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【手続補正書】
【提出日】平成21年11月30日(2009.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
第４の観点による水晶デバイスにおいて、非円形断面は第１面と第２面とで形状もしくは大きさが異なる。
貫通電極内で形状が複雑に変化しており、封止金属が貫通電極にしっかりと結びつく。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
第６の観点による水晶デバイスは、第５の観点において、水晶リッドは第１凹部を有し、水晶ベースは第２凹部を有し、水晶振動片は第１凹部と第２凹部との間に配置される。
複雑な形状の水晶振動片を薄くする代わりに、水晶リッド及び水晶ベースに第１凹部及び第２凹部を有することで、水晶振動片が振動する空間を設ける。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図１(ｃ)に示すように、ベース４０には、エッチングによりベース用凹部４７を設ける際、同時に第１スルーホール４１及び第２スルーホール４３が形成され、また段差部４９が形成される。ベース４０は、第１接続電極４２及び第２接続電極４４を備えている。この第１接続電極４２及び第２接続電極４４は、段差部４９に形成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
第１スルーホール４１及び第２スルーホール４３の内面には、金属膜１５が形成され、その内面の金属膜１５は、第１接続電極４２及び第２接続電極４４と同時にフォトリソグラフィ工程で作成される。具体的には、金属膜１５は、下地としてクロム(Ｃｒ)、ニッケル(Ｎｉ)又はチタン(Ｔｉ)などをスパッタリングで形成し、その上に金層(Ａｕ)又は銀層（Ａｇ）を重ねた金属膜を使用する。ベース４０は、底面にメタライジングされた第１外部電極４５及び第２外部電極４６を備える。第１接続電極４２は、第１スルーホール４１を通じてベース７０の底面に設けた第１外部電極４５に接続する。第２接続電極４４は、第２スルーホール４３を通じてベース７０の底面に設けた第２外部電極４６に接続する。水晶フレーム５０と結合する側の第１スルーホール４１及び第２スルーホール４３の断面は三角形になっており、底面側は六角形になっている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
また、水晶ウエハ１０単位で、水晶振動片３０には第１基部電極３３及び第２基部電極３４、第１励振電極３５及び第２励振電極３６並びに錘部３７及び錘部３８が形成される。基部３２から突出した一対の振動腕３１には溝部３９が形成されている。この溝部３９にも第１励振電極３５及び第２励振電極３６が形成され、ＣＩ（クリスタルインピーダンス）値が低くなるように形成されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
水晶振動片３０の第１基部電極３３及び第２基部電極３４、第１励振電極３５及び第２励振電極３６並びに錘部３７及び錘部３８に、スパッタリングもしくは真空蒸着をして金属膜を形成し、フォトリソグラフィ工程を経て作成される。具体的には、基部電極は、下地としてクロム(Ｃｒ)、ニッケル(Ｎｉ)又はチタン(Ｔｉ)などをスパッタリングで形成し、その上に金層(Ａｕ)又は銀層（Ａｇ）を重ねた金属膜を使用する。本実施形態では、第１基部電極３３及び第２基部電極３４並びに第１励振電極３５及び第２励振電極３６は、ニッケル層の厚みが５００Å〜１０００Å、金層の厚みが５００Å〜１０００Å、全体の厚みが１５００Å〜２０００Å程度になるよう作成される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
重ね合わせる際には、すでにリッド２０のリッド用凹部２７は水晶エッチングで形成されている。また、ベース４０のベース用凹部４７が水晶エッチングで形成されており、さらに第１接続電極４２及び第２接続電極４４も形成されている。また、図３Ａ及び図３Ｂで説明したように、音叉型の水晶振動片３０には第１基部電極３３及び第２基部電極３４並びに第１励振電極３５及び第２励振電極３６が形成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月7日(2010.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の無線通信システムおよび第２の無線通信システムと選択的に接続可能な無線端末であって、
前記第１の無線通信システムへ送信する制御信号を変調する第１の制御ｃｈ変調部と、前記第１の無線通信システムへ送信するデータを変調する第１のデータｃｈ変調部と、前記第１の制御ｃｈ変調部および前記第１のデータｃｈの変調部の出力を高周波信号に変換する第１のRFユニットと、前記第１の無線通信システムへの送信タイミングを制御する第１の送信制御部と、
前記第２の無線通信システムへ送信する制御信号を変調する第２の制御ｃｈ変調部と、前記第２の無線通信システムへ送信するデータを変調する第２のデータｃｈ変調部と、前記第２の制御ｃｈ変調部および前記第２のデータｃｈの変調部の出力を高周波信号に変換する第２のRFユニットと、前記第２の無線通信システムへの送信タイミングを制御する第２の送信制御部と、
前記第１のRFユニットの出力と前記第２のRFユニットの出力とを選択するSWと、
前記第１の送信制御部と前記第２の送信制御部と前記SWとを制御する共通制御部を含み、
前記共通制御部は、前記第２の無線通信システムに対する上り送信タイミングに基づいて、前記第１の無線通信システムに対する上り送信タイミングを制御することを特徴とする無線端末。
【請求項２】
請求項１に記載の無線端末であって、
前記第１の送信制御部は、前記第１の制御ｃｈ変調部を使用して、前記第２の無線通信システムに対する上り送信タイミングの情報を、前記第１の無線通信システムに通知することを特徴とする無線端末。
【請求項３】
請求項１に記載の無線端末であって、
前記第１の送信制御部は、前記第１のデータｃｈ変調部を使用して、前記第２の無線通信システムに対する上り送信タイミングの情報を、前記第１の無線通信システムに通知することを特徴とする無線端末。
【請求項４】
上り制御情報を取り出す制御ｃｈ復調部と、前記上り制御情報に基づいて、上り送信対象の無線端末を選択する上り割当制御部とを含む無線基地局であって、
前記上り割当制御部は、前記無線端末から受信した前記無線端末の送信不可能時間を考慮して送信タイミングの割当を決定することを特徴とする無線基地局。
【請求項５】
請求項４に記載の無線基地局であって、
