Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月27日(2010.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上下左右の枠材を矩形に組み合わせて構成された外枠と、
前記外枠の一端側に設けられたヒンジ機構を介して、該外枠の手前側に開閉可能に設けられた本体枠と、
遊技領域を有し、前記本体枠に対して該本体枠の枠内に着脱可能な遊技盤と、を備える遊技機であって、
前記遊技盤側には、
可動体の作動によって前記遊技領域を流下する遊技球の受け入れが可能とされる球入賞手段、
前記球入賞手段への遊技球の受け入れを検出する入賞スイッチ、
前記入賞スイッチに接続されるとともに、この入賞スイッチにより前記球入賞手段への遊技球の受け入れが検出されたときには賞球コマンドの送信にかかる処理を行う主制御手段、
演出画像が表示される演出表示装置、および
前記演出表示装置にて表示される演出画像にかかる表示制御を行う演出制御手段
がそれぞれ設けられてなり、
前記遊技盤側の主制御手段は、
条件装置の作動を伴う当りと条件装置の作動を伴わない当りとを抽選結果に含み、始動入賞に基づいて遊技者への利益付与にかかわる抽選処理を行う抽選手段、
前記条件装置の作動を伴う当りと条件装置の作動を伴わない当りとのうち、前記条件装置の作動を伴う当りに当選された場合に限り、前記条件装置の作動を伴う当りの当選確率を相対的に低く設定した第１遊技様態と、この第１遊技様態よりも前記条件装置の作動を伴う当りの当選確率を倍以上に高く設定した第２遊技様態との間での変更を実行しうる当選確率変更手段、および
前記可動体の作動にかかる制御を行う可動体制御手段
を有するものであり、
前記演出制御手段は、
前記第１遊技様態と前記第２遊技様態とのいずれかである特定の遊技様態に制御されているにもかかわらず、この特定の遊技様態とは異なるもう一方の遊技様態に制御されている可能性についての示唆も含めて、前記第１遊技様態及び前記第２遊技様態のうちのいずれかに制御されていることが前記演出表示装置にて示唆される秘匿演出を実行しうる秘匿演出制御手段、および
前記秘匿演出制御手段による秘匿演出が実行されているにもかかわらず、前記第２遊技様態に制御されている期待度を示唆しうる期待度演出を前記演出表示装置にて実行しうる期待度演出制御手段
を有するものであるのに対し、
前記本体枠側には、
駆動モータによって賞球を払い出しうる賞球払出装置、および
前記主制御手段との間で入出力インターフェースを介して双方向通信可能に接続される賞球払出制御手段
がそれぞれ設けられてなり、
前記本体枠側の賞球払出制御手段は、
前記遊技盤側の主制御手段による遊技制御によって、前記条件装置の作動を伴う当りのうちの第１当りが得られ、この第１当りが得られたことに基づいて前記球入賞手段への所定量の遊技球の受け入れが可能とされるかたちでの第１のラウンド動作が設定された結果、この設定された第１のラウンド動作に基づいて前記可動体が繰り返し作動することにより前記球入賞手段に遊技球が受け入れられたときには、前記入出力インターフェースを介して前記主制御手段から送信される賞球コマンドに基づいて前記賞球払出装置からの賞球の払い出しにかかる制御を行う処理、
前記遊技盤側の主制御手段による遊技制御によって、前記条件装置の作動を伴う当りのうちの第２当りが得られ、この第２当りが得られたことに基づいて前記所定量よりも少量とされた遊技球のみが前記球入賞手段に受け入れ可能となるかたちでの第２のラウンド動作が設定された場合であっても、この設定された第２のラウンド動作に基づいて前記可動体が繰り返し作動することにより前記球入賞手段に遊技球が受け入れられたときには、前記入出力インターフェースを介して前記主制御手段から送信される賞球コマンドに基づいて前記賞球払出装置からの賞球の払い出しにかかる制御を行いうる処理、および
前記遊技盤側の主制御手段による遊技制御によって、前記条件装置の作動を伴わない第３当りが得られたとき、前記第１当りまたは前記第２当りであるときのようなラウンド動作の設定によって大当たり遊技が行われることはないにもかかわらず、前記第２のラウンド動作が実行される場合と同様、前記所定量よりも少量とされた遊技球のみが受け入れ可能となるかたちで前記可動体が複数回の作動を行うことによって前記球入賞手段に遊技球が受け入れられた場合であっても、前記入出力インターフェースを介して前記主制御手段から送信される賞球コマンドに基づいて前記賞球払出装置からの賞球の払い出しにかかる制御を行いうる処理
をそれぞれ実行可能であることを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記抽選手段は、前記始動入賞に基づいて取得される当落判定用乱数に基づいて前記当たりについての抽選処理を行うものである
請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】
前記抽選手段は、前記始動入賞に基づいて取得される当落判定用乱数を一旦保留の状態にするとともに、所定の始動条件が成立されることによって前記保留の状態が解除された当落判定用乱数に基づいて前記当たりについての抽選処理を行うものである
請求項２に記載の遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月1日(2010.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１色相を表示する第１画素と、
第２色相を表示する第２画素と、
前記第１画素と接続されて第１走査信号を伝達する第１走査線と、
前記第２画素と接続されて第２走査信号を伝達する第２走査線と、
前記第１及び第２画素と接続されてデータ電圧を伝達するデータ線と、
前記走査線に前記走査信号を印加する走査駆動部と、
前記第１色相用第１階調電圧集合と前記第２色相用第２階調電圧集合を生成する階調電圧生成部と、
前記第１画素用第１画像信号を前記第１階調電圧集合に属する階調電圧の中で第１階調電圧に変換し、前記第２画素用第２画像信号を前記第２階調電圧集合に属する階調電圧の中で第２階調電圧に変換し、前記第１階調電圧と前記第２階調電圧を前記データ電圧として前記データ線に順次に印加するデータ駆動部とを含むことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記データ駆動部は、前記第１画像信号と前記第２画像信号とを同時に記憶するラッチを含むことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記データ駆動部は、前記第１画像信号と前記第２画像信号とを同時に変換することを特徴とする請求項２記載の表示装置。
【請求項４】
前記データ駆動部は、
前記第１階調電圧集合を供給されて前記第１画像信号を前記第１階調電圧に変換する第１変換器と、
前記第２階調電圧集合を供給されて前記第２画像信号を前記第２階調電圧に変換する第２変換器と、
