(57)【要約】  本発明のオプトエレクトロニクス素子には、基板と、この基板に被着される接続要素と、電磁ビームを放射する積層体とが含まれており、この積層体は、接続要素に被着される。上記の接続要素は少なくとも１つの接続材料を有しており、この接続材料は、方向が設定された分子配置を有しており、上記の接続要素は、異方的である少なくとも１つのパラメタを有する。
2015530750.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス素子において、
該オプトエレクトロニクス素子は、
基板（１０）と、
該基板（１０）に被着されている接続要素（２０）と、
電磁ビームを放射する積層体（３０）とを有しており、
該積層体（３０）は、前記接続要素（２０）に被着されており、
前記接続要素（２０）は少なくとも１つの接続材料を有しており、
該接続材料は、方向が設定された分子配置（２１）を有しており、
前記接続要素（２０）は、異方的である少なくとも１つのパラメタを有する、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス素子。
【請求項２】
請求項１に記載のオプトエレクトロニクス素子において、
前記接続要素（２０）は、前記基板（１０）を前記積層体（３０）に接続するために構成されており、
前記接続材料は、ポリマ、ブロックコポリマ、グラフトポリマ、デンドリマおよびこれらの組み合わせを含むグループから選択されており、
前記接続材料の個々の分子の分子長軸の８０％よりも多くの分子長軸が、前記基板の表面に対しておおむね垂直な方向を有しており、
前記接続要素（２０）は、前記基板の表面に対して垂直な方向に異方的な熱伝導率を有する、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス素子。
【請求項３】
請求項１または２のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス素子において、
前記接続材料は、異方的な熱伝導率を有する、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス素子。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス素子において、
前記接続要素（２０）は透過性である、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス素子。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス素子において、
前記接続材料は、ポリマ、ブロックコポリマ、グラフトポリマ、デンドリマ、グラフェンおよびこれらの組み合わせからなるグループから選択される、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス素子。
【請求項６】
請求項１から５までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス素子において、
前記接続材料は、粒子（２３）として構成されており、かつ、マトリクス材料に埋め込まれている、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス素子。
【請求項７】
請求項１から６までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス素子において、
前記接続要素（２０）は層として成形されている、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス素子。
【請求項８】
請求項１から７までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス素子において、
前記接続材料の個々の分子は互いに、おおむね相互に平行に配置されている、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス素子。
【請求項９】
請求項１から８までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス素子において、
前記接続材料の個々の分子は、前記接続要素側を向いた前記基板の表面に対して、おおむね平行に、および／または、垂直に配置されている、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス素子。
【請求項１０】
請求項１から９までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス素子において、
前記接続要素（２０）はシートとして成形されている、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス素子。
【請求項１１】
請求項１から１０までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス素子において、
前記接続材料は、結晶質および／または無定形である、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス素子。
