【手続補正書】
【提出日】平成21年12月28日(2009.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
洗浄化合物であって、
約０．５重量％ないし約１０重量％の割合で水に分散した脂肪酸と、
前記脂肪酸が分散した水溶液のｐＨを、１０．２以上にする量、または、前記脂肪酸の約５０％がイオン化するレベルにする量の塩基と、
液相の状態で前記水に分散した第１の不混和化合物と、
気相の状態で前記水に分散した第２の不混和化合物と
を備える洗浄化合物。
【請求項２】
前記脂肪酸は、ステアリン酸である請求項１に記載の洗浄化合物。
【請求項３】
前記脂肪酸は、ラウリン酸，パルミチン酸，ステアリン酸，オレイン酸，リノール酸，リノレン酸，アラキドン酸，ガドレイン酸，エルカ酸，ブチル酸，カプ ロン酸，カプリル酸，ミリスチン酸，マルガリン酸，ベヘン酸，リグノセリン酸，ミリストレイン酸，パルミトレイン酸，ネルボン酸，パリナリン酸，ティムノ ドン酸，ブラシジン酸，クルパノドン酸、およびそれらの混合物から成る群から選択される請求項１に記載の洗浄化合物。
【請求項４】
前記脂肪酸の粒子サイズ分布は、約５０ナノメートルないし５０００マイクロメートルである請求項１に記載の洗浄化合物。
【請求項５】
前記脂肪酸の酸部分は、炭酸，スルホン酸，ホスホン酸から成る群から選択される請求項１に記載の洗浄化合物。
【請求項６】
前記脂肪酸は前記水に加えられる前に融解される請求項１に記載の洗浄化合物。
【請求項７】
約０．１重量％ないし約１０重量％の割合で前記水に分散した他の脂肪酸を更に備える請求項１に記載の洗浄化合物。
【請求項８】
基板を洗浄する基板洗浄方法であって、
第１の不混和液を第２の不混和液に化合させた乳濁液を、前記基板の表面に供給する工程であって、前記第２の不混和液は前記第１の不混和液の中に分散する複数の液滴を形成し、前記乳濁液は前記第１の不混和液の中に分布した固体粒子を更に有する、工程と、
前記基板の前記表面に対する垂直成分を有する力を、前記基板に供給された固体粒子の一つに加えることによって、該固体粒子の一つを、前記基板の前記表面上の汚染物と相互作用可能な領域へ移動させる工程と、
前記汚染物に相互作用した固体粒子を前記基板の前記表面から除去する工程と
を備え、
前記乳濁液は、
約０．５重量％ないし約１０重量％の割合で水に分散した脂肪酸と、
前記脂肪酸が分散した水溶液のｐＨを、１０．２以上にすることが可能な量、または、前記脂肪酸の約５０％がイオン化するレベルにすることが可能な量の塩基と、
液相の状態で前記水に分散した第１の不混和化合物と、
気相の状態で前記水に分散した第２の不混和化合物と
を含む、基板洗浄方法。
【請求項９】
前記第１の不混和液は極性溶媒であり、前記第２の不混和液は非極性溶媒である請求項８に記載の基板洗浄方法。
【請求項１０】
前記第１の不混和液は非極性溶媒であり、前記第２の不混和液は極性溶媒である請求項８に記載の基板洗浄方法。
【請求項１１】
前記極性溶媒は、水，酢酸，蟻酸，メタノール，エタノール，ｎ−プロパノール，ｎ−ブタノール，イソプロパノール，アセトン，アセトニトリル，ジメチルホルムアミド，ジメチルスルホキシド、およびそれらの混合物から成る群から選択される請求項９に記載の基板洗浄方法。
【請求項１２】
前記非極性溶媒は、芳香族炭化水素溶媒，脂肪族炭化水素溶媒，環式炭化水素溶媒，ケトン溶媒，炭酸塩溶媒，ハロゲン化炭化水素溶媒，アルコール溶媒，エステル溶媒，エーテル溶媒，ミン溶媒、およびそれらの混合物から成る群から選択される請求項９に記載の基板洗浄方法。
