Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月29日(2010.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
予め定められた第１範囲内で数値を更新する第１の数値更新手段と、
予め定められた第２範囲内で数値を更新する第２の数値更新手段と、
前記第１、第２の数値更新手段が数値を更新する時間間隔よりも短い時間間隔で数値を更新する第３の数値更新手段とを備え、
前記第１の数値更新手段から抽出された数値と前記第２の数値更新手段から抽出された数値とは、遊技の進行または演出の実行のために行われる複数種類の抽選のうちの互いに異なる抽選の処理に用いられ、
前記第１、第２の数値更新手段はそれぞれ、前記第３の数値更新手段から抽出された数値に対応した更新値を用いて数値を更新し、
前記第１の数値更新手段による数値の更新のために前記第３の数値更新手段から数値を抽出するタイミングから、前記第２の数値更新手段による数値の更新のために前記第３の数値更新手段から数値を抽出するまでの期間に、不定期な遅延時間を挿入する遅延時間挿入手段と、
前記第３の数値更新手段から抽出した数値を所定の基準値ずつ前記基準値よりも小さくなるまで繰り返して減算する減算手段とをさらに備え、
前記第１の数値更新手段は、前記第３の数値更新手段から抽出した数値に対して前記減算手段による減算を行わせると共に、前記減算の結果として求められた数値を更新値として用いて数値を更新し、
前記遅延時間挿入手段は、前記第１の数値更新手段による数値の更新のために前記第３の数値更新手段から抽出した数値に対して前記減算手段による減算結果が得られるまでに要した時間を、前記不定期な遅延時間として挿入する
ことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記第２の数値更新手段は、前記第１の数値更新手段が実行するのと共通のプログラムを実行して、前記第３の数値更新手段から抽出した数値により数値を更新する
ことを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点にかかる遊技機は、
予め定められた第１範囲内で数値（先に更新される乱数）を更新する第１の数値更新手段（ＲＡＭ１１２、ステップＳ１０５〜Ｓ１０７）と、
予め定められた第２範囲内で数値（後に更新される乱数）を更新する第２の数値更新手段（ＲＡＭ１１２、ステップＳ１０５〜Ｓ１０７）と、
前記第１、第２の数値更新手段が数値を更新する時間間隔よりも短い時間間隔で数値を更新する第３の数値更新手段（ＣＰＵ１１１のリフレッシュレジスタ）とを備え、
前記第１の数値更新手段から抽出された数値と前記第２の数値更新手段から抽出された数値とは、遊技の進行または演出の実行のために行われる複数種類の抽選のうちの互いに異なる抽選の処理に用いられ、
前記第１、第２の数値更新手段はそれぞれ、前記第３の数値更新手段から抽出された数値に対応した更新値を用いて数値を更新し（ステップＳ１０５〜Ｓ１０７）、
前記第１の数値更新手段による数値の更新のために前記第３の数値更新手段から数値を抽出するタイミングから、前記第２の数値更新手段による数値の更新のために前記第３の数値更新手段から数値を抽出するまでの期間に、不定期な遅延時間を挿入する遅延時間挿入手段（ステップＳ１０３、Ｓ１０４）と、
前記第３の数値更新手段から抽出した数値を所定の基準値ずつ前記基準値よりも小さくなるまで繰り返して減算する減算手段（ステップＳ１０３、Ｓ１０４）とをさらに備え、
前記第１の数値更新手段は、前記第３の数値更新手段から抽出した数値に対して前記減算手段による減算を行わせると共に、前記減算の結果として求められた数値を更新値として用いて数値を更新し、
前記遅延時間挿入手段は、前記第１の数値更新手段による数値の更新のために前記第３の数値更新手段から抽出した数値に対して前記減算手段による減算結果が得られるまでに要した時間を、前記不定期な遅延時間として挿入する
ことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記遊技機では、遅延時間挿入手段による不定期な遅延時間の挿入によって、第１の数値更新手段が用いる更新値と第２の数値更新手段が用いる更新値とに規則性が発生しないこととなる。これにより、第１、第２の数値更新手段による数値の更新が同期するのを防ぐことができる。また、第１〜第３の数値更新手段に加えて、さらに別の数値更新手段を用いることなく、不定期な遅延時間を挿入することができるようになるとともに、減算手段による減算回数が不定となるので、減算回数に応じて不定期な遅延時間を容易に挿入することができる。また、第１の数値更新手段が減算手段の減算結果を更新値として用いて数値を更新することで、１回当たりで数値が更新される範囲を限ることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記遊技機において、
前記第２の数値更新手段は、前記第１の数値更新手段が実行するのと共通のプログラムを実行して、前記第３の数値更新手段から抽出した数値により数値を更新するものとすることができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
請求項１の発明によれば、遅延時間挿入手段による不定期な遅延時間の挿入によって、第１の数値更新手段が用いる更新値と第２の数値更新手段が用いる更新値とに規則性が発生しないこととなるので、第１、第２の数値更新手段による数値の更新が同期するのを防ぐことができる。また、第１〜第３の数値更新手段に加えて、さらに別の数値更新手段を用いることなく、不定期な遅延時間を挿入することができるようになるとともに、減算手段による減算回数が不定となるので、減算回数に応じて不定期な遅延時間を容易に挿入することができる。また、第１の数値更新手段が減算手段の減算結果を更新値として用いて数値を更新することで、１回当たりで数値が更新される範囲を限ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月4日(2010.1.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理流体から汚染物質を除去してそれを浄化する流体浄化装置であって、被処理流体中の汚染物質を分解可能な光触媒及びこの光触媒を励起するための励起光源を有する光触媒ユニットと、被処理流体中の汚染物質を吸着し得る吸着剤フィルタユニットとを含み、被処理流体の流動方向に対し光触媒ユニットを吸着剤フィルタユニットの上流側に配置し、且つ更に、被処理流体を光触媒ユニット又は吸着剤ユニットへ選択的に導入する切り換え手段を含むとともに、当該流体浄化装置の上流側への循環経路を含むことを特徴とする流体浄化装置。
【請求項２】
前記被処理流体が前記光触媒ユニットでの光触媒作用による除去に適した汚染物質を含むとき、当該被処理流体を前記光触媒ユニットに導入し、前記被処理流体が前記吸着剤ユニットでの吸着による除去に適した汚染物質を含むとき、当該被処理流体を吸着剤フィルタユニットに導入する、請求項１記載の流体浄化装置。
