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【手続補正書】
【提出日】平成22年5月31日(2010.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空引き可能になされた処理容器内で載置台上に載置された被処理体の表面に対してプラズマを用いてドープガス中に含まれる不純物元素をドープするようにしたプラズマドーピング方法において、
前記載置台にバイアス用の高周波電力を印加すると共に、前記処理容器の天井の外側に設けた平面アンテナ部材を介して、前記処理容器内にマイクロ波を導入し、前記処理容器内に前記ドープガスを供給して前記マイクロ波によりプラズマを発生させ、前記ドープガス中の前記不純物元素を前記バイアス用の高周波電力により引き込むことにより前記被処理体の表面に前記不純物元素をドープさせ、前記不純物元素のドープされる深さが前記被処理体の表面から１０ｎｍ以下となるようにしたことを特徴とするプラズマドーピング方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマドーピング方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の被処理体の表面にプラズマを用いて不純物元素をドープ（注入）するプラズマドーピング方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の目的は、被処理体の表面に不純物元素をドープするに際して、このドープする部分を非常に薄く、或いは浅く形成することができ且つ高濃度な状態で迅速にドープしてスループットを向上させることが可能なプラズマドーピング方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の関連技術は、プラズマを用いて被処理体の表面に不純物元素を導入するようにしたプラズマドーピング装置において、真空引き可能になされた処理容器と、前記被処理体を載置するために前記処理容器内に設けた載置台と、前記載置台にバイアス用の高周波電力を印加する高周波電源と、前記処理容器内へ前記不純物元素を有するドープガスを含む必要なガスを供給するガス供給手段と、前記処理容器内でプラズマを立てるためのプラズマ形成手段と、を備えたことを特徴とするプラズマドーピング装置である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
この場合、例えば前記プラズマ形成手段は、前記処理容器の天井の外側に設けた平面アンテナ部材と、マイクロ波を発生するマイクロ波発生器と、該マイクロ波発生源で発生したマイクロ波を前記平面アンテナ部材へ伝搬させる導波管と、を有する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また例えば前記ガス供給手段は、前記ドープガスを供給するドープガス供給部と、前記プラズマを安定化させるプラズマ安定化ガスを供給するプラズマ安定化ガス供給部と、を有する。
また例えば前記ドープガス供給部は、格子状に形成したガス流路に複数のガス噴出孔を設けてなるシャワーヘッド構造になされている。
また例えば前記プラズマ安定化ガス供給部は、前記ドープガス供給部の上方に設けられる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また例えば前記プラズマ安定化ガス供給部は、前記処理容器の側壁に沿って設けられたガス流路に複数のガス噴出孔を設けることにより構成されている。
また例えば前記バイアス用の高周波電力の周波数は４００ｋＨｚ〜１３．５６ＭＨｚの範囲内である。
また例えば前記バイアス用の高周波電力によって引き込まれるイオンのエネルギーは１００〜１０００ｅＶの範囲内になるように設定される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項１に係る発明は、真空引き可能になされた処理容器内で載置台上に載置された被処理体の表面に対してプラズマを用いてドープガス中に含まれる不純物元素をドープするようにしたプラズマドーピング方法において、前記載置台にバイアス用の高周波電力を印加すると共に、前記処理容器内に前記ドープガスを供給してプラズマを発生させ、前記ドープガス中の前記不純物元素を前記バイアス用の高周波電力により引き込むことにより前記被処理体の表面に前記不純物元素をドープさせるようにしたことを特徴とするプラズマドーピング方法である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
この場合、例えば前記バイアス用の高周波電力の周波数は４００ｋＨｚ〜１３．５６ＭＨｚの範囲内である。
また例えば前記バイアス用の高周波電力によって引き込まれるイオンのエネルギーは１００〜１０００ｅＶの範囲内になるように設定される。
また例えば前記不純物元素がドープされることにより形成される部位はＭＯＳＦＥＴのイクステンション部である。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明に係るプラズマドーピング方法によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
真空引き可能になされた処理容器内でプラズマを発生し、バイアス用の高周波電力により不純物元素のイオンを引き込むことにより載置台上の被処理体の表面に対して不純物元素をドープさせるようにしたので、被処理体の表面に不純物元素をドープするに際して、このドープする部分を非常に薄く、或いは浅く形成することができ且つ高濃度な状態で迅速にドープしてスループットを向上させることができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
以下に、本発明に係るプラズマドーピング方法の好適な一実施例の形態について添付図面を参照して説明する。
図１は本発明に係るプラズマドーピング装置の一例を示す構成図、図２はガス供給手段の一部であるシャワーヘッド構造のドープガス供給部を示す平面図である。ここではプラズマドーピング装置としてラジアルラインスロットアンテナ（ＲＬＳＡ：Ｒａｄｉａｌ  Ｌｉｎｅ  Ｓｌｏｔ  Ａｎｔｅｎｎａ）方式の平面アンテナ部材を用いた場合を例にとって説明する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月19日(2010.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水素ガスを含み且つ非酸化性の処理雰囲気中で基板上に形成された半導体膜にレーザ光を照射し、前記基板の温度を前記基板の融点以下に保持したまま、前記半導体膜を１０００℃以上に加熱して溶融させその後凝固させることにより、前記半導体膜を結晶化させるレーザアニール方法であって、
