Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月9日(2010.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  物体側より順に、正の屈折力の第１群、負の屈折力の第２群、正の屈折力の第３群、正の屈折力の第４群より構成され、前記第２群を像面側に移動させて広角端から望遠端への変倍を行い、変倍に伴う像面変動を第４群を移動させて補正するズームレンズであって、前記第４群は、物体側より順に、非球面を有する正レンズ、負レンズと正レンズの接合レンズの３枚のレンズより成り、前記非球面を有する正レンズの材質の屈折率をＮａｌとしたとき
１．７＜Ｎａｌ＜１．８
なる条件式を満足することを特徴とするズームレンズ。
【請求項２】  前記第３群は、物体側より順に、屈折力の絶対値が像面側に比べて物体側のレンズ面の方が大きい正レンズ、像面側のレンズ面が凸面の負メニスカスレンズの２枚にて構成されていることを特徴とする請求項１に記載のズームレンズ。
【請求項３】  物体側より順に、正の屈折力の第１群、負の屈折力の第２群、正の屈折力の第３群、そして正の屈折力の第４群より構成され、前記第２群を像面側に移動させて広角端から望遠端への変倍を行い、変倍に伴う像面変動を第４群を移動させて補正するズームレンズであって、前記第３群は、物体側より順に、屈折力の絶対値が像面側に比べて物体側のレンズ面の方が大きい正レンズ、像面側のレンズ面が凸面の負メニスカスレンズの２枚のレンズより成り、前記第４群は、物体側より順に、正レンズ、負レンズと正レンズの接合レンズの３枚のレンズより成り、前記第３群と第４群はそれぞれに少なくとも１面ずつの非球面を有することを特徴とするズームレンズ。
【請求項４】  前記第２群は、物体側より順に、物体側のレンズ面が凸面の負メニスカスレンズ、両レンズ面が凹面の負レンズ、両レンズ面が凸面の正レンズ、そして負レンズの４枚のレンズより成ることを特徴とする請求項１、２又は３に記載のズームレンズ。
【請求項５】  前記第２群中最も像側のレンズ面の負レンズの像側のレンズ面の曲率半径を、Ｒ７ｒ、広角端における全系の焦点距離をｆｗとしたとき
−５０＜Ｒ７ｒ／ｆｗ＜−５
なる条件式を満足することを特徴とする請求項４に記載のズームレンズ。
【請求項６】請求項１から５のいずれか１項のズームレンズを有することを特徴とする光学機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明のズームレンズは物体側より順に、正の屈折力の第１群、負の屈折力の第２群、正の屈折力の第３群、正の屈折力の第４群より構成され、前記第２群を像面側に移動させて広角端から望遠端への変倍を行い、変倍に伴う像面変動を第４群を移動させて補正するズームレンズであって、前記第４群は、物体側より順に、非球面を有する正レンズ、負レンズと正レンズの接合レンズの３枚のレンズより成り、前記非球面を有する正レンズの材質の屈折率をＮａｌとしたとき
１．７＜Ｎａｌ＜１．８
なる条件式を満足することを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項２の発明は請求項１の発明において、前記第３群は、物体側より順に、屈折力の絶対値が像面側に比べて物体側のレンズ面の方が大きい正レンズ、像面側のレンズ面が凸面の負メニスカスレンズの２枚にて構成されていることを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項３の発明のズームレンズは、物体側より順に、正の屈折力の第１群、負の屈折力の第２群、正の屈折力の第３群、そして正の屈折力の第４群より構成され、前記第２群を像面側に移動させて広角端から望遠端への変倍を行い、変倍に伴う像面変動を第４群を移動させて補正するズームレンズであって、前記第３群は、物体側より順に、屈折力の絶対値が像面側に比べて物体側のレンズ面の方が大きい正レンズ、像面側のレンズ面が凸面の負メニスカスレンズの２枚のレンズより成り、前記第４群は、物体側より順に、正レンズ、負レンズと正レンズの接合レンズの３枚のレンズより成り、前記第３群と第４群はそれぞれに少なくとも１面ずつの非球面を有することを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
１．７３＜Ｎａｌ＜１．７５ ・・・（１ａ）
又、第２発明は前記第３群が、物体側より順に、屈折力の絶対値が像面側に比べ物体側のレンズ面の方が大きい正レンズ、像面側のレンズ面が凸面の負メニスカスレンズの２枚にて構成され、第４群が物体側より、正レンズ、負レンズと正レンズの接合レンズの３枚にて構成され、第３群と第４群がそれぞれに少なくとも１面ずつの非球面を有する事を特徴としている。ここでレンズ面の屈折力φとはレンズ面の曲率半径をＲ、レンズ面の光入射側と光出射側の媒質の屈折率を各々ｎ、ｎ’とするとき
φ＝（ｎ’−ｎ）／Ｒで求められる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
又、第１発明においては前記第３群は、物体側より順に、屈折力の絶対値が像面側に比べて物体側のレンズ面の方が大きい正レンズ、像面側のレンズ面が凸面の負メニスカスレンズの２枚にて構成されるのが収差補正上好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
第３群の構成は、物体側より順に、屈折力の絶対値が像面側に比べて物体側のレンズ面の方が大きい正レンズ、像面側が凸面の負メニスカスレンズの２枚にて構成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月6日(2010.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクジェット記録装置であって、
媒体に液体を塗布する塗布部材と、前記塗布部材に当接して形成される液体保持空間に液体を保持するための保持部材とを備え、前記塗布部材を回転させることにより、前記液体保持空間に保持される液体を前記塗布部材を介して前記媒体に塗布するための液体塗布手段と、
前記液体塗布手段により前記液体が塗布された媒体に対してインクを吐出可能な記録ヘッドと、
前記液体を貯蔵するための貯蔵手段と、
前記貯蔵手段と前記保持部材とを連通する第１の経路および第２の経路と、
前記第１の経路、前記液体保持空間、前記第２の経路を含む流路において液体の流れを発生させるための液体移動手段と、
