【手続補正書】
【提出日】平成22年8月19日(2010.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔質低ｋ誘電体層内にデュアルダマシン特徴を形成する方法であって、
前記多孔質低ｋ誘電体層内に、ビアを形成する工程と、
前記多孔質低ｋ誘電体層の上に、有機平坦化層を形成する工程であって、前記有機層は、前記ビアを満たす工程と、
前記有機平坦化層の上に、フォトレジストマスクを形成する工程と、
前記有機平坦化層内に特徴をエッチングする工程であって、ＣＯ2 を主成分とする、あるいはＣＯ2 とＣＯとが混合されたエッチングガスを提供し、かつ前記有機平坦化層をエッチングするプラズマを前記ＣＯ2  を含んだエッチングガスから生成する工程と、
前記有機平坦化層をマスクとして使用し、前記多孔質低ｋ誘電体層内に、トレンチをエッチングする工程と、
前記有機平坦化層を剥ぎ取る工程と
を備える方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記低ｋ誘電体層内に特徴をエッチングする工程は、前記エッチングガスと異なり、ＣＯ2 とＣＯを含まない誘電体エッチングガスの提供を含む方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記低ｋ誘電体層内に特徴をエッチングする工程は、フッ素含有ガスの提供と、前記フッ素含有ガスのプラズマへの変換とを含む方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって、更に、
前記有機平坦化層の上に、酸化物キャップ層を形成する工程と、
前記酸化物キャップ層の上に、ＢＡＲＣを形成する工程であって、前記フォトレジストマスクは、前記ＢＡＲＣ層の上に形成される工程と
を備える方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法であって、更に、
前記多孔質低ｋ誘電体層の下で、障壁層を開口させる工程を備える方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法であって、更に、
前記有機平坦化層内に、特徴をエッチングする工程に先立って、単一の工程で、前記ＢＡＲＣおよび前記酸化物キャップ層内に、特徴をエッチングする工程であって、フッ素含有ガスの提供と、前記フッ素含有ガスのプラズマへの変換とを含む工程を備える方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、
前記エッチングガスは、ＣＯ2 を主成分とするガスである方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、
前記低ｋ誘電体層内に特徴をエッチングする工程は、前記ＣＯ2 含有エッチングガスと異なり、ＣＯ2 とＣＯを含まない誘電体エッチングガスの提供を含む方法。
【請求項９】
請求項７に記載の方法であって、
前記低ｋ誘電体層内に特徴をエッチングする工程は、フッ素含有ガスの提供と、前記フッ素含有ガスのプラズマへの変換とを含む方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、更に、
前記有機平坦化層の上に、酸化物キャップ層を形成する工程と、
前記酸化物キャップ層の上に、ＢＡＲＣを形成する工程であって、前記フォトレジストマスクは、前記ＢＡＲＣ層の上に形成される工程と、
を備える方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法であって、更に、
前記多孔質低ｋ誘電体層の下で、障壁層を開口させる工程を備える方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、更に、
前記有機平坦化層内に、特徴をエッチングする工程に先立って、単一の工程で、前記ＢＡＲＣおよび前記酸化物キャップ層内に、特徴をエッチングする工程であって、フッ素含有ガスの提供と、前記フッ素含有ガスのプラズマへの変換とを含む工程
を備える方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、
