Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月24日(2010.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体を撮像して得られた第１の画像データと、該第１の画像データとは異なる被写体を撮像して得られた第２の画像データとを合成して、第３の画像データを生成する、画像合成手段と、
前記第１の画像データを撮像した撮像装置における撮像素子の前方に配置された光学素子に付着した異物の位置及び大きさの情報を含む第１の異物情報と、前記第２の画像データを撮像した撮像装置における撮像素子の前方に配置された光学素子に付着した異物の位置及び大きさの情報を含む第２の異物情報とを合成して第３の異物情報を生成する、異物情報合成手段と、
前記第３の異物情報を前記第３の画像データに関連付けて記憶する記憶手段と、
を具備することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記異物情報合成手段は、前記第１の画像データを撮像した撮像装置における撮影レンズに関する情報である第１のレンズ情報と、前記第２の画像データを撮像した撮像装置における撮影レンズに関する情報である第２のレンズ情報とを用いて、前記第１及び第２の異物情報を合成して前記第３の異物情報を生成することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記第１のレンズ情報とは、前記第１の画像データを撮像した撮像装置における撮影時の撮影レンズの絞り値と瞳位置に関する情報であり、前記第２のレンズ情報とは、前記第２の画像データを撮像した撮像装置における撮影時の撮影レンズの絞り値と瞳位置に関する情報であることを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記異物情報合成手段は、前記第１の画像データを撮像した撮像装置における前記異物の位置及び大きさを検出するための異物検出用画像を撮影した撮影レンズに関する情報である第３のレンズ情報と、前記第２の画像データを撮像した撮像装置における前記異物の位置及び大きさを検出するための異物検出用画像を撮影した撮影レンズに関する情報である第４のレンズ情報とをさらに用いて、前記第１及び第２の異物情報を合成して前記第３の異物情報を生成することを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記第３のレンズ情報とは、前記第１の画像データを撮像した撮像装置における前記異物検出用画像の撮影時の撮影レンズの絞り値と瞳位置に関する情報であり、前記第４のレンズ情報とは、前記第２の画像データを撮像した撮像装置における前記異物検出用画像の撮影時の撮影レンズの絞り値と瞳位置に関する情報であることを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記異物情報合成手段は、前記画像合成手段における前記第１の画像データと前記第２の画像データに対する重み付けに基づいて、前記第１及び第２の異物情報を合成して前記第３の異物情報を生成することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項７】
画像合成手段が、被写体を撮像して得られた第１の画像データと、該第１の画像データとは異なる被写体を撮像して得られた第２の画像データとを合成して、第３の画像データを生成する、画像合成工程と、
異物情報合成手段が、前記第１の画像データを撮像した撮像装置における撮像素子の前方に配置された光学素子に付着した異物の位置及び大きさの情報を含む第１の異物情報と、前記第２の画像データを撮像した撮像装置における撮像素子の前方に配置された光学素子に付着した異物の位置及び大きさの情報を含む第２の異物情報とを合成して第３の異物情報を生成する、異物情報合成工程と、
記憶手段が、前記第３の異物情報を前記第３の画像データに関連付けて記憶する記憶工程と、
を具備することを特徴とする画像処理方法。
【請求項８】
前記異物情報合成工程では、前記第１の画像データを撮像した撮像装置における撮影レンズに関する情報である第１のレンズ情報と、前記第２の画像データを撮像した撮像装置における撮影レンズに関する情報である第２のレンズ情報とを用いて、前記第１及び第２の異物情報を合成して前記第３の異物情報を生成することを特徴とする請求項７に記載の画像処理方法。
【請求項９】
前記第１のレンズ情報とは、前記第１の画像データを撮像した撮像装置における撮影時の撮影レンズの絞り値と瞳位置に関する情報であり、前記第２のレンズ情報とは、前記第２の画像データを撮像した撮像装置における撮影時の撮影レンズの絞り値と瞳位置に関する情報であることを特徴とする請求項８に記載の画像処理方法。
【請求項１０】
前記異物情報合成工程では、前記第１の画像データを撮像した撮像装置における前記異物の位置及び大きさを検出するための異物検出用画像を撮影した撮影レンズに関する情報である第３のレンズ情報と、前記第２の画像データを撮像した撮像装置における前記異物の位置及び大きさを検出するための異物検出用画像を撮影した撮影レンズに関する情報である第４のレンズ情報とをさらに用いて、前記第１及び第２の異物情報を合成して前記第３の異物情報を生成することを特徴とする請求項８に記載の画像処理方法。
【請求項１１】
前記第３のレンズ情報とは、前記第１の画像データを撮像した撮像装置における前記異物検出用画像の撮影時の撮影レンズの絞り値と瞳位置に関する情報であり、前記第４のレンズ情報とは、前記第２の画像データを撮像した撮像装置における前記異物検出用画像の撮影時の撮影レンズの絞り値と瞳位置に関する情報であることを特徴とする請求項１０に記載の画像処理方法。
【請求項１２】
前記異物情報合成工程では、前記画像合成工程における前記第１の画像データと前記第２の画像データに対する重み付けに基づいて、前記第１及び第２の異物情報を合成して前記第３の異物情報を生成することを特徴とする請求項７に記載の画像処理方法。
【請求項１３】
請求項７乃至１２のいずれか１項に記載の画像処理方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項１４】
請求項１３に記載のプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明に係わる画像処理方法は、画像合成手段が、被写体を撮像して得られた第１の画像データと、該第１の画像データとは異なる被写体を撮像して得られた第２の画像データとを合成して、第３の画像データを生成する、画像合成工程と、異物情報合成手段が、前記第１の画像データを撮像した撮像装置における撮像素子の前方に配置された光学素子に付着した異物の位置及び大きさの情報を含む第１の異物情報と、前記第２の画像データを撮像した撮像装置における撮像素子の前方に配置された光学素子に付着した異物の位置及び大きさの情報を含む第２の異物情報とを合成して第３の異物情報を生成する、異物情報合成工程と、記憶手段が、前記第３の異物情報を前記第３の画像データに関連付けて記憶する記憶工程と、を具備することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月24日(2010.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体像を光電変換する複数の画素が２次元的に配列された撮像素子と、