前記上り割当制御部は、前記無線端末から受信した前記無線端末の送信不可能時間により拡散率が低下することを考慮して送信タイミングの割当およびデータレートを決定することを特徴とする無線基地局。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、無線端末および無線基地局に関し、特に、無線端末の送信タイミングの制御が無線基地局側で制御可能な第１の移動無線通信システムと第２の移動無線通信システムとの間における同時通信が可能な無線端末および無線基地局に関する。
〔背景技術〕
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
無線通信に対する需要の急激な増加に対応すべく、新しい無線通信システムが続々と誕生している。それに伴い、無線通信システムを切り替える方法（以下、システム間ハンドオフ）についても、いろいろな方法が実現されている。システム間ハンドオフには、移動無線通信システム間のハンドオフと、移動無線通信システム−固定無線通信システム間のハンドオフが存在する。前者の例としては、ｃｄｍａ２０００ １ｘＥＶ−ＤＯとｃｄｍａ２０００ １ｘとの間、後者の例としてはｃｄｍａ２０００ １ｘＥＶ−ＤＯと無線ＬＡＮとの間がある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
一方、切替元無線通信システム上で切替先無線通信システムとの通信を事前に行ってから切り替える方式の場合、パラメータ取得／交換、認証などを事前に行うためサービスが停止しないという利点がある。しかし、後者は、ネットワーク同士を事前に接続しておく必要があり、さらに、切替元無線通信システム側に切替先無線通信システムとの通信をトンネリングする仕組みを作っておく必要がある。このことから、後者は、使用できるケースが限られているという欠点があった。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、切替先無線通信システムと切替元無線通信システムの時分割通信を実現することにより、ネットワークを相互に接続することなく、双方のシステムと同時に通信可能な無線端末および無線基地局を提供する。
〔課題を解決するための手段〕
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明によれば、相互接続されていない二つの無線通信システム間での時分割通信を実現することができる。
〔発明を実施するための最良の形態〕
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
図６において、ＥＶ−ＤＯの場合、送受信の時間単位をＳｌｏｔと呼び、１Ｓｌｏｔの長さは１.６７ｍｓである。図６（ａ）の下りデータ送信の場合、Ｈ−ＡＲＱを繰り返す周期が４Ｓｌｏｔであり、１回のデータ送信が１Ｓｌｏｔ、下りデータ送信開始からＡＣＫ／ＮＡＫ送信開始まで３Ｓｌｏｔ、ＡＣＫ／ＮＡＫ送信開始から下りデータ再送開始までが１Ｓｌｏｔとなっている。また、上りＡＣＫ／ＮＡＫは、０.５Ｓｌｏｔである。図６（ｂ）の上りデータ送信の場合、Ｈ−ＡＲＱを繰り返す周期が１２Ｓｌｏｔであり、１回のデータ送信が４Ｓｌｏｔ、上りデータ送信開始からＡＣＫ／ＮＡＫ送信開始まで８Ｓｌｏｔ、ＡＣＫ／ＮＡＫ送信開始から上りデータ再送開始までが４Ｓｌｏｔとなっている。また、下りＡＣＫ／ＮＡＫは、３Ｓｌｏｔである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
通知を受信したＵＭＢ無線基地局３００の上り割当制御部３１１は、２つの処理を行う。第１の処理は、送信開始タイミングＴおよび送信終了タイミングＴ＋０.９１１が、ＥＶ−ＤＯ送信タイミングと重複する場合、すなわち、
Ｔｓ−Ｔｍ ≦ Ｔ ＋ ０.９１１ かつ
Ｔ ≦ Ｔｅ ＋ Ｔｍ
である場合、上り割当制御部３１１は、無線端末がそのタイミングにおいてＵＭＢではなくＥＶ−ＤＯを受信しているとみなし、その無線端末をそのＰＨＹ Ｆｒａｍｅにおける送信割当制御対象から外す。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月9日(2010.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置であって、
受信した変調された信号をＱＡＭおよびＰＳＫを含む複数の変調フォーマットのうちから選択された一つの変調フォーマットに従って選択的に復調して、復調された信号を生成する復調器であって、該変調された信号が複数の種類の伝送チャネルの少なくとも一つから当該装置によって受信され、該変調された信号が複数の変調フォーマットのうちの一つの変調フォーマットを表し、さらに、該変調された信号が複数の符号化フォーマットのうちの少なくとも一つの符号化フォーマットで符号化された圧縮されたディジタル・データを表し、該複数の符号化フォーマットが少なくとも一つのパンクチャド符号化フォーマットを含む、前記復調器と、
前記復調された信号を前記少なくとも一つのパンクチャド符号化フォーマットに従って復号処理する復号器であって、該少なくとも一つのパンクチャド符号化フォーマットが前記圧縮されたディジタル・データが符号化されているフォーマットとして複数の符号化フォーマットのうちから選択されており、当該復号処理が、データを前記少なくとも一つのパンクチャド符号化フォーマットに対応する前記復調された信号に挿入することと、当該データの挿入の後に前記復調された信号を畳込み復号処理することとを含む、前記復号器と、
前記復号器を制御して前記復調された信号を復号処理させるマイクロ・プロセッサと、
を備える、前記装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月6日(2010.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低温蒸発器、低温吸収器、高温蒸発器、高温吸収器、再生器、凝縮器、溶液熱交換器、冷媒ポンプ及び溶液循環ポンプを溶液配管及び冷媒配管で接続して溶液・冷媒循環回路を構成し、
前記低温吸収器の吸収熱を前記高温蒸発器の蒸発潜熱で冷却する吸収式冷凍機において、
前記低温蒸発器、前記低温吸収器、前記高温蒸発器及び前記高温吸収器を一つの缶体で構成し、
複数の伝熱管が水平配置された前記低温蒸発器と前記高温吸収器の間に、複数の伝熱管が垂直配置された前記低温吸収器と前記高温蒸発器を配置し、
前記垂直配置された複数の伝熱管の外側を前記低温吸収器として前記低温蒸発器に連通させ、
前記垂直配置された複数の伝熱管の内側を前記高温蒸発器として前記高温吸収器に連通させ、
前記複数の垂直な伝熱管の上部から各伝熱管内に冷媒液を供給するように構成し、
第一の管板を２枚用いて前記低温蒸発器、前記低温吸収器、前記高温蒸発器及び前記高温吸収器にまたがる缶体両側面を形成し、
前記低温蒸発器の複数の伝熱管の両端及び前記高温吸収器の複数の伝熱管の両端を前記２枚の第一の管板に拡管固定した
ことを特徴とする吸収式冷凍機。
【請求項２】
