(57)【要約】【課題】従来の電極構造は、ＬＥＤからの光の一部がｐ電極のパッド部及びｎ電極に吸収されてしまうという問題があった。【解決手段】本件発明は、ｐ電極を備えるｐ型窒化物半導体とｎ電極を備えるｎ型窒化物半導体を少なくとも有する窒化物半導体発光素子である。特に、ｐ電極は窒化物半導体素子からの光の少なくとも一部を透過する光透過部と、導電性部材が接続されるパッド部とからなり、パッド部はｐ型窒化物半導体側から順に第１の層と第２の層を備え、第２の層は窒化物半導体発光素子からの光の主波長において、第１の層よりも反射率が高いことを特徴とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ電極を備えるｐ型窒化物半導体とｎ電極を備えるｎ型窒化物半導体を少なくとも有する窒化物半導体発光素子において、
前記ｎ電極は、前記ｎ型窒化物半導体側から順に、第１の層と第２の層を備え、
前記第２の層は、前記窒化物半導体発光素子からの光の主波長において、前記第１の層よりも反射率が高いことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項２】
ｐ電極を備えるｐ型窒化物半導体とｎ電極を備えるｎ型窒化物半導体を少なくとも有する窒化物半導体発光素子において、
前記ｐ電極は、前記窒化物半導体素子からの光の少なくとも一部を透過する光透過部と、導電性部材が接続されるパッド部とからなり、
前記パッド部は、前記ｐ型窒化物半導体側から順に、第１の層と第２の層を備え、
前記第２の層は、前記窒化物半導体発光素子からの光の主波長において、前記第１の層よりも反射率が高いことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項３】
前記ｐ電極において、前記光透過部と前記パッド部が共に前記ｐ型窒化物半導体に接していることを特徴とする請求項２に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項４】
前記ｎ電極又は前記ｐ電極において、前記第１の層は酸素原子を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電極にて光を反射させ、それにより光の取り出し効率を向上させた窒化物半導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の窒化物半導体からなる発光ダイオード（以下、「ＬＥＤ」という）は、主にサファイア等の絶縁体を基板として用いるために、ｐ電極、ｎ電極が共に同一面側に配置される場合が多い。ｐ電極としては半導体の大部分に設けられた光透過部と、その上に設けられたワイヤ、ハンダ等導電性部材を接続するパッド部とから構成される。光透過部はパッド部から注入された電流を半導体に広げると共に、ＬＥＤからの光を透過して取り出すためのものである。また、ｎ電極は直下に発光領域が存在しないために比較的狭い領域に配置される。このため、ｐ電極と異なり、ｎ電極は一体に形成されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開平０８−２５０５４０号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の電極構造は光の取り出しを考慮しておらず、ＬＥＤからの光の一部がｐ電極のパッド部及びｎ電極に吸収されてしまうという問題があった。しがたって、本発明はこのような問題を解決する窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本件発明は、ｐ電極を備えるｐ型窒化物半導体とｎ電極を備えるｎ型窒化物半導体を少なくとも有する窒化物半導体発光素子である。特に、ｎ電極はｎ型窒化物半導体側から順に、第１の層と第２の層を備え、第２の層は前記窒化物半導体発光素子からの光の主波長において、第１の層よりも反射率が高いことを特徴とする。
【０００６】
