(57)【要約】【課題】ＩＣチップの過大温度上昇を回避し、アンテナ特性を調整できる非接触式ＩＣカードを提供する。【解決手段】非接触式ＩＣカード１１において、ＩＣチップ１４内に複数のコンデンサ２５を設けて、自動的にそれらを選択し、容量値を変えることで、共振回路１２が所望の共振周波数となるようにアンテナ特性を調整する。また、ＩＣチップ１４内に温度検知回路２４を設け、ＩＣチップ１４が所定温度以上となった場合には、共振回路１２の共振周波数あるいはＱ値を切換えることで、ＩＣチップ１４の過大温度上昇を回避する。【選択図】    図１
2005011009.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部装置との間で無線による通信を行なうためのアンテナコイルと同調コンデンサとからなる共振回路と、
この共振回路と電気的に接続され、外部装置から送信される電磁波を前記共振回路を介して受信し、この受信した電磁波により動作電圧を生成して動作するもので、前記共振回路を介して外部装置との間で無線による通信を行なうことにより所定の情報処理等を行なう機能を有するＩＣチップと、
このＩＣチップの温度を検知する温度検知手段と、
前記共振回路の共振周波数を変更するための複数のコンデンサと、
この複数のコンデンサを選択的に前記共振回路に対して接続する複数のスイッチ手段と、
この複数のスイッチ手段を前記温度検知手段の検知結果に応じて選択的に開閉制御することにより前記共振回路の共振周波数を最適値に変更する制御手段と、
を具備したことを特徴とする非接触式ＩＣカード。
【請求項２】
前記ＩＣチップは、前記共振回路と電気的に接続され、前記共振回路の出力を整流する整流回路と、この整流回路の出力から動作電圧を生成する電源生成手段と、前記整流回路の出力電圧を検出する電圧検出手段とを有し、
前記制御手段により前記共振回路の共振周波数を変更したときに得られる現在と過去の前記整流回路の出力電圧値を比較し、その比較結果に応じて前記複数のスイッチ手段を選択的に開閉制御することにより最終的に所望の共振周波数を得ることを特徴とする請求項１記載の非接触式ＩＣカード。
【請求項３】
前記温度検知手段および前記複数のコンデンサおよび前記複数のスイッチ手段は前記ＩＣチップ内に設けられていることを特徴とする請求項１記載の非接触式ＩＣカード。
【請求項４】
外部装置との間で無線による通信を行なうためのアンテナコイルと同調コンデンサとからなる共振回路と、
この共振回路と電気的に接続され、外部装置から送信される電磁波を前記共振回路を介して受信し、この受信した電磁波により動作電圧を生成して動作するもので、前記共振回路を介して外部装置との間で無線による通信を行なうことにより所定の情報処理等を行なう機能を有するＩＣチップと、
このＩＣチップの温度を検知する温度検知手段と、
前記共振回路の共振周波数を変更するための複数のコンデンサと、
前記共振回路のクオリティファクタ（Ｑ）値を変更するための複数の抵抗素子と、
これら複数のコンデンサおよび複数の抵抗素子を選択的に前記共振回路に対して接続する複数のスイッチ手段と、
この複数のスイッチ手段を前記温度検知手段の検知結果に応じて選択的に開閉制御することにより前記共振回路の共振周波数およびクオリティファクタ値を最適値に変更する制御手段と、
を具備したことを特徴とする非接触式ＩＣカード。
【請求項５】
前記ＩＣチップは、前記共振回路と電気的に接続され、前記共振回路の出力を整流する整流回路と、この整流回路の出力から動作電圧を生成する電源生成手段と、前記整流回路の出力電圧を検出する電圧検出手段とを有し、
