【手続補正書】
【提出日】平成21年12月16日(2009.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板にプラズマを作用させてプラズマ処理を行うプラズマ処理方法であって、
当該プラズマ処理を行う処理チャンバー内に前記被処理基板を搬入した後で且つ前記プラズマ処理を行う前に、前記被処理基板を載置する下部電極に低いパワーの高周波電力を印加する工程と、
前記下部電極に対向して設けられた上部電極に低いパワーの高周波電力を印加する工程と、
前記被処理基板を吸着保持するための静電チャックに直流電圧を印加する工程と、
前記下部電極に高いパワーの高周波電力を印加する工程と、
前記上部電極に高いパワーの高周波電力を印加して、前記被処理基板にプラズマ処理を行う工程と、
を上記の順で有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
請求項１記載のプラズマ処理方法であって、
前記上部電極に低いパワーの高周波電力を印加する工程と、前記静電チャックに直流電圧を印加する工程との間に、
前記下部電極への低いパワーの高周波電力の印加を停止する工程と、前記上部電極への低いパワーの高周波電力の印加を停止する工程と、を有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項３】
被処理基板にプラズマを作用させてプラズマ処理を行うプラズマ処理方法であって、
当該プラズマ処理を行う処理チャンバー内に前記被処理基板を搬入する工程と、
プラズマを生成し、かつ、前記プラズマ処理時に印加する高周波電力よりも低いパワーの高周波電力を印加する工程と、
前記被処理基板を吸着保持するための静電チャックに直流電圧を印加する工程と、
前記プラズマ処理時に印加する高周波電力よりも低いパワーの高周波電力の印加を停止する工程と、
前記プラズマ処理を行うための高周波電力を印加する工程と、
を有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項４】
請求項３記載のプラズマ処理方法において、
前記プラズマ処理の終了時に、印加する高周波電力を、前記プラズマ処理時に印加された高周波電力よりもパワーを低くする工程と、
前記静電チャックに対する直流電圧の印加を停止する工程と、
前記高周波電力の印加を停止する工程と、
前記処理チャンバー内から前記被処理基板を搬出する工程と、
を有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項５】
被処理基板にプラズマを作用させてプラズマ処理を行うプラズマ処理方法であって、
前記被処理基板を吸着保持する静電チャックに所定の直流電圧を印加しながら、前記プラズマ処理を行うための高周波電力を印加する工程と、
前記プラズマ処理の終了時に、印加する高周波電力を、前記プラズマ処理時に印加された高周波電力よりも低くする工程と、
前記静電チャックに、前記所定の直流電圧に対して逆極性の直流電圧を印加する工程と、
前記逆極性の直流電圧の印加を停止する工程と、
前記高周波電力の印加を停止する工程と、
処理チャンバー内から前記被処理基板を搬出する工程と、
を有し、かつ上記順番で前記各工程が実行されることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項６】
前記各工程の前に、さらに
前記プラズマ処理を行う前記処理チャンバー内に前記被処理基板を搬入する工程と、
前記プラズマ処理時に印加する高周波電力よりも低いパワーの高周波電力を印加する工程と、
前記静電チャックに前記所定の直流電圧を印加する工程と、
を有することを特徴とする請求項５記載のプラズマ処理方法。
【請求項７】
前記低いパワーの高周波電力を印加する工程において、前記プラズマ処理に使用するプラズマよりも弱いプラズマが前記被処理基板に作用され、前記弱いプラズマが、Ａｒガス、又はＯ2 ガス、又はＣＦ4 ガス、又はＮ2 ガスによって形成されたプラズマであることを特徴とする請求項１〜６いずれか１項記載のプラズマ処理方法。
【請求項８】
前記低いパワーの高周波電力を印加する工程において、前記プラズマ処理に使用するプラズマよりも弱いプラズマが前記被処理基板に作用され、前記弱いプラズマが、０．１５〜１．０Ｗ／ｃｍ2の高周波電力によって形成されることを特徴とする請求項１〜７いずれか１項記載のプラズマ処理方法。
【請求項９】
前記低いパワーの高周波電力を印加する工程において、前記プラズマ処理に使用するプラズマよりも弱いプラズマが前記被処理基板に作用され、前記弱いプラズマを、５〜２０秒の間前記被処理基板に作用させることを特徴とする請求項１〜８いずれか１項記載のプラズマ処理方法。
【請求項１０】
請求項１〜４いずれか１項記載のプラズマ処理方法において、
前記静電チャックに対する直流電圧の印加を停止する際に、吸着時とは逆極性の直流電圧を前記静電チャックに印加することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項１１】
