【手続補正書】
【提出日】平成22年5月10日(2010.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記工程を含んで成る、イソシアネートと塩素の結合製造方法：
（１）  ６５．０〜９８．０質量％の濃度を有する硫酸の存在下、硝酸を用いて、硫酸の濃度が０．５〜２５質量％低下するまで、芳香族化合物をニトロ化して、対応するモノ−又はジニトロ化芳香族化合物を製造する工程；
（２）  工程（１）から得られる濃度が低下した硫酸を、硫酸を濃縮する硫酸濃縮設備に移す工程；
（３）  工程（１）から得られるモノ−又はジ−ニトロ化芳香族化合物を水素と反応させて、アミン又はジアミンを製造する工程；
（４）  工程（３）で製造したアミンがアニリンである場合、そのアニリンをホルムアルデヒドと更に反応させ、ジフェニルメタン系ジアミン及び／又はポリアミンを製造する工程；
（５）  工程（３）又は（４）で製造したアミンをホスゲンと反応させて、イソシアネートを製造する工程；
（６）  工程（５）で生成した水に溶解した塩化水素又はガス状塩化水素を、塩素ガス製造装置に移す工程；
（７）  塩素ガス製造装置内で塩素ガスを製造する工程；
（８）  ９０．０〜９９．０質量％の硫酸濃度を有する硫酸を用いて、６５．０〜９０．０質量％の硫酸濃度になるまで、塩素ガスを処理することによって、工程（７）からの塩素ガスから、反応水又は他の原因による水分を除去する工程；
（９）  工程（８）からの乾燥塩素ガスを、一酸化炭素と反応させて、ホスゲンを製造する工程；
（１０）  工程（９）から得られるホスゲンを、工程（５）で行われる反応に供給する工程、
（１１）  工程（８）から得られる硫酸を、（ｉ）工程（２）の硫酸濃縮設備に又は（ii）工程（１）に基づいて行われる少なくとも１のニトロ化反応に移し、続いて、更にそのようなニトロ化反応から得られる希硫酸を工程（２）の硫酸濃縮設備に移す工程；
（１２）  工程（８）の塩素ガス処理のため又は工程（１）に基づく芳香族ニトロ化のために必要に応じて、種々の蒸留段階後に分流を除去することによって、又は一又はそれ以上の減圧蒸留段階によって、硫酸濃縮設備内で合される工程（２）及び（８）からの硫酸流れの濃度を高める工程；及び
（１３）  工程（１２）からの濃硫酸を、工程（８）及び／又は工程（１）に戻す工程。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
本発明の製造方法によって得られる塩素は、その後、いずれかの公知の方法により一酸化炭素と反応させて、ホスゲンを生成させることができ、このホスゲンはＴＤＡ又はＭＤＡからＴＤＩ又はＭＤＩを製造するために、各々使用することができる。ＴＤＡ及びＭＤＡのホスゲン化中に生成する塩化水素は、いずれかの公知の方法により反応させて、塩素を生成させることができる。
以下に本発明の主な態様を記載する。
１．下記工程を含んで成る、イソシアネートと塩素の結合製造方法：
（１）  ６５．０〜９８．０質量％の濃度を有する硫酸の存在下、硝酸を用いて、硫酸の濃度が０．５〜２５質量％低下するまで、芳香族化合物をニトロ化して、対応するモノ−又はジニトロ化芳香族化合物を製造する工程；
（２）  工程（１）から得られる濃度が低下した硫酸を、硫酸を濃縮する硫酸濃縮設備に移す工程；
（３）  工程（１）から得られるモノ−又はジ−ニトロ化芳香族化合物を水素と反応させて、アミン又はジアミンを製造する工程；
（４）  工程（３）で製造したアミンがアニリンである場合、そのアニリンをホルムアルデヒドと更に反応させ、ジフェニルメタン系ジアミン及び／又はポリアミンを製造する工程；
（５）  工程（３）又は（４）で製造したアミンをホスゲンと反応させて、イソシアネートを製造する工程；
（６）  工程（５）で生成した水に溶解した塩化水素又はガス状塩化水素を、塩素ガス製造装置に移す工程；
（７）  塩素ガス製造装置内で塩素ガスを製造する工程；
