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【手続補正書】
【提出日】平成22年1月15日(2010.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互に反対を向く第１及び第２の面の間隔を厚みとし、枠体と、前記枠体に連結された基部及び前記基部から延びる一対の振動腕をそれぞれが有する複数の音叉型圧電振動片と、が一体的に形成されてなる圧電体と、
それぞれの前記音叉型圧電振動片上に形成された電極と、
前記電極に電気的に接続するように前記圧電体上に形成された配線と、
を有し、
前記枠体と前記基部との連結部には、前記第１及び第２の面に括れた形状が表れるように対向方向に一対の切り込みが形成され、
前記連結部は、前記第１の面において平坦であり、
前記第２の面には、前記一対の切り込み間で前記一対の切り込みに連続する溝が形成され、
前記配線は、前記第１の面で、前記連結部上に形成された部分と、前記枠体上に形成された部分と、が連続するように形成されてなる音叉型圧電振動片集合体。
【請求項２】
（ａ）相互に反対を向く第１及び第２の面の間隔を厚みとし、枠体と、前記枠体に連結された基部及び前記基部から延びる一対の振動腕をそれぞれが有する複数の音叉型圧電振動片と、が一体的に形成されてなる圧電体を用意し、
（ｂ）それぞれの前記音叉型圧電振動片の特性を測定し、その後、
（ｃ）それぞれの前記音叉型圧電振動片を前記枠体から折り取る、
ことを含み、
それぞれの前記音叉型圧電振動片上には電極が形成され、
前記電極に電気的に接続するように前記圧電体上に配線が形成され、
前記枠体と前記基部との連結部には、前記第１及び第２の面に括れた形状が表れるように対向方向に一対の切り込みが形成され、
前記連結部は、前記第１の面において平坦であり、
前記第２の面には、前記一対の切り込み間で前記一対の切り込みに連続する溝が形成され、
前記配線は、前記第１の面で、前記連結部上に形成された部分と、前記枠体上に形成された部分と、が連続するように形成され、
前記（ｂ）工程で、前記第１の面上であって前記枠体上で、前記配線にプローブを接触させて前記特性の測定を行う音叉型圧電振動片の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載された音叉型圧電振動片の製造方法において、
前記（ｂ）工程後で前記（ｃ）工程前に、前記振動腕に錘となる薄膜を形成することをさらに含む音叉型圧電振動片の製造方法。
【請求項４】
請求項２又は３に記載された音叉型圧電振動片の製造方法において、
前記（ａ）工程で、エッチングによって、前記一対の切り込み及び前記溝を同時又は連続的に形成する音叉型圧電振動片の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載された音叉型圧電振動片の製造方法において、
前記（ａ）工程で、前記第１及び第２の面において、前記一対の振動腕のそれぞれに長手方向に長溝を、エッチングによって、前記一対の切り込み及び前記溝と同時又は連続的に形成する音叉型圧電振動片の製造方法。
【請求項６】
請求項２から５のいずれか１項に記載された音叉型圧電振動片の製造方法において、
前記溝としてＶ溝を形成する音叉型圧電振動片の製造方法。
【請求項７】
請求項２から６のいずれか１項に記載された音叉型圧電振動片の製造方法において、
それぞれの前記切り込みを、前記第１又は第２の面にＶ字状に表れるように形成する音叉型圧電振動片の製造方法。
【請求項８】
音叉型圧電振動片集合体から折り取られてなる音叉型圧電振動片であって、
前記音叉型圧電振動片集合体は、
相互に反対を向く第１及び第２の面の間隔を厚みとし、枠体と、前記枠体に連結された基部及び前記基部から延びる一対の振動腕をそれぞれが有する複数の前記音叉型圧電振動片と、が一体的に形成されてなる圧電体と、
それぞれの前記音叉型圧電振動片上に形成された電極と、
前記電極に電気的に接続するように前記圧電体上に形成された配線と、
を有し、
前記枠体と前記基部との連結部には、前記第１及び第２の面に括れた形状が表れるように対向方向に一対の切り込みが形成され、
前記連結部は、前記第１の面において平坦であり、
前記第２の面には、前記一対の切り込み間で前記一対の切り込みに連続する溝が形成され、
前記配線は、前記第１の面で、前記連結部上に形成された部分と、前記枠体上に形成された部分と、が連続するように形成されてなり、
前記連結部で、前記一対の切り込み及び前記溝に沿って、前記枠体から折り取られてなる音叉型圧電振動片。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月5日(2010.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像に手ぶれによるぼやけが生じているかを判定する手ぶれ判定装置であって、
前記画像を構成する画素の空間領域での値である画素値を、複数の画素からなるブロック毎に周波数領域に変換して得られた係数が、該ブロック単位で複数記録されている画像データを参照する画像データ参照部と、
前記係数を用いて、前記ブロック毎にエッジが含まれるか否かを検出し、該検出されたエッジのうち、該エッジの幅が所定の閾値以上となるエッジの比率をぼやけ率として求めるぼやけ率算出部と、
前記ブロック内における第１の方向の周波数成分である第１の係数の値と、前記第１の方向に直交する第２の方向の周波数成分である第２の係数の値とをそれぞれ座標軸とする座標系において、前記ブロック毎に、前記第１の係数の値と、前記第２の係数の値とからなる座標を求め、該座標の分布の偏りの程度を扁平率として算出する扁平率算出部と、
前記ぼやけ率と前記扁平率との関係に基づき、前記画像に手ぶれによるぼやけが生じているか否かを判定する手ぶれ判定部と
を備える手ぶれ判定装置。
【請求項２】
請求項１に記載の手ぶれ判定装置であって、
前記扁平率算出部は、前記座標の分布が楕円状に偏る程度を、前記扁平率として求める
手ぶれ判定装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の手ぶれ判定装置であって、
前記手ぶれ判定部は、前記ぼやけ率および前記扁平率を、それぞれ縦軸および横軸とした２次元平面上に表した際に、該ぼやけ率および扁平率からなる座標が、所定の領域に収まるか否かに基づき、前記判定を行い、
前記ぼやけ率は高い値ほどぼやけの程度が大きく、前記扁平率は高い値ほど前記偏りの程度が大きい値であり、
前記手ぶれ判定部は、前記ぼやけ率および扁平率からなる座標が、前記縦軸上の所定の座標と前記横軸上の所定の座標とを結ぶ直線の原点側に位置する場合に、前記画像には手ぶれによるぼやけが生じていないと判定する
手ぶれ判定装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の手ぶれ判定装置であって、
