(57)【要約】【課題】広い面積の基板上に一様、且つ垂直配向したカーボンナノチューブを高速、且つ安価に量産することを可能にし、特性の優れた電子放射材料基板を提供する。【解決手段】金属反応容器内に基板を設置し、炭化水素ガスと水素との混合気体を反応容器内に導入し、前記基板と前記金属反応容器の間に所定周波数の高周波電力を供給して前記基板の周囲に放電プラズマを発生させ、前記基板に負のバイアス電圧又は／及びパルス電圧を繰り返し重畳して前記基板上にカーボンナノチューブを被着形成する。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属反応容器内に基板を設置し、炭化水素ガスと水素の混合気体を反応容器内に導入し、前記基板と前記反応容器との間に所定周波数の高周波電力を供給して前記基板の周囲に放電プラズマを発生させ、前記基板に負のバイアス電圧又は／及び負のパルス電圧を繰り返し重畳して基板上にカーボンナノチューブを被着形成することを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。
【請求項２】
前記基板を複数枚設置し、各基板に同時に高周波電力を印加してカーボンナノチューブを被着形成することを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブの製造方法。
【請求項３】
前記基板の周囲に接地した筒状電極を設置し、該筒状電極と前記基板との間に所定周波数の高周波電力を供給して前記基板の周囲に放電プラズマを発生させ、前記基板上にカーボンナノチューブを被着形成することを特徴とする請求項１及び２に記載のカーボンナノチューブの製造方法。
【請求項４】
前記基板の主面が反応容器の側壁とほぼ平行になるように設置し、前記炭化水素と水素の混合気体が反応容器の上部から下部にダウンフローするように構成したことを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載のカーボンナノチューブの製造方法。
【請求項５】
前記基板に負のバイアス電圧又は／及び負のパルス電圧を繰り返し重畳して基板上にカーボンナノチューブを被着形成することを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載のカーボンナノチューブの製造方法。
【請求項６】
前記負のバイアス電圧が１００Ｖ乃至１０００Ｖであることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載のカーボンナノチューブの製造方法。
【請求項７】
前記パルス電圧が０．５ｋＶ乃至２０ｋＶの負のパルス電圧、好ましくは１ｋＶ乃至１０ｋＶであることを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載のカーボンナノチューブの製造方法。
【請求項８】
前記基板が温度制御手段を有する基板ホルダーに密着係止され、予め基板を所定温度に保持してカーボンナノチューブを生成することを特徴とする請求項１乃至７の何れかに記載のカーボンナノチューブの製造方法。
【請求項９】
触媒金属又は触媒金属化合物を前記基板表面の所定の位置に付着させて該所定位置にカーボンナノチューブを形成することを特徴とする請求項１乃至８の何れかに記載のカーボンナノチューブの製造方法。
【請求項１０】
前記混合気体の圧力が１３〜１３００Ｐａ、好ましくは、６５〜６５０Ｐａであることを特徴とする請求項１乃至９の何れかに記載のカーボンナノチューブの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波放電プラズマを用いたカーボンナノチューブの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
炭素六員環で構成されたカーボンナノチューブはその外径が１０〜数１０ナノメータ、長さが数マイクロメータと形状的には低電圧で電界放出を行わせるのに十分な構造形態を持ち、その材料であるカーボンは化学的に安定で機械的にも強靭であるという特徴をもつため、電子放射材料として注目されている。
【０００３】
