Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月22日(2010.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シートに印刷処理を実行する印刷手段と、
前記印刷手段により印刷処理が実行されたシートに対する後処理を実行する後処理装置を複数の後処理装置の中から特定する特定手段と、
前記複数の後処理装置のカバーの開閉状態を検知する検知手段と、
前記特定手段により特定された後処理装置のカバーが開状態であることを前記検知手段が検知した場合に、印刷処理を中断するように前記印刷手段を制御する制御手段と、
前記特定手段により特定された後処理装置のカバーが開状態であることを前記検知手段が検知した場合は、前記特定手段により特定された後処理装置のカバーが開状態であることを示す情報を表示し、前記特定手段により特定された後処理装置のカバーが閉状態であることを前記検知手段が検知した場合は、前記特定手段により特定された後処理装置以外の後処理装置のカバーが開状態であることを前記検知手段が検知した場合であっても、前記特定手段により特定された後処理装置以外の後処理装置のカバーが開状態であることを示す情報を表示しない、表示手段と、
を有することを特徴とする印刷装置。
【請求項２】
前記特定手段により特定された後処理装置以外の後処理装置のカバーが開状態である場合に、前記特定手段により特定された後処理装置以外の後処理装置のカバーが開状態であることを示す情報を表示するよう前記表示手段に指示する指示手段を更に有し、
前記表示手段は、前記特定手段により特定された後処理装置以外の後処理装置のカバーが開状態であることを示す情報を表示するよう前記指示手段が指示した場合、かつ、前記特定手段により特定された後処理装置以外の後処理装置のカバーが開状態であることを前記検知手段が検知した場合に、前記特定手段により特定された後処理装置以外の後処理装置のカバーが開状態であることを示す情報を表示することを特徴とする請求項１に記載の印刷装置。
【請求項３】
前記制御手段は、更に、前記特定手段により特定された後処理装置のカバーが開状態から閉状態に変化したことを前記検知手段が検知した場合に、前記中断した印刷処理を再開するように前記印刷手段を制御することを特徴とする請求項１又は２に記載の印刷装置。
【請求項４】
シートに印刷処理を実行する印刷手段を有する印刷装置の制御方法であって、
前記印刷手段により印刷処理が実行されたシートに対する後処理を実行する後処理装置を複数の後処理装置の中から特定する特定工程と、
前記複数の後処理装置のカバーの開閉状態を検知する検知工程と、
前記特定工程により特定された後処理装置のカバーが開状態であることが前記検知工程において検知された場合に、印刷処理を中断するように前記印刷手段を制御する制御工程と、
前記特定工程により特定された後処理装置のカバーが開状態であることが前記検知工程において検知された場合は、前記特定工程により特定された後処理装置のカバーが開状態であることを示す情報を表示し、前記特定工程により特定された後処理装置のカバーが閉状態であることが前記検知工程において検知された場合は、前記特定工程により特定された後処理装置以外の後処理装置のカバーが開状態であることが前記検知工程において検知された場合であっても、前記特定工程により特定された後処理装置以外の後処理装置のカバーが開状態であることを示す情報を表示しない、表示工程と、
を有することを特徴とする印刷装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】印刷装置およびその制御方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の目的を達成するために、例えば、本発明の印刷装置は以下の構成を備える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
すなわち、印刷装置において、シートに印刷処理を実行する印刷手段と、前記印刷手段により印刷処理が実行されたシートに対する後処理を実行する後処理装置を複数の後処理装置の中から特定する特定手段と、前記複数の後処理装置のカバーの開閉状態を検知する検知手段と、前記特定手段により特定された後処理装置のカバーが開状態であることを前記検知手段が検知した場合に、印刷処理を中断するように前記印刷手段を制御する制御手段と、前記特定手段により特定された後処理装置のカバーが開状態であることを前記検知手段が検知した場合は、前記特定手段により特定された後処理装置のカバーが開状態であることを示す情報を表示し、前記特定手段により特定された後処理装置のカバーが閉状態であることを前記検知手段が検知した場合は、前記特定手段により特定された後処理装置以外の後処理装置のカバーが開状態であることを前記検知手段が検知した場合であっても、前記特定手段により特定された後処理装置以外の後処理装置のカバーが開状態であることを示す情報を表示しない、表示手段と、を有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月8日(2010.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キューシートサーバ、リリースサーバ及びエアチェック装置を備えたエアチェックシステムであって、
前記キューシートサーバは、
放送局から放送された複数のコンテンツの特定情報と放送時間に関する情報とを含む複数のコンテンツ情報を記憶するためのキューシート記憶手段を備え、
前記リリースサーバは、
コンテンツの特定情報及びコンテンツの発売日を含む複数のリリース情報を記憶するためのリリース記憶手段を備え、
前記キューシートサーバ、リリースサーバ及びエアチェック装置の少なくとも１つは、
前記複数のコンテンツ情報と、前記複数のコンテンツ情報に対応する複数のリリース情報とに基づいて、前記複数のコンテンツ情報のうち、対応するリリース情報内の発売日が所定期間内に含まれるコンテンツ情報を検索する検索手段を備え、
前記エアチェック装置は、
前記検索されたコンテンツ情報内の特定情報を表示する表示手段を備えることを特徴とするエアチェックシステム。
【請求項２】
請求項１に記載のエアチェックシステムに適用される前記エアチェック装置であって、
放送局から放送された複数のコンテンツを含む放送データを受信する受信手段と、
前記受信された放送データを放送時間と対応付けて記憶するエアチェック記憶手段と、
前記検索されたコンテンツ情報により特定されるコンテンツの中から、所望のコンテンツを指定する指定手段と、
前記指定されたコンテンツのコンテンツ情報内の放送時間に関する情報に基づいて、前記記憶された放送データから前記指定されたコンテンツを抽出する抽出手段とを備えることを特徴とするエアチェック装置。