前記液体塗布手段による液体の塗布動作により消費される前記液体の消費量に関連する情報を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された前記情報に基づいて、前記貯蔵手段から前記液体保持空間への前記液体移動手段による液体の供給動作を実行するか否かを制御する制御手段と、
を備えることを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項２】
前記取得手段は、前記液体塗布手段により前記液体が塗布された媒体の枚数を示す情報に基づいて、前記液体の消費量に関連する情報を取得することを特徴とする請求項１記載のインクジェット記録装置。
【請求項３】
前記取得手段は、前記液体塗布手段により前記液体が塗布された媒体のサイズを示す情報に基づいて、前記液体の消費量に関連する情報を取得することを特徴とする請求項１記載のインクジェット記録装置。
【請求項４】
前記取得手段は、前記液体塗布手段による前記液体の塗布面積を示す情報に基づいて、前記液体の消費量に関する情報を取得することを特徴とする請求項１記載のインクジェット記録装置。
【請求項５】
前記塗布面積を示す情報は、前記塗布部材の回転数、あるいは前記塗布動作に要した時間に基づき取得されることを特徴とする請求項４記載のインクジェット記録装置。
【請求項６】
前記制御手段は、予め定められた所定量に対応した閾値と前記液体の消費量に関連する情報とを比較し、その比較結果に基づいて前記供給動作を実行するか否かを決定することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のインクジェット記録装置。
【請求項７】
環境温度を計測する温度計測手段をさらに備え、
前記閾値は、前記計測された環境温度に応じて設定されることを特徴とする請求項６に記載のインクジェット記録装置。
【請求項８】
インクジェット記録装置であって、
媒体に液体を塗布するための塗布ローラと、前記塗布ローラに当接して形成される液体保持空間に液体を保持するための保持部材とを備え、前記塗布ローラを回転させることにより前記液体保持空間に保持される液体を前記塗布ローラを介して前記媒体に塗布する液体塗布手段と、
前記液体塗布手段により前記液体が塗布された媒体に対してインクを吐出可能な記録ヘッドと、
前記液体を貯蔵する貯蔵手段と、
前記貯蔵手段と前記保持部材とを連通する第１の経路および第２の経路と、
前記第１の経路、前記液体保持空間、前記第２の経路を含む流路において液体の流れを発生させるためのポンプと、
前記ポンプの駆動を制御する駆動制御手段と、
前記液体塗布手段による液体の塗布動作により消費される前記液体の消費量に関連する情報を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された前記情報が示す消費量が、予め定められた量よりも大きいか否かを判断する判断手段と、
前記駆動制御手段は、前記判断手段により前記消費量が前記予め定められた量よりも大きいと判断される場合、前記ポンプを駆動することにより前記貯蔵手段から前記液体保持空間に前記液体を供給し、当該液体の供給が終了すると前記ポンプの駆動を停止することを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項９】
インクジェット記録装置であって、
媒体に液体を塗布する塗布部材と、前記塗布部材により塗布される液体を保持するための保持部材とを備え、前記塗布部材を回転させることにより、前記保持部材に保持される液体を前記塗布部材を介して前記媒体に塗布するための液体塗布手段と、
前記液体塗布手段により前記液体が塗布された媒体に対してインクを吐出可能な記録ヘッドと、
前記液体を貯蔵するための貯蔵手段と、
前記貯蔵手段から前記保持部材へ前記液体を供給するための供給手段と、
前記液体塗布手段による液体の塗布動作により消費される前記液体の消費量に関連する情報を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された前記情報に基づいて、前記供給手段による前記液体の供給動作を実行するか否かを制御する制御手段と、
を備えることを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項１０】
インクジェット記録装置であって、
媒体に液体を塗布する塗布部材と、前記塗布部材により塗布される液体を保持するための保持部材とを備え、前記塗布部材を回転させることにより、前記保持部材に保持される液体を前記塗布部材を介して前記媒体に塗布するための液体塗布手段と、
前記液体塗布手段により前記液体が塗布された媒体に対して、インクを吐出することが可能な記録ヘッドと、
前記液体を貯蔵するための貯蔵手段と、
前記貯蔵手段から前記保持部材へ前記液体を間欠的に供給する供給手段とを備え、
前記供給手段による液体の供給は、前記保持部材に保持される液体が無くなる前に実行されることを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項１１】
前記液体は、前記インクと反応する成分を含有することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載のインクジェット記録装置。
【請求項１２】
前記液体は、前記インク中の色材を凝集させるための成分を含有することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載のインクジェット記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明は、インクジェット記録装置であって、媒体に液体を塗布する塗布部材と、前記塗布部材により塗布される液体を保持するための保持部材とを備え、前記塗布部材を回転させることにより、前記保持部材に保持される液体を前記塗布部材を介して前記媒体に塗布するための液体塗布手段と、前記液体塗布手段により前記液体が塗布された媒体に対して、インクを吐出することが可能な記録ヘッドと、前記液体を貯蔵するための貯蔵手段と、前記貯蔵手段から前記保持部材へ前記液体を間欠的に供給する供給手段とを備え、前記供給手段による液体の供給は、前記保持部材に保持される液体が無くなる前に実行されることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月29日(2010.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン化媒体ディスクは、シリンダフィールドのサーボパターンを含み、
