Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月3日(2010.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
操作部３１は、デジタルスチルカメラ１００に備えられる各種操作子と、これらの操作子に対して行われた操作に応じた操作情報信号を生成してＣＰＵに出力する操作情報信号出力部位とを一括して示している。制御部２７は、操作部３１から入力される操作情報信号に応じて所定の処理を実行する。これによりユーザ操作に応じたデジタルスチルカメラ１００の動作が実行されることになる。確認のために述べておくと、先の図１で説明したシャッターキー１、オン／オフキー２、カーソル移動キー６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ、メニューキー８、表示切換キー９、撮像画像再生キー１０、ズームキー１１は、それぞれが、操作部３１が包含する操作子とされるものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
また、本実施の形態のデジタルスチルカメラ１００は、ＪＥＩＤＡ(Japanese Electronic Industry Development Association)の下で策定されたカメラファイルシステム規格であるＤＣＦ（Design rule for Camera File system）規格に従って、メモリカード４０に対する撮像画像データ(撮像静止画像データ）の記録を行うものとされている。
そこで、参考として、図４によりＤＣＦ規格により撮像画像データを記録する場合の記憶媒体のディレクトリ構成について簡単に説明しておく。
先ず、ＲＯＯＴディレクトリの直下には、ＤＣＩＭ(Digital Camera IMages)という名称のディレクトリである、「ＤＣＦイメージルートディレクトリ」を配置することとしている。
次に、上記ＤＣＦイメージルートディレクトリの直下に、「ＤＣＦディレクトリ」といわれる、ＤＣＦファイル（ＤＣＦオブジェクト）を格納するディレクトリを最大で９００配置させることができることとされている。このＤＣＦディレクトリのディレクトリ名については、
・８文字であること
・１〜３文字目は100〜999までのディレクトリ番号を使用する
・４文字目以降は必ず５文字(即ち全部で８文字）であり、使用可能であると定義された範囲において自由文字（半角英数大文字）を使用する
ことが定義されている。図４では、ディレクトリ名「101MSDCF」「102MSDCF」・・・「109MSDCF」が付された、９個のＤＣＦディレクトリが配置された例が示されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
ところで、先にも述べたように、メモリカードに記憶可能なデータ種別は、使用されるデジタル機器の用途等に応じて多様である。このために、本実施の形態に対応する最大記録数指定メモリカードであっても、例えば、本実施の形態のデジタルスチルカメラ１００以外の装置に装填すれば、例えばオーディオデータファイルなど、静止画像以外のデータファイルを記録することができる。図６のフローチャートに示した手順は、例えば撮像静止画像データ以外の種類のデータ・ファイルが記憶されたとしても、最大記録数情報が示す枚数分の静止画像データが記録可能となるように、自動的に撮像画像のデータサイズを設定できる、ということに１つの大きな利点があるといえる。
しかしながら、記憶可能容量における撮像静止画像データ以外の種類のデータ・ファイルの記憶済容量があまりに多くなってしまうと、空き容量が少なすぎて、最大記録数情報が示す枚数分の静止画像データの記録を保証できなくなる可能性が高くなってしまう。そこで、最大記録数情報が示す枚数分の撮像静止画像データの記録を確実に保証できるように、撮像静止画像データ専用の記憶領域を確保できるようにした最大記録数指定メモリカード（最大記録数保証メモリカード）を提供するということが考えられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
汎用パーティションは、通常の汎用のメモリカードと同様にして、特にファイル・データの種別について制限することなく、書き込まれたファイル・データを記憶することができるパーティションとされる。
これに対して、最大記録数指定対応パーティションは、本実施の形態のデジタルスチルカメラ１００のようにして、最大記録数指定メモリカードに記憶される最大記録数情報に対応した装置が、撮像静止画像データを書き込んで記憶させるための専用領域とされる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
これに対して、最大記録数指定メモリカードに記憶される最大記録数情報に対応した装置である本実施の形態のデジタルスチルカメラ１００に対して最大記録数保証メモリカードが装填された場合、デジタルスチルカメラ１００は、撮像静止画像データを記録すべき記憶領域として、最大記録数指定対応パーティション（stadrs_pic〜edadrs_pic）を認識するようにされる。そして、これまでに説明してきたようにして撮像静止画像データの画サイズ及び圧縮率を設定して撮影記録を行うようにされる。
このためには、例えば、最大記録数指定メモリカードのＲＯＭ領域４２ａにおいて、最大記録数情報とともに、最大記録数指定対応パーティションのアドレスを示す、専用パーティションアドレス指示情報も格納しておくようにされる。そして、最大記録数情報に対応した装置（デジタルスチルカメラ１００）は、メモリカード４０についてのマウント処理を実行する際には、例えば図５のステップＳ１０３に対応して最大記録数情報の読み込みを試み、最大記録数情報を読み込むことができた場合（最大記録数情報が格納されている場合）には、専用パーティションアドレス指示情報の読み込みも試みるようにされる。このときに、専用パーティションアドレス指示情報の読み込みに成功すれば、最大記録数指定メモリカードのうちでも、最大記録数指定対応パーティションを有する最大記録数保証メモリカードであることになる。そこで、デジタルスチルカメラ１００は、専用パーティションアドレス指示情報を読み込むことができた場合には、例えば最大記録数指定対応パーティションを、撮像静止画像データを記録するためのパーティションであるとして認識するように、改めてマウント処理を実行しなおすようにされる。これにより、以降においては、デジタルスチルカメラ１００により撮像静止画像データを最大記録数指定対応パーティションに対して記録していくことが可能になる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月22日(2010.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像素子と、
前記撮像素子の前面に配置された光学部材と、
前記光学部材を振動させる振動手段と、
撮像装置内の温度を取得する温度取得手段と、
