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【手続補正書】
【提出日】平成22年9月22日(2010.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板切断位置を含むスクライブ領域により複数の半導体装置形成領域に区分された半導体基板を準備する工程と、前記半導体基板の前記半導体装置形成領域に半導体集積回路を形成する工程と、前記半導体集積回路上に電極パッドを形成する工程と、前記半導体集積回路の前記電極パッドを除く部分を保護膜により被覆する工程と、を含む半導体チップ形成工程と、
前記電極パッド上に、内部接続端子を形成する内部接続端子形成工程と、
前記内部接続端子の少なくとも上面を露出するように、前記スクライブ領域及び前記半導体装置形成領域上に、第１の絶縁層を形成する第１の絶縁層形成工程と、
前記第１の絶縁層上に、前記内部接続端子と電気的に接続される配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、
前記第１の絶縁層上に、前記配線パターンを覆うように第２の絶縁層を形成する第２の絶縁層形成工程と、を有し、
前記第２の絶縁層は開口部を備え、前記開口部は、外部接続端子が配設される外部接続端子配設領域において前記配線パターンが露出するように、かつ、前記基板切断位置を含む前記スクライブ領域の全部又は一部において前記第１の絶縁層が露出するように形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
更に、前記第２の絶縁層形成工程の後、前記外部接続端子配設領域に前記外部接続端子を設ける工程と、
前記第１の絶縁層及び前記半導体基板を含む部分を前記基板切断位置で切断し、個片化された複数の半導体装置を形成する工程と、を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２の絶縁層は、ソルダーレジストであることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の絶縁層は、非感光性の絶縁材料によって形成されることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記開口部は、エッチング処理工程を含むフォトリソグラフィ法によって形成されることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた半導体集積回路と、前記半導体集積回路上に設けられ電極パッドと、前記半導体集積回路の前記電極パッドを除く部分を被覆する保護膜と、を含む半導体チップと、
前記電極パッド上に形成された内部接続端子と、
前記内部接続端子の少なくとも上面を露出するように、前記半導体チップ上に形成された第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に形成された、前記内部接続端子と電気的に接続する配線パターンと、
前記第１の絶縁層上に前記配線パターンを覆うように形成された第２の絶縁層と、を有し、
前記第２の絶縁層は開口部を備え、前記開口部は、外部接続端子が配設される外部接続端子配設領域において前記配線パターンが露出するように、かつ、基板切断位置を含むスクライブ領域の全部又は一部において前記第１の絶縁層が露出するように形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
更に、前記外部接続端子配設領域に、前記配線パターンと電気的に接続される前記外部接続端子を有することを特徴とする請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記半導体チップの上面は前記第１の絶縁層に覆われ、前記第１の絶縁層の上面の外周部は前記第２の絶縁層から露出していることを特徴とする請求項６又は７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１の絶縁層は、非感光性の絶縁材料によって形成されていることを特徴とする請求項６乃至８の何れか一項記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第２の絶縁層は、ソルダーレジストであることを特徴とする請求項６乃至９の何れか一項記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本半導体装置の製造方法は、基板切断位置を含むスクライブ領域により複数の半導体装置形成領域に区分された半導体基板を準備する工程と、前記半導体基板の前記半導体装置形成領域に半導体集積回路を形成する工程と、前記半導体集積回路上に電極パッドを形成する工程と、前記半導体集積回路の前記電極パッドを除く部分を保護膜により被覆する工程と、を含む半導体チップ形成工程と、前記電極パッド上に、内部接続端子を形成する内部接続端子形成工程と、前記内部接続端子の少なくとも上面を露出するように、前記スクライブ領域及び前記半導体装置形成領域上に、第１の絶縁層を形成する第１の絶縁層形成工程と、前記第１の絶縁層上に、前記内部接続端子と電気的に接続される配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、前記第１の絶縁層上に、前記配線パターンを覆うように第２の絶縁層を形成する第２の絶縁層形成工程と、を有し、前記第２の絶縁層は開口部を備え、前記開口部は、外部接続端子が配設される外部接続端子配設領域において前記配線パターンが露出するように、かつ、前記基板切断位置を含む前記スクライブ領域の全部又は一部において前記第１の絶縁層が露出するように形成されることを要件とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた半導体集積回路と、前記半導体集積回路上に設けられ電極パッドと、前記半導体集積回路の前記電極パッドを除く部分を被覆する保護膜と、を含む半導体チップと、前記電極パッド上に形成された内部接続端子と、前記内部接続端子の少なくとも上面を露出するように、前記半導体チップ上に形成された第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上に形成された、前記内部接続端子と電気的に接続する配線パターンと、前記第１の絶縁層上に前記配線パターンを覆うように形成された第２の絶縁層と、を有し、前記第２の絶縁層は開口部を備え、前記開口部は、外部接続端子が配設される外部接続端子配設領域において前記配線パターンが露出するように、かつ、基板切断位置を含むスクライブ領域の全部又は一部において前記第１の絶縁層が露出するように形成されていることを要件とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月21日(2010.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨面を有する研磨テーブルと、
