Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月4日(2010.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カルボキシル基を有するジオール化合物（ａ）、カルボキシル基を有しないポリオール化合物（ｂ）および有機ジイソシアネート（ｃ）を反応させて得られるイソシアネート基を有するウレタンプレポリマー（ｄ）と、ポリアミノ化合物（ｅ）とを反応させて得られ、酸価が３〜２５mgKOH／ｇであるポリウレタンポリウレア樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）、及びアジリジン系硬化剤（Ｃ）を、前記ポリウレタンポリウレア樹脂（Ａ）中のカルボキシル基１モルに対し、アジリジニル基を０．０５〜４モルの範囲で含有することを特徴とする接着剤組成物。
【請求項２】
ポリウレタンポリウレア樹脂（Ａ）１００重量部に対し、エポキシ樹脂（Ｂ）３〜２００重量部を含有することを特徴とする請求項１記載の接着剤組成物。
【請求項３】
充填剤（Ｄ）を含有することを特徴とする請求項１又は２記載の接着剤組成物。
【請求項４】
ポリウレタンポリウレア樹脂（Ａ）１００重量部に対し、充填剤（Ｄ）０．１〜１００重量部を含有することを特徴とする請求項３記載の接着剤組成物。
【請求項５】
剥離性シート１上に、請求項１ないし４いずれか１項に記載の接着剤組成物から形成された、ゲル分率が３０〜８０重量％の硬化性接着剤層（１）を有する接着剤シート。
【請求項６】
硬化性接着剤層（１）の上に、剥離性シート２を有する請求項５記載の接着剤シート。
【請求項７】
耐熱性シート上に、請求項１ないし４いずれか１項に記載の接着剤組成物から形成された、ゲル分率が３０〜８０重量％の硬化性接着剤層（１）を有する接着剤シート。
【請求項８】
フレキシブルプリント配線板に、請求項１ないし４いずれか記載の接着剤剤組成物から形成された硬化接着剤層（２）を介して補強材が固定されていることを特徴とする補強材付きフレキシブルプリント配線板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、カルボキシル基を有するジオール化合物（ａ）、カルボキシル基を有しないポリオール化合物（ｂ）および有機ジイソシアネート（ｃ）を反応させて得られるイソシアネート基を有するウレタンプレポリマー（ｄ）と、ポリアミノ化合物（ｅ）とを反応させて得られ、酸価が３〜２５mgKOH／ｇであるポリウレタンポリウレア樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）、及びアジリジン系硬化剤（Ｃ）を、前記ポリウレタンポリウレア樹脂（Ａ）中のカルボキシル基１モルに対し、アジリジニル基を０．０５〜４モルの範囲で含有する接着剤組成物に関する。
本発明の接着剤組成物は、ポリウレタンポリウレア樹脂（Ａ）１００重量部に対して、エポキシ樹脂（Ｂ）が３〜２００重量部であることが好ましい。
また、本発明の接着剤組成物は、充填剤（Ｄ）を含有することが好ましく、充填剤の配合比率は、ポリウレタンポリウレア樹脂（Ａ）１００重量部に対して、充填剤（Ｄ）０．１〜１００重量部であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月24日(2010.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
他方、六ホウ化物粒子が分散された日射遮蔽膜用塗布液中における六ホウ化物粒子の分散安定性を向上させるため、珪酸塩、酸性珪酸液、加水分解性シラン化合物等を用いて六ホウ化物粒子表面にシリカ被覆層を形成する方法も開発されている（特許文献３）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、特許文献３記載の方法では、六ホウ化物粒子表面へのシリカ被覆層の形成が促進されるように酸化ジルコニウム等の被膜を予め六ホウ化物粒子表面に形成した後、この上に珪酸塩、酸性珪酸液、加水分解性シラン化合物等を被覆する方法も提案している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
ところで、微細な六ホウ化物粒子に対し、アルコキシシラン等の表面処理剤あるいは珪酸塩、酸性珪酸液、加水分解性シラン化合物等を用いて粒子表面にシリカの被覆層を形成しようとすると、反応段階で粒子表面のシラノール基等の反応性基の極性あるいは水素結合によって溶媒に対して分散しにくくなるため、粒子同士の激しい凝集が生じ、個々の粒子に対して均一に表面処理することが困難となる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月27日(2010.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明のゼオライト膜用アルミナ質基体の製造方法について説明する。
（イ）本発明では、純度９９重量％以上、好ましくは９９．５重量％以上であるＡｌ２Ｏ３原料を用いる。尚、混合・分散工程での不純物の混入を考えると、用いる粉体の１次粒子径は６〜１２μｍ、好ましくは７〜１１μｍのアルミナ原料を用いるのが良い。このＡｌ２Ｏ３はバイヤー法で製造された原料粉体を用いることができる。バイヤー法で製造されたＡｌ２Ｏ３原料は従来使用されているアルミナよりもコストが安いため好ましく、特に製造工程で高温で焼成されたアルミナ原料を用いるのが好ましい。Ａｌ２Ｏ３純度が９９重量％未満の場合は、アルミナ質基体に含有する不純物量が多くなり、耐食性に低下をきたすので好ましくない。１次粒子径が６μｍ未満の場合は、混合・分散後の粒度分布が狭くなり、得られる基体の平均結晶粒径が小さくなり、耐食性の低下や基体のゼータ電位が高くなる原因となるため好ましくない。一方、１次粒子径が１２μｍを超える場合には、基体が有する気孔径が大きくなり、ゼオライト膜製膜時に基体表面にゼオライト種結晶が均一に担持されないので好ましくない。
（ロ）焼成工程でガラス相を形成する成分は、珪石、長石、粘土よりなる群から選ばれた少なくとも１種を原料粉体の形態で添加する。
これらの原料粉体の使用により、比較的均一な組成のガラス相が形成できる。原料粉体の平均粒子径は０．５〜５μｍ、好ましくは１〜４μｍである。平均粒子径が０．５μｍ未満の場合は、粉体同士の凝集が強くなり、均一に分散し難くなるし、ゼオライト膜製膜時に基体管表面のゼオライト膜の結晶性が不均一になるため好ましくない。また、５μｍを超える場合は、焼成工程におけるガラス相の均一分散性が低下し、機械的特性に低下をきたすので好ましくない。これらの成分は焼成により本発明におけるアルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物に変化する。
