(57)【要約】      （修正有）【課題】製造ラインが所定時間以上使用されない場合においても現像液中の気泡の発生を抑制し、気泡によるフィルタのろ過性能低下を防止できる液処理装置を提供する。【解決手段】現像液供給源５１と、ウエハＷ上に現像液を供給する現像液供給ノズル５３と、一端を現像液供給源に接続し、他端を現像液供給ノズルに接続して現像液供給源から現像液供給ノズルに現像液を送液する供給管路５２と、供給管路上に設けられ、現像液をろ過するフィルタ６０と、フィルタ内の現像液を冷却する現像液冷却手段６１とを有する。【選択図】図４
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
現像液供給源と、
被処理基板上に現像液を供給する現像液供給ノズルと、
一端を前記現像液供給源に接続し、他端を前記現像液供給ノズルに接続して前記現像液供給源から前記現像液供給ノズルに現像液を供給する供給管路と、
前記供給管路上に設けられ、現像液をろ過するフィルタと、
前記フィルタ内の現像液が常温より低い温度になるように、前記供給管路上の現像液を冷却する現像液冷却手段と、
を有することを特徴とする液処理装置。
【請求項２】
前記現像液冷却手段は、前記フィルタの周囲に取り付けられるフィルタ冷却機構を含むことを特徴とする請求項１に記載の液処理装置。
【請求項３】
前記フィルタ冷却機構は、着脱自在な冷却部材を含むことを特徴とする請求項２に記載の液処理装置。
【請求項４】
前記現像液冷却手段は、前記供給管路の周囲を常温より低い温度の温調液が通流する温調液供給管路で囲んだ二重配管路を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の液処理装置。
【請求項５】
前記現像液冷却手段に対し、前記現像液の冷却を開始するよう制御信号を送信する制御部を有し、
前記制御部は、所定の時間以上、前記現像液供給ノズルから前記現像液が供給されないと判断すると、前記現像液の冷却を開始する制御信号を送信することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の液処理装置。
【請求項６】
前記供給管路に設けられ、前記現像液冷却手段により冷却された前記現像液の温度を、現像処理時の温度まで温調する現像液温調手段を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の液処理装置。
【請求項７】
前記現像液温調手段に対し、冷却された前記現像液の温度を現像処理時の温度まで温調するよう制御信号を送信する制御部を有し、
前記制御部は、前記現像液冷却手段で現像液の冷却を開始した後に、所定時間内に前記現像液ノズルから前記現像液が供給されると判断すると、前記現像液の温度を処理時の温度まで温調する制御信号を送信することを特徴とする請求項６に記載の液処理装置。
【請求項８】
前記フィルタ内の現像液を排出する排液管路と、
前記排液管路に設けられたバルブと、
前記バルブに対して、当該バルブを開成して前記フィルタ内の冷却された前記現像液を前記排液管路に排出するよう制御信号を送信する制御部を有し、
前記制御部は、前記現像液冷却手段で現像液の冷却を開始した後に、所定時間内に前記現像液ノズルから前記現像液が供給されると判断すると、前記バルブを開成する制御信号を送信することを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の液処理装置。
【請求項９】
前記現像液供給ノズルは、第１の筐体に配置され、
前記現像液供給源と、前記フィルタと、前記現像液冷却手段とは、第２の筐体に配置され、
前記現像液冷却手段は、前記第２の筐体の内部全体を冷却することにより前記現像液を冷却することを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の液処理装置。
【請求項１０】
前記現像液供給ノズルと、前記現像液温調手段とは、第１の筐体に配置され、
前記現像液供給源と、前記フィルタと、前記現像液冷却手段とは、第２の筐体に配置され、
前記現像液冷却手段は、前記第２の筐体の内部全体を冷却することにより前記現像液を冷却することを特徴とする請求項６又は７のいずれかに記載の液処理装置。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、基板に対して所定の液処理を行う液処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程においては、例えば半導体ウエハ等の基板の上にフォトレジストを塗布し、レジスト膜を所定の回路パターンに応じて露光し、露光後のレジスト膜に現像液を供給して現像処理することにより回路パターンを形成する、フォトリソグラフィー工程が行われる。近年、パターンの微細化に伴い、フォトレジストや現像液等の処理液中に含まれる異物や気泡によって発生する欠陥に対して更に厳しい対応が求められている。
