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【手続補正書】
【提出日】平成22年9月6日(2010.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、回転駆動する平坦な研磨上面を有する下定盤と、前記下定盤に対向して配置され回転駆動する平坦な研磨下面を有する上定盤と、ウェーハを保持するウェーハ保持孔を有するキャリアとによって、前記ウェーハを挟持して押圧摺動することで両面を同時に研磨するウェーハの研磨方法において、
前記上定盤の回転中心と周縁との間に設けた複数の窓から前記ウェーハの厚さを測定しながら研磨を行い、前記ウェーハの研磨途中で研磨速度の異なる研磨スラリーに切り替えることを特徴とするウェーハの研磨方法。
【請求項２】
前記ウェーハを、バッチ式で研磨することを特徴とする請求項１に記載のウェーハの研磨方法。
【請求項３】
前記ウェーハの厚さの測定法は、波長可変赤外線レーザーによる光反射干渉法であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のウェーハの研磨方法。
【請求項４】
前記研磨スラリーの切り替えタイミングは、研磨開始からの経過時間、研磨速度、研磨取り代、研磨布寿命のうち少なくとも１つ以上によって決定されるものとすることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載のウェーハの研磨方法。
【請求項５】
前記ウェーハの厚さの測定データを用いて、前記ウェーハの研磨途中で、研磨荷重、前記上定盤の回転速度、前記下定盤の回転速度のうち少なくとも１つ以上を変更することを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載のウェーハの研磨方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記課題を解決するため、本発明では、少なくとも、回転駆動する平坦な研磨上面を有する下定盤と、前記下定盤に対向して配置され回転駆動する平坦な研磨下面を有する上定盤と、ウェーハを保持するウェーハ保持孔を有するキャリアとによって、前記ウェーハを挟持して押圧摺動することで両面を同時に研磨するウェーハの研磨方法において、前記上定盤または前記下定盤の回転中心と周縁との間に設けた複数の窓から前記ウェーハの厚さを測定しながら研磨を行い、前記ウェーハの研磨途中で研磨速度の異なる研磨スラリーに切り替えることを特徴とするウェーハの研磨方法を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、前記複数の窓を、前記上定盤に設けることが好ましい。
上定盤に設けた複数の窓から、研磨中のウェーハの厚さを測定することによって、窓から研磨スラリーの漏れが発生することはなく、孔の中に研磨スラリーが進入することがないため、漏れ対策を行わなくても良い。これによって、定盤のメンテナンスが容易になり、またウェーハの厚さの測定に支障が生じる可能性を抑制することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、前記ウェーハを、バッチ式で研磨することが好ましい。
本発明のウェーハの研磨方法は、高い生産性で平坦なウェーハとすることができるものであるため、バッチ式で研磨することによって、生産性をより高めることができる。また、本発明では複数の窓からウェーハ厚さを測定しながら研磨するので、バッチ式のように、同時に複数のウェーハを研磨する場合であっても、全てのウェーハの厚さを測定することができ、精度良く測定できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、前記ウェーハの厚さの測定法は、波長可変赤外線レーザーによる光反射干渉法であることが好ましい。
このように、波長可変赤外線レーザーを用いて、ウェーハ表面での反射スペクトル（ウェーハ表面と裏面で反射する光の干渉の様子）を評価することによって、研磨中のウェーハ厚さを高精度で測定することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、前記研磨スラリーの切り替えタイミングは、研磨開始からの経過時間、研磨速度、研磨取り代、研磨布寿命のうち少なくとも１つ以上によって決定されるものとすることが好ましい。
このように、研磨スラリーの切り替えとして、研磨布の寿命や、研磨開始からの経過時間、研磨速度、研磨取り代によって決定することによって、研磨布、キャリア等の加工治具、材料等の劣化状態によって変化するウェーハの研磨状態に対して臨機応変に対応することができる。従って、目標のウェーハ形状、取り分け外周ダレの改善やフラットネスの安定化、狙い通りの研磨取代量をより容易に達成することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、前記ウェーハの厚さの測定データを用いて、前記ウェーハの研磨途中で、研磨荷重、前記上定盤の回転速度、前記下定盤の回転速度のうち少なくとも１つ以上を変更することとすることが好ましい。
このように、ウェーハの研磨途中で研磨速度の異なるスラリーに切り替えるのみならず、研磨加重、上定盤の回転速度、下定盤の回転速度のうち少なくとも１つ以上を変更することで、ウェーハの研磨中に、研磨に用いる機構の劣化などによる研磨条件の変化によりきめ細かに適切に対応することができる。よって、研磨終了後の表面の平坦度が非常に高いウェーハを安定して得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月6日(2010.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電動工具（３４）と連結するようにされるリチウムイオンの電池パック（３０）において、
筐体（４２）と、
複数の端子（９８，１０２，１０６）と、
充電可能なリチウムイオンの複数の電池セル（４６）であって、前記電池セルは、前記筐体内に支持されており、それぞれの前記電池セルはそれぞれの充電状態を有し、前記電池パックは充電状態を有し、電力が前記電池セルと前記電池パックの間で伝達可能である、電池セルと、
前記筐体に支持される制御回路（４３０）であって、前記制御回路は、放電機能を含む前記電池パックの複数の機能を制御するように動作可能であり、前記制御回路は、コントローラ（４４０）を含み、前記制御回路は、モニタされた充電状態に基づき、前記電池パックの機能の少なくとも一つを制御するようにされる、制御回路と、
開のときに、前記電池セル及び前記電動工具の間で電力を伝えることをできなくするスイッチ（４８０）であって、前記スイッチは、さらに閉のときに、前記電池セル及び前記電動工具の間で電力を伝えることをできるようにし、前記スイッチは、少なくとも一つの電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を含む、スイッチと、
