【手続補正書】
【提出日】平成22年2月9日(2010.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、スパッタ法によって成膜されたＩＩＩ族窒化物よりなる第１の層を備え、少なくとも第１の層に接してＩＩＩ族窒化物材料からなる第２の層を備えたＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造において、前記第１の層が成膜装置のチャンバの内部において成膜された層であり、前記第１の層が成膜装置のチャンバ内において到達真空度、１．０×１０−３Ｐａ以下の条件で製造された層であることを特徴とする、ＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造。
【請求項２】
前記第２の層が成膜装置のチャンバの内部において成膜された層であり、前記第２の層が成膜装置のチャンバ内において到達真空度、１．０×１０−３Ｐａ以下の条件で製造された層であることを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造。
【請求項３】
前記第２の層が成膜装置のチャンバ内において到達真空度、３．５×１０−５Ｐａ以下の条件で製造された層であることを特徴とする請求項２に記載のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造。
【請求項４】
前記第２の層が成膜装置のチャンバ内において到達真空度、６．０×１０−６Ｐａ以下の条件で製造された層であることを特徴とする請求項２に記載のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造。
【請求項５】
前記第１の層が柱状結晶の集合体からなることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造。
【請求項６】
前記第１の層を構成する柱状結晶の幅が、平均して０．１ｎｍから１００ｎｍの間の値とされたことを特徴とする請求項５に記載のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造。
【請求項７】
前記第１の層のＸロッキングカーブの半値幅が、０．０２度から１．０度であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造。
【請求項８】
前記第１の層がＡｌＮであり、前記第２の層がＧａＮであることを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造と、多重量子井戸構造と正電極と負電極が具備されてなることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
【請求項１０】
請求項９に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を備えたことを特徴とするランプ。
【請求項１１】
基板上に、スパッタ法によってＩＩＩ族窒化物よりなる第１の層を成膜し、少なくとも前記第１の層に接して、ＩＩＩ族窒化物材料からなる第２の層を成膜するＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法において、前記第１の層を成膜装置のチャンバ内において到達真空度、１．０×１０−３Ｐａ以下の条件で製造することを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の製造方法において、前記第２の層を成膜する装置のチャンバの到達真空度を１．０×１０−３Ｐａ以下とすることを特徴とする、ＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法。
【請求項１３】
前記第２の層を成膜する装置のチャンバの到達真空度を３．５×１０−５Ｐａ以下とすることを特徴とする請求項１２に記載のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法。
【請求項１４】
前記第２の層を成膜する装置のチャンバの到達真空度を６．０×１０−６Ｐａ以下とすることを特徴とする請求項１２に記載のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法。
【請求項１５】
前記第１の層の製造方法として、Ｖ族原料をリアクタ内に流通させながら行うリアクティブスパッタと、Ｖ族原料としてアンモニアを利用したスパッタと、Ｖ族原料として窒素を利用したスパッタと、ＲＦスパッタと、カソードのマグネットの位置を移動させつつ行うＲＦスパッタのいずれかを選択することを特徴とする、請求項１１〜請求項１４のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法。
【請求項１６】
前記第１の層を形成する際の基板温度を４００℃〜８００℃の範囲とすることを特徴とする、請求項１１〜請求項１５のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法。
【請求項１７】
前記第１の層を柱状結晶とすることを特徴とする、請求項１１〜請求項１６のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法。
【請求項１８】
前記第１の層を構成する柱状結晶の幅を、平均して０．１ｎｍから１００ｎｍの間の値とすることを特徴とする、請求項１７に記載のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法。
【請求項１９】
前記第１の層で前記基板の少なくとも９０％を覆うことを特徴とする、請求項１１〜請求項１８のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法。
【請求項２０】
前記第１の層の膜厚を１０ｎｍから５００ｎｍの範囲とすることを特徴とする、請求項１１〜請求項１９のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法。
【請求項２１】
前記第１の層のＸロッキングカーブの半値幅を、０．０２度から１．０度とすることを特徴とする、請求項１１〜請求項２０のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法。
【請求項２２】
前記第１の層がＡｌＮであり、前記第２の層がＧａＮであることを特徴とする請求項１１〜請求項２１のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法。
【請求項２３】
前記第２の層をＭＯＣＶＤ法で製造することを特徴とする請求項１１〜請求項２２のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法。
【請求項２４】
前記第２の層を製造する際、基板温度を９００℃以上とすることを特徴とする、請求項１１〜請求項２３のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法。
【請求項２５】
前記第１の層を成膜法により製造する際、成膜雰囲気中のＨ２Ｏ分圧を２．５×１０−４Ｐａ以下とすることを特徴とする請求項１１〜請求項２４のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法。
【請求項２６】
前記第１の層を成膜法により製造する際、成膜雰囲気のＯ２分圧を２．０×１０−５Ｐａ 以下とすることを特徴とする請求項１１〜請求項２５のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は以下の手段を提供する。すなわち、
（１）本発明のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造は、基板上に、スパッタ法によって成膜されたＩＩＩ族窒化物よりなる第１の層を備え、少なくとも第１の層に接してＩＩＩ族窒化物材料からなる第２の層を備えたＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造において、前記第１の層が成膜装置のチャンバの内部において成膜された層であり、前記第１の層が成膜装置のチャンバ内において到達真空度、１．０×１０−３Ｐａ以下の条件で製造された層であることを特徴とする。
