設定を行う設定手段と、
前記設定手段による設定に関する情報を表示する表示手段とを備え、
前記設定手段により携帯電子機器の設定を行う際に、前記指示手段による拡大、縮小の指示の状態に応じて、前記表示手段が表示する設定に関する情報を切り替えることを特徴とする携帯電子機器。
【請求項８】
前記携帯電子機器は映像再生装置であり、前記指示手段は電子ズームを指示する手段であることを特徴とする請求項１記載の携帯電子機器。
【請求項９】
画像の拡大および縮小の指示を行う指示手段と、携帯電子機器の設定を行う設定手段と、前記設定手段による設定に関する情報を表示する表示手段とを備える携帯電子機器の設定方法であって、
前記設定手段により携帯電子機器の設定を行う際に、前記指示手段による拡大、縮小の指示の状態に応じて、前記表示手段が表示する設定に関する情報を切り替えるステップを有することを特徴とする携帯電子機器の設定方法。
【請求項１０】
画像の拡大および縮小の指示を行う指示手段と、携帯電子機器の設定を行う設定手段と、前記設定手段による設定に関する情報を表示する表示手段とを備える携帯電子機器の設定方法を実行するためのプログラムであって、
前記設定手段により携帯電子機器の設定を行う際に、前記指示手段による拡大、縮小の指示の状態に応じて、前記表示手段が表示する設定に関する情報を切り替えるステップを有することを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】携帯電子機器
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、このような問題を鑑みられてなされたものであり、専用の操作手段を設けることなく、設定情報表示を限られた表示領域の中で視認性よく行える携帯電子機器、携帯電子機器の制御方法、及びプログラムを提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の携帯電子機器は、画像の表示が可能な携帯電子機器であって、画像の拡大および縮小の指示を行う指示手段と、前記携帯電子機器の設定を行う設定手段と、前記設定手段による設定に関する情報を表示する表示手段とを備え、前記設定手段により携帯電子機器の設定を行う際に、前記リサイズ指示手段による拡大、縮小の指示の状態に応じて、前記表示手段が表示する設定に関する情報を切り替えることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明の携帯電子機器の設定方法は、画像の拡大および縮小の指示を行う指示手段と、携帯電子機器の設定を行う設定手段と、前記設定手段による設定に関する情報を表示する表示手段とを備える携帯電子機器の設定方法であって、前記設定手段により携帯電子機器の設定を行う際に、前記指示手段による拡大、縮小の指示の状態に応じて、前記表示手段が表示する設定に関する情報を切り替えるステップを有することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明のプログラムは、画像の拡大および縮小の指示を行う指示手段と、携帯電子機器の設定を行う設定手段と、前記設定手段による設定に関する情報を表示する表示手段とを備える携帯電子機器の設定方法を実行するためのプログラムであって、前記設定手段により携帯電子機器の設定を行う際に、前記指示手段による拡大、縮小の指示の状態に応じて、前記表示手段が表示する設定に関する情報を切り替えるステップを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月19日(2010.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
ハンプ特性のＷ長依存性
通常構造の薄膜トランジスタにおいて、ハンプ特性のＷ長依存性を調べた。作製した薄膜トランジスタは、Ｎチャンネル薄膜トランジスタであり、Ｌ長＝２μｍ、ＴＯＸ＝８０ｎｍ、Ｖｄ＝０．０５Ｖである。前記薄膜トランジスタにおいて、ＢＴＳ前後のＩ−Ｖ特性からハンプのシフトΔ１ｎＡＶｔｈ（電流値１Ｘ１０−９ＡにおけるＢＴＳ前後の電圧値の差）を求め、Ｗ長と前記ハンプのシフトΔ１ｎＡＶｔｈの関係を調べた。なお、印加したＢＴＳは、Ｖｇ＝１２Ｖ、Ｖｓ＝Ｖｄ＝０Ｖ、温度＝９０℃、印加時間＝２０００秒である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
