【手続補正書】
【提出日】平成22年2月9日(2010.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケイ素を含有する構造前駆体を用意すること；
炭素を含有するドーパント前駆体を用意すること；
該炭素を含有するドーパント前駆体と該ケイ素を含有する構造前駆体とを混合させて、２％〜８５％のＲｍ（該混合物中の該炭素を含有するドーパント前駆体の重量％）の混合比およびＦｍの流量を有する混合物を得ること；
Ｆｃの流量を有する、化学修飾剤を用意すること；
Ｒ２=Ｆｍ/Ｆｃとして定義された、２５％〜７５％の流量比Ｒ２を有していること；そして
エッチ耐性が炭素の取り込みを増加させることで高まる、高められたエッチ耐性を有する炭素含有酸化ケイ素膜または炭素含有窒化ケイ素膜を生成させること、
を含んでなる高められたエッチ耐性を有する炭素含有酸化ケイ素膜または炭素含有窒化ケイ素膜の堆積方法。
【請求項２】
該堆積が、該エッチ耐性を高めるために、および/または堆積速度を上げるために、および／または膜密度を低下させるために、該混合比Ｒｍを高めることを含む請求項１の方法。
【請求項３】
該堆積が、該エッチ耐性を高めるために、および／または堆積速度を上げるために、および／または膜密度を低下させるために、該流量比Ｒ２を高めることを含む請求項１の方法。
【請求項４】
該堆積が、３５０℃〜７００℃の温度、および２６．７Ｐａ（０.２トール）〜１３３３Ｐａ（１０トール）の圧力で行われる請求項１の方法。
【請求項５】
該化学修飾剤が、酸素、窒素、アンモニア、ヘリウム、アルゴン、キセノン、水素およびそれらの混合物からなる群から選択される請求項１の方法。
【請求項６】
該ケイ素を含有する構造前駆体が、ビス（第３ブチルアミノ）シラン、テトラエチルオルトシリケート、ジクロロシラン、ヘキサクロロジシランおよびそれらの混合物からなる群から選択される請求項１の方法。
【請求項７】
該堆積が、原子層堆積法（ＡＬＤ）、化学気相堆積法（ＣＶＤ）、低圧化学気相堆積法（ＬＰＣＶＤ）、プラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）、およびリモートダウンストリームプロセスからなる群から選択される請求項１の方法。
【請求項８】
ビス（第３ブチルアミノ）シラン前駆体を用意すること；
フェニルシラン前駆体を用意すること；
該フェニルシラン前駆体と該ビス（第３ブチルアミノ）シラン前駆体とを混合させて、２％〜８５％のＲｍ（該混合物中の該フェニルシラン前駆体の重量％）の混合比およびＦｍの流量を有する混合物を得ること；
Ｆｃの流量を有する、酸素、窒素、アンモニアおよびそれらの混合物からなる群から選択される化学修飾剤を用意すること；
Ｒ２=Ｆｍ/Ｆｃとして定義された、２５％〜７５％の流量比Ｒ２を有していること;そして
エッチ耐性が該炭素の取り込みを増加させることで高まる、高められたエッチ耐性を有する炭素含有酸化ケイ素膜または炭素含有窒化ケイ素膜を製造すること、
を含んで成る高められたエッチ耐性を有する炭素含有酸化ケイ素膜または炭素含有窒化ケイ素膜の堆積ための低圧化学気相堆積法（ＬＰＣＶＤ）。
【請求項９】
該堆積が、該エッチ耐性を高めるために、および／または堆積速度を上げるために、および／または膜密度を低下させるために、該混合比Ｒｍを高めることを含む請求項８の方法。
【請求項１０】
該堆積が、該エッチ耐性を高めるために、および／または堆積速度を上げるために、および／または膜密度を低下させるために、該流量比Ｒ２を高めることを含む請求項１２の方法。
【請求項１１】
該堆積が、３５０℃〜７００℃の温度、および２６．７Ｐａ（０.２トール）〜１３３３Ｐａ（１０トール）の圧力で行われる請求項８の方法。
【請求項１２】
Ｆｓの流量を有する、テトラビニルシラン、フェニルシラン、シクロヘキシルシランおよびそれらの混合物からなる群から選択される有機シラン前駆体を用意すること；
