【手続補正書】
【提出日】平成21年12月18日(2009.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの基板と、
基板上の第１辺に交差部が形成された第１突出部と前記第１辺に対向する第２辺に注入口が形成された第２突出部を含むシールラインパターンと、を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記交差部は、相互異なる対頂角に形成されることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１突出部の底辺の間隔は、前記第２突出部の底辺の間隔が相互異なることを特徴とする請求項２記載の表示装置。
【請求項４】
前記シールラインパターンは、その下部にゲート駆動回路を更に含むことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項５】
データ駆動回路を含む非表示領域を更に含むことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項６】
前記非表示領域は、前記シールラインパターンの外部領域に形成されることを特徴とする請求項５記載の表示装置。
【請求項７】
前記シールラインパターンは、スペーサを含むことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項８】
少なくとも一枚の基板と、
基板上の第１辺に形成された第１突出部と前記第１辺に対向する第２辺に形成された第２突出部を含み、閉曲線をなすシールラインパターンと、を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項９】
前記第１突出部と前記第２突出部は、プリズム液状または円弧形状であることを特徴とする請求項８記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第１突出部と第２突出部は、相互異なる間隔に形成されることを特徴とする請求項９記載の表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【発明の名称】表示装置及びそれの製造方法
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及びこれの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に画像表示装置は、情報処理装置で処理されたデータを肉眼で認識可能にするインタフェース装置の一つである。
【０００３】
画像表示装置は、ＣＲＴ表示装置（Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｒａｙ  Ｔｕｂｅ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｄｅｖｉｃｅ）、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｄｅｖｉｃｅ、ＬＣＤ）、プラズマディスプレイパネル（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ、ＰＤＰ）及び有機電界発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｅｖｉｃｅ、ＯＬＥＤ）などが代表的である。
【０００４】
液晶表示装置は、電界（ｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｆｉｅｌｄ）の影響下で液晶のねじれ、分散などの特性を用いて画像を表示する。
【０００５】
これを具現するために、液晶表示装置は、一対の基板、電極、液晶層、及びシールラインを含む。一対の基板は、相互向い合うように配置され、電極は各基板ごとに形成され、各電極には相互異なる駆動電圧が印加され、基板間には電界が形成される。一対の基板間には液晶が介在され、シールラインは基板間の間隔維持及び液晶の漏洩を防止する。
【０００６】
前記液晶層は、開口されたシールラインの注入口を通じて液晶を注入する方法の他に、既に一定量の液晶を塗布した後、一対の基板を合着する滴下方法によって注入される。
【０００７】
一般的に、液晶表示装置は、図１に示したように、第１母基板１００上に表示領域位置に対応し、複数の薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）素子を有する少なくとも一枚以上の表示素子基板（１１１、１１２）を形成し、前記表示素子基板にシールラインを形成する。
【０００８】
普通、複数の表示素子基板（１１１、１１２）は、母基板１００上に上下に隣接するように一定のパターンに配列されて表示素子基板列を形成し、前記表示素子基板列は左右に一定間隔に離隔され、第１スティック１１０、第２スティック１２０、第３スティックなどで形成される。これはシールラインの形成方法に起因したものであって、図２及び図３に示したようにシールライン１３０を連続するように形成するためにダミーライン１３７（斜線部分に接する太線を参照）を形成するようになる。例えば、図２では、矢印１、２、３、４、５、６、７・・・と順にシールライン１３０及びダミーライン１３７が形成される。つまり、ダミーライン１３７は、各表示素子基板を取り囲むシールライン１３０どうしを、シールライン１３０右側において連結している。ここで、シールラインを断続的に形成すると、シールラインに沿って接着部材が不均一に分布するようになるため、シールラインは連続的に形成されるのが良い。
【０００９】
図２は、真空注入方式で液晶を介在するための表示素子基板のシールライン１３０のパターンである。図面に示したようにシールラインは、各スティック別に表示素子基板の周辺に沿って連続に形成され、各表示素子基板に液晶が注入されるように注入口１３０ａが形成される。また、図３は、滴下方式を採用する表示パネルのシールラインパターンで別途の注入口なしに閉ループを形成している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
前記ダミーライン１３７の形成空間及び合着された上下基板の切断時の工程誤差を考慮して相互隣接するスティック（１１０、１２０）間は、一定距離に離隔されなければならない。普通、離隔距離ｋは５ｍｍ以上である。このような離隔距離によって母基板上に形成可能な表示素子基板の数が減少され、工程時間も長くなるという短所がある。
【００１１】
