Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月1日(2010.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源ラインとグランドラインとの間に直列に接続された抵抗およびキャパシタからなる時定数回路と、
電源ラインとグランドラインとの間に直列に接続された、前記時定数回路の抵抗とキャパシタとの接続ノードにゲートが接続されたＭＯＳトランジスタおよび電圧降下素子からなり、グランドラインと等電圧にあった電源ラインに所定の動作電圧以下の電圧が印加されたときには該ＭＯＳトランジスタおよび前記電圧降下素子が非導通状態にとどまるとともに、グランドラインと等電圧にあった電源ラインに前記動作電圧を越える所定のサージ電圧以上の電圧が印加されたときには導通状態に移行するサージ検出回路と、
電源ラインとグランドラインとの間に接続された、前記ＭＯＳトランジスタおよび前記電圧降下素子が導通状態に移行したことを受けて電源ラインとグランドラインとの間を短絡するサージ吸収回路とを備えたことを特徴とする静電気放電保護回路。
【請求項２】
前記サージ検出回路の電圧降下素子が、前記電源ラインとグランドラインとのうちの前記時定数回路の抵抗が接続された方に接続されていることを特徴とする請求項１記載の静電気放電保護回路。
【請求項３】
前記サージ検出回路の電圧降下素子が、前記電源ラインとグランドラインとのうちの前記時定数回路のキャパシタが接続された方に接続されていることを特徴とする請求項１記載の静電気放電保護回路。
【請求項４】
前記電圧降下素子が、直列に接続された複数の、ダイオード接続されたＭＯＳトランジスタ、もしくは、ダイオードからなることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の静電気放電保護回路。
【請求項５】
前記サージ吸収回路が、前記ＭＯＳトランジスタおよび前記電圧降下素子が導通状態に一旦移行したことを受けて、前記ＭＯＳトランジスタおよび前記電圧降下素子が再び非導通状態に移行しても電源ラインとグランドラインとの間の短絡を継続させるラッチ回路を含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の静電気放電保護回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
上記目的を達成する本発明の静電気放電保護回路は、
電源ラインとグランドラインとの間に直列に接続された抵抗およびキャパシタからなる時定数回路と、
電源ラインとグランドラインとの間に直列に接続された、上記時定数回路の抵抗とキャパシタとの接続ノードにゲートが接続されたＭＯＳトランジスタおよび電圧降下素子からなり、グランドラインと等電圧にあった電源ラインに所定の動作電圧以下の電圧が印加されたときにはそのＭＯＳトランジスタおよび上記電圧降下素子が非導通状態にとどまるとともに、グランドラインと等電圧にあった電源ラインに上記動作電圧を越える所定のサージ電圧以上の電圧が印加されたときには導通状態に移行するサージ検出回路と、
電源ラインとグランドラインとの間に接続された、上記ＭＯＳトランジスタおよび上記電圧降下素子が導通状態に移行したことを受けて電源ラインとグランドラインとの間を短絡するサージ吸収回路とを備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
ここで、上記サージ検出回路の電圧降下素子が、上記電源ラインとグランドラインとのうちの上記時定数回路の抵抗が接続された方に接続されたものであってもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
また、上記サージ検出回路の電圧降下素子が、上記電源ラインとグランドラインとのうちの上記時定数回路のキャパシタが接続された方に接続されたものであってもよい。
また、上記電圧降下素子が、直列に接続された複数の、ダイオード接続されたＭＯＳトランジスタ、もしくは、ダイオードからなることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月2日(2010.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体パターンと磁性層を積層することにより積層体を形成する工程と、この積層体を焼成して焼成体を形成する工程と、この焼成体を研磨する工程と、前記研磨した後の焼成体に外部電極を形成する工程とを備え、前記焼成体を研磨した後に前記焼成体を再焼成する工程を設け、再焼成を、前記積層体を焼成して前記焼成体を形成するときの焼成温度以下の温度で行うようにした積層チップインダクタの製造方法。
【請求項２】
焼成体を再焼成する工程を、外部電極を形成する工程の前に設けた請求項１記載の積層チップインダクタの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の請求項１に記載の発明は、導体パターンと磁性層を積層することにより積層体を形成する工程と、この積層体を焼成して焼成体を形成する工程と、この焼成体を研磨する工程と、前記研磨した後の焼成体に外部電極を形成する工程とを備え、前記焼成体を研磨した後に前記焼成体を再焼成する工程を設け、再焼成を、前記積層体を焼成して前記焼成体を形成するときの焼成温度以下の温度で行うようにしたもので、この製造方法によれば、焼成体を研磨した後に焼成体を再焼成する工程を設けているため、この再焼成時の焼成温度やその時間を規定することによって、めっき層を形成するめっきが積層体の内部に延びるのを確実に防止することができ、さらに、再焼成を焼成温度以下の温度で行うようにしているため、焼成体の磁気特性が変化して、インピーダンス等の特性が変化するのを防ぐことができるという作用効果が得られるものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の請求項２に記載の発明は、特に、焼成体を再焼成する工程を、外部電極を形成する工程の前に設けたもので、この製造方法によれば、外部電極が酸化して、めっき層を形成することができなかったり、実装不良が発生したりするのを防ぐことができるという作用効果が得られるものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
