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【手続補正書】
【提出日】平成22年8月2日(2010.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光信号を電気信号に変換する光電変換モジュールと、
前記光電変換モジュールから導出され、グランドに接続された導電体と、
前記導電体に設けられ、表皮効果により前記導電体を伝導する高周波電流を抑制する表皮効果減衰部材と、
を備えたことを特徴とする光通信装置。
【請求項２】
前記光電変換モジュールは、シールドケースを備え、
前記導電体は、前記シールドケースに接続されていることを特徴とする請求項１に記載の光通信装置。
【請求項３】
前記光電変換モジュールは、基板に搭載され、
前記導電体は、前記基板上に形成され、
前記表皮効果減衰部材は、前記基板上に前記導電体を覆うように設けられていることを特徴とする請求項１に記載の光通信装置。
【請求項４】
前記表皮効果減衰部材は、導電性テープと、前記導電性テープに塗布されると共に金属粒子が分散された粘着材とを備えたことを特徴とする請求項１に記載の光通信装置。
【請求項５】
前記表皮効果減衰部材は、前記導電体の前記光電変換モジュール側の端部に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の光通信装置。
【請求項６】
前記表皮効果減衰部材は、前記光電変換モジュールを搭載している基板が前記グランドにネジで固定される部位に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の光通信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月21日(2010.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルカリ過マンガン酸エッチング液から成るデスミア液を用いて樹脂部材にエッチング処理を施す際に、
前記樹脂部材を形成する樹脂に対する前記デスミア液のエッチング速度を促進する促進剤であって、デスミア液中で溶解して炭酸イオン（CO32-）を生成する炭酸化合物からなる促進剤と、前記エッチング速度を抑制する抑制剤との少なくとも一方を用いて、前記エッチング速度を調整したデスミア液に前記樹脂部材を浸漬してエッチング処理することを特徴とするエッチング処理方法。
【請求項２】
促進剤が、炭酸ナトリウム（Na2CO3）である請求項１記載のエッチング処理方法。
【請求項３】
抑制剤が、デスミア液中で溶解してカルシウムイオン（Ca2+）を生成するカルシウム化合物である請求項１又は２記載のエッチング処理方法。
【請求項４】
抑制剤が、水酸化カルシウム［Ca(OH)2］である請求項１〜３のいずれか一項記載のエッチング処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
すなわち、本発明は、アルカリ過マンガン酸エッチング液から成るデスミア液を用いて樹脂部材にエッチング処理を施す際に、前記樹脂部材を形成する樹脂に対する前記デスミア液のエッチング速度を促進する促進剤であって、デスミア液中で溶解して炭酸イオン（CO32-）を生成する炭酸化合物からなる促進剤と、前記エッチング速度を抑制する抑制剤との少なくとも一方を用いて、前記エッチング速度を調整したデスミア液に前記樹脂部材を浸漬してエッチング処理することを特徴とするエッチング処理方法にある。
上記促進剤として、特に炭酸ナトリウム（Na2CO3）を好適に用いることができる。
また、本発明では、抑制剤として、デスミア液中で溶解してカルシウムイオン（Ca2+）を生成するカルシウム化合物、特に水酸化カルシウム［Ca(OH)2］を好適に用いることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
実施例１で用いたアルカリ過マンガン酸液から成るデスミア液に、実施例１と同様に、樹脂基板のエッチング処理を施した後、樹脂基板の表面粗さと銅めっき膜のピール強度とを測定した。樹脂基板の表面粗さは、レーザーによる非接触表面粗度測定法（Veeco製 WYKO NT-8000）を用いて、JIS B0601 1994に準拠して測定した。また、銅めっき膜のピール強度は、(株)島津製作所製の測定装置（EZ Graph）を用いて測定した。
この銅めっきは、エッチング処理後にデスミア液から取り出した樹脂基板に、水洗、過マンガン酸の中和処理、水洗・室温乾燥を施した後、無電解銅めっきによって形成した無電解銅めっき膜を給電層する電解銅めっきによって厚さ３５μｍの銅めっき膜を形成した。
水酸化カルシウムが無添加のデスミア液を用いてエッチング処理を施した樹脂基板の表面粗さは０．４μｍであり、銅めっき膜のピール強度は１ｋｇｆ／ｃｍであった。
また、水酸化カルシウムを３．８ｐｐｍ添加したデスミア液を用いてエッチング処理を施した樹脂基板の表面粗さは０．３７μｍであり、銅めっき膜のピール強度は０．９ｋｇｆ／ｃｍであった。
ところで、図３及び図４に示す様に、デスミア液中のカルシウム濃度が０〜８．６ppmの範囲では、エッチング量及びエッチング速度が直線的に低下している。このため、銅めっき膜のピール強度も、デスミア液中のカルシウム濃度が０〜８．６ppmの範囲では直線的に低下するもとの仮定して、デスミア液中のカルシウム濃度が０と３．８ppmとの結果から推定すると、デスミア液中のカルシウム濃度が８ppmでは、銅めっき膜のピール強度は０．８ｋｇｆ／ｃｍと推定される。
尚、配線基板分野において、銅めっき膜のピール強度について、０．８ｋｇｆ／ｃｍ以上が要求されている。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月27日(2010.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に下部電極と有機化合物層と上部電極とそれらを覆うパッシベ−ション層とがこの順に積層され、前記有機化合物層にアルカリ金属又はアルカリ金属化合物を含み、前記上部電極が酸化膜からなる有機ＥＬ素子において、
前記パッシベーション層は、前記上部電極の直上に形成され、珪素を含みかつ水素を含まない第一パッシベーション層と、前記第一パッシベーション層の上に形成され、珪素および水素を含む第二パッシベーション層とを含むことを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項２】
前記第一パッシベーション層は酸化物、窒化物、酸化窒化物の何れかの材料からなる単層又は何れかの積層の絶縁膜で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項３】
前記アルカリ金属又はアルカリ金属化合物はセシウム又はセシウム化合物であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項４】
前記セシウム化合物は、炭酸セシウム、及び炭酸セシウム由来の物質、及びセシウムが前記有機化合物に配位した配位化合物からなる群の中から選択される少なくとも一つであることを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項５】
