【手続補正書】
【提出日】平成22年9月22日(2010.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、前記基材の表面に形成された液体に非親和性を示す有機分子膜とを含有し、
前記基材表面を前記有機分子膜が被覆するように、前記基材表面と前記有機分子膜とは共有結合によって結合されており、
前記基材表面が、高さ３０〜２００ｎｍの範囲の複数の凸部を有する凹凸形状を有する表面である、結晶化用基板。
【請求項２】
前記共有結合が、シロキサン結合（−ＳｉＯ−）および−ＳｉＮ−結合から選択される少なくとも一つの結合であることを特徴とする請求項１に記載の結晶化用基板。
【請求項３】
前記凹凸形状を有する基材表面を上面視したときに観察される、前記複数の凸部の合計面積割合が、該基材表面の全表面に対して１０〜６５％であることを特徴とする請求項１に記載の結晶化用基板。
【請求項４】
前記凹凸形状を有する表面が、半導体リソグラフィーの手法を用いて形成されたものであることを特徴とする請求項１又は３に記載の結晶化用基板。
【請求項５】
前記凹凸形状を有する表面が、前記基材の表面に金属酸化物微粒子が存在することにより形成されていることを特徴とする請求項１又は３に記載の結晶化用基板。
【請求項６】
前記有機分子膜が単分子膜、単分子累積膜又は隣接結合分子膜であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の結晶化用基板。
【請求項７】
前記有機分子膜が、下記化学式（１）、（２）、（３）および（４）からなる群から選択される式で示される少なくとも１種の有機分子又はその誘導体から形成されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の結晶化用基板。
Ｆ（ＣＦ2）m（ＣＨ2）nＳｉＲqＸ3-q           ・・・（１）
Ｆ（ＣＦ2）r（ＣＨ2）SＡ（ＣＨ2）PＳｉＲqＸ3-q ・・・（２）
Ｈ（ＣＨ2）m（ＣＨ2）nＳｉＲqＸ3-q           ・・・（３）
Ｈ（ＣＨ2）r（ＣＨ2）SＡ（ＣＨ2）PＳｉＲqＸ3-q ・・・（４）
（前記式（１）および（３）において、ｍは１〜１５の整数、ｎは０〜１５の整数、「ｍ+ｎ」は５〜３０の整数、ｑは０〜２の整数であり、Ｘは、ハロゲン、アルコキシ基またはイソシアネート基であり、Ｒは水素または炭化水素である。
前記式（２）および（４）において、ｒは１〜８の整数、ｓは０〜２の整数、ｐは５〜２５の整数、ｑは０〜２の整数、「ｒ＋ｓ」は１〜１０の整数であり、Ａは、酸素原子（-O-）、オキシカルボニル基（-COO-）またはジメチルシリル基（-Si(CH3)2-）であり、Ｘは、ハロゲン、アルコキシ基またはイソシアネート基であり、Ｒは水素または炭化水素である。）
【請求項８】
前記有機分子が、下記（１１）〜（４４）式で表される少なくとも１種の有機分子から選択されることを特徴とする請求項７に記載の結晶化用基板。
ＣＦ3（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2ＳｉＣｌ3                       ・・・（１１）
Ｆ（ＣＦ2）4（ＣＨ2）2Ｏ（ＣＨ2）15ＳｉＣｌ3              ・・・（１２）
ＣＦ3ＣＯＯ（ＣＨ2）15ＳｉＣｌ3                          ・・・（１３）
Ｆ（ＣＦ2）4（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＣＨ3）2（ＣＨ2）9ＳｉＣｌ3    ・・・（１４）
Ｆ（ＣＦ2）8Ｓｉ（ＣＨ3）2（ＣＨ2）9ＳｉＣｌ3            ・・・（１５）
ＣＦ3（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＣＨ3）2（ＣＨ2）15ＳｉＣｌ3          ・・・（１６）
ＣＦ3ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）15ＳｉＣｌ3                          ・・・（１７）
ＣＨ3（ＣＨ2）7（ＣＨ2）2ＳｉＣｌ3                       ・・・（１８）
Ｈ（ＣＨ2）4（ＣＨ2）2Ｏ（ＣＨ2）15ＳｉＣｌ3              ・・・（１９）
ＣＨ3ＣＯＯ（ＣＨ2）15ＳｉＣｌ3                         ・・・（２０）
Ｈ（ＣＨ2）4（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＣＨ3）2（ＣＨ2）9ＳｉＣｌ3    ・・・（２１）
Ｈ（ＣＨ2）8Ｓｉ（ＣＨ3）2（ＣＨ2）9ＳｉＣｌ3             ・・・（２２）
ＣＨ3（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＣＨ3）2（ＣＨ2）15ＳｉＣｌ3         ・・・（２３）
ＣＨ3ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）15ＳｉＣｌ3                          ・・・（２４）