前記シリンダフィールドのサーボパターンは、グレイコードを用いて符号化され、
前記グレイコードは、２００符号語のウィンドウにわたって、３０％以上かつ７０％以下の平衡比を有する平衡グレイコードであって、
前記グレイコードによる前記シリンダフィールドのサーボパターンの符号化は、５０％又はそれ以下だけ、前記サーボパターンのシリンダフィールドの大きさを広げることを特徴とするパターン化媒体ディスク。
【請求項２】
前記グレイコードは、２００符号語のウィンドウにわたって、４０％以上かつ６０％以下の平衡比を有する平衡グレイコードであることを特徴とする請求項１に記載のパターン化媒体ディスク。
【請求項３】
前記グレイコードは、２００符号語のウィンドウにわたって、４５％以上かつ５５％以下の平衡比を有する平衡グレイコードであることを特徴とする請求項１に記載のパターン化媒体ディスク。
【請求項４】
前記グレイコードは、２００符号語のウィンドウにわたって、１０％以下の１と０の差を有することを特徴とする請求項１に記載のパターン化媒体ディスク。
【請求項５】
前記グレイコードは、２００符号語のウィンドウにわたって、２％以下の１と０の差を有することを特徴とする請求項１に記載のパターン化媒体ディスク。
【請求項６】
前記グレイコードは、１０から３０μｍのウィンドウにわたって、１０％以下の１と０の差を有することを特徴とする請求項１に記載のパターン化媒体ディスク。
【請求項７】
前記グレイコードは、０が２つを超えて連続しない符号語から成ることを特徴とする請求項１に記載のパターン化媒体ディスク。
【請求項８】
前記グレイコードは、２００符号語のウィンドウにわたって、５％以下の１と０の差を有することを特徴とする請求項１に記載のパターン化媒体ディスク。
【請求項９】
前記グレイコードによる前記シリンダフィールドのサーボパターンの前記符号化は、２５％又はそれ以下だけ、前記サーボパターンのシリンダフィールドの大きさを広げることを特徴とする請求項１又は８に記載のパターン化媒体ディスク。
【請求項１０】
パターン化媒体ディスクは、離間した磁性化および非磁性化された島のサーボパターンを含み、
前記磁性島が磁気的に極性化され、さらに
前記サーボパターンは、グレイコードを用いて符号化され、
前記グレイコードは、２００符号語のウィンドウにわたって、３０％以上かつ７０％以下の平衡比を有する平衡グレイコードであって、
前記グレイコードによる前記シリンダフィールドのサーボパターンの符号化は、５０％又はそれ以下だけ、前記サーボパターンのシリンダフィールドの大きさを広げることを特徴とするパターン化媒体ディスク。
【請求項１１】
前記サーボパターンの少なくとも一部のサーボ情報の１ビットが、２つの島を用いて符号化されることを特徴とする請求項１０に記載のパターン化媒体ディスク。
【請求項１２】
サーボビットの１ビットは、２つの非磁性島、あるいは２つの磁性島のいずれかを用いて符号化されることを特徴とする請求項１１に記載のパターン化媒体ディスク。
【請求項１３】
前記２つの磁性島が、反対の磁気極性であることを特徴とする請求項１１に記載のパターン化媒体ディスク。
【請求項１４】
前記サーボパターンのサーボビットは、１つの島を用いて符号化されることを特徴とする請求項１０に記載のパターン化媒体ディスク。
【請求項１５】
隣接した磁性島が、反対の磁気極性であることを特徴とする請求項１４に記載のパターン化媒体ディスク。
【請求項１６】
隣接した磁性島が、同じ磁気極性であることを特徴とする請求項１４に記載のパターン化媒体ディスク。
【請求項１７】
クロックビットが、サーボデータを符号化する少なくとも１つの島の間隔で符号化されることを特徴とする請求項１０又は１１又は１４に記載のパターン化媒体ディスク。
【請求項１８】
ハードディスクドライブは、パターン化媒体ディスク、及び前記パターン化媒体ディスクから読取りおよび書き込みするヘッドを含み、
前記パターン化媒体ディスクは、離間した磁気的に極性化された磁性島および非磁性島のグレイコードサーボパターンを含み、
前記グレイコードは、２００符号語のウィンドウにわたって、３０％以上かつ７０％以下の平衡比を有する平衡グレイコードであって、さらに
前記グレイコードによる前記サーボパターンの符号化は、５０％又はそれ以下だけ、前記サーボパターンの大きさを広げることを特徴とするハードディスクドライブ。
【請求項１９】
前記サーボパターンの少なくとも一部のサーボ情報の１ビットが、２つの島を用いて符号化されることを特徴とする請求項１８に記載のハードディスクドライブ。
【請求項２０】
サーボビットの１ビットは、２つの非磁性島、あるいは２つの磁性島のいずれかを用いて符号化されることを特徴とする請求項１９に記載のハードディスクドライブ。
【請求項２１】
前記２つの磁性島が、反対の磁気極性であることを特徴とする請求項１９に記載のハードディスクドライブ。
【請求項２２】
前記サーボパターンのサーボビットは、１つの島を用いて符号化されることを特徴とする請求項１８に記載のハードディスクドライブ。
【請求項２３】
隣接した磁性島が、反対の磁気極性であることを特徴とする請求項２２に記載のハードディスクドライブ。
【請求項２４】
隣接した磁性島が、同じ磁気極性であることを特徴とする請求項２２に記載のハードディスクドライブ。
【請求項２５】
クロックビットが、サーボデータを符号化する少なくとも１つの島の間隔で符号化されることを特徴とする請求項１８又は１９又は２２に記載のハードディスクドライブ。
【請求項２６】
ハードディスクドライブは、パターン化媒体ディスク、及び前記パターン化媒体ディスクから読取りおよび書き込みするヘッドを含み、
前記パターン化媒体ディスクは、５０マイクロメートル又はそれ以下の幅のウィンドウにわたって、３０％以上かつ７０％以下の平衡比を有する平衡グレイコードを含み、さらに、
前記グレイコードによる前記サーボパターンの符号化は、５０％又はそれ以下だけ、前記サーボパターンの大きさを広げることを特徴とするハードディスクドライブ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月31日(2010.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
