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【手続補正書】
【提出日】平成22年3月31日(2010.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に配線層と絶縁層を積層して配線部材を形成する工程と、
前記配線部材から前記支持基板を除去する工程と、
接着部材を用いて前記配線部材の表面に前記配線部材と同一形状を有すると共に中央部に開口が形成された金属製の第１の補強部材を配設すると共に、前記配線部材の裏面に前記配線部材と同一形状を有すると共に接続端子に対応する位置に貫通孔が形成された金属製の第２の補強部材を配設する工程とを有する配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記配線部材を形成する際、前記配線部材にグランド電位とされた前記配線層に接続される接続用電極を形成し、
前記第１及び第２の補強部材を配設する際、前記第１又は第２の補強部材の少なくとも一方を導電材により形成すると共に、該導電材よりなる補強部材に前記接続用電極を接続する請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁層及び前記接着部材の材料を同一の樹脂材料とした請求項１又は２記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記補強部材の前記接着部材と対向する面を粗面化処理する請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
支持体上に配線層と絶縁層を積層して配線部材を形成する工程と、
前記配線部材から前記支持基板を除去する工程と、
前記配線部材の裏面に対応するよう形成された第１の補強部と、前記配線部材の表面に対応するよう形成された第２の補強部と、前記配線部材の側面に対応するよう形成された第３の補強部とが一体的に形成された補強部材を、前記配線部材を内包するよう折り曲げ加工する工程とを有する配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記配線部材を形成する際、前記配線部材にグランド電位とされた前記配線層に接続される接続用電極を形成し、
前記補強部材を導電材により形成すると共に、前記補強部材を配設する際、該導電材よりなる補強部材に前記接続用電極を接続する請求項５記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
配線層と絶縁層が積層された配線部材と、
前記配線部材と同一形状を有すると共に中央部に開口が形成されており、前記配線部材の表面に第１の接着部材を用いて接着される金属製の第１の補強部材と、
前記配線部材と同一形状を有すると共に接続端子に対応する位置に貫通孔が形成されており、前記配線部材の裏面に第２の接着部材を用いて接着される金属製の第２の補強部材とを有する配線基板。
【請求項８】
前記配線部材にグランド電位とされた前記配線層に接続された接続用電極を設け、
前記第１又は第２の補強部材の少なくとも一方を導電材により形成すると共に、該導電材よりなる補強部材と前記接続用電極とを接続してなる請求項７記載の配線基板。
【請求項９】
配線層と絶縁層が積層された配線部材と、
前記配線部材の裏面に対応するよう形成されると共に接続端子に対応する位置に貫通孔が形成された第１の補強部と、前記配線部材の表面に対応するよう形成された第２の補強部と、前記配線部材の側面に対応するよう形成された第３の補強部とが一体的に形成された補強部材とを有し、
前記補強部材は、前記配線部材を内包するように前記第２及び第３の補強部が前記第１の補強部に対し折り曲げ形成されてなる配線基板。
【請求項１０】
前記補強部材を導電材により形成すると共に前記配線部材にグランド電位とされた前記配線層に接続された接続用電極を設け、
該補強部材と前記接続用電極とを接続してなる請求項９記載の配線基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記の課題は、本発明の第１の観点からは、
支持体上に配線層と絶縁層を積層して配線部材を形成する工程と、
前記配線部材から前記支持基板を除去する工程と、
接着部材を用いて前記配線部材の表面に前記配線部材と同一形状を有すると共に中央部に開口が形成された金属製の第１の補強部材を配設すると共に、前記配線部材の裏面に前記配線部材と同一形状を有すると共に接続端子に対応する位置に貫通孔が形成された金属製の第２の補強部材を配設する工程とを有する配線基板の製造方法により解決することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また上記の課題は、本発明の他の観点からは、
配線層と絶縁層が積層された配線部材と、
前記配線部材と同一形状を有すると共に中央部に開口が形成されており、前記配線部材の表面に第１の接着部材を用いて接着される金属製の第１の補強部材と、
前記配線部材と同一形状を有すると共に接続端子に対応する位置に貫通孔が形成されており、前記配線部材の裏面に第２の接着部材を用いて接着される金属製の第２の補強部材とを有する配線基板により解決することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また上記の課題は、本発明の他の観点からは、
配線層と絶縁層が積層された配線部材と、
前記配線部材の裏面に対応するよう形成されると共に接続端子に対応する位置に貫通孔が形成された第１の補強部と、前記配線部材の表面に対応するよう形成された第２の補強部と、前記配線部材の側面に対応するよう形成された第３の補強部とが一体的に形成された補強部材とを有し、
前記補強部材は、前記配線部材を内包するように前記第２及び第３の補強部が前記第１の補強部に対し折り曲げ形成されてなる配線基板により解決することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月24日(2009.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空内で電圧が印加され、対向する金属電極を備えるＸ線管であって、
前記対向する金属電極の少なくとも一方が抵抗材料からなる抵抗体を有し、
前記抵抗体は、対向するように配置されたことを特徴とするＸ線管。
【請求項２】
前記対向する金属電極は、陽極の電位と陰極の電位との間の中間電位に維持される中間電位電極と、これに対向する前記陰極とにより構成されていることを特徴とする請求項１に記載のＸ線管。
【請求項３】
前記中間電位電極は、前記陽極に対して前記陰極の裏面側に配設されていることを特徴とする請求項２に記載のＸ線管。
【請求項４】
前記中間電位電極は、前記陰極を保持するステムガラスの外周を囲む外囲器ガラスの縁部に取り付けられていることを特徴とする請求項３に記載のＸ線管。
【請求項５】
前記抵抗体は、前記印加される印加電圧を暗電流から絶縁破壊電流に至る放電開始電流で除した値以上の抵抗値を有することを特徴とする請求項１に記載のＸ線管。
【請求項６】
