Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月22日(2010.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シートを積載するための第１、第２のシート積載手段と、
前記第１、第２のシート積載手段の昇降動作をそれぞれ行う昇降駆動手段と、
所定サイズ以下のシートを前記第１のシート積載手段と前記第２のシート積載手段とに跨らせることなく前記第１のシート積載手段と前記第２のシート積載手段の一方に積載させる第１積載モードと、前記所定サイズよりも大きいシートを前記第１のシート積載手段と前記第２のシート積載手段とに跨らせてシートを積載させる第２積載モードとを実行させる制御手段と、
前記昇降駆動手段により前記第１、第２のシート積載手段の昇降動作の異常の有無を個別に判定する異常判定手段と、
を有し、
前記異常判定手段によって前記第１の積載手段の昇降動作の異常が判定されたとき、前記制御手段は、前記第１のシート積載手段を用いた前記第１の積載モードの実行及び前記第２の積載モードの実行を禁止し、前記第２のシート積載手段を用いた前記第１の積載モードの実行を許可することを特徴とするシート積載装置。
【請求項２】
シートに画像を形成する画像形成手段と、前記画像形成手段による画像形成動作に関するジョブの設定を行う設定手段とを備え、
前記異常判定手段によって前記第１、第２の積載手段の何れかの昇降動作の異常が判定された場合、前記制御手段は、前記所定のサイズよりも大きいシートを用いるジョブの設定を禁止するように前記設定手段を制御することを特徴とする請求項１に記載のシート積載装置。
【請求項３】
前記第１の積載モードで前記第１のシート積載手段へシートを積載中に前記異常判定手段によって前記第１の積載手段の昇降動作の異常が判定された場合、前記制御手段は、シートの積載先を前記第２のシート積載手段へ変更することを特徴とする請求項１に記載のシート積載装置。
【請求項４】
シートを積載するための第１、第２のシート積載手段と、前記第１、第２のシート積載手段の昇降動作をそれぞれ行う昇降駆動手段とを備えたシート積載装置の制御方法であって、
シートを前記第１のシート積載手段と前記第２のシート積載手段とに跨らせることなく前記第１のシート積載手段と前記第２のシート積載手段の一方に積載させる第１積載モードと、シートを前記第１のシート積載手段と前記第２のシート積載手段とに跨らせてシートを積載させる第２積載モードとを、積載するシートのサイズに応じて決定する決定工程と、
前記昇降駆動手段による前記第１、第２のシート積載手段の昇降動作の異常の有無を判定する異常判定工程と、
前記第１の積載ユニットの昇降動作の異常が判定されたとき、前記第１のシート積載手段を用いた前記第１の積載モードの実行及び前記第２の積載モードの実行を禁止し、前記第２のシート積載手段を用いた前記第１の積載モードの実行を許可する制御工程と、
を有することを特徴とするシート積載装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明のシート積載装置は、シートを積載するための第１、第２のシート積載手段と、前記第１、第２のシート積載手段の昇降動作をそれぞれ行う昇降駆動手段と、所定サイズ以下のシートを前記第１のシート積載手段と前記第２のシート積載手段とに跨らせることなく前記第１のシート積載手段と前記第２のシート積載手段の一方に積載させる第１積載モードと、前記所定サイズよりも大きいシートを前記第１のシート積載手段と前記第２のシート積載手段とに跨らせてシートを積載させる第２積載モードとを実行させる制御手段と、前記昇降駆動手段により前記第１、第２のシート積載手段の昇降動作の異常の有無を個別に判定する異常判定手段と、を有し、前記異常判定手段によって前記第１の積載手段の昇降動作の異常が判定されたとき、前記制御手段は、前記第１のシート積載手段を用いた前記第１の積載モードの実行及び前記第２の積載モードの実行を禁止し、前記第２のシート積載手段を用いた前記第１の積載モードの実行を許可することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明のシート積載装置の制御方法は、シートを積載するための第１、第２のシート積載手段と、前記第１、第２のシート積載手段の昇降動作をそれぞれ行う昇降駆動手段とを備えたシート積載装置の制御方法であって、シートを前記第１のシート積載手段と前記第２のシート積載手段とに跨らせることなく前記第１のシート積載手段と前記第２のシート積載手段の一方に積載させる第１積載モードと、シートを前記第１のシート積載手段と前記第２のシート積載手段とに跨らせてシートを積載させる第２積載モードとを、積載するシートのサイズに応じて決定する決定工程と、前記昇降駆動手段による前記第１、第２のシート積載手段の昇降動作の異常の有無を判定する異常判定工程と、前記第１の積載ユニットの昇降動作の異常が判定されたとき、前記第１のシート積載手段を用いた前記第１の積載モードの実行及び前記第２の積載モードの実行を禁止し、前記第２のシート積載手段を用いた前記第１の積載モードの実行を許可する制御工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月15日(2010.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐＨ４以下に調整したコロイダルシリカゾルと、ジルコニウム含有化合物と、バインダーと、該バインダーと５０℃以下で架橋しうる架橋剤とを混合して、混合液を製造する工程と、
前記混合液を基材上に塗布する工程と、
塗布された混合液を乾燥し、前記基材上に前駆体フィルムを形成する工程と、
前記前駆体フィルムを前記基材から剥離する工程と、
剥離された前駆体フィルムを焼成する工程と、を含む、独立ガラスセラミックフィルムの製造方法。
【請求項２】
ｐＨ４以下に調整したコロイダルシリカゾルと、ジルコニウム含有化合物と、バインダーと、前記バインダーと５０℃以下で架橋しうる架橋剤とを含む、独立ガラスセラミックフィルム製造用前駆体混合物。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月17日(2010.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持部材と被支持部材との間に配置され、被支持部材を支持部材と相対移動可能に支持する支承の損傷判定を行うための支承用損傷判定装置であって、