前記処理雰囲気は、前記半導体膜をエッチングする半導体エッチングガスを含むことを特徴とするレーザアニール方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記半導体エッチングガスは、フッ素系、塩素系又は臭素系のガスであることを特徴とするレーザアニール方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記処理雰囲気は、前記半導体膜の融点における平衡蒸気圧を大気圧以下にする低蒸気圧ガスを含むことを特徴とするレーザアニール方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記レーザ光は、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ガラスレーザ、半導体レーザ又はＣＯ２レーザの基本波又は高調波であることを特徴とするレーザアニール方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記レーザ光は、パルス光又は連続光であることを特徴とするレーザアニール方法。
【請求項６】
少なくとも半導体膜におけるレーザ光の照射部分を覆う範囲に、水素ガスを含み且つ非酸化性の処理雰囲気を供給するガス供給装置を備え、
前記処理雰囲気中で前記半導体膜にレーザ光を照射し、前記基板の温度を前記基板の融点以下に保持したまま、前記半導体膜を１０００℃以上に加熱して溶融させその後凝固させることにより、前記半導体膜を結晶化させるレーザアニール装置であって、
前記処理雰囲気は、前記半導体膜をエッチングする半導体エッチングガスを含むことを特徴とするレーザアニール装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記処理雰囲気は、前記半導体膜の融点における平衡蒸気圧を大気圧以下にする低蒸気圧ガスを含むことを特徴とするレーザアニール装置。
【請求項８】
請求項６または７において、
前記ガス供給装置は、前記半導体膜が形成された基板を内部に収容し基板の収容空間を前記処理雰囲気で満たすチャンバーであることを特徴とするレーザアニール装置。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか一項において、
前記ガス供給装置は、前記収容空間内の処理雰囲気を強制対流させるファンを有することを特徴とするレーザアニール装置。
【請求項１０】
請求項６乃至９のいずれか一項において、
前記ガス供給装置は、前記半導体膜におけるレーザ光の照射部分及びその周囲の限定的な範囲にのみ前記処理雰囲気を供給するガス吹き付け装置であることを特徴とするレーザアニール装置。
【請求項１１】
請求項６乃至１０のいずれか一項において、
前記レーザ光の光路上に、前記レーザ光を線状ビームに整形するビーム整形光学系を備え、前記ビーム整形光学系は、前記線状ビームの長軸方向及び短軸方向のエネルギー分布を均一化するホモジナイザを含むことを特徴とするレーザアニール装置。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記ホモジナイザは、前記レーザ光を前記線状ビームの長軸方向及び短軸方向に対応した方向に複数に分割するシリンドリカルレンズアレイ又は導波路と、前記シリンドリカルレンズアレイ又は導波路によって分割されたレーザ光を重ね合わせるコンデンサレンズとを有することを特徴とするレーザアニール装置。
【請求項１３】
請求項１１において、
前記ホモジナイザは、回折光学素子を含む光学系であることを特徴とするレーザアニール装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月28日(2010.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記シリコンウェーハ搬送装置は、静電気を発生することで前記搬送空間内の異物を吸着する異物吸着手段をさらに具えることを特徴とする請求項１に記載のシリコンウェーハ搬送装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
しかしながら、特許文献１のシリコンウェーハ搬送装置では、前記ウェーハが存在する位置でのみノズルから気体を噴出させるためにはセンサとノズルの制御に高い技術を要するため、安定して前記ウェーハを搬送することが難しいという問題があった。また、特許文献２のウェーハ搬送装置では、搬送室内での前記ウェーハの固定が十分ではないため、前記搬送室内で側壁に前記ウェーハの側縁部が衝突する恐れがあった。
【特許文献１】特開平７−２２８３４２号公報
【特許文献２】特開２００１−１７６９５０号公報
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
１      シリコンウェーハ搬送装置
２      シリコンウェーハ
２ａ    シリコンウェーハ側縁部
２ｂ    シリコンウェーハノッチ部
３      搬送空間
４      搬送テーブル
４１    丸孔
４２    直線状溝孔
４３    円状溝孔
５      ウェーハ浮上手段
５１    噴出口
５２    バルブ
５３    供給配管
５４    マスフローコントローラ
６      ウェーハ搬送手段
６０    高圧ガス
６１    第１ノズル
７      検出手段
７１    赤外線センサ
８      ゴミ吸着手段
８１    ゴミ吸着部分
９      ウェーハ停止手段
９１    第２ノズル
１０    ウェーハ回転手段
１０１  第３ノズル
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月31日(2010.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通孔を有した基板と、前記貫通孔に収容された柱状の貫通電極と、を備えた貫通電極付き基板の製造方法であって、
支持板上に前記貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、
前記基板を形成する基板形成工程と、
前記支持板と前記基板とを重ね合わせて、前記貫通孔に前記貫通電極を収容する貫通電極収容工程と、
前記基板の前記貫通孔の内壁と前記貫通電極の側面との隙間に樹脂を充填する樹脂充填工程と、
前記樹脂充填工程後に、前記支持板を除去する支持板除去工程と、を含み、
前記貫通電極形成工程では、前記貫通電極を電解めっきにより形成することを特徴とする貫通電極付き基板の製造方法。
【請求項２】
前記貫通電極形成工程では、前記支持板上に開口部を有したレジスト膜を形成し、その後、前記電解めっきにより、前記開口部の底部に露出された前記支持体上から前記開口部の開口端部に向けてめっき膜を析出させて前記貫通電極を形成し、前記貫通電極を形成後に前記レジスト膜を除去することを特徴とする請求項１記載の貫通電極付き基板の製造方法。
【請求項３】
前記樹脂充填工程と前記支持板除去工程との間に、前記支持板が設けられた側とは反対側に位置する前記基板の面に前記貫通電極と電気的に接続された配線層を形成する配線層形成工程を設けたことを特徴とする請求項１又は２記載の貫通電極付き基板の製造方法。
【請求項４】
貫通孔を有した基板と、前記貫通孔に収容された柱状の貫通電極と、を備えた貫通電極付き基板において、
