Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月4日(2010.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技領域を有し、当該遊技領域に向けて遊技球が打ち込まれる遊技盤と、
前記遊技領域に向けて遊技球を打ち込むための発射装置と、
前記発射装置による遊技球の打ち込みを指示するための操作手段と、
前記遊技領域に設けられ、遊技球が入球可能な始動口と、
装飾図柄の変動表示を含む演出表示を行うための演出画像表示装置と、
前記変動表示のパターンである複数の変動パターンを記憶する変動情報記憶手段と、
前記遊技盤の遊技領域に設けられ、遊技球を受け入れ困難な閉状態と当該閉状態よりも遊技球を受け入れ容易な開状態とに変化可能な特別入賞口と、
前記演出表示装置の前方に設けられ、前記演出表示装置における前記演出表示を前方から視認可能な役物演出空間と、
前記役物演出空間内で自在に移動可能な飛行部材と、
前記役物演出空間において、前記飛行部材を移動させることが可能な演出部材移動手段と、
前記始動口への遊技球の入球があったか否かの判断を行う始動判断手段、
前記始動判断手段により遊技球の入球が判断されることに基づき、内部的な抽選を行う抽選手段、および
前記抽選手段による抽選に当選すると、前記特別入賞口の開閉動作を行う特別遊技を実行する特別遊技実行手段、
を少なくとも有する主制御手段と、
前記主制御手段に電気的に接続され、
前記抽選手段による抽選結果に応じ、前記変動情報記憶手段から読み出される変動パターンに基づく演出表示を、前記演出画像表示装置を介して行う演出画像表示制御手段、および
前記演出部材移動手段を介し、前記遊技盤に沿って二次元的に前記飛行部材を遠隔コントロールする演出部材制御手段、
を少なくとも有する副制御手段と
を備え、
前記演出画像表示制御手段は、所定条件の成立時に、特定の演出表示を実行し、
前記演出部材制御手段は、前記演出画像表示制御手段による前記特定の演出表示が開始された後、前記飛行部材を前記特定の演出表示に対応させて遠隔コントロールする
ことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記演出画像表示制御手段は、
前記演出表示を異なる態様の演出表示に切替可能な演出切替手段を有しており、
前記演出画像表示制御手段は、前記演出切替手段による演出表示の切り替えに先立って、前記演出表示の切り替えの契機となる特定の演出表示を実行する
請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】
前記役物演出空間は、少なくとも前方から役物を視認可能な現出領域、及び、少なくとも前方から役物を視認困難な掩蔽領域を有しており、
前記演出部材制御手段は、前記演出画像表示制御手段による前記特定の演出表示が開始された後、前記掩蔽領域から前記現出領域への前記飛行部材の遠隔コントロールによる現出演出を実行する
請求項１または請求項２に記載の遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の遊技機は、遊技領域を有し、当該遊技領域に向けて遊技球が打ち込まれる遊技盤と、前記遊技領域に向けて遊技球を打ち込むための発射装置と、前記発射装置による遊技球の打ち込みを指示するための操作手段と、前記遊技領域に設けられ、遊技球が入球可能な始動口と、装飾図柄の変動表示を含む演出表示を行うための演出画像表示装置と、前記変動表示のパターンである複数の変動パターンを記憶する変動情報記憶手段と、前記遊技盤の遊技領域に設けられ、遊技球を受け入れ困難な閉状態と当該閉状態よりも遊技球を受け入れ容易な開状態とに変化可能な特別入賞口と、前記演出表示装置の前方に設けられ、前記演出表示装置における前記演出表示を前方から視認可能な役物演出空間と、前記役物演出空間内で自在に移動可能な飛行部材と、前記役物演出空間において、前記飛行部材を移動させることが可能な演出部材移動手段と、前記始動口への遊技球の入球があったか否かの判断を行う始動判断手段、前記始動判断手段により遊技球の入球が判断されることに基づき、内部的な抽選を行う抽選手段、および前記抽選手段による抽選に当選すると、前記特別入賞口の開閉動作を行う特別遊技を実行する特別遊技実行手段、を少なくとも有する主制御手段と、前記主制御手段に電気的に接続され、前記抽選手段による抽選結果に応じ、前記変動情報記憶手段から読み出される変動パターンに基づく演出表示を、前記演出画像表示装置を介して行う演出画像表示制御手段、および前記演出部材移動手段を介し、前記遊技盤に沿って二次元的に前記飛行部材を遠隔コントロールする演出部材制御手段、を少なくとも有する副制御手段とを備え、前記演出画像表示制御手段は、所定条件の成立時に、特定の演出表示を実行し、前記演出部材制御手段は、前記演出画像表示制御手段による前記特定の演出表示が開始された後、前記飛行部材を前記特定の演出表示に対応させて遠隔コントロールすることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月1日(2010.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３次元磁気センサから出力される磁気データを順次入力する入力手段と、
複数の前記磁気データを母集団データ群として蓄える蓄積手段と、
予め設定されている前記磁気データの旧オフセットと前記母集団データ群とに基づいて前記磁気データの新オフセットを導出するオフセット導出手段であって、前記母集団データ群の分散が小さな主軸方向の成分よりも分散が大きな主軸方向の成分を重く重み付けしつつ前記新オフセットを導出するオフセット導出手段と、
を備える磁気データ処理装置。
【請求項２】
前記オフセット導出手段は、前記母集団データ群の分散が小さな主軸方向の成分よりも分散が大きな主軸方向の成分を重く重み付けしつつ前記母集団データ群を用いて係数が定まるベクトルを補正ベクトルとするとき、前記旧オフセットと前記補正ベクトルの和として前記新オフセットを導出する、
請求項１に記載の磁気データ処理装置。
【請求項３】
前記補正ベクトルは、前記旧オフセットを始点とし前記母集団データ群の重心を終点とするベクトルの基本ベクトル群の各係数を、前記母集団データ群の分布の固有値に応じて重み付けした値を係数とする前記基本ベクトル群の一次結合である、
請求項２に記載の磁気データ処理装置。
【請求項４】
前記基本ベクトル群の方向は、前記母集団データ群の分布の主軸方向である、
請求項３に記載の磁気データ処理装置。
【請求項５】
３次元磁気センサから出力される磁気データを順次入力する入力手段と、
複数の前記磁気データを母集団データ群として蓄える蓄積手段と、
前記母集団データ群の分布の主値を表す固有値に基づいて前記磁気データのオフセット更新アルゴリズムを選択しながら前記磁気データのオフセットの更新を繰り返すオフセット更新手段と、
を備える磁気データ処理装置。
【請求項６】
