【手続補正書】
【提出日】平成22年2月9日(2010.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
過熱防止機能を有する半導体装置であり、
第１導電型の第１半導体領域と、
第１導電型の第３半導体領域と、
前記第１半導体領域と前記第３半導体領域を分離している第２導電型の第２半導体領域と、
前記第１半導体領域から前記第２半導体領域を経て前記第３半導体領域に達する範囲に存在している半導体に絶縁膜を介して対向しているゲート電極と、
半導体装置外のゲート駆動回路に接続されるゲート端子と、
半導体装置外の定電圧点に接続される接続端子と、
前記ゲート端子と前記ゲート電極を接続している第１内部配線と、
前記ゲート電極と前記接続端子を接続している第２内部配線を備えており、
前記第１内部配線と前記第２内部配線の少なくとも一方はゲート抵抗を備えており、
半導体装置の温度が上昇したときに前記ゲート電極に印加される電圧が下降するように、前記第１内部配線の抵抗温度計数が前記第２内部配線の抵抗温度係数よりも高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１内部配線が正の抵抗温度係数を有する第１ゲート抵抗を備えているか、あるいは、前記第２内部配線が負の抵抗温度係数を有する第２ゲート抵抗を備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１内部配線が正の抵抗温度係数を有する第１ゲート抵抗を備えているとともに、前記第２内部配線が抵抗温度係数が０の第２ゲート抵抗を備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１内部配線が抵抗温度係数が０の第１ゲート抵抗を備えているとともに、前記第２内部配線が負の抵抗温度係数を有する第２ゲート抵抗を備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置の複数個が集積されている半導体チップであり、
複数個の半導体装置の各々が、共通ゲート端子と共通接続端子に接続されていることを特徴とする半導体チップ。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体チップであり、
第１ゲート抵抗の各々、および／または、第２ゲート抵抗の各々が、抵抗値を調整可能な抵抗パターンで形成されていることを特徴とする半導体チップ。
【請求項７】
電界効果型トランジスタと、
一定電圧に調整されているオン電圧とオフ電圧の間で変化する電圧を出力するゲート駆動回路と、
前記電界効果型トランジスタのゲート電極と前記ゲート駆動回路の間に挿入されており、前記電界効果型トランジスタに熱的に接合されているとともに、正の抵抗温度係数を有するゲート抵抗と、
前記電界効果型トランジスタのゲート電極と定電圧点の間に挿入されている一定の抵抗値を有する抵抗を備えていることを特徴とする電界効果型トランジスタの過熱防止機能を有する回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明では、ゲート駆動回路が出力するゲートオン電圧を調整する回路を利用しない。一定のゲートオン電圧を出力するゲート駆動回路であれば足りる。
本発明の半導体装置は、少なくとも、第１半導体領域と、第２半導体領域と、第３半導体領域と、ゲート電極を備えている。第１半導体領域は、第１導電型である。第２半導体領域は、第１半導体領域と第３半導体領域を分離しており、第２導電型である。第３半導体領域は、第１導電型である。ゲート電極は、第１半導体領域から第２半導体領域を経て第３半導体領域に達する範囲に存在している半導体に絶縁膜を介して対向している。
本発明の半導体装置は、さらに、ゲート端子と、接続端子と、第１内部配線と、第２内部配線を備えている。ゲート端子は、半導体装置外に存在するゲート駆動回路に接続される。接続端子は、半導体装置外にあって一定の電圧に維持されている点（定電圧点）に接続される。第１内部配線は、ゲート端子とゲート電極を接続している。第２内部配線は、ゲート電極と接続端子を接続している。
本発明の半導体装置では、第１内部配線と第２内部配線の少なくとも一方はゲート抵抗を備えており、半導体装置の温度が上昇したときにゲート電極に印加される電圧が下降するように、第１内部配線の抵抗温度計数が第２内部配線の抵抗温度係数よりも高いことを特徴とする。本発明の半導体装置は、例えば、以下のように構成することができる。すなわち、第１内部配線に正の抵抗温度係数を有する第１ゲート抵抗が挿入されている。あるいは、２内部配線に負の抵抗温度係数を有する第２ゲート抵抗が挿入されている。あるいは、第１内部配線に正の抵抗温度係数を有する第１ゲート抵抗が挿入されているとともに、第２内部配線に負の抵抗温度係数を有する第２ゲート抵抗が挿入されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明では、第１内部配線１０に正の抵抗温度係数を有する第１ゲート抵抗８が挿入されている場合、第２内部配線１４に第２ゲート抵抗が挿入されていなくてもよいし、第２内部配線１４に第２ゲート抵抗が挿入されていてもよい。
（Ａ）に示す半導体装置のように、第２内部配線１４に第２ゲート抵抗が挿入されていない場合、接続端子１６と定電圧点２０の間に第２ゲート抵抗１８ａを挿入すればよい。この場合、第２ゲート抵抗１８ａの抵抗温度係数は制約されない。第２内部配線１４に第２ゲート抵抗が挿入されている場合、（Ｂ）に示す半導体装置のように、第２ゲート抵抗１８が、負の抵抗温度係数を有するか、あるいは（Ｃ）に示す半導体装置（請求項３に相当）のように、第２ゲート抵抗１８ｂが、第１ゲート抵抗８の抵抗温度係数に比して無視できる程度に小さな抵抗温度係数を持っていればよい。図１において、＋は正の抵抗温度係数を有することを示し、−は負の抵抗温度係数を有することを示し、０は抵抗温度係数の絶対値が小さいことを示している。
第２内部配線１４に負の抵抗温度係数を有する第２ゲート抵抗１８が挿入されている場合、第１内部配線１０に第１ゲート抵抗が挿入されていなくてもよいし、第１内部配線１０に第１ゲート抵抗が挿入されていてもよい。
（Ｄ）に示す半導体装置のように、第１内部配線１０に第１ゲート抵抗が挿入されていない場合、ゲート駆動回路２とゲート端子４の間に第１ゲート抵抗８ａを挿入すればよい。この場合、第１ゲート抵抗８ａの抵抗温度係数は制約されない。第１内部配線１４に第１ゲート抵抗が挿入されている場合、（Ｂ）に示す半導体装置のように、第１ゲート抵抗８が、正の抵抗温度係数を有するか、あるいは（Ｅ）に示す半導体装置（請求項４に相当）のように、第１ゲート抵抗８ｂが、第２ゲート抵抗１８の抵抗温度係数の絶対値に比して無視できる程度に小さな抵抗温度係数を持っていればよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
下記に説明する実施例の好ましい特徴を列記する。
（第１特徴）  第１ゲート抵抗を半導体装置内に設け、第２ゲート抵抗を半導体装置外に設ける。
（第２特徴）  第１ゲート抵抗を半導体装置外に設け、第２ゲート抵抗を半導体装置内に設ける。
（第３特徴）  第１ゲート抵抗と第２ゲート抵抗の双方を半導体装置内に設ける。
（第４特徴）  第１ゲート抵抗と第２ゲート抵抗の合計抵抗値に対して、温度に対応して変化する抵抗値の変化幅が、５％〜５０％の範囲である。