【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年1月7日(2010.1.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理システムにおいて、基板上に１つ又は複数のシリコン含有層及び１つ又は複数の金属含有層を含む積層膜を処理する方法であって、
前記基板処理システムの化学気相蒸着処理チャンバで、前記基板上に１つ又は複数のシリコン含有層を蒸着するステップと、
前記化学気相蒸着処理チャンバから真空を破ることなく、同一の基板処理システムの物理気相蒸着処理チャンバに前記基板を移動するステップと、
前記物理気相蒸着処理チャンバで、１つ又は複数のシリコン含有層の表面処理なしに、前記シリコン含有層の表面に１つ又は複数の金属含有層を蒸着するステップとを含む方法。
【請求項２】
前記１つ又は複数のシリコン含有層は、アモルファスシリコン、ｎ＋がドープされたアモルファスシリコン、窒化ケイ素、ｐ＋がドープされたアモルファスシリコン、シリコン酸化物、炭化ケイ素、酸窒化ケイ素及びそれらの組み合わせからなる群から選択される材料を含む請求項１の方法。
【請求項３】
前記１つ又は複数の金属含有層は、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ネオジム（Ｎｄ）、アルミニウムネオジム（ＡｌＮｄ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、窒化アルミニウム（ＡｌｘＮｙ）、窒化モリブデン（ＭｏｘＮｙ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、他の金属窒化物、それらの合金及びそれらの組み合わせからなる群から選択される材料を含む請求項１の方法。
【請求項４】
フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイ、フレキシブル有機発光ダイオード（ＦＯＬＥＤ）ディスプレイ、ポリマー発光ダイオード（ＰＬＥＤ）ディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、有機薄膜トランジスター、アクティブマトリックス、パッシブマトリクス、トップ発光装置、ボトム発光装置、太陽電池、太陽電池パネル及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、１つ又は複数の、装置製造用の大面積基板を処理するように、前記基板処理システムが構成されている請求項１の方法。
【請求項５】
約１平方メートル以上の、１つ又は複数の大面積基板を処理するように、前記基板処理システムが構成されている請求項１の方法。
【請求項６】
更に、前記基板処理システムの第１の搬送チャンバに位置する第１の回転移動可能な真空移動ロボットを使用して、１つ又は複数の化学気相蒸着処理チャンバへ前記基板を移動するステップを含む請求項１の方法。
【請求項７】
更に、前記基板処理システムの第２の搬送チャンバに位置する第２の回転移動可能な真空移動ロボットを使用して、前記物理気相蒸着処理チャンバに、及びその処理チャンバから前記基板を移動するステップを含む請求項１の方法。
【請求項８】
更に、前記基板処理システムの基板移動シャトル機構を使用して、前記物理気相蒸着処理チャンバに、及びその処理チャンバから前記基板を移動するステップを含む請求項１の方法。
【請求項９】
基板処理システムにおいて、基板上に１つ又は複数のシリコン含有層及び１つ又は複数の金属含有層を含む積層膜を処理する方法であって、
前記基板処理システムの１つ又は複数のロードロックチャンバに前記基板を取り込むステップと、
前記１つ又は複数のロードロックチャンバから、回転移動可能な真空移動ロボットを有する第１の搬送チャンバに前記基板を移動するステップと、
前記基板処理システムの１つ又は複数の化学気相蒸着処理チャンバに、前記第１の搬送チャンバから前記基板を移動するステップと、
１つ又は複数の化学気相蒸着処理チャンバで、前記基板に１つ又は複数のシリコン含有層を蒸着するステップと、
前記１つ又は複数の化学気相蒸着処理チャンバから真空を破ることなく、同一の基板処理システムの１つ又は複数の物理気相蒸着処理チャンバに前記基板を移動するステップと、
１つ又は複数の物理気相蒸着処理チャンバで、１つ又は複数のシリコン含有層の表面処理なしに、前記シリコン含有層の表面上に１つ又は複数の金属含有層を蒸着するステップと、
前記第１の搬送チャンバに前記１つ又は複数の物理気相蒸着処理チャンバから前記基板を移動するステップと、
１つ又は複数のロードロックチャンバに前記第１の搬送チャンバから前記基板を移動するステップと、
１つ又は複数のロードロックチャンバから前記基板を取り出すステップとを含む方法。
【請求項１０】
更に、そこに接続された第２の回転移動可能な真空移動ロボットを有する第２の搬送チャンバを使用して、１つ又は複数の物理気相蒸着処理チャンバ内で、前記基板を移動するステップを含む請求項９の方法。
【請求項１１】
更に、そこに接続された基板移動シャトル機構を有する第２の往復チャンバを使用して、１つ又は複数の物理気相蒸着処理チャンバ内で、前記基板を移動するステップを含む請求項９の方法。
【請求項１２】
更に、接続された基板移動シャトル機構を有する第２のロードロックチャンバを使用して、１つ又は複数の物理気相蒸着処理チャンバ内で、前記基板を移動するステップを含む請求項９の方法。
【請求項１３】
１つ又は複数の化学気相蒸着処理チャンバに移動する前に、前記第１の搬送チャンバに１つ又は複数のロードロックチャンバから第２の搬送チャンバを介して前記基板を移動する請求項９の方法。
【請求項１４】
基板処理システムにおいて、基板上に１つ又は複数のシリコン含有層及び１つ又は複数の金属含有層を含む積層膜を処理する方法であって、
前記基板処理システムの第１のロードロックチャンバに前記基板を取り込むステップと、
前記基板処理システムの第１の搬送チャンバに位置する真空移動ロボットを使用して、前記基板処理システムの１つ又は複数の化学気相蒸着処理チャンバに前記基板を移動するステップと、
前記基板処理システムの１つ又は複数の化学気相蒸着処理チャンバで、前記基板上に１つ又は複数のシリコン含有層を蒸着するステップと、
同一の基板処理システムの１つ又は複数の物理気相蒸着処理チャンバに、１つ又は複数の化学気相蒸着処理チャンバから真空を破ることなく、前記基板を移動するステップと、
１つ又は複数の物理気相蒸着処理チャンバで、１つ又は複数のシリコン含有層の表面上に１つ又は複数の金属含有層を蒸着するステップと、
前記第１のロードロックチャンバに１つ又は複数の物理気相蒸着処理チャンバから前記基板を移動するステップと、
前記基板処理システムの前記第１のロードロックチャンバから前記基板を取り出すステップとを含む方法。
【請求項１５】
前記１つ又は複数のシリコン含有層は、アモルファスシリコン、ｎ＋がドープされたアモルファスシリコン、窒化ケイ素、ｐ＋がドープされたアモルファスシリコン、シリコン酸化物、炭化ケイ素、酸窒化ケイ素及びそれらの組み合わせからなる群から選択される材料を含む請求項１４の方法。
【請求項１６】
前記１つ又は複数の金属含有層は、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ネオジム（Ｎｄ）、アルミニウムネオジム（ＡｌＮｄ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、窒化アルミニウム（ＡｌｘＮｙ）、窒化モリブデン（ＭｏｘＮｙ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、他の金属窒化物、それらの合金及びそれらの組み合わせからなる群から選択される材料を含む請求項１４の方法。
【請求項１７】
フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイ、フレキシブル有機発光ダイオード（ＦＯＬＥＤ）ディスプレイ、ポリマー発光ダイオード（ＰＬＥＤ）ディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、有機薄膜トランジスター、アクティブマトリックス、パッシブマトリクス、トップ発光装置、ボトム発光装置、太陽電池、太陽電池パネル及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、１つ又は複数の、装置製造用の大面積基板を処理するように、前記基板処理システムが構成されている請求項１４の方法。
【請求項１８】
約１平方メートル以上の、１つ又は複数の大面積基板を処理するように、前記基板処理システムが構成されている請求項１４の方法。
【請求項１９】
前記第１の搬送チャンバの前記真空移動ロボットは、１つ又は複数の化学気相蒸着処理チャンバ内で回転移動可能に構成されている請求項１４の方法。
【請求項２０】
１つ又は複数の化学気相蒸着処理チャンバに前記基板を移動するステップは、更に、第２の搬送チャンバに前記第１のロードロックチャンバから前記基板を移動するステップと、１つ又は複数の化学気相蒸着処理チャンバに接続された前記第１の搬送チャンバに前記第２の搬送チャンバから前記基板を移動することを含む請求項１４の方法。
【請求項２１】
更に、前記第２の搬送チャンバから第２のロードロックチャンバに前記基板を移動するステップと、前記第２のロードロックチャンバから前記第１の搬送チャンバに前記基板を移動するステップを含む請求項２０の方法。
【請求項２２】
基板処理システムにおいて、基板上に１つ又は複数のシリコン含有層及び１つ又は複数の金属含有層を含む積層膜を処理する方法であって、
前記基板処理システムの第１のロードロックチャンバに前記基板を取り込むステップと、
前記第１の搬送チャンバから第１のロードロックチャンバを介して第２の搬送チャンバに前記基板を移動するステップと、
前記第２の搬送チャンバから前記基板処理システムの１つ又は複数の化学気相蒸着処理チャンバに前記基板を移動するステップと、