前記光学部材を所定の周波数帯域を分割したステップごとに振動させる制御を行うとともに、前記光学部材の振動振幅が所定の振動振幅の範囲内となるように、前記温度取得手段により取得した温度に基づいて、前記周波数帯域、該周波数帯域を分割するステップ数、１ステップあたりの時間のうち少なくともいずれかを変更する制御手段とを備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記温度取得手段により取得される温度が予め定められた範囲にあるとき、前記制御手段は、前記光学部材の振動振幅が所定の振動振幅の範囲内となるように、前記周波数帯域、前記周波数帯域を分割するステップ数、前記１ステップあたりの時間のうち少なくともいずれかを変更し、
前記温度取得手段により取得される温度が前記予め定められた範囲外にあるとき、前記制御手段は、前記光学部材の振動を禁止することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記温度取得手段により取得される温度が高くなると、前記周波数帯域を大きくし、前記温度取得手段により取得される温度が低くなると、前記周波数帯域を小さくし、
前記温度取得手段により取得される温度が高くなると、前記周波数帯域を分割するステップ数を小さくし、前記温度取得手段により取得される温度が低くなると、前記周波数帯域を分割するステップ数を大きくし、
前記温度取得手段により取得される温度が高くなると、前記１ステップあたりの時間を短くし、前記温度取得手段により取得される温度が低くなると、前記１ステップあたりの時間を長くすることを特徴とする請求項１又は２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記所定の振動振幅の範囲は、前記光学部材に生じる応力が所定の応力を超えず、かつ、異物の除去に必要と判断される振動振幅が得られる範囲であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
撮像素子と、
前記撮像素子の前面に配置された光学部材と、
前記光学部材を振動させる振動手段と、
前記光学部材のクリーニング回数を取得するクリーニング回数取得手段と、
前記光学部材を所定の周波数帯域を分割したステップごとに振動させる制御を行うとともに、前記光学部材の振動振幅が前記光学部材の許容応力を超えないように、前記クリーニング回数取得手段により取得したクリーニング回数に基づいて、前記周波数帯域、該周波数帯域を分割するステップ数、１ステップあたりの時間のうち少なくともいずれかを変更する制御手段とを備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記クリーニング回数取得手段により取得したクリーニング回数が増えるほど、前記周波数帯域を大きくし、
前記クリーニング回数取得手段により取得したクリーニング回数が増えるほど、前記周波数帯域を分割するステップ数を小さくし、
前記クリーニング回数取得手段により取得したクリーニング回数が増えるほど、前記１ステップあたりの時間を短くすることを特徴とする請求項５に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記クリーニング回数は、前記光学部材をユーザが直接クリーニングするクリーニングモードを開始した回数であることを特徴とする請求項６に記載の撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の撮像装置は、撮像素子と、前記撮像素子の前面に配置された光学部材と、前記光学部材を振動させる振動手段と、撮像装置内の温度を取得する温度取得手段と、前記光学部材を所定の周波数帯域を分割したステップごとに振動させる制御を行うとともに、前記光学部材の振動振幅が所定の振動振幅の範囲内となるように、前記温度取得手段により取得した温度に基づいて、前記周波数帯域、該周波数帯域を分割するステップ数、１ステップあたりの時間のうち少なくともいずれかを変更する制御手段とを備えることを特徴とする。
本発明の撮像装置は、撮像素子と、前記撮像素子の前面に配置された光学部材と、前記光学部材を振動させる振動手段と、前記光学部材のクリーニング回数を取得するクリーニング回数取得手段と、前記光学部材を所定の周波数帯域を分割したステップごとに振動させる制御を行うとともに、前記光学部材の振動振幅が前記光学部材の許容応力を超えないように、前記クリーニング回数取得手段により取得したクリーニング回数に基づいて、前記周波数帯域、該周波数帯域を分割するステップ数、１ステップあたりの時間のうち少なくともいずれかを変更する制御手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月12日(2010.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）半導体基板と、
（ｂ）前記半導体基板上の第１領域に形成された不揮発性メモリセルと、
（ｃ）前記半導体基板上の第２領域に形成された容量素子とを備え、
前記不揮発性メモリセルは、
（ｂ１）前記半導体基板上に形成された第１ゲート絶縁膜と、
（ｂ２）前記第１ゲート絶縁膜上に形成されたコントロールゲート電極と、
（ｂ３）前記コントロールゲート電極の片側の側壁に形成されたメモリゲート電極と、
（ｂ４）前記コントロールゲート電極と前記メモリゲート電極の間および前記メモリゲート電極と前記半導体基板の間に形成された電荷蓄積膜を含む絶縁膜からなる第２ゲート絶縁膜とを有し、
前記容量素子は、
（ｃ１）前記半導体基板上に形成された下部電極と、
（ｃ２）前記下部電極上に形成された容量絶縁膜と、
（ｃ３）前記容量絶縁膜上に形成された上部電極とを有する半導体装置であって、
前記メモリゲート電極と前記上部電極とは同一の金属膜から形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置であって、
前記コントロールゲート電極と前記下部電極とは同一の導体膜で形成され、
前記第２ゲート絶縁膜と前記容量絶縁膜とは同一の絶縁膜により形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置であって、
前記コントロールゲート電極と前記下部電極とは同一の金属膜から形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置であって、
前記第２ゲート絶縁膜は、第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に形成された前記電荷蓄積膜と、前記電荷蓄積膜上に形成された第２絶縁膜から形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置であって、
前記電荷蓄積膜は、トラップ準位を有する絶縁膜から形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置であって、
前記電荷蓄積膜は、窒化シリコン膜から形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１記載の半導体装置であって、
