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【手続補正書】
【提出日】平成22年10月27日(2010.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メラミン樹脂とシリコーン変性エポキシ樹脂とを主成分とする熱硬化性樹脂と、導電性金属粉末と、酸性基を有しアミン価を有しない有機リン酸系界面活性剤とを含み、かつメラミン樹脂とシリコーン変性エポキシ樹脂の合計量に対するメラミン樹脂の割合が６０〜９５重量％であることを特徴とする熱硬化型導電性ペースト。
【請求項２】
１００℃以上１５０℃未満の硬化温度で用いられることを特徴とする、請求項１に記載の熱硬化型導電性ペースト。
【請求項３】
前記有機リン酸系界面活性剤の含有量が導電性金属粉末１００重量部に対して０.０５〜２.０重量部であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の熱硬化型導電性ペースト。
【請求項４】
メラミン樹脂とシリコーン変性エポキシ樹脂の合計量に対する前記メラミン樹脂の割合が６５〜８０重量％であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の熱硬化型導電性ペースト。
【請求項５】
更に脂肪酸アマイドを含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の熱硬化型導電性ペースト。
【請求項６】
前記導電性金属粉末として、銀及び／又は銅を含む金属粉末を含有することを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の熱硬化型導電性ペースト。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の熱硬化型導電性ペーストを硬化することにより形成された導電性被膜。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月22日(2010.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記加熱加圧段階では、前記基板を加圧し且つ前記基板の上で回転する回転体と、前記基板を介して前記接合部材を加熱する加熱装置と、を用い、前記回転体および前記加熱装置を前記接合部材に沿って走査させながら前記接合部材を部分的に加熱および加圧することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の気密容器の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記回転体が、透明体であることを特徴とする請求項４に記載の気密容器の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月31日(2010.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
社内向けＳａａＳ提供サーバと、前記社内向けＳａａＳサーバと連動する第１のデータサーバと、前記第１のサービス提供サーバを利用する第１の利用者端末と、前記社内向けＳａａＳ提供サーバと前記第１の利用者端末とを接続する第１のネットワークと、
社外向けＳａａＳ提供サーバと、前記社外向けＳａａＳ提供サーバと連動する第２のデータサーバと、前記第２のサービス提供サーバを利用する第２の利用者端末と、
前記社外向けＳａａＳ提供サーバと前記第２の利用者端末と前記第１のネットワークとを接続する第２のネットワークとからなり、前記社内向けＳａａＳ提供サーバ及び前記社外向けＳａａＳ提供サーバを利用して前記第１、第２の利用者端末へ同一のアプリケーション利用サービスを提供するサービス提供システムであって、
前記社内向けＳａａＳ提供サーバは、前記第１の利用者端末からのアクセスに対してアプリケーション利用サービスを提供し、かつ前記第１の利用者端末で作成又は編集された第１のデータ又は第１のファイルを、前記社内向けＳａａＳサーバ又は前記第１のデータサーバに保存する手段を備え、
前記社外向けＳａａＳ提供サーバは、前記第２の利用者端末からのアクセスに対してアプリケーション利用サービスを提供する手段を備え、
前記社内向けＳａａＳサーバは、
前記第１の利用者端末からの指示を受けて、前記社内向けＳａａＳサーバ側の前記第１のデータ又はファイルを、前記第１、第２のネットワークを通して、前記社外向けＳａａＳサーバ又は前記第２のデータサーバにファイルとしてコピーし得るように送信する手段を有し、前記第２の利用者端末から前記第１のデータ又はファイルをコピーした前記社外向けＳａａＳサーバ又は前記第２のデータサーバをアクセスすることにより前記第１のデータ又はファイルの利用を可能とすることを特徴とするサービス提供システム。
【請求項２】
請求項１記載のサービス提供システムにおいて、
前記社内向けＳａａＳ提供サーバが、前記第１のデータ又はファイルを送信するとき、該第１のデータ又はファイルに関する設定を行って送信することを特徴とするサービス提供システム。
【請求項３】
請求項１記載のサービス提供システムにおいて、
前記社外向けＳａａＳ提供サーバは、
設定された送り先メールアドレス宛てに、前記第１のデータ又はファイルの所在場所を指定するメールを前記第２のネットワークを通して送信する手段を備え、前記第２の利用者端末を使用して前記社外向けＳａａＳサーバをアクセスすることにより前記社内向けＳａａＳサーバ側から送信された前記第１のデータ又はファイルの閲覧、編集を可能とすることを特徴とするサービス提供システム。
【請求項４】
請求項３記載のサービス提供システムにおいて、
前記社外向けＳａａＳ提供サーバは、
前記社外向けＳａａＳサーバ又は前記第２のデータサーバにコピーされた前記第１のデータ又はファイルにアクセスするために、前記第１のデータ又はファイルにアクセス可能と設定されたメールアドレス宛てに、パスワードを送付し、前記第２の利用者端末を使用してメールアドレスとパスワードを用いて該当する第１のデータ又はファイルにアクセスすることができることを特徴とするサービス提供システム。
【請求項５】
請求項４記載のサービス提供システムにおいて、
前記社外向けＳａａＳ提供サーバ側にコピーされた前記第１のデータ又はファイルにアクセスするために、あらかじめ設定された内容に基づいてドメイン認証が行われることを特徴とするサービス提供システム。
【請求項６】
請求項４記載のサービス提供システムにおいて、
前記社外向けＳａａＳ提供サーバ又は前記第２のデータサーバにコピーされたデータ又はファイルには、あらかじめ公開レベルを設定してあることを特徴とするサービス提供システム。
【請求項７】
請求項１記載のサービス提供システムにおいて、
前記社外向けＳａａＳ提供サーバは、該サーバ又は該サーバと連動する前記第２のデータサーバにコピーされた前記第１のデータ又はファイルを、あらかじめ設定された保持期間に基づいて保存することを特徴とするサービス提供システム。
【請求項８】
請求項１記載のサービス提供システムにおいて、
前記社外向けＳａａＳ提供サーバは、該サーバ又は該サーバと連動する前記第２のデータサーバにコピーされた前記第１のデータ又はファイルに対し、あらかじめ設定されたアクセス権に基づいてアクセス制御することを特徴とするサービス提供システム。
【請求項９】
請求項１記載のサービス提供システムにおいて、
