【手続補正書】
【提出日】平成22年8月5日(2010.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に絶縁膜を介して形成された発熱抵抗体と測温抵抗体とを含み、流体または気体流量を計測する流量センサであって、少なくとも前記測温抵抗体は金属膜で構成され、前記絶縁膜上に金属を含む非晶質膜が設けられ、前記金属膜が前記金属を含む非晶質膜の直上に形成され、前記金属膜の抵抗率が、前記金属膜を構成する主成分の金属元素からなるインゴットの３倍以下の抵抗率を有することを特徴とする流量センサ。
【請求項２】
請求項１記載の流量センサにおいて、前記金属膜は、Ｔａ膜、Ｍｏ膜、Ｔｉ膜、Ｗ膜、Ｃｏ膜、Ｎｉ膜、Ｎｂ膜、Ｈｆ膜、Ｃｒ膜、Ｚｒ膜またはＦｅ膜であることを特徴とする流量センサ。
【請求項３】
請求項１記載の流量センサにおいて、前記金属膜がＴａ膜であり、体心立方晶系構造のＴａが、前記Ｔａ膜の５０％以上を占めることを特徴とする流量センサ。
【請求項４】
請求項１記載の流量センサにおいて、前記金属膜は、１００ｎｍ以上の径を有する結晶粒が全体の５０％以上を占める多結晶であることを特徴とする流量センサ。
【請求項５】
請求項３記載の流量センサにおいて、前記Ｔａ膜は複数のＴａ結晶粒を含み、複数の前記Ｔａ結晶粒の間は、粒内の結晶格子配列が双晶の関係にある、または２０度以内の格子面傾角である小傾角粒界の関係にあることを特徴とする流量センサ。
【請求項６】
請求項５記載の流量センサにおいて、粒内の結晶格子配列が双晶の関係にある、または２０度以内の格子面傾角である小傾角粒界の関係にある隣接粒界接触を有する複数の前記Ｔａ結晶粒が、多結晶領域の約３０％を占めることを特徴とする流量センサ。
【請求項７】
請求項１記載の流量センサにおいて、前記金属を含む非晶質膜の厚さは、５０ｎｍ以下であることを特徴とする流量センサ。
【請求項８】
請求項１記載の流量センサにおいて、前記金属を含む非晶質膜は、ＴａＯｘ膜、ＡｌＯｘ膜、ＴｉＯｘ膜、ＭｏＯｘ膜またはＡｌＮｘ膜であることを特徴とする流量センサ。
【請求項９】
半導体基板上に絶縁膜を介して形成された発熱抵抗体と測温抵抗体とを含み、流体または気体流量を計測する流量センサであって、少なくとも前記測温抵抗体は金属膜で構成され、前記金属膜の抵抗率が、前記金属膜を構成する主成分の金属元素からなるインゴットの３倍以下の抵抗率を有し、
前記金属膜は、前記金属膜の配向を高めるように改質された前記絶縁膜の表面に形成されることを特徴とする流量センサ。
【請求項１０】
請求項９記載の流量センサにおいて、前記絶縁膜の表面は、スパッタエッチング法またはイオン打ち込み法により改質されることを特徴とする流量センサ。
【請求項１１】
請求項９記載の流量センサにおいて、前記絶縁膜はＳｉＯｘ膜またはＳｉＮｘ膜であることを特徴とする流量センサ。
【請求項１２】
請求項１記載の流量センサにおいて、前記金属膜の上層に金属を含む酸化化合物が形成されていることを特徴とする流量センサ。
【請求項１３】
請求項１２記載の流量センサにおいて、前記金属を含む酸化化合物は、ＡｌＯｘ、ＭｏＯｘ、ＴａＯｘまたはＴｉＯｘであることを特徴とする流量センサ。
【請求項１４】
請求項１記載の流量センサにおいて、前記金属膜の上層に金属を含む窒化化合物が形成されていることを特徴とする流量センサ。
【請求項１５】
請求項１４記載の流量センサにおいて、前記金属を含む窒化化合物は、ＭｏＮ、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＷＮまたはＮｉＮであることを特徴とする流量センサ。
【請求項１６】
請求項１記載の流量センサにおいて、前記流量センサは、支持体および外部回路と共に熱式空気流量計に実装されて、空気流量を計測することを特徴とする流量センサ。
