Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月18日(2010.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記キャリア支持手段は、前記支持面に前記キャリアが載せられていない状態では、前記受渡高さ位置よりも高い高さ位置である初期高さ位置に前記支持面を位置させ、前記初期高さ位置にある前記支持面に前記キャリアが載せられると前記支持面を前記受渡高さ位置以下まで下降させて前記ウェハを前記ウェハ受座に置くことを特徴とする請求項１に記載のウェハ保持装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
その後、保持した状態でのウェハ１４に対する所望の作業が終了すると、ウェハ受座１９におけるウェハ１４の吸着保持および各吸着パッド１８におけるキャリア１５の吸着保持を解除すべく吸引装置Ｐが動作され、各吸着パッド１８の復元力によりその上端１８ｂが形成する支持面２５が分離高さ位置Ｅ（図６参照）から受渡高さ位置Ｔを経て初期高さ位置Ｂ（図４参照）へと上昇される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月22日(2010.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影レンズの射出瞳を通過した光束を受光する第１の画素と前記撮影レンズの射出瞳の一部が遮光された光束を受光する第２の画素とが配列された撮像素子と、
前記撮像素子の出力信号から前記第２の画素の画素信号を分離する分離手段と、
前記第２の画素の位置情報に基づいて、前記撮像素子の出力信号のうち前記第２の画素の位置の画素信号を補間しＲＡＷデータを生成する生成手段と、
前記分離手段により分離された前記第２の画素の画素信号からオートフォーカス処理に用いる焦点情報を作成する焦点情報作成手段と、
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
撮影レンズの射出瞳を通過した光束を受光する第１の画素と前記撮影レンズの射出瞳の一部が遮光された光束を受光する第２の画素とが配列された撮像素子と、
前記撮像素子の出力信号から前記第２の画素の画素信号を分離する分離手段と、
前記撮像素子の出力信号のうち前記第２の画素の位置の画素信号を補間しＲＡＷデータを生成する生成手段と、
前記分離手段により分離され、複数の領域に分けられた前記第２の画素の画素信号に基づいて、前記複数の領域にそれぞれ対応する焦点情報を作成する焦点情報作成手段と、
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項３】
前記焦点情報作成手段により作成した焦点情報と前記ＲＡＷデータを記録媒体へ記録する記録手段を更に備えることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記焦点情報作成手段により作成した焦点情報を前記ＲＡＷデータに付加したＲＡＷファイルを生成するファイル生成手段と、
前記ファイル生成手段により生成したＲＡＷファイルを記録媒体へ記録する記録手段と、
を更に備えることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項５】
請求項１又は請求項２に記載の焦点情報作成手段により作成された焦点情報を処理し、その結果を表示部に表示させる工程をコンピュータに実行させることを特徴とする画像処理プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の第１の側面は、画像処理装置に係り、撮影レンズの射出瞳を通過した光束を受光する第１の画素と前記撮影レンズの射出瞳の一部が遮光された光束を受光する第２の画素とが配列された撮像素子と、前記撮像素子の出力信号から前記第２の画素の画素信号を分離する分離手段と、前記第２の画素の位置情報に基づいて、前記撮像素子の出力信号のうち前記第２の画素の位置の画素信号を補間しＲＡＷデータを生成する生成手段と、前記分離手段により分離された前記第２の画素の画素信号からオートフォーカス処理に用いる焦点情報を作成する焦点情報作成手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の第２の側面は、画像処理装置に係り、撮影レンズの射出瞳を通過した光束を受光する第１の画素と前記撮影レンズの射出瞳の一部が遮光された光束を受光する第２の画素とが配列された撮像素子と、前記撮像素子の出力信号から前記第２の画素の画素信号を分離する分離手段と、前記撮像素子の出力信号のうち前記第２の画素の位置の画素信号を補間しＲＡＷデータを生成する生成手段と、前記分離手段により分離され、複数の領域に分けられた前記第２の画素の画素信号に基づいて、前記複数の領域にそれぞれ対応する焦点情報を作成する焦点情報作成手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の第３の側面は、画像処理プログラムに係り、上記の焦点情報作成手段により作成された焦点情報を処理し、その結果を表示部に表示させる工程をコンピュータに実行させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月29日(2010.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の回線系統により伝送地点から直接または基地局を経由してデータを所定の場所まで伝送するＦＰＵ受信基地局システムの方向調整装置であって、
データが伝送されている回線系統と、データが伝送されていない予備の回線系統を区別可能に表示する表示制御手段と、
表示された回線系統の変更操作がなされたとき、当該変更操作の有効または無効の問い合わせを表示する設定保護手段と、
を備えたことを特徴とする方向調整装置。
【請求項２】
請求項１の方向調整装置において、
上記表示制御手段は、前記設定保護手段の作動させる為の操作がなされないときに、前記回線系統を表示させないことを可能とする表示制御手段であることを特徴とする方向調整装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月25日(2010.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数ページの紙原稿から紙指紋情報を取得する紙指紋取得ステップと、
前記紙指紋取得ステップにより取得された前記複数ページの紙原稿のうち異なるページの紙指紋情報同士を合成する合成ステップと、
前記合成された紙指紋情報を被照合のため登録する登録ステップと、
紙指紋情報の照合の指示に応じて、照合対象の複数ページの紙原稿から紙指紋情報を取得する照合時紙指紋取得ステップと、
前記照合時紙指紋取得ステップにより取得された前記複数ページの紙原稿のうち異なるページの紙指紋情報同士を合成する照合時合成ステップと、