前記貫通孔の内壁と前記貫通電極の側面との隙間に、充填された樹脂を有することを特徴とする貫通電極付き基板。
【請求項５】
前記貫通電極付き基板の上面の、前記基板と前記貫通電極の一部とを覆うように形成された樹脂層と、前記充填された樹脂とが一体形成され、
前記樹脂層上に、前記貫通電極と接続された配線パターンが設けられていることを特徴とする請求項４記載の貫通電極付き基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】貫通電極付き基板及びその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、貫通電極付き基板及びその製造方法に係り、特に基板を貫通する貫通電極を備えた貫通電極付き基板及びその製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
そこで本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、貫通電極の破損を防止でき、貫通電極付き基板の製造コストを低減することができると共に、貫通電極におけるボイドの発生を防止することのできる貫通電極付き基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の一観点によれば、貫通孔を有した基板と、前記貫通孔に収容された柱状の貫通電極と、を備えた貫通電極付き基板の製造方法であって、支持板上に前記貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、前記基板を形成する基板形成工程と、前記支持板と前記基板とを重ね合わせて、前記貫通孔に前記貫通電極を収容する貫通電極収容工程と、前記基板の前記貫通孔の内壁と前記貫通電極の側面との隙間に樹脂を充填する樹脂充填工程と、前記樹脂充填工程後に、前記支持板を除去する支持板除去工程と、を含み、前記貫通電極形成工程では、前記貫通電極を電解めっきにより形成することを特徴とする貫通電極付き基板の製造方法が提供される。
本発明の他の観点によれば、貫通孔を有した基板と、前記貫通孔に収容された柱状の貫通電極と、を備えた貫通電極付き基板において、前記貫通孔の内壁と前記貫通電極の側面との隙間に、充填された樹脂を有することを特徴とする貫通電極付き基板が提供される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
本発明は、基板を貫通する貫通電極を備えた貫通電極付き基板及びその製造方法に適用できる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月28日(2010.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電界効果型トランジスタの作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、チャネル形成領域を有する半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極とを有する電界効果型トランジスタを形成し、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に、前記電界効果型トランジスタの動作電圧より大きい電圧であって、前記チャネル形成領域の絶縁破壊電圧の０．３倍以上１倍未満の電圧を印加することを特徴とする電界効果型トランジスタの作製方法。
【請求項２】
基板上に、チャネル形成領域を有する半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極とを有する電界効果型トランジスタを形成し、
前記ソース電極又は前記ドレイン電極の一方と、前記ゲート電極との間に、前記電界効果型トランジスタの動作電圧より大きい電圧であって、前記ゲート絶縁膜の絶縁破壊電圧の０．６倍以上１倍未満の電圧を印加することを特徴とする電界効果型トランジスタの作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記電圧を複数回印加することを特徴とする電界効果型トランジスタの作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記電圧は直流電圧であることを特徴とする電界効果型トランジスタの作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記電圧は交流電圧であることを特徴とする電界効果型トランジスタの作製方法。
【請求項６】
基板上に、チャネル形成領域を有する半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極とを有する電界効果型トランジスタを形成し、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に、前記電界効果型トランジスタの動作電圧より大きい電圧であって、前記半導体膜のチャネル形成領域の絶縁破壊電圧の０．３倍以上１倍未満の第１の電圧を印加し、
前記ソース電極又は前記ドレイン電極の一方と、前記ゲート電極との間に、前記動作電圧より大きい電圧であって、前記ゲート絶縁膜の絶縁破壊電圧の０．６倍以上１倍未満の第２の電圧を印加することを特徴とする電界効果型トランジスタの作製方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記第１の電圧と前記第２の電圧とをそれぞれ複数回印加することを特徴とする電界効果型トランジスタの作製方法。
【請求項８】
請求項６又は請求項７において、
前記第１の電圧及び前記第２の電圧は直流電圧であることを特徴とする電界効果型トランジスタの作製方法。
【請求項９】
請求項６又は請求項７において、
前記第１の電圧及び前記第２の電圧は交流電圧であることを特徴とする電界効果型トランジスタの作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月21日(2010.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、
前記ベース基板上の絶縁膜と、
前記絶縁膜上の半導体膜と、を有し、
前記絶縁膜と前記ベース基板の間には空洞が設けられており、前記空洞は前記半導体膜と重なっており、前記絶縁膜は、前記空洞につながる開口部を少なくとも２つ有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ベース基板と、
前記ベース基板上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の半導体膜と、を有し、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜の間には空洞が設けられており、前記空洞は前記半導体膜と重なっており、前記第２の絶縁膜は、前記空洞につながる開口部を少なくとも２つ有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ベース基板と、
前記ベース基板上の絶縁膜と、
