【手続補正書】
【提出日】平成22年4月21日(2010.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二次電池の放電電流を制御する第１の半導体デバイス及び前記二次電池の充電電流を制御する第２の半導体デバイスと、
前記第１の半導体デバイス及び前記第２の半導体デバイスのオン、オフを制御する制御回路と、
前記二次電池の過放電状態を検出する過放電検出回路及び前記二次電池の過充電状態を検出する過充電検出回路と、
前記二次電池が過放電状態にあるときに前記第１の半導体デバイスによる電圧ドロップにより充電電流を検出する過放電時充電電流検出手段及び前記二次電池が過充電状態にあるときに前記第２の半導体デバイスによる電圧ドロップにより放電電流を検出する過充電時放電電流検出手段と、
を有し、
前記第１の半導体デバイスと前記第２の半導体デバイスは、前記二次電池の充放電電流経路に対して互いに逆向きにして直列に介装され、
前記第１の半導体デバイスは独立してオン、オフに制御される複数の並列スイッチ素子から構成され、
前記制御回路は、前記過放電検出回路で過放電状態を検出していないときに前記第１の半導体デバイスおよび前記第２の半導体デバイスをオンにするとともに、前記過放電検出回路で過放電状態を検出している間に前記過放電時充電電流検出手段で検出された充電電流に応じて前記第１の半導体デバイスの前記並列スイッチ素子のうち一部をオン、その他をオフに制御することを特徴とする二次電池保護装置。
【請求項２】
二次電池の放電電流を制御する第１の半導体デバイス及び前記二次電池の充電電流を制御する第２の半導体デバイスと、
前記第１の半導体デバイス及び前記第２の半導体デバイスのオン、オフを制御する制御回路と、
前記二次電池の過放電状態を検出する過放電検出回路及び前記二次電池の過充電状態を検出する過充電検出回路と、
前記二次電池が過放電状態にあるときに前記第１の半導体デバイスによる電圧ドロップにより充電電流を検出する過放電時充電電流検出手段及び前記二次電池が過充電状態にあるときに前記第２の半導体デバイスによる電圧ドロップにより放電電流を検出する過充電時放電電流検出手段と、
を有し、
前記第１の半導体デバイスと前記第２の半導体デバイスは、前記二次電池の充放電電流経路に対して互いに逆向きにして直列に介装され、
前記第２の半導体デバイスは独立してオン、オフに制御される複数の並列スイッチ素子から構成され、
前記制御回路は、前記過充電検出回路が過充電状態を検出していないときに前記第１の半導体デバイスおよび前記第２の半導体デバイスをオンにするとともに、前記過充電検出回路で過充電状態を検出している間に前記過充電時放電電流検出手段で検出された放電電流に応じて前記第２の半導体デバイスの前記並列スイッチ素子のうち一部をオン、その他をオフに制御することを特徴とする二次電池保護装置。
【請求項３】
前記過充電時放電電流検出手段及び前記過放電時充電電流検出手段は、それぞれ通常状態における前記二次電池の放電過電流を検出する放電過電流検出回路及び充電過電流を検出する充電過電流検出回路からなることを特徴とする請求項１または２記載の二次電池保護装置。
【請求項４】
前記放電過電流検出回路及び前記充電過電流検出回路は、前記第１の半導体デバイスと前記第２の半導体デバイスからなる直列回路の両端電圧によりそれぞれ放電電流及び充電電流を検出することを特徴とする請求項３記載の二次電池保護装置。
【請求項５】
前記放電過電流検出回路及び前記充電過電流検出回路は、前記直列回路の一端が基準電位に接続され、他端の電位のみを検出することを特徴とする請求項４記載の二次電池保護装置。
【請求項６】
前記制御回路は、前記過充電検出回路が過充電状態を検出しているときに前記第２の半導体デバイスをオンにするとともに、前記過放電時充電電流検出手段が前記充電電流を検出すると前記第１の半導体デバイスの前記並列スイッチ素子のうち一部を所定期間だけオンに制御することを特徴とする請求項１記載の二次電池保護装置。
【請求項７】
前記制御回路は、前記過放電検出回路が過放電状態を検出しているときに前記第１の半導体デバイスをオンにするとともに、前記過放電時充電電流検出手段が前記放電電流を検出すると前記第２の半導体デバイスの前記並列スイッチ素子のうち一部を所定期間だけオンに制御することを特徴とする請求項２記載の二次電池保護装置。
【請求項８】
前記第１の半導体デバイス及び前記第２の半導体デバイスは、複数のＭＯＳ半導体スイッチの並列回路によって構成されていることを特徴とする請求項１または２記載の二次電池保護装置。
