Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月18日(2010.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドキュメント処理装置の表示および制御のうちの少なくとも１つにそれぞれのプリミティブが対応する複数のグラフィカル・ユーザ・インターフェイス・プリミティブを表すプリミティブ・データを保存する記憶手段と、
前記グラフィカル・ユーザ・インターフェイス・プリミティブのうちの少なくとも１つに対応するプリミティブ・データに対応する選択データを、関連するクライアントを介して、受け取る手段と、
この手段によって受け取った選択データにしたがって、関連するクライアントのディスプレイ上に対応する視覚的標識が生成されるように前記ディスプレイにプリミティブ・データを、選択的に伝達する手段と、
前記関連するクライアントのディスプレイ上に表示される選択された標識セットにしたがって、グラフィカル・ユーザ・インターフェイス表示を表すデータ・セットを生成する手段と、
この手段によって生成されたデータ・セットの、少なくとも１つの関連するドキュメント処理装置の表示および制御に対応するユーザ・インターフェイス・データへのマッピングを表すマップ・データを生成するマップ・データ生成手段と
を有することを特徴とするグラフィカル・ユーザ・インターフェイス開発システム。
【請求項２】
前記少なくとも１つの関連するドキュメント処理装置に配置されたローカル・メモリにマップ・データを伝達する手段を、さらに、有し、
前記少なくとも１つの関連するドキュメント処理装置は、
入力手段およびローカルなグラフィカル表示手段を含むユーザ・インターフェイスと、
前記ローカル・メモリに記憶された前記マップ・データに対応する前記ローカル・グラフィカル表示手段上における表示を生成する手段と、
前記入力手段を介して、前記ドキュメント処理装置の操作に対応するユーザ選択データを受け取る手段と、
この手段によって受け取ったユーザ選択データを前記ローカル・メモリに伝達し、前記マップ・データにしたがって、制御データを生成する手段と、
この手段によって生成された前記制御データにしたがって前記ドキュメント処理装置の動作を制御する手段と
を含むことを特徴とする請求項１に記載のグラフィカル・ユーザ・インターフェイス開発システム。
【請求項３】
表示のビット深度または解像度を含むインターフェイス・データを受け取る手段を、さらに、有し、
前記マップ・データ生成手段は、受け取ったインターフェイス・データにしたがって前記マップ・データを生成する手段を含むことを特徴とする請求項１に記載のグラフィカル・ユーザ・インターフェイス開発システム。
【請求項４】
前記選択データは、関連するクライアントまたは前記少なくとも１つの関連するドキュメント処理装置上のローカルなグラフィカル・ディスプレイ上のプリミティブの位置に対応する位置データを含むことを特徴とする請求項１に記載のグラフィカル・ユーザ・インターフェイス開発システム。
【請求項５】
前記ユーザ選択データは、前記ローカルなグラフィカル・ディスプレイに対応するタッチ・スクリーンを含む入力手段を介して受け取られることを特徴とする請求項２に記載のグラフィカル・ユーザ・インターフェイス開発システム。
【請求項６】
前記ユーザ選択データは、前記ローカルなグラフィカル・ディスプレイ上の選択された位置に対応するポインタを含む入力手段を介して受け取られることを特徴とする請求項２に記載のグラフィカル・ユーザ・インターフェイス開発システム。
【請求項７】
ドキュメント処理装置の表示および制御のうちの少なくとも１つにそれぞれのプリミティブが対応する複数のグラフィカル・ユーザ・インターフェイス・プリミティブを表すプリミティブ・データを記憶装置に保存するステップと、
前記グラフィカル・ユーザ・インターフェイス・プリミティブのうちの少なくとも１つに対応するプリミティブ・データに対応する選択データを、関連するクライアントを介して、受け取るステップと、
受け取った選択データにしたがって、関連するクライアントのディスプレイ上に対応する視覚的標識が生成されるように前記ディスプレイにプリミティブ・データを、選択的に伝達するステップと、
前記関連するクライアントのディスプレイ上に表示される選択された標識セットにしたがって、グラフィカル・ユーザ・インターフェイス表示を表すデータ・セットを生成するステップと、
生成されたデータ・セットの、少なくとも１つの関連するドキュメント処理装置の表示および制御に対応するユーザ・インターフェイス・データへのマッピングを表すマップ・データを生成するステップと
を含むことを特徴とするグラフィカル・ユーザ・インターフェイス開発方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月26日(2010.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リーダライタから電波が送信されることで、アンテナ回路において生成された交流の電圧から、直流の電圧を生成する電源生成回路と、
前記交流の電圧を復調することでデータを抽出する復調回路と、
メモリと、
前記直流の電圧を昇圧し、前記メモリに供給する昇圧回路と、
前記データを用いて前記昇圧を開始するタイミングを情報として含む第１信号を出力する命令終了認識回路と、
前記データを用いて前記昇圧された直流の電圧が前記メモリに供給される期間を情報として含む第２信号を出力する昇圧時間制御回路と、
前記第１信号及び前記第２信号に従って、前記昇圧回路の動作を制御する昇圧可能認識回路と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
リーダライタから電波が送信されることで、アンテナ回路において生成された交流の電圧から、直流の電圧を生成する電源生成回路と、
前記交流の電圧を復調することでデータを抽出する復調回路と、
メモリと、
前記直流の電圧を昇圧し、前記メモリに供給する昇圧回路と、
前記データを用いて前記昇圧を開始するタイミングを情報として含む第１信号を出力する命令終了認識回路と、
前記データを用いて前記昇圧された直流の電圧が前記メモリに供給される期間を情報として含む第２信号を出力する昇圧時間制御回路と、
前記第１信号及び前記第２信号に従って、前記昇圧回路の動作を制御する昇圧可能認識回路と、を有し、