前記絶縁膜上の半導体膜と、
前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の電極と、を有し、
前記絶縁膜と前記ベース基板の間には空洞が設けられており、前記半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記電極と重なるチャネル形成領域を有し、前記空洞は前記チャネル形成領域と重なっており、前記絶縁膜は、前記空洞につながる開口部を少なくとも２つ有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
ベース基板と、
前記ベース基板上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の半導体膜と、
前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の電極と、を有し、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜の間には空洞が設けられており、前記半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記電極と重なるチャネル形成領域を有し、前記空洞は前記チャネル形成領域と重なっており、前記第２の絶縁膜は、前記空洞につながる開口部を少なくとも２つ有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、前記空洞内に冷媒を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、前記冷媒は、前記ベース基板よりも熱伝導度の高い流体であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
凹部を有する絶縁膜をボンド基板上に形成し、
前記絶縁膜とベース基板とを、前記凹部が前記ベース基板側に向くように接合させることで、前記ベース基板と前記ボンド基板とを貼り合わせ、
前記ボンド基板を劈開させることで、前記ボンド基板の一部である半導体膜を、前記絶縁膜を間に挟んで前記ベース基板上に転置し、
前記転置した前記半導体膜を加工して島状の半導体膜を形成し、
前記凹部において前記絶縁膜に少なくとも２つ開口部を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
凹部を有する第１の絶縁膜をボンド基板上に形成し、
第２の絶縁膜をベース基板上に形成し、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とを、前記凹部が前記第２の絶縁膜側に向くように接合させることで、前記ベース基板と前記ボンド基板とを貼り合わせ、
前記ボンド基板を劈開させることで、前記ボンド基板の一部である半導体膜を、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜を間に挟んで前記ベース基板上に転置し、
前記転置した前記半導体膜を加工して島状の半導体層を形成し、
前記凹部において前記第１の絶縁膜に少なくとも２つ開口部を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
開口部または凹部を有する第１の絶縁膜をベース基板上に形成し、
第２の絶縁膜をボンド基板上に形成し、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とを、前記開口部または凹部が前記第２の絶縁膜側に向くように接合させることで、前記ベース基板と前記ボンド基板とを貼り合わせ、
前記ボンド基板を劈開させることで、前記ボンド基板の一部である半導体膜を、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜を間に挟んで前記ベース基板上に転置し、
前記転置した前記半導体膜を加工して島状の半導体層を形成し、
前記凹部または前記開口部と重なる領域において、前記第２の絶縁膜に少なくとも２つ開口部を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
ボンド基板上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜を介して前記ボンド基板に水素若しくは希ガス、又は水素イオン若しくは希ガスイオンを注入して、前記ボンド基板の表面から一定の負荷朝の領域に微小ボイドを有する欠陥層を形成し、
前記第１の絶縁膜及び前記ボンド基板を部分的にエッチングして前記第１の絶縁膜及び前記ボンド基板に凹部を形成し、
前記第１の絶縁膜及び前記凹部を覆うように第２の絶縁膜を形成し、
ベース基板上に第３の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜と前記第３の絶縁膜とを、前記凹部が前記第３の絶縁膜側に向くように接合させることで、前記ベース基板と前記ボンド基板とを貼り合わせ、
前記ボンド基板を劈開させることで、前記ボンド基板の一部である半導体膜を、前記第１乃至第３の絶縁膜を間に挟んで前記ベース基板上に転置し、
前記転置した前記半導体膜を加工して島状の半導体層を形成し、
前記凹部において前記第２の絶縁膜に少なくとも２つ開口部を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月12日(2010.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザアニール方法及びレーザアニール装置並びに多結晶半導体膜の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方面側に形成された半導体膜にレーザ光を照射して前記半導体膜を溶融及び固化させることにより結晶化させるレーザアニール方法であって、
前記基板の一方面側に光触媒層を形成し、該光触媒層の上に直接、前記半導体膜を形成し、
前記光触媒層に吸収される波長をもつ励起光を前記光触媒層に照射しながら、前記半導体膜にレーザ光を照射して、前記半導体膜を溶融及び固化させることにより結晶化させる、ことを特徴とするレーザアニール方法。
【請求項２】
前記光触媒層の吸収端波長は前記基板の吸収端波長より長く、前記基板は前記励起光を透過させる材料からなり、
前記基板の他方面側から、前記基板を通して前記光触媒層に前記励起光を照射する、請求項１記載のレーザアニール方法。
【請求項３】
前記基板の一方面を上側に向けた状態で、所定の隙間を挟んで水平方向に並べた第１ステージと第２ステージの上面からガスを吹き出して前記基板を浮上させるとともに、浮上した前記基板を前記隙間を跨いで第１ステージと第２ステージの一方から他方に向かって水平方向に搬送し、
該基板の搬送と並行して、前記隙間及び前記基板を通して前記基板の下面側から、前記光触媒層に前記励起光を照射しながら、前記基板の上面側から前記隙間に向かって、前記励起光が照射された光触媒層に隣接する前記半導体膜にレーザ光を照射する、請求項２記載のレーザアニール方法。
【請求項４】