以上のように本発明の積層チップインダクタの製造方法は、焼成体を研磨した後に前記焼成体を再焼成する工程を設け、再焼成を、前記積層体を焼成して前記焼成体を形成するときの焼成温度以下の温度で行うようにしているため、この再焼成時の焼成温度やその時間を規定することによって、めっき層を形成するめっきが積層体の内部に延びるのを確実に防止することができ、さらに、再焼成を焼成温度以下の温度で行うようにしているため、焼成体の磁気特性が変化して、インピーダンス等の特性が変化するのを防ぐことができるという優れた効果を奏するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月25日(2010.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
この光テレビジョン信号は、光供給手段、例えば光分岐器１０の入力側１０ＩＮに供給される。光分岐器１０は、２つの出力側、例えば主出力側１０ＭＯＵＴと分岐出力側１０ＢＯＵＴとを有し、主出力側１０ＭＯＵＴと分岐出力側１０ＢＯＵＴとに光テレビジョン信号を出力する。但し、主出力側１０ＭＯＵＴの光テレビジョン信号のパワーが、分岐出力側１０ＢＯＵＴの光テレビジョン信号のパワーよりも大きく、例えば１０対１または１００対１の比率である。なお、光分岐器１０は、停電時にも動作可能なものである。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月22日(2009.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンテナと、このアンテナの給電部に同軸ケーブルを接続可能なように設けられる同軸コネクタと、この同軸コネクタおよび前記アンテナが設けられる樹脂基材とが一体成形されており、
前記樹脂基材には、前記アンテナの給電部と前記同軸コネクタとの間に、アンテナ電極の一部を利用した整合回路が形成されていることを特徴とするアンテナ装置。
【請求項２】
アンテナと、このアンテナの給電部に同軸ケーブルを接続可能なように設けられる同軸コネクタと、この同軸コネクタおよび前記アンテナが設けられる樹脂基材とが一体成形されており、
前記樹脂基材には、前記同軸コネクタに接続される前記同軸ケーブルを固定状態に保持するための固定ガイドが一体成形されていることを特徴とするアンテナ装置。
【請求項３】
前記樹脂基材には、前記アンテナの給電部と前記同軸コネクタとの間に、アンテナ電極の一部を利用した整合回路が形成されていることを特徴とする請求項２に記載のアンテナ装置。
【請求項４】
前記固定ガイドは、前記同軸コネクタに接続された前記同軸ケーブルを受け入れて保持するケーブル保持溝を有していることを特徴とする請求項２または３に記載のアンテナ装置。
【請求項５】
前記樹脂基材は、断面がＬ字型の形状を含むことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のアンテナ装置。
【請求項６】
移動体通信端末に搭載されることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のアンテナ装置。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
以上の課題を解決するため、請求項１に記載の発明のアンテナ装置は、アンテナと、このアンテナの給電部に同軸ケーブルを接続可能なように設けられる同軸コネクタと、この同軸コネクタおよび前記アンテナが設けられる樹脂基材樹脂基材とが一体成形されており、前記樹脂基材には、前記アンテナの給電部と前記同軸コネクタとの間に、アンテナ電極の一部を利用した整合回路が形成されていることを特徴とする。
請求項２に記載の発明のアンテナ装置は、アンテナと、このアンテナの給電部に同軸ケーブルを接続可能なように設けられる同軸コネクタと、この同軸コネクタおよび前記アンテナが設けられる樹脂基材とが一体成形されており、
前記樹脂基材には、前記同軸コネクタに接続される前記同軸ケーブルを固定状態に保持するための固定ガイドが一体成形されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載のアンテナ装置において、前記樹脂基材には、前記アンテナの給電部と前記同軸コネクタとの間に、アンテナ電極の一部を利用した整合回路が形成されていることを特徴とする。 
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項４に記載の発明は、請求項２または３に記載のアンテナ装置において、前記固定ガイドは、前記同軸コネクタに接続された前記同軸ケーブルを受け入れて保持するケーブル保持溝を有していることを特徴とする。
請求項５に記載の発明は、請求項１から４のいずれか一項に記載のアンテナ装置において、前記樹脂基材は、断面がＬ字型の形状を含むことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項６に記載の発明は、請求項１から５のいずれか一項に記載のアンテナ装置において、移動体通信端末に搭載されることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月17日(2009.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
ネットワークストレージ部７１は、例えばＨＤＤ等により実現され、例えば撮像装置１からネットワーク６０を介して送信されてくる画像データ等を保存したり、撮像装置１や外部機器８０の間で伝送する画像データ等を転送のために一時的にバッファリング記憶するためなどに用いられる。
通信部７３は、撮像装置１の通信部２６や外部機器８０の通信部との間で、ネットワーク６０を介したデータ通信を行う。
サーバ制御部７２は、サーバ装置７０としての必要な動作制御を行う。特には、撮像装置１に対する入換画像データの供給のための制御動作を行う。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月11日(2010.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
観察者の頭部に装着して用いるための頭部装着型撮像表示装置であって、
現実空間をステレオ撮像し、一対のステレオ撮像画像を出力する一対の撮像手段と、
前記一対のステレオ画像を用いて生成された右眼用の画像と左眼用の画像とを表示するための表示手段と、
前記一対の撮像手段について予め測定した、前記一対の撮像手段の輻輳角度及び基線長を含む撮像パラメータを、前記右眼用の画像と前記左眼用の画像の生成に用いるために記憶する記憶手段とを有することを特徴とする頭部装着型撮像表示装置。
【請求項２】
前記表示手段が、左眼用表示手段と右眼用表示手段とを有し、
前記左眼用表示手段と前記一対の撮像手段の一方、前記右眼用表示手段と前記一対の撮像手段の他方がそれぞれ一体化されていることを特徴とする請求項１記載の頭部装着型撮像表示装置。
【請求項３】