前記下部電極には負電圧を印加し、かつ、前記上部電極には正電圧を印加することにより、前記容量素子を動作させることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１記載の半導体装置であって、
前記上部電極の面積は前記下部電極の面積よりも小さく、かつ、平面的に前記上部電極が前記下部電極に包含されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１記載の半導体装置であって、
前記上部電極は前記下部電極と平面的に重ならない部位を有しており、
前記上部電極と電気的に接続するプラグは、前記上部電極のうち前記下部電極と平面的に重ならない部位に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
半導体基板上に不揮発性メモリセルを有し、
前記不揮発性メモリセルは、
前記半導体基板上に形成された第１ゲート絶縁膜と、
前記第１ゲート絶縁膜上に形成されたコントロールゲート電極と、
前記コントロールゲート電極の片側の側壁に形成されたメモリゲート電極と、
前記コントロールゲート電極と前記メモリゲート電極の間および前記メモリゲート電極と前記半導体基板の間に形成された電荷蓄積膜を含む絶縁膜からなる第２ゲート絶縁膜とを有し、
前記メモリゲート電極は金属膜から形成され、かつ、サイドウォール状に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０記載の半導体装置であって、
前記第２ゲート絶縁膜は、第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に形成された前記電荷蓄積膜と、前記電荷蓄積膜上に形成された第２絶縁膜から形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の半導体装置であって、
前記電荷蓄積膜は、トラップ準位を有する絶縁膜から形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１２記載の半導体装置であって、
前記電荷蓄積膜は、窒化シリコン膜から形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
半導体基板の第１領域上に不揮発性メモリセルを形成し、前記半導体基板の第２領域に容量素子を形成する半導体装置の製造方法であって、
（ａ）前記半導体基板上に第１ゲート絶縁膜を形成する工程と、
（ｂ）前記第１ゲート絶縁膜上に導体膜を形成する工程と、
（ｃ）前記導体膜を加工することにより、前記第１領域に前記不揮発性メモリセルのコントロールゲート電極を形成し、かつ、前記第２領域に前記容量素子の下部電極を形成する工程と、
（ｄ）前記半導体基板の前記第１領域と前記第２領域を含む全面に絶縁膜を形成する工程と、
（ｅ）前記絶縁膜上に金属膜を形成する工程と、
（ｆ）前記金属膜を加工することにより、前記第１領域では前記コントロールゲート電極の両側の側壁にだけ前記金属膜を残し、かつ、前記第２領域では前記金属膜よりなる前記容量素子の上部電極を形成する工程と、
（ｇ）前記コントロールゲート電極の片側の側壁に形成されている前記金属膜を除去することにより、前記コントロールゲート電極のもう一方の片側の側壁に残存する前記金属膜からなるメモリゲート電極を形成する工程と、
（ｈ）前記半導体基板に露出している前記絶縁膜を除去することにより、前記第１領域では、前記コントロールゲート電極と前記メモリゲート電極の間および前記メモリゲート電極と前記半導体基板の間に残存する前記絶縁膜からなる第２ゲート絶縁膜を形成し、かつ、前記第２領域では、前記上部電極で覆われて残存する前記絶縁膜よりなる容量絶縁膜を形成する工程とを備え、
前記絶縁膜は、電荷蓄積膜を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の半導体装置の製造方法であって、
前記導体膜は金属膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
半導体基板に不揮発性メモリセルを形成する半導体装置の製造方法であって、
（ａ）前記半導体基板上に第１ゲート絶縁膜を形成する工程と、
（ｂ）前記第１ゲート絶縁膜上に導体膜を形成する工程と、
（ｃ）前記導体膜を加工することにより、前記不揮発性メモリセルのコントロールゲート電極を形成する工程と、
（ｄ）前記半導体基板の全面に電荷蓄積膜を含む絶縁膜を形成する工程と、
（ｅ）前記絶縁膜上に金属膜を形成する工程と、
（ｆ）前記金属膜を加工することにより、前記コントロールゲート電極の両側の側壁に前記金属膜をサイドウォール状に残す工程と、
（ｇ）前記コントロールゲート電極の片側の側壁に形成されている前記金属膜を除去することにより、前記コントロールゲート電極のもう一方の片側の側壁に残存する前記金属膜からなるメモリゲート電極を形成する工程と、
（ｈ）前記半導体基板に露出している前記絶縁膜を除去することにより、前記コントロールゲート電極と前記メモリゲート電極の間および前記メモリゲート電極と前記半導体基板の間に残存する前記絶縁膜からなる第２ゲート絶縁膜を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月29日(2010.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
１…反応室
２…サセプタ
３…基板
４…ガス導入部
５…開口部
６…ガス入力部
７…ガス入力口
８…整流板
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2009010279.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月10日(2010.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面が第一絶縁部で覆われた半導体基板と、前記半導体基板の一面に配された第一導電部と、前記第一絶縁部に重ねて配され、前記第一導電部を露呈させる第一開口部を有する第二絶縁部と、前記第二絶縁部に重ねて配され、前記第一開口部で前記第一導電部に電気的に接続される第二導電部と、前記第二導電部に重ねて配され、前記第二導電部の一部を露呈させる第二開口部を有する第三絶縁部と、及び前記第二開口部に配された端子とからなる構造体とを備え、
前記構造体は前記半導体基板上に複数個設けられ、
前記構造体のうち、隣接する位置にある少なくとも一組の構造体間には、前記第二絶縁部および前記第三絶縁部を貫通し、前記第一絶縁部を露呈させる第三開口部が配され、
前記第二導電部の全体が前記第二絶縁部に重ねて配されており、前記第二絶縁部の前記第一開口部では前記第二導電部により前記第一導電部に電気的に接続される半導体装置。
【請求項２】
前記第三開口部は、互いに隣接する位置にある前記構造体どうしの間の少なくとも一部を分離するように形成されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体装置を上から見たときに、前記構造体が前記端子を取り巻く独立した島状を成すように前記第三開口部が形成されることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