以上の原料を用いてＡｌ２Ｏ３含有量が８５〜９５重量％、ＳｉＯ２含有量が３〜１３重量％となるように配合し、湿式でボールミルやアトリッションミル等を用い、水または有機溶媒で混合・分散を行う。尚、本発明における原料処理は、粉砕することなく混合・分散処理のみでよく、これにより粉体の表面の処理による変化を極力抑制でき、また基体の結晶粒径を容易に制御できる。
成形は押出成形やプレス成形が採用される。
押出成形の場合は、得られた粉砕・分散スラリーを乾燥し、整粒した後、押出成形用バインダー（ＣＭＣ、ＰＶＡ、ワックスエマルジョン等の公知のバインダーが使用できる）と水、場合によっては気孔形成剤を添加し、混合・混練することにより押出成形用坏土を得る。次いでこの成形用坏土を用い、所定の形状になるように押出成形をする。
プレス成形する場合は、得られた分散スラリーにバインダー（ワックスエマルジョン、ＰＶＡ、アクリル樹脂等）を添加し、スプレードライヤー（ＳＤ）で乾燥させて成形用粉体を作製し、この成形粉体を所定の型に入れてプレス成形をする。
（ハ）得られた成形体は大気中１２００〜１６００℃、好ましくは１２５０〜１５００℃で焼成する。焼成温度が１２００℃未満の場合は、焼結が不十分なため機械的特性が低下するだけでなく、ゼオライト膜製膜時に基体管表面のゼオライト膜の結晶性が不均一になるため好ましくない。また、１６００℃を超える場合は、焼結が進みすぎて気孔率が低下するため好ましくない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
実施例１〜７及び比較例１〜１１
純度が９９．７重量％のアルミナ原料に、平均粒子径０．３〜４．７μｍの珪石、長石及び粘土を用いてＳｉＯ２含有量、アルカリ金属及び／またはアルカリ土類金属の酸化物の含有量が表１の組成となるように配合し、水を用いて湿式で混合・分散させ、乾燥した。尚、比較例７は１次粒子径が細かい原料を所定の平均結晶粒径になるように焼成温度を制御した。これらの粉体１００重量％に対して、バインダーとしてメチルセルロース６重量％、水１５重量％を加え、混合、混練し、押出成形用の坏土を得た。作製した押出成形用坏土を用いて、チューブを押出成形し、得られた成形体を大気中、１１４０℃〜１６６０℃で焼成して、外径Φ１２ｍｍ、内径Φ９ｍｍ、長さ１００ｍｍの基体を得た。得られた基体の特性を表１に示す。
実施例１〜７は本発明の請求項の範囲に含まれる基体であり、実施例２の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察（図１）によりゼオライト膜の結晶性が良いものが得られており、ゼオライト膜用の基体として良好な製膜性を有していることは明らかである。一方比較例１〜１１は本発明の条件を少なくとも一つ以上満たしていない基体である。そのため、形成されたゼオライト膜に膜厚が不均一であるものや、ゼオライトの結晶が凝集しているものが見られた。特に、比較例７のＳＥＭ観察（図２）の点線で囲った部分に示すように、ゼオライト膜の結晶が凝集しているものが見られた。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月17日(2010.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガリウムと反応して表面に穴を形成する材料からなる支持基板の上面にメルトバックエッチングによる穴を形成する工程と、
前記穴が形成された前記支持基板上に窒化物系化合物半導体からなる層を気相エピタキシャル成長させる工程
とを含むことを特徴とするエピタキシャル成長基板の製造方法。
【請求項２】
前記穴を形成する工程は、
前記支持基板上に、不均一な厚みを有し且つ第１の窒化物系化合物半導体からなるバッファ層成長核を配置する工程と、
前記バッファ層成長核が配置された前記支持基板にガリウムを含む気相を供給する工程
とを含むことを特徴とする請求項１に記載のエピタキシャル成長基板の製造方法。
【請求項３】
前記層を気相エピタキシャル成長させる工程は、
前記穴が形成された前記支持基板上に前記バッファ層成長核と同じ構成元素を含む第１の層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項２に記載のエピタキシャル成長基板の製造方法。
【請求項４】
前記層を気相エピタキシャル成長させる工程は、
第１の層の上に前記第１の窒化物系化合物半導体と格子定数の異なる第２の窒化物系化合物半導体からなる第２の層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項３に記載のエピタキシャル成長基板の製造方法。
【請求項５】
前記支持基板はシリコン基板であって、前記第１の層は窒化アルミニウムからなり、前記第２の層は窒化ガリウムからなることを特徴とすることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のエピタキシャル成長基板の製造方法。
【請求項６】
ガリウムと反応して表面に穴を形成する材料からなる支持基板の上面にメルトバックエッチングによる穴を形成する工程と、
前記穴が形成された前記支持基板上に窒化物系化合物半導体からなる層を気相エピタキシャル成長させる工程と、
前記層を介して前記支持基板上に窒化物系化合物半導体からなる素子形成領域を形成する工程
とを含むことを特徴とする窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
【請求項７】
ガリウムと反応して表面に穴を形成する材料からなり且つ上面にメルトバックエッチングによる穴が形成された支持基板と、
前記支持基板上に形成され且つ窒化物系化合物半導体からなる層
とを備えることを特徴とするエピタキシャル成長基板。
【請求項８】
ガリウムと反応して表面に穴を形成する材料からなり且つ上面にメルトバックエッチングによる穴が形成された支持基板と、
前記支持基板上に形成され且つ窒化物系化合物半導体からなる層と、
前記層を介して前記支持基板上に形成され且つ窒化物系化合物半導体からなる素子形成領域
とを備えることを特徴とする窒化物系化合物半導体素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本願発明の一態様によれば、ガリウムと反応して表面に穴を形成する材料からなる支持基板の上面にメルトバックエッチングによる穴を形成する工程と、穴が形成された支持基板上に窒化物系化合物半導体からなる層を気相エピタキシャル成長させる工程とを含むエピタキシャル成長基板の製造方法であることを要旨とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本願発明の他の態様によれば、ガリウムと反応して表面に穴を形成する材料からなる支持基板の上面にメルトバックエッチングによる穴を形成する工程と、穴が形成された支持基板上に窒化物系化合物半導体からなる層を気相エピタキシャル成長させる工程と、層を介して支持基板上に窒化物系化合物半導体からなる素子形成領域を形成する工程とを含む窒化物系化合物半導体素子の製造方法であることを要旨とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本願発明の他の態様によれば、ガリウムと反応して表面に穴を形成する材料からなり且つ上面にメルトバックエッチングによる穴が形成された支持基板と、支持基板上に形成され且つ窒化物系化合物半導体からなる層とを備えるエピタキシャル成長基板であることを要旨とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本願発明の他の態様によれば、ガリウムと反応して表面に穴を形成する材料からなり且つ上面にメルトバックエッチングによる穴が形成された支持基板と、支持基板上に形成され且つ窒化物系化合物半導体からなる層と、層を介して支持基板上に形成され且つ窒化物系化合物半導体からなる素子形成領域とを備える窒化物系化合物半導体素子であることを要旨とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月4日(2010.