前記第１階調電圧と前記第２階調電圧とのうちの一つを選択する選択器とを含むことを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記データ駆動部は、前記第１画像信号と前記第２画像信号とを時間を異ならせて記憶するラッチを含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記データ駆動部は、前記第１画像信号と前記第２画像信号とを時間を異ならせて変換することを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記データ駆動部は、前記第１画像信号を前記第１階調電圧に変換すると同時に、前記第２階調電圧集合に属する階調電圧の中で第３階調電圧にも変換し、前記第２画像信号を前記第２階調電圧に変換すると同時に、前記第１階調電圧集合に属する階調電圧の中で第４階調電圧にも変換し、前記第１階調電圧と前記第３階調電圧のうちの前記第１階調電圧を選択して、前記第２階調電圧と前記第４階調電圧のうちの前記第２階調電圧を選択して出力することを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記データ駆動部は、
前記第１階調電圧集合を供給され、前記第１画像信号を前記第１階調電圧に変換して前記第２画像信号を前記第４階調電圧に変換する第１変換器と、
前記第２階調電圧集合供給され、前記第２画像信号を前記第２階調電圧に変換して前記第１画像信号を前記第３階調電圧に変換する第２変換器と、
前記第１階調電圧と前記第３階調電圧のうちの一つを選択し、前記第２階調電圧と前記第４階調電圧のうちの一つを選択する選択器を含むことを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記階調電圧生成部は、前記第１階調電圧集合と前記第２階調電圧集合を選択的に出力することを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項１０】
複数の色相の中で一つを各々表示する複数の画素と、
前記画素に接続されて走査信号を伝達する複数の走査線と、
前記画素に接続されてデータ電圧を伝達する複数のデータ線と、
前記走査線に前記走査信号を印加する走査駆動部と、
前記色相によって複数の階調電圧集合を生成する階調電圧生成部と、
前記階調電圧集合に属する階調電圧の中で画像信号に対応する階調電圧を選択し、前記選択した階調電圧の中で一部を前記データ電圧として選択して前記データ線に印加するデータ駆動部とを含み、
前記各データ線は、互いに異なる色相を表示する画素と接続されていることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月5日(2010.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部光クラッドとの屈折率の差がＤｎ１である中心コアと、
外部光クラッドとの屈折率の差がＤｎ２である第１の中間クラッドと、
外部光クラッドとの屈折率の差Ｄｎ３が−５．１０−３以下である第１の減衰クラッドと、
外部光クラッドとの屈折率の差がＤｎ４である第２の中間クラッドと、
外部光クラッドとの屈折率の差Ｄｎ５が、外部光クラッドと第１の減衰クラッドの屈折率の差Ｄｎ３よりその絶対値が小さい第２の減衰クラッドと
を備えた光伝送ファイバであって、
１６２５ｎｍの波長における、１５ｍｍの曲げ半径に対する曲げ損失が１０巻き当たり０．１ｄＢ以下であり、また、７．５ｍｍの曲げ半径に対する曲げ損失が１巻き当たり０．５ｄＢ以下である、光伝送ファイバ。
【請求項２】
第２の減衰クラッドと外部光クラッドの間の屈折率の差Ｄｎ５が、−０．３．１０−３と−３．１０−３の間からなる、請求項１に記載のファイバ。
【請求項３】
中心コアと第１の中間クラッドの間の屈折率の差（Ｄｎ１−Ｄｎ２）が、４．５．１０−３と６．０．１０−３の間からなる、請求項１または２に記載のファイバ。
【請求項４】
中心コアが、外部光クラッドとの５．０．１０−３と５．６．１０−３の間からなる屈折率の差Ｄｎ１に対して、３．５μｍと４．５μｍの間からなる半径ｒ１を有する、請求項１から３のいずれか一項に記載のファイバ。
【請求項５】
第１の中間クラッドが、９μｍと１２μｍの間からなる半径ｒ２を有する、請求項１から４のいずれか一項に記載のファイバ。
【請求項６】
第１の減衰クラッドが、１４μｍと１６μｍの間からなる半径ｒ３を有する、請求項１から５のいずれか一項に記載のファイバ。
【請求項７】
第２の中間クラッドと外部光クラッドとの屈折率の差Ｄｎ４がほぼゼロである、請求項１から６のいずれか一項に記載のファイバ。
【請求項８】
第２の中間クラッドが、１８μｍと２０μｍの間からなる半径ｒ４を有する、請求項１から７のいずれか一項に記載のファイバ。
【請求項９】
第２の減衰クラッドが、２５μｍと４０μｍの間からなる半径ｒ５を有する、請求項１から８のいずれか一項に記載のファイバ。
【請求項１０】
１６２５ｎｍの波長における、２０ｍｍの曲げ半径に対する曲げ損失が１００巻き当たり０．１ｄＢ以下である、請求項１から９のいずれか一項に記載のファイバ。
【請求項１１】
１６２５ｎｍの波長における、１０ｍｍの曲げ半径に対する曲げ損失が０．２ｄＢ以下である、請求項１から９のいずれか一項に記載のファイバ。
【請求項１２】
１６２５ｎｍの波長における、５ｍｍの曲げ半径に対する曲げ損失が１巻き当たり１ｄＢ以下である、請求項１から１１のいずれか一項に記載のファイバ。
【請求項１３】
固定径ドラム方式によるマイクロベンディング損失が、最大１６２５ｎｍの波長に対して０．８ｄｂ／ｋｍ以下である、請求項１から１２のいずれか一項に記載のファイバ。
【請求項１４】
ケーブル遮断波長が１２６０ｎｍ以下である、請求項１から１３のいずれか一項に記載のファイバ。
【請求項１５】
１３１０ｎｍの波長におけるモードフィールド径（ＭＦＤ）が、８．６μｍと９．５μｍの間からなる、請求項１から１４のいずれか一項に記載のファイバ。
【請求項１６】
有効遮断波長λＣｅｆｆに対する１５５０ｎｍにおけるモードフィールド径の比率（ＭＡＣ）が８．２未満である、請求項１から１５のいずれか一項に記載のファイバ。
【請求項１７】
ゼロ波長分散波長（λ０）が１３００ｎｍと１３２４ｎｍの間からなり、前記波長における波長分散勾配が０．０９２ｐｓ／ｎｍ２／ｋｍ以下である、請求項１から１６のいずれか一項に記載のファイバ。
【請求項１８】
請求項１から１７のいずれか一項に記載のファイバの少なくとも巻き取られた部分を受け取るハウジングを備えた光モジュール。
【請求項１９】
請求項１から１７のいずれか一項に記載のファイバの少なくとも巻き取られた部分を受け取る保管箱。
【請求項２０】
ファイバが１５ｍｍ未満の曲げ半径で巻き取られる、請求項１８または１９に記載の光モジュールまたは保管箱。
【請求項２１】
ファイバが７．５ｍｍ未満の曲げ半径で巻き取られる、請求項１８または１９に記載の光モジュールまたは保管箱。
【請求項２２】
請求項１８から２１のいずれか一項に記載の少なくとも１つの光モジュールまたは１つの保管箱を備えたファイバトゥーザホーム（ＦＴＴＨ）またはファイバトゥーザカーブ（ＦＴＴＣ）光システム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月15日(2010.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
前記発光素子に駆動電流を供給する駆動トランジスタとを含み、