前記左眼用表示手段と前記一対の撮像手段の一方の光軸が一致するように配置され、前記右眼用表示手段と前記一対の撮像手段の他方の光軸が一致するように配置されることを特徴とする請求項２記載の頭部装着型撮像表示装置。
【請求項４】
前記記憶手段から前記撮像パラメータを取得する取得手段と、
前記取得した撮像パラメータと、三次元モデル情報とを用いて、前記右眼用の画像と前記左眼用の画像とを生成するための仮想物体の画像を生成する生成手段をさらに有することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の頭部装着型撮像表示装置。
【請求項５】
前記左眼用表示手段と前記一対の撮像手段の一方、前記右眼用表示手段と前記一対の撮像手段の他方とを、前記一対の撮像手段の基線長を変化させるように移動させる調整機構をさらに有することを特徴とする請求項２又は請求項３記載の頭部装着型撮像表示装置。
【請求項６】
前記記憶手段が、複数の前記基線長の各々に対して対応付けられた複数の撮像パラメータを記憶することを特徴とする請求項５記載の頭部装着型撮像表示装置。
【請求項７】
前記基線長を前記調整機構から取得する基線長取得手段と、
前記記憶手段から前記取得した基線長に対応付けられた前記撮像パラメータを取得するパラメータ取得手段と、
前記取得した撮像パラメータと、三次元モデル情報とを用いて、前記右眼用の画像と前記左眼用の画像とを生成するための仮想物体の画像を生成する生成手段をさらに有することを特徴とする請求項５記載の頭部装着型撮像表示装置。
【請求項８】
前記一対のステレオ撮像画像に前記仮想物体の画像を合成して前記右眼用の画像と前記左眼用の画像とを生成し、前記表示手段に出力する画像合成手段をさらに有することを特徴とする請求項４又は請求項７記載の頭部装着型撮像表示装置。
【請求項９】
現実空間のステレオ撮像画像に仮想物体の画像を合成した合成画像を生成する画像生成装置であって、
前記ステレオ撮像画像を取得する画像取得手段と、
前記ステレオ撮像画像を撮像した撮像装置について予め測定された、輻輳角度及び基線長を含む前記撮像装置の撮像パラメータを取得するパラメータ取得手段と、
前記撮像パラメータ及び前記仮想物体の三次元モデル情報とを用いて、前記仮想物体の画像を生成する画像生成手段と、
前記ステレオ撮像画像に前記仮想物体の画像の画像を合成して前記合成画像を生成する合成手段とを有することを特徴とする画像生成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上述の目的は、観察者の頭部に装着して用いるための頭部装着型撮像表示装置であって、現実空間をステレオ撮像し、一対のステレオ撮像画像を出力する一対の撮像手段と、一対のステレオ画像を用いて生成された右眼用の画像と左眼用の画像とを表示するための表示手段と、一対の撮像手段について予め測定した、一対の撮像手段の輻輳角度及び基線長を含む撮像パラメータを、右眼用の画像と左眼用の画像の生成に用いるために記憶する記憶手段とを有することを特徴とする頭部装着型撮像表示装置によって達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、上述の目的は、現実空間のステレオ撮像画像に仮想物体の画像を合成した合成画像を生成する画像生成装置であって、ステレオ撮像画像を取得する画像取得手段と、ステレオ撮像画像を撮像した撮像装置について予め測定された、輻輳角度及び基線長を含む撮像装置の撮像パラメータを取得するパラメータ取得手段と、撮像パラメータ及び仮想物体の三次元モデル情報とを用いて、仮想物体の画像を生成する画像生成手段と、ステレオ撮像画像に仮想物体の画像の画像を合成して合成画像を生成する合成手段とを有することを特徴とする画像生成装置によっても達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月29日(2010.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
その表面に高融点の金属膜の層を有した試料を真空容器内に配置して前記真空容器内でプラズマを形成して処理するプラズマ処理方法であって、
前記試料の温度Ｔが６０℃以下で且つ前記真空容器内の圧力Ｐが０.１Ｐａ以下であって、前記温度Ｔが前記圧力Ｐに対し２００Ｐ＋４０を越える条件で前記試料を処理するプラズマ処理方法。
【請求項２】
前記高融点の金属膜の下方の膜がＨｆを含む前記ｈｉｇｈ−ｋ材料の膜である請求項１に記載のプラズマ処理方法。
【請求項３】
前記高融点金属の膜がＴｉ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｒｉ，Ｐｔ，Ｌａ，Ｅｕ，Ｙｂのうちの単体もしくは複数の物質の複合または化合物から構成された請求項１または２に記載のプラズマ処理方法。
【請求項４】
前記試料が、前記真空容器内に配置されアルミニウムまたはその合金製の基材とその表面に配置されたセラミクスからなる絶縁体膜とを有した試料台の前記絶縁体膜上に載せられて、前記基材内に配置された温度調節手段により前記試料の温度が６０℃以下に調節される請求項１乃至３のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
【請求項５】
前記真空容器内にＣｌまたはＨＢｒを供給して前記ゲート用の膜をエッチングして前記ゲート構造を形成する請求項１乃至４の何れかに記載のプラズマ処理方法。
【請求項６】
真空容器内に配置されその内側でプラズマが形成される処理室と、この処理室内の下方部に配置され前記表面に高融点の金属膜の層を有した前記プラズマによる処理対象の試料が上面に載せられる試料台と、前記処理室の前記プラズマに面する部材の表面を前記試料の処理温度以上に加熱する手段とを備え、前記真空容器内でプラズマを形成し前記試料の温度Ｔが６０℃以下で且つ前記真空容器内の圧力Ｐが０.１Ｐａ以下であって、前記温度Ｔが前記圧力Ｐに対し２００Ｐ＋４０を越える条件で前記試料の処理を行うプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記高融点の金属膜の下方の膜がＨｆを含む前記ｈｉｇｈ−ｋ材料の膜である請求項６に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記高融点金属の膜がＴｉ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｒｉ，Ｐｔ，Ｌａ，Ｅｕ，Ｙｂのうちの単体もしくは複数の物質の複合または化合物から構成された請求項６または７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記試料が、前記真空容器内に配置されアルミニウムまたはその合金製の基材とその表面に配置されたセラミクスからなる絶縁体膜とを有した試料台の前記絶縁体膜上に載せられて、前記基材内に配置された温度調節手段により前記試料の温度が６０℃以下に調節される請求項６乃至８のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