したがって、本発明が解決しようとする技術的な課題は、母基板上に多数の表示パネルを形成しうるシールライン形状を含む表示装置を提供することにある。
【００１２】
また、本発明が解決しようとする技術的な課題は、母基板上に多数の表示パネルを形成しうるシールライン形状を含む表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記技術的過程を達成するための本発明の一実施例による表示装置は少なくとも一枚の基板、基板上の一辺に交差部が形成された第１突出部と前記一辺に対向する他辺に注入口が形成された第２突出部を含むシールラインパターンを含む。
【００１４】
つまり、隣接する表示素子基板において、対向する二辺には、交差部を構成する第１突出部及び第２突出部を有するシールラインが形成される。ここで、シールラインは、第１シールラインと第２シールラインとを含み、第１及び第２シールラインが交差部で交差する。例えば、第１シールラインは、表示素子基板の左半分、右半分の順に連続的に形成され、第２シールラインは表示素子基板の右半分、左半分の順に連続的に形成され、隣接する表示素子基板間で交差する。よって、第１及び第２シールラインを連続的に形成するためのダミーラインを設ける必要が無い。ここで、例えば、上下に隣接する表示素子基板間に交差部が形成される場合には、左右に隣接する表示素子基板間の離隔距離ｋを短くすることができる。そのため、母基板上により多くの表示素子基板を形成することができる。また、このように表示素子基板の数が増加することで、表示素子基板の製造時間を大幅に短縮することができる。
【００１５】
また、この交差部から少しずれた位置で、隣接する表示素子基板どうしを切断することで、表示素子基板の一辺には交差部が残存したシールラインが形成され、他辺には注入口を有するようにシールラインが形成される。よって、注入口を介して表示素子基板に液晶を注入することができる。
【００１６】
前記交差部は、同一の対頂角に形成されることを特徴とすると好ましい。
【００１７】
前記第１突出部の間隔は、前記第２突出部の間隔と等しいかまたは異なるように形成すると好ましい。
【００１８】
発明２は、発明１において、前記交差部は、互いに異なる対頂角に形成されることを特徴とする。
【００１９】
前記第１突出部の間隔は第２突出部の間隔と等しい。
【００２０】
発明３は、発明２において、前記第１突出部の間隔は第２突出部の間隔と異なるように形成することができる。
【００２１】
発明４は、発明１において、前記シールラインパターンは、それの下部にゲート駆動回路を実装することができる。
【００２２】
発明５は、発明１において、前記表示装置は、データ駆動回路を含む非表示領域を更に含んでもよい。
【００２３】
発明６は、発明９において、前記非表示領域は、前記シールラインパターンの外部領域に形成される。
【００２４】
発明７は、発明１において、前記シールラインパターンは、スペーサを含むことができる。
【００２５】
発明８は、本発明の他の実施例による表示装置は、少なくとも一枚の基板、前記基板上の一辺に形成された第１突出部と前記一辺に対向する他辺に形成された第２突出部を含み、閉曲線をなすシールラインパターンを含む。
【００２６】
上記発明１と同様の理由により、母基板上により多くの表示素子基板を形成することができる。また、このように表示素子基板の数が増加することで、表示素子基板の製造時間を大幅に短縮することができる。
【００２７】
また、前記シールラインパターンは、閉曲線を成しており、液晶を滴下して注入することができる。
【００２８】
発明９は、発明８において、前記第１突出部と前記第２突出部は、プリズム形状または円弧形状に形成することができる。
【００２９】
前記第１突出部と第２突出部は、互いに同一の間隔に形成されると好ましい。
【００３０】
そのシールラインパターンの下部にゲート駆動回路を含むことができる。
【００３１】
前記第１突出部と第２突出部は相互同一の対頂角に形成される。
【００３２】
前記第１突出部と第２突出部は相互異なる対頂角に形成することができる。
【００３３】
発明１０は、発明９において、前記第１突出部と第２突出部は、相互異なる間隔に形成される。
【００３４】
そのシールラインパターンの下部にゲート駆動回路を含むことができる。
【００３５】
前記第１突出部と第２突出部は相互同一の対頂角に形成される。
【００３６】
前記第１突出部と第２突出部は相互異なる対頂角に形成することができる。
【００３７】
前記表示装置は、データ駆動回路を含む非表示領域を更に含むことができる。
【００３８】
前記非表示領域は、前記シールラインパターンの外部領域に形成される。
【００３９】
前記シールラインパターンは、スペーサを含むことができる。
【００４０】
前記技術的課題を達成するための表示装置の製造方法は、一枚の母基板上に相互隣接する複数の表示素子基板を形成する段階と、表示素子基板列の方向と平行な仮想線を基準として表示基板列の一側から始めて第１表示素子基板の第１側面に沿ってシールラインの辺を形成して第１角に第２表示素子基板に向かってシールラインを形成し、第２表示素子基板の前記第１側面と対向する第２側面に沿ってシールラインの辺を形成して第２角にシールラインを形成して第１シールラインを塗布する段階と、表示基板列の他側から始めて前記段階と同一の方式で第２シールラインを塗布する段階、及び前記母基板を交差部と液晶注入口が形成されたシールラインパターンを含む表示素子基板で切断する段階を含む。
【００４１】
前記第１角と第２角は９０°以下であることを特徴とする。
【００４２】
一枚の表示素子基板で第１角または第２角に他の表示素子基板に向かってシールラインが形成されるとき、シールラインの形成角度が前記仮想平行線に接してから再び変更される。
【００４３】
前記第１角または第２角と変更角度との和が９０°以下である。
【００４４】
前記第１角または第２角と変更角度との和が９０°以上に形成することができる。
【００４５】
本発明の一実施例による表示装置の製造方法は、前記母基板と異なる母基板を合着する段階を更に含む。
【００４６】
前記液晶注入口を通じて液晶を注入する段階と更に含む。
【００４７】
