(57)【要約】  導電膜は、透明絶縁基板と、この透明絶縁基板上に形成された導電メッシュとを含み、そのうちの１つにインプリントを施してその表面上にメッシュ状の溝を形成すが、これは単純かつ迅速で、高効率であり；溝をプリンティングし、金属スラリーで充填した後、焼結されて導電メッシュを形成するが、この形成は低コストであり；導電メッシュのライン間の距離はｄ１、および１００μｍ≦ｄ１＜６００μｍと定義され、導電メッシュの平方抵抗はＲ、および０．１Ω／ｓｑ  ≦Ｒ＜２００Ω／ｓｑと定義される。ライン間の距離を縮小するには、メッシュラインの幅を縮小し、これにより導電膜の光透過が向上し、平方抵抗が小さいほど、導電膜の導電性に優れ、信号の伝達速度が高速化し；金属含有量が低いほど平方抵抗が小さくなるため、原材料の節約になる。
2015509254.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電膜であって、
透明絶縁基板と、前記透明絶縁基板上に形成された導電メッシュとを備え、
前記導電メッシュのライン間の距離はｄ１と定義され、数式１００μｍ≦ｄ１＜６００μｍに従い、前記導電メッシュの平方抵抗はＲと定義され、数式０．１Ω／ｓｑ  ≦Ｒ＜２００Ω／ｓｑに従う、導電膜。
【請求項２】
前記透明絶縁基板の表面に形成された透明絶縁層をさらに備え、前記導電メッシュは前記透明絶縁層内に組み込まれるか、または埋め込まれている、請求項１に記載の導電膜。
【請求項３】
前記透明絶縁基板の表面上に設置した透明絶縁層をさらに備え、前記透明絶縁層は複数の交差溝を形成しており、前記導電メッシュは前記溝内に受容される、請求項１に記載の導電膜。
【請求項４】
前記導電メッシュは、金、銀、銅、アルミニウム、亜鉛、および金銀、またはこれらのうちの少なくとも２つで構成される合金からなる群より選択される１つの材料からなっている、請求項１に記載の導電膜。
【請求項５】
前記導電メッシュは銀製であり、銀含有量は０．７〜１．８ｇ／ｍ２である、請求項４に記載の導電膜。
【請求項６】
前記導電メッシュのライン間の距離はｄ１と定義され、数式２００μｍ≦ｄ１＜５００μｍに従う、請求項１に記載の導電膜。
【請求項７】
ｄ１と定義される前記距離は、数式２００μｍ≦ｄ１＜３５０μｍに従う、請求項１に記載の導電膜。
【請求項８】
ｄ１と定義される前記距離は、数式３５０μｍ≦ｄ１＜５００μｍに従う、請求項１に記載の導電膜。
【請求項９】
前記導電メッシュの平方抵抗はＲと定義され、数式０．１Ω／ｓｑ  ≦Ｒ＜６０Ω／ｓｑに従う、請求項１に記載の導電膜。
【請求項１０】
前記導電メッシュのメッシュラインの幅はｄ２と定義され、数式１μｍ≦ｄ２≦１０μｍに従う、請求項１に記載の導電膜。
【請求項１１】
前記導電メッシュの前記メッシュラインの幅はｄ２と定義され、数式２μｍ≦ｄ２≦５μｍに従う、請求項１０に記載の導電膜。
【請求項１２】
前記導電メッシュは規則的な定型グラフィック配列にて構成されている、請求項１に記載の導電膜。
【請求項１３】
前記透明絶縁層は、光硬化性接着剤、熱硬化性接着剤、自己硬化接着剤からなる群より選択される１つの材料で構成される、請求項３に記載の導電膜。
【請求項１４】
前記透明絶縁層は、シャドウレス接着剤、光学透明接着剤、液体光学クリア接着剤からなる群より選択される１つの材料で構成される、請求項１３に記載の導電膜。
【請求項１５】
前記透明絶縁層の厚さはｄ４と定義され、前記溝の幅はｄ３と定義され、数式０．５≦ｄ４／ｄ３≦１．５に従う、請求項３に記載の導電膜。
【請求項１６】
前記透明絶縁層は、前記溝が画定されている側において保護層を設け、前記保護層は、前記透明絶縁層の機械特性の効果を向上させ、前記透明絶縁層を引掻きから保護する、請求項３に記載の導電膜。
【請求項１７】
