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【手続補正書】
【提出日】平成22年4月21日(2010.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水晶基板のカット面および弾性波伝搬方向をオイラー角表示で（０°，θ，ψ）とするとき、ψが約＋９０度または約−９０度である前記水晶基板に少なくとも一つのＩＤＴ電極を配置してなるＳＨ型バルク波共振子であって、
前記ＩＤＴ電極がアルミニウムであって、
オイラー角表示の前記角度θが０°≦θ≦９５°または１５１°≦θ≦１８０°であり、
前記水晶基板の厚みをｔ、前記弾性波の波長をλとしたとき、規格化基板厚みｔ/λがｔ/λ≦４であることを特徴とするＳＨ型バルク波共振子。
【請求項２】
請求項１に記載のＳＨ型バルク波共振子において、
前記規格化基板厚みｔ/λがｔ/λ≦１．２７５であって、
前記ＩＤＴ電極の膜厚をＨとしたときの規格化電極厚みＨ/λが０．０００１≦Ｈ/λ＜０．０４であって、かつオイラー角表示の前記角度θが次式、
１１６．６６７×（Ｈ/λ）2−２８．８３３×（Ｈ/λ）＋３９．３≦θ≦８０．００×（Ｈ/λ）2−２５．６×（Ｈ/λ）＋４０．１４
を満足することを特徴とするＳＨ型バルク波共振子。
【請求項３】
請求項１に記載のＳＨ型バルク波共振子において、
前記規格化基板厚みｔ/λがｔ/λ＞０、前記ＩＤＴ電極の膜厚をＨとしたときの規格化電極厚みＨ/λが０．０４≦Ｈ/λ≦０．０５であって、かつオイラー角のθが次式、
１１６．６６７×（Ｈ/λ）2−２８．８３３×（Ｈ/λ）＋３９．３≦θ≦８０．００×（Ｈ/λ）2−２５．６×（Ｈ/λ）＋４０．１４
を満足することを特徴とするＳＨ型バルク波共振子。
【請求項４】
請求項１に記載のＳＨ型バルク波共振子において、
前記規格化基板厚みｔ/λがｔ/λ≦４、前記ＩＤＴ電極の膜厚をＨとしたときの規格化電極厚みＨ/λがＨ/λ≦０．０５であって、かつオイラー角のθが次式、
１１６．６６７×（Ｈ/λ）2−２８．８３３×（Ｈ/λ）＋３９．３≦θ≦８０．００×（Ｈ/λ）2−２５．６×（Ｈ/λ）＋４０．１４
を満足することを特徴とするＳＨ型バルク波共振子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明では、前記規格化基板厚みｔ/λがｔ/λ＞０、前記ＩＤＴ電極の膜厚をＨとしたときの規格化電極厚みＨ/λが０．０４≦Ｈ/λ≦０．０５であって、かつオイラー角のθが次式、１１６．６６７×（Ｈ/λ）2−２８．８３３×（Ｈ/λ）＋３９．３≦θ≦８０．００×（Ｈ/λ）2−２５．６×（Ｈ/λ）＋４０．１４を満足することが望ましい。また、ある実施形態では、前記規格化基板厚みｔ/λがｔ/λ≦４、前記ＩＤＴ電極の膜厚をＨとしたときの規格化電極厚みＨ/λがＨ/λ≦０．０５であって、かつオイラー角のθが次式、１１６．６６７×（Ｈ/λ）2−２８．８３３×（Ｈ/λ）＋３９．３≦θ≦８０．００×（Ｈ/λ）2−２５．６×（Ｈ/λ）＋４０．１４を満足することが望ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月6日(2010.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シクロヘキサンを酸化剤で酸化して、シクロヘキサノール及びシクロヘキサノンを含む生成物混合物を得る方法であって、
下端に底部領域、上端に頂部領域、及び底部領域と頂部領域との間に反応区域を有し、１０〜１００の理論段数の分離性能を有する精留塔において、塔の棚段での反応混合物の平均滞留時間を１〜１２０分間とし、及び精留塔の上部区域の理論段数０〜５０により、酸化を行う工程、
反応区域において、反応混合物を沸騰状態に維持する工程、及び
酸化剤を少なくとも２つの副流で反応区域に導入する工程、
を含み、
反応区域を離れた未転化のシクロヘキサンを反応区域に再循環させ、酸化剤として分子状酸素を含有するガスを用い、生成物を含有する反応混合物を反応区域の下方で回収し、反応混合物を精留塔の底部領域において連続的に回収し、未転化のシクロヘキサン及び水を頂部領域で連続的に除去し、シクロヘキサンと水を分離し、これにより得られたシクロヘキサンを精留塔の上部領域に還流することを特徴とする方法。
【請求項２】
酸化を触媒の存在下に行う請求項１に記載の方法。
【請求項３】
酸化により水が副生し、この水が酸化中に、精留塔の反応区域又は頂部領域から回収される請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
１０〜３００℃の範囲の温度で行われ、その温度が反応区域で測定されている請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
シクロヘキサンを、酸化剤を含む循環ガスで酸化する請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
精留塔において、酸化剤及びシクロヘキサンから選択された高沸点反応剤の供給部を、酸化剤及びシクロヘキサンから選択された低沸点反応剤の供給部よりも上方に設ける請求項１〜５のいずれか1項の記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明等は、上記目的が、シクロヘキサン（出発材料）を酸化剤で酸化して、シクロヘキサノール及びシクロヘキサノンを含む生成物混合物を得る方法であって、
下端に底部領域、上端に頂部領域、及び底部領域と頂部領域との間に反応区域を有し、１０〜１００の理論段数の分離性能を有する精留塔において、塔の棚段での反応混合物の平均滞留時間を１〜１２０分間とし、及び精留塔の上部区域の理論段数０〜５０により、酸化を行う工程、
反応区域において、反応混合物を沸騰状態に維持する工程、及び
酸化剤を少なくとも２つの副流で反応区域に導入する工程、
を含み、
反応区域を離れた未転化のシクロヘキサンを反応区域に再循環させ、酸化剤として分子状酸素を含有するガスを用い、生成物を含有する反応混合物を反応区域の下方で回収し、反応混合物を精留塔の底部領域において連続的に回収し、未転化のシクロヘキサン及び水を頂部領域で連続的に除去し、シクロヘキサンと水を分離し、これにより得られたシクロヘキサンを精留塔の上部領域に還流することを特徴とする方法、により達成されることを見いだした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
０〜５０、好ましくは０〜３０の理論段数を、精留塔の下部区域、即ち蒸留区域に設置することが特に有利であることが分かっている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