他の実施例による表示装置の製造方法は、一枚の母基板上に相互隣接する複数の表示素子基板を形成する段階、表示素子基板列の方向と平行な仮想線を基準として表示基板列の一側から始めて第１表示素子基板の第１側面に沿ってシールラインの辺を形成して第１角に第２表示素子基板に向かってシールラインを形成し、第２表示素子基板の前記第１側面と対向する第２側面に沿ってシールラインの辺を形成して第２角にシールラインを形成して第１シールラインを塗布する段階と、表示基板列の他側から始めて前記段階と同一の方式で第２シールラインを塗布する段階と、前記表示素子基板の第１シールライン及び第２シールラインによって形成された空間に一定量の液晶を滴下する段階、及び切断面が第１シールラインと第２シールラインによって形成された交差部の接点を通過するように母基板をシールラインパターンを含む表示素子基板で切断する段階を含む。
【００４８】
前記第１角と第２角は９０°以下であることを特徴とする。
【００４９】
一枚の表示素子基板で第１角または第２角に他の表示素子基板に向かってシールラインが形成されるとき、シールラインの形成角度が前記仮想平行線に接して再び変更することができる。
【００５０】
前記第１角または第２角との変更角度との和が９０°以下である。
【００５１】
前記第１角または第２角との変更角度との和が９０°以上に形成することができる。
【００５２】
前記母基板と他の母基板とを合着する段階を更に含む。
【００５３】
その他、実施例の具体的な事項は、詳細な説明及び図面に含まれている。
【発明の効果】
【００５４】
本発明によれば、母基板上に多数の表示パネルを形成しうるシールライン形状を含む表示装置及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５５】
＜発明の概要＞
前記技術的過程を達成するための本発明の表示装置は少なくとも一枚の基板、基板上の一辺に交差部が形成された第１突出部と前記一辺に対向する他辺に注入口が形成された第２突出部を含むシールラインパターンを含む。
【００５６】
つまり、隣接する表示素子基板において、対向する二辺には、交差部を構成する第１突出部及び第２突出部を有するシールラインが形成される。ここで、シールラインは、第１シールラインと第２シールラインとを含み、第１及び第２シールラインが交差部で交差する。例えば、第１シールラインは、表示素子基板の左半分、右半分の順に連続的に形成され、第２シールラインは表示素子基板の右半分、左半分の順に連続的に形成され、隣接する表示素子基板間で交差する。よって、第１及び第２シールラインを連続的に形成するためのダミーラインを設ける必要が無い。ここで、例えば、上下に隣接する表示素子基板間に交差部が形成される場合には、左右に隣接する表示素子基板間の離隔距離ｋを短くすることができる。そのため、母基板上により多くの表示素子基板を形成することができる。また、このように表示素子基板の数が増加することで、表示素子基板の製造時間を大幅に短縮することができる。
【００５７】
また、この交差部から少しずれた位置で、隣接する表示素子基板どうしを切断することで、表示素子基板の一辺には交差部が残存したシールラインが形成され、他辺には注入口を有するようにシールラインが形成される。よって、注入口を介して表示素子基板に液晶を注入することができる。
【００５８】
また、他の表示装置は、少なくとも一枚の基板、前記基板上の一辺に形成された第１突出部と前記一辺に対向する他辺に形成された第２突出部を含み、閉曲線をなすシールラインパターンを含む。
【００５９】
上記と同様の理由により、母基板上により多くの表示素子基板を形成することができる。また、このように表示素子基板の数が増加することで、表示素子基板の製造時間を大幅に短縮することができる。
【００６０】
また、前記シールラインパターンは、閉曲線を成しており、液晶を滴下して注入することができる。
【００６１】
＜実施例＞
以下、図４乃至図２０を参照して本発明の実施例による表示装置及びそれの製造方法について詳細に説明する。
【００６２】
図４は、本発明の一実施例によって母基板上に形成された表示素子基板のシールラインパターンを示す平面図である。図２に示したようにシールラインパターンが上下に配置された各表示素子基板列、即ち、第１スティック２１０と第２スティック２２０別に各表示素子基板の周辺に沿って連続的に塗布され、閉ループが表示素子基板内にそれぞれ形成される。ここで、本発明の図４では、従来の図２及び図３とは異なり、第１スティック２１０及び第２スティック２２０は、それぞれ左側または右側にダミー用シールラインを形成しない。また、各スティックの上下表示素子基板のシールラインパターンは、その一部が突出されて互いに交差して接するか或いは重なるように形成される。
【００６３】
前記第１スティック２１０及び第２スティック２２０におけるスティック（ｓｔｉｃｋ）は、複数の表示素子基板（２１１、２１２）が上下方向に隣接するように配置された一枚の表示素子基板列を示す。また、それぞれの表示素子基板（２１１、２１２）は、複数の薄膜トランジスタが形成された表示領域を含む表示装置の基板を示す。更に詳細に説明すると、前記表示領域は走査信号を提供するゲートラインと画像信号を提供するデータラインを含む。また、表示領域は、前記ゲートラインとデータラインの交差によって形成された画素領域を含み、前記画素領域にゲート電極、ソース／ドレイン電極、チャンネル層、及び画素電極を含む薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下、ＴＦＴ）素子が形成される。また、前記表示素子基板（２１１、２１２）は、非表示領域を更に含んでもよい。このような非表示領域には、前記薄膜トランジスタに走査信号または画像信号を提供する駆動回路を配置することができる。前記駆動回路は、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）の形態に基板上に付着されて形成されるか、あるいは基板上に直接形成することができる。
【００６４】
