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【手続補正書】
【提出日】平成22年1月22日(2010.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
基板の第１主面に形成された、少なくとも１つの可動スイッチ素子と、
基板の第１主面に形成された、少なくとも１つの固定キャパシタ素子と、
基板の第１主面に形成された、少なくとも１つの可変キャパシタ素子と、
基板の第１主面に形成された、少なくとも１つの可変インダクタ素子と、
基板の第１主面に形成され、各素子を電気接続するための配線とを備え、
可動スイッチ素子の動作により、各素子の電気接続が選択可能であることを特徴とする可変素子回路。
【請求項２】
固定キャパシタ素子は、基板側の下部電極と、下部電極に対向する上部電極と、下部電極と上部電極の間に介在する誘電層および空気層とを含み、
空気層は、誘電層より厚いことを特徴とする請求項１記載の可変素子回路。
【請求項３】
可動スイッチ素子、可変キャパシタ素子および可変インダクタ素子は、基板側の下部電極と、下部電極に対向した可動の上部電極と、下部電極と上部電極の間に介在する空気層とを含み、
下部電極の上に、誘電層が形成されていることを特徴とする請求項１記載の可変素子回路。
【請求項４】
各素子の下部電極が、抵抗値の高い第１メタル層と抵抗値の低い第２メタル層で構成され、
素子駆動用のバイアス線が、該第１メタル層と該第１メタル層を覆う誘電層で構成されていることを特徴とする請求項１記載の可変素子回路。
【請求項５】
各素子の下部電極と上部電極の間に介在する空気層は、互いに実質的に同じ厚さを有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の可変素子回路。
【請求項６】
基板の第１主面に、信号線路と、信号線路の両側に位置するグランド線路とを含むコプレーナ伝送線路が設けられ、
可動スイッチ素子、固定キャパシタ素子、可変キャパシタ素子および可変インダクタ素子のうち少なくとも１つが信号線路に挿入されていることを特徴とする請求項１記載の可変素子回路。
【請求項７】
素子駆動用のバイアス線が、空気層を介してグランド線路と交差していることを特徴とする請求項６記載の可変素子回路。
【請求項８】
信号線路の両側に位置するグランド線路同士を電気接続するための第２グランド線路が、空気層を介して信号線路と交差していることを特徴とする請求項６記載の可変素子回路。
【請求項９】
各素子の下部電極と上部電極の間に介在する空気層、およびバイアス線とグランド線路の間に介在する空気層は、互いに実質的に同じ厚さを有することを特徴とする請求項７記載の可変素子回路。
【請求項１０】
各素子の下部電極と上部電極の間に介在する空気層、および第２グランド線路と信号線路の間に介在する空気層は、互いに実質的に同じ厚さを有することを特徴とする請求項８記載の可変素子回路。
【請求項１１】
基板の第１主面の上に、所定パターンの第１導電層を形成する工程と、
基板の第１主面および第１導電層の上に、所定パターンの誘電層を形成する工程と、
基板の第１主面、第１導電層および誘電層の上に、所定パターンの誘電層より厚い犠牲層を形成する工程と、
基板の第１主面、第１導電層、誘電層および犠牲層の上に、所定パターンの第２導電層を形成する工程と、
犠牲層を除去して、第１導電層と第２導電層の間に空気層を形成する工程とを含み、
可動スイッチ素子、固定キャパシタ素子、可変キャパシタ素子および可変インダクタ素子のうち少なくとも２つを同時に形成することを特徴とする可変素子回路の製造方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年10月1日(2010.10.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半田接続部を製造するプロセスであって、
半田付け可能な表面領域を有する基板を設ける工程と、
上面および半田付け可能な裏面を有する半導体チップを設ける工程と、
上記半田付け可能な表面領域に、半田材料を塗布する工程と、
上記半導体チップを、
（ａ）上記半田材料に第１の溶解を行い、
（ｂ）続いて上記半導体チップの裏面を上記半田材料上に降下させ、
（ｃ）上記半田材料を凝固させて上記表面領域と上記裏面との間に半田材料層を形成する、
ことによって上記基板に一体的にボンディングする工程と、
上記一体的にボンディングされた構造を、真空引き可能な加熱スペース内に導入する工程と、
上記半田材料層の上記半田材料に対して真空下において第２の溶解を行うことによって、上記半田材料層から揮発性物質を排出させ、次に、上記半田材料層の上記半田材料を凝固させて半田接続部を形成する工程とを含んでいる、プロセス。
【請求項２】
ダイボンディングおよび真空溶解のために、基板の多数の半田付け可能な表面領域上に多数の半導体チップが配置されるバッチ処理が用いられる、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
ダイボンディングおよび真空溶解のために、少なくとも１つのダイボンディング位置および真空炉位置を含む連続枚葉式製造装置（continuous production installation）内において多数の半導体チップが次々と処理される連続的なプロセスが用いられる、請求項１に記載のプロセス。
【請求項４】
上記半田付け可能な表面領域あるいは上記半田付け可能な裏面に、半田材料として、ＳｎＡｇ、ＰｂＳｎＡｇ、ＰｂＳｎ、あるいはＰｂＳｎＩｎからなる群のうちのいずれか１つの材料が塗布される、請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項５】
２５ｍｍ２以上の面積Ａを有する上記表面領域と上記半導体チップとの間に、半田接続部が製造される、請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項６】
２２５ｍｍ２以上の面積Ａを有する上記表面領域と上記半導体チップとの間に、半田接続部が製造される、請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項７】
上記表面領域とパワー半導体チップとの間に、半田接続部が製造される、請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項８】
上記半田接続部の上記基板の上記表面領域として、リードフレームのチップアイランドが用いられる、請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項９】
上記表面領域に半田材料を塗布する上記工程の前に、上記表面領域が、銅、銀、ニッケル、ニッケル／パラジウム／金、あるいはこれらの合金からなる群のうちのいずれか１つの材料によって被覆される、請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１０】
上記基板としてセラミックシートが用いられる、請求項１〜請求項９のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１１】
