Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月18日(2010.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に、長手方向に蛍光体層が形成されると共に放電ガスが封入された細長い、複数のガス放電管が並置され、前記複数のガス放電管の表示面側に配置された前面支持基板に複数対の表示電極が形成され、前記複数のガス放電管の背面側に複数の信号電極が配置された表示装置であって、
前記前面支持基板は、粘着層によって前記複数のガス放電管に接着されており、
前記前面支持基板の背面において、前記表示電極対間の非放電領域に粘着層が形成されていない部分があることを特徴とする、表示装置。
【請求項２】
可撓性前面シートの内側面上に、所定の逆スリット幅を隔てて複数の放電スリット部を構成するよう配列された表示電極対を支持してなるプラズマ・チューブ・アレイ型の表示装置であって、
前記前面シートが、前記表示電極対間の逆スリット部を除く前記放電スリット部に形成された粘着層によってプラズマ・チューブ・アレイの上面に接着されていることを特徴とするプラズマ・チューブ・アレイ型の表示装置。
【請求項３】
前記放電スリット部に形成された前記粘着層の誘電率が、前記逆スリット部の非接着間隙に介在する空気の誘電率よりも大きいことを特徴とする、請求項２に記載のプラズマ・チューブ・アレイ型の表示装置。
【請求項４】
前記放電スリットを構成する表示電極が金属メッシュ状のパターンを有し、前記粘着層が、前記金属メッシュ状のパターンの逆スリット側端縁より内側で前記放電スリット部を覆って形成されていることを特徴とする、請求項２に記載のプラズマ・チューブ・アレイ型の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月13日(2010.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にはんだが置かれるパッドと、
前記はんだを挟んで前記パッドに対向して設けられたはんだ案内部とを備え、
前記パッドと前記はんだ案内部とは、溶融した前記はんだが流体として両者間に流路を形成するとき該流体の圧力損失が流路上で一律となる形状にされている
ことを特徴とするはんだ接合構造。
【請求項２】
所定領域を囲むパッドが設けられたパッケージ本体と、
前記パッケージ本体を覆って配置され前記パッドに対向する位置にはんだ案内部が設けられた蓋体とを備え、
前記パッドと前記はんだ案内部とに挟まれたはんだを溶融してさらに該はんだを凝固することにより前記パッケージ本体と前記蓋体とを接合するパッケージにおいて、
前記パッドと前記はんだ案内部とは、溶融した前記はんだが流体として両者間に流路を形成するとき該流体の圧力損失が流路上で一律となる形状にされている
ことを特徴とするパッケージ。
【請求項３】
前記パッド及び前記はんだ案内部は、前記流路の断面の等化直径及び周長が流路上で一律となる形状にされている
ことを特徴とする請求項２に記載のパッケージ。
【請求項４】
前記パッド及び前記はんだ案内部は、折れ曲がり部において少なくとも外周形状が丸みを帯びる形状にされている
ことを特徴とする請求項２または３のいずれか１項に記載のパッケージ。
【請求項５】
前記外周形状は、幅寸法以上の曲率半径を有する円弧とされて丸みを帯びる形状にされている
ことを特徴とする請求項４に記載のパッケージ。
【請求項６】
前記外周形状は、外方に凸の角部が直線の切断線により削除されるようにして丸みを帯びる形状にされている
ことを特徴とする請求項４に記載のパッケージ。
【請求項７】
前記はんだ案内部は、前記パッドに対向する位置に前記パッド沿って設けられた第二のパッドである
ことを特徴とする請求項２から６のいずれか１項に記載のパッケージ。
【請求項８】
前記はんだ案内部は、前記パッドに対向した位置に前記パッドに沿って設けられた突起である
ことを特徴とする請求項２から６のいずれか１項に記載のパッケージ。
【請求項９】
前記はんだ案内部は、前記パッドに対向した位置に前記パッドに沿って設けられた溝である
ことを特徴とする請求項２から６のいずれか１項に記載のパッケージ。
【請求項１０】
前記所定領域に回路が形成されている
ことを特徴とする請求項２から９のいずれか１項に記載のパッケージ。
【請求項１１】
前記所定領域に電子部品が実装されている
ことを特徴とする請求項２から１０のいずれか１項に記載のパッケージ。
【請求項１２】
上表面にパッドが形成され、Ｔ字形状に交差する部分を有した枠体からなるパッケージ本体と、
前記パッケージ本体を覆って配置された蓋体とを備え、
前記パッケージ本体の枠体と前記蓋体とがはんだを介して接合され、上記枠体のＴ字形状に交差する部分に凹部形状の非接合領域が設けられた
ことを特徴とするパッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】はんだ接合構造及びパッケージ
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月11日(2010.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一主面に非晶質半導体膜あるいは粒状多結晶半導体膜が形成された基板をステージ上に載置し、前記基板上の前記非晶質半導体膜あるいは粒状多結晶半導体膜の所望の領域に、細長い形状のビームに整形されたレーザ光の長軸に交差する短軸方向に走査しながら照射してアニールすることにより、前記非晶質半導体膜あるいは粒状多結晶半導体膜を帯状多結晶半導体膜に改質して表示装置用のアクティブ・マトリクス基板を得る平面表示装置の製造方法であって、
前記レーザ光の前記基板上に相当する位置でのビームプロファイルをモニタし、
前記ビームプロファイルから前記レーザ光の最大パワー密度と走査方向のビーム短軸幅を算出し、
前記算出した最大パワー密度及びビーム短軸幅とに基づいてレーザ出力を調整しながら、前記レーザ光を一定速度で走査して照射することを特徴とする平面表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記レーザ光は連続発振レーザ光あるいは擬似連続発振レーザ光であり、
レーザ出力を調整するに際し、
前記レーザ光を一定速度で走査しながら前記基板上でのビームプロファイルから一定時間間隔毎に走査方向のビーム短軸幅を算出し、
照射開始時あるいは予め設定されたレーザ出力に対して、前記算出されたビーム短軸幅の照射開始時あるいは予め設定された短軸幅に対する比率の平方根を乗じた値にレーザ出力を調整することを特徴とする平面表示装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記レーザ光は連続発振レーザ光あるいは擬似連続発振レーザ光であり、
