Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月24日(2010.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機関運転状態に応じて回転する電動モータと、
前記電動モータの回転を減速して、バルブスプリングのばね力に抗して開弁する機関弁のリフト中心の位相を可変にしてバルブタイミングを制御する制御軸に回転力を伝達する減速機構と、
前記電動モータと制御軸との間に設けられ、該制御軸に回転力を伝達しかつ該制御軸の軸心に対して径方向へ移動可能な継手機構と、を備え、
前記減速機構に供給された潤滑油が、前記減速機構の内部を循環しながら前記継手機構に供給されると共に、該継手機構からシリンダヘッド側に排出されることを特徴とする内燃機関の可変動弁装置。
【請求項２】
機関運転状態に応じて回転する電動モータと、
前記電動モータから回転力が入力されると共に、回転中心に対して中心が偏心して設けられた偏心カムと、
中央に前記偏心カムを収容する摺動孔を有し、外周面全体に外歯が形成された遊星ピニオンギアと、
前記偏心カムと摺動孔の間に設けられたボールベアリングと、
内周に、前記遊星ピニオンギアの外歯よりも歯数が多くかつ該遊星ピニオンギアの外歯と噛み合う内歯が形成されたリングギアと、を備え、
前記電動モータの回転に伴って前記リングギアの内部で前記遊星ピニオンギアが自転しながら公転することにより制御軸を回転させ、該制御軸の回転によって、バルブスプリングのばね力に抗して開弁する機関弁のリフト中心の位相を可変にしてバルブタイミングを制御するように構成され、
前記電動モータと制御軸の間に、該制御軸に回転力を伝達しかつ該制御軸の軸心に対して径方向へ移動可能な継手機構を設け、
潤滑油を、前記ボールベアリングや内外歯間及び前記継手機構を循環させながら供給することを特徴とする内燃機関の可変動弁装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、前記従来の可変動弁装置の技術的課題に鑑みて案出されたもので、請求項１に記載の発明は、機関運転状態に応じて回転する電動モータと、前記電動モータの回転を減速して、バルブスプリングのばね力に抗して開弁する機関弁のリフト中心の位相を可変にしてバルブタイミングを制御する制御軸に回転力を伝達する減速機構と、前記電動モータと制御軸との間に設けられ、該制御軸に回転力を伝達しかつ該制御軸の軸心に対して径方向へ移動可能な継手機構と、を備え、前記減速機構に供給された潤滑油が、前記減速機構の内部を循環しながら前記継手機構に供給されると共に、該継手機構からシリンダヘッド側に排出されることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
この結果、電動モータに対する振動伝達が確実に阻止されることから、該電動モータの駆動負荷が低減されて、該電動モータの円滑な回転駆動力が得られる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項２に記載の発明にあっては、とりわけ、電動モータと制御軸の間に、該制御軸に回転力を伝達しかつ該制御軸の軸心に対して径方向へ移動可能な継手機構を設け、潤滑油を、前記ボールベアリングや内外歯間及び前記継手機構を循環させながら供給することを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
この発明によれば、前述のように、制御軸に伝達された交番トルクによる振動を吸収できることに加えて、遊星ピニオンギアやリングギアなどの動力伝達部材の偏心回転を継手機構によって効果的に吸収して同心回転を制御軸に付与することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
すなわち、この実施形態における可変動弁装置は、図１〜図４に示すようにシリンダヘッド１に図外のバルブガイドを介して摺動自在に設けられた一対の吸気弁２，２と、該各吸気弁２，２のバルブリフト量を可変制御する可変機構３と、該可変機構３の作動位置を制御する制御機構４と、該制御機構４を回転駆動するアクチュエータ５とを備えている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
前記サイクロイド機構２３は、電動モータ２２の駆動シャフト２２ａに固定された偏心カム２６と、中央に前記偏心カム２６の外周面に摺動自在に嵌合する摺動孔２７ｂを有する動力伝達部材である円環状の遊星ピニオンギア２７と、前記ハウジング２１の内部に複数のボルト２９によって固定されて、内周側に前記遊星ピニオンギア２７を公転及び自転させるように連係する非回転部材であるリングギア２８と、前記遊星ピニオンギア２７の偏心回動を同心回動に変換して回転を前記制御軸１９に伝達する偏心吸収手段３０とから構成されている。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
したがって、前記遊星ピニオンギア２７は、図７及び図８に示すように、偏心回転すると、円環部３３の各突起部３４，３４に沿って各ガイド部３５，３５が径方向へ摺動すると共に、円環部３３がガイドピン３６を介してさらに９０°の径方向へ摺動することによって、遊星ピニオンギア２７の偏心回転を許容しつつ円環部３３を介して制御軸１９に回転力が伝達される。つまり、遊星ピニオンギア２７の偏心回転に伴う公転及び自転による回転力は、ガイド部３５，３５から突起部３４，３４を介して円環部３３に伝達され、さらに摺動用孔３７，３７を介してガイドピン３６に伝達されるが、このとき円環部３３は、ガイドピン３６上を径方向へ自由に移動して遊星ピニオンギア２７の偏心回転を吸収しつつ、ガイドピン３６に遊星ピニオンギア２７の自転力を伝達して制御軸１９を回転させるようになっている。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月18日(2010.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
ところで、撮影装置の中には、撮像素子を備える撮像ユニットが交換自在にカメラ本体に装着されるものがある（例えば特許文献３参照）。このような撮像ユニット式の撮影装置を雲台に装着するときには撮像ユニットのみを雲台に装着すれば良いが、遠隔操作により雲台を動かしながら撮像ユニットが備える撮影レンズの姿勢を調整しようとするときには、予め撮像ユニットの形状や重量などが分からないと雲台をうまく動かすことができない場合がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
例えば望遠レンズのように軸長の非常に長い撮影レンズが雲台に装着された場合には遠隔操作により指示を与えて雲台を動かそうとしても軸長が長すぎたり重すぎたりして動かなかったりするケースが出てくる。このようなことは撮像ユニットに限らず、撮像素子は搭載されておらず交換レンズのみの撮影ユニットにおいても交換式ではなく、例えば撮影レンズの種類が異なる、複数種類の一体型の撮影ユニットにおいても同様の事がいえる。
【特許文献１】実開平０５−０９６８４２号公報