前記昇圧を開始するタイミングは、前記データに含まれる、信号の送信が終了するタイミングの情報に従って定められることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記命令終了認識回路は、フリップフロップ回路、第１のＡＮＤ回路、及びバッファ回路を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記ＡＮＤ回路には、前記信号の送信が終了するタイミングの情報が入力され、
前記ＡＮＤ回路からの出力は、前記フリップフロップ回路へ入力され、
前記フリップフロップ回路には、前記メモリへのデータの書き込みを開始するタイミングを情報として含む第３信号及び前記直流の電圧が入力され、
前記フリップフロップ回路からの出力は、前記バッファ回路へ入力され、
前記バッファ回路から前記第１信号が出力されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記昇圧可能認識回路は、第２のＡＮＤ回路を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記第２のＡＮＤ回路は、前記第１信号及び前記第２信号が入力され、且つ前記第２のＡＮＤ回路から第４信号が出力され、
前記第４信号は前記昇圧回路に入力されることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記アンテナ回路を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第１信号は前記命令終了認識回路から前記昇圧時間制御回路及び前記昇圧可能認識回路へ出力されることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記メモリはＥＥＰＲＯＭまたはフラッシュメモリであって、
前記昇圧回路で昇圧された直流の電圧を用いて、前記ＥＥＰＲＯＭまたは前記フラッシュメモリのデータが消去されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
リーダライタから電波が送信されることで、アンテナ回路において生成された交流の電圧から、直流の電圧を生成する電源生成回路と、
前記交流の電圧を復調することでデータを抽出する復調回路と、
メモリと、
前記直流の電圧を昇圧し、前記メモリに供給する昇圧回路と、
前記データを用いて前記昇圧を開始するタイミングを情報として含む第１信号を出力する命令終了認識回路と、
前記データを用いて前記昇圧された直流の電圧が前記メモリに供給される期間を情報として含む第２信号を出力する昇圧時間制御回路と、
前記第１信号及び前記第２信号に従って、前記昇圧回路の動作を制御する昇圧可能認識回路と、
を有する半導体装置の駆動方法であって、
前記リーダライタから、信号の送信が終了する情報を無線で受け取った後に、前記メモリへ供給する電圧の昇圧を行うことを特徴とする半導体装置の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月18日(2010.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
波長分離膜１４を透過することにより共振器構造内から取り出された第２波長のレーザ光は、第１面１０１ａから光学プリズム１０１へ入射する。第２波長のレーザ光は、第１面１０１ａにおいて屈折する。第１面１０１ａからの第２波長のレーザ光は、第２面１０１ｂへ入射する。第２面１０１ｂで全反射した第２波長のレーザ光は、反射膜１５へ入射する。反射膜１５で反射した第２波長のレーザ光は、第４面１０１ｄへ入射する。第２波長のレーザ光は、第４面１０１ｄにおいて屈折する。第４面１０１ｄから光学プリズム１０１を射出した第２波長のレーザ光は、波長分離膜１４で反射した第１波長の光と略平行に進行する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
第２面１１１ｂは、第１面１１１ａに隣接する面であって、第１面１１１ａに直交する。第３面１１１ｃは、第２面１１１ｂに隣接する面であって、第１面１１１ａに平行である。第３面１１１ｃには、第２波長分離部である第２波長分離膜１１３が設けられている。第２波長分離膜１１３は、第１波長の光を透過させ、第２波長の光を反射することにより、第１波長分離膜１１２からの第１波長の光と第２波長の光とを分離させる。第４面１１１ｄは、第３面１１１ｃ及び第１面１１１ａの間の面であって、第２面１１１ｂに平行である。光学プリズム１１１は、第１波長分離膜１１２で分離された第２波長のレーザ光を折り返す折り返し部を構成する。光学プリズム１１１の断面構成における一辺Ｌは、例えば３ｍｍである。光学プリズム１１１の屈折率は、例えば１．５２である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月8日(2010.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記電極に電圧を印加していない状態における、前記走査光による１回の走査における走査位置に応じた合焦位置の分布と、前記検出点における走査光の合焦位置とを示すデータを記憶する記憶手段をさらに備え、
前記検出手段は、前記コリメートレンズ又はシリンダレンズを透過した走査光のスポットサイズを予め定めた検出位置において検出し、
前記制御手段は、前記電極への印加電圧を変化させて前記検出位置における前記コリメートレンズ又はシリンダレンズを透過した走査光のスポットサイズが極小となる印加電圧を決定し、該印加電圧に基づいて、前記電極に電圧を印加していない状態における前記検出点における走査光の現在の合焦位置を決定し、該合焦位置と前記記憶手段に記憶された合焦位置との差を、前記記憶手段に記憶された合焦位置の分布に含まれる各合焦位置に加算して前記合焦位置の分布を補正する補正手段と、
前記補正手段により補正された前記合焦位置の分布に基づいた電圧を前記電極に印加し、光ビームの合焦位置を感光体表面に移動させる手段とを含むことを特徴とする請求項５に記載の走査光学装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月13日(2010.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板上に少なくとも透明電極が形成されている対の電極構造体（表示電極構造体と対向電極構造体）が、前記透明電極同士が対面するように電解質層を挟持して配置されており、
