【手続補正書】
【提出日】平成22年5月12日(2010.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チョクラルスキー法により窒素を含むシリコン結晶を作成する工程と、
前記シリコン結晶を第一の加熱温度で、準熱平衡状態に到らしめる第一の工程と、
前記シリコン結晶の第一の赤外線吸収スペクトルを測定する第二の工程と、
前記シリコン結晶を第二の加熱温度で、準熱平衡状態に到らしめる第三の工程と、
前記シリコン結晶の第二の赤外線吸収スペクトルを測定する第四の工程と、
前記第一の赤外線吸収スペクトルと前記第二の赤外線吸収スペクトルとの赤外線吸収差スペクトルを求め、窒素に起因する欠陥に対応する吸収ピークの強度を求める第五の工程と、
前記吸収ピークの強度に基づいて、前記シリコン結晶中の窒素濃度を求める第六の工程と、
を有することを特徴とするシリコン結晶の製造方法。
【請求項２】
前記窒素に起因する欠陥に対応する吸収ピークとして９６３ｃｍ-1、９９６ｃｍ-1、１０１８ｃｍ-1のいずれかの波数に現れるものを用いることを特徴とする請求項１記載のシリコン結晶の製造方法。
【請求項３】
前記第六の工程は、前記吸収ピークの強度と予め定められた比例換算係数とに基づいて、前記窒素濃度を求めることを特徴とする請求項１または２に記載のシリコン結晶の製造方法。
【請求項４】
チョクラルスキー法により引き上げられたシリコンインゴットからシリコンウェハを切り出す工程と、
前記シリコンウェハに含まれるシリコン結晶を第一の加熱温度で、準熱平衡状態に到らしめる第一の工程と、
前記シリコン結晶の第一の赤外線吸収スペクトルを測定する第二の工程と、
前記シリコン結晶を第二の加熱温度で、準熱平衡状態に到らしめる第三の工程と、
前記シリコン結晶の第二の赤外線吸収スペクトルを測定する第四の工程と、
前記第一の赤外線吸収スペクトルと前記第二の赤外線吸収スペクトルとの赤外線吸収差スペクトルを求め、窒素に起因する欠陥に対応する吸収ピークの強度を求める第五の工程と、
前記吸収ピークの強度に基づいて、前記シリコン結晶中の窒素濃度を求める第六の工程と、
を有することを特徴とするシリコンウェハの製造方法。
【請求項５】
前記窒素に起因する欠陥に対応する吸収ピークとして９６３ｃｍ-1、９９６ｃｍ-1、１０１８ｃｍ-1のいずれかの波数に現れるものを用いることを特徴とする請求項４記載のシリコンウェハの製造方法。
【請求項６】
前記第六の工程は、前記吸収ピークの強度と予め定められた比例換算係数とに基づいて、前記窒素濃度を求めることを特徴とする請求項４または５に記載のシリコンウェハの製造方法。
【請求項７】
チョクラルスキー法により窒素を含むシリコン母結晶を作成する工程と、  一つのシリコン母結晶から切り出した複数のシリコン結晶を準備する工程と、
前記複数のシリコン結晶の内、第一のシリコン結晶を第一の加熱温度で、準熱平衡状態に到らしめる第一の工程と、
前記第一のシリコン結晶の第一の赤外線吸収スペクトルを測定する第二の工程と、
前記複数のシリコン結晶の内、第二のシリコン結晶を第二の加熱温度で、準熱平衡状態に到らしめる第三の工程と、
前記第二のシリコン結晶の第二の赤外線吸収スペクトルを測定する第四の工程と、
前記第一の赤外線吸収スペクトルと前記第二の赤外線吸収スペクトルとの赤外線吸収差スペクトルを求め、窒素に起因する欠陥に対応する吸収ピークの強度を求める第五の工程と、
前記吸収ピークの強度に基づいて、前記シリコン結晶中の窒素濃度を求める第六の工程と、
を有することを特徴とするシリコン結晶の製造方法。
【請求項８】
前記窒素に起因する欠陥に対応する吸収ピークとして、９６３ｃｍ-1、９９６ｃｍ-1、１０１８ｃｍ-1のいずれかの波数に現れるものを用いることを特徴とする請求項７記載のシリコン結晶の製造方法。
【請求項９】
前記第六の工程は、前記吸収ピークの強度と予め定められた比例換算係数とに基づいて、前記窒素濃度を求めることを特徴とする請求項７または８に記載のシリコン結晶の製造方法。