【特許文献２】特開平０９−２０５５７４号公報
【特許文献３】特開２００５−２７８０２０号公報
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月2日(2009.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
搬送波信号源と、
情報信号と搬送波信号とを受信するよう接続された変調器と、
復調器と、
前記変調器と前記復調器との間に接続された、電気的な絶縁性を有する音響カプラであって、分離されスタックされたバルク音響共振器（DSBAR）を１つのみ含む、音響カプラ
とを備える、音響ガルバニックアイソレータ。
【請求項２】
前記DSBARが、第１の薄膜バルク音響共振器（FBAR）と、第２のFBARと、該第１及び第２のFBAR間における電気的な絶縁性を有する音響デカプラとを含むことからなる、請求項１に記載の音響ガルバニックアイソレータ。
【請求項３】
前記変調器を前記第１のFBARに電気的に接続する第１の電気回路と、
前記復調器を前記第２のFBARに電気的に接続する第２の電気回路
とを更に備える、請求項２に記載の音響ガルバニックアイソレータ。
【請求項４】
互いに対向する平坦な電極と該電極間の圧電素子とを、前記FBARの各々が含み、
前記第１の電気回路が前記変調器を前記第１のFBARの前記電極に電気的に接続し、及び、
前記第１の電気回路が前記第２のFBARの前記電極を電気的に接続することからなる、請求項３に記載の音響ガルバニックアイソレータ。
【請求項５】
前記電気的な絶縁性を有する音響デカプラが、電気的な絶縁性を有する音響分離材料層を含む、請求項２に記載の音響ガルバニックアイソレータ。
【請求項６】
前記FBARが、ある音響インピーダンスを有し、
前記音響分離材料が、ある音響インピーダンスを有し、及び、
前記音響分離材料の前記音響インピーダンスが前記FBARの前記音響インピーダンスとおよそ一桁だけ異なることからなる、請求項５に記載の音響ガルバニックアイソレータ。
【請求項７】
前記電気的な絶縁性を有する音響デカプラが、電気的な絶縁性を有する音響的なブラッグ構造を含む、請求項２に記載の音響ガルバニックアイソレータ。
【請求項８】
高音響インピーダンスのブラッグ要素と交互に配置された、１つか又は複数の低音響インピーダンスのブラッグ要素を、前記電気的な絶縁性を有する音響的なブラッグ構造が含み、該ブラッグ要素のうちの少なくとも１つが電気的な絶縁材料層を含むことからなる、請求項７に記載の音響ガルバニックアイソレータ。
【請求項９】
電気的な絶縁性を有する高音響インピーダンスのブラッグ要素と交互に配置された、１つか又は複数の電気的な絶縁性を有する低音響インピーダンスのブラッグ要素を、前記電気的な絶縁性を有する音響的なブラッグ構造が含む、請求項７に記載の音響ガルバニックアイソレータ。
【請求項１０】
前記音響ブラッグ構造が、二酸化ケイ素層と交互に配置された１つか又は複数の交差結合ポリフェニレン・ポリマー層を含む、請求項７に記載の音響ガルバニックアイソレータ。
【請求項１１】
情報信号をガルバニックに絶縁するための方法であって、
分離されスタックされたバルク音響共振器（DSBAR）を１つのみ含む、電気的な絶縁性を有する音響カプラを設け、
搬送波信号を提供し、
該搬送波信号を前記情報信号で変調させて変調電気信号を形成し、
該変調電気信号を、前記電気的な絶縁性を有する音響カプラを介して音響的に結合し、及び、
該電気的な絶縁性を有する音響カプラを介して音響的に結合された前記変調電気信号から前記情報信号を回復させる
ことを含むことからなる、方法。
【請求項１２】
前記DSBARが、第１の薄膜バルク音響共振器（FBAR）と、第２のFBARと、該第１及び第２のFBAR間における電気的な絶縁性を有する音響デカプラとを含み、
前記信号伝達が、
前記変調電気信号を前記第１のFBARに加え、及び、
前記第２のFBARから前記変調電気信号を受信する
ことを含むことからなる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
互いに対向する平坦な電極と該電極間の圧電素子とを、前記FBARの各々が含み、
前記変調電気信号を加えることが、前記第１のFBARの前記電極に前記変調電気信号を加えることを含み、及び、
前記変調電気信号を受信することが、前記第２のFBARの前記電極から前記変調電気信号を受信することを含むことからなる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記情報信号を回復させることが、前記電気的な絶縁性を有する音響カプラを介して音響的に結合された前記変調電気信号についてクロック及びデータ回復を実行することを含むことからなる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記DSBARが、第１の薄膜バルク音響共振器（FBAR）と、第２のFBARと、該第１及び第２のFBAR間における音響デカプラとを含み、
該音響デカプラが、電気的な絶縁性を有する音響分離材料層を含むことからなる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記DSBARが、第１の薄膜バルク音響共振器（FBAR）と、第２のFBARと、該第１及び第２のFBAR間における音響デカプラとを含み、
該音響デカプラが、電気的な絶縁性を有する音響的なブラッグ構造を含むことからなる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
高音響インピーダンスのブラッグ要素と交互に配置された、１つか又は複数の低音響インピーダンスのブラッグ要素を、前記電気的な絶縁性を有する音響的なブラッグ構造が含み、該ブラッグ要素のうちの少なくとも１つが電気的な絶縁材料層を含むことからなる、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
電気的な絶縁性を有する高音響インピーダンスのブラッグ要素と交互に配置された、１つか又は複数の電気的な絶縁性を有する低音響インピーダンスのブラッグ要素を、前記電気的な絶縁性を有する音響的なブラッグ構造が含むことからなる、請求項１６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月18日(2010.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビット線と、ソース線と、
複数の不揮発性メモリが直列に接続されたＮＡＮＤ型セルと、
選択トランジスタと、を有し、
前記不揮発性メモリは、第１の絶縁膜を介した半導体膜上の電荷蓄積層と、第２の絶縁膜を介した前記電荷蓄積層上の制御ゲートと、を有し、
前記ＮＡＮＤ型セルの一方の端子は、前記選択トランジスタを介して、前記ビット線に接続され、
前記ＮＡＮＤ型セルの他方の端子は、前記ソース線に接続されたＮＡＮＤ型不揮発性メモリのデータ消去方法であって、