請求項１において、前記第一の管板の板厚を前記缶体を構成する外壁の板厚より厚くしたことを特徴とする吸収式冷凍機。
【請求項３】
請求項２において、前記高温蒸発器及び前記低温吸収器を内外に形成する前記複数の伝熱管の両端を第二の管板に拡管固定し、前記第二の管板の両端を前記第一の管板の内面に溶接固定したことを特徴とする吸収式冷凍機。
【請求項４】
請求項３において、前記第二の管板の板厚を前記缶体を構成する外壁の板厚より厚くして前記第一の管板と同じ厚さにしたことを特徴とする吸収式冷凍機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
前述の目的を達成するために、本発明では、低温蒸発器、低温吸収器、高温蒸発器、高温吸収器、再生器、凝縮器、溶液熱交換器、冷媒ポンプ及び溶液循環ポンプを溶液配管及び冷媒配管で接続して溶液・冷媒循環回路を構成し、前記低温吸収器の吸収熱を前記高温蒸発器の蒸発潜熱で冷却する吸収式冷凍機において、前記低温蒸発器、前記低温吸収器、前記高温蒸発器及び前記高温吸収器を一つの缶体で構成し、複数の伝熱管が水平配置された前記低温蒸発器と前記高温吸収器の間に、複数の伝熱管が垂直配置された前記低温吸収器と前記高温蒸発器を配置し、前記垂直配置された複数の伝熱管の外側を前記低温吸収器として前記低温蒸発器に連通させ、前記垂直配置された複数の伝熱管の内側を前記高温蒸発器として前記高温吸収器に連通させ、前記複数の垂直な伝熱管の上部から各伝熱管内に冷媒液を供給するように構成し、第一の管板を２枚用いて前記低温蒸発器、前記低温吸収器、前記高温蒸発器及び前記高温吸収器にまたがる缶体両側面を形成し、前記低温蒸発器の複数の伝熱管の両端及び前記高温吸収器の複数の伝熱管の両端を前記２枚の第一の管板に拡管固定したことにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
係る本発明のより好ましい具体的な構成例は次の通りである。
（１）前記第一の管板の板厚を前記缶体を構成する外壁の板厚より厚くしたこと。
（２）前記高温蒸発器及び前記低温吸収器を内外に形成する前記複数の伝熱管の両端を第二の管板に拡管固定し、前記第二の管板の両端を前記第一の管板の内面に溶接固定したこと。
（３）前記第二の管板の板厚を前記缶体を構成する外壁の板厚より厚くして前記第一の管板と同じ厚さにした。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月16日(2010.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、請求項８記載の発明においては、前述のような作用効果を発揮する極めて実用性に秀れた画期的なヒンジ装置を用いた電子機器を提供できることとなる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月27日(2010.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記ＬＣ分析システムを用いた典型的な分析の手順を図３のフローチャートにより説明する。ユーザ（分析担当者）は、操作部１１を操作することにより、分析対象である複数の液体試料を自動的に分析するための連続分析スケジュールを設定する（ステップＳ１）。これにより、複数の試料に対する分析の順番や各分析における分析条件（例えば移動相流量、試料の注入量など）などが決まる。その後、分析担当者が連続分析の開始を指示すると（ステップＳ２）、分析制御部１７は連続分析スケジュールに従って連続分析を開始する（ステップＳ３）。即ち、連続分析スケジュールに設定された順序に従い、１つ目の試料を選択し、この試料に対するＬＣ分析を実行するように分析部本体装置２の各ユニットの動作を制御する（ステップＳ４、Ｓ５）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図４に示した例の場合には、連続分析中の各分析の終了時に操作ウインドウ３０は他のウインドウの背面に隠れた状態となるが、各分析の終了をその度毎に確認したい場合には、分析終了のイベントに対し操作ウインドウ３０を前面に表示する旨の指定をしておけば、各分析が終了する毎に操作ウインドウ３０が最前面に現れる。試料をマニュアルで注入するような場合には、分析終了時に操作ウインドウ３０が最前面に現れると、次の試料の注入を速やかに行うことができ、便利で作業性も向上する。一方、試料注入が自動的に行われる場合には、各分析の終了はあまり重要ではなくそれを知る必要はないから、操作ウインドウ３０が背面にあるままのほうが他の作業の邪魔にならずに便利であることが多い。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
１…制御装置
１０…ＰＣ
１１…操作部
１２…表示部
１４…出力態様情報設定処理部
１５…出力態様情報記憶部
１６…表示制御部
１７…分析制御部
２…分析部本体装置
２０…送液ユニット
２１…インジェクタユニット
２２…カラムユニット
２３…検出器ユニット
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月27日(2010.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
１…ＬＣ部
１１…移動相容器
１２…送液ポンプ
１３…インジェクタ
１４…カラム
１５…出力端
５…ＵＶ検出器
５１…光源
５２…フローセル
５３…分光器
５４…フォトダイオードアレイ検出器
５５…アンプ
６…フラクションコレクタ
６１…電磁バルブ
６２…分取機構部
６３、７１…アナログ／デジタル変換器（ＡＤＣ）
６４…データ処理部
６５…分取制御部
６６…入力端
６７、６８…出力端
７…制御／処理部
７２…異常判定部
７３…記憶制御部
７４…表示制御部
７５、７６、７７…入力端
８１…記憶部
８２…操作部
８３…表示部
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月25日(2010.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
これを、Δｘo、Δｙo、Δθzについて、順次積分していく。
【数１３】
2009250625.tif 000001
こうして、求まったｘo、ｙo、θzを用いて、各アクチュエータの長さＬ１、Ｌ２、Ｌ３を、式（１）と式（２）により計算する。
次に、求まったアクチュエータの長さＬ１、Ｌ２、Ｌ３が、変位センサで計測されたアクチュエータの長さと比較して、任意の規格値に収まるまで一連の計算を繰り返して載荷点の現在の位置と姿勢を示す座標値（現座標値）を求める。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月14日(2010.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
