【手続補正書】
【提出日】平成22年1月21日(2010.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタパネルと該薄膜トランジスタパネル下に対向配置された対向パネルとがシール材を介して貼り合わされ、前記シール材の内側における前記両パネル間に液晶が封入され、前記対向パネル下にバックライトが配置された液晶表示装置において、
前記薄膜トランジスタパネルは、
アクティブ基板と、
前記アクティブ基板下に設けられ、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有
する薄膜トランジスタと、
前記アクティブ基板下に設けられ、前記ゲート電極に接続された走査ラインと、
前記アクティブ基板下に設けられ、前記ドレイン電極に接続されたデータラインと、
前記アクティブ基板下に設けられ、前記ソース電極に接続された画素電極と、
を備え、
前記ゲート電極、前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記走査ラインおよび前記デ
ータラインの少なくとも前記バックライトと対向する面とは反対側の表面層は反射率
が２０％以下の低反射金属によって形成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
薄膜トランジスタパネルと該薄膜トランジスタパネル下に対向配置された対向パネルとがシール材を介して貼り合わされ、前記シール材の内側における前記両パネル間に液晶が封入され、前記対向パネル下にバックライトが配置された液晶表示装置において、
前記薄膜トランジスタパネルは、
アクティブ基板と、
前記アクティブ基板下に設けられ、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有
する薄膜トランジスタと、
前記アクティブ基板下に設けられ、前記ゲート電極に接続された走査ラインと、
前記アクティブ基板下に設けられ、前記ドレイン電極に接続されたデータラインと、
前記アクティブ基板下に設けられ、前記ソース電極に接続された画素電極と、
を備え、
前記アクティブ基板下において前記ゲート電極、前記ソース電極、前記ドレイン電極、
前記走査ラインおよび前記データラインの前記バックライトと対向する面と反対の面
側に反射率が２０％以下の低反射金属からなる低反射金属膜が設けられている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載の発明において、前記各低反射金属膜は、
前記ゲート電極、前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記走査ラインおよび前記デ
ータラインの各上面に設けられている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項２に記載の発明において、
前記各低反射金属膜は前記アクティブ基板の下面に設けられ、
前記各低反射金属膜を含む前記アクティブ基板の下面に絶縁膜が設けられ、
前記絶縁膜下に前記ゲート電極、前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記走査ライン
および前記データラインが設けられている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項２に記載の発明において、
前記アクティブ基板の下面に前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記データライ
ンに対応する前記各低反射金属膜が設けられ、
当該各低反射金属膜を含む前記アクティブ基板の下面に絶縁膜が設けられ、
前記絶縁膜の下面に前記ゲート電極および前記走査ラインに対応する前記各低反射金属
膜が設けられ、
当該各低反射金属膜の下面に前記ゲート電極および前記走査ラインが設けられている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項２に記載の発明において、
前記アクティブ基板の下面に前記ゲート電極および前記走査ラインに対応する前記各低
反射金属膜が設けられ、
当該各低反射金属膜の下面に前記ゲート電極および前記走査ラインが設けられ、
前記ゲート電極および前記走査ラインを含む前記アクティブ基板の下面に絶縁膜が設け
られ、
前記絶縁膜の下面に前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記データラインに対応
する前記各低反射金属膜が設けられ、
当該各低反射金属膜下に前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記データラインが
設けられている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項１に記載の発明において、
前記アクティブ基板下に反射率が２０％以下の低反射金属からなる補助容量ラインが設
けられていること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項２に記載の発明において、
前記アクティブ基板下に設けられた補助容量ラインの上面に反射率が２０％以下の低反
射金属からなる低反射金属膜が設けられている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
請求項２に記載の発明において、
前記アクティブ基板の下面においてその下に設けられた補助容量ライン上に絶縁膜を介