導電膜を表面に有する被研磨物を保持し、該導電膜を前記研磨面に摺接させて研磨するトップリングと、
前記トップリングで保持した被研磨物の導電膜に向けて多波長光を照射して該導電膜で反射した反射光を受光し、該反射光を分光し複数種類の特定波長成分の反射率の変化を計測して導電膜の研磨状態を監視する光学式センサと、
前記被研磨物を前記研磨面に向けて押圧する押圧力を制御する制御部を有することを特徴とする研磨装置。
【請求項２】
前記光学式センサは、前記導電膜が所定の膜厚になったことを検知した時に前記制御部に信号を送信し、前記制御部は、前記信号を基準に研磨条件を第１研磨条件から第２研磨条件に切替ることを特徴とする請求項１記載の研磨装置。
【請求項３】
前記第２研磨条件は、前記第１研磨条件に比べて、被研磨物を前記研磨面に向けて押圧する押圧力が小さいことを特徴とする請求項２記載の研磨装置。
【請求項４】
前記光学式センサは、第１研磨条件で研磨している時に反射率の変化を計測する波長と異なる波長を用いて、前記第２研磨条件で研磨している時の反射率の変化を計測することを特徴とする請求項２または３記載の研磨装置。
【請求項５】
前記導電膜はタングステン膜または銅膜であり、前記光学式センサは、反射光のうち１９０〜８００ｎｍの波長における反射率の変化を計測することを請求項１乃至４のいずれか一項に記載の研磨装置。
【請求項６】
前記導電膜はタングステン膜または銅膜であり、前記光学式センサは、反射光のうち４００ｎｍ、６００ｎｍ及び８００ｎｍの波長における反射率の変化を計測することを請求項１乃至４のいずれか一項に記載の研磨装置。
【請求項７】
前記導電膜はタングステン膜であり、前記光学式センサは、前記タングステン膜の膜厚が８０ｎｍになったことを検知した時に前記制御部に信号を送信することを特徴とする請求項５または６記載の研磨装置。
【請求項８】
前記導電膜は銅膜であり、前記光学式センサは、前記銅膜の膜厚が１００ｎｍ以下になったことを検知した時に前記制御部に信号を送信することを特徴とする請求項５または６記載の研磨装置。
【請求項９】
被研磨物の導電膜を研磨面に所定の押圧力で押圧しつつ摺接させて該導電膜表面を研磨し、
研磨中に、被研磨物の導電膜に向けて多波長光を照射して該導電膜で反射した反射光を受光し、該反射光を分光し複数種類の特定波長成分の反射率の変化を計測して、導電膜の研磨状態を光学式センサで監視し、
前記導電膜が所定の膜厚になったことを前記光学式センサで検知した時に研磨条件を第１研磨条件から第２研磨条件に切替ることを特徴とする研磨方法。
【請求項１０】
前記第２研磨条件は、前記第１研磨条件に比べて、前記被研磨物の導電膜を前記研磨面に向けて押圧する押圧力が小さいことを特徴とする請求項９記載の研磨方法。
【請求項１１】
前記光学式センサは、第１研磨条件で研磨している時に反射率の変化を計測する波長と異なる波長を用いて、前記第２研磨条件で研磨している時の反射率の変化を計測することを特徴とする請求項９または１０記載の研磨方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項１に記載の発明は、研磨面を有する研磨テーブルと、導電膜を表面に有する被研磨物を保持し、該導電膜を前記研磨面に摺接させて研磨するトップリングと、前記トップリングで保持した被研磨物の導電膜に向けて多波長光を照射して該導電膜で反射した反射光を受光し、該反射光を分光し複数種類の特定波長成分の反射率の変化を計測して導電膜の研磨状態を監視する光学式センサと、前記被研磨物を前記研磨面に向けて押圧する押圧力を制御する制御部を有することを特徴とする研磨装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
請求項４に記載の発明は、前記光学式センサは、第１研磨条件で研磨している時に反射率の変化を計測する波長と異なる波長を用いて、前記第２研磨条件で研磨している時の反射率の変化を計測することを特徴とする請求項２または３記載の研磨装置である。
請求項５に記載の発明は、前記導電膜はタングステン膜または銅膜であり、前記光学式センサは、反射光のうち１９０〜８００ｎｍの波長における反射率の変化を計測することを請求項１乃至４のいずれか一項に記載の研磨装置である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
請求項６に記載の発明は、前記導電膜はタングステン膜または銅膜であり、前記光学式センサは、反射光のうち４００ｎｍ、６００ｎｍ及び８００ｎｍの波長における反射率の変化を計測することを請求項１乃至４のいずれか一項に記載の研磨装置である。
請求項７に記載の発明は、前記導電膜はタングステン膜であり、前記光学式センサは、前記タングステン膜の膜厚が８０ｎｍになったことを検知した時に前記制御部に信号を送信することを特徴とする請求項５または６記載の研磨装置である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
請求項８に記載の発明は、前記導電膜は銅膜であり、前記光学式センサは、前記銅膜の膜厚が１００ｎｍ以下になったことを検知した時に前記制御部に信号を送信することを特徴とする請求項５または６記載の研磨装置である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
請求項９に記載の発明は、被研磨物の導電膜を研磨面に所定の押圧力で押圧しつつ摺接させて該導電膜表面を研磨し、研磨中に、被研磨物の導電膜に向けて多波長光を照射して該導電膜で反射した反射光を受光し、該反射光を分光し複数種類の特定波長成分の反射率の変化を計測して、導電膜の研磨状態を光学式センサで監視し、前記導電膜が所定の膜厚になったことを前記光学式センサで検知した時に研磨条件を第１研磨条件から第２研磨条件に切替ることを特徴とする研磨方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月24日(2010.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
従来、半導体チップがフリップチップ実装されるはんだバンプを備えた配線基板がある。従来の配線基板のはんだバンプの形成方法では、図１（ａ）に示すように、まず、はんだバンプが形成される配線基板１００が用意される。配線基板１００では、ビルドアップ配線（不図示）に接続された接続パッド２００が層間絶縁層１１０の上に形成されており、接続パッド２００上に開口部３００ａが設けられたソルダレジスト３００が形成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
