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【手続補正書】
【提出日】平成21年12月11日(2009.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シート搬送路に設けられ、前記シート搬送路を搬送されるシートの物性量を検出する物性量検出センサを備えた画像形成装置において、
前記物性量検出センサは、シート搬送路上の第１の検出位置にてシートの第１の物性量を検出し、前記シート搬送路上の前記第１の検出位置よりも下流の第２の検出位置にてシートの第２の物性量を検出することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記物性量検出センサを前記第１の検出位置及び前記第２の検出位置に移動可能とし、かつ前記物性量検出センサを前記第１の検出位置及び前記第２の検出位置に移動させる移動手段を備え、
前記移動手段により前記物性量検出センサを移動させ、前記シートが前記第１の検出位置に到達する前と、到達した後の前記物性量検出センサの出力に基づいて第１の物性量を検出し、シートが第２の検出位置に到達する前と、到達した後の前記物性量検出センサの出力に基づいて第２の物性量を検出することを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記物性量検出センサは、前記第１の検出位置にてシートの前記第１の物性量を検出するための第１の検出部と、前記第２の検出位置にてシートの前記第２の物性量を検出するための第２の検出部と、
前記第１の検出部からの信号に基づいて前記第１の物性量を示す信号を出力し、前記第２の検出部からの信号に基づいて前記第２の物性量を示す信号を出力する検出素子と、
前記第１の検出部及び前記第２の検出部のうち、前記検出素子に接続される検出部を切替える切替え手段と、を備え、
前記切替え手段により前記検出素子に接続される検出部を切替え、シートが前記第１の検出位置に達する前と、到達した後の前記第１の検出部の出力に基づいて出力される前記検出素子からの信号により第１の物性量を検出し、シートが前記第２の検出位置に達する前と、到達した後の前記第２の検出部の出力に基づいて出力される前記検出素子からの信号により第２の物性量を検出することを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記第１の物性量はシートの厚みであり、前記第２の物性量はシートに含まれる水分量であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記第１の検出位置は、接離可能なローラ対に対応した位置であり、前記第２の検出位置は、前記シート搬送路を構成する金属のガイド部材に対応した位置であり、
前記物性量検出センサは前記ローラ対を構成するローラのシート厚さ方向の移動に基づきシートの厚みを検出し、前記金属のガイド部材との間の誘電率の変化に基づきシートに含まれる水分量を検出することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月29日(2010.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体と、該本体に対し蓋体を開閉自在とするヒンジ機構において、前記本体にヒンジ部材を開閉自在に設け、該ヒンジ部材に前記蓋体をその軸部を介して回転自在に連結し、前記蓋体を反転して前記本体上に重ね合わせることを可能としたことを特徴とするヒンジ機構。
【請求項２】
前記本体の外周面に突設した両支持部に前記ヒンジ部材の両側壁を軸支したことを特徴とする請求項１に記載のヒンジ機構。
【請求項３】
前記ヒンジ部材の内壁に設けた溝部に前記蓋体の前記軸部を圧入したことを特徴とする請求項１又は２に記載のヒンジ機構。
【請求項４】
前記軸部の先端に設けたフランジ部を前記ヒンジ部材の内壁の内面側に位置させたことを特徴とする請求項１〜３の何れか1つの請求項に記載のヒンジ機構。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月17日(2009.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース（１１）と、ベース（１１）の略中央から下方に延出する閉塞部（２０）と、ベース（１１）の中央から所定の距離に設けられたフック部（３０）とを備え、
上端の大径開口と下端の小径開口を有する貯留筒と、貯留筒の上端部から側方に延出するつば（７２）とを備える貯留容器の大径開口を閉塞する液体材料貯留容器の閉蓋具であって、
フック部（３０）は、ベース（１１）から下方に延出される側方部材（３１）と、側方部材（３１）から閉塞部（２０）側へ延出されるつば保持爪（３４）と、つば保持爪（３４）が延出される側の側方部材（３１）の側面であるつば当接面（３３）とを含んで構成され、
挿着した閉蓋具を一の方向に回転するとつば保持爪（３４）とベース（１１）の間隙につば（７２）が侵入し、つば（７２）の側面とその進行方向にあるつば当接面（３３）とが当接して貯留容器に対する閉蓋具の回転が停止される停止位置となり、停止位置から一の方向と逆方向に回転することで閉蓋具が離脱されることを特徴とする液体材料貯留容器の閉蓋具。
【請求項２】
前記停止位置において、前記つば当接面（３３）と当接しない前記つば（７２）の側面が、前記側方部材（３１）により覆われていないことを特徴とする請求項１の液体材料貯留容器の閉蓋具。
【請求項３】
前記つば（７２）は、大径開口の中心について点対称に配設された一対のつば（７２）であり、
前記フック部（３０）が、閉塞部（２０）の中心点について点対称に配設される一対のフック部（３０）であることを特徴とする請求項１または２の液体材料貯留容器の閉蓋具。
【請求項４】
前記ベース（１１）は、つば当接面（３３）と略平行な部分を有する２辺であって、つば（７２）が露出するように構成された２辺を有することを特徴とする請求項３の液体材料貯留容器の閉蓋具。
【請求項５】
前記ベース（１１）は、つば当接面（３３）と直交する略平行な部分を有する２辺であって、つば（７２）が露出するように構成された２辺を有することを特徴とする請求項３または４の液体材料貯留容器の閉蓋具。
【請求項６】
前記側方部材（３１）のつば当接面（３３）と隣接する内側面は、ベース（１１）の底面から延出される傾斜面（３２）により構成され、
閉蓋具の回転時において、傾斜面（３２）がつば（７２）と当接し、閉蓋具と貯留容器を離間させる力を作用することを特徴とする請求項１ないし５のいずれかの液体材料貯留容器の閉蓋具。
【請求項７】