０〜５０、好ましくは０〜３０の理論段数を、精留塔の上部区域、即ち反応区域に設置することが特に有利であることが分かっている。反応区域は、塔の精留区域内に位置していても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月3日(2010.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓ−アデノシルメチオニンと、フィチン酸と、デキストリンとを含む、飲食用組成物。
【請求項２】
前記フィチン酸を、前記Ｓ−アデノシルメチオニンの３倍量以上の濃度で含む、請求項１に記載の飲食用組成物。
【請求項３】
前記フィチン酸を、前記Ｓ−アデノシルメチオニンの５倍量以上の濃度で含む、請求項１に記載の飲食用組成物。
【請求項４】
前記デキストリンを、前記Ｓ−アデノシルメチオニンの５倍量〜２０倍量の濃度で含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の飲食用組成物。
【請求項５】
前記デキストリンを、前記Ｓ−アデノシルメチオニンの５倍量〜１０倍量の濃度で含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の飲食用組成物。
【請求項６】
前記デキストリンが、環状デキストリンである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の飲食用組成物。
【請求項７】
前記環状デキストリンが、γ−環状デキストリンである、請求項６記載の飲食用組成物。
【請求項８】
前記デキストリンが、環状デキストリンと非環状デキストリンとを含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の飲食用組成物。
【請求項９】
ｐＨが４以下である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の飲食用組成物。
【請求項１０】
ｐＨが３以下である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の飲食用組成物。
【請求項１１】
Ｓ−アデノシルメチオニンの安定化法であって、該Ｓ−アデノシルメチオニンを含む組成物に、フィチン酸およびデキストリンを添加する工程を包含する、方法。
【請求項１２】
前記フィチン酸を、前記Ｓ−アデノシルメチオニンの３倍量以上の濃度で添加する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記フィチン酸を、前記Ｓ−アデノシルメチオニンの５倍量以上の濃度で添加する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記デキストリンを、前記Ｓ−アデノシルメチオニンの５倍量〜２０倍量の濃度で添加する、請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記デキストリンを、前記Ｓ−アデノシルメチオニンの５倍量〜１０倍量の濃度で添加する、請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
前記デキストリンが、環状デキストリンである、請求項１１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記環状デキストリンが、γ−環状デキストリンである、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記デキストリンが、環状デキストリンと非環状デキストリンとを含む、請求項１１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
ｐＨを４以下に調整する工程をさらに包含する、請求項１１〜１８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
ｐＨを３以下に調整する工程をさらに包含する、請求項１１〜１８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２１】
Ｓ−アデノシルメチオニンと、フィチン酸と、デキストリンとを含む、飲食用補填物。
【請求項２２】
前記フィチン酸を、前記Ｓ−アデノシルメチオニンの３倍量以上の濃度で含む、請求項２１に記載の飲食用補填物。
【請求項２３】
前記フィチン酸を、前記Ｓ−アデノシルメチオニンの５倍量以上の濃度で含む、請求項２１に記載の飲食用補填物。
【請求項２４】
前記デキストリンを、前記Ｓ−アデノシルメチオニンの５倍量〜２０倍量の濃度で含む、請求項２１〜２３のいずれか１項に記載の飲食用補填物。
【請求項２５】
前記デキストリンを、前記Ｓ−アデノシルメチオニンの５倍量〜１０倍量の濃度で含む、請求項２１〜２３のいずれか１項に記載の飲食用補填物。
【請求項２６】
前記デキストリンが、環状デキストリンである、請求項２１〜２５のいずれか１項に記載の飲食用補填物。
【請求項２７】
前記環状デキストリンが、γ−環状デキストリンである、請求項２６に記載の飲食用補填物。
【請求項２８】
前記デキストリンが、環状デキストリンと非環状デキストリンとを含む、請求項２１〜２５のいずれか１項に記載の飲食用補填物。
【請求項２９】
ｐＨが４以下である、請求項２１〜２８のいずれか１項に記載の飲食用補填物。
【請求項３０】
ｐＨが３以下である、請求項２１〜２８のいずれか１項に記載の飲食用補填物。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月14日(2010.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記磁界発生装置は、前記めっき槽の周囲に配置された永久磁石からなることを特徴とする請求項１記載の磁性体膜めっき装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項２に記載の発明は、前記磁界発生装置は、前記めっき槽の周囲に配置された電磁石からなることを特徴とする請求項１記載の磁性体膜めっき装置である。
請求項３に記載の発明は、前記磁界発生装置は、前記めっき槽の周囲に配置された永久磁石からなることを特徴とする請求項１記載の磁性体膜めっき装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
更に、めっき槽本体１８６の底部には、内部に多数のめっき液流通口を有する底板２１０が配置されている。これによって、めっき槽本体１８６の内部は、上方の基板処理室２１４と下方のめっき液分散室２１２に区画されている。更に、底板２１０には、下方に垂下する遮蔽板２１６が取付けられている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
