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【手続補正書】
【提出日】平成22年9月6日(2010.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア基板に積層して配線層が形成された配線基板において、
前記コア基板の内部に、該コア基板を厚さ方向に貫通する補強導体部が、導体からなる平板体を平面配置で交差させて設けられていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記補強導体部は、前記コア基板を厚さ方向に横切る高さに設けられていることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記補強導体部は、縦桟と横桟を交差させた、平面形状が格子状に配置されていることを特徴とする請求項１または２記載の配線基板。
【請求項４】
前記コア基板には、両面に形成された配線層間を電気的に接続する導通スルーホールが設けられていることを特徴とする請求項１、２または３記載の配線基板。
【請求項５】
絶縁層を介して配線パターンが積層して形成された配線基板において、
前記絶縁層に、該絶縁層を厚さ方向に貫通する補強導体部が、導体からなる平板体を平面配置で交差させて設けられていることを特徴とする配線基板。
【請求項６】
前記補強導体部が、配線基板の複数の絶縁層に設けられていることを特徴とする請求項５記載の配線基板。
【請求項７】
請求項１記載の配線基板の製造方法であって、
前記コア基板となる樹脂基板に、前記補強導体部の平面形状に一致する配置に貫通溝を形成する工程と、
該貫通溝が形成された樹脂基板にめっきを施し、前記貫通溝内に金属を充填して補強導体部を形成する工程と、
該補強導体部が形成されたコア基板に積層して配線層を形成する工程と
を備えていることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項８】
表面にシードレイヤが設けられたベース基板上に、ビルドアップ法により配線層を積層して形成した後、前記シードレイヤをエッチングのストッパ層として前記ベース基板をエッチングにより溶解除去することにより、コアレスの配線基板を形成する配線基板の製造方法において、
前記配線層を層間で電気的に絶縁する絶縁層を形成する工程と、
レーザ加工により、該絶縁層に、絶縁層を厚さ方向に貫通し、かつ交差する平面配置に溝部を形成する工程と、
前記溝部にめっきを充填するめっき工程と
を備えていることを特徴とする配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明は次の構成を備える。
すなわち、コア基板に積層して配線層が形成された配線基板において、前記コア基板の内部に、該コア基板を厚さ方向に貫通する補強導体部が、導体からなる平板体を平面配置で交差させて設けられていることを特徴とする。前記補強導体部は、前記コア基板を厚さ方向に横切る高さに設けられている。
また、前記補強導体部は、縦桟と横桟を交差させた、平面形状が格子状に配置されていることにより、効果的な反り防止作用を奏することができる。
また、前記コア基板には、両面に形成された配線層間を電気的に接続する導通スルーホールが設けられていることにより、配線層間の電気的接続をとりつつ配線基板の反りを防止した配線基板として提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
次いで、絶縁層４４の表面を被覆する銅層４８をパターンエッチングし、絶縁層４４の表面に配線パターン４９を形成するとともに、導通スルーホール３２を形成する。導通スルーホール３２は貫通孔４６の内側面に被着形成された銅層４８を介してコア基板３０の両面に形成された配線パターン４９を電気的に接続する（図４（ｇ））。
図４（ｈ）は、導通スルーホール３２が形成されたコア基板３０の両面に配線層を積層して形成し、配線基板を形成した状態を示す。配線層はビルドアップ法によって形成することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
（配線基板の製造方法：２）
図６、７は、コア基板を備えない配線基板に補強導体部を作り込む場合の製造方法を示す。
図６（ａ）は、まず、ベース基板としての銅板５０の一方の面に、シードレイヤ５２としてクロム（Cr）層５２ａを形成し、クロム層５２ａの表面に銅層５２ｂを形成した状態を示す。銅板５０は、積層して形成する配線層を支持する支持基板として用いるもので、後工程で化学的エッチングにより溶解除去される。
シードレイヤ５２に形成したクロム層５２ａは、銅板５０を溶解除去する際に銅板５０がエッチングされたところでエッチングを停止させるストッパ層として使用するものであり、クロム等の銅板５０をエッチングするエッチング液によってエッチングされない金属によって形成する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
次に、ワークの表面にポリイミド等の電気的絶縁性材からなる絶縁フィルムをラミネートし、接続パッド５４を含むワークの表面の全面を絶縁層５５によって被覆する（図６（ｃ））。
図６（ｄ）は、絶縁層５５にレーザ加工によりビア穴５６を形成し、ビアフィルめっきによりビア５７を形成し、絶縁層５５の表面に配線パターン５８を形成した状態を示す。ビア５７および配線パターン５８を形成する方法としては、セミアディティブ法等の公知の方法による。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
本実施形態の配線基板７０は、内層に補強導体部６４を備えているから、基板の反りを抑制する機能を備える配線基板７０として得られる。図７では、配線基板７０の内層に１つの補強導体部６４を設けた状態を示すが、補強導体部６４は、絶縁層の適宜個所に設けることができる。また、積層された配線層の任意の層に設けることが可能であり、補強導体部６４を複数層に設けることもできる。また、反りが生じやすい基板の外縁部側の位置に設けるといったことも可能であり、配線基板７０の反りを効果的に抑制するように配置することもできる。
なお、本実施形態はコアレスの多層配線基板に補強導体部を形成した例を示したが、第１の実施形態のようなコア基板に配線層を積層して形成した配線基板についても、コア基板の両面に配線層を形成する際に、上述したと同様の方法によって配線層に補強導体部を設けることが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月19日(2010.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光信号を電気信号に変換する複数の画素を備える半導体装置であって、
半導体基板に形成されたフォトダイオードと、
前記フォトダイオードのカソード上に絶縁膜を介して形成された半導体層と、
前記半導体層に形成された第１ＭＯＳトランジスタと、を一画素内に有し、
