(57)【要約】      （修正有）【課題】表示パネルの光漏れを改善できる薄膜トランジスタ基板を提供する。【解決手段】薄膜トランジスタ基板は、基板１０と、基板１０の上方に順次配置された、複数の薄膜トランジスタ素子と、絶縁層１５，１６と、画素電極１７と、配向膜１８とを含む。薄膜トランジスタ素子は、基板１０上に配置され、ゲート絶縁層１２と、アクティブ層と、ソースと、ドレン１４２とを含む。絶縁層１５，１６は、薄膜トランジスタ素子のドレン１４２を露出させるための接触孔１６を有し、画素電極１７は、絶縁層１５，１６上に配置され、ドレン１４２に電気的に接続するように、接触孔１６１に向かって延伸する。接触孔１６１の側壁は、それぞれ、第１方向における第１傾斜部１６１１と、第２方向における第２傾斜部とを有し、第１方向と第２方向とが異なり、かつ画素電極１７が位置する第１傾斜部１６１１の勾配と第２傾斜部の勾配とが異なる。【選択図】図３Ａ
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタ基板であって、
基板と、複数の薄膜トランジスタ素子と、絶縁層と、画素電極と、配向膜とを含み、
前記複数の薄膜トランジスタ素子は、それぞれ、前記基板上に配置され、ゲート絶縁層と、アクティブ層と、ソースと、ドレンとを含み、
前記絶縁層は、前記複数の薄膜トランジスタ素子上に配置され、前記複数の薄膜トランジスタ素子の前記ドレンを露出させるための複数の接触孔を有し、
前記画素電極は、前記絶縁層上に配置され、前記ドレンに電気的に接続するように、前記複数の接触孔に向かって延伸し、
前記配向膜は、前記画素電極を覆い、
前記複数の接触孔の側壁は、それぞれ、第１方向における第１傾斜部と、第２方向における第２傾斜部とを有し、前記第１方向と前記第２方向とが異なり、
前記画素電極が位置する少なくとも１つの前記第１傾斜部の勾配と少なくとも１つの前記第２傾斜部の勾配とは異なることを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
【請求項２】
前記第１方向と前記第２方向との角度が８５°〜９０°の範囲であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項３】
前記第１方向と、前記薄膜トランジスタ素子と電気的に接続する走査線との角度は０°〜５°の範囲であり、前記第２方向と、前記薄膜トランジスタ素子と電気的に接続するデータ線との角度は０°〜５°の範囲であり、かつ前記画素電極が位置する少なくとも１つの前記第１傾斜部の勾配は、前記画素電極が位置する少なくとも１つの前記第２傾斜部の勾配よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項４】
前記複数の接触孔のそれぞれは、中間底部を有し、前記配向膜は、前記複数の接触孔に設けられ、かつ前記複数の接触孔の少なくとも１つの前記中間底部に設けられた前記配向膜は、多孔性構造を有することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項５】
前記多孔性構造における孔の孔径が５０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項６】
前記配向膜は、前記複数の接触孔に設けられ、かつ前記複数の接触孔の側壁に設けられた前記配向膜及び前記中間底部に設けられた前記配向膜は、互いに異なる粗さを有することを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項７】
前記絶縁層の絶縁層表面の延長線と、前記複数の接触孔の前記画素電極の電極表面とが、前記第１方向及び前記第２方向において、それぞれ、第１接触点及び第２接触点を形成し、
前記画素電極と前記ドレンとの間の第１の予定高さにおいて、複数の前記第１傾斜部及び複数の前記第２傾斜部に位置する前記画素電極の前記電極表面は、それぞれ、第１交点及び第２交点を有し、
少なくとも１つの前記第１傾斜部上に位置する前記画素電極の傾きは、前記第１接触点と前記第１交点とを結ぶ線の傾きであり、
少なくとも１つの前記第２傾斜部上に位置する前記画素電極の傾きは、前記第２接触点と前記第２交点とを結ぶ線の傾きであり、
前記画素電極が位置する、少なくとも１つの前記第１傾斜部と、少なくとも１つの前記第２傾斜部の傾きとが異なることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項８】
