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【手続補正書】
【提出日】平成22年3月31日(2010.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレキシブルプリント配線基板の熱可塑性基材用の、ウレタン（Ｘ）と、エポキシ樹脂（Ｂ）と、有機樹脂フィラー（Ｃ）とを含んでなる絶縁性樹脂組成物であって、前記ウレタン（Ｘ）が、ポリオール化合物（ａ）、有機ジイソシアネート（ｂ）およびカルボキシル基を有するジオール化合物（ｃ）を反応させてなるイソシアネート基を有するウレタンプレポリマー（ｄ）と、ポリアミノ化合物（ｅ）とを反応させてなるポリウレタンポリウレア樹脂（Ａ）、および／または、ポリオール化合物（ａ）、有機ジイソシアネート（ｂ）およびカルボキシル基を有するジオール化合物（ｃ）を反応させてなる水酸基を有するウレタンプレポリマー（f）である絶縁性樹脂組成物。
【請求項２】
ポリオール化合物（ａ）が、ジオールと、テレフタル酸およびまたはイソフタル酸を反応させてなるポリエステルポリオールであることを特徴とする、請求項１記載の絶縁性樹脂組成物。
【請求項３】
ポリウレタンポリウレア樹脂（Ａ）、およびウレタンプレポリマー(f)の合計に対し、エポキシ樹脂（Ｂ）３〜２００重量％を含有することを特徴とする請求項１又は２記載の絶縁性樹脂組成物。
【請求項４】
ポリウレタンポリウレア樹脂（Ａ）、ウレタンプレポリマー(f)、およびエポキシ樹脂（Ｂ）の合計に対し、有機樹脂フィラー（Ｃ）０．１〜２００重量％を含有することを特徴とする請求項１〜３いずれか記載の絶縁性樹脂組成物。
【請求項５】
有機樹脂フィラー（Ｃ）が、尿素樹脂系、メラミン樹脂系、ウレタン樹脂系、およびベンゾグアナミン樹脂系からなる群から選らばれる少なくとも1種のフィラーであることを特徴とする請求項１〜４いずれか記載の絶縁性樹脂組成物。
【請求項６】
さらに、融点が４０℃以上１８０℃以下であるワックス（Ｄ）を添加することを特徴とする、請求項１〜５いずれか記載の絶縁性樹脂組成物。
【請求項７】
ワックス（Ｄ）が、Ｎ.Ｎ'-エチレン-ビス-ステアリルアミドであることを特徴とする、請求項６記載の絶縁性樹脂組成物。
【請求項８】
フレキシブルプリント配線基板の熱可塑性基材上に、請求項１〜７いずれか記載の絶縁性樹脂組成物を層形成したフレキシブルプリント配線基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明は、ポリオール化合物（ａ）が、ジオールと、テレフタル酸およびまたはイソフタル酸を反応させてなるポリエステルポリオールであることを特徴とする上記絶縁性樹脂組成物に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明は、ポリウレタンポリウレア樹脂（Ａ）、およびウレタンプレポリマー(f)の合計に対し、エポキシ樹脂（Ｂ）３〜２００重量％を含有することを特徴とする上記絶縁性樹脂組成物に関する。
また、本発明は、ポリウレタンポリウレア樹脂（Ａ）、ウレタンプレポリマー(f)、およびエポキシ樹脂（Ｂ）の合計に対し、有機樹脂フィラー（Ｃ）０．１〜２００重量％を含有することを特徴とする上記絶縁性樹脂組成物に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明は、有機樹脂フィラー（Ｃ）が、尿素樹脂系、メラミン樹脂系、ウレタン樹脂系、およびベンゾグアナミン樹脂系からなる群から選らばれる少なくとも1種のフィラーであることを特徴とする上記絶縁性樹脂組成物に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月17日(2010.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動軸側に第１の磁石と前記第１の磁石を保持する保持部材とからなる駆動側磁力部と、
従動軸側に前記第１の磁石に対向する第２の磁石と前記第２の磁石を保持する保持部材とからなる従動側磁力部とを有し、
前記駆動側磁力部と前記従動側磁力部の間で働く磁力によって、前記駆動軸から前記従動軸に動力を伝達する磁気継手であって、
前記駆動側磁力部と前記従動側磁力部の間にそれぞれに同時に当接する緩衝材を有することを特徴とする磁気継手。
【請求項２】
前記緩衝材は、前記第１の磁石と前記第２の磁石のそれぞれに同時に当接することを特徴とする請求項１に記載の磁気継手。
【請求項３】
前記緩衝材はゴムであることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気継手。
【請求項４】
前記緩衝材はスポンジであることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気継手。
【請求項５】
前記緩衝材は磁性流体であることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気継手。
【請求項６】
前記従動側磁力部の回転軸周りの慣性質量が、前記駆動側磁力部の回転軸周りの慣性質量より大きいことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項記載の磁気継手。
【請求項７】
駆動軸を有する駆動手段と、
従動軸を有する出力手段と
前記駆動手段から発生した動力を前記駆動軸から前記従動軸に伝達する動力伝達手段と、
前記駆動手段の動きを制御する制御手段と、
前記制御手段を操作する操作手段と、
前記出力手段の出力より搭載物の方向を可変可能な搭載台と、
を有する雲台装置において、
前記動力伝達手段に請求項１から６のいずれか１項記載の磁気継手を使用することを特徴とする雲台装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の磁気継手は、駆動軸側に第１の磁石と前記第１の磁石を保持する保持部材とからなる駆動側磁力部と、従動軸側に前記第１の磁石に対向する第２の磁石と前記第２の磁石を保持する保持部材とからなる従動側磁力部とを有し、前記駆動側磁力部と前記従動側磁力部の間で働く磁力によって、前記駆動軸から前記従動軸に動力を伝達する磁気継手であって、前記駆動側磁力部と前記従動側磁力部の間にそれぞれに同時に当接する緩衝材を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月2日(2010.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子文書に対してワークフローを実行するためのシステムであって、
