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【手続補正書】
【提出日】平成22年5月13日(2010.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
視野範囲内を撮像して画像データを送信する複数のカメラと、ネットワーク網を介して上記複数のカメラから送信される上記画像データを蓄積し要求のあったクライアント端末に送信する第１のサーバとを備えたＣＣＴＶ（Closed Circuit Tele Vision）システムにおいて、
上記複数のカメラについての情報を記憶する第２のサーバを有し、
上記第１のサーバは、上記クライアント端末が送信したキーワードに基づいて上記第２のサーバの上記情報を参照して上記複数のカメラのうちから１台を特定し、上記特定したカメラが送信する画像データを上記キーワードを送信したクライアント端末に送信することを特徴とするＣＣＴＶシステム。
【請求項２】
請求項１に記載のＣＣＴＶシステムにおいて、
上記キーワードを送信したクライアント端末は、上記送信したキーワードに対応する情報を上記特定したカメラが送信する画像データとともに表示することを特徴とするＣＣＴＶシステム。
【請求項３】
請求項１乃至２に記載のＣＣＴＶシステムにおいて、
上記第１のサーバは、上記クライアント端末が送信したキーワードに基づいて上記第２のサーバの上記情報を参照した結果、上記複数のカメラのうちから１台に特定できなかった場合、
上記キーワードを送信したクライアント端末に、カメラを特定できない旨のメッセージおよびキーワードの再入力要求メッセージ並びに上記キーワードに近かったカメラの情報を該カメラの画像データに重畳して送信することを特徴とするＣＣＴＶシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月10日(2010.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像装置が撮影した画像データを送信する送信元と、ネットワーク経由で集線装置を介し、上記送信元からの画像データを受信する少なくとも１つの要求元を有した拠点とを備えた画像データ送受信システムにおいて、
上記拠点は、上記送信元から画像データを１系統受信し、該受信した１系統の画像データを複製し、複製した画像データを拠点内の要求元に送信すると共に、別の拠点に該複製した画像データを１系統送信することを特徴とする画像データ送受信システム。
【請求項２】
請求項１記載の画像データ送受信システムにおいて、上記拠点が、上記送信元から受信した１系統の画像データを複製する画像データ再配信装置を有し、当該画像データ再配信装置は、上記拠点内の上記要求元から送信された画像データ要求情報を管理し、上記要求元から要求された画像データの種類に応じて画像データを配信することを特徴とする画像データ送受信システム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月13日(2010.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のカメラと、上記カメラの取得する映像をネットワークを介して表示する複数のディスプレイを隣接させて構成した大画面表示装置と、上記カメラ及び上記大画面表示装置とネットワークを介して通信し上記大画面表示装置に表示する映像を制御する監視端末とから構成される監視カメラシステムであって、
上記監視端末は、上記大画面表示装置に表示する映像について、その画面配置と拡大表示を制御することを特徴とする監視カメラシステム。
【請求項２】
請求項１に記載の監視カメラシステムにおいて、
上記監視端末は、大画面表示装置に拡大表示される映像の拡大率を指定し、拡大率に応じて前記複数のディスプレイに映像を表示させ、拡大映像を表示しないディスプレイには他の映像を表示させる様制御することを特徴とする監視カメラシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月17日(2010.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に電流の印加で発光する領域と、ｐｎ接合を備える位相調整領域とを有し、前記発光領域と前記位相調整領域とが導波路で繋がっているゲインチップと、  前記ゲインチップの光出力端面との間で共振器を構成する波長選択性ミラーと、  前記位相調整領域のｐｎ接合部分に正方向電流を流す電流源と、  前記位相調整領域のｐｎ接合部分に負方向電圧を印加する電圧源と、  波長シフトの方向に応じて前記電流源あるいは前記電圧源を選択的に駆動する制御部とを有し、 前記発光領域と前記位相調整領域を構成する半導体組成が異なる  ことを特徴とする波長可変レーザ装置。
【請求項２】
請求項１記載の波長可変レーザ装置において、前記制御部は、前記電流源及び電圧源がオフのときのレーザ波長に対して短波長側に波長シフトさせるときは前記電流源を駆動し、長波長側に波長シフトさせるときは前記電圧源を駆動することを特徴とする波長可変レーザ装置。
【請求項３】
請求項１記載の波長可変レーザ装置において、前記位相調整層を構成する半導体組成波長をλph0、レーザが動作する波長のうち最も短い波長をλmin、λphの印加電圧Ｖphに対する変化率を−β、動作するマイナス電圧の最小値を−Ｖminとしたとき、          Ｖmin＝（λph0−λmin）／βの関係を満たすことを特徴とする波長可変レーザ装置。
【請求項４】
半導体基板上に電流の印加で発光する領域とｐｎ接合を備える位相調整領域とを有し、前記発光領域と前記位相調整領域とが導波路で繋がっているゲインチップと、前記ゲインチップの光出力端面との間で共振器を構成する波長選択性ミラーとを備える波長可変レーザ装置の波長制御方法において、  前記位相調整領域に位相調整信号が印加されていないときのレーザ波長に対して短波長側に波長シフトさせるときは前記位相調整領域に正方向電流を流し、  前記位相調整領域に位相調整信号が印加されていないときのレーザ波長に対して長波長側に波長シフトさせるときは前記位相調整領域に負方向電圧を印加する  ことを特徴とする波長可変レーザ装置の波長制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月21日(2010.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を介して基板を露光する露光装置であって、
レチクルのパターンを前記基板に投影する投影光学系と、
前記投影光学系の像面に配置され、前記投影光学系を通過した光束を透過する光透過部を含む測定用基板と、
前記光透過部を透過した光束を受光する受光面を含む受光部と、
前記受光面における位置座標と前記投影光学系の瞳における位置座標との相関関係を示す情報に基づいて、前記受光面で受光される光束の像を前記投影光学系の瞳における光強度分布に演算によって変換する演算部と、