【０００３】
ここで処理液中には、異物や気泡の他に、気泡として顕在化していない溶存気体が存在する。この溶存気体は、処理液供給管路内の圧力変動等によって、気泡として顕在化して欠陥の原因となる場合がある。これに対して、例えば、特許文献１には、ポンプの駆動によって処理液供給管路内を負圧にして気泡を顕在化させ、この気泡を取り除くことによって、多少の圧力変動では、気泡が発生しない脱気液を作成する技術が記載されている。また特許文献１では、処理液供給管路にフィルタを設け、そのフィルタを挟むようにして処理液供給管路から分岐した循環管路を設け、処理液が循環管路を介してフィルタに複数回ろ過される。したがって、特許文献１の技術を用いれば、脱気処理された処理液がフィルタを複数回通過することで、処理液中の異物や気泡は減少する。
【０００４】
しかしながら、本考案者の鋭意研究の結果、こうして溶存気体を取り除かれた現像液についても、常温（約２３℃）で２４時間保管した場合には、気泡が発生することが確認された。一方で、常温よりも低い温度で保管したものについては、同じ時間保管したとしても気泡は発生しなかった。
【０００５】
気泡が発生した原因として、本考案者は、次のように考察している。現像液の主成分として、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）が用いられている。このテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドは、比較的安定した五水和物として存在するアンモニウム塩ではあるが、常温ではトリメチルアミンとメタノールに分解する傾向が出てくる。そのため、所定の時間以上常温にて現像液を保管すると、気体のトリメチルアミンが発生し、気泡として顕在化するものと考えられる。
【０００６】
半導体製造装置を用いた製造工程においては、一部の製造ラインを所定の時間以上使用しない場合もある。この場合、現像液は、装置内に滞留したままとなり、常温で所定の時間以上保管されたものと同じ状態になる。特に、現像液がフィルタ内で滞留した場合には、発生した気泡がフィルタに付着してフィルタのろ過性能が下がってしまう恐れがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１３−２１１５２５公報（特許請求の範囲）
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００８】
本考案は、上記事情に鑑みてなされたものであり、装置内で現像液が所定の時間以上滞留した場合にも、気泡の発生による製品欠陥を防止することができる液処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本考案に係る液処理装置は、現像液供給源と、被処理基板上に現像液を供給する現像液供給ノズルと、一端を現像液供給源に接続し、他端を現像液供給ノズルに接続して現像液供給源から現像液供給ノズルに現像液を供給する供給管路と、供給管路上に設けられ、現像液をろ過するフィルタと、フィルタ内の現像液が常温より低い温度になるように、供給管路上の現像液を冷却する現像液冷却手段と、を有することを特徴とする。
【００１０】
以上の液処理装置によれば、供給管路上の現像液を冷却して、フィルタ内の現像液の温度を常温より低い温度にすることで、フィルター内の現像液から気泡が発生するのを防止することができる。そして、気泡がフィルタに付着してフィルタの性能が低下することを防ぐことが可能となる。
【００１１】
本考案における現像液冷却手段は、フィルタの周囲に取り付けられるフィルタ冷却機構を含んでいてもよい。フィルタ冷却機構でフィルタ自体を冷却することにより、効率的にフィルタ内の現像液の温度を常温よりも低い温度にすることができ、気泡の発生を防止することができる。
【００１２】
また、当該フィルタ冷却機構は、着脱自在な冷却部材を含んでいてもよい。着脱自在な冷却部材をフィルタ冷却機構に取り付けることにより、簡易な手法でフィルタ内の現像液の温度を常温よりも低い温度にすることができる。
【００１３】
また、本考案における現像液冷却手段は、供給管路の周囲を常温より低い温度の温調液が通流する温調液供給管路で囲んだ二重配管路を含むことが好ましい。フィルタだけでなく、供給管路中に存在する現像液の温度を常温より低い温度にすることによって、供給管路中の現像液から気泡が発生することを防止することができる。
