【手続補正書】
【提出日】平成22年10月19日(2010.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号電荷が注入され電位変化が検知される電荷注入部と、
前記電荷注入部に注入された信号電荷を受け取るリセットドレイン部と、
前記電荷注入部に注入された信号電荷を前記リセットドレイン部に排出して前記電荷注入部の電位をリセットするリセットゲート部と、を有する電荷転送素子であって、
前記リセットゲート部の下方には、電荷転送チャネル層と、高抵抗の導電型ウェル層とがこの順で形成され、
前記電荷転送チャネル層の空乏層深さを制限するためのチャネル深さ抑制層が、前記リセットゲート部の下方で、前記導電型ウェル層より浅い位置に配置された電荷転送素子。
【請求項２】
請求項１記載の電荷転送素子であって、
前記チャネル深さ抑制層が、前記導電型ウェル層よりも不純物濃度を高くして配置された電荷転送素子。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の電荷転送素子であって、
前記リセットゲート部の下方の前記チャネル深さ抑制層が、前記電荷注入部から前記リセットドレイン部までの間の長さ全体にわたって形成された電荷転送素子。
【請求項４】
請求項１又は請求項２記載の電荷転送素子であって、
前記リセットゲート部の下方の前記チャネル深さ抑制層は、前記電荷注入部から前記リセットドレイン部への信号電荷の転送方向に沿った長さの中央が、前記リセットゲート部の中心から前記電荷注入部側に偏って配置された電荷転送素子。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれか1項記載の電荷転送素子であって、
前記電荷注入部および前記リセットドレイン部がＮ型半導体層、
前記導電型ウェル層および前記チャネル深さ抑制層がＰ型半導体層からなる電荷転送素子。
【請求項６】
請求項１〜請求項５のいずれか１項記載の電荷転送素子であって、
前記リセットゲート部、前記電荷注入部、前記リセットドレイン部で構成されるリセットトランジスタが、デプレッション型ＭＯＳトランジスタからなる電荷転送素子。
【請求項７】
複数の光電変換部を有する受光部と、前記複数の光電変換部から読み出された信号電荷を列方向に転送する複数の垂直電荷転送部と、前記垂直電荷転送部を転送されてきた信号電荷を前記列方向に直交する行方向に転送する水平電荷転送部と、前記水平電荷転送部の電荷転送方向下流側に接続された出力部と、を有する固体撮像素子であって、
前記出力部は請求項１〜請求項６のいずれか1項記載の電荷転送素子を備え、前記電荷注入部が前記水平電荷転送部内を転送されてきた信号電荷を検出するフローティングディフュージョンである固体撮像素子。
【請求項８】
請求項７記載の固体撮像素子と、
前記固体撮像素子に光学像を結像させる光学系と、
を備えた撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の上記目的は、下記構成の電荷転送素子および固体撮像素子並びに撮像装置によって達成される。
（１）  信号電荷が注入され電位変化が検知される電荷注入部と、
前記電荷注入部に注入された信号電荷を受け取るリセットドレイン部と、
前記電荷注入部に注入された信号電荷を前記リセットドレイン部に排出して前記電荷注入部の電位をリセットするリセットゲート部と、を有する電荷転送素子であって、
前記リセットゲート部の下方には、電荷転送チャネル層と、高抵抗の導電型ウェル層とがこの順で形成され、
前記電荷転送チャネル層の空乏層深さを制限するためのチャネル深さ抑制層が、前記リセットゲート部の下方で、前記導電型ウェル層より浅い位置に配置された電荷転送素子。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
（２） （１）記載の電荷転送素子であって、
前記チャネル深さ抑制層が、前記導電型ウェル層よりも不純物濃度を高くして配置された電荷転送素子。
この電荷転送素子によれば、リセットゲート下方に電荷転送チャネル層と高抵抗の導電型ウェル層とがこの順で形成され、更にリセットゲート下方に配置されたチャネル深さ抑制層が、導電型ウェル層より浅い位置に配置されている。また、導電型ウェル層よりも不純物濃度を高くして配置されている。これにより、リセットゲートに印加する負電圧を小さくしても、電荷転送素子を確実にオフ状態とすることができ、電荷転送素子の寄生容量に起因するノイズを抑制してリセット特性と低ノイズ特性とを両立させた電荷転送素子が得られる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
（３） （１）又は（２）記載の電荷転送素子であって、
前記リセットゲート部の下方の前記チャネル深さ抑制層が、前記電荷注入部から前記リセットドレイン部までの間の長さ全体にわたって形成された電荷転送素子。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
この電荷転送素子によれば、チャネル深さ抑制層が、電荷注入部からリセットドレイン部までの間の長さ全体にわたって形成されているので、イオン注入処理などによってチャネル深さ抑制層を形成する際、高い位置合わせ精度を必要とせず、電荷転送素子を容易に製造することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
（４） （１）又は（２）記載の電荷転送素子であって、
前記リセットゲート部の下方の前記チャネル深さ抑制層は、前記電荷注入部から前記リセットドレイン部への信号電荷の転送方向に沿った長さの中央が、前記リセットゲート部の中心から前記電荷注入部側に偏って配置された電荷転送素子。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
この電荷転送素子によれば、チャネル深さ抑制層が、リセットゲート部の中心から電荷注入部側に偏って配置されているので、チャネル深さ抑制層をリセットドレイン部から離間して配置することができ、これによって耐圧性能を向上させると共に、寄生容量を低減させてノイズの発生を抑制することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
（５） （１）〜（４）のいずれか1項記載の電荷転送素子であって、
前記電荷注入部および前記リセットドレイン部がＮ型半導体層、
前記導電型ウェル層および前記チャネル深さ抑制層がＰ型半導体層からなる電荷転送素子。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
（６） （１）〜（５）のいずれか1項記載の電荷転送素子であって、
前記リセットゲート部、前記電荷注入部、前記リセットドレイン部で構成されるリセットトランジスタが、デプレッション型ＭＯＳトランジスタからなる電荷転送素子。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
この電荷転送素子によれば、リセットゲート部、電荷注入部、リセットドレイン部で構成されるリセットトランジスタが、デプレッション型ＭＯＳトランジスタからなるので、電子をチャネルの深いところで流すことができ、ノイズを低減させてＳ／Ｎ比の高い電荷転送素子とすることができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
（７） 複数の光電変換部を有する受光部と、前記複数の光電変換部から読み出された信号電荷を列方向に転送する複数の垂直電荷転送部と、前記垂直電荷転送部を転送されてきた信号電荷を前記列方向に直交する行方向に転送する水平電荷転送部と、前記水平電荷転送部の電荷転送方向下流側に接続された出力部と、を有する固体撮像素子であって、
前記出力部は上記（１）〜（６）のいずれか１項記載の電荷転送素子を備え、前記電荷注入部が前記水平電荷転送部内を転送されてきた信号電荷を検出するフローティングディフュージョンである固体撮像素子。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
（８） （７）記載の固体撮像素子と、
前記固体撮像素子に光学像を結像させる光学系と、
を備えた撮像装置。