【手続補正書】
【提出日】平成22年7月28日(2010.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】疎水性の評価方法、基板の製造方法、ＨＭＤＳ処理基板の製造方法、疎水性の評価システム、半導体装置の製造方法、半導体装置、電子機器の製造方法、及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面における疎水性の評価方法であって、
第１基板の表面を疎水化物質により疎水化処理する工程と、
疎水化処理した前記第１基板の表面に位置する物質の質量スペクトルである第１質量スペクトルを取得する工程と、
第２基板の表面に汚染物質を付着する工程と、
前記第２基板の表面に位置する物質の質量スペクトルである汚染成分スペクトルを取得する工程と、
前記汚染成分スペクトルにおいて、前記汚染物質に由来する第１の信号と、前記汚染物質に由来し前記第１の信号と質量数の異なる第２の信号と、の強度比を求める工程と、
前記強度比から前記第１質量スペクトルへの前記汚染物質の寄与分を求める工程と、
前記第１質量スペクトルから前記汚染物質の寄与分を差し引いた第２質量スペクトルを求める工程と、
前記第２質量スペクトルにおいて、疎水基由来の信号である第３の信号と親水基由来の信号である第４の信号とを求める工程と、
前記第３の信号と前記第４の信号を演算処理することにより、前記第１基板の表面における疎水性を評価する工程と、を含むことを特徴とする疎水性の評価方法。
【請求項２】
請求項１に記載の疎水性の評価方法であって、前記疎水化物質はＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラジン）、前記汚染物質はＰＤＭＳ（ポリジメチルシロキサン）であることを特徴とする疎水性の評価方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の疎水性の評価方法であって、疎水基由来の信号である前記第３の信号は、シリル基としてＳｉＣＨ3+、ＳｉＣ3Ｈ9+、Ｃ3Ｈ9ＯＳｉ-の少なくともいずれか１つを含むことを特徴とする疎水性の評価方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の疎水性の評価方法であって、親水基由来の信号である前記第４の信号は、ＳｉＯＨ+、ＳｉＯＨ-の少なくともいずれか１つを含むことを特徴とする疎水性の評価方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の疎水性の評価方法を含むことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項６】
基板の表面をＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラジン）の雰囲気にさらす工程と、
前記基板の表面分析に際して、Ｇａ+イオンを一次イオンとし、加速電圧１５ｋｅＶでＴＯＦ−ＳＩＭＳ測定することで第１質量スペクトルを測定する工程と、
前記第１質量スペクトルから、ＰＤＭＳ（ポリジメチルシロキサン）由来の、前記ＨＭＤＳ由来の生成物と干渉しない単一又は複数の質量数に対応する物質の質量スペクトルである汚染量を抽出する工程と、
前記第１質量スペクトルから、前記生成物と干渉する単一又は複数の質量数に対応する前記ＰＤＭＳ由来の偽信号成分を前記汚染量を用いて算出する工程と、
前記第１質量スペクトルと前記偽信号成分とを演算し、前記偽信号成分の寄与分を差し引いてなる第２質量スペクトルを算出する工程と、
前記第２質量スペクトルを演算し、前記基板の表面に位置する疎水成分としてＳｉＣＨ3+を用い、前記基板の表面に位置する親水成分としてＳｉＯＨ+を用い、前記疎水成分の二次イオン検出量と、前記親水成分の二次イオン検出量との比率を、１．２５以上の値に管理して製造されることを特徴とするＨＭＤＳ処理基板の製造方法。
【請求項７】
請求項５に記載のＨＭＤＳ処理基板であって、前記偽信号成分は、
前記基板の表面に前記ＰＤＭＳを付着させる工程と、
前記ＰＤＭＳを含む前記基板の表面を測定し、汚染成分スペクトルを得る工程と、
