【手続補正書】
【提出日】平成22年10月19日(2010.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体チップが形成される半導体基板と、電極パッドを有した前記複数の半導体チップと、前記電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子と電気的に接続された配線パターンと、を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記内部接続端子が設けられた側の前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
前記樹脂層の上面に金属層を形成する金属層形成工程と、
前記金属層を押圧して、前記金属層と前記内部接続端子とを接触させる接触工程と、
前記接触工程後に、レーザ溶接法、超音波溶接法、及び抵抗溶接法からなる群のうちの少なくとも１つの方法により、前記内部接続端子と接触している部分の前記金属層と、前記金属層と接触している部分の前記内部接続端子とを接合させ、前記金属層と前記内部接続端子との接合部分に合金層を形成する接合工程と、
前記接合工程後に、前記金属層をパターニングして前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
複数の半導体チップが形成される半導体基板と、電極パッドを有した前記複数の半導体チップと、前記電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子と電気的に接続された配線パターンと、を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記内部接続端子が設けられた側の前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
前記樹脂層の上面に金属層を形成する金属層形成工程と、
前記金属層を押圧して、前記金属層と前記内部接続端子とを接触させる接触工程と、
前記接触工程後に、前記金属層をパターニングして前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、
前記配線パターン形成工程後に、レーザ溶接法、超音波溶接法、及び抵抗溶接法からなる群のうちの少なくとも１つの方法により、前記内部接続端子と接触している部分の前記配線パターンと、前記配線パターンと接触している部分の前記内部接続端子とを接合させ、前記配線パターンと前記内部接続端子との接合部分に合金層を形成する接合工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記接合工程後に、前記配線パターンの表面を粗化する粗化工程をさらに設けたことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記内部接続端子の材料は、Ａｕであり、前記配線パターンの材料は、Ｃｕであることを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記樹脂層は、絶縁樹脂層又は異方性導電性樹脂層であることを特徴とする請求項１ないし４のうち、いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
複数の半導体チップが形成される半導体基板と、電極パッドを有した前記複数の半導体チップと、前記電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子と電気的に接続された配線パターンと、を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記内部接続端子が設けられた側の前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
前記樹脂層上に第１の金属層と、第２の金属層とを順次積層させる金属層積層工程と、
前記第２の金属層を押圧して、前記第１の金属層と前記内部接続端子とを接触させる接触工程と、
前記接触工程後に、レーザ溶接法、超音波溶接法、及び抵抗溶接法からなる群のうちの、少なくとも１つの方法により、前記内部接続端子と接触している部分の前記第１の金属層と、前記第１の金属層と接触している部分の前記内部接続端子とを接合させ、前記第１の金属層と前記内部接続端子との接合部分に合金層を形成する接合工程と、
前記第２の金属層をエッチングして接続パッドを形成する接続パッド形成工程と、
前記第１の金属層をエッチングして前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
複数の半導体チップが形成される半導体基板と、電極パッドを有した前記複数の半導体チップと、前記電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子と電気的に接続された配線パターンと、を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記内部接続端子が設けられた側の前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
前記樹脂層上に第１の金属層と、第２の金属層と、前記第２の金属層を保護する保護層とを順次積層させる積層工程と、
前記保護層を押圧して、前記第１の金属層と前記内部接続端子とを接触させる接触工程と、
レーザ溶接法、超音波溶接法、及び抵抗溶接法からなる群のうちの、少なくとも１つの方法により、前記内部接続端子と接触している部分の前記第１の金属層と、前記第１の金属層と接触している部分の前記内部接続端子とを接合させ、前記第１の金属層と前記内部接続端子との接合部分に合金層を形成する接合工程と、
前記接触工程後に、前記保護層を除去する保護層除去工程と、
前記第２の金属層をエッチングして接続パッドを形成する接続パッド形成工程と、
前記第１の金属層をエッチングして前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
複数の半導体チップが形成される半導体基板と、電極パッドを有した前記複数の半導体チップと、前記電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子と電気的に接続された配線パターンと、を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記内部接続端子が設けられた側の前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
前記樹脂層上に第１の金属層と、第２の金属層と、第３の金属層とを順次積層させる金属層積層工程と、
前記第３の金属層を押圧して、前記第１の金属層と前記内部接続端子とを接触させる接触工程と、
レーザ溶接法、超音波溶接法、及び抵抗溶接法からなる群のうちの、少なくとも１つの方法により、前記内部接続端子と接触している部分の前記第１の金属層と、前記第１の金属層と接触している部分の前記内部接続端子とを接合させ、前記第１の金属層と前記内部接続端子との接合部分に合金層を形成する接合工程と、
前記第３の金属層をエッチングしてメタルポストを形成するメタルポスト形成工程と、
前記第２の金属層をエッチングして接続パッドを形成する接続パッド形成工程と、
