【手続補正書】
【提出日】平成22年4月26日(2010.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体からなる反射層、透明導電層、ｐ型窒化物半導体層、発光層およびｎ型窒化物半導体層をこの順で含む窒化物半導体発光素子。
【請求項２】
支持基板、誘電体からなる反射層、透明導電層、ｐ型窒化物半導体層、発光層およびｎ型窒化物半導体層をこの順で含む請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項３】
前記透明導電層は、導電性金属酸化物からなる請求項１または２に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項４】
前記透明導電層は、ｎ型窒化物半導体からなる請求項１または２に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項５】
前記誘電体からなる反射層は、高屈折率を有する誘電体からなる層と低屈折率を有する誘電体からなる層とを交互に積層させた積層構造を有する請求項１〜４のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項６】
前記誘電体からなる反射層は、前記発光層から放出される放射光に対して、８０〜１００％の反射率を有する請求項１〜５のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項７】
前記ｐ型窒化物半導体層、前記発光層および前記ｎ型窒化物半導体層からなる窒化物半導体層の表面のうち、前記誘電体からなる反射層が形成される側の表面は、平坦である請求項１〜６のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項８】
前記ｐ型窒化物半導体層、前記発光層および前記ｎ型窒化物半導体層からなる窒化物半導体層の表面のうち、前記誘電体からなる反射層が形成される側と反対側の表面は、凹凸形状を有する請求項１〜７のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項９】
前記透明導電層の厚み方向と垂直な方向における長さは、前記ｐ型窒化物半導体層の厚み方向と垂直な方向における長さより小さく、
前記誘電体からなる反射層は、前記透明導電層の両側面および前記透明導電層の前記誘電体からなる反射層側表面に接しており、かつ、前記ｐ型窒化物半導体層の前記透明導電層側表面の一部であって、前記透明導電層に接していない表面に接している請求項１〜８のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１０】
前記誘電体からなる反射層は、前記透明導電層の直下の領域において、厚み方向に貫通する貫通口を有する請求項１〜９のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１１】
前記ｐ型窒化物半導体層は、前記透明導電層に接して形成される電流阻止領域を備える請求項１〜１０のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１２】
前記誘電体からなる反射層が有する貫通口は、前記電流阻止領域の直下に位置する請求項１１に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１３】
前記支持基板と前記誘電体からなる反射層との間に、共晶接合金属を含む金属またはこれを含有する合金からなる単層または多層構造の共晶接合層を有する請求項２〜１２のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１４】
前記誘電体からなる反射層と前記共晶接合層との間に、密着層を有する請求項１３に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１５】
前記支持基板は、メッキされた金属または合金からなる基板である請求項２〜１２のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１６】
前記誘電体からなる反射層の厚みは、０．２〜５μｍである請求項１〜１５のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１７】
支持基板、誘電体からなる反射層、透明導電層、ｐ型窒化物半導体層、発光層およびｎ型窒化物半導体層をこの順で含む窒化物半導体発光素子の製造方法であって、
成長用基板上に、ｎ型窒化物半導体層、発光層、ｐ型窒化物半導体層をこの順に積層する工程（Ａ）と、
前記ｐ型窒化物半導体層表面上に、透明導電層を形成する工程（Ｂ）と、
得られた積層体の露出表面上に、誘電体からなる反射層を形成する工程（Ｃ）と、
支持基板を積層させる工程（Ｄ）と、
前記成長用基板を除去する工程（Ｅ）と、
チップ分割を行なうことにより、複数の窒化物半導体発光素子を得る工程（Ｆ）と、
を含む窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１８】
前記工程（Ｃ）の後に、前記誘電体からなる反射層に、その厚み方向に貫通する貫通口を形成し、前記透明導電層の一部を露出させる工程（Ｇ）をさらに備える請求項１７に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１９】
前記工程（Ｇ）において、前記貫通口の形成は、エッチングにより行なわれ、前記透明導電層は、エッチングストップ層として働く請求項１８に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項２０】
前記工程（Ｅ）と工程（Ｆ）との間に、前記ｎ型窒化物半導体層側から、略一定間隔で凹部を形成し、前記誘電体からなる反射層を露出させる工程（Ｈ）をさらに備える請求項１７〜１９のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項２１】
前記工程（Ｅ）の後に、前記ｎ型窒化物半導体層の表面に凹凸を形成する工程（Ｉ）をさらに備える請求項１７〜２０のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項２２】
前記工程（Ｆ）において、チップ分割する位置は、前記凹部の底面上のいずれかの位置である請求項２０または２１に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項２３】
成長用基板、ｎ型窒化物半導体層、発光層、ｐ型窒化物半導体層、透明導電層および誘電体からなる反射層をこの順で含む窒化物半導体発光素子。
【請求項２４】
前記成長用基板は、表面に凹凸加工が施されたサファイア基板からなる請求項２３に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項２５】
前記透明導電層は、導電性金属酸化物またはｎ型窒化物半導体からなる請求項２３または２４に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項２６】
前記透明導電層は、酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛または酸化インジウムのいずれかからなる請求項２５に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項２７】
前記透明導電層は、ｎ型ＡｌxＩｎyＧａ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる請求項２５に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項２８】
前記誘電体からなる反射層は、
全反射する光が多くなるように全反射臨界角が小さくなる厚さで形成したＳｉＯ2層、
斜め２５°方向で反射率が最大になるように形成したＳｉＯ2層とＳｉＮ層との周期構造、および
垂直方向で反射率が最大になるように形成したＳｉＯ2層とＳｉＮ層との周期構造
からなる請求項２３〜２７のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項２９】
成長用基板、ｎ型窒化物半導体層、発光層、ｐ型窒化物半導体層、透明導電層および誘電体からなる反射層をこの順で含む窒化物半導体発光素子の製造方法であって、
前記成長用基板上に、前記ｎ型窒化物半導体層、前記発光層、前記ｐ型窒化物半導体層をこの順に積層する工程（ａ）と、
前記ｐ型窒化物半導体層表面上に、前記透明導電層を形成する工程（ｂ）と、
前記透明導電層、前記ｐ型窒化物半導体層、前記発光層、および前記ｎ型窒化物半導体層の一部をエッチングし、前記ｎ型窒化物半導体層の一部を露出させる工程（ｃ）と、
前記透明導電層の表面上、前記ｐ型窒化物半導体層の表面上および前記ｎ型窒化物半導体層の露出表面上に、前記誘電体からなる反射層として、
全反射臨界角が小さくなる厚さのＳｉＯ2層、
斜め２５°方向で反射率が最大になるようなＳｉＯ2層とＳｉＮとの周期構造、および
垂直方向で反射率が最大となるようなＳｉＯ2層とＳｉＮとの周期構造
を形成する工程（ｄ）と、
前記反射層の一部を除去する工程（ｅ）と、
前記反射層を除去した箇所にパッド電極を形成する工程（ｆ）と、
を含む窒化物半導体発光素子の製造方法。