前記ＮＡＮＤ型セルにおけるいずれか一の前記不揮発性メモリにおける前記電荷蓄積層に格納された電荷の放出は、前記ビット線、前記ソース線に第１の電位を印加し、当該不揮発性メモリの制御ゲートに第２の電位を印加し、前記ＮＡＮＤ型セルの他の前記不揮発性メモリの前記制御ゲートには第３の電位を印加することにより行われることを特徴とするＮＡＮＤ型不揮発性メモリのデータ消去方法。
【請求項２】
ビット線と、ソース線と、
複数の不揮発性メモリが直列に接続されたＮＡＮＤ型セルと、
選択トランジスタと、を有し、
前記不揮発性メモリは、第１の絶縁膜を介した半導体膜上の電荷蓄積層と、第２の絶縁膜を介した前記電荷蓄積層上の制御ゲートと、を有し、
前記ＮＡＮＤ型セルの一方の端子は、前記選択トランジスタを介して、前記ビット線に接続され、
前記ＮＡＮＤ型セルの他方の端子は、前記ソース線に接続されたＮＡＮＤ型不揮発性メモリのデータ消去方法であって、
前記ＮＡＮＤ型セルにおけるいずれか一の前記不揮発性メモリにおける前記電荷蓄積層に格納された電荷の放出は、当該不揮発性メモリにおけるソース端子、ドレイン端子に第１の電位を印加し、前記制御ゲートに第２の電位を印加し、前記ＮＡＮＤ型セルの他の前記不揮発性メモリの前記制御ゲートには第３の電位を印加することにより行われることを特徴とするＮＡＮＤ型不揮発性メモリのデータ消去方法。
【請求項３】
ビット線と、ソース線と、
複数の不揮発性メモリが直列に接続された第１のＮＡＮＤ型セル及び第２のＮＡＮＤ型セルと、
第１の選択トランジスタと、第２の選択トランジスタと、を有し、
前記不揮発性メモリは、第１の絶縁膜を介した半導体膜上の電荷蓄積層と、第２の絶縁膜を介した前記電荷蓄積層上の制御ゲートと、を有し、
前記第１のＮＡＮＤ型セルの一方の端子は、前記第１の選択トランジスタを介して、前記ビット線に接続され、
前記第１のＮＡＮＤ型セルの他方の端子は、前記ソース線に接続され、
前記第２のＮＡＮＤ型セルの一方の端子は、前記第２の選択トランジスタを介して、前記ビット線に接続され、
前記第２のＮＡＮＤ型セルの他方の端子は、前記ソース線に接続されたＮＡＮＤ型不揮発性メモリのデータ消去方法であって、
前記第１のＮＡＮＤ型セルにおけるいずれか一の前記不揮発性メモリ及び前記第２のＮＡＮＤ型セルにおけるいずれか一の前記不揮発性メモリにおける前記電荷蓄積層に格納された電荷の放出は、前記ビット線、前記ソース線に第１の電位を印加し、且つ前記第１のＮＡＮＤ型セルの前記一の前記不揮発性メモリの前記制御ゲートと、前記第２のＮＡＮＤ型セルの前記一の前記不揮発性メモリの前記制御ゲートに第２の電位を印加し、前記第１のＮＡＮＤ型セルの他の前記不揮発性メモリ及び前記第２のＮＡＮＤ型セルの他の前記不揮発性メモリの前記制御ゲートには第３の電位を印加することにより行われることを特徴とするＮＡＮＤ型不揮発性メモリのデータ消去方法。
【請求項４】
ビット線と、ソース線と、
複数の不揮発性メモリが直列に接続された第１のＮＡＮＤ型セル及び第２のＮＡＮＤ型セルと、
第１の選択トランジスタと、第２の選択トランジスタと、を有し、
前記不揮発性メモリは、第１の絶縁膜を介した半導体膜上の電荷蓄積層と、第２の絶縁膜を介した前記電荷蓄積層上の制御ゲートと、を有し、
前記第１のＮＡＮＤ型セルの一方の端子は、前記第１の選択トランジスタを介して、前記ビット線に接続され、
前記第１のＮＡＮＤ型セルの他方の端子は、前記ソース線に接続され、
前記第２のＮＡＮＤ型セルの一方の端子は、前記第２の選択トランジスタを介して、前記ビット線に接続され、
前記第２のＮＡＮＤ型セルの他方の端子は、前記ソース線に接続されたＮＡＮＤ型不揮発性メモリのデータ消去方法であって、
前記第１のＮＡＮＤ型セルにおけるいずれか一の前記不揮発性メモリ及び前記第２のＮＡＮＤ型セルにおけるいずれか一の前記不揮発性メモリにおける前記電荷蓄積層に格納された電荷の放出は、前記第１のＮＡＮＤ型セルにおける前記一の前記不揮発性メモリ及び前記第２のＮＡＮＤ型セルにおける前記一の前記不揮発性メモリにおけるソース端子、ドレイン端子に第１の電位を印加し、且つ前記第１のＮＡＮＤ型セルの前記一の前記不揮発性メモリの前記制御ゲートと、前記第２のＮＡＮＤ型セルの前記一の前記不揮発性メモリの前記制御ゲートに第２の電位を印加し、前記第１のＮＡＮＤ型セルの他の前記不揮発性メモリ及び前記第２のＮＡＮＤ型セルの他の前記不揮発性メモリの前記制御ゲートには第３電位を印加することにより行われることを特徴とするＮＡＮＤ型不揮発性メモリのデータ消去方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記不揮発性メモリはＮチャネル型であり、前記第２の電位は前記第３の電位よりも低いことを特徴とするＮＡＮＤ型不揮発性メモリのデータ消去方法。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記不揮発性メモリはＰチャネル型であり、前記第２の電位は前記第３の電位よりも高いことを特徴とするＮＡＮＤ型不揮発性メモリのデータ消去方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記電荷蓄積層は、ゲルマニウムを含む材料で構成されることを特徴とするＮＡＮＤ型不揮発性メモリのデータ消去方法。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記電荷蓄積層は、シリコン及びゲルマニウムを含む窒化物を含む材料で構成されることを特徴とするＮＡＮＤ型不揮発性メモリのデータ消去方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月2日(2010.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直列に電気的に接続された複数のメモリ素子を含むＮＡＮＤセルを有し、
前記複数のメモリ素子はそれぞれ、チャネル形成領域、ソース領域、ドレイン領域、浮遊ゲート及び制御ゲートを有し、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域として機能する第１の不純物領域は、第２の不純物領域を介して、消去線に電気的に接続され、
前記第１の不純物領域と前記第２の不純物領域はＰＮ接合を形成していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記チャネル形成領域、前記第１の不純物領域及び前記第２の不純物領域は、１つの島状の半導体膜に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
直列に電気的に接続された複数のメモリ素子を含むＮＡＮＤセルを有し、
前記複数のメモリ素子はそれぞれ、チャネル形成領域、ソース領域、ドレイン領域、浮遊ゲート及び制御ゲートを有し、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域として機能する第１の不純物領域は、半導体領域及び第２の不純物領域を介して、消去線に電気的に接続され、
前記第１の不純物領域、前記半導体領域及び前記第２の不純物領域はＰＩＮ接合を形成していることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記チャネル形成領域、前記第１の不純物領域、前記半導体領域及び前記第２の不純物領域は、１つの島状の半導体膜に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の不純物領域は高濃度不純物領域であり、