ＨＧＡ１００をトレーロード領域内のトレー１１０からテスト部２０に移動させるために、以下のステップが行われる。
１．第１の自動取扱い装置７０がトレー受けステージ６０に移動し、トレー１１０から未試験のＨＧＡ１００を取り上げる。
２．第１の自動取扱い装置７０が粗調整器ステーション３９に移動し、粗調整器４０上に未試験のＨＧＡ１００を置く。
３．第１の自動取扱い装置７０がトレー受けステージ６０に移動して戻る。
４．未試験のＨＧＡ１００に磁気によるヘッド保持および短絡解除が行われる。
５．第２の自動取扱い装置８０が第２のキッカー８３ａおよびエンドエフェクター８４ａを使用して粗調整器４０から未試験のＨＧＡ１００を取り上げる。
６．第２の自動取扱い装置８０が微細調整器５０に移動し、微細調整器５０上に未試験のＨＧＡ１００を置き、ＨＧＡ１００に微細位置決めを与える。
７．第２の自動取扱い装置８０が微細調整器５０からＨＧＡ１００を取り上げ、それをテスト部２０の上の位置に移動させ、コレット２２が発射され、未試験のＨＧＡ１００が第２の自動取扱い装置８０から解放される。
８．次いでパック２５がＨＧＡ１００をディスク５に移動させ、パック２５は保持され、ＨＧＡ１００の試験が行われている間、自動取扱い装置７０、８０の全ての移動が停止する。
９．ヘッド１０１の試験が完了した後、パック２５がＨＧＡ１００をそのＨＧＡロード位置に移動させて戻し、試験されたＨＧＡ１００は第２の自動取扱い装置８０の第３のエンドエフェクター８４ｂによって取り上げられる。
１０．第２の自動取扱い装置７０が粗調整器ステーション４０に移動し、試験されたＨＧＡ１００を粗調整器４０上に置く（注、微細調整器５０は試験されたＨＧＡ１００をトレーロードステージに戻すときバイパスされる）。
１１．第１の自動取扱い装置７０が粗調整器ステーション３９に移動し、試験されたＨＧＡ１００を取り上げる。
１２．第１の自動取扱い装置７０がトレーステージに移動し、試験されたＨＧＡ１００をトレー１１０内に戻して置く。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月12日(2010.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の裏面側から光を照射し、前記光に応じて前記半導体基板内で発生した電荷を、前記半導体基板の表面側から読み出して撮像を行う裏面照射型撮像素子であって、
前記半導体基板内に形成された前記電荷を蓄積するための第一導電型の第一の半導体層と、
前記半導体基板の裏面から内側に形成された第一導電型の反対の第二導電型の第二の半導体層とを備え、
前記半導体基板内の前記第一の半導体層と前記第二の半導体層との間に、不純物濃度が２．０×１０１４／ｃｍ３以下の第一導電型の第三の半導体層と、不純物濃度が２．０×１０１４／ｃｍ３以下の第二導電型の第四の半導体層とを含む裏面照射型撮像素子。
【請求項２】
請求項１記載の裏面照射型撮像素子であって、
前記第三の半導体層と前記第四の半導体層の間に、不純物濃度が１．０×１０１４／ｃｍ３以下の第五の半導体層を含む裏面照射型撮像素子。
【請求項３】
半導体素子に利用する半導体基板であって、
前記半導体基板の一方の面から内側に形成された第一導電型の第一の半導体層と、
前記第一の半導体層上に形成された不純物濃度が２．０×１０１４／ｃｍ３以下の第一導電型又はその反対の第二導電型の第二の半導体層と、
前記第二の半導体層上に形成された不純物濃度が２．０×１０１４／ｃｍ３以下の前記第二の半導体層とは反対の導電型の第三の半導体層とを備える半導体基板。
【請求項４】
請求項３記載の半導体基板であって、
前記第二の半導体層と前記第三の半導体層の間に、不純物濃度が１．０×１０１４／ｃｍ３以下の第四の半導体層を含む半導体基板。
【請求項５】
請求項１又は２記載の裏面照射型撮像素子であって、
前記半導体基板の表面から裏面までの厚みが、５μｍ以上である裏面照射型撮像素子。
【請求項６】
請求項５記載の裏面照射型撮像素子であって、
前記半導体基板の表面から裏面までの厚みが、８μｍ以上である裏面照射型撮像素子。
【請求項７】
請求項３又は４記載の半導体基板であって、
表面から裏面までの厚みが、５μｍ以上である半導体基板。
【請求項８】
請求項７記載の半導体基板であって、
表面から裏面までの厚みが、８μｍ以上である半導体基板。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月17日(2010.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に光吸収層を形成し、
前記光吸収層上に絶縁層を形成し、
前記基板側から前記光吸収層にレーザビームを照射して、前記光吸収層及び前記絶縁層それぞれの一部を除去して、チャネル保護膜を形成し、
前記半導体層及び前記チャネル保護膜上に導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に光吸収層を形成し、
前記基板側から前記光吸収層にレーザビームを照射して、前記光吸収層の一部を除去し、
前記一部除去された光吸収層をマスクとして、前記絶縁層の一部を除去してチャネル保護膜を形成し、
前記半導体層及び前記チャネル保護膜上に導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上に光吸収層を形成し、
前記光吸収層上に第２の絶縁層を形成し、
前記基板側から前記光吸収層にレーザビームを照射して、前記光吸収層及び前記第２の絶縁層それぞれの一部を除去し、
残存した前記光吸収層及び第２の絶縁層を除去するとともに、前記第１の絶縁層の一部を除去してチャネル保護膜を形成し、
前記半導体層及び前記チャネル保護膜上に導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記光吸収層は、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、硫化亜鉛、硫化水銀または塩化アルミニウムであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記光吸収層は、前記レーザビームにより、気体を放出することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記ゲート電極は、銅を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月30日(2010.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のスピーカユニットを配列して成るスピーカアレイと、
