Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月27日(2010.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影画角を変更するズーム機能を有する撮影レンズと、
前記撮影レンズによる被写体の光学像を画像信号に変換する撮像手段
とを備える撮像装置であって、
前記撮像装置の加速度を検出する加速度検出手段と、
前記加速度検出手段の出力に基づき、前記被写体が前記撮影画角から外れたと判断された場合に、前記撮影レンズを広角側に駆動する制御手段
とを有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記加速度検出手段の出力から前記撮像装置の移動量を算出し、前記加速度が加速度の閾値を超え、且つ、前記移動量が移動量の閾値を超える場合に、前記被写体が前記撮影画角から外れたと判断することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
撮影画角を変更するズーム機能を有する撮影レンズと、
前記撮影レンズによる被写体の光学像を画像信号に変換する撮像手段
とを備える撮像装置であって、
前記撮像装置の加速度を検出する加速度検出手段と、
前記加速度検出手段の出力から前記撮像装置の移動量を算出し、前記加速度が加速度の閾値を超え、且つ、前記移動量が移動量の閾値を超える場合に、前記撮影レンズを広角側に駆動する制御手段
とを有することを特徴とする撮像装置。
【請求項４】
前記加速度の閾値と前記移動量の閾値は前記撮影レンズの焦点距離が望遠側にあるほど小さい値になるように設定されることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記撮影レンズの焦点距離と、前記加速度検出手段の出力に基づいて算出した前記撮像装置の移動量とに従い、前記撮影レンズの駆動量を算出し、前記駆動量だけ前記撮影レンズを広角側に駆動することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記加速度検出手段の出力に従い、前記被写体を前記撮影画角内に入れるために撮影者が前記撮像装置を移動させるべき方向を表示する手段を備えることを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、撮像装置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る撮像装置は、撮影画角を変更するズーム機能を有する撮影レンズと、前記撮影レンズによる被写体の光学像を画像信号に変換する撮像手段とを備える撮像装置であって、前記撮像装置の加速度を検出する加速度検出手段と、前記加速度検出手段の出力に基づき、前記被写体が前記撮影画角から外れたと判断された場合に、前記撮影レンズを広角側に駆動する制御手段とを有することを特徴とする。
本発明に係る撮像装置は、撮影画角を変更するズーム機能を有する撮影レンズと、前記撮影レンズによる被写体の光学像を画像信号に変換する撮像手段とを備える撮像装置であって、前記撮像装置の加速度を検出する加速度検出手段と、前記加速度検出手段の出力から前記撮像装置の移動量を算出し、前記加速度が加速度の閾値を超え、且つ、前記移動量が移動量の閾値を超える場合に、前記撮影レンズを広角側に駆動する制御手段とを有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
図２を参照して、動画撮影中の処理を説明する。撮影中であれば（Ｓ１）、ＣＰＵ３８は、加速度センサ４０の検出出力から加速度αを取得し（Ｓ２）、過去に取得した加速度データを用いて、過去一定時間内のデジタルビデオカメラ１０の移動量ｄを算出する（Ｓ３）。現在の加速度αが、加速度閾値αｔｈ（ｆｐｒｅｖ）を超え（Ｓ４）、かつ、移動量ｄが移動量閾値ｄｔｈ（ｆｐｒｅｖ）を超えている場合（Ｓ５）、ＣＰＵ３８は、外部衝撃によってぶれが発生していると判断する。ＣＰＵ３８によるステップＳ３，Ｓ４の処理は、特許請求の範囲における被写体移動検出手段に相当する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月31日(2010.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記所定の波長が、10ｎｍ以上の帯域幅を有するものであることを特徴とする請求項１または２記載の負分散ミラー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記所定の波長の中心波長をλとしたとき、
前記ミラー機能層部を構成する各層の光学膜厚が、λ／８以上かつλ／２未満の厚さであることを特徴とする請求項１から６いずれか１項記載の負分散ミラー。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記ミラー機能層部は、相対的に高い屈折率を有する層と、相対的に低い屈折率を有する層とが交互に５層以上積層されてなるものであることを特徴とする請求項１から７いずれか１項記載の負分散ミラー。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
共振器と、
該共振器内に配置された固体レーザ媒質と、
前記共振器内に配置されたモード同期素子とを備え、
前記共振器の一端を構成する出力ミラーが、請求項１から１１いずれか１項記載の負分散ミラーであることを特徴とするモード同期固体レーザ装置。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、特許文献５においては、出力ミラーに負分散機能を持たせるものが提案されているが、特許文献５では、出力ミラーとして用いる場合の光透過率、負分散量などについての具体的な記載がされておらず、また、ミラーを構成する膜について具体的な記載がない。特許文献３においても、出力ミラーに誘電体多層膜を設けることによって周波数チャープ補償ができる旨の記載があるが、具体的な実施例として挙げられている多層膜の負分散量は非常に小さいため１素子のみでは十分な負分散が得られず、また、反射率は99.9％以上でほぼ100％のものであることから、ほとんど出力光が得られず、出力ミラーとしての機能が十分でない。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月9日(2010.