前記基板処理システムの１つ又は複数の化学気相蒸着処理チャンバで、前記基板上に１つ又は複数のシリコン含有層を蒸着するステップと、
前記１つ又は複数の化学気相蒸着処理チャンバから前記第２の搬送チャンバに前記基板を移動するステップと、
前記第２の搬送チャンバから前記第１の搬送チャンバに前記基板を移動するステップと、
前記第１の搬送チャンバから同一の基板処理システムの１つ又は複数の物理気相蒸着処理チャンバに、真空を破ることなく前記基板を移動するステップと、
前記１つ又は複数の物理気相蒸着処理チャンバで、前記１つ又は複数のシリコン含有層の表面上に前記１つ又は複数の金属含有層を蒸着するステップと、
前記１つ又は複数の物理気相蒸着処理チャンバから前記第１の搬送チャンバに前記基板を移動するステップと、
前記第１の搬送チャンバから前記第１のロードロックチャンバに前記基板を移動するステップと、
前記基板処理システムの前記第１のロードロックチャンバから前記基板を取り出すステップとを含む方法。
【請求項２３】
前記第２の搬送チャンバに位置し、前記１つ又は複数の化学気相蒸着処理チャンバ内で回転移動可能になされた真空ロボットを使用して、１つ又は複数の化学気相蒸着処理チャンバに前記基板を移動する請求項２２の方法。
【請求項２４】
更に、前記第１の搬送チャンバから第２のロードロックチャンバを介して前記第２の搬送チャンバに前記基板を移動するステップと、前記第２の搬送チャンバから前記第２のロードロックチャンバを介して前記第１の搬送チャンバに前記基板を移動するステップを含む請求項２２の方法。
【請求項２５】
前記第２のロードロックチャンバは、更に、１つ又は複数の基板移動シャトル機構を含む請求項２４の方法。
【請求項２６】
前記第１の搬送チャンバは、１つ又は複数の基板移動シャトル機構を含む往復チャンバである請求項２２の方法。
【請求項２７】
前記１つ又は複数の物理気相蒸着処理チャンバ、前記第１のロードロックチャンバ、前記第２のロードロックチャンバ及びそれらの組み合わせのうちの少なくとも１つからなる群から選択されるチャンバに、１つ又は複数の基板移動シャトル機構の少なくとも１つが接続される請求項２６の方法。
【請求項２８】
１つ又は複数の基板を処理するための基板処理システムであって、
１つ又は複数のロードロックチャンバと、
１つ又は複数のロードロックチャンバに接続された１つ又は複数の搬送チャンバと、
１つ又は複数の搬送チャンバに接続され、前記基板上に１つ又は複数のシリコン含有層を蒸着するように構成された１つ又は複数の化学気相蒸着処理チャンバと、
１つ又は複数の搬送チャンバに接続され、前記基板上に１つ又は複数の金属含有層を蒸着するように構成された１つ又は複数の物理気相蒸着処理チャンバとを含む基板処理システム。
【請求項２９】
前記１つ又は複数のシリコン含有層は、アモルファスシリコン、ｎ＋がドープされたアモルファスシリコン、ｎ＋がドープされたポリシリコン、窒化ケイ素、ｐ＋がドープされたアモルファスシリコン、ｐ＋がドープされたポリシリコン、シリコン酸化物、炭化ケイ素、酸窒化ケイ素及びそれらの組み合わせからなる群から選択される材料を含む請求項２８の基板処理システム。
【請求項３０】
１つ又は複数の金属含有層は、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ネオジム（Ｎｄ）、アルミニウムネオジム（ＡｌＮｄ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、窒化アルミニウム（ＡｌｘＮｙ）、窒化モリブデン（ＭｏｘＮｙ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、他の金属窒化物、それらの合金及びそれらの組み合わせからなる群から選択される材料を含む請求項２８の基板処理システム。
【請求項３１】
プラズマ助長化学気相蒸着チャンバ、他の化学気相蒸着チャンバ及びそれらの組み合わせからなる群から選択されるチャンバを含む請求項２８の基板処理システム。
【請求項３２】
前記ロードロックチャンバが、更に、１つ又は複数のロードロックサブチャンバを含み、前記１つ又は複数のロードロックサブチャンバの各々は、１つ又は複数の基板の処理のために構成されている請求項２８の基板処理システム。
【請求項３３】
前記基板処理システムが、約１平方メートル以上の、１つ又は複数の大面積基板を処理するように構成されている、請求項２８の基板処理システム。
【請求項３４】
更に、前記１つ又は複数の物理気相蒸着処理チャンバに接続された１つ又は複数の往復機構を含む請求項２８の基板処理システム。
【請求項３５】
前記１つ又は複数の物理気相蒸着処理チャンバに、及びその処理チャンバから前記１つ又は複数の基板を移動するために、約９０°間隔で前記１つ又は複数の基板の方向を変化するように、前記１つ又は複数の往復機構が構成されている請求項３４の基板処理システム。
【請求項３６】
１つ又は複数の基板を処理するための基板処理システムであって、
１つ又は複数の基板を取り込み及び取り出すための第１のロードロックチャンバと、
前記第１のロードロックチャンバに接続された第１の搬送チャンバと、
前記第１の搬送チャンバに接続され、１つ又は複数の第１の処理チャンバを含む第１の処理モジュールと、
第２のロードロックチャンバと、
前記１つ又は複数の第１の処理チャンバとは異なる処理を行うように構成された１つ又は複数の第２の処理チャンバを含む前記第２のロードロックチャンバを介して、前記第１の搬送チャンバに接続された第２の処理モジュールと、
前記第１の搬送チャンバに位置し、前記第１のロードロックチャンバ、前記第１の処理モジュール及び前記第２のロードロックチャンバ内で回転移動可能な第１の移動ロボットとを含む基板処理システム。
【請求項３７】
更に、１つ又は複数の第２の処理チャンバに接続された１つ又は複数の往復機構を含む請求項３６の基板処理システム。
【請求項３８】
前記１つ又は複数の往復機構の少なくとも１つは、更に、前記第２のロードロックチャンバに接続される請求項３７の基板処理システム。
【請求項３９】
前記１つ又は複数の物理気相蒸着処理チャンバに、及びその処理チャンバから前記１つ又は複数の基板を移動するために、約９０°間隔で前記１つ又は複数の基板の方向を変化するように、前記１つ又は複数の往復機構が構成されている請求項３７の基板処理システム。
【請求項４０】
更に、前記第２のロードロックチャンバに接続された第２の搬送チャンバを含む請求項３６の基板処理システム。
【請求項４１】
更に、１つ又は複数の第２の処理チャンバ内で回転移動可能なように、前記第２の搬送チャンバに位置する第２の移動ロボットを含む請求項４０の基板処理システム。
【請求項４２】
更に、前記第２のロードロックチャンバに接続された往復チャンバを含む請求項３６の基板処理システム。
【請求項４３】
前記第１の処理モジュール及び前記第２の処理モジュールの少なくとも１つは、アモルファスシリコン、ｎ＋がドープされたアモルファスシリコン、窒化ケイ素、ｐ＋がドープされたアモルファスシリコン、シリコン酸化物、炭化ケイ素、酸窒化ケイ素及びそれらの組み合わせからなる群から選択される材料を含む、１つ又は複数のシリコン含有層を蒸着するように構成されている請求項３６の基板処理システム。
【請求項４４】
前記第１の処理モジュール及び前記第２の処理モジュールの少なくとも１つは、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ネオジム（Ｎｄ）、アルミニウムネオジム（ＡｌＮｄ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、窒化アルミニウム（ＡｌｘＮｙ）、窒化モリブデン（ＭｏｘＮｙ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、他の金属窒化物、それらの合金及びそれらの組み合わせからなる群から選択される材料を含む、１つ又は複数の金属含有層を、１つ又は複数の基板上に蒸着するように構成されている請求項３６の基板処理システム。
【請求項４５】
前記第１の処理モジュール及び前記第２の処理モジュールの少なくとも１つは、プラズマ助長化学気相蒸着チャンバ、他の化学気相蒸着チャンバ及びそれらの組み合わせからなる群から選択される１つ又は複数のチャンバを含む請求項３６の基板処理システム。
【請求項４６】
前記第１の処理モジュール及び前記第２の処理モジュールの少なくとも１つは、１つ又は複数の物理気相蒸着チャンバを含む請求項３６の基板処理システム。
【請求項４７】
前記第１及び前記第２のロードロックチャンバの少なくとも１つは、更に、１つ又は複数のロードロックサブチャンバを含み、前記１つ又は複数のロードロックサブチャンバの各々は、１つ又は複数の基板の処理のために構成されている請求項３６の基板処理システム。
【請求項４８】
フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイ、フレキシブル有機発光ダイオード（ＦＯＬＥＤ）ディスプレイ、ポリマー発光ダイオード（ＰＬＥＤ）ディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、有機薄膜トランジスター、アクティブマトリックス、パッシブマトリクス、トップ発光装置、ボトム発光装置、太陽電池、太陽電池パネル及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、１つ又は複数の、装置製造用の大面積基板を処理するように、前記基板処理システムが構成されている請求項３６の基板処理システム。
【請求項４９】
１つ又は複数の基板を処理するための基板処理システムであって、
１つ又は複数の基板を取り込み及び取り出すための第１のロードロックチャンバと、
前記第１のロードロックチャンバに接続された第１の搬送チャンバと、
前記第１の搬送チャンバに接続され、１つ又は複数の第１の処理チャンバを含む第１の処理モジュールと、
前記第１の搬送チャンバに接続され、真空密封可能なバルブによって前記第１の搬送チャンバから分離された第２の搬送チャンバと、