前記スイッチと熱伝達関係にあるヒートシンク（４８５）であって、前記ヒートシンクは、前記スイッチから熱を放散するように動作可能である、ヒートシンクと、を備える電池パック。
【請求項２】
請求項１に記載の電池パックにおいて、前記制御回路で制御される機能は、前記電池セルと前記電動工具との間の電力伝達をさえぎることを含む、電池パック。
【請求項３】
請求項１に記載の電池パックにおいて、前記スイッチは前記ヒートシンクと結合される、電池パック。
【請求項４】
請求項１に記載の電池パックにおいて、前記ＦＥＴは前記ヒートシンクに物理的に取り付けられ、前記ヒートシンクと熱伝達関係にある、電池パック。
【請求項５】
請求項１に記載の電池パックにおいて、前記制御回路は、さらに前記電動工具の動作パラメータを制御するようにされる、電池パック。
【請求項６】
請求項１に記載の電池パックにおいて、前記電動工具は、丸鋸（３０５）又はドライバドリル（３００）の内の一つである、電池パック。
【請求項７】
請求項１に記載の電池パックにおいて、前記スイッチは、前記制御回路と電気的に接続される、電池パック。
【請求項８】
請求項１に記載の電池パックにおいて、前記電池セルは、リチウムマンガンの化学的性質を有する、電池パック。
【請求項９】
請求項１に記載の電池パックにおいて、前記モニタされた充電状態は、前記電池パックに関する、電池パック。
【請求項１０】
請求項１に記載の電池パックにおいて、前記モニタされた充電状態は、電池セルに関する、電池パック。
【請求項１１】
請求項１に記載の電池パックにおいて、前記複数の電池セルは、前記電動工具に電力を供給するために、少なくともおよそ２０アンペアの放電電流を、全体として供給するように動作可能である、電池パック。
【請求項１２】
請求項１に記載の電池パックにおいて、さらに前記制御回路に連結されるフレキシブル回路（４４５）を備える、電池パック。
【請求項１３】
請求項１に記載の電池パックにおいて、さらに前記制御回路に連結されるプリント基板（４４５）を備える、電池パック。
【請求項１４】
請求項１に記載の電池パックにおいて、さらに電池パック識別構成部品を備える、電池パック。
【請求項１５】
請求項１に記載の電池パックにおいて、前記電池パック及び前記電動工具は、互いから選択的に分離されることができ、前記スイッチ及び前記ヒートシンクは前記電池パックの構成部品である、電池パック。
【請求項１６】
請求項１に記載の電池パックにおいて、さらにサーミスタ（４５０）を備えており、前記制御回路は、モニタされた電池パック温度に基づき前記電池パックの機能を制御するようにされる、電池パック。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月6日(2010.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス透過性を有する内側電極である空気極と、
前記空気極を覆うように前記空気極上に配置される気密性を備えた固体電解質と、
ガス透過性を有し、前記固体電解質を覆うように前記固体電解質上に配置される外側電極である燃料極と、
前記固体電解質と接触するように配置され、前記空気極側の酸化雰囲気と前記燃料極側の還元雰囲気を遮断可能なように気密性を備えるとともに、前記内側電極である空気極と電気的に接続されたインターコネクタと、
を備える固体酸化物形燃料電池であって、
前記外側電極である燃料極が前記インターコネクタを介して前記空気極と電気的に接続することがないように前記固体電解質が露出した露出部を設けるように配置され、
前記固体電解質が露出した前記露出部に対応した位置において前記露出部よりも内側に存在する前記空気極が前記固体電解質と接触しないように、前記露出部と対向する前記空気極上に非酸素イオン伝導体からなる遮蔽体を配置したことを特徴とする固体酸化物形燃料電池。
【請求項２】
前記遮蔽体は、前記インターコネクタの一部であることを特徴とする、請求項１に記載の固体酸化物形燃料電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明では、ガス透過性を有する内側電極である空気極と、前記空気極を覆うように前記空気極上に配置される気密性を備えた固体電解質と、ガス透過性を有し、前記固体電解質を覆うように前記固体電解質上に配置される外側電極である燃料極と、前記固体電解質と接触するように配置され、前記空気極側の酸化雰囲気と前記燃料極側の還元雰囲気を遮断可能なように気密性を備えるとともに、前記内側電極である空気極と電気的に接続されたインターコネクタと、を備える固体酸化物形燃料電池であって、前記外側電極である燃料極が前記インターコネクタを介して前記空気極と電気的に接続することがないように前記固体電解質が露出した露出部を設けるように配置され、前記固体電解質が露出した前記露出部に対応した位置において前記露出部よりも内側に存在する前記空気極が前記固体電解質と接触しないように、前記露出部と対向する前記空気極上に非酸素イオン伝導体からなる遮蔽体を配置したことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月13日(2010.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機溶剤を除く組成物全量を１００質量％として、
（Ａ）重合性不飽和基を有する有機化合物を結合させてなる金属酸化物粒子  ３０〜８０質量％、及び
（Ｂ）分子中に芳香環構造を有し、３個以上の（メタ）アクリロイル基を有するウレタン（メタ）アクリレート  ５〜５０質量％
を含有する硬化性組成物。
【請求項２】
前記（Ａ）成分の粒子中における有機化合物が、重合性不飽和基に加えて、下記式（１）に示す基を有する請求項１に記載の硬化性組成物。
【化１】
2006233169.tif 000001
［式（１）中、Ｕは、ＮＨ、（酸素原子）又はＳ（イオウ原子）を示し、Ｖは、Ｏ又はＳを示す。］
【請求項３】
前記（Ａ）成分の粒子中における有機化合物が、分子内にシラノール基を有する化合物又は加水分解によってシラノール基を生成する化合物である請求項１又は２に記載の硬化性組成物。
【請求項４】
前記（Ｂ）成分の（メタ）アクリロイル基１つ当たりの分子量が、４００以下である請求項１又は２に記載の硬化性組成物。
【請求項５】
前記（Ｂ）成分の分子中に芳香環構造を有し、３個以上の（メタ）アクリロイル基を有するウレタンアクリレートが、下記式（３）で示される化合物である請求項１又は２に記載の硬化性組成物。
【化２】
2006233169.tif 000002
【請求項６】
請求項１又は２に記載の硬化性組成物を硬化させてなる硬化層。