前記抵抗体の抵抗値は、１０７Ω以上であることを特徴とする請求項１に記載のＸ線管。
【請求項７】
前記抵抗体は、円環形状であり断面が円弧状をなしていることを特徴とする請求項１に記載のＸ線管。
【請求項８】
前記抵抗体は、金属、金属酸化物あるいは金属塩が混入されたガラス、又はセラミックであることを特徴とする請求項１に記載のＸ線管。
【請求項９】
前記抵抗体は、前記金属電極よりも広く、全面が抵抗体で形成されていることを特徴とする請求項１に記載のＸ線管。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月2日(2010.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
一般に、周期律表の３Ａ族元素の金属酸化物、たとえば酸化イットリウム（イットリア：Ｙ２Ｏ３）の場合、結晶構造は正方晶系に属する立方晶である。その酸化イットリウム（以下、「イットリア」という）の粉末を、プラズマ溶射すると、溶融した粒子が基材に向って高速で飛行する間に超急冷されながら、基材表面に衝突して堆積するときに、その結晶構造が立方晶（Ｃｕｂｉｃ）の他に単斜晶（ｍｏｎｏｃｌｉｎｉｃ）を含む混晶からなる結晶型に一次変態をする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
なお、溶射皮膜の表面を再溶融して、所定の表面粗さに変えるためには、電子ビーム照射条件として、溶射皮膜（５０〜２０００μｍ）の厚みに応じ、下記のような条件の範囲で照射出力および照射回数を制御することが推奨される。
照射雰囲気  ：  １０〜０．００５ＰａのＡｒガス
照射出力    ：  １．０〜１０ＫｅＶ
照射速度    ：  １〜２０ｍｍ／ｓ
上記照射条件以外の照射条件を採用する他の方法として、電子銃によって電子ビームを発生させたり、また、照射雰囲気を減圧中や減圧された不活性ガス中で行うことによっても、照射層の微調整（二次再溶融）が可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
次に、発明者らは、周期律表の第３Ａ族元素の酸化物による溶射皮膜の状態と、得られた皮膜を電子ビーム照射およびレーザービーム照射したときに形成される再溶融層の状況を調査した。なお、この調査において、供試した周期律表の３Ａ族の酸化物としては、Ｓｃ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｅｕ２Ｏ３、Ｄｙ２Ｏ３およびＹｂ２Ｏ３の７種類の酸化物粉末（平均粒径：１０〜５０μｍ）を用いた。そして、これらの粉をアルミニウム製試験片（寸法：幅５０ｍｍ×長さ６０ｍｍ×厚さ８ｍｍ）の片面に直接、大気プラズマ溶射（ＡＰＳ）および減圧プラズマ溶射（ＬＰＰＳ）することによって、厚さ１００μｍの溶射皮膜を形成した。その後、これらの皮膜の表面を、電子ビーム照射処理およびレーザービーム照射処理を行った。表１は、この試験の結果をまとめたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
図２は、Ｙ２Ｏ３溶射被覆層（多孔質膜）、この溶射被覆層を電子ビーム照射処理した後の緻密化再溶融層５における表面近傍のミクロ組織変化を模式的に示したものである。図２（ａ）に示す非照射試験片では、皮膜を構成している溶射粒子がそれぞれ独立して存在し、表面の粗さが大きい。一方、図２（ｂ）に示す電子ビーム照射処理によって、前記溶射皮膜上にミクロ組織の異なる新たな層が生成し、この層は、前記溶射粒子が相互に融合し、空隙の少ない緻密な層に変わったものになっている。なお、電子ビーム照射によって生成した緻密層の下には、溶射皮膜特有の気孔の多い皮膜が存在し、耐熱衝撃性に優れた層である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
次に、図２（ａ）のＹ２Ｏ３溶射被覆層と、下記条件で電子ビーム照射処理によって生成した図２（ｂ）に示す二次再結晶した緻密化再溶融層をＸＲＤ測定することにより、それぞれの層の結晶構造を調べた。その結果を図３に示す。電子ビーム照射処理前のＸＲＤパターンとして示した。また、図４は処理前の縦軸を拡大したＸ線回折チャートであり、図５は処理後の縦軸を拡大したＸ線回折チャートである。図４からわかるように、処理前のサンプルには、単斜晶を示すピークが特に３０〜３５°の範囲で観察され、立方晶と単斜晶が混在している様子がわかる。これに対し、図５に示すように、電子ビーム照射処理した二次再結晶層は、Ｙ２Ｏ３粒子を示すピークがシャープになり、単斜晶のピークは減衰し、面指数（２０２）、（３／０）などは確認できなくなっており、立方晶のみであることが確かめられた。なお、この試験は、理学電機社製ＲＩＮＴ１５００Ｘ線回折装置を用いて測定したものである。
Ｘ線回折条件
出力      ４０ｋＶ
走査速度  ２°／ｍｉｎ
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
（実施例１）
この実施例は、Ａｌ基材（寸法：５０ｍｍ×５０ｍｍ×５ｍｍ）の表面に、大気プラズマ溶射法によって８０ｍａｓｓ％Ｎｉ-２０ｍａｓｓ％Ｃｒのアンダーコート（溶射皮膜）を施工し、その上にＹ２Ｏ３とＣｅＯ２の粉末を用い、それぞれ大気プラズマ溶射法して多孔質溶射皮膜を形成した。その後、これらの溶射皮膜表面を、電子ビーム照射とレーザービーム照射の２種類の高エネルギー照射処理した。次いで、このようにして得られた供試材の表面を下記の条件でプラズマエッチング加工を施した。そして、エッチング処理によって削られて飛散する皮膜成分のパーティクルの粒子数を測定することによって、耐プラズマエロージョン性と環境汚染特性を調査した。パーティクルは、この容器内に静置した直径８インチのシリコンウエハーの表面に付着する粒径０．２μｍ以上の粒子数が３０個に達するまでの時間を測定することによって比較した。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
これらの試験結果を表２に示した。この表に示した結果から明らかなように、電子ビーム照射またはレーザービーム照射処理して得られる本発明に適合する供試皮膜（Ｎｏ．１、Ｎｏ．２）の場合、図６に示すように、処理前Ｒａ＝５．２６μｍに対し、処理後はＲａ＝２．０４μｍとなり、緻密化した層になっていることがわかった。また、エロージョンによるパーティクルの発生量は、含ＣＨガスと含Ｆガスの両方のガスを交互に繰り返し供給しながらプラズマエッチングした場合でも１００時間を超え、しかもパーティクルの飛散量が非常に少なく、優れた耐プラズマエロージョン性を示すことが確認された。
これに対し、比較例（Ｎｏ．３）である溶射ままの場合、３５時間でパーティクルの発生量が基準値を超えた。この状態は、皮膜表面粒子の化学的安定性が損なわれ、その結果、粒子の相互結合力が低下する一方、比較的安定な皮膜成分のフッ化物もプラズマのエッチング作用によって飛散し易くなった結果と考えられる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
【表２】
2009081223.tif 000001
