(57)【要約】【課題】伝送線路における伝送損失の低減による電気特性の向上と、ヘッド周りの配線部における剛性の低減による振動特性の向上とを両立させ、伝送線路のインピーダンスフラット化を実現できる磁気ディスク装置を提供する。【解決手段】磁気ディスク装置において、サスペンション１９に実装された伝送線路２１ｅは、一対の導体からなる記録側線路２１Ｗと一対の導体からなる再生側線路２１Ｒとから構成され、記録側線路２１Ｗおよび再生側線路２１Ｒの導体の下層には絶縁層３３を挟んで下部導体３４が設けられ、この下部導体３４は厚さが５μｍの銅または銅を主成分とする銅合金から形成され、絶縁層３３は厚さが５〜１０μｍのポリイミド樹脂から形成され、下部導体３４は電気的にグランド電位とされている。【選択図】        図５
2005011387.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録媒体に対して情報を記録再生する磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドとの間で記録再生信号を伝送する伝送線路と、前記伝送線路を実装するサスペンションとを有する磁気ディスク装置であって、
前記サスペンションに実装された前記伝送線路は、一対の導体からなる記録側線路と一対の導体からなる再生側線路とから構成され、
前記記録側線路および前記再生側線路の導体の下層には、絶縁層を挟んで下部導体が設けられ、
前記下部導体は、厚さが５μｍの銅または銅を主成分とする銅合金から形成されていることを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項２】
請求項１記載の磁気ディスク装置において、
前記絶縁層は、厚さが５〜１０μｍのポリイミド樹脂から形成されていることを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項３】
請求項２記載の磁気ディスク装置において、
前記下部導体は、電気的にグランド電位とされていることを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項４】
請求項３記載の磁気ディスク装置において、
前記下部導体の下層には、ステンレス層が設けられ、
前記ステンレス層はフレクシャとして形成され、前記サスペンションと合体されていることを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項５】
請求項３記載の磁気ディスク装置において、
前記下部導体の下層には、絶縁層を挟んでステンレス層が設けられ、
前記ステンレス層はフレクシャとして形成され、前記サスペンションと合体されていることを特徴とする磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気ディスク装置に係わり、特にサスペンションに実装され、磁気ヘッドとの間で記録再生信号を伝送する伝送線路構造に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
本発明者が検討したところによれば、磁気ディスク装置の伝送線路構造に関しては、以下のような技術が考えられる。
【０００３】
例えば、磁気ディスク装置では、大量のデータを限られたスペースに記録し、短時間で大量のデータを記録再生するために、高記録密度化技術およびデータの高速転送化技術、すなわち記録再生周波数の高周波数化が必須である。
【０００４】
このような磁気ディスク装置には、磁気ヘッドとの間で記録再生信号を伝送する伝送線路が、サスペンション上にプリント形成して実装された構造のものがある。この伝送線路は、一対の導体からなる記録側線路と、一対の導体からなる再生側線路から構成されている。この記録側線路および再生側線路の導体の下層には、絶縁層を挟んで下部導体が設けられている。
