(57)【要約】【課題】プラズマ処理装置内のウェハ製造工程の品質を高めることができるネットワーク整合装置を提供する。【解決手段】本考案のネットワーク整合装置１は、インピーダンス整合モジュール１０、制御モジュール１２及び検出モジュール１４を含む。制御モジュール１２は、デフォルトモードを有する。デフォルトモードは、プラズマ処理装置９のインピーダンス範囲に基づき、インピーダンス整合モジュール１０の整合インピーダンスの変換を指示する。検出モジュール１４は、高周波発生器８のインピーダンス及びプラズマ処理装置９のインピーダンスを検出し、制御モジュール１２に検出信号を出力する。制御モジュール１２は、検出信号に基づき、デフォルトモードを調整し、インピーダンス整合モジュール１０に高周波発生器８が出力する高周波エネルギーをプラズマ処理装置９に伝送させる。【選択図】図１
0003188679.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
インピーダンス整合モジュール、制御モジュール及び検出モジュールを備え、高周波発生器とプラズマ処理装置との間に接続されるネットワーク整合装置であって、
前記インピーダンス整合モジュールは、前記高周波発生器と前記プラズマ処理装置との間に接続され、
前記制御モジュールは、前記インピーダンス整合モジュールに接続され、デフォルトモードを有し、前記デフォルトモードは、前記プラズマ処理装置のインピーダンス範囲に基づき、前記インピーダンス整合モジュールの整合インピーダンスの変換を指示し、
前記検出モジュールは、前記制御モジュールと前記高周波発生器と前記プラズマ処理装置との間に接続され、
前記検出モジュールは、前記高周波発生器のインピーダンス及び前記プラズマ処理装置のインピーダンスを検出し、前記制御モジュールに検出信号を出力し、前記制御モジュールは、前記検出信号に基づき、前記デフォルトモードを調整し、前記インピーダンス整合モジュールに前記高周波発生器が出力する高周波エネルギーを前記プラズマ処理装置に伝送させることを特徴とするネットワーク整合装置。
【請求項２】
前記インピーダンス整合モジュールは、第１の可変コンデンサユニット、第２の可変コンデンサユニット及びインダクタユニットを有することを特徴とする請求項１に記載のネットワーク整合装置。
【請求項３】
前記第１の可変コンデンサユニットの第１端は、前記高周波発生器及び前記インダクタユニットに接続され、前記第２の可変コンデンサユニットの第１端は、前記プラズマ処理装置及び前記インダクタユニットに接続され、前記第１の可変コンデンサユニットの第２端及び前記第２の可変コンデンサユニットの第２端は、接地端に接続されることを特徴とする請求項２に記載のネットワーク整合装置。
【請求項４】
前記第１の可変コンデンサユニットの第１端は、前記高周波発生器及び前記第２の可変コンデンサユニットの第１端に接続され、前記第２の可変コンデンサユニットの第２端は、前記インダクタユニットに接続され、前記インダクタユニットは、前記プラズマ処理装置に接続され、前記第１の可変コンデンサユニットの第２端は、接地端に接続されることを特徴とする請求項２に記載のネットワーク整合装置。
【請求項５】
前記第１の可変コンデンサユニットの第１端は、前記高周波発生器に接続され、前記第１の可変コンデンサユニットの第２端は、前記インダクタユニットに接続され、前記第２の可変コンデンサユニットの第１端は、前記インダクタユニット及び前記プラズマ処理装置に接続され、前記第２の可変コンデンサユニットの第２端は、接地端に接続されることを特徴とする請求項２に記載のネットワーク整合装置。
【請求項６】
前記第１の可変コンデンサユニットは、複数のコンデンサ及び複数の切換スイッチを有し、前記第２の可変コンデンサユニットは、複数のコンデンサ及び複数の切換スイッチを有し、前記制御モジュールは、前記検出信号に基づき、前記デフォルトモードを調整し、前記デフォルトモードは、前記第１の可変コンデンサユニットの前記複数の切換スイッチ及び／又は前記第２の可変コンデンサユニットの前記複数の切換スイッチの運転を指示することを特徴とする請求項２に記載のネットワーク整合装置。
【請求項７】
