Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月29日(2010.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成装置と接続可能な複写装置であって、
前記複写装置において実行可能な機能を表示する表示手段と、
前記画像形成装置の機能を示す機器構成情報を取得する第１の取得手段と、
前記複写装置において実行可能な機能の一覧において、前記第１の取得手段により取得された機器構成情報に基づき、前記画像形成装置を用いて実行可能な機能と、前記画像形成装置を用いずに前記複写装置により実行可能な機能とを区別して、前記表示手段に表示させる表示制御手段と
を有することを特徴とする複写装置。
【請求項２】
前記画像形成装置のステータスを示すステータス情報を取得する第２の取得手段をさらに有し、
前記表示制御手段は、前記第２の取得手段により取得したステータス情報に応じて前記機能の表示を変更させることを特徴とする請求項１に記載の複写装置。
【請求項３】
ユーザによる指示に応じて、前記表示手段に表示されている機能から、いずれかの機能を選択する選択手段と、
前記選択手段により選択された機能に応じて、前記複写装置または前記画像形成装置に画像を印刷させる印刷制御手段と
をさらに有することを特徴とする請求項１又は２に記載の複写装置。
【請求項４】
前記選択手段により選択された機能が前記複写装置または前記画像形成装置の状態により実行不可能な場合、前記複写装置または前記画像形成装置での印刷を抑止する抑止手段をさらに有することを特徴とする請求項３に記載の複写装置。
【請求項５】
ユーザによる指示に応じて、前記選択手段により選択された機能を実行可能な前記複写装置および前記画像形成装置のうちいずれかを選択する第２の選択手段をさらに有することを特徴とする請求項３又は４に記載の複写装置。
【請求項６】
画像形成装置と接続可能な複写装置であり、前記複写装置において実行可能な機能を表示する表示部を備えた複写装置において実行される複写装置の制御方法であって、
前記複写装置の第１の取得手段が、前記画像形成装置の機能を示す機器構成情報を取得する第１の取得工程と、
前記複写装置の表示制御手段が、前記複写装置において実行可能な機能の一覧において、前記第１の取得工程において取得された機器構成情報に基づき、前記画像形成装置を用いて実行可能な機能と、前記画像形成装置を用いずに前記複写装置により実行可能な機能とを区別して、前記表示部に表示させる表示制御工程と
を有することを特徴とする複写装置の制御方法。
【請求項７】
請求項６に記載の各工程をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記課題を解決するための本発明は、画像形成装置と接続可能な複写装置であって、
前記複写装置において実行可能な機能を表示する表示手段と、
前記画像形成装置の機能を示す機器構成情報を取得する第１の取得手段と、
前記複写装置において実行可能な機能の一覧において、前記第１の取得手段により取得された機器構成情報に基づき、前記画像形成装置を用いて実行可能な機能と、前記画像形成装置を用いずに前記複写装置により実行可能な機能とを区別して、前記表示手段に表示させる表示制御手段と
を有することを特徴とする複写装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】複写装置、複写装置の制御方法、および、プログラム
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月29日(2010.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
読み取った複数の画像データを張り合わせて、１枚の合成画像データを生成することが可能な原稿読取装置において、
原稿が配置された原稿台の領域を読み取り、読み取った画像データから原稿の画像データを抽出する画像読取手段と；
上記抽出した画像データを記憶する画像データ記憶手段と；
原稿を配置した原稿台の辺と上記原稿との位置関係に応じて、画像データを張り合わせるための合成レイアウトを決定するレイアウト決定手段と；
上記決定されたレイアウトに応じて、上記画像データ記憶手段に記憶された画像データを張り合わせて、１枚の合成画像データを生成する画像合成手段と；
を有することを特徴とする原稿読取装置。
【請求項２】
請求項１において、
上記レイアウト決定手段は、
上記原稿台の各辺に対する上記抽出された原稿の画像データの各辺の位置を検出する辺位置検出手段と；
上記画像データの各辺のうちで、上記原稿台の各辺と最も近接している辺である近接辺を検出する近接辺検出手段と；
上記検出された近接辺を画像を張り合わせる合成辺とし、合成する相手の画像データの各辺のうちで、上記近接辺と平行かつ、上下または左右が逆となる辺を、上記近接辺と合成する合成辺であると決定する合成辺決定手段と；
を有することを特徴とした原稿読取装置。
【請求項３】
読み取った複数の画像データを張り合わせて、１枚の合成画像データを生成することが可能な原稿読取装置の制御方法において、
原稿が配置された原稿台の領域を読み取り、読み取った画像データから原稿の画像データを抽出する画像読取工程と；
上記抽出した画像データを記憶手段に記憶する画像データ記憶工程と；
原稿を配置した原稿台の辺と上記原稿との位置関係に応じて、画像データを張り合わせるための合成レイアウトを決定するレイアウト決定工程と；
上記決定されたレイアウトに応じて、上記記憶手段に記憶された画像データを張り合わせて、１枚の合成画像データを生成する画像合成工程と；
を有することを特徴とする原稿読取装置の制御方法。
【請求項４】
読み取った複数の画像データを張り合わせて、１枚の合成画像データを生成することが可能な原稿読取装置において、
原稿が配置された原稿台の領域を読み取り、読み取った画像データから原稿の画像データを抽出する画像読取手段と；
上記抽出した画像データを記憶する画像データ記憶手段と；
原稿台に配置した複数の原稿同士の位置関係に応じて、画像データを張り合わせるための合成レイアウトを決定するレイアウト決定手段と；
上記決定されたレイアウトに従って上記記憶手段に記憶された画像データを張り合わせて、１枚の合成画像データを生成する画像合成手段と；
を有することを特徴とする原稿読取装置。
【請求項５】
請求項４において、
上記レイアウト決定手段は、
原稿の画像データの各頂点を検知する頂点検知手段と；
上記頂点から原稿台の所定の基準点までの距離に応じて、上記頂点の位置を決定する頂点位置決定手段と；
