(57)【要約】【課題】  電気接合物の一方から発生した電磁波が他方に干渉して誤作動を生じさせることがなく、電磁波ノイズを有効に抑制できる電気コネクタを提供する。【解決手段】  電磁波ノイズ抑制体３を含む基材１と、基材１のＸＹ方向に並べて貫通支持され、相対向する実装基板２０のランド２１に弾接する複数の導電接続子１０とを備え、一対の実装基板２０間に介在され、複数の導電接続子１０が圧縮されることにより、実装基板２０間を電気的に導通接続する。基材１の電磁波ノイズ抑制体３が実装基板２０やＣＰＵから発生した電磁波ノイズを遮蔽する遮蔽機能を発揮するので、実装基板２０とＣＰＵの少なくとも一方から発生した電磁波が相対する他方に干渉して誤作動を生じさせることがない。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電気接合物間に介在され、これらの間で複数の信号を伝達する電気コネクタであって、
電磁波ノイズ抑制体を含む基材と、この基材に設けられて複数の電気接合物間を電気的に接続する複数の導電接続子とを含んでなることを特徴とする電気コネクタ。
【請求項２】
電磁波ノイズ抑制体は、有機高分子層に物理的に蒸着された強磁性体からなる抑制層を備え、１ＧＨｚにおけるパワーロス値が０．３〜０．９の範囲である請求項１記載の電気コネクタ。
【請求項３】
基材と抑制層とを積層して複合化した請求項２記載の電気コネクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気電子機器の実装基板とＣＰＵとを電気的に接続したり、実装基板間を電気的に接続する電気コネクタに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の電気コネクタは、図示しないが、相対向する電子機器の実装基板間に介在される絶縁性の基板と、この基板に並べて貫通支持され、各実装基板のランドに接触する複数の導電接続子とから構成されている。そして、複数の導電接続子が圧縮されることにより、対向する実装基板間を電気的に接続する（特許文献１、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００３−２４３５７８号公報
【特許文献２】特開２００１−３５１７０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従来の電気コネクタは、以上のように構成されているが、実装基板やＣＰＵから発生した電磁波ノイズを遮蔽する遮蔽機能を何ら有していないので、実装基板とＣＰＵの少なくとも一方から発生した電磁波が相対する他方に干渉して誤作動を生じさせるという大きな問題がある。特に、周波数が高くなるにしたがい、例え短い回路でもアンテナになる可能性が少なくないので、電磁波ノイズ対策は重要である。
【０００４】
本発明は、上記に鑑みなされたもので、電気接合物の一方から発生した電磁波が他方に干渉して誤作動を生じさせることがなく、電磁波ノイズを有効に抑制することのできる電気コネクタを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明においては、上記課題を解決するため、複数の電気接合物間に介在され、これらの間で複数の信号を伝達するものであって、
電磁波ノイズ抑制体を含む基材と、この基材に設けられて複数の電気接合物間を電気的に接続する複数の導電接続子とを含んでなることを特徴としている。
【０００６】
なお、電磁波ノイズ抑制体は、有機高分子層に物理的に蒸着された強磁性体からなる抑制層を備え、１ＧＨｚにおけるパワーロス値が０．３〜０．９の範囲であることが好ましい。
また、基材と抑制層とを積層（層をなすように積み重ねる）して複合化することができる。
【０００７】
ここで、特許請求の範囲における電気接合物には、少なくとも各種の実装基板（回路基板やプリント基板等）、ＣＰＵ、マイクロプロセッサ、半導体パッケージ、電子部品等が含まれる。基材は、可撓性や弾性の有無を特に問うものではなく、又電磁波ノイズ抑制体を含有していれば、他の性質のシートやフィルム等を積層状態に有していても良い。