前記社外向けＳａａＳ提供サーバは、該サーバ又は該サーバと連動する前記第２のデータサーバにコピーされた前記第１のデータ又はファイルに対し、あらかじめ設定された操作制限に基づいて操作が制御することを特徴とするサービス提供システム。
【請求項１０】
請求項１記載のサービス提供システムにおいて、
前記社内向けＳａａＳ提供サーバと前記社外向けＳａａＳ提供サーバは、前記前記社外向けＳａａＳ提供サーバ側に送られた前記第１のデータ又はファイルが、編集可能な設定になっていた場合、それぞれ保存された同一データである元データと送信データについて、送信時に設定された内容に基づいて同期を取ることを特徴とするサービス提供システム。
【請求項１１】
請求項１０記載のサービス提供システムにおいて、
前記社内向けＳａａＳ提供サーバと前記社外向けＳａａＳ提供サーバは、元データ、送信データの双方向の同期として、元データ、送信データのどちらかに変更が加えられた場合、もう一方のデータに即座に変更を反映することを特徴とするサービス提供システム。
【請求項１２】
請求項１０記載のサービス提供システムにおいて、
前記社内向けＳａａＳ提供サーバと前記社外向けＳａａＳ提供サーバは、元データから送信データへの一方向の同期として、元データに変更が加えられた場合に、送信先のデータに即座に変更が反映され、送信先のデータに変更が加えられても、元データには変更を反映させないことを特徴とするサービス提供システム。
【請求項１３】
請求項１０記載のサービス提供システムにおいて、
前記社内向けＳａａＳ提供サーバと前記社外向けＳａａＳ提供サーバは、送信データから元データへの一方向の同期として、送信先のデータに変更が加えられた場合に、元データに即座に変更が反映され、元のデータに変更が加えられても、送信先のデータには変更を反映させないことを特徴とするサービス提供システム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月15日(2010.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ個（ｎは２以上の整数）の電池モジュールを直列に接続して構成されるバッテリと、  前記バッテリの各電池モジュールの電圧を検出する電圧検出回路と、
前記電圧検出回路で検出された各々の電池モジュールの電圧に基づいて前記バッテリの充放電を制御する電子制御装置と、を備える電源装置であって、
前記電圧検出回路は、
前記バッテリ中の所定の基準接続点と直列に接続された前記電池モジュールの接続点の夫々との相対電圧を検出する電圧検出部と、
前記電圧検出部が検出した相対電圧の夫々が、誤検出電圧と正常検出電圧のどちらであるかを判定する誤検出判定部と、
正常検出電圧と判定された相対電圧に基づいて各々の電池モジュールの電圧を算出する演算回路と、を備え、
対応する相対電圧が誤検出判定部によって誤検出電圧と判定された１つの接続点（以下、誤検出接続点という）があるとき、
前記演算回路は、前記ｎ個の電池モジュールのうち前記誤検出接続点のプラス側に配置される電池モジュールを挟んで隣接する接続点から検出される相対電圧と、前記ｎ個の電池モジュールのうち前記誤検出接続点のマイナス側に配置される電池モジュールを挟んで隣接する接続点から検出される相対電圧とに基づいて前記誤検出接続点におけるリカバリ電圧を算出し、前記誤検出接続点から検出された相対電圧を前記リカバリ電圧に置き換えて前記電池モジュールの電圧を算出する
ことを特徴とする電源装置。
【請求項２】
前記演算回路は、前記２つの接続点から検出される相対電圧の平均値を前記リカバリ電圧として算出する
ことを特徴とする請求項１に記載の電源装置。
【請求項３】
前記誤検出接続点があるとき、
前記演算回路は、前記リカバリ電圧を用いて前記電池モジュールの電圧を算出し、
且つ前記電圧検出回路は、前記電池モジュールの電圧に関する検出不良信号を前記電子制御装置に対して出力する
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電源装置。
【請求項４】
前記誤検出接続点があるとき、
前記演算回路は、前記誤検出接続点に接続された一対の電池モジュールの内、一方の電池モジュールの電圧を前記リカバリ電圧を用いて算出し、
且つ前記電圧検出回路は、他方の電池モジュールの電圧が検出不良であることを前記電子制御装置に伝達する
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電源装置。
【請求項５】
直列に接続された前記電池モジュールの中央に位置する前記接続点を、前記基準接続点としている
ことを特徴とする請求項１〜請求項４の何れかに記載の電源装置。
【請求項６】
前記電圧検出部は、入力側に各接続点が接続されたマルチプレクサを有し、該マルチプレクサの出力側に接続される前記接続点を順番に切り換えて各相対電圧を検出する
ことを特徴とする請求項１〜請求項５の何れかに記載の電源装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月30日(2010.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持枠と、前記支持枠に支持部を介して支持される可動部とを含むセンサ素子と、
前記センサ素子を保護する保護部材と、
少なくとも、前記センサ素子を封止する弾力性を有する第１樹脂封止層と、
前記第１樹脂封止層とは異なる材料から構成され、前記第１樹脂封止層を介して、前記センサ素子を封止する第２樹脂封止層とを備えることを特徴とする、半導体装置。
【請求項２】
支持枠と、前記支持枠に支持部を介して支持される可動部とを含むセンサ素子と、
前記センサ素子を覆う保護部材と、
前記センサ素子を封止する弾力を有する第１樹脂封止層と、
前記第１樹脂封止層とは異なる材料から構成され、前記第１樹脂封止層を介して、前記センサ素子を封止する第２樹脂封止層とを備えることを特徴とする、半導体装置。
【請求項３】
前記センサ素子と電気的に接続された半導体素子をさらに備え、
前記保護部材は、前記半導体素子から構成されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記可動部および前記支持部は、平面的に見て、前記支持枠の内側の領域に配置されており、
前記半導体素子は、前記センサ素子の上面上に、前記可動部および前記支持部を覆うようにフリップチップ実装されていることを特徴とする、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記センサ素子は、前記可動部の変位量に応じて加速度を検出する半導体加速度センサ素子であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記センサ素子の前記支持部には、ピエゾ抵抗素子が形成されていることを特徴とする、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記センサ素子が前記第２樹脂封止層で封止されることによって、ＱＦＮ型またはＢＧＡ型のパッケージ形態に構成されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記半導体装置はリードフレームを有することを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記半導体素子は制御回路素子であることを特徴とする、請求項３または４に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