前記ぼやけ率算出部は、前記ブロック内の複数の前記係数の連なりを、前記画素値の変化の代表的な勾配形状を複数の前記係数によって表した複数種類の基本エッジパタンと比較することにより、前記エッジの有無を判断する
手ぶれ判定装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の手ぶれ判定装置であって、
前記画像データ参照部は、前記画像データを、複数の前記ブロックの集合体であるウィンドウ領域に区分して、該ウィンドウ領域毎に前記画像データを参照し、
前記ぼやけ率算出部は、前記ウィンドウ領域毎に、前記ぼやけ率を算出し、
前記扁平率算出部は、前記ウィンドウ領域毎に、前記扁平率を算出し、
前記手ぶれ判定部は、前記ウィンドウ領域毎に、前記手ぶれによるぼやけが生じているか否かを判定し、
前記手ぶれ判定部は、ぼやけが生じていないと判定した前記ウィンドウ領域が所定個以上存在すれば、前記画像は正常な画像であると判定する
手ぶれ判定装置。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の手ぶれ判定装置であって、
前記画像データは、ＪＰＥＧ規格に基づき生成されたデータであり、前記係数は、前記画素値をブロック毎に離散コサイン変換して得られた係数であり、
前記手ぶれ判定部は、前記判定の結果を、前記画像データのヘッダ領域に記録する
手ぶれ判定装置。
【請求項７】
画像に手ぶれによるぼやけが生じているかを判定する手ぶれ判定方法であって、
前記画像を構成する画素の空間領域での値である画素値を、複数の画素からなるブロック毎に周波数領域に変換して得られた係数が、該ブロック単位で複数記録されている画像データを参照し、
前記係数を用いて、前記ブロック毎にエッジが含まれるか否かを検出し、該検出されたエッジのうち、該エッジの幅が所定の閾値以上となるエッジの比率をぼやけ率として求め、
前記ブロック内における第１の方向の周波数成分である第１の係数の値と、前記第１の方向に直交する第２の方向の周波数成分である第２の係数の値とをそれぞれ座標軸とする座標系において、前記ブロック毎に、前記第１の係数の値と、前記第２の係数の値とからなる座標を求め、該座標の分布の偏りの程度を扁平率として算出し、
前記ぼやけ率と前記扁平率との関係に基づき、前記画像に手ぶれによるぼやけが生じているか否かを判定する
手ぶれ判定方法。
【請求項８】
画像に手ぶれによるぼやけが生じているかを判定するコンピュータプログラムであって、
前記画像を構成する画素の空間領域での値である画素値を、複数の画素からなるブロック毎に周波数領域に変換して得られた係数が、該ブロック単位で複数記録されている画像データを参照する画像データ参照機能と、
前記係数を用いて、前記ブロック毎にエッジが含まれるか否かを検出し、該検出されたエッジのうち、該エッジの幅が所定の閾値以上となるエッジの比率をぼやけ率として求めるぼやけ率算出機能と、
前記ブロック内における第１の方向の周波数成分である第１の係数の値と、前記第１の方向に直交する第２の方向の周波数成分である第２の係数の値とをそれぞれ座標軸とする座標系において、前記ブロック毎に、前記第１の係数の値と、前記第２の係数の値とからなる座標を求め、該座標の分布の偏りの程度を扁平率として算出する扁平率算出機能と、
前記ぼやけ率と前記扁平率との関係に基づき、前記画像に手ぶれによるぼやけが生じているか否かを判定する手ぶれ判定機能と
をコンピュータに実現させるコンピュータプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】手ぶれ判定装置、および、手ぶれ判定方法
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月12日(2010.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各相の巻線が複数の巻線からなり、前記複数の巻線を互いに連結した連結端子と各相巻線の両端子とをモータ外部に設けた交流電動機と、前記連結端子を適宜切替える巻線切替部と、前記交流電動機に可変周波の可変電圧を供給するインバータと、前記巻線切替部が、前記各相巻線の一端を前記インバータに接続し、他端と前記連結端子とを各相毎に各々３相整流部の交流側入力端子に接続した複数の３相整流部と、前記複数の３相整流部の直流出力側の両端を開閉するように設けた第１半導体スイッチと、前記第１半導体スイッチを駆動するドライブ回路と、前記複数の３相整流部の各々の直流出力側の一端に、前記第１半導体スイッチがオフの時に前記３相整流部から流れる電流がスナバ回路に流れ、前記第１半導体スイッチがオンの時に、前記スナバ回路から前記第１半導体スイッチに逆流しない方向に設けられたダイオードを介して前記３相整流部の直流出力側を前記スナバ回路に接続した３相交流電動機の巻線切替装置において、
前記スナバ回路と前記３相整流部の直流出力側の接続を開閉するする第２半導体スイッチを前記複数の３相整流部の各々の直流出力側のどちらか一方に備えたことを特徴とする３相交流電動機の巻線切替装置。
【請求項２】
前記第１半導体スイッチがオンからオフに切替わるタイミング毎に前記第２半導体スイッチを所定時間オンすることを特徴とする請求項１記載の３相交流電動機の巻線切替装置。
【請求項３】
前記ドライブ回路は、前記第１半導体スイッチを開閉する短絡切替信号と前記第２半導体スイッチを開閉するスナバ切替信号を前記第１半導体スイッチと前記第２半導体スイッチへ出力することを特徴とする請求項１記載の３相交流電動機の巻線切替装置。
【請求項４】
前記第２半導体スイッチを開閉するスナバ切替信号は、前記第１半導体スイッチを開閉する短絡切替信号を遅延させる遅延回路を用いて作成することを特徴とする請求項１記載の３相交流電動機の巻線切替装置。
【請求項５】
前記第１半導体スイッチのオフする短絡切替信号を基準として、前記スナバ回路と前記３相整流部との電流経路に挿入される前記第２半導体スイッチを、任意の時間だけ遅らせてオフさせる遅延回路を備えたことを特徴とする請求項１記載の３相交流電動機の巻線切替装置。
【請求項６】
前記巻線切替部のスナバ回路を共通のスナバ回路としたことを特徴とする請求項１記載の３相交流電動機の巻線切替装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】３相交流電動機の巻線切替装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
上記問題を解決するため、本発明は、次のように構成したのである。
