【手続補正書】
【提出日】平成22年1月26日(2010.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜コイルと、
前記薄膜コイルの延在面上に積層され、積層面内の一方向に延設された複数の帯状磁性膜と
を備え、
前記帯状磁性膜は、この帯状磁性膜の長手方向に沿って並んだ複数の磁区を有し、
前記磁区の長手方向が、前記帯状磁性膜の幅方向と一致している
ことを特徴とする薄膜磁気デバイス。
【請求項２】
薄膜コイルと、
前記薄膜コイルの延在面上に積層され、積層面内の一方向に延びる複数のスリットが形成された磁性膜と
を備え、
前記磁性膜のうちの前記複数のスリット間に挟まれた帯状領域に、複数の磁区が前記帯状領域の長手方向に沿って並んでおり、
前記磁区の長手方向が、前記帯状領域の幅方向と一致している
ことを特徴とする薄膜磁気デバイス。
【請求項３】
前記帯状磁性膜または前記スリットは、前記帯状磁性膜または前記磁性膜の磁化容易軸と前記薄膜コイルとが直交する領域にのみ、前記磁化容易軸と直交する方向を長手方向として形成されている
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の薄膜磁気デバイス。
【請求項４】
前記薄膜コイルは、
前記磁化容易軸に沿って延在する第１のコイルパターンと、
前記磁化容易軸と直交する方向に沿って延在する第２のコイルパターンとを含み、
前記帯状磁性膜または前記スリットは、前記第２のコイルパターンに沿って形成されている
ことを特徴とする請求項３に記載の薄膜磁気デバイス。
【請求項５】
前記帯状磁性膜または前記帯状領域の幅が、０．１ｍｍ以上かつ５ｍｍ以下である
ことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の薄膜磁気デバイス。
【請求項６】
前記帯状磁性膜または前記帯状領域の幅が、０．３ｍｍ以上かつ２ｍｍ以下である
ことを特徴とする請求項５に記載の薄膜磁気デバイス。
【請求項７】
前記帯状磁性膜または前記帯状領域の幅が、０．３ｍｍ以上かつ１ｍｍ以下である
ことを特徴とする請求項６に記載の薄膜磁気デバイス。
【請求項８】
前記磁区の長手方向の長さに対する前記磁区の幅方向の長さの比が、０．３以下である
ことを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の薄膜磁気デバイス。
【請求項９】
基板上に薄膜コイルを形成する第１の工程と、
前記薄膜コイルの延在面上に、積層面内の所定方向に磁化容易軸を有すると共にこの磁化容易軸と直交する方向を長手方向とする複数の帯状磁性膜を、前記磁化容易軸と前記薄膜コイルとが直交する領域に形成する第２の工程と
を含むことを特徴とする薄膜磁気デバイスの製造方法。
【請求項１０】
基板上に薄膜コイルを形成する第１の工程と、
前記薄膜コイルの延在面上に、積層面内の所定方向に磁化容易軸を有すると共にこの磁化容易軸と直交する方向にスリットが設けられた磁性膜を、前記磁化容易軸と前記薄膜コイルとが直交する領域に形成する第２の工程と
を含むことを特徴とする薄膜磁気デバイスの製造方法。
【請求項１１】
前記第２の工程は、
前記薄膜コイルの延在面上に磁性膜を形成する工程と、
前記磁性膜の積層面内の所定方向に磁場を印加しつつ熱処理を行う工程と、
前記磁場の印加方向と前記薄膜コイルとが直交する領域の磁性膜に、前記磁場の印加方向と直交する方向に延びるスリットを形成する工程とを含む
ことを特徴とする請求項１０に記載の薄膜磁気デバイスの製造方法。
【請求項１２】
前記第２の工程は、
前記薄膜コイルの延在面上に磁性膜を形成する工程と、
前記磁性膜に、前記薄膜コイルの一部分と平行となるようにスリットを形成する工程と、
前記磁性膜の積層面内の前記スリットと直交する方向に磁場を印加しつつ熱処理を行う工程とを含む
ことを特徴とする請求項１０に記載の薄膜磁気デバイスの製造方法。
【請求項１３】
前記第２の工程は、
前記薄膜コイルの延在面上に、この延在面内の所定方向に磁場を印加しつつ磁性膜を形成する工程と、
前記磁場の印加方向と前記薄膜コイルとが直交する領域の磁性膜に、前記磁場の印加方向と直交する方向に延びるスリットを形成する工程とを含む
ことを特徴とする請求項１０に記載の薄膜磁気デバイスの製造方法。
【請求項１４】
前記第２の工程の後に、前記帯状磁性膜または前記磁性膜の積層面内で回転する磁場を印加しつつ熱処理を行う工程を含む
