(57)【要約】【課題】  高流動、低反り、耐半田特性を両立させる半導体封止用エポキシ樹脂組成物，およびこれを用いた半導体装置を提供すること。【解決手段】  結晶性エポキシ樹脂（Ａ）、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（Ｂ）、硬化促進剤（Ｃ）全エポキシ樹脂組成物中に対し８５〜９５重量％の無機充填剤（Ｄ）、及び２級アミンを有する特定のシランカップリング剤（Ｅ）を必須成分とすることを特徴とするエリア実装型半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみが前述のエリア実装型半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて封止されているエリア実装型半導体装置。【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶性エポキシ樹脂（Ａ）、一般式（１）で表されるフェノール樹脂（Ｂ）、硬化促進剤（Ｃ）、全エポキシ樹脂組成物中に対し８５〜９５重量％の無機充填剤（Ｄ）、及び一般式（２）で表されるシランカップリング剤（Ｅ）を必須成分とすることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。
【化１】
2005126578.tif 000011
（Ｒ１、Ｒ２は水素又は炭素数１〜４のアルキル基で、互いに同一でも異なっていてもよい。ａは０〜３の整数、ｂは０〜４の整数。ｎは平均値で０〜１０の数）
【化２】
2005126578.tif 000012
（Ｒ３は炭素数１〜１２の有機基。Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は炭素数１〜１２の炭化水素基。ｎは１〜３の整数。）
【請求項２】
請求項１記載のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみの封止に用いるものであって、結晶性エポキシ樹脂（Ａ）、一般式（１）で表されるフェノール樹脂（Ｂ）、硬化促進剤（Ｃ）、全エポキシ樹脂組成物中に対し８５〜９５重量％の無機充填剤（Ｄ）、及び一般式（２）で表されるシランカップリング剤（Ｅ）を必須成分とすることを特徴とするエリア実装型半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【化３】
2005126578.tif 000013
（Ｒ１、Ｒ２は水素又は炭素数１〜４のアルキル基で、互いに同一でも異なっていてもよい。ａは０〜３の整数、ｂは０〜４の整数。ｎは平均値で０〜１０の数）
【化４】
2005126578.tif 000014
（Ｒ３は炭素数１〜１２の有機基。Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は炭素数１〜１２の炭化水素基。ｎは１〜３の整数。）
【請求項４】
基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみが請求項３記載のエポキシ樹脂組成物を用いて封止されていることを特徴とするエリア実装型半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置に関するものであり、特にプリント配線板や金属リードフレームの片面に半導体素子を搭載し、その搭載面側の実質的に片面のみが樹脂封止されたエリア実装型半導体装置に好適に用いられるものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の小型化、軽量化、高性能化の市場動向において、半導体素子の高集積化が年々進み、また、半導体装置の表面実装化が促進されるなかで、新規にエリア実装型半導体装置が開発され、従来構造の半導体装置から移行し始めている。半導体装置の小型化、薄型化に伴い、封止用エポキシ樹脂組成物に対しては、より一層の低粘度化、高強度化が要求されている。また、環境問題から臭素化合物、酸化アンチモン等の難燃剤を使わずに難燃化する要求が増えてきている。このような背景から、最近のエポキシ樹脂組成物の動向は、より低粘度の樹脂を適用し、より多くの無機充填材を配合する傾向が強くなっている。また新たな動きとして、半導体装置を実装する際、従来よりも融点の高い無鉛半田の使用が高まってきている。この半田の適用により実装温度を従来に比べ約２０℃高くする必要があり、実装後の半導体装置の信頼性が現状に比べ著しく低下する問題が生じている。このようなことからエポキシ樹脂組成物のレベルアップによる半導体装置の信頼性の向上要求が加速的に強くなってきており、樹脂の低粘度化と無機充填材の高充填化に拍車がかかっている。