電子文書アクセスモジュールと、
複数の処理を備えるワークフローを実行するように構成された一つまたは複数のワークフロー実行モジュールと、を備え、
前記電子文書アクセスモジュールが、ユーザによるワークフローの実行要求に応じて電子文書にアクセスし、ユーザに一つまたは複数のワークフロー実行モジュールをワークフロー実行モジュールの説明と共に表示し、該ユーザによるワークフロー実行モジュールの選択を受取り、該選択されたワークフロー実行モジュールの識別子およびパスを決定し、該決定されたワークフロー実行モジュールのパスにアクセスすることにより該選択されたワークフロー実行モジュールに前記電子文書を送り、
前記選択されたワークフロー実行モジュールが前記電子文書に対し前記ワークフローを実行する、
システム。
【請求項２】
前記選択されたワークフロー実行モジュールが、前記ワークフローの一部として特定の処理が実行されたという通知を発する、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記複数の処理が、
前記電子文書が規則に合致しているか否か判定することと、
前記電子文書の形式が適切であるか否か判定することと、
画像解像度が一つまたは複数の定義されたパラメータを満たしているか否か判定することと、
画像内のカラーが一つまたは複数の定義されたパラメータを満たしているか否か判定することと、
前記電子文書について出力画像に特定の順序付けを与えることと、
前記電子文書について出力画像の配列を決定することと、
前記電子文書内の一つまたは複数のフォントを置き換えることと、及び
前記電子文書を校正することと、
のうちの一つまたは複数を備える、請求項１または２に記載のシステム。
【請求項４】
前記選択されたワークフロー実行モジュールが、前記電子文書のファイル形式に基づいてワークフローエージェントを選択する、請求項１〜３のいずれかに記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月27日(2010.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の表面の付近にそれぞれ形成され、可変抵抗状態を保存する第１抵抗層及び第２抵抗層と、
前記第１抵抗層の下側の前記半導体基板の部分に形成され、前記第１抵抗層と連結された第１埋め込み電極と、
前記第２抵抗層の下側の前記半導体基板の部分に形成され、前記第２抵抗層と連結された第２埋め込み電極と、
前記半導体基板上に形成され、前記第１抵抗層及び第２抵抗層上を横切って延びるゲート電極と、
前記半導体基板と前記ゲート電極との間のゲート絶縁膜と、を備える不揮発性メモリ素子の動作方法であって、
前記第１埋め込み電極を第１ビットラインとして利用し、前記第２埋め込み電極を第２ビットラインとして利用し、前記ゲート電極をワードラインとして利用して、前記第１抵抗層及び第２抵抗層に２ビットのデータをプログラムするステップと、前記第１抵抗層及び第２抵抗層にプログラムされた２ビットのデータを読み取るステップと、を含むことを特徴とする不揮発性メモリ素子の動作方法。
【請求項２】
前記２ビットのデータをプログラムするステップは、前記第１抵抗層及び第２抵抗層の抵抗をそれぞれ二つの状態に変化させて行うことを特徴とする請求項１に記載の不揮発性メモリ素子の動作方法。
【請求項３】
前記プログラムするステップで前記第１抵抗層の抵抗変化は、
前記第１ビットラインにプログラム電圧を印加し、前記第２埋め込み電極と前記第１抵抗層とを連結する深いチャンネルが形成されるように、前記ワードラインにターンオン電圧を印加して行うことを特徴とする請求項１または２に記載の不揮発性メモリ素子の動作方法。
【請求項４】
前記プログラムするステップで前記第２抵抗層の抵抗変化は、
前記第２ビットラインにプログラム電圧を印加し、前記第１埋め込み電極と前記第２抵抗層とを連結する深いチャンネルが形成されるように、前記ワードラインにターンオン電圧を印加して行うことを特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の不揮発性メモリ素子の動作方法。
【請求項５】
前記２ビットのデータを読み取るステップは、
前記埋め込み電極の一つと隣接した抵抗層の一つとを連結するように深いチャンネルを形成し、前記第１ビットラインと前記第２ビットラインとの間の両方向電流値を順次に測定するステップを含むことを特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載の不揮発性メモリ素子の動作方法。
【請求項６】
前記２ビットのデータを読み取るステップは、
前記第１抵抗層と前記第２抵抗層とを連結するように浅いチャンネルを形成し、前記第１ビットラインと前記第２ビットラインとの間の少なくとも一方向電流値を測定するステップを含むことを特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載の不揮発性メモリ素子の動作方法。
【請求項７】
前記一方向電流値を測定するステップは、少なくとも二つのレベルの読み取り電圧で繰り返されることを特徴とする請求項６に記載の不揮発性メモリ素子の動作方法。
【請求項８】
前記第１抵抗層及び前記第２抵抗層に保存されたデータを同時に消去するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１から７の何れか一項に記載の不揮発性メモリ素子の動作方法。
【請求項９】
前記データを同時に消去するステップは、
前記第１抵抗層と前記第２抵抗層とを連結するように浅いチャンネルを形成し、前記第１ビットラインと前記第２ビットラインとの間に消去電圧を印加するステップを含むことを特徴とする請求項８に記載の不揮発性メモリ素子の動作方法。
【請求項１０】
前記第１抵抗層及び第２抵抗層は、Ｎｂ２Ｏ５、クロムがドーピングされたＳｒＴｉＯ３、ＺｒＯｘ、ＧＳＴ（ＧｅＳｂｘＴｅｙ）、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ２及びＨｆＯからなる群から選択された少なくとも一つをそれぞれ含むことを特徴とする請求項１から９の何れか一項に記載の不揮発性メモリ素子の動作方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月14日(2010.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）前面（１２）及び背面（１４）を有する１つの導電型の半導体基板（１０）と、
