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【手続補正書】
【提出日】平成22年4月6日(2010.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹凸形状が施された透光性を有する基板上に、少なくともバッファー層、ｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層を有するＧａＮ系半導体発光素子の製造方法であって、前記バッファー層をスパッタ法により成膜し、かつ前記スパッタ法を揺動式マグネトロン磁気回路を有する装置で行うことを特徴とするＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記バッファー層がＡｌＮ、ＺｎＯ、Ｍｇ、Ｈｆであることを特徴とする請求項１に記載のＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記バッファー層がＡｌＮであることを特徴とする請求項１に記載のＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記透光性を有する基板がサファイア単結晶であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体発光素子の製造法。
【請求項５】
前記凸形状が円錐台であり、円錐台の深さが、円錐台の下端の直径よりも大きいことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記凸形状が多角錐台であり、多角錐台の高さが、多角錐台の下端の対角線よりも大きいことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記凸形状が円錐であり、円錐の高さが、円錐台の下端の直径よりも大きいことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記凸形状が多角錐であり、多角錐の高さが、多角錐の下端の対角線よりも大きいことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記凸形状が円柱であり、円柱の高さが、円柱の直径よりも大きいことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。
【請求項１０】
前記凸形状が多角柱であり、多角柱の高さが、円柱の直径よりも大きいことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。
【請求項１１】
前記凹形状が円錐台であり、円錐台の深さが、円錐台の上端の直径および上面の直径よりも大きいことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。
【請求項１２】
前記凹形状が多角錐台であり、多角錐台の深さが、多角錐台の上端の対角線よりも大きいことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。
【請求項１３】
前記凹形状が円錐であり、円錐の深さが、円錐の上端の直径よりも大きいことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。
【請求項１４】
前記凹形状が多角錐であり、多角錐の深さが、多角錐の上端の対角線よりも大きいことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。
【請求項１５】
前記凹形状が円柱であり、円柱の深さが、円柱の直径よりも大きいことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。
【請求項１６】
前記凹形状が多角柱であり、多角柱の深さが、多角柱の対角線よりも大きいことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。
【請求項１７】
前記凹形状がストライプ上の溝であり、溝の深さが溝の幅よりも大きいこと特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。
【請求項１８】
請求項１〜１７の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体発光素子の製造方法を用いて製造した発光素子を備えるランプ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
即ち、本発明は以下に関する。
（１）  凹凸形状が施された透光性を有する基板上に、少なくともバッファー層、ｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層を有するＧａＮ系半導体発光素子の製造方法であって、前記バッファー層をスパッタ法により成膜し、かつ前記スパッタ法を揺動式マグネトロン磁気回路を有する装置で行うことを特徴とするＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。（２）  前記バッファー層がＡｌＮ、ＺｎＯ、Ｍｇ、Ｈｆであることを特徴とする（１）に記載のＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。
（３）  前記バッファー層がＡｌＮであることを特徴とする（１）に記載のＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。
（４）  前記透光性を有する基板がサファイア単結晶であることを特徴とする（１）〜（３）の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体発光素子の製造法。
（５）  前記凸形状が円錐台であり、円錐台の深さが、円錐台の下端の直径よりも大きいことを特徴とする（１）〜（４）の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。
（６）  前記凸形状が多角錐台であり、多角錐台の高さが、多角錐台の下端の対角線よりも大きいことを特徴とする（１）〜（４）の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。
（７）  前記凸形状が円錐であり、円錐の高さが、円錐の下端の直径よりも大きいことを特徴とする（１）〜（４）の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。
（８）  前記凸形状が多角錐であり、多角錐の高さが、多角錐の下端の対角線よりも大きいことを特徴とする（１）〜（４）の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。
（９）  前記凸形状が円柱であり、円柱の高さが、円柱の直径よりも大きいことを特徴とする（１）〜（４）の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。
（１０）  前記凸形状が多角柱であり、多角柱の高さが、円柱の直径よりも大きいことを特徴とする（１）〜（４）の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。