前記制御手段により前記共振回路の共振周波数およびクオリティファクタ値を変更したときに得られる現在と過去の前記整流回路の出力電圧値を比較し、その比較結果に応じて前記複数のスイッチ手段を選択的に開閉制御することにより最終的に所望の共振周波数およびクオリティファクタ値を得ることを特徴とする請求項４記載の非接触式ＩＣカード。
【請求項６】
前記温度検知手段および前記複数のコンデンサおよび前記複数の抵抗素子および前記複数のスイッチ手段は前記ＩＣチップ内に設けられていることを特徴とする請求項４記載の非接触式ＩＣカード。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、たとえば、入退場管理装置における個人認証媒体、住民基本台帳カード、クレジットカードなどとして用いられ、非接触式カードリーダ・ライタから送信される電磁波を受信し、この受信した電磁波により動作電圧を生成して動作し、非接触式カードリーダ・ライタとの間で無線による通信を行なうことにより、書換え可能な不揮発性メモリに対するデータの書込みあるいは読出しなどの情報処理を行なうバッテリレス式の非接触式ＩＣカード（いわゆる無線カード）に関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近、たとえば、入退場管理装置における個人認証媒体として、いわゆる無線カードと称される非接触式ＩＣカードが用いられる場合がある。その場合、個人情報などを記録した非接触式ＩＣカードを入退場者に配布し、部屋の入口に設置した非接触式カードリーダ・ライタとの間で無線で通信を行なうことにより、個人情報の照合を行ない、入口のドアを開閉制御するものである。
このような無線カードと称される非接触式ＩＣカードは、バッテリ交換作業の削除、小形化、低コスト化、長寿命化などからバッテリレス式のものが主流となっている。
【０００３】
そこで、最近の非接触式ＩＣカードでは、非接触式カードリーダ・ライタから送信される電磁波をアンテナコイルと同調コンデンサとからなる共振回路で受信し、この受信した電磁波により動作電圧を生成して各部へ動作電源として供給することにより動作するようになっている。
【０００４】
ところで、この種の非接触式ＩＣカードは、ＩＣチップや共振回路における容量のばらつきがない場合は、初期設計とおりの効果が期待できるが、ロットごとや固体差のばらつき、部品定数のばらつきなどにより、共振回路の共振周波数が設計値からずれてしまい、充分な電力の供給を受けることができないという問題があった。そのため、非接触式ＩＣカードと非接触式カードリーダ・ライタとの通信可能距離が低下したり、最悪の場合は動作不能となるおそれもあった。
【０００５】
そこで、最近、このような問題点を解決するものとして、非接触ＩＣカードにおいて、スイッチ手段を用いて共振回路の共振周波数を切換えつつ、各切換態様における共振回路からの出力信号を受けて、最も大きい出力信号が得られる共振周波数となるようにスイッチ手段の切換態様を決定することにより、適切な共振周波数を自動的に選択して、効率よく電力の供給を受け得るように調整することができるものが知られている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００６】
【特許文献１】
特開平１０−１８７９１６号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上述した特許文献１の技術は、共振回路の共振周波数を切換えつつ、共振回路からの出力信号を受けて、最も大きい出力信号が得られる共振周波数となるよう切換信号を共振回路に与えるようにしているため、適切な共振周波数を自動的に選択して効率よく電力の供給を受けるように調整することができるが、負荷（ＩＣチップ）の消費電流が過大となり、ＩＣチップの過大温度上昇を招き、故障や損傷するおそれがあるなどの問題がある。
