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【手続補正書】
【提出日】平成22年10月12日(2010.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
α−ＮａＦｅＯ２型結晶構造を有するリチウム遷移金属複合酸化物の固溶体を含むリチウム二次電池用活物質であって、前記固溶体が含有するリチウム元素及び遷移金属元素の組成比が、組成式Ｌｉ１＋１／３ｘＣｏ１−ｘ−ｙＮｉｙ／２Ｍｎ２ｘ／３＋ｙ／２（ｘ＋ｙ≦１、０≦ｙ、且つ、１／３＜ｘ≦２／３）を満たすことを特徴とするリチウム二次電池用活物質。
【請求項２】
α−ＮａＦｅＯ２型結晶構造を有するリチウム遷移金属複合酸化物の固溶体を含むリチウム二次電池用活物質であって、前記固溶体が含有するリチウム元素及び遷移金属元素の組成比が、組成式Ｌｉ１＋ｐＣｏａＮｉｂＭｎｃ（ａ≧０、ｂ≧０、ｃ＞０）において、２ａ＋ｂ＋３ｃの値が２（誤算範囲±０．１）であり、α＝ａ＋２ｂとしたとき、ｐの値が（１−α）×１／３（誤差範囲±０．１）であって、１−αの値が１／３を超え２／３以下であることを特徴とするリチウム二次電池用活物質。
【請求項３】
前記リチウム遷移金属複合酸化物の固溶体は、ＣｕＫα線を用いたエックス線回折測定を行ったときに、２０〜３０°付近に、Ｌｉ［Ｌｉ１／３Ｍｎ２／３］Ｏ２型の単斜晶にみられる回折ピークが観察されることを特徴とする請求項１又は２に記載のリチウム二次
電池用活物質。
【請求項４】
４．３Ｖ(vs.Li/Li+）以下の電位領域において放電可能な電気量を２００ｍＡｈ／ｇ以上とすることができる請求項１〜３のいずれかに記載のリチウム二次電池用活物質。
【請求項５】
溶媒中でＣｏ，Ｎｉ及びＭｎを含有する水酸化物を共沈させて前駆体を作製し、前記前駆体とリチウム化合物を混合、焼成する工程を経て前記リチウム遷移金属複合酸化物の固溶体を作製することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のリチウム二次電池用活物質の製造方法。
【請求項６】
正極が請求項１〜４のいずれかに記載のリチウム二次電池用活物質を含むリチウム二次電池。
【請求項７】
充電時の正極の最大到達電位が４．３Ｖ(vs.Li/Li+）以下である充電方法が採用される請求項６記載のリチウム二次電池を製造するための製造方法であって、４．３Ｖ(vs.Li/Li+）を超え４．８Ｖ以下(vs.Li/Li+）の正極電位範囲に出現する電位変化が比較的平坦な領域に少なくとも至る充電を行う工程を含むことを特徴とするリチウム二次電池の製造方法。
【請求項８】
前記ｘの値が０．４５≦ｘ≦０．６である請求項１又は請求項３〜７のいずれかに記載のリチウム二次電池用活物質。
【請求項９】
前記１−αの値が０．４５以上０．６以下である請求項２〜７のいずれかに記載のリチウム二次電池用活物質。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
本発明を実施する便のため、式の変形を行う。即ち、組成式Ｌｉ１＋ｐＣｏａＮｉｂＭｎｃと置くと、関係式２ａ＋ｂ＋３ｃ＝２（ａ≧０、ｂ≧０、ｃ＞０）が得られると共に、ａ＋２ｂ＝αと置くと、ｐ＝（１−α）×１／３が得られる。そして、条件１／３＜ｘ≦２／３から条件式１／３＜１−α≦２／３が導かれる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
ここに、本発明は、α−ＮａＦｅＯ２型結晶構造を有するリチウム遷移金属複合酸化物の固溶体を含むリチウム二次電池用活物質であって、前記固溶体が含有するリチウム元素及び遷移金属元素の組成比が、組成式Ｌｉ１＋ｐＣｏａＮｉｂＭｎｃ（ａ≧０、ｂ≧０、ｃ＞０）において、２ａ＋ｂ＋３ｃの値が２（誤算範囲±０．１）であり、α＝ａ＋２ｂとしたとき、ｐの値が（１−α）×１／３（誤差範囲±０．１）であって、１−αの値が１／３を超え２／３以下であることを特徴とするリチウム二次電池用活物質である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
ここで、ＬｉＣｏＯ２粉末とＬｉＮｉ１／２Ｍｎ１／２Ｏ２粉末とＬｉ［Ｌｉ１／３Ｍｎ２／３］Ｏ２粉末との単なる混合物のみからなるものは、本発明に係るリチウム二次電池用活物質が含有する前記「固溶体」には含まれない。これらの３つの材料の単品は、エックス線回折測定を行った場合に観察される各単品に対応するピーク位置がそれぞれ異なるため、これらの単なる混合物についてエックス線回折測定を行うと、それぞれの単品に対応する回折パターンが得られる。しかし、本発明に係るα−ＮａＦｅＯ２型結晶構造を有するリチウム遷移金属複合酸化物の固溶体は、少なくともＬｉ［Ｌｉ１／３Ｍｎ２／３］Ｏ２の一部がＬｉＣｏＯ２及び／又はＬｉＮｉ１／２Ｍｎ１／２Ｏ２と固溶している。１／３＜ｘ≦２／３を満たすものであっても、Ｌｉ［Ｌｉ１／３Ｍｎ２／３］Ｏ２が全くＬｉＣｏＯ２及び／又はＬｉＮｉ１／２Ｍｎ１／２Ｏ２と固溶していない場合は、放電容量の大きなリチウム電池とすることができるという本発明の効果が奏されない。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
表１に、実施例及び比較例に係るリチウム二次電池に用いた正極活物質の組成を示す。ここで、実施例１〜８の組成は、組成式Ｌｉ１＋１／３ｘＣｏ１−ｘ−ｙＮｉｙ／２Ｍｎ２ｘ／３＋ｙ／２を満たし、且つ、ｘの値が１／３＜ｘ≦２／３の範囲を満たすものであり、比較例１〜４及び比較例１０〜１９は、前記組成式を満たすがｘの値が１／３＜ｘ≦２／３の範囲から外れるものであり、比較例５〜９は、前記組成式すら満たさないものである。これらの実施例及び比較例の組成について、図１上にプロットして示した。ここで、黒丸（●）印は実施例に対応し、三角（▲）印は比較例に対応する。但し、比較例５〜９については、図１上にプロットすることが不可能な組成であるため、示していない。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
得られた活物質の結晶構造は、ＣｕＫα線を用いた粉末エックス線回折測定の結果、α−ＮａＦｅＯ２型の六方晶構造が主相として確認されると共に、一部Ｌｉ［Ｌｉ１／３Ｍｎ２／３］Ｏ２型の単斜晶にみられる２０〜３０°付近の回折ピークが観察された。また、遷移金属元素の価数評価としてＥＸＡＦＳ測定をおこなった。ＸＡＮＥＳ領域のスペクトルを解析したところ、Ｃｏ３＋，Ｎｉ２＋，Ｍｎ４＋の電子状態をとることを確認した。ＸＡＮＥＳ測定結果を図４に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月9日(2010.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に導電性物質と水溶性バインダーとを含有する導電性金属部を形成する工程と、
