【手続補正書】
【提出日】平成22年10月22日(2010.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性層を挟み込む一対の反射鏡を有する共振器と、
前記共振器の内部に、または前記共振器に接して設けられた偏光子と
を備え、
前記偏光子は、前記一対の反射鏡の対向方向と交差する方向に、前記活性層から発せられる光を透過する光透過部と、前記活性層から発せられる光を反射する光反射部とを交互に配列して形成されている
半導体発光素子。
【請求項２】
前記光反射部は、金属からなる
請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記光反射部は、前記偏光子の配列方向において、前記活性層から発せられる光の波長の１／１０以下の厚さを有する
請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記光反射部は、前記光透過部の側面に積層することにより形成されたものである
請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記光透過部は、半導体、絶縁体、誘電体および空気のうち少なくとも１つを含んで構成されている
請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記光透過部および前記光反射部は、前記一対の反射鏡の対向方向と直交する方向に交互に配列されている
請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記光透過部および前記光反射部は、前記一対の反射鏡の対向方向と斜めに交差する方向に交互に配列されている
請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項８】
前記光反射部は、矩形状となっている
請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項９】
前記光反射部は、弓形状となっている
請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
前記共振器は、一方の反射鏡としての第１ＤＢＲ層、前記活性層および他方の反射鏡としての第２ＤＢＲ層を、前記一対の反射鏡の対向方向と平行な方向に順に含む積層構造を有する
請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項１１】
前記共振器は、第１導電型半導体層、前記活性層および第２導電型半導体層を、前記一対の反射鏡の対向方向と直交する方向に順に含む積層構造を有し、
前記積層構造は、当該積層構造の積層方向と直交する方向において対向する一対のへき開面を前記一対の反射鏡として有する
請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項１２】
第１ＤＢＲ層、活性層および第２ＤＢＲ層を順に含む積層構造の内部に、または前記積層構造に接して、前記活性層から発せられる光を透過する光透過部と、前記活性層から発せられる光を反射する光反射部とを含む偏光子を備えた半導体発光素子の製造方法であって、
一の積層面内に前記複数の光透過部を規則的に形成する光透過部形成工程と、
前記光透過部の側面に前記光反射部を形成する光反射部形成工程と
を含む
半導体発光素子の製造方法。
【請求項１３】
前記光透過部形成工程は、
前記活性層から発せられる光を透過可能な光透過膜を積層したのち、前記光透過膜上に、前記積層構造の積層方向と交差する方向に複数の第１開口が規則的に配列された第１マスク層を形成する工程と
前記第１開口を介して前記光透過膜を選択的にエッチングして、前記第１開口との対応部位に凹部を形成することにより、互いに隣接する前記凹部同士の間に前記光透過部を形成する工程
を含む
請求項１２に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１４】
前記光反射膜形成工程は、
前記第１マスク層と前記凹部とを含む表面に前記光反射膜を積層したのち、前記第１マスク層を除去することにより、前記光反射膜のうち前記第１マスク層に接する部分を除去する工程と、
前記光透過部の上面と、前記光反射膜のうち前記凹部に接する部分の表面とを含む表面に第２マスク層および第３マスク層を順に積層したのち、前記第３マスク層のうち前記凹部の底面との対向領域に第２開口を形成する工程と
前記第２開口を介して前記第２マスク層を選択的にエッチングすることにより、前記第２マスク層のうち前記凹部の底面との対向領域に第３開口を形成する工程と、
前記第２開口および前記第３開口を介して前記光反射膜を選択的にエッチングして、前記光反射膜のうち前記凹部の底面に接する部分を除去することにより、前記光透過部の側面に前記光透過部を形成する工程と
を含む
請求項１３に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１５】
第１導電型半導体層、活性層および第２導電型半導体層を順に含むと共に前記第１導電型半導体層、前記活性層および前記第２導電型半導体層の積層方向と直交する方向に対向する一対の反射鏡を含む積層構造の内部に、または前記積層構造に接して、前記活性層から発せられる光を透過する光透過部と、前記活性層から発せられる光を反射する光反射部とを含む偏光子を備えた半導体発光素子の製造方法であって、
第１導電型半導体層、活性層および第２導電型半導体層を順に形成したのち、前記第２導電型半導体層の上部に、前記積層方向と交差する方向に延在するストライプ状のリッジ部を形成するリッジ形成工程と、
少なくとも前記活性層および前記第２導電型半導体層を選択的にエッチングして、前記リッジ部を横断すると共に少なくとも前記活性層を貫通する溝部を形成する溝部形成工程と、
前記溝部の底面内に前記複数の光透過部を規則的に形成する光透過部形成工程と、
前記光透過部の側面に前記光反射部を形成する光反射部形成工程と
を含む
半導体発光素子の製造方法。
【請求項１６】
前記光透過部形成工程は、
前記活性層から発せられる光を透過可能な光透過膜を積層したのち、前記光透過膜上に、前記積層方向と直交する方向であって、かつ前記リッジ部の延在方向と交差する方向に複数の第１開口が規則的に配列された第１マスク層を形成する工程と、
前記第１開口を介して前記光透過膜を選択的にエッチングして、前記第１開口との対応部位に凹部を形成することにより、互いに隣接する前記凹部同士の間に前記光透過部を形成する工程と
を含む
請求項１５に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１７】
第１導電型半導体層、活性層および第２導電型半導体層を順に含むと共に前記第１導電型半導体層、前記活性層および前記第２導電型半導体層の積層方向と直交する方向に対向する一対の反射鏡を含む積層構造の内部に、または前記積層構造に接して、前記活性層から発せられる光を透過する光透過部と、前記活性層から発せられる光を反射する光反射部とを含む偏光子を備えた半導体発光素子の製造方法であって、
第１導電型半導体層、活性層および第２導電型半導体層を順に形成したのち、前記第２導電型半導体層の上部に、前記積層方向と交差する方向に延在するストライプ状のリッジ部を形成するリッジ形成工程と、
少なくとも前記活性層および前記第２導電型半導体層を選択的にエッチングして、前記リッジ部を横断すると共に少なくとも前記活性層を貫通する溝部を形成する溝部形成工程と、
前記溝部の中に、前記光透過部および前記光反射部を交互に積層する偏光子形成工程と
を含む
半導体発光素子の製造方法。
【請求項１８】
前記偏光子形成工程において、前記光透過部および前記光反射部を前記積層構造と平行な方向に交互に積層する
請求項１７に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１９】
前記偏光子形成工程において、前記光透過部および前記光反射部を前記積層構造と交差する方向に交互に積層する
請求項１７に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項２０】
半導体発光素子が光源として用いられた印刷装置であって、
前記半導体発光素子は、
活性層を挟み込む一対の反射鏡を有する共振器と、
前記共振器の内部に、または前記共振器に接して設けられた偏光子と
を備え、
前記偏光子は、前記一対の反射鏡の対向方向と交差する方向に、前記活性層から発せられる光を透過する光透過部と、前記活性層から発せられる光を反射する光反射部とを交互に配列して形成されている
印刷装置。