一端が前記支持部材側に取付けられると共に他端が前記被支持部材側に取付けられ、前記支持部材と前記被支持部材との間の相対変位量が前記支承の限界変位量を超えた場合に検知可能に破損される損傷判断部材、を備えた支承用損傷判定装置。
【請求項２】
前記損傷判断部材は、前記限界変位量に応じた長さの長尺部材とされ、前記相対変位量が前記限界変位量を超えた場合に切断されること、を特徴とする請求項１に記載の支承用損傷判定装置。
【請求項３】
前記損傷判断部材は、導電性部材とされ、前記支持部材側に取付けられた一端側と前記被支持部材側に取付けられた他端側との間の導通の有無を検査する検査部、をさらに備えたことを特徴とする請求項２に記載の支承用損傷判定装置。
【請求項４】
前記支承は、この支承の最外部に配置された外側弾性部材、及び、前記外側弾性部材よりも内側に配置された内側弾性部材を含んで構成され、
前記損傷判断部材は、前記内側弾性部材よりも弾性率の低い材料で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の支承用損傷判定装置。
【請求項５】
前記支承は、この支承の最外部に配置された外側弾性部材、及び、前記外側弾性部材よりも内側に配置された内側弾性部材を含んで構成され、
前記損傷判断部材は前記外側弾性部材で構成され、前記外側弾性部材は前記支承の相対移動量が限界変位量を超えた場合に、破断及び亀裂が生じる伸び性能を有することを特徴とする請求項１に記載の支承用損傷判定装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
なお、上記の「被支持部材」としては、支承を介して支持される構造物であればよく、例えば、オフィスビル、病院、集合住宅、美術館、公会堂、学校、庁舎、神社仏閣、橋梁、競技場、照明灯等を挙げることができる。また、「支持部材」としては、支承を介して上記の被支持部材を支持するものであればよく、例えば、これら被支持部材の基礎、土台、地盤等を含む。
請求項５に記載の発明の支承用損傷判定装置は、前記支承が、この支承の最外部に配置された外側弾性部材、及び、前記外側弾性部材よりも内側に配置された内側弾性部材を含んで構成され、前記損傷判断部材は前記外側弾性部材で構成され、前記外側弾性部材は前記支承の相対移動量が限界変位量を超えた場合に、破断及び亀裂が生じる伸び性能を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月23日(2010.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
転炉、二次精錬装置および連続鋳造機を有する製鋼プロセスにおける転炉の吹錬終点温度目標設定方法であって、
連続鋳造鋳込み時点での要求溶鋼温度、転炉、二次精錬装置および連続鋳造機それぞれの操業開始予定時間、操業所要予定時間、運搬時間、ならびに二次精錬装置および連続鋳造機それぞれの過去の熱履歴および溶鋼温度昇温量・降下量実績を収集し、
これら収集したデータに基づき、製鋼プロセスおよび運搬の変化に応じた、転炉吹錬終了以後の連続鋳造機鋳込み時点までの溶鋼温度降下量を算出し、算出した溶鋼温度降下量と連続鋳造鋳込み目標温度との和を転炉の吹錬終点温度目標として設定する方法において、
前記溶鋼温度降下量（△Ｔ）の算出を以下の式にて行うことを特徴とする転炉の吹錬終点温度目標設定方法。
△Ｔ= △ＴCL＋△ＴBP＋△ＴBC + δ
ただし、
△Ｔ：転炉吹錬終了から連続鋳造機における鋳込み開始までに生じる溶鋼温度変化量
△ＴCL：転炉吹錬終了から取鍋受鋼終了までに生じる溶鋼温度変化量
△ＴBP：取鍋受鋼終了から二次精錬処理終了までに生じる溶鋼温度変動量
△ＴBC：二次精錬装置での処理終了から連続鋳造機での鋳造開始までに生じる溶鋼温度変化量
δ：変動リスク項
【請求項２】
請求項１に記載の転炉の吹錬終点温度目標設定方法において、
前記変動リスク項δを鍋条件に応じて作成する各モデルの予測誤差にもとづき決定することを特徴とする転炉の吹錬終点温度目標設定方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題は、次の発明により解決される。
［１］  転炉、二次精錬装置および連続鋳造機を有する製鋼プロセスにおける転炉の吹錬終点温度目標設定方法であって、連続鋳造鋳込み時点での要求溶鋼温度、転炉、二次精錬装置および連続鋳造機それぞれの操業開始予定時間、操業所要予定時間、運搬時間、ならびに二次精錬装置および連続鋳造機それぞれの過去の熱履歴および溶鋼温度昇温量・降下量実績を収集し、これら収集したデータに基づき、製鋼プロセスおよび運搬の変化に応じた、転炉吹錬終了以後の連続鋳造機鋳込み時点までの溶鋼温度降下量を算出し、算出した溶鋼温度降下量と連続鋳造鋳込み目標温度との和を転炉の吹錬終点温度目標として設定する方法において、
前記溶鋼温度降下量（△Ｔ）の算出を以下の式にて行うことを特徴とする転炉の吹錬終点温度目標設定方法である。
△Ｔ= △ＴCL＋△ＴBP＋△ＴBC + δ
ただし、
△Ｔ：転炉吹錬終了から連続鋳造機における鋳込み開始までに生じる溶鋼温度変化量
△ＴCL：転炉吹錬終了から取鍋受鋼終了までに生じる溶鋼温度変化量
△ＴBP：取鍋受鋼終了から二次精錬処理終了までに生じる溶鋼温度変動量
△ＴBC：二次精錬装置での処理終了から連続鋳造機での鋳造開始までに生じる溶鋼温度変化量
δ：変動リスク項
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
［２］ ［１］に記載の転炉の吹錬終点温度目標設定方法において、前記変動リスク項δを鍋条件に応じて作成する各モデルの予測誤差にもとづき決定することを特徴とする転炉の吹錬終点温度目標設定方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月14日(2010.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）と（Ｂ）の合計を１００重量％として、（Ａ）ポリ乳酸樹脂１５〜８５重量％、（Ｂ）芳香族ポリカーボネート樹脂８５〜１５重量％からなる樹脂組成物１００重量部に対して、（Ｃ）ポリエーテルエステルブロック共重合体および／またはポリエーテルエステルアミドブロック共重合体を１〜５０重量部配合してなる樹脂組成物であって、当該樹脂組成物からなる成形品のＡＳＴＭ規格Ｄ２５６のアイゾット衝撃試験における衝撃強度が、５０Ｊ／ｍ以上である樹脂組成物。
