Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月7日(2010.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置、液晶表示装置及びテレビジョン装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された表示素子と、
前記第１の基板の外側に第１の積層された偏光子を含む第１の層と、
前記第２の基板の外側に第２の積層された偏光子を含む第２の層と、を有し、
前記第１の積層された偏光子及び前記第２の積層された偏光子は、それぞれ積層する偏光子同士において互いの吸収軸に対する消衰係数が異なり、
前記第１の積層された偏光子及び前記第２の積層された偏光子は、それぞれ積層する偏光子同士の互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、
前記第１の積層された偏光子及び前記第２の積層された偏光子は、互いの吸収軸がクロスニコルからずれるように配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された表示素子と、
前記第１の基板の外側に第１の積層された偏光子を含む第１の層と、
前記第２の基板の外側に第２の積層された偏光子を含む第２の層と、
前記第１の基板と前記第１の積層された偏光子を含む第１の層との間に第１の位相差板と、
前記第２の基板と前記第２の積層された偏光子を含む第２の層との間に第２の位相差板と、を有し、
前記第１の積層された偏光子及び前記第２の積層された偏光子は、それぞれ積層する偏光子同士において互いの吸収軸に対する消衰係数が異なり、
前記第１の積層された偏光子及び前記第２の積層された偏光子は、それぞれ積層する偏光子同士の互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、
前記第１の積層された偏光子及び前記第２の積層された偏光子は、互いの吸収軸がクロスニコルからずれるように配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１または２において前記第１の積層された偏光子は、前記第１の基板側より第１の偏光子、第２の偏光子、第３の偏光子の順に積層されていることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記第１の積層された偏光子及び前記第２の積層された偏光子はそれぞれ一対の保護層の間に設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記第２の積層された偏光子を含む第２の層の外側に光源を有することを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、前記第１の基板及び前記第２の基板は、それぞれ透光性を有することを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記表示素子は、液晶素子であることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の表示装置を有することを特徴とする電子機器。
【請求項９】
ブラックマトリクスが設けられた第１の基板と、
前記第１の基板と対向する、少なくとも画素部にスイッチング素子が設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された液晶素子を有する層と、
前記第１の基板の外側に第１の積層された偏光子を含む第１の層と、
前記第２の基板の外側に第２の積層された偏光子を含む第２の層と、
前記第２の積層された偏光子を含む第２の層の外側の面に設けられたバックライトと、
入力された映像信号を前記画素部に表示させるために階調制御を行うとともに、前記バックライトの輝度を制御する制御回路と、
を有し、
前記第１の積層された偏光子及び前記第２の積層された偏光子は、それぞれ積層する偏光子同士において互いの吸収軸に対する消衰係数が異なり、
前記バックライトは、所定の間隔に配置された発光ダイオードであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
ブラックマトリクスが設けられた第１の基板と、
前記第１の基板と対向する、少なくとも画素部にスイッチング素子が設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された液晶素子を有する層と、
前記第１の基板の外側に第１の積層された偏光子を含む第１の層と、
前記第２の基板の外側に第２の積層された偏光子を含む第２の層と、
前記第２の積層された偏光子を含む第２の層の外側の面に設けられたバックライトと、
入力された映像信号を前記画素部に表示させるために階調制御を行うとともに、前記バックライトの輝度を制御する制御回路と、
を有し、
前記第１の積層された偏光子及び前記第２の積層された偏光子は、それぞれ積層する偏光子同士において互いの吸収軸に対する消衰係数が異なり、
前記第１の積層された偏光子及び前記第２の積層された偏光子は、それぞれ積層する偏光子同士の互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、
前記第１の積層された偏光子及び前記第２の積層された偏光子は、互いの吸収軸がクロスニコルからずれるように配置され、
前記バックライトは、所定の間隔に配置された発光ダイオードであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１１】
請求項１０において、前記第１の積層された偏光子及び前記第２の積層された偏光子は、黒表示の際に、前記バックライトの透過率が最も低くなるように互いの吸収軸がクロスニコルからずれるように配置されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１２】
請求項９乃至１１のいずれか一項において、前記スイッチング素子は、非晶質半導体膜を有するｎチャネル型の逆スタガ型薄膜トランジスタであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１３】
請求項９乃至１２のいずれか一項において、前記発光ダイオードとして、Ｒを発する発光ダイオード、Ｇを発する発光ダイオード及びＢを発する発光ダイオードを組み合わせて用いていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１４】
請求項９乃至１２のいずれか一項において、前記発光ダイオードとして、白色を発する発光ダイオードを用いていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１５】
