Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月20日(2010.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ピン端子と電気的に接続されたモジュールと、
前記ピン端子が挿入されたスルーホールを有する配線基板と、
を有する電子機器であって、
前記ピン端子は、前記スルーホール内壁に設けられた導電性部材と少なくとも一部が接触する略平坦な面を有し、
前記スルーホール内壁には、前記ピン端子の略平坦な面と対向して接触する略平坦な面を有し、
前記スルーホール内壁の略平坦な面における前記配線基板の厚さ方向の長さは、前記ピン端子の略平坦な面における前記配線基板の厚さ方向の長さよりも短く、
前記配線基板のスルーホールのうち前記ピン端子が挿入される側の周縁部及びその裏側の周縁部は、前記スルーホール内壁の略平坦な面に対して所定の角度で面取りされた形状に形成されていることを特徴とする電子機器。
【請求項２】
請求項１記載の電子機器であって、
前記基板は、コア材と、前記コア材を両面に形成された絶縁樹脂とを含んで構成されており、
前記絶縁樹脂の一部が面取りされていることを特徴とする電子機器。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の電子機器であって、
前記ピン端子のうち前記略平坦な面を有する部分は他の部分よりも弾性変形しやすい構造であることを特徴とする電子機器。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の電子機器であって、
前記ピン端子はプレスフィット端子であることを特徴とする電子機器。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の電子機器であって、
前記モジュールはパワーモジュールであることを特徴とする電子機器。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれかに記載の電子機器であって、
前記モジュールはLCモジュールであることを特徴とする電子機器。
【請求項７】
パワーモジュールと、
前記パワーモジュールと電気的に接続されたピン端子を挿入したスルーホールを有する配線基板と、
前記配線基板を実装するベース基板とを有する車載モジュールであって、
前記ピン端子は、前記スルーホール内壁に設けられた導電性部材と少なくとも一部が接触する略平坦な面を有し、
前記スルーホール内壁には、前記ピン端子の略平坦な面と対向して接触する略平坦な面を有し、
前記スルーホール内壁の略平坦な面における前記配線基板の厚さ方向の長さは、前記ピン端子の略平坦な面における前記配線基板の厚さ方向の長さよりも短く、
前記配線基板のスルーホールのうち前記ピン端子が挿入される側の周縁部及びその裏側の周縁部は、前記スルーホール内壁の略平坦な面に対して所定の角度で面取りされた形状に形成されていることを特徴とする車載モジュール。
【請求項８】
請求項７記載の車載モジュールであって、
前記ピン端子のうち前記略平坦な面を有する部分は他の部分よりも弾性変形しやすい構造であることを特徴とする車載モジュール。
【請求項９】
請求項７または請求項８に記載の車載モジュールであって、
さらにLCモジュールを有することを特徴とする車載モジュール。
【請求項１０】
第１の配線層と、前記第１の配線層と電気的に接続されたスルーホールと、を有する第１の基板と、
接続部に略平坦な面を有し前記接続部が他の部分よりも弾性的に変形しやすい構造を有するピン端子と、前記ピン端子と電気的に接続された第２の配線層と、を有する第２の基板と、を備え、
前記ピン端子の前記接続部を前記第１の基板のスルーホールに圧入することによって形成されるプレスフィット接続構造を備えた電子機器であって、
前記第１の基板のスルーホールは、前記第１の基板の厚さ方向において中央部に位置する接続部の内径が前記第１の基板の表面及びその裏面の内径よりも小さく、
前記内径の小さい中央部の前記第１の基板の厚さ方向の長さが、前記ピン端子の略平坦な面における前記第１の基板の厚さ方向の長さよりも短いことを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
請求項１０の電子機器であって、
前記第１の基板のスルーホールは、前記中央部から前記基板の表面及びその裏面に向かって、徐々に内径が大きくなるように前記基板の絶縁部が加工されていることを特徴とする電子機器。
【請求項１２】
請求項１０の電子機器であって、
前記第１の基板のスルーホールは、前記中央部から前記基板の表面及びその裏面に向かって、徐々に内径が大きくなるように、前記第１の配線層と電気的に接続された導電性部材が形成されていることを特徴とする電子機器。
【請求項１３】
請求項１０乃至１２のいずれかに記載の電子機器であって、
前記スルーホールの中央部の内径よりも前記ピン端子の接続部の略平坦な面の上下端の外径の方が大きいことを特徴とする電子機器。
【請求項１４】
請求項１０乃至１３のいずれかに記載の電子機器であって、
前記ピン端子の接続部は２つに分離されており、
前記ピン端子の接続部の略平坦な面は前記ピン端子の長さ方向と略平行であり分離方向と略垂直であることを特徴とする電子機器。
【請求項１５】
第１の配線層と、前記第１の配線層と電気的に接続されたスルーホールと、を有する第１の基板と、
接続部に略平坦な面を有し前記接続部が他の部分よりも弾性変形しやすい構造を有するピン端子をもつ外部接続端子と、を備え、
前記ピン端子の前記接続部を前記第１の基板のスルーホールに圧入することによって形成されるプレスフィット接続構造を備えた電子機器であって、
前記第１の基板のスルーホールは、前記第１の基板の厚さ方向において中央部に位置する接続部の内径が前記第１の基板の表面及びその裏面の内径よりも小さく、
前記内径の小さい中央部の前記第１の基板の厚さ方向の長さが、前記ピン端子の略平坦な面における前記第１の基板の厚さ方向の長さよりも短く、
前記第１の基板のスルーホールのうち前記ピン端子が挿入される側の周縁部及びその裏側の周縁部は、前記スルーホール内壁の略平坦な面に対して所定の角度で面取りされた形状に形成されていることを特徴とする電子機器。
【請求項１６】
請求項１５記載の電子機器であって、
前記外部接続端子はプレスフィットコネクタであることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月6日(2010.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
