Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月1日(2010.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
４  ろ板
５  ダイアフラムろ板
６  大容量ダイアフラムろ板
６ａ  ダイアフラム
９  ろ過室
１２、１３  ダイアフラム室
１４  支持板
１５  圧搾水供給管
１６  圧縮空気管
２０  圧力水ポンプ
２１  圧力水弁
２２  空気圧縮機
２３  圧縮空気弁
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月22日(2010.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
2010029339.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
手指の開閉は体内量子比検知器「図３」における指先の開閉は、「表２」体内量子比検知器「図３」における手指の開閉動作の通り。
【表２】
2010029339.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月22日(2010.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】流体輸送システム
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体を吐出するマイクロポンプモジュールと、前記マイクロポンプモジュールの識別データを記憶する記憶装置と、電源と、を含む流体輸送装置と、
前記流体輸送装置から流体が蒸発する蒸発量を考慮した、吐出速度の下限値である最小設定吐出速度と前記吐出速度の補正量と、を含む基礎データを記憶する吐出データ処理装置と、
前記流体輸送装置と前記吐出データ処理装置とを接続する通信装置と、を備え、
前記吐出データ処理装置が、前記通信装置を介して読み込まれた前記識別データと、前記基礎データと、を用いて算出された吐出データを前記通信装置を介して前記流体輸送装置に入力し、
前記吐出データに基づき前記流体輸送装置が駆動することを特徴とする流体輸送システム。
【請求項２】
請求項１に記載の流体輸送システムにおいて、
前記流体輸送装置は、前記マイクロポンプモジュールと柔軟性を有するチューブで連通し流体を収容する流体収容容器をさらに備え、
前記流体輸送装置は、前記マイクロポンプモジュールの駆動を開始しない初期駆動前の状態と、前記マイクロポンプモジュールを一定期間駆動し前記チューブを圧搾することにより前記流体を吐出可能な状態で待機する初期駆動の状態と、前記流体を吐出する吐出状態と、を備え、
前記流体輸送装置は、前記基礎データ及び前記吐出データが入力されたとき、前記初期駆動前の状態から前記初期駆動の状態に移行することを特徴とする流体輸送システム。
【請求項３】
請求項２に記載の流体輸送システムにおいて、
前記一定期間は、前記基礎データによって設定されていることを特徴とする流体輸送システム。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の流体輸送システムにおいて、
前記流体輸送装置は、前記識別データを表示する手段をさらに備えることを特徴とする流体輸送システム。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の流体輸送システムにおいて、
前記表示手段は、前記マイクロポンプモジュールの目視できる位置に貼りつけた識別シールであることを特徴とする流体輸送システム。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の流体輸送システムにおいて、
前記識別シールは、バーコードもしくはＱＲコードであって、
前記識別シールを読み込むリーダーをさらに備えることを特徴とする流体輸送システム。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の流体輸送システムにおいて、
前記流体輸送装置は、ケース部と蓋体とで形成される筐体の内部に装着され、
前記ケース部および前記蓋体は、オレフィン系、シリコン系、ポリエチレン系、フッ素系のいずれかの樹脂、または、セラミックス、チタン、若しくはチタン合金で形成されていることを特徴とする流体輸送システム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月13日(2010.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
景品を載置する景品載置エリアと景品を落下させる開口エリアとを含むゲームフィールドと、
前記ゲームフィールドの上方を移動して景品把持動作を行ない、前記開口エリアの上方に移動した後開放動作を行ない、景品を前記開口エリアに落下させる景品把持部と、
前記開口エリアに落下された景品をプレーヤが取り出すための景品取出口と、
前記ゲームフィールドの下方に開口形成され、前記開口エリアに落下された景品を前記景品取出口に導くための景品誘導空間と、
前記ゲームフィールドの高さ位置を変更するゲームフィールド昇降機構と、
を含む景品獲得ゲーム装置であって、
前記景品誘導空間は、
前記ゲームフィールドのほぼ全領域に対応して開口形成され、
前記ゲームフィールド昇降機構は、
前記景品誘導空間の外周部に設けられていることを特徴とする景品獲得ゲーム装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記ゲームフィールドの下方であって前記景品誘導空間の上方に形成され、景品を展示可能な景品展示エリアと景品を落下させる開口エリアとを含む景品展示フィールドを更に含むことを特徴とする景品獲得ゲーム装置。
【請求項３】
請求項１、２のいずれかにおいて、
前記ゲームフィールド昇降機構は、
前記ゲームフィールドを支持する支持脚と、
前記支持脚を上下方向に移動可能にガイドするガイド部と、
前記支持脚をロックするロック部と、
を含み、
前記ガイド部とロック部は、最下降状態にある前記ゲームフィールドよりも下方に設けられていることを特徴とする景品獲得ゲーム装置。
【請求項４】
請求項１、２のいずれかにおいて、
前記ゲームフィールド昇降機構は、
前記ゲームフィールドを支持する支持脚と、
前記支持脚を上下方向に移動可能にガイドするガイド部と、
前記ゲームフィールドの外周部に設けられたレバー部と、
前記レバー部が一方向に動作すると前記支持脚を上下方向に移動不可能にするロック状態となり、前記レバー部が他方向に動作すると前記支持脚を上下方向に移動可能にする解除状態となるロック部と、
を含むことを特徴とする景品獲得ゲーム装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかにおいて、
