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【手続補正書】
【提出日】平成22年3月29日(2010.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
【表１】
2007001975.tif 000001
キメラアレルゲン
本願発明は、キメラアレルゲンタンパク質および連続する重複ペプチド断片を収容した一つ以上の容器を含む、診断用途に供される組成物とキットをさらに提供する。  キメラアレルゲンタンパク質およびペプチド断片は、様々なアレルゲン（例えば、第一のアレルゲンに由来するアレルゲンと、同じクラスに属する第二のアレルゲンに由来する他のアレルゲン(例えば、蜂毒、樺花粉、塵性ダニなど)）に由来するペプチドを含む。  このキットは、上述したアッセイで用いた、前出の一連の濃度の組成物、ポジティブコントロールおよびネガティブコントロールをさらに任意に含む。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
【表２】
2007001975.tif 000002
アレルゲンを具備したキット
本願発明は、特定のアレルゲンタンパク質および連続する重複ペプチド断片を収容した一つ以上の容器を含む、診断用途に供されるキットをさらに提供する。  このキットは、上述したアッセイで用いた、前出の一連の濃度の組成物、ポジティブコントロールおよびネガティブコントロールをさらに任意に含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】配列表
【補正方法】変更
【補正の内容】
【配列表】
2007001975000001.app
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月6日(2010.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性領域を含む半導体基板と、
第１接地選択ライン及び第１ストリング選択ラインの間の前記活性領域を横切って第１配置間隔を置いて互いに隣り合う複数の第１ワードラインを含む前記活性領域上の第１メモリーセルストリングと、
第２接地選択ライン及び第２ストリング選択ラインの間の前記活性領域を横切って前記第１配置間隔を置いて互いに隣り合う複数の第２ワードラインを含む前記活性領域上の第２メモリーセルストリングとを含み、
前記第１接地選択ラインは、前記第２接地選択ライン及び前記第１ワードラインの間にあり、前記第２接地選択ラインは、前記第１接地選択ライン及び前記第２ワードラインの間にあり、前記活性領域の中の前記第１及び第２接地選択ラインの間の領域には、前記ワードラインが無く、前記第１及び第２接地選択ラインの間の第２配置間隔は、前記第１配置間隔より少なくとも３倍大きいことを特徴とする不揮発性メモリー素子。
【請求項２】
前記第１ワードラインは、偶数番目の不揮発性メモリーセルワードライン及びダミーワードラインを含み、前記ダミーワードラインは、前記偶数番目のメモリーセルワードラインの中の一番目及び前記第１接地選択ラインの間にあり、前記接地選択ライン及び前記ダミーワードラインの間に前記第１配置間隔が提供され、前記ダミーワードライン及び前記偶数番目のメモリーセルワードラインの中の前記一番目の間に前記第１配置間隔が提供され、前記偶数番目のメモリーセルワードラインの中の終わり及び前記ストリング選択ラインの間に前記第１配置間隔が提供されることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性メモリー素子。
【請求項３】
前記第１ワードラインは、偶数番目のメモリーセルワードライン及びダミーワードラインを含み、前記ダミーワードラインは、前記偶数番目のメモリーセルワードラインの中の一番目及び前記第１接地選択ラインの間にあり、前記ダミーワードライン及び前記偶数番目のメモリーセルワードラインの中の前記一番目の間に第１配置間隔が提供され、前記接地選択ライン及び前記ダミーワードラインの間に第３配置間隔が提供され、前記第３配置間隔は、前記第１配置間隔より大きく、前記第１配置間隔の２倍以下であることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性メモリー素子。
【請求項４】
前記第３配置間隔は、前記第１配置間隔の１．５乃至２倍であることを特徴とする請求項３に記載の不揮発性メモリー素子。
【請求項５】
前記第１ワードラインは、偶数番目のメモリーセルワードラインを含み、前記接地選択ライン及び前記偶数番目のメモリーセルワードラインの中の一番目の間に前記第１配置間隔の少なくとも３倍の間隔が提供され、前記偶数番目のメモリーセルワードラインの中の終わり及び前記ストリング選択ラインの間に前記第１配置間隔が提供され、前記活性領域の中の前記接地選択ライン及び前記偶数番目のメモリーセルワードラインの中の前記終わりのラインの間の領域には、前記ワードラインが無いことを特徴とする請求項１に記載の不揮発性メモリー素子。
【請求項６】
前記第１及び第２メモリーセルストリングの各メモリーセルは、各々のワードライン及び前記活性領域の間の電荷貯蔵層と前記電荷貯蔵層及び前記ワードラインの間のバリア絶縁層を含むことを特徴とする請求項１に記載の不揮発性メモリー素子。
【請求項７】
前記第１メモリーセルストリングの配列は、前記第２メモリーセルストリングの配列に対して鏡像対称であることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性メモリー素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】不揮発性メモリー素子
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月12日(2010.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されるゲートラインと、
前記ゲートラインと同一の平面上に形成される画素電極と、
前記ゲートラインと絶縁され形成されるデータラインと、
前記ゲートラインと接続するゲート電極、前記ゲートラインと絶縁され前記データラインと接続するソース電極、前記ゲート電極と絶縁され前記画素電極と接続するドレイン電極、前記ソース及びドレイン電極と接触する有機半導体層を含む有機薄膜トランジスタと、
前記ゲートライン及び前記ゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、
を含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタ基板。
【請求項２】
前記ゲートライン及びゲート電極は、第１導電層と第２導電層で積層された複層構造に形成されることを特徴とする請求項１記載の有機薄膜トランジスタ基板。
【請求項３】
前記第１導電層は、透明導電層からなり、前記第２導電層は不透明金属からなることを特徴とする請求項２記載の有機薄膜トランジスタ基板。
【請求項４】
前記画素電極は、前記ゲートラインと同一の材質から形成されることを特徴とする請求項３記載の有機薄膜トランジスタ基板。
【請求項５】
前記ゲート絶縁膜は、前記有機薄膜トランジスタのドレイン電極と重畳される前記画素電極上に形成されることを特徴とする請求項１記載の有機薄膜トランジスタ基板。
【請求項６】