【０００８】
複数の導電接続子には、多数の導電接続子が含まれる。各導電接続子は、円柱形、角柱形、円錐台形、角錐台形、又はこれらを組み合わせた形状等に適宜形成することができる。強磁性体は、単位面積当たり０．５〜２００ｎｍの質量を有することが好ましい。さらに、抑制層は０．０３〜２０μｍの範囲の厚さが好ましい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、電気接合物の一方から発生した電磁波が他方に干渉して誤作動を生じさせることがなく、電磁波ノイズを有効に抑制することができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の好ましい実施の形態を説明すると、本実施形態における電気コネクタは、図１に示すように、断面略板形の薄い基材１と、この基材１のＸＹ方向に並べて貫通支持され、電子機器（例えば、パソコン、携帯電話、情報端末機器等）を構成する実装基板２０の導電接点であるランド２１に弾接する複数の導電接続子１０とを備え、一対の実装基板２０・２０間に介在される。
【００１１】
基材１は、例えばポリイミドフィルム等を使用して可撓性を有する平面矩形に成形され、導電接続子１０用の貫通孔２がＸＹ方向に複数並べて穿孔されており、電磁波ノイズ抑制体３を含有する。この電磁波ノイズ抑制体３は、図２に示すように、薄い有機高分子表層４に物理的に蒸着された強磁性体５からなる抑制層６を備え、基材１に内蔵されたり、基材１に支持体であるフィルムを介し積層して複合化される。
【００１２】
有機高分子表層４に使用される有機高分子としては、例えばポリオレフィン樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリケトン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリシロキサン系樹脂、フェノール系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、天然ゴム、イソプレタンゴム、ブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム等のジエン系ゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム等の非ジエン系ゴムがあげられる。
【００１３】
これらは、熱可塑性、熱硬化性のいずれでも良いし、その未硬化物であっても良い。また、有機高分子は、上記樹脂、ゴム等の変性物、混合物、共重合物でも良い。
【００１４】
抑制層６である強磁性体５は、金属系軟磁性体、酸化物系軟磁性体、窒化物系軟磁性体等からなる。これらは、単独で使用されることもあるし、２種以上が選択的に混合使用される。金属系軟磁性体としては、鉄や鉄合金が一般的に用いられ、具体的な鉄合金として、Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ａｌ、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ｐｔ合金が用いられる。
【００１５】
なお、金属系軟磁性体として、鉄や鉄合金の他、コバルト、ニッケル、又はこれらの合金を用いることも可能である。特に、ニッケルは、単独使用の場合には、酸化に対して抵抗力を有するので好ましいといえる。
【００１６】
酸化物系軟磁性体としては、フェライトが最適である。具体的には、ＭｎＦｅ2Ｏ4、ＣｏＦｅ2Ｏ4、ＮｉＦｅ2Ｏ4、ＺｎＦｅ2Ｏ4、ＭｇＦｅ2Ｏ4、Ｆｅ3Ｏ4、Ｃｕ−Ｚｎ−フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ−フェライト、Ｍｎ−Ｚｎ−フェライト、Ｂａ2Ｃｏ2Ｆｅ12Ｏ22、Ｂａ2Ｎｉ2Ｆｅ12Ｏ22、Ｂａ2Ｚｎ2Ｆｅ12Ｏ22、Ｂａ2Ｍｎ2Ｆｅ12Ｏ22、Ｂａ2Ｍｇ2Ｆｅ12Ｏ22、Ｂａ2Ｃｕ2Ｆｅ12Ｏ22、Ｂａ3Ｃｏ2Ｆｅ23Ｏ41を用いることができる。これらのフェライトは、単独で用いられても良いし、２種類以上を組み合わせて混合使用されても良い。
