【手続補正書】
【提出日】平成22年11月10日(2010.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の平面を規定する第１のデータ記憶層を含む第１の記憶スタックと、
前記第１の記憶スタックに近接した第２の記憶スタックであって、前記第１の平面に平行な第２の平面を規定する第２のデータ記憶層を含む第２の記憶スタックと、
前記第１のデータ記憶層に近接した複数の書込み素子であって、前記第１のデータ記憶層に磁界を印加して、前記第１のデータ記憶層の複数のビットを表す複数の磁区を前記第１のデータ記憶層に作成する書込み素子と、
前記第１のデータ記憶層の前記磁区からの磁界が前記第２のデータ記憶層に前記磁区をインプリントして、前記ビットを前記第１のデータ記憶層から前記第２のデータ記憶層に複写できるように、前記第２のデータ記憶層を加熱するように適合された制御システムとを備える、磁気メモリ。
【請求項２】
前記第２の記憶スタックに近接した第３の記憶スタックであって、前記第１の平面および前記第２の平面に平行な第３の平面を規定する第３のデータ記憶層を含む第３の記憶スタックをさらに備え、
前記制御システムが、さらに、前記第２のデータ記憶層の前記磁区からの磁界が前記第３のデータ記憶層に前記磁区をインプリントして、前記ビットを前記第２のデータ記憶層から前記第３のデータ記憶層に複写できるように、前記第３のデータ記憶層を加熱するように適合された、請求項１に記載の磁気メモリ。
【請求項３】
前記制御システムが、さらに、前記第１のデータ記憶層を加熱して、前記第１のデータ記憶層に格納された前記磁区を消去するように適合され、
前記書込み素子が、さらに、前記第１のデータ記憶層に磁界を印加して、前記第１のデータ記憶層の別の複数のビットを表す別の複数の磁区を前記第１のデータ記憶層に作成するように適合された、請求項２に記載の磁気メモリ。
【請求項４】
前記制御システムが、さらに、前記第３のデータ記憶層の前記磁区からの前記磁界が前記第２のデータ記憶層に前記磁区をインプリントして、前記ビットを前記第３のデータ記憶層から前記第２のデータ記憶層に複写できるように、前記第２のデータ記憶層を加熱するように適合された、請求項２に記載の磁気メモリ。
【請求項５】
前記制御システムが、さらに、前記第２のデータ記憶層の前記磁区からの前記磁界が前記第１のデータ記憶層に前記磁区をインプリントして、前記ビットを前記第２のデータ記憶層から前記第１のデータ記憶層に複写できるように、前記第１のデータ記憶層を加熱するように適合された、請求項４に記載の磁気メモリ。
【請求項６】
前記第１のデータ記憶層に近接した複数の読取り素子であって、前記第１のデータ記憶層の前記磁区からの磁界を感知して、前記ビットを前記第１のデータ記憶層から読み取るように適合された読取り素子をさらに備える、請求項１に記載の磁気メモリ。
【請求項７】
前記第１のデータ記憶層から読み取った前記ビットを一時的に格納するように適合されたあふれ記憶システムをさらに備える、請求項６に記載の磁気メモリ。
【請求項８】
前記第１のデータ記憶層がストリップにパターニングされ、前記ストリップの位置が前記第１のデータ記憶層の前記磁区に対応し、
前記第２のデータ記憶層がストリップにパターニングされ、前記ストリップの位置が前記第２のデータ記憶層の前記磁区に対応し、前記第２のデータ記憶層の前記ストリップが前記第１のデータ記憶層の前記ストリップにほぼ直交する、請求項１に記載の磁気メモリ。
【請求項９】
前記第１のデータ記憶層および前記第２のデータ記憶層の前記ストリップの幅が、前記磁区の所望のサイズに対応する、請求項８に記載の磁気メモリ。
【請求項１０】
前記第１の記憶スタックが、前記第１のデータ記憶層の加熱を前記第２のデータ記憶層から断熱するように適合された断熱層をさらに含む、請求項１に記載の磁気メモリ。
【請求項１１】
前記第１の記憶スタックが、前記第１のデータ記憶層を加熱するように適合された第１の加熱層をさらに含み、前記第１の加熱層が碁盤の目状に交差したコンダクタを備え、前記碁盤の目状に交差したコンダクタの交点が、前記第１のデータ記憶層の前記磁区の位置に対応する、請求項１に記載の磁気メモリ。
【請求項１２】