前記撮像素子の前方の撮影光軸上に配設された光学部材に付着した異物の位置に関する情報を検出する異物検出手段と、
前記異物検出手段で検出された少なくとも前記異物の位置に関する情報を記憶する記憶手段と、
前記撮像素子により前記被写体像を光電変換して得られた撮像画像と前記記憶手段に記憶されている異物の位置に関する情報とに基づいて、前記異物の前記光学部材への付着状態の変化を検出する変化検出手段と、
前記変化検出手段により検出された前記異物の付着状態の変化の情報に基づいて、前記記憶手段に記憶されている前記異物の位置に関する情報を更新する更新手段と、
を具備することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記記憶手段に記憶されている少なくとも前記異物の位置に関する情報を、前記撮像画像に添付して記憶媒体に記憶させることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記変化検出手段は、前記記憶手段に記憶されている異物の位置に関する情報に対応する前記撮像画像の画面上の位置に前記異物が存在するか否かを検出し、異物が存在しないことが検出された場合に、前記更新手段は、前記記憶手段に記憶されている前記異物の位置に関する情報から前記存在しないことが検出された異物の位置に関する情報を削除することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記変化検出手段は、複数枚の前記撮像画像に基づいて、前記異物の前記光学部材への付着状態の変化を検出することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記異物を前記光学部材から除去する除去手段をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月28日(2009.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下層絶縁層の表面に所定パターンの突起を設け、この下層絶縁層表面に形成する配線層の一部を突起上に延在させて形成することで配線層隆起部を形成し、この配線層上に形成する絶縁層の表面にこの配線層隆起部の頂面を露出させて上方への接続部とする配線基板の製造方法であって、
熱剥離シートに導体箔を積層して密着させる工程、
上記導体箔のフォトリソグラフィーおよびエッチングにより、上記突起の所定パターンに対して相補的な形態の導体パターンを形成する工程、
上記熱剥離シートに密着した状態の上記導体パターンを、配線板基材上に積層して密着した絶縁樹脂フィルムに押圧することにより該絶縁樹脂フィルムを成形して上記所定パターンの突起を形成する工程、
加熱により上記導体パターンから上記熱剥離シートを剥離して上記導体パターンを上記突起間に残す工程、
エッチングにより、上記突起間の上記導体パターンを除去して、平坦面に上記所定パターンの突起が配置された絶縁樹脂フィルムの表面全体を露出させる工程、
上記絶縁樹脂フィルムから成る下層絶縁層上に配線層とその上の絶縁層とを形成する工程、
上記絶縁層の表面を研磨することにより、上記突起上に延在する上記配線層の隆起部の頂面を露出させる工程、
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
上記下層絶縁層の突起を含む表面全体に配線密着性確保のための表面粗化を行なった後、給電層として金属膜を形成する工程、
上記給電層の上に、ＤＦＲパターンを形成することにより、該ＤＦＲパターンが配線層形成位置が開口しており、それ以外の部分は下地を覆っている状態にする工程、
電解めっきにより上記ＤＦＲパターンの開口内に露出している上記給電層上にめっき層から成る配線層を形成することにより、上記給電層とその上のめっき層とが一体となって配線層を構成し、該配線層の一部は上記下層絶縁層の平坦部から上記突起部上に延在して隆起部を形成している状態にする工程、
上記ＤＦＲパターンを剥離した後、露出した上記給電層の不要箇所をエッチングにより除去して、上記配線層を所定パターンに仕上げた後、上記下層絶縁層上の上記配線層を含む全面に絶縁樹脂を積層することにより、該絶縁樹脂から成る絶縁層が上記下層絶縁層の表面形態を反映して平坦面に突起が配置した表面形態をしている状態にする工程、
上記積層により形成した絶縁層の表面を研磨することにより、上記下層絶縁層の上記突起上にある上記配線層の隆起部の頂面を露出させ、上記絶縁層の表面と同一平面に揃える工程、
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月17日(2010.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
図２は、この実施例の装置におけるフォーカスリング３の詳細を示す断面図で、図１のＡ部の拡大図である。ウェハ１は静電チャック１２上に吸着保持されている。静電チャック１２は、ネジ固定によりサセプタ５に固定されており、サセプタ５の内部には、冷媒流路２３が設けられている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
実際の作業時間を比較すると、フォーカスリング３の取り外しに要する時間は２．５〜３分程度であるのに対して、静電チャックのクリーニング（サセプタ５内の冷媒除去、静電チャックの取り外し、熱伝導シート２７の除去等）に要する時間は１５分以上であった。従って、本発明の熱伝導シート２７を用いることにより、フォーカスリング３交換の作業時間を１／６以下に短縮できることになり、本発明による作業能率改善の効果は大きいことが判明した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
次に、熱伝導シートに被粘着層を形成しても、その熱伝導特性が低下しないことをエッチングテストにより確認した。エッチングテストは、処理シーケンスのＨＡＲＣ条件及びＢＡＲＣ条件のそれぞれにおいて、被処理基板の直径Ｘ及びＹ方向に約２０〜３０ｍｍ間隔でエッチング速度（Ｅｔｃｈｉｎｇ  Ｒａｔｅ）を測定した。エッチング速度の測定は、光干渉式膜厚測定により行った。なお、比較例２は熱伝導シートを用いない場合、即ち、フォーカスリング３と静電チャック１２とが直接接触している場合についてのものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2008244096.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月30日(2009.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