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、それぞれ第１層、ベース層、及び、第２層を順に有し、前記第１層、及び、前記第２層の一方がコレクタ層であり、他方がエミッタ層であるトランジスタセルを複数含み、前記各トランジスタセルの前記第１層に接続される第１電極が、前記第１層に形成されたエッチング溝に形成された半導体装置において、  前記エッチング溝は、その長手方向に沿った側面が順メサ面となっており、複数のトランジスタセル間の前記第１電極が、前記各順メサ面に交差するように設けられた、まとめ配線によって接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上に、それぞれ第１層、ベース層、及び、第２層を順に有し、前記第１層、及び、前記第２層の一方がコレクタ層であり、他方がエミッタ層であるトランジスタセルを複数含み、前記各トランジスタセルの前記第１層に接続される第１電極が、前記第１層に形成されたエッチング溝に形成された半導体装置において、前記エッチング溝は、その長手方向に沿った側面が順メサ面となっており、隣接するトランジスタセル間の前記エッチング溝が、前記第１層に設けられた第２エッチング溝によって繋がっており、複数のトランジスタセル間の前記第１電極が、前記第２エッチング溝に設けられた第２電極によって接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記基板、第１層、ベース層、及び、第２層の少なくとも１層が化合物半導体よりなることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１層が、ＧａＡｓよりなる層であり、前記エッチング溝の長手方向が、前記第１層の［０１−１］方向に平行な方向であることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１層がコレクタ層とサブコレクタ層からなり、前記エッチング溝が前記コレクタ層を貫通し、前記第１の電極が前記サブコレクタ層と接触していることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体層。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置を第１半導体装置とし、該第１半導体装置のトランジスタセルと同じ基板の上に形成され、前記第１半導体装置のトランジスタセルのエッチング溝に対し、基板に平行な平面で略９０°回転したエッチング溝を備えた複数の第２トランジスタセルを有する第２半導体装置を含むことを特徴とする半導体集積回路装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月18日(2010.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられたスパイラル状のコイルと、
前記コイルの内側に設けられ、前記コイルの表面の光の反射率より高い光の反射率を有し、複数に分割された導電性パターンと、
を具備することを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記コイルは、縦方向に離間して設けられ互いに電気的に接続された複数のコイルであることを特徴とする請求項１記載の電子部品。
【請求項３】
前記複数に分割された導電性パターンは、位置確認用マーカであることを特徴とする請求項１または２記載の電子部品。
【請求項４】
前記複数に分割された導電性パターンは、画像認識用パターンであることを特徴とする請求項１または２記載の電子部品。
【請求項５】
前記複数の分割された導電性パターンそれぞれの形状は、円形、方形、三角形、菱形および楕円形のいずれかであることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載の電子部品。
【請求項６】
前記基板上に設けられたキャパシタを具備し、
前記導電性パターンは、前記キャパシタの下部電極と同じ材料からなることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項記載の電子部品。
【請求項７】
前記コイルはめっき層からなることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項記載の電子部品。
【請求項８】
基板と、
前記基板上に設けられたスパイラル状のコイルと、
前記コイルの外周から前記コイルの半径の距離以内に設けられ、前記コイルの表面の光の反射率より高い光の反射率を有し、複数に分割された位置確認用マーカである導電性パターンと、を具備し、
前記導電性パターンは画像認識用パターンであることを特徴とする電子部品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、基板と、前記基板上に設けられたスパイラル状のコイルと、前記コイルの外周から前記コイルの半径の距離以内に設けられ、前記コイルの表面の光の反射率より高い光の反射率を有し、複数に分割された位置確認用マーカである導電性パターンと、を具備し、前記導電性パターンは画像認識用パターンであることを特徴とする電子部品である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月24日(2010.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、前記半導体基板上に形成される絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成される第１のインダクタと、を備える半導体装置であって、
前記半導体基板と前記絶縁膜との間に第２のインダクタが形成され、平面視において前記第２のインダクタと重なる場所には、前記第１のインダクタが放出した磁力線を減衰させる第１のシールド膜を有し、
前記第２のインダクタが前記第１のシールド膜により変化するインダクタンスを補正する第３のインダクタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記第２のインダクタと前記第３のインダクタとが電気的に直列接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置であって、
平面視において前記第３のインダクタと重なる場所には、前記第１のインダクタが放出した磁力線を減衰させる第２のシールド膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置であって、
前記半導体基板と前記絶縁膜との間に、さらにパッシベーション膜を有し、
前記第３のインダクタはパッシベーション膜上に形成され、前記第２のシールド膜は前記絶縁膜上に形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置であって、
前記第１のシールド膜は導電膜により形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置であって、
前記第１のシールド膜は磁性膜により形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項５に記載の半導体装置であって、
