Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月25日(2010.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電化製品が通信可能に接続された情報処理装置であって、
当該電化製品の種別を判別するためのパケットを受信するパケット受信手段と、
前記電化製品ごとに定められた定義ファイルを記憶する記憶手段と、
前記パケットと前記電化製品ごとの定義ファイルを比較し、得点化する得点化手段と、
前記得点化手段の得点が高い定義ファイルを抽出し、当該定義ファイルの電化製品情報を、前記電化製品の電化製品情報とする電化製品種別決定手段と、
を備える情報処理装置。
【請求項２】
前記得点化手段は、前記パケットと前記電化製品ごとの定義ファイルを比較し、前記パケットと前記定義ファイルとの類似度により得点化する請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
電化製品が通信可能に接続された情報処理装置が実行する方法であって、
前記電化製品に対して、所定のパケットを送信するステップと、
前記パケットを送信した電化製品から、当該電化製品の種別を判別するためのパケットを受信するステップと、
前記電化製品ごとに定められた定義ファイルを記憶するステップと、
前記パケットと前記電化製品ごとの定義ファイルを比較し、得点化するステップと、
前記得点化するステップの得点が高い定義ファイルを抽出し、当該定義ファイルの電化製品情報を、前記電化製品の電化製品情報とするステップと、
を備える方法。
【請求項４】
電化製品が通信可能に接続された情報処理装置に、
前記電化製品に対して、所定のパケットを送信するステップ、
前記パケットを送信した電化製品から、当該電化製品の種別を判別するためのパケットを受信するステップ、
前記電化製品ごとに定められた定義ファイルを記憶するステップ、
前記パケットと前記電化製品ごとの定義ファイルを比較し、得点化するステップ、
前記得点化するステップの得点が高い定義ファイルを抽出し、当該定義ファイルの電化製品情報を、前記電化製品の電化製品情報とするステップ、
を実行させるためのプログラム。
【請求項５】
電化製品が通信可能に接続された情報処理装置と、当該情報処理装置と通信可能に接続された機器認識サーバと、から構成される電化製品種別決定システムであって、
前記情報処理装置は、
前記電化製品から、当該電化製品の種別を判別するためのパケットを受信するパケット受信手段と、
前記パケットを前記機器認識サーバに送信することで、前記電化製品の種別に関する情報を要求する種別情報要求手段と、を備え、
前記機器認識サーバは、
前記電化製品ごとに定められた定義ファイルを記憶する記憶手段と、
前記情報処理装置からの要求に応じて、前記パケットと前記電化製品ごとの定義ファイルを比較し、得点化する得点化手段と、
前記得点化手段の結果として、得点が高い定義ファイルを抽出し、当該定義ファイルの電化製品情報を、前記電化製品の電化製品情報として、前記情報処理装置に送信する電化製品種別決定手段と、
を備える電化製品種別決定システム。
【請求項６】
電化製品が通信可能に接続された情報処理装置と通信可能に接続された機器認識サーバであって、
前記情報処理装置から、前記電化製品から送信された所定のパケットを受信する受信手段と、
前記電化製品ごとに定められた定義ファイルを記憶する記憶手段と、
前記情報処理装置からの要求に応じて、前記所定のパケットと前記電化製品ごとの定義ファイルを比較し、得点化する得点化手段と、
前記得点化手段の結果として、得点が高い定義ファイルを抽出し、当該定義ファイルの電化製品情報を、前記電化製品の電化製品情報として、前記情報処理装置に送信する電化製品種別決定手段と、
を備える機器認識サーバ。
【請求項７】
電化製品が通信可能に接続された情報処理装置と、当該情報処理装置と通信可能に接続された機器認識サーバと、から構成されるシステムが実行する方法であって、
前記情報処理装置が、
前記電化製品から、当該電化製品の種別を判別するためのパケットを受信するパケット受信ステップと、
前記パケットを前記機器認識サーバに送信することで、前記電化製品の種別に関する情報を要求する種別情報要求ステップと、を実行し、
前記機器認識サーバが、
前記電化製品ごとに定められた定義ファイルを記憶する記憶ステップと、
前記情報処理装置からの要求に応じて、前記パケットと前記電化製品ごとの定義ファイルを比較し、得点化する得点化ステップと、
前記得点化ステップの結果として、得点が高い定義ファイルを抽出し、当該定義ファイルの電化製品情報を、前記電化製品の電化製品情報として、前記情報処理装置に送信する電化製品種別決定ステップと、を実行する方法。
【請求項８】
電化製品が通信可能に接続された情報処理装置と、当該情報処理装置と通信可能に接続された機器認識サーバと、から構成されるシステムに実行させるためのシステム用プログラムであって、
前記情報処理装置に、
前記電化製品から、当該電化製品の種別を判別するためのパケットを受信するパケット受信ステップ、
前記パケットを前記機器認識サーバに送信することで、前記電化製品の種別に関する情報を要求する種別情報要求ステップ、を実行させるための情報処理装置用のプログラムと、
前記機器認識サーバに、
前記電化製品ごとに定められた定義ファイルを記憶する記憶ステップ、
前記情報処理装置からの要求に応じて、前記パケットと前記電化製品ごとの定義ファイルを比較し、得点化する得点化ステップ、
前記得点化ステップの結果として、得点が高い定義ファイルを抽出し、当該定義ファイルの電化製品情報を、前記電化製品の電化製品情報として、前記情報処理装置に送信する電化製品種別決定ステップ、を実行させるための機器認識サーバ用プログラムと、を備えるシステム用プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月21日(2010.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを格納する記憶装置を備えた電子機器と、
前記電子機器が備える記憶装置内のデータを書き換えるデータ書換装置と、
を有し、
前記データ書換装置は、
書き換えるデータを光通信により前記電子機器に送信する書換側発光部と、
前記電子機器が可視光通信により送信するデータを受信する書換側受光部と、
前記書換側受光部が受信したデータを表示する表示部と、
を備え、
前記電子機器は、
前記書換側発光部が送信するデータを受信し前記記憶装置に格納する機器側受光部と、
可視光通信により前記データ書換装置にデータを送信する機器側発光部と、