このように、本実施形態では、接続パッドＣ１上のソルダレジスト１８の開口部１８ａにはんだボールなどから形成されるはんだ層３２を埋め込んで平坦化した後に、第２導電性ボール５０をはんだ層３２の上に別途積み上げて導電性バンプＢを得るようにしている。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月1日(2010.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
２コイル目以降のコイルの、前記１コイル目の位置に対する相対位置の算出は、例えば
、以下のようにして行うことができる。
１コイル目：絶対座標（ｘ１，ｙ１）
２コイル目：絶対座標（ｘ２，ｙ２）＝相対位置（ｘ＝ｘ２−ｘ１，ｙ＝ｙ２−ｙ１）
３コイル目以降も２コイル目と同様に最終コイルまで相対位置の算出を繰り返す（Ｓ２５
での判断が「Ｎｏ」の場合）。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月26日(2010.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金融営業店に設置された貨幣取引処理装置において、
操作手順を表示し必要な入力を行うための操作表示手段を備えるとともに、
前記操作表示手段は、手順の異なる複数の操作モードを備え、前記操作モードは入金処理に係るものであり、
前記複数の操作モードが、現金の投入の都度計数開始ボタンを押下することで計数を開始する操作計数モードと、分割入金における二回目以降の現金投入からは現金投入を検知して自動的に計数がスタートする連続計数モードとを備えたことを特徴とする貨幣取引処理装置。
【請求項２】
行員又は顧客のいずれが占有している状態にあるのかを検知する占有状態検知手段を備え、
前記占有状態検知手段の出力によって予め対応付けられた前記操作計数モード又は連続計数モードのいずれかを選択するモード選択手段を備えていることを特徴とする請求項１に記載の貨幣取引処理装置。
【請求項３】
操作者によって前記操作表示手段より入力されたモード選択情報によって前記操作計数モード又は連続計数モードのいずれかを選択するモード選択手段を備えていることを特徴とする請求項１に記載の貨幣取引処理装置。
【請求項４】
前記モード選択情報が、前記操作者が行員若しくは顧客か、又は連続計数モード選択希望者若しくは操作計数モード選択希望者かを識別可能なＩＤ情報であり、
前記モード選択手段が、前記ＩＤ情報によって対応するモードを選択することを特徴とする請求項３に記載の貨幣取引処理装置。
【請求項５】
前記モード選択情報を格納したカードと、
前記カード内に格納された前記モード選択情報を読み取るカード処理手段を、前記操作表示手段と一体に、若しくは独立して設け、
前記モード選択手段が、前記カード処理手段で読み取られた前記モード選択情報に基づいて、前記操作計数モード又は連続計数モードのいずれかを選択することを特徴とする請求項３又は４に記載の貨幣取引処理装置。
【請求項６】
さらに、一時停止ボタンを備え、
前記連続計数モードの動作中において、前記一時停止ボタンの操作によって一時停止されると前記操作計数モードに切り替わり、前記計数開始ボタンによって計数が再開した後は前記連続計数モードに復帰することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の貨幣取引処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、金融営業店に設置された貨幣取引処理装置に関し、本発明の上記目的は、
操作手順を表示し必要な入力を行うための操作表示手段を備えるとともに、前記操作表示手段は、手順の異なる複数の操作モードを備え、前記操作モードは入金処理に係るものであり、前記複数の操作モードが、現金の投入の都度計数開始ボタンを押下することで計数を開始する操作計数モードと、分割入金における二回目以降の現金投入からは現金投入を検知して自動的に計数がスタートする連続計数モードとを備えたことを特徴とする貨幣取引処理装置によって達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月9日(2010.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画面に画像を表示するための光を透過させる複数色のカラーフィルタと、
前記画面から入射する光を透過させる検出用フィルタと、
前記検出用フィルタを通して前記画面から入射する光を検出する光センサと、
を有し、
前記複数色のカラーフィルタのうち２色以上のカラーフィルタは、第１の波長域内の、当該複数色のカラーフィルタ間で互いに異なる波長域において透過率が高くなり、かつ、前記第１の波長域とは異なる第２の波長域においても透過率が高くなる分光特性を有し、
前記検出用フィルタは、前記画面内において当該検出用フィルタの所定方向の２辺それぞれにおいて前記カラーフィルタと隣接し、前記２色以上のカラーフィルタをそれぞれ構成するフィルタ材料と同じフィルタ材料を積層して形成されている
表示装置。
【請求項２】
前記検出用フィルタは、前記複数色のカラーフィルタが設けられたカラーフィルタ基板上の前記画面内において、前記複数色のカラーフィルタの配置領域とは異なる領域に複数の前記光センサの配置に対応して設けられている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１の波長域は可視光の波長域であり、
前記第２の波長域は非可視光の波長域である
請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記複数色のカラーフィルタは、３色以上設けられ、
前記検出用フィルタは、２色の前記カラーフィルタを構成するフィルタ材料と同じフィルタ材料のみを積層して有している
請求項１から３いずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記検出用フィルタは、前記複数色のカラーフィルタを構成するフィルタ材料と同じフィルタ材料の全てを積層して有している
請求項１から３いずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記複数色のカラーフィルタは、赤色、緑色、および青色の３色のカラーフィルタからなり、前記検出用フィルタは、その１辺が赤色のカラーフィルタと、他の１辺が青色のカラーフィルタと辺同士が隣接している
請求項１から５いずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
平面視において、第１の方向に長く形成された一の色の前記フィルタ材料の層が、前記第１の方向と直交する第２の方向に複数配列され、
