【手続補正書】
【提出日】平成22年1月8日(2010.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空排気可能な処理容器と、
前記処理容器内に配置され、前記処理容器に絶縁物を介して取り付けられる第１の電極と、
前記処理容器内で前記第１の電極と向かい合って配置される第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間の処理空間に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記第１の電極に第１の高周波を印加する第１の高周波電源と、
前記第１の電極の主面に絶縁体を介して埋め込まれ、互いに分離して電極中心部および電極周辺部にそれぞれ配置される中心導体および周辺導体と、
前記第１の高周波電源より前記第１の電極に印加される前記第１の高周波を前記中心導体および前記周辺導体の少なくとも一方を介して所望の電流量だけ漏らすための第１の高周波漏洩部と
を有するプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記第１の高周波漏洩部が、
前記中心導体または前記周辺導体に接続された伝送ラインと、
前記伝送ライン上で前記第１の高周波に対して所望のインピーダンスを与えるインピーダンス調整部と
を有する、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記インピーダンス調整部が、
前記伝送ラインに設けられた可変のインピーダンス回路と、
前記伝送ラインを流れる前記第１の高周波の電流量を測定する高周波電流測定部と、
前記伝送ラインを流れる前記第１の高周波の電流量が所望の値になるように前記インピーダンス回路のインピーダンスを可変制御するインピーダンス制御部と
を有する、請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記第１の高周波漏洩部が、
前記中心導体に接続された中心伝送ラインと、
前記中心伝送ライン上で前記第１の高周波に対して所望のインピーダンスを与える中心インピーダンス調整部と、
前記周辺導体に接続された周辺伝送ラインと、
前記周辺伝送ライン上で前記第１の高周波に対して所望のインピーダンスを与える周辺インピーダンス調整部と
を有する、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記中心インピーダンス調整部が、前記中心伝送ラインに設けられた可変の中心インピーダンス回路と、前記中心伝送ラインを流れる前記第１の高周波の電流量を測定する中心高周波電流測定部と、前記中心伝送ラインを流れる前記第１の高周波の電流量が所望の値になるように前記中心インピーダンス回路のインピーダンスを可変制御する中心インピーダンス制御部とを有し、
前記周辺インピーダンス調整部が、前記周辺伝送ラインに設けられた可変の周辺インピーダンス回路と、前記周辺伝送ラインを流れる前記第１の高周波の電流量を測定する周辺高周波電流測定部と、前記周辺伝送ラインを流れる前記第１の高周波の電流量が所望の値になるように前記周辺インピーダンス回路のインピーダンスを可変制御する周辺インピーダンス制御部とを有する、
請求項４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記第１の電極に前記第１の高周波と異なる周波数の第２の高周波を印加する第２の高周波電源と、
前記第２の高周波電源より前記第１の電極に印加される前記第２の高周波を前記中心導体および前記周辺導体の少なくとも一方を介して所望の電流量だけ漏らすための第２の高周波電流漏洩部と
を有する、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記第１の高周波漏洩部が、前記中心導体または前記周辺導体に接続された伝送ラインと、前記伝送ライン上で前記第１の高周波に対して所望のインピーダンスを与える第１のインピーダンス調整部とを有し、
前記第２の高周波漏洩部が、前記中心導体または前記周辺導体に接続された伝送ラインと、前記伝送ライン上で前記第２の高周波に対して所望のインピーダンスを与える第２のインピーダンス調整部とを有する、
請求項６に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記第１のインピーダンス調整部が、前記伝送ラインに設けられた可変の第１のインピーダンス回路と、前記伝送ラインを流れる前記第１の高周波の電流量を測定する第１の高周波電流測定部と、前記伝送ラインを流れる前記第１の高周波の電流量が所望の値になるように前記第１のインピーダンス回路のインピーダンスを可変制御する第１のインピーダンス制御部とを有し、
前記第２のインピーダンス調整部が、前記伝送ラインに設けられた可変の第２のインピーダンス回路と、前記伝送ラインを流れる前記第２の高周波の電流量を測定する第２の高周波電流測定部と、前記伝送ラインを流れる前記第２の高周波の電流量が所望の値になるように前記第２のインピーダンス回路のインピーダンスを可変制御する第２のインピーダンス制御部とを有する、
を有する、請求項７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記第１の高周波漏洩部が、前記中心導体に接続された中心伝送ライン上で前記第１の高周波に対して所望のインピーダンスを与える第１の中心インピーダンス調整部と、前記周辺導体に接続された周辺伝送ライン上で前記第１の高周波に対して所望のインピーダンスを与える第１の周辺インピーダンス調整部とを有し、