二つの前記第１のシールド膜は前記絶縁膜を挟んで配置され、二つの前記第１のシールド膜がキャパシタ電極を兼ねたキャパシタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の半導体装置であって、
前記第３のインダクタは前記絶縁膜上に形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
半導体基板と、前記半導体基板上に形成される絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されるインダクタと、を備える半導体装置であって、
前記半導体基板上には内部インダクタが形成され、前記内部インダクタと対向する場所には、前記インダクタが放出した磁力線を減衰させる内部用シールド膜を有し、
前記内部インダクタが前記内部用シールド膜により変化するインダクタンスを補正する補正インダクタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体装置であって、
前記内部インダクタと前記補正インダクタとが電気的に直列接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体装置であって、
前記補正インダクタと対向する場所には、前記インダクタが放出した磁力線を減衰させる補正用シールド膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の半導体装置であって、
前記半導体基板と前記絶縁膜との間に、さらにパッシベーション膜を有し、
前記補正インダクタはパッシベーション膜上に形成され、前記補正用シールド膜は前記絶縁膜上に形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項９に記載の半導体装置であって、
前記内部用シールド膜は導電膜により形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項９に記載の半導体装置であって、
前記内部用シールド膜は磁性膜により形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１３に記載の半導体装置であって、
前記半導体基板と前記絶縁膜との間に、さらにパッシベーション膜を有し、
前記内部用シールド膜は前記絶縁膜を挟んで配置され、前記内部用シールド膜がキャパシタ電極を兼ねたキャパシタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項９に記載の半導体装置であって、
前記補正インダクタは前記絶縁膜上に形成されることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月22日(2010.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の主面を有し絶縁材料からなるフレキシブルなベースシートを備え、
前記ベースシートには、前記一方の主面に第１の配線パターンが配設された片面配線領域と、前記一方の主面に前記第１の配線パターンが配設されて他方の前記主面に第２の配線パターンが配設された両面配線領域とが形成され、
前記両面配線領域に搭載される電子部品を搭載する際の位置決めの基準となるアライメントマークが、前記片面配線領域に設けられていることを特徴とするフレキシブル配線基板。
【請求項２】
前記ベースシートには、表示パネルに接続される出力側接続端子部と、前記表示パネルの駆動装置に接続される入力端子部とが形成され、
前記ベースシートの一端部から他端部にかけて、前記出力側接続端子部、前記片面配線領域、前記両面配線領域及び前記入力端子部が順に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブル配線基板。
【請求項３】
前記一方の主面又は前記他方の主面に搭載される前記電子部品に対応する前記アライメントマークが、当該電子部品が搭載される主面に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のフレキシブル配線基板。
【請求項４】
前記電子部品が前記一方の主面に搭載され、当該電子部品に対応する前記アライメントマークが、前記一方の主面に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のフレキシブル配線基板。
【請求項５】
請求項１乃至４に記載のフレキシブル配線基板と、
前記フレキシブル基板の前記出力側接続端子部に接続された表示パネルと、
前記表示パネルの背面側に配置された面光源と、を備え、
前記ベースシートは、前記両面配線領域及び前記入力端子部が前記面光源の背面側に配置されるように折り返され、前記片面配線領域が湾曲されていることを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】フレキシブル配線基板及びそれを備える液晶表示装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
この発明は、表裏両主面に配線パターンが配設されたフレキシブル配線基板は及びそれを備える液晶表示装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の目的は、高密度実装に適する部品搭載位置の位置決め用認識マークを設けた両面搭載型のフレキシブル配線基板及びそれを備える液晶表示装置を提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
以上の課題を解決するため、本発明の一態様によれば、一対の主面を有し絶縁材料からなるフレキシブルなベースシートを備え、前記ベースシートには、前記一方の主面に第１の配線パターンが配設された片面配線領域と、前記一方の主面に前記第１の配線パターンが配設されて他方の前記主面に第２の配線パターンが配設された両面配線領域とが形成され、前記両面配線領域に搭載される電子部品を搭載する際の位置決めの基準となるアライメントマークが、前記片面配線領域に設けられていることを特徴とするフレキシブル基板が提供される。
上記のフレキシブル基板は、好ましくは、前記ベースシートには、表示パネルに接続される出力側接続端子部と、前記表示パネルの駆動装置に接続される入力端子部とが形成され、
前記ベースシートの一端部から他端部にかけて、前記出力側接続端子部、前記片面配線領域、前記両面配線領域及び前記入力端子部が順に形成されている。
上記のフレキシブル基板は、好ましくは、前記一方の主面又は前記他方の主面に搭載される前記電子部品に対応する前記アライメントマークが、当該電子部品が搭載される主面に形成されている。