上記基板としてプラスチックシートが用いられる、請求項１〜請求項９のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１２】
上記半田接続部を製造する上記工程の前に、上記半導体チップの上記裏面が、アルミニウム、金、銀、あるいはパラジウム／金、あるいはこれらの合金からなる群のうちのいずれか１つの材料によって被覆される、請求項１〜請求項１１のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１３】
上記半導体チップはシリコン結晶ウェハから製造される、請求項１〜請求項１２のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１４】
半田接続部を製造する上記工程の前に、少なくとも１つのチップアイランドと、上記半導体チップの接触領域に部材を接続するための接触端子領域とを有する、パターン形成された金属被膜が上記基板に形成される、請求項１〜請求項１３のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１５】
上記基板の全面を金属で被覆することにより、上記全面にわたって金属被膜を形成する工程と、
続いて、上記全面にわたって金属被膜が形成された上記基板に対してパターン形成するために、フォトリソグラフィによって、パターン形成されたレジストマスクを形成する工程とを含んでいる、請求項１４に記載のプロセス。
【請求項１６】
パターン形成された金属被膜を形成する上記工程のために、ドライエッチング処理またはウェットエッチング処理が行われ、当該ドライエッチング処理中または当該ウェットエッチング処理中に、上記レジストマスクが上記パターン形成された金属被膜が形成されるように保護し、当該保護後に上記レジストマスクが除去される、請求項１５に記載のプロセス。
【請求項１７】
上記全面にわたって形成された金属被膜は、レーザービームによってパターン形成される、請求項１５に記載のプロセス。
【請求項１８】
上記パターン形成された金属被膜は、印刷法によって形成される、請求項１４に記載のプロセス。
【請求項１９】
上記パターン形成された金属被膜は、スクリーン印刷法によって形成される、請求項１４に記載のプロセス。
【請求項２０】
上記パターン形成された金属被膜は、ステンシル印刷法によって形成される、請求項１４に記載のプロセス。
【請求項２１】
上記パターン形成された金属被膜は、ジェット印刷法によって形成される、請求項１４に記載のプロセス。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
本実施例においては絶縁材料９を含んだセラミックシートまたはプラスチックシートである基板３の導入前には、基板３の上面１３に、パターン形成された金属被膜が形成されている。基板３は、まずその全表面積が金属によって被膜され、そしてパターン形成されたレジストマスクがフォトリソグラフィによって形成される。次に、この全面にわたって形成された金属被膜をパターン形成するために、ドライエッチング処理またはウェットエッチング処理が行われる。このエッチング処理中、上記レジストマスクは、パターン形成された金属被膜１２が形成されるように保護する。続いて、上記レジストマスクが再び除去される。この目的のために、金属被膜１２は、銅、銀、ニッケル、ニッケル／パラジウム／金、あるいはこれらの合金からなる群のいずれかの物質として形成される。上記全面の金属被膜は、基板３の絶縁材料９を金属箔を用いてめっきすることによって行うことができ、あるいは、電解槽内において金属を堆積することによって絶縁材料９を積層することによって行うことができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
図４は、ダイボンディングプロセス完了後の半田接続部３０を示す基本図である。ダイボンディングプロセスを完了するためには、基板３の表面領域４と半導体チップ２の裏面１０との間に、半田材料層５が形成されるように半田材料６を凝固させた後、基板３に半導体チップ２が一体的にボンディングされる。図４には、ダイボンディングプロセス中に形成された空隙３４が、単に原理的に示されている。これら空隙３４は、半田材料６から成る、大きさがサブミクロン程度の高揮発性成分の塊または塊状として半田材料６内に示されている。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月19日(2010.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応容器を備えたプラズマＣＶＤ装置で、薄膜を形成する工程を含む半導体装置の作製方法であり、
前記反応容器にフッ化物ガス又はフッ素ガスを導入し、前記フッ化物ガス又はフッ素ガスに電界を印加してプラズマを生成して、前記フッ化物ガス又はフッ素ガスによるプラズマガスエッチングによって前記反応容器内をクリーニングし、
前記クリーニングにより、前記フッ化物ガス又はフッ素ガスが残留している前記反応容器内に基板を設置し、
前記反応容器内に、窒素ガスを導入し、前記窒素ガスに電界を印加してプラズマを生成し、
前記反応容器への前記窒素ガスの導入を停止し、
前記反応容器に薄膜形成用プロセスガスを前記反応容器に導入し、前記薄膜形成用プロセスガスに電界を印加してプラズマを生成し、当該プラズマに含まれる活性種の化学反応により前記基板の被形成面に薄膜を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項２】
反応容器を備えたプラズマＣＶＤ装置で、薄膜を形成する工程を含む半導体装置の作製方法であり、
前記反応容器内に基板を設置し、
前記反応容器にフッ化物ガス又はフッ素ガスを導入し、
前記反応容器への前記フッ化物ガス又はフッ素ガスの導入を停止して、前記反応容器内に、窒素ガスを導入し、前記窒素ガスに電界を印加してプラズマを生成し、
前記反応容器への前記窒素ガスの導入を停止し、
前記反応容器に薄膜形成用プロセスガスを前記反応容器に導入し、前記薄膜形成用プロセスガスに電界を印加してプラズマを生成し、当該プラズマに含まれる活性種の化学反応により前記基板の被形成面に薄膜を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記窒素ガスに電界を印加してプラズマを生成することによって、前記反応容器内に残留している前記フッ化物ガス又はフッ素ガスもプラズマ化して前記基板の被形成面をエッチングするとともに、前記反応容器内に残留している前記フッ化物ガス又はフッ素ガスを減少させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
反応容器を備えたプラズマＣＶＤ装置で、薄膜を形成する工程を含む半導体装置の作製方法であり、
前記反応容器にフッ化物ガス又はフッ素ガスを導入し、前記フッ化物ガス又はフッ素ガスに電界を印加してプラズマを生成して、前記フッ化物ガスによるプラズマガスエッチングによって前記反応容器内をクリーニングし、
前記クリーニングにより、前記フッ化物ガス又はフッ素ガスが残留している前記反応容器内に基板を設置し、