【請求項３】
請求項２に記載のエアチェック装置であって、
前記コンテンツ情報内の放送時間に関する情報に基づいて、前記コンテンツ情報により特定されるコンテンツを含む放送データが前記エアチェック記憶手段に記憶されているか否かを判断する判断手段を備え、
前記表示手段は、前記検索されたコンテンツ情報のうち、前記特定されるコンテンツを含む放送データが前記エアチェック記憶手段に記憶されていると判断されたコンテンツ情報の特定情報を表示することを特徴とするエアチェック装置。
【請求項４】
放送局から放送された複数のコンテンツの特定情報と放送時間に関する情報とを含む複数のコンテンツ情報と、コンテンツの特定情報及びコンテンツの発売日を含む複数のリリース情報とを蓄積する１または複数のサーバに接続可能な端末装置であって、
前記複数のコンテンツ情報と、前記コンテンツ情報に対応した前記複数のリリース情報とを前記サーバから取得する取得手段と、
前記複数のコンテンツ情報と前記複数のリリース情報とに基づいて、前記複数のコンテンツ情報のうち、対応するリリース情報内の発売日が所定期間内に含まれるコンテンツ情報を検索する検索手段と、
前記検索されたコンテンツ情報内の特定情報を表示する表示手段を備えることを特徴とする端末装置。
【請求項５】
コンテンツの特定情報及びコンテンツの発売日を含む複数のリリース情報を蓄積するリリースサーバと、端末装置とに接続可能なサーバであって、
放送局から放送された複数のコンテンツの特定情報と放送時間に関する情報とを含む複数のコンテンツ情報を記憶するためのキューシート記憶手段と、
前記複数のコンテンツ情報に対応する複数のリリース情報を前記リリースサーバから取得する取得手段と、
前記複数のコンテンツ情報と、前記取得された複数のリリース情報とに基づいて、前記複数のコンテンツ情報のうち、対応するリリース情報内の発売日が所定期間内に含まれるコンテンツ情報を検索する検索手段と、
前記検索されたコンテンツ情報の特定情報を前記端末装置が表示するために、前記検索されたコンテンツ情報を前記端末装置に送信する送信手段とを備えることを特徴とするサーバ。
【請求項６】
放送局から放送された複数のコンテンツの特定情報及び放送時間に関する情報を含む複数のコンテンツ情報と、コンテンツの特定情報及びコンテンツの発売日を含む複数のリリース情報とを蓄積する１又は複数のサーバと接続可能な端末装置内のコンピュータに、
前記複数のコンテンツ情報と、前記複数のコンテンツ情報に対応する前記複数のリリース情報を取得するステップと、
前記複数のコンテンツ情報と前記複数のリリース情報とに基づいて、前記複数のコンテンツ情報のうち、対応するリリース情報内の発売日が所定期間内に含まれるコンテンツ情報を検索するステップと、
前記検索されたコンテンツ情報内の特定情報を表示するステップとを実行させる端末装置の動作プログラム。
【請求項７】
放送局から放送された複数のコンテンツの特定情報と放送時間に関する情報とを含む複数のコンテンツ情報を記憶するためのキューシート記憶手段と、
コンテンツの特定情報及びコンテンツの発売日を含む複数のリリース情報を記憶するためのリリース記憶手段と、
前記複数のコンテンツ情報と、前記複数のコンテンツ情報に対応する複数のリリース情報とに基づいて、前記複数のコンテンツ情報のうち、対応するリリース情報内の発売日が所定期間内に含まれるコンテンツ情報を検索する検索手段と、
前記検索されたコンテンツ情報内の特定情報を表示装置に表示させる表示手段とを備えることを特徴とするコンテンツ検索システム。
【請求項８】
請求項７に記載のコンテンツ検索システムであって、
放送局から放送された複数のコンテンツを含む放送データを放送時間と対応付けて記憶する放送記憶手段と、
前記検索されたコンテンツ情報により特定されるコンテンツの中から、所望のコンテンツを指定する指定手段と、
前記指定されたコンテンツのコンテンツ情報内の放送時間に関する情報に基づいて、前記記憶された放送データから前記指定されたコンテンツを抽出する抽出手段とをさらに備えることを特徴とするコンテンツ検索システム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月8日(2010.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体側から、負のパワーを持つ第1レンズ、負のパワーを持つ第２レンズ、第３レンズ、正のパワーを持つ第４レンズ、正のパワーを持つ第５レンズ、負のパワーを持つ第６レンズをこの順に備え、
前記第２レンズから第６レンズが、各レンズにおける少なくとも１つのレンズ面が非球面をなすものであり、
前記第３レンズおよび第６レンズが、ｄ線に対するアッベ数が４５以下の材料で形成されたものであることを特徴とする撮像レンズ。
【請求項２】
物体側から、
負のパワーを持ち、像側に凹面を向けたメニスカスレンズである第１レンズ、
少なくとも像側のレンズ面が非球面をなし、該レンズ面の中心部は凹面をなし有効径周縁部は前記中心部よりも負のパワーが弱い第２レンズ、
少なくとも１つのレンズ面が非球面をなす第３レンズ、
正のパワーを持ち、少なくとも１つのレンズ面が非球面をなす第４レンズ、
正のパワーを持ち、少なくとも１つのレンズ面が非球面をなす第５レンズ、
負のパワーを持ち、少なくとも１つのレンズ面が非球面をなす第６レンズをこの順に備えたものであることを特徴とする撮像レンズ。
【請求項３】
前記第３レンズと第４レンズの間に絞りが配置されたものであることを特徴とする請求項１または２記載の撮像レンズ。
【請求項４】
前記第３レンズが、正のパワーを持ち、物体側のレンズ面の中心部が凸面をなすものであることを特徴とする請求項１または３記載の撮像レンズ。
【請求項５】
以下の条件式（１）を満足するものであることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項記載の撮像レンズ。
２．０＜ｆ56／ｆ＜５．５  ・・・（１）
ただし、
ｆ：前記撮像レンズ全系の焦点距離
ｆ56：前記第５レンズと第６レンズの合成焦点距離
【請求項６】
以下の条件式（２）を満足するものであることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項記載の撮像レンズ。
２．５＜（Ｄ４＋Ｄ５）／ｆ＜５．５  ・・・（２）
ただし、
ｆ：前記撮像レンズ全系の焦点距離
Ｄ４：前記第２レンズと第３レンズとの間の空気間隔
Ｄ５：前記第３レンズの中心肉厚
【請求項７】
以下の条件式（３）を満足するものであることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項記載の撮像レンズ。
４．０＜ｆ３／ｆ＜９．０  ・・・（３）
ただし、
ｆ：前記撮像レンズ全系の焦点距離
ｆ３：前記第３レンズの焦点距離