前記第１方向と、前記薄膜トランジスタ素子と電気的に接続する走査線との角度は０°〜５°の範囲であり、前記第２方向と、前記薄膜トランジスタ素子と電気的に接続するデータ線との角度は０°〜５°の範囲であり、かつ前記画素電極が位置する少なくとも１つの前記第１傾斜部の傾きは、前記画素電極が位置する少なくとも１つの前記第２傾斜部の傾きよりも大きいことを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項９】
前記画素電極と前記ドレンとの間の前記第１の予定高さと異なる第２の予定高さにおいて、少なくとも１つの前記第１傾斜部の前記第１の予定高さ及び前記第２の予定高さに位置する前記画素電極の曲率半径は、少なくとも１つの前記第２傾斜部の前記第１の予定高さ及び前記第２の予定高さに位置する前記画素電極の曲率半径と異なることを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項１０】
前記第１方向と、前記薄膜トランジスタ素子と電気的に接続する走査線との角度は０°〜５°の範囲であり、前記第２方向と、前記薄膜トランジスタ素子と電気的に接続するデータ線との角度は０°〜５°の範囲であり、かつ少なくとも１つの前記第１傾斜部の前記第１の予定高さ及び前記第２の予定高さに位置する前記画素電極の曲率半径が、少なくとも１つの前記第２傾斜部の前記第１の予定高さ及び前記第２の予定高さに位置する前記画素電極の曲率半径よりも小さいことを特徴とする請求項９に記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項１１】
前記アクティブ層の材料はＩＧＺＯであることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項１２】
薄膜トランジスタ基板であって、
基板と、複数の薄膜トランジスタ素子と、絶縁層と、画素電極と、配向膜とを含み、
前記複数の薄膜トランジスタ素子のそれぞれは、前記基板上に配置され、ゲート絶縁層と、アクティブ層と、ソースと、ドレンとを含み、
前記絶縁層は、前記複数の薄膜トランジスタ素子上に配置され、前記複数の薄膜トランジスタ素子の前記ドレンを露出させるための複数の接触孔を有し、
前記画素電極は、前記絶縁層上に配置され、前記ドレンに電気的に接続するように、前記複数の接触孔に向かって延伸し、
前記配向膜は、前記画素電極を覆い、
前記複数の接触孔のそれぞれは、中間底部を有し、かつ少なくとも１つの前記中間底部に設けられた前記配向膜は、多孔性構造を有することを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
【請求項１３】
前記多孔性構造における孔の孔径が５０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１２に記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項１４】
前記配向膜は、前記複数の接触孔に設けられ、かつ前記複数の接触孔の側壁に設けられた前記配向膜及び前記中間底部に設けられた前記配向膜は、互いに異なる粗さを有することを特徴とする請求項１２に記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項１５】
前記複数の接触孔の側壁のそれぞれは、第１方向における第１傾斜部と、第２方向における第２傾斜部とを有し、前記第１方向と前記第２方向とが異なり、
前記画素電極が位置する少なくとも１つの前記第１傾斜部の勾配は、前記画素電極が位置する少なくとも１つの前記第２傾斜部の勾配と異なることを特徴とする請求項１２に記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項１６】
前記第１方向と前記第２方向との角度が８５°〜９０°の範囲であることを特徴とする請求項１５に記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項１７】
前記第１方向と、前記薄膜トランジスタ素子と電気的に接続する走査線との角度は０°〜５°の範囲であり、前記第２方向と、前記薄膜トランジスタ素子と電気的に接続するデータ線との角度は０°〜５°の範囲であり、かつ前記画素電極が位置する少なくとも１つの前記第１傾斜部の勾配は、前記画素電極が位置する少なくとも１つの前記第２傾斜部の勾配よりも大きいことを特徴とする請求項１５に記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項１８】