【請求項２】
（Ａ）ポリ乳酸樹脂と（Ｂ）芳香族ポリカーボネート樹脂の合計１００重量部に対し、（Ｄ）平均粒径３μｍを超す無機充填剤を０〜１重量部配合してなる請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項３】
（Ａ）ポリ乳酸樹脂と（Ｂ）芳香族ポリカーボネート樹脂の合計１００重量部に対し、（Ｆ）（ｆ−３）ジカルボン酸無水物の変性化合物またはポリマー、（ｆ−２）ジカルボン酸無水物および（ｆ−１）ジカルボン酸から選ばれるいずれか一種以上を０．０５〜５重量部配合してなる請求項１または２に記載の樹脂組成物。
【請求項４】
（Ａ）ポリ乳酸樹脂と（Ｂ）芳香族ポリカーボネート樹脂の合計１００重量部に対し、（Ｅ）（ｅ−１）ヒンダードフェノール系酸化防止剤ならびに、（ｅ−２）フォスファイト系酸化防止剤および（ｅ−３）チオエーテル系酸化防止剤から選ばれる少なくとも１種を０．０５〜５重量部配合してなる請求項１〜３のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項５】
（Ａ）ポリ乳酸樹脂と（Ｂ）芳香族ポリカーボネート樹脂の合計１００重量部に対し、（Ｇ）リン系難燃剤、窒素化合物系難燃剤、シリコーン系難燃剤、臭素系難燃剤およびその他の無機系難燃剤から選ばれる少なくとも１種の難燃剤を１〜１００重量部配合してなる請求項１〜４のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項６】
（Ａ）ポリ乳酸樹脂と（Ｂ）芳香族ポリカーボネート樹脂の合計１００重量部に対し、（（Ｈ）フッ素系樹脂を０．０１〜３重量部配合してなる請求項１〜５のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項７】
（Ａ）ポリ乳酸樹脂と（Ｂ）芳香族ポリカーボネート樹脂の合計１００重量部に対し、（Ｉ）カルボジイミド化合物およびエポキシ化合物から選ばれる少なくとも１種の加水分解改良剤を０．０１〜１０重量部配合してなる請求項１〜６のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項８】
（Ａ）ポリ乳酸樹脂と（Ｂ）芳香族ポリカーボネート樹脂の合計１００重量部に対し、（Ｊ）可塑剤を０．０１〜２０重量部配合してなる請求項１〜７のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の樹脂組成物からなる成形品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
すなわち、本発明は、以下のとおりである。
１． （Ａ）と（Ｂ）の合計を１００重量％として、（Ａ）ポリ乳酸樹脂１５〜８５重量％、（Ｂ）芳香族ポリカーボネート樹脂８５〜１５重量％からなる樹脂組成物１００重量部に対して、（Ｃ）ポリエーテルエステルブロック共重合体および／またはポリエーテルエステルアミドブロック共重合体を１〜５０重量部配合してなる樹脂組成物であって、当該樹脂組成物からなる成形品のＡＳＴＭ規格Ｄ２５６のアイゾット衝撃試験における衝撃強度が、５０Ｊ／ｍ以上である樹脂組成物。
２．（Ａ）ポリ乳酸樹脂と（Ｂ）芳香族ポリカーボネート樹脂の合計１００重量部に対し、（Ｄ）平均粒径３μｍを超す無機充填剤を０〜１重量部配合してなる１に記載の樹脂組成物。
３．（Ａ）ポリ乳酸樹脂と（Ｂ）芳香族ポリカーボネート樹脂の合計１００重量部に対し、（Ｆ）（ｆ−３）ジカルボン酸無水物の変性化合物またはポリマー、（ｆ−２）ジカルボン酸無水物および（ｆ−１）ジカルボン酸から選ばれるいずれか一種以上を０．０５〜５重量部配合してなる１または２に記載の樹脂組成物。
４．（Ａ）ポリ乳酸樹脂と（Ｂ）芳香族ポリカーボネート樹脂の合計１００重量部に対し、（Ｅ）（ｅ−１）ヒンダードフェノール系酸化防止剤ならびに、（ｅ−２）フォスファイト系酸化防止剤および（ｅ−３）チオエーテル系酸化防止剤から選ばれる少なくとも１種を０．０５〜５重量部配合してなる１〜３のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
５．（Ａ）ポリ乳酸樹脂と（Ｂ）芳香族ポリカーボネート樹脂の合計１００重量部に対し、（Ｇ）リン系難燃剤、窒素化合物系難燃剤、シリコーン系難燃剤、臭素系難燃剤およびその他の無機系難燃剤から選ばれる少なくとも１種の難燃剤を１〜１００重量部配合してなる１〜４のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
６．（Ａ）ポリ乳酸樹脂と（Ｂ）芳香族ポリカーボネート樹脂の合計１００重量部に対し、（（Ｈ）フッ素系樹脂を０．０１〜３重量部配合してなる１〜５のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
７．（Ａ）ポリ乳酸樹脂と（Ｂ）芳香族ポリカーボネート樹脂の合計１００重量部に対し、（Ｉ）カルボジイミド化合物およびエポキシ化合物から選ばれる少なくとも１種の加水分解改良剤を０．０１〜１０重量部配合してなる１〜６のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
８．（Ａ）ポリ乳酸樹脂と（Ｂ）芳香族ポリカーボネート樹脂の合計１００重量部に対し、（Ｊ）可塑剤を０．０１〜２０重量部配合してなる１〜７のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
９．１〜８のいずれか１項に記載の樹脂組成物からなる成形品。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５２】
Ｋ−４：コアシェルゴム：シリコーン・アクリル複合コアシェルゴム（三菱レイヨン（株）製“メタブレン”ＳＸ−００５）。 
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５３】
Ｋ−５：層状珪酸塩：有機化層状珪酸塩（コープケミカル（株）製“ＭＴＥ”）。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月30日(2010.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
