(57)【要約】【構成】積層体１２は、磁性体層１２ａとその両主面に形成される非磁性体層１２ｂ，１２ｃとを含む。線状導体１６，１６，…，１８，１８，…は、積層体１２の長手方向を巻回軸とするインダクタの一部をなして、磁性体層１２ａの両主面に形成される。パッド電極１４ａ，１４ａ，…は積層体１２の上面に形成され、パッド電極１４ｂ，１４ｂ，…はパッド電極１４ａ，１４ａ，…に対して対称形となるように積層体１２の下面に形成される。インダクタの互いに異なる２点はそれぞれ、異なる２つのパッド電極１４ａ，１４ａに電気的に接続される。【効果】残留応力に起因する集合基板の反りが抑制され、ブレイクによって得られる積層型アンテナ素子の薄型化が可能となる。【選択図】図１
0003189995.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
磁性体層を含む積層体と、
前記積層体に設けられるコイル状導体パターンと、
前記積層体の一方主面に形成された複数の第１パッド電極と、
前記複数の第１パッド電極に対して対称形となるように前記積層体の他方主面に形成された複数の第２パッド電極と、
を備え、
前記積層体は前記積層体の積層方向から見た形状が矩形状であり、
前記コイル状導体パターンの一端および他端がそれぞれ前記複数の第１パッド電極のうちの２つに電気的に接続されており、前記複数の第２パッド電極はいずれも電気的に開放されている、積層型アンテナ素子。
【請求項２】
前記複数の第１パッド電極は前記積層体の長手方向に沿って２列に形成される、請求項１記載の積層型アンテナ素子。
【請求項３】
前記複数の第１パッド電極が３つ以上設けられていて、前記複数の第１パッド電極のうち前記コイル状導体パターンに接続されていないパッド電極は電気的に開放されている、請求項１または２記載の積層型アンテナ素子。
【請求項４】
前記積層体は、前記磁性体層の両主面に形成される非磁性体層を含む、請求項１ないし３のいずれかに記載の積層型アンテナ素子。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この考案は、積層型アンテナ素子に関し、特に、磁性体層を含む積層体と、積層体に設けられるコイル状導体パターンとを備える、積層型アンテナ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の積層型アンテナ素子の一例が、特許文献１および特許文献２に開示されている。特許文献１によれば、焼結フェライト基板の少なくとも片面に、粘着フィルムが設けられる。また、積層体に屈曲性を付与するために、基板に割れが入れられる。ここで、割れが入ると透磁率が低下するが、割れの状態により透磁率が変化する。このため、溝は規則性を持たせて基板に形成され、この溝の部分に割れが入れられる。これによって、屈曲性を付与しつつ、割れが入った後の磁気特性を安定させることができる。
【０００３】
また、特許文献２によれば、セラミック基板を積層体の個片に分割するべく、分割溝がセラミック基板に形成される。具体的には、分割溝は、所望の圧力でセラミック基板の他方主面に押し当てられたスクライブ刃を移動させることで形成される。続いて、保護シートを介してセラミック基板の一方主面に押し当てられたローラが、セラミック基板に沿って移動される。これによって、セラミック基板が変形して分割溝が開き、セラミック基板が分割溝に沿って分割される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１１１１９７号公報（段落００５２参照）
【特許文献２】特開２００９−２３１３３１号公報（段落００３３，００４０参照）
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、焼成前の段階で基板に溝を形成すると、基板をなす一方主面および他方主面の非対称性に起因して焼成時に反りが発生する。この反りは、基板をブレイク（個辺化）して得られる各素子の平坦性（コプナリティ）を損ない、薄型化を妨げる要因となり得る。
【０００６】
それゆえに、この考案の主たる目的は、厚みを薄くすることができる、積層型アンテナ素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この考案の積層型アンテナ素子は、磁性体層を含む積層体と、積層体に設けられるコイル状導体パターンと、積層体の一方主面に形成された複数の第１パッド電極と、複数の第１パッド電極に対して対称形となるように積層体の他方主面に形成された複数の第２パッド電極と、を備え、積層体は積層体の積層方向から見た形状が矩形状であり、コイル状導体パターンの一端および他端がそれぞれ複数の第１パッド電極のうちの２つに電気的に接続されており、複数の第２パッド電極はいずれも電気的に開放されている。
