(57)【要約】  【課題】膜厚及び組成、成膜材料の濃度が均一で結晶性が良好な蒸着層を形成することのできる真空蒸着方法、および真空蒸着装置を提供する。  【解決手段】真空蒸着装置は、真空チャンバ１２内に、成膜材料を蒸発させる蒸発部３１と、基板Ｓを回転可能に保持する基板保持回転機構１４とを有する。下記式を満たす位置に、基板Ｓと、蒸発部３１ａおよび蒸発部３１ｂを配置する。  ０．３≦Ｌ１／Ｌ２≦５０    （１）  式中、Ｌ１は蒸発部３１ａ及び３１ｂの蒸発口３ａ及び３ｂから基板Ｓの表面までの垂直方向の距離、Ｌ２は、蒸発部３１ａの蒸発口３ａから蒸発部３１ｂの蒸発口３ｂまでの距離である。０．０５〜１０Ｐａの圧力下で基板を回転させながら成膜材料を基板表面に蒸着させる。【選択図】図１
2005126822.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空蒸着室内に設けた蒸発部から蒸発させた成膜材料を前記蒸発部の上部に設けた被処理基体の表面に蒸着させる真空蒸着方法であって、
前記蒸発部は、第一の成膜材料を蒸発させる少なくとも一つの第一の蒸発部および第二の成膜材料を蒸発させる少なくとも一つの第二の蒸発部を含み、
前記成膜材料の蒸着は、０．０５〜１０Ｐａの圧力下で、式（１）
０．３≦Ｌ１／Ｌ２≦５０    （１）
（式中Ｌ１は前記蒸発部の蒸発口が属する水平面から前記被処理基体の表面までの垂直方向の距離を示し、Ｌ２は前記第一の蒸発部の蒸発口から前記第二の蒸発部の蒸発口までの距離のうち最も短い距離を示す。）の条件を満たす位置に前記被処理基体、前記第一の蒸発部および前記第二の蒸発部を設けて行われることを特徴とする真空蒸着方法。
【請求項２】
前記成膜材料の蒸着は、前記被処理基体を前記第一の蒸発部および前記第二の蒸発部に対して１≦Ｒ１≦２０（ｒ．ｐ．ｍ．）の条件を満たす回転数Ｒ１で回転させながら行われることを特徴とする請求項１に記載の真空蒸着方法。
【請求項３】
前記被処理基体を直線的に搬送させて前記被処理基体に前記成膜材料を蒸着させることを特徴とする請求項１に記載の真空蒸着方法。
【請求項４】
１〜１０００ｍｍ／ｓｅｃの範囲内の搬送速度で搬送させることを特徴とする請求項３に記載の真空蒸着方法。
【請求項５】
前記第一の蒸発部及び前記第二の蒸発部はそれぞれ複数であり、
前記複数の第一の蒸発部及び前記複数の第二の蒸発部を、それぞれ、前記被処理基体に平行で搬送方向に垂直な方向に、前記第一の蒸発部の列と前記第二の蒸発部の列が平行になるように列状に配置させて、前記被処理基体に前記成膜材料を蒸着させる請求項３又は４に記載の真空蒸着方法。
【請求項６】
前記第一の成膜材料はＣｓＢｒであり、前記第二の成膜材料はＥｕＢｒ２であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の真空蒸着方法。
【請求項７】
真空蒸着室と、
前記真空蒸着室を真空引きする手段と、
前記真空蒸着室内に少なくとも一つ設けられ、第一の成膜材料を蒸発口から蒸発させる第一の蒸発部と、
前記真空蒸着室内に少なくとも一つ設けられ、第二の成膜材料を蒸発口から蒸発させる第二の蒸発部と、
前記第一蒸発部および第二の蒸発部の上部に設けられ、被処理基体を保持する保持部と、
を有する真空蒸着装置であって、
前記第一の蒸発部または前記第二の蒸発部のうち、前記被処理基体に近い方と前記被処理基体とは垂直方向に１００〜３００ｍｍ離間しており、式（１）
０．３≦Ｌ１／Ｌ２≦５０                        （１）
（式中Ｌ１は前記蒸発部の蒸発口が属する水平面から前記被処理基体の表面までの垂直方向の距離を示し、Ｌ２は第一の蒸発部の蒸発口から第二の蒸発部の蒸発口までの距離のうち、最も短い距離を示す。）
の条件を満たす位置に前記被処理基体、前記第一の蒸発部および前記第二の蒸発部が設けられていることを特徴とする真空蒸着装置。
【請求項８】
前記保持部は、前記被処理基体を、前記第一の蒸発部および前記第二の蒸発部が設けられた前記真空蒸着室の壁面に対向する面内で回転可能に保持することを特徴とする請求項７に記載の真空蒸着装置。
【請求項９】
前記保持部を直線的に移動させて前記被処理基体を直線搬送するための直線搬送手段を備えることを特徴とする請求項７に記載の真空蒸着装置。
【請求項１０】
前記第一の蒸発部及び前記第二の蒸発部はそれぞれ複数であり、
前記複数の第一の蒸発部及び前記複数の第二の蒸発部は、それぞれ、前記被処理基体に平行で搬送方向に垂直な方向に、前記第一の蒸発部の列と前記第二の蒸発部の列が平行になるように列状に配置される請求項９に記載の真空蒸着装置。
【請求項１１】
前記第一の成膜材料はＣｓＢｒであり、前記第二の成膜材料はＥｕＢｒ２であることを特徴とする請求項７〜１０のいずれか一項に記載の真空蒸着装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は真空蒸着方法および真空蒸着装置に関し、より具体的には、中真空下で蒸着を行う場合にも高品質の蒸着膜が得られる真空蒸着方法およびそのような真空蒸着装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線（Ｘ線，α線，β線，γ線，電子線あるいは紫外線等）の照射を受けると、この放射線エネルギーの一部を蓄積し、その後、可視光等の励起光の照射を受けると、上述の蓄積された放射線エネルギーに応じた輝尽発光を示す蛍光体が知られている。この蛍光体は、蓄積性蛍光体（輝尽性蛍光体）と呼ばれ、医療用途などの各種の用途に利用されている。
【０００３】
一例として、この蓄積性蛍光体を含有する層（以下、蛍光体膜という）を有するシート（蛍光体シート）を利用する放射線画像情報記録再生システムが知られている。この蛍光体シートは、放射線像変換パネル（ＩＰ）とも呼ばれているが、以下の説明では、蛍光体シートという。なお、このようなシステムとして、既に実用化されているものに、ＦＣＲ（Fuji Computed Radiography：富士写真フイルム（株）商品名）が挙げられる。
【０００４】
このシステムにおいては、まず、蛍光体シート（の蛍光体膜）に人体等の被写体の放射線画像情報を記録する。記録後に、蛍光体シートをレーザ光等の励起光で２次元的に走査して、輝尽発光光を放出させる。そして、この輝尽発光光を光電的に読み取って画像信号を得、この画像信号に基づいて再生した画像を、写真感光材料等の記録材料あるいはＣＲＴ等の表示装置に可視像として出力する。なお、読み取りの終了した蛍光体シートは、残存する画像を消去して、繰り返し使用される。
【０００５】
上述の蛍光体シートは、通常、蓄積性蛍光体の粉末をバインダ等を含む溶媒に分散してなる塗布液を調製して、ガラスや樹脂等で形成されたシート状の支持体に塗布し、乾燥して、蛍光体膜を成膜することによって製造される。
これに対して、真空蒸着やスパッタリング等の物理蒸着法（気相成膜法）によって、支持体に蛍光体膜を成膜してなる蛍光体シートも知られている（例えば特許文献１）。
【０００６】
このように蒸着によって支持体上に成膜される蛍光体膜は、真空中で成膜されるため不純物が少なく、また、バインダ等の蓄積性蛍光体以外の成分が殆んど含まれないので、性能のばらつきが少なく、発光効率が良好である。この真空蒸着法は、真空容器内において、成膜材料を蒸発部で蒸発させて、基板表面に蛍光体膜を成膜するものである。
【０００７】
また、良好な輝尽発光特性を得るためには、蛍光体の結晶を成長させて十分な高さと良好な形状とを備えたコラム（柱状結晶）を形成するのが好ましく、そのためには通常よりも低い真空度で蒸着を行うのが好適であることが知られている。例えば、１〜１０Ｐａの比較的低い真空度で蒸着を行うことにより蛍光物質の針状結晶を析出させる方法が提案されている（例えば特許文献２）。
【特許文献１】特開２００３−１７２７９９号公報
【特許文献２】米国特許ＵＳ２００１／００１０８３１Ａ１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、真空蒸着装置を用いて真空蒸着を行う場合、異なる複数の種類の成膜材料を用いて真空蒸着を行う場合がある。例えば、上記の蛍光体シートの蛍光体膜を真空蒸着により成膜する方法として、母剤としてのＣｓＢｒと、付活剤としてのＥｕＢｒ２の二種類の成膜材料を用いる方法が知られている。蛍光体シートの製造において、付活剤は蛍光体に対して極めて微量であり、蛍光体膜の成分コントロールは重要である。このため、母剤である蛍光体の成膜材料と、付活剤の成膜材料とを別々に蒸気を発生させて、両者を十分に混合した混合蒸気を生成し、この混合蒸気で基板に成膜を行う。このとき、組成が均一な蛍光体膜を成膜するためには、蛍光体の成膜材料と付活剤の成膜材料の二つの蒸発部の位置を近接して配置するのが好ましい。すなわち、二つの蒸発部の位置が近いほど、付活剤が均一に分散された良質な蛍光体膜を成膜することができ、しかも、２つの蒸気の混合領域を広くでき、材料の利用効率を向上させることができる。