前記真空容器内にＣｌまたはＨＢｒを供給して前記ゲート用の膜をエッチングして前記ゲート構造を形成する請求項６乃至９の何れかに記載のプラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記目的は、その表面に高融点の金属膜の層を有した試料を真空容器内に配置して前記真空容器内でプラズマを形成して処理するプラズマ処理方法であって、前記試料の温度Ｔが６０℃以下で且つ前記真空容器内の圧力Ｐが０.１Ｐａ以下であって、前記温度Ｔが前記圧力Ｐに対し２００Ｐ＋４０を越える条件で前記試料を処理するプラズマ処理方法により達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、上記目的は、真空容器内に配置されその内側でプラズマが形成される処理室と、この処理室内の下方部に配置され前記表面に高融点の金属膜の層を有した前記プラズマによる処理対象の試料が上面に載せられる試料台と、前記処理室の前記プラズマに面する部材の表面を前記試料の処理温度以上に加熱する手段とを備え、前記真空容器内でプラズマを形成し前記試料の温度Ｔが６０℃以下で且つ前記真空容器内の圧力Ｐが０.１Ｐａ以下であって、前記温度Ｔが前記圧力Ｐに対し２００Ｐ＋４０を越える条件で前記試料の処理を行うプラズマ処理装置により達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月11日(2010.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板処理装置及び半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、  
前記処理室内に成膜ガスないしクリーニングガスを供給する第一ガス供給ラインと、  
該第一ガス供給ラインに第一開閉弁を介して接続され、該第一ガス供給ラインに成膜ガスを供給する成膜ガス供給ラインと、  
前記第一ガス供給ラインに第二開閉弁を介して接続され、前記第一ガス供給ラインにクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給ラインと、  
前記第一ガス供給ラインを加熱するヒータと、  
前記成膜ガス供給ラインから前記第一ガス供給ラインに前記第一開閉弁を開き成膜ガスを供給する際には、前記ヒータを所定の温度に加熱維持し、前記クリーニングガス供給ラインから第一ガス供給ラインに前記第二開閉弁を開きクリーニングガスを供給する際には、前記ヒータに電力を供給しないように制御する加熱制御部と、  
を備えた基板処理装置。   
【請求項２】
基板を処理室内に搬入するステップと、  
第一ガス供給ラインをヒータにて加熱維持した状態で、第一開閉弁を開き成膜ガス供給ラインから前記第一ガス供給ラインへ成膜ガスを供給し、該第一ガス供給ラインから前記処理室へ前記成膜ガスを供給して前記基板を処理するステップと、
前記第一開閉弁を閉じ、前記ヒータへの電力の供給を止めた状態で、第二開閉弁を開き、クリーニングガス供給ラインから前記第一ガス供給ラインへクリーニングガスを供給し、該第一ガス供給ラインから前記処理室へ前記クリーニングガスを供給するステップと、
を有する半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月8日(2010.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ支持面、及び前記チップ支持面とは反対側の裏面を有するチップ搭載部と、
複数の表面電極が形成された主面を有し、前記チップ搭載部の前記チップ支持面上に搭載された半導体チップと、
封止部形成面、前記封止部形成面とは反対側の被実装面、前記封止部形成面と前記被実装面との間に位置し、かつ前記チップ搭載部と向かい合う内側端面、前記封止部形成面と前記被実装面との間に位置し、かつ前記内側端面とは反対側の外側端面、及び前記封止部形成面と前記被実装面との間に位置し、かつ前記内側端面と前記外側端面との間に位置するリード側面を有し、前記チップ搭載部の周囲に配置された複数のリードと、
前記半導体チップの前記複数の表面電極と前記複数のリードとをそれぞれ電気的に接続する複数のワイヤと、
上面、前記上面とは反対側の下面、及び前記上面と前記下面との間に位置する側面を有し、前記複数のリードのそれぞれの前記被実装面が前記下面から露出するように、前記半導体チップ、前記複数のリード及び前記複数のワイヤを封止する封止部と、
を含み、
前記複数のリードのそれぞれは、前記封止部形成面と前記内側端面とが交わる第１内側端部と、前記被実装面と前記内側端面とが交わる第２内側端部とを有し、
前記第１内側端部は、前記第２内側端部よりも前記外側端面側に位置しており、
前記複数のリードのそれぞれは、前記封止部形成面における前記リードの延在方向と交差する方向の幅が、前記被実装面における前記リードの延在方向と交差する方向の幅よりも広いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、前記複数のリードのそれぞれの前記リード側面は、湾曲していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置において、前記封止部は、前記複数のリードのそれぞれの前記被実装面が前記封止部の前記下面から露出するように、かつ前記複数のリードのそれぞれの前記外側端面が前記封止部の前記側面から露出するように、前記半導体チップ、前記複数のリードのそれぞれの前記一部及び前記複数のワイヤを封止していることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置において、前記チップ搭載部の外形寸法は、前記半導体チップの外形寸法よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置において、前記チップ搭載部の前記裏面は、前記封止部の前記下面から露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４記載の半導体装置において、前記チップ搭載部の厚さは、前記複数のリードのそれぞれの厚さよりも薄く形成されており、前記チップ搭載部の前記裏面は、前記封止部で覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置において、前記複数のワイヤのそれぞれは、前記半導体チップの前記表面電極と前記複数のリードのそれぞれの前記封止部形成面とを電気的に接続していることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項６記載の半導体装置において、前記封止部形成面には、切り欠き部が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置において、前記複数のワイヤのそれぞれは、前記半導体チップの前記表面電極と前記複数のリードのそれぞれの前記切り欠き部の表面とを電気的に接続していることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
