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【手続補正書】
【提出日】平成22年7月8日(2010.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
適応型データ取得回路（２６）であって、
検出器（１２）に入射するエネルギに応答して前記検出器（１２）により発生される電気パルスを増幅する増幅器（１４）と、
該増幅器（１４）により発生される増幅された電気パルスを計数する計数回路（２８）と、
前記増幅された電気パルスのパルス・レートと、この電気パルス中に存在するエネルギ量を示すパルス・パラメータとを決定して、前記パルス・パラメータに適応した制御信号（３２、３４，３６、３８）を発生して当該データ取得回路（２６）の動作パラメータを制御するディジタル論理回路（５２）と、
前記増幅された電気パルスを受け取って整形されたパルスを発生するパルス整形器（２０）とを備え、
前記ディジタル論理回路（５２）からの前記制御信号（３２、３４，３６、３８）は、前記パルス整形器（２０）の整形時間を制御するように構成されている、を備えた適応型データ取得回路（２６）。
【請求項２】
前記制御信号（３４）は、前記増幅器（１４）の増幅パラメータを制御するように構成されている、請求項１に記載の適応型データ取得回路（２６）。
【請求項３】
前記増幅器（１４）は、フィードバック抵抗器（１８）及びリセット・スイッチ（１１９）を含んでおり、前記制御信号（３２）は、前記フィードバック抵抗器（１８）を選択的に短絡させるように前記リセット・スイッチ（１１９）の動作を制御することにより、前記フィードバック抵抗器（１８）の抵抗及び前記増幅器（１４）のリセット頻度を制御するように構成されている、請求項２に記載の適応型データ取得回路（２６）。
【請求項４】
前記増幅器（１４）は、フィードバック・キャパシタ（１６）を含んでおり、前記制御信号（３４）は、前記フィードバック・キャパシタ（１６）のキャパシタンスを制御するように構成されている、請求項２に記載の適応型データ取得回路（２６）。
【請求項５】
前記パルス・パラメータのレベルが比較的低い場合に、前記制御信号（３６）は、比較的長い整形時間を生成すべく前記パルス整形器（２０）を制御するように構成されている、請求項１に記載の適応型データ取得回路（２６）。
【請求項６】
前記パルス・パラメータのレベルが比較的高い場合に、前記制御信号（３６）は、比較的短い整形時間を生成すべく前記パルス整形器（２０）を制御するように構成されている、請求項１に記載の適応型データ取得回路（２６）。
【請求項７】
前記整形器（２０）から整形されたパルスを受け取る弁別器（２２）をさらに含んでおり、前記制御信号（３８）は、前記弁別器（２２）の弁別閾値を調節するように構成されている、請求項１に記載の適応型データ取得回路（２６）。
【請求項８】
前記検出器（１２）と前記増幅器（１４）との間にスイッチ（４０）をさらに含んでおり、前記制御信号（３２）は、前記増幅器（１４）を前記検出器（１２）の複数のサブピクセルに対して選択的に結合したり切り離したりすべく前記スイッチ（４０）を動作させるように構成されている、請求項１に記載の適応型データ取得回路（２６）。
【請求項９】
前記ディジタル論理回路（５２）は、予測情報に応答して制御信号（例えば３２）を発生するようにさらに構成されている、請求項１乃至８のいずれかに記載の適応型データ取得回路（２６）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
増幅器１４によって発生される電圧パルスは、パルス整形器２０によってさらに処理されて整形された電圧パルスを発生し、このパルスが弁別器２２に供給される。整形された電圧パルスの振幅が弁別閾値を超えている場合に、弁別器２２は計数レジスタ２４をインクリメントする。よって、データ取得回路１０は、検出器１２によって発生されて検出器１２に入射したフォトンを表わす電流電荷パルスを計数するように構成されている。多数のカウンタ２４及び呼応して多数の弁別閾値を用いて、事象を整形されたパルス振幅に関してビニングすることができる。多数のビンに対する多数の弁別及び計数は、検出器１２に入射したフォトンのエネルギを記録する粗い方法である。幾つかの応用では、検出器１２は、ビニング・スイッチ４０を介してそれぞれのデータ取得回路１０に接続されている１又は複数のピクセルを含んでいてよい。
【特許文献１】米国特許第６２７８３９５号
【特許文献２】米国特許第７０９５３５４号（対応日本出願なし）
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月28日(2010.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
磁気共鳴装置（１）に接続されているコンピュータユニット（３７）上で請求項１乃至１２の１つに記載の方法を実行するためのコンピュータプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像シリーズの記録および作成方法、磁気共鳴装置およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
したがって、本発明の課題は、高い時間分解能および空間分解能を可能にするダイナミックＭＲＩ方法であって、僅かな再構成時間を必要とし、アーチファクト、特にモーション（運動）アーチファクトおよび磁場不均一性に対してロバストであり、かつｋ空間のサブスキャンに対してロバストである方法を提供することにある。更に、本発明の課題は、高い時間分解能および空間分解能とアーチファクトに対するロバスト性を有するダイナミックＭＲＩのための磁気共鳴装置もしくはコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
この課題は、本発明によれば請求項１による画像シリーズの記録および作成方法、請求項１３による磁気共鳴装置ならびに請求項１４によるコンピュータ読み取り可能な記録媒体によって解決される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
本発明によるコンピュータ読み取り可能な記録媒体は、磁気共鳴装置に接続されているコンピュータユニット上で本発明による方法を実行するためのコンピュータプログラムを提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月25日(2010.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生体内に挿入して、該生体内の異物を捕捉するカテーテル組立体であって、
先端が開口した長尺な管状をなす外側カテーテル本体を備える外側カテーテルと、
前記外側カテーテル本体内に挿通され、先端が開口した長尺な管状をなす中間カテーテル本体を備える中間カテーテルと、
前記中間カテーテル本体内に挿通される長尺な内側線状体と、該内側線状体の先端部に設けられ、前記中間カテーテルの先端開口から突出した弾性を有する頭部とを備える内側構造体と、
