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【手続補正書】
【提出日】平成22年7月21日(2010.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層上またはメタル層上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層に形成され、前記絶縁層の上面から途中まで第１の開口径で形成された第１の接続孔と、
前記絶縁層に形成され、前記第１の接続孔下に繋げられ、前記絶縁層の前記途中から前記半導体層上または前記メタル層上に接するまで第２の開口径で形成された第２の接続孔と、
前記第１の開口径よりも前記第２の開口径の方が大きく、
前記第２の接続孔の底面の前記半導体層または前記メタル層から成長され、前記第２の接続孔内及び前記第１の接続孔内に埋め込まれた無電解めっき層と、を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体層上またはメタル層上に形成された第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層に形成され、前記第１の絶縁層の上面から途中まで第１の開口径で形成された第１の接続孔と、
前記第１の絶縁層に形成され、前記第１の接続孔下に繋げられ、前記第１の絶縁層の前記途中から前記半導体層上または前記メタル層上に接するまで第２の開口径で形成された第２の接続孔と、
前記第１の接続孔内の側面及び前記第１の絶縁層上に形成された第２の絶縁層と、
前記第１の開口径よりも前記第２の開口径の方が大きく、
前記第２の接続孔の底面の前記半導体層または前記メタル層から成長され、前記第２の接続孔内及び前記第１の接続孔内に埋め込まれた無電解めっき層と、を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、前記第１の絶縁層は酸化シリコン層であり、前記第２の絶縁層は窒化シリコン層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
半導体層上またはメタル層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層に、前記絶縁層の上面から途中までを第１の開口径で開口した第１の接続孔を形成し、
前記絶縁層に、前記第１の接続孔下に繋げられ、前記絶縁層の前記途中から前記半導体層上または前記メタル層上に接するまでを前記第１の開口径よりも大きい第２の開口径で開口した第２の接続孔を形成し、
前記第２の接続孔の底面の前記半導体層または前記メタル層から成長させ、前記第２の接続孔内及び前記第１の接続孔内に無電解めっき層を埋め込むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
半導体層上またはメタル層上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層に、前記第１の絶縁層の上面から途中までを第１の開口径で開口した第１の接続孔を形成し、
前記第１の接続孔内の側面及び前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層に、前記第１の接続孔下に繋げられ、前記第１の絶縁層の前記途中から前記半導体層上または前記メタル層上に接するまでを前記第１の開口径よりも大きい第２の開口径で開口した第２の接続孔を形成し、
前記第２の接続孔の底面の前記半導体層または前記メタル層から成長させ、前記第２の接続孔内及び前記第１の接続孔内に無電解めっき層を埋め込むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層がエッチングされて前記第２の接続孔が形成される際のエッチングマスクとして機能することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
半導体層上またはメタル層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に第１のエッチングマスク層を形成し、
前記第１のエッチングマスク層上にレジストを形成し、
前記レジストをマスクとして前記第１のエッチングマスク層及び前記絶縁層を異方性エッチングすることにより、前記第１のエッチングマスク層及び前記絶縁層に、前記第１のエッチングマスク層を貫通し且つ前記絶縁層を貫通しない第１の接続孔を形成し、
前記レジストを除去した後、前記第１の接続孔内の底面と側面及び前記第１のエッチングマスク層上に第２のエッチングマスク層を形成し、
前記第２のエッチングマスク層をエッチバックすることにより、前記第１の接続孔内の底面に形成された前記第２のエッチングマスク層及び前記第１のエッチングマスク層上に形成された前記第２のエッチングマスク層を除去し、且つ前記第１の接続孔内の側面に形成された前記第２のエッチングマスク層を残し、
前記残された第２のエッチングマスク層及び前記第１のエッチングマスク層をマスクとして前記第１の接続孔の底面に露出した前記絶縁層を等方性エッチングすることにより、前記半導体層上または前記メタル層上に前記第１の接続孔に繋げられた第２の接続孔を形成し、
前記第２の接続孔の底面に露出した前記半導体層または前記メタル層から無電解めっき層を成長させることにより、前記第２の接続孔内及び前記第１の接続孔内に無電解めっき層を埋め込むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
半導体層上または第１のメタル層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に第２のメタル層を形成し、
前記第２のメタル層上にレジストを形成し、
前記レジストをマスクとして前記第２のメタル層及び前記絶縁層を異方性エッチングすることにより、前記第２のメタル層及び前記絶縁層に、前記第２のメタル層を貫通し且つ前記絶縁層を貫通しない第１の接続孔を形成し、
前記レジストを除去した後、前記第１の接続孔内の底面と側面及び前記第２のメタル層上に第３のメタル層を形成し、
前記第３のメタル層をエッチバックすることにより、前記第１の接続孔内の底面に形成された前記第３のメタル層及び前記第２のメタル層上に形成された前記第３のメタル層を除去し、且つ前記第１の接続孔内の側面に形成された前記第３のメタル層を残し、
前記残された第３のメタル層及び前記第２のメタル層をマスクとして前記第１の接続孔の底面に露出した前記絶縁層を等方性エッチングすることにより、前記半導体層上または前記第１のメタル層上に前記第１の接続孔に繋げられた第２の接続孔を形成し、
前記第２のメタル層及び前記第３のメタル層を除去し、