前記第１方向及び前記第２方向において、前記絶縁層の絶縁層表面の延長線と、前記複数の接触孔の前記画素電極の電極表面とが、それぞれ、第１接触点及び第２接触点を形成し、
前記画素電極と前記ドレンとの間の第１の予定高さにおいて、複数の前記第１傾斜部及び複数の前記第２傾斜部に位置する前記画素電極の前記電極表面は、それぞれ、第１交点及び第２交点を有し、
少なくとも１つの前記第１傾斜部上に位置する前記画素電極の傾きは、前記第１接触点と前記第１交点とを結ぶ線の傾きであり、
少なくとも１つの前記第２傾斜部上に位置する前記画素電極の傾きは、前記第２接触点と前記第２交点とを結ぶ線の傾きであり、
前記画素電極が位置する、少なくとも１つの前記第１傾斜部と、少なくとも１つの前記第２傾斜部の傾きとが異なることを特徴とする請求項１５に記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項１９】
前記第１方向と、前記薄膜トランジスタ素子と電気的に接続する走査線との角度は０°〜５°の範囲であり、前記第２方向と、前記薄膜トランジスタ素子と電気的に接続するデータ線との角度は０°〜５°の範囲であり、かつ前記画素電極が位置する少なくとも１つの前記第１傾斜部の傾きは、前記画素電極が位置する少なくとも１つの前記第２傾斜部の傾きよりも大きいことを特徴とする請求項１８に記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項２０】
前記画素電極と前記ドレンとの間の前記第１の予定高さと異なる第２の予定高さにおいて、少なくとも１つの前記第１傾斜部の前記第１の予定高さ及び前記第２の予定高さに位置する前記画素電極の曲率半径は、少なくとも１つの前記第２傾斜部の前記第１の予定高さ及び前記第２の予定高さに位置する前記画素電極の曲率半径と異なることを特徴とする請求項１８に記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項２１】
前記第１方向と、前記薄膜トランジスタ素子と電気的に接続する走査線との角度は０°〜５°の範囲であり、前記第２方向と、前記薄膜トランジスタ素子と電気的に接続するデータ線との角度は０°〜５°の範囲であり、かつ少なくとも１つの前記第１傾斜部の前記第１の予定高さ及び前記第２の予定高さに位置する前記画素電極の曲率半径が、少なくとも１つの前記第２傾斜部の前記第１の予定高さ及び前記第２の予定高さに位置する前記画素電極の曲率半径よりも小さいことを特徴とする請求項２０に記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項２２】
前記アクティブ層の材料はＩＧＺＯであることを特徴とする請求項１２に記載の薄膜トランジスタ基板。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、薄膜トランジスタ基板に関し、特に、表示パネルの光漏れを改善できる薄膜トランジスタ基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
ディスプレイ技術の進歩に伴い、あらゆる装置は、小型・薄型・軽量化などの傾向が進む。そのため、現在市販されているディスプレイ装置の主流は、従来の陰極線管から液晶表示装置に変わった。特に、液晶表示装置は、幅広い分野で応用できるため、日常生活に使われている携帯電話、ノートパソコン、ビデオカメラ、カメラ、音楽プレーヤー、ポータブルナビゲーション、テレビなどの表示装置として普及している。
【０００３】
現在、使われている液晶表示パネルには、薄膜トランジスタ基板上に配置された薄膜トランジスタ素子が液晶の配向を制御することによって、表示パネルは明暗の表示を行うものがほとんどである。しかし、薄膜トランジスタ素子におけるドレンの接触孔は、孔内に光線の反射によって、光漏れが発生する。その光漏れは、表示パネルの表示効果を低下させる要因の一つである。
【０００４】
従って、表示パネルの表示を向上する目的を達成するために、表示品質に対する消費者の要望に応えて、光漏れを低減すことが可能な表示パネルが活発に開発されている。このため、表示パネルに応用する際に光漏れを低減することができ、表示品質の向上を目的とした薄膜トランジスタ基板の開発が強く望まれる。
