Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月23日(2010.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の遊技を行った結果として遊技者に遊技結果価値を付与可能な遊技機であって、
遊技の進行を制御する遊技制御手段と、
前記遊技制御手段が所定の信号を出力するための出力ポートと、
所定電位電源の電圧低下を検出するための電源監視手段とを備え、
前記遊技制御手段は、遊技制御用マイクロコンピュータと、前記電源監視手段からの検出出力が入力される入力ポートとを含み、
前記遊技制御用マイクロコンピュータは、
遊技機への電源供給が開始されたときに初期設定処理としてマイクロコンピュータ内蔵のタイマの初期設定を実行した後、所定の範囲内で数値を更新する数値更新処理を含む第１処理を繰り返し実行し、当該第１処理を繰り返し実行しているときに前記タイマの初期設定にもとづく所定時間毎に発生する内部タイマ割込が発生したことにもとづいて当該第１処理を繰り返し実行している状態を中断して第２処理を実行し、前記第２処理が終了した後は、前記第１処理を繰り返し実行する状態に復帰し、
前記入力ポートに前記検出出力が入力されたことが確認されたときに、遊技状態復帰のための所定の電源断時処理を実行し、該電源断時処理にて、前記出力ポートの出力状態をオフ状態にする処理を行う
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明による遊技機は、所定の遊技を行った結果として遊技者に遊技結果価値を付与可能な遊技機であって、遊技の進行を制御する遊技制御手段と、遊技制御手段が所定の信号を出力するための出力ポートと、所定電位電源の電圧低下を検出するための電源監視手段とを備え、遊技制御手段は、遊技制御用マイクロコンピュータと、電源監視手段からの検出出力が入力される入力ポートとを含み、遊技制御用マイクロコンピュータは、遊技機への電源供給が開始されたときに初期設定処理としてマイクロコンピュータ内蔵のタイマの初期設定を実行した後、所定の範囲内で数値を更新する数値更新処理を含む第１処理を繰り返し実行し、第１処理を繰り返し実行しているときにタイマの初期設定にもとづく所定時間毎に発生する内部タイマ割込が発生したことにもとづいて第１処理を繰り返し実行している状態を中断して第２処理を実行し、第２処理が終了した後は、第１処理を繰り返し実行する状態に復帰し、入力ポートに検出出力が入力されたことが確認されたときに、遊技状態復帰のための所定の電源断時処理を実行し、電源断時処理にて、出力ポートの出力状態をオフ状態にする処理を行うことを特徴とする。なお、遊技結果価値とは、遊技球の払い出しや、画像式遊技機の場合の得点の加点を示す概念である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明によれば、遊技機を、遊技制御用マイクロコンピュータが、所定の範囲内で数値を更新する数値更新処理を含む第１処理を繰り返し実行し、第１処理を繰り返し実行しているときにタイマの初期設定にもとづく所定時間毎に発生する内部タイマ割込が発生したことにもとづいて第１処理を繰り返し実行している状態を中断して第２処理を実行し、第２処理が終了した後は、第１処理を繰り返し実行する状態に復帰するように構成したので、第２処理が終了するまでは、数値更新処理を含む第１処理を実行する状態に復帰しないので、第２処理中の全ての各処理が実行完了することが保証されるという効果がある。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月5日(2010.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シャフトの長手方向に斜交した補強繊維を備えた熱硬化性樹脂の捩り剛性保持層上に、長手方向に平行に引き揃えた補強繊維を備えた熱硬化性樹脂の曲げ剛性保持層を備えたゴルフクラブシャフトにおいて、前記捩り剛性保持層は相互に織られた経糸と緯糸とを有する平織り織物に熱硬化性樹脂を含浸させたプリプレグを複数プライ前記経糸と緯糸がシャフトの長手方向に斜交するようにシャフト状に捲回し硬化せしめた平織り織物層を有することを特徴とするゴルフクラブシャフト。
【請求項２】
前記平織り織物の糸の打ち込み本数は４本／ｃｍ以上であることを特徴とする請求項１記載のゴルフクラブシャフト。
【請求項３】
前記平織り織物の糸は３Ｋ以下であることを特徴とする請求項１または２記載のゴルフクラブシャフト。
【請求項４】
前記プリプレグの重さは４００ｇ／ｍ２以下、厚さは０．３ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１から３記載のいずれかのゴルフクラブシャフト。
【請求項５】
前記プリプレグの樹脂量は２５〜４０重量％であることを特徴とする請求項１から４記載のいずれかのゴルフクラブシャフト。
【請求項６】
シャフトの長手方向に対し垂直な方向に補強繊維を設けた圧縮剛性保持層を備えたことを特徴とする請求項１から５記載のいずれかのゴルフクラブシャフト。
【請求項７】
前記平織り織物層の捩り剛性保持層と共に、補強繊維が所定方向に斜めに敷設した傾斜プリプレグと前記所定方向と反対方向に補強繊維を敷設した傾斜プリプレグを重ね合わせて補強繊維がバイアス状に交差したプリプレグシートを捲回して熱硬化させた捩り剛性保持層を備えたことを特徴とする請求項１から６記載のいずれかのゴルフクラブシャフト。
【請求項８】
前記平織り織物層の捩り剛性保持層と共に、相互に織られた経糸と緯糸とを有する平織り織物に熱硬化性樹脂を含浸させたプリプレグを前記経糸と緯糸のいずれかがシャフトの長手方向に平行になるようにシャフト状に捲回し硬化せしめた曲げ剛性保持層を備えていることを特徴とする請求項１から７記載のいずれかのゴルフクラブシャフト。
【請求項９】
前記平織り織物の経糸と緯糸の角度は９０°であることを特徴とする請求項１から８記載のいずれかのゴルフクラブシャフト。
【請求項１０】
前記平織り織物の捩り剛性保持層はシャフトの長手方向に対し、経糸及び緯糸がほぼ４５°になるように捲回されていることを特徴とする請求項９記載のゴルフクラブシャフト。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記問題点を解決するため、本発明によるゴルフクラブシャフトは、シャフトの長手方向に斜交した補強繊維を備えた熱硬化性樹脂の捩り剛性保持層上に、長手方向に平行に引き揃えた補強繊維を備えた熱硬化性樹脂の曲げ剛性保持層を備えたゴルフクラブシャフトにおいて、前記捩り剛性保持層は相互に織られた経糸と緯糸とを有する平織り織物に熱硬化性樹脂を含浸させたプリプレグを複数プライ前記経糸と緯糸がシャフトの長手方向に斜交するようにシャフト状に捲回し硬化せしめた平織り織物層を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月17日(2010.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の遊技を行い、遊技の進行に応じて遊技者に有利な遊技状態に制御可能な遊技機であって、
