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【手続補正書】
【提出日】平成21年12月24日(2009.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御部と、
音声入出力部と、
前記制御部及び前記音声入出力部に接続された音声符号化／復号化部と、
前記制御部に接続されたデータ入出力部と、
前記制御部及び前記音声符号化／復号化部に接続された無線通信回路と、
前記無線通信回路に接続されたアンテナと、
前記制御部に接続され、前記制御部からの指示に応じた発光態様で発光する発光部と、
前記制御部に接続され、前記移動通信端末における状態と前記発光部の発光態様との対応関係を記憶する記憶部と
からなり、前記制御部は、前記移動通信端末が所定の状態になると、前記記憶部に記憶された対応関係に基づいて、該状態に対応する発光態様で発光するよう前記発光部に指示を送る、移動通信端末。
【請求項２】
前記制御部及び前記音声符号化／復号化部に接続されたＶｏＩＰコーデックをさらに含む請求項１に記載の移動通信端末。
【請求項３】
前記発光部は、特定の通信事業者を表すマークの形状に形成されている請求項１に記載の移動通信端末。
【請求項４】
本体装置と、
前記本体装置に着脱可能に接続され、前記本体装置との間で信号の送受信を行う無線通信モジュールとからなる移動通信端末において、
前記本体装置は、第１の制御部と、音声入出力部と、前記第１の制御部及び前記音声入出力部に接続された音声符号化／復号化部と、前記第１の制御部に接続されたデータ入出力部と、前記第１の制御部及び前記音声符号化／復号化部に接続された第１のインターフェース部と、前記第１の制御部に接続され、前記第１の制御部からの指示に応じた発光態様で発光する発光部と、前記第１の制御部に接続され、前記移動通信端末における状態と前記発光部の発光態様との対応関係を記憶する記憶部とからなり、
前記無線通信モジュールは、前記第１のインターフェース部と接続される第２のインターフェース部と、前記第１及び第２のインターフェース部を介して前記第１の制御部と接続された第２の制御部と、前記第２の制御部と接続され且つ前記第１及び第２のインターフェース部を介して前記音声符号化／復号化部と接続された無線通信回路と、前記無線通信回路に接続されたアンテナとからなり、
前記第１の制御部は、前記移動通信端末が所定の状態になると、前記記憶部に記憶された対応関係に基づいて、該状態に対応する発光態様で発光するよう前記発光部に指示を送る、移動通信端末。
【請求項５】
前記第１の制御部及び前記音声符号化／復号化部に接続されたＶｏＩＰコーデックをさらに含む請求項４に記載の移動通信端末。
【請求項６】
前記発光部は、特定の通信事業者を表すマークの形状に形成されている請求項４に記載の移動通信端末。
【請求項７】
アンテナ及び無線通信回路を有する無線通信モジュールと着脱可能に接続され、前記無線通信モジュールとともに移動通信端末として動作する装置であって、
制御部と、
音声入出力部と、
前記制御部及び前記音声入出力部に接続された音声符号化／復号化部と、
前記制御部に接続されたデータ入出力部と、
前記制御部及び前記音声符号化／復号化部に接続され、前記無線通信モジュールとの間で符号化された音声信号及びデータ信号を送受信するための第１のインターフェース部と、
前記制御部に接続され、前記制御部からの指示に応じた発光態様で発光する発光部と、
前記制御部に接続され、前記移動通信端末における状態と前記発光部の発光態様との対応関係を記憶する記憶部とからなり、
前記制御部は、前記移動端通信端末が所定の状態になると、前記記憶部に記憶された対応関係に基づいて、該状態に対応する発光態様で発光するよう前記発光部に指示を送る、装置。
【請求項８】
前記制御部及び前記音声符号化／復号化部に接続されたＶｏＩＰコーデックをさらに含む請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記発光部は、特定の通信事業者を表すマークの形状に形成されている請求項７に記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】移動通信端末及び装置
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月25日(2009.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
＜シリンダータイプ水晶発振器の構成＞
図５（ｂ）は、シリンダータイプ振動子４０ｂを示す概略図である。このシリンダータイプ振動子４０ｂは、上述の圧電振動片２０を使用している。
図５（ｂ）に示すようにシリンダータイプ振動子４０ｂは、その内部に圧電振動片２０を収容するための金属製のキャップ４６を有している。このキャップ４６は、ステム４７に対して圧入され、その内部が真空状態に保持されるようになっている。また、キャップ７５に収容された圧電振動片２０を保持するためのリード４８が２本配置されている。圧電振動片２０はリード４８に導電性接着剤５７で接着される。この圧電振動片２０は、電極部から一定の電流が与えられると振動するようになっている。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月27日(2009.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方の面側に配線層を有する配線基板と、
前記配線基板の前記一方の面に配設され、前記配線層と接続される第１の回路素子と、
前記配線基板の前記一方の面に配設され、前記配線層と接続される複数の接続電極と、を備え、
前記複数の接続電極の前記配線基板の前記一方の面から突出する高さが、前記第１の回路素子の前記配線基板の前記一方の面から突出する高さより低く設けられる事を特徴とする回路装置。
【請求項２】
請求項１に記載の回路装置であって、
前記複数の接続電極の夫々が略球状に形成されてなることを特徴とする回路装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の回路装置であって、
前記複数の接続電極は、前記配線基板の前記一方の面の対向する少なくとも２つの側辺に配設されてなることを特徴とする回路装置。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか一項に記載の回路装置であって、