【請求項１３】
前記固体粒子は、界面活性材料の凝集体である請求項８に記載の基板洗浄方法。
【請求項１４】
前記固体粒子は、前記第１の不混和液に分散された後、界面活性を有するように変化する請求項８に記載の基板洗浄方法。
【請求項１５】
前記固体粒子は、イオン化によって界面活性を有するように変化する請求項１４に記載の基板洗浄方法。
【請求項１６】
前記第１の不混和液のｐＨを上昇させることによって、前記イオン化を開始する請求項１５に記載の基板洗浄方法。
【請求項１７】
前記第１の不混和液に分散する複数の液滴を形成する第３の不混和液を、前記第１および第２の不混和液に加える工程を更に備える請求項８に記載の基板洗浄方法。
【請求項１８】
基板を洗浄する洗浄システムであって、
前記基板の表面上に配置可能に構成された洗浄ヘッドと、
分散相および連続相を有する洗浄溶液であって前記連続相内に粒子を分散した洗浄溶液を、前記洗浄ヘッドに送給する洗浄溶液貯蔵部と
を備え、
前記洗浄溶液は、
約０．５重量％ないし約１０重量％の割合で水に分散した脂肪酸と、
前記脂肪酸が分散した水溶液のｐＨを、１０．２以上にすることが可能な量、または、前記脂肪酸の約５０％がイオン化するレベルにすることが可能な量の塩基と、
液相の状態で前記水に分散した第１の不混和化合物と、
気相の状態で前記水に分散した第２の不混和化合物と
を含む、洗浄システム。
【請求項１９】
請求項１８に記載の洗浄システムであって、
前記洗浄ヘッドは、
前記洗浄溶液貯蔵部から送給された洗浄溶液を、前記基板の表面上に供給する洗浄部と、
前記洗浄部の下流側に位置し、前記基板の表面上を濯ぐ濯ぎ部と、
前記洗浄部の下流側に位置し、前記基板の表面上を乾燥させる乾燥部と
を含む洗浄システム。
【請求項２０】
前記分散相および前記連続相は、共通の物理的状態を有する請求項１８に記載の洗浄システム。
【請求項２１】
前記洗浄溶液は、加圧下において、単一の物理的状態で前記洗浄溶液貯蔵部に貯蔵され、大気圧下において、複数の物理的状態で前記洗浄ヘッドに送給される請求項１８に記載の洗浄システム。
【請求項２２】
前記洗浄ヘッドを固定した請求項１８に記載の洗浄システム。
【請求項２３】
前記洗浄ヘッドを前記基板に対して可動にした請求項１８に記載の洗浄システム。
【請求項２４】
前記洗浄ヘッドは、前記洗浄溶液貯蔵部から送給された洗浄溶液を、前記基板の表面上に供給する複数の洗浄部を含む請求項１８に記載の洗浄システム。
【請求項２５】
前記洗浄溶液の分散相は、前記粒子を前記基板上の汚染物に近接させる力を提供する請求項１８に記載の洗浄システム。
【請求項２６】
前記洗浄溶液の分散相は、前記粒子を前記基板上の汚染物から約１０ナノメートル以内に押し付ける請求項１８に記載の洗浄システム。
【請求項２７】
基板を洗浄する洗浄溶液であって、
脂肪酸をイソプロパノールに攪拌しながら加えることによって、約２重量％から約２０重量％の濃度で前記脂肪酸を溶解したイソプロパノール溶液を生成し、
前記生成されたイソプロパノール溶液から未溶解の固体を除去し、
前記未溶解の固体を除去したイソプロパノール溶液を水と混合することによって、前記溶解した脂肪酸を沈殿させ、
前記沈殿した脂肪酸をイオン化させ、
前記水に液相の状態で第１の不混和化合物を分散させ、
前記水に気相の状態で第２の不混和化合物を分散させることによって製造された洗浄溶液。