【請求項３】
前記被処理流体が前記光触媒ユニットでの光触媒作用による除去に適した汚染物質を含むとき、前記光触媒ユニットで処理したガスに前記吸着剤ユニットをバイパスさせる、請求項２記載の流体浄化装置。
【請求項４】
前記被処理流体中の汚染物質の濃度が低いときはそれを選択的に前記光触媒ユニットで浄化し、前記被処理流体中の汚染物質の濃度が中レベルのときはそれを選択的に前記吸着剤フィルタユニットで浄化し、前記被処理流体中の汚染物質の濃度が高いときは前記光触媒ユニットと前記吸着剤フィルタユニットの両方でそれを浄化する、請求項１記載の流体浄化装置。
【請求項５】
浄化した流体中に前記汚染物質が検出された場合において、前記被処理流体を選択的に前記光触媒ユニットで浄化していたときは前記吸着剤フィルタユニットでも当該被処理流体を浄化するよう当該流体浄化装置の運転を切り換え、前記被処理流体を選択的に前記吸着剤フィルタユニットで浄化していたときは前記光触媒ユニットでも当該被処理ガスを浄化するよう当該流体浄化装置の運転を切り換え、前記光触媒ユニットと前記吸着剤フィルタユニットの両方で前記被処理流体を浄化していたときは当該流体を循環させて当該流体浄化装置において再度浄化処理する、請求項４記載の流体浄化装置。
【請求項６】
当該流体浄化装置で除去しようとする汚染物質が１種類であり、前記被処理流体中の当該汚染物質の濃度が高いときは前記光触媒ユニットと前記吸着剤フィルタユニットの両方で当該被処理流体を浄化し、当該汚染物質の濃度が低いときは前記光触媒ユニットと前記吸着剤フィルタユニットのどちらか一方で当該被処理流体を浄化する、請求項１記載の流体浄化装置。
【請求項７】
前記光触媒ユニットと前記吸着剤フィルタユニットの両方で浄化を行っていた場合において、前記浄化を受けた被処理流体中に前記汚染物質が検出されたとき、当該被処理流体を循環させる、請求項６記載の流体浄化装置。
【請求項８】
前記光触媒ユニットと前記吸着剤フィルタユニットのどちらか一方で浄化を行っていた場合において、当該浄化を受けた被処理流体中に前記汚染物質が検出されたとき、当該被処理流体を循環させるか、浄化を行っていなかった方のユニットも浄化に使用するか、あるいは当該被処理流体を循環させて且つ浄化を行っていなかった方のユニットも浄化に使用する、請求項６記載の流体浄化装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月9日(2009.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体中のミクロ粒子を検出するための装置であって、ミクロ粒子は電磁照射に曝されると蛍光性の光を放射する蛍光物質で標識付けされる、そのような装置であって、
実質的に一定の壁の厚さ及び実質的に一定の内部断面領域を有する毛管チューブと、
前記ミクロ粒子を含む流体を、前記毛管チューブを介して流すことが可能な、前記毛管チューブに連結された流体送出システムと、
前記毛管チューブの試験容積部を定義し、該試験容積部において前記蛍光物質を電磁照射にさらすために前記毛管チューブを介して電磁波照射のビームを放出する電磁照射のソースであって、ミクロ粒子を含む前記流体が使用時に前記毛管チューブの前記試験容積部を満たす電磁照射のソースと、
前記ミクロ粒子が前記試験容積部を通って流れるときに前記蛍光物質から発光する蛍光性の光を計測するように構成されている検出機器と備えている装置。
【請求項２】
前記毛管チューブが、前記ミクロ粒子を一度に実質的に１つ収容するように構成された内部断面領域を有する請求項１に記載の装置。
【請求項３】
毛管の内部断面領域の大きさに対するミクロ粒子の直径の比率は、約０．００７から約０．０３である請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記ミクロ粒子が、微生物を含んでいる請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記ミクロ粒子が、細菌、ウイルス又は寄生虫のいずれかである請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記ミクロ粒子が、ＣＤ４細胞を含んでいる請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記ミクロ粒子が、蛍光球体を含んでいる請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記蛍光物質が染色接合抗体を含んでいる請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記蛍光物質がＤＮＡ着色剤を含んでいる請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記流体送出システムが、注入器ポンプに連結された注入器を含んでいる請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記流体送出システムが、ぜん動式のポンプである請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記電磁照射のソースが少なくとも１個のレーザーを含んでいる請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記検出機器が、検出器のアレーを含んでいる請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
蛍光物質の標識を付けられたミクロ粒子を検出するための方法であって、
毛管チューブにおいて前記ミクロ粒子を含む流体を選択された箇所まで実質的に一定の速度で移送する段階であって、前記ミクロ粒子を含む前記流体が前記選択された箇所で前記毛管チューブを満たしており、前記毛管チューブは実質的に一定の壁の厚さ及び実質的に一定の内部断面領域を有している、前記移送する段階と、
前記選択された箇所において前記ミクロ粒子に対して標識付けされた蛍光物質を照射する段階と、
前記選択された箇所で前記蛍光物質から発光される蛍光性の光を測定する段階とを含むことを特徴とする方法。
【請求項１５】
前記ミクロ粒子は、実質的に一度に１つが前記毛管チューブの前記選択された箇所に移送される請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記ミクロ粒子が、微生物を含んでいる請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記蛍光物質は、色接合抗体を含んでいる請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月23日(2010.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