前記画素電極及びドレイン電極は、前記ゲート絶縁膜に形成されるコンタクトホールを通じて接触されることを特徴とする請求項５記載の有機薄膜トランジスタ基板。
【請求項７】
前記ゲート絶縁膜は、無機物質からなることを特徴とする請求項１記載の有機薄膜トランジスタ基板。
【請求項８】
前記ゲート絶縁膜は、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなることを特徴とする請求項７記載の有機薄膜トランジスタ基板。
【請求項９】
前記ゲート絶縁膜は、有機物質からなることを特徴とする請求項１記載の有機薄膜トランジスタ基板。
【請求項１０】
前記データラインは、透明導電層を含んで二重以上の複層構造に形成されることを特徴とする請求項１記載の有機薄膜トランジスタ基板。
【請求項１１】
前記データラインは、
透明導電層からなる第３導電層と、
前記第３導電層上に形成され不透明な金属からなる第４導電層を含むことを特徴とする請求項１０記載の有機薄膜トランジスタ基板。
【請求項１２】
前記有機薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極は、前記データラインの第３導電層と同一の材質から形成されることを特徴とする請求項１１記載の有機薄膜トランジスタ基板。
【請求項１３】
前記ゲート絶縁膜は、ポリビニルピロリドンＰＶＰ、ポリビニルアセテートＰＶＡ、フェノール系高分子、アクリル系高分子、イミド系高分子、アリルエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ビニルアルコール系高分子を含むグループのうち選択された前記有機物質から形成されることを特徴とする請求項１１記載の有機薄膜トランジスタ基板。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月13日(2010.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のドキュメントに対応する第１の情報要素および少なくとも１つの属性を含む第１の圧縮オブジェクトと、
第２のドキュメントに対応する第２の圧縮オブジェクトと、
を含む圧縮コンテナであって、
前記第１の情報要素は前記第１のドキュメントの内容の少なくとも部分を検索し配信するデータ構造コマンドを含み、
前記第１のドキュメントに対応する少なくとも１つの属性は前記第１のドキュメントの内部情報を識別し、
前記第２の圧縮オブジェクトは、
第２の情報要素と、
前記第２のドキュメントに対応する前記第２の情報要素または前記少なくとも１つの属性のいずれかを操作するために構成されており、前記第２のドキュメントに少なくとも１つのワーク・フロー指示を実行する、オペレーション・コマンドと、
前記第１の圧縮オブジェクトと、
を含み、
前記第２の情報要素は、前記第２の圧縮オブジェクトの前記第１のドキュメントまたは前記第２のドキュメントの内容の少なくとも部分を検索し配信するデータ構造コマンドを含む、
メモリに配置されるドキュメント・オブジェクト。
【請求項２】
前記第２のドキュメントは、前記第１のドキュメントのサブセットである、請求項１に記載のドキュメント・オブジェクト。
【請求項３】
前記第１のドキュメントに対応する属性の少なくとも１つは、該第１のドキュメントについてのアクセス権を含み、
前記第２のドキュメントに対応する属性の少なくとも１つは、該第２のドキュメントについてのアクセス権を含む、
請求項１に記載のドキュメント・オブジェクト。
【請求項４】
前記第１のドキュメントに対応する属性の少なくとも２つは、該第１のドキュメントについての情報要素とオペレーションとを含み、
前記第２のドキュメントに対応する属性の少なくとも２つは、該第２のドキュメントについての情報要素とオペレーションとを含む、
請求項１に記載のドキュメント・オブジェクト。
【請求項５】
第１のドキュメントの内容を示す第１のデータをメモリに保存し、
前記第１のデータは、前記第１のドキュメントに対応する第１の情報要素および少なくとも１つの第１の属性を含み、
前記第１の情報要素は前記第１のドキュメントの内容の少なくとも部分を検索し配信するためのデータ構造コマンドを含み、
前記第１のドキュメントに対応する少なくとも１つの属性は該第１のドキュメントの内部情報を識別し、
前記第１のデータを第１のオブジェクトに保存し、
前記第１のオブジェクトを圧縮して第１の圧縮オブジェクトを生成し、
第２のオブジェクトを前記メモリに保存し、
前記第２のオブジェクトは、
前記第１の圧縮オブジェクトと、
第２のデータと、
を含み、
前記第２のデータは、
第２の情報要素と、
第２のドキュメントに対応する少なくとも１つの第２の属性と、
前記第２のドキュメントに対応する前記第２の情報要素または前記少なくとも１つの属性のいずれかを操作するために構成されており、前記第２のドキュメントに少なくとも１つのワーク・フロー指示を実行する、オペレーション・コマンドと、
を含み、
前記第２のオブジェクトを圧縮して第２の圧縮オブジェクトを生成し、
前記第１の圧縮オブジェクトおよび第２の圧縮オブジェクトを前記メモリの圧縮コンテナに保存し、
前記第２の情報要素は、前記第２の圧縮オブジェクトの前記第１のドキュメントまたは前記第２のドキュメントの内容の少なくとも部分を検索し配信するデータ構造コマンドを含む、
ドキュメント・オブジェクトを生成する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月2日(2010.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上の液相と、固体粒子とからなる不均一混合物から形成される食料品を殺菌する方法であって、
（ｉ）塩分量の減少された濃縮液／粒子相を調製する調製工程と、
（ｉｉ）通電加熱する工程と、濃縮相を保持する工程とからなる殺菌する殺菌工程と、
（ｉｉｉ）無菌の濃縮相を冷却する冷却工程と、
（ｉｖ）包装する包装工程と、
濃縮相は、加熱する工程の後に、１つ以上の液相と固体粒子とからなる前記不均一混合物の最終的な配合に必要な無菌の塩水を含む水相と混合されることと、からなる方法。
【請求項２】
前記無菌の濃縮相と無菌の塩水を含む前記水相との混合は、前記無菌の濃縮相の冷却を最適化するように、殺菌工程と冷却工程との間に実施される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
無菌の塩水を含む前記水相は無菌の濃縮相との混合の前に１０℃未満の温度まで冷却される請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記無菌の濃縮相と無菌の塩水を含む前記水相との混合は、各相の配分の精度を改良するように、二重無菌配分による食料品の最終コンテナにおける包装中に実行される請求項１に記載の方法。
【請求項５】
殺菌温度まで加熱された前記濃縮相と殺菌温度まで加熱された無菌の塩水を含む前記水相との混合は、混合の実施によって無菌状態が損なわれる危険を限定するように、保持工程の前に実施される請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記濃縮相の液相の塩分濃度は０．５％未満である請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
