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【手続補正書】
【提出日】平成22年8月2日(2010.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
III族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法において、
エピタキシャル成長用基板に、少なくともｎ型のIII族窒化物系化合物半導体層と、最上層のｐ型のIII族窒化物系化合物半導体層までの所望の積層構造を形成するエピタキシャル成長工程と、
最上層である前記ｐ型のIII族窒化物系化合物半導体層の上面に透光性電極を形成する透光性電極形成工程と、
透光性電極側に、主として有機材料から成る接着剤から成る接着層により一時保持用の保持基板を接着する保持基板接着工程と、
前記エピタキシャル成長用基板を除く成長基板除去工程と、
露出した前記ｎ型のIII族窒化物系化合物半導体層裏面に高反射性金属層を形成する反射金属形成工程と、
前記高反射性金属層に覆われた前記ｎ型のIII族窒化物系化合物半導体層裏面側に、導体による接続層を表面に形成した導電性基板を接合する導電性基板接合工程と、
前記保持基板と前記有機材料から成る接着層とを除去する保持基板除去工程と
を少なくとも有することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記保持基板接着工程においては、透光性電極側に、金属から成る犠牲層を介して前記有機材料から成る接着層により前記保持基板を接着するものであり、
前記保持基板除去工程においては、前記金属から成る犠牲層を分解又は除去した後に前記保持基板と前記有機材料から成る接着層とを除去するものであることを特徴とする請求項１に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記透光性電極形成工程の後に、
当該透光性電極をパターニングする工程と、
パターニング後の当該透光性電極を覆う耐ウエットエッチング層を設ける工程とを有することを特徴とする請求項２に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記保持基板除去工程に続いて、
前記導電性基板上に形成された積層構造を、最上層の前記ｐ型のIII族窒化物系化合物半導体層側から、前記ｎ型のIII族窒化物系化合物半導体層に達し、且つ前記高反射性金属層には達しないように、第１のダイシングブレードにより、分離用の第１の溝を形成するハーフカット工程と、
前記第１のダイシングブレードよりも厚さの薄い第２のダイシングブレードにより、前記導電性基板まで達する分離用の第２の溝を形成するフルカット工程と
を有することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記成長基板除去工程は、ｎ型のIII族窒化物系化合物半導体層の、エピタキシャル成長用基板との界面近傍にレーザーを照射して当該界面近傍を分解することにより行う工程であることを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項１に係る発明は、III族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法において、エピタキシャル成長用基板に、少なくともｎ型のIII族窒化物系化合物半導体層と、最上層のｐ型のIII族窒化物系化合物半導体層までの所望の積層構造を形成するエピタキシャル成長工程と、最上層であるｐ型のIII族窒化物系化合物半導体層の上面に透光性電極を形成する透光性電極形成工程と、透光性電極側に、主として有機材料から成る接着剤から成る接着層により一時保持用の保持基板を接着する保持基板接着工程と、エピタキシャル成長用基板を除く成長基板除去工程と、露出したｎ型のIII族窒化物系化合物半導体層裏面に高反射性金属層を形成する反射金属形成工程と、高反射性金属層に覆われたｎ型のIII族窒化物系化合物半導体層裏面側に、導体による接続層を表面に形成した導電性基板を接合する導電性基板接合工程と、保持基板と有機材料から成る接着層とを除去する保持基板除去工程と、を少なくとも有することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項２に係る発明は、保持基板接着工程においては、透光性電極側に、金属から成る犠牲層を介して有機材料から成る接着層により保持基板を接着するものであり、保持基板除去工程においては、金属から成る犠牲層を分解又は除去した後に保持基板と有機材料から成る接着層とを除去するものであることを特徴とする。請求項３に係る発明は、透光性電極形成工程の後に、当該透光性電極をパターニングする工程と、パターニング後の当該透光性電極を覆う耐ウエットエッチング層を設ける工程とを有することを特徴とする。請求項４に係る発明は、保持基板除去工程に続いて、導電性基板上に形成された積層構造を、最上層のｐ型のIII族窒化物系化合物半導体層側から、ｎ型のIII族窒化物系化合物半導体層に達し、且つ高反射性金属層には達しないように、第１のダイシングブレードにより、分離用の第１の溝を形成するハーフカット工程と、第１のダイシングブレードよりも厚さの薄い第２のダイシングブレードにより、導電性基板まで達する分離用の第２の溝を形成するフルカット工程とを有することを特徴とする。請求項５に係る発明は、成長基板除去工程は、ｎ型のIII族窒化物系化合物半導体層の、エピタキシャル成長用基板との界面近傍にレーザーを照射して当該界面近傍を分解することにより行う工程であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月16日(2010.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
行方向と列方向に対応して第１のメモリセルと第２のメモリセルとを含む複数のメモリセルがマトリクス状に配置されたメモリセルアレイと、
複数の第１のワード線と、
複数の第２のワード線と、
第１のビット線と第２のビット線と第３のビット線とを含む複数のビット線とを有し、
前記複数のメモリセルの各々は、第１のメモリトランジスタと第２のメモリトランジスタとを有し、
前記第１のメモリセルに設けられた前記第１のメモリトランジスタのゲート電極が前記第１のワード線に電気的に接続され、
前記第１のメモリセルに設けられた前記第２のメモリトランジスタのゲート電極が前記第２のワード線に電気的に接続され、
前記第１のメモリセルに設けられた前記第１のメモリトランジスタのソース領域及びドレイン領域の一方が前記第１のビット線に電気的に接続され、
前記第１のメモリセルに設けられた前記第１のメモリトランジスタのソース領域及びドレイン領域の他方が前記第１のメモリセルに設けられた前記第２のメモリトランジスタのソース領域及びドレイン領域の一方に電気的に接続され、
前記第１のメモリセルに設けられた前記第２のメモリトランジスタのソース領域及びドレイン領域の他方が前記第２のビット線に電気的に接続され、
前記第２のメモリセルに設けられた前記第１のメモリトランジスタのゲート電極が前記第１のワード線に電気的に接続され、