複数の音声信号を前記複数のスピーカユニットに対して分配し、これらのスピーカユニットから放音する各音声信号の放音タイミングを制御して、前記スピーカアレイからそれぞれ異なる方向に指向性を有する音声ビームを放音させる音声信号処理手段と、
各音声ビームについて、他方向に放音されている音声ビームをマスクするマスキング音声信号を出力するマスキング音声出力手段と、
を備えた音声出力装置。
【請求項２】
前記音声信号処理手段は、前記マスキング音声出力手段が出力したマスキング音声信号を、前記スピーカアレイの複数のスピーカユニットに対して分配し、これらのスピーカユニットから放音するマスキング音声の放音タイミングを制御して、マスキング音声ビームとして放音させることを特徴とする請求項１に記載の音声出力装置。
【請求項３】
前記マスキング音声出力手段は、各音声ビームに含まれる周波数帯域を通過させるフィルタリング処理を行うフィルタ手段を備えた請求項１または２に記載の音声出力装置。
【請求項４】
前記複数の音声信号を加算した加算音声信号の信号レベルを検出する信号レベル検出手段と、
前記加算音声信号の信号レベルに応じて設定した増幅率で、前記フィルタリング処理を行ったマスキング音声信号を増幅する増幅手段と、
を備えた請求項３に記載の音声出力装置。
【請求項５】
前記加算音声信号の信号レベルの変動状態に応じて前記増幅手段の時定数を変更する時定数設定手段を備えた請求項４に記載の音声出力装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月19日(2010.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上にゲート配線、ゲート絶縁膜、アクティブ層、データ配線用の導電膜、及び第１領域と第２領域からなるフォトレジストパターンを順次に形成し、
前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして使用して前記データ配線用の導電膜をエッチングしてソース／ドレイン電極用の導電膜パターンとデータ線とを形成し、
前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして使用して、前記アクティブ層をエッチングしてアクティブ層パターンを形成し、
前記フォトレジストパターンの第２領域を除去し、
前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして使用してエッチングガスを用いて、前記第２領域下部の前記ソース／ドレイン電極用の導電膜パターンをドライエッチングし、
前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして使用して前記アクティブ層パターンの一部をエッチングし、
前記エッチングガスと前記ソース／ドレイン電極用の導電膜パターンの反応副産物に外力が印加されるように前記反応副産物を反応副産物除去剤で物理的に除去すること、を含む薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項２】
前記反応副産物を除去するステップは、前記反応副産物除去剤を前記反応副産物に噴射するステップであることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項３】
前記反応副産物除去剤を噴射する間に、前記絶縁基板を回転させることを特徴とする請求項２に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項４】
前記反応副産物は、Ｃｌ２またはＨＣｌであることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項５】
前記エッチングガスは、塩素系のエッチングガスであることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項６】
前記反応副産物除去剤は、前記ソース／ドレイン電極用の導電膜パターンにはエッチング反応を行わないことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項７】
前記アクティブ層をエッチングし、前記フォトレジストパターンの第２領域を除去し、前記ソース／ドレイン電極用の導電膜パターンをドライエッチングし、前記アクティブ層パターンの一部をエッチングすることは、同じチャンバ内で行われることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項８】
前記データ配線は、アルミニウムを含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項９】
前記データ配線は、モリブデン、アルミニウム及びモリブデンが順次に積層された多層構造からなることを特徴とする請求項８に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１０】
前記反応副産物を除去するステップ以後に、前記フォトレジストパターンをストリップし、保護膜及び画素電極を形成することをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月21日(2010.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第２表面に隣接して配置された第１表面と、
第１表面と第２表面とを連結する接合剤を含み、第１表面と第２表面の間の接合剤の一部は、プラズマプロセスの間、プラズマに露出して残留し、露出部はプラズマから供給されるハロゲン含有ガスと反応し、
接合剤は、
アクリル系化合物である接着材と、
接着材に添加された金属充填材を含み、金属充填材は、Ｍｇ、Ｔａ及びＺｒの少なくとも１つである半導体チャンバコンポーネント。
【請求項２】
プラズマから供給されたハロゲン含有ガスと反応した露出部は、その上に形成されたハロゲン系金属層を更に含む請求項１記載のチャンバコンポーネント。
【請求項３】
ハロゲン系金属層の化学式がＭＦｘであり、ＭがＭｇ、Ｔａ、及びＺｒから成る群から選択され、ｘが１〜５の整数である請求項２記載のチャンバコンポーネント。