基材層上に研磨層が設けられている研磨パッドにおいて、前記研磨層は、開口を有する略球状の連続気泡を含む熱硬化性ポリウレタン発泡体からなり、前記熱硬化性ポリウレタン発泡体は、イソシアネート成分と活性水素基含有化合物とを原料成分として含有し、前記イソシアネート成分は、ジフェニルメタンジイソシアネート及び／又はその変性体を９０重量％以上含有し、前記活性水素基含有化合物は、ポリカプロラクトンジオールと、ポリカプロラクトントリオール及び／又はポリカプロラクトンテトラオールとを合計で６０〜９８重量％、かつイソシアネート基と反応する官能基数が３の化合物を１５〜４０重量％含有し、イソシアネート成分と活性水素基含有化合物との合計量に対するイソシアネート基濃度が１０〜１５重量％であり、前記研磨層は、乾燥状態の圧縮率Ａと湿潤状態の圧縮率Ｂの変化率〔{（Ｂ−Ａ）／Ａ}×１００〕の絶対値が１００以下であることを特徴とする研磨パッド。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月26日(2010.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二次高調波を発生する波長変換素子を用いて変換したレーザ光を出力する光源装置に用いられる半導体発光素子の駆動回路であって、
電源に接続されているスイッチ素子と、
一端が前記スイッチ素子を介して前記電源に接続され、他端がグランドに接続されているインダクタと、
前記スイッチ素子と前記インダクタとの間に設置され、前記半導体発光素子のカソード端子を接続するための第１の端子と、
前記インダクタの他端とグランドの間に設置され、前記半導体発光素子のアノード端子を接続するための第２の端子と、を備える半導体発光素子の駆動回路。
【請求項２】
請求項１記載の半導体発光素子の駆動回路であって、更に、
前記インダクタと前記半導体発光素子との間に接続されている抵抗素子を備える、半導体発光素子の駆動回路。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の半導体発光素子の駆動回路であって、更に、
前記スイッチ素子を駆動させるための所定のデューティ比を有する波形信号を前記スイッチ素子に供給するスイッチ駆動回路を備える半導体発光素子の駆動回路。
【請求項４】
光源装置であって、
半導体発光素子と、
請求項１ないし請求項３いずれか記載の半導体発光素子の駆動回路と、
前記半導体発光素子から出力されたレーザ光を二次高調波に変換する波長変換素子と、を備える光源装置。
【請求項５】
照明装置であって、
請求項４記載の光源装置を備える照明装置。
【請求項６】
モニタ装置であって、
請求項４記載の光源装置と、
前記光源装置によって照射される被写体を撮影する撮像部と、を備えるモニタ装置。
【請求項７】
画像表示装置であって、
請求項４記載の光源装置と、
前記光源装置から射出された光を画像情報に応じて変調する光変調デバイスと、を備える画像表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
［適用例１］
二次高調波を発生する波長変換素子を用いて変換したレーザ光を出力する光源装置に用いられる半導体発光素子の駆動回路であって、電源に接続されているスイッチ素子と、一端が前記スイッチ素子を介して前記電源に接続され、他端がグランドに接続されているインダクタと、前記スイッチ素子と前記インダクタとの間に設置され、前記半導体発光素子のカソード端子を接続するための第１の端子と、前記インダクタの他端とグランドの間に設置され、前記半導体発光素子のアノード端子を接続するための第２の端子と、を備える半導体発光素子の駆動回路。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
適用例１の半導体発光素子の駆動回路は、更に、前記スイッチ素子を駆動させるための所定のデューティ比を有する矩形信号を前記スイッチ素子に供給する。適用例１の駆動回路によれば、矩形波のデューティ比を調整することにより、半導体発光素子に流れる電流を表す波形の高さすなわち電流値を制御できる。従って、半導体発光素子から出力されるレーザ光のピーク波形の高さを所望の高さに設定できる。従って、波長変換素子におけるレーザ光の光量を任意に調整できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
［適用例４］
適用例４のモニタ装置は、適用例２の光源装置と、前記光源装置によって照射される被写体を撮影する撮像部と、を備えるモニタ装置。適用例４のモニタ装置によれば、発光効率の良い適用例２の光源装置を備えているので、消費電力を抑制できる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月22日(2010.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
遊技動作制御を実行する主制御手段と、該主制御手段から受信したデータに応じて周辺装置の動作制御を行う副制御手段とを備え、前記主制御手段が送信するデータを前記副制御手段が受信する契機とするストローブ信号を所定期間出力するように構成された遊技機において、
前記主制御手段は、前記ストローブ信号を出力している期間において、前記データを前記副制御手段に送信する処理とは異なる他の処理を実行可能に構成されていることを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明は、遊技動作制御を実行する主制御手段と、該主制御手段から受信したデータに応じて周辺装置の動作制御を行う副制御手段とを備え、前記主制御手段が送信するデータを前記副制御手段が受信する契機とするストローブ信号を所定期間出力するように構成された遊技機において、前記主制御手段は、前記ストローブ信号を出力している期間において、前記データを前記副制御手段に送信する処理とは異なる他の処理を実行可能に構成されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、主制御手段は、ストローブ信号を出力している期間において、データを副制御手段に送信する処理とは異なる他の処理を実行可能に構成されているので、主制御手段がウエイト状態におかれることがなく、他の処理を実行することによって、遊技動作制御が円滑に行われるようになるという効果が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月16日(2010.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
製氷皿（１）と、給水ユニット（２）と、その給水ユニット（２）の開放位置と閉塞位置を検出する電子センサ（１１ａ、１１ｂ）と、給水ユニット（２）の動作を制御する制御基板（８）とを備えたセル型製氷機において、
上記制御基板（８）に、又は、上記制御基板（８）に近接して設けた上記電子センサ（１１ａ、１１ｂ）と、上記給水ユニット（２）との間に、上記給水ユニット（２）から上記電子センサ（１１ａ、１１ｂ）及び上記制御基板（８）に向けて水が飛散するのを防止する遮蔽体（６）として、上記給水ユニット（２）を開閉させるギアを収納したギアボックス（６）を設けたことを特徴とする製氷機。
【請求項２】