閉塞部（２０）は、その周面にシール面を有することを特徴とする請求項１ないし６のいずれかの液体材料貯留容器の閉蓋具。
【請求項８】
前記つば保持爪（３４）の上面に、貯留容器のつば（７２）の底面に形成された凹部と掛合する凸部である掛合部（３５）を有することを特徴とする請求項１ないし７のいずれかの液体材料貯留容器の閉蓋具。
【請求項９】
前記つば保持爪（３４）の上面に、貯留容器のつば（７２）の底面に形成された凸部と掛合する凹部である掛合部（３５）を有することを特徴とする請求項１ないし７のいずれかの液体材料貯留容器の閉蓋具。
【請求項１０】
前記掛合部（３５）が、溝または孔であることを特徴とする請求項９の液体材料貯留容器の閉蓋具。
【請求項１１】
請求項８ないし１０のいずれかの液体材料貯留容器の閉蓋具の掛合部（３５）と掛合する凹部または凸部をつば（７２）の下面に有する液体材料貯留容器。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月29日(2010.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）  1,1,1,3,3-ペンタフルオロプロパンを脱水素フッ素化することによって、cis-1,3,3,3-テトラフルオロプロペン、trans-1,3,3,3-テトラフルオロプロペン及びフッ化水素を含んでなる結果物を生成させ；
（ｂ）  所望により、工程（ａ）の結果物からフッ化水素を回収し；そして、
（ｃ）  trans-1,3,3,3-テトラフルオロプロペンを回収する；
ことを含んでなる、trans-1,3,3,3-テトラフルオロプロペンの生産方法。
【請求項２】
工程（ｂ）が行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
工程（ａ）または工程（ｂ）の結果物を蒸留し、そしてtrans-1,3,3,3-テトラフルオロプロペンを回収し、そして所望によりフッ化水素、cis-1,3,3,3-テトラフルオロプロペン及び1,1,1,3,3-ペンタフルオロプロパンのうちの１またはそれより多くを含んでなる残留物を回収することによって、工程（ｃ）を行う、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
cis-1,3,3,3-テトラフルオロプロペン及び1,1,1,3,3-ペンタフルオロプロパンのうちの少なくとも一つを残留物から回収し、回収したcis-1,3,3,3-テトラフルオロプロペン及び1,1,1,3,3-ペンタフルオロプロパンのうちの少なくとも一つを工程（ａ）に再利用する、次の工程をさらに含んでなる、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
（ａ）  1,1,1,3,3-ペンタフルオロプロパンを、気相反応にて脱水素フッ素化することにより、cis-1,3,3,3-テトラフルオロプロペン、trans-1,3,3,3-テトラフルオロプロペン及びフッ化水素を含んでなる結果物を生成させ；
（ｂ）  工程（ａ）の結果物からフッ化水素を回収し；そして、
（ｃ）  trans-1,3,3,3-テトラフルオロプロペンを回収する；
ことを含んでなる、trans-1,3,3,3-テトラフルオロプロペンを生産するための連続的で総合的な製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月26日(2010.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスを配置する方法であって、
位置測定装置を有する無人航空機を、投下地点へ移動させるステップと、
前記位置測定装置を用いて、前記無人航空機の位置を測定するステップと、
障害物について前記投下地点の評価を行うステップと、
前記障害物についての前記投下地点の前記評価に基づいて、前記無人航空機からデバイスを配備するステップと、
前記デバイスへ、前記無人航空機の位置を提供するステップと
を備える方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記デバイスを配備する前記ステップは、前記無人航空機が前記投下地点の上空でホバリングしている間に前記無人航空機から前記デバイスを投下するステップを含む、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、前記デバイスを配備する前記ステップは、前記無人航空機が着陸した後に前記無人航空機から前記デバイスを分離するステップを含む、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、前記投下地点を評価する前記ステップは、前記無人航空機を用いて、前記投下地点の画像を取得して、前記画像を、前記画像を評価できる遠隔地へ送信するステップを含む、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、前記デバイスを配備した後に前記デバイスを評価するステップを更に含む、方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法であって、前記デバイスを評価する前記ステップは、前記デバイスが地面に適切に配置されたことを検証するステップを含む、方法。
【請求項７】
請求項５に記載の方法であって、前記デバイスを評価する前記ステップは、前記デバイスの機能を検証するステップを含む、方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、前記デバイスを用いてデータを前記無人航空機へ送信するステップを更に含む、方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、前記無人航空機を用いて前記デバイスを再プログラミングするステップを更に含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月5日(2010.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エミッタ電極とコレクタ電極との間に、半導体層とシート状のベース電極が設けられたトランジスタ素子であって、少なくとも前記エミッタ電極と前記ベース電極との間又は前記コレクタ電極と前記ベース電極との間に暗電流抑制層が設けられていることを特徴とするトランジスタ素子。
【請求項２】
前記暗電流抑制層が、前記コレクタ電極と前記ベース電極との間に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のトランジスタ素子。
【請求項３】
