【手続補正書】
【提出日】平成22年6月7日(2010.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
別々の大気圧イオン源と別々の真空システムとを結合するために、前記イオン源によって発生されたイオンビームを前記真空システムに伝達するように微細設計されたインターフェース部品であって、該インターフェース部品が、少なくとも１つのパターン化された表面を有する半導体材料を備え、該半導体材料が、前もって前記インターフェース部品中に及び前記インターフェース部品を介して受ける前記イオンビームを、該半導体材料中を通して前記真空システムに与えることができるチャネルを前記半導体材料中に設けるようにオリフィスを構成していることを特徴とするインターフェース部品。
【請求項２】
前記半導体材料は、複数のパターン化された表面を含み、該表面の各々は、前記半導体材料中にオリフィスを構成していることを特徴とする請求項１に記載のインターフェース部品。
【請求項３】
前記複数のパターン化された表面は、個々の半導体層上に形成され、該半導体層は、絶縁層によって互いに分離された隣接する層に積層されていることを特徴とする請求項２に記載のインターフェース部品。
【請求項４】
前記半導体材料は、該半導体材料中にスキマーが構成されていることを特徴とする請求項１，２又は３に記載のインターフェース部品。
【請求項５】
前記インターフェース部品は、それぞれ絶縁層によって分離され、さらに別々にパターン化されてエッチングされた第１、２、３の半導体層からなる少なくとも３つの半導体層から構成され、
第１の半導体層は、第１のオリフィスを構成し、
第２の半導体層は、第２のオリフィスを構成してチャネルによって横断され、該チャネルが第１の端部及び第２の端部を有し、
第３の半導体層は、第３のオリフィス及び２つの追加の開口部を構成し、
前記３つの半導体層のそれぞれが互いに積層構成に配置されたとき、前記第１、第２及び第３のオリフィスが前記インターフェース部品を通る導管を構成し、前記２つの追加の開口部が前記チャネルの前記２つの端部に連結するように構成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のインターフェース部品。
【請求項６】
前記３つのオリフィスは、イオン用の導管として構成されていることを特徴とする請求項５に記載のインターフェース部品。
【請求項７】
前記３つのオリフィスは、３要素の静電レンズとして構成されていることを特徴とする請求項５又は６に記載のインターフェース部品。
【請求項８】
前記第１の半導体層は、前記第１及び第２の半導体層を互いに結合する際に前記第２の半導体層から物理的に隔離された吊り下げ式電極を含むことを特徴とする請求項５，６又は７に記載のインターフェース部品。
【請求項９】
通路穴は、前記吊り下げ式電極に対する電気的接触アクセスを提供する前記第１の半導体層の上面に形成されていることを特徴とする請求項８に記載のインターフェース部品。
【請求項１０】
前記第２の半導体層は、前記吊り下げ式電極と同じ位置に配置された凹所フィーチャを有し、該凹所フィーチャが、前記第２の半導体層の上面と前記吊り下げ式電極の下面の間に隙間を提供することを特徴とする請求項８又は９に記載のインターフェース部品。
【請求項１１】
前記凹所フィーチャは、前記第２の半導体層を横断する前記チャネルの一部分を形成することを特徴とする請求項１０に記載のインターフェース部品。
【請求項１２】
前記第１及び第３のオリフィスを構成する前記第１及び第３の半導体層の側壁は、電界を集中させるための突き出たフィーチャを備え、該突き出たフィーチャが、前記第１の半導体層と前記第３の半導体層の上面から突き出ていることを特徴とする請求項５乃至１１のいずれかに記載のインターフェース部品。
【請求項１３】
前記突き出たフィーチャは、運動量の分離を向上させるために傾斜する外側表面を有していることを特徴とする請求項１２に記載のインターフェース部品。
【請求項１４】
前記突き出たフィーチャのそれぞれは、４つの（１１１）結晶面及び４つの（２１１）平面を含むことを特徴とする請求項１３に記載のインターフェース部品。
【請求項１５】
前記チャネル及び関連する開口部は、ガス流導管として構成されていることを特徴とする請求項５乃至１４のいずれかに記載のインターフェース部品。
【請求項１６】
前記各オリフィス内の圧力は互いに異なり、前記第２のオリフィス内の圧力は、前記第１のオリフィスと第３のオリフィス内の圧力の間の中間の圧力であることを特徴とする請求項５乃至１５のいずれかに記載のインターフェース部品。
【請求項１７】