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリフェニレンエーテル１０〜９０質量％とスチレン系樹脂９０〜１０質量％からなるポリフェニレンエーテル系樹脂（Ａ）１００質量部と、シリコン樹脂微粒子表面にシリコン樹脂以外のポリマー成分の樹脂が被覆した構造を有するコア−シェル型シリコン樹脂微粒子（Ｂ）０．５〜２０質量部を含有し、更に前記（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計量１００質量部に、芳香族燐酸エステル系難燃剤（Ｃ）５〜４０質量部を含有してなり、組成物中において、前記（Ｂ）成分よりなるドメイン（分散粒子）の７５％以上の個数が粒子径１０００ｎｍ以下の凝集粒子として存在することを特徴とする、難燃ポリフェニレンエーテル樹脂組成物。
【請求項２】
前記（Ｂ）成分のシェルが熱可塑性樹脂であることを特徴とする、請求項１に記載の難燃ポリフェニレンエーテル樹脂組成物。
【請求項３】
前記（Ｂ）成分のシェルが、スチレン−アクリロニトリル共重合体、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート樹脂のいずれかからなることを特徴とする、請求項１または２に記載の難燃ポリフェニレンエーテル樹脂組成物。
【請求項４】
前記（Ｂ）成分におけるシェル成分の比率が２０〜４５質量％の範囲内であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の難燃ポリフェニレンエーテル樹脂組成物。
【請求項５】
前記（Ｂ）成分の平均粒子径が６０〜２００ｎｍであることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の難燃ポリフェニレンエーテル樹脂組成物。
【請求項６】
前記（Ｂ）成分よりなる、組成物中におけるドメイン（分散粒子）の８０％以上の個数が、粒子径１０００ｎｍ以下の凝集粒子として存在することを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の難燃ポリフェニレンエーテル樹脂組成物。
【請求項７】
前記（Ａ）成分の構成成分であるポリフェニレンエーテルが、２，６−ジメチルフェノール９０〜７０質量％と２，３，６−トリメチルフェノール１０〜３０質量％との共重合体であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の難燃ポリフェニレンエーテル樹脂組成物。
【請求項８】
前記（Ｃ）成分の芳香族燐酸エステル系難燃剤が、ビスフェノールＡ−ビス（ジフェニルホスフェート）であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の難燃ポリフェニレンエーテル樹脂組成物。
【請求項９】
前記（Ａ）成分の構成成分であるポリフェニレンエーテル（粉体性状）の一部または全部と、前記（Ｂ）成分の全部とを予め溶融混練した後、残りの成分を添加して最終組成物を作成することを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載の難燃ポリフェニレンエーテル樹脂組成物の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の難燃ポリフェニレンエーテル樹脂組成物からなる成形体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
即ち、本発明は、以下の通りのものである。
１．ポリフェニレンエーテル１０〜９０質量％とスチレン系樹脂９０〜１０質量％からなるポリフェニレンエーテル系樹脂（Ａ）１００質量部と、シリコン樹脂微粒子表面にシリコン樹脂以外のポリマー成分の樹脂が被覆した構造を有するコア−シェル型シリコン樹脂微粒子（Ｂ）０．５〜２０質量部を含有し、更に前記（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計量１００質量部に、芳香族燐酸エステル系難燃剤（Ｃ）５〜４０質量部を含有してなり、組成物中において、前記（Ｂ）成分よりなるドメイン（分散粒子）の７５％以上の個数が粒子径１０００ｎｍ以下の凝集粒子として存在することを特徴とする、難燃ポリフェニレンエーテル樹脂組成物。
２．前記（Ｂ）成分のシェルが熱可塑性樹脂であることを特徴とする、１．に記載の難燃ポリフェニレンエーテル樹脂組成物。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
３．前記（Ｂ）成分のシェルが、スチレン−アクリロニトリル共重合体、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート樹脂のいずれかからなることを特徴とする、１．または２．に記載の難燃ポリフェニレンエーテル樹脂組成物。
４．前記（Ｂ）成分におけるシェル成分の比率が２０〜４５質量％の範囲内であることを特徴とする、１．〜３．のいずれかに記載の難燃ポリフェニレンエーテル樹脂組成物。
５．前記（Ｂ）成分の平均粒子径が６０〜２００ｎｍであることを特徴とする、１．〜４．のいずれかに記載の難燃ポリフェニレンエーテル樹脂組成物。