前記第１ＭＯＳトランジスタのソース又はドレインの一方は一の方向に向かって延びる電源線に接続され、前記第１ＭＯＳトランジスタのソース又はドレインの他方は前記一の方向に向かって延びる第１信号線に接続され、且つ、前記第１ＭＯＳトランジスタのゲート電極は前記一の方向と交差する他の方向に向かって延びる第２信号線に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体基板に形成された第２ＭＯＳトランジスタを前記一画素内に有し、
前記第２ＭＯＳトランジスタのソース又はドレインの一方は前記カソードに接続され、前記第２ＭＯＳトランジスタのソース又はドレインの他方は前記電源線に接続され、且つ、前記第２ＭＯＳトランジスタのゲート電極は前記他の方向に向かって延びる第３信号線に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
光信号を電気信号に変換する複数の画素を備える半導体装置の製造方法であって、
前記画素となる領域の半導体基板にフォトダイオードを形成する工程と、
前記フォトダイオードのカソード上に第１半導体層を形成する工程と、
前記第１半導体層上に第２半導体層を形成する工程と、
前記第２半導体層及び前記第１半導体層をエッチングして、前記第２半導体層及び前記第１半導体層を貫く第１溝を形成する工程と、
前記第１溝に支持体を形成する工程と、
前記第２半導体層をエッチングして、前記第１半導体層を露出させる第２溝を形成する工程と、
前記第２溝を介して前記第１半導体層をエッチングすることにより、前記第２半導体層と前記カソードとの間に空洞部を形成する工程と、
前記空洞部内に絶縁膜を形成して埋め込む工程と、
前記第２半導体層に第１ＭＯＳトランジスタを形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記画素となる領域の前記半導体基板に第２ＭＯＳトランジスタを形成する工程、をさらに含み、
前記第２ＭＯＳトランジスタを形成する工程では、当該第２ＭＯＳトランジスタのソース又はドレインの一方を前記カソードの一部と重なるように形成することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
半導体基板に形成されたフォトダイオードと、
前記フォトダイオードの上に絶縁膜を介して配置された半導体層を含む第１ＭＯＳトランジスタと、を含み、
前記フォトダイオードが発生するキャリアにより前記第１ＭＯＳトランジスタの閾値が制御されることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
前記キャリアを排出する第２ＭＯＳトランジスタをさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
発明３の半導体装置の製造方法によれば、フォトダイオードと、フォトダイオードのカソード上に絶縁膜を介して形成された第２半導体層と、第２半導体層に形成された第１ＭＯＳトランジスタと、を一画素内に形成することができ、発明１の半導体装置を製造することができる。また、発明４の半導体装置の製造方法によれば、上記のフォトダイオード及び第１ＭＯＳトランジスタに加えて、ソース又はドレインの一方がフォトダイオードのカソードに接続された第２ＭＯＳトランジスタを一画素内に形成することができ、発明２の半導体装置を製造することができる。
また、本発明の一態様に係る半導体装置は、半導体基板に形成されたフォトダイオードと、前記フォトダイオードの上に絶縁膜を介して配置された半導体層を含む第１ＭＯＳトランジスタと、を含み、前記フォトダイオードが発生するキャリアにより前記第１ＭＯＳトランジスタの閾値が制御されることを特徴とする。
また、上記の半導体装置において、前記キャリアを排出する第２ＭＯＳトランジスタをさらに含むことを特徴としてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月30日(2010.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア基板の表裏面に配線パターンが形成され、該表裏面の配線パターンがコア基板を貫通する貫通孔に形成された導通部を介して電気的に接続する半導体装置用パッケージにおいて、
前記コア基板は、前記導通部用の第１の貫通孔、第２の貫通孔および突起が一体的に形成されるとともに、表面に絶縁層が形成された２枚の金属板が、互いの金属板の前記突起が相手側金属板の前記第２の貫通孔に進入するようにして積層されて形成されるとともに、前記各突起の先端が相手側金属板の表面に露出して第１の端子部に形成され、さらに、各金属板の、相手側金属板の前記第１の端子部が露出する側の表面に、前記絶縁層から露出する第２の端子部が形成されていることを特徴とする半導体装置用パッケージ。
【請求項２】
前記２枚の金属板のうちの一方が電源層、他方が接地層であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項３】
前記絶縁層が電着塗装によって形成されることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項４】
前記コア基板の一方の表面の側の前記第１の端子部および第２の端子部が外部接続端子に形成されていることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項５】
前記外部接続端子にバンプが形成されていることを特徴とする請求項４記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項６】
前記配線パターンが多層に形成されていることを特徴とする請求項１〜５いずれか１項記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項７】
コア基板の表裏面に配線パターンが形成され、該表裏面の配線パターンがコア基板を貫通する貫通孔に形成された導通部を介して電気的に接続する半導体装置用パッケージの製造方法において、
前記導通部用の第１の貫通孔、第２の貫通孔および突起が一体的に形成されるとともに、表面に絶縁層が形成された２枚の金属板を、互いの金属板の前記突起が相手側金属板の前記第２の貫通孔に進入するようにして積層して前記コア基板を形成する工程と、
前記各突起の先端を相手側金属板の表面に露出して第１の端子部に形成する工程と、
前記各金属板の、相手側金属板の前記第１の端子部が露出する側の表面に、前記絶縁層から露出する第２の端子部を形成する工程と、
前記第１の貫通孔に前記導通部を形成する工程と、
前記コア基板の表裏面に、前記導通部を介して電気的に接続する配線パターンを形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置用パッケージの製造方法。
【請求項８】
前記２枚の金属板の前記第１の貫通孔、第２の貫通孔および突起を、金属板をエッチング加工して形成することを特徴とする請求項７記載の半導体装置用パッケージの製造方法。
【請求項９】
前記２枚の金属板の前記第１の貫通孔、第２の貫通孔および突起を、金属板をプレス加工することによって形成することを特徴とする請求項７記載の半導体装置用パッケージの製造方法。
【請求項１０】