前記第２の搬送チャンバを介して前記第１の搬送チャンバに接続され、前記１つ又は複数の第１の処理チャンバとは異なる処理を行うように構成された１つ又は複数の第２の処理チャンバを含む第２の処理モジュールと、
前記第１のロードロックチャンバ、前記第１の処理モジュール及び前記第２の搬送チャンバ内で回転移動可能に前記第１の搬送チャンバに位置する第１のロボットとを含む基板処理システム。
【請求項５０】
更に、前記第１の搬送チャンバ及び前記第２の搬送チャンバに接続された往復機構を含む請求項４９の基板処理システム。
【請求項５１】
更に、１つ又は複数の第２の処理チャンバ内で、回転移動可能に前記第２の搬送チャンバに位置する第２のロボットを含む請求項４９の基板処理システム。
【請求項５２】
１つ又は複数の基板を処理するための基板処理システムであって、
前記１つ又は複数の基板を取り込み及び取り出すための第１のロードロックチャンバと、
前記第１のロードロックチャンバに接続された第１の搬送チャンバと、
前記第１の搬送チャンバに接続され、１つ又は複数の第１の処理チャンバを含む第１の処理モジュールと、
前記１つ又は複数の第１の処理チャンバとは異なる処理を行うように構成された１つ又は複数の第２の処理チャンバを含み、１つ又は複数の第２の処理チャンバの少なくとも１つを介して前記第１の搬送チャンバに接続された第２の処理モジュールと、
前記第１のロードロックチャンバ、前記第１の処理モジュール及び少なくとも１つの第２の処理チャンバ内で回転移動可能に前記第１の搬送チャンバに位置する第１の移動ロボットとを含む基板処理システム。
【請求項５３】
更に、１つ又は複数の第２の処理チャンバに接続された第２の搬送チャンバを含む請求項５１の基板処理システム。
【請求項５４】
前記第２の搬送チャンバは、更に、前記第２の搬送チャンバ及び前記１つ又は複数の第２の処理チャンバ内で、それに接続された１つ又は複数の往復機構を含む請求項５２の基板処理システム。
【請求項５５】
前記第１の処理モジュール及び前記第２の処理モジュールの少なくとも１つは、プラズマ助長化学気相蒸着チャンバ、他の化学気相蒸着チャンバ及びそれらの組み合わせからなる群から選択されるチャンバを含む請求項５１の基板処理システム。
【請求項５６】
前記第１の処理モジュール及び前記第２の処理モジュールの少なくとも１つは、物理気相蒸着チャンバを含む請求項５１の基板処理システム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００３】
一般に、装置製造用基板は、特定の多重ステップ製造手順で、スパッタリング、化学気相蒸着（ＣＶＤ）、物理気相蒸着（ＰＶＤ）、リソグラフィー、エッチング、イオン注入、アッシング、洗浄、加熱、アニールなどのさまざまな処理にさらされ、金属層及びその上のシリコン含有層を処理する。例えば、１つの処理チャンバは、通常、製造手順のシングルステップを行うように構成されており、基板は蒸着、パターニング、リソグラフィー、エッチングの工程を何度も繰り返して加工する。多くの処理チャンバも、中央の搬送チャンバに連結することができ、該搬送チャンバは、前記処理チャンバ間で基板移動を促進し、クラスターツールなどの単一の処理プラットフォームで１つ又は複数の基板処理ステップを行うためにロボットを有し、それらの例としては、カリフォルニア州サンタクララのアプライド・マテリアルズから入手可能なＡＫＴ
ＰＥＣＶＤ、ＰＲＯＤＵＣＥＲ（商標）、ＣＥＮＴＵＲＡ（商標）及びＥＮＤＵＲＡ（商標）処理プラットフォームの種類である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
基板処理システムにおいて、基板上に積層膜を処理する方法の他の実施例は、前記基板処理システムの１つ又は複数のロードロックチャンバに基板を取り込むステップと、１つ又は複数のロードロックチャンバから前記基板処理システムの１つ又は複数の化学気相蒸着チャンバに、前記基板処理システムの搬送チャンバに位置する真空移動ロボットを使用して、前記基板を移動するステップを含む。前記方法は、更に、前記基板処理システムの１つ又は複数の化学気相蒸着チャンバで、前記基板上に１つ又は複数のシリコン含有層を蒸着するステップと、１つ又は複数の化学気相蒸着チャンバから同一の基板処理システムの１つ又は複数の物理気相蒸着チャンバに、真空を破ることなく前記基板を前記基板処理システムの一つ又は複数の物理気相蒸着チャンバに移動するステップと、１つ又は複数の物理気相蒸着チャンバで、１つ又は複数のシリコン含有層の表面上に１つ又は複数の金属含有層を蒸着するステップとを含む。前記方法は、１つ又は複数の物理気相蒸着チャンバから１つ又は複数のロードロックチャンバに前記基板を移動するステップと、基板処理システムの１つ又は複数のロードロックチャンバから前記基板を取り出すステップとを含む。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
他の実施例では、基板を処理する方法は、基板処理システムの第１のロードロックチャンバに前記基板を取り込むステップと、第２の搬送チャンバに前記第１のロードロックチャンバから第１の搬送チャンバを介して前記基板を移動するステップと、前記基板処理システムの１つ又は複数の化学気相蒸着チャンバに前記基板を移動するステップとを含む。前記方法は、更に、前記基板処理システムの１つ又は複数の化学気相蒸着チャンバで、前記基板上に１つ又は複数のシリコン含有層を蒸着するステップと、１つ又は複数の化学気相蒸着チャンバから前記第２の搬送チャンバに前記基板を移動するステップと、第２の搬送チャンバから前記第１の搬送チャンバに前記基板を移動するステップと、真空を破ることなく、前記第２の搬送チャンバから同一の基板処理システムの１つ又は複数の物理気相蒸着チャンバに前記基板を移動するステップとを含む。更に、前記方法は、１つ又は複数の物理気相蒸着チャンバで、１つ又は複数のシリコン含有層の表面上に１つ又は複数の金属含有層を蒸着するステップと、１つ又は複数の物理気相蒸着チャンバから第１のロードロックチャンバに前記基板を移動するステップと、前記基板処理システムの前記第１のロードロックチャンバから前記基板を取り出すステップとを含む。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
また、１つ又は複数の基板を処理するための基板処理システムを提供する。前記基板処理システムは、１つ又は複数のロードロックチャンバと、前記１つ又は複数のロードロックチャンバに接続された１つ又は複数の搬送チャンバと、前記１つ又は複数の搬送チャンバに接続され、前記基板上に１つ又は複数のシリコン含有層を蒸着するように構成された１つ又は複数の化学気相蒸着チャンバとを含む。前記基板処理システムは、更に、１つ又は複数の搬送チャンバに接続され、前記基板上に１つ又は複数の金属含有層を蒸着するように構成された１つ又は複数の物理気相蒸着チャンバを含む。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
他の実施例では、１つ又は複数の基板を処理するための基板処理システムは、１つ又は複数の基板を取り込む及び取り出すための第１のロードロックチャンバと、前記第１のロードロックチャンバに接続された第１の搬送チャンバと、前記第１の搬送チャンバに接続された第１の処理モジュールとを含む。前記基板処理システムは、更に、第２のロードロックチャンバを介して、前記第１の搬送チャンバに接続された第２の処理モジュールを含む。前記第１の処理モジュールは、１つ又は複数の第１の処理チャンバを含み、また、第２の処理モジュールは、前記１つ又は複数の第１の処理チャンバとは異なる処理を行うように構成された１つ又は複数の第２の処理チャンバを含む。更に、第１の移動ロボットは、前記第１のロードロックチャンバ、前記第１の処理モジュール及び前記第２のロードロックチャンバ内で回転移動可能に第１の搬送チャンバ内に含まれて位置する。１つ又は複数の往復機構は、任意に、前記１つ又は複数の第２の処理チャンバに接続されていてもよい。更に、往復チャンバは、前記第２のロードロックチャンバ及び／又は前記１つ又は複数の第２の処理チャンバに任意に接続されていてもよい。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
更に他の実施例では、本発明の基板処理システムは、第２の搬送チャンバを介して第１の搬送チャンバに接続された第２の処理モジュールを含む。更に、前記第１の搬送チャンバ及び前記第２の搬送チャンバは、真空密封可能なバルブによって分離され、ここで、第１の移動ロボットは、前記第１のロードロックチャンバ、前記第１の処理モジュール及び前記第２の搬送チャンバ内で回転移動可能に第１の搬送チャンバ内に含まれて位置する。往復機構は、前記第１の搬送チャンバ及び前記第２の搬送チャンバに任意に接続されていてもよい。
前記第２の搬送チャンバは、１つ又は複数の第２の処理チャンバ内で回転移動可能にそこに位置する第２の移動ロボットを含んでいてもよい。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
更にまた、本発明の基板処理システムは、１つ又は複数の第２の処理チャンバの少なくとも１つを介して第１の搬送チャンバに接続される第２の処理モジュールを含み、ここで、第１の移動ロボットは、前記第１のロードロックチャンバ、前記第１の処理モジュール及び前記少なくとも１つの第２の処理チャンバ内で回転移動可能に第１の搬送チャンバ内に含まれて位置する。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