【００１４】
本考案に係る液処理装置は、現像液冷却手段に対し、現像液の冷却を開始するよう制御信号を送信する制御部を有し、当該制御部は、所定の時間以上、現像液供給ノズルから現像液が供給されないと判断すると、現像液の冷却を開始する制御信号を送信するように構成してもよい。
【００１５】
また本考案に係る液処理装置は、上記供給管路に設けられ、現像液冷却手段により冷却された現像液の温度を、現像処理時の温度まで温調する現像液温調手段を有してもよい。
【００１６】
さらに、本考案に係る液処理装置は、この現像液温調手段に対し、冷却された現像液の温度を処理時の温度まで温調するよう制御信号を送信する制御部を有し、当該制御部は、現像液冷却手段で現像液の冷却を開始した後に、所定時間内に現像液ノズルから現像液が供給されると判断すると、現像液の温度を現像処理時の温度まで温調する制御信号を送信するように構成してもよい。このように構成することにより、処理が行われる前には現像液の温度を処理時の温度まで上げることができる。
【００１７】
また、本考案に係る液処理装置は、フィルタ内の現像液を排出する排液管路と、排液管路に設けられたバルブと、バルブに対して、当該バルブを開成してフィルタ内の冷却された現像液を排液管路に排出するよう制御信号を送信する制御部を有し、当該制御部は、現像液冷却手段で現像液の冷却を開始した後に、所定時間内に現像液ノズルから現像液が供給されると判断すると、バルブを開成する制御信号を送信するよう構成されてもよい。
【００１８】
さらに、液処理装置の構成として、現像液供給ノズルは、第１の筐体に配置され、現像液供給源と、フィルタと、現像液冷却手段とは、第２の筐体に配置され、現像液冷却手段は、第２の筐体の内部全体を冷却することにより現像液を冷却するようにしてもよい。
【００１９】
また、現像液供給ノズルと、現像液温調手段とは、第１の筐体に配置され、現像液供給源と、フィルタと、現像液冷却手段とは、第２の筐体に配置され、現像液冷却手段は、第２の筐体の内部全体を冷却することにより現像液を冷却するよう構成してもよい。
【考案の効果】
【００２０】
本考案に係る液処理装置によれば、一部の製造ラインを所定の時間以上使用しない場合であっても、現像液から気泡が発生することはなく、フィルタのろ過性能の低下を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本考案に係る液処理装置を示す概略平面図である。
【図２】上記液処理装置を示す概略斜視図である。
【図３】上記液処理装置を示す概略縦断面図である。
【図４】本考案に係る液処理装置の第１実施形態の概略断面図である。
【図５】本考案に係る液処理装置の第１実施形態のフィルタ周辺を示す概略断面図である。
【図６】本考案に係る液処理装置の制御部の構成図である。
【図７】本考案に係る液処理装置の第１実施形態を用いた液処理方法のフローチャートである。
【図８】本考案に係る液処理装置のフィルタ周辺の変形例を示す概略断側面図である。
【図９】本考案に係る液処理装置の第２実施形態の概略断面図である。
【図１０】本考案に係る液処理装置の第２実施形態の概略側面図である。
【図１１】本考案に係る液処理装置の第２実施形態を用いた液処理方法のフローチャートである。
【考案を実施するための形態】
【００２２】
以下に、この考案の実施形態について、添付図面に基づいて詳細に説明する。まず、この考案に係る液処理装置の第1実施形態について説明する。
【００２３】
＜第１実施形態＞
第１実施形態において、本考案に係る液処理装置は、塗布現像装置１により構成される。塗布現像装置１には、図１に示すように、キャリアブロックＢＫ１から露光ブロックＢＫ４まで順に、キャリアブロックＢＫ１、処理ブロックＢＫ２、インターフェイスブロックＢＫ３、露光ブロックＢＫ４が連結されている。
【００２４】
キャリアブロックＢＫ１では、搬送機構Ｃが、載置台１０上に載置された密閉型のキャリア１１からウエハＷ（基板）を取り出して、キャリアブロックＢＫ１に隣接された処理ブロックＢＫ２に受け渡す。また、搬送機構Ｃは、処理ブロックＢＫ２にて処理された後のウエハＷを受け取ってキャリア１１に戻すように構成されている。
【００２５】
処理ブロックＢＫ２は、図２に示すように、現像処理を行うための第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、レジスト膜の下層側に反射防止膜を形成するための第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、レジスト液の塗布処理を行うための第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、レジスト膜の上層側に反射防止膜を形成するための第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４を下から順に積層して構成されている。