（１１）  前記凹形状が円錐台であり、円錐台の深さが、円錐台の上端の直径および上面の直径よりも大きいことを特徴とする（１）〜（４）の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。
（１２）  前記凹形状が多角錐台であり、多角錐台の深さが、多角錐台の上端の対角線よりも大きいことを特徴とする（１）〜（４）の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。
（１３）  前記凹形状が円錐であり、円錐の深さが、円錐台の上端の直径よりも大きいことを特徴とする（１）〜（４）の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。
（１４）  前記凹形状が多角錐であり、多角錐の深さが、多角錐の上端の対角線よりも大きいことを特徴とする（１）〜（４）の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。
（１５）  前記凹形状が円柱であり、円柱の深さが、円柱の直径よりも大きいことを特徴とする（１）〜（４）の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。
（１６）  前記凹形状が多角柱であり、多角柱の深さが、多角柱の対角線よりも大きいことを特徴とする（１）〜（４）の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。
（１７）前記凹形状がストライプ上の溝であり、溝の深さが溝の幅よりも大きいこと特徴とする（１）〜（４）の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。
（１８）  （１）〜（１７）の何れか１項に記載のＧａＮ系半導体発光素子の製造方法を用いて製造した発光素子を備えるランプ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月15日(2009.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の一方の主面上に形成され、窒化物系化合物半導体から構成された窒化物系化合物半導体層と、
前記窒化物系化合物半導体層上に形成され、当該窒化物系化合物半導体層とショットキー接合を有する第１の電極と、
前記窒化物系化合物半導体層上に形成され、当該窒化物系化合物半導体層と低抵抗接触する第２の電極と、を備え、
前記第１の電極と前記基板とが電気的に接続されている、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板と、
前記基板の一方の主面上に形成され、窒化物系化合物半導体から構成された窒化物系化合物半導体層と、
前記窒化物系化合物半導体層上に形成され、当該窒化物系化合物半導体層とショットキー接合を有する第１の電極と、
前記窒化物系化合物半導体層上に形成され、当該窒化物系化合物半導体層と低抵抗接触する第２の電極と、を備え、
前記第２の電極と前記基板との間にダイオードが介設されている、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板と、
前記基板の一方の主面上に形成され、窒化物系化合物半導体から構成された窒化物系化合物半導体層と、
前記窒化物系化合物半導体層上に形成され、当該窒化物系化合物半導体層とショットキー接合を有する第１の電極と、
前記窒化物系化合物半導体層上に形成され、当該窒化物系化合物半導体層と低抵抗接触する第２の電極と、
前記基板または前記窒化物系化合物半導体層の電位が前記第１及び前記第２の電極に印加される電位よりも高くなるように印加可能な電圧供給手段と、
を備える、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
基板と、
前記基板の一方の主面上に形成され、窒化物系化合物半導体から構成された窒化物系化合物半導体層と、
前記窒化物系化合物半導体層上に形成されるゲート電極と、
前記窒化物系化合物半導体層上に形成され、当該窒化物系化合物半導体層と低抵抗接触するソース電極と、
前記窒化物系化合物半導体層上に形成され、当該窒化物系化合物半導体層と低抵抗接触するドレイン電極と、を備え、
前記ソース電極と前記基板とが電気的に接続されている、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
基板と、
前記基板の一方の主面上に形成され、窒化物系化合物半導体から構成された窒化物系化合物半導体層と、
前記窒化物系化合物半導体層上に形成されるゲート電極と、
前記窒化物系化合物半導体層上に形成され、当該窒化物系化合物半導体層と低抵抗接触するソース電極と、
前記窒化物系化合物半導体層上に形成され、当該窒化物系化合物半導体層と低抵抗接触するドレイン電極と、を備え、
前記ドレイン電極と前記基板との間にダイオードが介設されている、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
基板と、
前記基板の一方の主面上に形成され、窒化物系化合物半導体から構成された窒化物系化合物半導体層と、
前記窒化物系化合物半導体層上に形成されるゲート電極と、
前記窒化物系化合物半導体層上に形成され、当該窒化物系化合物半導体層と低抵抗接触するソース電極と、
前記窒化物系化合物半導体層上に形成され、当該窒化物系化合物半導体層と低抵抗接触するドレイン電極と、を備え、
前記基板または前記窒化物系化合物半導体層の電位が前記ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極に印加される電位よりも高くなるように印加可能な電圧供給手段と、
を備える、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
前記窒化物系化合物半導体層は、ヘテロ結合を有している、ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記基板は導電性基板であり、
前記基板と前記前記窒化物系化合物半導体層との間に緩衝層が設けられている、ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記基板の他方の主面、又は、前記基板の一方の主面上であって、前記窒化物系化合物半導体層が設けられていない露出部に設けられた導電性のフレームを、さらに備え、
前記フレームと前記接続導体とを接続することにより、前記基板が電気的に接続されている、ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の第４の観点にかかる半導体装置は、
基板と、
前記基板の一方の主面上に形成され、窒化物系化合物半導体から構成された窒化物系化合物半導体層と、
前記窒化物系化合物半導体層上に形成されるゲート電極と、
前記窒化物系化合物半導体層上に形成され、当該窒化物系化合物半導体層と低抵抗接触するソース電極と、
前記窒化物系化合物半導体層上に形成され、当該窒化物系化合物半導体層と低抵抗接触するドレイン電極と、を備え、