本件発明は、ｐ電極を備えるｐ型窒化物半導体とｎ電極を備えるｎ型窒化物半導体を少なくとも有する窒化物半導体発光素子である。特に記ｐ電極は窒化物半導体素子からの光の少なくとも一部を透過する光透過部と、導電性部材が接続されるパッド部とからなり、パッド部はｐ型窒化物半導体側から順に第１の層と第２の層を備え、第２の層は窒化物半導体発光素子からの光の主波長において、第１の層よりも反射率が高いことを特徴とする。
【０００７】
また、ｐ電極において光透過部とパッド部が共にｐ型窒化物半導体に接していることを特徴とする。
【０００８】
また、ｎ電極又はｐ電極において、第１の層は酸素原子を含むことを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明に係るＬＥＤを構成する各半導体層としては種々の窒化物半導体を用いることができる。具体的には、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）、ハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ）などにより基板上にＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）等の半導体を複数形成させたものが好適に用いられる。また、その層構造としては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合やＰＮ接合を有したホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構成のものが挙げられる。また、各層を超格子構造としたり、活性層を量子効果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造や多重量子井戸構造とすることもできる。
【００１０】
ＬＥＤは、一般的には、特定の基板上に各半導体層を成長させて形成されるが、その際、基板としてサファイア等の絶縁性基板を用いその絶縁性基板を最終的に取り除かない場合、通常、ｐ電極およびｎ電極はいずれも半導体層上の同一面側に形成されることになる。この場合、フェイスアップ実装すなわち半導体層側を視認側に配置し発光された光を半導体層側から取り出すことも可能であるし、フェイスダウン実装すなわち基板側を視認側に配置し発光された光を基板側から取り出すことも可能である。もちろん、最終的に基板を除去した上で、フェイスアップ実装或いはフェイスダウン実装することもできる。なお、基板にはサファイアに限定されず、例えば、スピネル、ＳｉＣ、ＧａＮ、ＧａＡｓ等、公知の部材を用いることができる。また、基板としてＳｉＣ、ＧａＮ、ＧａＡｓ等の導電性基板を用いることによりｐ電極及びｎ電極を対向して配置させることもできる。
【００１１】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。ただし、以下に示す実施の形態は、本発明の技術思想を具体化するためのＬＥＤを例示するものであって、本発明のＬＥＤを以下のものに特定するものではない。さらに、各図面が示す部材の大きさや位置関係などは、説明を明確にするため誇張していることがある。
（実施の形態１）
図１、２に基づいて、本実施の形態のＬＥＤについて説明する。本実施の形態のＬＥＤは、図に示すように同一面側にｐ電極およびｎ電極を配置したＬＥＤである。図２は、本実施の形態のＬＥＤを電極配置面側から見た概略図である。また、図１は、本実施の形態のＬＥＤの層構成を示す模式的断面図であり、図２のＸ−Ｘ部における断面を表す。
【００１２】
図１に示すように、本実施の形態のＬＥＤは、例えば、サファイア基板１上にＧａＮバッファ層２、ノンドープＧａＮ層３、ｎ型コンタクト層となるＳｉドープＧａＮ層４、ｎ型クラッド層となるＳｉドープＧａＮ層５、活性層となるＩｎＧａＮ層６、ｐ型クラッド層となるＭｇドープＡｌＧａＮ層７、ｐ型コンタクト層となるＭｇドープＧａＮ層８が、順次積層された層構造を有する。さらに、ＭｇドープＧａＮ層８、ＭｇドープＡｌＧａＮ層７、ＩｎＧａＮ層６、ＳｉドープＧａＮ層５、ＳｉドープＧａＮ層４が部分的にエッチング等により除去され、ＳｉドープＧａＮ層４の露出面にｎ電極９が形成され、ＭｇドープＧａＮ層８の上面の略全面にｐ電極１０が設けられている。なお、本実施の形態では、特許請求の範囲に記載するｎ型窒化物半導体がｎ型コンタクト層となるＳｉドープＧａＮ層４に対応し、ｐ型窒化物半導体がｐ型コンタクト層となるＭｇドープＧａＮ層８に対応している。