さらに、図４を用いて、具体的に説明する。各表示素子基板２１１、２１２に対応して、シールラインパターン２３０である第１閉ループ２３１と第２閉ループ２３２とが上下に隣接するように形成されている。第１閉ループ２３１は、表示素子基板２１１を取り囲んで閉ループを有すように形成されており、表示素子基板２１１の一辺に形成された第１突出部２３３−１と、前記一辺に対向する他辺に形成された第２突出部２３４−１とを含む。具体的に、図４に示すように、各表示素子基板を取り囲む左右側では直線状に閉ループが形成されているが、上下側では第１突出部２３３−１及び第２突出部２３４−１が形成されている。第１突出部２３３−１は、先端が互いに対向し徐々に狭まる先端部２３３−１ａ及び２３３−１ｂにより形成されている。同様に、第２突出部２３４−１は、先端が互いに対向し徐々に狭まる先端部２３４−１ａ及び２３４−１ｂにより形成されている。また、第２閉ループ２３２は、表示素子基板２１２の一辺に形成された第１突出部２３３−２と、前記一辺に対向する他辺に形成された第２突出部２３４−２とを含む。第１突出部２３３−２は、先端が互いに対向し徐々に狭まる先端部２３３−２ａ及び２３３−２ｂにより形成されている。同様に、第２突出部２３４−２は、先端が互いに対向し徐々に狭まる先端部２３４−２ａ及び２３４−２ｂにより形成されている。ここで、第１閉ループ２３１の第２突出部２３４−１は、第２閉ループ２３２の第１突出部２３３−２と接するか或いは重なる。このような突出部は、例えば、尖端を有するプリズム形状であるかあるいは丸い円弧形状に形成することができる。また、第１突出部がプリズム形状である反面、第２突出部は円弧形状であってもよく、その反対も可能である。このように、第１突出部と第２突出部とが接する場合、シールラインが1点で交差した形状となっている。以下、第１突出部と第２突出部の接点付近を交差部と称する。
【００６５】
次に、図５乃至図７を用いて、様々なシールパターンの形成例を説明する。図５乃至図７は、本発明の実施例によるシールラインパターン２３０の閉ループが形成された表示素子基板列の一部を示す平面図の一例である。図５乃至図７はシールラインパターン２３０の一例であり、シールラインパターンはこれに限定されない。ここで、間隔とは各突出部の突出開始点間の距離、例えば先端部２３３−１ａが狭まり始める地点から、先端部２３３−１ｂが狭まり始める地点までの距離を示す。また、以下で同一とは概ね同一を含むものとする。
【００６６】
例えば、図５では、第１閉ループ２３１及び第２閉ループは同一パターンが反復形成され、第１閉ループ２３１の第２突出部２３４−１の頂角βと、第２閉ループ２３２の第１突出部２３３−２の頂角αとが同一であり、後述の仮想線２４１を中心として角度の変更が無い。よって、第１閉ループ２３１の第１突出部２３３−１の間隔ａと第２閉ループ２３２の第１突出部２３３−２の間隔ａとは同一であり、第１閉ループ２３１の第２突出部２３４−１の間隔ｂと第２閉ループ２３２の第２突出部２３４−２の間隔ｂとは同一である。特に、図５（ａ）では第２突出部２３４−１の間隔ａは第１突出部２３３−２の間隔ｂよりも小さく（ａ＜ｂ）、図５（ｂ）では第２突出部２３４−１の間隔ａは第１突出部２３３−２の間隔ｂよりも大きく（ａ＞ｂ）、図５（ｃ）では第２突出部２３４−１の間隔ａと第１突出部２３３−２の間隔ｂとが同じ（ａ＝ｂ）である。
【００６７】
図６では、表示素子基板２１１及び２１２間の中心線に対称に第１閉ループ２３１及び第２閉ループ２３２が形成され、第１閉ループ２３１の第２突出部２３４−１の頂角βと、第２閉ループ２３２の第１突出部２３３−２の頂角αとが同一であり、仮想線２４１を中心として角度の変更が無い。よって、第１閉ループ２３１の第１突出部２３３−１の間隔ｃと第２閉ループ２３２の第２突出部２３４−２の間隔ｃとは同一であり、第１閉ループ２３１の第２突出部２３４−１の間隔ｄと第２閉ループ２３２の第１突出部２３３−２の間隔ｄとは同一である。ここで、図６では、第１閉ループ２３１の第１突出部２３３−１の間隔ｃと第２突出部２３４−１の間隔ｄは、相互異なるように形成され、第１閉ループ２３１の第２突出部２３４−１の間隔ｄと第２閉ループ２３２の第１突出部２３３−２の間隔ｄは、相互同一に形成される。さらに、第１閉ループ２３１の第１突出部２３３−１の頂角γと第２突出部２３４−１の頂角βとが互いに異なるように形成されても良い。即ち、同一の閉ループに形成された、第１突出部２３３の間隔及び頂角と第２突出部２３４の間隔及び頂角とは相互異なるが、前記突出部と隣接する閉ループに形成された突出部の間隔及び頂角は同一に形成される。特に、図６（ａ）では第１閉ループ２３１の第１突出部２３２−１の間隔ｃは第１閉ループ２３１の第２突出部２３４−１の間隔ｄよりも小さく（ｃ＜ｄ）、図６（ｂ）では第１突出部２３３−１の間隔ｃは第２突出部２３４−１の間隔ｄよりも大きい（ｃ＞ｄ）。
【００６８】
図７では、第１閉ループ２３１の第２突出部２３４−１の頂角βと、第２閉ループ２３２の第１突出部２３３−２の頂角αとが異なり、仮想線２４１を中心として角度が変更される。特に、図７（ａ）では第１閉ループ２３１の第１突出部２３２−１の間隔ｅは第１閉ループ２３１の第２突出部２３４−１の間隔ｆよりも小さく（ｅ＜ｆ）、図７（ｂ）では第１突出部２３３−１の間隔ｅは第２突出部２３４−１の間隔ｆよりも大きく（ｅ＞ｆ）、図７（ｃ）では第１突出部２３３−１の間隔ｅと第１突出部２３４−１の間隔ｆとが同じ（ｅ＝ｆ）である。
【００６９】
上記図５では、仮想線２４１を中心として頂角の角度が変更されず、第１閉ループ２３１の第２突出部２３４−１の頂角βと、第２閉ループ２３２の第１突出部２３３−２の頂角αとが同一である。このとき、第２閉ループ２３２の第１突出部２３３−２の間隔ａ（第１閉ループ２３２の第１突出部２３３−１の間隔ａ）と、第１閉ループ２３１の第２突出部２３４−１の間隔ｂとは、第１突出部２３３−２の高さｈ１と第２突出部２３４−１の高さｈ２とに比例するように決定される。即ち、図５（ａ）に示すように、第１突出部２３３−１の間隔ａが第２突出部２３４−１の間隔ｂより小さいと、第１突出部２３３−１の高さｈ１が第２突出部２３４−１の高さｈ２より更に低くなる。なお、図５（ａ）において、第１突出部２３３−１の間隔ａが第２突出部２３４−１の間隔ｂより更に狭いことと示しているが、図５（ｂ）に示すようにその反対にも形成しうることは当然である。図５（ｂ）では、第１突出部２３３−１の間隔ａが第２突出部２３４−１の間隔ｂより大きいと、第１突出部２３３−１の高さｈ１が第２突出部２３４−１の高さｈ２より更に高くなる。図５（ｃ）では、第１突出部２３３−１の間隔ａと第２突出部２３４−１の間隔ｂとが同一であり、第１突出部２３３−１の高さｈ１と第２突出部２３４−１の高さｈ２とは同一である。
【００７０】
本発明の他の実施例による図６のシールラインパターン２３０では、第１閉ループ２３１と第２閉ループ２３２とは、上下左右が同一のパターンであり、また表示素子基板２１１及び２１２間の中心線を中心として線対称のパターンに形成されている。よって、相互に接する第１閉ループ２３１の第２突出部２３４−１と第２閉ループ２３２の第１突出部２３３−２とにおいて、頂角、間隔及び高さが相互に同一である。つまり、仮想線２４１を中心として頂角の角度が変更されず、第１閉ループ２３１の第２突出部２３４−１の頂角β、間隔ｄ及び高さｈ４と、第２閉ループ２３２の第１突出部２３３−２の頂角α、間隔ｄ及び高さｈ４と、が同一である。
【００７１】