前記反応容器内に、薄膜形成用プロセスガスを導入し、前記プロセスガスに電界を印加してプラズマを生成し、当該プラズマに含まれる活性種の化学反応により前記基板の被形成面に薄膜を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項５】
反応容器を備えたプラズマＣＶＤ装置で、薄膜を形成する工程を含む半導体装置の作製方法であり、
前記反応容器内に基板を設置し、
前記反応容器にフッ化物ガス又はフッ素ガスを導入し、
前記反応容器への前記フッ化物ガス又はフッ素ガスの導入を停止し、
前記反応容器に薄膜形成用プロセスガスを前記反応容器に導入し、前記薄膜形成用プロセスガスに電界を印加してプラズマを生成し、当該プラズマに含まれる活性種の化学反応により前記基板の被形成面に薄膜を形成する半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月24日(2010.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッジ検出回路と、基準クロック発生回路と、基準クロックカウンター回路と、分周回路と、を有し、
前記基準クロックカウンター回路は、外部から前記エッジ検出回路に信号が入力され、当該信号のエッジを検出して次のエッジを検出するまでの期間に、前記基準クロック発生回路から出力された基準クロック信号の波数をカウントして得られたカウンター値を前記分周回路に出力する回路であり、
前記分周回路は、前記カウンター値に基づいた前記基準クロック信号の分周をする回路であることを特徴とするクロック生成回路。
【請求項２】
エッジ検出回路と、基準クロック発生回路と、基準クロックカウンター回路と、分周回路と、を有し、
前記エッジ検出回路は、外部から入力される信号のエッジを検出する回路であり、
前記基準クロックカウンター回路は、前記エッジ検出回路が前記エッジを検出して次のエッジを検出するまでの期間に、前記基準クロック発生回路から出力された基準クロック信号の波数をカウントして得られたカウンター値を前記分周回路に出力する回路であり、
前記分周回路は、前記カウンター値に基づいた前記基準クロック信号の分周をする回路であることを特徴とするクロック生成回路。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記外部から入力される信号を発生する回路として送信回路を有し、
前記送信回路は第２の基準クロック発生回路を有し、
前記第２の基準クロック発生回路が生成するクロック信号は、前記基準クロック発生回路が生成するクロック信号と同期していないことを特徴とするクロック生成回路。
【請求項４】
エッジ検出回路と、基準クロック発生回路と、基準クロックカウンター回路と、分周回路と、を有し、
前記エッジ検出回路は、第１のラッチ回路と、前記第１のラッチ回路から出力された信号が入力される第２のラッチ回路と、前記第１のラッチ回路から出力された信号が入力されるインバータ回路と、前記第２のラッチ回路から出力された信号及び前記インバータ回路から出力された信号が入力されるアンド回路と、を有し、
前記アンド回路は、前記第２のラッチ回路から出力された信号と前記インバータ回路から出力された信号が異なる場合にリセット信号を出力する回路であり、
前記基準クロックカウンター回路は、前記リセット信号によって、前記基準クロック発生回路より出力される基準クロック信号の波数をカウントして得られたカウンター値がリセットされ、且つ前記カウンター値を前記分周回路に出力する回路であり、
前記分周回路は、前記カウンター値に基づいた前記基準クロック信号の分周をする回路であることを特徴とするクロック生成回路。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記基準クロック発生回路は、リングオシレータ又は水晶発振器であることを特徴とするクロック生成回路。
【請求項６】
アンテナを備え、リーダ／ライタと無線通信により信号の送受信を行う半導体装置であって、
エッジ検出回路と、基準クロック発生回路と、基準クロックカウンター回路と、分周回路と、を有し、
前記基準クロックカウンター回路は、前記リーダ／ライタから前記アンテナを介して前記エッジ検出回路に信号が入力され、当該信号のエッジを検出して次のエッジを検出するまでの期間に、前記基準クロック発生回路から出力された基準クロック信号の波数をカウントして得られたカウンター値を前記分周回路に出力する回路であり、
前記分周回路は、前記カウンター値に基づいた前記基準クロック信号の分周をする回路であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
アンテナを備え、リーダ／ライタと無線通信により信号の送受信を行う半導体装置であって、
エッジ検出回路と、基準クロック発生回路と、基準クロックカウンター回路と、分周回路と、を有し、
前記エッジ検出回路は、前記リーダ／ライタから前記アンテナを介して入力される信号のエッジを検出する回路であり、
前記基準クロックカウンター回路は、前記エッジ検出回路が前記エッジを検出して次のエッジを検出するまでの期間に、前記基準クロック発生回路から出力された基準クロック信号の波数をカウントして得られたカウンター値を前記分周回路に出力する回路であり、
前記分周回路は、前記カウンター値に基づいた前記基準クロック信号の分周をする回路であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項６又は請求項７において、
前記基準クロック発生回路が生成するクロック信号は、前記リーダ／ライタからのクロック信号と同期していないことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
アンテナを備え、リーダ／ライタと無線通信により信号の送受信を行う半導体装置であって、
エッジ検出回路と、基準クロック発生回路と、基準クロックカウンター回路と、分周回路と、を有し、
前記エッジ検出回路は、第１のラッチ回路と、前記第１のラッチ回路から出力された信号が入力される第２のラッチ回路と、前記第１のラッチ回路から出力された信号が入力されるインバータ回路と、前記第２のラッチ回路から出力された信号及び前記インバータ回路から出力された信号が入力されるアンド回路と、を有し、
前記アンド回路は、前記第２のラッチ回路から出力された信号と前記インバータ回路から出力された信号が異なる場合にリセット信号を出力する回路であり、
前記基準クロックカウンター回路は、前記リセット信号によって、前記基準クロック発生回路より出力される基準クロック信号の波数をカウントして得られたカウンター値がリセットされ、且つ前記カウンター値を前記分周回路に出力する回路であり、
前記分周回路は、前記カウンター値に基づいた前記基準クロック信号の分周をする回路であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項９のいずれか一において、
前記基準クロック発生回路は、リングオシレータ又は水晶発振器であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月17日(2010.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