レーザ出力Ｅｔを調整するに際し、
前記レーザ光を一定速度で走査しながら前記ビームプロファイルから一定時間間隔毎に走査方向のビーム幅（短軸幅）Ｗtを算出し、
レーザ出力Ｅtを、照射開始時あるいは予め設定されたレーザ出力Ｅ0に、照射開始時あるいは予め設定された短軸幅Ｗ0に対する前記算出されたビーム短軸幅Ｗtの比率の平方根を乗じた値（Ｅt＝Ｅ0×√（Ｗt／Ｗ0））に調整することを特徴とする平面表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１において、
前記レーザ光は連続発振レーザ光あるいは擬似連続発振レーザ光であり、
レーザ出力を調整するに際し、
前記レーザ光の前記基板上を一定速度で走査した場合の前記基板上での走査方向のビーム幅（短軸幅）Ｗ(t)を予め測定しておき、
照射するレーザ出力Ｅ(t)を、照射開始時あるいは予め設定されたレーザ出力Ｅ0に、照射開始時あるいは予め設定された短軸幅Ｗ0に対する前記予め測定された短軸幅Ｗ(t)の比率の平方根を乗じた値（Ｅ(t)＝Ｅ0×√（Ｗ(t)／Ｗ0））に調整することを特徴とする平面表示装置の製造方法。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれかにおいて、
前記レーザ出力の調整を、１／２波長板と偏光ビームスプリッタで構成された透過率連続可変フィルタで行うことを特徴とする平面表示装置の製造方法。
【請求項６】
請求項２乃至４のいずれかにおいて、
レーザ出力の調整を、前記レーザ光を振幅変調するためのＥＯモジュレータに印加する電圧を調整することで行うことを特徴とする平面表示装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記算出した最大パワー密度及びビーム短軸幅とに基づいて、前記基板上のレーザが照射される部分における温度上昇が一定となるようにレーザ出力を調整することを特徴とする平面表示装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月3日(2010.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属箔の上面にプリプレグを載置する工程と、前記プリプレグの所定箇所に導電体を圧入する工程と、前記プリプレグの上面にさらに金属箔を載置することにより積層体を構成する工程と、前記積層体を加熱加圧する工程からなり、前記導電体を圧入する工程は、糸状の導電体が通され、先端から前記糸状の導電体の一部を突出させた筒状の導電体保持部材を前記プリプレグに当接させることにより前記導電体保持部材の先端に突出させた前記糸状の導電体を前記プリプレグに圧入し、前記糸状の導電体を圧入部を残して前記プリプレグの挿入側で切断する構成を備え、前記糸状の導電体の圧入時に前記糸状の導電体の先端を前記プリプレグの下側に配置された前記金属箔の下面から加熱することにより、前記糸状の導電体の先端を前記金属箔に溶接することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月12日(2010.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
調理容器を載置するトッププレートと、
誘導磁界を発生して、前記調理容器を誘導加熱する加熱コイルと、
各々制御命令が割り当てられた複数のスイッチを含む操作部と、
前記スイッチが押下されることにより入力された制御命令に応じて、前記加熱コイルに高周波電流を供給する制御部と、
を有し、
前記複数のスイッチは、複数の制御命令が割り当てられたスイッチを少なくとも一つ含み、他のスイッチが押下されることにより、前記１つのスイッチに割り当てられた複数の制御命令の中から、前記１つのスイッチの制御命令として、１つの制御命令が選択されて入力可能な状態になる、誘導加熱調理器。
【請求項２】
前記１つのスイッチの押下回数に基づいて、前記１つのスイッチに割り当てられた複数の制御命令の中から、前記１つのスイッチの制御命令として、１つの制御命令が選択されて入力可能な状態になる、請求項１に記載の誘導加熱調理器。
【請求項３】
前記１つのスイッチの押下位置に基づいて、前記１つのスイッチに割り当てられた複数の制御命令の中から、前記１つのスイッチの制御命令として、１つの制御命令が選択されて入力可能な状態になる、請求項１に記載の誘導加熱調理器。
【請求項４】
前記１つのスイッチに割り当てられた複数の制御命令を識別する情報が、前記スイッチの表面又は前記スイッチ近傍に印字されており、前記１つのスイッチが押下されると、押下位置に最も近い印字に対応する制御命令が前記１つのスイッチの制御命令として選択される、請求項３に記載の誘導加熱調理器。
【請求項５】
前記スイッチに光を照射する光源をさらに有し、
前記１つのスイッチに割り当てられた複数の制御命令を識別する情報が、前記スイッチ又は前記スイッチ近傍に印字されており、
前記光源は、複数の制御命令の中から選択された１つの制御命令の印字を発光させる、請求項１から請求項４のいずれかの請求項に記載の誘導加熱調理器。
【請求項６】
前記スイッチに光を照射する光源をさらに有し、
前記光源は、複数の制御命令の中から選択された１つの制御命令に応じて、前記１つのスイッチに対する発光色を変更する、請求項１から請求項４のいずれかの請求項に記載の誘導加熱調理器。
【請求項７】
前記１つのスイッチに割り当てられた複数の制御命令を識別する情報が、前記スイッチ又は前記スイッチ近傍に印字されており、
前記光源は、複数の制御命令の中から選択された１つの制御命令の印字を発光させる、請求項６に記載の誘導加熱調理器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の誘導加熱調理器は、調理容器を載置するトッププレートと、誘導磁界を発生して、調理容器を誘導加熱する加熱コイルと、各々制御命令が割り当てられた複数のスイッチを含む操作部と、スイッチが押下されることにより入力された制御命令に応じて、加熱コイルに高周波電流を供給する制御部と、を有し、複数のスイッチは、複数の制御命令が割り当てられたスイッチを少なくとも一つ含み、他のスイッチが押下されることにより、１つのスイッチに割り当てられた複数の制御命令の中から、１つのスイッチの制御命令として、１つの制御命令が選択されて入力可能な状態になる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月25日(2010.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、所定の設計断面を光源と反対側に突出する弧状に掃引することにより得られる形状の少なくとも一部から成るレンズと、を含んでいることを特徴とする、照明装置。