図７は、ゲート電極がノーマル型の薄膜トランジスタにおける端部電流の経路（図中、矢印で示す。以下同じ。）を模式的に示す図であり、図８は、ゲート電極がＨ型の薄膜トランジスタ（図３に示す構造の薄膜トランジスタ）における端部電流の経路を模式的に示す図である。ノーマル型では固定チャージ下の多結晶シリコン薄膜端部に電流が流れるのに対して、Ｈ型では端部電流が大幅に低減される。同様に、図９は、ゲート電極がＨ型（内側）（ゲート電極がＨ型で且つ突出部が多結晶シリコン薄膜の両端部よりも内側に形成された薄膜トランジスタ（図４に示す構造の薄膜トランジスタ）における端部電流の経路を模式的に示す図である。この場合にも、突出部下に高抵抗領域が形成されるため、端部電流の経路における抵抗値がＨ型と同等である。シミュレーションによれば、ゲート電極をＨ型、あるいはＨ型（内側）とした場合、固定チャージ下の多結晶シリコン薄膜に流れる電流は、ノーマル型に比べて６桁小さい結果となった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2010056169.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月25日(2010.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
請求項１３に記載の面発光レーザアレイの製造方法により製造された面発光レーザアレイと、該面発光レーザアレイからの光によって静電潜像を形成する感光体と、帯電器と、現像器とを有することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月29日(2010.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｒ−Ｆｅ−Ｂ（Ｒは希土類元素）系磁石の主相であるＮｄ2Ｆｅ14Ｂの粒界の一部に被覆率５０％以上で層状の粒界相が形成された希土類磁石であって、
前記粒界相のフッ素化合物が複数の希土類元素及び鉄を含むことを特徴とする希土類磁石。
【請求項２】
請求項１に記載の希土類磁石において、
前記フッ素化合物のキュリー温度が主相のキュリー温度よりも高いことを特徴とする希土類磁石。
【請求項３】
請求項１に記載の希土類磁石において、
フッ素化合物を含む前記粒界相は、強磁性を示していることを特徴とする希土類磁石。
【請求項４】
請求項１に記載の希土類磁石において、
フッ素化合物を含む前記粒界相は強磁性を示し、かつ、高保磁力を有していることを特徴とする希土類磁石。
【請求項５】
請求項１に記載の希土類磁石において、
前記粒界相が希土類酸化物とフッ化物の混合層あるいは酸フッ化物であることを特徴とする希土類磁石。
【請求項６】
請求項１に記載の希土類磁石において、
前記粒界相に含まれるフッ素化合物はＢａＦ2，ＣａＦ2，ＭｇＦ2，ＳｒＦ2，ＬｉＦ，ＬａＦ3，ＮｄＦ3，ＰｒＦ3，ＳｍＦ3，ＥｕＦ3，ＧｄＦ3，ＴｂＦ3，ＤｙＦ3，ＣｅＦ3，ＨｏＦ3，ＥｒＦ3，ＴｍＦ3，ＹｂＦ3，ＬｕＦ3，ＬａＦ2,ＮｄＦ2，ＰｒＦ2，ＳｍＦ2，ＥｕＦ2，ＧｄＦ2，ＴｂＦ2，ＤｙＦ2，ＣｅＦ2，ＨｏＦ2,ＥｒＦ2，ＴｍＦ2，ＹｂＦ2，ＬｕＦ2，ＹＦ3，ＳｃＦ3，ＣｒＦ3，ＭｎＦ2，ＭｎＦ3，ＦｅＦ2，ＦｅＦ3，ＣｏＦ2，ＣｏＦ3，ＮｉＦ2，ＺｎＦ2，ＡｇＦ，ＰｂＦ4，ＡｌＦ3，ＧａＦ3，ＳｎＦ2，ＳｎＦ4，ＩｎＦ3，ＰｂＦ2，ＢｉＦ3であることを特徴とする希土類磁石。
【請求項７】
請求項１に記載の希土類磁石において、
前記粒界相に含まれるフッ素化合物はＲＦ3又はＲＦ2であることを特徴とする希土類磁石。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月19日(2010.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
一方、ユーザによって画像既登録の電話帳情報を抽出するためのキー操作がなされると（Ｓ４０５：ＹＥＳ）、ＣＰＵ１００は、電話帳テーブルのＩＤ番号の欄を参照し、ＩＤ番号のある電話帳情報を抽出する（Ｓ４０６）。そして、ＣＰＵ１００は、電話帳情報が抽出されれば（Ｓ４０３：ＹＥＳ）、液晶パネル２１に抽出された電話帳情報を表示させる（Ｓ４０４）。この処理により、たとえば、図１１（ｂ）に示すように、画像既登録の各案件の名前および電話番号が画像とともに表示される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2010056870.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月31日(2010.