前記汚染成分スペクトルから、前記生成物と干渉しない単一又は複数の質量数と対応する前記ＰＤＭＳ由来の参照汚染量を抽出する工程と、
前記汚染成分スペクトルから、前記生成物と干渉する単一又は複数の質量数に対応する誤差成分を抽出する工程と、
前記参照汚染量と前記誤差成分との相関関係を求める工程と、を含み、
前記第１質量スペクトルから前記汚染量を抽出し、前記相関関係に従い演算する工程で算出されることを特徴とするＨＭＤＳ処理基板の製造方法。
【請求項８】
請求項６又は７に記載のＨＭＤＳ処理基板であって、前記ＨＭＤＳ処理基板を覆うよう、レジスト層がさらに重ねられることを特徴とするＨＭＤＳ処理基板の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載のＨＭＤＳ処理基板であって、前記レジスト層にパターンを形成することを特徴とするＨＭＤＳ処理基板の製造方法。
【請求項１０】
基板の表面における疎水性の評価システムであって、前記基板の表面を疎水化物質の雰囲気にさらすことで行われる疎水化処理後に、前記基板の表面を分析し、第１質量スペクトルを測定する第１質量スペクトル測定部と、
前記第１質量スペクトルから、前記基板を汚染する汚染物質由来の、前記疎水化物質由来の生成物と干渉しない単一又は複数の質量数に対応する物質の質量スペクトルである汚染量を抽出する汚染量抽出部と、
前記第１質量スペクトルから、前記生成物の質量スペクトルと干渉する単一又は複数の質量数に対応する前記汚染物質由来の偽信号成分を前記汚染量を用いて算出する偽信号成分算出部と、
前記第１質量スペクトルと前記偽信号成分とを演算し、前記偽信号成分の寄与分を差し引いてなる第２質量スペクトルを算出する第２質量スペクトル算出部と、
前記第２質量スペクトルを演算し、前記基板の表面に位置する疎水成分と、前記基板の表面に位置する親水成分との関係を算出する撥水性算出部と、
を含むことを特徴とする疎水性の評価システム。
【請求項１１】
請求項１０に記載の疎水性の評価システムであって、前記偽信号成分算出部は、
前記基板の表面に前記汚染物質を付着させる汚染部と、
前記汚染物質を含む前記基板の表面を測定し、汚染成分スペクトルを得る汚染成分測定部と、
前記汚染成分スペクトルから、前記生成物の質量スペクトルと干渉しない単一又は複数の質量数に対応する物質の質量スペクトルである参照汚染量を抽出する参照汚染量抽出部と、
前記汚染成分スペクトルから、前記生成物の質量スペクトルと干渉する単一又は複数の質量数の誤差成分を抽出する誤差成分抽出部と、
前記参照汚染量と前記誤差成分との相関関係を求める相関関係抽出部と、を含み、
前記第１質量スペクトルから前記汚染量を抽出し、前記相関関係抽出部により得られた前記相関関係に従い演算する構成を含むことを特徴とする疎水性の評価システム。
【請求項１２】
請求項５に記載の基板の製造方法、または請求項６乃至９のいずれか一項に記載のＨＭＤＳ処理基板の製造方法を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項５に記載の製造方法を用いた基板、または請求項６乃至９のいずれか一項に記載の製造方法を用いたＨＭＤＳ処理基板を用いて形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法を含むことを特徴とする電子機器の製造方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載の半導体装置を含むことを特徴とする電子機器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
この適用例によれば、パターン幅安定性に優れた半導体装置を含んでいるため、従来技術を用いる場合と比べ半導体装置間の均一性に優れた電子機器を提供することが可能となる。
また、本発明の一態様の基板の製造方法は、前記の疎水性の評価方法を含むことを特徴とする。
また、本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、前記の基板の製造方法または前記のＨＭＤＳ処理基板の製造方法を含むことを特徴とする。
また、本発明の一態様の電子機器の製造方法は、前記の半導体装置の製造方法を含むことを特徴とする。