平面視において、前記第２の方向に長く形成された他の色の前記フィルタ材料の層が、前記第１の方向に複数配列され、
前記一の色のフィルタ材料の層と前記他の色のフィルタ材料の層との、互いに重ならない部分により前記カラーフィルタが形成され、互いに重なる部分により前記検出用フィルタが形成されている
請求項１から６いずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記画面から入射する光を遮光する遮光部と、
前記遮光部の背後に配置され、光を検出可能なノイズ除去用センサと、
前記光センサの検出値から前記ノイズ除去用センサの検出値に基づく補正値を減算する演算部と、
を更に有する請求項１から７いずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
第１の色のカラーフィルタ材料により形成された第１の層の上の一部に前記第１の色と異なる第２の色のカラーフィルタ材料により形成された第２の層を積層して前記検出用フィルタが形成されている
請求項１から８いずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第２の色のカラーフィルタ材料により形成された前記第２の層と連続する層の下の一部に前記第１の色のカラーフィルタ材料により形成された前記第１の層と連続する層を積層して前記検出用フィルタが形成されている
請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
第１の色のカラーフィルタ材料により形成された第１の層の下の一部に前記第１の色と異なる第２の色のカラーフィルタ材料により形成された第２の層を前記第１の層が覆うように積層して前記検出用フィルタが形成されている
請求項１から５いずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１２】
画面から入射する光を検出可能な表示装置の製造方法であって、
第１の波長域内の第３の波長域、及び、第１の波長域とは異なる第２の波長域において光の透過率が高くなる第１の色のフィルタ材料の層を形成する第１工程と、
前記第１の波長域内の前記第３の波長域とは異なる第４の波長域、及び、前記第２の波長域において光の透過率が高くなる第２の色のフィルタ材料の層を、前記第１の色のフィルタ材料の層に対して、一部の領域において重なり、当該一部の領域の所定方向の２辺それぞれに隣接する他の領域において重ならないように形成する第２工程と、
前記画面から出射する画像を表示するための光を透過させる前記他の領域の間の前記第１の色のフィルタ材料の層と前記第２の色のフィルタ材料の層とが重なる部分の背後に光を検出可能なセンサを配置する第３工程と、
を有する表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１及び第２工程では、フォトリソグラフィーにより前記第１及び第２の色のフィルタ材料の層を形成する
請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１４】
画面内に配置され、当該画面から出射する画像を表示するための光を透過させる複数色のカラーフィルタの間に前記画面から入射する光を検出可能な光センサが画面内の所定領域に設けられた表示装置の製造方法であって、
第１の波長域内の第３の波長域、及び、第１の波長域とは異なる第２の波長域において光の透過率が高くなる第１の色のフィルタ材料の層を形成する第１工程と、
前記第１の波長域内の前記第３の波長域とは異なる第４の波長域、及び、前記第２の波長域において光の透過率が高くなる第２の色のフィルタ材料の層を、前記第１の色のフィルタ材料の層に対して、前記所定領域において重なり、他の領域において重ならないように形成する第２工程と、
を有する表示装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月3日(2010.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極層と負極層が固体電解質層を介して交互に積層した積層体を焼成して形成する多層全固体型のリチウムイオン二次電池において、前記正極層、前記負極層、及び前記固体電解質層を形成する材料中にホウ素化合物が添加されており、層間剥離がないことを特徴とするリチウムイオン二次電池。
【請求項２】
前記ホウ素化合物の添加量が酸化ホウ素換算重量で、正極材重量、負極材重量、及び固体電解質材重量のそれぞれに対して０．１５ｗｔ％以上であることを特徴とする請求項１記載のリチウムイオン二次電池。
【請求項３】
前記ホウ素化合物の添加量は、１．０ｗｔ％以上であることを特徴とする請求項２記載のリチウムイオン二次電池。
【請求項４】
前記固体電解質層の固体電解質材料は、ケイリン酸リチウム（Ｌｉ３．５Ｓｉ０．５Ｐ０．５Ｏ４）、リン酸チタンリチウム（ＬｉＴｉ２（ＰＯ４）２）、リン酸ゲルマニウムリチウム（ＬｉＧｅ２（ＰＯ４）３）、Ｌｉ２Ｏ−ＳｉＯ２、Ｌｉ２Ｏ−Ｖ２Ｏ５−ＳｉＯ２、Ｌｉ２Ｏ−Ｐ２Ｏ５−Ｂ２Ｏ３、Ｌｉ２Ｏ−ＧｅＯ２よりなる群から選択される少なくとも１種であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載のリチウムイオン二次電池。
【請求項５】
前記固体電解質材料は、さらに、異種元素や、Ｌｉ３ＰＯ４、ＬｉＰＯ３、Ｌｉ４ＳｉＯ４、Ｌｉ２ＳｉＯ３、ＬｉＢＯ２をドープした材料であることを特徴とする請求項４記載のリチウムイオン二次電池。
【請求項６】
前記正極層又は負極層を構成する材料は、リチウムマンガン複合酸化物、リチウムニッケル複合酸化物、リチウムコバルト複合酸化物、リチウムバナジウム複合酸化物、リチウムチタン複合酸化物、二酸化マンガン、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化バナジウム、酸化タングステンのいずれかであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載のリチウムイオン二次電池。
【請求項７】
固体電解質材料がケイリン酸リチウムであり、正極層を構成する材料は、リチウムマンガン酸複合酸化物であり、負極層を構成する材料はリチウムチタン複合酸化物である請求項１乃至６のいずれか１項記載のリチウムイオン二次電池。
【請求項８】
前記ホウ素化合物が、Ｂ２Ｏ３、又は、熱分解若しくは酸化によりＢ２Ｏ３を生成する化合物であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項記載のリチウムイオン二次電池。
【請求項９】
正極層と負極層が固体電解質層を介して交互に積層した積層体を焼成して形成する多層全固体型のリチウムイオン二次電池において、前記正極層、前記負極層、及び前記固体電解質層に添加し、前記焼成を促進するホウ素化合物からなる焼結助剤。