ＣＨ3（ＣＨ2）17ＳｉＣｌ3                                ・・・（２５）
ＣＨ3（ＣＨ2）18ＳｉＣｌ3                                ・・・（２６）
ＣＦ3（ＣＨ2）9ＳｉＣｌ3                                 ・・・（２７）
ＣＨ3（ＣＨ2)9ＳｉＢｒ3                                  ・・・（２８）
ＣＦ3（ＣＨ2）6ＳｉＢｒ3                                 ・・・（２９）
ＣＨ3（ＣＨ2）9ＳｉＨ2Ｃｌ                              ・・・（３０）
ＣＨ3（ＣＨ2）9Ｓｉ（ＣＨ3）2（ＯＣＨ3）                 ・・・（３１）
ＣＦ2Ｈ（ＣＦ2）2（ＣＨ2）2ＳｉＨ2Ｃｌ                   ・・・（３２）
ＣＦ3（ＣＨ2）2（ＣＨ3）2Ｓｉ（ＣＨ2）15ＳｉＣｌ3         ・・・（３３）
ＣＦ3（ＣＦ2）3（ＣＨ2）2（ＣＨ3）2Ｓｉ（ＣＨ2）9ＳｉＣｌ3 ・・・（３４）
ＣＦ3（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2（ＣＨ3）2Ｓｉ（ＣＨ2）9ＳｉＣｌ3 ・・・（３５）
ＣＦ3（ＣＦ2）7Ｓｉ（ＣＨ3）2（ＣＨ2）9ＳｉＣｌ3         ・・・（３６）
ＣＦ3（ＣＦ2）6Ｓｉ（ＣＨ3）2（ＯＣＨ3）                 ・・・（３７）
ＣＦ3（ＣＦ2）6ＳｉＣｌ3                                ・・・（３８）
ＣＦ3（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3               ・・・（３９）
ＣＦ3（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2ＳｉＢｒ3                       ・・・（４０）
ＣＦ3（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＮＣＯ）3                  ・・・（４１）
ＣＦ3（ＣＦ2）6ＳｉＨ2Ｃｌ                              ・・・（４２）
ＣＦ3（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2ＳｉＨ2Ｃｌ                      ・・・（４３）
ＣＦ3（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＣＨ3）2（ＯＣＨ3）        ・・・（４４）
【請求項９】
前記結晶化用基板の表面に液滴の転がり防止用の凹部が少なくとも１つ設けられていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の結晶化用基板。
【請求項１０】
前記基材の材質が、ガラス、シリコン、雲母、金属および樹脂からなる群から選択される少なくとも一つであることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の結晶化用基板。
【請求項１１】
結晶化用基板に対する水の接触角が１２０度以上１８０度未満であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の結晶化用基板。
【請求項１２】
高分子の結晶化に使用することを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の結晶化用基板。
【請求項１３】
前記高分子がタンパク質であることを特徴とする請求項１２に記載の結晶化用基板。
【請求項１４】
高さ３０〜２００ｎｍの範囲の複数の凸部を有する凹凸形状を有し、上面視したときに観察される前記複数の凸部の合計面積割合が、全面積に対して１０〜６５％であり、且つ、活性水素を有する、または、活性水素が付与された表面を有する基材に、
一方の末端に前記基材表面と共有結合を形成可能な末端結合官能基を含み、他方の末端に、液体に非親和性の特性を示す官能基を含む有機分子を接触させ、
前記有機分子の末端結合官能基と前記基材表面の活性水素とを反応させて共有結合を形成させることにより、前記基材表面に前記液体に非親和性を示す有機分子膜を形成させることを特徴とする結晶化用基板の製造方法。
【請求項１５】
前記高さ３０〜２００ｎｍの範囲の複数の凸部を有する凹凸形状を有する表面が、半導体リソグラフィーの手法を用いて形成されたものであることを特徴とする請求項１４に記載の結晶化用基板の製造方法。
【請求項１６】
金属酸化物微粒子と有機分子とを含有する化学吸着液を基材の表面に塗布し、前記基材表面の活性水素及び前記金属酸化物微粒子表面の活性水素と前記有機分子の末端結合官能基とを反応させて共有結合を形成させるとともに、前記有機分子同士の末端結合官能基同士を反応させて共有結合を形成させることにより前記基材表面及び前記金属酸化物微粒子表面に液体に非親和性を示す有機分子膜を形成させることを特徴とする請求項１４に記載の結晶化用基板の製造方法。