【００１７】
窒化物系軟磁性体としては、Ｆｅ2Ｎ、Ｆｅ3Ｎ、Ｆｅ4Ｎ、Ｆｅ16Ｎ2が用いられる。これらの窒化物系軟磁性体は、透磁率が高く、高い耐食性を有するので、使用に最適である。
【００１８】
複数の導電接続子１０は、各導電接続子１０が所定の導電性エラストマーを使用して弾性の断面略六角形に成形され、基材１の貫通孔２に嵌着支持されており、上下方向に圧縮されることにより、一対の実装基板２０・２０のランド２１・２１間を電気的に導通接続する。導電性エラストマーは、絶縁性エラストマーに導電粒子が配合されることにより製造される。
【００１９】
絶縁性エラストマーとしては、硬化前に流動性を有し、硬化により架橋構造を有する各種のエラストマー（常温付近でゴム状弾性を有するものの総称）が使用される。具体的には、シリコーンゴム、フッ素ゴム、ポリウレタンゴム、ポリブタジエンゴム、クロロプレンゴム、ポリエステル系ゴム、天然ゴム等があげられる。また、これらの独立・連泡の発泡体等も該当する。これらの中でも、電気絶縁性、耐熱性、圧縮永久歪み、加工性等に優れるシリコーンゴムが最適である。
【００２０】
導電粒子としては、球状、粉状、フレーク状のタイプがあげられる。具体的には、金、銀、銅、プラチナ、パラジウム、ニッケル、アルミニウム等の金属単体、これらの合金からなる粒子、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂等の樹脂、カーボン、セラミックス、シリカ等の無機材料を核として表面が上記金属によりメッキ、蒸着、スパッタ等の方法により被覆された粒子等があげられる。
【００２１】
次に、電磁波ノイズ抑制体３を図２の模式図に基づいて詳しく説明すると、電磁波ノイズ抑制体３は、有機高分子表層４に強磁性体５が物理的に蒸着されているが、有機高分子表層４から０．０３〜２０μｍの範囲にわたり、強磁性体５の原子が部分的に潜り込んで三次元的に分散し、均質膜を形成しない抑制層６で、１ＧＨｚにおけるパワーロス値が０．３〜０．９の範囲であるのが好ましい。
【００２２】
この点について詳説すると、一般的に、硬質の有機高分子表層４のみに強磁性体５が蒸着される場合には、蒸着量の増加にしたがい、強磁性体５の連続層が形成され、電磁波を反射しやすくなる。
これに対し、軟質の有機高分子表層４に強磁性体５の原子が分散し、０．０３〜２０μｍの厚さの抑制層６を形成する場合には、有機高分子内に分散した強磁性体５は連続層を形成しなくなり、電磁波を反射したり、電磁波を透過しなくなる。
【００２３】
抑制層６の厚さは、有機高分子表層４に強磁性体５が侵入する深さであり、有機高分子表層４の材質、強磁性体５の質量、物理的な蒸着条件等に依存するが、０．０３μｍ以上であれば、十分な電磁波抑制効果を得ることができる。
但し、２０μｍを超える厚さの場合には、抑制効果の向上を期待することができず、質量増加に伴い蒸着作業が遅延し、しかも、物理的な蒸着で粒子エネルギーを高める高度な装置が必要になり、コスト高を招くので好ましくない。
【００２４】
また、強磁性体５が従来のようなミクロンレベルの大きさの場合には、大きな透過吸収率を得るために大量、かつ高密度な強磁性体５を使用し、厚く重い電磁波ノイズ抑制シートを用いる必要があるが、強磁性体５がナノメーターレベルの大きさの場合には、透磁率が大きくなり、吸収帯域の広がることが知られている。
したがって、強磁性体５をナノメーターレベルの超微粒子にすれば、大きな透過吸収率を得るため、大量かつ高密度な強磁性体５を使用したり、厚く重い電磁波ノイズ抑制シートを用いる必要がない。
【００２５】
次いで、パワーロス値について説明すると、理論的には明らかではないが、少ない質量の軟磁性体を蒸着することにより、ナノグラニュラーのような量子効果や材料固有の磁気異方性、形状磁気異方性、あるいは外部磁界による異方性等が関係するため、電磁波ノイズ抑制効果の指標であるパワーロス値を大きな値とすることができる。ここで、パワーロス係数は次式で求められ、０〜１の値をとり、伝送特性のＳ１１とＳ２１の変化を図１０のようにして計測することができる。