めっきが終了した後、めっき電源の印加、めっき液の供給、電磁石１１２への電流の供給、及びパドル往復運動を停止し、めっき後の基板を装着した基板ホルダ２６を基板ホルダ搬送装置４６のトランスポータ４５の基板ホルダ保持部４９で２基同時に把持し、アーム４８を上昇させて、基板ホルダ２６をめっき槽４０内のめっき液Ｑから引上げる。このようにして、基板ホルダ２６をめっき槽４０内のめっき液Ｑから引上げた時、図２及び図３に示す受け皿５２を待避位置から基板ホルダ２６の直下方位置に移動させ、同様にして、基板ホルダ２６をリンス槽３８まで搬送する。これにより、基板ホルダ２６から滴下するめっき液を受け皿５２で受けて、めっき液が電磁石１１２を用いた磁界発生装置１１４やめっき槽４０の外部に位置する他の機器等に落下するのを防止する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
この３つの方式での基板の向きの自由度を比較すると、Ａ方式では、基板のＸ軸回りの角度がずれると基板と磁場が平行でなくなり、Ｚ軸回りの角度がずれると基板上に形成した構造と磁場の向きがずれる。ところが、Ｙ軸回りの角度については、多少のずれがあっても磁場とめっき液の流れとの平行は保たれており、基本的には基板はアノードと平行が保たれていればよく、Ｙ軸回りにはある程度自由度があると言える。Ｂ方式では、同様にＹ軸回り、Ｚ軸回りは正確に設定する必要があり、またＸ軸回りについても磁場との平行は保たれるが、めっき液の流れと基板は平行でなくなり、めっき膜の面内均一性に影響がでる懸念がある。Ｃ方式は同様に、Ｘ軸回り、Ｚ軸回りは正確に設定する必要があり、Ｙ軸回りの角度もずれがあるとめっき液が基板に均一に当たらなくなり、めっき膜の面内均一性に影響が出る。このようにＢ方式、Ｃ方式では３軸の調整が必要なのに比べて、Ａ方式、すなわち図８に示す磁性体膜めっき装置１１０、並びに図１８及び図１９に磁性体膜めっき装置３００では、基本的には２軸の調整で済むため、自由度が高いといえる。このことは、基板を基板ホルダで保持したまま装置内を搬送する機構にとっては大きなメリットとなる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
この図１８及び図１９に示す磁性体膜めっき装置にあっては、前述の図８に示す磁性体膜めっき装置とほぼ同様に、めっき槽本体３０８の内部に所定の組成を有する所定量のめっき液Ｑを満たし循環させておく。そして、基板Ｗを保持した基板ホルダ２６を下降させて、基板Ｗをめっき槽本体３０８内のめっき液Ｑに浸漬した所定の位置に配置させて垂下保持する。そして、めっき電源の陽極をアノード３１８及びダミーアノード３２０，３３４に、陰極を基板Ｗにそれぞれ接続し、同時に、電磁石３０２の上段コイル３３２ａ、中段コイル３３２ｂ及び下段コイル３３２ｃに個別に電流を流して、基板ホルダ２６で保持された基板の周囲に該基板とほぼ平行な上方に向けた磁界を形成する。この状態で、必要に応じて、攪拌パドル２３２を基板Ｗと平行に移動させて、アノード３１８と基板Ｗとの間のめっき液Ｑを攪拌パドル２３２で攪拌し、これによって、基板Ｗの表面にめっき膜としての磁気異方性をもつ磁性体膜（パーマロイ）を成長させる。そして、所定時間経過後、アノード３１８及びダミーアノード３２０，３３４と基板Ｗをめっき電源から切離し、電磁石３０２の上段コイル３３２ａ、中段コイル３３２ｂ及び下段コイル３３２ｃへの電流の供給及び攪拌パドル２３２の往復動を停止させてめっきを終了する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２２】
2010018841.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月26日(2010.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｉ．Ｓ．ガラスボトル製造機において、
一対の向き合ったモールド半部を含むブローモールドを有し、前記モールド半部の各々が、係合面、外面、上面、及び下面を有する、ブローステーションであって、前記モールド半部が、機械加工サイクル内で、前記係合面が係合してパリソンをボトルにブロー成形できるモールドキャビティを形成する閉位置と、開位置との間で移動できるように構成されている、ブローステーション、
前記モールド半部の各々に設けられた冷却通路の垂直アレイであって、前記冷却通路が、前記モールドの前記上面に上端を有し、前記モールドの前記下面に下端を有するように構成されている、垂直アレイ、
前記モールド半部の各々の前記外面に形成された穴手段であって、前記冷却通路の前記上端と前記下端との間にある途中位置で形成された前記冷却通路の前記垂直アレイと連通する穴手段、
前記モールド半部が前記閉位置にあるとき、前記冷却通路の前記アレイの選択された端部に冷却空気を供給するための手段と、
前記モールドが前記モールド閉位置と前記モールド開位置との間の任意の位置に配置されているときに前記穴手段に冷却空気を供給するための手段と
を備えたことを特徴とする、Ｉ．Ｓ．ガラスボトル製造機。
【請求項２】
請求項１に記載のＩ．Ｓ．ガラスボトル製造機において、
前記途中位置は、前記上面と前記下面との間のほぼ中間であることを特徴とする、Ｉ．Ｓ．ガラスボトル製造機。
【請求項３】
請求項１に記載のＩ．Ｓ．ガラスボトル製造機において、
前記冷却空気をモールド半部の前記穴手段に供給するための前記手段は、
前記モールド半部の一方を支持するようになっているモールドアームを含み、
前記モールドアームは、前記モールド開位置と前記モールド閉位置との間で移動でき、
前記モールドアームは、支持されたモールド半部の前記穴手段と連通する出口手段を持つ空気チャンバを含み、
更に、
前記空気チャンバに空気を供給するための制御自在のバルブを備えた空気供給手段と、
前記制御自在のバルブを作動するための制御手段と
を含むことを特徴とする、Ｉ．Ｓ．ガラスボトル製造機。
【請求項４】
請求項３に記載のＩ．Ｓ．ガラスボトル製造機において、
前記穴手段は、前記モールド半部の円形の表面に形成された水平方向に延びる連続した凹所であり、前記冷却通路の垂直アレイ内の各通路の幅の約半分を含む、Ｉ．Ｓ．ガラスボトル製造機。
【請求項５】
請求項３に記載のＩ．Ｓ．ガラスボトル製造機において、
前記穴手段は、前記冷却通路群の各々と連通した穴を含む、Ｉ．Ｓ．ガラスボトル製造機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明による機械の使用中、１サイクルは、モールド部材が図２に示すように開いているときに開始であると考えることができる。好ましくは、この段階で第１および第２の制御バルブＶ１、Ｖ２が作動して、冷却空気をチャンバ２８に、従って、４つのモールド部材の凹所１６に提供する。冷却空気は、モールド部材の凹所１６に進入すると、冷却通路１４の上部分を通って上方へ、又は冷却通路１４の下部分を通って下方へのいずれかへ通過できる。モールド部材２がガラスパリソンの周囲で閉じているとき、チャンバ２８への空気の供給を停止でき、第３制御バルブＶ３を作動させて冷却空気をプレート５２の出口５４に供給し、モールド部材の冷却通路１０、１４、及び１７を通して上方へ通過させる。モールド部材が開かれたとき、全ての冷却通路へのこの空気供給がオフにされ、空気を再びチャンバ２８に、従って凹所１６及び冷却通路１４に供給できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2007277083.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2007277083.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月1日(2010.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体の状態で存在する硬化性樹脂で炭素繊維束を含浸する方法において、