前記演算部の変換結果に基づいて、前記露光装置の光学特性を調整する調整部と、
を有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記演算部は、前記投影光学系の瞳面内の領域を格子状に配列された複数の要素に分割し、前記複数の要素の各々の光強度を前記受光面に格子状に配列された複数の画素の少なくとも１つの画素の値に基づいて決定することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記演算部は、前記複数の要素のうち１つの要素から射出する光束が前記複数の画素のうち２つ以上の画素に入射する際には、前記２つ以上の画素に入射する光束の各々の画素における面積及び前記２つ以上の画素の各々の値に基づいて、前記１つの要素の光強度を算出することを特徴とする請求項２記載の露光装置。
【請求項４】
前記演算部は、前記２つ以上の画素に入射する光束の各々の画素における面積の比と前記２つ以上の画素の各々の値とを積算することを特徴とする請求項３記載の露光装置。
【請求項５】
前記測定用基板と前記受光部との間において、前記測定用基板に対して前記光束の波長以下の距離で近接して配置され、曲率を有するレンズを更に有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項６】
前記相関関係を示す情報は、前記レンズの曲率中心に対する前記光透過部の偏心に基づいて、前記光透過部から前記受光面までの光線追跡によって作成されていることを特徴とする請求項５記載の露光装置。
【請求項７】
前記相関関係を示す情報は、前記測定用基板の屈折率及び厚さ、前記レンズの曲率半径、屈折率及び厚さ、前記光透過部と前記受光面との距離、及び、前記受光面の傾きの少なくとも１つと前記レンズの曲率中心に対する前記光透過部の偏心に基づいて、前記光透過部から前記受光面までの光線追跡によって作成されていることを特徴とする請求項５記載の露光装置。
【請求項８】
前記測定用基板は、前記投影光学系を通過した光束を透過する複数の光透過部を含み、
前記演算部は、前記複数の光透過部の各々に対応する前記受光面における位置座標と前記投影光学系の瞳における位置座標との相関関係を示す情報に基づいて、前記受光面で受光される光束の像を前記投影光学系の瞳における光強度分布に演算によって変換することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項９】
レチクルのパターンを基板に投影する投影光学系と、前記投影光学系の像面に配置され、前記投影光学系を通過した光束を透過する光透過部を含む測定用基板と、前記光透過部を透過した光束を受光する受光面を含む受光部とを備え、液体を介して前記基板を露光する露光装置を用いた露光方法であって、
前記受光面における位置座標と前記投影光学系の瞳における位置座標との相関関係を示す情報に基づいて、前記受光面で受光される光束の像を前記投影光学系の瞳における光強度分布に演算によって変換する変換ステップと、
前記変換ステップの変換結果に基づいて、前記露光装置の光学特性を調整する調整ステップとを有することを特徴とする露光方法。
【請求項１０】
前記測定用基板の屈折率及び厚さ、前記測定用基板と前記受光部との間において、前記測定用基板に対して前記光束の波長以下の距離で近接して配置され、曲率を有するレンズの曲率半径、屈折率及び厚さ、前記光透過部と前記受光面との距離、及び、前記受光面の傾きの少なくとも１つと前記レンズの曲率中心に対する前記光透過部の偏心に基づいて、前記相関関係を示す情報を作成する作成ステップを更に有することを特徴とする請求項９記載の露光方法。
【請求項１１】
前記作成ステップは、
前記測定用基板の屈折率及び厚さ、前記レンズの曲率半径、屈折率及び厚さ、前記光透過部と前記受光面との距離、及び、前記受光面の傾きの少なくとも１つと前記レンズの曲率中心に対する前記光透過部の偏心に基づいて、前記光透過部から前記受光面に入射する光線を追跡する光線追跡ステップと、
前記光線追跡ステップの結果に基づいて、前記受光面における位置座標と前記投影光学系の瞳における位置座標との交点を算出する交点算出ステップと、
前記交点算出ステップで算出された交点に基づいて、前記相関関係を示す情報を算出する算出ステップとを含むことを特徴とする請求項１０記載の露光方法。
【請求項１２】
請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
露光された前記基板を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項１３】
レチクルのパターンを基板に投影する投影光学系を備える露光装置において、前記投影光学系の瞳における光強度分布を測定する測定装置であって、
前記投影光学系の像面に配置され、前記投影光学系を通過した光束を透過する光透過部を含む測定用基板と、
前記光透過部を透過した光束を受光する受光面を含む受光部と、
前記受光面における位置座標と前記投影光学系の瞳における位置座標との相関関係を示す情報に基づいて、前記受光面で受光される光束の像を前記投影光学系の瞳における光強度分布に演算によって変換する演算部と、
を有することを特徴とする測定装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】露光装置、露光方法、デバイス製造方法及び測定装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、液体を介して基板を露光する露光装置であって、レチクルのパターンを前記基板に投影する投影光学系と、前記投影光学系の像面に配置され、前記投影光学系を通過した光束を透過する光透過部を含む測定用基板と、前記光透過部を透過した光束を受光する受光面を含む受光部と、前記受光面における位置座標と前記投影光学系の瞳における位置座標との相関関係を示す情報に基づいて、前記受光面で受光される光束の像を前記投影光学系の瞳における光強度分布に演算によって変換する演算部と、前記演算部の変換結果に基づいて、前記露光装置の光学特性を調整する調整部と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月7日(2010.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上の絶縁膜に形成された配線溝または層間接続路に埋め込まれたＣｕ配線であって、
前記Ｃｕ配線は、
（１）配線溝側または層間接続路側に形成されたＴａＮからなるバリア層と、
（２）Ｎｂ、Ｖ、Ｈｆ、Ｒｅ、Ｔｉ、Ｆｅ、およびＺｒよりなる群から選ばれる１種以上の元素を合計で０．０５〜３．０原子％含有するＣｕからなる配線本体部とで構成されていることを特徴とする半導体装置のＣｕ配線。
【請求項２】