前記複数の接続電極が他の配線基板の複数の接続部と当接されるとともに、前記回路素子が前記他の配線基板の前記一方の面から前記他方の面に向かって切除された切除部に挿入されることにより接続されることを特徴とする回路装置。
【請求項５】
前記回路素子が設けられた所の前記配線基板には、端子が設けられ、
前記端子は、前記配線基板の他方の面に設けられた第２の回路素子のテスト端子となる請求項１〜請求項４のいずれかに記載の回路装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】回路装置
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月26日(2009.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と電気的に接続される第１リードフレームと、
前記発光素子と電気的に接続される第２リードフレームと、
前記発光素子が載置される凹部が形成され、かつ、前記第２リードフレーム及び前記第１リードフレームが固定される第１樹脂成形体と、
前記第１樹脂成形体の前記凹部内において、前記発光素子を被覆し発光面とするように設けられる第２樹脂成形体と、を有する表面実装型側面発光装置であって、
前記第１樹脂成形体は、フィラー又は光拡散剤が含有されており、
前記第１樹脂成形体は、前記発光面の周囲となる前記凹部の周縁において少なくとも１辺の直線部分の幅が０．２ｍｍ以下に形成され、
前記第１樹脂成形体と前記第２樹脂成形体とは熱硬化性樹脂であることを特徴とする表面実装型側面発光装置。
【請求項２】
前記熱硬化性樹脂は、トリアジン誘導体エポキシ樹脂を含有するエポキシ樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の表面実装型側面発光装置。
【請求項３】
前記第１樹脂成形体は、トランスファ・モールドにより成形されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の表面実装型側面発光装置。
【請求項４】
発光素子と、前記発光素子と電気的に接続される第１リードフレームと、前記発光素子と電気的に接続される第２リードフレームと、前記発光素子が載置される凹部が形成され、かつ前記第２リードフレーム及び前記第１リードフレームが固定される第１樹脂成形体と、前記第１樹脂成形体の前記凹部内において、前記発光素子を被覆し発光面とするように設けられる第２樹脂成形体と、を有する表面実装型側面発光装置の製造方法であって、
前記第１樹脂成形体の前記凹部に相当する凸部を形成している上金型と、前記上金型と対で使用する下金型により、前記第１リードフレームと前記第２リードフレームとを挟み込む第１の工程と、
前記上金型と前記下金型とで挟み込まれたときに、前記第１樹脂成形体の前記凹部を有する面と隣り合う側面側に備える注入口から、フィラー又は光拡散剤が含有された熱硬化性樹脂をトランスファ・モールド工程により流し込む第２の工程と、
流し込まれた前記熱硬化性樹脂を加熱して前記第１樹脂成形体を成形する第３の工程と、
少なくとも前記上金型が取り外された状態で、前記発光素子が前記第１リードフレームに載置されるとともに、前記発光素子の第１電極と前記第１リードフレームとが電気的に接続され、前記発光素子の第２電極と前記第２リードフレームとを電気的に接続する第４の工程と、
前記発光素子が載置された前記凹部内に熱硬化性樹脂を充填する第５の工程と、
充填された前記熱硬化性樹脂を加熱して前記第２樹脂成形体を成形する第６の工程と、
を有する表面実装型側面発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記熱硬化性樹脂は、トリアジン誘導体エポキシ樹脂を含有するエポキシ樹脂であることを特徴とする請求項４に記載の表面実装型側面発光装置の製造方法。
【請求項６】
発光素子と電気的に接続される第１リードフレームと、
前記発光素子と電気的に接続される第２リードフレームと、
前記発光素子が載置される凹部が形成され、かつ、前記第２リードフレーム及び前記第１リードフレームが固定される第１樹脂成形体と、
前記第１樹脂成形体の前記凹部内において、前記発光素子を被覆し発光面とするように設けられる第２樹脂成形体と、を有する表面実装型側面発光装置であって、
前記第１樹脂成形体と前記第２樹脂成形体とは熱硬化性樹脂であり、
前記第１樹脂成形体は、トリアジン誘導体エポキシ樹脂を含有するエポキシ樹脂であり、
前記第２樹脂成形体は、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂からなる群から選ばれる少なくとも一つであることを特徴とする表面実装型側面発光装置。
【請求項７】
前記凹部は、開口方向に広口となるように傾斜を設けていることを特徴とする請求項１又は請求項６に記載の表面実装型側面発光装置。
る。
【請求項８】
前記凹部の傾斜角度は、底面から測定して９５°以上１５０°以下であることを特徴とする請求項７に記載の表面実装型側面発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月18日(2009.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
導体を有する基板又はその他の相手側部材に表面実装される導電性の実装部材の製造方法であって、
本体及びそれから延びる接続部を有し、接続部は、相手側部材の導体に対向して配置されることになる先端面と、この先端面の周縁から本体側へ延びる側面とを備え、側面における先端面周縁から本体側へ離れた位置に、外に向かって凸となる変曲部が、先端面周縁と距離をあけながら延びている母材に錫鍍金を施す錫鍍金工程と、
この錫鍍金された母材にリフロー処理を行い、側面における変曲部と先端面周縁との間に錫鍍金の寄りによって央部が厚くなった錫鍍金層を形成するリフロー工程とを備える実装部材の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の実装部材の製造方法は、導体を有する基板又はその他の相手側部材に表面実装される導電性の実装部材の製造方法であって、本体及びそれから延びる接続部を有し、接続部は、相手側部材の導体に対向して配置されることになる先端面と、この先端面の周縁から本体側へ延びる側面とを備え、側面における先端面周縁から本体側へ離れた位置に、外に向かって凸となる変曲部が、先端面周縁と距離をあけながら延びている母材に錫鍍金を施す錫鍍金工程と、この錫鍍金された母材にリフロー処理を行い、側面における変曲部と先端面周縁との間に錫鍍金の寄りによって央部が厚くなった錫鍍金層を形成するリフロー工程とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
