【手続補正書】
【提出日】平成22年11月1日(2010.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置された圧電膜積層体と、を備え、
前記圧電膜積層体は、圧電膜が少なくとも２層以上備えられ、前記圧電膜の間と、前記圧電膜積層体の最下層及び最上層と、に電極が配されており、
前記圧電膜のうちの少なくとも２層は、互いに異なる圧電定数を有することを特徴とする半導体圧力センサ。
【請求項２】
前記基板は、半導体材料を用いることを特徴とする請求項１に記載の半導体圧力センサ。
【請求項３】
前記基板は、第１基板と、該第１基板上に積層される絶縁膜と、該絶縁膜上に積層される第２基板と、を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体圧力センサ。
【請求項４】
前記圧電膜のうちの少なくとも２層が、互いに異なる膜厚で形成されていることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体圧力センサ。
【請求項５】
基板上において、圧電膜を少なくとも２層以上で形成し、前記圧電膜の間と、最下層及び最上層と、に電極を配して圧電膜積層体を形成し、
前記圧電膜のうちの少なくとも２層を、反応性スパッタ法を用いて、互いに異なる圧電定数を有する層で形成することを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。
【請求項６】
請求項１〜４の何れか１項に記載の半導体圧力センサが備えられてなる電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体圧力センサ及びその製造方法、並びに電子機器
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体圧力センサ及びその製造方法、並びに電子機器に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の半導体圧力センサは、基板と、前記基板上に配置された圧電膜積層体と、を備え、前記圧電膜積層体は、圧電膜が少なくとも２層以上備えられ、前記圧電膜の間と、前記圧電膜積層体の最下層及び最上層と、に電極が配されており、前記圧電膜のうちの少なくとも２層は、互いに異なる圧電定数を有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
係る構成の半導体圧力センサによれば、圧電膜の間と、最下層及び最上層とに電極が配されることで圧電膜と電極とが交互に積層されてなる圧電膜積層体が基板上に形成され、さらに、圧電膜のうちの少なくとも２層が互いに異なる圧電定数を有するものなので、圧電膜における微小な電位変化を検出することができることから、低消費電力であるとともに優れた圧力検知感度を有し、また、半導体回路との一体形成が容易な半導体圧力センサを実現することが可能となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
なお、上記構成の半導体圧力センサにおいては、前記基板に半導体材料を用いる構成とすることができる。
係る構成の半導体圧力センサによれば、半導体材料からなる基板を用いることにより、ＣＭＯＳ等の半導体回路との一体化が容易になる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
なお、上記構成の半導体圧力センサにおいては、前記基板が、第１基板と、該第１基板上に積層される絶縁膜と、該絶縁膜上に積層される第２基板と、を備える構成とすることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
係る構成の半導体圧力センサによれば、基板が、第１基板と、該第１基板上に積層される絶縁膜と、該絶縁膜上に積層される第２基板とを備えるものなので、上記同様、圧電膜における微小な電位変化を検出することができ、低消費電力であるとともに優れた圧力検知感度を有し、また、半導体回路との一体形成が容易な半導体圧力センサを実現することが可能となる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、上記構成の半導体圧力センサにおいては、前記圧電膜のうちの少なくとも２層が、互いに異なる膜厚で形成された構成とすることができる。
係る構成の半導体圧力センサによれば、圧電膜のうちの少なくとも２層の膜厚を、互いに異なる膜厚とすることにより、印加される圧力に応じて、より優れた圧力検知感度を有するものとなる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の半導体圧力センサの製造方法は、基板上において、圧電膜を少なくとも２層以上で形成し、前記圧電膜の間と、最下層及び最上層と、に電極を配して圧電膜積層体を形成し、前記圧電膜のうちの少なくとも２層を、反応性スパッタ法を用いて、互いに異なる圧電定数を有する層で形成することを特徴とする。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
係る構成の半導体圧力センサの製造方法によれば、圧電膜のうちの少なくとも２層を、反応性スパッタ法を用いて、互いに異なる圧電定数を有する層で形成する方法なので、圧電膜の各々の結晶方位を制御することにより、圧電定数の異なる膜として効率良く形成することが可能となる。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本発明の電子機器は、上記の何れかに記載の構成を有する半導体圧力センサが備えられていることを特徴とする。
係る構成の電子機器によれば、上記構成の半導体圧力センサが備えられた構成なので、小型で機器特性に優れたものとなる。