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2009081223.tif 000002
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2009081223.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月12日(2010.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
まず、第１のステップとして、ＢＡＲＣ膜１６を、フッ素系ガスを用いてエッチング処理することで、該ＢＡＲＣ膜１６をトリミングすることが可能となり、配線寸法の調整が可能となる（図４（ｂ））。以下、フッ素を含むガスを用いたドライエッチング方法によりパターンニングされたレジスト膜１１およびＢＡＲＣ膜１６をマスク材料としてＳｉＯ２膜１２のエッチング処理を行う。この処理により、ルテニウム膜１３のマスク材料となるＢＡＲＣ膜１６とＳｉＯ２膜１２のパターンが形成される（図４（ｃ））。レジストマスク１１と、ＢＡＲＣ膜１６とＳｉＯ２膜１２をマスク材料としてルテニウム膜１３をドライエッチングにて加工する。このとき、ルテニウム膜１３は塩素ガスと酸素ガスを含む混合ガスを用いた条件によりドライエッチングすることで、下層Ａｌ２Ｏ３膜１３のエッチングが殆ど進行しないので、ルテニウム膜１３側面とＡｌ２Ｏ３膜１４表面のテーパー角度をほぼ垂直にして加工することができた（図４（ｄ））。この処理で、ＳｉＯ２膜１２上のレジスト１１およびＢＡＲＣ膜１６は、除去される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月15日(2010.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかの方法によってｎ型酸化物半導体にフェムト秒レーザを照射した後、照射部分に、連続波レーザを照射して、フェムト秒レーザの照射前の状態とすることを特徴とするｎ型酸化物半導体の特性制御方法。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明者は、上記した目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、酸化チタンにフェムト秒レーザを照射する場合には、照射部分のみが黒色に変色して電気抵抗値が低下し、しかも皮膜自体には殆ど損傷が生じないことを見出した。そして、フェムト秒レーザの照射によって黒色化した部分に、連続波レーザを照射する場合には、黒色化した部分が白色となり、電気抵抗値についても、フェムト秒レーザの照射前の値に戻るという驚くべき現象を見出した。本発明は、これらの知見に基づいて更に研究を重ねた結果完成されたものである。 
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
即ち、本発明は、下記のｎ型酸化物半導体の特性制御方法を提供するものである。
１．  ｎ型酸化物半導体の皮膜又は成形体に対してフェムト秒レーザを照射することを特徴とするｎ型酸化物半導体の特性制御方法。
２．  フェムト秒レーザの照射によって、照射部分のｎ型酸化物半導体の表面又は内部の特性が変化する上記項１に記載のｎ型酸化物半導体の特性制御方法。
３．  フェムト秒レーザの照射によって、照射部分のｎ型酸化物半導体の表面又は内部の電気抵抗値が低下する上記項１に記載のｎ型酸化物半導体の特性制御方法。
４．  フルーエンス0.05〜0.5J/cm2、パルス幅50〜1000fs、波長200〜1600nmのフェムト秒レーザを照射する上記項１〜３のいずれかに記載の方法。
５．  上記項１〜４のいずれかの方法によってｎ型酸化物半導体にフェムト秒レーザを照射した後、照射部分に、連続波レーザを照射して、フェムト秒レーザの照射前の状態とすることを特徴とするｎ型酸化物半導体の特性制御方法。
６．  ｎ型酸化物半導体が酸化チタンである上記項１〜５のいずれかに記載の方法。 
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記した方法によってｎ型酸化物半導体のレーザ照射を行った部分の物性値（電気伝導性等）を変化させた後、この部分に連続波レーザを照射することによって、レーザ光を照射した部分の物性値を、フェムト秒レーザの照射前の物性値に戻すことができる。例えば、酸化チタン膜にフェムト秒レーザを照射して照射部分を黒色化して部分に物性値（導電性など）を変化させた場合には、この部分に連続波レーザを照射することによって黒色化された部分の色調を元の白色とすることができる。これは、フェムト秒レーザの照射によってｎ型酸化物半導体に酸素欠陥が生じ、連続波レーザを照射することによって、酸素欠陥が消滅することによると思われる。これにより、フェムト秒レーザを照射して電気伝導性が上昇した部分について、フェムト秒レーザの照射前の電気伝導性に戻すことができる。 
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
図１は、本発明によるフェムト秒レーザ照射による部分的特性制御（黒色パターンの書き込み）と連続波レーザの照射による復元工程（黒色パターンの消去）を模式的に示す図面である。この方法によれば、フェムト秒レーザによって、導体回路パターンなどの微細なパターンを書き込むことができ、その後、ファイバーレーザなどの連続波レーザの照射によって書き込み部分を部分的に消去することができる。この方法によれば、同一の酸化チタン皮膜を再利用して、異なる回路パターンを形成することが可能となる。また、この様なレーザビームを用いた書き込みと消去を組み合わせて用いることによって、微細なパターンを容易に形成できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明方法によれば、ｎ型酸化物半導体にフェムト秒レーザを照射する方法によって、該酸化物皮膜自体をほとんど損傷することなく、照射部分についてのみ電気的特性などの各種物性を制御することができる。更に、フェムト秒レーザを照射した部分に連続波レーザを照射することによって、フェムト秒レーザの照射前の状態とすることが可能であり、この部分にフェムト秒レーザを照射することによって、再度、部分的な物性制御を行うことができる。 
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
（２）レーザ照射
上記した方法で形成した酸化チタン皮膜に対して、波長800 nm、パルス幅100 fs、繰り返し周波数1 kHz、フルーエンス0.28 J/cm2、強度2.8×1012 W/cm2の条件でフェムト秒レーザを照射した。レーザ照射スポットは、ステージに取り付けた皮膜の位置を制御することにより1 mm/sの速度で掃引させた。図３の上段は、フェムト秒レーザの照射によって酸化チタン膜を黒色化する工程を模式的に示す図面である。この操作によりレーザ照射部分については、酸化チタン皮膜の表面が黒色に変色した。 