以上の実施形態の説明により、本発明の実装部材の製造方法も充分に開示された。すなわち、その製造方法は、導体３１０を有する基板又はその他の相手側部材３００に表面実装される導電性の実装部材１００の製造方法であって、錫鍍金工程と、これに続くリフロー工程とを備える。この錫鍍金工程は、本体１１１及びそれから延びる接続部１１２を有し、接続部１１２は、相手側部材３００の導体３１０に対向して配置されることになる先端面１１２ａと、この先端面１１２ａの周縁から本体側へ延びる側面１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄ、１１２ｅとを備え、側面１１２ｂ、１１２ｃにおける先端面周縁から本体側へ離れた位置に、外に向かって凸となる変曲部１１３ａ、１１４が、先端面１１２ａとほぼ平行な方向に沿って設けられた母材１１０に錫鍍金を施す工程である。また、これに次いで施されるリフロー工程は、この錫鍍金された母材１１０にリフロー処理を行い、側面１１２ｂ、１１２ｃにおける変曲部１１３ａ、１１４と先端面１１２ａの周縁との間に錫鍍金の寄りによって央部が厚くなった錫鍍金層１２１を形成する工程である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月27日(2009.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装基板と前記実装基板に差込実装された回路装置とから成る回路モジュールであり、
前記回路装置は、表面に配線層が設けられた配線基板と、前記配線層に電気的に接続された回路素子とを具備し、
前記回路素子の放熱に寄与する放熱体を前記回路装置に接触させることを特徴とする回路モジュール。
【請求項２】
前記回路装置は、前記配線基板の表面に配置された前記回路素子を被覆すると共に平坦面を構成する封止樹脂を具備し、
前記放熱体は、前記封止樹脂の前記平坦面に接触することを特徴とする請求項１記載の回路モジュール。
【請求項３】
前記回路装置の前記配線基板は第１主面と第２主面とを具備し、前記第１主面に配置された前記回路素子は封止樹脂により被覆され、前記第２主面には樹脂封止型パッケージが配置され、
前記放熱体は、前記回路装置を両側から挟み込む第１側板および第２側板を有し、前記第１側板は前記封止樹脂の表面に当接し、前記第２側板は前記樹脂封止型パッケージの樹脂材料から成る表面に当接することを特徴とする請求項１記載の回路モジュール。
【請求項４】
前記放熱体は、前記実装基板の導電路を経由して固定電位に接続されることを特徴とする請求項１記載の回路モジュール。
【請求項５】
前記放熱体は、前記実装基板に固着されたチューナーの筐体であることを特徴とする請求項１記載の回路モジュール。
【請求項６】
前記放熱体は、前記回路装置を挟み込む２つの側板を具備することを特徴とする請求項１記載の回路モジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】回路モジュール
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月27日(2009.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に配線層が設けられた配線基板と、
差し込み実装される前記配線基板の一側辺に沿って設けた前記配線層から成る複数の外部接続電極と、
前記配線基板の前記配線層に電気的に接続された回路素子とを具備し、
固定電位が印加される前記外部接続電極を、他の前記外部接続電極よりも面積を大きくすることを特徴とする回路装置。
【請求項２】
前記外部接続電極は、固定電位が印加される前記外部接続電極も含めて、等間隔に離間されることを特徴とする請求項１記載の回路装置。
【請求項３】
前記固定電位は、接地電位または電源電位であることを特徴とする請求項１記載の回路装置。
【請求項４】
前記固定電位が印加される前記外部接続電極の幅は、複数の前記他の外部接続電極の幅と、前記他の外部接続電極が互いに離間する幅とを加算した長さであることを特徴とする請求項１記載の回路装置。
【請求項５】
前記配線基板の第１主面には第１配線層が設けられ、前記配線基板の第２主面には第２配線層が設けられ、
差込実装される領域の前記配線基板の前記第１主面には前記第１配線層から成る第１外部接続電極が設けられ、前記第２主面には前記第２配線層から成る第２外部接続電極が設けられ、
前記第１外部接続電極および前記第２外部接続電極の両方にて、固定電位が印加される前記外部接続電極の面積を、前記他の外部接続電極よりも大きくすることを特徴とする請求項１記載の回路装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】回路装置
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月30日(2009.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子と複数の画素トランジスタを含む単位画素が配列されてなる固体撮像装置であって、
前記画素トランジスタのうち、所要の画素トランジスタのゲート電極の側壁に、絶縁膜を介して少なくとも一部に所要導電型の半導体材料部が形成されている
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
光電変換素子と該光電変換素子で光電変換して得られる電荷をフローティングディフージョン部に読み出す読み出しトランジスタを含む単位画素が配列されてなる固体撮像装置であって、
前記読み出しトランジスタのゲート電極は、前記光電変換素子側に第１導電型不純物が導入され、前記フローティングディフージョン部側に第２導電型不純物が導入されている
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項３】
前記ゲート電極の前記光電変換素子側に、絶縁膜を介して第１導電型不純物が導入された半導体材料部が形成されている
ことを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記ゲート電極の前記フローティングディフージョン部側に、絶縁膜を介して第２導電型不純物が導入された半導体材料部が形成されている
ことを特徴とする請求項３記載の固体撮像装置。
【請求項５】
ゲート電圧は、前記ゲート電極の前記光電変換素子側の第１導電型領域に印加される