前記オフセット更新手段は、前記母集団データ群の分布の主値を表す固有値に基づいて前記母集団データ群が平面的に分布しているか否かを判定し、判定結果に基づいて前記磁気データのオフセット更新アルゴリズムを選択する、
請求項５に記載の磁気データ処理装置。
【請求項７】
前記オフセット更新手段は、前記母集団データ群の分布の主値を表す固有値に基づいて前記母集団データ群が直線的に分布しているか否かを判定し、判定結果に基づいて前記磁気データのオフセット更新アルゴリズムを選択する、
請求項５に記載の磁気データ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月15日(2010.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記現像剤は、一成分磁性現像剤であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の現像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
しかしながら、近年更なる高画質化、装置の低コスト化や小型化が望まれている。装置の低コスト化や小型化のために、部品点数や材料費の削減や単純な構成で、容器のコンパクト化や長手領域幅の短縮などが行われている。また、高画質化のために、現像剤担持体上の現像剤層厚をさらに薄層化し、現像剤に対する電荷付与を効率良くかつ均一に行なっている。そのために、平均円形度の高い現像剤を用いているが、一方でこのような現像剤と上記のような構成とを組み合わせた現像装置においては、次のような問題が生じる場合があり、早急な解決が望まれていた。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
平均円形度の高い現像剤とは、少なくとも結着樹脂及び磁性体を有し、平均円形度が０.９６０以上である一成分磁性現像剤である。そのため、その高い球径度と外添剤の効果により従来の現像剤と比較して、現像剤に対する電荷付与力が高くなる傾向にある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
その結果、平均円形度の高い現像剤の層厚が現像スリーブ上で不均一となったり、部分
的に現像剤同士が静電凝集を起こしたりする。特に低温低湿環境においては、現像剤は電荷過剰状態（チャージアップ状態）になりやすい傾向があり、現像剤同士が高い電荷状態のまま部分的に静電凝集してしまう。これにより、現像スリーブ端部において形成される画像の端部（画像端部）における『濃度ムラ』が発生することがあるため、種々の対策が望まれていた。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
＜２．３そらし貼りにおける課題＞
また、外部へのトナー漏れを防ぐためにトナー漏れ防止シート部材にそらし貼り（長手方向全域に亘って波打ちがないように、シートを変形させて貼り付ける方法）を用いて取り付けてある現像剤容器においても、同様の問題が生じる。その取り付け方法から長手端部の「トナー漏れ防止部材」と重なり合う領域では、現像スリーブ両端部領域における「トナー漏れ防止シート部材」の当接圧が高くなる傾向にあった。すると、上述と同様に平均円形度の高い現像剤を用いた場合には、現像スリーブ上にコートされているトナー層が不均一となり、静電凝集を起こすことによって、濃度ムラが発生することがあった。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月5日(2010.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両用のナビゲーション・システム（１０）であって、
前記車両の運転に関する第１のセットのデータを提供するように構成された慣性測定装置と、
前記車両の運転に関する第２のセットのデータを提供するように構成された位置決め装置と、
前記慣性測定装置及び前記位置決め装置が提供する前記データの前記セットを受信するように構成された処理装置（７０）であって、受信した前記データの前記セットに関連する時間更新誤差状態及び測定更新誤差状態を用いてプログラムされる誤差処理装置を備え、前記誤差処理装置は、第１の基準に基づいて前記時間更新誤差状態及び前記測定更新誤差状態の双方を反復し、第２の基準に基づいて前記測定更新誤差状態のみを反復するように構成され、前記処理装置が更に、更新された前記の誤差状態に基づいて少なくとも前記車両の位置及び速度を推定するように構成された、処理装置と
を備えるナビゲーション・システム。
【請求項２】
請求項１に記載のナビゲーション・システムであって、
前記第１の基準と前記第２の基準との間での決定は、前記車両から受信した１以上の信号に基づいてなされ、
前記車両から受信した前記信号は、ホイール下降信号、ホイール加重信号、及びブレーキ信号のうちの１以上のものを含む、
ナビゲーション・システム。
【請求項３】
請求項１に記載のナビゲーション・システムであって、
前記処理装置が更に、気圧高度計、真対気速度指示器、及び磁力計のうちの１以上のものからデータを受信するように構成され、
前記処理装置が、少なくとも位置誤差状態及び速度誤差状態で初期設定されたカルマン・フィルタ（１２）を備え、
前記第１の基準が、前記車両の位置変化を示すものではないデータを備え、前記第２の基準が、前記車両の位置変化を示すデータを備える、
ナビゲーション・システム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月28日(2009.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源から出射される光束を偏向走査する偏向走査手段と、該偏向走査手段により偏向走査された光束を被走査体に結像する結像光学手段とを有する走査光学装置において、
前記結像光学手段は、前記偏向走査手段から偏向走査された光束を入射光束と異なる方向に反射する第１の反射ミラーと、前記第１の反射ミラーで反射された光束を主走査方向から見て前記第１の反射ミラーの入射光束側に反射することで前記被走査体に導く第２の反射ミラーと、前記第１の反射ミラーと前記第２の反射ミラーとの間に設けられ副走査方向のパワーを有するレンズと、を備え、
前記第１の反射ミラーと前記第２の反射ミラーはそれぞれ、主走査方向において互いに同一の側の一端を副走査方向について２点で支持されるとともに、他端を副走査方向について前記２点の略中央に位置する１点で支持される構成で、
前記第１の反射ミラーの前記一端を支持する２点と、前記第２の反射ミラーの前記一端を支持する２点とは、副走査方向について互いに逆側の１点がそれぞれ調整機構によって法線方向の支持位置が調整自在に支持される構成となっている
ことを特徴とする走査光学装置。
【請求項２】
前記光源は複数の光源であって、前記偏向走査手段は、該偏向走査手段を挟んだ双方向のそれぞれにおいて、前記複数の光源から出射された光束を別々の被走査体に偏向走査する構成で、前記結像光学手段は前記偏向走査手段により各被走査体に偏向走査される各光束毎に設けられ、