（２）本発明のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造は、前記（１）に記載の第２の層が、成膜装置のチャンバの内部において成膜された層であり、前記第２の層が成膜装置のチャンバ内において到達真空度、１．０×１０−３Ｐａ以下の条件で製造された層であることを特徴とする。
（３）本発明のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造は、前記（２）に記載の第２の層が、成膜装置のチャンバ内において到達真空度、３．５×１０−５Ｐａ以下の条件で製造された層であることを特徴とする。
（４）本発明のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造は、前記（２）に記載の第２の層が、成膜装置のチャンバ内において到達真空度、６．０×１０−６Ｐａ以下の条件で製造された層であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
（５）本発明のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造は、前記（１）〜（４）のいずれかに記載の第１の層が柱状結晶の集合体からなることを特徴とする。
（６）本発明のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造は、前記（５）に記載の第１の層を構成する柱状結晶の幅が、平均して０．１ｎｍから１００ｎｍの間の値とされたことを特徴とする。
（７）本発明のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造は、前記（１）〜（６）のいずれかに記載の第１の層のＸロッキングカーブの半値幅が、０．０２度から１．０度であることを特徴とする。
（８）本発明のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造は、前記（１）〜（７）のいずれかに記載の第１の層がＡｌＮであり、前記第２の層がＧａＮであることを特徴とする。
（９）本発明のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子は、前記（１）〜（８）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造と、多重量子井戸構造と正電極と負電極が具備されてなることを特徴とする。
（１０）本発明のランプは、前記（９）に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を備えたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
（１１）本発明のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法は、基板上に、スパッタ法によってＩＩＩ族窒化物よりなる第１の層を成膜し、少なくとも前記第１の層に接して、ＩＩＩ族窒化物材料からなる第２の層を成膜するＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法において、前記第１の層を成膜装置のチャンバ内において到達真空度、１．０×１０−３Ｐａ以下の条件で製造することを特徴とする。
（１２）本発明のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法は、前記（１１）に記載の製造方法において、前記第２の層を成膜する装置のチャンバの到達真空度を１．０×１０−３Ｐａ以下とすることを特徴とする。
（１３）本発明のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法は、前記（１２）に記載の製造方法において、前記第２の層を成膜する装置のチャンバの到達真空度を３．５×１０−５Ｐａ以下とすることを特徴とする。
（１４）本発明のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法は、前記（１２）に記載の製造方法において、前記第２の層を成膜する装置のチャンバの到達真空度を６．０×１０−６Ｐａ以下とすることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（１５）本発明のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法は、前記（１１）〜（１４）のいずれかに記載の第１の層の製造方法として、Ｖ族原料をリアクタ内に流通させながら行うリアクティブスパッタと、Ｖ族原料としてアンモニアを利用したスパッタと、Ｖ族原料として窒素を利用したスパッタと、ＲＦスパッタと、カソードのマグネットの位置を移動させつつ行うＲＦスパッタのいずれかを選択することを特徴とする。
（１６）本発明のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法は、前記（１１）〜（１５）のいずれかに記載の第１の層を形成する際の基板温度を４００℃〜８００℃の範囲とすることを特徴とする。
（１７）本発明のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法は、前記（１１）〜（１６）のいずれかに記載の第１の層を柱状結晶とすることを特徴とする。
（１８）本発明のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法は、前記（１７）に記載の第１の層を構成する柱状結晶の幅を、平均して０．１ｎｍから１００ｎｍの間の値とすることを特徴とする。
（１９）本発明のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法は、前記（１１）〜（１８）のいずれかに記載の第１の層で前記基板の少なくとも９０％を覆うことを特徴とする。
（２０）本発明のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法は、前記（１１）〜（１９）のいずれかに記載の第１の層の膜厚を１０ｎｍから５００ｎｍの範囲とすることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（２１）本発明のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法は、前記（１１）〜（２０）のいずれかに記載の第１の層のＸロッキングカーブの半値幅を、０．０２度から１．０度とすることを特徴とする。
（２２）本発明のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法は、前記（１１）〜（２１）のいずれかに記載の第１の層がＡｌＮであり、前記第２の層がＧａＮであることを特徴とする。
（２３）本発明のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法は、前記（１１）〜（２２）のいずれかに記載の第２の層をＭＯＣＶＤ法で製造することを特徴とする。
（２４）本発明のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法は、前記（１１）〜（２３）のいずれかに記載の第２の層を製造する際、基板温度を９００℃以上とすることを特徴とする。
（２５）本発明のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法は、前記（１１）〜（２４）のいずれかに記載の第１の層を成膜法により製造する際、成膜雰囲気中のＨ２Ｏ分圧を２．５×１０−４Ｐａ以下とすることを特徴とする。
（２６）本発明のＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造の製造方法は、前記（１１）〜（２５）のいずれかに記載の第１の層を成膜法により製造する際、成膜雰囲気のＯ２分圧を２．０×１０−５Ｐａ以下とすることを特徴とする。