遊技に供される遊技装置を制御するための遊技装置制御手段と、
遊技の進行に応じて変動する前記遊技装置制御手段の制御データを記憶するための記憶手段と、
遊技機の電源断時でも制御データを前記記憶手段に保持させるための保持用電源と、
前記保持用電源からの電力を入力する保持用電源入力部と、
前記保持用電源入力部に入力される電圧を安定化する電圧安定化手段と、
所定電位電源の電圧低下にもとづいて検出信号を出力する電源監視手段と、
複数種類の識別情報の可変表示を行うことが可能な表示装置を制御する表示制御手段とを備え、
前記遊技装置制御手段は、
前記電源監視手段からの前記検出信号の入力に応じて電源断時処理を実行するとともに、電力供給が開始されたときに制御状態を電源断時の状態に戻すための復旧処理を実行し、
前記表示制御手段に対して、識別情報の可変表示を開始するときに識別情報の可変表示時間を特定可能な可変表示時間コマンドと識別情報の表示結果を特定可能な表示結果コマンドとを出力し、前記可変表示時間が終了したときに確定コマンドを出力し、
前記復旧処理において前記表示結果コマンドを出力し、
前記表示制御手段は、
前記可変表示時間コマンドが出力されたタイミングで可変表示を開始し、前記確定コマンドが出力されたタイミングで前記表示装置に前記表示結果コマンドで特定される表示結果を導出表示する制御を行う
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明による遊技機は、所定の遊技を行い、遊技の進行に応じて遊技者に有利な遊技状態に制御可能な遊技機であって、遊技に供される遊技装置を制御するための遊技装置制御手段と、遊技の進行に応じて変動する遊技装置制御手段の制御データを記憶するための記憶手段と、遊技機の電源断時でも制御データを記憶手段に保持させるための保持用電源と、保持用電源からの電力を入力する保持用電源入力部と、保持用電源入力部に入力される電圧を安定化する電圧安定化手段と、所定電位電源の電圧低下にもとづいて検出信号を出力する電源監視手段と、複数種類の識別情報の可変表示を行うことが可能な表示装置を制御する表示制御手段とを備え、遊技装置制御手段は、電源監視手段からの検出信号の入力に応じて電源断時処理を実行するとともに、電力供給が開始されたときに制御状態を電源断時の状態に戻すための復旧処理を実行し、表示制御手段に対して、識別情報の可変表示を開始するときに識別情報の可変表示時間を特定可能な可変表示時間コマンドと識別情報の表示結果を特定可能な表示結果コマンドとを出力し、可変表示時間が終了したときに確定コマンドを出力し、復旧処理において表示結果コマンドを出力し、表示制御手段は、可変表示時間コマンドが出力されたタイミングで可変表示を開始し、確定コマンドが出力されたタイミングで表示装置に表示結果コマンドで特定される表示結果を導出表示する制御を行うことを特徴とする。なお、電圧安定化手段は、例えばノイズ除去および電圧波形平滑化の目的で設けられる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月17日(2010.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の遊技を行い、遊技の進行に応じて遊技者に有利な遊技状態に制御可能な遊技機であって、
遊技に供される遊技装置を制御するための遊技装置制御手段と、
遊技の進行に応じて変動する前記遊技装置制御手段の制御データを記憶するための記憶手段と、
遊技機の電源断時でも制御データを前記記憶手段に保持させるための保持用電源と、
前記保持用電源からの電力を入力する保持用電源入力部と、
前記保持用電源入力部に入力される電圧を安定化する電圧安定化手段と、
所定電位電源の電圧低下にもとづいて検出信号を出力する電源監視手段と、
操作に応じて操作信号を出力する操作手段と、
前記操作手段からの前記操作信号が入力される入力ポートとを備え、
前記遊技装置制御手段は、
前記電源監視手段からの前記検出信号の入力に応じて、電源断フラグを前記記憶手段に設定する処理と、前記記憶手段に記憶されている複数のデータを対象として前記記憶手段の記憶内容が正常か否かの判定に用いるチェックデータを作成して前記記憶手段に記憶させる処理とを含む電源断時処理を実行し、
電力供給が開始されたときに、前記入力ポートに前記操作手段からの前記操作信号が入力されているか否かを確認し、前記操作信号が入力されていることを確認したときに、前記記憶手段の記憶内容を初期化する初期化処理を実行し、
電力供給が開始されたときに、前記記憶手段に前記電源断フラグが記憶されていたことを条件に、前記記憶手段に記憶されている前記複数のデータを対象とする演算を行い演算結果にもとづいて前記記憶手段に記憶されているチェックデータが正常か否か判定することによって前記記憶手段の記憶内容が正常か否かを判定する処理を実行し、前記記憶手段の記憶内容が正常であったときに制御状態を電源断時の状態に戻すための復旧処理を実行し、前記記憶手段に前記電源断フラグが記憶されていないときには、前記チェックデータにもとづいて前記記憶手段の記憶内容が正常か否かを判定する処理を実行せずに前記記憶手段の記憶内容を初期化する初期化処理を実行する
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明による遊技機は、所定の遊技を行い、遊技の進行に応じて遊技者に有利な遊技状態に制御可能な遊技機であって、遊技に供される遊技装置を制御するための遊技装置制御手段と、遊技の進行に応じて変動する遊技装置制御手段の制御データを記憶するための記憶手段と、遊技機の電源断時でも制御データを記憶手段に保持させるための保持用電源と、保持用電源からの電力を入力する保持用電源入力部と、保持用電源入力部に入力される電圧を安定化する電圧安定化手段と、所定電位電源の電圧低下にもとづいて検出信号を出力する電源監視手段と、操作に応じて操作信号を出力する操作手段と、操作手段からの操作信号が入力される入力ポートとを備え、遊技装置制御手段は、電源監視手段からの検出信号の入力に応じて、電源断フラグを記憶手段に設定する処理と、記憶手段に記憶されている複数のデータを対象として記憶手段の記憶内容が正常か否かの判定に用いるチェックデータを作成して記憶手段に記憶させる処理とを含む電源断時処理を実行し、電力供給が開始されたときに、入力ポートに操作手段からの操作信号が入力されているか否かを確認し、操作信号が入力されていることを確認したときに、記憶手段の記憶内容を初期化する初期化処理を実行し、電力供給が開始されたときに、記憶手段に電源断フラグが記憶されていたことを条件に、記憶手段に記憶されている複数のデータを対象とする演算を行い演算結果にもとづいて記憶手段に記憶されているチェックデータが正常か否か判定することによって記憶手段の記憶内容が正常か否かを判定する処理を実行し、記憶手段の記憶内容が正常であったときに制御状態を電源断時の状態に戻すための復旧処理を実行し、記憶手段に電源断フラグが記憶されていないときには、チェックデータにもとづいて記憶手段の記憶内容が正常か否かを判定する処理を実行せずに記憶手段の記憶内容を初期化する初期化処理を実行することを特徴とする。