前記突起を、金属板を切り起こし加工することによって形成することを特徴とする請求項９記載の半導体装置用パッケージの製造方法。
【請求項１１】
前記第２の端子部を、前記金属板に設けた凸部を研削加工することによって前記絶縁層を除去して形成することを特徴とする請求項７〜１０いずれか１項記載の半導体装置用パッケージの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月6日(2010.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の表面に配置された外部接続端子と、
前記半導体基板の表面に配置された内部回路領域と、
前記内部回路領域に形成された内部素子をＥＳＤによる破壊から保護するために、前記外部接続端子と前記内部回路領域との間に配置された、ドレイン領域とグランド電位に固定されたゲート電極を有し、前記ドレイン領域より小さい前記外部端子が前記ドレイン領域の上方に配置されており、チャネル領域を介してソース領域が前記ドレイン領域を取り囲んでいるＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタと、
前記外部接続端子と前記Ｎ型ＭＯＳトランジスタとを接続する第１の配線と前記外部端子と前記内部回路領域とを接続する第２の配線とを有する半導体装置。
【請求項２】
さらにシャロートレンチ分離構造を前記Ｎ型ＭＯＳトランジスタの周囲に有する請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ドレイン領域の平面形状は、角部分が丸められた形状であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ドレイン領域の平面形状は、円形であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１の配線は前記ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのドレイン領域上に積層された複数の配線層により形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
前記外部接続端子および前記第２の配線は高融点金属を含むメタル材料により形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月16日(2010.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
配線基板本体３１は、複数の絶縁層（例えば、樹脂層）と、複数の絶縁層に形成されたビア及び配線等から構成されている。配線基板本体３１に設けられたビア及び配線は、配線パターン３３、内部接続用パッド３４、及び外部接続用パッド３８を電気的に接続している。配線基板本体３１としては、例えば、コアレス基板や、コア基板を備えたコア付きビルドアップ基板等を用いることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
第１の溝部４８は、半導体素子１２の角１２Ｂ（半導体素子１２の側面１２−２と半導体素子１２の側面１２−３とで構成される角）から半導体素子１２の角１２Ｃ（半導体素子１２の側面１２−３と半導体素子１２の側面１２−４とで構成される角）に向かうにつれて、連続的に第１の溝部４８の幅が狭くなるように構成されている。言い換えれば、第１の溝部４８を構成する部分のダム３７の内壁は、角部１２Ｂから角部１２Ｃに向かうにつれて、半導体素子１２の側面１２−３に近づくような平面視テーパー形状とされている。第１の溝部４８を構成する部分のダム３７の内壁から開口部４３の側面に対応する部分のソルダーレジスト３５の側壁との距離（第２の距離）の値は、連続的に小さくなるように構成されている。具体的には、第１の溝部４８を構成する部分のダム３７の内壁から開口部４３の側面に対応する部分のソルダーレジスト３５の側壁との距離のうち、最も値の大きい部分の距離Ｄ３は、例えば、０．７ｍｍ〜２．５ｍｍとすることができ、最も値の小さい部分の距離Ｄ４は、例えば、０．２ｍｍとすることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
（第２の実施の形態）
図８は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の平面図である。図８において、第１の実施の形態の半導体装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
ダム８１は、角１２Ｂの近傍に位置する半導体素子１２の側面と対向する部分に設けられた突出部８４と、角１２Ｄの近傍に位置する半導体素子１２の側面と対向する部分に設けられた突出部８３とを有する以外は、ダム７１（図８参照）と同様に構成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
突出部８３は、第１の突出部８７と、第２の突出部８６とを有する。第１の突出部８７は、第２の突出部８６よりも半導体素子１２の角１２Ａ側に設けられている。第１の突出部８７の側面８７Ａと開口部４３の側面に対応する部分のソルダーレジスト３５の側壁との距離Ｄ９（第２の距離）の値は、距離Ｄ１（第１の距離）の値よりも小さくなるように構成されている。具体的には、距離Ｄ１が１ｍｍの場合、距離Ｄ９は、例えば、０．５ｍｍとすることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
第２の突出部８６は、第１の突出部８７よりも半導体素子１２の角１２Ｄ側に設けられている。第２の突出部８６は、第１の突出部８７と一体的に構成されている。第２の突出部８６の側面８６Ａと開口部４３の側面に対応する部分のソルダーレジスト３５の側壁との距離Ｄ１０（第２の距離）の値は、距離Ｄ１（第１の距離）の値よりも小さくなるように構成されている。具体的には、距離Ｄ１が１ｍｍの場合、距離Ｄ１０は、例えば、０．２ｍｍとすることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
上記構成とされた突出部８３は、突出部８３の側面８７Ａ，８６Ａと開口部４３の側面に対応する部分のソルダーレジスト３５の側壁との距離Ｄ９，Ｄ１０（第２の距離）の値を段階的に小さくするためのものである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
ダム９６は、ダム７１（図８参照）に設けられた溝部４６の代わりにダム７１に設けられた溝部５３が形成されるように、半導体素子１２の側面１２−２に対向する部分のダム９６の内壁を半導体素子１２の側面１２−２に近接させると共に、角１２Ａの近傍に位置する半導体素子１２の側面１２−１と対向する部分に突出部９７を設け、角１２Ｄの近傍に位置する半導体素子１２の側面１２−１と対向する部分に突出部９８を設けた以外は、ダム７１と同様に構成される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月5日(2010.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子機器の筐体を支持面上に起立状態に設置する支持装置において、
