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【手続補正書】
【提出日】平成21年12月11日(2009.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光ダイオードと、当該各発光ダイオードを点灯させるための信号の入力または出力を行うコネクタとが突出するように設けられた複数の配線基板と、
前記各配線基板を覆うように設けられ、前記各発光ダイオードを前記突出方向に露出させるための第１の開口と、前記コネクタを前記突出方向に露出させるための第２の開口とを表面に有し、前記各発光ダイオードから出射された光を反射可能な反射板と、
前記反射板と対向するように設けられ、前記光の一部を前記反射板側へ反射させるとともに、前記光の他部を透過させ拡散させて出射させる拡散板と、
前記反射板の前記第２の開口の少なくとも一部を覆うように設けられ、前記光を反射可能な被覆部と
を具備するバックライト装置。
【請求項２】
請求項１に記載のバックライト装置であって、
前記被覆部は、前記第２の開口を覆うように前記反射板に貼付されたシート材である
バックライト装置。
【請求項３】
請求項１に記載のバックライト装置であって、
前記被覆部は、前記反射板のうち前記コネクタと対向する部分を、前記第２の開口が形成されるように切り込み、その切り込み部分を前記突出方向へ浮かせるように折り曲げることで形成されたフラップ部である
バックライト装置。
【請求項４】
請求項３に記載のバックライト装置であって、
前記コネクタはその露出する表面に高光反射性材料を有する
バックライト装置。
【請求項５】
請求項３に記載のバックライト装置であって、
前記フラップ部は、前記反射板の表面と略平行な平面部を有する
バックライト装置。
【請求項６】
請求項１に記載のバックライト装置であって、
前記被覆部は、前記コネクタの露出する表面が有する高光反射性材料である
バックライト装置。
【請求項７】
請求項１に記載のバックライト装置であって、
前記被覆部は、前記反射板のうち前記コネクタと対向する部分を前記突出方向へ突出させて、前記第２の開口と一体的に形成された凸部である
バックライト装置。
【請求項８】
複数の発光ダイオードが突出するように設けられた複数の配線基板と、
前記各配線基板を保持する保持部材と、
前記各配線基板を前記保持部材へ係止可能であり、前記各配線基板から少なくとも一部が突出するように設けられた係止部材と、
前記各配線基板を覆うように設けられ、前記各発光ダイオードを前記突出方向に露出させるための第１の開口と、前記係止部材を前記突出方向に露出させるための第２の開口とを表面に有し、前記各発光ダイオードから出射された光を反射可能な反射板と、
前記反射板と対向するように設けられ、前記光の一部を前記反射板側へ反射させるとともに、前記光の他部を透過させ拡散させて出射させる拡散板と、
前記反射板の前記第２の開口の少なくとも一部を覆うように設けられ、前記光を反射可能な被覆部と
を具備するバックライト装置。
【請求項９】
請求項８に記載のバックライト装置であって、
前記被覆部は、前記第２の開口を覆うように前記反射板に貼付されたシート材である
バックライト装置。
【請求項１０】
請求項８に記載のバックライト装置であって、
前記被覆部は、前記係止部材の露出する表面が有する高光反射性材料である
バックライト装置。
【請求項１１】
請求項８に記載のバックライト装置であって、
前記被覆部は、前記反射板のうち前記係止部材と対向する部分を前記突出方向へ突出させて前記第２の開口と一体的に形成された凸部である
バックライト装置。
【請求項１２】
複数の発光ダイオードと、当該各発光ダイオードを点灯させるための信号の入力または出力を行うコネクタとが突出するように設けられた複数の配線基板と、前記各配線基板を覆うように設けられ、前記各発光ダイオードを前記突出方向に露出させるための第１の開口と、前記コネクタを前記突出方向に露出させるための第２の開口とを表面に有し、前記各発光ダイオードから出射された光を反射可能な反射板と、前記反射板と対向するように設けられ、前記光の一部を前記反射板側へ反射させるとともに、前記光の他部を透過させ拡散させて出射させる拡散板と、前記反射板の前記第２の開口の少なくとも一部を覆うように設けられ、前記光を反射可能な被覆部とを有するバックライト装置と、
前記拡散板から出射された光の透過率を変化させることで映像を表示可能な液晶パネルと
を具備する液晶表示装置。
【請求項１３】
複数の発光ダイオードが突出するように設けられた複数の配線基板と、前記各配線基板を保持する保持部材と、前記各配線基板を前記保持部材へ係止可能であり、前記各配線基板から少なくとも一部が突出するように設けられた係止部材と、前記各配線基板を覆うように設けられ、前記各発光ダイオードを前記突出方向に露出させるための第１の開口と、前記係止部材を前記突出方向に露出させるための第２の開口とを表面に有し、前記各発光ダイオードから出射された光を反射可能な反射板と、前記反射板と対向するように設けられ、前記光の一部を前記反射板側へ反射させるとともに、前記光の他部を透過させ拡散させて出射させる拡散板と、前記反射板の前記第２の開口の少なくとも一部を覆うように設けられ、前記光を反射可能な被覆部とを有するバックライト装置と、
前記拡散板から出射された光の透過率を変化させることで映像を表示可能な液晶パネルと
を具備する液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
これにより、発光ダイオードからの出射光がフラップ部と第２の開口との間のクリアランスを介してコネクタの表面に入射したとしても、その表面の高光反射性材料によってその光を反射させることができるため、光の損失を更に高い確率で防ぐことができる。なお、高光反射性材料とは、例えばアルミニウムや銀等の高反射率の金属、微細な酸化チタン（ＴｉＯ２）やチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）等の無機材料や、光散乱のための無数の穴を有する微細な多孔質アクリル、ポリカーボネート等の有機材料等である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月4日(2010.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層の側壁部に絶縁層を形成し、
前記第１の導電層上及び前記絶縁層を覆って半導体層を形成し、
前記半導体層上に第２の導電層を形成し、
前記第１の導電層又は前記第２の導電層を、前記半導体層と合金化する材料で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記絶縁層を、湾曲している面を有するように形成し、
前記半導体層を、前記絶縁層の湾曲している面で接するように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の導電層又は前記第２の導電層のうち少なくともどちらか一方は、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｖ、Ｐｄ、Ｈｆ、Ｐｔ、Ｆｅから選ばれた少なくとも一の元素を含む材料からなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