前記励起光を透過させる材料からなる基板ステージにより前記他方面を該基板ステージに向けた状態で前記基板を支持し、
前記基板ステージ及び前記基板を通して前記基板の他方面側から前記光触媒層に前記励起光を照射しながら、前記基板の一方面側から、前記励起光が照射された光触媒層に隣接する前記半導体膜にレーザ光を照射し、該レーザ光を前記基板の面方向に走査する、請求項２記載のレーザアニール方法。
【請求項５】
基板の一方面側に形成された半導体膜にレーザ光を照射して前記半導体膜を溶融及び固化させることにより結晶化させるレーザアニール方法であって、
前記基板の一方面側に前記半導体膜を形成し、該半導体膜の上に直接、光触媒層を形成し、
前記光触媒層が吸収する波長をもつ励起光を前記光触媒層に照射しながら、前記半導体膜にレーザ光を照射して、前記半導体膜を溶融及び固化させることにより結晶化させる、ことを特徴とするレーザアニール方法。
【請求項６】
前記光触媒層は前記レーザ光を透過させる材料からなり、
基板ステージにより前記基板の他方面を該基板ステージに向けた状態で前記基板を支持し、
前記基板の一方面側から前記光触媒層に前記励起光を照射しながら、前記励起光が照射された光触媒層に隣接する前記半導体膜に前記基板の一方面側からレーザ光を照射し、該レーザ光を前記基板の面方向に走査する、請求項５記載のレーザアニール方法。
【請求項７】
前記光触媒層は、ＴｉＯ２、ＺｎＯ２、ＭｇＯ、ＳｎＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＷＯ３、Ｂｉ２Ｏ３又はＦｅ２Ｏ３からなる、請求項１乃至６のいずれか一に記載のレーザアニール方法。
【請求項８】
基板の一方面側に形成された半導体膜にレーザ光を照射して前記半導体膜を溶融及び固化させることにより結晶化させるレーザアニール装置であって、
処理対象となる前記基板は、一方面側に光触媒層が形成され、該光触媒層の上に直接、前記半導体膜が形成され、前記光触媒層の吸収端波長が当該基板の吸収端波長より長い、ものであり、
所定の隙間を挟んで水平方向に並べた第１ステージと第２ステージとを有し該第１ステージと第２ステージの上面からガスを吹き出して前記一方面を上側に向けた前記基板を浮上させるガス浮上装置と、
該ガス浮上装置により浮上した前記基板を、前記隙間を跨いで第１ステージと第２ステージの一方から他方に向かって水平方向に送る水平送り装置と、
前記基板の上面側から前記隙間に向かって、前記半導体膜にレーザ光を照射するレーザ照射装置と、
前記光触媒層に吸収される波長をもつ励起光を前記光触媒層に照射する励起光照射装置と、を備え、
前記基板は前記励起光を透過させる材料からなり、前記励起光照射装置は、前記基板の下面側から前記隙間及び前記基板を通して前記光触媒層に前記励起光を照射し、前記レーザ照射装置は、前記励起光が照射された光触媒層に隣接する前記半導体膜にレーザ光を照射する、ことを特徴とするレーザアニール装置。
【請求項９】
レーザ光を基板の面方向に走査して、該基板の一方面側に形成された半導体膜にレーザ光を照射し、前記半導体膜を溶融及び固化させることにより結晶化させるレーザアニール装置であって、
処理対象となる前記基板は、一方面側に光触媒層が形成され、該光触媒層の上に直接、前記半導体膜が形成され、前記光触媒層の吸収端波長が当該基板の吸収端波長より長い、ものであり、
前記基板を該基板の他方面側から支持する基板ステージと、
前記基板の一方面側から前記半導体膜にレーザ光を照射するレーザ照射装置と、
前記光触媒層に吸収される波長をもつ励起光を前記光触媒層に照射する励起光照射装置と、を備え、
前記基板及び前記基板ステージは、前記励起光を透過させる材料からなり、前記励起光照射装置は、前記基板の他方面側から前記基板ステージ及び前記基板を通して前記光触媒層に前記励起光を照射し、前記レーザ照射装置は、前記励起光が照射された光触媒層に隣接する前記半導体膜にレーザ光を照射する、ことを特徴とするレーザアニール装置。
【請求項１０】
レーザ光を基板の面方向に走査して、該基板の一方面側に形成された半導体膜にレーザ光を照射し、前記半導体膜を溶融及び固化させることにより結晶化させるレーザアニール装置であって、
処理対象となる前記基板は、一方面側に半導体膜が形成され、該半導体膜の上に直接、光触媒層が形成され、該光触媒層が前記レーザ光を透過させる材料からなる、ものであり、
前記基板を該基板の他方面側から支持する基板ステージと、
前記基板の一方面側から前記半導体膜にレーザ光を照射するレーザ照射装置と、
前記基板の一方面側から前記光触媒層に前記励起光を照射する励起光照射装置と、を備え、
前記レーザ照射装置は、前記励起光が照射された光触媒層に隣接する前記半導体膜にレーザ光を照射する、ことを特徴とするレーザアニール装置。
【請求項１１】
基板上にバリア層を形成し、
前記バリア層上に光触媒層を形成し、
前記光触媒層上に半導体膜を形成し、
前記基板の裏面側から前記基板及び前記バリア層を通して前記光触媒層に吸収される波長をもつ励起光を前記光触媒層に照射しながら、前記基板の表面側から前記半導体膜にレーザ光を照射して、前記半導体膜を溶融及び固化させることにより結晶化させることを特徴とする多結晶半導体膜の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月27日(2010.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップ、前記半導体チップを封止する第１封止体、前記半導体チップと電気的に
接続され、その一部が前記第１封止体から露出した複数のリードを有する半導体装置と、
前記半導体装置が搭載された表面、および前記表面とは反対側であって複数の外部端子が形成された裏面を有する配線基板と、
前記半導体装置と前記配線基板の主面の一部を封止する第２封止体と、を有し、
前記配線基板は、基材、および前記基材を覆う絶縁膜を備え、
前記配線基板の表面と前記半導体装置の前記第１封止体とが対向する領域は、前記絶縁膜から前記基材が露出した第１の部分、および前記露出した基材から前記第１封止体を支持するための第２の部分を有し、
前記第１封止体と前記第１部分との間には前記第２封止体の一部が充填されていることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電子装置であって、
前記配線基板は、前記基材上に形成された配線部とシルク印刷部とをさらに備え、
前記第２部分は、前記配線部を覆う前記絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された前記シルク印刷部とから構成されることを特徴とする電子装置。
【請求項３】
請求項２に記載の電子装置であって、
前記配線基板の前記第１の部分は、断面形状が凹形状となっていることを特徴とする電子装置。
【請求項４】
請求項３に記載の電子装置であって、
前記配線基板は、前記基材上に形成された複数の電極をさらに備え、
前記半導体装置の前記複数のリードと前記複数の電極とは、それぞれ半田を介して電気的に接続されていることを特徴とする電子装置。
【請求項５】
請求項４に記載の電子装置であって、
前記半導体装置のパッケージ構造はＴＳＯＰであることを特徴とする電子装置。
