Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月7日(2010.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
前記伝動ケース２２の前後方向中間部で前記ケース主体６１および左側カバー６２には、前記クランクシャフト３４と平行な軸線を有するキック軸８３が回転自在に支承されており、このキック軸８３の前記左側カバー６２からの突出端部にはキックペダル８４が固定される。しかも前記キック軸８３およびケース主体６１間には戻しばね８５が設けられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
ところで前記排風口１０８および前記冷却ファン９７よりもクランクケース２１の右ケース半体４０側には、冷却ファン９７からの冷却風が前記排風口１０８に対応する部分で前記クランクケース２１側に流通するのを阻止する整流板１２２が固定的に配設される。この整流板１２２は、前記シュラウド９８における当接板部９８ｂの下部に突設された一対の取付けボス１２３，１２３にねじ部材１２４，１２４で締結されることでシュラウド９８に取付けられるものであり、側面視では冷却ファン９７の半径方向最外端の回転軌跡に沿って円弧状に形成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
しかも冷却ファン９７およびクランクケース２１間には発電機９５が配置されるのであるが、その発電機９５の外側方に前記整流板１２２が配置されており、該整流板１２２には、その内周端からクランクケース２１側に延びる折り返し部１２２ａが一体に設けられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
前記ラジエータ９６は、エンジン本体３３のシリンダブロック３６およびシリンダヘッド３７に設けられたウォータジャケット１２５（図２参照）の冷却水を循環し得る冷却装置の一部を構成するものであり、該冷却装置は、前記ウォータジャケット１２５に冷却水を供給するウォータポンプ１２６と、前記ウォータジャケット１２５および前記ウォータポンプ１２６の吸入口１３５（図２参照）間に介装される前記ラジエータ９６と、前記ラジエータ９６を迂回して前記ウォータジャケット１２５からの冷却水を前記ウォータポンプ１２６に戻す状態ならびに前記ウォータジャケット１２５からラジエータ９６を経由した冷却水をウォータポンプ１２６に戻す状態を冷却水の温度に応じて切換えるようにしてラジエータ９６の前方に配置されるサーモスタット１２７とを備える。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
またウォータポンプ１２６からの冷却水を導くゴムホース等の第４導管１５０の一端がポンプケース１２８に設けられた吐出管１５１に接続され、この第４導管１５０の他端は、ウォータジャケット１２５の下部に通じるようにしてシリンダブロック３６に設けられる導入管１５２に接続される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
またラジエータ９６の前方には、上方に向かうにつれて外側方位置となるように軸線を傾斜させたサーモスタットケース１３４を有するサーモスタット１２７が配置されており、このサーモスタットケース１３４の上部に、ウォータジャケット１２５からの冷却水を導く第２導管１４６を接続するためのウォータジャケット側接続管１４５が内側斜め上方に向けて突設され、サーモスタットケース１３４の下部には、ラジエータ９６からの冷却水を導く第３導管１４９を接続するためのラジエータ側接続管１４８が外側斜め下方に向けて突設されるので、車体フレームＦの左右方向でサーモスタット１２７が占めるスペースを小さくしてサーモスタット１２７をコンパクトに配置することができ、しかもウォータジャケット１２５からの冷却水を導くようにしてウォータジャケット側接続管１４５に接続される第２導管１４６、ならびにラジエータ９６からの冷却水を導くようにしてラジエータ側接続管１４８に接続される第３導管１４９の長さを極力短縮することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月5日(2010.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
特許文献１〜４に代表されるような従来の技術では、キャニスタのケーシングに充填されることになる活性炭の粒径の大きさや細孔の大きさを蒸発燃料の流れ方向で積極的に変化させてはいても、基本的にはケーシングそのものの断面積ひいてはキャニスタ内における蒸発燃料の通路面積が一定であることを前提としているため、大気ポートがその名のとおり大気に解放されている故に、大気ポートから外部に漏れ出る蒸発燃料を必ずしも十分に抑制することができない。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月28日(2010.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内燃機関の排気通路に設けられ、排気中に含まれる微粒子を捕集するフィルタと、
前記フィルタより上流の排気通路に設けられ、酸素濃度に応じて出力が変化する上流酸素濃度センサと、
前記上流酸素濃度センサに供給される排気の空燃比を推定すると共に、前記上流酸素濃度センサの出力に拘わらず前記空燃比を推定する空燃比推定手段と、
前記空燃比推定手段によって推定された排気空燃比と、前記上流酸素濃度センサの出力とに基づき、前記フィルタの状態を推定する推定手段と
を備えたことを特徴とする内燃機関の排気浄化装置。
【請求項２】
前記フィルタに捕集された微粒子の量が増加するにつれ、前記上流酸素濃度センサの出力が次第に減少する
ことを特徴とする請求項１記載の内燃機関の排気浄化装置。
【請求項３】
前記上流酸素濃度センサが、排気側電極と、該排気側電極をカバーすると共に前記排気中微粒子が堆積可能な多孔質体とを備え、前記多孔質体への排気中微粒子の堆積に応じて出力が変化する特性を有する
ことを特徴とする請求項１または２記載の内燃機関の排気浄化装置。
【請求項４】
前記上流酸素濃度センサが、前記多孔質体に堆積した微粒子を燃焼除去するためのヒータを備えた
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の内燃機関の排気浄化装置。
【請求項５】
前記フィルタより下流の排気通路に、酸素濃度に応じて出力が変化する下流酸素濃度センサが設けられ、
前記推定手段が、前記下流酸素濃度センサの出力にも基づいて前記微粒子捕集量を推定する
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の内燃機関の排気浄化装置。
【請求項６】