前記デフォルトモードは、前記第１の可変コンデンサユニットの前記複数のコンデンサ及び／又は前記第２の可変コンデンサユニットの前記複数のコンデンサの直列状態又は並列状態を指示することを特徴とする請求項２に記載のネットワーク整合装置。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、ネットワーク整合装置に関し、特に、高周波発生器とプラズマ処理装置との間に接続されるネットワーク整合装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の各種のプラズマ処理装置は、基板にエッチングを行ったり、基板上に薄層（thin layer）を積層するために用いられる。プラズマ処理装置中、半導体ウェハ又は基板が高周波（ＲＦ）（例えば１３.５６ＭＨｚ）のプラズマチャンバ（plasma chamber）において操作され、プラズマエッチング、プラズマアシスト化学気相成長、スパッタリングなどの工程が行われる。工程の違いにより、プラズマ処理装置には、各種の特殊ガスが充填され、上記工程が行われる。このため、プラズマ処理装置は、特殊ガスの違いにより、インピーダンス値が異なる。ネットワーク整合装置には、プラズマ処理装置のインピーダンス値に応じ、各種の整合インピーダンス回路が設計される。しかし、ネットワーク整合装置は、最適パワーでプラズマ処理装置に高周波エネルギーを伝送できないため、上記工程の品質が影響を受ける。
【０００３】
一般に、ネットワーク整合装置は、高周波発生器のインピーダンス及びプラズマ処理装置のインピーダンスに基づき、モーター駆動を制御し、ネットワーク整合装置のシャントインピーダンス、負荷インピーダンスを変化させたり、機械接点スイッチによって回路インピーダンスを変更したりし、高周波発生器が出力する高周波エネルギーを最適パワー又は最大パワーでプラズマ処理装置に伝送する。しかし、従来技術においては、モーター駆動速度が遅すぎたり、機械接点の接触不良などの問題により、上記工程の品質が影響を受ける。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００８−５３５３１８号公報
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００５】
本考案の目的は、各種の特殊ガスが充填されたプラズマ処理装置に対応することができ、高周波発生器が出力する高周波エネルギーを最適パワー又は最大パワーでプラズマ処理装置に伝送することにより、プラズマ処理装置内のウェハ製造工程の品質を高めることができるネットワーク整合装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述の課題を解決するために、本考案は、インピーダンス整合モジュール、制御モジュール及び検出モジュールを含み、高周波発生器とプラズマ処理装置との間に接続されるネットワーク整合装置を提供するものである。インピーダンス整合モジュールは、高周波発生器とプラズマ処理装置との間に接続される。制御モジュールは、インピーダンス整合モジュールに接続され、デフォルトモードを有する。デフォルトモードは、プラズマ処理装置のインピーダンス範囲に基づき、インピーダンス整合モジュールの整合インピーダンスの変換を指示する。検出モジュールは、制御モジュールと高周波発生器とプラズマ処理装置との間に接続される。検出モジュールは、高周波発生器のインピーダンス及びプラズマ処理装置のインピーダンスを検出し、制御モジュールに検出信号を出力する。制御モジュールは、検出信号に基づき、デフォルトモードを調整し、インピーダンス整合モジュールに高周波発生器が出力する高周波エネルギーをプラズマ処理装置に伝送させる。
【０００７】
インピーダンス整合モジュールは、第１の可変コンデンサユニット、第２の可変コンデンサユニット及びインダクタユニットを含む。
【０００８】
第１の可変コンデンサユニットの第１端は、高周波発生器及びインダクタユニットに接続される。第２の可変コンデンサユニットの第１端は、プラズマ処理装置及びインダクタユニットに接続される。第１の可変コンデンサユニットの第２端及び第２の可変コンデンサユニットの第２端は、接地端に接続される。
【０００９】
第１の可変コンデンサユニットの第１端は、高周波発生器及び第２の可変コンデンサユニットの第１端に接続される。第２の可変コンデンサユニットの第２端は、インダクタユニットに接続される。インダクタユニットは、プラズマ処理装置に接続される。第１の可変コンデンサユニットの第２端は、接地端に接続される。
【００１０】
第１の可変コンデンサユニットの第１端は、高周波発生器に接続される。第１の可変コンデンサユニットの第２端は、インダクタユニットに接続される。第２の可変コンデンサユニットの第１端は、インダクタユニット及びプラズマ処理装置に接続される。第２の可変コンデンサユニットの第２端は、接地端に接続される。
【００１１】