前記照合時合成ステップにより合成された紙指紋情報と、前記登録ステップにより登録された紙指紋情報とを照合し、両者が一致するかどうかを決定する照合ステップと、
を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項２】
複数ページの紙原稿から紙指紋情報を取得する紙指紋取得手段と、
前記紙指紋取得手段により取得された前記複数ページの紙原稿のうち異なるページの紙指紋情報同士を合成する合成手段と、
前記合成された紙指紋情報を被照合のため登録する登録手段と、
紙指紋情報の照合の指示に応じて、照合対象の複数ページの紙原稿から紙指紋情報を取得する照合時紙指紋取得手段と、
前記照合時紙指紋取得手段により取得された前記複数ページの紙原稿のうち異なるページの紙指紋情報同士を合成する照合時合成手段と、
前記照合時合成手段により合成された紙指紋情報と、前記登録手段により登録された紙指紋情報とを照合し、両者が一致するかどうかを決定する照合手段と、
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載の画像処理方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明に係る画像処理方法は、複数ページの紙原稿から紙指紋情報を取得する紙指紋取得ステップと、前記紙指紋取得ステップにより取得された前記複数ページの紙原稿のうち異なるページの紙指紋情報同士を合成する合成ステップと、前記合成された紙指紋情報を被照合のため登録する登録ステップと、紙指紋情報の照合の指示に応じて、照合対象の複数ページの紙原稿から紙指紋情報を取得する照合時紙指紋取得ステップと、前記照合時紙指紋取得ステップにより取得された前記複数ページの紙原稿のうち異なるページの紙指紋情報同士を合成する照合時合成ステップと、前記照合時合成ステップにより合成された紙指紋情報と、前記登録ステップにより登録された紙指紋情報とを照合し、両者が一致するかどうかを決定する照合ステップと、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月20日(2010.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＸＭＬ言語を用いて複数の処理を指示するジョブをジョブ処理手段に実行させるジョブ処理システムであって、
前記ＸＭＬ言語を用いて複数の処理を指示するジョブを解析して、前記ジョブで指示されている複数の処理を確認する確認手段と、
前記確認手段で確認した複数の処理が前記ジョブ処理手段によって実行不可能な処理を含んでいる場合に、前記複数の処理のうち、前記ジョブ処理手段によって実行不可能な処理を実行させることなく、前記ジョブ処理手段によって実行可能な処理を前記ジョブ処理手段に実行させる制御手段とを有することを特徴とするジョブ処理システム。
【請求項２】
前記制御手段は、
前記確認手段で確認した複数の処理が前記ジョブ処理手段によって実行不可能な処理を含んでいる場合に、
前記複数の処理のうち、前記ジョブ処理手段によって実行不可能な処理を実行させることなく、前記ジョブ処理手段によって実行可能な処理を実行する第１の処理と、
前記ジョブをキャンセルする第２の処理との何れかを、選択することを特徴とする請求項１に記載のジョブ処理システム。
【請求項３】
前記ジョブ処理手段はプリンタであり、前記ジョブは印刷処理を実行するための印刷ジョブであることを特徴とする請求項１又は２に記載のジョブ処理システム。
【請求項４】
前記ジョブ用のルール情報を記憶する記憶手段を更に有し、
前記制御手段は、前記記憶手段に記憶された前記ルール情報に基づいて、前記第１の処理または前記第２の処理を選択することを特徴とする請求項２に記載のジョブ処理システム。
【請求項５】
前記ジョブ処理手段は、前記ＸＭＬ言語以外の言語を用いて複数の処理を指示するジョブを実行可能であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のジョブ処理システム。
【請求項６】
前記ジョブ処理手段によって実行不可能な処理を指示するジョブを、前記ジョブ処理手段によって実行不可能な処理を実行することなく実行するか、又は、当該ジョブを、他のジョブを実行した後に実行するかをユーザが選択可能にする選択手段を更に有し、
前記制御手段は、前記ジョブ処理手段によって実行不可能な処理を実行することなく実行することが選択された場合、前記複数の処理のうち、前記ジョブ処理手段によって実行不可能な処理を実行させることなく、前記ジョブ処理手段によって実行可能な処理を前記ジョブ処理手段に実行させ、
前記制御手段は、他のジョブを実行した後に前記ジョブを実行することが選択された場合、前記ジョブの実行順序を変更することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のジョブ処理システム。
【請求項７】
前記ジョブ処理手段によって実行不可能な処理を指示するジョブを、前記ジョブ処理手段によって実行不可能な処理を実行することなく実行するか、又は、当該ジョブをキャンセルするかをユーザが選択可能にする選択手段を更に有し、
前記制御手段は、前記ジョブ処理手段によって実行不可能な処理を実行することなく実行することが選択された場合、前記複数の処理のうち、前記ジョブ処理手段によって実行不可能な処理を実行させることなく、前記ジョブ処理手段によって実行可能な処理を前記ジョブ処理手段に実行させ、
前記制御手段は、キャンセルすることが選択された場合、前記ジョブをキャンセルすることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のジョブ処理システム。
【請求項８】
前記確認手段は更に、前記ジョブで指示された複数の処理のうち、前記ジョブ処理手段によって実行不可能な処理を抽出することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のジョブ処理システム。
【請求項９】
ＸＭＬ言語を用いて複数の処理を指示するジョブをジョブ処理手段に実行させるジョブ処理方法であって、
前記ジョブで指示されている複数の処理を確認するために、前記ＸＭＬ言語を用いて複数の処理を指示するジョブを解析手段に解析させるステップと、
前記複数の処理が前記ジョブ処理手段によって実行不可能な処理を含んでいる場合に、前記複数の処理のうち、前記ジョブ処理手段によって実行不可能な処理を実行させることなく、前記ジョブ処理手段によって実行可能な処理を前記ジョブ処理手段により実行させるステップとを有することを特徴とするジョブ処理方法。
【請求項１０】
請求項９に記載のジョブ処理方法を、コンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項１１】