請求項９乃至１２のいずれか一項において、前記発光ダイオードとして、白色を発する発光ダイオード、Ｒを発する発光ダイオード、Ｇを発する発光ダイオード及びＢを発する発光ダイオードを組み合わせて用いていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１６】
請求項９乃至１５のいずれか一項において、ＴＮモード、ＶＡモード、ＭＶＡモード、ＰＶＡモード、ＡＳＭモード、ＩＰＳモード、ＦＦＳモードまたはＯＣＢモードのいずれかであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１７】
請求項９乃至１６のいずれか一項に記載の液晶表示装置を有することを特徴とする４０インチ以上のテレビジョン装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月8日(2010.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート信号線と、
ソース信号線と、
前記ゲート信号線に出力される信号と前記ソース信号線に出力される信号の位相を比較する位相比較回路と、
前記位相比較回路から出力される信号の数をカウントするカウンタ回路と、
前記カウンタ回路から出力される信号に基づいて、前記ゲート信号線に出力される信号の位相をシフトさせる位相シフト回路と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記カウンタ回路は、
Ｄフリップフロップ回路と、
前記Ｄフリップフロップ回路から出力される信号に応じた信号を出力する複数の論理回路と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記位相比較回路は、論理回路を有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記位相シフト回路は、
前記ゲート信号線に出力される信号の位相をシフトさせるシフトレジスタ回路と、
前記シフトレジスタ回路の各段に設けられ、前記カウンタ回路においてカウントされる信号の数に応じてオンとオフが切り替わるアナログスイッチと、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項５】
第１の信号及び第２の信号が出力されるゲート信号線と、
ビデオ信号が出力されるソース信号線と、
前記第１の信号の位相及び前記ビデオ信号の位相を比較し、並びに前記第２の信号の位相及び前記ビデオ信号の位相を比較する位相比較回路と、
前記位相比較回路から出力される信号において、前記第１の信号と前記ビデオ信号の位相とを比較することにより出力される信号の数をカウントする第１のカウンタ回路と、
前記位相比較回路から出力される信号において、前記第２の信号と前記ビデオ信号の位相とを比較することにより出力される信号の数をカウントする第２のカウンタ回路と、
前記第１のカウンタ回路から出力される信号に基づいて、前記第１の信号の位相をシフトさせる第１の位相シフト回路と、
前記第２のカウンタ回路から出力される信号に基づいて、前記第２の信号の位相をシフトさせる第２の位相シフト回路と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記第１のカウンタ回路及び前記第２のカウンタ回路は、
Ｄフリップフロップ回路と、
前記Ｄフリップフロップ回路から出力される信号に応じた信号を出力する複数の論理回路と、をそれぞれ有することを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項５または６において、
前記位相比較回路は、
論理回路と、
Ｄフリップフロップ回路と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項５乃至７のいずれか一において、
前記第１の位相シフト回路は、
前記ゲート信号線に出力される前記第１の信号の位相をシフトするための第１のシフトレジスタ回路と、
前記第１のシフトレジスタ回路の各段に設けられ、前記第１のカウンタ回路においてカウントされた信号の数に応じてオンとオフが切り替わるアナログスイッチと、を有し、
前記第２の位相シフト回路は、
前記ゲート信号線に出力される前記第２の信号の位相をシフトするための第２のシフトレジスタ回路と、
前記第２のシフトレジスタ回路の各段に設けられ、前記第２のカウンタ回路においてカウントされた信号の数に応じてオンとオフが切り替わるアナログスイッチと、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一に記載の表示装置を表示部に備えたことを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月3日(2010.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録材に余白を設けることなく現像剤像を形成することが可能な画像形成装置であって、
記録材に余白を設けることなく現像剤像を形成するために、記録材のサイズよりも大きなサイズの現像剤像を形成する画像形成部と、
前記画像形成部によって形成された現像剤像を記録材に転写する転写部と、
前記転写部によって転写された現像剤像を記録材に定着させる定着部と、
前記定着部によって第１面に現像剤像が定着された記録材の該第１面の裏面となる第２面に現像剤像を転写するために、該記録材を反転させて再び前記転写部へ搬送する両面搬送部と、
搬送される記録材のサイズを検出するサイズ検出部と
を備え、
前記画像形成部は、記録材の両面に余白を設けることなく現像剤像を形成する際に記録材のサイズが不明であれば、前記第１面に転写する現像剤像として、予め定められた最大サイズの記録材に応じたサイズの現像剤像を形成し、前記第２面に転写する現像剤像として、前記サイズ検出部によって検出された記録材のサイズに応じたサイズの現像剤像を形成することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記サイズ検出部は、前記記録材の搬送方向に直交する主走査方向の長さを検出する第１検出部、及び、前記記録材の搬送方向の長さを検出する第２検出部の少なくとも一方を有し、
前記画像形成部は、前記第２面に転写する現像剤像として、前記第１検出部で検出された長さ、及び、前記第２検出部で検出された長さの少なくとも一方の長さに応じたサイズの現像剤像を形成することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記サイズ検出部は、前記転写部によって記録材に前記現像剤像を転写する前、又は、前記定着部によって前記現像剤像を記録材に定着させた後に、前記記録材のサイズを検出することを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
複数の給紙カセットを有する給紙部と、
前記サイズ検出部によって検出された前記複数の給紙カセットごとの記録材のサイズを記憶する記憶部と、をさらに備え、