【請求項２】
上記レンズの設計断面が、片面または両面にて球面または非球面となる形状を有していることを特徴とする、請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
前記第一の収容部側端子が、前記収容部に収容された光半導体デバイスを離隔する方向に弾性を有し、前記光半導体デバイスが、前記第一の収容部側端子と前記保持部とによって収容部に挟持される、請求項２に記載の光半導体デバイス取り付け装置。
【請求項４】
基板に載置された光半導体素子からの光を外方に照射する発光面と前記光半導体素子への給電を行なう端子とを有する光半導体デバイスと、電気的に接続可能な支持部側端子を有する支持部と、前記光半導体デバイスを収容し収容された前記光半導体デバイスの発光面に対応した位置に設けられた光透過部を有する収容部と、前記収容部を前記支持部に固定する固定部と、前記収容部における光半導体デバイスが収容される側に設けられ収容された光半導体デバイスの端子と電気的に接続する第一の収容部側端子と、前記収容部側端子と電気的に接続し、前記収容部が前記支持部側に固定されたときに前記支持部側端子と接触する第二の収容部側端子と、を備える光半導体装置。
【請求項５】
前記光半導体デバイスが、外方に裏面が露出した金属板上に載置された光半導体素子と、前記金属板と接合し前記光半導体素子の周囲に貫通孔を有する絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成され、前記光半導体素子の夫々の一対の電極と電気的に接続された第一の配線部とを備える、請求項４に記載の光半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月8日(2010.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、前記基材の上に配置されている複数の有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ素子群と、前記有機ＥＬ素子群の上に配置されている保護層と、を有する有機ＥＬパネルを、
前記有機ＥＬ素子群が複数配置されている部材の前記複数の有機ＥＬ素子群の間で、前記基材と前記保護層とを切断することによって得る有機ＥＬパネルの製造方法において、積層部材を前記保護層の上に接して前記複数の有機ＥＬ素子群の間を跨いで配置する工程と、
前記基材と、前記積層部材が配置された前記保護層とを、前記複数の有機ＥＬ素子群の間で前記基材側から切断する工程と、
を有することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項２】
前記有機ＥＬパネルは、前記積層部材の上に接して平面部材を有し、
前記積層部材を配置する工程は、前記積層部材を前記平面部材に配置する工程と、前記積層部材が配置された前記平面部材を前記保護層の上に配置する工程とを有することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項３】
前記平面部材、及び前記積層部材を前記複数の有機ＥＬ素子群の間で前記平面部材側から切断する工程を有することを特徴とする請求項１または請求項２のいずれか１項に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項４】
前記有機ＥＬパネルは外部接続端子を有しており、
前記積層部材を配置する工程は、前記積層部材が配置された前記平面部材の前記外部接続端子に対応する位置に開口を設ける工程を有し、
前記平面部材を前記保護層の上に配置する工程は、前記開口を有する前記積層部材および前記平面部材を前記保護層の上に配置する工程であることを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項５】
前記積層部材は接着剤であって、前記有機ＥＬ素子の光取り出し側に配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項６】
前記平面部材は円偏光部材であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月4日(2010.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
商用電源の整流後に接続される少なくとも２つの平滑または非平滑コンデンサと、前記平滑または非平滑コンデンサの両端に接続され、所定の周波数でオン・オフ動作する半導体スイッチと、前記半導体スイッチに並列に接続されたスナバコンデンサを含むインバータ回路と、前記半導体スイッチに流れる電流の経路に設けられ、１つの平滑または非平滑コンデンサとは直列接続され、他の平滑または非平滑コンデンサとは並列接続された電流検出手段と、前記電流検出手段の出力に基づき前記半導体スイッチの過電流状態を検出して前記半導体スイッチを強制停止する過電流保護手段とを備え、電流検出手段と１つの平滑または非平滑コンデンサとを直列接続した直列回路から半導体スイッチまでの配線長が、他の平滑または非平滑コンデンサから半導体スイッチまでの配線長よりも長い電磁調理器。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月5日(2010.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオードと、前記発光ダイオードの前面に配置された拡散板とを備え、前記拡散板は、拡散反射率が場所によって変化する拡散反射率の傾斜パターンを有することを特徴とする照明ユニット。
【請求項２】
前記拡散板の前記傾斜パターンは、前記発光ダイオードの前面直近から遠ざかるに従って拡散反射率が低くなるような連続的な傾斜を有することを特徴とする請求項１記載の照明ユニット。
【請求項３】
前記拡散板の前記傾斜パターンは、前記発光ダイオードの前面直近から遠ざかるに従って段階的に拡散反射率が低くなることを特徴とする請求項１記載の照明ユニット。
【請求項４】
前記拡散板は、高分子材料の透明素材からなり、表面に微細な凹凸を形成し、場所によって前記凹凸の密度を変化させることにより、前記傾斜パターンを形成したことを特徴とする請求項１記載の照明ユニット。
【請求項５】
前記拡散板は、高分子材料の透明素材からなり、表面に光拡散材インクを所定の濃度パターンで印刷することにより、前記傾斜パターンを形成したことを特徴とする請求項１記載の照明ユニット。
【請求項６】
前記拡散板は、インクジェット印刷又はシルクスクリーン印刷により前記光拡散材インクを印刷したことを特徴とする請求項５記載の照明ユニット。
【請求項７】