【００２６】
パワーロス値（Ｐｌｏｓｓ／Ｐｉｎ）＝１−（｜Γ｜2＋｜Ｔ｜2）
Ｓ１１＝２０ｌｏｇ｜Γ｜
Ｓ２１＝２０ｌｏｇ｜Ｔ｜
【００２７】
パワーロス値は、抑制機能の反射・透過特性の総合的な指標であるが、反射減衰量、透過減衰量は、実用上、実効的な値でなくてはならず、効果が期待できる−３ｄＢ以下、好ましくは−６ｄＢ以下、より好ましくは−１０ｄＢ以下が良い。
【００２８】
電磁波ノイズ抑制体３が大きなパワーロス値を有するためには、物理的蒸着に際し、強磁性体５の超微粒子が有機高分子表層４からその内部に潜り込む必要があり、そのためには有機高分子のせん断弾性率が低い必要がある。有機高分子のせん断弾性率が低ければ、有機高分子表層４に強磁性体５が物理的に蒸着される際、強磁性体５の原子が有機高分子表層４内部に侵入したり、有機高分子と衝突して有機高分子が変形し、流動や運動が生じ、有機高分子表層４の０．０３〜２０μｍの層にわたり分散しやすくなるからである。
【００２９】
図３は強磁性体５の蒸着された有機高分子表層４の表面状態を示すレーザ顕微鏡画像であり、表面に凹凸が見られる。図４はその断面形状を計測した画像であり、突起の高さは約６μｍである。図５は強磁性体５の蒸着前の表面状態を示すレーザ顕微鏡画像で、表面が平坦であり、平均表面粗さは０．０５μｍである。これらから、強磁性体５の蒸着により、有機高分子が変形したり、流動を起こすのを伺い知ることができる。
【００３０】
以上のことから、物理的蒸着時には有機高分子のせん断弾性率が１×１０3〜１×１０7（Ｐａ）であるのが好ましく、より好ましくは１×１０3〜１×１０6（Ｐａ）、さらに好ましくは１×１０3〜１×１０5（Ｐａ）の範囲が良い。所定のせん断弾性率にするため、物理的な蒸着時に、必要ならば、有機高分子を例えば１００〜３００℃に加熱することもできるが、分解や蒸発を招かない温度に加熱することが必要である。常温で物理的に蒸着する場合には、特に加熱する必要はない。常温で物理的に蒸着する対象となる有機高分子としては、おおよそゴム硬度５０°〜６０°（ＪＩＳ−Ａ）以下の弾性体があげられる。
【００３１】
また、プラズマ化、あるいはイオン化された強磁性体５の原子が入り込みやすい分子空間の広さを示す指標としてガス透過率があげられる。本来、強磁性体元素の大きさに等しいアルゴンガスやクリプトンガスが透過率の確認に便利であるが、ガス透過率の測定には、一般的とはいえないので、例えば炭酸ガスの透過率データで代用することができる。
【００３２】
常温での炭酸ガス透過率の大きい有機高分子としては、１×１０-9〔ｃｍ2（ＳＴＰ）（ｃｍ×ｓｅｃ×ｃｍＨｇ）-1〕以上のポリフェニレンキサイド、ポリメチルペンテン、ナイロン１１、ハイインパクトポリスチレン等のゴム成分との混合物や共重合物、１×１０-8〔ｃｍ2（ＳＴＰ）（ｃｍ×ｓｅｃ×ｃｍＨｇ）-1〕以上のポリブタジエン、ポリイソプレン、スチレンブタジエンゴム、シリコーンゴム等があげられる。これらの中でも、特にせん断弾性率の観点からシリコーンゴム等のゴム類が最適である。
【００３３】
また、強磁性体５における超微粒子の酸化防止の観点から、酸素透過性の低いものが好ましく、１×１０-10〔ｃｍ2（ＳＴＰ）（ｃｍ×ｓｅｃ×ｃｍＨｇ）-1〕以下のポリエチレン、ポリトリフルオロクロロエチレン、ポリメチルメタクリレート等、さらには１×１０-12〔ｃｍ2（ＳＴＰ）（ｃｍ×ｓｅｃ×ｃｍＨｇ）-1〕以下のポリエチレンテレフタレート、ポリアクリロニトリル等があげられる。
【００３４】
また、プラズマ化、あるいはイオン化された強磁性体５の原子が有機高分子と一部反応して安定化するよう、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤、ノニオン系界面活性剤、極性樹脂オリゴマー等を配合すれば、酸化防止の他、原子の凝集によるところの均質膜の形成を防止したり、反射特性を改善することができる。