画素Ａのみ生成するためには、図１４に示すＰ１〜Ｐ５の係数が必要となる。Ｐ１は、１次のウェーブレット係数の高周波成分である各領域ｂ〜ｄに、１つずつ存在している。Ｐ１の座標値は、画素Ａの座標値ｘ、ｙをそれぞれ２で除算した値となり、Ｐ１の座標は、図１４（ａ）に示すように（Ｕｘ／２、Ｖｙ／２）となる。なお、除算した値が整数ではない場合、小数点以下を切り捨てるものとする。また、座標（Ｕｘ／２、Ｖｘ／２）は、各領域ｂ〜ｄにおいて、それぞれの左上端点を座標（Ｕ０、Ｖ０）としたときの座標を示している。この座標の取り方については、後述にて数値例を挙げて説明する。Ｐ２は、２次のウェーブレット係数の高周波成分である各領域ｂ〜ｄに、１つずつ存在している。Ｐ２の座標値は、画素Ａの座標値ｘ、ｙをそれぞれ４で除算した値となり、Ｐ２の座標は、図１４（ｂ）に示すように（Ｕｘ／４、Ｖｙ／４）となる。なお、除算した値が整数ではない場合、小数点以下を切り捨てるものとする。また、座標（Ｕｘ／４、Ｖｙ／４）は、各領域ｂ〜ｄにおいて、それぞれの左上端を座標（Ｕ０、Ｖ０）としたときの座標を示している。Ｐ３は、３次のウェーブレット係数の高周波成分である各領域ｂ〜ｄに、１つずつ存在している。Ｐ３の座標値は、画素Ａの座標値ｘ、ｙをそれぞれ８で除算した値となり、Ｐ３の座標は、図１４（ｃ）に示すように（Ｕｘ／８、Ｖｙ／８）となる。なお、除算した値が整数ではない場合、小数点以下を切り捨てるものとする。また、座標（Ｕｘ／８、Ｖｙ／８）は、各領域ｂ〜ｄにおいて、それぞれの左上端を座標（Ｕ０、Ｖ０）としたときの座標を示している。Ｐ４は、４次のウェーブレット係数の高周波成分である各領域ｂ〜ｄに、１つずつ存在している。Ｐ４の座標値は、画素Ａの座標値ｘ、ｙをそれぞれ１６で除算した値となり、Ｐ４の座標は、図１４（ｄ）に示すように（Ｕｘ／１６、Ｖｙ／１６）となる。なお、除算した値が整数ではない場合、小数点以下を切り捨てるものとする。また、座標（Ｕｘ／１６、Ｖｙ／１６）は、各領域ｂ〜ｄにおいて、それぞれの左上端を座標（Ｕ０、Ｖ０）としたときの座標を示している。Ｐ５は、４次のウェーブレット係数の低周波成分である領域ａ内に存在している。Ｐ５の座標値は、画素Ａの座標値ｘ、ｙをそれぞれ１６で除算した値となり、Ｐ５の座標は、図１４（ｅ）に示すように（Ｕｘ／１６、Ｖｙ／１６）となる。なお、除算した値が整数ではない場合、小数点以下を切り捨てるものとする。また、座標（Ｕｘ／１６、Ｖｙ／１６）は、領域ａにおいて、左上端を座標（Ｕ０、Ｖ０）としたときの座標を示している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
図１５において、ウェーブレット逆変換部１４は、取得されたミップマップレベルＬに１を加算する（ステップＳ２０２１）。ステップＳ２０２１の次に、ウェーブレット逆変換部１４は、画素Ａの座標値ｘ、ｙをそれぞれ２で除算し、読み出すべき係数Ｐ１の座標（Ｕｘ／２、Ｖｙ／２）を算出する（ステップＳ２０２２）。但し、除算した値が整数ではない場合、小数点以下を切り捨てる。ステップＳ２０２２の次に、ウェーブレット逆変換部１４は、ステップＳ２０２１で求めた値（Ｌ＋１）と同じ次数のウェーブレット係数に対し、その高周波成分である各領域ｂ〜ｄから、係数Ｐ１（Ｕｘ／２、Ｖｘ／２）をそれぞれ読み出す（ステップＳ２０２３）。ステップＳ２０２３の次に、ウェーブレット逆変換部１４は、ステップＳ２０２３で読み出したウェーブレット係数の次数が、メインメモリ２に記憶されたウェーブレット係数が示す最高の次数（Ｌ＋Ｍ）と一致するか否かを判断する（ステップＳ２０２４）。今、ステップＳ２０２３で読み出したウェーブレット係数の次数は（Ｌ＋１）であるので、ステップＳ２０２４ではＮｏと判断され、処理はステップＳ２０２５に進む。ステップＳ２０２５において、ウェーブレット逆変換部１４は、ステップＳ２０２３で読み出したウェーブレット係数の次数を１つ繰り上げる（ステップＳ２０２５）。ステップＳ２０２３で読み出したウェーブレット係数の次数は（Ｌ＋１）であるので、ステップＳ２０２５の処理により、次数は（Ｌ＋２）となる。ステップＳ２０２５の次に、処理はステップＳ２０２２に進む。ステップＳ２０２２において、ウェーブレット逆変換部１４は、係数Ｐ１の座標値ｘ／２、ｙ／２をそれぞれ２で除算し、読み出すべき係数Ｐ２の座標（Ｕｘ／４、Ｖｙ／４）を算出する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月25日(2010.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロジック部と電源部を含む信号処理回路と、
前記信号処理回路に接続されたアンテナ回路と、
前記信号処理回路に接続された蓄電手段と、を有し、
前記アンテナ回路は、電磁誘導方式または電磁結合方式で信号を受信する第１のアンテナ部と、マイクロ波方式で信号を受信する第２のアンテナ部を有し、
前記ロジック部は、前記アンテナ回路を介して、情報を受信および送信し、
前記電源部は、前記アンテナ回路で受信された信号から直流電圧を生成し、前記直流電圧で前記蓄電手段を充電することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ロジック部と電源部を含む信号処理回路と、
前記信号処理回路に接続されたアンテナ回路と、
前記信号処理回路に接続された蓄電手段と、を有し、
前記アンテナ回路は、コイル状の導電体を有する第１のアンテナ部と、一対の線状の導電体を有する第２のアンテナ部を有し、
前記ロジック部は、前記アンテナ回路を介して、情報を受信および送信し、
前記電源部は、前記アンテナ回路で受信された信号から直流電圧を生成し、前記直流電圧で前記蓄電手段を充電することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記信号処理回路、前記第１のアンテナ部及び前記第２のアンテナ部は、同じアンテナ端子に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記蓄電手段は、二次電池またはコンデンサであることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月23日(2010.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを送信するサービスを提供する通信装置であって、
第１の装置から第１の要求を受信し、第２の装置から第２の要求を受信する受信手段と、
前記第１の装置から受信した第１の要求に応じて、前記サービスのインターフェースを記述する情報を送信し、前記サービスのインターフェースに従った、前記第２の装置から受信した第２の要求に応じて、前記サービスによるデータを送信する送信手段とを有することを特徴とする通信装置。
【請求項２】
前記送信手段は、前記サービスのインターフェースを記述する情報を前記第１の装置に送信することを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】