【０００３】
エリア実装型半導体装置としては、ＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）、あるいは更に小型化を追求したＣＳＰ（チップスケールパッケージ）等が代表的であるが、これらは従来のＱＦＰ、ＳＯＰに代表される表面実装型半導体装置では限界に近づいている多ピン化・高速化への要求に対応するために開発されたものである。エリア実装型半導体装置の構造としては、ＢＴ樹脂／銅箔回路基板（ビスマレイミド・トリアジン樹脂／ガラスクロス基板）に代表される硬質回路基板あるいはポリイミド樹脂フィルム／銅箔回路基板に代表されるフレキシブル回路基板の片面上に半導体素子を搭載し、その素子搭載面、即ち基板の片面のみが樹脂組成物等で成形・封止されている。また基板の素子搭載面の反対面には半田ボールを２次元的に並列して形成し、半導体装置を実装する回路基板との接合を行う特徴を有している。更に、半導体素子を実装する基板としては、上記有機回路基板以外にもリードフレーム等の金属基板を用いる構造も開発されている。
【０００４】
これらエリア実装型半導体装置の構造は、基板の半導体素子搭載面のみをエポキシ樹脂組成物で封止し、半田ボール形成面側は封止しないという片面封止の形態をとっている。リードフレーム等の金属基板等では、半田ボール形成面でも数十μｍ程度の封止樹脂層が存在することもあるが、半導体素子搭載面では数百μｍから数ｍｍ程度の封止樹脂層が形成されるため、実質的に片面封止となっている。このため、有機基板や金属基板とエポキシ樹脂組成物の硬化物との間での熱膨張・熱収縮の不整合、或いはエポキシ樹脂組成物の成形硬化時の硬化収縮による影響で、これらの半導体装置では成形直後から反りが発生しやすい。
更に、これらの半導体装置を実装する回路基板上に半田接合を行う場合、２００℃以上の加熱工程を経るが、この際に半導体装置の反りが発生し、多数の半田ボールが平坦とならず、半導体装置を実装する回路基板から浮き上がってしまい、電気的接合の信頼性が低下する問題も起こる。
【０００５】
基板上の実質的に片面のみをエポキシ樹脂組成物で封止した半導体装置において、反りを低減するには、基板の熱膨張係数とエポキシ樹脂組成物の硬化物の熱膨張係数とを近づけること、及びエポキシ樹脂組成物の成形硬化時の硬化収縮を小さくすることの二つの方法が重要である。
基板としては、有機基板ではＢＴ樹脂やポリイミド樹脂のような高いガラス転移温度（以下、Ｔｇという）を有する樹脂が広く用いられており、これらはエポキシ樹脂組成物の成形温度である１７０℃近辺よりも高いＴｇを有する。従って、成形温度から室温までの冷却過程では有機基板のガラス領域、換言すると線膨張係数がα１の領域のみで収縮する。よって、エポキシ樹脂組成物の硬化物も、Ｔｇが成形温度より高く且つα１が有機基板と同じで、更に成形硬化時の硬化収縮がゼロとなれば、反りはほぼゼロとなると考えられる。このため、多官能型エポキシ樹脂と多官能型フェノール樹脂との組み合わせによりＴｇを高くし、無機充填材の配合量でα１を合わせる手法が既に提案されている。しかし多官能型エポキシ樹脂と多官能型フェノール樹脂との組み合わせでは流動性が低下し金線変形が生じる等の不具合があった。
【０００６】
また、赤外線リフロー、ベーパーフェイズソルダリング、半田浸漬等の手段での半田処理による半田接合を行う場合、エポキシ樹脂組成物の硬化物並びに有機基板からの吸湿により、半導体装置内部に存在する水分が高温で急激に気化することによる応力で、半導体装置にクラックが発生することや、有機基板の半導体素子搭載面とエポキシ樹脂組成物の硬化物との界面で剥離が発生することもあり、エポキシ樹脂組成物の低応力化・低吸湿化とともに、有機基板との接着性も求められる。
更に、有機基板とエポキシ樹脂組成物の硬化物との間の熱膨張の不整合により、信頼性テストの代表例である温度サイクル試験でも、有機基板／エポキシ樹脂組成物の硬化物との界面の剥離やクラックが発生する。
従来のＱＦＰやＳＯＰ等の表面実装型半導体装置において、成形時に低粘度で高流動性を維持するためには、溶融粘度の低い樹脂を用いる方法や（例えば、特許文献１参照。）、また無機充填材の配合量を高めるために無機充填材をシランカップリング剤で表面処理する方法が知られている（例えば、特許文献２参照。）。しかしこれらは種々ある要求特性のいずれかのみを満足するものが多い。エリア実装型半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、高流動、低反りに優れた樹脂を用い、更に無機充填材の配合量を高めて信頼性を満足させる技術が求められている。