上記決定された頂点を結んだ辺の位置を決定する辺位置決定手段と；
原稿の画像データの重心を求める重心決定手段と；
合成の基準となる原稿の画像データの辺の位置情報と基準となる原稿の重心からの１軸方向距離が指定された許容範囲内に収まる原稿の画像データを合成相手の候補とする合成相手候補決定手段と；
上記合成相手候補のうちで、上記基準となる原稿の画像データから重心までの距離が最小である原稿の画像データを合成相手とする合成相手決定手段と；
上記基準となる原稿の画像データと上記合成相手となる画像データとの合成すべき辺を一意に決定する合成辺決定手段と；
を有することを特徴とする原稿読取装置。
【請求項６】
請求項５において、
上記合成辺決定手段は、上記レイアウトの合成結果が得られるように、原稿を原稿台に配置する方法を指示する原稿配置方法指示手段を更に有し、上記原稿配置方法によって基準となる原稿の画像データと上記合成相手となる画像データとの張り合わせる辺を可変とする手段であることを特徴とする原稿読取装置。
【請求項７】
読み取った複数の画像データを張り合わせて、１枚の合成画像データを生成することが可能な原稿読取装置の制御方法において、
原稿が配置された原稿台の領域を読み取り、読み取った画像データから原稿の画像データを抽出する画像読取工程と；
上記抽出した画像データを記憶装置に記憶する画像データ記憶工程と；
原稿台に配置した複数の原稿同士の位置関係に応じて、画像データを張り合わせるための合成レイアウトを決定するレイアウト決定工程と；
上記決定されたレイアウトに従って上記記憶装置に記憶された画像データを張り合わせて、１枚の合成画像データを生成する画像合成工程と；
を有することを特徴とする原稿読取装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の原稿読取装置は、読み取った複数の画像データを張り合わせて、１枚の合成画像データを生成することが可能な原稿読取装置において、原稿が配置された原稿台の領域を読み取り、読み取った画像データから原稿の画像データを抽出する画像読取手段と、上記抽出した画像データを記憶する画像データ記憶手段と、原稿を配置した原稿台の辺と上記原稿との位置関係に応じて、画像データを張り合わせるための合成レイアウトを決定するレイアウト決定手段と、上記決定されたレイアウトに応じて、上記画像データ記憶手段に記憶された画像データを張り合わせて、１枚の合成画像データを生成する画像合成手段とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月13日(2010.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
ここで、ループ録画の場合、保存対象番組に対応するＡＶデータストリームが記録された領域が、第２のＡＶストリームファイル４５の記録領域の末尾部に前半が、該領域先頭部に後半がといった形で分かれて存在することがある。この場合、記録領域移動部５８は、第２のＡＶストリームファイル４５から第１のＡＶストリームファイル４４に移し替える際、再生順序の整合を取りつつ移し替える必要がある。併せて、記録領域移動部５８は、保存対象番組に対応していないＡＶデータストリームを廃棄する。これは、移し替えの対象ではないＡＶデータストリームが記録された領域を未使用状態とし、次回の録画の際に再利用するためである。なお、この移し替え処理の際、記録領域移動部５８は、管理情報４１に含まれているタイムマップ情報について、第１のＡＶストリームファイル４４内の論理アドレス情報を指し示すように書き換える。従って、メモリ上に保持されている管理情報の管理情報ファイルへの書き込みは、この移し替え処理の終了後に実施される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４１】
ここで、保存対象番組に対応するＡＶデータストリームが記録された領域が、第２のＡＶストリームファイル４５の記録領域の末尾部に前半が、該領域先頭部に後半がといった形で分かれて存在することがある。かかる場合、第２のＡＶストリームファイル４５から第１のＡＶストリームファイル４４に移し替える際には、再生順序の整合を取りつつ移し替える必要がある。また、ステップ２１６では、保存対象番組に対応していないＡＶデータストリームファイルを廃棄する。これは、移し替えの対象ではないＡＶデータストリームが記録された領域を未使用状態とし、次回の録画の際に再利用する形になる。なお、この移し替え処理の際に、管理情報に含まれているタイムマップ情報は、第１の第１のＡＶストリームファイル４４内の論理アドレス情報を指し示すように書き換えられる。従って、メモリ上に保持されている管理情報の管理情報ファイルへの書き込みは、この移し替え処理の終了後に実施されることになる。しかしながら、この時点ではまだ並行して第３のＡＶストリームファイル４６に対するループ録画が実施中であるので、実用上は、第３のＡＶストリームファイル４６に対して並行実施しているループ録画が終了した後に管理情報ファイルへの書き込みを行うのが適切であると考えられる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月28日(2010.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルタ回路と電圧制御発振回路との間に設けられ、前記フィルタ回路から供給される第１のアナログ電圧のゲインを１／ｎ（ｎは１よりも大きい値）に抑制した第２のアナログ電圧を前記電圧制御発振回路に供給するゲイン抑制回路を備え、
前記ゲイン抑制回路は、前記第１のアナログ電圧が、その可動範囲の上限電圧もしくは下限電圧に到達している期間は、前記第２のアナログ電圧の可動範囲の上限電圧が、最大で前記電圧制御発振回路の入力電圧範囲の上限電圧になるまで一定の比率で平行移動させる、もしくは、前記第２のアナログ電圧の可動範囲の下限電圧が、最小で前記電圧制御発振回路の入力電圧範囲の下限電圧になるまで一定の比率で平行移動させることを特徴とする位相ロックループ回路。
【請求項２】
前記ゲイン抑制回路は、入力端子がハイインピーダンスであり、前記第１のアナログ電圧をバッファリングした第３のアナログ電圧を出力するアナログバッファと、基準電圧に応じて、前記第３のアナログ電圧のゲインを抑制した前記第２のアナログ電圧を出力する増幅回路と、前記第１のアナログ電圧に応じて、前記基準電圧を調整することによって、前記第２のアナログ電圧の可動範囲を平行移動させるように調整する可動範囲調整回路とを備えることを特徴とする請求項１に記載の位相ロックループ回路。
【請求項３】
