Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月9日(2010.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  遊技機が設置される遊技島台内に設置され、該遊技島台内を循環する遊技媒体を移動させる遊技媒体通路を有し、前記遊技媒体の表面を清浄する清浄部材が上面に敷設された揺動板を揺動手段により水平方向に揺動することにより、遊技媒体流入部から前記遊技媒体通路上に流入される遊技媒体が清浄されて遊技媒体流出部から流出する遊技媒体清浄装置であって、
前記遊技媒体の前記遊技媒体流出部からの流出を抑制する流出抑制手段が設けられていることを特徴とする遊技媒体清浄装置。
【請求項２】  前記流出抑制手段は、前記揺動板とは別個に形成される部材に設けられている請求項１に記載の遊技媒体清浄装置。
【請求項３】  前記流出抑制手段は、前記遊技媒体流出部方向への前記遊技媒体の移動を規制する流出規制部材であり、該流出規制部材は前記揺動板の上方に設けられている請求項１または２に記載の遊技媒体清浄装置。
【請求項４】  前記流出規制部材は、前記遊技媒体流出部における遊技媒体の流出方向の左右側からそれぞれ内向きに延びるように設けられている請求項３に記載の遊技媒体清浄装置。
【請求項５】  前記流出規制部材における少なくとも前記遊技媒体との接触面は、低摩擦部材により構成されている請求項３または４に記載の遊技媒体清浄装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月9日(2010.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  遊技機が設置される遊技島台内に設置され、該遊技島台内を循環する遊技媒体を移動させる遊技媒体通路を有し、前記遊技媒体の表面を清浄する清浄部材が上面に敷設された揺動板を揺動手段により水平方向に揺動することにより、前記遊技媒体通路を通過する遊技媒体を清浄するとともに、前記揺動板上に新規な前記清浄部材を引き出す引出し手段を備える遊技媒体清浄装置であって、
前記遊技媒体の前記揺動板上からの落下を防止する落下防止部材が、前記揺動板の揺動に追従しないように設けられていることを特徴とする遊技媒体清浄装置。
【請求項２】  前記落下防止部材は、前記揺動板とは別体に形成されているとともに、前記揺動板上に敷設された前記清浄部材の上面との間に隙間が形成されるように設けられている請求項１に記載の遊技媒体清浄装置。
【請求項３】  前記落下防止部材における前記遊技媒体の流入側には、遊技媒体を揺動板の中央方向に案内する案内部が形成されている請求項１または２に記載の遊技媒体清浄装置。
【請求項４】  前記落下防止部材における少なくとも前記遊技媒体との接触面は、低摩擦部材により構成されている請求項１〜３のいずれかに記載の遊技媒体清浄装置。
【請求項５】  前記落下防止部材は、前記揺動板上の前記遊技媒体の中心より上方位置で接触するように設けられている請求項１〜４のいずれかに記載の遊技媒体清浄装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月17日(2010.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検証対象としての被検画像を入力する被検画像入力手段と、
前記披検画像から複数の部分領域を抽出する部分領域抽出手段と、
前記複数の部分領域のそれぞれから特徴量を抽出する第１の特徴量抽出手段と、
前記第１特徴量抽出手段が抽出したそれぞれの特徴量について、データベースに予め登録されている登録画像におけるそれぞれの部分領域の特徴量との類似度を判断する第１の判断手段と、
前記複数の部分領域のうち、前記データベースに登録されている特徴量と規定値以上の類似度を有していると前記第１の判断手段が判断した特徴量を有する部分領域を類似部分領域とし、該類似部分領域を用いて前記被検画像上に比較領域を設定する第１の設定手段と、
前記第１の設定手段により設定された比較領域内の画像と、前記登録画像内の該比較領域に対応する領域内の画像と、の類似度を判断する第２の判断手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記第１の設定手段は、それぞれの類似部分領域のうち、該類似部分領域の特徴量と規定値以上の類似度を有すると前記第１の判断手段が判断した特徴量を有する部分領域の前記登録画像上における並び順と一致する類似部分領域を用いて前記被検画像上に比較領域を設定することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記第２の判断手段は、それぞれの比較領域のうちアスペクト比のずれが規定値以下の比較領域内の画像と、前記登録画像内の該比較領域に対応する領域内の画像と、の類似度を判断することを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記第１の設定手段は、前記類似部分領域を包含するサイズを有する領域を前記比較領域として設定することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記第２の判断手段は、前記第１の設定手段により設定された比較領域内の画像と、前記登録画像内の該比較領域に対応する領域内の画像と、の差分を求め、
前記画像処理装置は、前記差分が閾値以下である場合に、前記第１の設定手段により設定された比較領域内の画像を示す情報を表示する表示手段を更に備えることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