前記透明絶縁基板は、ポリエチレンテレフタラートプラスチック、透明プラスチック材料、ポリカーボネート、ガラスからなる群より選択される材料で構成されている、請求項１７に記載の導電膜、請求項１に記載の導電膜。
【請求項１８】
導電膜の作成方法であって、
モールドによって透明絶縁基板または透明絶縁層にインプリントを施して、前記透明絶縁基板または透明絶縁層の表面に複数のメッシュ状の溝を画定するステップであって、前記透明絶縁基板および透明絶縁層は結合しており、前記モールド上に形成されたライン間の距離はｄ１と定義され、数式１００μｍ≦ｄ１＜６００μｍに従う、ステップと、
前記溝を硬化させるステップと、
プリンティング工程中に充填を行うステップであって、前記プリンティング工程中、前記溝内に金属溶液が充填される、ステップと、
前記充填した金属溶液を焼結および硬化させて、導電メッシュを形成するステップであって、この場合、前記導電メッシュの平方抵抗はＲと定義され、数式０．１Ω／ｓｑ  ≦Ｒ＜２００Ω／ｓｑに従い、金属含有量は０．７〜０．８ｇ／ｍ２であり、こうして前記導電膜が形成される、ステップと、を備える、導電膜の作成方法。
【請求項１９】
前記モールドによる前記インプリントは、
前記溝をインプリントするステップであって、前記透明絶縁基板にインプリントを施して、その表面に前記メッシュ状の溝を形成する、ステップと、
前記透明絶縁層を形成するステップであって、前記溝内部をグルーで被覆して前記透明絶縁層を形成する、ステップとを備えるか、
または、
前記透明絶縁層を形成するステップであって、前記透明絶縁基板の表面をグルーで被覆して前記透明絶縁層を形成する、ステップと、
前記溝をインプリントするステップであって、前記透明絶縁層にインプリントを施して、その表面に前記メッシュ状の溝を形成する、ステップと、を備える、請求項１８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
発明の分野
本発明はタッチスクリーンの分野に関し、より具体的には、導電膜およびその作成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発明の背景
タッチスクリーンは、人間とコンピュータの対話を実行するためのより優れた方法と考えられ、表示画面を設けた様々な電子デバイスの分野においてますます幅広く適用されてきており、さらに、電導膜はタッチスクリーンにとって必要不可欠な部品である。
【０００３】
現在、導電膜は透明絶縁基板、導電層、導電メッシュを含む。透明絶縁基板および導電層は結合している。導電メッシュは導電層の表面に配置されている。露光および成長は、一般的な導電膜作成方法である。露光および露光は、ハロゲン化銀乳剤層を導電層へ移動させ、さらに導電層表面上に導電メッシュを形成するために使用される。導電メッシュパターンの銀含有量、メッシュライン間の距離、表面平方抵抗、導電粒子のパラメータを調整することで、成果物である導電メッシュのライン間の距離が６００〜８００μｍ、平方抵抗が２００〜８００Ω／ｓｑ（Ωパースクエア）、導電メッシュの金属含有量が１．３〜１．９ｇ／ｍ２となる。これは、導電膜の導電性を高めることを目的としている。
【０００４】
しかし、導電膜には次のような解決されるべき技術的問題がある：距離が大きすぎる場合には、非常に厚いメッシュラインを使用する必要があり、光学的性質に劣る；平方抵抗が遥かに大きいために、信号伝達速度が低下し、したがって、導電膜を設けたタッチスクリーンは、感度が低く、またユーザエクスペリエンスに劣る。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
乏しい光学的性質、高い平方抵抗、遅い信号伝達速度、感度の低い応答という問題を解決するために、導電膜および導電膜の作成方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
導電膜は、透明絶縁基板と、透明絶縁基板上に形成された導電メッシュとを含み；