転写単位を含む宿主細胞から分泌されたサブウイルス粒子であって、該転写単位は、第一のフラビウイルスの構造蛋白質のシグナル配列および免疫原性フラビウイルス抗原をコードし、該抗原は、Ｍ蛋白質およびＥ蛋白質を含み、そして該抗原は第二のフラビウイルスの抗原であるかまたは該抗原は１より多くのフラビウイルスからのアミノ酸配列を含むキメラ抗原であり、そしてここで該転写単位は該抗原の合成を指示する、サブウイルス粒子。
【請求項２】
前記第一のフラビウイルスが日本脳炎ウイルスである、請求項１記載のサブウイルス粒子。
【請求項３】
前記シグナル配列が配列番号：１４または配列番号：２７を含む、請求項１記載のサブウイルス粒子。
【請求項４】
前記免疫原性フラビウイルス抗原が第二のフラビウイルスの抗原である、請求項１〜３のいずれか１項記載のサブウイルス粒子。
【請求項５】
前記第二のフラビウイルスが、黄熱病ウイルス、デング血清型１型ウイルス、デング血清型２型ウイルス、デング血清型３型ウイルス、デング血清型４型ウイルス、セントルイス脳炎ウイルス、ポワッサンウイルスおよび西ナイルウイルスからなる群より選択される、請求項４記載のサブウイルス粒子。
【請求項６】
前記免疫原性フラビウイルス抗原がキメラ抗原である、請求項１〜３のいずれか１項記載のサブウイルス粒子。
【請求項７】
前記キメラ抗原が前記第一のフラビウイルスおよび第二のフラビウイルスからのアミノ酸配列を含む、請求項６記載のサブウイルス粒子。
【請求項８】
前記第二のフラビウイルスが、黄熱病ウイルス、デング血清型１型ウイルス、デング血清型２型ウイルス、デング血清型３型ウイルス、デング血清型４型ウイルス、セントルイス脳炎ウイルス、ポワッサンウイルスおよび西ナイルウイルスからなる群より選択される、請求項７記載のサブウイルス粒子。
【請求項９】
前記免疫原性フラビウイルス抗原がキメラＥ蛋白質を含む、請求項７または請求項８記載のサブウイルス粒子。
【請求項１０】
前記免疫原性フラビウイルス抗原が、前記第二のフラビウイルス由来のＭ蛋白質と、日本脳炎ウイルスおよび前記第二のフラビウイルス由来のアミノ酸を含むキメラＥ蛋白質とを含む、請求項９記載のサブウイルス粒子。
【請求項１１】
前記キメラＥ蛋白質が、日本脳炎ウイルス由来のカルボキシ末端部分を含み、ここで該カルボキシ末端部分は、該キメラＥ蛋白質の約５％、１０％、１５％、２０％、２５％、３０％、４０％、５０％または７５％である、請求項１０記載のサブウイルス粒子。
【請求項１２】
前記カルボキシ末端部分は前記キメラＥ蛋白質の約１０％である、請求項１１記載のサブウイルス粒子。
【請求項１３】
前記カルボキシ末端部分は前記キメラＥ蛋白質の約２０％である、請求項１１記載のサブウイルス粒子。
【請求項１４】
前記第二のフラビウイルスはデングウイルスである、請求項７〜１３のいずれかに記載のサブウイルス粒子。
【請求項１５】
前記第二のフラビウイルスはセントルイス脳炎ウイルスである、請求項７〜１３のいずれかに記載のサブウイルス粒子。
【請求項１６】
前記転写単位は、前記抗原の合成を機能的に制御するように適当に配置された制御配列を含む、請求項１〜１５のいずれか記載のサブウイルス粒子。
【請求項１７】
前記転写単位によってコードされる前記抗原を含むポリペプチドについての翻訳開始部位に配置されたコザックコンセンサス配列を含む、請求項１〜１６のいずれか記載のサブウイルス粒子。
【請求項１８】
前記転写単位はポリ−Ａターミネーターを含む、請求項１〜１７のいずれか記載のサブウイルス粒子。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれか記載のサブウイルス粒子および薬学的に許容される担体を含む、組成物。
【請求項２０】
フラビウイルスによる感染症に対して被験者を免疫する医薬の製造における、請求項１９記載の組成物の使用。
【請求項２１】
フラビウイルスによる感染症に対して被験者を免疫するための組成物であって、請求項１〜１８のいずれか記載のサブウイルス粒子および薬学的に許容される担体を含む、組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】配列表
【補正方法】変更
【補正の内容】
【配列表】
2010017185000001.app
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月10日(2010.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンタクトホールパターンと当該コンタクトホールパターンよりも寸法の小さな補助ホールパターンとが配列されたマスクを光で照明し当該マスクを経た光を被露光体に投影光学系を介して投影する露光方法に用いられる前記マスクの製造方法であって、
前記補助ホールパターンの配置を、前記コンタクトホールパターンの周期と前記光の波長と前記投影光学系の開口数とに基づいて、通常の配置とずれた配置とから選択する選択ステップと、
前記選択ステップで選択された前記補助ホールパターンの配置になるように、前記コンタクトホールパターン及び前記補助ホールパターンを前記マスクに形成する形成ステップと、を有し、
前記通常の配置は、前記コンタクトホールパターンのうち所定のコンタクトホールから周期方向に対して垂直方向に伸ばした線と、前記補助ホールパターンのうち前記所定のコンタクトホールに最も近い所定の補助ホールと当該所定のコンタクトホールとを結ぶ線と、のなす角度が０度になる配置であり、
前記ずれた配置は、前記角度が０度より大きくかつ４５度より小さくなる配置であることを特徴とする製造方法。
【請求項２】
前記選択ステップでは、前記コンタクトホールパターンの半周期を以下の式で表されるｋ１で換算した場合に、当該ｋ１換算値に基づいて、
前記補助ホールパターンの配置を、前記通常の配置と前記ずれた配置とから選択することを特徴とする請求項１記載の製造方法。
ｋ１＝ＨＰ（ＮＡ／λ）
但し、ＨＰ：前記コンタクトホールパターンの半周期  λ：前記光の波長  ＮＡ：前記投影光学系の開口数
【請求項３】
前記選択ステップでは、前記ｋ１換算値が０．２５乃至０．３２の場合に、前記通常の配置を選択することを特徴とする請求項２記載の製造方法。
【請求項４】
前記選択ステップでは、前記ｋ１換算値が０．３５乃至０．３８の場合に、前記ずれた配置を選択することを特徴とする請求項２記載の製造方法。
【請求項５】
コンタクトホールパターンと当該コンタクトホールパターンよりも寸法の小さな補助ホールパターンとが配列されたマスクを光で照明し当該マスクを経た光を被露光体に投影光学系を介して投影する露光方法に用いられる前記マスクの設計方法であって、
前記補助ホールパターンの配置を、前記コンタクトホールパターンの周期と前記光の波長と前記投影光学系の開口数とに基づいて、通常の配置とずれた配置とから選択する選択ステップを有し、
前記通常の配置は、前記コンタクトホールパターンのうち所定のコンタクトホールから周期方向に対して垂直方向に伸ばした線と、前記補助ホールパターンのうち前記所定のコンタクトホールに最も近い所定の補助ホールと当該所定のコンタクトホールとを結ぶ線と、のなす角度が０度になる配置であり、