すなわち、本発明は、チップ支持面、及び前記チップ支持面とは反対側の裏面を有するチップ搭載部と、複数の表面電極が形成された主面を有し、前記チップ搭載部の前記チップ支持面上に搭載された半導体チップと、封止部形成面、前記封止部形成面とは反対側の被実装面、前記封止部形成面と前記被実装面との間に位置し、かつ前記チップ搭載部と向かい合う内側端面、前記封止部形成面と前記被実装面との間に位置し、かつ前記内側端面とは反対側の外側端面、及び前記封止部形成面と前記被実装面との間に位置し、かつ前記内側端面と前記外側端面との間に位置するリード側面を有し、前記チップ搭載部の周囲に配置された複数のリードと、前記半導体チップの前記複数の表面電極と前記複数のリードとをそれぞれ電気的に接続する複数のワイヤと、上面、前記上面とは反対側の下面、及び前記上面と前記下面との間に位置する側面を有し、前記複数のリードのそれぞれの前記被実装面が前記下面から露出するように、前記半導体チップ、前記複数のリード及び前記複数のワイヤを封止する封止部と、を含み、前記複数のリードのそれぞれは、前記封止部形成面と前記内側端面とが交わる第１内側端部と、前記被実装面と前記内側端面とが交わる第２内側端部とを有し、前記第１内側端部は、前記第２内側端部よりも前記外側端面側に位置しており、前記複数のリードのそれぞれは、前記封止部形成面における前記リードの延在方向と交差する方向の幅が、前記被実装面における前記リードの延在方向と交差する方向の幅よりも広いものである。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月11日(2010.2.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
島状の半導体層を形成し、
前記半導体層上に第１の酸化膜を用いて第１絶縁層を形成し、
前記第１絶縁層上に窒化膜を用いて第２絶縁層を形成し、
前記半導体層上に、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層を介してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極を覆うように第２の酸化膜を用いて第３絶縁層を形成し、
前記第３絶縁層を選択的にエッチングして、前記ゲート電極の側面にサイドウォール絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記窒化膜は窒化シリコン、窒化酸化シリコン又は窒化アルミニウムを含む膜を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
島状の半導体層を形成し、
酸素を含む雰囲気下で高密度プラズマ処理を行うことにより、前記半導体層上に第１絶縁層を形成し、
窒素を含む雰囲気下で高密度プラズマ処理を行うことにより、前記第１絶縁層上に第２絶縁層を形成し、
前記半導体層上に、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層を介してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極を覆うように酸化膜を用いて第３絶縁層を形成し、
前記第３絶縁層を選択的にエッチングして、前記ゲート電極の側面にサイドウォール絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層の形成は、連続処理で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
島状の半導体層を形成し、
前記半導体層上に第１絶縁層を形成し、
前記半導体層上に、前記第１絶縁層を介してゲート電極を形成し、
窒素を含む雰囲気下で高密度プラズマ処理を行うことにより、前記ゲート電極と重ならない領域の前記第１絶縁層の一部を窒化し、
前記ゲート電極を覆うように酸化膜を用いて第２絶縁層を形成し、
前記第２絶縁層を選択的にエッチングして、前記ゲート電極の側面にサイドウォール絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記第１絶縁層の一部とは、前記第１絶縁層の表面近傍の領域であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項３乃至請求項６のいずれか一において、
前記酸化膜は酸化シリコン、酸化窒化シリコン又は酸化アルミニウムを含む膜を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体層に不純物元素を添加することによって、自己整合的に不純物領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
ゲート電極と重畳する領域及び前記領域の外側に設けられた不純物領域を有する半導体層と、
前記ゲート電極の側面に設けられたサイドウォール絶縁層と、
前記ゲート電極及び前記サイドウォール絶縁層と、前記半導体層と、の間に設けられたゲート絶縁層と、
を有し、
前記ゲート絶縁層は、前記半導体層と接する領域よりも、前記サイドウォール絶縁層と接する領域の窒素濃度が高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記ゲート絶縁層の前記サイドウォール絶縁層と接する領域は、前記サイドウォール絶縁層よりも窒素濃度が高いことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月19日(2009.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
転写材にトナー画像を形成する画像形成手段と、
転写材に転写されたトナー画像を定着させる熱定着式の定着手段と、
前記定着手段によってトナー画像が定着された転写材に気体を吹き付けることによって転写材を冷却する冷却手段と、
を有する画像形成装置において、