前記拡散板は、内部に光線を散乱させる多数のマイクロバブルを形成し、このマイクロバブルの密度を場所によって変化させることで前記傾斜パターンを形成したことを特徴とする請求項１記載の照明ユニット。
【請求項８】
前記発光ダイオードの外周に配置し前記拡散板からの反射光を反射させるための反射面を有したハウジングを備えたことを特徴とする請求項１記載の照明ユニット。
【請求項９】
前記ハウジングに形成された前記反射面を、拡散反射面としたことを特徴とする請求項８記載の照明ユニット。
【請求項１０】
前記ハウジングに形成された前記反射面を、鏡面反射面としたことを特徴とする請求項８記載の照明ユニット。
【請求項１１】
前記拡散板の表面に、反射防止膜を施工したことを特徴とする請求項１記載の照明ユニット。
【請求項１２】
前記拡散板の表面に、正の光学パワーまたは負の光学パワーの微細ピッチのフレネルレンズまたはマイクロプリズムを形成し、前記フレネルレンズまたはマイクロプリズムの密度を場所によって変化させたことを特徴とする請求項１記載の照明ユニット。
【請求項１３】
前記発光ダイオードの発光色と、前記ハウジングに形成された反射面の色が同色であることを特徴とする請求項８記載の照明ユニット。
【請求項１４】
請求項１に記載の照明ユニットを多数個整列配置したことを特徴とする照明装置。
【請求項１５】
前記多数個整列配置した照明ユニットの前面に、所定の空間を挟んで第２の拡散板を設置したことを特徴とする請求項１４記載の照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月2日(2010.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ波発生手段と、
前記マイクロ波発生手段からマイクロ波を伝送する導波管と、
前記導波管に接続された加熱室と、
被加熱物を載置するため前記加熱室内に配置された載置台と、
前記加熱室内の前記載置台より上方に形成される被加熱物収納空間と、
前記加熱室内の温度を検出する温度検出手段と、
前記加熱室内の前記載置台より下方に形成されるアンテナ空間と、
前記導波管内のマイクロ波を前記加熱室内に放射するため前記導波管から前記アンテナ空間に配置された放射指向性を有する回転アンテナと、
前記回転アンテナを回転駆動する駆動手段と、
前記温度検出手段からの温度検出情報に基づいて、加熱開始時の温度の異なる少なくとも２つの被加熱物のうち、加熱開始から所定時間経過後の温度が低い方の被加熱物の量の大小を判別し、その判別結果に基づいて前記駆動手段を制御して前記回転アンテナの向きを制御する制御手段と、
を備えるマイクロ波加熱装置。
【請求項２】
前記温度検出手段は、前記加熱室内の温度を複数のポイントで検出し、前記制御手段は、前記被加熱物の量の大小判別を前記温度検出手段による検出のポイント数に基づいて行う請求項１に記載のマイクロ波加熱装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明のマイクロ波加熱装置は、マイクロ波発生手段と、前記マイクロ波発生手段からマイクロ波を伝送する導波管と、前記導波管に接続された加熱室と、被加熱物を載置するため前記加熱室内に配置された載置台と、前記加熱室内の前記載置台より上方に形成される被加熱物収納空間と、前記加熱室内の温度を検出する温度検出手段と、前記加熱室内の前記載置台より下方に形成されるアンテナ空間と、前記導波管内のマイクロ波を前記加熱室内に放射するため前記導波管から前記アンテナ空間に配置された放射指向性を有する回転アンテナと、前記回転アンテナを回転駆動する駆動手段と、前記温度検出手段からの温度検出情報に基づいて、加熱開始時の温度の異なる少なくとも２つの被加熱物のうち、加熱開始から所定時間経過後の温度が低い方の被加熱物の量の大小を判別し、その判別結果に基づいて前記駆動手段を制御して前記回転アンテナの向きを制御する制御手段と、を備える。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月17日(2010.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極、負極および電解質を備えた電池であって、
前記正極および負極のうちの少なくとも一方は、
集電体と、常温溶融塩および活物質を含んで前記集電体の上に設けられた活物質層とを有し、
前記活物質層は、前記常温溶融塩および前記活物質と共に溶剤を含む電極合剤スラリーを前記集電体の上に塗布したのち、前記溶剤を揮発させたものである電池。
【請求項２】
正極、負極および電解質を備えた電池であって、
前記正極および負極のうちの少なくとも一方は、
集電体と、常温溶融塩および活物質を含む前記集電体の上に設けられた活物質層とを有し、
前記電解質は、電解液を含み、
前記電解液は、カーボネート系非水溶媒を含み、
前記活物質層が、前記電解液に含浸される電池。
【請求項３】
前記活物質層における前記常温溶融塩の含有率は、０．１質量％以上５質量％以下である請求項１または請求項２記載の電池。
【請求項４】
前記常温溶融塩は、３級または４級アンモニウムカチオンと、フッ素原子を有するアニオンとからなる３級または４級アンモニウム塩を含む請求項１または請求項２記載の電池。
【請求項５】
前記３級または４級アンモニウムカチオンは、下式（１）〜（５）のいずれか１に示した構造を有するカチオンである請求項４記載の電池。
【化１】
2008218385.tif 000001
［式（１）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、脂肪族基、芳香族基、複素環基またはそれらの一部の元素を置換基で置換した基を表す。］
【化２】
2008218385.tif 000002
［式（２）および（３）中、ｍ＝４から５、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は炭素数１から５のアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、またはニトロ基であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。また、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は不存在でもよい。Ｒは水素原子または炭素原子１から５のアルキル基であり、窒素原子は３級または４級アンモニウムカチオンである。］
【化３】
2008218385.tif 000003