隣接する前記構造体どうしは互いに繋がり、かつ前記構造体間に配された前記第三開口部どうしは互いに独立して形成されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
一面が第一絶縁部で覆われた半導体基板と、前記半導体基板上に設けられる複数個の構造体とを備え、
前記構造体は、前記半導体基板の一面に配された第一導電部と、前記第一絶縁部に重ねて配され、前記第一導電部を露呈させる第一開口部を有する第二絶縁部と、前記第二絶縁部に重ねて配され、前記第一開口部で前記第一導電部に電気的に接続される第二導電部と、前記第二導電部に重ねて配され、前記第二導電部の一部を露呈させる第二開口部を有する第三絶縁部と、及び前記第二開口部に配された端子とからなり、
前記構造体のうち、隣接する位置にある少なくとも一組の構造体間には、前記第二絶縁部を貫通し、前記第一絶縁部を露呈させる第三開口部を有し、
前記第三絶縁部は、隣接する位置にある少なくとも一組の構造体間で連なり、前記第三開口部を覆い、
前記第二導電部の全体が前記第二絶縁部に重ねて配されており、前記第二絶縁部の前記第一開口部では前記第二導電部により前記第一導電部に電気的に接続される半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の請求項１に記載の半導体装置は、一面が第一絶縁部で覆われた半導体基板と、前記半導体基板の一面に配された第一導電部と、前記第一絶縁部に重ねて配され、前記第一導電部を露呈させる第一開口部を有する第二絶縁部と、前記第二絶縁部に重ねて配され、前記第一開口部で前記第一導電部に電気的に接続される第二導電部と、前記第二導電部に重ねて配され、前記第二導電部の一部を露呈させる第二開口部を有する第三絶縁部と、及び前記第二開口部に配された端子とからなる構造体とを備え、前記構造体は前記半導体基板上に複数個設けられ、前記構造体のうち、隣接する位置にある少なくとも一組の構造体間には、前記第二絶縁部および前記第三絶縁部を貫通し、前記第一絶縁部を露呈させる第三開口部が配され、前記第二導電部の全体が前記第二絶縁部に重ねて配されており、前記第二絶縁部の前記第一開口部では前記第二導電部により前記第一導電部に電気的に接続されることを特徴とする。
本発明の請求項２に記載の半導体装置は、請求項１において、前記第三開口部は、互いに隣接する位置にある前記構造体どうしの間の少なくとも一部を分離するように形成されることを特徴とする。
本発明の請求項３に記載の半導体装置は、請求項２において、前記半導体装置を上から見たときに、前記構造体が前記端子を取り巻く独立した島状を成すように前記第三開口部が形成されることを特徴とする。
本発明の請求項４に記載の半導体装置は、請求項１において、隣接する前記構造体どうしは互いに繋がり、かつ前記構造体間に配された前記第三開口部どうしは互いに独立して形成されることを特徴とする。
本発明の請求項５に記載の半導体装置は、一面が第一絶縁部で覆われた半導体基板と、前記半導体基板上に設けられる複数個の構造体とを備え、前記構造体は、前記半導体基板の一面に配された第一導電部と、前記第一絶縁部に重ねて配され、前記第一導電部を露呈させる第一開口部を有する第二絶縁部と、前記第二絶縁部に重ねて配され、前記第一開口部で前記第一導電部に電気的に接続される第二導電部と、前記第二導電部に重ねて配され、前記第二導電部の一部を露呈させる第二開口部を有する第三絶縁部と、及び前記第二開口部に配された端子とからなり、前記構造体のうち、隣接する位置にある少なくとも一組の構造体間には、前記第二絶縁部を貫通し、前記第一絶縁部を露呈させる第三開口部を有し、  前記第三絶縁部は、隣接する位置にある少なくとも一組の構造体間で連なり、前記第三開口部を覆い、前記第二導電部の全体が前記第二絶縁部に重ねて配されており、前記第二絶縁部の前記第一開口部では前記第二導電部により前記第一導電部に電気的に接続されることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月2日(2010.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
また、サイドウォール６３を金属膜で形成することにより、反射性を有することになり、斜め光Ｌｓ、Ｌｓ′はサイドウォール６３で反射されて夫々対応するＩＲ画素、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素の各フォトダイオード（ＰＤ）３１に入射される。この層内光学フィルタ層６２を通過する分の光が本来のフォトダイオード３１に入射されることにより、各画素のフォトダイオード３１への光の到達確率が増え、感度の向上を図ることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
図１６に、本発明に係るカメラモジュールの実施の形態の概略構成を示す。本実施の形態に係るカメラモジュール１１０は、上述した実施の形態のいずれかのＣＭＯＳ固体撮像装置１１７、光学レンズ系１１１、入出力部１１２、信号処理装置（Digital Signal Processors）１１３、光学レンズ系制御用の中央演算装置（ＣＰＵ）１１４を１つに組み込
んで構成する。また、カメラモジュール１１５としては、例えばＣＭＯＳ固体撮像装置１１７、光学レンズ系１１１及び入出力部１１２のみで構成することもできる。また、ＣＭＯＳ固体撮像装置１１７、入出力部１１２及び信号処理装置（Digital Signal Processors）１１３を備えたカメラモジュール１１６を構成することもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月28日(2010.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照明条件を変更可能な照明光学系と、原版を保持する原版ステージと、投影光学系と、基板を保持する基板ステージとを備え、前記照明光学系によって該原版を照明してそのパターンを前記投影光学系を介して該基板に投影する露光装置であって、
前記基板の露光の制御のための計測を前記原版ステージまたは前記原版に配置された第１マークと前記基板ステージに配置された第２マークとを使って行なう計測システムを有し、
前記計測システムは、前記基板の露光のための第１の照明条件とは異なる第２の照明条件で前記第１マークを照明しながら前記計測を行い、
前記第２の照明条件における前記計測の結果を用いて前記第１の照明条件での前記基板の露光が制御される
ことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
照明条件を変更可能な照明光学系と、原版を保持する原版ステージと、投影光学系と、基板を保持する基板ステージとを備え、前記照明光学系によって該原版を照明してそのパターンを前記投影光学系を介して該基板に投影する露光装置であって、
前記基板の露光の制御のための計測を前記原版ステージまたは前記原版に配置された第１マークと前記基板ステージに配置された第２マークとを使って行なう計測システムと、
