Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月29日(2010.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＰＷＭ制御回路であって、
ＰＷＭ信号の周期を規定するＰＷＭ周期信号と、前記ＰＷＭ周期信号の一周期内における分解能を定めるＰＷＭ分解能信号と、を生成するＰＷＭ制御信号生成部と、
前記ＰＷＭ周期信号と、前記ＰＷＭ分解能信号と、に基づいて前記ＰＷＭ信号を生成するＰＷＭ部と、
を備え、
前記ＰＷＭ制御信号生成部は、前記ＰＷＭ周期信号の周波数を維持したまま、前記ＰＷＭ分解能信号の周波数を変更する、回路。
【請求項２】
請求項１記載の回路であって、
前記ＰＷＭ制御信号生成部は、位相比較器と、ループフィルタと、電圧制御発振器と、分周器とを有するＰＬＬ回路を備え、
前記ＰＷＭ周期信号は、前記ＰＬＬ回路の分周器から出力され、前記位相比較器に入力される帰還信号であり、
前記ＰＷＭ分解能信号は、前記ＰＬＬ回路の電圧制御発振器から出力される信号である、回路。
【請求項３】
請求項１記載の回路であって、
前記ＰＷＭ制御信号生成部は、位相比較器と、ループフィルタと、電圧制御発振器と、分周器とを有するＰＬＬ回路を備え、
前記ＰＷＭ周期信号は、前記ＰＬＬ回路の位相比較器に入力される基準信号であり、
前記ＰＷＭ分解能信号は、前記ＰＬＬ回路の電圧制御発振器から出力される信号である、回路。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の回路を備えた電動機。
【請求項５】
請求項４記載の電動機と、
前記電動機によって駆動される被駆動部材と、
を備える装置。
【請求項６】
請求項５記載の装置であって、
前記装置はプロジェクタである、装置。
【請求項７】
請求項５記載の装置であって、
前記装置は携帯機器である、装置。
【請求項８】
請求項５記載の装置であって、
前記装置は移動体である、装置。
【請求項９】
請求項５記載の装置であって、
前記装置はロボットである、装置。
【請求項１０】
ＰＷＭ信号を生成する方法であって、
標準となる周波数及び位相を有するクロック信号とＰＷＭ信号の周期を決定するＰＷＭ周期信号との位相差を、電圧レベルに変換する工程と、
前記電圧レベルに応じた周波数で発振させて、前記ＰＷＭ周期信号の一周期内における分解能を定めるＰＷＭ分解能信号とする工程と、
該ＰＷＭ分解能信号を分周してＰＷＭ周期信号を生成する工程と、
前記ＰＷＭ分解能信号と前記ＰＷＭ周期信号とに基づいて、前記ＰＷＭ信号を生成する工程と
を備える方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＰＷＭ制御回路、該ＰＷＭ制御回路を備えた電動機、該電動機を備えた装置及びＰＷＭ信号を生成する方法
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月24日(2010.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
位置指令から電動機位置を減算した位置偏差に基づいて速度指令を生成する位置制御部と、
前記電動機位置の時間差分により電動機速度を生成する電動機速度生成部と、
前記速度指令から前記電動機速度を減算した速度偏差に基づいて第１トルク指令を生成し、前記速度指令を時間遅延させた遅延速度指令から前記電動機速度を減算した遅延速度偏差に基づいて第２トルク指令を生成し、前記第１トルク指令と前記第２トルク指令とを加算して第３トルク指令を生成する速度制御部と、
前記電動機速度と新たなトルク指令とに基づいて推定トルクを生成するトルクオブザーバ部と、
前記第３トルク指令と前記推定トルクとを加算した前記新たなトルク指令に基づいて電動機を駆動する電動機駆動部と、を備えることを特徴とする電動機制御装置。
【請求項２】
前記速度制御部が、前記遅延速度指令を生成するローパスフィルタと有することを特徴とする請求項１記載の電動機制御装置。
【請求項３】
前記速度制御部が、前記速度指令を制御時間毎に格納し、格納した順に前記遅延速度指令を生成することを特徴とする請求項１記載の電動機制御装置。
【請求項４】
前記トルクオブザーバ部が、前記電動機速度から推定速度を減算した推定速度偏差を、比例積分制御演算して第１推定加速度指令を生成すると共に、
前記新たなトルク指令に、前記電動機の慣性モーメントに反比例する第１係数を乗算して第２推定加速度指令を生成し、
前記第１推定加速度指令と前記第２推定加速度指令とを加算した値を積分して前記推定速度を生成し、
前記比例積分制御演算過程における積分値に、第２係数を乗じて前記推定トルクを生成することを特徴とする請求項１記載の電動機制御装置。
【請求項５】
前記トルクオブザーバ部に代えて負荷モデル部を備え、
前記負荷モデルが、前記第２トルク指令と前記電動機速度とに基づいて補償トルクを生成するものであって、
前記電動機駆動部が、前記新たなトルク指令に代えて、前記第３トルク指令と前記補償トルクとを加算した他のトルク指令に基づいて電動機を駆動することを特徴とする請求項１記載の電動機制御装置。
【請求項６】
前記位置指令の時間差分値に基づいてフィードフォワード速度指令を生成する速度フィードフォワード部を備え、
前記位置制御部が生成する速度指令と前記フィードフォワード速度指令とを加算して新たな速度指令を生成し、前記新たな速度指令を前記速度制御部に入力することを特徴とする請求項１記載の電動機制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記問題を解決するため、本発明の代表的な構成は、次のように構成したのである。
電動機制御装置が、位置指令から電動機位置を減算した位置偏差に基づいて速度指令を生成する位置制御部と、電動機位置の時間差分により電動機速度を生成する電動機速度生成部と、速度指令から電動機速度を減算した速度偏差に基づいて第１トルク指令を生成し、速度指令を時間遅延させた遅延速度指令から電動機速度を減算した遅延速度偏差に基づいて第２トルク指令を生成し、第１トルク指令と第２トルク指令とを加算して第３トルク指令を生成する速度制御部と、電動機速度と新たなトルク指令とに基づいて推定トルクを生成するトルクオブザーバ部と、第３トルク指令と推定トルクとを加算した新たなトルク指令に基づいて電動機を駆動する電動機駆動部と、を備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の代表的な構成によると、機械ごとの調整が不要で象限切替え時の象限突起が少ない電動機制御装置を提供することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電動機制御装置