前記暗電流抑制層と前記ベース電極とが隣接して設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載のトランジスタ素子。
【請求項４】
前記暗電流抑制層が、有機系絶縁層又は無機系絶縁層であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のトランジスタ素子。
【請求項５】
前記暗電流抑制層が、有機系半導体層又は無機系半導体層であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のトランジスタ素子。
【請求項６】
前記暗電流抑制層が、酸化ケイ素又は酸化アルミニウムで形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のトランジスタ素子。
【請求項７】
前記暗電流抑制層が、前記ベース電極の化学反応によって形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のトランジスタ素子。
【請求項８】
前記暗電流抑制層の厚さが、２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のトランジスタ素子。
【請求項９】
前記エミッタ電極と前記ベース電極との間又は前記コレクタ電極と前記ベース電極との間に設けられた半導体層が、有機化合物で形成されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のトランジスタ素子。
【請求項１０】
前記半導体層が結晶性の有機半導体層であり、前記ベース電極が厚さ４０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のトランジスタ素子。
【請求項１１】
前記有機半導体層の結晶粒径が、前記ベース電極の厚さ以上又は厚さ程度の大きさであって、前記ベース電極に凹凸形状を付与することができる大きさであることを特徴とする請求項１０に記載のトランジスタ素子。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれかに記載の有機トランジスタ素子をスイッチング素子として有することを特徴とする電子デバイス。
【請求項１３】
エミッタ電極とコレクタ電極との間に半導体層及びシート状のベース電極が設けられたトランジスタ素子の製造方法であって、
前記ベース電極を化学反応させることにより、少なくとも前記エミッタ電極と前記ベース電極との間又は前記コレクタ電極と前記ベース電極との間に暗電流抑制層を形成することを特徴とするトランジスタ素子の製造方法。
【請求項１４】
前記ベース電極を形成した後に当該ベース電極の一部を酸化させて前記暗電流抑制層を形成することを特徴とする請求項１３に記載のトランジスタ素子の製造方法。
【請求項１５】
前記ベース電極を形成した後に当該ベース電極を加熱処理して前記暗電流抑制層を形成することを特徴とする請求項１３に記載のトランジスタ素子の製造方法。
【請求項１６】
請求項１〜１１のいずれかに記載のトランジスタ素子のベース電極とコレクタ電極との間に有機ＥＬ層を有し、当該有機ＥＬ層が少なくとも発光層を１層以上含むことを特徴とする発光素子。
【請求項１７】
前記有機ＥＬ層が、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層及び電子注入層から選ばれる１又は２以上の層を有することを特徴とする請求項１６に記載の発光素子。
【請求項１８】
前記有機ＥＬ層が、励起子ブロック層を有することを特徴とする請求項１６又は１７に記載の発光素子。
【請求項１９】
請求項１６〜１８のいずれかに記載の発光素子が、基板上に形成されていることを特徴とするディスプレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月30日(2010.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置及び発光装置を用いた電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、第１の電極とを各画素に有し、
前記発光素子は、第２の電極と、第３の電極と、前記第２の電極及び前記第３の電極の間に設けられた電界発光層とを有し、
前記第２の電極は、絶縁膜に形成された第１の開口部において前記電界発光層を間に挟んで前記第３の電極と重なっており、
前記第１の電極は、前記絶縁膜に形成された第２の開口部において前記第３の電極と電気的に接続され、
前記第２の電極側から前記電界発光層から発せられる光が取り出されることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
発光素子と、第１の電極とを各画素に有し、
前記発光素子は、第２の電極と、第３の電極と、前記第２の電極及び前記第３の電極の間に設けられた電界発光層とを有し、
前記第２の電極は、絶縁膜に形成された第１の開口部において前記電界発光層を間に挟んで前記第３の電極と重なっており、
前記第１の電極は、前記絶縁膜に形成された第２の開口部において前記第３の電極と電気的に接続され、
前記第２の電極側及び前記第３の電極側から前記電界発光層から発せられる光が取り出されることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された第１の電極及び第２の電極と、
前記第１の電極の端部及び前記第２の電極の端部を覆うように形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜に形成された第１の開口部において前記第２の電極と接する電界発光層と、
前記第１の開口部において前記電界発光層と接し、かつ前記第２の絶縁膜に形成された第２の開口部において前記第１の電極と接する第３の電極とを有し、
前記第２の電極側から前記電界発光層から発せられる光が取り出されることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された第１の電極及び第２の電極と、
前記第１の電極の端部及び前記第２の電極の端部を覆うように形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜に形成された第１の開口部において前記第２の電極と接する電界発光層と、
前記第１の開口部において前記電界発光層と接し、かつ前記第２の絶縁膜に形成された第２の開口部において前記第１の電極と接する第３の電極とを有し、