基板の上に下部電極とアルカリ金属を含む有機化合物層と酸化膜からなる上部電極とを積層する工程と、それらを覆うパッシベ−ション層を形成する工程とを、少なくとも有する有機ＥＬ素子の製造方法において、
前記パッシベーション層を形成する工程は、前記上部電極の直上に珪素を含みかつ水素を含まない材料を用いて第一パッシベーション層を形成する工程と、前記第一パッシベーション層の上に珪素および水素を含む材料を用いて第二パッシベーション層を形成する工程とを含むことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項６】
前記第一パッシベーション層を形成する工程は、酸化物、窒化物、酸化窒化物の何れかの絶縁膜の単層又は複数層を蒸着法、またはスパッタリング法で形成する工程であることを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項７】
前記第二パッシベーション層を形成する工程は、酸化物、窒化物、酸化窒化物の何れかの絶縁膜をＣＶＤ法により形成する工程であることを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記課題を解決するための手段として、本発明は、基板に下部電極と有機化合物層と上部電極とそれらを覆うパッシベ−ション層とがこの順に積層され、前記有機化合物層にアルカリ金属又はアルカリ金属化合物を含み、前記上部電極が酸化膜からなる有機ＥＬ素子において、
前記パッシベーション層は、前記上部電極の直上に形成され、珪素を含みかつ水素を含まない第一パッシベーション層と、前記第一パッシベーション層の上に形成され、珪素および水素を含む第二パッシベーション層とを含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月18日(2010.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
装置本体と；
この装置本体に組込まれた請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の発光モジュールと；
を具備したことを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月16日(2010.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１の凸部を有する第１のボンド基板を、前記複数の第１の凸部において劈開させることで、複数の第１の半導体膜を形成し、
複数の第２の凸部を有する第２のボンド基板を、前記複数の第２の凸部において劈開させることで、前記複数の第１の半導体膜とは異なる結晶面方位を有する複数の第２の半導体膜を形成し、
前記複数の第１の半導体膜とベース基板とを貼り合わせ、
前記複数の第２の半導体膜と前記ベース基板とを、前記複数の第１の半導体膜と前記複数の第２の半導体膜との間隔があくように貼り合わせ、
前記複数の第１の半導体膜と前記複数の第２の半導体膜とをエッチングすることで、複数の第３の半導体膜と複数の第４の半導体膜とを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
複数の第１の凸部を有する第１のボンド基板を、前記複数の第１の凸部において劈開させることで、複数の第１の半導体膜を形成し、
複数の第２の凸部を有する第２のボンド基板を、前記複数の第２の凸部において劈開させることで、前記複数の第１の半導体膜とは異なる結晶面方位を有する複数の第２の半導体膜を形成し、
前記複数の第１の半導体膜とベース基板とを、前記複数の第１の半導体膜の前記劈開により露出した面が前記ベース基板側を向くように貼り合わせ、
前記複数の第２の半導体膜と前記ベース基板とを、前記複数の第１の半導体膜と前記複数の第２の半導体膜との間隔があくように、なおかつ前記複数の第２の半導体膜の前記劈開により露出した面が前記ベース基板側を向くように貼り合わせ、
前記複数の第１の半導体膜と前記複数の第２の半導体膜とをエッチングすることで、複数の第３の半導体膜と複数の第４の半導体膜とを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
複数の第１の凸部を有する第１のボンド基板を、前記複数の第１の凸部において劈開させることで、複数の第１の半導体膜を形成し、
複数の第２の凸部を有する第２のボンド基板を、前記複数の第２の凸部において劈開させることで、前記複数の第１の半導体膜とは異なる結晶面方位を有する複数の第２の半導体膜を形成し、
前記複数の第１の半導体膜とベース基板とを、前記複数の第１の半導体膜の前記劈開により露出した面の反対側の面が前記ベース基板側を向くように貼り合わせ、
前記複数の第２の半導体膜と前記ベース基板とを、前記複数の第１の半導体膜と前記複数の第２の半導体膜との間隔があくように、なおかつ前記複数の第２の半導体膜の前記劈開により露出した面の反対側の面が前記ベース基板側を向くように貼り合わせ、
前記複数の第１の半導体膜と前記複数の第２の半導体膜とをエッチングすることで、複数の第３の半導体膜と複数の第４の半導体膜とを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
第１のドーピングにより第１のボンド基板に第１の欠陥層を形成し、
前記第１のボンド基板を部分的にエッチングすることで、前記第１の欠陥層を有する複数の第１の凸部を形成し、
前記第１のボンド基板に熱処理を行い、前記第１の欠陥層において前記第１のボンド基板を劈開させることで、複数の第１の半導体膜を形成し、
第２のドーピングにより第２のボンド基板に第２の欠陥層を形成し、
前記第２のボンド基板を部分的にエッチングすることで、前記第２の欠陥層を有する複数の第２の凸部を形成し、
前記第２のボンド基板に熱処理を行い、前記第２の欠陥層において前記第２のボンド基板を劈開させることで、前記複数の第１の半導体膜とは異なる結晶面方位を有する複数の第２の半導体膜を形成し、
前記複数の第１の半導体膜とベース基板とを貼り合わせ、
前記複数の第２の半導体膜と前記ベース基板とを、前記複数の第１の半導体膜と前記複数の第２の半導体膜との間隔があくように貼り合わせ、
前記複数の第１の半導体膜と前記複数の第２の半導体膜とをエッチングすることで、複数の第３の半導体膜と複数の第４の半導体膜とを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
第１のドーピングにより第１のボンド基板に第１の欠陥層を形成し、
第２のドーピングにより前記第１のボンド基板に第２の欠陥層を選択的に形成し、
前記第１のボンド基板に熱処理を行い、前記第１の欠陥層及び前記第２の欠陥層において前記第１のボンド基板を劈開させることで、複数の第１の半導体膜を形成し、
第３のドーピングにより第２のボンド基板に第３の欠陥層を形成し、
第４のドーピングにより前記第２のボンド基板に第４の欠陥層を選択的に形成し、
前記第２のボンド基板に熱処理を行い、前記第３の欠陥層及び前記第４の欠陥層において前記第２のボンド基板を劈開させることで、前記複数の第１の半導体膜とは異なる結晶面方位を有する複数の第２の半導体膜を形成し、
前記複数の第１の半導体膜とベース基板とを貼り合わせ、
前記複数の第２の半導体膜と前記ベース基板とを、前記複数の第１の半導体膜と前記複数の第２の半導体膜との間隔があくように貼り合わせ、