前記ソース電極と前記基板とが電気的に接続されている、ことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の第５の観点にかかる半導体装置は、
基板と、
前記基板の一方の主面上に形成され、窒化物系化合物半導体から構成された窒化物系化合物半導体層と、
前記窒化物系化合物半導体層上に形成されるゲート電極と、
前記窒化物系化合物半導体層上に形成され、当該窒化物系化合物半導体層と低抵抗接触するソース電極と、
前記窒化物系化合物半導体層上に形成され、当該窒化物系化合物半導体層と低抵抗接触するドレイン電極と、を備え、
前記ドレイン電極と前記基板との間にダイオードが介設されている、ことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の第６の観点にかかる半導体装置は、
基板と、
前記基板の一方の主面上に形成され、窒化物系化合物半導体から構成された窒化物系化合物半導体層と、
前記窒化物系化合物半導体層上に形成されるゲート電極と、
前記窒化物系化合物半導体層上に形成され、当該窒化物系化合物半導体層と低抵抗接触するソース電極と、
前記窒化物系化合物半導体層上に形成され、当該窒化物系化合物半導体層と低抵抗接触するドレイン電極と、を備え、
前記基板または前記窒化物系化合物半導体層の電位が前記ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極に印加される電位よりも高くなるように印加可能な電圧供給手段と、
を備える、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月5日(2010.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に形成された第１の電極及び第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間にカラーフィルタと、
前記カラーフィルタを覆うオーバーコート層と、
前記オーバーコート層上に、一導電型を有する第１の半導体膜と、第２の半導体膜と、前記第１の半導体膜とは逆の導電型を有する第３の半導体膜とを有する光電変換層とを有し、
前記光電変換層の一方の端部は、前記第１の電極と接しており、
前記第１の電極は、少なくとも、前記光電変換層の一方の端部、前記カラーフィルタの一方の端部、及び前記オーバーコート層の一方の端部を遮光し、
前記第２の電極は、少なくとも、前記光電変換層の他方の端部、前記カラーフィルタの他方の端部、及び前記オーバーコート層の他方の端部を遮光し、
前記カラーフィルタの他方の端部は、前記光電変換層の他方の端部より内側にあることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の半導体膜は前記オーバーコート層に接して設けられ、
前記第２の半導体膜は前記第１の半導体膜に接して設けられ、
前記第３の半導体膜は前記第２の半導体膜に接して設けられ、
前記第１の電極と前記第１の半導体膜は電気的に接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記絶縁表面とは基板表面であり、
前記基板は、透光性を有するガラス基板または可撓性基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１または２において、
前記絶縁表面とは、基板上に設けられた絶縁膜の表面であり、
前記絶縁膜は、酸化珪素膜、窒化珪素膜、窒素を含む酸化珪素膜、酸素を含む窒化珪素膜のうちのいずれか１つであることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
基板上に形成された遮光層と、
前記遮光層上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された電極と、
前記絶縁膜上に形成され、前記電極に一部が接するカラーフィルタと、
前記カラーフィルタを覆うオーバーコート層と、
前記オーバーコート層上に一導電型を有する第１の半導体膜と、第２の半導体膜と、前記第１の半導体膜とは逆の導電型を有する第３の半導体膜とを有する光電変換層とを有し、
前記光電変換層の一方の端部は、前記電極と接しており、
前記電極は、少なくとも、前記光電変換層の一方の端部、前記カラーフィルタの一方の端部、及び前記オーバーコート層の一方の端部を遮光し、
前記遮光層は、少なくとも、前記光電変換層の他方の端部、前記カラーフィルタの他方の端部、及び前記オーバーコート層の他方の端部を遮光し、
前記カラーフィルタの他方の端部は、前記光電変換層の他方の端部より内側にあることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
基板上に形成された遮光層と、
前記遮光層上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタを覆う層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成された電極と、
前記層間絶縁膜上に形成され、前記電極に一部が接するカラーフィルタと、
前記カラーフィルタを覆うオーバーコート層と、
前記オーバーコート層上に一導電型を有する第１の半導体膜と、第２の半導体膜と、前記第１の半導体膜とは逆の導電型を有する第３の半導体膜とを有する光電変換層とを有し、
前記光電変換層の一方の端部は、前記電極と接しており、
前記電極は、少なくとも、前記光電変換層の一方の端部、前記カラーフィルタの一方の端部、及び前記オーバーコート層の一方の端部を遮光し、
前記遮光層は、少なくとも、前記薄膜トランジスタ、前記光電変換層の他方の端部、前記カラーフィルタの他方の端部、及び前記オーバーコート層の他方の端部を遮光し、
前記カラーフィルタの他方の端部は、前記光電変換層の他方の端部より内側にあることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記遮光層は、前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル部を遮光していることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
基板上に形成された第１及び第２の遮光層、前記第１及び第２の遮光層に接するカラーフィルタ、及び薄膜トランジスタと、
前記第１及び第２の遮光層、前記カラーフィルタ、及び前記薄膜トランジスタを覆う層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成された電極と、
前記層間絶縁膜上に形成され、前記電極に一部が接する光電変換層とを有し、
前記光電変換層は、一導電型を有する第１の半導体膜、第２の半導体膜、及び前記第１の半導体膜とは逆の導電型を有する第３の半導体膜を有し、
前記光電変換層の一方の端部は、前記電極と接しており、
前記電極は、少なくとも、前記光電変換層の一方の端部を遮光し、
前記第１の遮光層は、少なくとも、前記カラーフィルタの一方の端部及び前記オーバーコート層の一方の端部を遮光し、