第１の可変コンデンサユニットは、複数のコンデンサ及び複数の切換スイッチを有する。第２の可変コンデンサユニットは、複数のコンデンサ及び複数の切換スイッチを有する。制御モジュールは、検出信号に基づき、デフォルトモードを調整する。デフォルトモードは、第１の可変コンデンサユニットの複数の切換スイッチ及び／又は第２の可変コンデンサユニットの複数の切換スイッチの運転を指示する。
【００１２】
デフォルトモードは、第１の可変コンデンサユニットの複数のコンデンサ及び／又は第２の可変コンデンサユニットの複数のコンデンサの直列状態又は並列状態を指示する。
【００１３】
本考案は、高周波発生器、プラズマ処理装置及びネットワーク整合装置を提供するものである。高周波発生器は、所定周波数に基づき、高周波エネルギーを出力する。プラズマ処理装置は、高周波エネルギーを受信し、ウェハの製造を行う。ネットワーク整合装置は、高周波発生器とプラズマ処理装置との間に接続される。
【考案の効果】
【００１４】
本考案は、高周波発生器とプラズマ処理装置との間に接続されるネットワーク整合装置を提供するものである。ネットワーク整合装置の制御モジュールは、検出モジュールの検出信号に基づき、インピーダンス整合モジュールの複数のコンデンサの並列状態及び／又は直列状態を制御し、ネットワーク整合装置に最適パワーでプラズマ処理装置に高周波エネルギーを伝送させる。これにより、プラズマ処理装置内のウェハ製造工程の品質を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本考案の一実施形態によるネットワーク整合システムを示すブロック図である。
【図２】本考案の第１実施形態によるネットワーク整合装置を示す回路図である。
【図３】本考案の第２実施形態によるネットワーク整合装置を示す回路図である。
【図４】本考案の第３実施形態によるネットワーク整合装置を示す回路図である。
【考案を実施するための形態】
【００１６】
本考案の目的、特徴及び効果を示す実施形態を図面に沿って詳細に説明する。以下に記載する実施形態及び図面は、説明のために提供するものであり、本考案を限定するものではない。
【００１７】
図１を参照する。図１は、本考案の一実施形態によるネットワーク整合システムを示すブロック図である。図１に示すように、ネットワーク整合装置１は、高周波発生器８とプラズマ処理装置９との間に接続される。ネットワーク整合装置１は、インピーダンス整合モジュール１０、制御モジュール１２及び検出モジュール１４を含む。本実施形態中、インピーダンス整合モジュール１０は、高周波発生器８とプラズマ処理装置９と制御モジュール１２との間に接続される。制御モジュール１２は、インピーダンス整合モジュール１０と検出モジュール１４との間に接続される。検出モジュール１４は、高周波発生器８とプラズマ処理装置９と制御モジュール１２との間に接続される。これにより、本考案のネットワーク整合装置１の検出モジュール１４は、高周波発生器８のインピーダンス及びプラズマ処理装置９のインピーダンスを検出することができる上、制御モジュール１２に検出信号を出力する。制御モジュール１２は、検出信号に基づき、インピーダンス整合モジュール１０の整合インピーダンスの変換速度及び安定性を調整し、高周波発生器８とネットワーク整合装置１とプラズマ処理装置９との間の反射パワーを低下させ、安定した順方向パワー（Forward Power）を高める。本実施形態中、ネットワーク整合装置１の運転態様は限定されない。
【００１８】
詳細に述べると、高周波発生器８は、例えば、高周波パワー発生器である。高周波発生器８は、所定周波数に基づき、ネットワーク整合装置１に高周波エネルギーを出力する。所定周波数は、例えば、低周波数（ＬＦ）、中周波数（ＭＦ）、狭周波数、高周波数（ＨＦ）、超短波（ＶＨＦ）及び極超短波（ＵＨＦ）である。本実施形態中、所定周波数は限定されない。ネットワーク整合装置１は、高周波発生器８が発生する高周波エネルギーをプラズマ処理装置９に完全に伝送するために用いられる。これにより、半導体ウェハ又は基板は、所定周波数のプラズマチャンバ（plasma chamber）のプラズマ処理装置９中で操作され、各種の特殊ガスの下、所望のウェハ製造工程が行われる。
【００１９】
インピーダンス整合モジュール１０は、例えば、Ｌ型、Ｔ型又はΠ型（又はＰｉ型）のネットワーク整合（Match Network）又はＬＣ回路である。ネットワーク整合は、例えば、複数のコンデンサ、複数の切換スイッチ及びインダクタから構成される。本実施形態中、インピーダンス整合モジュール１０の態様は限定されない。本実施形態中、インピーダンス整合モジュール１０は、高周波発生器８とインピーダンス整合モジュール１０との間の反射パワーを減少させ、インピーダンス整合モジュール１０とプラズマ処理装置９との間の反射パワーを減少させるために用いられる。これにより、安定した順方向パワーが高められる。本考案のインピーダンス整合モジュール１０は、上記ネットワーク整合内部の複数のコンデンサの直列状態又は／及び並列状態を変更し、プラズマ処理装置９に高周波エネルギーを完全に伝送する。