［式（４）および（５）中、ｍ＝０から２、ｍ＋ｎ＝３から４、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は炭素数１から５のアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、またはニトロ基であり、互いに同一であっても異なっていてもよい。また、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は不存在でもよい。Ｒ４は炭素原子数１から５のアルキル基、Ｒは水素原子または炭素原子数１から５のアルキル基であり、窒素原子は３級または４級アンモニウムカチオンである。］
【請求項６】
前記式（１）〜（５）のいずれか１に示した構造を有するカチオンは、アルキル４級アンモニウムカチオン、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルピペリジニウムカチオン、またはＮ，Ｎ−ジエチル−Ｎ−メチル−Ｎ−（２−メトキシエチル）アンモニウムカチオンである請求項５記載の電池。
【請求項７】
前記フッ素原子を有するアニオンは、ＢＦ4-、（Ｆ−ＳＯ2）2−Ｎ-、または（ＣＦ3−ＳＯ2）2−Ｎ-である請求項１または請求項２記載の電池。
【請求項８】
前記活物質層はリチウム電解質塩をさらに含み、
前記リチウム電解質塩は、予め常温溶融塩と混合されて前記電極合剤スラリーに含まれる請求項１または請求項２記載の電池。
【請求項９】
前記リチウム電解質塩が、六フッ化リン酸リチウム、四フッ化ホウ酸リチウム、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドリチウム、およびビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミドリチウムから選ばれる少なくとも１種である請求項８記載の電池。
【請求項１０】
前記活物質層は、フッ化ビニリデンおよびアクリロニトリルのうちの少なくとも一方を含む重合体を結着剤として含む請求項１または請求項２記載の電池。
【請求項１１】
前記活物質は、ＬｉＮｉXＣｏ1-XＯ2（Ｏ≦ｘ≦１）で表わされるリチウムニッケル複合酸化物を含む請求項１０記載の電池。
【請求項１２】
前記重合体の平均分子量が、５０万以上１００万以下である請求項１０記載の電池。
【請求項１３】
積層型二次電池である請求項１または請求項２記載の電池。
【請求項１４】
前記正極および負極の少なくとも一方は、最小の曲率半径が２．０ｍｍ以下となるように巻回している請求項１または請求項２記載の電池。
【請求項１５】
前記電解液にリチウム電解質塩が含まれる請求項２に記載の電池。
【請求項１６】
集電体と、常温溶融塩および活物質を含んで前記集電体の上に設けられた活物質層とを有し、
前記活物質層は、前記常温溶融塩および前記活物質と共に溶剤を含む電極合剤スラリーを前記集電体の上に塗布したのち、前記溶剤を揮発させたものである電極。
【請求項１７】
集電体と、常温溶融塩および活物質を含む前記集電体の上に設けられた活物質層とを有し、
前記活物質層を、カーボネート系非水溶媒を含む電解液に含浸させて用いる電極。
【請求項１８】
少なくとも常温溶融塩と活物質と溶剤とを混合して電極合剤スラリーを作製する工程と、前記電極合剤スラリーを集電体の上に塗布したのち前記溶剤を揮発させることにより、前記集電体の上に活物質層を形成する工程とを含む電極の作製方法。
【請求項１９】
前記常温溶融塩は、リチウム電解質塩が予め混合されている請求項１８記載の電極の作製方法。
【請求項２０】
フッ化ビニリデンおよびアクリロニトリルのうちの少なくとも一方を含む重合体を結着剤として混合することにより前記電極ペーストを作製する請求項１８記載の電極の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の電池は、正極、負極および電解質を備え、前記正極および負極のうちの少なくとも一方は、集電体と、常温溶融塩および活物質を含んで集電体の上に設けられた活物質層とを有している。該活物質層は、常温溶融塩および活物質と共に溶剤を含む電極合剤スラリーを集電体の上に塗布したのち、溶剤を揮発させたものである。また、該電解質は電解液を含み、該電解液はカーボネート系非水溶媒を含み、該活物質層が、該電解液に含浸されるものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の電極は、集電体と、常温溶融塩および活物質を含んで集電体の上に設けられた活物質層とを有している。該活物質層は、常温溶融塩および活物質と共に溶剤を含む電極合剤スラリーを集電体の上に塗布したのち、溶剤を揮発させたものである。また、該電解液は、カーボネート系非水溶媒を含んでいる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月23日(2009.12.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
次の（ア）及び（イ）を備えていて（ウ）及び（エ）の特徴を有する多層配線基板に対して、（オ）乃至（ク）の段階を実行する多層配線基板の検査方法。
（ア）各品種に共通の電気絶縁性のベース基板。
（イ）前記ベース基板の上に形成された各品種に固有の多層配線部であって、複数の導体層と複数の絶縁層が交互に積層された積層構造からなり、前記複数の導体層に含まれる配線パターンと前記複数の絶縁層を貫通する接続導体とが互いに接続された構造の立体的な配線経路を有する多層配線部。
（ウ）前記複数の導体層の少なくともひとつは接地パターンを含んでいて、前記多層配線部の表面に検査パッドが露出していて、この検査パッドが前記接地パターンに接続されている。
（エ）前記多層配線部の前記複数の導体層は、それぞれ、静電容量の基準となる所定の長さの基準パターンを含んでいて、これらの基準パターンは前記絶縁層を貫通する接続導体を介して前記多層配線部の表面に露出する標準パッドに接続されている。
（オ）前記複数の導体層のそれぞれについて、前記標準パッドと前記検査パッドとの間の静電容量を測定して静電容量基準値を得る基準値取得段階。
（カ）前記配線経路の各導体層における配線パターンと各導体層の基準パターンとの面積比と、各導体層についての前記静電容量基準値とに基づいて、前記配線経路と前記接地パターンとの間の静電容量を計算して静電容量計算値を得る段階。
（キ）前記多層配線部の表面に露出する前記配線経路の端部と前記検査パッドとの間の静電容量を測定して静電容量測定値を得る測定値取得段階。