可変抵抗体を含む記憶素子を基板の上に形成して半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｗ、Ｃｏ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｐｒ、Ｍｎ、Ｃａ，Ｓｒからなる群から選択される少なくともいずれか１つの元素、もしくは選択される前記元素と酸素または窒素との化合物を主成分とするターゲットを酸素雰囲気の下でスパッタして遷移金属酸化物を生成し、前記遷移金属酸化物を主成分とする酸化物層を前記基板の上に成膜する工程と、
前記酸化物層の表面にさらに酸素ラジカルを照射して前記可変抵抗体を形成する工程と、を備えたこと、
を特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月24日(2010.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法であって、
前記ルテニウム膜を水素雰囲気の下で加熱すること、
を特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本願発明は、上記問題を解決するためになされたものであって、ルテニウム膜の低抵抗化を図り信頼性を向上させた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、ルテニウム膜を有する半導体装置の製造方法であって、基板を還元性ガス雰囲気の下で加熱するとともに、前記還元性ガス雰囲気にビス（２−メトキシキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）（１，５ヘキサジエン）ルテニウム錯体を供給して前記基板にルテニウム膜を形成する工程と、前記ルテニウム膜をさらに加熱する工程と、を備えることを要旨とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
請求項９に記載の発明は、請求項１〜８のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法であって、前記ルテニウム膜を水素雰囲気の下で加熱することを特徴とする。
請求項９に記載の発明によれば、ルテニウム膜の低抵抗化をさらに促進させることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
上記したように、本発明によれば、ルテニウム膜の低抵抗化を図り信頼性を向上させた半導体装置の製造方法を提供することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
【図１】本発明を具体化した一実施形態に用いる半導体装置の製造装置を模式的に示す平面図。
【図２】同じく、Ｒｕチャンバの構成を示す概略断面図。
【図３】同じく、製造装置の電気的構成を示す電気ブロック回路図。
【図４】Ｒｕ膜の埋め込み性を示すＴＥＭ断面像。
【図５】抵抗値評価用のＲｕ膜を示すＴＥＭ断面像。
【図６】熱処理条件に対するＲｕ膜の抵抗値を示す図。
【図７】半導体装置を示す部分断面図。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月2日(2009.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にポリシリコン膜を成膜する工程と、
前記ポリシリコン膜に所定のパターンを形成する前に前記ポリシリコン膜に不純物を注入する第１注入工程と、
前記ポリシリコン膜上に第１の拡散防止膜を成膜する工程と、
前記ポリシリコン膜に注入した前記不純物を活性化させるための熱処理を行う工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の拡散防止膜を除去し、前記ポリシリコン膜に所定のパターンを形成することによりゲート電極と抵抗素子とを形成する工程を更に備える請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記基板はソース／ドレイン領域を含み、
前記ソース／ドレイン領域および前記抵抗素子に前記不純物を注入する第２注入工程と、
前記ソース／ドレイン領域の表面と前記抵抗素子の表面とに第２の拡散防止膜を成膜する工程と、
前記ソース／ドレイン領域と前記抵抗素子とに注入した前記不純物を活性化するための熱処理を行う工程と、
を更に備える請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２注入工程は、
前記ゲート電極の表面、前記ソース／ドレイン領域の表面および前記抵抗素子の表面を酸化膜で被覆する工程と、
前記抵抗素子を被覆する前記酸化膜上に、所定位置を開口したレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記所定位置下方の前記酸化膜を除去することにより、前記抵抗素子に電極引き出し部を形成するとともに、前記ソース／ドレイン領域の表面を被覆する酸化膜を除去する工程と、
前記ソース／ドレイン領域と前記電極引き出し部とに前記不純物を注入する工程とを含む請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２注入工程は、
前記ゲート電極の表面、前記ソース／ドレイン領域の表面および前記抵抗素子の表面を酸化膜で被覆する工程と、
前記抵抗素子を被覆する前記酸化膜上に、所定位置を開口したレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記所定位置下方の前記酸化膜を除去することにより、前記抵抗素子に電極引き出し部を形成するとともに前記抵抗素子の側面にサイドウォールを形成し、前記ゲート電極上面を被覆する前記酸化膜を除去することにより、前記ゲート電極の側面にサイドウォールを形成し、前記ソース／ドレイン領域の表面を被覆する前記酸化膜を除去する工程と、
前記ソース／ドレイン領域と前記電極引き出し部とに前記不純物を注入する工程とを含む請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２注入工程は、前記ソース／ドレイン領域に前記不純物を注入すると同時に、前記抵抗素子に前記不純物を注入する請求項３から５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２の拡散防止膜を除去し、前記ゲート電極上と前記ソース／ドレイン領域上と前記抵抗素子上とを金属で成膜する工程と、
前記基板を熱処理することにより、前記ゲート電極と前記ソース／ドレイン領域と前記抵抗素子とにシリサイドを形成する工程と、
を更に備える請求項３から６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記不純物は、ヒ素イオンである請求項１から７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記金属は、コバルトである請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月22日(2010.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