前記起立状態にある前記筐体の底面に回動可能に設けられかつ前記支持面に支持される、前記筐体を支えるためのレッグと、
前記筐体の前記底面に回動可能に設けられ、前記レッグに係合して前記筐体の前記底面に対する前記レッグの角度を定めるサポートと、
前記筐体の前記底面に該筐体の縦方向に延びるように設けられたベースとを有し、
前記レッグは、前記ベースの前記縦方向における一端部に回動可能に取り付けられていると共に、前記筐体の前記底面の前記縦方向における一端部に接近及び離隔可能な回動末端部を備え、
前記サポートは、前記ベースの前記縦方向における他端部に回動可能に取り付けられていると共に、前記筐体の前記底面の前記縦方向における他端部に接近及び離隔可能な回動末端部を備え、
前記レッグおよび前記サポートは、互いにオーバーラップすることなく、前記筐体の前記底面に対してそれぞれ略平行に畳まれることを特徴とする支持装置。
【請求項２】
前記サポートの前記回動末端部が前記レッグの中間部分に係合し、これにより前記レッグの回動角が前記筐体の起立角度に応じた大きさに設定される請求項１に記載の支持装置。
【請求項３】
前記レッグおよび前記サポートは、各前記回動末端部が前記筐体の前記底面に接近するように畳まれる請求項１または２に記載の支持装置。
【請求項４】
前記レッグは、鋸歯階段状に並んで形成された複数のサポート受容座を備え、
前記サポートは、前記サポート受容座に選択的に係合する請求項１乃至３のいずれか一項に記載の支持装置。
【請求項５】
前記筐体の前記底面と前記レッグとのなす角度を小さくするように前記サポートが係合すべきサポート受容座を変更する際に、前記サポートは、該レッグに接触したままラッチ式に移動可能である請求項４に記載の支持装置。
【請求項６】
前記レッグおよび前記サポートはそれぞれ、樹脂成形によって形成された単一の部品である請求項１乃至５のいずれか一項に記載の支持装置。
【請求項７】
前記筐体と、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の支持装置とを有することを特徴とする電子機器。
【請求項８】
前記支持装置の前記ベースは、前記筐体の一部として形成されている請求項７に記載の電子機器。
【請求項９】
前記支持装置の前記ベースは、前記筐体とは別体に作られ、かつ、前記筐体に付設されている請求項７に記載の電子機器。
【請求項１０】
電子機器の筐体を支持面上に起立状態に設置する支持装置において、
前記起立状態にある前記筐体の底面に回動可能に設けられかつ前記支持面に支持される、前記筐体を支えるためのレッグと、
前記筐体の前記底面に回動可能に設けられ、前記レッグに係合して前記筐体の前記底面に対する前記レッグの角度を定めるサポートとを有し、
前記レッグは、前記筐体の横方向に離隔した一対のレッグを含み、前記一対のレッグは、前記横方向に延びる結合片によって互いに結合され、
前記サポートは、前記筐体の横方向に離隔した一対のサポートを含み、前記一対のサポートは、前記横方向に延びる結合片によって互いに結合され、
前記一対のレッグおよび前記一対のサポートは、互いにオーバーラップすることなく、前記筐体の前記底面に対してそれぞれ略平行に畳まれることを特徴とする支持装置。
【請求項１１】
前記一対のレッグの少なくとも一方は、鋸歯階段状に並んで形成された複数のサポート受容座を備え、
前記一対のサポートの少なくとも一方は、前記サポート受容座に選択的に係合する請求項１０に記載の支持装置。
【請求項１２】
前記一対のサポートの少なくとも一方は、前記サポート受容座に係合する突片を備えている請求項１１に記載の支持装置。
【請求項１３】
前記一対のレッグの少なくとも一方は、複数のサポート受容座に対応して配列された複数のノットと、前記複数のノットに亘って延びたリブとを備え、
前記サポートは、前記ノットおよび前記リブに係合し、前記レッグからの離脱を阻止する弾性片を有する請求項１１または１２に記載の支持装置。
【請求項１４】
前記レッグおよび前記サポートはそれぞれ、樹脂成形によって形成された単一の部品である請求項１０乃至１３のいずれか一項に記載の支持装置。
【請求項１５】
前記筐体と、請求項１０乃至１４のいずれか一項に記載の支持装置とを有することを特徴とする電子機器。
【請求項１６】
前記支持装置は、前記筐体の前記底面に該筐体の縦方向に延びるように設けられたベースをさらに有し、
前記レッグは、前記ベースの前記縦方向における一端部に回動可能に取り付けられていると共に、前記筐体の前記底面の前記縦方向における一端部に接近及び離隔可能な回動末端部を備え、
前記サポートは、前記ベースの前記縦方向における他端部に回動可能に取り付けられていると共に、前記筐体の前記底面の前記縦方向における他端部に接近及び離隔可能な回動末端部を備えている請求項１５に記載の電子機器。
【請求項１７】
前記支持装置の前記ベースは、前記筐体の一部として形成されている請求項１６に記載の電子機器。
【請求項１８】
前記支持装置の前記ベースは、前記筐体とは別体に作られ、かつ、前記筐体に付設されている請求項１６に記載の電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月29日(2010.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線層を有する基板が積層された直方体状の積層基板の少なくとも２つの面のそれぞれにおいて、前記配線層が露出するように形成された凹部と、
前記凹部内において、それぞれ収納され、それぞれ前記配線層と接続された電子部品と、
前記配線層の少なくとも一部と接続された外部接続電極とを有することを特徴とする電子部品モジュール。
【請求項２】
配線層を有する基板が積層された直方体状の積層基板の少なくとも１つの面とそれに隣接する面との２つの面のそれぞれにおいて、前記配線層が露出するように形成された凹部と、
前記凹部内において、それぞれ収納され、それぞれ前記配線層と接続された電子部品と、
前記配線層の少なくとも一部と接続された外部接続電極とを有することを特徴とする電子部品モジュール。
【請求項３】
直方体状の積層基板の少なくとも２つの面のそれぞれに形成され、配線層が露出する凹部と、
前記凹部内において、それぞれ収納され、それぞれ前記配線層と接続された電子部品と、
前記配線層の少なくとも一部と接続された外部接続電極とを有することを特徴とする電子部品モジュール。
【請求項４】
前記基板は、前記配線層が形成された複数のセラミック層からなる積層セラミック基板であることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の電子部品モジュール。
【請求項５】
前記セラミック層の表面に、前記配線層が設けられることを特徴とする請求項４に記載の電子部品モジュール。
【請求項６】
前記セラミック層は、厚さ方向に貫通する貫通孔を有し、
前記貫通孔の内部に、前記配線層が設けられることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の電子部品モジュール。
【請求項７】