被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理機構を具備し、当該プラズマ処理機構が、プラズマを生成するための高周波電力を供給する高周波電源と、前記被処理基板を吸着保持するための静電チャックと、前記静電チャックに直流電圧を供給する直流電源と、プラズマを生成するためのガスを供給するガス供給系とを具備したプラズマ処理装置であって、
前記プラズマ処理機構を制御し、請求項１〜１０いずれか１項記載のプラズマ処理方法を行う制御部を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項３の発明は、被処理基板にプラズマを作用させてプラズマ処理を行うプラズマ処理方法であって、当該プラズマ処理を行う処理チャンバー内に前記被処理基板を搬入する工程と、プラズマを生成し、かつ、前記プラズマ処理時に印加する高周波電力よりも低いパワーの高周波電力を印加する工程と、前記被処理基板を吸着保持するための静電チャックに直流電圧を印加する工程と、前記プラズマ処理時に印加する高周波電力よりも低いパワーの高周波電力の印加を停止する工程と、前記プラズマ処理を行うための高周波電力を印加する工程と、を有することを特徴とする。
請求項４の発明は、請求項３記載のプラズマ処理方法において、前記プラズマ処理の終了時に、印加する高周波電力を、前記プラズマ処理時に印加された高周波電力よりもパワーを低くする工程と、前記静電チャックに対する直流電圧の印加を停止する工程と、前記高周波電力の印加を停止する工程と、前記処理チャンバー内から前記被処理基板を搬出する工程と、を有することを特徴とする。
請求項５の発明は、被処理基板にプラズマを作用させてプラズマ処理を行うプラズマ処理方法であって、前記被処理基板を吸着保持する静電チャックに所定の直流電圧を印加しながら、前記プラズマ処理を行うための高周波電力を印加する工程と、前記プラズマ処理の終了時に、印加する高周波電力を、前記プラズマ処理時に印加された高周波電力よりも低くする工程と、前記静電チャックに、前記所定の直流電圧に対して逆極性の直流電圧を印加する工程と、前記逆極性の直流電圧の印加を停止する工程と、前記高周波電力の印加を停止する工程と、処理チャンバー内から前記被処理基板を搬出する工程と、を有し、かつ上記順番で前記各工程が実行されることを特徴とする。
請求項６の発明は、請求項５記載のプラズマ処理方法において、前記各工程の前に、さらに前記プラズマ処理を行う前記処理チャンバー内に前記被処理基板を搬入する工程と、前記プラズマ処理時に印加する高周波電力よりも低いパワーの高周波電力を印加する工程と、前記静電チャックに前記所定の直流電圧を印加する工程と、を有することを特徴とする。
請求項７の発明は、請求項１〜４いずれか１項記載のプラズマ処理方法であって、前記低いパワーの高周波電力を印加する工程において、前記プラズマ処理に使用するプラズマよりも弱いプラズマが前記被処理基板に作用され、前記弱いプラズマが、Ａｒガス、又はＯ2 ガス、又はＣＦ4 ガス、又はＮ2 ガスによって形成されたプラズマであることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項８の発明は、請求項１〜７いずれか１項記載のプラズマ処理方法であって、前記低いパワーの高周波電力を印加する工程において、前記プラズマ処理に使用するプラズマよりも弱いプラズマが前記被処理基板に作用され、前記弱いプラズマが、０．１５〜１．０Ｗ／ｃｍ2の高周波電力によって形成されることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項９の発明は、請求項１〜８いずれか１項記載のプラズマ処理方法であって、前記低いパワーの高周波電力を印加する工程において、前記プラズマ処理に使用するプラズマよりも弱いプラズマが前記被処理基板に作用され、前記弱いプラズマを、５〜２０秒の間前記被処理基板に作用させることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項１０の発明は、請求項１〜４いずれか１項記載のプラズマ処理方法において、前記静電チャックに対する直流電圧の印加を停止する際に、吸着時とは逆極性の直流電圧を前記静電チャックに印加することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項１１の発明は、被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理機構を具備し、当該プラズマ処理機構が、プラズマを生成するための高周波電力を供給する高周波電源と、前記被処理基板を吸着保持するための静電チャックと、前記静電チャックに直流電圧を供給する直流電源と、プラズマを生成するためのガスを供給するガス供給系とを具備したプラズマ処理装置であって、前記プラズマ処理機構を制御し、請求項１〜１０いずれか１項記載のプラズマ処理方法を行う制御部を具備したことを特徴とする。