前記第２の接続孔の底面に露出した前記半導体層または前記第１のメタル層から無電解めっき層を成長させることにより、前記第２の接続孔内及び前記第１の接続孔内に無電解めっき層を埋め込むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月25日(2009.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記第１のマスクパターンが形成された半導体基板が複数載置された支持体を、イオンビームの入射方向と垂直な平面と、前記支持体の回転面内において前記イオンビームの照射点および前記回転中心を通る直線に直交する直線とのなす角が前記第２の角度となる状態で配置するとともに前記回転中心周りに回転させた状態でイオンビームを照射し、前記第１導電型の不純物を前記複数の半導体基板に注入する工程と、
前記第２のマスクパターンが形成された半導体基板が複数載置された支持体を、イオンビームの入射方向と垂直な平面と、前記支持体の回転面内において前記イオンビームの照射点および前記回転中心を通る直線に直交する直線とのなす角が前記第１の角度となる状態で配置するとともに前記回転中心回りに回転させた状態でイオンビームを照射し、前記第２導電型の不純物を前記複数の半導体基板に注入する工程と、
をさらに含む請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
上記構成の半導体装置の製造方法において、第１の角度と第２の角度とは、前記支持体の回転面が、イオンビームと回転中心とを含む平面に関して対称となる角度にすることができる。また、第１の不純物層および第２の不純物層は、ウェルとすることができる。さらに、各半導体基板は、半導体基板の中心および半導体基板のノッチを通る直線と、半導体基板の中心および前記支持体の回転中心を通る直線とのなす角が４５°となる状態で支持体上に載置されることが好ましい。加えて、半導体基板面上に形成される、第１の不純物層と第２の不純物層との境界は、半導体基板の中心および半導体基板のノッチを通る直線と、平行または垂直にすることができる。以上の構成は、第１の不純物層と第２の不純物層との境界に対して垂直な方向の素子分離領域の幅が１３０ｎｍ以下である場合に特に好適である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
【図１】半導体基板に入射するイオンビームの様子を示す斜視図
【図２】ディスクの縦断面図
【図３】ディスクの横断面図
【図４】ディスクと半導体基板との位置関係を示す模式図
【図５】高速回転中のディスクを示す模式図
【図６】高速回転中のイオンビームの入射方向を示す模式図
【図７】半導体基板上の異なる位置に形成されたウェル境界を示す断面図
【図８】本発明の一実施形態におけるディスクの動きを示す模式図
【図９】本発明の一実施形態におけるイオンビームの入射方向を示す模式図
【図１０】本発明の一実施形態において形成されたウェル境界を示す断面図
【図１１】ウェル分離耐圧の値を示す図
【図１２】測定用パターンを示す平面図
【図１３】バッチ式イオン注入装置のディスクと半導体基板との位置関係を示す図
【図１４】枚葉式イオン注入装置のイオンビームと半導体基板との位置関係を示す図
【図１５】ウェル境界を模式的に示す断面図
【図１６】従来のウェル境界の形成過程を示す工程断面図
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月15日(2010.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランドが形成される第１の層と、
アナログ信号パターンと第１のグランドパターンが配線される第２の層と、
デジタル信号パターンと第２のグランドパターンが配線される第３の層と、
第３のグランドパターンが配線される第４の層とを有し、
前記第２のグランドパターンは、前記第３の層上で前記デジタル信号パターンを挟むように配線されるとともに、前記デジタル信号パターンと前記アナログ信号パターンが重ならずに、前記デジタル信号パターンが前記第１のグランドパターンと前記第３のグランドパターンに挟まれるように前記第１ないし第４の層を積層することを特徴とするプリント配線板。
【請求項２】
前記第１のグランドパターンは、前記第２の層上で前記アナログ信号パターンを挟むように配線されることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
【請求項３】
前記第３のグランドパターンは、少なくとも前記第３の層に配線されるパターンを覆う領域に配線されることを特徴とする請求項１または２に記載のプリント配線板。
【請求項４】
前記プリント配線板は屈曲部を有し、前記第１の層は前記屈曲部に配線を行わないことを特徴する請求項１ないし３のいずれかに記載のプリント配線板。
【請求項５】
前記第１の層は前記屈曲部に絶縁層を形成しないことを特徴とする請求項４に記載のプリント配線板。
【請求項６】
前記ランドには光電変換素子が実装され、前記デジタル信号パターンは前記光電変換素子の信号出力パターンであるとともに、前記デジタル信号パターンは前記光電変換素子の駆動パルスパターンであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載のプリント配線板。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載のプリント配線板を用いた電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月17日(2010.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッドを備えた基板に吸着ヘッドを使用して導電性ボールを搭載する方法であって、
各パッドに対応する位置に導電性ボールを吸着できる吸着穴のあいた吸着面を有する吸着ヘッドを用意し、その吸着面を上向きにして、吸着穴に導電性ボールを吸着する工程、
導電性ボールを吸着した吸着ヘッドと、フラックスを塗布したパッドを有し、該パッドの側を下向きにした基板とを、接近させる工程、
吸着ヘッドの吸着穴から気体を噴出することにより導電性ボールを上方へ放出して、パッドに塗布したフラックスに付着させる工程、
により導電性ボールを搭載することを特徴とする導電性ボール搭載方法。
【請求項２】
前記吸着ヘッドの吸着穴に導電性ボールを吸着する際の吸引圧力を−０．１〜−５０ｋＰａとする、請求項１記載の導電性ボール搭載方法。
【請求項３】
前記吸着ヘッドの吸着穴に導電性ボールを吸着する際に、各吸着穴に対応していて、導電性ボールが入ることができる開口部を有するマスクを使用する、請求項１又は２記載の導電性ボール搭載方法。
【請求項４】
前記吸着ヘッドとして、基板の各パッドに対応する位置で上面に開口した凹部と、この凹部の底面に開口した吸着穴とを有する冶具を備えたものを使用する、請求項１又は２記載の導電性ボール搭載方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】導電性ボール搭載方法