調製工程は、前記濃縮相の成分の伝導率の比が３を超えないように、前記濃縮液／粒子相の塩分量を検査及び調整する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記濃縮相の成分の伝導率は均一であり、成分の伝導率の比は１対２を超えない請求項１乃至７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記濃縮相の伝導率は２５℃で１０ｍＳ／ｃｍ未満である請求項１乃至８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
２つの相の混合によって得られる溶液の塩分濃度が平均で０．７％となるように、前記水相の塩分濃度は濃縮相の塩分濃度に応じて異なる請求項１乃至９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記濃縮相は増粘剤を含有する請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
濃縮相の通電加熱温度は１３０℃〜１４０℃である請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
濃縮相の殺菌は、温度上昇を提供する第１の通電加熱管の通過と、温度の均一化を提供する中間の保持管の通過と、第２の温度上昇を提供する第２の通電加熱管の通過とによって実施される請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の方法を実施するための、１つ以上の液相と、固体粒子とからなる不均一混合物から形成される食料品を殺菌するためのシステムであって、
塩分の添加された無菌の水相と、
塩分量の減少された濃縮液／粒子相と、
前記塩分の添加された無菌の水相と、前記塩分量の減少された濃縮液／粒子相とが供給されるミキサと、
１つ以上の通電加熱管と、１つ以上の保持管と、冷却システムとを含む、前記濃縮相を殺菌するための機器と、からなるシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月13日(2009.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
疎密的に配列された発熱体を内包した発熱部材と、
台座部及び前記台座部の上に離散的に配設された複数の柱状伝熱性弾性部材を袋体で包摂して形成され、前記発熱部材上に配設された弾性体ユニット装置と、
を備えるマットレス装置。
【請求項２】
前記発熱部材は、就寝者の足側部分の温度が高くなるような温度勾配をつけて、前記弾性体ユニット装置を温熱印加する、請求項１記載のマットレス装置。
【請求項３】
前記弾性体ユニット装置は、長手方向に複数個の単位弾性体ユニットに分割されている、請求項１記載のマットレス装置。
【請求項４】
前記弾性体ユニット装置は、短手方向に複数個の単位弾性体ユニットに分割されている、請求項１記載のマットレス装置。
【請求項５】
前記柱状伝熱性弾性部材は、エラストマー樹脂で作製される、請求項１記載のマットレス装置。
【請求項６】
前記各柱状伝熱性弾性部材は、前記台座部に一体的に設けられる、請求項１記載のマットレス装置。
【請求項７】
前記袋体は、弾性変形可能な材料で作製される、請求項１記載のマットレス装置。
【請求項８】
前記発熱体はヒータ線である、請求項１記載のマットレス装置。
【請求項９】
前記発熱体として前記弾性体ユニット装置の長手方向に沿ってジグザグ状に延設されるヒータ線を採用し、前記疎密は前記弾性体ユニット装置の長手方向に沿う単位長さ当りの折り返し密度により調整される、請求項１記載のマットレス装置。
【請求項１０】
前記発熱体はタイマーで適宜断続制御される、請求項１記載のマットレス装置。
【請求項１１】
疎密的に配列された発熱体を内包した発熱部材と、台座部及び前記台座部の上に離散的に配設された複数の柱状伝熱性弾性部材を袋体で包摂して形成され、前記発熱部材上に配設された弾性体ユニット装置とを備える、マットレス装置。
【請求項１２】
上方開放の凹部が形成されたベースと、
疎密的に配列された発熱体を内包し、前記凹部内に嵌設された発熱部材と、
台座部及び前記台座部の上に離散的に配設された複数の柱状伝熱性弾性部材を有し、前記発熱部材上に載置すべく前記凹部内に嵌設された弾性体ユニット装置と、
を備えるマットレス装置。
【請求項１３】
前記ベースの上面に載置されて前記凹部の開口部２４を覆うウレタン樹脂性キルト部材と、前記ベース及び前記ウレタン樹脂性キルト部材を包摂するカバーとを更に備える、請求項１２記載のマットレス装置。
【請求項１４】
前記発熱体はヒータ線である、請求項１２記載のマットレス装置。
【請求項１５】
前記発熱体として前記弾性体ユニット装置の長手方向に沿ってジグザグ状に延設されるヒータ線を採用し、前記疎密は前記弾性体ユニット装置の長手方向に沿う単位長さ当りの折り返し密度により調整される、請求項１２記載のマットレス装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
弾性体ユニット１は、平板形状の台座部４２と台座部４２の平板面４２ａ上に立設された多数の柱状部材４４と全体を覆う袋体４６から構成されている。台座部４２は、発泡ウレタンで形成されている。柱状部材４４は、円柱状の低硬度エラストマー樹脂で形成されている。低硬度エラストマー樹脂はスチレン系エラストマー樹脂成形品で、スチレン系ベースポリマーにオイルを含有させて製造した。台座部４２と柱状部材４４は、低硬度エラストマー樹脂を溶剤に溶かした接着剤を用いて接合した。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月3日(2010.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】  
画像編集装置における画像編集方法であって、
第１の選択手段が、画像データを印刷する印刷装置を選択する第１の選択ステップと、
第２の選択手段が、前記画像データを編集する編集情報を選択する第２の選択ステップ
と、
生成手段が、前記画像データに対して、前記第２の選択ステップにより選択される編集情報に基づいて編集処理が施された編集後の画像データを生成する生成ステップと、
送信手段が、前記生成ステップにより生成された編集処理が施された編集後の画像データを前記第１の選択ステップにより選択された印刷装置に送信する送信ステップと、
保存手段が、前記編集情報を保存する保存ステップと、
を有することを特徴とする画像編集方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
さらに、再生手段が、前記保存ステップにより保存された編集情報に基づいて、前記画像データから編集処理が施された編集後の画像データを再生する再生ステップを有することを特徴とする請求項６記載の画像編集方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