【請求項１２】
請求項１から１１までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス素子において、
前記接続要素（２０）は、結晶質の接続材料を有しており、
前記接続要素は、３７Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有する、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス素子。
【請求項１３】
請求項１から１２までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス素子を製造するための方法において、
該方法は、
Ａ）  前記基板（１０）を準備するステップと、
Ｂ）  前記接続要素（２０）を前記基板（１０）に被着するステップとを有しており、
前記接続要素（２０）は、少なくとも１つの接続材料を有しており、
当該接続材料が、方向が設定された分子配置（２１）を有しているか、または、前記接続材料の前記方向が設定された分子配置（２１）は、前記ステップＢ）においてまたは前記ステップＢ）の後に形成される、
ことを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の、オプトエレクトロニクス素子を製造する方法において、
熱処理、電場の印加、圧力による処理、および／または、力の作用によって、前記接続材料の前記方向が設定された分子配置（２１）を形成する、
ことを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載の、オプトエレクトロニクス素子を製造する方法において、
前記ステップＡ）には付加的に１つのステップＡ’）が含まれており、すなわち、
Ａ’）前記基板（１０）を加熱して、ステップＢ）において、前記基板（１０）上に前記接続要素（２０）を被着する間に、前記接続材料の、方向が設定された分子配置（２１）が形成されるようにするステップが含まれている、
ことを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項１３に記載の、オプトエレクトロニクス素子の製造方法において、
前記方法には、ステップＢ）の後に付加的なステップＣ）が含まれており、すなわち、
Ｃ）  前記積層体（３０）を被着する間に同時に、前記接続材料の、方向が設定された分子配置（２１）が前記接続要素（２０）において形成されるように、前記接続要素（２０）に積層体（３０）を被着するステップが含まれている、
ことを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、オプトエレクトロニクス素子およびオプトエレクトロニクス素子を製造する方法に関する。
【０００２】
例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）のようなオプトエレクトロニクス素子は、基板とビーム放射積層体とを互いに接続する接続要素を含むことが多い。この接続要素は一般的に極めて熱伝導率が低い。このため、オプトエレクトロニクス素子の動作時に発生する熱を、例えば上記の積層体において発生する熱を十分に排熱できないという問題が発生すること多い。熱伝導率を高めるため、例えば、従来の接続要素には充填材料が混ぜられる。これにより、充填度に依存して熱伝導率を０．０１から、最大０．２ないし０．４Ｗ／ｍＫに高めることができる。混ぜ合わされるこの充填材料の欠点は、上記の接続要素の透過度を維持するため、この充填材料を細かな粒子の形態でしか混ぜられないことである。したがって０．４Ｗ／ｍＫを上回る熱伝導率を形成することはできないのである。
【０００３】
本発明の解決すべき課題は、改善された熱伝導率を有するオプトエレクトロニクス素子ならびにオプトエレクトロニクス素子を製造する方法を提供することである。
【０００４】
この課題は、独立請求項の特徴的構成を有するオプトエレクトロニクス素子およびその製造方法によって解決される。このオプトエレクトロニクス素子および製造方法の有利な実施形態および発展形態は、従属請求項に示されており、また以下の説明および図面に記載されている。
【０００５】
本発明のオプトエレクトロニクス素子には、基板と、この基板上に被着された接続要素と、電磁ビームを放射する積層体とが含まれている。ここでこの積層体は、上記の接続要素の上に被着されており、この接続要素は少なくとも１つの接続材料を有する。この接続材料は、方向が定まった分子配置を有しており、この接続要素は、異方的である少なくとも１つのパラメタを有する。
【０００６】
ここで指摘しておきたいのは、「素子」という概念は、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）またはレーザダイオードのような完成した素子だけを指すと理解すべきでなく、基板および／または半導体積層体のことも指すと理解すべきであり、このため、例えば、銅層および半導体積層体の結合体も素子であり、この結合体は、例えば付加的に電気的な接続部が設けられている上位の第２の素子の構成部分を構成し得る。本発明によるオプトエレクトロニクス素子は、例えば、薄膜半導体チップを、例えば薄膜発光ダイオードチップを含み得る。
【０００７】