画像処理装置が行う画像処理方法であって、
被検画像入力手段が、検証対象としての被検画像を入力する被検画像入力工程と、
部分領域抽出手段が、前記披検画像から複数の部分領域を抽出する部分領域抽出工程と、
第１の特徴量抽出手段が、前記複数の部分領域のそれぞれから特徴量を抽出する第１の特徴量抽出工程と、
第１の判断手段が、前記第１特徴量抽出工程で抽出したそれぞれの特徴量について、データベースに予め登録されている登録画像におけるそれぞれの部分領域の特徴量との類似度を判断する第１の判断工程と、
第１の設定手段が、前記複数の部分領域のうち、前記データベースに登録されている特徴量と規定値以上の類似度を有していると前記第１の判断工程で判断した特徴量を有する部分領域を類似部分領域とし、該類似部分領域を用いて前記被検画像上に比較領域を設定する第１の設定工程と、
第２の判断手段が、前記第１の設定工程で設定された比較領域内の画像と、前記登録画像内の該比較領域に対応する領域内の画像と、の類似度を判断する第２の判断工程と
を備えることを特徴とする画像処理方法。
【請求項７】
コンピュータを、請求項１乃至５の何れか１項に記載の画像処理装置が有する各手段として機能させるためのコンピュータプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置、画像処理方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
即ち、検証対象としての被検画像を入力する被検画像入力手段と、
前記披検画像から複数の部分領域を抽出する部分領域抽出手段と、
前記複数の部分領域のそれぞれから特徴量を抽出する第１の特徴量抽出手段と、
前記第１特徴量抽出手段が抽出したそれぞれの特徴量について、データベースに予め登録されている登録画像におけるそれぞれの部分領域の特徴量との類似度を判断する第１の判断手段と、
前記複数の部分領域のうち、前記データベースに登録されている特徴量と規定値以上の類似度を有していると前記第１の判断手段が判断した特徴量を有する部分領域を類似部分領域とし、該類似部分領域を用いて前記被検画像上に比較領域を設定する第１の設定手段と、
前記第１の設定手段により設定された比較領域内の画像と、前記登録画像内の該比較領域に対応する領域内の画像と、の類似度を判断する第２の判断手段と
を備えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
即ち、画像処理装置が行う画像処理方法であって、
被検画像入力手段が、検証対象としての被検画像を入力する被検画像入力工程と、
部分領域抽出手段が、前記披検画像から複数の部分領域を抽出する部分領域抽出工程と、
第１の特徴量抽出手段が、前記複数の部分領域のそれぞれから特徴量を抽出する第１の特徴量抽出工程と、
第１の判断手段が、前記第１特徴量抽出工程で抽出したそれぞれの特徴量について、データベースに予め登録されている登録画像におけるそれぞれの部分領域の特徴量との類似度を判断する第１の判断工程と、
第１の設定手段が、前記複数の部分領域のうち、前記データベースに登録されている特徴量と規定値以上の類似度を有していると前記第１の判断工程で判断した特徴量を有する部分領域を類似部分領域とし、該類似部分領域を用いて前記被検画像上に比較領域を設定する第１の設定工程と、
第２の判断手段が、前記第１の設定工程で設定された比較領域内の画像と、前記登録画像内の該比較領域に対応する領域内の画像と、の類似度を判断する第２の判断工程と
を備えることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月16日(2009.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記ズームシステムは、前記可変式鏡面（５０）を備えた前記１つの偏向要素に主観察者から見て前置されることを特徴とする、請求項１に記載のステレオ顕微鏡。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の他の有利な視点（ないし実施形態）は従属請求項に記載している。
以下に本発明の有利な実施形態を示す。
前記ズームシステムは、前記可変式鏡面を備えた前記１つの偏向要素に主観察者から見て前置される（形態２）。
前記主対物レンズに後置される偏向要素と、前記ズームシステムに前置される偏向要素のそれぞれが、可変式鏡面を備える（形態３）。
１以上の偏向要素に配設される前記可変式鏡面が、マイクロミラー配列として構成される（形態４）。
前記可変式鏡面が、複数の個々のマイクロミラーが２次元的に配列されたマイクロミラー配列から構成される（形態５）。
前記鏡面の調節又は変形が前記コントロールユニットによってなされ、それ自身は足で操作するスイッチで、又は手動操作卓で、又は遠隔制御で、又は音声制御で、又はアイトラッキングシステムで、駆動できる（形態６）。
前記ステレオ顕微鏡は外科用顕微鏡である（形態７）。
前記可変式鏡面は、前記対象上の前記光線の起点をＸ軸方向及びＹ軸方向に変更するよう構成される（形態８）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