前記第２のメモリセルに設けられた前記第２のメモリトランジスタのゲート電極が前記第２のワード線に電気的に接続され、
前記第２のメモリセルに設けられた前記第１のメモリトランジスタのソース領域及びドレイン領域の一方が前記第２のビット線に電気的に接続され、
前記第２のメモリセルに設けられた前記第１のメモリトランジスタのソース領域及びドレイン領域の他方が前記第２のメモリセルに設けられた前記第２のメモリトランジスタのソース領域及びドレイン領域の一方に電気的に接続され、
前記第２のメモリセルに設けられた前記第２のメモリトランジスタのソース領域及びドレイン領域の他方が前記第３のビット線に電気的に接続されていることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項２】
行方向と列方向に対応して複数のメモリセルがマトリクス状に配置されたメモリセルア
レイと、
複数の第１のワード線と、
複数の第２のワード線と、
第１のビット線と第２のビット線を含む複数のビット線とを有し、
前記複数のメモリセルの各々は、第１のメモリトランジスタと第２のメモリトランジスタとを有し、
前記第１のメモリトランジスタのゲート電極が前記第１のワード線に電気的に接続され、
前記第２のメモリトランジスタのゲート電極が前記第２のワード線に電気的に接続され、
前記第１のメモリトランジスタのソース領域及びドレイン領域の一方が前記第２のメモリトランジスタのソース領域及びドレイン領域の一方と電気的に接続され、
前記第１のビット線は、（ｊ−１）列目の前記メモリセルに設けられた前記第２のメモリトランジスタのソース領域及びドレイン領域の他方と、ｊ列目の前記メモリセルに設けられた前記第１のメモリトランジスタのソース領域及びドレイン領域の他方と電気的に接続され、
前記第２のビット線は、ｊ列目の前記メモリセルに設けられた前記第２のメモリトランジスタのソース領域及びドレイン領域の他方と、（ｊ＋１）列目の前記メモリセルに設けられた前記第１のメモリトランジスタのソース領域及びドレイン領域の他方と電気的に接続されていることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記不揮発性メモリは、１ビット毎の書き込み及び１ビット毎の消去が可能であること
を特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記メモリセルへの書き込み及び消去がトンネル電流によって行われることを特徴とす
る不揮発性メモリ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１のメモリトランジスタ及び前記第２のメモリトランジスタは、ｎチャネル型トランジスタであることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１のメモリトランジスタ及び前記第２のメモリトランジスタは、ｐチャネル型トランジスタであることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１のメモリトランジスタ及び前記第２のメモリトランジスタには、高密度プラズマ処理を用いて形成されたトンネル酸化膜が用いられていることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記複数のビット線は、互いに重ならないように配置されていることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の不揮発性メモリを組み込んだ電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月13日(2010.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応空間中に置かれた基板の上に、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、Ｈ、および場合によってはＮを含む炭化ケイ素膜を形成させるための方法であって：
前記反応空間の中に、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、およびＨを含み、そしてその分子内に少なくとも１個のＳｉ−Ｏ結合を有する前駆体を導入する工程；
前記反応空間の中に不活性ガスを導入する工程；
前記反応空間にＲＦ電力を印加するが、ここで、前記不活性ガスの流量（ｓｃｃｍ）の前記ＲＦ電力（Ｗ／ｃｍ２）に対する比率を、０より大であるが８５０以下に調節する、工程；および
それによって、前記基板の上に、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、Ｈ、および場合によってはＮを含む炭化ケイ素膜を堆積させる工程、
を含む方法。
【請求項２】
不活性ガスの流量のＲＦ電力に対する前記比率を調節して、前記堆積してくる炭化ケイ素膜の誘電率（ｋ）と密度（ρ、ｇ／ｃｍ３）が次式を満足させるように合わせる、
１．６・ρ≦ｋ≦１．６・ρ＋１．０
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記反応空間において、前記ＲＦ電力を０．３〜７Ｗ／ｃｍ２で印加し、前記不活性ガスを２０〜１，１００ｓｃｃｍの流量で導入する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
不活性ガスの流量（ｓｃｃｍ）のＲＦ電力（Ｗ／ｃｍ２）に対する前記比率を、３０〜５５０に調節する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記前駆体に酸化性ガスをまったく添加しない、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記前駆体と前記不活性ガスとだけを、前記反応空間の中に導入する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記堆積してきた炭化ケイ素膜が、２．８〜３．８の誘電率を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記堆積してきた炭化ケイ素膜が、１．４〜２．０ｇ／ｃｍ３の密度を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
炭化ケイ素膜を形成させる工程より前に銅層を形成させる工程をさらに含み、ここで、前記炭化ケイ素膜が、バリヤー層として前記銅層の上に形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
炭化ケイ素膜を形成させる工程より前にフォトリソグラフィにより被エッチング層を形成させる工程をさらに含み、ここで、前記炭化ケイ素膜が、反射防止層として前記被エッチング層の上に形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記反射防止層が１９３ｎｍにおいて、１．４〜２．０のｎ値および０．１０〜０．４５のｋ値を有する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
