【手続補正書】
【提出日】平成22年4月6日(2010.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光素子及びその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極層を形成し、
前記第１の電極層上に、窒化シリコンターゲットと酸化シリコンターゲットとをスパッタすることにより絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に無機化合物を含む電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に第２の電極層を形成し、
前記絶縁層の形成は、前記窒化シリコンターゲットの電源の電力を増加させながら且つ前記酸化シリコンターゲットの電力を減少させながら行われ、
前記絶縁層中の前記酸素の濃度は、下側から上側に向かって減少し、
前記絶縁層中に含まれる窒素濃度は、下側から上側に向かって増加することを特徴とする発光素子の作製方法。
【請求項２】
第１の電極層を形成し、
前記第１の電極層上に、少なくとも酸素及び窒素を含有するガスを用いてシリコンターゲットをスパッタすることにより絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に無機化合物を含む電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に第２の電極層を形成し、
前記絶縁層の形成は、前記窒素の流量を増加させながら且つ前記酸素の流量を減少させながら行われ、
前記絶縁層中の前記酸素の濃度は、下側から上側に向かって減少し、
前記絶縁層中に含まれる窒素濃度は、下側から上側に向かって増加することを特徴とする発光素子の作製方法。
【請求項３】
第１の電極層を形成し、
前記第１の電極層上に、窒化シリコンターゲットと酸化シリコンターゲットとをスパッタすることにより絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に無機化合物を含む電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に第２の電極層を形成し、
前記絶縁層の形成は、前記窒化シリコンターゲットの電源の電力を増加させながら且つ前記酸化シリコンターゲットの電力を減少させながら行われることを特徴とする発光素子の作製方法。
【請求項４】
第１の電極層を形成し、
前記第１の電極層上に、少なくとも酸素及び窒素を含有するガスを用いてシリコンターゲットをスパッタすることにより絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に無機化合物を含む電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に第２の電極層を形成し、
前記絶縁層の形成は、前記窒素の流量を増加させながら且つ前記酸素の流量を減少させながら行われることを特徴とする発光素子の作製方法。
【請求項５】
第１の電極層を形成し、
前記第１の電極層上に、窒化シリコンターゲットと酸化シリコンターゲットとをスパッタすることにより第１の絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に無機化合物を含む電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に窒化シリコンターゲットと酸化シリコンターゲットとをスパッタすることにより第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層上に第２の電極層を形成し、
前記第１及び第２の絶縁層の形成は、前記窒化シリコンターゲットの電源の電力を増加させながら且つ前記酸化シリコンターゲットの電力を減少させながら行われることを特徴とする発光素子の作製方法。
【請求項６】
第１の電極層を形成し、
前記第１の電極層上に、少なくとも酸素及び窒素を含有するガスを用いてシリコンターゲットをスパッタすることにより第１の絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に無機化合物を含む電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に少なくとも酸素及び窒素を含有するガスを用いてシリコンターゲットをスパッタすることにより第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層上に第２の電極層を形成し、
前記第１及び第２の絶縁層の形成は、前記窒素の流量を増加させながら且つ前記酸素の流量を減少させながら行われることを特徴とする発光素子の作製方法。
【請求項７】
請求項５又は請求項６において、
前記第１及び第２の絶縁層中の前記酸素の濃度は、下側から上側に向かって減少し、
前記第１及び第２の絶縁層中に含まれる窒素濃度は、下側から上側に向かって増加することを特徴とする発光素子の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記電界発光層を、母体材料と、ドナー準位を形成する第１の不純物とアクセプター準位を形成する第２の不純物元素とで構成される化合物とを用い、固相反応を利用して形成することを特徴とする発光素子の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記電界発光層を、母体材料と、塩化銅とを用い、固相反応を利用して形成することを特徴とする発光素子の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記電界発光層を、母体材料と、塩化銀とを用い、固相反応を利用して形成することを特徴とする発光素子の作製方法。
【請求項１１】
第１の電極層と、
前記第１の電極層上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された無機化合物を含む電界発光層と、
前記電界発光層上に形成された第２の電極層と、を有し、
前記絶縁層には、珪素と酸素と窒素とが含有されており、
前記絶縁層中の前記酸素の濃度は、下側から上側に向かって減少し、
前記絶縁層中に含まれる窒素濃度は、下側から上側に向かって増加することを特徴とする発光素子。
【請求項１２】
第１の電極層と、
前記第１の電極層上に形成された第１の絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された無機化合物を含む電界発光層と、
前記電界発光層上に形成された第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に形成された第２の電極層と、を有し、
前記第１及び第２の絶縁層には、珪素と酸素と窒素とが含有されており、
前記第１及び第２の絶縁層中の前記酸素の濃度は、下側から上側に向かって減少し、
前記第１及び第２の絶縁層中に含まれる窒素濃度は、下側から上側に向かって増加することを特徴とする発光素子。
【請求項１３】
第１の電極層と、
前記第１の電極層上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された無機化合物を含む電界発光層と、
前記電界発光層上に形成された第２の電極層と、を有し、
前記絶縁層の誘電率は、下側から上側に向かって増加することを特徴とする発光素子。
【請求項１４】
第１の電極層と、
前記第１の電極層上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された無機化合物を含む電界発光層と、
前記電界発光層上に形成された第２の電極層と、を有し、
前記絶縁層の屈折率は、下側から上側に向かって増加することを特徴とする発光素子。
【請求項１５】
第１の電極層と、
前記第１の電極層上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された無機化合物を含む電界発光層と、
前記電界発光層上に形成された第２の電極層と、を有し、
前記絶縁層の内部応力は、下側から上側に向かって増加することを特徴とする発光素子。
【請求項１６】
請求項１２乃至請求項１５のいずれか一項において、
前記電界発光層は、母体材料と、ドナー準位を形成する第１の不純物とアクセプター準位を形成する第２の不純物元素とで構成される化合物とを用い、固相反応を利用して形成されたものであることを特徴とする発光素子。
【請求項１７】
請求項１２乃至請求項１５のいずれか一項において、
前記電界発光層は、母体材料と、塩化銅とを用い、固相反応を利用して形成されたものであることを特徴とする発光素子。
【請求項１８】
請求項１２乃至請求項１５のいずれか一項において、
前記電界発光層は、母体材料と、塩化銀とを用い、固相反応を利用して形成されたものであることを特徴とする発光素子。