【請求項６】
請求項５に記載の電子装置であって、
前記シルク印刷部は線状であって、平面視において前記ＴＳＯＰのリードが突出している方向と交差する方向に配置されていることを特徴とする電子装置。
【請求項７】
請求項６に記載の電子装置であって、
前記配線基板の前記第１部分は、前記基材が露出され、前記配線部や前記絶縁膜が形成されていない領域であることを特徴とする電子装置。
【請求項８】
請求項７に記載の電子装置であって、
前記第１封止体と前記配線基板の前記第２部分との間には、隙間が形成されていることを特徴とする電子装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
すなわち、本発明は、半導体チップ、前記半導体チップを封止する第１封止体、前記半導体チップと電気的に接続され、その一部が前記第１封止体から露出した複数のリードを有する半導体装置と、前記半導体装置が搭載された表面、および前記表面とは反対側であって複数の外部端子が形成された裏面を有する配線基板と、前記半導体装置と前記配線基板の主面の一部を封止する第２封止体と、を有し、前記配線基板は、基材、および前記基材を覆う絶縁膜を備え、前記配線基板の表面と前記半導体装置の前記第１封止体とが対向する領域は、前記絶縁膜から前記基材が露出した第１の部分、および前記露出した基材から前記第１封止体を支持するための第２の部分を有し、前記第１封止体と前記第１部分との間には前記第２封止体の一部が充填されているものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月31日(2010.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極と、
該陽極と該陰極との間に挟持される有機化合物からなる層とから構成され、
該有機化合物からなる層が少なくとも電子注入層を含み、
該電子注入層に下記一般式（Ｉ）で示されるリンイリド化合物が少なくとも一種含まれることを特徴とする、有機発光素子。
【化１】
2008300586.tif 000001
（式（Ｉ）において、ｍは１及至４の整数を表す。Ｒ1及びＲ2は、それぞれ置換あるいは無置換のアリール基、置換あるいは無置換の複素環基、置換あるいは無置換の縮合多環芳香族基又は置換あるいは無置換の縮合多環複素環基を表す。Ｒ3及びＲ4は、それぞれ水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のアルケニル基、置換あるいは無置換のアルキニル基、置換あるいは無置換のアリール基、置換あるいは無置換の複素環基、置換あるいは無置換の縮合多環芳香族基、置換あるいは無置換の縮合多環複素環基、シアノ基、アルコキシカルボニル基又はアシル基を表す。ｍ＝１のとき、Ｒ3及びＲ4は、同じであっても異なっていてもよい。ｍ＝２及至４のとき、異なるリン原子に結合するＲ3及びＲ4は、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。Ｒ3及びＲ4は、置換基間で結合して芳香族環、複素環、縮合多環芳香環又は縮合多環複素環を形成してもよい。ｍ＝１のとき、Ｒ5は、置換あるいは無置換のアリール基、置換あるいは無置換の複素環基、置換あるいは無置換の縮合多環芳香族基又は置換あるいは無置換の縮合多環複素環基を表す。ｍ＝１のとき、Ｒ1、Ｒ2及びＲ5は、同じであっても異なっていてもよい。ｍ＝２及至４のとき、Ｒ5は、２及至４価の置換基を表す。ｍ＝２及至４のとき、異なるリン原子に結合するＲ1及びＲ2は、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。）
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月25日(2010.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）厚さ方向に沿って互いに反対側に位置する第１主面および第２主面を有する枠状のチップ搭載部と、
（ｂ）前記チップ搭載部に搭載された半導体チップと、
（ｃ）前記チップ搭載部の周囲に配置された複数のリードと、
（ｄ）前記半導体チップの複数の電極を前記複数のリードに電気的に接続するボンディングワイヤと、
（ｅ）前記半導体チップを封止する樹脂封止体と、を備え、
前記チップ搭載部は、
前記半導体チップが平面的に重なる内周部と、
前記半導体チップの周囲に位置する外周部と、を一体的に有しており、
前記チップ搭載部の内周から外周に向かう方向を第１方向とした場合に、前記外周部の前記第１方向の寸法は、前記内周部の前記第１方向の寸法よりも広く、
前記外周部には、前記第１、前記第２主面間を貫通する開口部が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記開口部は、前記第１方向に沿って複数配列されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置において、
前記チップ搭載部の外周に沿う方向を第２方向とした場合に、
前記外周部の前記第１方向に沿って複数配列された開口部は、列毎に前記第２方向に沿って複数の開口部に分かれて形成されており、
前記外周部の前記第１方向に沿って隣接して配列されている開口部は、その配置位置が互いに前記第２方向にずれて配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置において、
前記チップ搭載部の外周に沿う方向を第２方向とした場合に、
前記開口部は、前記第２方向に沿って複数の開口部に分かれて形成されており、
前記第２方向に沿って配置された複数の開口部の隣接間に配置される分離部は、前記開口部を挟んで前記第１方向の両側に位置する前記チップ搭載部の一部分同士を繋ぐ連結部を形成していることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置において、
前記連結部は、前記半導体チップの辺の中心に対応する位置に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置において、
前記チップ搭載部の前記第１方向の寸法は、前記複数のリードを固定するように設けられた固定テープの幅よりも広いことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置において、
前記半導体チップは、前記チップ搭載部に導電性ペースト材を用いて搭載されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置において、
前記チップ搭載部は、前記チップ搭載部に一体に形成された複数の吊りリードにより支持されており、
前記複数の吊りリードのそれぞれは、前記チップ搭載部の第１主面および第２主面に交差する方向に折り曲げられており、
前記複数の吊りリードのそれぞれの折り曲げ部は、前記複数のリードにおける前記チップ搭載部側の先端よりも前記半導体チップに近い位置に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置において、
