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【手続補正書】
【提出日】平成22年3月9日(2010.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒトＣＤ２２に対する特異性を有する抗体分子であって、
重鎖として、可変ドメインが、ＣＤＲ−Ｈ１について配列番号１に示す配列、ＣＤＲ−Ｈ２について配列番号２に示す配列もしくは図６におけるｇＨ１の配列ＧＩＮＰＧＮＱＹＴＴＹＫＲＮＬＫＧ、およびＣＤＲ−Ｈ３について配列番号３に示す配列を含むものを含み、
軽鎖として、可変ドメインが、ＣＤＲ−Ｌ１について配列番号４に示す配列、ＣＤＲ−Ｌ２について配列番号５に示す配列およびＣＤＲ−Ｌ３について配列番号６に示す配列を含むものを含み、キメラ抗体分子またはＣＤＲ移植分子である、抗体分子。
【請求項２】
可変ドメインは、ヒトアクセプターフレームワーク領域を含む、請求項１の抗体分子。
【請求項３】
重鎖の可変ドメインのヒトアクセプターフレームワーク領域が配列番号２１および２２に基づき、配列番号８の１、２８、４８、７２および９７位の残基にそれぞれ対応する、Ｋａｂａｔによる番号付けで１、２８、４８、７１および９３位のドナー残基の１つまたは２つ以上を含む、請求項２の抗体分子。
【請求項４】
配列番号８の６８および／または７０位の残基にそれぞれ対応する、Ｋａｂａｔによる番号付けで６７と６９位のドナー残基をさらに含む、請求項３の抗体分子。
【請求項５】
軽鎖の可変ドメインのヒトアクセプターフレームワーク領域が、配列番号１７および１８に基づき、配列番号７の２、４、４２、４３、５０および６５位の残基にそれぞれ対応する、Ｋａｂａｔによる番号付けで２、４、３７、３８、４５および６０位のドナー残基１つまたは２つ以上を含む、請求項２〜４のいずれか１項の抗体分子。
【請求項６】
配列番号７の位置の残基に対応する、Ｋａｂａｔによる番号付けで３位のドナー残基をさらに含む、請求項５の抗体分子。
【請求項７】
請求項３または請求項４の重鎖と、請求項５または請求項６の軽鎖とを含む、ヒトＣＤ２２に対する特異性を有する抗体分子。
【請求項８】
軽鎖可変領域５／４４−ｇＬ１（配列番号１９）と重鎖可変領域５／４４−ｇＨ１（配列番号２３）とを含む、請求項１の抗体分子。
【請求項９】
それぞれ配列番号７と配列番号８に記載の軽鎖および重鎖可変ドメインの配列を含むキメラ抗体分子である、請求項１の抗体分子。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項の抗体分子の重鎖および／または軽鎖をコードするＤＮＡ。
【請求項１１】
請求項１０のＤＮＡを含むクローニングベクターまたは発現ベクター。
【請求項１２】
請求項１１のクローニングベクターまたは発現ベクターを含む宿主細胞。
【請求項１３】
治療で使用される、請求項１〜９のいずれか１項の抗体分子。
【請求項１４】
悪性リンパ腫を治療するのに使用される、請求項１〜９のいずれかの抗体分子。
【請求項１５】
悪性リンパ腫は非ホジキンリンパ腫である、請求項１４の抗体分子。
【請求項１６】
ＣＤ２２を発現する細胞により仲介される病態の治療のための、ヒトＣＤ２２に対する特異性を有する請求項１〜９のいずれか１項の抗体分子、または請求項１０のＤＮＡを含む医薬組成物。
【請求項１７】
病態が悪性リンパ腫である、請求項１６の医薬組成物。
【請求項１８】
病態が非ホジキンリンパ腫である、請求項１７の医薬組成物。
【請求項１９】
請求項１〜９のいずれか１項の抗体分子または請求項１０のＤＮＡを含む診断用組成物。
【請求項２０】
薬剤学的に許容される賦形剤、希釈剤または担体を含む、請求項１７または１８の医薬組成物。
【請求項２１】
抗Ｔ細胞、抗ＩＦＮγ、または抗ＬＰＳ抗体、またはキサンチンのような非抗体成分をさらに含む、請求項１７または請求項１８の医薬組成物。
【請求項２２】
請求項１〜９のいずれか１項の抗体分子の製造方法であって、該抗体分子をコードするＤＮＡからのタンパク質の発現に適した条件下で請求項１２の宿主細胞を培養し、該抗体分子を単離することを特徴とする、上記方法。
【請求項２３】
治療で使用される、請求項１０のＤＮＡ。
【請求項２４】
ＣＤ２２を発現する細胞により仲介される病態の治療のための、請求項１０のＤＮＡ。
【請求項２５】
悪性リンパ腫を治療するのに使用される、請求項１０のＤＮＡ。
【請求項２６】
悪性リンパ腫は非ホジキンリンパ腫である、請求項２５のＤＮＡ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月15日(2010.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶パネルの製造方法において、
少なくとも一方の表面に無機配向膜が形成された一対の基板を用意する工程、
前記一対の基板を用意する工程の後に、前記無機配向膜を、重水素、重水素化水素、トリチウムから選択される少なくとも一種を含む雰囲気に晒す表面処理工程、
前記表面処理工程の後に、前記一対の基板間に液晶を配する工程、
を含み、
前記液晶を配する工程は、前記無機配向膜の前記雰囲気に晒された表面に前記液晶を接触させる工程を含むことを特徴とする液晶パネルの製造方法。
【請求項２】
前記表面処理工程が、５０Ｐａ以上４００Ｐａ以下の圧力下で行われる請求項１に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項３】
前記無機配向膜が、斜方蒸着法によって成膜された無機配向膜である請求項１又は２に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項４】
液晶パネルの製造方法において、
少なくとも一方の表面に無機配向膜が形成された一対の基板を用意する工程、
前記一対の基板を用意する工程の後に、前記無機配向膜を、純水に対して１ｖｏｌ％以上１００ｖｏｌ％以下の濃度の重水素水が含まれた重水素水溶液に晒す表面処理工程、
前記表面処理工程の後に、前記一対の基板間に液晶を配する工程、
を含み、
前記液晶を配する工程は、前記無機配向膜の前記重水素水溶液に晒された表面に前記液晶を接触させる工程を含むことを特徴とする液晶パネルの製造方法。
【請求項５】
前記配向膜の下方にはトランジスタが作製されている請求項１及至４のいずれか一項に記載の液晶パネルの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液晶パネルの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の第１は、液晶パネルの製造方法において、
少なくとも一方の表面に無機配向膜が形成された一対の基板を用意する工程、
前記一対の基板を用意する工程の後に、前記無機配向膜を、重水素、重水素化水素、トリチウムから選択される少なくとも一種を含む雰囲気に晒す表面処理工程、