前記ずれた配置は、前記角度が０度より大きくかつ４５度より小さくなる配置であることを特徴とする設計方法。
【請求項６】
請求項５記載の設計方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項７】
コンタクトホールパターンが解像され、且つ、補助ホールパターンの解像が抑制されるように請求項１乃至４のいずれか一項に記載の製造方法で製造したマスクを照明して前記マスクを経た光を被露光体に投影光学系を介して投影することによって、前記被露光体を露光することを特徴とする露光方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の一側面としての製造方法は、コンタクトホールパターンと当該コンタクトホールパターンよりも寸法の小さな補助ホールパターンとが配列されたマスクを光で照明し当該マスクを経た光を被露光体に投影光学系を介して投影する露光方法に用いられる前記マスクの製造方法であって、前記補助ホールパターンの配置を、前記コンタクトホールパターンの周期と前記光の波長と前記投影光学系の開口数とに基づいて、通常の配置とずれた配置とから選択する選択ステップと、前記選択ステップで選択された前記補助ホールパターンの配置になるように、前記コンタクトホールパターン及び前記補助ホールパターンを前記マスクに形成する形成ステップと、を有し、前記通常の配置は、前記コンタクトホールパターンのうち所定のコンタクトホールから周期方向に対して垂直方向に伸ばした線と、前記補助ホールパターンのうち前記所定のコンタクトホールに最も近い所定の補助ホールと当該所定のコンタクトホールとを結ぶ線と、のなす角度が０度になる配置であり、前記ずれた配置は、前記角度が０度より大きくかつ４５度より小さくなる配置であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の別の側面としての設計方法は、コンタクトホールパターンと当該コンタクトホールパターンよりも寸法の小さな補助ホールパターンとが配列されたマスクを光で照明し当該マスクを経た光を被露光体に投影光学系を介して投影する露光方法に用いられる前記マスクの設計方法であって、前記補助ホールパターンの配置を、前記コンタクトホールパターンの周期と前記光の波長と前記投影光学系の開口数とに基づいて、通常の配置とずれた配置とから選択する選択ステップを有し、前記通常の配置は、前記コンタクトホールパターンのうち所定のコンタクトホールから周期方向に対して垂直方向に伸ばした線と、前記補助ホールパターンのうち前記所定のコンタクトホールに最も近い所定の補助ホールと当該所定のコンタクトホールとを結ぶ線と、のなす角度が０度になる配置であり、前記ずれた配置は、前記角度が０度より大きくかつ４５度より小さくなる配置であることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の別の側面としてのプログラムは、上記設計方法をコンピュータに実行させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月28日(2009.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信基地局での使用に適したＲＦ信号を広いレンジの電力にわたって増幅する高電力ＲＦ電力増幅器であって、
ａ）第１レンジの電力にわたって前記ＲＦ信号を増幅し、前記広いレンジの電力の最大値よりも下の電力飽和レベルを持つ、ラテラルＤＭＯＳトランジスタを備えるメイン増幅器、
ｂ）前記メイン増幅器に並列に接続された複数の補助増幅器であって、前記補助増幅器のそれぞれは、前記メイン増幅器が飽和に近づいた後、増幅された出力信号を順番に提供するようバイアスされる、ラテラルＤＭＯＳトランジスタを備える補助増幅器、
ｃ）入力信号を分配し、前記分配された入力信号を前記メイン増幅器および前記複数の補助増幅器に供給する、前記メイン増幅器の前記入力に接続された１／４波長トランスを含む信号スプリッタ、および
ｄ）前記メイン増幅器および前記複数の補助増幅器からの増幅された出力信号群を受け取り、結合する出力であって、該出力は、前記メイン増幅器の前記出力に接続され、１／４波長トランスを通してそれぞれの補助増幅器の前記出力に接続された抵抗性負荷を含む、前記出力
を備え、
前記メイン増幅器は、オフセットマイクロストリップ位相長を通じて前記出力に接続されるＲＦ電力増幅器。
【請求項２】
請求項１に記載のＲＦ電力増幅器であって、それぞれの補助増幅器は、効率的な電力増幅を６ｄＢ拡張するＲＦ電力増幅器。
【請求項３】
請求項２に記載のＲＦ電力増幅器であって、前記複数の補助増幅器は、３つのピーク増幅器であり、前記拡張された効率的な電力増幅は約１８ｄＢであるＲＦ電力増幅器。
【請求項４】
請求項３に記載のＲＦ電力増幅器であって、前記信号スプリッタは、前記メイン増幅器の前記入力に接続された１／４波長トランスを含み、前記出力は、前記メイン増幅器の前記出力に接続され、１／４波長トランスを通してそれぞれの補助増幅器の前記出力に接続された抵抗性負荷を含むＲＦ電力増幅器。
【請求項５】
ＲＦ信号を広いレンジの電力にわたって増幅するＲＦ電力増幅器であって、
ａ）第１レンジの電力にわたって前記ＲＦ信号を増幅し、前記広いレンジの電力の最大値よりも下の電力飽和レベルを持つメイン増幅器、
ｂ）前記メイン増幅器に並列に接続された複数の補助増幅器であって、前記補助増幅器のそれぞれは、前記メイン増幅器が飽和に近づいた後、増幅された出力信号を順番に提供するようバイアスされる、補助増幅器であって、前記複数の補助増幅器は３つのピーク増幅器であり、前記拡張された効率的な電力増幅は約１８ｄＢであり、前記メイン増幅器および補助増幅器のそれぞれはラテラルＤＭＯＳトランジスタを備える、前記補助増幅器と、
ｃ）入力信号を分配し、前記分配された入力信号を前記メイン増幅器および前記複数の補助増幅器に供給する、前記メイン増幅器の前記入力に接続された１／４波長トランスを含む信号スプリッタ、および
ｄ）前記メイン増幅器および前記複数の補助増幅器からの増幅された出力信号群を受け取り、結合する出力であり、該出力は、前記メイン増幅器の前記出力に接続されたＲ／２の抵抗性負荷を含み、それぞれの補助増幅器はインピーダンスＲの１／４波長伝送線路を通して前記負荷に接続される、前記出力
を備え、
前記メイン増幅器は、オフセットマイクロストリップ位相長を通じて前記出力に接続されるＲＦ電力増幅器。
【請求項６】
請求項５に記載のＲＦ電力増幅器であって、飽和未満では、前記メイン増幅器は２Ｒの負荷に電流を供給し、それによって電流は、増幅器が飽和するときの最大電力電流の半分であるＲＦ電力増幅器。
【請求項７】
ＲＦ信号を広いレンジの電力にわたって増幅するＲＦ電力増幅器であって、
ａ）第１レンジの電力にわたって前記ＲＦ信号を増幅し、前記広いレンジの電力の最大値よりも下の電力飽和レベルを持つメイン増幅器、
ｂ）前記メイン増幅器に並列に接続された複数の補助増幅器であって、前記補助増幅器のそれぞれは、前記メイン増幅器が飽和に近づいた後、増幅された出力信号を順番に提供するようバイアスされる、補助増幅器、