前記上流酸素濃度センサ及び前記下流酸素濃度センサが、排気側電極と、該排気側電極への酸素輸送量を決定するためのピンホール及び多孔質体の少なくとも一方とを備え、排気圧に応じて出力が変化する特性を有する
ことを特徴とする請求項５記載の内燃機関の排気浄化装置。
【請求項７】
前記推定手段が、前記上流酸素濃度センサの出力と前記下流酸素濃度センサの出力とに基づき、前記フィルタの上流の排気通路と前記フィルタの下流の排気通路との間の差圧を監視することにより、前記フィルタの状態を推定する
ことを特徴とする請求項５または６記載の内燃機関の排気浄化装置。
【請求項８】
前記フィルタの状態が、前記フィルタに捕集された微粒子の量であり、
前記推定手段によって推定された前記フィルタの微粒子捕集量が所定量を超えたとき、所定のフィルタ再生制御を実行するフィルタ再生制御手段を備えた
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の内燃機関の排気浄化装置。
【請求項９】
前記推定手段が、
ａ）前記フィルタ再生制御の終了後、所定時間が経過する前に、前記空燃比推定手段によって推定された複数の異なる推定空燃比と、前記上流酸素濃度センサの対応する初期出力とを記憶し、前記推定空燃比の各々が前記初期出力の各々と組み合わされて記憶され、
ｂ）前記上流酸素濃度センサの出力と前記上流酸素濃度センサの初期出力との差に基づき、前記フィルタの状態を推定する
ことを特徴とする請求項７記載の内燃機関の排気浄化装置。
【請求項１０】
内燃機関の排気通路に設けられ、排気中に含まれる微粒子を捕集するフィルタと、
前記フィルタより上流の排気通路に設けられた上流酸素濃度センサと、
前記上流酸素濃度センサに供給される排気の空燃比を推定する空燃比推定手段と、
前記空燃比推定手段によって推定された排気空燃比と、前記上流酸素濃度センサの出力とに基づき、前記フィルタの上流の圧力変化を検出する圧力変化検出手段と、
前記圧力変化検出手段によって検出された圧力変化に基づき、前記フィルタの状態を推定する推定手段と
を備えたことを特徴とする内燃機関の排気浄化装置。
【請求項１１】
前記圧力変化検出手段によって検出された変化の絶対値が所定のしきい値より大きいとき、前記推定手段が、異常が発生したことを推定する
ことを特徴とする請求項１０記載の内燃機関の排気浄化装置。
【請求項１２】
前記圧力変化検出手段が、前記上流酸素濃度センサ出力の今回値と前回値との差に基づき前記フィルタ上流の圧力変化を検出すると共に、前記前回値を、前記今回値と同一空燃比条件の値に補正する補正手段を有する
ことを特徴とする請求項１０または１１記載の内燃機関の排気浄化装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月29日(2010.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アラキドン酸及び／又はアラキドン酸を構成脂肪酸とする化合物とドコサヘキサエン酸及び／又はドコサヘキサエン酸を構成脂肪酸する化合物とを有効成分として含む、非ヒト動物の老化又は痴呆に伴う疾患又は症状の改善剤。
【請求項２】
老化又は痴呆に伴う疾患又は症状が、鳴き声の異常、歩行状態の異常、生活リズムの異常及び姿勢の異常からなる群から選択される少なくとも一種である、請求項１に記載の改善剤。
【請求項３】
鳴き声の異常が夜鳴きであり、歩行状態の異常が旋回運動であり、生活リズムの異常が日中活動量の低下であり、姿勢の異常が立位保持能力の低下である請求項２に記載の改善剤。
【請求項４】
非ヒト動物がペット動物である、請求項１に記載の改善剤。
【請求項５】
アラキドン酸及び／又はアラキドン酸を構成脂肪酸とする化合物とドコサヘキサエン酸及び／又はドコサヘキサエン酸を構成脂肪酸とする化合物とを有効成分として含むペット動物の夜鳴き改善剤。
【請求項６】
一日投与量として、アラキドン酸を遊離脂肪酸換算で1〜95ｍｇ、及びドコサヘキサエン酸を遊離脂肪酸換算で1〜95ｍｇ含む、請求項１又は５に記載の改善剤。
【請求項７】
さらにアスタキサンチンを含むことを特徴とする、請求項１又は５に記載の改善剤。
【請求項８】
ペット動物がイヌである、請求項４又は５に記載の改善剤。
【請求項９】
ペット動物が老年又は痴呆のイヌである、請求項８に記載の改善剤。
【請求項１０】
動物用飲食品である、請求項１又は５に記載の改善剤。
【請求項１１】
動物用医薬品である、請求項１又は５に記載の改善剤。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月28日(2010.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）テトラアルコキシシランの縮合物（ａ−１）、親水性有機溶媒（ａ−２）、該テトラアルコキシシランの縮合物が有するアルコキシ基の当量（モル）以上の水（ａ−３）、および、触媒（ａ−４）を混合することにより得られるアルコキシ基を実質的に有さないポリヒドロキシシロキサンと、水性エマルション樹脂とを含む、無機有機複合コーティング組成物。
【請求項２】
前記水性エマルション樹脂が、アクリル系樹脂を含む、請求項１記載の無機有機複合コーティング組成物。
【請求項３】
請求項１または２記載の無機有機複合コーティング組成物から形成されるコーティング膜であって、前記水性エマルション樹脂から形成された部分がコーティング膜中に分散している、コーティング膜。
【請求項４】
前記水性エマルション樹脂から形成された部分に由来する空孔を有する、請求項３記載のコーティング膜。
【請求項５】
請求項１または２記載の無機有機複合コーティング組成物を塗布する工程（１）を含む、コーティング膜の製造方法。
【請求項６】
工程（１）で得られたコーティング膜から、水性エマルション樹脂から形成された部分を除去する工程（２）をさらに含む、請求項５記載のコーティング膜の製造方法。
【請求項７】
前記除去がプラズマ照射により行われる、請求項６記載のコーティング膜の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月2日(2010.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ポリイソシアネートと、（ｂ）２つ以上のアルコール性ヒドロキシル基を有する化合物と、（ｃ）１分子中に１つのアルコール性ヒドロキシル基及び１つ以上のフェノール性ヒドロキシル基を有する化合物とを反応させて得られ、末端にフェノール性ヒドロキシル基を有することを特徴とするウレタン樹脂。
【請求項２】
カルボキシル基とフェノール性ヒドロキシル基とを有することを特徴とする請求項１に記載のウレタン樹脂。
【請求項３】
（Ａ）請求項１又は２に記載のウレタン樹脂と、（Ｂ）熱硬化性化合物とを含有することを特徴とする熱硬化性樹脂組成物。
