Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月15日(2010.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の火災警報器を備え、これら複数の火災警報器の間で無線信号を伝送する火災警報システムであって、
各火災警報器は、少なくともフレーム同期パターンと伝送誤りチェック符号とを含むデータフォーマットを１フレームとする無線信号を送信する送信手段と、他の火災警報器から送信される前記無線信号を受信する受信手段と、火災を感知する火災感知手段と、電源供給用の電池と、火災感知手段が火災を感知したときに送信手段を起動し、所定の送信期間に火災感知を知らせるための複数フレームの前記無線信号を送信させるとともに所定の休止期間に当該無線信号の送信を休止させる動作を交互に繰り返し且つ火災感知手段が火災を感知していないときには送信手段を停止させる送信制御手段と、一定の間欠受信間隔を繰り返しカウントするタイマ手段と、タイマ手段による間欠受信間隔のカウント中は受信手段を停止させ、タイマ手段による間欠受信間隔のカウントが完了する度に受信手段を起動する受信制御手段と、火災感知手段が火災を感知したとき又は火災感知を知らせるための前記無線信号を受信手段で受信したときに火災の発生を報知する報知手段と、を具備し、
受信制御手段は、受信手段にて前記無線信号の電波が捉えられたら当該無線信号を受信し、前記無線信号の電波が捉えられなければ受信手段を停止させ、さらに受信した当該１フレームの無線信号に伝送誤りが生じている場合は受信手段を停止させずに前記休止期間内で引き続き受信動作を継続することを特徴とする火災警報システム。
【請求項２】
受信制御手段は、伝送誤りが生じたために前記無線信号の受信に失敗した回数が予め決められた規定回数に達したら受信手段を停止するとともにタイマ手段による間欠受信間隔のカウントを再開させることを特徴とする請求項１記載の火災警報システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項１の発明は、上記目的を達成するために、複数の火災警報器を備え、これら複数の火災警報器の間で無線信号を伝送する火災警報システムであって、各火災警報器は、少なくともフレーム同期パターンと伝送誤りチェック符号とを含むデータフォーマットを１フレームとする無線信号を送信する送信手段と、他の火災警報器から送信される前記無線信号を受信する受信手段と、火災を感知する火災感知手段と、電源供給用の電池と、火災感知手段が火災を感知したときに送信手段を起動し、所定の送信期間に火災感知を知らせるための複数フレームの前記無線信号を送信させるとともに所定の休止期間に当該無線信号の送信を休止させる動作を交互に繰り返し且つ火災感知手段が火災を感知していないときには送信手段を停止させる送信制御手段と、一定の間欠受信間隔を繰り返しカウントするタイマ手段と、タイマ手段による間欠受信間隔のカウント中は受信手段を停止させ、タイマ手段による間欠受信間隔のカウントが完了する度に受信手段を起動する受信制御手段と、火災感知手段が火災を感知したとき又は火災感知を知らせるための前記無線信号を受信手段で受信したときに火災の発生を報知する報知手段と、を具備し、受信制御手段は、受信手段にて前記無線信号の電波が捉えられたら当該無線信号を受信し、前記無線信号の電波が捉えられなければ受信手段を停止させ、さらに受信した当該１フレームの無線信号に伝送誤りが生じている場合は受信手段を停止させずに前記休止期間内で引き続き受信動作を継続することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、受信制御手段は、伝送誤りが生じたために前記無線信号の受信に失敗した回数が予め決められた規定回数に達したら受信手段を停止するとともにタイマ手段による間欠受信間隔のカウントを再開させることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項１の発明によれば、受信手段が起動するタイミングが取れても、一時的な外来ノイズによって受信動作が邪魔されて無線信号の受信に失敗したら（無線信号に伝送誤りが生じていたら）受信手段を停止せずに引き続き受信動作を継続するので、火災警報器の消費電力を低減しつつ無線信号を正常に受信できるまでの時間、すなわち、情報伝送の遅延時間を短縮することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項２の発明によれば、無線信号の受信に失敗した回数（無線信号に伝送誤りが生じた回数）が予め決められた規定回数に達したら間欠受信動作に戻るので、無駄な電力消費を抑えることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月4日(2010.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定成分を含む被検体における前記被測定成分の測定を行う測定用デバイスにおいて、測定試料中の異物を除去できるプレフィルタ部、測定試料中の成分を分離するためのカラム部、測定試料中の成分の光検出を行うための検出部から構成されており、大きさが４００ｃｍ２以下であることを特徴とするヘモグロビン類の測定用デバイス。
【請求項２】
請求項１記載のヘモグロビン類の測定用デバイスにおいて、測定試料中の異物を除去できるプレフィルタ部、測定試料中の成分を分離するためのカチオン交換基を有するカラム部、測定試料中の成分の吸光度検出を行うための検出部の群の内、少なくとも１つ、または、複数の部位が、ユニット形式に構成されていることを特徴とするヘモグロビン類の測定用デバイス。
【請求項３】
請求項１〜２のいずれか１項に記載のヘモグロビン類の測定用デバイスに、少なくともカラムの前流路にエア抜き構造が施されていることを特徴とするヘモグロビン類の測定用デバイス。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のヘモグロビン類の測定用デバイスにおいて、前記検出部のセル部が、直線状に形成された流路からなり、前記セル部を、吸光度測定用の光線の光軸が前記直線状に形成された流路の流れ方向になるように、かつ、前記直線状に形成された流路内への前記光線の入射角及び出射角が０°であるように吸光度測定装置に接続可能であることを特徴とするヘモグロビン類の測定用デバイス。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のヘモグロビン類の測定用デバイスにおいて、吸光度測定装置に接続し、検体のない状態で測定した吸光度測定波長における光線透過率が、同一の光路長及び吸光度測定波長で空気を測定した場合の光線透過率の５０％以上であることを特徴とするヘモグロビン類の測定用デバイス。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のヘモグロビン類の測定用デバイスにおいて、セル部は、流入部及び／又は流出部において接続用流路とコの字状又はＬ字状に接続されていることを特徴とするヘモグロビン類の測定用デバイス。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載のヘモグロビン類の測定用デバイスにおいて、プレフィルタ部、カラム部、セル部、流路部からなる群の内、一つまたは複数部位の表面が、生体成分吸着抑制の表面処理方法が施されていることを特徴とするヘモグロビン類の測定用デバイス。