導電メッシュのライン間の距離はｄ１と定義され、数式１００μｍ≦ｄ１＜６００μｍに従い、また、導電メッシュの平方抵抗はＲと定義され、数式０．１Ω／ｓｑ  ≦Ｒ＜２００Ω／ｓｑに従う。
【０００７】
一実施形態では、導電膜は、透明絶縁基板の表面に形成された透明絶縁層をさらに含み、導電メッシュは透明絶縁層内に組み込まれるか、または埋め込まれている。
【０００８】
一実施形態では、導電膜は、透明絶縁基板の表面上に設置した透明絶縁層をさらに含み、透明絶縁層は複数の交差溝を形成しており、導電メッシュは溝内に受容される。
【０００９】
一実施形態では、導電メッシュは、金、銀、銅、アルミニウム、亜鉛、および金銀、またはこれらのうちの少なくとも２つで構成される合金からなる群より選択される１つの材料からなっている。
【００１０】
一実施形態では、導電メッシュは銀製で、銀含有量は０．７〜１．８ｇ／ｍ２である。
一実施形態では、導電メッシュのライン間の距離はｄ１と定義され、数式２００μｍ≦ｄ１＜５００μｍに従う。
【００１１】
一実施形態では、ｄ１と定義される距離は、数式２００μｍ≦ｄ１＜３５０μｍに従う。
【００１２】
一実施形態では、ｄ１と定義される距離は、数式３５０μｍ≦ｄ１＜５００μｍに従う。
【００１３】
一実施形態では、導電メッシュの平方抵抗はＲと定義され、数式０．１Ω／ｓｑ  ≦Ｒ＜６０Ω／ｓｑに従う。
【００１４】
一実施形態では、導電メッシュのメッシュラインの幅はｄ２と定義され、数式１μｍ≦ｄ２≦１０μｍに従う。
【００１５】
一実施形態では、導電メッシュのメッシュラインの幅はｄ２と定義され、数式２μｍ≦ｄ２≦５μｍに従う。
【００１６】
一実施形態では、導電メッシュは規則的な定型グラフィック配列にて構成されている。
一実施形態では、透明絶縁層は、光硬化性接着剤、熱硬化性接着剤、自己硬化接着剤からなる群より選択される１つの材料で構成される。
【００１７】
一実施形態では、透明絶縁層は、シャドウレス接着剤、光学透明接着剤、液体光学クリア接着剤からなる群より選択される１つの材料で構成される。
【００１８】
一実施形態では、透明絶縁層の厚さはｄ４と定義され、溝の幅はｄ３と定義され、数式０．５≦ｄ４／ｄ３≦１．５に従う。
【００１９】
一実施形態では、透明絶縁層の、溝が画定されている側には保護層が設けられており、この保護層は、透明絶縁層の機械特性の効果を向上させ、透明絶縁層を引掻きから保護する。
【００２０】
一実施形態では、透明絶縁基板は、ポリエチレンテレフタラートプラスチック、透明プラスチック材料、ポリカーボネート、ガラスからなる群より選択される材料で構成される。
【００２１】
導電膜の作成方法であって、この作成方法は、
モールドによって透明絶縁基板または透明絶縁層にインプリントを施して、透明絶縁基板または透明絶縁層の表面に複数のメッシュ状の溝を画定するステップであって、透明絶縁基板および透明絶縁層は結合しており、モールド上に形成されたライン間の距離はｄ１と定義され、数式１００μｍ≦ｄ１＜６００μｍに従う、ステップと、
溝を硬化させるステップと、
プリンティング工程中に充填を行うステップであって、プリンティング工程中、溝内に金属溶液が充填される、ステップと、
充填した金属溶液を焼結および硬化させて、導電メッシュを形成するステップであって、この場合、導電メッシュの平方抵抗はＲと定義され、数式０．１Ω／ｓｑ  ≦Ｒ＜２００Ω／ｓｑに従い、金属含有量は０．７〜０．８ｇ／ｍ２であり、こうして導電膜が形成される、ステップとを含む。
【００２２】
一実施形態では、モールドによるインプリントは、
溝をインプリントするステップであって、透明絶縁基板にインプリントを施して、その表面にメッシュ状の溝を形成する、ステップと、
透明絶縁層を形成するステップであって、溝内部をグルーで被覆して透明絶縁層を形成する、ステップを含むか、
または、