各相の巻線が複数の巻線からなり、前記複数の巻線を互いに連結した連結端子と各相巻線の両端子とをモータ外部に設けた交流電動機と、前記連結端子を適宜切替える巻線切替部と、前記交流電動機に可変周波の可変電圧を供給するインバータと、前記巻線切替部が、前記各相巻線の一端を前記インバータに接続し、他端と前記連結端子とを各相毎に各々３相整流部の交流側入力端子に接続した複数の３相整流部と、前記複数の３相整流部の直流出力側の両端を開閉するように設けた第１半導体スイッチと、前記第１半導体スイッチを駆動するドライブ回路と、前記複数の３相整流部の各々の直流出力側の一端に、前記第１半導体スイッチがオフの時に前記３相整流部から流れる電流がスナバ回路に流れ、前記第１半導体スイッチがオンの時に、前記スナバ回路から前記第１半導体スイッチに逆流しない方向に設けられたダイオードを介して前記３相整流部の直流出力側を前記スナバ回路に接続した３相交流電動機の巻線切替装置において、
前記スナバ回路と前記３相整流部の直流出力側の接続を開閉するする第２半導体スイッチを前記複数の３相整流部の各々の直流出力側のどちらか一方に備えたことを特徴とするものである。
また、請求項１記載の前記の３相交流電動機の巻線切替装置において、第１半導体スイッチがオンからオフに切替わるタイミング毎に前記第２半導体スイッチを所定時間オンすることを特徴とするものである。
また、請求項１記載の前記の３相交流電動機の巻線切替装置において、前記ドライブ回路は、前記第１半導体スイッチを開閉する短絡切替信号と前記第２半導体スイッチを開閉するスナバ切替信号を前記第１半導体スイッチと前記第２半導体スイッチへ出力することを特徴とするものである。
また、請求項１記載の前記の３相交流電動機の巻線切替装置において、前記第２半導体スイッチを開閉するスナバ切替信号は、前記第１半導体スイッチを開閉する短絡切替信号を遅延させる遅延回路を用いて作成することを特徴とするものである。
また、請求項１記載の前記の３相交流電動機の巻線切替装置において、前記第１半導体スイッチのオフする短絡切替信号を基準として、前記スナバ回路と前記３相整流部との電流経路に挿入される前記第２半導体スイッチを、任意の時間だけ遅らせてオフさせる遅延回路を備えたことを特徴とするものである。
また、請求項１記載の前記の３相交流電動機の巻線切替装置において、前記巻線切替部のスナバ回路を共通のスナバ回路としたことを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月19日(2010.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステージを有し、前記ステージを少なくとも第１方向に移動させるステージ装置であって、
前記ステージに固定され、前記第１方向に延びている保持部を備え、
前記保持部は、物品を保持する保持面を有する第１部分と、前記第１部分と前記ステージとの間に配置された第２部分とを含み、
前記第１方向における前記第２部分の長さは前記第１部分の長さ未満であることを特徴とするステージ装置。
【請求項２】
前記保持部は、前記第２部分と前記ステージとの間に配置された第３部分をさらに含み、  前記第１方向における前記第２部分の長さは前記第３部分の長さ未満であることを特徴とする請求項１に記載のステージ装置。
【請求項３】
前記第２部分は、前記第１部分と前記第３部分とを弾性ヒンジ結合で接続することを特徴とする請求項２に記載のステージ装置。
【請求項４】
前記第１方向における前記第２部分の長さは前記第１部分の長さの７０％以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のステージ装置。
【請求項５】
原版に描かれたパターンを、投影光学系を介して基板に投影転写する露光装置であって、
前記原版を支持し移動する原版ステージ装置を備え、
前記原版ステージ装置が、請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のステージ装置を含むことを特徴とする露光装置。
【請求項６】
原版に描かれたパターンを、投影光学系を介して基板に投影転写する露光装置であって、
粗動ステージ装置と、前記粗動ステージ装置の上で移動する微動ステージ装置とを備え、
前記微動ステージ装置が、請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のステージ装置を含むことを特徴とする露光装置。
【請求項７】
請求項５又は請求項６に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記露光された基板を現像する工程とを備えることを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月9日(2010.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光出射側の共振器面および光反射側の共振器面を有する半導体レーザ素子部と、
前記半導体レーザ素子部の前記光出射側の共振器面に形成される複数の材料からなる第１の多層絶縁膜とを備え、
前記第１の多層絶縁膜は、前記光出射側の共振器面に接触するように形成された窒化膜からなる第１絶縁膜と、前記第１の多層絶縁膜の最表面に位置する窒化膜からなる第２絶縁膜と、前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜との間に挟まれ、少なくとも１層以上の酸化膜からなる第３絶縁膜とを含む、半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記第１絶縁膜、前記第２絶縁膜および前記第３絶縁膜の屈折率が、それぞれ、ｎ１、ｎ２およびｎ３である場合に、ｎ１＞ｎ３、かつ、ｎ２＞ｎ３である、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記第１絶縁膜および前記第３絶縁膜の厚みが、それぞれ、ｔ１およびｔ３である場合に、ｔ１＜ｔ３である、請求項１または２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記半導体レーザ素子部の前記光反射側の共振器面に形成される複数の材料からなる第２の多層絶縁膜をさらに備え、
前記第２の多層絶縁膜の最表面には、窒化膜が形成されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記第２の多層絶縁膜は、前記光反射側の共振器面に近い側から順に形成された第４絶縁膜、第５絶縁膜、複数の絶縁膜からなる第６絶縁膜、および、前記第２の多層絶縁膜の最表面に位置する窒化膜からなる第７絶縁膜を含み、
前記第４絶縁膜、前記第５絶縁膜および前記第７絶縁膜の屈折率が、それぞれ、ｎ４、ｎ５およびｎ７である場合に、ｎ４＞ｎ５、かつ、ｎ７＞ｎ５である、請求項４に記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記第５絶縁膜は、酸化膜である、請求項５に記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】