前記可動範囲調整回路は、前記第１のアナログ電圧とその上限電圧とを比較して第１の比較結果を出力する第１の比較回路と、前記第１のアナログ電圧とその下限電圧とを比較して第２の比較結果を出力する第２の比較回路と、前記第１および第２の比較結果に応じて、前記第１のアナログ電圧が、その上限電圧ないしは下限電圧に到達すると、前記第１のアナログ電圧を、その上限電圧ないしは下限電圧に固定するように、前記第１のアナログ電圧が供給されるノードをディスチャージもしくはチャージアップする電流を流す第１のレベル調整回路と、前記第１のレベル調整回路とともにカレントミラー回路を構成し、その電流量が、前記第１のレベル調整回路に流れる電流量に対して所定の比率である第２のレベル調整回路とを備え、
前記第１のレベル調整回路によって、前記第１のアナログ電圧が、その上限電圧ないしは下限電圧に固定されると、前記第２のレベル調整回路に流れる電流で前記基準電圧が生成されるノードをディスチャージもしくはチャージアップすることによって、前記基準電圧が、その下限電圧から上限電圧の範囲内を一定の比率で上昇もしくは低下されることを特徴とする請求項２に記載の位相ロックループ回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
ここで、前記ゲイン抑制回路は、入力端子がハイインピーダンスであり、前記第１のアナログ電圧をバッファリングした第３のアナログ電圧を出力するアナログバッファと、基準電圧に応じて、前記第３のアナログ電圧のゲインを抑制した前記第２のアナログ電圧を出力する増幅回路と、前記第１のアナログ電圧に応じて、前記基準電圧を調整することによって、前記第２のアナログ電圧の可動範囲を平行移動させるように調整する可動範囲調整回路とを備えることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、前記可動範囲調整回路は、前記第１のアナログ電圧とその上限電圧とを比較して第１の比較結果を出力する第１の比較回路と、前記第１のアナログ電圧とその下限電圧とを比較して第２の比較結果を出力する第２の比較回路と、前記第１および第２の比較結果に応じて、前記第１のアナログ電圧が、その上限電圧ないしは下限電圧に到達すると、前記第１のアナログ電圧を、その上限電圧ないしは下限電圧に固定するように、前記第１のアナログ電圧が供給されるノードをディスチャージもしくはチャージアップする電流を流す第１のレベル調整回路と、前記第１のレベル調整回路とともにカレントミラー回路を構成し、その電流量が、前記第１のレベル調整回路に流れる電流量に対して所定の比率である第２のレベル調整回路とを備え、
前記第１のレベル調整回路によって、前記第１のアナログ電圧が、その上限電圧ないしは下限電圧に固定されると、前記第２のレベル調整回路に流れる電流で前記基準電圧が生成されるノードをディスチャージもしくはチャージアップすることによって、前記基準電圧が、その下限電圧から上限電圧の範囲内を一定の比率で上昇もしくは低下されることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月26日(2010.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体と、
基板と、
前記半導体に形成された半導体電極と、
前記半導体電極に接合された前記基板上の基板電極と、
前記半導体と前記基板との間に位置する接着・封止材と、
前記基板の前記半導体が位置する面と異なる面に位置するシール層とを有し、
前記基板のシール層がない部分を傾斜させ、前記傾斜させた傾斜面にて、前記基板電極と前記半導体電極とを接合したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体を前記傾斜面で屈曲させた請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記傾斜面は、前記基板の端である一辺の部分である請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記一辺の部分に外部電極を設けた請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記シール層は、レジストである請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体は、メモリチップであり、さらに、前記基板のシール層がない部分にコントロールチップが前記基板に接合されている請求項１から５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
半導体装置は、ＳＤメモリカードである請求項１から６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記の目的を達成するために、本発明の半導体装置は、半導体と、基板と、前記半導体に形成された半導体電極と、前記半導体電極に接合された前記基板上の基板電極と、前記半導体と前記基板との間に位置する接着・封止材と、前記基板の前記半導体が位置する面と異なる面に位置するシール層とを有し、前記基板のシール層がない部分を傾斜させ、前記傾斜させた傾斜面にて、前記基板電極と前記半導体電極とを接合したことを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
このような構成では、半導体および基板の半導体電極および基板電極は、基板の前記傾斜させている傾斜面にて、互いが接合されていることにより、半導体および基板が接着・封止材による接合過程での接着・封止を受けている間、半導体電極および基板電極間に働く力を、接合方向分力と、基板の傾斜面に平行な傾斜方向分力とに分解して所定の接合状態に保たれ、傾斜方向分力は半導体および基板に接合方向の内部応力を生じさせる働きはしないので、その分半導体および基板の接合による内部残留応力が低減する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記において、さらに、前記半導体を前記傾斜面で屈曲させたものとすることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記において、さらに、前記傾斜面は、前記基板の端である一辺の部分であるものとすることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記において、さらに、前記一辺の部分に外部電極を設けたものとすることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記において、さらに、前記シール層は、レジストであるものとすることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記において、さらに、前記半導体は、メモリチップであり、さらに、前記基板のシール層がない部分にコントロールチップが前記基板に接合されているものとすることができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記において、さらに、半導体装置は、ＳＤメモリカードであるものとすることができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
