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【手続補正書】
【提出日】平成22年6月1日(2010.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダブルゲート型薄膜トランジスタと、前記ダブルゲート型薄膜トランジスタのボトムゲート電極に電気的に接続された外部接続端子と、を備え、
前記外部接続端子が、前記ボトムゲート電極と同一の層として成膜された第１の導電層と、前記ダブルゲート型薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極と同一の層として成膜された第２の導電層と、ＩＴＯからなる第３の導電層と、を有し、
前記第２の導電層と前記第３の導電層との間の層として絶縁層が成膜されているとともに、前記第２の導電層と前記第３の導電層とが前記絶縁層に設けられたコンタクトホールで接触している画像読取装置であって、
前記第２の導電層は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏの何れか１種を含む第４の導電層と、前記第４の導電層の次に成膜されたＩＴＯからなる第５の導電層と、を有し、
前記第４の導電層が前記第５の導電層と同一パターンとなるようにパターニング形成されているとともに、前記第５の導電層が前記コンタクトホールで前記第３の導電層に接触していることを特徴とする画像読取装置。
【請求項２】
前記第３の導電層が、前記ダブルゲート型薄膜トランジスタのトップゲート電極と同一の層として成膜されていることを特徴とする請求項１に記載の画像読取装置。
【請求項３】
前記第３の導電層が、前記ダブルゲート型薄膜トランジスタを覆うように成膜された静電気保護膜と同一の層として成膜されていることを特徴とする請求項１に記載の画像読取装置。
【請求項４】
ダブルゲート型薄膜トランジスタと、前記ダブルゲート型薄膜トランジスタのボトムゲート電極に電気的に接続された外部接続端子と、を備え、
前記外部接続端子が、前記ボトムゲート電極と同一の層として成膜された第１の導電層と、前記ダブルゲート型薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極と同一の層として成膜された第２の導電層と、ＩＴＯからなる第３の導電層と、を有し、
前記第２の導電層と前記第３の導電層との間の層として絶縁層が成膜されているとともに、前記第２の導電層と前記第３の導電層とが前記絶縁層に設けられたコンタクトホールで接触している画像読取装置の製造方法であって、
前記第２の導電層として、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏの何れか１種を含む第４の導電層と、ＩＴＯからなる第５の導電層と、を連続成膜する工程と、
前記第４の導電層が前記第５の導電層と同一パターンとなるように前記第２の導電層をパターニングする工程と、
前記第５の導電層を覆うように前記絶縁層を成膜する工程と、
前記第５の導電層の一部が前記絶縁層から露出するようにドライエッチングにより前記絶縁層にコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホールで前記第５の導電層に接触するように前記第３の導電層を成膜する工程と、
を含むことを特徴とする画像読取装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項１に記載の発明に係る画像読取装置は、ダブルゲート型薄膜トランジスタと、前記ダブルゲート型薄膜トランジスタのボトムゲート電極に電気的に接続された外部接続端子と、を備え、前記外部接続端子が、前記ボトムゲート電極と同一の層として成膜された第１の導電層と、前記ダブルゲート型薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極と同一の層として成膜された第２の導電層と、ＩＴＯからなる第３の導電層と、を有し、前記第２の導電層と前記第３の導電層との間の層として絶縁層が成膜されているとともに、前記第２の導電層と前記第３の導電層とが前記絶縁層に設けられたコンタクトホールで接触している画像読取装置であって、前記第２の導電層は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏの何れか１種を含む第４の導電層と、前記第４の導電層の次に成膜されたＩＴＯからなる第５の導電層と、を有し、前記第４の導電層が前記第５の導電層と同一パターンとなるようにパターニング形成されているとともに、前記第５の導電層が前記コンタクトホールで前記第３の導電層に接触していることを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明に係る画像読取装置は、請求項１に記載の発明において、前記第３の導電層が、前記ダブルゲート型薄膜トランジスタのトップゲート電極と同一の層として成膜されていることを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明に係る画像読取装置は、請求項１に記載の発明において、前記第３の導電層が、前記ダブルゲート型薄膜トランジスタを覆うように成膜された静電気保護膜と同一の層として成膜されていることを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明に係る画像読取装置の製造方法は、ダブルゲート型薄膜トランジスタと、前記ダブルゲート型薄膜トランジスタのボトムゲート電極に電気的に接続された外部接続端子と、を備え、前記外部接続端子が、前記ボトムゲート電極と同一の層として成膜された第１の導電層と、前記ダブルゲート型薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極と同一の層として成膜された第２の導電層と、ＩＴＯからなる第３の導電層と、を有し、前記第２の導電層と前記第３の導電層との間の層として絶縁層が成膜されているとともに、前記第２の導電層と前記第３の導電層とが前記絶縁層に設けられたコンタクトホールで接触している画像読取装置の製造方法であって、前記第２の導電層として、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏの何れか１種を含む第４の導電層と、ＩＴＯからなる第５の導電層と、を連続成膜する工程と、前記第４の導電層が前記第５の導電層と同一パターンとなるように前記第２の導電層をパターニングする工程と、前記第５の導電層を覆うように前記絶縁層を成膜する工程と、前記第５の導電層の一部が前記絶縁層から露出するようにドライエッチングにより前記絶縁層にコンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホールで前記第５の導電層に接触するように前記第３の導電層を成膜する工程と、を含むことを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この発明によれば、コンタクトホールをドライエッチングにより形成するとき、当該コンタクトホール下に存在する金属膜の上面が変質しないようにすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月14日(2010.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通穴である第１のキャビティを有する第１のシリコン基板と、