（ク）前記静電容量計算値と前記静電容量測定値を比較して前記配線経路の良否を判定する判定段階。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の検査方法は、上述の多層配線基板を検査する方法である。この検査方法は、次の（ア）及び（イ）を備えていて（ウ）及び（エ）の特徴を有する多層配線基板に対して、（オ）乃至（ク）の段階を実行するものである。（ア）各品種に共通の電気絶縁性のベース基板。（イ）前記ベース基板の上に形成された各品種に固有の多層配線部であって、複数の導体層と複数の絶縁層が交互に積層された積層構造からなり、前記複数の導体層に含まれる配線パターンと前記複数の絶縁層を貫通する接続導体とが互いに接続された構造の立体的な配線経路を有する多層配線部。（ウ）前記複数の導体層の少なくともひとつは接地パターンを含んでいて、前記多層配線部の表面に検査パッドが露出していて、この検査パッドが前記接地パターンに接続されている。（エ）前記多層配線部の前記複数の導体層は、それぞれ、静電容量の基準となる所定の長さの基準パターンを含んでいて、これらの基準パターンは前記絶縁層を貫通する接続導体を介して前記多層配線部の表面に露出する標準パッドに接続されている。（オ）前記複数の導体層のそれぞれについて、前記標準パッドと前記検査パッドとの間の静電容量を測定して静電容量基準値を得る基準値取得段階。（カ）前記配線経路の各導体層における配線パターンと各導体層の基準パターンとの面積比と、各導体層についての前記静電容量基準値とに基づいて、前記配線経路と前記接地パターンとの間の静電容量を計算して静電容量計算値を得る段階。（キ）前記多層配線部の表面に露出する前記配線経路の端部と前記検査パッドとの間の静電容量を測定して静電容量測定値を得る測定値取得段階。（ク）前記静電容量計算値と前記静電容量測定値を比較して前記配線経路の良否を判定する判定段階。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
図２は、図１の状態の上に、さらに、第１絶縁層３０（例えばポリイミド層）と第２導体層３２を形成した段階の断面図である。第２導体層３２は所定の配線パターン３４となるように形成されていて、この配線パターン３４が、第１絶縁層３０を貫通する接続導体３６を介して、第１導体層の配線パターン２２に接続している。第２導体層３２を形成した段階で、第２導体層３２の配線パターン３４につながる立体的な配線経路とセラミック基板１０の内部導体層１４との間で静電容量を測定する。この測定のためには、検査パッド１６に第１のプローブ２４を接触させ、かつ、配線パターン３４に第２のプローブ２６を接触させる。そして、第１のプローブ２４と第２のプローブ２６の間に接続された測定器２８によって、配線パターン２２と配線パターン３４を含む立体的な配線経路と内部導体層１４との間の静電容量を測定する。静電容量の測定値はＣｍである。一方、この静電容量の計算値Ｃｔは、配線パターン２２と内部導体層１４の間の静電容量についての計算値Ｃ１ａと、配線パターン３４と内部導体層１４の間の静電容量についての計算値Ｃ２ａとの合計値に等しい。接続導体３６の存在は計算値を計算するときに無視できる。その理由は、接続導体３６の寸法が配線パターンの寸法に比べて小さいことと、接続導体３６が内部導体層１４に対してほぼ垂直に配置されていることにある。測定値Ｃｍと計算値Ｃｔとの差が所定の範囲内であれば、配線パターン２２から配線パターン３４に至る配線経路は断線も短絡も無く、正常であると判定する。そうでなければ、断線または短絡の疑いがある。第１導体層の配線パターン２２については、すでに図１の状態で正常であることを確認済みであるから、図２の状態で静電容量の異常が見つかったときには、その原因は、第２導体層３２の配線パターン３４か、あるいは、接続導体３６にあることになる。それらの異常が修復可能ならば修復し、修復不能であれば、通常は、それまでの多層配線部の全体（第１導体層から第２導体層まで）を取り除いて、セラミック基板を再利用できる。上述の計算値Ｃ２ａについては後述する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図１０において、基準パターン６６，６８，７０，７２，７４の配線幅は、その導体層で配線されるパターンの配線幅と同一にすることが好ましい。その配線幅は、例えば、２５μｍである。そのような配線幅を有する基準パターンと内部導体層１４との間の静電容量は、１ｃｍ当たり１〜２ｐｆ程度である。基準パターンの長さＬを１０ｍｍと仮定すると、基準パターンと内部導体層１４との間の静電容量は１〜２ｐｆ程度である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月23日(2009.12.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
図２は、図１の状態の上に、さらに、第１絶縁層３０（例えばポリイミド層）と第２導体層３２を形成した段階の断面図である。第２導体層３２は所定の配線パターン３４となるように形成されていて、この配線パターン３４が、第１絶縁層３０を貫通する接続導体３６を介して、第１導体層の配線パターン２２に接続している。第２導体層３２を形成した段階で、第２導体層３２の配線パターン３４につながる立体的な配線経路とセラミック基板１０の内部導体層１４との間で静電容量を測定する。この測定のためには、検査パッド１６に第１のプローブ２４を接触させ、かつ、配線パターン３４に第２のプローブ２６を接触させる。そして、第１のプローブ２４と第２のプローブ２６の間に接続された測定器２８によって、配線パターン２２と配線パターン３４を含む立体的な配線経路と内部導体層１４との間の静電容量を測定する。静電容量の測定値はＣｍである。一方、この静電容量の計算値Ｃｔは、配線パターン２２と内部導体層１４の間の静電容量についての計算値Ｃ１ａと、配線パターン３４と内部導体層１４の間の静電容量についての計算値Ｃ２ａとの合計値に等しい。接続導体３６の存在は計算値を計算するときに無視できる。その理由は、接続導体３６の寸法が配線パターンの寸法に比べて小さいことと、接続導体３６が内部導体層１４に対してほぼ垂直に配置されていることにある。測定値Ｃｍと計算値Ｃｔとの差が所定の範囲内であれば、配線パターン２２から配線パターン３４に至る配線経路は断線も短絡も無く、正常であると判定する。そうでなければ、断線または短絡の疑いがある。第１導体層の配線パターン２２については、すでに図１の状態で正常であることを確認済みであるから、図２の状態で静電容量の異常が見つかったときには、その原因は、第２導体層３２の配線パターン３４か、あるいは、接続導体３６にあることになる。それらの異常が修復可能ならば修復し、修復不能であれば、通常は、それまでの多層配線部の全体（第１導体層から第２導体層まで）を取り除いて、セラミック基板を再利用できる。上述の計算値Ｃ２ａは、配線パターン３４と内部導体層１４の間に存在するセラミック基板１０及び第１絶縁層３０の誘電率及び厚さと、配線パターン３４の幅及び長さに基づいて、理論的に計算することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