【００３５】
この他、補強性フィラー、難燃剤、老化防止剤、酸化防止剤、着色剤、チクソトロピー性向上剤、可塑剤、滑剤、耐熱向上剤等を適宜添加することができる。
但し、硬質なものを配合すると、これに強磁性体５の原子が衝突して十分に拡散しないことがあるので、注意すべきである。
【００３６】
有機高分子表層４は、１〜２００μｍ程度の膜厚が好ましい。この有機高分子の膜は、単独では薄く、使用温度域におけるせん断弾性率が小さく、ハンドリングが困難な場合には、有機高分子を担持する支持体を別に設けることができる。この支持体は、有機高分子表層４と同様の材料でも良いが、金属箔や可撓性のセラミックス箔等で有機高分子表層４の有機高分子よりも剛性が高く、せん断弾性率の高いものが良い。支持体は、５０μｍ以下、好ましくは２５μｍ以下の厚さが好適である。
【００３７】
なお、剥離性を有する厚い支持体を付着し、この支持体をハンドリングの終了時に剥離するようにしても良い。
【００３８】
強磁性体５として、鉄、コバルト、ニッケル、これらの合金等からなる金属系軟磁性体を使用した場合、金属系軟磁性体が凝集して均質膜を形成するよう蒸着されていると、金属系軟磁性体の固有抵抗が小さいので、渦電流が発生して電磁波吸収効果が低下し、反射機能が生じてくる。このため、電子回路や電子部品からの電磁波を吸収することができずに反射してしまい、電子回路や電子部品に悪影響を及ぼすことがある。
【００３９】
したがって、有機高分子表層４に強磁性体５を物理的に蒸着する場合には、特に均質な強磁性体膜を形成しないようにするのが良い。膜の表面抵抗（直流抵抗）は、おおよそ１×１０1〜１×１０10Ω／□であるのが好ましい。
【００４０】
物理的蒸着法により原子状態となった強磁性体５の元素はおおよそ数オームストロングサイズであるが、有機高分子は金属、セラミックと異なり、分子間に空隙を有しており、飛ばされた強磁性体５の原子はこの空隙に侵入して微小なクラスターや非常に薄い薄膜粒子を形成すると考えられる。このため、一平面に堆積して連続した薄膜を形成することがなく、三次元的に分散するため、蒸着量が少ない場合、容易に超微粒子が独立して良導通を示さない状態になりやすい。
【００４１】
強磁性体５の超微粒子が有機高分子表層４の内部に深く侵入することが可能になると、一度の蒸着により、蒸着量が多くても容易に分散し、均質膜になることがないので、加工時間の手間を省くことができ、大きなパワーロス係数を得ることができる。
【００４２】
上記物理的蒸着法（ＰＶＤ）は各種の成膜方法をいうが、この成膜方法は、真空容器の内部で薄膜形成物質を気化させ、近傍にセットした基板に堆積して薄膜を形成する方法である。物理的蒸着法を薄膜物質の気化方法で分類すると、蒸発系とスパッタ系とに分類される。
【００４３】
蒸発系としては、ＥＢ蒸着、イオンプレーティングが該当し、スパッタ系としては、高周波スパッタリング、マグネトロンスパッタリング、対向ターゲット型マグネトロンスパッタリング等が該当する。
【００４４】
ＥＢ蒸着は、蒸発粒子のエネルギーが１ｅＶと小さいので、基板のダメージが少なく、膜がポーラスになりやすく、膜の強度が不足する傾向にあるものの、強磁性体膜の固有抵抗が高くなるという特徴を有している。イオンプレーティングは、アルゴンガスや蒸発粒子のイオンが加速されて基板に衝突するので、ＥＢ蒸着よりもエネルギーが大きく、付着力の強い膜を得ることができる。酸化物系強磁性体５を成膜する場合には、酸素等の反応性ガスを導入しなければならず、膜質のコントロールが困難な反面、バイアス電圧を上げることにより、１ｋｅＶまで原子状の超微粒子を加速させることができる。
【００４５】
スパッタ系の高周波スパッタリングは、絶縁性のターゲットを使用することができ、バイアスをかけた場合には、数百ｅＶまでエネルギーをあげることができる。また、マグネトロンスパッタリングは、磁界の影響で強いプラズマが発生するので、成長速度が速いという特徴があるものの、ターゲットの利用効率が悪いという特徴がある。バイアスをかけた場合には、数百ｅＶまでエネルギーをあげることができる。