ことを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置。
【請求項６】
ゲート電圧は、前記ゲート電極の前記フローティングディフージョン部側の第２導電型領域に印加される
ことを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置。
【請求項７】
光電変換素子と該光電変換素子で光電変換して得られる電荷をフローティングディフージョン部に読み出す読み出しトランジスタを含む単位画素が配列されてなる固体撮像装置であって、
前記読み出しトランジスタのゲート電極は、第１導電型不純物、または第２導電型不純物が導入されてなり、
前記ゲート電極の光電変換素子側に絶縁膜を介して第１導電型または第２導電型不純物が導入された半導体材料部が形成されている
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項８】
前記ゲート電極のフローティングディフージョン部側に絶縁膜を介して第２導電型不純物が導入された半導体材料部が形成されている
ことを特徴とする請求項７記載の固体撮像装置。
【請求項９】
光電変換素子と、該光電変換素子で光電変換して得られた電荷に応じた信号を増幅して出力する増幅トランジスタを含む単位画素が配列されてなる固体撮像装置であって、
前記増幅トランジスタのゲート電極下のチャネル領域が埋め込むチャネルで形成され、 前記ゲート電極の側壁に、絶縁膜を介して第１導電型不純物を導入した半導体材料部が形成されている
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１０】
前記ゲート電極は、第１導電型不純物または第２導電型不純物が導入されている
ことを特徴とする請求項９記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
光電変換素子と共に単位画素を構成する画素トランジスタのうち、リセットトランジスタのゲート電極の少なくともフローティングディフージョン部と電気的に接続された領域側に、所要導電型の半導体材料部が形成されている
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１２】
光電変換素子と共に単位画素を構成する読み出しトランジスタまたは／及び増幅トランジスタの不純物拡散領域が、一部ゲート電極下まで延長する延長部を有して形成されている
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１３】
光電変換素子と共に単位画素を構成する画素トランジスタのうち、所要の画素トランジスタの形成に際し、
半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を含んで前記半導体基板上に絶縁膜を介して半導体材料層を形成する工程を有する
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項１４】
前記半導体材料層をエッチバックして前記ゲート電極の側壁側に半導体材料部を形成する工程を有する
ことを特徴とする請求項１３記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１５】
前記半導体材料層に、前記ゲート電極の側壁に向かうように所要導電型の不純物を斜め方向から導入する工程を有する
ことを特徴とする請求項１３記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１６】
前記所要導電型の不純物の導入前または導入後にアニール処理し、前記半導体材料層をエッチバックする工程を有する
ことを特徴とする請求項１５記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１７】
光電変換素子と共に単位画素を構成する画素トランジスタのうち、不純物拡散領域及びゲート電極を有する読み出しトランジスタまたは／及び増幅トランジスタ形成に際し、
所要導電型不純物を斜めイオン注入して、前記ゲート電極下に一部延長した延長部を有する前記不純物拡散領域を形成する工程を有する
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項１８】
増幅トランジスタを有し、
前記増幅トランジスタのゲート電極下のチャネル領域が埋め込みチャネルで形成され、
前記ゲート電極の側壁に絶縁膜を介して所要導電型を導入した半導体材料部が形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
増幅トランジスタの形成に際し、
半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を含んで前記半導体基板上に絶縁膜を介して半導体材料層を形成する工程を有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
不純物拡散領域及びゲート絶縁膜を有する増幅トランジスタの形成に際し、
所要導電型不純物を斜めイオン注入して、前記ゲート電極下に一部延長した延長部を有する前記不純物拡散領域を形成する工程を有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月25日(2010.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電線を接続金具により内部において接続した合成樹脂製の略円柱状の保持体の外側からカバー部材を覆うハーネス接続部材であって、前記保持体の両端に突部を形成し、合成樹脂材から成り割スリットを有する円筒状の前記カバー部材を前記保持体の突部間に嵌合したことを特徴とするハーネス接続部材。
【請求項２】
前記保持体の表面の長手方向に沿って電線を沿わせる長溝を形成したことを特徴とする請求項１に記載のハーネス接続部材。
【請求項３】
前記突部は前記長溝部分を除き、周方向に間欠的に形成した円環状としたことを特徴とする請求項２に記載のハーネス接続部材。
【請求項４】
前記カバー部材の割スリットの両端に前記割スリットを開き易くするための切込みを設けたことを特徴とする請求項１〜３の何れか１つの請求項に記載のハーネス接続部材。
【請求項５】