反応空間中に置かれた基板の上に、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、Ｈ、および場合によってはＮを含む炭化ケイ素膜を形成させるための方法であって：
前記反応空間の中に、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、およびＨを含み、その分子内に少なくとも１個のＳｉ−Ｏ結合を有する前駆体、ならびに不活性ガスを導入する工程；
前記反応空間にＲＦ電力を印加する工程；および
前記堆積してくる炭化ケイ素膜の誘電率（ｋ）および密度（ρ、ｇ／ｃｍ３）が次式を満足させるように調節しながら、前記基板の上に、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、Ｈ、および場合によってはＮを含む炭化ケイ素膜を堆積させる工程：
１．６・ρ≦ｋ≦１．６・ρ＋１．０
を含む方法。
【請求項１３】
次式を満足させる誘電率（ｋ）および密度（ρ、ｇ／ｃｍ３）を有する炭化ケイ素膜。
１．６・ρ≦ｋ≦１．６・ρ＋１．０
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月10日(2010.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御信号に応じて間欠的に送信信号を出力する間欠動作回路と、
送信データに応じて、前記間欠動作回路を、第１の送信信号を出力する送信状態と、前記第１の送信信号よりも低振幅または低周波数の第２の送信信号を出力するアイドリング状態とで切り換え制御する制御回路と、
を具備するパルス変調回路であって、
前記制御回路は、前記間欠動作回路の寄生容量に応じて、前記アイドリング状態への切り替えタイミングを可変制御する
パルス変調回路。
【請求項２】
前記間欠動作回路は、発振器、逓倍器、増幅器のいずれか１つ以上を含む
請求項１に記載のパルス変調回路。
【請求項３】
前記制御回路は、前記送信データが「１」の場合には前記間欠動作回路を送信状態に制御し、前記送信データが「０」の場合には前記間欠動作回路をアイドリング状態に制御すると共に、前記各アイドリング状態の期間が前記各送信状態の期間よりも短くなるように、前記間欠動作回路を制御する
請求項１に記載のパルス変調回路。
【請求項４】
前記制御回路は、さらに、前記間欠動作回路を、前記送信状態と前記アイドリング状態との間で送信信号を出力しない停止状態に切り換え制御する
請求項１に記載のパルス変調回路。
【請求項５】
前記制御回路は、前記間欠動作回路の寄生容量が大きいほど、前記アイドリング状態への切り換えタイミングを早くして、前記間欠動作回路のアイドリング状態期間を長くする
請求項１に記載のパルス変調回路。
【請求項６】
前記制御回路は、前記間欠動作回路の寄生容量に応じて、前記アイドリング状態での前記第２の送信信号の振幅を可変制御する
請求項１に記載のパルス変調回路。
【請求項７】
前記制御回路は、前記間欠動作回路の寄生容量が大きいほど、前記アイドリング状態での前記第２の送信信号の振幅を大きくする
請求項６に記載のパルス変調回路。
【請求項８】
前記送信状態で出力された前記第１の送信信号を通過させる一方、前記アイドリング状態で出力された前記第２の送信信号を遮断する信号遮断手段を、さらに具備する
請求項１に記載のパルス変調回路。
【請求項９】
前記信号遮断手段として逓倍器を用い、当該逓倍器の変換効率を制御することで、前記第１の送信信号を通過させると共に前記第２の送信信号を遮断する
請求項８に記載のパルス変調回路。
【請求項１０】
前記間欠動作回路によって形成された前記第１の送信信号の振幅または位相の少なくとも一方を、前記送信データに応じて変更する変調器、をさらに具備する
請求項１に記載のパルス変調回路。
【請求項１１】
前記制御回路は、直後の前記送信データが「１」になる場合にのみ、前記間欠動作回路をアイドリング状態に制御する
請求項３に記載のパルス変調回路。
【請求項１２】
第１のデータ信号列の既定配列部分を波形整形するための第２のデータ信号列を生成する付加信号生成部と、
前記第２のデータ信号列を用いて前記第１のデータ信号列を波形整形することで、オーバーシュート部を有する信号を生成する波形整形部と、
前記波形整形部によって波形整形された信号に基づいて回路容量を充電し、当該回路容量が所定値になったときに、送信信号を出力する間欠動作部と、
を具備するパルス変調回路であって、
前記付加信号生成部は、前記第１のデータ信号列の「０」の直後の「１」のデータに対してのみ信号を付加する
パルス変調回路。
【請求項１３】
前記間欠動作部は、発振器、逓倍器、増幅器のいずれか１つ以上を含む
請求項１２に記載のパルス変調回路。
【請求項１４】
前記波形整形部は、前記第１のデータ信号列に帯域制限を施す遮断周波数を、前記第２のデータ信号列に応じて可変する可変帯域制限部、を具備する
請求項１２に記載のパルス変調回路。
【請求項１５】
前記付加信号生成部は、前記第２のデータ信号列に基づいて前記リンギング信号を生成し、
前記波形整形部は、前記第１のデータ信号列に前記リンギング信号を合成する
請求項１２に記載のパルス変調回路。
【請求項１６】
前記リンギング信号は、前記間欠動作部の周波数と同一または略同一の周波数をもつ
請求項１２に記載のパルス変調回路。
【請求項１７】
第１のデータ信号列の既定配列部分に波形整形するための第２のデータ信号列を生成するステップと、
前記第２のデータ信号列を用いて前記第１のデータ信号列を波形整形することで、オーバーシュート部を有する信号を生成するステップと、
波形整形された信号に基づいて回路容量を充電し、当該回路容量が所定値になったときに、送信信号を出力するステップと、
を含む、パルス変調方法であって、
前記第２のデータ信号列を生成するステップは、前記第１のデータ信号列の「０」の直後の「１」のデータに対してのみ信号を付加する、
パルス変調方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
かかる課題を解決するため、本発明に係るパルス変調回路の１つの態様は、制御信号に応じて間欠的に送信信号を出力する間欠動作回路と、送信データに応じて、前記間欠動作回路を、第１の送信信号を出力する送信状態と、前記第１の送信信号よりも低振幅または低周波数の第２の送信信号を出力するアイドリング状態とで切り換え制御する制御回路と、を具備するパルス変調回路であって、前記制御回路は、前記間欠動作回路の寄生容量に応じて、前記アイドリング状態への切り替えタイミングを可変制御する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