【０００９】
その一方で、母剤を蒸発させる蒸発部と付活剤を蒸発させる蒸発部とを接近させると、それぞれの蒸発部から発せられる熱が互いに干渉し、蒸発部ごとの温度制御が困難となり成膜される蛍光体膜の品質を低下させる恐れがある。従って、良好な結晶成長が期待できる、いわゆる中真空の条件下で、複数の種類の蒸発部を用いる真空蒸着を行う多元蒸着を行う場合には、多元蒸着に最も好適な蒸発部の配置の仕方があると考えられる。
【００１０】
しかし、特許文献１および２を含め、そのような中真空条件下で多元蒸着を行う場合の蒸発部の配置の仕方についてはなんら開示されておらず、そのような問題が内在することを示唆する文献すら存在しない。
【００１１】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、膜厚及び組成、成膜材料の濃度が均一で結晶性が良好な蒸着層を形成することのできる真空蒸着方法、および真空蒸着装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明の第１の態様は、真空蒸着室内に設けた蒸発部から蒸発させた成膜材料を前記蒸発部の上部に設けた被処理基体の表面に蒸着させる真空蒸着方法において、前記蒸発部は、第一の成膜材料を蒸発させる少なくとも一つの第一の蒸発部および第二の成膜材料を蒸発させる少なくとも一つの第二の蒸発部を含み、前記成膜材料の蒸着は、０．０５〜１０Ｐａの圧力下で、式（１）
０．３≦Ｌ１／Ｌ２≦５０    （１）
（式中Ｌ１は前記蒸発部の蒸発口が属する水平面から前記被処理基体の表面までの垂直方向の距離を示し、Ｌ２は前記第一の蒸発部の蒸発口から前記第二の蒸発部の蒸発口までの距離のうち、最も短い距離を示す。）の条件を満たす位置に前記被処理基体、前記第一の蒸発部および前記第二の蒸発部を設けて行われることを特徴とする真空蒸着方法を提供する。また、Ｌ１／Ｌ２は１≦Ｌ１／Ｌ２≦５０であることが好ましく、１≦Ｌ１／Ｌ２≦２０がより好ましい。
【００１３】
ここで、前記成膜材料の成膜材料の蒸着は、前記被処理基体を前記第一の蒸発部および前記第二の蒸発部に対して１≦Ｒ１≦２０（ｒ．ｐ．ｍ．）の条件を満たす回転数Ｒ１で回転させながら行われることが好ましい。
【００１４】
または、前記被処理基体を直線的に搬送させて前記被処理基体に前記成膜材料を蒸着させることが好ましい。この場合は、１〜１０００ｍｍ／ｓｅｃの範囲内の搬送速度で搬送させることが好ましい。また、前記第一の蒸発部及び前記第二の蒸発部はそれぞれ複数であり、前記複数の第一の蒸発部及び前記複数の第二の蒸発部を、それぞれ、前記被処理基体に平行で搬送方向に垂直な方向に、前記第一の蒸発部の列と前記第二の蒸発部の列が平行になるように列状に配置させて、前記被処理基体に前記成膜材料を蒸着させることが好ましい。
【００１５】
また、前記第一の成膜材料はＣｓＢｒであり、前記第二の成膜材料はＥｕＢｒ２であってもよい。
【００１６】
本発明の第２の態様は、真空蒸着室と、前記真空蒸着室を真空引きする手段と、前記真空蒸着室内に少なくとも一つ設けられ、第一の成膜材料を蒸発口から蒸発させる第一の蒸発部と、前記真空蒸着室内に少なくとも一つ設けられ、第二の成膜材料を蒸発口から蒸発させる第二の蒸発部と、前記第一蒸発部および第二の蒸発部の上部に設けられ、被処理基体を保持する保持部と、を有する真空蒸着装置であって、前記第一の蒸発部または前記第二の蒸発部のうち、前記被処理基体に近い方と前記被処理基体とは垂直方向に１００〜３００ｍｍ離間しており、式（１）
０．３≦Ｌ１／Ｌ２≦５０                        （１）
（式中Ｌ１は前記蒸発部の蒸発口が属する水平面から前記被処理基体の表面までの垂直方向の距離を示し、Ｌ２は第一の蒸発部の蒸発口から第二の蒸発部の蒸発口までの距離のうち、最も短い距離を示す。）
の条件を満たす位置に前記被処理基体、前記第一の蒸発部および前記第二の蒸発部が設けられていることを特徴とする真空蒸着装置を提供する。また、Ｌ１／Ｌ２は１≦Ｌ１／Ｌ２≦５０であることが好ましく、１≦Ｌ１／Ｌ２≦２０がより好ましい。
【００１７】
ここで、前記保持部は、前記被処理基体を、前記第一の蒸発部および前記第二の蒸発部が設けられた前記真空蒸着室の壁面に対向する面内で回転可能に保持するものであってもよい。
【００１８】
または、前記保持部を直線的に移動させて前記被処理基体を直線搬送するための直線搬送手段を備えることが好ましい。この場合は、前記第一の蒸発部及び前記第二の蒸発部はそれぞれ複数であり、前記複数の第一の蒸発部及び前記複数の第二の蒸発部は、それぞれ、前記被処理基体に平行で搬送方向に垂直な方向に、前記第一の蒸発部の列と前記第二の蒸発部の列が平行になるように列状に配置されることが好ましい。
【００１９】
また、前記第一の成膜材料はＣｓＢｒであり、前記第二の成膜材料はＥｕＢｒ２であってもよい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の真空蒸着方法は、蒸発部の蒸発口が属する水平面から被処理基体の表面までの垂直方向の距離Ｌ１と、第一の蒸発部の蒸発口から第二の蒸発部の蒸発口までの距離Ｌ２が、下記式（１）：
０．３≦Ｌ１／Ｌ２≦５０・・・（１）
を満たすように蒸発部と被処理基体を真空蒸着室内に配置させて、被処理基体上に成膜材料を蒸着させるので、膜厚及び組成、成膜材料の濃度が均一で結晶性が良好な蒸着層を被処理基体上に成膜することができる。
【００２１】
また、本発明の真空蒸着装置は、蒸発部の蒸発口が属する水平面から被処理基体の表面までの垂直方向の距離Ｌ１と、第一の蒸発部の蒸発口から第二の蒸発部の蒸発口までの距離Ｌ２が上記式（１）を満たすように、蒸発部と基板が真空蒸着室内に配置されているので、本発明の真空蒸着方法を実現することができ、膜厚及び組成、成膜材料の濃度が均一で結晶性が良好な蒸着層を被処理基体上に成膜することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、添付の図面に基づいて、本発明の実施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る真空蒸着装置（以下、単に装置ともいう）１０の概略構成を示す模式側面図である。本実施形態に係る装置１０は、被処理基体としてのシート状のガラス基板（以下、単に基板という）Ｓの表面に蓄積性蛍光体膜を二元の真空蒸着によって形成して、蛍光体シートを製造するものである。
【００２３】
本実施形態に係る装置１０は、基本的に、真空蒸着室としての真空チャンバ１２と、保持手段としての基板保持・回転機構１４と、蒸発部としての加熱蒸発部１６とを有して構成される、いわゆる基板回転型の真空蒸着装置である。また、本実施形態に係る装置１０は、真空チャンバ１２内に、加熱蒸発部１６からの基板方向への輻射熱を遮蔽するための熱遮蔽板（図示省略）を備えていてもよい。
【００２４】
なお、本実施形態に係る装置１０は、これ以外にも、真空チャンバ１２内を排気して所定の真空度にするための図示されていない真空ポンプ（真空引きする手段）等を有しており、さらに、真空チャンバ１２内に後述するようなガスを導入するためのガス導入手段が接続されている。
【００２５】
本実施形態に係る装置１０は、一例として、臭化セシウム（ＣｓＢｒ）および臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒ２）を成膜材料とする二元の真空蒸着を行って、基板Ｓ上にＣｓＢｒ：Ｅｕを蓄積性蛍光体とする蛍光体膜を成膜して、蛍光体シートを製造するものである。
【００２６】
なお、蓄積性蛍光体は、上述のＣｓＢｒ：Ｅｕには限定されず、各種のものが利用可能である。好ましくは、波長が４００ｎｍ〜９００ｎｍの範囲の励起光により、３００ｎｍ〜５００ｎｍの波長範囲に輝尽発光を示す輝尽性蛍光体が利用される。
【００２７】
蛍光体膜を構成する輝尽性蛍光体としては、各種のものが利用可能であるが、一例として、下記の輝尽性蛍光体が好ましく例示される。
米国特許第３，８５９，５２７号明細書に記載されている輝尽性蛍光体である、「ＳｒＳ：Ｃｅ，Ｓｍ」、「ＳｒＳ：Ｅｕ，Ｓｍ」、「ＴｈＯ２：Ｅｒ」、および、「Ｌａ２Ｏ２ Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ」。
【００２８】
