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【手続補正書】
【提出日】平成22年6月14日(2010.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リモートコントローラと、前記リモートコントローラによって制御される装置本体とから成るリモートコントロールシステムであって、
前記リモートコントローラには、当該リモートコントローラに関する情報が格納された無線ＩＣタグが装着されており、
前記装置本体には、前記リモートコントローラが存在することを前提とした通常操作モードと、前記リモートコントローラが紛失又は電池切れであることを前提としたモードであって前記通常操作モードに比べて操作可能内容が追加された非常操作モードと、が用意されており、
前記装置本体には、前記無線ＩＣタグに格納されている前記情報を無線ＩＣタグが発する電磁波を検知して読み取ることができ且つ前記無線ＩＣタグを検知できない事態が生じたときには音報知を行う読取部と、前記非常操作モード用のボタンとが設けられており、前記ボタンに対する操作は前記通常操作モード時には無効とされ、前記非常操作モード時には有効とされることを特徴とするリモートコントロールシステム。
【請求項２】
請求項１に記載のリモートコントロールシステムにおいて、前記読取部は独自電源を有し、前記装置本体に対して着脱自在に設けられていることを特徴とするリモートコントロールシステム。
【請求項３】
請求項２に記載のリモートコントロールシステムにおいて、前記装置本体から前記読取部を離脱した状態では、前記無線ＩＣタグを検知できるときに音報知を行うことを特徴とするリモートコントロールシステム。
【請求項４】
請求項３に記載のリモートコントロールシステムにおいて、装置本体に前記読取部が装着されているときに発する音と装置本体から前記読取部が離脱されているときに発する音とが異なることを特徴とするリモートコントロールシステム。
【請求項５】
リモートコントローラと、前記リモートコントローラによって制御される装置本体とから成るリモートコントロールシステムであって、
前記リモートコントローラには、当該リモートコントローラに関する情報が格納された無線ＩＣタグが装着されており、
前記装置本体には、前記リモートコントローラが存在することを前提とした通常操作モードと、前記リモートコントローラが紛失又は電池切れであることを前提としたモードであって前記通常操作モードに比べて操作可能内容が追加された非常操作モードと、が用意されており、
前記装置本体には、前記非常操作モード用のボタンと、独自電源を有する着脱自在な読取部とが設けられており、前記ボタンに対する操作は前記通常操作モード時には無効とされ、前記非常操作モード時には有効とされ、前記読取部は、前記無線ＩＣタグに格納されている前記情報を無線ＩＣタグが発する電磁波を検知して読み取ることができ且つ前記装置本体から離脱した状態では、前記無線ＩＣタグを検知できるときに音報知を行うことを特徴とするリモートコントロールシステム。
【請求項６】
請求項３乃至請求項５のいずれかに記載のリモートコントロールシステムにおいて、前記読取部は、前記装置本体から離脱された状態であるとき、検知できる電磁波の強度が高いほど前記音報知の音を大きくすることを特徴とするリモートコントロールシステム。
【請求項７】
リモートコントローラと、前記リモートコントローラによって制御される装置本体とから成るリモートコントロールシステムであって、
前記リモートコントローラには、当該リモートコントローラに関する情報が格納された無線ＩＣタグが装着されており、
前記装置本体には、前記リモートコントローラが存在することを前提とした通常操作モードと、前記リモートコントローラが紛失又は電池切れであることを前提としたモードであって前記通常操作モードに比べて操作可能内容が追加された非常操作モードと、が用意されており、
前記装置本体には、前記無線ＩＣタグに格納されている前記情報を無線ＩＣタグが発する電磁波を検知して読み取ることができ且つ前記無線ＩＣタグを検知できない事態が生じたときには、そのことを装置本体のマイクロコンピュータに通知する読取部と、前記非常操作モード用のボタンとが設けられており、前記ボタンに対する操作は前記通常操作モード時には無効とされ、前記非常操作モード時には有効とされることを特徴とするリモートコントロールシステム。
【請求項８】
請求項７に記載のリモートコントロールシステムにおいて、前記マイクロコンピュータは前記読取部から前記通知を受け取ったときに、前記非常操作モードを採用することを特徴とするリモートコントロールシステム。
【請求項９】
請求項７に記載のリモートコントロールシステムにおいて、映像を表示するディスプレイと、前記ディスプレイ上に設けられたタッチ検出部とを備えており、前記非常操作モードでは、追加操作内容であるボタンを前記ディスプレイに表示し、前記タッチ検出部によってどのボタンが操作されたかを検出することを特徴とするリモートコントロールシステム。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれかに記載のリモートコントロールシステムにおいて、前記非常操作モード用の前記ボタンが本体操作部に設けられていることを特徴とするリモートコントロールシステム。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれかに記載のリモートコントロールシステムにおいて、前記無線ＩＣタグは前記リモートコントローラの駆動電源から動作電力を得ることを特徴とするリモートコントロールシステム。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１０のいずれかに記載のリモートコントロールシステムにおいて、前記無線ＩＣタグは前記読取部が発する電磁波にて動作電力を得ることを特徴とするリモートコントロールシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月10日(2010.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体上で半径方向に延びるサーボセクターごとに、記録媒体の回転角変化に同期して変化するサーボクロックを計数する工程と、
記録媒体上で円周方向に等間隔で配置され、半径方向の所定の領域にわたって円周線に対し規定の傾斜角を維持するスパイラル線に沿って磁性体を配列するスパイラルサーボパターンから電磁変換素子で磁気情報を読み取る工程と、
読み取った磁気情報に基づき、当該円周線上でスパイラルサーボパターンの位置を特定する工程と、
特定した位置にサーボクロックの計数値を関連づける工程と、
関連づけた計数値に基づき半径方向に電磁変換素子の位置を特定する工程と
を備えることを特徴とする電磁変換素子の位置決め方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電磁変換素子の位置決め方法において、
前記サーボクロックの計数にあたって規定値以上の減少を特定する工程と、
前記規定値以上の減少のたびに前記規定値以上の減少の回数を計数する工程と、
前記減少の回数に前記サーボクロックの計数の最大値を乗算する工程と、
乗算の結果に基づき前記半径方向に前記電磁変換素子の位置を特定する工程と
