Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月24日(2010.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャビネットの前面に形成された吹出口と、該吹出口の前側に設けられて吹出口を開閉するパネルと、該パネルを支持する一対のアームと、キャビネットの吹出口の両脇に形成されたアームの出入口とを備え、前記アームは、アーム基部が前記出入口内部においてキャビネットに対して回動自在に取り付けられ、かつ、アームが回動することによって、アームの先端部が前記出入口に対して出入可能に設けられたことを特徴とする空気調和機。
【請求項２】
前記パネルが前記アームに回動自在に支持され、前記パネルと前記アームとがそれぞれ独立して回動可能とされたことを特徴とする請求項１記載の空気調和機。
【請求項３】
前記アームは、前記出入口内部の上部空間又は下部空間の一方にアーム基部が配され、他方にアーム先端部が配されたことを特徴とする請求項１または２に記載の空気調和機。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月27日(2010.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部からの電波を受信するアンテナ部と、
前記アンテナ部の出力を整流して直流電圧である第１の電位を出力する整流回路部と、
前記第１の電位を入力して一定の電圧である第２の電位を出力するレギュレータ回路と、
前記第１の電位を昇圧する昇圧回路と、
前記第２の電位を入力してクロックを生成するクロック生成回路と、
前記第１の電位を入力して、前記クロック生成回路で生成されたクロックを増幅して前記昇圧回路のクロックとして出力するレベルシフタと、
前記昇圧回路の出力をデータ書き込み電位として入力し、前記第２の電位をデータ読み出し電位として入力するメモリとを有し、
前記第１の電位は、前記第２の電位よりも電位が高く、
前記昇圧回路の出力は、前記第１の電位よりも電位が高い半導体装置。
【請求項２】
外部からの電波を受信するアンテナ部と、
前記アンテナ部の出力を整流して直流電圧である第１の電位を出力する整流回路部と、
前記第１の電位を入力して一定の電圧である第２の電位を出力するレギュレータ回路と、
前記第１の電位を昇圧する昇圧回路と、
前記第２の電位を入力して他の回路を制御する制御信号を出力するロジック回路と、
前記第２の電位を入力してクロックを生成するクロック生成回路と、
前記第１の電位を入力して、前記クロック生成回路で生成されたクロックを増幅して前記昇圧回路のクロックとして出力するレベルシフタと、
前記昇圧回路の出力をデータ書き込み電位として入力し、前記第２の電位をデータ読み出し電位として入力し、前記ロジック回路の前記制御信号を、読み出しまたは書き込みを行うべきアドレスへ入力するメモリとを有し、
前記昇圧回路に用いられるダイオードは、前記ロジック回路に用いられる薄膜トランジスタよりも耐圧が高く、
前記第１の電位は、前記第２の電位よりも電位が高く、
前記昇圧回路の出力は、前記第１の電位よりも電位が高い半導体装置。
【請求項３】
前記昇圧回路の出力を昇圧する他の昇圧回路を有し、
前記メモリに前記他の昇圧回路の出力をデータ消去電位として入力する請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記他の昇圧回路の出力を入力して、電荷を蓄える充電素子をさらに有する請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１の電位を入力して、電荷を蓄える充電素子をさらに有する請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記昇圧回路の出力を入力して、電荷を蓄える充電素子をさらに有する請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記充電素子と前記他の昇圧回路との間にスイッチング素子を有する請求項４に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記充電素子と前記整流回路部との間にスイッチング素子を有する請求項５に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記充電素子と前記昇圧回路との間にスイッチング素子を有する請求項６に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記充電素子がコンデンサである請求項４乃至請求項９のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記充電素子が二次電池である請求項４乃至請求項９のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一に記載の半導体装置を具備する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月28日(2009.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
伝搬光が入射する導波路と、
前記導波路に隣接した、少なくとも前記導波路の伝搬方向に周期構造を有する金属層と、
前記金属層の前記導波路が隣接する面とは反対側の面に隣接し、電気光学効果を有する誘電体層とを備え、
前記導波路は、前記伝搬方向に垂直な少なくとも一つの方向についてマルチモード伝搬可能なマルチモード導波路である光変調器。
【請求項２】
前記周期構造の周期は、前記伝搬方向に沿った、前記伝搬光の波長の０．１倍以上１．５倍以下の２次元周期である請求項１に記載の光変調器。
【請求項３】
前記導波路に入射する前記伝搬光は、直線偏光である、請求項１に記載の光変調器。
【請求項４】
前記誘電体層を介した位置であって、前記金属層に対向する位置に電極を備えた、請求項１に記載の光変調器。
【請求項５】
前記伝搬光は、複数の波長で伝搬する波長多重光である、請求項１に記載の光変調器。
【請求項６】
前記マルチモード導波路は、前記伝搬方向に垂直な方向において、最大屈折率部分と、前記最大屈折率部分からの距離に従って屈折率が単調減少する屈折率分布部分とを有する、請求項１に記載の光変調器。
【請求項７】
前記屈折率分布部分では、前記屈折率が、前記最大屈折率部分を中心にして対称的に、且つ前記中心からの距離に応じて実質上放物線状に変化し、
光路長と、集光パラメータの平方根との積は、実質上π／２の整数倍である、請求項６に記載の光変調器。
【請求項８】
前記マルチモード導波路は、ポリシラン系樹脂で作製されたものである、請求項６に記載の光変調器。
【請求項９】
前記マルチモード導波路は一様な所定の屈折率を有しており、マルチモード方向の導波路幅と、伝搬長とに応じて、入力面における入力部の数および出力面における出力部の数の内少なくとも何れか一方の数が変化する、請求項１に記載の光変調器。
