(57)【要約】    【課題】  より粒径が小さくかつ粒度分布が狭く、高比表面積であり、かつルチル化率の高い酸化チタン粉末を提供すること。    【解決手段】  ルチル化率が８０％以上であって、ＢＥＴ比表面積が３０ｍ２／ｇ以上である酸化チタン粉末。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ルチル化率が８０％以上であって、ＢＥＴ比表面積が３０ｍ２／ｇ以上である酸化チタン粉末。
【請求項２】
前記ルチル化率が、８５％以上である請求項１に記載の酸化チタン粉末。
【請求項３】
前記酸化チタン粉末が、四塩化チタンの気相反応で得られる請求項１記載の酸化チタン粉末。
【請求項４】
前記酸化チタン粉末が、四塩化チタン、酸素、水素及び水蒸気を気相状態下で反応して得られる請求項１に記載の酸化チタン粉末。
【請求項５】
前記酸化チタン粉末が、四塩化チタン、酸素、水素及び水蒸気を予め加熱した後、気相状態下で反応して得られる請求項１に記載の酸化チタン粉末。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は比表面積が大きくかつルチル化率の高いルチル型の酸化チタン粉末に関し、具体的には、電子材料、紫外線遮蔽材料、光触媒材料、ディスプレイの反射防止膜、プラズマディスプレイなどの基盤用隔壁に用いるガラス材のフィラー材、または各種触媒の担体などに適した屈折率の高い酸化チタン粉末に関する。
【背景技術】
【０００２】
酸化チタン粉末は、白色顔料として古くから利用されており、近年は化粧品などの紫外線遮蔽材料、光触媒、コンデンサ、サーミスタの構成材料あるいはまたチタン酸バリウムの原料等電子材料に用いられる焼結材料に広く利用されている。また、酸化チタンは可視光付近の波長領域において大きな屈折率を示すため、可視光領域では殆ど光吸収は起こらない。このことから最近化粧料、医薬あるいは塗料等の紫外線遮蔽が要求されるような材料や、液晶ディスプレイ表示部やプラスティックレンズなどの反射防止膜として利用されている。反射防止膜は通常フッ素樹脂、シリコーン系樹脂などの低屈折率の樹脂などで形成される層と、高屈折率層を交互に重ねたものであり、酸化チタンはこの反射防止膜の高屈折率層の材料として用いられている。さらに最近需要の増えているプラズマディスプレイにおいては、その輝度を向上させるため、基盤用隔壁に用いられるガラス材に酸化チタンを被覆して反射率の改善を図ったり、ガラス材にルチル型酸化チタン粉末を配合して屈折率の改善を図ったりしている。
【０００３】
なお、ルチル型酸化チタンは、アナターゼ型酸化チタンに比べ、紫外線遮蔽効果や高屈折率などの光学的特性や高誘電特性などの電気特性において優れた性能を発揮することが知られている。
【０００４】
酸化チタンの膜を形成するには、従来様々な方法が検討されている。例えば、基板表面に酸化チタンの薄膜を形成させる方法としては、蒸着法、ＣＶＤ法、スパッタ法などのドライ法、ゾル−ゲル法、メッキ法、電解重合法などのウェット法が知られている。しかしながらこれらの方法においてルチル型酸化チタン膜を形成するためには、酸化チタン膜を形成した後６００℃以上に加熱処理する必要があり、このため用いられる基材がガラス、セラミックスあるいは金属などの無機材料に限られ、その用途が限定されていた。そのためルチル型などの結晶性を持つ酸化チタン粉末をペーストなどの分散液とし、これを基材に塗布して膜を形成することも検討されている。しかしこのような酸化チタン粉末の塗布による方法において、膜の透明性を確保するために粒径をより小さくする必要がある。しかしながら従来の気相法や液相法を用いてより粒径の小さい酸化チタン粉末を製造しようとした場合、得られる酸化チタンの結晶型はルチル型にはならず、アモルファスあるいはアナターゼ型を相当量含むものであった。ルチル型に変換するためには更にこれらの酸化チタンを加熱処理することが必要であり、この加熱処理によって粒子の凝集が生じ、結果として微粒子を維持したままルチル型の酸化チタン粉末を得ることは困難であった。
【０００５】