請求項１０に記載のコンピュータプログラムを記憶したコンピュータにより読取可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記目的を達成するために本発明の一態様に係るジョブ処理システムは以下のような構成を備える。即ち、
ＸＭＬ言語を用いて複数の処理を指示するジョブをジョブ処理手段に実行させるジョブ処理システムであって、
前記ＸＭＬ言語を用いて複数の処理を指示するジョブを解析して、前記ジョブで指示されている複数の処理を確認する確認手段と、
前記確認手段で確認した複数の処理が前記ジョブ処理手段によって実行不可能な処理を含んでいる場合に、前記複数の処理のうち、前記ジョブ処理手段によって実行不可能な処理を実行させることなく、前記ジョブ処理手段によって実行可能な処理を前記ジョブ処理手段に実行させる制御手段とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記目的を達成するために本発明の一態様に係るジョブ処理システムにおけるジョブ処理方法は以下のような工程を備える。即ち、
ＸＭＬ言語を用いて複数の処理を指示するジョブをジョブ処理手段に実行させるジョブ処理方法であって、
前記ジョブで指示されている複数の処理を確認するために、前記ＸＭＬ言語を用いて複数の処理を指示するジョブを解析手段に解析させるステップと、
前記複数の処理が前記ジョブ処理手段によって実行不可能な処理を含んでいる場合に、前記複数の処理のうち、前記ジョブ処理手段によって実行不可能な処理を実行させることなく、前記ジョブ処理手段によって実行可能な処理を前記ジョブ処理手段により実行させるステップとを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月5日(2010.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された半導体素子と、
前記半導体素子上に形成された複数の配線層と、
前記半導体素子及び前記複数の配線層を覆うように前記複数の配線層上に形成された第１層間絶縁膜と、
前記複数の配線層と接続し、かつ、前記第１層間絶縁膜中に形成された第１配線層と、
前記第１配線層と接続し、かつ、前記第１層間絶縁膜中に形成された第１ビアと、
前記第１ビアと接続し、かつ、前記第１層間絶縁膜上に形成された第２配線層と、
前記第１配線層と同層で、かつ、前記第１層間絶縁膜中に形成された第３配線層と、
前記第１ビアと同層で、前記第３配線層と接続し、かつ、前記第１層間絶縁膜中に形成された平面リング状の第２ビアと、
前記第２配線層と同層で、前記第２ビアと接続し、かつ、前記第１層間絶縁膜上に形成されたパッドと、
前記パッド及び前記第２配線層を覆うように前記第1層間絶縁膜上に形成され、かつ、パッドの上部に開口部を有する第１絶縁膜と、を有し、
前記第２ビアの幅は、前記第１ビアの幅以上であり、
前記第３配線層は、前記第２ビアの下部のみと接続していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記パッドの下において、前記第１層間絶縁膜が前記第２ビアと前記第３配線層とで囲まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置において、
平面リング状の前記第２ビアで囲まれた平面領域は、前記開口部の平面領域より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置において、
平面リング状の前記第２ビアで囲まれた平面領域は、前記第３配線層の平面領域より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置において、前記パッドの端から前記第２ビアの内側の端までの距離が０より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４記載の半導体装置において、前記パッドと前記第２ビアが平面的に重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第２ビアの平面リング状は矩形状であって、角部の幅が辺部の幅より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第２ビアの平面リング状は角部が８以上となる形状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第２ビアの平面リング状は円形状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第２ビアの平面リング状は長方形状であって、長辺の幅が短辺の幅より太いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１記載の半導体装置において、
平面リング状の前記第２ビアの内側には、前記第２ビアより幅が小さい平面リング状の第３ビアが設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１記載の半導体装置において、
平面リング状の前記第２ビアの内側には、第３ビアが設けられており、
前記第２ビアと前記第３ビアとの距離は、前記第３ビア間の距離より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１記載の半導体装置において、
平面リング状の前記第２ビアの内側には、平面メッシュ状の第３ビアが設けられており、
前記平面メッシュ状の交点以外の前記第３ビアの幅が、前記第１ビアの幅と同じであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１記載の半導体装置において、
平面リング状の前記第２ビアの内側には、平面リング状の多重の第３ビアが設けられており、
前記多重の第３ビアの一部の幅が、前記第１ビアの幅と同じであることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月27日(2010.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装基板と、
前記実装基板上に実装された、垂直出射型の第1の発光素子と、
前記実装基板上に実装された、前記第1の発光素子とは使用波長の異なる垂直出射型の第2の発光素子と、
第1の波長選択フィルタと、前記第1の波長選択フィルタに対して所定の距離を隔てて、かつ、平行に対向して設けられたミラーとを有する光合分波器と、
前記光合分波器を、前記実装基板の前記発光素子搭載面に対して角度θ（但しθ≠2Nπ、N=0, 1, 2…）だけ傾いた状態で固定して収容するパッケージと、を有し、
前記第1の発光素子からの出射光が前記光合分波器に入射し、さらに前記ミラーで反射した後前記第1の波長選択フィルタで反射するように、