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月18日(2010.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サーバ装置とクライアント装置と管理サーバ装置とがネットワークで接続されたクライアントサーバシステムにおいて、
前記クライアント装置は、当該クライアント装置に接続されたデバイスを駆動する下位ドライバ手段を備え、
当該下位ドライバ手段は、前記デバイスへ命令を送信し、前記デバイスは、前記下位ドライバに向けて前記命令に対して返信するものであって、
前記サーバ装置は、
前記クライアント装置に接続され、当該サーバ装置が利用可能なデバイスの情報を、前記管理サーバ装置から取得する管理手段を備え、
前記管理手段は、
前記管理手段が取得したデバイス情報に対応するデバイスのうち、当該サーバ装置が利用可能であるデバイスを、前記下位ドライバ手段を介して駆動する上位ドライバ手段を、当該サーバ装置に構築し、
前記上位ドライバ手段と前記下位ドライバ手段とが通信するための通信チャネルを生成する
ことを特徴とするクライアントサーバシステム。
【請求項２】
請求項１に記載のクライアントサーバシステムにおいて、
前記クライアント装置の前記下位ドライバ手段は、他の上位ドライバ手段から前記デバイスへのアクセスを遮断するフィルタ手段を備える
ことを特徴とするクライアントサーバシステム。
【請求項３】
請求項１または２に記載のクライアントサーバシステムにおいて、
前記管理サーバ装置の前記管理手段は、
前記クライアント装置に、利用可能デバイスを問い合わせる手段を備え、
前記クライアント装置は、接続しているデバイスに係わる情報を、前記サーバ装置に送信する手段を備える
ことを特徴とするクライアントサーバシステム。
【請求項４】
請求項１ないし３いずれか一に記載のクライアントサーバシステムにおいて、
前記管理サーバ装置は、
前記クライアント装置に接続されたデバイスに係わる情報を格納するデバイス情報テーブルを備え、
前記デバイス情報テーブルに、各デバイスごとに排他制御情報を格納する手段を備える
ことを特徴とするクライアントサーバシステム。
【請求項５】
請求項１ないし４いずれか一に記載のクライアントサーバシステムにおいて、
前記クライアント装置は、前記デバイスに係わる情報として、「占有中」、「利用中」、「通信中」のいずれかを、前記管理サーバへ送信する手段を備え、
前記管理サーバは、受信した前記デバイスに係わる情報を用いて、前記デバイス情報テーブルを更新する手段を備える
ことを特徴とするクライアントサーバシステム。
【請求項６】
サーバ装置とクライアント装置とがネットワークで接続されたクライアントサーバシステムにおいて、
前記クライアント装置は、当該クライアント装置に接続されたデバイスを駆動するクライアント側ドライバ手段を備え、
前記クライアント装置は、前記サーバ装置との間に生成された通信チャネルを介して通信を行う通信手段を備え、
前記サーバ装置は、前記通信チャネルを介して通信を行う通信手段と、
前記クライアント装置に接続された前記デバイスに対応したサーバ側ドライバ手段を当該サーバ装置上に生成するドライバ準備手段と、を備え、
前記クライアント側ドライバ手段は、
接続されている前記デバイスの情報を取得し、
取得した前記デバイスの情報を、前記通信チャネルを介して、前記サーバ装置に送信し、
前記ドライバ準備手段は、前記デバイス情報を受信し、対応する前記サーバ側ドライバ手段を生成する
ことを特徴とするクライアントサーバシステム。
【請求項７】
請求項６に記載のクライアントサーバシステムにおいて、
前記クライアント装置に接続されたデバイスに係わる情報を格納するデバイス情報テーブルを備える管理サーバ装置を備え、
前記サーバ装置の前記ドライバ準備手段は、
前記デバイス情報テーブルを参照して、前記クライアント装置に接続されたデバイスの利用可否を判断し、
前記判断結果が、前記デバイスを利用可能である場合に、前記サーバ側ドライバ手段を生成する
ことを特徴とするクライアントサーバシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】クライアントサーバシステム
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月8日(2010.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のコンテンツを含む放送データを記録するためのコンテンツ記憶部と、
コンテンツの波形データに対応付けて該コンテンツのコンテンツ情報を記憶するデータベースを有するコンテンツ情報サーバに接続する接続手段と、
該コンテンツ記憶部に記録されている放送データの波形データを該コンテンツ情報サーバに送信し、該コンテンツ情報サーバからコンテンツ情報を取得する取得手段と、
該取得手段が取得したコンテンツ情報が変更された箇所で、該放送データを複数のコンテンツに分割する分割手段とを備える、コンテンツ記録装置。
【請求項２】
前記分割手段が、前記取得したコンテンツ情報が変更された箇所によって規定される区間の記録時間が所定時間以上である場合に、当該箇所で前記放送データを分割し、該区間の記録時間が所定時間未満である場合に、当該箇所で該放送データを分割しない、請求項１に記載のコンテンツ記録装置。
【請求項３】
前記取得手段が取得したコンテンツ情報をフォルダ名として有するフォルダを作成するフォルダ作成手段と、
前記分割手段によって分割されたコンテンツを、該フォルダ作成手段によって作成され、該取得手段によって取得されたコンテンツ情報に対応するフォルダに格納する格納手段とをさらに備える、請求項１または２に記載のコンテンツ記録装置。
【請求項４】
複数のコンテンツを含む放送データを記録するためのコンテンツ記憶部を備えるコンテンツ記録装置の動作プログラムであり、
コンテンツの波形データに対応付けて該コンテンツのコンテンツ情報を記憶するデータベースを有するコンテンツ情報サーバに接続する接続ステップと、
該コンテンツ記憶部に記録されている放送データの波形データを該コンテンツ情報サーバに送信し、該コンテンツ情報サーバからコンテンツ情報を取得する取得ステップと、
該取得したコンテンツ情報が変更された箇所で、該放送データを複数のコンテンツに分割する分割ステップとをコンピュータに実行させる、コンテンツ記録装置の動作プログラ
ム。
