【手続補正書】
【提出日】平成22年7月12日(2010.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の裏面側から入射した光に応じて信号電荷を生成し、表面側から前記信号電荷を読み出す撮像素子であって、
前記半導体基板に形成されたセンサ領域と、
前記センサ領域の周辺領域に形成された開口部から表面に露出し、外部と電気的に接続可能な導電性の端子とを備え、
前記半導体基板の表面側には、表面側から前記開口部に連通する支持基板側開口部が形成された支持基板が貼り合わされていることを特徴とする撮像素子。
【請求項２】
前記端子に、前記開口部及び前記支持基板側開口部を通してボンディングワイヤが接続されていることを特徴とする請求項１に記載の撮像素子。
【請求項３】
前記開口部及び前記支持基板側開口部の内側に充填された導電性材料からなる接続端子が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の撮像素子。
【請求項４】
配線用基板を備え、前記配線用基板に形成された配線部と、前記配線部と前記接続端子とが、該配線部に設けられたマイクロバンプによって電気的に接続されていることを特徴とする請求項３に記載の撮像素子。
【請求項５】
前記半導体基板が、シリコン基板と、前記シリコン基板に形成された酸化シリコン膜と、前記酸化シリコン膜の表面側に形成され、前記センサ領域が形成されたシリコン層とを備えていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１つに記載の撮像素子。
【請求項６】
前記支持基板の厚さが、４００μｍから５００μｍの範囲であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１つに記載の撮像素子。
【請求項７】
半導体基板の裏面側から入射した光に応じて信号電荷を生成し、表面側から前記信号電荷を読み出す撮像素子の製造方法であって、
前記半導体基板に形成されたセンサ領域の周辺領域に開口部を形成し、前記開口部から表面に、外部と電気的に接続可能な導電性の端子を露出させる工程と、
前記半導体基板の表面側に、前記開口部に連通する支持基板側開口部が形成された支持基板を貼り合わせる工程と、
前記半導体基板にダイシングを行い、所定のチップサイズに切り出す工程と、
前記端子に接続部材を電気的に接続する工程とを有することを特徴とする撮像素子の製造方法。
【請求項８】
前記支持基板を貼り合わせた後、前記支持基板の表面に保護テープを貼り合わせる工程を有することを特徴とする請求項７に記載の撮像素子の製造方法。
【請求項９】
前記支持基板を貼り合せる前に、前記半導体基板の表面に化学機械研磨を行うことを特徴とする請求項７又は８に記載の撮像素子の製造方法。
【請求項１０】
前記半導体基板の表面側から前記開口部及び前記支持基板側開口部を通して前記端子にボンディングワイヤを接続することを特徴とする請求項７から９のいずれか１つに記載の撮像素子の製造方法。
【請求項１１】
前記開口部及び前記支持基板側開口部の内側に導電性材料を充填することで接続端子を形成することを特徴とする請求項７から９のいずれか１つに記載の撮像素子の製造方法。
【請求項１２】
前記半導体基板に配線部が形成された配線用基板を接続する工程を有し、前記配線部に形成されたマイクロバンプを前記接続端子に接触させて、前記配線部と前記接続端子との電気的に接続することを特徴とする請求項１１に記載の撮像素子の製造方法。
【請求項１３】
半導体基板の裏面側から入射した光に応じて信号電荷を生成し、表面側から前記信号電荷を読み出す撮像素子の製造方法であって、
前記半導体基板に形成されたセンサ領域の周辺領域に開口部を形成し、前記開口部から表面に、外部と電気的に接続可能な導電性の端子を露出させる工程と、
前記半導体基板の表面側に、貼り合わせた状態で前記開口部に対向する位置に開口する溝部が形成された支持基板を貼り合わせる工程と、
前記支持基板を表面から研削し、前記溝部が表面側に開口させることで、前記開口部に連通する支持基板側開口部を形成する工程と、
前記半導体基板にダイシングを行い、所定のチップサイズに切り出す工程と、
前記端子に接続部材を電気的に接続する工程とを有することを特徴とする撮像素子の製造方法。
【請求項１４】
前記支持基板を貼り合わせた後、前記支持基板の表面に保護テープを貼り合わせる工程を有することを特徴とする請求項１３に記載の撮像素子の製造方法。
【請求項１５】
前記支持基板を貼り合せる前に、前記半導体基板の表面に化学機械研磨を行うことを特徴とする請求項１３又は１４に記載の撮像素子の製造方法。
【請求項１６】
前記端子にワイヤーボンディングを行うことを特徴とする請求項１３から１５のいずれか１つに記載の撮像素子の製造方法。
【請求項１７】
前記開口部及び前記支持基板側開口部の内側に導電性材料を充填することで接続端子を形成することを特徴とする請求項１３から１５のいずれか１つに記載の撮像素子の製造方法。
【請求項１８】