前記表面処理工程の後に、前記一対の基板間に液晶を配する工程、
を含み、
前記液晶を配する工程は、前記無機配向膜の前記雰囲気に晒された表面に前記液晶を接触させる工程を含むことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の第２は、液晶パネルの製造方法において、
少なくとも一方の表面に無機配向膜が形成された一対の基板を用意する工程、
前記一対の基板を用意する工程の後に、前記無機配向膜を、純水に対して１ｖｏｌ％以上１００ｖｏｌ％以下の濃度の重水素水が含まれた重水素水溶液に晒す表面処理工程、
前記表面処理工程の後に、前記一対の基板間に液晶を配する工程、
を含み、
前記液晶を配する工程は、前記無機配向膜の前記重水素水溶液に晒された表面に前記液晶を接触させる工程を含むことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月25日(2009.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性を有する基板上に、光触媒層及び前記光触媒層に接する有機化合物層を形成し、
前記光触媒層及び前記光触媒層に接する有機化合物層を介して前記透光性を有する基板上に素子形成層を形成し、
前記透光性を有する基板を介して前記光触媒層に光を照射して、前記透光性を有する基板から前記素子形成層を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
透光性を有する基板上に、光触媒層、有機化合物層、及び素子形成層を順に形成し、
前記透光性を有する基板を介して前記光触媒層に光を照射して、前記透光性を有する基板から前記素子形成層を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記透光性を有する基板から前記素子形成層を分離した後、前記有機化合物層の表面に可撓性を有する基板を貼り付けることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
透光性を有する基板上に、有機化合物層、光触媒層、及び素子形成層を順に形成し、
前記透光性を有する基板を介して前記光触媒層に光を照射して、前記透光性を有する基板から前記素子形成層を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記透光性を有する基板から前記素子形成層を分離した後、前記光触媒層の表面に可撓性を有する基板を貼り付けることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記光触媒層及び前記有機化合物層の界面において分離することで、前記透光性を有する基板から前記素子形成層を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記有機化合物層は、無機化合物粒子を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記有機化合物層は、遮光性を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記有機化合物層は、光吸収体または光反射体を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、
前記光の波長は、前記光触媒層を活性化させる波長であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項において、
前記光触媒層として、酸化チタン、酸化スズ、酸化タングステン、酸化亜鉛、酸化ビスマス、チタン酸塩、タンタル酸塩、ニオブ酸塩、ＣｄＳ、またはＺｎＳを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項において、
前記素子形成層は、薄膜トランジスタ、ダイオード、または抵抗を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項において、
前記素子形成層は、発光素子、液晶素子、または電気泳動素子を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一項において、
前記半導体装置は、発光装置、液晶表示装置、電気泳動表示装置、無線チップ、太陽電池、またはセンサとして機能することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月16日(2010.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体、該支持体上に形成された導電性弾性層、および、該導電性弾性層の上に形成された表面層を有する帯電部材の製造方法であって、
加水分解性シラン化合物を加水分解させて得た、カチオン重合可能な基を有する縮合物と、アクリル系単量体とシリコン系単量体とから合成されたＡ−Ｂタイプのジブロック共重合体とを含む塗布液を、該導電性弾性層上に塗布する工程と、
該導電性弾性層上に塗布された該塗布液が含む該縮合物の該カチオン重合可能な基を開裂させ、該縮合物を架橋させて該表面層を形成する工程とを有することを特徴とする帯電部材の製造方法。
【請求項２】
前記カチオン重合可能な基を有する加水分解性シラン化合物が、下記式（２）で示される構造を有する加水分解性シラン化合物である請求項１に記載の帯電部材の製造方法：
【化１】
2007264607.tif 000001
（式（２）中、Ｒ２１は、飽和もしくは不飽和の１価の炭化水素基を示す。Ｒ２２は、飽和もしくは不飽和の１価の炭化水素基を示す。Ｚ２１は、２価の有機基を示す。Ｒｃ２１は、カチオン重合可能な基を示す。ｄは０以上２以下の整数であり、ｅは１以上３以下の整数であり、ｄ＋ｅ＝３である。）。
【請求項３】
前記式（２）で示される加水分解性シラン化合物が、グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシランおよびエポキシシクロヘキシルエチルトリエトキシシランから選ばれる少なくとも１つである請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記塗布液が、更に下記式（１）で示される構造を有する加水分解性シラン化合物を含む請求項１〜３のいずれか一項に記載の帯電部材の製造方法：
【化２】
2007264607.tif 000002
（式（１）中、Ｒ１１は、フェニル基で置換されたアルキル基もしくは無置換のアルキル基、または、アルキル基で置換されたアリール基もしくは無置換のアリール基を示す。Ｒ１２は、飽和もしくは不飽和の１価の炭化水素基を示す。ａは０以上３以下の整数であり、ｂは１以上４以下の整数であり、ａ＋ｂ＝４である。）。
【請求項５】