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
次いで、黒色化した酸化チタン皮膜の表面に対して連続発振（CW）のファイバーレーザ（波長1076 nm）を集光照射した。ファイバーレーザは、出力30 W、強度1.1×104 W/cm2で照射した。レーザ照射スポットは、フェムト秒レーザ照射の場合と同様に1 mm/sの速度で掃引させた。この操作によって、上記処理によって黒色化した酸化チタンの表面の内で、ファイバーレーザの照射部分については、再度、白色皮膜となった。図３の中段は、フィバーレーザの照射によって黒色皮膜が白色化する状態を模式的に示す図面である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月13日(2010.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源としてのランプを内蔵し、回転楕円面形状又は回転放物面形状の反射面とされた反射部を内面に備え、前記反射部の一部を切り欠く平面部を上下に備えたリフレクタを有する光源装置であって、平面部の内面には、前記反射部の半径とは異なる半径の補助反射面を備えていることを特徴とする光源装置。
【請求項２】
前記補助反射面は、前記反射部と同じ回転楕円面形状又は回転放物面形状で、前記補助反射面の焦点は、前記反射部の焦点に合わせたことを特徴とする請求項１に記載の光源装置。
【請求項３】
前記リフレクタは、前記反射部の中心軸を通り且つ前記平面部と平行な平面で上下に二等分されて各々前記平面部を備えた第一リフレクタと第二リフレクタにより構成されていることを特徴とする請求項２に記載の光源装置。
【請求項４】
前記リフレクタは、前記反射部及び平面部の前方に円形中空部を備えたレンズ保持部を有していることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の光源装置。
【請求項５】
前記レンズ保持部に光源レンズを挿入固定していることを特徴とする請求項５に記載の光源装置。
【請求項６】
前記レンズ保持部は、円形中空部を備えた略直方体形状であって、上面及び下面を前記平面部によって形成され、前記円形中空部はその前端に光源レンズが配置されるレンズ載置穴及びレンズ載置穴の後端周縁から内側に突出するレンズ当て部を備えることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の光源装置。
【請求項７】
前記レンズ保持部は、所定の側面の後端中央にして第一リフレクタ及び又は第二リフレクタの合わせ面位置に前記光源のリード線が貫挿する貫挿穴を備えることを特徴とする請求項４乃至請求項６のいずれかに記載の光源装置。
【請求項８】
前記リフレクタは、前記反射部の後方に光源保持部を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の光源装置。
【請求項９】
前記光源保持部は、前記反射部の後端の開口を延設するように形成され、光源を固着材で固定する固着材注入部を備えることを特徴とする請求項８に記載の光源装置。
【請求項１０】
前記リフレクタは、前記第一リフレクタと第二リフレクタの境界部分に、固着材塗布溝を備えることを特徴とする請求項３乃至請求項９のいずれかに記載の光源装置。
【請求項１１】
前記光源レンズは、前記レンズ載置穴に載置され、前記レンズ当て部とレンズ固定板により挟持されていることを特徴とする請求項６乃至請求項１０のいずれかに記載の光源装置。
【請求項１２】
光源装置と、光源側光学系と、表示素子と、投影側光学系と、冷却ファンとを備え、プロジェクタ制御手段を有し、
前記光源装置は、請求項１乃至請求項１１のいずれかに記載の光源装置であることを特徴とするプロジェクタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
又、前記補助反射面は、前記反射部と同じ回転楕円面形状又は回転放物面形状で、前記補助反射面の焦点は、前記反射部の焦点に合わせているものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
更に、前記リフレクタは、前記反射部の中心軸を通り且つ前記平面部と平行な平面で上下に二等分されて各々前記平面部を備えた第一リフレクタと第二リフレクタにより構成されているものである。
又、前記リフレクタは、前記反射部及び平面部の前方に円形中空部を備えたレンズ保持部を有しているものである。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月27日(2010.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原稿の画像を読み取る読取手段と、
該読取手段により読み取られた原稿の画像データに対して画像処理を行なう画像処理手段と、
複数の出力解像度を有すると共に、前記画像処理手段によって画像処理が行なわれた画像データをシートに画像形成する画像形成手段と、を備え、
前記画像処理手段は、ユーザ操作により縮小レイアウト処理が指示された場合に、画素数を変更することなく、前記画像形成手段の出力解像度を置き換えて画像劣化のない縮小レイアウト処理を実行する、
ことを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記縮小レイアウト処理は、次の条件１〜条件３を満足する
ことを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
条件１：原稿と出力シートとの縦横比が同一で、面積が整数倍
条件２：（出力解像度／入力解像度）2 ×（出力シートサイズ／原稿サイズ）＝面内にレイアウトされるページ数
条件３：面内にレイアウトされるページ数は複数ページ
【請求項３】
前記画像処理手段は、上記条件１〜条件３を満足しない縮小レイアウト処理がユーザにより指示された場合に、他の解像度変換方法によって縮小レイアウト処理を実行する、
ことを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記他の解像度変換方法は、少なくとも０次補間によって解像度変換を実行する、
ことを特徴とする請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記縮小レイアウト処理は、原稿のサイズに対する縮小レイアウト処理後の縮小率が２０％以上である、
ことを特徴とする請求項１〜４に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記条件１〜条件３を満足する複数の縮小レイアウト処理の選択画面を表示する操作表示部を備える、
ことを特徴とする請求項２〜５のいずれか一項に記載の画像形成装置。
【請求項７】
ネットワークを介して他の画像形成手段を有する画像形成装置に接続され、ユーザ操作により縮小レイアウト処理が指示された際に、前記条件１〜条件３を満足する出力解像度を有する前記他の画像形成装置の画像形成手段を含む画像形成手段を検索する検索手段を備える
ことを特徴とする請求項２〜６のいずれか一項に記載の画像形成装置。
【請求項８】