前記外側カテーテル本体の先端開口から突出した状態で前記異物に挿入して、前記中間カテーテル本体に対し前記内側線状体をその長手方向に沿って移動操作することにより、前記異物を攪拌するよう作動する攪拌手段とを有し、
前記異物を捕捉する際、前記中間カテーテル本体に対し前記内側線状体をその長手方向に沿って移動操作することにより、前記攪拌手段が作動して前記異物を攪拌し、前記外側カテーテル本体に対し前記中間カテーテル本体と前記内側線状体とを一括して基端方向に移動操作することにより、前記頭部が前記外側カテーテル本体内で摺動して、前記外側カテーテル本体の先端開口から前記攪拌された異物を吸引するよう構成されていることを特徴とするカテーテル組立体。
【請求項２】
前記攪拌手段は、前記内側線状体の先端部と前記中間カテーテル本体の先端部またはその途中とを連結し、前記内側線状体および前記中間カテーテル本体の先端部同士が接近／離間することにより拡張／収縮する変形部で構成されている請求項１に記載のカテーテル組立体。
【請求項３】
前記変形部は、筒体で構成されている請求項２に記載のカテーテル組立体。
【請求項４】
前記筒体には、その壁部を貫通する多数の孔が形成されている請求項３に記載のカテーテル組立体。
【請求項５】
前記内側線状体には、その長手方向に沿って第１の内腔が形成されており、
前記頭部には、前記第１の内腔と連通し、前記頭部の先端に開口した第２の内腔が形成されている請求項１ないし４のいずれかに記載のカテーテル組立体。
【請求項６】
自然状態での前記頭部の最大外径は、前記外側カテーテル本体の内径とほぼ同等またはそれより若干小さい請求項５に記載のカテーテル組立体。
【請求項７】
自然状態での前記頭部の最大外径は、前記外側カテーテル本体の内径より大きい請求項５に記載のカテーテル組立体。
【請求項８】
前記頭部は、その外径が先端方向に向かって漸減する部分を有する請求項１ないし７のいずれかに記載のカテーテル組立体。
【請求項９】
前記頭部は、その外径が基端方向に向かって漸減する部分を有する請求項１ないし８のいずれかに記載のカテーテル組立体。
【請求項１０】
前記内側線状体の外径は、前記頭部の最大外径より小さい請求項１ないし９のいずれかに記載のカテーテル組立体。
【請求項１１】
前記外側カテーテル本体の内周面および／または前記頭部の外周面には、これらの面同士間の摩擦を低減する摩擦低減処理が施されている請求項１ないし１０のいずれかに記載のカテーテル組立体。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月11日(2010.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドッキングステーションに内蔵された係止部材であって且つドッキングステーション上面の所定位置にノート型超音波診断装置を置くとそれに連動して非係止位置から係止位置へ動く第１係止部材と、
前記ノート型超音波診断装置に内蔵された係止部材であって且つ前記ドッキングステーション上面の前記所定位置に前記ノート型超音波診断装置を置いた状態で前記ノート型超音波診断装置のハンドルを立てた状態から倒した状態に動かすと該ハンドルの動きに連動して前記第１係止部材に係止する第２係止部材とを具備したことを特徴とするノート型超音波診断装置のドッキング機構。
【請求項２】
ドッキングステーションに内蔵された係止部材であって且つドッキングステーション上面の所定位置にノート型超音波診断装置を置くとそれに連動して非係止位置から係止位置へ動く第１係止部材と、
前記ノート型超音波診断装置に内蔵された係止部材であって且つ前記ドッキングステーション上面の前記所定位置に前記ノート型超音波診断装置を置いた状態で前記ノート型超音波診断装置のハンドルを立てた状態から倒した状態に動かすと該ハンドルの動きに連動して前記第１係止部材に係止すると共に前記ハンドルを倒した状態から立てた状態に動かすと該ハンドルの動きに連動して前記第１係止部材との係止を解除する第２係止部材とを具備したことを特徴とするノート型超音波診断装置のドッキング機構。
【請求項３】
請求項２に記載のノート型超音波診断装置のドッキング機構において、
前記ドッキングステーション上面には、前記ノート型超音波診断装置を載置して前後に摺動させうる平坦部と、前記ノート型超音波診断装置を後方に摺動させたときに当接する後方凸部とがあり、
前記ノート型超音波診断装置の後端を前記後方凸部に当接させていない状態では前記第１係止部材は前記非係止位置になり、
前記ノート型超音波診断装置の後端を前記後方凸部に当接させている状態では前記第１係止部材は前記係止位置になることを特徴とするノート型超音波診断装置のドッキング機構。
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載のノート型超音波診断装置のドッキング機構において、
前記第１係止部材は、前記非係止位置では前記ドッキングステーション上面より下に潜り込んでおり、前記係止位置では前記ドッキングステーション上面から飛び出し、
前記第２係止部材は、前記ハンドルの動きに連動して前記ドッキングステーション上面に沿って移動して前記第１係止部材に係止するか又は該係止を解除することを特徴とするノート型超音波診断装置のドッキング機構。
【請求項５】
請求項３に記載のノート型超音波診断装置のドッキング機構において、
前記ドッキングステーション上面から飛び出した前記第２係止部材が入り込む開口を、前記ノート型超音波診断装置の底面に設けたことを特徴とするノート型超音波診断装置のドッキング機構。
【請求項６】
請求項２から請求項５のいずれかに記載のノート型超音波診断装置のドッキング機構において、
前記第１係止部材および前記第２係止部材の一方はリング状部材であり、他方はフック状部材であることを特徴とするノート型超音波診断装置のドッキング機構。
【請求項７】
請求項２から請求項６のいずれかに記載のノート型超音波診断装置のドッキング機構において、
前記ドッキングステーションは、カートの最上部に設けられていることを特徴とするノート型超音波診断装置のドッキング機構。
【請求項８】
請求項７に記載のノート型超音波診断装置のドッキング機構において、
前記カートには、前記ノート型超音波診断装置のプローブコネクタに結合する中継コネクタと、プローブコネクタとが搭載されており、
前記ノート型超音波診断装置のプローブコネクタに前記中継コネクタを結合すると前記カートのプローブコネクタに結合されたプローブを使用可能になることを特徴とするノート型超音波診断装置のドッキング機構。
【請求項９】
請求項７または請求項８に記載のノート型超音波診断装置のドッキング機構において、
前記ドッキングステーションおよび前記ノート型超音波診断装置はそれぞれデータコネクタを有し、
それらデータコネクタを結合することにより前記ドッキングステーションと前記ノート型超音波診断装置の間でデータ伝送が可能になることを特徴とするノート型超音波診断装置のドッキング機構。
【請求項１０】
請求項９に記載のノート型超音波診断装置のドッキング機構において、