特開昭５５−１２１４２号公報に開示される、「ＺｎＳ：Ｃｕ，Ｐｂ」、「ＢａＯ・ｘＡｌ２ Ｏ３ ：Ｅｕ（但し、０．８≦ｘ≦１０）」、および、一般式「ＭIIＯ・ｘＳｉＯ２：Ａ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、ＭII は、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｚｎ，ＣｄおよびＢａからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｃｅ，Ｔｂ，Ｅｕ，Ｔｍ，Ｐｂ，Ｔｌ，ＢｉおよびＭｎからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０．５≦ｘ≦２．５である。）
【００２９】
特開昭５５−１２１４４号公報に開示される、一般式「ＬｎＯＸ：ｘＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｌｎは、Ｌａ，Ｙ，ＧｄおよびＬｕからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、ＣｌおよびＢｒの少なくとも一種であり、Ａは、ＣｅおよびＴｂの少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦０．１である。）
【００３０】
特開昭５５−１２１４５号公報に開示される、一般式「（Ｂａ１−Ｘ ，Ｍ２＋Ｘ）ＦＸ：ｙＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｍ２＋は、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，ＺｎおよびＣｄからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，ＹｂおよびＥｒからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦０．６であり、０≦ｙ≦０．２である。）
【００３１】
特開昭５７−１４８２８５号公報に開示される、下記のいずれかの輝尽性蛍光体。
すなわち、一般式「ｘＭ３（ＰＯ４）２ ・ＮＸ２ ：ｙＡ」または「Ｍ３ （ＰＯ４ ）２ ・ｙＡ」で示される輝尽性蛍光体；
（上記式において、ＭおよびＮは、それぞれ、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，ＺｎおよびＣｄからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、Ｆ，Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｓｂ，Ｔｌ，ＭｎおよびＳｎからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦６、０≦ｙ≦１である。）
【００３２】
一般式「ｎＲｅＸ３・ｍＡＸ’２：ｘＥｕ」または「ｎＲｅＸ３・ｍＡＸ’２：ｘＥｕ，ｙＳｍ」で示される輝尽性蛍光体；
（上記式において、Ｒｅは、Ｌａ，Ｇｄ，ＹおよびＬｕからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｂａ，ＳｒおよびＣａからなる群より選択される少なくとも一種であり、ＸおよびＸ’は、それぞれ、Ｆ，Ｃｌ，およびＢｒからなる群より選択される少なくとも一種である。また、１×１０−４＜ｘ＜３×１０−１であり、１×１０−４＜ｙ＜１×１０−１であり、さらに、１×１０−３＜ｎ／ｍ＜７×１０−１である。）
【００３３】
および、一般式「ＭI Ｘ・ａＭIIＸ’２・ｂＭIII Ｘ''３ ：ｃＡ」で示されるアルカリハライド系輝尽性蛍光体。
（上記式において、ＭI は、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、ＭII は、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，ＣｕおよびＮｉからなる群より選択される少なくとも一種の二価の金属であり、ＭIII は、Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，ＧａおよびＩｎからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘ、Ｘ’およびＸ''は、Ｆ，Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｍ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎａ，Ａｇ，Ｃｕ，ＢｉおよびＭｇからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ａ＜０．５であり、０≦ｂ＜０．５であり、０≦ｃ＜０．２である。）
【００３４】
特開昭５６−１１６７７７号公報に開示される、一般式「（Ｂａ１−Ｘ ，ＭII Ｘ ）Ｆ２ ・ａＢａＸ２ ：ｙＥｕ，ｚＡ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、ＭIIは、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，ＺｎおよびＣｄからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｘは、Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ａは、ＺｒおよびＳｃの少なくとも一種である。また、０．５≦ａ≦１．２５であり、０≦ｘ≦１であり、１×１０−６≦ｙ≦２×１０−１であり、０＜ｚ≦１×１０−２である。）
【００３５】
特開昭５８−６９２８１号公報に開示される、一般式「ＭIII ＯＸ：ｘＣｅ」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、ＭIII は、Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＢｉからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘは、ＣｌおよびＢｒの少なくとも一種である。また、０≦ｘ≦０．１である。）
【００３６】
特開昭５８−２０６６７８号公報に開示される、一般式「Ｂａ１−ＸＭａＬａＦＸ：ｙＥｕ２＋」で示される輝尽性蛍光体。
（上記式において、Ｍは、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｌは、Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，Ｇａ，ＩｎおよびＴｌからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ｘは、Ｃｌ，ＢｒおよびＩからなる群より選択される少なくとも一種である。また、１×１０−２≦ｘ≦０．５であり、０≦ｙ≦０．１であり、さらに、ａはｘ／２である。）
【００３７】
特開平５９−７５２００号公報に開示される、一般式「ＭII ＦＸ・ａＭI Ｘ’・ｂＭ’II Ｘ''２ ・ｃＭIII Ｘ３・ｘＡ：ｙＥｕ２＋」で示される輝尽性蛍光体。（上記式において、ＭIIは、Ｂａ，ＳｒおよびＣａからなる群より選択される少なくとも１種であり、ＭI は、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，ＲｂおよびＣｓからなる群より選択される少なくとも一種であり、Ｍ’II は、ＢｅおよびＭｇの少なくとも一方の二価の金属であり、ＭIIIは、Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ、およびＴｌからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Ａは、金属酸化物であり、Ｘ、Ｘ’およびＸ''は、それぞれ、Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，およびＩからなる群より選択される少なくとも一種である。また、０≦ａ≦２であり、０≦ｂ≦１×１０−２であり、０≦ｃ≦１×１０−２であり、かつ、ａ＋ｂ＋ｃ≧１０−６であり、さらに、０＜ｘ≦０．５であり、０＜ｙ≦０．２である。）
【００３８】
特に、優れた輝尽発光特性を有し、かつ、本発明の効果が良好に得られる等の点で、特開昭５７−１４８２８５号公報に開示されるアルカリハライド系輝尽性蛍光体は好ましく例示され、中でも特に、ＭＩ が、少なくともＣｓを含み、Ｘが、少なくともＢｒを含み、さらに、Ａが、ＥｕまたはＢｉであるアルカリハライド系輝尽性蛍光体は好ましく、その中でも特に、一般式「ＣｓＢｒ：Ｅｕ」で示される輝尽性蛍光体が好ましい。
