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【手続補正書】
【提出日】平成22年4月12日(2010.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の不純物領域の間にチャネル形成領域を有する半導体領域と、
前記チャネル形成領域上に第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に複数の層と、
前記複数の層上に第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に制御ゲートと、を有し、
前記複数の層は、それぞれ異なる窒化化合物を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】
一対の不純物領域の間にチャネル形成領域を有する半導体領域と、
前記チャネル形成領域上に第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に複数の層と、
前記複数の層上に第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に制御ゲートと、を有し、
前記複数の層は、それぞれ異なる窒化化合物を有し、
前記複数の層の上面の面積が、前記制御ゲートの上面の面積よりも小さく、
前記第２の絶縁層は、前記制御ゲートの端部を超えて延びており、
前記チャネル形成領域と重なる位置に、前記第１の絶縁層、前記複数の層、前記第２の絶縁層、及び前記制御ゲートが積層していることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】
チャネル形成領域と、一対のＬＤＤ領域と、ソース領域と、ドレイン領域と、を有する半導体領域と、
前記チャネル形成領域上に第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に複数の層と、
前記複数の層上に第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に制御ゲートと、を有し、
前記複数の層は、それぞれ異なる窒化化合物を有し、
前記複数の層の上面の面積が、前記制御ゲートの上面の面積よりも小さく、
前記第２の絶縁層は、前記制御ゲートの端部を超えて延びており、
前記制御ゲートは、前記チャネル形成領域及び前記一対のＬＤＤ領域と重なることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記複数の層の少なくとも一つは、電荷蓄積層として機能することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１の絶縁層は酸化珪素層を有し、
前記酸化珪素層及び前記電荷蓄積層の界面、または前記酸化珪素層において、窒素を含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項６】
一対の不純物領域の間にチャネル形成領域を有する半導体領域と、
前記チャネル形成領域上に、酸化物層と窒化物層を有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に複数の層と、
前記複数の層上に第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に制御ゲートと、を有し、
前記複数の層は、それぞれ異なる窒化化合物を有し、
前記複数の層の上面の面積が、前記制御ゲートの上面の面積よりも小さく、
前記第２の絶縁層は、前記制御ゲートの端部を超えて延びていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記複数の層は、窒化ゲルマニウム化合物を含む層を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記窒化ゲルマニウム化合物は、窒化ゲルマニウム、酸素が添加された窒化ゲルマニウム、または酸素及び水素が添加された窒化ゲルマニウムであることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記複数の層は、窒化珪素化合物を含む層を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記窒化珪素化合物は、窒化珪素、酸素が添加された窒化珪素、または酸素及び水素が添加された窒化珪素であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記複数の層の各々は、厚さが１ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記半導体領域は、絶縁表面上の半導体層に設けられていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記半導体領域は、半導体基板に設けられていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月23日(2010.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アナログ回路部と、デジタル回路部とを有し、
前記アナログ回路部は、それぞれ複数の容量素子から構成される複数のブロックを具備する容量部を有し、
前記複数の容量素子の各々は、第１の不純物領域、及び前記第１の不純物領域を挟んで設けられた複数の第２の不純物領域を有する半導体膜と、前記第１の不純物領域の上方に絶縁膜を介して設けられた導電膜とを有し、
前記複数の容量素子は、互いに並列に接続され、
前記複数のブロックにおいて、互いに隣接するブロックに設けられた半導体膜同士の最短の間隔は、２０μｍ以上２００μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
それぞれ複数の容量素子から構成される複数のブロックを具備する容量部を有し、
前記複数の容量素子の各々は、第１の不純物領域、及び前記第１の不純物領域を挟んで設けられた複数の第２の不純物領域を有する半導体膜と、前記第１の不純物領域の上方に絶縁膜を介して設けられた導電膜とを有し、
前記複数の容量素子は、互いに並列に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
それぞれ複数の容量素子から構成される複数のブロックと、第１の配線と、第２の配線とを具備する容量部を有し、
前記複数の容量素子の各々は、第１の不純物領域、及び前記第１の不純物領域を挟んで設けられた複数の第２の不純物領域を有する半導体膜と、前記第１の不純物領域の上方に絶縁膜を介して設けられた導電膜とを有し、
前記複数の容量素子の各々に設けられた前記導電膜は、前記第１の配線を介して互いに電気的に接続され、
前記複数の容量素子の各々に設けられた前記複数の第２の不純物領域は、前記第２の配線を介して互いに電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１の配線は、前記導電膜より抵抗が低い材料で設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３または４において、