ステップＳ１６２において、ＲＡＣＨ受信タイマが満了したか否かについて判定され、ＲＡＣＨ受信タイマが満了したと判定された場合、本動作は、手順ＡのＳｔａｒｔに戻り、ＲＡＣＨ受信タイマが満了していないと判定された場合、本動作は、手順ＣのステップＳ１２５に戻る。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月30日(2010.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する一対の短辺を有する長方形の基板と、
前記基板上に設けられたｎ型窒化物半導体層と、
前記ｎ型窒化物半導体層の所定領域上に順に設けられた活性層、及びｐ型窒化物半導体層と、
前記ｐ型窒化物半導体層上に設けられた透明電極と、
前記長方形の一方の短辺に沿って、前記ｎ型窒化物半導体層上に１個だけ設けられたｎ型電極パッドと、
前記透明電極上に設けられ、前記長方形の他方の短辺側のｐ型窒化物半導体層の外側エッジラインから前記ｎ型電極パッドに向かって位置を変更した場合に、光出力（Ｐｏ）値が増加している区間に配置されたｐ型電極パッドと、
を含む窒化物系半導体発光素子。
【請求項２】
前記ｐ型電極パッドは、前記ｐ型窒化物半導体層の外側エッジラインから５０μｍ以上離間されたことを特徴とする請求項１に記載の窒化物系半導体発光素子。
【請求項３】
前記基板はサファイアであり、前記基板と前記ｎ型窒化物半導体層との間にＡｌＮ／ＧａＮからなるバッファ層をさらに含むことを特徴とする請求項１または２に記載の窒化物系半導体発光素子。
【請求項４】
前記ｎ型窒化物半導体層は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎのうちのいずれか一つのｎ型導電型不純物がドープされたＧａＮ層またはＧａＮ／ＡｌＧａＮ層であり、前記ｐ型窒化物半導体層は、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｂｅのうちのいずれか一つのｐ型導電型不純物がドープされたＧａＮ層またはＧａＮ／ＡｌＧａＮ層であり、前記活性層は、多重量子井戸（ｍｕｌｔｉ−ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ）構造のＩｎＧａＮ／ＧａＮ層から成ることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の窒化物系半導体発光素子。
【請求項５】
前記透明電極は、ＩＴＯ材質から成ることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の窒化物系半導体発光素子。
【請求項６】
前記ｐ型電極パッド及び前記ｎ型電極パッドは、ＡｕまたはＡｕ／Ｃｒから成ることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の窒化物系半導体発光素子。
【請求項７】
前記ｐ型電極パッドが前記窒化物半導体層の外側エッジラインから約５０μｍ〜２００μｍだけ離間される間、光出力（Ｐｏ）値が増加することを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の窒化物系半導体発光素子。
【請求項８】
前記ｐ型電極パッドが前記ｐ型窒化物半導体層の外側エッジラインから２００μｍより遠い距離に離間されるほど、光出力（Ｐｏ）値が減少することを特徴とする請求項７に記載の窒化物系半導体発光素子。
【請求項９】
離間距離を長方形の長辺の１０％〜４０％として、
前記ｐ型電極パッドは、前記他方の短辺側の外側エッジラインから前記離間距離の領域に配置されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の窒化物系半導体発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月10日(2009.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）基体側の上方に第１電極を形成する工程と、
（ｂ）前記第１電極の上方に圧電体層を形成する工程と、
（ｃ）前記圧電体層の上方に第２電極を形成する工程と、
（ｄ）前記第２電極および前記圧電体層の少なくとも一部をパターニングして、前記第１電極、前記圧電体層、および前記第２電極を有するキャパシタ構造部を形成する工程と、
（ｅ）前記（ｄ）工程の後に、前記キャパシタ構造部の少なくとも一部を被覆する保護膜を形成する工程と、
（ｆ）前記（ｅ）工程の後に、第１のアニールを行う工程と、
（ｇ）前記上部電極と電気的に接続する配線膜を形成する工程と、
を含む、圧電素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記工程（ｅ）は、
（ｅ１）保護膜を成膜する工程と、
（ｅ２）前記保護膜をパターニングする工程と、
前記工程（ｅ１）と（ｅ２）との間に、
第２のアニールを行う工程をさらに含む、圧電素子の製造方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記工程（ｂ）は、
前記圧電体層の前駆体溶液を前記第１電極の上方に塗布する工程と、
前記前駆体溶液の結晶化アニールを行う工程と、
を有し、
前記工程（ｆ）における第１のアニールの温度は、前記結晶化アニールの温度より低い、圧電素子の製造方法。
【請求項４】
請求項２において、
前記工程（ｂ）は、
前記圧電体層の前駆体溶液を前記第１電極の上方に塗布する工程と、
前記前駆体溶液の結晶化アニールを行う工程と、
を有し、
前記第２のアニールの温度は、前記結晶化アニールの温度より低い、圧電素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】圧電素子の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月27日(2010.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ本体の表面に凸設された複数の突起電極と、
複数の導電性粒子がバインダ樹脂層中に分散して保持されてなり、前記複数の突起電極
の少なくとも各先端面に形成された導電接着層と、
を有することを特徴とする電子チップ部品。
【請求項２】
前記バインダ樹脂層は、前記チップ本体上に設置された下地接着層と該下地接着層上に積層された表面接着層とからなる積層構造に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子チップ部品。
【請求項３】
複数の導電性粒子は、前記下地接着層と前記表面接着層との境界面に分散されていることを特徴とする請求項２に記載の電子チップ部品。
【請求項４】
前記下地接着層がアクリル樹脂系軟性接着剤からなり、前記表面接着層がエポキシ樹脂からなることを特徴とする請求項２に記載の電子チップ部品。
【請求項５】
第１のバインダ樹脂材料中に導電性粒子を均一に分散混合させた溶液を、チップ本体の