【請求項１０】
前記マルチモード導波路の入力側に、前記伝搬光のビーム径を縮小するビーム変換部を備えた、請求項１に記載の光変調器。
【請求項１１】
前記ビーム変換部によってビーム径が縮小された前記伝搬光は、前記マルチモード導波路の中心から離れた位置に入射する、請求項１０に記載の光変調器。
【請求項１２】
前記ビーム変換部によってビーム径が縮小された前記伝搬光は、前記マルチモード導波路の光軸と角度ズレして前記マルチモード導波路に入射する、請求項１０に記載の光変調器。
【請求項１３】
伝搬光が入射する導波路と、前記導波路に隣接した、少なくとも前記導波路の伝搬方向に周期構造を有する金属層と、前記金属層の前記導波路が隣接する面とは反対側の面に隣接した、電気光学効果を有する誘電体層とを備えた光変調器の光変調方法であって、
前記導波路は、前記伝搬方向に垂直な少なくとも一つの方向についてマルチモード伝搬可能なマルチモード導波路であり、
前記誘電体層に印加する電界を変化させることにより、前記誘電体層の屈折率を変化させて、前記伝搬光の光量を変化させる光変調方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
上述した課題を解決するために、第１の本発明は、伝搬光が入射する導波路と、
前記導波路に隣接した、少なくとも前記導波路の伝搬方向に周期構造を有する金属層と、
前記金属層の前記導波路が隣接する面とは反対側の面に隣接し、電気光学効果を有する誘電体層とを備え、
前記導波路は、前記伝搬方向に垂直な少なくとも一つの方向についてマルチモード伝搬可能なマルチモード導波路である光変調器である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
また、第６の本発明は、上記マルチモード導波路は、前記伝搬方向に垂直な方向において、最大屈折率部分と、前記最大屈折率部分からの距離に従って屈折率が単調減少する屈折率分布部分とを有する、上記第１の本発明の光変調器である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
また、第７の本発明は、上記屈折率分布部分では、前記屈折率が、前記最大屈折率部分を中心にして対称的に、且つ前記中心からの距離に応じて実質上放物線状に変化し、
光路長と、集光パラメータの平方根との積は、実質上π／２の整数倍である、上記第６の本発明の光変調器である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
また、第８の本発明は、上記マルチモード導波路は、ポリシラン系樹脂で作製されたものである、上記第６の本発明の光変調器である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
また、第９の本発明は、上記マルチモード導波路は一様な所定の屈折率を有しており、マルチモード方向の導波路幅と、伝搬長とに応じて、入力面における入力部の数および出力面における出力部の数の内少なくとも何れか一方の数が変化する、上記第１の本発明の光変調器である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
また、第１０の本発明は、上記マルチモード導波路の入力側に、前記伝搬光のビーム径を縮小するビーム変換部を備えた、上記第１の本発明の光変調器である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
また、第１１の本発明は、上記ビーム変換部によってビーム径が縮小された前記伝搬光は、前記マルチモード導波路の中心から離れた位置に入射する、上記第１０の本発明の光変調器である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
また、第１２の本発明は、上記ビーム変換部によってビーム径が縮小された前記伝搬光は、前記マルチモード導波路の光軸と角度ズレして前記マルチモード導波路に入射する、上記第１０の本発明の光変調器である。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
また、第１３の本発明は、伝搬光が入射する導波路と、前記導波路に隣接した、少なくとも前記導波路の伝搬方向に周期構造を有する金属層と、前記金属層の前記導波路が隣接する面とは反対側の面に隣接した、電気光学効果を有する誘電体層とを備えた光変調器の光変調方法であって、
前記導波路は、前記伝搬方向に垂直な少なくとも一つの方向についてマルチモード伝搬可能なマルチモード導波路であり、
前記誘電体層に印加する電界を変化させることにより、前記誘電体層の屈折率を変化させて、前記伝搬光の光量を変化させる光変調方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月20日(2010.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分散液と樹脂溶液とが混合された感光性樹脂組成物であって、分散液が（ａ）平均粒子径が０．０６μｍ以上０．４μｍ以下であるペロブスカイト型結晶構造あるいは複合ペロブスカイト型結晶構造を有する高誘電率無機粒子、（ｂ）リン酸化合物、（ｃ）有機溶剤を混合し、分散メディアとして金属、セラミックス、ガラスのいずれかの種類から選択される平均粒子径０．０２ｍｍ以上０．１ｍｍ以下のビーズを用いて、前記無機粒子を分散させて得られるものであり、樹脂溶液が（ｄ）ポリイミドと（ｅ）不飽和結合含有重合性化合物を有している感光性樹脂組成物。
【請求項２】
（ｄ）ポリイミドが一般式（１）〜（４）で表される構造を主成分とするポリマーであることを特徴とする請求項１記載の感光性樹脂組成物。
【化１】
2008112147.tif 000001
（Ｒ８は４から１４価の有機基、Ｒ９は２から１２価の有機基、Ｒ１０、Ｒ１２は水素原子または、フェノール性水酸基、スルホン酸基、チオール基、炭素数１から２０までの有機基より選ばれる基を少なくとも一つ有する有機基を示し、同じでも異なっていてもよい。Ｒ１１は２価の有機基を示す。Ｘはカルボキシル基、フェノール性水酸基、スルホン酸基およびチオール基からなる群より選ばれる基を少なくとも一つ有する１価の芳香族基または環状脂肪族基を示す。Ｙは、カルボキシル基、フェノール性水酸基、スルホン酸基、チオール基より選ばれる基を少なくとも一つ有する１価有機基を示す。ｎは３から２００までの範囲を示す。ｍ、α、βは０から１０までの整数を示す。）
【請求項３】
（ｂ）リン酸化合物の含有量が（ａ）高誘電率無機粒子に対して０．６重量％以上９重量％以下である請求項１または２記載の感光性樹脂組成物。
【請求項４】
請求項１〜３いずれか記載の感光性樹脂組成物を、脱有機溶剤、固化して得られる誘電体組成物であって、（ａ）高誘電率無機粒子の量が誘電体組成物の７０重量％以上９０重量％以下である誘電体組成物。
【請求項５】