図１０において、基準パターン６６，６８，７０，７２，７４の配線幅は、その導体層で配線されるパターンの配線幅と同一にすることが好ましい。その配線幅は、例えば、２５μｍである。そのような配線幅を有する基準パターンと内部導体層１４との間の静電容量は、１ｃｍ当たり１〜２ｐｆ程度である。基準パターンの長さＬを１０ｍｍと仮定すると、基準パターンと内部導体層１４との間の静電容量は１〜２ｐｆ程度である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月30日(2009.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
請求項１又は２に記載の基板搬送装置であって、
前記終点に関連付けられる一つの第二の検出点を形成し、前記基板の端面が前記第二の検出点にあるか否かを検出する第二のセンサを有し、
前記制御部は、
前記基板の中心から見て前記旋回方向にある前記端面の第三選択点が前記第二の検出点を通過する前記ハンドの経路を生成し、前記第一選択点と前記第二選択点の各々が前記第一の検出点にあるときの前記ハンドの位置と、前記第三選択点が前記第二の検出点にあるときの前記ハンドの位置とに基づいて前記基板の中心の位置を演算し、前記搬送ロボットを駆動して前記基板の中心を前記終点に搬送させること、
を特徴とする基板搬送装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
請求項１又は２に記載の基板搬送装置であって、
前記終点に関連付けられる一つの第二の検出点を形成し、前記基板の端面が前記第二の検出点にあるか否かを検出する第二のセンサを有し、
前記制御部は、
前記基板の中心から見て前記旋回方向にある前記端面の第三選択点と、前記基板の中心から見て前記径方向にある前記端面の第四選択点とがそれぞれ前記第二の検出点を通過する前記ハンドの経路を生成し、前記搬送ロボットを駆動して前記ハンドを前記経路に沿って移動させ、前記第一選択点と前記第二選択点の各々が前記第一の検出点にあるときの前記ハンドの位置と、前記第三選択点と前記第四選択点の各々が前記第二の検出点にあるときの前記ハンドの位置とに基づいて前記基板の中心の位置を演算し、前記基板の中心を前記終点に搬送させること、
を特徴とする基板搬送装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の基板搬送装置であって、前記始点に関連付けられる一つの第二の検出点を形成し、前記基板の端面が前記第二の検出点にあるか否かを検出する第二のセンサを有し、前記制御部は、前記基板の中心から見て前記径方向にある前記端面の第三選択点が前記第二の検出点を通過する前記ハンドの経路を生成し、前記第一選択点と前記第二選択点の各々が前記第一の検出点にあるときの前記ハンドの位置と、前記第三選択点が前記第二の検出点にあるときの前記ハンドの位置とに基づいて前記基板の中心の位置を演算し、前記搬送ロボットを駆動して前記基板の中心を前記終点に搬送させること、を要旨とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項４に記載の発明は、請求項１又は２に記載の基板搬送装置であって、前記終点に関連付けられる一つの第二の検出点を形成し、前記基板の端面が前記第二の検出点にあるか否かを検出する第二のセンサを有し、前記制御部は、前記基板の中心から見て前記旋回方向にある前記端面の第三選択点と、前記基板の中心から見て前記径方向にある前記端面の第四選択点とがそれぞれ前記第二の検出点を通過する前記ハンドの経路を生成し、前記搬送ロボットを駆動して前記ハンドを前記経路に沿って移動させ、前記第一選択点と前記第二選択点の各々が前記第一の検出点にあるときの前記ハンドの位置と、前記第三選択点と前記第四選択点の各々が前記第二の検出点にあるときの前記ハンドの位置とに基づいて前記基板の中心の位置を演算し、前記基板の中心を前記終点に搬送させること、を要旨とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
各センサ１９は、それぞれ光学式のオン／オフセンサであって、搬送面を挟む一対の出射部１９ｓと受光部１９ｄとによって構成されている。出射部１９ｓは、搬送面の上方に配置されて、鉛直方向に向かってレーザ光を出射する。受光部１９ｄは、出射部１９ｓの鉛直方向に配設されて、出射部１９ｓからのレーザ光を受光する。センサ１９は、出射部１９ｓと受光部１９ｄとの間のレーザ光が基板Ｓによって遮られるときにオン状態となり、出射部１９ｓと受光部１９ｄとの間のレーザ光が基板Ｓによって遮られないときにオフ状態となる。そして、センサ１９は、オフ状態からオン状態に切り替わる、あるいは、オン状態からオフ状態に切り替わることによって、基板Ｓの端面がレーザ光の光軸上にあるか否かを検出する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月18日(2010.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
図１に示すように、ケーシング本体３の底面部には、複数（４つ）の筒状の挿通孔部６が設けられており、左端の挿通孔部６内にテレビジョン信号を入力する端子１２が、右端の挿通孔部６内に増幅されたテレビジョン信号を出力する端子１１がそれぞれ設けられている。なお、１３はモニタ用の端子である。端子１１〜１３が設けられていない挿通孔部６は、具体的に図示していないが、キャップにて閉塞される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
取付座２２は幅方向の中間位置に、上下方向に延びる係合凹部２２ａが設けられている。また、取付座２２の高さ方向のほぼ中間位置には、挿通孔２４が幅方向に貫通して設けられている。この取付座２２の挿通孔２４に対して、Ｕ字形ボルト２１の基部２１ａを回転可能に挿通し、マスト押え具３１および一対の蝶ねじ３２，３２を適用して、Ｕ字形ボルト２１を起立させた状態で、取付座２２の係合凹部２２ａとマスト押え具３１とでマストＭを挟持することで、増幅器１がマストＭに取り付けられるようになっている（図８参照）。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月2日(2010.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置されて、前記ダイパッドとの対向方向に延びるリードと、前記リードの前記ダイパッドから遠い側の端部が接続された支持部とを一体的に備えるリードフレームを用いて、半導体装置を製造する方法であって、
前記ダイパッド上に半導体チップをダイボンディングし、前記半導体チップと前記リードとをボンディングワイヤで電気的に接続するボンディング工程と、