前記第2の発光素子からの出射光が前記光合分波器に入射し、前記第1の波長選択フィルタで反射された前記第1の発光素子からの出射光と合波するように、前記第1及び第2の発光素子は前記実装基板上に実装されていることを特徴とする光送信モジュール。
【請求項２】
請求項1に記載の光送信モジュールにおいて、
前記実装基板上に実装された、第1及び第2の発光素子とは使用波長の異なる、垂直出射型の第3の発光素子を有し、
前記光合分波器は、前記第1の波長選択フィルタとは特性の異なる第2の波長選択フィルタが、前記ミラーに対して所定の距離を隔てて、かつ平行に対向して設けられ、
前記第1の発光素子からの出射光が前記光合分波器に入射し、さらに前記ミラーで反射した後前記第1の波長選択フィルタで反射され、さらに前記ミラーで反射された後に前記第2の波長選択フィルタで反射するように、
前記第2の発光素子からの出射光が前記光合分波器に入射し、前記第1の波長選択フィルタで反射された前記第1の発光素子からの出射光と合波するように、
前記第3の発光素子からの出射光が前記第2の波長選択フィルタで反射された前記第1および第2の発光素子からの出射光と合波するように、前記第1ないし第3の発光素子は前記実装基板上に実装されていることを特徴とする光送信モジュール。
【請求項３】
請求項1に記載の光送信モジュールにおいて、
前記レーザダイオードは前記実装基板上にジャンクションダウン実装されていることを特徴とする光送信モジュール。
【請求項４】
請求項1に記載の光送信モジュールにおいて、
前記実装基板と前期光合分波器の間に、透明基板上に複数のレンズが作りこまれたレンズアレイが設けられ、
前記レンズアレイの各レンズは前記実装基板に搭載された各発光素子と一対一対応するようにレンズの数と配置が定められていることを特徴とする光送信モジュール。
【請求項５】
請求項1に記載の光送信モジュールにおいて、
前記光合分波器は、通過する光の使用波長に対して透過性を有する材質からなる一対の平行面を持つ基板と、前記平行面の一方に固定された少なくとも一種類の前記波長選択フィルタと、他の平行面に固定されたミラーとを有することを特徴とする光送信モジュール。
【請求項６】
請求項5に記載の光送信モジュールにおいて、
前記基板部材が非晶質ガラス、サファイア結晶、結晶石英またはシリコンのいずれかであることを特徴とする光送信モジュール。
【請求項７】
請求項1に記載の光送信モジュールにおいて、
前記光素子搭載基板、前記光合分波器は前記パッケージ内に収容され、
前記パッケージはメタルキャン(CAN)パッケージであり、
前記パッケージの内壁には、前記光合分波器を固定するための凹凸部が設けられていることを特徴とする光送信モジュール。
【請求項８】
請求項2に記載の光送信モジュールにおいて、
前記実装基板上には、第１、第２および第３の発光素子が搭載され、その発光波長をλ１、λ２およびλ３とし、λ１＜λ２＜λ３またはλ１＞λ２＞λ３のとき、前記光素子は前記実装基板上に第１、第２および第３の発光素子の順序で並んで搭載されていることを特徴とする光送信モジュール。
【請求項９】
請求項2に記載の光送信モジュールにおいて、
前記光合分波器に設けられた前記波長選択フィルタは、全発光素子の使用波長範囲内で所望の分離波長以上あるいは以下の波長の光を透過しそれ以外の光を反射する特性を持つエッジフィルタであって、
前記各エッジフィルタの並び順は、前記各エッジフィルタの前記分離波長帯域の値の大小でみたとき、昇順又は降順に実装されていることを特徴とする光送信モジュール。
【請求項１０】
請求項2に記載の光送信モジュールにおいて、
前記第１、第２および第３の発光素子が、それぞれＲed（赤）光、Green（緑）光およびＢlue（青） 光を出射する半導体レーザであることを特徴とする光送受信モジュール。
【請求項１１】
請求項2に記載の光送信モジュールにおいて、
Ｒed（赤）光、Ｇreen （緑）光およびＢlue（青）光の三種類の光源からの光を合波して一つの光軸で放出する光送信モジュールであって、
赤青色光源パッケージと、緑色光源パッケージと、前記第1の波長選択フィルタとを有し、
前記緑色光源パッケージは二次高調波を用いて波長変換して緑色のレーザ光を放出するレーザ光源であり、
前記赤青光源パッケージは光素子に赤色レーザと青色レーザを用いることを特徴とする光モジュール。
【請求項１２】
波長多重された光を波長ごとに分波して少なくとも二つの受光素子で検知する多波長光受信モジュールであって、
少なくとも二つの受光素子が搭載された受光素子搭載基板と、
少なくとも一種類の波長選択フィルタと、前記フィルタに対して所望の距離で平行に対向して配置されたミラーとから構成される光合分波器と、
前記受光素子搭載基板と前記光合分波器とを少なくとも収納するパッケージとを有し、
外部から入射された光を前記波長選択フィルタ面に角度θ1（但し、θ1≠９０度。）で入射し、前記フィルタと前記ミラーの間を入射光がジグザグに多重反射していく過程で波長の異なる光を分離するものであり、
前記光合分波器の前記フィルタ面および前記ミラー面は、前記基板の素子搭載面に対して角度θ2（但しθ2≠2Nπ。N=0, 1, 2…である。）だけ傾いた状態で前記パッケージ内に固定されていることを特徴とする光受信モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月1日(2010.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受信した制御信号に対応する処理を行なう被制御装置と通信する携帯端末装置であって、
指示入力を受付ける受付手段と、
前記受付手段が前記指示入力を受付けた場合、前記指示入力に割り当てられた前記制御信号を、前記被制御装置へ送信する送信手段と、
前記指示入力に割り当てられた前記制御信号の設定を変更する変更手段と、
前記指示入力に割り当てられた前記制御信号の設定が前記変更手段により変更された場合、前記携帯端末装置を振動させる振動手段とを備える、携帯端末装置。
【請求項２】
前記制御信号により前記被制御装置が行なう処理に関連する名称を表示する表示手段をさらに備える、請求項１に記載の携帯端末装置。
【請求項３】
前記受付手段が前記指示入力を受付けた場合、音を発する音発生手段をさらに備える、請求項１または２に記載の携帯端末装置。
【請求項４】
前記指示入力は、前記変更手段に前記制御信号の変更を行なわせるための第１入力または前記変更手段に前記制御信号の変更を行なわせない第２入力である、請求項１〜３のいずれかに記載の携帯端末装置。
【請求項５】
前記第１入力は、コンテンツのリスト表示を行なうための入力である、請求項４に記載の携帯端末装置。
【請求項６】
前記第２入力は、音量の変更を行なうための入力またはコンテンツを変更するための入力である、請求項４に記載の携帯端末装置。
【請求項７】
前記被制御装置から送信される信号である装置信号を受信する受信手段をさらに備え、
前記変更手段は、前記受信手段が前記装置信号を受信した場合、前記指示入力に割り当てられた前記制御信号の設定を変更する、請求項１〜６のいずれかに記載の携帯端末装置。