前記交点における前記碁盤の目状に交差したコンダクタの幅が、前記交点間における前記碁盤の目状に交差したコンダクタの幅よりも狭い、請求項１１に記載の磁気メモリ。
【請求項１３】
第１の平面を規定する第１のデータ記憶層と、
前記第１の平面に平行な第２の平面を規定する、前記第１のデータ記憶層に近接した第２のデータ記憶層と、
前記第１のデータ記憶層に磁界を印加して、ビットのページを前記第１のデータ記憶層に書き込む手段であって、前記第１のデータ記憶層の磁化領域が、前記ビットのページを表す印加された前記磁界から形成される手段と、
前記第１のデータ記憶層の前記ビットのページを表す前記磁化領域からの磁界が、前記第２のデータ記憶層に対応する磁化領域を作成することを可能にする手段とを備え、
前記第２のデータ記憶層の前記磁化領域が、前記第１のデータ記憶層から前記第２のデータ記憶層に複写された前記ビットのページを表す、磁気メモリ。
【請求項１４】
前記可能にする手段が、前記第２のデータ記憶層を加熱して、前記第２のデータ記憶層の保磁力を低減する手段を含む、請求項１３の磁気メモリ。
【請求項１５】
前記第１のデータ記憶層に格納された磁化領域を消去する手段と、
前記第１のデータ記憶層に磁界を印加して、前記第１のデータ記憶層に、ビットの別のページを書き込む手段とをさらに備える、請求項１３に記載の磁気メモリ。
【請求項１６】
前記消去する手段が、前記第１のデータ記憶層をそのキュリー温度よりも高温まで加熱する手段を備える、請求項１５に記載の磁気メモリ。
【請求項１７】
前記第２のデータ記憶層の前記ビットのページを表す前記磁化領域からの磁界が、前記第１のデータ記憶層に対応する磁化領域を作成することを可能にする手段であって、前記第１のデータ記憶層の前記磁化領域が、前記第２のデータ記憶層から前記第１のデータ記憶層に複写された前記ビットのページを表す手段をさらに備える、請求項１３に記載の磁気メモリ。
【請求項１８】
前記第１のデータ記憶層の前記磁化領域からの磁界を感知して、前記第１のデータ記憶層から前記ビットのページを読み取る手段をさらに備える、請求項１３に記載の磁気メモリ。
【請求項１９】
前記第１のデータ記憶層から読み取った前記ビットのページを一時的に格納する手段をさらに備える、請求項１８に記載の磁気メモリ。
【請求項２０】
第１のＸ−Ｙ平面を規定する第１のデータ記憶層を含む第１の記憶スタックであって、前記第１のデータ記憶層が、識別可能な磁化を有するビットを含むＸ−Ｙビットパターンを格納する第１の記憶スタックと、
前記第１の記憶スタックに近接した第２の記憶スタックであって、前記第１のＸ−Ｙ平面に平行な第２のＸ−Ｙ平面を規定する第２のデータ記憶層を含む第２の記憶スタックと、
前記第１のデータ記憶層の前記Ｘ−Ｙビットパターンにおける前記ビットの磁化が、前記第２のデータ記憶層に前記Ｘ−Ｙビットパターンを再現するようにすることによって、前記第１のデータ記憶層から前記第２のデータ記憶層への前記Ｘ−ＹビットパターンのＺ方向の転送を制御するように適合された制御システムとを備える、三次元固体磁気メモリ。
【請求項２１】
前記第１の記憶スタックと前記第２の記憶スタックの間の第１の中間スタックであって、前記第１のＸ−Ｙ平面および前記第２のＸ−Ｙ平面に平行な第３のＸ−Ｙ平面を規定する第１の中間記憶層を含む第１の中間スタックをさらに備え、
前記制御システムが、さらに、前記第１のデータ記憶層の前記Ｘ−Ｙビットパターンにおける前記ビットの磁化が、前記第１の中間記憶層に前記Ｘ−Ｙビットパターンを再現し、前記第１の中間記憶層の前記ビットパターンにおける前記ビットの磁化が、前記第２のデータ記憶層に前記Ｘ−Ｙビットパターンを再現するようにすることによって、前記第１のデータ記憶層から前記第２のデータ記憶層への前記Ｘ−ＹビットパターンのＺ方向の転送を制御するように適合された、請求項２０に記載の三次元固体磁気メモリ。
【請求項２２】
前記第２の記憶スタックに近接した第３の記憶スタックであって、前記第１のＸ−Ｙ平面および前記第２のＸ−Ｙ平面に平行な第３のＸ−Ｙ平面を規定する第３のデータ記憶層を含む第３の記憶スタックをさらに備え、