前記第２の不純物領域は低濃度不純物領域であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の不純物領域は高濃度不純物領域であり、
前記第２の不純物領域は低濃度不純物領域であり、
前記高濃度不純物領域の導電型は、前記低濃度不純物領域の導電型とは異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記複数のメモリ素子のそれぞれの前記制御ゲートはワード線に電気的に接続され、
前記複数のメモリ素子のそれぞれの前記ソース領域及び前記ドレイン領域の一方は、第１の選択トランジスタを介してソース線に電気的に接続され、
前記複数のメモリ素子のそれぞれの前記ソース領域及び前記ドレイン領域の他方は、第２の選択トランジスタを介してビット線に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記複数のメモリ素子は、絶縁表面上に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記複数のメモリ素子は、ＳＯＩ基板を用いて形成されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月11日(2010.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の表面付近にそれぞれ形成され、可変抵抗状態を保存する複数の抵抗層と、
前記複数の抵抗層下の前記半導体基板部分にそれぞれ形成され、前記複数の抵抗層とそれぞれ連結された複数の埋め込み電極と、
隣接する前記複数の抵抗層間を連結し、隣接する前記複数の下部電極を連結しないように、前記半導体基板の表面付近に形成された複数のチャネル領域と、
前記半導体基板のチャネル領域上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記複数の抵抗層上を横切って伸張しているゲート電極とを備えることを特徴とする不揮発性メモリ素子。
【請求項２】
前記抵抗層は、両端に印加された電圧により、その抵抗状態が変わる物質を有することを特徴とする請求項１に記載の不揮発性メモリ素子。
【請求項３】
前記抵抗層は、Ｎｂ２Ｏ５、ＣｒドーピングされたＳｒＴｉＯ３、ＺｒＯｘ、ＧＳＴ（ＧｅＳｂｘＴｅｙ）、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ２及びＨｆＯからなる群から選択された少なくとも一つをそれぞれ含むことを特徴とする請求項２に記載の不揮発性メモリ素子。
【請求項４】
前記ゲート絶縁膜は、前記複数の抵抗層上を横切るように伸張していることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性メモリ素子。
【請求項５】
前記複数の埋め込み電極とそれぞれ連結された複数のビットラインを、前記半導体基板上にさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性メモリ素子。
【請求項６】
前記複数のビットラインは、前記ゲート電極と異なる方向に伸張していることを特徴とする請求項５に記載の不揮発性メモリ素子。
【請求項７】
前記複数のビットラインは、前記ゲート電極上に層間絶縁膜を介在して形成されたことを特徴とする請求項５に記載の不揮発性メモリ素子。
【請求項８】
前記複数の埋め込み電極は、前記半導体基板の一部分を不純物でドーピングしてそれぞれ形成されたことを特徴とする請求項１に記載の不揮発性メモリ素子。
【請求項９】
前記半導体基板は、第１導電型の不純物でドーピングされ、前記複数の埋め込み電極は、第２導電型の不純物でドーピングしてそれぞれ形成されたことを特徴とする請求項８に記載の不揮発性メモリ素子。
【請求項１０】
前記半導体基板は、臨界電圧以上が印加された場合にのみ、電気伝導性を表す金属・絶縁膜転移物質から形成されたことを特徴とする請求項１に記載の不揮発性メモリ素子。
【請求項１１】
前記複数の埋め込み電極は、金属層または金属シリサイド層を含むことを特徴とする請求項１に記載の不揮発性メモリ素子。
【請求項１２】
ゲート、ソース及びドレインを含む制御素子と、
一端が前記制御素子のソースに連結され、可変抵抗状態を保存することができる第１抵抗ノードと、
一端が前記制御素子のドレインに連結され、可変抵抗状態を保存することができる第２抵抗ノードをそれぞれ備え、マトリックス状に配列された複数の単位セルと、
前記複数の単位セルのうち、同じ行に配列された単位セルの前記制御素子のゲートに共通に連結されるように、複数の行に配置された複数のワードラインと、
前記複数の単位セルのうち、隣接する２列に配列された単位セルの隣接する前記第１抵抗ノードの他の端及び前記第２抵抗ノードの他の端に共通に連結されるように、複数の列に配列された複数のビットラインとを備えることを特徴とする不揮発性メモリ素子。
【請求項１３】
前記第１抵抗ノード及び第２抵抗ノードは、両端に印加された電圧により、その抵抗状態が変わる物質を有することを特徴とする請求項１２に記載の不揮発性メモリ素子。
【請求項１４】
前記第１抵抗ノード及び第２抵抗ノードは、Ｎｂ２Ｏ５、ＣｒドーピングされたＳｒＴｉＯ３、ＺｒＯｘ、ＧＳＴ（ＧｅＳｂｘＴｅｙ）、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ２及びＨｆＯからなる群から選択された少なくとも一つをそれぞれ含むことを特徴とする請求項１３に記載の不揮発性メモリ素子。
【請求項１５】
前記制御素子は、ＭＯＳ電界効果トランジスタであることを特徴とする請求項１２に記載の不揮発性メモリ素子。
【請求項１６】
前記複数の単位セルのうち、同じ行に配列された隣接した２単位セルの隣接した前記第１抵抗ノードの他の端及び前記第２抵抗ノードの他の端は、互いに直接連結されたことを特徴とする請求項１２に記載の不揮発性メモリ素子。
【請求項１７】
複数の単位層構造が複数の層に積層され、前記複数の単位層構造のそれぞれは、
半導体基板と、
前記半導体基板の表面付近にそれぞれ形成され、可変抵抗状態を保存する複数の抵抗層と、
前記複数の抵抗層下の前記半導体基板部分にそれぞれ形成され、前記複数の抵抗層とそれぞれ連結された複数の埋め込み電極と、
隣接する前記複数の抵抗層間を連結し、隣接する前記複数の下部電極を連結しないように、前記半導体基板の表面付近に形成された複数のチャネル領域と、
前記半導体基板のチャネル領域上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記複数の抵抗層上を横切って伸張しているゲート電極とを備えることを特徴とする不揮発性メモリ素子。
【請求項１８】
前記複数の単位層構造それぞれの前記抵抗層は、両端に印加された電圧により、その抵抗状態が変わることを特徴とする請求項１７に記載の不揮発性メモリ素子。
【請求項１９】