本発明の半導体装置によれば、基板の前記傾斜させている傾斜面にて接合されている半導体電極および基板電極の組による接合位置では、半導体および基板が接合過程で接着・封止を受けている間、互いの接合面間に働く圧接力を、接合方向分力と、基板の傾斜面に平行な傾斜方向分力とに分解して所定の接合状態を保ち、傾斜方向分力が半導体および基板に接合方向の内部応力を生じさせる働きをしない分、半導体および基板の接合による内部残留応力を低減するので、半導体や基板の内部残留応力に弱い部分に適用して、接合不良が生じたり、半導体に所定の電気特性が得られなくなるようなことを防止することができ、信頼性の高い実装が実現する。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月25日(2010.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザアニール装置及び半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
線状ビームを半導体膜に照射するレーザアニール装置であって、
レーザ光源と、
第１の凹球面レンズと、
第１の凸球面レンズと、
シリンドリカルレンズアレイと、
第１の凸シリンドリカルレンズと、
遮蔽機構と、
第２の凸シリンドリカルレンズと、
第３の凸シリンドリカルレンズと、を順に並べ、前記線状ビームの短軸方向をフラットトップ形状にすることを特徴とするレーザアニール装置。
【請求項２】
請求項１において、前記遮蔽機構は、前記第１の凸シリンドリカルレンズによる結像面に配置されていることを特徴とするレーザアニール装置。
【請求項３】
線状ビームを半導体膜に照射する半導体装置の作製方法であって、
前記線状ビームの短軸方向において、
レーザ光源から出射された光を第１の凹球面レンズに入射して拡大し、
前記第１の凹球面レンズから出射された光を第１の凸球面レンズに入射して平行光にし、
前記第１の凸球面レンズから出射された光をシリンドリカルレンズアレイに入射して光のエネルギー密度を均一にし、
前記シリンドリカルレンズアレイから出射された光を第１の凸シリンドリカルレンズに入射して集光し、
前記第１の凸シリンドリカルレンズで集光された光の結像面で遮蔽機構により光の一部を遮蔽し、
前記遮蔽機構により一部遮蔽された光を第２の凸シリンドリカルレンズに入射して、平行光にし、
前記第２の凸シリンドリカルレンズから出射された光を第３の凸シリンドリカルレンズにより光を集光し、前記半導体膜をアニールすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記レーザ光源は、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、Ｎｄ：ＹＬＦレーザ、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザ、Ｎｄ：ガラスレーザ、Ｙｂ：ＹＡＧレーザ、Ｙｂ：ＹＬＦレーザ、Ｙｂ：ＹＶＯ４レーザまたはＹｂ：ガラスレーザであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項３または４において、
前記半導体膜は非晶質半導体膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月29日(2010.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の表上面の下部に形成され、前記半導体基板の裏面から照射される光を受け、光電荷を生成するフォトダイオードと、
前記半導体基板の表面の上部近傍において前記フォトダイオード上に形成された反射ゲートであって、前記半導体基板の裏面から照射される光を反射させ、前記フォトダイオードの空乏領域をコントロールするバイアス信号を受ける、反射ゲートと、
前記フォトダイオードからピクセルのセンスノードに光電荷を伝達するトランスファゲートと
を備える、裏面照射イメージセンサ。
【請求項２】
前記反射ゲートが、前記半導体基板の裏面から照射される光の損失を減らす金属シリサイド膜又は金属膜を備えることを特徴とする請求項１に記載の裏面照射イメージセンサ。
【請求項３】
前記フォトダイオードと前記トランスファゲートとの間の前記半導体基板の表上面の下部に形成されたバッファ領域を更に備え、当該バッファ領域は、前記フォトダイオードから前記センスノードへの電荷転送効率及びタイミングマージンを増大させることを特徴とする請求項１に記載の裏面照射イメージセンサ。
【請求項４】
前記反射ゲートが、前記バイアス信号としてネガティブバイアスを受け、空乏領域の幅をコントロールすることを特徴とする請求項１に記載の裏面照射イメージセンサ。
【請求項５】
前記フォトダイオードが、前記半導体基板の表上面近傍から発生している暗電流の減少させるピンニング層を備えることを特徴とする請求項１に記載の裏面照射イメージセンサ。
【請求項６】
前記センスノードが、フローティング拡散領域を含むことを特徴とする請求項１に記載の裏面照射イメージセンサ。
【請求項７】
前記センスノードが、少なくとも２つのフォトダイオードを共有するために接続されていることを特徴とする請求項１に記載の裏面照射イメージセンサ。
【請求項８】
共に集積化され、前記反射ゲートに印加された前記バイアス信号を生成するネガティブチャージポンプ回路を含むことを特徴とする請求項１に記載の裏面照射イメージセンサ。
【請求項９】
前記センスノードのｋＴＣノイズの除去するＣＤＳ回路を有することを特徴とする請求項１に記載の裏面照射イメージセンサ。
【請求項１０】
前記フォトダイオード、前記反射ゲート、及び前記トランスファゲートが、ＣＭＯＳ回路構造を含むことを特徴とする請求項１に記載の裏面照射イメージセンサ。
【請求項１１】