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＢＯＸ層上にＳＯＩ層を有するＳＯＩウェーハのＳＯＩ層上にエピタキシャル層を成長させてＳＯＩ層を厚くするＳＯＩウェーハの製造方法において、前記エピタキシャル層を成長させるＳＯＩウェーハの８００〜１３００ｎｍの赤外線波長領域における赤外線反射率が２０％以上４０％以下のものを用いて、前記エピタキシャル層を厚さ１μｍより厚くエピタキシャル成長させることを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記エピタキシャル層を成長させるＳＯＩウェーハのＢＯＸ層の厚さを、３０ｎｍ以下、又は、（（３４０の正の整数倍）±２０）ｎｍとすることを特徴とする請求項１に記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記エピタキシャル層を成長させるＳＯＩウェーハを、ボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類をイオン注入してウェーハ内部にイオン注入層を形成し、前記ボンドウェーハのイオン注入された側の表面とベースウェーハの表面とを、酸化膜を介して密着させ、次いで前記イオン注入層においてボンドウェーハを薄膜状に分離して作製することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のＳＯＩウエーハの製造方法。
【請求項４】
前記エピタキシャル層を、前記ＳＯＩウェーハに照射する赤外線ランプの発光波長を８００〜１３００ｎｍに限定した枚葉式ランプ加熱装置を用いて成長させることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
【請求項５】
シリコン単結晶からなるベースウェーハと、該ベースウェーハ上のＢＯＸ層と、該ＢＯＸ層上のＳＯＩ層とからなるＳＯＩウェーハであって、前記ＢＯＸ層の厚さが３０ｎｍ以下、又は、（（３４０の正の整数倍）±２０）ｎｍであり、前記ＳＯＩ層が前記ＢＯＸ層上のシリコン単結晶層と、該シリコン単結晶層上に成長されたエピタキシャル層とからなるものであることを特徴とするＳＯＩウェーハ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明は、ＢＯＸ層上にＳＯＩ層を有するＳＯＩウェーハのＳＯＩ層上にエピタキシャル層を成長させてＳＯＩ層を厚くするＳＯＩウェーハの製造方法において、前記エピタキシャル層を成長させるＳＯＩウェーハの８００〜１３００ｎｍの赤外線波長領域における赤外線反射率が２０％以上４０％以下のものを用いてエピタキシャル成長させることを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
このとき、前記エピタキシャル層を成長させるＳＯＩウェーハのＢＯＸ層の厚さを、３０ｎｍ以下、又は、（（３４０の正の整数倍）±２０）ｎｍとすることが好ましい。
このような厚さのＢＯＸ層を有するＳＯＩウェーハであれば、ＳＯＩ層の厚さに関わらず、８００〜１３００ｎｍの赤外線波長領域における赤外線反射率が２０％以上４０％以下となる。このため、本発明を実施する際に、ＳＯＩウェーハのＢＯＸ層の厚さのみを調整すればよく、さらにエピタキシャル成長時のＳＯＩ層厚の変化による反射率の変動も少ないため、スリップフリーで厚膜のＳＯＩウェーハを生産性良く製造することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
このとき、前記エピタキシャル層を成長させるＳＯＩウェーハを、ボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類をイオン注入してウェーハ内部にイオン注入層を形成し、前記ボンドウェーハのイオン注入された側の表面とベースウェーハの表面とを、酸化膜を介して密着させ、次いで前記イオン注入層においてボンドウェーハを薄膜状に分離して作製することが好ましい。
このようなイオン注入剥離法により作製されたＳＯＩウェーハであれば、膜厚均一性の高いＳＯＩ層を有するため、そのＳＯＩ層にエピタキシャル層を成長させれば、より高品質の厚膜ＳＯＩウェーハにすることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
このとき、前記エピタキシャル層を、前記ＳＯＩウェーハに照射する赤外線ランプの発光波長を８００〜１３００ｎｍに限定した枚葉式ランプ加熱装置を用いて成長させることが好ましい。
赤外線ランプの発光波長を上記範囲にすることで、波長の反射率に対する影響を少なくすることができるため、スリップフリーの設定条件により近い状態でエピタキシャル層を成長させることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