トランジスターが形成された半導体素子上に、膜厚０．５μｍ以上１０μｍ以下の請求項４記載の誘電体組成物からなる層と電極を有するキャパシタが形成されている半導体装置。
【請求項６】
ビーズミルのベッセルに、平均粒子径０．０２ｍｍ以上０．１ｍｍ以下のビーズと、（ａ）平均粒子径が０．０６μｍ以上０．４μｍ以下であるペロブスカイト型結晶構造あるいは複合ペロブスカイト型結晶構造を有する高誘電率無機粒子、（ｂ）リン酸化合物、（ｃ）有機溶剤を充填し、ビーズミルのローターを回転させ有機溶媒中に前記無機粒子を分散した分散液を作製し、次いで、（ｄ）ポリイミドと（ｅ）不飽和結合含有重合性化合物を有する樹脂溶液を混合する請求項１〜３いずれか記載の感光性樹脂組成物の製造方法。
【請求項７】
ビーズミルのローターの回転周速が５ｍ／ｓ以上１５ｍ／ｓ以下であることを特徴とする請求項６記載の感光性樹脂組成物の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月13日(2010.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
膜面に垂直に電流を流す読取ヘッド構造において、
基板と、
前記基板上に配置された磁気透過性素材による第１のシールドS１であって、前記SIと前記基板との間の電気容量がC1によって示される、第１のシールドS1と、
磁気透過性素材による第２のシールドS2であって、第２のシールドS2と前記基板との間に前記第1のシールドS1が配置され、前記S2と前記基板との間の電気容量がC2で示される第２のシールドS２と、
前記第1及び第２のシールドの間にそれらと接触した状態で配置されている磁気抵抗読取ヘッドと、
前記第1のシールドを前記基板に接続している第1のシャント抵抗と、
前記第２のシールドを前記基板に接続している第２のシャント抵抗と、を有し、
前記第1及び第２のシャント抵抗の電気抵抗がほぼ等しく、前記基板と前記SIとの間の間隔が、前記C1とC2とがほぼ等しくなるように選択されることを特徴とする膜面に垂直に電流を流す読取ヘッド構造。
【請求項２】
膜面に垂直に電流を流す読取ヘッド構造において、
基板と、
前記基板上に配置された磁気透過性素材による第１のシールドS１と、
磁気透過性素材による第２のシールドS２であって、第２のシールドS2と前記基板との間に前記第1のシールドSIが配置されている第２のシールドS２と、
前記第1及び第２のシールドの間にそれらと接触した状態で配置されている磁気抵抗読取ヘッドと、
前記S1を前記基板に接続している第1のシャント抵抗と、
前記S2を前記基板に接続している第２のシャント抵抗と、
前記基板に電気的に接続され電気的絶縁性素材によって前記S2から隔てられている第1の等化コンダクタEC1と、を有し、該EC1と前記S2との間の電気容量がC4で示され、該C4が前記S2上の総寄生電気容量を前記S1上の総寄生電気容量とほぼ等しくする値を有していることを特徴とする、膜面に垂直に電流を流す読取ヘッド構造。
【請求項３】
前記第１及び第２のシャント抵抗が金属窒化物及び金属と不混和性酸化物で構成される多相素材で構成される群から選択される素材で形成されていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の構造。
【請求項４】
前記第１及び第２のシャント抵抗が不混和性酸化ケイ素で形成されていることを特徴とする、請求項３に記載の構造。
【請求項５】
膜面に垂直に電流を流す（CPP）読取ヘッド構造において、
基板と、
前記基板上に配置された磁気透過性素材による第１のシールドS１と、
磁気透過性素材による第２のシールドS2であって、第２のシールドS2と前記基板との間に前記第1のシールドSIが配置されている第２のシールドS２と、
前記第1及び第２のシールドの間にそれらと接触した状態で配置されている磁気抵抗（MR）読取ヘッドと、
前記第1のシールドを前記基板に接続しており、金属窒化物及び金属と不混和性酸化物で構成される多相素材によって構成される群から選択される素材で形成される第1のシャント抵抗と、
前記第２のシールドを前記基板に接続しており、金属窒化物及び金属と不混和性酸化物で構成される多相素材によって構成される群から選択される素材で形成される第２のシャント抵抗と、
を有し、前記第1及び第２のシャント抵抗の電気抵抗がほぼ等しいことを特徴とする膜面に垂直に電流を流す読取ヘッド構造。
【請求項６】
前記第１及び第２のシャント抵抗が不混和性酸化ケイ素で構成される多相素材で形成されていることを特徴とする、請求項３又は５に記載の構造。
【請求項７】
前記S1と前記基板との間の電気容量がC1で示され、前記S2と前記基板との間の電気容量がC2で示され、そして、前記基板と前記S1との間の間隔が、前記Ｃ１とC2とがほぼ等しくなるように選択されることを特徴とする、請求項５に記載の構造。
【請求項８】
前記基板に電気的に接続され、電気絶縁性素材によって前記S2から隔てられている第1の等化コンダクタEC1をさらに備え、該EC1と前記S2 との間の電気容量がC4によって示され、該C4が前記S2上の総寄生電気容量を前記S1上の総寄生電気容量とほぼ等しくする値を有していることを特徴とする、請求項１、又は５に記載の構造。
【請求項９】
前記基板に電気的に接続され、電気絶縁性素材によって前記S1から隔てられている第２の等化コンダクタEC2をさらに備え、該EC２と前記S１ との間の電気容量がC５によって示され、前記C4とC5が前記S2上の総寄生電気容量を前記S1上の総寄生電気容量とほぼ等しくする値を有していることを特徴とする、請求項２又は３又は８に記載の構造。
【請求項１０】
前記MR読取ヘッドがスピン・バルブ読取ヘッドであることを特徴とする、請求項５に記載の構造。
【請求項１１】
前記MR読取ヘッドがトンネリングMR読取ヘッドであることを特徴とする、請求項５に記載の構造。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月12日(2010.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
携帯端末用プログラム及びメーラを記憶する記憶装置と、画面表示装置と、操作部と、送受信部とを備えた携帯端末であって、
宛先名及びそのメールアドレスを定義する宛先テーブルと、前記宛先毎に定義されたＸＭＬ形式の雛形データとを、対応付けて前記記憶装置に記憶する宛先・雛形記憶手段と、
少なくとも本文、見出し、及びこれらの編注に対応する複数の項目のテキストを前記操作部からの入力により受け付ける入力手段と、
前記入力された各項目のテキストをまとめて原稿データとして前記記憶装置に記憶させる原稿記憶手段と、
前記宛先テーブルの宛先名を前記画面表示装置に表示して前記操作部により宛先を選択する宛先選択手段と、
前記宛先の選択に応じて、前記メーラを起動するとともに、前記原稿データに含まれる項目のテキストを当該選択された宛先に対応するＸＭＬ形式の雛形データに埋め込んで前記メーラのメール本文にセットし、当該選択された宛先に対応するメールアドレスを前記メーラの宛先メールアドレスにセットし、少なくとも前記原稿データの見出し項目のテキストを前記メーラのメール件名にセットしてメールを作成するメール作成手段と、