前記表示電極構造体を構成する透明電極上に、酸化反応又は還元反応により発色するエレクトロクロミック色素が吸着されている多孔質電極が形成されているエレクトロクロミック装置であって、
前記多孔質電極は、金属単体、真性半導体、酸化物半導体、前記金属の多成分系からなる複合体酸化物半導体のいずれかをターゲット材料とし、０．５Ｐａよりも高圧下、かつ酸素ガス存在下におけるマグネトロンスパッタリングにより形成されたものである
エレクトロクロミック装置。
【請求項２】
前記ターゲット材料が、チタン又は酸化チタンから構成される材料であり、
前記多孔質電極は、酸化チタンを主成分としている、請求項１に記載のエレクトロクロミック装置。
【請求項３】
前記支持基板は膜厚が１００μｍ以下で、プラスチック材料よりなるものである、請求項１又は２に記載のエレクトロクロミック装置。
【請求項４】
支持基板上に少なくとも透明電極が形成されている対の電極構造体（表示電極構造体と対向電極構造体）が、前記透明電極同士が対面するように電解質層を挟持して配置されており、
前記表示電極構造体を構成する透明電極上に、酸化反応又は還元反応により発色するエレクトロクロミック色素が吸着されている多孔質電極が形成されているエレクトロクロミック装置の製造方法であって、
前記多孔質電極の形成工程においては、
金属単体、真性半導体、酸化物半導体、前記金属の多成分系からなる複合体酸化物半導体のいずれかをターゲット材料とし、０．５Ｐａよりも高圧下で、かつ酸素ガス存在下で、マグネトロンスパッタリングを行う、エレクトロクロミック装置の製造方法。
【請求項５】
ターゲット材料として、チタン又は酸化チタンから構成される材料を用い、
前記ターゲット材料と、膜形成用基板とを対向位置に配置してマグネトロンスパッタリングを行い、
酸化チタンを主成分とする多孔質電極を形成する、請求項４に記載のエレクトロクロミック装置の製造方法。
【請求項６】
支持基板上に少なくとも透明電極が形成された電極構造体の前記透明電極上に、金属単体、真性半導体、酸化物半導体、前記金属の多成分系からなる複合体酸化物半導体のいずれかをターゲット材料とし、０．５Ｐａよりも高圧下で、かつ酸素ガス存在下で、マグネトロンスパッタリングを行うことにより、多孔質電極を形成する
多孔質電極の製造方法。
【請求項７】
前記透明電極は、ＩＴＯ、ＳｎＯ2 又はＩｎ2 Ｏ3 により形成されている、請求項６に記載の多孔質電極の製造方法。
【請求項８】
前記ターゲット材料として、チタン又は酸化チタンから構成される材料を用いる、請求項６又は７に記載の多孔質電極の製造方法。
【請求項９】
前記マグネトロンスパッタリングを３００℃以下で行う、請求項６ないし８のいずれか１項に記載の多孔質電極の製造方法。
【請求項１０】
前記支持基板は、プラスチック材料よりなるものである、請求項６ないし９のいずれか１項に記載の多孔質電極の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】エレクトロクロミック装置、及びその製造方法、ならびに多孔質電極の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、応答速度、発色効率、表示色純度に優れ、明瞭で鮮鋭な画像形成が可能であり、繰り返し耐久性にも優れ、かつ薄型化やフレキシブル化にも対応可能なエレクトロクロミック装置、及びその製造方法、ならびにエレクトロクロミック装置に好適に用いられる多孔質電極の製造方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
しかしながら、従来提案されている技術においては、高温条件下で多孔質電極を成膜しているので、上述した様々な形態の表示装置を作製する場合に適用できないという問題を生じていた。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、焼成工程のように高温下での成膜工程を必要とせずに多孔質電極を形成可能なものとし、高透明でカラー表示に好適で、しかも支持基板との密着性も高く、鮮明で色純度が高く、繰り返し耐久性にも優れたエレクトロクロミック装置及びその製造方法、ならびに多孔質電極の製造方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明においては、支持基板上に少なくとも透明電極が形成されている対の電極構造体（表示電極構造体と対向電極構造体）が、前記透明電極同士が対面するように電解質層を挟持して配置されており、表示電極構造体を構成する透明電極上に、酸化反応又は還元反応により発色するエレクトロクロミック色素が吸着されている多孔質電極が形成されているエレクトロクロミック装置の製造する際の、多孔質電極の形成工程において、金属単体、真性半導体、酸化物半導体、前記金属の多成分系からなる複合体酸化物半導体のいずれかをターゲット材料とし、０．５Ｐａよりも高圧下で、かつ酸素ガス存在下で、マグネトロンスパッタリングを行うことに特徴を有しているエレクトロクロミック装置の製造方法を提供する。
さらに、本発明においては、支持基板上に少なくとも透明電極が形成された電極構造体の前記透明電極上に、金属単体、真性半導体、酸化物半導体、前記金属の多成分系からなる複合体酸化物半導体のいずれかをターゲット材料とし、０．５Ｐａよりも高圧下で、かつ酸素ガス存在下で、マグネトロンスパッタリングを行うことにより、多孔質電極を形成することに特徴を有する多孔質電極の製造方法を提供する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明によれば、多孔質電極を比較的低温条件下で成膜するものとしたので、プラスチック製の基板や薄層基板も適用可能となり、フレキシブル化等、構成の自由度が高められた、カラー表示用として極めて有利な実用上充分な応答速度、発色効率を有するエレクトロクロミック表示装置が実現できる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月21日(2010.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
請求項２の画像表示装置の駆動装置であって、