【請求項４】
接着材がペースト、膠、ゲル又はパッド状である請求項１記載のチャンバコンポーネント。
【請求項５】
金属充填材は平均直径又は投影面積が約０．２μｍ〜約２．５μｍの粒子、薄片又は粉末を更に含む請求項１記載のチャンバコンポーネント。
【請求項６】
金属充填材の接着材に対する比が重量％で約１：２０〜約１：１である請求項１記載のチャンバコンポーネント。
【請求項７】
第１表面がガス分布アセンブリのベースであり、第２表面がガス分布プレートである請求項１記載のチャンバコンポーネント。
【請求項８】
第１表面が基板支持アセンブリのベースであり、第２表面が静電チャックである請求項１記載のチャンバコンポーネント。
【請求項９】
第１表面がセラミックであり、第２表面が金属である請求項１記載のチャンバコンポーネント。
【請求項１０】
接合材が約５０μｍ〜約５００μｍの厚さを有する請求項１記載のチャンバコンポーネント。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月7日(2010.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層上にマスクを形成した後、電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上１×１０１３ｃｍ−３以下、且つ電子温度が０．５ｅＶ以上３ｅＶ以下のプラズマ処理により前記半導体層の端部の一部を酸化または窒化し、
前記マスクを用いて前記半導体層にリンまたはボロンを添加した後、電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上１×１０１３ｃｍ−３以下、且つ電子温度が０．５ｅＶ以上３ｅＶ以下のプラズマ処理により前記半導体層の端部の一部を酸化し、
前記マスクを除去した後、前記絶縁層上にゲート電極として機能する導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層上にマスクを形成した後、電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上１×１０１３ｃｍ−３以下、且つ電子温度が０．５ｅＶ以上３ｅＶ以下のプラズマ処理により前記半導体層の端部の一部を酸化または窒化し、
前記マスクを除去した後、前記絶縁層上にゲート電極として機能する導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または２において、前記絶縁表面上に形成する前記半導体層の側面は、３０°以上８５°未満の傾斜を有する形状であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記プラズマ処理により、前記半導体層の側面に接する領域において、前記半導体層の膜厚が薄くなり、且つ前記半導体層を覆う前記絶縁層の膜厚が厚くなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記絶縁層上にマスクを形成した後、前記プラズマ処理により前記半導体層の端部の一部を酸化した後に、電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上１×１０１３ｃｍ−３以下、且つ電子温度が０．５ｅＶ以上３ｅＶ以下のプラズマ処理により前記半導体層の端部の一部を窒化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月18日(2010.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
図３は、２ピッチ分をサンプリングした、センサ１３から得られた信号を示している。信号には、検出したいボール４の位相情報の他に、リベット部やノイズ等の情報が含まれる。この情報から正確にボール４の位置を検出する為、センサ出力の最下点（センサからの距離が最も離れた位置）から予め設けた閾値（設定値１）を越えた部分に関して、それぞれ最小二乗法を用いて、上に凸な２次関数（ｙ＝ａｘ２＋ｂｘ＋ｃ）を求める。この２次関数において、ｘは回転角度、又は玉軸受１のボール中心軌道の周方向位置を表し、ｙはセンサ１３と保持器５との距離を測定して得られるセンサ出力を表す。求めた２次関数が、ボール部分かどうかの判断は、図４に示した予め設けた閾値（ｙ＝０とする）における各Δｘの値が、予め決められた範囲にあるかどうかで決定される。ここで、Δｘは、
2008261797.tif 000001
より求めることができる。図３に示したように、ボール部（Δｘ１）とそうでない部分（Δｘ２）では、幅が大きく異なることから、安定してボール部分と判断する事が可能である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2008261797.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月5日(2010.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有し、一方の主面に測定対象となる圧力を受ける受圧部と、
前記受圧部の他方の主面に配設され、前記受圧部が撓むのに伴って変形するセンサ素子片と、
を備え、
前記受圧部の前記一方の主面が、可撓性を有する保護材で覆われている、
ことを特徴とする圧力センサ。
【請求項２】
前記受圧部の周囲に支持部を有し、
前記受圧部の前記一方の主面と前記支持部との間に段差を設けることにより、凹部が形成され、
当該凹部の底面が前記一方の主面であり、
前記凹部内に前記保護材を設けたことを特徴とする請求項１に記載の圧力センサ。
【請求項３】
前記保護材は、ゲル状になっていることを特徴とする請求項１または２に記載の圧力センサ。
【請求項４】
前記受圧部を備えた２枚のダイヤフラムを、前記他方の主面同士が対向するよう積層し、
前記２枚のダイヤフラムのうち、何れか一方のダイヤフラムの前記他方の主面に前記センサ素子片を配設した、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の圧力センサ。
【請求項５】
前記受圧部を備えたダイヤフラムと基板部とを、前記ダイヤフラムの前記他方の主面が前記基板部に対向するよう積層し、
