【手続補正書】
【提出日】平成22年11月8日(2010.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の配線層が絶縁層を介在させて積層され、該絶縁層に形成されたビアホールを介して層間接続された構造体と、
前記構造体の電子部品実装面側に搭載されたインターポーザと、
前記構造体と前記インターポーザとの間隙に充填され、かつ、前記構造体の電子部品実装面側及び該電子部品実装面側と反対側の各最外層の配線層に画定されたパッド部を除いて表面全体を覆うとともに、前記インターポーザを底面とする凹部が形成されるよう前記インターポーザの周囲を覆うモールド樹脂とを有することを特徴とする電子部品実装用パッケージ。
【請求項２】
複数の配線層が絶縁層を介在させて積層され、該絶縁層に形成されたビアホールを介して層間接続されるとともに、電子部品実装面と反対側の面に、最外層の配線層に画定されたパッド部を露出させて保護膜が形成された構造体と、
前記構造体の電子部品実装面側に搭載されたインターポーザと、
前記構造体と前記インターポーザとの間隙に充填され、かつ、前記構造体の前記保護膜が形成されている部分を除いて表面全体を覆うとともに、前記インターポーザを底面とする凹部が形成されるよう前記インターポーザの周囲を覆うモールド樹脂とを有することを特徴とする電子部品実装用パッケージ。
【請求項３】
複数の配線層が絶縁層を介在させて積層され、該絶縁層に形成されたビアホールを介して層間接続された構造体と、
前記構造体を搭載する側と反対側の面に、最外層の配線層に画定されたパッド部を露出させて保護膜が形成された配線基板と、
前記配線基板と前記構造体との間隙に充填され、かつ、前記配線基板の前記保護膜が形成されている部分を除いて表面全体を覆うとともに、前記構造体を底面とする凹部が形成されるよう前記構造体の周囲を覆うモールド樹脂とを有することを特徴とする電子部品実装用パッケージ。
【請求項４】
前記構造体を搭載する前記配線基板は、支持基材としてのコア基板を有していることを特徴とする請求項３に記載の電子部品実装用パッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記の従来技術の課題を解決するため、本発明の一形態によれば、複数の配線層が絶縁層を介在させて積層され、該絶縁層に形成されたビアホールを介して層間接続された構造体と、前記構造体の電子部品実装面側に搭載されたインターポーザと、前記構造体と前記インターポーザとの間隙に充填され、かつ、前記構造体の電子部品実装面側及び該電子部品実装面側と反対側の各最外層の配線層に画定されたパッド部を除いて表面全体を覆うとともに、前記インターポーザを底面とする凹部が形成されるよう前記インターポーザの周囲を覆うモールド樹脂とを有することを特徴とする電子部品実装用パッケージが提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
この形態に係る電子部品実装用パッケージの構成によれば、配線層と絶縁層が交互に積層された構造体（配線基板）の所定の部分（外部端子が接続されるパッド部）を除いて表面全体がモールド樹脂で覆われているので、基板全体としての剛性が高められている。また、モールド樹脂は、構造体の電子部品実装面側に搭載されたインターポーザを底面とする凹部が形成されるようインターポーザの周囲を覆っている。従って、本パッケージのインターポーザ上に熱硬化性材料を用いて電子部品を実装したときにその界面に熱膨張係数の違いに応じた応力（つまり、基板の反りの原因となる応力）が発生しても、モールド樹脂の被覆によって基板全体が補強されているので、その応力が基板内を伝播するのを有効に阻止することができる。特に、インターポーザの介在により、その電子部品を実装したときの配線基板との熱膨張係数の違いに起因した影響（基板の反り）を効果的に緩和することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本パッケージの構成によれば、構造体（配線基板）と電子部品の間に介在するインターポーザの本来の機能に基づいて配線基板の高密度化を図ることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、本発明の他の形態によれば、複数の配線層が絶縁層を介在させて積層され、該絶縁層に形成されたビアホールを介して層間接続された構造体と、前記構造体を搭載する側と反対側の面に、最外層の配線層に画定されたパッド部を露出させて保護膜が形成された配線基板と、前記配線基板と前記構造体との間隙に充填され、かつ、前記配線基板の前記保護膜が形成されている部分を除いて表面全体を覆うとともに、前記構造体を底面とする凹部が形成されるよう前記構造体の周囲を覆うモールド樹脂とを有することを特徴とする電子部品実装用パッケージが提供される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
この形態に係る電子部品実装用パッケージの構成によれば、上記の形態に係る電子部品実装用パッケージとは違い、当該構造体自体を直接モールド樹脂で覆ってはいないが、この構造体を搭載する配線基板の表面全体がモールド樹脂で被覆されているので、構造体を含めたパッケージ全体の剛性を高めることができる。また、モールド樹脂は、配線基板に搭載された構造体を底面とする凹部が形成されるよう構造体の周囲を覆っている。これにより、上記の形態に係るパッケージと同様に、基板全体の反りを有効に低減させることができ、電子部品の実装を信頼性良く行うことができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、コアレス基板１０の上面（チップ実装面側）には、インターポーザ３０が搭載される領域（中央部分）の周囲の部分に、所要の個数（図示の例では、２個）のチップキャパシタ２１が搭載されている。各チップキャパシタ２１は、それぞれ１対の電極端子２２を介して、上側の絶縁層１２から露出するパッド部１１Ｐに接続されている。チップキャパシタ２１は、配線のインダクタンスを下げて所要の「デカップリング」を奏するために設けられている。本実施形態では、本パッケージ５０に搭載するチップ１がマイクロプロセッサ（ＣＰＵ）である場合を想定しており、かかるＣＰＵにおいては高速動作が要求される。このため、信号線の配線長によるインダクタンスの増大を低減させる必要があり、それを実現する一手段としての「デカップリング」を奏するために所要の個数のチップキャパシタ２１が設けられている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
さらに、本発明を特徴付ける部材として、モールド樹脂２５が、チップキャパシタ２１を搭載したコアレス基板１０の表面全体を覆うようにして設けられている。すなわち、モールド樹脂２５は、図１に示すようにコアレス基板１０の下面（外部接続端子接合用のパッド部１９Ｐを除いた領域）及び側面を覆い、さらに上面においてインターポーザ３０が搭載される中央部分の周囲の部分に配置されたチップキャパシタ２１を覆うとともに、上面とインターポーザ３０との間隙に充填されている。このようにモールド樹脂２５がコアレス基板１０上の中央部分に搭載されたインターポーザ３０の周囲を覆うことで、図１に示すようにインターポーザ３０を底面とする凹部（半導体素子等のチップ１を搭載するキャビティ）が形成されている。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
さらに、本発明を特徴付ける部材として、モールド樹脂２５ｂが、チップキャパシタ２１を搭載した２層プリント基板４０の表面全体を覆うようにして設けられている。すなわち、モールド樹脂２５ｂは、図３に示すように２層プリント基板４０のソルダレジスト層４５が形成されている側の下面を除いて、その側面を覆い、さらに上面においてコアレス基板１０ｂが搭載される中央部分の周囲の部分に配置されたチップキャパシタ２１を覆うとともに、上面とコアレス基板１０ｂとの間隙に充填されている。このようにモールド樹脂２５ｂがプリント基板４０上の中央部分に搭載されたコアレス基板１０ｂの周囲を覆うことで、図３に示すようにコアレス基板１０ｂを底面とする凹部（半導体素子等のチップ１ａを搭載するキャビティ）が形成されている。使用する樹脂２５ｂの材料及びその形成方法については、上述した第１の実施形態等（図１、図２）の場合と同じであるので、その説明は省略する。