【０００７】
【特許文献１】特開平７−１３０９１９号公報（第２〜５頁）
【特許文献２】特開平８−２０６７３号公報（第２〜４頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、従来の背景技術の問題点を解決するためになされたものであり、その目的とするところは硬化性及び他の諸特性を劣化させることなく高流動性、成形後や半田処理後の低そり、耐半田特性が著しく優れたエリア実装型半導体封止用に適したエポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、
［１］  結晶性エポキシ樹脂（Ａ）、一般式（１）で表されるフェノール樹脂（Ｂ）、硬化促進剤（Ｃ）、全エポキシ樹脂組成物中に対し８５〜９５重量％の無機充填剤（Ｄ）、及び一般式（２）で表されるシランカップリング剤（Ｅ）を必須成分とすることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物、
【００１０】
【化５】
2005126578.tif 000002
（Ｒ１、Ｒ２は水素又は炭素数１〜４のアルキル基で、互いに同一でも異なっていてもよい。ａは０〜３の整数、ｂは０〜４の整数。ｎは平均値で０〜１０の数）
【００１１】
【化６】
2005126578.tif 000003
（Ｒ３は炭素数１〜１２の有機基。Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は炭素数１〜１２の炭化水素基。ｎは１〜３の整数。）
【００１２】
［２］  第［１］項記載のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置、
［３］  基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみの封止に用いるものであって、結晶性エポキシ樹脂（Ａ）、一般式（１）で表されるフェノール樹脂（Ｂ）、硬化促進剤（Ｃ）、全エポキシ樹脂組成物中に対し８５〜９５重量％の無機充填剤（Ｄ）、及び一般式（２）で表されるシランカップリング剤（Ｅ）を必須成分とすることを特徴とするエリア実装型半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
【００１３】
【化７】
2005126578.tif 000004
（Ｒ１、Ｒ２は水素又は炭素数１〜４のアルキル基で、互いに同一でも異なっていてもよい。ａは０〜３の整数、ｂは０〜４の整数。ｎは平均値で０〜１０の数）
【００１４】
【化８】
2005126578.tif 000005
（Ｒ１、Ｒ２は水素又は炭素数１〜４のアルキル基で、互いに同一でも異なっていてもよい。ａは０〜３の整数、ｂは０〜４の整数。ｎは平均値で０〜１０の数）
［４］  基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみが第［３］項記載のエポキシ樹脂組成物を用いて封止されていることを特徴とするエリア実装型半導体装置、
である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に従うと、従来の技術では得られなかった充填材の高充填化、高流動性、低反り、耐半田特性の両立が得られるので、特にエリア実装型半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびこれを用いた半導体装置として好適である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明は、結晶性エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、硬化促進剤、無機充填材、及び２級アミンを有する特定のシランカンップリング剤を含むエポキシ樹脂組成物を用いることにより、エポキシ樹脂組成物においては無機充填材の高充填化と高流動性との両立が可能となるため、特にエリア実装型の半導体装置において低そりと耐半田特性等の高信頼性との両立が可能となるという、顕著な効果が得られるものである。
以下、本発明について詳細に説明する。
【００１７】
本発明で用いられるエポキシ樹脂としては、常温時には固体で取扱い作業性に優れ、かつ成形時の溶融粘度が非常に低い結晶性エポキシ樹脂が必要である。溶融粘度が低いことにより、エポキシ樹脂組成物の高流動化を得ることができ、無機充填材を高充填化できるため、耐湿性の向上や低線膨張化が図れ、成形品としての特性向上が得られる。