前記配線層は、前記基板の内部に立体的な導電回路を形成することを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれかに記載の電子部品モジュール。
【請求項８】
前記凹部が、前記基板の全ての面に形成されることを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれかに記載の電子部品モジュール。
【請求項９】
前記電子部品は、光半導体素子を含んでいることを特徴とする請求項１〜請求項８のいずれかに記載の電子部品モジュール。
【請求項１０】
前記光半導体素子は、発光素子及び受光素子のうちの少なくともどちらかを含んでいることを特徴とする請求項９に記載の電子部品モジュール。
【請求項１１】
前記光半導体素子は、前記凹部の底面に実装されるとともに、
前記光半導体素子が光の送受信を行う方向と、前記底面の法線方向とが略平行となることを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の電子部品モジュール。
【請求項１２】
前記電子部品が実装された前記凹部が透光性材料にて封止されることを特徴とする請求項１〜請求項１１のいずれかに記載の電子部品モジュール。
【請求項１３】
前記凹部を封止する透光性材料により、前記光半導体素子が光を送受信するためのレンズ部が形成されることを特徴とする請求項９〜請求項１１のいずれかに記載の電子部品モジュール。
【請求項１４】
前記透光性材料が透光性樹脂であることを特徴とする請求項１２又は請求項１３に記載の電子部品モジュール。
【請求項１５】
前記基板は、電気絶縁性を有するセラミック材料からなることを特徴とする請求項１〜請求項１４のいずれかに記載の電子部品モジュール。
【請求項１６】
前記基板は、ガラス−セラミック複合材料からなることを特徴とする請求項１〜請求項１５のいずれかに記載の電子部品モジュール。
【請求項１７】
前記基板は、ガラスとアルミナの複合材料からなることを特徴とする請求項１６に記載の電子部品モジュール。
【請求項１８】
前記基板は、ＬＴＣＣ基板であることを特徴とする請求項１〜請求項１７のいずれかに記載の電子部品モジュール。
【請求項１９】
前記基板は、アルミナからなることを特徴とする請求項１〜請求項１５のいずれかに記載の電子部品モジュール。
【請求項２０】
前記基板は、ムライトからなることを特徴とする請求項１〜請求項１５のいずれかに記載の電子部品モジュール。
【請求項２１】
前記配線層は、Ｃｕからなることを特徴とする請求項１〜請求項２０のいずれかに記載の電子部品モジュール。
【請求項２２】
前記外部接続電極が、半田ボールであることを特徴とする請求項１〜請求項２１のいずれかに記載の電子部品モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月30日(2010.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
測定規則と測定対象とを関連付けて記憶するように構成されている測定情報記憶部と、
前記測定情報記憶部に記憶されている前記測定対象によって規定されている周波数が用いられている異周波数セルにおける無線品質の測定を行うように構成されている測定部と、
前記無線品質の測定結果に基づいて、前記測定対象に関連付けられている前記測定規則によって定義されている判定条件が満たされると判定した場合に、無線基地局に対して測定報告を送信するように構成されている測定報告送信部と、
前記無線基地局からの指示に応じて、異周波数ハンドオーバを行うように構成されているハンドオーバ処理部とを具備し、
前記異周波数ハンドオーバが行われる場合、前記測定情報記憶部は、前記測定規則と前記測定対象との関連付けを変更するように構成されていることを特徴とする移動局。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
ここで、ＬＴＥ方式の移動通信システムは、既に展開されているＵＴＲＡＮ（ＵＭＴＳ  Ｔｅｒｒｅｓｔｒｉａｌ  Ｒａｄｉｏ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）方式の移動通信システムやＧＥＲＡＮ（ＧＳＭ  ＥＤＧＥ  Ｒａｄｉｏ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）方式の移動通信システムといった他の方式の移動通信システムと共存し、これらの移動通信システムとの間のモビリティをサポートする必要がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
以下、かかる関連付けの変更方法の例について、図７乃至図１１を参照して説明する。なお、異周波数ハンドオーバが行われる前の各Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ  Ｒｕｌｅと各Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ  Ｏｂｊｅｃｔとの関連付けは、図４に示す通りであるものとする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
変更例１では、図１２に示すように、測定情報記憶部１３は、測定規則（Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ  Ｒｕｌｅ、すなわち、Ｒｅｐｏｒｔｉｎｇ  Ｃｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎ（ＲＣ））の識別情報と、測定対象（Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ  Ｏｂｊｅｃｔ（ＭＯ））の識別情報と、測定規則の識別情報と測定対象の識別情報との関連付け情報（Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ-ＩＤ（ＭＩＤ））とを記憶することによって、測定規則と測定対象とを関連付けて記憶するように構成されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
例えば、異周波数ハンドオーバが行われる場合、測定情報記憶部１３の記憶内容は、図１２に示す状態から図１３に示す状態に遷移する。すなわち、異周波数ハンドオーバが行われる場合、測定情報記憶部１３が、現在通信中のセルに対応する第１測定対象（ＬＴＥ/ｆ１）の識別情報（ＭＯ＃０）と、ハンドオーバ先のセルに対応する第２測定対象（ＬＴＥ/ｆ２）の識別情報（ＭＯ＃０）とを入れ替えることによって、ハンドオーバ先のセルに対応する第２測定対象（ＬＴＥ/ｆ２）の識別情報が「ＭＯ＃０」となり、現在通信中のセルに対応する第１測定対象（ＬＴＥ/ｆ１）の識別情報が「ＭＯ＃０」となる。ここで、ＭＩＤについては変更されない。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月12日(2010.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成される複数の半導体フィンと、
前記半導体フィン内のチャネル領域を覆うゲート電極と、
