【手続補正書】
【提出日】平成22年9月2日(2010.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、断面形状が三角形である複数の凸部により前記基板と平行な平面が無いように充填された表面を有する半導体膜を形成し、
前記半導体膜の上方からレーザビームを照射して前記半導体膜を結晶化することにより、厚さが５０ｎｍ以下の結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に、複数の錐体状の凸部により前記基板と平行な平面が無いように充填された表面を有する半導体膜を形成し、
前記半導体膜の上方からレーザビームを照射して前記半導体膜を結晶化することにより、厚さが５０ｎｍ以下の結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に、複数の三角柱状の凸部により前記基板と平行な平面が無いように充填された表面を有する半導体膜を形成し、
前記半導体膜の上方からレーザビームを照射して前記半導体膜を結晶化することにより、厚さが５０ｎｍ以下の結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項において、
前記凸部の断面の三角形は、前記凸部の先端に対応する頂角が８０°以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板上に、断面形状が三角形である複数の凸部により前記基板と平行な平面が無いように充填された表面を有する絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜の表面に接して半導体膜を形成し、
前記半導体膜の上方からレーザビームを照射して前記半導体膜を結晶化することにより、厚さが５０ｎｍ以下の結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
基板上に、複数の錐体状の凸部により前記基板と平行な平面が無いように充填された表面を有する絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜の表面に接して半導体膜を形成し、
前記半導体膜の上方からレーザビームを照射して前記半導体膜を結晶化することにより、厚さが５０ｎｍ以下の結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
基板上に、複数の三角柱状の凸部により前記基板と平行な平面が無いように充填された表面を有する絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜の表面に接して半導体膜を形成し、
前記半導体膜の上方からレーザビームを照射して前記半導体膜を結晶化することにより、厚さが５０ｎｍ以下の結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項５乃至７のいずれか１項において、
前記凸部の断面の三角形は、前記凸部の先端に対応する頂角が１４０°以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
基板上に、半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に、断面形状が三角形である複数の凸部により前記基板と平行な平面が無いように充填された表面を有する光吸収膜を形成し、
前記光吸収膜の上方からレーザビームを照射して前記半導体膜を結晶化することにより、厚さが５０ｎｍ以下の結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
基板上に、半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に、複数の錐体状の凸部により前記基板と平行な平面が無いように充填された表面を有する光吸収膜を形成し、
前記光吸収膜の上方からレーザビームを照射して前記半導体膜を結晶化することにより、厚さが５０ｎｍ以下の結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
基板上に、半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に、複数の三角柱状の凸部により前記基板と平行な平面が無いように充填された表面を有する光吸収膜を形成し、
前記光吸収膜の上方からレーザビームを照射して前記半導体膜を結晶化することにより、厚さが５０ｎｍ以下の結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項９乃至１１のいずれか１項において、
前記光吸収膜の厚さは、前記レーザビームの波長以下、前記波長の１／３以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項９乃至１１のいずれか１項において、
前記光吸収膜の厚さは、６００ｎｍ以下１００ｎｍ以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項９乃至１３のいずれか１項において、
前記凸部の断面の三角形は、底辺の長さが前記レーザビームの波長以下、前記波長の１／３以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項９乃至１３のいずれか１項において、
前記凸部の断面の三角形は、底辺の長さが、６００ｎｍ以下１００ｎｍ以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項９乃至１５のいずれか１項において、前記光吸収膜は、金属膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項９乃至１６のいずれか１項において、
前記半導体膜上に、絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に光吸収膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
基板上に、半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に、断面形状が三角形である複数の凸部により前記基板と平行な平面が無いように充填された表面を有する反射防止膜を形成し、
前記反射防止膜の上方からレーザビームを照射して前記半導体膜を結晶化することにより、厚さが５０ｎｍ以下の結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
基板上に、半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に、複数の錐体状の凸部により前記基板と平行な平面が無いように充填された表面を有する反射防止膜を形成し、
前記反射防止膜の上方からレーザビームを照射して前記半導体膜を結晶化することにより、厚さが５０ｎｍ以下の結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
基板上に、半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に、複数の三角柱状の凸部により前記基板と平行な平面が無いように充填された表面を有する反射防止膜を形成し、
前記反射防止膜の上方からレーザビームを照射して前記半導体膜を結晶化することにより、厚さが５０ｎｍ以下の結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１８乃至２０のいずれか１項において、
前記反射防止膜の厚さは、前記レーザビームの波長以下、前記波長の１／３以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項１８乃至２０のいずれか１項において、
前記反射防止膜の厚さは、６００ｎｍ以下１００ｎｍ以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
請求項１８乃至２２のいずれか１項において、
前記凸部の断面の三角形は、底辺の長さが前記レーザビームの波長以下、前記波長の１／３以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】
請求項１８乃至２２のいずれか１項において、
前記凸部の断面の三角形は、底辺の長さが、６００ｎｍ以下１００ｎｍ以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２５】
請求項１乃至２４のいずれか１項において、
前記レーザビームは、連続発振レーザ、または疑似連続発振レーザから射出されたビームであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２６】
請求項１乃至２５のいずれか１項において、前記レーザビームの波長は、４００ｎｍ以上５６５ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。