【請求項４】
前記熱硬化性化合物（Ｂ）がエポキシ樹脂であることを特徴とする請求項３に記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項５】
さらに（Ｃ）硬化促進剤を含有することを特徴とする請求項３又は４に記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項６】
さらに無機及び／又は有機フィラーを含有することを特徴とする請求項３〜５のいずれか１項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
【請求項７】
前記請求項３〜６のいずれか１項に記載の熱硬化性樹脂組成物を硬化してなる硬化物。
【請求項８】
前記請求項３〜６のいずれか１項に記載の熱硬化性樹脂組成物の硬化物で、面の一部又は全部が被覆されたプリント配線基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
前記目的を達成するために、本発明によれば、（ａ）ポリイソシアネートと、（ｂ）２つ以上のアルコール性ヒドロキシル基を有する化合物と、（ｃ）１分子中に１つのアルコール性ヒドロキシル基及び１つ以上のフェノール性ヒドロキシル基を有する化合物とを反応させて得られ、末端にフェノール性ヒドロキシル基を有することを特徴とするウレタン樹脂が提供される。また、カルボキシル基とフェノール性ヒドロキシル基とを有するウレタン樹脂が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明のウレタン樹脂は、（ａ）ポリイソシアネートと、（ｂ）２つ以上のアルコール性ヒドロキシル基を有する化合物と、（ｃ）１分子中に１つのアルコール性ヒドロキシル基及び１つ以上のフェノール性ヒドロキシル基を有する化合物とを反応させて得られ、末端にフェノール性ヒドロキシル基を有するか、もしくはカルボキシル基とフェノール性ヒドロキシル基とを有することを特徴とする。その結果、熱硬化の際にこのカルボキシル基やフェノール性ヒドロキシル基が熱硬化性化合物の官能基、例えばエポキシ樹脂のエポキシ基と架橋反応を起こすため、はんだ耐熱性等の特性を向上させることができる。
本発明のウレタン樹脂は、上記のようにフェノール性ヒドロキシル基を末端に有することを特徴とする。これにより、末端に存在するフェノール性ヒドロキシル基は、主鎖中に存在するフェノール性ヒドロキシル基と比較してエポキシ基等との反応性が高くなり、はんだ耐熱性等の特性をさらに一層向上させることができる。
従って、本発明のウレタン樹脂は、基材との密着性、耐折性、低反り性、はんだ耐熱性、無電解金めっき耐性、電気絶縁性等に優れた可撓性の被膜形成に適している。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月10日(2010.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空気吸込口及び空気吹出口を有する筐体と、前記筐体内に配置された熱交換器と、
前記熱交換器の空気吸込み側に配置されたフィルターと、
室内空気を、前記空気吸込口より吸い込み、前記フィルター及び前記熱交換器を通してから前記空気吹出口より吹出す送風ファンと、
前記フィルターに捕集された塵埃を除去する清掃装置と、を備えた空気調和機において、
前記清掃装置は、
前記フィルターに捕集された塵埃を掃き取る掃除用刷毛と、
前記掃除用刷毛と連結された突起と、
前記掃除用刷毛で掃き取られた塵埃を受け取る除去ブラシと、
前記除去ブラシと連結されたレバーと、
前記除去ブラシに付着している塵埃を受け取る塵埃戻り防止ブラシと、
前記塵埃戻り防止ブラシから移送された塵埃を貯留する集塵部と、を備え、
前記フィルターに捕集された塵埃を掃き取った前記掃除用刷毛が前記除去ブラシに摺接した後、反転して前記フィルター方向に移動する際、前記突起が前記レバーを押すことにより前記除去ブラシを時計回り方向に回動させ、前記掃除用刷毛が前記フィルター方向にさらに移動して前記突起が前記レバーを乗り越えると、前記除去ブラシが反時計回り方向に回動することを特徴とする空気調和機。
【請求項２】
請求項１において、前記レバーに時計回り方向の付勢力を付与する回動ばねと、前記除去ブラシに取り付けられ、前記レバーの時計回り方向の回動を抑制するストッパと、前記除去ブラシに反時計回り方向の付勢力を付与する戻しばねとを備えたことを特徴とする空気調和機。
【請求項３】
請求項２において、前記フィルターに捕集された塵埃を掃き取った前記掃除用刷毛が前記除去ブラシに摺接した後、反転して前記フィルター方向に移動する際、前記突起が前記レバーを押すことにより前記ストッパを介して前記除去ブラシを時計回り方向に回動させ、前記掃除用刷毛が前記フィルター方向にさらに移動して前記突起が前記レバーを乗り越えると、前記戻しばねにより前記除去ブラシが反時計回り方向に回動することを特徴とする空気調和機。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れかにおいて、前記掃除用刷毛を前記除去ブラシに摺接させる移動手段と、前記除去ブラシを回動させて前記除去ブラシを前記塵埃戻り防止ブラシに摺接させる手段、とを備えたことを特徴とする空気調和機。
【請求項５】
請求項１において、前記除去ブラシが時計回り方向に回動して前記塵埃戻り防止ブラシに摺接することにより、前記塵埃戻り防止ブラシに付着している塵埃が前記塵埃戻り防止ブラシから離れて前記塵埃排出口方向へ移送されることを特徴とする空気調和機。
【請求項６】
請求項１乃至３の何れかにおいて、前記除去ブラシが時計回り方向に回動して前記塵埃戻り防止ブラシに摺接することにより、前記塵埃戻り防止ブラシに付着している塵埃が前記塵埃戻り防止ブラシから離れて前記塵埃排出口方向へ移送され、その後、前記除去ブラシが反転し反時計回り方向に回動して前記塵埃戻り防止ブラシに摺接することにより、前記除去ブラシに付着している塵埃が前記塵埃戻り防止ブラシに受け取られることを特徴とする空気調和機。
【請求項７】
請求項１乃至３の何れかにおいて、前記除去ブラシの毛と前記塵埃戻り防止ブラシの毛とが、前記除去ブラシが前記塵埃戻り防止ブラシと摺接する位置で同じ方向に傾斜するように形成されていることを特徴とする空気調和機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