【請求項８】
被制御装置を制御する携帯端末装置であって、
複数の入力ボタンと、
前記複数の入力ボタンのうちの少なくとも第１の入力ボタンに、前記被制御装置を制御するための複数の制御信号のうちの第１の制御信号を割り当てる割当手段と、
前記第１の制御信号の割り当てが行なわれた状態で、前記第１の入力ボタンまたは前記複数の入力ボタンのうちの第２の入力ボタンによる入力を受け付けたことに基づき、前記第１の入力ボタンに対する前記割り当てを、前記第１の制御信号から前記複数の制御信号のうちの第２の制御信号に変更する変更手段と、
前記第１の入力ボタンに対する前記割り当てが変更された場合、前記携帯端末装置を振動させる振動手段とを備える、携帯端末装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月25日(2009.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の酸化亜鉛素子が積層された酸化亜鉛素子ブロックと、
上記酸化亜鉛素子ブロックの一端面に配置される押圧ばねと、
上記酸化亜鉛素子ブロックと上記押圧ばねとの直列体の両側に配置される一対の電極と、
上記一対の電極に両端部を取付けて上記一対の電極を締結する複数の絶縁ロッドとで酸化亜鉛素子モジュールが構成され、
上記酸化亜鉛素子モジュールの周囲に外被が絶縁材料によってモールドされる避雷器において、
上記一対の電極は上記直列体に対向する側にそれぞれ鍔部を有し、
上記絶縁ロッドと上記一対の電極との締結は、上記絶縁ロッドと上記一対の電極の上記直列体側のそれぞれの鍔部とで締結されており、
上記一対の電極の鍔部には、上記絶縁ロッドの挿入用の取付穴がそれぞれ形成されており、
上記絶縁ロッドの一端部側が上記一対の電極の鍔部のうちの一方の鍔部の取付穴に挿入されてその取付穴の両側からナットで締め付けられ、
上記絶縁ロッドの他端部側が他方の鍔部の取付穴に挿入されて反直列体側からナットで締め付けられて、
上記絶縁ロッドが上記各鍔部に固定されていることを特徴とする避雷器。
【請求項２】
請求項１記載の避雷器において、上記取付穴の両側からナットで締め付けられる上記一方の電極の鍔部の上記直列体に対向する側に、上記酸化亜鉛素子の外径より小さい外径部を有する素子受け部が設けられていることを特徴とする避雷器。
【請求項３】
請求項２記載の避雷器において、上記酸化亜鉛素子の外径より小さい外径部を有する上記素子受け部を有し、上記酸化亜鉛素子の外径と上記素子受け部の上記外径部との差分を、上記一方の電極の鍔部の上記直列体に対向する側における上記絶縁ロットのナットの外径と上記絶縁ロッドの外径との差分より大きくし、前記絶縁ロッドを上記酸化亜鉛素子ブロックに当接させたことを特徴とする避雷器。
【請求項４】
請求項１記載の避雷器において、上記押圧ばねは、上記取付穴の両側からナットで締め付けられる上記一方の電極の鍔部と上記酸化亜鉛素子ブロックとの間に配置されて外径が上記酸化亜鉛素子の外径より小さいことを特徴とする避雷器。
【請求項５】
請求項４記載の避雷器において、上記酸化亜鉛素子の外径より小さい外径である上記押圧ばねを有し、上記酸化亜鉛素子の外径と上記押圧ばねの外径との差分を、上記一方の電極の鍔部の上記直列体に対向する側における上記絶縁ロットのナットの外径と上記絶縁ロッドの外径との差分より大きくし、前記絶縁ロッドを上記酸化亜鉛素子ブロックに当接させたことを特徴とする避雷器。
【請求項６】
請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の避雷器において、上記一対の電極はそれぞれ二段の鍔部を有し、
上記絶縁ロッドと上記一対の電極との締結は、上記絶縁ロッドと上記一対の電極の上記直列体側のそれぞれの鍔部とで締結されていることを特徴とする避雷器。
【請求項７】
請求項６に記載の避雷器において、上記一対の電極は互いに同形状であることを特徴とする避雷器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この発明に係わる避雷器は、複数の酸化亜鉛素子が積層された酸化亜鉛素子ブロックと、酸化亜鉛素子ブロックの一端面に配置される押圧ばねと、酸化亜鉛素子ブロックと押圧ばねとの直列体の両側に配置される一対の電極と、一対の電極に両端部を取付けて一対の電極を締結する複数の絶縁ロッドとで酸化亜鉛素子モジュールが構成され、酸化亜鉛素子モジュールの周囲に外被が絶縁材料によってモールドされる避雷器において、一対の電極は直列体に対向する側にそれぞれ鍔部を有し、絶縁ロッドと一対の電極との締結は、絶縁ロッドと一対の電極の直列体側のそれぞれの鍔部とで締結されており、一対の電極の鍔部には、絶縁ロッドの挿入用の取付穴がそれぞれ形成されており、絶縁ロッドの一端部側が一対の電極の鍔部のうちの一方の鍔部の取付穴に挿入されてその取付穴の両側からナットで締め付けられ、絶縁ロッドの他端部側が他方の鍔部の取付穴に挿入されて反直列体側からナットで締め付けられて、絶縁ロッドが各鍔部に固定されているものである。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月10日(2010.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極間に、発光層と、カルコパイライトまたはオキシカルコゲナイドのいずれかの化合物を含有する半導体層と、を配して構成される発光素子であって、
前記発光層の構成材料が、ＺｎＳ：Ａ（アクセプター），Ｄ（ドナー）で表され、
前記Ａ（アクセプター）がＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ及びＮの少なくとも一つ以上から、前記Ｄ（ドナー）がＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの少なくとも一つ以上から選ばれたものであることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記カルコパイライト化合物半導体層がＩ−ＩＩＩ−ＶＩ２型で表され、Ｉ族がＣｕ及びＡｇのいずれかから、ＩＩＩ族がＡｌ、Ｇａ及びＩｎのいずれかから、ＶＩ族がＳ、Ｓｅ及びＴｅのいずれかから選ばれたものであることを特徴とする請求項１記載の発光素子。
【請求項３】
前記Ａ（アクセプター）及び前記Ｄ（ドナー）の少なくともいずれかが、前記カルコパイライト化合物半導体を構成するＩ族及びＩＩＩ族の材料と同じ材料で構成されたことを特徴とする請求項２記載の発光素子。
【請求項４】
前記Ａ（アクセプター）及び前記Ｄ（ドナー）の濃度は、１０−３ｍｏｌ／ｍｏｌ以下であることを特徴とする請求項１記載の発光素子。
【請求項５】
前記カルコパイライト化合物半導体がＩ−ＩＩＩ−Ｓ２型で表され、Ｉ族がＣｕ及びＡｇの少なくともいずれかから、ＩＩＩ族がＡｌ及びＧａの少なくともいずれかから選ばれ、