前記第１の金属層をエッチングして前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記接合工程後に、前記配線パターンの表面を粗化する粗化工程をさらに設けたことを特徴とする請求項６ないし８のうち、いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記内部接続端子の材料は、Ａｕであり、前記配線パターンの材料は、Ｃｕであることを特徴とする請求項６ないし９のうち、いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記樹脂層は、絶縁樹脂層又は異方性導電性樹脂層であることを特徴とする請求項６ないし１０のうち、いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の金属層は、前記第２の金属層をエッチングするときのエッチングストッパーであることを特徴とする請求項６ないし１１のうち、いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第２の金属層は、前記第３の金属層をエッチングするときのエッチングストッパーであることを特徴とする請求項８ないし１２のうち、いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
次いで、図６に示す工程では、図５に示す金属層２１５をパターニングすることで、配線パターン２０４を形成する。次いで、図７に示す工程では、樹脂層２０３の上面２０３Ａに、外部接続端子配設領域２０４Ａを除いた部分の配線パターン２０４を覆うようにソルダーレジスト層２０６を形成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の一観点によれば、複数の半導体チップが形成される半導体基板と、電極パッドを有した前記複数の半導体チップと、前記電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子と電気的に接続された配線パターンと、を備えた半導体装置の製造方法であって、前記内部接続端子が設けられた側の前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、前記樹脂層の上面に金属層を形成する金属層形成工程と、前記金属層を押圧して、前記金属層と前記内部接続端子とを接触させる接触工程と、前記接触工程後に、レーザ溶接法、超音波溶接法、及び抵抗溶接法からなる群のうちの少なくとも１つの方法により、前記内部接続端子と接触している部分の前記金属層と、前記金属層と接触している部分の前記内部接続端子とを接合させ、前記金属層と前記内部接続端子との接合部分に合金層を形成する接合工程と、前記接合工程後に、前記金属層をパターニングして前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の他の観点によれば、複数の半導体チップが形成される半導体基板と、電極パッドを有した前記複数の半導体チップと、前記電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子と電気的に接続された配線パターンと、を備えた半導体装置の製造方法であって、前記内部接続端子が設けられた側の前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、前記樹脂層の上面に金属層を形成する金属層形成工程と、前記金属層を押圧して、前記金属層と前記内部接続端子とを接触させる接触工程と、前記接触工程後に、前記金属層をパターニングして前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、前記配線パターン形成工程後に、レーザ溶接法、超音波溶接法、及び抵抗溶接法からなる群のうちの少なくとも１つの方法により、前記内部接続端子と接触している部分の前記配線パターンと、前記配線パターンと接触している部分の前記内部接続端子とを接合させ、前記配線パターンと前記内部接続端子との接合部分に合金層を形成する接合工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明のその他の観点によれば、複数の半導体チップが形成される半導体基板と、電極パッドを有した前記複数の半導体チップと、前記電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子と電気的に接続された配線パターンと、を備えた半導体装置の製造方法であって、前記内部接続端子が設けられた側の前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、前記樹脂層上に第１の金属層と、第２の金属層とを順次積層させる金属層積層工程と、前記第２の金属層を押圧して、前記第１の金属層と前記内部接続端子とを接触させる接触工程と、前記接触工程後に、レーザ溶接法、超音波溶接法、及び抵抗溶接法からなる群のうちの、少なくとも１つの方法により、前記内部接続端子と接触している部分の前記第１の金属層と、前記第１の金属層と接触している部分の前記内部接続端子とを接合させ、前記第１の金属層と前記内部接続端子との接合部分に合金層を形成する接合工程と、前記第２の金属層をエッチングして接続パッドを形成する接続パッド形成工程と、前記第１の金属層をエッチングして前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明のその他の観点によれば、複数の半導体チップが形成される半導体基板と、電極パッドを有した前記複数の半導体チップと、前記電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子と電気的に接続された配線パターンと、を備えた半導体装置の製造方法であって、前記内部接続端子が設けられた側の前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、前記樹脂層上に第１の金属層と、第２の金属層と、前記第２の金属層を保護する保護層とを順次積層させる積層工程と、前記保護層を押圧して、前記第１の金属層と前記内部接続端子とを接触させる接触工程と、レーザ溶接法、超音波溶接法、及び抵抗溶接法からなる群のうちの、少なくとも１つの方法により、前記内部接続端子と接触している部分の前記第１の金属層と、前記第１の金属層と接触している部分の前記内部接続端子とを接合させ、前記第１の金属層と前記内部接続端子との接合部分に合金層を形成する接合工程と、前記接触工程後に、前記保護層を除去する保護層除去工程と、前記第２の金属層をエッチングして接続パッドを形成する接続パッド形成工程と、前記第１の金属層をエッチングして前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本発明のその他の観点によれば、複数の半導体チップが形成される半導体基板と、電極パッドを有した前記複数の半導体チップと、前記電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子と電気的に接続された配線パターンと、を備えた半導体装置の製造方法であって、前記内部接続端子が設けられた側の前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、前記樹脂層上に第１の金属層と、第２の金属層と、第３の金属層とを順次積層させる金属層積層工程と、前記第３の金属層を押圧して、前記第１の金属層と前記内部接続端子とを接触させる接触工程と、レーザ溶接法、超音波溶接法、及び抵抗溶接法からなる群のうちの、少なくとも１つの方法により、前記内部接続端子と接触している部分の前記第１の金属層と、前記第１の金属層と接触している部分の前記内部接続端子とを接合させ、前記第１の金属層と前記内部接続端子との接合部分に合金層を形成する接合工程と、前記第３の金属層をエッチングしてメタルポストを形成するメタルポスト形成工程と、前記第２の金属層をエッチングして接続パッドを形成する接続パッド形成工程と、前記第１の金属層をエッチングして前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４３】