カーボンナノチューブはアーク放電法、レーザ蒸発法、熱分解法等で製造されるのが一般的である。アーク放電法では、炭素電極の間にアーク放電を発生して炭素原子を蒸発させ気相中での反応や凝集によって再び固体となるか、電極の先端に堆積することでカーボンナノチューブが生成される。レーザ蒸発法では、加熱した炭素材にパルスレーザを照射し、瞬時に炭素を蒸発させてカーボンナノチューブを生成する。熱分解法では、ベンゼン等の芳香族炭化水素の蒸気を触媒金属とともに高温の反応容器に輸送し、そこでカーボンナノチューブを生成する。
【０００４】
こうした従来の生成法では、一般に不均一な形状とサイズのカーボンナノチューブが粉末状に生成される。カーボンナノチューブを電子放射材料として使用する場合は、所定の基板上に均一、かつ基板面に垂直に成長したカーボンナノチューブであることが望ましい。従来、生成されたカーボンナノチューブ粉末にはカーボンナノチューブ以外の炭素微粒子も含まれており、カーボンナノチューブの精製工程を必要とする。また、電子放射材料として使用するためには適当な溶媒に分散して基板表面にスクリーン印刷する方法等が採用されてきたが、ナノメーターオーダーの均一性を保って基板面に垂直に被着することは極めて困難とされてきた。
【０００５】
このような課題を解決する方法として、高周波放電プラズマ中でカーボンナノチューブを生成する技術が特許文献１等に開示されている（例えば、特許文献１、非特許文献１参照。）。該特許文献１は反応容器内に配設された板状アノードと板状カソードを対向させ両電極間に所定周波数の交流電力を供給すると共に、炭素原子数が１〜５の脂肪族炭化水素と水素の混合気体、或いは、芳香族炭化水素と水素との混合気体を反応容器内に導入して前記板状アノードと板状カソード間にプラズマを発生させ、前記アノードとカソード間に配設されると共に前記アノードから１０ｃｍ以下の距離離間して配設された基板上にカーボンナノチューブを被着形成することを特徴とするカーボンナノチューブの生成技術である。
【０００６】
しかし、前記特許文献１ではカーボンナノチューブの生成速度が遅く、必要なカーボンナノチューブを生成するのに６０分を要し、生産性が低い課題があった。また、２枚の対向電極板間の放電プラズマを利用する方式であるため、周辺部と中央部では原料ガス濃度の差により成長速度に差が生じる等の課題があった。特に、前記特許文献１及び非特許文献１に開示される技術では、電極間距離に制限があり、電極間隔寸法よりも大きい面積の基板に均一性よくカーボンナノチューブを生成することが困難である等の課題があった。
【特許文献１】特開２００３−９５６２５号公報
【非特許文献１】「Jpn.J.Appl.Phy.Vol.41(2002)pp.L1488-L1491」
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、基板表面に形状及びサイズの揃ったカーボンナノチューブを効率よく安価に製造することを課題としている。特に、電子放射材料として有効なカーボンナノチューブの生成速度を高め、量産性を高めることを課題としている。更に、本発明は、広い面積の基板上にカーボンナノチューブを一様に、且つ垂直配向させて被着生成することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
金属反応容器内に基板を設置し、炭化水素ガスと水素との混合気体を反応容器内に導入し、前記基板と前記金属反応容器の間に所定周波数の高周波電力を供給して前記基板の周囲に放電プラズマを発生させ、前記基板に負のバイアス電圧又は／及びパルス電圧を繰り返し重畳して前記基板上にカーボンナノチューブを被着形成する。
【０００９】
本発明においては、前記基板は１枚に限られることなく、反応容器内に複数枚設置し、各基板に同時に高周波電力を印加してカーボンナノチューブを被着形成することができる。２枚の基板の場合は、板状基板ホルダーの両面に、３枚以上の基板の場合は、多角形筒状基板ホルダーの各外壁面に密着系止し、複数枚の基板に同時にカーボンナノチューブを被着形成することができる。この点において、平行平板を対向させて放電プラズマを発生させる特許文献１及び非特許文献１で開示されている技術を凌駕するものである。
【００１０】