なお、図５及び図６に示すように、相互に接する第１閉ループ２３１の第２突出部２３４−１と第２閉ループ２３２の第１突出部２３３−２とが相互に同一の頂角を有して接することも可能であるし、逆に図７に示すように相互接する第２突出部２３４−１と第１突出部２３３−２とが相互に異なる頂角を有して接することもできる。具体的に、図７（ａ）乃至（ｃ）に示すように交差部の対頂角が異なる場合、つまり第２閉ループ２３２の第１突出部２３３−２の頂角βと第１閉ループ２３１の第２突出部２３４−１の頂角αとが異なる場合、第２閉ループ２３２の第１突出部２３３−２の間隔ｆと第１閉ループ２３１の第２突出部２３４−１の間隔ｅとが相互異なるように形成したり、或いは第２突出部２３３−２の高さｈ５と第２突出部２３４−１の高さｈ６とを相互に異なるようにして形成することができる。
【００７２】
このような突出部の形成方法は、突出部の形状が円弧形状である場合にも同様に適用される。
【００７３】
このようなシールパターンを有する表示装置における切断方法は、液晶の注入方法である真空注入方式または滴下方式に応じて異なる。真空注入方式では、第１閉ループ２３１と第２閉ループ２３２とが隣接する、第２突出部２３４−１と第１突出部２３３−２との交差部から少しずれた位置で、上下に隣接する表示素子基板２１１及び２１２を切断する。これにより、注入口が形成されるため、この注入口を介して液晶を注入する。一方、滴下方式では、第２突出部２３４−１と第１突出部２３３−２との交差部を横切るように、上下に隣接する表示素子基板２１１及び２１２を切断する。これにより、注入口が形成されず、滴下して液晶を注入する場合にも液晶が漏れるのを防ぐことができる。
【００７４】
以下に、真空注入方式または滴下方式に応じた切断方法について説明する。図８及び図９は、前記図５乃至図７に示した本発明の実施例によるシールラインパターン２３０を用いて真空注入方式または滴下方式に用いられる表示基板の形成方法に関する。
【００７５】
図８は、真空注入方式で液晶を注入する表示素子基板の切断方法について示している。
【００７６】
図８に示すように、真空注入方式では、第１閉ループ２３１と第２閉ループ２３２とが隣接する、第２突出部２３４−１と第１突出部２３３−２との交差部から少しずれた位置で、上下に隣接する表示素子基板２１１及び２１２を切断する。図８では、一枚の表示素子基板は、第１閉ループ２３１の第２突出部２３４−１の頂部が切断され、液晶注入口２３６が形成される。逆に、第２閉ループ２３２の第１突出部２３３−２の頂部が切断されて注入口２３６が形成されるようにしても良い。なお、図５（ａ）、（ｂ）では、第１突出部２３３−２の高さｈ１と第２突出部２３４−１の高さｈ２とが異なるため、第１閉ループ２３１の第２突出部２３４−１が形成された一辺から切断面２６０までの距離が第２閉ループ２３２の第１突出部２３３−２が形成された一辺から前記切断面２６０までの距離が実質的に同一となるように母基板を切断すると、注入口２３６を形成することができる。一方、図５（ｃ）では第１突出部２３３−２の高さｈ１と第２突出部２３４−１の高さｈ２とが同一であり、また図６（ａ）、（ｂ）では第１突出部２３３−２の高さｈ４と第２突出部２３４−１の高さｈ４とが同一である。よって、第１閉ループ２３１の第２突出部２３４−１が形成された一辺から切断面２６０までの距離と、第２閉ループ２３２の第１突出部２３３−２が形成された一辺から前記切断面２６０までの距離と、が実質的に異なるように母基板を切断すると、注入口２３６を形成することができる。例えば、第１閉ループ２３１の第２突出部２３４−１が形成された一辺から切断面２６０までの距離が、第２閉ループ２３２の第１突出部２３３−２が形成された一辺から切断面２６０までの距離より短く又は長くなるように切断する。
【００７７】
また、図７示すように第１閉ループ２３１の第２突出部２３４−１と第２閉ループ２３２の第１突出部２３３−２とにおいて、互いに頂角が相互異なり、その高さ又は間隔が異なる場合には、切断面２６０の位置を適切に調節して表示素子基板上に一辺に交差部２３５が形成され、前記一辺に対向する他辺に注入口２３６を形成するように各表示素子基板を切断する。これにより、前記第１突出部と第２突出部の頂角が相互異なり、高さが異なる場合に、各表示素子基板は切断面２６０の位置を適切に調節すると、一辺に交差部２３５と前記一辺に対向する他辺に注入口２３６が形成されたシールラインパターンを含むことができる。
【００７８】
図９は、滴下方式で液晶を注入する表示素子基板の切断方法に関して示している。表示素子基板に前記図５乃至図７に示したシールラインが形成された場合に前記切断面２６０は、第２突出部２３４−１と第１突出部２３３−２との交差部を通過するように形成しなければならない。即ち、前記シールラインパターン２３０の閉ループに開口が形成されないように前記切断面２６０が前記突出部の上を貫通してはいけない。
【００７９】
例えば図５（ａ）、（ｂ）では第１突出部２３３−２の高さｈ１と第２突出部２３４−１の高さｈ２とが異なるため、第１閉ループ２３１の第２突出部２３４−１が形成された一辺から切断面２６０までの距離がｈ２となるように、又は第２閉ループ２３２の第１突出部２３３−２が形成された一辺から前記切断面２６０までの距離がｈ１となるように、各表示素子基板を切断する。ここで、図５（ａ）に示したように、シールラインパターンが形成された場合、前記切断面２６０が母基板上の突出部の接点を通過するためには、第１閉ループ２３１の第２突出部２３４−１が形成された一辺から切断面２６０までの距離が前記第２閉ループ２３２の第１突出部２３３−２が形成された一辺から切断面２６０までの距離より大きくなる。逆に、図５（ｂ）の場合、第１閉ループ２３１の第２突出部２３４−１が形成された一辺から切断面２６０までの距離が前記第２閉ループ２３２の第１突出部２３３−２が形成された一辺から切断面２６０までの距離より小さくなる。
【００８０】
さらに、図５（ｃ）では第１突出部２３３−２の高さｈ１と第２突出部２３４−１の高さｈ２とが同一であり、また図６（ａ）、（ｂ）では第１突出部２３３−２の高さｈ４と第２突出部２３４−１の高さｈ４とが同一である。よって、第１閉ループ２３１の第２突出部２３４−１が形成された一辺から切断面２６０までの距離が、第２閉ループ２３２の第１突出部２３３−２が形成された一辺から切断面２６０までの距離と同一になるように母基板を切断すれば良い。なお、例えば、図６（ａ）、（ｂ）に示したようにシールラインパターンが形成された場合、前記切断面が母基板上の突出部の接点を通過するためには、第２閉ループ２３２の第１突出部２３３−２が形成された一辺から切断面２６０までの距離ｈ４が、第１閉ループ２３２の第２突出部２３４−１が形成された一辺から切断面２６０までの距離ｈ４と実質的に同一であるが、第１閉ループ２３１の第１突出部２３３−１が形成された一辺から切断面２６０までの距離ｈ３とは異なるようにして母基板を切断する。