６．前記（Ｂ）成分よりなる、組成物中におけるドメイン（分散粒子）の８０％以上の個数が、粒子径１０００ｎｍ以下の凝集粒子として存在することを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の難燃ポリフェニレンエーテル樹脂組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月13日(2010.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本組成物には、作業性を向上させるために、溶剤を配合できる。このような溶剤としては、キシレン、メチルイソブチルケトン、ジアセトンアルコール、ｎ−ブチルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルが挙げられる。より好ましくは、２−エトキシエチルアセテート、２−ブトキシエチルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート（＝酢酸カルビトール、カルビトールアセテート）、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールブチルエーテルアセテートが例示される。このような溶剤の含有量は限定されないが、本組成物の作業性が改善されることから、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計量１００質量部に対して１００質量部以下であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月14日(2010.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱硬化性エポキシ樹脂と、
潜在性硬化剤と、
平均粒径約１μｍ以下の有機弾性微粒子と
から本質的になり、前記有機弾性微粒子の凝集によってフィルムが形成されている、非導電性接着フィルム。
【請求項２】
導体を備えた配線板であって少なくとも一方の配線板がフレキシブルプリント配線板である、第１と第２の配線板を用意する工程と、
前記第１と第２の配線板の間に、請求項１に記載の非導電性接着フィルムを配置する工程と、
前記非導電性接着フィルムを間に配置した前記第１と第２の配線板を加熱及び加圧することにより、前記第１と第２の配線板の前記導体との間の前記非導電性接着フィルムを排除して、前記第１の配線板の前記導体と前記第２の配線板の前記導体とを電気接続するとともに、前記熱硬化性エポキシ樹脂を硬化する工程と
を含む、２の配線板を電気接続する方法。
【請求項３】
熱硬化性エポキシ樹脂と、
潜在性硬化剤と、
平均粒径約１μｍ以下の有機弾性微粒子と、
前記有機弾性微粒子を分散可能な溶媒と
から本質的になり、溶媒に溶解した高分子材料を含まなくてもフィルム形成性を有する、非導電性接着剤組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月15日(2010.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
励起光を発する光源と、その励起光を吸収して光を発する蛍光体を組み合わせてなる発光装置であって、蛍光体として一般式:(Ｃａα，Ｅｕβ)(Ｓｉ，Ａｌ)12(Ｏ，Ｎ)16（但し、１．５＜α+β＜２．２、０＜β＜０．２、Ｏ/Ｎ≦０．０４）で示されるα型サイアロンを主成分とし、比表面積が０．１〜０．３５ｍ2/ｇである蛍光体を用いたことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置であって、発光装置の発する光の色度が色度座標(ＣＩＥ1931)上でｘ≧０．５４５、ｙ≧０．３９、ｙ≦ｘ−０．１２であることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の発光装置であって、光源が発する励起光の発光ピーク波長が４２０〜４８０ｎｍであることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか1項に記載の発光装置であって、発光装置の発光スペクトルにおける５００ｎｍ以下の領域の面積が、発光スペクトル全体の面積の５％以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか1項に記載の発光装置であって、発光装置の発光スペクトルにおける主ピークの半値幅が１００ｎｍ以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
励起光を発する光源と、その励起光を吸収して光を発する蛍光体を組み合わせてなる発光装置であって、環境温度が−２０℃から８５℃の範囲において、全光束の変化量が±３０%以内であり、発する光の色度が色度座標(ＣＩＥ1931)上でｘ≧０．５４５、ｙ≧０．３９、ｙ≦ｘ−０．１２であることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項６に記載の発光装置であって、環境温度が−２０℃から８５℃の範囲において、色度の変化量が色度座標(ＣＩＥ1931)上でΔx≦０．０３、Δｙ≦０．０３であることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか1項に記載の発光装置を用いた車両用灯具。
【請求項９】
発光素子と、前記発光素子からの光を受け、反射するリフレクタと、リフレクタで反射された光を外部に照射するためのレンズとを備えた車両用灯具であって、発光素子として請求項１ないし７のいずれか1項に記載の発光装置を用いたことを特徴とする車両用灯具。
【請求項１０】
請求項９項に記載の車両用灯具であって、カラーフィルターを用いずに測定した発光スペクトルにおける５００ｎｍ以下の領域の面積が、発光スペクトル全体の面積の５％以下であることを特徴とする車両用灯具。
【請求項１１】
請求項９項に記載の車両用灯具であって、発光素子の主発光方向が、灯具の主発光方向とほぼ直交していることを特徴とする車両用灯具。
【請求項１２】
請求項８ないし１１いずれか1項記載の灯具を組み込んだヘッドランプ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
３．発光装置の作製
実施例１の蛍光体を、熱硬化型シリコーン樹脂１００重量部に対し２０重量部配合し、均一に撹拌した後、電極５及び青色ＬＥＤ（窒化ガリウム系化合物半導体ＬＥＤ、発光波長のピーク：約４６０ｎｍ）が固定されたランプハンス３に注入機で注入した。その後、１５０℃で１〜４時間加熱して樹脂を硬化し固定化し、図１に示すような発光装置を作製した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
この発光装置の青色ＬＥＤに電流３５０ｍＡを流し、積分球で全光束を測定するとともに、周囲温度２５℃における発光スペクトルを測定した。発光スペクトルを図４に示す。その結果、全光束は約２９ルーメン（ｌｍ）、ピーク波長は６０３ｎｍ、発光スペクトルの半値幅は８６ｎｍであった。また５００ｎｍ以下の積分値は、全体の積分値に対して０．３３％であった。発光時の色度座標はｘ、ｙ＝０．５７９８、０．４１６９であり、車載用ターンシグナルランプに用いられるアンバー色の範囲内にあることが確認された。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月28日(2010.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
合成樹脂製の可撓性短尺バンド（Ｂ）の一端部（Ｂ１）寄りに略長円形又は略長方形の係止孔（１２）を設けるとともに、その係止孔と係止・係脱可能な係止突起（１３）を前記可撓性短尺バンドの他端部（Ｂ２）寄りに設けたことを特徴とする結束バンド。