【請求項８】
前記第２レンズの像側のレンズ面が、該レンズ面の中心部は凹面をなし有効径周縁部は前記中心部よりも負のパワーが弱いものであることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項記載の撮像レンズ。
【請求項９】
前記第２レンズの物体側のレンズ面が、該レンズ面の中心部は凸面をなし有効径周縁部は前記中心部よりも正のパワーが弱いまたは、該レンズ面の中心部は凸面をなし有効径周縁部は負のパワーを持つものであることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項記載の撮像レンズ。
【請求項１０】
前記第３レンズの物体側のレンズ面が、該レンズ面の中心部は凸面をなし、有効径内に前記中心部よりも正のパワーが強い領域を持つことを特徴とする請求項１から９のいずれか１項記載の撮像レンズ。
【請求項１１】
前記第５レンズの像側のレンズ面が、該レンズ面の中心部は凸面をなし有効径周縁部は前記中心部よりも正のパワーが弱いものであることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項記載の撮像レンズ。
【請求項１２】
前記第６レンズの物体側のレンズ面が、該レンズ面の中心部は凹面をなし有効径周縁部は前記中心部よりも負のパワーが弱いものであることを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項記載の撮像レンズ。
【請求項１３】
前記第６レンズの像側のレンズ面が、該レンズ面の中心部が凸面をなし有効径周縁部は前記中心部よりも正のパワーが弱いものであることを特徴とする請求項１から１２のいずれか１項記載の撮像レンズ。
【請求項１４】
以下の条件式（４）を満足することを特徴とする請求項１から１３のいずれか１項記載の撮像レンズ。
１１＜Ｌ／ｆ＜１８  ・・・（４）
ただし、
ｆ：前記撮像レンズ全系の焦点距離
Ｌ：前記第１レンズの物体側のレンズ面から結像面までの距離
【請求項１５】
前記請求項１から１４のいずれか１項記載の撮像レンズと、該撮像レンズにより形成される光学像を電気信号に変換する撮像素子とを備えたことを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
ただし、ｆ：前記撮像レンズ全系の焦点距離、Ｌ：前記第１レンズの物体側のレンズ面から結像面までの距離。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
最も物体側から順に負の第１レンズ、第２レンズを配置することで、大きな画角で入射してきた光線をとらえることができ、光学系を広角化することが可能となる。第１レンズを、像側に凹面を向けたメニスカスレンズとすることで、像面湾曲を良好に補正することが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４７】
なお、第２レンズＬ２の物体側のレンズ面Ｒ３の有効径周縁部Ｘ３での曲率半径をＲ３ｘとしたとき、この曲率半径Ｒ３ｘの絶対値（｜Ｘ３−Ｐ３｜）は中心部Ｃ３における曲率半径Ｒ３ｃの絶対値の１．５倍以上の値であることが望ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０３】
また、遮光手段は、必要に応じて、第１レンズＬ１と第２レンズＬ２の間の空間に配置するようにしてもよい。さらに、遮光手段は、第２レンズＬ２〜第６レンズＬ６上の有効径外の領域、あるいはこれらのレンズ間に配置しても良い。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２０】
図７〜図１０は、実施例１〜実施例４の撮像レンズそれぞれの基本的なデータを示す図である。各図中の上左部（図中符号（ａ）で示す）にレンズデータを、上中央部（図中符号（ｂ）で示す）に撮像レンズの概略仕様を示す。さらに、下左部（図中符号（ｄ）で示す）にレンズ面の形状（非球面の形状）を表す非球面式の各係数を示す。下右部（図中符号（ｅ）で示す）に、各レンズ面の有効形周縁部における曲率半径の絶対値を示す。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月15日(2010.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ディスプレイ構造が、ディスプレイモジュールと回路モジュールとを備え、
前記ディスプレイモジュールが、複数の縦列電極を有する基板と、複数の横列電極と、各々が複数の横列電極のうちの１つ及び複数の縦列電極のうちの１つに接続される複数のディスプレイ材料部分と、複数の横列電極と複数の縦列電極と複数のディスプレイ材料部分とを包むための異方性の導電構造とを有し、
前記回路モジュールが複数の信号ラインを有し、前記回路モジュールが外側領域と内側領域とを有し、前記異方性の導電構造が前記回路モジュールを前記ディスプレイモジュールに付着させるように、かつ、前記回路モジュールを前記ディスプレイモジュールとの間で信号を電気的に繋ぐように形成される
電子ディスプレイ構造。
【請求項２】
前記ディスプレイモジュールと前記回路モジュールを包むためのディスプレイシールを更に備える、請求項１に記載の電子ディスプレイ構造。
【請求項３】
前記異方性の導電構造が、前記複数のディスプレイ材料部分の各々をシールするように形成される、請求項１に記載の電子ディスプレイ構造。
【請求項４】
前記複数の信号ラインのそれぞれが前記複数の横列及び縦列電極のうちの１つに対応し、前記電子ディスプレイ構造が前記回路モジュールの前記外側領域に接続される第１の側と前記ディスプレイモジュールの外側領域に接続される第２の側とを有するビードシールを更に備える、請求項１に記載の電子ディスプレイ構造。
【請求項５】
前記回路モジュールの反対側で、前記ビードシール、前記基板の第１の面、または前記基板の第２の面のうちの１つに形成されたマスク層を更に備え、該マスク層は、前記ディスプレイが前記基板の前記第１の面から観察される際に、前記ビードシールを隠すように作用する、請求項４に記載の電子ディスプレイ構造。
【請求項６】
前記複数のディスプレイ材料部分の各々がピクセルの一部であり、前記基板上の隣り合うピクセルが隙間によって互いに分離されており、前記ビードシールが隣り合うピクセル間の隙間の１／２よりも小さい幅を有している、請求項４に記載の電子ディスプレイ構造。
【請求項７】
前記ビードシールが、前記ディスプレイモジュールの前記外側領域にわたって略均一である、請求項４に記載の電子ディスプレイ構造。
【請求項８】
前記ディスプレイモジュールから前記回路モジュールにわたって形成され且つ前記回路モジュール及び前記ディスプレイモジュールの周囲で延びるバンドシールと、
