【手続補正書】
【提出日】平成22年3月23日(2010.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
前記半導体チップの周囲に配置されて、前記半導体チップの側面と交差する方向に延び、少なくとも前記半導体チップから遠い側の端部が実装基板に接合されるリードとを含み、
前記リードにおける前記半導体チップから遠い側の端部には、前記実装基板に対する接合面およびこの接合面に直交する一平面からなる端面が形成されており、
前記接合面には、第１金属めっき層が直接接して形成されており、
前記端面には、前記第１金属めっき層とは異なる純金属からなる第２金属めっき層が直接接して形成されている、半導体装置。
【請求項２】
前記半導体チップを支持し、前記実装基板に対して接合される下面を有するダイパッドをさらに備える、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ダイパッドの下面には、前記第１金属めっき層と同じ金属からなる第３金属めっき層が直接接して形成されており、
前記第１金属めっき層および前記第３金属めっき層が、Ｓｎ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｐｄのいずれかからなる、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記リードは、前記ダイパッドとの対向方向に長尺な形状に形成され、本体部と、前記ダイパッド側の端部に前記ダイパッドとの対向方向に凸状な抜け止め部とを有している、請求項２または３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２金属めっき層の厚さが、３μｍ以下である、請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２金属めっき層の厚さが、１μｍ以下である、請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２金属めっき層は、融点が２６０℃以下の純金属からなる、請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第２金属めっき層が、ＳｎまたはＩｎからなる、請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記ダイパッドは、本体部と、当該本体部の周囲を取り囲み、当該本体部よりも薄い抜け止め部とを有している、請求項２〜８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記リードは、前記ダイパッドの各側面と直交する各方向における両側に、それぞれ同数ずつ設けられている、請求項２〜９のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記リードが、銅または４２アロイを含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記ダイパッドの表面における前記半導体チップを支持する部分の面積が、当該表面における露出面積よりも大きい、請求項２〜１１のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１３】
ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置されて、前記ダイパッドとの対向方向に延びるリードと、前記リードの前記ダイパッドから遠い側の端部が接続された支持部とを一体的に備えるリードフレームを用い、
前記ダイパッド上に半導体チップをダイボンディングし、前記半導体チップと前記リードとをボンディングワイヤで電気的に接続するボンディング工程と、
前記ボンディング工程後、前記リードにおける前記ボンディングワイヤが接続される第１面と反対側の第２面が封止樹脂から露出するように、前記半導体チップを前記リードフレームとともに前記封止樹脂により封止する封止工程と、
前記封止工程後、前記リードの露出した第２面に、電解めっき法により、第１金属めっき層を形成するめっき工程と、
前記支持部および前記支持部上の前記封止樹脂を除去し、前記リードの第２面に直交するする第３面を、前記封止樹脂から露出させる除去工程と、
前記リードの露出した第３面に、無電解めっき法により、前記第１金属めっき層とは異なる純金属からなる第２金属めっき層を形成するめっき工程とを含む、半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記除去工程は、ダイシングソーを用いた切断により、前記支持部および前記支持部上の前記封止樹脂を除去する工程であり、
前記第２金属をめっきする工程前に、前記除去工程時に前記リードに生じたばりをエッチングにより除去するためのエッチング工程を含む、請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するための請求項１記載の発明は、半導体チップと、前記半導体チップの周囲に配置されて、前記半導体チップの側面と交差する方向に延び、少なくとも前記半導体チップから遠い側の端部が実装基板に接合されるリードとを含み、前記リードにおける前記半導体チップから遠い側の端部には、前記実装基板に対する接合面およびこの接合面に直交する一平面からなる端面が形成されており、前記接合面には、第１金属めっき層が直接接して形成されており、前記端面には、前記第１金属めっき層とは異なる純金属からなる第２金属めっき層が直接接して形成されている、半導体装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
半導体装置において、リードにおける半導体チップから遠い側の端部には、実装基板に対する接合面およびこの接合面に直交する端面が形成されている。この端面には、純金属からなる第２金属めっき層が形成されている。
そして、この半導体装置の実装基板への実装は、たとえば、リフロー方式で行なわれる。リフロー方式での実装時には、まず、ランドの表面に半田が塗布された実装基板が用意され、ランド表面とリードの接合面とが対向する位置に、半導体装置が配置される。次いで、この状態の実装基板がリフロー炉に入れられ、実装基板および半導体装置が所定の温度で予熱される。その後、半田の融点以上の温度（リフロー温度）まで昇温される。これにより、半田が溶融してリードの接合面と一体化し、半導体装置の実装基板への実装が達成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この際、第２金属めっき層が、ランド表面上の半田への拡散性に優れ、当該半田に対する濡れ性が良好な純金属であれば、リードの端面に半田を濡れ上がらせることができる。つまり、リードの端面を半田と一体化させることができる。その結果、半導体装置の実装基板に対する実装強度を向上させることができ、実装信頼性を向上させることができる。また、いわゆる半田フィレットをリードの端面に形成することができるので、リードと実装基板との接合（半田付け）状態を容易に外観検査することもできる。
