【手続補正書】
【提出日】平成22年3月18日(2010.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
さらに、加工対象物に向けてレーザ光を出力するレーザ加工ヘッドとその加工対象物側に装着されたノズルとを備え、レーザ加工ヘッドが出力したレーザ光がノズルを通して加工対象物に照射され、ノズルがアシストガスとともに加工対象物付近に生じたデブリを螺旋状に回転させながら吸引するレーザ加工方法（手法３）が提案されている。（例えば、特許文献４参照）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
以下、本発明のレーザ加工装置及びデブリ回収機構の一実施形態について、図１乃至図９を参照して説明する。図１は本発明のレーザ加工装置の一実施形態の例を示す全体的構成図、図２は本発明のレーザ加工装置に用いるデブリ回収機構の斜視図、図３は本発明のレーザ加工装置に用いるデブリ回収機構のベース部分の底面図、図４は本発明のレーザ加工装置に用いるデブリ回収機構の渦巻発生方法を説明するためのベース部分の底面図、図５は本発明のレーザ加工装置に用いるデブリ回収機構の同心円状溝による同心円状気流の発生方法を説明するための平面図、図６は本発明のレーザ加工装置に用いるデブリ回収機構の渦形成プレートの平面図、図７は図６のＡ−Ａ断面矢視図である。図８は本発明の一実施形態に係るレーザ加工装置に用いるデブリ回収機構の概略断面図である。図９は、本発明の一実施形態に係るレーザ加工装置に使用される遮蔽板の例を示すものであり、Ａは上面図、ＢはＸ−Ｘ断面図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
上述の構成における渦発生方法を、図４を参照して説明する。図４は図３と同様の渦形成用基盤２３ａの底面を示す。渦形成用プレート３８の外周に形成された同心円状溝３７に穿たれた４個の気体供給孔３４から供給された気体は、同心円状溝３７に沿って矢印Ｂ１，Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４に示すように反時計回りの環状気流を発生する。この環状気流は透過孔２１から放射状に形成された放射状溝３８ｂの気体が供給される側の供給部３８ｅから透過孔２１側の排出部３８ｆへ矢印Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４、Ｄ５、Ｄ６で示される気流を生じて排出され、渦形成スペース３６の円周部分に反時計方向の矢印Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４に示す円形気流を発生する。そして、矢印Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４で表される円形気流の雰囲気に対して排気ポンプ２４により上昇気流を作用させることで、気体導出部２３ｂ及びチャンバー２３ｃ内で渦巻状又は螺旋状の上昇気流が発生し、透過孔２１内を上昇した気体が排気孔３２より外部へ排気される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
次に、加工飛散物の流れを遮る遮蔽手段について説明する。
図８は、遮蔽手段の一例を説明するためのデブリ回収機構の概略断面図である。図８において、図１〜図７と対応する部分には同一符号を付している。図８に示すように、チャンバー２３ｃの上部（透過孔２８）と底面の透過孔２１（下部）を繋ぐ部分の内部、即ち、気体導出部２３ｂの内部に、開口部４２ａが形成された遮蔽板４２が設置されている。この遮蔽板４２の開口部４２ａは略中央部分に形成され、レーザ光光路上に位置して加工対象膜２６に照射されるレーザ光を通過させる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
図９は、遮断板４２の外観を示す図であり、Ａは上面図、ＢはＸ−Ｘ線断面図である。図９Ａ，Ｂに示すように、遮蔽板４２は高さが低く開口が形成された有底の筒状、あるいは、両底面に開口を有する高さの低い円柱もしくは円盤状である。遮蔽板４２の一方は大きく開口しており、他方は底面に所定の大きさの開口部４２ａが貫通形成されている。本例の遮蔽板４２は、開口部４２ａが穿設された底面と反対側の開口端から開口部４２ａに向かって落ち込んでいくような、略すり鉢状の形状をしている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
図１６は、駆動基板２０１のＴＦＴ素子２３０の周辺の断面構造を示す断面図であって、図１５におけるＢ−Ｂ線方向の断面を示している。また、図１７は、駆動基板２０１の開口２１２ｗの周辺の断面構造を示す断面図であって、図１５におけるＣ−Ｃ線方向の断面図である。また、図１６及び図１７に示すように、駆動基板２０１の電極形成面側に対向して配置された対向電極２６２、カラーフィルタ２６４、位相差板２６６及び偏光板２６８と、駆動基板２０１の裏面側に配置された位相差板２７０、偏光板２７２及び面状光源２７４とによって液晶表示装置は構成される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
駆動基板２０１は、基板２４０と、ゲート電極２０７と、バリア膜２４４と、ゲート絶縁膜２４６と、ポリシリコン層２０８と、ストッパ層２５０と、層間絶縁膜２４８，２５２と、拡散板２５４と、平坦化層２５６と、透過用画素電極２１０と、反射用画素電極２１２とを有する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
ポリシリコン層２０８は、ゲート絶縁膜２４６上にパターニングされている。このポリシリコン層２０８は、例えば、非晶質シリコンをゲート絶縁膜２４６上にプラズマＣＶＤ法により成膜したのち、アニール処理を施して非晶質シリコンに含まれる水素を除去し、ポリシリコンに転換させ、このポリシリコンを、例えば、フォトリソグラフィーによりパターニングすることにより得られる。また、ポリシリコン層２０８とストッパ層２５０の両側には、例えば、リン（Ｐ）等の不純物が所定の濃度で注入され、活性化されることによりＬＤＤ（LightlyDoped Drain）領域及びＮ+領域が形成されている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