【００２６】
第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１は、例えば一つのＤＥＶ層Ｂ１内に現像ユニットが２段に積層されている。そしてＤＥＶ層Ｂ１内には、これら２段の現像ユニットにウエハＷを搬送するための共通の搬送機構Ａ１が設けられている。この搬送機構Ａ１を挟んで、現像液をウエハＷに供給して露光後の塗布膜を現像する現像部を３つ含んだ現像処理モジュール３０と、この現像処理モジュール３０にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための加熱・冷却処理モジュール４０とが配置される（図１、図３参照）。また、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２と第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４とは、各々反射防止膜を形成するための薬液をスピンコーティングにより塗布する塗布部（不図示）と、塗布処理の前処理及び後処理を行うための加熱・冷却処理部（不図示）と、これらの間でウエハＷの受け渡しを行なう基板搬送手段である搬送機構Ａ２，Ａ４とを備えている（図３参照）。そして、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３においては、上記薬液がレジスト液であり、疎水化処理ユニットが組み込まれることを除けば、ＢＣＴ層Ｂ２及びＴＣＴ層Ｂ４と同様の構成である。
【００２７】
さらに処理ブロックＢＫ２には、図１及び図３に示すように、キャリアブロックＢＫ１側に棚ユニットＵ５が設けられ、この棚ユニットＵ５の各部同士の間では、棚ユニットＵ５の近傍に設けられた昇降自在な搬送機構ＥによってウエハＷが搬送される。また、処理ブロックＢＫ２のインターフェイスブロックＢＫ３側には、棚ユニットＵ６が設けられる。
【００２８】
ＤＥＶ層Ｂ１内の上部には、棚ユニットＵ５に設けられた受け渡しユニットＣＰＬ１１から棚ユニットＵ６に設けられた受け渡しユニットＣＰＬ１２にウエハＷを直接搬送するための専用の搬送手段であるシャトルアームＦが設けられている（図３参照）。レジスト膜やさらに反射防止膜が形成されたウエハＷは、受け渡しユニットＢＦ３やＴＲＳ４を介して搬送機構Ｅにより受け渡しユニットＣＰＬ１１に受け渡され、ここからシャトルアームＦにより棚ユニットＵ６の受け渡しユニットＣＰＬ１２に直接搬送される。
【００２９】
次いで、ウエハＷはインターフェイスアームＩにより露光ブロックＢＫ４に搬送され、ここで所定の露光処理が行われた後、棚ユニットＵ６の受け渡しユニットＴＲＳ６に載置されて処理ブロックＢＫ２に戻される。処理ブロックＢＫ２に戻されたウエハＷは、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１にて現像処理が行われ、基板搬送手段である搬送機構Ａ１により受け渡しユニットＴＲＳ３に受け渡される（図３参照）。
【００３０】
その後、搬送機構Ｃを介してキャリア１１に戻される。なお、図１において棚ユニットＵ１〜Ｕ４には各々加熱・冷却処理モジュール４０が積層されている。
【００３１】
本考案に係る液処理装置の第１実施形態では、塗布現像装置１の棚ユニットＵ５に隣接した位置の下部に、現像液供給部５０が設けられている（図３参照）。
【００３２】
図４を参照して、現像液供給部５０について説明する。現像液供給部５０は、現像液供給源５１と、現像液供給源５１に一方の端部が接続された現像液供給管路５２と、現像液供給管路５２の他端に接続された現像液供給ノズル５３とを有している。この実施形態では、現像液供給管路５２上には、現像液供給源５１から現像液供給ノズル５３までの流路に沿って、リザーブタンク５４、ポンプ５５、フィルタ６０、三方バルブ５６がこの順に設けられている。また、リザーブタンク５４と三方バルブ５６との間には、循環管路５７が接続されており、三方バルブ５６まで送られた現像液が、循環管路５７を通ってリザーブタンク５４まで戻されるように構成されている。
【００３３】
リザーブタンク５４は、現像液供給源５１から送液された現像液を一時的に貯留すると共に、現像液内に含まれる気泡をリザーブタンク５４の上部に設けられた排液管路５８から排出するように構成されている。排液管路５８には、バルブＶ１が配設されている。
【００３４】