また、請求項２記載の発明は、前記半導体チップを支持し、前記実装基板に対して接合される下面を有するダイパッドをさらに備える、請求項１に記載の半導体装置である。
また、請求項３記載の発明は、前記ダイパッドの下面には、前記第１金属めっき層と同じ金属からなる第３金属めっき層が直接接して形成されており、前記第１金属めっき層および前記第３金属めっき層が、Ｓｎ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｐｄのいずれかからなる、請求項２に記載の半導体装置である。
また、請求項４記載の発明は、前記リードは、前記ダイパッドとの対向方向に長尺な形状に形成され、本体部と、前記ダイパッド側の端部に前記ダイパッドとの対向方向に凸状な抜け止め部とを有している、請求項２または３に記載の半導体装置である。
また、請求項５記載の発明は、前記第２金属めっき層の厚さが、３μｍ以下である、請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置である。
また、請求項６記載の発明は、前記第２金属めっき層の厚さが、１μｍ以下である、請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、請求項７記載の発明は、前記第２金属めっき層は、融点が２６０℃以下の純金属からなる、請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体装置である。
一般的な半田のリフロー温度は、２６０℃である。第２金属めっき層が、融点２６０℃以下の純金属であれば、半導体装置の実装基板への実装時（リフロー時）に、第２金属めっき層の溶融不良による実装不良を防止することができる。
また、請求項８記載の発明は、前記第２金属めっき層が、ＳｎまたはＩｎからなる、請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体装置である。
また、請求項９記載の発明は、前記ダイパッドは、本体部と、当該本体部の周囲を取り囲み、当該本体部よりも薄い抜け止め部とを有している、請求項２〜８のいずれか一項に記載の半導体装置である。
また、請求項１０記載の発明は、前記リードは、前記ダイパッドの各側面と直交する各方向における両側に、それぞれ同数ずつ設けられている、請求項２〜９のいずれか一項に記載の半導体装置である。
また、請求項１１記載の発明は、前記リードが、銅または４２アロイを含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の半導体装置である。
また、請求項１２記載の発明は、前記ダイパッドの表面における前記半導体チップを支持する部分の面積が、当該表面における露出面積よりも大きい、請求項２〜１１のいずれか一項に記載の半導体装置である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、請求項１３記載の発明は、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置されて、前記ダイパッドとの対向方向に延びるリードと、前記リードの前記ダイパッドから遠い側の端部が接続された支持部とを一体的に備えるリードフレームを用い、前記ダイパッド上に半導体チップをダイボンディングし、前記半導体チップと前記リードとをボンディングワイヤで電気的に接続するボンディング工程と、前記ボンディング工程後、前記リードにおける前記ボンディングワイヤが接続される第１面と反対側の第２面が封止樹脂から露出するように、前記半導体チップを前記リードフレームとともに前記封止樹脂により封止する封止工程と、前記封止工程後、前記リードの露出した第２面に、電解めっき法により、第１金属めっき層を形成するめっき工程と、前記支持部および前記支持部上の前記封止樹脂を除去し、前記リードの第２面に直交するする第３面を、前記封止樹脂から露出させる除去工程と、前記リードの露出した第３面に、無電解めっき法により、前記第１金属めっき層とは異なる純金属からなる第２金属めっき層を形成するめっき工程とを含む、半導体装置の製造方法である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
この方法によれば、半導体チップのダイボンディングの後、半導体チップにボンディングワイヤの一端が接続され、その他端がリードフレームのリードの第１面に接続されることにより、半導体チップとリードとの電気的な接続が達成される。その後、リードの第１面と反対側の第２面が封止樹脂から露出するように、半導体チップがリードフレームとともに封止樹脂により封止される。次いで、支持部および支持部上の封止樹脂が除去されることにより、リードの第２面に直交する第３面が、封止樹脂から露出する。そして、リードの露出した第３面に、無電解めっき法により、純金属からなる第２金属めっき層が形成される。これによって、請求項１に記載の半導体装置を得ることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
さらに、請求項１４記載の発明は、前記除去工程は、ダイシングソーを用いた切断により、前記支持部および前記支持部上の前記封止樹脂を除去する工程であり、前記第２金属をめっきする工程前に、前記除去工程時に前記リードに生じたばりをエッチングにより除去するためのエッチング工程を含む、請求項１３に記載の半導体装置の製造方法である。
除去工程は、ダイシングソーを用いた切断により、支持部および支持部上の封止樹脂を除去する工程である。そのため、支持部を除去する際、つまり、支持部からリードが切り離される際に、リードの材料がダイシングソーにつられて延びることにより、リードにばりを生じることがある。このようなばりが生じていると、半導体装置の実装基板への実装時に、ばりが実装基板上のランドに当接して、そのばりの部分で半導体装置が実装基板から浮き上がる。この状態でリフローが行なわれると、実装基板の熱反りにより、リードとランドとの接続不良などの実装不良を生じるおそれがある。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項１４に記載の方法では、リードに生じるばりは、第２金属をめっきする工程前にエッチング工程が行なわれることにより、除去される。そのため、ばりに起因する実装不良の発生を防止することができる。