なお、電圧安定化手段は、例えばノイズ除去および電圧波形平滑化の目的で設けられる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月24日(2010.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流動電解質電池に対する個別のスタック制御のためのシステムであって、該システムは、
少なくとも１つの第１の電池セルスタックと、少なくとも１つの第２の電池セルスタックとを含み、該第１の電池セルスタックと該第２の電池セルスタックとは互いに相互接続され、共通の流動電解質を共有する、流動電解質電池と、
第１のスタック制御器であって、該第１の電池セルスタックの動作状況に関する情報に、少なくとも部分的に基づいて、該第１の電池セルスタックの充電状況を個別に制御するように構成され、配列されている、第１のスタック制御器と、
該第１のスタック制御器とは別の第２のスタック制御器であって、該第２の電池セルスタックの動作状況に関する情報に、少なくとも部分的に基づいて、該第２の電池セルスタックの充電状況を個別に制御するように構成され、配列されている、第２のスタック制御器と
を備え、該第１のスタック制御器と該第２のスタック制御器とは、同一の流動電解質電池内で、互いに異なる該第１の電池セルスタックおよび該第２の電池セルスタックのそれぞれの充電状況を同時に制御することが可能である、システム。
【請求項２】
前記第１のスタック制御器は、前記第１の電池セルスタックの前記充電状況を増大させるように動作可能であり、一方で、前記第２のスタック制御器は、前記第２の電池セルスタックの前記充電状況を減少させるように動作可能である、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記第１のスタック制御器は、前記第１の電池セルスタックの前記充電状況を、実質的に一定に保持するように動作可能であり、一方で、前記第２のスタック制御器は、前記第２の電池セルスタックの前記充電状況を変更する、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記第１の電池セルスタックは、前記第２の電池セルスタックをストリップすることなしにストリップされる、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記第１の電池セルスタックは、第１および第２の電池セルを備え、前記第１のスタック制御器は、該第２の電池セルの充電状況とは別に、そして該第２の電池セルの充電状況と同時に、該第１の電池セルの充電状況を制御するように動作可能である、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記第１の電池セルスタックの前記動作状況は、前記第１の電池セルスタックの電流、該第１の電池セルスタックの電圧、該第１の電池セルスタックの現在の充電された容量、該第１の電池セルスタックの少なくとも一部分の温度、該第１の電池セルスタックの内部抵抗、該第１の電池セルスタックに関する電解質漏出情報を含む群から選択される、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記第１の電池セルスタックの前記動作状況は、該第１の電池セルスタックにおける電極メッキレートを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記第１の電池セルスタックの前記動作状況は、前記システムが電力を供給することを課される負荷に対する負荷要求を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記第１の電池セルスタックの前記動作状況は、前記システムが電力を供給することを課される負荷に対する一次電源の状態を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記第１の電池セルスタックの前記動作状況は、該第１の電池セルスタックへの電解質の流れの状態を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
前記第１の電池セルスタックの前記動作状況は、該第１の電池セルスタックに対して利用可能な電解質の化学組成を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
前記第１の電池セルスタックの前記動作状況は、該第１の電池セルスタックに対するスタック重量を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記第１のスタック制御器は、充電電流を前記第１の電池スタックに提供し、該第１の電池スタックからの電流を負荷に提供する双方向性のｄｃ／ｄｃ変換器を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１４】
流動電解質電池に対する個別のスタック制御のためのシステムであって、該システムは、
共通の流動電解質を供給する複数の相互接続された電池セルを含む流動電解質電池と、
第１のスタック制御器であって、該複数の電池セルスタックのうちの少なくとも第１の電池セルスタックと動作可能に相互接続されている第１のスタック制御器と、
第２のスタック制御器であって、該複数の電池セルスタックのうちの少なくとも第２の電池セルスタックと動作可能に相互接続されている第２のスタック制御器と、
該複数の電池セルスタックのうちの少なくとも第１の電池セルスタックの動作状況に関する情報を提供する、該第１のスタック制御器と通信する第１のセンサ入力と、
該複数の電池セルスタックのうちの少なくとも第２の電池セルスタックの動作状況に関する情報を提供する、該第２のスタック制御器と通信する第２のセンサ入力と、