前記の導電性金属部が形成された支持体を、温度４０℃以上、相対湿度５％以上の調湿条件下の雰囲気中に放置する湿熱処理工程と
を有することを特徴とする導電膜の製造方法。
【請求項２】
前記の調湿条件の温度が６０℃以上であることを特徴とする請求項１記載の導電膜の製造方法。
【請求項３】
前記の調湿条件の温度が８０℃以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載の導電膜の製造方法。
【請求項４】
前記の調湿条件の相対湿度が６０％以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。
【請求項５】
前記の調湿条件の相対湿度が８０％以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。
【請求項６】
前記湿熱処理工程の処理時間が６０分以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。
【請求項７】
前記湿熱処理工程の処理時間が３０分以下であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。
【請求項８】
前記湿熱処理工程の処理時間が１０分以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。
【請求項９】
前記湿熱処理工程の前に、前記導電性金属部を平滑化処理する平滑化処理工程を有することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。
【請求項１０】
前記平滑化処理を線圧力１９６０Ｎ／ｃｍ（２００ｋｇｆ／ｃｍ）以上で行うことを特徴とする請求項９記載の導電膜の製造方法。 
【請求項１１】
前記導電性物質が導電性金属微粒子であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。
【請求項１２】
支持体上に感光性銀塩と水溶性バインダーとを含有する感光層を有する感光材料を露光し現像することによって、前記支持体上に導電性金属銀部を形成する工程と、
前記の導電性金属銀部が形成された支持体を、温度４０℃以上、相対湿度５％以上の調湿条件下の雰囲気中に放置する湿熱処理工程と
を有することを特徴とする導電膜の製造方法。
【請求項１３】
前記の調湿条件の温度が６０℃以上であることを特徴とする請求項１２記載の導電膜の製造方法。
【請求項１４】
前記の調湿条件の温度が８０℃以上であることを特徴とする請求項１２又は１３に記載の導電膜の製造方法。
【請求項１５】
前記の調湿条件の相対湿度が６０％以上であることを特徴とする請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。
【請求項１６】
前記の調湿条件の相対湿度が８０％以上であることを特徴とする請求項１２〜１５のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。
【請求項１７】
前記水溶性バインダーが水溶性ポリマーであることを特徴とする請求項１２〜１６のいずれか１項に記載の透光性導電膜の製造方法。
【請求項１８】
前記支持体上のいかなる層にも硬膜剤を含有しないことを特徴とする請求項１２〜１７のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。
【請求項１９】
前記湿熱処理工程の前に、前記導電性金属部を平滑化処理する平滑化処理工程を有することを特徴とする請求項１２〜１８のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。 
【請求項２０】
前記平滑化処理を線圧力１９６０Ｎ／ｃｍ（２００ｋｇｆ／ｃｍ）以上で行うことを特徴とする請求項１９記載の導電膜の製造方法。 
【請求項２１】
請求項１〜２０のいずれか１項に記載の方法によって製造された導電膜。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月13日(2009.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
以上の課題を解決するため、請求項１に記載の発明は、ヒンジにより互いに重ねて折り畳み可能に結合された第１及び第２の筐体基材と、前記第１の筐体基材に対して前記ヒンジよりも後部に設けられ、電力を生成する燃料電池装置が筐体内に設けられた本体部を含む電源部と、を備え、前記第１の筐体基材のうち前記第２の筐体基材との対向面に表示部が設けられ、前記本体部の筐体基材の外表面に前記本体部の筐体基材よりも輻射率が高い輻射膜が設けられていることを特徴とする携帯電子機器である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の携帯電子機器であって、前記筐体基材は金属からなることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の携帯電子機器であって、前記筐体基材は、Ａｌ，Ｍｇ，Ｔｉのいずれかを主成分として含むことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項４に記載の発明は、請求項１〜３のいずれか一項に記載の携帯電子機器であって、前記輻射膜は、波長１０μｍ以上の赤外線領域での輻射率が０．９以上であることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項５に記載の発明は、請求項１〜４のいずれか一項に記載の携帯電子機器であって、前記輻射膜は多孔質体状のＡｌ2Ｏ3であることを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒンジにより互いに重ねて折り畳み可能に結合された第１及び第２の筐体基材と、
前記第１の筐体基材に対して前記ヒンジよりも後部に設けられ、電力を生成する燃料電池装置が筐体内に設けられた本体部を含む電源部と、を備え、
前記第１の筐体基材のうち前記第２の筐体基材との対向面に表示部が設けられ、
前記本体部の筐体基材の外表面に前記本体部の筐体基材よりも輻射率が高い輻射膜が設けられていることを特徴とする携帯電子機器。
【請求項２】
前記筐体基材は金属からなることを特徴とする請求項１記載の携帯電子機器。
【請求項３】
前記筐体基材は、Ａｌ，Ｍｇ，Ｔｉのいずれかを主成分として含むことを特徴とする請求項２に記載の携帯電子機器。