各光束に対応する前記結像光学手段の調整機構が、すべて主走査方向について同一側にある
ことを特徴とする請求項１記載の走査光学装置。
【請求項３】
前記複数の光源と、前記偏向走査手段と、前記結像光学手段とを１つの筐体内に配し、
前記結像光学手段の調整機構が、前記複数の光源に対して前記偏向走査手段を挟んだ逆側に設けられている
ことを特徴とする請求項２記載の走査光学装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載の走査光学装置によって被走査体としての感光体に光束を走査して画像を形成する画像形成装置であって、
前記走査光学装置における前記調整機構を操作する操作部は、前記画像形成装置において、前記画像形成装置の内部をメンテナンスするために開閉する扉側に配置されていることを特徴とする画像形成装置。
【請求項５】
光束を偏向走査する偏向走査手段と、該偏向走査手段により偏向走査された光束を被走査体に結像する結像光学手段とを有し、
前記結像光学手段は、前記偏向走査手段によって偏向走査された光束を入射光束と異なる方向に反射する第１の反射ミラーと、前記第１の反射ミラーで反射された光束を主走査方向から見て前記第１の反射ミラーの入射光束側に反射することで前記被走査体に導く第２の反射ミラーと、前記第１の反射ミラーと前記第２の反射ミラーとの間に設けられ副走査方向のパワーを有するレンズと、を備え、
前記第１の反射ミラーと前記第２の反射ミラーはそれぞれ、主走査方向において互いに同一の側の一端を副走査方向について２点で支持されるとともに、他端を副走査方向について前記２点の略中央に位置する１点で支持される構成の走査光学装置の走査線調整方法であって、
前記第１の反射ミラーの前記一端を支持する２点の内の１点を少なくとも調整し、前記第２の反射ミラーの前記一端を支持する２点の内、前記第１の反射ミラーを調整した１点と副走査方向について逆側の１点を調整する
ことを特徴とする走査光学装置の走査線調整方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
上記目的を達成するための本発明に係る代表的な構成は、光源から出射される光束を偏向走査する偏向走査手段と、該偏向走査手段により偏向走査された光束を被走査体に結像する結像光学手段とを有する走査光学装置において、
前記結像光学手段は、前記偏向走査手段から偏向走査された光束を入射光束と異なる方向に反射する第１の反射ミラーと、前記第１の反射ミラーで反射された光束を主走査方向から見て前記第１の反射ミラーの入射光束側に反射することで前記被走査体に導く第２の反射ミラーと、前記第１の反射ミラーと前記第２の反射ミラーとの間に設けられ副走査方向のパワーを有するレンズと、を備え、
前記第１の反射ミラーと前記第２の反射ミラーはそれぞれ、主走査方向において互いに同一の側の一端を副走査方向について２点で支持されるとともに、他端を副走査方向について前記２点の略中央に位置する１点で支持される構成で、
前記第１の反射ミラーの前記一端を支持する２点と、前記第２の反射ミラーの前記一端を支持する２点とは、副走査方向について互いに逆側の１点がそれぞれ調整機構によって法線方向の支持位置が調整自在に支持される構成となっていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
さらに、光束を偏向走査する偏向走査手段と、該偏向走査手段により偏向走査された光束を被走査体に結像する結像光学手段とを有し、結像光学手段は、前記偏向走査手段によって偏向走査された光束を入射光束と異なる方向に反射する第１の反射ミラーと、前記第
１の反射ミラーで反射された光束を主走査方向から見て前記第１の反射ミラーの入射光束側に反射することで被走査体に導く第２の反射ミラーと、前記第１の反射ミラーと前記第２の反射ミラーとの間に設けられ副走査方向のパワーを有するレンズと、を備え、前記第１の反射ミラーと前記第２の反射ミラーはそれぞれ、主走査方向において互いに同一の側の一端を副走査方向について２点で支持されるとともに、他端を副走査方向について前記２点の略中央に位置する１点で支持される構成の走査光学装置の走査線調整方法であって、
前記第１の反射ミラーの前記一端を支持する２点の内の１点を少なくとも調整し、前記第２の反射ミラーの前記一端を支持する２点の内、前記第１の反射ミラーを調整した１点と副走査方向について逆側の１点を調整することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月2日(2009.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の式（Ｉ）の構造を有するターポリマーを含有するコーティングを含んでなる膜。
【化１】
2007144416.tif 000001
式中、Ｒ1はアルキル基であり、Ｒ2は式ＣＦ3（ＣＦ2）p（ＣＨ2）q−の基（ｐは１〜２１の範囲の整数、ｑは１〜１０の範囲の整数である。）であり、Ｒ3及びＲ4は各々水素又は短鎖アルキル基であり、ｍは１超の整数、ｎは２超〜２００００の整数、ｏは２超の整数である。
【請求項２】
Ｒ1がブチル基であり、Ｒ2が３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシル基であり、Ｒ3及びＲ4が各々水素である、請求項１記載の膜。
【請求項３】
被覆膜の水流量が１０ウェット／ドライサイクル後室温で２７インチＨｇの圧力差で１ｍＬ／ｍｉｎ−ｃｍ超である、請求項１又は請求項２記載の膜。
【請求項４】
フッ素置換アクリレートもしくはフッ素置換メタクリレートと、無水イタコン酸又は無水マレイン酸を含む不飽和無水物と、アルキルアクリレートもしくはアルキルメタクリレートとの反応生成物を含有するコーティングを含んでなる膜。
【請求項５】
前記フッ素置換アクリレートが３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルアクリレートを含む、請求項４記載の膜。
【請求項６】
前記アルキルアクリレートがブチルアクリレートを含む、請求項４又は請求項５記載の膜。
【請求項７】
前記コーティングがさらに多官能性架橋剤を含む、請求項４乃至請求項６のいずれか１項記載の膜。
【請求項８】
前記コーティングが多官能性架橋剤で架橋されて被覆膜を形成している、請求項７記載の膜。
【請求項９】
被覆膜の水流量が１０ウェット／ドライサイクル後室温で２７インチＨｇの圧力差で１ｍＬ／ｍｉｎ−ｃｍ超である、請求項８記載の膜。
【請求項１０】
フッ素置換アクリレートもしくはフッ素置換メタクリレートと、無水イタコン酸又は無水マレイン酸を含む不飽和無水物と、アルキルアクリレートもしくはアルキルメタクリレートと、開始剤とを溶剤中で反応させてターポリマーを形成し、
このターポリマーと多官能性架橋剤とを反応させて膜上にコーティングを形成する
工程を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月7日(2010.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