前記保持体の表面に長手方向に沿って突条部を設けると共に、前記カバー部材の割スリットの中央部に凹形部を設け、該凹形部を前記突条部に嵌合させたことを特徴とする請求項１〜４の何れか１つの請求項に記載のハーネス接続部材。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月25日(2010.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電線端子挿入口を有する外部ホルダと、該外部ホルダ内に挿入して使用し、前記電線端子挿入口と連通する電線端子保持孔を有すると共に、これらの電線端子保持孔と内部で交叉するピン端子挿入孔を有する内部ホルダと、一端に接続部を有し他端に電線を接続し前記接続部を前記電線端子挿入口を経て前記内部ホルダの電線端子保持孔に挿入し前記内部ホルダに対し位置決めする電線端子と、前記内部ホルダのピン端子挿入孔に挿入することにより前記内部ホルダ内の前記電線端子の接続部の接点に接触し前記電線端子同士を電気接続するピン端子とから成ることを特徴とするハーネス接続体。
【請求項２】
前記電線端子は前記接続部に設けた係止孔に前記内部ホルダに設けた係止突起を係止することにより位置決めすることを特徴とする請求項１に記載のハーネス接続体。
【請求項３】
前記ピン端子は前記外部ホルダに設けた入口部から前記内部ホルダのピン端子挿入孔に挿し込むことを特徴とする請求項１又は２に記載のハーネス接続体。
【請求項４】
前記外部ホルダに設けた前記内部ホルダの入口部を封止部材により封止することを特徴とする請求項１〜３の何れか１つの請求項に記載のハーネス接続体。
【請求項５】
前記封止部材は合成ゴムから成ることを特徴とする請求項４に記載のハーネス接続体。
【請求項６】
請求項１〜５に記載のハーネス接続体を使用したことを特徴とする自動車用ハーネス回路。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月25日(2010.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電線端子挿入口を有する外部ホルダと、該外部ホルダ内で使用し、前記電線端子挿入口と連通する電線端子保持孔を有すると共に、これらの電線端子保持孔と内部で交叉する複数個のピン端子挿入孔を有する内部ホルダと、該内部ホルダのピン端子挿入孔に挿入することにより前記内部ホルダ内の前記電線端子の接続部の複数個の接点にそれぞれ接触し前記電線端子同士を電気接続する複数本のピン端子とから成ることを特徴とする接続部材。
【請求項２】
前記内部ホルダを前記外部ホルダ内に固定し、前記外部ホルダを封止する固定ホルダを備えたことを特徴とする請求項１に記載の接続部材。
【請求項３】
前記ピン端子は前記固定ホルダに一体に取り付けたことを特徴とする請求項１又は２に記載の接続部材。
【請求項４】
前記接続部の接点は前記ピン端子を挿通する筒形としたことを特徴とする請求項１〜３の何れか１つの請求項に記載の接続部材。
【請求項５】
前記ピン端子の横断面を略四角形としたことを特徴とする請求項１〜４の何れか１つの請求項に記載の接続部材。
【請求項６】
前記ピン端子の先端は錐状又は錐状台形としたことを特徴とする請求項１〜５の何れか１つの請求項に記載の接続部材。
【請求項７】
複数の電線端子挿入口を有する外部ホルダと、該外部ホルダ内で使用し、前記電線端子挿入口と連通する電線端子保持孔を有すると共に、これらの電線端子保持孔と内部で交叉する複数個のピン端子挿入孔を有する内部ホルダと、一端に複数個の接点を有する接続部を有し他端に電線を接続し前記接続部を前記電線端子挿入口を経て前記内部ホルダの電線端子保持孔に挿入する電線端子と、前記内部ホルダのピン端子挿入孔に挿入することにより前記内部ホルダ内の前記電線端子の前記接続部の複数の接点に接触し前記電線端子同士を電気接続する複数本のピン端子とから成ることを特徴とする接続部材を用いたハーネス接続体。
【請求項８】
前記電線端子の電線接続部にシール部材を装着し、前記外部ホルダの電線端子挿入口との間を防水構造とすると共に前記内部ホルダを挿入する前記外部ホルダの開口部を封止するための固定ホルダの周囲にシール部材を装着し、前記外部ホルダとの間を防水構造としたことを特徴とする請求項７に記載の接続部材を用いたハーネス接続体。
【請求項９】
請求項７又は８に記載の接続部材を用いたハーネス接続体を使用した自動車のハーネス回路。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月25日(2010.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電線端子挿入口を有する外部ホルダと、該外部ホルダ内に挿入して使用し、前記電線端子挿入口と連通する電線端子保持孔を有すると共に、これらの電線端子保持孔と内部で交叉するピン端子挿入孔を有する内部ホルダと、前記内部ホルダのピン端子挿入孔に挿入することにより前記内部ホルダ内に挿入する電線端子の接続部の接点に接触し前記電線端子同士を電気接続するピン端子と、前記外部ホルダに設けた前記内部ホルダの入口部を封止する防水部材とから成ることを特徴とする接続部材。
【請求項２】
前記防水部材に設けた係止孔に内部ホルダに設けた係止突起を係止して、前記防水部材により前記外部ホルダの入口部を封止することを特徴とする請求項１に記載の接続部材。
【請求項３】
前記防水部材は前記外部ホルダにヒンジを介して一体化した閉止部材に取り付け、前記閉止部材により前記入口部を閉止することにより、前記防水部材により前記外部ホルダの入口部を封止することを特徴とする請求項１又は２に記載の接続部材。
【請求項４】
前記ピン端子は前記外部ホルダに設けた入口部から前記内部ホルダのピン端子挿入孔に挿し込むことを特徴とする請求項１〜３の何れか１つの請求項に記載の接続部材。
【請求項５】
前記防水部材は合成ゴムから成ることを特徴とする請求項１〜４の何れか１つの請求項に記載の接続部材。
【請求項６】
複数の電線端子挿入口を有する外部ホルダと、該外部ホルダ内に挿入して使用し、前記電線端子挿入口と連通する電線端子保持孔を有すると共に、これらの電線端子保持孔と内部で交叉するピン端子挿入孔を有する内部ホルダと、一端に接続部を有し他端に電線を接続し前記接続部を前記電線端子挿入口を経て前記内部ホルダの電線端子保持孔に挿入し、前記電線にシール部材を挿通し前記電線端子挿入口と前記電線との間を防水構造とする電線端子と、前記内部ホルダのピン端子挿入孔に挿入することにより前記内部ホルダ内の前記電線端子の接続部の接点に接触し前記電線端子同士を電気接続するピン端子と、前記外部ホルダに設けた前記内部ホルダの入口部を封止する防水部材とから成ることを特徴とする接続部材を用いたハーネス接続体。
【請求項７】
