(57)【要約】【課題】トラック幅を小さくして記録密度を向上でき、磁路長が短いことによって高周波帯域における記録特性に優れ、且つ薄膜コイルの抵抗値の小さい薄膜磁気ヘッドを実現する。【解決手段】薄膜磁気ヘッドは、下部磁極層１０と上部磁極層３０と記録ギャップ層２６と薄膜コイルとを備えている。下部磁極層１０は、第１の層１０ａ、第２の層１０ｂ、第３の層１０ｄ、第４の層１０ｆおよび連結層１０ｃ，１０ｅ，１０ｇを有している。薄膜コイルは、一部が第２の層１０ｂと連結層１０ｃとの間に配置された巻線を有する第１のコイル１３と、少なくとも一部が第１のコイル１３の巻線間に配置された巻線を有する第２のコイル１９と、第３の層１０ｄの側方に配置され、コイル１３，１９を直列に接続する接続層２１とを有している。【選択図】図１７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に対向する媒体対向面と、
前記媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含む第１および第２の磁極層と、
前記媒体対向面から離れた位置に配置され、前記第１の磁極層の一部と前記第２の磁極層の一部の少なくとも一方を含み、前記第１の磁極層と第２の磁極層とを磁気的に連結する連結部と、
前記第１の磁極層の磁極部分と前記第２の磁極層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、
前記連結部の回りに配置され、且つ少なくとも一部が前記第１および第２の磁極層の間に、前記第１および第２の磁極層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えた薄膜磁気ヘッドであって、
前記第１の磁極層は、前記薄膜コイルに対向する位置に配置された第１の層と、前記媒体対向面の近傍において前記第１の層よりも前記第２の磁極層側に突出するように前記第１の層に接続された第２の層と、前記媒体対向面の近傍において前記第２の層よりも前記第２の磁極層側に突出するように前記第２の層に接続された第３の層とを有し、
前記薄膜コイルは、一部が前記第２の層と前記連結部との間に配置された巻線を有する第１のコイルと、少なくとも一部が前記第１のコイルの巻線間に配置された巻線を有する第２のコイルと、前記第３の層の側方に配置され、前記第１および第２のコイルを直列に接続する接続層とを有し、
薄膜磁気ヘッドは、更に、前記第１の層と前記第１および第２のコイルとの間に配置された第１の絶縁膜と、前記第１のコイルの巻線と前記第２のコイルの巻線との間に配置された第２の絶縁膜と、前記第１および第２のコイルと前記接続層との間に配置された第３の絶縁膜と、前記接続層の周囲に配置された第４の絶縁膜とを備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記第１のコイル、第２のコイルおよび接続層の材料は、いずれも金属であることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記第１のコイル、第２のコイルおよび接続層の材料は、いずれも銅であることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記第２の層、第１のコイルおよび第２のコイルのそれぞれにおける第２の磁極層側の面は、同一面上に配置されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記第３の層、接続層および第４の絶縁膜のそれぞれにおける第２の磁極層側の面は、同一面上に配置されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記第４の絶縁膜は前記接続層を覆い、前記第３の層および第４の絶縁膜のそれぞれにおける第２の磁極層側の面は、同一面上に配置されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記接続層は、前記連結部の回りに配置された巻線を有することを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
前記第１の磁極層は、更に、前記第３の層よりも第２の磁極層側に突出するように第３の層に接続され、スロートハイトを規定する第４の層を有することを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
前記第３の層の一部は、前記第３の絶縁膜を介して、前記第１のコイルの一部と第２のコイルの一部の少なくとも一方に対向するように配置されていることを特徴とする請求項８記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記第１の磁極層は、更に、前記第３の層よりも第２の磁極層側に突出するように第３の層に接続された第４の層と、前記第４の層よりも第２の磁極層側に突出するように第４の層に接続され、スロートハイトを規定する第５の層を有することを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】
前記接続層は、前記連結部の回りに配置された巻線を有することを特徴とする請求項１０記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１２】
更に、前記接続層における前記第２の磁極層側の面を覆う第５の絶縁膜を備え、
前記第４の層の一部は、前記第５の絶縁膜を介して、前記接続層の一部に対向するように配置されていることを特徴とする請求項１１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１３】
前記接続層の厚みは、前記第１のコイルおよび第２のコイルの厚みより小さいことを特徴とする請求項１ないし１２のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１４】
前記第２の磁極層は平坦な層であることを特徴とする請求項１ないし１３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１５】
記録媒体に対向する媒体対向面と、
前記媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含む第１および第２の磁極層と、
前記媒体対向面から離れた位置に配置され、前記第１の磁極層の一部と前記第２の磁極層の一部の少なくとも一方を含み、前記第１の磁極層と第２の磁極層とを磁気的に連結する連結部と、
前記第１の磁極層の磁極部分と前記第２の磁極層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、
前記連結部の回りに配置され、且つ少なくとも一部が前記第１および第２の磁極層の間に、前記第１および第２の磁極層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備え、
前記第１の磁極層は、前記薄膜コイルに対向する位置に配置された第１の層と、前記媒体対向面の近傍において前記第１の層よりも前記第２の磁極層側に突出するように前記第１の層に接続された第２の層と、前記媒体対向面の近傍において前記第２の層よりも前記第２の磁極層側に突出するように前記第２の層に接続された第３の層とを有し、
前記薄膜コイルは、一部が前記第２の層と前記連結部との間に配置された巻線を有する第１のコイルと、少なくとも一部が前記第１のコイルの巻線間に配置された巻線を有する第２のコイルと、前記第３の層の側方に配置され、前記第１および第２のコイルを直列に接続する接続層とを有する薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、
前記第１の層を形成する工程と、
前記第１の層の上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜の上に前記第１のコイルを形成する工程と、
前記第１の層の上に前記第２の層および連結部を形成する工程と、
前記第１のコイルの巻線の側壁に第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１のコイルの巻線と前記第２のコイルの巻線との間に前記第２の絶縁膜のみが介在するように前記第２のコイルを形成する工程と、
前記第１および第２のコイルの上面を覆うように第３の絶縁膜を形成する工程と、
前記第３の絶縁膜の上に前記接続層を形成する工程と、
前記第２の層の上に前記第３の層を形成する工程と、
前記接続層の周囲に第４の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の磁極層の磁極部分の上に前記ギャップ層を形成する工程と、
前記ギャップ層の上に前記第２の磁極層を形成する工程と
を備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１６】
前記第１のコイル、第２のコイルおよび接続層の材料は、いずれも金属であることを特徴とする請求項１５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１７】
前記第１のコイル、第２のコイルおよび接続層の材料は、いずれも銅であることを特徴とする請求項１５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１８】
更に、前記第２の層、第１のコイルおよび第２のコイルの形成後に、これらの上面を平坦化する工程を備えたことを特徴とする請求項１５ないし１７のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１９】
更に、前記第３の層、接続層および第４の絶縁膜の形成後に、これらの上面を平坦化する工程を備えたことを特徴とする請求項１５ないし１８のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２０】
前記第４の絶縁膜は前記接続層を覆うように形成され、
薄膜磁気ヘッドの製造方法は、更に、前記第３の層および第４の絶縁膜の形成後に、これらの上面を平坦化する工程を備えたことを特徴とする請求項１５ないし１８のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２１】
前記接続層は、前記連結部の回りに配置された巻線を有することを特徴とする請求項１５ないし２０のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２２】
前記第１の磁極層は、更に、前記第３の層よりも第２の磁極層側に突出するように第３の層に接続され、スロートハイトを規定する第４の層を有し、
薄膜磁気ヘッドの製造方法は、更に、前記第３の層の上に前記第４の層を形成する工程を備えたことを特徴とする請求項１５ないし２１のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２３】
前記第３の層の一部は、前記第３の絶縁膜を介して、前記第１のコイルの一部と第２のコイルの一部の少なくとも一方に対向するように配置されることを特徴とする請求項２２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２４】
前記第１の磁極層は、更に、前記第３の層よりも第２の磁極層側に突出するように第３の層に接続された第４の層と、前記第４の層よりも第２の磁極層側に突出するように第４の層に接続され、スロートハイトを規定する第５の層を有し、
薄膜磁気ヘッドの製造方法は、更に、前記第３の層の上に前記第４の層を形成する工程と、前記第４の層の上に前記第５の層を形成する工程とを備えたことを特徴とする請求項１５ないし２０のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２５】
前記接続層は、前記連結部の回りに配置された巻線を有することを特徴とする請求項２４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２６】
更に、前記接続層の上面を覆うように第５の絶縁膜を形成する工程を備え、
前記第４の層の一部は、前記第５の絶縁膜を介して、前記接続層の一部に対向するように配置されることを特徴とする請求項２５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２７】
前記接続層の厚みは、前記第１のコイルおよび第２のコイルの厚みより小さいことを特徴とする請求項１５ないし２６のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２８】
前記第２の磁極層は平坦な層であることを特徴とする請求項１５ないし２７のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２９】