このとき、前記エピタキシャル層を、厚さ１μｍより厚く成長させることが好ましい。
このように、比較的厚くエピタキシャル層を成長させる場合でも、本発明の製造方法であればＳＯＩ層の層厚変化による赤外線反射率の変化がほとんど無く、高温を長く保持してもエピタキシャル成長開始から終了までスリップフリー条件でエピタキシャル層を成長させることができるため、好適である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明は、シリコン単結晶からなるベースウェーハと、該ベースウェーハ上のＢＯＸ層と、該ＢＯＸ層上のＳＯＩ層とからなるＳＯＩウェーハであって、前記ＢＯＸ層の厚さが３０ｎｍ以下、又は、（（３４０の正の整数倍）±２０）ｎｍであり、前記ＳＯＩ層が前記ＢＯＸ層上のシリコン単結晶層と、該シリコン単結晶層上に成長されたエピタキシャル層とからなるものであることを特徴とするＳＯＩウェーハを提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月13日(2010.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式IIa：
【化１】
2010077137.tif 000001
[式中、
Ｇ１は、(Ｃ３−７)シクロアルキル、フェニル、ヘテロシクロアルキル、またはヘテロアリールから独立に選択される、７個以下の環原子を含む単環式の環構造であり、ハロゲン、ヒドロキシ、ハロ(Ｃ１−６)アルコキシ、アセトアミド、シアノ、(Ｃ１−６)アルキル、(Ｃ１−６)アルコキシおよびアルキルスルホニル{何れの置換基中のアルキル基も、それ自身、ハロゲン、ヒドロキシおよび(Ｃ１−６)アルコキシから選択される、１個もしくはそれ以上の基で、任意に置換されている}から選択される、１個もしくは２個の置換基によって、任意に置換されており；
Ｇ２は窒素を含む６員環であり、ここで、その窒素がＺに結合し、そして、当該環はハロゲン、ヒドロキシ、ハロ(Ｃ１−６)アルコキシ、アセトアミド、シアノ、(Ｃ１−６)アルキル、(Ｃ１−６)アルコキシおよびアルキルスルホニル{何れの置換基中のアルキル基も、それ自身、ハロゲン、ヒドロキシおよび(Ｃ１−６)アルコキシから選択される、１個もしくはそれ以上の基で、任意に置換されている}から選択される、１個もしくは２個の置換基によって、任意に置換されており；
ＺはＳＯ２であり；
Ｂは、直接結合、Ｏ、(Ｃ１−６)アルキレン、(Ｃ１−６)ヘテロアルキレン、ＣＯ、ＮＨＣＯ、ＣＯＮＨ、ＮＨ、Ｓおよび(Ｃ２−６)アルキニレンから選択され；
Ｒ２は、Ｈ、(Ｃ１−６)アルキル、アルコキシアルキル、アミノアルキル、(Ｎ−アルキルアミノ)アルキル、(Ｎ,Ｎ−ジアルキルアミノ)アルキルおよびアミドアルキルから選択されるか、またはＲ２は、式III:
【化２】
2010077137.tif 000002
{式中、
Ｃは、直接結合、(Ｃ１−Ｃ６)アルキレンおよび(Ｃ１−Ｃ６)ヘテロアルキレンから選択され；
ＤはＨまたは直接結合から選択され；
Ｇ３は、ハロゲンおよび(Ｃ１−６)アルキルから選択される１個もしくはそれ以上の基で置換されたアルキルから独立に選択される、１個もしくは２個の置換基によって、任意に置換されているフェニル、ヘテロシクロアルキルおよびヘテロアリールから独立に選択される、７個以下の環原子を含む単環式の環構造である}の基であり；
Ｒ３は、Ｈまたは(Ｃ１−３)アルキルから選択され、そしてＲ４はＨであり；
任意に、Ｒ２とＲ３が、結合して７個以下の環原子を含む環を形成するか、または
Ｒ３とＲ４が、結合して７個以下の環原子を含む環を形成する]
の化合物、またはその薬学的に許容される塩。
【請求項２】
Ｒ２がメチルである、請求項１に記載の化合物、またはその薬学的に許容される塩。
【請求項３】
環Ｇ２の４位の原子が炭素である、請求項１または２に記載の化合物、またはその薬学的に許容される塩。
【請求項４】
ＢがＯである、請求項１〜３のいずれかに記載の化合物、またはその薬学的に許容される塩。
【請求項５】
ＢがＣ２アルキニレンである、請求項１〜３のいずれかに記載の化合物、またはその薬学的に許容される塩。
【請求項６】
環Ｇ１がピリジルである、請求項１〜５のいずれかに記載の化合物、またはその薬学的に許容される塩。
【請求項７】
環Ｇ１が１,３−ピリミジルである、請求項１〜５のいずれかに記載の化合物、またはその薬学的に許容される塩。
【請求項８】
環Ｇ１がシクロプロピルで１置換されている、請求項１〜７のいずれかに記載の化合物、またはその薬学的に許容される塩。
【請求項９】