ここで「積層体」とは、１つよりも多くの層を含む積層体のことであり、例えばｐドーピングおよびｎドーピングされた半導体層の列のことであると理解することができ、これらの層は上下に並んで配置されている。積層体は半導体チップのことであるとも理解することができる。
【０００８】
ここおよび以下で「電磁ビーム」は、例えば、紫外線から赤外線のスペクトル領域からの１つの複数の波長または波長領域を有する電磁ビームは光とも称される。光は、例えば可視光とすることが可能であり、この光には、約３５０ｎｍから約８００ｎｍの間の可視スペクトル領域からの波長または波長領域が含まれ得る。ここおよび以下で可視光とは、例えば、当業者には公知のいわゆるCIE-1931-色度図ないしはCIE標準色度図のcx-およびcy-色位置座標を有する色位置によって特徴付けることができる。
【０００９】
ここでまた以下で、１つの層または要素が別の１つの層または別の１つの要素の「上」または「上方」に配置されるまたは被着されるとは、この１つの層または１つの要素が、上記の別の１つの層または別の１つの要素に直接、機械的および／または電気的に直ぐ近くで接触接続して配置されることを意味し得る。さらにこれは、上記の１つの層または１つの要素が、上記の別の１つの層または別の１つの要素の上ないしは上方に間接的に配置されていることも意味し得る。この場合には別の複数の層および／または要素を、上記の１つの層および／または別の１つの層の間に、ないしは、１つの要素と別の１つの要素との間に配置することができる。
【００１０】
例えば、「接続要素が基板上に被着されている」を意味するのは、上記の接続要素が、機械的および／または電気的に直ぐ近く接触接続して、直接または間接的に基板上に配置されていることである。間接的な接続接触の場合、例えば、接続要素と基板との間に１つの接触接続層を設けることができる。
【００１１】
例えば、「積層体が接続要素に被着されている」を意味するのは、この積層体が、機械的および／または電気的に直ぐ近くで接触接続して、間接的に上記の接続要素に配置されていることである。この場合には別の複数の層および／または要素、例えばはんだ層および／またははんだ要素またはサファイア層またはサファイア要素を上記の接続要素と積層体との間に配置することができる。
【００１２】
ここで「接続要素」とは、これが、例えば基板である１つの要素および／または層と、例えば積層体を含む半導体チップである別の１つの要素および／または層とを結合できることを意味する。この結合は、接続要素と、上記の１つの要素および／または層との、ならびに、接続要素と、上記の別の１つの要素および／または層との物理的および／または化学的な相互作用によって行うことができる。化学的な相互作用は、分子と分子との間の力、すなわち分子間力、分子内力および／または化学結合、例えばイオンによる相互作用、水素結合、二重結合、ファン・デル・ワールス相互作用、イオン結合、共有結合、配位結合および／または金属結合とすることが可能である。これにより、上記の基板と積層体とをより良好に固定することができる。
【００１３】
一実施形態によれば、上記の接続要素には、方向が定まった分子配置を有する接続材料が含まれている。ここおよび以下で「方向が定まった分子配置」とは、接続材料の個々の１つの分子または個別の複数の分子が、接続要素側を向いている上記の基板の表面に対して所定の空間的な方向を有し得ること、および／または、接続材料の個別の複数の分子が、互いに空間的な方向を有し得ることであると理解することができる。
【００１４】
別の実施形態によれば、上記の接続材料の個々の分子は互いにおおむね平行に配置されている。ここで「おおむね」とは、上記の分子の主要部が互いに平行に配向され得ることを、すなわち、上記の接続材料の個々の分子のうちの少なくとも５０％、有利には８０％よりも多く、殊に有利には９０％よりも多く、例えば９５％をこのように配向できることを意味する。上記の接続材料および／または接続材料の分子は、ｚ方向に同じ方向を有する一方で、ｘ，ｙ平面を対して異なる配向を有する複数の領域を有し得る。
【００１５】
別の実施形態によれば、上記の接続材料の個々の分子は、上記の基板の接続要素側を向いた表面に対して垂直および／または平行に配置することができる。例えば、接続材料の個々の分子は、基板の表面に対しておおむね垂直の方向を有する。おおむね平行および／または垂直な方向に、方向が定められた分子配置によって除外されないのは、基板の表面に対して平行および／または垂直な方向からのわずかな偏差が存在し得ることである。
【００１６】
一実施形態によれば、上記の接続材料の分子の幾何学形状は任意に選択可能である。これらの分子は、例えば形状異方的である。ここで形状異方的であるとは、接続材料の分子が、方向に依存して、異なる幾何学形状を有するか不規則に成形されていることを意味する。形状異方的とは、例えば、接続材料の分子の高さ、幅および奥行が異なることを意味する。例えば、接続材料の分子は、チューブ、ロッドまたは例えばナノワイヤのワイヤの形状で形成される。上記の接続材料は、粒子状とすることが可能である。上記の形状異方性は、上記の異方的なパラメタを改善することでき、例えば、基板の表面の方向に接続要素の熱伝導率が高められる。
【００１７】