前記複数の単位層構造それぞれの前記抵抗層は、Ｎｂ２Ｏ５、ＣｒドーピングされたＳｒＴｉＯ３、ＺｒＯｘ、ＧＳＴ（ＧｅＳｂｘＴｅｙ）、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ２及びＨｆＯからなる群から選択された少なくとも一つをそれぞれ含むことを特徴とする請求項１８に記載の不揮発性メモリ素子。
【請求項２０】
前記複数の単位層構造のうち、第１層の単位層構造の前記半導体基板は、シリコンウェーハを有し、第２層以上の単位層構造の前記半導体基板は、金属・絶縁体転移物質を有することを特徴とする請求項１７に記載の不揮発性メモリ素子。
【請求項２１】
前記複数の単位層構造の前記半導体基板は互いに連結され、前記複数の単位層構造の前記ゲート電極は、互いに連結されたことを特徴とする請求項１７に記載の不揮発性メモリ素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】不揮発性メモリ素子
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月28日(2009.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ．高温超伝導体により被覆されたテープ導体（１１，４１，５１，６１，７１）と、
ｂ．前記テープ導体（１１，４１，５１，６１，７１）を保持する少なくとも１つの取付エレメント（１２，４２，５２，６２，７２）と、
を有し、前記少なくとも１つの取付エレメントが前記テープ導体を、実質的に１以上の縁領域のみにおいて前記テープの主表面が前記取付エレメントと接触し得ないように保持するような限流器であって、
ｃ．前記取付エレメント（１２，４２，５２，６２，７２）が窪んだ形状を有し、前記テープ導体（１１，４１，５１，６１，７１）が前記窪んだ形状の内部に延在する、
ことを特徴とする限流器。
【請求項２】
請求項１に記載の限流器において、前記取付エレメント（１２，４２，５２，６２，７２）の窪んだ形状が、前記テープ（１１，４１，５１，６１，７１）に面する側において凹状断面の少なくとも１つの区域を呈するような限流器。
【請求項３】
請求項２に記載の限流器において、前記テープ導体（１１，４１，５１，６１，７１）が幅ｗを有し、前記窪んだ形状が平均曲率半径ｒを有し、０.５ｗ≦ｒ≦１０ｗであるような限流器。
【請求項４】
請求項１ないし３の何れか一項に記載の限流器において、前記取付エレメントが、前記テープの少なくとも１つの区域が延伸して貫通する窪んだ断面を有するチューブ（４２）又は板の凹み（４２）若しくは開口（６２）であるような限流器。
【請求項５】
請求項１ないし４の何れか一項に記載の限流器において、前記テープ導体が、該テープ導体の縁領域においてテープ導体の幅ｗの５％ないし５０％の間隙を意味する遊びで、前記取付エレメント（１２，４２，５２，６２，７２）により保持されるような限流器。
【請求項６】
請求項１ないし５の何れか一項に記載の限流器において、前記取付エレメントが前記テープ導体に対してバネ負荷が掛けられた当接を有するような限流器。
【請求項７】
請求項１ないし６の何れか一項に記載の限流器において、
ａ．テープ導体（１１，４１，５１，６１，７１）が、少なくとも２つの隣接するテープ区域（１００）を伴う少なくとも１つの領域を有し、
ｂ．前記テープ導体（１１，４１，５１，６１，７１）の隣接するテープ導体区域（１００）のお互いの距離が、前記テープ導体（１１，４１，５１，６１，７１）のテープ幅の１０％より大きい、
限流器。
【請求項８】
請求項７に記載の限流器において、前記テープ導体（１１，４１，５１，６１，７１）が、コイル状、螺旋状、または蛇行体状の形状を有するような限流器。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月19日(2010.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極、陰極、及び、前記陽極及び前記陰極間に形成されたヒューズリンクとを含むポリシリコン層であって、ヒューズリンクは第１不純物濃度を有するドーピング第１ポリシリコン領域と、前記第１不純物濃度よりもさらに濃度の高い第２不純物濃度を有するドーピング第２ポリシリコン領域とを含むポリシリコン層と、
前記ポリシリコン層上に形成された導電層であって、前記導電層の厚さは、前記ヒューズリンク上の部位に応じて変化しており、前記ドーピング第１ポリシリコン領域上の導電層部分は第１厚さを有し、前記ドーピング第２ポリシリコン領域上の導電層部分は前記第１厚さより薄い第２厚さを有する導電層を含むことを特徴とする半導体集積ヒューズヒューズ装置。
【請求項２】
前記ドーピング第１ポリシリコン領域はｐ型またはｎ型不純物でドーピングされ、前記ドーピング第２ポリシリコン領域はｐ型またはｎ型不純物でドーピングされることを特徴とする請求項１に記載の半導体集積ヒューズ装置。
【請求項３】
前記ドーピング第２ポリシリコン領域は電気的に中性にドーピングされたポリシリコン領域であって、前記ドーピング第１ポリシリコン領域はｎ型不純物またはｐ型不純物を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体集積ヒューズ装置。
【請求項４】
前記ヒューズリンクは前記ドーピング第２ポリシリコン領域の前記第２不純物濃度よりも濃度の低い第３不純物濃度を有するドーピング第３ポリシリコン領域をさらに含み、前記ドーピング第２ポリシリコン領域は前記ドーピング第１ポリシリコン領域及び前記ドーピング第３ポリシリコン領域間に配置されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体集積ヒューズ装置。
【請求項５】
前記ヒューズリンクは非ドーピング第４ポリシリコン領域を含み、前記非ドーピング第４ポリシリコン領域上の導電層の部分は前記第１厚さ及び前記第２厚さよりさらに厚い第４厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体集積ヒューズ装置。
【請求項６】
前記ヒューズリンクは前記第１不純物濃度よりも濃度の高い第５不純物濃度を有するドーピング第５ポリシリコン領域を含み、前記ドーピング第１ポリシリコン領域は前記ドーピング第２ポリシリコン領域及び前記ドーピング第５ポリシリコン領域間に配置されて、前記ドーピング第５ポリシリコン領域上の前記導電層の部分は前記第１厚さより薄い前記第５厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体集積ヒューズ装置。
【請求項７】
前記ドーピング第２ポリシリコン領域は前記陽極と前期陰極間の前記ヒューズリンクのセンター領域に配置されることを特徴とする請求項１に記載の半導体集積ヒューズ装置。
【請求項８】
前記陽極の幅ＷＡと前記陰極の幅ＷＣは前記ヒューズラインの幅ＷＦよりそれぞれ広いことを特徴とする請求項１に記載の半導体集積ヒューズ装置。
【請求項９】
前記導電層は金属シリサイド層であることを特徴とする請求項１に記載の半導体集積ヒューズ装置。
【請求項１０】
前記陰極はｎ型不純物でドーピングされたポリシリコンであって、前記陽極はｐ型不純物でドーピングされたポリシリコンであることを特徴とする請求項１に記載の半導体集積ヒューズ装置。