前記ゲームフィールドは、
前記景品誘導空間の上方で前記開口エリアのレイアウトが変更可能に形成されていることを特徴とする景品獲得ゲーム装置。
【請求項６】
請求項２に従属する請求項５おいて、
前記景品展示フィールドは、
前記景品誘導空間の上方で前記開口エリアのレイアウトが変更可能に形成されていることを特徴とする景品獲得ゲーム装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかにおいて、
プレーヤ操作部が設けられた装置前面部に対向する装置背面部のうち、前記ゲームフィールドの上方の空間であるゲーム空間に対応する範囲に形成された背面開口と、
前記背面開口に対応する位置に取り付けられると前記背面開口を塞ぐ背面板と、
前記装置背面部に設けられ、前記背面開口に対応する位置から取り外された前記背面板を収納する収納部と、
を更に含むことを特徴とする景品獲得ゲーム装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記背面板は、
第１背面板と第２背面板とを含み、
前記第１背面板と前記第２背面板のそれぞれは、
前記背面開口に対応する位置に個別に着脱可能に形成されていることを特徴とする景品獲得ゲーム装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記第１背面板は、
前記第２背面板よりも面積が広く、
前記収納部は、
前記第１背面板を収納する第１収納部と前記第２背面板を収納する第２収納部とを含み、
前記第１収納部は、
前記背面開口よりも下方に設けられ、
前記第２収納部は、
前記背面開口よりも上方に設けられていることを特徴とする景品獲得ゲーム装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかにおいて、
前記移動操作部が設けられた装置前面部に対向する装置背面部の下部に設けられ、電源コードが延出される電源コード口と、
前記電源コード口から前記装置背面部の上部に渡って形成され、前記電源コード口から延出する電源コードを収納する溝部と、
を更に含むことを特徴とする景品獲得ゲーム装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月29日(2010.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】    以下、本発明の実施の形態を説明する。
（イ）襟カバー（１）の肌に接する内側には垂れ部（３）を設けるように両脇部（２）を縫う。
（ロ）襟カバー（１）の外側の縁に掛布団カバー（５）への装着具凸（４）として、スナップ・ファスナップ・マジックテープ・ファスナー・紐・ホック・ボタン、又は安全ピンのいずれかを設ける。
（ハ）掛布団カバー（５）の装着位置は、脇部（２）より中央にかけて引き下げるようにし、襟カバー（１）に使用した同じ装着具凹（６）を設ける。（安全ピンの場合には、掛け布団カバーの装着具凹は不要）
本発明は以上のような構造である。
本発明を使用するときは、掛布団カバー（５）に襟カバー（１）を垂れ部（３）が掛布団の内側に来るよう装着させ、就寝時には、垂れ部（３）を両肩に包み込むようにかけて使用する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月11日(2009.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
インクを吐出する記録素子が配列された記録ヘッドを前記配列の方向とは異なる方向に記録媒体に対して走査させながら記録を行う記録走査と、該記録走査の方向とは交差する方向への前記記録媒体搬送とを行うことにより、前記記録媒体に画像を記録するインクジェット記録装置であって、
開口と、該開口内に位置して前記記録媒体を支持するリブとを有するプラテンと、
前記記録媒体の中央部に対する記録に用いる記録素子の数に比して、前記記録媒体の先端部および後端部に対する記録に用いる記録素子の数を低減させて前記記録走査を実行する記録制御手段であって、前記先端部および後端部の記録に際しては、それぞれ、前記リブより前記搬送方向下流側および上流側に位置し、かつ前記リブ側に偏倚した部位の記録素子を選択する記録制御手段と、
を具えたことを特徴とするインクジェット記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記記録ヘッドは無彩色のインクを吐出する前記記録素子の配列と有彩色のインクを吐出する前記記録素子の配列とを有し、
前記記録制御手段は、前記記録素子の数を低減させた記録走査を実行するにあたり、前記無彩色のインクを主に用いる記録を行う場合には前記部位の記録素子を選択し、前記有彩色のインクを主に用いる記録を行う場合には、前記リブとは反対側に前記部位を拡大した範囲の記録素子を選択することを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のインクジェット記録装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記記録走査間で前記記録素子の配列の幅未満の前記搬送を行うことにより、同一画像領域に対して複数回の前記記録走査にて記録を実行させる手段を具えたことを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のインクジェット記録装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
記録媒体の種類を示す情報および記録の品位を示す情報の少なくとも一方に応じて、前記同一画像領域に対する前記記録走査の回数および記録に用いる記録素子の範囲を変更するようにしたことを特徴とする請求項７に記載のインクジェット記録装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月24日(2009.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式IA'：
2006232826.tif 000001
（式中、ＲAはハロゲン原子または低級アルキル基であり、環Ｃは、ハロゲン原子、シア
ノ基、低級アルキル基、ハロ低級アルキル基、低級アルコキシ基、またはハロ低級アルコキシ基で置換されたフェニル基；または、ハロゲン原子、シアノ基、低級アルキル基、または低級アルコキシ基で置換されたヘテロシクリル基であり、ここでヘテロシクリル基はチエニル基、ピリジル基、またはチアゾリル基である。）
で示される化合物、またはその薬理的に許容しうる塩を有効成分とする医薬組成物。
【請求項２】
環Ｃが、ハロゲン原子もしくはシアノ基で置換されたフェニル基、またはハロゲン原子で置換されたピリジル基である、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項３】