また、図４及び図５に示すように、フィルタ６０には、フィルタ６０内の現像液に含まれる気泡と共に現像液を排出する排液管路５９が設けられている。排液管路５９上にはバルブＶ２が介設される。
【００３５】
フィルタ６０には、更に、フィルタ温調機構６１が取り付けられている。フィルタ温調機構６１は、フィルタ６０を収容する容器６２と、当該容器６２の周囲に巻き付けられる温調液供給管路６３とを有している。温調液供給管路６３は、その端部が熱交換器６４と接続されており、その内部には温調液が通流している。熱交換器６４の設定温度を変更することで、温調液供給管路６３中の温調液の温度を変更することができる。
【００３６】
図４に示されるように、熱交換器６４で温調された温調液は、温調液供給管路６３に介設された駆動装置６５の動力により温調液供給管路６３に送液される。温調液供給管路６３には、駆動装置６５の他にマニホールド６６が設けられ、当該マニホールド６６からフィルタ６０までの区間で、現像液供給管路５２を温調液供給管路６３で囲んだ二重配管路６７が形成される。この二重配管路６７はフィルタ６０で終了し、温調液供給管路６３は、フィルタ温調機構６１の容器６２の周囲に巻き付けられた後に再び熱交換器６４に接続される。温調液は、駆動装置６５で熱交換器６４から温調液供給管路６３に送液された後、再び熱交換器６４に戻って熱交換器６４で設定温度に温調される。なお、本実施形態においては、温調液の設定温度が常温より低い温度に設定されている場合、フィルタ温調機構６１、容器６２、温調液供給管路６３、熱交換器６４、駆動装置６５、マニホールド６６、二重配管路６７が、本考案に係る液処理装置における現像液冷却手段の一部又は全部を構成する。また、この場合、フィルタ温調機構６１は、フィルタ冷却機構を構成する。
【００３７】
本実施形態では、現像液供給部５０の内、例えばポンプ５５、三方バルブ５６及び熱交換器６４などは、制御部９０によりその動作が制御される。図６を参照すると、制御部９０は、例えばプログラム格納部９１と、中央処理装置９２と、ポンプ駆動制御部９３と、温調液温度制御部９４と、バルブ開閉制御部９５と、を有する。
【００３８】
プログラム格納部９１には、一連の処理を行うための処理プログラムや、ウエハＷを搬送するための搬送プログラム等の制御プログラムが格納されている。なお、プログラム格納部９１は、例えば、ハードディスク、コンパクトディスク、フラッシュメモリ、フレキシブルディスク、メモリカードなどの記憶媒体として構成される。
【００３９】
プログラム格納部９１に格納された制御プログラムは、中央処理装置９２にインストールされて実行される。中央処理装置９２には、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体が備えられており、当該記憶媒体には制御プログラムを実行させるソフトウェアが記憶されている。中央処理装置９２は、制御プログラムに基づいて、ポンプ駆動制御部９３、温調液温度制御部９４、バルブ開閉制御部９５に制御信号を出力するように構成されている。
【００４０】
ポンプ駆動制御部９３は、ポンプ５５に接続されてポンプ５５の動作を制御する。ポンプ駆動制御部９３は、ポンプ５５を駆動させることによって、現像液供給管路５２及び循環管路５７内の現像液を送液する。
【００４１】
温調液温度制御部９４は、熱交換器６４に接続される。後述するように、現像処理時には、温調液温度制御部９４は、熱交換器６４の設定温度を常温（約２３℃）に設定して温調液を温調する。また、所定の時間現像処理が行われない待機時には、熱交換器６４の設定温度を現像処理時における温度（常温）よりも低い温度、例えば５℃に設定して温調液を温調する。
【００４２】
バルブ開閉制御部９５は、バルブＶ１、バルブＶ２及び三方バルブ５６に接続される。バルブ開閉制御部９５は、例えば、現像液供給ノズル５３からウエハＷ上へ現像液を供給する際には、バルブＶ１及びバルブＶ２を閉成し、現像液供給管路５２と現像液供給ノズル５３とが連通するように、三方バルブ５６を切り換える。また、リザーブタンク５４内の気泡が一定レベル以上存在すると認定された場合に、バルブ開閉制御部９５は、バルブＶ１を開成して気泡を含む現像液を排液管路５８に排出する。さらに、バルブ開閉制御部９５は、後述するように、フィルタ６０内の現像液を排出する場合には、バルブＶ２を開成して、現像液を排液管路５９に排出する。
【００４３】
次に、以上により構成される本実施形態の動作について、図１乃至図４、図６及び図７を用いて説明する。なお、塗布現像装置１における塗布現像処理については、既に述べているので、以下では、ウエハＷが第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１の現像処理モジュール３０に搬送された後の現像液供給部５０の動作について説明する。