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月22日(2010.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤを光源とした発光装置であって、
前記ＬＥＤに近接して、あるいは前記ＬＥＤを内部に組み込むようにして断面が中が詰まった略円形の透明体を配置し、
前記透明体において前記ＬＥＤの光が通過する光照射面に、前記ＬＥＤの光を散乱させる光散乱層を塗布したことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記光散乱層は、アクリル樹脂、ニトロセルロースとアルキッド樹脂の混合物、ポリカーボネイト、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂又は塩化ビニル樹脂をバインダー層とし、
前記バインダー層に、シリカ、ガラス、アルミナ、酸化チタンのうち少なくとも一つを含む無機物、あるいはポリプロピレン、ポリエチレン、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸ブチル、ポリスチレン、ポリウレタン、シリコン樹脂のうち少なくとも一つを含む有機物からなる微粒粉体のフィラーを、均一に分散、充填して構成したことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記光散乱層は前記フィラーを２．５〜４重量部含むことを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記光散乱層は厚さ５〜２０μであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記透明体はアクリル樹脂、ポリカーボネイト樹脂、ポリエステル樹脂、シリコン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ガラス、シリカあるいはアルミナからなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記透明体は長尺の円柱形状又はリング形状であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項７】
断面が略コの字型であり開口部を有するライトカバーを設け、
前記光散乱層が前記ライトカバーの開口部に位置するように、前記透明体を前記ライトカバーの内側に取り付けたことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月4日(2010.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像中において所定の対象物が存在する部分を特定する画像処理装置であって、
原画像データに基づいて、画素の色に関する基準階調値によって前記原画像データの画像の少なくとも一部を表す第１の部分画像データを生成する第１の部分画像データ生成部と、
所定の第１の条件が満たされた場合に、前記第１の部分画像データの少なくとも一部の数値範囲に含まれる基準階調値をより明るい色に対応する基準階調値に変換することによって、第２の部分画像データを生成する第２の部分画像データ生成部と、
前記第１の条件が満たされなかった場合に、前記第１の部分画像データの前記基準階調値に基づいて、前記第１の部分画像データの画像が所定の対象物を含むか否かを判定し、前記第１の条件が満たされた場合に、前記第２の部分画像データの前記基準階調値に基づいて、前記第２の部分画像データの画像が前記所定の対象物を含むか否かを判定する判定部と、
前記原画像データの画像中において、前記所定の対象物を含むと判定された前記第１または第２の部分画像データの画像に対応する部分に基づいて、前記原画像データの画像中において前記所定の対象物が存在する部分を決定する対象物特定部と、を備える画像処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の装置であって、
前記基準階調値は、画素の明度を表す階調値である、装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の装置であって、
前記少なくとも一部の数値範囲は、前記基準階調値が取りうる範囲のうち、最も暗い色に対応する基準階調値から、前記取りうる範囲の幅の２５％までの範囲を含む、装置。
【請求項４】
請求項３記載の装置であって、
前記第２の部分画像データ生成部は、前記基準階調値を所定量だけ変更することによって、前記変換を行う、装置。
【請求項５】
請求項４記載の装置であって、
前記所定量は、前記基準階調値が取りうる範囲の幅の１０％〜４０％である、装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の装置であって、
前記基準階調値は、他の条件が同じである場合に、前記基準階調値の値が小さいほど暗い色を表す階調値であり、
前記第１の条件は、前記第１の部分画像データの画素の基準階調値の平均値が所定のしきい値よりも小さいことを含む、装置。
【請求項７】
請求項１ないし５のいずれかに記載の装置であって、
前記基準階調値は、他の条件が同じである場合に、前記基準階調値の値が小さいほど暗い色を表す階調値であり、
前記第１の条件は、前記第１の部分画像データの画像の領域を、第１の領域と、前記第１の領域を囲む第２の領域と、に分けたときに、前記第１の領域に含まれる画素の基準階調値の平均値が所定のしきい値よりも小さいことを含む、装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月4日(2010.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像中において所定の対象物が存在する部分を決定する画像処理装置であって、
原画像データに基づいて前記原画像データの画像の少なくとも一部に対応する画像を表す処理画像データを生成する処理画像データ生成部と、
前記処理画像データの画像の少なくとも一部をθ（θは、０より大きく９０度より小さい角度）だけ回転させて得られる画像を表す第１の回転画像データを生成する第１の回転画像データ生成部と、
あらかじめ用意したパターンを適用して、受け取った画像データの画像が所定の対象物を含むか否かについての判定を行うことができる第１種の判定部であって、前記処理画像データおよび前記第１の回転画像データに関して前記判定を行う第１種の判定部と、
前記処理画像データと前記第１の回転画像データとに関する前記第１種の判定部による判定結果に基づいて、前記原画像データの画像中において前記所定の対象物が存在する部分を決定する対象物特定部と、を備える画像処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の画像処理装置であって、
