【手続補正書】
【提出日】平成22年3月17日(2010.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
縦方向に見た場合に下端部及び上端部を有する多角形断面をもつ固定型坩堝（２、４）、及び
シリコン溶融用の加熱装置（５〜７）から成り、
前記坩堝（２，４）中において縦方向に温度勾配を形成するように構成された、垂直勾配凝固法（ＶＧＦ法）を用いる多結晶シリコンの製造装置であって、
前記加熱装置は、長手方向に対して直角な方向への熱流を排した平面状発熱体（７）から成り、前記平面状発熱体（７）は坩堝（２，４）周囲に設置され、かつ坩堝（２，４）の側面上へ長手方向あるいは垂直方向に延びるように蛇行状に配置された複数の矩形ウェブ（１０〜１３）を含み、
坩堝（２，４）の角部分における前記蛇行状に延びる発熱体の転回ゾーン（１５〜１７）において、前記矩形ウェブ（１０〜１３）の導体断面が、対角線方向へ挟窄され、上端から下端に向かって不連続的に増大されるか又は連続的に増大されるか、あるいは上端から下端に向かって複数の不連続で増大されることを特徴とする前記製造装置。
【請求項２】
前記矩形ウェブ（１０〜１３）が、前記転回ゾーンにおいて前記ウェブ（１０〜１３）の導体断面が各転回ゾーン前後の接続ウェブの導体断面と等しくなるように対角線方向へ狭窄されることを特徴とする請求項１項記載の装置。
【請求項３】
前記転回ゾーン（１５〜１７）における導体断面の狭窄が、ウェブ材料の中あるいは外に導体断面に対して横方向に配列された複数の打抜き穴あるいは窪みによって形成されることを特徴とする請求項２項記載の装置。
【請求項４】
前記打抜き穴あるいは窪みが対角線方向へ配列されることを特徴とする請求項３項記載の装置。
【請求項５】
前記打抜き穴あるいは窪みが２つの隣接する発熱体間に形成される隙間（１４ａ）の中心線に対して鏡面対称に配列されることを特徴とする請求項３または４項記載の装置。
【請求項６】
ウェブ（１０〜１３）が等間隔で互いに平行に延びていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の装置。
【請求項７】
前記平面状発熱体の外側輪郭が、該平面状発熱体と坩堝との間の間隔が一定となるように、坩堝の外側輪郭に一致するように形状化されることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の装置。
【請求項８】
ウェブ（１０〜１３）が複数の分節（１００，１０１）から成り、これら分節が接続部材（１０４）を用いて取り外し可能に相互に接続され、あるいは相互に堅固に結合されることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の装置。
【請求項９】
坩堝壁と平面状発熱体（７）との間に断熱材が設けられないことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の装置。
【請求項１０】
坩堝の断面が矩形あるいは四角形形状であることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の装置。
【請求項１１】
縦方向に見た場合に下端部及び上端部を有する多角形断面をもつ固定型坩堝（２、４）中における垂直勾配凝固法（ＶＧＦ法）を用いた多結晶シリコンの製造方法であって、
前記固定型坩堝は多角形形状の断面を有し、加熱装置（５〜７）は坩堝中にその上端から下端に至る温度勾配を形成し、坩堝周囲に設置される平面状発熱体（７）によって縦方向に対して垂直方向に流れる熱流が抑制され、及び平面状発熱体が（７）が坩堝（２，４）の側面上へ配置され長手方向あるいは垂直方向へ蛇行状に延びる複数の発熱体（１０〜１３）から成り、発熱ゾーンを形成する平面状発熱体の熱出力は上端から下端に向かって減少し、坩堝（２，４）内の温度勾配の維持に貢献し、及び