【請求項５】
前記分割ステップにおいて、前記取得したコンテンツ情報が変更された箇所によって規定される区間の記録時間が所定時間以上である場合に、当該箇所で前記放送データを分割し、該区間の記録時間が所定時間未満である場合に、当該箇所で該放送データを分割しない、請求項４に記載のコンテンツ記録装置の動作プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月12日(2010.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビーム加工用のチャンバ構造（１００）であり、
チャンバ（２３）を画定しかつ少なくとも１つのロード／アンロード開口部（３０）を有するチャンバハウジング（２６）と、
前記ロード／アンロード開口部（３０）を囲むように前記チャンバハウジング（２６）に支持され、かつ前記ロード／アンロード開口部（３０）に対して回転軸線（３１）を中心に回転可能であるリング（２）と、
前記ロード／アンロード開口部（３０）をシールして閉じるために前記リング（２）に接続可能でありかつ前記ロード／アンロード開口部（３０）に対して前記リング（２）と共に回転可能であるチャンバ閉鎖部（３）と、
を備えるチャンバ構造（１００）。
【請求項２】
前記チャンバ閉鎖部（３）が、
前記回転軸線（３１）を中心に回転させるために前記リング（２）に接続可能な外部要素（１２）と、
前記チャンバ閉鎖部（３）によって前記ロード／アンロード開口部（３０）が閉じられている状態において、前記チャンバ（２３）に対面する前記外部要素（１２）の側に配置される内部要素（１４）と、
を備える請求項１に記載のチャンバ構造。
【請求項３】
前記外部要素（１２）に対して前記内部要素（１４）を選択的に移動させてロックすることができる請求項２に記載のチャンバ構造。
【請求項４】
前記内部要素（１４）に回転不能に接続される軸（９）と、
楔状の環状間隙（Ｆ）を形成する前記軸（９）に対向する前記外部要素（１２）の環状面（３４）と、
前記環状間隙（Ｆ）に相補的でありかつ前記軸（９）の長手方向軸線の周りでまた該長手方向軸線と同軸に移動可能であるように配置される楔状のリング（１５）と、
前記内部要素（１４）と前記外部要素（１２）との間に強制嵌合を生じさせるために、前記軸（９）の前記長手方向軸線の方向において前記リング（１５）を前記環状間隙（Ｆ）に付勢するばね（１６）と、
を備えるカップリング（２７）をさらに備える請求項２または３に記載のチャンバ構造。
【請求項５】
前記外部要素（１２）に対する前記内部要素（１４）の移動を選択的に許容するために、前記ばね（１６）の前記付勢に抗して楔状の前記リング（１５）を移動させることができる請求項４に記載のチャンバ構造。
【請求項６】
前記外部要素（１２）の回転中に、前記内部要素（１４）と前記外部要素（１２）とが共に回転するように前記内部要素（１４）を保持すべく、または前記外部要素（１２）の回転とは独立して前記内部要素（１４）を回転駆動すべく適合される外部装置（６）に、前記内部要素（１４）が接続されるように適合される請求項３から５のいずれか一項に記載のチャンバ構造。
【請求項７】
前記外部装置が昇降手段（６）である請求項６に記載のチャンバ構造。
【請求項８】
前記外部要素（１２）または前記内部要素（１４）に配置された歯付きリング（８）と、
前記外部要素（１２）および前記内部要素の他の要素に保持され、前記歯付きリング（８）に係合し、前記外部要素および前記内部要素（１２、１４）の相対運動によって駆動できる少なくとも１つの歯車（７）と、
前記歯車（７）を回転させるために前記歯車（７）に接続される少なくとも１つの駆動軸（２１）と、
をさらに備える請求項２から７のいずれか一項に記載のチャンバ構造。
【請求項９】
前記チャンバ（２３）内にワークピースを位置決めするためのマニピュレータ（２８、２９）と、
前記マニピュレータ（２８、２９）の回転軸（２４）および／または移動軸（２５）を駆動するために前記駆動軸（２１）に接続されかつ前記マニピュレータ（２８、２９）に接続されるウォーム軸（１８）と、
をさらに備える請求項８に記載のチャンバ構造。
【請求項１０】
前記ウォーム軸（１８）が、前記駆動軸（２１）の回転を複数の被駆動軸（２４、２５）の１つ以上の軸に選択的に伝達する前記チャンバ（２３）内の作動手段である請求項９に記載のチャンバ構造。
【請求項１１】
前記マニピュレータ（２８、２９）の複数の動作位置に応じて対応する複数の溝（１１）が前記軸（９）の適切な箇所に設けられ、前記昇降手段（６）の上昇時にスプライン（１０）が前記対応する複数の溝に係合可能であるように適合される請求項９または１０に記載のチャンバ構造。
【請求項１２】
前記リング（２）用の回転駆動装置（４）をさらに備える請求項１から１１のいずれか一項に記載のチャンバ構造。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月28日(2010.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体領域を形成し、
前記半導体領域上に、ＣＶＤ法、スパッタ法又は熱酸化法のいずれかの方法を用いて、酸素及び水素を含む第１の絶縁膜を形成し、
酸素を含む雰囲気下で、マイクロ波により励起されたプラズマを用いて前記第１の絶縁膜及び前記半導体領域の表面をプラズマ処理することにより、前記第１の絶縁膜中の水素含有量を低減するとともに、前記半導体領域の膜厚を減少させ、
前記第１の絶縁膜上に電荷蓄積領域である第１のゲート電極を形成し、
前記第１のゲート電極上に第２の絶縁膜を形成し、
酸素を含む雰囲気下で、マイクロ波により励起されたプラズマを用いて前記第２の絶縁膜をプラズマ処理し、
前記第２の絶縁膜上に制御ゲート電極となる第２のゲート電極を形成し、
前記第２のゲート電極をマスクとして不純物元素を添加し、前記半導体領域に一対の不純物領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
半導体領域を形成し、
前記半導体領域上に、ＣＶＤ法、スパッタ法又は熱酸化法のいずれかの方法を用いて、酸素及び水素を含む第１の絶縁膜を形成し、
酸素を含む雰囲気下で、マイクロ波により励起されたプラズマを用いて前記第１の絶縁膜及び前記半導体領域の表面をプラズマ処理することにより、前記第１の絶縁膜中の水素含有量を低減するとともに、前記半導体領域の膜厚を減少させ、
前記第１の絶縁膜上に第１のゲート電極を形成し、