前記反射ゲートが、前記トランスファゲートによって一部オーバーラップされ、前記絶縁層が、前記反射ゲート及び前記トランスファゲート間に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の裏面照射イメージセンサ。
【請求項１２】
前記半導体基板の裏面近傍に形成されているマイクロレンズを更に備えることを特徴とする請求項１に記載の裏面照射イメージセンサ。
【請求項１３】
前記半導体基板の裏面近傍に形成されている非反射層を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の裏面照射イメージセンサ。
【請求項１４】
前記非反射層が、絶縁層を含むことを特徴とする請求項１３に記載の裏面照射イメージセンサ。
【請求項１５】
前記非反射層が、酸化膜、窒化膜、又はこれらの積層膜の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１３に記載の裏面照射イメージセンサ。
【請求項１６】
前記酸化膜が、ＢＰＳＧ（ＢｏｒｏＰｈｏｓｐｈｏＳｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）、ＰＳＧ（ＰｈｏｓｐｈｏＳｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）、ＢＳＧ（ＢｏｒｏＳｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）、ＵＳＧ（Ｕｎ−ｄｏｐｅｄ Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）、ＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ  Ｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ）、ＨＤＰ（Ｈｉｇｈ Ｄｅｎｓｉｔｙ Ｐｌａｓｍａ）膜、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）の中から選択される少なくとも１つの膜を含むことを特徴とする請求項１５に記載の裏面照射イメージセンサ。
【請求項１７】
前記窒化膜が、シリコン窒化膜（ＳｉｘＮｙ、ここで、ｘ、ｙは自然数）、又はシリコン酸化窒化膜（ＳｉｘＯｙＮｚ、ここで、ｘ、ｙ、ｚは自然数）を含むことを特徴とする請求項１５に記載の裏面照射イメージセンサ。
【請求項１８】
表上面及び裏面を有する基板と、
前記基板の前記裏面から受けた光に応答して光電荷を生成するように構成され、前記基板の前記表上面に近接して形成されているフォトダイオードと、
前記フォトダイオード上に配置され、前記基板の前記裏面から受けた光を前記フォトダイオードの表面に反射するように構成され、前記フォトダイオードの空乏領域の幅をコントロールするためバイアス信号を受信するようにさらに構成された反射ゲートと
を備える、裏面照射イメージセンサのピクセル。
【請求項１９】
前記光電荷をフローティング拡散ノードへ転送するように構成されているトランスファトランジスタをさらに備える請求項１８に記載のピクセル。
【請求項２０】
前記トランスファトランジスタが、前記反射ゲートから側方に離れたトランスファゲートを有し、前記トランスファゲート及び前記反射ゲートが、前記基板の前記表上面から実質的に同じ距離に配置されている請求項１９に記載のピクセル。
【請求項２１】
前記トランスファトランジスタが前記基板に形成され、前記反射ゲートのエッジと垂直方向に整列されたバッファ領域を有する請求項１９に記載のピクセル。
【請求項２２】
前記トランスファゲートの位置が前記反射ゲートの上に重なる請求項２０に記載のピクセル。
【請求項２３】
前記反射ゲートが積層構造を有する請求項１８に記載のピクセル。
【請求項２４】
前記積層構造が、ポリシリコン膜及び当該ポリシリコン膜に隣接する金属膜を有する請求項２３に記載のピクセル。
【請求項２５】
前記金属膜がタングステンシリサイド膜を有する請求項２４に記載のピクセル。
【請求項２６】
前記金属膜がタングステンを有する請求項２４に記載のピクセル。
【請求項２７】
前記反射ゲートが単層構造を有する請求項１８に記載のピクセル。
【請求項２８】
前記単層構造が金属シリサイド膜又は金属膜を有する請求項２７に記載のピクセル。
【請求項２９】
基板の裏面に光を与えるステップと、
前記与えられた光に応答して前記基板の空乏領域に光電荷を生成するステップと、
前記与えられた光を前記空乏領域の表面に反射するため反射ゲートを使用するステップと、
前記反射された光を使用して前記空乏領域にさらなる電荷を生成するステップと、
前記空乏領域の中の空乏膜の幅をコントロールするため前記反射ゲートでバイアス信号を受信するステップと
を含む、イメージセンサのピクセルを動作させる方法。
【請求項３０】
前記与えられた光に応答して前記基板の空乏領域に光電荷を生成するステップが、前記基板の表上面に近接して形成されたフォトダイオードに電荷を生成するステップを含む請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記与えられた光を反射するため反射ゲートを使用するステップが、前記与えられた光を前記フォトダイオードの表面に反射するため反射ゲートを使用するステップを含む請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記反射ゲートでバイアス信号を受信するステップが、前記反射ゲートでネガティブバイアス信号を受けるステップを含む請求項３１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月9日(2010.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レチクルを介して基板を露光する露光装置に用いられ、前記レチクルの位置及び前記基板の位置の少なくとも一方を検出する位置検出装置であって、
位置を変更可能な光学部材を含む光学系と、
前記光学系を介して前記レチクルの位置及び前記基板の位置の少なくとも一方を検出するためのマークからの光を受光して検出信号を出力する光電変換素子と、
前記光学部材の複数の位置と前記検出信号の波形の対称性との関係を表す波形対称性、及び、前記光学部材の複数の位置と、前記光学系の光軸方向の前記マークの位置を変えた際の前記マークの中心位置の傾きと、の関係を表すデフォーカス特性が許容値を満たすように、前記光学部材の位置を調整する制御部とを有し、
前記制御部は、前記波形対称性の情報を予め有していることを特徴とする位置検出装置。
【請求項２】