透明絶縁層を形成するステップであって、透明絶縁基板の表面をグルーで被覆して透明絶縁層を形成する、ステップと、
溝をインプリントするステップであって、透明絶縁層にインプリントを施して、その表面にメッシュ状の溝を形成する、ステップと、を含む。
【００２３】
導電膜では、透明絶縁基板にインプリントを施してその表面にメッシュ状の溝を形成するが、これは単純かつ迅速で、効率が高く；溝を金属スラリーで充填した後、金属スラリーを焼結させて導電メッシュを形成するが、コストは低く；導電メッシュのライン間の距離はｄ１と定義され、数式１００μｍ≦ｄ１＜６００μｍに従い、導電メッシュの平方抵抗はＲと定義され、数式０．１Ω／ｓｑ  ≦Ｒ＜２００Ω／ｓｑに従い；導電メッシュの平方抵抗はＲと定義され、数式０．１Ω／ｓｑ  ≦Ｒ＜２００Ω／ｓｑに従い、金属含有量が特定の容量である場合、ライン間の距離はｄ１と定義され、数式１００μｍ≦ｄ１＜６００μｍに従う。ライン間の距離を縮小するには、メッシュラインの幅を縮小する必要があり、これにより、導電膜の光透過特性が向上し；また、平方抵抗が小さいほど、導電膜の導電性に優れ、信号の伝達速度が高速化し；平方抵抗の偏差が低減される。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の導電膜の略断面図である。
【図２】本発明の導電膜の直線導電メッシュの略平面図である。
【図３】本発明の導電膜の曲線導電メッシュの略平面図である。
【図４】本発明の透明絶縁層に埋め込んだ導電メッシュの斜視図である。
【図５】本発明の透明絶縁基板上に直接配置した導電メッシュの略断面図である。
【図６】本発明の溝の幅と等しい透明絶縁層の厚さの略断面図である。
【図７】本発明の導電膜作成方法のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
実施形態の詳細な説明
以降では、本発明の例示的な実施形態について述べる。以降の説明は、これらの実施形態を完全に理解するため、また実施形態の説明を可能にするために、特定な詳細を提供するものである。当業者は、このような説明がなくても本発明の実施が可能であることを理解するだろう。別の場合では、実施形態の説明を不要に不明瞭化してしまうことを避けるために、周知の構造および機能の詳細な提示または説明を省いている。
【００２６】
文脈中で確実に必要である場合を除き、明細書および請求項の全体にわたり、「備える」、「備えている」などは、排他的および徹底的な意味ではなく、包括的な意味、つまり「非限定的に含む」という意味で解釈されるべきである。単数または複数を用いた単語は、それぞれ複数または単数をも含む。さらに、「ここで」、「上述の」、「以下に」、およびこれらと類似する趣旨の語は、本出願で使用される際には、本出願の全体を意味するものであり、本出願のいかなる特定部分を意味するものではない。また、請求項において、２つ以上の品目の列挙を指して「または」という語を使用した場合には、この語は以下の解釈の全てを網羅するものである；すなわち、列挙した任意の品目、列挙した全ての品目、および列挙した品目の任意の組み合わせである。
【００２７】
本発明において透明絶縁基板に使用している「透明」という語は、「透明」および「実質的に透明」として理解することができる。本発明において透明絶縁基板に使用している「絶縁」という語は、「絶縁」および「誘電」として理解でき、したがって、本発明における「透明絶縁基板」とは、透明絶縁基板、実質的に透明な絶縁基板、透明な誘電基板、実質的に誘電性の透明基板を非限定的に含むものである。
【００２８】
図１を参照すると、導電膜は透明絶縁基板１０と、透明絶縁基板１０上に形成された導電メッシュ１１とを含む。透明絶縁基板１０は透明かつ絶縁性で、光学性能に優れているため、導電膜の光透過性に影響を与えることがない。導電メッシュ１１の導電性によって、導電膜の導電性が確実に得られる。導電膜は、その光透過性および導電性のために、タッチスクリーンに適用できる。