【請求項１７】
前記有機分子膜が単分子膜、単分子累積膜又は隣接結合有機分子膜であることを特徴とする請求項１４〜１６のいずれか１項に記載の結晶化用基板の製造方法。
【請求項１８】
雰囲気中に含まれる水蒸気量が６．８０ｇ／ｍ3未満の条件下で前記基材の表面と前記有機分子とを接触させることにより、結晶化用基板の表面に単分子膜又は単分子累積膜を形成させることを特徴とする請求項１７に記載の結晶化用基板の製造方法。
【請求項１９】
雰囲気中に含まれる水蒸気量が６．８０ｇ／ｍ3以上の条件下で隣接結合有機分子膜を形成させることを特徴とする請求項１７に記載の結晶化用基板の製造方法。
【請求項２０】
前記有機分子膜が、化学吸着法により形成されることを特徴とする請求項１４〜１９のいずれか１項に記載の結晶化用基板の製造方法。
【請求項２１】
前記有機分子の末端結合官能基が、ハロゲン化シリル基、アルコキシシリル基またはイソシアネートシリル基であり、前記末端結合官能基と前記基材表面の活性水素との反応が、脱ハロゲン化水素反応、脱アルコール反応または脱イソシアネート反応であることを特徴とする請求項１４〜２０のいずれか１項に記載の結晶化用基板の製造方法。
【請求項２２】
前記末端結合官能基と前記基材表面の活性水素との反応により形成される共有結合が、シロキサン結合（−ＳｉＯ−）および−ＳｉＮ−結合から選択される少なくとも一つの結合であることを特徴とする請求項１４〜２１のいずれか１項に記載の結晶化用基板の製造方法。
【請求項２３】
前記有機分子が、下記化学式（１）、（２）、（３）および（４）からなる群から選択される少なくとも１種の有機分子又はその誘導体であることを特徴とする請求項１４〜２２のいずれか１項に記載の結晶化用基板の製造方法。
Ｆ（ＣＦ2）m（ＣＨ2）nＳｉＲqＸ3-q           ・・・（１）
Ｆ（ＣＦ2）r（ＣＨ2）SＡ（ＣＨ2）PＳｉＲqＸ3-q ・・・（２）
Ｈ（ＣＨ2）m（ＣＨ2）nＳｉＲqＸ3-q           ・・・（３）
Ｈ（ＣＨ2）r（ＣＨ2）SＡ（ＣＨ2）PＳｉＲqＸ3-q ・・・（４）
（前記式（１）および（３）において、ｍは１〜１５の整数、ｎは０〜１５の整数、「ｍ+ｎ」は５〜３０の整数、ｑは０〜２の整数であり、Ｘは、ハロゲン、アルコキシ基また
はイソシアネート基であり、Ｒは水素または炭化水素である。
前記式（２）および（４）において、ｒは１〜８の整数、ｓは０〜２の整数、ｐは５〜２５の整数、ｑは０〜２の整数、「ｒ＋ｓ」は１〜１０の整数であり、Ａは、酸素原子（-O-）、オキシカルボニル基（-COO-）またはジメチルシリル基（-Si(CH3)2-）であり、Ｘは、ハロゲン、アルコキシ基またはイソシアネート基であり、Ｒは水素または炭化水素である。）
【請求項２４】
前記有機分子が、下記（１１）〜（４４）式で表される有機分子からなる群から選択される少なくとも１種であることを特徴とする請求項１４〜２３のいずれか１項に記載の結晶化用基板の製造方法。
ＣＦ3（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2ＳｉＣｌ3                       ・・・（１１）
Ｆ（ＣＦ2）4（ＣＨ2）2Ｏ（ＣＨ2）15ＳｉＣｌ3              ・・・（１２）
ＣＦ3ＣＯＯ（ＣＨ2）15ＳｉＣｌ3                          ・・・（１３）
Ｆ（ＣＦ2）4（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＣＨ3）2（ＣＨ2）9ＳｉＣｌ3    ・・・（１４）
Ｆ（ＣＦ2）8Ｓｉ（ＣＨ3）2（ＣＨ2）9ＳｉＣｌ3            ・・・（１５）
ＣＦ3（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＣＨ3）2（ＣＨ2）15ＳｉＣｌ3          ・・・（１６）
ＣＦ3ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）15ＳｉＣｌ3                          ・・・（１７）
ＣＨ3（ＣＨ2）7（ＣＨ2）2ＳｉＣｌ3                       ・・・（１８）
Ｈ（ＣＨ2）4（ＣＨ2）2Ｏ（ＣＨ2）15ＳｉＣｌ3              ・・・（１９）
ＣＨ3ＣＯＯ（ＣＨ2）15ＳｉＣｌ3                         ・・・（２０）
Ｈ（ＣＨ2）4（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＣＨ3）2（ＣＨ2）9ＳｉＣｌ3    ・・・（２１）
Ｈ（ＣＨ2）8Ｓｉ（ＣＨ3）2（ＣＨ2）9ＳｉＣｌ3             ・・・（２２）
ＣＨ3（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＣＨ3）2（ＣＨ2）15ＳｉＣｌ3         ・・・（２３）