有効成分が、
1-(β-D-グルコピラノシル)-4-メチル-3-[5-(4-フルオロフェニル)-2-チエニルメチル]ベンゼン;
1-(β-D-グルコピラノシル)-4-クロロ-3-[5-(3-シアノフェニル)-2-チエニルメチル]ベンゼン;
1-(β-D-グルコピラノシル)-4-クロロ-3-[5-(4-シアノフェニル)-2-チエニルメチル]ベンゼン;
1-(β-D-グルコピラノシル)-4-メチル-3-[5-(6-フルオロ-2-ピリジル)-2-チエニルメチル
]ベンゼン;
1-(β-D-グルコピラノシル)-4-クロロ-3-[5-(6-フルオロ-2-ピリジル)-2-チエニルメチル]ベンゼン;
1-(β-D-グルコピラノシル)-4-メチル-3-[5-(3-ジフルオロメチルフェニル)-2-チエニル
メチル]ベンゼン;
1-(β-D-グルコピラノシル)-4-メチル-3-[5-(3-シアノフェニル)-2-チエニルメチル]ベンゼン;
1-(β-D-グルコピラノシル)-4-メチル-3-[5-(4-シアノフェニル)-2-チエニルメチル]ベンゼン;
1-(β-D-グルコピラノシル)-4-クロロ-3-[5-(6-フルオロ-3-ピリジル)-2-チエニルメチル]ベンゼン；および
1-(β-D-グルコピラノシル)-4-フルオロ-3-(5-(3-シアノフェニル)-2-チエニルメチル)ベンゼン；
から選ばれる化合物、またはその薬理的に許容しうる塩である、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項４】
1-(β-D-グルコピラノシル)-4-メチル-3-[5-(3-シアノフェニル)-2-チエニルメチル]ベンゼンまたはその薬理的に許容しうる塩を有効成分とする医薬組成物。
【請求項５】
1-(β-D-グルコピラノシル)-4-メチル-3-[5-(4-シアノフェニル)-2-チエニルメチル]ベンゼン、またはその薬理的に許容しうる塩を有効成分とする医薬組成物。
【請求項６】
1-(β-D-グルコピラノシル)-4-メチル-3-[5-(4-フルオロフェニル)-2-チエニルメチル]ベンゼン、またはその薬理的に許容しうる塩を有効成分とする医薬組成物。
【請求項７】
1-(β-D-グルコピラノシル)-4-クロロ-3-[5-(3-シアノフェニル)-2-チエニルメチル]ベンゼン、またはその薬理的に許容しうる塩を有効成分とする医薬組成物。
【請求項８】
1-(β-D-グルコピラノシル)-4-メチル-3-[5-(6-フルオロ-2-ピリジル)-2-チエニルメチル]ベンゼン、またはその薬理的に許容しうる塩を有効成分とする医薬組成物。
【請求項９】
1-(β-D-グルコピラノシル)-4-クロロ-3-[5-(6-フルオロ-2-ピリジル)-2-チエニルメチル]ベンゼン、またはその薬理的に許容しうる塩を有効成分とする医薬組成物。
【請求項１０】
1-(β-D-グルコピラノシル)-4-クロロ-3-[5-(6-フルオロ-3-ピリジル)-2-チエニルメチル]ベンゼン、またはその薬理的に許容しうる塩を有効成分とする医薬組成物。
【請求項１１】
1-(β-D-グルコピラノシル)-4-フルオロ-3-(5-(3-シアノフェニル)-2-チエニルメチル)ベンゼン、またはその薬理的に許容しうる塩を有効成分とする医薬組成物。
【請求項１２】
ナトリウム依存性グルコース輸送担体の阻害剤である、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項１３】
血糖降下剤である、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項１４】
糖尿病、糖尿病性網膜症、糖尿病性神経障害、糖尿病性腎症、遅延創傷治癒、インスリン抵抗性、高血糖症、高インスリン血症、高脂肪酸血症、高グリセロール血症、高脂血症、肥満症、高トリグリセリド血症、Ｘ症候群、メタボリック症候群、アテローム硬化症、過血糖または高血圧症の予防または治療剤である、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項１５】
糖尿病、糖尿病合併症、または肥満の予防または治療剤である請求項１記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月31日(2010.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水中で、一般式
ＲＣＯ（ＮＨＣＨ２ＣＯ）ｍＯＨ
（式中、Ｒは炭素数６〜１８の炭化水素基、ｍは１〜３の整数を表す。）で表わされるペプチド脂質と遷移金属イオンとを共存させ、形成した繊維状物質を３００〜６００℃で燒結することにより遷移金属酸化物ナノチューブを製造する方法。
【請求項２】
Ｒが直鎖炭化水素である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記遷移金属が、２１Ｓｃから３０Ｚｎまで、３９Ｙから４８Ｃｄまで、及び５７Ｌａから８０Ｈｇまでのいずれかの金属、又はこれらの混合である請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記遷移金属酸化物ナノチューブが、平均直径約１０〜１０００ｎｍ、平均長さ約１〜１００μｍであって、遷移金属酸化物から成る請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月19日(2010.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化合物半導体層上に設けられ、Ａｌを含み、かつボンディング領域を避けて設けられた配線接続部を有するパッドと、
前記パッドの前記配線接続部に電気的に接続されたＡｕを含む配線層と、
前記配線接続部と前記配線層との間に設けられたバリア層と、を具備し、
前記パッドの前記配線接続部上には、前記配線層および前記バリア層が延在し、前記パッドの前記ボンディング領域上には、前記配線層および前記バリア層が延在していないことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体装置の使用上限温度は２００℃以上であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ボンディング領域に接続されるべきボンディングワイヤの太さは１００μｍφ以上であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記配線層の端部において、前記配線層と前記パッドとの間に設けられた第１絶縁層を具備することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記パッドの端部において、前記配線層と前記パッドとの間に設けられた第２絶縁層を具備することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