（ｂ）前記半導体基板（１０）の前面（１２）上に配置された第１のアモルファス半導体層（１６）と、
（ｃ）前記半導体基板（１０）の背面（１４）の一部分上に配置され、その深さにわたって前記基板（１０）との界面における真性からその反対側における導電性まで組成傾斜し、また選択ドーパント原子の組み込みによって得られた選択導電型を有する第２のアモルファス半導体層（２２）と、
（ｄ）前記半導体基板（１０）の背面（１４）の別の部分上にかつ前記第２のアモルファス半導体層（２２）から間隔をおいて配置され、その深さにわたって前記基板（１０）との界面における真性からその反対側における導電性まで組成傾斜し、また前記第２のアモルファス層（２２）の型とは異なりかつ選択ドーパント原子の組み込みによって得られた導電型を有する第３のアモルファス半導体層（３２）と、
を含む半導体構造であって、前記第２のアモルファス半導体層（２２）及び第３のアモルファス半導体層（３２）の両方について前記基板（１０）との界面におけるドーパント原子の濃度がゼロであり、またその反対側におけるドーパント原子の濃度が１×１０16ｃｍ-3〜１×１０21ｃｍ-3の範囲内であり、前記基板（１０）の前面（１２）及び背面（１４）が共にテクスチャ加工されている、半導体構造。
【請求項２】
少なくとも１つの電気接点（３０）が前記第２のアモルファス半導体層（２２）上に配置され、また少なくとも１つの電気接点（４０）が前記第３のアモルファス半導体層（３２）上に配置される、請求項１記載の半導体構造。
【請求項３】
電極層（２８）が前記第２のアモルファス半導体層（２２）とその上にある電気接点(３０)との間に配置され、また電極層（３８）が前記第３のアモルファス半導体層（３２）とその上にある電気接点(４０)との間に配置される、請求項２記載の半導体構造。
【請求項４】
前記第２のアモルファス半導体層（２２）が、分離溝（４２）によって前記第３のアモルファス半導体層（３２）から間隔をおいて配置される、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の半導体構造。
【請求項５】
透明層（１８）が前記第１のアモルファス半導体層（１６）上に配置される、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の半導体構造。
【請求項６】
前記透明層（１８）が反射防止構造を含む、請求項５記載の半導体構造。
【請求項７】
前記透明層（１８）が窒化ケイ素を含む材料で形成される、請求項５記載の半導体構造。
【請求項８】
前記基板（１０）が単結晶又は多結晶であり、かつｎ型又はｐ型である、請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載の半導体構造。
【請求項９】
前記第１のアモルファス半導体層（１６）が真性である、請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載の半導体構造。
【請求項１０】
前記第１のアモルファス半導体層（１６）が、その深さにわたって前記基板（１０）との界面における真性からその反対側における導電性まで組成傾斜している、請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載の半導体構造。
【請求項１１】
前記第２のアモルファス半導体層（２２）上に配置された少なくとも１つの電気接点（３０）が、前記第３のアモルファス半導体層（３２）上に配置された少なくとも１つの電気接点（４０）と交互かみ合いする、請求項２記載の半導体構造。
【請求項１２】
光起電力デバイスを作る方法であって、
（Ｉ）テクスチャー加工された前面（１２）とテクスチャー加工された背面（１４）とを有する半導体基板（１０）を準備する段階と、
（ＩＩ）前記半導体基板（１０）の前面（１２）上に第１のアモルファス半導体層（１６）を形成する段階と、
（ＩＩＩ）第２のアモルファス半導体層（２２）がその深さにわたって前記基板の背面（１４）との界面における真性からその反対側における導電性まで組成傾斜した状態になるように、半導体材料及びドーパントを該ドーパントの濃度を変更しながら前記背面部分上に堆積させることによって、前記半導体基板（１０）の背面（１４）の一部分上に第２のアモルファス半導体層（２２）を形成する段階と、
（ＩＶ）第３のアモルファス半導体層（３２）がその深さにわたって前記基板（１０）の背面（１４）との界面における真性からその反対側における導電性まで組成傾斜した状態になるように、半導体材料及びドーパントを該ドーパントの濃度を変更しながら前記背面部分上に堆積させることによって、前記半導体基板（１０）の背面（１４）の別の部分上に第３のアモルファス半導体層（３２）を形成する段階であって、前記第２のアモルファス半導体層（２２）及び第３のアモルファス半導体層（３２）の両方について前記基板（１０）との界面におけるドーパント原子の濃度がゼロであり、またその反対側におけるドーパント原子の濃度が１×１０16ｃｍ-3〜１×１０21ｃｍ-3の範囲内である段階と、
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月25日(2010.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第１の電極を形成し、
前記基板及び前記第１の電極上に、ポリシランを含む絶縁層を形成し、
前記絶縁層にモールドを押しつけて加熱し、前記第１の電極上の前記絶縁層中に開口部を形成し、
前記開口部の形成された絶縁層から、前記モールドを取り外し、
前記開口部の形成された絶縁層にＵＶ光を照射し、その後、加熱して酸化珪素を含む隔壁を形成し、
前記第１の電極及び前記隔壁上に、発光層を形成し、
前記発光層上に、第２の電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記モールドは、金属材料または絶縁材料により形成されており、