前記発光層の構成材料が、ＺｎＳ：Ａ（アクセプター），Ｄ（ドナー）で表され、
前記Ａ（アクセプター）が、Ａｇ及びＣｕの少なくともいずれかから、前記Ｄ（ドナー）がＡｌ、Ｇａ及びＣｌの少なくとも一つ以上から選ばれたものであることを特徴とする請求項１記載の発光素子。
【請求項６】
前記カルコパイライト化合物半導体と前記発光層を構成する材料の格子整合性が１０％以内であることを特徴とする請求項１項記載の発光素子。
【請求項７】
前記カルコパイライト化合物半導体で構成される層が前記発光層の陽極側に設けられ、陽極に直流電源の正極、陰極に直流電源の負極を接続することで発光することを特徴とする請求項１記載の発光素子。
【請求項８】
カルコパイライトまたはオキシカルコゲナイドのいずれかを含有する半導体層と、ドナーアクセプターの付与される化合物半導体が発光する発光層が隣接して積層される発光素子の製造方法において、
前記半導体層となる第１の部材と、前記発光層の母体材料となる第２の部材とが隣接して形成される前駆体を形成する第１の工程と、
前記前駆体を熱処理する第２の工程とを有することを特徴とする発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記熱処理は、急速加熱法によって行われることを特徴とする請求項８記載の発光素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月9日(2010.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔性のケミカルメカニカルポリッシングパッドを製造する方法であって、
レーザから焼結ノズルの中にレーザビームを集束する工程と；
注入ポートを通じ、流動化された熱可塑性粒子を焼結ノズルの中に注入する工程と；
レーザビームで流動化された熱可塑性粒子を焼結し、焼結した熱可塑性粒子を形成する工程と；
焼結した熱可塑性粒子を盤上に選択的に堆積し、研磨パッドを形成する工程と
を含む方法。
【請求項２】
焼結した熱可塑性粒子が、５〜５００ミクロンの平均粒径を有する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
焼結した熱可塑性粒子が、ウレタン、カーボネート、アミド、サルフォン、塩化ビニル、アクリレート、メタクリレート、ビニルアルコール、エステルおよびアクリルアミドから選択される熱可塑性物質を含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
研摩パッドが、およそ１０〜５０パーセントの多孔率を有する、請求項１記載の方法。
【請求項５】
研摩パッドが、およそ０．３g/cm3〜およそ１．５g/cm3の密度を有する、請求項１記載の方法。
【請求項６】
多孔性のケミカルメカニカルポリッシングパッドを製造する方法であって、
レーザから焼結ノズルの中にレーザビームを集束する工程と；
第一の注入ポートを通じ、第一の流動化された熱可塑性粒子を焼結ノズルの中に注入する工程と；
少なくとも第二の注入ポートを通じ、少なくとも第二の流動化された熱可塑性粒子を焼結ノズルの中に注入する工程と；
レーザビームで第一および第二の熱可塑性粒子を焼結し、焼結した熱可塑性粒子を形成する工程と；
焼結した熱可塑性粒子を可動式の盤上に堆積し、研磨パッドを形成する工程と
を含む方法。
【請求項７】
焼結した熱可塑性粒子の少なくとも１０重量パーセントが、ポリウレタンを含む、請求項６記載の方法。
【請求項８】
焼結した熱可塑性粒子が、ポリウレタンを含む粒子と、ポリエチレン、ポリプロピレン、ナイロン、ポリエステルおよびそれらの組み合わせからなるグループから選択される材料を含む粒子との混合物を含む、請求項６記載の方法。
【請求項９】
混合物が、ポリウレタン、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリアクリレート、メタクリレート、アクリレート、ポリサルフォンおよびポリエステルからなるグループから選択される熱可塑性ポリマーを含む、請求項６記載の方法。
【請求項１０】
多孔性のケミカルメカニカルポリッシングパッドを製造する方法であって、
レーザから焼結ノズルの中にレーザビームを集束する工程と；
注入ポートを通じ、流動化された熱可塑性粒子を焼結ノズルの中に注入する工程と；
熱可塑性粒子を、流動化された熱可塑性粒子のガラス転移点よりも高く、かつ流動化された熱可塑性ポリマー粒子の融点よりも低い温度で焼結し、焼結した熱可塑性粒子を形成する工程と；
焼結した熱可塑性粒子を可動式の盤上に堆積し、研磨パッドを形成する工程と
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月18日(2009.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁波を発生または検出するための光伝導素子であって、
基板と、
前記基板の上部に設けられ、光照射により伝導性を示す光伝導膜と、
前記光伝導膜と前記基板とに挟まれ、前記光伝導膜及び前記基板とは異なる組成の薄膜と、
前記光伝導膜の上部に設けられ、間隙部を有したアンテナ部を含む一対の電極と、を備え、
前記基板は、前記間隙部の下部に設けられた開口部を含み構成されることを特徴とする光伝導素子。
【請求項２】
エッチャントに対するエッチングレートに関して、前記薄膜の材料と前記基板及び前記光伝導膜の材料とが異なる材料であることを特徴とする請求項１記載の光伝導素子。
【請求項３】
前記間隙部の下部における前記光伝導膜は単結晶であり、
前記薄膜は単結晶であり、
前記薄膜と前記基板あるいは前記光伝導膜とが歪構造を有するように、該薄膜の格子定数と該基板あるいは該光伝導膜の格子定数とが異なっていることを特徴とする請求項１または２記載の光伝導素子。
【請求項４】
前記開口部に設けられ、前記電磁波を集光する光学素子を備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光伝導素子。
【請求項５】
前記開口部は、前記電磁波の波長よりも大きな寸法を有し、
前記開口部を形成する前記基板の側壁が前記基板の下部に向かってテーパ形状になっていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光伝導素子。
【請求項６】
前記電磁波は、30GHz以上30THz以下の周波数領域の少なくとも一部を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光伝導素子。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光伝導素子を含み、テラヘルツ波を用いて検体を検査するための検査装置であって、
テラヘルツ波を発生させる発生素子と、
前記発生素子から発生し、且つ前記検体と相互作用したテラヘルツ波を検出する検出素子と、を備え、