シリカとしては、一般にBET比表面積が30〜200m2/g、好ましくは50〜150m2/gのものが用いられる。これらは、ハロゲン化けい酸または有機けい素化合物の熱分解法やけい砂を加熱還元し、気化したSiOを空気酸化する方法などで製造される乾式法シリカやけい酸ナトリウムの熱分解法などで製造される湿式法シリカなどであり、コストおよび性能の面からは、湿式法シリカが好んで用いられる。実際には、ゴム工業用として上市されている市販品をそのまま用いることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
参考例
容量100mlのナスフラスコ中に、ノナン酸1.93g(12.2ミリモル)を仕込み、ジメチルホルムアミド10ml中に溶解させた。5-アミノ-1H-テトラゾール0.42g(12.2ミリモル)をそこに加え、0℃に冷却しながら、ジメチルホルムアミド5ml中に溶解させたジシクロヘキシルカルボジイミド縮合剤2.6g(12.9ミリモル)をゆっくりと滴下し、室温条件下で反応させた。反応終了後、固形物をろ過除去したろ液を減圧濃縮し、残渣をクロロホルムに溶解させ、クロロホルム溶液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、2Mクエン酸水溶液、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液および水の順で洗浄を行い、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶液を減圧濃縮した。残渣をn-ヘキサンで再結晶し、目的のテトラゾール誘導体(n=8；融点79℃)を得た。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
実施例１
SBR(日本ゼオン製品NS440)                              96.3重量部
BR(同社製品 Nipol BR 1220)                            30.0  〃  
カーボンブラック                                      10.0  〃  
(キャボットジャパン製品ショウブラックN234)
シリカ(ローディア製品 Zeosil 165GR)                   60.0  〃  
シランカップリング剤(デグッサ製品 Si69)                6.0  〃  
酸化亜鉛(正同化学工業製品酸化亜鉛3種)                  2.0  〃  
ステアリン酸(日本油脂製品ビーズステアリン酸)           1.0  〃  
老化防止剤(フレキシス製品SANTOFLEX 6PPD)               2.0  〃  
アロマオイル(昭和シェル石油製品エキストラクト4号S)    10.0  〃  
テトラゾール誘導体(アルキル基鎖長 n=4)                 3.0  〃  
硫黄(鶴見化学工業製品金華印油入り微粉硫黄)             2.0  〃  
加硫促進剤CBS(大内新興化学工業製品ノクセラーCZ-G)      2.0  〃  
加硫促進剤DPG(住友化学製品ソクシノールD-G)             1.0  〃  
以上の各成分の配合において、２種類の加硫促進剤および硫黄を除く各成分を、1.7L密閉型バンバリーミキサで5分間混練し、マスターバッチを得た。このマスターバッチに２種類の加硫促進剤および硫黄をオープンロールで混練し、未加硫ゴム組成物を得た。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月17日(2010.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビニル基を有する化合物およびケイ素−水素結合を有するケイ素化合物を含有する、微細パターンを形成するための転写材料用組成物であって、
前記ビニル基を有する化合物が
下記式（１ａ）で表されるケイ素化合物または、
下記式（１ａ）で表されるケイ素化合物と、下記式（１ｂ）で表されるケイ素化合物および下記式（１ｃ）で表されるケイ素化合物からなる群から選択される１種以上のケイ素化合物とを含む混合物
を加水分解後、縮合させて得られるケイ素化合物であることを特徴とする転写材料用組成物。
【化１】
2009007515.tif 000001
（式中Ｒ1aは、炭素数６〜２０の芳香族環にビニル基が結合した構造を有する炭化水素基を示し、Ｒ2は炭素数１〜４のアルキル基を示す。）
【化２】
2009007515.tif 000002
（式中Ｒ1bは、炭素数１〜１４のアルキル基、炭素数６〜１４のアリール基または炭素数２〜１４の不飽和脂肪族残基を示し、Ｒ3は炭素数１〜４のアルキル基を示す。）
【化３】
2009007515.tif 000003
（式中Ｒ1cおよびＲ1dは、それぞれ独立に炭素数６〜２０の芳香族環、炭素数６〜２０の芳香族環にビニル基が結合した構造を有する炭化水素基、炭素数２〜２０の不飽和脂肪族残基または炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｒ4は炭素数１〜４のアルキル基を示す。）
【請求項２】
前記式（１ａ）中、Ｒ1aが、ビニル基が結合したフェニル基を有する炭素数８〜１４のアリール基またはビニル基が結合したナフチル基を有する炭素数１２〜１４のアリール基であり、前記式（１ｂ）中、Ｒ1bが、炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数６〜１０のアリール基であり、前記式（１ｃ）中、Ｒ1cおよびＲ1dがそれぞれ独立に、ビニル基が結合したフェニル基を有する炭素数８〜１４のアリール基、ビニル基が結合したナフチル基を有する炭素数１２〜１４のアリール基、炭素数１〜１０のアルキル基また炭素数６〜１０のアリール基である請求項１に記載の転写材料用組成物。
【請求項３】
前記式（１ａ）中、Ｒ1aがスチリル基であり、前記式（１ｂ）中、Ｒ1bがメチル基またはフェニル基であり、前記式（１ｃ）中Ｒ1cおよびＲ1dがメチル基またはフェニル基である請求項１に記載の転写材料用組成物。
【請求項４】
前記式（１ａ）中、Ｒ1aがスチリル基であり、前記式（１ｂ）中、Ｒ1bがフェニル基であり、前記式（１ｃ）中Ｒ1cおよびＲ1dがフェニル基である請求項１に記載の転写材料用組成物。
【請求項５】
前記ケイ素−水素結合を有するケイ素化合物が、ハイドロジェンシルセスキオキサンである請求項１〜４のいずれかに記載の転写材料用組成物。
