(57)【要約】  低エネルギー変調磁場による、物質構造への衝撃付与システムおよび方法であって、低エネルギー変調磁場の生成システムは、専用のソフトウェアを有する制御モジュール１と、該モジュールに双方向に接続された変調装置２と、該モジュールに双方向に接続された変調磁場源３と、を備え、変調装置２は、その一部が変調磁場源３に接続されており、また、互いに接続された、正弦波変調信号発生器またはシンセサイザー４、デジタルアナログ変換器（ＤＡＣ）５、および、増幅器６を備え、変調磁場源３は、磁心を有する少なくともひとつのソレノイドまたはソレノイド群を備える。低エネルギー変調磁場による、物質構造への衝撃付与のための方法は、以下の手順を含む。  −  低エネルギー変調磁場による衝撃対象の決定と、  −  １−１０Ｈｚから１２０Ｈｚの周波数範囲における、具体的対象物の特性に応じた変調エネルギーの分析および算出と、  −  衝撃領域７を生成するための具体的な変調信号パラメータの生成、保存、および、再生と、  −  衝撃領域７における低エネルギー変調磁場による具体的対象物への衝撃の付与。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
低エネルギー変調磁場の生成システムであって、
専用のソフトウェアを有する制御モジュール（１）と、
該モジュールに双方向に接続された変調装置（２）と、
該モジュールに双方向に接続された変調磁場源（３）と、
を備え、
前記変調装置（２）は、その一部が前記変調磁場源（３）に接続されており、また、互いに接続された、正弦波変調信号発生器またはシンセサイザー（４）、デジタルアナログ変換器（ＤＡＣ）（５）、および、増幅器（６）を備え、
前記変調装置（２）は、磁心を有する少なくともひとつのソレノイドからなる変調磁場源（３）に接続されていることを特徴とする低エネルギー変調磁場を生成するためのシステム。
【請求項２】
前記変調磁場源は、磁心を有しない少なくともひとつのソレノイドからなる、請求項１に記載の低エネルギー変調磁場の生成システム。
【請求項３】
低エネルギー変調磁場による、物質構造への衝撃付与方法であって、以下の手順を含む方法。
−  低エネルギー変調磁場による衝撃対象の決定と、
−  １−１０Ｈｚから１２０Ｈｚの周波数範囲における、具体的対象物の特性に応じた変調エネルギーの分析および算出と、
−  衝撃領域（７）を生成するための具体的な変調信号パラメータの生成、保存、および、再生と、
−  衝撃領域（７）における低エネルギー変調磁場による具体的対象物への衝撃の付与。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、溶液および他の物質媒体における、化学的および物理的処理の実施にかかる制御された低エネルギー衝撃付与状態を作るシステムおよび方法に関し、産業における用途を見出すものである。
【背景技術】
【０００２】
通信、生態学、および、医療等の異なる産業分野における多くの処理において、電磁場による衝撃付与システムおよび方法が知られている。強烈な液体流の測定、異なる機械部品の生産における欠陥の検出、種々の疾患および奇形の診断ならびに治療、トラウマの治療、および医療におけるリハビリのための低周波数および高周波数を生成させるのに、異なる電力を有する電磁場がしばしば用いられる。
【０００３】
また、アイソトープを得るための粒子加速器および異なる目的を意図したセンサの製造、輸送機構の動き、磁気ベアリングの生産にも磁場が用いられ、これらは、回転部品の形状等を安定させるためのサーボスタビライザー電子システム複合体を表す。
【０００４】
サイクロトロン、ベータトロン、マイクロトロン、線形加速器等の基礎および応用研究のための科学において、磁場および電磁場の用途に基づき、異なるシステムおよび方法が用いられる。これらすべてのシステムと装置およびこれらに類似するシステムと装置は、ミクロおよびマクロのレベルで起こる処理を学ぶのに役立つ。
【発明の概要】
【０００５】
本発明は、低エネルギー変調磁場による、液体および固体媒体内の電荷移動の予め選択された物理的および化学的処理での衝撃付与システムおよび方法を創出することを目的とする。
【０００６】