それぞれ、上記演算部、基準電圧発生部、基準電圧選択部、および保持部を有し、表示ラインが複数に分割された各部分ラインの画素について駆動電圧信号を出力する複数の単位駆動装置を備えて構成されたことを特徴とする画像表示装置の駆動装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
データバッファ１０３は、ラインクロック信号に応じて、データバッファ１０２に保持された複数画素分の画像データを一括して保持するようになっている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
データ演算回路１０５は、加算回路１１１と、保持回路１１２（例えばフリップフロップ）とを備え、図２に示すように、６ビット（ｂ５〜ｂ０）の入力画像データに、保持回路１１２に保持されている２ビット（ｂ１〜ｂ０）のデータ（繰り越しデータ）を加算し、加算結果の上位４ビット（ｂ５〜ｂ２）を出力するとともに、下位２ビット（ｂ１〜ｂ０）を次の繰り越しデータとして保持回路１１２に保持させるようになっている。すなわち、６ビットの入力画像データに対して、４ビットの画像データが出力され、下位２ビットは順次次の画素の画像データに繰り越されて加算されるようになっている。ただし、同図に＊印で示すように、加算時に最上位ビット（ｂ５）からのキャリー（オーバフロー）が生じる場合には、加算回路１１１から出力される加算結果の上位４ビット（ｂ５〜ｂ２）の値は全て１にされるとともに、下位２ビットとしては元の繰り越しデータの値がそのまま次の繰り越しデータとされるようになっている（保持回路１１２で新たな下位２ビットの保持が抑制されて元の値が保持されるようにしてもよい。）。なお、図１において加算結果の上位４ビットも一旦保持回路１１２に保持されるようになっているのは、例えば出力タイミングを調整するためで、タイミングが問題とならない場合には、必ずしも保持させなくてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２４】
2008181081.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月11日(2009.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
この有機ＥＬ素子２１において、有機層２０５は、アノード電極２０４上にホール輸送層/ホール注入層２０５１、発光層２０５２、電子輸送層２０５３および電子注入層（図示せず）が順次堆積されることによって形成される。そして、図２の駆動トランジスタ２２による電流駆動の下に、駆動トランジスタ２２からアノード電極２０４を通して有機層２０５に電流が流れることで、当該有機層２０５内の発光層２０５２において電子と正孔が再結合する際に発光するようになっている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
図７に、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ対ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓの特性を示す。この特性図に示すように、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈのばらつきに対する補正を行わないと、閾値電圧ＶｔｈがＶｔｈ１のとき、ゲート・ソース電圧Ｖｇｓに対応するドレイン−ソース間電流ＩｄｓがＩｄｓ１になるのに対して、閾値電圧ＶｔｈがＶｔｈ２（Ｖｔｈ２＞Ｖｔｈ１）のとき、同じゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに対応するドレイン−ソース間電流ＩｄｓがＩｄｓ２（Ｉｄｓ２＜Ｉｄｓ１）になる。すなわち、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈが変動すると、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが一定であってもドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが変動する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
以上をまとめると、移動度μの異なる画素Ａと画素Ｂがあった場合、移動度μの大きい画素Ａの帰還量ΔＶ１は移動度μの小さい画素Ｂの帰還量ΔＶ２に比べて大きくなる。つまり、移動度μが大きい画素ほど帰還量ΔＶが大きく、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの減少量が大きくなる。すなわち、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓを入力信号電圧Ｖｓｉｇ側に負帰還させることで、移動度μの異なる画素のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの電流値が均一化され、その結果、移動度μのばらつきを補正することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
ここで、図２に示した画素（画素回路）２０において、閾値補正、移動度補正の有無による映像信号の信号電圧（サンプリング電位）Ｖｓｉｇと駆動トランジスタ２２のドレイン・ソース間電流Ｉｄｓとの関係について図９を用いて説明する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
Ｖｄｄ２電源回路８３は、シフトレジスタ４１の各段から出力され、ロジック回路４２および出力回路４３の前段部分を介して最終段のバッファ４３１に入力されるシフトパルス（入力パルス）の立ち下がり速度よりも遅い立ち下がり速度で立ち下がる電源電圧Ｖｄｄ２を、例えばイネーブルパルスＷＳＥＮに同期して発生する。この電源電圧Ｖｄｄ２は、好ましくは電源電圧Ｖｄｄ１よりも電圧値が高く設定され、出力回路４３の最終段のバッファ４３１に、その正側の電源電圧として供給される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