前記第２の遮光層は、少なくとも、前記光電変換層の他方の端部、前記カラーフィルタの他方の端部、及び前記オーバーコート層の他方の端部を遮光し、
前記カラーフィルタの他方の端部は、前記光電変換層の他方の端部より内側にあることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項５乃至８のいずれか１項において、
前記第１の半導体膜は前記オーバーコート層に接して設けられ、
前記第２の半導体膜は前記第１の半導体膜に接して設けられ、
前記第３の半導体膜は前記第２の半導体膜に接して設けられ、
前記電極と前記第１の半導体膜は電気的に接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項５乃至９のいずれか１項において、
前記基板は、透光性を有するガラス基板または可撓性基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項において、
前記光電変換層の一方の端部及び他方の端部は、前記カラーフィルタの一方の端部及び他方の端部より外側にあることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか１項において、
前記オーバーコート層の一方の端部及び他方の端部は、前記光電変換層の一方の端部及び他方の端部より外側にあることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか１項において、
前記オーバーコート層は、有機樹脂絶縁材料、無機絶縁材料、又は、有機絶縁材料と無機絶縁材料の積層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記有機樹脂絶縁材料は、アクリル又はポリイミドであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１３において、
前記無機絶縁材料は、窒化珪素、酸化珪素、窒素を含む酸化珪素、又は、酸素を含む窒化珪素のいずれか１つであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか１項において、
前記第１の半導体膜、第２の半導体膜、及び、第３の半導体膜のそれぞれは、アモルファス半導体膜、又は、セミアモルファス半導体膜であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月24日(2010.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層と、
半導体層と、
有機化合物層と、
第２の導電層と、を有し、
前記半導体層及び前記有機化合物層は、前記第１の導電層及び前記第２の導電層に挟持され、
前記半導体層は、前記第１の導電層または前記第２の導電層に接していることを特徴とする記憶素子。
【請求項２】
第１の導電層と、
第１の半導体層と、
有機化合物層と、
第２の半導体層と、
第２の導電層と、を有し、
前記第１の半導体層、前記第２の半導体層及び前記有機化合物層は、前記第１の導電層及び前記第２の導電層に挟持され、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層は、それぞれ前記第１の導電層及び前記第２の導電層に接していることを特徴とする記憶素子。
【請求項３】
第１の導電層と、
半導体を用いて設けられた粒子と、
有機化合物層と、
第２の導電層と、を有し、
前記粒子及び有機化合物層は、前記第１の導電層及び前記第２の導電層に挟持され、
前記粒子は、前記第１の導電層または前記第２の導電層に接していることを特徴とする記憶素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
電気的作用を加えることによって、前記第１の導電層と前記第２の導電層とを短絡させることを特徴とする記憶素子。
【請求項５】
請求項４において、
前記電気的作用を加えることによって、前記有機化合物を含む層を物理的または電気的に変化させることを特徴とする記憶素子。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記電気的作用を加えることとは、電圧を印加することであることを特徴とする記憶素子。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６のいずれか一項において、
前記電気的作用を加えることによって、前記第１の導電層及び前記第２の導電層の一部が接することを特徴とする記憶素子。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記有機化合物層は、電子輸送材料または正孔輸送材料を有することを特徴とする記憶素子。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記有機化合物層は、絶縁物を有することを特徴とする記憶素子。
【請求項１０】
マトリクス状に配置された複数の記憶素子を有し、
前記複数の記憶素子の各々は、
第１の導電層と、
半導体層と、
有機化合物層と、
第２の導電層と、を有し、
前記半導体層及び前記有機化合物層は、前記第１の導電層及び前記第２の導電層に挟持され、
前記半導体層は、前記第１の導電層または前記第２の導電層に接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記複数の記憶素子の一つと電気的に接続されたトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１０または請求項１１において、
アンテナとして機能する第３の導電層と、
前記トランジスタを含む回路と、を有し、
前記第３の導電層は、前記回路を介して前記記憶素子と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１０乃至請求項１２のいずれか一項において、
電気的作用を加えることによって、前記第１の導電層と前記第２の導電層とを短絡させることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記電気的作用を加えることによって、前記有機化合物を含む層を物理的または電気的に変化させることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
次に、記憶素子の動作機構について図３を用いて説明する。まず、電圧を印加する前の記憶素子を図３（Ａ）に示す。第１の導電層１１０と第２の導電層１１３との間に電圧を印加すると、第１の導電層１１０から半導体層１１１にキャリアが注入され、ある印加電圧に達した時、有機化合物層１１２が変形する。これにより、第１の導電層１１０と第２の導電層１１３とが短絡し、その結果記憶素子がショートする（図３（Ｂ）の２１２参照）。このようにして、電圧印加前後での記憶素子の導電性が変化する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月27日(2010.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共振器の端面にアルミニウムの窒化物またはアルミニウムの酸窒化物からなるコート膜が形成され、