を備えることを特徴とする電磁変換素子の位置決め方法。
【請求項３】
請求項１に記載の電磁変換素子の位置決め方法において、
前記サーボクロックの計数にあたって規定値以上の増加を特定する工程と、
前記規定値以上の増加のたびに前記規定値以上の増加の回数を計数する工程と、
前記増加の回数に前記サーボクロックの計数の最大値を乗算する工程と、
乗算の結果に基づき前記半径方向に前記電磁変換素子の位置を特定する工程と
を備えることを特徴とする電磁変換素子の位置決め方法。
【請求項４】
請求項１に記載の電磁変換素子の位置決め方法において、前記サーボクロックの計数にあたって、１つのサーボセクターに割り当てられるスパイラルサーボパターンの本数ｎに応じて、隣接するスパイラルサーボパターンの切り替え時に記録媒体の回転方向に切り替え後のスパイラルサーボパターンが設定される際には前記サーボクロックの計数値に計数の最大値の−１／ｎに相当する計数値を補正し、前記回転方向の反対向きに切り替え後のスパイラルサーボパターンが設定される際には前記サーボクロックの計数値に計数の最大値の１／ｎに相当する計数値を補正することを特徴とする電磁変換素子の位置決め方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１に記載の電磁変換素子の位置決め方法において、前記円周線に同心の円形記録トラックの書き込みにあたって、基準の円形記録トラックを特定するサーボクロックの計数値に、１円形記録トラックごとに、１トラックピッチに相当するサーボクロックの計数値を加算する工程を備えることを特徴とする電磁変換素子の位置決め方法。
【請求項６】
請求項５に記載の電磁変換素子の位置決め方法において、加算後の前記計数値、および、１トラックピッチに相当するサーボクロックの計数値に基づき前記円形記録トラックごとにトラック番号を特定する工程を備えることを特徴とする電磁変換素子の位置決め方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１に記載の電磁変換素子の位置決め方法において、
前記スパイラルサーボパターンの通過回数を計数する工程と、
前記通過回数および前記スパイラルサーボパターンの切り替えの有無に基づきサーボセクターのセクター番号を特定する工程と
をさらに備えることを特徴とする電磁変換素子の位置決め方法。
【請求項８】
半径方向に延びるサーボセクターの領域を有する記録媒体と、
前記記録媒体から磁気情報を読み取るための電磁変換素子と、
前記サーボセクターごとに、前記記録媒体の回転角変化に同期して変化するサーボクロックを計数する計測手段と、
前記記録媒体上で円周方向に等間隔で配置されたサーボパターンであって半径方向の所定の領域にわたって円周線に対し規定の傾斜角を維持するスパイラル線に沿って磁性体を配列するスパイラルサーボパターンから、前記電磁変換素子で前記磁気情報を読み取る読み取り手段と、
前記読み取った磁気情報に基づき、当該円周線上でスパイラルサーボパターンの位置を特定する特定手段と、
前記特定した位置にサーボクロックの計数値を関連づける関連づけ手段と、
前記関連づけた計数値に基づき半径方向に電磁変換素子の位置を決定する素子位置決定手段と
を備えることを特徴とする記録媒体駆動装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電磁変換素子の位置決め方法および記録媒体駆動装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、一層の位置決め精度の向上に寄与することができる電磁変換素子の位置決め方法および記録媒体駆動装置を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
こういった位置決め方法では、サーボクロックの計数に基づき電磁変化素子の移動経路上でスパイラルサーボパターンの位置は特定されることができる。この位置決め方法では位置決めにあたってスパイラルサーボパターンにトラック幅に相当する間隔で形成される同期マークは利用されない。したがって、再生信号の乱れすなわちノイズは抑制されることができる。電磁変換素子の位置決め精度は高められることができる。
また、一形態に係る記録媒体駆動装置は、半径方向に延びるサーボセクターの領域を有する記録媒体と、前記記録媒体から磁気情報を読み取るための電磁変換素子と、前記サーボセクターごとに、前記記録媒体の回転角変化に同期して変化するサーボクロックを計数する計測手段と、前記記録媒体上で円周方向に等間隔で配置されたサーボパターンであって半径方向の所定の領域にわたって円周線に対し規定の傾斜角を維持するスパイラル線に沿って磁性体を配列するスパイラルサーボパターンから、前記電磁変換素子で前記磁気情報を読み取る読み取り手段と、前記読み取った磁気情報に基づき、当該円周線上でスパイラルサーボパターンの位置を特定する特定手段と、前記特定した位置にサーボクロックの計数値を関連づける関連づけ手段と、前記関連づけた計数値に基づき半径方向に電磁変換素子の位置を決定する素子位置決定手段とを備える。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
以上のように本発明によれば、一層の位置決め精度の向上に寄与することができる電磁変換素子の位置決め方法および記録媒体駆動装置が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月29日(2010.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
図１８は従来の光電式分離型煙感知器のシステム構成図である。この光電式分離型煙感知器１００は、検出光を送光する送光部１０１Ａ〜１０１Ｃと、この検出光を受光する受光部１０２Ａ〜１０２Ｃとを、監視領域を挟んで、相互に分離して対向配置して構成されている。そして、送光部０１Ａ〜１０１Ｃから送光された検出光を、それぞれに対向して配置されている受光部１０２Ａ〜１０２Ｃにて受光し、この受光部１０２Ａ〜１０２Ｃにおいて検出光の光量の減光量や減光率を算定する。減光量が所定の基準値以上になった場合、受光部１０２Ａ〜１０２Ｃは、煙が発生（火災が発生）したものと判定し、制御線１０３にて有線接続された受信機１０４に対して、火災発生の旨を示す発報信号を出力する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
次に、感知器１を監視状態に立上げるための立上げ処理について説明する。まず送光部１０の立上げ処理について説明する。図３は送光部１０の立上げ処理のフローチャートである。作業員が送光部１０の電源を所定方法で投入すると、送光部１０の送光制御部１４によって立上げ処理が実行される。この立上げ処理では、送光制御部１４は、送光間隔及び送光時間を記憶部１３から呼び出し、この送光間隔に基づいて光源１２を制御することで、検出光を所定の送光間隔毎に所定の送光時間だけ送光させる（ステップＳＡ−１）。送光間隔や送光時間の具体的内容は任意であるが、送光間隔は例えば１〜１０秒間隔とし、送光時間は１パルスとする。これにて送光部１０の立上げ処理が終了する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