該複数の電池セルスタックのうちの該少なくとも第１の電池セルスタックの該動作状況に関する情報に、少なくとも部分的に基づいて、該複数の電池セルスタックのうちの該少なくとも第１の電池セルスタックの充電状況を個別に制御する、該第１のスタック制御器と通信する第１の制御出力と、
該複数の電池セルスタックのうちの該少なくとも第２の電池セルスタックの該動作状況に関する情報に、少なくとも部分的に基づいて、該複数の電池セルスタックのうちの該少なくとも第２の電池セルスタックの充電状況を個別に制御する、該第２のスタック制御器と通信する第２の制御出力と
を備え、該第１のスタック制御器と該第２のスタック制御器とは、同一の流動電解質電池内で、互いに異なる該第１の電池セルスタックおよび該第２の電池セルスタックのそれぞれの充電状況を同時に制御することが可能である、システム。
【請求項１５】
少なくとも１つの第１の電池セルスタックと、少なくとも１つの第２の電池セルスタックとを含み、該第１の電池セルスタックと該第２の電池セルスタックとは互いに相互接続され、共通の流動電解質を共有する、流動電解質電池における故障を修正する方法であって、該方法は、
該第１の電池セルスタック内の故障を検出することと、
該第２の電池セルスタックをストリップすることなしに、かつ、該流動電解質電池を非直結にすることなしに、該第１の電池セルスタック内の該故障を修正するために、該第１の電池セルスタックをストリップすることと
を包含する、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月3日(2010.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加熱物を収容する鍋を有する本体と、
前記本体内に配設され、前記鍋を加熱する加熱手段と、
前記鍋を閉塞する蓋体と、
該蓋体に設けられ、前記鍋内と外部とを連通する排気通路と、
前記蓋体に設けられ、前記排気通路を閉塞して前記鍋内を加圧するとともに、前記排気通路を開放して前記鍋内の圧力を外圧と平衡させる圧力投入手段と、
予め設定されたプログラムに従って前記加熱手段および圧力投入手段を制御して調理を行う制御手段と、
を備えた圧力調理器において、
前記鍋内の圧力を検出する圧力検出手段を設けるとともに、該圧力検出手段による検出圧力に基づいて前記鍋内の圧力状態を表示する圧力表示部を設け、
前記制御手段は、前記圧力投入手段による鍋内への圧力投入を解除したときの、前記圧力検出手段による検出圧力と、予め設定した圧力下降勾配またはデータテーブルとに基づいて、前記鍋内が予め設定した基準圧力以下に降下する時間を設定し、その設定時間の経過後に、前記圧力表示部の表示状態を変更するようにしたことを特徴とする圧力調理器。
【請求項２】
被加熱物を収容する鍋を有する本体と、
前記本体内に配設され、前記鍋を加熱する加熱手段と、
前記鍋を閉塞する蓋体と、
該蓋体に設けられ、前記鍋内と外部とを連通する排気通路と、
前記蓋体に設けられ、前記排気通路を閉塞して前記鍋内を加圧するとともに、前記排気通路を開放して前記鍋内の圧力を外圧と平衡させる圧力投入手段と、
予め設定されたプログラムに従って前記加熱手段および圧力投入手段を制御して調理を行う制御手段と、
を備えた圧力調理器において、
前記鍋内または鍋の温度を検出する温度検出手段を設けるとともに、該温度検出手段による検出温度に対応する前記鍋内の推定圧力に基づいて前記鍋内の圧力状態を表示する圧力表示部を設け、
前記制御手段は、前記圧力投入手段による鍋内への圧力投入を解除したときの、前記温度検出手段による検出温度と、予め設定した温度下降勾配またはデータテーブルとに基づいて、前記鍋内が予め設定した基準温度以下に降下する時間を設定し、その設定時間の経過後に、前記圧力表示部の表示状態を変更するようにしたことを特徴とする圧力調理器。
【請求項３】
被加熱物を収容する鍋を有する本体と、
前記本体内に配設され、前記鍋を加熱する加熱手段と、
前記鍋を閉塞する蓋体と、
該蓋体に設けられ、前記鍋内と外部とを連通する排気通路と、
前記蓋体に設けられ、前記排気通路を閉塞して前記鍋内を加圧するとともに、前記排気通路を開放して前記鍋内の圧力を外圧と平衡させる圧力投入手段と、
予め設定されたプログラムに従って前記加熱手段および圧力投入手段を制御して調理を行う制御手段と、
を備えた圧力調理器において、
前記鍋内または鍋の温度を検出する温度検出手段を設けるとともに、該温度検出手段による検出温度に対応する前記鍋内の推定圧力に基づいて前記鍋内の圧力状態を表示する圧力表示部を設け、
前記制御手段は、前記圧力投入手段による鍋内への圧力投入を解除したときの、前記温度検出手段による検出温度に対応する推定圧力と、予め設定した圧力下降勾配またはデータテーブルとに基づいて、前記鍋内が予め設定した基準圧力以下に降下する時間を設定し、その設定時間の経過後に、前記圧力表示部の表示状態を変更するようにしたことを特徴とする圧力調理器。
【請求項４】
前記制御手段は、前記加熱手段による加熱時に検出した温度上昇勾配に基づいて被加熱物の容量を判定するもので、前記下降勾配またはデータテーブルを、判定した容量によって変更するようにしたことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の圧力調理器。
【請求項５】
停電時に前記制御手段および圧力表示部を動作させるバックアップ電源を設け、
前記制御手段は、入力電圧により商用電源による動作かバックアップ電源による動作かを認識可能であり、停電により前記圧力投入手段による鍋内への圧力投入が解除されると、前記バックアップ電源による電力で前記設定時間を設定および計時するとともに、前記圧力表示部を表示させるようにしたことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の圧力調理器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前記課題を解決するため、本発明の第１の圧力調理器は、被加熱物を収容する鍋を有する本体と、前記本体内に配設され、前記鍋を加熱する加熱手段と、前記鍋を閉塞する蓋体と、該蓋体に設けられ、前記鍋内と外部とを連通する排気通路と、前記蓋体に設けられ、前記排気通路を閉塞して前記鍋内を加圧するとともに、前記排気通路を開放して前記鍋内の圧力を外圧と平衡させる圧力投入手段と、予め設定されたプログラムに従って前記加熱手段および圧力投入手段を制御して調理を行う制御手段と、を備えた圧力調理器において、前記鍋内の圧力を検出する圧力検出手段を設けるとともに、該圧力検出手段による検出圧力に基づいて前記鍋内の圧力状態を表示する圧力表示部を設け、前記制御手段は、前記圧力投入手段による鍋内への圧力投入を解除したときの、前記圧力検出手段による検出圧力と、予め設定した圧力下降勾配またはデータテーブルとに基づいて、前記鍋内が予め設定した基準圧力以下に降下する時間を設定し、その設定時間の経過後に、前記圧力表示部の表示状態を変更する構成としている。
