【手続補正書】
【提出日】平成22年3月3日(2010.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホスト装置に接続される記憶制御装置であって、
前記ホスト装置からのデータを格納する不揮発性メモリを複数有する、複数の不揮発性メモリモジュールと、
前記不揮発性メモリモジュールの電源を制御することで前記ホスト装置からのデータの入出力を制御する不揮発性メモリ制御部と、を備え、
前記ホスト装置からのデータの読み書き要求に基づいて、所定のタイミングで指定の不揮発性メモリモジュールに対してデータの読み書きを行う場合に、
前記不揮発性メモリ制御部は、前記指定の不揮発性メモリモジュールの電源のみをオン制御する
ことを特徴とする記憶制御装置。
【請求項２】
前記記憶制御装置は、複数のハードディスクドライブの記憶領域上に形成され、前記ホスト装置からのデータを格納する複数の論理ボリュームと、
複数の前記不揮発性メモリモジュールから構成される不揮発性メモリパッケージと、をさらに備え、
不揮発性メモリパッケージは、前記複数の不揮発性メモリモジュールと、前記不揮発性メモリ制御部と、を有し、
複数の不揮発性メモリパッケージから構成される不揮発性メモリパッケージ群上で形成されるＥＣＣグループと、複数のハードディスクドライブから構成されるハードディスクドライブ群上で形成されるＥＣＣグループと、の数を同じ数になるように形成し、
前記ホスト装置からのデータを指定の論理ボリュームに格納し、
前記指定の論理ボリュームに格納されたデータを、前記指定の論理ボリュームが所属するＥＣＣグループと対応するＥＣＣグループに所属する不揮発性メモリモジュールに移行するときに、前記指定の不揮発性メモリモジュールの電源のみをオンする制御は、ＥＣＣグループ単位で行われる
ことを特徴とする請求項１に記載の記憶制御装置。
【請求項３】
前記不揮発性メモリパッケージは、自不揮発性メモリパッケージを構成する前記複数の不揮発性メモリモジュール及び前記不揮発性メモリ制御部のみを管理する管理テーブルを有し、
前記不揮発性メモリパッケージの前記不揮発性メモリ制御部は、前記管理テーブルを読み込んで前記データの読み書き要求が自不揮発性メモリパッケージの不揮発性メモリモジュールに対して与えられた要求か否かを判断し、
前記データの読み書き要求が自不揮発性メモリパッケージの不揮発性メモリモジュールに対して与えられているときは、前記管理テーブルに基づいて指定の不揮発性メモリモジュールの電源のみをオン制御し、
前記データの読み書き要求が自不揮発性メモリパッケージの不揮発性メモリモジュールに対して与えられていないときは、他の不揮発性メモリパッケージに前記データの読み書き要求を送信する
ことを特徴とする請求項２に記載の記憶制御装置。
【請求項４】
前記不揮発性メモリ制御部は、前記ホスト装置からのデータを格納するためにオン制御した指定の不揮発性メモリモジュールに対して、データの格納後にオフ制御を行う
ことを特徴とする請求項３に記載の記憶制御装置。
【請求項５】
前記不揮発性メモリモジュールに対するデータの入出力を制御するディスク制御部を備え、
前記ディスク制御部と前記不揮発性パッケージ群とは相互に接続され、
前記ディスク制御部は、最初の不揮発性メモリパッケージ内で任意に選択した前記不揮発性メモリモジュールに格納されるデータを所定のタイミングで読み出しできるか否かを判断し、
前記不揮発性メモリモジュールに格納されるデータを読み出せないときは、次に選択した不揮発性メモリモジュールに格納されるデータを読み出しできるか否かを判断し、
次に選択した前記不揮発性メモリモジュールに格納されるデータを読み出せないときは、他の不揮発性メモリパッケージ内で任意に選択した不揮発性メモリモジュールに格納されるデータを読み出しできるか否かを判断する
ことを特徴とする請求項４に記載の記憶制御装置。
【請求項６】
前記ディスク制御部は、
次に選択した前記不揮発性メモリモジュールに格納されるデータを読み出せる場合には、最初の不揮発性メモリパッケージ内で任意に選択した前記不揮発性メモリモジュールを交換し、
他の前記不揮発性メモリパッケージにある任意の不揮発性メモリモジュールに格納されるデータを読み出せる場合には、