ｃ）入力信号を分配し、前記分配された入力信号を前記メイン増幅器および前記複数の補助増幅器に供給する信号スプリッタ、および
ｄ）前記メイン増幅器および前記複数の補助増幅器からの増幅された出力信号群を受け取り、結合する出力であって、該出力は、前記メイン増幅器の前記出力に接続されたＲ／２の抵抗性負荷を含み、それぞれの補助増幅器はインピーダンスＲの１／４波長伝送線路を通して前記負荷に接続される、前記出力
を備え、
前記メイン増幅器は、オフセットマイクロストリップ位相長を通じて前記出力に接続されるＲＦ電力増幅器。
【請求項８】
請求項７に記載のＲＦ電力増幅器であって、飽和未満では、前記メイン増幅器は２Ｒの負荷に電流を供給し、それによって電流は、増幅器が飽和するときの最大電力電流の半分であるＲＦ電力増幅器。
【請求項９】
前記信号スプリッタは前記補助増幅器の各々に直接的に接続されており、前記補助増幅器の各々によって増幅される信号は前記入力信号と同相である請求項１、５、又は７に記載のＲＦ電力増幅器。
【請求項１０】
前記メイン増幅器と前記オフセットマイクロストリップ位相長の間に出力整合回路を更に備える請求項１、５、又は７に記載のＲＦ電力増幅器。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月18日(2010.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の屈折率を有する第１の層と、前記第１の屈折率よりも小さい第２の屈折率を有する第２の層と、前記第２の屈折率よりも大きい第３の屈折率を有する第３の層と、前記第３の屈折率よりも小さい第４の屈折率を有する第４の層と、が、この順序に積層された第１のミラーと、
第５の屈折率を有する第５の層と、前記第５の屈折率よりも小さい第６の屈折率を有する第６の層と、前記第６の屈折率よりも大きい第７の屈折率を有する第７の層と、前記第７の屈折率よりも小さい第８の屈折率を有する第８の層と、が、この順序に積層された第２のミラーと、
前記第１のミラーと前記第２のミラーとの間に位置する活性層と、を含み、
下記式（１）、下記式（２）を満たす、面発光型半導体レーザ。
ｄＤ ＜ λ／２ｎＤ      ・・・（１）
ｄＡ ＞ ｍλ／２ｎＡ      ・・・（２）
但し、
λは、前記面発光型半導体レーザの設計波長であり、
ｍは、正の整数であり、
ｄＤは、前記層において、互いに接する２層の合計厚さであり、
ｎＤは、前記層において、互いに接する２層の平均屈折率であり、
ｄＡは、前記活性層の厚さであり、
ｎＡは、前記活性層の平均屈折率である。
【請求項２】
請求項１において、
前記式（１）は、複数の前記互いに接する２層のうちの少なくとも１つに対して満たされる、面発光型半導体レーザ。
【請求項３】
請求項２において、
前記式（１）は、複数の前記互いに接する２層のうちの全てに対して満たされる、面発光型半導体レーザ。
【請求項４】
請求項２において、
前記式（１）を満たしていない前記互いに接する２層は、下記式（３）を満たす、面発光型半導体レーザ。
ｄＤ ＝ λ／２ｎＤ      ・・・（３）
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記第１の屈折率、前記第３の屈折率、前記第５の屈折率及び前記第７の屈折率は同じ
屈折率であり、
前記第２の屈折率、前記第４の屈折率、前記第６の屈折率及び前記第８の屈折率は同じ屈折率である、面発光型半導体レーザ。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかにおいて、
前記第１のミラーを支持する基板を含み、
前記基板、前記第１のミラー、前記活性層、前記第２のミラーの順に積層されている、面発光型半導体レーザ。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかにおいて、
下記式（４）を満たす、面発光型半導体レーザ。
ｄＨ＋ｄＬ ＜ λ／４ｎＬ＋λ／４ｎＨ      ・・・（４）
但し、
ｄＨは、前記互いに接する２層のうち屈折率の大きい層の厚さであり、
ｄＬは、前記互いに接する２層のうち屈折率の小さい層の厚さであり、
ｎＨは、前記互いに接する２層のうち屈折率の大きい層の屈折率であり、
ｎＬは、前記互いに接する２層のうち屈折率の小さい層の屈折率である。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかにおいて、
前記第１のミラーおよび前記第２のミラーは、分布ブラッグ反射型（ＤＢＲ）ミラーである、面発光型半導体レーザ。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかにおいて、
前記活性層において共振する光のうち、
低次の共振モード成分は、レーザ発振に至り、
高次の共振モード成分は、レーザ発振に至らない、面発光型半導体レーザ。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかにおいて、
前記活性層において共振する光のうち、
低次の共振モード成分のエネルギー増幅率は正であり、
高次の共振モード成分のエネルギー増幅率は負である、面発光型半導体レーザ。
【請求項１１】
請求項９または１０において、
前記低次の共振モード成分は、０次の共振モード成分であり、
前記高次の共振モード成分は、１次以上の共振モード成分である、面発光型半導体レーザ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月17日(2010.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面、前記表面に形成された表面側電極パッド、前記表面側電極パッドに形成されたメッキ膜、前記表面とは反対側の裏面、および前記裏面に形成された裏面側電極パッドを有する配線基板と、
主面、および前記主面に形成されたボンディングパッドを有し、前記配線基板の前記表面上に搭載された半導体チップと、
前記半導体チップの前記ボンディングパッドと、前記配線基板の前記表面側電極パッドとを電気的に接続する導電性部材と、
を含み、
前記配線基板は、前記表面と前記裏面との間に位置し、かつ平面視において最も周縁部側に位置し、かつ樹脂で覆われない第１側面と、平面視において前記第１側面よりも内側に位置し、かつ前記樹脂で覆われた第２側面と、前記表面側電極パッドと電気的に接続され、かつ前記第２側面に向かって延在する電解メッキ用の配線とを有し、
前記配線基板の前記第２側面から露出する前記電解メッキ用の配線の端部は、前記樹脂で覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記電解メッキ用の配線は、前記表面側電極パッドと一体に形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記配線基板は、複数の配線層を有し、
前記電解メッキ用の配線および前記表面側電極パッドは、前記配線基板の前記表面に貼り付けたＣｕ箔をエッチングすることによって形成されたものであり、
