【手続補正書】
【提出日】平成22年5月25日(2010.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に電子部品が実装されてなる半導体装置であって、
前記基板が半導体基板からなり、
前記半導体基板に形成された導電型の異なる第１、第２の領域からなる半導体素子と、
前記半導体基板を貫通する第１、第２の貫通電極と、
前記半導体基板上に形成された第１、第２の配線層と、
を有し、
前記電子部品の第１の電極が、前記第１の配線層を介して前記半導体素子の第１の領域と前記半導体基板の第１の貫通電極とに接続され、
前記電子部品の第２の電極が、前記第２の配線層を介して前記半導体素子の第２の領域と前記半導体基板の第２の貫通電極とに接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体基板は、Ｐ層と、該Ｐ層の一部に設けられたＮ層とからなり、
前記半導体素子の第１の領域が前記Ｎ層からなり、前記半導体素子の第２の領域が前記Ｐ層からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体素子は、前記電子部品に所定以上の電圧が印加されることを防止するツェナーダイオードであることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１、第２の配線層は、前記半導体基板の電子部品実装面側に絶縁層を介して形成され、前記絶縁層に形成された開口部を介して前記半導体素子の第１、第２の領域に接続されることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体基板は、シリコン基板であることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記電子部品は、光機能素子であることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記電子部品は、光透過性を有する光透過面を有する封止構造体により前記基板上に封止されていることを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の半導体装置。
【請求項８】
基板上に電子部品が実装されてなる半導体装置の製造方法であって、
前記基板を半導体基板により形成する工程と、
前記半導体基板に導電型の異なる第１、第２の領域からなる半導体素子を形成する工程と、
前記半導体基板を貫通する第１、第２の貫通電極を形成する工程と、
前記半導体基板上に前記半導体素子の第１の領域と前記第１の貫通電極とを接続する第１の配線層と、前記半導体素子の第２の領域と前記第２の貫通電極とを接続する第２の配線層とを形成する工程と、
前記半導体基板上に前記電子部品を搭載する工程と、
を有し、
前記電子部品の第１の電極が、前記第１の配線層を介して前記半導体素子の第１の領域と前記半導体基板の第１の貫通電極とに接続され、
前記電子部品の第２の電極は、前記第２の配線層を介して前記半導体素子の第２の領域と前記半導体基板の第２の貫通電極とに接続されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記半導体基板は、Ｐ層と、該Ｐ層の一部に設けられたＮ層とからなり、
前記半導体素子の第１の領域が前記Ｎ層からなり、前記半導体素子の第２の領域が前記Ｐ層からなることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１、第２の配線層は、前記半導体基板の電子部品実装面側に絶縁層を介して形成され、前記絶縁層に形成された開口部を介して前記半導体素子の第１、第２の領域に接続されることを特徴とする請求項８または９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記電子部品を光透過性を有する光透過部材により前記基板上に封止する工程を有することを特徴とする請求項８乃至１０の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
電子部品が実装される基板であって、
前記基板が半導体基板からなり、
前記半導体基板に形成された導電型の異なる第１、第２の領域からなる半導体素子と、
前記半導体基板を貫通する第１、第２の貫通電極と、
前記半導体基板上に形成された第１、第２の配線層と、
を有し、
前記第１の配線層が前記半導体素子の第１の領域と前記半導体基板の第１の貫通電極とを接続し、
前記第２の配線層が前記半導体素子の第２の領域と前記半導体基板の第２の貫通電極とを接続していることを特徴とする基板。
【請求項１３】
前記半導体基板は、Ｐ層と、該Ｐ層の一部に設けられたＮ層とからなり、
前記半導体素子の第１の領域が前記Ｎ層からなり、前記半導体素子の第２の領域が前記Ｐ層からなることを特徴とする請求項１２に記載の基板。
【請求項１４】
前記第１、第２の配線層は、前記半導体基板の電子部品実装面側に絶縁層を介して形成され、前記絶縁層に形成された開口部を介して前記半導体素子の第１、第２の領域に接続されることを特徴とする請求項１２または１３に記載の基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、基板に電子部品が実装されてなる半導体装置であって、
基板に電子部品が実装されてなる半導体装置であって、
前記基板が半導体基板からなり、
前記半導体基板に形成された導電型の異なる第１、第２の領域からなる半導体素子と、
前記半導体基板を貫通する第１、第２の貫通電極と、
前記半導体基板上に形成された第１、第２の配線層と、
を有し、
前記電子部品の第１の電極が、前記第１の配線層を介して前記半導体素子の第１の領域と前記半導体基板の第１の貫通電極とに接続され、
前記電子部品の第２の電極が、前記第２の配線層を介して前記半導体素子の第２の領域と前記半導体基板の第２の貫通電極とに接続されていることにより、上記課題を解決するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記半導体基板は、Ｐ層と、該Ｐ層の一部に設けられたＮ層とからなり、
前記半導体素子の第１の領域が前記Ｎ層からなり、前記半導体素子の第２の領域が前記Ｐ層からなることが望ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記第１、第２の配線層は、前記半導体基板の電子部品実装面側に絶縁層を介して形成され、前記絶縁層に形成された開口部を介して前記半導体素子の第１、第２の領域に接続されることが望ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明は、基板上に電子部品が実装されてなる半導体装置の製造方法であって、
前記基板を半導体基板により形成する工程と、
前記半導体基板に導電型の異なる第１、第２の領域からなる半導体素子を形成する工程と、
前記半導体基板を貫通する第１、第２の貫通電極を形成する工程と、
前記半導体基板上に前記半導体素子の第１の領域と前記第１の貫通電極とを接続する第１の配線層と、前記半導体素子の第２の領域と前記第２の貫通電極とを接続する第２の配線層とを形成する工程と、
前記半導体基板上に前記電子部品を搭載する工程と、
を有し、
前記電子部品の第１の電極が、前記第１の配線層を介して前記半導体素子の第１の領域と前記半導体基板の第１の貫通電極とに接続され、
前記電子部品の第２の電極は、前記第２の配線層を介して前記半導体素子の第２の領域と前記半導体基板の第２の貫通電極とに接続されることにより、上記課題を解決するものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明は、電子部品が実装される基板であって、
前記基板が半導体基板からなり、
前記半導体基板に形成された導電型の異なる第１、第２の領域からなる半導体素子と、
前記半導体基板を貫通する第１、第２の貫通電極と、
前記半導体基板上に形成された第１、第２の配線層と、
を有し、
前記第１の配線層が前記半導体素子の第１の領域と前記半導体基板の第１の貫通電極とを接続し、
前記第２の配線層が前記半導体素子の第２の領域と前記半導体基板の第２の貫通電極とを接続していることにより、上記課題を解決するものである。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明によれば、基板が半導体基板からなり、半導体基板に形成された導電型の異なる第１、第２の領域からなる半導体素子と、半導体基板を貫通する第１、第２の貫通電極と、半導体基板上に形成された第１、第２の配線層と、を有し、電子部品の第１の電極が、第１の配線層を介して半導体素子の第１の領域と半導体基板の第１の貫通電極とに接続され、電子部品の第２の電極が、第２の配線層を介して半導体素子の第２の領域と半導体基板の第２の貫通電極とに接続されているため、半導体素子を基板上に実装するように構成された従来のものよりも大幅に小型化及び省スペース化を図ることができる。