【０００８】
好ましくは、複数の第１パッド電極は積層体の長手方向に沿って２列に形成される。
【０００９】
好ましくは、複数の第１パッド電極が３つ以上設けられていて、複数の第１パッド電極のうちコイル状導体パターンに接続されていないパッド電極は電気的に開放されている。
【００１０】
好ましくは、積層体は、磁性体層の両主面に形成される非磁性体層を含む。
【考案の効果】
【００１１】
この考案によれば、複数の積層型アンテナ素子にブレイクする前段階の集合基板には、第１パッド電極および第２パッド電極の各々を形成する材料と磁性体層を形成する材料との間の熱膨張係数の相違に起因する残留応力が発生する。ただし、積層体の両主面に形成された第１パッド電極および第２パッド電極は対称形をなす。したがって、残留応力に起因する集合基板の反りが抑制され、ブレイクによって得られる積層型アンテナ素子の薄型化が可能となる。また、残留応力が発生していることから、ブレイクラインは、第１パッド電極および第２パッド電極を避けるように積層体の厚み方向に走る。これによって、ブレイク不良が低減される。
【００１２】
この考案の上述の目的，その他の目的，特徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】この実施例の積層型アンテナ素子を分解した状態を示す分解図である。
【図２】（Ａ）は積層型アンテナ素子を形成するセラミックシートＳＨ１の一例を示す平面図であり、（Ｂ）は積層型アンテナ素子を形成するセラミックシートＳＨ３の一例を示す平面図である。
【図３】（Ａ）はセラミックシートＳＨ１の下面に形成されるパッド電極の一例を示す図解図であり、（Ｂ）は積層型アンテナ素子を形成するセラミックシートＳＨ４の一例を示す平面図である。
【図４】この実施例の積層型アンテナ素子の外観を示す斜視図である。
【図５】図４に示す積層型アンテナ素子のＡ−Ａ´断面図である。
【図６】（Ａ）はセラミックシートＳＨ１の製造工程の一部を示す工程図であり、（Ｂ）はセラミックシートＳＨ１の製造工程の他の一部を示す工程図である。
【図７】（Ａ）はセラミックシートＳＨ１の製造工程のその他の一部を示す工程図であり、（Ｂ）はセラミックシートＳＨ１の製造工程のさらにその他の一部を示す工程図である。
【図８】（Ａ）はセラミックシートＳＨ２の製造工程の一部を示す工程図であり、（Ｂ）はセラミックシートＳＨ２の製造工程の他の一部を示す工程図であり、（Ｃ）はセラミックシートＳＨ２の製造工程のその他の一部を示す工程図である。
【図９】（Ａ）はセラミックシートＳＨ３の製造工程の一部を示す工程図であり、（Ｂ）はセラミックシートＳＨ３の製造工程の他の一部を示す工程図である。
【図１０】（Ａ）はセラミックシートＳＨ３の製造工程のその他の一部を示す工程図であり、（Ｂ）はセラミックシートＳＨ３の製造工程のさらにその他の一部を示す工程図である。
【図１１】（Ａ）はセラミックシートＳＨ４の製造工程の一部を示す工程図であり、（Ｂ）はセラミックシートＳＨ４の製造工程の他の一部を示す工程図である。
【図１２】パッド電極が印刷されたキャリアフィルムの一例を示す平面図である。
【図１３】（Ａ）は積層型アンテナ素子の製造工程の一部を示す工程図であり、（Ｂ）は積層型アンテナ素子の製造工程の他の一部を示す工程図であり、（Ｃ）は積層型アンテナ素子の製造工程のその他の一部を示す工程図である。
【図１４】（Ａ）は積層型アンテナ素子の製造工程のさらにその他の一部を示す工程図であり、（Ｂ）は積層型アンテナ素子の製造工程の他の一部を示す工程図であり、（Ｃ）は積層型アンテナ素子の製造工程のその他の一部を示す工程図であり、（Ｄ）は積層型アンテナ素子の製造工程のさらにその他の一部を示す工程図である。
【図１５】（Ａ）は他の実施例におけるセラミックシートＳＨ１の製造工程の一部を示す工程図であり、（Ｂ）は他の実施例におけるセラミックシートＳＨ１の製造工程の他の一部を示す工程図である。
【図１６】（Ａ）は他の実施例におけるセラミックシートＳＨ１の製造工程のその他の一部を示す工程図であり、（Ｂ）は他の実施例におけるセラミックシートＳＨ１の製造工程のさらにその他の一部を示す工程図である。
【図１７】（Ａ）は他の実施例におけるセラミックシートＳＨ２の製造工程の一部を示す工程図であり、（Ｂ）は他の実施例におけるセラミックシートＳＨ２の製造工程の他の一部を示す工程図である。
