【手続補正書】
【提出日】平成22年8月16日(2010.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に複数の矩形状の半導体層を第１の方向と前記第１の方向と直角に交差する第２の方向の両方向に並べて形成し、
前記複数の半導体層上にそれぞれ複数の光吸収層を、前記第１の方向と前記第２の方向の両方向に並べて形成し、
前記第１の方向に伸びる透光性を有するゲート配線を形成し、
前記光吸収層及び前記ゲート配線上に透光性を有する絶縁層を形成し、
第２の方向に並ぶ列の前記光吸収層に線状のレーザビームを照射し、
前記光吸収層及び前記光吸収層と重なる位置に形成される前記絶縁層を除去し、前記複数の半導体層を露出することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に複数の矩形状の半導体層を第１の方向と前記第１の方向と直角に交差する第２の方向の両方向に並べて形成し、
前記複数の半導体層上にそれぞれ複数の光吸収層を、前記第１の方向と前記第２の方向の両方向に並べて形成し、
前記第１の方向に伸びる透光性を有するゲート配線を形成し、
前記光吸収層及び前記ゲート配線上に透光性を有する絶縁層を形成し、
第２の方向に並ぶ列の前記光吸収層に線状のレーザビームを照射し、
前記光吸収層のそれぞれ一部及び前記光吸収層と重なる位置に形成される前記絶縁層を除去し、前記光吸収層を露出することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に複数の矩形状の半導体層を第１の方向と前記第１の方向と直角に交差する第２の方向の両方向に並べて形成し、
前記複数の半導体層上にそれぞれ複数の光吸収層を、前記第１の方向と前記第２の方向の両方向に並べて形成し、
前記第１の方向に伸びる透光性を有するゲート配線を形成し、
前記光吸収層及び前記ゲート配線上に透光性を有する絶縁層を形成し、
第２の方向に並ぶ列の前記光吸収層に線状のレーザビームを照射し、
前記光吸収層と重なる位置に形成される前記絶縁層を除去し、前記光吸収層を露出することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に複数のコの字型の半導体層を形成し、
前記半導体層の両端部にそれぞれ複数の光吸収層を形成し、
前記半導体層の両端部同士をつなぐ線と平行方向に伸びるゲート配線を形成し、
前記光吸収層及び前記ゲート配線上に透光性を有する絶縁層を形成し、
前記光吸収層の位置する前記半導体層の両端部を同時に、前記ゲート配線の伸びる方向と平行に線状のレーザビームを照射し、
前記光吸収層及び前記光吸収層と重なる位置に形成される前記絶縁層を除去し、前記半導体層を露出することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板上に複数のコの字型の半導体層を形成し、
前記半導体層の両端部にそれぞれ複数の光吸収層を形成し、
前記半導体層の両端部同士をつなぐ線と平行方向に伸びるゲート配線を形成し、
前記光吸収層及び前記ゲート配線上に透光性を有する絶縁層を形成し、
前記光吸収層の位置する前記半導体層の両端部を同時に、前記ゲート配線の伸びる方向と平行に線状のレーザビームを照射し、
前記光吸収層のそれぞれ一部及び前記光吸収層と重なる位置に形成される前記絶縁層を除去し、前記光吸収層を露出することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
基板上に複数のコの字型の半導体層を形成し、
前記半導体層の両端部にそれぞれ複数の光吸収層を形成し、
前記半導体層の両端部同士をつなぐ線と平行方向に伸びるゲート配線を形成し、
前記光吸収層及び前記ゲート配線上に透光性を有する絶縁層を形成し、
前記光吸収層の位置する前記半導体層の両端部を同時に、前記ゲート配線の伸びる方向と平行に線状のレーザビームを照射し、
前記光吸収層と重なる位置に形成される前記絶縁層を除去し、前記光吸収層を露出することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項４乃至６のいずれか一項において、前記半導体層の端部の露出した一方に接続し、前記ゲート配線と交差する方向に伸びる透光性を有するソース配線を形成し、
前記半導体層の端部の露出した他方に電気的に接続する光を吸収する導電層を用いて形成したドレイン配線を形成し、
前記ソース配線及び前記ドレイン配線上に透光性を有する前記ドレイン配線上の絶縁層を形成し、
前記ドレイン配線を、前記ゲート配線の伸びる方向と平行に、且つゲート配線と重ならないように線状のレーザビームを照射し、
前記ドレイン配線及び前記ドレイン配線と重なる位置に形成される前記ドレイン配線上の絶縁層を除去し、前記絶縁層を露出することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項４乃至６のいずれか一項において、前記半導体層の端部の露出した一方に接続し、前記ゲート配線と交差する方向に伸びる透光性を有するソース配線を形成し、
前記半導体層の端部の露出した他方に電気的に接続する光を吸収する導電層を用いて形成したドレイン配線を形成し、
前記ソース配線及び前記ドレイン配線上に透光性を有する前記ドレイン配線上の絶縁層を形成し、
前記ドレイン配線を、前記ゲート配線の伸びる方向と平行に、且つゲート配線と重ならないように線状のレーザビームを照射し、
前記ドレイン配線のそれぞれ一部及び前記ドレイン配線と重なる位置に形成される前記ドレイン配線上の絶縁層を除去し、前記ドレイン配線を露出することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項４乃至６のいずれか一項において、前記半導体層の端部の露出した一方に接続し、前記ゲート配線と交差する方向に伸びる透光性を有するソース配線を形成し、
前記半導体層の端部の露出した他方に電気的に接続する光を吸収する導電層を用いて形成したドレイン配線を形成し、
前記ソース配線及び前記ドレイン配線上に透光性を有する前記ドレイン配線上の絶縁層を形成し、
前記ドレイン配線を、前記ゲート配線の伸びる方向と平行に、且つゲート配線と重ならないように線状のレーザビームを照射し、
前記ドレイン配線と重なる位置に形成される前記ドレイン配線上の絶縁層を除去し、前記ドレイン配線を露出することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