【請求項６】
前記ビニル基を有する化合物および前記ケイ素−水素結合を有するケイ素化合物に加えて、さらに白金化合物を含有する請求項１〜５のいずれかに記載の転写材料用組成物。
【請求項７】
１０μｍ以下の微細パターンを形成するための、請求項１〜６のいずれか１項に記載の転写材料用組成物。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の転写材料用組成物を被加工材料表面に塗布して薄膜を形成させ、この薄膜に微細パターン形成用の金型で型押しをして、前記薄膜に微細パターンを形成することを特徴とする微細パターンの形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
分子内にビニル基を有する化合物としては、ケイ素−水素結合を有する化合物とヒドロシリル化反応をする化合物が好ましい。例えばポリアリル化合物であり、このようなものとしては、ジアリルフタレートプレポリマー、ジアリルイソフタレートプレポリマー、トリアリルイソシアヌレート、アリルエステル樹脂、ジアリルテレフタレート、ジアリルイソフタレート、ジアリルフタレート、トリアリルイソシアヌレート、トリメチロールプロパントリアリルエーテル、ペンタエリスリトールトリアリルエーテル、ペンタエリスリトールテトラアリルエーテル等がある。また、スチリル誘導体としては、スチレン、ビニルトルエン、α−メチルスチレン、4-ビニルビフェニル、1,1'-ジフェニルエチレン、ビニルナフタレン、アセナフチレン、ジビニルベンゼン、ジビニルビフェニル、ジイソプロペニルベンゼン、ジビニルナフタレン等がある。また、ビニルエステル誘導体としては、酢酸ビニル、安息香酸ビニル等が挙げられる。また、アリル化合物としては、ジアリルフタレートプレポリマー、ジアリルイソフタレートプレポリマー、トリアリルイソシアヌレート、アリルエステル樹脂、安息香酸アリル、ジアリルテレフタレート、ジアリルイソフタレート、ジアリルフタレート、ジアリルナフタレート、トリアリルイソシアヌレート等が挙げられる。また、ビニル基を含有するケイ素化合物でもよく、例えば上記式（１ａ）で表されるケイ素化合物を用いて加水分解、縮合した化合物などであり、上記式（１ａ）で表される化合物の例として以下の式（２）〜（４）で示される構造を有する化合物が挙げられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
各式中、Ｒ5は水素原子または炭素数１〜２０の１価の有機基を表し、同一又は異なっても良い。Ｙは炭素数２から１０の２価のケイ素含有残基を表す。ａは２又は３の整数を、ｌ、ｍは１〜２００の整数を表し、ｎは３〜８の整数を表す。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月22日(2010.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シートを挟持して搬送する第１の搬送ローラと、
前記第１の搬送ローラの上流に配置され、前記シートを前記第１の搬送ローラと共に挟持して搬送する第２の搬送ローラと、
前記第１の搬送ローラを駆動する第１の駆動手段と、
前記第２の搬送ローラを駆動する第２の駆動手段と、
前記第１の搬送ローラの周速が前記第２の搬送ローラの周速よりも遅くなるように前記第１の駆動手段、前記第２の駆動手段を制御する制御手段と、
を有し、前記制御手段は、前記シートの剛度が大きくなるほど前記第１の搬送ローラと前記第２の搬送ローラとの周速の速度差が小さくなる様に制御することを特徴とするシート搬送装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記第１の搬送ローラと前記第２の搬送ローラとの周速を目標速度に調整する調整処理がなされた状態で前記速度差の変更に係る制御を行うことを特徴とする請求項１に記載のシート搬送装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記速度差の変更に係る制御を行う場合、前記第１の駆動手段、又は前記第２の駆動手段の何れか一方を制御することを特徴とする請求項２に記載のシート搬送装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記第１の搬送ローラと前記第２の搬送ローラの速度をそれぞれ目標値に制御する際に、前記第１の駆動手段と前記第２の駆動手段の少なくとも一方の駆動周波数が所定値を超える場合、前記第１の搬送ローラと前記第２の搬送ローラの目標速度を低下させることを特徴とする請求項３記載のシート搬送装置。
【請求項５】
シートを挟持して搬送する第１の搬送ローラと、前記第１の搬送ローラの上流に配置され、前記シートを前記第１の搬送ローラと共に挟持して搬送する第２の搬送ローラと、前記第１の搬送ローラを駆動する第１の駆動手段と、前記第２の搬送ローラを駆動する第２の駆動手段とを有するシート搬送装置の制御方法であって、
前記第１の搬送ローラの周速が前記第２の搬送ローラの周速よりも遅くなる様に且つ、前記シートの剛度が大きくなるほど前記第１の搬送ローラと前記第２の搬送ローラとの周速の速度差が小さくなる様に制御する制御工程を有することを特徴とするシート搬送装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明に係るシート搬送装置は、シートを挟持して搬送する第１の搬送ローラと、前記第１の搬送ローラの上流に配置され、前記シートを前記第１の搬送ローラと共に挟持して搬送する第２の搬送ローラと、前記第１の搬送ローラを駆動する第１の駆動手段と、前記第２の搬送ローラを駆動する第２の駆動手段と、前記第１の搬送ローラの周速が前記第２の搬送ローラの周速よりも遅くなるように前記第１の駆動手段、前記第２の駆動手段を制御する制御手段と、を有し、前記制御手段は、前記シートの剛度が大きくなるほど前記第１の搬送ローラと前記第２の搬送ローラとの周速の速度差が小さくなる様に制御することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月7日(2010.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ぜんまいプーリ内部に収容したぜんまいのばね力により、引き戸を自閉させる引き戸クローザであって、
前記ぜんまいは、前記ぜんまいプーリの中心側に設けたシャフトの溝に先端が係止させた状態で巻装されているとともに、