前記第２の高周波漏洩部が、前記中心伝送ライン上で前記第２の高周波に対して所望のインピーダンスを与える第２の中心インピーダンス調整部と、前記周辺伝送ライン上で前記第２の高周波に対して所望のインピーダンスを与える第２の周辺インピーダンス調整部とを有する、
請求項６に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
前記第１の中心インピーダンス調整部が、前記中心伝送ラインに設けられた可変の第１の中心インピーダンス回路と、前記中心伝送ラインを流れる前記第１の高周波の電流量を測定する第１の中心高周波電流測定部と、前記中心伝送ラインを流れる前記第１の高周波の電流量が所望の値になるように前記第１の中心インピーダンス回路のインピーダンスを可変制御する第１の中心インピーダンス制御部とを有し、
前記第１の周辺インピーダンス調整部が、前記周辺伝送ラインに設けられた可変の第１の周辺インピーダンス回路と、前記周辺伝送ラインを流れる前記第１の高周波の電流量を測定する第１の周辺高周波電流測定部と、前記周辺伝送ラインを流れる前記第１の高周波の電流量が所望の値になるように前記第１の周辺インピーダンス回路のインピーダンスを可変制御する第１の周辺インピーダンス制御部とを有し、
前記第２の中心インピーダンス調整部が、前記中心伝送ラインに設けられた可変の第２の中心インピーダンス回路と、前記中心伝送ラインを流れる前記第２の高周波の電流量を測定する第２の中心高周波電流測定部と、前記中心伝送ラインを流れる前記第２の高周波の電流量が所望の値になるように前記第２の中心インピーダンス回路のインピーダンスを可変制御する第２の中心インピーダンス制御部とを有し、
前記第２の周辺インピーダンス調整部が、前記周辺伝送ラインに設けられた可変の第２の周辺インピーダンス回路と、前記周辺伝送ラインを流れる前記第２の高周波の電流量を測定する第２の周辺高周波電流測定部と、前記周辺伝送ラインを流れる前記第２の高周波の電流量が所望の値になるように前記第２の周辺インピーダンス回路のインピーダンスを可変制御する第２の周辺インピーダンス制御部とを有する、
請求項９に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１１】
真空排気可能な処理容器と、
前記処理容器内に配置され、前記処理容器に絶縁物を介して取り付けられる第１の電極と、
前記処理容器内で前記第１の電極と向かい合って配置され、前記処理容器に絶縁物を介して取り付けられる第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間の処理空間に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記第１の電極に第１の高周波を印加する第１の高周波電源と、
前記第２の電極に前記第１の高周波と異なる周波数の第２の高周波を印加する第２の高周波電源と、
前記第１の電極の主面に絶縁体を介して設けられ、互いに分離して電極中心部および電極周辺部にそれぞれ配置される中心導体および周辺導体と、
前記第２の高周波電源より前記第２の電極に印加される前記第２の高周波を前記中心導体および前記周辺導体の少なくとも一方を介して所望の電流量だけ引き込むための高周波引き込み部と
を有するプラズマ処理装置。
【請求項１２】
前記高周波引き込み部が、
前記中心導体または前記周辺導体に接続された伝送ラインと、
前記伝送ライン上で前記第２の高周波に対して所望のインピーダンスを与えるインピーダンス調整部と
を有する、請求項１１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１３】
前記インピーダンス調整部が、
前記伝送ラインに設けられた可変のインピーダンス回路と、
前記伝送ラインを流れる前記第２の高周波の電流量を測定する高周波電流測定部と、
前記伝送ラインを流れる前記第２の高周波の電流量が所望の値になるように前記インピーダンス回路のインピーダンスを可変制御するインピーダンス制御部と
を有する、請求項１２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１４】
前記高周波引き込み部が、
前記中心導体に接続された中心伝送ラインと、
前記中心伝送ライン上で前記第２の高周波に対して所望のインピーダンスを与える中心インピーダンス調整部と、
前記周辺導体に接続された周辺伝送ラインと、
前記周辺伝送ライン上で前記第２の高周波に対して所望のインピーダンスを与える周辺インピーダンス調整部と
を有する、請求項１１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１５】
前記中心インピーダンス調整部が、
前記中心伝送ラインに設けられた可変の中心インピーダンス回路と、
前記中心伝送ラインを流れる前記第２の高周波の電流量を測定する中心高周波電流測定部と、
前記中心伝送ラインを流れる前記第２の高周波の電流量が所望の値になるように前記中心インピーダンス回路のインピーダンスを可変制御する中心インピーダンス制御部と
を有し、
前記周辺インピーダンス調整部が、
前記周辺伝送ラインに設けられた可変の周辺インピーダンス回路と、
前記周辺伝送ラインを流れる前記第２の高周波の電流量を測定する周辺高周波電流測定部と、
前記周辺伝送ラインを流れる前記第２の高周波の電流量が所望の値になるように前記周辺インピーダンス回路のインピーダンスを可変制御する周辺インピーダンス制御部と