前記第２の絶縁膜は、化学的気相成長法を用いて形成される複数のアルミナ膜を積層して形成されることを特徴とする請求項１５ないし２８のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも誘導型電磁変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスク装置の面記録密度が著しく向上している。特に最近では、ハードディスク装置の面記録密度は、８０〜１００ギガバイト／プラッタに達し、更にそれを超える勢いである。これに伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。
【０００３】
薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ（Magnetoresistive）素子とも記す。）を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。
【０００４】
記録ヘッドは、一般的に、記録媒体に対向する媒体対向面（エアベアリング面）と、媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含むと共に、互いに磁気的に連結された下部磁極層および上部磁極層と、下部磁極層の磁極部分と上部磁極層の磁極部分との間に設けられた記録ギャップ層と、少なくとも一部が下部磁極層および上部磁極層の間に、これらに対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えている。一般的な記録ヘッドでは、下部磁極層と上部磁極層は、媒体対向面から離れた位置に配置された連結部によって互いに磁気的に連結される。
【０００５】
ところで、記録ヘッドの性能のうち、記録密度を高めるには、記録媒体におけるトラック密度を上げる必要がある。そのためには、トラック幅、すなわち記録ギャップ層を挟んで対向する２つの磁極部分の媒体対向面での幅を、数ミクロンからサブミクロン寸法まで小さくした狭トラック構造の記録ヘッドを実現する必要がある。このような記録ヘッドを実現するために半導体加工技術が利用されている。
【０００６】
トラック幅を小さくしてゆくと、記録ギャップ層を挟んで対向する２つの磁極部分の間で高密度の磁束を発生させることが難しくなってくる。そのため、磁極部分の材料には、より高い飽和磁束密度を有する磁性材料を用いることが望まれている。
【０００７】
また、記録密度を高めるために記録信号の周波数が高くなってくると、記録ヘッドでは、磁束の変化の速度の向上、言い換えるとフラックスライズタイムの短縮が求められると共に、高周波帯域において、オーバーライト特性や非線形トランジションシフト（Non-linear Transition Shift）等の記録特性の劣化が少ないことが求められる。高周波帯域における記録特性を向上させるためには、磁路長を短くすることが望ましい。磁路長は、主に、下部磁極層または上部磁極層のうちの、連結部と媒体対向面との間の部分の長さ（本出願においてヨーク長と言う。）によって決まる。従って、磁路長を短くするには、ヨーク長を短くすることが有効である。ヨーク長を短くするには、薄膜コイルの巻線のピッチ、特に巻線のうち、連結部と媒体対向面との間に配置される部分のピッチを小さくすることが有効である。
【０００８】
従来、薄膜コイルの巻線のピッチを小さくする技術としては、下部磁極層に凹部を形成し、この凹部内に薄膜コイルを配置する技術が知られている（特許文献１，２参照。）。
【０００９】
特許文献１に記載された薄膜磁気ヘッドの製造方法では、下部磁極層、上部磁極層および薄膜コイルは、以下の手順で形成される。まず、所定の形状にパターニングされた下部磁極層を形成する。次に、この下部磁極層の上に記録ギャップ層と磁性層を順に形成する。磁性層の一部は下部磁極層に連結される。次に、磁性層の上において、上部磁極層の磁極部分を形成すべき位置、および連結部を形成すべき位置に、マスクを形成する。次に、このマスクを用いて、磁性層、記録ギャップ層および下部磁極層をエッチングする。これにより、エッチング後の磁性層によって、上部磁極層の磁極部分となる磁極部分層と、連結部となる連結層とが形成される。また、上記エッチングにより、上部磁極層の磁極部分、記録ギャップ層および下部磁極層の一部の各側壁が垂直に自己整合的に形成されたトリム（Trim）構造が形成される。更に、上記エッチングにより、下部磁極層に、薄膜コイルを配置するための凹部が形成される。次に、全体に絶縁膜を形成した後、めっき法によって、上記凹部内における絶縁膜の上に薄膜コイルを形成する。次に、全体に厚い絶縁層を形成した後、この絶縁層の上面を平坦化して、上部磁極層の磁極部分層と連結層とを露出させる。次に、この平坦化された面の上に、磁極部分層と連結層とを連結するように上部磁極層のヨーク部分層を形成する。
【００１０】
また、特許文献２に記載された薄膜磁気ヘッドの製造方法では、下部磁極層、上部磁極層および薄膜コイルは、以下の手順で形成される。まず、所定の形状にパターニングされた下部磁極層を形成する。次に、この下部磁極層の上に、下部磁極層の磁極部分となる磁極部分層と、連結部となる連結層とを形成する。次に、全体に絶縁膜を形成した後、めっき法によって、一部が磁極部分層と連結層との間を通過するように、絶縁膜の上に薄膜コイルを形成する。次に、全体に厚い絶縁層を形成した後、この絶縁層の上面を平坦化して、磁極部分層と連結層とを露出させる。次に、この平坦化された面の上に、記録ギャップ層を形成する。次に、連結層の上の位置において記録ギャップ層にコンタクトホールを形成する。次に、記録ギャップ層の上に、上部磁極層を形成する。上部磁極層は、上記コンタクトホールを通して連結層に接続される。
【００１１】
また、薄膜コイルの巻線のピッチを小さくする他の技術としては、第１のコイルの巻線間に第２のコイルの巻線を配置する技術が知られている（特許文献３参照。）。
【００１２】
【特許文献１】米国特許第６，０４３，９５９号明細書（第５−１０欄、図７−１０、図１８Ａ−１８Ｖ）
【特許文献２】米国特許第６，２５９，５８３Ｂ１号明細書
【特許文献３】特開平１１−２８３２１５号公報（第７ページ、図９−１７）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
前述のように、薄膜磁気ヘッドにおいて、高周波帯域における記録特性を向上させるためにはヨーク長を短くすることが望ましく、そのためには、薄膜コイルの巻線のうち、連結部と媒体対向面との間に配置される部分のピッチを小さくすることが有効である。一方で、薄膜磁気ヘッドの記録特性を向上させるためには、薄膜コイルのターン数を多くすることも望ましい。
【００１４】
ヨーク長を短くしながら薄膜コイルのターン数を多くするには、薄膜コイルのうちの連結部と媒体対向面との間に配置される部分の幅を小さくせざるを得ない。しかしながら、そうすると、薄膜コイルの抵抗値が増大するという問題点がある。
【００１５】
薄膜コイルの抵抗値が増大すると、薄膜コイルが発生する熱によって磁極部分が記録媒体に近づくように突出し、磁極部分が記録媒体に衝突しやすくなるという問題が発生する。
【００１６】
従って、特許文献１，２に示されるような従来の薄膜磁気ヘッドでは、薄膜コイルの抵抗値が増大することによる問題を避けるために、ヨーク長をあまり短くすることができなかった。
【００１７】
また、通常、薄膜コイルは、フレームめっき法を用いて形成される。フレームめっき法で用いるフレームは、薄膜コイルにおける隣接するターンの間に配置される壁部分を有する。この壁部分の形状を維持するために、壁部分の幅はある程度大きくなければならない。そのため、薄膜コイルをフレームめっき法を用いて形成する場合には、薄膜コイルの隣接するターンの間隔を小さくすることが難しい。
【００１８】
特許文献３に記載された技術を用いれば、隣接する巻線間の間隔を小さくすることができる。しかしながら、特許文献３に記載された薄膜磁気ヘッドでは、薄膜コイルを覆い山状に盛り上がった絶縁層の上に、トラック幅を規定する磁極部分を含む上部磁極層が形成される。そのため、この薄膜磁気ヘッドでは、トラック幅を規定する磁極部分を微細に且つ精度よく形成することが難しいという問題点がある。
【００１９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、トラック幅を小さくして記録密度を向上でき、磁路長が短いことによって高周波帯域における記録特性に優れ、且つ薄膜コイルの抵抗値の小さい薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、
記録媒体に対向する媒体対向面と、
媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含む第１および第２の磁極層と、
媒体対向面から離れた位置に配置され、第１の磁極層の一部と第２の磁極層の一部の少なくとも一方を含み、第１の磁極層と第２の磁極層とを磁気的に連結する連結部と、
第１の磁極層の磁極部分と第２の磁極層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、
連結部の回りに配置され、且つ少なくとも一部が第１および第２の磁極層の間に、第１および第２の磁極層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えている。
【００２１】
本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、第１の磁極層は、薄膜コイルに対向する位置に配置された第１の層と、媒体対向面の近傍において第１の層よりも第２の磁極層側に突出するように第１の層に接続された第２の層と、媒体対向面の近傍において第２の層よりも第２の磁極層側に突出するように第２の層に接続された第３の層とを有している。また、薄膜コイルは、一部が第２の層と連結部との間に配置された巻線を有する第１のコイルと、少なくとも一部が第１のコイルの巻線間に配置された巻線を有する第２のコイルと、第３の層の側方に配置され、第１および第２のコイルを直列に接続する接続層とを有している。本発明の薄膜磁気ヘッドは、更に、第１の層と第１および第２のコイルとの間に配置された第１の絶縁膜と、第１のコイルの巻線と第２のコイルの巻線との間に配置された第２の絶縁膜と、第１および第２のコイルと接続層との間に配置された第３の絶縁膜と、接続層の周囲に配置された第４の絶縁膜とを備えている。
【００２２】
本発明の薄膜磁気ヘッドでは、第１のコイルの巻線と第２のコイルの巻線とは、第２の絶縁膜を介して隣接する。そして、第１のコイルと第２のコイルとが接続層を介して直列に接続されることによって薄膜コイルが構成される。
【００２３】
本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、第１のコイル、第２のコイルおよび接続層の材料は、いずれも金属、特に銅であってもよい。
【００２４】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、第２の層、第１のコイルおよび第２のコイルのそれぞれにおける第２の磁極層側の面は、同一面上に配置されていてもよい。また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、第３の層、接続層および第４の絶縁膜のそれぞれにおける第２の磁極層側の面は、同一面上に配置されていてもよい。また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、第４の絶縁膜は接続層を覆い、第３の層および第４の絶縁膜のそれぞれにおける第２の磁極層側の面は、同一面上に配置されていてもよい。
【００２５】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、接続層は、連結部の回りに配置された巻線を有していてもよい。
【００２６】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、第１の磁極層は、更に、第３の層よりも第２の磁極層側に突出するように第３の層に接続され、スロートハイトを規定する第４の層を有していてもよい。この場合、第３の層の一部は、第３の絶縁膜を介して、第１のコイルの一部と第２のコイルの一部の少なくとも一方に対向するように配置されていてもよい。
【００２７】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、第１の磁極層は、更に、第３の層よりも第２の磁極層側に突出するように第３の層に接続された第４の層と、第４の層よりも第２の磁極層側に突出するように第４の層に接続され、スロートハイトを規定する第５の層を有していてもよい。この場合、接続層は、連結部の回りに配置された巻線を有していてもよい。また、薄膜磁気ヘッドは、更に、接続層における第２の磁極層側の面を覆う第５の絶縁膜を備え、第４の層の一部は、第５の絶縁膜を介して、接続層の一部に対向するように配置されていてもよい。