前記駆動トランジスタにはデータ電圧または逆バイアス電圧が交互に印加され、
前記逆バイアス電圧は交流電圧であることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記駆動トランジスタに接続され、走査信号によって前記データ電圧を伝達する第１スイッチングトランジスタと、
前記駆動トランジスタに接続され、スイッチング信号によって前記逆バイアス電圧を伝達する第２スイッチングトランジスタとを含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記逆バイアス電圧の周波数は、１０Ｈｚ〜１００００Ｈｚであることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記逆バイアス電圧のデューティ比は、１０〜９０％であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記逆バイアス電圧の最大値と最小値の平均は０Ｖより小さいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記逆バイアス電圧の最小値は、０Ｖより小さいことを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記逆バイアス電圧の最大値は、０Ｖであることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項８】
前記逆バイアス電圧の最大値は、０Ｖより大きいことを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１スイッチングトランジスタ及び前記第２スイッチングトランジスタは、交互にターンオンされることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第１スイッチングトランジスタがターンオンされる時間は、前記第２スイッチングトランジスタがターンオンされる時間より長いことを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月24日(2010.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レセプタと対向するようレセプタから離れた場所に設けられたコロナ電極と、
それぞれその一端にてコロナ電極と導電接触している複数個のナノストラクチャと、
コロナ電極に電圧を印加する電源と、
を備える電子写真用帯電装置。
【請求項２】
請求項１記載の電子写真用帯電装置であって、上記コロナ電極が、孤立したワイヤ状コロナ電極、ワイヤ状コロナ電極アレイ若しくはピン状コロナ電極アレイ又はそれらの任意の組合せである電子写真用帯電装置。
【請求項３】
それぞれその一端にてコロナ電極と導電接触するよう複数個のナノストラクチャをコロナ電極に設けるステップと、
コロナ電極に第１電圧を印加することにより上記複数個のナノストラクチャの他端にて帯電種を発生させるステップと、
コロナ電極から離れた場所に配置されたレセプタ上に帯電種を堆積させることによりそのレセプタを帯電させるステップと、
を有し、電子写真用帯電装置により実行されるレセプタ帯電方法。
【請求項４】
請求項３記載のレセプタ帯電方法であって、直流電圧を第１電圧として印加する一方、コロナ電極から離れた場所にありコロナ電極を部分的に取り囲んでいるシールドに第２電圧を印加することにより、レセプタに向かう帯電種流を規制乃至安定化するレセプタ帯電方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月23日(2010.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体層と、
誘電体層の第１面と隣り合うよう配置された第１電極と、
その第１面が誘電体層の第２面と隣り合うよう配置された第２電極と、
それぞれその一端が第２電極の第２面と導電接触している複数個のナノストラクチャと、
を備える電子写真用帯電装置。
【請求項２】
請求項１記載の電子写真用帯電装置であって、上記複数個のナノストラクチャが、ＳＷＮＴ、ＭＷＮＴ、ロッド、ワイヤ、ホーン、スパイラル若しくはファイバ又はそれらの任意の組合せである電子写真用帯電装置。
【請求項３】
第１及び第２電極並びにそれらの間に配置された誘電体層を備え第２電極にはそれぞれその第１端がその第２電極の表面と導電接触するよう複数個のナノストラクチャが設けられている固体式帯電装置を準備するステップと、
第１電極と第２電極の間に交流電圧を印加するステップと、
上記複数個のナノストラクチャの第２端にて複数の帯電種を発生させるステップと、
第２電極と向かい合うよう第２電極から離して配置されたレセプタ上に帯電種を堆積させることによりそのレセプタを帯電させるステップと、
最終レセプタ電圧と近似的に等しい直流電圧を第２電極に印加するステップと、
を有し、電子写真用帯電装置により実行されるレセプタ帯電方法。
【請求項４】
請求項４記載のレセプタ帯電方法であって、第２電極に設けられた開口の縁から離れた場所で帯電種が発生することとなるよう、上記複数個のナノストラクチャを第２電極の表面に配置するレセプタ帯電方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月9日(2010.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１信号が印加されるソース電極と、駆動電圧の出力端子と接続されるドレイン電極と、一定の周期を有する第１スイッチング電圧が印加される第１ゲート電極と、前記ソース電極とドレイン電極との間に形成されるチャンネル領域と、前記第１ゲート電極と電気的に絶縁される第２ゲート電極とを含む薄膜トランジスタと、
前記第１ゲート電極に印加される第１スイッチング電圧と同一の周期で電流制御信号を前記第２ゲート電極に印加する電流制御部と、
を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記電流制御部は、
第１電流制御信号が印加されるソース電極と、前記第２ゲート電極に接続され、前記第１電流制御信号を出力するドレイン電極と、第１スイッチング電圧が印加されるゲート電極とを備える第１スイッチング素子を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第２電流制御信号が印加されるソース電極と、前記駆動電圧出力端子に接続されるドレイン電極と、前記第１スイッチング電圧と位相が逆である第２スイッチング電圧が印加されるゲート電極とを含む第２スイッチング素子をさらに備えることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第２ゲート電極は、透明導電体に形成されることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記チャンネル領域は、非晶質シリコン層を含むことを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第２電流制御信号は、接地電圧であることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記電流制御部は、