上記電子センサ（１１ａ、１１ｂ）が、上記給水ユニット（２）の開放位置と閉塞位置の両位置に対応して設けられた磁気センサ（１１ａ、１１ｂ）と、上記給水ユニット（２）とともに揺動しつつ、上記両位置で上記磁気センサ（１１ａ、１１ｂ）と対向するように配置された磁石（１０）とから構成されることを特徴とする請求項１に記載の製氷機。
【請求項３】
上記電子センサ（１１ａ、１１ｂ）を水濡れ防止用のカバー（１３）で覆ったことを特徴とする請求項１又は２に記載の製氷機。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月9日(2010.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図３は本発明に係る自動二輪車の右側面を示す要部側面図であり、図２及び図３において、車体フレーム１１の左右のロアフレーム４３，４４にクロス部材９５が渡されて取付けられ、このクロス部材９５の上部に左右一対の起立プレート９６，９７が取付けられ、これらの起立プレート９６，９７にそれぞれ三角形状プレート１０１，１０２がボルト１０３，１０３で取付けられ、センタフレーム３６，３７にそれぞれアッパブラケット１０４，１０６が取付けられ、これらのアッパブラケット１０４，１０６にそれぞれアッパプレート１０７，１０８がボルト１０９，１０９で取付けられ、三角形状プレート１０１及びアッパプレート１０７にくの字形ブラケット１３がボルト１１１，１１１で取付けられ、三角形状プレート１０２及びアッパプレート１０８にくの字形ブラケット１４（図２においては不図示）がボルト１１１，１１１で取付けられ、これらのくの字形ブラケット１３，１４に複数のボルト１１２でエンジン１２が取付けられたことを示している。なお、１２ｃ，１２ｄはそれぞれくの字形ブラケット１３，１４に支持されるようにエンジン１２のクランクケース１２ａの左右に設けられた被支持部である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
このような段差ＤＬは、前部取付部１７１が取付けられるくの字形ブラケット１４（図４参照）の形状に対応するものであるが、このように段差ＤＬを設けることで、段差が無い取付構造に比べて、異なる高さでくの字形ブラケット１４にマフラー支持ブラケット１２２が支持されるため、マフラー支持ブラケット１２２がくの字形ブラケット１４に強固に支持され、マフラー支持ブラケット１２２の後端が車幅方向に揺動するような傾きを抑制することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月29日(2010.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
このような問題を解決するため、イオン結合性分子間力の小さいカチオン可染モノマーを共重合する技術が開示されている（例えば特許文献２、３参照。）。イオン結合性分子間力の小さいカチオン可染モノマーとしては、５−スルホイソフタル酸テトラブトキシホスホニウムなどが例示されているが、これらのカチオン可染モノマー共重合ポリエステルは熱安定性が悪く、重合工程で使用する触媒の種類によってはポリエステルの品質が大きく左右されることは良く知られている。また、得られる糸の強度は、前述の５−ナトリウムスルホイソフタル酸及びその誘導体を使用した場合よりは改善されるものの、使用する５−スルホイソフタル酸テトラブトキシホスホニウムは非常に高価であり、結果として得られるカチオン可染性ポリエステルのコストが大幅に増大するという問題があった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
（オ）カチオン可染性
ＣＡＴＨＩＬＯＮ  ＢＬＵＥ  ＣＤ−ＦＲＬＨ０．２ｇ／Ｌ、ＣＤ−ＦＢＬＨ０．２ｇ／Ｌ（いずれも保土ヶ谷化学株式会社製のカチオン可染性染料）、硫酸ナトリウム３ｇ／Ｌ、酢酸０．３ｇ／Ｌの染色液中にて１３０℃で１時間、浴比１：５０で染色を行い、次式により染着率を求めた。
染着率＝（ＯＤ０−ＯＤ１）／ＯＤ０×１００（％）
ＯＤ０：染色前の染液の５７６ｎｍの吸光度
ＯＤ１：染色後の染液の５７６ｎｍの吸光度
本発明では、染着率９５％以上のものを可染性良好と判断した。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月29日(2010.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
常圧沸騰温度で１時間、浴比１：５０で染色を行った時に、下記式（ＩＩ）により求める染着率が９５％以上であることを特徴とする、請求項１記載の製造方法により得られる常圧カチオン可染性ポリエステル繊維。
染着率＝（ＯＤ０−ＯＤ１）／ＯＤ０×１００（％）      （ＩＩ）
［上記式中、ＯＤ０は染色前の染液の５７６ｎｍの吸光度、ＯＤ１は染色後の染液の５７６ｎｍの吸光度を表す。］
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
このような問題を解決するため、イオン結合性分子間力の小さいカチオン可染モノマーを共重合する技術が開示されている（例えば特許文献２、３参照。）。イオン結合性分子間力の小さいカチオン可染モノマーとしては、５−スルホイソフタル酸テトラブトキシホスホニウムなどが例示されているが、これらのカチオン可染モノマー共重合ポリエステルは熱安定性が悪く、重合工程で使用する触媒の種類によってはポリエステルの品質が大きく左右されることは良く知られている。また、得られる糸の強度は、前述の５−ナトリウムスルホイソフタル酸及びその誘導体を使用した場合よりは改善されるものの、使用する５−スルホイソフタル酸テトラブトキシホスホニウムは非常に高価であり、結果として得られるカチオン可染性ポリエステルのコストが大幅に増大するという問題があった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本発明におけるカチオン可染性ポリエステル繊維の製糸方法は、上記の２種類のポリエステルチップをブレンドして紡糸する方法が採用される。すなわち、乾燥したポリエステルＡからなるチップと乾燥したポリエステルＢからなるチップを混合した後、２７０℃〜３００℃の範囲で溶融紡糸して製造することが好ましく、溶融紡糸の引取り速度は４００〜５０００ｍ／分で紡糸することが好ましい。紡糸速度がこの範囲にあると、得られるポリエステル繊維の強度も十分なものであると共に、安定して巻取りを行うこともできる。またポリエステルＡとポリエステルＢのブレンド比については、ポリエステルＡ中に共重合されているスルホイソフタル酸塩基を有する芳香族ジカルボン酸成分の共重合率と、得られるポリエステル繊維中のスルホイソフタル酸塩基を有する芳香族ジカルボン酸成分の含有率を考慮すれば、容易に決定する事ができる。更に本発明の常圧カチオン可染性ポリエステル繊維は、常圧沸騰温度で１時間、浴比１：５０で染色を行った時に、下記式（ＩＩ）により求める染着率が９５％以上であることが好ましい。そのためには上述した方法にて巻き取られた未延伸糸を、更に延伸工程にて１．２倍〜６．０倍程度の範囲で延伸することが好ましい。この延伸は未延伸ポリエステル繊維を一旦巻き取ってから行ってもよく、一旦巻き取ることなく連続的に行ってもよい。また、紡糸時に使用する口金の形状についても特に制限は無い。