前記式（１）で示される加水分解性シラン化合物が、下記（１−１）〜（１−２３）から選ばれる少なくとも１つである請求項１〜４のいずれか一項に記載の製造方法：
（１−１）：テトラメトキシシラン、
（１−２）：テトラエトキシシラン、
（１−３）：テトラプロポキシシラン、
（１−４）：メチルトリメトキシシラン、
（１−５）：メチルトリエトキシシラン、
（１−６）：メチルトリプロポキシシラン、
（１−７）：エチルトリメトキシシラン、
（１−８）：エチルトリエトキシシラン、
（１−９）：エチルトリプロポキシシラン、
（１−１０）：プロピルトリメトキシシラン、
（１−１１）：プロピルトリエトキシシラン、
（１−１２）：プロピルトリプロポキシシラン、
（１−１３）：ヘキシルトリメトキシシラン、
（１−１４）：ヘキシルトリエトキシシラン、
（１−１５）：ヘキシルトリプロポキシシラン、
（１−１６）：デシルトリメトキシシラン、
（１−１７）：デシルトリエトキシシラン、
（１−１８）：デシルトリプロポキシシラン、
（１−１９）：フェニルトリメトキシシラン、
（１−２０）：フェニルトリエトキシシラン、
（１−２１）：フェニルトリプロポキシシラン、
（１−２２）：ジフェニルジメトキシシラン、
（１−２３）：ジフェニルジエトキシシラン。
【請求項６】
支持体、該支持体上に形成された導電性弾性層および該導電性弾性層の上に形成された表面層を有する帯電部材であって、
該表面層が、加水分解性シラン化合物を加水分解させて得た、カチオン重合可能な基を有する縮合物の該カチオン重合可能な基を開裂させ、架橋させてなる該縮合物の架橋物と、アクリル系単量体とシリコン系単量体とから合成されたＡ−Ｂタイプのジブロック共重合体とを含み、
該ジブロック共重合体が、該表面層の最表面に偏析していることを特徴とする帯電部材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】帯電部材および帯電部材の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の目的は、長期間の繰り返し使用によってもトナーやトナーに用いられる外添剤などが表面に固着しにくく、よってＤＣ接触帯電方式に用いても、長期間安定した帯電および画像出力が可能な帯電部材およびその帯電部材の製造方法を提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明は、支持体、該支持体上に形成された導電性弾性層、および、該導電性弾性層の上に形成された表面層を有する帯電部材の製造方法であって、加水分解性シラン化合物を加水分解させて得た、カチオン重合可能な基を有する縮合物と、アクリル系単量体とシリコン系単量体とから合成されたＡ−Ｂタイプのジブロック共重合体とを含む塗布液を、該導電性弾性層上に塗布する工程と、該導電性弾性層上に塗布された該塗布液が含む該縮合物の該カチオン重合可能な基を開裂させ、該縮合物を架橋させて該表面層を形成する工程とを有することを特徴とする帯電部材の製造方法である。
さらに、本発明は、支持体、該支持体上に形成された導電性弾性層および該導電性弾性層の上に形成された表面層を有する帯電部材であって、該表面層が、加水分解性シラン化合物を加水分解させて得た、カチオン重合可能な基を有する縮合物の該カチオン重合可能な基を開裂させ、架橋させてなる該縮合物の架橋物と、アクリル系単量体とシリコン系単量体とから合成されたＡ−Ｂタイプのジブロック共重合体とを含み、該ジブロック共重合体が、該表面層の最表面に偏析していることを特徴とする帯電部材である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月23日(2010.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体、該支持体上に形成された導電性弾性層および該導電性弾性層上に形成された表面層を有する帯電部材において、
該表面層はポリシロキサンを含み、
該ポリシロキサンは、下記式（１Ａ１）、（１Ａ２）（１Ｂ１）および（１Ｂ２）で示される構造からなる群より選択される少なくとも１つの構造が結合しているＳｉを有することを特徴とする帯電部材：
【化１】
2007264611.tif 000001
【化２】
2007264611.tif 000002
【化３】
2007264611.tif 000003
【化４】
2007264611.tif 000004
（式（１Ａ１）、（１Ａ２）、（１Ｂ１）および（１Ｂ２）中、Ｘは、−Ｏ−、−ＮＲ１２−および−ＣＯＯ−からなる群より選択される１つの官能基を示す。Ｒ１１は、炭素数が５以上、３０以下のアルキル基を示す。Ｒ１２は、水素原子を示す。Ｚ２１は、炭素数１〜６のアルキレン基を示す。）。
【請求項２】
請求項１に記載の帯電部材の製造方法であって、
（ｉ）下記式（２Ａ）または（２Ｂ）で示される構造を有する加水分解性シラン化合物を加水分解させてエポキシ基を有する加水分解縮合物を得る工程と：
【化５】
2007264611.tif 000005
【化６】
2007264611.tif 000006
（式（２Ａ）および（２Ｂ）中、Ｒ２１およびＲ２２は炭素数１〜３のアルキル基を示す。Ｚ２１は、炭素数１〜６のアルキレン基を示す。ｄは０〜２の整数であり、ｅは１〜３の整数であり、ｄ＋ｅ＝３である。）、
（ｉｉ）該加水分解縮合物と下記式（３）で示される化合物とを含む表面層用塗布液を調製する工程と：
Ｒ３１−Ｘ−Ｈ      （３）
（式（３）中、Ｘは、−Ｏ−、−ＮＲ３２−および−ＣＯＯ−からなる群より選択される１つの官能基を示す。Ｒ３１は、炭素数５以上、３０以下のアルキル基を示す。Ｒ３２は、水素原子を示す。）、
（ｉｉｉ）該表面層用塗布液を導電性弾性層の表面に塗布し、次いで、該加水分解性縮合物のエポキシ基を開裂させて、該加水分解縮合物と上記式（３）で示される化合物とを反応させて表面層を形成する工程と、を有することを特徴とする帯電部材の製造方法。
【請求項３】
電子写真感光体と、該電子写真感光体の表面を帯電するための帯電部材とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であるプロセスカートリッジにおいて、該帯電部材が請求項１に記載の帯電部材であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【請求項４】
電子写真感光体と、該電子写真感光体の表面を帯電するための帯電部材とを有する電子写真装置において、該帯電部材が請求項１に記載の帯電部材であることを特徴とする電子写真装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
支持体、該支持体上に形成された導電性弾性層および該導電性弾性層上に形成された表面層を有する帯電部材において、該表面層はポリシロキサンを含み、該ポリシロキサンは、下記式（１Ａ１）、（１Ａ２）（１Ｂ１）および（１Ｂ２）で示される構造からなる群より選択される少なくとも１つの構造が結合しているＳｉを有することを特徴とする帯電部材である：