【００２８】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて、接続層の厚みは、第１のコイルおよび第２のコイルの厚みより小さくてもよい。また、第２の磁極層は平坦な層であってもよい。
【００２９】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法によって製造される薄膜磁気ヘッドは、
記録媒体に対向する媒体対向面と、
媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含む第１および第２の磁極層と、
媒体対向面から離れた位置に配置され、第１の磁極層の一部と第２の磁極層の一部の少なくとも一方を含み、第１の磁極層と第２の磁極層とを磁気的に連結する連結部と、
第１の磁極層の磁極部分と第２の磁極層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、
連結部の回りに配置され、且つ少なくとも一部が第１および第２の磁極層の間に、第１および第２の磁極層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルとを備えている。
【００３０】
第１の磁極層は、薄膜コイルに対向する位置に配置された第１の層と、媒体対向面の近傍において第１の層よりも第２の磁極層側に突出するように第１の層に接続された第２の層と、媒体対向面の近傍において第２の層よりも第２の磁極層側に突出するように第２の層に接続された第３の層とを有し、薄膜コイルは、一部が第２の層と連結部との間に配置された巻線を有する第１のコイルと、少なくとも一部が第１のコイルの巻線間に配置された巻線を有する第２のコイルと、第３の層の側方に配置され、第１および第２のコイルを直列に接続する接続層とを有している。
【００３１】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、
第１の層を形成する工程と、
第１の層の上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
第１の絶縁膜の上に第１のコイルを形成する工程と、
第１の層の上に第２の層および連結部を形成する工程と、
第１のコイルの巻線の側壁に第２の絶縁膜を形成する工程と、
第１のコイルの巻線と第２のコイルの巻線との間に第２の絶縁膜のみが介在するように第２のコイルを形成する工程と、
第１および第２のコイルの上面を覆うように第３の絶縁膜を形成する工程と、
第３の絶縁膜の上に接続層を形成する工程と、
第２の層の上に第３の層を形成する工程と、
接続層の周囲に第４の絶縁膜を形成する工程と、
第１の磁極層の磁極部分の上にギャップ層を形成する工程と、
ギャップ層の上に第２の磁極層を形成する工程とを備えている。
【００３２】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、第１のコイル、第２のコイルおよび接続層の材料は、いずれも金属、特に銅であってもよい。
【００３３】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、更に、第２の層、第１のコイルおよび第２のコイルの形成後に、これらの上面を平坦化する工程を備えていてもよい。また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、更に、第３の層、接続層および第４の絶縁膜の形成後に、これらの上面を平坦化する工程を備えていてもよい。また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、第４の絶縁膜は接続層を覆うように形成されてもよい。そして、薄膜磁気ヘッドの製造方法は、更に、第３の層および第４の絶縁膜の形成後に、これらの上面を平坦化する工程を備えていてもよい。
【００３４】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、接続層は、連結部の回りに配置された巻線を有していてもよい。
【００３５】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、第１の磁極層は、更に、第３の層よりも第２の磁極層側に突出するように第３の層に接続され、スロートハイトを規定する第４の層を有していてもよい。そして、薄膜磁気ヘッドの製造方法は、更に、第３の層の上に第４の層を形成する工程を備えていてもよい。この場合、第３の層の一部は、第３の絶縁膜を介して、第１のコイルの一部と第２のコイルの一部の少なくとも一方に対向するように配置されてもよい。
【００３６】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、第１の磁極層は、更に、第３の層よりも第２の磁極層側に突出するように第３の層に接続された第４の層と、第４の層よりも第２の磁極層側に突出するように第４の層に接続され、スロートハイトを規定する第５の層を有していてもよい。そして、薄膜磁気ヘッドの製造方法は、更に、第３の層の上に第４の層を形成する工程と、第４の層の上に第５の層を形成する工程とを備えていてもよい。この場合、接続層は、連結部の回りに配置された巻線を有していてもよい。また、薄膜磁気ヘッドの製造方法は、更に、接続層の上面を覆うように第５の絶縁膜を形成する工程を備え、第４の層の一部は、第５の絶縁膜を介して、接続層の一部に対向するように配置されてもよい。
【００３７】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、接続層の厚みは、第１のコイルおよび第２のコイルの厚みより小さくてもよい。また、第２の磁極層は平坦な層であってもよい。
【００３８】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、第２の絶縁膜は、化学的気相成長法を用いて形成される複数のアルミナ膜を積層して形成されてもよい。
【発明の効果】
【００３９】
本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方法では、第１の磁極層は、薄膜コイルに対向する位置に配置された第１の層と、媒体対向面の近傍において第１の層よりも第２の磁極層側に突出するように第１の層に接続された第２の層と、媒体対向面の近傍において第２の層よりも第２の磁極層側に突出するように第２の層に接続された第３の層とを有している。また、薄膜コイルは、一部が第２の層と連結部との間に配置された巻線を有する第１のコイルと、少なくとも一部が第１のコイルの巻線間に配置された巻線を有する第２のコイルと、第３の層の側方に配置され、第１および第２のコイルを直列に接続する接続層とを有している。これにより、本発明によれば、トラック幅を小さくして記録密度を向上でき、磁路長が短いことによって高周波帯域における記録特性に優れ、且つ薄膜コイルの抵抗値の小さい薄膜磁気ヘッドを実現することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
［第１の実施の形態］
まず、図１ないし図１９を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。なお、図１ないし図１７において、（ａ）はエアベアリング面および基板の上面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。図１８は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおける薄膜コイルの形状および配置を示す平面図である。図１９は、オーバーコート層を除いた状態における本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成を示す斜視図である。
【００４１】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、まず、図１に示したように、例えばアルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）よりなる絶縁層２を、約１〜３μｍの厚みで堆積する。次に、絶縁層２の上に、磁性材料、例えばパーマロイよりなる再生ヘッド用の下部シールド層３を、約２〜３μｍの厚みに形成する。下部シールド層３は、例えば、フォトレジスト膜をマスクにして、めっき法によって、絶縁層２の上に選択的に形成する。次に、図示しないが、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層を、例えば３〜４μｍの厚みに形成し、例えば化学機械研磨（以下、ＣＭＰと記す。）によって、下部シールド層３が露出するまで研磨して、表面を平坦化処理する。
【００４２】
次に、下部シールド層３の上に、絶縁膜としての下部シールドギャップ膜４を、例えば約２０〜４０ｎｍの厚みに形成する。次に、下部シールドギャップ膜４の上に、磁気的信号検出用のＭＲ素子５を、数十ｎｍの厚みに形成する。ＭＲ素子５は、例えば、スパッタによって形成したＭＲ膜を選択的にエッチングすることによって形成する。また、ＭＲ素子５は、後述するエアベアリング面が形成される位置の近傍に配置される。なお、ＭＲ素子５には、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子、あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。次に、図示しないが、下部シールドギャップ膜４の上に、ＭＲ素子５に電気的に接続される一対の電極層を、数十ｎｍの厚みに形成する。次に、下部シールドギャップ膜４およびＭＲ素子５の上に、絶縁膜としての上部シールドギャップ膜７を、例えば約２０〜４０ｎｍの厚みに形成し、ＭＲ素子５をシールドギャップ膜４，７内に埋設する。シールドギャップ膜４，７に使用する絶縁材料としては、アルミナ、窒化アルミニウム、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等がある。また、シールドギャップ膜４，７は、スパッタ法によって形成してもよいし、化学的気相成長（以下、ＣＶＤと記す。）法によって形成してもよい。
【００４３】
次に、上部シールドギャップ膜７の上に、磁性材料よりなる、再生ヘッド用の上部シールド層８を、約１．０〜１．５μｍの厚みで、選択的に形成する。次に、図示しないが、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層を、例えば２〜３μｍの厚みに形成し、例えばＣＭＰによって、上部シールド層８が露出するまで研磨して、表面を平坦化処理する。
【００４４】
次に、ここまでの工程で得られた積層体の上面全体の上に、例えばアルミナよりなる絶縁層９を、約０．３μｍの厚みで形成する。次に、絶縁層９の上面全体の上に、磁性材料よりなる磁性層１０ａｐを、約０．５〜１．０μｍの厚みで形成する。この磁性層１０ａｐは全体的に平坦な上面を有している。また、磁性層１０ａｐは、後述する下部磁極層１０の第１の層１０ａを形成するために用いられるものである。下部磁極層１０は、第１の層１０ａと、後述する第２の層１０ｂ、第３の層１０ｄ、第４の層１０ｆおよび連結層１０ｃ，１０ｅ，１０ｇとを含む。
【００４５】
磁性層１０ａｐは、例えば、材料としてＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）、ＣｏＮｉＦｅ（Ｃｏ：１０重量％，Ｎｉ：２０重量％，Ｆｅ：７０重量％）またはＦｅＣｏ（Ｆｅ：６７重量％，Ｃｏ：３３重量％）を用いて、めっき法によって形成してもよい。あるいは、磁性層１０ａｐは、材料として高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅＮ、ＦｅＡｌＮ、ＦｅＮ、ＦｅＣｏ、ＦｅＺｒＮ等を用いてスパッタ法によって形成してもよい。ここでは、一例として、磁性層１０ａｐは、スパッタ法によって、０．５〜０．６μｍの厚みに形成するものとする。
【００４６】
次に、磁性層１０ａｐの上に、例えばアルミナよりなる絶縁膜１１を、例えば０．２μｍの厚みで形成する。次に、絶縁膜１１を選択的にエッチングして、第２の層１０ｂと連結層１０ｃを形成すべき位置において、絶縁膜１１に開口部を形成する。
【００４７】
次に、図示しないが、第１の層１０ａおよび絶縁膜１１を覆うように、例えばスパッタ法によって、導電性材料よりなる電極膜を、５０〜８０ｎｍの厚みで形成する。この電極膜は、めっきの際の電極およびシード層として機能する。次に、図示しないが、フォトリソグラフィによって、電極膜の上に、フレームめっき法によって第１のコイル１３を形成するためのフレームを形成する。