第１の照明条件で基板の露光を行なうための計測において前記第１マークの照明条件として前記第１の照明条件とは異なる第２の照明条件を設定し、前記計測の結果を用いて制御される前記基板の露光において前記原版の照明条件として前記第１の照明条件を設定する制御部と、
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項３】
前記制御部は、露光用の照明条件と計測用の照明条件とを関連付けたテーブルを参照することにより、前記第１の照明条件に関連付けされた照明条件を前記第２の照明条件として決定する、ことを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記露光装置の出荷前または露光ジョブの開始前に行なわれる前記計測システムによる予備的な計測に基づいて前記第２の照明条件を決定する、ことを特徴とする請求項２又は３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記第２の照明条件は、前記計測システムによる計測のための専用の照明条件である、ことを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記第２の照明条件は、前記第１の照明条件と前記第２の照明条件との間の変更のために駆動すべき光学部材の所要駆動時間が最短である照明条件であることを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項７】
前記第２の照明条件は、前記第１の照明条件における有効光源分布と形状が同一であり面積が異なる有効光源分布を含むことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項８】
原版を照明し、前記原版のパターンを基板に投影して前記基板を露光する露光方法であって、
第１の照明条件で基板の露光を行なうための計測において、計測のための照明条件として前記第１の照明条件とは異なる第２の照明条件を設定する工程と、
前記計測の結果を用いて制御される基板の露光において、露光のための照明条件として前記第１の照明条件を設定する工程と、
を含むことを特徴とする露光方法。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
該基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、原版のパターンを投影光学系を基板に投影し該基板を露光する露光装置、露光方法及びデバイス製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の第１の側面は、照明条件を変更可能な照明光学系と、原版を保持する原版ステージと、投影光学系と、基板を保持する基板ステージとを備え、前記照明光学系によって該原版を照明してそのパターンを前記投影光学系を介して該基板に投影する露光装置に係り、前記露光装置は、前記基板の露光の制御のための計測を前記原版ステージまたは前記原版に配置された第１マークと前記基板ステージに配置された第２マークとを使って行なう計測システムを有し、前記計測システムは、前記基板の露光のための第１の照明条件とは異なる第２の照明条件で前記第１マークを照明しながら前記計測を行い、前記第２の照明条件における前記計測の結果を用いて前記第１の照明条件での前記基板の露光が制御される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の第２の側面は、原版を照明し、前記原版のパターンを基板に投影して前記基板を露光する露光方法に係り、前記露光方法は、第１の照明条件で基板の露光を行なうための計測において、計測のための照明条件として前記第１の照明条件とは異なる第２の照明条件を設定する工程と、前記計測の結果を用いて制御される基板の露光において、露光のための照明条件として前記第１の照明条件を設定する工程とを含む。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月17日(2010.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹部が形成された金属基板と、
前記金属基板の上に設けられた絶縁層と、
前記凹部の上方に位置する前記絶縁層に埋め込まれ、高電圧の信号が伝送される複数の第１の配線と、
前記絶縁層の上方に設けられた第２の配線に接続された回路素子と、
を備えることを特徴とする回路装置。
【請求項２】
前記複数の配線の間隔をＨ(mm)とし、空気の絶縁耐圧をＷ（V/mm)とし、前記第１の配
線の電圧をＰ（V）としたときに、
Ｈ＜Ｐ／Ｗ
なる関係が成立していることを特徴とする請求項１に記載の回路装置。
【請求項３】
前記回路素子が、前記凹部以外の上方に位置する絶縁層の上方に設けられた第２の配線上に設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の回路装置。
【請求項４】
前記第１の配線の前記金属基板側の表面は、前記第２の配線の前記金属基板側の表面よりも、前記凹部の深さ分だけ前記金属基板側に近い位置に配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の回路装置。
【請求項５】
前記第１の配線に印加される電圧は、前記第２の配線に印加される電圧よりも高いことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の回路装置。
【請求項６】
前記回路素子がインバータ用のパワー素子であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の回路装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月17日(2010.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内に設けられ、基板が移載されるサセプタと、
前記サセプタに設けられた第一ヒータと、
前記基板を前記サセプタの上から浮かせるリフトピンと、
前記サセプタと対向して設けられる第二ヒータと、
前記サセプタの表面よりも所定の高さ分だけ突き出た前記リフトピンに前記基板を載置した状態で、前記第一ヒータ及び第二ヒータで前記基板を加熱し、
前記リフトピンと前記サセプタを相対的に移動して、前記基板を前記サセプタに載置するよう制御する制御部と
を備えている基板処理装置。
【請求項２】
処理容器内に設けられ、基板が移載されるサセプタと、
前記サセプタに設けられた第一ヒータと、
前記基板を前記サセプタの上から浮かせるリフトピンと、
前記サセプタと対向して設けられる第二ヒータと、
各構成を制御する制御部とを有する基板処理装置を用いた半導体装置の製造方法であって、
前記サセプタの表面よりも所定の高さ分だけ突き出た前記リフトピンに基板を移載し、
前記リフトピンに前記基板を載置した状態で、前記第一ヒータ及び第二ヒータで前記基板を加熱し、
前記リフトピンと前記サセプタを相対的に移動して、前記基板を前記サセプタに載置し、
前記基板を前記サセプタに載置後、反応ガスを前記処理室に供給して前記基板を処理し、