本発明の発明者が発見したのは、少なくとも上記の基板と積層体を互いに接続する本発明による接続要素が、オプトエレクトロニクス素子において、改善された方向依存の熱伝導率を有することである。接続要素のより高いおよび／または異方的な熱伝導率により、積層体からより良好に排熱を行うことができる。これにより、この積層体により多くの電流を流すことができる。この結果、このオプトエレクトロニクス素子の一層高い効率が得られる。上記の接続要素の熱伝導率がより大きいことにより、例えば基板を介して、積層体のより大きな排熱が行われる。この結果、この積層体およびその周囲は、より熱せられないようになる。上記の積層体からより良好な排熱を行うこの接続要素により、色位置のシフトを小さくすることができ、したがって全体としてこのオプトエレクトロニクス素子の光学特性を改善することができる。これにより、発光効率を改善することができる。
【００１８】
一実施形態によれば、上記の積層体は、半導体積層体とすることが可能である。活性領域を備えたる少なくとも１つの半導体層が、エレクトロルミネッセンスを有するのであれば、この半導体積層体の半導体材料には制限はない。上記の半導体積層体は、例えば、インジウム、ガリウム、アルミニウム、窒素、リン、ヒ素、酸素、ケイ素、炭素およびこれらの組み合わせから選択される複数の元素からなる化合物を有する個々の層を含み得る。しかしながら別の複数の元素および添加物を使用することも可能である。活性領域を有する積層体は、例えば、窒化物化合半導体材料またはＩｎＧａＡｌＰ化合物半導体材料をベースとすることが可能である。ここで「窒化物化合物半導体材料ベース」とは、半導体積層体またはその少なくとも一部分が、窒化物化合物半導体材料を、有利にはＡｌnＧａmＩｎ1-n-mＮを有するか、またはこれから構成されることを意味し、ただし０≦ｎ≦１，０≦ｍ≦１かつｎ＋ｍ≦１である。ここで上記の材料は、必ずしも上記の組成式にしたがう数学に正確な組成を有する必要はない。むしろここでは、例えば、１つのまたは複数のドーピング剤ならびに付加的な構成要素を有し得る。しかしながら、わずかな量の別の物質によって一部が置き換えられるおよび／または補われ得るとしても、わかり易くするため、上の組成式には結晶格子（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｎ）の重要な構成要素だけが含まれている。
【００１９】
上記の半導体積層体は、活性領域として、例えば従来のｐｎ接合、ダブルへテロ構造、単一量子井戸構造（ＳＱＷ構造）または多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造）を有し得る。半導体積層体は、この活性領域の他に、例えばｐまたはｎドーピングされたキャリア搬送層、すなわち電子または正孔輸送層、ｐまたはｎドーピングされた閉じ込め層またはクラッディング層、バッファ層および／または電極ならびにこれらの組み合わせなどの別の機能層および機能領域を含むことができる。上記の活性領域または別の機能層および領域に関する構造は、殊に構成、機能および機能について当業者には公知であり、したがってここでは詳しく説明しない。
【００２０】
別の実施形態によれば、半導体チップはビーム放射積層体ないしはエレクトロルミネッセンス積層体を有する。
【００２１】
別の実施例によれば、上記の半導体チップは、レーザダイオード、共鳴共振器ＬＥＤまたは有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）とすることが可能である。
【００２２】
一実施形態によれば、上記の半導体チップは、半導体材料を有する支持体を備えており、この半導体材料には、ケイ素およびその化合物、ゲルマニウムおよびその化合物、サファイアおよび／またはガリウムヒ素が含まれる。
【００２３】
別の実施形態によれば、上記の基板は、プリント回路基板（ＰＣＢ）、セラミック基板、回路基板、アルミニウムプレート、銅プレート、プラスチック射出成形品またはＳＣＢ（stamped circuit board）、ガラスまたはシートとすることが可能である。この基板は、Ａｌ2Ｏ3，ＡｌＮ，ＳｉＣ，Ｓｉ3Ｎ4またはＢｅＯを含み得る。
【００２４】
一実施形態によれば、上記の接続要素は、空間方向について異方的であるパラメタを有する。このパラメタは、熱膨張係数、弾性率、複屈折、電気に関する種々の定数、透磁率、弾性に関する種々の係数、誘電性に関する種々の量、導電率および熱伝導率を含むグループから選択することができる。
【００２５】
例えば、別の実施形態によれば、上記の接続材料は、異方的な熱伝導率を有する。ここおよび以下で「熱伝導率」とは、熱またはエネルギを輸送する材料の、例えば接続材料の少なくとも１つの能力のことである。ここおよび以下で「異方的な熱伝導率」とは、材料の、例えば接続材料の方向に依存する熱伝導率のことである。例えば、接続材料の分子の分子長軸をおおむね垂直方向に配向することにより、接続要素側を向いている基板の表面に対して垂直な方向に異方的な熱伝導率が発生する。このことが意味するのは、接続材料の分子のこの配向により、接続要素側を向いたおよび／または接続要素側とは反対側を向いた基板の表面の方向の熱伝導率が、基板のこれらの表面に平行な方向よりも大きくなることである。これにより、オプトエレクトロニクス素子の動作時には、上記の接続要素を介し、積層体において発生する熱をより良好に基板に輸送して排熱することができる。上記の接続材料の分子の配向により、分子の等方性の方向設定を有する接続材料に比べて熱伝達抵抗が低減する。これによってオプトエレクトロニクス素子は、熱しにくくなり、また発光効率が増大する。「接続要素側を向いた基板の表面」とは、機械的および／または電気的に直ぐ近くで接続要素に直接または間接的に接触接続している表面のことであると理解される。「接続要素側とは反対側の基板の表面」とは、上記の接続要素側を向いた基板の表面に対して平行な上記の基板の表面のことであると理解される。