更に、１つ又は複数の基板を処理するための基板処理システムは、前記基板処理システムに１つ又は複数の基板を取り込み及び取り出すために適する第１のロードロックチャンバと、前記第１のロードロックチャンバに接続された第１の搬送チャンバと、前記第１の搬送チャンバに接続された１つ又は複数の第１の処理チャンバと、前記１つ又は複数の第１の処理チャンバとは異なる１つ又は複数の第２の処理チャンバを含んでいてもよく、前記第２の処理チャンバの少なくとも１つは、前記第１の搬送チャンバに接続されている。前記基板処理システムは、更に、前記１つ又は複数の第２の処理チャンバ間に位置し、前記１つ又は複数の第２の処理チャンバ間の１つ又は複数の基板を取り込み及び取り出すために適する第２のロードロックチャンバを含む。更に、前記第１のロードロックチャンバ、前記１つ又は複数の第１の処理チャンバ、及び少なくとも１つの第２の処理チャンバ内で、第１の移動ロボットは、回転移動可能に前記第１の搬送チャンバ内に位置する。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
図４Ａ〜９は、本発明の実施例による様々な蒸着技術を使用して、異なるタイプの金属及びシリコン含有膜を基板４２２上に処理するのに適する例示的な基板処理システム４００Ａ、４００Ｂ、４００Ｃ、５００、６００Ａ、６００Ｂ、７００、８００Ａ、８００Ｂ、９００の平面図である。基板処理システム４００Ａ、４００Ｂ、４００Ｃ、５００、６００Ａ、６００Ｂ、７００、８００Ａ、８００Ｂ、９００は、一般的に、ロードロックチャンバ４０４を介して少なくとも１つの工場インターフェース４０２に接続された搬送チャンバ４０８又は２つの搬送チャンバ４０８Ａ、４０８Ｂを含む。場合によっては、２つの工場インターフェースを使用することができる。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
前記工場インターフェース４０２は、一般に、そこに格納された１つ又は複数の基板又は基板収納カセットを含む。前記基板収納カセットは、一般的に、前記工場インターフェース４０２内に形成された、複数の収納チャンバ／区画内で移動可能に配置される。前記工場インターフェース４０２は、また、双対の回転翼大気ロボットなどの大気ロボットを含んでいてもよい。前記大気ロボットは、１つ又は複数の基板収納カセットとロードロックチャンバ４０４との間に１つ又は複数の基板を移動するために適する。前記工場インターフェース４０２は、一般的に、大気圧に、又はわずかに高く維持され、前記ロードロックチャンバ４０４は、搬送チャンバ４０８の真空環境と前記工場インターフェース４０２の一般的な周囲環境との間で基板移動を促進するために配置される。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
前記搬送チャンバ４０８、４０８Ａ又は４０８Ｂ（一般に４０８）は、複数の処理チャンバ４１０、４１０Ａ、４１２、４１４、４１６、４１８、４２０内で、基板を移動するために適し、搬送チャンバ４０８、４０８Ａ又は４０８Ｂなどの１つ又は複数のロードロックチャンバ４０４、４０６は、１つ又は複数の処理チャンバ４１０、４１０Ａ、４１２、４１４、４１６、４１８、４２０及び１つ又は複数のロードロックチャンバ４０４、４０６に囲まれる。前記搬送チャンバ４０８は、各基板移動後、前記搬送チャンバ４０８と個々の処理チャンバ４１０、４１０Ａ、４１２、４１４、４１６、４１８、４２０との間の圧力差を除去する又は最小限にする真空条件に維持される。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
図４Ａの実施例では、前記第１の処理モジュール４５０は、第１の搬送チャンバ、例えば、搬送チャンバ４０８Ａに接続され、第１のロードロックチャンバ、例えば、基板処理システム４００Ａのロードロックチャンバ４０４から第１の処理モジュール４５０に取り込まれる基板４２２を受ける。前記第１の処理モジュール４５０は、前記第１の処理モジュール４５０と前記第２の処理モジュール４６０の間に位置するロードロックチャンバ４０６などの第２のロードロックチャンバを介して、前記第２の処理モジュール４６０に接続される。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４７】
更に、前記基板４２２は、前記第１の搬送チャンバ（例えば、第１の搬送チャンバ４０８Ａ）及び前記第２のロードロックチャンバ（例えば、前記ロードロックチャンバ４０６）を使用する前記第１の処理モジュール４５０と第２の処理モジュール４６０との間に移動する。前記第２の処理モジュール４６０は、それに連結されるロードロックチャンバ４０６などの第２のロードロックチャンバから基板４２２を受け取るように構成されている。第２の処理モジュール４６０で受け取られた基板４２２は、第２の搬送チャンバ、例えば、第２の搬送チャンバ４０８Ｂを使用する１つ又は複数の処理チャンバ４１８、４２０に第２のロードロックチャンバを介して移動することにより処理される。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
更に、前記基板４２２も、１つ又は複数の処理チャンバ４１８、４２０内で第２の処理モジュール４６０内に移動することができる。一実施例では、前記処理チャンバ４１８、４２０の少なくとも１つ、及び第２の搬送チャンバ４０８Ｂに接続されたいずれの別の処理チャンバは、ＰＶＤチャンバである。前記ＰＶＤチャンバは、基板上に金属含有材料を蒸着するために構成されていることが好ましい。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４９】
アプライド・マテリアルズ社から入手可能な双対のアームを有する真空ロボットなどの移動ロボット４３０、４３０Ａ、４３０Ｂ（一般に４３０）は、前記基板４２２を移動させるための搬送チャンバ４０８に接続することができる。例えば、図４Ａで、第１の移動ロボット４３０Ａ及び第２の移動ロボット４３０Ｂは、前記第１及び第２の搬送チャンバ４０８Ａ、４０８Ｂにそれぞれ接続されている。従って、図４Ａでは、前記第１の移動ロボット４３０Ａは、前記第１のロードロックチャンバ、前記第１の処理モジュール４５０及び前記第２のロードロックチャンバ内で回転移動可能に構成され、一方、前記第２の移動ロボット４３０Ｂは、前記第２のロードロックチャンバ及び前記第２の処理モジュール４６０の１つ又は複数の処理チャンバ内で回転移動可能に構成されている。別の処理チャンバ、例えば、エッチングチャンバ、アッシングチャンバ、イオン注入チャンバ、加熱チャンバなどは、特に、前記第２の搬送チャンバ４０８Ｂに接続して、第２の処理モジュール４６０によって処理された後に基板４２２上で別の処理を行うことができる。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５２】
例として、本発明の基板処理システムの様々な真空圧力レベルは、前記第１の処理モジュール又は前記第１の搬送チャンバに接続された前記第２のロードロックチャンバの他方の側に位置する他のバルブを閉じながら、前記第２のロードロックチャンバの一方の側に位置し、前記第１の処理モジュール又は第１の搬送チャンバに接続された１つのバルブを開くことにより、部分的に制御することができる。他の例として、１つ又は複数のバルブが、処理チャンバに必要な様々な圧力レベルを維持するために、前記処理チャンバ４１０、４１２、４１４、４１６、４１８、４２０と前記搬送チャンバとの間に位置するように構成されている。本発明の基板処理システムの様々な部分で使用される様々なバルブは、スリットバルブ、ゲートバルブ、スロットバルブなどの真空密封可能なバルブである。例えば、前記第１のロードロックチャンバは、前記基板が工場インターフェイス４０２の大気環境に、及びそこから取り込まれた後、低圧レベルを維持するための内部又は外部真空密封可能バルブを含んでいてもよい。更に、前記バルブは、開閉のための内部又は外部アクチュエーターに接続されていてもよい。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５３】
更に、前記第１の搬送チャンバ４０８Ａ、前記第２の搬送チャンバ４０８Ｂ及び前記基板処理システム４００Ａの第２のロードロックチャンバを使用すると、異なる真空圧力レベル又は、段階的な真空レベルが提供され、その結果、機器のコストを節約し、寿命を確保し、メンテナンスを省くために、特に、乾燥ポンプ、粗ポンプ、ターボポンプ及び低温ポンプなどの異なるタイプのポンプを使用することができる。例えば、前記第１の搬送チャンバ４０８Ａ、前記第２の搬送チャンバ４０８Ｂ及び／又は前記第２のロードロックチャンバ４０６は、様々なチャンバに接続された標準の乾燥ポンプ又は共有ポンプなどのそれほど高価でないポンプを使用して、中間真空環境で維持することができ、一方、前記処理チャンバを低温ポンプなどのより高価なポンプを使用する高真空環境に維持することができる。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５４】
図４Ｂの実施例では、前記基板処理システム４００Ａに類似する基板処理システム４００Ｂを提供する。図４Ｂでは、前記第１のロードロックチャンバ４０４は、前記第２の処理モジュール４６０に接続されて、処理される基板４２２を前記ロードロックチャンバ４０４にまず取り込み、前記第２の処理モジュール４６０の第２の搬送チャンバ４０８Ｂを介して移動し、前記第２の移動ロボット４３０Ｂを使用して、前記第２のロードロックチャンバ４０６上に設置する。２つの処理モジュールに、及び該処理モジュールから流れる同一時間が、前記基板処理システム４００Ａとして必要であるので、これらのステップのすべては、前記基板処理システム４００Ｂの処理能力に過度に影響しなくてもよい。
【誤訳訂正２０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５５】
前記第２の搬送チャンバ４０８Ｂ及び第２のロードロックチャンバ４０６を介して、前記第１の搬送チャンバ４０８Ａに移動した後、前記基板４２２は、１つ又は複数の層が前記基板４２２上に蒸着される第１の処理モジュール４５０の１つ又は複数の処理チャンバに、前記第１の移動ロボット４３０Ａによって移動される。その後、前記基板４２２は、前記第２の搬送チャンバ４０８Ｂに、前記第２のロードロックチャンバ４０６を介して移動されて、前記第２の処理モジュール４６０の１つ又は複数の処理チャンバに、前記第１の移動ロボット４３０Ａによって供給される。