Ｆｃの流量を有する、酸素、窒素、アンモニアおよびそれらの混合物からなる群から選択される化学修飾剤を用意すること；
Ｒ１=Ｆｓ/Ｆｃとして定義された、２５％〜７５％の流量比Ｒ１を有していること；そして
高められたエッチ耐性を有する該酸化ケイ素膜または該窒化ケイ素膜を製造すること、
を含んで成る高められたエッチ耐性を有する酸化ケイ素または窒化ケイ素膜の堆積のための低圧化学気相堆積法（ＬＰＣＶＤ）。
【請求項１３】
該堆積が、エッチ耐性を高めるために、該流量比Ｒ１を高めることを含む請求項１２の方法。
【請求項１４】
該堆積が、エッチ耐性を高めるために、処理温度を上昇させることを含む請求項１２の方法。
【請求項１５】
該堆積が、３５０℃〜７００℃の温度、および２６．７Ｐａ（０.２トール）〜１３３３Ｐａ（１０トール）の圧力で行われる請求項１２の方法。
【請求項１６】
該ケイ素を含有するドーパント前駆体が、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、テトラビニルシラン、フェニルシラン、シクロヘキシルシランおよびそれらの混合物からなる群から選択される請求項１の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
酸化ケイ素および窒化ケイ素を製造するためのより低温の方法が、ヘキサクロロジシラン（ＨＣＤＳ）、ビス（第３ブチルアミノ）シラン（ＢＴＢＡＳ）およびジエチルシラン（ＬＴＯ−４１０）等の化学的前駆体を使用することによって開発されてきた。しかし、誘電率、密度、これらの化学品でできた膜の湿式エッチ速度等の特性を変更するために有用な工程柔軟性がほとんどない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
化学修飾剤は、酸素、窒素、アンモニア、ヘリウム、アルゴン、キセノン、水素およびそれらの混合物からなる群から選択される。ケイ素を含有する構造前駆体は、ビス（第３ブチルアミノ）シラン、テトラエチルオルトシリケート、ジクロロシラン、ヘキサクロロジシランおよびそれらの混合物からなる群から選択され、該炭素を含有するドーパント前駆体は、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、テトラビニルシラン、フェニルシラン、シクロヘキシルシランおよびそれらの混合物からなる群から選択される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の別の態様は、ビス（第３ブチルアミノ）シラン前駆体を用意すること；
フェニルシラン前駆体を用意すること；
該フェニルシラン前駆体と該ビス（第３ブチルアミノ）シラン前駆体とを混合させて、２％〜８５％のＲｍ（該混合物中の該フェニルシラン前駆体の重量％）の混合比およびＦｍの流量を有する混合物を得ること；
Ｆｃの流量を有する、酸素、窒素、アンモニアおよびそれらの混合物からなる群から選択される化学修飾剤を用意すること；
Ｒ２=Ｆｍ/Ｆｃとして定義された、２５％〜７５％の流量比Ｒ２を有していること；そして
エッチ耐性が該炭素の取り込みを増加させることで高まる高められたエッチ耐性を有する炭素含有酸化ケイ素膜または炭素含有窒化ケイ素膜を製造すること、
を含んで成る高められたエッチ耐性を有する炭素含有酸化ケイ素膜または炭素含有窒化ケイ素膜の堆積ための低圧化学気相堆積法（ＬＰＣＶＤ）である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
例５：（ｔｅｒｔ−ブチルアミノ）シランからの酸化ケイ素の堆積
この例の処理条件は：
ＬＰＣＶＤ堆積、温度範囲は４５０℃〜５００℃であり、圧力は６００ミリトールであり、前駆体（（ｔｅｒｔ−ブチルアミノ）シラン）：Ｏ２の流量比は１.７：１であった。
表５
【表５】
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