半導体基板上の絶縁膜に形成された配線溝または層間接続路に埋め込まれたＣｕ配線であって、
前記Ｃｕ配線は、
（１）配線溝側または層間接続路側に形成されたＴａＮからなるバリア層と、
（２）純Ｃｕからなる配線本体部と、
（３）前記バリア層と前記配線本体部との間にこれらと接して形成され、かつＮｂ、Ｖ、Ｈｆ、Ｒｅ、Ｔｉ、Ｆｅ、およびＺｒよりなる群から選ばれる１種以上の元素を合計で０．０５〜３．０原子％含有するＣｕからなる中間層とで構成されていることを特徴とする半導体装置のＣｕ配線。
【請求項３】
前記中間層の厚みが１０〜５０ｎｍである請求項２に記載のＣｕ配線。
【請求項４】
前記配線溝または前記層間接続路は、幅が０．１５μｍ以下で、この幅に対する深さの比（深さ／幅）が１以上である請求項１〜３のいずれかに記載のＣｕ配線。
【請求項５】
半導体基板上の絶縁膜に形成された配線溝または層間接続路の表面にＴａＮ層を形成する工程と、
このＴａＮ層の表面にスパッタリング法でＮｂ、Ｖ、Ｈｆ、Ｒｅ、Ｔｉ、Ｆｅ、およびＺｒよりなる群から選ばれる１種以上の元素を合計で０．０５〜３．０原子％含有するＣｕ層を配線本体部として形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置のＣｕ配線の製造方法。
【請求項６】
前記配線溝または前記層間接続路は、幅が０．１５μｍ以下で、この幅に対する深さの比（深さ／幅）が１以上であり、前記Ｃｕ層を形成した後、加熱しつつ加圧してＣｕ層をＴａＮ層付き配線溝または層間接続路に押し込む請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
半導体基板上の絶縁膜に形成された配線溝または層間接続路の表面にＴａＮ層を形成する工程と、
このＴａＮ層の表面にスパッタリング法でＮｂ、Ｖ、Ｈｆ、Ｒｅ、Ｔｉ、Ｆｅ、およびＺｒよりなる群から選ばれる１種以上の元素を合計で０．０５〜３．０原子％含有するＣｕ層を中間層として形成する工程と、
前記Ｃｕ層の表面に純Ｃｕ層を配線本体部として形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置のＣｕ配線の製造方法。
【請求項８】
前記配線溝または前記層間接続路は、幅が０．１５μｍ以下で、この幅に対する深さの比（深さ／幅）が１以上であり、前記純Ｃｕ層を形成した後、加熱して純Ｃｕ層をＣｕ層付き配線溝または層間接続路に押し込む請求項７に記載の製造方法。
【請求項９】
前記配線溝または前記層間接続路は、幅が０．１５μｍ以下で、この幅に対する深さの比（深さ／幅）が１以上であり、前記純Ｃｕ層を形成した後、加熱しつつ加圧して純Ｃｕ層をＣｕ層付き配線溝または層間接続路に押し込む請求項７に記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月26日(2010.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の基板及びその主面上に形成された第一の接続端子を有する第一の回路部材と、第二の基板及びその主面上に形成された第二の接続端子を有する第二の回路部材との間に介在して、対向する前記第一の接続端子と前記第二の接続端子とが電気的に接続されるように前記第一の回路部材と前記第二の回路部材とを接着するために用いられる回路接続用接着フィルムにおいて、
接着剤層Ａと該接着剤層Ａ上に積層された接着剤層Ｂとを備え、
当該回路接続用接着用フィルムを前記接着剤層Ｂが前記第一の回路部材に接する向きで前記第一の回路部材の前記第一の接続端子側の面に対して貼り付けたときの剥離強度が、前記接着剤層Ａを前記第一の回路部材の前記第一の接続端子側の面に貼り付けたときの剥離強度よりも大きく、
前記接着剤層Ｂの厚みが０．１〜３．０μｍである、回路接続用接着フィルム。
【請求項２】
前記接着剤層Ａ及び前記接着剤層Ｂのうち少なくとも一方が熱硬化性樹脂を含有する、請求項１記載の回路接続用接着フィルム。
【請求項３】
前記接着剤層Ａ及び前記接着剤層Ｂのうち少なくとも一方が導電粒子を含有する、請求項１又は２記載の回路接続用接着フィルム。
【請求項４】
前記接着剤層Ａの厚みが５〜４５μｍである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の回路接続用接着フィルム。
【請求項５】
第一の基板及びその主面上に形成された第一の接続端子を有する第一の回路部材と、第二の基板及びその主面上に形成された第二の接続端子を有し該第二の接続端子が前記第一の接続端子と対向するように配置された第二の回路部材と、前記第一の回路部材と前記第二の回路部材との間に介在する接着層と、を具備し、前記第一の回路部材と前記第二の回路部材とが、対向する前記第一の接続端子と前記第二の接続端子とが電気的に接続されるように前記接着層によって接着されている接続構造体において、
前記接着層が、接着剤層Ａと該接着剤層Ａ上に積層された接着剤層Ｂとを備える回路接続用接着フィルムを前記接着剤層Ｂが前記第一の回路部材に接する向きで前記第一の回路部材と前記第二の回路部材との間に介在させ、その状態で加熱及び加圧することにより前記回路接続用接着フィルムから形成される層であり、
前記回路接続用接着用フィルムを前記接着剤層Ｂが前記第一の回路部材に接する向きで前記第一の回路部材の前記第一の接続端子側の面に対して貼り付けたときの剥離強度が、前記接着剤層Ａを前記第一の回路部材の前記第一の接続端子側の面に貼り付けたときの剥離強度よりも大きく、
前記接着剤層Ｂの厚みが０．１〜３．０μｍである、
接続構造体。
【請求項６】
前記接着剤層Ａの厚みが５〜４５μｍである、請求項５記載の接続構造体。
【請求項７】
第一の基板及びその主面上に形成された第一の接続端子を有する第一の回路部材と、第二の基板及びその主面上に形成された第二の接続端子を有し該第二の接続端子が前記第一の接続端子と対向するように配置された第二の回路部材と、前記第一の回路部材と前記第二の回路部材との間に介在する接着層と、を具備し、前記第一の回路部材と前記第二の回路部材とが、前記第一の接続端子と前記第二の接続端子とが電気的に接続されるように前記接着層によって接着されている接続構造体の製造方法において、
接着剤層Ａと該接着剤層Ａ上に積層された接着剤層Ｂとを備える回路接続用接着フィルムを、前記接着剤層Ｂが前記第一の回路部材に接する向きで前記第一の回路部材の前記第一の接続端子側の面に対して貼り付ける工程と、
前記第二の回路部材を、前記第一の接続端子と前記第二の接続端子とが前記回路接続用接着フィルムを挟んで対向するように配置する工程と、
加熱及び加圧により、対向する前記第一の接続端子と前記第二の接続端子とが電気的に接続されるように、前記第一の回路部材と前記第二の回路部材とを前記回路接続用接着フィルムから形成される前記接着層によって接着させる工程と、を備え、
