【手続補正書】
【提出日】平成21年11月27日(2009.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光出射部に接して第１の膜が形成されている窒化物半導体発光素子であって、
前記光出射部は窒化物半導体からなり、
前記第１の膜はアルミニウムの酸窒化物からなり、
前記第１の膜上に第２の膜が形成され、
前記第２の膜は、酸化物、窒化物、酸窒化物およびフッ化物からなる群から選択された少なくとも１種を含む、窒化物半導体発光素子。
【請求項２】
前記窒化物半導体発光素子は窒化物半導体レーザ素子であり、
該窒化物半導体レーザ素子の共振器の反射側端面に接してアルミニウムの酸窒化物からなる膜が形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項３】
前記第１の膜の酸素の含有量が２原子％以上３５原子％以下であることを特徴とする、請求項１または２に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項４】
前記第１の膜の酸素の含有量が２原子％以上１５原子％以下であることを特徴とする、請求項１または２に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項５】
前記第２の膜が窒化シリコンからなる膜または窒化アルミニウムからなる膜であることを特徴とする、請求項１から４のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項６】
前記第２の膜が酸化アルミニウム、酸化シリコン、酸化チタン、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化タンタルおよび酸化イットリウムからなる群から選択された少なくとも１種の膜であることを特徴とする、請求項１から４のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項７】
前記第２の膜がシリコンの酸窒化物からなる膜であることを特徴とする、請求項１から４のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項８】
前記第２の膜が前記第１の膜と組成が異なるアルミニウムの酸窒化物であることを特徴とする、請求項１から４のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項９】
前記第２の膜がフッ化マグネシウムからなる膜であることを特徴とする、請求項１から４のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１０】
前記第２の膜上に酸化物または酸窒化物からなる第３の膜が形成されていることを特徴とする、請求項１から９のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子を製造する方法であって、前記光出射部に前記第１の膜をスパッタ法または電子ビーム蒸着法により形成することを特徴とする、窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１２】
請求項１から１０のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子を製造する方法であって、前記光出射部に前記第１の膜をＣＶＤ法により形成することを特徴とする、窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１３】
前記第１の膜は、ターゲットにアルミニウムを用い、成膜室内に少なくとも窒素ガスと酸素ガスとを導入することによって形成されることを特徴とする、請求項１１に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１４】
前記第１の膜は、ターゲットに酸窒化アルミニウムおよび酸化アルミニウムの少なくとも一方を用い、成膜室内に酸素ガスを導入せずに形成されることを特徴とする、請求項１１に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１５】
前記第１の膜は、成膜室内の少なくとも一部を酸化して前記成膜室内に酸素ガスを導入せずに形成されることを特徴とする、請求項１１に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、光出射部に接して第１の膜が形成されている窒化物半導体発光素子であって、光出射部は窒化物半導体からなり、第１の膜はアルミニウムの酸窒化物からなり、第１の膜上に第２の膜が形成され、第２の膜は、酸化物、窒化物、酸窒化物およびフッ化物からなる群から選択された少なくとも１種を含む、窒化物半導体発光素子である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
ここで、本発明の窒化物半導体発光素子は窒化物半導体レーザ素子であってもよく、該窒化物半導体レーザ素子の共振器の反射側端面に接してアルミニウムの酸窒化物からなる膜が形成されていることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明の窒化物半導体発光素子において、第１の膜の酸素の含有量が２原子％以上３５原子％以下であることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明の窒化物半導体発光素子において、第１の膜の酸素の含有量は２原子％以上１５原子％以下であることが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明の窒化物半導体発光素子において、第２の膜が窒化シリコンからなる膜または窒化アルミニウムからなる膜であることが好ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明の窒化物半導体発光素子においては、第２の膜が酸化アルミニウム、酸化シリコン、酸化チタン、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化タンタルおよび酸化イットリウムからなる群から選択された少なくとも１種の膜であることが好ましい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、本発明の窒化物半導体発光素子においては、第２の膜がシリコンの酸窒化物からなる膜であることが好ましい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、本発明の窒化物半導体発光素子においては、第２の膜が第１の膜と組成が異なるアルミニウムの酸窒化物であることが好ましい。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、本発明の窒化物半導体発光素子においては、第２の膜がフッ化マグネシウムからなる膜であることが好ましい。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、本発明の窒化物半導体発光素子においては、第２の膜上に酸化物または酸窒化物からなる第３の膜が形成されていることが好ましい。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
さらに、本発明は、上記の窒化物半導体発光素子を製造する方法であって、光出射部に第１の膜をスパッタ法または電子ビーム蒸着法により形成する窒化物半導体発光素子の製造方法である。また、本発明は、上記の窒化物半導体発光素子を製造する方法であって、光出射部に第１の膜をＣＶＤ法により形成する窒化物半導体発光素子の製造方法である。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、本発明の窒化物半導体レーザ素子の製造方法において、第１の膜は、ターゲットにアルミニウムを用い、成膜室内に少なくとも窒素ガスと酸素ガスとを導入することによって形成されることが好ましい。また、本発明の窒化物半導体レーザ素子の製造方法において、第１の膜は、ターゲットに酸窒化アルミニウムおよび酸化アルミニウムの少なくとも一方を用い、成膜室内に酸素ガスを導入せずに形成されることが好ましい。また、本発明の窒化物半導体レーザ素子の製造方法において、第１の膜は、成膜室内の少なくとも一部を酸化して成膜室内に酸素ガスを導入せずに形成されることが好ましい。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】