【手続補正書】
【提出日】平成22年9月13日(2010.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタとが設けられた半導体装置において、
前記第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタは、
前記基板上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成されたチャネル形成領域と、ソース領域又はドレイン領域として機能する不純物領域とを具備する半導体膜と、
前記半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記チャネル形成領域の上方に前記ゲート絶縁膜を介してゲート電極として機能する第１の導電膜と、
前記第１の導電膜及び前記ゲート絶縁膜を覆って設けられた第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に、少なくとも前記不純物領域の一部と重なり、かつ、前記不純物領域と接しない第２の導電膜と、
前記第２の導電膜及び前記第１の層間絶縁膜の一部上に設けられた第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜上にソース電極又はドレイン電極として機能するとともに、前記第１の層間絶縁膜及び前記第２の層間絶縁膜に設けられた開口部を介して前記不純物領域と電気的に接続された第３の導電膜と、
からそれぞれ構成され、
前記第１の薄膜トランジスタと前記第２の薄膜トランジスタの間の領域は、
前記絶縁膜上に接している前記ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に接している前記第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に接している前記第２の層間絶縁膜と、
から構成され、
ていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上に第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタとが設けられた半導体装置において、
前記第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタは、
前記基板上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成されたチャネル形成領域と、ソース領域又はドレイン領域として機能する不純物領域とを具備する半導体膜と、
前記半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記チャネル形成領域の上方に前記ゲート絶縁膜を介してゲート電極として機能する第１の導電膜と、
前記第１の導電膜及び前記ゲート絶縁膜を覆って設けられた第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に、少なくとも前記不純物領域の一部と重なり、かつ、前記不純物領域と接しない第２の導電膜と、
前記第２の導電膜及び前記第１の層間絶縁膜の一部上に設けられた第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜上にソース電極又はドレイン電極として機能するとともに、前記第１の層間絶縁膜、前記第２の層間絶縁膜、及び前記第２の導電膜に設けられた開口部を介して前記不純物領域と電気的に接続された第３の導電膜と、
からそれぞれ構成され、
前記第１の薄膜トランジスタと前記第２の薄膜トランジスタの間の領域は、
前記絶縁膜上に接している前記ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に接している前記第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に接している前記第２の層間絶縁膜と、
から構成され、
ていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２のいずれか一項において、
前記第２の導電膜は、少なくとも前記第１の層間絶縁膜を介して前記不純物領域の端部を覆っていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
基板上に第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタとが設けられた半導体装置において、
前記第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタは、
前記基板上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成されたチャネル形成領域と、ソース領域又はドレイン領域として機能する第１の不純物領域と、ＬＤＤ領域として機能する第２の不純物領域とを具備する半導体膜と、
前記半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記チャネル形成領域の上方に前記ゲート絶縁膜を介してゲート電極として機能する第１の導電膜と、
前記第１の不純物領域の上方に前記ゲート絶縁膜と接して設けられているとともに、前記第１導電膜と同一材料で形成された第２の導電膜と、
前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜を覆って設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上にソース電極又はドレイン電極として機能するとともに、前記層間絶縁膜に設けられた開口部を介して前記第１の不純物領域と電気的に接続された第３の導電膜と、
からそれぞれ構成され、
前記第１の薄膜トランジスタと前記第２の薄膜トランジスタの間の領域は、
前記絶縁膜上に接している前記ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に接している層間絶縁膜と、
から構成され、
ていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
基板上に第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタとが設けられた半導体装置において、
前記第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタは、
前記基板上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成されたチャネル形成領域と、ソース領域又はドレイン領域として機能する第１の不純物領域と、ＬＤＤ領域として機能する第２の不純物領域とを具備する半導体膜と、
前記半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記チャネル形成領域の上方に前記ゲート絶縁膜を介してゲート電極として機能する第１の導電膜と、