【請求項７】
透明基材上に請求項６に記載の硬化層を有する積層体。
【請求項８】
透明基材、請求項６に記載の硬化層及び低屈折率層をこの順に積層してなる反射防止膜。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、以下の硬化性組成物、その硬化物及び積層体を提供できる。
［１］有機溶剤を除く組成物全量を１００質量％として、
（Ａ）重合性不飽和基を有する有機化合物を結合させてなる金属酸化物粒子  ３０〜８０質量％、及び
（Ｂ）分子中に芳香環構造を有し、３個以上の（メタ）アクリロイル基を有するウレタン（メタ）アクリレート  ５〜５０質量％
を含有する硬化性組成物；
［２］前記（Ａ）成分の粒子中における有機化合物が、重合性不飽和基に加えて、下記式（１）に示す基を有する上記［１］に記載の硬化性組成物。
【化３】
2006233169.tif 000003
［式（１）中、Ｕは、ＮＨ、Ｏ（酸素原子）又はＳ（イオウ原子）を示し、Ｖは、Ｏ又はＳを示す。］；
［３］前記（Ａ）成分の粒子中における有機化合物が、分子内にシラノール基を有する化合物又は加水分解によってシラノール基を生成する化合物である上記［１］又は［２］に記載の硬化性組成物；
［４］前記（Ｂ）成分の（メタ）アクリロイル基１つ当たりの分子量が、４００以下である前記［１］〜［３］のいずれかに記載の硬化性組成物；
［５］前記（Ｂ）成分の分子中に芳香環構造を有し、３個以上の（メタ）アクリロイル基を有するウレタンアクリレートが、下記式（３）で示される化合物である上記［１］〜［４］のいずれかに記載の硬化性組成物；
【化４】
2006233169.tif 000004
［６］上記［１］〜［５］のいずれかに記載の硬化性組成物を硬化させてなる硬化層；
［７］透明基材上に上記［６］に記載の硬化層を有する積層体；及び
［８］透明基材、上記［６］に記載の硬化層及び低屈折率層をこの順に積層してなる反射防止膜。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
（Ｂ）成分として好ましい化合物としては、下記式（３）
【化８】
2006233169.tif 000005
で示される化合物（以下、「ＰＴＰ」という。）が挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月25日(2009.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コークス炉から窯出されたコークスを受骸する非旋回式受骸コークス車と、該非旋回式受骸コークス車の軌条とは独立して設けられた軌条を移動すると共に２台の旋回式コークバケットを設置可能なコークバケット台車と、該コークバケット台車に設置される旋回式コークバケットと、前記非旋回式受骸コークス車からコークスを前記コークバケット台車上の旋回式コークバケットに払出す払出装置と、前記旋回式コークバケットをコークス乾式消火設備に搬送する巻上機とを備え、前記コークバケット台車は前記払出し装置が設置された払出し位置に、前記２台の旋回式コークバケットをそれぞれ配置させるように移動できることを特徴とする赤熱コークスの搬送装置。
【請求項２】
前記払出装置を２台設けたことを特徴とする請求項１記載の赤熱コークスの搬送装置。
【請求項３】
前記コークバケット台車はターンテーブルを備えてなり、前記２台の旋回式コークバケットを前記ターンテーブル上に対向配置したことを特徴とする請求項１又は２に記載の赤熱コークスの搬送装置。
【請求項４】
前記コークバケット台車が走行する軌条が、円周軌条または、非旋回式受骸コークス車の走行軌条に平行に敷設された直線軌条であることを特徴とする請求項１又は２に記載の赤熱コークスの搬送装置。
【請求項５】
前記旋回式コークバケットは、複数窯分のコークス容量を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の赤熱コークスの搬送装置。
【請求項６】
前記非旋回式受骸コークス車は、内部が２室に分けられると共に２式の切出しゲートを有していることを特徴とする請求項請求項１乃至４のいずれかに記載の赤熱コークスの搬送装置。
【請求項７】
小型コークス炉から窯出されたコークスを非旋回式受骸コークス車に受骸する工程と、前記コークスを旋回式コークバケットで受骸してコークスの粒度偏析を小さくする工程と、前記２つの工程を複数回繰り返す工程と、複数窯分のコークスを受骸した前記旋回式コークバケットを巻上機にて巻上げて、赤熱コークスをコークス乾式消火設備に装入する工程とを有することを特徴とする赤熱コークスの搬送方法。
【請求項８】
大型コークス炉から窯出しされたコークスを２室からなる非旋回式受骸コークス車に受骸する工程と、前記１室分のコークスを旋回式コークバケット２台中の１台に払出して巻上げる工程と、続いて、前記残１室分のコークスを空の旋回式コークバケットに受骸し、巻上げて、赤熱コークスをコークス乾式消火設備に装入する工程とを有することを特徴とする赤熱コークスの搬送方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
このような課題を解決するための本発明の特徴は以下の通りである。
（１）本発明に係る赤熱コークスの搬送装置は、コークス炉から窯出されたコークスを受骸する非旋回式受骸コークス車と、該非旋回式受骸コークス車の軌条とは独立して設けられた軌条を移動すると共に２台の旋回式コークバケットを設置可能なコークバケット台車と、該コークバケット台車に設置される旋回式コークバケットと、前記非旋回式受骸コークス車からコークスを前記コークバケット台車上の旋回式コークバケットに払出す払出装置と、前記旋回式コークバケットをコークス乾式消火設備に搬送する巻上機とを備え、前記コークバケット台車は前記払出し装置が設置された払出し位置に、前記２台の旋回式コークバケットをそれぞれ配置させるように移動できることを特徴とするものである。
（２）また、上記（１）に記載のものにおいて、前記払出装置を２台設けたことを特徴とするものである。
（３）また、上記（１）又は（２）に記載のものにおいて、前記コークバケット台車はターンテーブルを備えてなり、前記２台の旋回式コークバケットを前記ターンテーブル上に対向配置したことを特徴とするものである。
（４）また、上記（１）又は（２）に記載のものにおいて、前記コークバケット台車が走行する軌条が、円周軌条または、非旋回式受骸コークス車の走行軌条に平行に敷設された直線軌条であることを特徴とするものである。
（５）また、上記（１）乃至（４）のいずれかに記載のものにおいて、前記旋回式コークバケットは、複数窯分のコークス容量を有することを特徴とするものである。
（６）また、上記（１）乃至（４）のいずれかに記載のものにおいて、前記非旋回式受骸コークス車は、内部が２室に分けられると共に２式の切出しゲートを有していることを特徴とするものである。