結晶性エポキシ樹脂としては、ハイドロキノンのグリシジルエーテル化物、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、一般式（３）で示されるビフェニル型エポキシ樹脂、一般式（４）で示されるスチルベン型エポキシ樹脂等が挙げられる。
【００１８】
【化９】
2005126578.tif 000006
（Ｒ７〜Ｒ１４は水素又は炭素数４以下のアルキル基で互いに同一でも異なっても良い）
【化１０】
2005126578.tif 000007
（Ｒ１５〜Ｒ２４は水素又は炭素数４以下のアルキル基で互いに同一でも異なっても良い）
【００１９】
一般式（３）のビフェニル型エポキシ樹脂の内では、作業性、実用性のバランスの取れた４，４’−ジグリシジルビフェニル、あるいは３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ジグリシジルビフェニル及びこの両者の溶融混合物等が好ましい。
また、一般式（４）のスチルベン型エポキシ樹脂の内では、作業性、実用性のバランスの取れた５−ターシャリブチル−４，４’−グリシジル−２，３’，５’−トリメチルスチルベン、あるいは４，４’−ジグリシジル３，３’，５，５’テトラメチルスチルベン及びこの両者の溶融混合物等が好ましい。
【００２０】
本発明では、結晶性エポキシ樹脂を配合することによる特徴を損なわない範囲で、他のエポキシ樹脂と併用することができる。併用する場合、結晶性エポキシ樹脂は全エポキシ樹脂中の少なくとも３０重量％以上が好ましく、より好ましくは５０重量％以上、更に好ましくは８０重量％以上である。下限値未満であれば、結晶性エポキシ樹脂の特徴である流動性が損なわれる恐れがある。併用可能なエポキシ樹脂としては特に限定はしないが、例えばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは１種類を単独で用いても２種類以上を併用してもよい。併用するエポキシ樹脂は、成形時の溶融粘度が非常に低い結晶性エポキシ樹脂の特徴を損なわないよう、極力粘度の低いものを使用することが望ましい。
【００２１】
本発明で用いられる一般式（１）で表されるフェノール樹脂は、フェノール性水酸基間に疎水性で剛直なビフェニレン骨格を有しており、これを用いたエポキシ樹脂組成物の硬化物は低反りの特徴を有し、また吸湿率が低く、Ｔｇを越えた高温域での弾性率が低く、半導体素子、有機基板、及び金属基板との密着性に優れる。また、難燃性にも優れ、架橋密度が低い割には耐熱性が高いという特徴を有している。
一般式（１）のＲ１、Ｒ２は水素又は炭素数４以下のアルキル基、ａは０〜４の整数、ｂは０〜４の整数、ｃは０〜３の整数、ｎは平均値で０〜１０の数であるが、これらの内では硬化性の点から式（５）の樹脂等が好ましい。ｎが上記上限値を越えると樹脂の粘度が増大し、成形時の樹脂組成物の流動性が劣り、より一層の低吸湿化、低そり化のための無機充填材の高充填化が不可能となるので好ましくない。
【００２２】
【化１１】
2005126578.tif 000008
（ｎは平均値で０〜１０の数）
【００２３】
本発明では、一般式（１）のフェノール樹脂を配合することによる特徴を損なわない範囲で、他のフェノール樹脂と併用することができる。併用する場合、一般式（１）のフェノール樹脂は全フェノール樹脂中の少なくとも２０重量％以上が好ましく、より好ましくは５０重量％以上、更に好ましくは８０重量％以上である。上記下限値未満であれば、高温時の低弾性化や低吸湿化及び接着性が十分に得られず、また低反りの特徴も損なわれるおそれがあり、また耐燃性が低下する。併用するフェノール樹脂は特に限定しないが、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、トリフェノールメタン樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂等が挙げられ、これらは１種類を単独で用いても２種類以上を併用してもよい。無機充填材の高充填化のためには、エポキシ樹脂と同様に、低粘度のものが好ましい。
本発明に用いられる全エポキシ樹脂のエポキシ基数と全フェノール樹脂のフェノール性水酸基数の当量比としては、好ましくは０．５〜２であり、特に０．７〜１．５がより好ましい。上記範囲を外れると、耐湿性、硬化性などが低下する恐れがあるので好ましくない。
【００２４】