航空機エンジン圧縮機のディスク／ブレードアセンブリであって、ディスクおよび前記ディスク上に搭載されたハンマー取り付け部を備える複数のブレードを含み、各ブレードは、放射内側方向へ連続的に、前縁および所与の偏向方向に前縁から周縁状に偏向する後縁を含むエアフォイルと、プラットフォームと、支柱と、エアフォイルの前縁側に位置する上流軸受表面およびこのエアフォイルの後縁に位置する下流軸受表面が設けられたブレード根元部とを含み、ディスクには周縁溝が設けられ、前記複数のブレードの各々の前記ブレード根元部が、この周縁溝に対面する前記軸受表面によって保持され、前記複数のブレードの各々について、下流軸受表面が上流軸受表面から前記所与の偏向方向に周縁状に偏向する、ディスク／ブレードアセンブリ。
【請求項２】
前記複数のブレードの各々が、前記ブレードに関して上方から見て、その上流軸受表面からその下流軸受表面へ展延する前記ブレード根元部の主要方向が０．５〜１０°の間の角度Ａだけ前記ディスクの中心軸から偏向するように設計される、請求項１に記載の圧縮機用ディスク／ブレードアセンブリ。
【請求項３】
前記角度Ａが約３°である、請求項２に記載の圧縮機用ディスク／ブレードアセンブリ。
【請求項４】
前記複数のブレードの各々について、ブレード根元部が前記軸受表面のどちらかの側に配置された２つの対向する周縁上端部表面を有し、これらの周縁端部表面が各々実質上平坦な形状を有する、請求項１から３のいずれか一項に記載の圧縮機用ディスク／ブレードアセンブリ。
【請求項５】
前記複数のブレードの各々について、ブレード根元部が前記軸受表面のどちらかの側に配置された２つの対向する周縁端部表面を有し、これらの周縁端部表面が各々実質上凹形状を有する、請求項１から３のいずれか一項に記載の圧縮機用ディスク／ブレードアセンブリ。
【請求項６】
前記ブレードに関して上方から見て、ブレード根元部の前記上流と下流軸受表面の気圧中心が、この図で考えて、前記上流および下流軸受表面の対称中心を形成するように、前記複数のブレードの各々が設計される、請求項１から５のいずれか一項に記載の圧縮機用ディスク／ブレードアセンブリ。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載のディスク／ブレードアセンブリの少なくとも１つを取り付けた、航空機エンジン圧縮機。
【請求項８】
請求項７に記載の圧縮機を少なくとも１つ含む、航空機エンジン。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月21日(2010.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅箔基材と、
前記銅箔基材の少なくとも一方の面に特定の面方位を有する結晶が占める面積の割合が１５％以下であるランダムな結晶配向を有する層又は非晶質層と
を有することを特徴とするプリント配線板用銅箔。
【請求項２】
請求項１記載のプリント配線板用銅箔において、前記ランダムな結晶配向を有する層の平均結晶粒径が０．５μｍ以下であることを特徴とするプリント配線板用銅箔。
【請求項３】
請求項１記載のプリント配線板用銅箔において、前記ランダムな結晶配向を有する層の特定の面方位を有する結晶が占める面積の割合が５％以下であることを特徴とするプリント配線板用銅箔。
【請求項４】
請求項１記載のプリント配線板用銅箔において、前記銅箔基材表面の結晶の[100]方位と前記銅箔基材厚さ方向とのなす角が１０°以内である結晶粒の面積比率が８０％以上であることを特徴とするプリント配線板用銅箔。
【請求項５】
請求項１記載のプリント配線板用銅箔において、前記ランダムな結晶配向を有する層又は前記非晶質層が銅、ニッケル、コバルト、モリブデン、タングステン、クロム、チタン及びこれらの合金の少なくとも一つを含むことを特徴とするプリント配線板用銅箔。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月12日(2010.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
（工程ｅ：剥離）
その後、図２（ｅ）に示すように、先に形成したイオン注入層４にてボンドウェーハ１を薄膜化し、ベースウェーハ２の上にＢＯＸ層３を挟んでＳＯＩ層７が形成されており、イオン注入ダメージ層８を有する貼り合わせ基板６と、剥離後のボンドウェーハ５とを得る。この剥離後のボンドウェーハ５は、剥離面の欠陥を除去した後にボンドウェーハとして再利用することができる。
なお、この薄膜化には、室温で貼り合わせた後に、必要に応じて５００℃程度の低温熱処理を行って剥離を行った後、結合強度を高めるための結合熱処理工程（ｆ）を行うという工程順となる。また、このとき、貼り合わせるウェーハ表面をプラズマ処理することにより活性化したのちに貼り合わせることにより、前記５００℃程度の熱処理を行うことなく、機械的な応力により前記イオン注入層で剥離する方法を用いることもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月15日(2010.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
（比較例１）
一方、比較例１の基材フィルムは、ｐ−クレゾールエチレンオキシド変性アクリレートの代わりにフェニルヒドロキシプロピルアクリレートを同重量部用いた点を除き、実施例１の基材フィルムと同様に形成し、粘着シートを得た。
（比較例２、３）
そして比較例２の基材フィルムは、厚さが１１０μｍの低密度ポリエチレンフィルムであり、比較例３の基材フィルムは、厚さが１００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムである。これらの比較例２および比較例３の基材フィルムからも、実施例１と同様の方法で粘着シートを得た。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月1日(2010.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
拡散層が形成される半導体基板の上部に、少なくとも２層の配線層が対向して形成された半導体装置であって、
所定電位を保持する信号を伝送するために前記２層の配線層に形成された信号配線と、
前記信号配線を遮蔽するために一定の電位に固定され、前記２層の配線層に前記信号配線と隣接して形成されたシールド配線と、
前記半導体基板の上部に絶縁膜を挟んで形成されるゲート電極と、
を備え、前記２層の配線層のうち下層の配線層に形成された前記信号配線は、積層方向に対向する前記ゲート電極と電気的に接続され、
前記信号配線は、前記２層の配線層のうち上層の配線層に形成された第１の信号配線と、前記下層の配線層に形成された第２の信号配線とを含み、