これに対し、図１８に示す「“Residual-carrier-free burst oscillator for automotive UWB radar applications”, ELECTRONICS LETTERS 28th April 2005 Vol.41 No.9」に開示されるパルス変調回路では、短パルス制御発生回路４３からマルチバイブレータ４４へ出力される短パルス信号によって、電流スイッチ４５−１，４５−２が定電流源４６から流れる電流をトランジスタ４１−１，４１−２へ交互に流すことで、トランジスタ４１−１，４１−２が間欠動作を行って差動の発振器として動作し、出力端子４０−１，４０−２から互いに逆位相の信号を出力する構成を採るため、電流スイッチ４５−１，４５−２の個体差や温度によるインピーダンス変動によって、発振周波数が大きく変化してしまう。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
そして、可変帯域制限回路２１０５は、図１１（ｇ）の制御信号Ｄ７に同期して、図１１（ｄ）の制御信号Ｄ４の帯域制限を行い、図１１（ｈ）に示す制御信号Ｄ８をリミッタ回路２１０６へ出力する。このとき、図１１（ｇ）の制御信号Ｄ７が、可変帯域制限回路２１０５のバラクタダイオード２１１２（図１０参照）に入力すると、制御信号Ｄ７の信号レベルが変化するタイミング（「０」→「１」、「１」→「０」）で、可変帯域制限回路２１０５の回路インピーダンスが変化し、遮断周波数が低くなる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年6月28日(2010.6.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６９】
上の表の右側部分の「比」を参照して、本発明の好適な実施形態に従った２つの高調波の単純な比を用いた干渉の補正の計算例を説明する。例えば、プローブ２０が受信した信号において、ｆ０の相対振幅が４．１、３ｆ０の相対振幅が１．０、５ｆ０の相対振幅が０．５と仮定する。従って、３ｆ０に対する５ｆ０の比は０．５である。この比を表に反映されている保存された値に対して比較して、制御ユニット５０が、この場合は、要素４０が要素＃１と同じタイプであることを決定する。受信した信号に対する要素４０の歪みの影響を決定するために、３ｆ０（１．０）の値を３ｆ０／ｆ０の保存された比（１０．０）で除すと、０．１になる。この結果をｆ０（４．１）の測定振幅から減じると、要素＃１による歪みのない補正振幅４．０になる。この振幅が、プローブ２０の正確な位置を計算するための入力として用いられる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月20日(2010.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成されるゲート線と、
前記基板上に形成され、前記ゲート線と交差するデータ線と、
前記基板上に形成される画素電極とを含み、
前記画素電極は、
前記ゲート線に平行な第１主辺と、
前記データ線に平行な第２主辺と、
前記第１主辺の一部に連続し前記第１主辺と所定角度をなす第１斜辺と、
前記第１斜辺に連続し前記第１斜辺と所定角度をなし、更に前記第２主辺に所定角度をなして連続する第２斜辺とを含み、
前記第１主辺と第１斜辺とがなす第１斜角と前記第１主辺と第２斜辺とがなす第２斜角は互いに異なる液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１主辺と前記第２斜辺がなす角は０〜４５゜であり、前記第２斜辺と前記第１斜辺がなす角は０〜４５゜である請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１主辺、前記第２斜辺、前記第１斜辺及び前記第２主辺は、順に隣接する請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第２斜辺は前記ゲート線と隣接する請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記画素電極と対向する共通電極をさらに含み、
前記共通電極には前記第１斜辺と実質的に平行な第１切開部が形成されている請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記画素電極に前記第１斜辺と実質的に平行な第２切開部が形成される請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第２斜辺の少なくとも一部と重畳する維持電極線をさらに含む請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記画素電極は、間隙を間に置いて互いに離間している第１及び第２副画素電極を含む請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記間隙は前記第１斜辺と平行な斜線部を含む請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
第１副画素電極と前記第２副画素電極の電圧は互いに異なる請求項８に記載の液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月13日(2010.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）光学要素と、（ｂ）該光学要素上に、マイクロビーズ及びバインダーを含有する光学的改変層とを有する光出射面を含み、少なくとも１．２０の光学利得を有する光再指向性フィルム。
【請求項２】
マイクロビーズがポリマー材料を含む、請求項１記載の光再指向性フィルム。
【請求項３】
マイクロビーズが実質的に球形である、請求項１記載の光再指向性フィルム。
【請求項４】
マイクロビーズが実質的に楕円形である、請求項１記載の光再指向性フィルム。
【請求項５】
長軸径において少なくとも１．５マイクロメートル異なる二つまたはそれ以上のサイズ分布でマイクロビーズが存在する、請求項１記載の光再指向性フィルム。
【請求項６】
前記マイクロビーズと前記バインダー物質との間の屈折率の差が０．１０未満である、請求項１記載の光再指向性フィルム。
【請求項７】
マイクロビーズと光学要素との間の屈折率の差が０．１０より大きい、請求項１記載の光再指向性フィルム。
【請求項８】
光出射面上に凸状の光学要素を有するフィルムを含む光学フィルムであって、該光学要素が少なくとも２５マイクロメートルの長さ、直径または他の主要な寸法を有しており、並びに前記光学要素の表面が１．０マイクロメートルから３．０マイクロメートルまでの間のＲａ値を示す、光学フィルム。
【請求項９】
光出射面上に凸状または凹状の光学要素を有するフィルムを含む光学フィルムであって、前記光学要素が少なくとも２５マイクロメートルの長さ、直径または他の主要な寸法を有しており、並びに、前記光学要素の表面が、前記表面粗さを伴わない同一の光学要素の配置に比べ、少なくとも２０％の軸上光学利得の減少をもたらすのに充分な低さのＲａ値を示す、光学フィルム。
【請求項１０】
（ａ）光学要素と、（ｂ）該光学要素上に、マイクロビーズ及びバインダーを含有する光学的改変層とを有する光出射面を含む光再指向性フィルムであって、角度が＋８０度から−８０度までの間での水平方向角度輝度曲線の曲線下面積が、光学的改変層を伴わない光再指向性フィルムよりも５％から１５％までの範囲で大きい、光再指向性フィルム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月17日(2010.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