記リードフレームは、燐青銅または無炭素銅を含む銅またはその合金材料からなる金属板によって構成されていることを特徴とする、請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記リードフレームは、ダイパッドと、当該ダイパッドから分離されたリード端子とを含むことを特徴とする、請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記ダイパッド上には、接着層を介して、前記センサ素子が固定されていることを特徴とする、請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記接着層は、はんだ材または銀ペーストからなることを特徴とする、請求項１２に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記ダイパッドと前記センサ素子との間には、前記接着層によって、５０μｍ〜１００μｍの高さを有する隙間部が形成されていることを特徴とする、請求項１２または１３に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記接着層は、前記センサ素子の外周部の全周にわたって形成されていることを特徴とする、請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記可動部が前記支持枠の内側に配置されることを特徴とする、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記センサ素子の前記可動部は、前記支持部を介して前記支持枠に支持されたコア部と、平面的に見て、当該コア部に一体的に連結された付随部とを含むことを特徴とする、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記リード端子は、ボンディングワイヤを介して、前記センサ素子と電気的に接続されていることを特徴とする、請求項１〜１７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１９】
前記センサ素子は、３軸方向の加速度を検出可能な加速度センサ素子から構成されていることを特徴とする、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２０】
前記付随部と前記支持枠および前記支持部との間には、隙間が設けられていることを特徴とする、請求項１〜１９のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２１】
前記隙間は、付随部が支持枠または支持部と接触しない程度の大きさに構成されていることを特徴とする、請求項２０に記載の半導体装置。
【請求項２２】
前記制御回路素子は、前記センサ素子によって検出された電気信号を増幅・補正するとともに、加速度に比例した電圧として電気信号を出力する機能を有することを特徴とする、請求項９に記載の半導体装置。
【請求項２３】
前記制御回路素子は、前記センサ素子の開口よりも大きい平面積に構成されているとともに、主面の隅に突起電極が形成されていることを特徴とする、請求項９に記載の半導体装置。
【請求項２４】
前記突起電極は、Ａｕバンプからなることを特徴とする、請求項２３に記載の半導体装置。
【請求項２５】
前記突起電極と前記センサ素子の電極パッドとが電気的に接続するように、前記センサ素子の上面上に前記制御回路素子が固定されていることを特徴とする、請求項２４に記載の半導体装置。
【請求項２６】
前記制御回路素子は、前記支持枠の開口を覆うように、前記センサ素子の上面上に固定されていることを特徴とする、請求項９に記載の半導体装置。
【請求項２７】
前記センサ素子と前記制御回路素子との間には、前記突起電極によって、５０μｍの高さを有する隙間部が形成されていることを特徴とする、請求項２３〜２６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２８】
前記制御回路素子の外周部には、全周にわたって接着層が形成されていることを特徴とする、請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２９】
前記第１樹脂封止層は、弾力性を有する樹脂材料から構成されていることを特徴とする、請求項１〜２８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項３０】
前記第１樹脂封止層は、透明樹脂から構成されていることを特徴とする、請求項１〜２９のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項３１】
前記第１樹脂封止層は、ポッティングによって、前記ダイパッド上に、前記センサ素子および前記制御回路素子を封止するように形成されていることを特徴とする、請求項１１〜１４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項３２】
前記第２樹脂封止層は、前記第１樹脂封止層を介して前記センサ素子および前記制御回路素子を封止するように形成されていることを特徴とする、請求項１〜３１のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項３３】
前記半導体装置は、ＱＦＮ型またはＢＧＡ型のパッケージであることを特徴とする、請求項１〜３２のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項３４】
前記センサ素子が静電容量型の加速度センサ素子であることを特徴とする、請求項１〜３３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月26日(2010.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面上に配線層が形成されたフィルム基板と、
前記フィルム基板の前記主面上に搭載され、前記配線層と電気的に接続された半導体チップと、
前記フィルム基板の所定領域上に形成された金属層と、
前記フィルム基板の前記主面上に、少なくとも前記金属層を覆うように形成された絶縁樹脂層とを備え、
前記金属層が形成されている領域の少なくとも一部には、レーザ照射による刻印によって、製品情報が標印されていることを特徴とする、半導体装置。
【請求項２】
主面上に配線層が形成されたフィルム基板と、
前記フィルム基板の前記主面上に搭載され、前記配線層と電気的に接続された半導体チップと、
前記フィルム基板の所定領域上に形成された金属層と、
前記フィルム基板の前記主面上に、少なくとも前記金属層を覆うように形成された樹脂層とを備え、
前記金属層が形成されている領域の少なくとも一部に、レーザ照射による刻印を有することを特徴とする、半導体装置。
【請求項３】
配線層が形成されたフィルム基板と、
前記フィルム基板に搭載され、前記配線層と接続された半導体チップと、
前記フィルム基板に形成された金属層と、
前記フィルム基板に、前記金属層を覆うように形成された樹脂層とを備え、
前記金属層が形成されている領域の少なくとも一部に、レーザ照射による刻印を有することを特徴とする、半導体装置。
【請求項４】
前記金属層は、前記配線層と同一材料から構成されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記配線層および前記金属層は、それぞれ、銅層から構成されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記金属層と前記絶縁樹脂層ないし前記樹脂層との間には、錫メッキ層がさらに形成されていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記金属層は、前記フィルム基板の外周部の領域上に形成されていることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記フィルム基板は、ポリイミドフィルムを含むことを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記フィルム基板は、約４０μｍｎ厚みを有する基材部を含んでいることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記基材部の主面上に、配線リードを有することを特徴とする、請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記配線リードが８μｍの厚みを有することを特徴とする、請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記フィルム基板の一方の端部側および他方の端部側に、それぞれ、第１接続端子部および第２接続端子部を有することを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記第１接続端子部は、液晶表示素子と接続されることを特徴とする、請求項１２に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記第２接続端子部は、マザーボードと接続されることを特徴とする、請求項１３に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記金属層は、８μｍの厚みを有することを特徴とする、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記フィルム基板の主面上に、ソルダレジスト層が形成されていることを特徴とする、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記ソルダレジスト層は、実装領域および接続端子部が形成されている領域以外の領域上に形成されていることを特徴とする、請求項１６に記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記金属層は、前記ソルダレジスト層に覆われた状態となっていることを特徴とする、請求項１６または１７に記載の半導体装置。
【請求項１９】
前記半導体チップは、ドライバＩＣチップであることを特徴とする、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２０】
前記半導体チップは、前記基材部の実装領域上に、フリップチップ実装されていることを特徴とする、請求項１〜１９のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２１】
前記半導体チップの電極端子部に形成されたＡｕバンプが、インナーリード部上に位置するように、前記半導体チップが載置されることを特徴とする、請求項１〜２０のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２２】
前記半導体チップと前記フィルム基板との間には、エポキシ樹脂系のアンダーフィルが充填されていることを特徴とする、請求項１〜２１のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２３】
レーザ照射が照射された部分は、錫メッキ層または前記金属層が露出された状態であることを特徴とする、請求項１〜２２のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２４】
前記半導体装置は、ＣＯＦタイプまたはＴＣＰタイプの半導体装置であることを特徴とする、請求項１〜２３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２５】
前記フィルム基板は、ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、および、ポリエーテルフィルムのいずれかからなる基材部を含むことを特徴とする、請求項１〜２４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２６】
前記刻印は、前記金属層が形成されている領域の一部であることを特徴とする、請求項１〜２５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２７】
前記フィルム基板は、２層基板、両面基板、または、多層基板であることを特徴とする、請求項１〜２６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月26日(2010.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルム状の基材部と前記基材部上に形成された複数の配線層とを含むフィルム基板と、
複数の突起電極を含み、前記突起電極を介して前記配線層と電気的に接続された状態で前記フィルム基板上に実装される半導体チップと、
前記フィルム基板と前記半導体チップとの間に充填されるアンダーフィル樹脂層とを備え、
前記基材部は、前記半導体チップが実装される実装領域を有し、
少なくとも前記基材部における前記実装領域の表面が、表面処理によって粗化されていることを特徴とする、半導体装置。
【請求項２】
基材部と前記基材部上に形成された配線層とを含むフィルム基板と、
突起電極を含み、前記突起電極を介して前記配線層と電気的に接続された状態で前記フィルム基板上に実装される半導体チップと、
前記フィルム基板と前記半導体チップとの間に充填されるアンダーフィル樹脂層とを備え、
前記基材部は、前記半導体チップが実装される実装領域を有し、
少なくとも前記基材部における前記実装領域の表面が、前記実装領域以外の表面よりも粗いことを特徴とする、半導体装置。
【請求項３】
基材部と配線層とを含むフィルム基板と、
突起電極を介して前記フィルム基板上に実装される半導体チップと、
前記フィルム基板と前記半導体チップとの間に充填される樹脂層とを備え、
前記基材部は、前記半導体チップが実装される実装領域の表面が、前記実装領域以外よりも粗い表面を有することを特徴とする、半導体装置。
【請求項４】
前記基材部の前記実装領域を少なくとも露出させるように前記フィルム基板の上面上に形成された絶縁樹脂層をさらに備え、
前記基材部の前記実装領域の表面粗さは、前記基材部の前記絶縁樹脂層によって覆われている領域の表面粗さよりも大きいことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記基材部は、ポリイミドフィルムから構成されており、