【００４８】
次に、電極膜を用いて電気めっきを行って、金属、例えばＣｕ（銅）よりなる第１のコイル１３を、約３．５μｍの厚みで形成する。第１のコイル１３は、絶縁膜１１が配置された領域内に配置される。なお、図１（ａ）において、符号１３ａは、第１のコイル１３における内側端部近傍の部分であって、後述する第２の薄膜コイル１９と接続される接続部を示している。次に、フレームを除去した後、例えばイオンビームエッチングによって、電極膜のうち、第１のコイル１３の下に存在する部分以外の部分を除去する。
【００４９】
次に、図示しないが、フォトリソグラフィによって、磁性層１０ａｐおよび絶縁膜１１の上に、フレームめっき法によって下部磁極層１０の第２の層１０ｂおよび連結層１０ｃを形成するためのフレームを形成する。
【００５０】
次に、図２に示したように、電気めっきを行って、磁性層１０ａｐの上に、それぞれ磁性材料よりなる第２の層１０ｂおよび連結層１０ｃを、それぞれ例えば３．５〜４．０μｍの厚みで形成する。第２の層１０ｂおよび連結層１０ｃの材料としては、例えばＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅまたはＦｅＣｏが用いられる。ここでは、一例として、第２の層１０ｂおよび連結層１０ｃの材料として、飽和磁束密度が１．９〜２．２ＴのＣｏＮｉＦｅを用いるものとする。本実施の形態では、第２の層１０ｂおよび連結層１０ｃをめっき法によって形成する際に、特別な電極膜を設けずに、パターニングされていない磁性層１０ａｐをめっき用の電極およびシード層として用いる。
【００５１】
次に、図３に示したように、第１のコイル１３、第２の層１０ｂおよび連結層１０ｃを覆うようにフォトレジスト層１４を形成する。次に、このフォトレジスト層１４をマスクとして、例えば反応性イオンエッチングまたはイオンビームエッチングによって、磁性層１０ａｐを選択的にエッチングする。このようにして、磁性層１０ａｐをパターニングして、第１の層１０ａを完成させる。次に、フォトレジスト層１４を除去する。
【００５２】
次に、図４に示したように、後述する第２のコイル１９を配置すべき位置に、例えばフォトレジストよりなる絶縁層１５を形成する。この絶縁層１５は、少なくとも、第２の層１０ｂと第１のコイル１３との間、第１のコイル１３の巻線間、および連結層１０ｃと第１のコイル１３との間に充填されるように形成される。次に、絶縁層１５を覆うように、例えばアルミナよりなる絶縁層１６を、４〜６μｍの厚みで形成する。
【００５３】
次に、図５に示したように、例えばＣＭＰによって、第２の層１０ｂ、連結層１０ｃおよび絶縁層１５が露出し、且つ第２の層１０ｂ、連結層１０ｃ、絶縁層１５および絶縁層１６の上面が平坦化されるように、絶縁層１５および絶縁層１６を研磨する。
【００５４】
次に、図６に示したように、絶縁層１５を除去した後、例えばＣＶＤ法によって、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなる絶縁膜１７を形成する。これにより、第２の層１０ｂと第１のコイル１３との間、第１のコイル１３の巻線間、および連結層１０ｃと第１のコイル１３との間に、それぞれ絶縁膜１７によって覆われた溝部が形成される。絶縁膜１７の厚みは、例えば０．１〜０．１５μｍである。この絶縁膜１７は、例えば、減圧下で１８０から２２０℃の温度の下で、薄膜形成に用いられる材料としてのＨ2Ｏ、Ｎ2、Ｎ2ＯまたはＨ2Ｏ2と、薄膜形成に用いられる材料としてのＡｌ（ＣＨ3）3またはＡｌＣｌ3が交互に断続的に噴射されることにより、ＣＶＤ法によって形成される膜であってもよい。この形成方法によれば、複数の薄いアルミナ膜が積層されて、所望の厚みの絶縁膜１７が形成される。
【００５５】
次に、積層体の上面全体を覆うように、スパッタ法によって、例えばＣｕよりなる第１の導電膜を、例えば５０ｎｍの厚みで形成する。次に、この第１の導電膜の上に、ＣＶＤ法によって、例えばＣｕよりなる第２の導電膜を、例えば５０ｎｍの厚みで形成する。第２の導電膜は、第２の層１０ｂと第１のコイル１３との間、第１のコイル１３の巻線間、および連結層１０ｃと第１のコイル１３との間の各溝部全体を埋めることを目的とせず、ＣＶＤ法のステップカバレージの良さを生かして溝部を覆うことを目的として形成される。第１および第２の導電膜を合わせて電極膜１８と呼ぶ。この電極膜１８は、めっきの際の電極およびシード層として機能する。次に、電極膜１８の上に、めっき法によって、金属、例えばＣｕよりなる導電層１９ｐを、例えば３〜４μｍの厚みで形成する。電極膜１８および導電層１９ｐは、第２のコイル１９を形成するために用いられる。ＣＶＤ法によって形成されたＣｕよりなる第２の導電膜の上に、めっき法によってＣｕよりなる導電層１９ｐを形成することにより、第２の層１０ｂと第１のコイル１３との間、第１のコイル１３の巻線間、および連結層１０ｃと第１のコイル１３との間に確実に第２のコイルを形成することが可能になる。
【００５６】
次に、図７に示したように、例えばＣＭＰによって、第２の層１０ｂ、連結層１０ｃおよび第１のコイル１３が露出するまで、導電層１９ｐを研磨する。これにより、第２の層１０ｂと第１のコイル１３との間、第１のコイル１３の巻線間、および連結層１０ｃと第１のコイル１３との間に残った導電層１９ｐおよび電極膜１８によって、第２のコイル１９が形成される。上記研磨は、第２の層１０ｂ、連結層１０ｃ、第１のコイル１３および第２のコイル１９の厚みが例えば２．５〜３．０μｍになるように行う。第２のコイル１９は、少なくとも一部が第１のコイル１３の巻線間に配置された巻線を有している。また、第２のコイル１９は、第１のコイル１３の巻線と第２のコイル１９の巻線との間に絶縁膜１７のみが介在するように形成される。
【００５７】
図１８は、第１のコイル１３および第２のコイル１９を示している。図７（ａ）は、図１８における７Ａ−７Ａ線で示される断面を表わしている。なお、図１８には、後に形成される接続層２１，３６，３７、上部磁極層３０およびエアベアリング面３２も示している。図１８に示したように、第１のコイル１３における内側端部近傍の部分には図７（ａ）に示した接続部１３ａが設けられている。第１のコイル１３における外側端部近傍の部分には接続部１３ｂが設けられている。また、第２のコイル１９における内側端部近傍の部分には接続部１９ａが設けられている。第２のコイル１９における外側端部近傍の部分には接続部１９ｂが設けられている。
【００５８】
なお、第１のコイル１３を形成する工程または第２のコイル１９を形成する工程では、図１８に示したように、下部磁極層１０の第１の層１０ａの外側に配置されるように、２つのリード層３４，３５を形成する。リード層３４，３５は、それぞれ、接続部３４ａ，３５ａを有している。
【００５９】
接続部１３ａと接続部１９ｂは、後に形成される接続層２１によって接続されるようになっている。接続部３４ａと接続部１３ｂは、後に形成される接続層３６によって接続されるようになっている。接続部１９ａと接続部３５ａは、後に形成される接続層３７によって接続されるようになっている。
【００６０】
次に、図８に示したように、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなる絶縁膜２０を、０．２〜０．３μｍの厚みで形成する。次に、絶縁膜２０のうち、第２の層１０ｂに対応する部分、連結層１０ｃに対応する部分、第１のコイル１３の２つの接続部１３ａ，１３ｂに対応する部分、第２のコイル１９の２つの接続部１９ａ，１９ｂに対応する部分、リード層３４の接続部３４ａに対応する部分、およびリード層３５の接続部３５ａに対応する部分を選択的にエッチングする。エッチング後の絶縁膜２０は、第１のコイル１３の２つの接続部１３ａ，１３ｂおよび第２のコイル１９の２つの接続部１９ａ，１９ｂを除いて、コイル１３，１９の上面を覆う。
【００６１】
次に、例えばフレームめっき法によって、図１８に示した接続層２１，３６，３７を形成する。接続層２１，３６，３７は、金属、例えばＣｕによって形成される。また、接続層２１，３６，３７の厚みは、例えば０．８〜１．５μｍである。
【００６２】
次に、図９に示したように、例えばフレームめっき法によって、第２の層１０ｂの上に第３の層１０ｄを形成し、連結層１０ｃの上に連結層１０ｅを形成する。第３の層１０ｄおよび連結層１０ｅの材料としては、例えばＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅまたはＦｅＣｏが用いられる。ここでは、一例として、第３の層１０ｄおよび連結層１０ｅの材料として、飽和磁束密度が１．９〜２．３ＴのＣｏＮｉＦｅを用いるものとする。また、第３の層１０ｄおよび連結層１０ｅの厚みは、例えば１〜２μｍである。
【００６３】
次に、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなる絶縁膜２２を、１〜２μｍの厚みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、絶縁膜２２を研磨する。この研磨は、第３の層１０ｄ、連結層１０ｅ、接続層２１，３６，３７および絶縁膜２２の上面が平坦化され、且つこれらの厚みが１．０〜１．５μｍになるように行う。
【００６４】
次に、図１０に示したように、積層体の上面全体を覆うように、スパッタ法によって、磁性材料よりなる磁性層２３を、０．５〜１．０μｍの厚みで形成する。磁性層２３の材料としては、ＣｏＦｅＮ、ＦｅＡｌＮ、ＦｅＮ、ＦｅＣｏ、ＦｅＺｒＮ等の高飽和磁束密度材料が用いられる。ここでは、一例として、磁性層２３の材料として、飽和磁束密度が２．４ＴのＣｏＦｅＮを用いるものとする。
【００６５】
次に、磁性層２３の上であって、第３の層１０ｄに対応する部分および連結層１０ｅに対応する部分に、それぞれ、エッチングマスク２４ａ，２４ｂを、１〜２μｍの厚みで形成する。上記エッチングマスク２４ａ，２４ｂの材料としては、金属を用いてもよい。この場合、エッチングマスク２４ａ，２４ｂは、めっき法、特にフレームめっき法によって形成してもよい。
【００６６】
次に、図１１に示したように、エッチングマスク２４ａ，２４ｂを用い、例えばイオンビームエッチングによって、磁性層２３を選択的にエッチングする。エッチング後にエッチングマスク２４ａ，２４ｂの下に残った磁性層２３によって、第３の層１０ｄ、連結層１０ｅの上に、それぞれ第４の層１０ｆ、連結層１０ｇが形成される。
【００６７】
次に、図１２に示したように、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなる絶縁層２５を、２〜３μｍの厚みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第４の層１０ｆおよび連結層１０ｇが露出するまで、絶縁層２５を研磨する。
【００６８】
第４の層１０ｆのエアベアリング面から遠い端部は、記録ヘッドのスロートハイトを規定する。スロートハイトとは、２つの磁極層が記録ギャップ層を介して対向する部分、すなわち磁極部分の、エアベアリング面側の端部から反対側の端部までの長さ（高さ）をいう。
【００６９】
また、連結層１０ｃ，１０ｅ，１０ｇは、下部磁極層１０と上部磁極層とを磁気的に連結する連結部３３を構成する。
【００７０】
次に、図１３に示したように、積層体の上面全体を覆うように、記録ギャップ層２６を、０．０６〜０．０９μｍの厚みで形成する。記録ギャップ層２６の材料は、アルミナ等の絶縁材料でもよいし、Ｒｕ、ＮｉＣｕ、ＮｉＢ等の非磁性金属材料でもよい。次に、記録ギャップ層２６のうち、連結層１０ｇに対応する部分を選択的にエッチングする。
【００７１】
次に、積層体の上面全体を覆うように、例えばスパッタ法によって、磁性材料よりなる磁性層２７を、０．８〜１．５μｍの厚みで形成する。磁性層２７の材料としては、ＣｏＦｅＮ、ＦｅＡｌＮ、ＦｅＮ、ＦｅＣｏ、ＦｅＺｒＮ等の高飽和磁束密度材料が用いられる。
【００７２】
次に、磁性層２７の上に、例えばアルミナよりなる絶縁層２８を、０．５〜１．５μｍの厚みで形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、絶縁層２８の上に、磁性層２９を、例えば１．０〜１．５μｍの厚みで形成する。磁性層２９の材料としては、例えば、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）、飽和磁束密度が１．９〜２．１ＴのＣｏＮｉＦｅ（Ｃｏ：約６７重量％，Ｎｉ：約１５重量％，Ｆｅ：約１８重量％）または飽和磁束密度が２．４ＴのＦｅＣｏ（Ｆｅ：約６０重量％，Ｃｏ：約４０重量％）が用いられる。磁性層２９は、下部磁極層１０の第４の層１０ｆに対応する位置から連結層１０ｇに対応する位置にかけて配置される。磁性層２９の形状は、後に形成される上部磁極層の形状に対応している。磁性層２９は、トラック幅を規定する部分を有している。このトラック幅を規定する部分の幅は、例えば０．１〜０．２μｍである。