【化１】
2007264611.tif 000007
【化２】
2007264611.tif 000008
【化３】
2007264611.tif 000009
【化４】
2007264611.tif 000010
（式（１Ａ１）、（１Ａ２）、（１Ｂ１）および（１Ｂ２）中、Ｘは、−Ｏ−、−ＮＲ１２−および−ＣＯＯ−からなる群より選択される１つの官能基を示す。Ｒ１１は、炭素数が５以上、３０以下のアルキル基を示す。Ｒ１２は、水素原子を示す。Ｚ２１は、炭素数１〜６のアルキレン基を示す。）。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月26日(2010.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体視野が形成される物体平面と、
入射瞳及び射出瞳と、
前記物体平面において前記入射瞳を鏡像化することによって得られる、鏡像化入射瞳平面内の鏡像化入射瞳と、
像平面と、
光軸と
少なくとも第１の鏡と第２の鏡とを備える投影対物レンズであって、
前記入射瞳のバック・フォーカスが負であり、前記物体視野の中心点から発生して、前記物体平面から前記像平面にかけて前記対物レンズを横断する主光線が、少なくとも１つの交差点において前記光軸と交差し、個々の交差点のそれぞれが、前記光軸の方向に、前記物体平面からのそれぞれの第１の距離Ａ１を有し、前記鏡像化入射瞳平面が、前記物体平面からの第２の距離Ａ２を有し、Ａ２はＡ１よりも小さく、前記射出瞳が隠されていない射出瞳である、投影対物レンズ。
【請求項２】
少なくとも４枚の鏡を備える請求項１に記載の投影対物レンズ。
【請求項３】
少なくとも６枚の鏡を備える請求項１に記載の投影対物レンズ。
【請求項４】
開口絞り平面に配置された開口絞りを備える請求項１〜２のいずれか一項に記載の投影対物レンズ。
【請求項５】
１）前記物体平面から前記像平面までの前記光線経路において前記開口絞り平面の前にある第１の数の鏡が、第１の副対物レンズを形成し、２）第２の数の鏡が第２の副対物レンズを形成し、前記第２の副対物レンズが前記開口絞り平面を含む請求項４に記載の投影対物レンズ。
【請求項６】
前記第２の副対物レンズが２枚の鏡を有する請求項５に記載の投影対物レンズ。
【請求項７】
第１の鏡と、第２の鏡と、第３の鏡と、第４の鏡と、第５の鏡と、第６の鏡とを備え、前記第１の副対物レンズが、前記第１の鏡と、前記第２の鏡と、前記第３の鏡と、前記第４の鏡とを備える請求項５に記載の投影対物レンズ。
【請求項８】
前記第２の副対物レンズが、前記第５の鏡と、前記第６の鏡とを備える請求項６〜７のいずれか一項に記載の投影対物レンズ。
【請求項９】
前記像側開口数が０．２以上である請求項１〜８のいずれか一項に記載の投影対物レンズ。
【請求項１０】
第１の鏡と、第２の鏡と、第３の鏡と、第４の鏡と、第５の鏡と、第６の鏡とを備え、前記第１の鏡が凸形であり、前記第２の鏡が凹形であり、前記第３の鏡が凹形であり、前記第４の鏡が凸形であり、前記第５の鏡が凸形であり、前記第６の鏡が凹形である請求項１〜９のいずれか一項に記載の投影対物レンズ。
【請求項１１】
前記物体平面から前記像平面までの前記光線経路において中間像が形成される請求項１〜１０のいずれか一項に記載の投影対物レンズ。
【請求項１２】
少なくとも第１の鏡と、第２の鏡と、第３の鏡と、第４の鏡と、第５の鏡と、第６の鏡とを備え、前記中間像が前記第４の鏡と前記第５の鏡との間に形成される請求項１１に記載の投影対物レンズ。
【請求項１３】
前記第１の鏡が凹形であり、前記第２の鏡が凹形であり、前記第３の鏡が凸形であり、前記第４の鏡が凹形であり、前記第５の鏡が凸形であり、前記第６の鏡が凹形である請求項１２に記載の投影対物レンズ。
【請求項１４】
前記第２の鏡と前記第３の鏡との間、または前記第３の鏡に接して開口絞りが配置される請求項１２または１３に記載の投影対物レンズ。
【請求項１５】
前記像側開口数ＮＡが０．２以上である請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の投影対物レンズ。
【請求項１６】
カトプトリック投影対物レンズである請求項１〜１５のいずれか一項に記載の投影対物レンズ。
【請求項１７】
カタディオプトリック投影対物レンズである請求項１〜１５のいずれか一項に記載の投影対物レンズ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月3日(2010.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光線入射経路に位置する平板状の光透過部材の表面に付着する塵埃を除去するための塵埃除去装置において、
前記光透過部材の第１の平面に固着された電気機械エネルギ変換素子と、
前記光透過部材の前記第１の平面と反対側の第２の平面に、前記電気機械エネルギ変換素子に対向して固着された弾性部材と、
前記電気機械エネルギ変換素子へ交流電圧を印加して前記光透過部材を平面に垂直な方向に弾性振動させ、前記光透過部材の表面に付着した塵埃を除去する交流電圧印加手段と
を有することを特徴とする塵埃除去装置。
【請求項２】
前記弾性部材の前記光透過部材への投影形状が、前記電気機械エネルギ変換素子の前記光透過部材への投影形状に重なることを特徴とする請求項１記載の塵埃除去装置。
【請求項３】
前記弾性部材に一体に設けられ、前記光透過部材を支持固定する支持固定部材を、更に有することを特徴とする請求項１記載の塵埃除去装置。
【請求項４】
前記電気機械エネルギ変換素子が板状の圧電素材から構成されるとともに、前記弾性部材も板状の素材から構成されることを特徴とする請求項１記載の塵埃除去装置。
【請求項５】
前記電気機械エネルギ変換素子の縦弾性係数が前記弾性部材の縦弾性係数よりも大きいならば、前記弾性部材の厚さを前記電気機械エネルギ変換素子の厚さより大きく設定し、一方、前記電気機械エネルギ変換素子の縦弾性係数が前記弾性部材の縦弾性係数よりも小さいならば、前記弾性部材の厚さを前記電気機械エネルギ変換素子の厚さより小さく設定することを特徴とする請求項４記載の塵埃除去装置。
【請求項６】
前記弾性部材が圧電素材から構成されることを特徴とする請求項１記載の塵埃除去装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月16日(2010.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導波路であって、
３０ＧＨｚ以上３０ＴＨｚ以下の周波数帯域のうち少なくとも一部を含む電磁波を伝搬するための導体で形成される単一線と、
前記単一線を覆う第１の誘電体部材と、