前記アンダーフィル樹脂層ないし前記樹脂層は、エポキシ系樹脂層から構成されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記基材部の前記実装領域表面の算術平均粗さＲａは、７ｎｍ以上であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記基材部の前記実装領域表面の最大高さＲｍａｘは、７０ｎｍ以上であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記基材部の前記実装領域表面は、プラズマ処理または表面粗化処理液による表面処理によって粗化されていることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記表面粗化処理液は、ＫＭｎＯ４溶液であることを特徴とする、請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
少なくとも、前記半導体チップの前記フィルム基板と対向する表面は、表面処理によって粗化されていることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記半導体チップの表面は、プラズマ処理による表面処理によって粗化されていることを特徴とする、請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記フィルム基板は、４０μｍの厚みを有する前記基材部を含んでいることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記基材部の主面上には、８μｍの厚みを有する銅からなる配線リードが複数形成されていることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記基材部の中央部の領域には、前記半導体チップが実装される前記実装領域が設けられ、前記配線リードのインナーリード部は、前記実装領域内に配置されていることを特徴とする、請求項１３に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記配線リードの上面上に、錫メッキ層が形成されていることを特徴とする、請求項１３または１４に記載の半導体装置。
【請求項１６】
ソルダレジスト層が、前記実装領域、接続端子部の領域以外の領域上に形成されていることを特徴とする、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記突起電極と前記インナーリード部とが共晶結合されていることを特徴とする、請求項１４〜１６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記共晶結合が、金バンプと錫メッキ層とで形成されていることを特徴とする、請求項１７に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月28日(2010.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマに関与する複数の高周波電源を備え、処理容器内の被処理体に対してプラズマにより処理するプラズマ処理装置において、
前記複数の高周波電源の各々は、高周波を発振する発振器と、外部と通信するための通信部と、この通信部により停止信号を受信したときに発振器の出力を停止する出力停止部と、を備え、
前記複数の高周波電源のうちの少なくとも一つの高周波電源の出力停止部は、当該高周波電源の発振器から出力される高周波の異常を検出したときに当該発振器の出力を停止すると共に前記通信部に停止信号を出力する監視部により構成され、
前記少なくとも一つの高周波電源の通信部と他の高周波電源の通信部とは、前記監視部からの停止信号を他の高周波電源に直接送信することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記少なくとも一つの高周波電源の監視部により検出される高周波の異常は、反射波の異常であることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記少なくとも一つの高周波電源の通信部と他の高周波電源の通信部とは前記停止信号を直接送信するための通信路により互いに接続されていることを特徴とする請求項１または２記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記処理容器内に基板が載置される下部電極と上部電極とが対向して設けられ、
前記下部電極及び上部電極のいずれか一方に接続されるプラズマ発生用の高周波電源と、  前記下部電極に接続され、前記プラズマ発生用の高周波電源よりも周波数が低いバイアス印加用の高周波電源と、を含み、
前記少なくとも一つの高周波電源は、前記バイアス印加用の高周波電源であり、前記他の高周波電源は、前記プラズマ発生用の高周波電源を含み、
バイアス印加用の高周波電源の通信部からプラズマ発生用の高周波電源の通信部へ停止信号が直接送信されることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記出力停止部によりバイアス印加用の高周波電源の発振器及びプラズマ発生用の高周波電源の発振器の出力が停止した後、バイアス印加用の高周波電源の発振器、プラズマ発生用の高周波電源の発振器の順に、自動的にその出力が復帰することを特徴とする請求項４記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記プラズマ発生用の高周波電源の出力停止部は、当該高周波電源の発振器から出力される高周波の異常を検出したときに当該発振器の出力を停止する監視部により構成されていることを特徴とする請求項４または５記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記プラズマ発生用の高周波電源の監視部により検出される高周波の異常は、反射波の異常であることを特徴とする請求項６記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記高周波の異常によるプラズマ発生用の高周波電源の発振器の出力が停止した場合、バイアス側の高周波電源の通信部に停止信号を送信する装置コントローラが設けられていることを特徴とする請求項６または７記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記他の高周波電源の出力停止部は、当該高周波電源の発振器から出力される高周波の異常を検出したときに当該発振器の出力を停止する監視部により構成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
前記他の高周波電源の監視部により検出される高周波の異常は、反射波の異常であることを特徴とする請求項９記載のプラズマ処理装置。
【請求項１１】
前記発振器の出力の停止は、発振器を停止することであることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１２】
プラズマに関与する複数の高周波電源を用い、処理容器内の被処理体に対してプラズマにより処理するプラズマ処理方法において、
前記複数の高周波電源のうちの少なくとも一つの高周波電源に設けられた監視部により当該高周波電源の発振器から出力される高周波の異常を検出したときに前記監視部により当該発振器の出力を停止すると共に他の高周波電源のための停止信号を当該高周波電源に含まれる通信部に出力する工程と、
前記停止信号を、前記一つの高周波電源の通信部から他の高周波電源の通信部に直接送信する工程と、
前記他の高周波電源の通信部が前記停止信号を受信したときに、当該高周波電源に設けられた出力停止部により当該高周波電源の発振器の出力を停止する工程と、を含むことを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項１３】