【００１３】
本実施の形態において、ｎ電極９は、ｎ型コンタクト層４側から順に、第１の層９−１と、ＬＥＤからの光の主波長において第１の層１０ｂ−１よりも反射率の高い第２の層９−２とから少なくとも構成される。さらに、ｐ電極１０は、ＬＥＤからの光の少なくとも一部を透過する光透過部１０ａ（以下「ｐ光透過部」という）と、最終的に外部リードと電気的に接続するために導電性部材が接続されるパッド部１０ｂ（以下「ｐパッド部」という）とからなり、さらにｐパッド部１０ｂはｐ型コンタクト層８側から順に、第１の層１０ｂ−１と、ＬＥＤからの光の主波長において、第１の層１０ｂ−１よりも反射率の高い第２の層１０ｂ−２とから少なくとも構成される。
【００１４】
なお、ｎ電極９及びｐパッド部１０ｂにおいて第１の層はＬＥＤからの光の少なくとも一部を透過するように機能する。ここで、ｎ電極９とｐパッド部１０ｂの第１の層は、反射率を低く抑え光を透過させることを目的の１つとするので、その膜厚は材料によっても異なるが１０〜３００Å、より好ましくは２０〜２００Åとすることができる。
【００１５】
ｎ電極の第１の層を構成する材料は特に限定されるものではないが、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｗ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、ＩＴＯの少なくとも一種を好適に用いることができる。その中でも、ｎ型コンタクト層４との接着性、接触抵抗、光透過性を総合的に考慮すると、Ｔｉ、Ｎｂ、ＩＴＯ、さらに好ましくはＴｉ、Ｎｂ、さらに好ましくはＴｉを好適に用いることができる。
【００１６】
また、ｐパッド部１０ｂの第１の層を構成する材料は特に限定されるものではないが、ｎ電極の第１の層と同様にＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｗ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、ＩＴＯの少なくとも一種をを好適に用いることができる。その中でも、ｐ光透過部１０ａの接着性、光透過性を総合的に考慮すると、ｐ電極の光透過部が例えばＮｉ、Ａｕ等の主として金属材料からなる場合はＴｉ、Ｎｂ、ＩＴＯ、さらに好ましくはＴｉ、Ｎｂ、さらに好ましくはＴｉを好適に用いることができる。なお、ｐ電極の光透過部が例えばＩＴＯ等の主として酸素原子を必須とする材料からなる場合は特に接着性を考慮して第１の層を選択することが好ましい。
【００１７】
さらに、本件発明においては、ｎ電極９及びｐパッド部１０ｂの第１の層に酸素原子を含むように構成することが好ましい。この場合、酸素原子導入の程度は、酸素原子を導入することにより第１の層自体が絶縁性になり、それにより接触抵抗を阻害することがない程度に酸素原子を導入することはいうまでもない。このように構成することにより、第１の層を構成する材料自体の持つ透光性を、さらに向上させることができるので、結果として光の取り出し効率を向上させることができる。
【００１８】
第１の層に酸素原子を含ませるには、第１の層及び第２の層を含む部位全体を形成した後、酸素を含む雰囲気にて熱処理すればよい。より好ましくは、第１の層のみを形成した後、酸素を含む雰囲気にて熱処理することにより、第１の層中に酸素を効果的に導入することができる。第１の層に酸素原子を積極的に含有させることにより、第１の層自体の透光性を向上させることができるので、第２の層にてＬＥＤからの主に主波長の光をより効果的に反射させることができる。さらに、反応性スパッタリング、イオンビームアシスト蒸着等により、第１の層に酸素原子を含有させることができるが、工程の容易さ等から前述した熱処理が最も優れている。
【００１９】