【請求項１１】
陽極と陰極、前記陽極と前記陰極間を連結するヒューズリンクを含むポリシリコン層と、
前記ポリシリコン層上に形成された導電層を含み、
前記ヒューズリンク上に形成された前記導電層の第１部分は第１厚さＴ１を有し、
前記ヒューズリンク上に形成された前記導電層の第２部分は第２厚さＴ２を有し、
前記Ｔ２はＴ１より薄く、前記導電層の第２部分は、ヒュージングイベントが開始されて前記集積ヒューズ装置をプログラムする高低抗領域を提供することを特徴とする半導体集積ヒューズ装置。
【請求項１２】
半導体基板上にポリシリコン層を形成するが、前記ポリシリコン層は陽極、陰極、及び前記陽極と前記陰極間に形成されたヒューズリンクを含み、
前記ヒューズリンク内に第１不純物濃度を有するドーピング第１ポリシリコン領域を形成して、
前記ヒューズリンク内に前記第１不純物濃度よりも濃度の高い第２不純物濃度を有するドーピング第２ポリシリコン領域を形成して、
前記ポリシリコン領域上に導電層を形成するが、前記導電層の厚さは、前記ヒューズリンク上の部位に応じて変化しており、前記ドーピング第１ポリシリコン領域上の前記導電層の部分は第１厚さを有して、前記ドーピング第２ポリシリコン領域上の前記導電層の部分は前記第１厚さより薄い第２厚さを有するように形成することを含むことを特徴とする半導体集積ヒューズ装置の形成方法。
【請求項１３】
半導体基板上にポリシリコン層を形成するが、前記ポリシリコン層は陽極、陰極、及び前記陽極と前記陰極間に形成されたヒューズリンクを含むポリシリコン層を形成して、
前記ポリシリコン層上に導電層を形成するが、前記ヒューズリンク上の前記導電層の第１部分は第１厚さＴ１を有するように形成されて、前記ヒューズリンク上の前記導電層の第２部分は第２厚さＴ２を有するように形成されて、Ｔ２はＴ１より低いように形成されて前記導電層の第２部分は、ヒュージングイベントが開始されて前記集積ヒューズ装置をプログラムする高低抗領域を提供することを特徴とする半導体集積ヒューズ装置の形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月16日(2010.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内に上下に対向する高周波電極を有し、それらの高周波電極の少なくともいずれかの高周波電極に高周波電力を供給し処理容器内にプラズマを生成して、基板を処理するプラズマ処理装置であって、
前記処理容器内に設置され、前記処理容器の上下方向の中心軸に対し周方向に向かう磁界の時間変化量を検出するプローブと、
前記プローブによる前記磁界の時間変化量の検出結果に基づいて、前記高周波電力の供給によりプラズマ内を通過する高周波電流量を算出する算出部と、を有することを特徴とする、プラズマ処理装置。
【請求項２】
前記プローブは、コイル状に形成され、そのコイルの軸が前記処理容器の中心軸周りの前記周方向に向けられていることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記プローブは、前記磁界の時間変化量として前記コイルに生じる誘導起電力を検出し、
前記算出部は、前記誘導起電力から前記高周波電流量を算出することを特徴とする、請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記プローブは、前記処理容器の側壁部から１５〜２５ｍｍの位置に設けられていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記プローブは、絶縁体のカバーによって覆われていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記プローブは、生成されたプラズマに面した部材内に埋め込まれていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記プローブは、前記処理容器の壁部内に埋め込まれていることを特徴とする、請求項６に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記プローブは、前記処理容器内で上下のいずれかの高周波電極に保持された基板の外周を囲む環状部材内に埋め込まれていることを特徴とする、請求項６に記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記磁界の時間変化量の検出と前記高周波電流量の算出を基板の処理中に行い、その算出された前記高周波電流量と予め設定された高周波電流量の閾値に基づいて、基板の処理を停止させる制御部を有することを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
算出された前記高周波電流量に基づいて、前記高周波電力の出力を調整する調整部を有することを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１１】
処理容器内に上下に対向する高周波電極を有し、それらの高周波電極の少なくともいずれかの高周波電極に高周波電力を供給し処理容器内にプラズマを生成して、基板を処理するプラズマ処理装置であって、
前記高周波電力の供給により前記処理容器に供給される高周波電流量を検出する検出部と、
前記検出部で検出される前記高周波電流量が一定になるように、前記高周波電力を制御する制御部と、を有することを特徴とする、プラズマ処理装置。
【請求項１２】
前記検出部は、前記処理容器内に設定されたプローブであることを特徴とする、請求項１１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１３】
前記高周波電極に高周波電力を供給する高周波電源を有し、
前記検出部は、前記高周波電源の出力部位に設置されることを特徴とする、請求項１１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１４】
前記高周波電極に前記高周波電力を供給する高周波電源と、前記高周波電極と前記高周波電源との間にある整合器と、を有し、
前記検出部は、前記整合器の出力部位に設置されることを特徴とする、請求項１１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１５】
処理容器内に上下に対向する高周波電極を有し、それらの高周波電極の少なくともいずれかの高周波電極に高周波電力を供給し処理容器内にプラズマを生成して、基板を処理するプラズマ処理装置であって、
前記プラズマ処理を行うための複数の設定値が予め記憶されている設定記憶部を有し、
前記設定記憶部は、前記設定値として高周波電流量の値を有することを特徴とする、プラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月26日(2010.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向して配置されている陽極および陰極と、前記陽極と前記陰極の間に形成されている発光層と、前記陰極と前記発光層の間に形成されている電子注入輸送層と、を有し、