トナー画像が定着された転写材を複数の搬送経路のいずれかに選択的に案内する可動な面状のフラッパによって、前記冷却手段から送られる気体が前記定着手段に向かうのを遮断することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記定着手段によってトナー画像が形成された転写材が搬送される搬送路を有し、
前記冷却手段から送られる気体が前記定着手段に向かうのを遮断するために、前記フラッパの軸部と、前記搬送路の内壁面との間の隙間をシールするシール部材を備えることを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
上記目的を達成するために、この発明は、
転写材にトナー画像を形成する画像形成手段と、
転写材に転写されたトナー画像を定着させる熱定着式の定着手段と、
前記定着手段によってトナー画像が定着された転写材に気体を吹き付けることによって転写材を冷却する冷却手段と、
を有する画像形成装置において、
トナー画像が定着された転写材を複数の搬送経路のいずれかに選択的に案内する可動な面状のフラッパによって、前記冷却手段から送られる気体が前記定着手段に向かうのを遮断することを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月11日(2010.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一枚のシートに複数の画像を形成可能であって、画像順が連続した複数の画像を複数のシートに割り当てて形成する画像形成部と
前記画像形成部によって画像が形成されたシートを搬送する搬送部と、
前記搬送部によるシート搬送方向に沿う方向と前記シート搬送方向と垂直な方向とに、前記搬送部によって搬送されるシート毎に裁断する裁断装置と、
前記裁断装置によって裁断された裁断後シートが複数列で積載される排出トレイと、
前記画像順が連続した複数の画像を、前記裁断装置により裁断される前の複数のシート上に割り当てる際、前記排出トレイに複数列で積載された裁断後シートの束の画像順が前記複数の列において連続するように割り当てて画像形成するように前記画像形成部を制御する制御部と、を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
シートの大きさと形成する画像の大きさと画像の数との情報に基づいて画像の割り付けを行って裁断後に複数の白紙が発生する場合、前記排紙トレイ上の複数列のうちの一つの列に白紙を配置するよう前記制御部は前記画像形成部を制御することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記排紙トレイ上に積載された複数列の出力紙を、ページ順が連続するように上下方向に積み重ねたとき、連続したページの最後尾に複数の白紙を集結するように前記画像形成部を前記制御部が制御することを特徴とする請求項２記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記画像形成部は、像担持体が担持するトナー像を搬送中の記録シート上に転写および定着することにより該記録シート上に画像を形成する電子写真方式の画像形成部であり、
回転する表面平滑な無端状のベルトと、前記無端状のベルトの表面に、画像を担持するシートをその像担持面がベルト表面と対向する状態で加熱および加圧して密着させる加熱加圧手段とを有する光沢付与装置を前記裁断装置の上流側に配置したことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記画像形成部は、前記連続する複数の画像のうちの４つの画像を１枚のシートに形成可能であり、複数のシートに対して４つの画像を形成することで前記連続する複数の画像を形成し、
１枚のシートに割り当てられられた４つの画像毎に前記裁断装置はシートを裁断し、
前記４つの画像は、シートの搬送方向に沿った前記裁断装置の裁断によって２つの画像づつに分けられ、
前記シートの搬送方向に沿った裁断によって分けられた前記２つの画像の一方はいずれも前記排出トレイにおける第１列に積載され、前記２つの画像の他方はいずれも前記排出トレイにおける第２の列に積載され、
前記第１列に積載された裁断後シートは画像順が連続し、前記第２列に積載された裁断後シートは画像順が連続することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月4日(2010.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影レンズを介して入射した被写体光束を撮像面で受光し、この撮像面に結像した被写体像を光電変換して画像データを出力する撮像手段と、
上記撮像手段で取得した画像データを用いてライブビュー表示動作を行う表示手段と、
上記ライブビュー表示動作を実行しつつ、上記画像データから上記被写体像のコントラスト情報を求め、このコントラスト情報に基づいて上記撮影レンズを第１の合焦許容範囲内に導く第１のコントラストＡＦ手段と、
上記コントラスト情報に基づいて上記撮影レンズを上記第１の合焦許容範囲よりも狭い第２の合焦許容範囲内に導く第２のコントラストＡＦ手段と、
上記撮影レンズが被写界深度の浅い領域でピントを合わせているか否かを判別する判別手段と、
上記ライブビュー表示動作の実行中にレリーズ釦の半押し操作が行われた場合には、上記判別手段の判別結果に基づいて、上記第１のコントラストＡＦ手段によって上記第１の合焦許容範囲に上記撮影レンズを導くか、さらに上記第２のコントラストＡＦ手段によって上記第２の合焦許容範囲まで上記撮影レンズを導くかを選択する制御手段と、
を具備したことを特徴とする撮影装置。
【請求項２】
上記判別手段は、上記撮影レンズの撮影倍率と所定の倍率とを比較し、または上記撮影レンズの被写体距離と所定の距離とを比較することにより、近距離側にピントを合わせている場合に、被写界深度が浅い領域にあることを判別することを特徴とする請求項１に記載の撮影装置。
【請求項３】
上記制御手段は、さらに上記撮影レンズがマクロレンズか、またはマクロモードかを判別することを特徴とする請求項１に記載の撮影装置。
【請求項４】
上記制御手段は、上記判別手段によって、上記撮影レンズが被写界深度の浅い領域でピントを合わせていると判別された場合には、上記第２のコントラストＡＦによって上記撮影レンズを上記第２の合焦許容範囲内に導かせることを特徴とする請求項１に記載の撮影装置。
【請求項５】
撮影レンズを介して入射した被写体光束を撮像面で受光し、この撮像面に結像した被写体像を光電変換して画像データを出力する撮像手段と、
上記撮像手段で取得した画像データを用いてライブビュー表示動作を行う表示手段と、