前記画像形成部は、複数の前記給紙カセットのうち、特定の給紙カセットから給紙された記録材に対して転写される現像剤像として、前記記憶部に記憶されている記録材のサイズに応じたサイズの現像剤像を形成することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記給紙部は、
各給紙カセットが取り外されたか否かを検知する検知部を含み、
前記検知部によって、いずれかの前記給紙カセットが取り外されたことを検知した場合に、取り外された該給紙カセットについて記録材のサイズを示す情報を前記記憶部から削除することを特徴とする請求項４に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記第１検出部は、記録材の搬送方向に対して直交方向に並べて配置される２つの主走査方向センサであって、
前記第２検出部は、前記記録材を搬送する搬送路上に配置され、記録材の搬送方向に動作する部材を含むフラグセンサであることを特徴とする請求項２又は３に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記画像形成部は、前記記録材の種類に基づいて、形成する前記現像剤像のサイズを補正することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、記録材に余白を設けることなく現像剤像を形成することが可能な画像形成装置に係る。画像形成装置は、記録材に余白を設けることなく現像剤像を形成するために、記録材のサイズよりも大きなサイズの現像剤像を形成する画像形成部と、前記画像形成部によって形成された現像剤像を記録材に転写する転写部と、前記転写部によって転写された現像剤像を記録材に定着させる定着部と、前記定着部によって第１面に現像剤像が定着された記録材の該第１面の裏面となる第２面に現像剤像を転写するために、該記録材を反転させて再び前記転写部へ搬送する両面搬送部と、搬送される記録材のサイズを検出するサイズ検出部とを備え、前記画像形成部は、記録材の両面に余白を設けることなく現像剤像を形成する際に記録材のサイズが不明であれば、前記第１面に転写する現像剤像として、予め定められた最大サイズの記録材に応じたサイズの現像剤像を形成し、前記第２面に転写する現像剤像として、前記サイズ検出部によって検出された記録材のサイズに応じたサイズの現像剤像を形成することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月1日(2010.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射層の上にホログラフィック記憶層を備えるホログラフィック記憶媒体であって、
前記反射層は、非反射領域と反射領域とを有し、
参照光が再生物体光の光路から外れるように、
前記非反射領域は、ホログラムが記録された又は記録される前記ホログラフィック記憶層の領域の下部には全く配置されないか又は部分的にしか配置されないように、前記ホログラムが記録された又は記録される前記ホログラフィック記憶層の領域に対し、前記反射層の平面内で変位されることを特徴とするホログラフィック記憶媒体。
【請求項２】
前記ホログラフィック記憶層と前記反射層との間に、スペーサ層をさらに有することを特徴とする請求項１に記載のホログラフィック記憶媒体。
【請求項３】
前記ホログラフィック記憶媒体は、ディスク型記憶媒体であることを特徴とする請求項１又は２に記載のホログラフィック記憶媒体。
【請求項４】
前記非反射領域は、同心円又はらせん状であるか、あるいは同心円又はらせん状で配置された複数の個別の非反射領域であることを特徴とする請求項３に記載のホログラフィック記憶媒体。
【請求項５】
前記ホログラフィック記憶媒体は、カード型記憶媒体であることを特徴とする請求項１又は２に記載のホログラフィック記憶媒体。
【請求項６】
前記非反射領域は、直線状であるか、又は直線状で配置された複数の個別の非反射領域であることを特徴とする請求項５に記載のホログラフィック記憶媒体。
【請求項７】
前記非反射領域は、透過又は吸収領域であることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載のホログラフィック記憶媒体。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載のホログラフィック記憶媒体と、
該ホログラフィック記憶媒体を読み出す及び／又は該記憶媒体に記録するための装置とを含むシステムであって、
該装置は、参照光あるいは参照光及び物体光を生成する光源を有し、
前記参照光が、前記反射層の非反射領域に入射されるか、あるいは、物体光又は再生物体光が、前記反射層の非反射領域に入射されるかのどちらかになるように、前記参照光は、前記物体光又は前記再生物体光の前記光路に対して傾斜して配置されることを特徴とするシステム。
【請求項９】
前記参照光の焦点は、前記反射層に位置することを特徴とする請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
反射層の上にホログラフィック記憶層を備えるホログラフィック記憶媒体に記録する方法であって、
前記反射層は、非反射領域と反射領域とを有し、
参照光が物体光の光路から外れるように、
前記非反射領域は、ホログラムが記録される前記ホログラフィック記憶層の領域の下部には全く配置されないか又は部分的にしか配置されないように、前記ホログラムが記録される前記ホログラフィック記憶層の領域に対し、前記反射層の平面内で変位され、
−前記物体光及び前記参照光を生成するステップと、
−前記物体光の前記光路に対し前記参照光を傾斜させるステップと、
−前記参照光又は前記物体光のどちらかが、前記ホログラフィック記憶媒体の前記反射層の非反射領域に入射されるように、前記物体光及び前記参照光で前記ホログラフィック記憶媒体を照射するステップと
を備える方法。
【請求項１１】
反射層の上にホログラフィック記憶層を備えるホログラフィック記憶媒体から読み出す方法であって、
前記反射層は、非反射領域と反射領域とを有し、
参照光が再生物体光の光路から外れるように、
前記非反射領域は、ホログラムが記録された前記ホログラフィック記憶層の領域の下部には全く配置されないか又は部分的にしか配置されないように、前記ホログラムが記録された又は記録される前記ホログラフィック記憶層の領域に対し、前記反射層の平面内で変位され、
−前記参照光を生成するステップと、
−前記再生物体光の前記光路に対し前記参照光を傾斜させるステップと、
−前記参照光又は前記再生物体光のどちらかが、前記ホログラフィック記憶媒体の反射層の非反射領域に入射されるように、前記参照光で前記ホログラフィック記憶媒体を照射するステップと
を備える方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月29日(2009.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