【０００５】
このような伝送線路において、従来は、記録側線路および再生側線路の導体が銅により１５μｍ程度の厚さで形成され、また下部導体がステンレスにより２５μｍ程度の厚さで形成され、さらに絶縁層はポリイミド樹脂により１０μｍ程度の厚さで形成されている。
【０００６】
また、例えば、特許文献１には、伝送線路を構成するＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）の裏面に、サスペンションの材質であるステンレスよりも熱伝導率の高い板部材が密接に接着され、この構造でサスペンションに実装された構造のものがある。この板部材には、アルミニウムの他に銅などが使用可能となっており、その厚さは５００μｍ程度を上限としている。
【０００７】
【特許文献１】
特開２００２−２３７０１６号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記のような磁気ディスク装置の伝送線路構造について、本発明者が検討した結果、以下のようなことが明らかとなった。
【０００９】
例えば、前記のような従来の伝送線路では、記録側線路および再生側線路の導体の下層の下部導体がステンレスにより形成されるために、伝送損失が大きくなるという問題がある。
【００１０】
また、磁気ディスク装置においては、ヘッド周りの配線部は剛性を下げて、磁気ヘッドの磁気記録媒体の表面形状への追従性を高める必要がある。しかし、前記特許文献１のように、銅による板部材の厚さを５００μｍ程度を上限とした場合には、この板部材による下部導体が厚いので、剛性が高く、ヘッド周りの配線部に適用することが難しい。もし、適用する場合には、下部導体は削り、１層のみの配線として設置する必要がある。このために、インピーダンス制御ができない上に、外来雑音の影響を受けやすくなるという問題がある。
【００１１】
また、前記のような従来の伝送線路において、ヘッド周りの配線部に適用するために、ステンレスからなる下部導体を薄くすると、損失の増大につながる。この現象については、後程詳述する。
【００１２】
従って、前記のような従来の伝送線路、前記特許文献１のような技術では、伝送線路の伝送損失を低減することと、ヘッド周りの配線部の剛性を低減することの両立が難しく、その解決方法が求められている。
【００１３】
そこで、本発明の目的は、伝送線路における伝送損失の低減による電気特性の向上と、ヘッド周りの配線部における剛性の低減による振動特性の向上とを両立させ、伝送線路のインピーダンスフラット化を実現することができる磁気ディスク装置を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、磁気記録媒体に対して情報を記録再生する磁気ヘッドと、この磁気ヘッドとの間で記録再生信号を伝送する伝送線路と、この伝送線路を実装するサスペンションとを有する磁気ディスク装置に適用され、サスペンション上の伝送線路構造として、以下のような特徴を有するものである。
【００１５】
（１）サスペンションに実装された伝送線路は、一対の導体からなる記録側線路と一対の導体からなる再生側線路とから構成され、記録側線路および再生側線路の導体の下層には絶縁層を挟んで下部導体が設けられ、この下部導体は厚さが５μｍ程度の銅または銅を主成分とする銅合金から形成されているものである。さらに、絶縁層は厚さが５〜１０μｍ程度のポリイミド樹脂から形成され、さらに下部導体は電気的にグランド電位とされているものである。
【００１６】
（２）前記（１）において、下部導体の下層にはステンレス層が設けられ、このステンレス層はフレクシャとして形成され、サスペンションと合体されているものである。
