【手続補正書】
【提出日】平成22年7月12日(2010.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の裏面側から光を照射し、前記光に応じて前記半導体基板内で発生した電荷を、前記半導体基板の表面側から読み出して撮像を行う裏面照射型撮像素子であって、
前記半導体基板の裏面上に形成された前記裏面側の素子を構成する裏面側素子構成層と、
前記半導体基板の表面上に形成された前記表面側の素子を構成する表面側素子構成層と、
前記表面側素子構成層上方に形成された支持基板と、
前記半導体基板と前記支持基板との間隔を均一にするためのスペーサであって、前記表面側素子構成層に一端が接触し、前記支持基板に他端が接触するスペーサと、
前記スペーサによって形成された前記表面側素子構成層と前記支持基板との間の空間の少なくとも一部に充填された接着材とを備え、
前記スペーサは、前記表面側素子構成層上又は前記支持基板上に成膜された材料をフォトリソグラフィ及びエッチングによってパターニングして形成されたものである裏面照射型撮像素子。
【請求項２】
請求項１記載の裏面照射型撮像素子であって、
前記表面側素子構成層表面には、前記スペーサと対応する位置に、前記半導体基板の表面からの距離が均一な面が存在し、
前記スペーサの一端が前記面に接触している裏面照射型撮像素子。
【請求項３】
請求項１又は２記載の裏面照射型撮像素子であって、
前記支持基板が前記裏面照射型撮像素子の実装基体である裏面照射型撮像素子。
【請求項４】
半導体基板の裏面側から光を照射し、前記光に応じて前記半導体基板内で発生した電荷を、前記半導体基板の表面側から読み出して撮像を行う裏面照射型撮像素子の製造方法であって、
前記半導体基板の表面上に、前記表面側の素子を構成する表面側素子構成層を形成する表面側素子構成層形成工程と、
前記半導体基板を支持するための支持基板を用意し、前記支持基板上の特定の位置に凸部のパターンを形成する凸部形成工程と、
前記凸部を前記表面側素子構成層に接触させた状態で、前記凸部によって形成された前記表面側素子構成層と前記支持基板との間の空間の少なくとも一部に接着材を充填して、前記半導体基板と前記支持基板を貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記支持基板と前記半導体基板を貼り合わせた状態で、前記半導体基板の裏面上に前記裏面側の素子を構成する裏面側素子構成層を形成する裏面側素子構成層形成工程とを備え、
前記凸部形成工程では、前記支持基板上に材料を成膜し、成膜した材料をフォトリソグラフィ及びエッチングによってパターニングして前記凸部を形成する裏面照射型撮像素子の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の裏面照射型撮像素子の製造方法であって、
前記表面側素子構成層形成工程では、前記特定の位置と対応する位置に前記半導体基板の表面からの距離が均一な面が形成されるように、前記表面側素子構成層を形成し、
前記貼り合わせ工程では、前記凸部を前記面に接触させた状態で接着材の充填を行う裏面照射型撮像素子の製造方法。
【請求項６】
半導体基板の裏面側から光を照射し、前記光に応じて前記半導体基板内で発生した電荷を、前記半導体基板の表面側から読み出して撮像を行う裏面照射型撮像素子の製造方法であって、
前記半導体基板の表面上に前記表面側の素子を構成する表面側素子構成層を形成する表面側素子構成層形成工程と、
前記表面側素子構成層上の特定の位置に凸部のパターンを形成する凸部形成工程と、
前記半導体基板を支持するための支持基板を用意し、前記支持基板に前記凸部を接触させた状態で、前記凸部によって形成された前記表面側素子構成層と前記支持基板との間の空間の少なくとも一部に接着材を充填して、前記半導体基板と前記支持基板を貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記支持基板と前記半導体基板を貼り合わせた状態で、前記半導体基板の裏面上に前記裏面側の素子を構成する裏面側素子構成層を形成する裏面側素子構成層形成工程とを備え、
前記凸部形成工程では、前記表面側素子構成層上に材料を成膜し、成膜した材料をフォトリソグラフィ及びエッチングによってパターニングして前記凸部を形成する裏面照射型撮像素子の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の裏面照射型撮像素子の製造方法であって、