上記のフレキシブル基板は、好ましくは、前記電子部品が前記一方の主面に搭載され、当該電子部品に対応する前記アライメントマークが、前記一方の主面に形成されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明の他の態様によれば、一対の主面を有し絶縁材料からなるフレキシブルなベースシートを備え、前記ベースシートには、前記一方の主面に第１の配線パターンが配設された片面配線領域と、前記一方の主面に前記第１の配線パターンが配設されて他方の前記主面に第２の配線パターンが配設された両面配線領域とが形成され、前記両面配線領域に搭載される電子部品を搭載する際の位置決めの基準となるアライメントマークが、前記片面配線領域に設けられたフレキシブル配線基板と、前記フレキシブル基板の前記出力側接続端子部に接続された表示パネルと、前記表示パネルの背面側に配置された面光源と、を備え、前記ベースシートは、前記両面配線領域及び前記入力端子部が前記面光源の背面側に配置されるように折り返され、前記片面配線領域が湾曲されていることを特徴とする液晶表示装置が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月2日(2010.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
次に、本発明に係る固体撮像装置をＣＭＯＳ固体撮像装置（イメージセンサ）に適用した実施形態について説明する。
図３に、本実施形態に係るＣＭＯＳ固体撮像装置の一実施の形態の概略構成を示す。本発明実施の形態に係る固体撮像装置２１は、半導体基板例えばシリコン基板上に、複数の光電変換部を含む画素２２が規則的に２次元アレイ状に配列された撮像領域２３と、その周辺回路としての垂直駆動回路２４と、カラム信号処理回路２５と、水平駆動回路２６と、出力回路２７と、制御回路２８等を有して構成される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
すなわち、本実施の形態における画素２２は、第１導電型である例えばｎ型の半導体基板（例えばシリコン基板）３２に第２導電型である例えばｐ型の半導体ウェル領域４１が形成され、例えばｐ型半導体領域で形成された画素分離領域３９で区画されたｐ型半導体ウェル領域４１に、光電変換部３８、例えばフォトダイオードＰＤを含む受光領域３１と、複数の画素トランジスタＴｒが形成されて成る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
光電変換部８となるフォトダイオードＰＤは、ｐ型半導体ウェル領域１４と、電荷蓄積領域６ａを有するｎ型半導体層６と、このｎ型半導体層６に接するｐ型半導体層１５、ｐ＋アキュミュレーション層となるｐ型半導体層７とにより構成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
なお、図８Ａ、図９の受光領域５２，５６をＣＭＯＳ固体撮像装置の受光領域に適用したときには、図１０の上面図で示す構成とすることが望ましい。すなわち、受光領域５２，５６の中央部にｎ型の電荷蓄積部１６が形成され、この電荷蓄積部１６から離れた位置、例えば四角形状の受光領域としたときには、四角形状の角部が切除された部分に対向してＦＤ部であるｎ型半導体層４２を配置し、四角形状の角部が切除された部分とＦＤ部との間に対応して転送トランジスタのゲート電極４３が形成されるように構成することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
第５実施の形態に係る受光領域５７によれば、前述と同様に、光電変換で生成された電子・正孔対のうちの電子ｅに、正孔ｈにより供給される電子ｅ′が加算されることにより、画素面積の微細化に伴い受光面積が小さくなっても、感度を向上することができる。この受光領域５７は、電荷蓄積部１６が基板表面側に形成されているので、特に、青の波長光に対する感度が向上する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
第６実施の形態に係る受光領域５３では、図１２Ｂのポテンシャル分布図に示すように、第３実施の形態と同様に、光電変換部８より光入射側、すなわち基板表面のｎ型の電荷蓄積部１６におけるポテンシャルディップ（電子に対するポテンシャルディップ）１２に、絶縁膜１０との界面から常時、電子ｅ′が蓄積される。ポテンシャルディップ１２から溢れた電子ｅ′は、基板表面（絶縁膜１０との界面）から排出される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
第６実施の形態に係る画素の受光領域５３によれば、第３実施の形態と同様に、光電変換で生成された電子・正孔対のうちの電子ｅに、正孔ｈにより供給される電子ｅ′が加算されることにより、画素面積の微細化に伴い受光面積が小さくなっても、感度を向上することができる。この受光領域５３は、電荷蓄積部１６が基板表面側に形成されているので、特に、青の波長光に対する感度が向上する。この受光領域５３は製造が容易になる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
第７実施の形態に係る画素の受光領域５４によれば、光電変換で生成された電子・正孔対のうちの電子ｅに、正孔ｈにより供給される電子ｅ′が加算されることにより、画素面積の微細化に伴い受光面積が小さくなっても、感度を向上することができる。この受光領域５４は、電荷蓄積部１６が基板厚み方向の中間に形成されているので、特に、緑の波長光に対する感度が向上する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月28日(2010.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理液によって洗浄処理する処理装置であって、
表面張力が水よりも小さな液体からなる処理液が貯留される処理槽と、
上記基板のデバイス面を下に向けて保持して上記処理槽に対し相対的に上下方向に駆動され下降方向に駆動されたときに上記デバイス面を上記処理槽の処理液に浸漬させる保持機構と、
上記処理槽に貯留された処理液に超音波振動を付与する超音波付与手段と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置。
【請求項２】
上記超音波付与手段は、上記保持機構に保持された基板の板面に対して垂直方向に超音波振動を付与することを特徴とする請求項１記載の基板の処理装置。
【請求項３】
上記処理液はナノバブル水であることを特徴とする請求項１記載の基板の処理装置。
【請求項４】
上記超音波付与手段は所定の範囲の周波数の超音波振動を処理液に付与することを特徴とする請求項１記載の基板の処理装置。
【請求項５】
上記保持機構は、上記基板を保持する保持部と、この保持部を上下方向及び回転方向に駆動する駆動手段を備えていることを特徴とする請求項１記載の基板の処理装置。