前記第１の配線と前記第２の配線は、同一面上に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項２乃至５のいずれか一において、
前記複数のブロックにおいて、互いに隣接するブロックに設けられた半導体膜同士の最短の間隔は、２０μｍ以上２００μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第１の不純物領域及び前記第２の不純物領域は、それぞれｎ型を示す不純物元素またはｐ型を示す不純物元素を含み、
前記第１の不純物領域に含まれる前記不純物元素の濃度は、前記第２の不純物領域に含まれる前記不純物元素の濃度より小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記複数のブロックに設けられた前記複数の容量素子は、互いに並列に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
基板上に複数の半導体膜を有するブロックを複数形成し、
前記複数の半導体膜に第１の不純物元素を導入して第１の不純物領域を形成し、
前記複数の半導体膜を覆うように第１の絶縁膜を形成し、
前記半導体膜の一部を覆うように前記第１の絶縁膜を介して前記複数の半導体膜上にそれぞれ導電膜を選択的に形成し、
前記導電膜をマスクとして前記複数の半導体膜に第２の不純物元素を導入して、前記導電膜と重ならない領域に第２の不純物領域を形成し、
前記複数の半導体膜及び前記導電膜を覆うように第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に、前記導電膜と電気的に接続する第１の配線及び前記第２の不純物領域と電気的に接続する第２の配線とを形成し、
前記第１の配線は、前記複数の半導体膜の上方にそれぞれ形成された前記導電膜が互いに電気的に接続されるように設け、
前記第２の配線は、前記複数の半導体膜にそれぞれ形成された前記第２の不純物領域が互いに電気的に接続されるように設けることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜にレーザー光を照射して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜を選択的にエッチングして、複数の結晶質半導体膜を有するブロックを複数形成し、
前記複数の結晶質半導体膜に第１の不純物元素を導入して第１の不純物領域を形成し、
前記複数の結晶質半導体膜を覆うように第１の絶縁膜を形成し、
前記結晶質半導体膜の一部を覆うように前記第１の絶縁膜を介して前記複数の結晶質半導体膜上にそれぞれ導電膜を選択的に形成し、
前記導電膜をマスクとして前記複数の結晶質半導体膜に第２の不純物元素を導入して、前記導電膜と重ならない領域に第２の不純物領域を形成し、
前記複数の結晶質半導体膜及び前記導電膜を覆うように第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に、前記導電膜と電気的に接続する第１の配線及び前記第２の不純物領域と電気的に接続する第２の配線とを形成し、
前記第１の配線は、前記複数の結晶質半導体膜の上方にそれぞれ形成された前記導電膜が互いに電気的に接続されるように設け、
前記第２の配線は、前記複数の結晶質半導体膜にそれぞれ形成された前記第２の不純物領域が互いに電気的に接続されるように設けることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項９または１０において、
前記第１の配線を、前記導電膜より抵抗が低い材料で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項９乃至１１のいずれか一において、
前記複数のブロックにおいて、互いに隣接するブロックに設けられた半導体膜同士の最短の間隔を２０μｍ以上２００μｍ以下とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月24日(2010.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のレーザー発振器から発振されたレーザー光を分割して第１のレーザー光と第２のレーザー光を形成し、
前記第１のレーザー光をマスク原版を介してホログラム記録手段に照射すると同時に前記第２のレーザー光を前記ホログラム記録手段に照射することによって、前記ホログラム記録手段に干渉縞を形成してホログラム記録媒体を形成し、
第２のレーザー発振器から発振されたレーザー光を前記ホログラム記録媒体により回折して、第３のレーザー光を形成し、
前記第３のレーザー光を素子形成基板上に形成されたレジストに照射し、
前記レジストを現像する工程とを有し、
前記マスク原版として、透光性を有する基板上に、前記レジスト表面の最大高低差以上の膜厚を有する遮光膜が設けられたものを用いることを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記遮光膜として、金属材料、エマルジョン、シリコン、酸化鉄、モリブデンシリサイド又は顔料若しくは染料を含有させた有機物を用いることを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記金属材料としてクロムを用いることを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか１項において、
前記第３のレーザー光の形状は線状であり、
前記第３のレーザー光を一方向に走査し、その際に前記レジスト表面における前記第３のレーザー光の焦点を自動であわせるオートフォーカスを利用して前記レジストに照射することを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか１項において、
前記第３のレーザー光の波長を、前記第１のレーザー光及び前記第２のレーザー光の波長より短くすることを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれか１項において、
前記第１のレーザー発振器及び前記第２のレーザー発振器として、固体レーザー発振器を用いることを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれか１項において、
前記遮光膜の膜厚を０．３μｍ以上１０μｍ以下とすることを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項８】
第１のレーザー発振器から発振されたレーザー光を分割して、第１のレーザー光と第２のレーザー光を形成し、
前記第１のレーザー光をマスク原版を介してホログラム記録手段に照射すると同時に前記第２のレーザー光を前記ホログラム記録手段に照射して、前記ホログラム記録手段に干渉縞を形成する前記ホログラム記録媒体の作製方法であって、
前記ホログラム記録媒体は、素子形成基板上のレジストを露光する際に用いられ、