環Ｇ１が塩素で１置換されている、請求項１〜７のいずれかに記載の化合物、またはその薬学的に許容される塩。
【請求項１０】
(5R,S)-5-[4-(5-クロロ-ピリジン-2-イルオキシ)-ピペリジン-1-スルホニルメチル]-5-メチル-イミダゾリジン-2,4-ジオン、またはその薬学的に許容される塩。
【請求項１１】
(5S)-5-[4-(5-クロロ-ピリジン-2-イルオキシ)-ピペリジン-1-スルホニルメチル]-5-メチル-イミダゾリジン-2,4-ジオン、またはその薬学的に許容される塩。
【請求項１２】
(5R)-5-[4-(5-クロロ-ピリジン-2-イルオキシ)-ピペリジン-1-スルホニルメチル]-5-メチル-イミダゾリジン-2,4-ジオン、またはその薬学的に許容される塩。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月7日(2010.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
【図１】従来の送電鉄塔または鉄骨構造物に使用されたアングル型鉄骨部材における座屈現像を示す図である。
【図２】本発明の実施形態による圧縮座屈耐力補強機構をアングル型鉄骨部材に設置した斜視図である。
【図３】図２に示された圧縮座屈耐力補強機構を詳細に説明するための断面図である。
【図４ａ】図３に示された圧縮座屈耐力補強機構をアングル型鉄骨部材に締結する方法を示す断面図である。
【図４ｂ】図３に示された圧縮座屈耐力補強機構をアングル型鉄骨部材に締結する方法を示す断面図である。
【図５】本発明の実施形態による圧縮座屈耐力補強機構を設置することによってアングル型鉄骨部材の耐力が強化されることを示す図である。
【図６】本発明の実施形態による第１および第２固定金具部に対する他の実施形態を示す斜視図である。
【図７】図１に対応する従来の送電鉄塔または鉄骨構造物に使用されたアングル型鉄骨部材における座屈現像を示す図である。
【図８】図５に対応する本発明の実施形態による圧縮座屈耐力補強機構を設置することによってアングル型鉄骨部材の耐力が強化されることを示す図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】追加
【補正の内容】
【図７】
2010077800.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】追加
【補正の内容】
【図８】
2010077800.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月28日(2010.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークを介して通信を行う通信装置であって、
受信したパケットの処理を制限する対象となる装置のネットワーク層におけるアドレスと、当該装置のネットワーク層とは異なる階層におけるアドレスとを関連付けて記憶する記憶手段と、
前記ネットワークを介して受信したパケットの送信元の装置のネットワーク層における第１アドレスと、前記ネットワーク層とは異なる階層における第２アドレスとを検出する検出手段と、
前記検出手段によって検出された前記第１アドレスが前記記憶手段によって記憶されている場合、前記受信したパケットの処理を制限するフィルタ手段と、
前記検出手段によって検出された前記第１アドレスが前記記憶手段に記憶されておらず、且つ、前記検出手段によって検出された前記第２アドレスが前記記憶手段に記憶されている場合、前記第１アドレスを前記第２アドレスに関連付けて前記記憶手段に記憶するよう制御する記憶制御手段と、
を有することを特徴とする通信装置。
【請求項２】
前記記憶制御手段は、前記記憶手段に前記第２アドレスと関連付けて記憶されているネットワーク層におけるアドレスを、前記第１アドレスに変更することを特徴とする、請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】
前記検出手段によって検出された前記第１アドレスが前記記憶手段によって記憶されておらず、且つ、前記検出手段によって検出された前記第２アドレスが前記記憶手段によって複数記憶されている場合、当該複数の第２アドレスそれぞれに関連付けられて前記記憶手段に記憶されているネットワーク層におけるアドレスにメッセージを送信する送信手段を更に有し、
前記記憶制御手段は、前記送信手段によって送信されたメッセージに基づく通信ができなかったネットワーク層におけるアドレスを、前記検出手段によって検出された前記第１のアドレスに更新することを特徴とする請求項２に記載の通信装置。
【請求項４】