【請求項６】
前記パッドは第１層と該第１層上の第２層とからなり、
前記配線層は前記第１層上に延在することにより前記パッドに接続され、
前記ボンディング領域は前記第２層に設けられていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２層は前記配線層上に第３絶縁層を介し延在することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項８】
前記バリア層は、ＴｉＮ、ＴｉＷＮ、ＷＮ、ＷＳｉＮ及びＴａＮのいずれかを含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項９】
前記バリア層の厚さは１００ｎｍから２００ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記ボンディングワイヤはＡｌを含むことを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、化合物半導体層上に設けられ、Ａｌを含み、かつボンディング領域を避けて設けられた配線接続部を有するパッドと、前記パッドの前記配線接続部に電気的に接続されたＡｕを含む配線層と、前記配線接続部と前記配線層との間に設けられたバリア層と、を具備し、前記パッドの前記配線接続部上には、前記配線層および前記バリア層が延在し、前記パッドの前記ボンディング領域上には、前記配線層および前記バリア層が延在していないことを特徴とする半導体装置である。本発明によれば、パッドにボンディングワイヤが接続されるべきボンディング領域を避けて設けられた配線接続部において、配線層がバリア層を介しパッドに接続されている。これにより、ワイヤボンディングにより、パッドと配線層とが反応することを抑制できる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月15日(2010.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に絶縁処理され設けられるパッド電極と、
前記パッド電極を被覆するように形成される絶縁層と、
前記パッド電極の表面を露出するように、前記絶縁層に設けられる複数の開口領域と、
前記絶縁層表面から前記開口領域内に渡り形成され、前記パッド電極と接続し、前記開口領域上に複数の凹部が形成される金属層と、
前記金属層上に形成され、前記凹部内に渡り形成されるメッキ用金属層と、
前記メッキ用金属層上に形成される電極とを有する半導体装置において、
前記凹部内に形成される前記メッキ用金属層は、他の領域の前記メッキ用金属層よりも薄く形成される領域を有し、前記薄く形成される領域では、前記金属層を構成する金属と前記電極を構成する金属とを少なくとも含む合金層が生成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記メッキ用金属層はクロム層を有し、
前記薄く形成される領域では、前記クロム層の結晶粒子間隔が、前記他の領域のクロム層の結晶粒子間隔よりも広くなり、前記合金層は、前記結晶粒子間に生成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記薄く形成される領域は、前記凹部の段差の底面の外周部またはその近傍領域に形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記開口領域における前記絶縁層と前記パッド電極との境界領域では、前記パッド電極の表面と前記絶縁層の傾斜面との成す角度が、７０〜９０度となることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記金属層は、アルミニウム層またはアルミニウム合金層から成り、前記電極は、銅層と、前記銅層上に形成されるバンプ電極とを有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記金属層上にはスピンコート樹脂膜が形成され、前記スピンコート樹脂膜に形成された
開口部内に前記凹部が配置されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記スピンコート樹脂膜は、ポリベンズオキサゾール膜またはポリイミド樹脂膜から成ることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
半導体基板上に絶縁処理され設けられるパッド電極と、
前記パッド電極を被覆するように形成される絶縁層と、
前記パッド電極の表面を露出するように、前記絶縁層に設けられる複数の開口領域と、
前記絶縁層表面から前記開口領域内に渡り形成され、前記パッド電極と接続するメッキ用金属層と、
前記メッキ用金属層上に形成された電極とを有する半導体装置であり、
前記開口領域内に形成される前記メッキ用金属層は、他の領域の前記メッキ用金属層よりも薄く形成される領域を有し、前記薄く形成される領域では、前記パッド電極を構成する金属と前記電極を構成する金属とを少なくとも含む合金層が生成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
前記メッキ用金属層はクロム層を有し、
前記薄く形成される領域では、前記クロム層の結晶粒子間隔が、前記他の領域のクロム層の結晶粒子間隔よりも広くなり、前記合金層は、前記結晶粒子間に生成されていることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記薄く形成される領域は、前記開口領域における前記絶縁層と前記パッド電極との境界領域またはその近傍領域に形成されていることを特徴とする請求項８または請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記境界領域では、前記パッド電極の表面と前記絶縁層の傾斜面との成す角度が、７０〜９０度となることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記パッド電極は、アルミニウム層またはアルミニウム合金層から成り、前記電極は、銅層と、前記銅層上に形成されるバンプ電極とを有することを特徴とする請求項８または請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記絶縁層上にはスピンコート樹脂膜が形成され、前記スピンコート樹脂膜に形成される開口部内に前記開口領域が配置されていることを特徴とする請求項８または請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記スピンコート樹脂膜は、ポリベンズオキサゾール膜またはポリイミド樹脂膜から成ることを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置。