前記シャフトの前記溝に、前記ぜんまいの先端を押え付けて抜け止めするための押さえ板を配置し、前記押さえ板は断面略Ｚ形状であることを特徴とする引き戸クローザ。
【請求項２】
ぜんまいと、ワイヤを介してダンパ力を引き戸に付与するダンパ機構とを備え、前記引き戸を前記ぜんまいのばね力で自閉させる引き戸クローザであって、
前記引き戸本体のワイヤ引き出し部近傍の、前記ぜんまいを収容するぜんまいプーリ及び前記ダンパ機構を収容するダンパプーリの取り付け面とは直交する面に、前記ワイヤの引き方向をオフセットさせるか又は方向転換させるためのプーリを１個又は複数個取り付けたことを特徴とする引き戸クローザ。
【請求項３】
ぜんまいプーリ内部に収容したぜんまいと、ワイヤを介してダンパ力を引き戸に付与するダンパ機構とを備え、前記引き戸を前記ぜんまいのばね力で自閉させる引き戸クローザにおいて、
前記引き戸の開閉方向と直交する方向の面側の外部から前記ぜんまいのばね力を調整可能に構成したことを特徴とする引き戸クローザ。
【請求項４】
前記ぜんまいプーリ内部に取付け前記ぜんまいの先端を巻装するシャフトに、これと連結させて設けた１枚または複数枚の回転板と、
この回転板の回転軸と直交する方向に操作軸を配置するとともに前記回転板の外周縁部に沿って又はこの近傍に沿って設けた被係合部に係合する係合部を有する調整部材と、
を備えたことを特徴とする請求項３に記載の引き戸クローザ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明によれば、ぜんまいの戻り力を調整する際に、ぜんまいがシャフトから抜け出したり、折損することのない引き戸クローザを提供できる。また、本発明によれば、複式引き戸クローザなどに設置させるのに好適なワイヤの位置をオフセットさせたり方向転換させることができる引き戸クローザを提供できる。また、本発明によれば、引き戸正面側にシャフト端部の操作用に穴などを設けずにぜんまいの戻り力を調整することができ、美観性に優れた引き戸クローザを提供できる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月21日(2010.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
行列状に配列される複数のメモリセル、
前記複数のメモリセルの列毎に対応して配置され、各々に対応の列の複数のメモリセルに接続される複数のメモリ電源線と、
前記複数のメモリセルの列毎に対応して配置され、各々に対応の列の複数のメモリセルに接続される複数のビット線対と、
前記複数のメモリセルの行毎に対応して配置され、各々に対応の行の複数のメモリセルに接続される複数のワード線と、
前記複数のメモリ電源線に対応して配置され、各々が、活性時に対応のメモリ電源線に電源電圧を供給し、第１の特定動作指示信号に応じて非活性化される複数の電源電位制御部と、
前記複数のビット線対に対応して配置され、各々が、活性時に対応の列のビット線を充電し、前記第１の特定動作指示信号に応じて非活性化される複数のビット線電位制御部と、
前記複数のメモリ電源線に対応して配置され、各々が、第２の特定動作指示信号に応じて活性化され、対応のメモリ電源線の電位を検出し、該検出結果に従って対応のメモリ電源線の電位を該検出結果に応じた電位に設定する複数の第１の電位制御回路と、
前記複数のビット線対に対応して配置され、各々が、前記第２の特定動作指示信号に応じて活性化され、対応のビット線対の電位を検出し、該検出結果にしたがって、該ビット線と同一列のメモリセルに接続されるメモリ電源線の電位を該検出結果に応じた電位に設定する複数の第２の電位制御回路とを備える、半導体記憶装置。
【請求項２】
前記メモリセルはスタティック・ランダム・アクセス・メモリセルであり、
前記メモリ電源線及び前記ビット線対はそれぞれ、同一列のメモリセルを構成するトランジスタが形成される層よりも上層にある同一の金属配線層に列方向に延在して形成され、
前記メモリ電源線は、前記ビット線対の間に配置される、請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
前記列ごとのメモリセルもしくは複数列のメモリセルに対応する冗長メモリセル群と、
前記第１の電位制御回路の検出結果または前記第２の電位制御回路の検出結果に応じた置換情報を記憶し、前記置換情報に対応する置換制御信号を出力する制御回路とを、さらに備え、
前記置換制御信号に応じて、列ごともしくは複数列のメモリセルごとに前記冗長メモリセル群により置換される、請求項１または２に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
前記電源電位制御部および前記ビット線電位制御部は、前記置換制御信号に応じて、非活性化が制御される、請求項３に記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
特定動作時に、前記第１の特定動作指示信号及び前記第２の特定動作指示信号を生成する特定動作制御回路をさらに備える、請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体記憶装置。
【請求項６】
前記特定動作は、前記半導体記憶装置をテストするテスト動作である、請求項５に記載の半導体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
この発明に係る半導体記憶装置は、１つの実施の形態においては、複数のメモリセル、複数のメモリ電源線、複数のビット線対、複数のワード線、複数の電源電位制御部、複数のビット線電位制御部、複数の第１の電位制御回路、および複数の第２の電位制御回路を含む。複数のメモリセルは、行列状に配列される。複数のメモリ電源線は、複数のメモリセルの列毎に対応して配置され、各々に対応の列の複数のメモリセルに接続される。複数のビット線対は、複数のメモリセルの列毎に対応して配置され、各々に対応の列の複数のメモリセルに接続される。複数のワード線は、複数のメモリセルの行毎に対応して配置され、各々に対応の行の複数のメモリセルに接続される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