炭素繊維束を、含浸中機械的に生成した流動床内に置き、樹脂が硬化し又は少なくとも乾燥して束がもはや粘着しなくなる迄該流動床内に保持することを特徴とする方法。
【請求項２】
含浸樹脂の硬化又は乾燥に十分な温度に炭素繊維束を加熱する予熱工程、
炭素繊維への含浸樹脂の添加で開始する完全混合工程、および
繊維束内で含浸樹脂を硬化又は乾燥させる硬化工程又は乾燥工程を含み、炭素繊維束を、全工程の間機械的に生成した流動床内に置くことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
炭素繊維束を１３０℃以上に予熱することを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】
加熱工程を５〜１０分間続け、
完全混合工程を１〜５分間続け、
硬化又は乾燥工程を少なくとも５分間続けることを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項５】
流動床を混合乾燥器により生成することを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項６】
混合乾燥器が羽根を装備していることを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項７】
予熱工程の間および硬化又は乾燥工程の間、混合乾燥器の回転数を３０〜６０リットル／分に相当する値に保ち、
完全混合工程の間、混合器の回転数を１００リットル／分に相当する値迄高めることを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項８】
予熱工程の間および硬化又は乾燥工程の間、フルード数を１未満とし、
完全混合工程の間、フルード数を１．５〜４に高めることを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項９】
樹脂がフェノール樹脂又は別の炭化可能な樹脂であることを特徴とする請求項１又は２記載の方法。
【請求項１０】
炭素繊維束によって吸収される樹脂量が炭素繊維束出発材料の３５％以下であることを特徴とする請求項１又は２記載の方法。
【請求項１１】
含浸すべき繊維束内の炭素繊維が、炭化した結合剤によって結合されていることを特徴とする請求項１又は２記載の方法。
【請求項１２】
炭化した結合剤によって結合された炭素繊維束を、以下の工程で製造することを特徴とする請求項１１記載の方法。
多数の平行な炭素繊維フィラメントを含む少なくとも１つのフィラメントストランドを炭化可能な結合剤で含浸してプリプレグを得る工程、
少なくとも１つの含浸フィラメントストランド又は平行に配置した、複数の含浸フィラメントストランドを加圧して、平行に配列したフィラメントからなる所定の厚さの積層体ウェブ（一方向積層体、以下でＵＤ積層体と称す）とし、熱処理によって結合剤を硬化させ、こうして形状的に安定した所定の厚さの積層体ウェブを得る工程、
ＵＤ積層体ウェブ内の結合剤を炭化させる工程、および
必要に応じ個々の帯材に分離したＵＤ積層体ウェブを切断し所定の幅および長さのセグメントとする工程。
【請求項１３】
炭化した結合剤によって結合された炭素繊維束を、以下の工程で製造することを特徴とする請求項１１記載の方法。
多数の平行な炭素繊維フィラメントを含む少なくとも１つのフィラメントストランドを炭化可能な結合剤で含浸してプリプレグを得る工程、
少なくとも１つの含浸フィラメントストランド又は平行に配置した、複数の含浸フィラメントストランドを加圧して、平行に配列したフィラメントからなる所定の厚さの積層体ウェブ（一方向積層体、以下でＵＤ積層体と称す）とし、熱処理によって結合剤を硬化させ、こうして形状的に安定した所定の厚さの積層体ウェブを得る工程、
必要に応じ個々の帯材に分離させたＵＤ積層体ウェブを切断して所定の幅および長さのセグメント（繊維束）とする工程、および
繊維束内の結合剤を炭化させる工程。
【請求項１４】
繊維束の厚さを０．１５〜０．４ｍｍ、繊維束の長さを６〜１５ｍｍ、繊維束の幅を０．５〜３．５ｍｍの値に調整することを特徴とする請求項１２又は１３記載の方法。
【請求項１５】
樹脂で含浸した炭素繊維束であって、炭化した結合剤によって結合され、平行に配置された炭素繊維を含み、結合剤の炭化時に発生した孔が、硬化した含浸樹脂で充填されていることを特徴とする炭素繊維束。
【請求項１６】
束の厚さが０．１５〜０．４ｍｍ、束の長さが６〜１５ｍｍ、束の幅が０．５〜３．５ｍｍに調整されたことを特徴とする請求項１５記載の炭素繊維束。
【請求項１７】
樹脂がフェノール樹脂又は別の炭化可能な樹脂であることを特徴とする請求項１５記載の炭素繊維束。
【請求項１８】
炭素繊維束によって吸収された樹脂量が炭素繊維束出発材料の３５％以下であることを特徴とする請求項１５記載の炭素繊維束。
【請求項１９】
炭素繊維束で強化された炭素マトリックスを含む成形物体の製造のために請求項１７記載の炭素繊維束を使用することを特徴とする方法。
【請求項２０】
炭素繊維束で強化された炭素マトリックスを含む珪化用予備物体の製造のために請求項１７記載の炭素繊維束を使用することを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月10日(2010.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）
【化１】
2007277223.tif 000001
（式中、Ｒは、置換されていてもよい飽和または不飽和の鎖状炭化水素基）で表される基を有するアリシン以外の化合物であるアリシン類縁体を有効成分として含有する、ＨＴＬＶ−Ｉ関連脊髄症の予防または治療剤。
【請求項２】
アリシン類縁体が、アリシンを原料として製造される物質である、請求項１記載のＨＴＬＶ−Ｉ関連脊髄症の予防または治療剤。
【請求項３】
アリシン類縁体が、下記一般式（２）
【化２】
2007277223.tif 000002
（式中、Ｒは、置換されていてもよい飽和または不飽和の鎖状炭化水素基）で表されるチアミン化合物、または、その製薬上許容されうる塩である、請求項１記載のＨＴＬＶ−Ｉ関連脊髄症の予防または治療剤。
【請求項４】