【請求項６】
基板を処理槽に貯えられた表面張力が水よりも小さな液体からなる処理液によって洗浄処理する処理方法であって、
上記基板のデバイス面を下に向けて保持する工程と、
上記基板のデバイス面を上記処理槽に貯えられた処理液に浸漬する工程と、
デバイス面が浸漬された上記処理液に超音波振動を付与する工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法。
【請求項７】
デバイス面が洗浄された上記基板を上記処理槽から上昇させる工程と、
上記処理槽から上昇させた基板を回転させて乾燥処理する工程と
具備したことを特徴とする請求項６記載の基板の処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この発明は、基板を処理液によって洗浄処理する処理装置であって、
表面張力が水よりも小さな液体からなる処理液が貯留される処理槽と、
上記基板のデバイス面を下に向けて保持して上記処理槽に対し相対的に上下方向に駆動され下降方向に駆動されたときに上記デバイス面を上記処理槽の処理液に浸漬させる保持機構と、
上記処理槽に貯留された処理液に超音波振動を付与する超音波付与手段と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置にある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記処理液はナノバブル水であることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
この発明は、基板を処理槽に貯えられた表面張力が水よりも小さな液体からなる処理液によって洗浄処理する処理方法であって、
上記基板のデバイス面を下に向けて保持する工程と、
上記基板のデバイス面を上記処理槽に貯えられた処理液に浸漬する工程と、
デバイス面が浸漬された上記処理液に超音波振動を付与する工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法にある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
この発明によれば、基板のデバイス面を下に向けて処理槽の超音波振動が付与される処理液に浸漬して洗浄処理するようにした。
そのため、処理液は上記基板のデバイス面の回路パターン間に入り込み易くなるから、デバイス面の洗浄を確実に行うことができ、しかも回路パターン間の隙間に処理液が入り込み易いから、その隙間に入り込んだ処理液によって回路パターンが補強され、処理液から受ける外力によって倒れるのを防止することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月23日(2010.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の表面部に複数の画素が二次元アレイ状に形成され該半導体基板の裏面側から入射する被写界光の入射光量に応じて発生する信号電荷を前記画素が蓄積する裏面照射型固体撮像素子の製造方法において、前記半導体基板の前記裏面側に反射防止膜を積層し、前記半導体基板の受光面の中央部分に設ける前記反射防止膜の膜厚を厚く、周辺部分に設ける前記反射防止膜の膜厚を薄く形成したことを特徴とする裏面照射型固体撮像素子の製造方法。
【請求項２】
前記膜厚は、該反射防止膜を透過する光の光路長が該光の波長をλとしたときλ／４またはその奇数倍となるように形成したことを特徴とする請求項１に記載の裏面照射型固体撮像素子の製造方法。
【請求項３】
前記反射防止膜の上にカラーフィルタが前記画素対応に形成され、該画素毎の前記反射防止膜の膜厚が該画素毎の前記カラーフィルタの色別に形成されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の裏面照射型固体撮像素子の製造方法。
【請求項４】
前記カラーフィルタを透過する光の波長が長いほど前記膜厚を厚くすることを特徴とする請求項３に記載の裏面照射型固体撮像素子の製造方法。
【請求項５】
前記カラーフィルタの或る色の画素に対応して設けた前記反射防止膜の膜厚をｎ・λ／４（ｎは奇数、λは入射光の波長）としたとき、該色と異なる色の前記カラーフィルタが設けられた隣接画素に対応して設けた前記反射防止膜の膜厚を、ｍ・λ／４（ｍ≠ｎの奇数）としたことを特徴とする請求項３または請求項４に記載の裏面照射型固体撮像素子の製造方法。
【請求項６】
前記半導体基板から見て最初に形成する平坦化膜であって、前記反射防止膜の段差を吸収する平坦化膜を、該平坦化膜の上層，下層に設けられる材料の屈折率と該平坦化膜の屈折率との差が最も小さくなる層間に該平坦化膜を設けたことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の裏面照射型固体撮像素子の製造方法。
【請求項７】
前記半導体基板がシリコンであり、前記反射防止膜が窒化シリコンの単層膜であることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の裏面照射型固体撮像素子の製造方法。
【請求項８】
前記反射防止膜が多層膜であることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の裏面照射型固体撮像素子の製造方法。
【請求項９】
前記カラーフィルタの代わりに、該カラーフィルタが透過する光の波長のみ選択的に透過し他の波長域の光を反射する前記反射防止膜を設けたことを特徴とする請求項３に記載の裏面照射型固体撮像素子の製造方法。
【請求項１０】
半導体基板の表面部に複数の画素が二次元アレイ状に形成され該半導体基板の裏面側から入射する被写界光の入射光量に応じて発生する信号電荷を前記画素が蓄積する裏面照射型固体撮像素子において、請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の製造方法で製造したことを特徴とする裏面照射型固体撮像素子。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月17日(2010.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、２つ以上の不飽和基を置換基として有するカゴ型シルセスキオキサン化合物を重合させた高分子化合物と重合開始剤とを含有する膜構造を形成した後、紫外線照射により前記膜を硬化することによって形成されたことを特徴とする半導体デバイスの絶縁膜。
【請求項２】
前記重合開始剤がアゾ化合物であることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイスの絶縁膜。
【請求項３】