また、第２の圧力調理器では、前記鍋内または鍋の温度を検出する温度検出手段を設けるとともに、該温度検出手段による検出温度に対応する前記鍋内の推定圧力に基づいて前記鍋内の圧力状態を表示する圧力表示部を設け、前記制御手段は、前記圧力投入手段による鍋内への圧力投入を解除したときの、前記温度検出手段による検出温度と、予め設定した温度下降勾配またはデータテーブルとに基づいて、前記鍋内が予め設定した基準温度以下に降下する時間を設定し、その設定時間の経過後に、前記圧力表示部の表示状態を変更する構成としている。
さらに、第３の圧力調理器では、前記鍋内または鍋の温度を検出する温度検出手段を設けるとともに、該温度検出手段による検出温度に対応する前記鍋内の推定圧力に基づいて前記鍋内の圧力状態を表示する圧力表示部を設け、前記制御手段は、前記圧力投入手段による鍋内への圧力投入を解除したときの、前記温度検出手段による検出温度に対応する推定圧力と、予め設定した圧力下降勾配またはデータテーブルとに基づいて、前記鍋内が予め設定した基準圧力以下に降下する時間を設定し、その設定時間の経過後に、前記圧力表示部の表示状態を変更する構成としている。
なお、これらの圧力調理器において、「圧力投入を解除したとき」とは、圧力解除の直前および直後（±約１秒）を含む範囲のものである。また、「検出温度に対応する前記鍋内の推定圧力」とは、温度と圧力との相関関係に基づいた換算によるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月27日(2010.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成形シールリングを備えた挿入カップリング装置であって、互いに軸方向に挿入可能なソケット（２０）とプラグ（１）を有し、その成形シールリングが該プラグ（１）に設けた周溝（５）内に配設されたリップパッキング（６）として装着されている挿入カップリング装置において、該挿入カップリング装置に圧力媒体（３）による脈動する負荷が加わった場合、周溝（５）の底に形成される一つのポンピング空間（１５）が圧力媒体（３）の排出又は吸入をすることができるように形成されていることを特徴とする成形シールリングを備えた挿入カップリング装置。
【請求項２】
ポンピング空間による圧力媒体（３）の排出又は吸入が、ポンピング空間（１５）と外部空間（１０）の間の空気導通接続部によって行われることを特徴とする前記請求項１に記載の成形シールリングを備えた挿入カップリング装置。
【請求項３】
空気導通接続部は、リップパッキング（６）の周囲に配分されて配置されている複数の排出溝（１８）によって形成されていることを特徴とする前記請求項１および２のうちの何れか一項に記載の成形シールリングを備えた挿入カップリング装置。
【請求項４】
ベース脚部（１７）のシール作用を無くす排出溝（１８）の代わりに、ベース脚部（１７）の上には、その周囲に均等に配分されるように複数の突起（２３）が配設されており、該突起（２３）はベース脚部（１７）の外周を越えて突出すると共に、プラグ（１）の周溝（５）の領域内にあるポンピング空間（１５）と外部空間（１０）の間に空気導通接続部がこれ等の突起（２３）の間に生じることを特徴とする前記請求項１および２のうちの何れか１項に記載の成形シールリングを備えた挿入カップリング装置。
【請求項５】
プラグ（１）の周溝（５）には一つの溝側面（１１）があり、この溝側面（１１）の領域においてシールを解除する排出溝（１８）とは運動的に逆のことを行うのと等価な手段がベース脚部（１７）に配設されていることを特徴とする前記請求項１乃至３のうちの何れか１項に記載の成形シールリングを備えた挿入カップリング装置。
【請求項６】
第一の等価な手段が、溝側面（１１）の領域において、プラグ（１）に周設していて、互いに等間隔に配設された貫通穴（２４）を有しており、これ等の貫通穴（２４）はプラグ（１）内にある周溝（５）のポンピング空間（１５）を外部空間（１０）に連通することを特徴とする前記請求項５に記載の成形シールリングを備えた挿入カップリング装置。
【請求項７】
第二の等価な手段が、溝側面（１１）の領域において、プラグ（１）に周設していて、互いに等間隔に配設された窪み（２５）を有し、これ等の窪み（２５）はプラグ（１）内にある周溝（５）のポンピング空間（１５）を外部空間（１０）に連通することを特徴とする前記請求項５に記載の成形シールリングを備えた挿入カップリング装置。
【請求項８】
プラグ（１）が、発生したポンピング空間（１５）の領域において、圧力媒体（３）用の一つの吸入・排出穴（２８）を有することを特徴とする前記請求項１乃至７のうちの何れか１項に記載の成形シールリングを備えた挿入カップリング装置。
【請求項９】
リップパッキング（６）が、挿入に比較的小さな力を必要とするＣ字状の輪郭形状に形成されていて、一つの運動的脚部（７）と、一つの静止的脚部（８）と、一つのベース脚部（１７）とを有することを特徴とする前記請求項１乃至８のうちの何れか１項に記載の成形シールリングを備えた挿入カップリング装置。
【請求項１０】
静止的脚部（８）の領域には、外向きで周溝（５）の底に当接するシール隆起部（２２）が前記静止的脚部（８）の上に配設されていて、このシール隆起部（２２）が一定のシールエッジを形成していることを特徴とする前記請求項１乃至９のうちの何れか１項に記載の成形シールリングを備えた挿入カップリング装置。
【請求項１１】
リップパッキング（６）はベース本体を有し、このベース本体の厚さが運動的脚部（７）の厚さの二倍であることを特徴とする前記請求項１乃至１０のうちの何れか１項に記載の成形シールリングを備えた挿入カップリング装置。
【請求項１２】
Ｃ字状の輪郭形状に形成されたリップパッキング（６）のベース脚部（１７）に設けられたシール隆起部（２２）、窪み（２５）及び／又は突起（２３）が、ポンピング空間（１５）と外部空間（１０）の間に空気導通接続部を形成し、前記ポンピング空間（１５）が前記静止的脚部（８）の外周においてプラグ（１）の周溝（５）の内壁の方に向けて形成されていることを特徴とする前記請求項９乃至１１のうちの何れか１項に記載の成形シールリングを備えた挿入カップリング装置。
【請求項１３】
ポンピング効果を避けるために、周溝（５）が精度の低い浅い溝に成形されることを特徴とする前記請求項１乃至１２のうちの何れか１項に記載の成形シールリングを備えた挿入カップリング装置。
【請求項１４】