また、このように間欠的に受光を行う場合、各受光動作における受光時間を長くする程、検出光を受光できる確率を向上でき、迅速に同期を確立できる。しかしながら、同期確立後においても受光時間の長さをそのまま維持していると、各受光動作中において検出光を実際には受光していない時間が長くなり、受光部２０の消費電力が無駄に増大する。この不具合を解消するため、受光時間調整処理において、受光時間を、同期確立が行われるまでの間は比較的長い時間とし、同期確立後は同期タイミングで検出光を受光でき得る限りにおいて極力短い時間（すなわち第２の受光時間）に変更することで、受光部２０の電力消費の効率化を図っている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
そして、ピークホールド部２４の安定時間が経過した後、同期確立部２８ｃは、ピークホールド部２４からの出力を、Ａ／Ｄ変換部２５にＡ／Ｄ変換させる（ステップＳＦ−５）。このＡ／Ｄ変換は、所定のＡ／Ｄ変換間隔で所定回数だけ行う。同期確立部２８ｃは、増幅部２３を受光時間Ｔｏｎだけ連続してＯＮした後（ステップＳＦ−１〜ステップＳＦ−６、Ｙｅｓ）、増幅部２３をＯＦＦし（ステップＳＦ−７）、Ａ／Ｄ変換部２５のＡ／Ｄ変換によって取得されたＡ／Ｄ変換値のうち、所定値以上のＡ／Ｄ変換値が１以上あるか否か（所定値以上のＡ／Ｄ変換値が存在するか否か）を判定する（ステップＳＦ−８）。この所定値としては、例えば、送光部１０から送光された検出光を受光したと判定できる最低値が設定される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月6日(2010.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発電素子または蓄電素子を形成する各要素を積層してなる積層体、または単位発電素子または単位蓄電素子を積層してなる積層スタックである積層体の加圧構造であって、
前記積層体の上下に位置する一対の端板と、
前記端板を上下から挟持すると共に前記積層体を積層方向に加圧する板状弾性体とを備え、
前記端板に厚肉部を設け、前記厚肉部に、前記板状弾性体の側面部を当接させる
ことを特徴とする積層体の加圧構造。
【請求項２】
前記板状弾性体の断面形状が底面部分と前記底面部分から曲げられた２つの側面部分とを有する溝型であることを特徴とする請求項１に記載の積層体の加圧構造。
【請求項３】
前記積層体を加圧した状態で前記板状弾性体の前記底面部分と前記側面部分とのなす角度が直角となるように、前記積層体を加圧する前の状態で前記板状弾性体の前記底面部分と前記側面部分とのなす角度が予め９０度未満に設定されていることを特徴とする請求項２に記載の積層体の加圧構造。
【請求項４】
前記積層体を加圧する前の状態で前記板状弾性体の前記底面部分と前記側面部分とのなす角度が６５度以上８５度以下に設定されていることを特徴とする請求項３に記載の積層体の加圧構造。
【請求項５】
前記板状弾性体は、前記端板を加圧するための突起部を前記側面部分に有することを特徴とする請求項２から４のいずれか一項に記載の積層体の加圧構造。
【請求項６】
前記板状弾性体は一組の板状弾性体の一方であり、前記一組の板状弾性体はそれぞれの前記底面部分が相対するようにして前記端板を挟持し、前記一組の板状弾性体のそれぞれの前記突起部から前記積層体の中心までの距離を、前記積層体の幅の１２％以上３８％以下としたことを特徴とする請求項５に記載の積層体の加圧構造。
【請求項７】
前記板状弾性体は、前記側面部分の末端で前記側面部分同士が対向する方向に折り曲げられた折り返し部分を有することを特徴とする請求項２から４のいずれか一項に記載の積層体の加圧構造。
【請求項８】
前記折り返し部分と前記端板との接触点から前記積層体の中心までの距離を、前記積層体の幅の１２％以上３８％以下としたことを特徴とする請求項７に記載の積層体の加圧構造。
【請求項９】
前記板状弾性体の前記側面部分に開口部が設けられており、前記板状弾性体は、前記開口部で囲まれた部分に前記側面部分同士が対向する方向に曲げ加工を施すことで形成された曲げ加工部を有することを特徴とする請求項２から４のいずれか一項に記載の積層体の加圧構造。
【請求項１０】
前記板状弾性体は一組の板状弾性体の一方であり、前記一組の板状弾性体はそれぞれの前記底面部分が相対するようにして前記端板を挟持し、前記一組の板状弾性体のそれぞれの前記曲げ加工部と前記端板との接触点から前記積層体の中心までの距離を、前記積層体の幅の１２％以上３８％以下としたことを特徴とする請求項９に記載の積層体の加圧構造。
【請求項１１】
前記端板に突起が設けられ、前記板状弾性体は前記突起において前記端板を挟持することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の積層体の加圧構造。
【請求項１２】
前記板状弾性体は一組の板状弾性体の一方であり、前記突起は一組の突起の一方であり、前記一組の突起のそれぞれから前記積層体の中心までの距離を、前記積層体の幅の１２％以上３８％以下としたことを特徴とする請求項１１に記載の積層体の加圧構造。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月10日(2010.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陰極板と蛍光板とを有する表示パネルと、駆動回路とを有する画像表示装置であって、
前記陰極板は、複数の電子放出素子と、互いに平行な複数の走査線と前記走査線に直交する互いに平行な複数のデータ線とを有し、
前記電子放出素子は上部電極と電子加速層と下部電極とを有し、前記上部電極の一部が電子放出領域を構成し、前記上部電極と前記下部電極の間に電圧を印加することで前記電子放出領域から電子を放出する薄膜電子源であり、
前記陰極板は、複数の偏向電極を有すると共に、隣り合う前記偏向電極の内端間の距離を２等分する位置を中心線とし、前記電子放出領域が前記中心線を含まないように配置されることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記偏向電極は、前記電子放出領域より高い位置に配置されることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記偏向電極の最高部位の高さは、前記電子放出領域の最高部位の高さよりも２μｍ以上高い位置に配置されることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記偏向電極は、カラー表示のサブ画素の周期で配置されることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記偏向電極は、前記走査線と平行な方向の軸に沿って周期的に配置されることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記偏向電極は、前記データ線と平行な方向の軸に沿って周期的に配置されることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項７】
前記偏向電極は、前記走査線に電気的に接続されたことを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項８】