【００１７】
（３）前記（１）において、下部導体の下層には絶縁層を挟んでステンレス層が設けられ、このステンレス層はフレクシャとして形成され、サスペンションと合体されているものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１９】
まず、図１により、本発明の一実施の形態の磁気ディスク装置の構成の一例を説明する。図１は磁気ディスク装置の構成図を示す。
【００２０】
本実施の形態の磁気ディスク装置は、例えばＨＤＡ（ヘッド・ディスク・アセンブリ）１０と、記録再生制御回路１１などから構成される。
【００２１】
ＨＤＡ１０は、磁気記録媒体１３を積層したスピンドル部１２と、磁気記録媒体１３に対して情報を記録再生する磁気ヘッド１４などを搭載したキャリッジ部１５で構成され、アルミ製のベースとカバーで囲った構造のものである。
【００２２】
キャリッジ部１５は、磁気ヘッド１４を磁気記録媒体１３上でシークおよび位置決めさせるためのＶＣＭ（ボイスコイルモータ）１７と、アーム１８と、アーム１８の先端に取付けたサスペンション１９と、サスペンション１９の先端に取付けた磁気ヘッド１４と、記録再生信号を伝送するＦＰＣ（フレキシブル・パターンド・ケーブル）１６と、ＦＰＣ１６に搭載したＲ／ＷＩＣ内のプリアンプ２０と、プリアンプ２０と磁気ヘッド１４間の記録再生信号を伝送する伝送線路２１で構成されている。
【００２３】
ＨＤＡ１０と外部装置との間には、記録再生制御回路１１がある。この記録再生制御回路１１は、ＨＤＡ１０の内部に設けられてもよい。記録再生制御回路１１には、信号処理ＬＳＩ２２とＨＤＤ（ハードディスクドライブ）コントローラ２３が搭載されている。ＨＤＡ１０側のコネクタ２５−１と記録再生制御回路１１側のコネクタ２５−２を接続することにより、プリアンプ２０と信号処理ＬＳＩ２２が接続される。記録再生制御回路１１の外部インタフェース２４を介して、外部装置と接続されるようになっている。
【００２４】
次に、図２を用いて、本実施の形態の磁気ディスク装置において、アーム・サスペンション上の伝送線路の配置の一例を説明する。図２はアーム・サスペンション上の伝送線路の配置の平面図を示す。
【００２５】
図２に示すように、プリアンプ２０から磁気ヘッド１４へ至る伝送線路２１は、アーム１８の横に沿って配置され、サスペンション１９上にはプリント形成して設けられている。プリント形成した伝送線路２１の先端には、記録ヘッド用コイル端子１４Ｗ、再生ヘッドの出力端子１４Ｒなどが設けられた磁気ヘッド１４が接続されている。また、伝送線路２１の他端には、記録アンプ２０Ｗ、再生アンプ２０Ｒからなるプリアンプ２０が接続されている。
【００２６】
この伝送線路２１は、記録側線路２１Ｗと再生側線路２１Ｒが並走している並走部と、分離している分離部からなり、プリント形成されたサスペンション１９上における並走部の記録側線路２１Ｗと再生側線路２１Ｒの位置関係および構造は、後述する図３〜図５に示すようになる。
【００２７】
ここで、磁気ディスク装置における情報の記録動作、再生動作について説明する。
【００２８】
一般的に、情報の記録は次のように行う。まず、上位装置から入力された情報を磁気記録再生に適したパターンデータに変換する。次に、パターンデータの‘１’に記録電流の極性反転を対応させ、データ‘０’には無反転を対応させる。パターンデータに極性反転電流を対応させた記録電流をプリアンプ２０の記録アンプ２０Ｗから記録側線路２１Ｗに出力する。この記録電流は記録側線路２１Ｗを通り、磁気ヘッド１４の記録ヘッド用コイル端子１４Ｗに達する。
【００２９】