前記第４絶縁膜は、窒化膜である、請求項５または６に記載の半導体レーザ装置。
【請求項８】
前記第１絶縁膜、前記第２絶縁膜および前記第３絶縁膜の厚みが、それぞれ、ｔ１、ｔ２およびｔ３であり、前記第４絶縁膜、前記第５絶縁膜、前記第６絶縁膜および第７絶縁膜の厚みが、それぞれ、ｔ４、ｔ５、ｔ６およびｔ７である場合に、ｔ２＜ｔ３およびｔ７＜ｔ５＋ｔ６であり、かつ、ｔ１＋ｔ３＜ｔ４＋ｔ５＋ｔ６である、請求項５〜７のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項９】
前記窒化膜は、Ａｌ、Ｓｉ、ＧａおよびＢの少なくともいずれかを含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項１０】
前記半導体レーザ素子部は、窒化物系半導体層により形成されている、請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月13日(2010.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層されたメサ構造を有し、第１化合物半導体層及び第２化合物半導体層の少なくとも一方において、メサ構造の側壁部から内部に向かって延びる絶縁領域によって囲まれた電流狭窄領域が設けられた発光素子であって、
メサ構造のうち絶縁領域が設けられた部分と同等の層構造を有する壁構造体が、メサ構造を包囲するように設けられており、
メサ構造と壁構造体とは、メサ構造のうち絶縁領域が設けられた部分と同等の層構造を有する少なくとも１つの橋状構造体で結ばれており、
第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極と、
壁構造体の頂面に設けられ、橋状構造体を介してメサ構造における第２化合物半導体層に電気的に接続された第２電極、
とを備えていることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
壁構造体の外側側面部上に設けられた絶縁層の上を介して第２電極から壁構造体の下端まで延在する第２電極延在部を更に備えていることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
第２化合物半導体層と活性層との界面に平行な仮想平面で壁構造体を切断したときの壁構造体における絶縁領域の幅をＷW、第２化合物半導体層と活性層との界面に平行な仮想平面でメサ構造を切断したときのメサ構造における絶縁領域の幅をＷIとしたとき、ＷW／ＷI≦２を満足することを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項４】
第２化合物半導体層と活性層との界面に平行な仮想平面で壁構造体を切断したときの壁構造体の断面形状は環状であり、第２化合物半導体層と活性層との界面に平行な仮想平面でメサ構造を切断したときのメサ構造の断面形状は円形であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項５】
第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層されたメサ構造を有し、第１化合物半導体層及び第２化合物半導体層の少なくとも一方において、メサ構造の側壁部から内部に向かって延びる絶縁領域によって囲まれた電流狭窄領域が設けられた発光素子であって、
メサ構造のうち絶縁領域が設けられた部分と同等の層構造を有すると共に、メサ構造の側壁部から突出する突起部が、少なくとも１つ、メサ構造には設けられており、
第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極と、
突起部の頂面に設けられ、第２化合物半導体層に電気的に接続された第２電極、
とを備えていることを特徴とする発光素子。
【請求項６】
突起部の側面部上に設けられた絶縁層の上を介して第２電極から突起部の下端まで延在する第２電極延在部を更に備えていることを特徴とする請求項５に記載の発光素子。
【請求項７】
電流狭窄領域の面積をＳConf、メサ構造を構成する第２化合物半導体層の頂面の面積をＳE2としたとき、０＜ＳConf／ＳE2＜１を満足することを特徴とする請求項５に記載の発光素子。
【請求項８】
電流狭窄領域の外縁の射影像は、メサ構造を構成する第２化合物半導体層の頂面の外縁の射影像内に含まれることを特徴とする請求項７に記載の発光素子。
【請求項９】
電流狭窄領域の外縁の射影像と、メサ構造を構成する第２化合物半導体層の頂面の外縁の射影像との間の最短距離の最小値は、２．５×１０-6（ｍ）であることを特徴とする請求項８に記載の発光素子。
【請求項１０】
第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層されたメサ構造を有し、第１化合物半導体層及び第２化合物半導体層の少なくとも一方において、メサ構造の側壁部から内部に向かって延びる絶縁領域によって囲まれた電流狭窄領域が設けられた発光素子であって、
少なくとも絶縁領域まで達する複数の点状の孔部が、積層方向に沿って形成されており、
第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極と、
メサ構造の頂面のうち、複数の点状の孔部が形成された領域よりもメサ構造の側壁部側に設けられ、第２化合物半導体層に電気的に接続された第２電極、
とを備えていることを特徴とする発光素子。
【請求項１１】
メサ構造の側壁部上に設けられた絶縁層の上を介して第２電極からメサ構造の下端まで延在する第２電極延在部を更に備えていることを特徴とする請求項１０に記載の発光素子。
【請求項１２】
電流狭窄領域の面積をＳConf、第２化合物半導体層の頂面の第２電極が設けられていない部分の面積をＳE2としたとき、０＜ＳConf／ＳE2＜１を満足することを特徴とする請求項１０に記載の発光素子。
【請求項１３】
電流狭窄領域の外縁の射影像は、第２化合物半導体層の頂面の第２電極が設けられていない部分の外縁の射影像内に含まれることを特徴とする請求項１２に記載の発光素子。
【請求項１４】
電流狭窄領域の外縁の射影像と、第２化合物半導体層の頂面の第２電極が設けられていない部分の外縁の射影像との間の最短距離の最小値は、２．５×１０-6（ｍ）であることを特徴とする請求項１３に記載の発光素子。
【請求項１５】
複数の点状の孔部の頂部は、仮想の閉曲線上に配置されていることを特徴とする請求項１０に記載の発光素子。
【請求項１６】
仮想の閉曲線は、円であることを特徴とする請求項１５に記載の発光素子。
【請求項１７】
孔部の数をＭとしたとき、Ｍの値は３以上であることを特徴とする請求項１０に記載の発光素子。
【請求項１８】