して反射率が２０％以下の低反射金属からなる低反射金属膜が設けられている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項１に記載の発明は、薄膜トランジスタパネルと該薄膜トランジスタパネル下に対向配置された対向パネルとがシール材を介して貼り合わされ、前記シール材の内側における前記両パネル間に液晶が封入され、前記対向パネル下にバックライトが配置された液晶表示装置において、前記薄膜トランジスタパネルは、アクティブ基板と、前記アクティブ基板下に設けられ、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタと、前記アクティブ基板下に設けられ、前記ゲート電極に接続された走査ラインと、前記アクティブ基板下に設けられ、前記ドレイン電極に接続されたデータラインと、前記アクティブ基板下に設けられ、前記ソース電極に接続された画素電極と、を備え、前記ゲート電極、前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記走査ラインおよび前記データラインの少なくとも前記バックライトと対向する面とは反対側の表面層は反射率が２０％以下の低反射金属によって形成されていることを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明は、薄膜トランジスタパネルと該薄膜トランジスタパネル下に対向配置された対向パネルとがシール材を介して貼り合わされ、前記シール材の内側における前記両パネル間に液晶が封入され、前記対向パネル下にバックライトが配置された液晶表示装置において、前記薄膜トランジスタパネルは、アクティブ基板と、前記アクティブ基板下に設けられ、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタと、前記アクティブ基板下に設けられ、前記ゲート電極に接続された走査ラインと、前記アクティブ基板下に設けられ、前記ドレイン電極に接続されたデータラインと、前記アクティブ基板下に設けられ、前記ソース電極に接続された画素電極と、を備え、前記アクティブ基板下において前記ゲート電極、前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記走査ラインおよび前記データラインの前記バックライトと対向する面と反対の面側に反射率が２０％以下の低反射金属からなる低反射金属膜が設けられていることを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記各低反射金属膜は、前記ゲート電極、前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記走査ラインおよび前記データラインの各上面に設けられていることを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記各低反射金属膜は前記アクティブ基板の下面に設けられ、前記各低反射金属膜を含む前記アクティブ基板の下面に絶縁膜が設けられ、前記絶縁膜下に前記ゲート電極、前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記走査ラインおよび前記データラインが設けられていることを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記アクティブ基板の下面に前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記データラインに対応する前記各低反射金属膜が設けられ、当該各低反射金属膜を含む前記アクティブ基板の下面に絶縁膜が設けられ、前記絶縁膜の下面に前記ゲート電極および前記走査ラインに対応する前記各低反射金属膜が設けられ、当該各低反射金属膜の下面に前記ゲート電極および前記走査ラインが設けられていることを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記アクティブ基板の下面に前記ゲート電極および前記走査ラインに対応する前記各低反射金属膜が設けられ、当該各低反射金属膜の下面に前記ゲート電極および前記走査ラインが設けられ、前記ゲート電極および前記走査ラインを含む前記アクティブ基板の下面に絶縁膜が設けられ、前記絶縁膜の下面に前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記データラインに対応する前記各低反射金属膜が設けられ、当該各低反射金属膜下に前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記データラインが設けられていることを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記アクティブ基板下に反射率が２０％以下の低反射金属からなる補助容量ラインが設けられていることを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記アクティブ基板下に設けられた補助容量ラインの上面に反射率が２０％以下の低反射金属からなる低反射金属膜が設けられていることを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記アクティブ基板の下面においてその下に設けられた補助容量ライン上に絶縁膜を介して反射率が２０％以下の低反射金属からなる低反射金属膜が設けられていることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この発明によれば、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、走査ラインおよびデータラインの少なくともバックライトと対向する面とは反対側の表面層を反射率が２０％以下の低反射金属によって形成することにより、あるいは、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、走査ラインおよびデータラインのバックライトと対向する面と反対の面側に反射率が２０％以下の低反射金属からなる低反射金属膜を設けることにより、外光反射に起因するコントラスト低下を抑制することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
一方、対向パネル２１はガラス等からなる対向基板２２を備えている。対向基板２２の上面には、クロム酸化物、ニッケル酸化物、それらの合金の酸化物等の反射率が２０％以下の低反射金属からなるブラックマスク２３、樹脂等からなるカラーフィルタ２４およびＩＴＯ等からなる対向電極２５が設けられている。対向基板２２の下面には裏面側偏光板２６が設けられている。