原稿の画像を読み取る読取ステップと、
該読取ステップで読み取られた原稿の画像データに対して画像処理を行なう画像処理ステップと、
複数の出力解像度を有すると共に、前記画像処理ステップで画像処理が行なわれた画像データをシートに画像形成する画像形成ステップと、を備え、
前記画像処理ステップは、ユーザ操作により縮小レイアウト処理が指示された場合に、画素数を変更することなく、前記画像形成ステップでの出力解像度を置き換えて画像劣化のない縮小レイアウト処理を実行する、
ことを特徴とする画像形成装置の制御方法。
【請求項９】
原稿の画像を読み取る読取ステップと、
該読取ステップで読み取られた原稿の画像データに対して画像処理を行なう画像処理ステップと、
複数の出力解像度を有すると共に、前記画像処理ステップで画像処理が行なわれた画像データをシートに画像形成する画像形成ステップと、をコンピュータに実行させ、
前記画像処理ステップは、ユーザ操作により縮小レイアウト処理が指示された場合に、画素数を変更することなく、前記画像形成ステップでの出力解像度を置き換えて画像劣化のない縮小レイアウト処理を実行する、
ことを特徴とする画像形成装置の制御プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
図７では、レーザのスポット径及び感光ドラムの感度の特性上、潜像プロファイルはハッチングで描いたような傾向になる。また、隣りの画素とのオーバーラップ分があるため、高解像度にした場合は、１画素あたりの光量を弱くしなければならない。４００ｄｐｉ１ラインと８００ｄｐｉ２ラインとはデジタルデータ上では同じライン幅なので、その潜像を比較すると、８００ｄｐｉの方が潜像が浅いことがわかる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
上記目的を達成するために、本発明の画像形成装置は、原稿の画像を読み取る読取手段と、該読取手段により読み取られた原稿の画像データに対して画像処理を行なう画像処理手段と、複数の出力解像度を有すると共に、前記画像処理手段によって画像処理が行なわれた画像データをシートに画像形成する画像形成手段と、を備え、前記画像処理手段は、ユーザ操作により縮小レイアウト処理が指示された場合に、画素数を変更することなく、前記画像形成手段の出力解像度を置き換えて画像劣化のない縮小レイアウト処理を実行することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明の画像形成装置の制御方法は、原稿の画像を読み取る読取ステップと、該読取ステップで読み取られた原稿の画像データに対して画像処理を行なう画像処理ステップと、複数の出力解像度を有すると共に、前記画像処理ステップで画像処理が行なわれた画像データをシートに画像形成する画像形成ステップと、を備え、前記画像処理ステップは、ユーザ操作により縮小レイアウト処理が指示された場合に、画素数を変更することなく、前記画像形成ステップでの出力解像度を置き換えて画像劣化のない縮小レイアウト処理を実行することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明の画像形成装置の制御プログラムは、原稿の画像を読み取る読取ステップと、該読取ステップで読み取られた原稿の画像データに対して画像処理を行なう画像処理ステップと、複数の出力解像度を有すると共に、前記画像処理ステップで画像処理が行なわれた画像データをシートに画像形成する画像形成ステップと、をコンピュータに実行させ、前記画像処理ステップは、ユーザ操作により縮小レイアウト処理が指示された場合に、画素数を変更することなく、前記画像形成ステップでの出力解像度を置き換えて画像劣化のない縮小レイアウト処理を実行することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明によれば、ユーザ操作により縮小レイアウト処理が指示された場合に、画素数を変更することなく、画像形成手段の出力解像度を置き換えて画像劣化のない縮小レイアウト処理を実行するので、縮小レイアウト機能を使用する際に、細線や文字が途切れないようにすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月29日(2010.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サファイアからなる基板上に、少なくともＩＩＩ族窒化物化合物からなるバッファ層が積層され、該バッファ層上に、ｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層が順次積層されてなるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子であって、
前記バッファ層は、反応性スパッタ法によって形成されるものであり、前記バッファ層が酸素を含有し、バッファ層の膜内で略均一の酸素濃度分布とされており、かつ、バッファ層中の酸素濃度が１原子％以下であることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
【請求項２】
前記バッファ層は、金属Ａｌ原料と窒素元素を含んだガスとをプラズマで活性化させる反応性スパッタ法によって形成され、ＡｌＮからなることを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
【請求項３】
前記バッファ層上に、有機金属化学気相成長法でＧａＮ層が直接成膜されていることを特徴とする請求項２に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
【請求項４】
前記バッファ層中の酸素濃度が０．８原子％以下であることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
【請求項５】
前記サファイアからなる基板の直径が４〜６インチであることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
【請求項６】
前記バッファ層の膜厚が、１０〜５００ｎｍの範囲とされていることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
【請求項７】
前記バッファ層が、前記基板表面の少なくとも９０％を覆うように形成されていることを特徴とする請求項１〜６の何れか1項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
【請求項８】
サファイアからなる基板上に、少なくともＩＩＩ族窒化物化合物からなるバッファ層を積層し、該バッファ層上に、ｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層を順次積層するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法であって、