前記回路接続用接着用フィルムを前記接着剤層Ｂが前記第一の回路部材に接する向きで前記第一の回路部材の前記第一の接続端子側の面に対して貼り付けたときの剥離強度が、前記接着剤層Ａを前記第一の回路部材の前記第一の接続端子側の面に貼り付けたときの剥離強度よりも大きく、
前記接着剤層Ｂの厚みが０．１〜３．０μｍである、
接続構造体の製造方法。
【請求項８】
前記第一の接続端子及び前記第二の接続端子のうち少なくとも一方の表面が、金、銀、錫及び白金族の金属から選ばれる少なくとも一種から構成される、請求項７記載の接続構造体の製造方法。
【請求項９】
前記第一の接続端子及び前記第二の接続端子のうち少なくとも一方の表面が、インジュウム−錫酸化物からなる透明電極から構成される、請求項７記載の接続構造体の製造方法。
【請求項１０】
前記第一の基板及び前記第二の基板のうち少なくとも一方の表面が、ポリエステルテレフタレート、ポリエーテルサルフォン、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、及びガラスから選ばれる少なくとも一種から構成される、請求項７〜９のいずれか一項に記載の接続構造体の製造方法。
【請求項１１】
前記第一の基板及び前記第二の基板のうち少なくとも一方が、その表面に付着しているシリコーン化合物、ポリイミド樹脂及びアクリル樹脂から選ばれる少なくとも一種を有する、請求項７〜１０のいずれか一項に記載の接続構造体の製造方法。
【請求項１２】
前記接着剤層Ａの厚みが５〜４５μｍである、請求項７〜１１のいずれか一項に記載の接続構造体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
一つの側面において、本発明は、第一の基板及びその主面上に形成された第一の接続端子を有する第一の回路部材と、第二の基板及びその主面上に形成された第二の接続端子を有する第二の回路部材との間に介在して、対向する第一の接続端子と第二の接続端子とが電気的に接続されるように第一の回路部材と第二の回路部材とを接着するために用いられる回路接続用接着フィルムに関する。本発明に係る回路接続用接着フィルムは、接着剤層Ａと該接着剤層Ａ上に積層された接着剤層Ｂとを備える。本発明に係る回路接続用接着用フィルムを接着剤層Ｂが第一の回路部材に接する向きで第一の回路部材の第一の接続端子側の面に対して貼り付けたときの剥離強度は、接着剤層Ａを第一の回路部材の第一の接続端子側の面に貼り付けたときの剥離強度よりも大きい。そして、接着剤層Ｂの厚みは０．１〜３．０μｍである。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月8日(2010.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２８】
請求項２２〜２７のうちいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１のゲート電極の側面上に第１のサイドウォールを形成すると共に、前記第２のゲート電極の側面上に第２のサイドウォールを形成する工程（ｃ）と、
前記工程（ｃ）の後に、前記第１の活性領域における前記第１のサイドウォールの外側方に第１のソース・ドレイン領域を形成する工程（ｄ）と、
前記工程（ｃ）の後に、前記第２の活性領域における前記第２のサイドウォールの外側方に第２のソース・ドレイン領域を形成する工程（ｅ）とをさらに備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３０】
請求項２２〜２９のうちいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１のゲート絶縁膜は、高誘電体膜からなり、
前記第２のゲート絶縁膜は、シリコン酸化膜又はシリコン酸窒化膜からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月8日(2010.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のチップ部品が搭載されると共に隣接する前記チップ部品の間に接続用パッドが形成された第１の基板に、複数の前記チップ部品をワイヤボンディング接続により搭載する工程と、
第２の基板に基板表面から突出する電極を設ける工程と、
前記接続用パッドの配列と対応して形成された突出部と、前記チップ部品の搭載領域に対応して形成されたキャビティとを有する金型を前記第１の基板に装着し、前記突出部を前記接続用パッド表面に当接させると共に該キャビティに第１の樹脂を充填して前記チップ部品及びワイヤを樹脂封止することにより、前記第１の基板上に封止樹脂部を形成する工程と、
前記接続用パッドと前記電極とを対向させてはんだ接合し、樹脂封止された前記チップ部品が内蔵されるよう前記第１の基板と前記第２の基板を接合する工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板との離間部分に第２の樹脂を充填する工程とを有し、
前記封止樹脂部を形成する工程では、前記金型の前記突出部により前記封止樹脂部に溝部を形成し、該溝部の底部に前記接続用パッドを露出させることを特徴とするチップ内蔵基板の製造方法。
【請求項２】
前記電極は、銅よりなる金属コアにはんだ膜が被膜された構成であることを特徴とする請求項１記載のチップ内蔵基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明はチップ内蔵基板の製造方法に係り、特に一対の配線基板間にチップが内蔵されたチップ内蔵基板を製造するチップ内蔵基板の製造方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記の課題は、本発明の第１の観点からは、
複数のチップ部品が搭載されると共に隣接する前記チップ部品の間に接続用パッドが形成された第１の基板に、複数の前記チップ部品をワイヤボンディング接続により搭載する工程と、
第２の基板に基板表面から突出する電極を設ける工程と、
前記接続用パッドの配列と対応して形成された突出部と、前記チップ部品の搭載領域に対応して形成されたキャビティとを有する金型を前記第１の基板に装着し、前記突出部を前記接続用パッド表面に当接させると共に該キャビティに第１の樹脂を充填して前記チップ部品及びワイヤを樹脂封止することにより、前記第１の基板上に封止樹脂部を形成する工程と、
前記接続用パッドと前記電極とを対向させてはんだ接合し、樹脂封止された前記チップ部品が内蔵されるよう前記第１の基板と前記第２の基板を接合する工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板との離間部分に第２の樹脂を充填する工程とを有し、
前記封止樹脂部を形成する工程では、前記金型の前記突出部により前記封止樹脂部に溝部を形成し、該溝部の底部に前記接続用パッドを露出させることを特徴とするチップ内蔵基板の製造方法により解決することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