ｎ電極９及びｐ電極１０の第２の層は、第１の層を透過した光を反射させると共に、特にｎ電極の場合、第１の層と一体となってより低い接触抵抗が得られる材料が選択される。第２の層は、光を反射させることを主な目的とするので、その膜厚は材料によっても異なるが１００Å以上、より好ましくは１５０Å以上にすることができる。また、膜厚の上限としては、製造効率を考慮して、２０００Å以下が好ましい。なお、第２の層を構成する材料は特に限定されるものではないが、Ａｇ、Ｒｈ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒの少なくとも一種を好適に用いることができる。その中でも、第１の層との接着性、接触抵抗（特にｎ電極）、光反射性を総合的に考慮すると、Ｒｈ、Ａｌ、Ａｇが特に好ましい。さらに、Ａｌは拡散、Ａｇはマイグレーション等が問題となる可能性があるので、信頼性を加味するとＲｈが最も好ましい。
【００２０】
本実施の形態のＬＥＤは、ｎ電極９及びｐパッド部１０ｂが共に同様の構成となっている。このように構成することにより、ｎ電極及びｐパッド部において、光を反射させ光の取り出し効率の向上が期待できると共に、ｎ電極とｐパッド部を同時に形成することができるので、製造工程を簡略化することが可能となる。
【００２１】
また、ｐパッド部１０ｂは、基本的にｐ型コンタクト層８との接触抵抗（オーミック接触）を考慮する必要がないので（ｐ光透過部１０ａがｐ型コンタクト層８とオーミック接触するため、ｐパッド部１０ｂを変化させても接触抵抗にあまり差がでない）、その部材、積層構造をｎ電極と同一にしｎ電極と一括して形成した方が、作業効率等を考慮すると結果的には好ましい。
【００２２】
なお、ここではｎ電極９とｐパッド部１０ｂの双方が、本件発明における第１の層及び第２の層を備える構成としたが、少なくとも一方が第１の層及び第２の層を備える構成とすることにより、本件発明の効果を得ることができる。勿論、本実施の形態のように、ｎ電極とｐパッド部の双方を上記構成とすることによりその効果を最大限に得られることは言うまでもない。
（実施の形態２）
図３、４に基づいて、本実施の形態のＬＥＤについて説明する。本実施の形態のＬＥＤはｐ電極が実施の形態１のＬＥＤと下記の点で異なる他は、実施の形態１のＬＥＤと同様である。図４は、本実施の形態のＬＥＤを電極配置面側から見た概略図である。また、図３は、本実施の形態のＬＥＤの層構成を示す模式的断面図であり、図４のＸ−Ｘ部における断面を表す。
【００２３】
本実施の形態のＬＥＤは、ｐ光透過部１０ａとｐパッド部１０ｂが共に、ｐ型コンタクト層８に接している。詳細には、ｐ光透過部１０ａはｐ型コンタクト層８が露出した開口部を有し、その開口部の露出面にてｐパッド部１０ｂがｐ型コンタクト層８と接している。なお、図４における点線はこの開口部を示すものである。
【００２４】
このように構成することにより、例え、ｐ型コンタクト層８に対してｐ光透過部１０ａの接着性が弱くても、及び／又はｐ光透過部１０ａに対してｐパッド部１０ｂの接着性が弱くても、ｐパッド部１０ｂをｐ型コンタクト層８に直接配置することができるので、ｐ光透過部１０ａ上にｐパッド部１０ｂを設けるよりも、ｐパッド部１０ｂの剥がれを大幅に軽減することができる。すなわち、本実施の形態は、ｐパッド部１０ｂのｐ型コンタクト層８に対する接着性が、ｐ光透過部１０ａのｐ型コンタクト層８に対する接着性と、ｐパッド部１０ｂのｐ光透過部１０ａに対する接着性の少なくとも一方よりも強い場合に特に有効な構成である。
【００２５】
なお、本実施の形態では、ｐ光透過部１０ａがｐ型コンタクト層８が露出した開口部を有する構成としたが、本件発明はこれに限定されず、例えば、ｐパッド部１０ｂとｐ光透過部１０ａがずれて配置されることにより、ｐパッド部１０ｂをｐ型コンタクト層８に直接設けても良い。
（実施例１）
図１、２に基づいて、本実施例のＬＥＤについて説明する。本実施例の半導体積層構造は実施の形態１と同様である。
【００２６】