表面に凸設されている複数個の突起電極の各先端面に塗布し、
導電性粒子を均一に分散させて保持した下地接着層を形成し、
各突起電極の下地接着層と前記導電性粒子を覆って第２のバインダ樹脂材料液を塗布し、表面接着層を積層形成することを特徴とする電子チップ部品の製造方法。
【請求項６】
前記第１のバインダ樹脂材料がアクリル樹脂系軟性接着剤であり、前記第２のバインダ樹脂材料がエポキシ樹脂であることを特徴とする請求項５に記載の電子チップ部品の製造方法。
【請求項７】
前記第１のバインダ樹脂材料と前記第２のバインダ樹脂材料の少なくとも一方は、インクジェットヘッドによりそれぞれ塗布されることを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の電子チップ部品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の請求項１に記載の電子チップ部品は、チップ本体の表面に凸設された複数の突起電極と、複数の導電性粒子がバインダ樹脂層中に分散して保持されてなり、前記複数の突起電極の少なくとも各先端面に形成された導電接着層と、を有することを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月8日(2010.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技球が入球可能な始動口と、
演出を表示可能な演出表示部と、
開状態と閉状態を採り得る可変入賞口と、
前記始動口に遊技球が入球した場合に乱数を取得する乱数取得手段と、
前記乱数取得の際に演出開始条件を充足していない場合、前記演出開始条件を充足するまで前記乱数を入球順に一時記憶する保留手段と、
前記演出開始条件を充足した場合、前記乱数から導かれる演出を前記演出表示部上で実行する演出表示制御手段と、
前記演出表示部上で実行された前記演出内容が所定結果となった場合、前記可変入賞口を前記閉状態から前記開状態にする特別遊技の実行制御を行う特別遊技制御手段と、
前記保留手段内に一時記憶されている演出開始が許可されていない前記乱数を参照し、当該乱数から導かれる演出の内容及び／又は結果を前記乱数について事前に把握する保留先読み手段と、
前記保留先読み手段により事前に把握された、前記保留手段内に一時記憶されている演出開始が許可されていない前記乱数から導かれる演出の内容及び／又は結果に基づき、前記保留手段内に一時記憶されている演出開始が許可されていない前記乱数中に特別遊技に移行する乱数が存在する又はその可能性があることを報知又は示唆する予告を実行し得る予告制御手段と
を有するパチンコ遊技機において、
前記保留先読み手段は、前記特別遊技中に、前記保留手段内に一時記憶されている前記乱数を参照し、当該乱数から導かれる演出の内容及び／又は結果を前記乱数について事前に把握し、
前記予告制御手段は、前記特別遊技中に、前記保留先読み手段により事前に把握された、前記保留手段内に一時記憶されている前記乱数から導かれる演出の内容及び／又は結果に基づき、前記保留手段内に一時記憶されている前記乱数中に特別遊技に移行する乱数が存在する又はその可能性があることを報知又は示唆する予告を実行し得る
を有することを特徴とするパチンコ遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月18日(2010.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の数値範囲で数値を更新する数値更新手段と、
前記数値更新手段が更新する数値を保持可能な第１状態と、保持不可能な第２状態を有し、前記第１状態において操作部に対する操作を受け付けた場合には、操作を受け付けたタイミングで前記数値更新手段が更新する数値を保持する数値保持手段と、
少なくとも遊技に設定された規定数の遊技媒体が投入されることを開始契機とした抽選モードにおいて、前記操作部の操作を受け付けた場合には、前記数値保持手段が保持した数値を読み出して、読み出した数値と、前記所定の数値範囲に亘って抽選結果が対応付けられた抽選データと、に基づいて抽選処理を行う抽選処理実行手段と、
前記数値保持手段を前記第１状態とする状態更新処理を行う状態更新処理実行手段と、
を備える遊技台であって、
前記数値保持手段は、
前記数値更新手段が更新する数値を保持する数値記憶手段と、
更新可能なフラグ情報であって、前記数値保持手段が前記第１状態である場合には前記第１状態を示す情報、前記数値保持手段が前記第２状態である場合には前記第２状態を示す情報を記憶するフラグ情報記憶手段と、
を備え、
前記状態更新処理は、予め定めた時間ごとに実行されるタイマ割込処理において、前記フラグ情報記憶手段に記憶されたフラグ情報を、前記第１状態を示す情報に更新するとともに前記数値記憶手段に記憶された数値を読み込む処理であり、
前記数値保持手段は、
前記タイマ割込処理において、前記状態更新処理が実行されると、前記第１状態となり、前記第１状態において前記数値記憶手段に数値が保持されると、前記第１状態から前記第２状態に更新されるように構成され、
前記抽選モードを開始した後の前記操作部に対する操作受け付け時より前において、前記状態更新処理実行手段により前記状態更新処理が実行され、前記数値記憶手段に保持された数値が読み出された場合には、読み出された数値は、前記抽選処理に用いられず、
前記抽選モードを開始した後の前記操作部に対する操作受け付け時において、前記数値記憶手段に保持された数値が読み出された場合には、読み出された数値は、前記抽選処理に用いられることを特徴とする遊技台。
【請求項２】
前記状態更新処理実行手段は、
前記抽選処理実行手段が前記抽選処理を行った後には、前記状態更新処理を実行しないことを特徴とする請求項１記載の遊技台。
【請求項３】
前記フラグ情報記憶手段に記憶されたフラグ情報を前記状態更新処理実行手段に出力するフラグ情報出力手段をさらに備え、
前記状態更新処理実行手段は、
入力したフラグ情報が前記第２状態を示す場合には、前記状態更新処理を実行することを特徴とする請求項１又は２記載の遊技台。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月30日(2010.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技盤と、遊技機本体部とを備え、前記遊技機本体部は、前面側に取付枠を有し、前記遊技盤は、前記遊技機本体部の前方から前記取付枠に取付けられる遊技機であって、
前記取付枠は、
前面側から奥側に凹む遊技盤装着凹部と、
遊技盤装着凹部の下縁側に設けられて前記遊技盤の取付時に当該遊技盤の重量を支持する重量支持部と、
前記遊技盤装着凹部の一方の側縁側でかつ前記遊技盤装着凹部の凹部底面より前面側に設けられ、前記遊技盤の取付時に当該遊技盤の一方の側縁側の前面と係合可能な係合部材と
を有し、
前記遊技盤は、前記遊技盤の下端を前記重量支持部上に載せた状態で、一方の側縁側を前記係合部材と前記遊技盤装着凹部の凹部底面との間に横方向から挿入し、当該一方の側縁側を支点にして水平状に回動させることにより前記遊技盤装着凹部に取付けられる構成とされ、