前記シールド配線は、前記上層の配線層に形成された第１のシールド配線と、前記下層の配線層に形成され前記拡散層と電気的に接続される第２のシールド配線とを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記上層の配線層において、前記第１の信号配線と前記第１のシールド配線とが交互に並んで配置されるとともに、前記下層の配線層において、前記第２の信号配線と前記第２のシールド配線とが交互に並んで配置されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の信号配線の下方に前記第２のシールド配線が対向配置され、前記第１のシールド配線の下方に前記第２の信号配線が対向配置されることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の信号配線及び前記第１のシールド配線の延伸方向と、前記第２の信号配線及び前記第２のシールド配線の延伸方向とが、互いに直交することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記２層の配線層の下方には、前記所定電位を保持する信号と異なる信号の配線が形成された一又は複数の配線層が積層され、前記第２の信号配線は、前記一又は複数の配線層を経由して連結される複数のコンタクトプラグにより前記ゲート電極と電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記下層の配線層には、前記第２のシールド配線に隣接して所定の電源電圧を供給するための電源配線が形成され、当該電源配線は前記ゲート電極と電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記拡散層は、Ｐ型の前記半導体基板の上部に予め形成されたＮ型ウェルの表面に形成され、前記ゲート電極と前記Ｎ型ウェルが対向配置されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
半導体基板と、
前記半導体基板の表面とゲート絶縁膜を介して対向配置されるゲート電極配線と、
前記ゲート電極配線の上部に第１の絶縁膜を介して配置される第１の配線層と、
前記第１の配線層の上部表面と第２の絶縁膜を介して対向配置される第２の配線層と、
前記第１の配線層の側面と前記第２の絶縁膜の一部を介して対向配置される第３の配線層と、
を備え、前記第１の配線層は第１の定電圧を供給するための第１の電位配線であり、前記第１の配線層は前記ゲート電極配線と電気的に接続され、前記第２の配線層及び前記第３の配線層は第２の定電圧に固定されたシールド配線であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
前記半導体基板に形成された拡散層を更に備え、
前記第３の配線層は前記拡散層と電気的に接続されることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第２の配線層と同じ高さに形成され、前記第２の配線層の側面と対向配置され、前記第３の配線層の上部表面と前記第２の絶縁膜を介して対向配置される第４の配線層を更に備え、
前記第４の配線層は、第３の定電圧を供給するための第２の電位配線であることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第１の定電圧と前記第３の定電圧はともに同一の基準電位であり、前記第１の配線層と前記第４の配線層は、内部回路に前記基準電位を供給するためのリファレンス信号であることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記第１の定電圧は電源電圧であることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記第２の定電圧は接地電位であることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記第２のシールド配線は、前記第１の信号配線と対向配置され、前記下層の配線層に形成された前記信号配線のうち少なくとも１本の信号配線は、前記第１のシールド配線と対向配置されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記信号は、内部回路に基準電位を供給するためのリファレンス信号であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の半導体装置は、拡散層が形成される半導体基板の上部に、少なくとも２層の配線層が対向して形成された半導体装置であって、所定電位を保持する信号を伝送するために前記２層の配線層に形成された信号配線と、前記信号配線を遮蔽するために一定の電位に固定され、前記２層の配線層に前記信号配線と隣接して形成されたシールド配線と、前記半導体基板の上部に絶縁膜を挟んで形成されるゲート電極とを備え、前記２層の配線層のうち下層の配線層に形成された前記信号配線は、積層方向に対向する前記ゲート電極と電気的に接続され、前記信号配線に、前記２層の配線層のうち上層の配線層に形成された第１の信号配線と、前記下層の配線層に形成された第２の信号配線とを含めて構成し、前記シールド配線は、前記上層の配線層に形成された第１のシールド配線と、前記下層の配線層に形成され前記拡散層と電気的に接続される第２のシールド配線とを含めて構成してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月6日(2010.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、一対の電極間の少なくとも一層に、下記一般式［１］で表されるインドール化合物を含有することを特徴とする有機電界発光素子。
一般式［１］
【化１】
2009231515.tif 000001
［ここでＩｎｄ１０１は置換もしくは無置換のインドール環を表し、Ｌ１０１は連結基を表す。Ｉｎｄ１０１とＬ１０１はＩｎｄ１０１の２位もしくは３位で連結している。ｎ１０１は２以上の整数を表す。］
【請求項２】
一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、一対の電極間の少なくとも一層に、下記一般式［２］で表されるインドール化合物を含有することを特徴とする有機電界発光素子。
一般式［２］
【化２】
2009231515.tif 000002
［ここでＲ２０１〜Ｒ２０６は水素原子もしくは置換基を表す。Ｌ２０１は連結基を表す。ｎ２０１は２以上の整数を表す。］
【請求項３】
一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、一対の電極間の少なくとも一層に、下記一般式［３］で表されるインドール化合物を含有することを特徴とする有機電界発光素子。
一般式［３］
【化３】
2009231515.tif 000003
［ここでＲ３０１〜Ｒ３０６は水素原子もしくは置換基を表す。Ｌ３０１は置換もしくは無置換の原子を表す。ｎ３０１は２以上の整数を表す。］
【請求項４】
