【手続補正書】
【提出日】平成21年11月30日(2009.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタと、保持容量と、第１のスイッチと、第２のスイッチと、第３のスイッチとを有し、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は画素電極と電気的に接続され、かつ当該ソース電極及びドレイン電極の一方は前記第３のスイッチを介して第３の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方は第１の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのゲート電極は、前記第２のスイッチを介して第２の配線と電気的に接続され、かつ当該ゲート電極は前記第１のスイッチを介して第４の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は前記保持容量を介して前記トランジスタのゲート電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第３の配線は、前行の第１のスイッチを制御する配線乃至第３のスイッチを制御する配線及び次行の第１のスイッチを制御する配線乃至第３のスイッチを制御する配線のいずれかであることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１のスイッチ乃至前記第３のスイッチはトランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
トランジスタと、保持容量と、第１のスイッチと、第２のスイッチと、第３のスイッチ、第４のスイッチとを有し、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は画素電極と電気的に接続され、かつ当該ソース電極及びドレイン電極の一方は前記第３のスイッチを介して第３の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方は第１の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのゲート電極は、前記第４のスイッチ及び前記第２のスイッチを介して第２の配線と電気的に接続され、かつ当該ゲート電極は前記第４のスイッチ及び前記第１のスイッチを介して第４の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は前記保持容量及び前記第４のスイッチを介して前記トランジスタのゲート電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
トランジスタと、保持容量と、第１のスイッチと、第２のスイッチと、第３のスイッチと、第４のスイッチとを有し、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は画素電極と電気的に接続され、かつ当該ソース電極及びドレイン電極の一方は前記第３のスイッチを介して第３の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方は第１の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのゲート電極は、前記第２のスイッチを介して第２の配線と電気的に接続され、かつ当該ゲート電極は前記第４のスイッチ及び前記第１のスイッチを介して第４の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は前記保持容量及び前記第４のスイッチを介して前記トランジスタのゲート電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
トランジスタと、保持容量と、第１のスイッチと、第２のスイッチと、第３のスイッチと、第４のスイッチとを有し、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は画素電極と電気的に接続され、かつ当該ソース電極及びドレイン電極の一方は前記第３のスイッチを介して第３の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方は前記第４のスイッチを介して第１の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのゲート電極は、前記第２のスイッチを介して第２の配線と電気的に接続され、かつ当該ゲート電極は前記第１のスイッチを介して第４の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は前記保持容量を介して前記トランジスタのゲート電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
トランジスタと、保持容量と、第１のスイッチと、第２のスイッチと、第３のスイッチと、第４のスイッチとを有し、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は前記第４のスイッチを介して画素電極と電気的に接続され、かつ当該ソース電極及びドレイン電極の一方は前記第４のスイッチ及び前記第３のスイッチを介して第３の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方は第１の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのゲート電極は、前記第２のスイッチを介して第２の配線と電気的に接続され、かつ当該ゲート電極は前記第１のスイッチを介して第４の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は前記第４のスイッチ及び前記保持容量を介して前記トランジスタのゲート電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項４乃至７のいずれか一項において、
前記第３の配線は、前記第３のスイッチを制御する配線と同一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項４乃至７のいずれか一項において、
前記第３の配線は、前行の第１のスイッチを制御する配線乃至第４のスイッチを制御する配線及び次行の第１のスイッチを制御する配線乃至第４のスイッチを制御する配線のいずれかであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項４乃至９のいずれか一項において、