を備えることを特徴とするデータ書換システム。
【請求項２】
前記書換側発光部は、書き換えるデータを赤外線通信または可視光通信により送信する
ことを特徴とする請求項１記載のデータ書換システム。
【請求項３】
ネットワークに接続されたサーバを有し、
前記データ書換装置は、
前記ネットワークと接続するインターフェースを備え、
前記インターフェースを介して、
前記電子機器から受信したデータを前記サーバに送信し、
前記サーバは、
前記データ書換装置から受信したデータを用いて前記電子機器の故障診断を実施し、
その結果を前記データ書換装置に前記ネットワークを介して送信し、
前記データ書換装置はその結果を前記表示部で画面表示する
ことを特徴とする請求項１または請求項２記載のデータ書換システム。
【請求項４】
前記電子機器は、当該電子機器の識別情報を前記データ書換装置に送信し、
前記データ書換装置は、その識別情報を前記サーバに送信し、
前記サーバは、その識別情報に基づき前記記憶装置に格納するデータの更新版を前記データ書換装置に前記ネットワークを介して送信し、
前記データ書換装置は、その更新版のデータを前記電子機器に送信する
ことを特徴とする請求項３記載のデータ書換システム。
【請求項５】
前記機器側受光部および前記機器側発光部は、
当該電子機器本体の内部に配置された回路基板上に実装されており、
前記電子機器は、
本体表面に配置された第２機器側受光部および第２機器側発光部を備え、
前記機器側受光部および前記機器側発光部と、前記第２機器側受光部および第２機器側発光部とをそれぞれ接続する光伝送ケーブルをさらに備えている
ことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のデータ書換システム。
【請求項６】
前記電子機器は、
前記データ書換装置との間で通信を開始する際に所定の開始信号を送信し、
前記データ書換装置は、
その開始信号を用いて、前記電子機器との間の通信速度および通信方式を決定する
ことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のデータ書換システム。
【請求項７】
前記電子機器または前記データ書換装置は、
可視光通信を用いた通信を開始する際に、
前記書換側受光部または前記機器側受光部の受信感度が安定したことを確認するまで、以後の通信を行わない
ことを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のデータ書換システム。
【請求項８】
前記電子機器または前記データ書換装置は、
可視光通信を用いた通信を行う際に、
受光素子が飽和しないよう、通信信号の送信中に所定の送信中断時間帯を設ける
ことを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載のデータ書換システム。
【請求項９】
前記書換側発光部または前記機器側発光部は、
ＯＮデューティ比または信号強度を用いて変調した信号を送信する
ことを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれかに記載のデータ書換システム。
【請求項１０】
前記書換側発光部または前記機器側発光部は、
受信側の機器が内部的に使用する電気信号を送信信号に重畳して送信し、
受信側の機器は、
その送信信号から前記電気信号を取り出し、その電気信号に該当する動作を実行する
ことを特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれかに記載のデータ書換システム。
【請求項１１】
前記電子機器の本体筐体は、
前記データ書換装置を固定するための固定部、または前記データ書換装置を固定する位置を指示するマークを備えている
ことを特徴とする請求項１ないし請求項１０のいずれかに記載のデータ書換システム。
【請求項１２】
前記電子機器は、回路構成を書換可能な演算装置を備えており、
前記データ書換装置は、
前記演算装置の回路構成を指定するデータを前記電子機器に送信し、
前記電子機器は、
そのデータを用いて前記演算装置の回路構成を書き換える
ことを特徴とする請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載のデータ書換システム。
【請求項１３】
データを格納する記憶装置を備えた電子機器と、
前記電子機器が備える記憶装置内のデータを書き換えるデータ書換装置と、
を有し、
前記データ書換装置は、
書き換えるデータを、音声通信、２次元電磁波通信、または振動通信により前記電子機器に送信する書換側送信部と、
前記電子機器が可視光通信により送信するデータを受信する書換側受光部と、
前記書換側受光部が受信したデータを表示する表示部と、
を備え、
前記電子機器は、
前記書換側送信部が送信するデータを受信し前記記憶装置に格納する機器側受信部と、
可視光通信により前記データ書換装置にデータを送信する機器側発光部と、
を備えることを特徴とするデータ書換システム。
【請求項１４】
前記機器側発光部に、前記電子機器が通常備えている発光デバイスを流用する
ことを特徴とする請求項１ないし請求項１３のいずれかに記載のデータ書換システム。
【請求項１５】
前記発光デバイスがデータを送信するときは、通常より輝度を増すようにした
ことを特徴とする請求項１４記載のデータ書換システム。
【請求項１６】
前記電子機器は、空気調和機または冷蔵庫である
ことを特徴とする請求項１ないし請求項１５のいずれかに記載のデータ書換システム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月24日(2010.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
燃料ガスと酸化剤ガスとが供給されて発電を行う燃料電池と、該燃料電池を冷却させる冷媒の温度を低下させるための熱交換部とを備えた燃料電池の冷却システムであって、
前記熱交換部と前記燃料電池とを接続して前記冷媒を循環させる第１冷却回路と、
前記熱交換部をバイパスするバイパス流路を介して前記燃料電池と接続して前記冷媒を循環させる第２冷却回路と、を備え、
前記第１冷却回路は、前記バイパス流路を分岐点とする循環流路を形成する第１流路、第２流路、第３流路および第４流路からなり、
前記第１流路および前記第４流路は、前記燃料電池に接続され、前記第４流路が、前記燃料電池に前記冷媒を導入し、前記第１流路が、前記燃料電池から前記冷媒を導出し、
前記第２流路および前記第３流路は、前記熱交換部に接続され、前記第２流路が、前記熱交換部に前記冷媒を導入し、前記第３流路が、前記熱交換部から前記冷媒を導出し、