（８）  ９０．０〜９９．０質量％の硫酸濃度を有する硫酸を用いて、６５．０〜９０．０質量％の硫酸濃度になるまで、塩素ガスを処理することによって、工程（７）からの塩素ガスから、反応水又は他の原因による水分を除去する工程；
（９）  工程（８）からの乾燥塩素ガスを、一酸化炭素と反応させて、ホスゲンを製造する工程；
（１０）  工程（９）から得られるホスゲンを、工程（５）で行われる反応に供給する工程、
（１１）  工程（８）から得られる硫酸を、（ｉ）工程（２）の硫酸濃縮設備に又は（ii）工程（１）に基づいて行われる少なくとも１のニトロ化反応に移し、続いて、更にそのようなニトロ化反応から得られる希硫酸を工程（２）の硫酸濃縮設備に移す工程；
（１２）  工程（８）の塩素ガス処理のため又は工程（１）に基づく芳香族ニトロ化のために必要に応じて、種々の蒸留段階後に分流を除去することによって、又は一又はそれ以上の減圧蒸留段階によって、硫酸濃縮設備内で合される工程（２）及び（８）からの硫酸流れの濃度を高める工程；及び
（１３）  工程（１２）からの濃硫酸を、工程（８）及び／又は工程（１）に戻す工程。
２．ＮａＣｌ電気分解、メンブレン又はダイアフラム法によるＨＣｌ電気分解、酸素欠乏陰極を有する電解槽でのＨＣｌ電気分解、又は酸素を用いる触媒的ＨＣｌ酸化を用いて、工程（７）を行う上記１に記載の製造方法。
３．工程（１）の生成物は、ニトロベンゼン、ジニトロベンゼン、ニトロクロロベンゼン、ニトロクロロトルエン、ニトロトルエン又はジニトロトルエンである上記１に記載の製造方法。
４．工程（８）からの硫酸は、工程（１２）に基づく硫酸濃縮設備内で合される前に、残留塩素及び／又はＨＣｌが残留濃度＜１０００ｐｐｍ  Ｃｌに除かれる上記１に記載の製造方法。
５．工程（８）からの硫酸は、工程（１２）に基づく硫酸濃縮設備内で合される前に、残留塩素及び／又はＨＣｌが残留濃度＜１０ｐｐｍ  Ｃｌに除かれる上記１に記載の製造方法。
６．工程（１）からの濃度が低下した硫酸又は工程（１２）からの濃硫酸は、工程（１３）の前に、無機窒素化合物を用いて、全重量を基準として、残留濃度＜０．３重量％に、不純物が除かれる上記１に記載の製造方法。
７．工程（１）からの濃度が低下した硫酸又は工程（１２）からの濃硫酸は、工程（１３）の前に、高揮発性有機化合物を用いて、残留濃度＜５０ｐｐｍに、不純物が除かれる上記１に記載の製造方法。
８．工程（１）からの濃度が低下した硫酸又は工程（１２）からの濃硫酸は、工程（１３）の前に、低揮発性有機化合物を用いて、残留濃度＜５００ｐｐｍに、不純物が除かれる上記１に記載の製造方法。
９．工程（１）からの濃度が低下した硫酸又は工程（１２）からの濃硫酸は、工程（１３）の前に、揮発性硫黄化合物を用いて、残留濃度＜３０ｐｐｍに、不純物が除かれる上記１に記載の製造方法。
１０．トルエンが工程（１）で使用される芳香族化合物であり、８６．０〜９６．０質量％の濃度を有する硫酸を用いて、モノ−ニトロトルエンを製造し、硫酸の濃度は、ニトロ化の間に８０．０〜８５．９質量％に低下して、ジニトロトルエンを生成し、ジニトロトルエンは、水素と反応して、トルエンジアミンを生成し、トルエンジアミンは、その後、ホスゲンと反応して、トルエンジイソシアネートを生成する上記１に記載の製造方法。
１１．工程（２）の硫酸濃縮設備に供給する前に、８０．０〜８５．９質量％の濃度を有する硫酸を、モノニトロトルエン製造操作に戻し、硫酸濃度は、７０．０〜７９．９質量％の濃度に更に希釈される上記１０に記載の製造方法。
１２．ベンゼンが、６９．５〜７２．５質量％の濃度を有し、ニトロベンゼンを生成するニトロ化の間に、６６．５〜６９．４質量％の濃度に希釈される硫酸を用いて、工程（１）でニトロ化される芳香族化合物であり、ニトロベンゼンは、水素と反応して、アニリンが生成し、このアニリンは、酸触媒の存在下、ホルムアルデヒドと反応して、ジフェニルメタン系のジアミン及びポリアミンが生成し、このジフェニルメタン系のジアミン及びポリアミンは、次に、ホスゲンと反応して、ジフェニルメタン系のジ−及び／又はポリイソシアネートを生成する上記１に記載の製造方法。