【０００８】
そこで、本発明は、ＩＣチップの過大温度上昇を回避し、アンテナ特性を調整できる非接触式ＩＣカードを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の非接触式ＩＣカードは、外部装置との間で無線による通信を行なうためのアンテナコイルと同調コンデンサとからなる共振回路と、この共振回路と電気的に接続され、外部装置から送信される電磁波を前記共振回路を介して受信し、この受信した電磁波により動作電圧を生成して動作するもので、前記共振回路を介して外部装置との間で無線による通信を行なうことにより所定の情報処理等を行なう機能を有するＩＣチップと、このＩＣチップの温度を検知する温度検知手段と、前記共振回路の共振周波数を変更するための複数のコンデンサと、この複数のコンデンサを選択的に前記共振回路に対して接続する複数のスイッチ手段と、この複数のスイッチ手段を前記温度検知手段の検知結果に応じて選択的に開閉制御することにより前記共振回路の共振周波数を最適値に変更する制御手段とを具備している。
【００１０】
また、本発明の非接触式ＩＣカードは、外部装置との間で無線による通信を行なうためのアンテナコイルと同調コンデンサとからなる共振回路と、この共振回路と電気的に接続され、外部装置から送信される電磁波を前記共振回路を介して受信し、この受信した電磁波により動作電圧を生成して動作するもので、前記共振回路を介して外部装置との間で無線による通信を行なうことにより所定の情報処理等を行なう機能を有するＩＣチップと、このＩＣチップの温度を検知する温度検知手段と、前記共振回路の共振周波数を変更するための複数のコンデンサと、前記共振回路のクオリティファクタ（Ｑ）値を変更するための複数の抵抗素子と、これら複数のコンデンサおよび複数の抵抗素子を選択的に前記共振回路に対して接続する複数のスイッチ手段と、この複数のスイッチ手段を前記温度検知手段の検知結果に応じて選択的に開閉制御することにより前記共振回路の共振周波数およびクオリティファクタ値を最適値に変更する制御手段とを具備している。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１２】
図１は、本実施の形態に係る非接触式ＩＣカードの構成を概略的に示すものである。非接触式ＩＣカード１１は、図示しない外部装置としての非接触式ＩＣカードリーダ・ライタとの間で無線による送受信を行なうための共振回路１２、および、この共振回路１２と接続路１３ａ，１３ｂを介して接続されたＩＣチップ１４により構成されており、これらはカード本体内に埋設されている。
【００１３】
共振回路１２は、アンテナコイル１５およびこれとＬＣ並列共振回路を形成する同調コンデンサ１６から構成されている。
【００１４】
ＩＣチップ１４は、接続路１３ａ，１３ｂに接続され、共振回路１２で受信した受信信号を整流する全波整流回路１７、全波整流回路１７の出力端に接続され、整流出力を平滑することにより安定化された直流電圧を生成して各部に動作電圧として供給する電源生成手段としてのレギュレータ１８、各種情報処理や全体的な制御を行なう制御手段としてのＣＰＵなどの制御部１９、全波整流回路１７の出力端に接続され、受信データを復調して制御部１９へ送る復調回路２０、全波整流回路１７の出力端間に直列接続された変調用抵抗１および変調用トランジスタ２、制御部１９からの送信データに応じて変調用トランジスタ２をオン、オフ制御することによりデータ変調を行なう変調回路２１、および、各種情報を記憶する記憶手段としてのＥＥＰＲＯＭなどの不揮発性メモリ２２から構成されている。
