【手続補正書】
【提出日】平成22年2月8日(2010.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板上に第１絶縁層を形成する第１工程と、
前記第１絶縁層に前記支持基板を露出させる開口を形成する第２工程と、
金属からなる前記支持基板を給電層とする電解めっきにより、前記第１絶縁層に設けられた前記開口内に導電層を析出させ、さらに電解めっきを継続して前記開口の周辺方向に突出する突出部を有する電極パッドを前記開口より盛り上げるように形成する第３工程と、
前記電極パッドが設けられた前記第１絶縁層上に第２絶縁層を形成する第４工程と、
前記第２絶縁層上に前記電極パッドと電気的に接続される配線層を形成する第５工程と、
前記支持基板を除去して前記電極パッドを露出する第６工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
支持基板上にレジストを形成する第１工程と、
前記レジストに前記支持基板を露出させる開口を形成する第２工程と、
金属からなる前記支持基板を給電層とする電解めっきにより、前記レジストに設けられた前記開口内に導電層を析出させ、さらに電解めっきを継続して前記開口の周辺方向に突出する突出部を有する電極パッドを前記開口より盛り上げるように形成する第３工程と、
前記レジストを剥離する第４工程と、
前記電極パッドの表面を覆うように絶縁層を形成する第５工程と、
前記絶縁層の表面に前記電極パッドと電気的に接続される配線層を形成する第６工程と、
前記支持基板を除去して前記電極パッドを露出する第７工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記第１絶縁層の前記開口に粗化処理を施す工程を有することを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記レジストを剥離した後、前記電極パッドの表面に粗化処理を施す工程を有することを特徴とする請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記第３工程は、前記支持基板と前記電極パッドとの間に前記支持基板と同種の金属層を形成する工程を含み、
前記第６工程は、前記支持基板を除去し、さらに前記電極パッドの露出面が凹部を形成するように前記金属層を除去することを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記第３工程は、前記支持基板と前記電極パッドとの間に前記支持基板と同種の金属層を形成する工程を含み、
前記第７工程は、前記支持基板を除去し、さらに前記電極パッドの露出面が凹部を形成するように前記金属層を除去する工程を含むことを特徴とする請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記請求項１乃至請求項６の何れか１項に記載された配線基板の製造方法を用いた半導体装置の製造方法であって、
前記電極パッドにはんだバンプを介して半導体チップを実装する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
電極パッドと、
前記電極パッドの表面を覆うように積層される１層の絶縁層と、
を有する配線基板において、
前記絶縁層に囲まれた前記電極パッドの一面側外周より周辺方向に突出する突出部を前記電極パッドに形成することを特徴とする配線基板。
【請求項９】
電極パッドと、
前記電極パッドの表面を覆うように積層される絶縁層と、
を有する配線基板において、
前記絶縁層に囲まれた前記電極パッドの一面側外周より周辺方向に突出する突出部を前記電極パッドに形成し、
前記絶縁層は、前記電極パッドが形成される開口を有する第１絶縁層と、
前記電極パッドの表面及び前記第１絶縁層の表面に積層される第２絶縁層と、を有し、
前記電極パッドの前記突出部は、前記第1絶縁層と前記第２絶縁層との間に介在するように前記開口の外側に突出されていることを特徴とする配線基板。
【請求項１０】