前記バンドシールの端部に形成されたマスク層と、
を更に備え、
前記マスク層は、前記バンドシールが前記ディスプレイモジュール側から観察される際に、前記バンドシールを隠すように作用する、請求項１に記載の電子ディスプレイ構造。
【請求項９】
前記複数の横列電極のうち少なくともいくつかは、それぞれに対応するディスプレイ材料部分を包むように形成される、請求項１に記載の電子ディスプレイ構造。
【請求項１０】
前記ディスプレイ材料が有機電子発光材料を含んでいる、請求項９に記載の電子ディスプレイ構造。
【請求項１１】
前記複数のディスプレイ材料部分の各々の上に位置する絶縁層を更に備え、前記絶縁材料がその中に形成された複数のバイアを有しており、それぞれのバイアがディスプレイ材料関連部分に対応しており、各々の前記横列電極が関連バイアを介してディスプレイ材料対応部分に接触している、請求項１に記載の電子ディスプレイ構造。
【請求項１２】
前記異方性の導電構造が実質的に黒色である、請求項１に記載の電子ディスプレイ構造。
【請求項１３】
前記異方性の導電構造が、接着剤と導電粒子との混合物を含む異方性の導電封止材を備え、局部的な圧力、局部的な磁場、又は局部的なエレクトロマイグレーションのうちのいずれかの要因によって、前記導電粒子は、前記複数の横列及び縦列電極のそれぞれを各信号ラインに接続する、請求項１２に記載の電子ディスプレイ構造。
【請求項１４】
前記異方性の導電構造が、前記複数の信号ラインとこれらに対応する横列または縦列電極との間で少なくとも部分的に延びる複数の導電バンプを更に有する、請求項１３に記載の電子ディスプレイ構造。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月16日(2010.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属容器のフランジ間に、絶縁スペーサを介在させて複数のスタッドボルトにより連結し、少なくとも前記絶縁スペーサの外周面に面アンテナと絶縁カバーからなるアンテナ本体を取り付ける部分放電検出装置において、前記アンテナ本体の上面にＬ字型の支持板を固着すると共に、Ｌ字型の自由端を上方に立ち上げて配置し、前記支持板のＬ字型の自由端とスタッドボルト間に、長穴を有する取り付け板を介在させて固定して構成したことを特徴とする部分放電検出装置。
【請求項２】
金属容器のフランジ間に、絶縁スペーサを介在させて複数のスタッドボルトにより連結し、少なくとも前記絶縁スペーサの外周面に面アンテナと絶縁カバーからなるアンテナ本体を取り付ける部分放電検出装置において、前記アンテナ本体の上面にＬ字型の支持板を固着すると共に、Ｌ字型の自由端をフランジの面側に伸ばして配置し、前記支持板のＬ字型の自由端はスタッドボルトにて固定して構成したことを特徴とする部分放電検出装置。
【請求項３】
請求項１又は２のいずれかにおいて、前記アンテナ本体の上面に固着した支持板上に、前記面アンテナと電気的に接続するコネクタを取付けて構成したことを特徴とする部分放電検出装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
アンテナ本体１０を取り付ける際には、図４及び図５に示すように絶縁スペーサ３等の円弧状の外周面に取り付けることになる。このことから、アンテナ本体１０の下面に、例えば両面接着シートを介在させて、フランジ１Ａ、２Ａ及びスペーサ３の外周面にできる限り隙間が生じないように張り付ける。その後、アンテナ本体１０の上面に固着した支持板１３を、スタッドボルト４に固着しておいた取り付け板１５に、連結手段１６により着脱自在に固着する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
取り付け板１５は、寸法の異なる絶縁スペーサ３の外周面にアンテナ本体１０を取り付け、支持板１３でフランジ２Ａ部分に固定するためのものである。このため、図５に示す如く取り付け板１５に長穴１５Ａを形成しておけば、支持板１３は絶縁スペーサ３の半径方向に取り付け位置の調整に利用することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
そして、ＧＩＳの少なくとも絶縁スペーサ３の外面に固着した状態では、信号伝送ケーブルに外力が働いても、コネクタ１４が支持板１３に機械的に強固に取り付けられているため、アンテナ本体１０が絶縁スペーサ３から脱落することはない。また、信号伝達する接続線１７、１７Ａに外力が作用することがないので、断線等の問題が生じることがなくなる。更に取り付け板１５は、フランジ１Ａ、２Ａ間を締め付けるスタッドボルト４を利用して固定することができるので、アンテナ本体１０を取り付けるために特別な加工を必要とせず、作業性を向上することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月25日(2009.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ニトリルゴムのメタセシスのための、一般式（Ｉ）
【化１】
2007224303.tif 000001
〔式中、
Ｍは、ルテニウムまたはオスミウムであり、
Ｙは、酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）、Ｎ−Ｒ１基、またはＰ−Ｒ１基であり、
Ｘ１およびＸ２は、同一であるかもしくは異なる配位子であり、
Ｒ１は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルスルホニル基、またはアルキルスルフィニル基であり、それらはいずれも、場合により、１個以上のアルキル基、ハロゲン基、アルコキシ基、アリール基、またはヘテロアリール基により置換されていてもよく、
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５は、同一であるかもしくは異なっており、それぞれ、水素、有機基、または無機基であり、
Ｒ６は、水素であるか、またはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、もしくはアリール基であり、そして
Ｌは、配位子である〕
で示される触媒の使用。
【請求項２】
ニトリルゴムが、前記一般式（Ｉ）で示される触媒の存在下でメタセシス分解に付され、続いて、得られた分解ニトリルゴムが、好ましくはｉｎ  ｓｉｔｕで、水素化に付されることを特徴とする、水素化ニトリルゴムの調製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月27日(2010.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メタセシス触媒と、一般式（Ｉ）