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００５】
本考案は、表示パネルの光漏れを改善できる薄膜トランジスタ基板を提供することを主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本考案の一実施形態に係る薄膜トランジスタ基板は、基板と、複数の薄膜トランジスタ素子と、絶縁層と、画素電極と、配向膜とを含む。薄膜トランジスタ素子は、それぞれ、基板上に配置され、ゲート絶縁層と、アクティブ層と、ソースと、ドレンとを含む。また、絶縁層は、これら薄膜トランジスタ素子上に配置され、これら薄膜トランジスタ素子のドレンを露出させるための複数の接触孔を有し、画素電極は、絶縁層に配置され、ドレンに電気的に接続するように、これら接触孔に向かって延伸し、配向膜は、画素電極を覆う。これら接触孔の側壁は、それぞれ、第１方向における第１傾斜部と、第２方向における第２傾斜部とを有し、第１方向と第２方向とが異なり、かつ画素電極が位置する、少なくとも１つの第１傾斜部の勾配と少なくとも１つの第２傾斜部の勾配とが異なる。
【０００７】
本考案の他の実施形態に係る薄膜トランジスタ基板は、基板と、複数の薄膜トランジスタ素子と、絶縁層と、画素電極と、配向膜とを含む。薄膜トランジスタ素子は、それぞれ、基板上に配置され、ゲート絶縁層と、アクティブ層と、ソースと、ドレンとを含む。また、絶縁層は、薄膜トランジスタ素子上に配置され、薄膜トランジスタ素子のドレンを露出させるための複数の接触孔を有し、画素電極は、絶縁層上に配置され、ドレンに電気的に接続するように、接触孔に向かって延伸し、配向膜は、画素電極を覆う。これら接触孔のそれぞれは、中間底部を有し、かつ少なくとも１つの中間底部に設けられた配向膜は、多孔性構造を有する。本実施形態において、アクティブ層の材料が特に限定されず、当該技術領域で知られている半導体材料であってもよく、アモルファスシリコン、金属酸化物（例えば、ＩＧＺＯ）等が挙げられる。
【０００８】
本考案の別の実施形態に係る薄膜トランジスタ基板は、上述した２つの実施形態の技術特徴を同時に含む。
【０００９】
本考案の上述した実施形態に係る薄膜トランジスタ基板において、第１方向は第２方向と異なってもよい。第１方向と第２方向との角度が８５°〜９０°の範囲であることが好ましい。さらに、第１方向は、第２方向に実質的に垂直となることがより好ましい。
【００１０】
本考案の上述した実施形態に係る薄膜トランジスタ基板において、第１方向と、薄膜トランジスタ素子と電気的に接続する走査線との角度は０°〜５°の範囲であり、第２方向と、薄膜トランジスタ素子と電気的に接続するデータ線との角度は０°〜５°の範囲である。また、第１方向は走査線と実質的に平行となり、第２方向はデータ線と実質的に平行となることが好ましい。この場合、画素電極が位置する少なくとも１つの第１傾斜部の勾配は、画素電極が位置する少なくとも１つの第２傾斜部の勾配よりも大きい。
【００１１】
本考案の上述した実施形態において、「傾き」で「勾配」を定義することができる。具体的には、絶縁層の絶縁層表面の延長線と、接触孔の画素電極の電極表面とが、第１方向及び第２方向において、それぞれ、第１接触点及び第２接触点を形成し、画素電極とドレンとの間の第１の予定高さにおいて、第１傾斜部及び第２傾斜部に位置する画素電極の電極表面は、それぞれ、第１交点及び第２交点を有し、少なくとも１つの第１傾斜部上に位置する画素電極の傾きは、第１接触点と第１交点とを結ぶ線の傾きであり、少なくとも１つの第２傾斜部上に位置する画素電極の傾きは、第２接触点と第２交点とを結ぶ線の傾きである。本考案の上述した実施形態に係る薄膜トランジスタ基板において、画素電極は、位置する少なくとも１つの第１傾斜部及び少なくとも１つの第２傾斜部の傾きが異なる。また、第１方向と、薄膜トランジスタ素子と電気的に接続する走査線との角度は０°〜５°の範囲であり、又は、第１方向は、走査線に実質的に平行となり、第２方向と、薄膜トランジスタ素子と電気的に接続するデータ線との角度は０°〜５°の範囲であり、又は、第２方向は、データ線に実質的に平行となる場合、画素電極が位置する少なくとも１つの第１傾斜部の傾きは、画素電極が位置する少なくとも１つの第２傾斜部の傾きよりも大きいことが好ましい。
【００１２】