操作部材からの駆動力が伝達される操作リングと、
アクチュエータからの駆動力が伝達される駆動リングと、
光学部品に駆動力を伝達する出力リングと、
前記操作リングおよび前記駆動リングのいずれか一方からの駆動力が前記出力リングに選択的に伝達するように、前記出力リングに回転可能に取り付けられ、前記操作リングの一端面および前記駆動リングの一端面を摺動する遊星コロとを有し、
前記操作リングにおける前記遊星コロが摺動する摺動面が、前記操作リングの本体部分よりも低摩擦な部材で構成してあることを特徴とする光学部品の駆動装置。
【請求項２】
前記低摩擦な部材はフッ素を含有することを特徴とする請求項１に記載の駆動装置。
【請求項３】
前記低摩擦な部材は潤滑塗装膜であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の駆動装置。
【請求項４】
前記低摩擦な部材の潤滑塗装は焼付け塗装であることを特徴とする請求項３に記載の駆動装置。
【請求項５】
前記低摩擦な部材の潤滑塗装厚みは２〜３０μｍであることを特徴とする請求項３または４に記載の駆動装置。
【請求項６】
前記摺動面の摩擦係数は、前記駆動リングにおける前記遊星コロとの摺動面の摩擦係数よりも低いことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の駆動装置。
【請求項７】
操作部材からの駆動力が伝達される操作リングと、
アクチュエータからの駆動力が伝達される駆動リングと、
光学部品に駆動力を伝達する出力リングと、
前記操作リングおよび前記駆動リングのいずれか一方からの駆動力が前記出力リングに選択的に伝達するように、前記出力リングに回転可能に取り付けられ、前記操作リングの一端面および前記駆動リングの一端面を摺動する遊星コロとを有し、
前記操作リングにおける前記遊星コロが摺動する第１摺動面の摩擦係数が、前記駆動リングにおける前記遊星コロが摺動する第２摺動面の摩擦係数よりも低いことを特徴とする光学部品の駆動装置。
【請求項８】
前記操作リングが、フッ素を含有した材料で構成されている請求項７に記載の駆動装置。
【請求項９】
前記フッ素を含有した材料がポリテトラフルオロエチレンである請求項８に記載の駆動装置。
【請求項１０】
前記遊星コロの回転軸は、前記出力リングの径方向に形成されていることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の駆動装置。
【請求項１１】
前記遊星コロの外径は、前記出力リングの軸方向の幅よりも大きいことを特徴とする請求項１０に記載の駆動装置。
【請求項１２】
前記アクチュエータは振動モータであることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の駆動装置。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれかに記載の駆動装置を有するレンズ鏡筒。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の第１の観点に係る光学部品の駆動装置は、
操作部材からの駆動力が伝達される操作リングと、
アクチュエータからの駆動力が伝達される駆動リングと、
光学部品に駆動力を伝達する出力リングと、
前記操作リングおよび前記駆動リングのいずれか一方からの駆動力が前記出力リングに選択的に伝達するように、前記出力リングに回転可能に取り付けられ、前記操作リングの一端面および前記駆動リングの一端面を摺動する遊星コロとを有し、
前記操作リングにおける前記遊星コロが摺動する摺動面が、前記操作リングの本体部分よりも低摩擦な部材で構成してあることを特徴とする光学部品の駆動装置。
好ましくは、前記アクチュエータは振動モータである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
好ましくは、前記低摩擦な部材はフッ素を含有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
好ましくは、前記低摩擦な部材は潤滑塗装膜である。好ましくは、前記低摩擦な部材の潤滑塗装は焼付け塗装である。さらに好ましくは、前記低摩擦な部材の潤滑塗装厚みは２〜３０μｍである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の第２の観点に係る光学部品の駆動装置は、
操作部材からの駆動力が伝達される操作リングと、
アクチュエータからの駆動力が伝達される駆動リングと、
光学部品に駆動力を伝達する出力リングと、
前記操作リングおよび前記駆動リングのいずれか一方からの駆動力が前記出力リングに選択的に伝達するように、前記出力リングに回転可能に取り付けられ、前記操作リングの一端面および前記駆動リングの一端面を摺動する遊星コロとを有し、
前記操作リングにおける前記遊星コロが摺動する第１摺動面の摩擦係数が、前記駆動リングにおける前記遊星コロが摺動する第２摺動面の摩擦係数よりも低いことを特徴とする。
好ましくは、前記アクチュエータは振動モータである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
好ましくは、前記操作リングが、フッ素を含有した材料で構成される。また、好ましくは、前記フッ素を含有した材料がポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）である。
好ましくは、前記遊星コロの回転軸は、前記出力リングの径方向に形成されている。また、好ましくは前記遊星コロの外径は、前記出力リングの軸方向の幅よりも大きい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月20日(2010.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
前記導電性要素は、２つの脚部を有し、その各々の脚部は、一方の脚部の前記前方向きの面で露出する前記接触面を画定する、請求項１３に記載のクイックコネクタ継手。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月22日(2010.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
しかしながら、希薄混合気の燃焼は、燃料−空気混合気の燃空比のあらゆる変化に対しても敏感な熱温度を発生する。燃空比におけるこのような変化は、燃料の流量及び／又は加圧空気の流量の変動によって引き起こされる可能性がある。公知のＤＬＥ燃焼器内を流れる燃料流及び／又は加圧空気流は乱流の可能性があるので、燃料及び／又は加圧空気の流量における変動は、このようなＤＬＥ燃焼器の燃焼室／燃焼域内で圧力擾乱を引き起こす可能性がある。このような圧力擾乱が燃料−空気混合プロセスと相互作用する場合、発生しているどのような熱も変動し、初期圧力擾乱を増強する可能性がある。経時的には、圧力擾乱の大きさが増大することによって、ＤＬＥ燃焼器の部分に損傷を与える可能性がある。その結果、燃焼器構成要素の作動性、エミッション、保守コスト、及び寿命が悪影響を受ける可能性がある。