同一基板上に複数の薄膜トランジスタと、複数のメモリ素子とを有する半導体装置の作製方法であって、
絶縁表面を有する基板上に第１の半導体層及び第２の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の半導体層上に前記第１の絶縁膜を介して第１の導電層を形成し、
前記第２の半導体層上に前記第１の絶縁膜を介して第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層の側壁部に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の導電層、前記第２の導電層、及び前記第１の絶縁層を覆う第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜をエッチングして、前記第２の導電層、前記第１の絶縁層及び前記第２の半導体層を露出する第１の開口を形成し、
前記第２の導電層上及び前記第１の絶縁層を覆って第３の半導体層を形成し、
前記第２の絶縁膜をエッチングして前記第１の半導体層の一部を露出する第２の開口を形成し、
前記第２の半導体層上に第３の導電層を形成し、
前記第１の半導体層上に第４の導電層を形成し、
前記第２の導電層又は前記第３の導電層を、前記第３の半導体層と合金化する材料で形成する半導体装置の作製方法であって、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層を同一工程で形成し、
前記第３の導電層及び前記第４の導電層を同一工程で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１の絶縁層を、湾曲している面を有するように形成し、
前記第３の半導体層を、前記第１の絶縁層の湾曲している面で接するように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、
前記第１の導電層の側壁部に第２の絶縁層を、前記第１の絶縁層と同一工程で作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第３の導電層及び前記第４の導電層の形成と同じ工程で前記第２の絶縁膜上に第５の導電層を形成し、
前記第５の導電層上に前記第５の導電層と電気的に接続するアンテナを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項４乃至７のいずれか一項において、
前記第２の導電層又は前記第３の導電層のうち少なくともどちらか一方は、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｖ、Ｐｄ、Ｈｆ、Ｐｔ、Ｆｅから選ばれた少なくとも一の元素を含む材料からなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記絶縁表面を有する基板は、ガラス基板、プラスチック基板、半導体基板、又は紙であ
ることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月18日(2010.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ内で基板上の膜を処理する方法であって、
該膜の酸素を多く含む表面又は窒素を多く含む表面上に４オングストローム〜１００オングストロームの厚さを有し且つシリコンと炭素とを含み、所望により酸素又は窒素とを含んでもよい薄層を選択的に堆積させることによって該膜を処理するステップであって、該層を堆積させるステップがＲＦ電力の存在下にＳｉとＣとＨとを含む前駆物質を反応させる工程を含む、前記方法。
【請求項２】
該前駆物質が、一般式Ｒｘ-Ｓｉ-（ＯＲ’）ｙ（式中、Ｒ＝Ｈ、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、又は他のアルキル基、Ｒ’＝ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、又は他のアルキル基、ｘは０〜４であり、ｙは０〜４であり、ｘ＋ｙ＝４である）を有する前駆物質、構造（ＲＸ-Ｓｉ-Ｏ-Ｓｉ-ＲＹ）Ｚ（式中、ＲＸ＝ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、又は他のアルキル基、ＲＹ＝Ｈ、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、又は他のアルキル基）を有する有機ジシロキサン、構造（ＲＸ-Ｓｉ-Ｏ）Ｙ（式中、ＲＸ＝ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、又は他のアルキル基）を含む環状有機シロキサン、三つ以上のシリコン原子を有する環構造と所望により一つ以上の酸素原子を含んでもよい環構造を含む環状有機シリコン化合物、及びシリコン原子と酸素原子と、該シリコン原子に結合した一つ又は二つのアルキル基と交互した環を含む環状有機シリコン化合物からなる群より選ばれる、請求項１記載の方法。
【請求項３】
該前駆物質が、該薄層の成長継続を抑制するために選ばれるメチル基を含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
該層が該膜の該酸素を多く含む表面又は窒素を多く含む表面より炭素含量が大きく、該層が該膜上に炭素飽和表面層を与える、請求項１記載の方法。
【請求項５】
該層が堆積された後に該基板を湿式洗浄するステップを更に含む、請求項１記載の方法。
【請求項６】
Ｏ２、ＣＯ２、Ｎ２Ｏ、ＮＨ３、Ｈ２、ヘリウム、アルゴン、及び窒素からなる群より選ばれるガスを用いて該層をプラズマ後処理するステップを更に含む、請求項１記載の方法。
【請求項７】
該層をプラズマ後処理するステップであって、該プラズマ後処理が該層の該表面特性を変化させ、該表面特性が表面張力及び表面接触角からなる群より選ばれる、前記ステップを更に含む、請求項１記載の方法。
【請求項８】
該層上に底面反射防止コーティング（ＢＡＲＣ）を堆積させるステップを更に含む、請求項１記載の方法。
【請求項９】
約４オングストローム〜約１００オングストロームの厚さを有し且つシリコンと炭素とを含み、所望により酸素及び/又は窒素とを含んでもよい原子層堆積又は物理気相堆積によってバリヤ層を堆積させるステップを更に含む、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
該薄層が、ＢＡＲＣ物質とＡＬＤ又はＰＶＤバリヤ層前駆物質の該膜への浸透を防止する密度の高い層を与える、請求項１記載の方法。
【請求項１１】
低ｋ誘電体膜がその表面上に堆積した基板を処理する方法であって、
ＲＦ電力の存在下に前駆物質を反応させることにより該膜の酸素を多く含む表面又は窒素を多く含む表面上に炭素を多く含む層を選択的に堆積させるステップであって、該前駆物質がシリコン、炭素、酸素、及び窒素からなる群より選ばれる元素を含む、前記ステップを含む、前記方法。
【請求項１２】
該前駆物質が自己飽和である、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