【００４６】
対向ターゲット型マグネトロンスパッタリングは、対向するターゲットの外部に基板をセットし、対向するターゲット間でプラズマを発生させ、プラズマダメージを及ぼすことなく所定の薄膜を形成する方法である。この方法によれば、基板上の薄膜を再スパッタすることなく、緻密なターゲット組成物と同様の組成を生成することができ、通常８ｅＶ以上の高いエネルギーを有している。
【００４７】
代表的な有機の共有結合エネルギーは約４ｅＶであり、具体的には、例えばＣ−Ｃ、Ｃ−Ｈ、Ｓｉ−Ｏ、Ｓｉ−Ｃの結合エネルギーはそれぞれ３．６、４．３、４．６、３．３ｅＶである。
【００４８】
これに対し、バイアスイオンプレーティング、バイアスマグネトロンスパッタや対向ターゲット型マグネトロンスパッタでは、高いエネルギーを有しており、一部の化学的結合を切断し、衝突するものであるから、スパッタ後の有機高分子表層表面には例えば５μｍ以上の凹凸が形成される。そして、強磁性体５の原子が有機高分子表層４からおおよそ０．０３〜１００μｍ程度まで侵入し、電磁波の吸収機能を有する層を形成することができる。
【００４９】
これは、高エネルギーを有する強磁性体５の原子が有機高分子表層４に衝突等することにより、強磁性体５の原子と有機高分子の局部的なミキシング作用が生じるためと推測される。このように粒子エネルギーが５ｅＶ以上である強磁性体５の微粒子を有機高分子表層４に蒸着すれば、一度に大量の強磁性体５を分散させることができる。すなわち、一度の蒸着により強磁性体５の質量を稼ぐことができるから、透過吸収率の大きな吸収体を容易に得ることができる。
【００５０】
強磁性体５の蒸着質量は、強磁性体単品の膜厚換算値で０．５〜２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以下が良い。これは、０．５ｎｍ未満の場合には、電磁波の抑制効果を期待することができないからである。逆に、２００ｎｍを超える場合には、有機高分子表層４の包含能力に達し、分散できずに堆積し、均質な導通性を有する連続した膜が生じてしまうことになるからである。この強磁性体５の蒸着質量は、ガラスやシリコン等の硬質基板上に堆積した厚みを測定することにより求めることができる。
【００５１】
蒸着された強磁性体５は電磁波ノイズ抑制体３中に分散され、電磁波ノイズ抑制体３は強磁性体単品の膜厚換算値よりも厚くなる。この測定は、上記したように、断面のＳＥＭ像から算出したり、薄層ずつプラズマエッチングしながら放出された化合物を分析するＥＳＣＡ分析等により解析することができる。
【００５２】
蒸着質量が小さくなると、電磁波ノイズ抑制効果が低減するので、抑制層６を複数重ねることにより、電磁波ノイズ抑制体３に占める強磁性体５の総質量を増加させることができる。総質量は、要求される抑制レベルにもよるが、おおよそ総合の膜厚換算値で１０〜５００ｎｍが良い。抑制層６の厚さは積層された各層の和とすることができる。この積層数は特に限定されるものではないが、有機高分子表層４を含む全体の厚みはおおよそ２０〜２００μｍ程度が良い。
【００５３】
上記構成によれば、基材１の電磁波ノイズ抑制体３が実装基板２０やＣＰＵから発生した電磁波ノイズを遮蔽する遮蔽機能を発揮するので、実装基板２０とＣＰＵの少なくとも一方から発生した電磁波が相対する他方に干渉して誤作動を生じさせることがない。したがって、周波数の高低にかかわらず、回路がアンテナになる可能性が実に少なく、きわめて有効な電磁波ノイズ対策を施すことができる。さらに、パワーロス係数が大きく、電磁波吸収特性に優れ、小型軽量で堅牢な電磁波抑制体を得ることができる。
【００５４】
なお、上記実施形態における強磁性体５の質量や抑制層６の厚さは適宜変更することができる。例えば、抑制層６の強磁性体５の質量を電子部品の側から徐々に増やして傾斜配置し、反射を抑制することができる。また、強磁性体５を分割して絶縁化を図ることもできる。
【実施例】
【００５５】