【請求項２】
合成樹脂製の可撓性短尺バンド（Ｂ）の一端部（Ｂ１）寄りに略長円形又は略長方形の係止孔（１２）を設けるとともに、その係止孔と係止・係脱可能な係止突起（１３）を前記可撓性短尺バンドの他端部（Ｂ２）寄りに設け、さらに前記係止孔と係止突起との間に、前記可撓性短尺バンドを側面が略Ｕ字形になるように折り曲げ易くした易屈曲部（１８）を設けたことを特徴とする結束バンド。
【請求項３】
前記係止突起（１３）は、その先端側において前記可撓性短尺バンド（こ）の幅方向に、前記係止孔（１２）の短径（Ｗ）より拡径された拡径部（１４）を有するとともに、その付け根側において前記幅方向に、前記短径と実質的に等しい幅狭部（１５）を有している請求項１記載の結束バンド。
【請求項４】
前記幅狭部（１５）は、前記係止突起（１３）の付け根部を一部分切り欠くことにより形成されている請求項３記載の結束バンド。
【請求項５】
前記幅狭部（１５）は、前記係止突起（１３）の付け根部の両側を一部分切り欠くことにより２個形成されている請求項３記載の結束バンド。
【請求項６】
前記幅狭部（１５）は、前記係止突起（１３）の付け根部の両側を一部分切り欠くことにより２個形成されているとともに、前記拡径部（１４）は、前記幅狭部が存在しない部位に係止突起を補強するリブ（１６）を有している請求項３記載の結束バンド。
【請求項７】
前記易屈曲部（１８）は、前記可撓性短尺バンド（Ｂ）の中央の一部分を切り欠くことにより形成されている請求項２記載の結束バンド。
【請求項８】
前記易屈曲部（１８）は、前記可撓性短尺バン（Ｂ）ドの中央の一部分を薄肉にすることにより、形成されている請求項２記載の結束バンド。
【請求項９】
前記易屈曲部（１８）は、前記可撓性短尺バンド（Ｂ）の中央の一部分を幅狭にすることにより、形成されている請求項２記載の結束バンド。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月22日(2010.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
ばね層材４は、電子部品を固定する機能を有する部品であり、フレーム本体５の中空部６に着脱できるように、その厚さは枠層材２の厚さよりも幾分薄くなるように設定されている。例えば、枠層材２の厚さが０．４ｍｍのときには、ばね層材４の厚さは０．３ｍｍに形成される。また、ばね層材４は、図１（ｄ）に示すように、平面視において長方形状の薄肉板材を加工することにより、長手方向に沿って複数の開口４ａが形成されるとともに、各開口４ａの一辺から内方に向けて第１弾性体としての小ばね部４ｂが突出形成されている。本実施形態では、小ばね部４ｂは、開口４ａの内方に延びた棒状部４ｂ１と、この棒状部４ｂ１の先端部に形成された瘤状の押圧部４ｂ２とからなる。各開口４ａは、位置決め層材１の各開口１ａに対応して設けられている。また、図３に示すように、フレーム本体５にばね層材４を装着した際には、小ばね部４ｂの押圧部４ｂ２と位置決め層材１の開口１ａに形成された３箇所の部品係止片１ｂとが、開口１ａの内方に向かって４方向から突出する状態になる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
搬送フレームへ電子部品を収納する場合、まず、フレーム本体５から露出しているばね層材４の切り欠き４ｆをフレーム本体５の内方に向けて押し込む。このとき、小ばね部４ｂは中空部６の内方に入り込み、図６（ａ）に示すように、平面視では、位置決め層材１の開口１ａから見えなくなる。図６（ｂ）は、当該状態での、枠層材２とばね層材４の様子を示す図である。図６（ｂ）に示すように、大ばね部４ｅは枠層材２の端部内面に当接して圧縮変形している。また、本実施形態では、当該状態で、平面視において、位置決め層１の各開口１ａがばね層材４の各開口４ａ内に位置するように、ばね層材４の各開口４ａの長手方向の開口幅が、位置決め層１の各開口１ａの長手方向の開口幅よりも大きくなっている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
図９に示すように、本実施形態のばね層材４は、小ばね部４ｂが、第１の実施形態に比べて、開口４ａ内への突出長さが長い棒状部４ｂ１と、開口４ａの一隅に位置するように形成された押圧部４ｂ２とにより構成されている。ここで、押圧部４ｂ２の電子部品７と接触する面は、第１の実施形態とは異なり、平面により構成されている。本構成によれば、小ばね部４ｂは、ばね層材４の矩形状開口４ａの対角方向に弾性力を付与する。すなわち、押圧部４ｂ２が電子部品７の角部を対角方向へ押圧し、位置決め層材１の開口１ａの２つの部品係止片１ｂとの間で電子部品７を係止する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
（第５の実施形態）
上記第１の実施形態では、図１（ｃ）に示したように、切り欠き３ａの他には、特に何の加工も施されていない、平面視で長方形状のベース層材３を採用した。しかしながら、他の構造を有するベース層材３を採用することも可能である。図１０は本発明の第５の実施形態における搬送フレームのベース層材３を示す平面図である。図１０において、第１の実施形態と対応する構成部分には同一の符号を付している。また、図１０では、位置決め層材１の開口部１ａを点線で示している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
図１６および図１７に示すように、超音波ドライクリーナ３０は、クリーナヘッド３１を備える。クリーナヘッド３１には高圧エアーを供給する高圧エアー配管３２と、ダストを含んだエアーを吸引排出するエアー排出配管３３とが接続されている。クリーナヘッド３１は、図示しない超音波振動子を内蔵するとともに、図１７に示すように、超音波振動が付与された高圧エアーを吐出する吐出口３１ａと、吐出後のダストを含むエアーを吸い込む吸込口３１ｂとを備えている。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月14日(2010.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に複数の発光素子及び複数のトランジスタがマトリクス状に配置された半導体装置において、
前記トランジスタは、
前記基板上のゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の半導体層と、を有し、
前記トランジスタ上に酸化珪素膜からなる第１の絶縁膜が設けられ、
前記半導体層は、Ｔｉを含む金属膜からなるデータ線及び前記発光素子と電気的に接続し、
前記データ線を覆う第２の絶縁膜が設けられ、
前記発光素子は、
前記第２の絶縁膜上の第１の電極と、
前記第１の電極の側面と対向する側面を有する、前記第２の絶縁膜上の第２の電極と、