（第２の実施形態）
図３を参照して、本発明の第２の実施形態に係るマルチチャンネルエコーキャンセラの構成について説明する。図３は、音響システムに用いられる第２の実施形態に係るマルチチャンネルエコーキャンセラの構成例を示す図である。図３に示す音響システムでは、近端側には、話者Ｓ１が音源（近端音源）として存在しており、遠端側には、話者Ｓ３およびＳ４が互いに異なる複数の音源（遠端音源）として存在しているとする。近端側には、遠端側の話者Ｓ３およびＳ４の音声からなる遠端音響信号を拡声するためのスピーカ１０および２０と、近端側の話者Ｓ１の音声からなる近端音響信号を検出するためのマイクロホン１１および２１とが設けられている。遠端側には、近端音響信号を拡声するためのスピーカ３０および４０と、遠端音響信号を検出するためのマイクロホン３１および４１とが設けられている。スピーカ（１０、２０、３０、４０）とマイクロホン（１１、２１、３１、４１）は、図８で説明したそれらと同様であり、同じ符号を付している。また図３に示す音響システムでは、一例として、本実施形態に係るマルチチャンネルエコーキャンセラが近端側にのみ設けられているとする。また図３に示す音響システムでは、一例として、近端側の話者Ｓ１と、遠端側の話者Ｓ３およびＳ４とが同時に会話をしている、いわゆるダブルトークが行われている状態であるとする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１７】
【図１】音響システムに用いられる第１の実施形態に係るマルチチャンネルエコーキャンセラの構成例を示す図
【図２】音源分離部１００の詳細な構成を示す図
【図３】音響システムに用いられる第２の実施形態に係るマルチチャンネルエコーキャンセラの構成例を示す図
【図４】第１の音源分離部２１０の詳細な構成を示す図
【図５】一部の変換部を共用した場合を示す図
【図６】第１の音源分離部２１０に設定された分離行列の一部を拘束した第１の音源分離部２１０ａの構成を示す図
【図７】音源分離部１００の音源分離処理を実現するプログラム処理フローを示す図
【図８】従来の適応フィルタを用いたマルチチャンネルエコーキャンセラ９の構成を示す図
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月3日(2010.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の欠陥を修正する欠陥修正装置において、
修正工程よりも前の検査工程で検査された前記基板の検査データの欠陥位置情報に基づいて、レビュー対象となる欠陥を撮像する撮像部と、
前記撮像部により撮像された欠陥レビュー検査画像を縮小してサムネイル画像を生成する画像処理部と、
前記欠陥レビュー検査画像と前記サムネイル画像を関連付けて保存する記憶部と、
前記サムネイル画像を一覧表示する表示部と、
前記表示部により一覧表示された前記サムネイル画像上で修正する欠陥を選択する欠陥選択部と、
前記欠陥選択部により選択された前記欠陥を修正する欠陥修正部と、
前記撮像部と前記表示部と前記欠陥修正部を制御する制御部と、
を備えた欠陥修正装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記検査データの欠陥位置情報に基づいて、修正が必要な真の欠陥をレビュー対象として選択し、選択されたレビュー対象となる全ての欠陥を前記撮像部により撮像させ、このレビュー検査画像を前記記憶部に保存することを特徴とする請求項１に記載の欠陥修正装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記検査データの欠陥の大きさや位置に基づいて修正が不要な擬似欠陥と修正が必要な真の欠陥に分類し、修正が必要なレビュー対象となる欠陥を選択することを特徴とする請求項１に記載の欠陥修正装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記欠陥レビュー検査画像と前記レビュー検査画像を縮小したサムネイル画像とを関連付けて記憶部に格納させ、前記記憶部から前記サムネイル画像を読み出して前記表示部に一覧表示させる制御を行うことを特徴とする請求項１に記載の欠陥修正装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記表示部に表示された前記サムネイル画像に対して前記欠陥選択部によりカーソルで指定した前記サムネイル画像の枠を強調表示させることを特徴とする請求項１に記載の欠陥修正装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記欠陥レビュー検査画像と前記レビュー検査画像を縮小したサムネイル画像と欠陥データを関連付けて記憶部に格納させ、前記記憶部から前記サムネイル画像と欠陥データを読み出して前記表示部に前記サムネイル画像を一覧表示させるとともに、前記表示部に前記サムネイル画像に対応する前記欠陥データを表示させることを特徴とする請求項１に記載の欠陥修正装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記欠陥選択部によりカーソルを移動させて指定した欠陥の前記欠陥データを異なる色に変えで表示させることを特徴とする請求項６に記載の欠陥修正装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記撮像部に対して前記欠陥修正部により修正される前記欠陥の修正後の画像を撮像させるとともに、前記撮像部で撮像された修正後の画像を縮小した修正後のサムネイル画像を修正前のサムネイル画像に対応付けて前記表示部に表示させることを特徴とする請求項１に記載の欠陥修正装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記撮像部に対して前記欠陥修正部により修正される前記欠陥の修正後の画像を撮像させるとともに、前記撮像部で撮像された修正後の画像を縮小した修正後のサムネイル画像を前記欠陥レビュー検査画像に対応付けて前記表示部に表示させることを特徴とする請求項１に記載の欠陥修正装置。
【請求項１０】
前記制御部は、前記表示部に前記修正後のサムネイル画像を表示させ、前記修正後のサムネイル画像に前記欠陥選択部によりカーソルを移動させて指定した欠陥を再度修正が必要な欠陥として再登録することを特徴とする請求項８又は９に記載の欠陥修正装置。
【請求項１１】