【特許文献１】米国特許出願公開公報第２００９／００５６３３６号
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月26日(2010.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−軸（１．１），
−支持本体（２．２），
−励磁制御要素（２．２３）及び
−評価要素（２．２３）を有するシャフトエンコーダにおいて、
・少なくとも１つの励磁巻線（２．２１）及び
・コードキャリア（１．２）によって影響される電磁場を走査する少なくとも１つの検出配置（２．２２）が、前記支持本体（２．２）に対して配置されていて、励磁電流（ＩI ，ＩII）が、電磁場を生成する前記励磁巻線（２．２１）に通電可能であり、
前記軸（１．１）が、前記支持本体（２．２）に対して回転可能であり、前記コードキャリア（１．２）は、前記軸（１．１）の角度位置を検出するためにこの軸（１．１）に回転しないように固定されていて、
第１励磁電流（ＩI ）が、第１動作モードで生成可能であり、第２励磁電流（ＩII）が、第２動作モードで生成可能である方法で、前記励磁巻線（２．２１）が、前記励磁制御要素（２．２３）によって２つの異なる動作モジュールに選択して動作可能であるように、この励磁制御要素（２．２３）は構成されていて、前記第２動作モードでのシャフトエンコーダの電力消費が、前記第１動作モードでのシャフトエンコーダの電力消費より小さいように、前記第２励磁電流（ＩII）は設定されていて、
前記検出配置（２．２２）内のそれぞれの励磁電流（ＩI ，ＩII）は、電圧（ＵI ，ＵII）を誘導し、これらの電圧（ＵI ，ＵII）は、角度位置情報を生成するために評価要素（２．２３）によって電子工学的に処理可能であり、
前記検出配置（２．２２）は、第１検出巻線（２．２２１）及び第２検出巻線（２．２２２）を有し、前記第１検出巻線（２．２２１）は、前記支持本体（２．２）に対する１回転内に前記第２検出巻線（２．２２２）と異なる数の信号周期を供給し、
角度位置情報を生成する前記評価要素（２．２３）によって、
−前記第２動作モードでは、前記第１検出巻線（２．２２１）で誘導された電圧（ＵI ）が電子工学的に処理可能であり、同時に前記第２検出巻線（２．２２２）で誘導された電圧（ＵII）が、電子工学的な処理に対して考慮不可能であり、
−前記第１動作モードでは、前記第１検出巻線（２．２２１）で誘導された電圧（ＵI ）及び前記第２検出巻線（２．２２２）で誘導された電圧（ＵII）の双方が、電子工学的に処理可能であるシャフトエンコーダ。
【請求項２】
前記第２動作モードで生成された角度位置情報は、前記第１動作モードで生成された角度位置情報より粗い分解能を有する請求項１に記載のシャフトエンコーダ。
【請求項３】
前記第１検出巻線（２．２２１）は、奇数の数の信号周期を提供する請求項２に記載のシャフトエンコーダ。
【請求項４】
前記第１検出巻線（２．２２１）は、前記支持本体（２．２）に対する１回転内に前記第２検出巻線（２．２２２）より小さい数の信号周期を供給する請求項３に記載のシャフトエンコーダ。
【請求項５】
前記第２励磁電流（ＩII）が、電流ポーズを有するように、前記励磁制御要素（２．２３）が構成されている請求項１〜４のいずれか１項に記載のシャフトエンコーダ。
【請求項６】
前記第２動作モードでシャフトエンコーダに電力を供給するため、シャフトエンコーダは、バッテリを有する請求項１〜５のいずれか１項に記載のシャフトエンコーダ。
【請求項７】
−軸（１．１），
−支持本体（２．２），
−励磁制御要素（２．２３）及び
−評価要素（２．２３）を有するシャフトエンコーダを動作させる方法において、
・少なくとも１つの励磁巻線（２．２１）及び
・コードキャリア（１．２）によって影響される電磁場を走査する少なくとも１つの検出配置（２．２２）が、前記支持本体（２．２）に対して配置されていて、励磁電流（ＩI ，ＩII）が、電磁場を生成する前記励磁巻線（２．２１）に通電可能であり、
前記軸（１．１）が、前記支持本体（２．２）に対して回転可能であり、前記コードキャリア（１．２）は、前記軸（１．１）の角度位置を検出するためのこの軸（１．１）に回転しないように固定されていて、
・第１動作モード又は第２動作モードを選択し
・前記励磁制御要素（２．２３）によって前記励磁巻線（２．２１）内に励磁電流（ＩI ，ＩII）を生成し、第１励磁電流（ＩI ）が、前記第１動作モードで生成され、第２励磁電流（ＩII）が、前記第２動作モードで生成され、この第２動作モードでのシャフトエンコーダの電力消費が、前記第１動作モードでのシャフトエンコーダの電力消費より小さいように、前記第２励磁電流（ＩII）が設定され、
・当該励磁電流（ＩI ，ＩII）によって前記検出配置（２．２２）内で誘導された電圧（ＵI ，ＵII）を検出し、
・当該誘導された電圧（ＵI ，ＵII）を電子工学的に処理して角度位置情報を生成し、
前記検出配置（２．２２）は、第１検出巻線（２．２２１）及び第２検出巻線（２．２２２）を有し、前記第１検出巻線（２．２２１）は、前記支持本体（２．２）に対する１回転内に第２巻線（２．２２２）と異なる数の信号周期を供給し、
−前記第１検出巻線（２．２２２）で誘導された電圧（ＵII）が、前記第２動作モードで電子工学的に処理され、同時に前記第２検出巻線（２．２２２）で誘導された電圧（ＵII）が、電子工学的な処理によって考慮されず、
−前記第１検出巻線（２．２２１）で誘導された電圧及び前記第２検出巻線（２．２２２）で誘導された電圧の双方が、前記第１動作モードで電子工学的に処理される、ステップを有する方法。
【請求項８】
第２動作で生成された角度位置情報は、前記第１動作モードで生成された角度位置情報より粗い分解能を有する請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第１動作モード又は前記第２動作モードは、シャフトエンコーダに印加されている電圧（ＵB ，ＵC ）に応じて選択される請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第２励磁電流（ＩII）は、電流ポーズを有する請求項７〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
隣り合った電流最大値間の時間間隔（τII）が、前記第１励磁電流（ＩI ）の隣り合った電流最大値の時間間隔（τI ）より少なくとも100 倍大きいように、前記第２励磁電流（ＩII）が設定される請求項７〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