本発明で用いられる硬化促進剤としては、エポキシ基とフェノール性水酸基の反応を促進するものであれば特に限定しないが、例えば１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７等のジアザビシクロアルケン及びその誘導体、トリフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラ安息香酸ボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフトイックアシッドボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフトイルオキシボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフチルオキシボレート等のテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート等が挙げられ、これらは１種類を単独で用いても２種類以上を併用してもよい。
【００２５】
本発明に用いる無機充填材としては、一般に半導体封止用エポキシ樹脂組成物に使用されているものを用いることができる。例えば、溶融球状シリカ、溶融破砕シリカ、結晶シリカ、タルク、アルミナ、チタンホワイト、窒化珪素等が挙げられ、最も好適に使用されるものとしては、溶融球状シリカである。これらの無機充填剤は、単独でも混合して用いても差し支えない。またこれらがカップリング剤により表面処理されていてもかまわない。無機充填材の形状としては、流動性改善のために、できるだけ真球状であり、かつ粒度分布がブロードであることが好ましい。本発明で用いられる無機充填材の含有量は、全エポキシ樹脂組成物中に８５〜９５重量％であり、好ましくは８７〜９３重量％である。下限値未満だと、低吸湿性、低熱膨張性が得られず耐半田性が不十分となったり、反りが大きくなったりする恐れがあるので好ましくない。上限値を越えると、流動性が低下し、成形時に充填不良等が生じたり、高粘度化による半導体装置内の金線変形等の不都合が生じたりする恐れがあるので好ましくない
【００２６】
本発明において一般式（２）で表されるシランカップリング剤は必須である。一般式（２）で表されるシランカップリング剤を用いると、エポキシ樹脂組成物の粘度が低下し、流動性がよくなる効果が得られる。一般式（２）で表されるシランカップリング剤は１種類を単独で使用しても２種類以上を併用してもよい。また配合量は、特に限定されないが、全エポキシ樹脂組成物中０．０１〜３重量％、更に好ましくは０.０５〜１重量％である。一般式（２）で表されるシランカップリング剤の配合量が上記下限値を下回ると、期待するような密着性、流動性が得られない可能性があり、上記上限値を超えると硬化性が低下する可能性がある。また、一般式（２）で表されるシランカップリング剤を用いることによる効果を損なわない範囲であれば、その他のカップリング剤を併用しても差し支えない。併用できるカップリング剤としては、例えば、エポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン等のシランカップリング剤や、チタネートカップリング剤、アルミニウムカップリング剤、アルミニウム／ジルコニウムカップリング剤等が挙げられる。
【００２７】
【化１２】
2005126578.tif 000009
（Ｒ３は炭素数１〜１２の有機基。Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は炭素数１〜１２の炭化水素基。ｎは１〜３の整数。）
【００２８】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｅ）成分の他、必要に応じてカルナバワックス等の天然ワックス、ポリエチレンワックス等の合成ワックス、ステアリン酸やステアリン酸亜鉛等の高級脂肪酸及びその金属塩類若しくはパラフィン等の離型剤、カーボンブラック、ベンガラ等の着色剤、臭素化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硼酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛、フォスファゼン等の難燃剤、酸化ビスマス水和物等の無機イオン交換体、シリコーンオイル、ゴム等の低応力成分、酸化防止剤等の各種添加剤が適宜配合可能である。
【００２９】
本発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｅ）成分、その他の添加剤等をミキサーを用いて常温混合し、ロール、ニーダー等の押出機等の混練機で溶融混練し、冷却後粉砕して得られる。
本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子等の電子部品を封止し、半導体装置を製造するには、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の従来からの成形方法で硬化成形すればよい。特に本発明のエポキシ樹脂組成物は、エリア実装型半導体装置用に最適である。