前記複数の吊りリードのそれぞれは、前記チップ搭載部の第１主面から第２主面に向かって折り曲げられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置において、
前記半導体チップは、シリアルサウンドインターフェイスおよびＣＤＲＯＭデコーダの機能を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
（ａ）厚さ方向に沿って互いに反対側に位置する第１主面および第２主面を有するリードフレームを準備する工程と、
（ｂ）前記リードフレームの枠状のチップ搭載部に吸着コレットを用いて半導体チップを搭載する工程と、
（ｃ）前記リードフレームをボンディング装置のボンディングステージに載置した後、前記チップ搭載部に搭載された半導体チップの複数の電極を、前記リードフレームの複数のリードにボンディングワイヤにより電気的に接続する工程と、
（ｄ）前記半導体チップを樹脂封止体により封止する工程と、を有し、
前記（ａ）工程の前記リードフレームは、
前記チップ搭載部と、
前記チップ搭載部の周囲に配置された前記複数のリードと、
前記チップ搭載部に一体に形成され、前記チップ搭載部を支持する複数の吊りリードとを有しており、
前記チップ搭載部は、
前記半導体チップが平面的に重なる内周部と、
前記半導体チップの周囲に位置する外周部と、を一体的に有しており、
前記チップ搭載部の内周から外周に向かう方向を第１方向とした場合に、
前記外周部の前記第１方向の寸法は、前記内周部の前記第１方向の寸法よりも広く、
前記外周部には、前記第１、前記第２主面間を貫通する開口部が形成されており、
前記複数の吊りリードは、前記リードフレームの第１主面および第２主面に交差する方向に折り曲げられており、
前記複数の吊りリードのそれぞれの折り曲げ部は、前記複数のリードの前記チップ搭載部側の先端よりも前記半導体チップに近い位置に形成されており、
前記ボンディング装置の前記ボンディングステージのフレーム載置面には溝が形成されており、
前記（ｃ）工程においては、
前記リードフレームの前記チップ搭載部が前記ボンディングステージの前記溝に収まるように前記リードフレームを前記ボンディングステージ上に載置した後、前記チップ搭載部に搭載された半導体チップの複数の電極と、前記リードフレームの複数のリードとをボンディングワイヤにより電気的に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の半導体装置の製造方法において、
前記ボンディングステージのフレーム載置面には、前記複数の吊りリードのそれぞれの一部および前記チップ搭載部と対応する位置に設けられた溝を有し、前記ボンディングワイヤは、前記吊りリードの一部および前記チップ搭載部を前記溝内に配置させた状態で、接続されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の半導体装置の製造方法において、
前記ボンディングワイヤは、前記リードフレームに貼り付けられた固定テープを治具で押さえた状態で接続されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程において、前記吸着コレットの吸着面の平面寸法は、前記半導体チップの平面寸法よりも小さいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１１記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数の吊りリードのそれぞれは、前記チップ搭載部の第１主面から第２主面に向かって折り曲げられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月17日(2010.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
このヒートシンク１Ｃの製造方法を図７（Ａ）〜（Ｄ）を参照して説明する。なお、図７（Ａ）〜（Ｄ）では、第４層２４の製造工程のみを代表して示している。
ヒートシンク１Ｃの具体的な作製手順は、例えば以下のような工程で行われる。
（１）各層の母材シート作製（図７（Ａ））→（２）シート材に接合金属５を形成（図７（Ｂ））→（３）接合金属５のエッチング（図７（Ｃ））→（４）シート材エッチング（水路構造形成）（図７（Ｄ））→（５）各層の張り合わせ→（６）各層を加熱・加圧接合
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月9日(2010.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性層と、
前記活性層上に形成される平坦部とその平坦部上の中央部に形成されるストライプ状のリッジ部とを有するクラッド層と、
前記リッジ部の両側面および前記平坦部を覆うように形成される絶縁層とを備え、
前記活性層は共振器を構成し、
前記リッジ部の両側における前記絶縁層と前記平坦部との間の領域に空隙が形成され、
前記空隙は、前記リッジ部と平行な方向において、前記共振器の端面から所定の距離内側の位置に至る領域を除いて形成されることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記空隙は、前記リッジ部の両側面から所定の幅の領域に形成され、
前記所定の幅は、前記活性層から出射されるレーザ光の波長よりも大きいことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記リッジ部を通して前記活性層に電流を供給するための電極をさらに備え、
前記電極は、前記空隙の領域の上方を除く前記絶縁層上の領域に延びる端子部を有することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体レーザ素子。
【請求項４】
活性層を形成する工程と、
前記活性層上にクラッド層を形成する工程と、
ストライプ状の領域を除いて前記クラッド層を所定深さまで除去することにより平坦部とその平坦部上のリッジ部とを形成する工程と、
前記リッジ部の側面および前記平坦部上を覆うように絶縁層を形成する工程と、
前記リッジ部の両側における前記絶縁層と前記平坦部との間の領域に空隙を形成する工程とを備え、
前記活性層は共振器を構成し、
前記空隙は、前記リッジ部と平行な方向において、前記共振器の端面から所定の距離内側の位置に至る領域を除いて形成されることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項５】
前記絶縁層を形成する工程は、
前記リッジ部の両側における平坦部上にエッチングにより除去可能な除去層を形成する工程と、
前記リッジ部の側面および前記除去層上に前記絶縁層を形成する工程とを含み、
前記空隙を形成する工程は、
エッチングにより前記除去層を除去する工程を含むことを特徴とする請求項４記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項６】