前記膜構造中の未反応のカゴ型シルセスキオキサン化合物が１５質量％以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイスの絶縁膜。
【請求項４】
前記膜構造にさらに熱分解温度が３００℃以上である熱分解性有機化合物を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイスの絶縁膜。
【請求項５】
紫外線照射の際にさらに膜を４５０℃以下の温度で加熱しながら硬化することを特徴とする請求項４に記載の半導体デバイスの絶縁膜。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明者らは、鋭意検討の結果、上記課題が下記の手段により解決されることを見出した。
（１）基板上に、２つ以上の不飽和基を置換基として有するカゴ型シルセスキオキサン化合物を重合させた高分子化合物と重合開始剤とを含有する膜構造を形成した後、紫外線照射により前記膜を硬化することによって形成されたことを特徴とする半導体デバイスの絶縁膜。
（２）前記重合開始剤がアゾ化合物であることを特徴とする前記（１）に記載の半導体デバイスの絶縁膜。
（３）前記膜構造中の未反応のカゴ型シルセスキオキサン化合物が１５質量％以下であることを特徴とする前記（１）に記載の半導体デバイスの絶縁膜。
（４）前記膜構造にさらに熱分解温度が３００℃以上である熱分解性有機化合物を含むことを特徴とする前記（１）に記載の半導体デバイスの絶縁膜。
（５）紫外線照射の際にさらに膜を４５０℃以下の温度で加熱しながら硬化することを特徴とする前記（４）に記載の半導体デバイスの絶縁膜。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【化２】
2009088256.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月24日(2010.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
本実施形態においては、主鎖に二重結合を有する界面活性剤を用いるものとしている。このようなものとしては、例えば、以下の一般式で表される非イオン（ノニオン）系界面活性剤を例示することができる。尚、二重結合の数、位置などは特に限定されないが、揮発除去や分解除去などが容易となるような分子量に分解可能な数であることが好ましい。
（化１）
R  O  (EO)r  H  
ここで、Ｒは炭素数８〜２０のアルケニル基である。EOはエチレンオキサイドを示す。p 、q 及びr は平均付加モル数であり、p は１〜13、q は１〜４、r は２〜２６である。
この場合、以下の化学式で表されるものが好ましい。
（化２）
CH3-（CH2）3-（CH＝CH）-（CH2）4-O（EO）10  H
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月8日(2010.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクリル系樹脂を基材樹脂とする発泡粒子であって、粒子表面に網目模様状の連続した凸条を有することを特徴とするアクリル系樹脂発泡粒子。
【請求項２】
凸条に囲まれた網目の平均サイズが４〜４０μｍ／個である請求項１に記載のアクリル系樹脂発泡粒子。
【請求項３】
基材樹脂がメタクリル酸エステル系モノマーと芳香族ビニル化合物との共重合体である請求項１又は２に記載のアクリル系樹脂発泡粒子。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載のアクリル系樹脂発泡粒子を製造するための発泡剤を含有する発泡性アクリル系樹脂粒子であって、樹脂粒子の断面において、表面と表面から５μｍ内側の位置との間に少なくとも気泡の一部が存在し、各気泡は気泡を形成する内壁間の最大寸法が１〜１０μｍである独立気泡、または表面に開口部を有する開放気泡であることを特徴とする発泡性アクリル系樹脂粒子。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれかに記載のアクリル系樹脂発泡粒子を製造するための発泡剤を含有する発泡性アクリル系樹脂粒子であって、重合前の原料モノマー中に、流動パラフィン及び／又は高級脂肪酸エステル及び／又はオレフィンを、全モノマー量１００重量部に対して、０．１〜３重量部添加してなることを特徴とする請求項４に記載の発泡性アクリル系樹脂粒子。
【請求項６】
沸点８０℃以下の有機系物理発泡剤を発泡剤として含有する請求項４又は５に記載の発泡性アクリル系樹脂粒子。
【請求項７】
発泡剤がペンタンである請求項６に記載の発泡性アクリル系樹脂粒子。
【請求項８】
請求項１〜３のいずれかに記載のアクリル系樹脂発泡粒子を型内に充填し、型内の発泡粒子を加熱し、相互に融着させ、冷却後に型内より取り出すことを特徴とするアクリル系樹脂発泡粒子成形体の製造方法。
【請求項９】
型内成形時における型内空間の最小寸法が少なくとも１５ｃｍであることを特徴とする請求項８に記載のアクリル系樹脂発泡粒子成形体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
即ち本発明は、
（１）アクリル系樹脂を基材樹脂とする発泡粒子であって、粒子表面に網目模様状の連続した凸条を有することを特徴とするアクリル系樹脂発泡粒子、
（２）凸条に囲まれた網目の平均サイズが４〜４０μｍ／個である上記（１）に記載のアクリル系樹脂発泡粒子、
（３）基材樹脂がメタクリル酸エステルと芳香族ビニル化合物との共重合体である上記（１）又は（２）に記載のアクリル系樹脂発泡粒子、
（４）上記（１）〜（３）のいずれかに記載のアクリル系樹脂発泡粒子を製造するための発泡剤を含有する発泡性アクリル系樹脂粒子であって、樹脂粒子の断面において、表面と表面から５μｍ内側の位置との間に少なくとも気泡の一部が存在し、各気泡は気泡を形成する内壁間の最大寸法が１〜１０μｍである独立気泡、または表面に開口部を有する開放気泡であることを特徴とする発泡性アクリル系樹脂粒子、
（５）上記（１）〜（３）のいずれかに記載のアクリル系樹脂発泡粒子を製造するための発泡剤を含有する発泡性アクリル系樹脂粒子であって、重合前の原料モノマー中に、流動パラフィン及び／又は高級脂肪酸エステル及び／又はオレフィンを、全モノマー量１００重量部に対して、０．１〜３重量部添加してなることを特徴とする上記（４）に記載の発泡性アクリル系樹脂粒子、
（６）沸点８０℃以下の有機系物理発泡剤を発泡剤として含有する上記（４）又は（５）に記載の発泡性アクリル系樹脂粒子、
（７）発泡剤がペンタンである上記（６）に記載の発泡性アクリル系樹脂粒子、
（８）上記（１）〜（３）のいずれかに記載のアクリル系樹脂発泡粒子を型内に充填し、型内の発泡粒子を加熱し、相互に融着させ、冷却後に型内より取り出すことを特徴とするアクリル系樹脂発泡粒子成形体の製造方法、