前記第１のゲート電極をマスクとして不純物元素を添加し、前記半導体領域に一対の不純物領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記一対の不純物領域を形成した後、前記第１のゲート電極の側面に接するサイドウォールを形成し、
酸素を含む雰囲気下で、マイクロ波により励起されたプラズマを用いて前記サイドウォールをプラズマ処理することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記プラズマ処理後の前記第１の絶縁膜は、二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）による水素濃度測定において、水素濃度が５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の絶縁膜は、膜厚４０ｎｍ以下で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第１の絶縁膜としては、酸化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化タンタル又は酸化ハフニウムを含む絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月8日(2010.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
定盤上を非接触に移動可能なステージ可動部と、前記ステージ可動部の位置を計測する干渉計と、前記ステージ可動部に接続された配管または配線を備えるステージ装置であって、
前記配管または配線から前記干渉計の計測光が通過する空間に伝わる熱を低減するように配置された断熱材または熱回収ユニットを備えることを特徴とするステージ装置。
【請求項２】
前記ステージ可動部の外部に引き出された配管または配線を保持する補助部材をさらに備え、
前記断熱材または前記熱回収ユニットの少なくとも一部は、前記補助部材に配置されることを特徴とする請求項１に記載のステージ装置。
【請求項３】
前記熱回収ユニットは、前記補助部材に配置された高熱伝導材と、該高熱伝導材を冷却する冷却装置とを備えることを特徴とする請求項２に記載のステージ装置。
【請求項４】
前記熱回収ユニットは、前記補助部材を覆う包囲部材と、前記包囲部材の内部空間を排気する排気手段とを備えることを特徴とする請求項２または３に記載のステージ装置。
【請求項５】
前記配管または配線から前記干渉計の計測光が通過する空間に伝わる熱を低減するように配置された熱回収ユニットと、
前記ステージ可動部の外部に引き出された配管または配線を保持する補助部材をと備え、
前記熱回収ユニットは、前記補助部材を覆う包囲部材と、前記包囲部材の内部空間を排気する排気手段とを備えることを特徴とする請求項１に記載のステージ装置。
【請求項６】
前記配管または配線は複数の配管または配線を有し、
内部に温調された冷媒が流れる配管が外側に配置するように束ねられることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のステージ装置。
【請求項７】
前記配管および配線は前記ステージ可動部内の空間を通して前記ステージ可動部外に引き出され、
前記熱回収ユニットは、前記ステージ可動部内の空間を排気する排気手段を有することを特徴とする請求項１に記載のステージ装置。
【請求項８】
前記排気手段は、前記ステージ可動部内の空間と対向する排気口と、該排気口に接続され、前記ステージ可動部外に引き出された前記配管および配線を覆う包囲部材とを備えることを特徴とする請求項７に記載のステージ装置。
【請求項９】
前記ステージ可動部は第１ステージと、該第１ステージに搭載され、前記第１ステージの移動ストロークよりも短い移動ストロークで移動する第２ステージとを備え、
前記排気手段によって排気される空間は、前記第１ステージと第２ステージの間の空間であることを特徴とする請求項７または８に記載のステージ装置。
【請求項１０】
定盤と、
前記定盤の表面に沿って移動可能なステージ可動部と、
前記ステージ可動部の位置を計測する干渉計と、
前記ステージ可動部に接続された配管または配線と、
前記配管または配線の少なくとも一部を包囲し、前記配線または配管の屈曲に応じて屈曲可能な、前記配線または配管を保持するための補助部材と
前記補助部材によって保持され、前記配管または配線から前記干渉計の計測光が通過する空間に伝わる熱を低減するように配置された断熱材と、
を備えることを特徴とするステージ装置。
【請求項１１】
定盤と、
前記定盤の表面に沿って移動可能な第１ステージと、前記第１ステージ上に搭載され、前記第１ステージに対して移動可能な第２ステージと、を含むステージ可動部と、
前記ステージ可動部の位置を計測する干渉計と、
前記第１または第２ステージに接続され、前記第１ステージと第２ステージの間の空間を介して前記ステージ可動部の外部に引きだされる配線または配管と、
前記空間を排気する排気ユニットと、
を備えることを特徴とするステージ装置。
【請求項１２】
定盤と、
前記定盤の表面に沿って移動可能なステージ可動部と、
前記ステージ可動部の位置を計測する干渉計と、
前記ステージ可動部に接続された配管または配線と、
前記配管または配線の少なくとも一部を包囲し、前記配線または配管の屈曲に応じて屈曲可能な、前記配線または配管を保持するための補助部材と、
前記補助部材によって保持され、前記配管または配線の軸方向に熱を伝える熱伝導部材と、
前記熱伝導部材から伝えられた熱を冷却する冷却ユニットと、
を備えることを特徴とするステージ装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれかに記載のステージ装置を用いて基板または原版を位置決めすることを特徴とする露光装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、前記露光された基板を現像する工程とを備えることを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月2日(2010.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、放射線を電荷に変換する変換素子と前記変換素子に接続されたスイッチ素子とを含む画素がマトリクス状に配置された画素領域を有する放射線撮像装置であって、
前記スイッチ素子に接続された第１の線と、
前記変換素子に接続された第２の線と、
前記基板の前記画素領域の外で、前記第１の線と前記第２の線とが交差する交差部を備え、