予め設定された処理時間が経過された後、前記基板を前記処理室の外へ搬送する
半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板処理装置及び半導体装置の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月17日(2010.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属基板と、
前記金属基板の上に設けられた絶縁樹脂層と、
前記絶縁樹脂層の上に設けられた配線と、
前記配線の上に設けられた回路素子と、
一方の端子が前記金属基板に接続され、他方の端子が固定電位に接続されたキャパシタと、
を備え、
前記金属基板は前記固定電位以外の電位に設定されており、
前記固定電位以外の電位は電位変動する電位であることを特徴とする回路装置。
【請求項２】
金属基板と、
前記金属基板の上に設けられた絶縁樹脂層と、
前記絶縁樹脂層の上に設けられた配線と、
前記配線の上に設けられた回路素子と、
一方の端子が前記金属基板に接続され、他方の端子が前記金属基板の電位を打ち消すような変動電位との間に接続されたキャパシタと、
を備えることを特徴とする回路装置。
【請求項３】
前記変動電位は、前記回路素子の電位の逆相であることを特徴とする請求項２に記載の回路装置。
【請求項４】
金属基板と、
前記金属基板の上に設けられた絶縁樹脂層と、
前記絶縁樹脂層の上に設けられた配線と、
前記配線の上に設けられた回路素子と、
前記金属基板の電位が変動したときに、前記金属基板に前記電位を相殺する電圧を付加して前記金属基板の電位を固定電位に維持する手段と、
を備えることを特徴とする回路装置。
【請求項５】
金属基板と、
前記金属基板の上に設けられた絶縁樹脂層と、
前記絶縁樹脂層の上に設けられた配線と、
前記配線の上に設けられた回路素子と、
一方の端子が前記金属基板に接続され、他方の端子が固定電位に接続された抵抗と、
を備えることを特徴とする回路装置。
【請求項６】
前記抵抗が基準電流以上の電流が流れたときに切断されることを特徴とする請求項５に記載の回路装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月28日(2010.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極との間に、少なくとも発光層を有する発光素子であって、
前記発光層は、一般式（１）で表されるピレン化合物と一般式（２）で表されるビス（アジニル）アゼン骨格を有するホウ素錯体とを含有する、発光素子。
【化１】
2009010181.tif 000001
（Ｒ１〜Ｒ１０は、それぞれ同一であっても、異なっていてもよく、水素、アルキル基、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、ターフェニル基、ピレニル基、ヘテロアリール基を示す。）
【化２】
2009010181.tif 000002
（ＡおよびＡ’は少なくとも１つの窒素を含有する６員芳香族環に相当する独立したアジン環系を示し、ＸaおよびＸbは各々独立に選ばれた置換基であって、その２つが連結することによりＡ又はＡ’に対して縮合環を形成し得るものを示し、ｍおよびｎは各々独立に０〜４を示し、Ｒ１２およびＲ１３は各々独立に選ばれた置換基を示し、数字１，２，３，４，１’，２’，３’および４’は、各々独立に選ばれた炭素原子または窒素原子を示す。）
【請求項２】
一般式（１）で表されるピレン化合物が、以下のいずれかの式で表される化合物である、請求項１に記載の発光素子。
【化３】
2009010181.tif 000003
【化４】
2009010181.tif 000004
【請求項３】
一般式（２）において、Ｘａが１，２の位置で、Ｘｂが１’，２’の位置または３’，４’の位置で連結してＡ又はＡ’に対して縮合環を形成するものであり、数字１，２，３，４，１’，２’，３’および４’が炭素原子である、請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
一般式（２）で表されるビス（アジニル）アゼン骨格を有するホウ素錯体が、以下のいずれかの式で表される化合物である、請求項１〜３のいずれかに記載の発光素子。
【化５】
2009010181.tif 000005
【請求項５】
前記陰極と前記発光層との間に、少なくとも電子輸送層を有し、
前記電子輸送層は、電子受容性窒素を含み、さらに炭素、水素、窒素、酸素、ケイ素、リンの中から選ばれる元素で構成されるヘテロアリール環構造を有する化合物を含有する、請求項1〜４のいずれかに記載の発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月12日(2010.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１の電極を有する第１の回路形成体と、
上記複数の第１の電極にそれぞれ対向して配置された複数の第２の電極を有する第２の回路形成体と、
上記第１の回路形成体と上記第２の回路形成体との対向領域に配置され両者を接合する
絶縁性接着剤樹脂と、
互いに隣接する上記第２の電極間に位置し、上記第２の回路形成体と上記絶縁性接着剤樹脂との界面において、一方の第２の電極から他方の第２の電極に向かう上記界面沿いの経路の一部に上記他方の第２の電極から上記一方の第２の電極に向かう逆方向の成分を有する経路を形成する逆経路形成部と、
を備える、電極接合構造体。
【請求項２】
上記逆経路形成部は、上記逆方向の成分を有する経路を２つ形成する、請求項１に記載の電極接合構造体。
【請求項３】
上記逆経路形成部は、上記第２の回路形成体上に形成された突起部により構成されている、請求項１に記載の電極接合構造体。
【請求項４】
上記突起部は、上記第２の電極に対して平行に延在している、請求項３に記載の電極接合構造体。
【請求項５】
上記突起部は、上記一方の第２の電極側に位置する面により上記逆方向の成分を有する経路を形成する、請求項３に記載の電極接合構造体。
【請求項６】
上記突起部は、上記第１の回路形成体側に向かって広がるテーパ状の断面形状を有する、請求項３に記載の電極接合構造体。
【請求項７】
上記突起部は、上記第２の回路形成体上に形成される第１の突起形成部と、上記第１の突起形成部材上に形成される第２の突起形成部とを有し、
上記第２の突起形成部の上記第１の突起形成部と隣接する側の面が、上記第１の突起形成部の上記第２の突起形成部と隣接する側の面よりも大きい、請求項３に記載の電極接合構造体。
【請求項８】
上記突起部の高さが、上記第１の電極の高さと上記第２の電極の高さとを合計した高さよりも低い、請求項３に記載の電極接合構造体。
【請求項９】
上記突起部は、上記第２の回路形成体と同質の材料により構成されている、請求項３に記載の電極接合構造体。
【請求項１０】
上記突起部は、上記第２の回路形成体と共有結合し得る材料により構成されている、請求項３に記載の電極接合構造体。
【請求項１１】
上記突起部は、無機・有機複合材料で構成されている、請求項３に記載の電極接合構造体。
【請求項１２】