さらに、置き換え手段が、前記再生ステップにより、前記保存ステップにより保存された前記編集情報に基づいて前記画像データに対して編集処理が施された編集後の画像データを再生する際、前記保存した前記編集情報のうち、いくつかの情報が不正であった場合でも、該不正であった情報を代替値に置き換える置き換えステップを有することを特徴とする請求項７記載の画像編集装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月15日(2009.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体パターンが形成された複数の誘電体層からなる積層体において第１の伝送線路と当該第１の伝送線路と電磁結合する第２の伝送線路と第３の伝送線路を備え、前記第１の伝送線路は一端が不平衡端子に接続され他端が開放端となり、第２の伝送線路は一端が接地され他端が第１の平衡端子に接続され、第３の伝送線路は一端が接地され他端が第２の平衡端子に接続される積層型バラントランスであって、前記第１、第２、第３の伝送線路はそれぞれ前記複数の誘電体層の表面に形成された複数の導体パターンを電気的にらせん状に接続してなり、かつ前記第１の伝送線路からなるインダクタと第２の伝送線路からなるインダクタ、並びに第１の伝送線路からなるインダクタと第３の伝送線路からなるインダクタはそれぞれ積層方向上面からみて重なる様に配置され、かつ前記第１の伝送線路を構成する導体のうちの一部と、前記第２の伝送線路を構成する導体のうちの一部と、前記第３の伝送線路を構成する導体のうちの一部がそれぞれ同一の誘電体層の表面に形成されている層を含むことを特徴とする積層型バラントランス。
【請求項２】
導体パターンが形成された複数の誘電体層からなる積層体において第１の伝送線路と当該第１の伝送線路と電磁結合する第２の伝送線路と第３の伝送線路を備え、前記第１の伝送線路は一端が不平衡端子に接続され他端が開放端となり、第２の伝送線路は一端が接地され他端が第１の平衡端子に接続され、第３の伝送線路は一端が接地され他端が第２の平衡端子に接続される積層型バラントランスであって、前記第１、第２、第３の伝送線路はそれぞれ前記複数の誘電体層の表面に形成された複数の導体パターンを電気的にらせん状に接続してなり、かつ前記第１の伝送線路からなるインダクタと第２の伝送線路からなるインダクタ、並びに第１の伝送線路からなるインダクタと第３の伝送線路からなるインダクタはそれぞれ積層方向上面からみて重なる様に配置され、かつ前記第１の伝送線路によって作られるインダクタが占める空間と第２、第３の伝送線路によって作られるインダクタが占める空間が部分的に共用する部分を有することを特徴とする積層型バラントランス。
【請求項３】
前記複数の導体パターンのうち一部の導体パターンについて、その太さが他の導体パターンと異なることを特徴とする請求項１または２に記載の積層型バラントランス。
【請求項４】
複数の誘電体層からなる積層体内に、電極パターンによって形成されたバランおよび分波器および不要周波数成分を減衰するフィルタ回路を形成し、かつ前記積層体内の電極パターンと前記積層体の外部に搭載された搭載部品を用いて構成した高周波スイッチ回路を有する高周波スイッチモジュールにおいて、前記バランに請求項１〜３のいずれかに記載の積層型バラントランスを用いたことを特徴とする高周波スイッチモジュール。
【請求項５】
複数の誘電体層からなる積層体に、請求項１〜３のいずれかに記載の積層バラントランスとその他の部品を複合化したことを特徴とする複合部品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
第１の発明は、導体パターンが形成された複数の誘電体層からなる積層体において第１の伝送線路と当該第１の伝送線路と電磁結合する第２の伝送線路と第３の伝送線路を備え、前記第１の伝送線路は一端が不平衡端子に接続され他端が開放端となり、第２の伝送線路は一端が接地され他端が第１の平衡端子に接続され、第３の伝送線路は一端が接地され他端が第２の平衡端子に接続される積層型バラントランスであって、前記第１、第２、第３の伝送線路は、それぞれ前記複数の誘電体層の表面に形成された複数の導体パターンを電気的にらせん状に接続してなり、かつ前記第１の伝送線路からなるインダクタと第２の伝送線路からなるインダクタ、並びに第１の伝送線路からなるインダクタと第３の伝送線路からなるインダクタはそれぞれ積層方向上面からみて重なる様に配置され、かつ前記第１の伝送線路を構成する導体のうちの一部と、前記第２の伝送線路を構成する導体のうちの一部と、前記第３の伝送線路を構成する導体のうちの一部がそれぞれ同一の誘電体層の表面に形成されている層を含む積層型バラントランスである。
また、他の発明は、導体パターンが形成された複数の誘電体層からなる積層体において第１の伝送線路と当該第１の伝送線路と電磁結合する第２の伝送線路と第３の伝送線路を備え、前記第１の伝送線路は一端が不平衡端子に接続され他端が開放端となり、第２の伝送線路は一端が接地され他端が第１の平衡端子に接続され、第３の伝送線路は一端が接地され他端が第２の平衡端子に接続される積層型バラントランスであって、前記第１、第２、第３の伝送線路はそれぞれ前記複数の誘電体層の表面に形成された複数の導体パターンを電気的にらせん状に接続してなり、かつ前記第１の伝送線路からなるインダクタと第２の伝送線路からなるインダクタ、並びに第１の伝送線路からなるインダクタと第３の伝送線路からなるインダクタはそれぞれ積層方向上面からみて重なる様に配置され、かつ前記第１の伝送線路によって作られるインダクタが占める空間と第２、第３の伝送線路によって作られるインダクタが占める空間が部分的に共用する部分を有する積層型バラントランスである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明により、実装面積が小さく低背で挿入損失の小さい高周波スイッチモジュールを実現することが可能である。
また、他の発明は、複数の誘電体層からなる積層体に、上記のいずれかの積層バラントランスとその他の部品を複合化したことを特徴とする複合部品である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月15日(2009.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体パターンが形成された複数の誘電体層からなる積層体において第１の伝送線路と当該第１の伝送線路と電磁結合する第２の伝送線路と第３の伝送線路を備え、前記第１の伝送線路は一端が不平衡端子に接続され他端が開放端となり、第２の伝送線路は一端が接地され他端が第１の平衡端子に接続され、第３の伝送線路は一端が接地され他端が第２の平衡端子に接続される積層型バラントランスであって、各伝送線路と平衡端子、不平衡端子とはスルーホールによって接続され、前記第１、第２、第３の伝送線路はそれぞれ前記複数の誘電体層の表面に形成された複数の導体パターンを電気的にらせん状に接続してなり、かつ前記第１の伝送線路からなるインダクタと第２の伝送線路からなるインダクタ、並びに第１の伝送線路からなるインダクタと第３の伝送線路からなるインダクタはそれぞれ積層方向上方からみて重なる様に配置され、第１の伝送線路は第２、第３の伝送線路よりも上層に配置され、第１の伝送線路を構成する導体パターンのうち不平衡端子と接続される一端を含む導体パターンは他の導体パターンよりも上層に配置され、第２第３の伝送線路を構成する導体パターンのうち平衡端子と接続される一端を含む導体パターンは他の導体パターンよりも下層に配置されていることを特徴とする積層型バラントランス。
【請求項２】
前記複数の導体パターンのうち一部の導体パターンについて、その太さが他の導体パターンと異なることを特徴とする請求項１に記載された積層型バラントランス。
【請求項３】