図４は、数人の観察者２０、２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄのための複数の観察ポート１０、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄを持つ、本発明の他の実施形態によるステレオ顕微鏡１の概略構造図である。ここでは、可変式鏡面は主（第１）偏向要素５には配設されていない。この実施形態においては、可変式鏡面５０は第２偏向要素６ａ又は第３偏向要素６ｂに配設されている。第２、第３偏向要素６ａ又は６ｂのどちらに可変式鏡面を配設するかは、ステレオ顕微鏡１の全体的な設計による。もしも可変式鏡面が第２偏向要素６ａ又は第３偏向要素６ｂに配設される場合、ズームシステム７は第３偏向要素６ｂと第４偏向要素６ｄの間に配置することがより好ましい。従って、ズームシステム７は可変式鏡面５０に主観察者２０から見て前置される（vorgeordnet）ことになる。
基本的に、ステレオ顕微鏡１内に配設されるどの偏向要素５、６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ、６ｅ、６ｆも、可変式鏡面を装備することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月30日(2009.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軸中心回りに回転可能に設けられた軸と、
前記軸の外周に設けられ、前記軸の回転に伴って回転することで、外周部に当接した被搬送材を搬送する円筒状の回転部材と、
記憶機能及び無線通信機能を有するＩＣタグと、
を備えた搬送部材であって、
前記回転部材のうち、前記外周部の搬送機能に影響を与えない領域である該回転部材の端面に、前記ＩＣタグの少なくとも一部を埋設したことを特徴とする搬送部材。
【請求項２】
前記ＩＣタグの他の一部が、前記回転部材の端面から露出していることを特徴とする請求項１に記載の搬送部材。
【請求項３】
前記ＩＣタグは、ＩＣタグ本体と、該ＩＣタグ本体に取り付けられたシート状部材と、を備え、
前記シート状部材の一部が、前記回転部材の端面から露出していることを特徴とする請求項２に記載の搬送部材。
【請求項４】
前記ＩＣタグ本体の一部が、前記回転部材の端面から露出していることを特徴とする請求項３に記載の搬送部材。
【請求項５】
前記シート状部材の一部が前記回転部材に埋設され、前記ＩＣタグ本体は該シート状部材のうち該回転部材の端面から露出した部分に設けられていることを特徴とする請求項３に記載の搬送部材。
【請求項６】
前記ＩＣタグの一部が前記回転部材に埋設された状態で前記ＩＣタグの他の部分が前記回転部材の端面から突出していて、前記回転部材の端面から突出している前記ＩＣタグの他の部分を引っ張ることで、前記回転部材から前記ＩＣタグを分離することが可能であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の搬送部材。
【請求項７】
軸中心回りに回転可能に設けられた軸と、
前記軸の外周に設けられ、前記軸の回転に伴って回転することで、外周部に当接した被
搬送材を搬送する円筒状の回転部材と、
記憶機能及び無線通信機能を有するＩＣタグと、
を備えた搬送部材であって、
前記回転部材のうち、前記外周部の搬送機能に影響を与えない領域である前記軸の近傍の領域に、前記ＩＣタグを埋設したことを特徴とをする搬送部材。
【請求項８】
前記ＩＣタグには、シート状部材が取り付けられ、
前記シート状部材の一部が、前記回転部材の端面から露出していることを特徴とする請求項７に記載の搬送部材。
【請求項９】
軸中心回りに回転可能に設けられた軸と、
前記軸の外周に該軸と同軸となるように設けられ、前記軸の回転に伴って回転することで、外周部に当接した被搬送材を搬送する円筒状の回転部材と、
記憶機能及び無線通信機能を有するＩＣタグと、
を備えた搬送部材であって、
前記ＩＣタグは、ＩＣタグ本体と、該ＩＣタグ本体が取り付けられるとともに該ＩＣタグ本体と同等の硬度を有するリング状のシート状部材と、を有し、
前記ＩＣタグ本体と該ＩＣタグ本体が取り付けられた前記リング状のシート状部材とが、前記回転部材に、前記シート状部材が前記軸及び前記回転部材と同軸になるように埋設されたことを特徴とする搬送部材。
【請求項１０】
前記シート状部材の一部が、前記回転部材の端面から露出していることを特徴とする請求項９に記載の搬送部材。
【請求項１１】
前記回転部材は、発泡材により形成されていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の搬送部材。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の搬送部材を備え、該搬送部材によりシートを搬送することを特徴とするシート処理装置。
【請求項１３】
前記回転部材の動作に関する情報を前記ＩＣタグに書き込む書き込み手段をさらに備えることを特徴とする請求項１２に記載のシート処理装置。
【請求項１４】
シートの画像情報を読み取るか、または、シートに画像を形成するシート処理部をさらに備え、
前記搬送部材は、前記シート処理部を経由するシート搬送経路の少なくとも一部に設けられていることを特徴とする請求項１２または１３に記載のシート処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために本発明にあっては、
軸中心回りに回転可能に設けられた軸と、
前記軸の外周に設けられ、前記軸の回転に伴って回転することで、外周部に当接した被搬送材を搬送する円筒状の回転部材と、
記憶機能及び無線通信機能を有するＩＣタグと、
を備えた搬送部材であって、
前記回転部材のうち、前記外周部の搬送機能に影響を与えない領域である該回転部材の
端面に、前記ＩＣタグの少なくとも一部を埋設したことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、軸中心回りに回転可能に設けられた軸と、
軸中心回りに回転可能に設けられた軸と、