４座配位子を有する白金錯体を含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
一般式［１］〜［３］のいずれかで表されるインドール化合物を少なくとも１種、発光層に含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
電子輸送層に金属錯体系材料を含有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
【請求項７】
下記一般式［１］で表される有機電界発光素子用材料。
一般式［１］
【化４】
2009231515.tif 000004
［ここでＩｎｄ１０１は置換もしくは無置換のインドール環を表し、Ｌ１０１は連結基を表す。Ｉｎｄ１０１とＬ１０１はＩｎｄ１０１の２位もしくは３位で連結している。ｎ１０１は２以上の整数を表す。］
【請求項８】
下記一般式［２］で表される有機電界発光素子用材料。
一般式［２］
【化５】
2009231515.tif 000005
［ここでＲ２０１〜Ｒ２０６は水素原子もしくは置換基を表す。Ｌ２０１は連結基を表す。ｎ２０１は２以上の整数を表す。］
【請求項９】
下記一般式［３］で表される有機電界発光素子用材料。
一般式［３］
【化６】
2009231515.tif 000006
［ここでＲ３０１〜Ｒ３０６は水素原子もしくは置換基を表す。Ｌ３０１は置換もしくは無置換の原子を表す。ｎ３０１は２以上の整数を表す。］
【請求項１０】
一般式［４］で表される有機電界発光素子用材料。
一般式［４］
【化７】
2009231515.tif 000007
［ここでＲ４０１は置換基を表し、Ｒ４０２〜Ｒ４０６は水素原子もしくは置換基を表す。Ｌ４０１は置換もしくは無置換の原子を表す。ｎ４０１は２以上の整数を表す。］
【請求項１１】
一般式［４］で表されるインドール化合物。
一般式［４］
【化８】
2009231515.tif 000008
［ここでＲ４０１は置換基を表し、Ｒ４０２〜Ｒ４０６は水素原子もしくは置換基を表す。Ｌ４０１は置換もしくは無置換の原子を表す。ｎ４０１は２以上の整数を表す。］
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
［ここでＲ３０１〜Ｒ３０６は水素原子もしくは置換基を表す。Ｌ３０１は置換もしくは無置換の原子を表す。ｎ３０１は２以上の整数を表す。］
（４）４座配位子を有する白金錯体を含有することを特徴とする上記（１）〜（３）のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
（５）一般式［１］〜［３］のいずれかで表されるインドール化合物を少なくとも1種、発光層に含有することを特徴とする上記（１）〜（４）のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
（６）電子輸送層に金属錯体系材料を含有することを特徴とする上記（１）〜（５）のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
（７）下記一般式［１］で表される有機電界発光素子用材料。
一般式［１］
【化４】
2009231515.tif 000009
［ここでＩｎｄ１０１は置換もしくは無置換のインドール環を表し、Ｌ１０１は連結基を表す。Ｉｎｄ１０１とＬ１０１はＩｎｄ１０１の２位もしくは３位で連結している。ｎ１０１は２以上の整数を表す。］
（８）下記一般式［２］で表される有機電界発光素子用材料。
一般式［２］
【化５】
2009231515.tif 000010
［ここでＲ２０１〜Ｒ２０６は水素原子もしくは置換基を表す。Ｌ２０１は連結基を表す。ｎ２０１は２以上の整数を表す。］
（９）下記一般式［３］で表される有機電界発光素子用材料。
一般式［３］
【化６】
2009231515.tif 000011
［ここでＲ３０１〜Ｒ３０６は水素原子もしくは置換基を表す。Ｌ３０１は置換もしくは無置換の原子を表す。ｎ３０１は２以上の整数を表す。］
（１０）一般式［４］で表される有機電界発光素子用材料。
一般式［４］
【化７】
2009231515.tif 000012
［ここでＲ４０１は置換基を表し、Ｒ４０２〜Ｒ４０６は水素原子もしくは置換基を表す。Ｌ４０１は置換もしくは無置換の原子を表す。ｎ４０１は２以上の整数を表す。］
（１１）一般式［４］で表されるインドール化合物。
一般式［４］
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月5日(2010.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
永久磁石であって、
第１の極性を有する第１極部を備え、
前記第１極部は、表面に形成された１つ以上のスリット状の溝部を有する、永久磁石。
【請求項２】
請求項１記載の永久磁石であって、
第２の極性を有する第２極部を備え、
前記第２極部は、表面に形成された１つ以上の溝部を有する、永久磁石。
【請求項３】
請求項１または２に記載の永久磁石であって、
前記永久磁石の表面には、保護被膜が形成されている、永久磁石。
【請求項４】
請求項３に記載の永久磁石であって、
前記保護被膜は、非磁石性材料で形成された被膜である、永久磁石。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の永久磁石であって、
前記溝部には非磁石性材料が充填されている、永久磁石。
【請求項６】
永久磁石の生産方法であって、
（ａ）着磁前の磁石部材を準備する工程と、
（ｂ）前記磁石部材に溝部をワイヤカットで形成する工程と、
（ｃ）前記磁石部材のうち前記溝部を挟んで互いに対向する複数の対向部分が、同一の極性となるように、前記磁石部材に対して着磁処理を行なう工程と、
を備える永久磁石の生産方法。
【請求項７】
請求項６に記載の永久磁石の生産方法であって、
前記工程（ｃ）は、
（ｉ）前記複数の対向部分のうち、互いに隣り合わない対向部分に対して、同一の極性となるように着磁処理を行なう工程と、
（ｉｉ）前記工程（ｉ）において着磁を行なわなかった未着磁対向部分に対して、前記工程（ｉ）と同一の極性となるように着磁処理を行なう工程と、を含む、
永久磁石の生産方法。
【請求項８】
請求項７に記載の永久磁石の生産方法であって、
前記工程（ｉｉ）は、前記工程（ｉ）で着磁処理を行なった前記対向部分に対して中和用磁石を配置する工程を含む、永久磁石の生産方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月19日(2010.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶基板の一方の面に電極層を具備し、もう一方の面にｎ型半導体層と活性層とｐ型半導体層とが順次積層されてなる半導体化合物層と、前記半導体化合物層上に積層された金属電極層とを具備してなる半導体発光素子であって、
前記金属電極層が貫通する複数の開口部を有しており、
前記金属電極層の金属部位の任意の２点間は切れ目無く連続しており、