【請求項８】
ヘモグロビン類の測定方法において、トリブロモ酢酸イオン、トリクロロ酢酸イオン、チオシアン酸イオン、ヨウ化物イオン、過塩素酸イオン、ジクロロ酢酸イオン、硝酸イオン、臭化物イオン、バリウムイオン、セシウムイオン及びグアニジンイオンからなる群より選ばれる少なくとも一種であるカオトロピックイオンと０．００１％〜０．１％アジ化物イオンを含有し、かつ、ｐＨ４．０〜６．８で緩衝能を持つ無機酸、有機酸及び/またはこれらの塩を含む基板に流す液と、請求項１〜７のいずれか１項に記載のヘモグロビン類の測定用デバイスとを用いることを特徴とするヘモグロビン類の測定方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月6日(2010.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
切断平面に平行かつ実質的にナイフ（６）の切断刃先に平行に振動するように適合したナイフ（６）を含む振動刃ミクロトーム（１）のための測定装置（３）であって、
該測定装置（３）は、該切断刃先をその中に配置できるとともに、横方向の振動的動きの間、該切断平面に対する該切断刃先の潜在的に存在しうる傾きに伴う該切断刃先の横断方向変位(transverse offset)を測定するための光通過センサ（９）を含み、
該光通過センサは該切断平面及び該光通過センサの光を一部遮る該切断刃先に平行に配向されること、
該光通過センサから導かれる測定信号(tpm)の全時間にわたる変動は該ナイフの振動により発生し、該変動は横断方向変位の決定に用いられること、
該測定装置（３）は、該ナイフの振動の時間的推移を記述する１以上の制御アプリケーション信号(pklo,pkhi)を受け、そして該制御アプリケーション信号(pklo,pkhi)により決定される時点（複数）における該光通過センサから導かれる該測定信号(tpm)の値（複数）をもとに該切断刃先の該横断方向変位を決定するように構成される、電子測定システム（Ｃ−３）をさらに含むことを特徴とする測定装置。
【請求項２】
前記１以上の制御アプリケーション信号(pklo,pkhi)は前記ナイフ（６）の振動最大時の位置を規定し、前記電子測定システム（Ｃ−３）は前記測定信号(tpm)から対向する（正負の）振動最大時（複数）の切断刃先の横断方向位置に対応する値（複数）を求め、さらにこれらの値の差から前記横断方向変位を決定することを特徴とする、請求項１に記載の測定装置。
【請求項３】
前記測定装置（３）は、前記振動刃ミクロトーム（１）から取外し可能なユニットとして構成され、及び前記電子測定システム（Ｃ−３）は前記測定装置の中に収納されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の測定装置。
【請求項４】
前記測定装置（３）は、測定された前記横断方向変位の大きさを記述する信号を生成し、該信号を前記振動刃ミクロトーム（１）に送るように構成されることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一に記載の測定装置。
【請求項５】
前記電子測定システムは、前記横断方向変位を決定する前に前記光通過センサの光線ビーム強度を調節するよう、即ち前記切断刃先が前記光通過センサから完全に外れている位置にあるときに前記光通過センサの検出要素の変調範囲の９０％を超える使用率が達成されるように追加的に構成されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一に記載の測定装置。
【請求項６】
前記光通過センサ（９）は、前記切断平面に平行方向に配向されていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一に記載の測定装置。
【請求項７】
切断平面に平行かつ、実質的にナイフ（６）の切断刃先に平行な方向に振動するよう適合したナイフ（６）を含む振動刃ミクロトーム（１）であって、
電子制御システム（Ｃ−１）をさらに含み、該電子制御システム（Ｃ−１）は、
該ナイフ（６）の振動的動きから導かれる振動信号(tp2)から、ナイフ（６）の振動の時間的推移を記述する１以上の制御アプリケーション信号(pklo,pkhi)を発生し、そして該切断平面に対する該切断刃先の潜在的に存在しうる傾きによる横方向の振動的動きという意味での該切断刃先の横断方向変位を測定するために、該電子制御システムは、該制御アプリケーション信号を、該振動刃ミクロトーム（１）に備えられ、該切断刃先をその中に配置できる光通過センサ（９）を有する測定装置（３）に伝えるようにさらに構成される、振動刃ミクロトーム。
【請求項８】
前記電子制御システムは、前記測定装置（３）から前記横断方向変位の大きさを記述する信号を受け、該信号を前記振動刃ミクロトームに結合されるディスプレイ（１１）に表示するように構成されることを特徴とする、請求項７に記載の振動刃ミクロトーム。
【請求項９】
前記１以上の制御アプリケーション信号(pklo,pkhi)は、前記ナイフ（６）の最大振動時の位置を規定することを特徴とする、請求項７又は８に記載の振動刃ミクロトーム。
【請求項１０】
前記測定装置（３）は、前記振動刃ミクロトーム（１）から取外し可能なユニットとして備えられ、前記電子制御システム（Ｃ−１）と電子的に連絡可能なように別の電子測定システム（Ｃ−３）を有することを特徴とする、請求項７〜９のいずれか一に記載の振動刃ミクロトーム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月22日(2010.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素からなる表示パネルにおいて、
前記各画素は、
１Ｈ期間の間、ゲートオン電圧を維持するゲートパルスが入力されるゲートラインと、
前記ゲートラインと絶縁された状態で交差し、データ電圧が入力されるデータラインと、
前記ゲートパルス及び前記データ電圧の極性に連動して電圧レベルが変わる第１共通電圧が入力されるメインストレージ電極と、
一定の電圧レベルを維持する第２共通電圧が入力されるサブストレージ電極と、
前記ゲートラインと前記データラインに接続され、前記１Ｈ期間の間、前記ゲートパルスに応答して前記データ電圧を出力する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタの第１ドレイン電極に電気的に接続され、前記１Ｈ期間の間、前記データ電圧が入力され、前記１Ｈ期間が経過した後、前記第１共通電圧によって前記データ電圧より高い電圧をメインピクセル電圧で充電する第１液晶キャパシタと、
前記薄膜トランジスタの第２ドレイン電極に電気的に接続され、前記データ電圧をサブピクセル電圧で充電する第２液晶キャパシタと
を含むことを特徴とする表示パネル。
【請求項２】
前記第１共通電圧は２つのフレームを１周期にして基準電圧より低い第１電圧と前記基準電圧より高い第２電圧との間でスイングし、
前記第２共通電圧は前記基準電圧と同一の電圧レベルを有することを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項３】
前記第１共通電圧は前記ゲートパルスが前記ゲートオン電圧からゲートオフ電圧に下がる第１地点から１フレームが経過された第２地点までの範囲内に存在するある一時点で上昇または下降することを特徴とする請求項２に記載の表示パネル。