プラグ（１）とソケット（２０）の間の許容誤差が大きいことを特徴とする前記請求項１乃至１３のうちの何れか１項に記載の成形シールリングを備えた挿入カップリング装置。
【請求項１５】
プラグ（１）とソケット（２０）の両者の軸の間に存在する角度の遊びが大きいことを特徴とする前記請求項１乃至１４のうちの何れか１項に記載の成形シールリングを備えた挿入カップリング装置。
【請求項１６】
脈動する圧力媒体（３）による大きな負荷領域がシールされ、静止的脚部（８）が使用する材料はごく少量であることを特徴とする前記請求項１乃至１５のうちの何れか１項に記載の成形シールリングを備えた挿入カップリング装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月2日(2010.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
物を載せる台は色々なものがあるが、載置物の大きさや形に合わせて台の横幅や奥行を調整すると共に、高さを調整できるようなものはない。例えば、料理を載せる皿を載置する台としては、特開平８−３２２６９７号、特開２００６−２５５３４５号、特開平８−１８２５９７号、実公平６−２０４７１号、実開平３−１２３４３８号などがあるが、皿の大きさに合わせて台の横幅・奥行きを可変でき、高さも調整できるものはない。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月16日(2009.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性を有する基板上に光触媒層を形成し、
前記光触媒層上に炭素を含む層を形成し、
前記炭素を含む層上に素子形成層を形成し、
前記透光性を有する基板側から前記光触媒層に光を照射することにより、前記光触媒層と前記炭素を含む層の界面において、前記透光性を有する基板から前記素子形成層を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
透光性を有する基板上に炭素を含む層を形成し、
前記炭素を含む層上に光触媒層を形成し、
前記光触媒層上に素子形成層を形成し、
前記透光性を有する基板側から前記光触媒層に光を照射することにより、前記炭素を含む層と前記光触媒層の界面において、前記透光性を有する基板から前記素子形成層を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記透光性を有する基板から前記素子形成層を分離した後、前記炭素を含む層の表面に可撓性を有する基板を貼り付けることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２において、
前記透光性を有する基板から前記素子形成層を分離した後、前記光触媒層の表面に可撓性を有する基板を貼り付けることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記光触媒層は、酸化チタン、酸化スズ、酸化タングステン、酸化亜鉛、酸化ビスマス、チタン酸塩、またはニオブ酸塩であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記炭素を含む層は、前記炭素を含む無機化合物層であり、
前記炭素を含む無機化合物は、ダイヤモンドライクカーボン、または窒化炭素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記炭素を含む層は、前記炭素の単体を含む層であり、
前記炭素の単体は、グラファイトであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記光触媒層に照射する前記光の波長は、前記光触媒層を活性化させる波長であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記素子形成層は、薄膜トランジスタ、ダイオード、抵抗、発光素子、液晶素子、または電気泳動素子を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月20日(2009.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定方向に沿って延びる凸部と、前記凸部の幅方向外側に設けられた平坦部とによって構成されており、基板上に形成される半導体層と、
前記平坦部の上面及び前記凸部の側面に形成された絶縁層と、
前記所定方向に沿って前記凸部上に設けられた第１の部分と、前記第１の部分から前記凸部の幅方向外側に突出する複数の突出部を含む第２の部分とによって構成される電極とを備え、
前記凸部は、前記電極から電流が注入される電流注入領域であり、
前記複数の突出部は、前記絶縁層上の前記半導体層が発するレーザ光の出射面側の領域に設けられており、
前記複数の突出部の間には、前記絶縁層が露出する間隙が設けられていることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記電極は、前記凸部の幅方向外側における前記複数の突出部の端部が繋がっていないくし型形状を有していることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記複数の突出部のいずれか一つは、前記所定方向における幅が１０μｍよりも大きい形状を有することを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記所定方向における前記突出部の幅は、前記所定方向における前記間隙の幅以下であることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の半導体レーザ素子。
【請求項５】
所定方向に沿って延びる凸部と、前記凸部の幅方向外側に設けられた平坦部とによって構成されており、基板上に形成される半導体層と、
前記平坦部の上面及び前記凸部の側面に形成された絶縁層と、
前記所定方向に沿って前記凸部上に設けられた第１の部分と、前記第１の部分から前記凸部の幅方向外側に突出する突出部を含む第２の部分とによって構成される電極とを備え、
前記凸部は、前記電極から電流が注入される電流注入領域であり、
前記突出部は、前記絶縁層上の前記半導体層が発するレーザ光の出射面側の領域に設けられており、
前記絶縁層には、前記電極に接していない島状の接着部が設けられており、
前記接着部は、前記突出部に隣接していることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記レーザ光の出射面は、Ｍ面であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