【請求項１０】
チョクラルスキー法により引き上げられたシリコンインゴットからシリコンウェハを切り出す工程と、
前記シリコンウェハから切り出した複数のシリコン結晶を準備する工程と、
前記複数のシリコン結晶の内、第一のシリコン結晶を第一の加熱温度で、準熱平衡状態に到らしめる第一の工程と、
前記第一のシリコン結晶の第一の赤外線吸収スペクトルを測定する第二の工程と、
前記複数のシリコン結晶の内、第二のシリコン結晶を第二の加熱温度で、準熱平衡状態に到らしめる第三の工程と、
前記第二のシリコン結晶の第二の赤外線吸収スペクトルを測定する第四の工程と、
前記第一の赤外線吸収スペクトルと前記第二の赤外線吸収スペクトルとの赤外線吸収差スペクトルを求め、窒素に起因する欠陥に対応する吸収ピークの強度を求める第五の工程と、
前記吸収ピークの強度に基づいて、前記シリコン結晶中の窒素濃度を求める第六の工程と、
を有することを特徴とするシリコンウェハの製造方法。
【請求項１１】
前記窒素に起因する欠陥に対応する吸収ピークとして、９６３ｃｍ-1、９９６ｃｍ-1、１０１８ｃｍ-1のいずれかの波数に現れるものを用いることを特徴とする請求項１０記載のシリコンウェハの製造方法。
【請求項１２】
前記第六の工程は、前記吸収ピークの強度と予め定められた比例換算係数とに基づいて、前記窒素濃度を求めることを特徴とする請求項１０または１１に記載のシリコンウェハの製造方法。
【請求項１３】
チョクラルスキー法により窒素を含むシリコン結晶を作成する工程と、  前記シリコン結晶を異なる温度で加熱し、夫々の温度で準熱平衡状態に到らしめる工程と、
前記加熱後のシリコン結晶の赤外線吸収スペクトルを夫々測定する工程と、
前記赤外線吸収スペクトルの差分に基づき、窒素に起因する欠陥に対応する吸収ピークの強度を求める工程と、
前記吸収ピークの強度から前記シリコン結晶中の窒素濃度を求める工程と、
を有することを特徴とするシリコン結晶の製造方法。
【請求項１４】
前記窒素に起因する欠陥に対応する吸収ピークとして、９６３ｃｍ-1、９９６ｃｍ-1、１０１８ｃｍ-1のいずれかの波数に現れるものを用いることを特徴とする請求項１３記載のシリコン結晶の製造方法。
【請求項１５】
チョクラルスキー法により引き上げられたシリコンインゴットからシリコンウェハを切り出す工程と、
前記シリコンウェハに含まれるシリコン結晶をシリコン結晶を異なる温度で加熱し、夫々の温度で準熱平衡状態に到らしめる工程と、
前記加熱後のシリコン結晶の赤外線吸収スペクトルを夫々測定する工程と、
前記赤外線吸収スペクトルの差分に基づき、窒素に起因する欠陥に対応する吸収ピークの強度を求める工程と、
前記吸収ピークの強度から前記シリコン結晶中の窒素濃度を求める工程と、
を有することを特徴とするシリコンウェハの製造方法。
【請求項１６】
前記窒素に起因する欠陥に対応する吸収ピークとして、９６３ｃｍ-1、９９６ｃｍ-1、１０１８ｃｍ-1のいずれかの波数に現れるものを用いることを特徴とする請求項１５記載のシリコンウェハの製造方法。
【請求項１７】
前記第一の加熱温度は、６００℃であることを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請求項７、請求項８または請求項９のいずれか１項に記載のシリコン結晶の製造方法。
【請求項１８】
前記第一の加熱温度は、６００℃であることを特徴とする請求項４、請求項５、請求項６、請求項１０、請求項１１または請求項１２のいずれか１項に記載のシリコンウェハの製造方法。
【請求項１９】
前記第二の加熱温度は、８００℃であることを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請求項７、請求項８または請求項９のいずれか１項に記載のシリコン結晶の製造方法。
【請求項２０】
前記第二の加熱温度は、８００℃であることを特徴とする請求項４、請求項５、請求項６、請求項１０、請求項１１または請求項１２のいずれか１項に記載のシリコンウェハの製造方法。