前記軸の外周に設けられ、前記軸の回転に伴って回転することで、外周部に当接した被搬送材を搬送する円筒状の回転部材と、
記憶機能及び無線通信機能を有するＩＣタグと、
を備えた搬送部材であって、
前記回転部材のうち、前記外周部の搬送機能に影響を与えない領域である前記軸の近傍の領域に、前記ＩＣタグを埋設したことを特徴とをする。
また、軸中心回りに回転可能に設けられた軸と、
前記軸の外周に該軸と同軸となるように設けられ、前記軸の回転に伴って回転することで、外周部に当接した被搬送材を搬送する円筒状の回転部材と、
記憶機能及び無線通信機能を有するＩＣタグと、
を備えた搬送部材であって、
前記ＩＣタグは、ＩＣタグ本体と、該ＩＣタグ本体が取り付けられるとともに該ＩＣタグ本体と同等の硬度を有するリング状のシート状部材と、を有し、
前記ＩＣタグ本体と該ＩＣタグ本体が取り付けられた前記リング状のシート状部材とが、前記回転部材に、前記シート状部材が前記軸及び前記回転部材と同軸になるように埋設されたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月8日(2009.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
像担持体と、
バイアスが印加されて前記像担持体を注入帯電する複数の帯電器と、
前記複数の帯電器より像担持体移動方向下流側に設けられ、前記複数の帯電器により帯電された前記像担持体に潜像形成をする潜像形成装置と、
前記複数の帯電器通過後の像担持体の表面電位を検出する電位検出手段とを有する画像形成装置において、
前記複数の帯電器は、第一の帯電器と、前記複数の帯電器の中で前記像担持体移動方向最下流に設けられた第二の帯電器とを備え、
前記電位検出手段の検出結果に応じて前記帯電器による帯電後の前記像担持体の表面電位を調整する場合に、前記第二の帯電器に印加されるバイアスは変化させずに、前記第一の帯電器に印加されるバイアスを変化させる第一の制御モードを有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記第一の制御モードは、連続画像形成時における、画像形成と画像形成の間に行われることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記第一の制御モードでは、前記第一の帯電器に印加されるバイアスの直流電圧の値を変化させることを特徴とする請求項１または２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記第一の制御モードでは、前記第一の帯電器に印加されるバイアスの交流電圧のＤｕｔｙ比を変化させることを特徴とする請求項１または２に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記第一の制御モードでは、前記第一の帯電器に印加されるバイアスの交流電圧の振幅値を変化させることを特徴とする請求項１または２に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記第一及び第二の帯電器は、磁性粒子を磁性粒子担持体に磁気的に担持させ、前記磁性粒子を前記像担持体に接触させて、前記像担持体を帯電することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記像担持体は、アモルファスシリコン系感光体であることを特徴とする請求項１乃至
６のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記電位検出手段の検出結果に応じて前記帯電器による帯電後の前記像担持体の表面電位を調整する場合に、前記第二の帯電器に印加されるバイアスを変化させる第二の制御モードを有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
像担持体と、
バイアスが印加されて前記像担持体を注入帯電する複数の帯電器と、
前記複数の帯電器より像担持体移動方向下流側に設けられ、前記複数の帯電器により帯電された前記像担持体に潜像形成をする潜像形成装置と、
前記複数の帯電器通過後の像担持体の表面電位を検出する電位検出手段とを有する画像形成装置において、
前記複数の帯電器は、第一の帯電器と、前記複数の帯電器の中で前記像担持体移動方向最下流に設けられた第二の帯電器とを備え、
前記電位検出手段の検出結果に応じて前記帯電器による帯電後の前記像担持体の表面電位を調整する場合に、前記第二の帯電器に印加されるバイアスは変化させずに、前記第一の帯電器に印加されるバイアスを変化させる第一の制御モードを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月24日(2010.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
（比較例３）
負極の活物質として、炭素微粒子材料Ａ（処理温度：１５００℃）の代わりに、天然黒鉛を用いたことの他は、実施例１と同様にして評価用電池を作製した。実施例１と同様の操作で高速充放電特性を評価した結果を、表１に示す。本比較例で作製した電池は、１０Cの高速充電を行ったとき、充電容量は１０ｍＡｈ／ｇ以下であり、実施例１，２に比較して著しく劣っていた。
【表１】
2009117256.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月26日(2010.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像表示装置等の機器の周辺を照明する照明装置であって、