前記第２の電極側及び前記第３の電極側から前記電界発光層から発せられる光が取り出されることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項３または４において、前記第１の絶縁膜は、感光性有機樹脂から形成されることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項５において、前記感光性有機樹脂は、クレゾール樹脂を含むことを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記第１の電極は、第１の配線と、前記第１の配線と別の層に形成された第２の配線とを介して第１の接続端子に電気的に接続され、前記第２の配線は抵抗の一端に電気的に接続され、前記抵抗の他端は第２の接続端子に電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一に記載の発光装置を用いた電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月12日(2010.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ発振器と、回折光学素子と、複数のマイクロミラーと、搬送ステージと、を有するレーザ照射装置であり、
前記レーザ発振器から射出されたレーザビームは、前記回折光学素子により、複数のレーザビームに分割され、前記複数のマイクロミラーの中央部又は中央部と隅の間に集光するように入射し、前記複数のマイクロミラーにより、前記搬送ステージに上に載置された被照射体に照射するように偏向されることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記回折光学素子は透過型回折光学素子又は反射型回折光学素子であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記回折光学素子は２値位相格子、多極位相格子、又は連続位相格子のいずれかであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記複数に分割されたレーザビームは、互いに等しいエネルギーを有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記回折光学素子と、前記搬送ステージとの間に配置された投影レンズを有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記集光されたレーザビームのスポットサイズは、前記マイクロミラーの表面積よりも小さいことを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項７】
レーザ発振器から射出したレーザビームを回折光学素子に入射して複数に分割し、
前記複数に分割されたレーザビームを複数のマイクロミラーにおいて、それぞれの中央部又は中央部と隅の間に集光するように入射させ、偏向して被照射体に照射することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記集光されたレーザビームは、前記マイクロミラーの表面積よりも小さいことを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項９】
レーザ発振器から射出したレーザビームを回折光学素子に入射して複数に分割し、
前記複数に分割されたレーザビームのうちの１つのレーザビームを第１のマイクロミラーにおいて、中央部又は中央部と隅の間に集光するように入射させて偏向し、前記レーザビームを被照射体上に照射し、
前記複数に分割されたレーザビームのうちの他の１つのレーザビームを第２のマイクロミラーにおいて、中央部又は中央部と隅の間に集光するように入射さて偏向し、前記レーザビームを被照射体上に照射することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１０】
請求項７又は請求項９において、
前記回折光学素子は透過型回折光学素子又は反射型回折光学素子であることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１１】
請求項７乃至請求項１１のいずれか一において、
前記複数に分割されたレーザビームは互いに等しいエネルギーを有することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１２】
請求項７乃至請求項１１のいずれか一において、
前記複数に分割されたレーザビームは、前記回折光学素子と、被照射体が載置された搬送ステージとの間に配置された投影レンズを通過した後、前記被照射体上に照射されることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１３】
基板上に複数の島状半導体層を形成し、
前記複数の島状半導体層上に第１の層間絶縁膜を形成し、
前記第１の層間絶縁膜を介して前記複数の島状半導体層上に、それぞれゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に第２の層間絶縁膜を形成し、
前記第２の層間絶縁膜上にレジストを設け、
回折光学素子を通過して複数に分割され、さらに複数のマイクロミラーの中央又は中央部と隅の間に集光するように入射させて偏向されたそれぞれのレーザビームを前記レジストに照射し、
前記レーザビームが照射された前記レジストを現像し、
前記レジストをマスクとして、前記第１の層間絶縁膜及び前記第２の層間絶縁膜をエッチングすることによって、選択的にコンタクトホールを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月11日(2010.2.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のメモリ素子と第２のメモリ素子を有するメモリセルを複数有し、
前記第１のメモリ素子と前記第２のメモリ素子は、共通の第１の電極、共通の第２の電極、及び前記第１の電極と前記第２の電極との間に共通の材料層を有し、
前記第１のメモリ素子と前記第２のメモリ素子の間には隔壁が設けられ、
前記第１のメモリ素子では、前記第１の電極の端部と、前記材料層と、前記第２の電極とが重なり、
前記第２のメモリ素子では、前記第１の電極の前記端部でない平坦な部分と、前記材料層と、前記第２の電極とが重なることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のメモリ素子と第２のメモリ素子を有するメモリセルを複数有し、
前記第１のメモリ素子と前記第２のメモリ素子は、第１の段差と第２の段差を有する共通の第１の電極、共通の第２の電極、及び前記第１の電極と前記第２の電極との間に共通の材料層を有し、