請求項６に記載のハーネス接続体を使用したことを特徴とする自動車用ハーネス回路。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月25日(2010.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電線端子挿入口を有する外部ホルダと、該外部ホルダ内で使用し、前記電線端子挿入口と連通する電線端子保持孔を有すると共に、これらの電線端子保持孔と内部で交叉するピン端子挿入孔を有する内部ホルダと、該内部ホルダのピン端子挿入孔に挿入することにより前記内部ホルダ内に挿入する電線端子の接続部の接点に接触し前記電線端子同士を電気接続するピン端子とから成り、前記内部ホルダの電線端子保持孔には前記電線端子を保持する可動の保持板を設け、該保持板に前記電線端子を位置決めするための係止部を設けたことを特徴とする接続部材。
【請求項２】
複数の電線端子挿入口を有する外部ホルダと、該外部ホルダ内で使用し、前記電線端子挿入口と連通する電線端子保持孔を有すると共に、これらの電線端子保持孔と内部で交叉するピン端子挿入孔を有する内部ホルダと、一端に接続部を有すると共に中間部に位置決めのための係止部を有し更に他端に電線を接続し前記接続部を前記電線端子挿入口を経て前記内部ホルダの電線端子保持孔内に挿入する電線端子と、前記内部ホルダのピン端子挿入孔に挿入することにより前記内部ホルダ内の前記電線端子の接続部の接点に接触し前記電線端子同士を電気接続するピン端子とから成り、前記内部ホルダの電線端子保持孔には前記電線端子を保持する可動の保持板を設け、該保持板に前記電線端子の係止部と係合する係止部を設けたことを特徴とする接続部材を用いたハーネス接続体。
【請求項３】
前記内部ホルダの保持板の側方に操作片を突出し、該操作片を介して前記保持板を動かし、前記保持板の係止部を前記電線端子の係止部から外すことを特徴とする請求項２に記載の接続部材を用いたハーネス接続体。
【請求項４】
前記電線端子に設けた係止部を凹部とし、前記内部ホルダに設けた係止部を凸部としたことを特徴とする請求項２又は３に記載の接続部材を用いたハーネス接続体。
【請求項５】
前記外部ホルダは前記内部ホルダを挿入する入口部を有し、前記ピン端子は前記入口部から前記内部ホルダのピン端子挿入孔に挿入することを特徴とする請求項２〜４の何れか１つの請求項に記載の接続部材を用いたハーネス接続体。
【請求項６】
前記電線にシール部材を挿通し前記外部ホルダの電線端子挿入口と前記電線との間を防水構造とし、前記入口部を防水部材により閉止したことを特徴とする請求項５に記載の接続部材を用いたハーネス接続体。
【請求項７】
請求項２〜６に記載の接続部材を用いたハーネス接続体を使用したことを特徴とする自動車用ハーネス回路。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月22日(2009.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを準備する工程と、
接続部と、前記接続部に接続された配線パターンと、前記配線パターンから延びた配線パターン延在部と、前記接続部を取り囲む環状のソルダーレジストと、が形成された基板を準備する工程と、
前記基板上かつ前記ソルダーレジストの内側に前記半導体チップを固定して、前記半導体チップを前記接続部に接続する工程と、
前記半導体チップを樹脂で覆う工程と、を有し、
前記基板を準備する工程において、前記ソルダーレジストが前記配線パターンの上で前記配線パターンに交差するとともに、前記配線パターン延在部には前記ソルダーレジストによって覆われていない部分が前記ソルダーレジストの外側に存在するように前記基板が準備されることを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
【請求項２】
前記半導体チップを樹脂で覆う工程は、前記ソルダーレジストの内側に向けて樹脂を流し込む工程を含み、
前記樹脂を流し込む工程において、前記ソルダーレジストの外周端のうち前記配線パターン延在部に重なる部分を超えて流れ出た前記樹脂の流れは、前記配線パターン延在部の前記覆われていない部分の外周端によって止まることを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項３】
前記樹脂を流し込む工程において、前記樹脂の流れは、前記ソルダーレジストの外周端のうち前記配線パターン延在部と前記配線パターンとのどちらにも重ならない部分によって止まることを特徴とする請求項２に記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項４】
前記基板を準備する工程において、前記配線パターン延在部の前記覆われていない部分の外周端が前記ソルダーレジストの外周端よりも曲率半径が小さい円弧状となるように前記基板が準備されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項５】
前記基板を準備する工程において、前記配線パターン延在部の前記覆われていない部分の外周端の長さが、前記ソルダーレジストの外周端と交差する前記配線パターンの部分の長さ以上になるように前記基板が準備されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項６】
前記基板を準備する工程において、前記配線パターン延在部が前記配線パターンの両側に配置されるように前記基板が準備されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項７】
前記基板を準備する工程において、前記接続部を取り囲む環状の前記ソルダーレジストが複数形成されるように前記基板が準備されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項８】
半導体チップと、
前記半導体チップに接続された接続部と、前記接続部に接続された配線パターンと、前記配線パターンから延びた配線パターン延在部と、前記半導体チップ及び前記接続部を取り囲む環状のソルダーレジストと、を有する基板と、
前記半導体チップを封止する樹脂と、
を備える半導体モジュールであって、
前記ソルダーレジストが前記配線パターンの上で前記配線パターンに交差するとともに、前記配線パターン延在部には前記ソルダーレジストによって覆われていない部分が前記ソルダーレジストの外側に存在することを特徴とする半導体モジュール。
【請求項９】
前記樹脂は、前記配線パターン延在部の前記覆われていない部分の外周端と、前記ソルダーレジストの外周端のうち前記配線パターン延在部と前記配線パターンとのどちらにも重ならない部分とを超えて流れ出していないことを特徴とする請求項８に記載の半導体モジュール。