【請求項４】
前記輻射膜は、波長１０μｍ以上の赤外線領域での輻射率が０．９以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の携帯電子機器。
【請求項５】
前記輻射膜は多孔質体状のＡｌ2Ｏ3であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の携帯電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月28日(2010.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄板状の対象物に存在する微細空間に溶融金属を充填し硬化させる方法であって、
前記微細空間は、一端が前記対象物の厚み方向の一面で開口しており、
前記対象物を、前記微細空間の他端側を閉じた状態で、支持体上に設置し、
前記対象物の前記微細空間内に充填された前記溶融金属を、前記対象物の前記一面側から加圧したままで、前記溶融金属を冷却する、
工程を含む、方法。
【請求項２】
請求項１に記載された方法であって、前記溶融金属は、Ｂｉを含む、方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された方法であって、前記溶融金属は、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｚｎの群から選択された少なくとも１種の金属元素を含む、方法。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れかに記載された方法であって、前記溶融金属を冷却し硬化させる前に、前記対象物の前記開口面上に金属薄板を配置し、真空チャンバ内の減圧された雰囲気内で前記金属薄板を溶解させて前記溶融金属を生成するステップを含む、方法。
【請求項５】
請求項４に記載された方法であって、前記溶融金属を冷却し硬化させる前に、前記真空チャンバ内の雰囲気を減圧状態から増圧し、前記溶融金属を前記微細空間に流し込むステップを含む、方法。
【請求項６】
請求項１乃至３の何れかに記載された方法であって、前記溶融金属を冷却し硬化させる前、真空チャンバ内の減圧された雰囲気内に置かれた前記対象物の前記開口面上に前記溶融金属を供給した後、前記真空チャンバ内の雰囲気を増圧するステップを含む、方法。
【請求項７】
請求項１又は２に記載された方法であって、前記対象物の前記開口面上に射出機によって前記溶融金属を供給し、その射出による強制外力を印加したままで、前記溶融金属を冷却し硬化させるステップを含む、方法。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れかに記載された方法であって、前記溶融金属は、前記微細空間の開口部の存在する開口面上にその金属薄膜が生じるように供給される、方法。
【請求項９】
請求項８に記載された方法であって、前記溶融金属を硬化させた後、前記開口面上の前記金属薄膜を再溶融し、再溶融された前記金属薄膜を拭き取る工程を含む、方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９の何れかに記載された方法であって、前記対象物は、半導体ウエハである、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月10日(2010.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
しかしながら、超高圧放電灯の状態によっては、点灯周波数が高い状態に維持される。この場合、電極の先端に形成される突起の変形や微小化に伴う突起の複数化が進行し、アークの形成位置が移動するいわゆるアークジャンプが発生するおそれがある。また、高周波に維持される点灯周波数と、材質や形状等の電極の状態によっては、電極材が超高圧放電灯内部に蒸着する黒化等の劣化が進行するおそれがある。また、電極の劣化がさらに進行した場合は、一定の高い点灯周波数を用いるだけでは電極間距離増大の抑制できず、プロジェクタなどの画像表示装置の表示画像の照度が低下するおそれがある。同様の問題は、超高圧放電灯に限らず、電極間のアーク放電により光を放射する種々の放電ランプ（放電灯）にも共通して存在する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
［適用例８］
放電灯の駆動装置であって、前記放電灯の２つの電極間に交流電流を供給する交流電流供給部と、前記交流電流供給部が供給する交流電流の周波数を周期的に切り替える周波数切替部と、を備え、前記周波数切替部は、切替周期内の複数の期間における前記周波数を互いに異なる値にすることにより前記周波数を切り替え、所定の条件が満たされた場合に、前記複数の期間のうち時間的に連続する２つの期間の間の周波数の変化量を、前記所定の条件が満たされていない場合における前記２つの期間の間の周波数の変化量よりも大きくする放電灯の駆動装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
点灯回路２２０は、交流パルス電流を発生するインバータ２２２を有している。点灯回路２２０は、駆動制御部２１０から出力ポート６５０を介して供給される制御信号に基づいて、インバータ２２２を制御する。具体的には、点灯回路２２０は、制御信号により指定された給電条件（例えば、交流パルス電流の周波数やパルス波形）に応じた交流パルス電流をインバータ２２２に発生させる。インバータ２２２は、交流電流供給部として、点灯回路２２０により指定された給電条件に従って、放電灯５００に供給する定電力（例えば、２００Ｗ）の交流パルス電流を発生し、発生した交流パルス電流を放電灯５００に供給する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
駆動制御部２１０の駆動周波数変調部６１２は、変調パターン設定部６１４により設定される変調パターンに従って、点灯回路２２０が出力する交流パルス電流の周波数（駆動周波数）ｆｄを設定する。このように、放電灯５００の駆動周波数は、駆動周波数変調部６１２と変調パターン設定部６１４とにより切り替えられる。そのため、駆動周波数変調部６１２と変調パターン設定部６１４とは、併せて「周波数切替部」とも呼ぶことができる。なお、変調パターン設定部６１４は、後述するように、ランプ電圧に応じて設定する変調パターンを変更する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