前記制御システムが、さらに、前記第２のデータ記憶層の前記Ｘ−Ｙビットパターンにおける前記ビットの磁化が、前記第３のデータ記憶層に前記Ｘ−Ｙビットパターンを再現するようにすることによって、前記第２のデータ記憶層から前記第３のデータ記憶層への前記Ｘ−ＹビットパターンのＺ方向の転送を制御するように適合された、請求項２０に記載の三次元固体磁気メモリ。
【請求項２３】
前記第２の記憶スタックと前記第３の記憶スタックの間の第２の中間スタックであって、前記第３のＸ−Ｙ平面に平行な第４のＸ−Ｙ平面を規定する第２の中間記憶層を含む第２の中間スタックをさらに備え、
前記制御システムが、さらに、前記第２のデータ記憶層の前記Ｘ−Ｙビットパターンにおける前記ビットの磁化が、前記第２の中間記憶層に前記Ｘ−Ｙビットパターンを再現し、前記第２の中間記憶層の前記Ｘ−Ｙビットパターンにおける前記ビットの磁化が、前記第３のデータ記憶層に前記Ｘ−Ｙビットパターンを再現するようにすることによって、前記第２のデータ記憶層から前記第３のデータ記憶層への前記Ｘ−ＹビットパターンのＺ方向の転送を制御するように適合された、請求項２２に記載の三次元固体磁気メモリ。
【請求項２４】
前記第１のデータ記憶層に近接しており、前記第１のデータ記憶層の前記Ｘ−Ｙビットパターンにおける前記ビットの磁化を感知して、前記第１のデータ記憶層から前記Ｘ−Ｙビットパターンを読み取るように適合された読取り素子の配列をさらに備える、請求項２０に記載の三次元固体磁気メモリ。
【請求項２５】
前記第１のデータ記憶層から読み取った前記Ｘ−Ｙビットパターンを一時的に格納するように適合されたあふれ記憶システムをさらに備える、請求項２４に記載の三次元固体磁気メモリ。
【請求項２６】
前記第１のデータ記憶層に近接しており、前記第１のデータ記憶層に磁界を印加して、
前記第１のデータ記憶層に前記Ｘ−Ｙビットパターンを書き込むように適合された書込み素子の交差点配列をさらに備える、請求項２０に記載の三次元固体磁気メモリ。
【請求項２７】
第１の平面を規定する第１のデータ記憶層と、
前記第１のデータ記憶層上に積み重ねられた、前記第１の平面に平行な第２の平面を規定する少なくとも１つの２次データ記憶層と、
前記第１のデータ記憶層に磁区の形態でビットを書き込むとともに、前記第１のデータ記憶層の磁区からの磁界が前記少なくとも１つの２次データ記憶層に前記磁区をインプリントして、前記ビットを前記第１のデータ記憶層から前記少なくとも１つの２次データ記憶層に複写できるように、前記少なくとも１つの２次データ記憶層を加熱するように適合された制御システムとを備える、磁気メモリ。
【請求項２８】
複数のデータ記憶層と、
前記データ記憶層の間に形成された少なくとも１つの中間記憶層であって、前記データ記憶層とともに平行なＸ−Ｙ平面を規定する中間記憶層と、
前記少なくとも１つの中間記憶層を介して、１つのデータ記憶層の磁区からの磁界が別のデータ記憶層に前記磁区をインプリントできるようにすることによって、前記少なくとも１つの中間記憶層を介して、前記１つのデータ記憶層から前記別のデータ記憶層にＺ方向にビットを複写するように適合された制御システムとを備える、磁気メモリ。
【請求項２９】
前記データ記憶層が厚み方向磁化を有する材料から形成される、請求項２８に記載の磁気メモリ。
【請求項３０】
前記厚み方向磁化を有する前記材料が、ＴｂＦｅＣｏ材料、ＣｏＰｔ材料、またはＣｏＰｄ材料の１つを含む、請求項２９に記載の磁気メモリ。
【請求項３１】
前記データ記憶層が縦方向磁化を有する材料から形成される、請求項２８に記載の磁気メモリ。
【請求項３２】
第１の平面を規定する第１のデータ記憶層を含む第１の記憶スタックと、
前記第１の記憶スタックに近接した第１の中間スタックであって、前記第１の平面に平行な第２の平面を規定する第１の中間記憶層を含む第１の中間スタックと、
前記第１の中間スタックに近接した第２の記憶スタックであって、前記第２の平面に平行な第３の平面を規定する第２のデータ記憶層を含む第２の記憶スタックと、
前記第１の中間記憶層をそのキュリー温度よりも高温まで加熱し、前記第１のデータ記憶層をそのキュリー温度よりも低温まで加熱するように適合された制御システムと、
前記第１のデータ記憶層に近接した複数の書込み素子であって、前記第１のデータ記憶層に磁界を印加して、複数のビットを表す複数の磁区を前記第１のデータ記憶層に作成するように適合された書込み素子とを備え、