染着率＝（ＯＤ０−ＯＤ１）／ＯＤ０×１００（％）      （ＩＩ）
［上記式中、ＯＤ０は染色前の染液の５７６ｎｍの吸光度、ＯＤ１は染色後の染液の５７
６ｎｍの吸光度を表す。］
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月16日(2009.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
地中に埋設した複数の縦排水管と、横排水管とを備えた真空ポンプなどの動力を使用しない井戸暗渠であって、
前記複数の縦排水管は前記横排水管より下方で地中に埋設され、かつ前記横排水管に連結されており、
前記横排水管は縦排水管より湧き出た水分を取り入れて排水溝に排水することを特徴とする井戸暗渠。
【請求項２】
前記縦排水管は、前記横排水管より地上側では水分の上昇が遮断されたことを特徴とする請求項１に記載の井戸暗渠。
【請求項３】
前記縦排水管には、水分を内部に取り入れる複数の穴を側壁に備えたことを特徴とする請求項１又は２に記載の井戸暗渠。
【請求項４】
前記横排水管には、縦排水管との接続部と当該横排水管の排水口との中間に水量調節手段を設けたことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の井戸暗渠。
【請求項５】
地中に埋設した複数の縦排水管と、横排水管とを備えた真空ポンプなどの動力を使用しない井戸暗渠の施工方法であって、
土地に複数の縦排水管を設置する工程と、
前記複数の縦排水管の上に、縦排水管より湧き出た水分を取り入れて排水溝に排水する
横排水管を設置する工程と、
前記複数の縦排水管と前記横排水管とを連結する工程と、
を有する井戸暗渠の施工方法。
【請求項６】
井戸暗渠用の縦排水管穴を掘削する掘削装置であって、
パイプと、
前記パイプの外周に設けられた掘削歯と、
前記パイプの先端に設けられ、高圧の液体を噴射する噴射部と、
を備える掘削装置。
【請求項７】
前記噴射部の外周に設けられた先端掘削歯をさらに備える請求項６に記載の掘削装置。
【請求項８】
地中に埋設した複数の縦排水管と、横排水管とを備えた真空ポンプなどの動力を使用しない井戸暗渠の施工方法であって、
掘削装置を前記土地に打ち込む工程と、
前記掘削装置に高圧の液体を注入して、前記土地の内部で液体を噴射させる工程と、
所定の深さまで掘削された穴に縦排水管を挿入する工程と、
を有する縦排水管の施工方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月9日(2010.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
螺旋状の補強部材１２は、管本体１１の外周に設けられており、管本体１１に比べ硬度が高い材料で形成されて可撓性管継手１０が構成されている。
この管本体１１の外周に設けられる補強部材１２は、硬質塩化ビニル樹脂、オレフィン樹脂、ウレタン樹脂、エラストマー樹脂等で形成され、硬度が１００〜８０（ＪＩＳＫ６２５３タイプＡデュロメータ）とされるとともに、両端部を環状に連結したリング部１２ａを有する螺旋状に形成してある。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月22日(2010.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する二部材のうち一方に形成された蟻溝状のシール装着溝と、側面膨出部がこのシール装着溝内に保持されると共にシール装着溝から突出した頭部が前記二部材のうち他方と密接可能なゴム状弾性材料からなるシールリングと、前記シール装着溝に前記シールリングの密封対象空間側に位置して保持され前記シールリングより剛性の大きい材料からなるスペーサとを備え、前記スペーサが、前記シール装着溝の密封対象空間側の溝肩上に支持される鍔部と、前記シール装着溝の密封対象空間側の内側面に嵌合されると共に前記シールリングの側面膨出部を反密封対象空間側の内側面へ押し付ける溝内挿入部と、前記鍔部と溝内挿入部の間の肩部からなり、前記鍔部の肉厚が、非圧縮時における前記シールリングの前記シール装着溝からの突出高さよりも小さいことを特徴とする密封構造。
【請求項２】
シール装着溝の溝肩間の幅がシールリングの側面膨出部間の幅より大きく、前記シール装着溝に保持されたスペーサの肩部とこれに対向する溝肩の間の幅が前記側面膨出部間の幅より小さいことを特徴とする請求項１に記載の密封構造。
【請求項３】
スペーサの溝内挿入部におけるシールリング側を向いた内側面が肩部側ほど大きくシール装着溝内へ張り出すように傾斜していることを特徴とする請求項１又は２に記載の密封構造。
【請求項４】
シール装着溝とスペーサの溝内挿入部との嵌合面が、二部材の互いの対向面に対して略垂直に立ち上がっていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の密封構造。
【請求項５】
シール装着溝の密封対象空間側の溝肩が、反密封対象空間側の溝肩よりも低く、スペーサの鍔部の肉厚が、前記両溝肩の高さの差よりも大きいことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の密封構造。
【請求項６】
スペーサがＰＴＦＥからなることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の密封構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項３の発明に係る密封構造は、請求項１又は２に記載の構成において、スペーサの溝内挿入部におけるシールリング側を向いた内側面が肩部側ほど大きくシール装着溝内へ張り出すように傾斜している。このように構成すれば、スペーサの肩部とこれに対向する溝肩によって、シールリングをシール装着溝に確実に係止することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項４の発明に係る密封構造は、請求項１〜３のいずれかに記載の構成において、シール装着溝とスペーサの溝内挿入部との嵌合面が、二部材の互いの対向面に対して略垂直に立ち上がっている。このように構成すれば、シールリングをスペーサに先行してシール装着溝へ挿入した後で、スペーサの溝内挿入部をシール装着溝へ容易に装着することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項５の発明に係る密封構造は、請求項１〜４のいずれかに記載の構成において、シール装着溝の密封対象空間側の溝肩が、反密封対象空間側の溝肩よりも低く、スペーサの鍔部の肉厚が、前記両溝肩の高さの差よりも大きい。このように構成すれば、シールリングへの圧縮荷重による二部材間の隙間の減少を制限したうえで、シールリングのつぶし代を大きくすることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項６の発明に係る密封構造は、請求項１〜５のいずれかに記載の構成において、スペーサがＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）からなることを特徴とするものである。ＰＴＦＥは耐プラズマ性、耐腐食性及び耐摩耗性に優れているので、スペーサからの発塵も有効に抑えられる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月25日(2010.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ搭載部と、