前記第１種の判定部は、前記所定の対象物が存在する画像を表す画像データと、前記所定の対象物が描かれていない画像を表す画像データと、を使用して学習させたモジュールを含む、画像処理装置。
【請求項３】
請求項２記載の画像処理装置であって、
前記第１種の判定部の前記モジュールは、前記所定の対象物が存在する画像を表す画像データとして、
画像の面内において所定の範囲に含まれる向きで前記所定の対象物が存在する画像を表す第１種のサンプル画像データと、
画像の面内において前記所定の範囲と同じ角度幅を有し前記所定の範囲に対して−θだけ異なる範囲に含まれる向きで前記所定の対象物が存在する画像データの画像をθだけ回転させて得られる画像の少なくとも一部を含む第２種のサンプル画像データと、を使用して学習させたモジュールである、画像処理装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の画像処理装置であって、さらに、
前記処理画像データの画像の少なくとも一部を−θだけ回転させて得られる画像を表す第２の回転画像データを生成する第２の回転画像データ生成部を含み、
前記第１種の判定部は、さらに前記第２の回転画像データに関して前記判定を行い、
前記対象物特定部は、前記処理画像データならびに前記第１および第２の回転画像データに関する前記第１種の判定部による判定結果に基づいて、前記原画像データの画像中において前記所定の対象物が存在する部分を決定する、画像処理装置。
【請求項５】
請求項４記載の画像処理装置であって、
前記第１種の判定部の前記モジュールは、前記所定の対象物が存在する画像を表す画像データとして、さらに、画像の面内において前記所定の範囲と同じ角度幅を有し前記所定の範囲に対してθだけ異なる範囲に含まれる向きで前記所定の対象物が存在する画像データの画像を−θだけ回転させて得られる画像の少なくとも一部を含む第３種のサンプル画像データを使用して学習させたモジュールである、画像処理装置。
【請求項６】
請求項４または５に記載の画像処理装置であって、さらに、
受け取った画像データの画像を（９０×ｎ）度（ｎは、１，２および３）回転させて得られる回転画像について、あらかじめ用意したパターンを適用して、前記回転画像が前記所定の対象物を含むか否かについての判定を行うことができる第２種の判定部であって、前記処理画像データならびに前記第１および第２の回転画像データに関して前記判定を行う第２種の判定部を備え、
前記対象物特定部は、前記処理画像データならびに前記第１および第２の回転画像データに関する前記第１種および第２種の判定部による判定結果に基づいて、前記原画像データの画像中において前記所定の対象物が存在する部分を決定する、画像処理装置。
【請求項７】
請求項４ないし６のいずれかに記載の画像処理装置であって、
前記処理画像データは、所定数の画素で長方形の画像を表す画像データであり、
前記第１および第２の回転画像データは、前記所定数の画素で画像を表す画像データであって、前記処理画像データの画像を回転させて得られる画像から一部を除き、他の画像部分を加えて得られる長方形の画像を表す画像データである、画像処理装置。
【請求項８】
請求項４ないし６のいずれかに記載の画像処理装置であって、
前記処理画像データは、所定数の画素で長方形の画像を表す画像データであり、
前記第１および第２の回転画像データは、前記所定数の画素で画像を表す画像データであって、前記処理画像データの画像を回転させて得られる画像を縮小し、他の画像部分を加えて得られる長方形の画像を表す画像データである、画像処理装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかに記載の画像処理装置であって、
前記処理画像データは、前記原画像データの画素数よりも少ない画素で前記原画像データの画像に対応する画像を表す画像データであり、
前記第１種の判定部は、さらに、前記処理画像データおよび前記第１の回転画像データの画像中において前記所定の対象物が存在する部分を決定し、
前記対象物特定部は、前記処理画像データおよび前記第１の回転画像データの画像中において前記所定の対象物が存在する部分に基づいて、前記原画像データの画像中において前記所定の対象物が存在する部分を決定する、画像処理装置。
【請求項１０】
請求項１ないし８のいずれかに記載の画像処理装置であって、
前記処理画像データは、前記原画像データの画像の一部を表す画像データであり、
前記第１種の判定部は、前記処理画像データおよび前記第１の回転画像データの画像が前記所定の対象物を含むか否かを決定し、
前記対象物特定部は、前記所定の対象物を含むと決定された前記処理画像データおよび前記第１の回転画像データの画像に対応する部分を、前記原画像データの画像中において前記所定の対象物が存在する部分として決定する、画像処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月2日(2010.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図５は、このような本実施の形態によるＬＳＩ設計手法を用いた設計作業のうち、高位合成処理までの作業の流れを示している。本実施の形態によるＬＳＩ設計手法を用いた設計作業では、まず、設計者がＬＳＩ設計装置１の仕様モデル生成ツール１３（図１）を用いて必要なコマンド３４をビヘイビアレベルで記述する（ＳＰ１）。また設計者は、この後この仕様モデル生成ツール１３を用いて、コマンドをグルーピング（ポートシェアや排他制御論（アービタ）を生成）して設計データベース１８を生成する（ＳＰ２）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
なお、図５のステップＳＰ１において作成されるビヘイビアモデルの一例を図６及び図７に示す。図６は、マスタ５０からの「0ｘ0A」という命令コードで起動し、その後マスタ５０から与えられるDIN0及びDIN1というデータを加算してメモリ５２に書き込む処理を８回繰り返すというコマンド（「コマンドＡ」）５１ＡをＵＭＬ（Unified Modeling Language）表記したものである。また図７は、マスタ５０からの「0ｘ0B」という命令コードで起動し、その後マスタ５０から送信されるDIN2及びDIN3というデータを加算してメモリ５２に書き込む処理を８回繰り返すというコマンド（「コマンドＢ」）５１ＢをＵＭＬ表記したものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
さらにマスタ５０の生存線５３から各コマンド５１Ａ，５１Ｂの活性化シンボル５６Ａ，５６Ｂに向かう矢印はそのコマンド５１Ａ，５１Ｂへの入力メッセージを表し、これら活性化シンボル５６Ａ，５６Ｂからマスタ５０やメモリ５２の生存線５４Ａ，５４Ｂに向かう矢印はそのコマンド５１Ａ，５１Ｂからの出力メッセージを表している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