前記複数の第１の半導体膜と前記複数の第２の半導体膜とをエッチングすることで、複数の第３の半導体膜と複数の第４の半導体膜とを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記複数の第１の半導体膜と前記複数の第２の半導体膜に１０ＭＨｚ〜１ＴＨｚの高周波数の振動を加えることで、前記複数の第１の半導体膜と前記ベース基板との間、及び前記複数の第２の半導体膜と前記ベース基板との間に摩擦熱を生じさせ、前記摩擦熱により前記複数の第１の半導体膜と前記複数の第２の半導体膜を部分的に溶融させて前記複数の第１の半導体膜と前記複数の第２の半導体膜を前記ベース基板に貼り合わせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
ボンド基板の劈開により形成される複数の半導体膜の一つを拾い上げるコレットと、
前記コレットの位置を制御するコレット駆動部と、
前記ボンド基板を支持する第１のステージと、ベース基板を支持する第２のステージと、
前記第１のステージまたは前記第２のステージの位置を制御するステージ駆動部と、
前記コレットの位置情報、前記第１のステージの位置情報または前記第２のステージの位置情報に従って、前記コレット駆動部または前記ステージ駆動部の動作を制御するＣＰＵと、を有することを特徴とする製造装置。
【請求項８】
ボンド基板の劈開により形成される複数の半導体膜の一つを拾い上げるコレットと、
前記コレットの位置を制御するコレット駆動部と、
前記ボンド基板及びベース基板を支持するステージと、
前記ステージの位置を制御するステージ駆動部と、
前記コレットの位置情報または前記ステージの位置情報に従って、前記コレット駆動部または前記ステージ駆動部の動作を制御するＣＰＵと、を有することを特徴とする製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月24日(2010.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表されるナフタロシアニン誘導体からなることを特徴とする有機半導体材料。
一般式（１）
【化１】
2009054606.tif 000001
（式中、ＭはＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎのいずれかであり、Ｒ１〜Ｒ３は水素原子以外の置換基を表す。ただし、Ｒ１〜Ｒ３の全てが同一の直鎖アルキル基になることはない。Ｒ４〜Ｒ２７はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）
【請求項２】
Ｒ１〜Ｒ３のうち少なくとも一つが分岐アルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族へテロ環基のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の有機半導体材料。
【請求項３】
Ｒ１〜Ｒ３の３つの置換基が、異なる２種類以上から選ばれることを特徴とする請求項１または２に記載の有機半導体材料。
【請求項４】
Ｍ＝Ｓｉであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の有機半導体材料。
【請求項５】
Ｒ４〜Ｒ２７が全て水素原子であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の有機半導体材料。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の有機半導体材料を少なくとも１種含むことを特徴とする膜。
【請求項７】
前記膜が真空蒸着法により成膜されたことを特徴とする請求項６に記載の膜。
【請求項８】
前記膜が溶液塗布法により成膜されたことを特徴とする請求項６に記載の膜。
【請求項９】
請求項１〜５のいずれかに記載の有機半導体材料を用いたことを特徴とする有機電子デバイス。
【請求項１０】
前記有機電子デバイスが有機トランジスタであることを特徴とする請求項９に記載の有機電子デバイス。
【請求項１１】
前記有機電子デバイスが有機光電変換素子であることを特徴とする請求項９に記載の有機電子デバイス。
【請求項１２】
請求項１〜５のいずれかに記載のナフタロシアニン誘導体を含むことを特徴とする赤外色素組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（式中、ＭはＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎのいずれかであり、Ｒ１〜Ｒ３は水素原子以外の置換基を表す。ただし、Ｒ１〜Ｒ３の全てが同一の直鎖アルキル基になることはない。Ｒ４〜Ｒ２７はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）
（２）、Ｒ１〜Ｒ３のうち少なくとも一つが分岐アルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族へテロ環基のいずれかであることを特徴とする（１）に記載の有機半導体材料。
（３）、Ｒ１〜Ｒ３の３つの置換基が、異なる２種類以上から選ばれることを特徴とする（１）または（２）に記載の有機半導体材料。
（４）、Ｍ＝Ｓｉであることを特徴とする（１）〜（３）のいずれかに記載の有機半導体材料。
（５）、Ｒ４〜Ｒ２７が全て水素原子であることを特徴とする（１）〜（４）のいずれかに記載の有機半導体材料。
（６）、（１）〜（５）のいずれかに記載の有機半導体材料を少なくとも１種含むことを特徴とする膜。
（７）、前記膜が真空蒸着法により成膜されたことを特徴とする（６）に記載の膜。
（８）、前記膜が溶液塗布法により成膜されたことを特徴とする（６）に記載の膜。
（９）、（１）〜（５）のいずれかに記載の有機半導体材料を用いたことを特徴とする有機電子デバイス。
（１０）、前記有機電子デバイスが有機トランジスタであることを特徴とする（９）に記載の有機電子デバイス。
（１１）、前記有機電子デバイスが有機光電変換素子であることを特徴とする（９）に記載の有機電子デバイス。
（１２）、（１）〜（５）のいずれかに記載のナフタロシアニン誘導体を含むことを特徴とする赤外色素組成物。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
光電変換素子を固体撮像素子用途で用いる場合には、電極層２２と電極層２４の間にバイアス電圧が印加される。このバイアス電圧は、光電変換膜２３で発生した電荷のうち、電子が一方の電極に移動し、正孔が他方の電極に移動するように、その極性が決められている。バイアス電圧は、その値を下部電極と上部電極間の距離で割った値が、１．０×１０４Ｖ／ｃｍ〜１．０×１０７Ｖ／ｃｍの間となるようにすることが好ましく、さらに好ましくは１．０×１０４Ｖ／ｃｍ〜１．０×１０６Ｖ／ｃｍの間である。このバイアス電圧により、電極に電荷を効率的に移動させ、この電荷に応じた信号を外部に取り出すことが可能となっている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０８】