【図１】従来の半導体装置の断面図である。
【図２】従来の半導体装置の製造工程を示す図（その１）である。
【図３】従来の半導体装置の製造工程を示す図（その２）である。
【図４】従来の半導体装置の製造工程を示す図（その３）である。
【図５】従来の半導体装置の製造工程を示す図（その４）である。
【図６】従来の半導体装置の製造工程を示す図（その５）である。
【図７】従来の半導体装置の製造工程を示す図（その６）である。
【図８】従来の半導体装置の製造工程を示す図（その７）である。
【図９】従来の半導体装置の製造工程を示す図（その８）である。
【図１０】従来の半導体装置の製造方法の問題点を説明するため断面図である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１）である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その２）である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その３）である。
【図１５】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その４）である。
【図１６】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その５）である。
【図１７】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その６）である。
【図１８】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その７）である。
【図１９】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その８）である。
【図２０】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その９）である。
【図２１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１０）である。
【図２２】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１１）である。
【図２３】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１２）である。
【図２４】複数の半導体装置が形成される半導体基板の平面図である。
【図２５】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程の変形例を示す図（その１）である。
【図２６】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程の変形例を示す図（その２）である。
【図２７】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【図２８】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１）である。
【図２９】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その２）である。
【図３０】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その３）である。
【図３１】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その４）である。
【図３２】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その５）である。
【図３３】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その６）である。
【図３４】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その７）である。
【図３５】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程の変形例を示す図（その１）である。
【図３６】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程の変形例を示す図（その２）である。
【図３７】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程の変形例を示す図（その３）である。
【図３８】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【図３９】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１）である。
【図４０】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その２）である。
【図４１】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その３）である。
【図４２】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その４）である。
【図４３】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その５）である。
【図４４】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その６）である。
【図４５】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その７）である。
【図４６】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その８）である。
【図４７】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その９）である。
【図４８】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１０）である。
【図４９】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１１）である。
【図５０】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１２）である。