前記カートには、ビデオレコーダまたはプリンタの少なくとも一方が搭載されており、
前記データコネクタを結合することにより前記ノート型超音波診断装置から前記ビデオレコーダまたはプリンタを使用可能になることを特徴とするノート型超音波診断装置のドッキング機構。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれかに記載のノート型超音波診断装置のドッキング機構を有する超音波診断システム。
【請求項１２】
ドッキングステーションに内蔵された係止部材であって且つドッキングステーション上面の所定位置にノート型医用診断装置を置くとそれに連動して非係止位置から係止位置へ動く第１係止部材と、
前記ノート型医用診断装置に内蔵された係止部材であって且つ前記ドッキングステーション上面の前記所定位置に前記ノート型医用診断装置を置いた状態で前記ノート型医用診断装置のハンドルを立てた状態から倒した状態に動かすと該ハンドルの動きに連動して前記第１係止部材に係止する第２係止部材とを具備したことを特徴とするノート型医用診断装置のドッキング機構。
【請求項１３】
請求項１２に記載のノート型医用診断装置のドッキング機構を有する医用診断システム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月25日(2010.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
店舗内に複数設置され、携帯端末に備えられている電子マネー情報記憶手段に記憶された電子マネー情報または貨幣を用いて取引処理を実行する取引装置であって、
貨幣を受付けて該貨幣の金額を識別する貨幣受付識別手段と、
該貨幣受付識別手段によって識別された識別金額の範囲内で前記取引処理を実行する貨幣取引処理実行手段と、
前記携帯端末を受付ける受付手段と、
該受付手段により受付けられた前記携帯端末の前記電子マネー情報記憶手段に記憶された前記電子マネー情報を用いて前記取引処理を実行する電子マネー情報取引処理実行手段と、を備え、さらに、
前記貨幣受付識別手段によって前記貨幣が受付けられてから少なくとも識別されるまでの期間に、前記受付手段によって前記携帯端末が受付けられたことに基づいて、前記電子マネー情報取引処理実行手段による前記取引処理を開始するとともに、前記貨幣受付識別手段にて受付けた前記貨幣を返却することを特徴とする、取引装置。
【請求項２】
前記受付手段により受付けた前記携帯端末の前記電子マネー情報記憶手段に前記取引処理に使用可能な電子マネー情報が記憶されているか否かを判定するための処理を行う記憶マネー判定処理手段をさらに備え、
前記貨幣受付識別手段によって前記貨幣が受付けられてから少なくとも識別されるまでの期間に、前記受付手段によって前記携帯端末が受付けられ、かつ、該受付けられた携帯端末について前記記憶マネー判定処理手段により前記取引処理に使用可能な電子マネー情報が記憶されていないと判定されたときに、前記貨幣取引処理実行手段による前記取引処理を実行することを特徴とする、請求項１に記載の取引装置。
【請求項３】
前記受付手段により受付けた前記携帯端末の前記電子マネー情報記憶手段に前記取引処理に使用可能な電子マネー情報が記憶されているか否かを判定するための処理を行う記憶マネー判定処理手段をさらに備え、
前記貨幣受付識別手段によって前記貨幣が受付けられてから少なくとも識別されるまでの期間に、前記受付手段によって前記携帯端末が受付けられ、かつ、該受付けられた携帯端末について前記記憶マネー判定処理手段により前記取引処理に使用可能な電子マネー情報が記憶されていないと判定されたときに、前記貨幣受付識別手段にて受付けた前記貨幣を返却することを特徴とする、請求項１に記載の取引装置。
【請求項４】
店舗内に複数設置され、携帯端末に備えられている電子マネー情報記憶手段に記憶された電子マネー情報または貨幣を用いて取引処理を実行する取引装置であって、
貨幣を受付けて該貨幣の金額を識別する貨幣受付識別手段と、
該貨幣受付識別手段によって識別された識別金額の範囲内で前記取引処理を実行する貨幣取引処理実行手段と、
前記携帯端末を受付ける受付手段と、
該受付手段により受付けられた前記携帯端末の前記電子マネー情報記憶手段に記憶された前記電子マネー情報を用いて前記取引処理を実行する電子マネー情報取引処理実行手段と、を備え、さらに、
前記貨幣受付識別手段によって前記貨幣が受付けられてから少なくとも識別されるまでの期間に、前記受付手段によって前記携帯端末が受付けられたことに基づいて、前記電子マネー情報取引処理実行手段による前記取引処理を行うことなく前記貨幣受付識別手段にて受付けた前記貨幣を返却することを特徴とする、取引装置。
【請求項５】
店舗内に複数設置され、携帯端末に備えられている電子マネー情報記憶手段に記憶された電子マネー情報または貨幣を用いて取引処理を実行する取引装置と、記録媒体を個々に識別可能な記録媒体識別情報に対応付けて前記取引処理に使用される残額を管理する管理装置とを備えた電子マネーシステムであって、
前記取引装置は、
貨幣を受付けて該貨幣の金額を識別する貨幣受付識別手段と、
該貨幣受付識別手段によって識別された識別金額の範囲内で前記取引処理を実行する貨幣取引処理実行手段と、
前記携帯端末を受付ける受付手段と、
該受付手段により受付けられた前記携帯端末の前記電子マネー情報記憶手段に記憶された前記電子マネー情報を用いて前記取引処理を実行する電子マネー情報取引処理実行手段と、を有し、さらに、
前記貨幣受付識別手段によって前記貨幣が受付けられてから少なくとも識別されるまでの期間に、前記受付手段によって前記携帯端末が受付けられたことに基づいて、前記電子マネー情報取引処理実行手段による前記取引処理を開始するとともに、前記貨幣受付識別手段にて受付けた前記貨幣を返却することを特徴とする、電子マネーシステム。
【請求項６】
店舗内に複数設置され、携帯端末に備えられている電子マネー情報記憶手段に記憶された電子マネー情報または貨幣を用いて取引処理を実行する取引装置と、記録媒体を個々に識別可能な記録媒体識別情報に対応付けて前記取引処理に使用される残額を管理する管理装置とを備えた電子マネーシステムであって、
前記取引装置は、
貨幣を受付けて該貨幣の金額を識別する貨幣受付識別手段と、
該貨幣受付識別手段によって識別された識別金額の範囲内で前記取引処理を実行する貨幣取引処理実行手段と、
前記携帯端末を受付ける受付手段と、
該受付手段により受付けられた前記携帯端末の前記電子マネー情報記憶手段に記憶された前記電子マネー情報を用いて前記取引処理を実行する電子マネー情報取引処理実行手段と、を有し、さらに、
前記貨幣受付識別手段によって前記貨幣が受付けられてから少なくとも識別されるまでの期間に、前記受付手段によって前記携帯端末が受付けられたことに基づいて、前記電子マネー情報取引処理実行手段による前記取引処理を行うことなく前記貨幣受付識別手段にて受付けた前記貨幣を返却することを特徴とする、電子マネーシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月9日(2010.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板中に形成された一対のソース及びドレイン領域と、