前記作成されたメールを前記メーラにより前記送受信部から送信させるメール送信手段とを備えることを特徴とした携帯端末。
【請求項２】
前記複数の項目のための各テキスト入力画面を切り替えて前記画面表示装置に表示する表示手段をさらに備え、
前記入力手段は、前記表示手段により表示されたテキスト入力画面上でのテキスト編集操作を前記操作部からの入力により受け付けることを特徴とする請求項１に記載の携帯端末。
【請求項３】
前記表示手段は、前記本文の項目のためのテキスト入力画面を、縦書きの新聞紙面における１行当たりの所定の文字数で前記画面表示装置に表示することを特徴とする請求項２に記載の携帯端末。
【請求項４】
前記宛先・雛形記憶手段は、前記宛先テーブル及び前記雛形データを、前記送受信部からサーバに要求を送信することにより、当該サーバから受信して、前記記憶装置に記憶することを特徴とする請求項１に記載の携帯端末。
【請求項５】
前記携帯端末の使用者に関する一つまたは複数の付帯情報の項目のデータを前記記憶装置に記憶する付帯情報記憶手段をさらに備え、
前記メール作成手段は、前記メール本文において、前記記憶された付帯情報の項目のデータを前記ＸＭＬ形式の雛形データにさらに埋め込んでセットすることを特徴とする、請求項１に記載の携帯端末。
【請求項６】
サーバと携帯端末とを有する記事処理システムにおいて、
前記サーバは、
宛先名及びそのメールアドレスを定義する宛先テーブルと、前記宛先毎に定義されたＸＭＬ形式の雛形データとを対応付けて記憶する記憶装置と、
前記携帯端末から受信した要求に応じて前記宛先テーブルと前記雛形データとを送信する送受信手段とを備え、
前記携帯端末は、
携帯端末用プログラム及びメーラを記憶する記憶装置と、画面表示装置と、操作部と、送受信部とを備えた携帯端末であって、
宛先名及びそのメールアドレスを定義する宛先テーブルと、前記宛先毎に定義されたＸＭＬ形式の雛形データとを、前記送受信部からサーバに要求を送信することにより当該サーバから受信して対応付けて前記記憶装置に記憶する宛先・雛形記憶手段と、
少なくとも本文、見出し、及びこれらの編注に対応する複数の項目のテキストを前記操作部からの入力により受け付ける入力手段と、
前記入力された各項目のテキストをまとめて原稿データとして前記記憶装置に記憶させる原稿記憶手段と、
前記宛先テーブルの宛先名を前記画面表示装置に表示して前記操作部により宛先を選択する宛先選択手段と、
前記宛先の選択に応じて、前記メーラを起動するとともに、前記原稿データに含まれる項目のテキストを当該選択された宛先に対応するＸＭＬ形式の雛形データに埋め込んで前記メーラのメール本文にセットし、当該選択された宛先に対応するメールアドレスを前記メーラの宛先メールアドレスにセットし、少なくとも前記原稿データの見出し項目のテキストを前記メーラのメール件名にセットしてメールを作成するメール作成手段と、
前記作成されたメールを前記メーラにより前記送受信部から送信させるメール送信手段とを備えることを特徴とした備えることを特徴とした記事処理システム。
【請求項７】
前記サーバは、前記記憶装置に記憶された前記宛先テーブル及び前記雛形データを編集して更新する更新手段と、
前記宛先テーブルまたは前記雛形データが更新されたことを前記携帯端末にメールにより通知する通知手段とをさらに備えることを特徴とした記事処理システム。
【請求項８】
携帯端末用プログラム及びメーラを記憶する記憶装置と、画面表示装置と、操作部と、送受信部とを備えた携帯端末において、
宛先名及びそのメールアドレスを定義する宛先テーブルと、前記宛先毎に定義されたＸＭＬ形式の雛形データとを、対応付けて前記記憶装置に記憶させる機能と、
少なくとも本文、見出し、及びこれらの編注に対応する複数の項目のテキストを前記操作部からの入力により受け付ける入力機能と、
前記入力された各項目のテキストをまとめて原稿データとして前記記憶装置に記憶させる原稿記憶機能と、
前記宛先テーブルの宛先名を前記画面表示装置に表示して前記操作部により宛先を選択する宛先選択機能と、
前記宛先の選択に応じて、前記メーラを起動するとともに、前記原稿データに含まれる項目のテキストを当該選択された宛先に対応するＸＭＬ形式の雛形データに埋め込んで前記メーラのメール本文にセットし、当該選択された宛先に対応するメールアドレスを前記メーラの宛先メールアドレスにセットし、少なくとも前記原稿データの見出し項目のテキストを前記メーラのメール件名にセットしてメールを作成するメール作成機能と、
前記作成されたメールを前記メーラにより前記送受信部から送信させるメール送信機能とを実現させるための携帯端末用プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月18日(2009.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子の光を、導光体を用いて面発光させる照明装置において、
前記発光素子の光を励起して赤色光に変換する赤色蛍光体が、前記発光素子と前記導光体の間に設けられ、
前記発光素子の光を励起して緑色光に変換する緑色蛍光体が、前記発光素子と該照明装置の照射面との間の光路中に設けられたことを特徴とする照明装置。
【請求項２】
前記赤色蛍光体が、前記発光素子をポッティングする樹脂に含まれたことを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
前記緑色蛍光体が、前記導光体の内部に含まれたことを特徴とする請求項２に記載の照明装置。
【請求項４】
前記緑色蛍光体を含む第二の層が形成されたフィルムが、前記導光体の出射面側に設けられたことを特徴とする請求項２に記載の照明装置。
【請求項５】
前記緑色蛍光体より出光側に、アクリルやシリカの透明ビーズが分散された樹脂層が設けられたことを特徴とする請求項４に記載の照明装置。
【請求項６】
前記第二の層に、アクリルやシリカの透明ビーズが分散されたことを特徴とする請求項４に記載の照明装置。
【請求項７】
前記赤色蛍光体を含む第一の層と、前記緑色蛍光体を含む第二の層が形成されたフィルムが、前記発光素子と前記導光体の間に設けられたことを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
【請求項８】
前記第二の層が接着剤層であり、前記フィルムが、前記緑色蛍光体を前記接着剤により一対のフィルムでラミネートした構成であることを特徴とする請求項４に記載の照明装置。
【請求項９】
前記フィルムの外周部の前記接着剤層には前記緑色蛍光体を含まない領域が存在することを特徴とする請求項８に記載の照明装置。
【請求項１０】
前記緑色蛍光体を含まない領域が、前記発光素子から発光した光の光路外に位置するように、前記フィルムを折り込んだことを特徴とする請求項９に記載の照明装置。
【請求項１１】