光源が装着された複数の照明部と、
前記複数の照明部の光が前記機器の周辺の異なる領域をそれぞれ照明するように、前記複数の照明部を支持する支持部を備えてなることを特徴とする照明装置。
【請求項２】
画像表示装置等の機器の周辺を照明する照明装置であって、
光源が装着された複数の照明部と、
前記複数の照明部の光が前記機器の周辺を異なる方向からそれぞれ照明するように、前記複数の照明部を支持する支持部を備えてなることを特徴とする照明装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の照明装置と、該照明装置と共に用いる画像表示装置から構成される画像表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月29日(2010.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解質膜の両側に一対の電極を設けた電解質膜・電極構造体とセパレータとを有し、電極面に沿って反応ガスを供給する反応ガス流路が形成されるとともに、前記セパレータには、前記反応ガス流路の上流側及び下流側に入口バッファ部及び出口バッファ部が設けられる固体高分子型燃料電池であって、
少なくとも前記出口バッファ部に設けられる吸水部と、
前記吸水部に連通する水導出口と、
前記反応ガス流路の上流側に連通する水導入口と、
前記水導出口及び前記水導入口を繋ぎ、前記反応ガス流路の外部に配置される水循環流路と、
前記水循環流路に配設され、前記吸水部で回収された水を前記反応ガス流路の上流側に戻すポンプと、
を有することを特徴とする固体高分子型燃料電池。
【請求項２】
電解質膜の両側に一対の電極を設けた電解質膜・電極構造体とセパレータとを有し、電極面に沿って反応ガスを供給する反応ガス流路が形成されるとともに、前記セパレータには、前記反応ガス流路の上流側及び下流側に入口バッファ部及び出口バッファ部が設けられる固体高分子型燃料電池であって、
前記電解質膜・電極構造体の少なくとも前記出口バッファ部に対応する部分に、拡散層と同一平面上に設けられる吸水部と、
前記吸水部に連通する水導出口と、
前記反応ガス流路の上流側に連通する水導入口と、
前記水導出口及び前記水導入口を繋ぎ、前記反応ガス流路の外部に配置される水循環流路と、
前記水循環流路に配設され、前記吸水部で回収された水を前記反応ガス流路の上流側に戻すポンプと、
を有することを特徴とする固体高分子型燃料電池。
【請求項３】
請求項１記載の固体高分子型燃料電池において、少なくとも前記入口バッファ部には、給水部が設けられることを特徴とする固体高分子型燃料電池。
【請求項４】
請求項２記載の固体高分子型燃料電池において、前記電解質膜・電極構造体は、少なくとも前記入口バッファ部に対応する部分に、拡散層と同一平面上に給水部が設けられることを特徴とする固体高分子型燃料電池。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の固体高分子型燃料電池において、前記電解質膜・電極構造体と前記セパレータとが複数積層されたスタックを備え、
前記スタックには、前記水導出口及び前記水導入口が積層方向に貫通して設けられることを特徴とする固体高分子型燃料電池。
【請求項６】
請求項５記載の固体高分子型燃料電池において、前記水循環流路及び前記ポンプは、前記スタックに一体に設けられることを特徴とする固体高分子型燃料電池。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の固体高分子型燃料電池において、前記ポンプは、前記反応ガス流路の下流側に設けられる前記吸水部の水保持力よりも低い吸引圧力に設定されることを特徴とする固体高分子型燃料電池。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の固体高分子型燃料電池において、前記水循環流路には、前記水を外部に放出するために切換弁及び排水流路が設けられることを特徴とする固体高分子型燃料電池。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の固体高分子型燃料電池において、前記水循環流路は、同一の極内で前記水導出口と前記水導入口とを繋ぐことを特徴とする固体高分子型燃料電池。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の固体高分子型燃料電池において、前記水循環流路は、異なる極内で前記水導出口と前記水導入口とを繋ぐことを特徴とする固体高分子型燃料電池。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の固体高分子型燃料電池において、前記吸水部は、親水性の吸水部材であることを特徴とする固体高分子型燃料電池。
【請求項１２】
請求項３〜１１のいずれか１項に記載の固体高分子型燃料電池において、前記給水部は、親水性の吸水部材であることを特徴とする固体高分子型燃料電池。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月5日(2010.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
四角形状の基板の長辺側にＡＣＦを介して搭載された複数の電子回路部品を前記基板に対して熱圧着させる長辺側圧着手段と、
前記長辺側圧着手段と直交して配置され、前記基板の短辺側にＡＣＦを介して搭載された複数の電子回路部品を前記基板に対して熱圧着させる短辺側圧着手段と、を備え、
前記長辺側圧着手段と前記短辺側圧着手段とは、一方の圧着手段が熱圧着中に他方の圧着手段が熱圧着を行うこと、