図１及び図２は、本発明の一実施例であるチップ内蔵基板の製造方法を製造手順に沿って説明するための図である。特に、図２（Ｂ）は本実施例の製造方法により製造されたチップ内蔵基板１を示しているが、説明の便宜上、チップ内蔵基板の製造方法の説明に先立ち、この図２（Ｂ）を用いてチップ内蔵基板１の構成について説明する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
チップ内蔵基板１は、大略すると第１の基板１０，第２の基板２０，チップ状の電子部品１３（以下、チップ部品という），第１の封止樹脂３４，及び第２の封止樹脂４０等により構成されている。第１の基板１０は配線パターンが形成された配線基板であり、その上面１０ａにチップ部品１３が複数個搭載されている。本実施例では、チップ部品１３は、第１の基板１０に形成されたワイヤ接続用パッド１１にＡｕワイヤ等のワイヤボンディングに使用されるワイヤ１４を用いて接続されている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
第１の基板１０と第２の基板２０との間の空間部２５に第２の封止樹脂４０が充填されると、続いて第２の封止樹脂４０の硬化処理（例えば、加熱処理）が行われ、以上説明した各工程を実施することにより図２（Ｂ）に示すチップ内蔵基板１が製造される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
上記のようにして製造されたチップ内蔵基板１は、内部にチップ部品１３等を実装しているため、第１の基板１０の下面１０ｂに外部接続端子として機能するはんだボール５１を配設した構成とすれば、図２（Ｃ）に示すような電子装置５０Ａとして用いることができる。更に、図２（Ｃ）に示す構成において、第２の基板２０の上面２０ａに電子部品５２を搭載することにより、更に高密度な電子装置５０Ｂを実現することができる（図２（Ｄ）参照）。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月25日(2010.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、上記発明において、前記金属材の材質を銅としてもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
尚、上記のようにして製造されたチップ内蔵基板１Ｂは、第１の基板１０の下面１０ｂに外部接続端子として機能するはんだボール５１を配設することにより図４（Ｃ）に示すような電子装置５０Ｃとして用いることができ、更に第２の基板２０の上面２０ａに電子部品５２を搭載することにより、図４（Ｄ）に示すような高密度な電子装置５０Ｄを実現することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月14日(2010.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）第１表面と、前記第１表面に形成された第１素子と、前記第１表面上に形成された第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に形成された第１配線と、前記第１配線上に形成された第１パッシベーション膜と、前記第１パッシベーション膜から露出し、かつ前記第１配線に形成された第１導体部と、前記第１表面とは反対側の第１裏面と、を有する第１半導体チップを準備する工程；
（ｂ）前記（ａ）工程の後、第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、を有する第１コア材の前記第１主面に、前記第１半導体チップの前記第１裏面が前記第１コア材の前記第１主面と対向するように、前記第１半導体チップを固定する工程； 
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記第１半導体チップを樹脂材料で封止する工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記第１半導体チップの前記第１表面上に第２配線を形成し、前記第１配線と電気的に接続する工程；
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記第２配線をソルダレジストで覆う工程；
（ｆ）前記（ｅ）工程の後、第２表面と、前記第２表面に形成された第２素子と、前記第２素子と導通するボンディングパッドと、前記第２表面とは反対側の第２裏面と、を有する第２半導体チップを前記ソルダレジスト上に固定する工程；
（ｇ）前記（ｆ）工程の後、前記第２半導体チップの前記ボンディングパッドと前記第１導体部とを導電部を介して電気的に接続する工程；
（ｈ）前記（ｇ）工程の後、前記第２半導体チップを樹脂で封止する工程；
（ｉ）前記（ｈ）工程の後、前記第１コア材の前記第２主面上に形成されたＢＧＡランドにバンプ電極を形成する工程。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２配線は、前記第１コア材に形成されたスルーホール配線を介して前記バンプ電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記導電部は、ボンディングワイヤであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
即ち、複数の半導体チップにより構成される半導体装置の製造方法であって、以下の工程を含むことを特徴とする：
（ａ）第１表面と、前記第１表面に形成された第１素子と、前記第１表面上に形成された第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に形成された第１配線と、前記第１配線上に形成された第１パッシベーション膜と、前記第１パッシベーション膜から露出し、かつ前記第１配線に形成された第１導体部と、前記第１表面とは反対側の第１裏面と、を有する第１半導体チップを準備する工程；
（ｂ）前記（ａ）工程の後、第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、を有する第１コア材の前記第１主面に、前記第１半導体チップの前記第１裏面が前記第１コア材の前記第１主面と対向するように、前記第１半導体チップを固定する工程； 
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記第１半導体チップを樹脂材料で封止する工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記第１半導体チップの前記第１表面上に第２配線を形成し、前記第１配線と電気的に接続する工程；