前記偏向電極は、前記走査線と同一の材料で構成されることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項９】
前記陰極板はコンタクト電極を有し、
前記コンタクト電極は前記走査線に電気的に接続され、且つ前記上部電極と電気的に接続されると共に、前記電子放出領域を構成する辺のうちの長い方の長辺に沿って配置されることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項１０】
前記駆動回路から前記複数の走査線のうちの選択された走査線に走査パルスが印加された期間において、前記選択された走査線に接続された電子放出素子に隣接する走査線に偏向パルスが印加される構成を有することを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項１１】
前記駆動回路から走査線に印加される電圧で、前記走査パルスの電圧をＶｓ、選択されていない走査線に印加される電圧をＶｎｓ、前記偏向パルスの電圧をＶｄｅｆとするとき、
（Ｖｓ−Ｖｄｅｆ）の絶対値は（Ｖｓ−Ｖｎｓ）の絶対値よりも大きいことを特徴とする請求項１０に記載の画像表示装置。
【請求項１２】
前記蛍光板は蛍光体と加速電極を有し、前記放出された電子が蛍光体を励起発光させることで画像を表示する如く構成され、
前記蛍光体の中心点と前記電子放出領域の中心とをずらして配置したことを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項１３】
前記蛍光板は蛍光体と加速電極を有し、前記放出された電子が蛍光体を励起発光させることで画像を表示する如く構成され、
前記蛍光板上の構成物と前記陰極板上の構成物を投影した投影平面において、前記電子放出領域は前記蛍光体を形成した領域と重ならないように配置されることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項１４】
前記蛍光板は蛍光体とブラックマトリクスと加速電極を有し、前記放出された電子が蛍光体を励起発光させることで画像を表示する如く構成され、
前記蛍光板上の構成物と前記陰極板上の構成物を投影した投影平面において、前記電子放出領域は前記ブラックマトリクスに含まれるように配置されることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項１５】
陰極板と蛍光板とを有する表示パネルと、駆動回路とを有する画像表示装置であって、
前記陰極板は，複数の電子放出素子と，互いに平行な複数の走査線と前記走査線に直交する互いに平行な複数のデータ線とを有し、
前記電子放出素子は、上部電極と電子加速層と下部電極とを有し、前記上部電極の一部が電子放出領域を構成し、前記上部電極と前記下部電極の間に電圧を印加することで前記電子放出領域から電子を放出する薄膜電子源であり、
前記電子放出領域と前記蛍光板との間に遮蔽電極が設置されており、
前記電子放出領域のパターンと前記遮蔽電極のパターンとを投影した投影平面図において，前記電子放出領域は前記遮蔽電極に含まれるように配置したことを特徴とする画像表示装置。
【請求項１６】
陰極板と蛍光板とを有する表示パネルと，駆動回路とを有する画像表示装置であって，
前記陰極板は，複数の電子放出素子と，互いに平行な複数の走査線と前記走査線に直交する互いに平行な複数のデータ線とを有し，
前記電子放出素子は第1の電極と第2の電極を有し，前記第1の電極は前記走査線に電気
的に接続され，前記第2の電極は前記データ線に電気的に接続され，
前記電子放出素子は電子放出領域を有し，前記第１の電極と前記第２の電極の間に電圧を印加すると前記電子放出領域から電子を放出し，
前記蛍光板は蛍光体と加速電極を有し，前記放出された電子が蛍光体を励起発光させることで画像を表示する画像表示装置であって，
前記蛍光板上の構成物と前記陰極板上の構成物を投影した投影平面図において，前記電子放出領域は前記蛍光体を形成した領域と重ならないように配置したことを特徴とする画像表示装置。
【請求項１７】
前記蛍光板は蛍光体と加速電極に加えてブラックマトリクスを有し、
前記蛍光板上の構成物と前記陰極板上の構成物を投影した投影平面において、前記電子放出領域が前記ブラックマトリクスに含まれるように配置したことを特徴とする請求項１６に記載の画像表示装置。
【請求項１８】
前記電子放出素子は，上部電極と電子加速層と下部電極とを有し，前記上部電極の一部が前記電子放出領域を構成し，前記上部電極と前記下部電極の間に電圧を印加すると前記電子放出領域から電子を放出する薄膜電子源であることを特徴とする請求項１６又は１７に記載の画像表示装置。
【請求項１９】
前記走査線には片側に第１のビーム偏向電極が接続されており，反対側には第２のビーム偏向電極が接続されており，
前記電子放出素子からの電子放出時には，前記電子放出領域近傍の前記第１のビーム偏向電極と前記第２のビーム偏向電極とが異なる電圧であることを特徴とする請求項１６に記載の画像表示装置。
【請求項２０】
前記陰極板は，複数の偏向電極を有すると共に，隣り合う前記偏向電極の内端間の距離を２等分する位置を中心線とし，前記電子放出領域が前記中心線を含まないように配置されることを特徴とする請求項１６に記載の画像表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月11日(2010.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
例えば、図１の（ａ）に示すように、ウエハチャック４は、ウエハＷを（１）〜（４）の順序で時計回りにインデックス送りすると、プローブカード７はそれぞれの位置で加熱体４３に対応する部分でプローブ７Ａがはみ出す。加熱体４３は、ウエハチャック４からはみ出したプローブ７Ａ１を加熱してウエハチャック本体４１上のウエハＷと電気的に接触したプローブ７Ａと実質的に同一温度を維持することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
ウエハＷの（１）の領域のデバイスの高温検査をしている間に、図１の（ａ）におけるプローブカード７のウエハＷの（１）の領域からはみ出した左上部分ではプローブ７Ａ１が加熱体４３により加熱され、ウエハＷが接触するプローブ７Ａと実質的に同じ温度に維持される。ウエハＷの（１）の領域にあるデバイスの高温検査が終了すると、ウエハチャック本体４１は昇降機構を介して下降してウエハＷはプローブカード７のプローブ７Ａから離れる。この状態で、ウエハチャック４は、ＸＹテーブルを介してウエハＷをインデックス送りして、ウエハＷの（２）の領域がプローブカードの真下に達する。この位置でウエハチャック４は、上述した要領で昇降機構を介してウエハＷとプローブカード７のプローブ７Ａを電気的に接触させて、ウエハＷの（２）の領域にあるデバイスの高温検査を行う。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