前記第１のメモリ素子と前記第２のメモリ素子の間には隔壁が設けられ、
前記メモリセルは多値情報を記憶することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１のメモリ素子と第２のメモリ素子を有するメモリセルを複数有し、
前記第１のメモリ素子と前記第２のメモリ素子は、第１の段差と第２の段差を有する共通の第１の電極、共通の第２の電極、及び前記第１の電極と前記第２の電極との間に共通の材料層を有し、
前記第１のメモリ素子と前記第２のメモリ素子の間には隔壁が設けられ、
前記第１のメモリ素子では、前記第１の電極の前記第１の段差と、前記材料層と、前記第２の電極とが重なり、
前記第２のメモリ素子では、前記第１の電極の前記第２の段差と、前記材料層と、前記第２の電極とが重なり、
前記メモリセルは多値情報を記憶することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１のメモリ素子と第２のメモリ素子を有するメモリセルを複数有し、
前記第１のメモリ素子と前記第２のメモリ素子は、第１の層と第２の層を含む積層構造を有する共通の第１の電極、共通の第２の電極、及び前記第１の電極と前記第２の電極との間に共通の材料層を有し、
前記第１のメモリ素子と前記第２のメモリ素子の間には隔壁が設けられ、
前記第１の層の端部と前記第２の層の端部は一致しない部分を有し、
前記メモリセルは多値情報を記憶することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
第１のメモリ素子と第２のメモリ素子を有するメモリセルを複数有し、
前記第１のメモリ素子と前記第２のメモリ素子は、第１の層と第２の層を含む積層構造を有する共通の第１の電極、共通の第２の電極、及び前記第１の電極と前記第２の電極との間に共通の材料層を有し、
前記第１のメモリ素子と前記第２のメモリ素子の間には隔壁が設けられ、
前記第１の層の端部と前記第２の層の端部は一致しない部分を有し、
前記第１のメモリ素子では、前記第１の電極の前記第１の層の端部と、前記材料層と、前記第２の電極とが重なり、
前記第２のメモリ素子では、前記第１の電極の前記第２の層の端部と、前記材料層と、前記第２の電極とが重なることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項２または請求項３において、前記第１の段差のテーパー角と前記第２の段差のテーパー角は異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項２、請求項３または請求項６において、前記第１の電極の平坦な部分と、前記材料層と、前記第２の電極とが重なる第３のメモリ素子を前記メモリセルが有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項４または請求項５において、前記第１の層の端部のテーパー角と前記第２の層のテーパー角は異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項４、請求項５または請求項８において、前記第１の電極の前記第１の層または前記第２の層の平坦な部分と、前記材料層と、前記第２の電極とが重なる第３のメモリ素子を前記メモリセルが有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、前記第１の電極は、薄膜トランジスタと電気的に接続していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０において、アンテナを有し、無線通信を行うことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月5日(2010.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
交流電圧用発光素子ユニットにおいて、
電気配線が形成されているサブマウントと、
複数の第１発光素子が前記サブマウント上に直列連結された第１発光素子アレイと、
複数の第２発光素子が前記サブマウント上にブリッジ回路で連結されたものであり、前
記第１発光素子アレイに連結された第２発光素子アレイと、
を備えることを特徴とする発光素子ユニット。
【請求項２】
前記第１発光素子及び前記第２発光素子は、発光チップから形成されたことを特徴とする請求項１に記載の発光素子ユニット。
【請求項３】
前記第２発光素子のブレークダウン電圧Ｖｂは、次の条件式を満足することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光素子ユニット。
【数１】
2007258690.tif 000001
ここで、Ｖｆは第２発光素子の順方向電圧を、Ｖｐは供給電圧の最大値を、ｎはブリッジ回路の１辺に配列される前記第２発光素子の数を表す。
【請求項４】
前記第１発光素子及び前記第２発光素子は、前記サブマウントにフリップチップで実装されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光素子ユニット。
【請求項５】
前記ブリッジ回路の１辺には、前記第２発光素子が一つで構成されるか、複数の前記第
２発光素子が直列に連結されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光素子ユニット。
【請求項６】
前記第１発光素子及び前記第２発光素子は、交流電圧の半分の周期の間、Ｖｆが当該第１発光素子及び前記第２発光素子の順方向電圧を、Ｖｐが供給電圧の最大値を表す時、ＶｐをＶｆで除した値よりも大きい数ほど発光されることを特徴とする請求項３〜５のいずれか一項に記載の発光素子ユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月22日(2009.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載のパワー半導体構成要素（１０）の製造方法であって、
半導体本体のエピタクシー法及び／又は拡散法及び構造化プロセスのすべてを実施するステップと、
パワー半導体構成要素（１０）の少なくとも１つの主面の少なくとも１つの第１の部分面を一次パッシベーション（２０、２４）するステップと、
前記主面の第２の部分面を金属化するステップであって、前記一次パッシベーション（２０、２４）の前又はその後にも実施されるステップと、
上記ステップに続き二次パッシベーションするステップであって、少なくとも１つの一次パッシベーション層（２０、２４）の少なくとも１つの覆われていない領域が、スクリーン印刷法によって、スクリーン印刷可能なポリイミド（３０、３２、３４）で覆われるステップと、
