【手続補正書】
【提出日】平成22年6月28日(2010.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板上に形成された一対の素子電極と、該素子電極間をつなぐように形成された、電子放出部を有する導電性膜とを備えた電子放出素子であって、
前記導電性膜は、その厚さが３ｎｍ乃至５０ｎｍであり、貴金属と卑金属の酸化物とからなり、前記導電性膜中における貴金属と卑金属の含有比率が、モル比で、貴金属７０〜３０に対して卑金属３０〜７０で、かつ両者の合計が１００となる比率であり、前記導電性膜の厚さ方向において卑金属の濃度勾配を有することを特徴とする電子放出素子。
【請求項２】
前記貴金属が、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈから選択される少なくとも一種である請求項１に記載の電子放出素子。
【請求項３】
前記卑金属が、Ｖ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｍｇ，Ｍｏ，Ｃａ，Ｂａ，Ｙ，Ｉｎから選択される少なくとも一種である請求項１又は２に記載の電子放出素子。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の電子放出素子が複数個配置された第１の基板と、該電子放出素子と対向して該電子放出素子から放出された電子が照射される画像表示部材が配置された第２の基板とを対向配置させてなることを特徴とする画像表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の第一は、絶縁性基板上に形成された一対の素子電極と、該素子電極間をつなぐように形成された、電子放出部を有する導電性膜とを備えた電子放出素子であって、前記導電性膜は、その厚さが３ｎｍ乃至５０ｎｍであり、貴金属と卑金属の酸化物とからなり、前記導電性膜中における貴金属と卑金属の含有比率が、モル比で、貴金属７０〜３０に対して卑金属３０〜７０で、かつ両者の合計が１００となる比率であり、前記導電性膜の厚さ方向において卑金属の濃度勾配を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の電子放出素子は、基本的に絶縁性基板上に一対の素子電極と、該素子電極間をつなぐように形成された導電性膜とを備え、該導電性膜に電子放出部が形成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明に係る導電性膜４は、貴金属と卑金属の酸化物とからなり、導電性膜４中における貴金属と卑金属の含有比率が、モル比で、貴金属７０〜３０に対して卑金属３０〜７０で、かつ両者の合計が１００となる比率であり、導電性膜４の厚さ方向において卑金属の濃度勾配を有することを特徴とする。また、貴金属としては、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈから選択される少なくとも一種が、卑金属としては、Ｖ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｍｇ，Ｍｏ，Ｃａ，Ｂａ，Ｙ，Ｉｎから選択される少なくとも一種が好ましく用いられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
前述したように、電子放出素子の導電性膜４としては、いずれの方法によるものであっても、前述のフォーミング工程や電子放出効率の観点から厚さが数ｎｍ乃至数十ｎｍであることが求められる。また、電子放出特性の安定性及びバラツキ抑制の観点から、シート抵抗で１０ｋΩ／□乃至数百ｋΩ／□程度の高抵抗であって、且つ抵抗バラツキが少ない導電性膜であることが求められる。通常バルク金属の体積抵抗率は１×１０-7Ωｍ程度であり、３ｎｍ乃至５０ｎｍの膜厚で単純に計算される膜のシート抵抗は２Ω／□乃至３０Ω／□となる。スパッタ膜、蒸着膜、スピン・焼成で作成された膜など通常の製法で作成された金属膜は、薄膜効果などにより数倍乃至数十倍になることは良く知られている。つまり実際には数十Ω／□乃至数ｋΩ／□の膜しか得られない。また、１ｋΩ／□以上の高抵抗膜は、数ｎｍ程度の非常に薄膜な状態になるため、多数の膜を作成した場合、大きなバラツキを持ってしまう。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明者らは鋭意検討を続けた結果、貴金属と卑金属の酸化物とからなる薄膜が、抵抗バラツキが小さく、金属のバルクに対する抵抗率の比が１００倍乃至１０００００倍である導電性膜が得られることを見出した。即ち、用いた貴金属の体積抵抗率が１×１０-7Ωｍ程度で３ｎｍ乃至５０ｎｍの膜厚でも数ｋΩ／□乃至数百ｋΩ／□の膜を安定に、複数作成した場合でもバラツキを少なくする事ができた。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