前記最初の不揮発性メモリパッケージを交換し、
他の前記不揮発性メモリパッケージにある任意の不揮発性メモリモジュールに格納されるデータを読み出せない場合には、
前記不揮発性パッケージ群を交換する
ことを特徴とする請求項５に記載の記憶制御装置。
【請求項７】
ホスト装置に接続される記憶制御装置の制御方法であって、
前記記憶制御装置は、前記ホスト装置からのデータを格納する不揮発性メモリを複数有する、複数の不揮発性メモリモジュールと、
前記不揮発性メモリモジュールの電源を制御することで前記ホスト装置からのデータの入出力を制御する不揮発性メモリ制御部と、を備え、
前記ホスト装置からのデータの読み書き要求に基づいて、所定のタイミングで指定の不揮発性メモリモジュールに対してデータの読み書きを行うときに、前記不揮発性メモリ制御部は、前記指定の不揮発性メモリモジュールの電源のみをオン制御するステップ、を有する
ことを特徴とする記憶制御装置の制御方法。
【請求項８】
前記記憶制御装置は、複数のハードディスクドライブの記憶領域上に形成され、前記ホスト装置からのデータを格納する複数の論理ボリュームと、
複数の前記不揮発性メモリモジュールから構成される不揮発性メモリパッケージと、をさらに備え、
不揮発性メモリパッケージは、前記複数の不揮発性メモリモジュールと、前記不揮発性メモリ制御部と、を有し、
複数の不揮発性メモリパッケージから構成される不揮発性メモリパッケージ群上で形成されるＥＣＣグループと、複数のハードディスクドライブから構成されるハードディスクドライブ群上で形成されるＥＣＣグループと、の数を対応するように形成するステップと、
前記ホスト装置からのデータを指定の論理ボリュームに格納するステップと、
前記指定の論理ボリュームに格納されたデータを、前記指定の論理ボリュームが所属するＥＣＣグループと対応するＥＣＣグループに所属する前記不揮発性メモリモジュールに移行するときに、前記指定の不揮発性メモリモジュールの電源のみをオンする制御は、ＥＣＣグループ単位で行われるステップと、を有する
ことを特徴とする請求項７に記載の記憶制御装置の制御方法。
【請求項９】
前記不揮発性メモリパッケージは、自不揮発性メモリパッケージを構成する前記複数の不揮発性メモリモジュール及び前記不揮発性メモリ制御部のみを管理する管理テーブルを有し、
前記不揮発性メモリパッケージの前記不揮発性メモリ制御部では、前記管理テーブルを読み込んで前記データの読み書き要求が自不揮発性メモリパッケージの不揮発性メモリモジュールに対して与えられた要求か否かを判断するステップと、
前記データの読み書き要求が自不揮発性メモリパッケージの不揮発性メモリモジュールに対して与えられているときには、前記管理テーブルに基づいて指定の不揮発性メモリモジュールの電源のみをオン制御するステップと、
前記データの読み書き要求が自不揮発性メモリパッケージの不揮発性メモリモジュールに対して与えられていないときには、他の不揮発性メモリパッケージに前記データの読み書き要求を送信するステップと、を有する
ことを特徴とする請求項８に記載の記憶制御装置の制御方法。
【請求項１０】
前記不揮発性メモリ制御部は、前記ホスト装置からのデータを格納するためにオン制御した指定の不揮発性メモリモジュールに対して、データの格納後にオフ制御を行うステップを有する
ことを特徴とする請求項９に記載の記憶制御装置の制御方法。
【請求項１１】
前記不揮発性メモリモジュールに対するデータの入出力を制御するディスク制御部を備え、
前記ディスク制御部と前記不揮発性パッケージ群とは相互に接続され、
前記ディスク制御部では、
所定のタイミングで、最初の不揮発性メモリパッケージ内で任意に選択した前記不揮発性メモリモジュールに格納されるデータを読み出しできるか否かを判断するステップと、
前記不揮発性メモリモジュールに格納されるデータを読み出せないときには、次に選択した不揮発性メモリモジュールに格納されるデータを読み出しできるか否かを判断するステップと、
次に選択した前記不揮発性メモリモジュールに格納されるデータを読み出せないときには、他の不揮発性メモリパッケージ内で任意に選択した不揮発性メモリモジュールに格納されるデータを読み出しできるか否かを判断するステップと、を有する
ことを特徴とする請求項１０に記載の記憶制御装置の制御方法。