【請求項１０】
少なくとも、正極材料をビヒクルに分散して正極用ペーストを形成する工程と、固体電解質材料をビヒクルに分散して固体電解質用ペーストを形成する工程と、負極材料をビヒクルに分散して負極用ペーストを形成する工程と、前記正極用ペーストを塗布乾燥して正極シートを形成する工程と、前記固体電解質用ペーストを塗布乾燥して固体電解質シートを形成する工程と、前記負極用ペーストを塗布乾燥して負極シートを形成する工程と、前記正極シート、前記固体電解質シート、及び、前記負極シートを積層して積層体を形成する工程と、前記積層体を焼成して焼結積層体を形成する工程からなり、前記正極材料、前記固体電解質材料、及び前記負極材料にホウ素化合物を添加し一括焼成することを特徴とするリチウムイオン二次電池の製造方法。
【請求項１１】
前記ホウ素化合物の添加量が酸化ホウ素換算重量で、正極材重量、負極材重量、及び固体電解質材重量のそれぞれに対して０．１５ｗｔ％以上であることを特徴とする請求項１０記載のリチウムイオン二次電池。
【請求項１２】
前記酸化ホウ素の添加量は、１．０ｗｔ％以上であることを特徴とする請求項１１記載のリチウムイオン二次電池。
【請求項１３】
前記固体電解質層の固体電解質材料は、ケイリン酸リチウム（Ｌｉ３．５Ｓｉ０．５Ｐ０．５Ｏ４）、リン酸チタンリチウム（ＬｉＴｉ２（ＰＯ４）２）、リン酸ゲルマニウムリチウム（ＬｉＧｅ２（ＰＯ４）３）、Ｌｉ２Ｏ−ＳｉＯ２、Ｌｉ２Ｏ−Ｖ２Ｏ５−ＳｉＯ２、Ｌｉ２Ｏ−Ｐ２Ｏ５−Ｂ２Ｏ３、Ｌｉ２Ｏ−ＧｅＯ２よりなる群から選択される少なくとも１種であることを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか１項記載のリチウムイオン二次電池の製造方法。
【請求項１４】
前記固体電解質材料は、さらに、異種元素や、Ｌｉ３ＰＯ４、ＬｉＰＯ３、Ｌｉ４ＳｉＯ４、Ｌｉ２ＳｉＯ３、ＬｉＢＯ２をドープした材料であることを特徴とする請求項１０乃至１３のいずれか１項記載のリチウムイオン二次電池の製造方法。
【請求項１５】
前記正極層又は負極層を構成する材料は、リチウムマンガン複合酸化物、リチウムニッケル複合酸化物、リチウムコバルト複合酸化物、リチウムバナジウム複合酸化物、リチウムチタン複合酸化物、二酸化マンガン、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化バナジウム、酸化タングステンのいずれかであることを特徴とする請求項１０乃至１４のいずれか１項記載のリチウムイオン二次電池の製造方法。
【請求項１６】
固体電解質材料がケイリン酸リチウムであり、正極層を構成する材料は、リチウムマンガン酸複合酸化物であり、負極層を構成する材料はリチウムチタン複合酸化物である請求項１０乃至１５のいずれか１項記載のリチウムイオン二次電池。
【請求項１７】
前記ホウ素化合物がＢ２Ｏ３、又は、熱分解若しくは酸化によりＢ２Ｏ３を生成する化合物であることを特徴とする請求項１０乃至１６のいずれか１項記載のリチウムイオン二次電池の製造方法。
【請求項１８】
前記焼成を行う工程における焼成温度が、６００℃以上、１１００℃以下であることを特徴とする請求項１０乃至１７のいずれか１項記載のリチウムイオン二次電池の製造方法。
【請求項１９】
前記焼成を行う工程における焼成温度が、７００℃以上、１１００℃以下であることを特徴とする請求項１０乃至１８のいずれか１項記載のリチウムイオン二次電池の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月8日(2010.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有料道路のサービスエリア又はパーキングエリアから本線又は登坂車線に合流する車両の逆走を防止する逆走防止装置であって、
車両が、有料道路のサービスエリア又はパーキングエリアに進入したことを検出する進入検出手段と、
該進入検出手段により、前記車両の前記サービスエリア又は前記パーキングエリアへの進入が検出されたときに、前記車両が逆走しているか否かを判定する逆走判定手段と、
該逆走判定手段により、前記車両が逆走していると判定されたときには、警報を発する警報手段と、を有することを特徴とする逆走防止装置。
【請求項２】
前記進入検出手段により、前記車両の前記サービスエリア又は前記パーキングエリアへの進入が検出されたときに、走行中の路面の路面標示を撮像する撮像手段を更に有し、
前記逆走判定手段は、該撮像手段により撮像された前記路面標示の映像から逆走パターンを認識することにより、前記車両が逆走しているか否かを判定することを特徴とする請求項１に記載の逆走防止装置。
【請求項３】
前記逆走判定手段は、前記路面標示の前記映像から順走パターンを認識して前記車両が順走していることを確認し、
前記撮像手段は、前記車両が順走していると確認されたときに撮像を終了することを特徴とする請求項２に記載の逆走防止装置。
【請求項４】
前記逆走パターンは、区画線の形状と線幅を特徴点とする画像認識パターンであることを特徴とする請求項２又は３に記載の逆走防止装置。
【請求項５】
前記進入検出手段は、ナビゲーション手段を有し、
該ナビゲーション手段が、自車位置が前記サービスエリア内又は前記パーキングエリア内にあるか否かを検出することにより、前記サービスエリア又は前記パーキングエリアへの進入を検出することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の逆走防止装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するため、第１の発明に係る逆走防止装置は、有料道路のサービスエリア又はパーキングエリアから本線又は登坂車線に合流する車両の逆走を防止する逆走防止装置であって、
車両が、有料道路のサービスエリア又はパーキングエリアに進入したことを検出する進入検出手段と、
該進入検出手段により、前記車両の前記サービスエリア又は前記パーキングエリアへの進入が検出されたときに、前記車両が逆走しているか否かを判定する逆走判定手段と、
該逆走判定手段により、前記車両が逆走していると判定されたときには、警報を発する警報手段と、を有することを特徴とする。
第２の発明は、第１の発明に係る逆走防止装置において、前記進入検出手段により、前記車両の前記サービスエリア又は前記パーキングエリアへの進入が検出されたときに、走行中の路面の路面標示を撮像する撮像手段を更に有し、
前記逆走判定手段は、該撮像手段により撮像された前記路面標示の映像から逆走パターンを認識することにより、前記車両が逆走しているか否かを判定することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