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記第２配線をソルダレジストで覆う工程；
（ｆ）前記（ｅ）工程の後、第２表面と、前記第２表面に形成された第２素子と、前記第２素子と導通するボンディングパッドと、前記第２表面とは反対側の第２裏面と、を有する第２半導体チップを前記ソルダレジスト上に固定する工程；
（ｇ）前記（ｆ）工程の後、前記第２半導体チップの前記ボンディングパッドと前記第１導体部とを導電部を介して電気的に接続する工程；
（ｈ）前記（ｇ）工程の後、前記第２半導体チップを樹脂で封止する工程；
（ｉ）前記（ｈ）工程の後、前記第１コア材の前記第２主面上に形成されたＢＧＡランドにバンプ電極を形成する工程。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月17日(2010.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
近年、画像情報をデジタル化して取り扱い、その際、効率の高い情報の伝達および蓄積を目的とし、画像情報特有の冗長性を利用して、離散コサイン変換（Discrete Cosine Transform：ＤＣＴ）等の直交変換と動き補償とにより圧縮するＭＰＥＧ（Moving Picture Experts Group）などの方式に準拠した装置が、放送局などの情報配信および一般家庭における情報受信の双方において普及している。
特に、ＭＰＥＧ２（ISO/IEC 13818−2）は、汎用画像符号化方式として定義されており、飛び越し走査画像および順次走査画像の双方、並びに標準解像度画像および高精細画像を網羅する標準で、プロフェッショナル用途およびコンシューマ用途の広範なアプリケーションに現在広く用いられている。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月26日(2010.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内線を収容する主装置と、前記内線に接続された無線アクセスポイントと、前記内線に接続された少なくとも１台の端末装置と、前記無線アクセスポイントを介して前記内線に接続され、前記端末装置に載置可能な少なくとも１台の無線端末装置と、を有する親子電話システムであって、
前記端末装置は、
前記無線端末装置の自端末装置への載置状態の変化を検出する端末装置側載置状態検出手段と、
前記端末装置側載置状態検出手段により前記無線端末装置の自端末装置への載置状態の変化が検出された場合に、前記主装置に親子設定要求を送信する端末装置側親子設定要求手段と、を有し、
前記無線端末装置は、
自無線端末装置の前記端末装置への載置状態の変化を検出する無線端末装置側載置状態検出手段と、
前記無線端末装置側載置状態検出手段により自無線端末装置の前記端末装置への載置状態の変化が検出された場合に、前記主装置に前記親子設定要求を送信する無線端末装置側親子設定要求手段と、を有し、
前記主装置は、
親子関係にある前記端末装置および前記無線端末装置のアドレスを含む親子情報を記憶する親子情報記憶手段と、
予め定められた第１の時間内に前記端末装置および前記無線端末装置から前記親子設定要求を受信すると、前記親子設定要求を送信してきた前記端末装置および前記無線端末装置を記憶する送信装置記憶手段と、
前記第１の時間より長い予め定められた第２の時間内に受信した前記送信装置記憶手段に記憶されている前記端末装置および前記無線端末装置からの前記親子設定要求の受信回数をカウントする親子設定要求受信回数カウント手段と、
前記親子設定要求受信回数カウント手段がカウントした受信回数が所定の回数に達し、前記所定の回数に達した前記端末装置および前記無線端末装置が各々一台だけであった場合に、当該端末装置および無線端末装置を親子関係として前記親子情報記憶手段に登録する親子情報登録手段と、を有することを特徴とする親子電話システム。
【請求項２】
請求項１に記載の親子電話システムであって、
前記主装置は、
前記所定の回数に達した前記端末装置および前記無線端末装置が各々複数存在した場合、
当該複数の端末装置または無線端末装置の少なくともいずれか一台に対して、ユーザに載置操作を促すためのリトライ要求を送信するリトライ要求送信手段をさらに有する
ことを特徴とする親子電話システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明では、内線に無線アクセスポイントおよび端末装置を接続すると共に、無線アクセスポイントを介して内線に無線端末装置を接続する。そして、端末装置に、無線端末装置の自端末装置への載置状態の変化を契機として、主装置に対して親子設定要求を送信させる。また、無線端末装置に、自無線端末装置の端末装置への載置状態の変化を契機として、主装置に対して親子設定要求を送信させる。主装置は、予め定められた第１の時間内に前記端末装置および前記無線端末装置から前記親子設定要求を受信すると、前記親子設定要求を送信してきた前記端末装置および前記無線端末装置を送信装置に記憶する。前記第１の時間より長い予め定められた第２の時間内に受信した前記送信装置に記憶されている前記端末装置および前記無線端末装置からの前記親子設定要求の受信回数をカウントする。前記親子設定要求の受信回数が所定の回数に達し、前記所定の回数に達した前記端末装置および前記無線端末装置が各々一台だけを検出できた場合に、この端末装置を親機とし、この無線端末装置を子機とする親子情報を登録させる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
例えば、本発明は、内線を収容する主装置と、前記内線に接続された無線アクセスポイントと、前記内線に接続された少なくとも一台の端末装置と、前記無線アクセスポイントを介して前記内線に接続され、前記端末装置に載置可能な少なくとも一台の無線端末装置と、を有する親子電話システムであって、前記端末装置は、前記無線端末装置の自端末装置への載置状態の変化を検出する端末装置側載置状態検出手段と、前記端末装置側載置状態検出手段により前記無線端末装置の自端末装置への載置状態の変化が検出された場合に、前記主装置に親子設定要求を送信する端末装置側親子設定要求手段と、を有し、前記無線端末装置は、自無線端末装置の前記端末装置への載置状態の変化を検出する無線端末装置側載置状態検出手段と、前記無線端末装置側載置状態検出手段により自無線端末装置の前記端末装置への載置状態の変化が検出された場合に、前記主装置に前記親子設定要求を送信する無線端末装置側親子設定要求手段と、を有し、前記主装置は、親子関係にある前記端末装置および前記無線端末装置のアドレスを含む親子情報を記憶する親子情報記憶手段と、予め定められた第１の時間内に前記端末装置および前記無線端末装置から前記親子設定要求を受信すると、前記親子設定要求を送信してきた前記端末装置および前記無線端末装置を記憶する送信装置記憶手段と、前記第１の時間より長い予め定められた第２の時間内に受信した前記送信装置記憶手段に記憶されている前記端末装置および前記無線端末装置からの前記親子設定要求の受信回数をカウントする親子設定要求受信回数カウント手段と、前記親子設定要求受信回数カウント手段がカウントした受信回数が所定の回数に達し、前記所定の回数に達した前記端末装置および前記無線端末装置が各々一台だけであった場合に、当該端末装置および無線端末装置を親子関係として前記親子情報記憶手段に登録する親子情報登録手段と、を有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