前記バッファ層を反応性スパッタ法によって形成するとともに、前記バッファ層が酸素を含有し、バッファ層の膜内で略均一の酸素濃度分布とされており、かつ、バッファ層中の酸素濃度を１原子％以下として形成することを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記バッファ層を、金属Ａｌ原料と窒素元素を含んだガスとをプラズマで活性化させる反応性スパッタ法を用いて、ＡｌＮから形成することを特徴とする請求項８に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１０】
前記バッファ層を、スパッタ装置のチャンバ内の到達真空度を１．５×１０−５Ｐａ以下の条件として形成することを特徴とする請求項８又は９に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１１】
前記スパッタ装置のチャンバ内においてダミー放電を行なった後、前記バッファ層を形成することを特徴とする請求項８〜１０のいずれか１項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１２】
前記バッファ層を、前記窒素元素を含んだガスをリアクタ内に流通させるリアクティブスパッタ法によって成膜することを特徴とする請求項８〜１１の何れか1項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１３】
前記バッファ層を、ＲＦスパッタ法によって形成することを特徴とする請求項８〜１２の何れか1項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１４】
前記バッファ層を、前記基板の温度を４００〜８００℃の範囲として形成することを特徴とする請求項８〜１３の何れか１項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１５】
請求項８〜１４の何れか１項に記載の製造方法によって得られるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
【請求項１６】
請求項１〜７又は請求項１５の何れか１項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子が用いられてなるランプ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は以下に関する。
［１］  サファイアからなる基板上に、少なくともＩＩＩ族窒化物化合物からなるバッファ層が積層され、該バッファ層上に、ｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層が順次積層されてなるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子であって、前記バッファ層は、反応性スパッタ法によって形成されるものであり、前記バッファ層が酸素を含有し、バッファ層の膜内で略均一の酸素濃度分布とされており、かつ、バッファ層中の酸素濃度が１原子％以下であることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
［２］  前記バッファ層は、金属Ａｌ原料と窒素元素を含んだガスとをプラズマで活性化させる反応性スパッタ法によって形成され、ＡｌＮからなることを特徴とする［１］に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
［３］  前記バッファ層上に、有機金属化学気相成長法でＧａＮ層が直接成膜されていることを特徴とする［２］に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
［４］  前記バッファ層中の酸素濃度が０．８原子％以下であることを特徴とする［１］〜［３］の何れか一項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
［５］  前記サファイアからなる基板の直径が４〜６インチであることを特徴とする［１］〜［４］の何れか１項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
［６］  前記バッファ層の膜厚が、１０〜５００ｎｍの範囲とされていることを特徴とする［１］〜［５］の何れか１項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
［７］  前記バッファ層が、前記基板表面の少なくとも９０％を覆うように形成されていることを特徴とする請求項［１］〜［６］の何れか1項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
［８］  サファイアからなる基板上に、少なくともＩＩＩ族窒化物化合物からなるバッファ層を積層し、該バッファ層上に、ｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層を順次積層するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法であって、前記バッファ層を反応性スパッタ法によって形成するとともに、前記バッファ層が酸素を含有し、バッファ層の膜内で略均一の酸素濃度分布とされており、かつ、バッファ層中の酸素濃度を１原子％以下として形成することを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法。
［９］  前記バッファ層を、金属Ａｌ原料と窒素元素を含んだガスとをプラズマで活性化させる反応性スパッタ法を用いて、ＡｌＮから形成することを特徴とする［８］に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法。
［１０］  前記バッファ層を、スパッタ装置のチャンバ内の到達真空度を１．５×１０−５Ｐａ以下の条件として形成することを特徴とする［８］又は［９］に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法。
［１１］  前記スパッタ装置のチャンバ内においてダミー放電を行なった後、前記バッファ層を形成することを特徴とする［８］〜［１０］のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月14日(2010.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イーサネットのデータリンクの確立を検出する確立検出手段と、
前記データリンクの確立を契機として、自通信デバイスのＭＡＣアドレスを送信元ＭＡＣアドレスとするイーサネットパケットを送出するイーサネットパケット送出手段とを備えることを特徴とする通信デバイス。
【請求項２】
前記イーサネットパケットは自通信デバイスのＩＰアドレスを問い合わせるパケットであることを特徴とする請求項１記載の通信デバイス。
【請求項３】
イーサネットのデータリンクの確立を検出する確立検出手段と、
前記データリンクの確立を契機として、自通信デバイスのＩＰアドレスを問い合わせるＡＲＰパケットを送出するＡＲＰパケット送出手段とを備えることを特徴とする通信デバイス。