【請求項２８】
前記イソプロパノールに溶解される脂肪酸は、ステアリン酸およびパルミチン酸の混合物を含む請求項２７に記載の洗浄溶液。
【請求項２９】
前記生成されたイソプロパノール溶液を濾過することによって、該イソプロパノール溶液から未溶解の固体を除去した請求項２７に記載の洗浄溶液。
【請求項３０】
前記水と混合されたイソプロパノール溶液に塩基を加えることによって、前記沈殿した脂肪酸をイオン化した請求項２７に記載の洗浄溶液。
【請求項３１】
前記水と混合されたイソプロパノール溶液に塩基を加えて該イソプロパノール溶液のｐＨを１０．２以上にすることによって、前記沈殿した脂肪酸をイオン化した請求項２７に記載の洗浄溶液。
【請求項３２】
前記塩基は、約０．２５重量％ないし約１０重量％の濃度の水酸化アンモニウム（ＮＨ4ＯＨ）を含む請求項３１に記載の洗浄溶液。
【請求項３３】
半導体基板を洗浄する洗浄化合物であって、
約０．５重量％ないし約１０重量％の割合で水に分散した脂肪酸と、
前記脂肪酸が分散した水溶液のｐＨを、前記脂肪酸の約５０％がイオン化する場合のレベルよりも高くする量の塩基と、
液相の状態で前記水に分散した第１の不混和化合物と、
気相の状態で前記水に分散した第２の不混和化合物と
から基本的に成る洗浄化合物。
【請求項３４】
前記脂肪酸は、ステアリン酸である請求項３３に記載の洗浄化合物。
【請求項３５】
前記水溶液のｐＨは、約１０．２である請求項３３に記載の洗浄化合物。
【請求項３６】
前記脂肪酸は、ラウリン酸，パルミチン酸，ステアリン酸，オレイン酸，リノール酸，リノレン酸，アラキドン酸，ガドレイン酸，エルカ酸，ブチル酸，カプ ロン酸，カプリル酸，ミリスチン酸，マルガリン酸，ベヘン酸，リグノセリン酸，ミリストレイン酸，パルミトレイン酸，ネルボン酸，パリナリン酸，ティムノ ドン酸，ブラシジン酸，クルパノドン酸、およびそれらの混合物から成る群から選択される請求項３３に記載の洗浄化合物。
【請求項３７】
前記脂肪酸の粒子サイズ分布は、約５０ナノメートルないし５０００マイクロメートルである請求項３３に記載の洗浄化合物。
【請求項３８】
前記脂肪酸の酸部分は、炭酸，スルホン酸，ホスホン酸から成る群から選択される請求項３３に記載の洗浄化合物。
【請求項３９】
約０．１重量％ないし約１０重量％の割合で前記水に分散した他の脂肪酸を更に備える請求項３３に記載の洗浄化合物。
【請求項４０】
前記脂肪酸は前記水に加えられる前に融解される請求項３３に記載の洗浄化合物。
【請求項４１】
半導体基板を洗浄する洗浄化合物であって、
約０．５重量％ないし約１０重量％の割合で水に分散した脂肪酸と、
前記脂肪酸が分散した水溶液のｐＨを、前記脂肪酸の約５０％がイオン化する場合のレベルよりも高くする量の塩基と、
液相の状態で前記水に分散した第１の不混和化合物と、
気相の状態で前記水に分散した第２の不混和化合物と
から成る洗浄化合物。
【請求項４２】
前記脂肪酸は、ステアリン酸である請求項４１に記載の洗浄化合物。
【請求項４３】
前記水溶液のｐＨは、約１０．２である請求項４１に記載の洗浄化合物。
【請求項４４】
前記第２の不混和化合物は不活性ガスである請求項１に記載の洗浄化合物。
【請求項４５】
前記第２の不混和化合物は反応性ガスである請求項１に記載の洗浄化合物。
【請求項４６】
前記第１の不混和化合物はアルカンである請求項１に記載の洗浄化合物。
【請求項４７】
前記第１の不混和化合物は油溶性表面修飾物質である請求項１に記載の洗浄化合物。