前記除去層を除去する工程は、前記リッジ部の両側における前記絶縁層と前記除去層との界面にエッチング液を浸透させることにより前記除去層を除去する工程を含むことを特徴とする請求項５記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月31日(2010.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器を含み、前記真空容器内で基板を処理する基板処理装置であって、
前記真空容器内を排気するポンプと、
前記真空容器内に配置された第１のクライオポンプと、
前記真空容器内に配置された第２のクライオポンプと、
前記第１のクライオポンプ及び前記第２のクライオポンプを択一的に停止させる制御部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記第１のクライオポンプを前記真空容器において隔離する開閉可能な第１の仕切りと、
前記第２のクライオポンプを前記真空容器において隔離する開閉可能な第２の仕切りと、をさらに備え、
前記制御部は、前記第１のクライオポンプが停止される間、前記第１の仕切りによって前記第１のクライオポンプが前記真空容器において隔離され、前記第２のクライオポンプが停止される間、前記第２の仕切りによって前記第２のクライオポンプが前記真空容器において隔離されるように、前記第１の仕切りと前記第２の仕切りとを制御することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１のクライオポンプを前記真空容器において隔離する開閉可能な第１の仕切りと、
前記第２のクライオポンプを前記真空容器において隔離する開閉可能な第２の仕切りと、
前記第１のクライオポンプを移動させる第１の移動機構と、
前記第２のクライオポンプを移動させる第２の移動機構と、をさらに備え、
前記制御部は、前記第１のクライオポンプが停止される間、前記第１の仕切りによって隔離された空間内に前記第１のクライオポンプが配置され、前記第２のクライオポンプが停止される間、前記第２の仕切りによって隔離された空間内に前記第２のクライオポンプが配置されるように、前記第１の仕切り、前記第２の仕切り、前記第１の移動機構及び前記第２の移動機構を制御することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項４】
真空容器を含み、前記真空容器内で基板を処理する基板処理装置であって、
前記真空容器内を排気するポンプと、
前記真空容器内に配置されたクライオポンプと、
前記クライオポンプを含む空間を前記真空容器において隔離する開閉可能な仕切りと、
前記クライオポンプを含む空間を前記仕切りに隔離させた状態で、前記クライオポンプを停止させて前記クライオポンプを含む空間を前記ポンプに排気させる制御部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
前記クライオポンプを移動させる移動機構をさらに備え、
前記制御部は、前記クライオポンプが停止される間、前記仕切りによって隔離された空間内に前記クライオポンプが配置されるように、前記移動機構を制御することを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記真空容器内で前記基板を露光することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
請求項６に記載の基板処理装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板処理装置及びデバイス製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、基板処理装置及びデバイス製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の第１の側面は、真空容器を含み、前記真空容器内で基板を処理する基板処理装置であって、前記真空容器内を排気するポンプと、前記真空容器内に配置された第１のクライオポンプと、前記真空容器内に配置された第２のクライオポンプと、前記第１のクライオポンプ及び前記第２のクライオポンプを択一的に停止させる制御部と、を備えることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の第２の側面は、真空容器を含み、前記真空容器内で基板を処理する基板処理装置であって、前記真空容器内を排気するポンプと、前記真空容器内に配置されたクライオポンプと、前記クライオポンプを含む空間を前記真空容器において隔離する開閉可能な仕切りと、前記クライオポンプを含む空間を前記仕切りに隔離させた状態で、前記クライオポンプを停止させて前記クライオポンプを含む空間を前記ポンプに排気させる制御部と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月7日(2010.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式(I)：
【化１】
2008300125.tif 000001
［式中、Ｒは、それぞれ独立して炭素数１〜４の飽和脂肪族炭化水素基、炭素数２〜６の不飽和脂肪族炭化水素基又は芳香族炭化水素基を表わす］で表わされるホウ酸エステルを含むことを特徴とする電池用非水電解液。
【請求項２】
前記Ｒ中の水素の１つ以上がフッ素で置換されていることを特徴とする請求項１に記載の電池用非水電解液。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の電池用非水電解液と、正極と、負極とを備えた非水電解液２次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
即ち、本発明の電池用非水電解液は、下記一般式(I)：
【化１】
2008300125.tif 000002
［式中、Ｒは、それぞれ独立して炭素数１〜４の飽和脂肪族炭化水素基、炭素数２〜６の不飽和脂肪族炭化水素基又は芳香族炭化水素基を表わす］で表わされるホウ酸エステルを含むことを特徴とする。なお、本発明の電池用非水電解液は、溶媒の総てがホウ酸エステルであっても、溶媒の一部がホウ酸エステルであってもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の電池用非水電解液の好適例においては、前記Ｒ中の水素の１つ以上がフッ素で置換されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
＜電池用非水電解液＞
以下に、本発明の電池用非水電解液を詳細に説明する。本発明の電池用非水電解液は、上記一般式(I)で表わされるホウ酸エステルを含むことを特徴とし、更に、支持塩、非プロトン性有機溶媒等を含有してもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の電池用非水電解液においては、上記一般式(I)で表わされるホウ酸エステルを使用する。式(I)のホウ酸エステルは、ホウ酸の水酸基の総てがエステル化されているため、水素を発生することが無く、電解液の不燃化に特に有効である。