絶縁領域及び電流狭窄領域は、第２化合物半導体層に設けられており、
第２化合物半導体層は、活性層側から、下層、中層及び上層の３層構造を有し、
少なくとも中層は、ＩＩＩ族原子としてアルミニウムを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から構成されており、
絶縁領域及び電流狭窄領域は、中層に形成され、
中層における化合物半導体組成中のアルミニウムの原子百分率の値は、下層及び上層における化合物半導体組成中のアルミニウムの原子百分率の値よりも高いことを特徴とする請求項１、請求項５及び請求項１０のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１９】
発光素子は、メサ構造を構成する第２化合物半導体層から光を出射する面発光レーザ素子から成ることを特徴とする請求項１、請求項５及び請求項１０のいずれか１項に記載の発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光素子
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月16日(2010.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極間を接続するバスバーにて隣り合う蓄電素子どうしが電気的に接続された複数の蓄電素子と、
前記蓄電素子の底部を挿入することにより前記蓄電素子を保持するホルダと、
前記ホルダを固定する金属製の台座とからなり、
前記ホルダにおいて、前記台座と対向し、かつ前記底部が当接する部分の一部に貫通孔を設け、
前記貫通孔の内部、前記ホルダと前記底部の間、および前記ホルダと前記台座の間に絶縁性高熱伝導グリスを配した蓄電ユニット。
【請求項２】
前記ホルダの前記台座との対向部分の一部に段差を設けた請求項１に記載の蓄電ユニット。
【請求項３】
前記ホルダと前記台座の間の一部にスペーサを介在させた請求項１に記載の蓄電ユニット。
【請求項４】
前記スペーサは前記ホルダと同等以上の高熱伝導性材料からなる請求項３に記載の蓄電ユニット。
【請求項５】
前記貫通孔は前記底部と当接する部分から前記台座に向かって断面積が広くなるようにした請求項１に記載の蓄電ユニット。
【請求項６】
前記絶縁性高熱伝導グリスは樹脂にセラミックス製のフィラを混合した構成を有する請求項１に記載の蓄電ユニット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記従来の課題を解決するために、本発明の蓄電ユニットは、電極間を接続するバスバーにて隣り合う蓄電素子どうしが電気的に接続された複数の蓄電素子と、前記蓄電素子の底部を挿入することにより前記蓄電素子を保持するホルダと、前記ホルダを固定する金属製の台座とからなり、前記ホルダにおいて、前記台座と対向し、かつ前記底部が当接する部分の一部に貫通孔を設け、前記貫通孔の内部、前記ホルダと前記底部の間、および前記ホルダと前記台座の間に絶縁性高熱伝導グリスを配したものである。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月16日(2010.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
柱形状を有し、側面および端面にそれぞれ側面電極、端面電極を有する複数の蓄電素子と、
隣り合う前記蓄電素子の側面電極と端面電極どうしを接続するバスバーと、
前記蓄電素子の底部が挿入される保持穴を有するとともに、前記底部の端面と当接する複数の弾性部を前記保持穴の底面に設けた下ケースと、
前記蓄電素子の上部が挿入されるとともに、前記上部の端面の少なくとも一部が当接する上ケースとから構成され、
前記弾性部は前記保持穴の底面において、前記保持穴の壁面側から中央上方に向かう片持ち梁形状に形成されるとともに、
隣り合う前記弾性部の間、および前記保持穴の底面の中央部分を貫通孔とし、
前記弾性部の変位幅は複数の前記蓄電素子の高さ誤差より大きくした蓄電ユニット。
【請求項２】
前記保持穴の底部において、前記貫通孔の面積は前記弾性部の全面積より大きくした請求項１に記載の蓄電ユニット。
【請求項３】
前記下ケースが金属製の台座に固定されるとともに、前記底部と前記台座の間、および前記下ケースと前記台座の間には絶縁性高熱伝導グリスを配した請求項１に記載の蓄電ユニット。
【請求項４】
前記絶縁性高熱伝導グリスは樹脂にセラミックス製のフィラを混合した構成を有する請求項３に記載の蓄電ユニット。
【請求項５】
前記下ケースの前記台座との対向部分の一部に段差を設けた請求項３に記載の蓄電ユニット。
【請求項６】
前記下ケースと前記台座の間の一部にスペーサを介在させた請求項３に記載の蓄電ユニット。
【請求項７】
前記スペーサは前記下ケースと同等以上の高熱伝導性材料からなる請求項６に記載の蓄電ユニット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
前記従来の課題を解決するために、本発明の蓄電ユニットは、柱形状を有し、側面および端面にそれぞれ側面電極、端面電極を有する複数の蓄電素子と、隣り合う前記蓄電素子の側面電極と端面電極どうしを接続するバスバーと、前記蓄電素子の底部が挿入される保持穴を有するとともに、前記底部の端面と当接する複数の弾性部を前記保持穴の底面に設けた下ケースと、前記蓄電素子の上部が挿入されるとともに、前記上部の端面の少なくとも一部が当接する上ケースとから構成され、前記弾性部は前記保持穴の底面において、前記保持穴の壁面側から中央上方に向かう片持ち梁形状に形成されるとともに、隣り合う前記弾性部の間、および前記保持穴の底面の中央部分を貫通孔とし、前記弾性部の変位幅は複数の前記蓄電素子の高さ誤差より大きくしたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月7日(2009.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号配線と、
前記信号配線に対して形成された第１のコンタクトホールと、
前記第１のコンタクトホールと同一配線層内であって、前記第１のコンタクトホールの周囲の領域に形成されたダミーメタルと、
前記ダミーメタルに対して形成された第２のコンタクトホールとを備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第２のコンタクトホールは複数設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月18日(2010.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に、島状半導体膜、前記島状半導体膜を覆って絶縁膜、前記絶縁膜を覆って第１の導電膜、前記第１の導電膜を覆って第２の導電膜、前記第２の導電膜の一部の上に第１のマスクを形成し、