以下、本発明に係る電気コネクタの実施例について比較例と共に説明する。
実施例１〜３、比較例に示す電磁波ノイズ抑制体をそれぞれ作製し、これらの表面抵抗、表面観察、電磁波ノイズ抑制体の厚み、電磁波吸収特性を計測した。
表面抵抗：ダイアインスルメンツ製ＭＣＰ−Ｔ６００により、測定電圧１０Ｖの条件で直
流４端子法により測定し、測定点数５点の平均値で示すこととした。
【００５６】
表面観察：キーエンス製レーザ顕微鏡ＶＫ−９５００により、倍率４０００倍で表面を観
察することとした。
電磁波ノイズ抑制体の厚み：日本電子製走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）ＪＥＭ−２１００Ｆを
使用し、電磁波ノイズ抑制体の断面電子顕微鏡写真（倍率５
００００倍）に基づいて測定することとした。
【００５７】
電磁波吸収特性：キーコム製近傍界用電磁波吸収材料測定装置を用い、Ｓパラメータ法に
よるＳ２１（透過減衰量）とＳ１１（反射減衰量）とを測定することと
した。ネットワークアナライザは、アンリツ製ベクトルネットワーク
アナライザ３７２４７Ｃを用い、５０Ωのインピーダンスを有するマ
イクロストリップラインのテストフィクスチャーには、キーコム製のＴ
Ｆ−３Ａを使用することとした（図１０参照）。
【００５８】
実施例１
先ず、支持体である厚さ１２μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（常温のせん断弾性率３．８×１０9（Ｐａ））に、有機高分子として厚さ２０μｍのシリコーンゴムを設け、このシリコーンゴム上に、強磁性体を対向ターゲット型マグネトロンスパッタ法により、基板の温度を常温に保ち、８ｅＶの粒子エネルギーを有するよう僅かに負の電圧を印加し、スパッタした。
【００５９】
シリコーンゴムの特性は、常温のせん断弾性率１×１０7（Ｐａ）、常温の炭酸ガス透過率２．２×１０-7〔ｃｍ2（ＳＴＰ）（ｃｍ×ｓｅｃ×ｃｍＨｇ）-1〕、湿式シリカ含有とした。また、強磁性体は、膜厚換算で３０ｎｍのＦｅ−Ｎｉ系軟磁性金属とした。
【００６０】
次いで、強磁性体の表面抵抗を直流４端子法で測定し、所定の大きさに整え、総厚３２μｍの電磁波ノイズ抑制体を得た。こうして電磁波ノイズ抑制体を得たら、スパッタ前後の表面観察を行い、得られた試料の一部をミクロトームで薄片にするとともに、断面にイオンビームポリシャーを施し、抑制層の厚みを計測し、電磁波吸収特性を測定した。
【００６１】
結果をまとめて表１に記載し、表面観察結果を図に示すとともに、抑制層の断面観察を図に示し、０．０５〜３ＧＨｚのパワーロス特性を図６に図示した。
【００６２】
実施例２
先ず、支持体である厚さ６μｍのポリイミドフィルム（常温のせん断弾性率３．８×１０9（Ｐａ））に、有機高分子として厚さ２５μｍのアクリル系粘着材〔綜研化学製  商品名１６０４Ｎ〕を設け、このアクリル系粘着材上に、強磁性体をバイアスマグネトロンスパッタ法により、基板の温度を常温に維持するとともに、１０ｅＶの粒子エネルギーを有するようバイアス電圧を調整してスパッタし、総厚７２μｍの電磁波ノイズ抑制体を得た。
【００６３】
アクリル系粘着材の特性は、常温のせん断弾性率６×１０4（Ｐａ）、常温の炭酸ガス透過率２×１０-7〔ｃｍ2（ＳＴＰ）（ｃｍ×ｓｅｃ×ｃｍＨｇ）-1〕とした。また、強磁性体は、膜厚換算で３０ｎｍのＦｅ−Ｎｉ系軟磁性金属とした。その他の部分については、実施例１と同様とした。
結果をまとめて表１に記載し、０．０５〜３ＧＨｚのパワーロス特性を図７に示した。
【００６４】
実施例３
有機高分子として厚さ７０μｍのポリアクリロニトリルシートを設け、このポリアクリロニトリルシート上に、強磁性体を対向ターゲットマグネトロンスパッタ法により、基板の温度を１６０℃に維持するとともに、１００ｅＶの粒子エネルギーを有するようバイアス電圧を調整してスパッタし、総厚１００μｍの電磁波ノイズ抑制体を得た。
【００６５】