基板に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置に用いられ、コンピュータ上で動作するコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項１２に記載のプラズマ処理方法を実施するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月2日(2010.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１上面、前記第１上面に形成された複数の第１上面導電パッド、前記第１上面とは反対側の第１下面、前記第１下面に形成された複数の第１下面導電パッド、および前記第１下面に形成された複数のテスト用導電パッドを有する第１配線基板と、
前記第１上面に搭載された第１半導体チップと、
第２上面、複数の第２上面導電パッド、前記第２上面とは反対側の第２下面、および複数の第２下面導電パッドを有し、前記第２下面が前記第１上面と対向するように前記第１配線基板上に積層された第２配線基板と、
前記第２上面に搭載された第２半導体チップと、
前記複数の第１下面導電パッドとそれぞれ電気的に接続された複数のバンプ電極と、
を含み、
前記複数のテスト用導電パッドは、前記複数の第１上面導電パッドとそれぞれ電気的に接続されており、
前記複数の第２下面導電パッドは、前記複数の第１上面導電パッドとそれぞれ電気的に接続されており、
前記複数の第２上面導電パッドは、前記複数の第２下面導電パッドとそれぞれ電気的に接続されており、
前記複数の第１上面導電パッドは、平面視において前記半導体チップの周囲に配置され、かつ、平面視において前記半導体チップよりも前記第１上面の周縁部側に配置されており、
前記複数のテスト用導電パッドは、平面視において前記複数の第１下面導電パッドの周囲に配置され、かつ、平面視において前記複数の第１下面導電パッドよりも前記第１下面の周縁部側に配置されており、
前記複数のバンプ電極は、前記複数のテスト用導電パッドとそれぞれ電気的に接続されていないことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１配線基板は、ビルドアップ工法によって製造されたものであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１配線基板の絶縁層は、繊維に樹脂を含浸させたプリプレグによって構成されていることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１配線基板の平面形状は、矩形状からなり、
前記第１半導体チップは、前記第１配線基板の前記第１上面に形成された複数の第３上面導電パッド上にフリップチップ実装されており、
前記複数の第３上面導電パッドは、前記第１配線基板の辺と平行な方向に沿って２列に配置され、かつ内側の列の第３上面導電パッドと外側の列の第３上面導電パッドは、千鳥状に配置されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１配線基板の前記第１下面に形成された前記複数のテスト用導電パッドは、前記外側の列の第３上面導電パッドに電気的に接続されていることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１配線基板の前記第１下面に形成された前記複数のテスト用導電パッドの一部は、一端が前記外側の列の第３上面導電パッドよりも外側に延在する内層配線を介して前記内側の列の第３上面導電パッドに電気的に接続されていることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項７】
前記複数のテスト用導電パッドに電気的に接続された前記外側の列の第３上面導電パッドは、前記第１配線基板の前記第１上面のコーナー部およびその近傍に配置されていることを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１配線基板は、電源プレーン層を構成する内層配線と、ＧＮＤプレーン層を構成する内層配線とを含む多層配線基板であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本願発明は、第１上面、前記第１上面に形成された複数の第１上面導電パッド、前記第１上面とは反対側の第１下面、前記第１下面に形成された複数の第１下面導電パッド、および前記第１下面に形成された複数のテスト用導電パッドを有する第１配線基板と、
前記第１上面に搭載された第１半導体チップと、
第２上面、複数の第２上面導電パッド、前記第２上面とは反対側の第２下面、および複数の第２下面導電パッドを有し、前記第２下面が前記第１上面と対向するように前記第１配線基板上に積層された第２配線基板と、
前記第２上面に搭載された第２半導体チップと、
前記複数の第１下面導電パッドとそれぞれ電気的に接続された複数のバンプ電極と、
を含み、
前記複数のテスト用導電パッドは、前記複数の第１上面導電パッドとそれぞれ電気的に接続されており、
前記複数の第２下面導電パッドは、前記複数の第１上面導電パッドとそれぞれ電気的に接続されており、
前記複数の第２上面導電パッドは、前記複数の第２下面導電パッドとそれぞれ電気的に接続されており、
前記複数の第１上面導電パッドは、平面視において前記半導体チップの周囲に配置され、かつ、平面視において前記半導体チップよりも前記第１上面の周縁部側に配置されており、
前記複数のテスト用導電パッドは、平面視において前記複数の第１下面導電パッドの周囲に配置され、かつ、平面視において前記複数の第１下面導電パッドよりも前記第１下面の周縁部側に配置されており、
前記複数のバンプ電極は、前記複数のテスト用導電パッドとそれぞれ電気的に接続されていないものである。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月1日(2010.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
あるクラスに識別対象が属するか否かを識別する識別処理の設定方法であって、
前記クラスに属するサンプルと、前記クラスに属しないサンプルとを抽出する抽出ステップと、
抽出された複数の前記サンプルを表示部に並べて表示すると共に、前記クラスに属するサンプルと、前記クラスに属しないサンプルとの間にマークを表示し、ユーザの指示に応じて前記マークの位置を移動することによって、別の前記サンプルと前記サンプルとの間に前記マークを表示する表示ステップと、
前記ユーザの決定した前記マークの位置に応じて、前記識別処理の設定を変更する設定変更ステップと
を備えることを特徴とする設定方法。
【請求項２】
次の（ａ）及び（ｂ）のいずれかを特徴とする請求項１に記載の設定方法。
（ａ）前記設定変更ステップでは、
前記マークと前記クラスに属しないサンプルとの間に前記クラスに属するサンプルが位置する状態で、前記マークの位置が決定された場合、前記マークと前記クラスに属しないサンプルとの間の前記クラスに属するサンプルが、前記クラスに属さないものと属性情報が変更され、
前記マークと前記クラスに属するサンプルとの間に前記クラスに属しないサンプルが位置する状態で、前記マークの位置が決定された場合、前記マークと前記クラスに属するサンプルとの間の前記クラスに属しないサンプルが、前記クラスに属するものと属性情報が変更され、