【００２９】
図２、図３を参照すると、導電メッシュ１１のライン間の距離はｄ１と定義され、数式１００μｍ≦ｄ１＜６００μｍに従う。導電メッシュ１１の平方抵抗がＲと定義され、さらに数式０．１Ω／ｓｑ  ≦Ｒ＜２００Ω／ｓｑに従う。導電メッシュ１１のライン間の距離ｄ１が縮小され、すなわち、数式１００μｍ≦ｄ１＜６００μｍに従う。したがって、形成されたメッシュのライン幅ｄ２を縮小して、より細いメッシュラインを得ることが必要である。導電メッシュ１１は不透明であるので、メッシュのラインの幅ｄ２を縮小することで、光透過領域が増加し、導電膜の光透過性を向上することができる。導電膜の平方抵抗がその導電性を決定する。つまり、導電膜の平方抵抗を低減することにより、導電膜の導電性の向上が可能であり、平方抵抗が小さいほど、導電性に優れ、信号伝達速度が高速化する。導電メッシュ１１の平方抵抗Ｒを０．１Ω／ｓｑ  ≦Ｒ＜２００Ω／ｓｑにまで下げると、導電膜の導電性が向上し、信号の伝達速度が高速化する。
【００３０】
図示の実施形態では、導電膜の透明絶縁基板１０は、ポリエチレンテレフタラートプラスチック、透明プラスチック、ポリカーボネート、ガラスからなる群より選択される高度に透明な材料のうちの任意の１つで構成されている。
【００３１】
図示の実施形態では、導電膜は、透明絶縁基板１０の表面上に形成された透明絶縁層１２をさらに含んでいる。導電メッシュ１１は、透明絶縁層１２内に組み込まれるか、埋め込まれている。透明絶縁層１２は、光硬化性接着剤、熱硬化性接着剤、自己硬化接着剤からなる群、好ましくは紫外線硬化性接着剤、光学接着剤、または液状光学接着剤（ＬＯＣＡ）からなる群より選択される１つの材料を硬化させることによって形成される。光硬化接着剤、熱硬化性接着剤、自己硬化接着剤には、迅速な硬化、低い硬化条件、高強度といった特性があるため、この種の接着剤の硬化には複雑な処理および高い費用は必要ない。光学接着剤は、ＯＣＡ光学シート、紫外線硬化性接着剤、ＯＣＡ光学シートまたは液状光学接着剤であってよく、ケイ酸ナトリウム、金属、プラスチックなどと強力な結合力で良好に結合でき、透過性に優れ、また、硬化後の応力割れも生じない。迅速に硬化する特性により、効率が大幅に向上する。便宜上、基板１０上への接着材料の塗布を、自動吐出またはスクリーン印刷のサイジングによって実施できる。
【００３２】
透明絶縁基板１０は、フォトリソグラフィまたはインプリントによって溝構造を画定する。溝構造の表面をグルーで被覆し、次にこれを硬化させて、透明絶縁層１２を形成する。透明絶縁層１２の溝構造内は、導電メッシュ１１を形成するための導電性スラリーで充填されており、これによって透明絶縁層１２内に導電メッシュ１１が実現される。あるいは、図４を参照すると、透明絶縁基板１０は溝構造を画定し、ブレード塗工によってこの溝構造を銀スラリーで充填し、次にこれを焼結および硬化させて、導電メッシュ１１を形成する。透明絶縁基板１０および導電メッシュ１１の表面をグルーで被覆し、次にこれを焼結および硬化させて、透明絶縁層１２を形成することで、導電メッシュ１１が透明絶縁層１２内に埋め込まれる。
【００３３】
一実施形態では、導電膜は透明絶縁層１２をさらに含み、この透明絶縁層１２は透明絶縁基板１０の表面に形成されて複数の交差溝を画定し、この交差溝の中に導電メッシュが組み込まれる。透明絶縁層１２は高い結合強度を有するため、ケイ酸ナトリウム、金属、プラスチックなどと良好に結合することができる。透明絶縁層１２と透明絶縁基板１０の結合後、モールドインプリントのような様々な方法により、透明絶縁層１２の表面に複数の交差溝を形成する。次に、導電メッシュ１１が透明絶縁層１２の溝内に組み込まれる。前述の工程は、運用が簡単で、効率的かつ低コストである。
【００３４】
あるいは、図５に示すように、溝を設けずに、導電メッシュ１１を透明絶縁基板１０の表面に形成することができる。