有底穴である第２のキャビティおよび貫通電極を有し、前記第２のキャビティの開口部側が前記第１のキャビティに向くように前記第１のシリコン基板と接合される第２のシリコン基板と、
前記第１のキャビティおよび前記第２のキャビティ内に収容される複数の電子装置チップであって、前記電子装置チップのうち少なくとも１つが前記貫通電極と電気的に接続される電子装置チップと、
を備えることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
前記第２のキャビティの開口部が前記第１のキャビティと連続している請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
貫通穴である第１のキャビティを有する第１のシリコン基板と、
有底穴である第２のキャビティおよび貫通電極を有し、前記第２のキャビティの底部裏面が前記第１のキャビティに向くように前記第１のシリコン基板と接合される第２のシリコン基板と、
前記第１のキャビティおよび前記第２のキャビティ内に収容される複数の電子装置チップと、
を備えることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項４】
前記第１のキャビティは、前記第２のシリコン基板に接する側から外部方向に向けて開口が広くなるテーパ形状である請求項３に記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記第２のキャビティは、前記底部側から外部方向に向けて開口が広くなるテーパ形状である請求項３に記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
前記第１のキャビティおよび前記第２のキャビティのうちいずれか一方に樹脂が充填される請求項３〜５のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本実施形態においては、シリコン基板１２Ａの全厚に対応する高さの窓枠状貫通キャビティ１４Ａと、シリコン基板１２Ｂの有底キャビティ１４Ｂとの合計高さを、キャビティ１４の高さＹとして利用できる。例えば、シリコン基板１２Ａ、１２Ｂとして図１と同じく８インチウェーハ市販規格品を用いた場合、シリコン基板１２Ａについては研磨後厚さの最大値６７５μｍをそのままキャビティ１４Ａの高さＹＡの最大値として利用でき、加えて、シリコン基板１２Ｂについては底部厚さ２００μｍを６７５μｍから差し引いた４７５μｍをキャビティ１４Ｂの高さＹＢの最大値として利用できる。したがって、キャビティ１４の高さＹは、キャビティ１４Ａの高さＹＡとキャビティ１４Ｂの高さＹＢとの合計として、１１５０μｍを最大値として利用できる（Ｙ＝ＹＡ＋ＹＢ≦６７５＋４７５＝１１５０）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
本実施形態においては、実施形態２と同様に、シリコン基板１２Ａの全厚に対応する高さの貫通キャビティ１４Ａと、シリコン基板１２Ｂの有底キャビティ１４Ｂとの合計高さを、キャビティ１４の高さＹとして利用できる。例えば、シリコン基板１２Ａ、１２Ｂとして図１と同じく８インチウェーハ市販規格品を用いた場合、シリコン基板１２Ａについては研磨後厚さの最大値６７５μｍをそのままキャビティ１４Ａの高さＹＡの最大値として利用でき、加えて、シリコン基板１２Ｂについては底部厚さ２００μｍを６７５μｍから差し引いた４７５μｍをキャビティ１４Ｂの高さＹＢの最大値として利用できる。したがって、キャビティ１４の高さＹは、キャビティ１４Ａの高さＹＡとキャビティ１４Ｂの高さＹＢとの合計として、１１５０μｍを最大値として利用できる（Ｙ＝ＹＡ＋ＹＢ≦６７５＋４７５＝１１５０）。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
電子装置チップ１６Ａ上に異種または同種の電子装置チップ１６Ｂを接着剤層１５を介して搭載し、両チップ１６Ａ／１６Ｂをワイヤボンディング２２で接続してスタックとする。このスタックを裏返して、前者の電子装置チップ１６Ａのバンプ１９を介して、下側のシリコン基板１２Ｂの貫通電極２４の上端にフリップチップ接続してある。これにより、電子装置チップ１６Ａのバンプ１９は、搭載基板との接続用の裏面配線２６へ引き出されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
下側のキャビティ１４Ｂ内では、シリコン基板１２Ａの裏面により構成された底面上に、接着剤層１５を介して電子装置チップ１６Ｂ２を搭載し、その上に接着剤層１５を介して異種または同種の電子装置チップ１６Ｂ１を搭載してスタックとする。各電子装置チップ１６Ｂ１、１６Ｂ２はワイヤボンディング２２Ｂ１、２２Ｂ２によりそれぞれキャビティ１４Ｂの底面上の配線パターン２０Ｂに接続されている。下側キャビティ１４Ｂ内は実際にはモールド樹脂２８で充填されている。下側キャビティ１４Ｂの周縁ではテーパ配線２６Ｔにより、配線パターン２０Ｂが搭載基板との接続用の裏面配線２６まで引き出されている。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月26日(2010.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
歪み点が７５０℃以上である第１の基板上に剥離層を形成し、前記剥離層に段差を設け、前記剥離層上に、前記段差を埋める第１の接合層を形成する工程と、
単結晶シリコン基板である半導体基板の表面から一定の深さに損傷層を形成し、該損傷層が形成された前記半導体基板の表面に、下地絶縁膜を形成し、前記下地絶縁膜上に、第２の接合層を形成する工程と、
前記第１の接合層と、前記第２の接合層とを貼り合わせて前記損傷層で剥離することで、前記第１の基板上に半導体層を形成し、前記半導体層を有する半導体素子を形成する工程と、
前記半導体素子を前記剥離層に設けられた前記段差から剥離することで可撓性基板である第２の基板上に転置する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
歪み点が７５０℃以上である第１の基板上に剥離層を形成し、前記剥離層に段差を設け、前記剥離層上に、前記段差を埋める第１の接合層を形成する工程と、