【請求項４】
前記ＡＲＰパケット送出手段は、自通信デバイスのＭＡＣアドレス宛のイーサネットパケットを他通信デバイスから受信するまで、前記ＡＲＰパケットの送出を繰り返すことを特徴とする請求項３記載の通信デバイス。
【請求項５】
前記ＡＲＰパケット送出手段は、前記ＡＲＰパケットにおける宛先ＭＡＣアドレスをブロードキャスト、送信元ＭＡＣアドレスを自通信デバイスのＭＡＣアドレスに設定することを特徴とする請求項３または４記載の通信デバイス。
【請求項６】
スイッチングハブの或るポートに接続された通信デバイスを他のポートに差し替えるステップと、
前記差し替えられた通信デバイス上でイーサネットのデータリンクの確立を検出するステップと、
前記データリンクの確立を契機として、前記通信デバイスのＭＡＣアドレスを送信元ＭＡＣアドレスとするイーサネットパケットを前記通信デバイスから前記スイッチングハブに送出するステップと、
前記通信デバイスから送信されたイーサネットパケットに基づいて、前記スイッチングハブのキャッシュテーブルに登録された前記通信デバイスについてのＭＡＣアドレスリンク情報を更新するステップとを備えることを特徴とするＭＡＣアドレスリンク情報更新方法。
【請求項７】
イーサネットのデータリンクの確立を自通信デバイス上で検出するステップと、
前記データリンクの確立を契機として、前記自通信デバイスのＭＡＣアドレスを送信元ＭＡＣアドレスとするイーサネットパケットを前記自通信デバイスから送出させるステップとをコンピュータに実行させることを特徴とするＭＡＣアドレスリンク情報更新プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
そこで、本発明の目的は、スイッチングハブの或るポートを経由して通信していた通信デバイスが他のポートへ差し替えられた場合においても、他通信デバイスから送信されたイーサネットパケットを自通信デバイスで受信できるようになるまでに時間がかかるのを防止することが可能な通信デバイス、ＭＡＣアドレスリンク情報更新方法およびＭＡＣアドレスリンク情報更新プログラムを提供することである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上述した課題を解決するために、請求項１記載の通信デバイスによれば、イーサネットのデータリンクの確立を検出する確立検出手段と、前記データリンクの確立を契機として、自通信デバイスのＭＡＣアドレスを送信元ＭＡＣアドレスとするイーサネットパケットを送出するイーサネットパケット送出手段とを備えることを特徴とする。
また、請求項２記載の通信デバイスによれば、前記イーサネットパケットは自通信デバイスのＩＰアドレスを問い合わせるパケットであることを特徴とする。
また、請求項３記載の通信デバイスによれば、イーサネットのデータリンクの確立を検出する確立検出手段と、前記データリンクの確立を契機として、自通信デバイスのＩＰアドレスを問い合わせるＡＲＰパケットを送出するＡＲＰパケット送出手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、請求項６記載のＭＡＣアドレスリンク情報更新方法によれば、スイッチングハブの或るポートに接続された通信デバイスを他のポートに差し替えるステップと、前記差し替えられた通信デバイス上でイーサネットのデータリンクの確立を検出するステップと、前記データリンクの確立を契機として、前記通信デバイスのＭＡＣアドレスを送信元ＭＡＣアドレスとするイーサネットパケットを前記通信デバイスから前記スイッチングハブに送出するステップと、前記通信デバイスから送信されたイーサネットパケットに基づいて、前記スイッチングハブのキャッシュテーブルに登録された前記通信デバイスについてのＭＡＣアドレスリンク情報を更新するステップとを備えることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、請求項７記載のＭＡＣアドレスリンク情報更新プログラムによれば、イーサネットのデータリンクの確立を自通信デバイス上で検出するステップと、前記データリンクの確立を契機として、前記自通信デバイスのＭＡＣアドレスを送信元ＭＡＣアドレスとするイーサネットパケットを前記自通信デバイスから送出させるステップとをコンピュータに実行させることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
以上説明したように、本発明によれば、スイッチングハブの或るポートに接続された通信デバイスが他のポートに差し替えられると、自通信デバイスのＭＡＣアドレスを送信元ＭＡＣアドレスとするイーサネットパケットをその通信デバイスから能動的に送出させることができ、他通信デバイスとの通信を確立することなく、自通信デバイスのＭＡＣアドレスが送信元ＭＡＣアドレスに設定されたイーサネットパケットをスイッチングハブに送信することができる。このため、スイッチングハブの或るポートに接続された通信デバイスが他のポートに差し替えられると直ぐに、スイッチングハブのキャッシュテーブルに登録された自通信デバイスについてのＭＡＣアドレスリンク情報を更新させることができ、他通信デバイスから送信されたイーサネットパケットを自通信デバイスで受信できるようになるまでに時間がかかるのを防止することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月24日(2010.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信モジュールと移動電話端末を現在位置の割り出しや経路探索を行うナビゲーション装置に接続するための通信アダプタにおいて、
該ナビゲーション装置と音声信号及びデータ信号用をやり取りするためのナビゲーション装置用インターフェイスと、
音声信号用の音声インターフェイス及びデータ信号用のシリアルインターフェイスを含む無線通信モジュール用インターフェイスと、
音声信号用のアナログインターフェイスを含む移動電話端末用インターフェイスと、
前記ナビゲーション装置用インターフェイスと前記シリアルインターフェイスとに接続され、これらインターフェイスを介してやり取りされる音声信号及びデータ信号の形式を変換するアダプタ制御部と、
前記音声インターフェイス及び前記アナログインターフェイスに接続され、前記アダプタ制御部からの指示に応答して、前記音声インターフェイス又は前記アナログインターフェイスと前記ナビゲーション装置との間のアナログ音声信号の接続を切り替えるアナログスイッチと、
を具備する通信アダプタ。
【請求項２】
請求項１に記載の通信アダプタにおいて、該アダプタ制御部は、該移動電話端末への着信通知又は該移動電話端末からの発呼通知に応答して、該アナログスイッチの接続を、該音声インターフェイスから該アナログインターフェイスに切り替える通信アダプタ。
【請求項３】