本考案の前述した実施形態において、「勾配」を「曲率半径」によって定義することができる。具体的には、画素電極とドレンとの間の第１の予定高さ及び第１の予定高さと異なる第２の予定高さにおいて、少なくとも１つの第１傾斜部の第１の予定高さ及び第２の予定高さに位置する画素電極の曲率半径は、少なくとも１つの第２傾斜部の第１の予定高さ及び第２の予定高さに位置する画素電極の曲率半径と異なる。
第１方向と、薄膜トランジスタ素子と電気的に接続する走査線との角度は０°〜５°の範囲であり、又は、第１方向は走査線に実質的に平行となり、第２方向と、薄膜トランジスタ素子と電気的に接続するデータ線との角度は０°〜５°の範囲であり、又は、第２方向はデータ線に実質的に平行となる場合、少なくとも１つの第１傾斜部の第１の予定高さ及び第２の予定高さに位置する画素電極の曲率半径が、少なくとも１つの第２傾斜部の第１の予定高さ及び第２の予定高さに位置する画素電極の曲率半径よりも小さい。
【００１３】
本考案の上述した実施形態において、第１傾斜部及び第２傾斜部上における画素電極は、上述した「傾き」及び「曲率半径」によって定義された相対的な関係に満たすことが好ましい。
【００１４】
本考案の上述した実施形態に係る薄膜トランジスタ基板において、接触孔の中間底部に位置する配向膜は、多孔性構造を有してもよい。また、多孔性構造における孔の孔径は、特に限定されず、５０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲であることが好ましい。
【００１５】
また、本考案の上述した実施形態に係る薄膜トランジスタ基板において、配向膜は、接触孔に設けられ、かつ接触孔の側壁に設けられた配向膜及び中間底部に設けられた配向膜は、互いに異なる粗さを有する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本考案の実施形態１に係る表示パネルを示す概略図である。
【図２】本考案の実施形態１に係るドレンの接触孔を示す概略構造図である。
【図３Ａ】図２に示すＡ−Ａ’線に沿った本考案の実施形態１に係るドレンの接触孔の概略断面図である。
【図３Ｂ】図２に示すＢ−Ｂ’線に沿った本考案の実施形態１に係るドレンの接触孔概略断面図である。
【図４Ａ】図３Ａに示す領域Ａを示す拡大図である。
【図４Ｂ】図３Ｂに示す領域Ａを示す拡大図である。
【図５Ａ】図２に示すＡ−Ａ’線に沿った本考案の実施形態２に係るドレンの接触孔の概略断面図である。
【図５Ｂ】図２に示すＢ−Ｂ’線に沿った本考案の実施形態２に係るドレンの接触孔の概略断面図である。
【図６Ａ】図５Ａに示す領域Ａを示す拡大図である。
【図６Ｂ】図５Ｂに示す領域Ａを示す拡大図である。
【考案を実施するための形態】
【００１７】
以下、本考案の利点及び効果を理解しやすくするために、具体的な実施例を例示し、本考案の実施形態について説明する。本考案は、その他の具体的な実施例によって実行や応用することができる。本明細書に開示される技術的思想の範囲内において当業者による様々な変更および修正が可能である。
【００１８】
（実施形態１）
図１に示すように、本考案に係る液晶表示パネルは、薄膜トランジスタ基板１と、薄膜トランジスタ基板１と対向して配置されたカラーフィルタ基板２と、薄膜トランジスタ基板１とカラーフィルタ基板２との間に設けられた複数のスペーサ４と、薄膜トランジスタ基板１とカラーフィルタ基板２との間に設けられ、かつ薄膜トランジスタ基板１及びカラーフィルタ基板２の外周に位置するシール剤５と、薄膜トランジスタ基板１とカラーフィルタ基板２との間に形成された空間内に設けられた液晶層３とを含む。以下、本考案に係る薄膜トランジスタ基板の構造について説明する。
【００１９】
図２は、本実施形態に係るドレンの接触孔を示す概略構造図である。図３Ａは、図２に示すＡ−Ａ’線に沿った本実施形態に係るドレンの接触孔の概略断面図である。図２及び図３Ａを同時に参照する。本実施形態に係る薄膜トランジスタ基板は、上方に第１金属層によって形成された走査線１１及びゲート１１１が配置される基板１０と、ゲート絶縁層１２と、アクティブ層１３と、第２金属層によって形成されたデータ線１４、ソース（図示せず）及びドレン１４２と、第１絶縁層１５と、第２絶縁層１６と、画素電極１７と、配向膜１８とを含む。かつ、本実施形態に係る薄膜トランジスタ素子は、ゲート１１１、ゲート絶縁層１２、アクティブ層１３、ソース（図示せず）及びドレン１４２によって構成される。図２に示すように、走査線１１は、第１方向Ｘに沿って配置される。具体的には、第１方向Ｘと、薄膜トランジスタ素子と電気的に接続する走査線１１との角度は０°〜５°の範囲であり、かつ、実質的に平行となることが好ましい。また、データ線１４は、第２方向Ｙに沿って配置される。具体的には、第２方向Ｙと、薄膜トランジスタ素子と電気的に接続するデータ線１４との角度は０°〜５°の範囲であり、かつ、実質的に平行となることが好ましい。さらに、第１方向Ｘと第２方向Ｙとが異なる。本実施形態において、第１方向Ｘと第２方向Ｙとの角度が８５°〜９０°の範囲である。第１方向Ｘは、第２方向Ｙに実質的に垂直となることが好ましい。