【００３５】
導電メッシュ１１は、金、銀、銅、アルミニウム、亜鉛、金銀、またはこれらのうち少なくとも２つで構成される合金からなる群より選択される材料で作成される。これらの材料は簡単に入手でき、安価であり、特にナノシルバーは低コストで、導電性により優れている。
【００３６】
図示の実施形態では、導電メッシュ１１は銀製であり、銀含有量は０．７〜１．８ｇ／ｍ２と低い。導電膜に優れた光透過性および導電性が保証されていることを前提とした場合、材料節約とコスト低減のために、銀含有量を可能な限り低くするべきである。
【００３７】
導電メッシュ１１のライン間の距離ｄ１は、２００μｍ≦ｄ１＜５００μｍであることが好ましい。タッチスクリーンのサイズが１４インチ以下である場合は、導電メッシュのライン間の距離ｄ１は２００μｍ≦ｄ１＜３５０μｍであることが好ましく、また、タッチスクリーンのサイズが１４インチ以上である場合には、導電メッシュのライン間の距離ｄ１は３５０μｍ≦ｄ１＜５００μｍであることが好ましい。距離ｄ１はタッチスクリーンのサイズに関連するため、主に、導電膜の光透過性、導電性、コストから評価されるべきである。対応する光透過性および導電性の要件を満たしていることを前提とした場合、コストは可能な限り低く抑えるべきである。
【００３８】
導電メッシュ１１の平方抵抗はＲと定義され、０．１Ω／ｓｑ  ≦Ｒ＜２００Ω／ｓｑであることが好ましい。平方抵抗Ｒがこの範囲内である場合、導電膜の導電性および信号の伝達速度が大幅に増加する。さらに、加工精度は０．１Ω／ｓｑ  ≦  Ｒ  ＜２００Ω／ｓｑと比べて低いため、高い導電性が保証されていると前提した場合、技術要件および加工コストが低減される。
【００３９】
導電メッシュ１１のメッシュラインの幅がｄ２と定義され、数式１μｍ≦ｄ２≦１０μｍに従う。メッシュラインの幅は導電膜の光透過性に影響し、メッシュラインの幅が狭いほど優れた光透過性が得られる。ライン間の距離ｄ１を１００μｍ≦ｄ１＜６００μｍ、導電メッシュ１１の平方抵抗を０．１Ω／ｓｑ  ≦Ｒ＜２００Ω／ｓｑである場合には、ラインの幅ｄ２を１μｍ≦ｄ２≦１０μｍにすることができ、これにより導電膜の光透過性が向上する。特に、導電メッシュ１１のメッシュラインの幅が２μｍ≦ｄ２＜５μｍである場合、導電膜の光透過性の領域がより大きくなり、そのためより優れた光透過性が得られ、同時に加工精度の必要性は比較的低くなる。
【００４０】
第１実施形態では、ｄ１＝２００μｍ、Ｒ＝４〜５Ω／ｓｑであり、銀含有量は１．１ｇ／ｍ２、ラインの幅ｄ２は５００ｎｍ〜５μｍである。当然ながら、平方抵抗Ｒおよび銀含有量は、ラインの幅ｄ２と、充填のための溝の深度とに関連する。ラインの幅ｄ２と、充填のための溝の深度とが大きいほど、平方抵抗および銀含有量は高くなる。
【００４１】
第２実施形態では、ｄ１＝３００μｍ、Ｒ＝１０Ω／ｓｑであり、銀含有量は０．９〜１．０ｇ／ｍ２、ラインの幅ｄ２は５００ｎｍ〜５μｍである。明らかに、平方抵抗Ｒおよび銀含有量は、ラインの幅ｄ２と、充填のための溝の深度とに関連する。ラインの幅ｄ２と、充填のための溝の深度とが大きいほど、平方抵抗および銀含有量は高くなる。
【００４２】
第３実施例では、ｄ１＝５００μｍ、Ｒ＝３０〜４０Ω／ｓｑであり、銀含有量は０．７ｇ／ｍ２、ラインの幅ｄ２は５００ｎｍ〜５μｍである。明らかに、平方抵抗Ｒおよび銀含有量は、ラインの幅ｄ２と、充填のための溝の深度とに関連する。ラインの幅ｄ２と、充填のための溝の深度とが大きいほど、平方抵抗および銀含有量は高くなる。
【００４３】
導電メッシュ１１は規則的な定型グラフィック配列で構成されている。導電メッシュ１１は定型配列されており、全ての隣接するライン間に等距離ｄ１を設けているため、導電膜は均等な透過性を有する。その一方で、導電メッシュ１１は表面抵抗が均等で、抵抗偏差が小さいため、抵抗偏差の補正が不要であり、したがって画像が均一になる。導電メッシュ１１の図形は、実質的な直交線からなる直線格子縞、または湾曲した波線からなる格子縞などであってよい。