Ｋｎ＋Ａｚ−  （Ｉ）
〔式中、
Ｋは、銅を除く陽イオンであり、そして
Ａは、陰イオンであり、
ｎは、１、２、または３であり、そして
ｚは、１、２、または３である〕
で示される１種以上の塩と、を含む触媒系。
【請求項２】
メタセシス反応における、好ましくは、閉環メタセシス（ＲＣＭ）、交差メタセシス（ＣＭ）、または開環メタセシス（ＲＯＭＰ）における、とくに、ニトリルゴムのメタセシスのための、請求項１に記載の触媒系の使用。
【請求項３】
メタセシス用の触媒系の成分としての、請求項１に記載の一般式（Ｉ）で示される塩の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月14日(2010.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不飽和カルボン酸、不飽和カルボン酸無水物またはこれらの混合物５乃至３５重量％、
スチレン系化合物５乃至４０重量％、
エポキシ系化合物５乃至４０重量％、
イソボルニル系化合物０．１乃至１０重量％、そして
ジシクロペンタジエン系化合物２０乃至４０重量％を重合して製造されることを特徴とする有機絶縁膜用樹脂組成物。
【請求項２】
前記不飽和カルボン酸はアクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸及びメサコン酸または桂皮酸より選択された少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機絶縁膜用樹脂組成物。
【請求項３】
前記スチレン系化合物はスチレン、α-メチルスチレン、ｍ-メチルスチレン、ｐ-メチルスチレン及びビニルトルエン（ｖｉｎｙｌ  ｔｏｌｕｅｎｅ）より選択された少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機絶縁膜用樹脂組成物。
【請求項４】
前記エポキシ系化合物は、グリシジル（メタ）アクリレート、α-ｎ-プロピルグリシジル（メタ）アクリレート、α-ｎ-ブチルグリシジル（メタ）アクリレート、β-エチルグリシジル（メタ）アクリレート、３，４-エポキシブチル（メタ）アクリレート、６，７-エポキシヘプチル（メタ）アクリレート、ｏ-ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｍ-ビニルベンジルグリシジルエーテル及びｐ-ビニルベンジルグリシジルエーテルより選択された少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機絶縁膜用樹脂組成物。
【請求項５】
前記イソボルニル系化合物は、イソボルニル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、２-メチルシクロヘキシル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニルオキシエチール（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート及び２-ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートより選択された少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機絶縁膜用樹脂組成物。
【請求項６】
前記ジシクロペンタジエン系化合物は、ジシクロペンタニルオキシエチルアクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、トリス−２−アクリロオキシエチルイソシアヌレート、ペンタメチルピペリジル（メタ）クリレート及びエチレンオキシドビスフェノールＡ（メタ）クリレートより選択された少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機絶縁膜用樹脂組成物。
【請求項７】
前記樹脂組成物は総固形分に対して０．０１乃至１５重量％の重合開始剤をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の有機絶縁膜用樹脂組成物。
【請求項８】
前記重合開始剤は、２，２´-アゾビス（２-アミジノプロパン）ジヒドロクロライド、２，２´-アゾビス（２-メチルブチロニトリル）、２，２´-アゾビス（イソブチロニトリル）、２，２´-アゾビス（２，４-ジメチルバレロニトリル）、２，２´-アゾビス（４-メトキシ-２，４-ジメチルバレロニトリル）、２，２´-アゾビス（４-シアノ吉草酸）及びジメチル２，２´-アゾビスイソブチルレートより選択された少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項７に記載の有機絶縁膜用樹脂組成物。
【請求項９】
不飽和カルボン酸、不飽和カルボン酸無水物またはこれらの混合物５乃至４０重量％、スチレン系化合物５乃至４０重量％、エポキシ系化合物５乃至４０重量％、イソボルニル系化合物０．１乃至１０重量％、ジシクロペンタジエン系化合物２０乃至４０重量％、そして重合開始剤０．０１乃至１５重量％を重合して共重合体溶液を製造する段階、そして
前記共重合体溶液を精製して共重合体樹脂を製造する段階を含むことを特徴とする有機絶縁膜用樹脂組成物の製造方法。
【請求項１０】
前記共重合体溶液を製造する段階は
前記不飽和カルボン酸、不飽和カルボン酸無水物またはこれらの混合物、前記スチレン系化合物、前記エポキシ系化合物、前記イソボルニル系化合物、前記ジシクロペンタジエン系化合物及び前記重合開始剤を含有した溶液を製造する段階、そして
前記溶液を加温する段階を含むことを特徴とする請求項９に記載の有機絶縁膜用樹脂組成物の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月8日(2010.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メジアン径が２から１２ミクロンであって、４０ミクロンのふるいで最大の残さが５％以下のオクスカルバゼピンを有効成分として含有する、絶食状態の患者に経口的に使用することを意図した、発作の制御、予防もしくは処置用薬剤。
【請求項２】
オクスカルバゼピンが４から１２ミクロンのメジアン径を有することに特徴を有する、請求項１に記載の薬剤。
【請求項３】
オクスカルバゼピンが４から１０ミクロンのメジアン径を有することに特徴を有する、請求項１に記載の薬剤。
【請求項４】
オクスカルバゼピンが４０ミクロンのふるいで２％以下の最大の残さを有することに特徴を有する、請求項１から３の何れかの薬剤。
【請求項５】
オクスカルバゼピンが４０ミクロンのふるいで２％以下の最大の残さを有し、かつ６から８ミクロンのメジアン径を有することに特徴を有する、請求項１に記載の薬剤。