（７）また、本発明に係る赤熱コークスの搬送方法は、小型コークス炉から窯出されたコークスを非旋回式受骸コークス車に受骸する工程と、前記コークスを旋回式コークバケットで受骸してコークスの粒度偏析を小さくする工程と、前記２つの工程を複数回繰り返す工程と、複数窯分のコークスを受骸した前記旋回式コークバケットを巻上機にて巻上げて、赤熱コークスをコークス乾式消火設備に装入する工程とを有することを特徴とするものである。
（８）また、大型コークス炉から窯出しされたコークスを２室からなる非旋回式受骸コークス車に受骸する工程と、前記１室分のコークスを旋回式コークバケット２台中の１台に払出して巻上げる工程と、続いて、前記残１室分のコークスを空の旋回式コークバケットに受骸し、巻上げて、赤熱コークスをコークス乾式消火設備に装入する工程とを有することを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月15日(2010.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともアノード電極とアノード端子とを備えた表示パネルと、前記アノード端子に電圧を供給するための導電線を保持するアノードキャップと、前記アノードキャップを着脱可能に係止する部材と、を有する画像表示装置であって、
前記アノード電極は前記表示パネルの内部に設けられており、
前記アノード端子は前記アノード電極に前記表示パネルの外側から電圧を供給するための端子であって、前記表示パネルの内部に位置する部分と前記表示パネルの外部に位置する部分とを備えており、
前記部材は、前記アノード端子の、前記表示パネルの外部に位置する部分が挿入された貫通孔を備えており、且つ、前記表示パネルの外表面に固定されており、
前記アノードキャップは、その内側に、前記部材によって係止される係止部を有することを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記部材は、凹部或いは凸部を有し、前記係止部は、前記部材の凹部或いは凸部に対応する凹部或いは凸部を有している請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記表示パネルは、電子源とアノード端子を備えたリアプレートと、アノード電極を備えたフェースプレートとを有することを特徴とする請求項１または２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記アノード電極とアノード端子は導電性の弾性部材を介して電気的に接続されている請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像表示装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、少なくともアノード電極とアノード端子とを備えた表示パネルと、前記アノード端子に電圧を供給するための導電線を保持するアノードキャップと、前記アノードキャップを着脱可能に係止する部材と、を有する画像表示装置であって、
前記アノード電極は前記表示パネルの内部に設けられており、
前記アノード端子は前記アノード電極に前記表示パネルの外側から電圧を供給するための端子であって、前記表示パネルの内部に位置する部分と前記表示パネルの外部に位置する部分とを備えており、
前記部材は、前記アノード端子の、前記表示パネルの外部に位置する部分が挿入された貫通孔を備えており、且つ、前記表示パネルの外表面に固定されており、
前記アノードキャップは、その内側に、前記部材によって係止される係止部を有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、接続部材５はアノードキャップ１の頂部１ｂで保持されているが、該頂部１ｂからの脱落を防止するために、ステンレスの板材などからなる抜け防止材７を用いることが好ましい。図２に示す７ａはこの抜け防止材７のケーブル保持部、７ｂは接続部材保持部であり、全体を図５に、該抜け防止材にケーブル４と接続部材５を取り付けた様子を図６にそれぞれ示す。当該抜け防止材７にはケーブル保持部７ａの端部にケーブル４側に先端が向いた爪７ｃが形成されており、該爪７ｃの先端をケーブル４に食い込ませることでケーブル保持部７ａをケーブル４に機械的に固定し、接続部材保持部７ｂは接続部材５にかしめることで固定される。このような抜け防止材７を用いることで、導電線３と接続部材５との半田付け部位にかかるストレスが緩和される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
引き出し配線２４は、例えばＡｇなどの導電材料からなり、印刷法などにより形成される。弾性部材２３はステンレス等の導電材料からなるバネ部材であり、引き出し配線２４を押圧してアノード端子１６と引き出し配線２４との電気的接続をより一層確実にすることができる。弾性部材２３とアノード端子１６との接続は、レーザ溶接、導電性接着剤、金属接合等の方法が用いられる。尚、本発明においては、弾性部材２３を用いずに、アノード端子１６を直接引き出し配線２４に接続してもかまわない。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
１  アノードキャップ
１ａ  中空円筒部
１ｂ  頂部
１ｃ  カバー部
１ｄ  凸部
２  電圧供給ユニット
３  導電線
４  ケーブル
５  接続部材
５ａ  端子嵌合部
６  電圧源
７  抜け防止材
７ａ  ケーブル保持部
７ｂ  接続部材保持部
７ｃ  爪
１１  基板
１１ａ  開口部
１２  固定部材
１２ａ  凹部
１２ｂ  貫通孔
１３  封止部材
１４、１５  接着材
１６  アノード端子
２１  基板
２２  外枠
２３  弾性部材
２４  引き出し配線
２５  メタルバック
２６  蛍光膜
２７  電子源
８２，８３  素子電極
８４  導電性膜
８５  電子放出部
８６  列方向配線
８７  層間絶縁層
８８  行方向配線
９１  蛍光体
９２  黒色導電体