前記第１の誘電体部材と間隙部を有して前記単一線を覆う第２の誘電体部材と、を備え、
前記第１の誘電体部材に覆われた前記単一線から前記第２の誘電体部材に覆われた前記単一線に伝搬する前記電磁波が、前記間隙部における前記単一線を伝搬する際に、該間隙部に配置される検体と相互作用可能に構成されることを特徴とする導波路。
【請求項２】
前記間隙部は、少なくとも前記単一線の一部であることを特徴とする請求項１に記載の導波路。
【請求項３】
前記間隙部は、前記単一線を伝搬する前記電磁波に対する屈折率が変化するように構成されることを特徴とする請求項１あるいは２に記載の導波路。
【請求項４】
前記間隙部が周期的あるいは自己相似的に配置された複数の間隙を有し、
前記複数の間隙どうしの間隔が前記電磁波の波長オーダであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の導波路。
【請求項５】
前記電磁波を前記単一線に結合させる結合部、あるいは前記電磁波を発生させる発生部を備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の導波路。
【請求項６】
検体の物性を検出するための装置であって、
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の導波路と、
前記導波路を伝搬する電磁波を検出することにより、検体の物性を検出するための検出部とを備えることを特徴とする装置。
【請求項７】
前記検体の物性を検出するために、該検体によって伝搬状態が変化した電磁波を検出することを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記検体の物性の情報を記憶している記憶部を備え、
前記伝搬状態が変化した電磁波に基づいた情報と前記記憶部に記憶されている情報とを比較することにより、前記検体を同定することを特徴とする請求項７に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月12日(2010.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一実施形態では、２層の情報記憶媒体であって、第1の層は、システムリードインエリアとデータリードインエリアと第１のデータエリアとを有し、前記システムリードインエリアの外側に前記データリードインエリアが配置され、前記データリードインエリアの外側に前記第１のデータエリアが配置され、前記システムリードインエリアのトラックピッチが前記データリードインエリアのトラックピッチよりも大きく、第二の層は、システムリードアウトエリアとデータリードアウトエリアと第２のデータエリアとを有し、前記第２のデータエリアの内側に前記データリードアウトエリアが配置され、前記データリードアウトエリアの内側に前記システムリードアウトエリアが配置され、前記システムリードアウトエリアのトラックピッチが前記データリードアウトエリアのトラックピッチよりも大きいこと情報記憶媒体を基本とする。また以下に述べるような内容を追加してもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７１】
図２２に本実施形態における情報記憶媒体の構造及び寸法を示す。実施形態としては
・再生専用で記録が不可能な“再生専用形情報記憶媒体”
・１回のみの追記記録が可能な“追記形情報記憶媒体”
・何回でも書き替え記録が可能な“書替え形情報記憶媒体”
の３種類の情報記憶媒体実施形態を明示する。図２２に示すように、上記３種類の情報記憶媒体では大部分の構造と寸法が共通化されている。３種類の情報記憶媒体いずれも内周側からバーストカッティング領域ＢＣＡ、システムリードイン領域ＳＹＬＤＩ、コネクション領域ＣＮＡ、データリードイン領域ＤＴＬＤＩ、データ領域ＤＴＡが配置された構造になっている。ＯＴＰ形再生専用媒体以外は全て外周部にデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯが配置されている。後述するように、ＯＴＰ形再生専用媒体では外周部にミドル領域ＭＤＡが配置される。システムリードイン領域ＳＹＬＤＩではエンボス（プリピット）の形で情報が記録されており、追記形および書替え形のいずれもこの領域内は再生専用（追記不可能）となっている。再生専用形情報記憶媒体ではデータリードイン領域ＤＴＬＤＩ内もエンボス（プリピット）の形で情報が記録されているのに対し、追記形および書替え形情報記憶媒体ではデータリードイン領域ＤＴＬＤＩ内は記録マーク形成による新規情報の追記（書替え形では書替え）が可能な領域となっている。後述するように、追記形および書替え形情報記憶媒体ではデータリードアウト領域ＤＴＬＤＯ内は新規情報の追記（書替え形では書替え）が可能な領域とエンボス（プリピット）の形で情報が記録されている再生専用領域の混在になっている。前述したように、図２２に示すデータ領域ＤＴＡ、データリードイン領域ＤＴＬＤＩ、データリードアウト領域ＤＴＬＤＯ、ミドル領域ＭＤＡではそこに記録されている信号の再生にＰＲＭＬ（Partial Response Maximum Likelihood）方式を使う事で情報記憶媒体の高密度化（特に線密度が向上する）を達成すると共に、システムリードイン領域ＳＹＬＤＩ、システムリードアウト領域ＳＹＬＤＯでは、そこに記録されている信号の再生にスライスレベル検出方式を使う事で現行ＤＶＤとの互換性を確保するとともに再生の安定化を確保している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２層の情報記憶媒体であって、
第1の層は、システムリードインエリアとデータリードインエリアと第１のデータエリアとを有し、
前記システムリードインエリアの外側に前記データリードインエリアが配置され、
前記データリードインエリアの外側に前記第１のデータエリアが配置され、
前記システムリードインエリアのトラックピッチが前記データリードインエリアのトラックピッチよりも大きく、
第二の層は、システムリードアウトエリアとデータリードアウトエリアと第２のデータエリアとを有し、
前記第２のデータエリアの内側に前記データリードアウトエリアが配置され、
前記データリードアウトエリアの内側に前記システムリードアウトエリアが配置され、
前記システムリードアウトエリアのトラックピッチが前記データリードアウトエリアのトラックピッチよりも大きいことを特徴とする情報記憶媒体。
【請求項２】
２層の情報記憶媒体であって、
第1の層は、システムリードインエリアとデータリードインエリアと第１のデータエリアとを有し、前記システムリードインエリアの外側に前記データリードインエリアが配置され、前記データリードインエリアの外側に前記第１のデータエリアが配置され、前記システムリードインエリアのトラックピッチが前記データリードインエリアのトラックピッチよりも大きく、