【図１８】（Ａ）は他の実施例におけるセラミックシートＳＨ２の製造工程のその他の一部を示す工程図であり、（Ｂ）は他の実施例におけるセラミックシートＳＨ２の製造工程のさらにその他の一部を示す工程図である。
【図１９】（Ａ）は他の実施例におけるセラミックシートＳＨ３の製造工程の一部を示す工程図であり、（Ｂ）は他の実施例におけるセラミックシートＳＨ３の製造工程の他の一部を示す工程図である。
【図２０】（Ａ）は他の実施例におけるセラミックシートＳＨ３の製造工程のその他の一部を示す工程図であり、（Ｂ）は他の実施例におけるセラミックシートＳＨ３の製造工程のさらにその他の一部を示す工程図である。
【図２１】（Ａ）は他の実施例におけるセラミックシートＳＨ４の製造工程の一部を示す工程図であり、（Ｂ）は他の実施例におけるセラミックシートＳＨ４の製造工程の他の一部を示す工程図である。
【図２２】（Ａ）は他の実施例における積層型アンテナ素子の製造工程の一部を示す工程図であり、（Ｂ）は他の実施例における積層型アンテナ素子の製造工程の他の一部を示す工程図であり、（Ｃ）は他の実施例における積層型アンテナ素子の製造工程のその他の一部を示す工程図である。
【図２３】（Ａ）は他の実施例における積層型アンテナ素子の製造工程のさらにその他の一部を示す工程図であり、（Ｂ）は他の実施例における積層型アンテナ素子の製造工程の他の一部を示す工程図であり、（Ｃ）は他の実施例における積層型アンテナ素子の製造工程のその他の一部を示す工程図である。
【考案を実施するための形態】
【００１４】
図１を参照して、この実施例の積層型アンテナ素子１０は、１３．５６ＭＨｚ帯における無線通信用のアンテナ素子として利用され、各々の主面が長方形をなして積層されたセラミックシートＳＨ１〜ＳＨ４を含む。セラミックシートＳＨ１〜ＳＨ４の各々の主面のサイズは互いに一致し、セラミックシートＳＨ１およびＳＨ４は非磁性体を有する一方、セラミックシートＳＨ２〜ＳＨ３は磁性体を有する。
【００１５】
この結果、積層体１２は直方体をなす。また、セラミックシートＳＨ２〜ＳＨ３によって磁性層１２ａが形成され、セラミックシートＳＨ１によって非磁性層１２ｂが形成され、そしてセラミックシートＳＨ４によって非磁性層１２ｃがそれぞれ形成される。つまり、積層型アンテナ素子１０をなす積層体１２は、磁性体層１２ａが非磁性体層１２ｂおよび１２ｃによって挟持された積層構造を有する。積層体１２の主面（＝上面または下面）をなす長方形の長辺および短辺はそれぞれＸ軸およびＹ軸に沿って延び、積層体１２の厚みはＺ軸に沿って増大する。
【００１６】
図２（Ａ）〜図２（Ｂ）に示すように、セラミックシートＳＨ１の上面には５つの線状導体１６，１６，…が形成され、セラミックシートＳＨ３の上面には６つの線状導体１８，１８，…が形成される。また、図３（Ａ）〜図３（Ｂ）に示すように、セラミックシートＳＨ１の下面には１２個のパッド電極１４ａ，１４ａ，…が形成され、セラミックシートＳＨ４の上面には１２個のパッド電極１４ｂ，１４ｂ，…が形成される。なお、セラミックシートＳＨ２の上面には線状導体が存在せず、磁性体が上面の全体にわたって現われる。
【００１７】
図２（Ａ）を参照して、線状導体１６は、Ｙ軸に対して斜め方向に延びる姿勢で、Ｘ軸方向に距離Ｄ１を隔てて並ぶ。線状導体１６の長さ方向両端は、セラミックシートＳＨ１の上面のＹ軸方向両端よりも内側に留まる。また、Ｘ軸方向両側の２つの線状導体１６，１６は、セラミックシートＳＨ１の上面のＸ軸方向両端よりも内側に配置される。
【００１８】
図２（Ｂ）を参照して、線状導体１８は、Ｙ軸に沿って延びる姿勢で、Ｘ軸方向に距離Ｄ１を隔てて並ぶ。線状導体１８の長さ方向両端も、セラミックシートＳＨ３の上面のＹ軸方向両端よりも内側に留まる。Ｘ軸方向両側の２つの線状導体１８，１８もまた、セラミックシートＳＨ３の上面のＸ軸方向両端よりも内側に配置される。
【００１９】
線状導体１６の一方端から他方端までのＸ軸方向における距離は、“Ｄ１”に相当する。また、線状導体１６の一方端の位置はＺ軸方向から眺めて線状導体１８の一方端と重なる位置に調整され、線状導体１６の他方端の位置はＺ軸方向から眺めて線状導体１８の他方端と重なる位置に調整される。さらに、線状導体１８の数は、線状導体２０の数よりも１つ少ない。
【００２０】
したがって、Ｚ軸方向から眺めると、線状導体１６および１８はＸ軸方向に交互に並ぶ。また、線状導体１６の一方端は線状導体１８の一方端と重なり、線状導体１６の他方端は線状導体１８の他方端と重なる。
【００２１】