微粒子のルチル型酸化チタンを得る方法としては、特開平７−２９１６２９号公報に、超微粒子状アモルファス酸化チタンを、無機酸水溶液中で熟成させることにより超微粒子状ルチル型酸化チタンに変換する方法が開示されている。具体的には、有機チタン化合物や四塩化チタンから生成したアモルファス酸化チタンを塩酸水溶液や硫酸水溶液中で７２〜２４００時間熟成させた後、洗浄し乾燥させてルチル型酸化チタン微粒子を得るものである。
【特許文献１】特開平７−２９１６２９号公報（特許請求の範囲、実施例）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特開平７−２９１６２９号公報記載の方法によれば、得られた酸化チタン微粒子中にはルチル型結晶は含まれるものの、全体のルチル化率は必ずしも高くなく、より一層の改善が望まれていた。また、このような方法では、製造に長時間を要し、また工程も煩雑であり生産性が低く、実際に工業的には採用し難いという問題がある。
【０００７】
また、比表面積が比較的大きい微粒子の酸化チタン粉末は従来から知られているものの、これらの酸化チタン粉末はルチル型とアナターゼ型の混合物であって、比表面積が３０ｍ２／ｇ以上の場合にはルチル含有率（またはルチル化率）は約７０％以下であった。このように通常酸化チタン粉末はルチルとアナターゼの混合体であるため、粒度分布が比較的広いものであった。
一方、積層セラミックコンデンサの誘電体材料に用いられるチタン酸バリウムなどの原料に酸化チタン粉末が用いられる場合、誘電体粉末の粒径および粒度分布は、使用する酸化チタンの粒度また粒度分布に依存することが知られている。近年の小型化、高容量化のため、積層セラミックコンデンサの積層数は年々増加し、誘電体層および電極層は薄層化している。したがって、用いられる酸化チタン粉末は、より粒径が小さくかつ粒度分布の狭い粉末が要求されている。また、粉末の溶媒に対する分散性も重要であり、この点からも粒度分布の狭い粉末が要求されている。
【０００８】
従って、本発明の目的は、より粒径が小さくかつ粒度分布が狭く、高比表面積であり、かつルチル化率の高い酸化チタン粉末を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は、上記従来技術に残された課題を解決すべく、鋭意研究を重ねた結果、より粒径が小さくかつ粒度分布が狭く、高比表面積であり、かつルチル化率の高い酸化チタン粉末を見出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】
すなわち、本発明の酸化チタン粉末は、ルチル化率が８０％以上であって、ＢＥＴ比表面積が３０ｍ２／ｇ以上である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の酸化チタン粉末は、従来のものとは異なり、ルチル化率が高いにも拘わらずＢＥＴ比表面積が大きく、チタン酸バリウムなどの電子材料、紫外線遮蔽材料、光触媒材料、反射防止膜や高反射率が要求されるプラズマディスプレイなどのガラス基材へのコート材やフィラー材として有効である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明の酸化チタン粉末において、ルチル化率は８０％以上１００％以下、好ましくは８５％以上１００％以下、より好ましくは９０％以上１００％以下である。ルチル化率がこのような高い範囲であれば、例えば紫外線遮蔽効果や高屈折率などの光学的特性や高誘電特性などの電気特性において優れた性能を発揮する。
【００１３】
ここで、ルチル化率の測定方法は、ＡＳＴＭ  Ｄ３７２０−８４の方法に従いＸ線回折測定を行い、ルチル型結晶酸化チタンの最強回折線（面指数１１０）のピーク面積（Ｉｒ）と、アナターゼ型結晶酸化チタンの最強回折線（面指数１０１）のピーク面積（Ｉａ）を求め、次式により算出して求められる。
【００１４】
ルチル化率（重量％）＝１００−１００／（１＋１．２×Ｉｒ／Ｉａ）