第２電流制御信号が印加されるソース電極と、前記第２ゲート電極に接続され、前記第２電流制御信号を出力するドレイン電極と、前記第１スイッチング電圧と位相が逆である第２スイッチング電圧が印加されるゲート電極を含む第２スイッチング素子を更に含むことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第２ゲート電極は、透明導電体に形成されることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記チャンネル領域は、非晶質シリコン層を含むことを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第２電流制御信号は、接地電圧であることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月5日(2010.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像入力データを符号化するためのＧＣＣ（Ｇｒａｖｉｔｙ  Ｃｅｎｔｅｒ  Ｃｏｄｉｎｇ）コードを提供するステップを有する、画像の画素に対応する複数のルミナンス要素を有する表示装置上に表示するため映像データを処理する方法であって、
画像又は前記画像の一部の動き振幅を評価又は提供するステップと、
前記ＧＣＣコードの少なくとも１つのサブセットコードを提供するステップと、
小さな動き振幅に対する前記ＧＣＣコード又は前記動き振幅に応じた前記少なくとも１つのサブセットコードにより前記映像データを符号化するステップと、
を有し、
より大きな動き振幅に対して、より少数の符号化レベルによるサブセットコードが選択されることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記動き振幅は、２つの画像又は２つの画像の対応する部分の差分に基づき評価される、請求項１記載の方法。
【請求項３】
互いに異なる数の符号化レベルによるいくつかのサブセットコードが提供され、前記動き振幅がより大きな動きを示すに従って、符号化に使用される前記サブセットコードの符号化レベルの数は小さくなる、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
前記ＧＣＣコードと前記少なくとも１つのサブセットコードとは、メモリのテーブルに格納される、請求項１乃至３何れか一項記載の方法。
【請求項５】
各画素に対して、前記少なくとも１つのサブセットコードが生成される、請求項１乃至３何れか一項記載の方法。
【請求項６】
画像又は画像の一部の内部のテクスチャ値が決定され、前記決定されたテクスチャ値にさらに応じて、前記映像データを符号化するためのコードが変更される、請求項１乃至５何れか一項記載の方法。
【請求項７】
前記テクスチャ値は、皮膚トーン値であり、
前記コードは、前記皮膚トーン値に応じた係数と前記動き振幅の値とを乗算することによって変更され、
前記動き振幅の値は、使用される前記コードを生成又は選択するのに利用される、請求項６記載の方法。
【請求項８】
コードワードの重心と所与のＧＣＣ曲線との間の距離が、各コードワードに対して決定され、
前記映像データを符号化するためのコードが、前記距離に基づき選択される、請求項１乃至７何れか一項記載の方法。
【請求項９】
画像の画素に対応する複数のルミナンス要素を有する表示装置上に表示するため映像データを処理する装置であって、ＧＣＣ（Ｇｒａｖｉｔｙ  Ｃｅｎｔｅｒ  Ｃｏｄｉｎｇ）を利用することにより映像入力データを符号化する符号化手段を有し、前記符号化された映像データは、前記表示装置を制御するのに利用可能であり、
当該処理手段は、
画像又は該画像の一部の動き振幅を評価又は受け付けることが可能であり、
前記ＧＣＣコードの少なくとも１つのサブセットコードを提供することが可能であり、
小さな動き振幅に対する前記ＧＣＣコード又は前記動き振幅に応じた前記少なくとも１つのサブセットコードにより前記映像データを符号化することが可能であり、
より大きな動き振幅に対して、より少数の符号化レベルによるサブセットコードが選択されることを特徴とする装置。
【請求項１０】
前記画像又は前記画像の一部についての動き振幅を前記符号化手段に提供する動き検出手段をさらに有する、請求項９記載の装置。
【請求項１１】
前記符号化手段が、決定されたテクスチャ値にさらに応じて、前記映像データを符号化するのに使用されるコードを変更可能となるように、画像又は画像の一部の内部のテクスチャ値、好ましくは、皮膚トーン値を測定するテクスチャ測定手段をさらに有する、請求項９又は１０記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月18日(2009.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
さらに以下の条件式（５）を満足するように構成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の撮像レンズ。
ｂｆ／ＴＬ＞０．２  ……（５）
但し、
ｂｆ：第３レンズの像側の面から結像面まで（バックフォーカス）の距離（空気換算）
ＴＬ：第１レンズの物体側の面から結像面までの距離（但し、バックフォーカスは空気換算）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の撮像レンズでは、さらに以下の条件式（５）を満足するようにするとよい。但し、第３レンズの像側の面から結像面まで（バックフォーカス）の距離（空気換算）をｂｆと表し、第１レンズの物体側の面から結像面までの距離（但し、バックフォーカスは空気換算）をＴＬと表す。こうすることで、より十分なバックフォーカスが確保される。
ｂｆ／ＴＬ＞０．２  ……（５）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
この撮像レンズでは、さらに以下の条件式（５）を満たすようにするとよい。但し、ｂｆは第３レンズＧ３の面Ｓ６から結像面Ｓimgまで（バックフォーカス）の距離（空気換算）であり、ＴＬは第
１レンズＧ１の面Ｓ１から結像面Ｓimgまでの距離（但し、バックフォーカスは空気換算）である。
ｂｆ／ＴＬ＞０．２  ……（５）
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