【００８１】
また図７では、第１閉ループ２３１の第２突出部２３４−１と第２閉ループ２３２の第１突出部２３３−２とにおいて、互いに頂角が相互異なり、その高さ又は間隔が異なる。よって、図７において切断面２６０が突出部の接点を通過するためには、第１閉ループ２３１の第２突出部２３４−１が形成された一辺から切断面２６０までの距離は突出部の高さに対応して決定されなければならない。
【００８２】
前記図５乃至図７に示した実施例による第１シールライン部及び第２シールライン部の下部に、つまりシールラインパターンの交差部が形成される表示素子基板２１１と表示素子基板２１２との間の下部に、前記表示領域に走査信号を提供するゲート駆動回路(図示せず)を実装することができる。前記ゲート駆動回路は、各ゲートライン別に形成されて表示領域の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をターンオンさせる走査信号を提供する。ここで、基板上に実装された前記ゲート駆動回路上に液晶が注入されている場合、外部電界による液晶の配列方向（ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）の変化や表示装置の外部から印加される圧力によって静電容量（ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）が変化して前記走査信号が歪曲される恐れがある。
【００８３】
液晶は誘電率異方性と屈折率異方性を有する。特に、誘電率異方性とは、外部電界の変化に対応して変化する液晶の配列状態によって液晶の誘電率が変化する特性をいう。誘電率が変化するようになると、下記の式（１）によって外部電界によって液晶に充電される静電容量が変わって前記走査信号が歪曲されるおそれがある。
【００８４】
静電容量（Ｃ）＝誘電率（ε）×対向電極の面積（Ｓ）／対向電極間の距離（ｄ）
・・・（１）
なお、表示装置の外部から圧力が印加される場合、式（１）の対向電極間の距離（ｄ）が減少するようになって結果的に静電容量が変わり、前記走査信号は歪曲される。
これを防止するために、前記ゲート駆動回路の上部には液晶よりは誘電率（ε）が小さく、外部衝撃による影響を多く受けない絶縁体が位置することが望ましい。
このような理由から、基板に実装される前記ゲート駆動部の上部にシールラインが位置することで、静電容量の変化による走査信号の歪曲を防止することができる。
【００８５】
上記のように、第１スティック２１０と第２スティック２２０との離隔距離ｋをなくすために、シールライン形状は別途のダミーライン２３７なしに上下に隣接する表示基板素子に連続するように形成される。即ち、シールラインパターン２３０の交差部は、前記表示領域に画像信号を提供するデータ駆動回路が配置された非表示領域と垂直な切断面に隣接するように形成される。つまり、ここではデータ駆動回路は、第１スティック２１０と第２スティック２２０との間に形成され、シールラインパターンの交差部は、表示素子基板２１１と表示素子基板２１２との間に形成される。よって、本発明によれば、第１スティック２１０と第２スティック２２０との間にダミーラインが形成されないため、左右に隣接する表示素子基板間の離隔距離ｋを短くすることができる。そのため、母基板上により多くの表示素子基板を形成することができる。また、このように表示素子基板の数が増加することで、表示素子基板の製造時間を大幅に短縮することができる。
【００８６】
なお、ゲート駆動回路及びデータ駆動回路の配置位置は上記に限定されない。
【００８７】
一方、シールラインパターン２３０は、スペーサ(図示せず)を含むことができる。スペーサは、表示装置の下部基板または上部基板の表示領域に形成され、前記上部と下部基板との間隔（ｃｅｌｌ  ｇａｐ）を維持する。
【００８８】
シールラインの下部にゲート駆動回路が実装されない表示装置の場合、前記表示領域の外郭部に形成されたスペーサは外部の衝撃に容易に変形されないガラス繊維（ｇｌａｓｓ  ｆｉｂｅｒ）で形成することができる。これに対し、シールラインの下部にゲート駆動回路が実装される表示装置の場合、シールラインの下部の回路部保護のためにスペーサは、弾性対で形成することが望ましい。
【００８９】
図１０は、母基板上に本発明の更に他の実施例によるシールラインを含む表示素子基板の一部を示した平面図である。図１１は、本発明の実施例によるシールラインを用いて図１０に示した本発明の他の実施例による真空注入方式用表示素子基板を形成する方法を示す平面図である。図１２は、本発明の実施例によるシールラインを用いて図１０に示した本発明の他の実施例による滴下方式用表示素子基板を形成する方法を示す図である。
【００９０】
図１０は、母基板上に形成されたシールラインを示す。前記シールラインが複数の閉ループ（２３１、２３２）を含む。二つの閉ループ（２３１、２３２）の間に突出部２３３が形成されている。例えば、二つの隣接する閉ループ（２３１、２３２）の接点は、前記二つの閉ループ（２３１、２３２）のいずれかの扁平な辺上にある。
【００９１】
図１１に示したように、前記表示装置基板は、前記真空注入方式によって製作される。前記切断面２６０は、二枚の隣接する基板間の上、つまり表示素子基板２１１及び２１２の辺上または突出部との交差部とは異なる部分を通過する。なお、切断面２６０の位置は、切断面２６０による切断により注入口２３６が形成されれば良く、基板間の中央である必要はない。前記母基板を表示装置基板に切断面２６０に沿って分離すると、切断面２６０の一側には開口である液晶注入口２３６が形成され、他側には突出部２３３の断片が残っており開口は形成されていない。真空注入方式では、この注入口２３６を介して液晶を表示基板間に注入する。前述したのと同様に、前記突出部２３３の形状は対称的である必要がなく、図１１に示したような形状またはプリズム形状である必要はない。例えば、他の実施例として、円弧、六角形、またはこれらに類似な形状であってもよい。
【００９２】
図１２は、滴下方式用母基板を示す。前記切断面２６０は、直線で形成されており、二枚の隣接する基板間の上、つまり表示素子基板２１１及び２１２の辺上または突出部との交差部の上を通過する。
【００９３】