前記波形対称性の許容値及び前記デフォーカス特性の許容値を設定する設定部を更に有することを特徴とする請求項１記載の位置検出装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記波形対称性の許容値を満たす前記光学部材の位置と前記デフォーカス特性の許容値を満たす前記光学部材の位置との中間の位置に前記光学部材が位置するように調整することを特徴とする請求項１記載の位置検出装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記波形対称性及び前記デフォーカス特性の各々に重み付けした重み付け量に基づいて、前記光学部材の位置を調整することを特徴とする請求項１記載の位置検出装置。
【請求項５】
前記光学部材は、前記マークを照明するための光を射出する光源又は前記光学系の瞳面に配置された開口絞りを含むことを特徴とする請求項１記載の位置検出装置。
【請求項６】
レチクルを介して基板を露光する露光装置であって、
請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の位置検出装置を有することを特徴とする露光装置。
【請求項７】
請求項６に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
露光された前記基板を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項８】
位置を変更可能な光学部材を含む光学系を備え、被検物体の位置を検出する位置検出装置の調整方法であって、
前記被検物体の位置を検出するためのマークの前記光学系の光軸方向の位置を変えて、前記光学系を介して前記マークからの光を受光して検出信号を検出するステップと、
前記光学部材の複数の位置と前記検出信号の波形の対称性との関係を表す波形対称性、及び、前記光学部材の複数の位置と、前記光学系の光軸方向の前記マークの位置を変えた際の前記マークの中心位置の傾きと、の関係を表すデフォーカス特性が許容値を満たすように、前記光学部材の位置を調整するステップとを有することを特徴とする調整方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】位置検出装置、露光装置、デバイス製造方法及び調整方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての位置検出装置は、レチクルを介して基板を露光する露光装置に用いられ、前記レチクルの位置及び前記基板の位置の少なくとも一方を検出する位置検出装置であって、位置を変更可能な光学部材を含む光学系と、前記光学系を介して前記レチクルの位置及び前記基板の位置の少なくとも一方を検出するためのマークからの光を受光して検出信号を出力する光電変換素子と、前記光学部材の複数の位置と前記検出信号の波形の対称性との関係を表す波形対称性、及び、前記光学部材の複数の位置と、前記光学系の光軸方向の前記マークの位置を変えた際の前記マークの中心位置の傾きと、の関係を表すデフォーカス特性が許容値を満たすように、前記光学部材の位置を調整する制御部とを有し、前記制御部は、前記波形対称性の情報を予め有していることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月9日(2010.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
位置を変更可能な第１の光学部材及び第２の光学部材を含む光学系を備え、被検物体の位置を検出する位置検出装置の調整方法であって、
前記光学系の光軸に垂直な方向における前記第１の光学部材を位置決めすべき位置として互いに異なる複数の位置を設定する設定ステップと、
前記設定ステップで設定された前記複数の位置の各々について、前記被検物体を光電変換素子に対して相対的に前記光軸の方向に移動させながら、前記光学系を介して前記光電変換素子に入射する光を検出する検出ステップと、
前記複数の位置の各々について、前記検出ステップで検出された光の検出信号の非対称性を示す評価値を算出する算出ステップと、
前記複数の位置に対して、前記算出ステップで算出された前記評価値が鈍感である前記被検物体の前記光軸の方向の位置を特定する特定ステップと、
前記特定ステップで特定された前記被検物体の前記光軸の方向の位置において、前記評価値に基づいて、前記第２の光学部材の前記光軸に垂直な方向の位置を調整する第１の調整ステップとを有することを特徴とする調整方法。
【請求項２】
前記特定ステップで特定された前記被検物体の前記光軸の方向の位置と異なる位置において、前記評価値に基づいて、前記第１の光学部材の前記光軸に垂直な方向の位置を調整する第２の調整ステップを更に有することを特徴とする請求項１記載の調整方法。
【請求項３】
前記第１の光学部材は、前記被検物体を照明するための光を射出する光源又は前記光学系の瞳面に配置された開口絞りを含み、
前記第２の光学部材は、前記光学系の収差を調整する光学部材を含み、
前記設定ステップでは、前記光源又は前記開口絞りの前記光軸に垂直な方向の位置を設定することで互いに異なる複数の光軸ずれを設定し、
前記第１の調整ステップでは、前記光学部材を前記光軸に垂直な方向に駆動することで前記光学系の収差を調整し、
前記第２の調整ステップでは、前記光源又は前記開口絞りを前記光軸に垂直な方向に駆動することで前記光学系の光軸ずれを調整することを特徴とする請求項２記載の調整方法。
【請求項４】
前記第１の調整ステップでは、前記光学部材は、前記評価値に基づいて、駆動部によって駆動されることを特徴とする請求項３記載の調整方法。
【請求項５】
前記第１の光学部材は、前記光学系の収差を調整する光学部材を含み、
前記第２の光学部材は、前記被検物体を照明するための光を射出する光源又は前記光学系の瞳面に配置された開口絞りを含み、
前記設定ステップでは、前記光学部材の前記光軸に垂直な方向の位置を設定することで互いに異なる複数の収差を設定し、
前記第１の調整ステップでは、前記光源又は前記開口絞りを前記光軸に垂直な方向に駆動することで前記光学系の光軸ずれを調整し、
前記第２の調整ステップでは、前記光学部材を前記光軸に垂直な方向に駆動することで前記光学系の収差を調整することを特徴とする請求項２記載の調整方法。
【請求項６】
前記第１の調整ステップでは、前記光源又は前記開口絞りは、前記評価値に基づいて、駆動部によって駆動されることを特徴とする請求項５記載の調整方法。
【請求項７】
前記検出信号のコントラストを基準として、前記特定ステップで特定された前記被検物体の前記光軸の方向の位置に前記被検物体を移動させる移動ステップを更に有することを特徴とする請求項１記載の調整方法。