本実施例のＬＥＤに設けられるｎ電極９及びｐパッド部１０ｂの第１の層９−１にはＴｉ、第２の層にはＲｈを用い、ｎ電極及びｐパッド部１０ｂの全体としてはＴｉ（６０Å）／Ｒｈ（２００Å）／Ｐｔ（２０００Å）／Ａｕ（５０００Å）とした。なお、「Ｔｉ／Ｒｈ／Ｐｔ／Ａｕ」は記載順に半導体側から積層することを示し、ｎ電極９においては、Ｔｉ／Ｒｈ／Ｐｔ／Ａｕがそれぞれ図１の９−１、９−２、９−３、９−４に対応し、ｐパッド部１０ｂにおいてはＴｉ／Ｒｈ／Ｐｔ／Ａｕがそれぞれ図１の１０ｂ−１、１０ｂ−２、１０ｂ−３、１０ｂ−４に対応する。また、本実施例においてｐ光透過部１０ａにはＮｉ（６０Å）／Ａｕ（７０Å）を形成した。Ｎｉ／Ａｕは後の酸素雰囲気における熱処理によりその大半が入れ替わる構成となる。
【００２７】
Ｔｉは直下の部材（ｎ電極の場合はｎ型コンタクト層４、ｐ電極の場合は光透過部１０ａ）との密着性、接触抵抗（特にｎ電極の場合）、透光性等を考慮して選択した。Ｒｈは、Ｔｉとの密着性、接触抵抗は勿論、窒化物半導体を活性層とする波長３７０〜５００ｎｍの光に対する反射率が良いことを主な理由として選択した。さらに、ＰｔはＲｈがＡｕに、又はＡｕがＲｈに拡散するのを軽減するためのバリア層として用い、最終層のＡｕは、Ａｕワイヤーを接続しやすくするために採用した。
【００２８】
なお、ＲｈはＲｈ単体で、又はＰｔと一体となって、Ａｕ又はＰｔの拡散を軽減するためのバリア層としても機能すると考えられる。このように比較的高融点の材料を複数用いることにより、その前後の部材の拡散を効果的に軽減することができる。ちなみに、Ｔｉの融点は１６６７℃、Ｒｈの融点は１９６０℃、Ｐｔの融点は１７６９℃、Ａｕの融点は１０６４である。なお、Ａｕの拡散防止機能は多少落ちるものの、Ｐｔを用いずにＴｉ／Ｒｈ／Ａｕとすることも可能である。
【００２９】
第１の層としてのＴｉを用いずに、第２の層であるＲｈをｎ型コンタクト層４に直接形成すると、３７０〜５５０ｎｍの光に対する反射率は飛躍的に向上するものの、ｎ型コンタクト層４との接触抵抗が大きくなり、ＬＥＤとして十分に機能しない。また、Ｔｉを３００Å以上にすると、３７０〜５５０ｎｍの光に対する反射率が低下するばかりか、ｎ型コンタクト層４との接触抵抗も大きくなってしまう。本願発明者は、このような実験結果をもとに、Ｔｉ／Ｒｈ系においては、Ｔｉの膜厚は１０〜３００Å、好ましくは２０〜２００Å、より好ましくは３０〜１２０Å、さらに好ましくは４０〜８０Å、より好ましくは５０〜７０Åとすることにより、ｎ型コンタクト層４との接触抵抗と光反射率を両立して得ることができることを見いだした。
【００３０】
下記表に、後に記載する比較例におけるｎ型コンタクト層４との接触抵抗、及び４００ｎｍ、４６０ｎｍ、５００ｎｍにおける光反射率を基準として、本実施例におけるＴｉ膜厚によるｎ型コンタクト層４との接触抵抗及び４００ｎｍ、４６０ｎｍ、５００ｎｍにおける光反射率の相対的な大きさを示す。
【００３１】
【表１】
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【００３２】
表より明らかなように、本実施の形態のｎ電極においては、上記したＴｉ膜厚範囲において接触抵抗及び光反射率が両立して得られることが理解できる。さらに、Ｔｉ膜厚４０〜８０Åの場合には、接触抵抗及び光反射率の双方が比較例よりも優れていた。また、Ｔｉ膜厚３０Å、２００Åにおいては、比較例と比較して一見接触抵抗が大きくなっているように見える。しかしながら、比較例の接触抵抗は十分に低く、比較例の２０倍程度の大きさならＬＥＤとして充分に使用できる。なお、表には実験したＴｉ膜厚のうち、代表的なＴｉ膜厚のみを示している。また、表における接触抵抗はＴＬＭ法により算出したものであり、各波長における反射率は分光反射率測定により算出したものである。
【００３３】
さらに、本実施例のＬＥＤにおいては、ｎ電極９及びｐパッド部１０ｂを同時に形成した後に酸素雰囲気にて熱処理を施した。これにより、第１の層であるＴｉに酸素原子を積極的に含有させることができ、第１の層の透光性を向上させることができる。なお、酸素原子の確認は二次イオン質量分析法を用いて行った。
（実施例２）
図３、４に基づいて、本実施例のＬＥＤについて説明する。本実施例のＬＥＤは、ｐ電極１０が異なる他は実施例１のＬＥＤと同様に構成する。
【００３４】
すなわち、ｐ光透過部１０ａとしてＮｉおよびインジウム・スズ酸化物であるＩＴＯを用い、ｐパッド部１０ｂとして実施例１と同様にＴｉ（６０Å）／Ｒｈ（２００Å）／Ｐｔ（２０００Å）／Ａｕ（５０００Å）を用いている。