前記緑色蛍光体を含まない領域に反射層を設けたことを特徴とする請求項９または１０に記載の照明装置。
【請求項１２】
前記フィルムが前記発光素子を覆うように折り込まれた構成であり、前記フィルムの出光面が、前記発光素子からの光入射方向に対して垂直でも並行でもないことを特徴とする請求項１０または１１に記載の照明装置。
【請求項１３】
前記第二の層より出光側に、ドーム状の透明レンズがマトリックス状に配置されたことを特徴とする請求項４、８〜１２のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項１４】
前記第二の層より出光側に、細長いドーム状の透明レンズがストライプ状に配置されたことを特徴とする請求項４、８〜１２のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項１５】
前記赤色蛍光体と前記緑色蛍光体の間に、第二赤色蛍光体または前記発光素子の光を励起して黄色光に変換する黄色蛍光体が設けられたことを特徴とする請求項１〜１４のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項１６】
前記フィルム上に、第二赤色蛍光体または前記発光素子の光を励起して黄色光に変換する黄色蛍光体が設けられたことを特徴とする請求項４に記載の照明装置。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれかに記載された構成の照明装置と、前記照明装置の照射面側に設けられた非自発光型の表示素子と、を備えることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月7日(2010.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッチング可能でない元素を含む蒸着層の少なくとも一部を下の基板上にて選択的に除去する方法であって、
基板を準備する工程と、
上記基板上に、水溶性の塩化物及び／又は臭化物を形成可能な元素を含む蒸着層を形成する工程と、
少なくとも上記蒸着層に、Ｃｌ及び／又はＢｒ含有ドライエッチングプラズマをさらすことにより、上記元素を塩化物化及び／又は臭化物化させる工程と、
上記塩化物化及び／又は臭化物化された元素を、ウォータベースのウェットエッチングステップを用いて、除去する工程と、
上記蒸着層の残りの部分をエッチングするためドライエッチングステップを実行する工程と、を備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
さらに、上記蒸着層を形成する工程の後、上記蒸着層をドープ（例えばイオン注入）して、上記蒸着層に１種以上の元素を注入する工程を備えることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
上記元素が、ランタニド元素であり、さらに、当該ランタニド元素を、上記蒸着層の全組成において１％以下の濃度で、上記蒸着層に存在させることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
上記の蒸着層の少なくとも一部を除去することが、構造物のパターニングに関連し、
当該方法が、上記元素を含有する上記蒸着層を形成する工程の後に、さらに、
上記構造物を形成するため、及び上記蒸着層の一部だけを露呈させるため、感光性イメージング層を形成し、上記感光性イメージング層に上記フォトリソグラフパターンを転写する工程を備え、
さらに、上記ウェットエッチング工程の後に、
最終構造物を形成するため、ドライエッチングを実行して上記蒸着層の残りの部分をエッチングする工程と、
上記最終構造物に上記元素が均一に分散されるように上記最終構造物をアニールする工程と、を備えることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
上記の蒸着層の少なくとも一部を除去することがゲート構造のパターニングに関連し、上記蒸着層がゲート電極層であり、
当該方法が、上記ゲート電極層を形成する工程の前に、さらにゲート誘電体層を形成する工程を備えることを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項６】
上記蒸着層が、ゲート電極層として使用される多結晶シリコン層であり、
上記ゲート誘電体層が、高ｋ材料層、ＳｉＯ２層若しくはＳｉＯＮ層であることを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項７】
上記アニールの工程が、９５０℃での熱アニールを用いて実行されることを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項８】
Ｃｌ含有プラズマが、Ｃｌ２及び／又はＢＣｌ３含有プラズマであり、Ｂｒ含有プラズマが、ＨＢｒ及び／又はＢｒ２含有プラズマであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項９】
上記のゲート電極層の残りの部分をエッチングするためドライエッチングステップを実行しゲート電極を形成する工程の後に、さらに、ゲート構造を完成させるために、ドライエッチングを実行してゲート誘電体層をエッチングする工程を備えることを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項１０】
上記ドーピング元素が、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＬｕの少なくとも１種から選択されたランタニド元素であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１１】
上記元素がＹｂであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１２】
上記基板がシリコンウェハであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１３】
ゲート電極を含む半導体装置を製造するための、請求項１記載の方法の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月29日(2010.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に複数の薄膜トランジスタを含む駆動回路、及び複数のメモリ素子を有し、
前記メモリ素子は、シリコンと反応してシリサイド形成する第１の電極と、前記第１の電極上にシリコン膜と、前記シリコン膜上にシリコンと反応してシリサイド形成する第２の電極と、を有し、
前記薄膜トランジスタのゲート電極は、前記メモリ素子の前記第１の電極と同じ材料であり、前記薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極は、前記メモリ素子の前記第２の電極と同じ材料であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に複数の薄膜トランジスタを含む駆動回路、複数のメモリ素子、及びアンテナを有し、