そして、記録ヘッド用コイル端子１４Ｗから磁気ヘッド１４の内部の記録磁界発生用コイルへ通電され、電流の極性に対応した磁界の方向を持つ記録磁界を発生する。磁気記録媒体１３には、データパターン‘１’に対応した電流の反転、すなわち磁化反転を記録し、データパターン‘０’では電流の無反転、すなわち無磁化反転を記録する。
【００３０】
一方、記録情報の再生は、磁気記録媒体１３の磁化方向を磁気ヘッド１４内の再生ヘッド（ＭＲヘッド）が感知し、電圧の変化としてプリアンプ２０に入力する。このプリアンプ２０では、再生アンプ２０Ｒで増幅した再生信号をチャネルＬＳＩへ送り、データパターンをデコードすることにより、記録情報を再生する。
【００３１】
次に、図３〜図７を用いて、サスペンション上の伝送線路の構造の一例を説明する。図３〜図５はサスペンション上の伝送線路の構造の断面図を示し、それぞれ、図３は３層構造、図４は４層構造、図５は５層構造の例であり、また、（ａ）はカバー有り、（ｂ）はカバーなしの例である。図６および図７はＨＧＡ（ヘッド・ジンバル・アセンブリ）の構造の説明図を示し、それぞれ、図６は図３、図７は図４および図５の例である。
【００３２】
図３（ａ）に示す、サスペンション上の伝送線路２１ａは、記録側線路２１Ｗと再生側線路２１Ｒが所定の間隔で配置され、それぞれ、一対の記録側導体３０、一対の再生側導体３１からなる。これらの記録側導体３０、再生側導体３１は、下部導体３４の上部に積層された絶縁層３３の上に配置され、カバー３２により覆われた構造でプリント形成されている。なお、図３（ｂ）のように、カバー３２のない伝送線路２１ｂとすることも可能である。
【００３３】
この伝送線路２１ａ（２１ｂ）において、特に記録側導体３０および再生側導体３１の下層に絶縁層３３を挟んで設けられた下部導体３４は、厚さが５μｍ程度の銅または銅を主成分とする銅合金から形成されている。この下部導体３４は、電気的にグランド電位となっている。また、絶縁層３３は、厚さが５〜１０μｍ程度のポリイミド樹脂から形成されている。なお、サスペンション１９はステンレス、カバー３２はポリイミド樹脂などからそれぞれ形成されている。
【００３４】
このように、記録側導体３０および再生側導体３１、絶縁層３３、下部導体３４からなる３層構造の伝送線路２１ａ（２１ｂ）の場合には、図６に示すように、アーム１８の一端とサスペンション１９の一端（磁気ヘッドと反対側）が接合され、この接合されたアーム１８、サスペンション１９上に伝送線路２１ａ（２１ｂ）が実装された構造となる。この伝送線路２１ａ（２１ｂ）の実装構造の場合、伝送線路２１ａ（２１ｂ）はサスペンション１９上に、例えば接着剤による実装となるために、サスペンション１９への実装ばらつきが生じることがある。そこで、図４に示す構造が考えられる。
【００３５】
図４（ａ）に示す、サスペンション１９上の伝送線路２１ｃは、前記図３の構造に加えて、下部導体３４の下層に、ステンレス層３５が設けられている。この４層構造の伝送線路２１ｃの場合には、図７に示すように、ステンレス層３５はフレクシャとして形成され、サスペンション１９と合体される。なお、この構造においても、図４（ｂ）のように、カバー３２のない伝送線路２１ｄとすることも可能である。
【００３６】
この伝送線路２１ｃ（２１ｄ）の形成は、例えば伝送線路２１ｃの全面の大きさのステンレス層３５の上に、下部導体３４、絶縁層３３、記録側導体３０および再生側導体３１、カバー３２（伝送線路２１ｄはカバー無し）を順に積層してプリント形成した後、ステンレス層３５のフレクシャとなる部分以外を切断して取り除くことにより形成することができる。
【００３７】
