【手続補正書】
【提出日】平成21年12月3日(2009.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の誤り検出符号（ＥＤＣ）を含む、符号化されたデータのストリームを受取るように作動可能な誤り訂正装置であって、前記誤り訂正装置は、
符号化されたデータの前記ストリームに由来する二次元データアレイの第１の次元の誤りを検出するために前記複数のＥＤＣを用いるよう、かつ前記二次元データアレイの第２の次元の符号語を訂正するためにリードソロモン符号を用いるよう作動可能なデコーダを含み、前記デコーダはさらに、リードソロモン符号からＥＤＣのうちの少なくとも１つの中の対応するビットへ符号語をマッピングするよう作動可能である、誤り訂正装置。
【請求項２】
前記リードソロモン符号の記号サイズは、前記ＥＤＣのうちの少なくとも１つの記号サイズよりも小さく、前記データ記憶媒体は、光ディスク、磁気ディスク、光学テープ、および磁気テープからなる群から選択される、請求項１に記載の誤り訂正装置。
【請求項３】
前記誤り訂正装置はコントローラの一部として構成され、前記コントローラは、データ記憶媒体に記録されたデータを検出するためのトランスデューサに結合され、前記トランスデューサは磁気テープドライブヘッドを含み、前記データ記憶媒体は磁気テープを含む、請求項１に記載の誤り訂正装置。
【請求項４】
前記ＥＤＣのうち少なくとも１つは、ｇ（ｘ）＝ｘn＋１の形を有する原始多項式によって記述され、ここでｎはＥＤＣ記号内のビット数であり、前記ＥＤＣの生成多項式はＧ（Ｘ）＝Ｘ＋αsの形を有し、ここでαは前記原始多項式の根であり、ｓは０からｎ−１のいずれかの整数である、請求項１に記載の誤り訂正装置。
【請求項５】
前記デコーダは、前記リードソロモン符号からＥＤＣ残余へ前記符号語を関連付けるためのＥＤＣマップを生成するよう作動可能であり、前記ＥＤＣマップは、前記リードソロモン符号語内の変化する記号により影響を受け得る前記ＥＤＣ残余内の前記ビットについては２進法の１、および他の全てのビットについては２進法の０から構成され、前記ＥＤＣマップは、巡回ビットローテーションまたは他のマッピング演算を実行することによって正規化され、そのためビットマスク内の前記ビットは前記ＥＤＣ残余内の対応するビットに直接マッピングする、請求項１に記載の誤り訂正装置。
【請求項６】
前記デコーダはＥＤＣマップを用いるように作動可能であり、訂正不能または信頼できないように訂正されたと判断された顕著なリードソロモン符号語について誤りパターンを判断するよう構成される、請求項１に記載の誤り訂正装置。
【請求項７】
２つ以上のＥＤＣマップが生成され、全ての前記ＥＤＣマップのビットワイズの論理和が用いられて、全ての前記顕著なリードソロモン符号語によって影響を受ける前記ＥＤＣ残余内の前記ビットを決定する、または、２つ以上のＥＤＣマップが生成され、前記ＥＤＣマップ内でビットワイズの論理積および論理和演算が用いられて、２つ以上のリードソロモン符号語が前記ＥＤＣ残余内で同じビットに影響を及ぼすことができるか否かを判断する、請求項５に記載の誤り訂正装置。
【請求項８】
前記複数のＥＤＣからの第２のＥＤＣは誤り検出のためにのみ用いられ、前記複数のＥＤＣからの第１のＥＤＣからの訂正が信頼できるか否かを判断することができ、前記第２のＥＤＣは巡回冗長検査（ＣＲＣ）を含む、または、前記第２のＥＤＣはリードソロモン符号を含む、請求項１に記載の誤り訂正装置。
【請求項９】
データ誤り訂正の方法であって、
複数のデータブロックにおける誤りを特定して前記誤りを訂正するよう試みるためにリードソロモン符号を用いるステップと、
前記データブロックのいずれかに誤りがあるか否かを判断するために巡回冗長検査を用いるステップと、
前記リードソロモン符号によって訂正されない前記データブロックの誤りを訂正するために各データブロックの誤り検出符号（ＥＤＣ）を用いるステップとを含む、方法。
【請求項１０】
誤りを訂正するために各データブロックのＥＤＣを用いる前記ステップは、ＥＤＣマップを生成するステップをさらに含み、前記ＥＤＣマップは、前記リードソロモン符号によって訂正されない誤りを含む対応するデータブロック内の前記誤りの前記位置を特定する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
誤りを訂正するために各データブロックのＥＤＣを用いる前記ステップは、前記リードソロモン符号によって訂正されない前記データブロックの少なくとも１つの誤りを訂正するために、前記ＥＤＣから生成されるマップを用いるステップをさらに含み、