そこで、成形されたネジ部の外形を測定することで、ネジ部を評価することが行われている。ネジ部の外形の測定方法としては、口金部の側面を撮像して得られた画像からネジ部の輪郭線を取得し、この輪郭線から評価を行う方法がある。これは、取得した輪郭線から、ネジ部の山部の頂点及びこの山部に隣接する２つの谷部の底点の位置を検出し、頂点と各底点とのボトル缶の缶軸方向での距離を算出する。そして、頂点と各底点との缶軸方向における距離を比較することでネジ部の評価を行う。ここで、山部の輪郭線において缶軸に対して最も径方向外方の点を頂点として検出し、谷部の輪郭線において缶軸に対して最も径方向内方の点を底点として検出している。
【特許文献１】特開２００２−６６６７４号公報
【特許文献２】特開２００３−１０６８２３号公報
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月15日(2009.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱電流の印加によって結晶質状態または非晶質状態に変わる物質を具備する第１カルコゲナイド情報保存要素と、
前記第１カルコゲナイド情報保存要素の第１領域に接続され、第１断面領域を有する第１コンタクトと、
前記第１カルコゲナイド情報保存要素の第２領域に接続され、第２断面領域を有する第２コンタクトと、
前記第１コンタクトに係る第１抵抗によりプログラムされる状態を有し、前記第１カルコゲナイド情報保存要素の第１領域内に限定される第１プログラム可能領域と、
前記第２コンタクトに係る第２抵抗によりプログラムされる状態を有し、前記第１カルコゲナイド情報保存要素の第２領域内に限定される第２プログラム可能領域と、
を含むことを特徴とする、相変化記憶素子。
【請求項２】
前記第１コンタクトを形成する物質は前記第２コンタクトを形成する物質の抵抗と異なる抵抗を有することを特徴とする、請求項１に記載の相変化記憶素子。
【請求項３】
前記第１コンタクトを形成する物質は前記第２コンタクトを形成する物質の抵抗と実質的に等しい抵抗を有することを特徴とする、請求項１に記載の相変化記憶素子。
【請求項４】
前記第１コンタクト及び前記第２コンタクトは互いに異なる物質からなっていることを特徴とする、請求項１に記載の相変化記憶素子。
【請求項５】
前記第１コンタクト及び前記第２コンタクトは実質的に互いに等しい物質からなっていることを特徴とする、請求項１に記載の相変化記憶素子。
【請求項６】
第２カルコゲナイド情報保存要素をさらに含み、前記第２カルコゲナイド情報保存要素は前記第２カルコゲナイド情報保存要素の第３領域内に限定される第３プログラム可能領域を具備することを特徴とする、請求項１に記載の相変化記憶素子。
【請求項７】
前記第１及び第２コンタクトのうちの１つは前記第２カルコゲナイド情報保存要素の前記第３領域に接続され、前記第３プログラム可能領域の状態は前記第３領域に接続されている前記第１及び第２コンタクトのうちの１つに係る抵抗によりプログラムされることを特徴とする、請求項６に記載の相変化記憶素子。
【請求項８】
前記第１コンタクトを形成する物質は前記第２コンタクトを形成する物質の抵抗と異なる抵抗を有することを特徴とする、請求項７に記載の相変化記憶素子。
【請求項９】
前記第１及び第２コンタクトは互いに異なる物質で形成されることを特徴とする、請求項７に記載の相変化記憶素子。
【請求項１０】
前記第１及び第２コンタクトのうちの少なくとも１つは１つ以上の断面領域を有することを特徴とする、請求項７に記載の相変化記憶素子。
【請求項１１】
前記第１及び第２コンタクトのうちの少なくとも１つはテーパ状を有することを特徴とする、請求項７に記載の相変化記憶素子。
【請求項１２】
前記第１コンタクトを形成する物質は前記第２コンタクトを形成する物質の抵抗と異なる抵抗を有することを特徴とする、請求項６に記載の相変化記憶素子。
【請求項１３】
前記第１及び第２コンタクトは互いに異なる物質で形成されることを特徴とする、請求項６に記載の相変化記憶素子。
【請求項１４】
第３断面領域を有し、前記第２カルコゲナイド情報保存要素の第４領域に接続される第３コンタクトをさらに含み、前記第２カルコゲナイド情報保存要素の前記第４領域は第４プログラム可能領域を含み、前記第４プログラム可能領域の状態は前記第４領域に接続されている前記第３コンタクトに係る抵抗によりプログラムされることを特徴とする、請求項６に記載の相変化記憶素子。
【請求項１５】
前記第３断面領域は前記第１及び第２断面領域のうちの１つと同じ大きさを有することを特徴とする、請求項１４に記載の相変化記憶素子。
【請求項１６】
前記第３断面領域は前記第１及び第２断面領域のうちの１つと異なる大きさを有することを特徴とする、請求項１４に記載の相変化記憶素子。
【請求項１７】
前記第３コンタクトを形成する物質は前記第１及び第２コンタクトのうちの少なくとも１つを形成する物質の抵抗と異なる抵抗を有することを特徴とする、請求項１４に記載の相変化記憶素子。
【請求項１８】
前記第１及び第２コンタクトのうちの少なくとも１つと前記第３コンタクトとは互いに異なる物質で形成されることを特徴とする、請求項１４に記載の相変化記憶素子。
【請求項１９】
前記第３コンタクトは１つ以上の断面領域を有することを特徴とする、請求項１４に記載の相変化記憶素子。
【請求項２０】
前記第３コンタクトはテーパ状を有することを特徴とする、請求項１４に記載の相変化記憶素子。
【請求項２１】
前記相変化記憶素子は複数の値を有することができるデータを保存することができることを特徴とする、請求項１４に記載の相変化記憶素子。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月21日(2009.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
非故意にドーピングされたドーパントを有する井戸層と、第一の障壁層と、第二の障壁層と、を含み、前記基板上に形成される活性層と、
を有し、
前記井戸層は、前記第一の障壁層と前記第二の障壁層との間に形成され、
前記第一の障壁層は、前記井戸層に隣接するｎ型故意ドーピング領域を有し、前記井戸層から離れるｎ型非故意ドーピング領域を有し、
前記第二の障壁層は、前記井戸層に隣接するｎ型非故意ドーピング領域を有する、
半導体発光素子。
【請求項２】
前記第二の障壁層は、さらに、前記井戸層から離れるｎ型故意ドーピング領域を有する、
請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記第一の障壁層と同様に前記井戸層の同じ側に位置し、前記井戸層から前記第一の障壁層より遠く離れる第三の障壁層をさらに有し、
前記第三の障壁層は、前記第一の障壁層に隣接するｎ型故意ドーピング領域と、前記第一の障壁層から離れるｎ型非故意ドーピング領域と、を含む、