前記ソース及びドレイン領域の間の前記半導体基板の領域上に形成された第１のゲート電極と、
前記半導体基板の表面と前記第１のゲート電極との間に形成された電荷蓄積部と、
を有し、
前記電荷蓄積部は、Ｎ−Ｈ結合とＳｉ−Ｈ結合との合計の密度が５×１０２０ｃｍ−３以下の第１の窒化膜を含み、
前記電荷蓄積部にホットキャリアの注入により書込み又は消去が行なわれることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】
請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置において、
さらに、前記電荷蓄積部は第２の窒化膜を含み、
前記第１の窒化膜は前記第２の窒化膜と前記半導体基板の表面との間に配置されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】
請求項２記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第１の窒化膜の膜厚は３ｎｍ以下であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】
請求項２記載の不揮発性半導体記憶装置において、
さらに、前記電荷蓄積部は第３の窒化膜を含み、
前記第３の窒化膜は前記第２の窒化膜と前記第１のゲート電極との間に配置され、
前記第３の窒化膜は、Ｎ−Ｈ結合とＳｉ−Ｈ結合との合計の密度が５×１０２０ｃｍ−３以下の窒化膜であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項５】
請求項４記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第３の窒化膜の膜厚は３ｎｍ以下であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項６】
請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置において、
さらに、前記ソース及びドレイン領域の間の前記半導体基板の領域上に形成された第２のゲート電極とを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項７】
請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第１の窒化膜は、化学的気相堆積法により窒化膜を堆積した後、プラズマ状態の窒素で窒化して形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項８】
請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第１の窒化膜は、スパッタリング法により堆積して形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項９】
請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第１の窒化膜は、ＳｉＣｌ４もしくはＳｉ２Ｃｌ６とプラズマ状態の窒素ガスとを交互に暴露する原子層堆積法により堆積して形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１０】
請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置において、
さらに、前記第１の窒化膜と前記半導体基板の表面との間に酸化膜が配置され、
前記第１の窒化膜は、前記酸化膜の一部をプラズマ窒化することにより形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１１】
請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第１の窒化膜は酸窒化膜であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１２】
請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記窒化膜は、窒化シリコン膜であって、前記窒化シリコン膜の組成をＳｉ３＋ＸＮ４とした場合に、Ｘが０．０５以下であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１３】
請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置において、
更に、メモリ領域内に形成された第１のメモリセルと第２のメモリセルとを有し、
前記第１のメモリセルは、前記ソース及びドレイン領域と、前記第１のゲート電極と、前記電荷蓄積部と、前記電荷蓄積部と前記半導体基板の表面との間に酸化膜とを有し、
前記第２のメモリセルは、第２のゲート電極と、前記半導体基板の表面と前記第２のゲート電極との間に第２の窒化膜とを有し、
前記第１の窒化膜は、前記第２の窒化膜の膜の一部であり、
前記第２の窒化膜は、前記メモリ領域の前記半導体基板の表面のコンタクト部以外の全面を覆っていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１４】
請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置において、
更に、前記半導体基板の表面と前記電荷蓄積部との間に形成された酸化膜と、
を有し、
前記酸化膜と前記半導体基板との界面もしくは前記酸化膜内に、ハロゲン元素とシリコン元素との結合を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１５】
請求項１４記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記ハロゲン元素は、フッ素であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１６】
メモリ領域内に形成され、窒化膜を含むゲート絶縁膜を有する、ホットキャリアの注入により書込み又は消去を行なう第１のトランジスタと、
ロジック領域内に形成された第２のトランジスタと、
前記第１トランジスタの第１のソース又は第１のドレインに対し電気的に接続された第１のコンタクトと、
前記第２トランジスタの第２のソース又は第２のドレインに対し電気的に接続された第２のコンタクトと、
を有し、
前記第１のトランジスタの前記第１のゲート電極、前記第１のソース及び第１のドレインは、自己整合コンタクトを形成するための窒化シリコン膜に覆われていないか、又は、一部が覆われており、
前記第２のトランジスタの前記第２のコンタクトが接続されている前記第２のソース又は第２のドレイン上に、自己整合コンタクトを形成するための窒化シリコン膜が形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１７】