図８，図１０，図１２，図１４，図１６、図１８および図２０に示した基本レンズデータにおける面番号Ｓｉの欄には、各実施例の撮像レンズについて、図１〜図７にそれぞれ示した符号Ｓｉに対応させて、絞りＳｔを含め最も物体側にある構成要素の面を０番目として、像側に向かうに従い順次増加するようにして符号を付したｉ番目（ｉ＝０〜８）の面の番号を示している。曲率半径Ｒｉの欄には、図１〜図７で示した符号Ｒｉに対応させて、物体側からｉ番目の面の曲率半径の値を示す。面間隔Ｄｉの欄についても、図１〜図７で付した符号に対応させて、物体側からｉ番目の面Ｓｉとｉ＋１番目の面Ｓｉ＋１との光軸上の間隔を示す。曲率半径Ｒｉおよび面間隔Ｄｉの値の単位はミリメートル（ｍｍ）である。Ｎｄｊ，νｄｊの欄には、それぞれ、光学部材ＧＣも含めて、物体側からｊ番目（ｊ＝１〜４）のレンズ要素のｄ線（５８７．６ｎｍ）に対する屈折率およびアッベ数の値を示す。なお、光学部材ＧＣの両面の曲率半径Ｒ７，Ｒ８の値が０（ゼロ）となっているが、これは平面であることを示す。また、絞りの面間隔Ｄ０がマイナスの符号である実施例は、絞りＳｔが最も物体側のレンズ面Ｓ１よりも像側にあることを意味する。図８，図１０，図１２，図１４，図１６、図１８および図２０の欄外には、諸データとして、全系の焦点距離ｆ（ｍｍ）、Ｆナンバー（ＦＮＯ．）、バックフォーカス（空気換算）ｂｆ（ｍｍ）、第１レンズＧ１の物体側の面Ｓ１から撮像面Ｓimgまでの距離（但し、バックフォーカスは空気換算）ＴＬ（ｍｍ）および結像面Ｓimgでの最大像高Ｉｈ（ｍｍ）の値を同時に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月30日(2009.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に画像を形成する画像形成部と、
前記画像形成部にて濃度パッチが形成された搬送中の記録媒体の前記濃度パッチの濃度を読取可能な画像濃度検知手段と、
を備え、
前記画像濃度検知手段の出力値を用いて前記画像形成部により記録媒体に形成される画像の濃度調整を行う画像形成装置において、
記録媒体をガイドするとともに、濃度パッチが形成された搬送中の記録媒体の前記濃度パッチの濃度を前記画像濃度検知手段により読取らせるための開口部を有するガイドと、
前記ガイドに対して前記画像濃度検知手段とは反対側から記録媒体を押さえつけるバックアップローラと、
を備え、
前記ガイドの開口部の記録媒体搬送方向の寸法の最大幅をＡ、
前記ガイドの開口部の記録媒体搬送方向と直角に交わる方向の寸法の最大幅をＢ、
前記バックアップローラの幅をＣ、
前記バックアップローラの直径をＤ、
とした場合に、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄにおける相対関係が、
０．３≦Ａ／Ｄ≦０．８
Ｂ／Ｃ≦０．８
であること、及び、
前記バックアップローラの硬度がＡＳＫＥＲ Ｃ測定において１０°以上３０°以下であることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記バックアップローラの色が、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系で、
Ｌ＊≦４０、−５≦ａ＊≦５、−８≦ｂ＊≦８、
を満たす、グレーもしくは黒であることを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記目的を達成するために本発明にあっては、
記録媒体に画像を形成する画像形成部と、
前記画像形成部にて濃度パッチが形成された搬送中の記録媒体の前記濃度パッチの濃度を読取可能な画像濃度検知手段と、
を備え、
前記画像濃度検知手段の出力値を用いて前記画像形成部により記録媒体に形成される画像の濃度調整を行う画像形成装置において、
記録媒体をガイドするとともに、濃度パッチが形成された搬送中の記録媒体の前記濃度パッチの濃度を前記画像濃度検知手段により読取らせるための開口部を有するガイドと、
前記ガイドに対して前記画像濃度検知手段とは反対側から記録媒体を押さえつけるバックアップローラと、
を備え、
前記ガイドの開口部の記録媒体搬送方向の寸法の最大幅をＡ、
前記ガイドの開口部の記録媒体搬送方向と直角に交わる方向の寸法の最大幅をＢ、
前記バックアップローラの幅をＣ、
前記バックアップローラの直径をＤ、
とした場合に、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄにおける相対関係が、
０．３≦Ａ／Ｄ≦０．８
Ｂ／Ｃ≦０．８
であること、及び、
前記バックアップローラの硬度がＡＳＫＥＲ Ｃ測定において１０°以上３０°以下であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月2日(2010.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶シリコン中の炭素濃度を決定する方法であって：
多結晶シリコン組成物から、切り離されかつアニーリングされたシリコンコアを供し、前記切り離されかつアニーリングされたシリコンコアは、柱状形状を有し、かつ単結晶シリコン領域及び凍結溶融領域を含み、前記凍結溶融領域は、前記単結晶シリコン領域に隣接して設けられ、かつ前記２種類の領域は前記柱状形状の長さ方向に沿って間隔を空けて設けられている、提供工程；
前記柱状形状の前記長さに対して垂直な、前記切り離されかつアニーリングされたシリコンコアから切片を取り出す取り出し工程；
前記切片の炭素濃度を決定する濃度決定工程；
任意で、前記切片の質量を決定する質量決定工程；
任意で、前記単結晶シリコン領域の質量を決定する単結晶領域質量決定工程；
任意で、前記切片の炭素濃度、前記切片の質量、前記単結晶シリコン領域の質量、及び有効偏析係数に基づき、前記単結晶シリコン領域の炭素濃度を決定する単結晶領域濃度決定工程；
任意で、前記単結晶シリコン領域の炭素濃度に基づき、前記多結晶シリコン組成物の炭素濃度を決定する多結晶組成物濃度決定工程；
を有し、
前記取り出し工程は前記凍結溶融領域から前記切片を取り出す工程として定義され、前記切片中のすべてが前記凍結溶融領域であることで、前記結晶シリコン中での炭素濃度の決定が１０億個の原子あたりにつき１０個以下の感度で可能となる、
方法。
【請求項２】
前記切り離されかつアニーリングされたシリコンコアが、前記単結晶シリコン領域とは対向した位置にある前記凍結溶融領域に隣接して設けられるタングエンド領域をさらに有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記切り離されかつアニーリングされたシリコンコアを、切断装置上の、前記切り離されかつアニーリングされたシリコンコアの前記タングエンド領域にマウントするマウント工程をさらに有する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記結晶シリコン組成物から引き出された切り離されたシリコンコアをアニーリングするアニーリング工程をさらに有する、上記請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記結晶シリコン組成物から引き出された多結晶シリコンコアを切り離す切り離し工程をさらに有する、上記請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
結晶シリコン中の炭素濃度を分析する方法であって：
多結晶シリコン組成物から引き出された、切り離されかつアニーリングされたシリコンコアからの切片を供し、前記切り離されかつアニーリングされたシリコンコアは、柱状形状を有し、かつ単結晶シリコン領域及び凍結溶融領域を含み、前記凍結溶融領域は、前記単結晶シリコン領域に隣接して設けられ、かつ前記２種類の領域は前記柱状形状の長さ方向に沿って間隔を空けて設けられている、切片提供工程；