【誤訳訂正２１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５８】
実施中、本発明の１つ又は複数の実施例によって、システム、例えば、本発明の基板処理システム４００Ｂで基板を処理する方法は、１つ又は複数の処理チャンバ上に基板を設置する前に、様々な異なる搬送チャンバ、ロードロックチャンバ、処理モジュールを介して、前記基板を移動するために提供される。前記方法は、ハイブリッド基板処理システムのためのフレキシブルなチャンバ構成を提供する。更に、前記第１及び第２の搬送チャンバ、及び図４Ｂの第１及び第２の処理モジュールは、相対語であり、本発明の範囲を制限するために解釈されるべきではない。
【誤訳訂正２２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５９】
例えば、本発明の基板処理方法は、基板処理システムの第１のロードロックチャンバに、前記基板を取り込むステップと、前記第１のロードロックチャンバから第１の搬送チャンバを介して第２の搬送チャンバに前記基板を移動するステップと、前記基板処理システムの第１の処理モジュールの１つ又は複数の処理チャンバに、前記第２の搬送チャンバから基板を移動するステップとを含んでいてもよい。前記方法は、例えば、前記第１の処理モジュールの１つ又は複数の処理チャンバを使用して、１つ又は複数の材料層を蒸着するステップと、前記基板処理システムの１つ又は複数の化学気相蒸着チャンバによって、前記基板上に１つ又は複数のシリコン含有層を蒸着するステップとを含む。
【誤訳訂正２３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６０】
更に、前記方法は、また、第１の処理モジュールの１つ又は複数の処理チャンバから前記第２の搬送チャンバに基板を移動するステップと、前記第２の搬送チャンバから前記第１の搬送チャンバに前記基板を移動するステップと、前記第２の搬送チャンバから同一の基板処理システムの第２の処理モジュールの１つ又は複数の処理チャンバに、真空を壊すことなく前記基板を移動するステップと、前記第２の処理モジュールの１つ又は複数の処理チャンバを使用して、１つ又は複数の材料層を蒸着するステップとを含む。例えば、１つ又は複数の金属含有層は、本発明の基板処理システムの１つ又は複数の物理気相蒸着チャンバを使用して、１つ又は複数のシリコン含有層の表面に蒸着される。
【誤訳訂正２４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６１】
更に、前記方法は、前記第２の処理モジュールの１つ又は複数の処理チャンバから前記第１のロードロックチャンバに、第２の搬送チャンバを介さずに前記基板を移動するステップと、前記基板処理システムの第１のロードロックチャンバから前記基板を取り出すステップとを含む。
【誤訳訂正２５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６２】
図５の実施例では、前記第１の処理モジュール４５０は、前記搬送チャンバ４０８などの搬送チャンバを介して、前記第２の処理モジュール４６０に接続されており、前記搬送チャンバ４０８は、処理チャンバ４１８などの前記第２の処理モジュール４６０の１つの処理チャンバに直接接続されている。搬送チャンバ４０８などの１つの搬送チャンバのみを使用して、前記基板４２２は、前記第１の処理モジュール４５０の１つ又は複数の処理チャンバ４１０、４１２、４１４、４１６、及びコンパクトに縮小された専有面積で、前記第１の処理モジュール４５０と前記第２の処理モジュール４６０との間に移動される。
【誤訳訂正２６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６３】
図５では、前記第２の処理モジュール４６０は、前記第２の処理チャンバの少なくとも１つに接続された搬送チャンバ４０８から、ロードロックチャンバ、中間／バッファーチャンバ、移動／往復チャンバ又は他の区画ではなく、前記処理チャンバ４１８などの処理チャンバに、前記基板４２２を直接受けるように構成されている。従って、前記基板処理システム５００の専有面積を縮小するために、前記第２の処理モジュール４６０に位置する大きな搬送チャンバは必要ない。
【誤訳訂正２７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６４】
前記第２の処理モジュール４６０で受け取られ、前記第２の処理モジュール４６０の処理チャンバの少なくとも１つによって処理されて基板上に少なくとも１層が蒸着される基板４２２は、別の多重層蒸着用の前記第２の処理モジュール４６０の処理チャンバ４１８、４２０間で任意に移動されてもよい。例えば、前記処理チャンバ４１８、４２０間などの前記第２のモジュール４６０の１つ又は複数の処理チャンバ間に位置することができる第２のロードロックチャンバ４０６又は往復チャンバ４２６を介して移動されてもよい。図５の前記第２のロードロックチャンバ４０６の位置は、前記基板処理システム５００の専有面積を縮小するために、ロードロックチャンバ、小寸法の搬送チャンバ、移動往復チャンバ又は他の適切なチャンバを位置を決めるように構成することができる。
【誤訳訂正２８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６６】
従って、図５では、前記搬送チャンバ４０８は、前記第１のロードロックチャンバ（例えば、前記ロードロックチャンバ４０４）、前記第１の処理モジュール４５０、及び基板４２２を移動するための第２の処理モジュール４６０内で回転移動可能であるが、前記基板４２２は、第２のロードロックチャンバ（例えば、前記ロードロックチャンバ４０６）及び／又は前記往復チャンバ４２６を使用して、１つ又は複数の処理チャンバ内で、直線的に移動可能である。特に、エッチングチャンバ、アッシングチャンバ、イオン注入チャンバ、加熱チャンバなどの別の処理チャンバも、前記第２の処理モジュール４６０によって処理された後に、前記基板４２２上に別の処理を行う第２の処理モジュール４６０に、直線的に接続することができる。
【誤訳訂正２９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６７】
図５の例示的な構成では、前記基板４２２が、工場インターフェース４０２に取り出される、又は第２の処理モジュールの処理チャンバ４１８、４２０に直接移動される基板処理システム５００のロードロックチャンバ４０４に、元に移動されてもよいので、前記第１の処理モジュール４５０によって処理された前記基板４２２は流れない。その結果、前記第１の処理モジュール４５０と前記第２の処理モジュール４６０又は任意の真空バッファーとの間に、段階的なバッファステーションがなく、前記搬送チャンバ４０８から、前記第２の処理モジュール４６０の前記処理チャンバ４２０、４１８に、前記基板４２２を移動した後に、別のロードロックチャンバ又は工場インターフェース４０２への任意の接続に、前記基板４２２は流れない。
【誤訳訂正３０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６８】
図６Ａの実施例では、前記第１の処理モジュール４５０は、第１の搬送チャンバ、例えば、前記搬送チャンバ４０８に接続されて、第１のロードロックチャンバ、例えば、前記基板処理システム６００Ａのロードロックチャンバ４０４から前記第１の処理モジュール４５０に取り込まれる基板４２２を受け取る。前記第１の処理モジュール４５０は、前記第１の処理モジュール４５０と前記ロードロックチャンバ４０６などの前記第２の処理モジュール４６０との間に位置決めされた第２のロードロックチャンバを介して、前記第２の処理モジュール４６０に接続されている。従って、１つのみの搬送チャンバ、前記搬送チャンバ４０８を使用して、前記基板４２２は、前記第１の処理モジュール４５０内に位置する１つ又は複数の処理チャンバ４１０、４１２、４１４、４１６に移動される。また、前記搬送チャンバ４０８及び前記第２のロードロックチャンバ（例えば、ロードロックチャンバ４０６）を使用すると、前記基板４２２は、前記第１の処理モジュール４５０と前記第２の処理モジュール４６０との間に移動することができる。
【誤訳訂正３１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６９】
図６Ａの例示的な構成では、前記第２の処理モジュール４６０は、それに接続されたロードロックチャンバ４０６から前記基板４２２を受け取るように構成されている。前記基板処理システム６００の専有面積を低減し、スペースを節約するために、大きな第２の搬送チャンバ、例えば、前記搬送チャンバ４０８Ｂは除去され、前記往復チャンバ４２６は、前記第２の処理モジュール４６０内、例えば、前記処理チャンバ４１８、４２０内で右方向に、１つ又は複数の処理チャンバに、及びその処理チャンバから前記基板４２２を取り込み及び取り出すことを提供するために含まれる。一実施例では、１つ又は複数の基板移動シャトル１６００等（図１６〜２０に詳細に記載されるように）は、前記往復チャンバ４２６内部に構成され、前記ロードロックチャンバ４０６及び／又は様々な構成で前記第２の処理モジュール４６０の処理チャンバに接続されている。
【誤訳訂正３２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７１】
従って、図６Ａの基板処理システム６００Ａでは、前記搬送チャンバ４０８内に位置する移動ロボット４３０及び前記移動ロボット４３０のよって移動される基板４２２は、前記第１のロードロックチャンバ、第１の処理モジュール及び第２のロードロックチャンバ内で回転移動可能になり得る。しかし、前記第２の処理モジュール４６０内で処理された基板４２２は、例えば、基板移動シャトル１６００を使用して、前記処理チャンバ、前記第２のロードロックチャンバ（例えば、前記ロードロックチャンバ４０６）及び前記往復チャンバ４２６内で直線的に移動可能である。前記往復チャンバ４２６は、コンパクトな構成で、前記基板４２２の方向の回転変化を提供することにより、前記第２の処理モジュールに、及びそのモジュールから、すばやく前記基板４２２を移し変えるために適する。特に、エッチングチャンバ、アッシングチャンバ、イオン注入チャンバ、加熱チャンバなどの別の処理チャンバは、また、前記第２の処理モジュール４６０に直線的に接続されて、前記第２の処理モジュール４６０によって処理された後、前記基板４２２上で別の処理を行うことができる。