【００２６】
別の実施形態によれば、上記の接続要素は、１ないし３７Ｗ／ｍＫの範囲にある異方的な熱伝導率を有する。本発明による接続要素のこのように高い熱伝導率は、方向設定された接続材料の分子配置に起因する。例えば、おおむね互いに平行である、および／または、接続要素側を向いた基板の表面に対して平行に配置することのできる、接続材料の個々の分子の上記の互いの配向により、第１には、例えば０．０１ないしは最大で０．４Ｗ／ｍＫしか有しない従来の接続要素に比べて、熱伝導率を高めることができる。これにより、上記の接続要素を介して、接続要素側を向いたおよびこれとは反対側を向いた基板の表面の方向に外部への排熱が促進されるようになる。択一的には接続材料の分子を互いに平行に配置することができ、また接続要素側を向いた基板の表面に対して平行に配置することができる。後者により、例えば、接続要素を介する、例えばポッティングを介する外部への発熱が促進される。
【００２７】
一実施形態によれば、上記の接続要素は導電性を有する。この導電性は、異方的とすることが可能である。この導電性は、接続材料の分子がおおむね互いに平行な方向を有する、および／または、基板の接続要素側を向いた表面または積層体に対して垂直な配向を有する場合に殊に高くなる。これにより、上記の接続要素は、基板に対する電気接続部として機能することができる。半導体チップと基板との間の付加的な接続部は必ずしも必要でないため、コストおよび材料を節約することができる。
【００２８】
一実施形態によれば、上記の接続要素は、熱伝導性を有する。熱伝導性だけを有する接続要素は、２つの電極を有するオプトエレクトロニクス素子に対する改善策である。
【００２９】
別の実施形態によれば、上記の接続要素は透過性である。この透過性の接続要素は、上記の積層体から放射される電磁ビームを通すことができる。この透過性は異方的とすることも可能であり、例えば、基板に対して垂直な方向に最大とすることが可能である。これにより、電磁ビームは基板において反射することができ、光の出力結合を増大させることができる。これにより、基板における光の反射の利点を利用することができる。
【００３０】
別の実施形態によれば、上記の接続要素は、ポリマ、ブロックコポリマ、グラフトポリマ、デンドリマ、グラフェンおよびこれらの組み合わせを含むグループから選択される。
【００３１】
ここおよび以下で「ポリマ」とは、複数の連鎖または分岐した分子からなる化合物であって、それ自体が同じまたは同種のモノマ単位から構成される化合物のことである。例えば、ポリマは、ポリエチレンおよびポリプロピレンを含むグループから選択することができる。
【００３２】
「ブロックコポリマ」は、線状に結合されたブロックを有するコポリマである。「ブロック」とは、同じモノマ単位が複数個繰り返され、隣接するブロックとは異なる少なくとも１つの構造上または構成上の特徴を有する、ポリマ分子の一部分のことである。コポリマは、２つまたはそれ以上の異なるモノマ単位から組み立てられるポリマのことである。
【００３３】
「接ぎ木型コポリマ」とも称される「グラフトポリマ」は、モノマの複数のブロックが別のモノマの骨格に接ぎ木されているコポリマのことである。
【００３４】
「デンドリマ」は、構造が分岐コアから出発して樹木と同じように分枝している化合物のことであり、この分枝が繰り返しのモノマ単位からなる場合にデンドリマと呼ぶ。このデンドリマからは半径方向の対称性が得られる。
【００３５】
ここおよび以下で「グラフェン」とは、各炭素原子が別の３つの炭素原子によって取り囲まれて平坦なハニカム状の構造を構成する、２次元構造を有する炭素の変種のことである。第１の層の２次元構造は、グラフェンの第２の層の２次元構造と共にまとめることができ、これによって個々の単層の層を積層することによって３次元構造体が形成される。この３次元構造体は「グラファイト」と称される。
【００３６】
例えばグラフェンと、グラフェンでない別の接続材料とが混ぜ合わされる。これによって熱伝導率が増大する。これは、グラフェンの３次元的な配置と、接続材料へのその組み込みとによって得られる。例えば、接続材料とのグラフェンのπ−π相互作用により、熱伝導率が増大し得る。
【００３７】
例えばポリマ、ブロックコポリマ、グラフトポリマ、デンドリマなどの接続材料の方向が設定された分子配置は、種々異なる重合法によって形成することができる。重合法は、例えば、アニオン共重合、カチオン共重合、グラフト重合、ＡＴＲＰ（Atom transfer radical polymerization）、拡散性のカチオン重合、アニオン重合、ラジカル重合またはデンドリマの収束的合成などである。
【００３８】