図３（Ａ）を参照して、１２個のパッド電極１４ａ，１４ａ，…の各々の主面は矩形をなし、かつ主面のサイズは互いに一致する。このうち、６個のパッド電極１４ａ，１４ａ，…はＹ軸方向における正側端部よりもやや内側をＸ軸に沿って均等な間隔で延び、残りの６個のパッド電極１４ａ，１４ａ，…はＹ軸方向における負側端部よりもやや内側をＸ軸に沿って均等な間隔で延びる。
【００２２】
また、Ｘ軸方向において最も負側に存在するパッド電極１４ａからセラミックシートＳＨ１のＸ軸方向における負側端部までの距離は、Ｘ軸方向において最も正側に存在するパッド電極１４ａからセラミックシートＳＨ１のＸ軸方向における正側端部までの距離と一致する。さらに、Ｙ軸方向において最も負側に存在するパッド電極１４ａからセラミックシートＳＨ１のＹ軸方向における負側端部までの距離は、Ｙ軸方向において最も正側に存在するパッド電極１４ａからセラミックシートＳＨ１のＹ軸方向における正側端部までの距離と一致する。
【００２３】
したがって、セラミックシートＳＨ１の主面のＹ軸方向における中央をＸ軸に沿って延びる直線を基準としたとき、この直線よりもＹ軸方向における負側の６個のパッド電極１４ａ，１４ａ，…は、この直線よりもＹ軸方向における正側の６個のパッド電極１４ａ，１４ａ，…に対して線対称に形成される。
【００２４】
また、セラミックシートＳＨ１の主面のＸ軸方向における中央をＹ軸に沿って延びる直線を基準としたとき、この直線よりもＸ軸方向における負側の６個のパッド電極１４ａ，１４ａ，…は、この直線よりもＸ軸方向における正側の６個のパッド電極１４ａ，１４ａ，…に対して線対称に形成される。
【００２５】
図３（Ｂ）を参照して、１２個のパッド電極１４ｂ，１４ｂ，…の各々の主面は矩形をなし、かつ主面のサイズは互いに一致する。このうち、６個のパッド電極１４ｂ，１４ｂ，…はＹ軸方向における正側端部よりもやや内側をＸ軸に沿って均等な間隔で延び、残りの６個のパッド電極１４ｂ，１４ｂ，…はＹ軸方向における負側端部よりもやや内側をＸ軸に沿って均等な間隔で延びる。
【００２６】
また、Ｘ軸方向において最も負側に存在するパッド電極１４ｂからセラミックシートＳＨ４のＸ軸方向における負側端部までの距離は、Ｘ軸方向において最も正側に存在するパッド電極１４ｂからセラミックシートＳＨ４のＸ軸方向における正側端部までの距離と一致する。さらに、Ｙ軸方向において最も負側に存在するパッド電極１４ｂからセラミックシートＳＨ４のＹ軸方向における負側端部までの距離は、Ｙ軸方向において最も正側に存在するパッド電極１４ｂからセラミックシートＳＨ４のＹ軸方向における正側端部までの距離と一致する。
【００２７】
したがって、セラミックシートＳＨ４の主面のＹ軸方向における中央をＸ軸に沿って延びる直線を基準としたとき、この直線よりもＹ軸方向における負側の６個のパッド電極１４ｂ，１４ｂ，…は、この直線よりもＹ軸方向における正側の６個のパッド電極１４ｂ，１４ｂ，…に対して線対称に形成される。
【００２８】
また、セラミックシートＳＨ４の主面のＸ軸方向における中央をＹ軸に沿って延びる直線を基準としたとき、この直線よりもＸ軸方向における負側の６個のパッド電極１４ｂ，１４ｂ，…は、この直線よりもＸ軸方向における正側の６個のパッド電極１４ｂ，１４ｂ，…に対して線対称に形成される。
【００２９】
パッド電極１４ｂの主面のサイズはパッド電極１４ａの主面のサイズとも一致し、セラミックシートＳＨ４の主面におけるパッド電極１４ｂ，１４ｂ，…の配置態様はセラミックシートＳＨ１の主面におけるパッド電極１４ａ，１４ａ，…の配置態様と一致する。したがって、パッド電極１４ｂ，１４ｂ，…は、パッド電極１４ａ，１４ａ，に対して鏡像対称形に形成される。また、Ｚ軸方向から眺めたとき、各々の線状導体１８の両端は、Ｙ軸に沿って並ぶ２つのパッド電極１４ａ，１４ａと重なり、さらにＹ軸に沿って並ぶ２つのパッド電極１４ｂ，１４ｂとも重なる。
【００３０】
図１に戻って、ビアホール導体２０ａ，２０ａ…は、線状導体１６，１６，…の一方端（Ｙ軸方向における正側端部）の位置で、磁性体層１２ａをＺ軸方向に貫通する。また、ビアホール導体２０ｂ，２０ｂ…は、線状導体１６，１６，…の他方端（Ｙ軸方向における負側端部）の位置で、磁性体層１２ａをＺ軸方向に貫通する。
【００３１】
線状導体１６，１６，…は図２（Ａ）に示す要領で形成され、線状導体１８，１８，…は図２（Ｂ）に示す要領で形成されるため、ビアホール導体２０ａ，２０ａ，…は、セラミックシートＳＨ３の上面においてＸ軸方向の負側から始まる５つの線状導体１８，１８，…の一方端（Ｙ軸方向における正側端部）と接続される。また、ビアホール導体２０ｂ，２０ｂ，…は、セラミックシートＳＨ３の上面においてＸ軸方向の正側から始まる５つの線状導体１８，１８，…の他方端（Ｙ軸方向における負側端部）と接続される。