（９）型内成形時における型内空間の最小寸法が少なくとも１５ｃｍであることを特徴とする上記（８）に記載のアクリル系樹脂発泡粒子成形体の製造方法、
を要旨とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
網目形成剤の添加量は、発泡粒子の基材樹脂１００重量部当たり、０．１〜３重量部が好ましく、特に０．３〜２重量％が好ましい。この範囲内であると、得られる発泡粒子表面に網目模様状の連続した凸条を容易に形成することができる。網目形成剤の基材樹脂への添加割合が少なすぎると、網目模様状の凸条が形成されない虞があり、発泡効率も低下する方向に向かう。また、網目形成剤の基材樹脂への添加割合が多くなりすぎると、得られる発泡成形体の強度や耐熱性が低下し、製造コストも高くなる虞がある。流動パラフィン及び／又は高級脂肪酸エステル及び／又はオレフィンは、アクリル系樹脂を重合する前に、予め原料モノマー中に添加しておくことが好ましい。尚、上記基材樹脂に対する網目形成剤の添加量は、アクリル系樹脂を懸濁重合により得る際に添加する場合は、重合に使用された全モノマー量１００重量部当りに対する添加量である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月21日(2010.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二重金属シアン化物（ＤＭＣ）触媒のコンディショニング方法であって、
該ＤＭＣ触媒を、約５〜約５００ｍｇＫＯＨ／ｇのＯＨ価を有し、およびツェレビチノフ活性水素原子を有するスターター化合物とアルキレンオキシドとの付加生成物および／またはポリエステルポリオールおよび／またはポリカーボネートポリオールおよび／またはヒドロキシル化トリグリセリドおよび／またはヒドロキシル化脂肪酸誘導体を含む出発媒体中に、約１ｍｂａｒ〜約１０ｂａｒの圧力下、約０℃〜約８０℃の温度にて、約５分〜約４時間分散させること
を含む、方法。
【請求項２】
請求項１にしたがってコンディショニングされたＤＭＣ触媒を供給し、およびポリエーテルポリオールの製造に用いられるスターター化合物の総量を、ＤＭＣ触媒のコンディショニングの間の出発媒体中に予め存在させることを含む、ポリエーテルポリオールの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
本発明の本質的な特徴は、コンディショニングによって達成することができる、スターター化合物（混合物）または出発媒体中の多くのタイプの不純物に対するＤＭＣ触媒の感受性の低減である。したがって、スターター化合物（混合物）または出発媒体に関連した精製操作を、多くの場合、最小限に低減すること、または完全に回避することができる。例えば、ＤＭＣ触媒は、計量供給される抽出物流中のスターター化合物（混合物）とアルキレンオキシドとの高い比率でさえも、スターター化合物（混合物）中の水と特に過敏に反応しない；比較的少量の触媒でさえも一貫して高い触媒活性は、反応の間の低いアルキレンオキシド分圧によって明らかとなる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月29日(2010.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロキソプロフェン並びに、カフェイン類、エフェドリン類及びコデイン類から選ばれる１種又は２種以上を含有する鎮咳又は去痰のための医薬組成物。
【請求項２】
ロキソプロフェン並びに、カフェイン類、エフェドリン類及びコデイン類から選ばれる１種又は２種以上を含有する気道の杯細胞過形成を抑制するための医薬組成物。
【請求項３】
ロキソプロフェンが、ロキソプロフェンナトリウムである請求項１又は請求項２から選ばれるいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項４】
エフェドリン類が、塩酸エフェドリン又は塩酸メチルエフェドリンである請求項１乃至請求項３から選ばれるいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項５】
カフェイン類が、カフェイン又は無水カフェインである請求項１乃至請求項４から選ばれるいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項６】
コデイン類が、リン酸コデイン又はリン酸ジヒドロコデインである請求項１乃至請求項５から選ばれるいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項７】
感冒剤として用いるための請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項８】
急性又は慢性気管支炎の治療に用いるための請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項９】
慢性閉塞性肺疾患、気管支拡張症、気管支喘息、肺結核、塵肺症、肺気腫、びまん性汎気管支炎等の慢性気道疾患における急性呼吸器感染時の症状の治療に用いるための請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
ロキソプロフェン並びに、カフェイン類、エフェドリン類及びコデイン類から選ばれる１種又は２種以上が同一の医薬組成物中に含有する配合剤である請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
ロキソプロフェン並びに、カフェイン類、エフェドリン類及びコデイン類から選ばれる１種又は２種以上からなるキットである請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
ロキソプロフェン並びに、カフェイン類、エフェドリン類及びコデイン類から選ばれる１種又は２種以上を同一の医薬組成物中に含有する請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の医薬組成物の製造方法。
【請求項１３】
感冒剤を製造するための、請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の医薬組成物の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月29日(2010.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
血中ホモシステインを低下させるためのビオチンを含有する組成物。
【請求項２】
血中高ホモシステインに起因する疾病を治療又は予防するためのビオチンを含有する組成物。
【請求項３】