該前駆物質が、一般式Ｒｘ-Ｓｉ-（ＯＲ’）ｙ（式中、Ｒ＝Ｈ、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、又は他のアルキル基、Ｒ’＝ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、又は他のアルキル基、ｘは０〜４であり、ｙは０〜４であり、ｘ＋ｙ＝４である）を有する前駆物質、構造（ＲＸ-Ｓｉ-Ｏ-Ｓｉ-ＲＹ）Ｚ（式中、ＲＸ＝ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、又は他のアルキル基、ＲＹ＝Ｈ、ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、又は他のアルキル基）を有する有機ジシロキサン、構造（ＲＸ-Ｓｉ-Ｏ）Ｙ（式中、ＲＸ＝ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ３、又は他のアルキル基）を含む環状有機シロキサン、三つ以上のシリコン原子を有する環構造と所望により一つ以上の酸素原子を含んでもよい環構造を含む環状有機シリコン化合物、及びシリコン原子と酸素原子と、該シリコン原子に結合した一つ又は二つのアルキル基とを交互にした環を含む環状有機シリコン化合物からなる群より選ばれる、請求項１１記載の方法。
【請求項１４】
Ｏ２、ＣＯ２、Ｎ２Ｏ、ＮＨ３、Ｈ２、ヘリウム、アルゴン、及び窒素からなる群より選ばれるガスを用いて該炭素を多く含む層をプラズマ後処理するステップを更に含む、請求項１１記載の方法。
【請求項１５】
チャンバ内で基板上の膜を処理する方法であって、
ＲＦ電力の存在下に前駆物質を反応させることにより該基板の酸素を多く含む表面又は窒素を多く含む表面上に４オングストローム〜１００オングストロームの厚さを有する炭素を多く含む層を堆積させるステップであって、該前駆物質がシリコン、炭素、酸素、及び窒素からなる群より選ばれる元素を含む、前記ステップを含む、前記方法。
【請求項１６】
Ｏ２、ＣＯ２、Ｎ２Ｏ、ＮＨ３、Ｈ２、ヘリウム、アルゴン、及び窒素からなる群より
選ばれる化合物から形成されるプラズマに該炭素を多く含む層をさらすステップを更に含
む、請求項１５記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月21日(2010.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザ照射方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
連続発振レーザまたは疑似連続発振レーザであるレーザ発振器と、
前記レーザ発振器の射出側に配置された、反射面が向かい合うように配置された第１の反射ミラーおよび第２の反射ミラーを含むビームホモジナイザと、
前記ビームホモジナイザの射出側に配置された投影レンズと、を有し、
被照射面で前記レーザビームが前記ホモジナイザにより強度分布が均一にされた方向と垂直な方向に走査され、
前記ビームホモジナイザの第１の反射ミラーおよび第２の反射ミラーが振動し、
前記振動の周波数がｆであり、前記走査の速度がＶであり、前記被照射面での前記レーザビームの走査方向の長さがｄであるとき、
ｆ≧Ｖ／ｄの関係を有することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記投影レンズが周波数ｆで振動することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記投影レンズにより、前記ビームホモジナイザの射出口は、被照射面と共役関係にあることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の反射ミラーおよび前記第２の反射ミラーの振動の振幅は、前記レーザ発振器から射出されるレーザビームの波長以上１０μｍ以下とすることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項５】
連続発振レーザまたは疑似連続発振レーザであるレーザ発振器と、
前記レーザ発振器の射出側に配置され、反射面が向かい合うように配置された第１の反射ミラーおよび第２の反射ミラーを含むビームホモジナイザと、
前記ビームホモジナイザの射出側に配置されたスリットと、
前記スリットの射出側に配置された投影レンズと、を有し、
被照射面で前記レーザビームが前記ホモジナイザにより強度分布が均一にされた方向と垂直な方向に走査され、
前記ビームホモジナイザの第１の反射ミラーおよび第２の反射ミラーが振動し、
前記振動の周波数がｆであり、前記走査の速度がＶであり、前記被照射面での前記レーザビームの走査方向の長さがｄであるとき、
ｆ≧Ｖ／ｄの関係を有することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記投影レンズが周波数ｆで振動することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項７】
請求項５または請求項６において、
前記スリットが周波数ｆで振動することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれか一項において、
前記投影レンズにより、前記スリットは、被照射面と共役関係にあることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項９】
請求項５乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第１の反射ミラーおよび前記第２の反射ミラーの振動の振幅は、前記レーザ発振器から射出されるレーザビームの波長以上１０μｍ以下とすることを特徴とするレーザ照射方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月5日(2010.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の層を形成し、前記第１の層上に剥離層を形成し、前記剥離層上に透光性を有する層を形成し、
前記剥離層に選択的にレーザビームを照射して前記剥離層の付着力を低下させ、
前記レーザビームが照射された剥離層及び前記剥離層に接する透光性を有する層を除去して前記第１の層の一部を露出し、
前記露出された第１の層をエッチングして、第２の層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記透光性を有する層は引っ張り応力を有するため、前記剥離層において、前記レーザビームが選択的に照射された領域と照射されない領域との界面において応力を高めさせ、当該界面においてクラックを発生させて、前記剥離層の付着力を低下させるとともに、前記透光性を有する層を局所的に脆くさせて、前記レーザビームが照射された剥離層及び前記剥離層に接する透光性を有する層を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記レーザビームは少なくとも前記剥離層で吸収される波長を有し、前記レーザビームを前記透光性を有する層から前記剥離層に照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記レーザビームは前記剥離層で吸収され、且つ前記基板及び前記第１の層を透過する波長を有し、前記レーザビームを前記基板から前記剥離層に照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板上に第１の剥離層を形成し、