前記パワー半導体構成要素（１０）を絶縁化するステップと、
を特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上述のすべての加工段階は、ウエハ結合部において、個々のパワー半導体構成要素への個別化／絶縁化の前に行われることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
スクリーン印刷のプロセスステップに続きポリイミドのキュアプロセスを行うこと、さらにパワー半導体構成要素を絶縁化することが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
図１は、ウエハ結合部の平坦構造を有する第１の本発明によるパワー半導体構成要素１０を概略的に示している。第１半導体構成要素１０ａ及び第２のパワー半導体構成要素１０ｂの周辺領域がそれぞれ示され、ならびに線４０が示されおり、この線に沿って、すべての製造ステップ後に絶縁化が行われる。それぞれのパワー半導体構成要素１０の半導体本体は、第１の導電率の基体１２ならびに第２の導電率の拡散領域１４を備え、これによって、ｐｎ遷移が形成される。代替的に又は追加して、パワー半導体構成要素１０は、エピタクシー法によって製造された領域も備えることができ、これによって、本発明は限定されない。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図２は、ウエハ結合部の平坦構造を有する第２の本発明によるパワー半導体構成要素１０を概略的に示している。半導体本体は、図１と同様に形成される。この場合、一次パッシベーション層は、表面のｐｎ遷移ならびにポテンシャルリング１６を覆うが、絶縁化が実施される領域は覆わない。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
第１の部分金属化部５０ａは、第２の導電率の領域１４を覆い、再び電気接触層を形成する。第１の部分金属化部と好ましくは同一に形成される第２の部分金属化部５０ｂは、絶縁化が実施される領域を覆う。両方の部分金属化部５０ａ／ｂは、一次パッシベーション層２０のそれぞれ割り当てられた周辺領域を覆う。一次パッシベーション層２０のまだ覆われていない領域は、二次パッシベーション層としてスクリーン印刷されたポリイミド３０によって覆われる。３００℃超に加熱することによるスクリーン印刷プロセスに続く重合化プロセスによって、ポリイミドは凸状の表面を形成する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
一次パッシベーション層２４は、ここでは、鉛ガラス層として形成され、鉛ガラス層は、公知の方法によって、例えば分配ユニットによって、半導体本体の溝１８内に配置された。ここでは、本発明による二次パッシベーション層３４は、スクリーン印刷プロセスによって、一次パッシベーション層２４の上方の溝１８内に配置されるポリイミドから再び構成される。この場合、ポリイミドは、それぞれの溝１８をほとんど完全に充填する。このようなパワー半導体構成要素１０ｃ／ｄ／ｅの絶縁化は、再び線４０に沿って行われる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月9日(2010.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
このリアルタイムＰＣＲ装置２は、反応領域（ウェル）Ａ２ごとに蛍光検出部２５や加熱部２６や備えている点では、第１の実施形態と共通する。しかし、励起光Ｌ２をウェル基板２１の上方から照射して、反応領域Ａ２内を透過した蛍光Ｌ３を検出する点等で相違する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
リアルタイムＰＣＲ装置２では、光源２２から発せられる励起光Ｌ１が、励起光走査板２３によって反応領域Ａ２に導かれる。励起光走査板２３では、スペーサ２３１を励起光Ｌ１が通過し、反射膜２３２とフィルター２３３によりウェル基板２１に励起光Ｌ２が導入される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
そして、該励起光Ｌ２は、反応領域Ａ２内の反応液中のプローブの蛍光物質等に照射されることで蛍光Ｌ３を発する。この蛍光Ｌ３は、反応領域Ａ２の下方に設けられた蛍光検出部２５で検出・測定される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
また、温度制御は、反応領域Ａ２下方に設けられた加熱部２６により行われ、ペルチェ素子２８等によって定温制御することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2008278810.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月6日(2010.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定体と、該固定体に対して相対的に移動可能な可動体と、圧電素子を用いて構成され該可動体を移動させる振動型アクチュエータと、該圧電素子に給電することによって振動型アクチュエータを制御する制御部とを備えた駆動装置であって、
前記振動型アクチュエータは、前記可動体の移動方向に間隔を空けて２つ設けられ且つ前記可動体及び前記固定体のうちの一方に接触する駆動子を有すると共に、該可動体及び固定体のうちの他方に取り付けられており、
前記可動体及び固定体のうちの一方における前記駆動子が接触する面には、凹凸部が形成されており、
前記制御部は、前記駆動子の接触圧力の変化に基づいて前記可動体の位置を検出する駆動装置。
【請求項２】
前記凹凸部の周期は、前記駆動子の間隔よりも長い請求項１に記載の駆動装置。
【請求項３】
前記凹凸部の幅は、前記駆動子の間隔よりも狭い請求項１に記載の駆動装置。
【請求項４】
前記圧電素子は、少なくとも１つの圧電体と、該圧電体層を挟持するように設けられた第１及び第２電極とを有し、
前記第１電極は、前記２つの駆動子のうちの一方の駆動子に近接して設けられ、
前記第２電極は、前記２つの駆動子のうちの他方の駆動子に近接して設けられ、
前記制御部は、前記第１及び第２電極に流れる電流に基づいて、前記一方の駆動子の接触圧力と前記他方の駆動子の接触圧力との差を検出する請求項１に記載の駆動装置。
【請求項５】
固定体と、該固定体に対して相対的に移動可能な可動体と、圧電素子を用いて構成され該可動体を移動させる振動型アクチュエータと、該圧電素子に給電することによって振動型アクチュエータを制御する制御部とを備えた駆動装置であって、