変更後の前記属性情報に基づいて再学習が行われ、再学習の結果に応じて前記識別処理の設定が変更される。
（ｂ）予め複数の識別処理が用意されており、
前記設定変更ステップでは、複数の識別処理の中から、前記ユーザの決定した前記マークの位置に応じた識別処理が選択される。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の設定方法であって、
前記識別処理は、空間を分離する超平面に基づいて前記識別対象が前記クラスに属するか否かを識別するものであり、
前記抽出ステップにおいて、前記超平面の法線に前記サンプルを投影し、前記法線上に投影された前記サンプルの位置に基づいて、抽出すべきサンプルを決定する
ことを特徴とする設定方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の設定方法であって、
前記識別処理は、前記識別対象を評価する評価関数の値と、所定の閾値とを比較し、比較結果に基づいて前記識別対象が前記クラスに属するか否かを識別するものであり、
前記設定変更ステップでは、前記評価関数を変更する
ことを特徴とする設定方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の設定方法であって、
前記識別処理は、前記識別対象を評価する評価関数の値と、所定の閾値とを比較し、比較結果に基づいて前記識別対象が前記クラスに属するか否かを識別するものであり、
前記設定変更ステップでは、前記閾値を変更する
ことを特徴とする設定方法。
【請求項６】
あるクラスに識別対象が属するか否かを識別する識別処理を行う識別方法であって、
前記クラスに属するサンプルと、前記クラスに属しないサンプルとを抽出する抽出ステップと、
抽出された複数の前記サンプルを表示部に並べて表示すると共に、前記クラスに属するサンプルと、前記クラスに属しないサンプルとの間にマークを表示し、ユーザの指示に応じて前記マークの位置を移動することによって、別の前記サンプルと前記サンプルとの間に前記マークを表示する表示ステップと、
前記ユーザの決定した前記マークの位置に応じて、前記識別処理の設定を変更する設定変更ステップと、
設定の変更された前記識別処理によって、前記識別対象が前記クラスに属するか否かを識別する識別ステップと
を備えることを特徴とする識別方法。
【請求項７】
あるクラスに識別対象が属するか否かを識別する識別処理を行う識別装置に、
前記クラスに属するサンプルと、前記クラスに属しないサンプルとを抽出させ、
抽出された複数の前記サンプルを表示部に並べて表示させる共に、前記クラスに属するサンプルと、前記クラスに属しないサンプルとの間にマークを表示させ、ユーザの指示に応じて前記マークの位置を移動することによって、別の前記サンプルと前記サンプルとの間に前記マークを表示させ、
前記ユーザの決定した前記マークの位置に応じて、前記識別処理の設定を変更させる
ことを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月9日(2010.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インターネット上の仮想店で二酸化炭素排出量削減装置を購入した複数の購入者に対するサービス方法であって、
インターネット上の仮想店で二酸化炭素排出量削減装置を購入した複数の購入者の自家消費電力量に基づく二酸化炭素排出量の情報と、前記二酸化炭素排出量削減装置による二酸化炭素の削減量の情報と、少なくとも前記二酸化炭素排出量と前記削減量とに基づいて算定される各前記購入者の環境貢献度を少なくとも各前記購入者に知らせる報知ステップを有し、
前記報知ステップは、
前記インターネットに接続されたサーバが、前記二酸化炭素排出量削減装置による二酸化炭素の削減量の現在値、トレンド値、累積値を含む情報を前記インターネットのＷｅｂページ上に表示するステップと、
前記サーバが、各前記購入者の二酸化炭素排出量の現在値、トレンド値、累積値を含む情報を前記インターネットのＷｅｂページ上に表示するステップと、
前記サーバが、各前記購入者の環境貢献度の情報を前記インターネットのＷｅｂページ上に表示するステップと、
前記サーバが、各前記購入者の環境貢献度に基づいて全購入者の中での各前記購入者の順位を求めてインターネットのＷｅｂページ上に表示するステップとを有することを特徴とするサービス方法。
【請求項２】
請求項１記載のサービス方法において、さらに、
前記インターネット上の前記仮想店で前記二酸化炭素排出量削減装置を購入した前記複数の購入者について、前記二酸化炭素排出量削減装置の仮想的共有の登録を行う登録ステップを有し、
前記登録ステップは、
前記インターネットに接続された前記サーバが、提供スペースに設置できる前記二酸化炭素排出量削減装置の販売価格を小口化し、小口単位の販売条件を前記インターネットを介して提供するステップと、
提供された前記販売条件に基づいて前記複数の購入者が端末から入力した購入者氏名、購入価格、所有期間を含む購入情報を、前記サーバが取得するステップと、
前記サーバが、取得した前記購入情報を購入者データベースに登録するステップと、
前記サーバが、前記購入情報に基づいて購入価格の請求書を発行し、前記複数の購入者に対し、それぞれ対応する請求書を前記インターネットを介して通知するステップとを有することを特徴とするサービス方法。
【請求項３】
請求項２記載のサービス方法において、さらに、
前記インターネット上の前記仮想店で前記二酸化炭素排出量削減装置を購入した前記複数の購入者の自家消費電力量を測定して各前記購入者の消費電力プロファイルを作成し、各前記購入者に対して、それぞれ消費電力プロファイルに応じた省エネルギー目標値を算定する算定ステップを有し、
前記算定ステップは、
前記インターネットに接続された前記サーバが、各前記購入者における自家消費電力量の一定期間の積算値（消費電力量積算値）を前記インターネットを介して入手して、自家消費電力量データベースに記憶するステップと、
前記サーバが、各前記購入者の前記消費電力量積算値をそれぞれ二酸化炭素排出量に換算し、二酸化炭素排出量データベースに記憶するステップと、
前記サーバが、各前記購入者の前記消費電力量積算値の履歴から各前記購入者の前記消費電力プロファイルを作成し、プロファイルデータベースに記憶するステップと、
前記サーバが、各前記購入者の前記消費電力プロファイルに基づいて、各前記購入者に対応した省エネルギー目標値を算定して省エネルギー目標値データベースに記憶するステップと、
前記サーバが、各前記購入者の前記消費電力量積算値とそれぞれ対応する省エネルギー目標値との差分を演算し、各前記購入者ごとの前記差分をそれぞれ省エネルギー達成度に換算して省エネルギー達成度データベースに記憶するステップとを有することを特徴とするサービス方法。
【請求項４】
請求項３記載のサービス方法において、さらに、
前記提供スペースに設置した前記二酸化炭素排出量削減装置による二酸化炭素の削減量を測定し、該削減量に応じてポイントを発行し、前記インターネット上の前記仮想店で前記二酸化炭素排出量削減装置を購入した前記複数の購入者に対して前記ポイントを環境貢献度に応じて分配するポイント分配ステップを有し、
前記ポイント分配ステップは、
前記インターネットに接続された前記サーバが、前記二酸化炭素排出量削減装置による二酸化炭素の削減量の一定期間の積算値（削減量積算値）を前記インターネットを介して入手して削減量データベースに記憶するステップと、