前記メモリ素子は、シリコンと反応してシリサイド形成する第１の電極と、前記第１の電極上にシリコン膜と、前記シリコン膜上にシリコンと反応してシリサイド形成する第２の電極と、を有し、
前記薄膜トランジスタのゲート電極は、前記メモリ素子の前記第１の電極と同じ材料であり、
前記アンテナの下方に接続電極を有し、前記アンテナは、前記接続電極と電気的に接続し、
前記接続電極は前記薄膜トランジスタと電気的に接続し、
前記接続電極は、前記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極と同じ材料であり、且つ、前記メモリ素子の前記第２の電極と同じ材料であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、前記シリコン膜は、酸素または窒素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
メモリ素子を含む半導体装置であり、
絶縁表面を有する基板上に薄膜トランジスタを有し、
前記薄膜トランジスタは、前記基板上に形成された島状の半導体と、前記基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の一部は、前記半導体上に形成されたゲート絶縁体であり、
前記半導体上に前記ゲート絶縁体を介して形成されたゲート電極とを有し、
前記基板上に第１の電極と、前記基板上に形成された少なくとも前記薄膜トランジスタ及び前記第１の電極を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜は、前記薄膜トランジスタのソース領域またはドレイン領域上に第１の開口と、前記第１の電極上に第２の開口とを有し、
前記第１の電極上の前記第２の開口に形成された半導体層と、前記層間絶縁膜上に前記第１の開口を介して前記薄膜トランジスタの前記ソース領域または前記ドレイン領域と電気的に接続する第２の電極と、前記層間絶縁膜上に形成された第３の電極と、前記第３の電極は、前記半導体層が前記第１の電極と前記第３の電極の間に挟まれるように前記第２の開口に形成され、
前記メモリ素子は、前記第１の電極と前記第３の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極の間に挟まれた前記半導体層を有し、前記第３の電極と前記第２の電極は同じ材料で形成され、
前記第１の電極は、前記ゲート電極と同じ材料であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、前記半導体層は、シリコン膜であり、前記シリコン膜は、酸素または窒素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４または５において、さらに前記層間絶縁膜上に第４の電極と、前記第４の電極と電気的に接続するアンテナとを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項４乃至６のいずれか一において、駆動回路を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記第１の電極は、チタン、タングステン、ニッケル、クロム、モリブデン、タンタル、コバルト、ジルコニウム、バナジウム、パラジウム、ハフニウム、白金、鉄から選ばれる一の元素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記第２の電極は、チタン、タングステン、ニッケル、クロム、モリブデン、タンタル、コバルト、ジルコニウム、バナジウム、パラジウム、ハフニウム、白金、鉄から選ばれる一の元素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記基板は、ガラス基板、プラスチックフィルム、紙のいずれか一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、前記第１の電極と前記第２の電極は異なる材料である半導体装置。
【請求項１２】
同一基板上に複数の薄膜トランジスタを含む駆動回路と、複数のメモリ素子とを有する半導体装置の作製方法であり、
絶縁表面を有する基板上に第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に前記第１の半導体層と重なる第１の電極と、前記第１の絶縁膜上に第２の電極とを形成し、
前記第１の電極及び前記第２の電極を覆う第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜をエッチングして前記第２の電極に達する第１の開口を形成し、
前記第１の開口を覆う第２の半導体層を形成し、
前記第２の絶縁膜をエッチングして前記第１の半導体層に達する第２の開口を形成し、
前記第２の絶縁膜上に前記第１の開口と重なる第３の電極と、前記第２の開口と重なる第４の電極とを形成し、
前記メモリ素子は、前記第２の電極と、前記第２の半導体層と、前記第３の電極とを有し、
前記薄膜トランジスタは、前記第１の半導体層と、前記第１の電極と、前記第４の電極とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１２において、前記第１の開口を形成した後、大気に曝し、前記第２の半導体層を形成することを特徴とすることを特徴とする半導体装置の作成方法。
【請求項１４】
請求項１２または１３において、前記第１の電極及び前記第２の電極の形成と同じ工程で前記第１の絶縁膜上に第５の電極を形成し、さらに、前記第５の電極上に前記第５の電極と電気的に接続するアンテナを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１２乃至１４のいずれか一において、前記第１の電極は、前記薄膜トランジスタのゲート電極であり、前記第１の絶縁膜は、ゲート絶縁膜であり、前記第４の電極はソース電極またはドレイン電極であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１２乃至１５のいずれか一において、前記第１の半導体層は、多結晶シリコン膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１２乃至１５のいずれか一において、前記第２の半導体層は、アモルファスシリコン膜、微結晶シリコン膜、または多結晶シリコン膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１２乃至１５のいずれか一において、前記基板は、ガラス基板、プラスチックフィルム、紙のいずれか一であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月14日(2010.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のレジスト膜に、マスクを介して、光源が固体レーザであるパルス発振型のレーザ光を照射する半導体装置の作製方法であって、