前記電解メッキ用の配線および前記表面側電極パッドは、前記複数の配線層のうちの最上層の配線層の一部であることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記メッキ膜は、Ａｕメッキ膜を含むことを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１側面は、前記配線基板を切断することによって形成された切断面であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明による半導体装置は、
表面、前記表面に形成された表面側電極パッド、前記表面側電極パッドに形成されたメッキ膜、前記表面とは反対側の裏面、および前記裏面に形成された裏面側電極パッドを有する配線基板と、
主面、および前記主面に形成されたボンディングパッドを有し、前記配線基板の前記表面上に搭載された半導体チップと、
前記半導体チップの前記ボンディングパッドと、前記配線基板の前記表面側電極パッドとを電気的に接続する導電性部材と、
を含み、
前記配線基板は、前記表面と前記裏面との間に位置し、かつ平面視において最も周縁部側に位置し、かつ樹脂で覆われない第１側面と、平面視において前記第１側面よりも内側に位置し、かつ前記樹脂で覆われた第２側面と、前記表面側電極パッドと電気的に接続され、かつ前記第２側面に向かって延在する電解メッキ用の配線とを有し、
前記配線基板の前記第２側面から露出する前記電解メッキ用の配線の端部は、前記樹脂で覆われている。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月24日(2010.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
押し出し材により作られる放熱器を兼ねた照明箱体にLED照明光源を構成させることによりユニット化したLED照明ユニットの押し出し方向に、対応する他の前記LED照明ユニットを、次々に接続を行うことにより、独立した1つの照明器具を構成することを特徴とするLED照明器具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
押し出し材により作られる放熱器を兼ねた照明箱体にLED照明光源を構成させることによりユニット化したLED照明ユニットの前記押し出し方向及び、前記押し出し方向に対して並列方向に前記LED照明ユニット同士を次々と接続することにより1つの独立したLED照明器具を構成することを特徴とするLED照明器具
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記請求項1及び2のLED照明器具において、LED照明ユニット同士を接続する接続体との接続体用ガイドが押し出し材により作られる放熱器を兼ねた照明箱体に形成されていることを特徴とするLED照明器具
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月29日(2010.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
Ｃ．実施例３：
図１３は、第３実施例における無線ＬＡＮ中継装置が用いられたネットワークの概略構成を示す説明図である。第３実施例におけるネットワーク１０００ａは、ネットワーク１１００と、サブネットワーク１２００とを含んだネットワークである。ネットワーク１１００は、基地局１０と、中継装置２０〜６０と、端末装置とで構成される。ネットワーク１１００は、中継装置６０を備えている点を除いては、第１実施例のネットワーク１０００（図１）と同じである。この中継装置６０は、リピータと呼ばれ、有線で接続する端末装置と、無線で接続する端末装置とを接続することができる。無線で接続する端末装置（例えば、端末装置６１）については、接続方法が異なる（有線／無線）のみであって、第１実施例の端末装置と同様に扱うことが可能である。中継装置６０には、他の中継装置を接続することができる。この中継装置に接続されている中継装置を「子中継装置」とも呼ぶ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
サブネットワーク１２００は、中継装置６０と、子中継装置１２０〜１６０と、端末装置とで構成される。サブネットワーク１２００では、中継装置６０は、基地局１１０として機能する。子中継装置１２０〜１６０は、基地局１１０によって構築される無線ＬＡＮに属する。基地局１１０と子中継装置との間の通信は、インフラモード通信を用いる。子中継装置間での通信はＷＤＳモード通信を用いる。また、子中継装置には、端末装置を接続することも可能である。なお、図１３の各装置内に記載されている符号（ＡＰ１０、ＥＣ２０等）は、各装置のＭＡＣアドレスである。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月5日(2010.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホログラフィック記憶媒体に対して読出しを行う装置であって、３つ以上の集束した参照光と復元された物体光との同軸配列を有する、前記装置は、
中間像面において、前記復元された物体光の像を生成するフーリエ対物レンズと、
フーリエ面において、前記復元された物体光の前記像のフーリエ変換を生成する対物レンズと、
前記参照光を遮断し、前記復元された物体光を透過するために前記フーリエ面に設置されたアウトカップリングフィルタであって、前記集束した参照光の焦点が前記アウトカップリングフィルタの前記面における前記復元された物体光の周囲の円上に配列されている、前記アウトカップリングフィルタと
を含むことを特徴とする装置。
【請求項２】
ホログラフィック記憶媒体に対して書込みを行う装置であって、３つ以上の集束した参照光と物体光との同軸配列と、前記物体光に対し低域通過フィルタ処理を行うためにフーリエ面に設置されたインカップリングフィルタとを有し、前記集束した参照光の焦点が前記インカップリングフィルタの前記面における前記物体光の周囲の円上に配列されており、前記インカップリングフィルタは前記３つ以上の参照光の偏向の方向を回転させるように採用されていることを特徴とする装置。
【請求項３】
前記インカップリングフィルタが、前記物体光に低域通過フィルタ処理を施すための中心開口、および前記参照光のための孔を有する光線遮断体と、前記物体光のための中心開口を有する、前記３つ以上の参照光の偏向の方向を回転させるためのリング型の半波長板とを備えていることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】
入射した参照光から前記３つ以上の参照光を生成するための光線発生器を備えていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