前記モールドの表面には凹凸が形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記モールドを取り外す際に、前記絶縁層に超音波を用いて振動を加えることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記モールドを取り外した後、前記開口部の形成された絶縁層の表面を、酸素プラズマを用いて硬質化させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記絶縁層は、Ｓｉ−Ｓｉ結合及びＳｉ−Ｃ結合を含むポリシランを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記隔壁は、Ｓｉ−Ｓｉ結合、Ｓｉ−Ｃ結合及びＳｉ−Ｏ結合を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月9日(2010.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コイルが巻き取られたボビンが挿入されるＶＣＭヨークと、
前記ＶＣＭヨークが支持され前記ＶＣＭヨークと相異なる材質からなるベースと、
前記ＶＣＭヨークと実質的に同一の材質で前記ＶＣＭヨークと前記ベースとの間に設けられて前記ＶＣＭヨークと前記ベースとの間の相異なる熱膨張係数による機構的変形を阻止する熱変形阻止部と、
を含むことを特徴とするハードディスクドライブ。
【請求項２】
前記熱変形阻止部は、前記ＶＣＭヨークと別途に製作されて板状を有する熱変形阻止プレートであることを特徴とする請求項１に記載のハードディスクドライブ。
【請求項３】
前記ベースは、前記熱変形阻止プレートが挿設されるように厚さ方向に沿って所定の深さほど主表面から陥没形成された陥没溝部を含み、
前記挿設された熱変形阻止プレートは、前記ベースの一部を形成することを特徴とする、請求項２に記載のハードディスクドライブ。
【請求項４】
前記熱変形阻止プレートは、前記ベースに結合され、前記ＶＣＭヨークは、前記熱変形阻止プレートに結合されることを特徴とする、請求項３に記載のハードディスクドライブ。
【請求項５】
前記熱変形阻止プレートは、少なくとも一つの第１スクリュー溝を含み、
前記ベースは、前記少なくとも一つの第１スクリュー溝を通過する少なくとも一つの第１スクリューが締結されるように前記第１スクリュー溝と対応する位置に厚さ方向に沿って所定の深さ陥没形成された第１スクリュー孔を含むことを特徴とする、請求項４に記載のハードディスクドライブ。
【請求項６】
前記第１スクリューは、前記熱変形阻止プレートと実質的に同一の材質からなることを特徴とする、請求項５に記載のハードディスクドライブ。
【請求項７】
前記第１スクリューは、頭部が前記熱変形阻止プレートの上面に突出されないように皿状を有する前記第１スクリューの頭部を含むことを特徴とする、請求項５に記載のハードディスクドライブ。
【請求項８】
前記ＶＣＭヨークは、少なくとも一つの第２スクリュー孔を含み、
前記熱変形阻止プレートは、前記第２スクリュー孔を通過する少なくとも一つの第２スクリューが締結されるように前記第２スクリュー孔と対応する位置に厚さ方向に沿って所定の深さ陥没形成された第２スクリュー溝を含むことを特徴とする、請求項４に記載のハードディスクドライブ。
【請求項９】
コイルが巻き取られたボビンが挿入されるＶＣＭヨークと、
前記ＶＣＭヨークが支持されて前記ＶＣＭヨークと相異なる材質からなり表面から厚さ方向に沿って所定の深さ陥没形成された陥没溝部が形成されているベースと、
前記陥没溝部に挿入されて前記ＶＣＭヨークと前記ベースとにそれぞれ結合されて前記ＶＣＭヨークと前記ベースとの間の相異なる熱膨張係数による機構的変形を阻止する熱変形阻止部と、
を含むことを特徴とする、ハードディスクドライブ。
【請求項１０】
読み取り／書き込みヘッドが搭載されるヘッドスタックアセンブリーのコイルが巻き取られたボビンが挿入されるＶＣＭヨークと、
前記ＶＣＭヨークが支持され前記ＶＣＭヨークと相異なる材質からなるベースと、
前記ＶＣＭヨークと、前記ヘッドスタックアセンブリーと、前記ベースとにそれぞれ結合されて前記ＶＣＭヨークと前記ベースとの間の相異なる熱膨張係数による機構的変形を阻止する熱変形阻止部と、
を含むことを特徴とするハードディスクドライブ。
【請求項１１】
ＶＣＭヨークと、
前記ＶＣＭヨークを支持するベースと、
前記ＶＣＭヨークと実質的に類似した材質であり、前記ベースと実質的に異なる材質で製作され、前記ＶＣＭヨークと前記ベースとに結合される熱変形阻止部と、
を含むことを特徴とするハードディスクドライブアセンブリー。
【請求項１２】
前記熱変形阻止部は、前記ベースの陥没溝部に配されることを特徴とする、請求項１１に記載のハードディスクドライブアセンブリー。
【請求項１３】
データを交換するための外部マイクロプロセッサに連結されるコネクタをさらに含むことを特徴とする、請求項１１に記載のハードディスクドライブアセンブリー。
【請求項１４】
前記マイクロプロセッサは、中央処理装置（ＣＰＵ）であり、前記ハードディスクドライブと前記マイクロプロセッサは、一装置に収容されることを特徴とする、請求項１２に記載のハードディスクドライブアセンブリー。
【請求項１５】
ＶＣＭヨークと、
前記ＶＣＭヨークを支持するベースと、
前記ＶＣＭヨーク及び前記ベースと異なる材質で製作され、前記ＶＣＭヨークと前記ベースとの間に配されて前記ＶＣＭヨークと前記ベースとのうちの少なくとも一つの熱変形を阻止する熱変形阻止部と、
を含むことを特徴とするハードディスクドライブ。
【請求項１６】
前記熱変形阻止部と前記ベースは、分離されていない一つの単一体であることを特徴とする、請求項１５に記載のハードディスクドライブ。
【請求項１７】
前記熱変形阻止部と前記ＶＣＭヨークは、分離されていない一つの単一体であることを特徴とする請求項１５に記載のハードディスクドライブ。
【請求項１８】
前記ＶＣＭヨークと前記ベースは、相互実質的に平行な隣接表面を含み、前記熱変形阻止部は、前記表面に平行な方向に配されることを特徴とする、請求項１５に記載のハードディスクドライブ。
【請求項１９】
前記ベースは、主表面から陥没された表面まで深さほど陥没された陥没溝部を含み、前記熱変形阻止部は、前記ベースの主表面の一部を形成するように前記陥没溝部内に配されることを特徴とする、請求項１５に記載のハードディスクドライブ。
【請求項２０】
前記ＶＣＭヨークは、前記熱変形阻止部に結合され、前記熱変形阻止部は、前記ベースに結合されることを特徴とする、請求項１５に記載のハードディスクドライブ。
【請求項２１】
前記ＶＣＭヨークは、前記ベースに直接的に結合されないことを特徴とする、請求項１５に記載のハードディスクドライブ。
【請求項２２】
ヘッドスタックアセンブリー（ＨＳＡ）をさらに含み、
前記熱変形阻止部は、
前記ＶＣＭヨークの形状に対応する第１部分と、
前記ヘッドスタックアセンブリー（ＨＳＡ）部分の形状に対応する第２部分と、