を特徴とする圧着装置。
【請求項２】
前記基板は基板支持手段に設置されており、前記基板の角隅部を直交配置された前記長辺側圧着手段と前記短辺側圧着手段とのコーナー部に位置を合わせるために、前記基板支持手段は水平面上の相互に直交する２軸と回転方向に位置調整を行うアライメント機構を備える構成としたことを特徴とする請求項１記載の圧着装置。
【請求項３】
前記長辺側及び短辺側の圧着手段により圧着されるのはサイズの異なる複数種類の基板であり、前記長辺側圧着手段は、前記コーナー部から圧着処理がなされる前記基板のうちの最も長い長辺を圧着処理可能なものであり、前記短辺側圧着手段は、前記コーナー部から圧着処理がなされる前記基板のうちの最も長い短辺を圧着処理可能なものであることを特徴とする請求項２記載の圧着装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の圧着装置を有するフラットパネルディスプレイの製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】圧着装置及びフラットパネルディスプレイの製造装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、基板にＡＣＦを介して搭載された電子回路部品を圧着させる圧着装置及びフラットパネルディスプレイの製造装置に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
長辺側圧着手段と短辺側圧着手段とにより熱圧着を行うときには、長辺側圧着手段と短辺側圧着手段とが交差するコーナー部に、基板の角隅部を位置合わせした状態で各電子回路部品の熱圧着を行うようにする。熱圧着を行うときには、基板は正確にアライメントしなければならない。このためには、水平面上の相互に直交する２軸（Ｘ軸方向及びＹ軸方向）と回転方向（θ方向）に位置調整を行うアライメント機構を備える構成とする。アライメントの基準となる基準位置を少なくとも２箇所に設けてアライメントするようにすることが好ましい。基準位置としては、例えば基板の角隅部、基板の長辺側の任意の１点か基板の短辺側の任意の１点の合計２箇所に設定することができる。基準位置を検出するときには、画像認識を適用することが好ましい。基板の角隅部についてはエッジ部分を画像認識することにより検出することができる。長辺側又は短辺側の任意の基準位置については、アライメントマークや特異点を画像認識することにより検出することができる。勿論、２箇所の基準位置に依らなくても、基板を正確にアライメントすることができる手法であれば、任意の手法を適用することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
基板に電子回路部品を実装するときには、仮圧着処理と本圧着処理との２つの圧着処理を行うことになる。仮圧着処理においても、長辺側圧着手段と短辺側圧着手段とを用いて、電子回路部品を基板に対して仮圧着を行うため、仮圧着処理の場合であっても、請求項１の圧着処理を適用することができる。また、液晶ディスプレイ等のフラットパネルディスプレイを構成する基板であるため、その形状は長方形が対象となるが、正方形の基板に対しても適用することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明による圧着装置は、サイズの異なる複数種類の基板に対して処理を行える構成とすることができる。このためには、長辺側圧着手段は、長辺側圧着手段と短辺側圧着手段との間のコーナー部から圧着処理がなされる基板のうちの最も長い長辺を圧着処理可能なものとし、短辺側圧着手段は、コーナー部から圧着処理がなされる基板のうちの最も長い短辺を圧着処理可能なものとする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明は、四角形状の基板の長辺側と短辺側とに搭載されている電子回路部品に対して、一方の熱圧着中に他方の熱圧着を行う長辺側圧着手段と短辺側圧着手段とを設けたことにより、圧着機構を簡略化することができ、同時に処理時間の短縮化を図ることができる。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
ＡＣＦ５は導電粒子を混在させた熱硬化性の接着剤フィルムである。パネル基板１の電極群４に対してＡＣＦ５を貼り付けた状態で、電子回路部品２を当接させて上部から熱圧着を行う。図３（ａ）は熱圧着を行う前の状態を示しているが、この状態から、電子回路部品２に対して熱圧着を行うと、図３（ｂ）に示すように、ＡＣＦ５のフィルム５ａが熱溶融して、パネル基板１と電子回路部品２との間に密着する。このとき、パネル基板１に形成されている電極群４の電極４ｄと電子回路部品２に形成されている電極２ｄとの間で、導電粒子５ｂが挟持されて、その間が電気的に接続された状態になり、電子回路部品２がパネル基板１に実装される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月16日(2010.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと外部接続用端子を備えた配線基板とをハンダで接続した半導体装置であり、半導体チップと配線基板との接続のピッチが１００μｍ以下の半導体装置を製造する方法であって、
（ａ）半導体チップの熱膨張率との差が２×１０-6／℃以内の材料の仮基板の上に、配線層を形成する工程、
（ｂ）前記配線層の上に所定の数の配線層と絶縁層とを形成し、前記配線層の一部をパッドとして配線基板を作製する工程、
（ｃ）半導体チップのハンダ接合部材を前記配線基板の前記パッドと接触させてリフローさせ、半導体チップを配線基板に取り付ける工程、
