【手続補正書】
【提出日】平成22年10月14日(2010.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域よりも第１導電型不純物濃度が低い第１導電型の第２の半導体領域とを有する半導体層と、
前記第１の半導体領域上に設けられた第２導電型のソース領域と、
前記第２の半導体領域上に設けられた第２導電型のドレイン領域と、
前記第１の半導体領域上における前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に設けられた第１導電型のチャネル領域と、
前記チャネル領域上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極と前記ドレイン領域との間の前記半導体層の表層部に設けられて前記ドレイン領域に接し、前記ドレイン領域よりも第２導電型不純物濃度が低い第２導電型のドリフト領域と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記ドリフト領域は、前記第２の半導体領域の上に設けられたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２の半導体領域は、
前記第１の半導体領域側に設けられ、前記ドリフト領域における前記ゲート電極側の部分に接する第１の領域と、
前記第１の領域よりも第１導電型不純物濃度が低く、前記ドリフト領域における前記ドレイン領域側の部分に接する第２の領域と、
を有することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ドリフト領域において、前記ドレイン領域側の部分は前記ゲート電極側の部分よりも不純物濃度が高いことを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２の半導体領域は、前記ドリフト領域の下に設けられて前記ドリフト領域に接し、前記第２の領域よりも第１導電型不純物濃度が低い第３の領域をさらに有することを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体層を支持する基板と、
前記基板と前記半導体層との間に設けられ、前記半導体層を前記基板の電位から分離する第２の半導体層と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１の半導体領域と前記第２の半導体領域とは、ほぼ同じ深さに第１導電型不純物濃度ピークを有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項８】
互いに素子分離された第１のトランジスタ形成領域と第２のトランジスタ形成領域とを有する基板をさらに備え、
前記第１の半導体領域及び前記第２の半導体領域は、前記基板の前記第１のトランジスタ形成領域に設けられ、
前記基板の前記第２のトランジスタ形成領域には、前記第１の半導体領域と実質第１導電型不純物濃度が同じ第１導電型の第３の半導体領域が設けられ、
前記第３の半導体領域上に、第２導電型チャネル型の電界効果トランジスタが設けられていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項９】
半導体層に対してマスクを用いて選択的にイオン注入を行い、前記半導体層に第１導電型の第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域よりも第１導電型不純物濃度が低い第１導電型の第２の半導体領域とを同時に形成する工程と、
前記半導体層上に絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、
前記第１の半導体領域上に第２導電型のソース領域を形成する工程と、
前記第２の半導体領域上であって、前記ソース領域との間に前記ゲート電極を挟む位置に第２導電型のドレイン領域を形成する工程と、
前記半導体層における前記ゲート電極と前記ドレイン領域との間の表層部に、前記ドレイン領域に接し前記ドレイン領域よりも不純物濃度が低い第２導電型のドリフト領域を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記イオン注入のドーズ量は、前記半導体層の面方向で略均一であることを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記マスクは、第１の開口形成領域と、前記第１の開口形成領域よりも単位面積あたりの開口率が低い第２の開口形成領域とを有し、
前記第１の開口形成領域の下の前記半導体層に前記第１の半導体領域が形成され、前記第２の開口形成領域の下の前記半導体層に前記第２の半導体領域が形成されることを特徴とする請求項９または１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第２の開口形成領域は、
前記第１の開口形成領域に隣接する第１の領域と、
前記第１の領域を挟んで前記第１の開口形成領域の反対側に位置し、前記第１の領域よりも単位面積あたりの開口率が低い第２の領域と、
をさらに有することを特徴とする請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第２の開口形成領域は、
前記第１の開口形成領域に隣接する第１の領域と、
前記第１の領域を挟んで前記第１の開口形成領域の反対側に位置し、前記第１の領域よりも膜厚が厚い第２の領域と、
をさらに有することを特徴とする請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
半導体層に対してマスクを用いて選択的にイオン注入を行い、前記半導体層に第２導電型の第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域よりも第２導電型不純物濃度が高い第２導電型の第２の半導体領域とを同時に形成する工程と、
前記第１の半導体領域及び前記第２の半導体領域の全面に均一にイオン注入を行い、第１導電型の第３の半導体領域の前記第１の半導体領域上への形成と、前記第３の半導体領域よりも第１導電型不純物濃度が低い第１導電型の第４の半導体領域の前記第２の半導体領域上への形成とを同時に行う工程と、
前記半導体層上に絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、
前記第３の半導体領域上に第２導電型のソース領域を形成する工程と、
前記第４の半導体領域上であって、前記ソース領域との間に前記ゲート電極を挟む位置に第２導電型のドレイン領域を形成する工程と、
前記半導体層における前記ゲート電極と前記ドレイン領域との間の表層部に、前記ドレイン領域に接し前記ドレイン領域よりも不純物濃度が低い第２導電型のドリフト領域を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の一態様によれば、第１導電型の第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域よりも第１導電型不純物濃度が低い第１導電型の第２の半導体領域とを有する半導体層と、前記第１の半導体領域上に設けられた第２導電型のソース領域と、前記第２の半導体領域上に設けられた第２導電型のドレイン領域と、前記第１の半導体領域上における前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に設けられた第１導電型のチャネル領域と、前記チャネル領域上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極と前記ドレイン領域との間の前記半導体層の表層部に設けられて前記ドレイン領域に接し、前記ドレイン領域よりも第２導電型不純物濃度が低い第２導電型のドリフト領域と、を備えたことを特徴とする半導体装置が提供される。
また、本発明の他の一態様によれば、半導体層に対してマスクを用いて選択的にイオン注入を行い、前記半導体層に第１導電型の第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域よりも第１導電型不純物濃度が低い第１導電型の第２の半導体領域とを同時に形成する工程と、前記半導体層上に絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、前記第１の半導体領域上に第２導電型のソース領域を形成する工程と、前記第２の半導体領域上であって、前記ソース領域との間に前記ゲート電極を挟む位置に第２導電型のドレイン領域を形成する工程と、前記半導体層における前記ゲート電極と前記ドレイン領域との間の表層部に、前記ドレイン領域に接し前記ドレイン領域よりも不純物濃度が低い第２導電型のドリフト領域を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
また、本発明のさらに他の一態様によれば、半導体層に対してマスクを用いて選択的にイオン注入を行い、前記半導体層に第２導電型の第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域よりも第２導電型不純物濃度が高い第２導電型の第２の半導体領域とを同時に形成する工程と、前記第１の半導体領域及び前記第２の半導体領域の全面に均一にイオン注入を行い、第１導電型の第３の半導体領域の前記第１の半導体領域上への形成と、前記第３の半導体領域よりも第１導電型不純物濃度が低い第１導電型の第４の半導体領域の前記第２の半導体領域上への形成とを同時に行う工程と、前記半導体層上に絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、前記第３の半導体領域上に第２導電型のソース領域を形成する工程と、前記第４の半導体領域上であって、前記ソース領域との間に前記ゲート電極を挟む位置に第２導電型のドレイン領域を形成する工程と、前記半導体層における前記ゲート電極と前記ドレイン領域との間の表層部に、前記ドレイン領域に接し前記ドレイン領域よりも不純物濃度が低い第２導電型のドリフト領域を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。