式中、ピーク面積（Ｉｒ）及びピーク面積（Ｉａ）は、Ｘ線回折スペクトルの該当回折線におけるベースラインから突出した部分の面積をいい、その算出方法は公知の方法で行えばよく、例えば、コンピュータ計算、近似三角形化などの手法により求められる。
【００１５】
また本発明の酸化チタン粉末において、ＢＥＴ比表面積は３０ｍ２／ｇ以上１００ｍ２／ｇ以下、好ましくは３３ｍ２／ｇ以上１００ｍ２／ｇ以下、より好ましくは３５ｍ２／ｇ以上１００ｍ２／ｇ以下である。ＢＥＴ比表面積が３０ｍ２／ｇ以上であれば、酸化チタン粉末の粒径が小さいものが得られる。
【００１６】
また当該酸化チタン粉末において、平均粒径は特に制限されないが、ＳＥＭ写真での画像解析による平均粒径で１００ｎｍ以下、好ましくは５〜７０ｎｍである。酸化チタン粉末の粒径がこのように小さければ、例えば積層セラミックコンデンサの積層数が増加し、誘電体層および電極層が薄層化しても対応できる。
【００１７】
さらに、本発明の酸化チタン粉末は不純物のきわめて少ない高純度であることが望ましく、酸化チタン粉末中に含まれるＦｅ、Ａｌ、ＳｉおよびＮａが各々１００ｐｐｍ未満でありかつＣｌが１０００ｐｐｍ未満である。望ましくはＦｅ、Ａｌ、ＳｉおよびＮａが各々２０ｐｐｍ未満であり、Ｃｌが５００ｐｐｍ未満、さらに望ましくは５０ｐｐｍ未満である。
【００１８】
以上のように本発明の酸化チタン粉末は、比表面積が大きく微粒子であるにもかかわらずルチル化率は非常に高く、さらに高純度であるので、チタン酸バリウムなどの電子材料用に用いた場合、誘電特性などの電気特性に優れるという利点を有する。
【００１９】
本発明の酸化チタン粉末を製造する方法としては、特に制限されないが、例えば、四塩化チタンを気相中で酸素と接触させ酸化させる気相酸化法、燃焼して水を生成する水素ガス等の可燃性ガスと酸素を燃焼バーナーに供給し火炎を形成し、この中に四塩化チタンを導入する火炎加水分解法などの気相法、および四塩化チタン、アルコキシチタンまたは硫酸チタニルなどを液相状態下で反応させて酸化チタンを得る液相法が挙げられる。これらの製法のなかでも、特に四塩化チタンを気相状態下で加水分解あるいは酸化反応させる気相法が本発明の高いルチル化率かつ高い比表面積を有する酸化チタン粉末を効率よく製造できる面で有利である。また、気相法は四塩化チタンを水素、酸素あるいは水蒸気と接触させ反応させるので、液相法で得られる酸化チタンのような不純物元素が混入また残留することがない。
【００２０】
以下、本発明の酸化チタン粉末を気相法において製造する方法について詳しく説明する。
【００２１】
当該製造方法は、四塩化チタンを気相中で加水分解あるいは酸化させる方法であって、具体的には四塩化チタン蒸気を、水素ガス、酸素ガスおよび水蒸気を気相状態下で接触させ反応させる。このとき、四塩化チタンガスの反応部への供給量に対し、水蒸気の供給量を、四塩化チタンをすべて酸化する化学当量以上とすることをことが望ましい。水蒸気の供給量が、四塩化チタンをすべて酸化する化学当量未満であると、酸化チタンの生成反応が均一に行われないため、生成した酸化チタンの結晶制御ができず、高比表面積でルチル化率の高い酸化チタン粉末や、高比表面積でアナターゼ型の酸化チタン粉末を得ることは難しい。
ここで、四塩化チタンをすべて酸化する化学当量とは、四塩化チタンを水蒸気のみで反応させる場合の水蒸気の化学当量を意味し、つまり四塩化チタン１モルに対して水蒸気（水）を２モルである。本発明の方法において、水蒸気は四塩化チタンに対して過剰、具体的には供給ガスを標準状態としたときガスの容量で四塩化チタンガスの１０倍以上、好ましくは１００倍以上の水蒸気を供給し反応させる。また、酸素の供給量についても、四塩化チタンをすべて酸化する化学当量以上（四塩化チタン１モルに対して酸素１モル）が好ましく、具体的には供給ガスを標準状態としたときガスの容量で四塩化チタンガスの１０倍以上の酸素を供給し反応させる。
【００２２】
上記各成分の反応部への供給量比であるが、各供給ガスが標準状態としたとき四塩化チタン１ｌ（ガス）に対する水素ガス、酸素ガスおよび水蒸気の供給量は表１のとおりである。
【００２３】
【表１】
2005126319.tif 000002
【００２４】