前記表面側素子構成層形成工程では、前記特定の位置が前記半導体基板の表面からの距離が均一な面となるように前記表面側素子構成層を形成し、
前記凸部形成工程では前記面上に前記凸部のパターンを形成する裏面照射型撮像素子の製造方法。
【請求項８】
請求項６又は７記載の裏面照射型撮像素子の製造方法であって、
前記裏面側素子構成層形成工程の後、前記支持基板を前記接着材と共に前記表面側素子構成層から剥離する支持基板剥離工程と、
前記裏面照射型撮像素子の実装基体を用意し、前記実装基体に前記凸部を接触させた状態で、前記凸部によって形成された前記表面側素子構成層と前記実装基体との間の空間の少なくとも一部に接着材を充填して、前記半導体基板と前記実装基体を接着する工程とを備える裏面照射型撮像素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の裏面照射型撮像素子は、半導体基板の裏面側から光を照射し、前記光に応じて前記半導体基板内で発生した電荷を、前記半導体基板の表面側から読み出して撮像を行う裏面照射型撮像素子であって、前記半導体基板の裏面上に形成された前記裏面側の素子を構成する裏面側素子構成層と、前記半導体基板の表面上に形成された前記表面側の素子を構成する表面側素子構成層と、前記表面側素子構成層上方に形成された支持基板と、前記半導体基板と前記支持基板との間隔を均一にするためのスペーサであって、前記表面側素子構成層に一端が接触し、前記支持基板に他端が接触するスペーサと、前記スペーサによって形成された前記表面側素子構成層と前記支持基板との間の空間の少なくとも一部に充填された接着材とを備え、前記スペーサは、前記表面側素子構成層上又は前記支持基板上に成膜された材料をフォトリソグラフィ及びエッチングによってパターニングして形成されたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の裏面照射型撮像素子の製造方法は、半導体基板の裏面側から光を照射し、前記光に応じて前記半導体基板内で発生した電荷を、前記半導体基板の表面側から読み出して撮像を行う裏面照射型撮像素子の製造方法であって、前記半導体基板の表面上に、前記表面側の素子を構成する表面側素子構成層を形成する表面側素子構成層形成工程と、前記半導体基板を支持するための支持基板を用意し、前記支持基板上の特定の位置に凸部のパターンを形成する凸部形成工程と、前記凸部を前記表面側素子構成層に接触させた状態で、前記凸部によって形成された前記表面側素子構成層と前記支持基板との間の空間の少なくとも一部に接着材を充填して、前記半導体基板と前記支持基板を貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記支持基板と前記半導体基板を貼り合わせた状態で、前記半導体基板の裏面上に前記裏面側の素子を構成する裏面側素子構成層を形成する裏面側素子構成層形成工程とを備え、前記凸部形成工程では、前記支持基板上に材料を成膜し、成膜した材料をフォトリソグラフィ及びエッチングによってパターニングして前記凸部を形成する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の裏面照射型撮像素子の製造方法は、半導体基板の裏面側から光を照射し、前記光に応じて前記半導体基板内で発生した電荷を、前記半導体基板の表面側から読み出して撮像を行う裏面照射型撮像素子の製造方法であって、前記半導体基板の表面上に前記表面側の素子を構成する表面側素子構成層を形成する表面側素子構成層形成工程と、前記表面側素子構成層上の特定の位置に凸部のパターンを形成する凸部形成工程と、前記半導体基板を支持するための支持基板を用意し、前記支持基板に前記凸部を接触させた状態で、前記凸部によって形成された前記表面側素子構成層と前記支持基板との間の空間の少なくとも一部に接着材を充填して、前記半導体基板と前記支持基板を貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記支持基板と前記半導体基板を貼り合わせた状態で、前記半導体基板の裏面上に前記裏面側の素子を構成する裏面側素子構成層を形成する裏面側素子構成層形成工程とを備え、前記凸部形成工程では、前記表面側素子構成層上に材料を成膜し、成膜した材料をフォトリソグラフィ及びエッチングによってパターニングして前記凸部を形成する。