【手続補正書】
【提出日】平成22年2月12日(2010.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
裏面に電極パッドが設けられた半導体チップと、表面に前記電極パッドと対向する接続パッドが設けられた多層配線基板と、を備え、
前記電極パッドは、前記半導体チップの裏面の各角に近接して配置された電極パッドを含む第１電極パッドと、前記第１電極パッド以外の第２電極パッドとからなり、
前記接続パッドは、前記第１電極パッドとバンプを介して接続された第１接続パッドと、前記第２電極パッドとバンプを介して接続された第２接続パッドとからなり、
前記多層配線基板は、前記第１接続パッドを支持する第１絶縁領域と、前記第２接続パッドを支持する第２絶縁領域とを有し、
前記第１絶縁領域は、熱可塑性樹脂で構成されており、前記第２絶縁領域は、熱硬化性樹脂で構成されている、半導体装置。
【請求項２】
前記多層配線基板は、第１絶縁領域を構成する第１絶縁層と、第２絶縁領域を構成する第２絶縁層とを有し、前記第１絶縁層は、前記第２絶縁層上に積層されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
裏面に電極パッドが設けられた半導体チップと、表面に前記電極パッドと対向する接続パッドが設けられた多層配線基板と、を備え、
前記電極パッドは、前記半導体チップの裏面の各角に近接して配置された電極パッドを含む第１電極パッドと、前記第１電極パッド以外の第２電極パッドとからなり、
前記接続パッドは、前記第１電極パッドとバンプを介して接続された第１接続パッドと、前記第２電極パッドとバンプを介して接続された第２接続パッドとからなり、
前記多層配線基板は、前記第１接続パッドを支持する第１絶縁領域を構成する第１絶縁層と、前記第２接続パッドを支持する第２絶縁領域を構成する第２絶縁層とを有し、
前記第１絶縁層は、前記第２絶縁層上に積層されている、半導体装置。
【請求項４】
前記第１絶縁層は、熱可塑性樹脂で構成されており、前記第２絶縁層は、熱硬化性樹脂で構成されている、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１絶縁層の厚さは、前記多層配線基板中の第１絶縁層の下にある回路パターンの厚さの１．５倍以上であり、かつ、前記第２電極パッドと前記第２接続パッドの間に形成されるバンプの高さの２分の１以下である、請求項２〜４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記多層配線基板は、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層を覆い、前記第１接続パッドおよび前記第２接続パッドに対応する位置に開口が設けられたソルダーレジストをさらに有し、
前記第１接続パッドに対応する位置の開口の大きさは、前記第２接続パッドに対応する位置の開口の大きさよりも大きく設定されている、請求項２〜５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記バンプは、いずれも略同じ体積のはんだバンプである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記熱可塑性樹脂は、融点が２８０℃以上のものである、請求項１、２または４に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記熱硬化性樹脂は、無機フィラーが配合されたものである、請求項１、２、４または８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記多層配線基板と前記半導体チップとの間には、アンダーフィルが充填されている、請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記多層配線基板は、裏面に外部接続用パッドが設けられたインターポーザである、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記多層配線基板は、ガラスクロスを含むコア基板を有している、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１３】
表面上に半導体チップが実装される多層配線基板であって、
前記表面上の矩形領域内に配置された複数のパッドと、前記複数のパッドのうち少なくとも四隅に位置するパッドを支持する第１絶縁領域を構成する第１絶縁層と、前記複数のパッドのうち前記第１絶縁層で支持されるパッド以外のパッドを支持する第１絶縁領域を構成する第２絶縁層と、を備え、
前記第１絶縁層は、熱可塑性樹脂で構成されており、前記第２絶縁層は、熱硬化性樹脂で構成されているとともに、前記第１絶縁層は、前記第２絶縁層上に積層されている、多層配線基板。
【請求項１４】
前記第１絶縁層の厚さは、５〜５０μｍである、請求項１３に記載の多層配線基板。
【請求項１５】
前記多層配線基板は、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層を覆い、前記複数のパッドに対応する位置に開口が設けられたソルダーレジストをさらに有し、
前記第１絶縁層で支持されるパッドに対応する位置の開口の大きさは、前記第２絶縁層で支持されるパッドに対応する位置の開口の大きさよりも大きく設定されている、請求項１３または１４に記載の多層配線基板。
【請求項１６】
前記熱可塑性樹脂は、融点が２８０℃以上のものである、請求項１３〜１５のいずれか一項に記載の多層配線基板。
【請求項１７】
前記熱硬化性樹脂は、無機フィラーが配合されたものである、請求項１３〜１６のいずれか一項に記載の多層配線基板。
【請求項１８】
ガラスクロスを含むコア基板をさらに有する、請求項１３〜１７のいずれか一項に記載の多層配線基板。
【請求項１９】
ガラスクロスを含むコア基板上に、回路パターンを形成する工程と、
前記回路パターンが形成されたコア基板上に、熱硬化性樹脂で下側絶縁層を形成する工程と、
前記下側絶縁層上に、前記コア基板上の前記回路パターンと電気的に接続された複数のパッドおよび回路パターンを形成する工程と、
前記回路パターンが形成された前記下側絶縁層上に、前記複数のパッドを取り囲むように熱可塑性樹脂で上側絶縁層を形成する工程と、
前記上側絶縁層上に、前記下側絶縁層上の前記回路パターンと電気的に接続された複数のパッドを形成する工程と、
を含む、多層配線基板の製造方法。
【請求項２０】
前記下側絶縁層および前記上側絶縁層を覆うとともに前記パッドを露出させる開口を有するソルダーレジストを形成する工程をさらに含む、請求項１９に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項２１】
請求項１９または２０に記載の多層配線基板の製造方法により製造された多層配線基板、および裏面に電極パッドが設けられた半導体チップを用意し、
前記電極パッド上にはんだボールを搭載してリフローすることによりはんだバンプを形成し、
前記多層配線基板の表面上に前記半導体チップを前記接続パッドと前記電極パッドとが前記はんだバンプを挟んで対向するように搭載し、その状態でリフローすることにより前記多層配線基板の表面上に前記半導体チップを実装する、
半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
前記多層配線基板と前記半導体チップとの間に、アンダーフィルを充填する、請求項２１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
ガラスクロスを含むコア基板上に、回路パターンを形成する工程と、
前記回路パターンが形成されたコア基板上に、熱硬化性樹脂で下側絶縁層を形成する工程と、
前記下側絶縁層上に、前記コア基板上の前記回路パターンと電気的に接続された複数のパッドおよび回路パターンを形成する工程と、
前記回路パターンが形成された前記下側絶縁層の角部を含む前記下側絶縁層の周縁部上に、前記複数のパッドを露出させる開口を形成するように熱可塑性樹脂で上側絶縁層を形成する工程と、
前記上側絶縁層上に、前記下側絶縁層上の前記回路パターンと電気的に接続された複数のパッドを形成する工程と、
を含む、多層配線基板の製造方法。