【請求項６】
３００から６００ｍｇのオクスカルバゼピンを含むことに特徴を有する、請求項１から５の何れかの薬剤。
【請求項７】
コーティングした錠剤であることに特徴を有する、請求項１から６の何れかの薬剤。
【請求項８】
３０分後に７０％以上のオクスカルバゼピンが溶解するin vitro溶解速度を示すことに特徴を有する、請求項１から７の何れかの薬剤。
【請求項９】
３０分後に９０％以上のオクスカルバゼピンが溶解するin vitro溶解速度を示すことに特徴を有する、請求項１から８の何れかの薬剤。
【請求項１０】
１回投与後に、０．８から１．２５のオクスカルバゼピンＡＵＣ喫食状態／絶食状態比を有することに特徴を有する、請求項１から９の何れかの薬剤。
【請求項１１】
１回投与後に、０．７から１．４３のオクスカルバゼピンＣｍａｘ喫食状態／絶食状態比を有することに特徴を有する、請求項１から１０の何れかの薬剤。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月4日(2010.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次に示す一般式（ＩＩ）に表される化合物からなる、アシルコエンザイムＡコレステロールアシルトランスフェラーゼ活性阻害剤。
【化１】
2007224036.tif 000001
【請求項２】
一般式（ＩＩ）に表される化合物が、オスマンツシドＢ（化合物１）、イソシリンガライド３'−α−Ｌ−ラムノピラノシド（化合物２）又はオスマンツシドＤ（化合物３）である、請求項１記載のアシルコエンザイムＡコレステロールアシルトランスフェラーゼ活性阻害剤。
【化２】
2007224036.tif 000002
【化３】
2007224036.tif 000003
【化４】
2007224036.tif 000004
【請求項３】
請求項１又は２記載のアシルコエンザイムＡコレステロールアシルトランスフェラーゼ活性阻害剤から選ばれる１種以上を配合したアシルコエンザイムＡコレステロールアシルトランスフェラーゼ活性阻害用の組成物（食品を除く）。
【請求項４】
形態が医薬品である請求項３記載の組成物。
【請求項５】
形態が化粧料である請求項３記載の組成物。
【請求項６】
用途が動脈硬化症又は動脈閉塞症の治療又は予防用である、請求項３又は４記載の組成物。
【請求項７】
用途が動脈アテロームの治療又は予防用である、請求項３又は４記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月12日(2010.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機化合物が充填された蒸発源と、
基板を固定する基板保持手段と、を有する成膜室内において、
前記有機化合物を気化させ、
気化している前記有機化合物に前記基板の一表面と略平行となるようなレーザビームを照射し、
前記有機化合物を前記基板上に堆積させることを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
それぞれ異なる複数の有機化合物が充填された複数の蒸発源と、
基板を固定する基板保持手段と、を有する成膜室内において、
前記複数の有機化合物を同時に気化させ、
気化している前記複数の有機化合物に前記基板の一表面と略平行となるようなレーザビームを照射し、
前記複数の有機化合物を前記基板上に堆積させることを特徴とする成膜方法。
【請求項３】
請求項１において、前記レーザビームの波長が、前記有機化合物を励起できる波長であることを特徴とする成膜方法。
【請求項４】
請求項２において、前記レーザビームの波長が、前記複数の有機化合物のいずれかを励起できる波長であることを特徴とする成膜方法。
【請求項５】
請求項２において、前記複数の有機化合物は、ホスト材料およびゲスト材料を有し、
前記レーザビームの波長が、前記ゲスト材料を励起する波長であることを特徴とする成膜方法。
【請求項６】
有機化合物を充填した蒸発源と、基板の一表面若しくは少なくともその一部を露出させ保持する基板保持手段と、を内部に備えた成膜室と、
前記基板の一表面と略平行となるようなレーザビームを照射するレーザビーム照射手段と、を有し、
前記レーザビーム照射手段は、前記蒸発源から気化した前記有機化合物に前記レーザビームを照射するように設けられていることを特徴とする成膜装置。
【請求項７】
有機化合物を充填した蒸発源と、基板の一表面若しくは少なくともその一部を露出させ保持する基板保持手段と、を内部に備えた成膜室と、
前記成膜室に設けられた光導入窓と、
前記基板の一表面と略平行となるようなレーザビームを前記光導入窓から前記成膜室内に照射するレーザビーム照射手段と、を有し、
前記レーザビーム照射手段は、前記蒸発源から気化した前記有機化合物に前記レーザビームを照射するように設けられていることを特徴とする成膜装置。
【請求項８】
請求項６または請求項７において、前記レーザビームの波長が、前記有機化合物を励起できる波長であることを特徴とする成膜装置。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか一項において、前記レーザビーム照射手段のレーザ光源として、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、炭酸ガスレーザ、ＹＡＧレーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、ＧｄＶＯ４レーザ、ＫＧＷレーザ、ＫＹＷレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、Ｙ２Ｏ３レーザ、ＹＶＯ４レーザ、セラミックスレーザ、ヘリウムカドミウムレーザから選ばれるいずれか一のレーザ発振器が用いられることを特徴とする成膜装置。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項９のいずれか一項において、前記レーザビームの照射端に、前記レーザビームを吸収する受光板が設けられていることを特徴とする成膜装置。
【請求項１１】
請求項６乃至請求項１０のいずれか一項において、前記蒸発源が複数設けられていることを特徴とする成膜装置。
【請求項１２】
請求項６乃至請求項１１のいずれか一項において、前記基板と前記レーザの照射位置の間隔は０．０１ｍｍ以上０．１ｍｍ以下であることを特徴とする成膜装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月30日(2010.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チューブポンプ用チューブであって、
それぞれの流路を構成する複数のチューブ本体と、