【００１５】
また、ＩＣチップ１４内には、全波整流回路１７の出力電圧を検出する電圧検出手段としての電圧検出回路２３、および、当該ＩＣチップ３１内の温度を検知する温度検知手段としての温度検知回路２４がそれぞれ設けられていて、その各出力信号（電圧検出信号、温度検知信号）は制御部１９に送られる。
【００１６】
さらに、ＩＣチップ１４内には、共振回路１２の共振周波数を変更するための複数のコンデンサ２５、および、共振回路１２のクオリティファクタ（Ｑ）値を変更するための複数の抵抗素子２６がそれぞれ設けられている。これら複数のコンデンサ２５および抵抗素子２６は、複数のスイッチ手段としてのスイッチ素子からなるスイッチ回路２７によって選択的に接続路１３ａ，１３ｂ間（つまり共振回路１２）に接続されるようになっている。スイッチ回路２７のオン，オフ制御は、制御部１９からの制御信号によって行なわれる。
【００１７】
次に、このような構成において図２〜図４に示すフローチャートを参照して動作を説明する。図２〜図４のフローチャートは制御部１９の処理手順を示しており、制御部１９はこのフローチャートにしたがって処理を実行する。
【００１８】
なお、以下の説明では、複数のコンデンサ２５として、たとえば、容量が１ｐＦのコンデンサを１０個実装した場合について説明する。このときの各コンデンサをそれぞれＣ−１〜Ｃ−１０とし、これらにそれぞれ対応するスイッチ回路２８の各スイッチ素子をＳ−１〜Ｓ−１０とする。同調コンデンサは、容量値を小さくすればするほど、所望の共振周波数に対する精度を高めることが可能となり、また、容量値を大きくすればするほど、同調の取れる周波数範囲を広げることが可能となる。
【００１９】
また、複数の抵抗素子２６として、たとえば、抵抗値が１０Ω、２０Ω、…、（１０ｎ）Ωのｎ個の抵抗素子を実装した場合について説明する。このときの各抵抗素子をそれぞれＲ−１〜Ｒ−ｎとし、これらにそれぞれ対応するスイッチ回路２８の各スイッチ素子をＳ−１１〜Ｓ−（ｎ＋１０）とする。この抵抗素子２６それぞれが共振回路１２に接続されると、共振回路１２のＱ値は減少し、共振回路１２に接続される抵抗素子２６の抵抗値が大きいほどＱ値は小さくなることになる。
【００２０】
まず、ステップＳ１おいて、デフォルト設定として、スイッチ素子Ｓ−１〜Ｓ−５をそれぞれオン状態に設定する。これにより、コンデンサＣ−１〜Ｃ−５（つまり５ｐＦのコンデンサ）が共振回路１２に接続された状態となる。
この状態で、非接触式ＩＣカード１が非接触式カードリーダ・ライタなどのある一定磁界下中にあるとき、温度検知回路２４で検知されたＩＣチップ１４の温度（以後、これを検知温度と称す）が設定値以上か否かをチエックし（ステップＳ２）、検知温度が設定値以上でなければ、このときの電圧検出回路２３で検出された全波整流回路１７の出力電圧（以後、これをモニタ電圧と称す）をＶ５とし、メモリ２２内に記憶する（ステップＳ４）。
【００２１】
次に、スイッチ素子Ｓ−１〜Ｓ−６をそれぞれオン状態に設定する（ステップＳ５）。これにより、コンデンサＣ−１〜Ｃ−６（つまり６ｐＦのコンデンサ）が共振回路１２に接続された状態となる。次に、温度検知回路２４の検知温度が設定値以上か否かをチエックし（ステップＳ６）、検知温度が設定値以上であれば、スイッチ素子Ｓ−１〜Ｓ−５をそれぞれオン状態に設定し（ステップＳ７）、調整処理を終了する。ステップＳ６のチエックの結果、検知温度が設定値以上でなければ、このときの電圧検出回路２３のモニタ電圧をＶ６とし、メモリ２２内に記憶する（ステップＳ８）。