前記ボンディング工程後、前記リードにおける前記ボンディングワイヤが接続される第１面と反対側の第２面および前記支持部における前記第２面に連続する面が封止樹脂から露出するように、前記半導体チップを前記リードフレームとともに前記封止樹脂により封止する封止工程と、
前記支持部上の前記封止樹脂を除去し、前記封止樹脂における前記リードが露出する面と反対側の面から前記支持部に達する溝を形成する溝形成工程と、
前記溝にエッチング液を供給して、前記支持部をエッチングにより除去する支持部除去工程とを含む、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記支持部除去工程は、前記リードの前記ダイパッドから遠い側の端部に断面略１／４円形状の端面が形成されるまで、前記支持部だけでなく、前記リードもエッチングする工程を含む、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体チップと、
前記半導体チップをダイボンディングするダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に配置されて、前記ダイパッドとの対向方向に延びるリードと、
前記半導体チップと前記リードとを電気的に接続するボンディングワイヤと、
前記半導体チップ、前記ダイパッド、前記リードおよび前記ボンディングワイヤを封止する封止樹脂とを含み、
前記リードは、前記ボンディングワイヤが接続される第１面と反対側の第２面および前記ダイパッドから遠い側の端部が前記封止樹脂から露出しており、露出した前記端部にエッチングにより形成された凹部を有する、半導体装置。
【請求項４】
前記凹部は、断面略１／４円形状の端面を有する、請求項３に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法および半導体装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
このように、支持部をエッチングにより除去し、リードを支持部から切り離すためにダ
イシングブレードを用いないことにより、各リードにおけるばりの発生を防止することが
できる。
また、請求項２記載の発明は、前記支持部除去工程は、前記リードの前記ダイパッドから遠い側の端部に断面略１／４円形状の端面が形成されるまで、前記支持部だけでなく、前記リードもエッチングする工程を含む、請求項１に記載の半導体装置の製造方法である。
また、請求項３記載の発明は、半導体チップと、前記半導体チップをダイボンディングするダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置されて、前記ダイパッドとの対向方向に延びるリードと、前記半導体チップと前記リードとを電気的に接続するボンディングワイヤと、前記半導体チップ、前記ダイパッド、前記リードおよび前記ボンディングワイヤを封止する封止樹脂とを含み、前記リードは、前記ボンディングワイヤが接続される第１面と反対側の第２面および前記ダイパッドから遠い側の端部が前記封止樹脂から露出しており、露出した前記端部にエッチングにより形成された凹部を有する、半導体装置である。
また、請求項４記載の発明は、前記凹部は、断面略１／４円形状の端面を有する、請求項３に記載の半導体装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月22日(2010.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面に形成された複数のパッド及び差動アンプ回路を有する半導体チップと、
前記半導体チップの周りに設けられた複数のインナーリードと、
前記複数のパッドと前記複数のインナーリードをそれぞれ接続する複数のワイヤーと、
前記半導体チップと前記複数のインナーリードと前記複数のワイヤーを封止する樹脂体とを備え、
前記複数のパッドは、前記差動アンプ回路に電気的に接続された第１及び第２信号パッドと、第１及び第２固定電位用パッドとを有し、
前記複数のインナーリードは、一組の差動信号用リードを形成するために互いに隣接して配置された第１及び第２信号用インナーリードと、前記第１及び第２信号用インナーリードを平面視において挟むように配置された第１及び第２固定電位用インナーリードとを有し、
前記第１及び第２信号用インナーリードは、それぞれ前記第１及び第２信号パッドに接続され、
前記第１及び第２固定電位用インナーリードは、それぞれ前記第１及び第２固定電位用パッドに接続され、
前記第１信号用インナーリードと前記第２信号用インナーリードは、第１間隔をもって配置され、
前記第１信号用インナーリードと前記第１固定電位用インナーリードは、第２間隔をもって配置され、
前記第２信号用インナーリードと前記第２固定電位用インナーリードは、第３間隔をもって配置され、
前記第１間隔は、前記第２間隔及び前記第３間隔より広いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記複数のインナーリードは、前記複数のワイヤーが接続された第１端部と、前記樹脂体から露出するアウターリードに接続された第２端部とを有し、
前記第１間隔と前記第２間隔と前記第３間隔は、前記第１端部と前記第２端部の間のインナーリード部分によって定義される距離であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の一実施例に係る半導体装置は、主面に形成された複数のパッド及び差動アンプ回路を有する半導体チップと、前記半導体チップの周りに設けられた複数のインナーリードと、前記複数のパッドと前記複数のインナーリードをそれぞれ接続する複数のワイヤーと、前記半導体チップと前記複数のインナーリードと前記複数のワイヤーを封止する樹脂体とを備え、前記複数のパッドは、前記差動アンプ回路に電気的に接続された第１及び第２信号パッドと、第１及び第２固定電位用パッドとを有し、前記複数のインナーリードは、一組の差動信号用リードを形成するために互いに隣接して配置された第１及び第２信号用インナーリードと、前記第１及び第２信号用インナーリードを平面視において挟むように配置された第１及び第２固定電位用インナーリードとを有し、前記第１及び第２信号用インナーリードは、それぞれ前記第１及び第２信号パッドに接続され、前記第１及び第２固定電位用インナーリードは、それぞれ前記第１及び第２固定電位用パッドに接続され、
前記第１信号用インナーリードと前記第２信号用インナーリードは、第１間隔をもって配置され、前記第１信号用インナーリードと前記第１固定電位用インナーリードは、第２間隔をもって配置され、前記第２信号用インナーリードと前記第２固定電位用インナーリードは、第３間隔をもって配置され、前記第１間隔は、前記第２間隔及び前記第３間隔より広い。