を有する、請求項１４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１６】
前記第１の高周波電源より前記第１の電極に印加される前記第１の高周波を前記中心導体および前記周辺導体の少なくとも一方を介して所望の電流量だけ漏らすための高周波漏洩部を有する、請求項１１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１７】
前記高周波引き込み部が、前記中心導体または前記周辺導体に接続された伝送ラインと、前記伝送ライン上で所望のインピーダンスを与える第１のインピーダンス調整部とを有し、
前記高周波漏洩部が、前記中心導体または前記周辺導体に接続された伝送ラインと、前記伝送ライン上で所望のインピーダンスを与える第２のインピーダンス調整部とを有する、
請求項１６に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１８】
前記第１のインピーダンス調整部が、前記伝送ラインに設けられた可変の第１のインピーダンス回路と、前記伝送ラインを流れる前記第２の高周波の電流量を測定する第１の高周波電流測定部と、前記伝送ラインを流れる前記第１の高周波の電流量が所望の値になるように前記第１のインピーダンス回路のインピーダンスを可変制御する第１のインピーダンス制御部とを有し、
前記第２のインピーダンス調整部が、前記伝送ラインに設けられた可変の第２のインピーダンス回路と、前記伝送ラインを流れる前記第１の高周波の電流量を測定する第２の高周波電流測定部と、前記伝送ラインを流れる前記第２の高周波の電流量が所望の値になるように前記第２のインピーダンス回路のインピーダンスを可変制御する第２のインピーダンス制御部とを有する、
請求項１７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１９】
前記高周波引き込み部が、前記中心導体に接続された中心伝送ライン上で前記第２の高周波に対して所望のインピーダンスを与える第１の中心インピーダンス調整部と、前記周辺導体に接続された周辺伝送ライン上で前記第２の高周波に対して所望の伝達インピーダンスを与える第１の周辺インピーダンス調整部とを有し、
前記高周波漏洩部が、前記中心伝送ライン上で前記第１の高周波に対して所望のインピーダンスを与える第２の中心インピーダンス調整部と、前記周辺伝送ライン上で前記第１の高周波に対して所望のインピーダンスを与える第２の周辺インピーダンス調整部とを有する、
請求項１６に記載のプラズマ処理装置。
【請求項２０】
前記第１の中心インピーダンス調整部が、前記中心伝送ラインに設けられた可変の第１の中心インピーダンス回路と、前記中心伝送ラインを流れる前記第２の高周波の電流量を測定する第１の中心高周波電流測定部と、前記中心伝送ラインを流れる前記第２の高周波の電流量が所望の値になるように前記第１の中心インピーダンス回路のインピーダンスを可変制御する第１の中心インピーダンス制御部とを有し、
前記第１の周辺インピーダンス調整部が、前記周辺伝送ラインに設けられた可変の第１の周辺インピーダンス回路と、前記周辺伝送ラインを流れる前記第２の高周波の電流量を測定する第１の周辺高周波電流測定部と、前記周辺伝送ラインを流れる前記第２の高周波の電流量が所望の値になるように前記第１の周辺インピーダンス回路のインピーダンスを可変制御する第１の周辺インピーダンス制御部とを有し、
前記第２の中心インピーダンス調整部が、前記中心伝送ラインに設けられた可変の第２の中心インピーダンス回路と、前記中心伝送ラインを流れる前記第１の高周波の電流量を測定する第２の中心高周波電流測定部と、前記中心伝送ラインを流れる前記第１の高周波の電流量が所望の値になるように前記第２の中心インピーダンス回路のインピーダンスを可変制御する第２の中心インピーダンス制御部とを有し、
前記第２の周辺インピーダンス調整部が、前記周辺伝送ラインに設けられた可変の第２の周辺インピーダンス回路と、前記周辺伝送ラインを流れる前記第１の高周波の電流量を測定する第２の周辺高周波電流測定部と、前記周辺伝送ラインを流れる前記第１の高周波の電流量が所望の値になるように前記第２の周辺インピーダンス回路のインピーダンスを可変制御する第２の周辺インピーダンス制御部とを有する、
請求項１９に記載のプラズマ処理装置。
【請求項２１】
前記第１の電極上に被処理基板を載置し、
静電吸着力により前記基板を前記第１の電極上に保持するために、前記中心導体および前記周辺導体の少なくとも一方に直流電圧を印加する直流電圧印加部を有する、
請求項１〜２０のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項２２】
前記中心導体に第１の直流電圧を印加する第１の直流電圧印加部と、前記周辺導体に第２の直流電圧を印加する第２の直流電圧印加部とを有する、請求項２１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項２３】
前記第１の電極の温度を制御するために、前記中心導体および前記周辺導体の少なくとも一方を抵抗発熱体で構成し、前記抵抗発熱体に電力を供給するためのヒータ電源を有する、請求項１〜２０のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項２４】
前記中心導体および前記周辺導体をそれぞれ第１および第２の抵抗発熱体で構成し、前記第１の抵抗発熱体に電力を供給するための第１のヒータ電源と、前記第２の抵抗発熱体に電力を供給するための第２のヒータ電源とを有する、請求項２３に記載のプラズマ処理装置。