加熱されるように構成されることを特徴とする請求項１乃至１６のいずれかに記載のインターフェース部品。
【請求項１８】
前記半導体材料は、シリコンであることを特徴とする請求項１乃至１７のいずれかに記載のインターフェース部品。
【請求項１９】
前記絶縁層は、二酸化シリコンであることを特徴とする請求項３乃至１８のいずれかに記載のインターフェース部品。
【請求項２０】
エッチングされた酸化シリコン層を共に結合することによって構築されることを特徴とする請求項１乃至１９のいずれかに記載のインターフェース部品。
【請求項２１】
真空フランジに取り付けられるように構成されることを特徴とする請求項１乃至２０のいずれかに記載のインターフェース部品。
【請求項２２】
前記真空システムが、質量分析システムの部分を構成し、使用の際に、前記インターフェース部品が、イオンを前記質量分析システムに導入するためのものであることを特徴とする請求項１乃至２１のいずれかに記載のインターフェース部品。
【請求項２３】
前記イオン源が、液体クロマトグラフィ又はキャピラリ電気泳動システムに結合されていることを特徴とする請求項１乃至２２のいずれかに記載のインターフェース部品。
【請求項２４】
前記絶縁層によって互いに分離された隣接する層と積層構造を構成する複数の個々のパターン化された半導体層を備え、該半導体層にはオリフィスが構成され、前記半導体層の積層は、前記インターフェース部品を通して連続したチャネルを構成するように前記オリフィスのそれぞれを位置合わせすることが可能であることを特徴とする請求項３に記載のインターフェース部品。
【請求項２５】
前記組み立てられた積層構造は、さらに、前記個々の層をパターン化することによって構成される内側チャンバを備え、該内側チャンバは、前記インターフェース部品を通る第２のチャネルを構成し、前記第１及び第２のチャネルが互いに交差することを特徴とする請求項２４に記載のインターフェース部品。
【請求項２６】
前記第２のチャネルの少なくとも一部分は、チャンバを構成し、該チャンバは、前記第１のチャネルと第２のチャネルの間に交差領域を構成することを特徴とする請求項２５に記載のインターフェース部品。
【請求項２７】
前記チャンバは、前記第１のチャネルを横断するように構成されていることを特徴とする請求項２６に記載のインターフェース部品。
【請求項２８】
前記半導体材料は、所定の圧力のガスで満たすことができる内側チャンバに静電オプティクスを提供するように構成され、前記オプティクス及び内側チャンバが、前記半導体材料のリソグラフィ、エッチング及び結合によって作製されることを特徴とする請求項１乃至２７のいずれかに記載のインターフェース部品。
【請求項２９】
請求項１乃至２８のいずれかに記載の複数のインターフェース部品を備え、平面状のエレクトロスプレーインターフェースアレイであって、前記複数のインターフェース部品は平行な配列に配置されることを特徴とするインターフェースアレイ。
【請求項３０】
入口ポートを有する真空システムを備えたイオン化システムであって、前記入口ポートは、請求項１乃至２８のいずれかに記載のインターフェース部品に結合されるように構成され、前記インターフェース部品が、イオナイザから真空システムまでのイオンビームの伝達を可能にすることを特徴とするイオン化システム。
【請求項３１】
別々の大気圧イオン源と別々の真空システムとを結合するためのイオン化インターフェースの作製方法であって、
ａ）シリコン中に第１のオリフィスの形成するように前記シリコンに第１の層を作製する微細設計ステップと、
ｂ）シリコンに第２のオリフィスを形成し、該第２のオリフィスを横断するチャネルを形成し、該チャネルが第１の端部及び第２の端部を有するように前記シリコンに第２の層を作製する微細設計ステップと、
ｃ）第３のオリフィス及び２つの追加の開口部を形成するようにシリコンに第３の層を作製する微細設計ステップと、
ｄ）前記３つの層を互いに積層構造に配置する微細設計ステップであって、前記第１、第２及び第３のオリフィスが、前記インターフェース部品を通る導管を構成し、前記２つの追加の開口部が、前記チャネルの前記２つの端部に連結するように構成する微細設計ステップと
を含むことを特徴とするイオン化インターフェースの作製方法。
【請求項３２】
別々の大気圧イオン源と別々の真空システムとを結合するためのイオン化インターフェース部品の作製方法であって、半導体材料中に導管を形成する微細設計ステップを有し、前記導管が、前もって前記インターフェース部品中の及び前記インターフェース部品を介して受けるように前記イオン源に発生されたイオンビームを通すように形成されていることを特徴とするイオン化インターフェース部品の作製方法。