前記干渉縞は、透光性を有する基板上に、前記レジスト表面の最大高低差以上の膜厚を有する遮光膜を備える前記マスク原版を用いて形成されたものであることを特徴とするホログラム記録媒体の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記遮光膜として、金属材料、エマルジョン、シリコン、酸化鉄、モリブデンシリサイド又は顔料若しくは染料を含有させた有機物を用いることを特徴とするホログラム記録媒体の作製方法。
【請求項１０】
請求項９において、
前記金属材料としてクロムを用いることを特徴とするホログラム記録媒体の作製方法。
【請求項１１】
請求項８ないし請求項１０のいずれか１項において、
前記遮光膜の膜厚を０．３μｍ以上１０μｍ以下とすることを特徴とするホログラム記録媒体の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本実施の形態では、マスク原版１０８として、後に露光を行うレジスト１３０表面に形成されるうねりや凹凸を考慮して作製されたものを用いる。図３においては、マスク原版１０８の遮光膜１０８ｂの膜厚Ｈｃを、レジスト１３０表面の最大高低差ｈｒより大きく、好ましくは、素子形成基板１２９表面の最低位置とレジスト１３０表面の最大位置との差ｈｂｒより大きくする。例えば、遮光膜１０８ｂの膜厚Ｈｃを０．３μｍ以上１０μｍ以下とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
このように、ホログラフィを利用した露光方法において、記録工程に用いるレーザー光の波長を再生工程に用いるレーザー光の波長より長くすることによって、マスク原版のパターンを縮小してレジストに露光することが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2008010845.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月16日(2010.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
また、本発明に係るドラム式冷却装置では、ドラムの内面に、ダムを少なくとも一つ備えることが好ましい。ダムを備えることにより、ドラムの内部で、ドロスの流れが変化して、ドロスとドラムの全体的に十分な接触が達成されると共に、ドロスが十分に攪拌されるようになり、表面から鉛が分離すると共に、鉛を細粒状にし、ドロスを粉状とする効果が十分に得られるようになる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月28日(2010.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）数平均分子量が５００〜５０，０００のポリエチレンイミン（ａ）中のアミノ基に数平均分子量が５００〜５，０００のポリエチレングリコール（ｂ）が結合してなる化合物（Ｘ）、または、
数平均分子量が５００〜５０，０００のポリエチレンイミン（ａ）中のアミノ基に、数平均分子量が５００〜５，０００のポリエチレングリコール（ｂ）と、エポキシ樹脂（ｃ）とが結合してなる化合物（Ｙ）の存在下、水性媒体中で、銀化合物を銀ナノ粒子（Ｚ）に還元する工程、
（２）（１）で得られた、化合物（Ｘ）又は化合物（Ｙ）と、銀ナノ粒子（Ｚ）と、水性媒体との混合物に有機溶剤を加え、その後濃縮する工程、
（３）（２）で得られた濃縮物を乾燥する工程
とを有することを特徴とする銀含有粉体の製造方法。
【請求項２】
前記（２）の工程で得られた濃縮物に、水を加えてから工程（３）の乾燥工程に供するものである請求項１記載の銀含有粉体の製造方法
【請求項３】
前記（３）の乾燥工程が凍結乾燥である請求項１又は２記載の銀含有粉体の製造方法。
【請求項４】
数平均分子量が５００〜５０，０００のポリエチレンイミン（ａ）中のアミノ基に数平均分子量が５００〜５，０００のポリエチレングリコール（ｂ）が結合してなる化合物（Ｘ）、または、
数平均分子量が５００〜５０，０００のポリエチレンイミン（ａ）中のアミノ基に、数平均分子量が５００〜５，０００のポリエチレングリコール（ｂ）と、エポキシ樹脂（ｃ）とが結合してなる化合物（Ｙ）が、
透過型電子顕微鏡写真から求められる平均粒子径が２〜５０ｎｍの銀ナノ粒子（Ｚ）の表面を被覆してなる銀含有粉体であって、
該銀含有粉体中の銀含有率が９５質量％以上であることを特徴とする銀含有粉体。
【請求項５】
示差走査熱量測定で求められる融点が１００〜２００℃の範囲である請求項４記載の銀含有粉体。
【請求項６】
前記銀含有粉体が、乾燥状態では凝集しており、且つ溶剤（Ｉ）の存在下では分散するものである請求項４または５記載の銀含有粉体。
【請求項７】
前記溶剤（Ｉ）が、ヒドロキシ基含有溶剤である請求項６記載の銀含有粉体。
【請求項８】
請求項４〜７の何れか一項に記載の銀含有粉体を溶剤（Ｉ）に分散させてなることを特徴とする銀含有粉体の分散液。
【請求項９】
銀含有粉体の濃度が２０〜６０質量％である請求項８記載の銀含有粉体の分散液。
【請求項１０】
請求項４〜７の何れか一項に記載の銀含有粉体を用いて得られることを特徴とする導電性ペースト。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月26日(2010.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱交換器と、熱交換器から発生する凝縮水を受けるドレンパンと、ドレンパンに溜まったドレン水を排出するドレンポンプを備えた空気調和機において、
前記ドレンパン内に設置され、以下の要素を含む殺菌装置を備えたことを特徴とする空気調和機。
（１）高電圧電極と、前記高電圧電極と所定の間隙を設けて対向配置される接地電極とを対とする少なくとも一対以上の放電電極；
（２）前記放電電極に高電圧パルスを印加する高電圧電源。
【請求項２】
前記放電電極を前記ドレンポンプの近傍に設けると共に、少なくとも前記放電電極の先端部が前記ドレン水に漬かるように設置することを特徴とする請求項１記載の空気調和機。
【請求項３】
前記放電電極を前記ドレンポンプに固定することを特徴とする請求項１又は請求項２記載の空気調和機。
【請求項４】
外郭板金を有する筐体を備え、前記筐体に取り付け穴を開口し、電極設置部材で支持された前記放電電極を前記筐体の前記取り付け穴から、当該空気調和機の据付後に後付けで取り付けられるようにしたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の空気調和機。
【請求項５】
前記電極設置部材を前記筐体にネジ等により固定することを特徴とする請求項４記載の空気調和機。
【請求項６】
前記放電電極は、その先端部が前記ドレン水に浸漬するように、少なくとも前記放電電極の先端部が、前記ドレンポンプの吸込口よりも下方に設置されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の空気調和機。
【請求項７】
当該空気調和機の制御を行う制御部を備え、前記制御部は、冷房運転または除湿運転時に、断続的に前記殺菌装置を動作させることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の空気調和機。
【請求項８】
冷房運転または除湿運転時間に対する前記殺菌装置の動作時間の比率が５０％以上となるように、前記殺菌装置を動作させることを特徴とする請求項７記載の空気調和機。