【００２０】
制御モジュール１２は、例えば、ダイオード、ツェナーダイオード、トランジスタ、パワートランジスタ、バイポーラトランジスタ、ＭＯＳＦＥＴなどの固体素子から構成される制御チップ又は制御回路である。本実施形態中、制御モジュール１２の態様は限定されない。本実施形態中、制御モジュール１２は、デフォルトモードを有する。デフォルトモードは、プラズマ処理装置９のインピーダンス範囲に基づき、インピーダンス整合モジュール１０の整合インピーダンスの変換を指示する。即ち、プラズマ処理装置９のインピーダンス値の違いに応じ、対応するデフォルトモードを有する。デフォルトモードは、インピーダンス整合モジュール１０の整合インピーダンスを変換させ、高周波発生器８とインピーダンス整合モジュール１０との間の反射パワーを減少させ、インピーダンス整合モジュール１０とプラズマ処理装置９との間の反射パワーを減少させるために用いられる。
【００２１】
詳細に述べると、高周波発生器８のインピーダンス値は、例えば、固定されたインピーダンス値であり、プラズマ処理装置９は、特殊ガスの違いによってインピーダンス値が異なる。例えば、高周波発生器８のインピーダンス値は、数Ω、数十Ω又は数百Ωであり、プラズマ処理装置９のインピーダンス範囲は、数Ω〜数百Ω、数Ω〜数千Ω又は数Ω〜数万Ωである。このため、制御モジュール１２のデフォルトモードは、プラズマ処理装置９のインピーダンス範囲に基づき、インピーダンス整合モジュール１０の整合インピーダンスを指示する。例えば、制御モジュール１２は、インピーダンス整合モジュール１０内部の複数のコンデンサの直列状態又は／及び並列状態を制御し、インピーダンス整合モジュール１０に高周波エネルギーをプラズマ処理装置９に迅速で安定的に完全に伝送させる。
【００２２】
例を挙げると、高周波発生器８のインピーダンス値が５０Ωで、プラズマ処理装置９のインピーダンス値が２５０Ωの場合、デフォルトモードは、プラズマ処理装置９のインピーダンス値に基づき、インピーダンス整合モジュール１０の内部の複数のコンデンサの直列状態又は／及び並列状態を指示し、複数のコンデンサに大きなキャパシタンスを形成させる。また、高周波発生器８のインピーダンスが５０Ωで、プラズマ処理装置９のインピーダンスが５０Ωの場合、デフォルトモードは、プラズマ処理装置９のインピーダンス値に基づき、インピーダンス整合モジュール１０の内部の複数のコンデンサの直列状態又は／及び並列状態を指示し、複数のコンデンサに小さなキャパシタンスを形成させる。上記の大きなキャパシタンス及び小さなキャパシタンスは、高周波発生器８から高周波エネルギーをひずみ無しでプラズマ処理装置９に伝送することができる。本実施形態中、高周波発生器８のインピーダンス値、プラズマ処理装置９のインピーダンス範囲及び運転方式は限定されない。
【００２３】
検出モジュール１４は、例えば、抵抗センサ又はインピーダンスセンサであり、制御モジュール１２と高周波発生器８とプラズマ処理装置９との間に接続される。本実施形態中、検出モジュール１４の態様は限定されない。本実施形態中、検出モジュール１４は、高周波発生器８のインピーダンス値及びプラズマ処理装置９のインピーダンス値を検出するために用いられる。検出モジュール１４は、高周波発生器８のインピーダンス値及びプラズマ処理装置９のインピーダンス値を検出すると、制御モジュール１２に検出信号を生成し、制御モジュール１２は、検出信号に基づき、デフォルトモードを自動調整する。
【００２４】
ここで、検出モジュール１４は、ネットワーク整合装置１以外の信号を検出することができる。ネットワーク整合装置１以外の信号とは、例えば、デジタルロジック信号、アナログ信号（０〜１０Ｖｄｃ）又はシリアル通信信号である。このため、検出モジュール１４は、上記信号を制御モジュール１２に供給し、制御モジュール１２に、インピーダンス整合モジュール１０を所定のインピーダンス値に強制的に制御させることができる。例えば、強制的に制御されるインピーダンス整合モジュール１０のインピーダンス値は、３０Ωである。これにより、ネットワーク整合装置１は、所定の安定した整合インピーダンス値となり、高周波発生器８及びプラズマ処理装置９を最適パワーの整合モードにする。本実施形態中、ネットワーク整合装置１以外の信号の態様、インピーダンス整合モジュールに強制的に到達させるインピーダンス値の大きさ、検出モジュール１４、制御モジュール１２又はネットワーク整合装置１の運転の態様は限定されない。
