【手続補正書】
【提出日】平成22年1月26日(2010.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容量素子と、第１及び第２のトランジスタと、配線とを有し、
前記容量素子の第１の電極は、入力端子に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記配線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記容量素子の第２の電極に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記容量素子の第２の電極に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、出力端子に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
容量素子と、第１及び第２のトランジスタと、第１及び第２の配線とを有し、
前記容量素子の第１の電極は、入力端子に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記容量素子の第２の電極に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記容量素子の第２の電極に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、出力端子に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
容量素子と、第１及び第２のトランジスタと、配線とを有し、
前記容量素子の第１の電極は、入力端子に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記配線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記容量素子の第２の電極に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記容量素子の第２の電極に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、出力端子に電気的に接続されており、
前記容量素子の容量は、前記第２のトランジスタのゲート容量より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
容量素子と、第１及び第２のトランジスタと、第１及び第２の配線とを有し、
前記容量素子の第１の電極は、入力端子に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記容量素子の第２の電極に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記容量素子の第２の電極に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、出力端子に電気的に接続されており、
前記容量素子の容量は、前記第２のトランジスタのゲート容量より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタは、ｐチャネル型のトランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタは、ｎチャネル型のトランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
第１及び第２の容量素子と、第１乃至第４のトランジスタと、第１及び第２の配線とを有し、
前記第１の容量素子の第１の電極及び前記第２の容量素子の第１の電極は、入力端子に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の容量素子の第２の電極に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第１の容量素子の第２の電極に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、出力端子に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の容量素子の第２の電極に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第２の容量素子の第２の電極に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、出力端子に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
第１及び第２の容量素子と、第１乃至第４のトランジスタと、第１乃至第４の配線とを有し、
前記第１の容量素子の第１の電極及び前記第２の容量素子の第１の電極は、入力端子に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の容量素子の第２の電極に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第１の容量素子の第２の電極に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、出力端子に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の容量素子の第２の電極に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第２の容量素子の第２の電極に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４の配線に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、出力端子に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
第１及び第２の容量素子と、第１乃至第４のトランジスタと、第１及び第２の配線とを有し、
前記第１の容量素子の第１の電極及び前記第２の容量素子の第１の電極は、入力端子に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の容量素子の第２の電極に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第１の容量素子の第２の電極に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、出力端子に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の容量素子の第２の電極に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第２の容量素子の第２の電極に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、出力端子に電気的に接続されており、
前記第１の容量素子の容量は、前記第２のトランジスタのゲート容量より大きく、
前記第２の容量素子の容量は、前記第４のトランジスタのゲート容量より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
第１及び第２の容量素子と、第１乃至第４のトランジスタと、第１乃至第４の配線とを有し、
前記第１の容量素子の第１の電極及び前記第２の容量素子の第１の電極は、入力端子に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１の配線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の容量素子の第２の電極に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第１の容量素子の第２の電極に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、出力端子に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３の配線に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の容量素子の第２の電極に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第２の容量素子の第２の電極に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４の配線に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、出力端子に電気的に接続されており、
前記第１の容量素子の容量は、前記第２のトランジスタのゲート容量より大きく、
前記第２の容量素子の容量は、前記第４のトランジスタのゲート容量より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項７乃至請求項１０のいずれか一において、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは、ｐチャネル型のトランジスタであり、
前記第３のトランジスタ及び前記第４のトランジスタは、ｎチャネル型のトランジスタであることを特徴とする半導体装置。