単結晶シリコン基板である半導体基板の表面から一定の深さに損傷層を形成し、該損傷層が形成された前記半導体基板の表面に、下地絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の接合層と、前記下地絶縁膜とを貼り合わせて前記損傷層で剥離することで、前記第１の基板上に半導体層を形成し、前記半導体層を有する半導体素子を形成する工程と、
前記半導体素子を前記剥離層に設けられた前記段差から剥離することで可撓性基板である第２の基板上に転置する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
単結晶シリコン基板である半導体基板の表面から一定の深さに損傷層を形成し、該損傷層が形成された前記半導体基板の表面に、下地絶縁膜を形成し、前記下地絶縁膜上に剥離層を形成し、前記剥離層に段差を設け、前記剥離層上に第１の接合層を形成する工程と、
歪み点が７５０℃以上である第１の基板の表面と、前記第１の接合層とを貼り合わせて前記損傷層で剥離することで、前記第１の基板上に半導体層を形成し、前記半導体層を有する半導体素子を形成する工程と、
前記半導体素子を前記剥離層に設けられた前記段差から剥離することで可撓性基板である第２の基板上に転置する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の接合層はＣＭＰにて平坦化されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
歪み点が７５０℃以上である第１の基板上に第１の接合層を形成する工程と、
単結晶シリコン基板である半導体基板の表面から一定の深さに損傷層を形成し、該損傷層が形成された前記半導体基板の表面に、下地絶縁膜を形成し、前記下地絶縁膜上に剥離層を形成し、前記剥離層に段差を設け、前記剥離層上に前記段差を埋める第２の接合層を形成する工程と、
前記第１の接合層と、前記第２の接合層とを貼り合わせて前記損傷層で剥離することで、前記第１の基板上に半導体層を形成し、前記半導体層を有する半導体素子を形成する工程と、
前記半導体素子を前記剥離層に設けられた前記段差から剥離することで可撓性基板である第２の基板上に転置する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記第２の接合層はＣＭＰにて平坦化されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記半導体素子を第２の基板上に転置する工程において、前記第１の基板上の各半導体素子が形成される領域の、前記剥離層の膜厚は略均一であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記剥離層は、金属材料で形成される第１の剥離層と、絶縁材料で形成される第２の剥離層とで形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記第１の剥離層がタングステン膜であり、前記第２の剥離層が酸化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項８又は請求項９において、
前記第２の剥離層に段差部を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月24日(2010.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記第１及び第２回路領域における前記間隔は、前記素子分離領域によって区画される活性領域の単位面積あたりの、当該活性領域から当該活性領域内の前記孔の領域を除いた残余領域の面積が、前記第１回路領域と前記第２回路領域とで一致するように設定されることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記第１及び第２回路領域における前記間隔は、前記素子分離領域によって区画される活性領域から当該活性領域内の前記孔の領域を除いた残余領域の面積を、当該活性領域の面積で除算した結果が、前記第１回路領域と前記第２回路領域とで一致するように設定されることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
このような固体撮像装置の製造方法により、溝内部のみに残された第２絶縁膜の上面と半導体基板の上面との間に生じるＳＴＩ段差を、活性領域の占有面積が異なる画素部と周辺回路部とで均一にすることができる。つまり、活性領域の占有面積が大きい画素部でのＳＴＩ段差の高段差化を十分に抑制することができる。さらに、画素部内におけるＳＴＩ段差の偏りも十分に抑制することができる。その結果、飽和特性不良や、画像上における黒キズおよび白キズ等の、固体撮像装置特有の不良の発生を防ぐことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月29日(2010.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体と、
前記基体の上方に形成され、ホウ化コバルト鉄またはホウ化コバルト鉄ニッケルからなるバッファ層と、
前記バッファ層の上方に形成された下部電極と、
前記下部電極の上方に形成された圧電体層と、
前記圧電体層の上方に形成された上部電極と、を含む、圧電素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記バッファ層は、アモルファス状態の金属からなる、圧電素子。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記バッファ層の厚さは、２ｎｍ以上、１０ｎｍ以下である、圧電素子。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、
前記基体は、基板と、前記基板の上方に形成された振動板と、を有する、圧電素子。
【請求項５】
請求項４において、
前記振動板は、前記基板側から順に形成された第１振動層と、第２振動層と、を有し、
前記第１振動層は、酸化シリコンからなり、
前記第２振動層は、酸化ジルコニウムからなる、圧電素子。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかにおいて、
前記圧電体層は、一般式ＡＢＯ３で示されるペロブスカイト型酸化物であり、
前記Ａは、鉛を含み、
前記Ｂは、ジルコニウムおよびチタンを含む、圧電素子。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の圧電素子を有する、液体噴射ヘッド。
【請求項８】
請求項７に記載の液体噴射ヘッドを有する、プリンタ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月4日(2010.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端が高電圧側に接続された第１の電気ヒューズ素子と、