またブロック６０内には、例えば入力メッセージの振り分けを行なう受信ブロック６２と、設計者が設計した各コマンド（ここでは「コマンドＡ」及び「コマンドＢ」）６３Ａ，６３Ｂから構成される排他グループ６３と、例えば出力メッセージの選択を行なう送信ブロック６４と、排他グループ６３内のコマンド階層６３Ａ，６３Ｂ間の排他制御を行なうアービタ６５とが定義される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
そして受信ブロック６２と排他グループ６３内の各コマンド階層６３Ａ，６３Ｂとの間には、それぞれマスタ５０及びそのコマンド階層６３Ａ，６３Ｂ間でやり取りされる変数値にそれぞれ対応させてチャネル６６Ａ〜６６Ｊが定義され、各コマンド階層６３Ａ，６３Ｂ及び送信グループ６４間には、それぞれそのコマンド階層６３Ａ，６３Ｂ及びメモリ６５間でやり取りされる変数値にそれぞれ対応させてチャネル６７Ａ〜６７Ｌが定義される。また各コマンド階層６３Ａ，６３Ｂ及びアービタ６５間には、それぞれ送信用及び受信用のチャネル６８Ａ〜６８Ｄが定義され、送信ブロック６４及びメモリ５２間には、各コマンド階層６３Ａ，６３Ｂ及びメモリ５２間でやり取りされる変数値にそれぞれ対応させてチャネル６９Ａ，６９Ｂが定義される。なお、受信ブロック６２及び送信ブロック６４の構成をそれぞれ図９及び図１０に示す。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
またデータパス追出し設定部８２の下位階層には入力メッセージ初期化部８４、出力メッセージ初期化部８５及び処理ノードデータパス８６が存在する。そしてこれら入力メッセージ初期化部８４、出力メッセージ初期化部８５及び処理ノードデータパス追出し部８６は、必要時にデータパス追出し設定部８２に呼び出される。さらにデータパス階層生成部８３の下位階層には、処理ノード統合部８７、入力メッセージ再構成部８８及び出力メッセージ再構成部８９が存在する。そしてこれら処理ノード統合部８７、入力メッセージ再構成部８８及び出力メッセージ再構成部８９は、必要時にデータパス階層生成部８３に呼び出される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
さらに処理ノードトークンテーブル９４は、処理ノードを字句分割することにより得られた処理ノードトークンを管理するためのテーブルであり、図２１に示すように、「コマンド階層」欄９４Ａ、「ステート名」欄９４Ｂ、「ステートアクション名」欄９４Ｃ、「処理ノードＩＤ」欄９４Ｄ、「処理ノードトークンＩＤ」欄９４Ｅ、「処理ノードトークン」欄９４Ｆ及び「データパス追出しフラグ」欄９４Ｇから構成される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
また「コマンド階層」欄９４Ａ、「ステート名」欄９４Ｂ、「ステートアクション名」欄９４Ｃ、「処理ノードＩＤ」欄９４Ｄ及び「データパス追出しフラグ」欄９４Ｇには、処理ノードテーブル９３（図２０）の「コマンド階層」欄９３Ａ、「ステート名」欄９３Ｂ、「ステートアクション名」欄９３Ｃ、「処理ノードＩＤ」欄９３Ｄ及び「データパス追出しチェック」欄９３Ｆにそれぞれ格納される情報と同じ情報が格納される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
続いてＣＰＵ１１は、処理ノードトークンテーブル９４（図２１）を初期化する（ＳＰ２４）。具体的にＣＰＵ１１は、処理ノードテーブル９３から１レコードずつ処理ノードを読み出し、読み出した処理ノードを字句分割する。そしてＣＰＵ１１は、分割した字句（中間トークン）の中から変数部のみを処理ノードトークンとして処理ノードトークンテーブル９４に格納する。従って、例えば図２７に示すように、処理ノードが「WTDT＝DIN0＋DIN1；」であった場合（図２７（Ａ））、この処理ノードは「WTDT」、「＝」、「DIN0」、「＋」、「DIN0」及び「；」という字句に分割され（図２７（Ｂ））、このうちの「WTDT」、「DIN0」及び「DIN0」という字句のみが処理ノードトークンとして処理ノードトークンテーブル９４に格納されることになる（図２７（Ｃ））。またＣＰＵ１１は、この際、処理ノードトークンテーブル９４上の各レコードのデータパス追出しフラグを一律「TRUE」に設定する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３７】
2009032086.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月4日(2010.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像中において所定の対象物が存在する部分を特定する画像処理装置であって、
所定の第１の条件が満たされた場合に、第１の画像データの少なくとも一部の数値範囲に含まれる基準階調値をより明るい色に対応する基準階調値に変換することによって、第２の画像データを生成する画像データ生成部であって、前記基準階調値は画像データの画素の色に関する階調値である、画像データ生成部と、
前記第１の画像データの画素の色の基準階調値に基づいて、前記第１の画像データの画像中において、所定の対象物が存在する第１の部分を特定する第１の対象物特定部と、
前記第２の画像データの画素の色の基準階調値に基づいて、前記第２の画像データの画像中において、前記所定の対象物が存在する第２の部分を特定する第２の対象物特定部と、
前記第１の画像データの画像の第１の部分と、前記第２の画像データの画像の第２の部分と、に基づいて、前記第１の画像データの画像中において前記所定の対象物が存在する部分を決定する合成部と、を備える画像処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の装置であって、
前記少なくとも一部の数値範囲は、前記基準階調値が取りうる範囲のうち、最も暗い色に対応する基準階調値から、前記取りうる範囲の幅の２５％までの範囲を含む、装置。
【請求項３】
請求項２記載の装置であって、
前記画像データ生成部は、前記基準階調値を所定量だけ変更することによって、前記変換を行う、装置。
【請求項４】
請求項３記載の装置であって、
前記所定量は、前記基準階調値が取りうる範囲の幅の１０％〜４０％である、装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の装置であって、
前記基準階調値は、他の条件が同じである場合に、前記基準階調値の値が小さいほど暗い色を表す階調値であり、
前記第１の条件は、前記第１の画像データの画素の基準階調値の平均値が所定のしきい値よりも小さいことを含む、装置。
【請求項６】
請求項１ないし４のいずれかに記載の装置であって、
前記基準階調値は、他の条件が同じである場合に、前記基準階調値の値が小さいほど暗い色を表す階調値であり、