前記コート膜上に酸化物膜が形成されており、
前記酸化物膜の厚さが８０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることを特徴とする、窒化物半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記酸化物膜の厚さが１６０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記コート膜の厚さが６ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１または２に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記コート膜の厚さが１２ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１または２に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記コート膜の厚さが５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１または２に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記コート膜がアルミニウムの酸窒化物からなり、前記コート膜の酸素の含有量が２０原子％以下であることを特徴とする、請求項１から５のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】窒化物半導体レーザ素子
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、共振器の端面にアルミニウムの窒化物またはアルミニウムの酸窒化物からなるコート膜が形成され、コート膜上に酸化物膜が形成されており、酸化物膜の厚さが８０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である窒化物半導体レーザ素子である。ここで、本発明の窒化物半導体レーザ素子においては、酸化物膜の厚さが１６０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
ここで、本発明の窒化物半導体レーザ素子においては、コート膜の厚さが６ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明の窒化物半導体レーザ素子においては、コート膜の厚さが１２ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明の窒化物半導体レーザ素子においては、コート膜の厚さが５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明の窒化物半導体レーザ素子においては、コート膜がアルミニウムの酸窒化物からなり、コート膜の酸素の含有量が２０原子％以下であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月27日(2010.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光出射部にコート膜が形成されており、前記コート膜はアルミニウムの酸窒化物結晶を含むことを特徴とする、窒化物半導体発光素子。
【請求項２】
前記コート膜はアルミニウムの酸窒化物結晶からなり、
前記コート膜中の酸素の含有量が３５原子％以下であることを特徴とする、請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項３】
前記アルミニウムの酸窒化物結晶は、前記光出射部を構成する窒化物半導体結晶と結晶軸が揃っていることを特徴とする、請求項１または２に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項４】
前記コート膜の厚さが６ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項５】
前記コート膜上に、酸化物、酸窒化物または窒化物からなる膜が形成されていることを特徴とする、請求項１から４のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項６】
前記コート膜上の酸化物からなる膜が、アルミニウムの酸化物膜、酸化シリコン膜、酸化チタン膜、酸化ハフニウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ニオブ膜、酸化タンタル膜または酸化イットリウム膜であることを特徴とする、請求項５に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項７】
前記コート膜上の酸窒化物からなる膜が、前記コート膜と組成の異なるアルミニウムの酸窒化物膜またはシリコンの酸窒化物膜であることを特徴とする、請求項５に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項８】
前記コート膜上の窒化物からなる膜が、アルミニウムの窒化物膜または窒化シリコン膜であることを特徴とする、請求項５に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項９】
前記コート膜上にフッ化マグネシウム膜が形成されていることを特徴とする、請求項１から４のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１０】
前記窒化物半導体発光素子は窒化物半導体レーザ素子であって、前記コート膜は前記窒化物半導体レーザ素子の光出射側の端面に形成されていることを特徴とする、請求項１から９のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１１】
前記窒化物半導体発光素子は窒化物半導体発光ダイオード素子であって、前記コート膜は前記窒化物半導体発光ダイオード素子の発光面に形成されていることを特徴とする、請求項１から９のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１２】
基板にＡｌSＧａtＮ（ｓ＋ｔ＝１、０≦ｓ≦１、０≦ｔ≦１）の組成式で表わされる窒化物半導体からなる基板を用いていることを特徴とする、請求項１０または１１に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子を製造するための方法であって、前記光出射部にアルゴンまたは窒素のプラズマを照射する工程と、前記プラズマを照射した後に前記光出射部に前記アルミニウムの酸窒化物結晶を形成する工程と、を含む、窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１４】
前記アルミニウムの酸窒化物結晶の形成温度が２００℃以上であることを特徴とする、請求項１３に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１５】