前述の目的を達成するために、本発明は、空気吸込口及び空気吹出口を有する筐体と、前記筐体内に配置された熱交換器と、前記熱交換器の空気吸込み側に配置されたフィルターと、室内空気を、前記空気吸込口より吸い込み、前記フィルター及び前記熱交換器を通してから前記空気吹出口より吹出す送風ファンと、前記フィルターに捕集された塵埃を除去する清掃装置と、を備えた空気調和機において、前記清掃装置は、前記フィルターに捕集された塵埃を掃き取る掃除用刷毛と、前記掃除用刷毛と連結された突起と、前記掃除用刷毛で掃き取られた塵埃を受け取る除去ブラシと、前記除去ブラシと連結されたレバーと、前記除去ブラシに付着している塵埃を受け取る塵埃戻り防止ブラシと、前記塵埃戻り防止ブラシから移送された塵埃を貯留する集塵部と、を備え、前記フィルターに捕集された塵埃を掃き取った前記掃除用刷毛が前記除去ブラシに摺接した後、反転して前記フィルター方向に移動する際、前記突起が前記レバーを押すことにより前記除去ブラシを時計回り方向に回動させ、前記掃除用刷毛が前記フィルター方向にさらに移動して前記突起が前記レバーを乗り越えると、前記除去ブラシが反時計回り方向に回動する構成にしたことにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
係る本発明におけるより好ましい具体的構成例は次の通りである。
（１）前記レバーに時計回り方向の付勢力を付与する回動ばねと、前記除去ブラシに取り付けられ、前記レバーの時計回り方向の回動を抑制するストッパと、前記除去ブラシに反時計回り方向の付勢力を付与する戻しばねとを備えたこと。
（２）前記フィルターに捕集された塵埃を掃き取った前記掃除用刷毛が前記除去ブラシに摺接した後、反転して前記フィルター方向に移動する際、前記突起が前記レバーを押すことにより前記ストッパを介して前記除去ブラシを時計回り方向に回動させ、前記掃除用刷毛が前記フィルター方向にさらに移動して前記突起が前記レバーを乗り越えると、前記戻しばねにより前記除去ブラシが反時計回り方向に回動すること。
（３）前記掃除用刷毛を前記除去ブラシに摺接させる移動手段と、前記除去ブラシを回動させて前記除去ブラシを前記塵埃戻り防止ブラシに摺接させる手段、とを備えたこと。
（４）前記除去ブラシが時計回り方向に回動して前記塵埃戻り防止ブラシに摺接することにより、前記塵埃戻り防止ブラシに付着している塵埃が前記塵埃戻り防止ブラシから離れて前記塵埃排出口方向へ移送されること。
（５）前記除去ブラシが時計回り方向に回動して前記塵埃戻り防止ブラシに摺接することにより、前記塵埃戻り防止ブラシに付着している塵埃が前記塵埃戻り防止ブラシから離れて前記塵埃排出口方向へ移送され、その後、前記除去ブラシが反転し反時計回り方向に回動して前記塵埃戻り防止ブラシに摺接することにより、前記除去ブラシに付着している塵埃が前記塵埃戻り防止ブラシに受け取られること。
（６）前記除去ブラシの毛と前記塵埃戻り防止ブラシの毛とが、前記除去ブラシが前記塵埃戻り防止ブラシと摺接する位置で同じ方向に傾斜するように形成されていること。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月6日(2010.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
庫内が、冷凍室（３）と冷蔵室（４）に隔壁（５）で区画され、その両室（３、４）が冷凍サイクルによって冷却され、その冷凍サイクルは庫内温度に基づき運転又は停止され、その冷凍サイクルの停止時に、除霜ヒータ（１４）を通電加熱して冷凍サイクルの蒸発器の除霜を行う冷蔵庫の上記冷蔵室内の結露防止方法であって、
上記除霜ヒータ（１４）への通電加熱による除霜を行わない冷凍サイクルの停止時において、外気温度が上記蒸発器（６）の除霜ヒータ（１４）への通電開始温度（ＴＬ）を下回った時に、上記除霜ヒータ（１４）を通電加熱し、上記冷凍サイクルが運転を開始する温度まで上記庫内を昇温し、この冷凍サイクルの運転を促すようにし、上記除霜ヒータ（１４）の通電加熱が、上記冷凍サイクルが予め決められた所定時間を超えて停止したままの状態となった時に初めて開始されるようにしたことを特徴とする冷蔵庫の冷蔵室内の結露防止方法。
【請求項２】
上記除霜ヒータ（１４）の通電加熱が、上記外気温度が通電終了温度（ＴＵ）を上回った時、上記通電加熱を開始してからの経過時間を測定し、この経過時間が規定通電時間（ｔＨ）に達した時、上記通電加熱を開始した後に、上記規定通電時間（ｔＨ）に達する前に上記冷凍サイクルの運転が再開された時、上記通電加熱を開始した後に、上記外気温度が通電終了温度（ＴＵ）を上回った時、上記通電加熱を開始してからの経過時間が規定通電時間（ｔＨ）に達した時、上記規定通電時間（ｔＨ）に達する前に上記冷凍サイクルの運転が再開された時、のいずれかの時に終了するようにしたことを特徴とする請求項１に記載の冷蔵庫の冷蔵室内の結露防止方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の結露防止方法で冷蔵室内の結露防止運転の制御を行うようにしたことを特徴とする冷蔵庫。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月1日(2010.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
赤色系ＬＥＤ、緑色系ＬＥＤ、青色系ＬＥＤを含む、少なくとも３種類のＬＥＤが配置された単位セグメントが規則的に配列した高色彩表示用の第１発光領域と、
１又は２種類のＬＥＤが配置された単位セグメントが規則的に配列した低色彩または低輝度表示用の第２発光領域と、
を備える直下型バックライト装置。
【請求項２】
前記第１発光領域を構成する前記単位セグメントが白色系ＬＥＤを更に含む、請求項１に記載の直下型バックライト装置。
【請求項３】
前記第１発光領域の単位セグメントが赤色系ＬＥＤを一個、緑色系ＬＥＤを二個、青色系ＬＥＤを一個含む、請求項１に記載の直下型バックライト装置。
【請求項４】
前記第２発光領域のＬＥＤの種類は、前記第１発光領域を構成するＬＥＤの種類から選択されたものである、請求項１〜３のいずれかに記載の直下型バックライト装置。
【請求項５】
前記第２発光領域を構成する単位セグメントが、前記第１発光領域を構成する単位セグメントと同形状である、請求項１〜４のいずれかに記載の直下型バックライト装置。
【請求項６】
前記第１発光領域を構成する単位セグメントと前記第２発光領域を構成する単位セグメントがともに正方形である、請求項５に記載の直下型バックライト装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の直下型バックライト装置と、
前記直下型バックライト装置の光放出側に配置される液晶パネルと、
を備える液晶ディスプレイ装置。
【請求項８】
前記直下型バックライト装置と前記液晶パネルとの距離が０.１〜５.０ｍｍである、請求項７に記載の液晶ディスプレイ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月26日(2010.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