この時、ウエハＷの（１）の領域の高温検査を行っている時にその領域からはみ出していたプローブカード７の左上部分のプローブ７Ａ１がウエハＷの（２）の領域ではウエハＷと接触する。その代わりに、プローブカード７の右上部分のプローブ７Ａ１がウエハＷの（２）の領域からはみ出す。この場合、左上部分のプローブ７Ａ１は加熱体４３によって加熱されてウエハＷと接触していた部分のプローブ７Ａと実質的に同一温度に維持されているため、ウエハＷの（２）の領域にあるデバイスと接触する時には他のプローブ７Ａと同様にウエハＷの電極パッドと同一の針圧で電気的に接触し、その部分のデバイスの高温検査を確実に行うことができると共に、プローブカード７の右上部分のウエハＷの（２）の領域からはみ出したプローブ７Ａ１は加熱体４３によって加熱されてウエハＷと実質的に同一温度に維持される。ウエハＷの（２）の領域にあるデバイスの高温検査が終了し、ウエハＷの（３）、（４）の領域を続けて高温検査を行っても、直前にウエハＷからはみ出したプローブ７Ａ１は、その都度加熱体４３によって加熱されて、ウエハＷと接触しているプローブ７Ａと実質的に同一温度に維持されているため、安定した、信頼性のある高温検査を行うことができる。ウエハＷの高温検査を終了すると、次のウエハＷを同一要領で高温検査を行うことができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
以上説明したように本実施形態によれば、ウエハチャック４に、ウエハＷの高温検査時にウエハチャック４からはみ出す複数のプローブ７Ａ１に対向する加熱体４３を設けたため、ウエハＷの高温検査中にウエハチャック４からはみ出した複数のプローブ７Ａ１は、ウエハＷと電気的に接触している複数のプローブ７Ａと実質的に同一温度に維持され、ウエハＷのインデックス送りによってウエハチャック４からはみ出していた複数のプローブ７Ａ１が他のプローブ７Ａと一緒にウエハＷと接触しても、他のプローブ７Ａと同一の針圧でウエハＷと電気的に接触することができ、信頼性の高い高温検査を確実に行うことができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
上記実施形態では加熱体４３をウエハチャック本体４１の周方向に９０°の間隔を空けて４箇所に設けた場合について説明したが、ウエハＷのインデックス送りの仕方によって最後の接触時にはみ出すプローブ７Ａ１に対応する部分には加熱体４３を設けなくて良い場合もある。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月26日(2010.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア基板の両面に、絶縁層と配線層とが積層されてなる配線基板の個片化方法であって、
前記配線基板の厚さ方向に、配線基板の片面から前記コア基板を通過する位置まで分離溝を形成する工程と、
前記分離溝に溶融樹脂を供給し、該供給した溶融樹脂を硬化させる工程と、
前記分離溝を通過する位置をダイシング位置として前記配線基板をダイシングする工程と、を有していることを特徴とする配線基板の個片化方法。
【請求項２】
前記分離溝を形成する工程は、前記分離溝が前記配線基板を分離しないように形成することを特徴とする請求項１記載の配線基板の個片化方法。
【請求項３】
前記配線基板をダイシングする際における切り代の幅寸法を、前記分離溝の幅寸法よりも幅狭にすることを特徴とする請求項１または２記載の配線基板の個片化方法。
【請求項４】
前記分離溝を形成する工程においては、前記分離溝の断面形状が矩形、U字型、Ｖ字型、逆台形型のうちのいずれかに形成することを特徴とする１〜３のうちのいずれか一項記載の配線基板の個片化方法。
【請求項５】
前記コア基板は、ガラス繊維またはガラスエポキシからなることを特徴とする請求項１〜４のうちのいずれか一項記載の配線基板の個片化方法。
【請求項６】
前記コア基板は、カーボン繊維と樹脂からなることを特徴とする請求項１〜５のうちのいずれか一項に記載の配線基板の個片化方法。
【請求項７】
コア基板の両面に、絶縁層と配線層とが積層されてなるパッケージ用基板であって、
該パッケージ用基板の外側面は、前記コア基板の外側面部分が樹脂により被覆されていることを特徴とするパッケージ用基板。
【請求項８】
前記パッケージ用基板の片側面から前記コア基板の外側面部にかけての範囲が前記樹脂により被覆されていることを特徴とする請求項７記載のパッケージ用基板。
【請求項９】
前記コア基板は、ガラス繊維またはガラスエポキシにより形成されていることを特徴とする請求項７または８記載のパッケージ用基板。
【請求項１０】
前記コア基板は、カーボン繊維と樹脂により形成されていることを特徴とする請求項７または８記載のパッケージ用基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、前記分離溝を形成する工程は、前記分離溝が前記配線基板を分離しないように形成する。これにより、分離溝を形成した配線基板がハンドリング中に分離溝位置で分離することがなく、ハンドリングが容易になる。また、分離溝の内壁面が溶融樹脂で被覆しやすくもなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、前記配線基板をダイシングする際における切り代の幅寸法を、前記分離溝の幅寸法よりも幅狭にすることを特徴とする。
また、前記分離溝を形成する工程においては、前記分離溝の断面形状が矩形、U字型、Ｖ字型、逆台形型のうちのいずれかに形成することを特徴とする。
これらにより、ダイシング位置の決定を高精度で行わずとも、確実にコア基板を樹脂により被覆させた状態で配線基板を個片化することができるため好都合である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月5日(2010.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を個片に分離する分離線を、縦方向と横方向に所定間隔で設定し、前記分離線に沿って基板を分離することにより基板を個片化する方法であって、
前記分離線の各々の交差位置に、個片化された基板のコーナー部を面取りする貫通孔を形成する工程と、
該貫通孔が形成された基板を、前記分離線に沿って、縦方向と横方向に分離して個片の基板を得る工程とを備え、
前記貫通孔を形成する工程においては、
前記基板の表面をレジストにより被覆する工程と、
該レジストをパターニングし、前記貫通孔の配置に合わせて前記基板の表面を露出させた面取りパターンを形成する工程と、
該面取りパターンが形成されたレジストをマスクとして基板をエッチングし、前記貫通孔を形成する工程とを含むことを特徴とする基板の個片化方法。
【請求項２】
前記面取りパターンを、前記貫通孔形成部分の内縁に沿って所定幅で一周して基板の表面が露出するパターンに形成することを特徴とする請求項１記載の基板の個片化方法。
【請求項３】
前記貫通孔が形成された基板を個片に分離する工程においては、
前記分離線に沿って、ダイシング刃により基板を切断して個片化することを特徴とする請求項１または２記載の基板の個片化方法。
【請求項４】
前記貫通孔が形成された基板を個片に分離する工程においては、
前記分離線に沿って、基板を劈開して個片化することを特徴とする請求項１または２記載の基板の個片化方法。
【請求項５】
前記基板を個片に分離する分離線を、基板の結晶成長面方向と平行に設定して前記貫通孔を形成することを特徴とする請求項４記載の基板の個片化方法。
【請求項６】