第二の層は、システムリードアウトエリアとデータリードアウトエリアと第２のデータエリアとを有し、前記第２のデータエリアの内側に前記データリードアウトエリアが配置され、前記データリードアウトエリアの内側に前記システムリードアウトエリアが配置され、前記システムリードアウトエリアのトラックピッチが前記データリードアウトエリアのトラックピッチよりも大きい前記情報記憶媒体からデータを再生する情報再生方法において、
前記データエリアから前記データを再生することを特徴とする情報再生方法。
【請求項３】
２層の情報記憶媒体であって、
第1の層は、システムリードインエリアとデータリードインエリアと第１のデータエリアとを有し、前記システムリードインエリアの外側に前記データリードインエリアが配置され、前記データリードインエリアの外側に前記第１のデータエリアが配置され、前記システムリードインエリアのトラックピッチが前記データリードインエリアのトラックピッチよりも大きく、
第二の層は、システムリードアウトエリアとデータリードアウトエリアと第２のデータエリアとを有し、前記第２のデータエリアの内側に前記データリードアウトエリアが配置され、前記データリードアウトエリアの内側に前記システムリードアウトエリアが配置され、前記システムリードアウトエリアのトラックピッチが前記データリードアウトエリアのトラックピッチよりも大きい前記情報記憶媒体からデータを再生する情報再生装置において、
前記データエリアから前記データを再生する再生部を有することを特徴とする情報再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月20日(2010.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板厚さが互いに異なる第１の光ディスクと第２の光ディスクの両方の情報を兼用して記録または再生できるようにした光ピックアップであって、
前記第１の光ディスクを記録または再生するための第１の光ビームを出射する第１の半導体レーザと、
前記第２の光ディスクを記録または再生するための第２の光ビームを出射する第２の半導体レーザと、
前記第１の光ビームおよび前記第２の光ビームを前記第１または第２の光ディスクに照射する対物レンズと、
前記第１または第２の光ディスクを反射した前記第１の光ビームおよび前記第２の光ビームを検出する光検出器と、
前記第１の半導体レーザおよび前記第２の半導体レーザを出射した前記第１の光ビームおよび前記第２の光ビームを前記対物レンズに導くとともに前記光ディスクを反射した前記第１の光ビームおよび前記第２の光ビームを前記光検出器に導くためのビームスプリッタとを備え、
前記第１の光ビームおよび第２の光ビームが前記ビームスプリッタの入射面に４５度よりも小さい入射度で入射するように前記ビームスプリッタが配置されていることを特徴とする光ピックアップ。
【請求項２】
互いに発振波長の異なる第１の半導体レーザおよび第２の半導体レーザと、前記第１の半導体レーザを出射した第１の光ビームを反射させるとともに前記第２の半導体レーザを出射した第２の光ビームを透過させることによって前記第１の光ビームと前記第２の光ビームの光路を合成する第１のビームスプリッタと、前記第１の光ビームおよび前記第２の光ビームを光ディスクに照射する対物レンズと、前記光ディスクを反射した前記第１の光ビームおよび前記第２の光ビームを検出する光検出器と、前記第１の半導体レーザおよび前記第２の半導体レーザを出射した前記第１の光ビームおよび前記第２の光ビームを前記対物レンズに導くとともに前記光ディスクを反射した前記第１の光ビームおよび前記第２の光ビームを前記光検出器に導くための第２のビームスプリッタとを備え、基板厚さが互いに異なる第１の光ディスクと第２の光ディスクの両方の情報を兼用して記録または再生できるようにした光ピックアップにおいて、前記第１のビームスプリッタは少なくとも前記第１の半導体レーザの発振波長および前記第２の半導体レーザの発振波長に対してＰ偏光を効率良く透過してＳ偏光を効率良く反射する特性を有する偏光ビームスプリッタであり、前記第１の半導体レーザを出射した前記第１の光ビームの偏光状態をＳ偏光で前記第１のビームスプリッタへ入射させて反射させ、前記第２の半導体レーザを出射した前記第２の光ビームの偏光状態をＰ偏光で前記第１のビームスプリッタへ入射させて透過させるように構成したことを特徴とする光ピックアップ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光ピックアップ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
上記目的は、例えば、特許請求の範囲に記載の発明により達成することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月21日(2010.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る誘導加熱装置は、鍋を載置するトッププレートと、このトッププレートの下に設けられ、前記鍋を加熱する加熱コイルと、交流電圧を高周波電圧に変換して前記加熱コイルに高周波電流を流す駆動回路と、前記駆動回路を制御する制御回路と、前記トッププレートの下に設けられた電極と、この電極と所定電位との間の静電容量を計測する静電容量測定手段と、を備え、前記制御回路は、前記加熱コイルを駆動中に前記電極と所定電位との間の静電容量が変化した場合、ふきこぼれが発生したと判定することを特徴とするものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鍋を載置するトッププレートと、
このトッププレートの下に設けられ、前記鍋を加熱する加熱コイルと、
交流電圧を高周波電圧に変換して前記加熱コイルに高周波電流を流す駆動回路と、
前記駆動回路を制御する制御回路と、
前記トッププレートの下に設けられた電極と、
この電極と所定電位との間の静電容量を計測する静電容量測定手段と、
を備え、
前記制御回路は、前記加熱コイルを駆動中に前記電極と所定電位との間の静電容量が変化した場合、ふきこぼれが発生したと判定することを特徴とする誘導加熱調理器。
【請求項２】
前記制御回路は、前記電極と所定電位との間の静電容量の所定時間における増加量により、ふきこぼれが発生したと判定することを特徴とする請求項１記載の誘導加熱調理器。
【請求項３】
前記制御回路は、前記電極と所定電位との間の静電容量が急増した場合、ふきこぼれが発生したと判定することを特徴とする請求項１記載の誘導加熱調理器。
【請求項４】
前記制御回路は、ふきこぼれが発生したと判定した場合、前記駆動回路を停止させることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の誘導加熱調理器。
【請求項５】