前記金属電極層における前記開口部に阻害されない連続した金属部位の直線距離が、前記活性層から発生する光の波長の１／３以下である部位が、全面積の９０％以上であり、  平均開口部径が１０ｎｍ以上、前記光の波長の３分の１以下の範囲にあり、
前記金属電極層の膜厚が１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲にある
ことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記金属電極層と、前記半導体化合物層とがオーミック接触をしていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記金属電極層が、前記活性層より発生する光の周波数よりもプラズマ周波数の高い材料であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記金属電極層が、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｐｔ、Ｒｄ、Ｎｉ、Ｐｄ、及びＺｒからなる群から選択される少なくとも一つから構成される金属または合金であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記開口部径が、前記活性層から発生する光の波長の１／５以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記開口部が、前記金属電極層にランダムに配置されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体発光素子の製造方法であって、
ブロックコポリマー膜の相分離形状であるドット状のミクロドメインを生成させる工程と、
前記ミクロドメインのパターンをマスクとしてエッチングを行うことにより、開口部を有する金属電極層を形成させる工程と、
を備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体発光素子の製造方法であって、
前記半導体化合物層の表面に金属薄膜を形成させる工程と、
熱処理により前記半導体化合物層と前記金属電極層間にオーミック接触を形成させる工程と、
エッチングにより前記金属電極層の一部を除去する工程と、
前記金属電極層上にマスクパターンを形成させる工程と、
エッチングまたはイオンミリングにより前記マスクパターンを転写することで前記金属電極層に開口部を形成させる工程と、
を備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記熱処理を２００〜５００℃で１０〜１２０分間行うことを特徴とする請求項８に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１０】
前記マスクパターンが、ブロックコポリマー膜の相分離形状であるドット状のミクロドメインのパターンであることを特徴とする請求項８または９に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１１】
前記ブロックコポリマー膜が、芳香環ブロックとアクリルブロックとを組み合わせたブロックコポリマーを備えたことを特徴とする請求項１０に記載の半導体発光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
まず、結晶基板の一方の面に、半導体化合物層を形成させる。ここで半導体化合物層とは、ｐ型半導体層とｎ型半導体層と、それらに狭持された活性層とからなる層をいう。一般的には、基板上にｎ型またはｐ型の半導体を堆積させ、その上に活性層を堆積させ、さらにその上にｐ型またはｎ型の半導体層を堆積させることにより形成させる。ここでは、結晶基板１上にｎ型半導体層２を形成させ、さらに活性層３を形成させ、活性層３上にある光取り出し側のｐ型半導体層４に、スパッタリング法または真空蒸着法により、例えば、金属薄膜９及び合金薄膜１０を順次堆積させる（図２（Ａ））。次に、熱処理を行うことで、ｐ型半導体層４と金属膜９との界面部分にオーミック接触を形成させる。このときの熱処理は、オーミック接触が実現できれば特に限定されないが、好ましくは２００〜５００℃で１０〜１２０分間行う。その後、必要に応じて、イオンミリングまたはドライエッチングにより合金薄膜１０上部を除去することで、開口部を形成させる前のｐ型電極層５が形成される（図２（Ｂ））。この電極層の膜厚は大きいほど抵抗値が低くなり、また小さいほど光透過性が高くなるが、本発明においては１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下とされる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
その後、この上に必要に応じて有機ポリマー層１１を塗布する。続いて、ホットプレート上でベークし溶媒を蒸発させ、さらに熱硬化させるためにオーブン中でアニール処理を行う。最終的に、この有機ポリマー層１１部でのリフトオフによりｐ型電極層５加工用のマスク形成を行う。そのため、有機ポリマー層１１の膜厚がマスク高を決定し、有機ポリマー層１１の膜厚は５０〜４００ｎｍが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
ｐ‐ＧａＡｓ基板上に、ＭＯＣＶＤ法により、ｐ型半導体層のＺｎドープｐ‐Ｉｎ０．５（Ｇａ０．３Ａｌ０．７）０．５Ｐ層（膜厚１μｍ）を形成した。次に、活性層として膜厚０．６μｍのＩｎ０．５（Ｇａ０．８Ａｌ０．２）０．５Ｐを成長させ、さらに、ｎ型半導体層として、Ｓｉドープｎ−Ｉｎ０．５（Ｇａ０．３Ａｌ０．７）０．５Ｐ（膜厚１μｍ）を成長させた。さらにｎ‐ＧａＰ（５μｍ）を成長させた。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月5日(2010.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
施設構内に設置されてその設備のＯＮ／ＯＦＦを制御する入力端子が構内交換機のアナログ局線回路に接続される設備機器と、
設定されたダイヤル番号が入力されると設備に関する制御情報を発呼する電話端末機と、
電話端末機から発呼された設備に関する制御情報を受信し、入力されたダイヤル番号に対応付けられた設備機器に接続されたアナログ局線回路を選択し、選択されたアナログ局線回路をＯＮにすることでその設備機器に接点信号を発信する構内交換機と、から構成され、
構内交換機から接点信号を受信した設備機器は設備のＯＮ／ＯＦＦを切り替えることを特徴とする接点信号出力システム。
【請求項２】
請求項１に記載の接点信号出力システムであって、設備機器には空調機が含まれ、電話端末機から入力される設備に関する制御情報には、設定された時間に自動的に停止される空調機の冷暖房運転を延長して駆動させる制御情報が含まれることを特徴とする接点信号出力システム。
【請求項３】