前記第１の条件は、前記第１の画像データの画像の領域を、第１の領域と、前記第１の領域を囲む第２の領域と、に分けたときに、前記第１の領域に含まれる画素の基準階調値の平均値が所定のしきい値よりも小さいことを含む、装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月9日(2010.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）相互に対向する第１および第２の長辺を有する長方形の配線基板の第１の主面上において、長手方向に沿って設けられた第１領域および第２領域であって、それぞれが有する複数の単位デバイス領域の各々に、一つ又は複数の半導体チップをダイ・ボンディングする工程；
（ｂ）前記工程（ａ）の後、第１の金型と第２の金型の間に形成された第１のキャビティ部および第２のキャビティ部に、前記第１領域および前記第２領域のそれぞれが対応するように前記配線基板を前記第１の金型と第２の金型の間に収容した状態で、前記第１のキャビティ部および前記第２のキャビティ部の各々に、レジンを注入することにより、前記第１領域および前記第２領域のそれぞれを一括して封止する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記配線基板を切断することにより、前記複数の単位デバイス領域を相互に分割する工程、
ここで、前記工程（ｂ）において、前記第１の金型と前記第２の金型の間には、以下が形成されている：
（ｂ１）前記配線基板の前記第１の長辺に沿って設けられ、前記第１のキャビティ部と連結された第１のカル部；
（ｂ２）前記配線基板の前記第１の長辺に沿って設けられ、前記第２のキャビティ部と連結された第２のカル部；
（ｂ３）前記第１のキャビティ部と前記第２のキャビティ部とを相互に連結する第１の連結部。
【請求項２】
前記１項の半導体装置の製造方法において、前記第１のキャビティ部および前記第２のキャビティ部のそれぞれには、前記第２の長辺に沿って、複数のエアベント部が設けられている。
【請求項３】
前記１項の半導体装置の製造方法において、前記第１の金型の前記第１の連結部には突起が設けられている。
【請求項４】
前記３項の半導体装置の製造方法において、前記突起部は前記第１の連結部のほぼ中央に設けられている。
【請求項５】
前記１項の半導体装置の製造方法において、前記第１のカル部に対応して設けられた第１のプランジャ、および前記第２のカル部に対応して設けられた第２のプランジャは、共通の支持部材に固定されており、モータにより一括して駆動される。
【請求項６】
前記１項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）における前記第１の金型と前記第２の金型間の前記第１の金型の表面には離型シートが敷かれている。
【請求項７】
前記１項の半導体装置の製造方法において、前記配線基板の前記第１のキャビティ部と記第２のキャビティ部の間に対応する位置には、前記第１のキャビティ部と記第２のキャビティ部の一対の近接辺に沿って、スリットが設けられている。
【請求項８】
前記７項の半導体装置の製造方法において、前記第１の連結部は前記スリットよりも前記配線基板の前記第１の長辺から遠い位置に設けられている。
【請求項９】
前記１項の半導体装置の製造方法において、前記第１の連結部は前記配線基板の前記第１の長辺と前記第２の長辺の中間よりも前記配線基板の前記第１の長辺から遠い位置に設けられている。
【請求項１０】
前記１項の半導体装置の製造方法において、前記第１の連結部は前記配線基板の前記第２の長辺に近接する位置に設けられている。
【請求項１１】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）相互に対向する第１および第２の長辺を有する長方形の配線基板の第１の主面上において、長手方向に沿って設けられた第１矩形領域および第２矩形領域であって、それぞれが有する複数の単位デバイス領域の各々に、一つ又は複数の半導体チップをダイ・ボンディングする工程；
（ｂ）前記工程（ａ）の後、第１の金型と第２の金型の間に形成された第１のキャビティ部および第２のキャビティ部に、前記第１矩形領域および前記第２矩形領域のそれぞれが対応するように前記配線基板を前記第１の金型と第２の金型の間に収容した状態で、前記第１のキャビティ部および前記第２のキャビティ部の各々に、レジンを注入することにより、前記第１矩形領域および前記第２矩形領域のそれぞれを一括して封止する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記配線基板を切断することにより、前記複数の単位デバイス領域を相互に分割する工程、
ここで、前記工程（ｂ）において、前記第１の金型と前記第２の金型の間には、以下が形成されている：
（ｂ１）前記配線基板の前記第１の長辺に沿って設けられ、第１のランナー部および第１のゲートにより前記第１のキャビティ部と連結された第１のカル部；
（ｂ２）前記配線基板の前記第１の長辺に沿って設けられ、前記第１のランナー部および第１のゲートと独立して設けられた第２のランナー部および第２のゲートにより前記第２のキャビティ部と連結された第２のカル部；
（ｂ３）前記第１のキャビティ部と前記第２のキャビティ部との対向する一対の近接辺間で、前記第１のキャビティ部と前記第２のキャビティ部とを相互に連結する第１の連結部、
更に、ここで、前記第１の連結部は前記配線基板の前記第１の長辺と前記第２の長辺の中間よりも前記配線基板の前記第１の長辺から遠い位置に設けられている。
【請求項１２】
前記１１項の半導体装置の製造方法において、前記第１の連結部は前記配線基板の前記第２の長辺に近接する位置に設けられている。
【請求項１３】
前記１１項の半導体装置の製造方法において、前記配線基板の前記第１のキャビティ部と記第２のキャビティ部の間に対応する位置には、前記近接辺に沿って、スリットが設けられている。
【請求項１４】
前記１３項の半導体装置の製造方法において、前記第１の連結部は前記スリットよりも前記配線基板の前記第１の長辺から遠い位置に設けられている。
【請求項１５】
前記１２項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）における前記第１の金型と前記第２の金型間の前記第１の金型の表面には離型シートが敷かれている。
【請求項１６】
前記１５項の半導体装置の製造方法において、前記第１のカル部に対応して設けられた第１のプランジャ、および前記第２のカル部に対応して設けられた第２のプランジャは、共通の支持部材に固定されており、モータにより一括して駆動される。
【請求項１７】
前記１２項の半導体装置の製造方法において、前記第１の金型の前記第１の連結部には突起が設けられている。
【請求項１８】
前記１７項の半導体装置の製造方法において、前記突起部は前記第１の連結部のほぼ中央に設けられている。
【請求項１９】