シリコンジヒドロキシナフタロシアニン（１．０ｇ、１．２９ｍｍｏｌ）、クロロトリイソブチルシラン（４．４ｍＬ）、トリブチルアミン（４．０ｍＬ）、およびβ−ピコリン（１４０ｍＬ）を混合し、窒素雰囲気下で２時間加熱還流した。反応溶液を室温まで冷却した後、水（１００ｍＬ）／エタノール（１００ｍＬ）混合溶媒に投入すると緑色粉末が析出した。エタノールでよく洗浄した後、カラムクロマトグラフィー（ＮＨシリカ、展開溶媒トルエン）により原点成分を取り除き、トルエンから再結晶することで、金属光沢のある緑色結晶として化合物２（０．８２ｇ、収率５４％）を得た。ＨＰＬＣ測定により、得られた化合物２の純度が９９％以上であることを確認した。
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ＝１０．１２（ｓ，８Ｈ），８．６８（ｄｄ，８Ｈ），７．９３（ｄｄ，８Ｈ），−０．４０（ｄ，３６Ｈ），−０．４９〜−０．６０（ｍ，６Ｈ），−２．００ｐｐｍ（ｄ，１２Ｈ）。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月24日(2010.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換領域を構成する第一導電型の第一不純物領域と、該第一不純物領域に配された、信号取り出し領域を構成する第二導電型の第二不純物領域とを含む画素を複数配置してなる光電変換装置において、
各画素を分離するために各画素の周囲に、第一導電型の第三不純物領域と、第一導電型の第四不純物領域とが配置され、
前記第四不純物領域は隣接する画素間にあり、前記第四不純物領域の不純物濃度は前記第三不純物領域の不純物濃度より低いことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記第四不純物領域は互いに隣接する前記信号取り出し領域の間に配置された領域を含むことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
光電変換領域を構成する第一導電型の第一不純物領域と、該第一不純物領域に配された、信号取り出し領域を構成する第二導電型の第二不純物領域とを含む画素を複数配置してなる光電変換装置において、
各画素を分離するために各画素の周囲に、第一導電型の第三不純物領域と、第一導電型の第四不純物領域が配置され、
前記第四不純物領域は隣接する画素の間にあり、
隣接する画素の間における前記第四不純物領域の幅は隣接する画素の間における前記第三不純物領域の幅より狭いことを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
光電変換領域を構成する第一導電型の第一不純物領域と、該第一不純物領域に配された、信号取り出し領域を構成する第二導電型の第二不純物領域とを含む画素を複数配置してなる光電変換装置において、
各画素を分離するために各画素の周囲に、第一導電型の第三不純物領域と第一導電型の第四不純物領域が配置され、
前記第四不純物領域は隣接する画素の間にあり、
前記第四不純物領域の深さは前記第三不純物領域の深さより浅いことを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
前記第三不純物領域と前記第四不純物領域で囲われた領域が長方形であり、該長方形の長辺側に第四不純物領域が配置されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の光電変換装置を複数列状に配置したことを特徴とするマルチチップイメージセンサ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月16日(2010.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光面の裏面に電極が形成される光電変換素子パッケージと、前記光電変換素子パッケージの電極に電気的に接続されるプリント基板と、前記光電変換素子パッケージを保持する保持部材とを有する光電変換素子パッケージ保持ユニットであって、
前記プリント基板の前記光電変換素子パッケージの電極の内側に対応する領域に第１の開口部を形成し、
前記保持部材には、前記光電変換素子パッケージの電極の外側で前記光電変換素子パッケージと当接することで前記受光面に直交する軸方向に前記光電変換素子パッケージを位置決めする位置決め部を形成するとともに、前記光電変換素子パッケージの電極の内側に対応する領域に接着剤を流し込むための第２の開口部を形成することを特徴とする光電変換素子パッケージ保持ユニット。
【請求項２】
前記第２の開口部は第１の開口部よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の光電変換素子パッケージ保持ユニット。
【請求項３】
前記光電変換素子パッケージの電極は、前記受光面の裏面でドーナツ状に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の光電変換素子パッケージ保持ユニット。
【請求項４】
前記光電変換素子パッケージは、ＢＧＡタイプのパッケージであることを特徴とする請求項１乃至３に記載の光電変換素子パッケージ保持ユニット。
【請求項５】
前記光電変換素子パッケージは、ＬＧＡタイプのパッケージであることを特徴とする請求項１乃至３に記載の光電変換素子パッケージ保持ユニット。
【請求項６】
撮影レンズ光学系を有する撮影レンズ鏡筒ユニットと、
前記撮影レンズ光学系の光軸に対して前記光電変換素子パッケージの受光面が垂直になるように配置される請求項１乃至５に記載の光電変換素子パッケージ保持ユニットとを有することを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一側面としての光電変換素子パッケージ保持ユニットは、受光面の裏面に電極が形成される光電変換素子パッケージと、前記光電変換素子パッケージの電極に電気的に接続されるプリント基板と、前記光電変換素子パッケージを保持する保持部材とを有する光電変換素子パッケージ保持ユニットであって、前記プリント基板の前記光電変換素子パッケージの電極の内側に対応する領域に第１の開口部を形成し、前記保持部材には、前記光電変換素子パッケージの電極の外側で前記光電変換素子パッケージと当接することで前記受光面に直交する軸方向に前記光電変換素子パッケージを位置決めする位置決め部を形成するとともに、前記光電変換素子パッケージの電極の内側に対応する領域に接着剤を流し込むための第２の開口部を形成することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