前記第２冷却回路は、前記バイパス流路と前記第１流路と前記第４流路とからなり、
前記第４流路には、前記冷媒を流動させる第１ポンプを設け、
前記第２流路もしくは前記第３流路には、前記冷媒を流動させる第２ポンプを設けたことを特徴とする燃料電池の冷却システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
前記課題を解決するために、請求項１に記載の燃料電池の冷却システムは、燃料ガスと酸化剤ガスとが供給されて発電を行う燃料電池と、該燃料電池を冷却させる冷媒の温度を低下させるための熱交換部とを備えた燃料電池の冷却システムであって、前記熱交換部と前記燃料電池とを接続する第１冷却回路と、前記熱交換部をバイパスするバイパス流路を介して前記燃料電池と接続する第２冷却回路と、を備え、前記第１冷却回路は、前記バイパス流路を分岐点とする循環流路を形成する第１流路、第２流路、第３流路および第４流路からなり、前記第１流路および前記第４流路は、前記燃料電池に接続され、前記第４流路が、前記燃料電池に前記冷媒を導入し、前記第１流路が、前記燃料電池から前記冷媒を導出し、前記第２流路および前記第３流路は、前記熱交換部に接続され、前記第２流路が、前記熱交換部に前記冷媒を導入し、前記第３流路が、前記熱交換部から前記冷媒を導出し、前記第２冷却回路は、前記バイパス流路と前記第１流路と前記第４流路とからなり、前記第４流路には、前記冷媒を流動させる第１ポンプを設け、前記第２流路もしくは前記第３流路には、前記冷媒を流動させる第２ポンプを設けたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
＜ラジエータの構成＞
ラジエータ２は、燃料電池ＦＣを冷却させる冷媒と空気とを熱交換させて冷媒の温度を低下させるための熱交換部である。このラジエータ２は、冷媒が蛇行するように流れて熱交換される冷媒循環路（図示省略）と、ラジエータファン２１とを備えている。ラジエータ２には、第１冷却回路３の一部を構成する第２流路３２および第３流路３３が接続されている。ラジエータ２は、例えば、車体の前端部に配置されている。
ラジエータファン２１は、冷媒と熱交換させる外気や走行風を取り入れて、ラジエータ２の熱交換面に風を当てて冷媒を冷却させるための送風機である。ラジエータファン２１のモータ２１ａは、制御装置６に接続されて、回転が制御されるようになっている。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月8日(2010.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
前記第１の基板上に設けられた第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に設けられたスペーサーと、
前記スペーサー上に設けられた第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に設けられた第２の基板と、
前記第１の絶縁層と前記第２の基板との間に設けられ、シール材形成領域に配置されたシール材と、を有し、
前記スペーサーは前記シール材形成領域の内側に配置されており、
前記第２の絶縁層は前記シール材形成領域において選択的に除去されており、
前記シール材形成領域には、セルギャップ制御する材料が設けられていないことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
第１の基板と、
前記第１の基板上に設けられた第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に設けられたスペーサーと、
前記スペーサー上に設けられた第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に設けられた第２の基板と、
前記第１の絶縁層と前記第２の基板との間に設けられ、シール材形成領域に配置されたシール材と、を有し、
前記スペーサーは前記シール材形成領域の内側に配置されており、
前記第２の絶縁層は前記シール材形成領域において選択的に除去されており、
前記スペーサーに起因してセルギャップが決まることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
第１の基板と、
前記第１の基板上に設けられた第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に設けられたスペーサーと、
前記スペーサー上に設けられた第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に設けられた第２の基板と、
前記第１の絶縁層と前記第２の基板との間に設けられ、シール材形成領域に配置されたシール材と、を有し、
前記スペーサーは前記シール材形成領域の内側に配置されており、
前記第２の絶縁層は前記シール材形成領域において選択的に除去されており、
前記シール材には充填材のみが含有されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の絶縁層は前記シール材形成領域に残存していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記スペーサーは複数設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記シール材形成領域の内側とは、画素領域又は駆動回路領域であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記スペーサーは柱状であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記スペーサーは壁状であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記スペーサーは球状であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記スペーサーは有機樹脂のスペーサーであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記シール材形成領域にＦＰＣ配線が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月25日(2010.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、複数のフォトダイオード（Photo Diode）が配列されてなるフォトダイオードアレイ（Photo Diode Array）に関する。本発明はまた、フォトダイオードアレイの信号読出方法に関する。なお、本明細書では適宜、フォトダイオードを「ＰＤ」と、フォトダイオードアレイを「ＰＤＡ」と略記する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