前記交差部では、前記第１の線と前記第２の線との間に半導体層が配置され、かつ、前記半導体層と前記第１の線との間にキャリア阻止部が配置されていることを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項２】
前記第１の線は、前記基板と前記第２の線との間に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項３】
前記第２の線と前記半導体層との間に第１の不純物半導体層が配置されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の放射線撮像装置。
【請求項４】
前記第１の不純物半導体層は、ｎ型半導体層であることを特徴とする請求項３に記載の放射線撮像装置。
【請求項５】
前記変換素子で放射線を電荷に変換する際に、前記第１の線のフェルミ準位が前記第２の線のフェルミ準位よりも高くなるように構成されていることを特徴とする請求項４に記載の放射線撮像装置。
【請求項６】
前記変換素子で放射線を電荷に変換する際に、前記第１の線に第１の電圧を与え、前記第２の線に前記第１の電圧よりも高い第２の電圧を与えるよう構成されていることを特徴とする請求項５に記載の放射線撮像装置。
【請求項７】
前記第１の不純物半導体層は、ｐ型半導体層であることを特徴とする請求項３に記載の放射線撮像装置。
【請求項８】
前記キャリア阻止部と前記半導体層との間に第２の不純物半導体層が配置されていることを特徴とする請求項７に記載の放射線撮像装置。
【請求項９】
前記第２の不純物半導体層は、ｎ型半導体層であることを特徴とする請求項８に記載の放射線撮像装置。
【請求項１０】
前記第２の線と前記半導体層との間に電極層が配置されていることを特徴とする請求項７乃至請求項９のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項１１】
前記変換素子で放射線を電荷に変換する際に、前記第１の線のフェルミ準位が前記第２の線のフェルミ準位よりも低くなるように構成されていることを特徴とする請求項７乃至請求項１０のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項１２】
前記変換素子で放射線を電荷に変換する際に、前記第１の線に第１の電圧を与え、前記第２の線に前記第１の電圧よりも低い第２の電圧を与えるよう構成されていることを特徴とする請求項１１に記載の放射線撮像装置。
【請求項１３】
前記キャリア阻止部は、第１の絶縁層及び第２の絶縁層を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項１４】
前記半導体層は、アモルファスシリコンで形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項１３のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか１項に記載の放射線撮像装置と、
前記放射線撮像装置からの信号を処理する信号処理手段と、
を備えることを特徴とする放射線撮像システム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月13日(2010.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トンネル障壁層と、前記トンネル障壁層の第１面側に形成された第１の強磁性体層と、前記トンネル障壁層の第２面側に形成された第２の強磁性体層と、を有する磁気トンネル接合構造を備えた磁気抵抗素子において、
前記トンネル障壁層が、単結晶ＭｇＯ（００１）あるいは（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯであって、酸素欠損を有し、かつ、トンネル障壁の高さが０．２〜０．５ｅＶのものからなり、
素子の室温での出力電圧が２００ｍＶより高いことを特徴とする磁気抵抗素子。
【請求項２】
前記第１の強磁性体層と前記第２の強磁性体層が、ともにＢＣＣ構造を有することを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗素子。
【請求項３】
前記第１の強磁性体層と前記第２の強磁性体層が、ともにＢＣＣ構造を有するＦｅ系合金の単結晶（００１）または（００１）結晶面が優先配向した多結晶からなることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗素子。
【請求項４】
前記Ｆｅ系合金がＣｏＦｅＢ合金であることを特徴とする請求項３記載の磁気抵抗素子。  
【請求項５】
（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯであって、酸素欠損を有し、かつ、トンネル障壁の高さが０．２〜０．５ｅＶのものからなることを特徴とする室温での出力電圧が２００ｍＶより高い磁気抵抗素子のトンネル障壁層。
【請求項６】
ＢＣＣ構造を有する第１の強磁性体層、ＢＣＣ構造を有する第２の強磁性体層及び前記第１の強磁性体層と前記第２の強磁性体層との間に位置する酸素欠損の酸化マグネシウム結晶層を有し、室温での出力電圧が２００ｍＶより高いことを特徴とする磁気抵抗素子。
【請求項７】
トンネル障壁層と、前記トンネル障壁層の第１面側に形成された第１の強磁性体層と、前記トンネル障壁層の第２面側に形成された第２の強磁性体層と、を有する磁気トンネル接合構造を備えた磁気抵抗素子において、
前記トンネル障壁層が、単結晶ＭｇＯ（００１）あるいは（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯであって、酸素欠損を有し、かつ、トンネル障壁の高さが０．２〜０．５ｅＶのものからなることを特徴とする磁気抵抗素子。
【請求項８】
前記第１の強磁性体層と、前記第２の強磁性体層が、ともにＢＣＣ構造を有することを特徴とする請求項７記載の磁気抵抗素子。
【請求項９】
前記第１の強磁性体層と、前記第２の強磁性体層が、ともにＢＣＣ構造を有するＦｅ系合金の単結晶（００１）または（００１）結晶面が優先配向した多結晶からなることを特徴とする請求項７記載の磁気抵抗素子。
【請求項１０】
前記Ｆｅ系合金がＣｏＦｅＢ合金であることを特徴とする請求項９記載の磁気抵抗素子。
【請求項１１】
（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯであって、酸素欠損を有し、かつ、トンネル障壁の高さが０．２〜０．５ｅＶのものからなることを特徴とするトンネル障壁層。
【請求項１２】