前記第１の不純物領域の上方に前記ゲート絶縁膜と接して設けられているとともに、前記第１の導電膜と同一材料で形成された第２の導電膜と、
前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜を覆って設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上にソース電極又はドレイン電極として機能するとともに、前記層間絶縁膜、第２の導電膜、および前記ゲート絶縁膜に設けられた開口部を介して前記第１の不純物領域と電気的に接続された第３の導電膜と、
からそれぞれ構成され、
前記第１の薄膜トランジスタと前記第２の薄膜トランジスタの間の領域は、
前記絶縁膜上に接している前記ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に接している層間絶縁膜と、
から構成され、
ていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
基板上に第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタとが設けられた半導体装置において、
前記第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタは、
前記基板上に設けられた島状の保護膜と、
前記保護膜と一部が重なるように絶縁膜を介して、チャネル形成領域と、ソース領域又はドレイン領域として機能する不純物領域とを具備する半導体膜と、
前記半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記チャネル形成領域の上方に前記ゲート絶縁膜を介してゲート電極として機能する第１の導電膜と、
前記第１の導電膜及び前記ゲート絶縁膜を覆って設けられた第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に、少なくとも前記不純物領域の一部と重なり、かつ、前記不純物領域と接しない第２の導電膜と、
前記第２の導電膜及び前記第１の層間絶縁膜の一部上に設けられた第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜上にソース電極又はドレイン電極として機能するとともに、前記第１の層間絶縁膜、前記第２の層間絶縁膜、及び前記第２の導電膜に設けられた開口部を介して前記不純物領域と電気的に接続された第３の導電膜と、
からそれぞれ構成され、
前記第１の薄膜トランジスタと前記第２の薄膜トランジスタの間の領域は、
前記絶縁膜上に接している前記ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に接している前記第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に接している前記第２の層間絶縁膜と、
から構成され、
ていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
基板上に第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタとが設けられた半導体装置において、
前記第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタは、
前記基板上に設けられた島状の保護膜と、
前記基板及び保護膜上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に、チャネル形成領域と、ソース領域又はドレイン領域として機能する不純物領域とを具備するとともに、前記保護膜によって囲まれている半導体膜と、
前記半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記チャネル形成領域の上方に前記ゲート絶縁膜を介してゲート電極として機能する第１の導電膜と、
前記第１の導電膜及び前記ゲート絶縁膜を覆って設けられた第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に、ソース電極又はドレイン電極として機能するとともに、前記層間絶縁膜に設けられた開口部を介して前記不純物領域と電気的に接続する第２の導電膜と、
からそれぞれ構成され、
前記第１の薄膜トランジスタと前記第２の薄膜トランジスタの間の領域は、
前記絶縁膜上に接している前記ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に接している前記第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に接している前記第２の層間絶縁膜と、
から構成され、
ていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
基板上に第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタとが設けられた半導体装置において、
前記第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタは、
前記基板上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に、チャネル形成領域と、ソース領域又はドレイン領域として機能する不純物領域とを具備する半導体膜と、
前記半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記チャネル形成領域の上方に前記ゲート絶縁膜を介してゲート電極として機能する第１の導電膜と、
前記第１の導電膜を覆って設けられた前記第１の導電膜及び前記ゲート絶縁膜を覆って設けられた第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に、少なくとも前記不純物領域の一部と重なり、かつ、前記不純物領域と接しない第２の導電膜と、
前記第２の導電膜及び前記第１の層間絶縁膜の一部上に設けられた第２の層間絶縁膜と、
前記第２の導電膜上に設けられた第２の層間絶縁膜上にソース電極又はドレイン電極として機能するとともに、前記第１の層間絶縁膜、前記第２の層間絶縁膜、及び前記第２の導電膜に設けられた開口部を介して前記不純物領域と電気的に接続された第３の導電膜と、
前記第３の導電膜を覆って設けられた第３の層間絶縁膜上に形成された島状の保護膜と、
からそれぞれ構成され、
前記第１の薄膜トランジスタと前記第２の薄膜トランジスタの間の領域は、
前記絶縁膜上に接している前記ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に接している前記第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に接している前記第２の層間絶縁膜と、
から構成され、
ていることを特徴とする半導体装置。