（ｄ）前記半導体チップの露出面に接続するヒートスプレッダを取り付けてから、取り付けたヒートスプレッダの外周部を前記ヒートスプレッダの上面を露出して封止する工程、
（ｅ）前記仮基板を除去する工程、
（ｆ）前記配線基板の前記仮基板の除去により露出した配線層の上にパターン化した絶縁層を形成して、その開口部に露出した配線層の部分に、外部接続用端子を形成する工程、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記半導体チップがシリコンチップであり、前記仮基板の熱膨張率が５×１０-6／℃以下である、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記仮基板が、シリコン、ガラス又は金属製である、請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記ヒートスプレッダとして、取り付けた前記半導体チップの側面まで覆う金属カバーを使用し、その端部を前記配線基板のグランド配線層に接続する、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
半導体チップと、外部接続用端子を備えた配線基板とを、ハンダで接続した半導体装置であって、半導体チップと配線基板との接続のピッチが１００μｍ以下であり、且つ、半導体チップを覆う金属カバーを有し、前記金属カバーの端部が配線基板のグランド配線層に接続し、且つ、前記金属カバーの外周部が封止材で覆われていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
取り付けた半導体チップ３８の上面に、図１（ｄ）に示したように、ヒートスプレッダ４１を取り付ける。この取り付けは、接着剤（図示せず）を用いて行うことができる。ヒートスプレッダ４１は、省くことが可能であり、必要に応じて取り付ければよい。以下の例では、ヒートスプレッダなしの場合の半導体装置の製造例を説明することにする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月7日(2010.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）半導体基板と、
（ｂ）前記半導体基板上に形成された半導体素子と、
（ｃ）前記半導体素子上に形成された多層配線層と、
（ｄ）前記多層配線層の最上層に形成されたパッドと、
（ｅ）前記パッド上に形成され、前記パッドに達する開口部を有する表面保護膜と、
（ｆ）前記表面保護膜上に形成され、前記開口部を埋め込むことにより前記パッドと電気的に接続するバンプ電極とを備え、
前記バンプ電極は、前記パッドと平面的に重なる重複領域と、前記パッドと平面的に重ならない非重複領域を有するように、前記パッドより大きく形成されており、
前記多層配線層の最上層には、
（ｇ）前記パッドの他に電源配線あるいは信号配線よりなる第１配線と、
（ｈ）前記第１配線とは異なるダミーパターンが形成され、
前記バンプ電極の前記非重複領域の下層には、前記パッドと同層で形成された前記第１配線および前記ダミーパターンが形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置であって、
前記ダミーパターンは、矩形形状をした複数のパターンから形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置であって、
前記矩形形状をした複数のパターンのそれぞれは、短辺と長辺とを有する長方形状パターンから形成されており、前記長方形状パターンの短辺幅は、前記第１配線の幅よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置であって、
前記表面保護膜は、平坦化処理が施されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置であって、
前記表面保護膜は、プラズマＣＶＤ法により形成された第１酸化シリコン膜と、前記第１酸化シリコン膜上に形成されたＴＥＯＳを材料とする第２酸化シリコン膜と、前記第２酸化シリコン膜上に形成された窒化シリコン膜から形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置であって、
前記第２酸化シリコン膜に対して平坦化処理が施されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１記載の半導体装置であって、
前記半導体装置は、液晶ディスプレイ用のＬＣＤドライバであることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
平面形状が長辺と短辺とを有する長方形状をした半導体チップを含む半導体装置において、
前記半導体チップは、
（ａ）半導体基板と、
（ｂ）前記半導体基板上に形成された半導体素子と、
（ｃ）前記半導体素子上に形成された多層配線層と、
（ｄ）前記多層配線層の最上層に形成された複数のパッドと、
（ｅ）前記複数のパッド上に形成され、前記複数のパッドのそれぞれに達する開口部を有する表面保護膜と、
（ｆ）前記表面保護膜上に形成され、前記開口部を埋め込むことにより前記複数のパッドのそれぞれと電気的に接続する長方形状をした複数のバンプ電極のそれぞれとを備え、
前記多層配線層の最上層には、
（ｇ）前記パッドの他に電源配線あるいは信号配線よりなる第１配線と、
（ｈ）前記第１配線とは異なるダミーパターンが形成されている半導体装置であって、