室温でのＭＲ比が７０％を超える請求項１、２，３，４、６，７，８，９または１０のいずれかに記載の磁気抵抗素子。
【請求項１３】
１つのトランジスタと、前記トランジスタの負荷として用いられる請求項１、２、３、４、６、７、８、９、１０または１２のいずれかに記載の磁気抵抗素子とを有する記憶素子。
【請求項１４】
ＣｏおよびＦｅを含む磁性合金からなる強磁性体層の上に形成された（００１）結晶面が優先配向した酸素欠損を有する多結晶ＭｇＯからなる磁気抵抗素子のトンネル障壁層。
【請求項１５】
ＣｏおよびＦｅを含むアモルファス磁性合金からなる強磁性体層の上に形成された（００１）結晶面が優先配向した酸素欠損を有する多結晶ＭｇＯからなる磁気抵抗素子のトンネル障壁層。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月20日(2010.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリと、
第１の信号を前記メモリに入力するメモリ入力バス信号線と、
第２の信号を前記メモリから出力するメモリ出力バス信号線と、を有し、
前記メモリは、
それぞれが複数のメモリセルからなる、第１のメモリブロック、第２のメモリブロック、第３のメモリブロック及び第４のメモリブロックと、
前記メモリブロックのうち一つを選択する動作制御回路と、選択された前記メモリブロックの一つに入力する信号を発生する入力信号制御回路と、前記メモリブロックの一つからの出力を選択して前記メモリブロックの一つから得た信号に基づく信号を出力する出力信号制御回路と、を有する制御回路と、を有し、
前記第２のメモリブロックは、前記第１のメモリブロックと垂直軸に対して線対称に配置され、
前記第３のメモリブロックは、前記第１のメモリブロックと水平軸に対して線対称に配置され、
前記第４のメモリブロックは、前記第１のメモリブロックと点対称に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
複数の第１階層メモリブロック及び第２階層メモリブロックを有し、
前記複数の第１階層メモリブロックは、それぞれ、
電位を保持する機能と、保持している電位を出力する機能とを有する複数のメモリセルと、
第１階層メモリブロックアドレス信号線と、
第１階層メモリブロック読み出しデータ信号線と、
第１階層メモリブロック書き込みデータ信号線と、
第１階層メモリブロック読み出し制御信号線と、
第１階層メモリブロック書き込み制御信号線と、を有し、
前記第２階層メモリブロックは、
第２階層メモリブロック動作制御回路と、
第２階層メモリブロック入力信号制御回路と、
第２階層メモリブロック出力信号制御回路と、
第２階層メモリブロックアドレス信号線と、
第２階層メモリブロック動作制御信号線と、
第２階層メモリブロック読み出し制御信号線と、
第２階層メモリブロック書き込み制御信号線と、を有し、
前記複数の第１階層メモリブロックは、それぞれ、
前記第１階層メモリブロックアドレス信号線から供給される電位の状態により一意に決まる前記メモリセルに格納された電位を、第１階層メモリブロック読み出し制御信号線から供給される電位に応じて、第１階層メモリブロック読み出しデータ信号線に出力する機能と、
前記第１階層メモリブロックアドレス信号線から供給される電位の状態により一意に決まる前記メモリセルに、第１階層メモリブロック書き込み制御信号線から供給される電位に応じて、第１階層メモリブロック書き込みデータ信号線の電位を格納する機能と、を有し、
前記第２階層メモリブロック動作制御回路は、
前記第２階層メモリブロックアドレス信号線から供給される電位の状態により、前記第２階層メモリブロック動作制御信号線に供給する電位を生成する機能を、有し、
前記第２階層メモリブロック入力信号制御回路は、
前記第２階層メモリブロック動作制御信号線の電位の状態により、前記第２階層メモリブロックアドレス信号線から供給される電位から、前記第１階層メモリブロックアドレス信号線の電位を生成する機能と、
前記第２階層メモリブロック書き込みデータ信号線から供給される電位から、前記第１階層メモリブロック書き込みデータ信号線に供給する電位を生成する機能と、
前記第２階層メモリブロック読み出し制御信号線から供給される電位から、前記第１階層メモリブロック読み出し制御信号線に供給する電位を生成する機能と、
前記第２階層メモリブロック書き込み制御信号線から供給される電位から、前記第１階層メモリブロック書き込み制御信号線に供給する電位を生成する機能と、を有し、
前記第２階層メモリブロック出力信号制御回路は、前記第２階層メモリブロック動作制御信号線の電位の状態により、前記第１階層メモリブロック読み出しデータ信号線に供給される電位から、前記第２階層メモリブロック読み出しデータ信号線に供給する電位を生成する機能と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、前記第１階層メモリブロックを物理的に対称に配置することで、前記第２階層メモリブロックを構成することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記半導体装置は、トランジスタを有し、前記トランジスタは絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜を活性層とする薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、前記絶縁表面を有する基板とは、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板のいずれかであることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記半導体装置は、ＳＯＩ基板を用いて形成されていることを特徴する半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、前記メモリセルは、ＳＲＡＭ又はマスクＲＯＭのいずれかからなることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月8日(2010.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放送局から放送された複数のコンテンツを含む放送データを記憶媒体に記録する記録手段と、
複数の同一コンテンツが該記憶媒体に記録されている場合、該複数の同一コンテンツの中から所定の条件に基づいて推薦コンテンツを決定する推薦コンテンツ決定手段と、