次に、プリント基板１０２に実装された光電変換素子パッケージ１０１は、図４に示す通り位置保持部材１０３に固定される。ここで、図４は、本発明の実施の形態に係る撮像装置における光電変換素子パッケージと位置保持部材が固定される状態での光電変換素子パッケージ保持ユニットの斜視図である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、光電変換素子パッケージ１０１のパッケージ裏面中央部の電極１０６のない領域に対応したプリント基板１０２の開口部１０７および位置保持部材１０３の開口部１０９により光電変換素子パッケージ１０１と位置保持部材１０３の間に隙間が形成される。この隙間に接着剤を流し込み固定するので、光電変換素子パッケージ１０１と位置保持部材１０３の接着固定が出来る。それと同時に、接着剤が、光電変換素子パッケージ１０１の電極１０６の半田ボールが溶融してプリント基板１０２のランドと固着している部分の、光電変換素子パッケージ１０１のパッケージ裏面とプリント基板１０２隙間に充填される形で固定される。これにより、光電変換素子パッケージ１０１とプリント基板１０２との間の熱膨張係数の差により、撮像装置の動作や環境の変化によって繰り返される温度変化で発生した半田接合部へのせん断力による半田クラックを防止する。さらに、光電変換素子パッケージ１０１とプリント基板１０２の半田接合部の接続信頼性を高める効果も得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月16日(2010.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記憶装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の記憶素子を有する記憶装置であって、
前記記憶素子は、
第１の導電層と、
前記第１の導電層とは異なる導電性材料を用いて形成された第２の導電層と、を有し、
前記記憶素子の抵抗状態は、高抵抗状態と低抵抗状態とが選択でき、
前記高抵抗状態は、前記第１の導電層と前記第２の導電層との界面が腐食しており、前記低抵抗状態は、前記第１の導電層と前記第２の導電層とが短絡していることを特徴とする記憶装置。
【請求項２】
複数の記憶素子を有する記憶装置であって、
前記記憶素子は、
第１の金属層と、
前記第１の金属層よりイオン化傾向が大きい材料を用いて形成された第２の金属層と、を有し、
前記記憶素子の抵抗状態は、高抵抗状態と低抵抗状態とが選択でき、
前記高抵抗状態は、前記第１の金属層と前記第２の金属層との界面が腐食しており、前記低抵抗状態は、前記第１の金属層と前記第２の金属層とが短絡していることを特徴とする記憶装置。
【請求項３】
マトリクス状に形成された複数の記憶素子を有する記憶装置であって、
前記記憶素子は、
第１の金属層と、
前記第１の金属層よりイオン化傾向が大きい材料を用いて形成された第２の金属層と、を有し、
前記記憶素子の抵抗状態は、高抵抗状態と低抵抗状態とが選択でき、
前記高抵抗状態は、前記第１の金属層と前記第２の金属層との界面が腐食しており、前記低抵抗状態は、前記第１の金属層と前記第２の金属層とが短絡していることを特徴とする記憶装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１の金属層または前記第２の金属層は、前記記憶素子を制御するトランジスタの電極を兼ねることを特徴とする記憶装置。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれか一において、
前記第１の金属層は、カリウム、カルシウム、ナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、亜鉛、鉄、ニッケル、錫、鉛、銅、銀、白金、金のいずれかを主成分として含有することを特徴とする記憶装置。
【請求項６】
請求項２乃至５のいずれか一において、
前記第２の金属層は、カリウム、カルシウム、ナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、亜鉛、鉄、ニッケル、錫、鉛、銅、銀、白金、金のいずれかを主成分として含有することを特徴とする記憶装置。
【請求項７】
請求項２乃至６のいずれか一において、
前記低抵抗状態の選択は、情報が読み出される際に読み出し回路により印加される電圧より高い電圧が、前記第１の金属層と前記第２の金属層との間に印加されることで行われることを特徴とする記憶装置。
【請求項８】
請求項２乃至７のいずれか一において、
前記高抵抗状態の選択は、前記第１の金属層と前記第２の金属層との間に、電圧を印加しないで行われることを特徴とする記憶装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記低抵抗状態が選択されることで情報の書き込みが行われ、前記高抵抗状態が選択されることで情報の消去が行われる場合、
一定期間の経過後に、書き込まれた情報が消去されることを特徴とする記憶装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記記憶装置の情報が消去された後に、再度の情報の書き込みが可能であることを特徴とする記憶装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、
前記高抵抗状態の選択は、７０℃以上１５０℃以下の温度、且つ６０％以上１００％以下の湿度の条件下にて行われることを特徴とする記憶装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、
前記記憶装置の上面または全体を覆う保護層を有することを特徴とする記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月19日(2010.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コロナ放電によりイオンを生成するための少なくとも１つの電極針と、前記電極針により生成されたイオンを運搬する気流を生成する送風手段と、前記電極針を清掃するクリーニング機構とを有するイオン発生器であって、
前記クリーニング機構は、前記電極針に当接可能に構成された清掃部材と、前記清掃部材を前記電極針に対して移動させるように構成されたアクチュエータとを有する、イオン発生器。
【請求項２】
コロナ放電によりイオンを生成するための少なくとも２つの電極針と、前記電極針により生成されたイオンを運搬する気流を生成する送風手段と、前記電極針を清掃するクリーニング機構とを有するイオン発生器であって、
前記クリーニング機構は、１つの電極針に当接可能に構成された第１のブラシと、他の１つの電極針に当接可能に構成された第２のブラシとを有し、前記第１のブラシ及び前記第２のブラシは、異なるタイミングで対応する電極針に当接するように構成される、イオン発生器。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月18日(2010.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流電源部と、該直流電源部の出力を受け高圧放電灯へ供給される電力を制限する降圧チョッパ回路と、該降圧チョッパ回路の制限された直流出力を交流出力に変換し高圧放電灯に供給するフルブリッジ回路と、該フルブリッジ回路のスイッチング動作により共振電圧を発生する共振回路と、該共振回路による共振電圧を利用して高圧放電灯を始動させるためのパルス電圧を発生させるとともにパルス電圧が発生したことを検知するパルス電圧検知回路を持つイグナイタ回路からなる高圧放電灯点灯装置であって、
該パルス電圧検知回路の検知結果に基づいて該降圧チョッパ回路の出力電圧を制御する第１の制御手段、及び
該パルス電圧検知回路の検知結果に基づいて該フルブリッジ回路の動作周波数を制御する第２の制御手段を備え、
該第１の制御手段が、該高圧放電灯が放電を開始する前の始動時において、パルス電圧の発生が検知されるまで該降圧チョッパ回路の出力電圧を設定上限値まで徐々に高めるよう構成され、