基板上に第１の層を形成し、前記第１の層上に複数の光吸収層を形成し、
前記第１の層及び前記複数の光吸収層上に透光性を有する層を形成し、
前記複数の光吸収層に線状のレーザビームを照射し、
前記複数の光吸収層及び前記複数の光吸収層と重なる位置に形成される前記透光性を有する層を除去し、前記第１の層を露出することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
基板上に第１の層を形成し、前記第１の層上に複数の光吸収層を形成し、
前記第１の層上に透光性を有する導電層を形成し、
前記複数の光吸収層及び前記透光性を有する導電層上に透光性を有する層を形成し、
前記複数の光吸収層及び前記透光性を有する導電層に線状のレーザビームを照射し、
前記複数の光吸収層及び前記複数の光吸収層と重なる位置に形成される透光性を有する層を除去し、前記第１の層を露出することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
基板上に第１の層を形成し、前記第１の層上に複数の光吸収層を形成し、
前記第１の層上において第１の方向に伸びる透光性を有する導電層を形成し、
前記複数の光吸収層及び前記透光性を有する導電層上に透光性を有する層を形成し、
前記第１の方向と交差する方向であって、且つ前記複数の光吸収層が形成される領域に線状のレーザビームを照射し、
前記複数の光吸収層及び前記複数の光吸収層と重なる位置に形成される前記透光性を有する層を除去し、前記第１の層を露出することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１０乃至１２のいずれか一項において、前記第１の層を露出した後、前記第１の層に接する第２の層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
基板上に第１の層を形成し、前記第１の層上に複数の光吸収層を形成し、
前記第１の層及び前記複数の光吸収層上に透光性を有する層を形成し、
前記複数の光吸収層に線状のレーザビームを照射し、
前記複数の光吸収層のそれぞれ一部及び前記複数の光吸収層と重なる位置に形成される前記透光性を有する層を除去し、前記光吸収層を露出することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
基板上に第１の層を形成し、前記第１の層上に複数の光吸収層を形成し、
前記第１の層上に透光性を有する導電層を形成し、
前記複数の光吸収層及び前記透光性を有する導電層上に透光性を有する層を形成し、
前記複数の光吸収層及び前記透光性を有する導電層に線状のレーザビームを照射し、
前記複数の光吸収層のそれぞれ一部及び前記複数の光吸収層と重なる位置に形成される前記透光性を有する層を除去し、前記光吸収層を露出することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
基板上に第１の層を形成し、前記第１の層上に複数の光吸収層を形成し、
前記第１の層上において第１の方向に伸びる透光性を有する導電層を形成し、
前記複数の光吸収層及び前記透光性を有する導電層上に透光性を有する層を形成し、
前記第１の方向と交差する方向であって、且つ前記複数の光吸収層が形成される領域に線状のレーザビームを照射し、
前記複数の光吸収層のそれぞれ一部及び前記複数の光吸収層と重なる位置に形成される前記透光性を有する層を除去し、前記光吸収層を露出することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
基板上に第１の層を形成し、前記第１の層上に複数の光吸収層を形成し、
前記第１の層及び前記複数の光吸収層上に透光性を有する層を形成し、
前記複数の光吸収層に線状のレーザビームを照射し、
前記複数の光吸収層と重なる位置に形成される前記透光性を有する層を除去し、前記光吸収層を露出することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
基板上に第１の層を形成し、前記第１の層上に複数の光吸収層を形成し、
前記第１の層上に透光性を有する導電層を形成し、
前記複数の光吸収層及び前記透光性を有する導電層上に透光性を有する層を形成し、
前記複数の光吸収層及び前記透光性を有する導電層に線状のレーザビームを照射し、
前記複数の光吸収層と重なる位置に形成される前記透光性を有する層を除去し、前記光吸収層を露出することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
基板上に第１の層を形成し、前記第１の層上に複数の光吸収層を形成し、
前記第１の層上において第１の方向に伸びる透光性を有する導電層を形成し、
前記複数の光吸収層及び前記透光性を有する導電層上に透光性を有する層を形成し、
前記第１の方向と交差する方向であって、且つ前記複数の光吸収層が形成される領域に線状のレーザビームを照射し、
前記複数の光吸収層と重なる位置に形成される前記透光性を有する層を除去し、前記光吸収層を露出することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１４乃至１９のいずれか一項において、前記光吸収層を露出した後、前記光吸収層に接する第２の層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１４乃至１９のいずれか一項において、前記光吸収層を除去した後、前記第１の層に接する第２の層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項１３、２０、または２１のいずれか一項において、前記第２の層は、半導体層または導電層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
請求項１０乃至２２のいずれか一項において、前記第１の層は、半導体層または導電層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】
請求項１０乃至２３のいずれか一項において、前記透光性を有する層は、絶縁層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。