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月7日(2010.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、図1の例においては、図２に示す様に、上記ＮＤフィルタ１５と上記シャッタ１３とを回動自在に駆動する第１の駆動部ＤＲ１と第２の駆動部ＤＲ２とを、第１のガイド板１２、第２のガイド板１６、ＮＤフィルタ１５、セパレータ１４、シャッタ１３を支持するベース板１１に組み込んで駆動装置を含めて光量制御装置１Ａの薄型化を図ってもいる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図３は、光量制御装置１を斜め上方から見た斜視図であり、図４は、光量制御装置１を斜め下方から見た斜視図であり、また図５は、図３、図４の光量制御装置１の分解図であり、図６は、図５に示すベース板１１Ｂと第１及び第２の駆動部ＤＲ１，ＤＲ２の拡大図である。図５は、図１に対応するものであって、その図５の構成は、図１中のセパレータ１４が廃止され、第１のガイド板１２Ｂおよび第２のガイド板１６Ｂの構成が変更されている以外は、図１の構成と同じ構成である。このため、図３〜図６には、同一機能を達成する部材には図１、図２と同じ符号が示されている。また図６は、図２に対応させるために掲げたものであって、図１には示されている第２のガイド板１６が省略されているが、これは、図１のセパレータ１４を省略することによって第２のガイド板１６にバネ部１６１を設ける必要がなくなったということを示すためである。なお本実施形態においてはベース板１１の構造がやや変更されているが、配置が変わった程度で同じ機能を有する部材がそれぞれ設けられているので、図２と同様の機能を有する部分には同じ符号が付されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図３に示す様に、第２のガイド板１６Ｂには開口１６０が設けられており、その第２のガイド板１６Ｂがベース板１１Ｂに組み込まれ装着されている。図３に示す第１のガイド板１６Ｂには、内向きにレールＲ２としぼり部１６２，１６３とが突出するようにして設けられている。また図４に示すベース板１１Ｂには、第１のガイド板１２Ｂの開口と連通する大きな開口ＡＰが設けられている。後述するがこの図４に示すベース板１１Ｂには、本発明にいう第1の駆動部と第２の駆動部とが配備されているのでそれらの駆動部と外部の制御装置との間を接続することができるようにするためにフレキシブル基板Ｆｌが外側へと引き出されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
１  １Ａ  光量制御装置
１１      ベース板
１２  １２Ｂ    第１のガイド板
１３            第１の光量制御板（シャッタ）
１４          セパレータ
１５          ＮＤフィルタ
１６  １６Ｂ  第２のガイド板
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月18日(2010.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
親局と複数の子局とを光スプリッタを備えた光ファイバ網で接続した受動光網システムであって、
前記親局は、
前記複数の子局との通信を第１の伝送速度で処理する第１の子局インタフェースと、
該複数の子局との通信を第２の伝送速度で処理する第２の子局インタフェースと、
該複数の子局の夫々との間の伝送距離もしくは伝送時間に基づいて、前記複数の子局の各子局との通信を行う伝送速度を選択する制御部と、を有し、
前記親局が前記複数の子局の夫々と、第１の伝送速度または第２の伝送速度のいずれか選択された伝送速度で、当該選択された伝送速度に対応する前記子局インタフェースを介して通信することを特徴とする受動光網システム。
【請求項２】
請求項１に記載の受動光網システムであって、
前記第２の伝送速度は前記第１の伝送速度より高速の伝送速度であり、
前記制御部は、前記複数の子局のそれぞれに対し、前記親局との間の伝送距離もしくは伝送時間が所定の値より小さいと、前記第２の伝送速度で通信を行うことを特徴とする受動光網伝送システム。
【請求項３】
請求項１に記載の受動光網システムであって、
前記第１の子局インタフェースおよび前記第２の子局インタフェースは、前記複数の子局の夫々との間の伝送距離もしくは伝送時間を測定するインタフェース制御部を有し、
前記インタフェース制御部は、測定した前記伝送距離もしくは伝送時間を、前記制御部に通知することを特徴とする受動光網システム。
【請求項４】
請求項３に記載の受動光網システムであって、
前記インタフェース制御部による伝送距離もしくは伝送時間の測定は、ＰＯＮ（Ｐａｓｓｉｖｅ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）のレンジング処理によるものであることを特徴とする受動光網システム。
【請求項５】
請求項３に記載の受動光網システムであって、
前記第２の伝送速度は前記第１の伝送速度より高速の伝送速度であり、
前記第１の子局インタフェースの前記インタフェース制御部が、前記第１の伝送速度で前記複数の子局の各子局との間の伝送距離もしくは伝送時間の測定を実施して、前記制御部に当該測定結果を通知し、
前記制御部が、前記通知された測定結果が所定の値より小さいと判定した場合、該子局との通信を前記第２の子局インタフェースに切り換えて前記第２の伝送速度で行なうことを特徴とする受動光網システム。
【請求項６】
請求項５に記載の受動光網システムであって、
前記制御部が前記第１の子局インタフェースから前記第２の子局インタフェースに切り替えを行った後で、前記第２の子局インタフェースの前記インタフェース制御部が、当該切り替えの対象となった子局に対し、前記第２の伝送速度で前記親局との間の伝送距離もしくは伝送時間の測定を実施することを特徴とする受動光網システム。
【請求項７】
請求項１に記載の受動光網システムであって、
前記複数の子局の夫々は、
前記親局との通信を前記第１の伝送速度で行なう第１の光モジュールと、
前記親局との通信を前記第２の伝送速度で行なう第２の光モジュールと、を備えることを特徴とする受動光網システム。
【請求項８】
複数の加入者接続装置と、光ファイバおよび光スプリッタを介して接続される終端装置であって、
前記加入者接続装置と第１の伝送速度で通信する第１のインタフェースと、
前記加入者接続装置と第２の伝送速度で通信する第２のインタフェースと、
前記複数の加入者接続装置それぞれとの間の伝送距離もしくは伝送時間に基づいて、前記複数の加入者接続装置それぞれとの通信を行う伝送速度を選択する制御部と、を有し、
前記複数の加入者接続装置それぞれと、前記制御部により選択された第１の伝送速度または第２の伝送速度のいずれかで、当該選択された伝送速度に対応する前記第１のインタフェースまたは前記第２のインタフェースいずれかを介して通信することを特徴とする終端装置。
【請求項９】
請求項８に記載の終端装置であって、
前記第２の伝送速度は前記第１の伝送速度より高速の伝送速度であり、
前記制御部は、前記複数の加入者接続装置それぞれについて、前記第１のインタフェースを介して前記第１の伝送速度で伝送距離もしくは伝送時間を測定した値が所定の値より小さい場合は、当該加入者接続装置との通信を前記第２のインタフェースを介した前記第２の伝送速度で行なうことを特徴とする終端装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月7日(2010.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