前記基板に貫通孔を形成する工程において、
前記貫通孔を、前記分離線の交差点を囲む四角形で、４つの頂点が前記分離線上に位置する形状に形成することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項記載の基板の個片化方法。
【請求項７】
前記貫通孔を、各辺が前記交差点に向けて凸となる曲線に形成された変形の四角形状に形成することを特徴とする請求項６記載の基板の個片化方法。
【請求項８】
前記基板がシリコン基板であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項記載の基板の個片化方法。
【請求項９】
ＲＩＥにより前記基板をエッチングし前記貫通孔を形成することを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項記載の基板の個片化方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月28日(2010.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体基板及び半導体基板の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板と、
前記ガラス基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された単結晶半導体層と、を有し、
前記絶縁膜は、有機シランを材料の一つとして、熱ＣＶＤ法により５００℃以上８００℃以下の温度範囲で成膜された、リンガラス、ボロンガラス及びリンボロンガラスのいずれか一層若しくは複数層からなることを特徴とする半導体基板。
【請求項２】
ガラス基板と、
前記ガラス基板上に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成された単結晶半導体層と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、有機シランを材料の一つとして、熱ＣＶＤ法により５００℃以上８００℃以下の温度範囲で成膜された、リンガラス、ボロンガラス及びリンボロンガラスのいずれか一層若しくは複数層からなることを特徴とする半導体基板。
【請求項３】
請求項２において、前記第２の絶縁膜は、窒化シリコン層、酸化シリコン層、窒化酸化シリコン層及び酸化窒化シリコン層から選ばれた一層、又はこれらのうちの複数の層にからなる積層構造であることを特徴とする半導体基板。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記単結晶半導体層はシリコン又はゲルマニウムであることを特徴とする半導体基板。
【請求項５】
単結晶半導体基板上に熱ＣＶＤ法により有機シランを材料の一つとして５００℃以上８００℃以下の温度範囲で成膜したリンガラス、ボロンガラス及びリンボロンガラスのいずれか一層もしくは複数層からなる接合層を形成し、
前記接合層を形成した面からイオンを添加することによって、前記単結晶半導体基板の一定の深さに損傷領域を形成し、
前記単結晶半導体基板とガラス基板とを前記接合層を介して重ね合わせて接合した後、前記単結晶半導体基板を前記損傷領域で分離する熱処理を行い、
前記ガラス基板上に前記単結晶半導体基板から剥離された半導体層を形成することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項６】
単結晶半導体基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に熱ＣＶＤ法により有機シランを材料の一つとして５００℃以上８００℃以下の温度範囲で成膜したリンガラス、ボロンガラス及びリンボロンガラスのいずれか一層もしくは複数層からなる接合層を形成し、
前記接合層を形成した面からイオンを添加することによって、前記単結晶半導体基板の一定の深さに損傷領域を形成し、
前記単結晶半導体基板とガラス基板とを前記接合層を介して重ね合わせて接合した後、前記単結晶半導体基板を前記損傷領域で分離する熱処理を行い、
前記ガラス基板上に前記単結晶半導体基板から剥離された半導体層を形成することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、前記絶縁膜は、窒化シリコン層、酸化シリコン層、窒化酸化シリコン層及び酸化窒化シリコン層から選ばれた一層、又はこれらのうちの複数の層にからなる積層構造であることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項８】
請求項６乃至請求項８のいずれか一項において、
前記接合層を形成した後、８００℃以上１０００℃以下の温度範囲で前記接合層をリフローすることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項９】
請求項５乃至請求項８のいずれか一項において、
前記イオンは、水素イオン、ヘリウムイオン又はフッ素イオンであることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項１０】
請求項９において、
前記水素イオンは、Ｈ＋、Ｈ２＋、Ｈ３＋を有し、前記Ｈ＋、前記Ｈ２＋、前記Ｈ３＋の総量に対してＨ３＋の割合が５０％以上であることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項１１】
請求項５乃至請求項１０のいずれか一項において、前記イオンは質量分離を伴わないイオンドーピング法により添加されることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月15日(2010.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体素子と、
第２の半導体素子と、
前記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子とを接合する接合膜とを有し、
前記接合膜は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含む原子構造を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与したことにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記Ｓｉ骨格から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現した接着性によって、前記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子とを接合していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記Ｓｉ骨格の結晶化度は、４５％以下である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記接合膜は、プラズマ重合により形成されたものである請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記接合膜は、ポリオルガノシロキサンを主材料として構成されている請