【手続補正書】
【提出日】平成22年4月21日(2010.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられた単結晶からなる中間層と、
前記中間層上に設けられ、（０００２）面のロッキングカーブ半価幅が５０ａｒｃｓｅｃ以下であり、かつ（１０‐１０）面のロッキングカーブ半価幅が２５０ａｒｃｓｅｃ以下である下地層とを備えてなることを特徴とするＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子。
【請求項２】
基板と、
前記基板上に設けられた柱状結晶を有する中間層と、
前記中間層上に設けられ、（０００２）面のロッキングカーブ半価幅が５０ａｒｃｓｅｃ以下であり、かつ（１０‐１０）面のロッキングカーブ半価幅が２５０ａｒｃｓｅｃ以下である下地層とを備えてなることを特徴とするＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子。
【請求項３】
前記基板が、サファイアであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子。
【請求項４】
前記中間層が、前記サファイア基板のｃ面上に形成されていることを特徴とする請求項３に記載のＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子。
【請求項５】
前記中間層が、ＡｌｘＧａ１‐ｘＮ（０≦ｘ≦１）からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子。
【請求項６】
前記中間層が、ＡｌＮからなることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子。
【請求項７】
前記下地層が、ＡｌＧａＮからなることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子。
【請求項８】
前記下地層が、ＧａＮからなることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子に備えられる下地層の上に、ｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層が順次積層されてなる半導体層が形成されていることを特徴とするＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子。
【請求項１０】
前記ｎ型半導体層にｎ型クラッド層が備えられているとともに、前記ｐ型半導体層にはｐ型クラッド層が備えられており、前記ｎ型クラッド層及び／又は前記ｐ型クラッド層が、少なくとも超格子構造を含むことを特徴とする請求項９に記載のＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子。
【請求項１１】
基板と、
前記基板上に設けられた単結晶からなる中間層と、
前記中間層上に設けられ、（０００２）面のロッキングカーブ半価幅が１００ａｒｃｓｅｃ以下であり、かつ（１０‐１０）面のロッキングカーブ半価幅が３００ａｒｃｓｅｃ以下である下地層とを備えてなるＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子の製造方法であって、
前記中間層をスパッタ法で形成すると共に、前記スパッタ法における窒素原料と不活性ガスの流量に対する窒素流量の比を、窒素原料が５０％〜１００％となるようにすることを特徴とするＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子の製造方法。
【請求項１２】
基板と、
前記基板上に設けられた柱状結晶を有する中間層と、
前記中間層上に設けられ、（０００２）面のロッキングカーブ半価幅が１００ａｒｃｓｅｃ以下であり、かつ（１０‐１０）面のロッキングカーブ半価幅が３００ａｒｃｓｅｃ以下である下地層とを備えてなるＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子の製造方法であって、
前記中間層をスパッタ法で形成すると共に、前記スパッタ法における窒素原料と不活性ガスの流量に対する窒素流量の比を、窒素原料が１％〜５０％となるようにすることを特徴とするＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子の製造方法。
【請求項１３】
前記（０００２）面のロッキングカーブ半価幅が５０ａｒｃｓｅｃ以下であり、かつ前記（１０‐１０）面のロッキングカーブ半価幅が２５０ａｒｃｓｅｃ以下であることを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載のＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子の製造方法。
【請求項１４】
前記下地層をＭＯＣＶＤ法で形成することを特徴とする請求項１１〜１３の何れか一項に記載のＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子の製造方法。
【請求項１５】
更に、前記下地層の上に、ｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層を順次積層することを特徴とする請求項１１〜１４の何れか一項に記載のＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子の製造方法。
【請求項１６】
請求項１１〜１５の何れか一項に記載のＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子の製造方法によって製造されたことを特徴とするＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子。
【請求項１７】
請求項１〜１０または請求項１６のいずれか一項に記載のＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子が用いられてなることを特徴とするランプ。
【請求項１８】