前記制御回路は、ふきこぼれが発生したと判定した場合、前記加熱コイルに流す高周波電流を減少させるように前記駆動回路を制御することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の誘導加熱調理器。
【請求項６】
前記電極は、前記加熱コイルの外側に同心円状に複数個分散して配置されたことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の誘導加熱調理器。
【請求項７】
前記制御回路は、前記加熱コイルの外側の同心円状に配置された複数の電極の少なくとも１つと所定電位との間の静電容量が増加した場合にふきこぼれと判定することを特徴とする請求項６記載の誘導加熱調理器。
【請求項８】
前記制御回路は、前記加熱コイルの駆動開始から所定時間は、ふきこぼれの判定を禁止することを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の誘導加熱調理器。
【請求項９】
前記トッププレートを介して載置された鍋の温度を検出する温度センサを備え、
前記制御回路は、前記温度センサによって検出された温度が所定値以下の場合には、ふきこぼれの判定を禁止することを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の誘導加熱調理器。
【請求項１０】
前記電極は非磁性材で構成されたことを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の誘導加熱調理器。
【請求項１１】
前記静電容量測定手段は、前記複数の電極と所定電位との間に高周波電圧を印加し、その印加電圧の減衰レベルにより前記複数電極の静電容量を測定するＩＣを使用することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の誘導加熱調理器。
【請求項１２】
前記所定電位はアース電位であることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の誘導加熱調理器。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月27日(2010.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表される非イオン性界面活性剤、水溶性アミン化合物、及び水を含有するハードディスク用基板用の洗浄剤組成物。
Ｒ1−Ｏ−（ＥＯ）ｍ（ＰＯ）ｎ−Ｈ              （１）
Ｒ1は、炭素数８〜１８のアルキル基，炭素数８〜１８のアルケニル基，炭素数８〜１８
のアシル基、又は炭素数１４〜１８のアルキルフェニル基であり、ＥＯはオキシエチレン基、ＰＯはオキシプロピレン基、ｍ及びｎはそれぞれＥＯ及びＰＯの平均付加モル数であり、ｍ＝１〜２０，ｎ＝０〜２０を表す数であり、ＥＯとＰＯの配列はブロックでもランダムでもよい。
【請求項２】
前記非イオン性界面活性剤と前記アミン化合物の含有量比（前記非イオン性界面活性剤／前記アミン化合物）が０．１〜５０である請求項１記載のハードディスク用基板用の洗浄剤組成物。
【請求項３】
さらに、水溶性高分子を含有する請求項１又は２に記載のハードディスク用基板用の洗浄剤組成物。
【請求項４】
さらに、キレート剤を含有する請求項１〜３のいずれかに記載のハードディスク用基板用の洗浄剤組成物。
【請求項５】
さらに、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、ジメチルベンゼンスルホン酸、ヒドロキシベンゼンスルホン酸およびこれらの塩からなる群から選ばれる一種以上の化合物を含有する請求項１〜４のいずれかに記載のハードディスク用基板用の洗浄剤組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月1日(2010.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
顔料を含有する水不溶性ポリマー粒子を含有する水系インクであって、該ポリマー粒子の平均粒径が２０〜６７ｎｍであり、遊離ポリマーの含有量が０．４０重量％以下であり、顔料の含有量が２重量％以上であり、（顔料に吸着したポリマー／顔料）の重量比が０．１〜０．７５である、インクジェット記録用水系インク。
【請求項２】
顔料の含有量が２〜４．８重量％である、請求項１に記載のインクジェット記録用水系インク。
【請求項３】
顔料、吸着ポリマー及び遊離ポリマーの合計含有量が２．５〜７重量％である、請求項１又は２に記載のインクジェット記録用水系インク。
【請求項４】
水不溶性ポリマーが、塩生成基含有モノマー（ａ）由来の構成単位と、マクロマー（ｂ）由来の構成単位及び疎水性モノマー（ｃ）由来の構成単位とを含むグラフトポリマーである、請求項１〜３のいずれかに記載のインクジェット記録用水系インク。
【請求項５】
下記工程（１）〜（４）を有する、請求項１〜４のいずれかに記載の水系インクの製造方法。
工程（１）：水不溶性ポリマー、有機溶媒、顔料、及び水を含有する混合物を、分散処理する工程
工程（２）：前記有機溶媒を除去し、顔料を含有する水不溶性ポリマー粒子の水分散体を得る工程
工程（３）：工程（２）で得られた水分散体を遠心分離して、沈殿物を得る工程
工程（４）：工程（３）で得られた沈殿物を水系媒体に再分散する工程
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は次の〔１〕及び〔２〕を提供する。
〔１〕顔料を含有する水不溶性ポリマー粒子を含有する水系インクであって、該ポリマー粒子の平均粒径が２０〜６７ｎｍであり、遊離ポリマーの含有量が０．４０重量％以下であり、顔料の含有量が２重量％以上であり、（顔料に吸着したポリマー／顔料）の重量比が０．１〜０．７５である、インクジェット記録用水系インク。
〔２〕下記工程（１）〜（４）を有する、前記〔１〕の水系インクの製造方法。
工程（１）：水不溶性ポリマー、有機溶媒、顔料、及び水を含有する混合物を、分散処理する工程
工程（２）：前記有機溶媒を除去し、顔料を含有する水不溶性ポリマー粒子の水分散体を得る工程
工程（３）：工程（２）で得られた水分散体を遠心分離して、沈殿物を得る工程
工程（４）：工程（３）で得られた沈殿物を水系媒体に再分散する工程
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月1日(2010.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
油を用いた湿式摺動条件において、摩擦によってトルクを伝達する高摩擦摺動部材であって、
基材と、該基材表面に一体的に形成され、少なくとも一部表面が湿式条件において摺動する摺動面となる非晶質硬質炭素膜と、を有し、