この伝送線路２１ｃ（２１ｄ）の実装構造の場合、ステンレス層３５とサスペンション１９を、例えばポイント溶接にて実装することにより、実装ばらつきを低減できる。よって、ポイント溶接により頑強に、かつ低ばらつきで実装できる。さらに、サスペンション１９、溶接点、ステンレス層３５、下部導体３４とグランドを共通にできるため、低周波数の雑音除去に効果がある。この構造において低周波雑音が混入する場合には、図５に示す構造としてもよい。
【００３８】
図５（ａ）に示す、サスペンション１９上の伝送線路２１ｅは、前記図４の構造に加えて、下部導体３４の下層に、ポリイミド樹脂から形成された絶縁層３６を挟んでステンレス層３５が設けられている。この５層構造の伝送線路２１ｅの場合にも、前記図４の例と同様に、図７に示すように、ステンレス層３５はフレクシャとして形成され、サスペンション１９と合体される。なお、この構造においても、図５（ｂ）のように、カバー３２のない伝送線路２１ｆとすることも可能である。この伝送線路２１ｅ（２１ｆ）の形成においても、前記図４と同様に形成することができる。
【００３９】
この伝送線路２１ｅ（２１ｆ）の実装構造の場合、下部導体３４の下に絶縁層３６を挟み、絶縁層３６の下にステンレス層３５を設け、ステンレス層３５とサスペンション１９を、例えばポイント溶接にて実装することにより、下部導体３４をグランドから離すことができる。よって、ポイント溶接により頑強に、かつ低ばらつきで実装できる。さらに、下部導体３４をグランドから離すことができるので、低周波数の雑音の混入を防止できる。
【００４０】
次に、図８〜図１０を用いて、伝送線路の下部導体に銅またはステンレスを用いた場合の、消費電力の膜厚依存性をシミュレーションした結果の一例を説明する。図８〜図１０は下部導体の膜厚に対する電力変化の特性図を示し、それぞれ絶縁層のポリイミド樹脂の膜厚が、図８は５μｍ、図９は１０μｍ、図１０は１８μｍの例である。
【００４１】
図８に示すように、絶縁層３３のポリイミド樹脂の膜厚が５μｍの例で、下部導体３４に銅（導電率σ＝５．８Ｅ＋０７（＝５．８×１０７）〔Ｓ／ｍ〕）を用いた場合には、膜厚が０．５μｍ程度では電力が１２０Ｗ程度であるが、２μｍ程度では３５Ｗ程度、５μｍ程度では３０Ｗ程度まで減少し、それ以上の膜厚では３０Ｗ程度でほぼ一定となる。これに対して、下部導体３４にステンレス（導電率σ＝１．１Ｅ＋０６（＝１．１×１０６）〔Ｓ／ｍ〕）を用いた場合には、逆に、膜厚が０．５μｍ程度では電力が３０Ｗ程度であるが、２μｍ程度では１００Ｗ程度、５μｍ程度では１５０Ｗ程度まで増加し、１０μｍ程度では１４０Ｗ程度、２０μｍ程度では１１０Ｗ程度となる。これにより、ステンレスに比べて、銅を用いた場合には、膜厚を２μｍ程度以上にしても電力が低減できることが分かった。ステンレス層が薄い場合は、電力は小さくなるが、伝送線路としては使用できない理由を後程詳述する。
【００４２】
図９は、絶縁層３３のポリイミド樹脂の厚さが１０μｍの例であるが、この例でも、下部導体３４にステンレスを用いた場合に比べて、銅を用いた場合には、膜厚が２μｍ程度以上では電力を２５Ｗ程度まで減少し、前記図８の例に比べてさらに電力が低減できることが分かった。
【００４３】
図１０は、絶縁層３３のポリイミド樹脂の厚さが１８μｍの例であるが、この例でも、下部導体３４に銅を用いた場合には、膜厚が２μｍ程度以上では電力をさらに１０Ｗ程度まで減少できることが分かった。
【００４４】
このように、下部導体３４にステンレスに代えて銅を用いた場合には、膜厚を薄くしても消費電力が低減できることが分かった。これは伝送線路の伝送損失の低減につながる。
【００４５】
次に、図１１〜図１３を用いて、伝送線路の下部導体に銅またはステンレスを用いた場合の、下部導体の消費電力が最小になる導電率と膜厚との関係をシミュレーションした結果の一例を説明する。図１１〜図１３は下部導体の導電率と膜厚との関係の特性図を示し、それぞれ絶縁層のポリイミド樹脂の膜厚が、図１１は５μｍ、図１２は１０μｍ、図１３は１８μｍの例である。
