【手続補正書】
【提出日】平成22年3月10日(2010.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像表示装置及び電子放出素子
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電子放出素子を有する基板と蛍光体を有する面板とを有する画像表示装置であって、
前記電子放出素子は、下部電極、上部電極、および前記下部電極と前記上部電極との間に挟み込まれた第１の絶縁層を有し、前記下部電極と前記上部電極との間に電圧を印加することで前記上部電極側より電子を放出する薄膜電子源である画像表示装置において、
前記下部電極上には電子放出領域を規定する第１の絶縁層と前記第１の絶縁層より厚い、前記下部電極を酸化させた酸化膜からなる第２の絶縁層と、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との間に膜厚が連続的に変化する遷移領域とが形成されており、
前記下部電極は下部電極第１層と下部電極第２層の積層構造であり、前記下部電極第１層と前記下部電極第２層の積層境界が、前記第２の絶縁層中に含まれないことを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
複数の電子放出素子を有する基板と蛍光体を有する面板とを有する画像表示装置であって、
前記電子放出素子は、下部電極、上部電極、および前記下部電極と前記上部電極との間に挟み込まれた第１の絶縁層を有し、前記下部電極と前記上部電極との間に電圧を印加することで前記上部電極側より電子を放出する薄膜電子源である画像表示装置において、
前記下部電極は下部電極第１層と下部電極第２層の積層構造であり、 前記下部電極上には電子放出領域を規定する第１の絶縁層と前記第１の絶縁層より厚い第２の絶縁層と、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との間に膜厚が連続的に変化する遷移領域とが形成されており、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層は前記下部電極第２層を陽極酸化して形成された陽極酸化膜であり、
前記下部電極第１層と前記下部電極第２層の積層境界が、前記第２の絶縁膜中に含まれないことを特徴とする画像表示装置。
【請求項３】
前記下部電極第２層は、主構成元素と添加物元素を有する合金であり、前記主構成元素は陽極酸化可能な元素であることを特徴とする請求項１ないし２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記添加物元素の主構成元素に対する含有比率は、前記下部電極第１層中よりも前記第１の絶縁層中の方が小さいことを特徴とする請求項１ないし２に記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記下部電極第２層はアルミニウムの合金であることを特徴とする請求項１ないし請求項４に記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記下部電極第１層はアルミニウムとネオジムの合金であって、ネオジムの組成が１原子％以上であることを特徴とする請求項１ないし３に記載の画像表示装置。
【請求項７】
前記第１の絶縁層中に含まれるネオジムの濃度は、元の合金の主構成元素の２原子％未満であることを特徴とする請求項１ないし４に記載の画像表示装置。
【請求項８】
前記下部電極第１層および前記下部電極第２層はアルミニウムの合金であり、前記第１の絶縁層に含まれる元の合金の主構成元素に対するネオジム濃度は、前記下部電極第１層中のネオジム濃度の２分の１以下であることを特徴とする請求項１ないし５に記載の画像表示装置。
【請求項９】
前記第１の絶縁層はネオジムを含まないことを特徴とする請求項１ないし６に記載の画像表示装置。
【請求項１０】
前記第１の絶縁層はアルミニウムを陽極酸化した膜であることを特徴とする請求項１または請求項７に記載に画像表示装置。
【請求項１１】
前記下部電極第２層は、アルミニウムと添加物元素とを有する合金であり、前記添加物元素は、スカンジウム（Sc)、イットリウム（Y)、マグネシウム（Mg)、 ジルコニウム（Zr)のいずれかひとつまたは複数の組み合わせであることを特徴とする請求項１ないし５に記載の画像表示装置。
【請求項１２】