ターゲットにＡｌxＯy（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜０．６）の組成式で表されるアルミニウムの酸化物を用いて前記アルミニウムの酸窒化物結晶を形成することを特徴とする、請求項１３または１４に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、光出射部にコート膜が形成されており、コート膜はアルミニウムの酸窒化物結晶を含む窒化物半導体発光素子であることを特徴とする。また、本発明の窒化物半導体発光素子において、コート膜はアルミニウムの酸窒化物結晶からなり、コート膜中の酸素の含有量が３５原子％以下であることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の窒化物半導体発光素子において、アルミニウムの酸窒化物結晶は、光出射部を構成する窒化物半導体結晶と結晶軸が揃っていることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、本発明は、上記のいずれかの窒化物半導体発光素子を製造するための方法であって、光出射部にアルゴンまたは窒素のプラズマを照射する工程と、プラズマを照射した後に光出射部に前記アルミニウムの酸窒化物結晶を形成する工程と、を含む、窒化物半導体発光素子の製造方法である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法においては、アルミニウムの酸窒化物結晶の形成温度が２００℃以上であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月15日(2010.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シャロートレンチ分離プロセスにおいて半導体ウェーハ上のシリカおよび窒化ケイ素を研磨するための有用な水性組成物であって、カルボン酸ポリマー０．０１〜５重量%、砥粒０．０２〜６重量%、ポリビニルピロリドン０．０１〜１０重量%、カチオン化合物０．００５〜５重量%、双性イオン化合物０．００５〜５重量%および残部の水を含み、ポリビニルピロリドンが１００g/モル〜１，０００，０００g/モルの重量平均分子量を有し、水性組成物がパターン形成されたシャロートレンチ分離ウェーハ上のステップ高さを低減することができる、水性組成物。
【請求項２】
水性組成物が、０．０２〜１重量%のポリビニルピロリドンを含む、請求項１記載の水性組成物。
【請求項３】
ポリビニルピロリドンが、１，５００〜１０，０００g/モルの平均分子量を有する、請求項１記載の水性組成物。
【請求項４】
双性イオン化合物が、次の構造
【化１】
2007273973.tif 000001
（式中、ｎは整数であり、Ｙは水素またはアルキル基を含み、Ｚはカルボキシル、硫酸塩または酸素を含み、Ｍは窒素、リンまたは硫黄原子を含み、Ｘ１、Ｘ２およびＸ３は独立して、水素、アルキル基およびアリール基を含む群から選択される置換基を含む）を有する、請求項１記載の水性組成物。
【請求項５】
カルボン酸ポリマーがポリアクリル酸である、請求項１記載の水性組成物。
【請求項６】
カチオン化合物が、アルキルアミン、アリールアミン、四級アンモニウム化合物およびアルコールアミンを含む群から選択される、請求項１記載の水性組成物。
【請求項７】
砥粒がセリアである、請求項１記載の水性組成物。
【請求項８】
水性組成物が４〜９のｐＨを有する、請求項１記載の水性組成物。
【請求項９】
シャロートレンチ分離プロセスにおいて半導体ウェーハ上のシリカおよび窒化ケイ素を研磨するために有用な水性組成物であって、カルボン酸ポリマー０．０１〜５重量%、セリア０．０２〜６重量%、ポリビニルピロリドン０．０１〜１０重量%、エタノールアミン０．００５〜５重量%、ベタイン０．００５〜５重量%および残部の水を含み、前記ポリビニルピロリドンの重量平均分子量が１００g/モル〜１，０００，０００g/モルであり、水性組成物がパターン形成されたシャロートレンチ分離ウェーハ上のステップ高さを低減することができる、水性組成物。
【請求項１０】
水性組成物が０．０２〜１重量%のポリビニルピロリドンを含む、請求項９記載の水性組成物。
【請求項１１】
２００ｍｍの研磨機とポリウレタン研磨パッドを、ダウンフォース１．５ｐｓｉの条件下、水性組成物流量１５０ｃｃ／分、水性組成物のｐＨ６．５、プラテン速度５２ＲＰＭ、支持体速度５０ＲＰＭで使用して、水性組成物が、パターン形成されたシャロートレンチ分離ウェーハ上のステップ高さを原子間力顕微鏡で測定して５０Å未満に低減することができる、請求項１記載の水性組成物。
【請求項１２】
２００ｍｍの研磨機とポリウレタン研磨パッドを、ダウンフォース１．５ｐｓｉの条件下、水性組成物流量１５０ｃｃ／分、水性組成物のｐＨ６．５、プラテン速度５２ＲＰＭ、支持体速度５０ＲＰＭで使用して、水性組成物が、パターン形成されたシャロートレンチ分離ウェーハ上のステップ高さを原子間力顕微鏡で測定して５０Å未満に低減することができる、請求項９記載の水性組成物。
【請求項１３】
シャロートレンチ分離プロセスにおいて半導体ウェーハ上のシリカおよび窒化ケイ素を研磨するための有用な水性組成物であって、本質的に、カルボン酸ポリマー０．０１〜５重量%、砥粒０．０２〜６重量%、ポリビニルピロリドン０．０１〜１０重量%、カチオン化合物０．００５〜５重量%、双性イオン化合物０．００５〜５重量%および残部の水からなり、ポリビニルピロリドンが１００g/モル〜１，０００，０００g/モルの重量平均分子量を有し、水性組成物がパターン形成されたシャロートレンチ分離ウェーハ上のステップ高さを低減することができる、水性組成物。
【請求項１４】
２００ｍｍの研磨機とポリウレタン研磨パッドを、ダウンフォース１．５ｐｓｉの条件下、水性組成物流量１５０ｃｃ／分、水性組成物のｐＨ６．５、プラテン速度５２ＲＰＭ、支持体速度５０ＲＰＭで使用して、水性組成物が、パターン形成されたシャロートレンチ分離ウェーハ上のステップ高さを原子間力顕微鏡で測定して５０Å未満に低減することができる、請求項１３記載の水性組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月29日(2010.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転自在に配置したスクリュ軸と、該スクリュ軸の外周に螺旋状に設けたスクリュ羽根と、該スクリュ羽根を包囲するように設け多数の濾過孔を有する円筒状の濾過筒とを具備し、これらのスクリュ軸、スクリュ羽根及び濾過筒によつて囲まれる空間を前記濾過筒の上流側から下流側に向けて減少し、前記濾過筒の前記上流側から原料を投入し、前記下流側から圧搾された原料を押し出し、刃により切断して排出部から排出するスクリュプレスにおいて、前記排出部の前記スクリュ軸の周囲に、前記上流側から複数の第１の固定刃、複数の回転刃、複数の第２の固定刃を配置し、前記第１の、第２の固定刃は前記スクリュ軸に対し離隔的に配置し、前記回転刃は前記スクリュ軸の周囲に取り付けたことを特徴とするスクリュプレス。
【請求項２】
前記第１の固定刃は前記スクリュ軸の中心線方向に対し平行に向けて配置し、刃先を前記上流側に向けて形成したことを特徴とする請求項１に記載のスクリュプレス。
【請求項３】