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ポリオルガノシロキサンは、オクタメチルトリシロキサンの重合物である請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記脱離基は、Ｈ原子、Ｂ原子、Ｃ原子、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｐ原子、Ｓ原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子が前記Ｓｉ骨格に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものである請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記脱離基は、アルキル基である請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記接合膜は、その少なくとも表面付近に存在する前記脱離基が前記Ｓｉ骨格から脱離した後に、活性手を有する請求項１ないし７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記活性手は、未結合手または水酸基である請求項８に記載の半導体装置。
載の半導体装置。
【請求項１０】
第１の半導体素子上に、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含む原子構造を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含む接合膜を形成する工程と、
前記接合膜の少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基を前記Ｓｉ骨格から脱離させ、前記接合膜の表面の前記領域に接着性を発現させる工程と、
前記接着性が発現した接合膜を介して、前記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子とを貼り合わせて接合する工程とを有することを特徴とする半導体素子の接合方法。
【請求項１１】
第１の半導体素子上に、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含む原子構造を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含む接合膜を形成する工程と、
前記接合膜を介して、前記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子とを重ね合わせて、仮接合体を得る工程と、
前記仮接合体中の前記接合膜の少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子とを接合する工程とを有することを特徴とする半導体素子の接合方法。
【請求項１２】
前記エネルギーの付与は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われる請求項１０または１１に記載の半導体素子の接合方法。
【請求項１３】
前記第２の半導体素子は、あらかじめ、前記接合膜との密着性を高める表面処理を施した表面を有するものであり、
前記表面処理を施した表面と前記接合膜とが対向するように、前記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子とを貼り合わせる請求項１２に記載の半導体素子の接合方法。
【請求項１４】
前記第２の半導体素子は、あらかじめ、官能基、ラジカル、開環分子、不飽和結合、ハロゲンおよび過酸化物からなる群から選択される少なくとも１つの基または物質を有する表面を有するものであり、
前記基または物質を有する表面と前記接合膜とが対向するように、前記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子とを貼り合わせる請求項１２に記載の半導体素子の接合方法。
【請求項１５】
前記第２の半導体素子上に、前記第１の半導体素子上に設けられた前記接合膜と同様の接合膜が設けられており、
前記各接合膜同士を介して、前記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子とを重ね合わせる請求項１０ないし１２のいずれかに記載の半導体素子の接合方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月10日(2010.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
再生装置及び増幅装置を備えたオーディオシステムであって、
前記増幅装置は、
前記再生装置からの音声信号を増幅する増幅手段と、
前記増幅手段による増幅に関連する表示を行う表示手段と、
前記表示手段により所定の表示動作を開始し及び解除するときにその旨を示す前記表示開始通知及び表示解除通知を前記再生装置に送信する送信手段と、
前記再生装置からの再生開始通知及び再生停止通知を受信する受信手段と、
前記受信手段により受信する再生開始通知及び再生停止通知に基づき、前記再生装置の再生手段による再生が所定期間連続して行われなかったことを検出する検出手段と、
前記検出手段による検出が行われたことを条件として、前記送信手段による表示開始通知の送信を行い、前記表示手段による所定の表示動作を開始するとともに、該表示動作を停止するときには前記送信手段による表示解除通知の送信を行う制御手段とを具備し、
前記再生装置は、
記録媒体に記録された音声データに基づいて音声信号を再生する再生手段と、
前記再生手段による再生に関連する表示を行う表示手段と、
前記再生手段による再生を開始及び停止するときにその旨を示す再生開始通知及び再生停止通知を前記増幅装置に送信する送信手段と、
前記増幅装置からの所定の表示動作を開始し及び解除する旨を示す表示開始通知及び表示解除通知を受信する受信手段と、
前記受信手段により受信する表示開始通知及び表示解除通知に応じて、前記所定の表示動作を前記表示手段を用いて開始し及び解除する制御手段とを具備することを特徴とするオーディオシステム。
【請求項２】
前記再生装置の制御手段は、
前記受信手段による表示開始通知の受信に応じて前記所定の表示動作を開始した場合において前記再生手段による再生を開始するときに、前記送信手段による再生開始通知の送信を行うとともに、該所定の表示動作を解除するものであることを特徴とする請求項１に記載のオーディオシステム。
【請求項３】
前記増幅装置の制御手段は、前記検出手段による検出に基づく所定の表示動作の開始後、前記受信手段による再生開始通知の受信があった場合には該所定の表示動作を解除するものであることを特徴とする請求項２に記載のオーディオシステム。
【請求項４】
前記所定の表示動作はスクロール表示動作であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のオーディオシステム。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかの装置における各手段としてコンピュータを機能させることを特徴とするプログラム。
【請求項６】