【請求項９】
当該空気調和機の制御を行う制御部を備え、前記制御部は、冷房運転または除湿運転停止後、一定時間連続して前記殺菌装置を動作させることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の空気調和機。
【請求項１０】
当該空気調和機の制御を行う制御部を備えると共に、前記ドレン水の水位を検知するドレン水位センサーを設け、前記制御部は、前記ドレン水位センサーが一定水位を検知したときに前記殺菌装置を動作させることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の空気調和機。
【請求項１１】
前記高電圧電極と前記接地電極は、モールド樹脂でモールド成型されていることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の空気調和機。
【請求項１２】
前記高電圧電極と前記接地電極は、前記モールド樹脂の一部に形成された係合部により前記ドレンポンプへ固定されることを特徴とする請求項１１記載の空気調和機。
【請求項１３】
前記高電圧電極と前記接地電極とは別体で構成されることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれかに記載の空気調和機。
【請求項１４】
前記高電圧電極と前記接地電極とは一体で構成され、前記高電圧電極と前記接地電極の夫々の先端部は所定の沿面距離を確保した構成とすることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれかに記載の空気調和機。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月2日(2010.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
特許文献２には、オイルダンパーに加わる架構の面外方向の力を逃がすようにしたジョイント部構造が開示されている。しかしながら、仮にこのジョイント部構造をオイルダンパーに適用したとしても、ダンパーストロークの減少には対応できない。
【特許文献１】特開２００５−１４６７１４号公報
【特許文献２】特開２００６−３８１１７号公報
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月7日(2010.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
地盤改良用施工機械における撹拌機構付きバケットの裏面若しくは底部又は前記バケットの回転翼の流動化処理土が付着しない箇所に電気比抵抗センサーを取り付けて施工状況の確認又は良否を判定する流動化処理土の施工管理方法であって、
前記電気比抵抗センサーの出力信号は、有線式又は無線式で、前記施工機械の運転室又は付近の監視室の表示装置に接続されて図表化され、
前記表示装置は、施工断面の深さと奥行の二次元表示と、施工位置の幅をずらした各前記施工断面の二次元表示のスライド表示との可視化表現又は保存機能を有することを特徴とする流動化処理土の施工管理方法。
【請求項２】
前記表示装置は更に、前記施工断面の三次元表示と、前記施工位置の幅をずらした各前記施工断面の三次元表示のスライド表示との可視化表現又は保存機能を有することを特徴とする請求項１記載の流動化処理土の施工管理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月25日(2010.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ平らな矩形状の第１上セグメント、第３上セグメント、第２上セグメント、および第４上セグメントと、それぞれ前記第１上セグメント〜前記第４上セグメントに上下対応して配置される平らな矩形状の第１下セグメント、第３下セグメント、第２下セグメント、および第４下セグメントとを有する隔離プラットホームであって、
前記第１上セグメント〜前記第４上セグメントは、１つの大きな上仮想矩形の４隅に位置し、
前記第１下セグメント〜前記第４下セグメントは、１つの大きな下仮想矩形の４隅に位置し、
前記第１上セグメント〜前記第４上セグメントはそれぞれ下向きに開口する下向凹部を有し、前記第１下セグメント〜前記第４下セグメントはそれぞれ上向きに開口する上向凹部を有し、それぞれ前記下向凹部と前記上向凹部の間には剛性ボール（５０）が収容され、それぞれ前記剛性ボール（５０）は前記上向凹部の上向支承面に対して前記下向凹部の下向支承面が横方向に移動するのを許容するように前記上向支承面に対して前記下向支承面を支承し、
前記第１上セグメントと前記第３上セグメントの互いに向い合う辺同士は、互いに平行で且つ互いに連結され、
前記第２上セグメントと前記第４上セグメントの互いに向い合う辺同士は、互いに平行で且つ互いに連結され、
前記第１上セグメントと前記第２上セグメントの互いに向い合う辺同士は、互いに平行で且つ互いに離間し、よって前記第１上セグメントと前記第２上セグメントの間に隙間領域（９０）が存在し、
前記第３上セグメントと前記第４上セグメントの互いに向い合う辺同士は、互いに平行で且つ互いに離間し、よって前記第３上セグメントと前記第４上セグメントの間に隙間領域（９０）が存在し、
前記第１上セグメントと前記第２上セグメントは、前記上仮想矩形の１辺に位置する第１連結部材（８０）によって互いに連結され、
前記第３上セグメントと前記第４上セグメントは、前記上仮想矩形の前記１辺に平行な第３辺に位置する第３連結部材（８０）によって互いに連結され、
前記第１下セグメントと前記第３下セグメントの互いに向い合う辺同士は、互いに平行で且つ互いに連結され、
前記第２下セグメントと前記第４下セグメントの互いに向い合う辺同士は、互いに平行で且つ互いに連結され、
前記第１下セグメントと前記第２下セグメントの互いに向い合う辺同士は、互いに平行で且つ互いに離間し、よって前記第１下セグメントと前記第２下セグメントの間に隙間領域（９０）が存在し、
前記第３下セグメントと前記第４下セグメントの互いに向い合う辺同士は、互いに平行で且つ互いに離間し、よって前記第３下セグメントと前記第４下セグメントの間に隙間領域（９０）が存在し、
前記第１下セグメントと前記第２下セグメントは、前記下仮想矩形の１辺に位置する第２連結部材（８０）によって互いに連結され、
前記第３下セグメントと前記第４下セグメントは、前記下仮想矩形の前記第３辺に位置する第４連結部材（８０）によって互いに連結されることを特徴とする、隔離プラットホーム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月3日(2010.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電力を消費する第１のモードと、前記第１の電力よりも低い第２の電力を消費する第２のモードとを有する電子機器であって、
前記電子機器に接続されている第１の電池が前記第１の電池の残量を算出する機能を有する第１の残量検出機能付き電池であるか否かを判別し、前記電子機器に接続されている第２の電池が前記第２の電池の残量を算出する機能を有する第２の残量検出機能付き電池であるか否かを判別する判別手段と、