【００２０】
図３Ａに示すように、本実施形態に係る薄膜トランジスタ基板は、基板１０と、複数の薄膜トランジスタ素子と、第１絶縁層１５及び第２絶縁層１６を含む絶縁層と、画素電極１７と、配向膜１８とを含む。薄膜トランジスタ素子は、基板１０上に配置され、それぞれ、ゲート１１１と、ゲート１１１及び基板１０の上に配置されたゲート絶縁層１２と、ゲート絶縁層１２上に配置されたアクティブ層（図示せず）と、ソース（図示せず）と、アクティブ層（図示せず）上に配置されたドレン１４２とを含む。また、第１絶縁層１５及び第２絶縁層１６を含む絶縁層は、薄膜トランジスタ素子上に配置され、それぞれ、薄膜トランジスタ素子のドレン１４２を露出させるための絶縁層開孔１５２１及び接触孔１６１を有する。画素電極１７は、第１絶縁層１５及び第２絶縁層１６の上に配置され、ドレン１４２に電気的に接続するように、接触孔１６１に向かって延伸する。配向膜１８は、画素電極１７を覆う。
【００２１】
本実施形態において、ボトムゲート型の薄膜トランジスタ素子を例示したが、本考案の他の実施形態において、他の型の薄膜トランジスタ素子であってもよく、例えば、トップゲート型の薄膜トランジスタ素子であってもよい。
【００２２】
ここで、第１金属層及び第２金属層の材料は、当該技術領域でよく用いられる導電性材料を使用してもよく、例えば、金属、合金、金属酸化物、金属酸窒化物、または当該技術領域でよく用いられる電極材料を使用してもよいが、金属材料が好ましい。本実施形態において、第１金属層は、Ｔａ及びＷを順次積層した複合金属層であってもよく、第２金属層は、Ｔｉ、Ａｌ及びＴｉを順次積層した複合金属層であってもい。また、ゲート絶縁層１２の材料は、当該技術領域でよく用いられる絶縁材料であってもよい。本実施形態において、ゲート絶縁層１２は、窒化ケイ素によって形成された第１ゲート絶縁層１２１及び酸化ケイ素によって形成された第２ゲート絶縁層１２２を順次積層した絶縁層である。なお、アクティブ層１３の材料は、当該技術領域でよく用いられる半導体材料を使用してもよい。本実施形態において、アクティブ層１３の材料はＩＧＺＯである。一方、本実施形態において、第２金属層上に設けられた絶縁層は、第１絶縁層１５及び第２絶縁層１６を積層して形成される。第１絶縁層１５の材料は、当該技術領域でよく用いられる絶縁層の材料であってもよい。ここで、第１絶縁層１５は、酸化ケイ素によって形成された第１保護絶縁層１５１及び窒化ケイ素によって形成された第２保護絶縁層１５２を順次積層したものである。且つ、第１保護絶縁層１５１及び第２保護絶縁層１５２は、それぞれ、薄膜トランジスタ素子のドレン１４２を露出させるための絶縁層開孔１５１１及び絶縁層開孔１５２１を有する。第２絶縁層１６の材料は、当該技術領域でよく用いられる平坦化層の材料であってもよい。且つ、薄膜トランジスタ素子のドレン１４２を露出させるための接触孔１６１を有する。しかし、本考案の他の実施形態において、第２金属層に設けられた絶縁層は、第１絶縁層１５又は第２絶縁層１６のいずれかのみを含んでもよい。また、画素電極１７の材料は、当該技術領域でよく用いられる透明導電材料、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の金属酸化物の透明導電材料を使用してもよい。本考案の一実施形態として、上述した各層の材料を例示したが、本考案がそれに限定されない。
【００２３】
図３Ａ及び図３Ｂを同時に参照する。図３Ａでは、ドレン１４２を露出させる開孔の大きさは、第２保護絶縁層１５２の絶縁層開孔１５２１によって決められるが、図３Ｂでは、第２絶縁層１６の接触孔１６１によって決められる。
【００２４】
図３Ａは、図２に示すＡ−Ａ’線に沿った本考案の実施形態に係るドレンの接触孔の概略断面図である。図３Ｂは、図２に示すＢ−Ｂ’線に沿った本考案の実施形態に係るドレンの接触孔の概略断面図である。図２、図３Ａ及び図３Ｂを同時に参照する。接触孔１６１の側壁は、第１方向Ｘにおける第１傾斜部１６１１と、第２方向Ｙにおける第２傾斜部１６１２とを有し、かつ画素電極１７が位置する第１傾斜部１６１１の勾配と第２傾斜部１６１２の勾配とが異なる。
