【手続補正書】
【提出日】平成22年9月1日(2010.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板と、この絶縁性基板の上方に配置された能動素子層に形成された能動素子と、前記能動素子層の上方に配置された強誘電体容量素子層に形成された強誘電体容量素子と、前記能動素子層と前記強誘電体容量素子層との間に形成された水素化窒化シリコン層とを有し、前記能動素子は、ソースドレイン領域及びチャネル領域を備えたポリシリコン薄膜と、前記チャネル領域の上方に形成されたゲート電極と、前記ポリシリコン薄膜と前記ゲート電極との間に形成されたゲート絶縁膜とを有する薄膜トランジスタを含むものであり、前記能動素子層は、前記ポリシリコン薄膜を覆い前記ゲート電極が埋め込まれた層間絶縁膜を有し、前記強誘電体容量素子は下部電極、強誘電体層及び上部電極が積層されたものであり、前記能動素子層の水素濃度は前記強誘電体容量素子層の水素濃度より高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁性基板と、この絶縁性基板の上方に配置された能動素子層に形成された能動素子と、前記能動素子層の上方に配置された強誘電体容量素子層に形成された強誘電体容量素子と、前記能動素子層と前記強誘電体容量素子層との間に形成された水素化窒化シリコン層と、この水素化窒化シリコン層と前記強誘電体容量素子層との間に形成された導電性酸化物層とを有し、前記能動素子は、ソースドレイン領域及びチャネル領域を備えたポリシリコン薄膜と、前記チャネル領域の上方に形成されたゲート電極と、前記ポリシリコン薄膜と前記ゲート電極との間に形成されたゲート絶縁膜とを有する薄膜トランジスタを含むものであり、前記能動素子層は、前記ポリシリコン薄膜を覆い前記ゲート電極が埋め込まれた層間絶縁膜を有し、前記強誘電体容量素子は下部電極、強誘電体層及び上部電極が積層されたものであり、前記能動素子層の水素濃度は前記強誘電体容量素子層の水素濃度より高く、前記強誘電体容量素子層の酸素濃度は前記能動素子層の酸素濃度より高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記水素化窒化シリコン層を挿通して前記能動素子と前記強誘電体容量素子とを接続する接続部を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記下部電極は、導電性酸化物により形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記導電性酸化物は、インジウム錫酸化物であることを特徴とする請求項２又は４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記水素化窒化シリコン層はプラズマＣＶＤ（化学気相成長）により形成されたものであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記接続部は、前記水素化窒化シリコン層に形成された配線と、前記水素化窒化シリコン層を挿通し前記下部電極と前記配線とを接続する第１のビアと、前記層間絶縁膜を挿通し前記ソースドレイン領域と前記配線とを接続する第２のビアとを有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記接続部は、前記水素化窒化シリコン層に形成された配線と、前記水素化窒化シリコン層を挿通し前記上部電極と前記配線とを接続する第１のビアと、前記層間絶縁膜を挿通し前記ソースドレイン領域と前記配線とを接続する第２のビアとを有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記強誘電体膜は前記下部電極を覆うように前記水素化窒化シリコン層上に形成されており、前記第１のビアは、前記強誘電体膜に設けた開口部を挿通していることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記能動素子をスイッチング素子とし、前記強誘電体容量素子を容量部とする不揮発性メモリであることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
絶縁性基板上にポリシリコン薄膜を形成しゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し更に前記ゲート電極をマスクとして前記ポリシリコン薄膜にイオン注入することによりソースドレイン領域及びチャネル領域を形成して薄膜トランジスタを形成する工程と、この薄膜トランジスタを覆う層間絶縁膜上に配線層を形成すると共に前記層間絶縁膜を挿通して前記薄膜トランジスタに接続される第１コンタクトを形成する工程と、前記層間絶縁膜上に前記配線層を覆うようにして水素化窒化シリコン膜を形成する工程と、この水素化窒化シリコン膜上に下部電極を形成すると共に前記水素化窒化シリコン膜を挿通して前記配線層に接続される第２コンタクトを形成する工程と、前記下部電極上に強誘電体層を形成する工程と、前記強誘電体層上に上部電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