本発明の製造方法にて得られた高分子電解質膜は直接メタノール型燃料電池のプロトン伝導膜として好適に用いることができる。とりわけ、後述する方法にて求められる、メタノール拡散係数Ｄ（ｃｍ2／s）とプロトン伝導度σ（S／ｃｍ）とが、下記式（１）を満足する高分子電解質膜の製造を可能とする。下記式（１）を満足する高分子電解質膜はＤＭＦＣに適用されるプロトン伝導膜として特に好ましいものである。
Ｄ／σ≦９．５×１０-6      （１）
上記（１）式は、メタノールバリア性とプロトン伝導性とを、いずれも高水準で達成することを示すものであり、本発明の製造方法の中でも、より好ましい多価カチオンであるカルシウム（II）イオンで塩置換した高分子電解質膜を、好ましい改質処理である４０〜２００℃の温度範囲の加熱処理によって改質することで、容易に上記式（１）を満足する高分子電解質膜を得ることが可能となる。なお、上記Ｄ／σは９．０×１０-6以下であるとさらに好ましく、８．５×１０-6以下であると特に好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月1日(2010.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体記憶装置の内部から読み出した複数のデータを第１制御信号に応じて前記半導体記憶装置の外部に出力する複数の第１ドライブ手段と、
前記第１制御信号を用いて前記第１ドライブ手段のデータ出力サイクルに同期した第２制御信号を生成して、前記半導体記憶装置の外部に出力する第２ドライブ手段と、
前記第１制御信号を用いて前記第２制御信号の振幅を補正する振幅補正手段と
を含むことを特徴とする半導体記憶装置のデータ出力回路。
【請求項２】
前記第１制御信号は、第１位相を有する第１クロックと、
前記第１位相に比べて反転した第２位相を有する第２クロックと
を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置のデータ出力回路。
【請求項３】
前記第２ドライブ手段は、
駆動信号に応じて第２制御信号ドライブ動作を行うプルアップ及びプルダウンドライバと、
前記第１制御信号に応じて電源レベル又は接地レベルを出力するスイッチング部と、
前記スイッチング部の出力に応じて前記プルアップ及びプルダウンドライバを駆動する駆動部と
を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体記憶装置のデータ出力回路。
【請求項４】
前記振幅補正手段は、
駆動信号に応じて前記第２ドライブ手段の出力端レベルをドライブするプルアップ及びプルダウンドライバと、
前記第１制御信号に応じて電源レベル信号又は接地レベル信号を出力するスイッチング部と、
前記スイッチング部の出力に応じて前記プルアップ及びプルダウンドライバを駆動する駆動部と
を含むことを特徴とする請求項１又は３に記載の半導体記憶装置のデータ出力回路。
【請求項５】
半導体記憶装置の内部から読み出した複数のデータを第１制御信号に応じて前記半導体記憶装置の外部に出力する複数のデータドライブ手段と、
タイミング調整された第１制御信号を用いて前記データドライブ手段のデータ出力サイクルに同期した第２制御信号を生成して、前記半導体記憶装置の外部に出力する第２制御信号ドライブ手段と、
前記タイミング調整された第１制御信号を用いて前記第２制御信号の振幅を補正する振幅補正手段と、
前記第１制御信号のタイミングを所定時間だけ調整して出力するタイミング補正手段と
を含むことを特徴とする半導体記憶装置のデータ出力回路。
【請求項６】
前記第１制御信号は、第１位相を有する第１クロックと、
前記第１位相に比べて反転した第２位相を有する第２クロックと
を含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体記憶装置のデータ出力回路。
【請求項７】
前記第１ドライブ手段は、
駆動信号に応じてデータドライブ動作を行うプルアップ及びプルダウンドライバと、
前記第１制御信号に応じて前記複数のデータのうちの１つを通過させるスイッチング部と、
前記スイッチング部の出力に応じて前記プルアップ及びプルダウンドライバを駆動する駆動部と
を含むことを特徴とする請求項１、４、５又は６のいずれかに記載の半導体記憶装置のデータ出力回路。
【請求項８】
前記スイッチング部は、
入力端に前記複数のデータのうちの１つが入力され、制御端に前記第１制御信号が入力される第１スイッチと、
入力端が前記第１スイッチの入力端と共通接続され、制御端に前記第１タイミング制御信号が入力され、出力端が前記第１スイッチの出力端と接続された第２スイッチと
を含むことを特徴とする請求項７に記載の半導体記憶装置のデータ出力回路。
【請求項９】
前記第２ドライブ手段は、
駆動信号に応じて第２制御信号ドライブ動作を行うプルアップ及びプルダウンドライバと、
前記第１制御信号に応じて電源レベル信号又は接地レベル信号を出力するスイッチング部と、
前記スイッチング部の出力に応じて前記プルアップ及びプルダウンドライバを駆動する駆動部と
を含むことを特徴とする請求項５又は６に記載の半導体記憶装置のデータ出力回路。
【請求項１０】
前記スイッチング部は、
入力端に電源レベルが入力され、制御端に前記第１制御信号が入力される第１スイッチと、
入力端に接地レベルが入力され、制御端に前記第１制御信号が入力され、出力端が前記第１スイッチの出力端と接続された第２スイッチと
を含むことを特徴とする請求項３又は９に記載の半導体記憶装置のデータ出力回路。
【請求項１１】
前記振幅補正手段の出力端が、前記第２ドライブ手段の出力端と共通接続されることを特徴とする請求項１、５又は８のいずれかに記載の半導体記憶装置のデータ出力回路。
【請求項１２】
前記振幅補正手段は、
駆動信号に応じて前記第２ドライブ手段の出力端レベルをドライブするプルアップ及びプルダウンドライバと、
前記第１制御信号に応じて電源レベル又は接地レベルを出力するスイッチング部と、
前記スイッチング部の出力に応じて前記プルアップ及びプルダウンドライバを駆動する駆動部と
を含むことを特徴とする請求項５又は１１に記載の半導体記憶装置のデータ出力回路。
【請求項１３】
前記スイッチング部は、
入力端に電源レベルが入力され、制御端に前記第１制御信号が入力される第１スイッチと、
入力端に接地レベルが入力され、制御端に前記第１タイミング制御信号が入力され、出力端が前記第１スイッチの出力端と接続された第２スイッチと
を含むことを特徴とする請求項４又は１２に記載の半導体記憶装置のデータ出力回路。
【請求項１４】
前記駆動部は、
出力制御信号に応じて前記スイッチング部の出力が入力されて、前記プルアップドライバを駆動する第１論理回路と、
前記出力制御信号に応じて前記スイッチング部の出力が入力されて、前記プルダウンドライバを駆動する第２論理回路と
を含むことを特徴とする請求項３、４、７、請求項９及び請求項１２のうちいずれか１つに記載の半導体記憶装置のデータ出力回路。