前記第１の剥離層に選択的に第１のレーザビームを照射して前記第１の剥離層の付着力を低下させ、
前記第１のレーザビームが照射された第１の剥離層を除去して一対の第２の剥離層を形成し、
前記一対の第２の剥離層上及び前記一対の第２の剥離層の間の前記基板上に渡って第１の層を形成し、
前記一対の第２の剥離層に第２のレーザビームを照射して前記一対の第２の剥離層の付着力を低下させ、
前記第２のレーザビームが照射された一対の第２の剥離層、及び前記一対の第２の剥離層上に接する第１の層を除去して第２の層を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記第２の層は、前記一対の第２の剥離層の間に対応した領域に形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、前記第１のレーザビームは少なくとも前記第１の剥離層で吸収される波長を有し、前記第１のレーザビームを前記第１の剥離層の表面から前記第１の剥離層に照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項５又は請求項６において、前記第２のレーザビームは少なくとも前記第２の剥離層で吸収され、且つ前記第１の層を透過する波長を有し、前記第２のレーザビームを前記第２の剥離層の表面から前記第２の剥離層に照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれか一において、
前記第１の層は、前記一対の第２の剥離層上及び前記一対の第２の剥離層の間の前記基板上に渡って形成されたため、前記一対の第２の剥離層及び前記一対の第２の剥離層の間の形状に沿うように凹凸を有し、
前記第２のレーザビームが照射された一対の第２の剥離層、及び前記一対の第２の剥離層上に接する第１の層を除去して、前記一対の第２の剥離層の間に対応した領域に形成された前記第２の層は、前記凹凸を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
基板上に第１の剥離層を形成し、前記第１の剥離層上に第１の透光性を有する層を形成し、
前記第１の剥離層に選択的に第１のレーザビームを照射して前記第１の剥離層の付着力を低下させ、
前記第１のレーザビームが照射された第１の剥離層及び前記第１の剥離層に接する第１の透光性を有する層を除去して一対の第２の剥離層及び一対の第２の透光性を有する層を形成し、
前記一対の第２の透光性を有する層上、並びに前記一対の第２の剥離層及び前記一対の第２の透光性を有する層の間の前記基板上に渡って第１の層を形成し、
前記一対の第２の剥離層に第２のレーザビームを照射して前記第一対の２の剥離層の付着力を低下させ、
前記第２のレーザビームが照射された一対の第２の剥離層、前記一対の第２の透光性を有する層、及び前記一対の第２の透光性を有する層上に接する第１の層を除去して第２の層を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記第２の層は、前記一対の第２の剥離層及び前記一対の第２の透光性を有する層の間に対応した領域に形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項９において、
前記第１の層は、前記一対の第２の透光性を有する層上、並びに前記一対の第２の剥離層及び前記一対の第２の透光性を有する層の間の前記基板上に渡って形成されたため、前記一対の第２の透光性を有する層、並びに前記一対の第２の剥離層及び前記一対の第２の透光性を有する層の間の形状に沿うように凹凸を有し、
前記第２のレーザビームが照射された一対の第２の剥離層、前記一対の第２の透光性を有する層、及び前記一対の第２の透光性を有する層上に接する第１の層を除去して、前記一対の第２の透光性を有する層の間に対応した領域に形成された前記第２の層は、前記凹凸を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項９又は請求項１０において、
前記第１の透光性を有する層は引っ張り応力を有するため、前記第１の剥離層において、前記第１のレーザビームが選択的に照射された領域と照射されない領域との界面において応力を高めさせ、当該界面においてクラックを発生させて、前記第１の剥離層の付着力を低下させるとともに、前記第１の透光性を有する層を局所的に脆くさせて、前記第１のレーザビームが照射された第１の剥離層及び前記第１の剥離層に接する透光性を有する層を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項９乃至請求項１１のいずれか一において、前記第１のレーザビームは少なくとも前記第１の剥離層で吸収される波長を有し、前記第１のレーザビームを前記第１の透光性を有する層の表面から前記第１の剥離層に照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項９乃至請求項１２のいずれか一において、前記第２のレーザビームは少なくとも前記第２の剥離層で吸収され、且つ前記第１の層及び第２の透光性を有する層を透過する波長を有し、前記第２のレーザビームを前記第２の透光性を有する層の表面から前記第２の剥離層に照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項５乃至請求項１１のいずれか一において、前記第１のレーザビームは、前記第１の剥離層で吸収され、且つ前記基板を透過する波長を有し、前記第１のレーザビームを前記基板から前記第１の剥離層に照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項５乃至請求項１２のいずれか一において、前記第２のレーザビームは前記第２の剥離層で吸収される波長を有し、且つ前記基板を透過する波長を有し、前記第１の層は前記第２のレーザビームを遮光し、前記第２のレーザビームを前記基板から前記第２の剥離層に照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月7日(2010.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、その発光素子が載置された基台と、前記発光素子の電極とワイヤにより接続された金属部材と、少なくとも前記基台または前記金属部材を固定する樹脂部とを有する発光装置であって、