【００３２】
この結果、線状導体１６，１６，…および線状導体１８，１８，…は螺旋状に接続され、これによってＸ軸を巻回軸とするコイル導体（巻回体）が形成される。コイル導体の内側には磁性体が存在するため、コイル導体はインダクタとして機能する。
【００３３】
また、ビアホール導体２２ａは、Ｘ軸方向において最も正側に存在する線状導体１８の一方端の位置で、磁性体層１２ａおよび非磁性体層１２ｂをＺ軸方向に貫通する。同様に、ビアホール導体２２ｂは、Ｘ軸方向において最も負側に存在する線状導体１８の他方端の位置で、磁性体層１２ａおよび非磁性体層１２ｂをＺ軸方向に貫通する。
【００３４】
ビアホール導体２２ａは、Ｘ軸方向における最も正側でかつＹ軸方向における正側に存在するパッド電極１４ａと接続される。また、ビアホール導体２２ｂは、Ｘ軸方向における最も負側でかつＹ軸方向における負側に存在するパッド電極１４ａと接続される。これによって、インダクタの異なる２点が２つのパッド電極１４ａ，１４ａとそれぞれ接続される。
【００３５】
こうして作製された積層体１２つまり積層型アンテナ素子１０は、図４に示す外観を有する。また、この積層型アンテナ素子１０のＡ−Ａ´断面は図５に示す構造を有する。
【００３６】
なお、セラミックシートＳＨ１およびＳＨ４は非磁性（比透磁率：１）のフェライトを材料とし、熱膨張係数は“８．５”〜“９．０”の範囲の値を示す。また、セラミックシートＳＨ２〜ＳＨ３は磁性（比透磁率：１００〜１２０）のフェライトを材料とし、熱膨張係数は“９．０”〜“１０．０”の範囲の値を示す。さらに、パッド電極１４ａおよび１４ｂ，線状導体１６および１８，ビアホール導体２０ａ〜２０ｂ，２２ａ〜２２ｂは、銀を材料とし、熱膨張係数は“２０”を示す。
【００３７】
セラミックシートＳＨ１は、図６（Ａ）〜図６（Ｂ）および図７（Ａ）〜図７（Ｂ）に示す要領で作製される。まず、非磁性のフェライト材料からなるセラミックグリーンシートがマザーシートＢＳ１として用意される（図６（Ａ）参照）。ここで、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に延びる複数の破線は切り出し位置を示す。この破線によって定義される複数の矩形の各々を“分割ユニット”と定義する。
【００３８】
次に、複数の貫通孔ＨＬ１，ＨＬ１，…が破線の交点近傍に対応してマザーシートＢＳ１に形成され（図６（Ｂ）参照）、導電ペーストＰＳ１が貫通孔ＨＬ１に充填される（図７（Ａ）参照）。充填された導電ペーストＰＳ１は、ビアホール導体２２ａまたは２２ｂをなす。導電ペーストＰＳ１の充填が完了すると、線状導体１６，１６，…に相当する導体パターンがマザーシートＢＳ１の上面に印刷される（図７（Ｂ）参照）。
【００３９】
セラミックシートＳＨ２は、図８（Ａ）〜図８（Ｃ）に示す要領で作製される。まず、磁性のフェライト材料からなるセラミックグリーンシートがマザーシートＢＳ２として用意される（図８（Ａ）参照）。ここで、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に延びる複数の破線は切り出し位置を示す。次に、複数の貫通孔ＨＬ２，ＨＬ２，…がＸ軸方向に延びる破線に沿ってマザーシートＢＳ２に形成され（図８（Ｂ）参照）、ビアホール導体２０ａ，２０ｂ，２２ａまたは２２ｂをなす導電ペーストＰＳ２が貫通孔ＨＬ２に充填される（図８（Ｃ）参照）。
【００４０】
セラミックシートＳＨ３は、図９（Ａ）〜図９（Ｂ）および図１０（Ａ）〜図１０（Ｂ）に示す要領で作製される。まず、磁性のフェライト材料からなるセラミックグリーンシートがマザーシートＢＳ３として用意される（図９（Ａ）参照）。ここで、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に延びる複数の破線は切り出し位置を示す。
【００４１】
次に、複数の貫通孔ＨＬ３，ＨＬ３，…がＸ軸方向に延びる破線に沿ってマザーシートＢＳ３に形成され（図９（Ｂ）参照）、導電ペーストＰＳ３が貫通孔ＨＬ３に充填される（図１０（Ａ）参照）。充填された導電ペーストＰＳ３は、ビアホール導体２０ａ，２０ｂ，２２ａまたは２２ｂをなす。導電ペーストＰＳ３の充填が完了すると、線状導体１８，１８，…に相当する導体パターンがマザーシートＢＳ３の上面に印刷される（図１０（Ｂ）参照）。
【００４２】