【請求項７】
前記基板は、ＧａＮ基板又はサファイア基板であり、
前記半導体層は、六方晶構造を有する窒化物半導体層であることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
【請求項８】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の半導体レーザ素子と、少なくとも１本の導電性ワイヤとを備えた半導体レーザ装置であって、
前記導電性ワイヤは、前記複数の突出部に接続されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項９】
請求項５に記載の半導体レーザ素子と、少なくとも１本の導電性ワイヤとを備えた半導体レーザ装置であって、
前記導電性ワイヤは、前記突出部及び前記接着部の両方に接続されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月8日(2010.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性を有する第１の基板上に光触媒物質が分散された有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に素子層を形成し、
前記第１の基板側から前記有機化合物層に光を照射して、前記第１の基板から前記素子層を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
透光性を有する第１の基板上に光触媒物質が分散された有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に素子層を形成し、
前記第１の基板側から前記有機化合物層に光を照射して、前記第１の基板側と前記素子層側とに前記有機化合物層を分離させることにより、前記第１の基板から前記素子層を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
透光性を有する第１の基板上に光触媒物質が分散された有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に素子層を形成し、
前記第１の基板側から前記有機化合物層に光を照射し、
前記素子層上に可撓性を有する第２の基板を接着し、
前記第１の基板から前記素子層が接着された前記第２の基板を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記素子層の前記第１の基板を剥離した側に可撓性を有する第３の基板を接着することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記第３の基板は前記光触媒物質を活性化する波長の光を遮光する基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記有機化合物層と前記素子層との間に絶縁層を形成し、
前記素子層を剥離する際、前記素子層と共に前記絶縁層を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記有機化合物層に照射する光の波長は、前記光触媒物質が活性化する波長であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記光触媒物質は、酸化チタン、チタン酸ストロンチウム、セレン化カドミウム、タンタル酸カリウム、硫化カドミウム、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化亜鉛、酸化鉄、又は酸化タングステンであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記素子層は、薄膜トランジスタ、液晶表示素子、発光素子、又は電気泳動素子を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月19日(2010.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性を有する基板の一主表面上に遮光性を有するマスクを選択的に形成し、
前記基板及び前記マスク上にフッ化炭素鎖を有する物質で形成された第１の領域を形成し、
前記第１の領域の一部又は全面に光触媒膜を形成し、
前記基板の前記一主表面の裏面から光を照射することで、前記第１の領域であって、前記光触媒膜と接し、且つ前記マスクと重畳しない領域を改質して第２の領域を形成し、
前記光触媒膜を除去し、
前記第２の領域にパターン形成材料を含む組成物を吐出してパターンを形成することを特徴とする回路パターンの形成方法。
【請求項２】
透光性を有する基板の一主表面上に遮光性を有するマスクを選択的に形成し、
前記基板及び前記マスク上に透光性を有する絶縁層を形成し、
前記絶縁層上にフッ化炭素鎖を有する物質で形成された第１の領域を形成し、
前記第１の領域の一部又は全面に光触媒膜を形成し、
前記基板の前記一主表面の裏面から光を照射することで、前記第１の領域であって、前記光触媒膜と接し、且つ前記マスクと重畳しない領域を改質して第２の領域を形成し、
前記光触媒膜を除去し、
前記第２の領域にパターン形成材料を含む組成物を吐出してパターンを形成することを特徴とする回路パターンの形成方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記組成物に対するぬれ性が前記第１の領域より前記第２の領域の方が高いことを特徴とする回路パターンの形成方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記光触媒膜には酸化亜鉛を用いることを特徴とする回路パターンの形成方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記フッ化炭素鎖を有する物質はヘキサメチルジシラザン又はフルオロアルキルシランであることを特徴とする回路パターンの形成方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記光の波長は３８０ｎｍ以下であることを特徴とする回路パターンの形成方法。
【請求項７】
透光性を有する基板の一主表面に遮光性を有する第１の導電層を選択的に形成し、
前記基板及び前記第１の導電層上に透光性を有する絶縁層を形成し、
前記絶縁層上にフッ化炭素鎖を有する物質で形成された第１の領域を形成し、
前記第１の領域の一部又は全面に光触媒膜を形成し、
前記基板の一主表面の裏面から光を照射することで第２の領域を形成し、
前記光触媒膜を除去し、