【００７３】
次に、図１４に示したように、磁性層２９をエッチングマスクとして、例えば反応性イオンエッチングによって、絶縁層２８を選択的にエッチングする。このときのエッチングガスとしては、ハロゲン系ガス、例えばＣｌ2、あるいはＢＣｌ３とＣｌ2の混合ガスが用いられる。このエッチングでは、磁性層２９を除去してもよいし、除去しなくてもよい。なお、磁性層２９を除去した方が、後の磁性層２７のエッチングを正確に行うことができる。
【００７４】
次に、図１５に示したように、絶縁層２８をエッチングマスクとして、例えば反応性イオンエッチングによって、磁性層２７を選択的にエッチングする。磁性層２７のエッチング時の温度は、エッチング速度を大きくするために５０℃以上とすることが好ましい。特に、エッチング時の温度を２００〜２５０℃の範囲内の温度とすることにより、良好なエッチングが可能になる。
【００７５】
また、磁性層２７のエッチング時のエッチングガスとしては、ハロゲン系ガスとＯ2またはＣＯ2とを含むエッチングガスを使用することが好ましい。ハロゲン系ガスとしては、例えば、Ｃｌ2とＢＣｌ３の少なくとも一方を含むガスを用いることができる。エッチングガスとして、Ｃｌ2を含むハロゲン系ガスとＯ2との混合ガスを用いた場合には、エッチング後の磁性層２７のプロファイルを正確に制御することが可能になる。特に、Ｃｌ2およびＢＣｌ３を含むを含むハロゲン系ガスとＯ2との混合ガスを用いた場合には、積層体の表面に堆積するハロゲン系ガスの分子による堆積物を除去でき、積層体の表面を非常に綺麗にすることができる。
【００７６】
また、エッチングガスとして、Ｃｌ2およびＣＯ2を含むものや、Ｃｌ2、ＢＣｌ３およびＣＯ2を含むものや、ＢＣｌ３、Ｃｌ2、Ｏ2およびＣＯ2を含むものを用いた場合には、ＣＯ2を含まないエッチングガスを用いた場合に比べて、磁性層２７のエッチング速度が大きくなり、磁性層２７とエッチングマスクとのエッチング選択比を３０〜５０％大きくすることができる。
【００７７】
エッチング後の磁性層２７は、上部磁極層３０となる。図１９に示したように、上部磁極層３０は、エアベアリング面に配置される一端部とエアベアリング面から離れた位置に配置される他端部とを有するトラック幅規定部３０Ａと、このトラック幅規定部３０Ａの他端部に連結されたヨーク部３０Ｂとを含んでいる。ヨーク部３０Ｂの幅は、トラック幅規定部３０Ａとの境界位置ではトラック幅規定部３０Ａの幅と等しく、トラック幅規定部３０Ａから離れるに従って、徐々に大きくなった後、一定の大きさになっている。トラック幅規定部３０Ａは、上部磁極層３０における磁極部分であり、記録トラック幅を規定する。上記の磁性層２７のエッチングでは、当初のトラック幅規定部３０Ａの幅が０．１〜０．２μｍ程度になるようにする。
【００７８】
次に、例えばイオンビームエッチングによって、上部磁極層３０のトラック幅規定部３０Ａの近傍に残存する磁性層２７を除去する。このエッチングは、例えば、イオンビームの進行方向が第１の層１０ａの上面に垂直な方向に対してなす角度が例えば３５〜７５°となるようにして行われる。
【００７９】
次に、図示しないが、トラック幅規定部３０Ａの周辺部で開口するフォトレジストマスクを形成する。次に、図１６に示したように、上記フォトレジストマスクと上部磁極層３０とをマスクとして、例えばイオンビームエッチングによって、トラック幅規定部３０Ａの周辺部における記録ギャップ層２６および下部磁極層１０の第４の層１０ｆの一部をエッチングする。このエッチングは、例えば、イオンビームの進行方向が第１の層１０ａの上面に垂直な方向に対してなす角度が例えば３５〜５５°となるようにして行われる。第４の層１０ｆにおけるエッチングの深さは、例えば０．３〜０．４μｍとする。
【００８０】
次に、トラック幅規定部３０Ａの幅が例えば０．１μｍになるように、例えばイオンビームエッチングによってトラック幅規定部３０Ａの側壁部をエッチングして、トラック幅規定部３０Ａの幅を小さくする。このエッチングは、例えば、イオンビームの進行方向が第１の層１０ａの上面に垂直な方向に対してなす角度が４０〜７５°となるようにして行われる。
【００８１】
このようにして、図１６（ｂ）に示したようなトリム構造が形成される。このトリム構造によれば、狭トラックの書き込み時に発生する磁束の広がりによる実効的な記録トラック幅の増加を防止することができる。第４の層１０ｆのうち、記録ギャップ層２６を介して上部磁極層３０のトラック幅規定部３０Ａと対向する部分は、下部磁極層１０の磁極部分である。
【００８２】
次に、図１７に示したように、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなるオーバーコート層３１を、２０〜３０μｍの厚みで形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない電極用パッドを形成する。最後に、上記各層を含むスライダの研磨加工を行ってエアベアリング面３２を形成して、記録ヘッドおよび再生ヘッドを含む薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００８３】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面としてのエアベアリング面３２と、再生ヘッドと、記録ヘッド（誘導型電磁変換素子）とを備えている。
【００８４】
再生ヘッドは、エアベアリング面３２の近傍に配置されたＭＲ素子５と、エアベアリング面３２側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置された、ＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層３および上部シールド層８と、ＭＲ素子５と下部シールド層３との間に配置された下部シールドギャップ膜４と、ＭＲ素子５と上部シールド層８との間に配置された上部シールドギャップ膜７とを有している。
【００８５】
記録ヘッドは、エアベアリング面３２側において互いに対向する磁極部分を含むと共に、互いに磁気的に連結された下部磁極層１０および上部磁極層３０と、下部磁極層１０の磁極部分と上部磁極層３０の磁極部分との間に設けられた記録ギャップ層２６と、少なくとも一部が下部磁極層１０と上部磁極層３０との間に、これらに対して絶縁された状態で設けられたコイル１３，１９とを備えている。本実施の形態における下部磁極層１０、上部磁極層３０は、それぞれ本発明における第１の磁極層、第２の磁極層に対応する。
【００８６】
下部磁極層１０は、第１の層１０ａ、第２の層１０ｂ、第３の層１０ｄ、第４の層１０ｆおよび連結層１０ｃ，１０ｅ，１０ｇを有している。第１の層１０ａは、コイル１３，１９に対向する位置に配置されている。第２の層１０ｂは、エアベアリング面３２の近傍において第１の層１０ａよりも上部磁極層３０側に突出するように第１の層１０ａに接続されている。第３の層１０ｄは、エアベアリング面３２の近傍において第２の層１０ｂよりも上部磁極層３０側に突出するように第２の層１０ｂに接続されている。第４の層１０ｆは、エアベアリング面３２の近傍において第３の層１０ｄよりも上部磁極層３０側に突出するように第３の層１０ｄに接続されている。第４の層１０ｆのエアベアリング面３２から遠い端部は、記録ヘッドのスロートハイトを決定する。連結層１０ｃ，１０ｅ，１０ｇは、エアベアリング面３２から離れた位置に配置され、下部磁極層１０と上部磁極層３０とを磁気的に連結する連結部３３（図１８参照）を構成する。上部磁極層３０は、平坦な層になっている。
【００８７】
図１８に示したように、本実施の形態における薄膜コイルは、一部が第２の層１０ｂと連結層１０ｃとの間に配置された巻線を有する第１のコイル１３と、少なくとも一部が第１のコイル１３の巻線間に配置された巻線を有する第２のコイル１９と、第３の層１０ｄの側方に配置され、コイル１３，１９を直列に接続する接続層２１とを有している。第２のコイル１９の巻線の一部も、第２の層１０ｂと連結層１０ｃとの間に配置されている。コイル１３，１９は、いずれも平面渦巻き状をなし、連結部３３の回りに配置されている。また、コイル１３，１９は、いずれも、例えば、外側の端部から内側の端部にかけて時計回り方向に回っている。接続層２１は、コイル１３の接続部１３ａとコイル１９の接続部１９ｂとを最短距離で結んでいる。接続層２１の厚みは、コイル１３，１９の厚みよりも小さくなっている。コイル１３，１９および接続層２１の材料は、いずれも金属、例えばＣｕである。本実施の形態では、薄膜コイルは７ターンの巻線を有している。しかし、薄膜コイルの巻線は７ターンに限られるものではない。
【００８８】
記録ヘッドは、更に、第１の層１０ａとコイル１３，１９との間に配置された絶縁膜１１と、第１のコイル１３の巻線と第２のコイル１９の巻線との間に配置された絶縁膜１７と、コイル１３，１９と接続層２１との間に配置された絶縁膜２０と、接続層２１の周囲に配置された絶縁膜２２とを備えている。絶縁膜１１，１７，２０，２２は、それぞれ、本発明における第１の絶縁膜、第２の絶縁膜、第３の絶縁膜、第４の絶縁膜に対応する。
【００８９】
本実施の形態では、第２の層１０ｂおよびコイル１３，１９のそれぞれにおける上部磁極層３０側の面（上面）は、平坦化されて、同一面上に配置されている。
【００９０】
また、第３の層１０ｄ、接続層２１および絶縁膜２２のそれぞれにおける上部磁極層３０側の面（上面）は、平坦化されて、同一面上に配置されている。
【００９１】
本実施の形態によれば、全体的に平坦な上面を有する第１の層１０ａの上に第１のコイル１３を形成するので、第１のコイル１３を、厚く、微細に、且つ精度よく形成することができる。また、本実施の形態によれば、巻線の少なくとも一部が第１のコイル１３の巻線間に配置されるように第２のコイル１９を形成するので、第２のコイル１９も、厚く、微細に、且つ精度よく形成することができる。
【００９２】
また、本実施の形態では、第２の層１０ｂと第２のコイル１９との間、第１のコイル１３の巻線と第２のコイル１９の巻線との間、および連結層１０ｃと第２のコイル１９との間は、それぞれ、薄い絶縁膜１７によって分離される。従って、これらの間隔を極めて小さくすることができる。
【００９３】
これらのことから、本実施の形態によれば、コイル１３，１９を厚くしながら、ヨーク長を短くすることができる。これにより、本実施の形態によれば、ヨーク長を短く、すなわち磁路長を短くしながら、薄膜コイルの抵抗値を小さくすることが可能になる。
【００９４】
従って、本実施の形態によれば、磁路長が短いことによって高周波帯域における記録特性に優れ、且つ薄膜コイルの抵抗値の小さい薄膜磁気ヘッドを実現することができる。
【００９５】
また、本実施の形態によれば、薄膜コイルの外周部を、薄い絶縁膜１７を介して第２の層１０ｂに隣接させることができる。すなわち、本実施の形態によれば、薄膜コイルをエアベアリング面３２の近くに配置することができる。これにより、本実施の形態によれば、薄膜コイルで発生した起磁力を効率よく記録に利用することが可能となり、その結果、優れたオーバーライト特性を有する記録ヘッドを実現することができる。
【００９６】
また、本実施の形態では、上部磁極層３０は、ほぼ平坦な下地の上に形成された平坦な層になっている。従って、本実施の形態によれば、上部磁極層３０のトラック幅規定部３０Ａを微細に且つ精度よく形成することができる。これにより、本実施の形態によれば、トラック幅を小さくして記録密度を向上させることができる。
【００９７】
ところで、本実施の形態では、例えば反応性イオンエッチングによって磁性層２７をエッチングすることによって上部磁極層３０を形成した後、例えばイオンビームエッチングによってトラック幅規定部３０Ａの側壁部をエッチングする。また、本実施の形態では、フォトレジストマスクと上部磁極層３０とをマスクとして、例えばイオンビームエッチングによって、トラック幅規定部３０Ａの周辺部における第４の層１０ｆの一部をエッチングすることによって、トリム構造を形成する。上述のようなイオンビームエッチングによるエッチングでは、トラック幅規定部３０Ａの近傍における第４の層１０ｆのエッチング速度に比べて、トラック幅規定部３０Ａから離れた位置における第４の層１０ｆのエッチング速度は、数倍大きい。そのため、トラック幅規定部３０Ａの近傍における第４の層１０ｆのエッチングの深さが例えば０．３μｍ必要な場合には、トラック幅規定部３０Ａから離れた位置では第４の層１０ｆは０．３μｍの数倍の深さだけエッチングされることになる。ここで、コイル１３，１９を覆う絶縁膜が薄いと、上記のエッチングの際にコイル１３，１９が露出するおそれがある。これを防止するために、本実施の形態では、コイル１３，１９の上に、厚みが１〜２μｍと比較的厚い絶縁膜２２を形成している。