ことを特徴とする請求項９ないし請求項１３のいずれか１項に記載の薄膜磁気デバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の薄膜磁気デバイスでは、上記帯状磁性膜またはスリットを、帯状磁性膜または磁性膜の磁化容易軸と薄膜コイルとが直交する領域にのみ、この磁化容易軸と直交する方向を長手方向として形成するのが好ましい。なお、「直交する」とは、文字通り完全に直交する態様だけでなく、略直交する態様をも含むものである。このように構成した場合、磁化容易軸と薄膜コイルとが直交する領域の透磁率が選択的に増加される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の第１の薄膜磁気デバイスの製造方法は、基板上に薄膜コイルを形成する第１の工程と、この薄膜コイルの延在面上に、積層面内の所定方向に磁化容易軸を有すると共にこの磁化容易軸と直交する方向を長手方向とする複数の帯状磁性膜を、磁化容易軸と薄膜コイルとが直交する領域に形成する第２の工程とを含むようにしたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の第１の薄膜磁気デバイスの製造方法では、第１の工程において、基板上に薄膜コイルが形成される。そして第２の工程において、薄膜コイルの延在面上に、磁化容易軸と直交する方向を長手方向とする複数の帯状磁性膜が形成される。ここで、この帯状磁性膜の磁化容易軸と薄膜コイルとが直交する領域に帯状磁性膜が形成されると共に磁化容易軸と直交する方向に延在することとなるため、磁化容易軸と薄膜コイルとが平行な領域だけでなく直交する領域、すなわち帯状磁性膜が延在する領域においても、高周波領域である程度の透磁率が維持される。また、上記第１および第２の工程により、製造工程が複雑化することはない。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の第２の薄膜磁気デバイスの製造方法は、基板上に薄膜コイルを形成する第１の工程と、この薄膜コイルの延在面上に、積層面内の所定方向に磁化容易軸を有すると共にこの磁化容易軸と直交する方向にスリットが設けられた磁性膜を、磁化容易軸と薄膜コイルとが直交する領域に形成する第２の工程とを含むようにしたものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明の第２の薄膜磁気デバイスの製造方法では、第１の工程において、基板上に薄膜コイルが形成される。そして第２の工程において、薄膜コイルの延在面上に、磁化容易軸と直交する方向にスリットが設けられた磁性膜が形成される。ここで、この磁性膜の磁化容易軸と薄膜コイルとが直交する領域にスリットが形成されると共に磁化容易軸と直交する方向に延在することとなるため、磁化容易軸と薄膜コイルとが平行な領域だけでなく直交する領域、すなわちスリットが延在する領域においても、高周波領域である程度の透磁率が維持される。また、上記第１および第２の工程により、製造工程が複雑化することはない。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明の第２の薄膜磁気デバイスの製造方法では、上記第２の工程が、薄膜コイルの延在面上に磁性膜を形成する工程と、この磁性膜の積層面内の所定方向に磁場を印加しつつ熱処理を行う工程と、この磁場の印加方向と薄膜コイルとが直交する領域の磁性膜に、磁場の印加方向と直交する方向に延びるスリットを形成する工程とを含むようにしてもよい。また、薄膜コイルの延在面上に磁性膜を形成する工程と、この磁性膜に薄膜コイルの一部分と平行となるようにスリットを形成する工程と、磁性膜の積層面内のスリットと直交する方向に所定方向に磁場を印加しつつ熱処理を行う工程とを含むようにしてもよい。また、薄膜コイルの延在面上に、この延在面内の所定方向に磁場を印加しつつ磁性膜を形成する工程と、この磁場の印加方向と薄膜コイルとが直交する領域の磁性膜に、磁場の印加方向と直交する方向に延びるスリットを形成する工程とを含むようにしてもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明の薄膜磁気デバイスの製造方法では、上記第２の工程の後に、帯状磁性膜または磁性膜の積層面内で回転する磁場を印加しつつ熱処理を行う工程を含むようにするのが好ましい。このようにした場合、帯状磁性膜または磁性膜の応力が緩和されると共に磁気異方性が低減し、磁化容易軸と直交する磁化困難軸方向の透磁率がより増加する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
特に、帯状磁性膜または磁性膜の磁化容易軸と薄膜コイルとが直交する領域にのみ帯状磁性膜またはスリットを形成すると共に磁化容易軸と直交する方向に延在させるようにした場合、磁化容易軸と薄膜コイルとが直交する領域の高周波での透磁率を選択的に増加させることができる。よって、高周波領域での透磁率をさらに効果的に向上させることが可能となる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また、本発明の薄膜磁気デバイスの製造方法によれば、帯状磁性膜または磁性膜の磁化容易軸と薄膜コイルとが直交する領域に帯状磁性膜またはスリットを形成すると共に磁化容易軸と直交する方向に延在させるようにしたので、磁化容易軸と薄膜コイルとが平行な領域だけでなく直交する領域、すなわち帯状磁性膜またはスリットが延在する領域においても、高周波領域である程度の透磁率を維持することができる。また、これらの工程によって製造工程が複雑化することはない。よって、上記のように高周波領域において高い透磁率を示す薄膜磁気デバイスを簡易に得ることが可能となる。