【請求項１５】
半導体基板上を絶縁処理し、前記絶縁処理された半導体基板上にパッド電極を形成し、前記パッド電極を被覆するように前記絶縁処理された半導体基板上に絶縁層を形成した後、前記パッド電極の表面が露出するように前記絶縁層に複数の開口領域を形成する工程と、
前記開口領域を介して前記パッド電極と接続するように、前記絶縁層上に金属層を形成する工程と、
前記金属層上にスピンコート樹脂膜を形成し、前記金属層が露出するように前記スピンコート樹脂膜に開口部を形成する工程と、
前記スピンコート樹脂膜の開口部から露出する前記金属層上にメッキ用金属層を形成した後、前記メッキ用金属層上に電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記メッキ用金属層としてスパッタリング法によりクロム層及び前記クロム層上に銅層を形成することを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記金属層としてアルミニウム層またはアルミニウム合金層を形成し、前記電極として銅層と、前記銅層上にバンプ電極とを形成することを特徴とする請求項１５または請求項１６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記スピンコート樹脂膜としてポリベンズオキサゾール膜またはポリイミド樹脂膜を形成することを特徴とする請求項１５または請求項１６に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月5日(2010.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
被写体像を順次撮像する撮像手段と、表示手段と、画像データを記憶する記憶手段と、
当該カメラ装置の姿勢を検出する姿勢検出手段と、操作に応じて撮影モードとを選択的に設定するモード設定手段を備えるカメラ装置が有するコンピュータを、
前記モード設定手段により再生モードが設定されている状態において、前記撮像手段を停止させる一方、前記記憶手段から画像データを読み出して、前記表示手段に再生画像を表示させる再生制御手段、
前記モード設定手段により再生モードが設定されている状態において、前記姿勢検出手段により所定の姿勢が検出されたか否かを判断する第１の判断手段、
この第１の判断手段により前記所定の姿勢が検出されたと判断された場合、前記再生制御手段による再生画像の表示動作を維持した状態で前記停止している撮像手段を起動させる起動手段、
として機能させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】カメラ装置及びプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、当該カメラ装置の姿勢に応じた制御を行うカメラ装置、及びこのカメラ装置に用いられるプログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明は、かかる従来の課題に鑑みてなされたものであり、不意の切り替え制御により再生画像の表示が中断されてしまうといった事態の発生を抑制して使い勝手を向上させたカメラ装置及びプログラムを提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、請求項１６記載の発明に係るプログラムにあっては、被写体像を順次撮像する撮像手段と、表示手段と、画像データを記憶する記憶手段と、当該カメラ装置の姿勢を検出する姿勢検出手段と、操作に応じて撮影モードとを選択的に設定するモード設定手段を備えるカメラ装置が有するコンピュータを、前記モード設定手段により再生モードが設定されている状態において、前記撮像手段を停止させる一方、前記記憶手段から画像データを読み出して、前記表示手段に再生画像を表示させる再生制御手段、前記モード設定手段により再生モードが設定されている状態において、前記姿勢検出手段により所定の姿勢が検出されたか否かを判断する第１の判断手段、この第１の判断手段により前記所定の姿勢が検出されたと判断された場合、前記再生制御手段による再生画像の表示動作を維持した状態で前記停止している撮像手段を起動させる起動手段として機能させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月12日(2010.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原稿を照明する照明用光源と、原稿を載せる原稿台ガラスと、前記原稿台ガラス上に載置された原稿からの反射光を結像する結像レンズと、前記結像レンズにより結像された反射光を読み取るための電荷結合素子とを備え、前記照明用光源と前記結像レンズと前記電荷結合素子が１つの交換可能なユニットを構成し、前記ユニットが原稿の副走査方向に移動して前記原稿台ガラスを介して原稿を読み取る画像読み取り装置において、
前記ユニットの交換を検知する交換検知手段と、
前記原稿台ガラスの厚み情報と前記ユニットの光学特性からなる光学解像度の変化情報を記憶する記憶手段と、
前記交換検知手段により前記ユニットの交換が検知された場合、前記記憶手段に記憶されている前記原稿台ガラスの厚み情報と前記光学解像度の変化情報から前記ユニット交換後の光学解像度を予測する解像度予測手段と、
前記解像度予測手段による光学解像度の予測結果に基づき光学解像度を補正する解像度補正手段と、
を備えることを特徴とする画像読み取り装置。
【請求項２】
前記原稿台ガラスの厚み情報と前記ユニットの光学特性からなる光学解像度の変化情報とは、前記原稿台ガラスの厚みの変化に対する前記ユニットのＲ、Ｇ、ＢのＣＴＦ値であることを特徴とする請求項１に記載の画像読み取り装置。
【請求項３】
原稿を照明する照明用光源と、原稿を載せる原稿台ガラスと、前記原稿台ガラス上に載置された原稿からの反射光を結像する結像レンズと、前記結像レンズにより結像された反射光を読み取るための電荷結合素子とを備え、前記照明用光源と前記結像レンズと前記電荷結合素子が１つの交換可能なユニットを構成し、前記ユニットが原稿の副走査方向に移動して前記原稿台ガラスを介して原稿を読み取る画像読み取り装置の制御方法において、
前記ユニットの交換を検知する交換検知工程と、
前記交換検知工程にて前記ユニットの交換が検知された場合、記憶手段に記憶されている前記原稿台ガラスの厚み情報と前記ユニットの光学特性からなる光学解像度の変化情報から前記ユニット交換後の光学解像度を予測する解像度予測工程と、
前記解像度予測工程による光学解像度の予測結果に基づき光学解像度を補正する解像度補正工程と、