アリシン類縁体がプロスルチアミンである、請求項１記載のＨＴＬＶ−Ｉ関連脊髄症の予防または治療剤。
【請求項５】
下記一般式（１）
【化３】
2007277223.tif 000003
（式中、Ｒは、置換されていてもよい飽和または不飽和の鎖状炭化水素基）で表される基を有するアリシン以外の化合物であるアリシン類縁体を有効成分として含有する、ＨＴＬＶ−Ｉ感染細胞のアポトーシス促進剤。
【請求項６】
アリシン類縁体が、アリシンを原料として製造される物質である、請求項５記載のＨＴＬＶ−Ｉ感染細胞のアポトーシス促進剤。
【請求項７】
アリシン類縁体が、下記一般式（２）
【化４】
2007277223.tif 000004
（式中、Ｒは、置換されていてもよい飽和または不飽和の鎖状炭化水素基）で表されるチアミン化合物、または、その製薬上許容されうる塩である、請求項５記載のＨＴＬＶ−Ｉ感染細胞のアポトーシス促進剤。
【請求項８】
アリシン類縁体がプロスルチアミンである、請求項５記載のＨＴＬＶ−Ｉ感染細胞のアポトーシス促進剤。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月5日(2010.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
抗癌剤および放射線療法から選択される治療有効量の抗癌治療と組み合わせて、哺乳動物の癌を治療するために用いられる、治療有効量の（２Ｒ，Ｚ）−２−アミノ−２−シクロヘキシル−Ｎ−（５−（１−メチル−１Ｈ−ピラゾール−４−イル）−１−オキソ−２，６−ジヒドロ−１Ｈ−［１，２］ジアゼピノ［４，５，６−ｃｄ］インドール−８−イル）アセトアミド、薬学的に許容されるその塩もしくは溶媒和物、またはそれらの混合物を含む医薬組成物。
【請求項２】
前記抗癌治療の治療効果を向上させる、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
（２Ｒ，Ｚ）−２−アミノ−２−シクロヘキシル−Ｎ−（５−（１−メチル−１Ｈ−ピラゾール−４−イル）−１−オキソ−２，６−ジヒドロ−１Ｈ−［１，２］ジアゼピノ［４，５，６−ｃｄ］インドール−８−イル）アセトアミド、薬学的に許容されるその塩もしくは溶媒和物、またはそれらの混合物を、抗癌治療と別々に投与するための、請求項１または２に記載の組成物。
【請求項４】
前記癌が、大腸癌、前立腺癌、乳癌、および白血病から選択される、請求項１から３のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項５】
前記癌が、大腸癌である、請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
前記抗癌治療が、治療有効量の抗癌剤である、請求項１から５のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項７】
前記抗癌剤が、アクチノマイシンＤ、アドリアマイシン、アムサクリン、ａｒａ−Ｃ、９−（３−Ｄ−アラビノシル−２−フルオロアデニン、ＢＣＮＵ、ブレオマイシン、カンプトテシン、カルボプラチン、２−クロロ−２−デオキシアデノシン、ＣＰＴ−１１、シクロホスファミド、ドセタキセル、ドキソルビシン、エドテカリン、エトポシド、フルダラビン、５−フルオロウラシル（５−ＦＵ）、ゲムシタビン、ＨＵ−ジェムザール、イリノテカン、メトトレキサート、６−Ｍｐｕｒｉｎｅ、マイトマイシン−Ｃ、パクリタキセル、シスプラチン、ＳＮ−３８、タキソール、チオテパ、６−チオグアニン、トリメトレキセート、ビンブラスチン、ビンクリスチン、およびＶＰ−１６からなる群から選択される、請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
前記抗癌剤が、ゲムシタビン、イリノテカン、ドセタキセル、ＳＮ−３８、カルボプラチン、ドキソルビシン、およびマイトマイシンＣからなる群から選択される、請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
前記抗癌剤が、ゲムシタビンである、請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
前記抗癌剤が、イリノテカンである、請求項８に記載の組成物。
【請求項１１】
前記抗癌剤が、ドセタキセルである、請求項８に記載の組成物。
【請求項１２】
前記抗癌剤が、ＤＮＡ損傷薬である、請求項１から５のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１３】
前記ＤＮＡ損傷薬が、アルキル化剤、代謝拮抗剤、抗癌抗生物質、プラチナ類似物、トポイソメラーゼＩ型阻害剤、およびトポイソメラーゼＩＩ型阻害剤から選択される、請求項１２に記載の組成物。
【請求項１４】
前記抗癌剤が、有糸分裂阻害剤である、請求項１から５のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１５】
少なくとも１回分用量の（２Ｒ，Ｚ）−２−アミノ−２−シクロヘキシル−Ｎ−（５−（１−メチル−１Ｈ−ピラゾール−４−イル）−１−オキソ−２，６−ジヒドロ−１Ｈ−［１，２］ジアゼピノ［４，５，６−ｃｄ］インドール−８−イル）アセトアミド、薬学的に許容されるその塩もしくは溶媒和物、またはそれらの混合物を、抗癌治療を事前に施与した１から４８時間後に投与するための、請求項１から５のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１６】
少なくとも１回分用量の（２Ｒ，Ｚ）−２−アミノ−２−シクロヘキシル−Ｎ−（５−（１−メチル−１Ｈ−ピラゾール−４−イル）−１−オキソ−２，６−ジヒドロ−１Ｈ−［１，２］ジアゼピノ［４，５，６−ｃｄ］インドール−８−イル）アセトアミド、薬学的に許容されるその塩もしくは溶媒和物、またはそれらの混合物を、抗癌治療の１回分用量と同時に投与するための、請求項１から５のいずれか一項に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月7日(2010.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
a）１種またはそれ以上のポリイソシアネート、
b）500〜6000g/molの平均分子量Mnを有する１種またはそれ以上のポリオール、
c）62〜500g/molの平均分子量Mnを有する１種またはそれ以上のポリオール、
d）イオン基またはイオン基を形成することができる基を含む１種またはそれ以上の化合物、
e）500g/mol未満の平均分子量Mnを有する１種またはそれ以上のポリアミン、
f）必要に応じて、32〜145g/molの平均分子量Mnを有する１種またはそれ以上のモノアルコールおよび
g）必要に応じて147g／mol未満の平均分子量Mnを有する１種またはそれ以上のモノアミン