前記金属部材は、前記樹脂部内で屈曲されて高低差を有しており、その一部が前記樹脂部から突出された方向と前記ワイヤの接続方向とは、略垂直であることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記金属部材は、前記樹脂部からの突出方向が前記ワイヤの接続方向と略垂直とされた第一の突出部と、金属部材の一部が短冊状に延長されて前記発光素子の側に配置された金属片と、を有しており、前記金属片は、発光装置の底面からの高さが前記第一の突出部よりも高くなるように屈曲されており、さらに前記発光素子の電極と接続するワイヤが、前記樹脂部から露出された金属片の上面に接続されている請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記金属部材は、前記第一の突出部が設けられた側面とは異なる側面から突出された第二の突出部を有しており、
発光装置の底面からの前記第二の突出部の高さは、前記第一の突出部の高さよりも高い請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
発光装置の底面からの前記金属片の高さは、前記第二の突出部の高さよりも高い請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記基台は、その側面の一部から突出された第三の突出部を有し、その第三の突出部は、前記樹脂部内にて前記第一の突出部が突出された側面まで延長され、さらにその側面から先端部が露出されている請求項２から４のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記金属片の延長方向は、前記第一の金属部材の突出方向と略同じである請求項２から５のいずれか一項に記載の発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月14日(2009.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの扁平面の片方乃至は両方に凹部を有する扁平断面繊維を、扁平断面の長手方向の長さの０．５〜２倍の長さに切断してなる高分子粉体を含有する皮膚外用剤。
【請求項２】
前記扁平断面繊維における扁平断面は、２個以上の同一円が直線状に接合した形状のものであることを特徴とする、請求項１に記載の皮膚外用剤。
【請求項３】
前記扁平断面を構成する同一円の直径は、１〜２０μｍであることを特徴とする、請求項２に記載の皮膚外用剤。
【請求項４】
前記扁平断面は、３〜８個の同一円の接合である、請求項２又は３に記載の皮膚外用剤。
【請求項５】
前記扁平断面繊維の材質はポリエチレテレフタレート系ポリステルである、請求項１〜４何れか１項に記載の皮膚外用剤。
【請求項６】
デフォーカス効果を有することを特徴とする、請求項１〜５何れか１項に記載の皮膚外用剤。
【請求項７】
前記デフォーカス効果は、ツヤ付与効果も備えることを特徴とする、請求項６に記載の皮膚外用剤。
【請求項８】
乳化化粧料であることを特徴とする、請求項１〜７何れか１項に記載の皮膚外用剤。
【請求項９】
外接される直方体の形状が高さ１〜２０μｍ、長さ２０〜５０μｍ、奥行き１２〜５０μｍである高分子粉体において、長さに対して垂直な断面又は奥行きに対して垂直な断面の形状が、２個以上の同一円を直線状に接合した形状である高分子粉体を含有する皮膚外用剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明者は、この様な状況に鑑みて、乳化系や液剤系等の液性担体を含む剤型でも効果を失しないデフォーカス効果を具現化させる手段を求めて、鋭意研究努力を重ねた結果、外接される直方体の形状が高さ１０〜２０μｍ、長さ２０〜５０μｍ、奥行き１２〜５０μｍである高分子粉体において、長さに対して垂直な断面又は奥行きに対して垂直な断面の形状が、２個以上の同一円を直線状に接合した形状である高分子粉体がこの様な特性を有していることを見いだし、発明を完成させるに至った。即ち、本発明は以下に示すとおりである。
（１）２つの扁平面の片方乃至は両方に凹部を有する扁平断面繊維を、扁平断面の長手方向の長さの０．５〜２倍の長さに切断してなる高分子粉体を含有する皮膚外用剤。
（２）前記扁平断面繊維における扁平断面は、２個以上の同一円が直線状に接合した形状のものであることを特徴とする、（１）に記載の皮膚外用剤。
（３）前記扁平断面を構成する同一円の直径は、１〜２０μｍであることを特徴とする、（２）に記載の皮膚外用剤。
（４）前記扁平断面は、３〜８個の同一円の接合である、（２）又は（３）に記載の皮膚外用剤。
（５）前記扁平断面繊維の材質はポリエチレンテレフタレート系ポリエステルである、（１）〜（４）の何れかに記載の皮膚外用剤。
（６）デフォーカス効果を有することを特徴とする、（１）〜（５）の何れかに記載の皮膚外用剤。
（７）前記デフォーカス効果は、ツヤ付与効果も備えることを特徴とする、（６）に記載の皮膚外用剤。
（８）乳化化粧料であることを特徴とする、（１）〜（７）の何れかに記載の皮膚外用剤。
（９）外接される直方体の形状が高さ１〜２０μｍ、長さ２０〜５０μｍ、奥行き１２〜５０μｍである高分子粉体において、長さに対して垂直な断面又は奥行きに対して垂直な断面の形状が、２個以上の同一円を直線状に接合した形状である高分子粉体を含有する皮膚外用剤。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（２）本発明の皮膚外用剤
本発明の皮膚外用剤は、前記本発明の高分子粉体を含有することを特徴とする。粉体は唯一種を含有することもできるし、二種以上を組み合わせて含有させることもできる。本発明の皮膚外用剤としては、皮膚に外用で適用されるものであれば特段の限定はなく、例えば、医薬部外品を包含する化粧料、皮膚外用医薬、皮膚外用雑貨、貼付剤などが好適に例示できる。中でも、化粧料が好ましく、化粧料としては、粉体を含有するものが好ましく、メークアップ化粧料が特に好ましい。これらの皮膚外用剤の剤型としても、特段の制限はなく、ローション剤型、乳液剤型、エッセンス剤型、クリーム剤型、ジェル剤型、オイルゲル剤型、粉体剤型、所謂中間領域と言われる粉体・油脂複合剤型等が好適に例示できる。化粧料に於いては、使用用途も特段の限定を受けず、スキンケアを専らにする基礎化粧料、光学効果を専らとするメークアップ化粧料、紫外線保護など保護効果を専らとする保護化粧料等が好ましく例示できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
下記に示す処方に従って、本発明の皮膚外用剤である、粉体化粧料を作成した。即ち、処方成分Ａをヘンシェルミキサー（三井鉱山株式会社製）に仕込み、低速で３分間攪拌混合した後、０．９ｍｍ丸穴スクリーンを装着したバンタム粉砕機（不二パウダル株式会社製）で粉砕し、ヘンシェルミキサーに戻し、Ｂの成分を加えて高速で攪拌混合しながら、Ｃの成分を噴霧し、コーティングし、これを５分間更に混合を続け、１ｍｍヘリングボーンスクリーンを装着したバンタム粉砕機で粉砕後、金皿に充填し、加圧成形して、本発明の皮膚外用剤である粉体化粧料１を得た。同様の方法で、高分子粉体１を比較高分子粉体１に置換した比較例１、二酸化チタンに置換した比較例２、シリカに置換した比較例３も同様に製造した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
