【手続補正書】
【提出日】平成22年6月3日(2010.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に２次元状に配された複数の光電変換素子からなる光電変換素子部と、
当該光電変換素子部から出力される信号を検出するための検出回路と、を備えた光電変換装置であって、
前記検出回路は、前記光電変換素子部の対向する２辺のうちの一方の辺に配置された複数の第１の集積回路と、前記光電変換素子部の対向する２辺のうちの他方の辺に配置された複数の第２の集積回路と、を含み、前記複数の第１及び第２の集積回路は、双方向の動作が可能な同じ構成の集積回路であり、
前記複数の第１の集積回路に第１の共通入力信号が入力され、前記複数の第２の集積回路に第２の共通入力信号が入力されることにより、前記複数の第１及び第２の集積回路が前記光電変換素子部から同一の方向で信号を検出するように、前記複数の第１及び第２の集積回路の動作方向を決定することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記集積回路はマルチプレクサを含み、前記検出回路の動作方向はマルチプレクサの切り換え順序により定められることを特徴とする請求項１記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記集積回路はシフトレジスタを含み、前記検出回路の動作方向は前記シフトレジスタのシフト方向により定められることを特徴とする請求項１又は２記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記集積回路はデコーダを含み、前記検出回路の動作方向は前記デコーダにアドレス情報を供給するコントローラにより定められることを特徴とする請求項１又は２記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記集積回路は、前記基板、当該基板を支持するマザーボード、及びフレキシブル配線基板のいずれかに実装されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記光電変換素子部の上部に蛍光体を有することを特徴とする請求項１から５のいずれか１項記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記光電変換素子は、第１の電極層、半導体層、及び第２の電極層を積層した素子であり、前記半導体層は非単結晶半導体層であることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記光電変換素子は、前記第１の電極層と前記半導体層との間に絶縁層を、前記半導体層と前記第２の電極層との間に第１導電型のキャリアの注入を阻止する半導体層を、更に有することを特徴とする請求項７に記載の光電変換装置。
【請求項９】
入射される放射線を受けて当該放射線に応じた電気信号を発生する変換素子が基板上に２次元状に複数配された変換素子部と、
当該変換素子部から出力される信号を検出するための検出回路と、を備えた放射線撮像装置であって、
前記検出回路は、前記変換素子部の対向する２辺のうちの一方の辺に配置された複数の第１の集積回路と、前記変換素子部の対向する２辺のうちの他方の辺に配置された複数の第２の集積回路と、を含み、前記複数の第１及び第２の集積回路は、双方向の動作が可能な同じ構成の集積回路であり、
前記複数の第１の集積回路に第１の共通入力信号が入力され、前記複数の第２の集積回路に第２の共通入力信号が入力されることにより、前記複数の第１及び第２の集積回路が前記変換素子部から同一の方向で信号を検出するように、前記複数の第１及び第２の集積回路の動作方向を決定することを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項１０】
前記集積回路はマルチプレクサを含み、前記検出回路の動作方向はマルチプレクサの切り換え順序により定められることを特徴とする請求項９記載の放射線撮像装置。
【請求項１１】
前記集積回路はシフトレジスタを含み、前記検出回路の動作方向は前記シフトレジスタのシフト方向により定められることを特徴とする請求項９又は１０記載の放射線撮像装置。
【請求項１２】
前記集積回路はデコーダを含み、前記検出回路の動作方向は前記デコーダにアドレス情報を供給するコントローラにより定められることを特徴とする請求項９又は１０記載の放射線撮像装置。
【請求項１３】
前記集積回路は、前記基板、当該基板を支持するマザーボード、及びフレキシブル配線基板のいずれかに実装されていることを特徴とする請求項９から１２のいずれか１項記載の放射線撮像装置。
【請求項１４】
前記変換素子は、前記放射線を可視光に変換する蛍光体と、前記可視光を前記電気信号に変換する光電変換素子と、を含むことを特徴とする請求項９から１３のいずれか１項記載の放射線撮像装置。
【請求項１５】
前記光電変換素子は、第１の電極層、半導体層、及び第２の電極層を積層した素子であり、前記半導体層は非単結晶半導体層であることを特徴とする請求項１４記載の放射線撮像装置。
【請求項１６】
前記光電変換素子は、前記第１の電極層と前記半導体層との間に絶縁層を、前記半導体層と前記第２の電極層との間に第１導電型のキャリアの注入を阻止する半導体層を、更に有することを特徴とする請求項１５記載の放射線撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
上記目的を達成するため、本発明に係る光電変換装置は、基板上に２次元状に配された複数の光電変換素子からなる光電変換素子部と、当該光電変換素子部から出力される信号を検出するための検出回路と、を備えた光電変換装置であって、前記検出回路は、前記光電変換素子部の対向する２辺のうちの一方の辺に配置された複数の第１の集積回路と、前記光電変換素子部の対向する２辺のうちの他方の辺に配置された複数の第２の集積回路と、を含み、前記複数の第１及び第２の集積回路は、双方向の動作が可能な同じ構成の集積回路であり、前記複数の第１の集積回路に第１の共通入力信号が入力され、前記複数の第２の集積回路に第２の共通入力信号が入力されることにより、前記複数の第１及び第２の集積回路が前記光電変換素子部から同一の方向で信号を検出するように、前記複数の第１及び第２の集積回路の動作方向を決定することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明に係る光電変換装置の他の態様は、前記集積回路はマルチプレクサを含み、前記検出回路の動作方向はマルチプレクサの切り換え順序により定められることを特徴とする。
また、本発明に係る光電変換装置のその他の態様は、前記集積回路はシフトレジスタを含み、前記検出回路の動作方向は前記シフトレジスタのシフト方向により定められることを特徴とする。
また、本発明に係る光電変換装置のその他の態様は、前記集積回路はデコーダを含み、前記検出回路の動作方向は前記デコーダにアドレス情報を供給するコントローラにより定められることを特徴とする。
また、本発明に係る光電変換装置のその他の態様は、前記集積回路は、前記基板、当該基板を支持するマザーボード、及びフレキシブル配線基板のいずれかに実装されていることを特徴とする。
また、本発明に係る光電変換装置のその他の態様は、前記光電変換素子部の上部に蛍光体を有することを特徴とする。
また、本発明に係る光電変換装置のその他の態様は、前記光電変換素子は、第１の電極層、半導体層、及び第２の電極層を積層した素子であり、前記半導体層は非単結晶半導体層であることを特徴とする。
また、本発明に係る光電変換装置のその他の態様は、前記光電変換素子は、前記第１の電極層と前記半導体層との間に絶縁層を、前記半導体層と前記第２の電極層との間に第１導電型のキャリアの注入を阻止する半導体層を、更に有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明に係る放射線撮像装置は、入射される放射線を受けて当該放射線に応じた電気信号を発生する変換素子が基板上に２次元状に複数配された変換素子部と、当該変換素子部から出力される信号を検出するための検出回路と、を備えた放射線撮像装置であって、前記検出回路は、前記変換素子部の対向する２辺のうちの一方の辺に配置された複数の第１の集積回路と、前記変換素子部の対向する２辺のうちの他方の辺に配置された複数の第２の集積回路と、を含み、前記複数の第１及び第２の集積回路は、双方向の動作が可能な同じ構成の集積回路であり、前記複数の第１の集積回路に第１の共通入力信号が入力され、前記複数の第２の集積回路に第２の共通入力信号が入力されることにより、前記複数の第１及び第２の集積回路が前記変換素子部から同一の方向で信号を検出するように、前記複数の第１及び第２の集積回路の動作方向を決定することを特徴とする。