【請求項９】
二次電池の放電電流を制御する第１の半導体デバイス及び前記二次電池の充電電流を制御する第２の半導体デバイスと、
前記第１の半導体デバイス及び前記第２の半導体デバイスのオン、オフを制御する制御回路と、
前記二次電池の過放電状態を検出する過放電検出回路及び前記二次電池の過充電状態を検出する過充電検出回路と、
前記二次電池が過放電状態にあるときに前記第１の半導体デバイスによる電圧ドロップにより充電電流を検出する過放電時充電電流検出手段及び前記二次電池が過充電状態にあるときに前記第２の半導体デバイスによる電圧ドロップにより放電電流を検出する過充電時放電電流検出手段と、
が構成された半導体集積回路装置において、
前記第１の半導体デバイスと前記第２の半導体デバイスは、前記二次電池の充放電電流経路に対して互いに逆向きにして直列に介装され、
前記第１の半導体デバイスは独立してオン、オフに制御される複数の並列スイッチ素子から構成され、
前記制御回路は、前記過放電検出回路で過放電状態を検出していないときに前記第１の半導体デバイスおよび前記第２の半導体デバイスをオンにするとともに、前記過放電検出回路で過放電状態を検出している間に前記過放電時充電電流検出手段で検出された充電電流に応じて前記第１の半導体デバイスの前記並列スイッチ素子のうち一部をオン、その他をオフに制御することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１０】
二次電池の放電電流を制御する第１の半導体デバイス及び前記二次電池の充電電流を制御する第２の半導体デバイスと、
前記第１の半導体デバイス及び前記第２の半導体デバイスのオン、オフを制御する制御回路と、
前記二次電池の過放電状態を検出する過放電検出回路及び前記二次電池の過充電状態を検出する過充電検出回路と、
前記二次電池が過放電状態にあるときに前記第１の半導体デバイスによる電圧ドロップにより充電電流を検出する過放電時充電電流検出手段及び前記二次電池が過充電状態にあるときに前記第２の半導体デバイスによる電圧ドロップにより放電電流を検出する過充電時放電電流検出手段と、
が構成された半導体集積回路装置において、
前記第１の半導体デバイスと前記第２の半導体デバイスは、前記二次電池の充放電電流経路に対して互いに逆向きにして直列に介装され、
前記第２の半導体デバイスは独立してオン、オフに制御される複数の並列スイッチ素子から構成され、
前記制御回路は、前記過充電検出回路が過充電状態を検出していないときに前記第１の半導体デバイスおよび前記第２の半導体デバイスをオンにするとともに、前記過充電検出回路で過充電状態を検出している間に前記過充電時放電電流検出手段で検出された放電電流に応じて前記第２の半導体デバイスの前記並列スイッチ素子のうち一部をオン、その他をオフに制御することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１１】
ｐ型の半導体基板と、
前記半導体基板の表面層に形成されたｎ型の第１ウェル領域と、
前記半導体基板の表面層に前記第１ウェル領域とは離れて形成されたｎ型の第２ウェル領域と、
前記第１ウェル領域内にそれぞれ前記第１及び第２の半導体デバイスとして形成された第１のＭＯＳＦＥＴ及び第２のＭＯＳＦＥＴと、
を備えた半導体集積回路装置であって、
前記第１のＭＯＳＦＥＴおよび前記第２のＭＯＳＦＥＴはそれぞれ、
前記第１ウェル領域内に形成されたｐ型のベース領域と、
前記ベース領域内に形成されたｎ型のソース領域と、
前記第１ウェル領域と前記ソース領域とに挟まれた前記ベース領域の表面上に絶縁膜を介して形成されたポリシリコンゲート電極と、
を有し、
前記第１のＭＯＳＦＥＴ及び前記第２のＭＯＳＦＥＴのオン、オフを制御する制御回路が前記第２ウェル領域内に形成されていることを特徴とする請求項９または１０記載の半導体集積回路装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明では上記課題を解決するために、二次電池の放電電流を制御する第１の半導体デバイス及び前記二次電池の充電電流を制御する第２の半導体デバイスと、前記第１の半導体デバイス及び前記第２の半導体デバイスのオン、オフを制御する制御回路と、前記二次電池の過放電状態を検出する過放電検出回路及び前記二次電池の過充電状態を検出する過充電検出回路と、前記二次電池が過放電状態にあるときに前記第１の半導体デバイスによる電圧ドロップにより充電電流を検出する過放電時充電電流検出手段及び前記二次電池が過充電状態にあるときに前記第２の半導体デバイスによる電圧ドロップにより放電電流を検出する過充電時放電電流検出手段と、を有し、前記第１の半導体デバイスと前記第２の半導体デバイスは、前記二次電池の充放電電流経路に対して互いに逆向きにして直列に介装され、前記第１の半導体デバイスは独立してオン、オフに制御される複数の並列スイッチ素子から構成され、前記制御回路は、前記過放電検出回路で過放電状態を検出していないときに前記第１の半導体デバイスおよび前記第２の半導体デバイスをオンにするとともに、前記過放電検出回路で過放電状態を検出している間に前記過放電時充電電流検出手段で検出された充電電流に応じて前記第１の半導体デバイスの前記並列スイッチ素子のうち一部をオン、その他をオフに制御することを特徴とする二次電池保護装置が提供される。
また、前記第２の半導体デバイスを独立してオン、オフに制御される複数の並列スイッチ素子から構成した場合には、前記制御回路は、前記過充電検出回路が過充電状態を検出していないときに前記第１の半導体デバイスおよび前記第２の半導体デバイスをオンにするとともに、前記過充電検出回路で過充電状態を検出している間に前記過充電時放電電流検出手段で検出された放電電流に応じて前記第２の半導体デバイスの前記並列スイッチ素子のうち一部をオン、その他をオフに制御することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、本発明では上記課題を解決するために、二次電池の放電電流を制御する第１の半導体デバイス及び前記二次電池の充電電流を制御する第２の半導体デバイスと、前記第１の半導体デバイス及び前記第２の半導体デバイスのオン、オフを制御する制御回路と、前記二次電池の過放電状態を検出する過放電検出回路及び前記二次電池の過充電状態を検出する過充電検出回路と、前記二次電池が過放電状態にあるときに前記第１の半導体デバイスによる電圧ドロップにより充電電流を検出する過放電時充電電流検出手段及び前記二次電池が過充電状態にあるときに前記第２の半導体デバイスによる電圧ドロップにより放電電流を検出する過充電時放電電流検出手段と、が構成された半導体集積回路装置において、前記第１の半導体デバイスと前記第２の半導体デバイスは、前記二次電池の充放電電流経路に対して互いに逆向きにして直列に介装され、前記第１の半導体デバイスは独立してオン、オフに制御される複数の並列スイッチ素子から構成され、前記制御回路は、前記過放電検出回路で過放電状態を検出していないときに前記第１の半導体デバイスおよび前記第２の半導体デバイスをオンにするとともに、前記過放電検出回路で過放電状態を検出している間に前記過放電時充電電流検出手段で検出された充電電流に応じて前記第１の半導体デバイスの前記並列スイッチ素子のうち一部をオン、その他をオフに制御することを特徴とする半導体集積回路装置が提供される。
さらに、前記第２の半導体デバイスを独立してオン、オフに制御される複数の並列スイッチ素子から構成した場合には、前記制御回路は、前記過充電検出回路が過充電状態を検出していないときに前記第１の半導体デバイスおよび前記第２の半導体デバイスをオンにするとともに、前記過充電検出回路で過充電状態を検出している間に前記過充電時放電電流検出手段で検出された放電電流に応じて前記第２の半導体デバイスの前記並列スイッチ素子のうち一部をオン、その他をオフに制御することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
Ｎウェル領域３１内のＰベース領域３３には、Ｐ+拡散領域３５とＮ+拡散領域３６が選択的に形成され、Ｐ+拡散領域３５がＭＯＳＦＥＴＱ１の基板取出電極とされ、Ｎ+拡散領域３６はソースＳ１とされている。同様に、Ｐベース領域３４には、Ｐ+拡散領域３７とＮ+拡散領域３８が選択的に形成され、Ｐ+拡散領域３７がＭＯＳＦＥＴＱ２の基板取出電極とされ、Ｎ+拡散領域３８はソースＳ２とされている。また、Ｎウェル領域３１には、それぞれＰベース領域３３，３４に隣接してＮ+拡散領域３９，４０が形成され、そこからＭＯＳＦＥＴＱ１，Ｑ２のドレインＤ１，Ｄ２が取り出されて、互いに共通に接続されている。さらに、Ｎ+拡散領域３６と３９に挟まれた中間領域、及びＮ+拡散領域３８と４０に挟まれた中間領域には、それぞれゲート絶縁膜４１，４２を介してｎ形にドーピングされたポリシリコン膜などのゲート電極４３，４４が形成されている。