前記第１の電池が前記第１の残量検出機能付き電池であり、かつ、前記第２の電池が前記第２の残量検出機能付き電池である場合、前記第１の電池の残量と前記第２の電池の残量とを比較する比較手段と、
前記電子機器が前記第１のモードから前記第２のモードに変更される場合に、前記第１の電池の残量が前記第２の電池の残量よりも高いときは、前記第１の電池から前記電子機器への電力供給を停止させないようにするとともに、前記第２の電池から前記電子機器への電力供給を停止させるようにする制御手段と、
を有することを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記第１の電池が前記第１の残量検出機能付き電池であり、かつ、前記第２の電池が前記第２の残量検出機能付き電池でない場合に、前記電子機器が前記第１のモードから前記第２のモードに変更されるときは、前記制御手段は、前記第２の電池から前記電子機器への電力供給を停止させないようにするとともに、前記第１の電池から前記電子機器への電力供給を停止させるようにすることを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記第１の電池が前記第１の残量検出機能付き電池でなく、かつ、前記第２の電池が前記第２の残量検出機能付き電池でない場合に、前記制御手段は、前記第１の電池及び前記第２の電池から前記電子機器への電力供給を停止させないようにすることを特徴とする請求項１または２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記電子機器が前記第２のモードである場合であって、前記第１の電池及び前記第２の電池のいずれか一つから電力が前記電子機器に供給される場合に、前記電子機器が前記第２のモードから前記第１のモードに変更されるときは、前記制御手段は、前記第１の電池及び前記第２の電池から前記電子機器への電力供給が行われるようにすることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、電池を使用する電子機器に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、電子機器に接続されている第１の電池及び第２の電池がＦＧ電池である場合に、当該電子機器が低消費電力状態になるときは、当該第１の電池及び第２の電池から並行給電が行われないようにすることを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に係る電子機器は、第１の電力を消費する第１のモードと、前記第１の電力よりも低い第２の電力を消費する第２のモードとを有する電子機器であって、前記電子機器に接続されている第１の電池が前記第１の電池の残量を算出する機能を有する第１の残量検出機能付き電池であるか否かを判別し、前記電子機器に接続されている第２の電池が前記第２の電池の残量を算出する機能を有する第２の残量算出機能付き電池であるか否かを判別する判別手段と、前記第１の電池が前記第１の残量検出機能付き電池であり、かつ、前記第２の電池が前記第２の残量検出機能付き電池である場合、前記第１の電池の残量と前記第２の電池の残量とを比較する比較手段と、前記電子機器が前記第１のモードから前記第２のモードに変更される場合に、前記第１の電池の残量が前記第２の電池の残量よりも高いときは、前記第１の電池から前記電子機器への電力供給を停止させないようにするとともに、前記第２の電池から前記電子機器への電力供給を停止させるようにする制御手段とを有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明によれば、電子機器に接続されている第１の電池及び第２の電池がＦＧ電池である場合に、当該電子機器が低消費電力状態になるときは、当該第１の電池及び第２の電池から並行給電が行われないようにすることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2008220098.tif 000001
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2008220098.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月22日(2010.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影光学系と、該撮像光学系の動作をコントロールする第１の回路及び第２の回路と、第１の動作状態と前記第１の動作状態よりも低い消費電流で動作する第２の動作状態とを有する前記第１の回路に対して電圧を供給する電源回路と、を有する光学機器であって、
前記電源回路は、
前記第１の動作状態にある前記第１の回路に供給される第１の電圧を生成する第１の電源部と、
前記第２の動作状態にある前記第１の回路に供給される、前記第１の電圧と等しい又はそれよりも低い第２の電圧を生成する第２の電源部と、
前記第１の電源部を動作させる第１の電源状態と前記第２の電源部を動作させる第２の電源状態との切り換えを行うとともに、前記第１の動作状態への切り換えを指示する指示信号の前記第１の回路に対する送信とを行う制御部とを有し、
前記制御部は、前記第２の回路からの特定信号の受信に応じて、前記第２の電源状態から前記第１の電源状態への切り換えを行い、該切り換えが完了した後に前記第１の回路に対する前記指示信号の送信を行うことを特徴とする光学機器。
【請求項２】
前記制御部は、前記第２の電源状態から前記第１の電源状態への切り換えが完了するまでの時間の経過を判別し、該時間が経過したと判別したときに前記第１の回路に対する前記指示信号の送信を行うことを特徴とする請求項１に記載の光学機器。
【請求項３】
前記制御部は、前記指示信号として、前記第１の回路との通信を行うためのクロック信号を用い、
前記制御部は、前記第２の電源状態から前記第１の電源状態への切り換えが完了するまでの間の前記クロック信号にマスクをかけて前記第１の回路に対する送信を行うことを特徴とする請求項１に記載の光学機器。
【請求項４】
前記第１及び第２の電源部から前記第１の回路に供給される電圧を検出する電圧検出部を更に有し、
前記第２の電圧は、前記第１の電圧よりも低く、
前記制御部は、前記第２の電源状態から前記第１の電源状態への切り換えによって前記電圧検出部により前記第１の電圧が検出されたことに応じて前記第１の回路に対する前記指示信号の送信を行うことを特徴とする請求項１に記載の光学機器。
【請求項５】
前記第１の回路の最大出力電流は、前記第２の電源部の最大出力電流よりも大きいことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の光学機器。
【請求項６】
前記電源回路は、集積回路に搭載されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の光学機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光学機器