該記憶媒体に記録された複数のコンテンツのコンテンツ情報を表示装置に表示させる表示手段と、
該推薦コンテンツ決定手段が決定した推薦コンテンツを登録する推薦コンテンツ登録手段とを備える、推薦コンテンツ登録装置。
【請求項２】
前記推薦コンテンツ決定手段が、コンテンツ本体の記録時間、および／またはコンテンツ本体の前後に記録されたコンテンツ以外のデータの記録時間に基づいて推薦コンテンツを決定する、請求項１に記載の推薦コンテンツ登録装置。
【請求項３】
キューシートを参照して、前記記憶媒体に記録された放送データの中から指定されたコンテンツを抽出する抽出手段をさらに備え、
前記推薦コンテンツ決定手段が、キューシートに含まれているコンテンツについて推薦コンテンツを決定する、請求項１または２に記載の推薦コンテンツ登録装置。
【請求項４】
前記表示手段が、複数の同一コンテンツのコンテンツ情報を全て表示させ、前記推薦コンテンツ登録手段によって登録された推薦コンテンツについては推薦コンテンツである旨の情報をさらに表示させ、あるいは、複数の同一コンテンツのうち、前記推薦コンテンツ登録手段によって登録された推薦コンテンツのコンテンツ情報のみを表示させる、請求項１〜３のいずれかに記載の推薦コンテンツ登録装置。
【請求項５】
放送局から放送された複数のコンテンツを含む放送データを記憶媒体に記録するステップと、
複数の同一コンテンツが該記憶媒体に記録されている場合、複数の同一コンテンツの中から所定の条件に基づいて推薦コンテンツを決定する推薦コンテンツ決定ステップと、
該記憶媒体に記録された複数のコンテンツのコンテンツ情報を表示装置に表示させる表示ステップと、
該推薦コンテンツ決定手段が決定した推薦コンテンツを登録する登録ステップとをコンピュータに実行させる、推薦コンテンツ登録プログラム。
【請求項６】
前記推薦コンテンツ決定ステップが、コンテンツ本体の記録時間、および／またはコンテンツ本体の前後に記録されたコンテンツ以外のデータの記録時間に基づいて推薦コンテンツを決定する、請求項５に記載の推薦コンテンツ登録プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】推薦コンテンツ登録装置およびそのプログラム
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月15日(2010.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力画像を複数個の入力画素によって表現する入力画像データを導出するステップと、
入力画像データに対する断片化処理によりオブジェクト表現入力画像、即ちそれぞれ入力画像の同一構成部分に属し且つ同種コンテンツに係る複数個の入力画素の空間的集まりであるオブジェクト複数個からなる画像を、生成するステップと、
留置エリア画像を生成しオブジェクト表現入力画像と同時に表示させるステップと、
オブジェクト表現入力画像を見たユーザがそのオブジェクト表現入力画像から留置エリア画像へとどのオブジェクトの移動を求めているかを示す編集入力情報を、そのユーザから受け取るステップと、
その移動所望オブジェクトがオブジェクト表現入力画像から削除され仮オブジェクトとして留置エリア画像に挿入されるよう、且つ留置エリア画像への挿入位置がオブジェクト表現入力画像における原位置に空間的に対応する位置になるよう、編集入力情報に従いオブジェクト表現入力画像及び留置エリア画像を更新するステップと、
オブジェクト表現入力画像における削除済オブジェクトの原位置に差替オブジェクトデータベース中のどの差替オブジェクトを挿入すべきかを示す差替入力情報を、ユーザから受け取るステップと、
オブジェクト表現入力画像を更新しその挿入所要差替オブジェクトを削除済オブジェクトの原位置に組み込むことによりオブジェクト表現出力画像を生成するステップと、
を有する画像データ編集方法。
【請求項２】
請求項１記載の画像データ編集方法であって、
差替オブジェクトウィンドウを生成して表示させ、差替オブジェクトデータベースに登録されている１個以上の差替オブジェクトを表す別版表記を、その中に表示させるステップを有し、
ユーザから受け取る差替入力情報が、差替オブジェクトウィンドウ内に表示されているどの差替オブジェクトの別版表記をユーザが選択したかを示す情報である画像データ編集方法。
【請求項３】
請求項２記載の画像データ編集方法であって、オブジェクト表現入力画像、留置エリア画像及び差替オブジェクトウィンドウを同時表示させる画像データ編集方法。
【請求項４】
請求項２記載の画像データ編集方法であって、
記憶領域をスキャンすることによりその記憶領域に格納されている画像ファイルを認識するステップと、
認識した画像ファイル毎にラスタ画像データ版の差替オブジェクトを生成するステップと、
生成したラスタ画像データ版の差替オブジェクトを差替オブジェクトデータベースに登録するステップと、
を有する画像データ編集方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
その後ユーザがＮＥＸＴ／ＤＯＮＥボタンＢを選択すると、図９に示す体裁のオブジェクト表現出力画像ＯＯを表すデータが保存される。ご覧の通り、この画像ＯＯはオブジェクト表現入力画像ＯＩを更新し、元々のオブジェクトＯ４を新たなオブジェクトＯ５例えば新たなロゴに置き換えたものになっている。ＩＰＵ１４はこの画像ＯＯを表すデータを、ユーザによる入力、搭載されているプログラムその他による指令に基づき、保存、印刷、表示その他の処理に供する。
＜補遺＞
１つの例では、画像データ編集方法は、
入力画像を複数個の入力画素によって表現する入力画像データを導出するステップと、
入力画像データに対する断片化処理によりオブジェクト表現入力画像、即ちそれぞれ入力画像の同一構成部分に属し且つ同種コンテンツに係る複数個の入力画素の空間的集まりであるオブジェクト複数個からなる画像を、生成するステップと、
留置エリア画像を生成しオブジェクト表現入力画像と同時に表示させるステップと、
オブジェクト表現入力画像を見たユーザがそのオブジェクト表現入力画像から留置エリア画像へとどのオブジェクトの移動を求めているかを示す編集入力情報を、そのユーザから受け取るステップと、
その移動所望オブジェクトがオブジェクト表現入力画像から削除され仮オブジェクトとして留置エリア画像に挿入されるよう、且つ留置エリア画像への挿入位置がオブジェクト表現入力画像における原位置に空間的に対応する位置になるよう、編集入力情報に従いオブジェクト表現入力画像及び留置エリア画像を更新するステップと、