図８に示す変調パターンを使用して突起５３８，５４８の成長を抑制することにより、ランプ電圧Ｖｐは、放電灯５００の使用に伴って上昇する。そして、ランプ電圧Ｖｐが所定の下側閾値（本実施例では、７０Ｖ）以上となった場合には、図７に示す変調パターンが設定される。これにより、突起５３８，５４８の成長が促進され、電極５３２，５４２の消耗によるランプ電圧Ｖｐの上昇が抑制される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
図１０は、ランプ電圧Ｖｐが更に上昇して、所定の上側閾値（本実施形態における１つ目の上側閾値は９０Ｖ）以上となった際に設定される変調パターンを示している。図１０の変調パターンでは、変調周期Ｔｍ４（１１秒）が、長さが１秒の１１の期間に分割されている。図１０の変調パターンでは、変調周期Ｔｍ４の前半および後半のそれぞれにおいて、所定の周波数（図１０の例では１５０Ｈｚ）よりも高い周波数と低い周波数とがそれぞれ交互に設定されている。これにより、図９の変調パターンと同様に、最低周波数期間Ｔｌ４と最高周波数期間Ｔｈ４との間の中間周波数期間において、駆動周波数ｆｄが非単調に変化する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
図１１は、ランプ電圧Ｖｐが更に上昇して、所定の上側閾値（本実施形態における２つ目の上側閾値は、１１０Ｖ）以上となった際に設定される変調パターンを示している。図１１の変調パターンでは、変調周期Ｔｍ５（１５秒）が、長さが１秒の１５の期間に分割されている。図１１の変調パターンは、図１０の変調パターンに、より低周波の最低周波数期間Ｔｌ５と、より高周波の最高周波数期間Ｔｈ５と、これらの２つの期間の前後に２つの中間周波数期間を付加することにより、駆動周波数ｆｄの変調範囲を拡大している。図１１の変調パターンにおいても、変調周期Ｔｍ５の前半および後半のそれぞれにおいて、所定の周波数（図１１の例では１５０Ｈｚ）よりも高い周波数と低い周波数とがそれぞれ交互に設定されている。これにより、図１０の変調パターンと同様に、最低周波数期間Ｔｌ５と最高周波数期間Ｔｈ５との間の中間周波数期間において、駆動周波数ｆｄが非単調に変化する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
このように、本実施例によれば、ランプ電圧Ｖｐに応じて変調パターンが切り替えられる。そして、ランプ電圧Ｖｐが所定の基準値（本実施例では、８０Ｖ）以上となった場合に、最高周波数期間と最低周波数期間との間の中間周波数期間において、駆動周波数ｆｄを非単調に変更することにより、突起５３８，５４８の成長が促進される。そのため、電極５３２，５４２の消耗に伴うランプ電圧Ｖｐの上昇を抑制することができ、より長期間にわたって放電灯を使用することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月22日(2010.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工材上に芯材を形成する工程と、
前記芯材の上面および側面を覆うように被覆膜を形成する工程と、
前記被覆膜を形成した後、前記芯材を除去する工程と、
前記芯材を除去した後、前記被覆膜を前記芯材の側面に位置していた部分を残して除去し、側壁スペーサーマスクに加工する工程と、
前記側壁スペーサーマスクをマスクとして用いて、前記被加工材をエッチング加工する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記芯材を除去する工程は、前記被覆膜に芯材除去孔を形成し、前記芯材除去孔を介して前記芯材を除去する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記芯材除去孔は、前記芯材の上面の直上の領域内に形成されることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記被加工材上に前記芯材とともに他の芯材を形成し、
前記芯材および前記他の芯材の上面および側面を覆うように前記被覆膜を形成し、
前記被覆膜を形成した後、前記他の芯材を残して前記芯材を除去し、
前記芯材を除去した後、前記被覆膜を前記芯材の側面に位置していた部分および前記他の芯材の側面に位置する部分を残して除去し、側壁スペーサーマスクに加工する、
ことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記芯材を除去する工程は、前記芯材および前記他の芯材の上面および側面を覆う前記被覆膜のうち、前記芯材上の前記被覆膜に選択的に芯材除去孔を形成し、選択的に形成された前記芯材除去孔を介して前記芯材を選択的に除去する工程を含むことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
次に、図１Ａ（ｄ）に示すように、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等により、芯材４の上面および側面をコンフォーマルに覆うように第２の膜（被覆膜）５を形成する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月13日(2010.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハキャリヤとシールとを備え、当該ウエハキャリヤおよびシールが、反応ガスが実質的に前記ウエハキャリヤの下側を流れないように構成されている化学気相成長反応装置。
【請求項２】
ウエハキャリヤの下方に反応ガスを実質的に流すこと無く、前記ウエハキャリヤの上全体に前記反応ガスを流すステップを含む化学気相成長反応装置用の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本発明は特に、従来技術に関連する上述の欠点を解決および軽減する。さらに特に、一側面によれば、本発明は、ウエハキャリヤとシールとを備え、当該ウエハキャリヤおよびシールが、反応ガスが実質的に前記ウエハキャリヤの下側を流れないように構成されている化学気相成長反応装置を含む。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月4日(2010.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
輸送電流が臨界値を超えると、ゼロ抵抗になる超電導状態から非ゼロ抵抗になるクエンチ状態に遷移することが可能なクエンチ可能超電導体（１）と、
前記クエンチ可能超電導体（１）に電気的に結合され、さらに前記クエンチ可能超電導体（１）に熱的に結合される第１の金属部材（２）と、
を備える電流調整用の超電導装置であって、