上記各原料ガスの供給量は、反応スケールあるいは各ガスを供給するノズル径等により異なるので適宜設定するが、反応部での各ガス、特に四塩化チタンガスの供給速度は乱流域になるように設定することが望ましい。また、供給する上記の各成分をアルゴンや窒素のごとき不活性ガスで希釈し反応部に供給し反応させることもできる。
【００２５】
また、上記の四塩化チタンガス、酸素ガス、水素ガス及び水蒸気を反応部に供給する際に、予め加熱して供給して反応させることが望ましく、具体的には７００〜１０００℃、好ましくは７５０〜９５０℃に加熱する。
【００２６】
次いで反応させ酸化チタン粉末を生成させるが、このような酸化チタン粉末を気相反応で形成するためには、酸化チタンが生成する温度以上であり、好ましくは酸化チタンの結晶構造がルチル型に転移する温度より高い温度で反応を行う必要がある。具体的には、９００℃以下、好ましくは４００〜９００℃、特に好ましくは４５０〜８５０℃である。
【００２７】
上記のように各成分を反応させ酸化チタン粉末を生成させた後、生成粒子の凝集を防ぐために、少なくとも酸化チタン粒子が焼成する温度以下、具体的には３００℃未満まで可及的速やかに冷却を行う。
【００２８】
上記のように得られた酸化チタン粉末は、その後粉末に含まれる塩化水素などの塩素分を加熱処理などにより除去し、必要に応じて分級あるいは篩分を行う。
【００２９】
以下本発明の酸化チタン粉末を製造する具体的なプロセスの一例を示す。先ず、液状の四塩化チタンを予め８００〜９００℃に加熱し、気化させ、必要に応じて窒素ガスで希釈し反応炉に導入する。四塩化チタンの導入と同時に、予め８００〜９００℃加熱した酸素ガス、水素ガスおよび水蒸気を必要に応じて窒素ガスで希釈して反応炉に導入し、酸化反応を行うが反応温度は通常７００〜９００℃、好ましくは７５０〜９００℃である。本発明の酸化チタン粉末を得るためにはこのように比較的低温で酸化反応を行うことが望ましい。生成した酸化チタン粉末を冷却部に導入し、空気などの冷却ガスを酸化チタン粉末に接触させ、酸化チタン粉末を３００℃以下に冷却する。その後生成した酸化チタン粉末を捕集し、酸化チタン粉末中に残留する塩素分を、真空加熱、空気あるいは窒素ガス雰囲気中での加熱あるいはスチーム処理等の加熱処理あるいはアルコールとの接触処理により除去し、本発明の酸化チタン粉末を得ることができる。
【００３０】
気相法による酸化チタン粉末の製造において、上記のような条件で製造することによって、酸化チタン粉末を無機酸水溶液中で熟成するなどのアナターゼ型酸化チタンをルチル化する工程を別途行わなくとも、本発明の高いルチル化率で高い比表面積を有する酸化チタン粉末を効率よく製造することができる。
【００３１】
本発明の酸化チタン粉末は、チタン酸バリウムなどの電子材料、紫外線遮蔽材料、反射防止膜や高反射率が要求されるプラズマディスプレイなどのガラス基材へのコート材やフィラー材として有効である。
【００３２】
次に、実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明するが、これは単に例示であって本発明を制限するものではない。
【実施例】
【００３３】
（実施例１）
四塩化チタンを気相中で酸素ガス、水素ガスおよび水蒸気と接触させ酸化させる気相法により酸化チタン粉末を調製した。まず、多重管バーナーを上部に具備した内径４００ｍｍの気相反応管において、多重管バーナーに、８００℃に予熱し気化させた四塩化チタンガスを窒素ガスで希釈して供給し、一方別の供給ノズルより８００℃に予熱した水素ガス、酸素ガスおよび水蒸気を供給し、気相反応管内で８００℃にて酸化反応させ、酸化チタン粉末を生成させた。このとき四塩化チタンは標準状態として５００ｍｌ／分、酸素ガスは２０ｌ／分、水素ガスは２０ｌ／分、水蒸気は３７０l／分でそれぞれ供給した。その後、気相反応管の下部に位置する冷却部に室温の乾燥空気を８００ｌ／分で供給し、生成した酸化チタン粉末を冷却した。その後、得られた酸化チタン粉末を大気中で３５０℃〜４００℃で１０時間加熱処理した。このようにして得られた酸化チタン粉末について平均粒径、ルチル化率、比表面積、不純物の含量および粒度分布を測定し、その結果を表２に示した。なお、酸化チタン粉末の平均粒径、ルチル化率、比表面積、不純物の含量および粒度分布は以下の方法により測定した。