前記遊技盤の裏面側と前記取付枠の前面側には、それぞれ電気接点を有するコネクタが設けられており、各コネクタは、前記遊技盤の前記取付枠に対する取付動作に基づいて係合するべく互いに雌雄形状に構成され、
前記遊技盤側のコネクタあるいは前記取付枠側のコネクタのうちの少なくとも一方のコネクタは、前記遊技盤の裏面側あるいは前記取付枠の前面側に固着された内周形状が当該コネクタの外周形状よりも大きい筒孔を有する筒状のコネクタホルダの筒孔内に、左右方向及び上下方向に移動し得るように配置されており、
前記遊技盤に前後方向に貫通する貫通孔を設けるとともに、前記遊技盤の前面側における少なくとも貫通孔の前側部分に不透明なパネル飾りを配置し、
前記貫通孔と前記パネル飾りとによって、前記遊技盤側のコネクタの電気配線の取り回し用であって、かつ前方から視認不能な配線取り回し用の空間を形成することを特徴とする、
遊技機。
【請求項２】
請求項１に記載の遊技機であって、
前記コネクタホルダの筒孔内に配置されている一方のコネクタを、当該一方のコネクタ
の向きが他方のコネクタの向きに近づくように付勢する、弾性変形可能な矯正板を有して
いることを特徴とする遊技機。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の遊技機であって、
前記貫通孔の内壁面のうち、電気配線の引き出し側にはテーパー面が形成されていることを特徴とする、
遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を達成するため、特許請求の範囲の請求項に記載の発明が構成される。  請求項１に記載の発明によれば、遊技盤と、遊技機本体部とを備え、遊技機本体部は、前面側に取付枠を有し、遊技盤は、遊技機本体部の前方から取付枠に取付けられる遊技機が構成される。遊技機としては、典型的にはパチンコ機やアレンジボール機等がこれに該当する。  本発明に係る遊技機においては、取付枠は、前面側から奥側に凹む遊技盤装着凹部と、遊技盤装着凹部の下縁側に設けられて遊技盤の取付時に当該遊技盤の重量を支持する重量支持部と、遊技盤装着凹部の一方の側縁側でかつ遊技盤装着凹部の凹部底面より前面側に設けられ、遊技盤の取付時に当該遊技盤の一方の側縁側の前面と係合可能な係合部材とを有する。そして、遊技盤は、遊技盤の下端を重量支持部上に載せた状態で、一方の側縁側を係合部材と遊技盤装着凹部の凹部底面との間に横方向から挿入し、当該一方の側縁側を支点にして水平状に回動させることにより遊技盤装着凹部に取付けられる構成とされる。 一方、遊技盤の裏面側と取付枠の前面側には、それぞれ電気接点を有するコネクタが設けられており、各コネクタは、遊技盤の取付枠に対する取付動作に基づいて係合するべく互いに雌雄形状に構成されている。そして、遊技盤側のコネクタあるいは取付枠側のコネクタのうちの少なくとも一方のコネクタは、当該遊技盤の裏面側あるいは取付枠の前面側に固着された内周形状が当該コネクタの外周形状よりも大きい筒孔を有する筒状のコネクタホルダの筒孔内に、左右方向及び上下方向に移動し得るように配置されており、  前記遊技盤に前後方向に貫通する貫通孔を設けるとともに、前記遊技盤の前面側における少なくとも貫通孔の前側部分に不透明なパネル飾りを配置し、  前記貫通孔と前記パネル飾りとによって、前記遊技盤側のコネクタの電気配線の取り回し用であって、かつ前方から視認不能な配線取り回し用の空間を形成することを特徴とする。 本発明によれば、上記のように構成したことにより、遊技盤を取付枠に取付ける際に、当該遊技盤を取付枠に取付ける動作に基づいて、遊技盤側の電気接点と取付枠側の電気接点の接合作業を同時に行うことができる。特に、遊技盤側のコネクタあるいは取付枠側のコネクタのうちの少なくとも一方のコネクタを、遊技盤の裏面側あるいは取付枠の前面側に固着されたコネクタホルダの筒孔内に、左右方向及び上下方向に移動し得るように配置したので、一方のコネクタと他方のコネクタとの係合時におけるコネクタ相互間の位置ずれが修正され、円滑に係合する。また、コネクタホルダ内に配置されるコネクタを遊技盤に近接して配置することが可能となり、コネクタ及びコネクタホルダの遊技盤背面からの突出高さを低くし、延いては遊技機全体の奥行き寸法を小さくできる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項２に記載の発明によれば、請求項１に記載の遊技機において、コネクタホルダの筒孔内に配置されている一方のコネクタを、当該一方のコネクタの向きが他方のコネクタの向きに近づくように付勢する、弾性変形可能な矯正板を有している。このため、コネクタ相互の係合をより一層円滑に行うことができる。
請求項３に記載の発明によれば、請求項１または請求項２に記載の遊技機であって、
前記貫通孔の内壁面のうち、電気配線の引き出し側にはテーパー面が形成されていることを特徴とする。このテーパー面によって電気配線の引き出しの容易化が図られている。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月7日(2010.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
好適な実施の一態様において、本発明の調製粉乳は、Ｘ軸の変数とＹ軸の変数との関係が、図２のグラフの線から下の範囲を満たすものとすることができる。Ｙ軸の変数（Ｚ）は、好ましくは次の式ＩＩａ：
Ｚ≦０．１９９ｅ０．８０２Ｘ    （式ＩＩａ）
さらに好ましくは次の式ＩＩｂ：
Ｚ≦０．１５８ｅ０．７４９Ｘ    （式ＩＩｂ）
さらに好ましくは次の式ＩＩｃ：
Ｚ≦０．１６７ｅ０．５７７Ｘ    （式ＩＩｃ）
を満たすものとすることができる。なお、測定値の誤差を考え、個々の値に対する９５％信頼区間の上限値までが権利範囲に含まれるものとする。
ヘキサナールは徐々に上昇し、やがて食用に適さないほどに生成するため、ヘキサナールは４ｐｐｍを超えないことが望ましく、３ｐｐｍを越えないことがより好ましく、２．５ｐｐｍを越えないことがさらに望ましい。本発明の好適な実施の一態様において、Ｚは、０（ｐｐｍ）以上、０．０１（ｐｐｍ）以上、０．０５（ｐｐｍ）以上、０．１（ｐｐｍ）以上とすることができる。また、Ｙ軸の変数（Ｚ）は、好ましくは次の式ＩＩｄ：
０．１００ｅ０．１００Ｘ≦Ｚ    （式ＩＩｄ）
さらに好ましくは次の式ＩＩｅ：
０．１２０ｅ０．２００Ｘ≦Ｚ    （式ＩＩｅ）
さらに好ましくは次の式ＩＩｆ：
０．１４０ｅ０．４００Ｘ≦Ｚ    （式ＩＩｆ）
さらに好ましくは次の式ＩＩｇ：
０．１５０ｅ０．５００Ｘ≦Ｚ    （式ＩＩｇ）
を満たすものとすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月25日(2010.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原稿に付加された付加情報を抽出し、抽出結果に応じた処理を行う画像処理装置であって、
前記付加情報が付加される前の原稿上の画像を読み取って得られた画像データを入力する入力手段と、