前記振動型アクチュエータは、前記可動体及び前記固定体のうち一方に接触する駆動子を有すると共に、該可動体及び固定体のうち他方に取り付けられており、
前記可動体及び固定体のうちの一方における前記駆動子が接触する面には、凹凸部が形成されており、
前記凹凸部の配置又は形状は、該凹凸部が形成された面に沿った位置に応じて変化しており、
前記制御部は、前記駆動子の接触圧力の変化に基づいて前記可動体の位置を検出する駆動装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月6日(2010.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ＭｕｔＹＨ遺伝子に関連する多型、ＭｕｔＹＨ遺伝子の発現の異常、ＭｕｔＹＨタンパク質の存在量の異常、およびＭｕｔＹＨタンパク質の機能の異常からなる群から選択されるＭｕｔＹＨ関連指標を検出する工程を含む、肝細胞癌の罹患リスクまたは予後を判定する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月28日(2010.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下（A）〜（D）の工程を含む、タンパク質含有溶液の製造方法。
（A）細胞を培養する工程
（B）工程（A）で得られた細胞を破砕して、タンパク質および細胞破砕片を含有する細胞破砕液を調製する工程
（C）工程（B）で得られたタンパク質および細胞破砕片を含有する細胞破砕液に両性界面活性剤を添加する工程
（D）工程（C）で得られた両性界面活性剤を添加した細胞破砕液から細胞破砕片を除去する工程
【請求項２】
タンパク質がハロヒドリンエポキシダーゼである請求項１記載の方法。
【請求項３】
両性界面活性剤が、アルキルアミノ脂肪酸またはその塩、アルキルベタイン、アルキルアミンオキシドのいずれかである、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
両性界面活性剤が、アルキルジアミノエチルグリシンまたはその塩である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法により得られるタンパク質含有溶液またはそれに含まれるタンパク質。
【請求項６】
請求項５に記載のタンパク質含有溶液またはそれに含まれるタンパク質に、１，３−ジハロ−２−プロパノールを接触させることを含む、エピハロヒドリンの製造方法。
【請求項７】
請求項５に記載のタンパク質含有溶液またはそれに含まれるタンパク質に、シアン化合物存在下、１，３−ジハロ−２−プロパノールまたはエピハロヒドリンを接触させることを含む、４−ハロ−３−ヒドロキシブチロニトリルの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月28日(2010.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下（A）〜（D）の工程を含む、生細胞を含有しないタンパク質含有溶液の製造方法。
（A）細胞を培養する工程
（Ｂ）細胞を破砕する工程
（Ｃ）両性界面活性剤を添加する工程
（Ｄ）細胞破砕片を除去する工程
【請求項２】
タンパク質がハロヒドリンエポキシダーゼである請求項１記載の方法。
【請求項３】
両性界面活性剤が、アルキルアミノ脂肪酸またはその塩、アルキルベタイン、アルキルアミンオキシドのいずれかである、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
両性界面活性剤が、アルキルジアミノエチルグリシンまたはその塩である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法により得られる生細胞を含有しないタンパク質含有溶液またはそれに含まれるタンパク質。
【請求項６】
請求項５に記載の生細胞を含有しないタンパク質含有溶液またはそれに含まれるタンパク質に、１，３−ジハロ−２−プロパノールを接触させることを含む、エピハロヒドリンの製造方法。
【請求項７】
請求項５に記載の生細胞を含有しないタンパク質含有溶液またはそれに含まれるタンパク質に、シアン化合物存在下、１，３−ジハロ−２−プロパノールまたはエピハロヒドリンを接触させることを含む、４−ハロ−３−ヒドロキシブチロニトリルの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月18日(2010.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記開孔部の開孔面積は、前記流体管路の長手方向に直交する方向の断面積よりも大きく形成されていることを特徴とする請求項１、２又は３のうちいずれかに記載の内視鏡用挿入補助具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項４に記載の発明によれば、開孔部の開孔面積を、流体管路の長手方向に直交する方向の断面積よりも大きく形成したので、空気、液体の排出効率を向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月7日(2010.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検体の断層像から動脈領域を抽出する抽出ステップと、
抽出された動脈領域の形態的特徴量を算出する算出ステップと、
算出された形態的特徴量を表示する表示ステップと、
を備えることを特徴とする血管画像表示方法。
【請求項２】
被検体の断層像から動脈領域を抽出する抽出部と、
抽出された動脈領域の形態的特徴量を算出する算出部と、
算出された形態的特徴量を表示する表示部と、
を備えることを特徴とする血管画像表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載の血管画像表示装置において、
前記算出部は、前記被検体の体軸方向の位置毎の各断層像から抽出した動脈領域の前記形態的特徴量を算出し、
前記表示部は、前記形態的特徴量を動脈領域の長手方向にそって表示することを特徴とする血管画像表示装置。
【請求項４】
請求項２または３のいずれかに記載の血管画像表示装置において、
複数の断層像の中から気管支分岐部を有する断層像のスライス位置を基準位置と設定する設定部をさらに備え、
前記表示部は、第一の撮影時間で取得された第一の断層像群と第二の撮影時間で取得された第二の断層像群とを前記基準位置でそろえて、前記形態的特徴量を比較して表示することを特徴とする血管画像表示装置。