それに対して蓄積読み出し方式では、光強度とフォトダイオードの照射時間の積に比例した値を読み取ることができる。図１（ａ）は蓄積読み出し方式を採用したフォトダイオードアレイ１３から信号処理回路１５までを含む回路図である。図１（ｂ）に示すように、光照射前には、フォトダイオード接合容量部１２（以下、「ＰＤ接合容量部」と略記する）には一点鎖線で示された電荷量が蓄積されている。しかし、光照射によってフォトダイオード１１に光電流が発生すると、ＰＤ接合容量部１２の電荷が放電されて蓄積電荷量は減少する。マルチプレクサ１４及びオペアンプ１６を介して信号処理回路１５と接続されることにより、ＰＤ接合容量部１２で減少した電荷量は信号処理回路１５で読み出される。同時に、ＰＤ接合容量部１２は接合容量の電荷量（図１（ｂ）における一点鎖線の電荷量）まで充電される。マルチプレクサ１４によって信号処理回路１５との接続が切られると、次に読み出されるまでの間（即ち読み出し周期の間）、光電流によってＰＤ接合容量部１２は再び放電する。すなわち、読み出し周期はＰＤ接合容量部１２の電荷が放電する時間に相当し、読み出される信号は光強度と読み出し周期の積に比例する。このため、蓄積読み出し方式では、光強度が小さくても、読み出し周期を長くすることによって十分な大きさの信号を得ることが可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明に係るＰＤＡは、第一フォトダイオードから第ｎフォトダイオードまでの計ｎ個のＰＤが一次元に配列されて成るものであり、その基本的な構成は従来より存在する一般的なＰＤＡと同様である。また、各ＰＤの信号を読み出す際には、第一ＰＤから第ｎＰＤに向かって順次読み出しが行われる、つまりシーケンシャルアクセスが行われるものとする。なお、「ＰＤの信号」は電荷や電圧等、特に問わないが、以下の説明では電荷とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
上記の手順で測定を行うと、１〜ｉ番目のＰＤまでは読み出し周期(1/2)tで、ｉ＋１〜ｎ番目のＰＤまでは読み出し周期tで測定を行ったのと同様の結果が得られる。すなわち、図３（ｂ）に示すような結果が得られる。ＰＤの飽和は防止され、かつ長波長領域の出力も小さくなっていないため、Ｓ／Ｎ比を維持しながら飽和を防止することができる。Ｓ１で取得された１〜ｉの信号を消去せずに、Ｓ４で得られた信号の１〜ｉ分に加え合わせると、図３の長点線で示されたような「飽和なき理想ＰＤＡの出力図２（ａ）」と同じ結果を得ることができ、これと同等のＳ／Ｎ比を得ることが可能となる。Ｓ１で取得された信号は消去しても良いし、保存しておき、適宜利用しても良い。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
【図１】（ａ）蓄積読み出し方式を用いた場合のPDから信号処理回路までの回路図。（ｂ）光照射によるPD接合容量部の電荷量変化を示す模式図。（ｃ）光照射によるPD接合容量部の飽和状態を示す模式図。
【図２】（ａ）理想条件での従来技術による測定結果を示す図。（ｂ）短波長領域が飽和する場合の従来技術による測定結果を示す図。（ｃ）全体の出力レベルが低い場合の従来技術による測定結果を示す図。
【図３】（ａ）キャンセルプロセスを１回実行する場合の読出方法の概念図。（ｂ）図３（ａ）の方法による測定結果を示す図。
【図４】キャンセルプロセスを２回実行する場合の読出方法とその測定結果を示す図。
【図５】一実施例における、（ａ）従来技術と（ｂ）本願発明による測定の比較を示す図。
【図６】（ａ）短波長から長波長にかけて光強度が増加する場合の光強度とＰＤとの関係を示す図。（ｂ）短、長波長領域で光強度が大きく、中波長領域の光強度が小さい場合の光強度とＰＤとの関係を示す図。（ｃ）図６（ｂ）にフィルタをかけた場合の測定結果。（ｄ）図６（ｃ）に本願発明を適用した場合の測定結果。（ｅ）短、長波長領域で光強度が小さく、中波長領域で光強度が大きい場合の光強度とＰＤとの関係を示す図。（ｆ）図６（ｅ）に本願発明を適用した場合の測定結果。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2009260865.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月20日(2010.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークアドレスを記憶する第１テーブルと、
ネットワークアドレスと出力ポートとの組を記憶する第２テーブルと、
入力されたパケットに含まれる宛先ＩＰアドレスのネットワークアドレスに一致する、前記第１テーブルのネットワークアドレスを決定する第１決定部と、
前記第２テーブルを使って、前記決定されたネットワークアドレスに対応する出力ポートを決定する第２決定部と
を有するパケット転送装置。
【請求項２】
前記第１テーブルのネットワークアドレスは優先度順に並び、
前記第１決定部は、最も優先度の高いネットワークアドレスから前記宛先ＩＰアドレスのネットワークアドレスに一致するネットワークアドレスを検索することにより、前記第１テーブルのネットワークアドレスを決定することを特徴とする、請求項１記載のパケット転送装置。
【請求項３】
前記優先度は、ＩＰアドレスのサブネットマスクで規定される、請求項２記載のパケット転送装置。
【請求項４】
ネットワークアドレスを第１テーブルに記憶し、
ネットワークアドレスと出力ポートとの組を第２テーブルに記憶し、
入力されたパケットに含まれる宛先ＩＰアドレスのネットワークアドレスに一致する前記第１テーブルのネットワークアドレスを決定し、
前記第２テーブルを使って、前記決定されたネットワークアドレスに対応する出力ポートを決定するパケット転送方法。
【請求項５】
前記第１テーブルのネットワークアドレスは優先度順に並び、
