(57)【要約】      （修正有）【課題】耐久性に優れ、効果的にハムノイズを除去することが可能となる、直熱真空管を用いた音声増幅器を提供する。【解決手段】音声入力部と、音声増幅部と、音声出力部と、相殺用交流信号発生部と、を備え、相殺用交流信号を、音声増幅部に入力することにより発生したハムノイズと重畳させて除去することができるように構成されている音声増幅器であって、相殺用交流信号発生部は、半導体増幅素子３４を用い音声増幅部と別体として形成されており、相殺用交流信号は、全波整流回路２０又は半波整流回路で発生したハムノイズと同一又は１／２倍の周波数とし、逆位相とするとともに、その振幅を０．１乃至３％の範囲で歪ませた相似の波形とすることにより作成されるものとする。【選択図】図２
0003193415.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
音声の入力部と、
直熱真空管を用いており、前記入力部から入力された音声を増幅する音声増幅部と、
前記音声増幅部により増幅された音声の出力部と、
相殺用交流信号を発生させるための相殺用交流信号発生部と、を備え、
前記相殺用交流信号を、前記音声増幅部に入力することにより、発生したハムノイズと重畳させて除去することができるように構成されている音声増幅器であって、
前記相殺用交流信号発生部は、半導体増幅素子を用い前記音声増幅部と別体として形成されており、
前記相殺用交流信号は、全波整流回路又は半波整流回路で前記発生したハムノイズと同一又は１／２倍の周波数とし、逆位相とするとともに、
その振幅を０．１乃至３％の範囲で歪ませた相似の波形とすることにより作成されること、を特徴とする音声増幅器。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、音声信号のハムノイズを除去する機能を備える直熱真空管を用いた音声増幅器に関する。
【背景技術】
【０００２】
これまで、多数の愛好者により、直熱真空管を用いた音声増幅器が使用されている（以下、「真空管アンプ」という。）。このような真空管アンプでは、音声信号に混入した５０Ｈｚ若しくは６０Ｈｚの電源周波数の交流雑音波形（以下、「ハムノイズ」という。）が混入する場合がある。
【０００３】
従来、このようなハムノイズを除去するために、直熱真空管を用いた交流ノイズ発生回路を設けている。この交流ノイズ発生装置は、音声増幅器の出力端子から出力されるハムノイズの周波数と同一であり、かつ、相似の波形である相殺用交流信号を発生させる装置である。そして、この相殺用交流信号発生装置により発生させた相殺用交流信号は、増幅器のいずれかの電極に添加され、発生したハムノイズと重畳させることにより、発生したハムノイズを除去している（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１１１３５５号公報
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、直熱真空管を用いた交流ノイズ発生装置では、当該直熱真空管のカソードに負荷がかかるため、装置の耐久性が短くなってしまうとともに、ハムノイズを完全に除去できないという問題点を有していた。
【０００６】
そこで、本考案は、耐久性に優れ、効果的にハムノイズを除去することが可能となる、直熱真空管を用いた音声増幅器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本考案の音声増幅器は、音声の入力部と、直熱真空管を用い、上記入力部から入力された音声を増幅する音声増幅部と、上記音声増幅部により増幅された音声の出力部と、相殺用交流信号を発生させるための相殺用交流信号発生部と、を備え、上記相殺用交流信号を、上記音声増幅部に入力することにより 、発生したハムノイズと重畳させて除去することができるように構成されている音声増幅器であって、上記相殺用交流信号発生部は、半導体増幅素子を用い上記音声増幅部と別体として形成されており、上記相殺用交流信号は、全波整流回路又は半波整流回路で前記発生したハムノイズと同一又は１／２倍の周波数とし、逆位相とするとともに、その振幅を０．１乃至３％の範囲で歪ませた相似の波形とすることにより作成されることを特徴としている。
【０００８】
ここで、本考案では、相殺用交流信号を、全波整流回路又は半波整流回路で前記発生したハムノイズと同一又は１／２倍の周波数とし、逆位相とする必要がある。この相殺用交流信号は、可能なかぎりハムノイズの波形に近づけることが望ましいことは勿論であるが、完全には、ハムノイズの波形と一致させることは難しいため、より具体的には、例えば、相殺用交流信号発生回路で生成した疑似的な交流信号（ハムノイズ）の振幅を０．１乃至３％の範囲で歪ませた相似の波形とすることが効果的である。この値は、考案者が、実証実験によりハムノイズを効果的に除去することができる適切な相殺用交流信号の範囲を見いだしたものである。
