【手続補正書】
【提出日】平成21年11月6日(2009.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
様々な寸法の加工品を載置するためのプラットホームを備えるウェーハ加工装置であって、上記プラットホームが、
グラファイト、高融点金属、遷移金属、希土類金属及びこれらの合金の少なくとも１種を含んでなるベース基板と、
ベース基板上に堆積した電気絶縁層であって、Ａｌ、Ｂ、Ｓｉ、Ｇａ、高融点硬金属、遷移金属及びこれらの組合せからなる群から選択される元素の酸化物、窒化物及び酸窒化物の少なくとも１種を含んでなる電気絶縁層と、
電気絶縁層上に設けられたフィルム電極と、
フィルム電極上に設けられたコーティング層であって、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、高融点硬金属、遷移金属及びこれらの組合せからなる群から選択される元素の窒化物、炭化物、炭窒化物及び酸窒化物の少なくとも１種を含んでなるコーティング層と
を備えており、
上記フィルム電極が電気絶縁層及びコーティング層各々の熱膨張係数の０．７５〜１．２５倍の熱膨張係数を有しており、
上記電気絶縁層とコーティング層が同一又は異なる材料からなり、
上記フィルム電極が、スクリーン印刷、スピンコーティング、プラズマ溶射、溶射熱分解、反応性溶射、ゾル−ゲル、燃焼トーチ、電気アーク、イオンプレーティング、イオンインプランテーション、スパッタリング、レーザーアブレーション、蒸着、電気メッキ及びレーザー表面合金化の少なくと１つの方法で堆積したものであり、
上記コーティング層が膨張熱プラズマ（ＥＴＰ）、化学気相堆積（ＣＶＤ）、プラズマ励起化学気相堆積、有機金属化学気相堆積、有機金属気相エピタキシ、スパッタリング、電子ビーム及びプラズマ溶射の少なくとも１つの方法でフィルム電極上に堆積したものである、
ウェーハ加工装置。
【請求項２】
前記プラットホームがさらに、Ａｌ、Ｓｉ、高融点金属、遷移金属及びこれらの組合せからなる群から選択される元素の窒化物、炭化物、酸化物及び酸窒化物の少なくとも１種を含んでなる結合層を備えていて、
上記結合層がベース基板上に堆積されていてベース基板と電気絶縁層の間に配置され、
上記結合層が、膨張熱プラズマ（ＥＴＰ）、化学気相堆積（ＣＶＤ）、プラズマ励起化学気相堆積、有機金属化学気相堆積、有機金属気相エピタキシ、スパッタリング、電子ビーム及びプラズマ溶射の少なくとも１つの方法でベース基板上に堆積したものであり、
上記電気絶縁層が、膨張熱プラズマ（ＥＴＰ）、化学気相堆積（ＣＶＤ）、プラズマ励起化学気相堆積、有機金属化学気相堆積、有機金属気相エピタキシ、スパッタリング、電子ビーム及びプラズマ溶射の少なくとも１つの方法で結合層上に堆積したものである、
請求項１記載のウェーハ加工装置。
【請求項３】
前記結合層が少なくとも、ＴｉＣ、ＳｉＣ、ＭｏＣ、ＴａＣ、ＺｒＣ、ＮｂＣ、ＴｉＣ及びこれらの混合物からなる群から選択される高融点金属炭化物を含んでなる、請求項２記載のウェーハ加工装置。
【請求項４】
前記結合層が炭素の拡散によって炭化され、該結合層が炭素と平衡状態にある炭素／高融点金属原子比を有することを特徴とする、請求項２又は請求項３記載のウェーハ加工装置。
【請求項５】
前記ベース基板がグラファイトを含んでなり、前記結合層がＴｉＣ、ＳｉＣ、ＭｏＣ、ＴａＣ、ＺｒＣ、ＮｂＣ及びこれらの混合物の少なくとも１種を含んでなり、結合層がグラファイトベース基板上にＥＴＰ及びＣＶＤの少なくとも１つの方法で堆積したものである、請求項２乃至請求項４のいずれか１項記載のウェーハ加工装置。
【請求項６】
前記電気絶縁層が２５℃で１０８Ω・ｃｍ以上の体積抵抗率を有する、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載のウェーハ加工装置。
【請求項７】
前記電気絶縁層が２５〜１０００℃の範囲で２．０×１０−６／Ｋ〜１０×１０−６／Ｋの熱膨張係数を有する、請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載のウェーハ加工装置。
【請求項８】
前記ベース基板がグラファイトを含んでなり、電気絶縁層及びコーティング層が窒化アルミニウムを含んでなる、請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載のウェーハ加工装置。
【請求項９】
様々な寸法の加工品を載置するためのプラットホームを備えるウェーハ加工装置であって、上記プラットホームが、