前記発生素子あるいは前記検出素子は、前記光伝導素子であることを特徴とする検査装置。
【請求項８】
30GHz以上30THz以下の周波数領域の少なくとも一部を含む電磁波を発生または検出するための光伝導素子であって、
基板と、
前記基板の上部に設けられ、光照射により伝導性を示す光伝導膜と、
前記光伝導膜と前記基板とに挟まれ、エッチャントに対するエッチングレートに関して前記基板及び前記光伝導膜の材料とは異なる材料である薄膜と、
前記光伝導膜の上部に設けられ、間隙部を有したアンテナ部を含む一対の電極と、を備え、
前記基板は、前記間隙部の下部に設けられた開口部を含み構成されることを特徴とする光伝導素子。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月25日(2010.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エレクトロルミネセンス素子を含む画像表示システムであって、
基板、
前記基板の上に形成された陽極、
前記陽極の上に形成されたエレクトロルミネセンス層、
前記エレクトロルミネセンス層の上に形成され、ランタニド含有層、または、アクチニド含有層を含む電子注入層、および
前記電子注入層の上に直接形成された陰極を含むシステム。
【請求項２】
前記電子注入層は、０.１〜５ｎｍの厚さを有する請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記エレクトロルミネセンス層は、ホール輸送層、発光層と、電子輸送層を含む請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記電子注入層は、前記電子輸送層と前記陰極の間に形成される請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記アクチニド含有層は、アクチニドフッ化物（ａｃｔｉｎｉｄｅ ｆｌｕｏｒｉｄｅ）、アクチニド塩化物（ａｃｔｉｎｉｄｅ ｃｈｌｏｒｉｄｅ）、アクチニド臭化物（ａｃｔｉｎｉｄｅ ｂｒｏｍｉｄｅ）、アクチニド酸化物（ａｃｔｉｎｉｄｅ ｏｘｉｄｅ）、アクチニド窒化物（ａｃｔｉｎｉｄｅ ｎｉｔｒｉｄｅ）、アクチニド硫化物（ａｃｔｉｎｉｄｅ ｓｕｌｆｉｄｅ）、アクチニド炭酸（ａｃｔｉｎｉｄｅ ｃａｒｂｏｎａｔｅ）、またはその組合せを含む請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記ランタニド含有層は、ランタニドフッ化物（ｌａｎｔｈａｎｉｄｅ ｆｌｕｏｒｉｄｅ）、ランタニド塩化物（ｌａｎｔｈａｎｉｄｅ ｃｈｌｏｒｉｄｅ）、ランタニド臭化物（ｌａｎｔｈａｎｉｄｅ ｂｒｏｍｉｄｅ）、ランタニド酸化物（ｌａｎｔｈａｎｉｄｅ ｏｘｉｄｅ）、ランタニド窒化物（ｌａｎｔｈａｎｉｄｅ ｎｉｔｒｉｄｅ）、ランタニド硫化物（ｌａｎｔｈａｎｉｄｅ ｓｕｌｆｉｄｅ）、ランタニド炭酸塩（ｌａｎｔｈａｎｉｄｅ ｃａｒｂｏｎａｔｅ）、またはその組合せを含む請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記電子注入層は、ハロゲン化セリウム（ｃｅｒｉｕｍ ｈａｌｉｄｅ）、窒化セリウム（ｃｅｒｉｕｍ ｎｉｔｒｉｄｅ）、酸化セリウム（ｃｅｒｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）、硫化セリウム（ｃｅｒｉｕｍ ｓｕｌｆｉｄｅ）、酸フッ化セリウム（ｃｅｒｉｕｍ ｏｘｙｆｌｕｏｒｉｄｅ）、炭酸セリウム（ｃｅｒｉｕｍ ｃａｒｂｏｎａｔｅ）、またはその組合せを含む請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記電子注入層は、ＣｅＦ３、ＣｅＦ４、またはその組合せを含む請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記エレクトロルミネセンス素子は、前記ディスプレイパネルの一部を形成する請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
電子素子を更に含み、前記電子素子は、
前記ディスプレイパネル、および
前記ディスプレイパネルに接続され、前記ディスプレイパネルに入力を選択的に提供することで、前記ディスプレイパネルに画像を表示させる請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記電子素子は、携帯電話、デジタルカメラ、ＰＤＡ、ノート型コンピュータ、デスクトップ型コンピュータ、テレビ、カーディスプレイ、または携帯型ＤＶＤプレーヤーである請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
画像表示システムの製造方法であって、前記システムは、エレクトロルミネセンス素子を含み、前記方法は、
基板を提供するステップ、
前記基板上に、陽極、エレクトロルミネセンス層、電子注入層および陰極を順次に形成するステップを含み、前記電子注入層はランタニド含有層またはアクチニド含有層を含むことを特徴とする製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月22日(2010.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
III族窒化物半導体を用いた多重量子井戸構造をもつ発光層を備えたIII族窒化物半導体発光素子において、
前記発光層を構成する複数の井戸層は、各発光波長を互いに合致させるような成長条件をもってそれぞれ形成され、
前記発光層は、前記井戸層のｐ−半導体層側に障壁層を積層してなる複数のペア層によって形成され、
前記複数の井戸層は、各層構成成分の組成比が互いに異なる比率に設定されたＩｎＧａＮ層からなり、
前記ＩｎＧａＮ層のＩｎ組成比は、ｎ−半導体層側からｐ−半導体層側に向かって漸次小さくなり、
前記複数の井戸層は、各層厚が互いに異なる寸法に設定され、
前記複数の井戸層における層厚は、ｎ−半導体層側からｐ−半導体層側に向かって漸次小さくなることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。
【請求項２】
前記複数の井戸層は、不純物として添加されるＳｉの添加量が互いに異なる分量に設定されたＩｎＧａＮ層からなる請求項１に記載のIII族窒化物半導体発光素子。
【請求項３】