請求項１〜１０または請求項１６のいずれか一項に記載のＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子が用いられてなることを特徴とする光電気変換素子。
【請求項１９】
請求項１〜１０または請求項１６のいずれか一項に記載のＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子が用いられてなることを特徴とする電子デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
［１］  基板と、前記基板上に設けられた単結晶からなる中間層と、前記中間層上に設けられ、（０００２）面のロッキングカーブ半価幅が５０ａｒｃｓｅｃ以下であり、かつ（１０‐１０）面のロッキングカーブ半価幅が２５０ａｒｃｓｅｃ以下である下地層とを備えてなることを特徴とするＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子。
［２］  基板と、前記基板上に設けられた柱状結晶を有する中間層と、前記中間層上に設けられ、（０００２）面のロッキングカーブ半価幅が５０ａｒｃｓｅｃ以下であり、かつ（１０‐１０）面のロッキングカーブ半価幅が２５０ａｒｃｓｅｃ以下である下地層とを備えてなることを特徴とするＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子。
［３］  前記基板が、サファイアであることを特徴とする［１］または［２］に記載のＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子。
［４］  前記中間層が、前記サファイア基板のｃ面上に形成されていることを特徴とする［３］に記載のＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子。
［５］  前記中間層が、ＡｌｘＧａ１‐ｘＮ（０≦ｘ≦１）からなることを特徴とする［１］〜［４］のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子。
［６］  前記中間層が、ＡｌＮからなることを特徴とする［１］〜［５］のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子。
［７］  前記下地層が、ＡｌＧａＮからなることを特徴とする［１］〜［６］のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子。
［８］  前記下地層が、ＧａＮからなることを特徴とする［１］〜［６］のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
［１１］  基板と、前記基板上に設けられた単結晶からなる中間層と、前記中間層上に設けられ、（０００２）面のロッキングカーブ半価幅が１００ａｒｃｓｅｃ以下であり、かつ（１０‐１０）面のロッキングカーブ半価幅が３００ａｒｃｓｅｃ以下である下地層とを備えてなるＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子の製造方法であって、前記中間層をスパッタ法で形成すると共に、前記スパッタ法における窒素原料と不活性ガスの流量に対する窒素流量の比を、窒素原料が５０％〜１００％となるようにすることを特徴とするＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子の製造方法。
［１２］  基板と、前記基板上に設けられた柱状結晶を有する中間層と、前記中間層上に設けられ、（０００２）面のロッキングカーブ半価幅が１００ａｒｃｓｅｃ以下であり、かつ（１０‐１０）面のロッキングカーブ半価幅が３００ａｒｃｓｅｃ以下である下地層とを備えてなるＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子の製造方法であって、前記中間層をスパッタ法で形成すると共に、前記スパッタ法における窒素原料と不活性ガスの流量に対する窒素流量の比を、窒素原料が１％〜５０％となるようにすることを特徴とするＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子の製造方法。
［１３］  前記（０００２）面のロッキングカーブ半価幅が５０ａｒｃｓｅｃ以下であり、かつ前記（１０‐１０）面のロッキングカーブ半価幅が２５０ａｒｃｓｅｃ以下であることを特徴とする［１１］または  ［１２］に記載のＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子の製造方法。
［１４］前記下地層をＭＯＣＶＤ法で形成することを特徴とする［１１］〜［１３］の何れか一項に記載のＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子の製造方法。
［１５］  更に、前記下地層の上に、ｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層を順次積層することを特徴とする請求項［１１］〜［１４］の何れか一項に記載のＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
［１６］  ［１１］〜［１５］の何れか一項に記載のＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法によって製造されたことを特徴とするＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子。
［１７］  ［１］〜［１０］または［１６］のいずれか一項に記載のＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子が用いられてなることを特徴とするランプ。
［１８］  ［１］〜［１０］または［１６］のいずれか一項に記載のＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子が用いられてなることを特徴とする光電気変換素子。
［１９］  ［１］〜［１０］または［１６］のいずれか一項に記載のＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子が用いられてなることを特徴とする電子デバイス。