【手続補正書】
【提出日】平成22年5月31日(2010.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）チップ搭載部、および前記チップ搭載部とは電気的に分離された第１リードを有するリードフレームを準備する工程と、
（ｂ）第１パッドが配置された主面、および前記主面とは反対側の裏面を有する半導体チップを前記リードフレームの前記チップ搭載部に搭載する工程と、
（ｃ）前記半導体チップの前記第１パッドと前記リードフレームの前記第１リードとをボンディングツールを使用して第１金属リボンにより電気的に接続する工程と、
を有し、
前記（ｃ）工程において、前記第１金属リボンは、前記ボンディングツールに超音波を加えることにより、前記半導体チップの前記第１パッドと前記リードフレームの前記第１リードとに接続され、
さらに、前記第１金属リボンは、前記第１金属リボンと前記半導体チップの前記第１パッドとが接続される第１接続部の接続サイズと、前記第１金属リボンと前記リードフレームの前記第１リードとが接続される第２接続部の接続サイズとが等しくなるように、前記半導体チップの前記第１パッドと前記リードフレームの前記第１リードとに接続されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第１接続部を形成する前記ボンディングツールと、前記第２接続部を形成する前記ボンディングツールは同一であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法であって、
前記（ｃ）工程において、前記半導体チップの前記第１パット上に前記第１金属リボンと前記半導体チップの前記第１パッドとが接続される第３接続部がさらに形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第３接続部は、前記第１接続部と前記第２接続部との間に位置するように形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第３接続部は、前記第１接続部と前記第３接続部との間の前記第１金属リボンの一部が凸形状となるように形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第３接続部は、前記第１接続部の接続サイズと前記第３接続部の接続サイズとが等しくなるように形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項４記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第３接続部は、前記第１接続部と前記第３接続部との間の前記第１金属リボンの一部が前記第１接続部および前記第３接続部よりも高くなるように形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記（ｃ）工程の後、第２金属リボンが、前記ボンディングツールに超音波を加えることにより、前記半導体チップの前記第１パッドと前記リードフレームの前記第１リードとに接続されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第１金属リボンの幅と前記第２金属リボンの幅は等しいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第１金属リボンは、アルミニウムリボンであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記半導体チップは第２パッドをさらに有し、
前記リードフレームは、前記チップ搭載部とは電気的に分離された第２リードをさらに有し、
前記（ｃ）工程の前後いずれかの工程において、金属ワイヤが前記半導体チップの前記第２パッドと前記リードフレームの前記第２リードとに接続されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記金属ワイヤは、金線であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
（ｄ）前記半導体チップ、前記第１リードの一部、前記チップ搭載部の一部、および前記第１金属リボンをモールドレジンで封止する工程と、
（ｅ）前記リードフレームから前記モールドレジンの外側に露出した前記第１リードの他の部分を切断する工程と、
（ｆ）前記第１リードをガルウイング形状に成形する工程と、
をさらに有する半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の半導体装置の製造方法であって、
前記（ｄ）工程において、前記チップ搭載部は、前記モールドレジンから前記チップ搭載部の裏面が露出するように前記モールドレジンにより封止されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記半導体チップには、パワーＭＯＳＦＥＴが形成されており、
前記半導体チップの前記第１パッドは、前記パワーＭＯＳＦＥＴのソースに電気的に接続されたソースパッドであり、
前記半導体チップの前記第２パッドは、前記パワーＭＯＳＦＥＴのゲートに電気的に接続されたゲートパッドであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の半導体装置の製造方法であって、
前記ソースパッドは、前記ゲートパッドよりも広い面積を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１６記載の半導体装置の製造方法であって、
前記半導体チップの裏面は、前記パワーＭＯＳＦＥＴのドレイン電極であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１７記載の半導体装置の製造方法であって、
前記半導体チップの裏面は、銀ペーストもしくはＰｂフリー半田を用いて前記リードフレームの前記チップ搭載部上に接着されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、小型面実装パッケージを有する半導体装置の製造に適用することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の半導体装置の製造方法は、
（ａ）チップ搭載部、および前記チップ搭載部とは電気的に分離された第１リードを有するリードフレームを準備する工程と、
（ｂ）第１パッドが配置された主面、および前記主面とは反対側の裏面を有する半導体チップを前記リードフレームの前記チップ搭載部に搭載する工程と、
（ｃ）前記半導体チップの前記第１パッドと前記リードフレームの前記第１リードとをボンディングツールを使用して第１金属リボンにより電気的に接続する工程と、を有し、
前記（ｃ）工程において、前記第１金属リボンは、前記ボンディングツールに超音波を加えることにより、前記半導体チップの前記第１パッドと前記リードフレームの前記第１リードとに接続され、
さらに、前記第１金属リボンは、前記第１金属リボンと前記半導体チップの前記第１パッドとが接続される第１接続部の接続サイズと、前記第１金属リボンと前記リードフレームの前記第１リードとが接続される第２接続部の接続サイズとが等しくなるように、前記半導体チップの前記第１パッドと前記リードフレームの前記第１リードとに接続されるものである。