前記半導体基板に配線部が形成された配線用基板を接続する工程を有し、前記配線部に形成されたマイクロバンプを前記接続端子に接触させて、前記配線部と前記接続端子との電気的に接続することを特徴とする請求項１７に記載の撮像素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の上記目的は、下記構成によって達成される。
（１）半導体基板の裏面側から入射した光に応じて信号電荷を生成し、表面側から前記信号電荷を読み出す撮像素子であって、
前記半導体基板に形成されたセンサ領域と、
前記センサ領域の周辺領域に形成された開口部から表面に露出し、外部と電気的に接続可能な導電性の端子とを備え、
前記半導体基板の表面側には、表面側から前記開口部に連通する支持基板側開口部が形成された支持基板が貼り合わされていることを特徴とする撮像素子。
（２）前記端子に、前記開口部及び前記支持基板側開口部を通してボンディングワイヤが接続されていることを特徴とする上記（１）に記載の撮像素子。
（３）前記開口部及び前記支持基板側開口部の内側に充填された導電性材料からなる接続端子が形成されていることを特徴とする上記（１）に記載の撮像素子。
（４）配線用基板を備え、前記配線用基板に形成された配線部と、前記配線部と前記接続端子とが、該配線部に設けられたマイクロバンプによって電気的に接続されていることを特徴とする上記（３）に記載の撮像素子。
（５）前記半導体基板が、シリコン基板と、前記シリコン基板に形成された酸化シリコン膜と、前記酸化シリコン膜の表面側に形成され、前記センサ領域が形成されたシリコン層とを備えていることを特徴とする上記（１）から（４）のいずれか１つに記載の撮像素子。
（６）前記支持基板の厚さが、４００μｍから５００μｍの範囲であることを特徴とする上記（１）から（５）のいずれか１つに記載の撮像素子。
（７）半導体基板の裏面側から入射した光に応じて信号電荷を生成し、表面側から前記信号電荷を読み出す撮像素子の製造方法であって、
前記半導体基板に形成されたセンサ領域の周辺領域に開口部を形成し、前記開口部から表面に、外部と電気的に接続可能な導電性の端子を露出させる工程と、
前記半導体基板の表面側に、前記開口部に連通する支持基板側開口部が形成された支持基板を貼り合わせる工程と、
前記半導体基板にダイシングを行い、所定のチップサイズに切り出す工程と、
前記端子に接続部材を電気的に接続する工程とを有することを特徴とする撮像素子の製造方法。
（８）前記支持基板を貼り合わせた後、前記支持基板の表面に保護テープを貼り合わせる工程を有することを特徴とする上記（７）に記載の撮像素子の製造方法。
（９）前記支持基板を貼り合せる前に、前記半導体基板の表面に化学機械研磨を行うことを特徴とする上記（７）又は（８）に記載の撮像素子の製造方法。
（１０）前記半導体基板の表面側から前記開口部及び前記支持基板側開口部を通して前記端子にボンディングワイヤを接続することを特徴とする上記（７）から（９）のいずれか１つに記載の撮像素子の製造方法。
（１１）前記開口部及び前記支持基板側開口部の内側に導電性材料を充填することで接続端子を形成することを特徴とする上記（７）から（９）のいずれか１つに記載の撮像素子の製造方法。
（１２）前記半導体基板に配線部が形成された配線用基板を接続する工程を有し、前記配線部に形成されたマイクロバンプを前記接続端子に接触させて、前記配線部と前記接続端子との電気的に接続することを特徴とする上記（１１）に記載の撮像素子の製造方法。
（１３）半導体基板の裏面側から入射した光に応じて信号電荷を生成し、表面側から前記信号電荷を読み出す撮像素子の製造方法であって、
前記半導体基板に形成されたセンサ領域の周辺領域に開口部を形成し、前記開口部から表面に、外部と電気的に接続可能な導電性の端子を露出させる工程と、
前記半導体基板の表面側に、貼り合わせた状態で前記開口部に対向する位置に開口する溝部が形成された支持基板を貼り合わせる工程と、
前記支持基板を表面から研削し、前記溝部が表面側に開口させることで、前記開口部に連通する支持基板側開口部を形成する工程と、
前記半導体基板にダイシングを行い、所定のチップサイズに切り出す工程と、
前記端子に接続部材を電気的に接続する工程とを有することを特徴とする撮像素子の製造方法。
（１４）前記支持基板を貼り合わせた後、前記支持基板の表面に保護テープを貼り合わせる工程を有することを特徴とする上記（１３）に記載の撮像素子の製造方法。
（１５）前記支持基板を貼り合せる前に、前記半導体基板の表面に化学機械研磨を行うことを特徴とする上記（１３）又は（１４）に記載の撮像素子の製造方法。
（１６）前記端子にワイヤーボンディングを行うことを特徴とする上記（１３）から（１５）のいずれか１つに記載の撮像素子の製造方法。
（１７）前記開口部及び前記支持基板側開口部の内側に導電性材料を充填することで接続端子を形成することを特徴とする上記（１３）から（１５）のいずれか１つに記載の撮像素子の製造方法。
（１８）前記半導体基板に配線部が形成された配線用基板を接続する工程を有し、前記配線部に形成されたマイクロバンプを前記接続端子に接触させて、前記配線部と前記接続端子との電気的に接続することを特徴とする上記（１７）に記載の撮像素子の製造方法。