一端が低電圧側に接続された第２の電気ヒューズ素子と、
前記第１の電気ヒューズ素子及び前記第２の電気ヒューズ素子のいずれか一方を導通状態にする設定手段と、
前記第１の電気ヒューズ素子の他端と前記第２の電気ヒューズ素子の他端とを接続する所定の接点の電圧レベルを判定する判定手段と、
前記第１の電気ヒューズ素子の他端を前記所定の接点に接続又は非接続する第１の開閉手段と、
前記第２の電気ヒューズ素子の他端を前記所定の接点に接続又は非接続する第２の開閉手段と、を備える、ことを特徴とする電気ヒューズ判定回路。
【請求項２】
前記判定手段は、前記所定の接点をあらかじめプリチャージすることなく、前記導通状態に設定された前記第１の電気ヒューズ素子及び前記第２の電気ヒューズ素子のいずれか一方に関連する電圧を判定する、ことを特徴とする請求項１に記載の電気ヒューズ判定回路。
【請求項３】
前記設定手段は、
第１の制御信号を受信し、前記第１の電気ヒューズ素子の他端に接続される第１の回路と、
第２の制御信号を受信し、前記第２の電気ヒューズ素子の他端に接続される第２の回路と、を含み、
前記第１及び第２の制御信号のいずれか一方が活性化することにより、前記第１の電気ヒューズ素子及び前記第２の電気ヒューズ素子のいずれか一方を導通状態にする、ことを特徴とする請求項２に記載の電気ヒューズ判定回路。
【請求項４】
前記第１の開閉手段及び前記第２の開閉手段は、前記設定手段の動作時に電気的に切断し、
前記第１の開閉手段及び前記第２の開閉手段は、前記設定手段の非動作時に電気的に接続する、ことを特徴とする請求項３に記載の電気ヒューズ判定回路。
【請求項５】
前記高電圧側の電圧レベルが、前記設定手段の動作時に、前記判定手段の電源電圧より高い電圧レベルに設定され、
前記高電圧側の電圧レベルが、前記設定手段の非動作時に、前記判定手段の電源電圧と同じ電圧レベルに設定され、
前記低電圧側の電圧レベルが、前記設定手段の動作時に、前記判定手段の接地電圧レベルより低い電圧レベルに設定され、
前記低電圧側の電圧レベルが、前記設定手段の非動作時に、前記判定手段の接地電圧レベルと同じ電圧レベルに設定される、ことを特徴とする請求項４に記載の電気ヒューズ判定回路。
【請求項６】
一端が高電圧側に接続された第１の電気ヒューズ素子と、一端が低電圧側に接続された第２の電気ヒューズ素子とを設け、
前記第１の電気ヒューズ素子及び前記第２の電気ヒューズ素子のいずれか一方を導通状態に設定し、
前記第１の電気ヒューズ素子の他端と前記第２の電気ヒューズ素子の他端とを接続する所定の接点の電圧レベルを判定し、
電源投入時からモードレジスタセットコマンドが外部から供給されるまでの期間、前記所定の接点の前記電圧レベルが、前記導通状態に設定された前記第１の電気ヒューズ素子及び前記第２の電気ヒューズ素子のいずれか一方に関連する所定のレベルに設定される、ことを特徴とする電気ヒューズ判定方法。
【請求項７】
前記モードレジスタセットコマンドが外部から供給された後に、前記所定の接点の電圧レベルを判定する、ことを特徴とする請求項６に記載の電気ヒューズ判定方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月15日(2010.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に形成された複数の電気素子と、前記複数の電気素子を覆う第１の保護絶縁膜と、を備える電気素子デバイスにおいて、
前記電気素子に重なる領域を覆うように、且つ、隣接する２つの電気素子間の少なくとも一部の領域の前記第１の保護絶縁膜を露出させるように、前記第１の保護絶縁膜の表面に第２の保護絶縁膜が設けられていることを特徴とする電気素子デバイス。
【請求項２】
前記第２の保護絶縁膜は透明であることを特徴とする請求項１に記載の電気素子デバイス。
【請求項３】
前記第２の保護絶縁膜の表面に静電保護電極が形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の電気素子デバイス。
【請求項４】
前記電気素子は受光素子であることを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の電気素子デバイス。
【請求項５】
基板に複数の電気素子を形成し、
前記複数の電気素子を覆う第１の保護絶縁膜を成膜し、
前記第１の保護絶縁膜の表面に第２の保護絶縁膜を貼着し、
前記電気素子に重なる領域の前記第２の保護絶縁膜が残存するように、且つ、隣接する２つの電気素子間の少なくとも一部の領域の前記第１の保護絶縁膜が露出するように、前記第２の保護絶縁膜をパターニングすることを特徴とする電気素子デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記第２の保護絶縁膜の表面に静電保護電極を形成することを特徴とする請求項５に記載の電気素子デバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
以上の課題を解決するため、請求項１に記載の発明は、基板に形成された複数の電気素子と、前記複数の電気素子を覆う第１の保護絶縁膜と、を備える電気素子デバイスにおいて、前記電気素子に重なる領域を覆うように、且つ、隣接する２つの電気素子間の少なくとも一部の領域の前記第１の保護絶縁膜を露出させるように、前記第１の保護絶縁膜の表面に第２の保護絶縁膜が設けられていることを特徴とする。 
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の電気素子デバイスにおいて、前記第２の保護絶縁膜の表面に静電保護電極が形成されていることを特徴とする。 
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項４に記載の発明は、請求項１から３の何れかに記載の電気素子デバイスにおいて、前記電気素子は受光素子であることを特徴とする。 
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項５に記載の発明は、電気素子デバイスの製造方法であって、基板に複数の電気素子を形成し、前記複数の電気素子を覆う第１の保護絶縁膜を成膜し、前記第１の保護絶縁膜の表面に第２の保護絶縁膜を貼着し、前記電気素子に重なる領域の前記第２の保護絶縁膜が残存するように、且つ、隣接する２つの電気素子間の少なくとも一部の領域の前記第１の保護絶縁膜が露出するように、前記第２の保護絶縁膜をパターニングすることを特徴とする。 
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の電気素子デバイスの製造方法であって、前記第２の保護絶縁膜の表面に静電保護電極を形成することを特徴とする。 