前記第１のスイッチ乃至前記第４のスイッチはトランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項４乃至９のいずれか一項において、
前記トランジスタのチャネル長は、前記トランジスタのチャネル幅よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項４乃至９のいずれか一項において、
前記トランジスタのチャネル長は、１０μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項４乃至９のいずれか一項において、
前記トランジスタのチャネル長は、１５μｍ以上４０μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項４乃至９のいずれか一項において、
前記トランジスタは、薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項４乃至９、及び１４のいずれか一項において、
前記トランジスタは、Ｎチャネル型トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項４乃至９、１４及び１５のいずれか一項において、
前記トランジスタの半導体層は、非結晶性半導体膜からなることを特徴する半導体装置。
【請求項１７】
請求項４乃至９、及び１４乃至１６のいずれか一項において、
前記トランジスタの半導体層は、アモルファスシリコンからなることを特徴する半導体装置。
【請求項１８】
請求項４乃至９、１４及び１５のいずれか一項において、
前記トランジスタの半導体層は、結晶性半導体膜からなることを特徴する半導体装置。
【請求項１９】
請求項４乃至９、及び１４乃至１８のいずれか一項において、
前記第２の配線に供給される電位は前記第３の配線に供給される電位よりも高い電位であり、その差分は前記トランジスタのしきい値電圧分より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
請求項４乃至９、及び１４のいずれか一項において、
前記トランジスタは、Ｐチャネル型トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２１】
請求項４乃至９、１４及び２０のいずれか一項において、
前記第２の配線に供給される電位は前記第３の配線に供給される電位よりも低い電位であり、その差分は前記トランジスタのしきい値電圧の絶対値分より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２２】
ソース電極及びドレイン電極の一方が第１の配線に電気的に接続され、ソース電極及びドレイン電極の他方が第３の配線に電気的に接続され、ゲート電極が第２の配線及び第４の配線に電気的に接続されるトランジスタと、
前記トランジスタのゲートソース間電圧を保持する保持容量と、
前記第２の配線に供給される第１の電位及び前記第３の配線に供給される第２の電位を前記保持容量に印加することにより、前記保持容量に第１の電圧を保持させる手段と、
前記保持容量の電圧を第２の電圧まで放電させる手段と、
前記第１の電位に第３の電圧を加算した電位を前記第４の配線より前記保持容量に印加し、前記第２の電圧と第４の電圧とを加算した第５の電圧を前記保持容量に保持させる手段と、
前記第５の電圧に応じた前記トランジスタに設定された電流を負荷に供給する手段とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２３】
ソース電極及びドレイン電極の一方が第１の配線に電気的に接続され、ソース電極及びドレイン電極の他方が第３の配線に電気的に接続され、ゲート電極が第２の配線及び第４の配線に電気的に接続されるトランジスタと、
前記トランジスタのゲートソース間電圧を保持する保持容量と、
前記第２の配線に供給される第１の電位及び前記第３の配線に供給される第２の電位を前記保持容量に印加することにより、前記保持容量に第１の電圧を保持させる手段と、
前記保持容量の電圧を前記トランジスタのしきい値電圧まで放電させる手段と、
前記第１の電位に第２の電圧を加算した電位を前記第４の配線より前記保持容量に印加し、前記トランジスタのしきい値電圧と第３の電圧とを加算した第４の電圧を前記保持容量に保持させる手段と、
前記第４の電圧に応じた前記トランジスタに設定された電流を負荷に供給する手段とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２４】
請求項２２または２３において、
前記トランジスタは、Ｎチャネル型トランジスタであり、
前記第１の電位は前記第２の電位よりも高い電位であり、その差分は前記トランジスタのしきい値電圧分より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２５】
請求項２２または２３において、
前記トランジスタは、Ｐチャネル型トランジスタであり、
前記第１の電位は前記第２の電位より低い電位であり、その差分は前記トランジスタのしきい値電圧の絶対値分より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２６】
請求項２２乃至２５のいずれか一項において、
前記負荷は発光素子であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２７】
請求項１乃至２６のいずれか一項において、
前記保持容量は容量素子であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２８】
トランジスタと、第１のスイッチと、第２のスイッチと、第１の配線と、第２の配線とを含む画素を有し、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は画素電極及び前記第２のスイッチに電気的に接続され、
前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方は前記第１の配線に電気的に接続され、
前記トランジスタのゲート電極は前記第１のスイッチを介して前記第２の配線に電気的に接続され、
前記トランジスタのゲート電極には、前記画素の階調に従った信号が入力されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２９】
請求項１乃至２８のいずれか一項に記載の半導体装置を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３０】
請求項２９に記載の表示装置を表示部に有することを特徴とする電子機器。