複数の誘電体層からなる積層体の内部及び表面に形成した電極パターンと、積層体上に搭載した搭載部品を用いて構成した高周波スイッチモジュールにおいて、バランおよび分波器および不要周波数成分を減衰するフィルタ回路および高周波スイッチ回路を具備し、前記バランに請求項１又は２にて記載された構造の積層型バラントランスを用いたことを特徴とする高周波スイッチモジュール。
【請求項４】
複数の誘電体層からなる積層体に、請求項１または２に記載の積層バラントランスとその他の部品を複合化したことを特徴とする複合部品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明により、平衡端子への出力振幅差の調整を一部の導体パターンの幅を変更するだけで簡便に行えるので出力振幅差の調整が容易であり、また従来出力振幅差の調整の為に平衡端子に接続されていたコンデンサ電極を削除できるため積層数の低減と積層体の低背化が一層可能となる。
また、他の発明は、複数の誘電体層からなる積層体の内部及び表面に形成した電極パターンと、積層体上に搭載した搭載部品を用いて構成した高周波スイッチモジュールにおいて、バランおよび分波器および不要周波数成分を減衰するフィルタ回路および高周波スイッチ回路を具備し、前記バランに前記いずれかの構造の積層型バラントランスを用いたことを特徴とする高周波スイッチモジュールである。
さらに、他の発明は、複数の誘電体層からなる積層体に、前記いずれかの積層バラントランスとその他の部品を複合化したことを特徴とする複合部品である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月8日(2010.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放送局から放送された音声信号を記憶する放送記憶手段と、
前記放送記憶手段により記憶された音声信号の中から音声信号が所定期間以上連続して相互に一致する複数の楽曲期間を探索する楽曲探索手段と、
前記楽曲探索手段により探索された複数の楽曲期間の中から１つを選択する楽曲選択手段と、
前記楽曲選択手段により選択された楽曲期間の音声信号を記憶する楽曲記憶手段とを備えたことを特徴とする楽曲記憶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の楽曲記憶装置であって、
前記音声信号は左チャネル音声信号及び右チャネル音声信号を含み、
前記楽曲探索手段は、
左チャネル音声信号及び右チャネル音声信号の一方を反転する反転手段と、
前記反転手段により反転された信号と左チャネル音声信号及び右チャネル音声信号の他方とを合成して合成音声信号を生成する合成手段と、
前記合成手段により生成された合成音声信号のレベルを所定レベルと比較し、合成音声信号のレベルが所定レベルよりも大きいとき第１の論理レベルのパルス信号を出力し、合成音声信号のレベルが所定レベルよりも小さいとき第２の論理レベルのパルス信号を出力するパルス化手段と、
前記パルス化手段により出力されたパルス信号のうち論理レベルが所定期間以上連続して一致する期間を前記楽曲期間と特定するパルスマッチング手段とを含むことを特徴とする楽曲記憶装置。
【請求項３】
請求項１に記載の楽曲記憶装置であって、
前記楽曲探索手段は、
前記放送記憶手段により記憶された音声信号のレベルを所定期間ごとにサンプリングするサンプリング手段と、
前記サンプリング手段によりサンプリングされたレベルをそれよりも前にサンプリングされたレベルで除算してレベル変化率を算出する変化率算出手段と、
前記変化率算出手段により算出されたレベル変化率の中からレベル変化率が所定期間以上連続して一致する期間を前記楽曲期間と特定するレベルマッチング手段とを含むことを特徴とする楽曲記憶装置。
【請求項４】
請求項３に記載の楽曲記憶装置であって、
前記楽曲探索手段はさらに、
前記放送記憶手段により記憶された音声信号の中から、第１の中音域成分と、前記第１の中音域成分よりも高い第２の中音域成分と、前記第２の中音域成分よりも高い第３の中音域成分とを抽出して前記サンプリング手段に提供する抽出手段を含むことを特徴とする楽曲記憶装置。
【請求項５】
請求項１に記載の楽曲記憶装置であってさらに、
前記楽曲選択手段により選択された楽曲期間以外の音声信号を記憶する非楽曲記憶手段を備えたことを特徴とする楽曲記憶装置。
【請求項６】
請求項１に記載の楽曲記憶装置であって、
前記音声信号は左チャネル音声信号及び右チャネル音声信号を含み、
前記楽曲探索手段は、
左チャネル音声信号及び右チャネル音声信号の一方を反転する反転手段と、
前記反転手段により反転された信号と左チャネル音声信号及び右チャネル音声信号の他方とを合成して合成音声信号を生成する合成手段と、
前記合成手段により生成された合成音声信号のレベルを所定レベルと比較し、合成音声信号のレベルが所定レベルよりも大きいとき第１の論理レベルのパルス信号を出力し、合成音声信号のレベルが所定レベルよりも小さいとき第２の論理レベルのパルス信号を出力するパルス化手段と、
前記パルス化手段により出力されたパルス信号のうち論理レベルが所定期間以上連続して一致する期間をパルス一致期間と特定するパルスマッチング手段と、
前記パルスマッチング手段により特定されたパルス一致期間の最初が揃うように前記音声信号を同期化する同期化手段と、
前記放送記憶手段により記憶された音声信号のレベルを所定期間ごとにサンプリングするサンプリング手段と、
前記サンプリング手段によりサンプリングされたレベルをそれよりも前にサンプリングされたレベルで除算してレベル変化率を算出する変化率算出手段と、
前記同期化手段により同期化された音声信号のレベル変化率を互いに同じタイミングで対比することにより、前記変化率算出手段により算出されたレベル変化率の中からレベル変化率が所定期間以上連続して一致する期間を前記楽曲期間と特定するレベルマッチング手段とを含むことを特徴とする楽曲記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】楽曲記憶装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、楽曲記憶装置に関し、さらに詳しくは、放送局から放送された種々の音声の中から楽曲を自動的に抽出して録音することができる楽曲記憶装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の目的は、上述した制御データ、オンエア情報、キューシートなどがなくても、放送局から放送された種々の音声の中から楽曲を自動的に抽出して録音することができる楽曲記憶装置を提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明による楽曲記憶装置は、放送局から放送された音声信号を記憶する放送記憶手段と、前記放送記憶手段により記憶された音声信号の中から音声信号が所定期間以上連続して相互に一致する複数の楽曲期間を探索する楽曲探索手段と、前記楽曲探索手段により探索された複数の楽曲期間の中から１つを選択する楽曲選択手段と、前記楽曲選択手段により選択された楽曲期間の音声信号を記憶する楽曲記憶手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
好ましくは、楽曲記憶装置はさらに、楽曲選択手段により選択された楽曲期間以外
の音声信号を記憶する非楽曲記憶手段を備える。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月18日(2010.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学式／構造（Ｉ）の半導体を含む電子デバイスであって、式中、Ｒ、Ｒ’及びＲ’’は、独立に、水素、好適な炭化水素、好適なヘテロ原子含有基、ハロゲン、又はこれらの混合物であり、ｎは繰り返し単位の数を表すことを特徴とする、電子デバイス。