前記１８項の半導体装置の製造方法において、前記第１のキャビティ部および前記第２のキャビティ部のそれぞれには、前記配線基板の前記第２の長辺に沿って、複数のエアベント部が設けられている。
【請求項２０】
前記１８項の半導体装置の製造方法において、前記第１のキャビティ部と前記第２のキャビティ部間においては、前記第１の連結部以外の連結部を持たない。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月14日(2010.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モータが所望の動作を行うように、制御演算を行いＰＷＭ周波数値とＰＷＭ制御信号と
を発生する制御演算部と、前記ＰＷＭ制御信号を受けて直流母線電圧をＰＷＭスイッチン
グしてモータを駆動する電力供給回路と、前記直流母線電圧の直流母線電圧値を検出する
直流母線電圧検出手段と、前記モータのモータ線電流値を検出する電流検出器と、前記電
力供給回路の負荷電流値に基づいて前記電力供給回路の熱損失量を計算し前記電力供給回
路が過負荷になったと判定する閾値である過負荷検出閾値とを比較して過負荷を検出する
過負荷検出手段とを備えたモータ制御装置において、
前記過負荷検出手段は、前記直流母線電圧値に基づいて、前記電力供給回路のパワー素
子がオンする時のパワー素子のソース・ドレイン間の電圧の実効値であるオン過渡電圧実
効値および前記電力供給回路のパワー素子がオフする時のパワー素子のソース・ドレイン
間の電圧の実効値であるオフ過渡電圧実効値を算出する、Ｖｏｎ・Ｖｏｆｆ算出部と、前
記電力供給回路の負荷電流値と前記電力供給回路のパワー素子がオンした時のパワー素子
飽和電圧値と前記ＰＷＭ周波数値と前記オン過渡電圧実効値と前記オフ過渡電圧実効値と
に基づいて前記電力供給回路のパワー素子の熱損失量を計算する熱損失量計算部とを備え
たことを特徴とするモータ制御装置。
【請求項２】
前記過負荷検出手段は、さらに、前記モータ線電流値に基づいて前記負荷電流値を算出
する負荷電流算出手段を備えたことを特徴とする請求項１に記載のモータ制御装置。
【請求項３】
前記熱損失量計算部は、所定の周期毎に、前記電力供給回路のパワー素子の熱損失量の
瞬時値であるパワー素子負荷瞬時値を算出するパワー素子負荷瞬時値算出部と、前記パワ
ー素子負荷瞬時値からパワー素子の周囲温度と素子温度によって決まる放熱定数を減算し
た結果求まる瞬時過負荷値を積算して熱損失量を算出する過負荷積算部とを備えたことを
特徴とする請求項１または２記載のモータ制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、請求項-３に記載の発明は、請求項１または２に記載のモータ制御装置において、前記熱損失量計算部は、所定の周期毎に、前記電力供給回路のパワー素子の熱損失量の瞬時値であるパワー素子負荷瞬時値を算出するパワー素子負荷瞬時値算出部と、前記パワー素子負荷瞬時値からパワー素子の周囲温度と素子温度によって決まる放熱定数を減算した結果求まる瞬時過負荷値を積算して熱損失量を算出する過負荷積算部とを備えたことを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項１ないし３に記載の発明によると、商用電源の電圧変動やモータの回生などによって直流母線電圧が変動しても、電力供給回路の過負荷を正確に検出することができるモータ制御装置を提供することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】モータ制御装置
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月17日(2010.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信アンテナから受信アンテナまで空間をエネルギー伝送する誘導電力給電システムにおいて、前記送信アンテナ及び前記受信アンテナは、両端を有する配線をコイル状に巻いて、前記配線の中程に給電点を設置して成り、
前記配線の両端は開放されるか又はコンデンサで結ばれ、
前記送信アンテナと前記受信アンテナを、前記送信アンテナ及び前記受信アンテナが共振する電磁界の波長より十分短い距離で隔てて配置し、
前記送信アンテナの給電点に接続する電源回路の出力インピーダンスと前記受信アンテナの給電点に接続する負荷回路の入力インピーダンスを、前記電源回路から前記負荷回路への電力の伝送効率が２つの周波数でピークを生じる値に設定するか又は前記ピークを生じる値の限界値に近い値に設定し、
前記ピークを与える周波数で両アンテナを共振させて電力を伝送する
ことを特徴とする誘導電力給電システム。
【請求項２】
前記送信アンテナ又は前記受信アンテナの前記給電点に両端を接続する追加ループ配線を加えたことを特徴とする請求項１記載の誘導電力給電システム。
【請求項３】
前記送信アンテナ又は前記受信アンテナが、平行な２面に形成して面上の配線領域が重なり合うコイル状の配線を接続して成ることを特徴とする請求項１又は２に記載の誘導電力給電システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、この課題を解決するために、送信アンテナから受信アンテナまで空間をエネルギー伝送する誘導電力給電システムにおいて、前記送信アンテナ及び前記受信アンテナは、両端を有する配線をコイル状に巻いて、前記配線の中程に給電点を設置して成り、前記配線の両端は開放されるか又はコンデンサで結ばれ、前記送信アンテナと前記受信アンテナを、前記送信アンテナ及び前記受信アンテナが共振する電磁界の波長より十分短い距離で隔てて配置し、前記送信アンテナの給電点に接続する電源回路の出力インピーダンスと前記受信アンテナの給電点に接続する負荷回路の入力インピーダンスを、前記電源回路から前記負荷回路への電力の伝送効率が２つの周波数でピークを生じる値に設定するか又は前記ピークを生じる値の限界値に近い値に設定し、前記ピークを与える周波数で両アンテナを共振させて電力を伝送することを特徴とする誘導電力給電システムである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明は、上記送信アンテナ又は前記受信アンテナの前記給電点に両端を接続する追加ループ配線を加えたことを特徴とする上記の誘導電力給電システムである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明は、上記送信アンテナ又は上記受信アンテナが、平行な２面に形成して面上の配線領域が重なり合うコイル状の配線を接続して成ることを特徴とする上記の誘導電力給電システムである。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月26日(2010.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主電源に対し並列に接続される電源装置であって、