該非晶質硬質炭素膜は、３〜２０ａｔ％のＳｉと２０〜４０ａｔ％のＨとを含有することを特徴とする高摩擦摺動部材。
【請求項２】
前記摺動面の表面粗さが０．３〜１０μｍＲｚである請求項１に記載の高摩擦摺動部材。
【請求項３】
前記Ｓｉが５〜１５ａｔ％である請求項１ないし２のいずれかに記載の高摩擦摺動部材。
【請求項４】
前記Ｈが２５〜３５ａｔ％である請求項１ないし３のいずれか一項に記載の高摩擦摺動部材。
【請求項５】
前記非晶質硬質炭素膜の硬度がＨＶ８００以上である請求項１ないし４のいずれか一項に記載の高摩擦摺動部材。
【請求項６】
前記基材と前記非晶質硬質炭素膜との密着力が３０Ｎ以上である請求項１ないし５のいずれか一項に記載の高摩擦摺動部材。
【請求項７】
前記非晶質硬質炭素膜の厚さは１μｍ以上である請求項１ないし６のいずれか一項に記載の高摩擦摺動部材。
【請求項８】
前記基材は、金属、セラミックス、あるいは樹脂のいずれかである請求項１ないし７のいずれか一項に記載の高摩擦摺動部材。
【請求項９】
前記油は、少なくともアルカリ土類金属系清浄剤および無灰分散剤のうち１種以上を含む駆動系潤滑油である請求項１ないし８のいずれか一項に記載の高摩擦摺動部材。
【請求項１０】
前記非晶質硬質炭素膜表面に、少なくともＣａ＋、Ｃ５Ｈ９＋、または、Ｃ７Ｈ１３＋のうちの１種以上を吸着している請求項１ないし９のいずれか一項に記載の高摩擦摺動部材。
【請求項１１】
前記非晶質硬質炭素膜と摺動する相手材は、金属、セラミックス、あるいは樹脂のいずれかである請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の高摩擦摺動部材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、油を用いた湿式摺動条件において、摩擦によってトルクを伝達する高摩擦摺動部材であって、基材と、該基材表面に一体的に形成され、少なくとも一部表面が湿式条件において摺動する摺動面となる非晶質硬質炭素膜と、を有し、該非晶質硬質炭素膜は、３〜２０ａｔ％のＳｉと２０〜４０ａｔ％のＨとを含有することを特徴とする。ここで、摺動面の表面粗さは０．３〜１０μｍＲｚであるとよい。また、Ｓｉは５〜１５ａｔ％であることが好ましく、Ｈは２５〜３５ａｔ％であることが望ましい。なお、基材は金属、セラミックスあるいは樹脂からなることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月11日(2010.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
以下の工程（ａ）〜（ｃ）：
工程（ａ）
非極性溶媒中有機リチウム化合物を開始剤として用い、０．１〜１０質量％の濃度の極性化合物の存在下、−３０〜３０℃の温度にて、５〜５０質量％の濃度のα―メチルスチレンを重合させて重合体ブロックＡを形成する工程；
工程（ｂ）
重合体ブロックＡを構成するリビングポリα―メチルスチリルリチウムに対して、−１５℃〜３０℃の温度にて、１〜１００モル当量のα‐メチルスチレン以外の芳香族ビニル化合物を重合させて重合体ブロックＢを形成する工程；及び
工程（ｃ）
重合体ブロックＢに対し、３０℃を超える温度で共役ジエンを重合させて重合体ブロックＣを形成する工程
を有するブロック共重合体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、本発明は、以下の工程（ａ）〜（ｃ）：
工程（ａ）
非極性溶媒中有機リチウム化合物を開始剤として用い、０．１〜１０質量％の濃度の極性化合物の存在下、−３０〜３０℃の温度にて、５〜５０質量％の濃度のα‐メチルスチレンを重合させて重合体ブロックＡを形成する工程；
工程（ｂ）
重合体ブロックＡを構成するリビングポリα―メチルスチリルリチウムに対して、−１５℃〜３０℃の温度にて、１〜１００モル当量のα‐メチルスチレン以外の芳香族ビニル化合物を重合させて重合体ブロックＢを形成する工程；及び
工程（ｃ）
重合体ブロックＢに対し、３０℃を超える温度で共役ジエンを重合させて重合体ブロックＣを形成する工程
を有するブロック共重合体の製造方法を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、重合体ブロックＢは、α‐メチルスチレン単位以外の芳香族ビニル化合物単位から主として構成されている重合体ブロックであり、ブロック共重合体に物理的な架橋点とリビングポリマー末端安定性を付与するものである。α‐メチルスチレン以外の芳香族ビニル化合物の使用量は、少なすぎるとリビング性が低くなり、多すぎるとゴム弾性などの求める物性を損なう場合があるので、重合体ブロックＡを構成するリビングポリα―メチルスチリルリチウムに対して１〜１００モル当量、好ましくは１〜５０モル当量である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
即ち、本発明のブロック共重合体の製造方法は、以下の工程（ａ）〜（ｃ）、必要に応じて工程（ｄ）：
工程（ａ）
非極性溶媒中有機リチウム化合物を開始剤として用い、０．１〜１０質量％の濃度の極性化合物の存在下、−３０〜３０℃の温度にて、５〜５０質量％の濃度のα‐メチルスチレンを重合させて重合体ブロックＡを形成する工程；
工程（ｂ）
重合体ブロックＡを構成するリビングポリα―メチルスチリルリチウムに対して、−１５℃〜３０℃の温度にて、１〜１００モル当量のα‐メチルスチレン以外の芳香族ビニル化合物を重合させて重合体ブロックＢを形成する工程；
工程（ｃ）
重合体ブロックＢに対し、３０℃を超える温度で共役ジエンを重合させて重合体ブロックＣを形成する工程；および
工程（ｄ）
重合体ブロックＣに対し、α‐メチルスチレン以外のアニオン重合性モノマーを重合させて重合体ブロックＤを形成する工程
を有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
＜工程（ｂ）＞
次に、重合体ブロックＡを構成するリビングポリα‐メチルスチリルリチウムに対して、−１５℃〜３０℃の温度にて、１〜１００モル当量のα‐メチルスチレン以外の芳香族ビニル化合物を重合させることによりリビング活性末端を変種し、重合体ブロックＢを形成する。この工程でブロック構造Ａ−Ｂのリビングポリマーを取得できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
α‐メチルスチレン以外の芳香族ビニル化合物の使用量は、少なすぎるとリビング性が低くなり、多すぎるとゴム弾性などの求める物性を損なう場合があるので、重合体ブロックＡを構成するリビングポリα―メチルスチリルリチウムに対して１〜１００モル当量、好ましくは１〜５０モル当量である。なお、重合体ブロックＡ中のリビングポリα―メチルスチリルリチウムのモル量は、理論的にはリビングアニオン重合の反応系中に投入した触媒である有機リチウム化合物と同等のモル量である。