前記光線発生器が、回折素子であることを特徴とする請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記ホログラフィック記憶媒体が、反射型の媒体であり、前記光線発生器が、半円錐状の参照光を生成することを特徴とする請求項４又は５に記載の装置。
【請求項７】
前記ホログラフィック記憶媒体が、透過型の媒体であり、前記光線発生器が、半円錐状の参照光を生成することを特徴とする請求項４又は５に記載の装置。
【請求項８】
中心光線および前記中心光線の周囲の円上に配列された３つ以上の光線のためのフィルタであって、前記フィルタは、
第３の直径の中心開口と、
前記中心開口の周囲に第１の直径の円上に配列された孔であって、前記中心開口は前記中心光線に対して低域通過フィルタである、前記孔と、
前記第３の直径よりも大きい第２の直径の中心開口を有するリング型の半波長板であって、前記３つ以上の光線に対して偏向回転素子である、前記リング型の半波長板と
を備えていることを特徴とするフィルタ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月21日(2010.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体側より順に、負屈折力の第１レンズ群と正屈折力の第２レンズ群とからなり、
広角端状態から望遠端状態への変倍に際して、前記第１レンズ群と前記第２レンズ群の間隔が狭まり、
前記第１レンズ群は、物体側より順に、負屈折力の第１レンズと正屈折力の第２レンズからなり、
前記第２レンズ群は、物体側より順に、正屈折力の第３レンズと、物体側に凸面を向けた負屈折力の第４レンズと、正屈折力の第５レンズの３枚からなり、これら３枚のレンズは互いに接合されずに配設され、
以下の条件を満足することを特徴とするズームレンズ。
−１．４８ ＜ （ｒ２＋ｒ１）／（ｒ２−ｒ１） ＜ −１．００
但し、
ｒ１： 前記第４レンズの物体側面の曲率半径
ｒ２： 前記第４レンズの像側面の曲率半径
【請求項２】
以下の条件を満足することを特徴とする請求項１に記載のズームレンズ。
−１．４８ ＜ （ｒ２＋ｒ１）／（ｒ２−ｒ１） ≦ −１．３５９
但し、
ｒ１： 前記第４レンズの物体側面の曲率半径
ｒ２： 前記第４レンズの像側面の曲率半径
【請求項３】
以下の条件を満足することを特徴とする請求項１または２に記載のズームレンズ。
０．２０ ＜ Ｓ１／ｆｔ ＜ ０．３２
但し、
Ｓ１：前記第１レンズ群のレンズ厚
ｆｔ：望遠端状態における前記ズームレンズの焦点距離
【請求項４】
以下の条件を満足することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のズームレンズ。
１．００ ＜ Ｆｗ × ｆｗ／ （−ｆ１） ＜ １．９０
但し、
Ｆｗ：広角端状態における前記ズームレンズのＦナンバー
ｆｗ：広角端状態における前記ズームレンズの焦点距離
ｆ１：前記第１レンズ群の焦点距離
【請求項５】
以下の条件を満足することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のズームレンズ。
０．２０ ＜ Ｓ２ ／ ｆｔ ＜ ０．３５
但し、
Ｓ２：前記第２レンズ群のレンズ厚
ｆｔ：望遠端状態における前記ズームレンズの焦点距離
【請求項６】
以下の条件を満足することを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載のズームレンズ。
２０ ＜ ν３−ν４ ＜ ３７
但し、
ν３：前記第３レンズのｄ線（波長λ＝587.6nm）に対するアッベ数
ν４：前記第４レンズのｄ線（波長λ＝587.6nm）に対するアッベ数
【請求項７】
前記第３レンズは、非球面を有することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載のズームレンズ。
【請求項８】
前記第３レンズの像側面は、非球面であることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載のズームレンズ。
【請求項９】
前記第１レンズの像側面は、非球面であることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載のズームレンズ。
【請求項１０】
前記第５レンズは、物体側に凹面を向けたメニスカスレンズであることを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載のズームレンズ。
【請求項１１】
前記第４レンズの屈折率は、１．８０より大きいことを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載のズームレンズ。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか１項に記載のズームレンズを有することを特徴とする光学機器。
【請求項１３】
物体側より順に、負屈折力の第１レンズ群と正屈折力の第２レンズ群とからなり、
前記第１レンズ群は、物体側より順に、負屈折力の第１レンズと正屈折力の第２レンズからなり、
前記第２レンズ群は、物体側より順に、正屈折力の第３レンズと、物体側に凸面を向けた負屈折力の第４レンズと、正屈折力の第５レンズの３枚からなり、これら３枚のレンズは互いに接合されずに配設され、以下の条件を満足するズームレンズの変倍方法であって、
前記第１レンズ群と前記第２レンズ群の間隔を狭めることにより広角端状態から望遠端状態への変倍を行うことを特徴とするズームレンズの変倍方法。
−１．４８ ＜ （ｒ２＋ｒ１）／（ｒ２−ｒ１） ＜ −１．００
但し、
ｒ１： 前記第４レンズの物体側面の曲率半径
ｒ２： 前記第４レンズの像側面の曲率半径
【請求項１４】
以下の条件を満足することを特徴とする請求項１３に記載のズームレンズ。
−１．４８ ＜ （ｒ２＋ｒ１）／（ｒ２−ｒ１） ≦ −１．３５９
但し、
ｒ１： 前記第４レンズの物体側面の曲率半径
ｒ２： 前記第４レンズの像側面の曲率半径
【請求項１５】
以下の条件を満足することを特徴とする請求項１３または１４に記載のズームレンズの変倍方法。
０．２０ ＜ Ｓ１／ｆｔ ＜ ０．３２
但し、
Ｓ１：前記第１レンズ群のレンズ厚
ｆｔ：望遠端状態における前記ズームレンズの焦点距離
【請求項１６】
以下の条件を満足することを特徴とする請求項１３から１５のいずれか１項に記載のズームレンズの変倍方法。
１．００ ＜ Ｆｗ × ｆｗ／ （−ｆ１） ＜ １．９０
但し、
Ｆｗ：広角端状態における前記ズームレンズのＦナンバー
ｆｗ：広角端状態における前記ズームレンズの焦点距離
ｆ１：前記第１レンズ群の焦点距離
【請求項１７】
以下の条件を満足することを特徴とする請求項１３から１６のいずれか１項に記載のズームレンズの変倍方法。
０．２０ ＜ Ｓ２ ／ ｆｔ ＜ ０．３５
但し、
Ｓ２：前記第２レンズ群のレンズ厚
ｆｔ：望遠端状態における前記ズームレンズの焦点距離
【請求項１８】
以下の条件を満足することを特徴とする請求項１３から１７のいずれか１項に記載のズームレンズの変倍方法。
２０ ＜ ν３−ν４ ＜ ３７
