【手続補正書】
【提出日】平成22年8月25日(2010.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージの外底部に外部端子を有し内部に圧電振動片が気密に封止された圧電振動子と、
一方の面に接続端子が形成され、他方の面に実装用端子が形成され、前記一方の面に回路素子が実装された回路基板と、
を有し、
前記接続端子と前記外部端子とを接合部材を介して半田接合することにより、前記回路基板に前記圧電振動子が接続された圧電デバイスであって、
前記外部端子は、最表層となる上地金属層と、前記上地金属層より半田ぬれ性の悪い金属からなる少なくとも一層の下地金属層と、が積層されて構成され、
前記上地金属層の一部が除去されて前記下地金属層が露出している溝が、前記外部端子に形成され、
前記溝は、前記外部端子上において前記接合部材が接合される領域の少なくとも一部を画定していることを特徴とする圧電デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の圧電デバイスであって、
前記外部端子上において、前記溝が、前記接合部材の平面視の外形と同じ領域を画定していることを特徴とする圧電デバイス。
【請求項３】
パッケージの外底部に外部端子を有し内部に圧電振動片が気密に封止された圧電振動子と、
一方の面に接続端子が形成され、他方の面に実装用端子が形成され、前記一方の面に回路素子が実装された回路基板と、
を有し、
前記接続端子と前記外部端子とを接合部材を介して半田接合することにより、前記回路基板に前記圧電振動子が接続された圧電デバイスであって、
前記外部端子は、最表層となる上地金属層と、前記上地金属層より半田ぬれ性の悪い金属からなる少なくとも一層の下地金属層と、が積層されて構成され、
前記上地金属層の一部が除去されて前記下地金属層が露出している溝が、前記外部端子に形成され、
前記溝は、格子状に形成されていることを特徴とする圧電デバイス。
【請求項４】
請求項３に記載の圧電デバイスにであって、
前記溝は、前記外部端子上に前記接合部材よりも小さな領域が画定されて配列されるように、格子状に形成されていることを特徴とする圧電デバイス。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の圧電デバイスであって、
前記上地金属層が、金からなる層、錫からなる層、または半田からなる層であり、
前記下地金属層が、タングステンからなる層、またはモリブデンからなる層を含むことを特徴とする圧電デバイス。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の圧電デバイスであって、
前記接合部材が球状であることを特徴とする圧電デバイス。
【請求項７】
パッケージ内部に圧電振動片が気密に封止され、前記パッケージの外底部に外部端子を有する圧電振動子であって、
前記外部端子は、最表層となる上地金属層と、前記上地金属層より半田ぬれ性の悪い金属からなる少なくとも一層の下地金属層と、が積層されて構成され、
前記上地金属層の一部が除去されて前記下地金属層が露出している溝が、前記外部端子に形成され、
前記溝は、前記外部端子の接合領域の少なくとも一部を画定していることを特徴とする圧電振動子。
【請求項８】
パッケージ内部に圧電振動片が気密に封止され、前記パッケージの外底部に外部端子を有する圧電振動子であって、
前記外部端子は、最表層となる上地金属層と、前記上地金属層より半田ぬれ性の悪い金属からなる少なくとも一層の下地金属層と、が積層されて構成され、
前記上地金属層の一部が除去されて前記下地金属層が露出している溝が、前記外部端子に形成され、
前記溝は、格子状に形成されていることを特徴とする圧電振動子。
【請求項９】
請求項７または８に記載の圧電振動子であって、
前記上地金属層が、金からなる層、錫からなる層、または半田からなる層であり、
前記下地金属層が、タングステンからなる層、またはモリブデンからなる層を含むであることを特徴とする圧電振動子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