ＣＨ3ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）15ＳｉＣｌ3                          ・・・（２４）
ＣＨ3（ＣＨ2）17ＳｉＣｌ3                                ・・・（２５）
ＣＨ3（ＣＨ2）18ＳｉＣｌ3                                ・・・（２６）
ＣＦ3（ＣＨ2）9ＳｉＣｌ3                                 ・・・（２７）
ＣＨ3（ＣＨ2)9ＳｉＢｒ3                                  ・・・（２８）
ＣＦ3（ＣＨ2）6ＳｉＢｒ3                                 ・・・（２９）
ＣＨ3（ＣＨ2）9ＳｉＨ2Ｃｌ                              ・・・（３０）
ＣＨ3（ＣＨ2）9Ｓｉ（ＣＨ3）2（ＯＣＨ3）                 ・・・（３１）
ＣＦ2Ｈ（ＣＦ2）2（ＣＨ2）2ＳｉＨ2Ｃｌ                   ・・・（３２）
ＣＦ3（ＣＨ2）2（ＣＨ3）2Ｓｉ（ＣＨ2）15ＳｉＣｌ3         ・・・（３３）
ＣＦ3（ＣＦ2）3（ＣＨ2）2（ＣＨ3）2Ｓｉ（ＣＨ2）9ＳｉＣｌ3 ・・・（３４）
ＣＦ3（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2（ＣＨ3）2Ｓｉ（ＣＨ2）9ＳｉＣｌ3 ・・・（３５）
ＣＦ3（ＣＦ2）7Ｓｉ（ＣＨ3）2（ＣＨ2）9ＳｉＣｌ3         ・・・（３６）
ＣＦ3（ＣＦ2）6Ｓｉ（ＣＨ3）2（ＯＣＨ3）                 ・・・（３７）
ＣＦ3（ＣＦ2）6ＳｉＣｌ3                                ・・・（３８）
ＣＦ3（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3               ・・・（３９）
ＣＦ3（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2ＳｉＢｒ3                       ・・・（４０）
ＣＦ3（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＮＣＯ）3                  ・・・（４１）
ＣＦ3（ＣＦ2）6ＳｉＨ2Ｃｌ                              ・・・（４２）
ＣＦ3（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2ＳｉＨ2Ｃｌ                      ・・・（４３）
ＣＦ3（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＣＨ3）2（ＯＣＨ3）        ・・・（４４）
【請求項２５】
前記基材の材質が、ガラス、シリコン、雲母、金属および樹脂からなる群から選択される少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項１４〜２４のいずれか１項に記載の結晶化用基板の製造方法。
【請求項２６】
結晶化用基板の表面に、結晶化される物質を含有する溶液を滴下することにより略真球状の液滴を形成する液滴形成工程と、
前記液滴から溶媒を蒸発させることにより該物質を結晶化させる溶媒蒸発工程と、を備えることを特徴とする物質の結晶化方法。
ここで、前記結晶化用基板は、基材と、前記基材の表面に形成された液体に非親和性を示す有機分子膜とを含有し、
前記基材表面を前記有機分子膜が被覆するように、前記基材表面と前記有機分子膜とは共有結合によって結合されており、
前記基材表面が、高さ３０〜２００ｎｍの範囲の複数の凸部を有する凹凸形状を有する表面である。
【請求項２７】
前記溶媒蒸発工程が、前記結晶化用基板を揺動させながら前記溶媒を蒸発させる工程である請求項２６に記載の結晶化方法。
【請求項２８】
結晶化用基板の表面に、結晶化される物質を含有する溶液を滴下することにより液滴を形成する液滴形成工程と、
前記液滴の温度を該結晶化される物質の過飽和温度以下にすることにより該物質を結晶化させる温度降下工程と、を備えることを特徴とする物質の結晶化方法。
ここで、前記結晶化用基板は、基材と、前記基材の表面に形成された液体に非親和性を示す有機分子膜とを含有し、
前記基材表面を前記有機分子膜が被覆するように、前記基材表面と前記有機分子膜とは共有結合によって結合されており、
前記基材表面が、高さ３０〜２００ｎｍの範囲の複数の凸部を有する凹凸形状を有する表面である。
【請求項２９】
前記液滴の体積が０．１μｍ〜５０ｍｌであることを特徴とする請求項２６または請求項２８に記載の結晶化方法。
【請求項３０】
前記結晶化される物質が高分子化合物である請求項２６または請求項２８に記載の結晶化方法。
【請求項３１】
前記結晶化される物質がタンパク質である請求項３０に記載の結晶化方法。