前記制御システムが、さらに、前記第１の記憶層を冷却して、前記第１のデータ記憶層に前記磁区を格納するように適合された、磁気メモリ。
【請求項３３】
前記制御システムが、さらに、前記第２のデータ記憶層をそのキュリー温度よりも高温まで加熱し、前記第１の中間記憶層をそのキュリー温度よりも低温まで加熱するように適合され、
前記第１の中間記憶層の加熱によって、前記第１のデータ記憶層の前記磁区からの磁界が、前記第１の中間記憶層に前記磁区をインプリントして、前記ビットを前記第１のデータ記憶層から前記第１の中間記憶層に複写することを可能にし、
前記制御システムが、さらに、前記第１の中間記憶層を冷却して、前記第１の中間記憶層に前記磁区を格納するように適合された、請求項３２に記載の磁気メモリ。
【請求項３４】
前記第２の記憶スタックに近接した第２の中間スタックであって、前記第３の平面に平行な第４の平面を規定する第２の中間記憶層を含む第２の中間スタックをさらに備え、
前記制御システムが、さらに、前記第２の中間記憶層をそのキュリー温度よりも高温まで加熱し、前記第２のデータ記憶層をそのキュリー温度よりも低温まで加熱するように適合され、
前記第２のデータ記憶層の加熱によって、前記第１の中間記憶層の前記磁区からの磁界が、前記第２のデータ記憶層に前記磁区をインプリントして、前記ビットを前記第１の中間記憶層から前記第２のデータ記憶層に複写することを可能にし、
前記制御システムが、さらに、前記第２のデータ記憶層を冷却して、前記第２のデータ記憶層に前記磁区を格納するように適合された、請求項３３に記載の磁気メモリ。
【請求項３５】
前記制御システムが、さらに、前記第１のデータ記憶層および前記第１の中間記憶層をそれらのキュリー温度よりも高温まで加熱して、前記第１のデータ記憶層に格納された前記磁区を消去し、前記第１のデータ記憶層を冷却し、次に前記第１の中間記憶層を冷却するように適合された、請求項３４に記載の磁気メモリ。
【請求項３６】
前記第２の中間スタックに近接した第３の記憶スタックであって、前記第４の平面に平行な第５の平面を規定する第３のデータ記憶層を含む第３の記憶スタックと、
前記第３の記憶スタックに近接した第３の中間スタックであって、前記第５の平面に平行な第６の平面を規定する第３の中間記憶層を含む第３の中間スタックとをさらに備え、
前記制御システムが、さらに、前記第３のデータ記憶層をそのキュリー温度よりも高温まで加熱し、前記第２の中間記憶層をそのキュリー温度よりも低温まで加熱するように適合され、
前記第２の中間記憶層の加熱によって、前記第２のデータ記憶層の前記磁区からの磁界が、前記第２の中間記憶層に前記磁区をインプリントして、前記ビットを前記第２のデータ記憶層から前記第２の中間記憶層に複写することを可能にし、
前記制御システムが、さらに、前記第２の中間記憶層を冷却して、前記第２の中間記憶層に前記磁区を格納するように適合された、請求項３４に記載の磁気メモリ。
【請求項３７】
前記制御システムが、さらに、前記第３の中間記憶層をそのキュリー温度よりも高温まで加熱し、前記第３のデータ記憶層をそのキュリー温度よりも低温まで加熱するように適合され、
前記第３のデータ記憶層の加熱によって、前記第２の中間記憶層の前記磁区からの磁界が、前記第３のデータ記憶層に前記磁区をインプリントして、前記ビットを前記第２の中間記憶層から前記第３のデータ記憶層に複写することを可能にし、
前記制御システムが、さらに、前記第３のデータ記憶層を冷却して、前記第３のデータ記憶層に前記磁区を格納するように適合された、請求項３６に記載の磁気メモリ。
【請求項３８】
前記制御システムが、さらに、前記第１の中間記憶層をそのキュリー温度よりも高温まで再び加熱し、前記第１のデータ記憶層をそのキュリー温度よりも低温まで再び加熱するように適合され、
前記複数の書込み素子が、さらに、前記第１のデータ記憶層に磁界を印加して、前記第１のデータ記憶層の別の複数のビットを表す別の複数の磁区を前記第１のデータ記憶層に作成するように適合され、
前記制御システムが、さらに、前記第１のデータ記憶層を冷却して、前記第１のデータ記憶層に前記別の磁区を格納するように適合された、請求項３７に記載の磁気メモリ。