前記ネットワーク層とは異なる階層のアドレスは、装置のハードウェアアドレスまたはホスト名であることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項５】
前記ネットワーク層とは異なる階層のアドレスはホスト名であり、
前記記憶制御手段は、前記通信装置と接続されるＤＮＳサーバに対して前記ホスト名に対応するネットワーク層のアドレスを定期的に問い合わせ、問合せに対する前記ＤＮＳサーバからの応答によって取得されるネットワーク層のアドレスが前記記憶手段に記憶されているネットワーク層のアドレスと異なる場合には、前記記憶手段に記憶されている変更前のネットワーク層のアドレスを前記ＤＮＳサーバからの応答によって取得されるネットワーク層のアドレスに変更することを特徴とする請求項２または３に記載の通信装置。
【請求項６】
前記ネットワーク層のアドレスは、ＩＰｖ４或はＩＰｖ６アドレスを含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項７】
ネットワークを介して通信を行う通信装置の制御方法であって、
受信したパケットの処理を制限する対象となる装置のネットワーク層におけるアドレススと、当該装置のネットワーク層とは異なる階層におけるアドレスとを関連付けてメモリに記憶する記憶工程と、
前記ネットワークを介して受信したパケットの送信元の装置のネットワーク層における第１アドレスと、前記ネットワーク層とは異なる階層における第２アドレスとを検出する検出工程と、
前記検出工程で検出された前記第１アドレスが前記メモリに記憶されている場合、前記受信したパケットの処理を制限するフィルタ工程と、
前記検出工程において検出された前記第１アドレスが前記メモリに記憶されておらず、且つ、前記検出工程において検出された前記第２アドレスが前記メモリに記憶されている場合、前記第１アドレスを前記第２アドレスに関連付けて前記メモリに記憶するよう制御する記憶制御工程と、
を有することを特徴とする通信装置の制御方法。
【請求項８】
請求項７の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】通信装置及びその制御方法とプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ネットワーク通信機能を備えた通信装置及びその制御方法とプログラムに関し、特にパケットのフィルタリング技術に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために本発明の一態様に係る通信装置は以下のような構成を備える。即ち、
ネットワークを介して通信を行う通信装置であって、
受信したパケットの処理を制限する対象となる装置のネットワーク層におけるアドレスと、当該装置のネットワーク層とは異なる階層におけるアドレスとを関連付けて記憶する記憶手段と、
前記ネットワークを介して受信したパケットの送信元の装置のネットワーク層における第１アドレスと、前記ネットワーク層とは異なる階層における第２アドレスとを検出する検出手段と、
前記検出手段によって検出された前記第１アドレスが前記記憶手段によって記憶されている場合、前記受信したパケットの処理を制限するフィルタ手段と、
前記検出手段によって検出された前記第１アドレスが前記記憶手段に記憶されておらず、且つ、前記検出手段によって検出された前記第２アドレスが前記記憶手段に記憶されている場合、前記第１アドレスを前記第２アドレスに関連付けて前記記憶手段に記憶するよう制御する記憶制御手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するために本発明の一態様に係る通信装置の制御方法は以下のような工程を備える。即ち、
ネットワークを介して通信を行う通信装置の制御方法であって、
受信したパケットの処理を制限する対象となる装置のネットワーク層におけるアドレススと、当該装置のネットワーク層とは異なる階層におけるアドレスとを関連付けてメモリに記憶する記憶工程と、
前記ネットワークを介して受信したパケットの送信元の装置のネットワーク層における第１アドレスと、前記ネットワーク層とは異なる階層における第２アドレスとを検出する検出工程と、
前記検出工程で検出された前記第１アドレスが前記メモリに記憶されている場合、前記受信したパケットの処理を制限するフィルタ工程と、
前記検出工程において検出された前記第１アドレスが前記メモリに記憶されておらず、且つ、前記検出工程において検出された前記第２アドレスが前記メモリに記憶されている場合、前記第１アドレスを前記第２アドレスに関連付けて前記メモリに記憶するよう制御する記憶制御工程と、を有することを特徴とする。