請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記第二の障壁層と同様に前記井戸層の同じ側に位置し、前記井戸層から前記第二の障壁層より遠く離れる第四の障壁層を有し、
前記第四の障壁層は、前記第二の障壁層に隣接するｎ型非故意ドーピング領域と、前記第二の障壁層から離れるn型故意ドーピング領域と、を含む、
請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記第一の障壁層のｎ型故意ドーピング領域の厚みをＢ１とし、前記第一の障壁層全体の厚みをＢとすれば、Ｂ１／Ｂは、３／４以下である、
請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記第二の障壁層のｎ型非故意ドーピング領域の厚みをＢ２とし、前記第二の障壁層全体の厚みをＢとし、Ｂ２／Ｂは、１／４より大きい、
請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記第二の障壁層のｎ型故意ドーピング領域の厚みをＢ２とし、前記第二の障壁層全体の厚みをＢとし、Ｂ２／Ｂは、３／４以下である、
請求項２に記載の半導体発光素子。
【請求項８】
前記ｎ型ドーパントは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ｏ、Ｓ及びＣのうち少なくとも一つを含み、
前記ｎ型ドーパントのドーピング濃度は、１×１０１７ｃｍ−３〜１×１０２０ｃｍ−３である、
請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項９】
対向する二つの側にそれぞれ位置する第一の表面と第二の表面を含み、非故意にドーピングされたドーパントを有する井戸層を形成する第一の工程と、
第一の障壁層を形成する第二の工程と、
第二の障壁層を形成する第三の工程と、
を含み、
前記第二の工程は、前記第一の表面に隣接する前記第一の障壁層の領域にｎ型故意ドーピング領域を形成する工程と、前記第一の表面から離れる前記第一の障壁層の領域にｎ型非故意ドーピング領域を形成する工程と、を含み、
前記第三の工程は、前記第二の表面に隣接する前記第二の障壁層の領域にｎ型非故意ドーピング領域を形成する工程を含む、
半導体発光素子の製造方法。
【請求項１０】
前記第二の表面から離れる前記第二の障壁層の領域にｎ型故意ドーピング領域を形成する工程をさらに含む、
請求項９に記載の半導体発光素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月3日(2009.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溝が形成された光ガイド本体と、
前記溝の一部領域に配置され、第１光を出射する発光体と、
前記溝の残りの領域に一体に形成され、前記第１光を受けて前記第１光と異なる波長を有する第２光を出射する蛍光体と、を含むことを特徴とする光発生モジュール。
【請求項２】
前記発光体は、青色光を出射する発光ダイオードであることを特徴とする請求項１記載の光発生モジュール。
【請求項３】
前記蛍光体は、前記青色光を白色光に変換させることを特徴とする請求項２記載の光発生モジュール。
【請求項４】
前記蛍光体は、黄色蛍光体を含むことを特徴とする請求項３記載の光発生モジュール。
【請求項５】
前記蛍光体は、赤色蛍光体及び緑色蛍光体を含むことを特徴とする請求項３記載の光発生モジュール。
【請求項６】
前記発光体に電気的に接続され、前記発光体に駆動電流を印加する電源印刷回路フィルムを更に含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の光発生モジュール。
【請求項７】
前記発光体は、前記電源印刷回路フィルムに実装され、前記溝に挿入されることを特徴とする請求項６記載の光発生モジュール。
【請求項８】
前記溝は、
前記光ガイド本体の表面から所定の深さに形成された基底面と、
前記基底面から延長された内側面と、を含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の光発生モジュール。
【請求項９】
前記蛍光体は、前記基底面及び内側面に所定の厚さに形成されることを特徴とする請求項８記載の光発生モジュール。
【請求項１０】
前記光ガイド本体は、
第１面と、
前記第１面と対向する第２面と、
前記第１面と第２面とを連結する側面を含むことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の光発生モジュール。
【請求項１１】
前記溝は、前記第１面から前記第２面に向かって形成されることを特徴とする請求項１０記載の光発生モジュール。
【請求項１２】
前記溝は、前記第１面の縁部に沿って複数個が形成されることを特徴とする請求項１１記載の光発生モジュール。
【請求項１３】
前記溝は、前記側面に形成されることを特徴とする請求項１０記載の光発生モジュール。
【請求項１４】
前記光ガイド本体は、複数個の前記側面を含み、複数の溝が二つ以上の前記側面に形成されることを特徴とする請求項１３記載の光発生モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月22日(2009.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にスイッチング素子、及び前記スイッチング素子と連結された下部電極を設け、前記下部電極を覆う層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜に前記下部電極の一部を露出させる下部電極コンタクトホールを形成する段階と、
前記コンタクトホールにプラグ材料を充填して下部電極コンタクトプラグを形成する段階と、
少なくとも前記下部電極コンタクトプラグの上部を含む領域にフラーレン層を形成する段階と、
前記フラーレン層上に相変化層及び上部電極を順に積層する段階とを含むことを特徴とするフラーレン層を具備した相変化メモリの製造方法。
【請求項２】
前記フラーレン層をなすフラーレンは、Ｃ６０、Ｃ７０、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８２及びＣ８４により構成されたグループから選択された少なくともいずれか一つであることを特徴とする請求項１に記載の相変化メモリの製造方法。
【請求項３】
前記フラーレン層をなすフラーレンは、その内部に金属原子を含む金属エンドヘドラルであることを特徴とする請求項１に記載の相変化メモリの製造方法。
【請求項４】
前記金属原子は、Ｌａ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｈｏ、Ｎｄを含むランタン系列金属原子であることを特徴とする請求項３に記載の相変化メモリの製造方法。
【請求項５】