【００３９】
本発明においては、このような輝尽性蛍光体からなる蛍光体膜の成膜を真空蒸着で行う。中でも、蛍光体成分の材料と、付活剤（賦活剤：activator)成分の材料とを別々に加熱蒸発させる、多元の真空蒸着を行う。例えば、前記「ＣｓＢｒ：Ｅｕ」の蛍光体膜であれば、蛍光体成分の材料として臭化セシウム（ＣｓＢｒ）を、付活剤成分の材料として臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒ２）を、それぞれ用いて、別々に加熱蒸発させる、多元の真空蒸着を行う。真空蒸着における加熱方法には特に限定はないが、本発明のようにいわゆる中真空の条件で蒸着を行うには、抵抗加熱が好ましい。さらに、多元の真空蒸着を行う場合には、全ての材料を同様の同じ加熱手段（例えば、電子線加熱）で加熱蒸発してもよく、あるいは、蛍光体成分の材料は電子線加熱で、微量である付活剤成分の材料は抵抗加熱で、それぞれ加熱蒸発させてもよい。
【００４０】
なお、本実施形態に係る真空蒸着装置１０においては、真空チャンバ１２内の到達真空度は、１×１０−５Ｐａ〜１×１０−２Ｐａ程度の真空度とする。このとき、真空蒸着装置１０内の雰囲気中の水分圧を、ディフュージョンポンプ（もしくは、ターボ分子ポンプ等）との組み合わせ等を用いることにより、７．０×１０−３Ｐａ以下にすることが好ましい。次いで、真空引きしながら、Ａｒガス，Ｎｅガス，Ｎ２ガス等の不活性ガスを導入して、０．０５〜１０Ｐａ程度、より好ましくは、０．５〜１．５Ｐａ程度の真空度とする。
【００４１】
上述の状態を維持しながら、Ａｒガス，Ｎｅガス，Ｎ２ガス等の不活性ガスを導入して、０．０５〜１０Ｐａ程度、より好ましくは、０．５〜１．５Ｐａ程度の真空度とするという蒸着条件（いわゆる、中真空の条件）は、形成される蓄積性蛍光体のコラム（柱状構造）を整然とした形状にすることができ、結果として、形成される蓄積性蛍光体のＸ線特性、特に画像ムラ（ストラクチャー）を向上させることができる。
【００４２】
この画像ムラ（ストラクチャー）とは、（Ａ）真空蒸着により、蛍光体膜を基板表面に成膜した蛍光体シート（蒸着ＩＰ／放射線像変換パネル）を用いてＸ線撮影を行った場合のＸ線画像の撮像ムラ、および（Ｂ）蛍光体シートの基板表面に成膜された蛍光体膜を構成する、蛍光体の結晶の柱状性、すなわち柱状構造の完全さ（具体的には、柱状形の結晶のアスペクト比の高さ、隙間の均一さ、ヒロックの有無）の程度を指す。
【００４３】
後述するように、これらのうち、本実施形態に係る真空蒸着装置では、特に撮像ムラが重要となる。この（Ａ）の撮像ムラとは、主に、蛍光体シートの基板表面に成膜される蛍光体膜の厚さの不均一さに起因するものであり、蛍光体シートの全面に均一な強度のＸ線を照射しても、得られるＸ線画像には淡くみえる部分と濃く見える部分が混在する現象である。撮像ムラの原因は、詳細には、Ｅｕ濃度の不均一性、基板表面に成膜された蛍光体膜の厚さの不均一性、および柱状性の三要素である。蛍光体膜が厚い部分では吸収するＸ線量が多く、Ｘ線画像上では淡くなり、蛍光体膜が薄い部分では吸収するＸ線量が少なく、Ｘ線画像上では濃くなる。この撮像ムラの良否を判断する指標として、蛍光体シートの各部でＰＳＬ（輝尽発光光量）を測定して、それらの値を比較する方法が挙げられる。
具体的には、後述する表１に示した「ＰＳＬ（膜厚補正後）均一性」、後述する表２に示した、「膜厚ばらつき」および「柱状性」の三つから判断する。前記条件で成膜することにより、特に撮像ムラを向上させることができる。
【００４４】
また、蛍光体の結晶の柱状性（柱状構造の完全さ）は、（ａ）各結晶のアスペクト比が高く（高アスペクト比）、（ｂ）隣り合う柱状の結晶と結晶との隙間が均一であり（隙間の均一性）、（ｃ）蛍光体膜を構成する蛍光体の結晶が基板表面に対して略垂直方向に成長しており、ヒロックが見られない状態（ヒロックの有無）の三要素を指標にして評価される。ここで、ヒロックとは、結晶が基板表面に対して傾斜した方向に成長した状態をいう。
【００４５】
なお、基板の加熱等によって、成膜中に、成膜された蛍光体膜を５０℃〜４００℃で加熱してもよい。また、成膜する蛍光体膜の厚さにも、限定はないが、１０μｍ〜１０００μｍ、特に、２０μｍ〜８００μｍが好ましい。
【００４６】
真空チャンバ１２は、鉄，ステンレス，アルミニウム等で形成される、真空蒸着装置で利用される公知の真空チャンバ（ベルジャー、真空槽）である。図示例において、真空チャンバ１２内には、上方に基板保持・回転機構１４が、また、下方に加熱蒸発部１６がそれぞれ配設される。
【００４７】
また、前述のように、真空チャンバ１２には、真空引きする手段として、図示されていない真空ポンプが接続されている。真空ポンプにも特に制限はなく、必要な到達真空度を達成できるものであれば、真空蒸着装置で利用されている各種のものが利用可能である。一例として、油拡散ポンプ，クライオポンプ，ターボモレキュラーポンプ等を利用すればよく、また、補助として、クライオコイル等を併用してもよい。
【００４８】
基板保持・回転機構１４は、基板Ｓを保持して回転するものであり、回転駆動源（モータ）１８ａと係合する回転軸１８と、ターンテーブル２０とから構成される。ターンテーブル２０は、図中上側の本体２２と、同下側（加熱蒸発部１６側）のシースヒータ２４とからなる円板形の部材であり、その中心に、上記モータ１８ａと係合する回転軸１８が固定される。また、ターンテーブル２０は、加熱蒸発部１６、すなわち、成膜材料の蒸発位置において、下面（シースヒータ２４の下面）に基板Ｓを保持して、回転軸１８によって所定速度で回転される。シースヒータ２４は、成膜される基板Ｓを裏面（成膜面と逆の面）から加熱する。
【００４９】
なお、ここで用い得る、基板Ｓには特に限定はなく、蛍光体パネルで使用されている各種のものが利用可能である。一例として、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルムなどのプラスチックフィルム；石英ガラス、無アルカリガラス、ソーダガラス、耐熱ガラス（パイレックス（商標名）等）などから形成されるガラス板；アルミニウムシート、鉄シート、銅シート、クロムシートなどの金属シートあるいは金属酸化物の被服層を有する金属シート；等が例示される。
【００５０】
真空チャンバ１２内の図中下方には、加熱蒸発部１６が配置されている。前述のように、図示例の装置１０は、臭化セシウム（ＣｓＢｒ）を第一の成膜材料として使用し、臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒ２）を第二の成膜材料として使用し、これらを別々に加熱して蒸発させる二元の真空蒸着を行うものである。このため、加熱蒸発部１６は、第一の蒸発部としてのセシウム蒸発部（以下、Ｃｓ蒸発部という）３１ａと、第二の蒸発部としてのユーロピウム蒸発部（以下、Ｅｕ蒸発部という）３１ｂの二種類の蒸発部を有している。
【００５１】
Ｃｓ蒸発部３１ａは、抵抗加熱装置３６によって、蒸発位置（ルツボ）に収容した臭化セシウム（母体結晶材料）を、抵抗加熱して蒸発させる機能を有する。また、Ｅｕ蒸発部３１ｂは、抵抗加熱装置３４によって、蒸発位置（ルツボ）に収容した臭化ユーロピウム（付活剤材料）を、抵抗加熱して蒸発させる機能を有する。
本実施形態において、臭化セシウムの蒸発手段、および臭化ユーロピウムの蒸発手段は、特に限定はなく、蛍光体が大部分を占めるとともに、２００μｍを超える蛍光体膜の成膜に対して、十分な成膜速度を得られるものであれば、各種の加熱蒸発手段を利用することができる。また、図示は省略したが、各蒸発位置には、それぞれの材料を供給する材料供給手段が設けられている。
【００５２】
次に、本実施形態に係る真空蒸発装置１０の真空チャンバ１２内における、基板Ｓと、第一の蒸発部と、第二の蒸発部との位置関係について説明する。図２は本実施形態に係る装置１０の真空チャンバ１２内のターンテーブル２０、基板Ｓ、第一の蒸発部としてのＣｓ蒸発部３１ａ、および第二の蒸発部としてのＥｕ蒸発部３１ｂの位置関係を示した概略縦断面図であり、図３（Ａ）は本実施形態に係る、第一の蒸発部と、第二の蒸発部との位置関係を示した概略平面図であり、図３（Ｂ）は本実施形態に係る、蒸発部と、基板Ｓとの位置関係を示した概略側面図であり、図４は真空チャンバ１２の内部をターンテーブル２０側から見た状態を示した平面図である。なお、説明の便宜上、図３（Ａ）および図４中真空チャンバ１２の上部壁材１２ａ、ターンテーブル２０、および基板Ｓは省略してある。
【００５３】
図１、図２に示したように、真空チャンバ１２内の下部には、蒸発部３１、すなわちＣｓ蒸発部３１ａおよびＥｕ蒸発部３１ｂが設けられ、真空チャンバ１２の上部にはターンテーブル２０が設けられている。ターンテーブル２０の図中下面側には基板Ｓが保持されている。