次に示す処方に従って、水性ジェル剤型のメークアップオーバーカバーを作製した。即ち、イの成分を８０℃に加温し均質化し、これにディスパーを用いてハの成分を分散し、しかる後に、ロを加えて中和し、これを攪拌冷却し、メークアップオーバーカバーを得た。粉体固形剤型のファンデーションを使用した後に、この化粧料でオーバーカバーをしたところ、このもののソフトフォーカス効果は７．１であり、この様な剤型でも有効性を認めた。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月24日(2009.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熔融ガラスが蓄積された容器から、前記熔融ガラスを導いて流出させる流路の少なくとも一部をなすガラス流出パイプであって、
前記熔融ガラスが内部を流動することによって攪拌される凹凸形状が、内周面に設けられていることを特徴とするガラス流出パイプ。
【請求項２】
前記凹凸形状が、長手方向に沿って螺旋状に形成された凹溝及び／又は凸条からなることを特徴とする請求項１に記載のガラス流出パイプ。
【請求項３】
熔融ガラスが蓄積された容器から、前記熔融ガラスを導いて流出させる流路の少なくとも一部をなすガラス流出パイプであって、
長手方向に沿って螺旋状に形成された凹溝及び／又は凸条からなる凹凸形状が、内周面に設けられていることを特徴とするガラス流出パイプ。
【請求項４】
前記凹凸形状が、一定間隔又は不定間隔で長手方向に沿って不連続に形成された凹溝及び／又は凸条からなることを特徴とする請求項２〜３のいずれか１項に記載のガラス流出パイプ。
【請求項５】
少なくとも隣接する二つの所定範囲において、一方の範囲に形成された前記凹溝及び／又は凸条が、他方の範囲に形成された前記凹溝及び／又は凸条に対して、逆方向に回転する螺旋構造とされたことを特徴とする請求項２〜４のいずれか１項に記載のガラス流出パイプ。
【請求項６】
中心軸に対して垂直な断面における複数の前記凸条の各頂部を通る仮想的な円の直径を内径をφとし、前記断面における複数の前記凹溝の各底部を通る仮想的な円の直径をφｏとしたときに、（φｏ−φ）／φが０．０１〜０．２５であることを特徴とする請求項２〜５のいずれか１項に記載のガラス流出パイプ。
【請求項７】
前記凹凸形状が設けられた範囲において、長手方向に直交する断面における断面積が、ほぼ一定とされたことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のガラス流出パイプ。
【請求項８】
前記凹凸形状が、長手方向に沿って１００ｍｍ以上の長さで、当該ガラス流出パイプの流出口に近い部分に設けられていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のガラス流出パイプ。
【請求項９】
熔融ガラスを蓄積する容器と、前記容器中に蓄積された熔融ガラスを導いて流出させる流路とを備えるガラス製造装置において、
前記流路の少なくとも一部に、請求項１〜８のいずれか１項に記載のガラス流出パイプを用いたことを特徴とするガラス製造装置。
【請求項１０】
ガラス原料を加熱、熔融して容器中に蓄積された熔融ガラスを、前記容器から流出させてガラス成形体に成形するガラス成形体の製造方法であって、
前記容器から前記熔融ガラスを流出させる流路の少なくとも一部に、請求項１〜８のいずれか１項に記載のガラス流出パイプを用いることを特徴とするガラス成形体の製造方法。
【請求項１１】
流出させた前記熔融ガラスから熔融ガラス塊を分離し、前記熔融ガラス塊を冷却固化させる過程で精密プレス成形用プリフォームに成形することを特徴とする請求項１０に記載のガラス成形体の製造方法。
【請求項１２】
流出させた前記熔融ガラスを鋳型に鋳込んでガラス成形体に成形することを特徴とする請求項１０に記載のガラス成形体の製造方法。
【請求項１３】
流出させた前記熔融ガラスから熔融ガラス塊を分離し、前記熔融ガラス塊をプレス成形してガラス成形体に成形することを特徴とする請求項１０に記載のガラス成形体の製造方法。
【請求項１４】
請求項１１に記載の方法により製造された精密プレス成形用プリフォームを精密プレス成形することを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項１５】
請求項１２又は１３に記載の方法により製造されたガラス成形体に対して、少なくとも研削、研磨を施して光学素子とすることを特徴とする光学素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明に係るガラス流出パイプは、流路内を流動する熔融ガラスに抵抗を与えることができれば、前記凹凸形状は、一定間隔又は不定間隔で長手方向に沿って不連続に形成された凹溝及び／又は凸条からなっていてもよい。
また、本発明に係るガラス流出パイプは、少なくとも隣接する二つの所定範囲において、一方の範囲に形成された前記凹溝及び／又は凸条が、他方の範囲に形成された前記凹溝及び／又は凸条に対して、逆方向に回転する螺旋構造とされた構成とすることができる。
このような構成とすれば、流出させる熔融ガラスをより均質なものとすることができる。
また、本発明に係るガラス流出パイプは、内部を流動する熔融ガラスの攪拌効果を高める上で、中心軸に対して垂直な断面における複数の前記凸条の各頂部を通る仮想的な円の直径を内径をφとし、前記断面における複数の前記凹溝の各底部を通る仮想的な円の直径をφｏとしたときに、（φｏ−φ）／φが０．０１〜０．２５である構成とするのが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明に係るガラス流出パイプは、前記凹凸形状が設けられた範囲において、長手方向に直交する断面における断面積が、ほぼ一定とされた構成とすることができる。
このような構成とすれば、凹凸形状を設けることが、熔融ガラスを導いて流出させる流路を温度調整する際の妨げにならないようにすることができる。例えば、パイプに通電してジュール熱を発生させてパイプの温度調整をする場合、上記断面におけるパイプの断面積がほぼ一定であれば、パイプの長手方向に沿って電気抵抗が一定となり、パイプの長手方向に沿い、通電によって発生するジュール熱も一定にすることができ、パイプの温度調整に好都合となる。また、パイプを高周波誘導加熱する場合も、均等な高周波誘導加熱を行えば、長手方向に沿ってパイプの発熱を一定にすることができる。したがって、パイプの温度調整が容易になる。
また、本発明に係るガラス流出パイプは、前記凹凸形状が、長手方向に沿って１００ｍｍ以上の長さで、当該ガラス流出パイプの流出口に近い部分に設けられている構成とするのが好ましく、これにより、熔融ガラスが流出する直前に十分に攪拌されるようにすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
また、螺旋状に形成された凹溝や凸条を設ける範囲の長さは、熔融ガラスの攪拌が十分になされるように、長手方向に沿って１００ｍｍ以上とすることが好ましい。ただし、流出パイプ４０の全長にわたって、このような加工を施す必要もないので、成形したガラスの脈理の有無を見ながら、螺旋状に形成された凹溝や凸条を設ける部分の長さや、螺旋状に捻る捻れ具合を適宜調整すればよい。