この発明に係る半導体装置の製造方法は、その主表面にＤＲＡＭデバイスの形成される第１の領域とロジックデバイスの形成される第２の領域とを有する半導体基板であって、互いに離間して配置された第１及び第２の不純物領域と、この第１及び第２の不純物領域の間に挟まれた部分の上に設けられた第１のゲート構造とを前記第１の領域に有し、互いに離間して配置された第３及び第４の不純物領域と、この第３及び第４の不純物領域の間に挟まれた部分の上に設けられた第２のゲート構造とを前記第２の領域に有する半導体基板を準備する第１の工程、前記第１の工程の後、前記半導体基板の主表面に第１の絶縁層を形成する第２の工程、前記第２の工程の後、前記第１の絶縁膜の上面から露出し、前記第１ないし第３の不純物領域にそれぞれ電気的に接続される第１及び第３のコンタクトプラグを前記第１の絶縁層内に形成する第３の工程、前記第３の工程の後、第２の絶縁層を前記第１の絶縁層の上に形成する第４の工程、第１のコンタクトプラグを露出する第１の開口部を前記第２の絶縁層に形成する第５の工程、前記第１のコンタクトプラグと電気的に接続されるキャパシタの下部電極を前記第１の開口部の側面及び底面に形成する第６の工程、誘電膜を挟んで前記下部電極と対向するキャパシタの上部電極を前記第１の開口部の内部および前記第２の絶縁層の上面の上に形成する第７の工程、前記上部電極を覆うように前記第２の絶縁層の上面の上に第３の絶縁層を形成する第８の工程、前記第８の工程の後、前記第３の絶縁層の上面から記第２及び第３のコンタクトプラグにそれぞれ達する第４及び第５のコンタクトホールを前記第２及び第３の絶縁層に形成する第９の工程、前記第９の工程の後、前記第４及び第５のコンタクトホールの内に金属を充填してそれぞれ第４及び第５のコンタクトプラグを形成する第１０の工程、前記第１０の工程の後、前記第３の絶縁層の上に第４の絶縁層を形成する第１１の工程、前記第１１の工程の後、前記第４のコンタクトプラグを露出させる第２の開口部と、前記第５のコンタクトプラグを露出させる第３の開口部とを前記第４の絶縁層に形成する第１２の工程、前記第１２の工程の後、前記第２及び第３の開口部の内部及び前記第４の絶縁層の上面の上に銅材料を堆積する第１３の工程、および、前記第１３の工程の後、前記第４の絶縁層の上面にある銅材料をＣＭＰ法により除去し、前記第２の開口部に充填され前記第４のコンタクトプラグと電気的に接続される第１の銅配線と、前記第３の開口部に充填され前記第４のコンタクトプラグと電気的に接続される第２の銅配線とを形成する第１４の工程、を含み、前記第１の銅配線はＤＲＡＭデバイスのビット線をなす。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
この発明によれば、メモリ・ロジック混載型の半導体装置を高性能化することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
その主表面にＤＲＡＭデバイスの形成される第１の領域とロジックデバイスの形成される第２の領域とを有する半導体基板であって、互いに離間して配置された第１及び第２の不純物領域と、この第１及び第２の不純物領域の間に挟まれた部分の上に設けられた第１のゲート構造とを前記第１の領域に有し、互いに離間して配置された第３及び第４の不純物領域と、この第３及び第４の不純物領域の間に挟まれた部分の上に設けられた第２のゲート構造とを前記第２の領域に有する半導体基板を準備する第１の工程、
前記第１の工程の後、前記半導体基板の主表面に第１の絶縁層を形成する第２の工程、
前記第２の工程の後、前記第１の絶縁膜の上面から露出し、前記第１ないし第３の不純物領域にそれぞれ電気的に接続される第１及び第３のコンタクトプラグを前記第１の絶縁層内に形成する第３の工程、
前記第３の工程の後、第２の絶縁層を前記第１の絶縁層の上に形成する第４の工程、
第１のコンタクトプラグを露出する第１の開口部を前記第２の絶縁層に形成する第５の工程、
前記第１のコンタクトプラグと電気的に接続されるキャパシタの下部電極を前記第１の開口部の側面及び底面に形成する第６の工程、
誘電膜を挟んで前記下部電極と対向するキャパシタの上部電極を前記第１の開口部の内部および前記第２の絶縁層の上面の上に形成する第７の工程、
前記上部電極を覆うように前記第２の絶縁層の上面の上に第３の絶縁層を形成する第８の工程、
前記第８の工程の後、前記第３の絶縁層の上面から記第２及び第３のコンタクトプラグにそれぞれ達する第４及び第５のコンタクトホールを前記第２及び第３の絶縁層に形成する第９の工程、
前記第９の工程の後、前記第４及び第５のコンタクトホールの内に金属を充填してそれぞれ第４及び第５のコンタクトプラグを形成する第１０の工程、
前記第１０の工程の後、前記第３の絶縁層の上に第４の絶縁層を形成する第１１の工程、
前記第１１の工程の後、前記第４のコンタクトプラグを露出させる第２の開口部と、前記第５のコンタクトプラグを露出させる第３の開口部とを前記第４の絶縁層に形成する第１２の工程、
前記第１２の工程の後、前記第２及び第３の開口部の内部及び前記第４の絶縁層の上面の上に銅材料を堆積する第１３の工程、および、
前記第１３の工程の後、前記第４の絶縁層の上面にある銅材料をＣＭＰ法により除去し、前記第２の開口部に充填され前記第４のコンタクトプラグと電気的に接続される第１の銅配線と、前記第３の開口部に充填され前記第４のコンタクトプラグと電気的に接続される第２の銅配線とを形成する第１４の工程、
を含み、
前記第１の銅配線はＤＲＡＭデバイスのビット線をなす、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第４の工程において、前記第２の絶縁膜は、シリコン及び窒素を含み前記第１の絶縁層の上に形成された第１のストッパ膜と、前記第１のストッパ層の上に形成された第１の層間絶縁膜を含む、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２の工程において、前記第１の絶縁膜は、シリコン及び窒素を含み、前記第１及び第２のゲート構造と前記第１ないし第４の不純物領域との上に形成された第２のストッパ膜と、前記第２のストッパ層の上に形成された第２の層間絶縁膜を含む、請求項１及び請求項２のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の工程の後であって前記第２の工程の前に、前記第１ないし第４の不純物領域と前記第１及び第２のゲート構造とのそれぞれ上面にシリサイド層を形成する第１５の工程、