前記ダイヤフラムの前記他方の主面に前記センサ素子片を配設した、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の圧力センサ。
【請求項６】
前記受圧部が水晶によって形成された、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の圧力センサ。
【請求項７】
前記センサ素子片に発振回路を接続し、前記発振回路に周波数測定演算手段を接続した、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の圧力センサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】圧力センサ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、圧力センサに関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、センサ素子片の気密性を確保した圧力センサを提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明に係る圧力センサは、  可撓性を有し、一方の主面に測定対象となる圧力を受ける受圧部と、前記受圧部の他方の主面に配設され、前記受圧部が撓むのに伴って変形するセンサ素子片と、を備え、前記受圧部の前記一方の主面が、可撓性を有する保護材で覆われている、ことを特徴としている。
この場合において、前記受圧部の周囲に支持部を有し、前記受圧部の前記一方の主面と前記支持部との間に段差を設けることにより、凹部が形成され、当該凹部の底面が前記一方の主面であり、前記凹部内に前記保護材を設けた構成にするとよい。前記保護材は、ゲル状になっていることが望ましい。また、前記受圧部を備えた２枚のダイヤフラムを、前記他方の主面同士が対向するよう積層し、前記２枚のダイヤフラムのうち、何れか一方のダイヤフラムの前記他方の主面に前記センサ素子片を配設した構成とすることができる。更に、前記受圧部を備えたダイヤフラムと基板部とを、前記ダイヤフラムの前記他方の主面が前記基板部に対向するよう積層し、前記ダイヤフラムの前記他方の主面に前記センサ素子片を配設した構成とすることができる。前記受圧部が水晶によって形成されたものとすることができる。加えて、前記センサ素子片に発振回路を接続し、前記発振回路に周波数測定演算手段を接続した構成とすると良い。
本発明に係る圧力センサは、測定対象となる圧力を受ける受圧部と、受圧部の一方の面を覆う保護材と、受圧部の他方の面に配設され、受圧部が撓むのに伴って変形するセンサ素子片とを有することを特徴としている。保護材により受圧部を補強できるので、センサ素子片の気密性を確保できる。すなわち受圧部に極めて薄い部分が存在している場合でも、この部分を保護材で補強できる。また受圧部に直径の極めて小さい貫通孔が存在している場合でも、この貫通孔を保護材で封止できる。このため圧力センサに衝撃等が加わっても、保護材で補強された受圧部に孔があくことを防止できるとともに、センサ素子片を気密封止している状態を維持できる。よって圧力センサは、受圧部に欠陥が存在していても、圧力測定を続けることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
以下に、本発明に係る圧力センサの実施形態について説明する。まず第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態に係る圧力センサの断面図である。圧力センサ１０は、２枚のダイヤフラム１４（１４ａ，１４ｂ）と、ダイヤフラム１４に設けた保護材１２と、２枚のダイヤフラム１４を重ねることによって形成される内部空間２８に設けたセンサ素子片３０とを有している。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月19日(2010.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
しかしながら、従来の照明装置では、光源からの光を導光体内に多く取り込む目的で受光部の厚みを増すと、これに伴い出光部の厚みを増やす必要があった。このために容積や重量の増大といった問題点を有していた。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本実施形態では、反射部４ｃ１、４ｃ２は、第１の反射部４ｃ１と第２の反射部４ｃ２とで構成されている。反射部４ｃ１、４ｃ２は受光部４ａで導入した光Ｌを出光部４ｂへと反射するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2008261717.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2008261717.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月7日(2010.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図２に示すように、柱３２の上端部領域３２ａは、フランジ４６ｂに設けられた貫通孔５４など、一列に並んだ貫通孔を備えている。すぐ後で説明するように、これらの貫通孔は、梁３６などの梁の取り付けのために、また柱３０などの頭上の梁の下側の接合部を添継ぎするために使用される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
図１３は、図９に似ており、梁３８と柱３２の垂直方向中間領域との間で行われる、ほぼ同じ相互連結工程を示す。曲線状に移動する相互連結は、（図９の曲線状の矢印９２と同様に）曲線状の矢印９５によって示される。まっすぐ下向きの垂直な着座は、矢印９３によって示される。
次に様々な図に示す物体の説明を終了するに際し、図１４では符号９４に、柱積重ね体２２などの異なる柱積重ね体の基底に隣接して、骨組み構造２１で使用する基板構造を示す。これらの基板構造は積重ね体を有効に基礎（図示せず）に結びつける。基板構造９４は、全体として水平な厚板９６を含み、その上表面に交差構造体９８が溶接される。この交差構造体は基本的にスペーサ４２として説明したものと同じスペーサ構造の複製品である。この交差構造体は積重ね体２２の最下部の柱の下端部を受け、その柱の対向する間隔をあけた脚部がその下端部でこの交差構造体を受ける。適切なナット・ボルト組立体（図示せず）が、この基板構造のしかるべき位置に物体を定着する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2008261214.tif 000001