を備えることを特徴とする制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像読み取り装置及びその制御方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、原稿の画像情報を、結像レンズを介して電荷結合素子上に結像して読み取る画像読み取り装置及びその制御方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の目的は、ユニット交換による色味バランスの変化を軽減することができる画像読み取り装置及びその制御方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記目的を達成するために、請求項１記載の画像読み取り装置は、原稿を照明する照明用光源と、原稿を載せる原稿台ガラスと、前記原稿台ガラス上に載置された原稿からの反射光を結像する結像レンズと、前記結像レンズにより結像された反射光を読み取るための電荷結合素子とを備え、前記照明用光源と前記結像レンズと前記電荷結合素子が１つの交換可能なユニットを構成し、前記ユニットが原稿の副走査方向に移動して前記原稿台ガラスを介して原稿を読み取る画像読み取り装置において、前記ユニットの交換を検知する交換検知手段と、前記原稿台ガラスの厚み情報と前記ユニットの光学特性からなる光学解像度の変化情報を記憶する記憶手段と、前記交換検知手段により前記ユニットの交換が検知された場合、前記記憶手段に記憶されている前記原稿台ガラスの厚み情報と前記光学解像度の変化情報から前記ユニット交換後の光学解像度を予測する解像度予測手段と、前記解像度予測手段による光学解像度の予測結果に基づき光学解像度を補正する解像度補正手段と、を備えることを特徴とする。
上記目的を達成するために、請求項３記載の画像読み取り装置の制御方法は、原稿を照明する照明用光源と、原稿を載せる原稿台ガラスと、前記原稿台ガラス上に載置された原稿からの反射光を結像する結像レンズと、前記結像レンズにより結像された反射光を読み取るための電荷結合素子とを備え、前記照明用光源と前記結像レンズと前記電荷結合素子が１つの交換可能なユニットを構成し、前記ユニットが原稿の副走査方向に移動して前記原稿台ガラスを介して原稿を読み取る画像読み取り装置の制御方法において、前記ユニットの交換を検知する交換検知工程と、前記交換検知工程にて前記ユニットの交換が検知された場合、記憶手段に記憶されている前記原稿台ガラスの厚み情報と前記ユニットの光学特性からなる光学解像度の変化情報から前記ユニット交換後の光学解像度を予測する解像度予測工程と、前記解像度予測工程による光学解像度の予測結果に基づき光学解像度を補正する解像度補正工程と、を備えることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明によれば、ユニット交換による色味バランスの変化を軽減することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月15日(2010.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１無線通信装置が、ビーコンと、前記ビーコンの周波数情報を含む第１報知信号と、を送信し、
第２無線通信装置が、前記ビーコンの周波数情報を含む第２報知信号を前記第１報知信号と異なる周波数で送信する
通信方法。
【請求項２】
前記第１無線通信装置は、前記第２無線通信装置に前記第２報知信号を送信するように指示情報を通知することを特徴とする請求項１に記載の通信方法。
【請求項３】
前記第１および第２報知信号はそれぞれ、第１信号と、前記第１信号とΔｆ周波数が離れた周波数で送信される第２信号とを含むことを特徴とする請求項１に記載の通信方法。
【請求項４】
前記第１および第２報知信号はそれぞれ、前記第１信号と前記第２信号の位相の差に情報を載せて送信されることを特徴とする請求項３に記載の通信方法。
【請求項５】
前記第２無線通信装置は、電源を継続して供給できる時間に応じた優先度を第１無線通信装置に通知することを特徴とする請求項１に記載の通信方法。
【請求項６】
前記第２無線通信装置は複数あり、それぞれが前記第２報知信号を時分割で送信することを特徴とする請求項１に記載の通信方法。
【請求項７】
前記第２無線通信装置は、前記第１無線通信装置に向かって前記第２報知信号を送信することを特徴とする請求項１に記載の通信方法。
【請求項８】
第１無線通信装置が、ビーコンと、ビーコンの周波数情報を含む第１報知信号とを送信し、
第２無線通信装置が、前記ビーコンの周波数情報を含む第２報知信号を前記第１報知信号と同じ周波数で送信する
通信方法。
【請求項９】
ビーコンを送信する第１送信手段と、
前記ビーコンの周波数情報を含む第１報知信号を送信する第２送信手段と、
含む第１無線通信装置と、
前記ビーコンの周波数情報を含む第２報知信号を前記第１報知信号と異なる周波数で送信する第３送信手段、を含む第２無線通信装置と
を備えた無線通信システム。
【請求項１０】
ビーコンと、前記ビーコンの周波数情報を含む第１報知信号とを送信する第１無線通信装置と通信する通信手段と、
前記ビーコンの周波数情報を含む第２報知信号を前記第１報知信号と異なる周波数で送信する送信手段と、
を備えた無線通信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の一態様としての通信方法は、
第１無線通信装置が、ビーコンと、前記ビーコンの周波数情報を含む第１報知信号と、を送信し、
第２無線通信装置が、前記ビーコンの周波数情報を含む第２報知信号を前記第１報知信号と異なる周波数で送信する
ことを特徴とする。
本発明の一態様としての通信方法は、
第１無線通信装置が、ビーコンと、ビーコンの周波数情報を含む第１報知信号とを送信し、
第２無線通信装置が、前記ビーコンの周波数情報を含む第２報知信号を前記第１報知信号と同じ周波数で送信する
ことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一態様としての無線通信システムは、
ビーコンを送信する第１送信手段と、
前記ビーコンの周波数情報を含む第１報知信号を送信する第２送信手段と、
含む第１無線通信装置と、
前記ビーコンの周波数情報を含む第２報知信号を前記第１報知信号と異なる周波数で送信する第３送信手段、を含む第２無線通信装置と
を備える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一態様としての無線通信装置は、
ビーコンと、前記ビーコンの周波数情報を含む第１報知信号とを送信する第１無線通信装置と通信する通信手段と、
前記ビーコンの周波数情報を含む第２報知信号を前記第１報知信号と異なる周波数で送信する送信手段と、
を備える。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月4日(2010.1.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置される２つの発光セルと、を備え、