を含む、請求項１ないし請求項３のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１ないし第５のコンタクトプラグは高融点の金属を有する、請求項１ないし請求項４のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１の銅配線は、前記上部電極の直上の位置を通過するように延在している、請求項１ないし請求項５のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月14日(2010.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の平面画像から立体視画像を生成して表示する立体表示装置において、
複数の画像を平面画像又は立体視画像として一覧表示する表示手段と、
該表示手段に表示された画像の一覧から任意の画像を選択する画像選択手段と、
該画像選択手段により選択された画像のみ、該画像全体を他の画像に対して相対的に移動させることにより立体感を変換して表示する表示変換手段とを備えてなることを特徴とする立体表示装置。
【請求項２】
前記表示変換手段が、前記選択された画像を拡大して表示することを特徴とする請求項１に記載の立体表示装置。
【請求項３】
一対の平面画像から立体視画像を生成して表示する立体表示方法において、
複数の画像を平面画像又は立体視画像として一覧表示し、
該表示された画像の一覧から任意の画像を選択し、
該選択された画像のみ、該画像全体を他の画像に対して相対的に移動させることにより立体感を変換して表示することを特徴とする立体表示方法。
【請求項４】
コンピュータに、一対の平面画像から立体視画像を生成して表示することを実行させるための立体表示プログラムにおいて、
複数の画像を平面画像又は立体視画像として一覧表示し、
該表示された画像の一覧から任意の画像を選択し、
該選択された画像のみ、該画像全体を他の画像に対して相対的に移動させることにより立体感を変換して表示することを実行させるための立体表示プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月19日(2010.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学形状部を有する樹脂層を備えた光学素子の成形方法において、
前記樹脂層に転写するための微細形状を有する金型の表面に、ダミー基板により未硬化の光硬化性樹脂を押し付けることで、前記金型とダミー基板の間に前記光硬化性樹脂を押し広げ、押し付けたままの状態で前記光硬化性樹脂に光を照射することで前記光学形状部を含む１層目を成形し、成形後前記ダミー基板を取り除く第１工程と、
前記ダミー基板を取り除いた状態で、前記１層目にさらに光を照射し硬化させる第２工程と、
前記１層目の表面に、基板により前記光硬化樹脂と同じ未硬化の光硬化性樹脂を押し付けることで２層目を成形し、押し付けたままの状態で前記第２層に光を照射することで硬化させる第３工程と、
前記樹脂層の前記１層目及び前記２層目と前記基板とを一体として、前記金型から離型する第４工程と、を有することを特徴とする光学素子の成形方法。
【請求項２】
前記第２工程において、酸素含有雰囲気中で前記樹脂層の前記１層目に光を照射する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の光学素子の成形方法。
【請求項３】
前記樹脂層のベース層厚と前記光学形状部の最大厚との比が、０．１以上、１以下であることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の光学素子の成形方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の光学素子の成形方法によって成形された樹脂層を有することを特徴とする光学素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上述の課題を解決するために、本発明の光学素子の成形方法は、光学形状部を有する樹脂層を備えた光学素子の成形方法において、前記樹脂層に転写するための微細形状を有する金型の表面に、ダミー基板により未硬化の光硬化性樹脂を押し付けることで、前記金型とダミー基板の間に前記光硬化性樹脂を押し広げ、押し付けたままの状態で前記光硬化性樹脂に光を照射することで前記光学形状部を含む１層目を成形し、成形後前記ダミー基板を取り除く第１工程と、前記ダミー基板を取り除いた状態で、前記１層目にさらに光を照射し硬化させる第２工程と、前記１層目の表面に、基板により前記光硬化樹脂と同じ未硬化の光硬化性樹脂を押し付けることで２層目を成形し、押し付けたままの状態で前記第２層に光を照射することで硬化させる第３工程と、前記樹脂層の前記１層目及び前記２層目と前記基板とを一体として、前記金型から離型する第４工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月27日(2010.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
またレーザ光のビーム形状を直線状ではなく面状に照射してレーザ光吸収領域を面状、立体状にしてもよい。さらにレーザ光を集光して焦点を形成し、基板内部に焦点を合わせたり、あるいは基板の直前に焦点を合わせたりしてレーザ光吸収領域を立体的な形状にしてもよい。それぞれのレーザ光吸収領域の形状に対応した熱源形状となって加熱されることになり、ガラス基板１０の角部分にさまざまな温度分布を形成させることになるが、クラックが追従できる熱応力分布場を形成しさえすれば、面取り加工面の形状や向きを制御することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
また、斜め亀裂を形成する他の方法として、図８に示すように、高出力レーザ４０（例えばＹＡＧレーザあるいはパルスＣＯ２レーザ）のビーム径を絞るとともに集光し、焦点が基板表面にくるようにして加熱し、ピンポイントで斜め方向にアブレーション加工する方法を用いることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
【図１】本発明の一実施形態である脆性材料基板の面取り加工方法を示す図。
【図２】図１のＡ−Ａ’断面図。
【図３】Ｅｒレーザ光源を用いて加熱したときのガラス基板の状態を示す断面模式図。
【図４】ＣＯ２レーザ光源を用いて加熱したときのガラス基板の状態を示す断面模式図。
【図５】本発明の他の一実施形態である脆性材料基板の面取り加工方法を示す図。
【図６】図５のＢ−Ｂ’断面図。
【図７】非対称カッターホイールにより斜め亀裂を形成する状態を示す図。
【図８】レーザアブレーションにより斜め亀裂を形成する状態を示す図。