なお、本実施例では、書き込みパルス（走査信号ＷＳ）として“Ｈ”レベルでアクティブとなる正論理の出力パルスＢを生成する場合を例に挙げて説明したが、“Ｌ”レベルでアクティブとなる負論理の出力パルスＢ′を生成する場合にも同様に適用可能である。この場合は、出力回路４３の最終段バッファ４３１の負側電源を他の回路部分と分離し、当該負側電源として、入力パルスＡ′の立ち上がり速度よりも遅い立ち上がり速度で立ち上がる電源電圧Ｖｓｓ２を供給することにより、負論理の出力パルスＢ′の立ち下がり波形をなまらせる（出力パルスＢ′の過渡応答を遅らせる）ことができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
ＰチャネルＭＯＳトランジスタＰ２１は、ソースが電源電圧Ｖｄｄ１の電源ラインに接続されている。抵抗Ｒ２１は、ＰチャネルＭＯＳトランジスタＰ２１のソースとゲートの間に接続されている。抵抗Ｒ２２は、その一端がＰチャネルＭＯＳトランジスタＰ２１のゲートに接続されている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
ＮチャネルＭＯＳトランジスタＮ２１は、抵抗Ｒ２２の他端と基準ノードであるグランドの間に接続され、ゲートに第１制御パルスＤＣＰ１が入力される。可変抵抗ＶＲ２１，ＶＲ２２は、各一端がＰチャネルＭＯＳトランジスタＰ２１のドレインに共通に接続されている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
図１５には、図１０のタイミング発生回路８１から与えられるイネーブルパルスＷＳＥＮ、第１，第２，第３制御パルスＤＣＰ１，ＤＣＰ２，ＤＣＰ３および書き込みパルスとなる最終段バッフ４３１の出力パルスＢのタイミング関係を示している。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０７】
上記構成のＶｄｄ２電源回路８３においては、可変抵抗ＶＲ２１，ＶＲ２２の各抵抗値を変えることにより、電源電圧Ｖｄｄ２の立ち下がり特性において、その立ち下がり開始点から折れ点Ｏ１１までの傾斜角度と、折れ点Ｏ１１から折れ点Ｏ１２までの傾斜角度を調整できるために、可変抵抗ＶＲ２１，ＶＲ２２の各抵抗値の調整によって電源電圧Ｖｄｄ２の立ち下がり特性を任意に設定できる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０８】
したがって、表示パネル７０ごとに最適な信号書き込み期間（移動度補正期間）が異なったとしても、表示パネル７０ごとに可変抵抗ＶＲ２１，ＶＲ２２の各抵抗値を変更し、書き込みパルスの立ち下がり特性を調整することにより、書き込みパルスＷＳの表示パネル７０にあった立ち下がり特性を設定できるために、表示パネル７０ごとに最適な信号書き込み期間を設定できることになる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2008181039.tif 000001
【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2008181039.tif 000002
【手続補正１４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2008181039.tif 000003
【手続補正１５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２２】
2008181039.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月15日(2009.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の内部電極やビアホールを有するグリーンシートを適宜積み重ねた積層体の上下両主面を、前記グリーンシートの焼結条件では焼結しない未焼結誘電体層で挟み込み、これらを密着させた状態で前記グリーンシートの焼結条件で焼成した後に、この焼結体から前記誘電体層を除去する多層セラミック基板の製造方法であって、前記積層体における少なくとも一方の前記未焼結誘電体層と接するグリーンシートには前記ビアホールを形成するための貫通孔を有し、前記貫通孔に前記ビアホールを形成する電極ペーストを充填させるにあたり、前記貫通孔を有するグリーンシートに前記未焼結誘電体層を密着させ、前記未焼結誘電体層側から前記貫通孔内を吸引しながら前記電極ペーストを充填させ、このビアホールを形成した前記グリーンシートと他のグリーンシートおよび未焼結誘電体層を積み重ねたことを特徴とする多層セラミック基板の製造方法。
【請求項２】
所定の内部電極やビアホールを有するグリーンシートを適宜積み重ねた積層体を焼成して得られる多層セラミック基板の製造方法であって、前記積層体の上下両主面の少なくとも一方のグリーンシートには前記ビアホールを形成するための貫通孔を有し、前記貫通孔に前記ビアホールを形成する電極ペーストを充填させるにあたり、前記貫通孔を有するグリーンシートに、前記貫通孔を有するグリーンシートよりも空気透過性がある貫通孔を有さない第２のグリーンシートを密着させ、前記第２のグリーンシート側から前記貫通孔内を吸引しながら前記電極ペーストを充填させた後、前記第２のグリーンシートを剥離し、このビアホールを形成した前記グリーンシートと他のグリーンシートを積み重ねたことを特徴とする多層セラミック基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月22日(2010.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内層回路パターンと外層回路パターンとを非貫通のビアを介して電気的に接続されるビルドアップ基板において、内層ランドとその上部に形成されたビアで構成され、前記内層ランドは前記ビアによって開口された部分が除去されている検査クーポンを備えたことを特徴とするビルドアップ基板。
【請求項２】
検査クーポンのビアの内部は金属めっき層を有しないことを特徴とする請求項１に記載のビルドアップ基板。
【請求項３】
内層ランドを円形とし、前記内層ランド径はビア底面の直径に前記内層ランドと前記ビアとのずれの許容値の２倍を加えた値に設定することを特徴とする請求項１に記載のビルドアップ基板。
【請求項４】
内層基板に回路パターンの形成と同時に検査クーポン用の内層ランドを形成する工程と、前記内層基板の上面に少なくとも絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層に対して表層と電気的に接続する内層の前記回路パターン部および前記検査クーポン用の内層ランド部にビア形成する工程と、前記検査クーポン部の内層ランドの前記ビアによる開口部から露出した部分を除去する工程からなることを特徴とするビルドアップ基板の製造方法。