【請求項４】
前記データ電圧の極性が前記第２共通電圧に対して正極性であれば、前記第１共通電圧は前記第１電圧から前記第２電圧に上昇し、前記データ電圧の極性が前記第２共通電圧に対して負極性であれば、前記第１共通電圧は前記第２電圧から前記第１電圧に下降することを特徴とする請求項２に記載の表示パネル。
【請求項５】
前記メインストレージ電極は前記メイン画素電極とオーバーラップされて前記第１液晶キャパシタと並列接続された第１ストレージキャパシタを形成し、前記サブストレージ電極は前記サブ画素電極とオーバーラップされて前記第２液晶キャパシタと並列接続された第２ストレージキャパシタを形成することを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項６】
前記メインピクセル電圧は前記第１共通電圧のシフト時点で昇圧されることを特徴とする請求項５に記載の表示パネル。
【請求項７】
前記メインピクセル電圧は、
【数１】
2008058941.tif 000001
（ここで、‘Ｖｐ−ｍ’は前記メインピクセル電圧であり、‘Ｖｄ’は前記データ電圧であり、‘Ｃｓｔ１’は前記第１ストレージキャパシタであり、‘Ｃｌｃ１’は前記第１液晶キャパシタであり、‘Ｃｇｓ１’は前記第１ドレイン電極と前記ソース電極との間の寄生キャパシタであり、‘Ｖｓ’は前記シフト時点での前記第１共通電圧の変化量）を満足することを特徴とする請求項６に記載の表示パネル。
【請求項８】
前記第１共通電圧の変化量は１Ｖ乃至２Ｖの範囲内に存在することを特徴とする請求項７に記載の表示パネル。
【請求項９】
複数の画素が具備されたアレイ基板と、
前記アレイ基板と対向して結合し、共通電極が具備された対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間に介在された液晶層とを含み、
前記各画素は、１Ｈ期間の間、ゲートオン電圧で維持されるゲートパルスが入力されるゲートラインと、
前記ゲートラインと絶縁された状態で交差し、データ電圧が入力されるデータラインと、
前記ゲートラインと前記データラインに接続され、前記ゲートパルスに応答して前記１Ｈ期間の間前記データ電圧を出力する薄膜トランジスタと、
前記ゲートパルス及び前記データ電圧の極性に連動して電圧レベルが変わる第１共通電圧が入力されるメインストレージ電極と、
一定の電圧レベルを維持する第２共通電圧が入力されるサブストレージ電極と、
前記薄膜トランジスタに電気的に接続され、前記１Ｈ期間の間前記データ電圧がメインピクセル電圧として入力され、前記メインストレージ電極とオーバーラップされて前記１Ｈ期間が経過した後、前記第１共通電圧によって前記データ電圧より高い電圧が前記メインピクセル電圧として入力されるメイン画素電極と、
前記薄膜トランジスタの第２ドレイン電極に電気的に接続され、前記サブストレージ電極とオーバーラップされて前記データ電圧がサブピクセル電圧として入力されるサブ画素電極と
を含むことを特徴とする表示パネル。
【請求項１０】
前記第１共通電圧は２つのフレームを１周期にして基準電圧より低い第１電圧と前記基準電圧より高い第２電圧との間でスイングし、
前記第２共通電圧は前記基準電圧と同一の電圧レベルを有することを特徴とする請求項９に記載の表示パネル。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月26日(2010.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶層を利用して映像を表示する表示パネルと、
前記表示パネルに形成されて外部から入射する入力光を感知する第１センサと、
少なくとも２つの互いに異なる発光源を有し、前記発光源のそれぞれから発生された異なるカラー光による出力光を前記表示パネルに提供する発光ユニットと、
前記表示パネルまたは前記発光ユニットに形成されて、前記出力光を感知する第２センサと、
前記第１センサで感知された入力光に対する分析値を算出し、前記分析値に従って補正された目標値を計算し、前記目標値に対応する前記カラー光が発生するように前記発光源を個別的に制御し、前記第２センサで感知された出力光が前記目標値を満たすか否かを検査する制御部と、
を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記分析値は、前記入力光の照度、輝度、波長分布及びカラー温度のうちの少なくともいずれか１つを分析して算出されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記目標値は、前記出力光の照度、輝度、波長分布及びカラー温度のうちの少なくともいずれか１つを基準に計算されることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記制御部は前記分析値に対応する目標値が入力されるデータベースを含むことを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記発光源は赤色光、青色光及び緑色光を発生することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記出力光は前記赤色光、青色光及び緑色光が組み合わせられた白色光であることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記出力光は前記赤色光、青色光及び緑色光それぞれによるカラー光であることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記発光源それぞれは発光ダイオードであることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記表示パネルは前記液晶層を間に置いて互いに向き合う第１及び第２基板をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第１基板は画素領域が定義された表示領域と前記表示領域を囲む周辺領域とを有し、前記第１センサは前記周辺領域に位置することを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月27日(2010.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成され、ゲート線端部を含むゲート線と、
前記ゲート線上に形成されるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成される半導体層と、
前記半導体層上に形成されるデータ線及びドレイン電極と、
前記データ線及び前記ドレイン電極上に形成され、前記ゲート線端部を露出させる複数の第１接触孔を有する保護膜と、
前記ドレイン電極と接続される画素電極と、
前記複数の第１接触孔を通じて前記ゲート線端部と接続される接触補助部材とを有し、
前記ゲート線端部の各々は少なくとも２つ以上の前記第１接触孔を通じて前記接触補助部材各々と接続されることを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２】
前記保護膜は、無機膜及び有機膜を含む多重膜から成ることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項３】