前記チップ搭載部上に搭載された、第１主面を有する第１半導体チップと、
前記第１半導体チップの前記第１主面上に搭載された第２主面を有する第２半導体チップと、
前記第１半導体チップと前記第２半導体チップとに電気的に接続された複数のリードと、
前記第１半導体チップ、前記第２半導体チップ、及び前記複数のリードのそれぞれの一部を封止する封止体と、を有し、
前記第１半導体チップの前記第１主面には、ドライバ回路と複数のパッドが形成されており、
前記第２半導体チップの前記第２主面には、複数の回路を有するアナログ回路ブロックが形成されており、
前記アナログ回路ブロックの前記複数の回路は、アナログデジタル変換回路を含み、
前記アナログデジタル変換回路の動作電圧は、前記第２半導体チップのその他の回路の動作電圧よりも低く、
前記第１半導体チップの前記ドライバ回路は、前記第１半導体チップの前記第１主面の中心よりも外周縁に近い位置に配置されており、
前記第２半導体チップは、前記第２半導体チップが前記第１半導体チップのドライバ回路と重なるように、かつ前記第２半導体チップの前記アナログデジタル変換回路が前記第１半導体チップの前記ドライバ回路と重ならないように、前記第１半導体チップの前記第１主面上に搭載されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第２半導体チップは、その中心が前記第１半導体チップの中心からずらして搭載されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置において、
前記第１半導体チップの動作時の発熱量は、前記第２半導体チップの動作時の発熱量よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置において、
前記第１半導体チップは、第１部材を介して前記チップ搭載部上に搭載されており、
前記第２半導体チップは、第２部材を介して前記第１半導体チップの前記第１主面上に搭載されており、
前記第１部材の熱伝導率は、前記第２部材の熱伝導率よりも高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置において、
前記アナログ回路ブロックの前記複数の回路は、前記ドライバ回路の動作を制御する制御回路、デジタルアナログ変換回路、センスアンプ回路、および電源回路をさらに有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置において、
前記複数のリードのうち、前記第２半導体チップの前記アナログデジタル変換回路または前記デジタルアナログ変換回路の外部端子に電気的に接続される第１リードと、前記第１半導体チップの前記ドライバ回路の外部端子に電気的に接続される第２リードとの間に、リセット信号用の外部端子、チップセレクト信号用の外部端子、電源用の外部端子または接地用の外部端子のいずれかに電気的に接続された第３リードが配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置において、
前記第２半導体チップの前記アナログデジタル変換回路または前記デジタルアナログ変換回路の外部端子と、前記第１半導体チップの前記ドライバ回路の外部端子とは、前記第１、第２半導体チップの互いに異なる向きの辺の側に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体装置において、
前記第２半導体チップの前記アナログデジタル変換回路または前記デジタルアナログ変換回路の外部端子は、前記第１半導体チップの外部端子を介して前記複数のリードのうちの第１リードに電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項４に記載の半導体装置において、
前記第１部材は半田であって、前記第２部材は絶縁ペーストもしくは絶縁フィルムであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記チップ搭載部の一部は、前記封止体により封止されており、前記チップ搭載部のその他の部分は前記封止体から露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記封止体の実装面の高さは、前記封止体から露出する前記複数のリードの実装面の高さと同じか、または、それ以上の高さであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第２半導体チップは、前記第２主面にRAMとROMが形成されており、
前記RAMとROMは前記第１半導体チップのドライバ回路と重なっていないことを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
チップ搭載部と、
前記チップ搭載部上に搭載された、第１主面を有する第１半導体チップと、
前記第１半導体チップの前記第１主面上に搭載された第２主面を有する第２半導体チップと、
前記第１半導体チップと前記第２半導体チップとに電気的に接続された複数のリードと、
前記第１半導体チップ、前記第２半導体チップ、及び前記複数のリードのそれぞれの一部を封止する封止体と、を有し
前記第１半導体チップの前記第１主面には、ドライバ回路と複数のパッドが形成されており、
前記第２半導体チップの前記第２主面には、複数の回路を有するアナログ回路ブロックが形成されており、
前記アナログ回路ブロックの前記複数の回路は、アナログデジタル変換回路を含み、
前記アナログデジタル変換回路の動作電圧は、前記第２半導体チップのその他の回路の動作電圧よりも低く、
前記第１半導体チップの前記ドライバ回路は、前記第１半導体チップの前記第１主面の中心よりも外周縁に近い位置に配置されており、