【図２】
2008261214.tif 000002
【図３】
2008261214.tif 000003
【図４】
2008261214.tif 000004
【図５】
2008261214.tif 000005
【図６】
2008261214.tif 000006
【図７】
2008261214.tif 000007
【図８】
2008261214.tif 000008
【図９】
2008261214.tif 000009
【図１０】
2008261214.tif 000010
【図１１】
2008261214.tif 000011
【図１２】
2008261214.tif 000012
【図１３】
2008261214.tif 000013
【図１４】
2008261214.tif 000014
【図１５】
2008261214.tif 000015
【図１６】
2008261214.tif 000016
【図１７】
2008261214.tif 000017
【図１８】
2008261214.tif 000018
【図１９】
2008261214.tif 000019
【図２０】
2008261214.tif 000020
【図２１】
2008261214.tif 000021
【図２２】
2008261214.tif 000022
【図２３】
2008261214.tif 000023
【図２４】
2008261214.tif 000024
【図２５】
2008261214.tif 000025
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月2日(2010.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のサブピクセルと、前記複数のサブピクセルに選択走査電圧を入力する複数の走査線とを有する液晶表示パネルと、
前記複数の走査線に順次前記選択走査電圧を供給する走査線駆動回路とを備える表示装置であって、
前記複数のサブピクセルの各サブピクセルは、対向電極を有し、
前記対向電極に対向電圧を供給する対向電圧供給回路を備え、
前記複数の走査線の各走査線に対応して補正係数を設定し、前記対向電圧供給回路は、前記液晶表示パネルの前記対向電極の特定部位から検出した電圧に対して、前記走査線駆動回路が前記選択走査電圧を供給する前記走査線に対応する前記補正係数を掛けた電圧を前記対向電極に供給することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記補正係数を、前記複数の走査線の前記各走査線毎に設定することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記複数の走査線は複数のグループにグループ分けされ、
前記補正係数を、前記各グループの走査線毎に設定することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
複数のサブピクセルと、前記複数のサブピクセルに選択走査電圧を入力する複数の走査線とを有する液晶表示パネルと、
前記複数の走査線に順次前記選択走査電圧を供給する走査線駆動回路とを備える表示装置であって、
前記複数のサブピクセルの各サブピクセルは、対向電極を有し、
前記対向電極に対向電圧を供給する対向電圧供給回路を有し、
前記対向電圧供給回路は、前記液晶表示パネルの前記対向電極の特定部位から検出した電圧を反転増幅する反転増幅回路を有し、
前記対向電圧供給回路は、前記反転増幅回路で反転増幅された電圧を、前記対向電極の対向電圧供給端に供給し、
前記反転増幅回路は、前記走査線駆動回路が選択走査電圧を供給する前記走査線の位置に応じて利得が変化することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
前記対向電圧供給端から、前記複数の走査線の前記各走査線までの間隔が大きくなる程、前記利得が大きくなることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記利得は、前記複数の走査線の前記各走査線毎に変化することを特徴とする請求項４または請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記複数の走査線は複数のグループにグループ分けされ、
前記利得は、前記各グループの走査線毎に変化することを特徴とする請求項４または請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記反転増幅回路は、反転入力端子と出力端子との間にフィードバック抵抗が接続されるオペアンプで構成され、
前記フィードバック抵抗の抵抗値は、前記走査線駆動回路が前記選択走査電圧を供給する前記走査線の位置に応じて変化することを特徴とする請求項４ないし請求項７のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記フィードバック抵抗は、デジタルポテンショメータであることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記液晶表示パネルは、前記複数のサブピクセルに映像電圧を入力する複数の映像線を有し、
前記複数の映像線に映像電圧を供給する映像線駆動回路を備え、
前記対向電極の前記対向電圧供給端は、前記対向電極の前記映像線駆動回路に近い側の端部であり、
前記液晶表示パネルの特定部位は、前記対向電極の前記映像線駆動回路から最も遠い側の端部であることを特徴とする請求項４ないし請求項９のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記液晶表示パネルは、前記複数のサブピクセルに映像電圧を入力する複数の映像線を有し、
前記複数の映像線に映像電圧を供給する映像線駆動回路を備え、
前記対向電圧供給回路は、前記補正係数を掛けた電圧を前記対向電極の対向電圧供給端に供給し、
前記対向電圧供給端は、前記対向電極の前記映像線駆動回路に近い側の端部であり、
前記液晶表示パネルの特定部位は、前記対向電極の前記映像線駆動回路から最も遠い側の端部であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。