前記制御部は、前記検査データの欠陥位置情報に基づいて、前記欠陥修正部の欠陥修正前にレビュー対象となる全ての欠陥を撮像部で撮像させ、このレビュー検査画像と縮小した縮小レビュー検査画像を記憶部に格納させ、前記表示部に縮小して一覧表示されたレビュー検査画像を拡大指定することにより前記縮小処理前のレビュー検査画像を前記記憶部から読み出して前記表示部に拡大表示させることを特徴とする請求項１に記載の欠陥修正装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたもので、基板上の欠陥を修正する欠陥修正装置において、修正工程よりも前の検査工程で検査された前記基板の検査データの欠陥位置情報に基づいて、レビュー対象となる欠陥を撮像する撮像部と、前記撮像部により撮像された欠陥レビュー検査画像を縮小してサムネイル画像を生成する画像処理部と、前記欠陥レビュー検査画像と前記サムネイル画像を関連付けて保存する記憶部と、前記サムネイル画像を一覧表示する表示部と、前記表示部により一覧表示された前記サムネイル画像から修正する欠陥を選択する欠陥選択部と、 前記欠陥選択部により選択された前記欠陥を修正する欠陥修正部と、前記撮像部と前記表示部と前記欠陥修正部を制御する制御部と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月21日(2009.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
エンドレスベルトと、
前記ベルトを回動自在に支持する支持部材と、
前記ベルトが幅方向中央のゾーンから外れた位置にあるとき前記ベルトが前記ゾーン内へと戻るように前記支持部材の傾斜角度を戻し角度に設定し、前記ベルトが前記ゾーン内にあるとき前記ベルトが前記ゾーンから外れないように前記支持部材の傾斜角度を平衡角度に設定する設定手段と、
を有することを特徴とするベルト搬送装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記調整手段は前記ベルトが前記ゾーンから外れる頻度に応じて調整動作を実行することを特徴とする請求項２に記載のベルト搬送装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記調整手段は前記ベルトが前記ゾーンから外れた方向に応じて前記平衡角度を調整することを特徴とする請求項２に記載のベルト搬送装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記目的を達成するための本発明に係るベルト搬送装置の代表的な構成は、エンドレスベルトと、前記ベルトを回動自在に支持する支持部材と、前記ベルトが幅方向中央のゾーンから外れた位置にあるとき前記ベルトが前記ゾーン内へと戻るように前記支持部材の傾斜角度を戻し角度に設定し、前記ベルトが前記ゾーン内にあるとき前記ベルトが前記ゾーンから外れないように前記支持部材の傾斜角度を平衡角度に設定する設定手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２２】
ステップＳ２０６で、現在のベルトの位置ラベルが中央であるならば、ステップＳ２０７で、タイマ５００によりステアリングローラの傾斜角度（設定角度）を戻し角度から平衡角度へ切替えるまでの時間カウントをスタートする。このカウント時間が設定時間（後述のＴｒｅｆ）になった時点でステアリングローラの角度（姿勢）を戻し角度（傾斜状態）から平衡角度（平衡状態）へ戻す。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月19日(2010.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
画像補正演算処理部２４０は、画像補正パラメータ記憶部２１０に記憶された補正パラメータを用いて、ＰＣ２００の性能に応じた補正処理を設定して、設定した補正処理を実行する。
また、画像補正演算処理部２４０は、画像データに対して行うべき複数の補正処理のうちのどの補正処理をＰＣ２００側で行うかを示す情報（補正処理指示情報という）を生成する機能を有する。この補正処理指示情報は、所定のタイミング（後述する）でプロジェクタ３００に通知される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
また、画像補正演算処理部２４０は、性能評価部２９０により、ＰＣ２００が基準値以上の性能であると評価された場合には、第１補正処理グループに属する補正処理（解像度変換、輪郭強調、白黒伸張、形状補正、色変換、γ補正及びＶＴ−γ補正）及び第２補正処理グループに属する補正処理（ゴースト補正、クロストーク補正及び色ムラ補正）を設定して、設定したこれらの補正処理を実行する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月16日(2010.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置及び表示装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に第１の導電性材料を含む組成物を吐出し枠状の第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層で囲まれた領域に、第２の導電性材料を含む組成物を吐出し前記第１の導電層の枠内に第２の導電層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に第１の導電性材料を含む組成物を吐出し枠状の第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層で囲まれた領域に、第２の導電性材料を含む組成物を吐出し前記第１の導電層の枠内に第２の導電層を形成し、
前記第１の導電性材料を含む組成物の粘度は前記第２の導電性材料を含む組成物の粘度より高いことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板上に第１の導電性材料を含む組成物を吐出し枠状の第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層で囲まれた領域に、第２の導電性材料を含む組成物を吐出し前記第１の導電層の枠内に第２の導電層を形成し、
前記第１の導電性材料を含む組成物が吐出される領域に対する前記第１の導電性材料を含む組成物のぬれ性は、前記第２の導電性材料を含む組成物が吐出される領域に対する前記第２の導電性材料を含む組成物のぬれ性より低いことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記第１の導電性材料を含む組成物は連続的に吐出し、前記第２の導電性材料を含む組成物は間欠的に吐出することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記第１及び前記第２の導電層は画素電極層であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項６】
絶縁表面を有する基板上に、枠状の第１の導電層と、前記第１の導電層で囲まれた領域に設けられた第２の導電層とを有し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層は、配線層、ゲート電極層、ソース電極層、ドレイン電極層、または画素電極層であることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