第３の発明は、第２の発明に係る逆走防止装置において、
前記逆走判定手段は、前記路面標示の前記映像から順走パターンを認識して前記車両が順走していることを確認し、
前記撮像手段は、前記車両が順走していると確認されたときに撮像を終了することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
第４の発明は、第２又は第３の発明に係る逆走防止装置において、
前記逆走パターンは、区画線の形状と線幅を特徴点とする画像認識パターンであることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
第５の発明は、第１〜４のいずれか一つの発明に係る逆走防止装置において、
前記進入検出手段は、ナビゲーション手段を有し、
該ナビゲーション手段が、自車位置が前記サービスエリア内又は前記パーキングエリア内にあるか否かを検出することにより、前記サービスエリア又は前記パーキングエリアへの進入を検出することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月15日(2010.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のＩＰ機器が送受するＩＰパケットを中継する中継装置であって、
前記ＩＰ機器毎に、当該ＩＰ機器の在席情報を記憶する在席情報記憶手段と、
前記ＩＰ機器毎に、在席状態を監視するために用いるＩＰパケットの条件が記憶された監視条件記憶手段と、
前記ＩＰ機器から受信したＩＰパケットが、当該ＩＰ機器に対応付けられて前記監視条件記憶手段に記憶されている前記条件に合致するか否かを判断する判断手段と、
前記判断手段により前記条件に合致すると判断されたＩＰパケットの送信元である前記ＩＰ機器に対応付けられて前記在席情報記憶手段に記憶されている前記在席情報を、「在席」に更新する更新手段と、を有する
ことを特徴とする中継装置。
【請求項２】
請求項１に記載の中継装置であって、
少なくとも何れか一つの前記ＩＰ機器に対応付けられて前記監視条件記憶手段に記憶されているＩＰパケットの条件は、
当該ＩＰパケットが、所定の呼制御サーバを宛先とする呼制御パケット、または所定のメールサーバを宛先とするパケットである
ことを特徴とする中継装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の中継装置であって、
前記更新手段は、
前記在席情報記憶手段に記憶されている、「在席」に更新してから所定時間を経過した在席情報のうち、「在席」に更新してから当該所定時間を経過するまでの間に、対応する前記ＩＰ機器からＩＰパケットを受信しなかった在席情報を「不在」に更新する
ことを特徴とする中継装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の中継装置であって、
前記ＩＰ機器毎に、監視時間帯および通知先を含む監視スケジュールが記憶された監視スケジュール記憶手段と、
前記更新手段により、前記在席情報記憶手段に記憶されている在席情報が「在席」に更新された場合に、当該在席情報の更新時刻が、当該在席情報に対応する前記ＩＰ機器に対応付けられて前記監視スケジュール記憶手段に記憶されている監視スケジュールに含まれる監視時間帯に属するならば、当該監視スケジュールに含まれている通知先に、当該在席情報を通知する在席情報通知手段と、をさらに有する
ことを特徴とする中継装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の中継装置であって、
在席状態を監視するために用いるＩＰパケットの条件を含む条件登録要求パケットを受信する条件登録要求パケット受信手段と、
前記条件登録要求パケット受信手段より受信した前記条件登録要求パケットに含まれている前記条件を、当該条件登録要求パケットの送信元ＩＰ機器に対応付けて前記監視条件記憶手段に登録する監視条件登録手段と、をさらに有する
ことを特徴とする中継装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月20日(2009.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２４
【補正方法】追加
【補正の内容】
【請求項２４】
３行５列の字母・符号入力鍵盤に対して、一般的なパソコンに設定されるのと同規模の操作鍵を設定した小型入力端末。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月19日(2010.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドキュメント処理装置のサービス作業を開始する手段と、
前記ドキュメント処理装置のサービス作業の開始後、前記ドキュメント処理装置のサービス作業に対応するログ・データを関連する記憶装置に記録する手段と、
前記ドキュメント処理装置の管理者に指名されたシステム管理者のアドレスに対応するアドレス・データを保存する手段と、
サービス作業の終了次第、サービス作業を終結させる手段と、
報告のフォーマット指示を受信する手段と、
記録されたログ・データにしたがって保守作業報告データを生成する手段と、
前記保存されたアドレス・データと、前記受信した報告のフォーマット指示にしたがって、前記生成された保守作業報告データを前記システム管理者宛に選択的に送信する手段と
を有することを特徴とするドキュメント処理装置の保守作業報告システム。
【請求項２】
サービス作業開始に先だって、サービス作業を実行する保守サービス技術者の身元に関するデータを含むログイン・データを受信する手段を、さらに、有し、  
前記保守サービス技術者の前記身元に関するデータは、前記保守作業報告データに含められることを特徴とする請求項１に記載のドキュメント処理装置の保守作業報告システム。
【請求項３】
前記ドキュメント処理装置の作業に関連するエラー・コードを捕捉する手段を、さらに、有し、
前記エラー・コード・データは、前記保守作業報告データに含められることを特徴とする請求項１に記載のドキュメント処理装置の保守作業報告システム。
【請求項４】
ドキュメント処理装置のサービス作業を開始するステップと、
前記ドキュメント処理装置のサービス作業の開始後、前記ドキュメント処理装置のサービス作業に対応するログ・データを関連する記憶装置に記録するステップと、
前記ドキュメント処理装置の管理者に指名されたシステム管理者のアドレスに対応するアドレス・データを保存するステップと、
サービス作業の終了次第、サービス作業を終結させるステップと、
報告のフォーマット指示を受信するステップと、
記録されたログ・データにしたがって保守作業報告データを生成するステップと、