【誤訳訂正３３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７２】
更に、図６Ａの第２のロードロックチャンバを使用すると、異なるタイプの処理チャンバと処理モジュールとの間に、真空バッファー領域が提供され、それは、異なる真空圧力レベルを要求してもよい。様々な真空密封可能なバルブ及びポンプを使用することにより、様々な中間真空レベル、及び高度真空レベルを得ることができる。更に、前記基板処理システム６００Ａ内で搬送チャンバ４０８及び第２のロードロックチャンバを使用すると、そこで異なる真空圧力レベルが提供され、コストが削減される。例えば、前記搬送チャンバ４０８、前記ロードロックチャンバ４０６及び／又は前記往復チャンバ４２６は、それほど高価でないポンプ又は共有ポンプを使用して、中間の真空環境に維持することができ、一方、処理チャンバは、より高価なポンプを使用する高い真空環境に維持することができる。
【誤訳訂正３４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７５】
図７の実施例では、前記第１の処理モジュール４５０は、搬送チャンバ、例えば、前記搬送チャンバ４０８に接続されて、第１のロードロックチャンバ、例えば、前記基板処理システム７００のロードロックチャンバ４０４から前記第１の処理モジュール４５０に取り込まれる基板４２２を受け取る。前記第１の処理モジュール４５０は、前記第１の処理モジュール４５０と前記第２の処理モジュール４６０との間に位置する前記ロードロックチャンバ４０６などの第２のロードロックチャンバを介して、前記第２の処理モジュール４６０に接続される。
【誤訳訂正３５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７６】
図７の例示的な構成では、前記基板４２２は、前記第１の処理モジュール４５０の１つ又は複数の処理チャンバ４１０、４１２、４１４、４１６、及び前記搬送チャンバ４０８及び前記第２のロードロックチャンバ（例えば、ロードロックチャンバ４０６）を使用する第１の処理モジュール４５０と第２の処理モジュール４６０との間に移動される。図７の第２のロードロックチャンバを使用すると、真空バッファー領域、従って、前記第１の処理モジュール４５０及び前記第２の処理モジュール４６０のための異なるタイプの処理チャンバ間で、異なる真空圧力レベルが提供される。例えば、前記搬送チャンバ４０８及び／又は前記ロードロックチャンバ４０６は、中間の真空環境で維持することができ、一方、前記処理モジュール中の処理チャンバを高い真空環境に維持することができる。
【誤訳訂正３６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７７】
前記基板処理システム７００は、第２の搬送チャンバ又は往復チャンバが第２の処理モジュール４６０に含まれていない本発明の他の基板処理システムと異なり、その結果、前記基板４２２が、前記第２の処理モジュール４６０の１つ又は複数の処理チャンバ４１８、４２０で、及びその処理チャンバから直線的に移動することにより、前記第２の処理モジュール内で処理される。図７の実施例に示すように、前記処理チャンバ４１８、４２０及び前記第２の処理モジュール４６０内の他の別の処理チャンバは、直線方向に構成され、処理される基板４２２は、処理チャンバ４１８、４２０などの前記第２の処理モジュール４６０の１つ又は複数の処理チャンバ内で、前記基板を直接移動させるための基板処理システム７００内で、前記第２の処理モジュール４６０に位置する１つ又は複数の基板移動シャトル１６００によって移動される。従って、前記基板４２２のコンパクトな現場製造は、前記基板処理システム７００の低減された専有面積内で行うことができる。１つ又は複数の基板移動シャトル１６００も、前記第２の処理モジュール４６０の処理チャンバで及び該処理チャンバから、それらの間で、前記基板４２２の移動のための前記ロードロックチャンバ４０６に接続されていてもよい。更に、前記処理チャンバ４１８、４２０（及びそれに接続された別の処理チャンバ）を使用する１層、２層、３層の蒸着順序は、発明者らによって、柔軟に前記基板処理システム７００に適用されることが意図される。
【誤訳訂正３７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７９】
前記基板処理システム７００で、１つ又は複数の基板移動シャトル１６００を使用すると、別の搬送チャンバに、搬送チャンバの真空環境の維持に必要な別のポンプ休止時間に取り込み及び再び取り込む必要なしに、前記第２の処理モジュール４６０の処理チャンバの同一真空環境で、及び高い基板処理処理能力に維持された信頼できる基板処理システムが提供される。例えば、１つ又は複数の共有ポンプは、前記第２の処理モジュールの処理チャンバに使用することができる。更に、真空排気用の異なるタイプのポンプを、費用効果に優れて使用することができるように、異なるタイプの処理チャンバ、搬送チャンバ及び処理モジュール用の真空圧力必要条件は異なってもよい。別の搬送チャンバ、関連する周辺装置及びポンプの除去は、特定の製造手順を変更する必要なしに、確実に非常に費用効果が優れている。
【誤訳訂正３８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８０】
図８Ａの実施例では、前記第１の処理モジュール４５０は、第１の搬送チャンバ、例えば、第１の搬送チャンバ４０８Ａに接続されており、該第１の搬送チャンバ４０８Ａは、第１のロードロックチャンバ、例えば、前記基板処理システム８００Ａのロードロックチャンバ４０４から前記基板４２２を移動する。前記第２の処理モジュール４６０は、第２の搬送チャンバ、例えば、前記第１の処理モジュール４５０から前記第２の処理モジュール４６０に前記基板４２２を移動するための第２の搬送チャンバ４０８Ｂに接続されている。従って、２つの処理モジュールは、前記搬送チャンバ、前記第１の搬送チャンバ４０８Ａ及び第２の搬送チャンバ４０８Ｂを介して連結されている。
【誤訳訂正３９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８１】
前記基板処理システム８００Ａは、第２のロードロックチャンバが第２の処理モジュール４６０に含まれていない基板処理システム４００Ａと異なり、その結果、前記基板４２２が、前記第１の移動ロボット４３０Ａを使用する第１の処理モジュール４５０の１つ又は複数の処理チャンバ４１０、４１２、４１４、４１６内で、第１の搬送チャンバ４０８Ａ内で回転移動可能であり、第２の移動ロボット４３０Ｂを使用する１つ又は複数の処理チャンバ４１８、４２０内で、前記第２の搬送チャンバ４０８Ｂによって第２の処理モジュール４６０内で回転移動可能である。特に、エッチングチャンバ、アッシングチャンバ、イオン注入チャンバ、加熱チャンバなどの別の処理チャンバも、前記第２の処理モジュール４６０に接続して、前記基板４２２上で別の処理を行うことができる。図８Ａに示すように、前記第１の処理モジュール４５０及び前記第２の処理モジュール４６０を介して、前記工場インターフェース４０２へもどり、前記工場インターフェース４０２から処理される前記基板４２２の流れも得ることができる。
【誤訳訂正４０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８２】
図８Ａの例示的な構成では、基板移動シャトルは、２つの搬送チャンバ４０８Ａ、４０８Ｂ間で基板の移動のための第１の搬送チャンバ４０８Ａ及び第２の搬送チャンバ４０８Ｂに接続されるために適してもよく、前記第１の移動ロボット２３０Ａ及び第２の移動ロボット２３０Ｂに設置される基板と調整される。基板移動シャトルは、スペース（前記基板処理システム４００Ａより低減された専有面積）を節約し、かつ更に高処理能力（例えば、前記基板処理システム４００Ａと同じ又はより多いＴＡＣＴ時間）を得るために、様々な真空シールを介して、前記第１の搬送チャンバ４０８Ａ及び第２の搬送チャンバ４０８Ｂの上下に設置されるために適する基板移動シャトルであってもよい。真空移動ロボットと基板移動シャトルとの結合は、更に、図１８、１９に記載される。更に、真空密封可能なバルブは、前記第１の搬送チャンバ４０８Ａと第２の搬送チャンバ４０８Ｂとの間に位置して、前記基板処理システム８００Ａで真空バッファー／中間領域として、そこでの圧力レベルの柔軟な範囲にそれらを供給し、その結果、前記第１の搬送チャンバ４０８Ａ及び前記第２の搬送チャンバ４０８Ｂが、中間真空環境中に維持することができ、一方、すべての処理チャンバを高真空環境に維持することができる。
【誤訳訂正４１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８４】
図９の実施例では、前記第１の処理モジュール４５０及び前記第２の処理モジュール４６０は、同一の搬送チャンバ、例えば、搬送チャンバ４０８に、前記基板処理システム９００で連結されている。従って、更に専有面積を低減し、かつまだ基板処理能力を犠牲にせずに、現場基板処理を提供するために、搬送チャンバ４０８に位置する単一の基板移動ロボットを使用して、２つの処理モジュールの異なるタイプの処理チャンバ内で、処理される基板４２２は、回転移動可能である。一実施例では、前記基板処理システム９００は、ハイブリッドＰＶＤ−ＣＶＤツールであり、処理チャンバ４１０、４１２、４１４などのＣＶＤチャンバ、又は処理チャンバ４１８、４２０などの１つ又は複数のＰＶＤチャンバを含む。
【誤訳訂正４２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８５】