上記ライブビュー表示動作を実行しつつ、上記画像データから上記被写体像のコントラスト情報を求め、このコントラスト情報に基づいて上記撮影レンズを第１の合焦許容範囲内に導く第１のコントラストＡＦ手段と、
上記コントラスト情報に基づいて上記撮影レンズを上記第１の合焦許容範囲よりも狭い第２の合焦許容範囲内に導く第２のコントラストＡＦ手段と、
上記撮影レンズの種別、または撮影モードを判別する判別手段と、
上記ライブビュー表示動作の実行中にレリーズ釦の半押し操作が行われた場合には、上記判別手段の判別結果に基づいて、上記第１のコントラストＡＦ手段と上記第２のコントラストＡＦ手段のいずれか一方を選択する制御手段と、
を具備したことを特徴とする撮影装置。
【請求項６】
上記制御手段は、上記判別手段によって、マクロレンズまたはマクロモードであることを判別した場合には、上記第２のコントラストＡＦ手段を選択することを特徴とする請求項５に記載の撮影装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮影装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ライブビュー表示機能を有するデジタルカメラに関し、詳しくは、撮像素子で取得した画像を表示装置に表示する所謂ライブビュー表示機能（スルー画表示機能、電子ファインダ機能とも言う）を有し、このライブビュー表示中の画像信号を利用して撮影レンズの焦点調節が可能な撮影装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、このような事情を鑑みてなされたものであり、ライブビュー表示状態から撮影する場合に、タイムラグが少なく、かつ高精度に焦点調節を行なうことのできる撮影装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明によれば、ライブビュー表示状態から撮影する場合に、タイムラグが少なく、かつ高精度に焦点調節を行なうことのできる撮影装置を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月5日(2010.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する一対の基板と、
前記一対の基板に挟持された液晶層と、
前記一対の基板の前記液晶層側に設けられた配向膜と、を備え、
前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板に設けられた前記配向膜は、表面に空孔が露出すると共に、前記液晶層の配向を規制する所定の方向に延びる複数の溝部を有する無機の多孔質膜からなり、前記溝部は前記所定の方向に複数途切れて設けられていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶装置であって、
前記空孔の直径は、前記溝部の幅より小さいことを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項４】
対向する一対の基板に液晶層が挟持される液晶装置の製造方法であって、
前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板に無機の多孔質膜を形成する多孔質膜形成工程と、
前記多孔質膜の表面に所定の方向からイオンビームを照射し、前記多孔質膜が有する空孔を表面に露出させると共に、前記液晶層の配向を規制する所定の方向に延びる複数の溝部を複数途切れさせて形成するイオンビーム照射工程と、
を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記多孔質膜形成工程は、ゾルゲル法によって前記多孔質膜を形成することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項６】
請求項４又は請求項５に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記多孔質膜形成工程は、蒸着法によって前記多孔質膜を形成することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る液晶装置は、対向する一対の基板と、前記一対の基板に挟持された液晶層と、前記一対の基板の前記液晶層側に設けられた配向膜と、を備え、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板に設けられた前記配向膜は、表面に空孔が露出すると共に、前記液晶層の配向を規制する所定の方向に延びる複数の溝部を有する無機の多孔質膜からなり、前記溝部は前記所定の方向に複数途切れて設けられていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
［適用例４］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、対向する一対の基板に液晶層が挟持される液晶装置の製造方法であって、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板に無機の多孔質膜を形成する多孔質膜形成工程と、前記多孔質膜の表面に所定の方向からイオンビームを照射し、前記多孔質膜が有する空孔を表面に露出させると共に、前記液晶層の配向を規制する所定の方向に延びる複数の溝部を複数途切れさせて形成するイオンビーム照射工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月23日(2010.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板の内、一方の基板に対し他方の基板を、熱硬化型接着剤を介して貼り合わせる貼着工程と、
少なくとも一部が他部よりも熱伝導率の低い低熱伝導率部材から構成された治具の低熱伝導率部位に対し、前記一方の基板を載置する載置工程と、
前記低熱伝導率部位に対して光照射装置から光を照射して、前記低熱伝導率部位を発熱させ、該熱により、少なくとも前記熱硬化型接着剤の一部を硬化させる接着剤硬化工程と、
を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記一対の基板は、光透過性を有する部材から構成されており、
前記接着剤硬化工程は、前記一方の基板及び前記他方の基板に対して前記光照射装置から出射された前記光を透過させて、前記低熱伝導率部位に対し前記光を照射して行うことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記熱硬化型接着剤の硬度を、設定硬度まで本硬化させる接着剤本硬化工程を具備することを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記一方の基板は、複数の電気光学パネル用基板が構成された大板基板であり、