【００９８】
本実施の形態では、上記絶縁膜２２を比較的厚くする必要があることを利用して、絶縁膜２２中に接続層２１を配置している。また、接続層２１の材料は、金属、例えばＣｕである。このような構成により、コイル１３，１９に極めて近い位置に、低抵抗の接続層２１を配置することができる。従って、本実施の形態によれば、薄膜コイルの抵抗値をより小さくすることができる。本実施の形態における接続層２１の代わりに、絶縁層２５の上に、上部磁極層３０と同じ材料によって、コイル１３，１９を接続するための接続層を形成することも考えられる。しかしながら、この場合には、本実施の形態における接続層２１に比べて接続層の抵抗値が大きくなり、その結果、薄膜コイルの抵抗値も大きくなってしまう。
【００９９】
また、本実施の形態において、第２の層１０ｂ、第３の層１０ｄ、第４の層１０ｆおよび上部磁極層３０の材料として高飽和磁束密度材料を用いた場合には、磁路の途中での磁束の飽和を防止することができる。従って、本実施の形態によれば、薄膜コイルで発生した起磁力を効率よく記録に利用することが可能となり、その結果、優れたオーバーライト特性を有する記録ヘッドを実現することができる。
【０１００】
また、本実施の形態では、上部磁極層３０は、例えば以下のようにして形成される。すなわち、まず、高飽和磁束密度材料よりなる磁性層２７を、エッチングマスクを用いて、反応性イオンエッチングによってエッチングすることによって上部磁極層３０を形成する。この時点では、上部磁極層３０のトラック幅規定部３０Ａの幅は、最終的な幅よりも大きい。その後、イオンビームエッチングによってトラック幅規定部３０Ａの側壁部をエッチングして、トラック幅規定部３０Ａの幅を小さくする。このような方法によってトラック幅規定部３０Ａを形成することにより、従来は薄膜磁気ヘッドを量産する場合には困難であった０．２μｍ以下のトラック幅を実現することが可能になる。また、上記の方法によれば、１５０〜２００ギガビット／（インチ）２の面記録密度を実現するのに必要とされる０．１μｍ以下のトラック幅を実現することも可能になる。
【０１０１】
また、上述の方法によってトラック幅規定部３０Ａを形成することにより、トラック幅規定部３０Ａの厚みが小さくなったり、トラック幅規定部３０Ａのうちの上面に近い部分が記録ギャップ層２６に近い部分よりも細くなったりすることを防止することができる。これにより、磁路の途中での磁束の飽和を防止することができる。
【０１０２】
特に、アルミナよりなるエッチングマスク（絶縁層２８）を用いて、反応性イオンエッチングによって磁性層２７をエッチングして上部磁極層３０を形成する場合には、磁性材料よりなるエッチングマスクを用いる場合に比べて、エッチングマスクを薄くすることができ、その結果、トラック幅規定部３０Ａの幅を小さくすることが可能になる。これにより、トラック幅規定部３０Ａの幅を小さくするためのイオンビームエッチングの時間を短縮することができる。その結果、トラック幅規定部３０Ａの厚みが小さくなったり、トラック幅規定部３０Ａのうちの上面に近い部分が記録ギャップ層２６に近い部分よりも細くなったりすることを防止することができる。
【０１０３】
また、反応性イオンエッチングによってトラック幅規定部３０Ａを形成した後に、反応性イオンエッチングで使用したハロゲン系ガスの分子がトラック幅規定部３０Ａの側壁部に付着していると、トラック幅規定部３０Ａが腐食する場合がある。しかし、本実施の形態によれば、ハロゲン系ガスの分子がトラック幅規定部３０Ａの側壁部に付着したとしても、イオンビームエッチングによって側壁部をエッチングすることにより、側壁部からハロゲン系ガスの分子を除去でき、その結果、トラック幅規定部３０Ａの腐食を防止することができる。
【０１０４】
[第２の実施の形態]
次に、図２０ないし図２７を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。なお、図２０ないし図２６において、（ａ）はエアベアリング面および基板の上面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。図２７は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおける第３のコイルの形状および配置を示す平面図である。
【０１０５】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、図７に示したように、第２の層１０ｂ、連結層１０ｃおよび第１のコイル１３が露出するまで、導電層１９ｐを研磨して、第２のコイル１９を形成する工程までは、第１の実施の形態と同様である。第１のコイル１３および第２のコイル１９の形状は、第１の実施の形態と同様に、図１８に示したようになる。
【０１０６】
本実施の形態では、次に、図２０に示したように、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなる絶縁膜２０を、例えば０．２μｍの厚みで形成する。次に、絶縁膜２０のうち、第２の層１０ｂに対応する部分、連結層１０ｃに対応する部分、第１のコイル１３の２つの接続部１３ａ，１３ｂに対応する部分、第２のコイル１９の２つの接続部１９ａ，１９ｂに対応する部分、リード層３４の接続部３４ａに対応する部分、およびリード層３５の接続部３５ａに対応する部分を選択的にエッチングする。エッチング後の絶縁膜２０は、第１のコイル１３の２つの接続部１３ａ，１３ｂおよび第２のコイル１９の２つの接続部１９ａ，１９ｂを除いて、コイル１３，１９の上面を覆う。
【０１０７】
次に、例えばフレームめっき法によって、第３のコイル４１および接続層３６を形成する。図２７に示したように、第３のコイル４１は、内側の端部から外側の端部にかけて時計回り方向に回る２ターンの巻線を有している。また、第３のコイル４１は、内側の端部近傍に設けられた接続部４１ａと、外側の端部近傍に設けられた接続部４１ｂとを有している。接続部４１ａは、第１のコイル１３の接続部１３ａに接続されている。接続部４１ｂは、第２のコイル１９の接続部１９ｂに接続されている。このように、第３のコイル４１は、コイル１３，１９を直列に接続する。第３のコイル４１は、本発明における接続層に対応する。
【０１０８】
接続層３６は、第１の実施の形態と同様に、リード層３４の接続部３４ａと第１のコイル１３の接続部１３ｂとを接続する。接続層４１，３６は、金属、例えばＣｕによって形成される。また、接続層４１，３６の厚みは、例えば０．８〜１．５μｍである。
【０１０９】
次に、図２１に示したように、例えばフレームめっき法によって、第２の層１０ｂの上に第３の層１０ｄを形成し、連結層１０ｃの上に連結層１０ｅを形成する。第３の層１０ｄおよび連結層１０ｅの材料としては、例えばＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅまたはＦｅＣｏが用いられる。ここでは、一例として、第３の層１０ｄおよび連結層１０ｅの材料として、飽和磁束密度が２．１〜２．３ＴのＣｏＮｉＦｅを用いるものとする。また、第３の層１０ｄおよび連結層１０ｅの厚みは、例えば１〜２μｍである。
【０１１０】
本実施の形態では、第３の層１０ｄのエアベアリング面に垂直な方向の長さは、第２の層１０ｂのエアベアリング面に垂直な方向の長さよりも大きい。また、第３の層１０ｄの一部は、絶縁膜２０を介して、第１のコイル１３の一部と第２のコイル１９の一部の少なくとも一方に対向するように配置されている。第３の層１０ｄのエアベアリング面に垂直な方向の長さは、１．０〜３．０μｍであることが好ましく、ここでは特に、２．０〜２．５μｍとする。
【０１１１】
次に、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなる絶縁膜４２を、２〜３μｍの厚みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、絶縁膜４２を研磨する。この研磨は、第３の層１０ｄ、連結層１０ｅおよび絶縁膜４２の上面が平坦化され、且つこれらの厚みが例えば１．６μｍになるように行う。絶縁膜４２は、接続層４１，３６を覆っている。絶縁膜４２は、本発明における第４の絶縁膜に対応する。
【０１１２】
次に、図２２に示したように、積層体の上面全体を覆うように、スパッタ法によって、磁性材料よりなる磁性層４３を、０．３〜０．７μｍの厚みで形成する。磁性層４３の材料としては、ＣｏＦｅＮ、ＦｅＡｌＮ、ＦｅＮ、ＦｅＣｏ、ＦｅＺｒＮ等の高飽和磁束密度材料が用いられる。ここでは、一例として、磁性層４３の材料として、飽和磁束密度が２．４ＴのＣｏＦｅＮを用いるものとする。
【０１１３】
次に、磁性層４３の上であって、第３の層１０ｄに対応する部分および連結層１０ｅに対応する部分に、それぞれ、エッチングマスク４４ａ，４４ｂを形成する。エッチングマスク４４ａ，４４ｂは、後に容易にリフトオフできるように、底面が上面よりも小さくなるようにアンダーカットを有している。このようなエッチングマスク４４ａ，４４ｂは、例えば積層された２つの有機膜からなるレジスト層をパターニングすることによって形成される。
【０１１４】
次に、図２３に示したように、エッチングマスク４４ａ，４４ｂを用い、例えばイオンビームエッチングによって、磁性層４３を選択的にエッチングする。エッチング後にエッチングマスク４４ａ，４４ｂの下に残った磁性層４３によって、第３の層１０ｄ、連結層１０ｅの上に、それぞれ第４の層１０ｆ、連結層１０ｇが形成される。上記エッチングは、第４の層１０ｆのエアベアリング面から遠い端面が第１の層１０ａの上面に垂直な方向に対してなす角度が４５〜８０°となるように行うのが好ましい。また、第４の層１０ｆのエアベアリング面に垂直な方向の長さは、第２の層１０ｂのエアベアリング面に垂直な方向の長さよりも大きく、第３の層１０ｄのエアベアリング面に垂直な方向の長さよりも小さい。
【０１１５】
次に、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなる絶縁膜４５を形成した後、エッチングマスク４４ａ，４４ｂをリフトオフする。次に、例えばＣＭＰによって、絶縁膜４５を研磨して、第４の層１０ｆ、連結層１０ｇおよび絶縁膜４５の上面を平坦化する。
【０１１６】
次に、図２４に示したように、第４の層１０ｆと連結層１０ｇの上に、それぞれエッチングマスク４６ａ，４６ｂを形成する。エッチングマスク４６ａ，４６ｂは、後に容易にリフトオフできるように、底面が上面よりも小さくなるようにアンダーカットを有している。このようなエッチングマスク４６ａ，４６ｂは、例えば積層された２つの有機膜からなるレジスト層をパターニングすることによって形成される。
【０１１７】
次に、エッチングマスク４６ａ，４６ｂを用い、例えばイオンビームエッチングによって、第４の層１０ｆおよび絶縁膜４５を、例えば０．２５〜０．４μｍの深さだけエッチングする。このエッチングにより、第４の層１０ｆの上面には、段差を有する第１の面と第２の面とが形成される。第１の面はエアベアリング面に近い位置に配置され、第２の面はエアベアリング面から遠い位置に配置される。第２の面は、第１の面に比べて、第３の層１０ｄの上面に近い。第１の面と第２の面とを連結する面は、記録ヘッドのスロートハイトを規定する。
【０１１８】
次に、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなる絶縁膜４７を、０．４〜０．５μｍの厚みで形成した後、エッチングマスク４６ａ，４６ｂをリフトオフする。次に、例えばＣＭＰによって、絶縁膜４７を０．０３〜０．０５μｍだけ研磨して、第４の層１０ｆ、連結層１０ｇおよび絶縁膜４７の上面を平坦化する。
【０１１９】
連結層１０ｃ，１０ｅ，１０ｇは、下部磁極層１０と上部磁極層とを磁気的に連結する連結部３３を構成する。
【０１２０】
次に、図２５に示したように、積層体の上面全体を覆うように、記録ギャップ層２６を、０．０８〜０．１μｍの厚みで形成する。記録ギャップ層２６の材料は、アルミナ等の絶縁材料でもよいし、Ｒｕ、ＮｉＣｕ、ＮｉＢ等の非磁性金属材料でもよい。次に、記録ギャップ層２６のうち、連結層１０ｇに対応する部分を選択的にエッチングする。
【０１２１】
次に、積層体の上面全体を覆うように、例えばスパッタ法によって、磁性材料よりなる磁性層３０ａを、０．２〜０．６μｍの厚みで形成する。磁性層３０ａは、その上に形成される磁性層のシード層となる。磁性層３０ａの材料としては、ＣｏＦｅＮ、ＦｅＡｌＮ、ＦｅＮ、ＦｅＣｏ、ＦｅＺｒＮ等の高飽和磁束密度材料が用いられる。ここでは、一例として、磁性層３０ａの材料として、飽和磁束密度が２．４ＴのＣｏＦｅＮを用いるものとする。
【０１２２】