再生装置及び増幅装置を備えたオーディオシステムにおける表示制御方法であって、
前記増幅装置が、前記再生装置からの音声信号を増幅する増幅工程と、
前記増幅工程による増幅に関連する表示を行う表示工程と、
前記増幅装置が、前記増幅装置が、前記表示工程により所定の表示動作を開始し及び解除するときにその旨を示す前記表示開始通知及び表示解除通知を前記再生装置に送信する送信工程と、
前記増幅装置が、前記再生装置からの再生開始通知及び再生停止通知を受信する受信工程と、
前記増幅装置が、前記受信工程により受信する再生開始通知及び再生停止通知に基づき、前記再生装置の再生工程による再生が所定期間連続して行われなかったことを検出する検出工程と、
前記増幅装置が、前記検出工程により検出が行われたことを条件として、前記送信工程による表示開始通知の送信を行い、前記表示工程により所定の表示動作を開始するとともに、該表示動作を停止するときには前記送信工程による表示解除通知の送信を行う制御工程とを具備し、
前記再生装置が、記録媒体に記録された音声データに基づいて音声信号を再生する再生工程と、
前記再生装置が、前記再生工程による再生に関連する表示を行う表示工程と、
前記再生装置が、前記再生工程による再生を開始及び停止するときにその旨を示す再生開始通知及び再生停止通知を前記増幅装置に送信する送信工程と、
前記再生装置が、前記増幅装置からの所定の表示動作を開始し及び解除する旨を示す表示開始通知及び表示解除通知を受信する受信工程と、
前記再生装置が、前記受信工程により受信する表示開始通知及び表示解除通知に応じて、前記所定の表示動作を前記表示工程により開始し及び解除する制御工程とを具備することを特徴とするオーディオシステムにおける表示制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月16日(2010.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
さらに、図１１に示すように、第二の軟磁性層１７上に下地層１８を形成し、下地層１８上に磁性材料からなる記録磁化安定化層１９を有していても良い。この場合、記録磁化安定化層１９上の下地層１２は磁気結合層の役割も担い、記録磁化安定化層１９の磁気モーメントと記録層１３の磁気モーメントが反強磁性結合することで、より熱的安定性に優れた磁気記録媒体とすることが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月18日(2010.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に所望の被加工膜を堆積し、前記被加工膜上に第１の膜を堆積し、前記第１の膜に所定ピッチのラインアンドスペースパターンにパターニングされたレジストを形成する工程と、
前記レジストをマスクに前記第１の膜を加工し、前記レジストを除去した後に加工後の前記第１の膜の表面に沿って所定ピッチの１／３の膜厚の第２の膜を堆積し、この第２の膜を加工し、前記第１の膜の側壁にのみ前記第２の膜を残す工程と、
前記第１の膜の側壁にのみ前記第２の膜を残した前記半導体基板に第３の膜を堆積する工程と、
前記第３の膜を前記第１の膜が露出するまで平坦化する工程と、
前記平坦化工程により露出した前記第１の膜を除去し、前記第２の膜の側壁を露出する工程と、
露出した前記第２の膜の側壁および平坦化された前記第３の膜の上面に沿って所定ピッチの１／３の膜厚の第４の膜を堆積する工程と、
前記第４の膜を、前記第２の膜の側壁にのみ残して除去する工程と、
前記第４の膜を、前記第２の膜の側壁にのみ残した後、前記半導体基板に第５の膜を堆積し、前記第５の膜、前記第２の膜、前記第３の膜及び前記第４の膜を平坦化して前記第２、前記第３、前記第４および前記第５の膜の上面を露出する工程と、
露出した前記第３の膜と前記第４の膜を除去する工程と、
前記第３の膜と前記第４の膜の除去により残存した前記第２の膜と前記第５の膜をマスクにして前記被加工膜を加工する工程とを備え、
前記被加工膜はシリコン酸化膜、前記第３の膜はシリコン窒化膜からなり、前記第１の膜と前記第４の膜は、前記被加工膜及び前記第３の膜と選択性を有する同一種類の膜からなり、前記第２の膜と前記第５の膜は、前記被加工膜及び前記第３の膜ならびに前記第１の膜と選択性を有する同一種類の膜からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の膜及び前記第４の膜はＢＳＧ膜であり、前記第２の膜及び前記第５の膜はアモルファスシリコン膜であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の膜の側壁にのみ前記第２の膜を残す工程では、前記第２の膜の上部に傾斜面が形成され、前記第２の膜の側壁にのみ前記第４の膜を残して除去する工程では、前記第４の膜の上部に傾斜面が形成され、前記第２、前記第３、前記第４および前記第５の膜の上面を露出する工程では、前記第２の膜の傾斜面および前記第４の膜の傾斜面が無くなるまで平坦化することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の膜と前記レジストとの間にパターンを転写する転写層を形成することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記半導体基板上にゲート酸化膜、第１の多結晶シリコン膜、ゲート間絶縁膜、第２の多結晶シリコン膜、シリコン窒化膜、および、前記被加工膜を形成することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に所望の被加工膜を堆積し、前記被加工膜上に第１の膜を堆積し、前記第１の膜に所定ピッチのラインアンドスペースパターンにパターニングされたレジストを形成する工程と、前記レジストをマスクに前記第１の膜を加工し、前記レジストを除去した後に加工後の前記第１の膜の表面に沿って所定ピッチの１／３の膜厚の第２の膜を堆積し、この第２の膜を加工し、前記第１の膜の側壁にのみ前記第２の膜を残す工程と、前記第１の膜の側壁にのみ前記第２の膜を残した前記半導体基板に第３の膜を堆積する工程と、前記第３の膜を前記第１の膜が露出するまで平坦化する工程と、前記平坦化工程により露出した前記第１の膜を除去し、前記第２の膜の側壁を露出する工程と、露出した前記第２の膜の側壁および平坦化された前記第３の膜の上面に沿って所定ピッチの１／３の膜厚の第４の膜を堆積する工程と、前記第４の膜を、前記第２の膜の側壁にのみ残して除去する工程と、前記第４の膜を、前記第２の膜の側壁にのみ残した後、前記半導体基板に第５の膜を堆積し、前記第５の膜、前記第２の膜、前記第３の膜及び前記第４の膜を平坦化して前記第２、前記第３、前記第４および前記第５の膜の上面を露出する工程と、露出した前記第３の膜と前記第４の膜を除去する工程と、前記第３の膜と前記第４の膜の除去により残存した前記第２の膜と前記第５の膜をマスクにして前記被加工膜を加工する工程とを備え、前記被加工膜はシリコン酸化膜、前記第３の膜はシリコン窒化膜からなり、前記第１の膜と前記第４の膜は、前記被加工膜及び前記第３の膜と選択性を有する同一種類の膜からなり、前記第２の膜と前記第５の膜は、前記被加工膜及び前記第３の膜ならびに前記第１の膜と選択性を有する同一種類の膜からなるところに特徴を有する。