【手続補正書】
【提出日】平成22年9月22日(2010.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方主面上に複数の電極部が設けられた半導体チップと、
前記半導体チップを搭載するダイパッドと、
前記半導体チップ側に一方端部が配された複数のリード端子と、
互いに絶縁分離された複数の導体を一主面上に有するシート状の配線部材と、
少なくとも、前記半導体チップ、前記リード端子の一方端部および前記配線部材を封止する封止樹脂層とを備え、
前記半導体チップの電極部と前記リード端子の一方端部とは、前記配線部材の導体を介して互いに電気的に接続されており、
前記半導体チップの厚み方向において、前記ダイパッドが前記リード端子と異なる高さを有することによって、前記リード端子の一方端部の上面と前記半導体チップの上面とが、略同じ高さとなるように構成されていることを特徴とする、半導体装置。
【請求項２】
電極部を有する半導体チップと、
前記半導体チップを搭載するダイパッドと、
前記半導体チップ側に一方端部が配された複数のリード端子と、
複数の導体を一主面上に有するシート状の配線部材と、
少なくとも、前記半導体チップ、前記リード端子の一方端部および前記配線部材を封止する封止樹脂層とを備え、
前記半導体チップの電極部と前記リード端子の一方端部とは、前記配線部材の導体を介して互いに電気的に接続されており、
前記半導体チップの厚み方向において、前記ダイパッドが前記リード端子と異なる高さを有することによって、前記リード端子の一方端部の上面と前記半導体チップの上面とが、略同じ高さとなるように構成されていることを特徴とする、半導体装置。
【請求項３】
電極部を有する半導体チップと、
前記半導体チップを搭載するダイパッドと、
前記半導体チップ側に一方端部が配された複数のリード端子と、
複数の導体を一主面上に有するシート状の配線部材と、
前記半導体チップ、前記リード端子の一方端部および前記配線部材を封止する封止樹脂層とを備え、
前記半導体チップの電極部と前記リード端子の一方端部とは、前記配線部材で電気的に接続されており、
前記半導体チップの厚み方向において、前記ダイパッドが前記リード端子と異なる高さを有することによって、前記リード端子の一方端部の上面と前記半導体チップの上面とが、略同じ高さとなるように構成されていることを特徴とする、半導体装置。
【請求項４】
電極部を有する半導体チップと、
前記半導体チップを搭載するダイパッドと、
前記半導体チップ側に一方端部が配された複数のリード端子と、
複数の導体を一主面上に有するシート状の配線部材と、
前記半導体チップ、前記リード端子の一方端部および前記配線部材を封止する封止樹脂層とを備え、
前記半導体チップの電極部と前記リード端子の一方端部とは、前記配線部材で電気的に接続されており、
前記半導体チップの厚み方向において、前記ダイパッドが前記リード端子と異なる高さを有し、前記リード端子の一方端部の上面と前記半導体チップの上面とが、同じ高さとなるように構成されていることを特徴とする、半導体装置。
【請求項５】
電極部を有する半導体チップと、
前記半導体チップを搭載するダイパッドと、
前記半導体チップ側に一方端部が配された複数のリード端子と、
複数の導体を一主面上に有するシート状の配線部材と、
前記半導体チップ、前記リード端子の一方端部および前記配線部材を封止する封止樹脂層とを備え、
前記半導体チップの電極部と前記リード端子の一方端部とは、前記配線部材で電気的に接続されており、
前記半導体チップの厚み方向において、前記リード端子の一方端部の上面と前記半導体チップの上面とを結ぶ線が、前記ダイパッドと平行になるように構成されていることを特徴とする、半導体装置。
【請求項６】
電極部を有する半導体チップと、
前記半導体チップを搭載するダイパッドと、
前記半導体チップ側に一方端部が配された複数のリード端子と、
複数の導体を一主面上に有するシート状の配線部材と、
前記半導体チップ、前記リード端子の一方端部および前記配線部材を封止する封止樹脂層とを備え、
前記半導体チップの電極部と前記リード端子の一方端部とは、前記配線部材で電気的に接続されており、
前記半導体チップの厚み方向と、前記リード端子の一方端部の上面と前記半導体チップの上面とを結ぶ線とが、垂直になるように構成されていることを特徴とする、半導体装置。
【請求項７】
前記半導体チップの電極部上および前記リード端子の一方端部上には、それぞれ、金属バンプが形成されていることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記金属バンプは、スタッドバンプであることを特徴とする、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記シート状の配線部材は、シート状のポリイミド部材を含むことを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体チップが前記封止樹脂層で封止されることによって、ＱＦＰ型、ＢＧＡ型、ＱＦＮ型のいずれかのパッケージ形態に構成されていることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記半導体チップは、接着層を介して前記ダイパッドの上面上に固定されていることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記ダイパッドは４つの吊りリードを有することを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記吊りリードは、前記ダイパッドの４つの角部の各々に１つずつ配置されていることを特徴とする、請求項１２に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記吊りリードは、平面的に見て、放射状に広がるように形成されていることを特徴とする、請求項１２または１３に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記吊りリードが折り曲げられていることで、リード端子の一方端部の上面と前記半導体チップの上面とが略同じ高さとなっていることを特徴とする、請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記リード端子は、燐青銅および無酸素銅を含む銅系材料から構成されていることを特徴とする、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記スタッドバンプの表面には、メッキ層が形成されていることを特徴とする、請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記メッキ層が錫によって形成されていることを特徴とする、請求項１７に記載の半導体装置。
【請求項１９】
前記半導体チップが電極パッドを有していることを特徴とする、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２０】
前記半導体チップの電極部上には、スタッドバンプが形成されており、
前記電極パッドの上面に、前記スタッドバンプを有していることを特徴とする、請求項１９に記載の半導体装置。
【請求項２１】
前記スタッドバンプが、金からなることを特徴とする、請求項２０に記載の半導体装置。
【請求項２２】
前記配線部材は、前記封止樹脂層の平面積よりも小さい平面積を有していることを特徴とする、請求項１〜２１のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２３】
前記配線部材は、配線層を有していることを特徴とする、請求項１〜２２のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２４】
前記配線層が、金から構成されていることを特徴とする、請求項２３に記載の半導体装置。
【請求項２５】
前記半導体チップの電極部上および前記リード端子の一方端部上には、それぞれ、スタッドバンプが形成されており、
前記配線層および前記スタッドバンプは、それぞれ、銅から構成されていることを特徴とする、請求項２３に記載の半導体装置。
【請求項２６】
インナーリード部をさらに備え、
前記インナーリード部の上面上および前記電極パッドの上面上に、それぞれ、メッキ層を有していることを特徴とする、請求項１９〜２１のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２７】
前記ダイパッドが、４２Ａｌｌｏｙ合金またはコバール合金からなることを特徴とする、請求項１〜２６のいずれか１項に記載の半導体装置。