【００２５】
図４Ａは、図３Ａに示す領域Ａを示す拡大図である。図４Ｂは、図３Ｂに示す領域Ａを示す拡大図である。図２、図４Ａ及び図４Ｂを同時に参照すると、画素電極１７が位置する、接触孔１６１の側壁の第１方向Ｘにおける第１傾斜部１６１１の勾配は、接触孔１６１の側壁の第２方向Ｙにおける第２傾斜部１６１２の勾配よりも大きい。
【００２６】
より詳細には、図２、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、第２絶縁層１６の絶縁層表面１６ａの延長線（点線で示される）と、接触孔１６１の画素電極１７の電極表面１７ａとが、それぞれ、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにおいて、第１接触点Ｐ１及び第２接触点Ｐ２を形成する。画素電極１７とドレン１４２との間の第１の予定高さＨ１において、第１傾斜部１６１１及び第２傾斜部１６１２に位置する画素電極１７の電極表面１７ａは、それぞれ、第１交点Ｑ１及び第２交点Ｑ２を有する。第１傾斜部１６１１上に位置する画素電極１７の傾きは、第１接触点Ｐ１と第１交点Ｑ１とを結ぶ線の傾きであり、第２傾斜部１６１２上に位置する画素電極１７の傾きは、第２接触点Ｐ２と第２交点Ｑ２とを結ぶ線の傾きであり、かつ画素電極１７は、位置する第１傾斜部１６１１及び第２傾斜部１６１２の傾きが互いに異なる。本実施系他において、画素電極１７が位置する第１傾斜部１６１１の傾きは第２傾斜部１６１２の傾きよりも大きいことが好ましい。
【００２７】
第１傾斜部１６１１及び第２傾斜部１６１２は、上述した傾きの関係を満たしたほか、さらに曲率半径の関係を有する。図２、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、画素電極１７とドレン１４２との間の第１の予定高さＨ１及び第１の予定高さＨ１と異なる第２の予定高さＨ２において、第１傾斜部１６１１の第１の予定高さＨ１及び第２の予定高さＨ２に位置する画素電極１７の曲率半径と、第２傾斜部１６１２の第１の予定高さＨ１及び第２の予定高さＨ２に位置する画素電極１７の曲率半径とが異なる。ここで、曲率半径とは、第１の予定高さＨ１において、それぞれ、第１傾斜部１６１１及び第２傾斜部１６１２に位置する画素電極１７の電極表面１７ａの第１交点Ｑ１及び第２交点Ｑ２と、第２の予定高さＨ２において、それぞれ、第１傾斜部１６１１及び第２傾斜部１６１２に位置する画素電極１７の電極表面１７ａの第３交点Ｒ１及び第４交点Ｒ４とを基準として得た曲率半径を指す。本実施形態において、第１傾斜部１６１１の第１の予定高さＨ１及び第２の予定高さＨ２に位置する画素電極１７の曲率半径が、第２傾斜部１６１２の第１の予定高さＨ１及び第２の予定高さＨ２に位置する画素電極１７の曲率半径よりも小さいことが好ましい。
【００２８】
本実施形態において、図２から図４Ｂに示すように、異なる方向における接触孔を異なる勾配を有するように設計することによって、具体的には、接触孔の側壁の異なる方向における第１傾斜部及び第２傾斜部を、異なる勾配（傾き及び曲率半径を含む）を有するように設計することによって、光線の接触孔における反射角度が同一であることを避けることができるので、光漏れを低減する効果がある。
【００２９】
また、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、本実施形態において、接触孔１６１は、それぞれ中間底部１６１ａを有し、配向膜１８は、接触孔１６１に設けられ、かつ接触孔１６１の中間底部１６１ａに設けられた配向膜１８は、多孔性構造を有する。そして、多孔性構造における孔１８１の孔径が５０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲である。さらに、接触孔１６１の側壁に設けられた配向膜１８及び中間底部１６１ａに設けられた配向膜１８は、互いに異なる粗さを有する。ここで、配向膜１８は、当該技術領域でよく用いられる配向膜の材料（例えば、ＰＩ）を調製してもよい。かつ、配向膜１８の材料の単量体及び重合度を選択することによって、配向膜１８に多孔性構造を有するか、又は、多孔性構造における孔の孔径の大きさを制御することができる。
【００３０】