【実施例】
【００３０】
以下、本発明を実施例にて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。配合割合は重量％とする。
実施例１
エポキシ樹脂１：ビフェニル型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）ＹＸ４０００Ｋ、融点１０５℃、エポキシ当量１８５）                      ４．３７重量部
フェノール樹脂１：ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（明和化成（株）製、ＭＥＨ−７８５１ＳＳ、水酸基当量２０３、軟化点６５℃）  ４．７８重量％
トリフェニルホスフィン                                        ０．１５重量％
球状溶融シリカ（平均粒径１６μｍ）                          ９０．００重量％
Ｎフェニルγ−アミノプロピルトリメトキシシラン                ０．２０重量％
カーボンブラック                                              ０．３０重量％
カルナバワックス                                              ０．２０重量％
を常温でミキサーを用いて混合し、二軸混練機を用いて吐出物温度が１００℃となるように、混練機回転数１２０ｒｐｍの条件で混練し、冷却後粉砕してエポキシ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ樹脂組成物を以下の方法で評価した。結果を表１に示す。
【００３１】
評価方法
スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間１２０秒で測定した。単位はｃｍ。
パッケージ反り量：２２５ピンＢＧＡパッケージ（基板は０．３６ｍｍ厚のＢＴ樹脂基板、パッケージサイズは２４×２４ｍｍ、厚み１．１７ｍｍ、シリコンチップはサイズ９×９ｍｍ、厚み０．３５ｍｍ、チップと回路基板のボンディングパッドとを２５μｍ径の金線でボンディングしている）を、金型温度１８０℃、注入圧力７．８ＭＰａ、２分間でトランスファー成形し、更に１７５℃、４時間で後硬化した。室温に冷却後、パッケージのゲートから対角線方向に、表面粗さ計を用いて高さ方向の変位を測定し、変異差の最も大きい値を半田処理前の反り量とした。更に、ＪＥＤＥＣ条件のピーク温度２６０℃でＩＲリフロー処理を行ったのち、パッケージのゲートから対角線方向に、表面粗さ計を用いて高さ方向の変位を測定し、変異差の最も大きい値を半田処理前の反り量とした。ｎ＝１０。単位はμｍ。８０ｕｍ以下を合格とした。
耐半田性：前記の２２５ピンＢＧＡパッケージを金型温度１８０℃、注入圧力７．８ＭＰａ、２分間でトランスファー成形し、更に１７５℃、４時間で後硬化したパッケージ１０個を６０℃、相対湿度６０％の環境下で１２０時間加湿処理した後、ＪＥＤＥＣ条件のピーク温度２６０℃でＩＲリフロー処理を行った。処理後の内部クラックの有無を超音波探傷機で観察し、不良パッケージの個数を数えた。不良パッケージの個数がｎ個であるときｎ／１０と表示する。
金線変形率：パッケージ反り量の評価で成形した３５２ｐＢＧＡパッケージを軟Ｘ線透視装置で観察し、金線の変形率を（流れ量）／（金線長）の比率で表した。単位は％。５％未満を合格とした。
【００３２】
実施例２〜８、比較例１〜６
表１の配合に従い、実施例１と同様にしてエポキシ樹脂組成物を製造し、実施例１と同様にして評価した。評価結果を表１に示す。実施例１以外で用いた成分について、以下に示す。
エポキシ樹脂２：オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（軟化点５５℃、エポキシ当量１９６ｇ／ｅｑ）
フェノール樹脂２：フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（三井化学（株）製、ＸＬＣ−ＬＬ、軟化点７５℃、水酸基当量１７５）
フェノール樹脂３：フェノールノボラック樹脂（軟化点８０℃、水酸基当量１０５）
γ−グリシジルプロピルトリメトキシシラン
【００３３】
【表１】
2005126578.tif 000010
【産業上の利用可能性】
【００３４】
本発明により得られる半導体封止用エポキシ樹脂は、高流動性、低反り、耐半田特性に優れたものであり、これらの特性が要求されるエリア実装型半導体装置等への適用が有用である。