次に、磁性層３０ａの上に、例えばフレームめっき法によって、磁性層３０ｂを、例えば３．０〜３．５μｍの厚みで形成する。磁性層３０ｂの材料としては、例えば、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅまたはＦｅＣｏが用いられる。ここでは、一例として、磁性層３０ｂの材料として、飽和磁束密度が２．１〜２．３ＴのＣｏＮｉＦｅを用いるものとする。磁性層３０ｂは、下部磁極層１０の第４の層１０ｆに対応する位置から連結層１０ｇに対応する位置にかけて配置される。磁性層３０ｂの形状は、上部磁極層の形状に対応している。磁性層３０ｂは、トラック幅を規定する部分を有している。
【０１２３】
次に、図２６に示したように、磁性層３０ｂをエッチングマスクとして、例えばイオンビームエッチングによって、磁性層３０ａを選択的にエッチングする。エッチング後の磁性層３０ａと磁性層３０ｂとによって上部磁極層３０が構成される。第１の実施の形態と同様に、上部磁極層３０は、トラック幅規定部３０Ａとヨーク部３０Ｂとを含んでいる。
【０１２４】
次に、上部磁極層３０をマスクとして、例えばイオンビームエッチングによって、トラック幅規定部３０Ａの周辺部における記録ギャップ層２６および下部磁極層１０の第４の層１０ｆの一部をエッチングして、図２６（ｂ）に示したようなトリム構造を形成する。
【０１２５】
次に、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなるオーバーコート層３１を、２０〜４０μｍの厚みで形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない電極用パッドを形成する。最後に、上記各層を含むスライダの研磨加工を行ってエアベアリング面３２を形成して、記録ヘッドおよび再生ヘッドを含む薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０１２６】
本実施の形態では、絶縁膜４２は、第３のコイル４１を覆っている。また、第３の層１０ｄおよび絶縁膜４２のそれぞれにおける上部磁極層３０側の面（上面）は、平坦化されて、同一面上に配置されている。
【０１２７】
また、本実施の形態では、第３のコイル４１によってコイル１３，１９を直列に接続している。第３のコイル４１は、連結部３３の回りに配置された２ターンの巻線を有している。従って、第１ないし第３のコイル１３，１９，４１を有する薄膜コイルは９ターンの巻線を有している。このように、本実施の形態によれば、第１の実施の形態に比べて、薄膜コイル全体のターン数が多くなり、薄膜コイルによって発生される磁束も多くすることができる。その結果、本実施の形態によれば、第１の実施の形態よりもオーバーライト特性を向上させることができる。
【０１２８】
ところで、従来は、薄膜コイルのターン数を増やすと、薄膜コイルの抵抗値が増大すると共にヨーク長が長くなるという問題点があった。これに対し、本実施の形態によれば、第３のコイル４１を設けることにより、第３のコイル４１を設けない場合に比べて、ヨーク長を長くすることなく、薄膜コイルのターン数を増やすことができる。また、第３のコイル４１の巻線の幅は、第１および第２のコイル１３，１９の巻線の幅よりも大きくすることができる。従って、本実施の形態によれば、薄膜コイルのターン数を増やしながら、薄膜コイルの抵抗値が増大することを防止することができる。
【０１２９】
また、本実施の形態では、第３の層１０ｄの一部は、絶縁膜２０を介して、第１のコイル１３の一部と第２のコイル１９の一部の少なくとも一方に対向するように配置されている。これにより、本実施の形態によれば、例えばイオンビームエッチングによって、トラック幅規定部３０Ａの周辺部における第４の層１０ｆの一部をエッチングすることによってトリム構造を形成する際に、第１のコイル１３の一部または第２のコイル１９の一部が露出することを防止することができる。
【０１３０】
ところで、ヨーク長を短くするためには、第２の層１０ｂのエアベアリング面に垂直な方向の長さは小さい方がよい。ここで、第３の層１０ｄおよび第４の層１０ｆがなく、第２の層１０ｂをエッチングしてトリム構造を形成する場合を考える。この場合、第２の層１０ｂのエアベアリング面に垂直な方向の長さが小さいと、記録ギャップ層２６の近傍における第２の層１０ｂの体積が小さくなって、磁路の途中で磁束が飽和するおそれがある。これに対し、本実施の形態では、第２の層１０ｂの上に第３および第４の層１０ｄ，１０ｆが配置され、しかも、第３および第４の層１０ｄ，１０ｆのエアベアリング面に垂直な方向の各長さは、第２の層１０ｂのエアベアリング面に垂直な方向の長さよりも大きい。これにより、本実施の形態によれば、ヨーク長を短くしながら、磁路の途中で磁束が飽和することを防止でき、その結果、オーバーライト特性を向上させることができる。
【０１３１】
また、本実施の形態では、第４の層１０ｆの上面に、段差を有する第１の面と第２の面とを形成し、第１の面と第２の面とを連結する面によってスロートハイトを規定する。従って、第４の層１０ｆの厚みが大きく変化することがない。これにより、磁路の途中で磁束が飽和することを防止でき、その結果、オーバーライト特性を向上させることができる。
【０１３２】
ここで、図２８および図２９を参照して、本実施の形態における変形例について説明する。図２８は、変形例における第１および第２のコイルの形状および配置を示す平面図である。図２９は、変形例における第３のコイルの形状および配置を示す平面図である。この変形例では、図２８に示したように、第１のコイル１３の巻線と第２のコイル１９の巻線の合計のターン数は５になっている。また、図２９に示したように、第３のコイル４１の巻線のターン数は１になっている。従って、第１ないし第３のコイル１３，１９，４１を有する薄膜コイルは６ターンの巻線を有している。変形例におけるその他の構成は、図２０ないし図２７を参照して説明した薄膜磁気ヘッドと同様である。
【０１３３】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【０１３４】
[第３の実施の形態]
次に、図３０ないし図３９を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。なお、図３０ないし図３９において、（ａ）はエアベアリング面および基板の上面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。
【０１３５】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、図３に示したように、フォトレジスト層１４をマスクとして磁性層１０ａｐを選択的にエッチングして、第１の層１０ａを完成させる工程までは、第１の実施の形態と同様である。
【０１３６】
本実施の形態では、次に、フォトレジスト層１４を除去する。次に、図３０に示したように、積層体の上面全体を覆うように絶縁膜１７を形成する。絶縁膜１７の材料、形成方法および厚みは第１の実施の形態と同様である。次に、積層体の上面全体を覆うように電極膜１８を形成する。電極膜１８の材料、形成方法および厚みは第１の実施の形態と同様である。
【０１３７】
次に、図３１に示したように、電極膜１８の上に、例えばフレームめっき法によって、金属、例えばＣｕよりなる導電層１９ｐを、例えば３〜４μｍの厚みで形成する。電極膜１８および導電層１９ｐは、第２のコイル１９を形成するために用いられる。
【０１３８】
次に、電極膜１８のうち、導電層１９ｐの下に存在する部分以外の部分を、例えばイオンビームエッチングによって除去する。次に、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなる絶縁層５１を、３〜５μｍの厚みで形成する。
【０１３９】
次に、図３２に示したように、例えばＣＭＰによって、第２の層１０ｂ、連結層１０ｃおよび第１のコイル１３が露出するまで、絶縁層５１を研磨する。これにより、第２の層１０ｂと第１のコイル１３との間、第１のコイル１３の巻線間、および連結層１０ｃと第１のコイル１３との間に残った導電層１９ｐおよび電極膜１８によって、第２のコイル１９が形成される。上記研磨は、第２の層１０ｂ、連結層１０ｃ、第１のコイル１３および第２のコイル１９の厚みが例えば２．５〜３．０μｍになるように行う。第１のコイル１３および第２のコイル１９の形状は、第１の実施の形態と同様に、図１８に示したようになる。
【０１４０】
次に、図３３に示したように、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなる絶縁膜５２を、例えば０．２μｍの厚みで形成する。次に、絶縁膜５２のうち、第２の層１０ｂに対応する部分、連結層１０ｃに対応する部分、第１のコイル１３の２つの接続部１３ａ，１３ｂに対応する部分、第２のコイル１９の２つの接続部１９ａ，１９ｂに対応する部分、リード層３４の接続部３４ａに対応する部分、およびリード層３５の接続部３５ａに対応する部分を選択的にエッチングする。エッチング後の絶縁膜５２は、第１のコイル１３の２つの接続部１３ａ，１３ｂおよび第２のコイル１９の２つの接続部１９ａ，１９ｂを除いて、コイル１３，１９の上面を覆う。
【０１４１】
次に、例えばフレームめっき法によって、第３のコイル４１および接続層３６（図２７参照。）を形成する。本実施の形態では、第３のコイル４１は、内側の端部から外側の端部にかけて時計回り方向に回る３ターンの巻線を有している。第２の実施の形態と同様に、第３のコイル４１は、内側の端部近傍に設けられた接続部４１ａと、外側の端部近傍に設けられた接続部４１ｂとを有している。接続部４１ａは、第１のコイル１３の接続部１３ａに接続されている。接続部４１ｂは、第２のコイル１９の接続部１９ｂに接続されている。このように、第３のコイル４１は、コイル１３，１９を直列に接続する。第３のコイル４１は、本発明における接続層に対応する。
【０１４２】
接続層３６は、第２の実施の形態と同様に、リード層３４の接続部３４ａと第１のコイル１３の接続部１３ｂとを接続する。接続層４１，３６は、金属、例えばＣｕによって形成される。また、接続層４１，３６の厚みは、例えば０．８〜１．５μｍである。
【０１４３】
次に、例えばフレームめっき法によって、第２の層１０ｂの上に第３の層１０ｄを形成し、連結層１０ｃの上に連結層１０ｅを形成する。第３の層１０ｄおよび連結層１０ｅの材料としては、例えばＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅまたはＦｅＣｏが用いられる。ここでは、一例として、第３の層１０ｄおよび連結層１０ｅの材料として、飽和磁束密度が２．１〜２．３ＴのＣｏＮｉＦｅを用いるものとする。また、第３の層１０ｄおよび連結層１０ｅの厚みは、例えば１〜２μｍである。次に、第３のコイル４１を覆うように、例えばフォトレジストよりなる絶縁膜５３を、１〜２μｍの厚みで形成する。次に、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなる絶縁膜５４を、２〜３μｍの厚みで形成する。
【０１４４】
次に、図３４に示したように、例えばＣＭＰによって、第３のコイル４１が露出するまで絶縁膜５４を研磨する。これにより、第３の層１０ｄ、連結層１０ｅ、第３のコイル４１、絶縁膜５３および絶縁膜５４の上面が平坦化される。第３のコイル４１の巻線間には絶縁膜５３が充填される。絶縁膜５３は、本発明における第４の絶縁膜に対応する。
【０１４５】
本実施の形態では、第３の層１０ｄのエアベアリング面に垂直な方向の長さは、第２の層１０ｂのエアベアリング面に垂直な方向の長さとほぼ等しい。
【０１４６】
次に、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなる絶縁膜５５を、例えば０．２μｍの厚みで形成する。次に、絶縁膜５５のうち、第３の層１０ｄに対応する部分および連結層１０ｅに対応する部分を選択的にエッチングする。エッチング後の絶縁膜５５は、第３のコイル４１の上面を覆う。絶縁膜５５は、本発明における第５の絶縁膜に対応する。
【０１４７】
次に、例えばフレームめっき法によって、第３の層１０ｄの上に第４の層１０ｆを形成し、連結層１０ｅの上に連結層１０ｇを形成する。第４の層１０ｆおよび連結層１０ｇの材料としては、例えばＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅまたはＦｅＣｏが用いられる。ここでは、一例として、第４の層１０ｆおよび連結層１０ｇの材料として、飽和磁束密度が２．１〜２．３ＴのＣｏＮｉＦｅを用いるものとする。また、第４の層１０ｆおよび連結層１０ｇの厚みは、例えば１．０μｍである。次に、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなる絶縁膜５６を、例えば１．５μｍの厚みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第４の層１０ｆおよび連結層１０ｇが露出し、且つこれらの厚みが例えば０．５μｍになるように絶縁膜５６を研磨する。これにより、第４の層１０ｆ、連結層１０ｇおよび絶縁膜５６の上面が平坦化される。