絶縁表面を有する基板上に、枠状の第１の導電層と、前記第１の導電層で囲まれた領域に設けられた第２の導電層とを有し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層とは接しており、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層は、配線層、ゲート電極層、ソース電極層、ドレイン電極層、または画素電極層であることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
絶縁表面を有する基板上に、枠状の第１の導電層と、前記第１の導電層で囲まれた領域に設けられた第２の導電層とを有し、
前記第１の導電層は第１の導電性材料を含み、
前記第２の導電層は第２の導電性材料を含み、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層は、配線層、ゲート電極層、ソース電極層、ドレイン電極層、または画素電極層であることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか一項において、前記第２の導電層は、前記第１の導電層の膜厚と比較して、膜厚が大きい部分を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項６乃至８のいずれか一項において、前記第２の導電層は、前記第１の導電層の膜厚と比較して、膜厚が小さい部分を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項６乃至１０のいずれか一項において、前記第１の導電層の端部は曲率を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項６乃至１１のいずれか一項に記載の表示装置は、電子ペーパー、テレビジョン装置、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、携帯電話装置、携帯情報端末、ゲーム機、コンピュータ、音響再生装置、または画像再生装置であることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月22日(2010.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１数の論理装置上にストライプされたデータを単一チャネルにコード化するステップと、
コード化データを第２数の論理装置上にデコードするステップと、
を含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記コード化ステップは第１数の論理装置に元々ストライプされたデータを多重化することを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法において、前記デコードステップは第２数の論理装置上にデータを再ストライプするためにコード化データを逆多重化することを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法において、前記第２数の論理装置から再ストライプ・データを多重化することにより前記第１数の論理装置上にデータの元のストライピングを復元するステップをさらに含む方法。
【請求項５】
請求項３に記載の方法において、前記コード化ステップと前記デコードステップは、各々１つ以上の入力ソースと１つ以上の出力到達先へのデータ多重化とデータ逆多重化を同期的にループすることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月22日(2010.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
変調信号が入力され、又は、整流信号が出力され、又は、無線信号を送受信するアンテナ回路と、
前記整流信号が入力され、又は、状態信号が入力され、又は、復調信号が出力される受信回路と、
送信データが入力され、又は、前記状態信号が出力され、又は、前記変調信号が出力される送信回路と、
前記復調信号が入力され、又は、前記送信データが出力される演算処理回路と、を有し、
前記受信回路は、ローパスフィルタと、論理和回路と、を有し、
前記論理和回路の第１の入力に前記ローパスフィルタを介して整流信号が入力され、
前記論理和回路の第２の入力に前記状態信号が入力され、
前記論理和回路の出力から前記復調信号が出力されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
変調信号が入力され、又は、整流信号が出力され、又は、無線信号を送受信するアンテナ回路と、
前記整流信号が入力され、又は、状態信号が入力され、又は、復調信号が出力される受信回路と、
送信データが入力され、又は、前記状態信号が出力され、又は、前記変調信号が出力される送信回路と、
前記復調信号が入力され、又は、前記送信データが出力される演算処理回路と、を有し、
（Ａ）前記無線信号が送信中でない場合に、前記受信回路に前記状態信号としてＬが入力され、前記受信回路は前記整流信号を復調した前記復調信号を生成し、
（Ｂ）前記無線信号が送信中の場合に、前記受信回路に前記状態信号としてＨが入力され、前記受信回路は前記整流信号に関わらず前記復調信号を生成することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
変調信号が入力され、又は、整流信号が出力され、又は、無線信号を送受信するアンテナ回路と、
前記整流信号が入力され、又は、状態信号が入力され、又は、復調信号が出力される受信回路と、
送信データが入力され、又は、前記状態信号が出力され、又は、前記変調信号が出力される送信回路と、
前記復調信号が入力され、又は、前記送信データが出力される演算処理回路と、を有し、
前記受信回路は、ローパスフィルタと、論理和回路と、を有し、
前記論理和回路の第１の入力に前記ローパスフィルタを介して整流信号が入力され、
前記論理和回路の第２の入力に前記状態信号が入力され、
前記論理和回路の出力から前記復調信号が出力され、
（Ａ）前記無線信号が送信中でない場合に、前記受信回路に前記状態信号としてＬが入力され、前記受信回路は前記整流信号を復調した前記復調信号を生成し、
（Ｂ）前記無線信号が送信中の場合に、前記受信回路に前記状態信号としてＨが入力され、前記受信回路は前記整流信号に関わらず前記復調信号を生成することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
共振回路と変調抵抗と整流回路を有するアンテナ回路と、
ローパスフィルタと論理和回路とを有する受信回路と、
送信データレジスタと変調信号生成回路とタイミングコントローラとを有する送信回路と、
演算処理回路と、を有し、
前記整流回路は、前記ローパスフィルタの入力と電気的に接続され、
前記ローパスフィルタの出力は、前記論理和回路の第１の入力に電気的に接続され、
前記送信データレジスタの第１の出力は、前記論理和回路の第２の入力に電気的に接続され、
前論理和回路の出力は、前記演算処理回路の入力に接続され、
前記演算処理回路の出力は、前記送信データレジスタの入力に電気的に接続され、
前記送信データレジスタの第２の出力は、前記変調信号生成回路の第１の入力に電気的に接続され、
前記前記タイミングコントローラの出力は、前記変調信号生成回路の第２の入力に電気的に接続され、