【請求項１７】
半導体基板上に絶縁膜を介して形成された発熱抵抗体と測温抵抗体とを含み、流体または気体流量を計測する流量センサであって、少なくとも前記測温抵抗体は金属膜で構成され、前記絶縁膜上に金属を含む非晶質膜が設けられ、前記金属膜が前記金属を含む非晶質膜の直上に形成され、前記金属膜の抵抗率が、前記金属膜を構成する主成分の金属元素からなるインゴットの３倍以下の抵抗率を有し、前記金属膜の抵抗温度係数が２０００ｐｐｍ／℃以上であることを特徴とする流量センサ。
【請求項１８】
請求項１７記載の流量センサにおいて、前記金属膜がＭｏ膜であることを特徴とする流量センサ。
【請求項１９】
請求項１７記載の流量センサにおいて、前記金属膜がＴａ膜であり、前記Ｔａ膜の抵抗温度係数が２５００ｐｐｍ／℃以上であることを特徴とする流量センサ。
【請求項２０】
請求項９記載の流量センサにおいて、前記金属膜は、Ｔａ膜、Ｍｏ膜、Ｔｉ膜、Ｗ膜、Ｃｏ膜、Ｎｉ膜、Ｎｂ膜、Ｈｆ膜、Ｃｒ膜、Ｚｒ膜またはＦｅ膜であることを特徴とする流量センサ。
【請求項２１】
請求項９記載の流量センサにおいて、前記金属膜がＴａ膜であり、体心立方晶系構造のＴａが、前記Ｔａ膜の５０％以上を占めることを特徴とする流量センサ。
【請求項２２】
請求項９記載の流量センサにおいて、前記金属膜は、１００ｎｍ以上の径を有する結晶粒が全体の５０％以上を占める多結晶であることを特徴とする流量センサ。
【請求項２３】
請求項２１記載の流量センサにおいて、前記Ｔａ膜は複数のＴａ結晶粒を含み、複数の前記Ｔａ結晶粒の間は、粒内の結晶格子配列が双晶の関係にある、または２０度以内の格子面傾角である小傾角粒界の関係にあることを特徴とする流量センサ。
【請求項２４】
請求項２３記載の流量センサにおいて、粒内の結晶格子配列が双晶の関係にある、または２０度以内の格子面傾角である小傾角粒界の関係にある隣接粒界接触を有する複数の前記Ｔａ結晶粒が、多結晶領域の約３０％を占めることを特徴とする流量センサ。
【請求項２５】
請求項９記載の流量センサにおいて、前記金属膜の上層に金属を含む酸化化合物が形成されていることを特徴とする流量センサ。
【請求項２６】
請求項２５記載の流量センサにおいて、前記金属を含む酸化化合物は、ＡｌＯｘ、ＭｏＯｘ、ＴａＯｘまたはＴｉＯｘであることを特徴とする流量センサ。
【請求項２７】
請求項１記載の流量センサにおいて、前記金属膜の上層に金属を含む窒化化合物が形成されていることを特徴とする流量センサ。
【請求項２８】
請求項２７記載の流量センサにおいて、前記金属を含む窒化化合物は、ＭｏＮ、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＷＮまたはＮｉＮであることを特徴とする流量センサ。
【請求項２９】
請求項９記載の流量センサにおいて、前記流量センサは、支持体および外部回路と共に熱式空気流量計に実装されて、空気流量を計測することを特徴とする流量センサ。
【請求項３０】
半導体基板上に絶縁膜を介して形成された発熱抵抗体と測温抵抗体とを含み、流体または気体流量を計測する流量センサであって、少なくとも前記測温抵抗体は金属膜で構成され、前記金属膜の抵抗率が、前記金属膜を構成する主成分の金属元素からなるインゴットの３倍以下の抵抗率を有し、前記金属膜の抵抗温度係数が２０００ｐｐｍ／℃以上であり、
前記金属膜は、前記金属膜の配向を高めるように改質された前記絶縁膜の表面に形成されることを特徴とする流量センサ。
【請求項３１】
請求項３０記載の流量センサにおいて、前記金属膜がＭｏ膜であることを特徴とする流量センサ。
【請求項３２】
請求項３０記載の流量センサにおいて、前記金属膜がＴａ膜であり、前記Ｔａ膜の抵抗温度係数が２５００ｐｐｍ／℃以上であることを特徴とする流量センサ。