該降圧チョッパ回路の出力電圧を設定上限値まで高めてもパルス電圧の発生が検知されない場合に、該第２の制御手段が、パルス電圧の発生が検知されるまで該フルブリッジ回路の動作周波数を設定範囲内で前記共振回路の共振周波数に徐々に近づけるよう構成された高圧放電灯点灯装置。
【請求項２】
直流電源部と、該直流電源部の出力を受け高圧放電灯へ供給される電力を制限する降圧チョッパ回路と、該降圧チョッパ回路の制限された直流出力を交流出力に変換し高圧放電灯に供給するフルブリッジ回路と、該フルブリッジ回路のスイッチング動作により共振電圧を発生する共振回路と、該共振回路による共振電圧を利用して高圧放電灯を始動させるためのパルス電圧を発生させるとともにパルス電圧が発生したことを検知するパルス電圧検知回路を持つイグナイタ回路からなる高圧放電灯点灯装置であって、
該パルス電圧検知回路の検知結果に基づいて該降圧チョッパ回路の出力電圧を制御する第１の制御手段、及び
該パルス電圧検知回路の検知結果に基づいて該フルブリッジ回路の動作周波数を制御する第２の制御手段を備え、
該第１の制御手段が、該高圧放電灯が放電を開始する前の始動時において、前記パルス電圧検知回路によって検出されるパルスの発生頻度が所定値を超えるまで該降圧チョッパ回路の出力電圧を設定上限値まで徐々に高め、
該降圧チョッパ回路の出力電圧を上限値まで高めてもパルスの発生頻度が該所定値を超えない場合に、該第２の制御手段が、パルスの発生頻度が該所定値を超えるまで該フルブリッジ回路の動作周波数を設定範囲内で前記共振回路の共振周波数に徐々に近づけていくよう構成された高圧放電灯点灯装置。
【請求項３】
直流電源部と、該直流電源部の出力を受け高圧放電灯へ供給される電力を制限する降圧チョッパ回路と、該降圧チョッパ回路の制限された直流出力を交流出力に変換し高圧放電灯に供給するフルブリッジ回路と、該フルブリッジ回路のスイッチング動作により共振電圧を発生する共振回路と、該共振回路による共振電圧を利用して高圧放電灯を始動させるためのパルス電圧を発生させるとともにパルス電圧が発生したことを検知するパルス電圧検知回路を持つイグナイタ回路からなる高圧放電灯点灯装置において、
さらに、該パルス電圧検知回路の検知結果に基づいて該降圧チョッパ回路の出力電圧を制御する第１の制御手段を備え、
該第１の制御手段が、該高圧放電灯が放電を開始する前の始動時において、パルス電圧の発生が検知されるまで該降圧チョッパ回路の出力電圧を設定上限値まで徐々に高めるよう構成された高圧放電灯点灯装置。
【請求項４】
直流電源部と、該直流電源部の出力を受け高圧放電灯へ供給される電力を制限する降圧チョッパ回路と、該降圧チョッパ回路の制限された直流出力を交流出力に変換し高圧放電灯に供給するフルブリッジ回路と、該フルブリッジ回路のスイッチング動作により共振電圧を発生する共振回路と、該共振回路による共振電圧を利用して高圧放電灯を始動させるためのパルス電圧を発生させるとともにパルス電圧が発生したことを検知するパルス電圧検知回路を持つイグナイタ回路からなる高圧放電灯点灯装置において、
さらに、該パルス電圧検知回路の検知結果に基づいて該降圧チョッパ回路の出力電圧を制御する第１の制御手段を備え、
該第１の制御手段が、該高圧放電灯が放電を開始する前の始動時において、前記パルス電圧検知回路によって検出されるパルスの発生頻度が所定値を超えるまで該降圧チョッパ回路の出力電圧を設定上限値まで徐々に高めていくよう構成された高圧放電灯点灯装置。
【請求項５】
請求項１から４いずれか一項に記載の高圧放電灯点灯装置、高圧放電灯、該高圧放電灯が取り付けられるリフレクタ、及び少なくとも該高圧放電灯点灯装置を内包する筐体を備えた光源装置。
【請求項６】
直流電源部の出力を受け高圧放電灯へ供給される電力を制限する降圧チョッパ回路、該降圧チョッパ回路の制限された直流出力を交流出力に変換し高圧放電灯に供給するフルブリッジ回路、該フルブリッジ回路のスイッチング動作により共振電圧を発生する共振回路、該共振回路による共振電圧を利用して高圧放電灯を始動させるためのパルス電圧を発生させるとともにパルス電圧が発生したことを検知するパルス電圧検知回路を持つイグナイタ回路、及び該パルス電圧検知回路の検知結果に基づいて該降圧チョッパ回路の出力電圧又は該フルブリッジ回路の動作周波数を制御する始動制御回路からなる高圧放電灯点灯装置を制御する方法であって、
前記高圧放電灯が放電を開始する前の始動時において、
（Ａ）前記始動制御回路が、パルス電圧の発生が検知されるまで前記降圧チョッパ回路の出力電圧を設定上限値まで徐々に高めていくステップ、及び
（Ｂ）前記降圧チョッパ回路の出力電圧を上限値まで高めてもパルス電圧の発生が検知されない場合に、前記始動制御回路が、パルス電圧の発生が検知されるまで前記フルブリッジ回路の動作周波数を設定範囲内で前記共振回路の共振周波数に徐々に近づけていくステップ
を含む方法。
【請求項７】
直流電源部の出力を受け高圧放電灯へ供給される電力を制限する降圧チョッパ回路、該降圧チョッパ回路の制限された直流出力を交流出力に変換し高圧放電灯に供給するフルブリッジ回路、該フルブリッジ回路のスイッチング動作により共振電圧を発生する共振回路、該共振回路による共振電圧を利用して高圧放電灯を始動させるためのパルス電圧を発生させるとともにパルス電圧が発生したことを検知するパルス電圧検知回路を持つイグナイタ回路、及び該パルス電圧検知回路の検知結果に基づいて該降圧チョッパ回路の出力電圧又は該フルブリッジ回路の動作周波数を制御する始動制御回路からなる高圧放電灯点灯装置を制御する方法であって、
前記高圧放電灯が放電を開始する前の始動時において、
（Ａ）前記始動制御回路が、パルス電圧の発生が検知されるまで前記降圧チョッパ回路の出力電圧を設定上限値まで徐々に高めていくステップ
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月26日(2010.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の記録素子を備えたヘッド素子基板であって、
記録データのビット間に、駆動パルス幅データのビットが介在した入力データを受信する受信端子と、
前記受信端子により受信した入力データから前記記録データを分離する分離手段と、
前記受信端子により受信した入力データから前記駆動パルス幅データを分離し、前記複数の記録素子の通電期間を規定する駆動パルス幅信号を発生させる信号発生手段とを有し、
前記分離手段により分離された前記記録データ及び前記信号発生手段により発生させた駆動パルス幅信号に基いて前記複数の記録素子を駆動させることを特徴とするヘッド素子基板。
【請求項２】
前記駆動パルス幅信号のアクティブ状態を決定するための、立ち上がりエッジと立下りエッジとの時間差は、前記立ち上がりエッジを決めるために用いられる前記駆動パルス幅データのビットと、前記立下りエッジを決めるために用いられる前記駆動パルス幅データのビットと、の時間差と実質的に等しいことを特徴とする請求項１に記載のヘッド素子基板。
【請求項３】
前記入力データは、記録データ及び駆動パルス幅データがそれぞれ周期的に配列しており、
前記分離手段は、前記受信端子により受信した入力データと、前記記録データの配列周期に同期するクロックとを用いて、前記記録データを分離することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のヘッド素子基板。
【請求項４】