を含み、f）およびg）の少なくとも１つが使用され、ポリウレタン分散体（I）の樹脂に基づいて測定した場合、f）および／またはg）の割合が少なくとも0.4質量％〜1.26質量％であり、成分c）の割合が5.5質量％超〜22質量％であり、かつポリウレタン分散体のハードセグメント割合が55質量％〜85質量％である、ヒドラジン非含有水性ポリウレタン分散体（I）。
【請求項２】
請求項１に記載のヒドラジン非含有水性ポリウレタン分散体の製造方法であって、
I.1）成分a）、b）、c）およびd）を反応させることにより、大気圧下で100℃未満の沸点を有する溶媒中に66%〜98%の濃度でNCOプレポリマー溶液を調製する工程、
I.2）分散の前、間または後に生じるイオン基の少なくとも部分的な中和によって、水中に該NCOプレポリマーI.1）を分散させる工程、
I.3）成分e）を用いて該NCOプレポリマーを鎖延長する工程および
I.4）該溶媒を除去するために生じた分散体を蒸留する工程
を含み、成分f）は、工程I.1）において使用されるか、または成分g）は、工程I.3）において使用される方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
有機溶媒の放出を減少させる目的で、水性被覆組成物が溶剤型被覆組成物の代わりに使用されることが増えている。水性被膜形成結合剤の重要な種類は、ポリウレタン分散体である。無溶媒ポリウレタン分散体（以下、PUDと称する）は、アセトン法およびプレポリマー混合法の両方によって入手できる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月14日(2009.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）熱可塑性樹脂、ｂ）熱硬化性樹脂、ｃ）硬化剤、及びｄ）下記一般式（１）で表される３官能性シロキサン単位を有するオルガノポリシロキサンを含有し、前記ｄ）一般式（１）で表される３官能性シロキサン単位を有するオルガノポリシロキサンの含有量が、ｂ）熱硬化性樹脂１００重量部に対して１００重量部以上７００重量部以下であることを特徴とする電子機器用接着剤組成物。
【化１】
2007277525.tif 000001
（Ｒ１はフェニル基、アルキル基、オキセタニル基、ビニル基、水酸基およびアルコキシ基からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む１価の有機基を示す。）
【請求項２】
ａ）熱可塑性樹脂、ｂ）熱硬化性樹脂、ｃ）硬化剤、及びｅ）下記一般式（２）で表される構造を有するオルガノポリシロキサンを含有することを特徴とする電子機器用接着剤組成物。
【化２】
2007277525.tif 000002
（Ｒ２は同一であっても異なってもよく、フェニル基、アルキル基またはエポキシ基を含む１価の有機基を示す。Ｒ３は同一であっても異なってもよく、水素または炭素数１〜４のアルキル基を示す。ｎは１以上の整数を示す。）
【請求項３】
前記ｅ）一般式（２）で表される構造を有するオルガノポリシロキサンの含有量が、ｂ）熱硬化性樹脂１００重量部に対して１０重量部以上７００重量部以下であることを特徴とする請求項２記載の電子機器用接着剤組成物。
【請求項４】
前記ａ）熱可塑性樹脂が、エポキシ基、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、ヒドロキシアルキル基、ビニル基、シラノール基、イソシアネート基から選ばれた少なくとも１種の官能基を有し、かつ、炭素数１〜８の側鎖を有するアクリル酸エステルおよび／またはメタクリル酸エステルを含むことを特徴とする請求項１または２記載の電子機器用接着剤組成物。
【請求項５】
ｆ）無機質充填剤を含有することを特徴とする請求項１または２記載の電子機器用接着剤組成物。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか記載の電子機器用接着剤組成物からなる接着剤層と、少なくとも１層の剥離可能な保護フィルム層を有する電子機器用接着剤シート。
【請求項７】
請求項６記載の電子機器用接着剤シートを用いた電子部品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子機器用接着剤組成物およびそれを用いた電子機器用接着剤シート、電子部品
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、電子機器用接着剤組成物、電子機器用接着剤シートおよびそれを用いた電子部品に関する。さらに詳しくは、半導体集積回路を実装する際に用いられる、テープオートメーテッドボンディング（ＴＡＢ）方式のパターン加工テープ、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）パッケージ用インターポーザー等の半導体接続用基板、リードフレーム固定テープ、ＬＯＣ固定テープ、半導体素子等の電子部品とリードフレームや絶縁性支持基板などの支持部材との接着に用いられるダイボンディング材、ヒートスプレッダー、補強板、シールド材の接着剤、ソルダーレジスト、異方導電性フィルム、銅張り積層板、カバーレイ、回路間の絶縁層等各種の電子材料を作製するために適した電子機器用接着剤組成物およびそれを用いた電子機器用接着剤シート、電子部品に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、このような問題点を解決し、長期高温耐性に優れた電子機器用接着剤組成物およびそれを用いた電子機器用接着剤シート、電子部品を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
すなわち本発明は、ａ）熱可塑性樹脂、ｂ）熱硬化性樹脂、ｃ）硬化剤、及びｄ）下記一般式（１）で表される３官能性シロキサン単位を有するオルガノポリシロキサンを含有し、前記ｄ）一般式（１）で表される３官能性シロキサン単位を有するオルガノポリシロキサンの含有量が、ｂ）熱硬化性樹脂１００重量部に対して１００重量部以上７００重量部以下であることを特徴とする電子機器用接着剤組成物、それを用いた電子機器用接着剤シート、電子部品である。また、本発明は、ａ）熱可塑性樹脂、ｂ）熱硬化性樹脂、ｃ）硬化剤、及びｅ）下記一般式（２）で表される構造を有するオルガノポリシロキサンを含有することを特徴とする電子機器用接着剤組成物、それを用いた電子機器用接着剤シート、電子部品である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
実施例１〜９、比較例１〜２
（接着剤シートの作製）