前記第１のマスクを用いて、前記第２の導電膜をエッチングして第１のゲート電極を形成し、
前記第１のゲート電極をマスクとして、前記第１の導電膜をエッチングして第２のゲート電極を形成し、
前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極をマスクとして、前記島状半導体膜に、一導電性を付与する不純物元素を第１の濃度で添加し、
前記第１のマスク及び前記第１のゲート電極をエッチングして、前記第１のマスクより幅の小さい第２のマスク、及び、前記第１のゲート電極より幅の小さい第３のゲート電極を形成し、
前記第２のゲート電極をマスクとして、前記絶縁膜をエッチングして、前記第２のゲート電極と同じ幅のゲート絶縁膜を形成し、
前記第２のマスクを除去して、前記第２のゲート電極を露出させ、
前記島状半導体膜、前記ゲート絶縁膜、前記第２のゲート電極、前記第３のゲート電極を覆って、金属膜を形成し、
加熱処理により、前記島状半導体膜の、前記ゲート絶縁膜に覆われていない領域と前記金属膜を反応させ、前記島状半導体膜中にシリサイド領域を形成し、
前記金属膜の未反応領域を除去後、前記第３のゲート電極をマスクとして、前記第２のゲート電極をエッチングして、前記第３のゲート電極と同じ幅を有する第４のゲート電極を形成し、
前記第３のゲート電極、及び、前記第４のゲート電極をマスクとして、前記島状半導体中に前記一導電性を付与する不純物元素を前記第１の濃度より小さい第２の濃度で添加して、
前記島状半導体膜中の前記ゲート絶縁膜と重なり且つ前記第３及び第４のゲート電極と重ならない領域に第１の低濃度不純物領域及び第２の低濃度不純物領域を形成し、前記第１及び前記第２の低濃度不純物領域の間にチャネル形成領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記第１のマスクは、側面にテーパー角を有する形状であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記第１のゲート電極をエッチングして前記第３のゲート電極を形成する際に、試料ステージ温度を−１０℃以下にすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面上に、島状半導体膜、前記島状半導体膜を覆って絶縁膜、前記絶縁膜を覆って導電膜、前記導電膜の一部の上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて、前記導電膜をエッチングして第１のゲート電極を形成し、
前記第１のゲート電極をマスクとして、前記絶縁膜をエッチングして、前記第１のゲート電極と同じ幅のゲート絶縁膜を形成し、
前記島状半導体膜、前記ゲート絶縁膜、前記第１のゲート電極、前記マスクを覆って、金属膜を形成し、
加熱処理により、前記島状半導体膜の、前記ゲート絶縁膜に覆われていない領域と前記金属膜を反応させ、前記島状半導体膜中にシリサイド領域を形成し、
前記金属膜の未反応領域を除去後、前記第１のゲート電極をエッチングし、前記第１のゲート電極より幅の小さい第２のゲート電極を形成し、
前記島状半導体膜に一導電性を付与する不純物元素を第１の濃度で添加し、
前記第２のゲート電極をマスクとして、前記島状半導体中に前記一導電性を付与する不純物元素を前記第１の濃度より小さい第２の濃度で添加して、
前記島状半導体膜中の前記ゲート絶縁膜と重なり且つ前記第２のゲート電極と重ならない領域に第１の低濃度不純物領域及び第２の低濃度不純物領域を形成し、前記第１及び前記第２の低濃度不純物領域の間にチャネル形成領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面上に、島状半導体膜、前記島状半導体膜を覆って絶縁膜、前記絶縁膜を覆って導電膜、前記導電膜の一部の上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて、前記導電膜をエッチングして第１のゲート電極を形成し、
前記第１のゲート電極をマスクとして、前記絶縁膜をエッチングして、前記第１のゲート電極と同じ幅のゲート絶縁膜を形成し、
前記第１のゲート電極をマスクとして、前記島状半導体膜に一導電性を付与する不純物元素を第１の濃度で添加し、
前記島状半導体膜、前記ゲート絶縁膜、前記第１のゲート電極、前記マスクを覆って、金属膜を形成し、
加熱処理により、前記島状半導体膜の、前記ゲート絶縁膜に覆われていない領域と前記金属膜を反応させ、前記島状半導体膜中にシリサイド領域を形成し、
前記金属膜の未反応領域を除去後、前記第１のゲート電極をエッチングし、前記第１のゲート電極より幅の小さい第２のゲート電極を形成し、
前記第２のゲート電極をマスクとして、前記島状半導体中に前記一導電性を付与する不純物元素を前記第１の濃度より小さい第２の濃度で添加して、
前記島状半導体膜中の前記ゲート絶縁膜と重なり且つ前記第２のゲート電極と重ならない領域に第１の低濃度不純物領域及び第２の低濃度不純物領域を形成し、前記第１及び前記第２の低濃度不純物領域の間にチャネル形成領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、前記マスクを用いて前記第１のゲート電極をエッチングし、前記第１のゲート電極より幅の小さい前記第２のゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項４または請求項５において、前記第１のゲート電極を等方性エッチングによりエッチングし、前記第１のゲート電極より幅の小さい前記第２のゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記シリサイド領域が高濃度不純物領域であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記島状半導体膜中の前記シリサイド領域の下の領域に、高濃度不純物領域が形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月5日(2010.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】
前記工程（ａ）は、前記第１の素子領域にプラズマ酸化処理を行って、前記第１の素子領域上に第１の酸化膜を形成する工程（ａ１）と、前記第１の酸化膜に第１のプラズマ窒化処理を行って前記第１の酸化膜に窒素を導入して前記第１の酸窒化シリコンからなる前記第１のゲート絶縁膜を形成する工程（ａ２）とを含み、