【００４６】
図１１に示すように、絶縁層３３のポリイミド樹脂の膜厚が５μｍの例で、下部導体３４に導電率σ＝５．８Ｅ＋０７〔Ｓ／ｍ〕の銅を用いた場合には、下部導体３４の消費電力が最小になる膜厚の下限は２μｍ程度、上限は１２μｍ程度となる。この膜厚の下限、上限の決定方法については、図１４を用いて後述する。これに対して、下部導体３４に導電率σ＝１．１Ｅ＋０６〔Ｓ／ｍ〕のステンレスを用いた場合には、下部導体３４の消費電力が最小になる膜厚の下限および上限は３１μｍ程度となる。これにより、ステンレスに比べて、銅を用いた場合には、膜厚を２〜１２μｍ程度にすることで消費電力が最小にできることが分かった。
【００４７】
図１２は絶縁層３３のポリイミド樹脂の厚さが１０μｍの例、図１３は１８μｍの例であるが、これらの例でも、下部導体３４にステンレスを用いた場合に比べて、銅を用いた場合には、膜厚を２〜１５μｍ程度にすることで消費電力が最小にできることが分かった。
【００４８】
次に、図１４を用いて、下部導体の消費電力が最小になる膜厚の下限および上限の決定方法の一例を説明する。図１４は伝送線路の伝送導体に高周波電流を流したときの下部導体に発生する誘導電流の状態の説明図を示す。
【００４９】
図１４に示すシミュレーションにおいては、一対の記録側導体３０、一対の再生側導体３１のうち、一対の記録側導体３０の伝送導体に１ＧＨｚの電流（差動電流：例えば左側の導体には奥から手前への方向、右側の導体には逆に手前から奥への方向）を流した例で、下部導体３４は導電率σ＝５．８Ｅ＋０７〔Ｓ／ｍ〕、すなわち銅を表したものである。なお、一対の再生側導体３１の伝送導体においても同様である。
【００５０】
図１４において、一対の記録側導体３０のような伝送導体に１ＧＨｚの高周波電流を流すと、その電流は表面部分（Ａ部）に集中して流れる。この伝送導体に電流が流れると、絶縁層３３を挟んで面している下部導体３４には誘導電流が流れる。その流れる方法は、伝送導体に流れる電流と反対の方向である。誘導電流の分布は、伝送導体に近い部分ほど大きくなる。
【００５１】
図１４は、下部導体３４が膜厚が厚い場合（１０μｍ）を示している。図１４のように、下部導体３４が厚い場合は、誘導電流は下部導体３４のうち、伝送導体に近い部分（Ｂ部）に集中して流れ、誘導電流が流れる部分のさらに下部（Ｃ部）には、図１４のように、誘導電流とは逆方向の誘導電流が流れ始める。このＣ部に流れる誘導電流を２次誘導電流と定義する。
【００５２】
一方、下部導体３４の膜厚が薄い場合（５μｍ）は、厚い場合と同様に、伝送導体を流れる電流の誘導電流が下部導体３４の伝送導体に近い部分に流れる。しかし、下部導体３４が薄いために、誘導電流が流れると、下部導体３４の全面を流れ、２次誘導電流が流れる領域がないために、２次誘導電流は流れない。
【００５３】
ここでは、下部導体３４で発生する伝送損失は、下部導体３４で消費するエネルギー、すなわち発生する電力損失と定義している。従って、微小領域の電流（ｉ）の自乗に微小領域の抵抗（ｒ）を乗じて計算できる微小領域での消費電力（ｐ）を、下部導体３４の体積領域で合算した値が総消費電力（Ｐ）になる。
【００５４】
従って、２次誘導電流が流れると、その流れただけ、消費電力が発生することになる。ゆえに、下部導体３４の膜厚を厚くする方向で、２次誘導電流が流れ始めるときが、下部導体３４の膜厚の上限となる。
【００５５】