抵抗素子（４）と、前記抵抗素子（４）を前記第１の金属部材（２）に電気的に結合するための手段（電気的結合手段）とを有する第２の金属部材（３）を備え、
前記第２の金属部材（３）の前記抵抗素子（４）が前記第１の金属部材（２）から熱的に切り離されており、
前記第１の金属部材（２）の電気抵抗が、前記第２の金属部材（３）の電気抵抗に比べて大きいことを特徴とする、
超電導装置。
【請求項２】
前記第２の金属部材（３）の前記抵抗素子（４）が、前記電気的結合手段としての複数のストリップによって前記第１の金属部材（２）に電気的に結合されることを特徴とする、請求項１に記載の超電導装置。
【請求項３】
前記複数のストリップにおける各ストリップが、前記第１の金属部材（２）及び前記抵抗素子（４）に電気的に接合されることを特徴とする、請求項２に記載の超電導装置装置。
【請求項４】
前記電気的結合手段に、冷却器または冷却媒体に熱的に結合するための追加手段（６）が含まれることを特徴とする、請求項１に記載の超電導装置。
【請求項５】
前記追加手段（６）に、前記複数のストリップにおける各ストリップに設けられた追加接触面（７）が含まれることを特徴とする、請求項４に記載の超電導装置。
【請求項６】
前記追加接触面（７）が前記各ストリップの中央に位置することを特徴とする、請求項５に記載の超電導装置。
【請求項７】
前記複数のストリップが、前記第１の金属部材（２）の全表面の２〜３０％の面積率をなす接合領域を具備する前記第１の金属部材（２）に接合させられることを特徴とする、請求項２〜６のいずれか１つに記載の超電導装置。
【請求項８】
前記第１の金属部材（２２）に接合した前記複数のストリップにおける各ストリップの少なくとも一部が、超電導状態にあるクエンチ可能超電導体（２１）中を流れる電流の方向（３０）に対して４５°〜１３５°の角度をなす接合部分を含んでいることを特徴とする、請求項２〜７のいずれか１つに記載の超電導装置。
【請求項９】
前記抵抗素子（４）及び前記第１の金属部材（２）が、熱伝導率の低い媒体または冷却媒体によって間隔をあけて配置されることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１つに記載の超電導装置。
【請求項１０】
前記各ストリップの電気抵抗が、超電導状態にある前記クエンチ可能超電導体（１）中を流れる電流の方向（１０）における２つの近傍ストリップで測定される前記抵抗素子（４）の電気抵抗に比べて小さく、１０〜２０００分の１であることを特徴とする、請求項２〜９のいずれか１つに記載の超電導装置。
【請求項１１】
クエンチ状態にある前記クエンチ可能超電導体（１）の電気抵抗が、前記第１の金属部材（２）の電気抵抗に対してｆ１倍であって、ここで、２≦ｆ１≦５００であることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか１つに記載の超電導装置。
【請求項１２】
前記第１の金属部材（２）の電気抵抗が、前記第２の金属部材（３）の電気抵抗に対してｆ２倍であって、ここで、５≦ｆ２≦２００であることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１つに記載の超電導装置。
【請求項１３】
前記第１の金属部材（２）の単位長当たり熱容量が、前記第２の金属部材（３）の単位長当たり熱容量の５〜２０，０００分の１であることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか１つに記載の超電導装置。
【請求項１４】
前記クエンチ可能超電導体（１）が基板（９）上に形成した超電導膜（８）であることを特徴とする、請求項１〜１３のいずれか１つに記載の超電導装置。
【請求項１５】
前記基板（９）に少なくとも１つの緩衝層が設けられていることを特徴とする、請求項１４に記載の超電導装置。
【請求項１６】
前記クエンチ可能超電導体（１、８）は、ＲｅＢａyＣｕzＯ7-uベースの組成物または（（Ｒｅ１w＋Ｒｅ２x-w）ＢａyＣｕzＯ7-u）ベースの組成物を備え、ここで、Ｒｅ、Ｒｅ１、及び、Ｒｅ２が、Ｙ、Ｈｏ、Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｓｍ、Ｓｃ、Ｔｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、及び、Ｙｂから構成されるグループからの１つ以上の金属を表わし、Ｒｅ１がＲｅ２とは異なり、ｘが０．８〜１．２の範囲から選択され、ｙが１．６〜２．４の範囲から選択され、ｚが２．４〜３．６の範囲から選択され、ｕ及びｗが０．０５〜０．９５の範囲から選択されることを特徴とする、請求項１〜１５いずれか１つに記載の超電導装置。
【請求項１７】
前記第１の金属部材（２）が、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏのような通常金属またはこれらの金属の１つ以上を含む合金からなる層であることを特徴とする、請求項１〜１６のいずれか１つに記載の超電導装置。
【請求項１８】
前記第２の金属部材（３）に、Ａｇ、Ａｕ、Ｒｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｍｏのような１つ以上の通常金属またはこれらの金属の組合せまたはそれらの合金を含む１つまたは複数の材料が含まれることを特徴とする、請求項１〜１７のいずれか１つに記載の超電導装置。
【請求項１９】
前記電気的結合手段にハンダ接合または／及び点溶接接合が含まれることを特徴とする、請求項１及び４〜１８のいずれか１つに記載の超電導装置。
【請求項２０】
前記クエンチ可能超電導体（６１）、前記第１の金属部材（６２）、及び、前記第２の金属部材（６３）を含むアセンブリ（７１）に、さらに、前記アセンブリ（７１）の外表面の１つに取り付けられた絶縁スペーサ（７２）が含まれることを特徴とする、請求項１〜１９のいずれか１つに記載の超電導装置。
【請求項２１】
前記絶縁スペーサ（７２）が前記冷却媒体に対して部分的に透明であることを特徴とする、請求項２０に記載の超電導装置。
【請求項２２】
さらに、前記クエンチ可能超電導体（１）に外部電流源を電気的に結合するための手段を備えることを特徴とする、請求項１〜２１のいずれか１つに記載の超電導装置。
【請求項２３】
さらに、冷却器または冷却媒体との熱交換によって前記装置の少なくとも一部を冷却するための手段を備えることを特徴とする、請求項１〜２２のいずれか１つに記載の超電導装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