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月19日(2010.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁膜上に、フッ化シラン及びシランを用いて、グロー放電プラズマにより結晶核を形成し、
シランと水素、又はシランと希ガスとを用いて、グロー放電プラズマにより、前記結晶核を種として結晶成長させて微結晶半導体膜を形成し、
前記微結晶半導体膜にレーザーを照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁膜上に、フッ化シラン及びシランを用いて、グロー放電プラズマにより結晶核を形成し、
シランと水素、又はシランと希ガスとを用いて、グロー放電プラズマにより、前記結晶核を種として結晶成長させて微結晶半導体膜を形成し、
前記微結晶半導体膜にレーザーを照射し、
前記微結晶半導体膜にフッ素、水素、シリコン、又はゲルマニウムのフッ化物を含むガスを用いて、前記微結晶半導体膜表面の非晶質部分をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁膜上に微結晶半導体膜を形成し、
前記微結晶半導体膜にレーザーを照射し、
前記微結晶半導体膜にフッ素、水素、シリコン、又はゲルマニウムのフッ化物を含むガスを用いて、前記微結晶半導体膜表面の非晶質部分をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記レーザーを照射することにより、前記微結晶半導体膜を固相結晶成長させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記微結晶半導体膜を用いてボトムゲート型構造のトランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記トランジスタは、ソース電極またはドレイン電極に接する画素電極を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月1日(2010.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原版と、前記原版のパターンが形成される基板のショット領域との位置を合わせる位置合わせ方法であって、
少なくとも１つの基板に形成された複数の計測マークのうち第１の数の計測マークを計測する計測ステップと、
前記計測ステップで計測された前記第１の数の計測マークに基づいて前記基板のショット領域の格子情報を算出する算出ステップと、
前記算出ステップで算出された格子情報に基づいて前記複数の計測マークのうち前記第１の数よりも少ない第２の数の計測マークを計測した場合に算出される前記基板のショット領域の格子情報を予測する予測ステップと、
前記算出ステップで算出された格子情報と前記予測ステップで予測された格子情報とのずれ量が許容範囲内にある場合に、前記複数の計測マークのうち前記第２の数の計測マークを計測する計測モードに移行させる移行ステップとを有することを特徴とする位置合わせ方法。
【請求項２】
前記格子情報は、前記基板の平均倍率及び平均回転成分を含むことを特徴とする請求項１記載の位置合わせ方法。
【請求項３】
前記複数の計測マークのうち前記第２の数の計測マークを計測する計測モードに移行した場合に、前記第２の数の計測マークの計測結果に基づいて算出された前記基板のショット領域の格子情報と前記予測ステップで予測された格子情報とのずれ量が許容範囲内にない場合に、前記複数の計測マークのうち前記第１の数の計測マークを計測する計測モードに移行させる移行ステップを更に有することを特徴とする請求項１記載の位置合わせ方法。
【請求項４】
原版を介して基板を露光する露光装置であって、
前記基板に形成された計測マークを計測する計測部と、
前記計測部の計測モードを制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、前記計測部で計測された複数の計測マークのうち第１の数の計測マークに基づいて前記基板のショット領域の格子情報を算出し、
前記算出された格子情報に基づいて前記複数の計測マークのうち前記第１の数よりも少ない第２の数の計測マークを計測した場合に算出される前記基板のショット領域の格子情報を予測し、
前記算出された格子情報と前記予測された格子情報とのずれ量が許容範囲内にある場合に、前記計測部の計測モードを、前記複数の計測マークのうち前記第２の数の計測マークを計測する計測モードに移行させる、ことを特徴とする露光装置
【請求項５】
請求項４記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
前記ステップで露光された基板を現像するステップと、を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月9日(2010.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材に設けた導体配線に電子部品の突起電極を埋没させて電気接続するとともに、前記導体配線は、前記突起電極の少なくとも周辺部が１００ｎｍ以下の金属微粒子から形成された多孔質体である
実装構造体。
【請求項２】
前記突起電極は前記基材と接触している
請求項１記載の実装構造体。
【請求項３】
前記導体配線は、前記突起電極との接合部のみ前記導体配線に凸部を有している
請求項１または請求項２記載の実装構造体。
【請求項４】
基材に設けた第１導体配線の上に第２導体配線を設け、
第２導体配線に電子部品の突起電極を埋没させて電気接続するとともに、
第２導体配線は多孔質である
実装構造体。
【請求項５】
第２導体配線を、第１導体配線の前記突起電極との接合部のみに設けた
請求項４記載の実装構造体。
【請求項６】
基材に設けた導体配線に電子部品を実装するに際し、
前記基材に形成した凹部に１００ｎｍ以下の粒径の金属粒子を含有したペースト材料を前記凹部の高さよりも低く充填して前記導体配線部を形成し、
前記導体配線部の材料が前記凹部から溢れ出ないように前記導電配線部に前記電子部品の突起電極を挿入し、
熱または光のエネルギーにより前記導体配部を硬化させる
実装構造体の製造方法。
【請求項７】
前記突起電極が前記基材に接触した状態になるよう前記導電配線部に前記突起電極を挿入する
請求項６記載の実装構造体の製造方法。
【請求項８】
基材に設けた導体配線に電子部品を実装するに際し、
前記基材に形成した凹部にこの凹部の高さよりも低く第１の導体配線部を形成し、
第１の導体配線部の少なくとも一部に１００ｎｍ以下の粒径の金属粒子を含有したペースト材料を前記凹部から溢れ出ないように塗布して第２の導体配線部を形成し、
第２の導体配線部の材料が前記凹部から溢れ出ないように第２の導体配線部に前記電子部品の突起電極を挿入した後に第２の導体配線部を硬化する
実装構造体の製造方法。
【請求項９】