一方、図示していないメモリ等に記憶されている到着時刻の中から、所定のＮ１回数に達した有線端末２１と無線端末２２の組み合わせが一組であった場合（Ｓ１０８でＮＯ）、Ｓ１１０に進む。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月14日(2010.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原稿のＢＷ（黒色）、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の画像情報を読み取る読取手段と、
前記読取手段によって読み取られたＢＷ画像データより副走査方向に連続する細線を検出する第１の細線検出手段と、
前記読取手段によって読み取られたＢ画像データより副走査方向に連続する細線を検出する第２の細線検出手段と、
前記読取手段によって読み取られたＧ画像データより副走査方向に連続する細線を検出する第３の細線検出手段と、
前記読取手段によって読み取られたＲ画像データより副走査方向に連続する細線を検出する第４の細線検出手段と、
前記第１、第２、第３、第４の細線検出手段の検出結果に応じて、前記読取手段によって読み取られた画像データの副走査方向に連続なスジを検出するスジ検出手段と、
を備えることを特徴とする画像読取装置。
【請求項２】
前記スジ検出手段の検出結果に基づいて、前記読取手段から出力される読取画像データを補正するスジ補正手段を備えることを特徴とする請求項１記載の画像読取装置。
【請求項３】
前記スジ検出手段は、前記第１、第２、第３、第４の細線検出手段の主走査方向における同一部分の検出結果を比較することで、前記読取手段によって読み取られた画像データの副走査方向に連続なスジを検出することを特徴とする請求項１記載の画像読取装置。
【請求項４】
原稿の画像情報を読み取る読取手段と、
前記読取手段によって読み取られた第１色の画像データより副走査方向に連続する細線を検出する第１の細線検出手段と、
前記読取手段によって読み取られた第２色の画像データより副走査方向に連続する細線を検出する第２の細線検出手段と、
前記第１及び第２の細線検出手段の主走査方向における同一部分の検出結果を比較することで、前記読取手段によって読み取られた画像データの副走査方向に連続なスジを検出するスジ検出手段と、
を備えることを特徴とする画像読取装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
即ち、各色の読取データに対して各々のライン間隔分の遅延処理を行うことで各センサの読取データ間のずれを修正する。そして、原稿の同一場所のＢＷセンサで読取を行ったモノクロデータと、カラーセンサで読み取ったデータを合成（演算）したモノクロデータとを比較することでスジを検出する。上記スジの検出はＣＩＳラインセンサでも実行可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
ＢＷセンサは、カラーセンサのようにカラーフィルタが必要ないため、一般的にカラーセンサより感度が高く、同一光源で画像読み取りを行う際は、高速で読み取りを行っても画質劣化が少ない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
即ち、従来の構成では、ＢＷセンサで読取を行ったモノクロデータとカラーセンサで読み取ったデータを合成し、スジの検出を行っているため、各センサの読取位置のずれを修正する必要がある。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月14日(2010.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ発振時にレーザ光を発光面に対して垂直に射出する少なくとも一つの発光素子を有する発光部と、
特定波長の光を選択的に前記発光素子に戻すことによって、前記発光素子を特定波長でレーザ発振させる外部共振器と、
前記発光部及び前記外部共振器が固定されたベースプレートと、
前記発光素子と前記外部共振器との間で、且つ、前記発光素子表面より離れた前記レーザ光の光路上に配置固定され、前記レーザ光の進行方向を変える光学素子であって、該光学素子に入射した前記レーザ光の進行方向を略９０度変える光学素子と、
前記ベースプレートに配置固定され、前記光学素子と前記外部共振器との間の前記レーザ光の光路上で、前記光学素子を通過した前記レーザ光の波長を変換する波長変換素子と、
を含み、
前記光学素子の前記レーザ光の光路中に、前記発光素子から入射する前記レーザ光に対する前記波長変換素子に射出する前記レーザ光の比率を示す反射率又は透過率が、前記レーザ光の偏光方向が異なる２つの偏光成分において異なる特性を有する偏光選択光学膜が付与されていることを特徴とする光源装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光源装置において、
前記偏光選択光学膜の前記反射率又は透過率が高い偏光方向は、前記波長変換素子の分極方向と略一致することを特徴とする光源装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の光源装置において、
前記偏光選択光学膜が有する前記反射率又は透過率での前記異なる２つの偏光成分における異なる特性は、前記発光部から射出されるレーザ光の波長のほうが、前記波長変換素子によって変換された光の波長よりも、異なり方が大きいことを特徴とする光源装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の光源装置において、
前記光学素子は、少なくともレーザ光の波長の光を反射する反射面を備えたミラーであることを特徴とする光源装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の光源装置において、
前記光学素子は、プリズムであることを特徴とする光源装置。
【請求項６】
請求項５に記載の光源装置において、
前記プリズムは、直角二等辺三角形断面の直角プリズムであり、
前記直角二等辺三角形断面の長辺を含む前記直角プリズムの面は、残りの辺を含む前記直角プリズムの面に対し略垂直に入射したレーザ光を反射する反射面であり、