を含むことを特徴とする、請求項１５に記載のハードディスクドライブ。
【請求項２３】
前記熱変形阻止部は、前記ＶＣＭヨークに対向する表面上に配される補強部を含み、前記ＶＣＭヨークは、前記熱変形阻止部の補強部に結合されることを特徴とする、請求項１５に記載のハードディスクドライブ。
【請求項２４】
ＶＣＭヨークと、
ベースと、
前記ベースの主表面に実質的に平行な方向で前記ＶＣＭヨーク及び前記ベースの間に配されて前記ＶＣＭヨークと前記ベースとのうちの少なくとも一つの熱変形を阻止する熱変形阻止部を含むことを特徴とする、ハードディスクドライブ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月12日(2010.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ記録媒体と、
前記データ記録媒体から所定のパターンを読取り、相応するアナログ読取信号を発生させる磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドから出力された前記アナログ読取信号を増幅し、前記増幅されたアナログ読取信号を出力する前置増幅器と、
前記前置増幅器によって出力された前記アナログ読取信号をデジタル信号に変換するアナログーデジタル変換器と、
前記アナログーデジタル変換器から出力された前記デジタル信号を離散フーリエ変換し、前記離散フーリエ変換された信号を出力する離散フーリエ変換器と、
前記離散フーリエ変換器から出力された前記離散フーリエ変換された信号に基づいて第１制御信号を発生させるプロセッサと、
前記プロセッサから出力された前記第１制御信号に応答し、前記磁気ヘッドと前記データ記録媒体との間の距離を調節するための第２制御信号を前記磁気ヘッドに出力する制御回路と、
を含むことを特徴とする、データ保存装置。
【請求項２】
前記離散フーリエ変換器は、前記デジタル信号に含まれる第３高調波信号を離散フーリエ変換することを特徴とする、請求項１に記載のデータ保存装置。
【請求項３】
前記磁気ヘッドおよび空気ベアリング表面を有する空気ベアリングスライダーをさらに含み、前記空気ベアリング表面の熱膨脹は、前記磁気ヘッドと前記データ記録媒体との間の前記距離を調節するために、前記第２制御信号により制御されることを特徴とする、請求項１に記載のデータ保存装置。
【請求項４】
前記プロセッサは、前記磁気ヘッドと前記データ記録媒体との間の前記距離の変化に伴ってリアルタイムで前記第１制御信号を発生させることを特徴とする、請求項１に記載のデータ保存装置。
【請求項５】
前記第２制御信号は、ＦＯＤ電圧またはＦＯＤ電流であることを特徴とする、請求項１に記載のデータ保存装置。
【請求項６】
前記データ保存装置の内部温度を感知して相応する温度信号を出力する温度センサーをさらに含み、前記プロセッサは、前記温度センサーから出力された前記温度信号にも基づいて前記第１制御信号を出力することを特徴とする、請求項１に記載のデータ保存装置。
【請求項７】
前記プロセッサは、前記離散フーリエ変換された信号と、前記磁気ヘッドと前記データ記録媒体との間の前記距離との間の相関関係に基づいて、前記第１制御信号を出力することを特徴とする、請求項１に記載のデータ保存装置。
【請求項８】
前記制御回路は、前記前置増幅器の一部であることを特徴とする、請求項１に記載のデータ保存装置。
【請求項９】
空気ベアリングスライダーの読取ヘッドがデータ記録媒体の所定の領域に記録された所定のパターンを読取り、読取信号を出力するステップと、
前置増幅器が前記読取信号を増幅し、前記増幅された読取信号を出力するステップと、
チャンネル回路が前記増幅された読取信号に基づいて第１制御信号を出力するステップと、
プロセッサが前記第１制御信号に基づいて前記読取ヘッドと前記データ記録媒体との間の距離を計算し、前記計算の結果に基づいて第２制御信号を発生させるステップと、
前記第２制御信号に応答し、前記空気ベアリングスライダーと前記データ記録媒体との間の前記距離を制御するための第３制御信号を出力するステップと、
を含み、
前記チャンネル回路が前記前置増幅器から出力された前記増幅された読取信号に含まれる第３高調波を離散フーリエ変換し、前記変換の結果に基づいて前記第１制御信号を出力する場合に、前記プロセッサは、前記第１制御信号と、前記空気ベアリングスライダーと前記データ記録媒体との間の前記距離との間の相関関係に基づいて、前記第２制御信号を発生させることを特徴とする、空気ベアリングスライダーとデータ記録媒体との間の距離を調節する方法。
【請求項１０】
空気ベアリングスライダーの読取ヘッドがデータ記録媒体の所定の領域に記録された所定のパターンを読取り、読取信号を出力するステップと、
前置増幅器が前記読取信号を増幅し、前記増幅された読取信号を出力するステップと、
チャンネル回路が前記増幅された読取信号に基づいて第１制御信号を出力するステップと、
プロセッサが前記第１制御信号に基づいて前記読取ヘッドと前記データ記録媒体との間の距離を計算し、前記計算の結果に基づいて第２制御信号を発生させるステップと、
前記第２制御信号に応答し、前記空気ベアリングスライダーと前記データ記録媒体との間の前記距離を制御するための第３制御信号を出力するステップと、
を含み、
前記プロセッサの内部温度または内部湿度の少なくとも一つを感知するステップをさらに含み、前記プロセッサが感知された内部温度および感知された内部湿度の少なくとも一つと前記第１制御信号とに基づいて前記距離を計算し、前記計算の結果に基づいて前記第２制御信号を発生させるステップをさらに含むことを特徴とする、空気ベアリングスライダーとデータ記録媒体との間の距離を調節する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月24日(2010.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１、第２のハウジング同士を嵌合して成る複数組の電気コネクタを保護ケース内に収納し、前記各電気コネクタの前記第１のハウジングに収容した接続端子には前記保護ケースの外部から引き込んだケーブルの導線をそれぞれ接続し、前記第２のハウジングに収納した接続端子を他の電気コネクタの前記第２のハウジングの接続端子と導線により接続したことを特徴とするジョイントボックス。
【請求項２】
前記第２のハウジングに収納した接続端子には、前記他の第２のハウジング以外からの導線を接続したことを特徴とする請求項１に記載のジョイントボックス。
【請求項３】