2008109135.tif 000001
（Ｉ）
【請求項２】
前記半導体は、次のポリ（ジチエニルベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン）であって、
2008109135.tif 000002
（２１）
2008109135.tif 000003
（２２）
2008109135.tif 000004
（２３）
式中、ｎは前記ポリマーの繰り返し単位の数を示し、約２から約５，０００までの数であり、前記ポリマーの数平均分子量（Ｍｎ）は約５００から約４００，０００までであり、前記ポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）は約６００から約５００，０００までであることを特徴とする、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
基板と、ゲート電極と、ゲート誘電体層と、ソース電極及びドレイン電極と、前記ソース／ドレイン電極及びゲート誘電体層と接触する半導体層と、を含む薄膜トランジスタであって、該半導体層は次の化学式／構造のポリ（ジチエニルベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン）を含み、式中、Ｒ、Ｒ’及びＲ’’は独立に、水素、好適な炭化水素、好適なヘテロ原子含有基、及びハロゲンのうちの少なくとも１つであり、ｎは繰り返し単位の数を表すことを特徴とする、薄膜トランジスタ。
2008109135.tif 000005
（Ｉ）
【請求項４】
前記半導体は、次の化学式／構造の半導体であり、
2008109135.tif 000006
（２１）
2008109135.tif 000007
（２２）
2008109135.tif 000008
（２３）
式中、ｎは前記ポリマーの繰り返し単位の数を表し、約５から約２，５００までの数であることを特徴とする、請求項３に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項５】
前記Ｒ、Ｒ’及びＲ’’は、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、エイコサニル、ヒドロキシメチル、ヒドロキシエチル、ヒドロキシプロピル、ヒドロキシブチル、ヒドロキシペンチル、ヒドロキシヘキシル、ヒドロキシヘプチル、ヒドロキシオクチル、ヒドロキシノニル、ヒドロキシデシル、ヒドロキシウンデシル、ヒドロキシドデシル、メトキシエチル、メトキシプロピル、メトキシブチル、メトキシペンチル、メトキシオクチル、トリフルオロメチル、ペルフルオロエチル、ペルフルオロプロピル、ペルフルオロブチル、ペルフルオロペンチル、ペルフルオロヘキシル、ペルフルオロヘプチル、ペルフルオロオクチル、ペルフルオロノニル、ペルフルオロデシル、ペルフルオロウンデシル、及びペルフルオロドデシルのうちの少なくとも１つであることを特徴とする、請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
次の化学式／構造において、Ｒ、Ｒ’及びＲ’’は好適な炭化水素、好適なヘテロ原子含有基、ハロゲン、又はこれらの混合物であり、ｎは繰り返し基の数を表すことを特徴とするポリマー。
2008109135.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月18日(2010.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板から揮発性残渣を除去する方法であって、
真空気密プラットフォームを持つ処理システムを準備するステップと、
該プラットフォームの処理チャンバ内で基板をハロゲンを含む化学で処理するステップと、
処理された該基板を該プラットフォーム内でインサイチュで処理して、処理された該基板から揮発性残渣を放出させるステップと、
を含む前記方法。
【請求項２】
処理された該基板を処理するステップが、
処理された該基板を該プラットフォームにおけるロードロックチャンバ内で加熱する工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
処理された該基板を処理するステップが、
処理された該基板を該プラットフォーム内に配置されたロボットのブレード上で加熱する工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
処理された該基板を処理するステップが、
処理された該基板を該処理チャンバに結合された搬送チャンバ内で加熱する工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
処理された該基板を処理するステップが、
処理された該基板を２００℃〜５００℃の温度に加熱する工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
処理された該基板を処理するステップが、
該処理システムのロードロックチャンバ内の処理された該基板をＯ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、アルケン、アルカン及びＨ２の少なくとも一つから選ばれるガスにさらす工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
処理された該基板を処理するステップが、
該処理システムのロードロックチャンバ内の処理された該基板を、該基板を加熱しつつＯ３にさらす工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
処理された該基板をさらすステップが、
処理された該基板を５秒〜１２０秒間該ガスにさらす工程を更に含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
処理された該基板を処理するステップが、
該基板を加熱しつつ５トール〜３００トールの圧力に維持する工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
処理された該基板を加熱するステップが、
該基板を加熱しつつ該基板を通過する信号の変化を感知する工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
該信号の変化を感知するステップが、
該信号の変化に相関する基板温度を決定する工程を更に含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
所定の温度に達したときに該基板の加熱を停止させるステップを更に含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１３】
該基板を処理するステップが、
該基板を臭化水素（ＨＢｒ）、塩素（Ｃｌ２）、及び四フッ化炭素（ＣＦ４）の少なくとも一つを用いて処理する工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
基板からハロゲン含有残渣を除去する方法であって、
処理チャンバと該処理チャンバの外部に配置された基板ヒータを持つ処理システムを準備するステップと、