但し、
ν３：前記第３レンズのｄ線（波長λ＝587.6nm）に対するアッベ数
ν４：前記第４レンズのｄ線（波長λ＝587.6nm）に対するアッベ数
【請求項１９】
前記第３レンズは、非球面を有することを特徴とする請求項１３から１８のいずれか１項に記載のズームレンズの変倍方法。
【請求項２０】
前記第３レンズの像側面は、非球面であることを特徴とする請求項１３から１９のいずれか１項に記載のズームレンズの変倍方法。
【請求項２１】
前記第１レンズの像側面は、非球面であることを特徴とする請求項１３から２０のいずれか１項に記載のズームレンズの変倍方法。
【請求項２２】
前記第５レンズは、物体側に凹面を向けたメニスカスレンズであることを特徴とする請求項１３から２１のいずれか１項に記載のズームレンズの変倍方法。
【請求項２３】
前記第４レンズの屈折率は、１．８０より大きいことを特徴とする請求項１３から２２のいずれか１項に記載のズームレンズの変倍方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月3日(2009.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各オブジェクトの表示装置における表示部分と非表示部分とを判別する判別手段と、
前記各オブジェクトの表示部分に該当する画像データを、前記各オブジェクトの非表示部分に該当する画像データより優先させて形成する画像データ形成手段と、
前記画像データ形成手段により形成された画像データを、前記表示装置に表示させる表示制御手段とを有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記画像データ形成手段により形成された、表示部分に該当する画像データ及び非表示部分に該当する画像データを記録媒体に格納する格納手段を更に有し、
前記表示制御手段は、前記オブジェクトの表示位置が変化した場合、前記記録媒体に格納される画像データを用いて、前記オブジェクトの表示位置の変化後の画像表示を行なうことを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記画像データ形成手段の負荷が閾値を下回った場合に、前記画像データ形成手段による非表示部分に該当する画像データの形成処理を制御する制御手段を更に有することを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記画像データ形成手段は、複数設けられ、前記制御手段は、前記複数の画像データ形成手段のうち、前記閾値を下回る負荷の画像データ形成手段に対して、非表示部分に該当する画像データを形成するように制御することを特徴とする請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項５】
表示装置に表示させる複数のオブジェクトのうちの一つのオブジェクトと他のオブジェクトとの表示位置関係に基づいて、前記他のオブジェクトの非表示部分に該当する画像データの形成順序に係る優先順位を設定する優先順位設定手段を更に有し、
前記画像データ形成手段は、前記優先順位設定手段により設定された優先順位に従った順序で、前記他のオブジェクトの非表示部分に該当する画像データを形成することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記優先順位設定手段は、前記一つのオブジェクトに対して距離が近い非表示部分から順次、高い優先順位を付与していくことを特徴とする請求項５に記載の画像形成装置。
【請求項７】
画像形成装置による画像形成方法であって、
各オブジェクトの表示装置における表示部分と非表示部分とを判別する判別ステップと、
前記各オブジェクトの表示部分に該当する画像データを、前記各オブジェクトの非表示部分に該当する画像データより優先させて形成する画像データ形成ステップと、
前記画像データ形成ステップにより形成された画像データを、前記表示装置に表示させる表示制御ステップとを含むことを特徴とする画像形成方法。
【請求項８】
各オブジェクトの表示装置における表示部分と非表示部分とを判別する判別手順と、
前記各オブジェクトの表示部分に該当する画像データを、前記各オブジェクトの非表示部分に該当する画像データより優先させて形成する画像データ形成手順と、
前記画像データ形成手順により形成された画像データを、前記表示装置に表示させる表示制御手順とをコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の画像形成装置は、各オブジェクトの表示装置における表示部分と非表示部分とを判別する判別手段と、前記各オブジェクトの表示部分に該当する画像データを、前記各オブジェクトの非表示部分に該当する画像データより優先させて形成する画像データ形成手段と、前記画像データ形成手段により形成された画像データを、前記表示装置に表示させる表示制御手段とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
次に、ステップＳ７０３において、描画データ分割部１２０は、ステップＳ７０２で受け取った判別結果を基に、描画データを表示部分の描画データと非表示部分の描画データとに分割して、描画データバッファ１７０に格納する。描画データ分割部１２０は、描画データバッファ１７０へ描画データを格納した後、描画データバッファ１７０における表示部分の描画データの格納アドレスを描画制御部１００に伝達する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
続くステップＳ７１２においては、描画制御部１００は、時間計測部１０４及びデータ受信部１０２からの情報の受信を監視する。ここで、時間計測部１０４及びデータ受信部１０２から情報を受信した場合、描画制御部１００は、描画部１３０に処理を中断するための命令を発行する（ステップＳ７１３）。即ち、描画制御部１００は、情報、具体的には所定時間の経過又は新規データ（次の表示画面に係るデータ）入力に関する情報の受信に応じて、画像データの形成処理を中止する制御手段を構成する。描画部１３０は、描画制御部１００からの描画中断命令を受け取った場合、その時点で全ての描画データの描画処理が終了していなくとも処理を中断し、処理はステップＳ７００に戻る。そして、ここまでに説明した処理に従い、再度、描画データの描画、画像データの形成、表示画像データの形成及び画像表示装置１６０での表示画像データの表示のための処理を行う。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
また、ステップＳ７１４においては、描画制御部１００は、現在表示されているオブジェクトの表示位置が移動したか否かを監視する。オブジェクトの表示位置が移動していない場合、処理はステップＳ７１１に移行して、現在の表示状態を維持する。オブジェクトの表示位置が検知された場合、処理はステップＳ７０６に移行して、描画制御部１００は、表示画像形成部１４０に対し、表示画像データを形成するように指示を行う。