層間絶縁膜２４８は、ストッパ層２５０及びポリシリコン層２０８を覆うようにゲート絶縁膜２４６上に形成されている。この層間絶縁膜２４８は、例えば、酸化シリコンがＣＶＤ法により成膜されている。層間絶縁膜２５２は、層間絶縁膜２４８上に形成されている。この層間絶縁膜２５２は、例えば、窒化シリコンがＣＶＤ法により成膜されている。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
平坦化層２５６は、拡散板２５４上に形成されており、拡散板２５４の表面の凹凸を滑らかにし、透過用画素電極２１０及び反射用画素電極２１２が定着しやすいようにするために設けられている。このため、平坦化層２５６の表面は拡散板２５４の表面よりも滑らかになっている。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
反射用画素電極２１２は、透過用画素電極２１０の表面に全面的に形成されている。この反射用画素電極２１２は、図１７に示すように、開口２１２ｗが形成されている。反射用画素電極２１２は、例えば、Ａｌ等で形成された導電性の反射膜（金属膜）で形成されている。このため、反射用画素電極２１２は、透過用画素電極２１０と電気的に接続されている。なお、反射用画素電極２１２は、後述するように、透過用画素電極２１０上に成膜された導電性反射膜２１１が、レーザ光によるアブレーション加工によりパターニングされる。さらにこのパターニングの際、透過用画素電極２１０のテーパー状の穴Ｈには、樹脂等からなるストッパ層２１５を予め形成しておくようにする。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
対向電極２６２、カラーフィルタ２６４、位相差板２６６及び偏光板２６８は、一体化されて駆動基板２０１の画素電極形成側に対向配置される。また、位相板２７０、偏光板２７２及び面状光源２７４は、一体化されて駆動基板２０１の非画素電極形成側に対向配置される。対向電極２６２は、ＩＴＯ等の導電性の透過膜によって形成されており、透過用画素電極２１０及び反射用画素電極２１２との間で電界を形成する。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
上記構成の液晶表示装置では、偏光板２６８側から入射した外光ＯＬは、偏光板２６８、位相差板２６６、カラーフィルタ２６４及び対向電極２６２を通過して反射用画素電極２１２に入射し、この反射用画素電極２１２で反射されて偏光板２６８から外部に再び出力される。反射用画素電極２１２の表面は、拡散板２５４の凹凸により凹凸を有しているので、反射用画素電極２１２に入射された外光ＯＬは、散乱し画面の輝度が向上する。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
次に、上述した反射用画素電極２１２の形成方法について説明する。反射用画素電極２１２の形成（パターンニング）は、図１に示したデブリ回収手段２２を備えるレーザ加工装置２０を用いて行う。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
樹脂材料を用いてストッパ層２１５を形成後、図１９に示すように、ストッパ層２１５及び矩形状にパターニングされた透過用画素電極２１０を覆うように、導電性反射膜２１１を形成する。この導電性反射膜２１１は、例えば、Ａｌ等の導電性を有する反射膜（金属膜）が用いられる。導電性反射膜２１１の形成には、例えば、スパッタリング法が用いられる。これにより、導電性反射膜２１１と透過用画素電極２１０とは電気的に接続される。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
レーザビームＬＢが導電性反射膜２１１の被照射領域Ｒに繰り返し照射されると、被照射領域Ｒが徐々に除去される。そして、導電性反射膜２１１の被照射領域Ｒが完全に除去されると、導電性反射膜２１１に形成された開口からストッパ層２１５が露出する。さらに、レーザビームＬＢを照射し、ストッパ層２１５もアブレーションにより除去されたところで、レーザビームＬＢの照射を停止する。なお、レーザビームＬＢの照射は、下層の透過用画素電極２１０がレーザビームＬＢによりダメージを受ける前に停止する。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
以上の工程により、図１５に示した開口２１２ｗをもつ矩形状の反射用画素電極２１２がパターニングされる。本実施形態によれば、ストッパ層２１５を反射用画素電極２１２のための導電性反射膜と透過用画素電極２１０との間に形成したことにより、反射用画素電極２１２をレーザビームＬＢによりパターニングしたときに、透過用画素電極２１０が除去されたり、あるいは、基板２４０から剥離する等のダメージを防止することが可能となる。この結果、レーザビームＬＢによる反射用画素電極２１２の形成が可能となる。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
上述したように、本実施形態に係る表示パネルの製造方法よれば、加工対象物上の金属膜（反射用画素電極２１２）をパターン加工する際に発生する加工飛散物を、デブリ回収手段２２を用いて効率よく回収することができる。したがって、レーザ光を照射した際に発生する加工飛散物が効率よく除去されるので、加工対象物に付着するデブリを削減することができる。それにより、加工エッジ形状を改善したり、残渣をなくしたりすることができるので、微細かつ精度のよい表面構造を持つ多層膜から構成された液晶表示装置を製造することができる。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
さらに、上記実施の形態では、樹脂（ストッパ層２１５）上に成膜された金属膜（反射用画素電極２１２）を加工する工程を含む液晶表示装置を製造する場合について述べたが、樹脂上に成膜された樹脂膜を加工する工程を含む液晶表示装置についても、本発明によるレーザ加工装置（デブリ回収機構）を利用して、製造することができる。なお、液晶表示装置は表示パネル（フラットディスプレイパネル）の一例であって、この例に限られるものではなく、種々の表示パネルの製造に適用できる。