前記回転刃は前記スクリュ軸の円周方向に対し傾斜又は同方向に向けて配置し、その刃先を前記スクリュ軸の回転方向と同方向に向けたことを特徴とする請求項１又は２に記載のスクリュプレス。
【請求項４】
前記第２の固定刃は前記スクリュ軸の円周方向に向けて配置し、刃先を前記スクリュ軸の回転方向と反対方向に向けたことを特徴とする請求項３に記載のスクリュプレス。
【請求項５】
前記第１、第２の固定刃は前記スクリュ軸の周囲に固定したリング部材の内側に設けたことを特徴とする請求項１〜４の何れか1つの請求項に記載のスクリュプレス。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月27日(2009.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
上記構成を有する増圧器３は、図３に示すような増圧室４０ａの増圧した圧縮空気の出力を完了した状態、すなわち、駆動室４１ａへの圧縮空気の供給と駆動室４１ｂ内の圧縮空気の排気により両ピストン３７ａ，３７ｂを左動させ、増圧室４０ａの圧縮空気を、駆動室４１ａ及び増圧室４０ｂの圧縮空気により両ピストン３７ａ，３７ｂに作用する力により圧縮し、それにより増圧した増圧室４０ａの圧縮空気の出力を完了した図示の段階では、ピストン３７ａがプッシュロッド４３ａを押圧して切換弁４３を切り換えるので、その切り換えにより、同図に示すように、該切換弁４３の供給口４４が駆動室４１ｂに連通し、排気口４５が駆動室４１ａに連通するようになる。その結果、駆動室４１ｂに供給口４４からの圧縮空気が供給されると同時に、駆動室４１ａ内の圧縮空気が排気口４５を通して外部に排出されるので、駆動室４１ｂに流入した圧縮空気と増圧室４０ａ内の圧縮空気に基づいてピストン３７ａ，３７ｂに作用する力で、両ピストンが右動し、増圧室４０ｂの圧縮空気が増圧され、この増圧した圧縮空気が出口チェック弁３２ｂを介して出口３２から送出される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
更に、上記メンブレンドライヤ５においては、上記出口側本体ボディ５１の出口ポート５１ａまたはそれに接続した配管７から分岐して、該出口ポート５１ａ側の除湿した圧縮空気の一部をパージ流路入口部５６ａに流す連通路６０を設け、その連通路６０中にオリフィス６１を配置している。通常、このオリフィス６１の流量は、除湿された圧縮空気のうちの必要最小量がパージ流路入口部５６ａに流れるように設定される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月13日(2010.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平板状の板状部材に液体を吐出するスプレー処理工程中において前記板状部材を搬送する搬送装置であって、
回転駆動する複数の搬送ローラと、
前記搬送ローラに対して板状部材を挟むように対向して配置され、板状部材を搬送ローラに向けて押さえる複数の押さえローラとを具備し、
各前記押さえローラは、
軸線方向の両端側に板状部材に当接する当接部が設けられ、
各当接部の間に、板状部材との間に隙間があくように小径部が設けられ、
各前記当接部の外側に設けられた錘が、各前記押さえローラを前記搬送ローラ方向に付勢する付勢手段として設けられていることを特徴とするスプレー処理用搬送装置。
【請求項２】
４つの搬送ローラに対して２つの押さえローラが設けられていることを特徴とする請求項１記載のスプレー処理用搬送装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は上記目的を達成すべく、以下の構成を備える。
すなわち、本発明のスプレー処理用搬送装置によれば、平板状の板状部材に液体を吐出するスプレー処理工程中において前記板状部材を搬送する搬送装置であって、回転駆動する複数の搬送ローラと、前記搬送ローラに対して板状部材を挟むように対向して配置され、板状部材を搬送ローラに向けて押さえる複数の押さえローラとを具備し、各前記押さえローラは、軸線方向の両端側に板状部材に当接する当接部が設けられ、各当接部の間に、板状部材との間に隙間があくように小径部が設けられ、各前記当接部の外側に設けられた錘が、各前記押さえローラを前記搬送ローラ方向に付勢する付勢手段として設けられていることを特徴としている。
この構成を採用することにより、板状部材がスプレーノズルに対してあらわになる面積が大きくなるので、液体が板状部材に確実に吹き付けられる。そして板状部材に当接する当接部は、処理反応にあまり関係の無い板状部材の幅方向端部に当接することで、液体を吹き付けるべき所望の位置に対して問題なく板状部材を押さえつけることができる。
また、錘による付勢手段が設けられていることによって板状部材の姿勢が変わりにくくなり、押さえローラの本数を減らすことができるので、さらに板状部材がスプレーノズルに対してあらわになる面積を大きくして液体が板状部材に確実に吹き付けられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月14日(2010.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持されたパッドから流れ出る飲料液のための仕切部を形成する底部と、
該底部を通じて飲料液を排出するために前記底部に設けられた排出口と、
飲料液の噴流を発生させるために前記排出口を制限するノズルと、
複数のパッド支持突出部とを有し、
該支持突出部は、前記排出口の周りに円周状に分散された位置に、前記底部から突出した複数の最内突出部を有する、
飲料製造器用のパッド支持体であって、
前記底部に向かって上面から見たとき、前記支持突出部の前記複数の最内突出部のうちの少なくとも幾つかは、前記排出口に対して径方向に長い断面を有し、前記長い断面の各々は、前記排出口に対して径方向に長さを有し、前記排出口に対する径方向において、前記長さの中間部より径方向で外側に位置する最大の幅を有することを特徴とする、
パッド支持体。
【請求項２】
前記長い断面の各々は、最内側端部と、最外側端部とを有し、前記最内側端部は前記最外側端部より鋭利であることを特徴とする、請求項１に記載のパッド支持体。
【請求項３】
前記支持突出部の前記複数の最内突出部の隣接支持突出部は、相互に面する直線壁部を有することで、前記隣接突出部の間に、一定又は径方向で前記排出口に向かって縮小する幅を有する通路を定めることを特徴とする、請求項１に記載のパッド支持体。
【請求項４】
前記排出口に対して径方向に長い断面は、翼形状又は水滴形状であることを特徴とする、請求項１に記載のパッド支持体。
【請求項５】
前記支持突出部の末端部は、前記パッドを支持するための支持床を定め、前記底部は最外側周辺部を有し、前記底部と前記支持床との間の距離は、少なくとも前記排出口を囲む前記底部のリング形状部において、前記排出口に向かって径方向に増大すると共に、前記最外側周辺部から径方向に内向きに離間して増大することを特徴とする、請求項１に記載のパッド支持体。
【請求項６】
前記底部は、前記リング形状部の径方向の外側に位置する前記底部部分に比べ、前記底部の前記リング形状部でより急勾配に傾斜していることを特徴とする、請求項５に記載のパッド支持体。
【請求項７】