ポリアクリロニトリルシートの特性は、常温のせん断弾性率１．７×１０9（Ｐａ）、１６０℃のせん断弾性率１．５×１０6（Ｐａ）、常温の炭酸ガス透過率５．３×１０-8〔ｃｍ2（ＳＴＰ）（ｃｍ×ｓｅｃ×ｃｍＨｇ）-1〕、常温の酸素ガス透過率２．８×１０-15〔ｃｍ2（ＳＴＰ）（ｃｍ×ｓｅｃ×ｃｍＨｇ）-1〕とした。また、強磁性体は、膜厚換算で５０ｎｍのＮｉ金属とした。その他の部分については、実施例２と同様とした。
結果をまとめて表１に記載し、０．０５〜３ＧＨｚのパワーロス特性を図８に示した。
【００６６】
比較例
表面を酸化させ、不導体膜を有した扁平のＦｅ−Ｎｉ系軟磁性金属９４質量部に、ポリウレタン樹脂５質量部、硬化剤としてイソシアネート化合物１質量部、溶剤（シクロヘキサノンとトルエンとの１：１混合物）３０質量部を添加したペーストをその乾燥後の厚さが０．５１ｍｍとなるようバーコート法で塗布し、膜を形成した。Ｆｅ−Ｎｉ系軟磁性金属は、平均粒径１５μｍ、アスペクト比６５とした。
【００６７】
次いで、膜を十分乾燥させ、真空加熱プレスし、８５℃で２４時間キュアリングして膜厚０．５ｍｍの電磁波ノイズ抑制体を作製し、その他の部分については、実施例と同様とした。
結果をまとめて表１に記載し、０．０５〜３ＧＨｚのパワーロス特性を図９に示した
【表１】
2005122915.tif 000003
【００６８】
表１から明らかなように、１ＧＨｚのパワーロス値が実施例１〜３では０．３以上であり、比較例では０．１を下回った。実施例によれば、準マイクロ波帯での抑制効果が高いことが判明した。また、抑制層がきわめて薄く、抑制層の厚みに対するパワーロス値は、比較例よりも４桁ほど大きい値であった。
【００６９】
また、３ＧＨｚのパワーロス値が実施例１〜３では０．８程度であったが、比較例では０．８を下回った。さらに、実施例１〜３では可撓性のある薄く軽い抑制層であったが、比較例では厚く重く脆い抑制層であった。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明に係る電気コネクタの実施形態を示す説明図である。
【図２】本発明に係る電気コネクタの実施形態における有機高分子表層に強磁性体が物理的に蒸着された状態を示す模式図である。
【図３】強磁性体の蒸着された有機高分子表層の表面状態を示すレーザ顕微鏡画像であり、一辺が７３．５μｍである。
【図４】強磁性体の蒸着された有機高分子表層の断面形状を計測したレーザ顕微鏡画像である。
【図５】強磁性体の蒸着される前の有機高分子表層の断面形状を計測したレーザ顕微鏡画像である。
【図６】本発明に係る電気コネクタの実施例１における電磁波ノイズ抑制体の周波数０．０５〜３ＧＨｚのパワーロス特性を示すグラフである。
【図７】本発明に係る電気コネクタの実施例２における電磁波ノイズ抑制体の周波数０．０５〜３ＧＨｚのパワーロス特性を示すグラフである。
【図８】本発明に係る電気コネクタの実施例３における電磁波ノイズ抑制体の周波数０．０５〜３ＧＨｚのパワーロス特性を示すグラフである。
【図９】本発明に係る電気コネクタの比較例における電磁波ノイズ抑制体の周波数０．０５〜３ＧＨｚのパワーロス特性を示すグラフである。
【図１０】伝送特性の測定システムを示す斜視図である。
【符号の説明】
【００７１】
１          基材
３          電磁波ノイズ抑制体
４          有機高分子表層（有機高分子層）
５          強磁性体
６          抑制層
１０        導電接続子
２０        実装基板（電気接合物）
【図１】
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【図２】
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【図３】
2005122915.tif 000006
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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