前記発光セルは、第１の導電型下部半導体層と、前記第１の導電型下部半導体層上に配置された第２の導電型上部半導体層と、前記第２の導電型上部半導体層の少なくとも一部が除去されることにより露出される前記第１の導電型下部半導体層上に形成される下部電極と、前記第２の導電型上部半導体層上に配置される上部電極と、を備え、
前記各発光セルにおいて、前記上部電極と前記下部電極は、対角方向に対向する角部に隣接して配置されることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記発光セルの電極配置は、その発光セルに隣接する発光セルと対称であることを特徴とする請求項１記載の発光素子。
【請求項３】
前記発光セルの前記下部電極は、前記隣接する発光セルの上部電極に接続されることを特徴とする請求項２記載の発光素子。
【請求項４】
前記２つの発光セルは直列に接続されることを特徴とする請求項１記載の発光素子。
【請求項５】
前記２つの発光セルとは別の発光セルを更に有し、直列に接続された前記発光セルのうちの一つの前記下部電極は、前記別の発光セルの上部電極に電気的に接続されることを特徴とする請求項４記載の発光素子。
【請求項６】
前記発光セルは互いに直列に接続され、前記発光セルの電極配置は、対向する一つの発光セルと同一であることを特徴とする請求項５記載の発光素子。
【請求項７】
前記発光セルは互いに直列に接続され、２つの隣接する発光セルの電極配置は、２つの隣接する発光セルと対向する２つの発光セルと同様であることを特徴とする請求項５記載の発光素子。
【請求項８】
前記第２の導電型上部半導体層と前記上部電極との間に配置されている透明電極層を有することを特徴とする請求項１記載の発光素子。
【請求項９】
基板と、
前記基板上に配置される複数の発光セルと、
前記基板上に配置されて前記複数の発光セルを互いに直列に接続する配線と、を備え、
前記複数の発光セルを有する少なくとも２つの発光セルアレイは、前記第１の接続素子により接続されて交流電源からの順方向電圧及び逆方向電圧により動作し、
前記発光セルは、第１の化合物半導体層を有する下部半導体層と、前記下部半導体層上に形成される第２の化合物半導体層を有する上部半導体層と、前記下部半導体層と前記上部半導体層との間に配置される活性層と、前記下部半導体層の露出された一部の上に形成される下部電極と、前記上部半導体層上に形成される透明電極層と、前記透明電極層上に形成される上部電極と、を有し、前記上部電極と前記下部電極は対向して配置されることを特徴とする発光素子。
【請求項１０】
前記発光セルの電極配置は、その発光セルに隣接する発光セルと対称であることを特徴とする請求項９記載の発光素子。
【請求項１１】
順方向電圧により動作するために接続された特定の発光セルアレイと、逆方向電圧により動作するために接続された他の発光セルアレイとを電気的に接続する連結手段を更に備え、
前記順方向電圧による動作時に、前記連結手段により発光セルアレイグループ内の特定の発光セルアレイに逆電圧による過電圧が印加されることを防止することを特徴とする請求項９又は１０に記載の発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月3日(2010.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
以下、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
［導電粉］
本発明の導電粉は、プレス密度が８０％乃至９９．５％のプレス密度が８０％乃至９９．５％の金粉、白金粉、パラジウム粉、銀粉、銅粉、銀めっき銅粉、アルミニウム粉およびこれらの合金粉である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月16日(2009.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板本体に形成された電極パッド上に、突起部を有するバンプを形成する第１の工程と、
前記基板本体上に絶縁層を形成すると共に、前記突起部の一部を前記絶縁層の上面に露出させる第２の工程と、
前記絶縁層の上面及び前記突起部の露出した部分に導電層を形成する第３の工程と、
前記導電層の前記突起部と対向した突出部分を機械加工により除去し、前記突起部を前記導電層から露出させ、露出した前記突起部の先端面と前記導電層の上面を面一とする第４の工程と、
前記導電層を給電層とした電解メッキにより配線層を形成すると共に、該配線層をパターニングして前記バンプに接続した導電パターンを形成する第５の工程と、
を有することを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項２】
前記基板本体は、半導体基板であることを特徴とする請求項１記載の電子装置の製造方法。
【請求項３】
前記第４の工程で実施される機械加工は、研削加工であることを特徴とする請求項１又は２記載の電子装置の製造方法。
【請求項４】
前記研削加工で用いる研削砥石の切削位置は、前記導電層の前記突起部と非対向位置の高さよりも高く、かつ、前記導電層の前記突起部との対向位置の高さよりも低く設定されていることを特徴とする請求項３記載の電子装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の工程では、前記バンプがボンディングワイヤにより形成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載の電子装置の製造方法。
【請求項６】
電極パッドが形成された基板本体と、
前記電極パッド上に形成された、突起部を有するバンプと、
前記基板本体上に形成された絶縁層と、
該絶縁層上に形成された導電層と、
該導電層上に形成されると共に前記バンプに接続された導電パターンとを有し、
前記突起部の先端面と前記導電層の上面とが面一とされていることを特徴とする基板。
【請求項７】
電極パッドが形成された半導体チップと、
前記電極パッド上に形成された、突起部を有するバンプと、
前記半導体チップ上に形成された絶縁層と、
該絶縁層上に形成された導電層と、
該導電層上に形成されると共に前記バンプに接続された導電パターンとを有する半導体装置であって、
前記突起部の先端面と前記導電層の上面とが面一とされていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項１記載の発明に係る電子装置の製造方法は、
基板本体に形成された電極パッド上に、突起部を有するバンプを形成する第１の工程と、
前記基板本体上に絶縁層を形成すると共に、前記突起部の一部を前記絶縁層の上面に露出させる第２の工程と、
前記絶縁層の上面及び前記突起部の露出した部分に導電層を形成する第３の工程と、