別の実施形態によれば、上記の接続材料は粒子として成形され、マトリクス材料に埋め込まれる。粒子状に成形された接続材料は、方向が設定された分子配置を有する。上記のマトリクス材料は、異方的な特性を有する必要はない。上記の粒子は、１ないし５０００ｎｍの、有利には１ないし２００ｎｍの大きさを有し、殊に有利には１００ｎｍ未満の、例えば８０ｎｍの大きさを有する。粒子のこの大きさによって可能になるのは、接続要素の透過度を維持するのと同時に熱伝導率を高めることである。この透過度はまた所定の値に調整することが可能である。殊に電磁ビームは、例えばオプトエレクトロニクス素子から放射される電磁ビームは、１００ｎｍ以下の大きさを有する粒子によっては散乱されず、ひいては接続要素の透過度が維持される。「透過」であるとは、電磁ビームの対応する波長において７０％以上、殊に８０％以上、例えば８５％の透過度があることを意味する。粒子状に成形された接続材料として、例えばポリマ、ブロックコポリマ、グラフトポリマなど、この明細書で説明した接続材料が使用される。しかしながら、例えばこれらの接続材料の個々のフラグメントを粒子として使用することも可能である。ここでフラグメントとは、例えば、ポリマ、ブロックコポリマおよび／またはグラフトポリマの構成要素であるモノマ単位のことである。
【００３９】
ここおよび以下で「マトリクス材料」とは、従来の接続要素に使用されている材料のことである。マトリクス材料には、シリコーン、エポキシおよび／またはハイブリッドベースの複数の材料が含まれ得る。このマトリクス材料は、上記の接続材料とは異なり、方向が設定された分子を有しない。このマトリクス材料の熱伝導率は等方的である。マトリクス材料は、例えばシリコーンとすることができ、メチル基置換シリコーン、例えばポリ（ジメチルシロキサン）および／またはポリメチルフェニルシロキサン、チクロヘキシル置換シリコーン、例えばポリ（ジチクロヘキシル）シロキサンまたはこれらの組み合わせとすることが可能である。粒子として成形した接続材料は、マトリクス材料に埋め込むことができる。これらの粒子はマトリクス材料に均一に分散させることが可能である。これらの粒子が濃度勾配を伴ってマトリクス材料に分散されることも考えられる。この場合には、マトリクス材料における適切に選択した粒子分散を用いて、このマトリクスにおいて異方的な特性を形成することが可能である。方向が設定された分子配置を有しかつ粒子とした成形された接続材料を埋め込むことにより、等方的なマトリクス材料に、部分的に異方的な熱伝導率を形成することができる。これにより、方向に依存しないマトリクス材料の熱伝導率に比べ、方向に依存する熱伝導率が粒子の領域に得られる。これにより、接続要素において発生する熱を所期のように、例えば基板および／またはケーシングの方向に排熱することができる。マトリクス材料における接続材料の割合を大きくするか小さくすることにより、熱伝導率に対する所望の値を調整することができ、および／または、熱伝導率をプロセス技術的に制御することができる。
【００４０】
別の実施形態によれば、上記の接続要素は、層および／またはシートとして成形される。層および／またはシートとして成形されかつ方向が設定された分子配置を有する接続材料を含む接続要素は、方向が設定された分子構成を有する接続材料の均一な分散を有し得る。これにより、例えば、基板の表面全体または接続要素側を向いた上記の積層体の表面全体にわたり、接続要素の均一で異方的な熱伝導率を形成することができる。これにより、接続要素による積層体の均一な排熱が行われる。したがって上記の積層体にはより多くの電流を流すことができ、これによってオプトエレクトロニクス素子の一層高い効率が得られる。
【００４１】
別の実施形態によれば、上記の粒子の大きさは少なくとも、接続要素の上記の層および／またはシートの厚さに等しくすることが可能である。これにより、製造時に上記の接続材料の分子の自己方向設定を誘発することができる。ここで「自己方向設定」とは、上記の積層体を被着することにより、接続材料の分子が配置されることを意味する。ここで「配置」とは、接続要素において、方向が設定された分子配置を形成することである。
【００４２】
別の実施形態によれば、上記の接続材料は、結晶質および／または無定形である。ここおよび以下で「結晶質」とは、接続材料が、原子の秩序において短距離秩序も長距離秩序も共に有することである。ここおよび以下で「無定形」とは、接続要素が短距離秩序を有し得るが、長距離秩序を有し得ないことである。無定形の接続材料の短距離秩序は、多くの場合、対応する結晶質の接続材料の構造に対応する。結晶質の接続材料は、ＰＥＯ（ポリエチレングリコール）および／またはポリ（ターシャリ）ブチルアクリレートのような別のポリマブロックも含み得る。結晶質の接続材料は、ポリスチロール−ｂ−ポリエチレングリコール（ＰＳ−ｂ−ＰＥＯ）、ポリスチロール−ｂ−ポリブタジエン（ＰＳ−ｂ−ＰＢＤ）、ポリスチロール−ｂ−ポリブタジエン−ｂ−ポリ（ターシャリ）ブチルアクリレート（ＰＳ−ｂ−ＰＢＤ−ｂ−ＰｔＢＡ）またはポリスチロール−ｂ−ポリブタジエン−ｂ−ポリメチルメタクリレート（ＰＳ−ｂ−ＰＢＤ−ｂ−ＰＭＭＡ）およびこれらの組み合わせを含みグループから選択することができる。これらのすべての実施形態において、複数のブロックは、直接または構成単位ｂによって互いに結合されている。デンドリマおよびその組み合わせは、結晶質接合材料における液晶側鎖またはポリエチレングリコール側鎖を含み得る。