前記反応容器は導電性の金属材料で構成し、電気的に接地する。反応容器はステンレススチール等ガス放出量の少ない導電性の金属材料が望ましい。また、反応容器内に基板のサイズ、形状、或いは、基板の係止形態に応じて前記基板を囲むように、接地した筒状電極を設置し、該筒状電極と基板間に所定周波数の高周波電力を供給して前記基板の周囲に放電プラズマを発生させ、負のバイアス電圧又は／及びパルス電圧を繰り返し重畳して基板上にカーボンナノチューブを被着形成する。
【００１１】
前記基板は反応容器又は筒状電極のほぼ中心部に設置する。基板と反応容器又は筒状電極との間隔は、基板のサイズにも依存するが、基板サイズと同寸法程度以上であることが望ましい。この様な構成とすることによって、基板と反応容器又は筒状電極との間に高周波電力を印加して放電させた時、基板表面近傍により高密度の放電プラズマを発生することができ、カーボンナノチューブの生成速度を著しく高めることができる。この点において、平行平板を対向させて放電プラズマを発生させる特許文献１で開示されている技術を凌駕するものである。
【００１２】
本発明では、前記反応容器の上部にガス導入口、下部に真空排気口を設け、前記炭化水素ガスと水素の混合気体が反応容器の上部から下部に向かってダウンフローするように構成することが望ましい。反応容器の上部には混合気体を拡散し、反応容器内に一様に噴射するための混合気体拡散室を設け、該混合気体拡散室と放電空間の間には多数の微細孔を設けた混合気体拡散板を設ける。
【００１３】
前記基板は炭化水素ガスと水素の混合気体が基板主面に沿うて流れるように構成する。好ましくは、基板主面が反応容器の側壁と平行になるように設置し、前記炭化水素ガスと水素の混合気体が反応容器の上部から下部に向かってダウンフローするように構成する。
【００１４】
本発明においては、前記基板に所定の高周波電力として周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加して放電プラズマを発生させる。また、所定周期で間欠的に発振する高周波電力を印加することもできる。更に、該高周波電力に重畳して、１００Ｖ乃至１ｋＶの負のバイアス電圧又は／及び０．５ｋＶ乃至２０ｋＶの負のパルス電圧、好ましくは１ｋＶ乃至１０ｋＶの負のパルス電圧を繰り返し印加して基板上にカーボンナノチューブを被着形成する。
【００１５】
負のバイアス電圧又は／及びパルス電圧の印加によって基板表面に生じるイオンシースの幅は放電プラズマ密度と印加パルス電圧に依存するが、その幅は０．２〜２ｃｍである。基板表面に入射する炭化水素イオンのエネルギーはパルス電圧とガス圧に依存するが、大部分の炭化水素イオンのエネルギーは１００ｅＶ以下であり、また、基板表面近傍の炭化水素分子が炭化水素イオンの衝突によって励起し、共にカーボンナノチューブの成長速度の向上に寄与する。
【００１６】
前記基板は温度制御手段を有する基板ホルダーに密着係止し、予め４００〜７００℃に加熱して運転を開始する。運転初期の基板温度は成長するカーボンナノチューブの特性を決める重要な要因である。運転開始後、基板は高周波電力及びパルス電圧の印加によって自動的に加熱される。前記温度制御手段によって所定温度に保持できるように設計されている。
【００１７】
カーボンナノチューブの合成に用いる炭化水素ガスの好適な例はアセチレンである。アセチレンを用いることで、高純度で均一なカーボンナノチューブを合成することが可能となる。なお、炭化水素ガスとしては、この他にメタン、エチレンなどの脂肪族炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレンなど芳香族炭化水素、更に一酸化炭素、炭酸ガスを使用することができる。
【００１８】
本発明では、基板表面の所定の位置に予め触媒金属又は触媒金属を含む合金を付着させ、該所定位置にカーボンナノチューブを形成する。触媒金属としては、鉄、コバルト、ニッケル、タングステン等の金属元素、或いは、これらの合金を用いることができる。
【００１９】
本発明によれば、高周波電力に負のバイアス電圧又は／及びパルス電圧を印加することによって、従来技術より高いガス圧で放電プラズマを発生させることが可能になり、カーボンナノチューブの成長速度の向上と配向成長に寄与する。前記炭化水素ガスと水素の混合気体の圧力は１３〜１３００Ｐａ、好ましくは、６５〜６５０Ｐａである。
【発明の効果】
【００２０】