能動マトリクス構造において、スキャニング信号ライン（またはゲートライン）またはデータ信号ライン（またはデータライン）のためのＬＣＤ駆動回路はＴＦＴと画素電極を前記表示装置の基板上で駆動する必要がある。特に、前記の実施例において、前記ゲート駆動回路は、非表示領域を減少させるために、非晶質シリコンＴＦＴを含む。このような場合に、前記ゲート駆動回路は、前記シールラインの下に位置する。前記ゲート駆動回路上のシールラインは、液晶が誘電的等方性を有するのに対し、固定の誘電常数を有しているので、スキャニング信号の歪曲を減少する。前記シールラインは、前記二枚の基板間のセルギャップを維持するためにハードスペーサまたは弾性ボールスペーサなどを含むことができる。しかし、ハードスペーサ、例えば、ガラス繊維が前記ゲート駆動回路を損傷するおそれがあるので、前記弾性ボールタイプスペーサが前記ゲート駆動回路上のシールラインのために用いることもできる。
【００９４】
図１３乃至図１７は、真空注入方式で液晶を注入しうるシールラインパターンを含む表示素子基板の製造方法を示した図面である。
【００９５】
まず、図１３に示したように第１母基板２００上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）素子を含む複数の表示素子基板（２１１、２１２）を形成する。前記複数の表示素子基板は、平行な方向の表示素子基板列間の間隔が切断誤差程度のみ離隔するように形成する。また、各表示素子基板は、データ駆動回路が形成される非表示領域を含むことができる。
【００９６】
そして、図１４（ａ）に示したように、表示素子基板の周囲を取り囲む第１シールライン２５１を形成する。即ち、表示素子基板列の方向（第２方向）と平行な仮想線２４１を基準として、表示基板列２１０の一側（図１４（ａ）中、仮想線２４１の右側）から始める。仮想線２４１を中心として所定の角度で第１シールライン２５１を所定長さ引き出し、次に第１方向に沿うシールラインの１辺を所定の長さ形成する。引き続き、第１表示素子基板Ａの第１側面に沿って、第２方向と平行なシールラインの一辺を所定の長さ形成し、次に第１表示素子基板Ａの第１方向と平行なシールラインを仮想線２４１付近まで形成する。そして、第１角２４２で他の表示素子基板Ｂに向かって仮想線２４１を交差するように横切らせる。その後、表示基板列２１０に形成された第２表示素子基板Ｂの第１方向に沿うシールラインを所定長さ形成し、次に第２側面に沿って、第２方向に平行なシールラインの一辺を所定の長さ形成する。さらに、第１方向に沿うシールラインを仮想線２４１付近まで形成し、第２角２２４３で第３表示素子基板に向かって仮想線２４１を交差するように横切らせる。このように右側、左側と左右交互に第１シールラインを形成する過程を反復して表示素子基板列に含まれた全ての表示素子基板に連続されたシールラインが塗布されるまで継続する。ここで、第１角２４２と第２角２４３は、シールラインの仮想線２４１となす角度であり、それぞれ９０°以下である。なお、仮想線２４１とは、最終的に完成するシールラインパターンにおいて、上下に隣接する各突出部を貫ぬく線をいう。
【００９７】
なお、一つの表示素子基板で第１角２４２または第２角２４３に他の表示素子基板に向かってシールラインが形成されるとき、シールラインの角度は仮想線２４１に接してから変更されることができる。ここで、シールラインの変更角度は、変更前のシールラインの仮想線２４１と変更後のシールラインとによって形成される角度をいう。ここで、前記第１角２４２または第２角２４３の角度と、仮想線２４１の接点で変更された角度との和が９０°より小さいと、前述の方式でシールラインが形成される。しかし、前記角度の和が９０°より大きいと、例えば図１４（ｂ）に示すように、シールラインは仮想線２４１を通過せず表示素子基板列の同一側で他の表示素子基板上に形成される。
【００９８】
母基板に非表示領域が形成される場合、シールラインはデータ駆動回路が実装されるかまたはデータ駆動回路を含むＩＣが付着される非表示領域（図１４（ａ）参照）を通過しないように前記表示素子基板の列方向（図１４（ａ）中、第２方向）に形成される。
【００９９】
表示素子基板列の他の側から始めた第２シールライン２５２の形成方法を説明すると次のようである。なお、図１５では、切断面２６０の位置が交差部よりも下側に位置する場合を例に挙げている。図１５に示したように、図１４（ａ）と同様の方法により仮想線２４１の右側から初めて、表示素子基板毎に左右交互に第１シールライン２５１を形成する。この第１シールライン２５１を形成した後または同時に、同一の方式で表示素子基板列の他側（仮想線２４１の左側）から始めて、左右交互にシールラインを形成していき、第２シールライン２５２を塗布する。前記のような方式で、前記第１シールライン２５１及び第２シールライン２５２が塗布されると、各表示素子基板は、第１突出部と第２突出部を含み、仮想線２４１を基準として第１突出部と第２突出部の接点または交差部が形成される。このような方式で多様な形態の第１突出部２３３と第２突出部２３４を含むシールラインパターンを形成することができる。
【０１００】
その後、図１６に示したように、第１母基板２００に対応する第２母基板３００を合着する。前記第２母基板３００は、前記第１母基板２００上に形成された複数の表示基板素子（２１１、２１２）に対応する位置に形成された複数のカラーフィルタと共通電極（図示せず）を含む。
【０１０１】
前記合着工程は、前記第１母基板２００と前記第２母基板３００を整列した後、熱または紫外線を用いて前記第１シールライン２５１と第２シールライン２５２を仮硬化して仮圧着した後、高温、高圧で前記第１母基板２００と前記第２母基板３００を本圧着する。
【０１０２】
前記合着工程は、高温を用いて前記シールラインパターンを硬化させるので、前記第１母基板２００と第２母基板３００との間の空気が膨張して前記第１シールライン２５１及び第２シールライン２５２のパターンの一部が破れるおそれがある。このような問題を解決するために真空状態の反応容器の内部で前記合着工程を進行することができる。
【０１０３】
前記第１母基板２００と第２母基板３００を圧着した後、図８等に示したように、切断面２６０に沿って母基板を切断すると、各表示素子基板は、第１突出部と他の表示素子基板上の第２突出部の一部で構成された交差部２３５と第２突出部の頂点が切断されて形成された液晶注入口２３６が形成されたシールラインパターンを含むようになる。ここで、切断工程は、ホイール（ｗｈｅｅｌ）を用いて機械的にクラック（ｃｒａｃｋ）を形成した後、スティーム（ｓｔｅａｍ）を用いて前記クラック部を切断する方法を用いることができる。ここで、ホイールの以外に超音波またはレーザーを用いてクラック工程を進行することもできる。