【００４４】
露光ブロックＢＫ４で露光されたウエハＷは、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１の現像処理モジュール３０に搬送され現像処理が行われる（図７のＳ１）。この現像処理において、制御部９０の中央処理装置９２は、ポンプ駆動制御部９３に制御信号を送信し、ポンプ５５を駆動させて現像液供給源５１から現像液供給管路５２に現像液を送液する。そして、中央処理装置９２は、バルブ開閉制御部９５に制御信号を送信し、バルブＶ１及びバルブＶ２を閉成すると共に、現像液供給管路５２と現像液供給ノズル５３とが連通するように三方バルブ５６を切り換える。こうして、現像液供給ノズル５３からウエハＷ上に現像液が供給され、現像処理が行われる。このとき、熱交換器６４の温度は、常温（約２３℃）に設定されている。なお、現像液の供給終了時には、現像液供給管路５２と循環管路５７とを連通するように、三方バルブ５６は切り換えられている。また、ポンプ駆動制御部９３によりポンプ５５の駆動が停止される。
【００４５】
三方バルブ５６が切り換えられ、現像液の供給が終了すると、制御部９０の中央処理装置９２は、プログラム格納部９１より例えば搬送プログラム及び処理プログラム等を読み出し、現像処理モジュール３０で現像処理が所定の時間以上行われないか判断する（図７のＳ２）。現像処理が所定の時間内に行われると判断される場合には、熱交換器６４の設定温度は、常温のままに保たれる。
【００４６】
現像処理が所定の時間以上行われないと判断される場合には、制御部９０の中央処理装置９２は、温調液温度制御部９４に制御信号を送信し、熱交換器６４の設定温度を常温より低い温度、例えば５℃に変更する（図７のＳ３）。熱交換器６４で常温より低い温度に温調された温調液は、温調液供給管路６３を通ることにより、二重配管路６７内の現像液供給管路５２と、フィルタ６０を冷却する。こうして、二重配管路６７内の現像液供給管路５２とフィルタ６０に滞留する現像液は、常温よりも低い温度に温調される（図７のＳ４）。
【００４７】
現像処理が行われない所定の時間が経過した後、中央処理装置９２は、例えば搬送プログラムを読み出して所定の時間内に現像処理が開始されるか否かを判断する（図７のＳ５）。所定の時間内に現像処理が開始されないと判断された場合には、引き続き、現像液は常温より低い温度で温調される。
【００４８】
所定の時間内に現像処理が開始されると判断された場合には、中央処理装置９２は、温調液温度制御部９４に制御信号を送信して、熱交換器６４の設定温度を常温に変更する（図７のＳ６）。熱交換器６４で常温に温調された温調液は、温調液供給管路６３を通ることにより、二重配管路６７内の現像液供給管路５２と、フィルタ６０を常温に温調する。また、本実施形態では、現像液が早く常温に温調されるように、中央処理装置９２は、バルブ開閉制御部９５に制御信号を送信してバルブＶ２を開成し、更にポンプ駆動制御部９３によりポンプ５５を駆動させてフィルタ６０内及び二重配管路６７内の冷却された現像液を排液管路５９に排出する。その後、バルブＶ２を閉成する（図７のＳ７）。その後、現像液は、リザーブタンク５４からポンプ５５、フィルタ６０、三方バルブ５６、循環管路５７を通過して再びリザーブタンク５４に戻ることで、現像液供給管路５２及び循環管路５７を循環する。こうして、現像液供給管路５２とフィルタ６０の中に存在する現像液は、常温に温調される（図７のＳ８）。
【００４９】
第１実施形態によれば、現像処理の後に所定の時間以上処理が行われないと判断された場合に、フィルタ６０内に滞留する現像液の温度を常温より低い温度に温調することにより、現像液からトリメチルアミンが発生することを抑制し、気泡の発生を防止することができる。こうして、フィルタ６０に気泡が付着することに起因するフィルタ６０の性能低下を防止することができる。
【００５０】
また、リザーブタンク５４付近に設置されたマニホールド６６からフィルタ６０までの現像液供給管路５２内の現像液についても、常温より低い温度に温調することにより、気体の発生が抑制され、気泡によるフィルタ６０の性能低下を防止することができる。なお、フィルタ６０の下流の現像液供給管路５２及び循環管路５７に存在する現像液から発生した気体については、ポンプ５５の駆動によりこの区間の現像液を三方バルブ５６、循環管路５７、リザーブタンク５４の順に送液し、リザーブタンク５４の排液管路５８にて排出することができる。そのため、当該区間の現像液を冷却することは必ずしも必要ではないが、当該区間に温調液供給管路６３を配設して現像液を冷却してもよい。
【００５１】