【０００９】
本考案によれば、相殺用交流信号発生部と音声増幅部とが別体として形成されているため、当該音声増幅部の音声信号を毀損することを防止することができる。したがって、入力された音声信号の音質を変化させることなく、効果的にハムノイズを除去することができる。
また、相殺用交流信号発生部は、半導体増幅素子を用いて形成されているため、現在入手が難しい直熱真空管を用いることなく、耐久性に優れた音声増幅器を提供することができる。
【考案の効果】
【００１０】
本考案によれば、耐久性に優れ、効果的にハムノイズを除去することが可能となる、直熱真空管を用いた音声増幅器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本考案の音声増幅器を示すブロック図である。
【図２】本考案の音声増幅器における相殺用交流信号発生部の回路図である。
【考案を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照しつつ、本考案の音声増幅器（以下、「本音声増幅器」という。）の実施形態の一例について詳細に説明する。なお、図面の説明においては、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１３】
（１）音声増幅器の構成
図１に示すように本音声増幅器Ｚは、音声増幅部１２と、相殺用交流信号発生部１４とを備えており、直熱真空管を用いて構成されている。
【００１４】
音声増幅部１２は、外部装置から入力された音声を増幅するための構成要素であり、増幅する音声を入力するための音声入力部１１と、増幅された音声を出力するための音声出力部１３を備えている。
【００１５】
［相殺用交流信号発生部］
相殺用交流信号発生部１４は、発生したハムノイズ（以下、「発生ハムノイズ」という。）を除去するための相殺用交流信号を発生させるための構成要素であり、音声増幅部１２と独立となるように別体で設けられている。この相殺用交流信号発生部１４は、全波整流回路２０と、相殺用交流信号発生回路３０と、相殺用交流信号調整回路４０とを備えている（図２参照）。
【００１６】
全波整流回路２０は、発生ハムノイズと同一周波数である相殺用交流信号を生成させるための回路であり、商用電源と接続されており、トランス１８を介して、検出ハムノイズが入力可能となっている。全整流回路２０に用いられている２つのダイオード２３Ａ，２３Ｂは、カソードがトランス側となるように設けられており、入力された商用電源の電圧の周波数の位相が逆位相となるように構成されている。２つのダイオード２３Ａ，２３Ｂのアノード側は、後記相殺用交流信号発生回路３０の第１固定抵抗器３１と接続されている。なお、符号２４Ａ，２４Ｂは、各ダイオード２３Ａ，２３Ｂと並列に接続されているコンデンサである。
なお、本音声増幅器Ｚは、直流真空管を用いているため、その特性として発生ハムノイズの周波数は、商用電源の２倍の周波数（５０Ｈｚ又は６０Ｈｚ）となってしまう。そこで、全波整流回路２０により、商用電源の２倍の周波数の波形を作成することになる。
【００１７】
相殺用交流信号発生回路３０は、検出ハムノイズと略同一振幅である同一の出力波形を生成するための回路であり、第１固定抵抗器３１、第１可変抵抗器３２及び第２可変抵抗器３３と、ＦＥＴ３４（半導体増幅素子）と、第１コンデンサ３５とを備えている。
相殺用交流信号発生回路３０における第１固定抵抗器３１は、第１可変抵抗器３２と直列で接続され、当該第１可変抵抗器３２は、ＦＥＴ３４のコレクタと接続されている。
ＦＥＴ３４のエミッタは、第２可変抵抗器３３と接続されている。ＦＥＴ３４のベースは、第２可変抵抗器３２における上記エミッタ接続部の反対端部と接続されており、当該第２可変抵抗器３２におけるエミッタ接続部の反対側端部と、ＦＥＴ３４のコレクタの間には、第１コンデンサ３５が設けられている。当該第１コンデンサ３５のエミッタ側は接地されている。
【００１８】
上記回路により、上記第１可変抵抗器３２と第２可変抵抗器３３の抵抗値を調節することで、ＦＥＴ３４のオーム領域と飽和領域を適切に定め、発生ハムノイズと同一周波数（商用電源の周波数の２倍）であり、かつ、略同一振幅である同一の出力波形を生成することができるようになっている。
【００１９】
相殺用交流信号調整回路４０は、相殺用交流信号発生回路で発生させた出力波形の振幅を所定範囲で歪ませ、相似の波形とした相殺用交流信号を作成するための回路であり、第３可変抵抗器４１、第４可変抵抗器４２、４つの固定抵抗器４３〜４６、２つのコンデンサ４７，４８を備えている。