オブジェクト表現入力画像における削除済オブジェクトの原位置に差替オブジェクトデータベース中のどの差替オブジェクトを挿入すべきかを示す差替入力情報を、ユーザから受け取るステップと、
オブジェクト表現入力画像を更新しその挿入所要差替オブジェクトを削除済オブジェクトの原位置に組み込むことによりオブジェクト表現出力画像を生成するステップと、
差替オブジェクトウィンドウを生成して表示させ、差替オブジェクトデータベースに登録されている１個以上の差替オブジェクトを表す別版表記を、その中に表示させるステップと、
を有し、
ユーザから受け取る差替入力情報が、差替オブジェクトウィンドウ内に表示されているどの差替オブジェクトの別版表記をユーザが選択したかを示す情報であり、
差替オブジェクトデータベースに登録されている差替オブジェクトが、ラスタ画像データ又はそれに変換しうるデータからなることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月21日(2009.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マシン読み取り可能な情報を含むメディアキーを用いて、
メディア・データを格納する1つ又は複数のメディア・アイテムの組にアクセスする工程と、
前記1つ又は複数のメディア・アイテムの組の第１の視覚表現の組を表示する工程と、
視覚表現に対して実行可能なユーザ選択オプションの組を表示する工程と、
第１の視覚表現の組のうち選択した視覚表現に記憶されるメディア・アイテムの一部またはすべてに対して、前記ユーザ選択可能オプションの組から第１のユーザ選択可能オプションの選択を示す信号を受信する工程と、
前記１つ又は複数のメディア・アイテムの組の少なくとも１つのメディア・アイテムを用いて、前記第１のユーザ選択可能オプションに対応するアクションを実行する工程とを備える方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法はさらに、
前記第１の視覚表現の組から第２の1つ又は複数の視覚表現の組の選択を示す情報を受け取る工程を備え、
前記アクションを実行する工程は、前記第２の視覚表現の組の１つ又は複数の視覚表現に対応する前記1つ又は複数のメディア・アイテムからのメディア・データを用いて、前記第１のユーザ選択可能オプションに対応するアクションを実行する工程を備える方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法であって、前記アクションを実行する工程は、
前記１つ又は複数のメディア・アイテムの組の少なくとも１つのメディア・アイテムからのメディア・データを伝達する工程を備える方法。
【請求項４】
請求項３記載の方法であって、
前記アクションを実行する工程は、前記メディア・アイテムの組のメディア・アイテムからコンタクト情報を判定する工程を備え、
前記メディア・データを伝達する工程は、前記1つ又は複数のメディア・アイテムの組の前記少なくとも１つのメディア・アイテムから前記メディア・データを、前記コンタクト情報に基づいて伝達する工程を備える方法。
【請求項５】
請求項１記載の方法であって、
前記アクションを実行する工程は、前記１つ又は複数のメディア・アイテムの組の少なくとも１つのメディア・アイテムの第２のメディアキーを生成する工程を備えており、前記少なくとも１つのメディア・アイテムによって格納されるメディア・データが前記第２のメディアキーを用いてアクセスされる方法。
【請求項６】
請求項１記載の方法であって、
メディア・データを識別する情報を受け取る工程と、
メディアキーの生成を起動させるためのユーザ選択可能オプションを備える工程と、
前記ユーザ選択可能オプションの選択を示す信号を受信する工程と、
前記信号に応答して、前記識別されたメディア・データのメディアキーを生成する工程とを備える方法。
【請求項７】
請求項６記載の方法であって、
前記メディアキーを生成する工程は、複数のメディアキーを生成する場合、前記複数のメディアキーの配置順序または呈示された時間順序に基づく方法。
【請求項８】
メディアキーを用いるためのシステムであって、
マシン読み取り可能情報をメディアキーから読み取るよう適合させた読み取り器と、
前記マシン読み取り可能情報を用いて１つ又は複数のメディア・アイテムの組をアクセスする機能であって、前記1つ又は複数のメディア・アイテムの組がメディア・データを格納する機能と、
前記1つ又は複数のメディア・アイテムについて第１の視覚表現組を表示させる機能であって、視覚表現それぞれが個々に選択可能である機能と、
ユーザ選択可能オプション組を表示させる機能であって、ユーザ選択可能オプションそれぞれが動作に対応する機能と、
前記ユーザ選択可能オプション組からの第１のユーザ選択可能オプションの選択を示す信号を受信する機能と、
前記1つ又は複数のメディア・アイテムの組からの少なくとも１つのメディア・アイテムを用いて、前記第１のユーザ選択可能オプションに対応する動作を行わせる機能とを行うよう適合させたプロセッサとを備えるシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月28日(2010.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する支持部に対して所定の角度で対象物方向に形成されたチップ部を所定の角度に保持しつつ、チップ部を対象物の方向に移動可能なチップ駆動装置において、
上記チップ部は、上記支持部先端を含みその延出方向に沿った断面において、対象物に所定の圧力をもって少なくとも一部が接触する接触辺を有し、上記接触辺を含む第１の領域と、上記支持部につながる第２の領域と、を備えることを特徴とするチップ駆動装置。
【請求項２】
上記第１の領域は、平坦面であることを特徴とする請求項１に記載のチップ駆動装置。
【請求項３】
上記接触辺は、上記支持部と略平行であることを特徴とする請求項１に記載のチップ駆動装置。
【請求項４】
上記チップ部の導入量が最適になるように、上記チップ部の上記第１領域と上記第２領域との面積比率が決められていることを特徴とする請求項１に記載のチップ駆動装置。
【請求項５】
可撓性を有する支持部と、上記支持部に対して所定の角度に形成されたチップ部とを備え、上記チップ部を所定の方向に移動可能なチップ駆動装置に所定の部材を介して装着可能なカンチレバーチップであって、
上記チップ部は、上記支持部先端を含みその延出方向に沿った断面において、対象物に所定の圧力をもって少なくとも一部が接触する接触辺を有し、上記接触辺を含む第１の領域と、上記支持部につながる第２の領域と、を備えることを特徴とするカンチレバーチップ。