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、複数の電源部から選択的に異なる電圧を出力させる電源回路を有する光学機器に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、通常動作状態と省電力動作状態を有する電気回路系に電圧を供給する電源回路を有する光学機器であって、省電力用電源部を電気回路系の省電力動作状態での消費電力に対して最適に設計でき、より省電力化された光学機器を提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一側面としての光学機器は、撮影光学系と、撮像光学系の動作をコントロールする第１の回路及び第２の回路と、第１の動作状態と該第１の動作状態よりも低い消費電流で動作する第２の動作状態とを有する第１の回路に対して電圧を供給する電源回路とを有する。該電源回路は、第１の動作状態にある第１の回路に供給される第１の電圧を生成する第１の電源部と、第２の動作状態にある第１の回路に供給される、第１の電圧と等しい又はそれよりも低い第２の電圧を生成する第２の電源部と、第１の電源部を動作させる第１の電源状態と第２の電源部を動作させる第２の電源状態との切り換えを行うとともに、第１の回路に対する第１の動作状態への切り換えを指示する指示信号の第１の回路に対する送信とを行う制御部とを有する。そして、制御部は、第２の動作状態にある第１の回路からの特定信号の受信に応じて、第２の電源状態から第１の電源状態への切り換えを行い、該切り換えが完了した後に第１の回路に対する指示信号の送信を行うことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月1日(2010.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
取付対象から遊技機前方への開放が可能とされ、前記取付対象に対して閉鎖状態にある場合に背面部が遊技機前方からの非露出状態となる遊技機本体と、
前記遊技機本体の前面側に設けられるとともに、該遊技機本体から遊技機前方への開放が可能とされ、前記遊技機本体に対して閉鎖状態にある場合に前記遊技機本体の前面部のうち少なくとも一部を非露出状態とする前面扉と
を備えた遊技機において、
線状体を引き出したり引き戻したりする線処理機及び当該線状体が連結される連結体を含んで構成されるロック装置における、前記線処理機又は連結体の一方が前記前面扉に設けられ、
前記前面扉及び前記遊技機本体がいずれも前記閉鎖状態にあり、かつ前記線処理機又は連結体の他方が前記前面扉よりも遊技機後方に配置されていて前記線処理機による線状体の引き出しが禁止された場合に、前記前面扉の開放が規制されるものであることを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記線処理機又は連結体の一方は、前記前面扉の背面部に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】
前記前面扉は一方の端部が開放基端側とされるとともに他方の端部が開放先端側とされており、
前記線処理機又は連結体の一方は、前記前面扉の開放先端側に設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の遊技機。
【請求項４】
前記前面扉は前記遊技機本体に対する閉鎖状態にて施解錠する施錠装置を備えるとともに、その施錠装置は前記前面扉の開放先端側に沿って配設されており、
前記線処理機又は連結体の一方は、前記施錠装置に固定されていることを特徴とする請求項３に記載の遊技機。
【請求項５】
前記線処理機又は連結体の一方は、前記前面扉の角隅部位に配設されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の遊技機。
【請求項６】
前記前面扉には前記連結体が設けられていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の遊技機。
【請求項７】
前記連結体は、遊技機後方へ突出するとともに板面を左右に向けた板状に形成されていることを特徴とする請求項５又は６に記載の遊技機。
【請求項８】
前記遊技機本体には、前記線状体が通される線通路部が形成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の遊技機。
【請求項９】
前記線通路部は、前記前面扉に設けられた前記線処理機又は連結体の一方と対峙する位置に設けられていることを特徴とする請求項８に記載の遊技機。
【請求項１０】
前記前面扉には前記連結体が設けられており、該連結体は、前記線通路部を貫通して遊技機本体の後方へ突出するものであり、さらにその突出部位において前記線状体と連結されるものであることを特徴とする請求項９に記載の遊技機。
【請求項１１】
取付対象から遊技機前方への開放が可能とされ、前記取付対象に対して閉鎖状態にある場合に背面部が遊技機前方からの非露出状態となる遊技機本体と、
前記遊技機本体の前面側に設けられるとともに、該遊技機本体から遊技機前方への開放が可能とされ、前記遊技機本体に対して閉鎖状態にある場合に前記遊技機本体の前面部のうち少なくとも一部を非露出状態とする前面扉と、
前記取付対象に取り付けられ、前記遊技機本体及び前面扉を支持する外枠と
を備えた遊技機において、
線状体を引き出したり引き戻したりする線処理機及び当該線状体が連結される連結体を含んで構成されるロック装置における、前記線処理機が前記前面扉に設けられるとともに連結体が前記外枠に設けられ、
前記前面扉及び前記遊技機本体がいずれも前記閉鎖状態にあり、かつ前記線処理機又は連結体の他方が前記前面扉よりも遊技機後方に配置されていて前記線処理機による線状体の引き出しが禁止された場合に、前記前面扉の開放が規制されるものであることを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月1日(2010.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各種遊技部品が前面部に設けられた遊技機本体と、
前記遊技機本体の前面側に設けられるとともに、該遊技機本体から遊技機前方への開放が可能とされ、前記遊技機本体に対して閉鎖状態にある場合に前記遊技機本体の前記前面部のうち少なくとも一部を非露出状態とする前面扉と
を備えた遊技機において、
前面扉に、規制部材の取り付けが可能な扉側取付体を設け、
前記前面扉が閉鎖状態にあり、かつ前記遊技機本体の背面側にて前記規制部材が前記扉側取付体に取り付けられた場合に、前記前面扉の前記遊技機本体に対する開放が規制される構成としたことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記扉側取付体を前面扉の背面部に設けたことを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】
前記前面扉は一方の端部が開放基端側とされるとともに他方の端部が開放先端側とされており、
前記扉側取付体は、前面扉の開放先端側に設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の遊技機。
【請求項４】
前記前面扉は前記遊技機本体に対する閉鎖状態にて施解錠する扉施錠装置を備えるとともに、その扉施錠装置は前記前面扉の開放先端側に沿って配設されており、