前記送信手段は、前記サービスのインターフェースを記述する情報を前記第２の装置に送信し、前記第２の装置がデータの受信を完了すると、その完了を前記第１の装置に通知することを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項４】
装置間連携のフローを制御するフロー制御装置において、
データを送信するサービスを提供する第１の装置へ前記サービスのインターフェースを記述する情報を取得するための第１の要求を送信し、前記サービスのインターフェースを記述する情報を受信する通信手段と、
前記第１の装置が提供するサービスを用いて第２の装置がデータを受信するように、前記サービスのインターフェースを記述する情報を含む第２の要求を前記第２の装置に送信する送信手段とを有することを特徴とするフロー制御装置。
【請求項５】
他の装置からデータを受信する通信装置であって、
前記他の装置が実行するデータを送信するサービスのインターフェースを記述する情報を、装置間連携のフローを制御するフロー制御装置から受信する受信手段と、
前記サービスのインターフェースに従って前記他の装置へデータ要求を送信し、前記他の装置が送信したデータを受信する通信手段とを有することを特徴とする通信装置。
【請求項６】
データを送信するサービスを提供する通信装置の通信方法であって、
第１の受信手段が、第１の装置から第１の要求を受信する第１の受信工程と、
第１の送信手段が、前記第１の装置から受信した第１の要求に応じて、前記サービスのインターフェースを記述する情報を送信する第１の送信工程と、
第２の受信手段が、第２の装置から第２の要求を受信する第２の受信工程と、
第２の送信手段が、前記サービスのインターフェースに従った、前記第２の装置から受信した第２の要求に応じて、前記サービスによるデータを送信する第２の送信工程とを有することを特徴とする通信装置の通信方法。
【請求項７】
前記第１の送信工程は、前記サービスのインターフェースを記述する情報を前記第２の装置に送信し、
前記第２の送信工程は、前記第２の装置がデータの受信を完了すると、その完了を前記第１の装置に通知する通知工程を含むことを特徴とする請求項６に記載の通信装置の通信方法。
【請求項８】
装置間連携のフローを制御するフロー制御装置の通信方法であって、
第１の送信手段が、データを送信するサービスを提供する第１の装置へ前記サービスのインターフェースを記述する情報を取得するための第１の要求を送信する第１の送信工程と、
受信手段が、前記第１の装置から前記サービスのインターフェースを記述する情報を受信する受信工程と、
第２の送信手段が、前記第１の装置が提供するサービスを用いて第２の装置がデータを受信するように、前記サービスのインターフェースを記述する情報を含む第２の要求を前記第２の装置に送信する第２の送信工程とを有することを特徴とするフロー制御装置の通信方法。
【請求項９】
他の装置からデータを受信する通信装置の通信方法であって、
第１の受信手段が、前記他の装置が実行するデータを送信するサービスのインターフェースを記述する情報を、装置間連携のフローを制御するフロー制御装置から受信する第１の受信工程と、
送信手段が、前記サービスのインターフェースに従って前記他の装置へデータ要求を送信する送信工程と、
第２の受信手段が、前記他の装置が送信したデータを受信する第２の受信工程とを有することを特徴とする通信装置の通信方法。
【請求項１０】
コンピュータに請求項６乃至９の何れか１項記載の通信方法を実行させるコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月16日(2010.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
胴体部と、前記胴体部より下方に延びるハンドル部と、を有するハウジングと、
前記ハウジングに収容されるモータと、
前記ハンドル部の上部であって、前部に設けられるトリガスイッチと、
前記トリガスイッチの上方に配置され、前記胴体部の前方に固定されるハンマケースと、
前記モータにより回転駆動され、前記ハンマケースより突出する先端工具保持部と、を有し、
前記ハンマケースは前方に向かうに従って徐々に外径が小さくなるように形成し、
前記ハンマケースの表面を鏡面状にしたことを特徴とするインパクトドライバ。
【請求項２】
前記ハウジングにはライトが設けられており、
前記ライトの照射範囲には、前記ハンマケースが含まれることを特徴とする請求項１記載のインパクトドライバ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月2日(2010.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリカーボネート樹脂層の少なくとも一方の面にゴム粒子を含有するアクリル樹脂層が積層されてなる基板の少なくとも一方の面に、硬化被膜が形成されてなることを特徴とする耐擦傷性樹脂板。
【請求項２】
基板が、ポリカーボネート樹脂層の両面にアクリル樹脂層が積層されてなるものである請求項１に記載の耐擦傷性樹脂板。
【請求項３】
ゴム粒子の使用量が、アクリル樹脂層を構成するアクリル樹脂１００重量部に対して、３〜１５０重量部である請求項１又は２に記載の耐擦傷性樹脂板。
【請求項４】
ゴム粒子が、多層構造アクリル系重合体である請求項１〜３のいずれかに記載の耐擦傷性樹脂板。
【請求項５】
基板の厚みが０．３〜３ｍｍであり、アクリル樹脂層の厚みが５０〜１２０μｍである請求項１〜４のいずれかに記載の耐擦傷性樹脂板。
【請求項６】
硬化被膜が、分子中に少なくとも３個の（メタ）アクロイルオキシ基を有する化合物を含有する硬化性塗料により形成されたものである請求項１〜５のいずれかに記載の耐擦傷性樹脂板。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の耐擦傷性樹脂板からなるディスプレイ用保護板。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれかに記載の耐擦傷性樹脂板からなる携帯型情報端末の表示窓保護
板。
【請求項９】
ポリカーボネート樹脂層の片面のみにゴム粒子を含有するアクリル樹脂層が積層されてなる耐擦傷性樹脂板用の２層構造の基板。
【請求項１０】
ポリカーボネート樹脂層の両面にゴム粒子を含有するアクリル樹脂層が積層されてなる耐擦傷性樹脂板用の３層構造の基板。
【請求項１１】
ゴム粒子の使用量が、アクリル樹脂層を構成するアクリル樹脂１００重量部に対して、３〜１５０重量部である請求項９又は１０に記載の基板。
【請求項１２】
基板の厚みが０．３〜３ｍｍであり、アクリル樹脂層の厚みが５０〜１２０μｍである請求項９〜１１のいずれかに記載の基板。
【請求項１３】
ポリカーボネート樹脂層とアクリル樹脂層が共押出成形で積層一体化されてなる請求項９〜１２のいずれかに記載の基板。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月29日(2010.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両の天井材に対して該天井材と熱膨張率が異なる樹脂よりなる長尺の補強リブを配設した車両天井構造において、