表１〜３に記載の各無機質充填剤を、無機質充填剤が２０重量％となるようにトルエンと混合した後、ボールミル処理して分散液を作製した。この分散液に、各熱硬化性樹脂、オルガノポリシロキサン、熱可塑性樹脂、硬化剤、硬化促進剤、その他添加剤および分散液とメチルエチルケトンを、それぞれ表１〜３に記載の組成比および固形分２０重量％となるように加え、３０℃で撹拌、混合して接着剤溶液を作製した。無機質充填剤を含まない場合は、各熱硬化性樹脂、オルガノポリシロキサン、熱可塑性樹脂、硬化剤、硬化促進剤、その他添加剤に固形分２０重量％となるようにメチルエチルケトンを添加し、それぞれ表１〜３の組成比となるようにし、３０℃で撹拌、混合して接着剤溶液を作製した。この接着剤溶液をバーコータで、シリコーン離型剤付きの厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（藤森工業(株)製“フィルムバイナ”ＧＴ）に必要な乾燥厚さとなるように塗布し、１５０℃で４分間乾燥し、保護フィルムを貼り合わせて、本発明の接着剤シートを作製した。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
実施例２と実施例５について、マイグレーション評価を行ったところ、実施例５は外観の変化は見られなかった。一方、実施例２はデンドライドが確認された。その他の特性は同じであった。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
【表１】
2007277525.tif 000003
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
【表２】
2007277525.tif 000004
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
【表３】
2007277525.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月2日(2010.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
０．５重量％未満の残留モノマー含量および１重量％未満のＮＣＯ含量を有する放射線硬化性アロファネート含有プレポリマーの製造方法であって、
Ａ）ジイソシアネートと、
Ｂ）化学線への暴露に際してエチレン性不飽和化合物と重合を伴って反応する基を含有するヒドロキシ官能性化合物と、
Ｃ）少なくとも１．９の官能価および少なくとも１０００ｇ／ｍｏｌの数平均分子量（Ｍｎ）を有するポリエステルポリオール、ポリエーテルポリオールまたはポリカーボネートポリオールとを、
Ｄ）必要に応じて触媒の存在下、
使用して、放射線硬化性基を有するＮＣＯ基含有プレポリマーを形成し、
次いで、該ＮＣＯ基含有プレポリマーを、
Ｅ）必要に応じて単官能性イソシアネートを添加した後、
Ｆ）アロファネート化触媒の存在下、
反応させて、アロファネート含有プレポリマーを得ることを含み、
Ａ）からの化合物のＮＣＯ基とＢ）およびＣ）からの化合物のＯＨ基との比が１．４５：１．０〜１．１：１．０であり、およびＢ）からのＯＨ基とＣ）からのＯＨ基との比が８．０：１〜１．５：１である、方法。
【請求項２】
成分Ｃ）において、１．９〜２．１の官能価および１０００〜４０００ｇ／ｍｏｌの平均分子量（Ｍｎ）を有するポリエステルジオールまたはポリエーテルジオールを使用する、請求項１に記載の放射線硬化性アロファネート含有プレポリマーの製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法により得ることができる放射線硬化性アロファネート含有プレポリマー。
【請求項４】
請求項３に記載の放射線硬化性アロファネート含有プレポリマーを含んでなる、被覆剤、被覆材料、接着剤、シーラントおよび／または印刷用インク。
【請求項５】
請求項３に記載の放射線硬化性アロファネート含有プレポリマーを含んでなる、金属および／またはプラスチックを被覆するための結合剤。
【請求項６】
ａ）請求項３に記載の一以上の放射線硬化性アロファネート含有プレポリマーと、
ｂ）必要に応じて、化学線への暴露に際してエチレン性不飽和化合物と重合を伴って反応する基を含有せず、遊離またはブロックトイソシアネート基を含有する一以上のポリイソシアネートと、
ｃ）必要に応じて、化学線への暴露に際してエチレン性不飽和化合物と重合を伴って反応する基を含有し、および必要に応じて遊離またはブロックトＮＣＯ基を含有する、ａ）の化合物とは異なる他の化合物と、
ｄ）必要に応じて、活性水素を含有する一以上のイソシアネート反応性化合物と、
ｅ）必要に応じて、開始剤と、
ｆ）必要に応じて、助剤および添加剤と
を含んでなる、被覆組成物。
【請求項７】
請求項３に記載の放射線硬化性アロファネート含有プレポリマーを使用して得られた被覆剤で被覆された基材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
本発明を上記で例示の目的をもって詳細に説明したが、このような詳説が単にその目的のためであって、本発明は、特許請求の範囲によって限定され得る場合を除いて、本発明の精神および範囲を逸脱することなく、当業者によって変形がなされ得ると理解されるべきである。
本発明の好ましい態様は、以下を包含する。
［１］０．５重量％未満の残留モノマー含量および１重量％未満のＮＣＯ含量を有する放射線硬化性アロファネート含有プレポリマーの製造方法であって、
Ａ）ジイソシアネートと、
Ｂ）化学線への暴露に際してエチレン性不飽和化合物と重合を伴って反応する基を含有するヒドロキシ官能性化合物と、
Ｃ）少なくとも１．９の官能価および少なくとも１０００ｇ／ｍｏｌの数平均分子量（Ｍｎ）を有するポリエステルポリオール、ポリエーテルポリオールまたはポリカーボネートポリオールとを、
Ｄ）必要に応じて触媒の存在下、
使用して、放射線硬化性基を有するＮＣＯ基含有プレポリマーを形成し、
次いで、該ＮＣＯ基含有プレポリマーを、
Ｅ）必要に応じて単官能性イソシアネートを添加した後、
Ｆ）アロファネート化触媒の存在下、
反応させて、アロファネート含有プレポリマーを得ることを含み、
Ａ）からの化合物のＮＣＯ基とＢ）およびＣ）からの化合物のＯＨ基との比が１．４５：１．０〜１．１：１．０であり、およびＢ）からのＯＨ基とＣ）からのＯＨ基との比が８．０：１〜１．５：１である、方法。
［２］成分Ａ）において、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＤＩ）、イソホロンジイソシアネート（ＩＰＤＩ）および／または４，４’−ジイソシアナトジシクロヘキシルメタンを使用する、［１］に記載の放射線硬化性アロファネート含有プレポリマーの製造方法。
［３］成分Ｂ）において、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートおよび／またはヒドロキシブチル（メタ）アクリレートを使用する、［１］に記載の放射線硬化性アロファネート含有プレポリマーの製造方法。
［４］成分Ｃ）において、１．９〜２．１の官能価および１０００〜４０００ｇ／ｍｏｌの平均分子量（Ｍｎ）を有するポリエステルジオールまたはポリエーテルジオールを使用する、［１］に記載の放射線硬化性アロファネート含有プレポリマーの製造方法。