隣り合った電流最大値間の時間間隔（τII）が、前記第１励磁電流（ＩI ）の隣り合った電流最大値の時間間隔（τI ）より少なくとも1000倍大きいように、前記第２励磁電流（ＩII）が設定される請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１励磁電流（ＩI ）は、前記第２励磁電流（ＩII）より大きい最大振幅を有する請求項７〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、請求項１に記載の誘導式測定原理にしたがって動作して相対角度位置を測定するシャフトエンコーダ及び請求項７に記載のこのようなシャフトエンコーダを動作させる対応する方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この課題は、本発明により、請求項１又は請求項７の特徴によって解決される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月10日(2010.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス源と、
入口、第１の出口及び第２の出口を有する誘導弁であって、前記第２の出口が処理チャンバに結合している誘導弁と、
前記ガス源と前記誘導弁の前記入口の間で流体結合された調整装置と、
前記誘導弁の前記第１の出口に流体結合されたオリフィスであって、前記処理チャンバと実質的に同じ耐フロー性を有するオリフィスと、
前記オリフィスを通るフローを受けるように構成されたセンシング回路とを含む処理チャンバを有する処理システムにおいてガスフローを測定する装置。
【請求項２】
前記調整装置が、蒸気分配モジュール、分流器、圧力コントローラ、調整器又はマスフローコントローラのうち少なくとも１つを含む請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記センシング回路が、較正容積を有するタンクを含む請求項１記載の装置。
【請求項４】
前記センシング回路が、前記較正容積内に配置された振動部材を含む請求項３記載の装置。
【請求項５】
前記センシング回路が、前記較正容積に配置されたガスの電気的又は磁気的特徴のうち少なくとも１つを検出するよう構成されたセンサを含む請求項３記載の装置。
【請求項６】
前記センシング回路が、カンチレバーにより支持されたタンクを含む請求項１記載の装置。
【請求項７】
前記センシング回路が、
前記ガスフローを受ける較正容積と、
前記センシング回路に入る前記ガスの流量及び／又は圧力を決める、前記較正容積中の前記ガスの少なくとも１つの特性及び／又は属性を測定するよう配列されたセンサとを含む請求項１記載の装置。
【請求項８】
前記センシング回路が、
前記ガスフローを受ける非較正容積と、
前記センシング回路に入る前記ガスの流量及び／又は圧力を決める、前記非較正容積中の前記ガスの少なくとも１つの特性及び／又は属性における変化を測定するよう配列されたセンサとを含む請求項１記載の装置。
【請求項９】
ガスフローを流量制御装置により設定する工程と、
処理チャンバと実質的に同じ耐フロー性を有するオリフィスを通してセンシング回路へ前記流量制御装置から前記ガスを流す工程と、
前記センシング回路を用いて求められたフローを前記流量制御装置の設定と比較する工程とを含む半導体処理システムにおいてガスフローを測定する方法。
【請求項１０】
終点に達するまで前記センシング回路に存在するガスの特徴をサンプリングする工程を含む請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記ガスを前記センシング回路の較正容積へ流す工程と、
前記較正容積内の前記ガスの少なくとも１つの特性及び／又は属性をセンシングする工程と、
前記センシングされた特性及び／又は属性から前記センシング回路に入る前記ガスの流量及び／又は圧力を決める工程とを含む請求項９記載の方法。
【請求項１２】
前記ガスを前記センシング回路の非較正容積へ流す工程と、
前記非較正容積内の前記ガスの少なくとも１つの特性及び／又は属性をセンシングする工程と、
前記センシングされた特性及び／又は属性から前記センシング回路に入る前記ガスの流量及び／又は圧力を決める工程とを含む請求項９記載の方法。
【請求項１３】
処理チャンバ及びセンシング回路に結合したガス源を有する処理システムを提供する工程であって、前記センシング回路が前記処理チャンバと実質的に同じ耐フロー性を有する工程と、
流量制御装置を設定して、目標量で前記ガス源からの処理ガスのフローを提供する工程であって、前記目標量が前記処理チャンバにおける基板処理について選択された所定の量であり、前記流量制御装置から出る前記フローが実際の量である工程と、
前記処理チャンバを迂回しながら、前記処理ガスを前記実際の量で前記センシング回路へ流す工程と、
前記実際の流量の測定表示をセンシングする工程と、
前記流量制御装置の前記設定を調節して、前記実際の量と前記目標量の差を補正する工程と、
前記処理ガスを前記流量制御装置から前記処理チャンバに流し、その中にある基板を処理する工程とを含む半導体処理システムにおいてガスフローを測定する方法。
【請求項１４】
前記センシング工程が、
前記処理ガスを較正容積又は非較正容積へ流す工程と、
前記センシング回路に入る前記ガスの流量及び／又は圧力を決める、前記較正容積又は非較正容積中の前記処理ガスの少なくとも１つの特性及び／又は属性を測定する工程とを含む請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
前記センシング工程が、
終点に達する、信頼限界に達する、又はデータが所定の範囲内に収束する、のうち少なくとも１つまで前記センシング回路に存在するガスの特徴をサンプリングする工程を含む請求項１３記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月20日(2010.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両状態を検出する手段から取得したデータを記録する記録手段と、
車両のブレーキの踏み込み状態を検出するブレーキ踏込状態検出手段と、
該ブレーキ踏込状態検出手段により検出されたブレーキの踏み込み状態に基づいて、車
両の加速度から所定の運転状態を判定するための加速度閾値の設定を切り換える閾値設定
切換手段と、
該閾値設定切換手段により切り換えられた前記加速度閾値の設定状態において、車両の
加速度が所定の条件を満たした場合に、前記記録手段により記録されたデータを保存する
データ保存手段とを備えていることを特徴とするデータ記録装置。
【請求項２】
前記加速度閾値には、衝突には至らない危険な運転状態を判定するための第１の加速度
閾値と、衝突に至る運転状態を判定するための第２の加速度閾値とが含まれ、
前記ブレーキ踏込状態検出手段が、前記ブレーキの踏み込みの有無を検出するものであ
り、
前記閾値設定切換手段が、
前記ブレーキ踏込状態検出手段により前記ブレーキの踏み込みが有る状態から無い状態
への切り換えが検出された場合、前記第１の加速度閾値の使用を禁止する設定に切り換え