１００ｎｍ以下の粒径の金属粒子を含有したペースト材料により第１の導体配線部を形成し、第２の導体配線部の材料を塗布する前に第１の導体配線部を硬化させる
請求項８に記載の実装構造体の製造方法。
【請求項１０】
第２の導体配線部の材料を塗布する前に、第２の導体配線部の領域を開口させたレジスト膜を形成する
請求項７または請求項９に記載の実装構造体の製造方法。
【請求項１１】
前記凹部をレジスト膜により形成する
請求項６〜請求項１０の何れか記載の実装構造体の製造方法。
【請求項１２】
電子部品の実装後に前記レジスト膜を除去する
請求項１１に記載の実装構造体の製造方法。
【請求項１３】
前記金属ナノペースト材料中に１μｍ以上のサイズの金属粒子を含有たものを使用する請求項６〜請求項１１の何れかに記載の実装構造体の製造方法。
【請求項１４】
導体配線における他の部品との接続部に追加導体配線部を形成する工程を付加する
請求項６〜請求項１１の何れかに記載の実装構造体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の請求項１記載の実装構造体は、基材に設けた導体配線に電子部品の突起電極を埋没させて電気接続するとともに、前記導体配線は、前記突起電極の少なくとも周辺部が１００ｎｍ以下の金属微粒子から形成された多孔質体であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の請求項５記載の実装構造体は、請求項４において、第２導体配線を、第１導体配線の前記突起電極との接合部のみに設けたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の請求項６記載の実装構造体の製造方法は、基材に設けた導体配線に電子部品を実装するに際し、前記基材に形成した凹部に１００ｎｍ以下の粒径の金属粒子を含有したペースト材料を前記凹部の高さよりも低く充填して前記導体配線部を形成し、前記導体配線部の材料が前記凹部から溢れ出ないように前記導電配線部に前記電子部品の突起電極を挿入し、熱または光のエネルギーにより前記導体配部を硬化させることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の請求項７記載の実装構造体の製造方法は、請求項６において、前記突起電極が前記基材に接触した状態になるよう前記導電配線部に前記突起電極を挿入することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の請求項８記載の実装構造体の製造方法は、基材に設けた導体配線に電子部品を実装するに際し、前記基材に形成した凹部にこの凹部の高さよりも低く第１の導体配線部を形成し、第１の導体配線部の少なくとも一部に１００ｎｍ以下の粒径の金属粒子を含有したペースト材料を前記凹部から溢れ出ないように塗布して第２の導体配線部を形成し、第２の導体配線部の材料が前記凹部から溢れ出ないように第２の導体配線部に前記電子部品の突起電極を挿入した後に第２の導体配線部を硬化することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の請求項９記載の実装構造体の製造方法は、請求項８において、１００ｎｍ以下の粒径の金属粒子を含有したペースト材料により第１の導体配線部を形成し、第２の導体配線部の材料を塗布する前に第１の導体配線部を硬化させることを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の請求項１０記載の実装構造体の製造方法は、請求項７または請求項９において、第２の導体配線部の材料を塗布する前に、第２の導体配線部の領域を開口させたレジスト膜を形成することを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の請求項１１記載の実装構造体の製造方法は、請求項６〜請求項１０の何れかにおいて、前記凹部をレジスト膜により形成することを特徴とする。
本発明の請求項１２記載の実装構造体の製造方法は、請求項１１において、電子部品の実装後に前記レジスト膜を除去することを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の請求項１３記載の実装構造体の製造方法は、請求項６〜請求項１１の何れかにおいて、前記金属ナノペースト材料中に１μｍ以上のサイズの金属粒子を含有したものを使用することを特徴とする。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の請求項１４記載の実装構造体の製造方法は、請求項６〜請求項１１の何れかにおいて、導体配線における他の部品との接続部に追加導体配線部を形成する工程を付加することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月21日(2010.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
処理室内に配置され金属が露出した基板上の有機材料を、前記処理室内に導入される活性種によってアッシングするアッシング装置であって、
前記活性種が通過する経路にあって、前記基板から飛散される前記金属が付着し得る面が、前記金属と同一の金属が露出されて形成され、該活性種の失活量は、アッシング処理の回数に関わらず、変化が抑制されることを特徴とするアッシング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、処理室内に配置され金属が露出した基板上の有機材料を、前記処理室内に導入される活性種によってアッシングするアッシング装置であって、前記活性種が通過する経路にあって、前記基板から飛散される前記金属が付着し得る面が、前記金属と同一の金属が露出されて形成され、該活性種の失活量は、アッシング処理の回数に関わらず、変化が抑制されるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月27日(2010.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データを入力する画像入力手段と、
前記画像データに応じて、記録紙上に画像を形成する際の記録材の載り量を計算する演算手段と、
前記載り量に従い、階調重視の色域圧縮を行う変換特性と色味重視の色域圧縮を行う変換特性を合成した変換特性を作成する変換特性作成手段とを有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記変換特性作成手段は、前記画像データの全画素数に対する前記画像データにおける所定の載り量以上の画素の割合を算出し、前記割合に応じて、前記合成は行なわれることを特徴とする請求項１項記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記画像データは、オブジェクト単位で区別され、