セラミックシートＳＨ４は、図１１（Ａ）〜図１１（Ｂ）に示す要領で作製される。まず、非磁性のフェライト材料からなるセラミックグリーンシートがマザーシートＢＳ４として用意される（図１１（Ａ）参照）。ここで、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に延びる複数の破線は切り出し位置を示す。次に、パッド電極１４ｂ，１４ｂ，…に相当する導体パターンが、マザーシートＢＳ４の上面に印刷される（図１１（Ｂ）参照）。
【００４３】
パッド電極１４ａ，１４ａ，…に相当する導体パターンは、図１２に示す要領でキャリアフィルム２４に印刷される。キャリアフィルム２４の主面のサイズは、マザーシートＢＳ１〜ＢＳ４の主面のサイズと一致する。また、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に延びる複数の破線は、マザーシートＢＳ１〜ＢＳ４に描かれた複数の破線にそれぞれ対応する。
【００４４】
上述の要領で作成されたマザーシートＢＳ１〜ＢＳ４は、この順序で積層されかつ圧着される（図１３（Ａ）参照）。このとき、各シートの積層位置は、各シートに割り当てられた破線がＺ軸方向から眺めて重なるように調整される。続いて、図１２に示すキャリアフィルム２４が用意され（図１３（Ｂ）参照）、キャリアフィルム２４に形成された導体パターンがマザーシートＢＳ１の下面に転写される（図１３（Ｃ）参照）。
【００４５】
導体パターンの転写が完了すると、キャリアフィルム２４が剥離され（図１４（Ａ）参照）、生の集合基板が作製される。作製された集合基板の厚みは、０．４ｍｍ以下に抑えられる。作製された集合基板は焼成され（図１４（Ｂ）参照）、その後に１次スクライビングおよび２次スクライビングを施される（図１４（Ｃ）〜図１４（Ｄ）参照）。
【００４６】
１次スクライビングではＸ軸方向に延びる破線に沿ってスクライバ２６の刃が当てられ、２次スクライビングではＹ軸方向に延びる破線に沿ってスクライバ２６の刃が当てられる。また、１次スクライビングおよび２次スクライビングのいずれにおいても、溝は集合基板の上面に形成される。ただし、１次スクライビングによって形成された溝は非磁性体層１２ｂにまで達する一方、２次スクライビングによって形成された溝は磁性体層１２ａに達するに留まる。これはスクライバ２６の刃を当てる際の刃圧を調整することにより、意図的に深さを調整して生じさせた先行クラックによる溝である。スクライビングが完了すると、集合基板は分割ユニット毎にブレイクされ、これによって複数の積層型アンテナ素子１０，１０，…が得られる。
【００４７】
以上の説明から分かるように、積層体１２は、磁性体層１２ａとその両主面に形成される非磁性体層１２ｂ，１２ｃとを含む。線状導体１６，１６，…，１８，１８，…は、積層体１２の長手方向を巻回軸とするインダクタの一部をなして、磁性体層１２ａの両主面に形成される。パッド電極１４ａ，１４ａ，…は積層体１２の上面に形成され、パッド電極１４ｂ，１４ｂ，…はパッド電極１４ａ，１４ａ，…に対して対称形となるように積層体１２の下面に形成される。インダクタの互いに異なる２点はそれぞれ、異なる２つのパッド電極１４ａ，１４ａに電気的に接続される。
【００４８】
また、積層型アンテナ素子１０は、非磁性のマザーシートＢＳ１およびＢＳ４で磁性のマザーシートＢＳ２およびＢＳ３を挟み込む構造を有する集合基板を分割ユニット毎にブレイクすることで製造される。集合基板は、以下の要領で作製される。
【００４９】
まず、Ｚ軸方向に延びる貫通孔ＨＬ１，ＨＬ１，…がマザーシートＢＳ１に形成され（図６（Ｂ）参照）、線状導体１６，１６，…に相当する導体パターンがマザーシートＢＳ１の上面に形成される（図７（Ｂ）参照）。また、Ｚ軸方向に延びる貫通孔ＨＬ２，ＨＬ２，…がマザーシートＢＳ２に形成され（図８（Ｂ）参照）、Ｚ軸方向に延びる貫通孔ＨＬ３，ＨＬ３，…がマザーシートＢＳ３に形成され（図８（Ｂ）参照）、そして線状導体１８，１８，…に相当する導体パターンがマザーシートＢＳ３の上面に形成される（図１０（Ｂ）参照）。
【００５０】
さらに、複数のパッド電極１４ａ，１４ａ，…が印刷されたキャリアフィルム２４がマザーシートＢＳ１の下面に用意され、各分割ユニットを形成する２つのパッド電極１４ａ，１４ａが、対応する２つの貫通孔ＨＬ１，ＨＬ１を介して線状導体１６，１６の２点にそれぞれ接続される（図１３（Ｃ）参照）。なお、パッド電極１４ｂ，１４ｂ，…は、パッド電極１４ａ，１４ａ，…に対して対称形となるように、マザーシートＢＳ４の上面に形成される（図１１（Ｂ）参照）。インダクタは、貫通孔ＨＬ２，ＨＬ３を介して線状導体１６および１８を分割ユニット毎に螺旋状に接続することで形成される（図１３（Ａ）参照）。