前記電極パッドの他面側露出面は、前記絶縁層の表面より凹んだ位置に形成され、前記絶縁層の表面に凹部を形成していることを特徴とする請求項８又は９に記載の配線基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（１）  本発明は、支持基板上に第１絶縁層を形成する第１工程と、前記第１絶縁層に前記支持基板を露出させる開口を形成する第２工程と、金属からなる前記支持基板を給電層とする電解めっきにより、前記第１絶縁層に設けられた前記開口内に導電層を析出させ、さらに電解めっきを継続して前記開口の周辺方向に突出する突出部を有する電極パッドを前記開口より盛り上げるように形成する第３工程と、前記電極パッドが設けられた前記第１絶縁層上に第２絶縁層を形成する第４工程と、前記第２絶縁層上に前記電極パッドと電気的に接続される配線層を形成する第５工程と、前記支持基板を除去して前記電極パッドを露出する第６工程と、を有することにより上記課題を解決するものである。
（２）  本発明は、支持基板上にレジストを形成する第１工程と、前記レジストに前記支持基板を露出させる開口を形成する第２工程と、金属からなる前記支持基板を給電層とする電解めっきにより、前記レジストに設けられた前記開口内に導電層を析出させ、さらに電解めっきを継続して前記開口の周辺方向に突出する突出部を有する電極パッドを前記開口より盛り上げるように形成する第３工程と、前記レジストを剥離する第４工程と、前記電極パッドの表面を覆うように絶縁層を形成する第５工程と、前記絶縁層の表面に前記電極パッドと電気的に接続される配線層を形成する第６工程と、前記支持基板を除去して前記電極パッドを露出する第７工程と、を有することにより、上記課題を解決するものである。
（３）  本発明は、前記第１絶縁層の前記開口に粗化処理を施す工程を有することにより、上記課題を解決するものである。
（４）  本発明は、前記レジストを剥離した後、前記電極パッドの表面に粗化処理を施す工程を有することにより、上記課題を解決するものである。
（５）  本発明は、前記（１）に記載の半導体装置の製造方法であって、前記支持基板は金属からなり、前記第３工程は、前記支持基板と前記電極パッドとの間に前記支持基板と同種の金属層を形成する工程を含み、前記第６工程は、前記支持基板を除去し、さらに前記電極パッドの露出面が凹部を形成するように前記金属層を除去することにより、上記課題を解決するものである。
（６）  本発明は、前記（２）に記載の半導体装置の製造方法であって、前記支持基板は金属からなり、前記第３工程は、前記支持基板と前記電極パッドとの間に前記支持基板と同種の金属層を形成する工程を含み、前記第７工程は、前記支持基板を除去し、さらに前記電極パッドの露出面が凹部を形成するように前記金属層を除去する工程を含むことにより、上記課題を解決するものである。
（７）  本発明は、前記（１）乃至（６）の何れか１項に記載された配線基板の製造方法を用いた半導体装置の製造方法であって、前記電極パッドにはんだバンプを介して半導体チップを実装する工程を有することにより、上記課題を解決するものである。
（８）  本発明は、電極パッドと、前記電極パッドの表面を覆うように積層される１層の絶縁層と、を有する配線基板において、前記絶縁層に囲まれた前記電極パッドの一面側外周より周辺方向に突出する突出部を前記電極パッドに形成することにより、上記課題を解決するものである。
（９）  本発明は、電極パッドと、前記電極パッドの表面を覆うように積層される絶縁層と、を有する配線基板において、前記絶縁層に囲まれた前記電極パッドの一面側外周より周辺方向に突出する突出部を前記電極パッドに形成し、前記絶縁層は、前記電極パッドが形成される開口を有する第１絶縁層と、前記電極パッドの表面及び前記第１絶縁層の表面に積層される第２絶縁層と、を有し、前記電極パッドの前記突出部は、前記第1絶縁層と前記第２絶縁層との間に介在するように前記開口の外側に突出されることにより、上記課題を解決するものである。
（１０）  本発明は、前記電極パッドの他面側露出面は、前記絶縁層の表面より凹んだ位置に形成され、前記絶縁層の表面に凹部を形成することにより、上記課題を解決するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明によれば、金属からなる支持基板を給電層とする電解めっきにより、第１絶縁層またはレジストに設けられた開口内に導電層を析出させ、さらに電解めっきを継続して開口の周辺方向に突出する突出部を有する電極パッドを開口より盛り上げるように形成することにより、電極パッドの外周角部から絶縁層に発生するクラックの進行を阻止し、クラックによる配線層の断線を防止できる。