ある実施形態では、第１の金属部材の電気抵抗は、第２の金属部材の電気抵抗に比べて５〜２００倍の変動幅で大きい。第１の金属部材の単位長当たり熱容量は、第２の金属部材に比べて５〜２０，０００分の１とすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月2日(2010.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
ステップＳ９０２の判別の結果、テーパパッドとの接触に関する確度が５０以下である場合、確度を下記式から算出し（ステップＳ９０３）、ステップＳ９０５に進む。
確度  ＝  安定度×１００
ここで、安定度は下記式から算出される。
安定度  ＝  ベクトル平均／スカラー平均
但し、ベクトル平均は、パーティクルマップの中心を原点とした場合のパーティクルマップにおける半径２５０ｍｍ以上の領域に存在する全てのパーティクルの位置ベクトルのｘ成分及びｙ成分をそれぞれの平均した平均ｘ成分及び平均ｙ成分に対応するポイントの座標の原点からの距離であり、スカラー平均は、パーティクルマップにおける半径２５０ｍｍ以上の領域に存在する全てのパーティクルのパーティクルマップの中心からの距離の平均値である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月21日(2010.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置されたアナログｎＭＯＳトランジスタと、
前記基板上に配置された圧縮歪みチャネルアナログｐＭＯＳトランジスタと、
前記ｎＭＯＳトランジスタを覆う第１エッチングストッパライナと、
前記ｐＭＯＳトランジスタを覆う第２エッチングストッパライナとを含むが、
前記ｎＭＯＳ及びｐＭＯＳトランジスタは各々レファレンス非歪みチャネルアナログｎＭＯＳ及びｐＭＯＳトランジスタに対する５００Ｈｚでのフリッカーノイズパワーの相対値が１以下である半導体素子。
【請求項２】
前記第１エッチングストッパライナの水素濃度は１×１０２１／ｃｍ３以下である請求項１に記載の半導体素子。
【請求項３】
前記第２エッチングストッパライナは中性エッチングストッパライナであり、
前記半導体素子は、前記ｐＭＯＳトランジスタのチャネルと、
前記基板内に形成された溝を埋め込む圧縮エピタキシャル半導体層と、
前記圧縮エピタキシャル半導体層内に形成されたソース／ドレイン領域とをさらに含むが、前記ｐＭＯＳトランジスタの前記チャネルに圧縮歪みが誘導される請求項２に記載の半導体素子。
【請求項４】
前記第２エッチングストッパライナは圧縮歪み誘導ライナであり、前記歪みチャネルｐＭＯＳトランジスタは前記圧縮歪みライナによりチャネルに圧縮歪みが誘導されるトランジスタである請求項２に記載の半導体素子。
【請求項５】
前記第１エッチングストッパライナは中性エッチングストッパライナであり、
前記ｎＭＯＳトランジスタは前記基板内に形成された溝を埋め込む引張エピタキシャル半導体層と、
前記引張エピタキシャル半導体層内に形成されたソース／ドレイン領域とを含むが、前記引張エピタキシャル半導体層及び前記ソース／ドレイン領域は前記ｎＭＯＳトランジスタのチャネルに引張歪みを誘導する歪みチャネルトランジスタである請求項２に記載の半導体素子。
【請求項６】
前記第１エッチングストッパライナは中性エッチングストッパライナであり、前記ｎＭＯＳトランジスタはｎＭＯＳトランジスタのチャネルに引張歪みを誘導する圧縮歪みゲートを含む歪みチャネルトランジスタである請求項２に記載の半導体素子。
【請求項７】
前記第１エッチングストッパライナは引張歪み誘導ライナであり、前記ｎＭＯＳトランジスタは前記引張歪み誘導ライナにより引張歪みチャネルを含む歪みチャネルトランジスタである請求項２に記載の半導体素子。
【請求項８】
前記第１エッチングストッパライナは圧縮歪み誘導ライナであり、前記ｎＭＯＳトランジスタは前記圧縮歪み誘導ライナによりチャネルに圧縮歪みが誘導された歪みチャネルトランジスタである請求項２に記載の半導体素子。
【請求項９】
基板と、
前記基板上に配置されたアナログｎＭＯＳトランジスタと、
前記基板上に配置されたアナログｐＭＯＳトランジスタと、
前記ｎＭＯＳトランジスタを覆い、かつ水素濃度１×１０２１／ｃｍ３以下の第１エッチングストッパライナと、
前記ｐＭＯＳトランジスタを覆い、かつ前記ｐＭＯＳトランジスタのチャネルに圧縮歪みを誘導する第２エッチングストッパライナとを含む半導体素子。
【請求項１０】
前記第１エッチングストッパライナは前記ｎＭＯＳトランジスタのチャネルに引張歪みを誘導する請求項９に記載の半導体素子。
【請求項１１】
基板と、
水素濃度１×１０２１／ｃｍ３以下の第１エッチングストッパライナと、
前記第１エッチングストッパライナと前記基板の間に形成された歪みチャネルアナログｎＭＯＳトランジスタとを含む半導体素子。
【請求項１２】
前記第１エッチングストッパライナは中性エッチングストッパライナであり、
前記ｎＭＯＳトランジスタは前記基板内に形成された溝を埋め込む引張エピタキシャル半導体層と、
前記引張エピタキシャル半導体層内に形成されたソース／ドレイン領域とを含むが、前記引張エピタキシャル半導体層及び前記ソース／ドレイン領域は前記ｎＭＯＳトランジスタのチャネルに引張歪みを誘導する歪みチャネルトランジスタである請求項１１に記載の半導体素子。
【請求項１３】
前記第１エッチングストッパライナは中性エッチングストッパライナであり、前記ｎＭＯＳトランジスタはｎＭＯＳトランジスタのチャネルに引張歪みを誘導する圧縮歪みゲートを含む歪みチャネルトランジスタである請求項１１に記載の半導体素子。
【請求項１４】
前記第１エッチングストッパライナは引張歪み誘導ライナであり、前記ｎＭＯＳトランジスタは前記引張歪み誘導ライナによる引張歪みチャネルを含む歪みチャネルトランジスタである請求項１１に記載の半導体素子。
【請求項１５】
前記第１エッチングストッパライナは圧縮歪み誘導ライナであり、前記ｎＭＯＳトランジスタは前記圧縮歪み誘導ライナによりチャネルに圧縮歪みが誘導された歪みチャネルトランジスタである請求項１１に記載の半導体素子。
【請求項１６】
基板上にアナログｎＭＯＳトランジスタとアナログｐＭＯＳトランジスタを形成し、
前記ｎＭＯＳトランジスタを覆い、かつ水素濃度１×１０２１／ｃｍ３以下の第１エッチングストッパライナを形成し、
前記ｐＭＯＳトランジスタを覆い、かつ前記ｐＭＯＳトランジスタのチャネルに圧縮歪みを誘導する第２エッチングストッパライナを形成することを含む半導体素子の製造方法。
【請求項１７】