前記扉側取付体は、前記扉施錠装置に固定されていることを特徴とする請求項３に記載の遊技機。
【請求項５】
前記扉側取付体は、前記前面扉の角隅部位に配設されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の遊技機。
【請求項６】
前記扉側取付体は、遊技機後方へ突出するとともに板面を左右に向けた板状に形成されていることを特徴とする請求項５に記載の遊技機。
【請求項７】
前記遊技機本体に設けられ、前記前面扉の前記遊技機本体に対する閉鎖状態において扉側取付体と当接又は近接し、かつ規制部材が、扉側取付体とともに取り付けられる本体側取付体を備えたことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の遊技機。
【請求項８】
前記前面扉は一方の端部が開放基端側とされるとともに他方の端部が開放先端側とされており、
前記本体側取付体は、前記遊技機本体における前面扉の開放先端側に対応する側に設けられていることを特徴とする請求項７に記載の遊技機。
【請求項９】
前記本体側取付体は、前記扉側取付体よりも、前記遊技機本体における前面扉の開放基端側に対応する位置に設けられていることを特徴とする請求項８に記載の遊技機。
【請求項１０】
各種遊技部品が前面部に設けられた遊技機本体と、
前記遊技機本体の前面側に設けられるとともに、該遊技機本体から遊技機前方への開放が可能とされ、前記遊技機本体に対して閉鎖状態にある場合に前記遊技機本体の前記前面部のうち少なくとも一部を非露出状態とする前面扉と
を備えた遊技機において、
前面扉に扉側部材を設け、
前記扉側部材には、前記前面扉が閉鎖状態にある場合に前記扉側部材を位置保持させる規制部材を取り付ける取付部が設けられていることを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月12日(2010.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電気部品を中継する所定の基板を備える遊技機において、
前記基板は、その少なくとも一部を露出させた状態で、その取り外しが制限されていることを特徴とする遊技機。
【請求項２】
遊技球が流下する遊技領域が前面に形成された遊技盤と、
前記遊技盤の遊技領域に形成され遊技球が入賞可能な入賞口と、
前記入賞口へ入賞した遊技球を検出する入賞検出スイッチと、
前記入賞検出スイッチによる検出信号が入力されることに応じて遊技者への特典の付与に関する制御を行う制御基板と、
前記制御手段を収容する基板ボックスと、
前記基板ボックスを封印する封印手段と、
複数のコネクタ接続部が配設され、該複数のコネクタ接続部に対し、前記制御基板に接続される第１ハーネスのコネクタ、及びその他の電気部品に接続される第２ハーネスのコネクタをそれぞれ接続可能な中継基板と、
前記中継基板がその表面を露出させた状態で取り付けられる取付台座と、
を備える遊技機において、
前記取付台座から前記中継基板が取り外される方向に配置されるカバー部材と、
前記カバー部材及び前記取付台座の相対位置を固定する封止手段と、
を備え、
前記カバー部材は、前記取付台座から前記中継基板を取り外す方向に配設されるものであって、前記封止手段が封止状態とされた場合に、前記第１ハーネスのコネクタとコネクタ接続部との接続状態が解除される行為を制限しつつ、前記第２ハーネスのコネクタとコネクタ接続部との接続状態が解除される行為については許容するように構成されていることを特徴とする遊技機。
【請求項３】
前記封止手段は、前記カバー部材における封止部と、前記取付台座及び前記中継基板とは異なる他部材における封止部と、各封止部を連結させる封止部材とを含む請求項２に記載の遊技機。
【請求項４】
前記カバー部材及び前記他部材の相対位置が、前記取付台座を前記中継基板の基板面方向における前後方向に挟み込んだ状態で固定される請求項３に記載の遊技機。
【請求項５】
前記取付台座は、前記中継基板をその表面を露出させた状態で収納する凹部を備え、
前記カバー部材は、前記中継基板の正面に対向する底壁と、前記取付部材の凹部を外側から挟み込む両側壁とを有する凹部を備え、
前記他部材は、前記カバー部材を前記両側壁の外側から挟み込んだ状態とされる請求項４に記載の遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月16日(2010.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転機器の回転数測定装置であって、
前記回転機器の１回転毎に等位相差のＭ個（Ｍは２以上の整数）の回転位置を示す位置信号を出力する位置センサと、
基準クロック信号を生成するクロック信号生成部と、
前記基準クロック信号のパルス数をカウントするためのカウンタと、
順次発生する２つの前記位置信号の間の期間のうちで前記基準クロック信号のパルス数をカウントすべき計測期間と、前記２つの位置信号の間の全期間との比を示す期間係数を設定するとともに、前記計測期間において前記カウンタに前記基準クロック信号のパルス数をカウントさせる計測期間設定部と、
前記基準クロック信号の周波数と、前記整数Ｍと、前記期間係数と、前記計測期間において前記カウンタで得られたカウント値とに基づいて、前記回転機器の回転数を算出する演算部と、
を備え、
前記計測期間設定部は、
前記計測期間において得られた前記カウント値が所定の上限値を超えたか否かを判定する比較部と、
前記カウント値が前記上限値を超えた場合に前記期間係数を減小させる期間係数変更部と、
を含む、回転数測定装置。
【請求項２】
請求項１記載の回転数測定装置であって、
前記比較部は、さらに、前記計測期間において得られた前記カウント値が所定の下限値未満か否かを判定し、
前記期間係数変更部は、前記カウント値が前記下限値未満の場合に前記期間係数を増大させる、回転数測定装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の回転数測定装置であって、
前記期間係数変更部は、
前記期間係数の複数の値を大きさ順に予め格納したテーブルを有し、前記テーブルから前記期間係数の１つの値を選択的に読み出して使用しており、
前記カウント値が前記上限値を超えた場合又は前記下限値未満となった場合に、前記テーブルから読み出される前記期間係数の値を次の値に変更する、回転数測定装置。
【請求項４】
請求項１記載の回転数測定装置であって、
前記計測期間設定部は、
前記計測期間において得られた前記カウント値が所定の上限値を超えたか否かを判定する比較部と、
前記カウント値が前記上限値を超えた場合に前記基準クロック信号の周波数を増大させる周波数変更部と、
を含む、回転数測定装置。
【請求項５】
請求項４記載の回転数測定装置であって、
前記比較部は、さらに、前記計測期間において得られた前記カウント値が所定の下限値未満か否かを判定し、
前記周波数変更部は、前記カウント値が前記下限値未満の場合に前記基準クロック信号の周波数を減小させる、回転数測定装置。
【請求項６】
請求項４又は５記載の回転数測定装置であって、
前記周波数変更部は、