前記第２の領域に導電性材料を含む組成物を吐出して第２の導電層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項８】
透光性を有する基板の一主表面に遮光性を有する第１の導電層を選択的に形成し、
前記基板及び前記第１の導電層上に透光性を有する絶縁層を形成し、
前記絶縁層上にフッ化炭素鎖を有する物質で形成された第１の領域を形成し、
前記第１の領域の一部又は全面に光触媒膜を形成し、
前記基板の前記一主表面の裏面から光を照射することで、前記第１の領域であって、前記光触媒膜と接し、且つ前記第１の導電層と重畳しない領域を改質して第２の領域を形成し、
前記光触媒膜を除去し、
前記第２の領域に導電性材料を含む組成物を吐出して第２の導電層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項９】
請求項７又は請求項８において、
前記組成物に対するぬれ性が前記第１の領域より前記第２の領域の方が高いことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１０】
請求項７乃至請求項９のいずれか一項において、
前記光触媒膜には酸化亜鉛を用いることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１１】
請求項７乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記フッ化炭素鎖を有する物質はヘキサメチルジシラザン又はフルオロアルキルシランであることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１２】
請求項７乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記光の波長は３８０ｎｍ以下であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１３】
請求項７乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記第１の導電層はゲート電極層であり、前記第２の導電層はソース電極又はドレイン電極層であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１４】
請求項７乃至請求項１３のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタを有する電子機器。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記電子機器は、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、ヘッドマウントディスプレイ、カーナビゲーション、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末、記録媒体を備えた画像再生装置のいずれか一であることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月4日(2010.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板から残渣を除去する方法であって、
処理チャンバの台に前記残渣を有する前記基板を配置することと；
前記処理チャンバに結合されたリモートラジカル発生チャンバに、ｘおよびｙが１以上の整数であるＮｘＯｙを含んだプロセスガスを導入することと；
前記リモートラジカル発生チャンバの前記プロセスガスからラジカルを形成することと；
前記リモートラジカル発生チャンバから前記処理チャンバまで前記ラジカルを移送すること；
前記ラジカルに前記基板を曝すこととを具備する方法。
【請求項２】
前記残渣を有する前記基板を前記配置することは、エッチングプロセスからの残渣を有する基板を配置することを備えている請求項１の方法。
【請求項３】
前記プロセスガスを前記導入することは、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、もしくはＮＯ２の１つ以上、またはそれらの２つ以上の組合せを導入することを備えている請求項１の方法。
【請求項４】
前記プロセスガスを前記導入することは、酸素含有ガスを導入することを更に備えている請求項１の方法。
【請求項５】
前記酸素含有ガスを前記導入することは、Ｏ２、ＣＯ、もしくはＣＯ２の１つ以上、またはそれらの２つ以上の組合せを導入することを備えている請求項４の方法。
【請求項６】
前記プロセスガスを前記導入することは、窒素含有ガスを導入することを更に備えている請求項１の方法。
【請求項７】
前記窒素含有ガスを前記導入することは、Ｎ２、ＮＨ３、もしくはＮＦ3の１つ以上、またはそれらの２つ以上の組合せを導入することを備えている請求項６の方法。
【請求項８】
前記プロセスガスを前記導入することは、ハロゲン含有ガスを導入することを更に備えている請求項１の方法。
【請求項９】
前記ハロゲン含有ガスを前記導入することは、ｘおよびｙが１以上の整数であるＣｘＦｙを含むプロセスガスを導入することを備えている請求項８の方法。
【請求項１０】
前記プロセスガスを前記導入することは、不活性ガスを導入することを更に備えている請求項１の方法。
【請求項１１】
前記不活性ガスを前記導入することは、希ガスを導入することを備えている請求項１０の方法。
【請求項１２】
前記プロセスガスを前記導入することは、Ｎ２およびＯ２を導入することを更に備えている請求項１の方法。
【請求項１３】
前記プロセスガスを前記導入することは、Ｎ２Ｏ、Ｎ２、およびＯ２からなるプロセスガスを導入することを備えている請求項１の方法。
【請求項１４】
前記ラジカル発生チャンバの前記プロセスガスから前記ラジカルを形成することは、プラズマを使用し、前記プロセスガスの解離を引き起こすことによって、前記プロセスガスからラジカルを形成することを備えている請求項１の方法。
【請求項１５】
前記ラジカルに前記基板を前記曝すことは、前記基板を前記プラズマに曝さない一方で、前記基板をラジカルに曝すことを備えている請求項１４の方法。
【請求項１６】
ほぼ５００℃までの範囲の温度に前記基板を加熱することを、更に具備する請求項１の方法。
【請求項１７】
前記基板の温度は、ほぼ１００℃からほぼ３００℃までの範囲である請求項１６の方法。
【請求項１８】
前記処理チャンバの圧力をほぼ１Ｔｏｒｒからほぼ１０Ｔｏｒｒまでの範囲としてセットすることを更に具備する請求項１の方法。
【請求項１９】
前記プロセスガスの流量は、ほぼ１ｓｌｍ（分あたりの標準状態でのリットル）からほぼ１０ｓｌｍまでの範囲である請求項１の方法。