前記複数のバンプ電極は、前記複数のバンプ電極のそれぞれの長辺を前記半導体チップの短辺方向に向けた状態で、少なくとも前記半導体チップの長辺方向に並んで配置され、
前記複数のバンプ電極のそれぞれは、前記複数のパッドのそれぞれと平面的に重なる重複領域と、前記複数のパッドのそれぞれと平面的に重ならない非重複領域を有するように、前記複数のパッドのそれぞれより大きく形成されており、
前記複数のバンプ電極のそれぞれにおける前記非重複領域の下層には、前記複数のパッドと同層で形成された前記第１配線が前記半導体チップの長辺方向に延在するように形成され、前記非重複領域の下層に形成されている前記第１配線に隣接する所定範囲に前記ダミーパターンが形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置であって、
前記ダミーパターンは、前記複数のバンプ電極のそれぞれから一定距離内にある前記多層配線層の最上層に形成されており、前記多層配線層の最上層には、前記ダミーパターンが形成されているダミーパターン形成領域と、前記ダミーパターンが形成されていないダミーパターン非形成領域があることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
（ａ）半導体基板上に半導体素子を形成する工程と、
（ｂ）前記半導体素子上に多層配線層を形成する工程と、
（ｃ）前記多層配線層の最上層に導体膜を形成する工程と、
（ｄ）前記導体膜をパターニングすることにより、パッドと、電源配線あるいは信号配線よりなる第１配線およびダミーパターンを形成する工程と、
（ｅ）前記パッド、前記第１配線および前記ダミーパターンを覆うように表面保護膜を形成する工程と、
（ｆ）前記表面保護膜に前記パッドに達する開口部を形成する工程と、
（ｇ）前記開口部を含む前記表面保護膜上に前記パッドよりも大きなバンプ電極を形成する工程を備え、
前記（ｇ）工程は、前記バンプ電極を、前記パッドと平面的に重なる重複領域と、前記パッドと平面的に重ならない非重複領域とを有するように形成し、
前記（ｇ）工程で形成した前記バンプ電極の前記非重複領域の下層に、前記パッドと同層で形成された前記第１配線を形成し、前記非重複領域の下層に形成されている前記第１配線に隣接する所定範囲に前記ダミーパターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の半導体装置の製造方法であって、
前記ダミーパターンを、前記バンプ電極における前記非重複領域の下層にも形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０記載の半導体装置の製造方法であって、
前記ダミーパターンを、前記バンプ電極から一定距離内にある前記多層配線層の最上層に形成し、前記多層配線層の最上層には、前記ダミーパターンが形成されているダミーパターン形成領域と、前記ダミーパターンが形成されていないダミーパターン非形成領域があることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１０記載の半導体装置の製造方法であって、
前記（ｅ）工程と前記（ｆ）工程の間に、
（ｈ）前記表面保護膜の表面を平坦化する工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の半導体装置の製造方法であって、
前記（ｈ）工程は、化学的機械的研磨法により前記表面保護膜の表面を平坦化することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１０記載の半導体装置の製造方法であって、
前記（ｅ）工程は、
（ｅ１）プラズマＣＶＤ法を使用することにより、前記パッド、前記第１配線および前記ダミーパターンを覆うように、第１酸化シリコン膜を形成する工程と、
（ｅ２）前記第１酸化シリコン膜上に、ＴＥＯＳを材料とする第２酸化シリコン膜を形成する工程と、
（ｅ３）前記第２酸化シリコン膜の表面を、化学的機械的研磨法で平坦化する工程と、
（ｅ４）前記（ｅ３）工程後、前記第２酸化シリコン膜上に窒化シリコン膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月20日(2010.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
筒状部３２には出力窓３２ａ、反跳電子トラップ３７には出力窓３７ａが設けられている。アノード電極３５とカソード電極３６との間に高電圧を印加すると、カソード電極３６から放出された電子ビームがアノード電極３５のＸ線放射層３５ａに衝突する。電子ビームの衝突でＸ線放射層３５ａがＸ線を放射し、出力窓３２ａ，３７ａからＸ線が出力される。なお、Ｘ線放射層３５ａに衝突した電子ビームの一部はほとんどエネルギーを失うことなく反射する。この反射した電子（反跳電子）は反跳電子トラップ３７に捉えられるため、Ｘ線放射層３５ａや高電圧絶縁部材４０、５０および真空外囲器３１の表面に衝突することがなくなる。これにより、Ｘ線管３０の焦点がぼやけることや、高電圧絶縁部材４０および５０のチャージアップを防止することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
高電圧コネクタ２００は、有底筒状のハウジング２０１と、このハウジング２０１内にその先端が挿入されたカソード高電圧ケーブル２０２と、ハウジング２０１内に充填され、カソード高電圧ケーブル２０２の先端の端子２０２ａをハウジング２０１の開口部側に向けて固定するエポキシ樹脂材製の固定部２０３と、この固定部２０３と上記した高電圧絶縁部材５０の外部端面５１との間に挿入されたシリコーン樹脂材製のシリコンプレート２０４とを備えている。