前記ネットワークアドレスの決定は、最も優先度の高いネットワークアドレスから前記宛先ＩＰアドレスのネットワークアドレスに一致するネットワークアドレスを検索することにより、前記第１テーブルのネットワークアドレスを決定することを特徴とする、請求項４記載のパケット転送方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月30日(2010.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央部に貫通部を有し、上記中心部を貫通して配置された一次導体を流れる一次電流にて発生した磁束を集磁するコアと、上記コアの胴部に対しトロイダル巻きされ上記コア内の磁束変化を検出する二次巻線とを有し、上記二次巻線の出力から上記一次電流を測定する電流センサにおいて、
上記コアは、当該コアの周方向に当該コアを分割する磁性体にてなる複数の磁性体部と、非磁性体にてなり上記周方向に当該コアを分割する複数の非磁性体部とを有し、当該コアの全周に渡って上記磁性体部と上記非磁性体部とを交互に配置して形成され、
上記二次巻線は、当該二次巻線を構成する各導体の延在方向に沿う各導体の切り口を含む上記コアにおける切り口である各コア断面が上記磁性体部及び上記非磁性体部と交差し、かつ上記コア断面における上記磁性体部の磁性体部断面積と上記非磁性体部の非磁性体部断面積との比が各コア断面で同一であるという条件下で、上記導体を上記コアの胴部に巻回してなる、
ことを特徴とする電流センサ。
【請求項２】
上記コアは、それぞれが同形状にてなり重ね合わされることで当該コアを形成する複数の分割コアを有し、上記分割コアの上記コア断面における上記磁性体部断面積と上記非磁性体部断面積との比は、それぞれの上記分割コアにおいて異なり、上記二次巻線は、それぞれの上記分割コアが重ねられて形成された上記コアに対して上記条件に従い上記胴部に巻回される、請求項１記載の電流センサ。
【請求項３】
上記コアにおける上記磁性体部は、上記一次導体が貫通する貫通穴を有し非磁性体にてなるコアパターン基板上にパターン形成される、請求項１又は２記載の電流センサ。
【請求項４】
上記二次巻線を構成する上記導体は、上記一次導体が貫通する貫通穴を有し非磁性体にてなる第１巻線パターン基板にパターン形成され、かつ上記一次導体が貫通する貫通穴を有し非磁性体にてなり上記第１巻線パターン基板とともに上記コアをサンドイッチする第２巻線パターン基板にパターン形成され、かつ上記第１巻線パターン基板に形成した第１導体と上記第２巻線パターン基板に形成した第２導体とを電気的に接続する接続導体を有する、請求項１から３のいずれか１項に記載の電流センサ。
【請求項５】
上記コアの上記胴部に対してトロイダル巻きされた上記二次巻線を折り返して形成され、上記胴部に巻回された上記二次巻線の上記一次導体に対する傾きの影響を相殺する方向に沿って上記胴部に設けられる折り返し導体をさらに備える、請求項１から３のいずれか１項に記載の電流センサ。
【請求項６】
上記磁性体部をパターン形成した上記コアパターン基板を複数備え、上記コアは、それぞれのコアパターン基板を積層して形成される、請求項３記載の電流センサ。
【請求項７】
上記磁性体部は、上記コアパターン基板に電解メッキにてパターン形成される、請求項３又は６記載の電流センサ。
【請求項８】
上記非磁性体部は、上記磁性体部が嵌合される嵌合部を形成した非磁性体部材にて形成される、請求項１記載の電流センサ。
【請求項９】
上記コアは、直線状に形成された上記非磁性体部又は上記磁性体部を円形状に変形して形成される、請求項１記載の電流センサ。
【請求項１０】
上記コアは、円形状に変形された上記磁性体部に対して、上記非磁性体部を形成する非磁性材料にて上記磁性体部をモールドして形成される、請求項９記載の電流センサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
さらに又、図９に示すように、折り返し導体１６を有する電流センサ１０５を構成することもできる。折り返し導体１６は、コア１の胴部１ａの全周に対してトロイダル巻きされた二次巻線２の導体２ａを折り返して形成された導体部分であり、胴部１ａに巻回された二次巻線２の一次導体５に対する傾きの影響を相殺する方向に沿って胴部１ａに設けられる。図９に示す例では、折り返し導体１６は、トロイダル巻きされた二次巻線２の導体２ａに接続した状態で導体２ａを折り返し、コア１の周方向１ｄに沿って胴部１ａの周面１ａ−１に対向するように一周分、延在する。折り返し導体１６を形成する上記一周分の導体の長さは、胴部１ａにトロイダル巻きされた二次巻線２の導体２ａの全長に対応する。尚、折り返し導体１６と、胴部１ａにトロイダル巻きされた導体２ａとは、電気的に絶縁された状態である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月27日(2010.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドープされたＩＩＩ族窒化物層と、
前記ドープされたＩＩＩ族窒化物層上に直接形成された窒化ガリウム系超格子であって、少なくとも２つの周期のＩｎXＧａ1-XＮとＩｎYＧａ1-YＮとの交互層（ここで０≦Ｘ＜１および０≦Ｙ＜１、ＸはＹに等しくなく、ならびに第１の前記交互層の厚みが、第２の前記交互層の厚みよりも薄い）を有するｎ型不純物をドープされた窒化ガリウム系超格子と、
を含むことを特徴とするＩＩＩ族窒化物系半導体デバイス。
【請求項２】
前記第１の前記交互層は、前記交互層の前記第２の交互層の厚みのおよそ半分の厚さを有することを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物系半導体デバイス。
【請求項３】
前記窒化ガリウム系超格子は５から５０の周期を含むことを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物系半導体デバイス。
【請求項４】
前記窒化ガリウム系超格子は２５の周期を含むことを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物系半導体デバイス。
【請求項５】
ＩｎXＧａ1-XＮとＩｎYＧａ1-YＮとの交互層のＩｎXＧａ1-XＮとＩｎYＧａ1-YＮの層は、組み合わせた厚みが７０Å未満であることを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物系半導体デバイス。
【請求項６】
Ｘ＝０であることを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物系半導体デバイス。
【請求項７】
ＩｎXＧａ1-XＮとＩｎYＧａ1-YＮとの交互層のＩｎＧａＮ層は厚みが５から４０Åであり、ＩｎXＧａ1-XＮとＩｎYＧａ1-YＮとの交互層のＧａＮ層は厚みが５から１００Åであることを特徴とする請求項６に記載のＩＩＩ族窒化物系半導体デバイス。
