【手続補正書】
【提出日】平成22年2月19日(2010.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と第２の電極との間に、発光物質を含む層を有し、
前記発光物質を含む層は、発光層と、第１の有機化合物を含む層と、第２の有機化合物を含む層と、を有し、
前記第２の電極と前記発光層との間に、前記第１の有機化合物を含む層と、前記第２の有機化合物を含む層と、を有し、
前記第１の電極は透光性を有し、
前記第１の有機化合物の色と前記第２の有機化合物の色は補色の関係にあることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
第１の電極と第２の電極との間に、発光物質を含む層を有し、
前記発光物質を含む層は、発光層と、第１の有機化合物を含む層と、第２の有機化合物を含む層と、を有し、
前記第２の電極と前記発光層との間に、前記第１の有機化合物を含む層と、前記第２の有機化合物を含む層と、を有し、
前記第１の電極は透光性を有し、
前記第１の有機化合物は３８０ｎｍ以上５４０ｎｍ未満の波長領域に吸収ピークを有し、
前記第２の有機化合物は５４０ｎｍ以上７６０ｎｍ以下の波長領域に吸収ピークを有することを特徴とする発光素子。
【請求項３】
第１の電極と第２の電極との間に、発光物質を含む層を有し、
前記発光物質を含む層は、発光層と、第１の有機化合物を含む層と、第２の有機化合物を含む層と、を有し、
前記第２の電極と前記発光層との間に、前記第１の有機化合物を含む層と、前記第２の有機化合物を含む層と、を有し、
前記第１の電極は透光性を有し、
前記第１の有機化合物は、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸誘導体、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸誘導体、ナフタセン誘導体、ニッケル錯体のいずれかであり、
前記第２の有機化合物は、フタロシアニン誘導体、ペンタセン誘導体、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボキシリックビスベンゾイミダゾール誘導体、ビオラントロン誘導体のいずれかであることを特徴とする発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の有機化合物を含む層と前記第２の有機化合物を含む層との間には、第３の層が設けられており、
前記第３の層は、導電性材料を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項５】
請求項４において、
前記導電性材料は、酸化インジウム−酸化スズ、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム−酸化スズのいずれかであることを特徴とする発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の有機化合物を含む層と前記第２の有機化合物を含む層との間には、第３の層が設けられており、
前記第３の層は、半導体材料を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項７】
請求項６において、
前記半導体材料は、チタン酸化物、バナジウム酸化物、ニオブ酸化物、モリブデン酸化物、タングステン酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、コバルト酸化物、ニッケル酸化物、亜鉛酸化物、銅酸化物、錫酸化物、亜鉛硫化物、ガリウム窒化物、ガリウムアルミニウム窒化物のいずれかであることを特徴とする発光素子。
【請求項８】
第１の電極と第２の電極との間に、発光物質を含む層を有し、
前記発光物質を含む層は、発光層と、Ｎ型半導体層と、Ｐ型半導体層と、を有し、
前記第２の電極と前記発光層との間に、前記Ｎ型半導体層と、前記Ｐ型半導体層と、を有し、
前記第１の電極は透光性を有し、
前記Ｎ型半導体層の色と前記Ｐ型半導体層の色は補色の関係にあることを特徴とする発光素子。
【請求項９】
請求項８において、
前記Ｎ型半導体層は３８０ｎｍ以上５４０ｎｍ未満の波長領域に吸収ピークを有し、
前記Ｐ型半導体層は５４０ｎｍ以上７６０ｎｍ以下の波長領域に吸収ピークを有することを特徴とする発光素子。
【請求項１０】
請求項８において、
前記Ｎ型半導体層は５４０ｎｍ以上７６０ｎｍ以下の波長領域に吸収ピークを有し、
前記Ｐ型半導体層は３８０ｎｍ以上５４０ｎｍ未満の波長領域に吸収ピークを有することを特徴とする発光素子。
【請求項１１】
請求項８において、
前記Ｎ型半導体層は、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミドのいずれかを含み、
前記Ｐ型半導体層は、フタロシアニン、銅フタロシアニン、亜鉛フタロシアニン、バナジルフタロシアニン、チタニルフタロシアニン、ニッケルフタロシアニン、ペンタセン、６，１３−ジフェニルペンタセンのいずれかを含むことを特徴とする発光素子。
【請求項１２】
請求項８において、
前記Ｎ型半導体層は、（１，２，３，４，８，９，１０，１１，１５，１６，１７，１８，２２，２３，２４，２５−ヘキサデカフルオロフタロシアニナト）銅、（１，２，３，４，８，９，１０，１１，１５，１６，１７，１８，２２，２３，２４，２５−ヘキサデカフルオロフタロシアニナト）亜鉛、パーフルオロペンタセン、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボキシリックビスベンゾイミダゾールのいずれかを含み、
前記Ｐ型半導体層は、ナフタセン、５，１２−ジフェニルナフタセン、ルブレンのいずれかを含むことを特徴とする発光素子。
する発光素子。
【請求項１３】
請求項８乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記Ｐ型半導体層と前記Ｎ型半導体層との間には、第３の層が設けられており、
前記第３の層は、導電性材料を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記導電性材料は、酸化インジウム−酸化スズ、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム−酸化スズのいずれかであることを特徴とする発光素子。
【請求項１５】
請求項８乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記Ｐ型半導体層と前記Ｎ型半導体層との間には、第３の層が設けられており、
前記第３の層は、半導体材料を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項１６】
請求項１５において、
前記半導体材料は、チタン酸化物、バナジウム酸化物、ニオブ酸化物、モリブデン酸化物、タングステン酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、コバルト酸化物、ニッケル酸化物、亜鉛酸化物、銅酸化物、錫酸化物、亜鉛硫化物、ガリウム窒化物、ガリウムアルミニウム窒化物のいずれかであることを特徴とする発光素子。
【請求項１７】
請求項８乃至請求項１６のいずれか一項において、
前記Ｐ型半導体層は、アクセプター性物質をさらに含むことを特徴とする発光素子。
【請求項１８】
請求項１７において、
前記アクセプター性物質は、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン、クロラニルのいずれかであることを特徴とする発光素子。
【請求項１９】
請求項１７において、
前記アクセプター性物質は、遷移金属酸化物であることを特徴とする発光素子。
【請求項２０】
請求項１７において、
前記アクセプター性物質は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムのいずれかであることを特徴とする発光素子。
【請求項２１】
請求項８乃至請求項２０のいずれか一項において、
前記Ｎ型半導体層は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属または元素周期表における１３族に属する金属であるドナー性物質をさらに含むことを特徴とする発光素子。
【請求項２２】
請求項２１において、
前記ドナー性物質は、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、イッテルビウム、インジウムのいずれかであることを特徴とする発光素子。
【請求項２３】
請求項１乃至請求項２２のいずれか一項に記載の発光素子と、前記発光素子の発光を制御する制御手段とを有する発光装置。
【請求項２４】
表示部を有し、前記表示部は、請求項１乃至請求項２２のいずれか一項に記載の発光素子と前記発光素子の発光を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする電子機器。