請求項１６記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記一部は、前記第１のコンタクトが接続されている前記第１のソース又は前記第１のドレインであることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１８】
半導体基板中に形成された一対のソース及びドレイン領域と、
前記ソース及びドレイン領域の間の前記半導体基板の領域上に形成された第１のゲート電極と、
前記半導体基板の表面と前記第１のゲート電極との間に形成された電荷蓄積部と、
前記半導体基板の表面と前記電荷蓄積部との間に形成された酸化膜と、
を有し、
前記酸化膜と前記半導体基板との界面もしくは前記酸化膜内に、ハロゲン元素とシリコン元素との結合を有し、
前記電荷蓄積部にホットキャリアの注入により書込み又は消去が行なわれることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１９】
請求項１８記載の不揮発性半導体記憶装置において、  
前記ハロゲン元素は、フッ素であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月27日(2010.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部を有する基板に第１の金属薄膜からなる導電膜下地パターンを形成するとともに、該導電膜下地パターンの形成箇所と前記開口部との間に第１の金属薄膜からなり前記開口部を囲むダミー導電膜下地パターンを前記開口部及び前記導電膜下地パターンから離間して形成する工程と、
前記導電膜下地パターン及び前記ダミー導電膜下地パターンにめっき処理してこれらの上に第２の金属薄膜を形成し、導電膜下地パターンと第２の金属薄膜とからなる導電膜パターンと、ダミー導電膜下地パターンと第２の金属薄膜とからなるダミー導電膜パターンと、を形成する工程と、を有することを特徴とする導電膜パターンの形成方法。
【請求項２】
前記基板は複数のチップ形成部を有し、各チップ形成部は開口部を有してなり、前記ダミー導電膜下地パターンを、前記チップ形成部の開口部を囲んで形成することを特徴とする請求項１に記載の導電膜パターンの形成方法。
【請求項３】
前記基板は複数のチップ形成部を有し、前記ダミー導電膜下地パターンを、各チップ形成部の外縁部にチップ形成部の外周に沿って環状に形成することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の導電膜パターンの形成方法。
【請求項４】
前記第１の金属薄膜を、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ含有合金、Ｃｒ含有合金、ＴｉＷ合金またはこれらのうち２種以上の組み合わせで形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の導電膜パターンの形成方法。
【請求項５】
前記めっき処理は、無電解めっき処理であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の導電膜パターンの形成方法。
【請求項６】
前記第２の金属薄膜を、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕのうちの少なくとも一つを用いて形成することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の導電膜パターンの形成方法。
【請求項７】
前記導電膜パターンは、配線パターンであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の導電膜パターンの形成方法。
【請求項８】
導電膜パターンが形成された基板を有するデバイスの製造方法であって、
前記導電膜パターンを、請求項１〜７のいずれか一項に記載の導電膜パターンの形成方法により形成することを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項９】
導電膜パターンが形成された基板を有し、前記導電膜パターンを介して供給される信号により液滴を吐出する液滴吐出ヘッドの製造方法であって、
前記導電膜パターンを請求項１〜７のいずれか一項に記載の導電膜パターンの形成方法により形成することを特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
所定の面に開口部を有する基板と、
信号を伝送する配線として前記所定の面上に設けられており、第１の金属薄膜及び該第１の金属薄膜上にめっきされてなる第２の金属薄膜を含む導電膜パターンと、
信号を伝送する配線として機能しない状態で前記所定の面上に設けられており、第１の金属薄膜及び該第１の金属薄膜上にめっきされてなる第２の金属薄膜を含むダミー導電膜パターンと、
を備え、
前記ダミー導電膜パターンは、前記開口部と前記導電膜パターンとの間において、前記開口部を囲むようにして且つ前記開口部及び前記導電膜パターンから離間して設けられていることを特徴とする配線基板。
【請求項１１】
前記導電膜パターンにおける第１の金属薄膜の厚さと前記ダミー導電膜パターンにおける第１の金属薄膜の厚さとが等しいことを特徴とする請求項１０に記載の配線基板。
【請求項１２】
複数の前記導電膜パターンが所定の間隔に設けられており、
前記ダミー導電膜パターンと前記導電膜パターンとの距離は、前記所定の間隔と等しいことを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載の配線基板。
【請求項１３】
前記ダミー導電膜パターンと前記開口部との距離は、前記所定の間隔より短いことを特徴とする請求項１２に記載の配線基板。
【請求項１４】
所定の面に開口部を有する基板と、
前記所定の面上に設けられており、第１の金属薄膜及び該第１の金属薄膜上にめっきされてなる第２の金属薄膜を含む導電膜パターンと、
配線として機能しない状態で前記所定の面上に設けられており、第１の金属薄膜及び該第１の金属薄膜上にめっきされてなる第２の金属薄膜を含むダミー導電膜パターンと、
前記導電膜パターンに電気的に接続された駆動回路部と、
前記駆動回路部に電気的に接続された圧電素子と、
を備え、
前記ダミー導電膜パターンは、前記開口部と前記導電膜パターンとの間において、前記開口部を囲むようにして且つ前記開口部及び前記導電膜パターンから離間して設けられていることを特徴とする液滴吐出ヘッド。
【請求項１５】