前記導電層の前記突起部と対向した突出部分を機械加工により除去し、前記突起部を前記導電層から露出させ、露出した前記突起部の先端面と前記導電層の上面を面一とする第４の工程と、
前記導電層を給電層とした電解メッキにより配線層を形成すると共に、該配線層をパターニングして前記バンプに接続した導電パターンを形成する第５の工程と、
を有することを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月25日(2010.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の荷電粒子ビームそれぞれでの試料の露光・非露光を切替えるためのアレイ化された複数の偏向電極と、前記複数の偏向電極が設けられた基板とを含む偏向器アレイを有する露光装置において、
前記複数の荷電粒子ビームを偏向するための電圧を前記複数の偏向電極にそれぞれ与えるスイッチング機能を有する複数のトランジスタを有し、前記複数のトランジスタは前記基板に設けられていることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記複数のトランジスタは、ＭＯＳＦＥＴを含む、ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記複数のトランジスタは、フォトトランジスタを含む、ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項４】
前記基板は、前記複数の偏向電極が設けられた基板と前記複数のトランジスタが設けられた基板とを接合によって一体化することによって構成されている、ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の露光装置を用いてウエハを露光する工程と、
前記工程で露光されたウエハを現像する工程と、を備えることを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、偏向器アレイを有する露光装置、及びその露光装置を用いたデバイス製造方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
そこで、本発明は、スループットの点で有利な露光装置、及びその露光装置を用いたデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、複数の荷電粒子ビームそれぞれでの試料の露光・非露光を切替えるためのアレイ化された複数の偏向電極と、前記複数の偏向電極が設けられた基板とを含む偏向器アレイを有する露光装置において、前記複数の荷電粒子ビームを偏向するための電圧を前記複数の偏向電極にそれぞれ与えるスイッチング機能を有する複数のトランジスタを有し、前記複数のトランジスタは前記基板に設けられていることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明によれば、スループットの点で有利な露光装置、及びその露光装置を用いたデバイス製造方法を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月24日(2010.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に、半導体膜を有するトランジスタを形成し、
前記基板を剥離して前記絶縁膜の少なくとも一部を露出させ、
前記絶縁膜の露出面側から前記半導体膜にレーザー光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に、半導体膜を有するトランジスタを形成し、
前記基板を剥離して前記絶縁膜を露出させ、
露出させた前記絶縁膜を薄膜化又は除去して、前記半導体膜の少なくとも一部を露出させ、
前記半導体膜の露出面側から前記半導体膜にレーザー光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記絶縁膜が薄膜化又は除去された面に保護膜を設けることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記半導体膜は不純物領域を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に第１の絶縁膜を介して半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に第２の絶縁膜を介して導電膜を形成し、
前記導電膜をマスクとして、前記半導体膜に選択的に不純物元素を導入し、
前記基板を剥離して前記第１の絶縁膜を露出させ、
前記第１の絶縁膜の露出面側から前記半導体膜にレーザー光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に第１の絶縁膜を介して半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に第２の絶縁膜を介して導電膜を形成し、
前記導電膜をマスクとして、前記半導体膜に選択的に不純物元素を導入し、
前記基板を剥離して前記第１の絶縁膜を露出させ、
前記第１の絶縁膜を除去して前記半導体膜を露出させ、
前記半導体膜の露出面側からレーザー光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
基板上に第１の絶縁膜を介して半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に第２の絶縁膜を介して導電膜を形成し、
前記導電膜をマスクとして、前記半導体膜に選択的に不純物元素を導入し、
前記基板を除去して前記第１の絶縁膜の少なくとも一部を露出させ、
前記第１の絶縁膜の露出面側から前記半導体膜にレーザー光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
基板上に第１の絶縁膜を介して半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に第２の絶縁膜を介して導電膜を形成し、
前記導電膜をマスクとして、前記半導体膜に選択的に不純物元素を導入し、
前記基板を除去して前記第１の絶縁膜を露出させ、
露出させた前記第１の絶縁膜を薄膜化又は除去して、前記半導体膜の少なくとも一部を露出させ、
前記半導体膜の露出面側から前記半導体膜にレーザー光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項７又は請求項８において、
研削処理と研磨処理の一方又は両方を行うことにより、前記基板を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記レーザー光の照射を行う前に、前記半導体膜の脱水素化処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。