【００４４】
図６を参照すると、図示の実施形態では、透明絶縁層の厚さがｄ４、溝の幅がｄ３と定義され、さらに０．５≦ｄ４／ｄ３≦１．５に従う。透明絶縁基板１０の表面が透明絶縁層１２で被覆され、さらに、溝の深度が溝の幅よりも大きいまたは幅と等しいことで、透明絶縁層１２に複数の溝が画定されると、溝のインプリント形成時に、絶縁層１２が穿孔されて透明絶縁基板１０が露光してしまうことを防止できる。透明絶縁層１２の厚さｄ４と溝の幅ｄ３との間の比率が０．５≦ｄ４／ｄ３≦１．５であるならば、絶縁層１２は良好な厚さを得ることができ、材料消費の点でも経済的である。ｄ４／ｄ３の値が小さいほど光透過に優れるが、一方で、透明絶縁層１２の厚さｄ４がそれ程厚くなることはないため、導電膜の全体の厚さを低減することで良い結果をもたらす。タッチスクリーンの厚さを低減することでも、良い結果をもたらす。
【００４５】
この図示の実施形態では、導電膜は、透明絶縁層１２の溝が画定されている側に配置された保護層をさらに備えており、この保護層は、透明絶縁層１２の機械特性を向上させ、透明絶縁膜１２を引掻きから保護する。保護層は、接着剤（ゼラチン、ポリマーなど）からなる。保護層は、透明絶縁層１２を引掻きから保護し、透明絶縁層１２の機械特性を向上させるために、透明絶縁層１２の溝を画定している側に０．２μｍ未満の厚さで付着される。
【００４６】
一実施形態では、導電膜は導電ポリマー層または導電粒子層をさらに含み、この導電ポリマー層または導電粒子層は低導電性、高抵抗性であり、透明性に優れている。導電性は１．０×１０７Ω／ｓｑまたはそれ以上である。高抵抗性の透明導電層を導電膜上の、透明絶縁層１２付近に形成することで、平方抵抗の偏差が排除される。
【００４７】
図７を参照すると、導電膜の作成方法は以下のステップを含む：ステップＳ１１０：透明絶縁基板１０または透明絶縁層１２の表面にインプリントを施し、モールドによるメッシュ状の溝を形成する。透明絶縁基板１０と透明絶縁層１２とが結合する。モールド上に形成されたライン間の距離は、１００μｍ≦ｄ１＜６００μｍに従い；ステップＳ１２０：溝を硬化させる。ステップＳ１３０：ブレード塗工を施す、すなわち、ブレード塗工により、溝を金属スラリーで充填する。ステップＳ１４０：充填された金属スラリーを焼結させ、導電メッシュを形成する。この導電メッシュは平方抵抗が０．１Ω／ｓｑ  ≦Ｒ＜２００Ω／ｓｑ、金属含有量が０．７〜０．８ｇ／ｍ２である。これにより、導電膜が形成される。準備したモールドを用いたインプリントによって透明絶縁基板１０にメッシュ状の溝を画定し、次にこの溝を硬化させて、高強度かつ固定形状を持った溝を形成することは、簡単かつ効率性が高い。モールド上のライン間の距離は数式１００μｍ≦ｄ１＜６００μｍに従っているため、数式１００μｍ≦ｄ１＜６００μｍに従ったラインの距離を有する溝が、モールドを用いたインプリントによって得られる。インプリントした溝を金属スラリーで充填し、この金属スラリーを均して溝内に均等に充填させ、次に、金属スラリーを焼結させて、導電ラインを形成する。焼結中に溶剤が蒸発する。形成された導電メッシュ１１の平方抵抗は、数式０．１Ω／ｓｑ  ≦Ｒ＜２００Ω／ｓｑに従う。金属含有量は０．７〜１．８ｇ／ｍ２である。金属材料は、金、銀、銅、アルミニウム、亜鉛、金銀、またはこれらの合金からなる群より選択される任意の１つであってよく、好ましくは銀であり、金属スラリーは銀スラリーである。
【００４８】