【００２２】
次に、メモリ２２内に記憶した電圧Ｖ５とＶ６とを比較する（ステップＳ９）。電圧Ｖ５とＶ６を比較することにより、共振回路１２の共振周波数が高い方にずれているのか、低い方にずれているのか判別することができる。共振回路１２は、ＬＣ並列共振回路であるから、ｆｃを共振周波数とすれば、下記数１のように表わせる。
【００２３】
【数１】
2005011009.tif 000003
【００２４】
共振回路１２におけるアンテナコイル１５のインダクタンスＬをある一定の値とすると、コンデンサ１６の容量値Ｃは、共振周波数ｆｃの２乗に反比例する関係となる。すなわち、コンデンサ１６の容量値Ｃを大きくすると、共振周波数ｆｃは小さくなる。
【００２５】
また、電圧検出回路２３のモニタ電圧値は、共振回路１２が所望の共振周波数のとき最大となり、コンデンサ１６あるいはＩＣチップ１４の容量のばらつき、あるいは個体差によって、共振回路１２の共振周波数が低い方か高い方にずれればずれるほど、電圧検出回路２３のモニタ電圧値は小さくなる。
【００２６】
したがって、共振回路１２の共振周波数が所望の共振周波数よりも低い方にずれていれば、ＩＣチップ１４内のコンデンサ２５の容量値を増やすと、さらに所望の共振周波数より低い方にずれることになり、電圧検出回路２３のモニタ電圧はより小さい値となる。逆に、共振回路１２の共振周波数が所望の共振周波数よりも高い方にずれていれば、ＩＣチップ１４内のコンデンサ２５の容量値を増やすと、所望の共振周波数に近づくことになり、電圧検出回路２３のモニタ電圧は前よりも高い値となる。
【００２７】
これをＶ５とＶ６にあてはめると、Ｖ５＜Ｖ６なら、共振周波数は高い方にずれていることになり、ＩＣチップ１４内のコンデンサ２５の数、すなわち容量値を増やして、共振周波数を下げる必要がある。それとは反対にＶ５≧Ｖ６なら、共振周波数は低い方にずれていることになり、ＩＣチップ１４内のコンデンサ２５の数、すなわち容量値を減らして、共振周波数を高くする必要がある。
【００２８】
先のステップＳ２のチエックの結果、検知温度が設定値以上であれば、スイッチ素子Ｓ−１１〜Ｓ−（ｎ＋１０）を順番にオン状態に設定して、抵抗素子Ｒ−１〜Ｒ−ｎを順番に共振回路１２に接続することにより、スイッチ素子をオン状態に設定した後に温度検知回路２４の検知温度が設定値以下となれば、その設定値以下となった時点で調整処理を終了する（ステップＳ３）。
【００２９】
さて、ステップＳ９での比較の結果、Ｖ５＜Ｖ６の場合、スイッチ素子Ｓ−１〜Ｓ−７をそれぞれオン状態に設定する（ステップＳ１０）。これにより、コンデンサＣ−１〜Ｃ−７（つまり７ｐＦのコンデンサ）が共振回路１２に接続された状態となる。次に、温度検知回路２４の検知温度が設定値以上か否かをチエックし（ステップＳ１１）、検知温度が設定値以上であれば、スイッチ素子Ｓ−１〜Ｓ−６をそれぞれオン状態に設定し（ステップＳ１２）、調整処理を終了する。ステップＳ１１のチエックの結果、検知温度が設定値以上でなければ、このときの電圧検出回路２３のモニタ電圧をＶ７とし、メモリ２２内に記憶する（ステップＳ１３）。
【００３０】
次に、メモリ２２内に記憶した電圧Ｖ６とＶ７とを比較し（ステップＳ１４）、Ｖ６≧Ｖ７なら、Ｖ６のとき、すなわち、コンデンサＣ−１〜Ｃ−６が共振回路１２に接続されているとき、ＩＣチップ１４内のコンデンサ２５と共振回路１２の共振周波数が所望の共振周波数に１番近くなっていることがわかる。したがって、スイッチ素子Ｓ−１〜Ｓ−６をそれぞれオン状態に設定し（ステップＳ１２）、調整処理を終了とする。
【００３１】