前記他の第２のハウジング以外からの導線は、前記保護ケースに固定した他の電気コネクタからの導線としたことを特徴とする請求項２に記載のジョイントボックス。
【請求項４】
前記他の第２のハウジング以外からの導線は前記保護ケース内に配置したジョイントコネクタからの導線としたことを特徴とする請求項２に記載のジョイントボックス。
【請求項５】
前記電気コネクタに接続した外部からのケーブルは、前記保護ケースに強固に固定したことを特徴とする請求項１〜４の何れか１つの請求項に記載のジョイントボックス。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月24日(2010.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電線付きの複数の接続端子をハウジング後面の端子収容孔の入口から挿入して収容するコネクタハウジングにおいて、前記端子収容孔の入口に挿入すべき前記接続端子に接続した前記電線を区別し該当の前記接続端子の挿入位置を示すマークを示したシートを前記端子収容孔の入口面に接着し、該シートの該当の前記マークを突き抜いて前記接続端子を前記端子収容孔に挿入することを特徴とするコネクタハウジング。
【請求項２】
前記シートには前記接続端子が突き抜き易いように予め切れ目を形成したことを特徴とする請求項１に記載のコネクタハウジング。
【請求項３】
前記マークは前記電線に付した識別記号と一致する識別記号としたことを特徴とする請求項１又は２に記載のコネクタハウジング。
【請求項４】
前記マークは前記電線の被覆の色、模様と一致するようにしたことを特徴とする請求項３に記載のコネクタハウジング。
【請求項５】
前記シートは前記端子収容孔の入口部と同形状に孔部を形成した板体の表面に接着し、該板体を前記ハウジングの後面に接着したことを特徴とする請求項１〜４の何れか１つの請求項に記載のコネクタハウジング。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月6日(2010.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可聴周波数帯の信号波を生成する信号源から出力される信号波によりキャリア波を変調し、該変調波により超音波トランスデューサを駆動する超音波スピーカの出力制御方法において、
前記超音波トランスデューサの音波放射軸と、聴者が正面を向く方向を示す軸とのなす角度に応じ、前記可聴周波数帯の信号波に信号処理を行うことを特徴とする超音波スピーカの出力制御方法。
【請求項２】
ある任意の基準とする方向を示す軸と、前記聴者が正面を向く方向を示す軸とのなす角度を計測する角度計測手段をさらに備え、
前記角度計測手段の計測結果に基づき前記信号処理を行うことを特徴とする請求項１に記載の超音波スピーカの出力制御方法。
【請求項３】
前記音波放射軸の方向を任意に変更する音波放射軸方向変更手段と、
前記超音波トランスデューサに対する前記聴者の位置を計測する位置計測手段と、をさらに有し、
前記位置計測手段の計測結果に基づいて、前記音波放射軸が前記聴者と交わるように前記音波放射軸方向変更手段が前記波放射軸の方向を調整するとともに、前記角度計測手段の計測結果と前記位置計測手段の計測結果とに基づいて信号処理を行うことを特徴とする請求項２に記載の超音波スピーカの出力制御方法。
【請求項４】
前記音波放射軸と、前記聴者が正面を向く方向を示す軸とのなすそれぞれの角度において、前記超音波スピーカから自己的に復調される前記可聴周波数帯域の信号音の周波数特性がフラットになるように、前記信号処理を行うことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の超音波スピーカの出力制御方法。
【請求項５】
前記超音波スピーカから自己的に復調される前記可聴周波数帯域の信号音の周波数特性が、前記超音波トランスデューサの音波放射軸と前記聴者が正面を向く方向を示す軸とのなす角度に応じた周波数以上の帯域でフラットになるように、前記信号処理を行うことを特徴とする請求項４に記載の超音波スピーカの出力制御方法。
【請求項６】
可聴周波数帯の信号波を生成する信号源と、前記信号波に対して信号処理を行う信号処理部と、前記信号波の振幅を調整する信号波振幅調整回路と、超音波周波数帯のキャリア波を生成し、出力するキャリア波発振源と、前記キャリア波を前記信号源から出力される可聴周波数帯の信号波により変調する変調回路と、前記変調回路で発生させた変調波の振幅を調整する変調波振幅調整回路と、前記変調波振幅調整回路で振幅を調整した変調波により駆動される超音波トランスデューサとを有する超音波スピーカシステムであって、
ある任意の基準とする方向を示す軸と、聴者が正面を向く方向を示す軸とのなす角度である聴者角度を計測する角度計測部と、
前記角度計測部により得られる聴者角度情報を含む制御情報を発信する制御情報発信部と、
前記制御情報を取り込む制御情報受信部と、
前記制御情報に含まれる聴者角度情報に基づいて前記信号処理部で行う前記信号処理を制御する制御部と、
を有することを特徴とする超音波スピーカシステム。
【請求項７】
前記超音波トランスデューサにおける音波放射軸の角度を任意に変更するための角度可変機構と、
前記超音波トランスデューサに対する前記聴者の位置である聴者位置を計測する位置計測部と、
前記制御情報発信部から発信される制御情報には、前記位置計測部により得られる聴者位置情報がさらに含まれ、前記聴者位置情報に基づいて超音波トランスデューサの角度を変更するように前記角度可変機構を駆動制御する角度制御部と、
をさらに含み、
前記制御部は前記聴者角度情報と前記聴者位置情報の二つの情報に基づいて前記信号処理を制御することを特徴とする請求項６に記載の超音波スピーカシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月10日(2010.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テスト作動モードを制御するシリアルテストインターフェース（ＴＩＦ）と、自由にプログラム可能なデジタルプロセッサ（ＣＰＵ）と、前記テストインターフェース（ＴＩＦ）と、前記プロセッサ（ＣＰＵ）とを収容するハウジング（Ｇ）と、外部構成部品および外部機器とデータおよび／または信号を交換する端子（Ｃ０、Ｃ１）端子とを含む回路構成であって、