前記第１の電極の側面と、前記第１の電極の側面と対向する前記第２の電極の側面との間に設けられた発光層と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記トランジスタは逆スタガ型であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板上に複数の発光素子、複数の第１のトランジスタ及び複数の第２のトランジスタがマトリクス状に配置された半導体装置において、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは、
前記基板上のゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の半導体層と、を有し、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタ上に酸化珪素膜からなる第１の絶縁膜が設けられ、
前記第１のトランジスタの前記半導体層は、Ｔｉを含む金属膜からなるデータ線と電気的に接続し、
前記第１のトランジスタの前記半導体層は、前記第２のトランジスタのゲート電極と電気的に接続し、
前記第２のトランジスタの前記半導体層は、電源供給線及び前記発光素子と電気的に接続し、
前記データ線及び前記電源供給線を覆う第２の絶縁膜が設けられ、
前記発光素子は、
前記第２の絶縁膜上の第１の電極と、
前記第１の電極の側面と対向する側面を有する、前記第２の絶縁膜上の第２の電極と、
前記第１の電極の側面と、前記第１の電極の側面と対向する前記第２の電極の側面との間に設けられた発光層と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは逆スタガ型であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記ゲート絶縁膜は酸化窒化珪素膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、前記半導体層はＺｎＯ膜からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記発光層は無機材料を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、前記第１の電極及び前記第２の電極と、前記発光層との間にそれぞれ第３の絶縁膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８において、前記第３の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜よりも屈折率が高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、前記第２の絶縁膜上に反射性を有する金属膜を有し、前記反射性を有する金属膜と前記第１の電極との間、及び前記反射性を有する金属膜と前記第２の電極との間には第４の絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０において、前記第４の絶縁膜の側面は、前記第３の絶縁膜と接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１０又は１１において、前記反射性を有する金属膜は、電気的にフローティング、或いは、前記第１の電極及び前記第２の電極とは異なる電位に固定されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項において、前記発光層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｆから選ばれる少なくとも１種または複数種が添加されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項８、９、１１のいずれか一項において、前記第３の絶縁膜は、プラズマＣＶＤ法またはスパッタ法または塗布法により形成される酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、酸化アルミニウム膜、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）膜から選ばれる単層またはそれらの積層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか一項において、前記第１の電極及び前記第２の電極は、Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｉｎから選ばれる元素を含む導電膜、またはこれらの積層膜であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月20日(2010.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
監視範囲に侵入する対象物を検出する方法であって、
監視範囲上にパターンを投影するステップと、
前記パターンを含む、前記監視範囲の生の像を捕捉するステップと、
ある変化が前記生の像内の前記パターンで検出されたとき、前記監視範囲に侵入する対象物を検出するステップと、を備え、
前記投影するステップは、それぞれが１つの輝度レベルを持つ、明るい範囲及び暗い範囲を有する指定されたパターンを用いて監視範囲上にパターンを投影するステップと、
前記捕捉するステップは、各参照マスク窓が前記監視範囲の少なくとも一部をカバーする、複数の参照像マスク窓を捕捉するステップと、各参照像マスク窓に対して、前記マスク窓内の明るい範囲に対応する輝度レベルと前記マスク窓内の暗い範囲に対応する輝度レベルとの間の差を計算するステップと、各参照像マスク窓に対して、対応する生の像マスク窓を捕捉するステップと、各生の像マスク窓に対して、前記マスク窓内の明るい範囲に対応する輝度レベルと前記マスク窓内の暗い範囲に対応する輝度レベルとの間の差を計算するステップを含み、
前記検出するステップは、任意のマスク窓に対して、前記生の像のために計算された差が対応する参照像のために計算された差から少なくとも指定された閾値だけ異なる場合、対象物が監視範囲に侵入したことを指示するステップと、
を備える方法。
【請求項２】
前記投影するステップは、監視範囲に第１のパターン用いて照明するステップと、前記第１のパターンに対してシフトされた第２のパターンを加えることにより、モアレ干渉バンドを生成するステップを含み、
前記捕捉するステップは、前記モアレ干渉バンドを含む、前記監視範囲の生の像を捕捉するステップを含み、
前記検出するステップは、ある変化が前記生の像内の前記モアレ干渉バンドで検出されたとき、前記監視範囲に侵入する対象物を検出するステップを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
監視範囲における対象物を検出する方法であって、
明るい範囲と暗い範囲を有する指定されたパターンをもつ前記監視範囲を照明するステップと、