前記支持突出部の前記複数の最内突出部は、前記リング形状底部部分から突出していることを特徴とする、請求項５又は６に記載のパッド支持体。
【請求項８】
前記底部は、前記リング形状部分と前記排出口との間の底部部分に比べ、前記排出口を囲む前記底部の前記リング形状部でより急勾配に傾斜していることを特徴とする、請求項５乃至７のいずれか１項に記載のパッド支持体。
【請求項９】
前記底部は、前記リング形状部と前記排出口との間に、平坦部を有することを特徴とする、請求項５乃至７のいずれいか１項に記載のパッド支持体。
【請求項１０】
前記排出口は、前記底部から前記排出口への移行部を形成する鋭利な上流分離端部を有することで、飲料液が前記排出口に流れ込むときに、前記飲料液が前記排出口から分離されることを特徴とする、請求項１に記載のパッド支持体。
【請求項１１】
請求項１に記載のパッド支持体と、バッファ数の飲料液を保持するために、前記ノズルの下流に位置するバッファタンクとを有し、操作時に、飲料液は前記ノズルから前記バッファ数の飲料液に噴射されることを特徴とする、フォームユニット。
【請求項１２】
加圧された熱湯を抽出室に供給するために該抽出室に連結している水加熱及び供給構造と、請求項１１に記載のフォームユニットと、前記バッファタンクに連結する飲料液分配通路とを有する飲料製造器であって、
前記パッド支持体は、前記抽出室の底部側を定めることを特徴とする、飲料製造器。
【請求項１３】
熱湯をパッドのフィルタ壁の上流の粒又は粉に強制的に通過させるステップと、
請求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載のパッド支持体を用いてパッドからの飲料を受け取るステップとを有し、
前記飲料は、層流パターンが前記排出口の直ぐ上流領域において得られるように流れることを特徴とする、フォーム層を有する飲料調製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月9日(2010.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
首輪状本体６８は、例えば軽量の発砲樹脂材料で形成され、かつ一体成形された連結部を中心に開閉可能に形成される。開閉端部には、例えば２つのマジックテープ（登録商標）７２が取り付けられ、マジックテープ（登録商標）７２の接着力で首輪状本体６８が閉じた状態に固定される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
第４実施の形態の気道確保装置３１は、支持フレーム３８を省略するなどのスリム化を図り、例えばパジャマの胸元にマジックテープ（登録商標）で下側フレーム３３を固定するなどすれば、就眠体位を選ばず、また装着にも不快感なく使用できる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月17日(2010.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
また、直流分カット用コンデンサと可変コンデンサとの合成の容量、耐圧及び合成容量を変えるように、コンデンサ列を形成する誘電体間の厚さ及び誘電体間の電極間距離を変化させるものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
また、可変コンデンサ（Ｃ２）３５の容量が最小値１．０［μＦ］のとき、合成耐圧（Ｖ）３６は２．０［Ｖ］、合成容量（Ｃ）３７は０．５０［μＦ］、容量変化３８は１．８倍である。
ここで、３１に示す例１では、合成耐圧（Ｖ）３６は約１／２倍、合成容量（Ｃ）３７は約１／５倍、容量変化３８は５．５倍である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
このように変化量を１０倍にした場合には、３１に示す例１では、合成耐圧（Ｖ）３６を約１／２倍、合成容量（Ｃ）３７を約１／５倍に変化させると共に、容量変化３８を５．５倍に大きくすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０７】
４３に示す例３では、合成耐圧（Ｖ）４６は約１／２倍、合成容量（Ｃ）４７は変化なし、容量変化４８は１．２倍である。
このように変化量を３倍にした場合には、４１に示す例１では、合成耐圧（Ｖ）４６を約１／２倍、合成容量（Ｃ）４７を約１／２倍に変化させると共に、容量変化４８を２倍に大きくすることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０８】
４２に示す例２では、合成容量（Ｃ）３７は約１／３倍に最も大きく変化させると共に、容量変化４８は２．８倍に変化を少なくすることができる。
４３に示す例３では、合成耐圧（Ｖ）４６は約１／２倍、合成容量（Ｃ）４７は約１／２倍に変化させると共に、容量変化４８は１．２倍に大きくすることができる。
なお、全ての可変コンデンサＣの個々の耐圧はＶとする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２３】
図６は、３素子（固定コンデンサ（１Ｃ）／可変コンデンサ（３ＶＣ）／固定コンデンサ（１Ｃ））の拡張例１の構成例を示す説明図であり、図６Ａは積層図、図６Ｂは回路図である。
図６において、固定コンデンサＣ１（１Ｃ）と、可変コンデンサＣ２＋Ｃ３＋Ｃ４（３ＶＣ）と固定コンデンサＣ５（１Ｃ）の３素子拡張例１の構成を示している。ここで、１ＣはＤＣ除去用コンデンサの固定コンデンサＣ１が１個で構成されることを示している。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１０】
ここで、便宜上、可変コンデンサＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４の容量をＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４とすると、たすきがけの容量が同じＣ１×Ｃ３＝Ｃ２×Ｃ４のとき、４素子の電圧制御用の可変コンデンサＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４が平衡している。従って、電源電圧ＡＣの信号と制御電圧ＶＣの信号とが互いに干渉することはない状態である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１７】
ここで、４素子は書き直すとブリッジ構成になっているので、たすき掛けの容量Ｃ１×Ｃ３＝Ｃ２×Ｃ４が同じであれば平衡するのでＣ１，Ｃ４が固定コンデンサでもよいし、逆にＣ２，Ｃ３が固定コンデンサでも構わない。ただし４素子のコンデンサＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４を全て可変とすることで可変範囲が大きく取ることができるというメリットが出てくる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３２】
このように４可変素子ブリッジ構成では耐圧、容量、可変幅が常に保持される。
なお、全ての可変コンデンサＣの個々の耐圧はＶとする。但し常にブリッジ条件Ｃ１×Ｃ３＝Ｃ２×Ｃ４が満たされる必要がある。