前記保存されたアドレス・データと、前記受信した報告のフォーマット指示にしたがって、前記生成された保守作業報告データをシステム管理者宛に選択的に送信するステップと
を含むことを特徴とするドキュメント処理装置の保守作業報告方法。
【請求項５】
サービス作業開始に先だって、サービス作業を実行する保守サービス技術者の身元に関するデータを含むログイン・データを受信するステップを、さらに、含み、
前記保守サービス技術者の前記身元に関するデータは、前記保守作業報告データに含められることを特徴とする請求項４に記載のドキュメント処理装置の保守作業報告方法。
【請求項６】
前記ドキュメント処理装置の作業に関連するエラー・コードを捕捉するステップを、さらに、含み、
前記エラー・コード・データは、前記保守作業報告データに含められることを特徴とする請求項４に記載のドキュメント処理装置の保守作業報告方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
例えば、本システムは、受信した報告のフォーマット指示にしたがって保守作業報告データの有形の印刷出力を生成する手段を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
保守報告データは、例えば、サービス作業の時期に対応するデータを含む。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月11日(2009.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線（１１４）を受光するように構成され、移動自在の患者載置面（１３０）上に載置された患者の第１の側面に配置されたＸ線検出器（１２０）と、
前記第１の側面と反対側の前記患者の第２の側面に沿って移動する間に複数の角度位置から前記Ｘ線検出器に向かってＸ線（１１４）を放出するように構成されているＸ線管（１１０）と、
前記複数の位置の各々から放出され、前記Ｘ線検出器（１２０）で受けた前記Ｘ線（１１４）に基づいた複数の投影画像を受けるように構成され、前記複数の投影画像から患者解剖学的構造の少なくとも１枚の平面を再構成するように構成されたコンピュータ装置と、
を備える、トモシンセシス・イメージング・システム。
【請求項２】
前記患者載置面（１３０）は前記イメージング・システム内で前記患者を移動するように構成されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記患者載置面（１３０）は担架である、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記患者解剖学的構造は前記患者の脊椎を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記Ｘ線管（１１０）は、前記移動自在の患者載置面（１３０）に近似的に等しい高さにおいて前記移動自在の患者載置面（１３０）の一辺に沿って移動することにより前記第２の側面に沿って移動するように構成されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記Ｘ線管（１１０）は、前記移動自在の患者載置面（１３０）よりも高い高さにおいて前記移動自在の患者載置面（１３０）の上方を移動することにより前記第２の側面に沿って移動するように構成されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記Ｘ線管（１１０）は、前記検出器（１２０）に対して一次元（「１Ｄ」）軌跡、二次元（「２Ｄ」）軌跡及び三次元（「３Ｄ」）軌跡の１又は複数を移動するように構成されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記Ｘ線の視野を調節するように構成されているコリメータと、
前記視野を調節するように前記コリメータを変更するように構成されているコリメータ・モータと、
を更に備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
患者解剖学的構造を撮像するためにトモシンセシスを用いる方法であって、
移動自在の患者載置面（１３０）上に載置された患者の第２の側面に沿ってＸ線管（１１０）を移動させるステップと、
該移動するステップの間に複数の角度位置においてＸ線（１１４）を前記第２の側面と反対側の前記患者の第２の側面に配置されたＸ線検出器に向けて放出するステップと、
前記複数の位置の各々から放出され、前記Ｘ線検出器（１２０）で受けた前記Ｘ線（１１４）に基づいた複数の投影画像を受けるステップと、
前記複数の投影画像から患者解剖学的構造の少なくとも１枚の平面を再構成するステップと、
を備えた方法。
【請求項１０】
前記移動させるステップは、前記移動自在の患者載置面（１３０）に近似的に等しい高さにおいて前記第２の側面に沿って前記Ｘ線管（１１０）を移動させる、請求項４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月12日(2009.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子棚ラベル及び通信制御装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信基地局を介して通信し、商品の価格及び情報を表示する電子棚ラベルであって、
前記電子棚ラベルによって実行される複数の処置プログラムと、前記処置プログラムのうちの１つまたは複数が前記通信基地局との通信不能により実行不能になった場合に通信不能に対応する処置プログラムと、を格納するメモリと、
前記電子棚ラベルが行う前記複数の処置プログラムの一つを選択し、前記基地局から当該電子棚ラベル宛ての通信が予め設定された指定時間内に当該電子棚ラベルにおいて受信されなかった場合に、これに対応する処置プログラムを選択するように動作するプロセッサと、を備え、
前記メモリは、前記複数の処置プログラムを制御するためのタイミング・シーケンスを格納するための複数のシーケンス・レジスタにより構成され、当該複数のシーケンス・レジスタのうちの少なくとも１つが前記通信不能に対応する処置プログラムの実行を指示する通信不能用のシーケンス・レジスタであって、
前記プロセッサは、前記電子棚ラベル宛ての通信が前記指定時間中に前記電子棚ラベルにより受信されなかった場合に、前記通信不能シーケンス・レジスタを能動レジスタとして選択することを特徴とする電子棚ラベル。
【請求項２】
前記通信不能に対応する処置プログラムが、通信不能メッセージの表示を含み、前記電子棚ラベルが、当該通信不能メッセージを表示するための表示画面を備える、請求項１に記載の電子棚ラベル。
【請求項３】
少なくとも１つの通信不能シーケンス・レジスタが、前記通信不能メッセージを表示する時間を指定する、請求項２に記載の電子棚ラベル。