本実施形態において、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、接触孔における配向膜に多孔性構造を有するように設計することによって、光線が多孔性構造内の反射を低減することができ、光漏れを低減する効果がある。
【００３１】
ここで、図３Ａから図４Ｂにおいて、同一のドレンの接触孔の断面のみで示したが、他の実施形態において、図２に示すＡ−Ａ’及びＢ−Ｂ’の断面線が異なる接触孔に位置してもよく、上述した条件を満たせばよい。
【００３２】
さらに、図２から図４Ｂに示すように、ここで、接触孔１６１が第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにおける左側壁の第１傾斜部１６１１と第２傾斜部１６１２との比較を例示した。ただし、本考案は、接触孔１６１の左側の側壁の傾斜部の比較に限定されず、異なる接触孔１６１の第１方向Ｘにおける左側の側壁及び右側の側壁のいずれか１つの傾斜部と、異なる又は同一の接触孔１６１の第２方向Ｙにおける左側の側壁及び右側の側壁のいずれか１つの傾斜部とを比較することが可能であり、上述した条件を満たせばよい。
【００３３】
（実施形態２）
本実施形態の液晶表示パネル及びその薄膜トランジスタ基板は、構造が実施形態１と同一であるが、相違点を以下に示す。
【００３４】
まず、本実施形態の薄膜トランジスタ素子におけるアクティブ層の材料はアモルファスシリコンである。
【００３５】
そして、図５Ａは、図２に示すＡ−Ａ’線に沿った本考案の実施形態２に係るドレンの接触孔の概略断面図である。図５Ｂは、図２に示すＢ−Ｂ’線に沿った本考案の実施形態２に係るドレンの接触孔の概略断面図である。図５Ａ及び図５Ｂに示すように、本実施形態に係る薄膜トランジスタ基板において、配向膜１８は多孔性構造を有しない。さらに、図６Ａは、図５Ａに示す領域Ａを示す拡大図である。図６Ｂは、図５Ｂに示す領域Ａを示す拡大図である。図４Ａ、図４Ｂ、図６Ａ及び図６Ｂを比較する。本実施形態に比べると、実施形態１における第１傾斜部１６１１及び第２傾斜部１６１２の方が比較的湾曲しているが、本実施形態に係る薄膜トランジスタ基板の構造は、依然として、上述した画素電極１７が位置する、接触孔１６１の側壁の第１方向Ｘにおける第１傾斜部１６１１の勾配は、接触孔１６１の側壁の第２方向Ｙにおける第２傾斜部１６１２の勾配よりも大きいという特徴を有する。これによって、光線の接触孔における反射角度が同一であることを避けることができるので、光漏れを低減する効果がある。
【００３６】
上述した実施形態において、薄膜トランジスタ基板がカラーフィルタ基板に対向して配置される液晶表示パネルを例示したが、例えば、カラーフィルタオンアレイ（ＣＯＡ）構造の表示パネルには、上述した本考案に係る薄膜トランジスタ基板を使用してもよい。
【００３７】
なお、本考案の上述した実施形態によって製造された表示装置は、当該技術領域で知られている表示画面を有する電子装置、例えば、携帯電話、ノートパソコン、ビデオカメラ、カメラ、音楽プレーヤー、ポータブルナビゲーション、テレビなどに応用できる。
【００３８】
本考案の好適な実施形態を前述の通り開示したが、これらは決して本考案を限定するものではない。本考案の権利範囲は、添付請求の範囲によって限定されるものである。
【符号の説明】
【００３９】
１  薄膜トランジスタ基板
１０  基板
１１  走査線
１１１  ゲート
１２  ゲート絶縁層
１２１  第１ゲート絶縁層
１２２  第２ゲート絶縁層
１３  アクティブ層
１４  データ線
１４２  ドレン
１５  第１絶縁層
１５１  第１保護絶縁層
１５１１，１５２１  絶縁層開孔
１５２  第２保護絶縁層
１６  第２絶縁層
１６ａ  絶縁層表面
１６１  接触孔
１６１ａ  中間底部
１６１１  第１傾斜部
１６１２  第２傾斜部
１７  画素電極
１７ａ  電極表面
１８  配向膜
１８１  孔
２  カラーフィルタ基板
３  液晶層
４  スペーサ
５  シール剤
Ａ  領域
Ｈ１  第１の予定高さ
Ｈ２  第２の予定高さ
Ｐ１  第１接触点
Ｐ２  第２接触点
Ｑ１  第１交点
Ｑ２  第２交点
Ｒ１  第３交点
Ｒ４  第４交点
Ｘ  第１方向
Ｙ  第２方向
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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