るとともに、前記第２の加速度閾値を第１の設定値に切り換える一方、
前記ブレーキ踏込状態検出手段により前記ブレーキの踏み込みが無い状態から有る状態
への切り換えが検出された場合、前記第１の加速度閾値の使用を許可する設定に切り換え
るとともに、前記第２の加速度閾値を前記第１の設定値よりも低い値の第２の設定値に切
り換えるものであることを特徴とする請求項１記載のデータ記録装置。
【請求項３】
前記加速度閾値には、衝突には至らない危険な運転状態を判定するための第１の加速度
閾値と、衝突に至る運転状態を判定するための第２の加速度閾値とが含まれ、
前記ブレーキ踏込状態検出手段が、前記ブレーキの踏み込みの強さを検出するものであ
り、
前記閾値設定切換手段が、
前記ブレーキ踏込状態検出手段により検出された前記ブレーキの踏み込みの強さに基づ
いて、前記第１の加速度閾値の使用を許可する設定、又は使用を禁止する設定に切り換え
るとともに、前記第２の加速度閾値の設定値を切り換えるものであることを特徴とする請
求項１記載のデータ記録装置。
【請求項４】
前記加速度閾値には、衝突には至らない危険な運転状態を判定するための第１の加速度
閾値と、衝突に至る運転状態を判定するための第２の加速度閾値とが含まれ、
前記ブレーキ踏込状態検出手段が、前記ブレーキの踏み込みの強さを検出するものであ
り、
前記閾値設定切換手段が、
前記ブレーキ踏込状態検出手段により検出された前記ブレーキの踏み込みの強さに基づ
いて、前記第１の加速度閾値の設定値と、前記第２の加速度閾値の設定値とを切り換える
ものであることを特徴とする請求項１記載のデータ記録装置。
【請求項５】
車両状態を検出する手段から取得したデータを記録する記録手段と、
車両のブレーキの踏み込み状態を検出するブレーキ踏込状態検出手段と、
該ブレーキ踏込状態検出手段により検出されたブレーキの踏み込み状態に基づいて、車両の運転状態を判定するための加速度閾値を変更し、前記記録手段により記録されたデータに基づいて車両の運転状態を判定する判定手段とを備えていることを特徴とする運転状態判定装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】データ記録装置、及び運転状態判定装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明はデータ記録装置、及び運転状態判定装置に関し、より詳細には、車両等の移動体に搭載され、走行時等の運転状態を把握するための各種データを記録することができるデータ記録装置、及び運転状態判定装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであって、保存しておく必要性の低い運転状態を示すデータの保存を防止することができる一方、保存しておく必要性の高い運転状態を示すデータの保存を確実に行うことができ、より適切なデータの保存制御を行うことができるデータ記録装置、及び危険な運転状態等を適切に判定することのできる運転状態判定装置を提供することを目的としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
したがって、前記ブレーキの踏み込み状態に対応させて前記加速度閾値の設定を適切に
切り換えることにより、前記データを保存しておく必要性が高い運転状態を示すデータの
保存をより確実に行うことが可能になる一方、前記データを保存しておく必要性の低い運
転状態を示すデータの保存を防止することができ、データの保存制御をより適切に行うこ
とができると共に、前記データを保存する記憶手段をより有効に使用することができる。
また、本発明に係る運転状態判定装置は、車両状態を検出する手段から取得したデータを記録する記録手段と、車両のブレーキの踏み込み状態を検出するブレーキ踏込状態検出手段と、該ブレーキ踏込状態検出手段により検出されたブレーキの踏み込み状態に基づいて、車両の運転状態を判定するための加速度閾値を変更し、前記記録手段により記録されたデータに基づいて車両の運転状態を判定する判定手段とを備えていることを特徴としている。
上記運転状態判定装置によれば、前記車両状態を検出する手段から取得したデータが記録され、前記ブレーキ踏込状態検出手段により検出されたブレーキの踏み込み状態に基づいて、車両の運転状態を判定するための加速度閾値が変更され、前記記録手段により記録されたデータ（例えば、車両の加速度データなど）に基づいて車両の運転状態が判定されるので、記録されているデータを用いて、車両の運転状態を適切に判定することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
以下、本発明に係るデータ記録装置、及び運転状態判定装置の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。図２は、実施の形態に係るデータ記録装置の要部を概略的に示したブロッ
ク図である。
図中１は、データ記録装置を示しており、データ記録装置１は、Ａ／Ｄ変換器２、デコ
ーダ３、画像処理部４、ＲＡＭ５、ＲＯＭ６、ＣＰＵ７、フラッシュメモリ８、エンコー
ダ９を含んで構成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月16日(2009.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自動車用車輪の回転するフランジ付きハブ（１０）であって、一体的構造に形成されていて：
ベアリングッユニット（Ａ）に結合されるのに適した実質的にシリンドリカルな中央部（１１）；
シリンドリカルな中央部（１１）から始まる放射状外側方向にのびているフランジ（１２）；
前記ハブの軸方向外側からフランジ（１２）を越えて突出し、根元部（１３ａ）により中央部（１１）に結合している筒状付属体（１３）；および
前記付属体（１３）のシリンドリカルな内面（１７）と中央部（１１）の軸方向外側の放射状な面（１８）により構成されているシリンドリカルの内側キャビティ；
の構成を有し、
前記ハブの中央部（１１）についての筒状付属体（１３）のフレキシビリティを増すために円周方向の溝（２０）がシリンドリカルな内側キャビティ（１９）から始まって根元部（１３ａ）へのびていることを特徴とするもの。
【請求項２】
前記溝（２０）は、前記付属体（１３）のシリンドリカルな内面（１７）が放射状面（１８）に合う帯域から始まってのびていることを特徴とする請求項１によるハブ。
【請求項３】
前記溝（２０）が実質的に斜め方向、即ち、放射状外側および軸方向内側方向へ向かい根元部（１３ａ）にのびていることを特徴とする請求項１または請求項２によるハブ。
【請求項４】
前記溝（２０）が放射状外側方向へ向かい根元部（１３ａ）にのびていることを特徴とする請求項１または請求項２によるハブ。
【請求項５】
前記溝（２０）が軸方向内側方向へ向かい根元部（１３ａ）にのびていることを特徴とする請求項１または請求項２によるハブ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