本発明は、広い面積の基板表面に形状及びサイズの揃ったカーボンナノチューブを効率よく製造することができる。高周波電力に負のバイアス電圧又は／及びパルス電圧を重畳することによってカーボンナノチューブの成長速度を高めることができ、安価に量産することを可能にする。また、複数の基板に同時にカーボンナノチューブを生成する構成であって、量産性に優れる。更に、本発明は、広い面積の基板上にカーボンナノチューブを一様に、且つ垂直配向させて被着形成することができ、特性の優れた電子放射材料を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態に係るカーボンナノチューブの製造方法について説明する。先ず、本実施の形態の概要を説明すると、本実施の形態に係るカーボンナノチューブの製造方法は、反応容器内に基板を設置し、脂肪族炭化水素と水素の混合気体、あるいは、芳香族炭化水素と水素との混合気体を導入して基板と反応容器間に１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加して基板表面に放電プラズマを発生させ、基板表面にカーボンナノチューブを被着形成させることを特徴としている。
【００２２】
本発明の実施の形態において重要なことは、前記基板に高周波電力を印加すると同時に１００Ｖ乃至１ｋＶの負のバイアス電圧又は／及び０．５ｋＶ乃至２０ｋＶの負のパルス電圧を印加することである。負のパルス電圧を印加することによって、１３〜１３００Ｐａの高い圧力の混合気体中で運転ができ、基板表面に高濃度のプラズマと高濃度の活性原子及び活性分子を発生させることが可能になる。従って、成長速度の向上を図ることができる特徴がある。また、負のバイアス電圧又は／及び負のパルス電圧を印加することによって基板表面に高電界が形成され、基板にほぼ垂直なカーボンナノチューブが成長する。
【００２３】
更に、本発明の実施の形態においては、複数枚の基板を設置できる構成であって、生産性が高く、安価にカーボンナノチューブを製造できる特徴を有する。
【実施例１】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態に係るカーボンナノチューブの製造方法について図を参照して説明する。なお、図１には便宜上、本発明の１実施例装置の構成が示されているが、本発明はこれに限定されるものではない。図１は本発明によるカーボンナノチューブの製造装置の一実施形態を示す要部断面図である。図１において、１は直径８０ｃｍ、高さ１００ｃｍのステンレス製反応容器であり、上部にガス導入口４及び下部に真空排気口５が設けられている。反応容器１の上部には混合気体を拡散し、放電空間８に一様に噴射するための混合気体拡散室７が設けられている。混合気体拡散室７と放電空間８の間には多数の微細孔を設けた混合気体拡散板６が設けられている。
【００２５】
真空排気口５は、高真空ポンプ（例えばターボ分子ポンプ、油拡散ポンプ）と油回転ポンプとを備えた真空排気系（図示せず）に接続され、反応容器１内を所望の真空度に排気できるように構成されている。また、放電空間８はリークバルブを介して大気に解放できるようにされている。
【００２６】
放電空間８には、温度制御手段を有する基板ホルダー２が設置されている。該基板ホルダー２はセラミックヒーター板２ａと、その両面に密着係止した基板係止板２ｂとから構成されている。
【００２７】
基板係止板２ｂはアルミニウム合金等熱伝導性がよく、ガス放出が少ない金属導体であることが望ましい。また、イオン照射によって金属導体のスパタリングを抑制するため、基板ホルダー２の放電プラズマに露出する部分を誘電体膜で被覆することが好ましく、本実施例ではアルミニウム酸化膜で被覆したものを用いた。
【００２８】
基板３として、幅１０ｃｍ、長さ１５ｃｍのバイコールガラス板を用い、その表面にクロム薄膜を蒸着し、その上に触媒金属として鉄薄膜を蒸着したものを用いた。基板ホルダー２の両面に基板３を密着係止した。基板ホルダー２を予め５００℃に加熱して運転を開始し、運転中の基板温度は基板係止板２ｂに固定した熱電対によってモニターし基板温度を制御した。
【００２９】
基板３は高周波電源９及び負のパルス電源１０に接続されている。高周波電源９は周波数１３．５６ＭＨｚ、出力０．３〜１ｋＷの電源が用いられる。パルス電源１０はパルス幅１〜１００μｓ、波高値０．５〜２０ｋＶの負のパルス電圧を発生することができ、負のパルス電圧の波高値とパルス幅及びその繰り返し周期は任意に設定できるように設計されている。また、そのパルス幅、波高値及び繰り返し周期は放電条件を考慮して決められる。