前記切片の炭素濃度を決定する切片炭素濃度決定工程；
任意で、前記切片の質量を決定する切片質量決定工程；
任意で、前記切片の炭素濃度、前記切片の質量、前記単結晶シリコン領域の質量、及び有効偏析係数に基づき、前記単結晶シリコン領域の炭素濃度を決定する単結晶領域濃度決定工程；
任意で、前記単結晶シリコン領域の炭素濃度に基づき、前記多結晶シリコン組成物の炭素濃度を決定する多結晶組成物濃度決定工程；
を有し、
前記取り出し工程は前記凍結溶融領域から前記切片を取り出す工程として定義され、前記切片中のすべてが前記凍結溶融領域であることで、前記結晶シリコン中での炭素濃度の決定が１０億個の原子あたりにつき１０個以下の感度で可能となる、
方法。
【請求項７】
既知の炭素濃度を有する参照用多結晶シリコン組成物から参照用切片を供する工程をさらに有する、上記請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
既知の炭素濃度を有する参照用多結晶シリコン組成物から、切り離されかつアニーリングされた参照用シリコンコアの凍結溶融領域から第２参照用切片を供する工程をさらに有する方法であって、
前記切り離されかつアニーリングされた参照用シリコンコアは、前記前記切り離されかつアニーリングシリコンコアと同一条件下で切り離され、かつアニーリングされ、
前記切り離されかつアニーリングされた参照用シリコンコアは、実質的に同様の柱状形状を有し、
前記切り離されかつアニーリングされた参照用シリコンコアは、前記切り離されかつアニーリングシリコンコアと同一の領域を含み、かつ
前記参照用シリコンコアの単結晶領域は、前記切り離されかつアニーリングシリコンコアの前記単結晶シリコン領域の長さと実質的に同一な長さを有し、
前記第２参照用切片はすべて前記凍結溶融領域である、
請求項３３に記載の方法。
【請求項９】
フーリエ変化赤外分光法によって、前記参照用切片の炭素濃度及び前記第２参照用切片の炭素濃度を決定する工程をさらに有する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記参照用切片の炭素濃度と前記第２参照用切片の炭素濃度との差異に基づいて有効偏析係数を決定する工程をさらに有する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
切り離されかつアニーリングされたシリコンコアからの切片を取り出し、前記切り離されかつアニーリングされたシリコンコアは、柱状形状を有し、かつ単結晶シリコン領域及び凍結溶融領域を含み、前記凍結溶融領域は、前記単結晶シリコン領域に隣接して設けられ、かつ前記２種類の領域は前記柱状形状の長さ方向に沿って間隔を空けて設けられている、切片取り出し工程を有する方法であって、
前記切片は、前記柱状形状の前記長さに対して垂直な、前記切り離されかつアニーリングされたシリコンコア及び前記凍結溶融領域から取り出され、
前記切片はすべて前記凍結溶融領域である、
方法。
【請求項１２】
前記切り離されかつアニーリングされたシリコンコアが、前記単結晶シリコン領域とは対向した位置にある前記凍結溶融領域に隣接して設けられるタングエンド領域をさらに有する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記切り離されかつアニーリングされたシリコンコアを、切断装置上の、前記切り離されかつアニーリングされたシリコンコアの前記タングエンド領域にマウントするマウント工程をさらに有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記切片を取り出す工程は、前記切り離されかつアニーリングされたシリコンコアをテンプレートで位置設定することで前記切断装置の切断位置に合わせる、位置設定工程をさらに有する、請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月25日(2010.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水晶からなり、前記水晶の電気軸であるＸ軸方向に振動する駆動脚と、検出脚と、を備える振動子の製造方法において、
前記駆動脚の稜線部分に、前記駆動脚の長手方向に直交する断面において前記Ｘ軸と成す角度が２５°〜３５°となる傾斜面を形成して前記振動子の漏れ振動を調整する第１の工程と、
前記傾斜面が形成された前記振動子をエッチングして前記振動子の離調度を調整する第２の工程と、を有することを特徴とする、振動子の製造方法。
【請求項２】
水晶からなり、前記水晶の電気軸であるＸ軸方向に振動する駆動脚と、検出脚と、を備える振動子の製造方法において、
前記駆動脚の＋Ｘ軸側の稜線部分および−Ｘ軸側の稜線部分の少なくとも一方に傾斜面を形成して前記振動子の漏れ振動を調整する第１の工程と、
前記傾斜面が形成された前記振動子をエッチングして前記振動子の離調度を調整する第２の工程と、を有し、
前記第１の工程において前記駆動脚の＋Ｘ軸側の稜線部分に形成される前記傾斜面は、前記駆動脚の長手方向に直交する断面において前記Ｘ軸と成す角度が２５°〜４０°または５５°〜７０°であり、前記駆動脚の−Ｘ軸側の稜線部分に形成される前記傾斜面は、前記駆動脚の長手方向に直交する断面において前記Ｘ軸と成す角度が２０°〜３５°であることを特徴とする、振動子の製造方法。
【請求項３】
前記第１の工程において、レーザ光を前記稜線部分に照射することによって前記稜線部分に前記傾斜面を形成することを特徴とする、請求項１又は２に記載の振動子の製造方法。
【請求項４】
前記レーザ光としてフェムト秒レーザを用いることを特徴とする、請求項３に記載の振動子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】振動子の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月30日(2010.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板(1) と、
前記基板(1) 上に配置されたヒータ(4) と、
流量を測定する流体の前記ヒータ(4) の上流位置と下流位置との間の温度差を測定して感知信号（ΔＴ）を発生する少なくとも第１および第２の感知用熱電対(6a,6b) と、
前記ヒータから上流と下流に配置されて監視信号（ＴＰ）を発生する少なくとも第１および第２の監視用熱電対(12a,12b) と、
制御回路（18）とを具備し、
前記感知用熱電対(6a,6b) は前記基板上に配置され、前記ヒータ(4) に最も接近しているそれら感知用熱電対の接合部は、前記ヒータ(4) から第１の距離に配置され、
前記監視用熱電対(12a,12b) は前記基板上に配置され、前記ヒータ(4) に最も接近している前記監視用熱電対(12a,12b) の接合部は前記ヒータ(4) から第２の距離に配置され、この第２の距離は前記第１の距離よりも小さく、
前記制御回路（18）は、前記ヒータによる前記感知用熱電対(6a,6b) の流量に依存した加熱から前記ヒータ(4) および前記感知用熱電対(6a,6b) 上を流れる流量を測定するように構成されており、
前記感知用熱電対(6a,6b) は前記監視用熱電対(12a,12b) と平行して延在している流量測定装置。