前記保護膜は、無機膜から成る単一膜であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項４】
前記第１接触孔は直径が３〜６μｍであり、隣接する前記第１接触孔間は６〜８μｍ離隔されることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項５】
前記ゲート絶縁膜は第２接触孔を有し、前記ゲート線端部の一部を露出させる２つ以上の前記第１接触孔は一つの第２接触孔内に位置することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項６】
基板上にゲート線端部を含むゲート線を形成する段階と、
前記ゲート線上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート線端部上に前記ゲート絶縁膜の一部をエッチングして前記ゲート線端部を露出させる第２接触孔を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上に半導体層を形成する段階と、
前記半導体層上にデータ線及びドレイン電極を形成する段階と、
前記データ線及びドレイン電極上に保護膜を形成する段階と、
前記ゲート線端部上に前記保護膜の一部をエッチングして前記ゲート線端部を露出させる複数の第１接触孔を形成する段階と、
前記ドレイン電極と接続される画素電極と、前記複数の第１接触孔を通じて前記ゲート線端部と接続される接触補助部材とを形成する段階とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項７】
前記ゲート線端部の各々は少なくとも２つ以上の前記第１接触孔を通じて前記接触補助部材と接続されることを特徴とする請求項６に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項８】
前記保護膜は、無機膜及び有機膜を含む多重膜で形成することを特徴とする請求項６に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項９】
前記保護膜は、無機膜から成る単一膜で形成することを特徴とする請求項６に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項１０】
前記第１接触孔は直径が３〜６μｍであり、隣接する前記第１接触孔間は６〜８μｍ離隔して形成されることを特徴とする請求項６に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項１１】
前記ゲート線端部の一部を露出させる２つ以上の前記第１接触孔は一つの第２接触孔内に位置するよう形成されることを特徴とする請求項６に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項１２】
基板と、
前記基板上に形成され、ゲート線端部を含むゲート線と、
前記ゲート線上に形成され、前記ゲート線端部を露出させる第２接触孔を有するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成される半導体層と、
前記半導体層上に形成されるデータ線及びドレイン電極と、
前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記第２接触孔を通じて前記ゲート線端部と接続される腐蝕防止層と、
前記データ線、ドレイン電極及び腐蝕防止層上に形成され、前記腐蝕防止層を露出させる複数の第１接触孔を有する保護膜と、
前記ドレイン電極と接続される画素電極と、
前記複数の第１接触孔を通じて前記腐蝕防止層と接続される接触補助部材とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１３】
前記腐蝕防止層は少なくとも２つ以上の前記第１接触孔を通じて前記接触補助部材と連結されることを特徴とする請求項１２に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１４】
前記保護膜は、無機膜及び有機膜を含む多重膜から成ることを特徴とする請求項１２に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１５】
前記保護膜は、無機膜から成る単一膜であることを特徴とする請求項１２に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１６】
前記第１接触孔は直径が３〜６μｍであり、隣接する前記第１接触孔間は６〜８μｍ離隔されることを特徴とする請求項１２に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１７】
前記腐蝕防止層は、モリブデン系の金属、銅系の金属、チタン系の金属、及びクロム系の金属の内から選択される少なくとも何れか一つの系の金属から成ることを特徴とする請求項１２に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月25日(2010.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバ素線の外周に被覆層が形成されている光ファイバ心線をフェルールに固定する固定構造において、光ファイバ心線から被覆層を剥して露出させた前記光ファイバ素線の端部を挿通する第１の孔部と、該第１の孔部と連通し前記光ファイバ心線を挿通する第２の孔部とを有するフェルールと、前記光ファイバ心線を挿通する孔部を有し、前記フェルールの前記第２の孔部内に挿着する筒状のゴムスリーブと、前記フェルールの後部に装着し、前記ゴムスリーブを前方に押圧し、前記ゴムスリーブを前記第２の孔部内において圧縮し、前記光ファイバ心線を前記フェルールに固定するカバーとから成ることを特徴とする光ファイバ心線固定構造。
【請求項２】
前記フェルール、前記カバーは合成樹脂から成ることを特徴とする請求項１に記載の光ファイバ心線固定構造。
【請求項３】
前記フェルールに前記カバーを挿着した後に、両者を錠止する機構を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の光ファイバ心線固定構造。
【請求項４】
光ファイバ素線を露出した光ファイバ心線の被覆部に筒状のゴムスリーブを挿通する第１工程と、前記光ファイバ素線をフェルールの第１の孔部に挿通し前記ゴムスリーブを前記フェルールの前記第１の孔部に連通し前記第１の孔部よりも径の大きな第２の孔部に押し込む第２工程と、前記フェルールの後部にカバーを装着して押し込み固定することにより、前記ゴムスリーブを前方に押圧して前記第２の孔部内において圧縮し前記光ファイバ心線を前記フェルールに固着する第３工程と、前記フェルールの先端部から前方に露出した前記光ファイバ素線を切断する第４工程とから成ることを特徴とする光ファイバ心線固定方法。
【請求項５】
前記第３工程において、前記フェルールと前記カバーを錠止することを特徴とする請求項４に記載の光ファイバ心線固定方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月6日(2010.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料ガスを導入するガス導入部と、