前記分離手段はシフトレジスタを用いて構成されていることを特徴とする請求項３に記載のヘッド素子基板。
【請求項５】
前記入力データは、記録データ及び駆動パルス幅データがそれぞれ周期的に配列しており、
前記信号発生手段は、前記受信端子により受信した入力データと、前記駆動パルス幅データの配列周期に同期するクロックとを用いて前記駆動パルス幅データを分離し、前記駆動パルス幅信号を発生させることを特徴とする請求項１乃至４に記載のヘッド素子基板。
【請求項６】
前記信号発生手段はフリップフロップ回路を用いて構成されていることを特徴とする請求項１乃至５に記載のヘッド素子基板。
【請求項７】
他の受信端子はクロックを受信し、
前記他の受信手段により受信したクロックに基いて、前記記録データと前記駆動パルス幅データのそれぞれの配列周期に同期する複数のクロックを発生させるクロック発生回路を有することを特徴とする請求項１乃至６に記載のヘッド素子基板。
【請求項８】
前記クロック発生回路はフリップフロップ回路を用いて構成されることを特徴とする請求項７に記載のヘッド素子基板。
【請求項９】
前記入力データは、一対の信号で構成される低電圧差動信号であり、該低電圧差動信号は、差動信号受信部によって１つの信号となることを特徴とする請求項１乃至８に記載のヘッド素子基板。
【請求項１０】
請求項１乃至９に記載のヘッド素子基板が配置されていることを特徴とする記録ヘッド。
【請求項１１】
請求項１０に記載の記録ヘッドを搭載可能な記録装置であって、
前記駆動パルス幅信号と前記記録データとを生成する生成手段と、
前記駆動パルス幅信号をデジタル化した駆動パルス幅データのビットと前記記録データのビットとを多重化して前記入力データを生成する多重化手段と、  前記多重化手段によって生成された前記入力データを前記記録ヘッドに送信する送信手段とを有することを特徴とする記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
即ち、本発明のヘッド素子基板は複数の記録素子を備えており、記録データのビット間に、駆動パルス幅データのビットが介在した入力データを受信する受信端子と、前記受信端子により受信した入力データから前記記録データを分離する分離手段と、前記受信端子により受信した入力データから前記駆動パルス幅データを分離し、前記複数の記録素子の通電期間を規定する駆動パルス幅信号を発生させる信号発生手段とを有し、前記分離手段により分離された前記記録データ及び前記信号発生手段により発生させた駆動パルス幅信号に基いて前記複数の記録素子を駆動させるヘッド素子基板である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月14日(2010.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表層（Ｘ）と内層（Ｙ）とを含む積層体により形成される多層ブロー容器において、表層（Ｘ）は、下記の特性（ｉ）〜（ｉｉｉ）を有するメタロセン触媒で製造されたポリエチレンからなり、一方、内層（Ｙ）は、下記の特性（ｉｖ）〜（ｖｉ）を有するポリエチレンからなり、しかも、内層（Ｙ）のポリエチレンのメルトフローレートに対する表層（Ｘ）のポリエチレンのメルトフローレートの比（ＭＦＲＸ／ＭＦＲＹ）は、１．０〜６０で、かつ、表層（Ｘ）と内層（Ｙ）の厚みの合計に対する表層（Ｘ）の厚みの割合は、３．０〜５０％であることを特徴とする多層ブロー容器。
特性（ｉ）：メルトフローレート（温度１９０℃、荷重２．１６ｋｇ）が１．０〜１５ｇ／１０分である。
特性（ｉｉ）：密度が０．８７０〜０．９２５ｇ／ｃｍ３である。
特性（ｉｉｉ）：ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）測定による重量平均分子量と数平均分子量の比（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．５〜４．０である。
特性（ｉｖ）：メルトフローレート（温度１９０℃、荷重２．１６ｋｇ）が０．１〜５．０ｇ／１０分である。
特性（ｖ）：密度が０．９３５〜０．９６７ｇ／ｃｍ３である。
特性（ｖｉ）：ＧＰＣ測定によるＭｗ／Ｍｎが５．０〜２８である。
【請求項２】
表層（Ｘ）の厚みが１０μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の多層ブロー容器。
【請求項３】
容器表面は、光沢値が３０％以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載の多層ブロー容器。
【請求項４】
容器胴部の表層（Ｘ）と内層（Ｙ）を合わせた全厚み部分は、ヘイズが８０％以下、全光線透過率が７０％以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の多層ブロー容器。
【請求項５】
表層（Ｘ）と内層（Ｙ）とを含む積層体により形成される多層ブロー容器の製造方法において、
表層（Ｘ）に下記の特性（ｉ）〜（ｉｉｉ）を有するメタロセン触媒で製造されたポリエチレンを、一方、内層（Ｙ）に下記の特性（ｉｖ）〜（ｖｉ）を有するポリエチレンを選定し、しかも、内層のポリエチレンのメルトフローレートに対する表層のポリエチレンのメルトフローレートの比（ＭＦＲＸ／ＭＦＲＹ）を１．０〜６０に、かつ、表層（Ｘ）と内層（Ｙ）の厚みの合計に対する表層（Ｘ）の厚みの割合を３．０〜５０％になるような条件を保持しながら、表層及び内層を同時溶融してパリソンを押出し、該パリソンの表面温度が２４０℃以下となるように押出した後、吹込み成形することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の多層ブロー容器の製造方法。
特性（ｉ）：メルトフローレート（温度１９０℃、荷重２．１６ｋｇ）が１．０〜１５ｇ／１０分である。
特性（ｉｉ）：密度が０．８７０〜０．９２５ｇ／ｃｍ３である。
特性（ｉｉｉ）：ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）測定による重量平均分子量と数平均分子量の比（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．５〜４．０である。
特性（ｉｖ）：メルトフローレート（温度１９０℃、荷重２．１６ｋｇ）が０．１〜５．０ｇ／１０分である。
特性（ｖ）：密度が０．９３５〜０．９６７ｇ／ｃｍ３である。
特性（ｖｉ）：ＧＰＣ測定によるＭｗ／Ｍｎが５．０〜２８である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
すなわち、本発明の第１の発明によれば、表層（Ｘ）と内層（Ｙ）とを含む積層体により形成される多層ブロー容器において、表層（Ｘ）は、下記の特性（ｉ）〜（ｉｉｉ）を有するメタロセン触媒で製造されたポリエチレンからなり、一方、内層（Ｙ）は、下記の特性（ｉｖ）〜（ｖｉ）を有するポリエチレンからなり、しかも、内層（Ｙ）のポリエチレンのメルトフローレートに対する表層（Ｘ）のポリエチレンのメルトフローレートの比（ＭＦＲＸ／ＭＦＲＹ）は、１．０〜６０で、かつ、表層（Ｘ）と内層（Ｙ）の厚みの合計に対する表層（Ｘ）の厚みの割合は、３．０〜５０％であることを特徴とする多層ブロー容器が提供される。
特性（ｉ）：メルトフローレート（温度１９０℃、荷重２．１６ｋｇ）が１．０〜１５ｇ／１０分である。