図９に示すように、前記第２の搬送チャンバ、第２のロードロックチャンバ及び他のものは、更に、前記基板処理システム４００Ａと比較して、前記基板処理システム９００で取り除かれる。別のタイプの処理チャンバも、前記基板処理システム９００に連結することができる。更に、ＰＶＤチャンバは、一般に、高真空環境を必要とするので、真空バッファーや中間圧力領域はない。しかし、１つ又は複数のポンプ又は１つの共有ポンプが、前記基板処理システム９００の異なる構成材内で使用されてもよい。更に、基板処理は、前記基板処理システム９００の１つ又は複数の異なるタイプの処理チャンバ４１０、４１２、４１４、４１８、４２０に、及びそれらの処理チャンバから連続するので、前記基板４２２の流れはなく、前記工場インターフェース４０２に直接戻る。
【誤訳訂正４３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８７】
本発明の基板処理システムでの前記方法３００などの、本発明の１つ又は複数の方法の様々なステップを実行するために、前記コントローラー５９０は、コンピューター読取り可能な媒体に構成される。例えば、前記コントローラー５９０は、処理モジュール、処理チャンバ、ロードロックチャンバ、及びそこで行なわる蒸着処理の間で移動するものを含む基板処理システムの操作可能な／処理ステップを制御するために使用されてもよい。前記コントローラー５９０も、基板処理システムの内部の多数基板の処理のためのシーケンスを制御し、第１の処理モジュール、第２の処理モジュール、及び本発明の１つ又は複数の態様によるロードロックチャンバ、搬送チャンバ及び処理チャンバで、及びそれらから多数の基板を移動するためのタイミングシーケンス／順序よって行なわれる異なるタイプの処理間の様々な工程時間を改善するために使用される。更に、人は、処理される１つ又は複数の基板用の所望の製造手順によって、前記コントローラーによって行なわれるステップを修正することもできる。
【誤訳訂正４４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８８】
一実施例では、本発明のコントローラー５９０は、前記基板処理システム内で同時に処理される１つ又は複数の基板の動作を制御するために使用される。具体的に、様々な基板移動又は取り込み機構、例えば搬送チャンバ４０８、４０８Ａ、４０８Ｂ、ロードロックチャンバ４０４、４０６、及び往復チャンバ４２６、そしてそれに関連する任意のソフトウェアによる基板移動のコントロールによる基板移動の制御は、第１の処理モジュール４５０及び第２の処理モジュール４６０で、異なるタイプの処理チャンバのための異なる工程時間及び工程条件の制御に必要なソフトウェアにリンクされる。一つの態様では、先行技術の分離ソフトウェア又は前記コントローラーに接続されたコマンドと比較して、同一のソフトウェアは、前記ロボット４３０、４３０Ａ、４３０Ｂ、前記基板移動シャトル１６００及び基板支持プレート１３２０及び他のものなどの様々な基板移動機構の移動を制御するために使用される。その結果、先の基板移動機構、搬送チャンバ、ロードロックチャンバ、シャトルアセンブリ又は任意の先の中間真空バッファー領域から前記処理チャンバに、前記基板が処理され移動されるとき、１つ又は複数の処理チャンバ中の１つ又は複数の基板支持体の動作が、かみ合わされるか又は調整される。前記同一のソフトウェアによって、様々な基板支持体（例えば、垂直Ｚ方向の上下移動）の移動の制御と、様々な移動ロボットと基板移動シャトル（例えば、上下移動及びＸＹＺ方向に三次元的に３６０°回転可能）の移動の制御とをリンクして、同時に２つの制御ステップを連動させ、前記基板を移動し、該基板上に材料を蒸着することにより、全体の工程時間及びシステム処理能力を確保するために、調整することができる。
【誤訳訂正４５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９０】
本発明の一実施例は、また、それに連結された、特に、低温ポンプ、ターボ・ポンプ、標準乾燥ポンプなどの様々なポンプを制御するために、前記コントローラー５９０を使用して、前記基板処理システム４００Ａ、４００Ｂ、５００、６００Ａ、６００Ｂ、７００、８００Ａ、８００Ｂ、９００の様々なチャンバ及び構成材の内部の様々な圧力レベルの維持を提供する。例えば、本発明のＰＶＤチャンバを、約１０−６トルから約１０−７トルなどの高真空レベルに維持するすることができる。ＰＶＤチャンバに連結された本発明の搬送チャンバは、約１０−５トル〜約１０−６トル、又は他のレベルで維持されてもよい。ＰＶＤチャンバに連結された本発明のロードロックチャンバは、約１０−４トル以下、又は他のレベルなどの、約０．５トル以下の中間圧力レベルに維持されてもよい。別の実施例として、本発明のＣＶＤチャンバは、約５トル以下又は約２トル以下などの約１０トル以下で維持することができ、それに接続された搬送チャンバは、約２０トル以下又は約３トル以下などの同様の中間真空範囲で維持することができる。しかし、本発明は、上記例示的な圧力範囲に限定されない。
【誤訳訂正４６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９５】
チャンバ体１０１２で画定された基板サブチャンバ１０２０、１０２２、１０２４の各々は、２つの基板アクセス・ポートを含む。例えば、図１０では、チャンバ体１０１２の底に配置された第１の基板サブチャンバ１０２０は、第１の基板アクセス・ポート１０３０Ａ、及び前記搬送チャンバ４０８及び前記工場インターフェース４０２に接続された第２の基板アクセス・ポート１０３２Ａを含む。前記２つのアクセス・ポートは、例えば、チャンバの側壁の対向面に配置されてもよいが、それらは、チャンバ体１０１２の隣接する壁に代わりに配置されてもよい。前記基板アクセス・ポートは、前記ロードロックチャンバ４０４、４０６から前記基板４２２の入場及び退出を促進するように構成され、例えば、前記基板４２２のサイズに依存して、約２０００ｍｍより大きな幅を有していてもよい。同様に、前記基板サブチャンバ１０２２は、アクセス・ポート１０３０Ｂ、１０３２Ｂによって構成され、前記基板サブチャンバ１０２４は、同様に、アクセス・ポート１０３０Ｃ、１０３２Ｃによって構成されている。
【誤訳訂正４７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９６】
前記基板アクセス・ポート１０３０Ａ、１０３０Ｂ、１０３０Ｃ、１０３２Ａ、１０３２Ｂ、１０３２Ｃの各々は、前記搬送チャンバ４０８及び前記工場インターフェイス４０２の環境から、前記基板サブチャンバ１０２０、１０２２、１０２４を選択的に分離するために適する、それぞれのスリット・バルブ１０２６Ａ、１０２６Ｂ、１０２６Ｃ、１０２８Ａ、１０２８Ｂ、１０２８Ｃによって選択的に密閉される。前記スリットバルブ１０２６Ａ、１０２６Ｂ、１０２６Ｃ、１０２８Ａ、１０２８Ｂ、１０２８Ｃは、回動的に前記チャンバ体１０１２に連結され、アクチュエーター（図示せぬ）を使用して、開閉位置間で移動させてもよい。
【誤訳訂正４８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９７】
前記スリットバルブ１０２６Ａ、１０２６Ｂ、１０２６Ｃは、第１の側壁１００２の内側面から前記基板アクセス・ポート１０３０Ａ、１０３０Ｂ、１０３０Ｃを密閉し、それによって、基板サブチャンバ１０２０、１０２２、１０２４内に位置する。その結果、前記基板サブチャンバ１０２０、１０２２、１０２４と前記搬送チャンバ４０８の真空環境との真空（例えば、圧力）差が、前記チャンバ体１０１２の側壁に対して前記スリットバルブ１０２６Ａ、１０２６Ｂ、１０２６Ｃを取り込み密封する役目を果たし、それによって真空シールを増強する。これに対して、前記スリットバルブ１０２８Ａ、１０２８Ｂ、１０２８Ｃは、第２の側壁１００４の外側に配置され、それによって、工場インターフェイス４０２の周囲環境と前記基板サブチャンバ１０２０、１０２２、１０２４の真空環境との間の圧力差が、前記基板アクセス・ポート１０３２Ａ、１０３２Ｂ、１０３２Ｃを密閉する役目を果たすように位置する。本発明から利益をもたらすために適することができるスリットバルブの例は、１９９６年１２月３日に取得されたＦｒｅｅｒｋｓの米国特許第５，５７９，７１８号及び２０００年４月４日に取得されたＴｅｐｍａｎらの米国特許第６，０４５，６２０号に記載されており、それらの両方は、引用によってその開示内容全体を本明細書に含めることとする。
【誤訳訂正４９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９９】
図１１は、図１０の切断線３―３に沿って得られた前記ロードロックチャンバ４０４、４０６の断面図である。前記基板サブチャンバ１０２０、１０２２、１０２４の各々の側壁は、各チャンバの内部体積内で、圧力の制御を促進するために、それを介して配置された少なくとも１つのポートを含む。例えば、図１１に示す実施例で、前記チャンバ体１０１２は、第３の側壁１００６を介して形成されたベントポート１１０４Ａ、１１０４Ｂ、１１０４Ｃ及び前記基板サブチャンバ１０２０、１０２２、１０２４ベント及びポンプダウンのためのチャンバ体１０１２の第４の側壁１００８を介して形成された真空ポート１１０６Ａ、１１０６Ｂ、１１０６Ｃを含む。バルブ１１１０Ａ、１１１０Ｂ、１１１０Ｃ、１１１２Ａ、１１１２Ｂ、１１１２Ｃは、ベントポート１１０４Ａ、１１０４Ｂ、１１０４Ｃ及び真空ポート１１０６Ａ、１１０６Ｃ、１１０６Ｂにそれぞれ接続されており、選択的に、それを通って流れることを防ぐ。前記真空ポート１１０６Ａ、１１０６Ｂ、１１０６Ｃは、１つ又は複数の真空ポンプ１１０８に連結されている。例えば、前記基板サブチャンバ１０２０、１０２２、１０２４の１つ以上は、適切な流れ制御又はリストリクターを備える単一の真空ポンプを共有して、基板サブチャンバ間の選択的揚水を促進してもよく、又は、２つ以上の真空ポンプがあってもよい。前記真空ポンプ１１０８は、選択的に前記搬送チャンバ４０８の圧力と本質的に一致するレベルまで、前記基板サブチャンバ１０２０、１０２２、１０２４の各々の内部体積内の圧力を低下させるために利用される。