前記監視範囲における複数のマスク窓を画定するステップと、各マスク窓は少なくとも一部の前記監視範囲をカバーし且つ複数の明るい範囲と暗い範囲を含み、
前記複数のマスク窓の参照像を捕捉するステップと、
前記複数のマスク窓の生の像を捕捉するステップと、
任意の前記複数のマスク窓に対する前記生の像が対応する参照像から少なくとも指定された閾値だけ異なる場合、対象物を検出するステップと、
を含む方法。
【請求項４】
同様のひとつの前記マスク窓の前記生の像が対応する参照像から少なくとも指定された閾値だけ異なる場合、対象物が検出される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記複数のマスク窓のひとつに使用される前記閾値は前記複数のマスク窓の別のひとつに使用される前記閾値から異なる、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記検出するステップは各マスク窓に対し前記生の像と前記参照像の間の差を計算し、前記差を閾値と比較するステップを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記複数のマスク窓の参照像は周期的に更新される、請求項３に記載の方法。
【請求項８】
対象物が前記検出するステップにより検出される時に警報を鳴らすステップをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項９】
対象物が前記検出するステップにより検出される時に機械を停止するステップをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項１０】
前記照明するステップは、１以上のモアレ干渉バンドを生成するために、第１の指定されたパターンと第２の指定されたパターンにより前記監視範囲を照明するステップを含む、請求項３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月4日(2010.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体に組付け固定され、動作電源を供給する電池と、
火災を検出するセンサ部と、
警報動作を確認するスイッチと、
前記センサ部の検出信号から火災を判断して警報を出力させると共に、前記スイッチからの操作信号に基づいて警報動作を確認する監視制御部の機能を備え、前記監視制御部を動作させる監視モードと前記監視制御部の動作を停止させる低消費電力モードとに切替え設定可能なＣＰＵと、
前記電池からの電源供給を受けた状態で前記ＣＰＵに対し前記低消費電力モードを工場出荷時に設定し、前記低消費電力モードの設定中に、前記スイッチによる所定の操作信号を判別した場合に、前記監視モードに切替えるモード設定部と、
を設けたことを特徴とする警報器。
【請求項２】
請求項１記載の警報器に於いて、前記モード設定部は、更に、前記低消費電力モードの設定中に、外部接続された他の警報器からの移報連動信号を受信した場合に、前記監視モードに切替えることを特徴とする警報器。
【請求項３】
請求項１記載の警報器に於いて、
前記ＣＰＵは、電源投入時にリセット信号が入力されるリセットポートと、低消費電力モード設定端子が接続された汎用ポートと、前記スイッチからの操作信号が入力される第１割込ポートと、外部接続された他の警報器からの移報連動信号が入力される第２割込ポートとを備え、
前記モード設定部は、電源投入時に前記リセットポートに入力されるリセット信号によるイニシャル処理で前記監視モードを設定し、前記監視モードの設定中に前記低消費電力モード設定端子をショート線を用いて接地接続した際の前記汎用ポートの信号状態を判別して前記低消費電力モードを設定し、前記低消費電力モードの設定中に前記スイッチから前記第１割込ポートに入力される所定の操作信号を判別した場合又は外部接続された他の警報器から前記第２割込ポートに移報連動信号が入力された場合に前記監視モードに切替え、
前記監視制御部は、前記監視モードの設定中に前記スイッチから前記第１割込ポートに入力される操作信号に基づいて警報動作を確認することを特徴とする警報器。
【請求項４】
動作電源を供給する電池と、
所定の操作を入力するスイッチと、
監視及び警報動作を行う監視制御部と、
前記スイッチからの操作信号に基づいて前記監視制御部を動作させる監視モードと前記監視制御部の動作を停止させる低消費電力モードとに切替え設定可能なＣＰＵと、
前記電池からの電源供給を受けた状態で前記ＣＰＵに対し前記低消費電力モードを設定し、前記低消費電力モードの設定中に、前記スイッチによる所定の操作信号を判別した場合に、前記監視モードに切替えるモード設定部と、
を設けたことを特徴とする警報器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この目的を達成するため本発明は次のように構成する。本発明の警報器は、
筐体に組付け固定され、動作電源を供給する電池と、
火災を検出するセンサ部と、
警報動作を確認するスイッチと、
センサ部の検出信号から火災を判断して警報を出力させると共に、スイッチからの操作信号に基づいて警報動作を確認する監視制御部の機能を備え、監視制御部を動作させる監視モードと監視制御部の動作を停止させる低消費電力モードとに切替え設定可能なＣＰＵと、
電池からの電源供給を受けた状態でＣＰＵに対し低消費電力モードを工場出荷時に設定し、低消費電力モードの設定中に、スイッチによる所定の操作信号を判別した場合に、監視モードに切替えるモード設定部と、
を設けたことを特徴とする。
モード設定部は、更に、低消費電力モードの設定中に、外部接続された他の警報器からの移報連動信号を受信した場合に、監視モードに切替える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
ここでＣＰＵは、電源投入時にリセット信号が入力されるリセットポートと、低消費電力モード設定端子が接続された汎用ポートと、スイッチからの操作信号が入力される第１割込ポートと、外部接続された他の警報器からの移報連動信号が入力される第２割込ポートとを備える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
モード設定部は、電源投入時にリセットポートに入力されるリセット信号によるイニシャル処理で監視モードを設定し、監視モードの設定中に低消費電力モード設定端子をショート線を用いて接地接続した際の汎用ポートの信号状態を判別して低消費電力モードを設定し、低消費電力モードの設定中にスイッチから第１割込ポートに入力される所定の操作信号を判別した場合又は外部接続された他の警報器から第２割込ポートに移報連動信号が入力された場合に監視モードに切替える。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
監視制御部は、監視モードの設定中にスイッチから第１割込ポートに入力される操作信号に基づいて警報動作を確認する。
また本発明の警報器は、
動作電源を供給する電池と、
所定の操作を入力するスイッチと、