残りの辺のうち一辺を含む前記直角プリズムの面の一部は、スペーサー部を介して、前記ベースプレートに配置固定されたことを特徴とする光源装置。
【請求項７】
請求項６に記載の光源装置において、
前記プリズムの前記スペーサー部配置面には、前記発光素子から射出或いは反射される前記レーザ光が前記プリズムへ入射する際、前記レーザ光の反射を低減させる反射防止膜が付与されていることを特徴とする光源装置。
【請求項８】
請求項６又は７に記載の光源装置において、
前記偏光選択光学膜は、前記プリズムの前記反射面及び前記スペーサー部配置面以外の残りの一辺を含む前記直角プリズムの面に付与された場合、前記波長変換素子によって変換された波長のレーザ光が前記外部共振器側から入射した際に、前記外部共振器側に反射する波長分離機能が更に含まれていることを特徴とする光源装置。
【請求項９】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の光源装置において、
前記発光部の前記発光素子に対する前記光学素子及び前記外部共振器の位置を決める位置決め部を更に含むことを特徴とする光源装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の光源装置において、
前記位置決め部は、ピンであることを特徴とする光源装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の光源装置と、
前記光源装置から射出された光を画像信号に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置により形成された画像を投射する投射装置と、
を含むことを特徴とする画像表示装置。
【請求項１２】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の光源装置と、
前記光源装置から射出されたレーザ光を被投射面上で走査する走査部と、
を含むことを特徴とする画像表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月27日(2010.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン化された放射ビームを投射する投射系と、
前記投射系の最終要素と基板及び／又は基板テーブルとの間の空間を浸漬液で充填する液体供給システムとを含み、
前記液体供給システムのガスの入口及び／若しくは出口、かつ／或いは前記投射系の前記最終要素以外の部分が、前記浸漬液との間で９０°より大きい接触角を有する表面を備えることを特徴とする、リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記投射系の前記最終要素以外の表面が、前記液体供給システムよりも上方にある、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記投射系の前記最終要素以外の表面が、前記基板に対して実質的に平行である、請求項１又は２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記投射系の前記最終要素以外の表面が、実質的に環形状である、請求項１乃至３の何れかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記投射系の前記最終要素以外の表面が、前記浸漬液との間で１００°以上の接触角を有する、請求項１乃至４の何れかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
投射系の最終要素と基板及び／又は基板テーブルとの間の、液体供給システムによって画定された空間を介して、パターン化された放射ビームを投射することと、
前記空間を浸漬液で充填することと、を含むデバイス製造方法であって、
前記液体供給システムのガスの入口及び／若しくは出口、かつ／或いは前記投射系の前記最終要素以外の部分が、前記浸漬液との間で９０°より大きい接触角を有する表面を備える、ことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月21日(2010.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報を提示する画面表示部と、
操作を受け付ける操作入力部と、
操作の履歴を記憶する操作履歴保存部と、
操作毎のガイド情報を含む操作ガイドデータと、前記操作履歴と前記操作ガイドデータ中の操作ガイド情報とを対応づける操作ガイド関連付けデータと、を格納するデータ蓄積部と、
前記操作履歴保存部中の操作履歴における特定操作以降の操作履歴を基に、前記操作ガイド関連付けデータを用いて、前記操作ガイドデータ中の操作ガイド情報を抽出するデータ抽出部と、
前記抽出した操作ガイド情報を前記画面表示部に表示する画面表示制御部と、を備え、
前記画面表示制御部は、前記抽出した操作ガイド情報において、前記操作履歴に応じた部分を強調表示する、ことを特徴とする操作ガイド表示装置。
【請求項２】
前記データ蓄積部は、画面表示方法に関する情報を含む操作ガイド関連付けデータを格納し、
前記データ抽出部は、前記操作ガイド情報と前記画面表示方法に関する情報とを抽出し、前記画面表示制御部は、前記画面表示方法に関する情報に基づいて、前記操作ガイド情報を前記画面表示部に表示する請求項１記載の操作ガイド表示装置。
【請求項３】
前記操作履歴保存部は、操作の履歴を、一定のサイズで循環して蓄える請求項１又は２記載の操作ガイド表示装置。
【請求項４】
前記データ蓄積部上の前記操作ガイドデータと前記操作ガイド関連付けデータ、及び前記操作履歴保存部上の前記操作履歴を、複数の媒体に分散し保存する請求項１から３の何れかに記載の操作ガイド表示装置。
【請求項５】
前記データ蓄積部上の前記操作ガイドデータと前記操作ガイド関連付けデータ、及び前記操作履歴保存部上の前記操作履歴を、個別にデータ変更するデータ更新部を、備えた請求項１から４の何れかに記載の操作ガイド表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の操作ガイド表示装置は、情報を提示する画面表示部と、操作を受け付ける操作入力部と、操作の履歴を記憶する操作履歴保存部と、操作毎のガイド情報を含む操作ガイドデータと、前記操作履歴と前記操作ガイドデータ中の操作ガイド情報とを対応づける操作ガイド関連付けデータと、を格納するデータ蓄積部と、前記操作履歴保存部中の操作履歴における特定操作以降の操作履歴を基に、前記操作ガイド関連付けデータを用いて、前記操作ガイドデータ中の操作ガイド情報を抽出するデータ抽出部と、前記抽出した操作ガイド情報を前記画面表示部に表示する画面表示制御部と、を備え、前記画面表示制御部は、前記抽出した操作ガイド情報において、前記操作履歴に応じた部分を強調表示する、ことを特徴とする。