【請求項４】
商品の価格及び情報を表示する電子棚ラベルとの通信を管理するための通信制御装置であって、
前記電子棚ラベルに送信するメッセージおよびコマンドの通信を行い、前記電子棚ラベルからの応答を受信するための通信インタフェースと、
前記電子棚ラベルに送信するメッセージおよびコマンドを作成し、前記電子棚ラベルにより実行するための通信不能に対応する処置プログラムを送信し、前記電子棚ラベル宛ての通信が予め設定された指定時間内に前記電子棚ラベルにより受信されなかった場合に、前記通信不能に対応する処置プログラムを実行する時間を指定するコマンドを送信するために動作するプロセッサと、
を備えることを特徴とする通信制御装置。
【請求項５】
前記通信不能に対応する処置プログラムは、前記電子棚ラベルに注意を喚起するための処置プログラムを含む、請求項４に記載の通信制御装置。
【請求項６】
前記通信不能に対応する処置プログラムは、通信不能メッセージの表示を含む、請求項５に記載の通信制御装置。
【請求項７】
前記プロセッサは、前記指定時間に前記通信不能に対応する処置プログラムの実行をスケジュールする前記電子棚ラベルに対してコマンドを発行し、その後、周期的におよび前記指定時間の前に、前記通信不能に対応する処置プログラムの実行を新しいおよび後で指定した時間に再スケジュールする新しいコマンドを発行するために動作する、請求項６に記載の通信制御装置。
【請求項８】
前記プロセッサは、前記電子棚ラベルの表示レジスタに格納するために前記電子棚ラベルに、通信不能メッセージの送信を指示するために動作し、前記プロセッサが、前記電子棚ラベルの通信不能シーケンス・レジスタに格納するために前記電子棚ラベルに、通信不能メッセージの表示を呼び出す時間シーケンスの送信を指示するためにさらに動作し、スケジュールしたシーケンス・レジスタに格納するためにスケジュールしたシーケンスの送信を指示するために動作し、前記スケジュールしたシーケンスが、指定時間に能動シーケンス・レジスタとしての前記通信不能シーケンス・レジスタの選択を指示する、請求項７に記載の通信制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月11日(2009.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＲＩマグネットの主磁場発生コイルによって占有された空間内部に関連撮像ボリュームを有するＭＲＩシステム（２００）を形成する方法であって、
前記主磁場発生コイルの少なくとも１つの巻線（１２０）を高温超電導材料で形成するステップと、
前記巻線を、該巻線の温度を低下させかつ前記巻線材料を主磁場を発生するときの超電導状態に置くために低温冷却を受けるためのヒートステーション（１５０）内に配置するステップと、
勾配コイル（１５６）を、該勾配コイルと前記巻線との間に熱放射シールドを配置しない状態で前記撮像ボリュームと前記巻線との間に配置するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
その中に撮像ボリュームと、前記撮像ボリュームの周りに配置された真空容器（１４０）と、前記真空容器内に配置された少なくとも１つの超電導コイル（１２０）と、前記撮像ボリューム内の磁場を調整するための少なくとも１つの勾配コイル（１５６）とを有するタイプの磁気共鳴イメージング（ＭＲＩ）システム（２００）を作動させる方法であって、
冷却装置から主コイルを収容した前記真空容器の一部分内に低温冷却を供給して該主コイルをＴｃ又はそれよりも低いが２０Ｋよりも高い温度の超電導状態に冷却するステップと、
前記超電導状態のままで前記コイルに通電するステップと、
前記勾配コイルと前記超電導主コイルとの間に熱シールドがない状態で該勾配コイルに通電するステップと、
を含む方法。
【請求項３】
その中に撮像ボリュームを備えた磁気共鳴イメージング（ＭＲＩ）システムであって、
前記撮像ボリュームの周りに配置された真空容器（１４０）と、
前記真空容器内に配置されかつ磁場を前記撮像ボリューム内に通すように構成された少なくとも１つの高温超電導コイル（１２０）と、
前記真空容器に連結されて前記超電導コイルを２０Ｋ以上の温度であるが超電導状態で作動させる低温冷却器（１５２）と、
前記撮像ボリューム内で磁場を調整するための少なくとも１つの勾配コイル（１５６）と、を含み、
前記勾配コイルが、該勾配コイルと前記超電導コイルとの間に挿置された何らの熱シールドもない状態で前記撮像ボリュームと前記超電導コイルとの間に配置される、
システム。
【請求項４】
その中に撮像ボリュームを備えた磁気共鳴イメージング（ＭＲＩ）システムであって、
前記撮像ボリュームの周りに配置された低温冷却容器（１４０）と、
主として高温超電導材料を含み、１０Ｋよりも高い又はそれに等しい温度で作動させるために前記低温冷却容器内に配置されて前記撮像ボリューム内に磁場を発生する少なくとも１つの主コイル（１２０）と、
前記発生磁場を調整するための少なくとも１つの勾配コイル（１５６）と、を含み、
前記勾配コイルが、前記容器の外部に配置され、さらに前記高温超電導材料が磁場を発生する作動温度により、前記主コイル及び勾配コイルがそれらの間に挿置された熱シールド構造体なしに作動することが可能になる、
システム。
【請求項５】
前記容器が、システム作動中に低温冷却を受けて前記主コイルを超電導状態に維持するように構成される、請求項４記載のシステム。
【請求項６】
前記容器の一部分内に、その中に熱交換のための冷凍剤を受け入れるのに十分な容積を可能にする熱リザーバ材料（１５４）をさらに含む、請求項４記載のシステム。
【請求項７】
その中に撮像ボリュームを備えた磁気共鳴イメージング（ＭＲＩ）システムであって、
前記撮像ボリュームの周りに配置された低温冷却容器（１４０）と、
主として高温超電導材料を含み、超電導状態で作動するように前記低温冷却容器内に構成にされて前記撮像ボリューム内に磁場を発生する少なくとも１つの主コイル（１２０）と、
前記発生磁場を調整するための少なくとも１つの勾配コイル（１５６）と、を含み、
前記勾配コイルが、高温超電導材料を含みかつ前記主コイルと共に前記容器内に配置され、前記主コイルが磁場を発生する作動温度により、前記主コイル及び勾配コイルがそれらの間に挿置された熱シールド構造体なしに作動することが可能になる、
システム。
【請求項８】
前記主コイルが、ＭｇＢ2で形成された巻線である、請求項７記載のシステム。
【請求項９】
前記容器の一部分内に、その中に熱交換のための冷凍剤を受け入れるのに十分な容積を可能にする熱リザーバ材料（１５４）をさらに含む、請求項７記載のシステム。
【請求項１０】
前記ナノ粒子がＳｉＣを含み、
前記巻線が、２０Ｋの温度で少なくとも１００アンペア／ｃｍ2の臨界電流密度を維持することができる、請求項８記載の方法。