前記入力手段により入力された画像データの色成分を、前記付加情報で使われる色成分とは異なる色成分に変換する変換手段と、
前記変換手段により色成分が変換された画像データを、ユーザが前記付加情報を付加するための原稿として印刷手段に印刷させる制御手段とを有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記付加情報に用いる色成分を特定する特定手段と、
前記付加情報が付加される前の原稿に前記特定手段で特定された色成分が含まれているか否か判定する判定手段とを有し、
前記制御手段は、前記判定手段で前記色成分が含まれていると判定された場合に、前記変換手段により色成分が変換された画像データを前記印刷手段に印刷させることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記入力手段は、前記付加情報が付加される前の原稿を読み取って得た画像データを入力し、
前記判定手段は、前記入力手段により入力された、前記付加情報が付加される前の原稿の画像データに基づいて判定を行うことを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記原稿の内容をユーザに確認する確認手段を有し、
前記判定手段は、前記確認手段による確認結果に応じて前記判定を行うことを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記付加情報が付加された原稿を読み取って得た画像データから前記付加情報を抽出する抽出手段を有し、
前記制御手段は、前記抽出手段により前記付加情報を抽出できなかった場合に、前記変換手段により色成分が変換された画像データを前記印刷手段に印刷させることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記付加情報が付加される前の原稿に有彩色が含まれるか否か判定する第２の判定手段を有し、
前記制御手段は、前記第２の判定手段で有彩色が含まれると判定された場合に、前記変換手段により色成分が変換された画像データを前記印刷手段に印刷させることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記変換手段は、前記入力手段により入力された画像データを、モノクロ画像データに変換することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
印刷を促す案内をユーザに通知する通知手段を有し、
前記制御手段は、ユーザが前記通知手段により通知された案内に対し、印刷を指示した場合に、前記変換手段により色成分が変換された画像データを前記印刷手段に印刷させることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項９】
原稿に付加された付加情報を抽出し、抽出結果に応じた処理を行う画像処理装置の制御方法であって、
前記付加情報が付加される前の原稿上の画像を読み取って得られた画像データを入力するステップと、
前記入力された画像データの色成分を、前記付加情報で使われる色成分とは異なる色成分に変換するステップと、
色成分が変換された画像データを、ユーザが前記付加情報を付加するための原稿として印刷手段に印刷させるステップとを有することを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の制御方法をコンピュータにより実行させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の画像処理装置は、原稿に付加された付加情報を抽出し、抽出結果に応じた処理を行う画像処理装置であって、前記付加情報が付加される前の原稿上の画像を読み取って得られた画像データを入力する入力手段と、前記入力手段により入力された画像データの色成分を、前記付加情報で使われる色成分とは異なる色成分に変換する変換手段と、前記変換手段により色成分が変換された画像データを、ユーザが前記付加情報を付加するための原稿として印刷手段に印刷させる制御手段とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月28日(2010.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水平支持部と、
前記水平支持部を第１領域及び第２領域に分割するよう前記水平支持部に一端が連結された垂直支持部と、
前記水平支持部の第１領域及び第２領域からそれぞれ一部が露出するよう前記水平支持部に形成される少なくとも一つの連結端子と、
前記垂直支持部により第１領域及び第２領域に分割されるよう前記垂直支持部の他端に連結され、前記水平支持部と所定の間隔を保ちＢＬＵ用ＰＣＢの挿入領域を形成する蓋部とを含み、
前記連結端子は前記第１領域及び第２領域にそれぞれ一端が据置されるＰＣＢを電気的に連結することを特徴とするＢＬＵ用ＰＣＢコネクタ。
【請求項２】
前記連結端子が前記水平支持部の第１領域及び第２領域からそれぞれ一部が露出するよう前記水平支持部の内部に備えられ、
前記水平支持部には、前記連結端子の露出部位が弾性により流動できるように前記第１領域及び第２領域に夫々溝が形成されることを特徴とする請求項１に記載のＢＬＵ用ＰＣＢコネクタ。
【請求項３】
前記水平支持部及び垂直支持部は、絶縁性を有する材質からなることを特徴とする請求項１又は２に記載のＢＬＵ用ＰＣＢコネクタ。
【請求項４】
前記水平支持部及び垂直支持部は、プラスチックからなることを特徴とする請求項３に記載のＢＬＵ用ＰＣＢコネクタ。
【請求項５】
前記連結端子は、弾性片であることを特徴とする請求項１から４の何れかに記載のＢＬＵ用ＰＣＢコネクタ。
【請求項６】
前記蓋部は、前記水平支持部と同一の大きさに形成されることを特徴とする請求項１から５の何れかに記載のＢＬＵ用ＰＣＢコネクタ。
【請求項７】
前記蓋部の第１領域及び第２領域にそれぞれ一部が露出するよう前記蓋部に形成される少なくとも一つの連結端子をさらに含むことを特徴とする請求項１から６の何れかに記載のＢＬＵ用ＰＣＢコネクタ。
【請求項８】
前記蓋部に形成される連結端子は、弾性片であることを特徴とする請求項７に記載のＢＬＵ用ＰＣＢコネクタ。
【請求項９】
前記水平支持部には、
据置されるＰＣＢを固定させるための少なくとも一つの結合突起と、
前記水平支持部上に所定の深さで形成され前記結合突起の流動を可能とする安着部と、
前記安着部に形成され前記結合突起に弾性力を与える弾性部材とをさらに含むことを特徴とする請求項１から８の何れかに記載のＢＬＵ用ＰＣＢコネクタ。
【請求項１０】
前記弾性部材は、板スプリングであることを特徴とする請求項９に記載のＢＬＵ用ＰＣＢコネクタ。
【請求項１１】
前記板スプリングはＵ−状で形成されることを特徴とする請求項１０に記載のＢＬＵ用ＰＣＢコネクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月7日(2010.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像処理装置であって、
