【手続補正書】
【提出日】平成22年10月15日(2010.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア−シェル粒子から製造されるナノ複合材料であって、
前記コア−シェル粒子が、コア材料を含有しているコア、及びシェル材料を含有しているシェルを有しており、
前記コア材料が、炭素又は多糖であり、且つ
前記シェル材料が、半導体である、
ナノ複合材料。
【請求項２】
前記シェル材料が、カルコゲニドである、請求項１に記載のナノ複合材料。
【請求項３】
前記シェル材料が、テルル化鉛である、請求項１に記載のナノ複合材料。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載のナノ複合材料を含む、熱電デバイス。
【請求項５】
コア材料を含有している複数のコア粒子を提供すること；
それぞれの前記コア粒子の表面を官能化すること；
それぞれの前記コア粒子の官能化された表面上に、シェル材料を含有しているシェルを成長させて、複数のコア−シェル粒子を提供すること；及び
前記コア−シェル粒子を一体化して、ナノ複合材料にすること、
を含む、ナノ複合材料の製造方法。
【請求項６】
熱電デバイスで使用するための熱電材料を製造する方法である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
光学デバイス、半導体デバイス、又はイオン伝導性膜で使用するためのナノ複合材料を製造する方法である、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記コア材料が、酸化物である、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記コア材料が、炭素又は多糖である、請求項５に記載の方法。
【請求項１０】
前記シェル材料が、半導体である、請求項５〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記シェル材料が、カルコゲニドである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記シェル材料が、テルル化物である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記コア材料が、多糖である、請求項５に記載の方法。
【請求項１４】
前記多糖を炭化することを更に含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記前記第１の化合物が、前記コアの表面に複合している金属イオンを含み、且つ前記シェル材料が前記金属イオンの反応生成物である、請求項５に記載の方法。
【請求項１６】
前記第２の化合物がカルコゲニドであり、且つ前記反応生成物がカルコゲニドである、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記第２の化合物がカルコゲニドであり、且つ前記反応生成物がカルコゲニドである、請求項５に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１６】
本発明は、上記の例示の態様に限定されるものではない。これらの例は、本発明の範囲を限定することを意図するものではない。本明細書において説明された方法、装置、組成等は、例示であり、特許請求の範囲によって示される本発明を限定することを意図するものではない。当業者は、これらの変更及び他の用途を思いつくであろう。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって定められるものである。
本発明の実施態様としては、下記の実施態様を挙げることができる：
特許請求の範囲
〈１〉第１の電気的接点；
第２の電気的接点；及び
前記第１の電気的接点と前記第２の電気的接点との間の電気的経路に配置されている熱電材料、
を具備しており、前記熱電材料が、複数のコア−シェル粒子を含んでおり、且つ前記コア−シェル粒子が、コア材料を含有しているコア及びシェル材料を含有しているシェルを有している、熱電デバイス。
〈２〉前記シェルの厚さが、約１ｎｍ〜約５００ｎｍである、上記〈１〉に記載の熱電デバイス。
〈３〉前記シェルの厚さが、約１ｎｍ〜約５００ｎｍである、上記〈１〉に記載の熱電デバイス。
〈４〉熱勾配によって、前記第１の電気的接点と前記第２の電気的接点との間で電気的出力を生じる、上記〈１〉に記載の熱電デバイス。
〈５〉前記コア材料が、前記シェル材料よりも実質的に小さい熱伝導性を有する、上記〈１〉に記載の熱電デバイス。
〈６〉前記コア材料が、電気的絶縁体である、上記〈１〉に記載の熱電デバイス。
〈７〉前記コア材料が空気である、上記〈１〉に記載の熱電デバイス。
〈８〉前記コア材料が、炭素である、上記〈１〉に記載の熱電デバイス。
〈９〉前記コアが、直径１ｎｍ〜１０μｍの実質的に球形である、上記〈１〉に記載の熱電デバイス。
〈１０〉前記コア材料が、酸化物である、上記〈１〉に記載の熱電デバイス。
〈１１〉前記コア材料が、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化カルシウム、酸化ランタン、酸化マグネシウム、酸化チタン、及び酸化イットリウムからなる酸化物の群より選択される酸化物を含む、上記〈１〉に記載の熱電デバイス。
〈１２〉前記コア材料が、酸化ケイ素を含む、上記〈１〉に記載の熱電デバイス。
〈１３〉前記シェル材料が、半導体又は金属であり、且つ
前記コア材料が、前記シェル材料よりも実質的に小さい熱伝導性を有する、
上記〈１〉に記載の熱電デバイス。
〈１４〉前記シェルが、半導体である、上記〈１〉に記載の熱電デバイス。
〈１５〉前記シェル材料が、カルコゲニドである、上記〈１４〉に記載の熱電デバイス。
〈１６〉前記シェル材料が、アンチモンを含む、上記〈１４〉に記載の熱電デバイス。
〈１７〉前記シェル材料が、テルルを含む、上記〈１４〉に記載の熱電デバイス。
〈１８〉前記シェル材料が、テルル化ビスマスである、上記〈１７〉に記載の熱電デバイス。
〈１９〉前記第１の電気的接点と金属層との間の第１の熱電材料；及び
前記金属層と前記第２の電気的接点との間の第２の熱電材料、
を有し、
前記金属層が、熱源と熱的に接触しており、
前記第１及び第２の電気的接点が、ヒートシンクと熱的に接触しており、
前記熱電デバイスが、前記熱源から受け取った熱エネルギーを使用して、電気エネルギーを提供する、
上記〈１〉に記載の熱電デバイス。
〈２０〉前記第１の熱電材料及び前記第２の熱電材料の両方が、コア−シェル粒子を含んでいる、上記〈２４〉に記載の熱電デバイス。
〈２１〉コア−シェル粒子から製造されるナノ複合材料であって、
前記コア−シェル粒子が、コア材料を含有しているコア、及びシェル材料を含有しているシェルを有しており、
前記コア材料が、炭素又は多糖であり、且つ
前記シェル材料が、半導体である、
ナノ複合材料。
〈２２〉前記シェル材料が、カルコゲニドである、上記〈２１〉に記載のナノ複合材料。
〈２３〉前記シェル材料が、テルル化鉛である、上記〈２１〉に記載のナノ複合材料。
〈２４〉上記〈２１〉に記載のナノ複合材料を含む、熱電デバイス。
〈２５〉コア材料を含有している複数のコア粒子を提供すること；
それぞれの前記コア粒子の表面を官能化すること；
それぞれの前記コア粒子の官能化された表面上に、シェル材料を含有しているシェルを成長させて、複数のコア−シェル粒子を提供すること；及び
前記コア−シェル粒子を一体化して、ナノ複合材料にすること、
を含む、ナノ複合材料の製造方法。
〈２６〉熱電デバイスで使用するための熱電材料を製造する方法である、上記〈２５〉に記載の方法。
〈２７〉光学デバイス、半導体デバイス、又はイオン伝導性膜で使用するためのナノ複合材料を製造する方法である、上記〈２５〉に記載の方法。
〈２８〉前記コア材料が、酸化物である、上記〈２５〉に記載の方法。
〈２９〉前記コア材料が、炭素又は多糖である、上記〈２５〉に記載の方法。
〈３０〉前記シェル材料が、半導体である、上記〈２５〉に記載の方法。
〈３１〉前記シェル材料が、カルコゲニドである、上記〈３０〉に記載の方法。
〈３２〉前記シェル材料が、テルル化物である、上記〈３１〉に記載の方法。