本発明の課題は、本発明の主題である、低エネルギー変調磁場による、物質の状態および電荷交換への衝撃付与システムおよび方法によって解決される。低エネルギー変調磁場の生成システムは、専用のソフトウェアを有する制御モジュールと、該モジュールに双方向に接続された変調装置と、該モジュールに双方向に接続された変調磁場源と、を備える。変調装置は、その一部が変調磁場源に接続されており、また、互いに接続された、正弦波変調信号発生器またはシンセサイザー、デジタルアナログ変換器（ＤＡＣ）、および、増幅器を備える。変調磁場源は、磁心を有する少なくともひとつのソレノイドを備える。
【０００７】
本発明の実施形態によれば、低エネルギー変調磁場の生成システムの変調磁場源は、磁心を有しない少なくともひとつのソレノイドからなる。
【０００８】
低エネルギー変調磁場による、物質の状態および電荷交換への衝撃付与方法は、以下の手順で実現される。
−  低エネルギー変調磁場による衝撃対象の決定と、
−  １−１０Ｈｚから１２０Ｈｚの周波数範囲における、具体的対象物の特性に応じた変調エネルギーの分析および算出と、
−  衝撃領域を生成するための具体的な変調信号パラメータの生成、保存、および、再生と、
−  衝撃領域における低エネルギー変調磁場による具体的対象物への衝撃の付与。
【０００９】
本発明のシステムおよび方法は、物質内の電荷交換の加速または減速を選択することを可能にし、初期原料をより完全に活用することにより、効率的且つ低価格の製品のための有利な状況を提供するものである。制御を実施し、物質媒体における異なる物質の利用性および中身を決定することができる。
【００１０】
科学分野においては、低エネルギーレベル下での物質対象の一方から他方へのエネルギーおよび情報転送による物質変化、予めプログラム化された特性を有する新しい物質の生成、予め設定されたパラメータを有する製品、既存の技術の生成および開発のプロセスを学ぶ機会が与えられる。
【００１１】
本発明のシステムおよび方法は、空気触媒浄化および水浄化プロセスのための生態学における幅広い用途を見出すものである。医療においては、診断、治療、および、リハビリ用の新しい製品および治療法の研究、ならびに開発に適用される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
低エネルギー変調磁場による、物質の電荷交換および状態への衝撃付与システムおよび方法を以下の図面で説明するが、これらに限定されない。
【００１３】
【図１】低エネルギー変調磁場の生成システムの主な原理図である。
【図２】磁心を有するソレノイドが変調磁場源として用いられる、システムの例示的な実施形態を示す図である。
【図３】ガルバニック対上の低エネルギー変調磁場による、物質の電荷交換および状態への衝撃付与システムおよび方法の例示的な実施形態を示す図である。
【図４】コンデンサ上の低エネルギー変調磁場による、衝撃付与システムおよび方法の例示的な実施形態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
図１によれば、低エネルギー変調磁場の生成システムは、専用のソフトウェアを有する制御モジュール１と、該モジュールに双方向に接続された変調装置２と、該モジュールに双方向に接続された変調磁場源３と、を備える。変調装置２は、その一部が変調磁場源３に接続されており、また、互いに接続された、正弦波変調信号発生器またはシンセサイザー４、デジタルアナログ変換器（ＤＡＣ）５、および、増幅器６を備える。変調磁場源３は、磁心を有する少なくともひとつのソレノイドまたはソレノイド群を備える。
【００１５】
制御装置１は、プロセスを時間的に制御するように構成されている。正弦波変調信号発生器またはシンセサイザー４は、衝撃対象に関し１−１０Ｈｚから１２０Ｈｚの周波数範囲で予め設定された特性パラメータを有する。その一方で、発生した正弦波信号は、デジタルアナログ変換器（ＤＡＣ）５に転送される。シンセサイザー４によって生成され、且つ、デジタルアナログ変換器５に転送される変調信号は、衝撃対象の用途またはサイズに応じて、増幅器６によって増幅することができる。
【００１６】
変調磁場源３は、磁心を有する少なくともひとつのソレノイドまたはソレノイド群からなる。これらの磁心は、予め設定されたトポロジーを有する永久磁場を生成する。
【００１７】
本発明の実施形態によれば、変調磁場源３は、磁心を有しない少なくともひとつのソレノイドまたはソレノイド群であってもよい。磁心が使用されない場合、変調は、電流に直接加えられ、これによって電磁場が生成される。
【００１８】
低エネルギー変調磁場による、物質構造への衝撃付与方法は、以下の手順を含む。
−  低エネルギー変調磁場による衝撃対象の決定と、
−  １−１０Ｈｚから１２０Ｈｚの周波数範囲における、具体的対象物の特性に応じた変調エネルギーの分析および算出と、