【００５１】
こうして作製された集合基板は、焼成の後に１次スクライビングおよび２次スクライビングを施され（図１４（Ｂ）〜図１４（Ｄ）参照）、これらのスクライビングによって形成された溝に沿ってブレイクされる。
【００５２】
焼成後の集合基板には、パッド電極１４ａ，１４ｂおよびビアホール導体１６，１８を形成する材料と磁性体層１２ａまたは非磁性体層１２ｂ，１２ｃを形成する材料との間の熱膨張係数の相違に起因する残留応力が発生する。ただし、この実施例では、積層体１２の両主面に形成されたパッド電極１４ａおよび１４ｂが鏡像対称形をなす。したがって、残留応力に起因する集合基板の反りが抑制され、ブレイクによって得られる積層型アンテナ素子１０の薄型化が可能となる。
【００５３】
なお、薄型化は、ＮＦＣ(Near Field Communication)用のセキュアＩＣとともに積層型アンテナ素子１０をＳＩＭカード或いはマイクロＳＩＭカードに内蔵する場合に好適である。
【００５４】
また、残留応力が発生していることから、ブレイクラインは、パッド電極１４ａおよび１４ｂを避けるように積層体１２の厚み方向に走る。これによって、ブレイク不良が低減される。
【００５５】
さらに、焼成前の段階では溝は存在しないため、磁性体層は露出しておらず、磁性体層へのめっきの析出を回避することができる。また、積層型アンテナ素子１０をプリント基板に実装する際にダミーのパッド電極１４ａ（インダクタと接続されていないパッド電極１４ａ）をはんだ付けに利用することで、積層型アンテナ素子１０とプリント基板との接触点数が増大する。これによって、積層型アンテナ素子１０の落下強度やまげ強度を高めることができる。
【００５６】
続いて、他の実施例における積層型アンテナ素子１０の製造方法を説明する。セラミックシートＳＨ１は、図１５（Ａ）〜図１５（Ｂ）および図１６（Ａ）〜図１６（Ｂ）に示す要領で作製される。まず、非磁性のフェライト材料からなるセラミックグリーンシートがマザーシートＢＳ１´として用意される（図１５（Ａ）参照）。ここで、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に延びる複数の破線は切り出し位置を示す。
【００５７】
次に、複数の貫通孔ＨＬ１´，ＨＬ１´，…が破線の交点近傍に対応してマザーシートＢＳ１´に形成され（図１５（Ｂ）参照）、導電ペーストＰＳ１´が貫通孔ＨＬ１´に充填される（図１６（Ａ）参照）。充填された導電ペーストＰＳ１は、ビアホール導体２２ａまたは２２ｂをなす。導電ペーストＰＳ１の充填が完了すると、パッド電極１４ａ，１４ａ，…に相当する導体パターンがマザーシートＢＳ１´の下面に印刷される（図１６（Ｂ）参照）。
【００５８】
セラミックシートＳＨ２は、図１７（Ａ）〜図１７（Ｂ）および図１８（Ａ）〜図１８（Ｂ）に示す要領で作製される。まず、磁性のフェライト材料からなるセラミックグリーンシートがマザーシートＢＳ２´として用意される（図１７（Ａ）参照）。ここで、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に延びる複数の破線は切り出し位置を示す。次に、複数の貫通孔ＨＬ２´，ＨＬ２´，…がＸ軸方向に延びる破線に沿ってマザーシートＢＳ２´に形成され（図１７（Ｂ）参照）、ビアホール導体２０ａ，２０ｂ，２２ａまたは２２ｂをなす導電ペーストＰＳ２´が貫通孔ＨＬ２´に充填される（図１８（Ａ）参照）。導電ペーストＰＳ１´の充填が完了すると、線状導体１６，１６，…に相当する導体パターンがマザーシートＢＳ２´の下面に印刷される（図７（Ｂ）参照）。
【００５９】
セラミックシートＳＨ３は、図１９（Ａ）〜図１９（Ｂ）および図２０（Ａ）〜図２０（Ｂ）に示す要領で作製される。まず、磁性のフェライト材料からなるセラミックグリーンシートがマザーシートＢＳ３´として用意される（図１９（Ａ）参照）。ここで、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に延びる複数の破線は切り出し位置を示す。
【００６０】
次に、複数の貫通孔ＨＬ３´，ＨＬ３´，…がＸ軸方向に延びる破線に沿ってマザーシートＢＳ３´に形成され（図１９（Ｂ）参照）、導電ペーストＰＳ３´が貫通孔ＨＬ３´に充填される（図２０（Ａ）参照）。充填された導電ペーストＰＳ３´は、ビアホール導体２０ａ，２０ｂ，２２ａまたは２２ｂをなす。導電ペーストＰＳ３´の充填が完了すると、線状導体１８，１８，…に相当する導体パターンがマザーシートＢＳ３´の上面に印刷される（図２０（Ｂ）参照）。