前記試料ガスに含まれる成分をコロナ放電によりイオン化するイオン源と、
前記イオン源で生成されたイオンのｍ／ｚを分析する質量分析計と、
前記質量分析計で得られたイオン強度から、前記試料ガスに含まれるジフェニルシアノアルシンとジフェニルクロロアルシンの濃度を求める演算部と、
前記演算部で求めた結果を表示する表示部と、を有し、
前記演算部は、前記質量分析計で得られたジフェニルシアノアルシンとジフェニルクロロアルシンに共通する信号からジフェニルシアノアルシンとジフェニルクロロアルシンの和の濃度を算出し、ジフェニルシアノアルシンに固有の信号からジフェニルシアノアルシンの濃度を算出し、前記和の濃度と前記ジフェニルシアノアルシンの濃度の差からジフェニルクロロアルシンの濃度を算出することを特徴とするガスモニタリング装置。
【請求項２】
請求項１記載のガスモニタリング装置において、前記ジフェニルシアノアルシンとジフェニルクロロアルシンに共通する信号はｍ／ｚ＝２２９のイオン強度信号であり、前記ジフェニルシアノアルシンに固有の信号はｍ／ｚ＝２５６のイオン強度信号であることを特徴とするガスモニタリング装置。
【請求項３】
請求項２記載のガスモニタリング装置において、ｍ／ｚ＝２２９のイオン強度信号におけるジフェニルシアノアルシンの感度とジフェニルクロロアルシンの感度、及びｍ／ｚ＝２５６のイオン強度信号におけるジフェニルシアノアルシンの感度に関する情報を格納した記憶部を有することを特徴とするガスモニタリング装置。
【請求項４】
試料ガスを質量分析し、ジフェニルシアノアルシンとジフェニルクロロアルシンに共通する信号とジフェニルシアノアルシンに固有の信号を測定する工程と、
前記ジフェニルシアノアルシンに固有の信号に基づいてジフェニルシアノアルシン濃度を算出する工程と、
前記算出されたジフェニルシアノアルシン濃度に基づいて、前記測定されたジフェニルシアノアルシンとジフェニルクロロアルシンに共通する信号の強度のうちジフェニルシアノアルシンに起因する強度を求める工程と、
前記測定されたジフェニルシアノアルシンとジフェニルクロロアルシンに共通する信号の強度から、前記ジフェニルシアノアルシンに起因する強度を差し引いて、ジフェニルクロロアルシンに起因する信号強度を算出する工程と、
前記測定されたジフェニルシアノアルシンとジフェニルクロロアルシンに共通する信号の強度のうちの前記ジフェニルクロロアルシンに起因する信号強度に基づいてジフェニルクロロアルシンの濃度を算出する工程と
を有することを特徴とするガスモニタリング方法。
【請求項５】
請求項４記載のガスモニタリング方法において、前記ジフェニルシアノアルシンとジフェニルクロロアルシンに共通する信号はｍ／ｚ＝２２９のイオン強度信号であり、前記ジフェニルシアノアルシンに固有の信号はｍ／ｚ＝２５６のイオン強度信号であることを特徴とするガスモニタリング方法。
【請求項６】
試料ガスを導入するガス導入部と、
前記試料ガスに含まれる成分をイオン化するイオン源と、
ジフェニルシアノアルシンとジフェニルクロロアルシンに共通する信号と、ジフェニルシアノアルシンに固有の信号を測定する質量分析計と、
前記ジフェニルシアノアルシンに固有の信号に基づいてジフェニルシアノアルシン濃度を算出し、前記算出されたジフェニルシアノアルシン濃度に基づいて、前記測定されたジフェニルシアノアルシンとジフェニルクロロアルシンに共通する信号の強度のうちジフェニルシアノアルシンに起因する強度を求め、前記測定されたジフェニルシアノアルシンとジフェニルクロロアルシンに共通する信号の強度から、前記ジフェニルシアノアルシンに起因する強度を差し引いて、ジフェニルクロロアルシンに起因する信号強度を算出し、前記測定されたジフェニルシアノアルシンとジフェニルクロロアルシンに共通する信号の強度のうちの前記ジフェニルクロロアルシンに起因する信号強度に基づいてジフェニルクロロアルシンの濃度を算出する演算部と
を有することを特徴とするガスモニタリング装置。
【請求項７】
試料ガスを質量分析し、ジフェニルシアノアルシンとジフェニルクロロアルシンに共通する信号とジフェニルシアノアルシンに固有の信号を測定する工程と、
前記ジフェニルシアノアルシンとジフェニルクロロアルシンに共通する信号から、前記試料ガスに含まれるジフェニルシアノアルシンとジフェニルクロロアルシンの和の濃度を求める工程と、
前記ジフェニルシアノアルシンに固有の信号から、前記試料ガスに含まれるジフェニルシアノアルシンの濃度を求める工程と、
前記和の濃度と前記ジフェニルシアノアルシンの濃度の差から、前記ジフェニルクロロアルシンの濃度を算出する工程と
を有することを特徴とするガスモニタリング方法。
【請求項８】
試料ガスに含まれる成分をイオン化するイオン源と、
前記イオン源で生成されたイオンのｍ／ｚを分析する質量分析計と、
前記質量分析計で得られたイオン強度から、前記試料ガスに含まれる成分の濃度を求める演算部と、を有し、
前記演算部は、前記質量分析計で得られたジフェニルシアノアルシンとジフェニルクロロアルシンに共通するイオンの強度からジフェニルシアノアルシンとジフェニルクロロアルシンの和の濃度を算出することを特徴とするガスモニタリング装置。
【請求項９】
請求項８記載のガスモニタリング装置において、前記ジフェニルシアノアルシンとジフェニルクロロアルシンに共通するイオンはｍ／ｚ＝２２９のイオンであることを特徴とするガスモニタリング装置。
【請求項１０】
試料ガスに含まれる成分をイオン化する工程と、
生成されたイオンのｍ／ｚを質量分析する工程と、
前記イオンの強度から、前記試料ガスに含まれる成分の濃度を求める工程とを有し、
前記質量分析で得られたジフェニルシアノアルシンとジフェニルクロロアルシンに共通するイオンの強度からジフェニルシアノアルシンとジフェニルクロロアルシンの和の濃度を算出することを特徴とするガスモニタリング方法。
【請求項１１】
請求項１０記載のガスモニタリング方法において、前記ジフェニルシアノアルシンとジフェニルクロロアルシンに共通するイオンはｍ／ｚ＝２２９のイオンであることを特徴とするガスモニタリング方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月9日(2010.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サファイア基板上にＩＩＩ族窒化物化合物半導体層を積層する半導体発光素子の製造方法において、
反り量Ｈが−１０μｍ＜Ｈ＜０の範囲であり、直径Ｄが５０ｍｍ〜１５５ｍｍの範囲であり、厚さｄが０．４ｍｍ〜１．５ｍｍの範囲であるサファイア基板上に、合計の厚さが８μｍ以上１５μｍ以下のＩＩＩ族窒化物化合物半導体層を成膜する半導体層成膜工程を有し、
前記サファイア基板の前記直径Ｄと前記厚さｄとが、下記式（１）の関係を満たし、
前記サファイア基板の前記ＩＩＩ族窒化物化合物半導体層を積層する側の面の表面粗さＲａが、その反対側の面の表面粗さＲａより小さいことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
０．７×１０２≦（Ｄ／ｄ）≦１．５×１０２      （１）
【請求項２】
前記サファイア基板と前記ＩＩＩ族窒化物化合物半導体層との間に、スパッタ法により中間層を成膜する中間層形成工程を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月31日(2010.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  液体試料中の１種以上の所定の分析対象物の存在又は濃度を測定するための試験片であって、