前記有機平坦化層内に、特徴をエッチングする工程は、前記ＢＡＲＣを除去する方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、
前記多孔質低ｋ誘電体層内に、トレンチをエッチングする工程は、前記酸化物キャップを除去する方法。
【請求項１５】
請求項１に記載の方法であって、
前記有機平坦化層内に、特徴をエッチングする工程は、前記低ｋ誘電体層を部分的に露出させる方法。
【請求項１６】
多孔質低ｋ誘電体層内にデュアルダマシン特徴を形成する方法であって、
前記多孔質低ｋ誘電体層内に、ビアを形成する工程と、
前記多孔質低ｋ誘電体層の上に、有機平坦化層を形成する工程であって、前記有機層は、前記ビアを満たす、工程と、
前記有機平坦化層の上に、フォトレジストマスクを形成する工程と、
ＣＯ2 を主成分とする、あるいはＣＯ2 とＣＯとが混合された混合ガスであり、Ｏ2 およびＯ3 を含有しないガスを使用するだけで、前記低ｋ誘電体層を部分的に露出させる方式で、前記有機平坦化層内に、前記低ｋ誘電体層を損傷させることなく特徴をエッチングする工程と、
前記有機平坦化層をマスクとして使用し、前記多孔質低ｋ誘電体層内に、トレンチをエッチングする工程と、
前記有機平坦化層を剥ぎ取る工程と
を備える方法。
【請求項１７】
誘電体層内にトレンチを形成するための装置であって、前記誘電体層内には、ビアが形成され、前記誘電体層の上には、前記ビアを満たすと共に平坦化表面を形成するために有機平坦化層が形成され、前記平坦表面の上には、酸化物キャップ、ＢＡＲＣ、およびトレンチマスクが形成されており、前記装置は、
プラズマ処理チャンバであって、
プラズマ処理チャンバエンクロージャを形成するチャンバ壁と、
前記プラズマ処理チャンバエンクロージャ内で基板を支えるための基板サポートと、
前記プラズマ処理チャンバエンクロージャ内の圧力を調整するための圧力レギュレータと、
プラズマを維持するために前記プラズマ処理チャンバエンクロージャに電力を提供するための少なくとも１つの電極と、
前記プラズマ処理チャンバエンクロージャにガスを提供するためのガス注入口と、
前記プラズマ処理チャンバエンクロージャからガスを排出させるためのガス排出口と、を含むプラズマ処理チャンバと、
ＣＯ2 ガス源とフッ素含有ガス源とを含み、前記ガス注入口に流体接続されたガス源と、
前記ガス源および前記少なくとも１つの電極に可制御式に接続されたコントローラであって、少なくとも１つのプロセッサおよびコンピュータ可読媒体を含むコントローラと、
を備え、
前記コンピュータ可読媒体は、
前記ＢＡＲＣおよび前記酸化物キャップ層をエッチングするためのコンピュータ可読コードであって、
前記フッ素含有ガス源から前記プラズマ処理チャンバの内部へとフッ素含有ガスを提供するためのコンピュータ可読コードと、
前記フッ素含有ガスをプラズマに変換するためのコンピュータ可読コードと、
前記フッ素含有ガスを停止するためのコンピュータ可読コードと
を含むコンピュータ可読コードと、
前記有機平坦化層をエッチングするためのコンピュータ可読コードであって、
前記ＣＯ2 ガス源からＣＯ2 含有ガスを提供するためのコンピュータ可読コードと、
前記ＣＯ2 含有ガスからプラズマを形成するためのコンピュータ可読コードと、
前記ＣＯ2 含有ガスを停止するためのコンピュータ可読コードと
を含む、コンピュータ可読コードと、
前記有機平坦化層を通して前記誘電体層内にトレンチをエッチングするためのコンピュータ可読コードであって、
前記フッ素含有ガス源から前記プラズマ処理チャンバの内部へとフッ素含有ガスを提供するためのコンピュータ可読コードと、
前記フッ素含有ガスをプラズマに変換するためのコンピュータ可読コードと
を含むコンピュータ可読コードと
を含む装置。
【請求項１８】
前記有機平坦化層内に前記特徴をエッチングする工程では、前記エッチングガスを主成分とするガスを用いて処理を行なう請求項１記載の方法。
【請求項１９】
前記有機平坦化層の一部は、前記多孔質低ｋ誘電体層内にトレンチをエッチングした後も前記ピア内に残存しており、前記バア内に残存した前記有機平坦化層は、前記有機平坦化層を剥ぎ取る工程により除去される請求項１記載の方法。