ステップＳ１４での比較の結果、Ｖ６＜Ｖ７の場合、スイッチ素子Ｓ−１〜Ｓ−８をそれぞれオン状態に設定する（ステップＳ１５）。これにより、コンデンサＣ−１〜Ｃ−８（つまり８ｐＦのコンデンサ）が共振回路１２に接続された状態となる。次に、温度検知回路２４の検知温度が設定値以上か否かをチエックし（ステップＳ１６）、検知温度が設定値以上であれば、スイッチ素子Ｓ−１〜Ｓ−７をそれぞれオン状態に設定し（ステップＳ１７）、調整処理を終了する。ステップＳ１６のチエックの結果、検知温度が設定値以上でなければ、このときの電圧検出回路２３のモニタ電圧をＶ８とし、メモリ２２内に記憶する（ステップＳ１８）。
【００３２】
次に、メモリ２２内に記憶した電圧Ｖ７とＶ８とを比較し（ステップＳ１９）、Ｖ７≧Ｖ８なら、Ｖ７のとき、すなわち、コンデンサＣ−１〜Ｃ−７が共振回路１２に接続されているとき、ＩＣチップ１４内のコンデンサ２５と共振回路１２の共振周波数が所望の共振周波数に１番近くなっていることがわかる。したがって、スイッチ素子Ｓ−１〜Ｓ−７をそれぞれオン状態に設定し（ステップＳ１７）、調整処理を終了とする。
【００３３】
ステップＳ１９での比較の結果、Ｖ７＜Ｖ８の場合、スイッチ素子Ｓ−１〜Ｓ−９をそれぞれオン状態に設定する（ステップＳ２０）。これにより、コンデンサＣ−１〜Ｃ−９（つまり９ｐＦのコンデンサ）が共振回路１２に接続された状態となる。次に、温度検知回路２４の検知温度が設定値以上か否かをチエックし（ステップＳ２１）、検知温度が設定値以上であれば、スイッチ素子Ｓ−１〜Ｓ−８をそれぞれオン状態に設定し（ステップＳ２２）、調整処理を終了する。ステップＳ２１のチエックの結果、検知温度が設定値以上でなければ、このときの電圧検出回路２３のモニタ電圧をＶ９とし、メモリ２２内に記憶する（ステップＳ２３）。
【００３４】
次に、メモリ２２内に記憶した電圧Ｖ８とＶ９とを比較し（ステップＳ２４）、Ｖ８≧Ｖ９なら、Ｖ８のとき、すなわち、コンデンサＣ−１〜Ｃ−８が共振回路１２に接続されているとき、ＩＣチップ１４内のコンデンサ２５と共振回路１２の共振周波数が所望の共振周波数に１番近くなっていることがわかる。したがって、スイッチ素子Ｓ−１〜Ｓ−８をそれぞれオン状態に設定し（ステップＳ２２）、調整処理を終了とする。
【００３５】
ステップＳ２４での比較の結果、Ｖ８＜Ｖ９の場合、スイッチ素子Ｓ−１〜Ｓ−１０をそれぞれオン状態に設定する（ステップＳ２５）。これにより、コンデンサＣ−１〜Ｃ−１０（つまり１０ｐＦのコンデンサ）が共振回路１２に接続された状態となる。次に、温度検知回路２４の検知温度が設定値以上か否かをチエックし（ステップＳ２６）、検知温度が設定値以上であれば、スイッチ素子Ｓ−１〜Ｓ−９をそれぞれオン状態に設定し（ステップＳ２７）、調整処理を終了する。ステップＳ２６のチエックの結果、検知温度が設定値以上でなければ、このときの電圧検出回路２３のモニタ電圧をＶ１０とし、メモリ２２内に記憶する（ステップＳ２８）。
【００３６】
次に、メモリ２２内に記憶した電圧Ｖ９とＶ１０とを比較し（ステップＳ２９）、Ｖ９≧Ｖ１０なら、Ｖ９のとき、すなわち、コンデンサＣ−１〜Ｃ−９が共振回路１２に接続されているとき、ＩＣチップ１４内のコンデンサ２５と共振回路１２の共振周波数が所望の共振周波数に１番近くなっていることがわかる。したがって、スイッチ素子Ｓ−１〜Ｓ−９をそれぞれオン状態に設定し（ステップＳ２７）、調整処理を終了とする。
【００３７】
ステップＳ２９での比較の結果、Ｖ９＜Ｖ１０の場合、スイッチ素子Ｓ−１〜Ｓ−１０をそれぞれオン状態に設定し（ステップＳ３０）、調整処理を終了とする。
【００３８】