上記第２の回路形成体は、ガラスを主成分とする第１の材料で構成され、
上記突起部は、ガラスを主成分とし且つ上記第１の材料よりも融点が低い第２の材料で構成されている、請求項３に記載の電極接合構造体。
【請求項１３】
上記突起部は、感光性樹脂を含有している、請求項３に記載の電極接合構造体。
【請求項１４】
上記逆経路形成部は、上記第２の回路形成体に形成された凹部により構成されている、請求項１に記載の電極接合構造体。
【請求項１５】
上記凹部は、上記第２の電極に対して平行に延在している、請求項１４に記載の電極接合構造体。
【請求項１６】
上記凹部は、上記一方の第２の電極側に位置する面により上記逆方向の成分を有する経路を形成する、請求項１５に記載の電極接合構造体。
【請求項１７】
上記凹部は、上記第１の回路形成体から離れる方向に向かって広がるテーパ状の断面形状を有する、請求項１４に記載の電極接合構造体。
【請求項１８】
上記それぞれの第２の電極は、銀で形成されている、請求項１〜１７のいずれか１つに記載の電極接合構造体。
【請求項１９】
上記絶縁性接着剤樹脂は、熱硬化性の樹脂である、請求項１〜１８のいずれか１つに記載の電極接合構造体。
【請求項２０】
さらに、上記絶縁性接着剤樹脂が外部に露出しないように覆い隠す絶縁性封止樹脂を有する、請求項１〜１９のいずれか１つに記載の電極接合構造体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の第５態様によれば、上記突起部は、上記一方の第２の電極側に位置する面により上記逆方向の成分を有する経路を形成する、第３態様に記載の電極接合構造体を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月17日(2010.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板処理装置及び半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板保持具に保持された基板を処理する処理室と、
該処理室の下方に連設し、前記基板保持具を前記処理室に搬入搬出する待機室と、
該待機室にガス清浄化部材により清浄化されたガスを供給する送風部と、
該送風部より上流側に設けられ、該上流側の圧力を検出する第一圧力検出部と、
前記送風部に対し、前記待機室に存する前記基板保持具より下流側に設けられる第二圧
力検出部とを備える基板処理装置。
【請求項２】
前記待機室内に前記基板保持具近傍の温度を検出する温度検出手段をさらに備える前記請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
基板保持具に保持された基板を処理する処理室と、
該処理室の下方に連設し、前記基板保持具を前記処理室に搬入搬出する待機室と、
該待機室にガス清浄化部材により清浄化されたガスを供給する送風部と、
前記待機室より下流側で前記ガスを排気する排気部と、
前記排気部と前記送風部とを連通するダクトと、
少なくとも前記送風部と前記待機室と前記ダクトとを収納する筐体とを備え、
前記送風部と前記筐体内壁との間には、前記待機室と連通する間隙が設けられており、該間隙の圧力を前記筐体外部の圧力より大きくなるように少なくとも前記送風部を制御する制御部を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
前記間隙と前記筐体外とを連通非連通可能な開口部をさらに有することを特徴とする前記請求項３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記開口部は圧力測定器を接続可能に設けられている前記請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記ダクト内で前記開口部より前記送風部に近い位置の圧力を測定する圧力測定器を備える前記請求項４記載の基板処理装置。
【請求項７】
処理室の下方に連設する待機室に送風部がガス清浄化部材により清浄化されたガスを供給するステップと、
前記送風部の上流側を囲うガス供給ダクト内にガス供給部よりガスを供給するステップと、
前記待機室に連通し該ガス供給ダクトと筐体外壁との間に設けられる空間に前記ガスが流れるステップと、
制御部が前記供給ダクト内の圧力値より前記空間の圧力値の方が大きくなるように前記送風を制御するステップと、
前記基板が保持された基板保持具を処理室に搬入するステップと、
前記処理室で前記基板保持具に保持された前記基板を処理するステップと、
前記処理室から前記基板保持具に保持された前記基板を搬出するステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記送風部を制御する制御部をさらに備え、
前記制御部は、前記供給ダクト内の圧力値より前記空間の圧力値の方が大きくなるように前記送風部および前記ガス供給部を制御することを特徴とする前記請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月4日(2010.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一つの実装基板に複数の電子部品を順次実装する電子部品実装装置において、
前記実装基板を固定する固定機構と、
前記電子部品を保持して、前記実装基板への圧着を行うボンディングヘッドと、
前記電子部品の実装面と略同一もしくは若干広い面積に形成される支持面が設けられ、該支持面で前記圧着力を前記実装基板の反実装面から支える局所ステージと、
前記ボンディングヘッドと前記実装基板との距離を測定して、該実装基板上の所定の実装位置における仮想平面を算出する測長機構と、
前記ボンディングヘッドおよび前記局所ステージを傾斜および移動させて、前記実装位置における前記仮想平面の法線と前記圧着力の作用線とを一致させる傾斜移動機構とを備え、
前記法線に沿って、前記圧着が行われること
を特徴とする電子部品実装装置。
【請求項２】
前記ボンディングヘッドに設けられる前記電子部品加熱用のヒータ、および前記局所ステージに設けられる前記実装基板加熱用のヒータの少なくとも一方のヒータを備えること
を特徴とする請求項１記載の電子部品実装装置。
【請求項３】
前記実装基板と、該実装基板に実装された前記電子部品との間の空間部に樹脂を充填する樹脂充填機構を備えること
を特徴とする請求項１または請求項２記載の電子部品実装装置。
【請求項４】
内部雰囲気の温度調節が可能な閉塞空間を備え、該閉塞空間内に設置されること
を特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の電子部品実装装置。
【請求項５】
前記閉塞空間は、内部を減圧する減圧機構を備えること
を特徴とする請求項４記載の電子部品実装装置。
【請求項６】
前記閉塞空間は、内部に不活性ガスを供給するガス供給機構を備えること
を特徴とする請求項５記載の電子部品実装装置。
【請求項７】
一つの実装基板に複数の電子部品を順次実装する電子装置の製造方法において、
前記電子部品を保持して前記実装基板への圧着を行うボンディングヘッドと、前記実装基板との距離を測定して、該実装基板上の所定の実装位置における仮想平面を算出する工程と、