【００４３】
ここおよび以下で「液晶」とは化学物質の一特性のことであり、この化学物質には、例えばモノマ、オリゴマまたはポリマを含むかまたはこれら構成される。この化学物質は、例えば、物理特性の方向依存性（異方性）のような結晶の特性も、例えば、電気的および光学的な特性または流れ特性のような液体の特性も共に呈し、所定の温度領域では２つの相（液相および結晶相）が並行して存在する（中間相）。
【００４４】
一実施形態によれば、上記の接続要素は、結晶質の接続材料を有することができ、この接続要素は、３７Ｗ／ｍＫ以上のオーダの高い異方的な熱伝導率を有する。択一的または付加的には、層として成形された接続要素は、３７Ｗ／ｍＫ以上の異方的な熱伝導率を有し得る。結晶質の接続材料は元々異方である。これは、格子状の接続材料の結晶構造から生じ、また結晶では結晶性ブロックは、３つの格子主軸（ｘ，ｙおよびｚ方向）に沿って配置が異なることによるものである。これによって上記の結晶質の接続材料は、等方的な熱伝導率を有する接続材料では形成できない殊に高い異方的な熱伝導率を有し得るのである。元々等方的な無定形の接続材料は、外部の作用により、例えば、圧力、電場、力の作用により、人工的に異方的にすることが可能である。これにより、それ自体は等方性である無定形の接続材料に異方的な熱伝導性を付与することができるのである。
【００４５】
本発明ではさらに、以下のステップを有するオプトエレクトロニクス素子の製造方法が提供される。すなわち、この方法は、
Ａ）  基板を準備するステップと、
Ｂ）  接続要素をこの基板に被着するステップとを有しており、この接続要素は、少なくとも１つの接続材料を有しており、この接続材料は、方向が設定された分子配置を有しているか、または、上記の接続材料の方向が設定された分子配置は、ステップＢ）においてまたはステップＢ）の後に形成される。
【００４６】
一般的な部分の説明において示したここまでのすべての実施形態およびオプトエレクトロニクス素子の定義は、オプトエレクトロニクス素子を製造するこの方法に当てはまる。このことは殊に上記の積層体、基板または接続要素の実施形態に当てはまる。
【００４７】
別の実施形態によれば、上記の接続材料の方向が設定された分子配置は、熱処理、電場の印加、圧力による処理、および／または力の作用によって形成される。
【００４８】
別の実施形態によれば、ステップＡ）は付加的にステップＡ’）を有する。すなわち、
Ａ’）上記の基板を加熱して、ステップＢ）において基板上に接続要素を被着する間に、接続材料の、方向が設定された分子配置が形成されるようにするステップを有するのである。
【００４９】
別の実施形態では、ステップＢ）の後、付加的なステップＣ）を実行する。すなわち、
Ｃ）  上記の積層体を被着する間に、接続材料の、方向が定められた分子配置が接続要素において形成されるように、上記の接続要素に積層体を被着するステップを実行するのである。一実施形態によれば、上記の半導体チップは、むき出しのすなわちハウジングに収容されていない半導体チップの形態であり、この半導体チップはＬＥＤまたは「ダイ」と称される。この少なくとも１つのむき出しの半導体チップは、例えばプリント基板の接続要素または基板に被着され、むき出しのこの半導体チップの電気コンタクトは、マイクロメートル程度の、金線を有するワイヤボンディング（Wire-Bonding）を用いて上記のプリント基板の接続面（パッド）に接続することができる（いわゆるダイ・ボンディング）。これにより、例えばプリント基板のような、基板のほぼ限界のない構成自由度を保証することができ、ひいては個別の複数のオプトエレクトロニクス素子を作製することができるのである。
【００５０】
以下では、複数の図面および実施例に基づき、本発明のオプトエレクトロニクス素子およびその製造方法の別の利点ならびに有利な実施形態および発展形態を詳しく説明する。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】一実施形態にしたがい、オプトエレクトロニクス素子を示す概略図である。
【図２】別の実施形態に実施形態にしたがい、オプトエレクトロニクス素子を示す概略図である。
【図３】一実施形態にしたがい、オプトエレクトロニクス素子を示す概略図である。
【図４】一実施形態にしたがい、接続要素を作製する方法を示す図である。
【図５】一実施形態にしたがい、オプトエレクトロニクス素子を製造する方法を示す図である。
【図６】別の実施形態にしたがい、オプトエレクトロニクス素子を製造する方法を示す図である。
【図７】別の実施形態にしたがい、オプトエレクトロニクス素子を製造する方法を示す図である。
【００５２】
上記の複数の実施例および図面において同じ構成部分または同じ機能を有する構成部分にはそれぞれ同じ参照符号が付されている。図示の複数の要素およびこれら要素の互いの大きさの比は基本的に縮尺通りと見なしてはならない。
【００５３】
図１にはオプトエレクトロニクス素子の概略側面図が示されている。このオプトエレクトロニクス素子は、基板１０と、基板１０上に配置されている接続要素２０と、積層体３０とを有する。したがって接続要素２０は、基板１０と積層体３０との間に配置されているのである。接続要素２０は接続材料を有しており、この接続材料は、方向が定まった分子配置２１を備えている。接続要素２０は透明とすることが可能である。例えば、接続材料の複数の分子はおおむね互いに平行に配置することができ、および／または、接続要素側を向いたおよび／またはこれとは反対側を向いた基板の表面に対して垂直に配置することができる。この分子の方向から偏差することも可能である。