〔適用例１〕本適用例にかかる圧電デバイスは、パッケージの外底部に外部端子を有し内部に圧電振動片が気密に封止された圧電振動子と、一方の面に接続端子が形成され、他方の面に実装用端子が形成され、前記一方の面に回路素子が実装された回路基板と、を有し、前記接続端子と前記外部端子とを接合部材を介して半田接合することにより、前記回路基板に前記圧電振動子が接続された圧電デバイスであって、前記外部端子は、最表層となる上地金属層と、前記上地金属層より半田ぬれ性の悪い金属からなる少なくとも一層の下地金属層と、が積層されて構成され、前記上地金属層の一部が除去されて前記下地金属層が露出している溝が、前記外部端子に形成され、前記溝は、前記外部端子上において前記接合部材が接合される領域の少なくとも一部を画定していることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この構成によれば、半田ぬれ性の悪い下地金属層を露出させて形成されている溝により、半田接合時において外部端子表面の溶融半田のぬれ広がりが止まる。また、外部端子の溝は、回路基板の接続端子と接合部材を介して接合される際に接合部材が接合される領域を画定するように形成されているので、溝によってぬれ広がりが止まることにより半田接合に必要な半田の流出が抑えられ、半田接合部に十分な半田を確保することができる。さらに、例えば外部端子を可能な範囲で大きめに形成した汎用の圧電振動子を用いて、回路基板の接続端子の位置および形状に合わせて外部端子に溝を形成することにより、回路基板の仕様に合わせて良好な半田接合をすることが可能となる。したがって、優れた接続信頼性を有し、また、汎用の水晶振動子を使用することにより低コスト化が可能な圧電デバイスを提供することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
〔適用例２〕上記適用例にかかる圧電デバイスにおいて、前記外部端子上において、前記溝が、前記接合部材の平面視の外形と同じ領域を画定していることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
或る形態にかかる圧電デバイスは、パッケージの外底部に外部端子を有し内部に圧電振動片が気密に封止された圧電振動子と、一方の面に接続端子が形成され、他方の面に実装用端子が形成され、前記一方の面に回路素子が実装された回路基板と、を有し、前記接続端子と前記外部端子とを接合部材を介して半田接合することにより、前記回路基板に前記圧電振動子が接続された圧電デバイスであって、前記外部端子は、最表層となる上地金属層と、前記上地金属層より半田ぬれ性の悪い金属からなる少なくとも一層の下地金属層と、が積層されて構成され、前記上地金属層の一部が除去されて前記下地金属層が露出している溝が、前記外部端子に形成され、前記溝は、格子状に形成されていることを特徴とする。
〔適用例３〕上記形態にかかる圧電デバイスにおいて、前記溝は、前記外部端子上に前記接合部材よりも小さな領域が画定されて配列されるように、格子状に形成されていることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
〔適用例４〕上記適用例にかかる圧電デバイスにおいて、前記上地金属層が、金からなる層、錫からなる層、または半田からなる層であり、前記下地金属層が、タングステンからなる層、またはモリブデンからなる層を含むことを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
〔適用例８〕本適用例にかかる圧電振動子は、パッケージ内部に圧電振動片が気密に封止され、前記パッケージの外底部に外部端子を有する圧電振動子であって、前記外部端子は、最表層となる上地金属層と、前記上地金属層より半田ぬれ性の悪い金属からなる少なくとも一層の下地金属層と、が積層されて構成され、前記上地金属層の一部が除去されて前記下地金属層が露出している溝が、前記外部端子に形成され、前記溝は、前記外部端子の接合領域の少なくとも一部を画定していることを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
〔適用例１０〕  パッケージ内部に圧電振動片が気密に封止され、前記パッケージの外底部に外部端子を有する圧電振動子であって、前記外部端子は、最表層となる上地金属層と、前記上地金属層より半田ぬれ性の悪い金属からなる少なくとも一層の下地金属層と、が積層されて構成され、前記上地金属層の一部が除去されて前記下地金属層が露出している溝が、前記外部端子に形成され、前記溝は、格子状に形成されていることを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
〔適用例１１〕上記適用例にかかる圧電振動子において、前記上地金属層が、金からなる層、錫からなる層、または半田からなる層であり、前記下地金属層がタングステンからなる層、またはモリブデンからなる層を含むことを特徴とする。