動画の画面領域を分割した複数の分割ブロックそれぞれの中における被写体の動きを検出し、前記被写体に動きがあった前記分割ブロックとこの分割ブロックの中における前記被写体の動きとを特定した被写体動き情報を生成する被写体動き情報生成手段と、
静止画を取得する静止画取得手段と、
前記被写体動き情報生成手段が生成した前記被写体動き情報を用い、前記静止画取得手段が取得した前記静止画上で、前記被写体動き情報が特定する前記分割ブロックに対応する静止画ブロックの像を、前記被写体動き情報が特定する前記被写体の動きに応じて移動させる静止画処理手段と、
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記被写体動き情報は、前記分割ブロック毎に、前記被写体の動きを特定する動き情報を対応付けたものであることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記被写体動き情報生成手段は、前記動画の画面領域を分割した複数の分割ブロックそれぞれの中における被写体の動きを検出し、前記動画の被写体の往復運動を前記動き情報に基づいて検知し、検知した前記往復運動の周期に応じた前記被写体動き情報を複数生成し、
前記静止画処理手段は、前記被写体動き情報生成手段が生成した複数の前記被写体動き情報を用い、前記静止画上で、前記静止画ブロックの像を前記動き情報に応じて順次移動させていくことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記往復運動を前記動き情報に含まれる被写体の動く方向の反転を用いて検知することを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
撮影部を更に備え、
前記静止画は前記撮影部によって撮影されたものであり、
前記被写体動き情報生成手段は、前記撮影部が前記静止画を撮影する時期から遡った往復運動の周期に応じた前記被写体動き情報を複数生成することを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項６】
撮影部をさらに備え、
前記動画及び前記静止画は、前記撮影部が撮影したものであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
表示部をさらに備え、
前記静止画処理手段は、前記表示部に前記静止画を表示させ、前記表示部に表示させた前記静止画上で、前記静止画ブロックの像を移動させることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記被写体動き情報生成手段は、前記動画の画面領域を分割した複数の分割ブロックそれぞれの中における被写体の動きを検出し、前記動画の被写体の往復運動を前記動き情報に基づいて検知し、検知した前記往復運動の周期に応じた、かつ、前記往復運動に対応した前記動き情報を特定した前記被写体動き情報を複数生成し、
前記静止画処理手段は、前記被写体動き情報生成手段が生成した複数の前記被写体動き情報のうちの前記往復運動に対応した前記動き情報のみを用い、前記静止画取得手段が取得した前記静止画上で、前記静止画ブロックの像を、前記動き情報が特定する前記被写体の動きに応じて移動させることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項９】
画像処理方法をコンピュータに実行させる画像処理プログラムであって、
動画の画面領域を分割した複数の分割ブロックそれぞれの中における被写体の動きを検出し、前記被写体に動きがあった前記分割ブロックとこの分割ブロックの中における前記被写体の動きとを特定した被写体動き情報を生成する被写体動き情報生成ステップと、
静止画を取得する静止画取得ステップと、
前記被写体動き情報生成ステップで生成した前記被写体動き情報を用い、前記静止画取得ステップで取得した前記静止画上で、前記被写体動き情報が特定する前記分割ブロックに対応する静止画ブロックの像を、前記被写体動き情報が特定する前記被写体の動きに応じて移動させる静止画処理ステップと、
を前記コンピュータに行わせることを特徴とする画像処理プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の第一の観点に係る画像処理装置は、
動画の画面領域を分割した複数の分割ブロックそれぞれの中における被写体の動きを検出し、前記被写体に動きがあった前記分割ブロックとこの分割ブロックの中における前記被写体の動きとを特定した被写体動き情報を生成する被写体動き情報生成手段と、
静止画を取得する静止画取得手段と、
前記被写体動き情報生成手段が生成した前記被写体動き情報を用い、前記静止画取得手段が取得した前記静止画上で、前記被写体動き情報が特定する前記分割ブロックに対応する静止画ブロックの像を、前記被写体動き情報が特定する前記被写体の動きに応じて移動させる静止画処理手段と、
を備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記被写体動き情報生成手段は、前記動画の画面領域を分割した複数の分割ブロックそれぞれの中における被写体の動きを検出し、前記動画の被写体の往復運動を前記動き情報に基づいて検知し、検知した前記往復運動の周期に応じた前記被写体動き情報を複数生成し、
前記静止画処理手段は、前記被写体動き情報生成手段が生成した複数の前記被写体動き情報を用い、前記静止画上で、前記静止画ブロックの像を前記動き情報に応じて順次移動させていってもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
前記被写体動き情報生成手段は、前記動画の画面領域を分割した複数の分割ブロックそれぞれの中における被写体の動きを検出し、前記動画の被写体の往復運動を前記動き情報に基づいて検知し、検知した前記往復運動の周期に応じた、かつ、前記往復運動に対応した前記動き情報を特定した前記被写体動き情報を複数生成し、
前記静止画処理手段は、前記被写体動き情報生成手段が生成した複数の前記被写体動き情報のうちの前記往復運動に対応した前記動き情報のみを用い、前記静止画取得手段が取得した前記静止画上で、前記静止画ブロックの像を、前記動き情報が特定する前記被写体の動きに応じて移動させてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の第二の観点に係る画像処理プログラムは、
画像処理方法をコンピュータに実行させる画像処理プログラムであって、
動画の画面領域を分割した複数の分割ブロックそれぞれの中における被写体の動きを検出し、前記被写体に動きがあった前記分割ブロックとこの分割ブロックの中における前記被写体の動きとを特定した被写体動き情報を生成する被写体動き情報生成ステップと、
静止画を取得する静止画取得ステップと、
前記被写体動き情報生成ステップで生成した前記被写体動き情報を用い、前記静止画取得ステップで取得した前記静止画上で、前記被写体動き情報が特定する前記分割ブロックに対応する静止画ブロックの像を、前記被写体動き情報が特定する前記被写体の動きに応じて移動させる静止画処理ステップと、
を前記コンピュータに行わせる。