【００５４】
ここで、本実施形態に係る真空蒸着装置１０では、蒸発部３１（すなわちＣｓ蒸発部３１ａまたはＥｕ蒸発部３１ｂのうち、基板Ｓに近い方の蒸発口）と基板Ｓとの垂直方向の距離Ｌ１は１００〜３００ｍｍである。蒸発部３１と基板Ｓとの垂直方向の距離Ｌ１が１００ｍｍ未満になると、基板Ｓの表面に均一な蛍光体膜を成膜することが困難になるためであり、蒸発部３１と基板Ｓとの垂直方向の距離Ｌ１が３００ｍｍを超えると、前記良好な蛍光体膜が得られる、いわゆる中真空下という条件の下では、真空チャンバ内に存在するアルゴン等の分子に阻まれて、蒸発部３１から蒸発した成膜材料の粒子が基板Ｓの表面まで到達できず、蒸着膜を成膜できなくなるからである。また、この蒸発部３１と基板Ｓとの垂直方向の距離Ｌ１は１００〜２００ｍｍであるのが好ましい。
【００５５】
図２に示すように、真空蒸着装置１０では、ターンテーブル２０に保持された基板Ｓに対して蒸発部３１（Ｃｓ蒸発部３１ａおよびＥｕ蒸発部３１ｂ）は図２中の下側の位置に設けられており、基板Ｓ、Ｃｓ蒸発部３１ａ、およびＥｕ蒸発部３１ｂは、次式（１）
０．３≦Ｌ１／Ｌ２≦５０                        （１）
の関係を満たす距離Ｌ２だけ離間して設けられている。
【００５６】
ここで、式（１）中Ｌ１は蒸発部３１ａ（３１ｂ）の蒸発口が属する水平面、すなわち、蒸発部３１ａ（３１ｂ）の蒸発口を通る水平面から基板Ｓの表面までの垂直方向の距離を示す（図３（Ｂ）参照）。但し、第一の蒸発部３１ａの蒸発口と第二の蒸発部３１ｂの蒸発口との高さが異なる場合には、第一の蒸発部３１ａの蒸発口および第二の蒸発部３１ｂの蒸発口のうち、基板Ｓに近い方の蒸発口から基板Ｓの表面までの垂直方向の距離をＬ１とする。
例えば、図２の例で、第一の蒸発部としてのＣｓ蒸発部３１ａの蒸発口３ａと第二の蒸発部としてのＥｕ蒸発部３１ｂの蒸発口３ｂの高さが異なる場合、蒸発口３ａおよび蒸発口３ｂのうち、基板Ｓに近い方から基板Ｓの表面までの垂直方向の距離がＬ１となる。
また、式（１）中Ｌ２は、第一の蒸発部としてのＣｓ蒸発部３１ａの蒸発口３ａから第二の蒸発部としてのＥｕ蒸発部３１ｂの蒸発口３ｂまでの距離のうち、最も短い距離を示す。ここで、蒸発口から蒸発口までの距離は、図３（Ａ）および図４に示したように容器の端部どうしを結んだ際の最短の距離によって定義する。本実施形態の場合、第一の蒸発部（Ｃｓ蒸発部３１ａ）、および第二の蒸発部（Ｅｕ蒸発部３１ｂ）はともに一つずつしか設けられていないので、最近接位置の第一の蒸発部と第二の蒸発部とは、それぞれＣｓ蒸発部３１ａ、Ｅｕ蒸発部３１ｂのことをいう。但し、後述するように、第一の蒸発部、第二の蒸発部が複数個設けられている場合には、最も近接した位置の第一の蒸発部の蒸発口と第二の蒸発部の蒸発口との間の距離がＬ２となる。
【００５７】
上記式（１）で、Ｌ１／Ｌ２の値を０．３以上かつ５０以下の範囲としたのは、Ｌ１／Ｌ２の値が０．３未満になると、設計の自由度が低下するためである。例えば、第一の蒸発部（Ｃｓ蒸発部３１ａ）の蒸発口３ａ、第二の蒸発部（Ｅｕ蒸発部３１ｂ）の蒸発口３ｂに設けられ、それぞれの蒸発口３ａ、３ｂを開閉するシャッター（図示省略）を機械的に収容することができなくなる。さらに第一の蒸発部の蒸発口３ａと第二の蒸発部の蒸発口３ｂとの距離が相対的に大きくなり、成膜される蒸着膜において、ユーロピウムの均一な分布が得られなくなる。
【００５８】
一方、Ｌ１／Ｌ２の値が５０を超えると、いわゆる中真空の条件下では、蒸発部から成膜材料が到達し得る距離が短いので、基板Ｓの表面にまで成膜材料が到達できず、蒸着膜を成膜できなくなるからである。また、第一の蒸発部と第二の蒸発部との距離が小さすぎると、蒸発部から発せられる熱が蒸発部どうしで影響を及ぼしあって蒸発部ごとの温度制御が困難になり、ひいては蒸着膜の品質を低下させる。また、Ｌ１／Ｌ２は１≦Ｌ１／Ｌ２≦５０であることが好ましく、より好ましくは、１≦Ｌ１／Ｌ２≦２０である。
【００５９】
また第一の蒸発部と第二の蒸発部との間の距離Ｌ２は１０〜１５０ｍｍであるのが好ましく、１０〜１００ｍｍであるのがさらに好ましい。第一の蒸発部と第二の蒸発部との間の距離Ｌ２が小さすぎると、設計の自由度が低下し、例えば第一の蒸発部の蒸発口を開閉するシャッター、および第二の蒸発部の蒸発口を開閉するシャッターを機械的に収容することができなくなる恐れがある。また、蒸発部から発せられる熱が蒸発部どうしで影響を及ぼしあって蒸発部ごとの温度制御が困難になり、ひいては蒸着膜の品質を低下させる恐れがある。一方、第一の蒸発部と第二の蒸発部との間の距離Ｌ２が大きすぎると、成膜される蒸着膜において、ユーロピウムの均一な分布が得られなくなる恐れがある。
【００６０】
また、ターンテーブル２０の回転数Ｒ１は１〜２０（ｒ．ｐ．ｍ）であるのが好ましい。ターンテーブル２０の回転数Ｒ１が低すぎると、均一な組成の蒸着膜が得られなくなる恐れがあり、ターンテーブル２０の回転数Ｒ１が高すぎると、蒸着膜中において柱状構造を有する結晶が形成されにくくなる恐れがあるからである。また、ターンテーブル２０は自転のみならず、自転に加え、公転する構造を備えていてもよい。ここで、「公転」とは、ターンテーブル２０の回転軸１８が真空チャンバ１２の上部壁材１２ａと平行な平面内で円形の軌跡を描くように移動することをいう。
【００６１】
また、上記実施形態では、真空チャンバ１２内の下部に第一の蒸発部（Ｃｓ蒸発部３１ａ）と第二の蒸発部（Ｅｕ蒸発部３１ｂ）とを一つずつ設けた場合を例示したが、これには限定されない。第一の蒸発部（Ｃｓ蒸発部３１ａ）や第二の蒸発部（Ｅｕ蒸発部３１ｂ）を二つ以上設けてもよい。例えば図５乃至図７に示すような位置に設けることも可能である。図５乃至図７は以下に説明する、本発明の変形例（変形例１〜３）に係る真空蒸着装置の上部を省略した平面図であり、第一の蒸発部（Ｃｓ蒸発部３１ａ）と第二の蒸発部（Ｅｕ蒸発部３１ｂ）との配置例を示した図である。
【００６２】
（変形例１）
図５は変形例１に係る第一の蒸発部と第二の蒸発部との配置例を示した平面図である。変形例１では、第一の蒸発部（Ｃｓ蒸発部３１１ａ，Ｃｓ蒸発部３１１ｂ）と第二の蒸発部（Ｅｕ蒸発部３１２ａ，Ｅｕ蒸発部３１２ｂ）とが二つずつ設けられ、合計四つの蒸発部が、図中点線で示したターンテーブル２０の下側に四角形を形成するように配置されている。この変形例１では、四つの蒸発部３１１ａ、３１１ｂ、３１２ａおよび３１２ｂが四角形を形成する四つの点上に設けられている。そのため、Ｃｓ蒸発部３１１ａの蒸発口とＥｕ蒸発部３１２ａの蒸発口との距離Ｄ１、Ｃｓ蒸発部３１１ａの蒸発口とＥｕ蒸発部３１２ｂの蒸発口との距離Ｄ２、Ｃｓ蒸発部３１１ｂの蒸発口とＥｕ蒸発部３１２ａの蒸発口との距離Ｄ３、およびＣｓ蒸発部３１１ｂの蒸発口とＥｕ蒸発部３１２ｂの蒸発口との距離Ｄ４の、距離Ｄ１〜Ｄ４のうち、最も短い距離が式（１）のＬ２となる。
【００６３】
（変形例２）
図６は変形例１に係る第一の蒸発部と第二の蒸発部の配置例を示した平面図である。
この変形例２では、第一の蒸発部（Ｃｓ蒸発部３１１ａ，３１１ｂ，３１１ｃ，３１１ｄ）と第二の蒸発部（Ｅｕ蒸発部３１２ａ，３１２ｂ，３１２ｃ，３１２ｄ）とが四つずつ設けられ、合計八つの蒸発部が、図中点線で示したターンテーブル２０の下側に四角形を形成するように配置されている。この変形例２では四つの第一の蒸発部としてのＣｓ蒸発部３１１ａ、３１１ｂ、３１１ｃおよび３１１ｄが四角形を形成する四つの点上に設けられており、四角形の各辺の上付近に第二の蒸発部としてのＥｕ蒸発部３１２ａ，３１２ｂ，３１２ｃ，３１２ｄがそれぞれ設けられている。そのため、Ｃｓ蒸発部３１１ａの蒸発口とＥｕ蒸発部３１２ａの蒸発口との距離Ｄ１、Ｃｓ蒸発部３１１ａの蒸発口とＥｕ蒸発部３１２ｄの蒸発口との距離Ｄ２、Ｃｓ蒸発部３１１ｂの蒸発口とＥｕ蒸発部３１２ａの蒸発口との距離Ｄ３、Ｃｓ蒸発部３１１ｂの蒸発口とＥｕ蒸発部３１２ｂの蒸発口との距離Ｄ４、Ｃｓ蒸発部３１１ｃの蒸発口とＥｕ蒸発部３１２ｂの蒸発口との距離Ｄ５、Ｃｓ蒸発部３１１ｃの蒸発口とＥｕ蒸発部３１２ｃの蒸発口との距離Ｄ６、Ｃｓ蒸発部３１１ｄの蒸発口とＥｕ蒸発部３１２ｃの蒸発口との距離Ｄ７、およびＣｓ蒸発部３１１ｄの蒸発口とＥｕ蒸発部３１２ｄの蒸発口との距離Ｄ８、の距離Ｄ１〜Ｄ８のうち、最も短い距離が式（１）のＬ２となる。
【００６４】
（変形例３）
図７は変形例３に係る第一の蒸発部と第二の蒸発部の配置例を示した平面図である。