（ａ）支持ハンドルと、
（ｂ）該支持ハンドル上に配置された１個以上の試験パッドであって、それぞれが、（ｉ）キャリヤマトリックスと、（ii）所定の分析対象物と相互作用して検出可能な反応を発することができる、該キャリヤマトリックスに組み込まれた試薬組成物とを含む試薬パッドと、
（ｃ）試験片上の所定の場所に設けられた赤外線染料と
を含む試験片。
【請求項２】  該赤外線染料が０．０５〜０．３μg、該試験片上に設けられている、請求項１記載の試験片。
【請求項３】  該赤外線染料が該試験片の該支持ハンドル上に設けられている、請求項１記載の試験片。
【請求項４】  該赤外線染料が１個以上の試験パッドに組み込まれている、請求項１記載の試験片。
【請求項５】  該赤外線染料が、１個以上の試験パッドに組み込まれ、また、該試験片の該支持ハンドル上に設けられている、請求項１記載の試験片。
【請求項６】  該赤外線染料が、少なくとも一つの赤外線波長で赤外線を吸収する、請求項１記載の試験片。
【請求項７】  該赤外線染料が可視色をもたない、請求項６記載の試験片。
【請求項８】  該赤外線染料が、５，５′−ジクロロ−１１−ジフェニルアミノ−３，３′−ジエチル−１０，１２−エチレンチアトリカルボシアニンペルクロレート、３−（５−カルボキシペンチル）−２−〔２−〔３〔〔３−（５−カルボキシペンチル）−１，３−ジヒドロ−１，１−ジメチル−２Ｈ−ベンズ〔ｅ〕インドル−２−イリデン〕−エチリデン〕−２−（２−スルホエチルチオ）−１−シクロヘキセン−１−イル〕エテニル〕１，１−ジメチル−１Ｈ−ベンズ〔ｅ〕インドリニウム、３−（５−カルボキシペンチル）−２−〔２−〔３−〔〔３−（５−カルボキシペンチル）−１，３−ジヒドロ−１，１−ジメチル−２Ｈ−ベンズ〔ｅ〕インドル−２−イリデン〕−エチリデン〕−２−（ｎ−ヘキシルチオ）−１−シクロヘキセン−１−イル〕エテニル〕−１，１−ジメチル−１Ｈ−ベンズ〔ｅ〕インドリウム、銅（II）５，９，１４，１８，２３，２７，３２，３６−オクタブトキシ−２，３−ナフタロシアニン、５，９，１４，１８，２３，２７，３２，３６−オクタブトキシ−２，３−ナフタロシアニン及びそれらの混合物からなる群より選択される、請求項１記載の試験片。
【請求項９】  該赤外線染料が、ナイトライト又は潜血に関して検定することができる試験パッドに組み込まれている、請求項１記載の試験片。
【請求項１０】  該赤外線染料が、該支持ハンドルに適用され、ナイトライトに関して検定することができる試験パッドに隣接して配置されている、請求項１記載の試験片。
【請求項１１】  検出装置の光路中の試験片の位置合わせをモニタする方法であって、
（ａ）（ｉ）支持ハンドルと、
（ii）該支持ハンドル上に配置された１個以上の試験パッドであって、それぞれが、（ｉ）キャリヤマトリックスと、（ii）所定の分析対象物と相互作用して検出可能な反応を発することができる、該キャリヤマトリックスに組み込まれた試薬組成物とを含む試験パッドと、
（iii）試験片上の所定の場所に設けられた赤外線染料と
を含む試験片を用意する工程と、
（ｂ）該試験片を検出装置に挿入する工程と、
（ｃ）該試験片上の該赤外線染料の該所定の場所に赤外線を照射する工程と、
（ｄ）該試験片上の該所定の場所からの赤外線の反射率を計測する工程と、
（ｅ）該反射率計測値を該検出装置中の該試験片の位置合わせと相関させる工程と
を含む方法。
【請求項１２】  該検出装置が走査型装置である、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】  該検出装置がカメラ型検出装置である、請求項１１記載の方法。
【請求項１４】  該試験片が０．０５インチ以上ずれているとき、該試験片を該検出装置によって拒絶する、請求項１１記載の方法。
【請求項１５】  該検出装置中の該試験片の０．０３０インチ以上の位置ずれを検出する、請求項１１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月12日(2009.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
このため、歩行ロボットの近くにオペレータがいなければ歩行させることができないという欠点があるとともに、法面が急傾斜である場合には、オペレータも急傾斜部位での操作が必要で、危険な作業になるという欠点があった。
【特許文献１】特許第３３１０９３７号
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月17日(2009.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原版を介して基板を露光する露光装置における露光量のオフセット量およびフォーカス位置のオフセット量を求める方法において、
前記露光装置を用いて形成された前記基板上のパターンの形状の情報を取得する第１のステップと、
前記パターンの形状の情報のうちの線幅と前記線幅の基準値とのずれ量を求める第２のステップと、
前記パターンの形状の情報に基づいて前記フォーカス位置のオフセット量を求め、前記露光量のオフセット量を前記ずれ量及び前記フォーカス位置のオフセット量に基づいて求める第３のステップと
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記第３のステップにおいて、前記露光量と前記線幅との関係を表す第１のライブラリー、前記線幅と前記フォーカス位置との関係を表す第２のライブラリー及び前記フォーカス位置と前記パターンの形状の情報との関係を表す第３のライブラリーを求めておき、前記フォーカス位置のオフセット量を前記第３のライブラリーを用いて求め、前記露光量のオフセット量を前記第１のライブラリー、第２のライブラリー及び第３のライブラリーを用いて求めることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のステップにおいて、前記基板上の複数の領域の各々について、前記パターンの形状の情報を取得することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第３のステップにおいて、前記基板上の複数の領域の各々について、前記露光量のオフセット量及び前記フォーカス位置のオフセット量を求めることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法を用いて求められた露光量のオフセット量及びフォーカス位置のオフセット量に基づいて、基板を露光することを特徴とする露光方法。
【請求項６】
請求項５に記載の露光方法を用いて基板を露光する露光ステップと、
前記露光ステップで露光された基板を現像するステップと
を備えることを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項７】
原版を介して基板を露光する露光装置における露光量のオフセット量およびフォーカス位置のオフセット量をコンピュータに実行させるプログラムにおいて、
前記露光装置を用いて形成された前記基板上のパターンの形状の情報を取得する第１のステップと、
前記パターンの形状の情報のうちの線幅と前記線幅の基準値とのずれ量を求める第２のステップと、