さらに、第１実施形態では、現像液の温度を常温に変更する場合には、冷却された現像液をフィルタ６０から排出し、その後、常温に温調された現像液を現像液供給管路５２と循環管路５７で循環させることによって、現像液供給管路５２とフィルタ６０の温度を速やかに常温に戻すことができる。こうして、現像処理に用いる現像液の温度を迅速且つ安定的に常温に温調することが可能となる。
【００５２】
以上の実施形態では、温調液供給管路６３を現像液供給管路５２の一部とフィルタ温調機構６１に配設してフィルタ６０内の現像液を冷却した。しかしながら、フィルタ温調機構６１を設けず、現像液供給管路５２のみに温調液供給管路６３を配設し、現像液供給管路５２で冷却された現像液を、ポンプ５５の駆動により現像液供給管路５２と循環管路５７で循環させて、フィルタ６０内の現像液を冷却された現像液に置換してもよい。フィルタ６０内の現像液が常温より低い温度になったらポンプ５５の駆動を停止する。
【００５３】
または、現像液供給管路５２に温調液供給管路６３を配設せずに、フィルタ温調機構６１のみに温調液供給管路６３を配設する構成にしてもよい。この場合には、フィルタ６０のみを冷却すればよいので、フィルタ６０内の現像液の冷却並びに冷却された現像液から常温の現像液への置換をより迅速に行うことができる。ただし、フィルタ６０の上流側の現像液から気泡が発生し、その気泡がフィルタ６０を通過する際にフィルタ６０に付着する可能性があるため、現像液供給管路５２を合わせて冷却した方がよい。
【００５４】
第１実施形態では、フィルタ温調機構６１として、容器６２の周囲に温調液供給管路６３を巻き付けてその内部にフィルタ６０を収容し、温調液供給管路６３内の温調液の温度を常温より低い温度に設定することでフィルタ６０内の現像液を冷却していた。このフィルタ温調機構６１の代わりに、図８に示すように、フィルタ６０が取り付けられる容器６２に収容部７１を設け、その中に保冷材７２を収容してフィルタ６０内の現像液を冷却してもよい。この場合には、フィルタ６０の現像液の冷却を開始する際に、保冷材７２を収容部７１に収容し、常温への現像液の温度変更時には、この保冷材７２を収容部から取り出せばよい。保冷材７２の収容のタイミングとしては、例えば、現像処理終了した後、中央処理装置９２により所定の時間以上処理が行われないと判断された場合に、本考案の塗布現像装置１に接続された制御部９０の表示部（不図示）上に冷却開始が必要な旨のアラームが表示され、このアラームに従って保冷材７２の収容を開始すればよい。また、表示部への表示に加えて音によるアラームが発報されてもよい。
【００５５】
さらに、この例では、フィルタ６０のみではなく、現像液供給管路５２に保冷材７３を取り付けるように構成してもよい。
【００５６】
＜第２実施形態＞
次に、本考案に係る液処理装置の第２実施形態について、図９及び図１０を参照して説明する。
【００５７】
第２実施形態は、現像液供給部５０の一部が塗布現像装置２の外部に設けられている点で、第１実施形態とは異なる。以下では、第１実施形態と異なる点について説明し、同一の部分については同一の符号を付して説明を省略する。
【００５８】
第２実施形態の現像液供給部８０は、フィルタ６０までの一部分（以下では、現像液冷却領域８１と呼ぶ）が、塗布現像装置２の外部の現像液キャビネット８２に設けられている。本考案に係る液処理装置は、塗布現像装置２（第１の筐体）と、現像液キャビネット８２（第２の筐体）により構成される。
【００５９】
本実施形態の現像液供給部８０は、現像液供給源５１から現像液供給ノズル５３までの現像液供給管路８３上に、リザーブタンク５４、ポンプ５５、フィルタ６０、加熱機構８４、バルブ８５がこの順に設けられている。この例では、現像液供給源５１からフィルタ６０までの現像液冷却領域８１が、現像液キャビネット８２に含まれており、その後、現像液供給管路８３が塗布現像装置２へと延伸し、塗布現像装置２内の加熱機構８４、バルブ８５、現像液供給ノズル５３に接続されている。
【００６０】
現像液キャビネット８２には、現像液キャビネット８２内部を冷却する冷却機構（不図示）が設けられており、冷却スイッチ（不図示）をＯＮにすると現像液キャビネット８２内の全体が設定温度まで冷却されるように構成されている。本実施形態においては、この設定温度は、例えば約５℃である。
【００６１】
加熱機構８４は、例えば、塗布現像装置２の棚ユニットＵ５付近の下部に設けられる（図１０参照）。加熱機構８４は、例えば、貯留タンク８６と、ヒータ８７により構成され、現像液キャビネット８２内で冷却された現像液を、常温まで加熱して現像液供給ノズル５３に送液する。ヒータ８７は、例えば貯留タンク８６の周囲に取り付けられる。第２実施形態においては、この加熱機構が、本考案の現像液温調手段を構成する。
【００６２】