前記変調信号生成回路の出力は、前記変調抵抗の入力に電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
変調信号が入力され、又は、整流信号が出力され、又は、無線信号を送受信するアンテナ回路と、
前記整流信号が入力され、又は、状態信号が入力され、又は、復調信号が出力される送信回路と、
送信データが入力され、又は、前記状態信号が出力され、又は、前記変調信号が出力される受信回路と、
前記復調信号が入力され、又は、前記送信データが出力される演算処理回路と、を有し、
前記状態信号は、前記アンテナ回路が前記無線信号を送信中か否かを示す信号であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
無線信号を送受信するアンテナ回路と、送信回路と、受信回路と、を有し、
前記送信回路は、前記アンテナ回路が前記無線信号を送信中か否かを示す信号を前記受信回路に出力することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
無線信号を送受信するアンテナ回路と、送信回路と、受信回路と、演算処理回路と、を有し、
前記送信回路は、前記アンテナ回路が前記無線信号を送信中か否かを示す信号を前記受信回路に出力し、
前記受信回路は、前記送信回路から前記アンテナ回路が前記無線信号を送信中であることを示す信号が入力された場合は、前記アンテナ回路からの信号に関わらず、前記アンテナ回路が前記無線信号を受信していないことを示す信号を前記演算処理回路に出力することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月9日(2010.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置が内包された用紙であり、
前記半導体装置は、
薄膜トランジスタを有する回路、及び前記回路に接続されたアンテナを有する素子層と、前記素子層の上面を封止する封止層とが積層された積層体と、
前記積層体の底部に固定された可撓性の基材と、を有し、
前記素子層は、前記可撓性の基材と前記封止層とにより挟まれていることを特徴とする半導体装置を内包する用紙。
【請求項２】
半導体装置が内包された用紙であり、
前記半導体装置は、
薄膜トランジスタを有する回路、及び前記回路に接続されたアンテナを有する素子層と、前記素子層の上面を封止する封止層とが積層された積層体と、
前記積層体の底部に固定された可撓性の基材と、を有し、
前記素子層の側面は、前記回路及び前記アンテナを作製するときに形成された絶縁膜の積層膜でなり、
前記素子層は、前記可撓性の基材、前記封止層、及び前記絶縁膜の積層膜により覆われていることを特徴とする半導体装置を内包する用紙。
【請求項３】
半導体装置が内包された多層抄き合わせ紙であり、
紙層と紙層の間に抄き込まれた半導体装置を有し、
前記半導体装置は、
薄膜トランジスタを有する回路、及び前記回路に接続されたアンテナを有する素子層と、前記素子層の上面を封止する封止層とが積層された積層体と、
前記積層体の底部に固定された可撓性の基材と、を有し、
前記素子層は、前記可撓性の基材と前記封止層とにより挟まれていることを特徴とする半導体装置を内包する用紙。
【請求項４】
半導体装置が内包された多層抄き合わせ紙であり、
紙層と紙層の間に抄き込まれた半導体装置を有し、
前記半導体装置は、
薄膜トランジスタを有する回路、及び前記回路に接続されたアンテナを有する素子層と、前記素子層の上面を封止する封止層とが積層された積層体と、
前記積層体の底部に固定された可撓性の基材と、を有し、
前記素子層の側面は、前記回路及び前記アンテナを作製するときに形成された絶縁膜の積層膜でなり、
前記素子層は、前記可撓性の基材、前記封止層、及び前記絶縁膜の積層膜により覆われていることを特徴とする半導体装置を内包する用紙。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記半導体装置を内包する用紙の厚さは１３０μｍ以下であることを特徴とする半導体装置を内包する用紙。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記半導体装置の厚さは３０μｍ以下であることを特徴とする半導体装置を内包する用紙。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記可撓性の基材の厚さは２０μｍを超えないことを特徴とする半導体装置を内包する用紙。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記可撓性の基材は、基材フィルムと接着層との積層構造を有することを特徴とする半導体装置を内包する用紙。
【請求項９】
請求項８において、
前記基材フィルムは、ポリエステル、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアクリロニトリル、ポリエチレンテレフタレート又はポリアミドのいずれかからなる樹脂であることを特徴とする半導体装置を内包する用紙。
【請求項１０】
請求項８又は９において、
前記基材フィルムの表面は、二酸化シリコンの粉末によりコーティングされていることを特徴とする半導体装置を内包する用紙。
【請求項１１】
請求項８又は９において、
前記基材フィルムの表面は、導電性材料によりコーティングされていることを特徴とする半導体装置を内包する用紙。
【請求項１２】
前記封止層は樹脂層であることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の半導体装置を内包する用紙。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項において、
前記半導体装置が内包された用紙の少なくとも一方の表面は、平坦性を有していることを特徴とする半導体装置を内包する用紙。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一項において、
前記半導体装置が内包された用紙は、可撓性を有していることを特徴とする半導体装置を内包する用紙。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか一項において、
前記薄膜トランジスタを有する回路は無線で通信を行うための回路であることを特徴とする半導体装置を内包する用紙。
【請求項１６】
前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域は結晶性半導体でなることを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の半導体装置を内包する用紙。
【請求項１７】
少なくとも２層の湿紙を用意し、
間に半導体装置を挟んだ状態で２層の前記湿紙を重ね、
前記重ねた湿紙をプレスし、
前記プレスした湿紙を乾燥して、多層紙を形成する紙の作製方法であり、
前記湿紙をプレスする際に、プレスの際に変形が可能な物体を前記湿紙の一方の面に接触させることを特徴とする半導体装置を内包する用紙の作製方法。