前記下部電極コンタクトプラグの形成段階及び前記フラーレン層の形成段階で、前記下部電極コンタクトプラグの上部と前記層間絶縁膜の上面とが平坦になるように前記プラグ材料を充填し、その上に前記フラーレン層を形成することを特徴とする請求項１に記載の相変化メモリ製造方法。
【請求項６】
前記下部電極コンタクトプラグの形成段階及び前記フラーレン層の形成段階で、前記下部電極コンタクトプラグの高さが前記層間絶縁膜の上面より低いように前記プラグ材料を充填し、前記コンタクトホールの残り部分に前記フラーレン層を形成することを特徴とする請求項１に記載の相変化メモリ製造方法。
【請求項７】
前記フラーレン層の形成段階は、フラーレン単分子層を１層ないし１００層の厚さに形成することを特徴とする請求項１に記載の相変化メモリ製造方法。
【請求項８】
前記フラーレン層は、真空蒸着法を用いて形成されることを特徴とする請求項１に記載の相変化メモリの製造方法。
【請求項９】
前記相変化層を形成する前に、前記フラーレン層の形成された基板をアニーリングすることを特徴とする請求項８に記載の相変化メモリの製造方法。
【請求項１０】
前記アニーリング温度は、１００℃ないし３５０℃であることを特徴とする請求項９に記載の相変化メモリの製造方法。
【請求項１１】
前記フラーレン層は、フラーレンが含まれた溶液をコーティングして形成されることを特徴とする請求項１に記載の相変化メモリの製造方法。
【請求項１２】
前記溶液の溶媒は１，２，４−トリクロロベンゼン、二硫化炭素、トルエン、ベンゼン、クロロホルム、四塩化炭素、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、ＴＨＦ、アセトニトリル、及びメタノールにより構成されたグループから選択されたいずれか一つであることを特徴とする請求項１１に記載の相変化メモリの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月24日(2010.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
管端部をパネル孔部に取り付けるために、前記管端部に前記パネル孔部の周縁に当接するためのフランジ部を設け、先端側をテーパ面とし前記パネル孔部に挿し込み抜け出しを防止する環状の挿込部を前記フランジ部に隣接して設け、前記フランジ部と前記挿込部との間に環条溝を形成した合成ゴム又は合成樹脂から成る可撓グロメット管において、前記挿込部の先端周縁部の外周縁を内周縁に対し、これらの内の幅を片側は広く対向側では狭くなるように変化させたことを特徴とする可撓グロメット管。
【請求項２】
前記先端周縁部の幅の変化は外周縁の中心と内周縁の中心とを偏心させることにより形成したことを特徴とする請求項１に記載の可撓グロメット管。
【請求項３】
前記挿込部は略楕円形の前記外周縁と内周縁とを有することを特徴とする請求項１又は２に記載の可撓グロメット管。
【請求項４】
前記環条溝の前記端縁部からの高さ位置を、前記先端周縁部の幅が大きい部分ほど小さくしたことを特徴とする請求項１〜３の何れか１つの請求項に記載の可撓グロメット管。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月16日(2010.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子部品実装装置、電子部品実装方法及び電子部品装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に接着剤を塗布してこの接着剤上に電子部品を搭載し、この電子部品上に接着剤を塗布してこの接着剤上に補強板を搭載する電子部品実装装置において、
前記基板上及び前記電子部品上への接着剤の塗布を所定位置で行なう塗布手段と、
前記電子部品及び前記補強板の搭載を所定位置で行なう搭載手段と、
この搭載手段によって前記電子部品及び補強板が搭載された前記基板を加熱位置に搬送する搬送手段と、
この搬送手段によって加熱位置に搬送された前記基板上の前記電子部品、及び前記補強板を加熱して接着する接着手段と
を具備することを特徴とする電子部品実装装置。
【請求項２】
基板上の複数個所に順次接着剤を塗布してこれら接着剤上に電子部品を順次搭載し、これら電子部品上に順次接着剤を塗布してこれら接着剤上に補強板を順次搭載する電子部品実装装置において、
前記基板上の複数個所、及び前記複数の電子部品上への接着剤の塗布を所定位置で行なう塗布手段と、
前記複数の電子部品及び前記複数の補強板の搭載を所定位置で行なう搭載手段と、
この搭載手段によって前記複数の電子部品及び前記複数の補強板が搭載された前記基板を加熱位置に搬送する搬送手段と、
この搬送手段によって加熱位置に搬送された前記基板上の前記複数の電子部品、及び前記複数の補強板を加熱して接着する接着手段と
を具備することを特徴とする電子部品実装装置。
【請求項３】
前記基板上の複数個所への接着剤の塗布が全て終了する前に前記搭載手段による前記電子部品の搭載を開始し、前記複数の電子部品への接着剤の塗布が全て終了する前に前記搭載手段による前記補強板の搭載を開始することを特徴とする請求項２記載の電子部品実装装置。
【請求項４】
基板上の複数個所に順次接着剤を塗布してこれら接着剤上に電子部品を順次搭載する電子部品実装装置において、
前記基板上の複数個所への接着剤の塗布を所定位置で行なう塗布手段と、
前記複数の電子部品の搭載を所定位置で行なう搭載手段と、
この搭載手段によって前記複数の電子部品が搭載された前記基板を加熱位置に搬送する搬送手段と、
この搬送手段によって加熱位置に搬送された前記基板上の複数の前記電子部品を加熱して接着する接着手段と
を具備することを特徴とする電子部品実装装置。
【請求項５】
前記基板上の複数個所への接着剤の塗布が全て終了する前に前記搭載手段による前記電子部品の搭載を開始することを特徴とする請求項４記載の電子部品実装装置。
【請求項６】
基板上に接着剤を塗布することと、
前記塗布された接着剤上に電子部品を搭載することと、
前記搭載された電子部品上に接着剤を塗布することと、
この塗布された接着剤上に補強板を搭載することと、
前記電子部品及び前記補強板が搭載された前記基板を加熱位置に搬送することと、
前記加熱位置に搬送された前記基板上の前記電子部品、及び前記補強板を加熱して接着することとを具備し、
前記基板上及び前記電子部品上への接着剤の塗布、さらに、前記電子部品及び前記補強板の搭載を同じ位置で行なうことを特徴とする電子部品実装方法。
【請求項７】
基板上の複数個所に順次、接着剤を塗布することと、
前記塗布された複数個所の接着剤上に順次、電子部品を搭載することと、
前記搭載された複数個の電子部品上に順次、接着剤を塗布することと、
前記複数個の電子部品上に塗布された接着剤上に順次、補強板を搭載することと、
前記複数個の電子部品、及び前記複数個の補強板が搭載された前記基板を加熱位置に搬送することと、