逆に、下部導体３４の膜厚を薄くすると、伝送導体の電流に対応した誘導電流を流す領域がなくなり、誘導電流が流れなくなる。誘導電流が流れないので、消費電力は少なくなるが、十分な誘導電流が流れていないために、伝送導体の高周波電流と誘導電流とのカップリングが少なくなる。その結果、伝送導体間の相互インダクタンスが小さくなり、等価的に線路の特性インピーダンスが高くなって見える。すなわち、伝送線路の高周波信号領域では、異なる特性インピーダンスの線路をバイパスして通っている状態となり、伝送歪みの原因にもなる。従って、消費電力は低減するが、伝送特性は悪くなるために伝送線路としては好ましくない。従って、消費電力がピークになるときの下部導体３４の膜厚が下限になる。
【００５６】
また、図１４の誘導電流の幅方向の広がりを見ると、線路導体幅以上に広がっている。そこで、シミュレーション結果から幅方向の広がり範囲を求めると、導体と導体の間隔の半分の幅が導体端面から広がっていることが分かった。従って、下層導体の幅は、少なくとも一対の導体幅と導体間隔の和より大きいことが必要であり、一対の導体幅の２倍あれば十分である。
【００５７】
次に、図１５を用いて、絶縁層のポリイミド樹脂の膜厚に依存する下部導体の導電率に対する最小消費電力の関係をシミュレーションした結果の一例を説明する。図１５は下部導体の導電率に対する最小消費電力の関係の特性図を示す。
【００５８】
図１５に示すように、絶縁層３３のポリイミド樹脂の膜厚が５μｍの例では、下部導体３４にステンレス（導電率σ＝１．１Ｅ＋０６〔Ｓ／ｍ〕）を用いた場合には１１０Ｗ程度の電力が消費されるのに対して、銅（導電率σ＝５．８Ｅ＋０７〔Ｓ／ｍ〕）を用いた場合には３０Ｗ程度の電力の消費で済む。
【００５９】
同様に、絶縁層３３のポリイミド樹脂の膜厚が１０μｍの例では、７０Ｗ程度から２０Ｗ程度に消費電力を低減でき、ポリイミド樹脂の膜厚が１８μｍの例では、４５Ｗ程度から１０Ｗ程度に消費電力を低減することができる。
【００６０】
以上説明した図８〜図１５に示すシミュレーションの結果から、下部導体３４に銅を使用することにより、従来は２５μｍの膜厚のステンレスを使用したものであるのに対して、５μｍの膜厚の銅にしても伝送損失を低減できる。なお、銅の膜厚は、シミュレーションの結果から２〜１２μｍ程度の範囲内に設定しても、伝送損失の低減効果は期待できる。
【００６１】
また、記録側導体３０および再生側導体３１と下部導体３４との間隔を決める絶縁層３３の膜厚を、従来の１０μｍに対して、５〜１０μｍまで薄くすると伝送損失が増加するが、線路が薄くなるために伝送線路の剛性が低減でき、ヘッド周りの配線部へも適用できる。さらに、ヘッド周りの線路でのインピーダンスミスマッチを解消でき、伝送帯域の拡大が図れる。
【００６２】
従って、本実施の形態の磁気ディスク装置によれば、以下のような効果を得ることができる。
【００６３】
（１）サスペンション１９上の伝送線路２１ａ，２１ｂが、記録側導体３０および再生側導体３１、絶縁層３３、下部導体３４からなる３層構造の場合に、下部導体３４を銅にすることにより、下部導体３４の誘導電流による電力消費を低減して線路の伝送損失を低減でき、かつ線路の厚さを薄くしてヘッド周りの配線部における剛性を低減することができる。
【００６４】
（２）サスペンション１９上の伝送線路２１ｃ，２１ｄが、記録側導体３０および再生側導体３１、絶縁層３３、下部導体３４、ステンレス層３５からなる４層構造の場合には、前記（１）と同様の効果に加えて、ステンレス層３５とサスペンション１９をポイント溶接にて実装することにより、頑強に、かつ低ばらつきで実装することができ、さらにサスペンション１９、ステンレス層３５、下部導体３４とグランドを共通にできるため、低周波数の雑音を除去することができる。
【００６５】
（３）サスペンション１９上の伝送線路２１ｅ，２１ｆが、記録側導体３０および再生側導体３１、絶縁層３３、下部導体３４、絶縁層３６、ステンレス層３５からなる５層構造の場合には、前記（１）と同様の効果に加えて、下部導体３４の下に絶縁層３６を挟んでステンレス層３５を設け、ステンレス層３５とサスペンション１９とのポイント溶接により、頑強に、かつ低ばらつきで実装することができ、さらに下部導体３４をグランドから離すことができるので、低周波数の雑音の混入を防止することができる。