【請求項２】
さらに、前記感知信号（ΔＴ）と前記監視用信号（ＴＰ）との比に比例する信号を生成する手段(16, 18)を具備している請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記感知信号（ΔＴ）は前記温度差に比例している請求項１または２記載の装置。
【請求項４】
前記監視用信号（ＴＰ）は、第１および第２の監視熱電対からの電圧の和に対応している請求項３記載の装置。
【請求項５】
前記基板(1) は測定領域と調整領域とに分割され、前記測定領域における熱電対熱伝導は前記調整領域における熱電対熱伝導よりも低く、前記ヒータ(4) と、前記感知用熱電対(6a,6b) と、前記監視用熱電対(12a,12b) とは前記測定領域に少なくとも部分的に配置されている請求項１乃至４のいずれか１項記載の装置。
【請求項６】
前記第１および第２の感知用熱電対(6a,6b) のそれぞれの接合部(10)の幾つかは前記調整領域上に配置されている請求項５記載の装置。
【請求項７】
前記監視用熱電対(12a,12b) のそれぞれの第１の接合部(9', 9a, 9b)は前記測定領域上に配置され、前記監視用熱電対(12a,12b) のそれぞれの第２の接合部(10', 10a, 10b) は前記調整領域上に配置されている請求項５または６のいずれか１項記載の装置。
【請求項８】
前記監視用熱電対(12a,12b) のそれぞれの両方の接合部(9', 10') は前記測定領域上に配置されている請求項５または６のいずれか１項記載の装置。
【請求項９】
前記基板中に穴または凹部(2) およびその穴または凹部(2) 上に延在する薄膜構造(3) を備えており、前記測定領域は前記薄膜構造(3) によって規定されている請求項５乃至８のいずれか１項記載の装置。
【請求項１０】
さらに、前記監視用信号（ＴＰ）を一定に維持するために、前記ヒータ(4) を流れる電流を制御する制御ループ(17)を備えている請求項１乃至９のいずれか１項記載の装置。
【請求項１１】
さらに、前記感知信号（ΔＴ）を変換するアナログ・デジタル変換器(16)を備え、
このアナログ・デジタル変換器(16)は基準入力を有し、その基準入力における信号（Ｖref)により正規化された前記感知信号（ΔＴ）のデジタル値を生成し、
前記監視信号（ＴＰ）が前記基準入力に供給される請求項１乃至１０のいずれか１項記載の装置。
【請求項１２】
前記監視用熱電対(12a,12b) は前記ヒータの縦軸に関して対称に配置されている請求項１乃至１１のいずれか１項記載の装置。
【請求項１３】
前記ヒータ(4) に最も接近している前記監視用熱電対(12a,12b) の接合部(9', 9a, 9b)は、前記ヒータ(4) の温度を測定するように構成されている請求項１乃至１２のいずれか１項記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月20日(2010.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉａ）もしくは（Ｉｂ）
【化１】
2010138190.tif 000001
（式中、
ＸおよびＹの１つはＳを表し、そして他はＯまたはＳを表し、
Ｒ1は、水素またはＣ１〜６アルキルを表し、
Ｒ2は、水素またはＣ１〜６アルキルを表し、該アルキル基は、
ｉ）Ｏ、ＮおよびＳから独立して選ばれる１つもしくは２つのヘテロ原子を場合により含み、そして１つのカルボニル基を場合により含む、飽和もしくは部分的に不飽和の３〜７員環；ここで、該環はハロゲン、ヒドロキシ、Ｃ１〜６アルコキシおよびＣ１〜６アルキルから選ばれる１つもしくは２つ以上の置換基によって場合により置換され、該アルキルはヒドロキシもしくはＣ１〜６アルコキシによって場合によりさらに置換される、またはii）Ｃ１〜６アルコキシ、または
iii）フェニル、フリルもしくはチエニルから選ばれる芳香環；ここで、該芳香環はハロ
ゲン、Ｃ１〜６アルキルもしくはＣ１〜６アルコキシによって場合によりさらに置換される、
によって場合により置換され、
Ｒ3およびＲ4は、独立して水素またはＣ１〜６アルキルを表す）
の化合物または薬学的に許容し得るその塩の、酵素ＭＰＯの阻害が有益である疾患もしくは症状の治療もしくは予防のための薬剤の製造における使用。
【請求項２】
疾患または症状が神経性炎症障害である請求項１に記載の使用。
【請求項３】
ＸがＳを表しそしてＹがＯを表す、請求項１または２に記載の使用。
【請求項４】
Ｒ3がＨを表す、請求項１〜３のいずれか１項に記載の使用。
【請求項５】
Ｒ2が場合により置換されたＣ１〜６アルキルを表す、請求項１〜４のいずれか１項に
記載の使用。
【請求項６】
Ｒ4がＨを表す、請求項１〜５のいずれか１項に記載の使用。
【請求項７】
神経性炎症障害の治療または予防に使用するための請求項１記載の式（Ｉａ）もしくは（Ｉｂ）の化合物または薬学的に許容し得るその塩の治療的に有効な量を、薬学的に許容し得る補助剤、希釈剤または担体と混合して含有する医薬製剤。
【請求項８】
式（Ｉａ）もしくは（Ｉｂ）
【化２】
2010138190.tif 000002
（式中、
ＸはＳを表し、そしてＹはＯを表し、
Ｒ1は、水素またはＣ１〜６アルキルを表し、
Ｒ2は、Ｏ、ＮおよびＳから独立して選ばれる１つまたは２つのヘテロ原子を場合によ
り含み、そして１つのカルボニル基を場合により含む飽和または部分的に不飽和の３〜７員環によって置換されたＣ１〜６アルキルを表し、該環はハロゲン、ヒドロキシ、Ｃ１〜６アルコキシおよびＣ１〜６アルキルから選ばれる１つまたは２つ以上の置換基によって場合により置換され、該アルキルはヒドロキシまたはＣ１〜６アルコキシによって場合によりさらに置換され、
Ｒ3およびＲ4は、独立して水素またはＣ１〜６アルキルを表す）
の化合物または薬学的に許容し得るその塩。
【請求項９】
式（Ｉａ）もしくは（Ｉｂ）が
１,３−ジイソブチル−８−メチル−６−チオキサンチン、
１,３−ジブチル−８−メチル−６−チオキサンチン、
３−イソブチル−１,８−ジメチル−６−チオキサンチン、
３−（２−メチルブチル）−６−チオキサンチン、
３−イソブチル−８−メチル−６−チオキサンチン、
３−イソブチル−２−チオキサンチン、
３−イソブチル−２,６−ジチオキサンチン、
３−イソブチル−８−メチル−２−チオキサンチン、
３−イソブチル−７−メチル−２−チオキサンチン、
３−シクロヘキシルメチル−２−チオキサンチン、
３−（３−メトキシプロピル）−２−チオキサンチン、
３−シクロプロピルメチル−２−チオキサンチン、
３−イソブチル−１−メチル−２−チオキサンチン、
３−（２−テトラヒドロフリル−メチル）−２−チオキサンチン、
３−（２−メトキシ−エチル）−２−チオキサンチン、
３−（３−（１−モルホリニル）−プロピル）−２−チオキサンチン、
３−（２−フリル−メチル）−２−チオキサンチン、
３−（４−メトキシベンジル）−２−チオキサンチン、
３−（４−フルオロベンジル）−２−チオキサンチン、
３−フェネチル−２−チオキサンチン、
（＋）−３−（２−テトラヒドロフリル−メチル）−２−チオキサンチン、
（−）−３−（２−テトラヒドロフリル−メチル）−２−チオキサンチン、
３−ｎ−ブチル−２−チオキサンチン
である化合物または薬学的に許容し得るその塩。