請求項１４に記載の液滴吐出ヘッドを備えることを特徴とする液滴吐出装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】導電膜パターンの形成方法、デバイスの製造方法、液滴吐出ヘッドの製造方法、配線基板、液滴吐出ヘッド、及び液滴吐出装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、導電膜パターンの形成方法、デバイスの製造方法、液滴吐出ヘッドの製造方法、配線基板、液滴吐出ヘッド、及び液滴吐出装置に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月12日(2010.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法及びレーザアニール装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の不純物としてのイオンが注入されている表層部にパルスレーザ光を照射してアニールする半導体装置の作製方法であって、
前記表層部が溶融しない条件で前記表層部に前記パルスレーザ光を照射し、
前記パルスレーザ光の各照射開始時から少なくとも１マイクロ秒が経過するまでの間、補助加熱手段により前記表層部を８００℃以上に加熱することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
半導体基板の不純物としてのイオンが注入されている表層部にパルスレーザ光を照射してアニールする半導体装置の作製方法であって、
Ｎ（Ｎは２以上の自然数）個のパルスレーザ発振器からパルスレーザ光を発振し、
各パルスレーザ発振器からのパルスレーザ光を同一光路上に合成し、
ｎ（ｎは０を除くＮ未満の自然数）番目のパルスレーザ発振器によるパルスレーザ光の発振から所定の時間差で（ｎ＋１）番目のパルスレーザ発振器からパルスレーザ光を発振して、前記表層部が溶融しない条件で前記表層部に前記パルスレーザ光を順次照射し、
前記パルスレーザ光の各照射開始時から少なくとも１マイクロ秒が経過するまでの間、補助加熱手段により前記表層部を８００℃以上に加熱し、
前記所定の時間差は、ｎ番目のパルスレーザ発振器からのパルスレーザ光の照射によって加熱された前記表層部の温度が、前記補助加熱手段による前記表層部の加熱の温度まで低下しない時間であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記補助加熱手段は、間欠的に加熱を行なうものであり、加熱時の一回あたりの加熱時間が前記パルスレーザ光のパルス間隔の複数回分に相当するものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記補助加熱手段による前記表層部の加熱温度は６００℃以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
半導体基板の不純物としてのイオンが注入されている表層部にパルスレーザ光を照射してアニールするレーザアニール装置であって、
前記パルスレーザ光を発振するパルスレーザ発振器を有し、前記パルスレーザ光を前記表層部に照射するレーザ照射装置と、
前記半導体基板の前記表層部を加熱する補助加熱手段と、を備え、
前記パルスレーザ発振器からパルスレーザ光を発振して、前記表層部が溶融しない条件で前記表層部に前記パルスレーザ光を照射し、前記パルスレーザ光の各照射開始時から少なくとも１マイクロ秒が経過するまでの間、補助加熱手段により前記表層部を８００℃以上に加熱することを特徴とするレーザアニール装置。
【請求項６】
半導体基板の不純物としてのイオンが注入されている表層部にパルスレーザ光を照射してアニールするレーザアニール装置であって、
前記パルスレーザ光を発振するＮ（Ｎは２以上の自然数）個のパルスレーザ発振器と該各パルスレーザ発振器からのパルスレーザ光を同一光路上に合成する合成手段とを有し前記パルスレーザ光を前記表層部に照射するレーザ照射装置と、
前記半導体基板の表層部を加熱する補助加熱手段と、を備え、
ｎ（ｎは０を除くＮ未満の自然数）番目のパルスレーザ発振器によるパルスレーザ光の発振から所定の時間差で（ｎ＋１）番目のパルスレーザ発振器からパルスレーザ光を発振して、前記表層部が溶融しない条件で前記表層部に前記パルスレーザ光を順次照射し、
前記パルスレーザ光の各照射開始時から少なくとも１マイクロ秒が経過するまでの間、前記補助加熱手段により前記表層部を８００℃以上に加熱し、
前記所定の時間差を、ｎ番目のパルスレーザ発振器からのパルスレーザ光の照射によって加熱された前記表層部の温度が、前記補助加熱手段による前記表層部の加熱の温度まで低下しない時間差とすることを特徴とするレーザアニール装置。
【請求項７】
請求項５または請求項６において、
前記補助加熱手段は、間欠的に加熱を行なうものであり、加熱時の一回あたりの加熱時間が前記パルスレーザ光のパルス間隔の複数回分に相当するものであることを特徴とするレーザアニール装置。
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれか一項において、
前記補助加熱手段による前記表層部の加熱温度を６００℃以下とすることを特徴とするレーザアニール装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月22日(2010.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解質の両側に一対の電極を配設した電解質・電極構造体と、前記電解質・電極構造体を挟持する一対のセパレータとを備え、燃料ガス、酸化剤ガス及び冷却媒体をセパレータ面方向に流す燃料ガス流路、酸化剤ガス流路及び冷却媒体流路と、前記燃料ガス、前記酸化剤ガス及び前記冷却媒体を積層方向に供給する燃料ガス連通孔、酸化剤ガス連通孔及び冷却媒体連通孔とが形成される燃料電池であって、
少なくとも一方の前記セパレータには、前記冷却媒体流路及び前記冷却媒体連通孔を周回する冷却媒体流路用シール部材と、
前記燃料ガス連通孔を周回する燃料ガス連通孔用シール部材と、
前記燃料ガス連通孔用シール部材の内側に設けられ、前記セパレータの反対側の面に繋がる貫通孔と、
が設けられるとともに、
前記冷却媒体流路用シール部材と前記燃料ガス連通孔用シール部材との間には、一部を大気に開放する室が形成されることを特徴とする燃料電池。
【請求項２】
電解質の両側に一対の電極を配設した電解質・電極構造体と、前記電解質・電極構造体を挟持する一対のセパレータとを備え、燃料ガス、酸化剤ガス及び冷却媒体をセパレータ面方向に流す燃料ガス流路、酸化剤ガス流路及び冷却媒体流路と、前記燃料ガス、前記酸化剤ガス及び前記冷却媒体を積層方向に供給する燃料ガス連通孔、酸化剤ガス連通孔及び冷却媒体連通孔とが形成される燃料電池であって、
少なくとも一方の前記セパレータには、前記冷却媒体流路及び前記冷却媒体連通孔を周回する冷却媒体流路用シール部材と、
前記燃料ガス連通孔を周回する燃料ガス連通孔用シール部材と、
前記燃料ガス連通孔用シール部材の内側に設けられ、前記セパレータの反対側の面に繋がる貫通孔と、
が設けられるとともに、
前記冷却媒体流路用シール部材と前記燃料ガス連通孔用シール部材との間には、一部を前記酸化剤ガス連通孔に連通する室が形成されることを特徴とする燃料電池。
【請求項３】
請求項１又は２記載の燃料電池において、前記セパレータは、一方の面に前記燃料ガス流路が形成されるとともに、他方の面に前記冷却媒体流路が形成され、