上記補強リブは、長手方向に隙間を有して分割された複数の分割リブにより構成されており、
隣り合う上記分割リブのうちの一方の分割リブにおける端部の上下には、長手方向に突出する上側突出部及び下側突出部が形成されており、
上記一方の分割リブと他方の分割リブとは、上記一方の分割リブの上記上側突出部の下面及び上記下側突出部の上面をそれぞれ上記他方の分割リブの端部に対して上下方向に対向させて嵌合しており、
上記一方の分割リブの上記下側突出部は、長手方向に突出する先端位置が上記上側突出部よりも先方にあることを特徴とする車両天井構造。
【請求項２】
請求項１において、上記天井材は、サンルーフ用の開口部を有することを特徴とする車両天井構造。
【請求項３】
請求項１又は２において、上記天井材と上記補強リブとは、ホットメルト接着剤により接着されていることを特徴とする車両天井構造。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項において、上記補強リブは、少なくとも一部が衝撃吸収材を兼ねていることを特徴とする車両天井構造。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項において、上記複数の分割リブのうちの少なくとも一つは、他の上記分割リブと異なる樹脂よりなることを特徴とする車両天井構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、車両の天井材に対して該天井材と熱膨張率が異なる樹脂よりなる長尺の補強リブを配設した車両天井構造において、
上記補強リブは、長手方向に隙間を有して分割された複数の分割リブにより構成されており、
隣り合う上記分割リブのうちの一方の分割リブにおける端部の上下には、長手方向に突出する上側突出部及び下側突出部が形成されており、
上記一方の分割リブと他方の分割リブとは、上記一方の分割リブの上記上側突出部の下面及び上記下側突出部の上面をそれぞれ上記他方の分割リブの端部に対して上下方向に対向させて嵌合しており、
上記一方の分割リブの上記下側突出部は、長手方向に突出する先端位置が上記上側突出部よりも先方にあることを特徴とする車両天井構造にある（請求項１）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、上記一方の分割リブの上記上側突出部及び上記下側突出部は、それぞれ長手方向に突出する先端位置が互いに異なる。
この場合には、隣り合う上記一方の分割リブと上記他方の分割リブとを容易に嵌合させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、上記一方の分割リブの上記下側突出部は、長手方向に突出する先端位置が上記上側突出部よりも先方にある。
この場合には、先に上記天井材に固定した上記一方の分割リブに対して上記他方の分割リブを容易に嵌合させることができる。すなわち、具体的には、上記一方の分割リブの上記上側突出部と上記下側突出部との間に上記他方の分割リブの端部を斜め上方向から容易に嵌合させることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、上記天井材は、サンルーフ用の開口部を有することが好ましい（請求項２）。
すなわち、サンルーフ用の開口部を設けた天井材は、通常の天井材よりも剛性が低くなる。そのため、本発明の車両天井構造を採用し、上記天井材に対して上記補強リブを配設することにより、上記天井材の剛性を十分に確保することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、上記天井材と上記補強リブとは、ホットメルト接着剤により接着されていることが好ましい（請求項３）。
この場合には、上記天井材に上記補強リブを容易かつ確実に配設することができる。
なお、上記ホットメルト接着剤としては、ポリアミド系、ポリオレフィン系、ポリエステル系、合成ゴム系のホットメルト接着剤等を用いることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、上記補強リブは、少なくとも一部が衝撃吸収材を兼ねていることが好ましい（請求項４）。
この場合には、上記補強リブの少なくとも一部は、上記天井材の剛性を向上させる補強材としての役割を果たすと共に、例えば車内の乗員の頭部が上記天井材に衝突したときに加わる衝撃荷重に対して変形・破壊して衝撃を吸収する衝撃吸収材としての役割を果たす。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、上記複数の分割リブのうちの少なくとも一つは、他の上記分割リブと異なる樹脂よりなることが好ましい（請求項５）。
この場合には、上記分割リブの配設場所や必要とされる性能等に応じて種類の異なる樹脂を使い分けることができ、様々な構成に対応することができる。例えば、上記天井材における特に剛性を向上させたい部位に配設される上記分割リブには剛性の高い樹脂（例えば、ＡＢＳ樹脂等）を、特に衝撃吸収が必要となる部位に配設される上記分割リブには衝撃に対して変形・破壊し易く、比較的剛性の低い樹脂（例えば、ＰＰ（ポリプロピレン）樹脂等）を使用することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月30日(2010.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属シリコンに塩酸ガスを反応させて生成した三塩化シランを精製する工程において、該三塩化シランを含む混合流体を蒸留装置に導いてポリシラン結合を有する塩化シラン系ポリマーと接触させ、三塩化シランを蒸留する一方、上記混合流体に含まれる低沸点不純物を上記ポリシラン結合を有するポリマーに取り込ませ高沸点錯体にして蒸留残として分離することによって三塩化シランを精製することを特徴とする三塩化シランの精製方法。
【請求項２】
請求項１の精製方法において、金属シリコンに塩酸ガスを反応させて生成した三塩化シランを含む混合ガスを凝縮して蒸留装置に導き、この蒸留装置でポリシラン結合を有する塩化シラン系ポリマーと接触させて三塩化シランを蒸留する一方、低沸点不純物を上記ポリシラン結合を有するポリマーに取り込ませて蒸留残として分離し、該蒸留装置を経由した三塩化シランをさらに精密蒸留装置に導いて三塩化シランを精密蒸留する三塩化シランの精製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２の精製方法において、三塩化シラン混合流体中の低沸点不純物が三塩化ホウ素を含むものであり、上記混合流体をポリシラン結合を有する塩化シラン系ポリマーに接触させて上記三塩化ホウ素を高沸点錯体にし、これを上記ポリマーと共に系外に除去する三塩化シランの精製方法。
【請求項４】
請求項１〜請求項３の何れかに記載する精製方法において、精製後の三塩化シランに含まれるホウ素濃度が１ppm以下である三塩化シランの精製方法。
【請求項５】