【請求項８】
ＩｎXＧａ1-XＮとＩｎYＧａ1-YＮとの交互層のＩｎＧａＮ層は厚みが１５Åであり、ＩｎXＧａ1-XＮとＩｎYＧａ1-YＮとの交互層のＧａＮ層は厚みが３０Åであることを特徴とする請求項７に記載のＩＩＩ族窒化物系半導体デバイス。
【請求項９】
前記窒化ガリウム系超格子には、前記ｎ型不純物が１×１０17ｃｍ-3から５×１０19ｃｍ-3のレベルまでドープされていることを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物系半導体デバイス。
【請求項１０】
前記窒化ガリウム系超格子の前記ドーピングレベルは、前記交互層の層の実際のドーピングレベルであることを特徴とする請求項９に記載のＩＩＩ族窒化物系半導体デバイス。
【請求項１１】
前記ドーピングレベルは、前記交互層の層の平均のドーピングレベルであることを特徴とする請求項９に記載のＩＩＩ族窒化物系半導体デバイス。
【請求項１２】
前記超格子に隣接するドープされたＩＩＩ族窒化物層をさらに含み、前記ドープされたＩＩＩ族窒化物層にはｎ型不純物がドープされて、前記ドープされたＩＩＩ族窒化物層と前記超格子との平均のドーピングとして１×１０17ｃｍ-3から５×１０19ｃｍ-3が与えられていることを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物系半導体デバイス。
【請求項１３】
前記超格子のバンドギャップは、２．９５ｅＶから３．１５ｅＶであることを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物系半導体デバイス。
【請求項１４】
前記半導体デバイスは発光ダイオードを含み、前記発光ダイオードは、前記ドープされたＩＩＩ族窒化物層と対向する前記超格子上に、少なくとも１つの量子井戸構造を備えたＩＩＩ族窒化物系活性領域をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物系半導体デバイス。
【請求項１５】
前記超格子と対向する前記活性領域上にアンドープＩＩＩ族窒化物系キャップ層をさらに備えたことを特徴とする請求項１４に記載のＩＩＩ族窒化物系半導体デバイス。
【請求項１６】
前記アンドープＩＩＩ族窒化物系キャップ層は、アンドープＧａＮ層又はアンドープＡｌＧａＮ層を含むことを特徴とする請求項１５に記載のＩＩＩ族窒化物系半導体デバイス。
【請求項１７】
前記活性領域と前記超格子との間にＩＩＩ族窒化物系スペーサ層をさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載のＩＩＩ族窒化物系半導体デバイス。
【請求項１８】
前記スペーサ層はアンドープＧａＮを含むことを特徴とする請求項１７に記載のＩＩＩ族窒化物系半導体デバイス。
【請求項１９】
前記少なくとも１つの量子井戸のバンドギャップは、前記超格子のバンドギャップよりも小さいことを特徴とする請求項１４に記載のＩＩＩ族窒化物系半導体デバイス。
【請求項２０】
ｎ型ＩＩＩ族窒化物層と、
前記ｎ型ＩＩＩ族窒化物層上に形成された、少なくとも２周期の交互層を有するＩＩＩ族窒化物系超格子と、
前記ｎ型ＩＩＩ族窒化物層と対向する前記超格子上に形成された、少なくとも１つの量子井戸構造を含むＩＩＩ族窒化物系発光ダイオード活性領域と、
前記発光ダイオード活性領域上であって、前記超格子から離れて形成されたアルミニウムを含むアンドープＩＩＩ族窒化物キャップ層であって、異なるアルミニウム組成を有する複数の副層を含む、前記アンドープＩＩＩ族窒化物キャップ層と、
を備えたことを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２１】
前記アンドープＩＩＩ族窒化物キャップ層は前記活性領域直上にあることを特徴とする請求項２０に記載の発光ダイオード。
【請求項２２】
前記アンドープＩＩＩ族窒化物キャップ層は、複数のアンドープＡｌＧａＮ副層を含むことを特徴とする請求項２０に記載の発光ダイオード。
【請求項２３】
前記複数のＡｌＧａＮ副層のＡｌ組成は、段階的に傾斜していることを特徴とする請求項２２に記載の発光ダイオード。
【請求項２４】
前記複数のアンドープＡｌＧａＮ副層の前記Ａｌ組成は、連続的に減少するように傾斜していることを特徴とする請求項２２に記載の発光ダイオード。
【請求項２５】
前記アンドープＩＩＩ族窒化物キャップ層上であって、前記発光ダイオード活性領域から離れて形成されたｐ型ＩＩＩ族窒化物層をさらに備えたことを特徴とする請求項２２に記載の発光ダイオード。
【請求項２６】
前記ｐ型ＩＩＩ族窒化物層のＡｌ組成は、前記複数のＡｌＧａＮ副層の直接接している１つの副層のＡｌ組成よりも低いことを特徴とする請求項２５に記載の発光ダイオード。
【請求項２７】
前記活性領域と前記アンドープＩＩＩ族窒化物キャップ層との間にＧａＮ層をさらに備えたことを特徴とする請求項２０に記載の発光ダイオード。
【請求項２８】
前記ＧａＮ層はアンドープであることを特徴とする請求項２７に記載の発光ダイオード。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月5日(2010.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバに結合された少なくとも１対の反射器を含み、前記少なくとも１対の反射器は、前記少なくとも１対の反射器間に光キャビティを画定し、前記光キャビティ内で光を反射するように構成されており、さらに、
前記光ファイバに結合され、前記光キャビティにポンプ光を供給するように構成された少なくとも１つの光ポンプと、
前記光キャビティ内に位置決めされ、前記光キャビティ内の前記ポンプ光から信号光を発生するように構成された少なくとも１つの媒体と、
前記光キャビティ内に位置決めされ、前記光キャビティの外に前記信号光を結合するように構成された少なくとも１つのグレーティングとを含むファイバ・レーザ。
【請求項２】
前記少なくとも１対の反射器が第１の対の反射グレーティングを含む、請求項１に記載のファイバ・レーザ。
【請求項３】
前記光キャビティが第２の対の反射グレーティングを含み、前記第２の対の反射グレーティングが、前記ファイバ内に形成され、前記第１の対の反射グレーティング内に位置決めされ、そして、前記第２の対の反射グレーティング間で前記光キャビティ内の前記信号光を反射するように構成される、請求項２に記載のファイバ・レーザ。
【請求項４】
前記第１の対の反射グレーティングにより、光が約１５５５ｎｍの波長で前記光キャビティに入ることが可能になる、請求項２に記載のファイバ・レーザ。