発振周波数が８０ＭＨｚ以上であり、且つ前記レーザ光のパルス幅が前記レーザ光のパルスの一周期の１／５００以下である前記レーザ光を照射し、
スキャン速度の最大値が３０ｃｍ／ｓｅｃ以上、一パルス毎に移動する距離が０．０１μｍ以下、パルス間の重畳率が９９．９９９％以上となるようにスキャンすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上のレジスト膜に、マスクを介して、光源が固体レーザであるパルス発振型のレーザ光を照射する半導体装置の作製方法であって、
発振周波数が１ＭＨｚ以上である前記レーザ光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
スキャン速度の最大値が５ｃｍ／ｓｅｃ以上であり、且つ一パルス毎に移動する距離が０．１μｍ以下となるようにスキャンすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２又は３において、
スキャン速度の最大値が５ｃｍ／ｓｅｃ以上であり、且つパルス間の重畳率が９９．９％以上となるようにスキャンすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれか一項において、
前記レーザ光のパルス幅は、前記レーザ光のパルスの一周期の１／１００以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記マスクは、透明基板上に遮光膜によるパターンを形成したフォトマスクまたはレチクルであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記マスクは、ホログラム又は計算機合成ホログラムであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記レーザ光のビーム形状は、線状であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月17日(2010.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜に対し、線状のレーザ光を前記レーザ光の短軸方向に相対的に走査させながら照射し、前記半導体膜を結晶化させる半導体装置の作製方法において、
前記レーザ光は、光学素子により線状にされた後、前記レーザ光の長軸方向における端部領域を遮光する手段を通過し、
前記レーザ光の長軸方向における端部領域を遮光する手段と前記半導体膜との距離をＬμｍ、前記レーザ光の波長をλμｍとしたとき、０．５＜Ｌλ＜１００を満たす位置に前記レーザ光の長軸方向における端部領域を遮光する手段が配置され、
前記半導体膜における前記レーザ光のエネルギー強度分布は、前記レーザ光の長軸方向の端部領域において急峻に高くなり、
前記半導体膜における前記レーザ光のエネルギー強度分布は、前記レーザ光の長軸方向の中央部領域より前記レーザ光の長軸方向の端部領域の方が高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜に対し、線状のレーザ光を前記レーザ光の短軸方向に相対的に走査させながら照射し、前記半導体膜を結晶化させる半導体装置の作製方法において、
前記レーザ光は、光学素子により線状にされた後、前記レーザ光の長軸方向における端部領域を遮光する手段を通過し、
前記レーザ光の長軸方向における端部領域を遮光する手段と前記半導体膜との距離をＬμｍとしたとき、１＜Ｌ＜２００を満たす位置に前記レーザ光の長軸方向における端部領域を遮光する手段が配置され、
前記半導体膜におけるエネルギー強度分布は、前記レーザ光の長軸方向の端部領域において急峻に高くなり、
前記半導体膜におけるエネルギー強度分布は、前記レーザ光の長軸方向の中央部領域より前記レーザ光の長軸方向の端部領域の方が高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記レーザ光は、連続発振のレーザまたは発振周波数が１０ＭＨｚ以上のパルスレーザであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記レーザ光は、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザ、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４、もしくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザのうち一種または複数種から発振されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記光学素子は、シリンドリカルレンズまたは回折光学素子であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記レーザ光の長軸方向における端部領域を遮光する手段として、反射ミラーを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月16日(2010.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークを処理するプラズマリアクタであって、
天井と側壁とを有する真空チャンバと、
前記チャンバ内にワークを支持するための支持表面を有する陰極を含むワーク支持土台とを備え、前記陰極が異なる電気的特性の複数の各自領域を備えるリアクタ。
【請求項２】
前記領域が前記ウェハ支持土台の対称軸に対して同心円状に配置されている請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記各自領域が前記陰極の前記支持表面上において異なる電気的特性の各自材料から形成されており、前記領域が内側領域と環状の外側領域とを含み、前記内側領域の材料が導体を含み、前記外側領域の材料が絶縁体を含む請求項２記載の装置。
【請求項４】
前記各自材料が異なる電気的誘電率の絶縁材料を含む請求項２記載の装置。
【請求項５】
前記陰極が前記支持表面を含む上面を有するアルミニウム部材を備え、前記上面の前記複数の各自領域が各自材料から形成された各自のインサートを含む請求項１記載の装置。
【請求項６】
前記各自のインサートが同心円状である請求項５記載の装置。
【請求項７】
前記各自のインサートが導電性材料から形成された第１インサートと、非導電性材料から形成された第２インサートを含む請求項５記載の装置。
【請求項８】
前記各自のインサートが異なる電気的誘電率の各自材料を含む請求項５記載の装置。
【請求項９】
前記第１インサートが円盤状の中央インサートを含み、前記第２インサートが環状の外側インサートを含む請求項７記載の装置。
【請求項１０】