前記下部電極第２層は、アルミニウムと添加物元素とを有する合金であり、前記添加物元素は、タンタル（Ta)、チタン（Ｔｉ）のいずれかひとつまたは複数の組み合わせであることを特徴とする請求項１ないし５に記載の画像表示装置。
【請求項１３】
複数の電子放出素子を有する基板と蛍光体を有する面板とを有する画像表示装置であって、
前記電子放出素子は、下部電極、上部電極、および前記下部電極と前記上部電極との間に挟み込まれた第１の絶縁層を有し、前記下部電極と前記上部電極との間に電圧を印加することで前記上部電極側より電子を放出する薄膜電子源である画像表示装置において、
前記第１の絶縁層は前記下部電極を陽極酸化して形成された陽極酸化膜であり、
前記下部電極は単層であって、アルミニウムと添加物元素とを有する合金であり、前記添加物元素は、マグネシウム、イットリウム、スカンジウムのいずれかひとつまたは複数の組み合わせであることを特徴とする画像表示装置。
【請求項１４】
電子放出素子であって、
前記電子放出素子は、下部電極、上部電極、および前記下部電極と前記上部電極との間に挟み込まれた第１の絶縁層を有し、前記下部電極と前記上部電極との間に電圧を印加することで前記上部電極側より電子を放出する薄膜電子源である電子放出素子において、
前記下部電極は下部電極第１層と下部電極第２層の積層構造であり、 前記下部電極上には電子放出領域を規定する第１の絶縁層と前記第１の絶縁層より厚い第２の絶縁層と、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との間に膜厚が連続的に変化する遷移領域とが形成されており、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層は前記下部電極第２層を陽極酸化して形成された陽極酸化膜であり、
前記下部電極第１層と前記下部電極第２層の積層境界が、前記第２の絶縁膜中に含まれないことを特徴とする電子放出素子。
【請求項１５】
電子放出素子であって、
前記電子放出素子は、下部電極、上部電極、および前記下部電極と前記上部電極との間に挟み込まれた第１の絶縁層を有し、前記下部電極と前記上部電極との間に電圧を印加することで前記上部電極側より電子を放出する薄膜電子源である電子放出素子において、
前記下部電極は下部電極第１層と下部電極第２層の積層構造であり、 前記下部電極上には電子放出領域を規定する第１の絶縁層と前記第１の絶縁層より厚い第２の絶縁層と、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との間に膜厚が連続的に変化する遷移領域とが形成されており、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層は前記下部電極第２層を陽極酸化して形成された陽極酸化膜であり、
前記下部電極第１層と前記下部電極第２層の積層境界が、前記遷移領域と交差しないことを特徴とする電子放出素子。
【請求項１６】
前記下部電極第２層は、主構成元素と添加物元素を有する合金であり、前記主構成元素は陽極酸化可能な元素であることを特徴とする請求項１４ないし１５に記載の電子放出素子。
【請求項１７】
前記添加物元素の主構成元素に対する含有比率は、前記下部電極第１層中よりも前記第１の絶縁層中の方が小さいことを特徴とする請求項１４ないし１５に記載の電子放出素子。
【請求項１８】
前記下部電極第２層はアルミニウムの合金であることを特徴とする請求項１４ないし請求項１７に記載の電子放出素子。
【請求項１９】
前記下部電極第１層はアルミニウムとネオジムの合金であって、ネオジムの組成が１原子％以上であることを特徴とする請求項１４ないし１７に記載の電子放出素子。
【請求項２０】
前記第１の絶縁層中に含まれるネオジムの濃度は、元の合金の主構成元素の２原子％未満であることを特徴とする請求項１４ないし１７に記載の電子放出素子。
【請求項２１】
前記下部電極第１層および前記下部電極第２層はアルミニウムの合金であり、前記第１の絶縁層に含まれる元の合金の主構成元素に対するネオジム濃度は、前記下部電極第１層中のネオジム濃度の２分の１以下であることを特徴とする請求項１４ないし１７に記載の電子放出素子。
【請求項２２】
前記第１の絶縁層はネオジムを含まないことを特徴とする請求項１４ないし１８に記載の電子放出素子。
【請求項２３】
前記下部電極第２層は、アルミニウムと添加物元素とを有する合金であり、前記添加物元素は、スカンジウム（Sc)、イットリウム（Y)、マグネシウム（Mg)、 ジルコニウム（Zr)のいずれかひとつまたは複数の組み合わせであることを特徴とする請求項１４ないし１８に記載の電子放出素子。