複数の電源電位制御部は、複数のメモリ電源線に対応して配置され、各々が、活性時に対応のメモリ電源線に電源電圧を供給し、第１の特定動作指示信号に応じて非活性化される。複数のビット線電位制御部は、複数のビット線対に対応して配置され、各々が、活性時に対応の列のビット線を充電し、第１の特定動作指示信号に応じて非活性化される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
複数の第１の電位制御回路は、複数のメモリ電源線に対応して配置され、各々が、第２の特定動作指示信号に応じて活性化され、対応のメモリ電源線の電位を検出し、該検出結果に従って対応のメモリ電源線の電位を該検出結果に応じた電位に設定する。複数の第２の電位制御回路は、複数のビット線対に対応して配置され、各々が、第２の特定動作指示信号に応じて活性化され、対応のビット線対の電位を検出し、該検出結果にしたがって、該ビット線と同一列のメモリセルに接続されるメモリ電源線の電位を該検出結果に応じた電位に設定する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
メモリ電源線およびビット線と電源電圧とを特定動作モード時に切離すことにより、メモリセルにスタンバイ電流不良が存在する場合にはリーク電流により、このメモリ電源線およびビット線の電位が低下する。したがって、このメモリ電源線およびビット線の電位レベルを判定し、その判定結果に従ってメモリ電源線の電位を設定することにより、スタンバイ電流不良が存在するか否かを判定することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月6日(2010.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
検知端子は、基板部とその前端から後方へ向けて折り返された二股状をなすばね片と両ばね片の後端同士を橋絡してなる連結部とから構成されている。具体的には、両コネクタハウジングが嵌合する途上でロックアームが撓み変形したときに、ロックアームが連結部を押圧するとともにこの押圧に伴ってばね片を接点用端子から退避する位置に変形させることにより、接点用端子と検知端子とを非接触状態としている。逆に両コネクタハウジングが正規嵌合したときには、ロックアームの復帰動作を利用して検知端子のばね片を復帰させ、両接点用端子を対応するばね片に接触させることで検知端子と接点用端子とを短絡させるようになっている。
【特許文献１】特開平１１−７４０２５号公報
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月5日(2010.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、画像処理装置に関し、特に色調の異なる複数種類のプリント剤を用いてカラー画像のプリントを行うプリント装置および該装置用画像処理方法に適用して好適なものである。なお、本発明は、一般的なプリント装置のほか、複写機、通信システムを有するファクシミリ，プリント部を有するワードプロセッサ等の装置、さらには、各種処理装置と複合的に組み合わされた産業用記録装置に適用することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、ドット配列パターンを格納するために要するメモリ容量を低減しつつも、高品位な画像を形成可能な画像処理装置を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【課題を解決するための手段】
そのために、本発明は、異なる条件でドット形成を行う複数のプリントヘッドを用いてプリント媒体上に画像形成を行うプリント装置に適用される画像処理装置において、
プリントすべく入力される画像の画素データに対し、前記異なる条件に対応して少なくとも２種類の階調数を表現するための多値処理を施す処理手段と、
前記少なくとも２種類の階調数のそれぞれに対応して、前記それぞれの階調数を表現するための多値処理を行うのに要する各ドットパターンを格納する格納手段とを具え、
前記少なくとも２種類の階調数のうち、一方の階調数を表現するためのドットパターンと他方の階調数を表現するためのドットパターンの夫々に基づいて記録される記録解像度がそれぞれ異なることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
本発明は、例えば複数の色調の記録剤を用いてカラー記録を行う場合、人間の視覚特性に筋むらが目立ち易い色と目立ちにくい色があることを利用し、前者に関しては高解像度記録（サイズの大きいドットパターン）を適用し、後者に関してはそれより低い解像度の記録（サイズの小さいドットパターン）を適用する。これにより、全ての色調に対して大きなサイズのドットパターンを使用した場合と同様な画像品位を保ちつつ、パターンテーブルの容量を削減することが可能となり、データ処理速度の向上および装置の低廉化を図ることができる。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態に係る記録装置を説明する。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、用いる色調（色や濃度）、ドット径（吐出量）、最大打ち込み量、プリント媒体の種類など、複数の異なる条件下でドット形成を行うプリントヘッドを用いて画像形成を行うに際し、それら複数の条件に応じてインデックス処理のためのドットパターン、記録解像度、打ち込み量などを適切に設定するようにしたので、データ処理量の削減によるデータ処理速度の向上と、メモリ容量の削減による装置の低廉化を図ることができる。また、色処理や階調再現数の最適化や全濃度領域における粒状性の低減を達成でき、高精細の画像出力を行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月21日(2010.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
（８）樹脂加工された結束紐に対する前記樹脂の割合
樹脂加工前の結束紐の重量（Ｗ１）と、樹脂加工後（乾燥後）の結束紐の重量（Ｗ２）を測定した。その重量を次の式に導入して、前記割合を求めた。
前記樹脂の割合（重量％）＝[（Ｗ２−Ｗ１）／Ｗ２］×１００
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月30日(2010.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非接触型のトランスデューサであって、