【０１０４】
各表示素子基板別に分離した後、真空注入方法によって注入口２３６を通じて液晶４００を注入する。その後、図１７に示したように、前記注入された液晶４００が外部に漏れること防止するために、前記液晶注入口２３６をエンドシール２７０を用いて密封する。
【０１０５】
以上の工程によって本発明の実施例によるシールラインパターンを含む表示装置を製造する。
【０１０６】
滴下方式によって液晶を注入しうるシールラインパターンを含む表示素子基板の製造方法を説明すると下記のようである。
【０１０７】
まず、第１母基板２００上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）素子を含む複数の表示素子基板を形成し、前記複数の表示素子基板に第１シールライン２５１及び第２シールライン２５２を形成する工程は、前述した真空注入用シールラインパターンを形成する方法と同一である。即ち、図１３乃至図１６に示したように、各表示素子基板に第１突出部及び第２突出部を含むシールラインパターンを形成する。
【０１０８】
その後、図１８に示したように、第１母基板２００上に区画された各表示素子基板領域の一定量の液晶４００を滴下する。このような液晶量は、前記第１母基板２００とこれに対応する第２母基板３００を合着する工程を進行するとき、セルの外部に漏れる液晶４００が最小化するように適切に決定される。
【０１０９】
その後、図１９に示したように、前記第１母基板２００と前記第２母基板３００を合着する。このような合着工程もまた前記真空注入方式で表示素子基板を製造する方法と同様に前記第１母基板２００と前記第２母基板を整列した後、熱または紫外線を用いて仮圧着し、高温及び高圧の条件下で本圧着を進行する。
【０１１０】
その後、図２０に示したように、切断面２６０に沿って母基板を切断すると、各表示素子基板は、前記切断面に接する第１突出部（及び第２突出部）が形成されたシールラインパターンを含む。即ち、図９に示したように、前記切断面が図５乃至図７に示した第１突出部２３３と第２突出部２３４の接点を通過すると、各表示素子基板は、閉ループ（２３１、２３２）で維持されたシールラインパターンを含む。
【０１１１】
以上、前記シールラインが形成される第１母基板２００は、ゲート電極、データ電極、及び画素電極を含む薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）素子及び駆動回路部を含む基板を例示して説明したが、これに限定されることはなく、前記第１母基板２００は、前記薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）素子を含む基板に対向して表示装置を駆動する対向基板であってもよい。
【０１１２】
以上説明したように、本発明の実施例によるシールラインパターンを通じて表示素子基板間の離隔距離を最小化することができ、これを通じて一枚の母基板からより多い表示パネルを得ることができ、表示パネルの製造時間を多きく短縮することができる。
【０１１３】
なお、真空注入方法または滴下方法による液晶注入工程とは関係なく同一のシールラインパターンを適用して生産効率の増加と製造コストの減少との効果を得ることができる。
【０１１４】
以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離脱することなく、本発明を修正または変更できる。
【図面の簡単な説明】
【０１１５】
【図１】従来のシールラインを形成する方法によって母基板上に配置された表示素子基板の平面図である。
【図２】従来のシールラインを形成する方法によって母基板上に配置された表示素子基板の平面図である。
【図３】従来のシールラインを形成する方法によって母基板上に配置された表示素子基板の平面図である。
【図４】本発明のシールラインの形成方法によって母基板上に配置された表示素子基板の平面図である。
【図５】母基板上に本発明の一実施例によるシールラインを含む表示素子基板の一部を示す平面図である。
【図６】母基板上に本発明の他の実施例によるシールラインを含む表示素子基板の一部を示す平面図である。
【図７】母基板上に本発明の更に他の実施例によるシールラインを含む表示素子基板の一部を示す平面図である。
【図８】本発明の実施例によるシールラインを用いて本発明の一実施例による真空注入方式用表示素子基板を形成する方法を示す平面図である。
【図９】本発明の実施例によるシールラインを用いて本発明の他の実施例による滴下方式用表示素子基板を形成する方法を示す図である。
【図１０】母基板上に本発明の更に他の実施例によるシールラインを含む表示素子基板の一部を示す平面図である。
【図１１】本発明の実施例によるシールラインを用いて図１０に示した本発明の他の実施例による真空注入方式用表示素子基板を形成する方法を示す平面図である。
【図１２】本発明の実施例によるシールラインを用いて図１０に示した本発明の他の実施例による滴下方式用表示素子基板を形成する方法を示す図である。
【図１３】本発明の一実施例による表示装置の製造方法を示す図である。
【図１４】（ａ）本発明の一実施例による表示装置の製造方法を示す図（１）である。（ｂ）本発明の一実施例による表示装置の製造方法を示す図（２）である。
【図１５】本発明の一実施例による表示装置の製造方法を示す図である。
【図１６】本発明の一実施例による表示装置の製造方法を示す図である。
【図１７】本発明の一実施例による表示装置の製造方法を示す図である。
【図１８】本発明の他の実施例による表示装置の製造方法を示す図である。
【図１９】本発明の他の実施例による表示装置の製造方法を示す図である。
【図２０】本発明の他の実施例による表示装置の製造方法を示す図である。
【符号の説明】
【０１１６】
２００    第１母基板
２１０    第１スティック
２１１、２１２    表示素子基板
２２０    第２スティック
２３０    シールライン
２３１    第１閉ループ
２３２    第２閉ループ
２３３    第１突出部
２３４    第２突出部
２３５    交差部
２３６    注入口
２３７    ダミーライン
２４１    仮想表示線
２４２    第１角
２４３    第２角
２５１    第１シールライン
２５２    第２シールライン
２６０    切断面
２７０    エンドシール
３００    第２母基板
４００    液晶