前記ＥＤＣの少なくとも１つは、ｇ（ｘ）＝ｘn＋１の形を有する原始多項式によって記述され、ここでｎはＥＤＣ記号内のビット数である、
前記ＥＤＣの生成多項式はＧ（Ｘ）＝Ｘ＋αsの形を有し、ここでαは前記原始多項式の根であり、ｓは０からｎ−１のいずれかの整数である、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
ＥＤＣマップを生成する前記ステップは、
各顕著なリードソロモン符号語について１組のＥＤＣマップを生成するステップを含み、前記ＥＤＣマップは、前記リードソロモン符号語内の変化する記号により影響を受け得る前記ＥＤＣ残余内の前記ビットについては２進法の１、および、マッピング演算を実行することによって前記ＥＤＣマップを正規化する他の全てのビットについては２進法の０から構成され、そのため、前記ビットマスク内の前記ビットは前記ＥＤＣ残余内の対応するビットに直接マッピングし、
前記マッピング演算は、巡回ビットローテーションを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
請求項９に記載の前記方法を実行するよう作動可能な、テープドライブであって、誤りを訂正するために各データブロックのＥＤＣを用いる前記ステップは、前記リードソロモン符号によって訂正されない前記データブロックの少なくとも１つの誤りを訂正するために、前記ＥＤＣから生成されるマップを用いるステップをさらに含む、テープドライブ。
【請求項１４】
テープドライブであって、
磁気テープ上のデータを読取るよう作動可能な磁気テープドライブヘッドを含み、前記データは複数のデータブロックを含み、
前記磁気テープドライブヘッドに電気的に接続されるコントローラを含み、前記コントローラは、前記データの誤りを訂正するために各データブロックの誤り訂正符号（ＥＣＣ）フィールドを用いるよう作動可能であり、前記コントローラはさらに、前記各データブロックの誤りについて検査する際に前記各データブロックの巡回冗長検査（ＣＲＣ）フィールドを用いるよう作動可能である、テープドライブ。
【請求項１５】
前記データブロックの各々は、ＥＣＣフィールドまたはＣＲＣフィールドのいずれかを有し、前記ＥＣＣフィールドおよび前記ＣＲＣフィールドは前記データブロックにおいて同じ位置を占め、前記コントローラはさらに前記データブロックの誤りを訂正するためにＥＤＣフィールドを用いるよう作動可能である、請求項１４に記載のテープドライブ。
【請求項１６】
前記コントローラはさらに、各データブロックの前記ＥＤＣフィールドに基づいてマップを生成するよう作動可能であり、前記マップは、前記対応するデータブロックにおいて誤りの前記位置を特定するために前記コントローラによって用いられるよう構成される、請求項１５に記載のテープドライブ。
【請求項１７】
前記コントローラは、前記複数のデータブロックにおいて誤りを訂正するためにリードソロモン符号を用いるよう作動可能であり、前記コントローラはさらに、前記リードソロモン符号からＥＤＣ残余へ符号語を関連付けるためのＥＤＣマップを生成するよう作動可能であり、前記ＥＤＣマップは、前記リードソロモン符号語内の変化する記号により影響を受け得る前記ＥＤＣ残余内の前記ビットについては２進法の１、および他の全てのビットについては２進法の０から構成される、請求項１５に記載のテープドライブ。
【請求項１８】
磁気テープドライブであって、
複数のデータブロックの誤りを特定して前記誤りを訂正するよう試みるためにリードソロモン符号を用いるよう、前記データブロックのいずれかに誤りがあるか否かを判断するために巡回冗長検査を用いるよう、かつ、前記リードソロモン符号によって訂正されない前記データブロックの誤りを訂正するために各データブロックのＥＤＣを用いるよう作動可能なコントローラを含み、前記コントローラはさらにＥＤＣマップを生成するよう作動可能であり、前記ＥＤＣマップは、前記リードソロモン符号によって訂正されない前記対応するデータブロック内の前記誤りの前記位置を特定するために前記コントローラによって用いられる、磁気テープドライブ。
【請求項１９】
前記コントローラはさらに、前記リードソロモン符号によって訂正されない前記データブロックの少なくとも１つの誤りを訂正するために、前記ＥＤＣから生成されるマップを用いるよう作動可能である、請求項１８に記載の磁気テープドライブ。