【００２０】
相殺用交流信号調整回路４０において、第３可変抵抗器４１は、第１コンデンサ３５と並列に設けられており、さらに、第２固定抵抗器４３及び第３固定抵抗器４４と接続されている。第２固定抵抗器４３と第３固定抵抗器４４の接続部には、第２コンデンサ４７が設けられており、その端部は接地されている。
また、第４可変抵抗器４２は、第３可変抵抗器４１と並列に設けられており、さらに、第４固定抵抗器４５及び第５固定抵抗器４６と接続されている。第４固定抵抗器４５と第５固定抵抗器４６の接続部には、第３コンデンサ４８が設けられており、その端部は接地されている。
【００２１】
そして、上記第３可変抵抗器４１と第４可変抵抗器４２の抵抗値を調節することにより、相殺用交流信号発生回路で生成した疑似的な交流信号の振幅を０．１乃至３％の範囲で歪ませ、相似の波形とした相殺用交流信号として、第３固定抵抗器４４と第５固定抵抗器４６に接続されている端子から出力させることができるようになっている。この出力が、音声増幅部１２に入力されるように構成されている。
また、第１コンデンサ３５と第２コンデンサ４７、並びに、第１コンデンサ３５と第３コンデンサ４８により、発生ハムノイズと相殺用交流信号に関して、適切に位相合わせをすることができるようになっている。
【００２２】
なお、発生ハムノイズは理想的な波形をしていないため、全波整流回路２０による疑似的なハムノイズを発生させ、その振幅を適切な範囲で歪ませて、相殺用交流信号を可能な限りハムノイズの波形に近づけることにより、相殺用交流信号を発生させることとしているものである。そのため、上記相殺用交流信号発生部１４の各回路を構成する固定抵抗器、可変抵抗器及びコンデンサは、使用する直熱真空管の特性に応じて、事前の試験により把握した発生ハムノイズに適合する値となるものを用いるものとする。
【００２３】
（２）本音声増幅器の作用
次に、本音声増幅器Ｚの作用について説明する。
まず、音声増幅器Ｚを動作させると、全整流回路２０により、入力された商用電圧の２倍の周波数であり、かつ、入力された電圧と逆位相の出力電圧が生成され、相殺用交流信号発生回路３０に入力される。そして、上記第１可変抵抗器３２と第２可変抵抗器３３の抵抗値を調節し、ＦＥＴ３４のオーム領域と飽和領域を適切に定めることにより、当該相殺用交流信号発生回路３０により、発生ハムノイズと同一周波数である略同一出力波形が作成される。
【００２４】
その出力波形は、ハムノイズ発生回路３０における第３可変抵抗器４１と第４可変抵抗器４２の抵抗値を調節することにより、相殺用交流信号発生回路３０で発生させたハムノイズの振幅を０．１乃至３％の範囲で歪ませ、相殺用交流信号として、音声増幅部１２に入力される。
入力された相殺用交流信号は、発生ハムノイズと同一周波数でありかつ逆位相であるとともに、略同一振幅である相似する波形であるため、発生ハムノイズと重畳することにより、当該発生したハムノイズが除去される。
【００２５】
（３）本音声増幅器の効果
本音声増幅器Ｚによれば、相殺用交流信号を検出ハムノイズの波形を０．１乃至３％の範囲で歪ませた相似の波形としたことにより、発生ハムノイズを効果的に除去することができる。
また、音声増幅部１２と相殺用交流信号発生部１５が別体として形成されているため、当該音声増幅部１２の音声信号を毀損することを防止することができる。したがって、入力された音声信号の音質を変化させることなく、効果的にハムノイズを除去することができる 。
さらに、相殺用交流信号発生部１５は、半導体増幅素子を用いて形成されているため、現在入手が難しい直熱真空管を用いることなく、耐久性に優れた音声増幅器Ｚを提供することができる。
【００２６】
以上、本考案について、好適な実施形態についての一例を説明したが、本考案は当該実施形態に限られず、本考案の趣旨を逸脱しない範囲で適宜設計変更が可能である。
特に、本実施形態の相殺用交流信号発生部は、半導体増幅素子を用いて構成されているが、他の電子素子を用いて形成するものであってもよい。
また、本実施形態では、発生ハムノイズと同一周波数である相殺用交流信号を発生させているが、全波整流回路を半波整流回路に替えることより、入力した電圧と同一周波数の相殺用交流信号を発生させ、対応するハムノイズを除去することもできる。
【符号の説明】
【００２７】
Ｚ    音声増幅器
１１  音声入力部
１２  音声増幅部
１３  音声出力部
１４  相殺用交流信号発生部
２０  全波整流回路
３０  相殺用交流信号発生回路
３４  ＦＥＴ（半導体増幅素子）
４０  相殺用交流信号調整回路
【図１】
0003193415.tif 000003
【図２】
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