前記載置工程において、前記大板基板の前記電気光学パネル用基板が構成された領域を除く部位を、前記低熱伝導率部位に載置することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記他方の基板は、前記大板基板の少なくとも複数の前記電気光学パネル用基板が構成された領域に貼着される大板カバーガラス基板であることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
少なくとも一部が他部よりも熱伝導率の低い低熱伝導率部材から構成された、一対の基板の内、他方の基板が熱硬化型接着剤を介して貼り合わされた一方の基板が低熱伝導率部位に載置される治具と、
前記低熱伝導率部位に対して光を照射して前記低熱伝導率部位を発熱させ、該熱により、少なくとも前記熱硬化型接着剤の一部を硬化させる光照射装置と、
を具備することを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【請求項７】
前記一対の基板は、光透過性を有する部材から構成されており、
前記光照射装置は、前記一方の基板及び前記他方の基板に対して出射した前記光を透過させて、前記低熱伝導率部位に対し前記光を照射することを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置の製造装置。
【請求項８】
前記治具の前記低熱伝導率部材における前記光が照射される面とは反対側の下層に、断熱材が設けられていることを特徴とする請求項６または７に記載の電気光学装置の製造装置。
【請求項９】
前記低熱伝導率部材は、ステンレス鋼またはセラミックから構成されていることを特徴とする請求項６〜８のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造装置。
【請求項１０】
前記一方の基板は、複数の電気光学パネル用基板が構成された大板基板であり、
前記治具は、前記大板基板の前記電気光学パネル用基板が構成された領域を除く部位が、前記低熱伝導率部位に載置されることを特徴とする請求項６〜９のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造装置。
【請求項１１】
前記他方の基板は、前記大板基板の少なくとも複数の前記電気光学パネル用基板が構成された領域に貼着される大板カバーガラス基板であることを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置の製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置の製造方法は、一対の基板の内、一方の基板に対し他方の基板を、熱硬化型接着剤を介して貼り合わせる貼着工程と、少なくとも一部が他部よりも熱伝導率の低い低熱伝導率部材から構成された治具の低熱伝導率部位に対し、前記一方の基板を載置する載置工程と、前記低熱伝導率部位に対して光照射装置から光を照射して、前記低熱伝導率部位を発熱させ、該熱により、少なくとも前記熱硬化型接着剤の一部を硬化させる接着剤硬化工程と、を具備することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本発明に係る電気光学装置の製造装置は、少なくとも一部が他部よりも熱伝導率の低い低熱伝導率部材から構成された、一対の基板の内、他方の基板が熱硬化型接着剤を介して貼り合わされた一方の基板が低熱伝導率部位に載置される治具と、前記低熱伝導率部位に対して光を照射して前記低熱伝導率部位を発熱させ、該熱により、少なくとも前記熱硬化型接着剤の一部を硬化させる光照射装置と、を具備することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月9日(2010.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
なお、ＳＷ−ＰＫ１１３５同士の接続は、図４Ｂの例に限られず、一つのＳＷ−ＰＫ１１３５が少なくとも一つの他のＳＷ−ＰＫ１１３５と接続されていれば良い。言い換えれば、或るＤＫＣモジュール１１３から他のＤＫＣモジュール１１３のＣＭ１１４７或いは担当ＬＤＥＶ１１５５を使用する場合に、複数のリンク１１６１及び複数のＳＷ−ＰＫ１１３５が経由されても良い。具体的には、例えば、図４Ｂにおいて、ＳＷ−ＰＫ１１３５−１とＳＷ−ＰＫ１１３５−３同士が接続されていなくても良い。この場合、ＤＫＣモジュール１が、ＣＭ１１３５−３を使用する場合には、ＳＷ−ＰＫ１１３５−２を経由して、ＳＷ−ＰＫ１１３５−３に接続されているＣＭ１１４７−３を使用することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月3日(2010.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電線端末に接続される水平部と、該水平部の一端より垂下されプリント基板の信号パターンに接続される垂下部とを有する複数の端子を備えた基板用コネクタであって、
前記複数の端子は、高さ方向にその水平部を複数段配列され、その水平部が上段に配置される端子の垂下部は、下段に配置される端子の垂下部よりも奥行き方向奥側に配置されるとともに、前記下段に配置される端子の垂下部は幅方向に折れ曲がっており、前記上段に配置される端子の経路長と前記下段に配置される端子の経路長とを同じにしていることを特徴とする基板用コネクタ。
【請求項２】
前記複数の端子は、幅方向から見て略平行に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の基板用コネクタ。
【請求項３】
前記複数の端子は、該端子の水平部を挿入する複数の挿入孔と該端子の垂下部を収容する複数の収容溝とを備えたハウジング内に収容されており、該端子の垂下部は、幅方向に折れ曲がった先が、該端子の幅方向に並ぶ別の端子の垂下部の基端部分が収容されている収容溝に収容されることを特徴とする請求項１または２に記載の基板用コネクタ。
【請求項４】
前記複数の端子は、該端子の水平部を挿入する複数の挿入孔と該端子の垂下部を収容する複数の収容溝とを備えたハウジング内に収容されており、該端子の垂下部は、幅方向に折れ曲がった先が、該端子の幅方向に隣に並ぶ端子の垂下部の基端部分が収容されている収容溝に収容されることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の基板用コネクタ。