この変形例３では、第一の蒸発部（Ｃｓ蒸発部３１１ａ，３１１ｂ）が二つ、第二の蒸発部（Ｅｕ蒸発部３１２ａ，３１２ｂ，３１２ｃ，３１２ｄ）が四つ設けられ、合計六つの蒸発部が、図中点線で示したターンテーブル２０の下側に設けられている。本変形例では、図７に示したように、Ｃｓ蒸発部３１１ａとＥｕ蒸発部３１２ａ、Ｃｓ蒸発部３１１ｂとＥｕ蒸発部３１２ｂとが近接した位置に設けられている。したがって、Ｃｓ蒸発部３１１ａの蒸発口とＥｕ蒸発部３１２ａの蒸発口との距離Ｄ１、および、Ｃｓ蒸発部３１１ｂの蒸発口とＥｕ蒸発部３１２ｂの蒸発口との距離Ｄ２のうち、短い方が式（１）のＬ２となる。
【００６５】
次に、本発明の一の実施形態に係る装置１０における蛍光体膜の成膜方法について、より詳細に説明する。
前述のように、本実施形態に係る装置１０は、ガスを導入し、抵抗加熱により二元の真空蒸着を行うものである。蛍光体シートを製造する際には、まず、基板Ｓをターンテーブル２０の下面の所定位置に成膜面を下方に向けて装着した後、真空チャンバ１２を閉塞して減圧するとともに、シースヒータ２４を用いて、基板Ｓを裏面から加熱する。
【００６６】
真空チャンバ１２にＡｒガス等の不活性ガスを導入して、内部を所定の真空度（０．０５〜１０Ｐａ程度、より好ましくは、０．５〜１．５Ｐａ程度）にする。真空チャンバ１２内が所定の真空度になったら、回転駆動原１８によってターンテーブル２０を所定速度で回転させる。すなわち、基板Ｓを所定の速度で回転させつつ、加熱蒸発部１６において、蛍光体膜の成膜を開始する。
【００６７】
より具体的には、加熱蒸発部１６において、Ｅｕ蒸発部３１ｂの抵抗加熱装置３４を駆動して蒸発位置（ルツボ）に収容された臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒ２）を蒸発させ、かつ、同様に、Ｃｓ蒸発部３１ａの抵抗加熱装置３６を駆動して蒸発位置の臭化セシウム（ＣｓＢｒ）を蒸発させて、基板ＳへのＣｓＢｒ：Ｅｕの蒸着、すなわち目的とする蛍光体膜の成膜を開始する。
【００６８】
抵抗加熱による蒸着の場合には、このように、抵抗加熱装置に電流を流すことによって蒸発源を加熱する。蒸発源である蓄積性蛍光体の母体成分や付活剤成分等は、加熱されて蒸発・飛散する。そして、両者は、反応を生じて蛍光体を形成するとともに基板表面に堆積する。なお、本実施形態のように、不活性ガスを導入して蒸着を行う場合には、抵抗加熱装置の使用が好ましい。
【００６９】
上記説明したように、Ｅｕ蒸発部３１ｂとＣｓ蒸発部３１ａとは距離Ｌ２だけ離間しており、近接して配置されているため、加熱蒸発部１６近傍では、極微量な臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒ２）の蒸気が均一に分散された両成膜材料の混合蒸気が形成され、この混合蒸気によって、付活剤が均一に分散されたＣｓＢｒ：Ｅｕが蒸着される。
【００７０】
所定膜厚の成膜を終了したら、ターンテーブル２０の回転を停止させ、真空チャンバ１２の真空状態を開放して、蛍光体膜の成膜を終了した基板Ｓを取り出す。連続的に成膜を行う場合には、以降、上記と同様にして、新たな基板Ｓを装填して、成膜を行えばよい。
【００７１】
上記実施形態に係る真空蒸着装置１０によれば、基板Ｓ、Ｃｓ蒸発部３１ａ、およびＥｕ蒸発部３１ｂを適切な位置関係を構成するように配置し、ターンテーブル２０を自転させる回転数を適当な回転数するように構成したことにより、蛍光体膜の膜厚を制度よく制御でき、かつ、Ｘ線特性が均一・良好な蛍光体シートを製造することが可能になるという効果が得られる。
なお、上記実施形態では、蒸発部に対して基板を回転させる例について説明したが、これに限定されず、蒸発部に対して基板を相対的に移動させる種々の方式に適用可能である。例えば、後述するように、蒸発部に対して基板を直線的に運動させてもよい。また、当該直線運動と垂直方向の移動とを加えた、ジグザグ状の運動をさせてもよい。
【００７２】
以下、実施例をあげてより具体的に説明する。
〔実施例〕
ここでは、二元の真空蒸着、すなわち図１、図２および図４に示したように、二つの蒸発部３１（Ｃｓ蒸発部３１ａおよびＥｕ蒸発部３１ｂ）を使用し、成膜材料の蒸発条件は一定としておき、基板Ｓの高さ、Ｃｓ蒸発部３１ａの位置、およびＥｕ蒸発部３１ｂの位置を種々変更して、成膜された蛍光体膜（膜）におけるＥｕ分布（Ｅｕ／Ｃｓの原子数比）、および画像ムラ｛ストラクチャー（（ＰＳＬ）、柱状性の良否）｝について比較した（実験１）。なお、実験１では、基板を回転させない状態で実験を行った。さらに、基板Ｓの回転数Ｒ１を変化させた場合の蛍光体膜の膜厚のばらつきと蛍光体膜の蛍光体の結晶の柱状性についても比較した（実験２）。
【００７３】
成膜材料：
第一の成膜材料として、純度４Ｎ以上の臭化セシウム（ＣｓＢｒ）粉末を用意し、これを収容した第一の蒸発部としてＣｓ蒸発部を用意した。また、第二の成膜材料として、純度３Ｎ以上の臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒ２）粉末を用意し、これを収容した第二の蒸発部としてＥｕ蒸発部を用意した。第一の成膜材料（臭化セシウム（ＣｓＢｒ）粉末）および第二の成膜材料（臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒ２）粉末）中の微量元素のＩＣＰ‐ＭＳ法（誘導結合高周波プラズマ分光分析‐質量分析法）により分析した結果、ＣｓＢｒ中のＣｓ以外のアルカリ金属（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ）は各々１０ｐｐｍ以下であり、アルカリ土類金属（Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）など他の元素は２ｐｐｍ以下であった。また、ＥｕＢｒ２中のＥｕ以外の希土類元素は、夫々２０ｐｐｍ以下であり、他の元素は１０ｐｐｍ以下であった。
【００７４】
蒸発部の配置：
図１および図２に示したように、Ｃｓ蒸発部（３１ａ）とＥｕ蒸発部（３１ｂ）とを真空チャンバ１２内のターンテーブル２０の下側に設けた。
Ｃｓ蒸発部（３１ａ）およびＥｕ蒸発部（３１ｂ）と基板Ｓとの垂直方向の距離Ｌ１については、１２０ｍｍ（比較例１、実施例１〜４、実施例８〜１０及び実施例１４）と１７０ｍｍ（比較例２、実施例５〜７、実施例１１〜１３および実施例１５）の二つの値の間で変化させた。
Ｃｓ蒸発部（３１ａ）の蒸発口３ａとＥｕ蒸発部（３１ｂ）の蒸発口３ｂとの最短距離Ｌ２については、４ｍｍ（実施例４および実施例７）、１０ｍｍ（実施例３および実施例６）、１００ｍｍ（実施例２）、４００ｍｍ（実施例１）、４２０ｍｍ（比較例１）、５００ｍｍ（実施例５）、および６００ｍｍ（比較例２）の七つの値の間で変化させた。また、実験２ではＬ２の値は全て１０ｍｍとした。
Ｃｓ蒸発部（３１ａ）またはＥｕ蒸発部（３１ｂ）のうち、基板Ｓに近い方と基板Ｓとの垂直方向の距離Ｌ１、Ｃｓ蒸発部（３１ａ）の蒸発口３ａとＥｕ蒸発部（３１ｂ）の蒸発口３ｂとの最短距離Ｌ２の値、Ｌ１／Ｌ２の値については表１に示すとおり、実験１の実施例１〜１５では本発明の式（１）の条件である０．３以上、かつ５０以下の範囲内の値であり、比較例１，２では本発明の式（１）の条件である０．３を下回る値であった。また、実験２では、表２に示すように、Ｌ１／Ｌ２の値は全て本発明の式（１）の条件である０．３以上、かつ５０以下の範囲内の値とした。
【００７５】
蛍光体膜の成膜：
支持体として、順にアルカリ洗浄，純水洗浄およびＩＰＡ（イソプロピリアルコール）洗浄を施した合成石英で構成された基板Ｓを用意し、真空蒸着装置１０内の基板Ｓホルダーに装着した。第一の成膜材料としてのＣｓＢｒ，第二の成膜材料としてのＥｕＢｒ２を前述の実施形態に示したＣｓ蒸発部３１ａ，Ｅｕ蒸発部３１ｂに充填し、真空チャンバ１２内を１×１０−３Ｐａの真空度とした。その後、真空チャンバ１２内にＡｒガスを導入して、１．０Ｐａの真空度にした。次いで、基板Ｓをシースヒータ２４により１００℃に加熱して蒸着を行った。基板Ｓと第一の蒸発部および第二の蒸発部との間の垂直方向の距離を１２０ｍｍ（または１７０ｍｍ）に保持して、基板Ｓ上に５μｍ／分の速度でＣｓＢｒ：Ｅｕ輝尽性蛍光体を堆積させた。この際、各加熱器への電流を調整して、輝尽性蛍光体におけるＥｕ／Ｃｓモル濃度比が０．００３／１となるよう制御している。
【００７６】
上記のようにして成膜した蛍光体膜について、Ｅｕ分布、ストラクチャー（ＰＳＬ、柱状性の良否）について比較した（実験１）。また、基板Ｓを回転数（自転の回転数）Ｒ１を変化させた場合の蛍光体膜の膜厚のばらつき、蛍光体膜の蛍光体の結晶の柱状性についても比較した（実験２）。
【００７７】
（測定方法）
（実験１）
（１）Ｅｕ分布