前記演算手段による計算の結果は、該オブジェクトに占める所定の載り量以上の画素の全画素に対する比に従い、前記合成は行なわれることを特徴とする請求項１項記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記変換特性は、通常の画像形成に比べ、低い載り量による画像形成を行う指示が行なわれた場合に作成されることを特徴とする請求項１項記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記変換特性は格子点からなる色変換テーブルであって、前記合成は階調重視の色変換テーブルの格子点に格納された信号と色味重視の色変換テ−ブルに格納された信号を、前記載り量に従い重み付け加算することで求められることを特徴とする請求項１項記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記演算手段は、前記画像入力手段により入力された画像データに間引きを行ったデータに載り量を計算することを特徴とする請求項１項記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記割合が大きいほど、前記階調重視の色域圧縮を行う変換特性の重みを前記色味重視の色域圧縮を行う変換特性の重みより多くした合成を行うことを特徴とする請求項２項記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記オブジェクトに占める所定の載り量以上の画素の全画素に対する比が大きいほど、前記階調重視の色域圧縮を行う変換特性の重みを前記色味重視の色域圧縮を行う変換特性の重みより多くした合成を行うことを特徴とする請求項３項記載の画像処理装置。
【請求項９】
さらに、前記作成された変換特性により、前記画像データを変換する変換手段とを有することを特徴とする請求項１または２項記載の画像処理装置。
【請求項１０】
画像データを入力し、
前記画像データに応じて、記録紙上に画像を形成する際の記録材の載り量を計算し、
前記載り量に従い、階調重視の色域圧縮を行う変換特性と色味重視の色域圧縮を行う変換特性を合成した変換特性を作成することを特徴とする画像処理方法。
【請求項１１】
コンピュータを請求項１乃至９のいずれか一項に記載された画像処理装置として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記した目的を達成するために、次のような発明を提案する。本発明に係る第１の発明は、画像データを入力する画像入力手段と、前記画像データに応じて、記録紙上に画像を形成する際の記録材の載り量を計算する演算手段と、前記載り量に従い、階調重視の色域圧縮を行う変換特性と色味重視の色域圧縮を行う変換特性を合成した変換特性を作成する変換特性作成手段とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月1日(2010.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体を撮像する撮像装置であって、
前記被写体側に反転自在に設けられ、前記撮像された被写体の映像表示あるいは全白表示を行う表示手段と、
前記表示手段が前記被写体側に向いている反転状態を検出する状態検出手段と、
前記表示手段をビデオライトとして使用するためのビデオライトモードを選択する選択手段と、
前記ビデオライトモードが選択された場合、前記表示手段を全白表示に切り替える表示制御手段と、
前記表示手段の輝度を調節する輝度調節手段と、
前記表示手段が前記被写体側に向いていない、前記反転状態以外の状態が検出された場合、前記輝度調節手段を制御し、前記全白表示が行われている前記表示手段の輝度を、前記反転状態の場合と比べ、低下させる輝度制御手段とを備えたことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
被写体を撮像する撮像装置であって、
前記被写体側あるいは撮影者側に反転自在に設けられ、前記撮像された被写体の映像表示あるいは全白表示を行う表示手段と、
前記表示手段が前記撮影者側に向いている正転状態あるいは前記被写体側に向いている反転状態を検出する状態検出手段と、
前記表示手段をビデオライトとして使用するためのビデオライトモードを選択する選択手段と、
前記ビデオライトモードが選択された場合、前記表示手段を全白表示に切り替える表示制御手段と、
前記表示手段の輝度を調節する輝度調節手段と、
前記表示手段が前記撮影者側に向いている正転状態が検出された場合、前記輝度調節手段を制御し、前記全白表示が行われている前記表示手段の輝度を、前記反転状態の場合と比べ、低下させる輝度制御手段とを備えたことを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
被写体を撮像する撮像装置であって、
前記撮像装置の本体に対し、開閉軸を中心に開閉自在、かつ前記開閉軸に対して直交する回動軸を中心に回動自在に設けられ、前記撮像された被写体の映像表示あるいは全白表示を行う表示手段と、
前記表示手段が前記被写体側に向いている反転状態から、前記開閉軸を中心に前記撮像装置の本体に閉じられた反転閉止状態を検出する状態検出手段と、
前記表示手段をビデオライトとして使用するためのビデオライトモードを選択する選択手段と、
前記ビデオライトモードが選択された場合、前記表示手段を全白表示に切り替える表示制御手段と、
前記表示手段の輝度を調節する輝度調節手段と、
前記表示手段が前記撮像装置の本体に閉じられた反転閉止状態が検出された場合、前記輝度調節手段を制御し、前記全白表示が行われている前記表示手段の輝度を、前記反転状態の場合と比べ、低下させる輝度制御手段とを備えたことを特徴とする撮像装置。
【請求項４】
前記状態検出手段は、前記撮像装置の本体に対し、開閉軸を中心に開閉自在である前記表示手段の開閉状態を検出する開閉検出手段と、前記開閉軸に対して直交する回動軸を中心に回動自在である前記表示手段の回動状態を検出する回動検出手段とを備え、前記開閉検出手段および前記回動検出手段の検出結果を基に、前記表示手段の状態を検出することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項５】
前記表示手段は、バックライトを有する液晶パネルであり、
前記輝度調節手段は、前記バックライトの輝度を調節することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、被写体を撮像する撮像装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