前記複数のチューブ本体を連結するチューブ連結部と
を備え、
前記チューブ連結部は、
前記チューブポンプ用チューブが押し潰されない状態において、前記複数のチューブ本体を互いに離間し、
前記チューブポンプ用チューブが押し潰された状態において、前記チューブ連結部が座屈して、前記複数のチューブ本体が変形して押し合わないように連結し、
前記チューブ連結部は、前記複数のチューブ本体が押し潰される方向の略中央において、前記複数のチューブ本体を連結するチューブポンプ用チューブ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
複数のチューブ本体を連結するチューブの場合、チューブポンプがチューブを押し潰すときに、隣り合うチューブ本体が互いに変形して押し合う。これにより、チューブが不均一に押し潰される問題があった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
即ち、本発明のチューブポンプ用チューブは、それぞれの流路を構成する複数のチューブ本体と、前記複数のチューブ本体を連結するチューブ連結部とを備え、前記チューブ連結部は、前記チューブポンプ用チューブが押し潰されない状態において、前記複数のチューブ本体を互いに離間し、前記チューブポンプ用チューブが押し潰された状態において、前記チューブ連結部が座屈して、前記複数のチューブ本体が変形して押し合わないように連結し、前記チューブ連結部は、前記複数のチューブ本体が押し潰される方向の略中央において、前記複数のチューブ本体を連結する。これにより、チューブ連結部に連結される各チューブ本体は、均等に押し潰される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月25日(2010.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装基板と、
前記実装基板の第１主面に形成された第１の凹部と、
前記第１の凹部の底面に実装された第１の半導体チップと、
前記第１の凹部に充填された第１の樹脂層と、
前記実装基板に設けられ、前記第１の半導体チップ及び前記第１の樹脂層を含む実装部分と前記実装基板の熱膨張率の差に起因した反りを相殺する反り相殺部材と、
を備える半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記反り相殺部材は、
前記実装基板の前記第１主面とは反対側の面である第２主面に形成され、前記実装基板に垂直な方向から見た場合に前記第１の凹部と少なくとも一部が重なっている第２の凹部と、
前記第２の凹部に充填された第２の樹脂層と、
を備える半導体装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置において、
前記反り相殺部材は、前記第２の凹部の底面に実装され、前記実装基板に垂直な方向から見た場合に前記第１の半導体チップと少なくとも一部が重なっている基板を備える半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置において、
前記第２の凹部の平面形状及び深さは、前記第１の凹部と同じであり、
前記第１の半導体チップの平面形状は、前記基板と同じであり、
前記第２の樹脂層は前記第１の樹脂層と熱膨張率が同一の樹脂であり、
前記実装基板に垂直な方向から見た場合に、前記第１の凹部と前記第２の凹部は同一の位置にあり、かつ前記第１の半導体チップと前記基板は同一の位置にある半導体装置。
【請求項５】
請求項２、３、又は４に記載の半導体装置において、
前記基板は第２の半導体チップである半導体装置。
【請求項６】
請求項３に記載の半導体装置において、
前記第２の凹部を覆い、かつ前記基板の一面に接する放熱板と、
前記第２の凹部の底面と前記第１の凹部の底面の間に位置する前記実装基板を貫通しており、前記２つの底面それぞれで露出している熱伝導部材と、
を備え、
前記反り相殺部材は、前記実装部分、前記熱伝導部材、及び前記放熱板それぞれの熱膨張率と前記実装基板の熱膨張率の差に起因した反りを相殺する半導体装置。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記反り相殺部材は、
前記第１の凹部の上面を覆う第１の被覆部材と、
前記実装基板の前記第１主面とは反対側の面である第２主面に形成され、前記実装基板に垂直な方向から見た場合に前記第１の凹部と重なっている第２の凹部と、
前記第２の凹部の上面を覆う第２の被覆部材と、
を備える半導体装置。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体装置において、
前記反り相殺部材は、前記第２の凹部の底面に実装された基板を備える半導体装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一つに記載の半導体装置において、
前記実装基板は、前記第１の凹部の下方に位置し、前記実装基板の本体より剛性が高い高剛性部材を有する半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によれば、実装基板と、
前記実装基板の第１主面に形成された第１の凹部と、
前記第１の凹部の底面に実装された第１の半導体チップと、
前記第１の凹部に充填された第１の樹脂層と、
前記実装基板に設けられ、前記第１の半導体チップ及び前記第１の樹脂層を含む実装部分と前記実装基板の熱膨張率の差に起因した反りを相殺する反り相殺部材と、
を備える半導体装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、反り相殺部材が、第１の半導体チップ及び第１の樹脂層からなる実装部分と実装基板の熱膨張率の差に起因した熱応力を相殺する。このため、半導体装置に熱応力に起因した反りが発生することを抑制できる。また、反り相殺部材を調節することにより、熱応力に起因した反りをほぼ無くすことができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
以下に説明する各実施形態において、半導体装置は、実装基板１０、実装基板１０に形成された第１の凹部１２、第１の半導体チップ２０、第１の樹脂層３０、並びに反り相殺部材を備える。第１の凹部１２は、実装基板１０の第１主面に形成されている。第１の半導体チップ２０は、第１の凹部１２の底面に実装されている。第１の樹脂層３０は、第１の凹部１２に充填されている。反り相殺部材は、第１の半導体チップ２０及び第１の樹脂層３０からなる実装部分４０と実装基板１０の熱膨張率の差に起因した熱応力を相殺する。このため、半導体装置に熱応力に起因した反りが発生することを抑制できる。また、反り相殺部材の形態、形状、及び材質などを調節することにより、熱応力に起因した反りをほぼ無くすことができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