請求項１に記載の接点信号出力システムであって、設備機器には照明設備が含まれ、電話端末機から入力される設備に関する制御情報には、設定された時間に自動的に消灯される照明設備の点灯を延長させる制御情報が含まれることを特徴とする接点信号出力システム。
【請求項４】
請求項１に記載の接点信号出力システムであって、設備機器には電気施錠により開閉される入退出ドアが含まれ、電話端末機から入力される設備に関する制御情報には、施錠されている電気施錠を開錠させる制御情報が含まれることを特徴とする接点信号出力システム。
【請求項５】
請求項１に記載の接点信号出力システムであって、設備機器には電気施錠により開閉される非常扉が含まれ、電話端末機により入力される設備に関する制御情報には、非常時に所定の非常扉を非常解除する制御情報が含まれることを特徴とする接点信号出力システム。
【請求項６】
請求項１に記載の接点信号出力システムであって、設備機器には警報センサが含まれ、電話端末機により入力される設備に関する制御情報には、警報センサによる警報を待機させるか、又は休止させるかという制御情報が含まれることを特徴とする接点信号出力システム。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１に記載の接点信号出力システムであって、電話端末機は、時間設定が可能なタイマ機能を備え、設備機器に関して予め設定された時間に、タイマからの信号を受信して自動的に設備に関する制御情報を発呼することを特徴とする接点信号出力システム。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１に記載の接点信号出力システムであって、電話端末機は、予め指定された特定の構内電話機であり、ダイヤル番号により設定されたパスワードが入力された後に、設備に関する制御情報が入力されることを特徴とする接点信号出力システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月30日(2010.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板に形成された素子電極と、
前記素子電極の周囲の前記半導体基板を被覆する保護層と、
を備え、
前記素子電極の表面が前記保護層の表面と同一面、あるいは前記素子電極の表面が前記保護層の表面に対して凸であることを特徴とする半導体素子。
【請求項２】
前記保護層の表面に対して凸である前記素子電極は、さらに、その素子電極の周辺部において前記保護膜を覆っていることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項３】
さらに、前記保護層の表面に対して凸である前記素子電極の表面は平坦部を有し、その平坦部は前記保護膜を覆った領域にまで延在していることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体素子。
【請求項４】
前記素子電極が上層及び下層の２層からなっており、前記下層が前記保護層を覆っていることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の半導体素子。
【請求項５】
請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の半導体素子と、
絶縁層と、
前記絶縁層の一方の主表面に設けられた配線層と、
前記配線層と電気的に接続されるとともに、前記配線層から前記絶縁層とは反対側に突出した突起電極と、を有する素子搭載用基板とを備え、
前記突起電極と前記半導体素子の素子電極とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項６】
前記突起電極の頂面部と前記素子電極は、それぞれ同じ種類の金属によって覆われており、それらの金属により接合されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体モジュール。
【請求項７】
半導体基板に形成された素子電極の表面が前記素子電極の周囲に設けられた保護層の表面と同一面、または前記素子電極の表面が前記保護層の表面に対して凸になっている半導体素子を用意する工程と、
複数の突起電極が突設された金属板を準備する工程と、
前記突起電極が絶縁樹脂層側に向くようにして前記金属板を絶縁樹脂層の一方の主表面に配置するとともに前記突起電極を前記絶縁樹脂層に貫通させて前記絶縁樹脂層の他方の主表面から露出させる工程と、
前記素子電極が設けられた前記半導体素子を前記絶縁樹脂層の他方の主表面に配置し、前記突起電極とこれに対応する素子電極とを電気的に接続させる工程と、
前記金属板を選択的に除去して配線層を形成する工程と、
を備えることを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
【請求項８】
半導体基板に形成された素子電極の表面が前記素子電極の周囲に設けられた保護層の表面と同一面、または前記素子電極の表面が前記保護層の表面に対して凸になっている半導体素子を用意する工程と、
複数の突起電極が突設された金属板を準備する工程と、
前記突起電極が絶縁樹脂層側に向くようにして前記金属板を絶縁樹脂層の一方の主表面に配置するとともに、前記絶縁樹脂層をエッチングして前記絶縁樹脂層から前記突起電極の頂部面を前記絶縁樹脂層の他方の主表面から露出させる工程と、
前記素子電極が設けられた前記半導体素子を前記絶縁樹脂層の他方の主表面に配置し、前記突起電極とこれに対応する素子電極とを電気的に接続させる工程と、
前記金属板を選択的に除去して配線層を形成する工程と、
を備えることを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月4日(2010.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられ、巻線を内蔵する第１の樹脂層と、
前記第１の樹脂層上に設けられ、ＩＣを内蔵する第２の樹脂層と、
を備え、
前記基板は、前記基板表面から前記第１の樹脂層中に突出し、セラミックスからなる第１の突起を有し、
前記第１の樹脂層中において、前記巻線は、前記第１の突起の周囲を周回するように配置され、
前記第２の樹脂層中において、前記ＩＣは、前記第１の突起と重なるように配置されており、
前記巻線の端部は、前記第２の樹脂層中に設けられたビアを介して、前記第２の樹脂層における前記第１の樹脂層とは反対側の表面に電気的に引き出された配線が直接接続されている、電子部品モジュール。
【請求項２】
前記ＩＣは、前記ＩＣの前記基板表面への投影面が、前記第１の突起の前記基板表面による断面領域をはみ出して配置されている、請求項１に記載の電子部品モジュール。
【請求項３】
前記基板は、前記基板表面から前記第１の樹脂層中に突出し、前記第１の突起の周囲を周回する前記巻線の周囲に配置され、セラミックスからなる第２の突起をさらに備え、
前記第２の樹脂層中において、前記ＩＣは、前記第１の突起と、前記第２の突起と、をまたがって配置されている、請求項１又は２に記載の電子部品モジュール。