【０１４８】
本実施の形態では、第４の層１０ｆのエアベアリング面に垂直な方向の長さは、第２の層１０ｂのエアベアリング面に垂直な方向の長さおよび第３の層１０ｄのエアベアリング面に垂直な方向の長さよりも大きい。また、第４の層１０ｆの一部は、絶縁膜５５を介して、第３のコイル４１の一部に対向するように配置されている。
【０１４９】
次に、図示しないが、積層体の上面全体を覆うように、スパッタ法によって、磁性材料よりなる磁性層を、０．３〜０．７μｍの厚みで形成する。この磁性層の材料としては、ＣｏＦｅＮ、ＦｅＡｌＮ、ＦｅＮ、ＦｅＣｏ、ＦｅＺｒＮ等の高飽和磁束密度材料が用いられる。ここでは、一例として、磁性層の材料として、飽和磁束密度が２．４ＴのＣｏＦｅＮを用いるものとする。
【０１５０】
次に、図３５に示したように、上記の磁性層の上であって、第４の層１０ｆに対応する部分および連結層１０ｇに対応する部分に、それぞれ、エッチングマスク５７ａ，５７ｂを形成する。エッチングマスク５７ａ，５７ｂは、後に容易にリフトオフできるように、底面が上面よりも小さくなるようにアンダーカットを有している。このようなエッチングマスク５７ａ，５７ｂは、例えば積層された２つの有機膜からなるレジスト層をパターニングすることによって形成される。
【０１５１】
次に、エッチングマスク５７ａ，５８ｂを用い、例えばイオンビームエッチングによって、上記の磁性層を選択的にエッチングする。エッチング後にエッチングマスク５７ａ，５７ｂの下に残った磁性層によって、第４の層１０ｆ、連結層１０ｇの上に、それぞれ第５の層１０ｈ、連結層１０ｉが形成される。上記エッチングは、第５の層１０ｈのエアベアリング面から遠い端面が第１の層１０ａの上面に垂直な方向に対してなす角度が４５〜８０°となるように行うのが好ましい。また、第５の層１０ｈのエアベアリング面に垂直な方向の長さは、第２の層１０ｂのエアベアリング面に垂直な方向の長さよりも大きく、第４の層１０ｆのエアベアリング面に垂直な方向の長さよりも小さい。
【０１５２】
次に、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなる絶縁膜５８を形成した後、エッチングマスク５７ａ，５７ｂをリフトオフする。次に、例えばＣＭＰによって、絶縁膜５８を研磨して、第５の層１０ｈ、連結層１０ｉおよび絶縁膜５８の上面を平坦化する。
【０１５３】
次に、図３６に示したように、第５の層１０ｈと連結層１０ｉの上に、それぞれエッチングマスク５９ａ，５９ｂを形成する。エッチングマスク５９ａ，５９ｂは、後に容易にリフトオフできるように、底面が上面よりも小さくなるようにアンダーカットを有している。このようなエッチングマスク５９ａ，５９ｂは、例えば積層された２つの有機膜からなるレジスト層をパターニングすることによって形成される。
【０１５４】
次に、エッチングマスク５９ａ，５９ｂを用い、例えばイオンビームエッチングによって、第５の層１０ｈおよび絶縁膜５８を、例えば０．２５〜０．４μｍの深さだけエッチングする。このエッチングにより、第５の層１０ｈの上面には、段差を有する第１の面と第２の面とが形成される。第１の面はエアベアリング面に近い位置に配置され、第２の面はエアベアリング面から遠い位置に配置される。第２の面は、第１の面に比べて、第４の層１０ｆの上面に近い。第１の面と第２の面とを連結する面は、記録ヘッドのスロートハイトを規定する。
【０１５５】
次に、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなる絶縁膜６０を、０．４〜０．５μｍの厚みで形成した後、エッチングマスク５９ａ，５９ｂをリフトオフする。次に、例えばＣＭＰによって、絶縁膜６０を０．０３〜０．０５μｍだけ研磨して、第５の層１０ｈ、連結層１０ｉおよび絶縁膜６０の上面を平坦化する。
【０１５６】
連結層１０ｃ，１０ｅ，１０ｇ，１０ｉは、下部磁極層１０と上部磁極層とを磁気的に連結する連結部３３を構成する。
【０１５７】
次に、図３７に示したように、積層体の上面全体を覆うように、記録ギャップ層２６を、０．０８〜０．１μｍの厚みで形成する。記録ギャップ層２６の材料は、アルミナ等の絶縁材料でもよいし、Ｒｕ、ＮｉＣｕ、ＮｉＢ等の非磁性金属材料でもよい。次に、記録ギャップ層２６のうち、連結層１０ｉに対応する部分を選択的にエッチングする。
【０１５８】
次に、積層体の上面全体を覆うように、例えばスパッタ法によって、磁性材料よりなる磁性層３０ａを、０．２〜０．６μｍの厚みで形成する。磁性層３０ａは、その上に形成される磁性層のシード層となる。磁性層３０ａの材料としては、ＣｏＦｅＮ、ＦｅＡｌＮ、ＦｅＮ、ＦｅＣｏ、ＦｅＺｒＮ等の高飽和磁束密度材料が用いられる。ここでは、一例として、磁性層３０ａの材料として、飽和磁束密度が２．４ＴのＣｏＦｅＮを用いるものとする。
【０１５９】
次に、図３８に示したように、磁性層３０ａの上に、例えばフレームめっき法によって、磁性層３０ｂを、例えば３．０〜３．５μｍの厚みで形成する。磁性層３０ｂの材料としては、例えば、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅまたはＦｅＣｏが用いられる。ここでは、一例として、磁性層３０ｂの材料として、飽和磁束密度が２．１〜２．３ＴのＣｏＮｉＦｅを用いるものとする。磁性層３０ｂは、下部磁極層１０の第５の層１０ｈに対応する位置から連結層１０ｉに対応する位置にかけて配置される。磁性層３０ｂの形状は、上部磁極層の形状に対応している。磁性層３０ｂは、トラック幅を規定する部分を有している。
【０１６０】
次に、図３９に示したように、磁性層３０ｂをエッチングマスクとして、例えばイオンビームエッチングによって、磁性層３０ａを選択的にエッチングする。エッチング後の磁性層３０ａと磁性層３０ｂとによって上部磁極層３０が構成される。第１の実施の形態と同様に、上部磁極層３０は、トラック幅規定部３０Ａとヨーク部３０Ｂとを含んでいる。
【０１６１】
次に、上部磁極層３０をマスクとして、例えばイオンビームエッチングによって、トラック幅規定部３０Ａの周辺部における記録ギャップ層２６および下部磁極層１０の第５の層１０ｈの一部をエッチングして、図３９（ｂ）に示したようなトリム構造を形成する。
【０１６２】
次に、積層体の上面全体を覆うように、例えばアルミナよりなるオーバーコート層３１を、２０〜４０μｍの厚みで形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない電極用パッドを形成する。最後に、上記各層を含むスライダの研磨加工を行ってエアベアリング面３２を形成して、記録ヘッドおよび再生ヘッドを含む薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０１６３】
本実施の形態では、第４の層１０ｆの一部は、絶縁膜５５を介して、第３のコイル４１の一部に対向するように配置されている。これにより、本実施の形態によれば、例えばイオンビームエッチングによって、トラック幅規定部３０Ａの周辺部における第５の層１０ｈの一部をエッチングすることによってトリム構造を形成する際に、第３のコイル４１の一部が露出することを防止することができる。
【０１６４】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１または第２の実施の形態と同様である。
【０１６５】
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、実施の形態では、第１のコイル１３と第２のコイル１９を直列に接続する接続層を１つの層で構成したが、この接続層は複数の層で構成されていてもよい。この場合、接続層を構成する複数の層のうち、少なくとも、第１のコイル１３および第２のコイル１９に接触する最下層の材料は、金属、例えばＣｕであることが好ましい。接続層を構成する複数の層のうちの最下層以外の層の材料は、金属磁性材料であってもよい。また、接続層を構成する複数の層のうちの最下層以外の層は、上部磁極層と同じ材料を用いて、上部磁極層と同時に形成してもよい。
【０１６６】
また、本発明は、誘導型電磁変換素子のみを有する記録専用の薄膜磁気ヘッドや、誘導型電磁変換素子によって記録と再生を行う薄膜磁気ヘッドにも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１６７】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図２】図１に続く工程を説明するための断面図である。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図である。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図である。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図である。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図である。
【図７】図６に続く工程を説明するための断面図である。
【図８】図７に続く工程を説明するための断面図である。
【図９】図８に続く工程を説明するための断面図である。
【図１０】図９に続く工程を説明するための断面図である。
【図１１】図１０に続く工程を説明するための断面図である。
【図１２】図１１に続く工程を説明するための断面図である。
【図１３】図１２に続く工程を説明するための断面図である。
【図１４】図１３に続く工程を説明するための断面図である。
【図１５】図１４に続く工程を説明するための断面図である。
【図１６】図１５に続く工程を説明するための断面図である。
【図１７】図１６に続く工程を説明するための断面図である。
【図１８】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおける薄膜コイルの形状および配置を示す平面図である。
【図１９】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成を示す斜視図である。
【図２０】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図２１】図２０に続く工程を説明するための断面図である。
【図２２】図２１に続く工程を説明するための断面図である。
【図２３】図２２に続く工程を説明するための断面図である。
【図２４】図２３に続く工程を説明するための断面図である。
【図２５】図２４に続く工程を説明するための断面図である。
【図２６】図２５に続く工程を説明するための断面図である。
【図２７】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおける第３のコイルの形状および配置を示す平面図である。
【図２８】本発明の第２の実施の形態の変形例における第１および第２のコイルの形状および配置を示す平面図である。
【図２９】本発明の第２の実施の形態の変形例における第３のコイルの形状および配置を示す平面図である。
【図３０】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図３１】図３０に続く工程を説明するための断面図である。
【図３２】図３１に続く工程を説明するための断面図である。
【図３３】図３２に続く工程を説明するための断面図である。
【図３４】図３３に続く工程を説明するための断面図である。
【図３５】図３４に続く工程を説明するための断面図である。
【図３６】図３５に続く工程を説明するための断面図である。
【図３７】図３６に続く工程を説明するための断面図である。
【図３８】図３７に続く工程を説明するための断面図である。
【図３９】図３８に続く工程を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【０１６８】
１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、５…ＭＲ素子、８…上部シールド層、９…絶縁層、１０…下部磁極層、１０ａ…第１の層、１０ｂ…第２の層、１０ｄ…第３の層、１０ｆ…第４の層、１０ｃ，１０ｅ，１０ｇ…連結層、１３…第１のコイル、１９…第２のコイル、２１…接続層、２６…記録ギャップ層、３０…上部磁極層、３１…オーバーコート層、３２…エアベアリング面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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