測定量を所定形式の出力信号に変換する変換素子と、
前記トランスデューサの入出力関係が所望の形状となるように、前記変換素子の出力信号を補正する出力補正部と、
を備え、
前記出力補正部は、
前記変換素子の出力信号のレベルを入力とし、前記出力信号の補正に使用される補正値を出力とするルックアップテーブルと、
前記ルックアップテーブルを参照し、前記補正値を用いて前記変換素子の出力信号の補正を実行する補正実行部と、
を含む、トランスデューサ。
【請求項２】
請求項１記載のトランスデューサであって、
前記補正値は、前記変換素子の出力信号のレベルと補正後の出力信号のレベルとの間の差分である、トランスデューサ。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のトランスデューサであって、
前記出力補正部は、前記トランスデューサの入出力関係が直線となるように補正を実行する、トランスデューサ。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載のトランスデューサであって、
前記変換素子は、前記トランスデューサからの相対的な位置関係が可変な永久磁石に起因する磁場を前記測定量として検出する素子であり、
前記トランスデューサは、さらに、
前記永久磁石の温度を維持するためのヒータを備える、トランスデューサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
本発明の一形態は、非接触型のトランスデューサであって、
測定量を所定形式の出力信号に変換する変換素子と、
前記トランスデューサの入出力関係が所望の形状となるように、前記変換素子の出力信号を補正する出力補正部と、
を備え、
前記出力補正部は、
前記変換素子の出力信号のレベルを入力とし、前記出力信号の補正に使用される補正値を出力とするルックアップテーブルと、
前記ルックアップテーブルを参照し、前記補正値を用いて前記変換素子の出力信号の補正を実行する補正実行部と、
を含む。
このトランスデューサは、トランスデューサの入出力関係が所望の形状となるように補正を行う出力補正部を備えているので、その設置状態に拘わらず望ましい入出力関係を得ることが可能である。また、ルックアップテーブルを利用すれば、トランスデューサの入出力関係を所望の関係に容易に補正することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月28日(2010.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送風ファンが配置された送風機室と、圧縮機、冷媒配管群、電気品箱が配置された機械室と、前記送風機室と機械室とを仕切る仕切り板とを備え、
前記仕切り板の前面側を、前記機械室側に折り曲げてその開口部が前記送風機室側に向くコ字状に形成したことを特徴とする室外機。
【請求項２】
送風ファンが配置された送風機室と、圧縮機、冷媒配管群、電気品箱が配置された機械室と、前記送風機室と機械室とを仕切る仕切り板とを備え、
前記仕切り板を、前記送風機室と機械室との間に前面パネルと直交して設置される本体部と、該本体部の前面側を前記機械室側に折曲げて延設したのち前面側に折曲げ、さらに前記送風機室側に前記前面パネルと平行に折曲げて前記前面パネルに固定される取付面からなるコ字状部とによって構成したことを特徴とする室外機。
【請求項３】
前記送風機室の前面側に装着される送風機室前面パネルの前記機械室側の端部を内側にＬ字状に折曲げて固定面を形成し、該固定面に前記仕切り板の取付面をねじにより固定することを特徴とする請求項２記載の室外機。
【請求項４】
前記送風機室前面パネルの固定面に前記仕切り板の取付け面を固定したねじの先端部が、前記仕切り板のコ字状部内に位置することを特徴とする請求項３記載の室外機。
【請求項５】
前記仕切り板の本体部の前面側を機械室側に折曲げて延設した延設部は、前記取付面より左右幅を長くして、前記延設部と前記取付面からなる断面をＪ字状形状としたことを特徴とする請求項２又は３記載の室外機。
【請求項６】
前記機械室の前面側に装着した機械室前面パネルにより、前記送風機室前面パネルの固定面を覆うように構成したことを特徴とする請求項３又は４又は５記載の室外機。
【請求項７】
前記請求項１〜６のいずれかに記載の室外機を備えたことを特徴とする空気調和機。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月29日(2010.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
又、前記入力回転軸１０の基端部を図示しないエンジンのクランクシャフトに、前記入力軸１を介して結合し、このクランクシャフトにより上記入力回転軸１０を回転駆動する様にしている。又、上記出力側ディスク８に中空回転軸２７の基端部をスプライン係合させている。尚、これら出力側ディスク８と中空回転軸２７とは、軸方向一端部（図７の左端部）でスプライン係合し、軸方向他端部（図７の右端部）で円筒面同士で締り嵌め嵌合し、軸方向中間部で隙間嵌合している。この構成により上記出力側ディスク８と上記中空回転軸２７とを、同心に、且つ、トルク伝達を自在に結合している。そして、この中空回転軸２７を、エンジンから遠い側の入力側ディスク７ｂの内側に挿通して、上記出力側ディスク８の回転力を取り出し自在としている。更に、上記中空回転軸２７の先端部で上記入力側ディスク７ｂの外側面から突出した部分に、前記遊星歯車式変速ユニット４を構成する為の太陽歯車２９を固設している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
この様な本発明を実施する場合、具体的には、請求項２に記載した発明の様に、上記両転がり軸受を、スラストアンギュラ玉軸受とする。又、上記別部材を、上記回転軸の周囲にこの回転軸に対する相対回転を可能に配置されて、上記両スラストアンギュラ玉軸受により回転自在に支持された中空回転軸とする。そして、これら両スラストアンギュラ玉軸受を構成する、これら両スラストアンギュラ玉軸受毎に１対ずつのスラスト軌道輪のうち、内側ディスクの軸方向端面に対向するスラスト軌道輪である内側軌道輪の軸方向片面を、この内側ディスクの軸方向端面に突き当てる。更に、これら両内側軌道輪の内径面と上記中空回転軸の外周面とを、これら両内側軌道輪と上記中空回転軸との径方向に関する相対変位を阻止する状態で嵌合させる。