【誤訳訂正５０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１００
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１００】
前記搬送チャンバ４０８と前記ロードロックチャンバ４０４の前記基板サブチャンバ１０２０、１０２２、１０２４との間の圧力が、実質的に等しい場合、前記スリットバルブ１０２６Ａ、１０２６Ｂ、１０２６Ｃは、処理された基板が前記ロードロックチャンバ４０４に移動することを可能とするために開けられてもよく、また、前記基板アクセス・ポート１０３０Ａ、１０３０Ｂ、１０３０Ｃを介して前記移動ロボット４３０を使用して、処理される基板は前記搬送チャンバ４０８に移動する。前記搬送チャンバ４０８から前記ロードロックチャンバ４０４の基板サブチャンバ１０２０、１０２２、１０２４の基板支持体１０４４上に戻る前記基板４２２を配置した後、前記スリットバルブ１０２６Ａ、１０２６Ｂ、１０２８Ｃは閉じられ、前記バルブ１１１０Ａ、１１１０Ｂ、１１１０Ｃは、開けることができ、それによって、ベントガス、例えば、Ｎ２及び／又はＨ２等が前記ベントポート１１０４Ａ、１１０４Ｂ、１１０４Ｃを介して前記ロードロックチャンバ４０４の基板サブチャンバ１０２０、１０２２、１０２４に流れ込むことを可能にし、前記基板サブチャンバ１０２０、１０２２、１０２４の内容積の圧力を上げることを可能とする。ベントポート１１０４Ａ、１１０４Ｂ、１１０４Ｃを介して、前記内部体積に入るベントガスを、一般的に濾過して、前記基板４２２の潜在的な微粒子の汚染を最小限にする。真空圧力レベルの維持及び前記基板サブチャンバ１０２０、１０２２、１０２４内での放出は、前記基板サブチャンバ１０２０、１０２２、１０２４の各々の上で、個々に行なわれることができる。一旦、前記基板サブチャンバ１０２０、１０２２、１０２４の各々の圧力が、前記工場インターフェース４０２と実質的に等しくなれば、前記スリットバルブ１０２８Ａ、１０２８Ｂ、１０２８Ｃは開き、このようにして、前記基板サブチャンバ１０２０、１０２２、１０２４と前記工場インターフェイス４０２に連結された基板収納カセットとの間で、前記基板アクセス・ポート１０３２Ａ、１０３２Ｂ、１０３２Ｃを介して、前記工場インターフェース４０２から大気ロボットが基板を移動することを可能にする。
【誤訳訂正５１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０８】
図１３は、本発明の搬送チャンバの一実施例の断面図である。前記搬送チャンバ４０８、４０８Ａ又は４０８Ｂは、そこに配置された、双対のブレード真空ロボットなどの、少なくとも１つの移動ロボット４３０、４３０Ａ又は４３０Ｂを含んでいてもよい。前記搬送チャンバ４０８は、１つ又は複数のロードロックチャンバ、又は積層された異なるロードロックチャンバに連結されてもよく、ロードロックチャンバのそれぞれは、例えば、３重単一基板ロードロック（ＴＳＳＲ）、２重双対スロットロードロック（ＤＤＳＬ）、単一双対スロットロードロック（ＤＳＬ）又は他の従来のロードロックであってもよい。前記搬送チャンバ４０８も、本発明の処理チャンバ４１０、４１０Ａ、４１２、４１４、４１６、４１８、４２０、ロードロックチャンバ４０４、４０６及び往復チャンバ４２６などの、少なくとも１つの処理チャンバ及び／又は他の別のロードロックチャンバ、バッファステーション、往復チャンバ及び往復機構に連結されていてもよい。図４Ａ〜９に示すように、前記搬送チャンバは、１つ又は複数のチャンバに連結されてもよいことは注目され、それに接続されたチャンバの数は、限定されない。例えば、本発明の搬送チャンバは、他のそれらの組み合わせのうち、３チャンバ、１つはロードロックチャンバで２つは処理チャンバなどの２つ以上のチャンバに連結されていてもよい。又は、各々が同一又は異なる種類である合計６つのチャンバが、本発明の搬送チャンバに連結されていてもよい。他の例として、合計７、８以上のチャンバが、前記搬送チャンバに連結されてもよく、前記搬送チャンバは六角形、八角形又はその周囲に他の形状を得てもよい。
【誤訳訂正５２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０９】
図１３に示すように、前記搬送チャンバ４０８は、ベース１２１０上に位置するように構成された本体１２０７を含む。前記本体２０７は、内壁１２０９及び外壁１２１１を有していてもよい。前記内壁１２０９の形状は円筒状であってもよく、前記外壁１２１１は、六角形又は他の形状であってもよく、本発明の処理チャンバ又はロードロックチャンバに連結されるのに適する側壁を形成する水平な領域を含んでいてもよい。前記本体１２０７は、例えば、特に、ステンレス鋼、アルミニウムなどの単一の１片の材料から機械加工されてもよい。前記本体１２０７の高さは、前記搬送チャンバ４０８の全体の体積及び重量を低減するために、最小限にされる。
【誤訳訂正５３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１０】
側壁のそれぞれは、スリットバルブ１０２６Ａ、１０２６Ｂ、１０２６Ｃなどの１つ又は複数のバルブに連結された１つ又は複数の開口を含んでいてもよく、それを介して、前記移動ロボット４３０を使用して、前記搬送チャンバ４０８からロードロックチャンバへ、又は逆に基板４２２（図示せぬ）を移動してもよい。他の側壁は、１つ又は複数の開口１２０２、１２０４を含んでいてもよい。例えば、前記開口１２０２は、処理チャンバ、例えば、バルブ１２２６を介して、図１３に示すような処理チャンバ４１８に連結されていてもよい。前記バルブ１２２６は、従来のゲートバルブ、スリットバルブ又は他の従来のバルブであってもよい。前記バルブ１２２６は、それと関連するアクチュエーター（図示せぬ）を使用して、前記搬送チャンバ４０８の側壁の内側又は外側から前記開口１２０２を選択的に開閉してもよい。更に、開口１２０４は、ポンプ機構（図示せぬ）に連結して、適切な真空度に前記搬送チャンバ４０８の圧力レベルをポンプダウンしてもよい。
【誤訳訂正５４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１１】
前記移動ロボット４３０の回転運動、好ましくは３６０度及び垂直移動を提供するために、軸１２２０及びリフト機構は、前記移動ロボット４３０及び搬送チャンバ４０８のベース１２１０に連結されていてもよい。前記移動ロボット４３０の回転運動は、前記搬送チャンバ４０８に接続された異なるチャンバ内で、前記基板４２２を移動させるために必要であってもよく、前記移動ロボット４３０の垂直移動は、本発明の様々なチャンバの側壁上の異なるアクセス・ポート及び／又は開口に位置合わせされた位置に対して、前記基板４２２を垂直に移動させることが必要であってもよい。
【誤訳訂正５５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１２】
前記搬送チャンバ４０８の圧力は、それに連結された、ポンプ機構によって維持され、それは、特に、乾燥ポンプ、粗ポンプ、ターボポンプ及び低温ポンプなどの１つ又は複数のポンプを含んでいてもよい。前記搬送チャンバ４０８の圧力は、前記処理チャンバと前記搬送チャンバの間の所要の最低圧力差に依存して、約１トル〜約５トル、又は約２トル〜約３トルなどの約５トル以下の範囲に維持することができる。また、前記搬送チャンバの高真空ベース圧力が必要な場合、前記搬送チャンバ４０８は、約１０−５トル〜約１０−６トルなどの約１０−３トル以下に維持することができる。
【誤訳訂正５６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１３】
本発明の一実施例は、それに連結された様々なＰＶＤ処理チャンバの高真空要求に適合する前記第２の搬送チャンバの高真空ベース圧力を得るために、高い排出効率で低温ポンプに接続されている第２の搬送チャンバを提供し、また、前記第２の搬送チャンバは、約１０−５トル〜約１０−６トルなどの約１０−４トル以下のベース圧力で維持することができる。
【誤訳訂正５７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１４】
本発明の利益を利用することができる別の搬送チャンバは、一般に、２０００年３月１０日に出願された米国特許第６，７８６，９３５号のＰｏｗｅｌｌによる「構成材を生産するための真空処理システム」、及び２００３年６月２０日に出願された米国特許出願第１０／６０１，１８５号のＫｕｒｉｔａらによる「真空処理システムのための搬送チャンバ」に記載されており、これらは同一人に共通して譲渡され、引用によってその開示内容全体を本明細書に含めることとする。
【誤訳訂正５８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１３３】
前記アクセス・ポート１５５６は、スリットバルブ又は他の真空密封可能なアセンブリによって密封可能であり、前記搬送チャンバ４０８及び本発明の前記基板処理システムの他のチャンバに連結して、前記処理チャンバ１５００に、及びその処理チャンバから、前記基板４２２（例えば、フラットパネルディスプレイ基板又は半導体ウェハ）を入退出する。シャッタ・ディスク・ポート（図示せぬ）などの他の開口は、また、任意に側壁１５５２及び／又はチャンバ体１５０２の底１５５４上に形成されてもよい。
【誤訳訂正５９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１５０】
棚受け１６３０、１６４０などのこれら機構の位置を決め、本発明のピニオンギア１６５０及び様々なチャンバの内部のガイドローラー１６６０を回転させることによって、スペースの節約、専有面積の低減及び処理能力の増加のために、様々な搬送チャンバ、シャトルチャンバ、処理チャンバ内で、本発明の基板処理システム内での前記基板の移動又は往復を促すために、前記基板移動シャトル１６００等を接続することができる。