螺旋状に形成された凹溝や凸条を設ける範囲の目安としては、その範囲の長さを長手方向に沿って３００〜６００ｍｍとすることが好ましく、より好ましくは３５０〜５５０ｍｍである。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月3日(2010.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱誘起相分離法あるいは非溶媒誘起相分離法により製造された、ポリフッ化ビニリデン系樹脂からなる中空糸膜を、該中空糸膜の融点をＴｍとしたとき、Ｔｍ−４０℃≦Ｔ＜Ｔｍを満たす温度Ｔで熱処理することを特徴とするポリフッ化ビニリデン系樹脂からなる中空糸膜の製造方法。
【請求項２】
前記熱処理時の中空糸膜の長さ方向の収縮率を５％以上２５％以下とする請求項１に記載の中空糸膜の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】中空糸膜の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決するための本発明は、
（１）  熱誘起相分離法あるいは非溶媒誘起相分離法により製造された、ポリフッ化ビニリデン系樹脂からなる中空糸膜を、該中空糸膜の融点をＴｍとしたときＴｍ−４０℃≦Ｔ＜Ｔｍを満たす温度Ｔで熱処理することを特徴とするポリフッ化ビニリデン系樹脂からなる中空糸膜の製造方法。
（２）  前記熱処理時の中空糸膜の長さ方向の収縮率を５％以上２５％以下とする（１）に記載の中空糸膜の製造方法。
により構成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
（実施例５）
延伸後の中空糸膜を、無緊張状態で、熱風により雰囲気を１６０℃にした乾熱雰囲気中に静置させて、長さ方向に収縮率１８％で収縮させた以外は実施例２と同様にした。得られた中空糸膜の性能を表１に示す。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
（実施例６）
延伸後の中空糸膜を、無緊張状態で、熱風により雰囲気を１４０℃にした乾熱雰囲気中に静置させて、長さ方向に収縮率１７％で収縮させた以外は実施例２と同様にした。得られた中空糸膜の性能を表１に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月20日(2010.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エチレンと酢酸ビニルとの共重合体及び／又は該共重合体のけん化物からなる多孔質膜であって、エチレンと酢酸ビニルとの共重合体及び／又は該共重合体のけん化物におけるエチレン含有量が６０〜９９重量％であり、平均直径が０．３〜５μｍの範囲の球状構造を有することを特徴とする多孔質膜。
【請求項２】
エチレンと酢酸ビニルとの共重合体のけん化物を含むことを特徴とする請求項１に記載の多孔質膜。
【請求項３】
エチレンと酢酸ビニルとの共重合体からなる多孔質膜を加水分解処理することにより酢酸ビニルを部分けん化させた多孔質膜であることを特徴とする請求項２に記載の多孔質膜。
【請求項４】
エチレンと酢酸ビニルとの共重合体を１０〜５５重量％含有し、該共重合体の貧溶媒および開孔剤を含有し、温度が６０〜１２０℃の範囲である製膜原液を、冷却浴に吐出し凝固させることを特徴とする多孔質膜の製造方法。
【請求項５】
貧溶媒が高級アルコールであることを特徴とする請求項４に記載の多孔質膜の製造方法。
【請求項６】
開孔剤が多価アルコールであることを特徴とする請求項４または５に記載の多孔質膜の製造方法。
【請求項７】
多孔質膜を凝固させた後、４０〜９０℃の温度範囲でアルカリ処理することを特徴とする請求項４〜６のいずれかに記載の多孔質膜の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するための本発明は、下記（１）〜（７）によって達成される。
（１）エチレンと酢酸ビニルとの共重合体及び／又は該共重合体のけん化物からなる多孔質膜であって、エチレンと酢酸ビニルとの共重合体及び／又は該共重合体のけん化物におけるエチレン含有量が６０〜９９重量％であり、平均直径が０．３〜５μｍの範囲の球状構造を有することを特徴とする多孔質膜。
（２）エチレンと酢酸ビニルとの共重合体のけん化物を含むことを特徴とする上記（１）に記載の多孔質膜。
（３）エチレンと酢酸ビニルとの共重合体からなる多孔質膜を加水分解処理することにより酢酸ビニルを部分けん化させた多孔質膜であることを特徴とする上記（２）に記載の多孔質膜。
（４）エチレンと酢酸ビニルとの共重合体を１０〜５５重量％含有し、該共重合体の貧溶媒および開孔剤を含有し、温度が６０〜１２０℃の範囲である製膜原液を、冷却浴に吐出し凝固させることを特徴とする多孔質膜の製造方法。
（５）貧溶媒が高級アルコールであることを特徴とする上記（４）に記載の多孔質膜の製造方法。
（６）開孔剤が多価アルコールであることを特徴とする上記（４）または（５）に記載の多孔質膜の製造方法。
（７）多孔質膜を凝固させた後、４０〜９０℃の温度範囲でアルカリ処理する上記（４）〜（６）のいずれかに記載の多孔質膜の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月15日(2010.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物品に貼付された第１のＲＦチップと、
前記第１のＲＦチップと信号の送受信を行う第１のリーダ／ライタと、
前記第１のリーダ／ライタに組み込まれた共有メモリ部及び第２のＲＦチップと、
前記第２のＲＦチップと信号の送受信を行う第２のリーダ／ライタと、を有し、
前記第１のリーダ／ライタを具備する移動体が、前記第１のＲＦチップに接近することにより前記第１のＲＦチップの個体情報を取得し、
前記共有メモリ部は、前記第１のリーダ／ライタが取得した前記第１のＲＦチップの個体情報を保持し、
前記第２のＲＦチップは、前記共有メモリ部に保持された前記第１のＲＦチップの個体情報を読み出し、
前記第２のリーダ／ライタは、前記第２のＲＦチップより、前記第１のＲＦチップの個体情報、及び前記第２のＲＦチップの個体情報を取得し、且つ前記第２のＲＦチップの位置情報を取得することを特徴とする物品管理方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記移動体は、前記物品の自動搬送装置であることを特徴とする物品管理方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１のＲＦチップは、パッシブ型のＲＦチップであり、
前記第２のＲＦチップは、アクティブ型のＲＦチップであることを特徴とする物品管理方法。
【請求項４】
請求項１または２において、
前記第１のＲＦチップは、バッテリーを有し、
前記バッテリーの充電は、給電器からの無線信号により行われることを特徴とする物品管理方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記給電器は、前記物品が置かれた物品管理棚に備え付けられていることを特徴とする物品管理方法。
【請求項６】
物品に貼付されたパッシブ型の第１のＲＦチップと、
前記第１のＲＦチップと信号の送受信を行う第１のリーダ／ライタと、