＜平均粒径＞
電子顕微鏡（ＳＥＭ）により粉末を観察し、インターセプト法により測定した。なお、解析数は２００個である。
＜ルチル化率＞
ＡＳＴＭ  Ｄ  ３７２０−８４に従いＸ線回折パターンにおける、ルチル型結晶酸化チタンの最強干渉線（面指数１１０）のピーク面積（Ｉｒ）と、酸化チタン粉末の最強干渉線（面指数１０１）のピーク面積（Ｉａ）を求め前述の算出式より求めた。なお、Ｘ線回折測定条件は下記の通りである。
【００３４】
＜Ｘ線回折測定条件＞
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
回折装置        ＲＡＤ−１Ｃ（株式会社リガク製）
Ｘ線管球  Ｃｕ
管電圧・管電流  ４０ｋＶ、３０ｍＡ
スリット  ＤＳ−ＳＳ：１度、ＲＳ：０．１５ｍｍ
モノクロメータ  グラファイト
測定間隔  ０．００２度
計数方法      定時計数法
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
【００３５】
＜比表面積＞
ＢＥＴ法により測定した。
＜不純物の定量＞
酸化チタン中のＦｅ，Ａｌ，ＳｉおよびＮａ成分については原子吸光法により測定した。酸化チタン中のＣｌ成分については吸光光度法により測定した。
＜粒度分布＞
レーザー光散乱回折法粒度測定機（ＬＡ−７００：堀場製作所）を用い、適量の酸化チタン粉末を純水に懸濁させてから超音波をかけて３分間分散させ、粒度を測定し、体積統計値の粒度分布を求めた。なお、粒度分布は、Ｄ９０（積算粒度で９０％の粒径（μｍ））、Ｄ５０（積算粒度で５０％の粒径（μｍ））、Ｄ１０（積算粒度で１０％の粒径（μｍ））を求め、粒度分布（ＳＰＡＮ）を下記式で算出した。
ＳＰＡＮ＝（Ｄ９０−Ｄ１０）／Ｄ５０
【００３６】
（実施例２）
四塩化チタンガス、水素ガス、酸素ガスおよび水蒸気予熱温度を８５０℃にした以外は実施例１と同様に酸化チタン粉末を製造した。得られた酸化チタン粒子の粒径、ルチル化率、比表面積、不純物の含量及び粒度分布を表２に示した。
【００３７】
（実施例３）
四塩化チタンガス、水素ガス、酸素ガスおよび水蒸気予熱温度を９００℃にした以外は実施例１と同様に酸化チタン粉末を製造した。得られた酸化チタン粒子の粒径、ルチル化率、比表面積、不純物の含量及び粒度分布を表２に示した。
【００３８】
（実施例４）
水素ガスおよび酸素ガスの供給量をそれぞれ４０ｌ／分にした以外は実施例１と同様に酸化チタン粉末を製造した。得られた酸化チタン粒子の粒径、ルチル化率、比表面積、不純物の含量及び粒度分布を表２に示した。
【００３９】
（比較例１）
まず、多重管バーナーを上部に具備した内径４００ｍｍの気相反応管において、多重管バーナーに、１１００℃に予熱し気化させた四塩化チタンガスを窒素ガスで希釈して供給し、一方別の供給ノズルより１０００℃に予熱した酸素ガスと水蒸気の混合ガスを供給し、気相反応管内で１０００℃にて酸化反応させ、酸化チタン粉末を生成させた。このとき四塩化チタンは標準状態として５００ｍｌ／分、酸素ガスは３４０ｍｌ／分、水蒸気は８５０ｍｌ／分でそれぞれ供給した。その後、気相反応管の下部に位置する冷却部に室温の乾燥空気を８００ｌ／分で供給し、生成した酸化チタン粉末を冷却した。このようにして得られた酸化チタン粉末について平均粒径、ルチル化率、比表面積、不純物の含量及び粒度分布を測定し、その結果を表２に示した。
【００４０】
（比較例２）
まず、多重管バーナーを上部に具備した内径４００ｍｍの気相反応管において、多重管バーナーに、８００℃に予熱し気化させた四塩化チタン及び水素ガスの混合ガスを供給し、一方別の供給ノズルより８００℃に予熱した酸素ガスを供給し、気相反応管内で約１０００℃にて酸化反応させ、酸化チタン粉末を生成させた。このとき四塩化チタンは６０ｌ／分、水素ガスは４０ｌ／分、酸素ガスは３８０ｌ／分でそれぞれ供給した。その後、気相反応管の底部から空気を４００ｌ／分で挿入し、生成した酸化チタン粉末を冷却した。その後、得られた酸化チタン粉末を大気中で３５０℃〜４００℃で１０時間加熱処理した。このようにして得られた酸化チタン粉末について粒径、ルチル化率、比表面積、不純物の含量および粒度分布を測定し、その結果を表２に示した。