前記第２半導体チップは、前記第２半導体チップが前記第１半導体チップのドライバ回路と重なるように、かつ平面視において、前記第２半導体チップの前記アナログデジタル変換回路と前記第１半導体チップのドライバ回路との距離が離れるように、前記第１半導体チップの前記第１主面上に搭載されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の半導体装置において、
前記アナログデジタル変換回路と前記第１半導体チップのドライバ回路とが重なる面積は、前記アナログデジタル変換回路と前記第１半導体チップのドライバ回路とが重なっていない面積よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月7日(2010.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
１  ｎ型ＧａＮコンタクト層
２  ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層
３  ＩｎＧａＮ発光層
４  ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層
５  ｐ型ＧａＮコンタクト層
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月11日(2010.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に半田接合用の複数の端子パッドを有する配線基板であって、
前記複数の端子パッドは、平面形状が正多角形に形成されるとともに、立体形状は中央部が突出した凸形状であり、
前記正多角形の内心が、所定のピッチで配列されたことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記複数の端子パッドは、前記正多角形が同じ向きとなるように形成されたことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記複数の端子パッドは、格子をなして配列され、
前記正多角形は、前記格子と平行な辺で形成された正方形であることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記表面は、半導体素子が搭載される半導体搭載面であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記表面は、外部接続端子面であって、
該外部接続端子面の反対面には、半導体素子が搭載される半導体搭載面が形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項６】
平面形状が正多角形であり、立体形状が中央部の突出した凸形状である端子パッドを有する配線基板の製造方法であって、
金属からなる支持体に、正多角形の開口を有するレジストをパターンニングするレジストパターンニング工程と、
エッチングを行い、前記レジストが覆われていない部分の前記支持体に凹状の窪みを形成するエッチング工程と、
前記窪みに、電解めっきにより前記端子パッドを形成する端子パッド形成工程と、
前記レジストを除去するレジスト除去工程と、
前記端子パッドが形成された前記支持体の表面に、絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層上に、前記端子パッドと接続された配線層を形成する配線層形成工程と、
前記支持体を、エッチングにより除去する支持体除去工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するため、第１の発明に係る配線基板は、表面に半田接合用の複数の端子パッドを有する配線基板であって、
前記複数の端子パッドは、平面形状が正多角形に形成されるとともに、立体形状は中央部が突出した凸形状であり、
前記正多角形の内心が、所定のピッチで配列されたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
これにより、端子パッドの面積を、円形の場合よりも大きくすることができ、ピッチを円形パッドの場合と同一としつつ半田接合力を向上させることができる。また、凸形状とすることにより、端子パッドの表面積を更に大きくすることができ、接合強度を更に向上させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
第４の発明は、第１〜３のいずれか一つの発明に係る配線基板において、
前記表面は、半導体素子が搭載される半導体搭載面であることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
第５の発明は、第１〜４のいずれか一つの発明に係る配線基板において、
前記表面は、外部接続端子面であって、
該外部接続端子面の反対面には、半導体素子が搭載される半導体搭載面が形成されていることを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
第６の発明に係る配線基板の製造方法は、平面形状が正多角形であり、立体形状が中央部の突出した凸形状である端子パッドを有する配線基板の製造方法であって、
金属からなる支持体に、正多角形の開口を有するレジストをパターンニングするレジストパターンニング工程と、
エッチングを行い、前記レジストが覆われていない部分の前記支持体に凹状の窪みを形成するエッチング工程と、
前記窪みに、電解めっきにより前記端子パッドを形成する端子パッド形成工程と、
前記レジストを除去するレジスト除去工程と、
前記端子パッドが形成された前記支持体の表面に、絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層上に、前記端子パッドと接続された配線層を形成する配線層形成工程と、
前記配線層の金属が露出するように、前記配線層の上方にソルダレジストを形成するソルダレジスト形成工程と、
前記支持体を、エッチングにより除去する支持体除去工程と、を含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月1日(2010.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体基板の表面部に形成された第２導電型のリサーフ領域と、
前記半導体層内に前記リサーフ領域と隣り合うように形成された第１導電型のベース領域と、
前記ベース領域内に前記リサーフ領域とは隔離して形成された第２導電型のエミッタ／ソース領域と、
前記エミッタ／ソース領域上から前記ベース領域をまたいで少なくとも前記リサーフ領域上まで形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
前記リサーフ領域内に前記ベース領域とは隔離して形成された第２導電型のドレイン領域と、
前記リサーフ領域内に前記ベース領域とは隔離して形成された第１導電型のコレクタ領域と、
前記半導体基板上に形成され、前記コレクタ領域及び前記ドレイン領域と電気的に接続するコレクタ／ドレイン電極と、