前記陰極が第１金属から形成され、
前記第１金属から形成された表面板を備え、前記陰極が下面を有し、前記表面板が前記陰極の下面に面した上面を有し、
前記第１金属より高い強度と異なる電気的特性を有する第２金属から形成され、前記陰極と前記表面板とを前記陰極と表面板の周縁に沿って連結するための複数の細長い固締具と、
前記陰極と前記表面板との間の、前記第２金属から形成され前記陰極と表面板の周縁に位置された薄いリング層と、
前記陰極の前記下面の周縁上の第３金属のコーティングと、前記表面板の前記上面の周縁上の前記第３金属のコーティングとを更に備え、前記第３金属の導電性が前記第１金属の導電性より高い請求項１記載の装置。
【請求項１１】
前記陰極が、
その内部に形成された中空空間と、
前記中空空間内に在り、前記各自領域の１つに対応する可動式金属要素と、
前記金属要素と前記支持面との間の距離を制御するための機構とを備える請求項１記載の装置。
【請求項１２】
前記中空空間が、前記支持面にカバー層を更に備え前記中空空間をシールする前記陰極内を延びる孔を含む請求項１１記載の装置。
【請求項１３】
前記カバー層が絶縁材料を含む請求項１２記載の装置。
【請求項１４】
前記陰極が円盤体と前記支持表面から前記天井に向かって延びる角形平坦部とを備え、前記支持面が前記天井に面する前記平坦部の表面を含み、前記中空空間が少なくとも部分的に前記平坦部内に延びている請求項１１記載の装置。
【請求項１５】
前記角形平坦部が角形マスクを支持するように適合されている請求項１４記載の装置。
【請求項１６】
ワーク支持土台の底部からこれを介して延び、前記支持表面において開口の二次元アレイを形成する通路のアレイと、
複数の光ファイバを備え、各々の光ファイバーは前記通路の各々を介して延びており、（ａ）前記支持表面において前記開口を介する視野を備えた視野端と、（ｂ）前記チャンバ外部の出力端を有し、
前記光ファイバの前記出力端に連結され、波長の前記レンジに応答する光学検知装置を備え、前記光学検知装置は前記金属要素と前記支持面の間の距離を制御する前記機構に連結されている請求項１４記載のリアクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月14日(2010.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面なワークピースを処理するプラズマ処理システムであって、
複数のプラズマリアクタチャンバと、
各々の前記チャンバ間でワークピースを搬送することが可能な、前記複数のリアクタチャンバに結合されたワークピース搬送装置と、
該ワークピース搬送装置に結合され、前記プラズマ処理システムの外部のファクトリ環境との間でワークピースを搬送するファクトリインタフェースとを備え、前記ファクトリインタフェースは、
（ａ）内部容積を規定するフレームと、
（ｂ）前記内部容積内の前記フレーム上に支持された回転可能及び並行移動可能なアームと、
（ｃ）前記アームの外側端に取り付けられたワークピースハンドリングブレードと、
（ｄ）前記フレームに締結され、前記フレームの前記内部容積内に延び、ワークピース支持面を規定する支持端を備えた静止ワークピース保持用支持ブラケットとを備え、前記ブラケットは、前記ブラケットの周囲の異なる部分に第１及び第２のワークピース搬送端をさらに具備しているプラズマ処理システム。
【請求項２】
前記ワークピースハンドリングブレードは、前記ブラケット上にワークピースを配置し、前記ブラケットの前記第１及び第２のワークピース搬送端の各々の１つのワークピースを前記ブラケットから取り去ることが可能である請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記ブラケットは、１８０度のワークピース回転ブラケットであり、前記ブラケットの周囲の異なる部分は、前記ブラケットの周囲の対向部分を備えている請求項１記載のシステム。
【請求項４】
前記ブラケットによって規定されたワークピース支持面は長方形又は正方形であり、前記周囲の対向部分は互いに平行であり、前記ファクトリインタフェースのフレームの前記内部容積の対向部分に面している反対の端部である請求項３記載のシステム。
【請求項５】
前記ファクトリインタフェースのフレームの前記内部容積は短い寸法と、該短い寸法に直交する長い寸法を有しており、前記ファクトリインタフェースのフレームは前記長い寸法に対応し前記短い寸法から分離した一対の対向長辺を備え、該長辺は前記ウェハ搬送装置及び前記ファクトリ環境に各々面している請求項４記載のシステム。
【請求項６】
前記ブラケットの対向端部は、前記フレームの長い寸法に沿った前記内部容積内の反対方向に面している請求項５記載のシステム。
【請求項７】
前記短い寸法は前記アームの回転を制限する一方、ワークピースの回転を９０度未満の回転に抑える請求項６記載のシステム。
【請求項８】
前記ブラケットは、９０度のワークピース回転ブラケットであり、前記ブラケットの周囲の異なる部分は、前記ブラケットの周囲の隣接部分を備えている請求項１記載のシステム。
【請求項９】
前記ブラケットによって規定されたワークピース支持面は長方形又は正方形であり、前記周囲の対向部分は互いに直交する隣接端部である請求項８記載のシステム。
【請求項１０】
前記ファクトリインタフェースのフレームの前記内部容積は、短い寸法と、該短い寸法に直交する長い寸法とを有しており、前記ファクトリインタフェースのフレームは、前記長い寸法に対応し、前記短い寸法から分離した一対の対向長辺を備え、前記長辺は、前記ウェハ搬送装置及び前記ファクトリ環境に各々面している請求項９記載のシステム。
【請求項１１】
前記ブラケットの隣接端部は、前記フレームの長い寸法に対して各々４５度の角度に沿って配置されている請求項１０記載のシステム。
【請求項１２】
前記短い寸法は前記アームの回転を制限する一方、ワークピースの回転を９０度未満の回転に抑え、前記短い寸法は前記アームの４５度の回転を許容する一方、ワークピースを保持するのに十分である請求項１１記載のシステム。
【請求項１３】
前記ブラケットは、
前記ワークピース支持面に概して平行な支持アームと、
該支持アームから前記ワークピース支持面に延びた複数のポストとをさらに備える請求項１記載のシステム。
【請求項１４】
前記ポストの各々は、前記ワークピース支持面の上の第１の上端部と、前記ワークピース支持面における底部と、前記上端部から前記底部へ前記支持面の中心又は内方箇所に向かって下方に傾斜した少なくとも第１の傾斜ワークピース位置決め壁とを備えている請求項１記載のシステム。
【請求項１５】
前記複数のポストのワークピース位置決め壁は、前記ワークピースのサイズに対応する寸法に前記ワークピース支持面を制限しており、
前記ワークピース支持面は長方形あるいは正方形であり、各ポストは第１の上端部に直交する第２の上端部と、該第２の上端部から前記底部へ下方に傾斜する第２の傾斜ワークピース位置決め壁とをさらに備え、前記第１及び第２の上端部は直角コーナで交わっている請求項１４記載のシステム。