第２実施形態において、ポンプ５５の駆動制御、加熱機構８４の加熱制御、及びバルブ８５の開閉制御は、制御部１００が行う。上記の各部は、制御部１００の中央処理装置（不図示）の制御信号に基づき、各部の制御部によりそれぞれ制御される。
【００６３】
次に、第２実施形態の現像液供給部８０の動作について図１１を用いて説明する。
【００６４】
まず、現像液キャビネット８２内部に配置されるフィルタ６０を従来の方法で立ち上げる。例えば、フィルタ６０をシンナーで濡らしてウェッティングする。その後、現像液キャビネット８２の冷却機能をＯＮにして冷却を開始する（図１１のＳ１０）。こうして、現像液キャビネット８２の内部全体が冷却されるため、現像液供給源５１、リザーブタンク５４、ポンプ５５、フィルタ６０、及び現像液キャビネット８２内の現像液供給管路８３と、これらに含まれる現像液が常温より低い温度、例えば約５℃に温調される（図１１のＳ１１）。このように、第２実施形態では、フィルタ６０の立ち上げ後は、現像液キャビネット８２内部の現像液が、常温より低い温度で常時温調されている。
【００６５】
次に、制御部１００は、搬送プログラムや処理プログラムから所定の時間内に現像処理が開始されるか否かにつき、判断する（図１１のＳ１２）。所定の時間内に現像処理が開始されないと判断された場合には、塗布現像装置２内の現像液供給部８０は、そのまま待機する。また、所定の時間内に現像処理が開始されると判断された場合には、制御部１００の制御信号に基づき、ポンプ５５が駆動され、冷却された現像液が現像液供給管路８３を通って加熱機構８４の貯留タンク８６に溜められると共に、加熱機構８４のヒータ８７をＯＮにするように制御部１００から制御信号が送信される。こうして、現像液供給ノズル５３から現像液がウエハ上に供給される前に、加熱機構８４により現像液が常温に温められる（図１１のＳ１３）。加熱機構８４に温度計（不図示）を設けて貯留タンク８６に貯留された現像液の温度を測定し、現像液が常温に温められた時点で加熱機構８４のヒータをＯＦＦにするようにしてもよい。
【００６６】
なお、以上の実施形態では、加熱機構８４を、塗布現像装置２内部に設けていたが、現像液キャビネット８２の外部で、且つ現像液供給部８０のバルブ８５の前であれば、塗布現像装置２内部でなくてもよく、例えば、現像液キャビネット８２と塗布現像装置２との間の現像液供給管路８３上に設けてもよい。
【００６７】
また、本実施形態においても、バルブ８５を三方バルブにして、この三方バルブからリザーブタンク５４へと現像液を戻す循環管路５７を配置してもよい。このようにすれば、塗布現像装置２内で滞留している現像液から気泡が発生した場合でも、リザーブタンク５４で気泡をトラップして気泡を排液管路５８から排出することができる。
【００６８】
なお、第２実施形態では、現像液キャビネット８２内部を常に常温より低い温度で温調していたが、第１実施形態と同様に、現像処理実施後に所定の時間以上次の現像処理が行われないか否かにつき制御部１００で判断し、現像処理が所定の時間以上行われないと判断した場合に、現像液キャビネット８２の冷却を開始するよう制御部１００から制御信号を送信するように構成してもよい。
【００６９】
以上、いくつかの実施形態を参照しながら本考案を説明したが、本考案は前記の実施形態に限定されることなく、添付の実用新案登録請求の範囲に含まれる事項の範囲で種々の変形が可能である。
【００７０】
また、上記の実施形態では、本考案に係る塗布現像装置を半導体ウエハに適用した場合について説明したが、半導体ウエハ以外の例えばＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板についても適用できる。
【符号の説明】
【００７１】
１、２  塗布現像装置
５０、８０  現像液供給部
５１    現像液供給源
５２、８３    現像液供給管路
５４    リザーブタンク
５５    ポンプ
５７    循環管路
５８、５９    排液管路
６０    フィルタ
６１、７０  フィルタ温調機構
６４    熱交換器
７２    保冷材
８２    現像液キャビネット
８４    加熱機構
８７    ヒータ
９０、１００    制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
0003191771.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
0003191771.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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