【請求項８】
前記検出信号のコントラストが最大となる位置を基準として、前記特定ステップで特定された前記被検物体の前記光軸の方向の位置に前記被検物体を移動させる移動ステップを更に有することを特徴とする請求項１記載の調整方法。
【請求項９】
前記被検物体は、前記被検物体を照明する光の波長をλとすると、λ／４の奇数倍の段差を有することを特徴とする請求項３記載の調整方法。
【請求項１０】
前記被検物体は、前記被検物体を照明する光の波長をλとすると、λ／８の奇数倍の段差を有することを特徴とする請求項５記載の調整方法。
【請求項１１】
レチクルを介して基板を露光する露光装置に用いられ、位置を変更可能な第１の光学部材及び第２の光学部材を含む光学系を備え、前記レチクルの位置及び前記基板の位置の少なくとも一方を検出する位置検出装置であって、
前記光学系の光軸に垂直な方向における前記第１の光学部材を位置決めすべき位置として互いに異なる複数の位置を設定する設定手段と、
前記設定手段によって設定された前記複数の位置の各々について、前記レチクルの位置又は前記基板の位置を示すマークを光電変換素子に対して相対的に前記光軸の方向に移動させながら、前記光学系を介して前記光電変換素子に入射する光を検出する検出手段と、
前記複数の位置の各々について、前記検出手段によって検出された光の検出信号の非対称性を示す評価値を算出する算出手段と、
前記複数の位置に対して、前記算出手段によって算出された前記評価値が鈍感である前記マークの前記光軸の方向の位置を特定する特定手段と、
前記特定手段によって特定された前記マークの前記光軸の方向の位置において、前記評価値に基づいて、前記第２の光学部材の前記光軸に垂直な方向の位置を調整する調整手段とを有することを特徴とする位置検出装置。
【請求項１２】
レチクルを介して基板を露光する露光装置であって、
請求項１１記載の位置検出装置を有することを特徴とする露光装置。
【請求項１３】
請求項１２記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
露光された前記基板を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】位置検出装置の調整方法、位置検出装置、露光装置及びデバイス製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての調整方法は、位置を変更可能な第１の光学部材及び第２の光学部材を含む光学系を備え、被検物体の位置を検出する位置検出装置の調整方法であって、前記光学系の光軸に垂直な方向における前記第１の光学部材を位置決めすべき位置として互いに異なる複数の位置を設定する設定ステップと、前記設定ステップで設定された前記複数の位置の各々について、前記被検物体を光電変換素子に対して相対的に前記光軸の方向に移動させながら、前記光学系を介して前記光電変換素子に入射する光を検出する検出ステップと、前記複数の位置の各々について、前記検出ステップで検出された光の検出信号の非対称性を示す評価値を算出する算出ステップと、前記複数の位置に対して、前記算出ステップで算出された前記評価値が鈍感である前記被検物体の前記光軸の方向の位置を特定する特定ステップと、前記特定ステップで特定された前記被検物体の前記光軸の方向の位置において、前記評価値に基づいて、前記第２の光学部材の前記光軸に垂直な方向の位置を調整する第１の調整ステップとを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月19日(2010.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検査試料を試料ステージにより連続的に移動させ、当該連続的に移動する試料の電子線画像を走査電子顕微鏡により取得して、前記被検査試料を検査する検査装置において、
当該検査装置は、前記試料ステージの連続移動と電子線の一次元走査により構成されるストライプ状の領域の走査を前記被検査試料に対して行って前記電子線画像を取得する検査装置であって、
前記被検査試料に対する電子線走査を実行し、該電子線走査による二次電子あるいは反射電子を検出する電子光学ユニットと、
電子線走査が実行される領域と実行されない領域とが前記ストライプ状の領域上に形成されるように前記電子光学ユニットを制御する制御ユニットとを備えたことを特徴とする検査装置。
【請求項２】
請求項１に記載の検査装置において、
前記被検査試料の光学画像を取得する光学顕微鏡ユニットを備え、
前記制御ユニットは、
前記被検査試料上で指定される被検査領域の情報および前記光学画像に基づく被検査領域に関する測定値の情報に基づき、前記電子線走査を実行する領域としない領域の領域形成を制御することを特徴とする検査装置。
【請求項３】
請求項２に記載の検査装置において、
前記光学顕微鏡ユニットは、前記測定値として、前記被検査試料上に形成された複数のチップの位置、当該複数のチップのうちの２つのチップ間の距離、メモリセルの繰り返しパターンの繰り返しピッチのいずれかを測定することを特徴とする検査装置。
【請求項４】
請求項１に記載の検査装置において、
前記試料ステージを連続的に移動させるステージ連続移動機構を備え、
当該ステージ連続移動機構は検査時間を短縮するためのステージ速度調整する機能を有することを特徴とする検査装置。
【請求項５】
被検査試料を試料ステージにより連続的に移動させ、当該連続的に移動する試料の電子線画像を走査電子顕微鏡により取得して、前記被検査試料を検査する検査方法において、
前記試料ステージを一方向に連続移動させるとともに前記電子線を当該連続移動の方向とは交差する方向に走査することにより、前記被検査試料をストライプ状に走査し、
前記ストライプ状の電子線走査による二次電子あるいは反射電子を検出して前記画像を取得し、
更に、前記ストライプ状の領域上に、電子線走査が実行される領域と実行されない領域とが形成されるように前記電子線走査を制御することを特徴とする検査方法。
【請求項６】
被検査試料を試料ステージにより連続的に移動させ、当該連続的に移動する試料の電子線画像を走査電子顕微鏡により取得して、前記被検査試料を検査する検査方法において、
前記試料ステージを一方向に連続移動させるとともに前記電子線を当該連続移動の方向とは交差する方向に走査することにより、前記被検査試料をストライプ状に走査し、
当該ストライプ状の電子線走査による二次電子あるいは反射電子を検出して前記電子線画像を取得し、