【００２５】
例えば、検出モジュール１４は、高周波発生器８のインピーダンス値及びプラズマ処理装置９のインピーダンス値を検出し、制御モジュール１２に検出信号を出力する。例えば、高周波発生器８のインピーダンス値が５０Ωで、プラズマ処理装置９のインピーダンス値が２５０Ωの場合、制御モジュール１２は、検出信号に基づき、デフォルトモードを自動調整する。デフォルトモードは、インピーダンス整合モジュール１０内の複数のコンデンサの接続状態を指示し、複数のコンデンサに大きなキャパシタンスを形成させる。また、高周波発生器８のインピーダンスが５０Ωで、プラズマ処理装置９のインピーダンスが５０Ωの場合、制御モジュール１２は、検出信号に基づき、デフォルトモードを自動調整する。デフォルトモードは、インピーダンス整合モジュール１０内の複数のコンデンサの接続状態を指示し、複数のコンデンサに小さなキャパシタンスを形成させる。これにより、インピーダンス整合モジュール１０は、最適パワーの方式により、プラズマ処理装置９に高周波発生器８が生成する高周波エネルギーを伝送する。ネットワーク整合装置１は、最適パワーの方式により、各種の特殊ガスが充填されたプラズマ処理装置９に高周波エネルギーを伝送することができるため、ウェハ製造工程の品質が高められる。
【００２６】
本考案のネットワーク整合装置の詳細な運転及びフローを以下に説明する。
【００２７】
図２を参照する。図２は、本考案の第１実施形態によるネットワーク整合装置１を示す回路図である。図２に示すように、インピーダンス整合モジュール１０は、第１の可変コンデンサユニット１０１、第２の可変コンデンサユニット１０２及びインダクタユニット１０３を含む。本実施形態中、第１の可変コンデンサユニット１０１は、複数のコンデンサ及び複数の切換スイッチ（図示せず）を有する。第２の可変コンデンサユニット１０２は、複数のコンデンサ及び複数の切換スイッチ（図示せず）を有する。制御モジュール１２は、検出信号に基づき、デフォルトモードを調整する。デフォルトモードは、例えば、第１の可変コンデンサユニット１０１の複数の切換スイッチ及び／又は第２の可変コンデンサユニット１０２の複数の切換スイッチの運転を指示する。これにより、第１の可変コンデンサユニット１０１の複数のコンデンサ及び／又は第２の可変コンデンサユニット１０２の複数のコンデンサは、直列状態又は並列状態となる。これにより、インピーダンス整合モジュール１０は、デフォルトモードに基づき、対応する整合インピーダンス値を生成し、高周波発生器８が出力する高周波エネルギーを最適パワー又は最大パワーでプラズマ処理装置９に伝送する。
【００２８】
詳細に述べると、第１の可変コンデンサユニット１０１の第１端１０１１は、高周波発生器８及びインダクタユニット１０３の第１端１０３１に接続される。第２の可変コンデンサユニット１０２の第１端１０２１は、プラズマ処理装置９及びインダクタユニット１０３の第２端１０３２に接続される。第１の可変コンデンサユニット１０１の第２端１０１２及び第２の可変コンデンサユニット１０２の第２端１０２２は、接地端に接続される。第１の可変コンデンサユニット１０１及び第２の可変コンデンサユニット１０２は、それぞれ、制御モジュール１２の制御を受ける。本実施形態中、インピーダンス整合モジュール１０の態様は限定されない。
【００２９】
ここで、第１の可変コンデンサユニット１０１、第２の可変コンデンサユニット１０２及びインダクタユニット１０３は、それぞれ、所定周波数に基づいて高周波エネルギーを保存するエネルギー保存装置である。第１の可変コンデンサユニット１０１及び第２の可変コンデンサユニット１０２のインダクタンスは、例えば、数ピコファラド（pico farad）、数十ピコファラド、数百ピコファラド又は数千ピコファラドである。切換スイッチは、例えば、トランジスタ、パワートランジスタ、バイポーラトランジスタ又はＭＯＳＦＥＴである。本実施形態中、切換スイッチの態様は限定されない。第１の可変コンデンサユニット１０１及び第２の可変コンデンサユニット１０２の複数のコンデンサは、切換スイッチの導通又は遮断により、最適パワーの伝送を実現するインピーダンス整合モジュール１０となる。インピーダンス整合モジュール１０は、各種の特殊ガスが充填されたプラズマ処理装置９に対応させることができ、インピーダンス整合モジュール１０の整合インピーダンス、整合インピーダンス変換速度及び安定性を調整し、安定した順方向パワーを各種の特殊ガスが充填されたプラズマ処理装置９に伝送する。本実施形態中、ネットワーク整合装置１の運転態様は限定されない。