前記第１エッチングストッパライナと前記第２エッチングストッパライナを形成することは、前記ｎＭＯＳトランジスタを覆う引張歪みエッチングストッパライナを形成し、前記ｐＭＯＳトランジスタを覆う圧縮歪みライナを形成し、前記結果物の全面にＵＶを照射することをさらに含む請求項１６に記載の半導体素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月2日(2010.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
ビデオカメラの分野においては、撮像部・モニタ・記録装置をもって一の装置とした、いわゆるカメラ一体型ＶＴＲが広く知られている。例えば、特許文献１には、かかる撮像部・モニタ・記録部を有する本体を備える撮影装置であって、カメラ一体型ＶＴＲに適用可能な撮影装置が開示されている（特許文献１参照）。また、当該分野において、撮像装置内に蓄積された映像（動画像に限らない。）と撮像した映像を合成する機能を有するビデオカメラも広く知られている。例えば、特許文献２には、着脱可能な外部メモリやビデオカメラの内蔵メモリに記録された静止画像とビデオカメラの映像を合成する画像合成機能を有するビデオカメラが開示されている（特許文献２参照）。
一方、テレビ映像情報等の記録・再生にかかる技術分野において、複数のヘッドを用いることにより、情報の記録と再生を同時に行うための技術が知られている（例えば特許文献３参照）。しかし、被写体を直接撮影するビデオカメラの分野においては、従来から一つのヘッドを用いて情報の記録及び再生を行っており、情報の記録と再生を同時に行うための技術は未だ知られていない。従って、現在撮影中の映像情報の記録と以前に記録した映像情報の再生とを同時に一覧可能に表示することも当然できない現状にある。
【特許文献１】特開２００３‐２２８１１１号公報
【特許文献２】特開２０００‐２３２６１０号公報
【特許文献３】特開２００３‐０６７９９８号公報
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月3日(2010.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基材上のシリカ及び窒化ケイ素を研磨するための組成物を製造する方法であって、
水溶液中のカルボン酸ポリマーを提供する工程、
水溶液をイオン交換樹脂と接触させ、水溶液から可溶性カチオン及びアンモニアを除去し、水溶液中のイオン交換したカルボン酸ポリマーを提供する工程、
水溶液中のイオン交換したカルボン酸ポリマーに、（ｉ）砥粒、（ii）第四級アンモニウム化合物及び（iii）フタル酸又はフタル酸塩を添加して、イオン交換したカルボン酸ポリマー０．０１〜５重量％、第四級アンモニウム化合物０．００１〜１重量％、フタル酸又はフタル酸塩０．００１〜１重量％及び砥粒０．０１〜５重量％を有するスラリーを提供する工程
を含む方法。
【請求項２】
前記第四級アンモニウム化合物が、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸化テトライソプロピルアンモニウム、水酸化テトラシクロプロピルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトライソブチルアンモニウム、水酸化テトラ−tert−ブチルアンモニウム、水酸化テトラ−sec−ブチルアンモニウム、水酸化テトラシクロブチルアンモニウム、水酸化テトラペンチルアンモニウム、水酸化テトラシクロペンチルアンモニウム、水酸化テトラヘキシルアンモニウム、水酸化テトラシクロヘキシルアンモニウム及びこれらの混合物からなる群より選択される、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記フタル酸又はフタル酸塩がフタル酸水素カリウムである、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
前記砥粒がセリアである、請求項１〜３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記セリアが５０〜２００nmの平均粒度を有する、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記セリアが８０〜１５０nmの平均粒度を有する、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記スラリーが４〜７のｐＨを有する、請求項１〜６のいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
半導体基材上のシリカ及び窒化ケイ素をケミカルメカニカル研磨する方法であって、
研磨パッドを用意する工程、
スラリーを用意する工程（ここで、前記スラリーは、水溶液中のカルボン酸ポリマーを提供し；水溶液をイオン交換樹脂と接触させ、水溶液から可溶性カチオン及びアンモニアを除去し、水溶液中のイオン交換したカルボン酸ポリマーを提供し；水溶液中のイオン交換したカルボン酸ポリマーに、（ｉ）砥粒、（ii）第四級アンモニウム化合物及び（iii）フタル酸又はフタル酸塩を添加して、イオン交換したカルボン酸ポリマー０．０１〜５重量％、第四級アンモニウム化合物０．００１〜１重量％、フタル酸又はフタル酸塩０．００１〜１重量％及び砥粒０．０１〜５重量％を有するスラリーを提供することにより得られる）；及び
前記研磨パッド及び前記スラリーを用いて前記基材を研磨する工程
を含む方法。
【請求項９】
前記セリアが５０〜２００nmの平均粒度を有する、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記スラリーが４〜７のｐＨを有する、請求項８又は９記載の方法。
【請求項１１】
研磨の終点を化学的検出し、研磨を停止する工程（ここで、前記化学的検出は、スラリー中のアンモニアのレベルをモニタすることを含む）を含む、請求項８〜１０のいずれか１項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月22日(2010.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示素子が設けられている絶縁基板と、
前記絶縁基板に対向して接合されるカバー基板と、
前記絶縁基板と前記カバー基板のうちのいずれか一方の基板の周縁に沿って設けられ、相互に離隔して配置される複数の第１シーラントと、
前記複数の第１シーラントの間に対応して前記絶縁基板と前記カバー基板のうちのもう一方の基板の周縁に沿って設けられる少なくとも一つの第２シーラントと、
前記第１シーラントと前記第２シーラントとの間に介在される封止薄膜と