さて、前記ステップＳ９での比較の結果、Ｖ５≧Ｖ６の場合、スイッチ素子Ｓ−１〜Ｓ−４をそれぞれオン状態に設定する（ステップＳ３１）。これにより、コンデンサＣ−１〜Ｃ−４（つまり４ｐＦのコンデンサ）が共振回路１２に接続された状態となる。次に、温度検知回路２４の検知温度が設定値以上か否かをチエックし（ステップＳ３２）、検知温度が設定値以上であれば、スイッチ素子Ｓ−１〜Ｓ−５をそれぞれオン状態に設定し（ステップＳ３３）、調整処理を終了する。ステップＳ３２のチエックの結果、検知温度が設定値以上でなければ、このときの電圧検出回路２３のモニタ電圧をＶ４とし、メモリ２２内に記憶する（ステップＳ３４）。
【００３９】
次に、メモリ２２内に記憶した電圧Ｖ４とＶ５とを比較し（ステップＳ３５）、Ｖ４≦Ｖ５なら、Ｖ５のとき、すなわち、コンデンサＣ−１〜Ｃ−５が共振回路１２に接続されているとき、ＩＣチップ１４内のコンデンサ２５と共振回路１２の共振周波数が所望の共振周波数に１番近くなっていることがわかる。したがって、スイッチ素子Ｓ−１〜Ｓ−５をそれぞれオン状態に設定し（ステップＳ３３）、調整処理を終了とする。
【００４０】
ステップＳ３５での比較の結果、Ｖ４＞Ｖ５の場合、スイッチ素子Ｓ−１〜Ｓ−３をそれぞれオン状態に設定する（ステップＳ３６）。これにより、コンデンサＣ−１〜Ｃ−３（つまり３ｐＦのコンデンサ）が共振回路１２に接続された状態となる。次に、温度検知回路２４の検知温度が設定値以上か否かをチエックし（ステップＳ３７）、検知温度が設定値以上であれば、スイッチ素子Ｓ−１〜Ｓ−４をそれぞれオン状態に設定し（ステップＳ３８）、調整処理を終了する。ステップＳ３７のチエックの結果、検知温度が設定値以上でなければ、このときの電圧検出回路２３のモニタ電圧をＶ３とし、メモリ２２内に記憶する（ステップＳ３９）。
【００４１】
次に、メモリ２２内に記憶した電圧Ｖ３とＶ４とを比較し（ステップＳ４０）、Ｖ３≦Ｖ４なら、Ｖ４のとき、すなわち、コンデンサＣ−１〜Ｃ−４が共振回路１２に接続されているとき、ＩＣチップ１４内のコンデンサ２５と共振回路１２の共振周波数が所望の共振周波数に１番近くなっていることがわかる。したがって、スイッチ素子Ｓ−１〜Ｓ−４をそれぞれオン状態に設定し（ステップＳ３８）、調整処理を終了とする。
【００４２】
ステップＳ４０での比較の結果、Ｖ３＞Ｖ４の場合、スイッチ素子Ｓ−１〜Ｓ−２をそれぞれオン状態に設定する（ステップＳ４１）。これにより、コンデンサＣ−１〜Ｃ−２（つまり２ｐＦのコンデンサ）が共振回路１２に接続された状態となる。次に、温度検知回路２４の検知温度が設定値以上か否かをチエックし（ステップＳ４２）、検知温度が設定値以上であれば、スイッチ素子Ｓ−１〜Ｓ−３をそれぞれオン状態に設定し（ステップＳ４３）、調整処理を終了する。ステップＳ４２のチエックの結果、検知温度が設定値以上でなければ、このときの電圧検出回路２３のモニタ電圧をＶ２とし、メモリ２２内に記憶する（ステップＳ４４）。
【００４３】
次に、メモリ２２内に記憶した電圧Ｖ２とＶ３とを比較し（ステップＳ４５）、Ｖ２≦Ｖ３なら、Ｖ３のとき、すなわち、コンデンサＣ−１〜Ｃ−３が共振回路１２に接続されているとき、ＩＣチップ１４内のコンデンサ２５と共振回路１２の共振周波数が所望の共振周波数に１番近くなっていることがわかる。したがって、スイッチ素子Ｓ−１〜Ｓ−３をそれぞれオン状態に設定し（ステップＳ４３）、調整処理を終了とする。
【００４４】