前記電子注入輸送層は、電子輸送材料と、電子注入ドーパント材料としてアルカリ金属あるいはアルカリ金属化合物、を含む有機発光素子において、
前記電子注入輸送層は、前記発光層側から順に、第１領域と、第２領域と、第３領域と、を有し、
前記第１領域と前記第２領域における前記電子注入ドーパント材料の濃度は異なっており、前記第２領域及び前記第３領域における前記電子注入ドーパント材料の濃度が異なっており、
前記第２領域の前記電子注入ドーパント材料の濃度は、前記第１領域および前記第３領域の前記電子注入ドーパント材料の濃度よりも高いことを特徴とする有機発光素子。
【請求項２】
前記電子注入ドーパント材料の濃度は、前記第１領域では０．０１重量％以下であり、前記第２領域では４重量％以上６重量％以下であり、前記第３領域では０．１重量％以上１．０重量％以下であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項３】
前記電子注入層は、前記第３領域と前記陰極との間に第４領域を有しており、
前記第４領域の前記電子注入ドーパント材料の濃度は、前記第３領域の前記電子注入ドーパント材料の濃度よりも高いことを特徴とする請求項１または請求項２のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項４】
前記電子注入ドーパント材料の濃度は、前記第４領域では４重量％以上６重量％以下であることを特徴とする請求項３に記載の有機発光素子。
【請求項５】
前記電子注入輸送層の前記第２領域の厚みは、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【請求項６】
前記電子注入ドーパント材料は炭酸セシウムであることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の有機発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の有機発光素子は、上述した目的を達成するため、以下の特徴点を有している。すなわち、本発明の有機発光素子は、互いに対向して配置されている陽極および陰極と、前記陽極と前記陰極の間に形成されている発光層と、前記陰極と前記発光層の間に形成されている電子注入輸送層と、を有し、
前記電子注入輸送層は、電子輸送材料と、電子注入ドーパント材料としてアルカリ金属あるいはアルカリ金属化合物、を含む有機発光素子において、
前記電子注入輸送層は、前記発光層側から順に、第１領域と、第２領域と、第３領域と、を有し、
前記第１領域と前記第２領域における前記電子注入ドーパント材料の濃度は異なっており、前記第２領域及び前記第３領域における前記電子注入ドーパント材料の濃度が異なっており、
前記第２領域の前記電子注入ドーパント材料の濃度は、前記第１領域および前記第３領域の前記電子注入ドーパント材料の濃度よりも高いことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月19日(2010.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長手方向に延在または配列された塗液を吐出する吐出口を具備した塗布器の少なくとも吐出口面およびそれに隣接する面（以下、これを総称して洗浄面という。）を洗浄してから被塗布部材への塗布を行う塗布方法であって、複数の洗浄液流出口を有する洗浄機と、複数の気体噴出口を有する気体噴出器を前記塗布器の長手方向に並べて配置するとともに、洗浄機と気体噴出器を長手方向に走査させつつ、洗浄機から該隣接面に向けて洗浄液を供給し、続いて前記気体噴出器から該隣接面に向けて気体を噴出させて、洗浄面の洗浄をしてから、塗布器の吐出口から塗布液を吐出し、次いで塗布器の洗浄面に係合する清掃部材を塗布器の長手方向に摺動させて洗浄面の初期化を行い、その後に被塗布部材への塗布を行うことを特徴とする塗布方法。
【請求項２】
長手方向に延在または配列された塗液を吐出する吐出口を具備した塗布器の少なくとも吐出口面およびそれに隣接する面（以下、これを総称して洗浄面という。）を洗浄するために、前記塗布器の長手方向に移動しながら洗浄液を隣接面に供給する複数の洗浄液流出口を有する洗浄機と、気体を噴出する複数の気体噴出口を有する気体噴出器と、を備えた洗浄ヘッドを有する洗浄装置であって、前記洗浄機と気体噴出器は塗布器の長手方向に直列状に並んで配置され、かつ洗浄液と気体が前記隣接面に向けて所定の吐出角度で吐出されるよう前記洗浄液流出口に至る洗浄液流出流路と、気体噴出口に至る気体噴出流路が、吐出角度に応じて水平線に対して傾斜して配置されており、さらに前記洗浄液流出口は洗浄機の同一面上で、また前記気体噴出口は気体噴出器の同一面上で、それぞれ複数個長手方向に配置されているとともに、洗浄機と気体噴出器の最下方部に、除去された洗浄液と気体が通過する排出口が長手方向に伸びるように配置されていることを特徴とする塗布器の洗浄装置。
【請求項３】
前記複数の洗浄液流出口及び／または気体噴出口が、千鳥配置されており、少なくとも２つの洗浄液流出口及び／または気体噴出口から洗浄液及び／または気体が、前記塗布器の前記隣接面に向けて異なる吐出角度で吐出されるよう、前記洗浄液流出口に至る洗浄液流出流路と、気体噴出口に至る気体噴出流路が、前記吐出角度に応じて水平線に対して傾斜して配置されていることを特徴とする請求項２に記載の塗布器の洗浄装置。
【請求項４】
前記塗布器の長手方向に直列状に並んで配置された前記洗浄機と気体噴出器が一体に構成され、その間に溝を設けたことを特徴とする請求項２または３に記載の塗布器の洗浄装置。
【請求項５】
前記洗浄液と気体の両方を同時に吐出しながら、かつ走査方向に対して洗浄液が気体よりも先行して前記塗布器の隣接面に付着するように洗浄機と気体噴出器を前記塗布器の長手方向に走査させて洗浄を行わせる制御手段をさらに備えることを特徴とする請求項２〜４のいずれかに記載の塗布器の洗浄装置。
【請求項６】
塗布液を吐出する吐出口を有する塗布器と、塗布器に塗布液を供給する塗布液供給装置と、被塗布部材を吸着保持する載置台と、塗布器と被塗布部材を相対移動させる移動手段と、を備えた塗布装置であって、さらに請求項２〜５のいずれかに記載の洗浄装置と、該洗浄装置による塗布器の洗浄面の洗浄後に、塗布器の洗浄面に係合する清掃部材を塗布器の長手方向に摺動させて塗布器の洗浄面の初期化を行う拭き取り装置と、を備えたことを特徴とする塗布装置。
【請求項７】
請求項１に記載の塗布方法を用いて液晶ディスプレイ用部材を製造することを特徴とする液晶ディスプレイ用部材の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】塗布器の洗浄装置、塗布方法及び塗布装置、ならびに液晶ディスプレイ用部材の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明になる塗布方法は、長手方向に延在または配列された塗液を吐出する吐出口を具備した塗布器の少なくとも吐出口面およびそれに隣接する面（以下、これを総称して洗浄面という。）を洗浄してから被塗布部材への塗布を行う塗布方法であって、複数の洗浄液流出口を有する洗浄機と、複数の気体噴出口を有する気体噴出器を前記塗布器の長手方向に並べて配置するとともに、洗浄機と気体噴出器を長手方向に走査させつつ、洗浄機から該隣接面に向けて洗浄液を供給し、続いて前記気体噴出器から該隣接面に向けて気体を噴出させて、洗浄面の洗浄をしてから、塗布器の吐出口から塗布液を吐出し、次いで塗布器の洗浄面に係合する清掃部材を塗布器の長手方向に摺動させて洗浄面の初期化を行い、その後に被塗布部材への塗布を行うことを特徴とする。