を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記複数の第１シーラントおよび前記第２シーラントの表面は曲面形状であることを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記封止薄膜の少なくとも一部は前記絶縁基板および前記カバー基板のうちの少なくとも一つと接していることを特徴とする、請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
互いに対向する前記絶縁基板と前記カバー基板の両面の間の距離は前記第１シーラントおよび前記第２シーラントのうちのいずれか一つの高さと前記封止薄膜の厚さとの合計と実質的に同一であることを特徴とする、請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記複数の第１シーラントと前記第２シーラントの高さは実質的に同一であることを特徴とする、請求項３に記載の表示装置。
【請求項６】
各前記複数の第１シーラント同士の間の距離は前記第２シーラントの幅と実質的に同一であることを特徴とする、請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記封止薄膜は複数の層からなることを特徴とする、請求項３に記載の表示装置。
【請求項８】
前記封止薄膜は無機物質を含むことを特徴とする、請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記封止薄膜はＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮｘ、ＡｌＯｘ、ＡｌＯＮｘ、およびＡｌＮｘのうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする、請求項７に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記封止薄膜は前記絶縁基板と前記カバー基板の間の周縁に沿って形成されていることを特徴とする、請求項９に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月19日(2010.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁波を共振させるための共振構造を含む導波路を有するレーザ素子であって、
前記導波路は、
電磁波を発生させるための利得媒質と、
前記利得媒質に電気的に接して設けられ、前記電磁波に対する誘電率実部が負である第一のクラッドと、
前記利得媒質に電気的に接して設けられ、該利得媒質を介して前記第一のクラッドの反対側に設けられ、前記電磁波に対する誘電率実部が負である第二のクラッドと、
前記利得媒質の少なくとも片方の側面に接して設けられ、前記第一及び第二のクラッドで挟まれ、前記電磁波に対する誘電率実部が正である側面構造と、を備え、
前記側面構造に保持される表面プラズモンの波数が前記利得媒質に保持される表面プラズモンの波数よりも小さくなるように構成されることを特徴とするレーザ素子。
【請求項２】
前記側面構造の誘電率が前記利得媒質の誘電率よりも小さくなるように構成されることを特徴とする請求項１に記載のレーザ素子。
【請求項３】
前記側面構造の厚さが前記利得媒質の厚さよりも厚くなるように構成されることを特徴とする請求項１または２に記載のレーザ素子。
【請求項４】
前記第一あるいは第二のクラッドは、金属、キャリアドープした半導体、又は、これら金属とキャリアドープした半導体によって構成されることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のレーザ素子。
【請求項５】
前記側面構造は誘電体によって構成されることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のレーザ素子。
【請求項６】
前記導波路は、前記電磁波の伝搬方向において少なくとも二つの端面を備えて前記共振構造を構成し、前記端面からの反射を利用して前記電磁波を定在波とすることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載のレーザ素子。
【請求項７】
前記端面にインピーダンス変換構造を備え、前記定在波の一部を外部空間又は外部伝送路へ取り出すことを特徴とする請求項６に記載のレーザ素子。
【請求項８】
前記第一のクラッドと第二のクラッドの少なくとも一方に、前記幅方向の寸法が前記電磁波の伝搬方向に沿って周期的に変化する部分を持たせ、ブラッグ反射を利用して前記電磁波を定在波とすること特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載のレーザ素子。
【請求項９】
前記第一のクラッドと第二のクラッドのいずれか一方に少なくとも一つの開口を備え、前記定在波の一部を外部空間又は外部伝送路へ取り出すことを特徴とする請求項８に記載のレーザ素子。
【請求項１０】
前記利得媒質は、フォトンアシストトンネルに基づいた共鳴トンネルダイオードであることを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載のレーザ素子。
【請求項１１】
前記利得媒質は、前記電磁波の波長の十分の一以下の厚さを有することを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載のレーザ素子。
【請求項１２】
前記電磁波の周波数は30GHz以上30THz以下の周波数領域の一部を含むことを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項に記載のレーザ素子。
【請求項１３】
前記第一及び第二のクラッドはそれぞれ、前記利得媒質に接する電気的接点を含むことを特徴とする請求項１から１２のいずれか１項に記載のレーザ素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題に鑑み、本発明のレーザ素子は、電磁波を共振させるための共振構造を含む導波路を有するレーザ素子であって、
前記導波路は、
電磁波を発生させるための利得媒質と、
前記利得媒質に電気的に接して設けられ、前記電磁波に対する誘電率実部が負である第一のクラッドと、
前記利得媒質に電気的に接して設けられ、該利得媒質を介して前記第一のクラッドの反対側に設けられ、前記電磁波に対する誘電率実部が負である第二のクラッドと、
前記利得媒質の少なくとも片方の側面に接して設けられ、前記第一及び第二のクラッドで挟まれ、前記電磁波に対する誘電率実部が正である側面構造と、を備え、
前記側面構造に保持される表面プラズモンの波数が前記利得媒質に保持される表面プラズモンの波数よりも小さくなるように構成される。前記電磁波の周波数は、典型的には、30GHz以上30THz以下の周波数領域の一部を含む。