【手続補正書】
【提出日】平成22年2月10日(2010.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粒子ビーム源およびワーク・ピース支持を有する荷電粒子ビーム・システムの真空室においてワーク・ピースの上にコーティングを形成する方法であって、
ワーク・ピースを前記荷電粒子ビーム・システムの前記真空室内および前記ワーク・ピース支持の上に挿入することと、
前記真空室においてスパッタ材料源を提供し、前記スパッタ材料源が、前記粒子ビーム源と前記ワーク・ピースとの間に配置されることと、
前記スパッタ材料源から前記ワーク・ピースの領域に材料をスパッタリングして、ワーク・ピースの前記領域の上に材料の層を形成するために、集束荷電粒子ビームまたは成形荷電粒子ビームをこれらの荷電粒子ビームが前記スパッタ材料源の表面に衝突するように前記スパッタ材料源に向け、それにより前記ワーク・ピースに対する損傷を回避することと、
前記ワーク・ピースの像を処理または形成するために、前記ワーク・ピースの前記領域に前記荷電粒子ビームを向けることとを備える方法。
【請求項２】
集束荷電粒子ビームまたは成形荷電粒子ビームをスパッタ材料源に向けること、および前記ワーク・ピースの像を処理または形成するために前記荷電粒子ビームをワーク・ピースの前記領域に向けることが、前記荷電粒子ビームを前記スパッタ材料源に向けるステップと、前記荷電粒子をワーク・ピースの領域に向けるステップとの間で、前記ワーク・ピースを前記真空室から取り出すことなく同じ真空室において行われ、それにより、保護層または導電層が加えられ、前記保護層または導電層を有するワーク・ピースが、前記ワーク・ピースを前記真空室から取り出すことなく処理または撮像されることが可能になる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ワーク・ピースの領域を処理するために、集束荷電粒子ビームまたは成形荷電粒子ビームを前記ワーク・ピースの領域に向けることが、２次電子または透過電子を使用して前記ワーク・ピースの前記領域の像を形成するために、電子ビームを前記ワーク・ピースに向けることを含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ワーク・ピースの領域を処理するために、集束荷電粒子ビームまたは成形荷電粒子ビームを前記ワーク・ピースの領域に向けることが、前記ワーク・ピースを微細機械加工するために、または材料を前記ワーク・ピースの上に付着させるために、集束イオン・ビームをワーク・ピースの前記領域に向けることを含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
集束荷電粒子ビームまたは成形荷電粒子ビームをこれらの荷電粒子ビームが前記スパッタ材料源の表面に衝突するように前記スパッタ材料源に向けることが、気体注入システム・ノズル、または気体注入ノズルの上においてコーティングされた材料または支持された材料に集束荷電粒子ビームまたは成形荷電粒子ビームを、これらの荷電粒子ビームが前記気体注入システム・ノズル、または気体注入ノズルの上においてコーティングされた材料または支持された材料の表面に衝突するように向けることを含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記荷電粒子ビームを前記スパッタ材料源に向けることが、保護層または導電層を前記ワーク・ピースの上に形成するために、前記荷電粒子ビームを材料源に向けることを含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
集束荷電粒子ビームまたは成形荷電粒子ビームを前記スパッタ材料源に向けることが、前記スパッタ材料源から前記ワーク・ピースの上にタングステン、クロム、チタン、銅、またはアルミニウムの材料をスパッタリングするために、前記荷電粒子ビームを前記スパッタ材料源に向けることを含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記スパッタ材料源から前記ワーク・ピースの領域の上に材料をスパッタリングして、ワーク・ピースの前記領域の上に層を形成するために、集束荷電粒子ビームまたは成形荷電粒子ビームをこれらの荷電粒子ビームが前記スパッタ材料源の表面に衝突するように前記スパッタ材料源に向けることが、前記スパッタ材料源から、ウエハや他のワーク・ピースの表面全体よりも小さいウエハや他のワーク・ピースの一部の上に材料をスパッタリングするために、集束荷電粒子ビームまたは成形荷電粒子ビームをこれらの荷電粒子ビームが前記スパッタ材料源の表面に衝突するように前記スパッタ材料源に向けることを含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