本発明になる塗布器の洗浄装置は、長手方向に延在または配列された塗液を吐出する吐出口を具備した塗布器の少なくとも吐出口面およびそれに隣接する面（以下、これを総称して洗浄面という。）を洗浄するために、前記塗布器の長手方向に移動しながら洗浄液を隣接面に供給する複数の洗浄液流出口を有する洗浄機と、気体を噴出する複数の気体噴出口を有する気体噴出器と、を備えた洗浄ヘッドを有する洗浄装置であって、前記洗浄機と気体噴出器は塗布器の長手方向に直列状に並んで配置され、かつ洗浄液と気体が前記隣接面に向けて所定の吐出角度で吐出されるよう前記洗浄液流出口に至る洗浄液流出流路と、気体噴出口に至る気体噴出流路が、吐出角度に応じて水平線に対して傾斜して配置されており、さらに前記洗浄液流出口は洗浄機の同一面上で、また前記気体噴出口は気体噴出器の同一面上で、それぞれ複数個長手方向に配置されているとともに、洗浄機と気体噴出器の最下方部に、除去された洗浄液と気体が通過する排出口が長手方向に伸びるように配置されていることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明になる塗布装置は、塗布液を吐出する吐出口を有する塗布器と、塗布器に塗布液を供給する塗布液供給装置と、被塗布部材を吸着保持する載置台と、塗布器と被塗布部材を相対移動させる移動手段と、を備えた塗布装置であって、さらに請求項２〜５のいずれかに記載の洗浄装置と、該洗浄装置による塗布器の洗浄面の洗浄後に、塗布器の洗浄面に係合する清掃部材を塗布器の長手方向に摺動させて塗布器の洗浄面の初期化を行う拭き取り装置と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明になる液晶ディスプレイ用部材の製造方法は、請求項１に記載の塗布方法を用いて液晶ディスプレイ用部材を製造することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月8日(2010.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された半導体層と、
前記半導体層の上方に第１の絶縁層を介して設けられた電荷蓄積層と、
前記電荷蓄積層の上方に第２の絶縁層を介して設けられたゲート電極と、を有し、
前記半導体層は、
前記ゲート電極と重なる領域に設けられたチャネル形成領域と、
前記チャネル形成領域と隣接して設けられたソース領域又はドレイン領域を形成する第１の不純物領域と、
前記チャネル形成領域及び前記第１の不純物領域と隣接して設けられた第２の不純物領域と、を有し、
前記第１の不純物領域と前記第２の不純物領域は導電型が異なることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】
基板上に形成された半導体層と、
前記半導体層の上方に第１の絶縁層を介して設けられた電荷蓄積層と、
前記電荷蓄積層の上方に第２の絶縁層を介して設けられたゲート電極と、を有し、
前記半導体層は、
前記ゲート電極と重なる領域に設けられたチャネル形成領域と、
前記チャネル形成領域と隣接して設けられたソース領域又はドレイン領域を形成する第１の不純物領域と、
前記チャネル形成領域及び前記第１の不純物領域と隣接して設けられた第２の不純物領域と、を有し、
前記第１の不純物領域と前記第２の不純物領域は導電型が異なり、
前記第２の不純物領域は少なくとも前記半導体層の端部であって前記ゲート電極と重なる領域に設けられていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記電荷蓄積層の端部は、前記半導体層と前記ゲート電極が重なる領域であって、前記第２の不純物領域上に配置していることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記電荷蓄積層は、窒素を含む絶縁層であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記ゲート電極は、窒素を含む導電層であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の不純物領域はｎ型の導電型であり、前記第２の不純物領域はｐ型の導電型であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項７】
基板上に半導体層を形成し、
高密度プラズマ処理により、前記半導体層上に酸素と窒素の一方又は両方を含む第１の絶縁層を形成し、
前記半導体層に第１の不純物元素を導入して、第１の不純物領域を選択的に形成し、
前記第１の絶縁層上に電荷蓄積層を形成し、
前記電荷蓄積層上に第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層上にゲート電極を選択的に形成し、
前記半導体層に設けられた前記第１の不純物領域を覆うようにレジストを選択的に形成し、
前記ゲート電極及び前記レジストをマスクとして前記第１の不純物元素と導電型が異なる第２の不純物元素を前記半導体層に導入して、前記半導体層にソース領域又はドレイン領域を形成する第２の不純物領域を形成することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記第１の絶縁層は、前記半導体層に酸素を含む雰囲気下で前記高密度プラズマ処理を行った後に、窒素を含む雰囲気下で前記高密度プラズマ処理を行うことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の作製方法。
【請求項９】
基板上に半導体層を形成し、
前記半導体層の端部を覆うように第１の絶縁層を形成し、
高密度プラズマ処理により、前記半導体層上に酸素と窒素の一方又は両方を含む第２の絶縁層を形成し、
前記半導体層に第１の不純物元素を導入して、第１の不純物領域を選択的に形成し、
前記第２の絶縁層上に電荷蓄積層を形成し、
前記電荷蓄積層上に第３の絶縁層を形成し、
前記第３の絶縁層上にゲート電極を選択的に形成し、
前記半導体層に設けられた前記第１の不純物領域を覆うようにレジストを選択的に形成し、
前記ゲート電極及び前記レジストをマスクとして前記第１の不純物元素と導電型が異なる第２の不純物元素を前記半導体層に導入して、前記半導体層にソース領域又はドレイン領域を形成する第２の不純物領域を形成することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項９において、
前記第２の絶縁層は、前記半導体層に酸素を含む雰囲気下で前記高密度プラズマ処理を行った後に、窒素を含む雰囲気下で前記高密度プラズマ処理を行うことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の作製方法。