【００３０】
カーボンナノチューブの生成は、先ず、反応容器１の上部に設けたガス導入口から反応容器内に水素のみを導入し、高周波電力を印加して水素放電プラズマを発生させ、基板表面を水素プラズマ処理した。水素プラズマ処理することによって、触媒金属である活性な鉄薄膜表面を形成でき、均一なカーボンナノチューブが形成される。次に、原料ガスとして水素に１０％のアセチレンガスを混合した混合気体を流量制御バルブ（図示せず）を介して反応容器１の上部に設けたガス導入口から導入し、反応容器内のガス圧を６５〜６５０Ｐａに調整した。
【００３１】
本実施例では、１３．５６ＭＨｚ、５００Ｗの高周波電力を印加し、パルス幅１０〜３０μｓ、波高値２〜５ｋＶ、繰り返し周期１〜１０ｍｓの負のパルス電圧を重畳してカーボンナノチューブを成長させた。また、生成時間は５〜１０分で、基板温度は５００±３０℃に保持した。
【００３２】
本実施例で得られたカーボンナノチューブは運転条件によって異なるが、直径３０〜５０ｎｍ、長さ１〜１．５μｍのカーボンナノチューブが得られた。これらのカーボンナノチューブは基板面にほぼ垂直に配向し、その密度は１平方センチメートル当たり１０の１０乗〜１１乗本であった。また、左右両基板表面にほぼ均一なカーボンナノチューブが成長し、その差は認められなかった。
【実施例２】
【００３３】
次に、本発明によるカーボンナノチューブの他の製造方法について図２及び図３を用いて説明する。図２は本発明によるカーボンナノチューブ製造装置の他の実施形態を示す要部断面図である。実施例２においては、実施例１で用いた装置の反応容器１１内に直径６０ｃｍ、高さ６０ｃｍの円筒状電極２１を設置した。該円筒状電極は反応容器に接続し、接地した。図３に本発明によるカーボンナノチューブ製造装置を水平に切断した断面を示す。
【００３４】
図２において、１１は直径８０ｃｍ、高さ１００ｃｍのステンレス製反応容器であり、上部にガス導入口１４及び下部に真空排気口１５が設けられている。反応容器１１の上部には混合気体を拡散し、放電空間１８に一様に噴射するための混合気体拡散室１７が設けられている。混合気体拡散室１７と放電空間１８の間には多数の微細孔を設けた混合気体拡散板１６が設けられている。
【００３５】
真空排気口１５は、高真空ポンプ（例えばターボ分子ポンプ、油拡散ポンプ）と油回転ポンプとを備えた真空排気系（図示せず）に接続され、反応容器１１内を所望の真空度に排気できるように構成されている。また、反応容器１１内はリークバルブを介して大気に解放できるようにされている。
【００３６】
前記円筒状電極の中心部に、対角１５ｃｍ、高さ２０ｃｍの六角形の筒状基板ホルダー１２を設置し、その各面に基板１３を密着係止した。基板１３として、幅７．５ｃｍ、長さ１５ｃｍのバイコールガラス板を用い、その表面に実施例１と同様にクロム薄膜を蒸着し、その上に触媒金属として鉄薄膜を蒸着したものを用いた。
【００３７】
基板ホルダー１２の内面には加熱板１２ａが設けられていて、基板を予め５００℃に加熱して運転を開始し、運転中の基板温度は基板ホルダー１２に固定した熱電対によってモニターし基板温度を制御した。
【００３８】
本実施例では、基板に１３．５６ＭＨｚ、５００Ｗの高周波電力を印加し、パルス幅２０μｓ、波高値２ｋＶ、繰り返し周期１ｍｓの負のパルス電圧を重畳してカーボンナノチューブを成長させた。また、生成時間は５分で、基板温度は５００±３０℃に保持した。
【００３９】
カーボンナノチューブの生成は、先ず、反応容器１の上部に設けたガス導入口から反応容器内に水素のみを導入し、高周波電力を印加して水素放電プラズマを発生させて基板表面を水素プラズマ処理した。水素プラズマ処理することによって、触媒金属である鉄薄膜の活性な表面を形成した。次に、原料ガスとして水素に１０％のアセチレンガスを混合した混合気体を流量制御バルブ（図示せず）を介して反応容器１１の上部に設けたガス導入口１４から導入し、反応容器内のガス圧を１３０Ｐａに調整した。
【００４０】