坩堝（２，４）の角部分における熱ロスが、坩堝（２，４）の角部分内における蛇行状に延びる平面状発熱体（７）の熱出力の増大によって、あるいは坩堝（２，４）の角部分において蛇行状に延びる転回ゾーン（１５〜１７）における坩堝壁と平面状発熱体間の間隔の狭窄によって補償されることを特徴とする前記方法。
【請求項１２】
前記角部分において、平面状発熱体（７）の熱出力が連続的に、あるいは少なくとも１つの不連続な段階を経て増大され、あるいは坩堝壁と平面状発熱体間の間隔が少なくとも１つの不連続な段階を経て減じられることを特徴とする請求項１１項記載の方法。
【請求項１３】
発熱体が、転回ゾーン（１５〜１７）の前後において接続されるウェブの導体断面と等しくなるように転回ゾーンにおいて対角線方向へ狭窄された導体断面を有する矩形のウェブ（１０〜１３）として設けられることを特徴とする請求項１１または１２項記載の方法。
【請求項１４】
転回ゾーン（１５〜１７）における導体断面の狭窄がウェブ材の中側あるいは外側にある複数の打抜き穴あるいは窪みによって形成され、前記打抜き穴あるいは窪みが導体断面に対して横方向に配列形成されることを特徴とする請求項１３項記載の方法。
【請求項１５】
打抜き穴あるいは窪みが対角線方向へ配列されることを特徴とする請求項１４項記載の方法。
【請求項１６】
打抜き穴あるいは窪みが２つの隣接する発熱体間に形成される隙間（１４ａ）の中心線に対して鏡面対称に配列されることを特徴とする請求項１４または１５項記載の方法。
【請求項１７】
ウェブが縦方向に対して垂直方向へ延びるウェブ（１０〜１３）として設けられ、これらウェブの導体断面が上端から下端へ向かって不連続かつ段階的に増大していることを特徴とする請求項１３〜１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
ウェブが縦方向に延びるウェブ（１０〜１３）として設けられ、これらウェブの導体断面が上端から下端へ向かって連続的に、あるいは複数の不連続な段階を経て増大されることを特徴とする請求項１３〜１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１９】
ウェブ（１０〜１３）が等間隔かつ相互に平行に延びるように設けられることを特徴とする請求項１７または１８項記載の方法。
【請求項２０】
坩堝（２，４）及び平面状発熱体（７）が、坩堝壁と平面状発熱体（７）が広がる面との間隔が坩堝（２，４）の周囲全体に亘って一定となるように設けられることを特徴とする請求項１１〜１９項記載の方法。
【請求項２１】
平面状発熱体（７）の熱出力が、坩堝（２，４）の中心の温度勾配に対応して縦方向に減じられることを特徴とする請求項１１〜２０のいずれかに記載の方法。
【請求項２２】
平面状発熱体（７）によって縦方向に対して垂直に複数の等温面が設定あるいは保持されることを特徴とする請求項１１〜２０のいずれかに記載の方法。
【請求項２３】
坩堝（２，４）中に温度勾配を形成する少なくとも一助となるように、加熱ゾーンを形成する平面状発熱体の熱出力が上端から下端に向かって減じられることを特徴とする請求項１３〜１８のいずれかに記載の方法。
【請求項２４】
ウェブ（１０〜１３）に複数の分節（１００，１０１）が設けられ。これら分節が取り外し可能に接続部材（１０４）を用いて相互に接続されるか、あるいはこれら分節が相互に堅固に結合されることを特徴とする請求項１１〜２３のいずれかに記載の方法。
【請求項２５】
坩堝壁と平面状発熱体（７）との間に断熱材が設けられないことを特徴とする請求項１１〜２４のいずれかに記載の方法。
【請求項２６】
垂直勾配凝固法（ＶＧＦ法）による多結晶シリコン製造のための、請求項１〜１０のいずれかに記載の装置又は請求項１１〜２５のいずれかに記載の装置の使用。
【請求項２７】
多結晶シリコンは、光電池の要素の出発材料として用いられる請求項２６記載の使用。