【請求項１０】
前記配線パターン延在部の前記覆われていない部分の外周端が前記ソルダーレジストの外周端よりも曲率半径が小さい円弧状であることを特徴とする請求項８又は９に記載の半導体モジュール。
【請求項１１】
前記配線パターン延在部の前記覆われていない部分の外周端の長さが、前記ソルダーレジストの外周端と交差する前記配線パターンの部分の長さ以上であることを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
【請求項１２】
前記配線パターン延在部が前記配線パターンの両側に配置されることを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
【請求項１３】
前記半導体チップ及び前記接続部を取り囲む環状の前記ソルダーレジストが複数配置されることを特徴とする請求項８乃至１２のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
すなわち、本発明の半導体モジュールの製造方法は、半導体チップを準備する工程と、接続部と、前記接続部に接続された配線パターンと、前記配線パターンから延びた配線パターン延在部と、前記接続部を取り囲む環状のソルダーレジストと、が形成された基板を準備する工程と、前記基板上かつ前記ソルダーレジストの内側に前記半導体チップを固定して、前記半導体チップを前記接続部に接続する工程と、前記半導体チップを樹脂で覆う工程と、を有し、前記基板を準備する工程において、前記ソルダーレジストが前記配線パターンの上で前記配線パターンに交差するとともに、前記配線パターン延在部には前記ソルダーレジストによって覆われていない部分が前記ソルダーレジストの外側に存在するように前記基板が準備されることを特徴とする。
本発明の一側面における半導体モジュールは、半導体チップと、前記半導体チップに接続された接続部と、前記接続部に接続された配線パターンと、前記配線パターンから延びた配線パターン延在部と、前記半導体チップ及び前記接続部を取り囲む環状のソルダーレジストと、を有する基板と、前記半導体チップを封止する樹脂と、を備える半導体モジュールであって、前記ソルダーレジストが前記配線パターンの上で前記配線パターンに交差するとともに、前記配線パターン延在部には前記ソルダーレジストによって覆われていない部分が前記ソルダーレジストの外側に存在することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体モジュール及びその製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月25日(2009.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
図１（ａ）および図１（ｂ）を用い実施例１について説明する。図１（ａ）を参照に、Ｓｉ基板１０の表面酸化膜をフッ化水素酸（ＨＦ）を用い除去する。Ｓｉ基板１０をＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置のリアクタ内に導入する。Ｈ２（水素）をキャリアガスとし、基板温度を１０５０℃に昇温する。これにより、基板１０表面をサーマルクリーニングする。ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）およびＮＨ３（アンモニア）を供給し、基板１０上に膜厚が約２５０ｎｍのＡｌＮ（窒化アルミニウム）層１２を成長する。ＡｌＮ層１２は基板温度を１０５０℃とすることによりほとんど格子緩和した層となる。基板温度を１１００℃に昇温しＴＭＡ、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）およびＮＨ３を供給し、ＡｌＮ層１２上に膜厚が約２５０ｎｍのＡｌＧａＮ（窒化アルミニウムガリウム）層１４を成長する。ＡｌＧａＮ層１４のＡｌ組成比については後述する。基板温度を１１５０℃に昇温しＴＭＧおよびＮＨ３を供給し、ＡｌＧａＮ層１４上に膜厚が１μｍのＧａＮ層１６を成長する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
ＡｌＧａＮ層はＡｌ組成比を高くすると急激に成長速度が低下することが知られている。このため、従来はＡｌＮ層１２とＧａＮ層１６との間に形成するＡｌＧａＮ層１４のＡｌ組成比は０．２前後としていた。しかしながら、図２によれば、Ａｌ組成比が０．２前後ではＧａＮ層１６のロッキングカーブの半値幅は７００秒程度となってしまう。さらに、特許文献１および特許文献２のようにＡｌＧａＮ層１４のＡｌ組成比を連続的または段階的に変化させたとしてもロッキングカーブの半値幅が６００秒以下となるという報告はない。本発明者は単層からなるＡｌＧａＮ層１４のＡｌ組成比を０．３以上とすることによりＧａＮ層１６の結晶性が改善することを見出した。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月25日(2009.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体と、
複数の発光ダイオード及び当該各発光ダイオードから発生する熱を伝導するための伝熱路を有する複数の配線基板と、
前記筐体へ固定されるとともに前記各配線基板を保持する金属製の保持部材と、
前記各配線基板と前記保持部材との間に設けられ、前記各配線基板の前記伝熱路から伝導された熱を前記保持部材へ伝導可能な粘着材と
を具備するバックライト装置。
【請求項２】
請求項１に記載のバックライト装置であって、
前記配線基板は樹脂製であり、
前記伝熱路は、前記配線基板を前記発光ダイオード側から前記保持部材側へ貫通するサーマルビアであり、
前記粘着材は絶縁体である
バックライト装置。
【請求項３】
請求項２に記載のバックライト装置であって、
前記配線基板を前記保持部材へ係止するための係止部材を更に具備するバックライト装置。
【請求項４】
筐体と、複数の発光ダイオード及び当該各発光ダイオードから発生する熱を伝導するための伝熱路をそれぞれ有する複数の配線基板と、前記筐体へ固定されるとともに前記各配線基板を保持する金属製の保持部材と、前記各配線基板と前記保持部材との間に設けられ、前記各配線基板の前記伝熱路から伝導された熱を前記保持部材へ伝導可能な粘着材とを有するバックライト装置と、
前記発光ダイオードユニットから出射される光の透過率を変化させることで映像を表示可能な液晶パネルと
を具備する液晶表示装置。
【請求項５】
請求項４に記載の液晶表示装置であって、