動脈硬化を治療又は予防するためのビオチンを含有する組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月18日(2010.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の代表的な化学構造を有するイソファゴミンの酒石酸塩（酒石酸イソファゴミン）の化合物
【化１】
2007314540.tif 000001
（ｎは、１または２である）。
【請求項２】
酒石酸イソファゴミンは、実質的に精製された形態である請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
酒石酸イソファゴミンの純度は、少なくとも９８％である請求項１に記載の化合物。
【請求項４】
ｎ＝１である請求項１に記載の化合物。
【請求項５】
酒石酸イソファゴミンは、イソファゴミンのＬ−（＋）−酒石酸塩であり、ｎ＝１である請求項１に記載の化合物。
【請求項６】
酒石酸イソファゴミンを少なくとも９０重量％の量で含有する組成物。
【請求項７】
酒石酸イソファゴミンの９０％以上は、粒径が１２００μｍ以下である請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
酒石酸イソファゴミンを調製するための方法であって、
（ａ）イソファゴミン遊離塩基またはそのイオン化形態と酒石酸を溶媒中で反応させる工程と、
（ｂ）酒石酸イソファゴミンを単離する工程とを含む方法。
【請求項９】
酒石酸は、Ｌ−（＋）−酒石酸である請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
高純度酒石酸イソファゴミンを工業規模で調製するための方法であって、
（ａ）約１ｋｇ以上のイソファゴミン遊離塩基またはそのイオン化形態と酒石酸を溶媒中で反応させる工程と、
（ｂ）粗酒石酸イソファゴミンを得る工程と、
（ｃ）水溶液を使用して、粗酒石酸イソファゴミンを再結晶させる工程と、
（ｄ）高純度酒石酸イソファゴミンを単離する工程とを含む方法。
【請求項１１】
高純度は、少なくとも９８重量％の純度である請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
薬学的に有効な量の酒石酸イソファゴミンと、薬学的に許容可能な賦形剤とを含む医薬組成物。
【請求項１３】
薬学的に有効な量は、１用量当たり約５から３００ｍｇの範囲である請求項１２に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
薬学的に許容可能な賦形剤は、微結晶セルロース、ステアリン酸マグネシウムまたは二塩基性リン酸カルシウムである請求項１２に記載の医薬組成物。
【請求項１５】
酒石酸イソファゴミンは、結晶形態である請求項１２に記載の医薬組成物。
【請求項１６】
結晶性酒石酸イソファゴミンの化合物。
【請求項１７】
結晶性酒石酸イソファゴミンは、（２シータ）９．２９±０．００９、１４．１７±０．００９、１６．３４±０．００９、１８．０７±０．００９、１８．７２±０．００９、１９．４４±０．００９、２０．５６±０．００９、２２．１３±０．００９、２３．０１±０．００９、２４．５４±０．００９および２７．１２±０．００９のうちの５つ以上のピークを含むＸ線粉末回折パターンを有する請求項１６に記載の化合物。
【請求項１８】
治療有効量の酒石酸イソファゴミンを含むゴーシェ病治療薬。
【請求項１９】
さらに機能的グルコセレブロシダーゼ酵素を含む、請求項１８に記載のゴーシェ病治療薬。
【請求項２０】
哺乳類細胞においてグルコセレブロシダーゼの活性を高める方法であって、グルコセレブロシダーゼの活性を高めるのに有効な量の酒石酸イソファゴミンに細胞を接触させることを含む方法。
【請求項２１】
結晶形態は、（２シータ）９．２９±０．００９、１４．１７±０．００９、１６．３４±０．００９、１８．０７±０．００９、１８．７２±０．００９、１９．４４±０．００９、２０．５６±０．００９、２２．１３±０．００９、２３．０１±０．００９、２４．５４±０．００９および２７．１２±０．００９のうちの５つ以上のピークを含むＸ線粉末回折パターンを有する請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
水溶液を使用して１ｋｇ以上の規模で容易に再結晶され、酒石酸イソファゴミンであるイソファゴミンの薬学的に許容可能な塩。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月5日(2010.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸発源を保持した電極を覆う電極カバーであって、
前記電極カバーは、少なくとも前記電極の蒸発源側の面を覆い、かつ前記電極に接しない面を有することを特徴とする電極カバー。
【請求項２】
蒸発源を保持した電極を覆う電極カバーであって、
前記電極カバーは、少なくとも前記電極の蒸発源側の面を覆い、かつ前記電極に接しない斜めの面を有することを特徴とする電極カバー。
【請求項３】
蒸発源を保持した電極を覆う電極カバーであって、
前記電極カバーは、少なくとも前記電極の蒸発源側の面を覆い、かつ前記電極への前記蒸発源からの材料の付着を防ぐように前記電極に接しない斜めの面を有することを特徴とする電極カバー。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記電極は複数の部位からなることを特徴とする電極カバー。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記電極は上部、中部、及び下部を有し、
前記電極カバーは、前記中部に設けられていることを特徴とする電極カバー。
【請求項６】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記電極はねじによって電気的に接続された上部、中部、及び下部を有し、
前記電極カバーは、前記中部に設けられ、
前記電極カバーは、前記中部に設けられた前記ねじの穴以外の上面を覆っていることを特徴とする電極カバー。
【請求項７】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記電極は上部、中部、及び下部を有し、
前記電極カバーは、前記上部に設けられていることを特徴とする電極カバー。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記電極カバーは、前記蒸発源の蒸着温度よりも耐熱温度の高い材料で構成されていることを特徴とする電極カバー。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記電極カバーは、取り外せることを特徴とする電極カバー。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一に記載の電極カバーを備えた蒸着装置。