前記基準クロック信号の周波数を規定するための複数の周波数値を大きさ順に予め格納したテーブルを有し、前記テーブルから前記周波数値の１つの値を選択的に読み出して使用しており、
前記カウント値が前記上限値を超えた場合又は前記下限値未満の場合に、前記テーブルから読み出される前記周波数値を次の値に変更する、回転数測定装置。
【請求項７】
回転機器の回転数測定方法であって、
（ａ）前記回転機器の１回転毎に等位相差のＭ個（Ｍは２以上の整数）の回転位置を示す位置信号を生成する工程と、
（ｂ）基準クロック信号を生成する工程と、
（ｃ）順次発生する２つの前記位置信号の間の期間のうちで前記基準クロック信号のパルス数をカウントすべき計測期間と、前記２つの位置信号の間の全期間との比を示す期間係数を設定する工程と、
（ｄ）前記計測期間において前記基準クロック信号のパルス数をカウントする工程と、
（ｅ）前記基準クロック信号の周波数と、前記整数Ｍと、前記期間係数と、前記計測期間において得られたカウント値とに基づいて、前記回転機器の回転数を算出する工程と、
を備え、
前記工程（ｄ）は、
前記計測期間において得られた前記基準クロック信号のパルス数のカウント値が所定の上限値を超えたか否かを判定する工程と、
前記カウント値が前記上限値を超えた場合に前記期間係数を減小させる工程と、
を含む、回転数測定方法。
【請求項８】
請求項１記載の回転数測定装置を備えるモータ。
【請求項９】
請求項８記載のモータを備える装置。
【請求項１０】
請求項９記載の装置であって、
前記装置は携帯機器である、装置。
【請求項１１】
請求項９記載の装置であって、
前記装置はプロジェクタである、装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するために、以下の形態を取ることが可能である。
本発明の一形態としての装置は、回転機器の回転数測定装置であって、
前記回転機器の１回転毎に等位相差のＭ個（Ｍは２以上の整数）の回転位置を示す位置信号を出力する位置センサと、
基準クロック信号を生成するクロック信号生成部と、
前記基準クロック信号のパルス数をカウントするためのカウンタと、
順次発生する２つの前記位置信号の間の期間のうちで前記基準クロック信号のパルス数をカウントすべき計測期間と、前記２つの位置信号の間の全期間との比を示す期間係数を設定するとともに、前記計測期間において前記カウンタに前記基準クロック信号のパルス数をカウントさせる計測期間設定部と、
前記基準クロック信号の周波数と、前記整数Ｍと、前記期間係数と、前記計測期間において前記カウンタで得られたカウント値とに基づいて、前記回転機器の回転数を算出する演算部と、
を備え、
前記計測期間設定部は、
前記計測期間において得られた前記カウント値が所定の上限値を超えたか否かを判定する比較部と、
前記カウント値が前記上限値を超えた場合に前記期間係数を減小させる期間係数変更部と、
を含む。
この装置によれば、２つの位置信号の間の全期間のうちの計測期間においてカウンタによるパルス数のカウントを行うので、全期間においてカウントを行う場合に比べて短時間で測定を完了することが可能である。また、カウント値が上限値を超えたときに期間係数を減小させるので、カウント値のオーバーフロー等による測定精度の悪化を防止できる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月18日(2010.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
三次元的に成型した合成樹脂材から成る樹脂プレート上に金属箔から成る回路パターンを載置した複数枚の回路基板を積層し、これらの回路基板の所定個所に前記積層した回路基板に共通の端子挿通孔を形成し、前記任意の層の回路基板の前記端子挿通孔に金属製の略円筒状の受端子を取り付け、該受端子に付設したタブを当該回路基板の前記回路パターンに接続し、前記共通の端子挿通孔にピン状の挿入端を有する挿入端子を挿通し、前記受端子を介して該当の前記回路基板の各層の前記回路パターンを電気的に導通することを特徴とする回路基板を用いたジョイントボックス。
【請求項２】
前記受端子のタブは前記回路パターンに溶着により接続した請求項１に記載の回路基板を用いたジョイントボックス。
【請求項３】
三次元的に成型した合成樹脂材から成る樹脂プレート上の必要個所に端子挿通孔を形成し、前記樹脂プレート上に所定形状に打ち抜いた金属箔から成る回路パターンを載置し、前記端子挿通孔に該当する前記回路パターンにピン状の挿入端を挿し込むための切込部を設けると共に、対応する前記端子挿通孔に金属製の略円筒状の受端子を嵌合した複数枚の回路基板を積層し、前記端子挿通孔に前記挿入端を挿通し、前記受端子を介して前記挿入端と前記回路基板の各層の前記回路パターンとを電気的に導通することを特徴とする回路基板を用いたジョイントボックス。
【請求項４】
前記積層した回路基板同士は互いに嵌合し得る凹凸部を有することを特徴とする請求項項１〜３の何れか１つの請求項に記載の回路基板を用いたジョイントボックス。
【請求項５】
前記挿入端子は下部を前記挿入端とし、上部を他の接続端子と嵌合する接続端としたことを特徴とする請求項１〜３の何れか１つの請求項に記載の回路基板を用いたジョイントボックス。
【請求項６】
前記挿入端は断面角型としたことを特徴とする請求項５に記載の回路基板を用いたジョイントボックス。
【請求項７】
前記挿入端子は取付孔を有する合成樹脂ブロックに取り付け、前記挿入端子の挿入端と接続端との間の中間部を合成樹脂ブロックに固定し、前記挿入端を前記回路基板の端子挿通孔にまとめて挿入することを特徴とする回路基板を用いた請求項５又は６に記載の回路基板を用いたジョイントボックス。
【請求項８】
前記合成樹脂ブロックの底部に下方を向くアンカピンを形成し、該アンカピンを前記回路基板の積層体に設けたアンカピン用孔部に挿通し、前記積層体の反対側に突出した端部を溶融することにより前記積層体を固定することを特徴とする請求項５〜７の何れか１つの請求項に記載の回路基板を用いたジョイントボックス。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月8日(2010.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
永久磁石同期モータ（以下、モータという）の回転子の回転速度を推定する第１の速度推定手段を備え、その第１の速度推定手段の推定によって得られる第１推定回転速度が速度指令に追従するように前記モータを制御するモータ制御装置において、
前記第１の速度推定手段と算出式の異なる推定方式を用いて前記回転子の回転速度を推定する第２の速度推定手段と、
前記第２の速度推定手段の推定によって得られる第２推定回転速度と、前記第１推定回転速度または前記速度指令と、を比較して脱調を検出する脱調検出手段と、を備えた
ことを特徴とするモータ制御装置。
【請求項２】
前記脱調検出手段は、前記第２推定回転速度と、前記第１推定回転速度または前記速度指令と、の比または偏差に基づいて脱調を検出する
ことを特徴とする請求項１に記載のモータ制御装置。
【請求項３】
モータと、
前記モータを駆動するインバータと、
前記インバータを制御することにより前記モータを制御する請求項１〜請求項２の何れかに記載のモータ制御装置と、を備えた
ことを特徴とするモータ駆動システム。