ハロゲンを含む化学で該処理チャンバ内の該基板をエッチングするステップと、
エッチングされた該基板を該処理システム内の該基板ヒータでインサイチュで処理して、該基板から揮発性残渣を放出させるステップと、
該基板を加熱しつつ基板透過率変化を検出するステップと、
を含む前記方法。
【請求項１５】
該基板透過率変化を検出するステップが、
基板の加熱の終点を決定する工程を更に含む、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月1日(2010.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子と、
参照側の薄膜トランジスタと出力側の薄膜トランジスタとを有し、前記光電変換素子の出力を増幅するカレントミラー回路と、
高電位電極と低電位電極とを有する電源と、
を有し、
前記参照側の薄膜トランジスタ及び前記出力側の薄膜トランジスタはｎ型の薄膜トランジスタであり、
前記参照側の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は前記光電変換素子を介して前記高電位電極と電気的に接続され、
前記出力側の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は前記高電位電極と電気的に接続され、
前記参照側の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方は前記低電位電極と電気的に接続され、
前記出力側の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方は前記低電位電極と電気的に接続され、
前記出力側の薄膜トランジスタのゲート電極は、前記参照側の薄膜トランジスタのゲート電極、及び前記参照側の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方に電気的に接続され、
前記参照側の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は、前記出力側の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方に前記光電変換素子を介して電気的に接続され、
前記参照側の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方は、前記出力側の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続され、
前記参照側の薄膜トランジスタと前記低電位電極との間の電流経路は、前記出力側の薄膜トランジスタと前記低電位電極との間の電流経路よりも短いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
光電変換素子と、
参照側の薄膜トランジスタと複数の出力側の薄膜トランジスタとを有し、前記光電変換素子の出力を増幅するカレントミラー回路と、
高電位電極と低電位電極とを有する電源と、
を有し、
前記参照側の薄膜トランジスタ及び前記複数の出力側の薄膜トランジスタはｎ型の薄膜トランジスタであり、
前記参照側の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は前記光電変換素子を介して前記高電位電極と電気的に接続され、
前記複数の出力側の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は前記高電位電極と電気的に接続され、
前記参照側の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方は前記低電位電極と電気的に接続され、
前記複数の出力側の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方は前記低電位電極と電気的に接続され、
前記複数の出力側の薄膜トランジスタのゲート電極は、前記参照側の薄膜トランジスタのゲート電極、及び前記参照側の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方に電気的に接続され、
前記参照側の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は、前記複数の出力側の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方に前記光電変換素子を介して電気的に接続され、
前記参照側の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方は、前記複数の出力側の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続され、
前記参照側の薄膜トランジスタと前記低電位電極との間の電流経路は、前記複数の出力側の薄膜トランジスタのそれぞれと前記低電位電極との間の電流経路よりも短いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
光電変換素子と、
参照側の薄膜トランジスタと出力側の薄膜トランジスタとを有し、前記光電変換素子の出力を増幅するカレントミラー回路と、
高電位電極と低電位電極とを有する電源と、
を有し、
前記参照側の薄膜トランジスタ及び前記出力側の薄膜トランジスタはｐ型の薄膜トランジスタであり、
前記参照側の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は前記高電位電極と電気的に接続され、
前記出力側の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は前記高電位電極と電気的に接続され、
前記参照側の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方は前記光電変換素子を介して前記低電位電極と電気的に接続され、
前記出力側の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方は前記低電位電極と電気的に接続され、
前記出力側の薄膜トランジスタのゲート電極は、前記参照側の薄膜トランジスタのゲート電極、及び前記参照側の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続され、
前記参照側の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は、前記出力側の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方に電気的に接続され、
前記参照側の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方は、前記出力側の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方に前記光電変換素子を介して電気的に接続され、
前記参照側の薄膜トランジスタと前記高電位電極との間の電流経路は、前記出力側の薄膜トランジスタと前記高電位電極との間の電流経路よりも短いことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
光電変換素子と、