前記加熱位置に搬送された前記基板上の前記複数個の電子部品、及び前記複数個の補強板を加熱して接着することとを具備し、
前記基板上の複数個所、及び前記複数個の電子部品上への接着剤の塗布、さらに、前記複数個の電子部品、及び前記複数個の補強板の搭載を同一位置で行なうことを特徴とする電子部品実装方法。
【請求項８】
基板上の複数個所に順次、接着剤を塗布することと、
前記塗布された複数個所の接着剤上に電子部品を順次、搭載することと、
前記複数個の電子部品が搭載された前記基板を加熱位置に搬送することと、
前記加熱位置に搬送された前記基板上の複数個の電子部品を加熱して接着することとを具備し、
前記基板上の複数個所への接着剤の塗布、及び前記複数個の電子部品の搭載を同一位置で行なうことを特徴とする電子部品実装方法。
【請求項９】
前記請求項６記載の実装方法によって実装されたことを特徴とする電子部品装置。
【請求項１０】
前記請求項７記載の実装方法によって実装されたことを特徴とする電子部品装置。
【請求項１１】
前記請求項８記載の実装方法によって実装されたことを特徴とする電子部品装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年3月1日(2010.3.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対照非トランスジェニックイネ植物におけるレベルよりも高いレベルの化合物２−アセチル−１−ピロリンを含んでなるトランスジェニックイネ植物であって、該化合物のレベルが、該トランスジェニック植物において、該トランスジェニックイネ植物における２−アセチル−１−ピロリンの合成に関与する遺伝子によりコードされるｍＲＮＡまたはタンパク質レベルを、該対照非トランスジェニックイネ植物における２−アセチル−１−ピロリン遺伝子によりコードされるｍＲＮＡまたはタンパク質レベルよりも低減することによって高められる、トランスジェニックイネ植物。
【請求項２】
該２−アセチル−１−ピロリン遺伝子のｍＲＮＡレベルが、該トランスジェニック植物
において、２−アセチル−１−ピロリン遺伝子もしくはその一部のアンチセンス方向での
発現により、またはＲＮＡ干渉により低減されている、請求項１に記載のトランスジェニ
ックイネ植物。
【請求項３】
該２−アセチル−１−ピロリン遺伝子が配列番号５で示される配列を含んでなる、請求
項１に記載のトランスジェニックイネ植物。
【請求項４】
請求項１に記載のトランスジェニック植物由来の種子。
【請求項５】
植物２−アセチル−１−ピロリンタンパク質をコードする単離された核酸であって、
配列番号２で示される核酸配列と８０％より高い割合、９０％より高い割合または９５％より高い割合で同一である、核酸。
【請求項６】
配列番号２で示される配列と同一である、請求項５に記載の単離された核酸。
【請求項７】
配列番号３で示されるアミノ酸配列と少なくとも８０％、少なくとも９０％、少なくとも９５％、または９５％を超える割合で同一であるポリペプチドをコードする、請求項５に記載の単離された核酸。
【請求項８】
配列番号３で示されるアミノ酸配列と同一であるポリペプチドをコードする、請求項７に記載の核酸。
【請求項９】
プロモーターに作動可能なように連結されている、請求項５に記載の単離された核酸。
【請求項１０】
プロモーターが構成的プロモーター、発生的調節プロモーターまたは誘導プロモーターである、請求項９に記載の単離された核酸。
【請求項１１】
プロモーターが、ツユクサ黄色斑紋ウイルスプロモーター、サトウキビバドナウイルスプロモーター、イネツングロ桿菌状ウイルスプロモーター、トウモロコシ条斑ウイルスエレメント、コムギ萎縮ウイルスプロモーター、カリフラワーモザイクウイルス（ＣａＭＶ）プロモーター、ノパリンシンターゼ（ＮＯＳ）プロモーター、オクトピンシンターゼプロモーター、ゴマノハグサモザイクウイルス（ＦＭＶ）プロモーターおよびイネアクチンプロモーターから選択される、請求項９に記載の単離された核酸。
【請求項１２】
請求項５に記載の単離された核酸を含んでなる、細胞。
【請求項１３】
対照天然植物におけるレベルよりも高いレベルの化合物２−アセチル−１−ピロリンを含んでなる非天然植物であって、
化合物２−アセチル−１−ピロリンのレベルが、対照植物よりも、１以上の２−アセチル−１−ピロリン遺伝子の発現を低減し、該１以上の２−アセチル−１−ピロリン遺伝子によってもたらされるｍＲＮＡレベルを低減し、および／または１以上の２−アセチル−１−ピロリンタンパク質の活性もしくは量を低減することによって高められる、非天然植物。
【請求項１４】
２−アセチル−１−ピロリン遺伝子の発現が、２−アセチル−１−ピロリン遺伝子もしくはその一部のアンチセンス方向での発現により、またはＲＮＡ干渉により低減される、請求項１３に記載の非天然植物。
【請求項１５】
２−アセチル−１−ピロリン遺伝子の発現が、化学的突然変異誘発物質、γ線、高速中性子照射、ＴＩＬＬＩＮＧおよびｔＤＮＡ挿入から選択される突然変異誘発により低減される、請求項１３に記載の非天然植物。
【請求項１６】
植物がイネ、コムギ、オオムギ、ライムギ、ココナッツ、ソルガムおよびオートムギからなる群から選択される、請求項１３に記載の非天然植物。
【請求項１７】
請求項１３に記載の非天然植物から生じた、種子。
【請求項１８】
植物または植物の一部における２−アセチル−１−ピロリン遺伝子の芳香性対立遺伝子の存在を検出する方法であって、２−アセチル−１−ピロリン遺伝子が２−アセチル−１−ピロリンタンパク質の量、機能または活性を低減する突然変異を有しているかどうかを検出することを含む、方法。
【請求項１９】
突然変異がＯｓ２ＡＰの芳香性対立遺伝子に見られる８塩基対の欠失である、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
突然変異を検出する方法がＰＣＲおよび／またはマイクロアレイの使用を含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
突然変異を検出する方法がハイブリダイゼーションまたは配列決定を含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】
突然変異を検出する方法が２−アセチル−１−ピロリンタンパク質レベル、構造または活性を検出することを含む、請求項２１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月23日(2010.9.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数種の作動制御用処理を実行する制御手段を備え、
当該制御手段により前記複数種の作動制御用処理が実行されることにより、作動が制御されるとともに遊技結果が予め定められた特典遊技結果となったことに基づいて特典が付与される遊技機において、
遊技機に対する異常行為として予め定められた特別異常行為の発生を検知する異常検知手段を備え、