図４は本実施例に用いた対角１５ｃｍ、高さ２０ｃｍの六角形の筒状基板ホルダーの周囲に発生した放電プラズマの発光状態を示す写真である。原料ガス、ガス圧及び放電条件は本実施例と同一とした。放電プラズマは筒状基板ホルダー周辺近傍に集中して生起していることが確認された。更に高気圧の放電プラズマ発生実験結果では、１３００Ｐａの原料ガスを用いた実験でも筒状基板ホルダー周辺近傍に高濃度の放電プラズマが生起することが確認された。
【００４１】
本実施例では、直径３０〜５０ｎｍ、長さ１〜１．５μｍのカーボンナノチューブが得られた。これらのカーボンナノチューブは基板面にほぼ垂直に配向し、その密度は１平方センチメートル当たり１０の１０乗〜１１乗本であった。また、各基板表面にほぼ均一なカーボンナノチューブが成長し、基板間の差は認められなかった。
【実施例３】
【００４２】
本発明によるカーボンナノチューブの他の製造方法について図５を用いて説明する。図５は本発明によるカーボンナノチューブ製造装置の他の実施形態を示す要部断面図である。実施例３では、カーボンナノチューブ製造装置及び基板は実施例２で用いたものと同じ構成とし、基板に高周波電力を印加して放電プラズマを発生し、負のバイアス電圧及び負のパルス電圧を重畳してカーボンナノチューブを生成した。
【００４３】
図５に示すように、基板１３は高周波電源１９、負のパルス電源２０及びコイル２３を介して負のバイアス電源２２に接続されている。負のバイアス電源２２は０〜−１０００Ｖの範囲で任意の電圧を供給できる可変バイアス電源である。本実施例では、１３．５６ＭＨｚ、５００Ｗの高周波電力を印加し、パルス幅２０μｓ、波高値５ｋＶ、繰り返し周期１ｍｓの負のパルス電圧及び−５００Ｖのバイアス電圧を重畳してカーボンナノチューブを成長させた。また、生成時間は５分で、基板温度は５００±３０℃に保持した。
【００４４】
カーボンナノチューブの生成は、実施例２と同様、反応容器１の上部に設けたガス導入口から反応容器内に水素のみを導入し、高周波電力を印加して水素放電プラズマを発生させ、基板表面を水素プラズマ処理した。水素プラズマ処理することによって、触媒金属である鉄薄膜の活性な表面を形成した。次に、原料ガスとして水素に１０％のアセチレンガスを混合した混合気体を反応容器１の上部に設けたガス導入口から導入し、反応容器内のガス圧を１３０Ｐａに保持した。
【００４５】
本実施例では、直径３０〜５０ｎｍ、長さ１．５〜２μｍのカーボンナノチューブが得られた。これらのカーボンナノチューブは基板面にほぼ垂直に配向し、その密度は１平方センチメートル当たり１０の１０乗〜１１乗本であった。また、各基板表面にほぼ均一なカーボンナノチューブが成長し、その差は認められなかった。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】カーボンナノチューブ製造装置の一実施形態を示す要部断面図である。
【図２】カーボンナノチューブ製造装置の一実施形態を示す要部断面図である。
【図３】カーボンナノチューブ製造装置を水平に切断した断面を示す図である。
【図４】筒状基板ホルダー周囲に発生した放電プラズマの発光状態を示す写真である。
【図５】カーボンナノチューブ製造装置の一実施形態を示す要部断面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１……反応容器、２……基板ホルダー、２ａ，２ｂ……基板係止板、３……基板、４……ガス導入口、５……真空排気口、６……混合気体拡散板、７……混合気体拡散室、８……放電空間、９……高周波電源、１０……パルス電源、１１……反応容器、１２……基板ホルダー、１２ａ……加熱板、１３……基板、１４……ガス導入口、１５……真空排気口、１６……混合気体拡散板、１７……混合気体拡散室、１８……放電空間、１９……高周波電源、２０……パルス電源、２１……筒状電極、２２……バイアス電源、２３……コイル
【図１】
2005126257.tif 000003
【図２】
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【図３】
2005126257.tif 000005
【図４】
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【図５】
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