前記工程（ｂ）は、前記第２の素子領域に前記プラズマ酸化処理を行って、前記第１の酸化膜を形成するのと同時に、前記第２の素子領域上に第２の酸化膜を形成する工程（ｂ１）と、前記第２の酸化膜に第２のプラズマ窒化処理を行って前記第２の酸化膜に窒素を導入して前記第２の酸窒化シリコンからなる前記第２のゲート絶縁膜を形成する工程（ａ２）とを含むことを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
前記工程（ａ）は、前記第１の素子領域にプラズマ酸化処理を行って、前記第１の素子領域上に第１の酸化膜を形成する工程（ａ１）と、前記第１の酸化膜に第１のプラズマ窒化処理を行って前記第１の酸化膜に窒素を導入して酸窒化シリコン膜を形成する工程（ａ２）と、前記酸窒化シリコン膜に第２のプラズマ窒化処理を行って前記酸窒化シリコン膜に窒素を導入して前記第１の酸窒化シリコンからなる前記第１のゲート絶縁膜を形成する工程（ａ３）とを含み、
前記工程（ｂ）は、前記第２の素子領域に前記プラズマ酸化処理を行って、前記第１の酸化膜を形成するのと同時に、前記第２の素子領域上に第２の酸化膜を形成する工程（ｂ１）と、前記第２の酸化膜に前記第１のプラズマ窒化処理を行って、前記酸窒化シリコン膜を形成するのと同時に、前記第２の酸化膜に窒素を導入して前記第２の酸窒化シリコンからなる前記第２のゲート絶縁膜を形成する工程（ｂ２）とを含むことを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
前記工程（ａ）は、前記第１の素子領域に第１のプラズマ酸化処理を行って、前記第１の素子領域上に第１の酸化膜を形成する工程（ａ１）と、前記第１の酸化膜に第１のプラズマ窒化処理を行って前記第１の酸化膜に窒素を導入して前記第１の酸窒化シリコンからなる前記第１のゲート絶縁膜を形成する工程（ａ２）とを含み、
前記工程（ｂ）は、前記第２の素子領域に前記第２のプラズマ酸化処理を行って、前記第２の素子領域上に前記第１の酸化膜よりも膜厚の薄い第２の酸化膜を形成する工程（ｂ１）と、前記第２の酸化膜に第２のプラズマ窒化処理を行って前記第２の酸化膜に窒素を導入して前記第２の酸窒化シリコンからなる前記第２のゲート絶縁膜を形成する工程（ａ２）とを含むことを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２０】
前記工程（ａ）は、前記第１の素子領域に第１のプラズマ酸化処理を行って、前記第１の素子領域上に第１の酸化膜を形成する工程（ａ１）と、前記第１の酸化膜に第１のプラズマ窒化処理を行って前記第１の酸化膜に窒素を導入して酸窒化シリコン膜を形成する工程（ａ２）と、前記酸窒化シリコン膜に第２のプラズマ窒化処理を行って前記酸窒化シリコン膜に窒素を導入して前記第１の酸窒化シリコンからなる前記第１のゲート絶縁膜を形成する工程（ａ３）とを含み、
前記工程（ｂ）は、前記第２の素子領域に前記第２のプラズマ酸化処理を行って、前記第２の素子領域上に前記第１の酸化膜よりも膜厚の薄い第２の酸化膜を形成する工程（ｂ１）と、前記第２の酸化膜に前記第１のプラズマ窒化処理を行って、前記酸窒化シリコン膜を形成するのと同時に、前記第２の酸化膜に窒素を導入して前記第２の酸窒化シリコンからなる前記第２のゲート絶縁膜を形成する工程（ｂ２）とを含むことを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
次に、図１０（ｄ）に示すように、第１のマスク７６を除去した後、第１の素子領域２１Ａ及び第３の素子領域２１Ｃの上を感光性有機膜からなる第２のマスク７７により覆った後、第２のプラズマ窒化処理を行い、第２の素子領域２１Ｂ上の第１の酸化膜７１に窒素を導入して、第２の酸窒化膜７４を形成する。第２のプラズマ窒化処理は、窒素のプラズマを用い、パワーが２０００Ｗで、圧力が７Ｐａ以下の低圧で、２０秒〜４０秒の処理を行う。この場合の処理温度は、感光性有機膜の耐熱温度以下とし、１２０℃以下とすることが好ましく、４０℃程度とすることがさらに好ましい。これにより、第２の酸窒化膜７４の窒素導入量は、第１の酸窒化膜７３の窒素導入量と比べて処理時間が短いため少なくなる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月14日(2010.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
すなわち、ＺｎＯはウルツ型結晶構造の極性半導体であり、結晶のｃ軸方向（＜０００１＞方向）に自発分極（約５μＣ/ｃｍ２）を有するため、結晶内で電荷に偏りが生じる
。そのため、図１５に示すように、ｃ軸に垂直な（０００１）面、即ちｃ面（酸素面で終端された面を−ｃ面、亜鉛面で終端された面を＋ｃ面という）は、極性面となり、−ｃ面に垂直な方向に向いた自発分極が生じる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
【図１】本発明の第１の実施形態における半導体記憶装置の構成を示した断面図である。
【図２】本発明における半導体膜の自発分極の方向と、チャネル状態との関係を示した図で、（ａ）、（ｂ）は、極性面配向の場合、（ｃ）、（ｄ）は、無極性面配向の場合を示した図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施形態における半導体記憶装置の製造方法を示した工程断面図である。
【図４】（ａ）は、本発明の第１の実施形態における半導体記憶装置の電子線後方散乱回折の測定図で、（ｂ）〜（ｄ）は、ＳＴＯ基板、ＳＲＯ膜、ＰＺＴ膜の各回折パターンを示した図である。
【図５】本発明の第１の実施形態における半導体記憶装置のＸ線回折パターンを示した図である。
【図６】本発明の第１の実施形態における半導体記憶装置の断面透過型電子顕微鏡写真である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施形態における半導体記憶装置の電子線回折パターンを示した図である。
【図８】本発明の第１の実施形態における半導体記憶装置のサブスレッショルド特性を測定する回路の構成を示した図である。
【図９】本発明の第１の実施形態における半導体記憶装置のサブスレッショルド特性を示したグラフである。
【図１０】本発明の第１の実施形態における半導体記憶装置の書き込み動作を示した図で、（ａ）は、空乏状態を形成した図、（ｂ）は蓄積状態を形成した図である。
【図１１】本発明の第１の実施形態における半導体記憶装置の電荷保持特性を示したグラフである。
【図１２】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の第２の実施形態における半導体記憶装置の製造方法を示した工程断面図である。
【図１３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第２の実施形態における半導体記憶装置の製造方法を示した工程断面図である。
【図１４】従来のＭＦＳＦＥＴの強誘電体メモリの構成を示した図で、（ａ）はバックゲート型構造の断面図、（ｂ）はトップゲート型構造の断面図である。