【請求項５】
前記少なくとも１つの光ポンプの反対側で前記少なくとも１対の反射器の別の側に位置決めされ、そして、前記光キャビティにポンプ光を供給するように構成された第２の光ポンプをさらに含む、請求項１に記載のファイバ・レーザ。
【請求項６】
前記光キャビティ内に位置決めされ、前記キャビティの外に前記信号光を結合するように構成された第２のファイバ・グレーティングをさらに含む、請求項１に記載のファイバ・レーザ。
【請求項７】
前記少なくとも１対の反射器における前記反射器のうちの少なくとも１つが、前記ファイバ内または前記ファイバの端面の近くに設けられる、請求項１に記載のファイバ・レーザ。
【請求項８】
前記少なくとも１対の反射器が、前記少なくとも１つの媒体の一方の端部に１つまたは複数の高反射器と、前記少なくとも１つの媒体の他方の端部に単一の広帯域反射器とを含む、請求項１に記載のファイバ・レーザ。
【請求項９】
光キャビティを有する光ファイバと、
前記光キャビティにポンプ光を供給するように構成された光ポンプと、
前記光キャビティ内に設けられ、前記ポンプ光から出力光を発生させるように構成された媒体と、
前記光キャビティ内に設けられ、前記光キャビティの外に前記出力光を結合するように構成されたグレーティングと、を含むファイバ・レーザ。
【請求項１０】
前記光キャビティが、１対のグレーティングによって形成されたリニア・キャビティであり、前記グレーティングが、前記光キャビティ内で前記出力光を反射するように構成される、請求項９に記載のファイバ・レーザ。
【請求項１１】
前記光キャビティが、少なくとも１つの光カプラによって形成されたリング形状キャビティである、請求項９に記載のファイバ・レーザ。
【請求項１２】
前記光ポンプが、前記リニア光キャビティにポンプ光を反対方向で供給するようにさらに構成される、請求項１０に記載のファイバ・レーザ。
【請求項１３】
前記光ポンプが、前記光キャビティの両側に位置決めされた２つのポンプを含む、請求項１２に記載のファイバ・レーザ。
【請求項１４】
前記グレーティングが、前記媒体の外に少なくとも部分的に形成されるか、または前記媒体内に少なくとも部分的に形成される、請求項１または９に記載のファイバ・レーザ。
【請求項１５】
光ファイバから少なくとも部分的に形成されるリング形状光キャビティと、
前記リング形状光キャビティにポンプ光を供給するように構成されたポンプと、
前記リング形状光キャビティ内に位置決めされ、前記ポンプ光から信号光を発生させるように構成された媒体と、
前記リング形状光キャビティ内に位置決めされ、前記リング形状光キャビティの外に前記信号光を結合するように構成された第１の傾斜グレーティングと、を含む光アセンブリ。
【請求項１６】
前記第１のグレーティングが、前記媒体の外に少なくとも部分的に形成される、請求項１５に記載のアセンブリ。
【請求項１７】
前記グレーティングが２つの傾斜グレーティングを含み、
前記２つの傾斜グレーティングの各々が４５°の軸角を有し、
前記２つの傾斜グレーティングの方位角間の差が９０°であり、
前記グレーティングの相対強度が、一方のグレーティングは前記レーザ・キャビティ内の前記光を偏光させ、他方のグレーティングは、レーザ発振している前記偏光に沿って光を前記ファイバの外に散乱させるものである、請求項１５に記載のアセンブリ又は請求項１若しくは９に記載のファイバ・レーザ。
【請求項１８】
前記リング形状光キャビティ内に位置決めされ、前記第１のグレーティングと同じ角度または異なる角度で前記リング形状光キャビティの外に光を結合するように構成された第２のグレーティングをさらに含む、請求項１５に記載のアセンブリ。
【請求項１９】
ａ）前記第１のポンプから放出された前記ポンプ光を受け取り、前記ポンプ光を前記リング形状光キャビティに結合するように構成された光カプラ、
ｂ）前記リング形状光キャビティ内に位置決めされ、前記リング形状光キャビティ内の前記信号光を単一方向に導くように構成されたアイソレータ・デバイス、または、
ｃ）前記リング形状光キャビティ内の前記信号光を第１の波長でフィルタ処理するように構成された少なくとも１つのフィルタ、
のうちの少なくとも１つをさらに含む、請求項１５に記載のアセンブリ。
【請求項２０】
第２の波長で前記リング形状光キャビティ内に発生した前記信号光をフィルタ処理するように構成された１つまたは複数の第２の波長フィルタをさらに含む、請求項１９に記載のアセンブリ。
【請求項２１】
前記リング形状光キャビティにポンプ光を第１の方向で供給するように構成された第１のポンプと、
前記リング形状光キャビティにポンプ光を前記第１の方向とは反対の第２の方向で供給するように構成された第２のポンプと、を含む、請求項１５に記載のアセンブリ。
【請求項２２】
前記グレーティングが傾斜グレーティングを含む、請求項１５に記載のアセンブリ又は請求項１若しくは９に記載のファイバ・レーザ。
【請求項２３】
前記グレーティングが、グレーティング平面に関して前記ファイバの軸に対して４５度に傾けられているグレーティングを含む、請求項１５に記載のアセンブリ又は請求項１若しくは９に記載のファイバ・レーザ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月5日(2010.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン及び遊離基を有する発光プラズマからの遊離基により加工物を処理するための装置であって、
処理空間及び前記処理空間に連通したプラズマ・キャビティを含む真空チャンバと、
前記真空チャンバの前記処理空間に位置づけされた加工物ホルダーと、
前記処理空間および前記プラズマ・キャビティを排気するようにされ、前記真空チャンバに設けられた真空口と、
前記プラズマ・キャビティ内に配置された電力供給電極と、
前記プラズマ・キャビティと前記処理空間との間に位置づけられ、複数の第１のスロットを備えた第１のスロット付き板と、
前記第１のスロット付き板と前記電力供給電極との間に位置づけられ、複数の第２のスロットを備えた第２のスロット付き板と、
を備え、前記第１のスロット付き板と前記第２のスロット付き板は、前記新旧チャンバに電気的に接地され、前記電力供給電極は、前記プラズマ・キャビティ中のプロセス・ガスを励起して、前記第２のスロット付き板と前記電力供給電極との間に前記プラズマの前記イオンと前記遊離基を発生させ、前記第１のスロットと前記第２のスロットは、前記プラズマ内の前記遊離基を前記プラズマ・キャビティから前記処理空間へと移動させ、前記プラズマ中の前記イオンが前記プラズマ・キャビティから前記処理空間へと移動するのをほぼ減少させ、前記第１のスロットは前記第２のスロットからずれており、前記プラズマから前記加工物への光の移動を減少させるため前記プラズマ・キャビティから前記処理空間への見通し通路を実質的に無くすように、前記プラズマ・キャビティから前記処理空間へと延在する方向において前記第１のスロットは前記第２のスロットに対して位置合わせされていないことを特徴とする加工物を処理するための装置。