【００３５】
ｐ電極の光透過部にＩＴＯを用いることにより例えば実施例１のＮｉ及びＡｕに比較して光透過性を大幅に向上させることができる。また、本実施例のようにｐ型コンタクト層８上にＮｉを介してからＩＴＯを設けることにより、オーミック接触が容易に得られる。このように構成することにより、ｐ型コンタクト層８とｐ電極のオーミック特性を確保しつつ、ＬＥＤからの光をｐ電極側に効果的に取り出すことができる。
【００３６】
しかしながら、ＩＴＯは金属からなるｐパッド部１０ｂとの密着性が悪く、このためＩＴＯに直接ｐパッド部１０ｂを設けると後に剥がれが生じてしまう場合がある。本実施例はこのような場合に有効な構成であり、ｐ光透過部１０ａであるＩＴＯがｐ型コンタクト層８が露出した開口部を有し、該開口部の露出面にてｐパッド部１０ｂとｐ型コンタクト層８が直接接するように構成されている。つまり、ｐパッド部１０ｂのｐ型コンタクト層８に対する接着性が、ｐパッド部１０ｂのｐ光透過部１０ａに対する接着性及び／又はｐ光透過部１０ａのｐ型コンタクト層８に対する接着性よりも強いことを特徴としている。また、ｐ光透過部１０ａとｐパッド部１０ｂとは開口部周辺において重複するように接して設けられており、これにより効果的に電流を注入することができる。
【００３７】
この構成では基本的にｐパッド部１０ｂとｐ型コンタクト層８との接触面直下はオーミック接触していないので、その領域については電流が流れにくいが、元々ｐパッド部１０ｂ直下は光にくいので不利益はない。むしろ、ｐパッド部１０ｂの剥がれを軽減しつつ、電流を広げることが可能になるので、結果的には好ましいものとなる。
【００３８】
本実施例の構成は、光反射の機能を有するｐパッド部１０ｂが、ｐ光透過部１０ａを介さずに直接ｐ型コンタクト層８と接しているので、光反射機能を最大限に利用できる。もちろん、このような構成にすることにより、例えばＷ／Ｐｔ／Ａｕのような光反射を目的としない構成のｐパッド部１０ｂであっても、ｐパッド部１０ｂの剥がれを防止することができるので好ましい。
【００３９】
なお、本実施例では、ｐ光透過部１０ａとしてＮｉおよびインジウム・スズ酸化物であるＩＴＯを用いて説明したが、ＩＴＯ単体を用いることも可能である。
（比較例）
比較例のＬＥＤは、ｎ電極９及びｐ電極１０の構成が異なる他は実施例１と同様の構成である。すなわち、ｎ電極はＷ（２００Å）／Ｐｔ（２０００Å）／Ａｕ（５０００Å）であり、ｐ電極の光透過部１０ａはＮｉ（６０Å）／Ａｕ（７０Å）、ｐパッド部１０ｂはｎ電極と同様にＷ（２００Å）／Ｐｔ（２０００Å）／Ａｕ（５０００Å）を積層した。
【００４０】
なお、各実施の形態、各実施例においては、ｎ電極及びｐ電極の構成を積層構造として説明したが、各層を構成する部材が隣接する層へ拡散し合金化している場合であっても、第１の層及び第２の層が確認できる場合は、本件発明の範囲内とする。
【図面の簡単な説明】
【図１】図２のＸ−Ｘ部における断面図である。
【図２】実施の形態１のＬＥＤを電極配置面側から見た平面図である。
【図３】図４のＸ−Ｘ部における断面図である。
【図４】実施の形態２のＬＥＤを電極配置面側から見た平面図である。
【符号の説明】
１・・・サファイア基板
２・・・ＧａＮバッファ層
３・・・ノンドープＧａＮ層
４・・・ｎ型コンタクト層となるＳｉドープＧａＮ層
５・・・ｎ型クラッド層となるＳｉドープＧａＮ層
６・・・活性層となるＩｎＧａＮ層
７・・・ｐ型クラッドとなるＭｇドープＡｌＧａＮ層
８・・・ｐ型コンタクト層となるＭｇドープＧａＮ層
９・・・ｎ電極
９−１・・・ｎ電極の第１の層
９−２・・・ｎ電極の第２の層
１０・・・ｐ電極
１０ａ・・・ｐ光透過部
１０ｂ・・・ｐパッド部
１０ｂ−１・・・ｐパッド部の第１の層
１０ｂ−２・・・ｐパッド部の第２の層
【図１】
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【図２】
2005011857.tif 000005
【図３】
2005011857.tif 000006
【図４】
2005011857.tif 000007