ＩＣＰ−ＭＳ法により測定した。測定した箇所は、真空チャンバ１２内におけるＣｓ蒸発部の真上（以下、「Ｃｓ直上」と表記する。表１中も同じ。）、Ｃｓ蒸発部の真上からＥｕ蒸発部と離間する方向に３０ｍｍ離れた位置（以下、「Ｃｓ直上−３０ｍｍ」と表記する。表１中も同じ。）、およびＣｓ蒸発部からＥｕ蒸発部と接近する方向に３０ｍｍ離れた位置（以下、「Ｃｓ直上＋３０ｍｍ」表記する。表１中も同じ。）の三箇所とした。具体的には、成膜された蛍光体膜の膜中におけるＥｕ／Ｃｓの原子数比（［Ｅｕ］／［Ｃｓ］）の値で示した。
【００７８】
（２）ＰＳＬ（輝尽発光光の強度）
ＰＳＬについては、得られた各パネルを室内光を遮蔽可能なカセッテに収納し、この放射線像変換パネル上に鉛板を置き、管電圧８０ｋＶｐのＸ線を１００ｍＲ照射した。次いで、パネルをカセッテから取り出した後、パネルをＬＤレーザ光（波長：６５０ｎｍ）で励起し、パネルから放出された輝尽発光光をフォトマルチプライヤで検出し、その発光量を求めた。ＰＳＬ測定を行った箇所は、真空チャンバ１２内におけるＣｓ蒸発部の真上（Ｃｓ直上）、Ｃｓ蒸発部の真上からＥｕ蒸発部と離間する方向に３０ｍｍ離れた位置（Ｃｓ直上−３０ｍｍ）、およびＣｓ蒸発部からＥｕ蒸発部と接近する方向に３０ｍｍ離れた位置（Ｃｓ直上＋３０ｍｍ）の三箇所とした。
【００７９】
（３）（柱状性）
柱状性については、放射線像変換パネルの蛍光体層を支持体ごと厚み方向に切断し、チャージアップ防止のためにイオンスパッタにより金（厚さ：３００Å）で被覆した後、走査型電子顕微鏡（ＪＳＭ−５４００型、日本電子（株）製）を用いて蛍光体層の表面および切断面を観察し、柱状結晶の形状を以下の基準にて評価した。柱状性についての測定は、真空チャンバ１２内におけるＣｓ蒸発部の真上（Ｃｓ直上）で行った。以上の条件で実験１の測定を行った。結果を表１に示す。
【００８０】
【表１】
2005126822.tif 000003
【００８１】
なお、表１および後述する表２中の各項目の結果において、「×」は不良であって、実用上問題があることを示し、「△」は実用可能なレベルであることを示し、「○」は良好であることを示し、「◎」は極めて良好であることを示す。
また、表１中のＰＳＬの（膜厚補正後）の「膜厚補正」とは、「Ｃｓ直上に」おけるＰＳＬ値を１００とし、また「Ｃｓ直上における」膜厚を単位膜厚としたときの、単位膜厚換算のＰＳＬ相対値をいう。
【００８２】
（Ｅｕ分布（Ｅｕ／Ｃｓの原子数比）について）
表１の結果が示すように、比較例１では、（Ｃｓ直上）で測定した値２．０×１０−３に対して、（Ｃｓ直上−３０ｍｍ）で測定した値が、６．９０×１０−４であり、約１／３と低く、（Ｃｓ直上＋３０ｍｍ）で測定した値が、８．００×１０−３であり、約４倍と高くなっている。同様に、比較例２では、（Ｃｓ直上）で測定した値２．０×１０−３に対して、（Ｃｓ直上−３０ｍｍ）で測定した値が、６．７０×１０−４であり、（Ｃｓ直上）で測定した値の約１／３であり、（Ｃｓ直上＋３０ｍｍ）で測定した値が、７．８０×１０−３であり、（Ｃｓ直上）で測定した値の約４倍の値を示している。
【００８３】
一方、実施例１〜７では、（Ｃｓ直上）で測定した値２．０×１０−３に対して、（Ｃｓ直上−３０ｍｍ）で測定した値が、８．５０×１０−４〜１．７０×１０−３であり、（Ｃｓ直上＋３０ｍｍ）で測定した値が、３．１０×１０−３〜６．３０×１０−３であり、比較例１、２と比較して、測定位置に対する値の変動幅が小さい。この結果は、比較例１、２と比較してＥｕ原子が均一に分布していることを示している。
【００８４】
また、Ｌ１の値が１２０ｍｍである点で共通する実施例１〜４の中で比較すると、（Ｃｓ直上−３０ｍｍ）で測定した値、および（Ｃｓ直上＋３０ｍｍ）で測定した値については、Ｌ２の値が小さくなるほど［Ｅｕ］／［Ｃｓ］の原子数比の値が小さくなっており、Ｅｕ原子のばらつきが小さくなる傾向を示している。この傾向は、Ｌ１の値が１７０ｍｍである点で共通する実施例５〜７ついても見られる。
【００８５】
（ＰＳＬについて）
表１の結果が示すように、比較例１では、（Ｃｓ直上）で測定した値１００に対して、（Ｃｓ直上−３０ｍｍ）で測定した値が６６であり、（Ｃｓ直上＋３０ｍｍ）で測定した値が７１である。同様に、比較例２では、（Ｃｓ直上）で測定した値１００に対して、（Ｃｓ直上−３０ｍｍ）で測定した値が６３であり、（Ｃｓ直上＋３０ｍｍ）で測定した値が７２である。
【００８６】
一方、実施例１〜７では、（Ｃｓ直上）で測定した値１００に対して、（Ｃｓ直上−３０ｍｍ）で測定した値が、８０〜１００、（Ｃｓ直上＋３０ｍｍ）で測定した値が、９３〜１００であり、比較例１、２と比較して、測定位置に対する値の変動幅が小さい。この結果は、比較例１、２と比較して組成が均一であることを示している。
【００８７】
また、Ｌ１の値が１２０ｍｍである点で共通する実施例１〜４の中で比較すると、（Ｃｓ直上−３０ｍｍ）で測定した値、および（Ｃｓ直上＋３０ｍｍ）で測定した値については、Ｌ２の値が小さくなるほどＰＳＬの値が小さくなっており、膜組成のばらつきが小さくなる傾向を示している。この傾向は、Ｌ１の値が１７０ｍｍである点で共通する実施例５〜７についても見られる。
【００８８】
（柱状性）
柱状性については比較例１、２および実施例１〜７において有意差は見られなかった。
【００８９】
（実験２）
（４）膜厚
膜厚については、触針式膜厚計で測定した。
【００９０】
（５）柱状性
柱状性については、上記（３）と同様の方法により測定した。以上の条件で実験２の測定を行った。結果を表２に示す。
【００９１】
【表２】
2005126822.tif 000004
【００９２】
（柱状性）
表２の結果が示すように、基板を回転させない場合であっても実用可能なレベルのものが得られている。また、実施例９、１０、１２〜１５から分かるように、基板を回転させることによって膜厚のばらつきが良好になり、特に、回転数Ｒ１が２０（ｒ．ｐ．ｍ）である実施例１４及び１５においては、極めて良好な結果が得られている。このように、蒸着源に対して基板を相対的に移動させることによって、膜厚のばらつきの少ない良好な蛍光体膜が得られることがわかる。
【００９３】
（膜厚ばらつき）
一方、膜厚のばらつきに着目すると、回転数Ｒ１を０（ｒ．ｐ．ｍ．）、０．５（ｒ．ｐ．ｍ．）、５０（ｒ．ｐ．ｍ．）と上げてゆくに連れて膜厚のばらつきが低下していることがわかる。この結果は、ターンテーブル２０を回転させることで膜厚のばらつきが低下し、回転数Ｒ１が高いほど膜厚のばらつきが低下することを示している。
【００９４】
以上、基板回転型の真空蒸着装置を例に用いて本発明の真空蒸着方法及び真空蒸着装置について説明した。つぎに、基板Ｓを直線搬送しつつ真空蒸着を行う装置を用いて本発明の真空蒸着方法を実施する例について説明する。
【００９５】
図８に、基板Ｓを直線搬送しつつ真空蒸着を行う真空蒸着装置１１０の概略構成を示した。真空蒸着装置１１０は、図１に示した真空蒸着装置における基板Ｓを保持する基板保持・回転機構１４の代わりに、基板を保持し直線的に搬送する基板保持搬送機構１１４を用い、複数の蒸着部を、基板面に平行で基板搬送方向に垂直な方向に配列させた以外は、基本的には、図１に示した真空蒸着装置１０と同様の構造を有する。
【００９６】
基板保持搬送機構１１４は、例えば、基板を保持する基板保持手段と、基板保持手段を直線的に移動させるための直線搬送手段とを用いて構成することができる。図８においては、直線搬送手段は、ボールネジ８４を用いて構成されている。ボールネジ８４のネジ軸８４ａをモータ８６によって回転させることにより、ボールネジ８４のナット部８４ｂに固定された基板保持手段８２がガイドレールによって案内されつつ直線的に搬送される。ここでは、直線搬送手段としてボールネジ８４を用いたが、これに限定されず、リニアモータを利用したリニア搬送装置や、シリンダを利用する搬送装置、ラックアンドピニオン式の搬送装置、モータによって回転されるリング状のチェーンを利用した搬送装置を利用することができる。
【００９７】
基板保持搬送機構１１４による基板Ｓの搬送においては、十分な膜厚を有し、かつ、膜厚が均一な蛍光体膜を形成するために、基板を直線状に、複数回、往復移動させる。しかしながら、基板の搬送は、これに限定されるものではなく、所望の膜が得られるのであれば一方向のみ（ワンパス）移動させるだけでもよい。
また、基板の搬送速度は、基板上に均一な膜厚の膜を形成するためには、１〜１０００（ｍｍ／ｓｅｃ）が好ましく、２０〜３００（ｍｍ／ｓｅｃ）がより好ましい。
【００９８】
ここで、このように基板Ｓを直線搬送する場合の蒸発部３１の配置について図９を参照して説明する。なお、図１に示す真空蒸着装置においては、蒸着部を円筒形として示したが、図８に示す真空蒸発装置では、蒸着部は直方体形状を有し、便宜上、２つの蒸着部は同じ大きさで示されている。蒸着部の大きさや形状は、これに限定されず、用いる成膜材料や、基板上に形成する膜体の組成等に応じて、適宜変更することができる。本実施形態では、蒸発部３１（Ｃｓ蒸発部３１ａおよびＥｕ蒸発部３１ｂ）は、基板Ｓの搬送方向と直交する方向に複数（図示例では、各６つ）配列される。このように、蒸発部３１を基板搬送方向と直交する方向に配列し、基板Ｓを往復搬送しつつ真空蒸着を行うことにより、より膜厚が均一な蛍光体膜を形成することができる。