特性（ｉｉ）：密度が０．８７０〜０．９２５ｇ／ｃｍ３である。
特性（ｉｉｉ）：ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）測定による重量平均分子量と数平均分子量の比（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．５〜４．０である。
特性（ｉｖ）：メルトフローレート（温度１９０℃、荷重２．１６ｋｇ）が０．１〜５．０ｇ／１０分である。
特性（ｖ）：密度が０．９３５〜０．９６７ｇ／ｃｍ３である。
特性（ｖｉ）：ＧＰＣ測定によるＭｗ／Ｍｎが５．０〜２８である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
さらに、本発明の第５の発明によれば、表層（Ｘ）と内層（Ｙ）とを含む積層体により形成される多層ブロー容器の製造方法において、表層（Ｘ）に下記の特性（ｉ）〜（ｉｉｉ）を有するメタロセン触媒で製造されたポリエチレンを、一方、内層（Ｙ）に下記の特性（ｉｖ）〜（ｖｉ）を有するポリエチレンを選定し、しかも、内層のポリエチレンのメルトフローレートに対する表層のポリエチレンのメルトフローレートの比（ＭＦＲＸ／ＭＦＲＹ）を１．０〜６０に、かつ、表層（Ｘ）と内層（Ｙ）の厚みの合計に対する表層（Ｘ）の厚みの割合を３．０〜５０％になるような条件を保持しながら、表層及び内層を同時溶融してパリソンを押出し、該パリソンの表面温度が２４０℃以下となるように押出した後、吹込み成形することを特徴とする、第１〜５のいずれかの発明に係る多層ブロー容器の製造方法が提供される。
特性（ｉ）：メルトフローレート（温度１９０℃、荷重２．１６ｋｇ）が１．０〜１５ｇ／１０分である。
特性（ｉｉ）：密度が０．８７０〜０．９２５ｇ／ｃｍ３である。
特性（ｉｉｉ）：ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）測定による重量平均分子量と数平均分子量の比（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．５〜４．０である。
特性（ｉｖ）：メルトフローレート（温度１９０℃、荷重２．１６ｋｇ）が０．１〜５．０ｇ／１０分である。
特性（ｖ）：密度が０．９３５〜０．９６７ｇ／ｃｍ３である。
特性（ｖｉ）：ＧＰＣ測定によるＭｗ／Ｍｎが５．０〜２８である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の内層（Ｙ）を形成するポリエチレンのＭＦＲ（ＭＦＲＹ）に対する表層（Ｘ）を形成するポリエチレンのＭＦＲ（ＭＦＲＸ）の比（ＭＦＲＸ／ＭＦＲＹ）は、１．０〜６０、好ましくは２．０〜４０、更に好ましくは３．０〜２０である。この値が１．０未満では表層樹脂と内層樹脂のＭＦＲ値が低い組み合わせ場合は表面層に肌荒れが生じ、ＭＦＲ値が高い組み合わせの場合はドローダウンしブロー成形時の容器の肉厚調整がし難くなり、６０を超えると表層と内層の界面でのメルトフラクチャーが発生しやすくなり、表層と内層の比率において表層の厚みを薄くすることが出来なくなる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月20日(2010.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）シリコーン系皮膜形成剤、（Ｂ）二塩基酸を含む混合脂肪酸とグリセリンのオリゴエステル、（Ｃ）シリコーン系界面活性剤、並びに（Ｄ）多価アルコールおよび／又は糖アルコールを含有してなる皮膚用乳化化粧料。
【請求項２】
（Ａ）成分が、（アクリル酸アルキル／ジメチコン）共重合体である請求項１に記載の皮膚用乳化化粧料。
【請求項３】
（Ｂ）成分が、（アジピン酸・２−エチルヘキサン酸・ステアリン酸）グリセリルオリゴエステルである請求項１又は２に記載の皮膚用乳化化粧料。
【請求項４】
（Ｃ）成分が、ポリエーテル変性シリコーンである請求項１〜３の何れかに記載の皮膚用乳化化粧料。
【請求項５】
（Ｃ）成分が、（ジメチコン／（ポリエチレングリコール−１０／１５））クロスポリマーおよび／又はメチルポリシロキサン・セチルメチルポリシロキサン・ポリ（オキシエチレン・オキシプロピレン）メチルポリシロキサン共重合体である請求項１〜３の何れかに記載の皮膚用乳化化粧料。
【請求項６】
更に、（Ｆ）ステロールエステル類を含有してなる請求項１〜５の何れかに記載の皮膚用乳化化粧料。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
即ち、本発明は、
〔１〕（Ａ）シリコーン系皮膜形成剤、（Ｂ）二塩基酸を含む混合脂肪酸とグリセリンのオリゴエステル、（Ｃ）シリコーン系界面活性剤、並びに（Ｄ）多価アルコールおよび／又は糖アルコールを含有してなる皮膚用乳化化粧料、
〔２〕（Ａ）成分が、（アクリル酸アルキル／ジメチコン）共重合体である前記〔１〕に記載の皮膚用乳化化粧料、
〔３〕（Ｂ）成分が、（アジピン酸・２−エチルヘキサン酸・ステアリン酸）グリセリルオリゴエステルである前記〔１〕又は〔２〕に記載の皮膚用乳化化粧料、
〔４〕（Ｃ）成分が、ポリエーテル変性シリコーンである前記〔１〕〜〔３〕の何れかに記載の皮膚用乳化化粧料、
〔５〕（Ｃ）成分が、（ジメチコン／（ポリエチレングリコール−１０／１５））クロスポリマーおよび／又はメチルポリシロキサン・セチルメチルポリシロキサン・ポリ（オキシエチレン・オキシプロピレン）メチルポリシロキサン共重合体である前記〔１〕〜〔３〕の何れかに記載の皮膚用乳化化粧料、並びに
〔６〕更に、（Ｆ）ステロールエステル類を含有してなる前記〔１〕〜〔５〕の何れかに記載の皮膚用乳化化粧料
に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月20日(2010.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）リン脂質誘導体および／又はリン脂質重合体、（Ｂ）加水分解ヒアルロン酸および／又はその塩、（Ｃ）ビルベリー抽出物、並びに（Ｄ）非イオン性界面活性剤および／又はシリコーン系界面活性剤を含有してなる皮膚用化粧料。
【請求項２】
（Ａ）成分が、水素添加大豆リン脂質および／又は２−メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリン・メタクリル酸ブチル共重合体である請求項１に記載の皮膚用化粧料。
【請求項３】
更に、（Ｆ）ステロールエステル類を含有してなる請求項１又は２に記載の皮膚用化粧料。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
即ち、本発明は、
〔１〕（Ａ）リン脂質誘導体および／又はリン脂質重合体、（Ｂ）加水分解ヒアルロン酸および／又はその塩、（Ｃ）ビルベリー抽出物、並びに（Ｄ）非イオン性界面活性剤および／又はシリコーン系界面活性剤を含有してなる皮膚用化粧料、
〔２〕（Ａ）成分が、水素添加大豆リン脂質および／又は２−メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリン・メタクリル酸ブチル共重合体である前記〔１〕に記載の皮膚用化粧料、並びに
〔３〕更に、（Ｆ）ステロールエステル類を含有してなる前記〔１〕又は〔２〕に記載の皮膚用化粧料
に関する。