前記サーバが、前記削減量積算値に応じたポイントに換算するステップと、
前記サーバが、前記ポイントを、各前記購入者の購入情報と各前記購入者の自家消費電力量に基づいて分配し、ポイントデータベースに記憶するステップとを有することを特徴とするサービス方法。
【請求項５】
請求項４記載のサービス方法において、
前記ポイントに代えて前記二酸化炭素の削減量に応じたクレジットを発行して各前記購入者に還元することを特徴とするサービス方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月8日(2010.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気機器の電源として用いられる電池パックであって、
複数の電池セルが直列に接続されて成る複数の電池セル群が直列に接続されて成る電池部と、
前記電池セル群間に接続された複数の通電遮断素子であって、電気的に通電状態と遮断状態とに切り換わるものと、
前記電池部の電圧を前記電気機器へ出力する出力端子と、
前記複数の通電遮断素子を制御することにより、前記電池部から前記出力端子への放電を制御する放電制御部であって、前記放電を行う場合には、前記複数の通電遮断素子をすべて前記通電状態に切り換える一方、前記放電を停止する場合には、前記複数の通電遮断素子をすべて前記遮断状態に切り換えるものと
を含む電池パック。
【請求項２】
さらに、
前記複数の電池セル群の少なくとも１個の電池セルの電圧と、前記複数の電池セル群の少なくとも１個の電池セルの温度と、前記複数の電池セル群の電流との少なくとも１つを検知する第１検知手段を含み、
前記放電制御部は、その第１検知手段の検知結果に基づき、前記複数の通電遮断素子をすべて前記通電状態と前記遮断状態とに切り換える請求項１に記載の電池パック。
【請求項３】
前記第１検知手段は、前記温度を検知する温度検知部を含み、
前記放電制御部は、前記温度検知部によって検知された温度が所定温度範囲内にはない場合に、前記複数の通電遮断素子をすべて前記遮断状態に切り換える請求項２に記載の電池パック。
【請求項４】
前記第１検知手段は、前記電圧を検知する電圧検知部を含み、
前記放電制御部は、前記電圧検知部によって検知された電圧が所定電圧範囲内にはない場合に、前記複数の通電遮断素子をすべて前記遮断状態に切り換える請求項２または３に記載の電池パック。
【請求項５】
前記第１検知手段は、前記複数の電池セル群の電圧をそれぞれ検知する電圧検知部を含み、
前記放電制御部は、前記電圧検知部によって前記複数の電池セル群についてそれぞれ検知された複数の電圧間の差が所定値以上である場合に、前記複数の通電遮断素子をすべて前記遮断状態に切り換える請求項２ないし４のいずれかに記載の電池パック。
【請求項６】
前記第１検知手段は、当該電池パックが前記電気機器に放電する放電電流を検知する電流検知部を含み、
前記放電制御部は、前記電流検知部によって検知された放電電流が所定値以上である場合に、前記複数の通電遮断素子をすべて前記遮断状態に切り換える請求項２ないし５のいずれかに記載の電池パック。
【請求項７】
前記放電制御部は、前記電流検知部によって検知された放電電流が前記所定値未満である状態が所定時間以上継続すると、前記複数の通電遮断素子をすべて前記遮断状態に切り換える請求項６に記載の電池パック。
【請求項８】
さらに、
前記出力端子への、前記電気機器の電力入力端子の接続を検知する第２検知手段を含み、
前記放電制御部は、その第２検知手段が前記接続を検知すれば、前記複数の通電遮断素子をすべて前記通電状態に切り換える一方、前記第２検知手段が前記接続を検知しなければ、前記複数の通電遮断素子をすべて前記遮断状態に切り換える請求項１ないし７のいずれかに記載の電池パック。
【請求項９】
さらに、
前記出力端子に前記電気機器の電力入力端子が接続される動作と連動するカバーと、
そのカバーの動作に連動するスイッチと
を含み、
前記放電制御部は、そのスイッチが前記動作を検知すれば、前記複数の通電遮断素子をすべて前記通電状態に切り換える一方、前記スイッチが前記動作を検知しなければ、前記複数の通電遮断素子をすべて前記遮断状態に切り換える請求項１ないし８のいずれかに記載の電池パック。
【請求項１０】
電気機器の電源として用いられる電池パックであって、
複数の電池セルが直列に接続されて成る複数の電池セル群が直列に接続されて成る電池部と、
前記電池セル群間に接続された複数の通電遮断素子であって、電気的に通電状態と遮断状態とに切り換わるものと、
前記電池部の直流電圧を用いて前記電気機器に交流電圧を供給する放電制御部と、
前記交流電圧を前記電気機器へ出力する出力端子と
を含み、
前記放電制御部は、
前記複数の通電遮断素子に接続され、前記交流電圧の前記出力端子への出力を行う場合には、前記複数の通電遮断素子をすべて前記通電状態に切り換える一方、前記出力を停止する場合には、前記複数の通電遮断素子をすべて前記遮断状態に切り換える電池パック。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
そこで、本発明は、前述の課題を解決するためになされたものであり、本発明の第１側面によれば、電気機器の電源として用いられる電池パックであって、複数の電池セルが直列に接続されて成る複数の電池セル群が直列に接続されて成る電池部と、前記電池セル群間に接続された複数の通電遮断素子であって、電気的に通電状態と遮断状態とに切り換わるものと、前記電池部の電圧を前記電気機器へ出力する出力端子と、前記複数の通電遮断素子を制御することにより、前記電池部から前記出力端子への放電を制御する放電制御部であって、前記放電を行う場合には、前記複数の通電遮断素子をすべて前記通電状態に切り換える一方、前記放電を停止する場合には、前記複数の通電遮断素子をすべて前記遮断状態に切り換えるものとを含む電池パックが提供される。
また、本発明の第２側面によれば、電気機器の電源として用いられる電池パックであって、複数の電池セルが直列に接続されて成る複数の電池セル群が直列に接続されて成る電池部と、前記電池セル群間に接続された複数の通電遮断素子であって、電気的に通電状態と遮断状態とに切り換わるものと、前記電池部の直流電圧を用いて前記電気機器に交流電圧を供給する放電制御部と、前記交流電圧を前記電気機器へ出力する出力端子とを含み、前記放電制御部は、前記複数の通電遮断素子に接続され、前記交流電圧の前記出力端子への出力を行う場合には、前記複数の通電遮断素子をすべて前記通電状態に切り換える一方、前記出力を停止する場合には、前記複数の通電遮断素子をすべて前記遮断状態に切り換える電池パックが提供される。
本発明の一実施例によれば、電気機器の電源として用いる電池パックであって、（ａ）複数の電池セルが直列接続された電池セル群と、（ｂ）その電池セル群の直流電圧を交流電圧に変換する放電制御回路と、（ｃ）その放電制御回路の出力を前記電気機器へ供給するための交流出力端子とがケース内に収容されて成ることを特徴とする電池パックが提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
図１２は、本発明の一実施形態に従う電源コードアダプタと本発明のコードレス電動工具を接続した状態を示すブロック図である。コードレス電動工具２００は、商用電源に接続された電源コードアダプタ２５０の放電用電力供給端子２５６から電力入力端子２０８とスイッチ２０２を介し、交流駆動式モータ２１０を駆動する。