前記半導体基板上に形成され、前記ベース領域及び前記エミッタ／ソース領域と電気的に接続するエミッタ／ソース電極と、を備え、
前記コレクタ領域から前記エミッタ／ソース領域までの距離が、前記ドレイン領域から前記エミッタ／ソース領域までの距離よりも短いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記リサーフ領域内の表層部に、前記ベース領域と電気的に接続して形成される、第１導電型の頂上半導体層を更に備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記コレクタ領域から前記エミッタ／ソース領域へ向かう方向において、個々の前記ドレイン領域から前記頂上半導体層の少なくとも一部までの距離が、前記コレクタ領域から前記頂上半導体層の少なくとも一部までの距離と同じになるように、前記頂上半導体層が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記頂上半導体層とほぼ同じ濃度、ほぼ同じ深さを有する第１導電型のコレクタ領域を備えていることを特徴とする請求項２または３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記リサーフ領域内に、前記ベース領域と電気的に接続して形成される、第１導電型の埋め込み半導体層を更に備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記コレクタ領域から前記エミッタ／ソース領域へ向かう方向において、個々の前記ドレイン領域から前記埋め込み半導体層の少なくとも一部までの距離が、前記コレクタ領域から前記埋め込み半導体層の少なくとも一部までの距離と同じになるように、前記埋め込み半導体層が形成されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記コレクタ領域から前記エミッタ／ソース領域へ向かう方向に対して垂直な方向に、前記コレクタ領域と前記ドレイン領域とが交互に配列するように、複数の前記コレクタ領域及び複数の前記ドレイン領域が形成されていることを特徴とする請求項１から６いずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記コレクタ領域から前記エミッタ／ソース領域へ向かう方向において、一つまたは複数の凹凸を持った前記コレクタ領域を備え、
前記コレクタ領域から前記エミッタ／ソース領域の少なくとも一部までの距離が、前記コレクタ領域に隣り合う前記ドレイン領域から前記エミッタ／ソース領域までの距離よりも短いことを特徴とする請求項１から７いずれかに記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月18日(2010.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光通信により情報の送受を行う情報端末の耐圧防爆ケースにおいて、光を透過させる窓を形成する方法であって、
耐圧防爆ケースのケース部材に大径部と小径部を含む段付きの貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔の大径部と小径部の境界である肩面に環状溝を形成する工程と、
環状溝に樹脂材料を注入し、さらに半固化状態とする工程と、
前記環状溝に注入した樹脂材料が半固化した後、対象となる光が透過する材料からなる窓部材を前記貫通孔の肩面に載置する工程と、
前記窓部材と前記貫通孔の隙間に樹脂材料を充填する工程と、
を含み、
前記環状溝を形成する工程においては、前記窓部材が前記肩面に載置されたときに環状溝に注入された樹脂が当該窓部材と接触する位置に環状溝が形成され、
前記環状溝に樹脂材料を注入し、半固化状態とする工程では、注入した樹脂材料が後から載置される前記窓部材に接触する量の樹脂材料が注入される、
情報端末用耐圧防爆ケースの窓形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載の情報端末用耐圧防爆ケースの窓形成方法であって、
前記環状溝を形成する工程においては、前記窓部材が前記肩面に載置されたときに、窓部材と貫通孔の隙間と、環状溝とが連通するよう、当該環状溝が形成される、
方法。
【請求項３】
請求項１または２の情報端末用耐圧防爆ケースの窓形成方法であって、
前記窓部材を前記貫通孔の肩面に載置する工程の前に、当該窓部材の、貫通孔大径部内周面に対向する面に樹脂材料を塗布する工程を含む、
方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の情報端末用耐圧防爆ケースの窓形成方法であって、
前記窓部材と貫通孔の隙間に樹脂材料を充填する工程においては、前記窓部材に対し、前記肩面に向けて押圧力を作用させる、
方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の情報端末用耐圧防爆ケースの窓形成方法であって、前記窓は、情報の通信用の光を透過させる窓である、方法。
【請求項６】
光通信により情報の送受を行う情報端末の、光を透過させる窓を有する耐圧防爆ケースであって、
内部に空間を形成するケース部材であって、ケース部材の内外を貫通し、大径部と小径部を含む段付きの貫通孔を有するケース部材と、
前記貫通孔の大径部内に配置され、大径部と小径部の境界である肩面に当接する、通信用の光線が透過する窓部材と、
を含み、
前記貫通孔の肩面は、前記窓部材の肩面に当接する面に少なくとも一部が対向する環状溝を有し、
前記貫通孔の大径部と前記窓部材の間隙、および前記環状溝内には、窓部材を保持するための樹脂材料が充填されている、
情報端末用耐圧防爆ケース。
【請求項７】
請求項６に記載の情報端末用耐圧防爆ケースであって、前記貫通孔の大径部と前記窓部材の間隙と、前記環状溝は連通している、情報端末用耐圧防爆ケース。
【請求項８】
請求項６または７に記載の情報端末用耐圧防爆ケースであって、前記窓は、情報の通信用の光を透過させる窓である、情報端末用耐圧防爆ケース。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記の情報端末のケースの窓は、次のように形成することができる。すなわち、ケース部材に大径部と小径部を含む段付きの貫通孔を形成し、貫通孔の大径部と小径部の境界である肩面に環状溝を形成し、環状溝に樹脂材料を注入し、さらに半固化状態とし、窓部材を前記貫通孔の肩面に載置し、窓部材と貫通孔の隙間に樹脂材料を充填する。環状溝を形成する際には、窓部材が肩面に載置されたときに環状溝に注入された樹脂が窓部材と接触する位置に環状溝が形成される。環状溝に注入する樹脂材料の量は、注入した樹脂材料が後から載置される前記窓部材に接触する量とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