ステップＳ４５での比較の結果、Ｖ２＞Ｖ３の場合、スイッチ素子Ｓ−１をオン状態に設定する（ステップＳ４６）。これにより、コンデンサＣ−１（つまり１ｐＦのコンデンサ）が共振回路１２に接続された状態となる。次に、温度検知回路２４の検知温度が設定値以上か否かをチエックし（ステップＳ４７）、検知温度が設定値以上であれば、スイッチ素子Ｓ−１〜Ｓ−２をそれぞれオン状態に設定し（ステップＳ４８）、調整処理を終了する。ステップＳ４７のチエックの結果、検知温度が設定値以上でなければ、このときの電圧検出回路２３のモニタ電圧をＶ１とし、メモリ２２内に記憶する（ステップＳ４９）。
【００４５】
次に、メモリ２２内に記憶した電圧Ｖ１とＶ２とを比較し（ステップＳ５０）、Ｖ１≦Ｖ２なら、Ｖ２のとき、すなわち、コンデンサＣ−１〜Ｃ−２が共振回路１２に接続されているとき、ＩＣチップ１４内のコンデンサ２５と共振回路１２の共振周波数が所望の共振周波数に１番近くなっていることがわかる。したがって、スイッチ素子Ｓ−１〜Ｓ−２をそれぞれオン状態に設定し（ステップＳ４８）、調整処理を終了とする。
【００４６】
ステップＳ５０での比較の結果、Ｖ１＞Ｖ２の場合、スイッチ素子Ｓ−１をオン状態に設定し（ステップＳ５１）、調整処理を終了とする。
【００４７】
このように、ＩＣチップ１４内に複数のコンデンサ２５を設けて、自動的にそれらを選択し、容量値を変えることで、共振回路１２が所望の共振周波数となるようにアンテナ特性を調整できるので、ＩＣチップ１４の容量と共振回路１２の容量にばらつきが生じた場合でも、簡単にアンテナ特性を調整することが可能となる。
【００４８】
また、ＩＣチップ１４内に温度検知回路２４を設け、ＩＣチップ１４が所定温度以上となった場合には、共振回路１２の共振周波数あるいはＱ値を切換えることで、ＩＣチップ１４の過大温度上昇を回避することが可能となる。
【００４９】
さらに、アンテナ特性を自由に変更することができるので、強磁界下でもＩＣチップ１４にダメージを与えることはなく、非接触ＩＣカード１１が動作する磁界強度の範囲を格段に広げることができる。また、非接触式ＩＣカードリーダ・ライタとの結合度が大きい場合でも、ＩＣチップ１４にダメージを与えることなく動作することができる。
【００５０】
なお、前記実施の形態では、アンテナ特性の共振周波数を変えるために複数のコンデンサを使用しているが、複数のコンデンサの代わりに複数のコイルを使用して、インダクタンス値を変えることで共振周波数を変更することも可能である。
【００５１】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、ＩＣチップの過大温度上昇を回避し、アンテナ特性を調整できる非接触式ＩＣカードを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る非接触式ＩＣカードの構成を概略的に示すブロック図。
【図２】動作を説明するためのフローチャート。
【図３】動作を説明するためのフローチャート。
【図４】動作を説明するためのフローチャート。
【符号の説明】
１１…非接触式ＩＣカード、１２…共振回路、１３ａ，１３ｂ…接続路、１４…ＩＣチップ、１５…アンテナコイル、１６…同調コンデンサ１６、１７…全波整流回路、１８…レギュレータ（電源生成手段）、１９…制御部（制御手段）、２０…復調回路、２１…変調回路、２２…不揮発性メモリ、２３…電圧検出回路（電圧検出手段）、２４…温度検知回路（温度検知手段）、２５…複数のコンデンサ、２６…複数の抵抗素子、２７…スイッチ回路（複数のスイッチ手段）、Ｃ−１〜Ｃ−１０…コンデンサ、Ｓ−１〜Ｓ−１０…スイッチ素子、Ｒ−１〜Ｒ−ｎ…抵抗素子、Ｓ−１１〜Ｓ−（ｎ＋１０）…スイッチ素子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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