前記燃料ガス連通孔用シール部材に周回される面内には、前記燃料ガス連通孔を前記燃料ガス流路に連通する貫通孔が設けられることを特徴とする燃料電池。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の燃料電池において、前記電解質・電極構造体は、一方の電極の表面積が他方の電極の表面積よりも小さく設定されることを特徴とする燃料電池。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の燃料電池において、他方の前記セパレータには、前記冷却媒体流路用シール部材及び前記燃料ガス連通孔用シール部材により前記室を形成する部分と積層方向に重なり合う２重シール部が設けられることを特徴とする燃料電池。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月29日(2010.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルコール燃料を消費して発電する発電体と、フィルム状の外装部材の内部に前記アルコール燃料を収容する燃料容器とを備え、
前記外装部材は、最内層側からから順に、電気的に陰性の原子を含まない樹脂材料からなる第１の層と、それよりも低いアルコール透過率を有する第２の層とを含む、
燃料電池。
【請求項２】
前記第１の層は熱可塑性樹脂を含有し、前記第２の層は前記第１の層よりも高い融点を有する、請求項１記載の燃料電池。
【請求項３】
前記第１の層は、鎖状低密度ポリエチレンおよび無延伸ポリプロピレンからなる群のうちの少なくとも１種を含有する、請求項１記載の燃料電池。
【請求項４】
前記第２の層は、樹脂材料からなる、請求項１記載の燃料電池。
【請求項５】
前記第２の層は、前記第１の層に塗布されて一体形成されている、請求項４記載の燃料電池。
【請求項６】
前記第２の層は、ポリ塩化ビニリデンを含有する、請求項５記載の燃料電池。
【請求項７】
前記第２の層は、前記第１の層とは別体形成されている、請求項４記載の燃料電池。
【請求項８】
前記第２の層は、高密度ポリエチレン、延伸ポリプロピレン、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレンおよびポリフェニレンエーテルからなる群のうちの少なくとも１種を含有する、請求項７記載の燃料電池。
【請求項９】
前記第２の層は、電気的に陰性の原子を含まない樹脂材料を含有する、請求項４記載の燃料電池。
【請求項１０】
前記第２の層は、無機物の物理堆積膜あるいは化学堆積膜からなる、請求項１記載の燃料電池。
【請求項１１】
前記第２の層は、蒸着膜からなる、請求項１０記載の燃料電池。
【請求項１２】
前記第２の層は、酸化アルミニウム、アルミニウム、酸化ケイ素および炭素からなる群のうちの少なくとも１種を含有する、請求項１０記載の燃料電池。
【請求項１３】
前記第２の層の厚さは、１．５μｍ以下である、請求項１０記載の燃料電池。
【請求項１４】
前記外装部材は、さらに、前記第２の層の外側に、前記第１の層よりも高い融点を有する樹脂材料からなる第３の層を含む、請求項１０記載の燃料電池。
【請求項１５】
前記第３の層は、高密度ポリエチレン、延伸ポリエチレン、延伸ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートおよびナイロンからなる群のうちの少なくとも１種を含有する、請求項１４記載の燃料電池。
【請求項１６】
前記外装部材は、各層間の少なくとも一部において接着層を介して貼り合わされており、前記接着層は、ポリウレタン系、アクリル系、ポリエステル系、ポリスチレン系およびポリオレフィン系からなる群のうちの少なくとも１種の接着剤を含有する、請求項１記載の燃料電池。
【請求項１７】
前記第１の層のアルコール透過率は２０ｇ／ｍ2 ・日以下であり、前記第２の層のアルコール透過率は３ｇ／ｍ2 ・日以下である、請求項１記載の燃料電池。
【請求項１８】
前記外装部材を１５ｍｍ幅の短冊状にして曲率半径が０．１ｍｍとなるように折り曲げるために要する荷重は、１００ｍＮ以下である、請求項１記載の燃料電池。
【請求項１９】
さらに、前記燃料容器を収納する収納部材と、前記燃料容器に接続され、前記発電部に前記アルコール燃料を供給するための燃料供給管とを備え、前記燃料容器、前記収納部材および前記燃料供給管は、前記収納部材ごと交換可能なユニット構造を有している、請求項１記載の燃料電池。
【請求項２０】
フィルム状の外装部材の内部にアルコール燃料を収容し、
前記外装部材は、最内層側から順に、電気的に陰性の原子を含まない樹脂材料からなる第１の層と、それよりも低いアルコール透過率を有する第２の層とを含む、
燃料容器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明による燃料容器は、フィルム状の外装部材の内部にアルコール燃料を収容し、外装部材が最内層側から順に電気的に陰性の原子を含まない樹脂材料からなる第１の層とそれよりも低いアルコール透過率を有する第２の層とを含むものである。また、本発明による燃料電池は、アルコール燃料を消費して発電する発電体とフィルム状の外装部材の内部にアルコール燃料を収容する燃料容器とを備え、外装部材が最内層側からから順に電気的に陰性の原子を含まない樹脂材料からなる第１の層とそれよりも低いアルコール透過率を有する第２の層とを含むものである。「最内層側から順に第１および第２の層を含む」とは、その第１の層が最内層であることを意味している。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月29日(2010.4.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステンレス鋼線と銅線とを撚り合せた電線導体において、上記電線導体の単位長さにおけるステンレス鋼線の重量率が、２％以上４５％以下であることを特徴とする電線導体。
【請求項２】
請求項１記載の電線導体において、上記ステンレス鋼線における破断するまでの伸び量は、上記銅線における破断するまでの伸び量の１倍以上４倍以下であることを特徴とする電線導体。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の電線導体において、上記電線導体は、中心にステンレス鋼線が配置されていることを特徴とする電線導体。
【請求項４】
請求項１〜請求項３記載の電線導体において、上記電線導体は、最外層が銅線から構成されていることを特徴とする電線導体。
【請求項５】
請求項１〜請求項４記載の電線導体において、上記電線導体の撚り幅が、層芯径の８倍以上２２倍以下であることを特徴とする電線導体。
【請求項６】
請求項１〜請求項５記載の電線導体と、該電線導体を被覆する絶縁被覆とからなる絶縁電線。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月26日(2010.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バリアブルデータプリティングデータのうち、データベースのレコードテーブルの情報に応じて領域に配置されるオブジェクトが変化する可変領域に、カラープロファイルを選択するためのフィルタリング規則を設定するフィルタリング規則設定ステップと、