請求項１〜請求項４の何れかの方法によって精製された三塩化シランを原料として製造されたホウ素濃度が０.０２ppba以下である多結晶シリコン。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によれば以下の精製方法等が提供される。
〔１〕金属シリコンに塩酸ガスを反応させて生成した三塩化シランを精製する工程において、該三塩化シランを含む混合流体を蒸留装置に導いてポリシラン結合を有する塩化シラン系ポリマーと接触させ、三塩化シランを蒸留する一方、上記混合流体に含まれる低沸点不純物を上記ポリシラン結合を有するポリマーに取り込ませ高沸点錯体にして蒸留残として分離することによって三塩化シランを精製することを特徴とする三塩化シランの精製方法。
〔２〕上記[１]の精製方法において、金属シリコンに塩酸ガスを反応させて生成した三塩化シランを含む混合ガスを凝縮して蒸留装置に導き、この蒸留装置でポリシラン結合を有する塩化シラン系ポリマーと接触させて三塩化シランを蒸留する一方、低沸点不純物を上記ポリシラン結合を有するポリマーに取り込ませて蒸留残として分離し、該蒸留装置を経由した三塩化シランをさらに精密蒸留装置に導いて三塩化シランを精密蒸留する三塩化シランの精製方法。
〔３〕上記[１]または上記[２]の精製方法において、三塩化シラン混合流体中の低沸点不純物が三塩化ホウ素を含むものであり、上記混合流体をポリシラン結合を有する塩化シラン系ポリマーに接触させて上記三塩化ホウ素を高沸点錯体にし、これを上記ポリマーと共に系外に除去する三塩化シランの精製方法。
〔４〕上記[１]〜上記[３]の何れかに記載する精製方法において、精製後の三塩化シランに含まれるホウ素濃度が１ppm以下である三塩化シランの精製方法。
〔５〕上記[１]〜上記[４]の何れかの方法によって精製された三塩化シランを原料として製造されたホウ素濃度が０.０２ppba以下である多結晶シリコン。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月8日(2010.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化ガリウム系材料の製造方法であって、
ＨＶＰＥ（Ｈｙｄｒｉｄｅ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｉａｌ  Ｇｒｏｗｔｈ）法によって窒化ガリウム系材料を成長させる成長工程を含み、
前記成長工程では、
Ｈ２ガスおよびＮ２ガスを含むキャリアガスと、ＧａＣｌガスと、ＮＨ３ガスとを反応室に供給し、
成長温度を９００（℃）以上かつ１２００（℃）以下とし、
成長圧力を８．０８×１０４（Ｐａ）以上かつ１．２１×１０５（Ｐａ）以下とし、
ＧａＣｌガスの分圧を１．０×１０２（Ｐａ）以上かつ１．０×１０４（Ｐａ）以下とし、
ＮＨ３ガスの分圧を９．１×１０２（Ｐａ）以上かつ２．０×１０４（Ｐａ）以下とし、
（Ｈ２ガスの分圧）／（（Ｈ２ガスの分圧）＋（Ｎ２ガスの分圧））が０．６以上かつ１未満の範囲となり、
前記反応室に連通するように配置された導入室のキャリアガスの流速が０．３（ｍ／ｍｉｎ）以上かつ２．５（ｍ／ｍｉｎ）以下の範囲となるように前記キャリアガスの供給を調整することを特徴とする窒化ガリウム系材料の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月15日(2010.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】シュレッダの細断媒体片回収機構
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投入されるシート状媒体を細断して生じた細断媒体片を回収するためのシュレッダの細断媒体片回収機構であって、
回転軸を略水平に配し前記回転軸周りのスクリュー溝を表面に有してその上に落下してくる前記細断媒体片を前記回転軸方向の一端部に寄せ集めるスクリューと、
前記回転軸を含む一面内において回転自在となるように軸支されその外周面に突起を与えられた円盤状の圧縮ローラと、及び、
前記一端部から落下してくる前記細断媒体片を回収する回収室部と、を含み、
前記圧縮ローラは、回転すると前記突起の先端を前記スクリュー溝内に位置し得るようにして前記一端部近傍に取り付けられていることを特徴とするシュレッダの細断媒体片回収機構。
【請求項２】
前記圧縮スクリューと前記圧縮ローラとの間の箇所又はその近辺に液体を与える注液機構を含むことを特徴とする請求項１記載のシュレッダの細断媒体片回収機構。
【請求項３】
前記細断媒体片を前記一端部近傍を除いた前記スクリューの上に落下させる壁部を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載のシュレッダの細断媒体片回収機構。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月12日(2010.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
嚢胞性線維症患者における気管支内Ｐｓｅｕｄｏｍｏｎａｓ  ａｅｒｕｇｉｎｏｓａ感染の処置のための医薬の製造のためのトブラマイシンの使用であって、ここで、該医薬は、生理学的に受容可能なキャリア中に９０〜１５０ｍｇ／ｍｌのトブラマイシンを含みかつ３．７５ｍｌ未満の体積を有する薬学的処方物の形態にあり、そしてここで該処方物は、吸入による投与用である、使用。
【請求項２】
前記薬学的処方物は単位用量処方物である、請求項１に記載の使用。
【請求項３】
前記薬学的処方物は３．５ｍｌ以下の体積を有する、請求項１または２に記載の使用。
【請求項４】
前記薬学的処方物は９０〜１２０ｍｇ／ｍｌのトブラマイシンを含む、請求項１〜３のいずれかに記載の使用。
【請求項５】
前記薬学的処方物は、該処方物を含む容器を含む単位用量デバイスと５μｌ／秒以上のエアロゾル排出速度を有する吸入デバイスとを備えるシステムによる投与用である、請求項１〜４のいずれかに記載の使用。
【請求項６】
前記薬学的処方物は、該処方物を含む容器を含む単位用量デバイスと圧電結晶発振器エアロゾル生成器を備える吸入デバイスとを備えるシステムによる投与用である、請求項１〜５のいずれかに記載の使用。
【請求項７】
前記薬学的処方物は、前記単位用量デバイスから１０分間未満の時間でエアロゾル形態で前記患者へと送達される、請求項５または６に記載の使用。
【請求項８】
嚢胞性線維症患者における気管支内Ｐｓｅｕｄｏｍｏｎａｓ  ａｅｒｕｇｉｎｏｓａ感染を処置する方法において使用するための薬学的処方物であって、該薬学的処方物は、生理学的に受容可能なキャリア中に９０〜１５０ｍｇ／ｍｌのトブラマイシンを含みかつ３．７５ｍｌ未満の体積を有し、ここで、該処方物は吸入による投与用である、薬学的処方物。
【請求項９】
前記薬学的処方物は単位用量処方物である、請求項８に記載の薬学的処方物。
【請求項１０】
前記薬学的処方物は３．５ｍｌ以下の体積を有する、請求項８または９に記載の薬学的処方物。
【請求項１１】
前記薬学的処方物は９０〜１２０ｍｇ／ｍｌのトブラマイシンを含む、請求項８〜１０のいずれかに記載の薬学的処方物。
【請求項１２】