−  衝撃領域７を生成するための具体的な変調信号パラメータの生成、保存、および、再生と、
−  低エネルギー変調磁場による具体的対象物への衝撃の付与。
【００１９】
図２によれば、低エネルギー変調磁場の生成システムは、正弦波信号シンセサイザー４およびデジタルアナログ変換器５を備える変調装置２と、磁心を有するソレノイドまたはソレノイドシステムを備える変調磁場源３とからなる。
【００２０】
本発明の他の実施形態によれば、図２ａは、低エネルギー変調磁場による衝撃付与システムの概略図を示しており、ソレノイドにおける永久磁石が、反対電荷の磁極で対向して配置されている。
【００２１】
本発明の他の実施形態によれば、図２ｂは、低エネルギー変調磁場による衝撃付与システムの概略図を示しており、ソレノイドにおける永久磁石が、同等電荷の磁極で対向して配置されている。
【００２２】
低エネルギー変調磁場による、物質の電荷交換および状態への衝撃付与のための本発明のシステムおよび方法を、以下の実施例によって説明かつ例示するが、これらに限定されるものではない。
【００２３】
（実施例１）
外部の電流量および電流方向に応じて電極電位が変化することは、先行技術文献において周知である。電極を介して流れる電流によって生じる電位の変化が、分極と呼ばれていることは知られている。特定のシステム内の電流は、光、電磁衝撃、または、放射露光等の外部の物理的衝撃下においても流れることができる。  
【００２４】
図３によれば、本実施例では、ガルバニック素子が用いられる。該ガルバニック素子は、同等の幾何学的大きさを有するひとつの亜鉛電極と、ひとつの鉄電極とからなり、１８％硫酸溶液の容器に浸される。電流が流れない、すなわち、開回路による亜鉛電極と鉄電極との間の電位差は、５２９ｍＶである。変調電磁場源３が２つのソレノイドからなる上述のシステムによって生成される上記と同じガルバニック素子を、衝撃領域７内の変調電磁場の衝撃下に置いた場合、開回路による電位差は５１７ｍＶになる。変調周波数は、３５〜３６ｋＨｚで、電力は、２００ｍＶである。
【００２５】
実験は繰り返し行われるが、その一方で、亜鉛電極および鉄電極の両電極が、最小抵抗の導電体によってショートする。この状況では、変調磁場による衝撃付与はなく、亜鉛電極と鉄電極との間の電位差は４５０μＶになり、変調磁場による衝撃付与がない両電極間を流れる最大腐食電流は、９．５μＡである。前記ガルバニック素子を衝撃領域７内の変調電磁場の衝撃下に置いた場合、両電極間の電位差は、２００μＶになる。その一方で、変調磁場による衝撃付与がない両電極間を流れる最大腐食電流は、３μＡになる。
【００２６】
（実施例２）
コンデンサが一時的なエネルギー貯蔵のための受動電子素子の代表例であり、静電場が、コンデンサの両電極間に電位差がある場合の誘電体において生じることは知られている。コンデンサは、所定の時間異なるエネルギー量で効率的に荷電し、且つ、エネルギーを各電極それぞれに長時間貯蔵することを容易にする、とされている。
【００２７】
図４に係る本実施例の目的のために、初期異極性を備える２つの新しい電解コンデンサが選ばれる。異極性を見つけるために、デジタル電圧計が用いられ、異極性は、正極コンデンサと負極コンデンサとの間で測定された負電位によって表される。コンデンサの容量は、測定されず、電極はショートしなかった。
【００２８】
一方のコンデンサは、制御コンデンサとして用いられる。制御コンデンサは、パソコンに接続されたデジタル電圧計に繋がれる。変調磁場による衝撃は、制御コンデンサに付与されない。他方のコンデンサは、変調磁場を有する衝撃領域７に置かれる。その一方で、他方のコンデンサの電位は、ＰＣ電圧計に接続することによって、継続的に測定される。２つのソレノイドを備える変調磁場源３を含むシステムによって生成される、専用の変調磁場による衝撃は、他方のコンデンサに付与される。変調周波数は、３５〜３６ｋＨｚで、電力は、２００ｍＷである。
【００２９】
制御コンデンサは、その負極性を変えない、ということが実験中に判明した。変調磁場による衝撃下のコンデンサは、＋２ｍＶ／ｈの値で徐々に荷電される。これによって、初期に測定された電位に応じて、数時間内にその極性が正方向に転換される。実験中、デジタル測定機器のみが用いられる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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