【請求項１５】
前記第１論理回路は、
前記スイッチング部の出力が入力されるインバータと、
前記インバータの出力と前記出力制御信号が入力されるナンドゲートと
を含むことを特徴とする請求項１４に記載の半導体記憶装置のデータ出力回路。
【請求項１６】
前記第２論理回路は、
前記出力制御信号が入力されるインバータと、
反転したスイッチング部の出力と前記インバータの出力が入力されるノアゲートと
を含むことを特徴とする請求項１４又は１５に記載の半導体記憶装置のデータ出力回路。
【請求項１７】
前記タイミング補正手段は、前記第１制御信号を所定時間遅延させる遅延部を含むことを特徴とする請求項５又は１６に記載の半導体記憶装置のデータ出力回路。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月1日(2010.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された前金属堆積トレンチを充填する方法であって、
サイクルを実行するステップであって、
高密度ＣＶＤチャンバ内で該基板上に層を堆積させる工程であって、該基板が４００℃未満に冷却されている前記工程と、
該チャンバ内で該基板上に堆積した該層の一部をエッチングする工程と、
を含む前記ステップと、
該層を堆積させる工程と該層の一部をエッチングする工程の該サイクルを所定数のサイクル繰り返すステップと、
を含む前記方法。
【請求項２】
該層を堆積させる工程と該層の該一部をエッチングする工程の該サイクルを繰り返すステップが、１回以上の最初のサイクルに用いたのと実質的に同様のプロセス条件を設定する工程を含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
該基板に熱的に結合したプラットフォームを冷却するために裏面冷却ガスを流すステップを更に含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
該層を堆積させる工程が、堆積ガスとスパッタリングガスを含むプラズマを生成させる工程であって、堆積とスパッタリングとの比が１０：１〜６０：１の範囲にある前記工程を含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
堆積とエッチングの各連続サイクルが、該層で充填された該トレンチのアスペクト比を低下させる工程を含む、請求項１記載の方法。
【請求項６】
該層を堆積させる工程が、該トレンチの開口に隣接して、該トレンチの側壁上に、該トレンチの底面上に物質を堆積させる工程を含み、
エッチング工程が、該トレンチの該底面より該トレンチの該開口の隣接から堆積した該物質の比較的大きな部分を除去する工程を含む、
請求項１記載の方法。
【請求項７】
エッチング工程が、フッ素含有ガスと、水素とヘリウムの１つ以上のプラズマを設定する工程を含む、請求項１記載の方法。
【請求項８】
堆積した該層の該一部をエッチングする工程が、該層の堆積した厚さの５〜３０％を除去する工程を含む、請求項１記載の方法。
【請求項９】
エッチング工程が、該基板を該堆積温度より高い温度まで加熱することを可能にする工程を含む、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
エッチング工程が、異方性エッチングと等方性エッチングのマルチステップエッチングを含む、請求項１記載の方法。
【請求項１１】
第１エッチングサイクルにおいてエッチングされた堆積した該層の該一部が、続いてのエッチングサイクルにおいてエッチングされた堆積した該層の一部より大きい、請求項１記載の方法。
【請求項１２】
第１堆積-エッチングサイクルにおいて堆積した該層の該一部をエッチングする工程を終点技術で停止させ、続いての堆積-エッチングサイクルにおいて堆積した該層の一部をエッチングする工程を時間で停止させる、請求項１記載の方法。
【請求項１３】
該堆積-エッチングサイクルを繰り返す前に、酸素と、アルゴン、水素、ヘリウムの１つ以上とのプラズマを設定する工程を更に含む、請求項１記載の方法。
【請求項１４】
該堆積-エッチングサイクルを繰り返す前に、水素のスパッタリングプラズマを設定する工程を更に含む、請求項１記載の方法。
【請求項１５】
該層を堆積させる工程が、該基板を３００℃未満に冷却させる工程を含み、該堆積-エッチングサイクルを該所定数のサイクル繰り返した後に、該基板を加熱して、該層内の水分を減少させる工程を更に含む、請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月13日(2010.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影対象の被写体で反射した光を受光して、視覚で得られる前記被写体の視覚情報を含めた第１の画像を取得するための第１の画素部、第２の画素部、及び第３の画素部と、前記被写体までの距離情報を含めた第２の画像を取得するための第４の画素部と、を２行×２列に行列配置した画素ユニットをｉ行×ｊ列（ｉ，ｊ；自然数）に行列配置した構造を有する撮像素子と、
前記第１の画像を取得するように前記第１乃至第３の画素部を駆動する第１の素子駆動部と、
前記第２の画像を取得するように前記第４の画素部を駆動する第２の素子駆動部と、
を備えた、
ことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記各第１乃至第３の画素部は、それぞれ、前記被写体で反射した光を色成分毎に受光して信号電荷を発生させ、前記色成分毎に発生した前記信号電荷を出力する複数の受光部からなり、
前記第１の素子駆動部は、前記色成分毎に前記複数の受光部を駆動するものである、
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記第１の画素部は赤色、前記第２の画素部は緑色、前記第３の画素部は青色の光を検知し、
前記第２の画素部の面積が、前記第１の画素部、前記第３の画素部のそれぞれの面積よりも大きくなるように構成されたものである、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記第１の画素部は赤色、前記第２の画素部は緑色、前記第３の画素部は青色の光を検知し、
前記第４の画素部は、当該面積が前記第１の画素部、前記第３の画素部のそれぞれの面積よりも大きくなるように構成されたものである、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