前記第１のリーダ／ライタに組み込まれた共有メモリ部及びアクティブ型の第２のＲＦチップと、
前記第２のＲＦチップと信号の送受信を行う第２のリーダ／ライタと、を有し、
前記第１のリーダ／ライタは、前記第１のＲＦチップの個体情報を取得し、
前記共有メモリ部は、前記第１のリーダ／ライタが取得した前記第１のＲＦチップの個体情報を保持し、
前記第２のＲＦチップは、前記共有メモリ部に保持された前記第１のＲＦチップの個体情報を読み出し、
前記第２のリーダ／ライタは、前記第２のＲＦチップより、前記第１のＲＦチップの個体情報、及び前記第２のＲＦチップの個体情報を取得し、且つ前記第２のＲＦチップの位置情報を取得することを特徴とする物品管理方法。
【請求項７】
物品に貼付されたパッシブ型の第１のＲＦチップと、
前記物品を管理する物品管理棚に備え付けられ、かつ前記第１のＲＦチップと信号の送受信を行うアクティブ型の第１のリーダ／ライタと、
前記第１のリーダ／ライタに組み込まれた共有メモリ部及び第２のＲＦチップと、
前記第２のＲＦチップと信号の送受信を行う第２のリーダ／ライタと、を有し、
前記第１のリーダ／ライタは、前記第１のＲＦチップの個体情報を取得し、
前記共有メモリ部は、前記第１のリーダ／ライタが取得した前記第１のＲＦチップの個体情報を保持し、
前記第２のＲＦチップは、前記共有メモリ部に保持された前記第１のＲＦチップの個体情報を読み出し、
前記第２のリーダ／ライタは、前記第２のＲＦチップより、前記第１のＲＦチップの個体情報、及び前記第２のＲＦチップの個体情報を取得し、且つ前記第２のＲＦチップの位置情報を取得することを特徴とする物品管理方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記第２のＲＦチップの位置情報は、前記第２のリーダ／ライタを複数設けることで取得することを特徴とする物品管理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月27日(2010.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
収容部本体に収容されたシートの位置を規制するために移動可能な規制部材を備えたシート給送装置において、
前記規制部材をシートサイズに応じた規制位置に保持する保持機構と、
前記規制部材に設けられ、前記保持機構による前記規制部材の保持の解除操作を行うための操作部と、を備え、
前記規制部材を一方向またはそれとは反対の他方向へ移動させる際に、移動させる方向に向けて前記操作部を押圧操作することにより、前記保持機構による前記規制部材の保持が解除されることを特徴とするシート給送装置。
【請求項２】
前記保持機構は、前記規制部材側に設けた係合部と、前記収容部本体側に設けられ、前記係合部と係合可能な被係合部と、を備え、
前記一方向または他方向のいずれの方向に向けて前記操作部を押圧操作しても、前記係合部と前記被係合部との係合が解除されて、前記規制部材を前記押圧操作の方向に移動させることを特徴とする請求項１に記載のシート給送装置。
【請求項３】
前記規制部材に前記操作部を揺動自在に設け、
前記係合部と、前記規制部材を前記一方向へ移動させる際に前記押圧操作により揺動する前記操作部が押圧可能な第１の押圧部と、前記規制部材を前記他方向へ移動させる際の前記押圧操作により揺動する前記操作部が押圧可能な第２の押圧部と、を有する保持部材を備え、
前記保持部材を、前記第１及び第２の押圧部のいずれが前記操作部により押圧されても同一方向に揺動するように前記規制部材に支持し、前記一方向及び前記他方向へのどちらの方向への前記操作部の押圧操作でも前記保持部材を揺動させて前記係合部と前記被係合部との係合を解除させることを特徴とする請求項２に記載のシート給送装置。
【請求項４】
前記保持部材の係合部と、前記収容部本体の被係合部とが水平方向で係合することを特徴とする請求項３に記載のシート給送装置。
【請求項５】
前記規制部材に前記操作部を揺動自在に設け、
前記係合部と、前記規制部材を前記一方向へ移動させる際に前記押圧操作により揺動する前記操作部が当接可能な第１の当接部と、前記規制部材を前記他方向へ移動させる際の前記押圧操作により揺動する前記操作部が当接可能な第２の当接部と、を前記保持部材に備え、
前記保持部材を、前記第１及び第２の押圧部のいずれが前記操作部により押圧されても同一方向に移動するように前記規制部材にスライド移動自在に支持し、前記一方向及び前記他方向へのどちらの方向への前記操作部の押圧操作でも前記保持部材を移動させて前記係合部と前記被係合部との係合を解除させることを特徴とする請求項３に記載のシート給送装置。
【請求項６】
前記保持部の係合部と、前記収容部本体の被係合部とが上下方向で係合することを特徴とする請求項５に記載のシート給送装置。
【請求項７】
前記保持機構は、歯の噛み合いにより前記規制部材を規制位置で保持可能であり、前記一方向または他方向のいずれの方向に向けて前記操作部を押圧操作しても、前記歯の噛み合いが解除されて、前記規制部材を前記押圧操作の押圧方向に移動させることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のシート給送装置。
【請求項８】
前記規制部材は、収容されるシートの後端位置を規制するための後端規制部材であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のシート給送装置。
【請求項９】
前記規制部材は、収容されるシートの側端位置を規制するための側端規制部材であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のシート給送装置。
【請求項１０】
収容部本体に収容されたシートの位置を規制するために移動可能な規制部材を備えたシート給送装置を有する画像形成装置において、
前記規制部材をシートサイズに応じた規制位置に保持する保持機構と、
前記規制部材に設けられ、前記保持機構による前記規制部材の保持の解除操作を行うための操作部と、を備え、
前記規制部材を一方向またはそれとは反対の他方向へ移動させる際に、移動させる方向に向けて前記操作部を押圧操作することにより、前記保持機構による前記規制部材の保持が解除されることを特徴とする画像形成装置。
【請求項１１】
前記保持機構は、前記規制部材側に設けた係合部と、前記収容部本体側に設けられ、前記係合部と係合可能な被係合部と、を備え、
前記一方向または他方向のいずれの方向に向けて前記操作部を押圧操作しても、前記係合部と前記被係合部との係合が解除されて、前記規制部材を前記押圧操作の方向に移動させることを特徴とする請求項１０に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は、収容部本体に収容されたシートの位置を規制するために移動可能な規制部材を備えたシート給送装置において、前記規制部材をシートサイズに応じた規制位置に保持する保持機構と、前記規制部材に設けられ、前記保持機構による前記規制部材の保持の解除操作を行うための操作部と、を備え、前記規制部材を一方向またはそれとは反対の他方向へ移動させる際に、移動させる方向に向けて前記操作部を押圧操作することにより、前記保持機構による前記規制部材の保持が解除されることを特徴とするものである。