前記端子の１つ（Ｃ１）では、制御可能であり、かつ前記回路構成に作動電圧を供給するために使用される電源電圧レベル（Ｖ１）とは異なる少なくとも２つの電圧レベル（Ｖ２、Ｖ３）を使用して、変調された電源電圧（ＶＤＤ）を供給してデータ（ｄ）転送および／またはクロックパルス（Ｔ）転送を行うことができ、
前記パルス（Ｔ）の繰り返し周期の二番目のスロープそれぞれによって前記２つの電圧レベル（Ｖ２、Ｖ３）の内の１つを超える、またはそれに達しないようにし、また、中間に位置する前記パルススロープによって前記電源電圧（ＶＤＤ）の値を前記２つの電圧レベル（Ｖ２、Ｖ３）の間のレベルにするように、前記データ（ｄ）と前記パルス（Ｔ）を前記回路構成の前記電源電圧に変調することができることを特徴とする回路構成。
【請求項２】
さらに前記２つの電圧レベル（Ｖ２、Ｖ３）のオーバーシュート、またはアンダーシュートの検出を可能とする少なくとも２つのコンパレータ（Ｋ１、Ｋ２）を備えることを特徴とする、請求項１に記載の回路構成。
【請求項３】
コンパレータ装置（Ｋ）によって、前記回路構成の電源電圧（ＶＤＤ）、および内部データ（ｄ＊）で変調された両データ（ｄ）と、前記回路構成の内部パルス（Ｔ＊）として、電源電圧（ＶＤＤ）で変調されたクロック（Ｔ）とを抽出することができることを特徴とする、請求項１、または２に記載の回路構成。
【請求項４】
前記回路構成、または前記回路構成の構成部品が内部クロック（Ｔ＊）をテスト作動モードで使用することを特徴とする、請求項３に記載の回路構成。
【請求項５】
さらにテスト作動モードにおいてのみコンパレータ回路（Ｋ）および／または前記テストインターフェース（ＴＩＦ）を起動するスイッチング機器（ＳＷ）を備えることを特徴とする、請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の回路構成。
【請求項６】
さらに前記回路構成のスイッチオン、および／または始動後に前記テスト作動モードを自動的に起動させる基本的な状態を格納する格納機構（Ｍ）を備えることを特徴とする、請求項５に記載の回路構成。
【請求項７】
さらにセンサ回路配置を形成するためのアナログセンサ（Ｓ）、またはデジタルセンサ（Ｓ）、特に、ホールサンサーを備えることを特徴とする、請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の回路構成。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の回路構成のためのシリアルテストの作動方法であって、
外部クロック（Ｔ）同様、外部データ（ｄ）を電源電圧（ＶＤＤ）に変調して前記回路構成に転送することを特徴とする、方法。
【請求項９】
２つの電圧レベル（Ｖ２、Ｖ３）を使用して、前記データ（ｄ）と前記クロック（Ｔ）を前記回路構成の電源電圧に変調することを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記パルス（Ｔ）の繰り返し周期の二番目のスロープそれぞれによって前記２つの電圧レベル（Ｖ２、Ｖ３）の内の１つを超える、またはそれに達しないようにし、また、中間に位置する前記パルススロープによって前記電源電圧（ＶＤＤ）の値を前記２つの電圧レベル（Ｖ２、Ｖ３）の間のレベルにするように、前記データと前記パルスを前記電源電圧に変調することができることを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
所定のビット列（Ｘ）に基づいて、テスト作動モードを起動する信号を送ることを特徴とする、請求項９、または１０に記載の方法。
【請求項１２】
転送されたデータ（ｄ）によって、構成部品、または回路構成をテストする、および／または新たにプログラムすることを特徴とする、請求項９ないし請求項１１のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月21日(2010.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマープラスチック樹脂と両親媒性分子（１０）との混合物から調製される、生物学的物質を付着させるための非繊維状基材を含む生物学的物質の培養装置であって、前記両親媒性分子が親水性部分（１４）と疎水性領域（１６）とを含み、前記疎水性領域（１６）が前記基材内に埋め込まれており、かつ前記親水性部分（１４）が前記基材表面上に曝露されていることを特徴とする、生物学的物質の培養装置。
【請求項２】
前記混合物の樹脂が、前記両親媒性分子（１０）でコーティングされている、請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記混合物の樹脂が、前記両親媒性分子（１０）と混成されている、請求項１記載の装置。
【請求項４】
前記親水性部分（１４）が、ヒドロキシル、カルボキシル、アミン、又はこれらの混合物から選択される、請求項１から３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記プラスチックポリマーが、ポリスチレン、ポリプロピレン、グリコール変性ポリエチレンテレフタレート（PETG）、ポリエチレンテレフタレート（PET）、ポリカーボネート、又はこれらの混合物から選択される、請求項１から４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項６】
前記両親媒性分子（１０）が、約1％w／wの割合で前記ポリマープラスチック樹脂と混合される、請求項１から５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項７】
前記両親媒性分子（１０）が、約0.1％w／wの割合で前記ポリマープラスチック樹脂と混合される、請求項１から５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】
前記表面が、コロナ放電又はプラズマ放電でさらに処理される、請求項１から７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】
前記表面が、ポリ−D−リジン又はコラーゲンでさらにコーティングされる、請求項１から８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１０】
前記疎水性領域（１６）が、10〜30個の炭素原子長を有する炭素結合原子の鎖である、請求項１から９のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１１】