【００９９】
図９に示す例では、Ｃｓ蒸発部３１ａおよびＥｕ蒸発部３１ｂの列を、それぞれ１列ずつのみ有するが、本発明は、これに限定はされず、蒸着量の少ないＥｕ蒸発部３１ｂの列は１列で、Ｃｓ蒸発部３１ａの列は２列としてもよく、あるいは、共に複数の蒸発部３１の列を有してもよい。また、Ｃｓ蒸発部３１ａおよびＥｕ蒸発部３１ｂで、共に、複数の蒸発部３１の列を有する場合には、各蒸発部３１の列の数は、同数でも互いに異なる数でもよい。また、蒸発部から発生する蒸発流の量に応じて、列ごとの高さを変更してもよい。例えば、基板への一方の蒸着量を他方の蒸着量に比べて少なくする場合は、その一方の蒸発の量を少なくする必要がある。このとき、蒸発量の少ない一方の蒸発部から発生する蒸発流が、他方の蒸発部からの蒸発流に邪魔されて、良好に混合しなくなり、分布が悪くなる恐れがある。そのような場合は、蒸着量を少なくする方の蒸発部の蒸発口の位置が、他方の位置よりも高くなるように、すなわち、基板に近くなるように配置して、蒸発流を強めに調整することが好ましい。いずれの場合においても、上記式（１）を満たすように、基板Ｓと、それぞれの蒸着部３１ａ、３１ｂが配置される。
【０１００】
図１０に、真空蒸発装置内における各蒸発部の種々の配置例を示した。図中上方の図は、蒸発部３１を上方から見た図であり、図１０において、下方に示す図は、蒸発部３１を正面から見た図である。また、図１０において左右方向が基板の搬送方向である。
【０１０１】
図１０において、レイアウトＡは、図９に示した蒸発部の配置例、すなわち、蒸発部３１を２列配置した構成例である。レイアウトＢは、蒸着部３１を３列配置した場合の構成例である。レイアウトＢにおいては、Ｅｕ蒸発部３１ｂの列の両側にＣｓ蒸発部３１ａの列が配置され、各列の蒸発部は、基板面に平行で搬送方向に垂直な方向（以下、単に搬送方向に垂直な方向という）にずれて配置されている。すなわち、列方向において隣接する蒸発部３１の隙間部分の側方に、他方の列の蒸発部３１の全体又は一部が位置するように各列の蒸発部が配置されている。このように配置することにより、蒸着部の配列方向における膜厚が更に均一な蛍光体膜を形成することができる。また、各列同士の間隔も同じになるように各列の蒸発部が配置されている。
【０１０２】
レイアウトＣは、蒸着部３１を４列配置した構成例であり、内側の２列にＥｕ蒸発部３１ｂが配置され、その外側にＣｓ蒸発部３１ａがそれぞれ配置された構成例である。図中左側の２列のそれぞれの蒸発部は、搬送方向に垂直な方向における位置が互いに一致して配置されている。また、図中右側の２列の蒸発部も同様である。図中左側の２列の蒸発部は、右側２列の蒸発部に対して搬送方向に垂直な方向にずれて配置されている。また、４列の蒸発部において、内側２列の列間隔が他の列間隔よりも広くなるように、それぞれの蒸発部３１が配置されている。
レイアウトＤは、レイアウトＣのＣｓ蒸発部３１ａとＥｕ蒸発部３１ｂを入れ替えた構成例である。レイアウトＥは、レイアウトＢの図中右側の２列のＣｓ蒸発部３１ａとＥｕ蒸発部３１ｂを入れ替えた構成例である。
【０１０３】
レイアウトＦは、平面における構成はレイアウトＣと同様であるが、基板面に垂直な方向（高さ方向）において、Ｃｓ蒸発部３１ａとＥｕ蒸発部３１ｂの高さを異ならせた構成例である。ここでは、Ｃｓ蒸発部３１ａの高さをＥｕ蒸発部３１ｂよりも低くして構成している。このようにＣｓ蒸発部３１ａとＥｕ蒸発部３１ｂの高さを異ならせた場合のＬ２は、Ｃｓ蒸発部３１ａの蒸発口とＥｕ蒸発部３１ｂの蒸発口の水平距離とする。また、この場合、上記式（１）で用いられるＬ１は、Ｃｓ蒸発部３１ａの蒸着口が属する水平面から基板の表面までの距離Ｌ１（Ｃｓ）と、Ｅｕ蒸発部３１ｂの蒸着口が属する水平面から基板の表面までの距離Ｌ１（Ｅｕ）の２種類となる。この場合は、どちらのＬ１を用いた場合であっても、上記式（１）を満たすように、基板と、Ｃｓ蒸発部３１ａと、Ｅｕ蒸発部３１ｂとがそれぞれ配置される。
【０１０４】
つぎに、図８に示した直線搬送型の真空蒸着装置を用いて、成膜条件を変えて２７種類の蛍光体膜を基板上に成膜した。具体的には、蒸発部３１を図１０に示すレイアウトＡ〜Ｆに変更し、Ｌ１／Ｌ２と、基板の搬送速度を種々の値に変更して、基板Ｓ上に蛍光体膜を成膜した。こうして得られた蛍光体膜（実施例１６〜３５及び比較例３〜９）について、前述と同様の方法で、Ｅｕ濃度分布、ＰＳＬ及び柱状性を調べた。表３に、成膜条件及び結果を示す。
【０１０５】
【表３】
2005126822.tif 000005
【０１０６】
表３から分かるように、すべての実施例において、Ｅｕ濃度分布、ＰＳＬ及び柱状性に関して良好な結果が得られている。一方、比較例３〜９では、特に、Ｅｕの膜厚方向の分布と、柱状形状が不良となっている。これは、以下の理由によると考えられる。例えば、Ｌ１／Ｌ２の値が０．３よりも小さい比較例３、４、６〜９においては、Ｌ２（蒸発口間距離）は、Ｌ１（蒸発口と基板との距離）に比べて小さくなっている。このため、搬送中の基板の位置によって、一方の蒸発部の蒸発口から発生する蒸発流の方が他方の蒸発流よりも卓越してしまう。それゆえ、基板を数回往復させて搬送させる過程において、基板に形成される膜の中に、ＣｓＢｒの部分とＥｕＢｒ２の部分が交互に積層されたような柱状構造が形成され、Ｅｕの膜厚方向の分布は悪くなる。また、ＣｓＢｒの部分とＥｕＢｒ２の部分が交互に形成されているために柱の形状も脆弱なものとなる。
【０１０７】
以上、詳細に説明したように、本実施形態に係る真空蒸着装置によれば、基板、第一の蒸発部、および第二の蒸発部を所定の位置、すなわち、上記式（１）の関係を満たす位置に設けたので、第一の蒸発部から発せられる熱、および第二の蒸発部から発せられる熱とが影響しあうことなく、第一の蒸発部および第二の蒸発部の温度を別々に制御できるので、高精度の温度制御が可能となり、Ｘ線特性が均一、かつ良好な蛍光体シートを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１】本発明の第一の実施形態に係る真空蒸着装置（装置）の概略構成を示す模式側面図である。
【図２】本発明の第一の実施形態に係る装置における、ターンテーブル、基板、および蒸発部の位置関係を示した概略縦断面図である。
【図３】（ａ）は本発明の第一の実施形態に係る、第一の蒸発部と、第二の蒸発部との位置関係を示した概略平面図であり、（ｂ）は本発明の第一の実施形態に係る、蒸発部と、基板との位置関係を示した概略側面図である。
【図４】本発明の第一の実施形態に係る、第一の蒸発部と、第二の蒸発部との位置関係を示した概略平面図である。
【図５】本発明の変形例１に係る第一の蒸発部と第二の蒸発部との配置例を示した平面図である。
【図６】本発明の変形例２に係る第一の蒸発部と第二の蒸発部の配置例を示した平面図である。
【図７】本発明の変形例３に係る第一の蒸発部と第二の蒸発部の配置例を示した平面図である。
【図８】基板を直線的に搬送させる真空蒸着装置の概略構成を示す模式側面図である。
【図９】基板を直線搬送する場合の蒸発部の配置について説明するための図である。
【図１０】基板を直線的に搬送させる真空蒸着装置に設けられる蒸発部のレイアウトを説明するための図である。
【符号の説明】
【０１０９】
１０、１１０    真空蒸着装置
１２    真空チャンバ
１４    基板保持・回転機構
１６    加熱蒸発部
１８    回転軸
１８ａ  回転駆動原
２０    ターンテーブル
２２    本体
２４    シースヒータ
３１    蒸発部
３１ａ  Ｃｓ蒸発部（第一の蒸発部）
３１ｂ  Ｅｕ蒸発部（第二の蒸発部）
３４，３６  抵抗加熱装置
８２  基板保持手段
８４  ボールネジ
８４ａ  ネジ軸
８４ｂ  ナット部
８６  モータ
１１４  基板保持搬送機構
Ｓ      基板
【図１】
2005126822.tif 000006
【図２】
2005126822.tif 000007
【図３】
2005126822.tif 000008
【図４】
2005126822.tif 000009
【図５】
2005126822.tif 000010
【図６】
2005126822.tif 000011
【図７】
2005126822.tif 000012
【図８】
2005126822.tif 000013
【図９】
2005126822.tif 000014
【図１０】
2005126822.tif 000015