【００６１】
セラミックシートＳＨ４は、図２１（Ａ）〜図２１（Ｂ）に示す要領で作製される。まず、非磁性のフェライト材料からなるセラミックグリーンシートがマザーシートＢＳ４´として用意される（図２１（Ａ）参照）。ここで、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に延びる複数の破線は切り出し位置を示す。次に、パッド電極１４ｂ，１４ｂ，…に相当する導体パターンが、マザーシートＢＳ４´の上面に印刷される（図２１（Ｂ）参照）。
【００６２】
マザーシートＢＳ１´およびＢＳ２´は、マザーシートＢＳ２´の下面がマザーシートＢＳ１´の上面と対向する姿勢で積層されかつ圧着される（図２２（Ａ）参照）。このとき、各シートの積層位置は、各シートに割り当てられた破線がＺ軸方向から眺めて重なるように調整される。
【００６３】
同様に、マザーシートＢＳ３´およびＢＳ４´は、マザーシートＢＳ３´の上面がマザーシートＢＳ４´の下面と対向する姿勢で積層されかつ圧着される（図２２（Ｂ）参照）。このときも、各シートの積層位置は、各シートに割り当てられた破線がＺ軸方向から眺めて重なるように調整される。
【００６４】
続いて、マザーシートＢＳ１´およびＢＳ２´に基づく積層体の上下方向が反転され、マザーシートＢＳ３´およびＢＳ４´に基づく積層体が追加的に積層されかつ圧着される（図２２（Ｃ）参照）。このとき、マザーシートＢＳ３´の下面はマザーシートＢＳ２´の上面と対向し、各シートに割り当てられた破線がＺ軸方向から眺めて重なるように積層位置が調整される。こうして、厚みが０．４ｍｍ以下に抑えられた生の集合基板が作製される。作製された集合基板は焼成され（図２３（Ａ）参照）、その後に１次スクライビングおよび２次スクライビングを施される（図２３（Ｂ）〜図２３（Ｃ）参照）。
【００６５】
１次スクライビングではＸ軸方向に延びる破線に沿ってスクライバ２６の刃が当てられ、２次スクライビングではＹ軸方向に延びる破線に沿ってスクライバ２６の刃が当てられる。また、１次スクライビングおよび２次スクライビングのいずれにおいても、溝は集合基板の上面に形成される。ただし、１次スクライビングによって形成された溝は非磁性体層１２ｂにまで達する一方、２次スクライビングによって形成された溝は磁性体層１２ａに達するに留まる。スクライビングが完了すると、集合基板は分割ユニット毎にブレイクされ、これによって複数の積層型アンテナ素子１０，１０，…が得られる。
【００６６】
この実施例においても、焼成後の集合基板には、パッド電極１４ａ，１４ｂおよびビアホール導体１６，１８を形成する材料と磁性体層１２ａまたは非磁性体層１２ｂ，１２ｃを形成する材料との間の熱膨張係数の相違に起因する残留応力が発生する。ただし、積層体１２の両主面に形成されたパッド電極１４ａおよび１４ｂは鏡像対称形をなすため、残留応力に起因する集合基板の反りが抑制され、ブレイクによって得られる積層型アンテナ素子１０の薄型化が可能となる。
【００６７】
なお、上述の実施例では、線状導体１６はＹ軸に対して斜め方向に延びる一方、線状導体１８はＹ軸方向に延びる。しかし、線状導体１６および１８がビアホール導体２０ａおよび２０ｂによってコイル状に接続される限り、線状導体１６および１８の延在方向はこの実施例と異なってもよい。
【００６８】
また、上述の実施例では、線状導体１８，１８，…に相当する導体パターンをマザーシートＢＳ３またはＢＳ３´の上面に印刷するようにしている。しかし、線状導体１８に相当する導電パターンは、マザーシートＢＳ４またはＢＳ４´の下面に印刷するようにしてもよい。
【００６９】
さらに、この実施例では、セラミックシートＳＨ２およびＳＨ３を積層して磁性体層１２ａを形成するようにしている。しかし、磁性体層セラミックシートＳＨ２に相当する複数のセラミックシートとセラミックシートＳＨ３とを積層して磁性体層１２ａを形成するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００７０】
１０  …積層型アンテナ素子
ＳＨ１〜ＳＨ４  …セラミックシート
１２  …積層体
１２ａ  …磁性体層
１２ｂ，１２ｃ  …非磁性体層
１６，１８  …線状導体
２０ａ，２０ｂ，２２ａ，２２ｂ  …ビアホール導体
１４ａ，１４ｂ  …パッド電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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