【図９】ＣＯ２レーザ光源を用いて加熱溶融により面取り加工を行う際のレーザ照射状態を示す図。
【図１０】ＣＯ２レーザ光源を用いてレーザスクライブにより面取り加工を行う際のレーザ照射状態を示す図。
【図１１】ＣＯ２レーザを用いたレーザスクライブにより面取り加工を行ったときの加工断面の拡大図。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月13日(2010.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板の第１の面の側におけるスルーホールの入口孔が形成される領域の周囲に、前記シリコン基板よりも不純物濃度が高い第１の不純物領域を形成する工程と、
前記シリコン基板の深さ方向において前記第１の不純物領域に隣接する位置に、前記第１の不純物領域よりも不純物濃度が高い第２の不純物領域を形成する工程と、
前記シリコン基板の前記第１の面の上に、エッチングストップ層を形成する工程と、
前記シリコン基板の前記第１の面の反対側の第２の面の上に、前記スルーホールの出口孔が形成される領域に開口部を有するエッチングマスク層を形成する工程と、
前記開口部を通して、少なくとも前記エッチングストップ層が露出するまで、前記シリコン基板をエッチングする工程と、
を含むことを特徴とするスルーホールの形成方法。
【請求項２】
前記エッチングする工程の後に、前記エッチングストップ層を除去する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載のスルーホールの形成方法。
【請求項３】
前記第２の不純物領域は、前記第１の不純物領域よりも、前記シリコン基板の前記第１の面の近くに配置されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のスルーホールの形成方法。
【請求項４】
前記第１の不純物領域の少なくとも一部は、前記第２の不純物領域よりも、前記スルーホールの近くに配置されることを特徴とする請求項３に記載のスルーホールの形成方法。
【請求項５】
前記第２の不純物領域の少なくとも一部は、熱酸化膜と接していることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のスルーホールの形成方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載のスルーホールの形成方法によって形成されたスルーホールがインク供給口として形成されていることを特徴とするインクジェットヘッド。
【請求項７】
スルーホールが形成されたシリコン基板であって、
前記シリコン基板において前記スルーホールが形成された領域の周囲に配置された、前記シリコン基板よりも不純物濃度が高い第１の不純物領域と、
前記シリコン基板の深さ方向において前記第１の不純物領域に隣接する位置に配置された、前記第１の不純物領域よりも不純物濃度が高い第２の不純物領域と、
を備えることを特徴とするシリコン基板。
【請求項８】
請求項７に記載のシリコン基板に形成されていることを特徴とするインクジェットヘッド。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月8日(2010.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源部と光検出部を有し、被検体の吸収特性と散乱特性のうち少なくとも一方を音響光学トモグラフィを利用して測定する吸収特性と散乱特性のうち少なくとも一方測定装置と、超音波検出部を有し、前記被検体の構造特性を超音波エコー信号を利用して測定する超音波エコー測定装置と、を有する測定装置であって、
前記吸収特性と散乱特性のうち少なくとも一方測定装置及び前記超音波エコー測定装置の各々は、
前記吸収特性と散乱特性のうち少なくとも一方測定装置及び前記超音波エコー測定装置に共通に設けられ、前記被検体に超音波パルスを送信する超音波発生部と、
前記吸収特性と散乱特性のうち少なくとも一方測定装置及び前記超音波エコー測定装置に共通に設けられ、前記超音波発生器が送信した超音波パルスを前記被検体の被検部位に集束する集束部と、を有することを特徴とする測定装置。
【請求項２】
前記被検体の前記被検部位において、音響光学効果による前記光源部からの光の変調と前記超音波エコー信号の発生が同時に行われ、前記光検出部は同時に発生した変調光を検出し、前記超音波検出部は同時に発生した前記超音波エコー信号を検出することを特徴とする請求項１に記載の測定装置。
【請求項３】
前記被検体の前記被検部位の吸収特性と散乱特性のうち少なくとも一方の画像を生成する
第一の信号処理部と、
前記被検体の前記被検部位の構造特性の画像を生成する第二の信号処理部と、
前記吸収特性と散乱特性のうち少なくとも一方の画像と前記構造特性の画像の合成画像を生成する合成処理部と、を更に有することを特徴とする請求項１又は２に記載の測定装置。
【請求項４】
前記合成処理部は、前記吸収特性と散乱特性のうち少なくとも一方の画像と前記構造特性の画像を異なる色により識別可能にすることを特徴とする請求項３に記載の測定装置。
【請求項５】
前記第一の信号処理部が生成した前記吸収特性と散乱特性のうち少なくとも一方の画像、前記第二の信号処理部が生成した前記構造特性の画像、及び、前記合成処理部が生成した合成画像を記録する画像記録部を更に有することを特徴とする請求項３又は４に記載の測定装置。
【請求項６】
前記第一の信号処理部が生成した前記吸収特性と散乱特性のうち少なくとも一方の画像、前記第二の信号処理部が生成した前記構造特性の画像、及び、前記合成処理部が生成した合成画像を表示する表示装置を更に有することを特徴とする請求項３乃至５いずれかに記載の測定装置。
【請求項７】
前記超音波発生部と前記超音波検出部は一つの超音波トランスデューサで構成されることを特徴とする請求項１に記載の測定装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一側面としての測定装置は、光源部と光検出部を有し、被検体の吸収特性と散乱特性のうち少なくとも一方を音響光学トモグラフィを利用して測定する吸収特性と散乱特性のうち少なくとも一方測定装置と、超音波検出部を有し、前記被検体の構造特性を超音波エコー信号を利用して測定する超音波エコー測定装置と、を有する測定装置であって、前記吸収特性と散乱特性のうち少なくとも一方測定装置及び前記超音波エコー測定装置の各々は、前記吸収特性と散乱特性のうち少なくとも一方測定装置及び前記超音波エコー測定装置に共通に設けられ、前記被検体に超音波パルスを送信する超音波発生部と、前記吸収特性と散乱特性のうち少なくとも一方測定装置及び前記超音波エコー測定装置に共通に設けられ、前記超音波発生器が送信した超音波パルスを前記被検体の被検部位に集束する集束部と、を有することを特徴とする。