【００３０】
図３を参照する。図３は、本考案の第２実施形態によるネットワーク整合装置を示す回路図である。本実施形態のネットワーク整合回路１ａは、前述の実施形態のネットワーク整合回路１と類似する。例えば、検出モジュール１４は、高周波発生器８のインピーダンス及びプラズマ処理装置９のインピーダンスを検出すると、検出信号を生成する上、制御モジュール１２に出力する。制御モジュール１２は、検出信号に基づき、デフォルトモードを調整し、インピーダンス整合モジュール１０ａに最適パワー又は最大パワーで高周波エネルギーをプラズマ処理装置９に伝送させる。
【００３１】
本実施形態のネットワーク整合回路１ａが前述の実施形態のネットワーク整合回路１と異なる点を以下に示す。第１の可変コンデンサユニット１０１ａの第１端１０１１ａは、高周波発生器８及び第２の可変コンデンサユニット１０２ａの第１端１０２１ａに接続される。第２の可変コンデンサユニット１０２ａの第２端１０２２ａは、インダクタユニット１０３ａの第１端１０３１ａに接続される。インダクタユニット１０３ａの第２端１０３２ａは、プラズマ処理装置９に接続される。第１の可変コンデンサユニット１０１ａの第２端１０１２ａは、接地端に接続される。第１の可変コンデンサユニット１０１ａ及び第２の可変コンデンサユニット１０２ａは、それぞれ、制御モジュール１２の制御を受ける。本実施形態中、インピーダンス整合モジュール１０ａの態様は限定されない。
【００３２】
上述の差異以外の差異は、当業者であれば、上述の実施形態及び上述の差異を参考にして容易に推測することができるため、ここでは説明しない。
【００３３】
図４を参照する。図４は、本考案の第３実施形態によるネットワーク整合装置を示す回路図である。本実施形態のネットワーク整合回路１ｂは、前述の実施形態のネットワーク整合回路１と類似する。本実施形態のネットワーク整合回路１ｂが前述の実施形態のネットワーク整合回路１と異なる点を以下に示す。第１の可変コンデンサユニット１０１ｂの第１端１０１１ｂは、高周波発生器８に接続される。第１の可変コンデンサユニット１０１ｂの第２端１０１２ｂは、インダクタユニット１０３ｂの第１端１０３１ｂに接続される。第２の可変コンデンサユニット１０２ｂの第１端１０２１ｂは、インダクタユニット１０３ｂの第２端１０３２ｂ及びプラズマ処理装置９に接続される。第２の可変コンデンサユニット１０２ｂの第２端１０２２ｂは、接地端に接続される。第１の可変コンデンサユニット１０１ｂ及び第２の可変コンデンサユニット１０２ｂは、それぞれ、制御モジュール１２の制御を受ける。本実施形態中、インピーダンス整合モジュール１０ｂの態様は限定されない。
【００３４】
上述の差異以外の差異は、当業者であれば、上述の実施形態及び上述の差異を参考にして容易に推測することができるため、ここでは説明しない。
【００３５】
以上の説明から分かるように、本考案は、高周波発生器とプラズマ処理装置との間に接続されるネットワーク整合装置を提供するものである。検出モジュールは、高周波発生器のインピーダンス及びプラズマ処理装置のインピーダンスを検出すると、検出信号を制御モジュールに出力する。制御モジュールは、検出信号に基づき、デフォルトモードを調整する。デフォルトモードは、プラズマ処理装置のインピーダンス範囲に基づき、インピーダンス整合モジュールの整合インピーダンス、整合インピーダンス変換速度又は整合インピーダンス変換安定度を指示し、インピーダンス整合モジュールに高周波発生器が生成する高周波エネルギーをプラズマ処理装置に伝送させる。また、インピーダンス整合モジュールの第１の可変コンデンサユニット及び第２の可変コンデンサユニットは、それぞれ、複数のコンデンサ及び複数の切換スイッチを有する。制御モジュールは、検出信号に基づき、デフォルトモードを調整する。デフォルトモードは、第１の可変コンデンサユニットの複数のコンデンサ及び／又は第２の可変コンデンサユニットの複数のコンデンサの直列状態又は並列状態を指示する。これにより、本考案のネットワーク整合装置は、プラズマ処理装置内のウェハ製造工程の品質を高めることができ、各種の特殊ガスが充填されたプラズマ処理装置に適用してウェハ製造工程を行うことができる。
【００３６】
以上は、本考案の実施形態を示すものであり、本考案の実用新案登録請求の範囲を限定するものではない。
【符号の説明】
【００３７】
１  ネットワーク整合装置（回路）（Matching Network Device）
１ａ  ネットワーク整合装置（回路）（Matching Network Device）
１ｂ  ネットワーク整合（回路）（Matching Network Device）