前記パターンの形状の情報に基づいて前記フォーカス位置のオフセット量を求め、前記露光量のオフセット量を前記ずれ量及び前記フォーカス位置のオフセット量に基づいて求める第３のステップと
を備えることを特徴とするプログラム。
【請求項８】
前記第３のステップにおいて、前記露光量と前記線幅との関係を表す第１のライブラリー、前記線幅と前記フォーカス位置との関係を表す第２のライブラリー及び前記フォーカス位置と前記パターンの形状の情報との関係を表す第３のライブラリーを求めておき、前記フォーカス位置のオフセット量を前記第３のライブラリーを用いて求め、前記露光量のオフセット量を前記第１のライブラリー、第２のライブラリー及び第３のライブラリーを用いて求めることを特徴とする請求項７に記載のプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の一側面としての方法は、原版を介して基板を露光する露光装置における露光量のオフセット量およびフォーカス位置のオフセット量を求める方法において、前記露光装置を用いて形成された前記基板上のパターンの形状の情報を取得する第１のステップと、前記パターンの形状の情報のうちの線幅と前記線幅の基準値とのずれ量を求める第２のステップと、前記パターンの形状の情報に基づいて前記フォーカス位置のオフセット量を求め、前記露光量のオフセット量を前記ずれ量及び前記フォーカス位置のオフセット量に基づいて求める第３のステップとを備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の別の側面としてのプログラムは、原版を介して基板を露光する露光装置における露光量のオフセット量およびフォーカス位置のオフセット量をコンピュータに実行させるプログラムにおいて、前記露光装置を用いて形成された前記基板上のパターンの形状の情報を取得する第１のステップと、前記パターンの形状の情報のうちの線幅と前記線幅の基準値とのずれ量を求める第２のステップと、前記パターンの形状の情報に基づいて前記フォーカス位置のオフセット量を求め、前記露光量のオフセット量を前記ずれ量及び前記フォーカス位置のオフセット量に基づいて求める第３のステップとを備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月25日(2009.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
洗浄方法であって、
粒子が付着した表面を有する基板を準備する工程と、
固体部分と、液体部分と、気体部分とを備えた三相体を生成する工程と、
前記三相体に力を加えて、前記固体部分と前記粒子との間の相互作用を促進する工程と、
前記粒子との前記相互作用によって、前記粒子が前記三相体と共に除去されるように、前記基板の前記表面から前記粒子と共に前記三相体を除去する工程と、を備える、洗浄方法。
【請求項２】
請求項１に記載の洗浄方法であって、前記相互作用は、前記粒子と、前記三相体の前記固体部分との間の結合またはモーメント伝達の一方である、洗浄方法。
【請求項３】
請求項１に記載の洗浄方法であって、前記結合は、付着または反発の一方である、洗浄方法。
【請求項４】
請求項１に記載の洗浄方法であって、前記液体部分と、前記気体部分とは、封入輸送体を形成し、前記気体部分は、さらに、実質的に前記封入輸送体を満たす、洗浄方法。
【請求項５】
請求項４に記載の洗浄方法であって、
前記気体部分は、
オゾン（Ｏ3）と、酸素（Ｏ2）と、塩酸（ＨＣｌ）と、フッ化水素酸（ＨＦ）と、窒素（Ｎ2）と、アルゴン（Ａｒ）との混合気体、
オゾン（Ｏ3）と、窒素（Ｎ2）との混合気体、
オゾン（Ｏ3）と、アルゴン（Ａｒ）との混合気体、
オゾン（Ｏ3）と、酸素（Ｏ2）と、窒素（Ｎ2）との混合気体、
オゾン（Ｏ3）と、酸素（Ｏ2）と、アルゴン（Ａｒ）との混合気体、
オゾン（Ｏ3）と、酸素（Ｏ2）と、窒素（Ｎ2）と、アルゴン（Ａｒ）との混合気体、および、
酸素（Ｏ2）と、アルゴン（Ａｒ）と、窒素（Ｎ2）との混合気体、
の内の１つである、洗浄方法。
【請求項６】
請求項４に記載の洗浄方法であって、前記封入輸送体は、他の封入輸送体と共に泡を形成し、これらの封入輸送体は、前記固体部分が、前記粒子に近接して、前記固体部分と、前記基板の前記表面上の前記粒子との間の前記相互作用を促進するように力を加える、洗浄方法。
【請求項７】
請求項１に記載の洗浄方法であって、前記固体部分は、気相および液相以外の状態である、洗浄方法。
【請求項８】
請求項７に記載の洗浄方法であって、前記固体部分は、脂肪酸を備える、洗浄方法。
【請求項９】
請求項１に記載の洗浄方法であって、前記三相体の上に位置する隣接した三相体が、前記力を加える、洗浄方法。
【請求項１０】
基板前処理用洗浄剤であって、
液体成分と、
前記液体成分の中に分散された複数の固体で構成された固体成分と、
前記液体成分および前記固体成分と混合されることで、前記洗浄剤を前記基板に供給される状態に保つ気体成分と、を備える、基板前処理用洗浄剤。
【請求項１１】
請求項１０に記載の基板前処理用洗浄剤であって、前記液体成分は、塩基を備える、基板前処理用洗浄剤。
【請求項１２】
請求項１１に記載の基板前処理用洗浄剤であって、前記塩基は、水酸化アンモニウムと、水酸化カリウムと、水酸化ナトリウムと、水酸化テトラメチルアンモニウムと、からなる群から選択された塩基水溶液である、基板前処理用洗浄剤。
【請求項１３】
請求項１０に記載の基板前処理用洗浄剤であって、前記固体成分は、脂肪酸または脂肪酸塩である、基板前処理用洗浄剤。
【請求項１４】
請求項１０に記載の基板前処理用洗浄剤であって、前記複数の固体は、発泡防止剤として機能する、基板前処理用洗浄剤。
【請求項１５】
請求項１３に記載の基板前処理用洗浄剤であって、前記脂肪酸は、界面活性剤として機能する、基板前処理用洗浄剤。
【請求項１６】
請求項１３に記載の基板前処理用洗浄剤であって、前記脂肪酸は、ステアリン酸（ＣＨ3（ＣＨ2）16ＣＯＯＨ）と、パルミチン酸と、オレイン酸と、からなる群から選択される、基板前処理用洗浄剤。
【請求項１７】
請求項１０に記載の基板前処理用洗浄剤であって、前記固体成分は、前記液体成分によってイオン化されて、前記複数の固体を形成する、基板前処理用洗浄剤。
【請求項１８】
請求項１０に記載の基板前処理用洗浄剤であって、前記固体成分は、カルボン酸、スルホン酸、または、ホスホン酸を有する、基板前処理用洗浄剤。
【請求項１９】
洗浄方法であって、
粒子が付着した表面を有する基板を準備する工程と、
実質的に固相の界面活性剤と、液相の液体部分と、気相の気体部分とを備える三相体を、前記基板への供給に先立って生成する工程と、
前記界面活性剤が前記粒子と相互作用するように、前記基板の前記表面に前記三相体を供給する工程と、
前記界面活性剤と前記粒子との間の前記相互作用によって、前記粒子が前記三相体と共に除去されるように、前記基板の前記表面から前記粒子と共に前記三相体を除去する工程と、を備える、洗浄方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の洗浄方法であって、前記液体部分と、前記気体部分とは、封入輸送体を形成し、前記気体部分は、さらに、実質的に前記封入輸送体を満たす、洗浄方法。
【請求項２１】
請求項１９に記載の洗浄方法であって、前記相互作用は、前記粒子と、前記三相体の前記界面活性剤との間の結合である、洗浄方法。
【請求項２２】