請求項１に記載のステップを実施するコンピュータ命令を記憶するメモリを含む荷電粒子システム。
【請求項１０】
荷電粒子ビームを処理する方法であって、
荷電粒子ビームシステムの真空室内にワークピースを置くことと、
集束荷電粒子ビームまたは成形荷電粒子ビームを用いてコーティングをワーク・ピースの上にスパッタリングし、次に、前記ワーク・ピースを前記真空室内に保持したまま、前記ワーク・ピースから材料をエッチングし、材料を前記ワーク・ピースの上に付着させ、または前記ワーク・ピースの像を形成するために、前記荷電粒子ビームを使用して前記ワーク・ピースを処理し、スパッタ・コーティングが、荷電粒子ビーム処理中にワーク・ピースの表面上のフィーチャを保護することとを備える方法。
【請求項１１】
コーティングをワーク・ピースの上にスパッタリングすることが、ウエハや他のワーク・ピースの表面全体よりも小さいウエハや他のワーク・ピースの一部の上にコーティングをスパッタリングすることを含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
コーティングをワーク・ピースの上にスパッタリングすることが、源から前記ワーク・ピースの上に材料をスパッタリングするために、イオン・ビームをスパッタリング材料源に向けることを含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記荷電粒子ビームを使用して前記ワーク・ピースを処理することが、前記ワーク・ピースの形状を変化させるために、前記荷電粒子ビームを前記ワーク・ピースに向けることを含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記ワーク・ピースの前記形状を変化させるために、前記荷電粒子ビームを前記ワーク・ピースに向けることが、断面を暴露させるために前記ワーク・ピースをミリングすることを含む請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
走査電子顕微鏡法を使用して前記断面の像を形成するために、電子ビームを暴露断面に向けることをさらに備え、前記ワーク・ピースが、スパッタリングし、前記荷電粒子ビームによって処理し、および前記電子ビームを向けるために、同じ真空室に留まる請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記ワーク・ピースの前記形状を変化させるために、前記荷電粒子ビームを前記ワーク・ピースに向けることが、サンプルを前記ワーク・ピースから抽出するために、前記ワーク・ピースをミリングすることを含む請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
コーティングをワーク・ピースの上にスパッタリングすることが、前記源から前記ワーク・ピースの上に材料をスパッタリングするためにプラズマを使用することを含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１８】
請求項１０に記載のステップを実施するコンピュータ命令を記憶するメモリを含む荷電粒子システム。
【請求項１９】
荷電粒子源と、
真空室内に配置されたワーク・ピースを処理するために、荷電粒子を集束ビームまたは成形ビームに形成するための荷電粒子ビーム光学構成要素と、
異なる材料をスパッタリングするための、真空室内に配置された複数のスパッタ材料源と、
荷電粒子ビームを前記ワーク・ピースに向けずに、前記スパッタ材料源から前記ワーク・ピースの上に材料をスパッタリングして前記ワーク・ピースの上にコーティングを形成するために前記荷電粒子ビームを前記スパッタ材料源に向けることができ、前記荷電粒子ビーム源と前記ワーク・ピースとの間にある第１位置と、前記荷電粒子ビームを前記ワーク・ピースに衝突するように向けることを可能にするために、前記スパッタ材料源がビーム経路にない第２位置とに前記スパッタ材料源を移動させるためのマニピュレータと、
前記スパッタ材料源から前記ワーク・ピースの領域に材料をスパッタリングして、ワーク・ピースの前記領域の上に保護層を形成するために、前記荷電粒子ビームを前記荷電粒子ビームが前記スパッタ材料源の表面に衝突するように前記スパッタ材料源に向け、それにより前記ワーク・ピースに対する損傷を回避するステップと、前記保護層が形成された後に、前記ワーク・ピースの像を処理または形成するために、前記ワーク・ピースの前記領域に前記荷電粒子ビームを向けるステップと、を実行するためのコンピュータ命令を格納するメモリと、
を備える荷電粒子ビーム・システム。