前記薬学的処方物は、該処方物を含む容器を含む単位用量デバイスと５μｌ／秒以上のエアロゾル排出速度を有する吸入デバイスとを備えるシステムによって投与されることを特徴とする、請求項８〜１１のいずれかに記載の薬学的処方物。
【請求項１３】
前記薬学的処方物は、該処方物を含む容器を含む単位用量デバイスと圧電結晶発振器エアロゾル生成器を備える吸入デバイスとを備えるシステムによって投与されることを特徴とする、請求項８〜１２のいずれかに記載の薬学的処方物。
【請求項１４】
前記薬学的処方物は、前記単位用量デバイスから１０分間未満の時間でエアロゾル形態で前記患者へと送達されることを特徴とする、請求項１２または１３に記載の薬学的処方物。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月29日(2010.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のネットワークに接続された通信装置であって、
第２のネットワークから送信される接続要求を受信する受信手段と、
前記接続要求の受信に応じて、前記第１のネットワーク内に存在するサービスをデータ要求待ち状態に設定する設定手段と、
前記サービスがデータ要求待ち状態に設定されたことを確認してから前記接続要求に対する応答を送信する送信手段と
を有することを特徴とする前記第１のネットワークに接続された通信装置。
【請求項２】
第２のネットワークに接続された通信装置であって、
第１のネットワークへ接続要求を送信する送信手段と、
前記接続要求に対する応答を受信する受信手段と、
前記第２のネットワーク内に存在するサービスをデータ要求待ち状態に設定する設定手段とを有し、
前記送信手段は、前記サービスがデータ要求待ち状態に設定されたことを確認してから前記応答に対する応答確認を送信する
ことを特徴とする前記第２のネットワークに接続された通信装置。
【請求項３】
前記設定手段は、前記受信手段による受信に基づいて前記サービスを検索し、前記サービスをデータ要求待ち状態に設定するためのコマンドの入手先を取得する検索手段と、
前記検索手段によって取得されたコマンドの入手先からコマンドを入手するコマンド入手手段を有し、
前記設定手段におけるデータ要求待ち状態への設定は、前記コマンド入手手段で入手された前記コマンドに基づいて行われる
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の通信装置。
【請求項４】
前記設定手段は、前記サービスの状態を確認する確認手段と、
前記設定手段におけるデータ要求待ち状態への設定に用いるコマンドを、前記確認手段で確認された、前記サービスの状態に基づいて選択する選択手段と
を有することを特徴とする請求項１乃至３のうち、いずれか１項に記載の通信装置。
【請求項５】
前記受信手段は、セッションを接続するためのプロトコルにより送信された前記接続要求を受信し、前記設定手段は、ローカルネットワーク内において機器を制御するためのプロトコルを用いて、前記第１のネットワーク内に存在するサービスをデータ要求待ち状態に設定し、前記送信手段は、前記セッションを接続するためのプロトコルにより前記応答を送信することを特徴とする請求項１記載の通信装置。
【請求項６】
前記送信手段は、セッションを接続するためのプロトコルにより前記接続要求、及び前記応答に対する応答確認を送信し、前記受信手段は、前記セッションを接続するためのプロトコルにより送信された前記接続要求に対する応答を受信し、前記設定手段は、ローカルネットワーク内において機器を制御するためのプロトコルを用いて、前記第１のネットワーク内に存在するサービスをデータ要求待ち状態に設定することを特徴とする請求項２記載の通信装置。
【請求項７】
第１のネットワークに接続された通信装置を制御する制御方法であって、
第２のネットワークから送信される接続要求を受信する受信工程と、
前記接続要求の受信に応じて、前記第１のネットワーク内に存在するサービスをデータ要求待ち状態に設定する設定工程と、
前記サービスがデータ要求待ち状態に設定されたことを確認してから前記接続要求に対する応答を送信する送信工程と
を有することを特徴とする制御方法。
【請求項８】
第２のネットワークに接続された通信装置を制御する制御方法であって、
第１のネットワークへ接続要求を送信する第１の送信工程と、
前記接続要求に対する応答を受信する受信工程と、
前記第２のネットワーク内に存在するサービスをデータ要求待ち状態に設定する設定工程と、
前記サービスがデータ要求待ち状態に設定されたことを確認してから前記応答に対する応答確認を送信する第２の送信工程と
を有することを特徴とする制御方法。
【請求項９】
前記設定工程は、前記受信工程における受信に基づいて前記サービスを検索し、前記サービスをデータ要求待ち状態に設定するためのコマンドの入手先を取得する検索工程と、
前記検索工程によって取得されたコマンドの入手先からコマンドを入手するコマンド入手工程を有し、
前記設定工程におけるデータ要求待ち状態への設定は、前記コマンド入手工程で入手された前記コマンドに基づいて行われる
ことを特徴とする請求項７又は８記載の制御方法。
【請求項１０】
前記設定工程は、前記サービスの状態を確認する確認工程と、
前記設定工程におけるデータ要求待ち状態への設定に用いるコマンドを、前記確認工程で確認された、前記サービスの状態に基づいて選択する選択工程と
を有することを特徴とする請求項７乃至９のうち、いずれか１項に記載の制御方法。
【請求項１１】
前記受信工程は、セッションを接続するためのプロトコルにより送信された前記接続要求を受信し、前記設定工程は、ローカルネットワーク内において機器を制御するためのプロトコルを用いて、前記第１のネットワーク内に存在するサービスをデータ要求待ち状態に設定し、前記送信工程は、前記セッションを接続するためのプロトコルにより前記応答を送信することを特徴とする請求項７記載の制御方法。
【請求項１２】
前記送信工程は、セッションを接続するためのプロトコルにより前記接続要求、及び前記応答に対する応答確認を送信し、前記受信工程は、前記セッションを接続するためのプロトコルにより送信された前記接続要求に対する応答を受信し、前記設定工程は、ローカルネットワーク内において機器を制御するためのプロトコルを用いて、前記第１のネットワーク内に存在するサービスをデータ要求待ち状態に設定することを特徴とする請求項８記載の制御方法。
【請求項１３】
第１のネットワークに接続されたコンピュータに、
第２のネットワークから送信される接続要求を受信する受信手順と、
前記接続要求の受信に応じて、前記第１のネットワーク内に存在するサービスをデータ要求待ち状態に設定する設定手順と、
前記サービスがデータ要求待ち状態に設定されたことを確認してから前記接続要求に対する応答を送信する送信手順と
を実行させるためのプログラム。
【請求項１４】
第２のネットワークに接続されたコンピュータに、
第１のネットワークへ接続要求を送信する第１の送信手順と、
前記接続要求に対する応答を受信する受信手順と、
前記第２のネットワーク内に存在するサービスをデータ要求待ち状態に設定する設定手順と、
前記サービスがデータ要求待ち状態に設定されたことを確認してから前記応答に対する応答確認を送信する第２の送信手順と
を実行させるためのプログラム。