絶縁性基板上にポリシリコン薄膜を形成しゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し更に前記ゲート電極をマスクとして前記ポリシリコン薄膜にイオン注入することによりソースドレイン領域及びチャネル領域を形成して薄膜トランジスタを形成する工程と、この薄膜トランジスタを覆う層間絶縁膜上に配線層を形成すると共に前記層間絶縁膜を挿通して前記薄膜トランジスタに接続される第１コンタクトを形成する工程と、前記層間絶縁膜上に前記配線層を覆うようにして水素化窒化シリコン膜を形成する工程と、この水素化窒化シリコン膜上に下部電極を形成する工程と、前記下部電極上に強誘電体層を形成する工程と、前記強誘電体層上に上部電極を形成すると共に前記水素化窒化シリコン膜を挿通して前記配線層に接続される第２コンタクトを形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記水素化窒化シリコン膜はプラズマＣＶＤ（気相成長）法により形成することを特徴とする請求項１１又は１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記水素化窒化シリコン層を形成する工程より後の工程においては、前記ポリシリコン薄膜の温度が３５０℃より高温になることがないことを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の半導体装置を使用したことを特徴とする電子機器。
【請求項１６】
請求項１０に記載の不揮発性メモリを使用したＩＣカードであることを特徴とする電子機器。
【請求項１７】
前記不揮発性メモリは、中央演算装置（ＣＰＵ）、外部とのデータの送受信を行う高周波（ＲＦ）インターフェイス部及びデータを保存する読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）と共に、同一基板上に一体的に形成されていることを特徴とする請求項１６に記載の電子機器。
【請求項１８】
中央演算装置（ＣＰＵ）、外部とのデータの送受信を行う高周波（ＲＦ）インターフェイス部及びデータを保存する読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）は、前記不揮発性メモリとは別に、単結晶シリコン基板上に形成されていることを特徴とする請求項１６に記載の電子機器。
【請求項１９】
請求項１０に記載の不揮発性メモリを有し、更に、送信データ符号化素子、受信データ復号化素子、外部とのデータの送受信を行うアンテナ素子及びこれらの制御を行う制御素子を有する高周波ＩＣタグであることを特徴とする電子機器。
【請求項２０】
前記送信データ符号化素子、前記受信データ復号化素子及び前記制御素子は、単結晶半導体基板上に形成されていることを特徴とする請求項１９に記載の電子機器。
【請求項２１】
請求項５に記載の半導体装置の前記絶縁性基板上に液晶表示装置の画素回路が形成されており、この画素回路のトランジスタに接続された画素電極が、前記半導体装置の水素化窒化シリコン層と同層の水素化窒化シリコン層上に形成され、前記半導体装置の下部電極を構成するインジウム錫酸化物層と同層のインジウム錫酸化物層であることを特徴とする液晶表示装置であることを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本願第５発明に係る電子機器は、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の半導体装置を使用したことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
前記電子機器は、例えば、請求項１０に記載の不揮発性メモリを使用したＩＣカードである。また、前記不揮発性メモリは、中央演算装置（ＣＰＵ）、外部とのデータの送受信を行う高周波（ＲＦ）インターフェイス部及びデータを保存する読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）と共に、同一基板上に一体的に形成することができ、又は中央演算装置（ＣＰＵ）、外部とのデータの送受信を行う高周波（ＲＦ）インターフェイス部及びデータを保存する読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）は、前記不揮発性メモリとは別に、単結晶シリコン基板上に形成することもできる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
前記電子機器は、例えば、請求項１０に記載の不揮発性メモリを有し、更に、送信データ符号化素子、受信データ復号化素子、外部とのデータの送受信を行うアンテナ素子及びこれらの制御を行う制御素子を有する高周波ＩＣタグである。この場合に、前記送信データ符号化素子、前記受信データ復号化素子及び前記制御素子は、単結晶半導体基板上に形成することができる。