前述の肩面７８には、Ｏリング８８が収められる、小径部７５を囲む環状のＯリング用溝９０が設けられている。さらに、Ｏリング用溝９０の外側に小径部７５を囲む環状の溝９２が設けられている。この溝９２には、窓部材８０を固定する樹脂材料が充填されており、この溝９２を以降、樹脂用溝９２と記す。樹脂用溝９２は、窓部材８０の、肩面７８に当接する面の一部に対向し、溝に充填された樹脂は、窓部材８０の、この面と接触している。この部分により、窓部材８０に接触する樹脂材料の面積が増加し、固定力が増加する。また、段付き貫通孔７６の軸線方向の力が作用するとき、溝内の樹脂材料には、引張りまたは圧縮応力が作用し、窓部材８０の外周面と大径部７４内周面の間隙の樹脂材料に働く剪断応力のみで力を受ける場合に比べ、窓部材８０を強固に固定することができる。また、この実施形態では、樹脂用溝９２の外径は、大径部７４の径と一致している。これにより窓部材８０が肩面に載置された状態でも、窓部材の外周面と大径部内周面の隙間と、樹脂用溝が連通し、これらの部分を満たす樹脂材料が一体化している。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月19日(2010.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の透明電極と、発光に関与する複数の層からなる積層と、第２の透明電極と、を備える複数の画像表示素子を有し、
前記画像表示素子の外側に、前記第２の透明電極側から順に配置される、円偏光フィルターと、反射層と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記円偏光フィルター及び前記反射層は、フィルム状に形成され、画像表示素子の片面を覆うことで画像表示素子を封止することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記画像表示素子は、前記第１の透明電極側に配置された透明基板を有し、
前記透明基板の表面に、外光の拡散反射層を配置したことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記発光に関与する複数の層からなる積層のうちの少なくとも１層は、有機ＥＬ材料からなることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、表示装置に関するものであり、特に、発光した光の干渉効果を抑制するための円偏光フィルターを備えた表示装置に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明は、上述した事情に鑑み提案されたもので、画像表示素子の膜厚誤差が生じた場合であっても、光の取り出し効率を減少させることがない表示装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の表示装置は、上述した目的を達成するため、以下の特徴点を備えている。すなわち、本発明の表示装置は、第１の透明電極と、発光に関与する複数の層からなる積層と、第２の透明電極と、を備える複数の画像表示素子を有し、前記画像表示素子の外側に、前記第２の透明電極側から順に配置される、円偏光フィルターと、反射層と、を有することを特徴とするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明の表示装置によれば、画像表示素子の製造時に膜厚が変動したとしても、急激に光の取り出し効率が変化することがなく、光の取り出し効率を減少させることがない表示装置とすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月26日(2010.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
商用電源からの交流を直流に変換する常時電源回路と；
前記常時電源回路からの直流電力でＬＥＤ光源部を点灯する常時ＬＥＤ点灯回路と；
常時には前記常時電源回路からの電源供給により動作するマイクロコンピュータと；
前記マイクロコンピュータの動作電圧よりも満充電状態における電圧値が低いバッテリと；
前記常時電源回路からの直流電力で前記バッテリを充電する充電回路と；
前記商用電源が停電または疑似停電となった非常時には前記バッテリからの直流電圧を昇圧して前記ＬＥＤ光源部点灯用の非常用電源を得るとともに、前記バッテリからの直流電圧を昇圧して前記マイクロコンピュータに動作用の電源を供給する非常時電源回路と；
を備えたことを特徴とするＬＥＤ点灯装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項１の発明に係わるＬＥＤ点灯装置は、商用電源からの交流を直流に変換する常時電源回路と；前記常時電源回路からの直流電力でＬＥＤ光源部を点灯する常時ＬＥＤ点灯回路と；常時には前記常時電源回路からの電源供給により動作するマイクロコンピュータと；前記マイクロコンピュータの動作電圧よりも満充電状態における電圧値が低いバッテリと；前記常時電源回路からの直流電力で前記バッテリを充電する充電回路と；前記商用電源が停電または疑似停電となった非常時には前記バッテリからの直流電圧を昇圧して前記ＬＥＤ光源部点灯用の非常用電源を得るとともに、前記バッテリからの直流電圧を昇圧して前記マイクロコンピュータに動作用の電源を供給する非常時電源回路と；を備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月12日(2010.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
１段階目の紫外線硬化樹脂３９のみを塗布し硬化したものと、２段階目の外周部へのインジウム塗布を行ったそれぞれのＦＥＤ基板において、電源を用いてカソード電極３６とアノードの間に３ｋＶの電圧をかけた時に生じる蛍光体発光の輝度を分光器で測定した。表１に０時間のときの輝度で規格化したときの２４時間後、７２時間後の輝度割合を示す。紫外線硬化樹脂のみの封着では７２時間後には点灯しなかった。一方、本発明の封着方法では７２時間後でも９０％以上の輝度を保つことができている。本発明の方法でも７２時間で約９％の輝度劣化が見られているが、これは簡易パネルを作製したため蛍光体の塗布条件も最適でない可能性があり、封着性能に関わる劣化でない可能性も考慮する必要がある。封着部を通して水蒸気の拡散に関して拡散時間は拡散距離（樹脂の塗り幅）の２乗に比例するので、例えば、樹脂塗布前に十分に脱ガスした樹脂を１mm幅で塗布しＵＶ硬化した後、脱ガスした樹脂を３０mmで塗布しＵＶ硬化すると外壁に到達した水蒸気がパネル内に混入するのを約１０００倍遅らせることができる。
〔表１〕
規格化発光輝度（％）
基板形態        初期（０時間）  ２４時間経過後  ７２時間経過後
バリア層なし     １００            ６５            発光せず
バリア層あり     １００            ９６            ９１