次いで、前記ボンディングヘッドと、前記圧着力を前記実装基板の反実装面から支える局所ステージとを傾斜および移動させて、前記実装位置における前記仮想平面の法線と前記圧着力の作用線とを一致させる工程と、
次いで、前記法線に沿って、前記圧着が行われる工程とを備えること
を特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項８】
前記圧着が行われる工程は、前記ボンディングヘッドによって前記電子部品が加熱された状態、および前記局所ステージによって前記実装基板が加熱された状態の少なくとも一方の状態の下で実施されること
を特徴とする請求項７記載の電子装置の製造方法。
【請求項９】
内部雰囲気が所定の温度に調節された閉塞空間内において、
前記圧着が行われる工程に次いで、
前記実装基板と、該実装基板に実装された前記電子部品との間の空間部に樹脂を充填する工程が行われること
を特徴とする請求項７または請求項８記載の電子装置の製造方法。
【請求項１０】
前記閉塞空間の内部が減圧された状態で実施されること
を特徴とする請求項９記載の電子装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に係る電子部品実装装置は、一つの実装基板に複数の電子部品を順次実装する電子部品実装装置において、前記実装基板を固定する固定機構と、前記電子部品を保持して、前記実装基板への圧着を行うボンディングヘッドと、前記電子部品の実装面と略同一もしくは若干広い面積に形成される支持面が設けられ、該支持面で前記圧着力を前記実装基板の反実装面から支える局所ステージと、前記ボンディングヘッドと前記実装基板との距離を測定して、該実装基板上の所定の実装位置における仮想平面を算出する測長機構と、前記ボンディングヘッドおよび前記局所ステージを傾斜および移動させて、前記実装位置における前記仮想平面の法線と前記圧着力の作用線とを一致させる傾斜移動機構とを備え、前記法線に沿って、前記圧着が行われることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月28日(2010.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリに記憶されている元画像データに基づく画像を含む、前記画像の領域をユーザが指定するためのシートを印刷装置に印刷させる印刷制御手段と、
前記印刷制御手段により印刷されたシートを読取装置が読み取ることによって得られた読取画像データを取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された読取画像データに基づき、前記シートに印刷されている前記元画像データに基づく画像のうちユーザにより指定された領域を検出する検出手段と、
前記メモリに記憶されている前記元画像データに含まれる、前記シートに印刷されている前記元画像データに基づく画像の前記検出手段により検出された領域に対応する画像データを特定する特定手段と、
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記特定手段は、前記メモリに記憶されている元画像データと前記取得手段により取得された読取画像データとの類似度に基づいて、前記メモリに記憶されている前記元画像データに含まれる画像データを特定することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記印刷制御手段は、前記メモリに記憶されている元画像データに対応する画像の一部領域を拡大した拡大画像を含むシートを印刷させ、
前記検出手段は、前記シートに印刷されている前記拡大画像のうちユーザにより指定された領域を検出し、
前記特定手段は、前記シートに印刷されている前記拡大画像に基づき、前記元画像データに含まれる画像データを特定することを特徴とする請求項１または２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記メモリに記憶されている元画像データから、前記特定手段により特定された画像データを抽出する抽出手段を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記抽出手段により抽出された画像データを、前記元画像データとは異なる画像データと合成する合成手段を有することを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記印刷制御手段は、前記メモリに記憶されている元画像データを、前記元画像データに含まれる各画素のレベルのレンジを圧縮することによって、前記元画像データに基づく画像をシートに印刷させることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記印刷制御手段は、前記メモリに記憶されているカラーで表された元画像データを、単色の画像データに変換することによって、前記元画像データに基づく画像をシートに印刷させることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
メモリに記憶されている元画像データに基づく画像を含む、前記画像の領域をユーザが指定するためのシートを印刷装置に印刷させる印刷制御工程と、
前記印刷制御工程において印刷されたシートを読取装置が読み取ることによって得られた読取画像データを取得する取得工程と、
前記取得工程において取得された読取画像データに基づき、前記シートに印刷されている前記元画像データに基づく画像のうちユーザにより指定された領域を検出する検出工程と、
前記メモリに記憶されている前記元画像データに含まれる、前記シートに印刷されている前記元画像データに基づく画像の前記検出肯定において検出された領域に対応する画像データを特定する特定工程と、
を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項９】
請求項８に記載の画像処理方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置、画像処理方法、およびプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、メモリに記憶されている画像データに含まれる、画像データを特定する画像処理装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
メモリに記憶されている元画像データに基づく画像を含む、前記画像の領域をユーザが指定するためのシートを印刷装置に印刷させる印刷制御手段と、前記印刷制御手段により印刷されたシートを読取装置が読み取ることによって得られた読取画像データを取得する取得手段と、前記取得手段により取得された読取画像データに基づき、前記シートに印刷されている前記元画像データに基づく画像のうちユーザにより指定された領域を検出する検出手段と、前記メモリに記憶されている前記元画像データに含まれる、前記シートに印刷されている前記元画像データに基づく画像の前記検出手段により検出された領域に対応する画像データを特定する特定手段と、を有することを特徴とする。