前記配線基板は樹脂製であり、
前記伝熱路は、前記配線基板を前記発光ダイオード側から前記保持部材側へ貫通するサーマルビアであり、
前記粘着材は絶縁体である
液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
図２及び図５に示すように、各配線基板２２の表面には、白色ソルダーレジスト６１が塗布されている。この白色ソルダーレジスト６１には、光を効率よく反射する高光反射性材料が含まれる。高光反射性材料としては、例えば微細な酸化チタン（ＴｉＯ２）やチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）等の無機材料や、光散乱のための無数の穴を有する微細な多孔質アクリル、ポリカーボネート等の有機材料等が好適に用いられる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月9日(2009.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
図４（ｄ）及び（ｅ）は、接地側保護回路６及び電源側保護回路７の構成の変形例を示し、同図（ｄ）ではバイポーラ型トランジスタで構成した場合を、同図（ｅ）ではダイオードで構成した場合を示している。尚、図４（ａ）、（ｃ）、（ｄ）及び（ｅ）に示した入出力セル２では、入出力回路２５内のＨレベル出力トランジスタ２３及びＬレベル出力トランジスタ２４も、各々、電源側保護回路や接地側保護回路としても機能する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
前記入出力セル２に備える各回路６、７、７０、７１ａ及び７１ｂでは、それ等の拡散領域４０〜４３の周囲を囲むように、その拡散領域の導電型とは反対導電型のウェル電位固定用の拡散領域、つまりガードリング用拡散領域３５又は３６が配置されている。また、Ｎ型ディープウエル３１の半導体チップ辺側端部及び半導体チップ内方側端部にも、各々、Ｎ型ガードリング用拡散領域４６が配置されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
一方、図１１及び図１２は、前記図３に示した入出力セル２の内部レイアウト構成を示す。これ等の図において、入出力セル２では、半導体チップの辺側に電源側保護回路７が位置し、その半導体チップ内方側に接地側保護回路６が位置している。従って、半導体チップの辺側には、電源側保護回路７のＰ型拡散領域４１、及びこのＰ型拡散領域４１に配置されたＮ型ガードリング用拡散領域３６が位置するので、Ｎ型ディープウエル３１の半導体チップ辺側端部には、専用のＮ型ガードリング用拡散領域４６を配置する必要がなく、このＮ型ガードリング用拡散領域４６を電源側保護回路（所定回路）７のＮ型ガードリング用拡散領域３６で共用することができる。その結果、前記Ｎ型ディープウエル３１の専用のＮ型ガードリング用拡散領域４６を配置する領域の分、入出力セル２の長さを短縮することが可能である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2008166495.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月18日(2009.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一基板上にアンテナ部とメモリ部とを有し
前記メモリ部の共通電極は、前記アンテナ部のアンテナ電極に囲まれた領域に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
同一基板上にアンテナ部とメモリ部とを有し
前記メモリ部の共通電極は、前記アンテナ部のアンテナ電極に囲まれた領域であり、且つ前記基板の中央部に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記共通電極と、前記アンテナ電極との最短距離は５００μｍ以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記アンテナ電極と前記共通電極とは同一の絶縁層上に形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記アンテナ電極と前記共通電極とは同一の材料で形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記メモリ部は、有機素子又は強誘電体素子を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記メモリ部は、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ、又はＤＲＡＭを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
電荷を蓄える充電素子をさらに有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記アンテナ電極を覆う磁性材料からなる膜を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月20日(2009.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
システム停止時に燃料電池のインピーダンスを測定し、測定結果に基づき掃気制御を行う燃料電池システムであって、
前記燃料電池のインピーダンスと、掃気処理開始からの経過時間とを複数回測定する測定手段と、
測定された前記インピーダンスと前記経過時間との対を複数保持する保持手段と、
インピーダンス基準値を記憶する記憶手段と、
前記インピーダンス基準値と、前記複数のインピーダンスと経過時間との対に基づき、掃気完了時間を推定する推定手段と
を具備することを特徴とする燃料電池システム。
【請求項２】
前記測定手段は、前記測定を２回行い、第１回目の測定を掃気処理開始近傍で行うとともに、第２回目の測定を掃気処理開始から所定時間経過後に行うことを特徴とする請求項１に記載の燃料電池システム。
【請求項３】
前記燃料電池に関わる温度を検出する温度センサと、検出される温度に基づいて前記インピーダンス基準値を変更する変更手段とをさらに具備することを特徴とする請求項１または２に記載の燃料電池システム。
【請求項４】
日時を検出するカレンダ機構と、検出される日時に基づいて前記インピーダンス基準値を変更する変更手段とをさらに具備することを特徴とする請求項１または２に記載の燃料電池システム。