前記制御手段は、
前記異常検知手段の検知結果に基づいて、前記特別異常行為の発生を特定する異常特定手段と、
当該異常特定手段にて前記特別異常行為の発生が特定されたことに基づいて、前記特典遊技結果が発生しないように又は当該特典遊技結果に対応した特典が付与されないように、前記複数種の作動制御用処理のうち少なくとも一部の処理についてその実行が規制されるようにする規制手段と、
を備えていることを特徴とする遊技機。
【請求項２】
複数種の作動制御用処理を実行する制御手段を備え、
当該制御手段により前記複数種の作動制御用処理が実行されることにより、作動が制御されるとともに遊技結果が予め定められた特典遊技結果となったことに基づいて特典が付与される遊技機において、
遊技機に対する異常行為として予め定められた特別異常行為の発生を検知する異常検知手段を備え、
前記制御手段は、
前記異常検知手段の検知結果に基づいて、前記特別異常行為の発生を特定する異常特定手段と、
当該異常特定手段にて前記特別異常行為の発生が特定されたことに基づいて、前記特典遊技結果が発生しないように又は当該特典遊技結果に対応した特典が付与されないように、前記複数種の作動制御用処理のうち少なくとも一部の処理についてその実行が規制されるようにする規制手段と、
を備えていることを特徴とする遊技機。
【請求項３】
前記制御手段は、
前記複数種の作動制御用処理のうちの一部であって複数種の作動制御用処理を繰り返し実行する第１制御手段と、
当該第１制御手段にて前記一部の複数種の作動制御用処理が繰り返し実行されている状況において、前記複数種の作動制御用処理のうちの一部であって複数種の作動制御用処理を、前記第１制御手段による処理の実行に割込んで実行する第２制御手段と、
を備えており、
前記規制手段は、前記異常特定手段にて前記特別異常行為の発生が特定されたことに基づいて、前記第２制御手段による割込みの発生が規制されるようにすることを特徴とする請求項１又は２に記載の遊技機。
【請求項４】
前記制御手段は、
前記複数種の作動制御用処理の一部の処理として、抽選処理を実行する抽選処理実行手段と、
前記複数種の作動制御用処理の一部の処理として、前記抽選処理の抽選結果に基づいて、通常遊技状態よりも遊技者に有利な特別遊技状態に遊技状態を移行させる移行処理を実行する移行処理実行手段と、
前記複数種の作動制御用処理の一部の処理として、前記抽選処理を実行する上で用いられる所定の乱数情報を更新する更新処理を実行する更新処理実行手段と、
を備えており、
前記特典は、遊技状態が前記特別遊技状態に移行することであり、
前記第１制御手段は、前記更新処理実行手段を有しており、
前記規制手段は、前記異常特定手段にて前記特別異常行為の発生が特定されたとしても、前記更新処理実行手段による前記更新処理の実行を規制しないものであることを特徴とする請求項３に記載の遊技機。
【請求項５】
外部電源から供給される電力に基づいて少なくとも前記制御手段に電力を供給する電入中電力供給手段をさらに備えており、
前記制御手段は、前記複数種の作動制御用処理の一部の処理として、外部電源からの電力供給が遮断されることが特定されたことに基づいて予め定められた電断時処理を実行する電断時処理実行手段を備え、当該電断時処理が実行された後に、前記外部電源からの電力供給が開始された場合には電断前の状態へ復帰する構成であり、
前記規制手段は、前記異常特定手段にて前記特別異常行為の発生が特定されたとしても、前記電断時処理実行手段による前記電断時処理の実行を規制しないものであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１に記載の遊技機。
【請求項６】
遊技機背面側又は遊技機内部に解除操作手段を備えており、
前記制御手段は、
前記複数種の作動制御用処理を実行する上で用いられる情報を記憶する記憶手段と、
前記解除操作手段が操作されたことに基づいて、前記記憶手段に記憶されている情報を初期化する初期化実行手段と、
前記解除操作手段が操作されたことに基づいて、前記規制手段による規制を解除する規制解除手段と、
を備えていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１に記載の遊技機。
【請求項７】
前記初期化実行手段は、前記解除操作手段が操作された状態で外部電源から遊技機への電力供給が開始されたことに基づいて前記記憶手段に記憶されている情報を初期化するとともに、前記外部電源からの電力供給が継続されている状況において前記解除操作手段の操作が開始されたとしても前記記憶手段に記憶されている情報の初期化を行わないものであり、
前記規制解除手段は、前記外部電源からの電力供給が継続されている状況において前記解除操作手段の操作が開始された場合に、前記規制手段による規制を解除するものであることを特徴とする請求項６に記載の遊技機。
【請求項８】
遊技機に対する行為として前記特別異常行為とは異なる所定行為の発生を検知する所定行為検知手段を備え、
前記制御手段は、
前記所定行為検知手段の検知結果に基づいて、前記所定行為の発生を特定する所定行為特定手段と、
当該所定行為特定手段にて前記所定行為の発生が特定されたことに基づいて、予め定められた特別処理を実行する特別処理実行手段と、
を備えており、
前記規制手段は、前記異常特定手段にて前記特別異常行為の発生が特定されたとしても、前記所定行為特定手段による所定行為特定処理の実行及び前記特別処理実行手段による前記特別処理の実行を規制しないものであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１に記載の遊技機。
【請求項９】
前記制御手段は、前記複数種の作動制御用処理を実行する上で用いられる情報を記憶するとともに自身に電力が供給されている間は情報の記憶保持を可能とする記憶手段を備えており、
外部電源から供給される電力に基づいて少なくとも前記制御手段に電力を供給する電入中電力供給手段と、
前記外部電源からの電力供給が遮断されている状況において少なくとも前記記憶手段に電力を供給する電断中電力供給手段と、
を備えており、
前記異常特定手段は、前記特別異常行為の発生を特定した場合に前記記憶手段に異常特定情報を記憶させるものであり、
前記規制手段は、前記記憶手段に前記異常特定情報が記憶されていることを確認した場合に、前記複数種の作動制御用処理のうち少なくとも一部の処理についてその実行が規制されるようにするものであり、
さらに、当該規制手段は、前記外部電源からの電力供給が開始された場合、規制対象の処理の実行が開始されるよりも前のタイミングで、前記記憶手段に前記異常特定情報が記憶されているか否かを確認するとともに、当該異常特定情報が記憶されていることを確認した場合には前記規制対象の処理の実行が規制されるようにするものであることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１に記載の遊技機。