前記電源装置は、前記主電源に第１入出力端子が接続される双方向ＤＣ／ＤＣコンバータと、
前記双方向ＤＣ／ＤＣコンバータの第２入出力端子に接続される蓄電部と、
前記双方向ＤＣ／ＤＣコンバータに内蔵された制御部に接続される車両挙動センサとからなり、
前記車両挙動センサが車両の減速挙動を検出すれば、前記制御部は前記蓄電部の電圧（Ｖ２）が満充電電圧以下の場合にのみ、前記第１入出力端子の電圧（Ｖ１）が前記設定電圧になるようにしながら前記蓄電部を充電するように制御し、
前記車両挙動センサが前記車両の減速挙動を検出していなければ、前記制御部は前記蓄電部の電圧（Ｖ２）が下限充電電圧以上、前記満充電電圧以下になるように、かつ前記第１入出力端子の電圧（Ｖ１）が設定電圧になるようにしながら前記蓄電部の充放電を制御するようにした電源装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記蓄電部の電圧（Ｖ２）が前記下限充電電圧と実質的に等しくなるように制御するようにした請求項１に記載の電源装置。
【請求項３】
前記車両挙動センサは、前記車両の進行方向の加速度を検出するように配された加速度センサであり、
前記加速度センサの出力が減速時の既定加速度以上になった場合に、前記車両の前記減速挙動が検出されるようにした請求項１に記載の電源装置。
【請求項４】
前記車両挙動センサは、前記車両の旋回角速度を検出するように配された角速度センサであり、
前記角速度センサの出力絶対値が既定角速度範囲にある場合に、前記車両の前記減速挙動が検出されるようにした請求項１に記載の電源装置。
【請求項５】
前記車両挙動センサは、前記車両の進行方向に対する傾斜角を検出するように配された傾斜角センサであり、
前記車両の前傾時に前記傾斜角センサの出力が既定傾斜角度以上になった場合に、前記車両の前記減速挙動が検出されるようにした請求項１に記載の電源装置。
【請求項６】
前記蓄電部はキャパシタで構成された請求項１に記載の電源装置。
【請求項７】
前記制御部は、その駆動電力が前記第１入出力端子から供給されるようにした請求項１に記載の電源装置。
【請求項８】
前記制御部に車両振動センサを接続した構成を有し、
前記車両振動センサの出力が出力誤差範囲内で０の場合は、前記制御部が省電力状態となり、
前記車両振動センサの出力が前記出力誤差範囲内で０を超えた場合は、前記制御部が通常動作状態となるようにした請求項１に記載の電源装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
前記従来の課題を解決するために、本発明の電源装置は、前記主電源に第１入出力端子が接続される双方向ＤＣ／ＤＣコンバータと、前記双方向ＤＣ／ＤＣコンバータの第２入出力端子に接続される蓄電部と、前記双方向ＤＣ／ＤＣコンバータに内蔵された制御部に接続される車両挙動センサとからなり、前記車両挙動センサが車両の減速挙動を検出すれば、前記制御部は前記蓄電部の電圧（Ｖ２）が満充電電圧以下の場合にのみ、前記第１入出力端子の電圧（Ｖ１）が前記設定電圧になるようにしながら前記蓄電部を充電するように制御し、前記車両挙動センサが前記車両の減速挙動を検出していなければ、前記制御部は前記蓄電部の電圧（Ｖ２）が下限充電電圧以上、前記満充電電圧以下になるように、かつ前記第１入出力端子の電圧（Ｖ１）が設定電圧になるようにしながら前記蓄電部の充放電を制御するようにしたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月10日(2010.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
レーダシステムの送受信モジュール２００として、多層誘電体基板１３上には図１に示す構成の、ＭＭＩＣチップ２と、伝送線路８１と、誘電体共振器１からなるＤＲＯ１００の他に、送信信号を増幅する電力増幅器ＭＭＩＣ２ａと、受信信号とローカル信号を混合処理して、ＩＦ信号を生成するための２組の受信器ＭＭＩＣ２ｂとが、共通のセラミック基板上に実装されている。電力増幅器ＭＭＩＣ２ａは送信信号端子１５ａに、受信器ＭＭＩＣ２ｂは受信信号端子１５ｂに、それぞれ接続されており、送信信号端子１５ａと受信信号端子１５ｂは、それぞれ送信アンテナと受信アンテナ（ともに図示せず）の給電点と接続されている。上記の各ＭＭＩＣ２ａ及びＭＭＩＣ２ｂ同士は図５のブロック回路図と同様に、多層誘電体基板１３上の表面導体層８０により形成された線路により接続されている。なお、図４の斜線部は導体パターンを示している。各ＭＭＩＣ２ａ及びＭＭＩＣ２ｂへの電源供給を行うための配線は、図４には明示されていないが内部導体層１６を利用して形成される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
次に、本発明の別の実施例について図面を用いて説明する。図９に示したのは本発明の第４の実施例の上面図である。多層誘電体基板１３上に形成された伝送線路８１は、第１の実施例では発振器として動作するＭＭＩＣチップ２上に形成した終端抵抗および接地手段９にワイヤ１４で接続されていたが、接地手段９は必ずしもＭＭＩＣチップ２上に形成されていなくとも良い。図９はその一例として、伝送線路８１の先端が、誘電体共振器１が設置される多層誘電体基板１３上に接着された他のＭＭＩＣチップ２０、または単層誘電体基板２５上に形成された終端抵抗および接地手段９にワイヤ１４で接続されている例である。誘電体共振器１から見て終端抵抗側の伝送線路８１の長さおよび形状によるＤＲＯの特性の変動はほとんどないので、特に制限を設ける必要はない。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月16日(2010.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カメラ部、カメラ部を垂直面上に回転する垂直回転部、カメラ部または垂直回転部を水平面上に回転する水平回転部、上記水平回転部を保持し外部ケーブルと内部接続ケーブルとを接続するためのインターフェース基板及びインターフェース基板を固定する固定板とを有する固定台とを備えたカメラ装置において、
上記固定板は上記固定台の外部へ引き出し可能な固定板であり、
上記インターフェース基板を所定の位置で停止させるストッパ機能を有する突起部を設けたことを特徴とするカメラ装置。
【請求項２】
カメラ部、カメラ部を垂直面上に回転する垂直回転部、カメラ部または垂直回転部を水平面上に回転する水平回転部、上記水平回転部を保持し外部ケーブルと内部接続ケーブルとを接続するためのインターフェース基板及びインターフェース基板を固定する固定板とを有する固定台とを備えたカメラ装置において、
固定板は固定台の外部へ引き出し可能な固定板であり、
インターフェース基板が所定の長さ外部に引き出された時に、インターフェース基板を所定の位置で停止させるストッパ機能を有し、かつ外部ケーブルからインターフェース基板に接続される電源を切断するスイッチを設けたことを特徴とする。