【図１５】従来のＺｎＯの結晶構造を示した図である。
【図１６】従来のＰＺＴ膜上に形成されたＺｎＯ膜のＸ線回折パターンを示した図である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月26日(2010.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光領域によって形成された有機エレクトロルミネッセンスからなる面光源の照明装置であって、ｍ個の発光領域が直列に接続されてなる発光領域群を形成し、該発光領域群がｎ個並列に接続されており、ｍ、ｎが下記式を満たすことを特徴とする照明装置。
９≦ｍ≦２５  かつ  ４≦ｎ
（式中、ｍ、ｎは整数を表す。）
【請求項２】
前記発光領域の一つの面積が７５×７５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
前記発光領域の一つの面積が５０×５０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項２に記載の照明装置。
【請求項４】
前記ｍ、ｎが下記式を満たすことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の照明装置。
０．５ｍ≦ｎ≦２ｍ
【請求項５】
前記ｍ、ｎが下記式を満たすことを特徴とする請求項４に記載の照明装置。
ｍ×ｎ≦４００
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
９≦ｍ≦２５  かつ  ４≦ｎ
（式中、ｍ、ｎは整数を表す。）
２．前記発光領域の一つの面積が７５×７５ｍｍ以下であることを特徴とする前記１に記載の照明装置。
３．前記発光領域の一つの面積が５０×５０ｍｍ以下であることを特徴とする前記２に記載の照明装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
４．前記ｍ、ｎが下記式を満たすことを特徴とする前記１〜３のいずれか１項に記載の照明装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
０．５ｍ≦ｎ≦２ｍ
５．前記ｍ、ｎが下記式を満たすことを特徴とする前記４に記載の照明装置。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
発光面積は、ＩＴＯの電気抵抗による輝度分布によって制限される。例えば、ＩＴＯのシート抵抗が１０Ω／□、電流効率が５０ｃｄ／Ａ、単一の発光パネルが図２に示すような正方形の発光領域の場合、端部（図２の上端及び下端）に対する中央部分の有機エレクトロルミネッセンス層にかかる電圧は、ＩＴＯの抵抗による電圧降下の影響で小さくなる。５０×５０ｍｍの発光面積では発光領域端部と中央で２５ｍｍの距離があり、輝度差は約８３％となり、７５×７５ｍｍの発光面積では３７．５ｍｍの距離があり、輝度差は約６８％となるため、発光面積は５０×５０ｍｍがより好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
【図１】従来の照明装置を発光面側から見た図である。
【図２】本発明の照明装置の一つの発光領域を示す図である。
【図３】本発明の照明装置の一例を発光面から見た図（実施例１）である。
【図４】本発明の照明装置の一例に１箇所ショート欠陥が発生した場合の輝度を示す図（実施例１）である。
【図５】従来の照明装置の一例を発光面から見た図（比較例１）である。
【図６】従来の照明装置の一例に１箇所ショート欠陥が発生した場合の輝度を示す図（比較例１）である。
【図７】従来の照明装置の他の一例を発光面から見た図（比較例２）である。
【図８】本発明の照明装置の他の一例を発光面から見た図（実施例２）である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月20日(2010.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源から射出された光束を照明対象に導光する照明光学装置であって、
前記光源と前記照明対象との間に配置された拡大結像光学系と、
前記拡大結像光学系と前記照明対象との間に配置された縮小光学系とを有し、
前記拡大結像光学系は、前記光源と前記照明対象との間に像面を形成するように構成されると共に、１倍よりも大きい倍率を有し、
前記縮小光学系は、１倍未満の倍率を有することを特徴とする照明光学装置。
【請求項２】
光源から射出された光束を照明対象に導光する照明光学装置であって、
前記光源と前記照明対象との間の所定面と、前記光源とを光学的に共役に配置すると共に、前記光源から射出される光束を拡大して前記所定面に結像する拡大結像光学系と、
前記拡大結像光学系によって前記所定面に結像した光束を縮小して前記照明対象に導光する縮小光学系とを有することを特徴とする照明光学装置。
【請求項３】
前記拡大結像光学系は、２．５倍以上の倍率を有することを特徴とする請求項１又は２記載の照明光学装置。
【請求項４】
前記拡大結像光学系は、光束のテレセントリシティを調整するテレセン調整光学系を含むことを特徴とする請求項１又は２記載の照明光学装置。
【請求項５】
前記拡大結像光学系は、前記所定面における光束の断面形状を調整する断面調整光学系を含むことを特徴とする請求項２記載の照明光学装置。
【請求項６】
前記断面調整光学系は、前記所定面における光束の縦横比を調整することを特徴とする請求項５記載の照明光学装置。
【請求項７】
光源から射出される光束を照明対象に導光する引き回し光学系であって、
前記光源と前記照明対象との間に配置された拡大結像光学系を有し、
前記拡大結像光学系は、前記光源と前記照明対象との間に像面を形成するように構成されると共に、１倍よりも大きい倍率を有することを特徴とする引き回し光学系。
【請求項８】
光源からの光束を用いてレチクルを照明する照明光学系と、
前記レチクルのパターンを基板に投影する投影光学系と、
前記光源からの光束を前記照明光学系に導光する引き回し光学系とを有し、
前記引き回し光学系は、
前記光源と前記照明光学系との間に配置された拡大結像光学系と、
前記拡大結像光学系と前記照明光学系との間に配置された縮小光学系とを有し、
前記拡大結像光学系は、前記光源と前記照明光学系との間に像面を形成するように構成されると共に、１倍よりも大きい倍率を有し、
前記縮小光学系は、１倍未満の倍率を有することを特徴とする露光装置。
【請求項９】
請求項８記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
露光された前記基板を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。