前記バリアブルデータプリティングデータの可変領域に配置されるオブジェクトに対し、前記フィルタリング規則に従いカラープロファイルが取得されるカラープロファイル取得ステップと
を備えることを特徴とする情報処理方法。
【請求項２】
前記フィルタリング規則は、複数設定され、該複数のフィルタリング規則の論理演算に従い、前記カラープロファイルが取得されることを特徴とする請求項１に記載の情報処理方法。
【請求項３】
バリアブルデータプリティングデータのうち、データベースのレコードテーブルの情報に応じて領域に配置されるオブジェクトが変化する可変領域に、カラープロファイルを選択するためのフィルタリング規則を設定するフィルタリング規則設定手段と、
前記バリアブルデータプリティングデータの可変領域に配置されるオブジェクトに対し、前記フィルタリング規則に従いカラープロファイルが取得されるカラープロファイル取得手段と
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項４】
請求項１に記載の情報処理方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理方法、情報処理装置および記録媒体
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記課題を解決するために、本発明に係る情報処理方法は、バリアブルデータプリティングデータのうち、データベースのレコードテーブルの情報に応じて領域に配置されるオブジェクトが変化する可変領域に、カラープロファイルを選択するためのフィルタリング規則を設定するフィルタリング規則設定ステップと、前記バリアブルデータプリティングデータの可変領域に配置されるオブジェクトに対し、前記フィルタリング規則に従いカラープロファイルが取得されるカラープロファイル取得ステップとを備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月23日(2010.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極と、
前記陽極と前記陰極との間に、第一の発光層と前記第一の発光層よりも陰極側に配置される第二の発光層とを有し、
前記第一の発光層が第一のホストと第一のゲストとを含み、
前記第二の発光層が第二のホストと第二のゲストとを含み、
前記第一のゲストと前記第二のゲストの最大発光波長の差が２０ｎｍ以下であり、
前記第一のホスト、前記第一のゲスト、前記第二のホスト及び前記第二のゲストが、以下に示す関係式（１）乃至（４）を満たすことを特徴とする有機発光素子。
｜ＨＯＭＯ（Ｈ１）｜＜｜ＨＯＭＯ（Ｇ１）｜      （１）
｜ＬＵＭＯ（Ｇ２）｜＜｜ＬＵＭＯ（Ｈ２）｜      （２）
｜ＨＯＭＯ（Ｇ２）｜＜｜ＨＯＭＯ（Ｈ２）｜      （３）
｜ＬＵＭＯ（Ｈ１）｜＜｜ＬＵＭＯ（Ｇ１）｜      （４）
（式（１）において、｜ＨＯＭＯ（Ｈ１）｜は第一のホストのＨＯＭＯエネルギーの絶対値を表し、｜ＨＯＭＯ（Ｇ１）｜は第一のゲストのＨＯＭＯエネルギーの絶対値を表す。式（２）において、｜ＬＵＭＯ（Ｈ２）｜は第二のホストのＬＵＭＯエネルギーの絶対値を表し、｜ＬＵＭＯ（Ｇ２）｜は第二のゲストのＬＵＭＯエネルギーの絶対値を表す。式（３）において、｜ＨＯＭＯ（Ｈ２）｜は第二のホストのＨＯＭＯエネルギーの絶対値を表し、｜ＨＯＭＯ（Ｇ２）｜は第二のゲストのＨＯＭＯエネルギーの絶対値を表す。式（４）において、｜ＬＵＭＯ（Ｈ１）｜は第一のホストのＬＵＭＯエネルギーの絶対値を表し、｜ＬＵＭＯ（Ｇ１）｜は第一のゲストのＬＵＭＯエネルギーの絶対値を表す。）
【請求項２】
前記第一のゲストおよび前記第二のゲストの発光色は青色であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項３】
前記第一のホストと前記第二のホストとが同一の化合物からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機発光素子。
【請求項４】
前記第一のホスト、前記第一のゲスト、前記第二のホスト及び前記第二のゲストが、さらに以下に示す関係式（５）及び（６）を満たすことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の有機発光素子。
｜ＨＯＭＯ（Ｈ２）｜−｜ＨＯＭＯ（Ｇ２）｜≧０．１５ｅＶ      （５）
｜ＬＵＭＯ（Ｇ１）｜−｜ＬＵＭＯ（Ｈ１）｜≧０．１５ｅＶ      （６）
【請求項５】
前記第一のホストは下記化合物群（ａ）から選ばれる化合物であり、前記第二のホストは下記化合物群（ａ）から選ばれる化合物であり、前記第一のゲストは下記化合物群（ｂ）から選ばれる化合物であり、前記第二のゲストは下記化合物群（ｃ）から選ばれる化合物であることを特徴する請求項１乃至４のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【化１】
2008277494.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の有機発光素子は、陽極と陰極と、前記陽極と前記陰極との間に、第一の発光層と前記第一の発光層よりも陰極側に配置される第二の発光層とを有し、前記第一の発光層が第一のホストと第一のゲストとを含み、前記第二の発光層が第二のホストと第二のゲストとを含み、前記第一のゲストと前記第二のゲストの最大発光波長の差が２０ｎｍ以下であり、前記第一のホスト、前記第一のゲスト、前記第二のホスト及び前記第二のゲストが、以下に示す関係式（１）乃至（４）を満たすことを特徴とする。
｜ＨＯＭＯ（Ｈ１）｜＜｜ＨＯＭＯ（Ｇ１）｜      （１）
｜ＬＵＭＯ（Ｇ２）｜＜｜ＬＵＭＯ（Ｈ２）｜      （２）
｜ＨＯＭＯ（Ｇ２）｜＜｜ＨＯＭＯ（Ｈ２）｜      （３）
｜ＬＵＭＯ（Ｈ１）｜＜｜ＬＵＭＯ（Ｇ１）｜      （４）
（式（１）において、｜ＨＯＭＯ（Ｈ１）｜は第一のホストのＨＯＭＯエネルギーの絶対値を表し、｜ＨＯＭＯ（Ｇ１）｜は第一のゲストのＨＯＭＯエネルギーの絶対値を表す。式（２）において、｜ＬＵＭＯ（Ｈ２）｜は第二のホストのＬＵＭＯエネルギーの絶対値を表し、｜ＬＵＭＯ（Ｇ２）｜は第二のゲストのＬＵＭＯエネルギーの絶対値を表す。式（３）において、｜ＨＯＭＯ（Ｈ２）｜は第二のホストのＨＯＭＯエネルギーの絶対値を表し、｜ＨＯＭＯ（Ｇ２）｜は第二のゲストのＨＯＭＯエネルギーの絶対値を表す。式（４）において、｜ＬＵＭＯ（Ｈ１）｜は第一のホストのＬＵＭＯエネルギーの絶対値を表し、｜ＬＵＭＯ（Ｇ１）｜は第一のゲストのＬＵＭＯエネルギーの絶対値を表す。）
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2008277494.tif 000002