この発明によれば、付属体１３を中央シリンドリカル部１１に連結する根元部１３ａは、内部キャビティ１９、これをさらに詳しく言えば、シリンドリカル内面１７が放射状面１８に合う帯域から始まる根元部１３ａへのびている円周方向溝２０により薄手に作られている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
１０          フランジ付きハブ
１１          シリンドリカルな中央部
１２          フランジ
１３ａ        根元部
１３          筒状付属体
１７          シリンドリカルな内面
１８          放射状面
１９          内側キャビティ
２０          円周方向の溝
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月2日(2009.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(R)-3-[1-(2,6-ジクロロ-3-フルオロ-フェニル)-エトキシ]-5-(1-ピペリジン-4-イル-1H-ピラゾール-4-イル)-ピリジン-2-イルアミン又は薬学的に許容される塩を含む異常細胞の成長を処置するための医薬組成物。
【請求項２】
前記哺乳動物がヒトである、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項３】
前記哺乳動物がイヌである、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項４】
前記の異常細胞成長が少なくとも1つの遺伝子組換えチロシンキナーゼにより仲介される、請求項１〜３のいずれか１項記載の医薬組成物。
【請求項５】
前記の異常細胞の成長が、肝細胞成長因子受容体（c-Met/HGFR）キナーゼ又は未分化リンパ腫キナーゼ（ALK）により仲介される、請求項１〜３のいずれか１項記載の医薬組成物。
【請求項６】
前記の異常細胞成長が、肝細胞成長因子受容体（c-Met/HGFR）キナーゼにより仲介される、請求項５記載の医薬組成物。
【請求項７】
前記の異常細胞成長が、未分化リンパ腫キナーゼ（ALK）により仲介される、請求項５記載の医薬組成物。
【請求項８】
前記の異常細胞成長が癌である、請求項１〜３のいずれか１項記載の医薬組成物。
【請求項９】
前記癌が、肺癌、骨肉種、膵癌、皮膚癌、頭部又は頚部の癌、皮膚又は眼内黒色腫、子宮癌、卵巣癌、直腸癌、肛門部癌、胃癌、結腸癌、乳癌、卵管癌、子宮内膜癌、子宮頚部癌、膣癌、陰門癌、ホジキン病、食道癌、小腸癌、内分泌系癌、甲状腺癌、副甲状腺癌、副腎癌、軟組織肉腫、尿道癌、陰茎癌、前立腺癌、慢性又は急性白血病、リンパ球性リンパ腫、膀胱癌、腎臓又は尿管の癌、腎細胞癌、腎盂癌、中枢神経（CNS）腫瘍、中枢神経原発悪性リンパ腫、脊髄軸癌、脳幹膠腫、下垂体腺腫及びそれらの組合せからなる群より選ばれる、請求項８記載の医薬組成物。
【請求項１０】
前記癌が、非小細胞肺癌（NSCLC）、扁平上皮細胞癌、ホルモン性-難治性前立腺癌、乳頭状腎細胞癌、直腸結腸腺癌、神経芽細胞腫、未分化大細胞リンパ腫（ALCL）及び胃癌からなる群より選ばれる、請求項８記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月12日(2010.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎ−［３−［［［２−［（２，３−ジヒドロ−２−オキソ−１Ｈ−インドール−５−イル）アミノ］−５−（トリフルオロメチル）−４−ピリミジニル］アミノ］メチル］−２−ピリジニル］−Ｎ−メチルメタンスルホンアミドの薬学的に許容できる塩。
【請求項２】
前記塩がベシレート塩である、請求項１に記載の化合物の塩。
【請求項３】
前記塩がメシレート塩である、請求項１に記載の化合物の塩。
【請求項４】
前記塩がトシレート塩である、請求項１に記載の化合物の塩。
【請求項５】
前記塩が塩酸塩である、請求項1に記載の化合物の塩。
【請求項６】
前記塩が準化学量論的溶媒和物である、請求項１から５のいずれか一項に記載の塩。
【請求項７】
前記準化学量論的溶媒和物がエタノールを含む、請求項６に記載の塩。
【請求項８】
Ｎ−［３−［［［２−［（２，３−ジヒドロ−２−オキソ−１Ｈ−インドール−５−イル）アミノ］−５−（トリフルオロメチル）−４−ピリミジニル］アミノ］メチル］−２−ピリジニル］−Ｎ−メチルメタンスルホンアミドの準化学量論的溶媒和物。
【請求項９】
前記溶媒和物が、水、アルコール、極性有機溶媒およびそれらの組み合わせからなる群から選択される溶媒を含む、請求項８に記載の溶媒和物。
【請求項１０】
前記溶媒が、水、エタノールおよびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項９に記載の溶媒和物。
【請求項１１】
前記溶媒和物がエタノールを約０．１〜約３モル％の範囲で含む、請求項１０に記載の溶媒和物。
【請求項１２】
請求項1から11のいずれか一項に記載の塩または溶媒和物、および薬学的に許容できる担体または希釈剤を含む医薬組成物。
【請求項１３】
異常な細胞増殖の治療に有効な量の請求項１から１１のいずれか一項に記載の塩または溶媒和物、および薬学的に許容できる担体または希釈剤を含む医薬組成物。
【請求項１４】
前記異常な細胞増殖が癌である、請求項１３に記載の医薬組成物。
【請求項１５】
異常な細胞増殖の治療に有効な量の請求項１から１１のいずれか一項に記載の塩または溶媒和物を、有糸分裂阻害剤、アルキル化剤、代謝拮抗剤、挿入抗生物質、増殖因子阻害剤、放射線、細胞周期阻害剤、酵素、トポイソメラーゼ阻害剤、生体応答調節物質、抗体、細胞毒性剤、抗ホルモン剤および抗アンドロゲン剤からなる群から選択される抗腫瘍剤と共に含む、哺乳動物の異常な細胞増殖を治療するための組み合わせ物。
【請求項１６】
前記塩が準化学量論的溶媒和物である、請求項2に記載の塩。
【請求項１７】
前記溶媒和物がエタノールを含む、請求項16に記載の溶媒和物。
【請求項１８】
請求項2に記載の塩、および薬学的に許容できる担体または希釈剤を含む医薬組成物。
【請求項１９】
哺乳類の癌の治療に有効な量の請求項2に記載の塩を含む医薬組成物。
【請求項２０】
異常な細胞増殖の治療に有効な量の請求項2に記載の塩を、有糸分裂阻害剤、アルキル化剤、代謝拮抗剤、挿入抗生物質、増殖因子阻害剤、放射線、細胞周期阻害剤、酵素、トポイソメラーゼ阻害剤、生体応答調節物質、抗体、細胞毒性剤、抗ホルモン剤および抗アンドロゲン剤からなる群から選択される抗腫瘍剤と共に哺乳動物に投与し、哺乳動物の異常な細胞増殖を治療することを特徴とする、請求項2に記載の塩を含む医薬組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【化１】
2007153892.tif 000001