【請求項１０】
請求項８または９に記載の化合物の薬剤としての使用。
【請求項１１】
請求項８または９に記載の式（Ｉａ）もしくは（Ｉｂ）の化合物もしくは薬学的に許容し得るその塩を、薬学的に許容し得る補助剤、希釈剤もしくは担体と混合して含有する医薬組成物。
【請求項１２】
（ａ）式（IIａ）もしくは（IIｂ）
【化３】
2010138190.tif 000003
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は請求項１の定義の通りであり、ＸはＯもしくはＳを表し、そしてＹはＯを表す）の化合物を硫化化合物例えばローソン試薬もしくは五硫化リンと反応させ、相当する化合物（ここで、ＹはＳを表す）を得るか、または
（ｂ）式（IIIａ）もしくは（IIIｂ）
【化４】
2010138190.tif 000004
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、ＸおよびＹは請求項１の定義の通りである）のジアミンをギ酸
もしくはトリアルキルオルトエステルと反応させ、
そして必要な場合には、生成した式（Ｉａ）もしくは（Ｉｂ）の化合物または他のその塩を薬学的に許容し得るその塩に変換するか、または生成した式（Ｉａ）もしくは（Ｉｂ）の化合物を式（Ｉａ）もしくは（Ｉｂ）のさらなる化合物に変換し、そして望ましい場
合には生成した式（Ｉａ）または（Ｉｂ）の化合物をその光学異性体に変換する
ことを含む、請求項８または９に定義した式（Ｉａ）もしくは（Ｉｂ）の化合物または薬学的に許容し得るその塩、鏡像体、ジアステレオマーもしくはラセミ化合物を製造する方法。
【請求項１３】
以下の式
【化５】
2010138190.tif 000005
（式中Ｒ2は、Ｃ１〜６アルコキシで置換されたＣ１〜６アルキルを表わす）
の化合物または薬学的に許容し得るその塩。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月18日(2010.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（４）で表される繰り返し単位を有する、ベンゾオキサゾール樹脂前駆体。
【化４】
2010138408.tif 000001
［式（４）中、Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基を示し、Ｘ1はフェニル基、ビフェニル基、ジフェニルエーテル基、フルオレニル基、ビナフタレン基、スルフィドビフェニル基、ナフトール基を示し、前記Ｘ1はエチニル基、フェニルエチニル基を有していてもよい。Ｙ2は式（３）で表される基の中から選ばれる少なくとも１種の基を示し、ｍは２〜１，０００の間の整数である。］
【化３】
2010138408.tif 000002
［式（３）中、Ｚは、式（１）で表される活性エステル基又はカルボキシル基を示す。ま
た、Ｚは、同一のベンゼン環上に１〜４個を有していても良い。式（３）で表される基に
おける、ベンゼン環上の水素原子は、アルキル基、芳香族基、エーテル基、水酸基、およびフッ素原子の中から選ばれる、少なくとも１個の基で置換されていても良い。]
【化１】
2010138408.tif 000003
［式（１）中、Ｒはアルキル基、ピリジル基、キノリル基、芳香族基、又はベンゾトリア
ゾール基を示し、これらの基における水素原子は、少なくとも１個の有機基で置換されて
いても良い。］
【請求項２】
請求項１に記載のベンゾオキサゾール樹脂前駆体を脱水閉環反応させて得られることを特徴とするポリベンゾオキサゾール樹脂。
【請求項３】
請求項２に記載のポリベンゾオキサゾール樹脂を含んでなることを特徴とする樹脂膜。
【請求項４】
前記樹脂膜は、平均孔径１０ｎｍ以下の微細孔を有するものである請求項３に記載の樹脂膜。
【請求項５】
前記樹脂膜は、半導体用層間絶縁膜、半導体用保護膜およびエッチング保護膜の中から
選ばれるものの一つである請求項３または４に記載の樹脂膜。
【請求項６】
請求項３ないし５のいずれかに記載の樹脂膜を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月26日(2010.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素数１〜２０の（メタ）アクリル酸アルキルエステルがポリマーを構成するモノマー成分全量に対して６０重量％以上であるアクリル系ポリマーと気泡と中空微小球状体を含有し且つ界面活性剤を含有する粘弾性組成物であって、前記界面活性剤が、分子中にオキシＣ2-3アルキレン基及びフッ素化炭化水素基を有するフッ素系界面活性剤であることを特徴とする気泡含有粘弾性組成物。
【請求項２】
フッ素系界面活性剤の割合が粘弾性組成物中のベースポリマー１００重量部に対して０．０１〜５重量部（固形分）である請求項１に記載の気泡含有粘弾性組成物。
【請求項３】
中空微小球状体が中空ガラスバルーンである請求項１又は２に記載の気泡含有粘弾性組成物。
【請求項４】
中空微小球状体の含有量が５〜５０体積％である請求項１〜３の何れかの項に記載の気泡含有粘弾性組成物。
【請求項５】
気泡の含有量が５〜５０体積％である請求項１〜４の何れかの項に記載の気泡含有粘弾性組成物。
【請求項６】
活性エネルギー光線により硬化が可能である請求項１〜５の何れかの項に記載の気泡含有粘弾性組成物。
【請求項７】
感圧性接着剤層として利用する請求項１〜６の何れかの項に記載の気泡含有粘弾性組成物。
【請求項８】
基材として利用する請求項１〜６の何れかの項に記載の気泡含有性粘弾性組成物。
【請求項９】
感圧性接着剤層を有している感圧性接着テープ又はシートであって、感圧性接着剤層が、請求項７記載の気泡含有粘弾性組成物により形成されている感圧性接着テープ又はシート。
【請求項１０】
基材の少なくとも一方の面に感圧性接着剤層を有している感圧性接着テープ又はシートであって、基材が、請求項８記載の気泡含有粘弾性組成物により形成されている感圧性接着テープ又はシート。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
すなわち、本発明は、炭素数１〜２０の（メタ）アクリル酸アルキルエステルがポリマーを構成するモノマー成分全量に対して６０重量％以上であるアクリル系ポリマーと気泡と中空微小球状体を含有し、且つ界面活性剤を含有する粘弾性組成物であって、前記界面活性剤が分子中にオキシＣ2-3アルキレン基及びフッ素化炭化水素基を有するフッ素系界面活性剤であることを特徴とする気泡含有粘弾性組成物である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明は、さらにまた、基材の少なくとも一方の面に感圧性接着剤層を有している感圧性接着テープ又はシートであって、基材が、前記気泡含有粘弾性組成物により形成されていることを特徴とする感圧性接着テープ又はシートである。尚、本明細書には上記発明の他に、気泡と中空微小球状体を含有し且つ界面活性剤を含有する粘弾性組成物であって、前記界面活性剤が、分子中にオキシＣ2-3アルキレン基及びフッ素化炭化水素基を有するフッ素系界面活性剤であることを特徴とする気泡含有粘弾性組成物についても記載する。