【手続補正書】
【提出日】平成22年2月20日(2010.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された島状の半導体膜と、
前記半導体膜上にゲート絶縁膜を介して前記半導体膜を横断して形成されたゲート電極として機能する導電膜とを有し、
前記半導体膜は、
前記ゲート絶縁膜を介して前記導電膜と重なる領域に設けられたチャネル形成領域と、
前記チャネル形成領域と隣接して設けられたソース領域又はドレイン領域を形成する第１の不純物領域と、
前記チャネル形成領域及び前記第１の不純物領域と隣接して設けられた第２の不純物領域とを有し、
前記第１の不純物領域と前記第２の不純物領域は導電型が異なり、
前記第２の不純物領域と前記チャネル形成領域は導電型が異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上に形成された島状の半導体膜と、
前記半導体膜上にゲート絶縁膜を介して前記半導体膜を横断して形成されたゲート電極として機能する導電膜とを有し、
前記半導体膜は、
前記ゲート絶縁膜を介して前記導電膜と重なる領域に設けられたチャネル形成領域と、
前記チャネル形成領域と隣接して設けられたソース領域又はドレイン領域を形成する第１の不純物領域と、
前記チャネル形成領域及び前記第１の不純物領域と隣接して設けられた第２の不純物領域とを有し、
前記第１の不純物領域と前記第２の不純物領域は導電型が異なり、
前記第２の不純物領域と前記チャネル形成領域は導電型が同一であり且つ濃度が異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第２の不純物領域は、前記半導体膜の端部であって前記導電膜が重なる領域の近傍に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
基板上に島状に形成された第１の半導体膜及び第２の半導体膜と、
前記第１の半導体膜及び前記第２の半導体膜上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極として機能する導電膜とを有し、
前記第１の半導体膜は、
前記ゲート絶縁膜を介して前記導電膜と重なる領域に設けられた第１のチャネル形成領域と、
前記第１のチャネル形成領域と隣接して設けられたソース領域又はドレイン領域を形成する第１の不純物領域と、
前記第１のチャネル形成領域及び前記第１の不純物領域と隣接して設けられた第２の不純物領域とを有し、
前記第２の半導体膜は、
前記ゲート絶縁膜を介して前記導電膜と重なる領域に設けられた第２のチャネル形成領域と、
ソース領域又はドレイン領域を形成する第３の不純物領域と、
前記チャネル形成領域と前記第３の不純物領域との間に隣接して設けられた第４の不純物領域とを有し、
前記第１の不純物領域は、前記第２の不純物領域、第３の不純物領域及び第４の不純物領域と導電型が異なり、
前記第２の不純物領域と前記第４の不純物領域は、概略同一の濃度の不純物元素を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
第１のチャネル形成領域と前記第２の不純物領域は導電型が異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、
前記第２の不純物領域は、前記第１の半導体膜の端部であって前記導電膜が重なる領域に隣接して設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
基板上に島状に形成された第１の半導体膜及び第２の半導体膜と、
前記第１の半導体膜と前記第２の半導体膜上にゲート絶縁膜を介して前記第１の半導体膜と第２の半導体膜を横断して形成されたゲート電極として機能する導電膜とを有し、
前記第１の半導体膜は、
前記ゲート絶縁膜を介して前記導電膜と重なる領域に設けられた第１のチャネル形成領域と、
ソース領域又はドレイン領域を形成する第１の不純物領域と、
前記第１のチャネル形成領域と前記第１の不純物領域との間に隣接して設けられたＬＤＤ領域を形成する第２の不純物領域と、
前記第１のチャネル形成領域、前記第１の不純物領域及び前記第２の不純物領域と隣接して設けられた第３の不純物領域とを有し、
前記第２の半導体膜は、
前記ゲート絶縁膜を介して前記導電膜と重なる領域に設けられた第２のチャネル形成領域と、
ソース領域又はドレイン領域を形成する第４の不純物領域と、
前記第２のチャネル形成領域と前記第４の不純物領域との間に隣接して設けられたＬＤＤ領域を形成する第５の不純物領域と、
前記第２のチャネル形成領域、前記第４の不純物領域及び前記第５の不純物領域と隣接して設けられた第６の不純物領域とを有し、
前記第１の不純物領域、前記第２の不純物領域及び前記第６の不純物領域は同一の導電型であり、
前記第３の不純物領域、前記第４の不純物領域及び前記第５の不純物領域は同一の導電型であり、
前記第３の不純物領域と前記第５の不純物領域は、概略同一の濃度の不純物元素を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記第２の不純物領域と前記第６の不純物領域は、概略同一の濃度の不純物元素を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項７又は請求項８において、
前記第３の不純物領域は、前記第１の半導体膜の端部であって前記導電膜が重なる領域に隣接して設けられ、
前記第６の不純物領域は、前記第２の半導体膜の端部であって前記導電膜が重なる領域に隣接して設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
基板上に島状の半導体膜を形成し、
前記半導体膜を横断するようにゲート絶縁膜を介してゲート電極として機能する導電膜を形成し、
前記半導体膜に前記導電膜をマスクとして第１の不純物元素を導入し、
前記半導体膜の端部に選択的にレジストを形成し、
前記レジストと前記導電膜をマスクとして前記半導体膜に前記第１の不純物元素と導電型が異なる第２の不純物元素を導入することによって、前記半導体膜において、前記導電膜と重なる領域にチャネル形成領域を形成し、前記チャネル形成領域と隣接するように前記第２の不純物元素と導電型が同一である第１の不純物領域を形成し、前記チャネル形成領域と前記第１の不純物領域と隣接するように前記第１の不純物元素と導電型が同一である第２の不純物領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記第２の不純物領域は、前記半導体膜の端部であって前記導電膜が重なる領域に隣接して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
基板上に第１の半導体膜と第２の半導体膜を島状に形成し、
前記第１の半導体膜と前記第２の半導体膜を横断するようにゲート絶縁膜を介してゲート電極として機能する導電膜を形成し、
前記第１の半導体膜と前記第２の半導体膜に前記導電膜をマスクとして第１の不純物元素を導入し、
前記第１の半導体膜の端部と前記第２の半導体膜を覆うように第１のレジストを形成し、
前記第１のレジストと前記導電膜をマスクとして前記第１の半導体膜に前記第１の不純物元素と導電型が異なる第２の不純物元素を導入することによって、前記第１の半導体膜において、前記導電膜と重なる領域に第１のチャネル形成領域を形成し、前記第１のチャネル形成領域と隣接するように前記第２の不純物元素と導電型が同一である第１の不純物領域を形成し、前記第１のチャネル形成領域と前記第１の不純物領域と隣接するように前記第１の不純物元素と導電型が同一である第２の不純物領域を形成し、
前記導電膜の側面と接するように絶縁膜を形成し、
前記第１の半導体膜を覆うように第２のレジストを形成し、
前記導電膜と前記絶縁膜をマスクとして、前記第２の半導体膜に前記第２の不純物元素と導電型が異なる第３の不純物元素を導入することによって、前記第２の半導体膜において、前記導電膜と重なる領域に第２のチャネル形成領域を形成し、前記第２のチャネル形成領域と隣接し且つ前記絶縁膜と重なる領域に前記第１の不純物元素と導電型が同一である第４の不純物領域を形成し、前記第４の不純物領域と隣接するように前記第３の不純物元素と導電型が同一である第３の不純物領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記第２の不純物領域と前記第４の不純物領域が、概略同一の濃度の不純物元素を含むように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１２又は請求項１３において、
前記第２の不純物領域は、前記第１の半導体膜の端部であって前記導電膜が重なる領域に隣接して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。