反り相殺部材は、実装基板１０の第１主面側の熱膨張係数と、第１主面とは反対側の面である第２主面側の熱膨張係数が互いに等しくなるような構造及び材料となっている。また、第１の半導体チップ２０は実装基板１０に電気的に接続されている。以下、各実施形態で具体的に説明する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
図１は、第１の実施形態にかかる半導体装置の断面図であり、図２は図１に示した半導体装置の平面図である。図１は、図２のＡ−Ａ´断面図である。この半導体装置において、反り緩和部材は、第２の凹部１４、第２の凹部１４の底面に実装された第２の半導体チップ２２、及び第２の凹部１４に充填された第２の樹脂層３２を有する。第２の凹部１４は、実装基板１０の第１主面とは反対側の面である第２主面に形成され、実装基板に垂直な方向から見た場合に第１の凹部１２と少なくとも一部が重なっている。また実装基板１０の第２主面には、半導体装置を配線基板（図示せず）に接続する外部端子５０が設けられている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
図９は、第６の実施形態にかかる半導体装置の断面図であり、第３の実施形態における図４に相当している。本実施形態は、反り緩和部材の一部として被覆部材７０，７２を備えている点、及び第２の樹脂層３２を備えていない点を除いて、第３の実施形態と同様である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月16日(2010.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
真空遮断器ユニット１Ａ、１Ｂの電流Ｉｌ＜Ｉｈの特性は、図５に示す如くそれぞれ特性曲線Ｖａ２、Ｖｂ２で示され、特性曲線Ｖａ２では最小の縦磁界強度Ｂｌｍｉｎ、特性曲線Ｖｂ２では最小の縦磁界強度Ｂｈｍｉｎを有している。そして、縦磁界強度が弱い真空遮断器ユニット１Ａ、１Ｂに流れる電流Ｉｌ、Ｉｈが、遮断の当初の時点で異なっているときは、遮断動作点は次のように２点に分かれている状態にある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
遮断時に小さな電流Ｉｌが流れる一方の真空遮断器ユニット１Ａの遮断動作点は、特性曲線Ｖａ２上の縦磁界強度Ｂｌｍｉｎより左側の点Ｐａ２で、このとき縦磁界強度Ｂｈとなる。また、遮断時に大きな電流Ｉｈが流れる他方の真空遮断器ユニット１Ｂの遮断動作点は、特性曲線Ｖｂ２上の縦磁界強度Ｂｈｍｉｎより左側の点Ｐｂ２で、このとき縦磁界強度Ｂｌとなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
より具体的には、小さな遮断電流Ｉｌが流れる真空遮断器ユニット１Ａでは、相手方の電流Ｉｈが外部コイル１１に流れることによる縦磁界の影響を受けて、特性曲線Ｖａ２が遮断動作点Ｐａ２の電流Ｉｌが上ってアーク電圧Ｖｌが高くなる右方向に移動して行く。また、逆に大きな電流Ｉｈが流れる真空遮断器ユニット１Ｂでは、相手方の電流Ｉｌが外部コイル１１に流れることによる縦磁界の影響を受けて、特性曲線Ｖｂ２が遮断動作点Ｐｂ２の電流Ｉｈが下ってアーク電圧Ｖｈが低くなる左方向に移動して行く。この結果、真空遮断器ユニット１Ａ、１Ｂの双方は、それぞれ特性曲線Ｖａｂ上の点Ｐａｂ２に集まって行って安定するようになる。このため、共通するアーク電圧Ｖｌ＝Ｖｈとなる点Ｐａｂ２（遮断電流Ｉｌ＝Ｉｈ、縦磁界強度Ｂｌ＝Ｂｈ、アーク電圧Ｖｈ＝Ｖｌ）の状態に収束するから、真空遮断器ユニット１Ａ、１Ｂの双方は、同時に遮断できかつ確実に行うことができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2009252388.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月4日(2010.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口側の角度が１８０度未満の角近傍に切欠部を設けたパターンを有するレジスト膜を、エッチング対象上に形成する工程と、
前記レジスト膜をマスクとして用いて前記エッチング対象に対しドライエッチングを行って前記レジスト膜の前記パターンを転写する工程とを含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
開口幅が小さい密集した複数の開口からなる密集パターンと、開口幅が前記密集パターンの前記開口幅よりも大きい開口からなる幅広パターンとを有し、前記幅広パターンの開口側の角度が１８０度未満の角近傍に切欠部を設けたレジスト膜を、エッチング対象上に形成する工程と、
前記レジスト膜をマスクとして用いて前記エッチング対象に対しドライエッチングを行って前記レジスト膜の前記密集パターン及び前記幅広パターンを転写する工程とを含む半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記レジスト膜を前記エッチング対象上に形成する工程は、前記開口側の角度が１８０度未満の角近傍に前記切欠部を設けるとともに、前記開口側の角度が１８０度未満の角を成す辺に複数の切欠部を設けたパターンを有する前記レジスト膜を形成する請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記幅広パターンの開口幅は、前記密集パターンの開口幅の３倍以上の寸法を有する請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
凹部と前記凹部の開口側が１８０度未満の角近傍に設けられた切欠部とがドライエッチングにより形成されたパターン膜と、
前記凹部及び前記切欠部に埋め込まれた埋め込み材とを備えた半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の他の態様は、上記目的を達成するため、凹部と前記凹部の開口側が１８０度未満の角近傍に設けられた切欠部とがドライエッチングにより形成されたパターン膜と、前記凹部及び前記切欠部に埋め込まれた埋め込み材とを備えた半導体装置を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2009252917.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
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