［５］Ａ）からの化合物のＮＣＯ基とＢ）およびＣ）からの化合物のＯＨ基との比は、１．３５：１．０〜１．３：１．０である、［１］に記載の放射線硬化性アロファネート含有プレポリマーの製造方法。
［６］Ｂ）からのＯＨ基とＣ）からのＯＨ基との比は、５．０：１〜２．０：１である、［１］に記載の放射線硬化性アロファネート含有プレポリマーの製造方法。
［７］最終生成物が０．３重量％未満のＮＣＯ含量を有するまでアロファネート化を行う、［１］に記載の放射線硬化性アロファネート含有プレポリマーの製造方法。
［８］［１］に記載の方法により得ることができる放射線硬化性アロファネート含有プレポリマー。
［９］［８］に記載の放射線硬化性アロファネート含有プレポリマーを含んでなる、被覆剤、被覆材料、接着剤、シーラントおよび／または印刷用インク。
［１０］［８］に記載の放射線硬化性アロファネート含有プレポリマーを含んでなる、金属および／またはプラスチックを被覆するための結合剤。
［１１］ａ）［８］に記載の一以上の放射線硬化性アロファネート含有プレポリマーと、
ｂ）必要に応じて、化学線への暴露に際してエチレン性不飽和化合物と重合を伴って反応する基を含有せず、遊離またはブロックトイソシアネート基を含有する一以上のポリイソシアネートと、
ｃ）必要に応じて、化学線への暴露に際してエチレン性不飽和化合物と重合を伴って反応する基を含有し、および必要に応じて遊離またはブロックトＮＣＯ基を含有する、ａ）の化合物とは異なる他の化合物と、
ｄ）必要に応じて、活性水素を含有する一以上のイソシアネート反応性化合物と、
ｅ）必要に応じて、開始剤と、
ｆ）必要に応じて、助剤および添加剤と
を含んでなる、被覆組成物。
［１２］［８］に記載の放射線硬化性アロファネート含有プレポリマーを使用して得られた被覆剤で被覆された基材。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月15日(2010.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つのフッ素原子を有する液晶化合物を含む第１部類と、
化学式（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）で表される液晶化合物のうちの少なくとも一つを含む第２部類とを含み、
【化１】
2007277544.tif 000001
前記化学式（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）で表される液晶化合物は、炭素数１〜５個のアルキル基、アルコキシ基及びアルケニル基の一つを含むＲ１〜Ｒ６を末端基として有し、
前記第２部類の中で前記末端基にアルケニル基を含まない液晶化合物を第１サブ部類とし、アルケニル基を含む液晶化合物を第２サブ部類とするとき、前記第２サブ部類は、前記第１部類及び前記第２部類の総含量に対して７重量％以下で含まれることを特徴とする液晶組成物。
【請求項２】
前記第１部類は４０〜８０重量％含まれ、前記第２部類は２０〜６０重量％含まれることを特徴とする請求項１に記載の液晶組成物。
【請求項３】
前記第１部類は、下記化学式（ＩＶ）〜（Ｘ）で表される液晶化合物のうちの少なくとも一つを含み、
【化２】
2007277544.tif 000002
前記Ｒ７〜Ｒ１６は、各々炭素数１〜５個のアルキル基及びアルコキシ基から選択されることを特徴とする請求項２に記載の液晶組成物。
【請求項４】
少なくとも一つのフッ素原子を有する液晶化合物を含む第１部類と、化学式（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）で表される液晶化合物のうちの少なくとも一つを含む第２部類とを含み、
【化３】
2007277544.tif 000003
前記化学式（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）で表される液晶化合物は、炭素数１〜５個のアルキル基またはアルコキシ基を含むＲ１〜Ｒ６を末端基として有し、
前記第２部類は、前記末端基にアルケニル基を有する液晶化合物を含まないことを特徴とする液晶組成物。
【請求項５】
前記第１部類は４０〜８０重量％含まれ、前記第２部類は２０〜６０重量％含まれることを特徴とする請求項４に記載の液晶組成物。
【請求項６】
前記第１部類は、下記化学式（ＩＶ）〜（Ｘ）で表される液晶化合物のうちの少なくとも一つを含み、
【化４】
2007277544.tif 000004
前記Ｒ７〜Ｒ１６は、各々炭素１〜５個のアルキル基及びアルコキシ基から選択されることを特徴とする請求項４に記載の液晶組成物。
【請求項７】
第１基板と、
前記第１基板と対向して配置される第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板のうちの少なくとも一つの上に形成される１対の電界生成電極と、
前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層とを含み、
前記液晶層は、少なくとも一つのフッ素原子を有する液晶化合物を含む第１部類と、下記化学式（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）で表される液晶化合物のうちの少なくとも一つを含む第２部類とを含む液晶組成物からなり、
【化５】
2007277544.tif 000005
前記化学式（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）で表される液晶化合物は、炭素数１〜５個のアルキル基、アルコキシ基及びアルケニル基の一つを含むＲ１〜Ｒ６を末端基として有し、
前記第２部類の中で前記末端基にアルケニル基を含まない液晶化合物を第１サブ部類とし、前記末端基にアルケニル基を含む液晶化合物を第２サブ部類とするとき、前記第２サブ部類は、前記第１部類及び前記第２部類の総含量に対して７重量％以下で含まれることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
前記第１部類は、前記液晶組成物の総容量に対して４０〜８０重量％含まれ、前記第２部類は、前記液晶組成物の総容量に対して２０〜６０重量％含まれることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第１部類は、下記化学式（ＩＶ）〜（Ｘ）で表される液晶化合物のうちの少なくとも一つを含み、
【化６】
2007277544.tif 000006
前記Ｒ７〜Ｒ１６は、各々炭素１〜５個のアルキル基及びアルコキシ基から選択されることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第１基板上に互いに交差される第１及び第２信号線と、前記第１及び第２信号線に接続される薄膜トランジスタとをさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。