【請求項５】
ビア形成する工程の後に、前記ビアの内壁部を含む表面全面に金属めっきを施す工程を備え、前記検査クーポン部の内層ランドの前記ビアによる開口部から露出した部分を除去する工程において、前記検査クーポン部の前記ビア内壁に施された金属めっきも同時に除去することを特徴とする請求項４に記載のビルドアップ基板の製造方法。
【請求項６】
ビア形成する工程はレーザー加工により行うことを特徴とする請求項４に記載のビルドアップ基板の製造方法。
【請求項７】
検査クーポンによって内層ランドに対するビアのずれ量を確認し、前記ずれ量の分だけビア加工位置を補正することを特徴とする請求項６に記載のビルドアップ基板の製造方法。
【請求項８】
ビア形成する工程は、表層に設けられた金属層の前記ビア加工部に予め開口部を加工しておき、前記開口部を有する金属層をマスクとしてレーザーを照射することによって加工する構成を備え、検査クーポンによって内層ランドに対するビアのずれ量を確認し、確認したずれ量の分だけ前記金属層に加工する開口部の加工位置を補正することを特徴とする請求項６に記載のビルドアップ基板の製造方法。
【請求項９】
請求項１のビルドアップ基板の検査クーポンにＸ線を照射して得られる透過画像により内層ランドとビアの合致精度を確認することを特徴とするビルドアップ基板の検査方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月8日(2010.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】結晶性半導体膜の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光源から出射したレーザビームを、固定された長軸光学系と、移動ステージにより一部を光学系から着脱可能とした短軸光学系と、を有する前記光学系に入射し、進行方向と垂直な断面が横長形状となるようにして、前記レーザビームを半導体膜に照射し、前記半導体膜を結晶化する結晶性半導体膜の作製方法において、
前記レーザ光源がエキシマレーザ装置のとき、前記短軸光学系の一部を挿入し、
前記レーザ光源が固体グリーンレーザ装置のとき、前記短軸光学系の一部をはずすことを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記着脱可能な短軸光学系は、前記レーザビームを短軸方向において複数のビームに分割する短軸用レンズアレイであることを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記光学系に入射する前の前記レーザビームは、ガウス分布であることを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記長軸光学系は、前記レーザビームを長軸方向において複数のビームに分割する長軸用レンズアレイと、該長軸用レンズアレイの下流に設けられた長軸用コンデンサレンズと、を有することを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月22日(2009.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単数または平行に並設された複数の棒状光源と、
前記夫々の棒状光源の両側方に位置するプリズムレンズと、
前記棒状光源および前記プリズムレンズの少なくとも下方に位置し、前記棒状光源側の面を反射面とするリフレクタと、
前記棒状光源および前記プリズムレンズの上方に位置する配光制御ユニットを備えた面照明装置であって、
前記プリズムレンズの前記配光制御ユニット側の面は、前記プリズムレンズを前記棒状光源の長手方向に垂直な面で切断したときの断面形状が複数の連続する三角形で、前記断面複数の連続する三角形を前記棒状光源の長手方向に延長した連続三角柱面を呈しており、前記連続三角柱面の頂点同士を含む平面は、前記棒状光源の中心を含み前記連続三角柱面の頂点同士を含む平面に平行な面に対して前記棒状光源の曲率半径の１／２以内の距離に位置すると共に、前記配光制御ユニットの前記棒状光源側の面および前記リフレクタの前記反射面に対して略平行であることを特徴とする面照明装置。
【請求項２】
前記連続三角柱面の頂点同士を含む平面は、前記棒状光源の中心を含み前記連続三角柱面の頂点同士を含む平面に略平行な面に対して同一平面となることを特徴とする請求項１に記載の面照明装置。
【請求項３】
前記プリズムレンズの前記棒状光源に対向する側の面は、前記プリズムレンズを前記棒状光源の長手方向に垂直な面で切断したときの断面形状が凹曲線で、前記断面凹曲線を前記棒状光源の長手方向に延長した凹柱面を呈していることを特徴とする請求項１または２のいずれか１項に記載の面照明装置。
【請求項４】
前記断面凹曲線は円弧であり、前記円弧の中心を通り前記プリズムレンズの断面連続する三角形の頂点同士を通る直線に平行な直線は、前記棒状光源の中心を通り前記プリズムレンズの断面連続する三角形の頂点同士を通る直線に平行な直線に対して、前記プリズムレンズの前記連続三角柱面の頂点同士を含む平面と前記プリズムレンズの前記連続三角柱面の頂点同士を含む平面と反対側の面との最大距離の１／２以内の距離の前記リフレクタの前記反射面側に位置することを特徴とする請求項３に記載の面照明装置。
【請求項５】
前記プリズムレンズの前記連続三角柱面の反対側の面は、前記リフレクタの前記反射面に対して前記棒状光源から離れる方向に向かって１８°〜２０°の範囲の角度で立ち上がる平面であることを特徴とする請求項１〜４に記載の面照明装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、本発明の請求項５に記載された発明は、請求項１〜４のいずれか１項において、前記プリズムレンズの前記連続三角柱面の反対側の面は、前記リフレクタの前記反射面に対して前記棒状光源から離れる方向に向かって１８°〜２０°の範囲の角度で立ち上がる平面であることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月6日(2010.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子機器に対して回動自在に軸支される回動板と、前記回動板の外側に、前記回動板の回動軸に垂直な方向にスライド自在に装着された電池蓋体と、前記電池蓋体の外側にスライド自在に取り付けられたロックレバー部と、前記回動板に形成された係合長穴と、前記電池蓋体の内側に設けられ、前記係合長穴に係合し、前記ロックレバー部のスライド動作に連動してスライドする係合部とを備え、前記電子機器の電池ケースを開閉する電池蓋の構造であって、