【請求項２】
前記第１のスロット付き板と前記第２のスロット付き板との間に設けられ、前記第１のスロット付き板と前記第２のスロット付き板との間に電気的接触を与える複数の導電性スペーサを更に備えていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
複数の第３のスロットを備えた第３のスロット付き板をさらに備え、前記第２のスロット付き板は前記第１のスロット付き板と前記第３のスロット付き板との間に配置され、前記プラズマ・キャビティから前記処理空間へと延在する前記方向において、前記第３のスロットは前記第２のスロットに対してずれていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記真空チャンバは、前記加工物を前記加工物ホルダーに導入すること及び加工物ホルダーから除去することを許可するため開放位置と閉止位置との間で移動可能に構成されたチャンバ蓋を備え、前記チャンバ蓋は、前記チャンバ蓋が前記開放位置と前記閉止位置との間で移動する際、前記第１のスロット付き板、前記第２のスロット付き板及び前記電力供給電極を担持し、前記プラズマ・キャビティは、前記チャンバ蓋内に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記チャンバ蓋が、さらに前記プラズマ・キャビティと液体連通状態で結合された前記プロセス・ガス供給口を備えることを特徴とする請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記チャンバ蓋が、さらに、前記プロセス・ガス口から入って来たプロセス・ガスを前記プラズマ・キャビティに分配するための複数の通路を含み、前記電力供給電極が、前記電力供給電極と前記チャンバ蓋との間に位置づけされた電極絶縁体を含み、前記電極絶縁体が外周を、また前記電力供給電極が外周を含み、前記装置がさらに、前記プラズマ・キャビティ中に実質的に一様な分配を行うために、前記電極絶縁体の外周および前記電力供給電極の外周のまわりにしみ出るプロセス・ガスを放出する前記電極絶縁体の近傍の複数の出口を含むことを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記真空チャンバは、前記プラズマ・キャビティ内に位置づけられ、電気的に接地された複数の表面を備え、前記電力供給電極は、前記複数の表面から実質的に等距離に位置づけされていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項８】
プラズマ・キャビティと処理空間を備えた真空チャンバ内で加工物を処理する方法であって、
前記プラズマ・キャビティ内のプロセス・ガスからイオン及び遊離基を含むプラズマを発生させること、
前記プラズマ・キャビティ内でプラズマから光を放出させること、
プラズマ中の遊離基を前記プラズマ・キャビティから前記処理空間へ移動させること、
前記プラズマ・キャビティから前記処理空間へのプラズマ中のイオンの移動を実質的に減少させること、
第１のセットのスロットを介して前記プラズマ・キャビティ内のプラズマから光を移動させること、
前記プラズマ・キャビティから前記処理空間へと延在する方向において、前記第１のセットのスロットが前記第２のセットのスロットに対して位置合わせされないように、前記第１のセットのスロットからずれた第２のセットのスロットにより移動した光を実質的に遮断すること、
前記遊離基により前記処理空間内で前記加工物を処理すること、
からなる方法。
【請求項９】
異なる厚さを有し、各々が露出表面を有する第１及び第２の加工物をプラズマで処理するための装置であって、
チャンバ・ベース、および処理空間を画定する閉じた位置と前記処理空間に加工物を入れたり出したり移動するための開いた位置との間で前記チャンバ・ベースに対して動かすことができるチャンバ蓋を有する真空チャンバと、
前記処理空間を排気するため前記真空チャンバ内に設けた真空口と、
前記第１の加工物または前記第２の加工物のいずれかを水平面で保持するように構成された前記処理空間に位置づけされた加工物ホルダーと、
プロセス・ガスを前記処理空間に供給するため前記真空チャンバ内に設けたプロセス・ガス供給口と、
前記第１の加工物または前記第２の加工物のいずれかの面に対して平行な面において電力供給電極を含み前記チャンバ蓋内に配置され、前記プロセス・ガスから生成される前記処理空間のプラズマを供給するように動作可能なプラズマ励起源であって、前記電力供給電極と第１の厚さを有する前記第１の加工物の前記露出表面との間の距離は、所望の間隔を規定しているプラズマ励起源と、
前記第１の加工物が前記第１の加工物と異なる厚さを有する第２の加工物に交換される際に、前記所望の間隔を維持するため前記チャンバ蓋に付加または取外可能な側壁部と
を備える装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月27日(2010.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、特許文献３に開示されている手法とは次の手法である。即ち、１パス目のエンコードビデオデータのうちのビット量を削っても問題ない区間の割当量を減らして、その分のビット量を問題が発生する他の区間に割り当てるように目標ビット量を設定し、その目標ビット量に従って２パス目のエンコード処理を行う、という手法が特許文献３に開示されている。
また、特許文献４には、記録メディアに用意された容量を効率的に使ってエンコードビデオデータを作成できるようにする技術が開示されている。具体的に、１パス目のエンコード処理の結果得られる第１のエンコードビデオデータからピクチャタイプと困難度とがフレーム単位で検出され、その検出結果に基づいて第２のエンコード条件を設定し、その第２のエンコード条件に従った２パス目のエンコード処理をビデオデータに施す、という手法が開示されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【特許文献１】特開平１１−００４４５号公報
【特許文献２】特開平１１−３４６３６５号公報
【特許文献３】特許第３２５３９７１号公報
【特許文献４】特開２００６−７４４６１号公報