参照側の薄膜トランジスタと複数の出力側の薄膜トランジスタとを有し、前記光電変換素子の出力を増幅するカレントミラー回路と、
高電位電極と低電位電極とを有する電源と、
を有し、
前記参照側の薄膜トランジスタ及び前記複数の出力側の薄膜トランジスタはｐ型の薄膜トランジスタであり、
前記参照側の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は前記高電位電極と電気的に接続され、
前記複数の出力側の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は前記高電位電極と電気的に接続され、
前記参照側の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方は前記光電変換素子を介して前記低電位電極と電気的に接続され、
前記複数の出力側の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方は前記低電位電極と電気的に接続され、
前記複数の出力側の薄膜トランジスタのゲート電極は、前記参照側の薄膜トランジスタのゲート電極、及び前記参照側の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続され、
前記参照側の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は、前記複数の出力側の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方に電気的に接続され、
前記参照側の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方は、前記複数の出力側の薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方に前記光電変換素子を介して電気的に接続され、
前記参照側の薄膜トランジスタと前記高電位電極との間の電流経路は、前記複数の出力側の薄膜トランジスタのそれぞれと前記高電位電極との間の電流経路よりも短いことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月16日(2010.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検針メータと接続された無線子機と、無線子機との無線通信によって検針情報を収集する無線親機と、を含む無線検針システムであって、
前記無線親機は、複数の無線子機の中継履歴を保持する中継履歴保持手段と、前記中継履歴から中継機となる無線子機を判定する中継判定手段と、前記中継判定手段により判定された無線子機に中継動作を指示する中継指定を送信する中継指定手段とを具備し、
前記無線子機は、中継部として、他の無線子機の検針情報を収集するための検針要求を送信する検針要求手段と、前記他の無線子機からの検針応答を保持する検針応答保持手段と、前記検針応答を前記無線親機に送信する検針応答手段とを具備し、
前記無線子機は、前記無線親機からの前記中継指定を受信することによって、前記中継部を動作させることを特徴とする無線検針システム。
【請求項２】
前記無線親機からの中継指定には１つ又は複数の検針対象となる無線子機の識別情報が含まれており、
前記無線子機は、前記検針要求手段において、前記中継指定に含まれる前記１つ又は複数の無線子機に対して検針要求を送信することを特徴とする請求項１に記載の無線検針システム。
【請求項３】
前記無線親機は、複数の無線子機の組み合わせをグループとするグループ情報保持部をさらに有し、
前記中継指定を送信する無線子機と、前記検針対象となる無線子機とは前記グループ中の無線子機から選択することを特徴とする請求項１又は２に記載の無線検針システム。
【請求項４】
前記無線親機は、前記無線子機グループについて複数のパターンを保持するグループパターン情報保持部と、前記中継履歴からグループパターンを選択するグループパターン選択手段とをさらに有し、
前記グループの複数のパターンから前記無線子機の組み合わせを選択できることを特徴とする請求項３に記載の無線検針システム。
【請求項５】
前記無線子機は、中継履歴を保持する中継履歴保持手段をさらに有し、
検針時に前記無線親機に対して前記中継履歴を送信することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の無線検針システム。
【請求項６】
前記無線子機は間欠動作を行っており、
前記中継部を動作させる無線子機は、検針時に前記他の無線子機へ起動電文を送信することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の無線検針システム。
【請求項７】
検針メータと接続された無線子機と、無線子機との無線通信によって検針情報を収集する無線親機と、によって検針を行う無線検針方法であって、
前記無線親機は、複数の無線子機の中継履歴を保持し、前記中継履歴から中継機となる無線子機を判定し、前記中継機となる無線子機として判定された無線子機に中継動作を指示する中継指定を送信し、
前記無線子機は、前記無線親機からの前記中継指定を受信することにより、他の無線子機の検針情報を収集するための検針要求を送信し、前記他の無線子機からの検針応答を保持し、前記検針応答を前記無線親機に送信することを特徴とする無線検針方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月31日(2010.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
この問題を解決するために、例えば特許文献１では、通常制御を行なうシステム制御部と、時間のかかるレンズの繰り出しなどメカニカルな部分の制御を上記システム制御部とは別に制御するためのサブシステム制御部とを設けるという従来技術が提案されている。この従来技術は、通常の電源オン状態において操作キーが一定時間以上この撮像装置に入力されなかった場合、すなわち、ユーザが、一定時間以上撮像装置を操作しない場合に、サブシステム制御部の電源オン状態は維持しつつ、システム制御部の電源をオフする。これにより、システム制御部の電源をオフした状態から電源オン（システム制御部の電源もオンする）した場合の起動時間を短縮するというものである。
【特許文献１】特開２０００−２０９４８５号公報
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１記載の従来技術では、一定時間以上操作キーの入力が無い場合、すなわち、ユーザが、一定時間以上撮像装置を操作しない場合でないとシステム制御部の電源をオフできない。従って、この一定時間はフルに電力が消費されてしまうので、電池の消耗を抑制する効果はそれ程高くないという課題があった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、この従来技術の課題を鑑みてなされたものであり、起動時間を短縮できるという従来技術の効果を維持しつつ、電池の消耗を従来技術よりも更に抑制することが可能な撮像装置を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明によれば、起動時間を短縮できるという従来技術の効果を維持しつつ、電池の消耗を従来技術よりも更に抑制することが可能となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】