監視及び警報動作を行う監視制御部と、
スイッチからの操作信号に基づいて監視制御部を動作させる監視モードと監視制御部の動作を停止させる低消費電力モードとに切替え設定可能なＣＰＵと、
電池からの電源供給を受けた状態でＣＰＵに対し低消費電力モードを設定し、低消費電力モードの設定中に、スイッチによる所定の操作信号を判別した場合に、監視モードに切替えるモード設定部と、
を設けたことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
なお上記の実施形態にあっては、メーカー出荷時の低消費電力モードとしてＣＰＵ３６のクロック発振動作を停止するストップモードに設定する場合を例にとっているが、ストップモード以外に、警報器における消費電力を低減するための動作モードであれば適宜の動作モードを設定してもよい。例えばＣＰＵの発振クロックを停止する代わりにクロック発振周波数を低下させたり、消費電力の大きな回路部の動作のみを停止させることで低消費電力モードとしてもよい。また上記の実施形態は警報動作を確認するスイッチとして点検スイッチを例にとるが、任意のスイッチとすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月15日(2010.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
図３は、画像からテクスチャ成分と陰影とに分離する方法を説明する図である。画像を１次元で考えた場合について例示している。横軸が座標を表し、縦軸が各座標での輝度値を表す。図３（ａ)は、分離前の画像の例を示す。図３（ｂ），（ｃ）はCenter/Surround Retinex法を用いて図３（ａ）に示した画像を分離した例を示す。Center/Surround Retinex法を用いた場合は、輝度差の大きなエッジはテクスチャ成分に保存される。図３（ｂ）は分離された陰影成分を、図３（ｃ）は分離されたテクスチャ成分を示す。図３（ｄ），（ｅ）は骨格／テクスチャ分離法を用いて図３（ａ）に示した画像を分離した例を示す。図３（ｄ）は分離された陰影成分を、図３（ｅ）はテクスチャ成分を示す。骨格／テクスチャ分離法を用いた場合は、陰影成分に強度の大きなエッジが保存される。いずれの手法を用いた場合にも、図３（ａ）に示した画像の輝度の大まかな変化パターンを除去したテクスチャ成分を得ることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
入力画像Ｉ＝照明成分Ｕ×反射成分Ｖ  （１１）
【数１０】
2010211300.tif 000001
まず、照明成分Uは式(１２)で推定される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
図６に示すように、探索領域内でテンプレート領域と最も画素値の変化パターンが類似する領域を探索する。画素値の変化パターンが最も類似する領域で、テンプレート領域の(Ik, Jk )に対応する画素（図６の斜線画素）の輝度値をテクスチャ画像１０８の座標(Ik, Jk )の輝度値に割り当てる。テンプレート領域と最も類似した領域を探索領域中で探索する際には、例えば領域内の画素ごとの誤差の二乗和が最小となる領域を選択する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
本実施形態の画像処理装置によれば、変換対象画像１０６に含まれるテクスチャ成分と類似したパターンで周波数のみを高くしたテクスチャ成分を付加した合成画像１１０を生成することが可能となる。これにより、変換対象画像１０６のテクスチャのきめ細かさを向上させる効果がある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
本実施形態の画像処理装置によれば、変換対象画像に含まれる高周波テクスチャ成分と類似したパターンを拡大画像に付加することが可能となる。変換対象画像に含まれるテクスチャ成分は、拡大後の画像に含まれるテクスチャ成分よりも周波数が高いため、拡大画像中のテクスチャのきめ細かさを向上させる効果がある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
［第５の実施形態］
本実施形態では、変換対象画像の陰影を除去した画像からテクスチャ成分の振幅を減衰させた画像をサンプルテクスチャ画像とする点が異なる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
振幅調整部１３０３では、陰影除去部１３０２の出力の輝度振幅を減衰させて、振幅を調整し、サンプルテクスチャ画像１３０２を生成する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
S１４０１では、陰影除去部１３０２の出力の輝度振幅を減衰させて、振幅調整しサンプルテクスチャ画像１０７を生成する。輝度振幅の減衰は、サンプルテクスチャ画像の画素値をV、振幅調整後サンプルテクスチャ画像の画素値をV'としたとき、式（１９）または式（２０）で行う。ここで、aは振幅調整係数であり、例えば振幅を1/2に減衰させる場合にはa=0.5となる。陰影除去部１３０２が、加算型骨格／テクスチャ分離法、またはε-フィルタ画像など、画像を加算の形で分離する手法を用いた場合には式（１９）を用いる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
本実施形態の画像処理装置によれば、土台画像に合成されるテクスチャ画像のテクスチャ成分の振幅を変換対象画像のテクスチャ成分とは異なる振幅とすることが可能となる。これにより、同じ周波数であっても変換対象画像とは印象の異なるテクスチャ成分を付加した合成画像を生成することができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2010211300.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月7日(2009.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
従来より、加熱手段を備えた耐圧容器として、電気ヒータを用い、耐圧容器内の液体を加熱するようにした構造のものや、加熱用の蒸気を用い、耐圧容器を内缶と外缶の二重構造として、内缶と外缶の間へ蒸気を導入して耐圧容器内の液体を加熱するようにした構造のものが知られており、洗浄装置や除菌装置等に広く使用されている（例えば、特許文献１，２参照。）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
かかる加熱手段を備えた耐圧容器による運転は、一般に、電気ヒータや蒸気により耐圧容器内の液体を耐圧容器の壁面から加熱し、そして、加熱する液体の温度制御は電気ヒータや蒸気を調整することにより行っていた。
【特許文献１】特開２００１−７０４０９号公報
【特許文献２】特開２００３−５３３２６号公報