請求項２０に記載の洗浄方法であって、前記封入輸送体は、他の封入輸送体と共に泡を形成し、前記泡の状態の前記封入輸送体は、前記界面活性剤が、前記粒子に近接して、前記界面活性剤と、前記基板の前記表面上の前記粒子との間の前記相互作用を開始するように、前記界面活性剤に対して力を加える、洗浄方法。
【請求項２３】
請求項２２に記載の洗浄方法であって、前記界面活性剤は、前記液体部分の中に分布されることにより、それぞれカルボキシル基が一端に結合した複数の炭化水素鎖が、懸濁して、前記複数の炭化水素鎖の間でフロック形成しない状態になる、洗浄方法。
【請求項２４】
請求項２３に記載の洗浄方法であって、さらに、
前記三相体に塩基を加えることにより、前記界面活性剤の前記懸濁を促進する工程を備える、洗浄方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月9日(2009.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遮光層と、
前記遮光層上に設けられ、前記遮光層と重畳する開口部を有する絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられた第１の発光素子と、
前記開口部と重畳して設けられた第２の発光素子と、を有し、
前記第２の発光素子は、
前記開口部において前記遮光層と接する第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた発光層と、
前記発光層上に設けられ、反射性又は遮光性を有する第２の電極と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記絶縁層に設けられた開口部の端部を覆う配線パターンを有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
基板上に半導体層と、
前記半導体層上にゲート電極と、
前記基板上に遮光層と、
前記遮光層上と前記ゲート電極上に設けられた、前記半導体層に達するコンタクトホールと、前記遮光層と重畳する開口部と、を有する絶縁層と、
前記コンタクトホールを介して前記半導体層と電気的に接続されるソース電極又はドレイン電極と、
前記開口部の端部を覆う配線パターンと、
前記絶縁層上に設けられた第１の発光素子と、
前記開口部と重畳して設けられた第２の発光素子と、を有し、
前記第２の発光素子は、
前記開口部において前記遮光層と接し、前記配線パターンの端部を覆う第１の電極と、 前記第１の電極上に設けられた発光層と、
前記発光層上に設けられ、反射性又は遮光性を有する第２の電極と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１の電極の端部を覆う隔壁を有し、
前記発光素子は、前記隔壁で囲まれ、かつ前記第１の電極の表面が露出している領域に設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の電極は透光性を有することを特徴とする表示装置。
【請求項６】
開口部を有する絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられた第１の発光素子と、
前記開口部と重畳して設けられた第２の発光素子と、を有し、
前記第２の発光素子は、
前記開口部に設けられ、反射性又は遮光性を有する第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた発光層と、
前記発光層上に設けられ、遮光層を有する第２の電極と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記第２の電極は、
透光性を有する材料で設けられた膜と、
前記透光性を有する材料で設けられた膜上に設けられた前記遮光層と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記第１の発光素子は、
前記第１の電極と同じ材料で設けられた第３の電極と、
前記透光性を有する材料で設けられた第４の電極と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項１、請求項２、請求項６乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第１の発光素子は画素部に設けられ、
前記第２の発光素子はモニタ素子部に設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項１、請求項２、請求項６乃至請求項９のいずれか一項において、
前記第２の発光素子の特性変化に応じて、前記第１の発光素子の特性変化による影響を補正する補正回路を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
遮光層を選択的に形成し、
前記遮光層上に絶縁層を形成し、
前記遮光層と重畳する部分に開口部を形成し、
前記絶縁層上に第１の電極と、前記開口部において前記遮光層と接する第２の電極と、を形成し、
前記第１の電極上に第１の発光層と、前記第２の電極上に第２の発光層と、を形成し、  前記第１の発光層上に反射性又は遮光性を有する第３の電極と、前記第２の発光層の上に反射性又は遮光性を有する第４の電極と、を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１２】
基板上に半導体層を形成し、
前記基板上に遮光層と、前記半導体層上にゲート電極と、を選択的に形成し、
前記遮光層上と前記ゲート電極上に、絶縁層を形成し、
前記絶縁層に、コンタクトホールと、前記遮光層と重畳する部分に開口部と、を形成し、
前記コンタクトホールを介して前記半導体層と電気的に接続されるソース電極又はドレイン電極と、前記開口部の端部を覆う配線パターンと、を形成し、
前記開口部において前記遮光層と接し、前記配線パターンの端部を覆う第１の電極を形成し、
前記第１の電極上に発光層を形成し、
前記発光層上に反射性又は遮光性を有する第２の電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記ソース電極又は前記ドレイン電極と前記配線パターンは、反射性又は遮光性を有することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１４】
開口部を有する絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に反射性又は遮光性を有する第１の電極と、前記開口部に反射性又は遮光性を有する第２の電極と、を形成し、
前記第１の電極上に第１の発光層と、前記第２の電極上に第２の発光層と、を形成し、
前記第１の発光層上に透光性を有する第１の膜と、前記第２の発光層上に透光性を有する第２の膜と、を形成し、
前記透光性を有する第２の膜上に遮光膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記絶縁層に、前記開口部を形成するとともにコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールにソース電極又はドレイン電極を形成し、
前記第１の電極は、前記ソース電極又は前記ドレイン電極と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置の作製方法。