【請求項５】
請求項２に記載の血管画像表示装置において、
前記形態的特徴量は、動脈領域の断面積及び動脈領域を楕円近似した場合の長径と短径あるいは動脈領域の横の長さと縦の長さであって、
前記断面積が予め求められた基準断面積よりも大きく、かつ前記長径と前記短径あるいは前記横の長さと前記縦の長さが予め求められた基準値よりも大きければ、前記形態特徴量を有する動脈領域は異常として記録あるいは表示させる比較判定部をさらに備えることを特徴とする血管画像表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
フローＦ３では、フローＦ２で求めた動脈領域について、動脈４の属性値を算出する。属性値は、動脈瘤の有無やその様子を見るための動脈領域の形態的（幾何学的）特徴を示す数量化した指標であり、具体例としては、前述した以下の如きものがある。
イ、面積
ロ、楕円近似した場合の長径・短径
ハ、円形近似した場合の平均半径
ニ、横の長さ・縦の長さ
ホ、中心から脊髄骨までの最短距離
この４つの１つ又は２つ以上を求めてメモリ（記憶媒体）に記憶させる。図２では、ロ又はニとしてＸＬ，ＹＬ、ホとしてＲＬを示した。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月7日(2010.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線発生装置から被写体に照射する放射線の放射線量を、時間の経過とともに低下させる放射線量変更手段と、
前記放射線発生装置から前記被写体を介して検出された放射線に基づく放射線画像に対して画像補正処理を行う画像補正手段と、
前記放射線量変更手段による前記放射線量の低下に応じて、前記画像補正手段による前記画像補正処理に係わる画像補正量を上昇させる制御手段と
を有することを特徴とする放射線画像処理装置。
【請求項２】
前記放射線量変更手段は、前記放射線量を、予め定められた上限値から時間の経過とともに低下させる変更を行うものであり、
前記制御手段は、前記放射線量の低下に伴う変化量に応じて、前記画像補正量を上昇させる変更を行うことを特徴とする請求項１に記載の放射線画像処理装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記画像補正量を上昇させる変更を行う際に、段階的に変更することを特徴とする請求項２に記載の放射線画像処理装置。
【請求項４】
前記放射線量変更手段は、前記放射線量を時間の経過とともに低下させる際に、前記放射線量が予め定められた下限値に到達した場合には、前記放射線量を前記下限値で維持することを特徴とする請求項２又は３に記載の放射線画像処理装置。
【請求項５】
前記放射線量を既定の値に戻すための操作手段を更に有し、
前記放射線量変更手段は、前記操作手段が操作された場合に、前記放射線量を前記既定の値に戻す変更を行い、
前記制御手段は、前記放射線量の前記既定の値への変更に伴って、前記画像補正量を低下させる変更を行うことを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の放射線画像処理装置。
【請求項６】
前記放射線量変更手段は、前記操作手段が操作された場合に、前記放射線量を、前記予め定められた上限値に戻す変更を行うことを特徴とする請求項５に記載の放射線画像処理装置。
【請求項７】
前記放射線量変更手段は、前記操作手段が操作された場合に、当該操作手段の操作された条件により、前記放射線量を、前記予め定められた上限値よりも小さい値に戻す変更を行うことを特徴とする請求項５に記載の放射線画像処理装置。
【請求項８】
前記放射線量変更手段は、前記操作手段が操作された時点の前記放射線量を、前記放射線量の低下における下限値とすることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載の放射線画像処理装置。
【請求項９】
前記放射線量変更手段による前記放射線量の変更に係る上限値及び下限値を記録媒体に設定する設定手段を更に有することを特徴とする請求項１に記載の放射線画像処理装置。
【請求項１０】
時間の経過とともに、放射線発生装置から被写体に照射する放射線の放射線量を予め定められた下限値まで低下させる放射線量変更手段を有することを特徴とする放射線量制御装置。
【請求項１１】
前記放射線量を既定の値に戻すための操作手段を更に有し、
前記放射線量変更手段は、前記操作手段が操作された場合に、前記放射線量を、予め定められた上限値よりも小さい値に変更することを特徴とする請求項１０に記載の放射線量制御装置。
【請求項１２】
前記放射線量を既定の値に戻すための操作手段を更に有し、
前記放射線量変更手段は、前記操作手段が操作された場合に、前記放射線量を、予め定められた上限値に変更することを特徴とする請求項１０に記載の放射線量制御装置。
【請求項１３】
前記放射線量変更手段は、前記操作手段が操作された時点の前記放射線量を、前記放射線量の低下における下限値とすることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の放射線量制御装置。
【請求項１４】
コンピュータを、
放射線発生装置から被写体に照射する放射線の放射線量を、時間の経過とともに低下させる放射線量変更手段と、
前記放射線発生装置から前記被写体を介して検出された放射線に基づく放射線画像に対して画像補正処理を行う画像補正手段と、
前記放射線量変更手段による前記放射線量の低下に応じて、前記画像補正手段による前記画像補正処理に係る画像補正量を上昇させる制御手段と
を有する放射線画像処理装置の各手段として機能させるためのコンピュータプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】放射線画像処理装置、放射線量制御装置及びコンピュータプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、被写体に照射された放射線に基づく放射線画像の処理を行う放射線画像処理装置、放射線量制御装置及びコンピュータプログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の放射線画像処理装置は、放射線発生装置から被写体に照射する放射線の放射線量を、時間の経過とともに低下させる放射線量変更手段と、前記放射線発生装置から前記被写体を介して検出された放射線に基づく放射線画像に対して画像補正処理を行う画像補正手段と、前記放射線量変更手段による前記放射線量の低下に応じて、前記画像補正手段による前記画像補正処理に係わる画像補正量を上昇させる制御手段とを有する。