前記ゲート電極の内部に含まれその両側に存在する前記半導体フィンに対し応力源となる埋め込み部材と
を備える事を特徴とするフィン型トランジスタ。
【請求項２】
前記埋め込み部材は、前記半導体フィンの上面よりも下にその一部が形成されていることを特徴とする請求項１記載のフィン型トランジスタ。
【請求項３】
前記埋め込み部材の上端は、前記半導体フィンの上面とほぼ同じ高さか、又は前記半導体フィンの上面よりも高い位置に形成されている
ことを特徴とする請求項１又は２記載のフィン型トランジスタ。
【請求項４】
前記埋め込み部材は、隣接する前記半導体フィンの側面の間に形成され，前記半導体フィンの上方には形成されていない
ことを特徴とする請求項１に記載のフィン型トランジスタ。
【請求項５】
前記ゲート電極は、金属または導電性を持つ化合物で構成され、
前記埋め込み部材は、前記ゲート電極を構成する材料と線膨張係数の異なる材料、前記ゲート電極を構成する材料とは格子定数の異なる材料、又は前記ゲート電極を構成する材料とは密度が異なる材料で構成される
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のフィン型トランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月17日(2010.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
これら図面に示される第二保持部材２００は略Ｃ字形状の枠体２１０と、枠体２１０の内周面に沿って配置されていて多孔質材料からなる保持部２２０とを主に含んでいる。また、図７（ａ）に示されるように枠体２１０の一端には、多関節ロボット５０のアーム５２に取付けるための平坦部２６０が形成されている。さらに、平坦部２６０の反対側には、切欠部２９と同様な切欠部２９０が形成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
また、図７（ａ）に示されるように、保持部２２０の半径方向の幅は、第一の実施形態における保持部２２の幅よりも大きい。従って、第二保持部材２００のみで保持する場合（図４（ｄ）および図４（ｅ）を参照されたい）であっても、ウェーハＷを安定して保持するのに十分な面積を確保することができる。従って、ウェーハＷが吸着不足により反返って、第二保持部材２００から脱落することはない。このようなことは、裏面研削による残留応力が比較的大きい場合に特に有利であるのが分かるであろう。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月26日(2010.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光を光電変換し、信号電荷を生成する有機光電変換膜を備えた有機光電変換素子であって、
前記有機光電変換膜の一方の面に設けられた第１電極と、
前記有機光電変換膜の他方の面に配列された複数の第２電極とを備え、
隣り合う第２電極同士の間の隙間が３μｍ以下であることを特徴とする有機光電変換素子。
【請求項２】
前記第１電極が光透過性を有する単一の対向電極で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機光電変換素子。
【請求項３】
前記複数の第２電極が画素領域ごとに配置された画素電極であることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機光電変換素子。
【請求項４】
前記第２電極が信号電荷を読み出し、出力部へ転送する読み出し回路に接続されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の有機光電変換素子。  
【請求項５】
単板イメージセンサであることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の有機光電変換素子。 
【請求項６】
前記第１電極が単一の対向電極であって、前記複数の第２電極が同一の平面に形成された複数の画素電極であって、前記複数の画素電極それぞれと前記対向電極との間でのみ前記信号電荷を生成する請求項１から５のいずれか１項に記載の有機光電変換素子。
【請求項７】
前記有機光電変換膜が前記複数の第２電極の上方に共通して設けられた単一の膜であることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の有機光電変換素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
（１）入射光を光電変換し、信号電荷を生成する有機光電変換膜を備えた有機光電変換素子であって、
前記有機光電変換膜の一方の面に設けられた第１電極と、
前記有機光電変換膜の他方の面に配列された複数の第２電極とを備え、
隣り合う第２電極同士の間の隙間が３μｍ以下であることを特徴とする有機光電変換素子。
（２）前記第１電極が光透過性を有する単一の対向電極で構成されていることを特徴とする上記（１）に記載の有機光電変換素子。
（３）前記複数の第２電極が画素領域ごとに配置された画素電極であることを特徴とする上記（１）又は（２）に記載の有機光電変換素子。
（４）前記第２電極が信号電荷を読み出し、出力部へ転送する読み出し回路に接続されていることを特徴とする上記（１）から（３）のいずれか１つに記載の有機光電変換素子。
（５）単板イメージセンサであることを特徴とする上記（１）から（４）のいずれか１つに記載の有機光電変換素子。
（６）前記第１電極が単一の対向電極であって、前記複数の第２電極が同一の平面に形成された複数の画素電極であって、前記複数の画素電極それぞれと前記対向電極との間でのみ前記信号電荷を生成する上記（１）から（５）のいずれか１つに記載の有機光電変換素子。
（７）前記有機光電変換膜が前記複数の第２電極の上方に共通して設けられた単一の膜であることを特徴とする上記（１）から（６）のいずれか１つに記載の有機光電変換素子。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月26日(2010.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内に供給された処理ガスがプラズマ化されて、ステージ上に載置された基板にプラズマ処理が施されるプラズマ処理装置であって、
前記処理容器内において、非プラズマ処理時には前記ステージを待機位置に下降させ、プラズマ処理時には前記ステージを処理位置に上昇させる昇降機構と、
前記待機位置と前記処理位置の間において、基板の外周縁部分を覆うマスクを離脱自在に保持する保持部材と、
前記ステージ上において前記マスクを位置決めさせる位置決め機構を備え、
前記マスクは、前記保持部材によって位置決めされず、かつ、水平方向に移動自在に保持され、
前記ステージが、前記待機位置から前記処理位置に上昇させられる際に、前記マスクが前記保持部材から前記ステージ上に受け渡され、かつ、前記ステージ上において前記マスクが前記位置決め機構により位置決めされることを特徴とする、プラズマ処理装置。
【請求項２】