【００６６】
【発明の効果】
本発明によれば、伝送線路における伝送損失を低減することによって電気特性を向上させることができ、かつヘッド周りの配線部における剛性を低減することによって振動特性を向上させることができるので、電気特性の向上と振動特性の向上との両立によって伝送線路のインピーダンスフラット化を実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態の磁気ディスク装置を示す構成図である。
【図２】本発明の一実施の形態の磁気ディスク装置において、アーム・サスペンション上の伝送線路の配置を示す平面図である。
【図３】（ａ），（ｂ）は本発明の一実施の形態の磁気ディスク装置において、サスペンション上の伝送線路の構造（３層構造）を示す断面図である。
【図４】（ａ），（ｂ）は本発明の一実施の形態の磁気ディスク装置において、サスペンション上の伝送線路の構造（４層構造）を示す断面図である。
【図５】（ａ），（ｂ）は本発明の一実施の形態の磁気ディスク装置において、サスペンション上の伝送線路の構造（５層構造）を示す断面図である。
【図６】本発明の一実施の形態の磁気ディスク装置において、図３の例のＨＧＡの構造を示す説明図である。
【図７】本発明の一実施の形態の磁気ディスク装置において、図４および図５の例のＨＧＡの構造を示す説明図である。
【図８】本発明の一実施の形態の磁気ディスク装置において、下部導体の膜厚に対する電力変化（ポリイミド樹脂の膜厚＝５μｍ）を示す特性図である。
【図９】本発明の一実施の形態の磁気ディスク装置において、下部導体の膜厚に対する電力変化（ポリイミド樹脂の膜厚＝１０μｍ）を示す特性図である。
【図１０】本発明の一実施の形態の磁気ディスク装置において、下部導体の膜厚に対する電力変化（ポリイミド樹脂の膜厚＝１８μｍ）を示す特性図である。
【図１１】本発明の一実施の形態の磁気ディスク装置において、下部導体の導電率と膜厚との関係（ポリイミド樹脂の膜厚＝５μｍ）を示す特性図である。
【図１２】本発明の一実施の形態の磁気ディスク装置において、下部導体の導電率と膜厚との関係（ポリイミド樹脂の膜厚＝１０μｍ）を示す特性図である。
【図１３】本発明の一実施の形態の磁気ディスク装置において、下部導体の導電率と膜厚との関係（ポリイミド樹脂の膜厚＝１８μｍ）を示す特性図である。
【図１４】本発明の一実施の形態の磁気ディスク装置において、伝送線路の伝送導体に高周波電流を流したときの下部導体に発生する誘導電流の状態を示す説明図である。
【図１５】本発明の一実施の形態の磁気ディスク装置において、下部導体の導電率に対する最小消費電力の関係を示す特性図である。
【符号の説明】
１０…ＨＤＡ、１３…磁気記録媒体、１４…磁気ヘッド、１４Ｗ…記録ヘッド用コイル端子、１４Ｒ…再生ヘッドの出力端子、１５…キャリッジ部、１６…ＦＰＣ、１８…アーム、１９…サスペンション、２０…プリアンプ、２０Ｗ…記録アンプ、２０Ｒ…再生アンプ、２１，２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ，２１ｅ，２１ｆ…伝送線路、２１Ｗ…記録側線路、２１Ｒ…再生側線路、３０…記録側導体、３１…再生側導体、３２…カバー、３３…絶縁層、３４…下部導体、３５…ステンレス層、３６…絶縁層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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