一実施形態では、モールドを用いたインプリントのステップＳ１１０は、以下のステップを含む。ステップＳ１１０２：インプリントによって溝を形成する。透明絶縁基板１０にインプリントを施して、その表面にメッシュ状の溝を画定する。ステップＳ１１０４；透明絶縁層１２をコーティングすることで、グルーが溝内を被覆し、透明絶縁層１２を形成する。または、ステップＳ１１０６：透明絶縁層１２をコーティングすることで、グルーが透明絶縁基板１０の表面を被覆し、透明絶縁層１２を形成する。ステップＳ１１０８：インプリントによって溝を形成する。透明絶縁層１２にインプリントを施して、その表面にメッシュ状の溝を画定する。透明絶縁層１２は、透明であるため導電膜の光透過に影響せず、また、自己接着性であるので、他の接着剤を用いなくても、透明絶縁基板１０に結合できる。このようにして、導電膜の作成工程および組成が単純化される。透明絶縁基板１０内に画定された溝内をグルーで被覆し、透明絶縁層１２を形成することで、透明絶縁基板１０および透明絶縁層１２の総厚さを減少させ、材料を節約する効果をもたらすことができる。透明絶縁基板１０を特定の厚さの透明絶縁層１２で被覆し、次に、モールドを用いてインプリントを施すことで、透明絶縁層１２内にメッシュ状の溝が画定される。透明絶縁層１２は容易に成形できるため、モールドを用いたインプリントは単純で迅速な方式であり、また、透明絶縁層１２を成形する経済的な方式を伴う。溝硬化後には、高強度の溝が得られる。溝内を銀スラリーで充填することで、導電膜の光透過性が低下することはない。
【００４９】
一実施形態では、モールドを用いたインプリントによって決定される導電メッシュ１１のライン間の距離ｄ１は、数式１００μｍ≦ｄ１＜６００μｍに従う。金属スラリーをブレード塗工して形成された導電メッシュ１１の平方抵抗は、数式０．１Ω／ｓｑ  ≦Ｒ＜２００Ω／ｓｑに従う。導電メッシュの金属含有量は０．７〜１．８ｇ／ｍ２である。
【００５０】
モールドのメッシュライン間の距離ｄ１は数式１００μｍ≦ｄ１＜６００μｍに従い、つまり、溝を導電メッシュ１１の表面上に形成することができ、溝内に金属スラリーを充填し、これを焼結させることで、対応するメッシュライン間の距離が形成され、また、メッシュの不透明なラインの幅ｄ２は、メッシュラインの幅ｄ２を縮小することで縮小され、導電膜の光透過が向上し；また、導電メッシュ１１はより密であるので、タッチスクリーン上に表示される文字および画像は遥かに明瞭であり、可視性に優れる。
【００５１】
金属スラリーは銀スラリーであることが好ましい。焼結中に溶剤が蒸発し、銀が焼結して導電性のメッシュラインが形成される。導電メッシュ１１の金属含有量は０．７〜１．８ｇ／ｍ２であり、導電メッシュの表面平方抵抗が減少し、材料の節約となる。
【００５２】
メッシュラインの幅ｄ２を縮小することで導電メッシュ１１の金属含有量が減少し、導電メッシュの平方抵抗は数式０．１Ω／ｓｑ  ≦Ｒ＜２００Ω／ｓｑに従う。導電膜の平方抵抗は導電性に影響を与え、導電膜の導電性は平方抵抗を低減することで向上でき、平方抵抗が小さいほど、導電性に優れ、信号の伝達速度が高速化し；導電膜の平方抵抗を０．１Ω／ｓｑ  ≦Ｒ＜２００Ω／ｓｑまで低減すると、導電膜の導電性が向上し、信号の伝達速度が高速化する。
【００５３】
当然ながら、導電メッシュ１１間の距離ｄ１が１００μｍ  ≦ｄ１  ＜６００μｍであり、平方抵抗が０．１Ω／ｓｑ  ≦  Ｒ  ＜２００Ω／ｓｑであり、金属含有量が０．７〜１．８ｇ／ｍ２である場合、これらのパラメータの値が異なれば、導電性および光透過性も異なり、特質の微妙な差が生じるので、範囲内の各々対応する値を選択する要件によって、異なる導電膜が得られる。
【００５４】
実施例の説明は特定的かつ詳細であるが、これらの説明は本開示を限定するために使用することはできないことが理解されるべきである。したがって、本発明特許の保護範囲は、付属の特許請求の範囲に従うべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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