撮影対象の被写体で反射した光を受光して、視覚で得られる前記被写体の視覚情報を含めた第１の画像を取得するための第１の画素部、第２の画素部、及び第３の画素部と、前記被写体までの距離情報を含めた第２の画像を取得するための第４の画素部と、を２行×２列に行列配置した画素ユニットをｉ行×ｊ列（ｉ，ｊ；自然数）に行列配置した構造を有することを特徴とする撮像素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この目的を達成するため、本発明の第１の観点に係る撮像装置は、
撮影対象の被写体で反射した光を受光して、視覚で得られる前記被写体の視覚情報を含めた第１の画像を取得するための第１の画素部、第２の画素部、及び第３の画素部と、前記被写体までの距離情報を含めた第２の画像を取得するための第４の画素部と、を２行×２列に行列配置した画素ユニットをｉ行×ｊ列（ｉ，ｊ；自然数）に行列配置した構造を有する撮像素子と、
前記第１の画像を取得するように前記第１乃至第３の画素部を駆動する第１の素子駆動部と、
前記第２の画像を取得するように前記第４の画素部を駆動する第２の素子駆動部と、  を備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記各第１乃至第３の画素部は、それぞれ、前記被写体で反射した光を色成分毎に受光して信号電荷を発生させ、前記色成分毎に発生した前記信号電荷を出力する複数の受光部からなり、
前記第１の素子駆動部は、前記色成分毎に前記複数の受光部を駆動するものであってもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
前記第１の画素部は赤色、前記第２の画素部は緑色、前記第３の画素部は青色の光を検知し、
前記第２の画素部の面積が、前記第１の画素部、前記第３の画素部のそれぞれの面積よりも大きくなるように構成されたものであってもよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
前記第１の画素部は赤色、前記第２の画素部は緑色、前記第３の画素部は青色の光を検知し、
前記第４の画素部は、当該面積が前記第１の画素部、前記第３の画素部のそれぞれの面積よりも大きくなるように構成されたものであってもよい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明の第２の観点に係る撮像素子は、
撮影対象の被写体で反射した光を受光して、視覚で得られる前記被写体の視覚情報を含めた第１の画像を取得するための第１の画素部、第２の画素部、及び第３の画素部と、前記被写体までの距離情報を含めた第２の画像を取得するための第４の画素部と、を２行×２列に行列配置した画素ユニットをｉ行×ｊ列（ｉ，ｊ；自然数）に行列配置した構造を有することを特徴とする。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明によれば、撮像素子を撮影対象の被写体で反射した光を受光して、視覚で得られる被写体の視覚情報を含めた第１の画像を取得するための第１の画素部、第２の画素部、及び第３の画素部と、被写体までの距離情報を含めた第２の画像を取得するための第４の画素部と、を２行×２列に行列配置した画素ユニットをｉ行×ｊ列（ｉ，ｊ；自然数）に行列配置した構造としたので、撮像装置を小型化することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月18日(2009.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原稿の複数の色の画像情報を結像レンズを介して読み取って出力する読取手段を備える画像読取装置において、
前記読取手段から出力される前記複数の色のデータのうち、前記結像レンズが持つ色収差によって異なる結像位置が前記結像レンズに最も近い色の結像位置と最も遠い色の結像位置の間に結像位置を持つ特定色のデータに対して、ＣＴＦ特性の補正処理を施す補正手段を備えることを特徴とする画像読取装置。
【請求項２】
前記補正手段は、各色の解像度の補正演算部と補正部とを備えることを特徴とする請求項１記載の画像読取装置。
【請求項３】
前記補正手段は、シェーディング補正が行われた画像データに基づいてＣＴＦ特性の補正処理を行うことを特徴とする請求項１又は２記載の画像読取装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
このような構成の画像読取装置における光学系（ミラー、結像レンズ、ＣＣＤ）の調整方法を図１０に基づいて説明する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記目的を達成するため、請求項１記載の画像読取装置は、原稿の複数の色の画像情報を結像レンズを介して読み取って出力する読取手段を備える画像読取装置において、前記読取手段から出力される前記複数の色のデータのうち、前記結像レンズが持つ色収差によって異なる結像位置が前記結像レンズに最も近い色の結像位置と最も遠い色の結像位置の間に結像位置を持つ特定色のデータに対して、ＣＴＦ特性の補正処理を施す補正手段を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月8日(2010.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
面発光レーザ素子においては、基板上に上下方向に設けられた２つのミラー層によって挟まれたキャビティ内に、例えば、多重量子井戸構造を有する活性層を設け、電流注入によって活性層で発光した光を閉じ込めて、レーザ発振を得る。ここで、面発光レーザ素子にあっては、通常、例えば、特開２００１−２１０９０８に開示されているように、円柱形のメサ構造が採用されている。具体的には、例えば、ドライエッチング法等に基づき、直径３０μｍ程度の円柱形のメサ構造を得る。このメサ構造は、例えば、ｎ型化合物半導体層、活性層、ｐ型化合物半導体層の積層構造から構成されている。そして、ｐ型化合物半導体層の一部分をメサ構造の側面から酸化することで、ｐ型化合物半導体層の中央部分に電流狭窄領域を設ける。そして、その後、メサ構造を絶縁層で被覆し、ｐ型化合物半導体層の頂面における絶縁層の一部を除去し、ｐ型化合物半導体層の頂面の外周部にリング状のｐ側電極を形成する。併せて、基板の裏面にｎ側電極を形成する。このような電流狭窄領域を設けることで活性層への電流の高効率注入を図ることができ、このような構造を有する面発光レーザ素子は、活性層に電流が効率良く注入され、高効率のレーザ発振が可能となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
電流狭窄領域の平面形状は、複数の点状の孔部の頂部が位置する仮想の閉曲線の形状、点状の孔部の数、第２化合物半導体層における絶縁化処理の結晶面方位に依存した絶縁化の速度等に基づき決定されるので、電流狭窄領域の所望の平面形状が得られるように、仮想の閉曲線の形状や点状の孔部の数を決定すればよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