前記生物学的物質が、付着性表現型を有する、請求項１から１０のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１２】
前記生物学的物質が、細胞、細胞小器官、細胞下構造、ウイルス、バクテリア、生体分子、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１１記載の装置。
【請求項１３】
前記両親媒性分子（１０）が、アルキルアミンエトキシレート、ポリエチレンイミン、オクチルデカミン、又はこれらの混合物から選択される、請求項１から１２のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１４】
前記両親媒性分子（１０）が、フルオロ化合物を含まない、請求項１から１３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１５】
−  付着性表現型の生物学的物質との会合を促進する親水性官能基のタイプを決定する工程；
−  前記親水性官能基を含む親水性領域（１４）と疎水性領域（１６）とを含む両親媒性分子（１０）を選択する工程；
−  複数の前記両親媒性分子（１０）とポリマープラスチック樹脂とを混合して、混合樹脂を形成する工程；及び
−  前記混合樹脂から形成された基材を含む前記混合樹脂から、前記生物学的物質の培養装置を調製する工程、
を含み、前記疎水性領域（１６）が前記基材内に埋め込まれており、かつ前記親水性部分（１４）が前記基材表面上に曝露されていることを特徴とする、生物学物質の培養装置の製造方法。
【請求項１６】
前記生物学的物質との会合を促進する前記親水性官能基（１４）の濃度を測定する工程をさらに含む、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
前記両親媒性分子（１０）と前記ポリマープラスチック樹脂とを混合する工程が、前記生物学的物質との会合を促進する濃度と実質的に類似する、前記ポリマープラスチック樹脂に対する濃度で前記両親媒性分子（１０）を混合する工程をさらに含む、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
前記両親媒性分子（１０）と前記ポリマープラスチック樹脂とを混合する工程が、前記ポリマープラスチック樹脂を前記両親媒性分子（１０）でコーティングする工程をさらに含む、請求項１５から１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記両親媒性分子（１０）と前記ポリマープラスチック樹脂とを混合する工程が、前記ポリマープラスチック樹脂を前記両親媒性分子（１０）と混成する工程をさらに含む、請求項１５から１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記細胞培養装置の表面をコロナ放電又はプラズマ放電で処理する工程をさらに含む、請求項１５から１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
前記細胞培養装置の表面をポリ−D−リジン又はコラーゲンでコーティングする工程をさらに含む、請求項１５から２０のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月3日(2010.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
符号分割多元接続技術を用いる信号を送信する基地局であって、
複数のスペクトラム拡散データ信号を合成するよう構成されたコンバイナと、
一定の期間に前記コンバイナの出力の特性を測定するよう構成された測定装置と、
前記測定装置の出力に少なくとも部分的に応答する前記コンバイナの出力を適応的に制限するよう構成された可調整信号リミタと、
前記コンバイナの出力の標準偏差を算定するよう構成されたプロセッサと
を備え、前記可調整信号リミタが前記算定された標準偏差に部分的に基づき前記コンバイナの出力を一定の電力レベルに制限するよう構成されることを特徴とする基地局。
【請求項２】
ＲＦ信号を生ずるように前記コンバイナの出力を変調するよう構成されたミキサをさらに備え、前記測定装置が前記一定の期間にわたって前記ミキサの出力を測定するよう構成されることを特徴とする請求項１記載の基地局。
【請求項３】
前記ＲＦ信号を増幅するよう構成された増幅器をさらに備え、前記測定装置が前記一定の期間にわたって前記増幅器の出力を測定するよう構成されることを特徴とする請求項２記載の基地局。
【請求項４】
前記一定の電力レベルが標準偏差の値の二倍であることを特徴とする請求項１記載の基地局。
【請求項５】
前記一定の電力レベルが少なくとも一倍の標準偏差であることを特徴とする請求項１記載の基地局。
【請求項６】
前記プロセッサは現行のユーザの数が一定の値に達するという条件で前記可調整信号リミタを機能抑止するよう構成されることを特徴とする請求項１記載の基地局。
【請求項７】
前記プロセッサが短符号の送信の期間中に前記可調整信号リミタを機能抑止するよう構成されることを特徴とする請求項１記載の基地局。
【請求項８】
符号分割多元接続技術を用いる信号を送信する基地局であって、
複数のスペクトラム拡散データ信号を合成するよう構成されたコンバイナと、
一定の期間に前記コンバイナの出力の特性を測定するよう構成された測定装置と、
前記測定装置の出力に少なくとも部分的に応答する前記コンバイナの出力を適応的に制限するよう構成された可調整信号リミタと
を備え、前記測定装置が前記コンバイナの出力の二乗の平均値を算定するよう構成され、前記可調整信号リミタが前記コンバイナの出力の二乗の平均値に部分的に基づき前記コンバイナの出力を一定の電力レベルに制限するよう構成されることを特徴とする基地局。
【請求項９】
符号分割多元接続技術を用いる信号を送信する基地局であって、
複数のスペクトラム拡散データ信号を合成するよう構成されたコンバイナと、
一定の期間に前記コンバイナの出力の特性を測定するよう構成された測定装置と、
前記測定装置の出力に少なくとも部分的に応答する前記コンバイナの出力を適応的に制限するよう構成された可調整信号リミタと、
ＲＦ信号を生ずるように前記コンバイナの出力を変調するよう構成されたミキサと、
前記ＲＦ信号を送信の前に増幅するよう構成された増幅器と
を備え、前記測定装置が前記増幅器の出力の電力レベルを算出するよう構成され、前記増幅器の利得を前記算出ずみの電力レベルおよび前記増幅器の蓄積ずみの利得特性に応答してプロセッサにより調節するよう構成されることを特徴とする基地局。