前記ストライプ状の領域上に、電子線走査が実行されない領域が形成されるように前記電子線走査を制御することにより、前記被検査試料の全面を走査する場合に比べて高速な検査を実行することを特徴とする検査方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月28日(2010.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ステージと、
前記第１ステージの上に搭載された第２ステージと、
前記第１ステージに対して前記第２ステージを位置決めするリニアモータと、
前記第１ステージに対して前記第２ステージを加減速する複数の電磁石と、
前記複数の電磁石を制御する制御器と、を備え、
前記制御器は、前記第２ステージの回転に起因して前記複数の電磁石が発生するモーメントを低減するように前記複数の電磁石を制御することを特徴とするステージ装置。
【請求項２】
前記第１ステージに対する前記第２ステージの回転量を計測する計測器をさらに備え、
前記制御器は、前記計測器による計測結果に基づいて前記複数の電磁石を制御することを特徴とする請求項１に記載のステージ装置。
【請求項３】
前記計測器は、前記第２ステージと前記複数の電磁石とのギャップを計測する複数のギャップセンサ、または前記第２ステージの位置を計測する複数の干渉計であることを特徴とする請求項２に記載のステージ装置。
【請求項４】
前記第２ステージに発生するモーメントを計測する計測器をさらに備え、
前記制御器は、前記計測器による計測結果に基づいて前記複数の電磁石を制御することを特徴とする請求項１に記載のステージ装置。
【請求項５】
前記制御器は、前記第２ステージの駆動目標を前記計測器による計測結果に応じて前記第２ステージに発生するモーメントを低減するように補正し、前記補正された駆動目標に基づいて前記複数の電磁石を制御することを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれか１項に記載のステージ装置。
【請求項６】
前記制御器は、前記第２ステージの駆動目標を前記リニアモータの電流値に応じて前記第２ステージに発生するモーメントを低減するように補正し、前記補正された駆動目標に基づいて前記複数の電磁石を制御することを特徴とする請求項１に記載のステージ装置。
【請求項７】
原版に形成されたパターンを基板上に転写する露光装置であって、
前記原版及び前記基板の少なくともいずれか一つが、請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載のステージ装置により支持されることを特徴とする露光装置。
【請求項８】
請求項７に記載の露光装置を用いて、原版に形成されたパターンを基板上に転写する工程と、
前記パターンが転写された基板を現像する工程と、
を備えることを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明のステージ装置は、第１ステージと、第１ステージの上に搭載された第２ステージと、第１ステージに対して第２ステージを位置決めするリニアモータと、第１ステージに対して第２ステージを加減速する複数の電磁石と、複数の電磁石を制御する制御器と、を備え、制御器は、第２ステージの回転に起因して複数の電磁石が発生するモーメントを低減するように複数の電磁石を制御することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月29日(2010.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品の電極端子の表面に形成した導電性バンプであって、
前記導電性バンプが弾性を有する光硬化性樹脂からなる絶縁性バンプコアと前記バンプコアの周囲に保持された導電ペーストとを、少なくとも備え、
前記バンプコアが導電ペースト捕獲部を備えていることを特徴とする導電性バンプ。
【請求項２】
前記バンプコアが、光造形法で形成された請求項１記載の導電性バンプ。
【請求項３】
前記電子部品が、半導体ウェハー、半導体素子または回路基板であることを特徴とする請求項１または２に記載の導電性バンプ。
【請求項４】
前記バンプコアは前記電極端子の表面に逆凸形状に形成された断面構造を備え、
前記電極端子の表面と前記逆凸形状バンプコアのコア頭頂部との間の凹部により前記導電ペースト捕獲部を形成していることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の導電性バンプ。
【請求項５】
前記バンプコアは前記電極端子の表面に螺旋形状、Ｓ字形状または中空形状を有して形成され、前記螺旋形状内の間隙部、Ｓ字形状の凹部または中空形状の凹部により前記導電ペースト捕獲部を形成していることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の導電性バンプ。
【請求項６】
前記バンプコアが、感光性樹脂よりなることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の導電性バンプ。
【請求項７】
前記導電ペーストが、Ａｇ、Ａｕ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕめっき樹脂ボールまたははんだ粒子の少なくともいずれかを導電性フィラーとして含有することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の導電性バンプ。
【請求項８】
前記導電ペーストが、樹脂成分として光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を有することを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の導電性バンプ。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の導電性バンプを電極端子の表面に形成した電子部品と、
接続端子を形成した回路基板と、を備え、
前記導電性バンプを介して、前記電子部品の前記電極端子と前記回路基板の前記接続端子を接続したことを特徴とする電子部品実装構造体。
【請求項１０】
電子部品の電極端子の表面に導電ペースト捕獲部を有する絶縁性バンプコアを光硬化性樹脂で形成し、前記バンプコアの前記導電ペースト捕獲部に導電ペーストを担持させて導電性バンプを形成する工程と、
前記電子部品に形成した前記導電性バンプと回路基板に形成した接続端子とを位置合わせして実装する工程と、
を少なくとも含むことを特徴とする電子部品実装構造体の製造方法。
【請求項１１】
前記絶縁性バンプコアを光造形法で形成した請求項１０記載の電子部品実装構造体の製造方法。