【００４１】
（比較例３）
まず、多重管バーナーを上部に具備した内径４００ｍｍの気相反応管において、多重管バーナーに、約８００℃に予熱し気化させた四塩化チタンガスを供給し、一方別の供給ノズルより８００℃に予熱した酸素ガス及び水蒸気を供給し、気相反応管内で約１０００℃にて酸化反応させ、酸化チタン粉末を生成させた。このとき四塩化チタンは２００ｌ／分、酸素ガスは３８０ｌ／分、水蒸気は１７０ｌ／分でそれぞれ供給した。その後、気相反応管の底部から空気を１００ｌ／分で挿入し、生成した酸化チタン粉末を冷却した。その後、得られた酸化チタン粉末を大気中で３５０℃〜４００℃で１０時間加熱処理した。このようにして得られた酸化チタン粉末について粒径、ルチル化率、比表面積、不純物の含量および粒度分布を測定し、その結果を表２に示した。
【００４２】
【表２】
2005126319.tif 000003
【００４３】
表２から明らかなように、実施例１〜４はいずれも、酸素ガスおよび水素ガスは四塩化チタンに対して少量であり、水蒸気は四塩化チタンに対して過剰に供給し８００〜９００℃で反応させるため、得られた酸化チタン粉末のルチル化率は８９．５％以上と高くかつ比表面積３４ｍ２／ｇ以上と高かった。また、平均粒径は５０ｎｍ以下と非常に微粒子にも拘わらず、狭い粒度分布を有しており、同時に溶媒中での分散性にも優れている。比較例１および３は、水素ガスの供給がなく、水蒸気量が過剰には供給されないため、比表面積は３０ｍ２／ｇ未満となり、粒度分布も広いものであった。また、比較例２は、水蒸気の供給がないため、比表面積が小さく、また粒度分布も広いものであった。
【００４４】
（実施例５〜８、及び比較例４〜６）
実施例１〜４および比較例１〜３で得られた酸化チタンと、炭酸バリウムを同モルづつ混合し、ボールミルで湿式粉砕した。次いで、濾過、乾燥した後、室温から１１４０℃まで昇温速度１８０℃／時間で加熱し、１１４０℃で２時間焼成し、チタン酸バリウム粉末を得た。得られたチタン酸バリウム粉末１００モルに対し、酸化バリウム０．５８モル、酸化カルシウム０．４２モル、酸化マグネシウム２.００モル、酸化マンガン０．３７５モル、酸化珪素３．００モル、酸化ディスプロシウム２．１３モル、酸化バナジウム０．０５０モル、酸化タンタル０．５００モルのモル数で秤量し、これらの粉末をボールミルを用いて１６時間湿式混合粉砕し、誘電体組成物を作製した。得られた各誘電体組成物粉末に、分散剤とバインダーとしてＰＶＢを加え、更に分散媒としてセロソルブ系の有機溶剤を加え、ビーズミルにてスラリーを作製した。次いで、このスラリーをドクターブレード法にて製膜し、膜厚２０μｍのグリーンシートを作製した。このグリーンシートに、ニッケル粉ペーストを所定の印刷パターンで印刷し、内部電極とした。内部電極が印刷されたグリーンシートを、所定枚数トリミング積層し、その後、熱プレスすることでグリーン積層体を得た。このグリーン積層体を、大気雰囲気中３５０℃で脱バインダーの後、加湿された水素と窒素の混合ガスの中で、１３００℃で２時間焼成し、次いで、１０００℃で６時間、窒素雰囲気中でアニールした。この焼成体に、外部電極として銅ペーストを焼き付けて積層セラミックコンデンサを得た。得られた各積層セラミックコンデンサについて、ＬＣＲメーター（１ｋＨ、１Ｖ）により誘電率を測定した。結果を表３に示す。
【００４５】
【表３】
2005126319.tif 000004
【００４６】
表３から明らかなように、実施例５〜８の積層セラミックコンデンサは、本発明のルチル化率８０％以上、ＢＥＴ比表面積３０ｍ２／ｇ以上の酸化チタン粉末（実施例１〜４）を使用して製造されたチタン酸バリウムを主原料として作製された積層セラミックコンデンサであり、比較例４〜６に比べて誘電率が高く、誘電特性に優れるものであった。