一般的に金属中に抵抗の高い金属酸化物を添加していくと、金属と金属酸化物の混合物は高抵抗化していくが、抵抗制御し、且つバラツキを少なくすることは難しかった。本発明に係る導電性膜は、導電性膜中における貴金属と卑金属の含有比率が、モル比で、貴金属７０〜３０に対して卑金属３０〜７０で、かつ両者の合計が１００となる比率であり、導電性膜の厚さ方向で卑金属の濃度勾配が生ずるために、高抵抗化しすぎることがない。そのため、導電性膜の膜厚を変えた際の抵抗変化率よりも膜厚変化率のほうが大きくなる。その結果、貴金属のバルクに対する抵抗率の比が１００倍乃至１０００００倍の範囲でその膜厚に応じて、バラツキの少ない良好な結果が得られると考えられる。係る卑金属の濃度勾配は、深さ方向のＸＰＳ分析から確認される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
しかしながら、この状態では電子放出効率は非常に低いものであるため、電子放出効率を上げるために、下記の活性化処理を行うことが望ましい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
第三に、アノード電極４４に捕捉される放出電荷は、素子電圧Ｖｆを印加する時間に依存する。即ち、アノード電極４４に捕捉される電荷量は、素子電圧Ｖｆを印加する時間により制御できる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
（実施例３）
パラジウム−プロリン錯体０．４５３ｇ、クロムＥＤＴＡ錯体０．６６２ｇ、８８％ケン化ポリビニルアルコール（平均重合度５００）０．１ｇ、エチレングリコール２ｇ、２−プロパノール１５ｇを水に溶かして１００ｇとした。溶解後ポアサイズ０．２５μｍのメンブレンフィルターでろ過したパラジウムクロム化合物溶液（Ｐｄ金属とＣｒ金属のモル比は６０：４０の溶液）とし、実施例１と同様な方法で、ドット数を変えて基板に塗布した。ＵＶ照射しながら３５０℃焼成後、真空チャンバーに入れて３５０℃１０時間ベークし、真空チャンバーに入れて３００℃１０時間ベークして抵抗を測定した。得られた導電性膜のシート抵抗は、２ドットで４６．１ｋΩ／□、３ドットで３１．５ｋΩ／□、４ドットで２４．４ｋΩ／□であった。またＥＰＭＡで金属存在量を定量し、元素存在量をもとめた。２ドットで４５．２×１０15、３ドットで６４．１×１０15、４ドットで８７．４×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ2であった。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
（実施例４）
パラジウム−プロリン錯体０．５０７ｇ、クロムＥＤＴＡ錯体０．５４３ｇ、８８％ケン化ポリビニルアルコール（平均重合度５００）０．１ｇ、エチレングリコール２ｇ、２−プロパノール１５ｇを水に溶かして１００ｇとした。溶解後ポアサイズ０．２５μｍのメンブレンフィルターでろ過したパラジウムクロム化合物溶液（Ｐｄ金属とＣｒ金属のモル比は５０：５０の溶液）とし、実施例１と同様な方法で、ドット数を変えて基板に塗布した。ＵＶ照射しながら３５０℃焼成後、真空チャンバーに入れて３３０℃１０時間ベークして抵抗を測定した。得られた導電性膜のシート抵抗は、２ドットで２８０ｋΩ／□、３ドットで２０５ｋΩ／□、４ドットで１６２ｋΩ／□であった。またＥＰＭＡで金属存在量を定量し、元素存在量をもとめた。２ドットで４４．２×１０15、３ドットで６６．４×１０15、４ドットで８６．５×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ2であった。