［工程−１３０］
その後、例えば、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、第２化合物半導体層４０、活性層３０、第１化合物半導体層２０の一部を選択的に除去することで、第１化合物半導体層２０の一部を露出させ、且つ、少なくとも、第２化合物半導体層４０及び活性層３０が、一種、島状に残された柱状（例えば、円筒状や円柱状）のメサ構造７０を得ることができる（図４の（Ａ）参照）。メサ構造７０は、より具体的には、下から、第１化合物半導体層２０の一部、活性層３０、及び、第２の化合物半導体層４０から構成されている。そして、メサ構造７０は、露出した第１化合物半導体層２０によって取り囲まれている。場合によっては、図４の（Ａ）に示すように、孔部５０の痕跡５０Ａが残される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
実施例２は、本発明の発光素子集合体及びその製造方法に関する。図９に、実施例２の発光素子集合体の模式的な一部平面図を示す。実施例２における個々の発光素子の構成、構造は、実施例１において説明した発光素子と同じ構成、構造を有するので、詳細な説明は省略する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
［工程−３００］
先ず、実施例２の［工程−２００］〜［工程−２２０］と同様の工程を実行する。この状態を、図１０に模式的な一部平面図で示す。尚、発光素子集合体形成領域８０の境界を点線で表し、電流狭窄領域４４を絶縁領域４３によって囲まれた円形で示した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2008177430.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月4日(2010.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の引っ張り応力を有する第１の層を形成する工程と、
前記第１の層にレーザービームを選択的に照射することにより、前記レーザービームが照射された前記第１の層の一部を除去して、前記第１の引っ張り応力を有する第２の層を形成する工程と、
所定の元素を前記第２の層に添加することにより、前記第１の引っ張り応力よりも小さい第２の引っ張り応力を有する第３の層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
第１の圧縮応力を有する第４の層に加熱処理を行うことにより、前記第１の圧縮応力よりも小さい第２の圧縮応力を有する第１の層を形成する工程と、
前記第１の層にレーザービームを選択的に照射することにより、前記レーザービームが照射された前記第１の層の一部を除去して、前記第２の圧縮応力を有する第２の層を形成する工程と、
所定の元素を前記第２の層に添加することにより、前記第２の圧縮応力よりも大きい第３の圧縮応力を有する第３の層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
第１の引っ張り応力を有する第１の層を形成する工程と、
前記第１の層上に第１の透光性を有する層を形成する工程と、
前記第１の層に前記第１の透光性を有する層を介してレーザービームを選択的に照射することにより、前記レーザービームが照射された前記第１の層の一部及び前記第１の透光性を有する層の一部を除去して、前記第１の引っ張り応力を有する第２の層と、前記第２の層上の第２の透光性を有する層と、を形成する工程と、
所定の元素を前記第２の層に添加することにより、前記第１の引っ張り応力よりも小さい第２の引っ張り応力を有する第３の層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
第１の圧縮応力を有する第４の層に加熱処理を行うことにより、前記第１の圧縮応力よりも小さい第２の圧縮応力を有する第１の層を形成する工程と、
前記第１の層上に第１の透光性を有する層を形成する工程と、
前記第１の層に前記第１の透光性を有する層を介してレーザービームを選択的に照射することにより、前記レーザービームが照射された前記第１の層の一部及び前記第１の透光性を有する層の一部を除去して、前記第２の圧縮応力を有する第２の層と、前記第２の層上の第２の透光性を有する層と、を形成する工程と、
所定の元素を前記第２の層に添加することにより、前記第２の圧縮応力よりも大きい第３の圧縮応力を有する第３の層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１又は請求項２において、
前記第３の層をトランジスタのゲート電極として用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項３又は請求項４において、
前記第２の透光性を有する層を層間絶縁膜として用い、
前記第３の層をトランジスタのソース電極又はドレイン電極として用い、
前記レーザービームの照射により除去された箇所をコンタクトホールとして用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の層は第１の材料層上にされ、
前記第３の層をマスクとして用いて前記第１の材料層をエッチングすることにより第２の材料層を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第１の層は、光吸収層又は剥離層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第１の層の材料は、金属材料又は合金材料であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第１の層の材料は、金属の窒素化合物材料、金属の酸素化合物材料、金属の炭素化合物材料、又は金属のハロゲン化合物材料のいずれかであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第１の層の材料は、半導体材料であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記所定の元素は、一導電型を付与する不純物元素又は不活性元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記所定の元素は、リン、ヒ素、ボロン、アルミニウム、ガリウム、窒素、又は希ガスのいずれかであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第１の層の材料は、タングステン又はモリブデンであり、
前記所定の元素は、アルゴン、ボロン、又はリンのいずれかであることを特徴とする半導体装置の作製方法。