前記回動板の外側に、前記電池蓋体のスライド動作時に前記電池蓋体の一部に係合して前記電池蓋体を係止する板ばね体を設け、
前記板ばね体の一部に一体形成される、前記係合長穴の壁面の一部または全部を覆う滑り面部を設けた
ことを特徴とする電子機器の電池蓋構造。
【請求項２】
前記係合長穴は、前記回動板の回動軸に垂直な方向に長い第１長穴と、回動軸に平行な方向に長く且つ第１端部が前記第１長穴の回動軸側の端部と結合して前記第１長穴に連続する第２長穴からなり、
前記電池蓋体は、前記ロックレバー部を前記第２長穴の第１端部とは反対側の第２端部側へ付勢する付勢部材を備え、
前記係合部は前記付勢部材に一体的に形成され、
前記板ばね体は、その一部として一体成形されたクリック用ばねを備え、前記クリック用ばねは前記電池蓋体の内側に当接し、前記回動板の回動軸側にある第１位置および回動軸とは反対側にある第２位置にて前記電池蓋体を位置規制し、
前記係合部は、前記滑り面部により覆われた前記係合長穴に係合し、前記電池蓋体が前記第１位置にあるときに前記第２長穴に係合して前記電池蓋体のスライド動作を阻止し、前記ロックレバー部が前記第２長穴の第１端部側へスライド移動したときに、前記第２長穴との係合から解放されて前記第１長穴に係合し、
前記係合部が前記第１長穴に係合することで前記電池蓋体のスライド動作が可能となることを特徴とする請求項１記載の電子機器の電池蓋構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の電子機器の電池蓋構造は、電子機器に対して回動自在に軸支される回動板と、前記回動板の外側に、前記回動板の回動軸に垂直な方向にスライド自在に装着された電池蓋体と、前記電池蓋体の外側にスライド自在に取り付けられたロックレバー部と、前記回動板に形成された係合長穴と、前記電池蓋体の内側に設けられ、前記係合長穴に係合し、前記ロックレバー部のスライド動作に連動してスライドする係合部とを備え、前記電子機器の電池ケースを開閉する電池蓋の構造であって、前記回動板の外側に、前記電池蓋体のスライド動作時に前記電池蓋体の一部に係合して前記電池蓋体を係止する板ばね体を設け、前記板ばね体の一部に一体形成される、前記係合長穴の壁面の一部または全部を覆う滑り面部を設けたことを特徴とする。
また、上記した電子機器の電池蓋構造において、前記係合長穴は、前記回動板の回動軸に垂直な方向に長い第１長穴と、回動軸に平行な方向に長く且つ第１端部が前記第１長穴の回動軸側の端部と結合して前記第１長穴に連続する第２長穴からなり、前記電池蓋体は、前記ロックレバー部を前記第２長穴の第１端部とは反対側の第２端部側へ付勢する付勢部材を備え、前記係合部は前記付勢部材に一体的に形成され、前記板ばね体は、その一部として一体成形されたクリック用ばねを備え、前記クリック用ばねは前記電池蓋体の内側に当接し、前記回動板の回動軸側にある第１位置および回動軸とは反対側にある第２位置にて前記電池蓋体を位置規制し、前記係合部は、前記滑り面部により覆われた前記係合長穴に係合し、前記電池蓋体が前記第１位置にあるときに前記第２長穴に係合して前記電池蓋体のスライド動作を阻止し、前記ロックレバー部が前記第２長穴の第１端部側へスライド移動したときに、前記第２長穴との係合から解放されて前記第１長穴に係合し、前記係合部が前記第１長穴に係合することで前記電池蓋体のスライド動作が可能となるようにしてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月10日(2010.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１次検索条件と２次検索条件とを受け付ける受付手段と、
１次検索装置に対して前記１次検索条件を送信し、前記１次検索装置がデータベースに記憶されている複数のデータに対して前記１次検索条件に基づいて検索処理を行うように指示する１次指示手段と、
前記１次検索装置から得られる検索結果を検索対象として決定し、複数の２次検索装置に割り当てる割当て手段と、
前記２次検索条件に基づいて前記検索対象に対して検索処理を行うように前記２次検索装置の各々へ指示する２次指示手段と、
前記２次検索装置から得られる検索結果を取得する取得手段と
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
複数の画像データと該画像データに関するメタデータとが記憶されたデータベースに対して、検索条件に類似するメタデータと関連付けられた画像データを検索する第１の検索装置と、検索条件に類似する画像データを検索する複数の第２の検索装置とを備えるネットワークシステムに、通信可能に接続される情報処理装置であって、
前記検索条件の入力を受け付ける入力手段と、
前記入力手段において受け付けた検索条件を前記第１の検索装置に送信し、前記データベースに対する検索を指示する第１の指示手段と、
前記第１の検索装置により検索された結果得られた複数の画像データを、前記第２の検索装置の数に応じてグループ分けし、該各グループに該第２の検索装置を割り当てる割当手段と、
前記入力手段において受け付けた検索条件を前記複数の第２の検索装置にそれぞれ送信し、該第２の検索装置それぞれに対して、前記第１の検索装置により検索された結果得られた複数の画像データのうち、前記割当手段により割り当てられたグループの画像データを対象として、検索するよう指示する第２の指示手段と、
前記第２の検索装置により検索された検索結果を出力させるよう制御する出力制御手段と
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項３】
前記ネットワークシステムにおける前記複数の第２の検索装置のアドレスをそれぞれ取得する取得手段を更に備え、