Ｂ、Ｓｉ、Ｇａ及びこれらの組合せの酸化物、窒化物及び酸窒化物の少なくとも１種を含んでなるベース基板と、
ベース基板上に堆積したフィルム電極と、
フィルム電極上に設けられたコーティング層であって、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、高融点硬金属、遷移金属及びこれらの組合せからなる群から選択される元素の窒化物、炭化物、炭窒化物及び酸窒化物の少なくとも１種を含んでなるコーティング層と
を備えており、
上記フィルム電極がベース基板及びコーティング層各々の熱膨張係数の０．７５〜１．２５倍の熱膨張係数を有しており、
上記ベース基板が電気絶縁性であり、
上記コーティング層が膨張熱プラズマ（ＥＴＰ）、化学気相堆積（ＣＶＤ）、プラズマ励起化学気相堆積、有機金属化学気相堆積、有機金属気相エピタキシ、スパッタリング、イオンプレーティング、電子ビーム及びプラズマ溶射の少なくとも１つの方法でフィルム電極上に堆積したものである、
ウェーハ加工装置。
【請求項１０】
前記ベース基板が４５〜５重量％のＡｌＮと５５〜９５重量％のＢＮからなる焼結セラミック材料を含んでなる、請求項９記載のウェーハ加工装置。
【請求項１１】
前記ベース基板が２５〜１０００℃の温度範囲で２．０×１０−６／Ｋ〜１０×１０−６／Ｋの熱膨張係数を有する、請求項９又は請求項１０のいずれか１項記載のウェーハ加工装置。
【請求項１２】
コーティング層が２５〜１０００℃の温度範囲で２．０×１０−６／Ｋ〜１０×１０−６／Ｋの熱膨張係数を有する、請求項９乃至請求項１１のいずれか１項記載のウェーハ加工装置。
【請求項１３】
ウェーハ加工装置の製造方法であって、
Ｂ、Ｓｉ、Ｇａ及びこれらの組合せの酸化物、窒化物、炭化物、炭窒化物及び酸窒化物の少なくとも１種を含んでなるベース基板であって、２５℃で１０１０Ω・ｃｍ以上の体積抵抗率を有するベース基板を用意し、
スクリーン印刷、スピンコーティング、プラズマ溶射、溶射熱分解、反応性溶射、ゾル−ゲル、燃焼トーチ、電気アーク、イオンインプランテーション、スパッタリング、レーザーアブレーション、蒸着、電気メッキ及びレーザー表面合金化の少なくとも１つの方法によって、ベース基板層の熱膨張係数の０．７５〜１．２５倍の熱膨張係数を有するフィルム電極をベース基板上に堆積し、
膨張熱プラズマ、プラズマ励起化学気相堆積、有機金属化学気相堆積、有機金属気相エピタキシ、スパッタリング、イオンプレーティング、電子ビーム及びプラズマ溶射の少なくとも１つの方法によって、フィルム電極の熱膨張係数の０．７５〜１．２５倍の熱膨張係数を有するコーティングフィルム層をフィルム電極上に積層する
工程を含んでなる方法。
【請求項１４】
ウェーハ加工装置の製造方法であって、
グラファイト、高融点金属、遷移金属、希土類金属及びこれらの合金の少なくとも１種を含んでなるベース基板を用意し、
膨張熱プラズマ、プラズマ励起化学気相堆積、有機金属化学気相堆積、有機金属気相エピタキシ、スパッタリング、イオンプレーティング、電子ビーム及びプラズマ溶射の少なくとも１つの方法によって、Ａｌ、Ｂ、Ｓｉ、Ｇａ、高融点硬金属、遷移金属及びこれらの組合せからなる群から選択される元素の酸化物、窒化物及び酸窒化物の少なくとも１種を含んでなる電気絶縁層をベース基板上に堆積し、
スクリーン印刷、スピンコーティング、プラズマ溶射、溶射熱分解、反応性溶射、ゾル−ゲル、燃焼トーチ、電気アーク、イオンプレーティング、イオンインプランテーション、スパッタリング、レーザーアブレーション、蒸着、電気メッキ及びレーザー表面合金化の少なくとも１つの方法によって、ベース基板層の熱膨張係数の０．７５〜１．２５倍の熱膨張係数を有するフィルム電極をベース基板上に堆積し、
膨張熱プラズマ、プラズマ励起化学気相堆積、有機金属化学気相堆積、有機金属気相エピタキシ、スパッタリング、イオンプレーティング、電子ビーム及びプラズマ溶射の少なくとも１つの方法によって、フィルム電極の熱膨張係数の０．７５〜１．２５倍の熱膨張係数を有するコーティングフィルム層をフィルム電極上に積層する
工程を含んでなる方法。
【請求項１５】
さらに、電気絶縁層の堆積に先立って、Ａｌ、Ｓｉ、高融点金属、遷移金属及びこれらの組合せからなる群から選択される元素の窒化物、酸化物及び酸窒化物の少なくとも１種を含んでなる結合層をベース基板上に堆積する工程を含んでいて、
上記結合層上への電気絶縁層の堆積を、膨張熱プラズマ、プラズマ励起化学気相堆積、有機金属化学気相堆積、有機金属気相エピタキシ、スパッタリング、イオンプレーティング、電子ビーム及びプラズマ溶射の少なくとも１つの方法によって行う、
請求項１４記載の方法。