前記保持部材は、前記処理容器の内面に固定されたバッフル用保持部材と、前記バッフル用保持部材に対して離脱自在に支持されたバッフル板からなり、
前記ステージが、前記待機位置から前記処理位置に上昇させられる際に、前記バッフル板が前記バッフル用保持部材から前記ステージ上に受け渡されることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記バッフル板は、前記処理容器の内面に対して位置決めされて支持されることを特徴とする、請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記位置決め機構は、前記ステージの上面に設けられたテーパーピンと、前記テーパーピンが挿入される、前記マスクに設けられたガイド孔であることを特徴とする、請求項１〜３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記ガイド孔を複数有し、少なくとも一部のガイド孔は長孔形状であることを特徴とする、請求項４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記マスクは、分割された複数のマスク部材で構成されることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記分割された複数のマスク部材の端部は、上下に互いに重なり合うように配置されることを特徴とする、請求項６に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記保持部材は、前記処理容器の内面に固定されていることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記ステージの上面に基板を載置させる凹部が形成されていることを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
前記凹部には、基板を位置決めするための突起が設けられていることを特徴とする、請求項９に記載のプラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
このプラズマ処理装置において、前記保持部材は、前記処理容器の内面に固定されたバッフル用保持部材と、前記バッフル用保持部材に対して離脱自在に支持されたバッフル板からなり、前記ステージが、前記待機位置から前記処理位置に上昇させられる際に、前記バッフル板が前記バッフル用保持部材から前記ステージ上に受け渡されても良い。この場合、前記バッフル板は、前記処理容器の内面に対して位置決めされて支持されても良い。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
このプラズマ処理装置において、前記位置決め機構は、前記ステージの上面に設けられたテーパーピンと、前記テーパーピンが挿入される、前記マスクに設けられたガイド孔であっても良い。また、前記ガイド孔を複数有し、少なくとも一部のガイド孔は長孔形状であっても良い。また、前記マスクは、分割された複数のマスク部材で構成されても良い。この場合、前記分割された複数のマスク部材の端部は、上下に互いに重なり合うように配置されても良い。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、前記保持部材は、前記処理容器の内面に固定されていても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月4日(2010.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
前記発光素子が実装された実装基板と、
前記発光素子を冷却する冷媒を循環させるパイプと、を有し、
前記実装基板内に、前記冷媒を循環させる第１の空間が設けられ、
前記第１の空間と前記パイプとが連通され、
前記発光素子と前記実装基板との間に、前記発光素子と前記実装基板とを電気的に接続する貫通電極を有するインターポーザが設けられたことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記インターポーザ内に、前記冷媒を循環させる第２の空間が設けられたことを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記第１の空間に露出する面に、前記冷媒の流れ方向に延在する凹凸溝を設けたことを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項４】
発光素子と、
前記発光素子が実装された実装基板と、
前記発光素子を冷却する冷媒を循環させるパイプと、を有し、
前記実装基板内に、前記冷媒を循環させる第１の空間が設けられ、
前記第１の空間と前記パイプとが連通されることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
前記第１の空間に露出する面に、前記冷媒の流れ方向に延在する凹凸溝を設けたことを特徴とする請求項４記載の発光装置。
【請求項６】
前記パイプに、前記冷媒と熱交換を行うヒートシンクを設けると共に、前記冷媒を循環させるためのポンプを接続したことを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記発光素子と前記第１の空間を循環する前記冷媒との間の伝熱効果を向上させる熱伝導部材を、前記実装基板内で前記第１の空間に露出して配設したことを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の発光装置。
【請求項８】
前記熱伝導部材の前記第１の空間に露出する面に、前記冷媒の流れ方向に延在する凹凸溝を設けたことを特徴とする請求項７記載の発光装置。
【請求項９】
発光素子と、
前記発光素子が実装された実装基板と、
前記発光素子と前記実装基板との間に設けられ、前記発光素子と前記実装基板とを電気的に接続する貫通電極を有するインターポーザと、
前記発光素子を冷却する冷媒が充填されるヒートパイプと、を有し、
前記インターポーザ内に、前記冷媒が充填される第２の空間が設けられ、
前記第２の空間と前記ヒートパイプの前記冷媒が充填される空間とが連通されることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
前記発光素子で発光された光を反射する反射手段を前記発光素子を囲繞するように設けた請求項１乃至９の何れか一項に記載の発光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０の何れか一項に記載の発光装置と、
前記発光装置が配置されるランプボディと、
前記ランプボディの前面に配設された透明な透光カバーとを有する車両用前照灯。
【請求項１２】
請求項１乃至１０の何れか一項に記載の発光装置と、
前記発光装置が配置されるランプボディと、
前記ランプボディの前面に配設された透明な透光カバーと、
前記発光装置に設けられた前記発光素子を冷却する前記冷媒の放熱を行う放熱手段と、を有し、
前記放熱手段は、前記透光カバーに当接し、前記透光カバーに放熱することを特徴とする車両用前照灯。