８  高周波発生器（RF generator）
９  プラズマ処理装置（plasma processing device）
１０  インピーダンス整合モジュール（impedance matching module）
１０ａ  インピーダンス整合モジュール（impedance matching module）
１０ｂ  インピーダンス整合モジュール（impedance matching module）
１０１  第１の可変コンデンサユニット（first adjustable condenser unit）
１０１ａ  第１の可変コンデンサユニット（first adjustable condenser unit）
１０１ｂ  第１の可変コンデンサユニット（first adjustable condenser unit）
１０１１  第１の可変コンデンサユニットの第１端（first terminal of first adjustable condenser unit）
１０１１ａ  第１の可変コンデンサユニットの第１端（first terminal of first adjustable condenser unit）
１０１１ｂ  第１の可変コンデンサユニットの第１端（first terminal of first adjustable condenser unit）
１０１２  第１の可変コンデンサユニットの第２端（second terminal of first adjustable condenser unit）
１０１２ａ  第１の可変コンデンサユニットの第２端（second terminal of first adjustable condenser unit）
１０１２ｂ  第１の可変コンデンサユニットの第２端（second terminal of first adjustable condenser unit）
１０２  第２の可変コンデンサユニット（second adjustable condenser unit）
１０２ａ  第２の可変コンデンサユニット（second adjustable condenser unit）
１０２ｂ  第２の可変コンデンサユニット（second adjustable condenser unit）
１０２１  第２の可変コンデンサユニットの第１端（first terminal of second adjustable condenser unit）
１０２１ａ  第２の可変コンデンサユニットの第１端（first terminal of second adjustable condenser unit）
１０２１ｂ  第２の可変コンデンサユニットの第１端（first terminal of second adjustable condenser unit）
１０２２  第２の可変コンデンサユニットの第２端（second terminal of second adjustable condenser unit）
１０２２ａ  第２の可変コンデンサユニットの第２端（second terminal of second adjustable condenser unit）
１０２２ｂ  第２の可変コンデンサユニットの第２端（second terminal of second adjustable condenser unit）
１０３  インダクタユニット（inductor unit）
１０３ａ  インダクタユニット（inductor unit）
１０３ｂ  インダクタユニット（inductor unit）
１０３１  インダクタユニットの第１端（first terminal of inductor unit）
１０３１ａ  インダクタユニットの第１端（first terminal of inductor unit）
１０３１ｂ  インダクタユニットの第１端（first terminal of inductor unit）
１０３２  インダクタユニットの第２端（second terminal of inductor unit）
１０３２ａ  インダクタユニットの第２端（second terminal of inductor unit）
１０３２ｂ  インダクタユニットの第２端（second terminal of inductor unit）
１２  制御モジュール（control module）
１４  検出モジュール（detection module）
【図１】
0003188679.tif 000003
【図２】
0003188679.tif 000004
【図３】
0003188679.tif 000005
【図４】
0003188679.tif 000006