【手続補正書】
【提出日】平成22年3月2日(2010.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波信号の入力端子と、出力端子と、第１、第２、第３の端子と、Ｎ個（Ｎ≧１）のスイッチトランジスタと、Ｎ個（Ｎ≧１）の第１の抵抗と、Ｎ＋１個（Ｎ≧１）の第２の抵抗と、第１の容量と、第２の容量とを備え、
前記Ｎ個のスイッチトランジスタのゲートは、それぞれに対応した前記第１の抵抗を介して、前記第２の端子に接続され、
前記Ｎ個のスイッチトランジスタの基板は前記第３の端子に接続され、
前記Ｎ個のスイッチトランジスタは直列接続され、
前記Ｎ個のスイッチトランジスタの接続点は、それぞれ対応した第２の抵抗を介して前記第１の端子に接続され、
１番目のスイッチトランジスタのソースは、第１の容量を介して前記高周波信号の入力端子に接続され、
Ｎ番目のスイッチトランジスタのドレインは、第２の容量を介して前記高周波信号の出力端子に接続され、
前記第１の端子にはスイッチトランジスタのハイレベル又はローレベルの制御電位が印加され、
前記第２の端子には第１の固定電位が印加され、
前記第３の端子には第２の固定電位が印加されていることを特徴とする高周波スイッチ装置。
【請求項２】
高周波信号の入力端子と、出力端子と、第１、第２、第３の端子と、Ｎ個（Ｎ≧１）のスイッチトランジスタと、Ｎ個（Ｎ≧１）の第１の抵抗と、Ｎ＋１個（Ｎ≧１）の第２の抵抗と、第１の容量と、第２の容量とを備え、
前記Ｎ個のスイッチトランジスタのゲートは、それぞれに対応した前記第１の抵抗を介して、前記第２の端子に接続され、
前記Ｎ個のスイッチトランジスタの基板は前記第３の端子に接続され、
前記Ｎ個のスイッチトランジスタは直列接続され、
前記Ｎ個のスイッチトランジスタの接続点は、それぞれ対応した第２の抵抗を介して前記第１の端子に接続され、
１番目のスイッチトランジスタのソースは、第１の容量を介して前記高周波信号の入力端子に接続され、
Ｎ番目のスイッチトランジスタのドレインは、第２の容量を介して前記高周波信号の出力端子に接続され、
前記第１の端子と前記第３の端子にはスイッチトランジスタのハイレベル又はローレベルの制御電位が印加され、
前記第２の端子には第１の固定電位が印加されていることを特徴とする高周波スイッチ装置。
【請求項３】
請求項１ないし請求項２のいずれかに記載の高周波スイッチ装置において、スイッチトランジスタがデプレッションモードのｎ型ＦＥＴであることを特徴とする高周波スイッチ装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の高周波スイッチ装置において、
スイッチトランジスタを形成する半導体は、チャネル層より深い半導体層に伝導キャリアと逆の電荷を持つキャリアを生成する半導体層を備えるスイッチトランジスタであることを特徴とする高周波スイッチ装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の高周波スイッチ装置において、
前記スイッチトランジスタの制御電位は、ローレベルがグランド電位でありハイレベルが任意の正電位を印加してスイッチトランジスタのオン・オフ制御することを特徴とする高周波スイッチ装置。
【請求項６】
請求項５に記載の高周波スイッチ装置において、
前記スイッチトランジスタに印加される前記任意の正電位は第２の固定電位と同電位であることを特徴とする高周波スイッチ装置。
【請求項７】
請求項１に記載の高周波スイッチ装置において、第１固定電位および第２の固定電位はそれぞれ、グランド電位であることを特徴とする、
高周波スイッチ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
第１の発明の高周波スイッチ装置は、高周波信号の入力端子と、出力端子と、第１、第２、第３の端子と、Ｎ個（Ｎ≧１）のスイッチトランジスタと、Ｎ個（Ｎ≧１）の第１の抵抗と、Ｎ＋１個（Ｎ≧１）の第２の抵抗と、第１の容量と、第２の容量とを備え、
前記Ｎ個のスイッチトランジスタのゲートは、それぞれに対応した前記第１の抵抗を介して、前記第２の端子に接続され、
前記Ｎ個のスイッチトランジスタの基板は前記第３の端子に接続され、
前記Ｎ個のスイッチトランジスタは直列接続され、
前記Ｎ個のスイッチトランジスタの接続点は、それぞれ対応した第２の抵抗を介して前記第１の端子に接続され、１番目のスイッチトランジスタのソースは、第１の容量を介して前記高周波信号の入力端子に接続され、Ｎ番目のスイッチトランジスタのドレインは、第２の容量を介して前記高周波信号の出力端子に接続され、前記第１の端子にはスイッチトランジスタのハイレベル又はローレベルの制御電位が印加され、前記第２の端子には第１の固定電位が印加され、
前記第３の端子には第２の固定電位が印加されていることを特徴とする高周波スイッチ装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
第２の発明の高周波スイッチ装置は、高周波信号の入力端子と、出力端子と、第１、第２、第３の端子と、Ｎ個（Ｎ≧１）のスイッチトランジスタと、Ｎ個（Ｎ≧１）の第１の抵抗と、Ｎ＋１個（Ｎ≧１）の第２の抵抗と、第１の容量と、第２の容量とを備え、前記Ｎ個のスイッチトランジスタのゲートは、それぞれに対応した前記第１の抵抗を介して、前記第２の端子に接続され、前記Ｎ個のスイッチトランジスタの基板は前記第３の端子に接続され、前記Ｎ個のスイッチトランジスタは直列接続され、前記Ｎ個のスイッチトランジスタの接続点は、それぞれ対応した第２の抵抗を介して前記第１の端子に接続され、１番目のスイッチトランジスタのソースは、第１の容量を介して前記高周波信号の入力端子に接続され、Ｎ番目のスイッチトランジスタのドレインは、第２の容量を介して前記高周波信号の出力端子に接続され、前記第１の端子と前記第３の端子にはスイッチトランジスタのハイレベル又はローレベルの制御電位が印加され、前記第２の端子には第１の固定電位が印加されていることを特徴とする高周波スイッチ装置である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
第３の発明は、第１ないし第２の発明の高周波スイッチ装置において、特にスイッチトランジスタがデプレッションモードのｎ型ＦＥＴであることを特徴とする高周波スイッチ装置である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
第４の発明は、第１ないし第３の発明の高周波スイッチ装置において、スイッチトランジスタを形成する半導体は、チャネル層より深い半導体層に伝導キャリアと逆の電荷を持つキャリアを生成する半導体層を備えるスイッチトランジスタであることを特徴とする高周波スイッチ装置である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
第５の発明は、第１ないし第４の発明の高周波スイッチ装置において前記スイッチトランジスタの制御電位は、ローレベルがグランド電位でありハイレベルが任意の正電位を印加してスイッチトランジスタのオン・オフ制御することを特徴とする高周波スイッチ装置である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
第６の発明は、第５の発明の高周波スイッチ装置において、前記スイッチトランジスタに印加される前記任意の正電位は第２の固定電位と同電位であることを特徴とする高周波スイッチ装置である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
第７の発明は、第１の発明の高周波スイッチ装置において、第１固定電位および第２の固定電位はそれぞれ、グランド電位であることを特徴とする、高周波スイッチ装置である。