請求項１及び２の何れか１項に記載の通信アダプタにおいて、該アダプタ制御部は、オペレーティングシステム(OS)を格納しており、該無線通信モジュールと該通信アダプタとの間でのコマンド及びデータ信号のやり取りの際に、USB形式のデータ信号をシリアルインターフェイスに適合する形式に変換する通信アダプタ。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか１項に記載の通信アダプタにおいて、該アダプタ制御部は、オペレーティングシステム(OS)を格納しており、該ナビゲーション装置と該通信アダプタとの間でのデータ信号のやり取りの際に、コマンド及びデータ信号をIMT−2000準拠の形式に変換してナビゲーション装置に送信する通信アダプタ。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか１項に記載の通信アダプタにおいて、該無線通信モジュールはネットワークを介して中央局に接続されており、ユーザからの該ナビゲーション装置への入力に応答して、該アダプタ制御部が該無線通信モジュール及び該ナビゲーション装置を制御し、該無線通信モジュールを介して該中央局から所望の情報を取得し、該ナビゲーション装置に送信する通信アダプタ。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか１項に記載の通信アダプタにおいて、該無線通信モジュールはネットワークを介してオペレータセンターに接続されており、ユーザからの該ナビゲーション装置への入力に応答して、該アダプタ制御部が、該無線通信モジュール及び該ナビゲーション装置を制御し、該ナビゲーション装置が該無線通信モジュールと該通信アダプタとを介して該オペレータセンターとの音声通話を行うことができるようにする通信アダプタ。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか１項に記載の通信アダプタにおいて、該移動電話端末から他の移動電話端末への発呼があった場合に、ユーザからの該ナビゲーション装置への入力に応答して、該アダプタ制御部が該移動電話端末及び該ナビゲーション装置を制御し、該ナビゲーション装置が該移動電話端末と該通信アダプタとを介して該他の移動電話端末との間でハンズフリー通話を行うことができるようにする通信アダプタ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月24日(2010.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力されるシンタックス要素を二値化データへ変換する二値化手段と、
前記二値化データのビット毎のコンテキスト情報を特定するためのコンテキストインデックスを生成するコンテキスト計算手段と、
コンテキスト情報を保持するコンテキストメモリ手段と、
生成された前記コンテキストインデックスに対応して前記コンテキストメモリ手段から出力されたコンテキスト情報と、前記二値化データとを用いて算術符号化を行う算術符号化手段と
を備えるエントロピー符号化装置であって、
前記コンテキストメモリ手段は、
記憶手段と、
生成された前記コンテキストインデックスに基づいて、コンテキスト情報の初期値を生成する初期値生成手段と、
前記初期値と、前記記憶手段に保持され、前記生成されたコンテキストインデックスに対応するコンテキスト情報との、いずれを選択するかを指示する制御信号を出力する制御手段と、
前記初期値と、前記生成されたコンテキストインデックスに対応するコンテキスト情報とのいずれかを、前記制御信号に基づき選択する選択手段と、
前記選択手段の選択結果と、前記二値化データとの比較結果に基づき、更新されたコンテキスト情報を生成する更新手段と、
を備え、
前記記憶手段は、前記更新手段により生成された前記更新されたコンテキスト情報を、前記生成されたコンテキストインデックスと関連づけて保持する
ことを特徴とするエントロピー符号化装置。
【請求項２】
前記制御手段は、
前記コンテキストインデックスの種別数に対応するビット数を有するレジスタを有し、
前記生成されたコンテキストインデックスの種別に対応する、前記レジスタのビット位置の値に応じて、前記制御信号を出力することを特徴とする請求項１に記載のエントロピー符号化装置。
【請求項３】
前記制御手段は、
前記生成されたコンテキストインデックスと、該コンテキストインデックスがスライス先頭に相当するか否かを示す信号とを受信する受信手段を更に有し、
受信した前記信号に基づき前記スライス先頭を検知した場合に、前記レジスタをリセットし、該リセットの後に受信したコンテキストインデックスの種別に対応するレジスタのビット位置をアサートすることを特徴とする請求項２に記載のエントロピー符号化装置。
【請求項４】
二値化手段が、入力されるシンタックス要素を二値化データへ変換する二値化工程と、
コンテキスト計算手段が、前記二値化データのビット毎のコンテキスト情報を特定するためのコンテキストインデックスを生成するコンテキスト計算工程と、
コンテキストメモリ手段が、生成されたコンテキストインデックスに対応するコンテキスト情報を出力する出力工程と、
算術符号化手段が、出力された前記コンテキスト情報と、前記二値化データとを用いて算術符号化を行う算術符号化工程と
を備える、エントロピー符号化装置におけるエントロピー符号化方法であって、
前記コンテキストメモリ手段は、記憶手段と、初期値生成手段と、制御手段と、選択手段と、更新手段とを備え、
前記出力工程は、
前記初期値生成手段が、生成された前記コンテキストインデックスに基づいて、コンテキスト情報の初期値を生成する初期値生成工程と、
前記制御手段が、前記初期値と、コンテキスト情報を保持する前記記憶手段に保持され、前記生成されたコンテキストインデックスに対応するコンテキスト情報との、いずれを選択するかを指示する制御信号を出力する制御工程と、
前記選択手段が、前記初期値と、前記生成されたコンテキストインデックスに対応するコンテキスト情報とのいずれかを、前記制御信号に基づき選択する選択工程と、
前記更新手段が、前記選択工程における選択結果と、前記二値化データとの比較結果に基づき、更新されたコンテキスト情報を生成する更新工程と
を備え、
前記記憶手段は、前記更新工程において生成された前記更新されたコンテキスト情報を、前記生成されたコンテキストインデックスと関連づけて保持する
ことを特徴とするエントロピー符号化方法。
【請求項５】
前記制御手段は、
前記コンテキストインデックスの種別数に対応するビット数を有するレジスタを有し、
前記制御工程では、
前記生成されたコンテキストインデックスの種別に対応する、前記レジスタのビット位置の値に応じて、前記制御信号が出力されることを特徴とする請求項４に記載のエントロピー符号化方法。
【請求項６】
前記制御手段は、
前記生成されたコンテキストインデックスと、該コンテキストインデックスがスライス先頭に相当するか否かを示す信号とを受信する受信手段を更に有し、
前記制御工程では、
受信した前記信号に基づき前記スライス先頭を検知した場合に、前記レジスタをリセットし、該リセットの後に受信したコンテキストインデックスの種別に対応するレジスタのビット位置をアサートすることを特徴とする請求項５に記載のエントロピー符号化方法。
【請求項７】
コンピュータを、請求項１乃至３のいずれか１項に記載のエントロピー符号化装置の各手段として動作させるためのコンピュータプログラム。