前記割当手段は、前記取得手段により取得されたアドレスの数により、前記第２の検索装置の数を判断することを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記割当手段は、前記第１の検索装置により検索された結果得られた複数の画像データの数を、前記判断された第２の検索装置の数で除算することにより得られた数ずつグループ分けを行うことを特徴とする請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記割当手段は、前記第１の検索装置により検索された結果得られた複数の画像データをそれぞれ特定する識別子と、前記取得手段により取得されたアドレスとを対応付けることにより、前記各グループに前記第２の検索装置を割り当てることを特徴とする請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記第２の指示手段は、
前記取得手段により取得されたアドレスそれぞれに対して、前記入力手段において受け付けた検索条件を送信することを特徴とする請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記取得手段は、更に、前記ネットワークシステムにおける前記第１の検索装置のアドレスを取得し、
前記第１の指示手段は、
前記取得手段により取得されたアドレスに対して、前記入力手段において受け付けた検索条件を送信することを特徴とする請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項８】
複数の画像データと該画像データに関するメタデータとが記憶されたデータベースに対して、検索条件に類似するメタデータを有する画像データを検索する第１の検索装置と、検索条件に類似する画像データを検索する複数の第２の検索装置とを備えるネットワークシステムに、通信可能に接続される情報処理装置における情報処理方法であって、
入力手段が、前記検索条件の入力を受け付ける入力工程と、
第１の指示手段が、前記入力工程において受け付けた検索条件を前記第１の検索装置に送信し、前記データベースに対する検索を指示する第１の指示工程と、
割当手段が、前記第１の検索装置により検索された結果得られた複数の画像データを、前記第２の検索装置の数に応じてグループ分けし、該各グループに該第２の検索装置を割り当てる割当工程と、
第２の指示手段が、前記入力工程において受け付けた検索条件を前記複数の第２の検索装置にそれぞれ送信し、該第２の検索装置それぞれに対して、前記第１の検索装置により検索された結果得られた複数の画像データのうち、前記割当工程により割り当てられたグループの画像データを対象として、検索するよう指示する第２の指示工程と、
出力制御手段が、前記第２の検索装置により検索された検索結果を出力させるよう制御する出力制御工程と
を備えることを特徴とする情報処理方法。
【請求項９】
複数の画像データと該画像データに関するメタデータとが記憶されたデータベースに対して、１次検索条件に類似するデータを検索する第１の検索装置と、２次検索条件に類似するデータを検索する複数の第２の検索装置とを備えるシステムによる情報処理方法であって
受付手段が、１次検索条件と２次検索条件とを受け付ける受付工程と、
１次指示手段が、１次検索装置に対して前記１次検索条件を送信し、前記１次検索装置がデータベースに記憶されている複数のデータに対して前記１次検索条件に基づいて検索処理を行うように指示する１次指示工程と、
割当て手段が、前記１次検索装置から得られる検索結果を検索対象として決定し、複数の２次検索装置に割り当てる割当て工程と、
２次指示手段が、前記２次検索条件に基づいて前記検索対象に対して検索処理を行うように前記２次検索装置の各々へ指示する２次指示工程と、
取得手段が、前記２次検索装置から得られる検索結果を取得する取得工程と
を備えることを特徴とする情報処理方法。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載の情報処理方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記の目的を達成するために本発明に係る情報処理装置は１次検索条件と２次検索条件とを受け付ける受付手段と、１次検索装置に対して前記１次検索条件を送信し、前記１次検索装置がデータベースに記憶されている複数のデータに対して前記１次検索条件に基づいて検索処理を行うように指示する１次指示手段と、前記１次検索装置から得られる検索結果を検索対象として決定し、複数の２次検索装置に割り当てる割当て手段と、前記２次検索条件に基づいて前記検索対象に対して検索処理を行うように前記２次検索装置の各々へ指示する２次指示手段と、前記２次検索装置から得られる検索結果を取得する取得手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月21日(2009.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
また、図１１に示すように、自社評価値一覧部８４には、自社の評価値が自社の入札金額毎にかつ自社の流動点毎に表示されているが、さらに、他社（図１１では業者(1)）の流動点毎に、自社の評価値が他社の評価値よりも高くなる部分（すなわち、自社が落札可能な範囲）が、色分けされて表示されている。したがって、自社評価値一覧部８４は、自社入札金額範囲を自社の流動点毎にかつ他社の流動点毎に示すものと言える。例えば、図１１で9,770万〜9,830万の範囲は、自社の流動点が４点で、他社の流動点が０点の場合において、自社の評価値が他社の評価値よりも高くなる部分を示している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
また、図１１で、他社の流動点が最高（６点）の場合において、自社の評価値が他社の評価値よりも高くなる部分のうち、自社の流動点が最高の場合と自社の流動点が最低の場合とにおける自社の評価値が最も低い（したがって、入札金額が最も高い）部分には、さらに異なる色が付されている。図１０と同様に、この異なる色が付されている部分に対応する入札金額間（図１１の例では9,450万と9,680万の間）であれば、その業者に対抗できる可能性がより高いことから、その範囲を分かり易く示すためである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2008250461.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2008250461.tif 000002