【請求項１３】
請求項１乃至１０の何れか一項に記載の発光装置と、
前記発光装置が配置されるランプボディと、
前記ランプボディの前面に配設された透明な透光カバーと、
前記発光装置に設けられた前記発光素子を冷却する前記冷媒の放熱を行う放熱手段と、を有し、
前記放熱手段は、前記ランプボディの外側に設けられることを特徴とする車両用前照灯。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の発光装置は、
発光素子と、
前記発光素子が実装された実装基板と、
前記発光素子を冷却する冷媒を循環させるパイプと、を有し、
前記実装基板内に、前記冷媒を循環させる第１の空間が設けられ、
前記第１の空間と前記パイプとが連通され、
前記発光素子と前記実装基板との間に、前記発光素子と前記実装基板とを電気的に接続する貫通電極を有するインターポーザが設けられたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、上記発明において、
前記インターポーザ内に、前記冷媒を循環させる第２の空間が設けられてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、上記発明において、
前記第１の空間に露出する面に、前記冷媒の流れ方向に延在する凹凸溝を設けてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明の発光装置は、
発光素子と、
前記発光素子が実装された実装基板と、
前記発光素子を冷却する冷媒を循環させるパイプと、を有し、
前記実装基板内に、前記冷媒を循環させる第１の空間が設けられ、
前記第１の空間と前記パイプとが連通されることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、上記発明において、
前記第１の空間に露出する面に、前記冷媒の流れ方向に延在する凹凸溝を設けてもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、上記発明において、
前記パイプに、前記冷媒と熱交換を行うヒートシンクを設けると共に、前記冷媒を循環させるためのポンプを接続してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月28日(2010.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板部と、
前記基板部上に設けられ、前記基板部と電気的に接続されたバンプ部と、
前記基板部を貫通する貫通孔部とを備え、
前記バンプ部は、平面的に見た場合に、前記貫通孔部と少なくとも一部が重なるように配されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
一主面上に配線部が形成された基板部と、
前記基板部の前記配線部上に設けられ、前記配線部と電気的に接続されたバンプ部と、
前記基板部の厚さ方向に、少なくとも、前記基板部および前記配線部を連続して貫通する貫通孔部とを備え、
前記バンプ部は、平面的に見た場合に、前記貫通孔部と少なくとも一部が重なるように配されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記配線部と前記バンプ部との間に形成される突起電極をさらに備えるとともに、前記バンプ部は、前記突起電極を介して、前記配線部と電気的に接続されており、
前記貫通孔部は、前記基板部の厚さ方向に、前記突起電極をも連続して貫通するように構成されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記配線部は、Ｃｕで形成されていることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記基板部は、一方の表面に集積回路部を含む半導体基板であることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記基板部は、シリコン基板であることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
半導体チップと、
前記半導体チップと電気的に接続された電極パッドと、
前記電極パッド上に形成された突起電極と、
断面視において、前記半導体チップと前記電極パッドと前記突起電極とを貫通する貫通孔部とを備えた半導体装置であって、
断面視において、前記貫通孔部上にバンプ部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
半導体チップと、
前記半導体チップ上に形成された電極パッドと、
前記電極パッド上に形成された突起電極と、
前記半導体チップと前記電極パッドと前記突起電極とを貫通する貫通孔部とを備えた半導体装置であって、
前記貫通孔部上にバンプ部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
半導体チップと、
前記半導体チップ上に形成され、前記半導体チップと電気的に接続された電極パッドと、
前記電極パッド上に形成された突起電極と、
断面視において、前記半導体チップと前記電極パッドと前記突起電極とを貫通する貫通孔部とを備えた半導体装置であって、
断面視において、前記貫通孔部上にバンプ部を有し、前記貫通孔部に前記バンプ部の一部が入り込んでいることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
前記突起電極は、前記バンプ部と濡れ性が良好な材料で形成されていることを特徴とする請求項３、請求項７〜請求項９のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記突起電極は、Ｃｕで形成されていることを特徴とする請求項３、請求項７〜請求項１０のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記電極パッドは、Ｃｕで形成されていることを特徴とする請求項７〜請求項１１のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記電極パッドは、前記半導体チップの一主面上に形成された配線部の一部であることを特徴とする請求項７〜請求項１２のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記半導体チップは、シリコン基板であることを特徴とする請求項７〜請求項１３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記半導体チップは、一方の表面に集積回路部を含むことを特徴とする請求項７〜請求項１４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記バンプ部は、半田ボールであることを特徴とする請求項１〜請求項１５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記貫通孔部内において、前記バンプ部の一部によって挟まれたボイドを有することを特徴とする請求項１〜請求項１６のいずれかに記載の半導体装置。