前記Ｓｉの添加量は、ｎ−半導体層側からｐ−半導体層側に向かって漸次大きくなる請求項２に記載のIII族窒化物半導体発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上記目的を達成するために、III族窒化物半導体を用いた多重量子井戸構造をもつ発光層を備えたIII族窒化物半導体発光素子において、前記発光層を構成する複数の井戸層は、各発光波長を互いに合致させるような成長条件をもってそれぞれ形成され、前記発光層は、前記井戸層のｐ−半導体層側に障壁層を積層してなる複数のペア層によって形成され、前記複数の井戸層は、各層構成成分の組成比が互いに異なる比率に設定されたＩｎＧａＮ層からなり、前記ＩｎＧａＮ層のＩｎ組成比は、ｎ−半導体層側からｐ−半導体層側に向かって漸次小さくなり、前記複数の井戸層は、各層厚が互いに異なる寸法に設定され、前記複数の井戸層における層厚は、ｎ−半導体層側からｐ−半導体層側に向かって漸次小さくなることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月16日(2010.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されている第１電極、
前記第１電極と対向する第２電極、
前記第１電極及び前記第２電極の間に位置して、可視光線領域の光を放出する第１発光部材、そして
前記第１発光部材と接触して、６００乃至２５００ｎｍの波長領域の光を放出する第２発光部材を含む有機発光表示装置。
【請求項２】
前記第２発光部材は、前記第１電極及び前記第２電極のうちのいずれか１つと平行に形成されている請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記第１発光部材は、隣接する前記第２発光部材の間に位置する請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記第２発光部材は、化合物半導体を含む請求項３に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記化合物半導体は、ＩｎＮ、ＧａＡｓ、ＧａＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＳｂ、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）０．５Ｉｎ０．５Ｐ、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ、ＡｌｘＩｎ１−ｘＰ、ＧａｘＩｎ１−ｘＰから選択される少なくとも１つを含む請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記第２発光部材は、
前記第１電極及び前記化合物半導体の間に位置する第１補助層、そして
前記第２電極及び前記化合物半導体の間に位置する第２補助層をさらに含む請求項５に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記第１補助層は、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、及びタリウム（Ｔｌ）から選択される少なくとも１つを含み、
前記第２補助層は、窒素（Ｎ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、及びビスマス（Ｂｉ）から選択される少なくとも１つを含む請求項６に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記第１発光部材及び前記第２発光部材は混合されている請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記第２発光部材は、発光性不純物を含む請求項８に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記発光性不純物は、量子ドット（ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ）または発光色素を含む請求項９に記載の有機発光表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月29日(2010.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記憶素子
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層と、金属酸化物層と、半導体層と、有機化合物層と、第２の導電層とを有し、
前記金属酸化物層、前記半導体層及び前記有機化合物層は前記第１の導電層及び前記第２の導電層に挟持され、
前記金属酸化物層は、前記第１の導電層と接し、
前記半導体層は、前記金属酸化物層に接して設けられていることを特徴とする記憶素子。
【請求項２】
第１の導電層と、金属酸化物層と、半導体層と、有機化合物層と、第２の導電層とを有し、
前記金属酸化物層、前記半導体層及び前記有機化合物層は前記第１の導電層及び前記第２の導電層に挟持され、
前記金属酸化物層は、前記第１の導電層と接し、
前記半導体層は、前記第２の導電層に接して設けられていることを特徴とする記憶素子。
【請求項３】
第１の導電層と、金属酸化物層と、第１の半導体層と、第２の半導体層と、有機化合物層と、第２の導電層とを有し、
前記金属酸化物層、前記第１の半導体層、前記第２の半導体層及び前記有機化合物層は前記第１の導電層及び前記第２の導電層に挟持され、
前記金属酸化物層は、前記第１の導電層と接し、
前記第１の半導体層は前記金属酸化物層に接し、
前記第２の半導体層は前記第２の導電層に接して設けられていることを特徴とする記憶素子。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層は、それぞれ２層以上からなる積層構造であることを特徴とする記憶素子。
【請求項５】
請求項１又は請求項２において、
前記半導体層は、縞状、島状又は網状若しくは粒子であることを特徴とする記憶素子。
【請求項６】
請求項３又は請求項４において、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層は、それぞれ縞状、島状又は網状若しくは粒子であることを特徴とする記憶素子。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記金属酸化物層は、前記第１の導電層に用いた材料の酸化物より構成されていることを特徴とする記憶素子。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記有機化合物層は、電子輸送材料又は正孔輸送材料から構成されることを特徴とする記憶素子。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記有機化合物層は絶縁物を含むことを特徴とする記憶素子。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に電圧を印加することにより、抵抗値が変化することを特徴とする記憶素子。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に電圧を印加することにより、前記第１の導電層及び前記第２の導電層の一部が電気的に接続されることを特徴とする記憶素子。