そこで、本発明は、こうした従来の問題点を解決するものであり、ビデオライトモード時の消費電力の削減を図ることができる撮像装置を提供することを目的としている。また、本発明は、撮影者側に向けた状態でビデオライトに切り替えた場合でも、眩しさを感じるおそれを無くすことができる撮像装置を提供することを他の目的としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の撮像装置の実施の形態について図面を参照しながら説明する。本実施形態の撮像装置はビデオカメラに適用される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月29日(2010.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の集積回路を内部に有する第１の半導体チップと、
第２の集積回路を内部に有する第２の半導体チップと、
振動部及び前記振動部を囲む枠部を有する圧電振動片と、
前記振動部に形成された励振電極と、
を有し、
前記励振電極は、前記第１及び第２の半導体チップの少なくともいずれか一方と電気的に接続され、
前記圧電振動片は、前記第１及び第２の半導体チップの間に配置され、
前記圧電振動片の前記枠部は、厚み方向において対向する第１および第２の接合面を有し、
前記枠部の前記第１の接合面が前記第１の半導体チップの一方の面に接合され、
前記枠部の前記第２の接合面が前記第２の半導体チップの一方の面に接合されてなる圧電デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載された圧電デバイスにおいて、
前記枠部は、前記厚み方向において対向する第１および第２の面を有し、
前記枠部には前記第１の面に第１の凸部が形成され、前記第１の凸部の前記厚み方向の端面が前記第１の接合面とされ、
前記枠部には前記第２の面に第２の凸部が形成され、前記第１の凸部の前記厚み方向の端面が前記第２の接合面とされてなる圧電デバイス。
【請求項３】
請求項２に記載された圧電デバイスにおいて、
前記第１の半導体チップは、前記第１の集積回路に電気的に接続された第１の電極を有し、
前記第２の半導体チップは、前記第２の集積回路に電気的に接続された第２の電極を有し、
前記励振電極は、第１及び第２の励振電極からなり、
前記枠部の前記第１の面上に形成され、前記第１の励振電極と電気的に接続され、前記第１及び第２の電極の少なくともいずれか一方の電極に電気的に接続されている第１の接続部を有する第１の配線と、
前記枠部の前記第２の面上に形成され、前記第２の励振電極と電気的に接続され、前記第１及び第２の電極の少なくともいずれか一方の電極に電気的に接続されている第２の接続部を有する第２の配線と、
を有する圧電デバイス。
【請求項４】
請求項３に記載された圧電デバイスにおいて、
前記第１の凸部は、第１の切り欠きを有して前記振動部を囲む形状をなし、前記第１の切り欠きの位置を前記第１の配線が通り、
前記第２の凸部は、第２の切り欠きを有して前記振動部を囲む形状をなし、前記第２の切り欠きの位置を前記第２の配線が通る圧電デバイス。
【請求項５】
請求項２から４のいずれか１項に記載された圧電デバイスにおいて、
前記第１の凸部は、前記第１の接続部と前記振動部の間に形成され、
前記第２の凸部は、前記第２の接続部と前記振動部の間に形成されている圧電デバイス。
【請求項６】
請求項３または４に記載された圧電デバイスにおいて、
前記圧電振動片は、前記第１の面を、前記第１の半導体チップの前記第１の電極が形成された面に対向させて配置され、
前記第１の接続部が前記第１の電極に対向して配置されている圧電デバイス。
【請求項７】
請求項６に記載された圧電デバイスにおいて、
前記圧電振動片は、前記第２の面を、前記第２の半導体チップの前記第２の電極が形成された面に対向させて配置され、
前記第２の接続部が前記第２の電極に対向して配置されている圧電デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月25日(2009.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱膨張係数ＣＴＥが、３．３・１０-6／Ｋ以下であり、重量％で、
ＳｉＯ2    ５８〜７０
Ａｌ2Ｏ3    １７〜１８
Ｂ2Ｏ3    ５〜１５
ＭｇＯ    ０〜９
ＣａＯ    ２〜１２
ＢａＯ    ０．１〜５
ＳｎＯ2    ０〜１
Ａｓ2Ｏ3    ０〜２
の組成を有するアルミノホウ珪酸ガラスであって、
任意の不純物を除き、前記ガラスは、アルカリ酸化物および酸化ストロンチウムを含まず、重量％で、ＳｉＯ2・Ｂ2Ｏ3／Ａｌ2Ｏ3比率が３２ないし３８であり、粘度の常用対数が４ないし２の範囲、すなわち、粘度が１０4ｄＰａｓないし１０2ｄＰａｓの範囲において、粘度曲線の平均勾配は、−５．５０・１０-3ｄＰａｓ／Ｋ以下であるアルミノホウ珪酸ガラス。
【請求項２】
重量％で、ＳｉＯ2・Ｂ2Ｏ3／Ａ１2Ｏ3比率が、３３ないし３７である請求項１に記載のアルミノホウ珪酸ガラス。
【請求項３】
０〜１０重量％、好ましくは０〜５重量％の紫外線放射をブロックするための酸化物、特にＦｅ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＣｅＯ2を有する請求項１または２に記載のアルミノホウ珪酸ガラス。
【請求項４】
重量％で、ＳｉＯ2／Ａ１2Ｏ3比率が、３．２ないし３．６、好ましくは３．３ないし３．５５である、請求項１〜３のいずれかに記載のアルミノホウ珪酸ガラス。
【請求項５】
重量％で、
ＳｉＯ2    ５８〜７０
Ａ１2Ｏ3    １７〜１８
Ｂ2Ｏ3    ９．５〜１１
ＭｇＯ    １〜４
ＣａＯ    ３〜６
ＢａＯ    ＞３〜４
ＳｎＯ2    ０〜１
Ａｓ2Ｏ3    ０〜２
不純物    ０．５未満、好ましくは０．１未満
の組成を有する、請求項１〜４のいずれかに記載のアルミノホウ珪酸ガラス。
【請求項６】
前記アルカリ酸化物含有量および酸化ストロンチウム含有量が、いずれも０．１重量％未満、好ましくは０．０１重量％未満である、請求項１〜５のいずれかに記載のアルミノホウ珪酸ガラス。
【請求項７】
前記熱膨張係数ＣＴＡが３．２・１０-6／Ｋ未満である、請求項１〜６のいずれかに記載のアルミノホウ珪酸ガラス。
【請求項８】
前記変形温度Ｔｇが７１０℃より高い、好ましくは７１５℃より高い、請求項１〜７のいずれかに記載のアルミノホウ珪酸ガラス。
【請求項９】
基板ガラスとして、特にフィルタ、ＯＬＥＤ、ＡＭＯＬＥＤ、すなわちアクティブマトリクスＯＬＥＤ、ＦＥＤ、すなわちフィールド・エミッション・ディスプレイまたはＳＥＤ、すなわち表面電界ディスプレイ用の基板ガラスについての、請求項１〜８のいずれかに記載のアルミノホウ珪酸ガラスの使用。
【請求項１０】
ＬＣＤＴＦＴディスプレイにおいて、非自己放射システムにおける平面型画面ディスプレイのバックライトを伴うディスプレイにおいて、特に、ＦＦＬ用、すなわち平坦な蛍光灯用、特に、外部電極を伴うＥＥＦＬシステム用、すなわち外部電極蛍光灯システム用のコーティングシステムにおける平面ガラスとしての、請求項１〜８のいずれかに記載のアルミノホウ珪酸ガラスの使用。