【００５４】
接続要素２０は、層および／またはシートとして成形することができる。上記の接続要素の接続材料の分子は、元々方向が定まっていることが可能であり、または前もって方向を定めることができる。ここで「元々方向が定まっている」とは、例えば力、圧力、温度などの作用による付加的な処理がなくても、接続要素２０が、方向の定められた分子を有することを意味する。接続材料２１の分子の方向が定まっていることにより、この接続要素において異方的な熱伝導性が形成される。これにより、例えば上記の積層体において発生する熱が一層良好に導かれることになる。この積層体の過熱を回避することができ、オプトエレクトロニクス素子に一層大きな電流を流すことができる。これにより、このオプトエレクトロニクス素子の一層高い発光効率を得ることができる。
【００５５】
択一的または付加的に、例えば１μｍ未満の、上記の接続要素の表面の粗面化を形成することができ、例えば１μｍ未満の層厚を有する複数の薄い層を形成することができる。ここで「粗面化」とは、上記の接続要素の表面の高さの不均一性のことである。これにより、接続要素の熱抵抗が低減され、ひいては発生する熱がより良好に排出されることになる。
【００５６】
択一的に可能であるのは、接続要素２０が、基板１０と積層体３０とを点で接続することである（ここでは図示せず）。ここおよび以下で「点で」とは、接続要素２０が均一な層を形成しないことである。接続要素２０は、互いに続いていない複数の個別の領域から構成することでき、この個々の領域により、基板１０が積層体３０にまたは積層体３０が基板１０に固定される。これにより、接続材料およびコストを節約することができる。同時に基板１０が積層体３０にまたは積層体３０が基板１０に十分に固定されることが保証される。ここでは接続要素２０を介した十分な排熱が可能である。
【００５７】
上記の活性領域は、放射方向に電磁ビームを放出するのに適している。活性領域を有する積層体３０は、例えば、窒化物化合物半導体材料ベースとすることが可能である。窒化物化合物半導体材料は、殊に青色および／または紫外線領域の電磁的な１次ビームを放射する。
【００５８】
図２には、オプトエレクトロニクス素子の概略側面図が示されている。図２においてオプトエレクトロニクス素子の構造は図１に類似しているが、図１および２の接続要素２０は相違している。図２に示した接続要素２０は透過性とすることが可能である。図２の接続要素２０は、マトリクス材料２２に埋め込まれている接続材料を有する。マトリクス材料２２は、等方性の特性またはパラメタを有する。マトリクス材料２２は、例えば、シリコーンベース、エポキシベースまたはハイブリッドベースのような従来のマトリクス材料とすることが可能である。粒子として構成することの可能な接続材料２３は、異方性の特性またはパラメタを有する。接続材料２３の粒子を従来のマトリクス材料２２に埋め込むことにより、部分的な異方性のパラメタを、例えば例えば部分的な異方性の熱伝導率を形成することができる。接続要素２０は、部分的に方向が定められた層とすることが可能である。これにより、等方性のマトリクス材料だけしか有しない接続要素に比べて、基板１０の方向に接続要素２０の熱伝導率を高めることができる。接続材料の分子の方向設定は、図１で説明した方向設定と類似に行うことができる。接続材料の分子の方向設定は、例えば上記の製造方法によって形成することができる。接続材料２３の粒子の直径が、層厚および／またはシート厚よりも大きい場合、接続材料の分子それ自体を整列させることができる。この場合にこれらの分子は、接続要素側を向いた基板の表面に対し、平行な方向と垂直な方向との間の中間方向をとることができる。接続材料の粒子の直径が、層厚および／またはシート厚と等しい場合、接続材料の分子それ自体を整列させることができ、この場合には基板の表面に対しておおよそ垂直に分子の方向設定を行うことが可能である。
【００５９】
マトリクス材料２２における接続材料の充填度を変化させることにより、接続材料の熱伝導率を調整および制御することができる。接続要素２０の透過度は、マトリクス材料２２における接続材料の充填度が高くても維持することができる。
【００６０】
図３には、オプトエレクトロニクス素子の概略側面図が示されている。このオプトエレクトロニクス素子は、（明示的には示されていない）活性領域を備えた積層体３０と、基板１０との間に、接続要素２０、第１電気端子２、第２電気端子３、ボンディングワイヤ１４、ポッティング５、ケーシング壁７、ケーシング８および凹部９を有する。上記の接続要素は、図１および２に説明したように形成することができる。
【００６１】
ポッティング５では、例えば材料に変換材料を埋め込むことができる。択一的には、変換材料を間接的または直接的にオプトエレクトロニクス素子のケーシングのケーシング壁７に配置することが可能である（ここでは図示せず）。変換材料は、上記の積層体によって放射される電磁ビームを別の波長または別の波長領域の電磁ビームに変換し、多くの場合により波長の長い電磁ビームにすることができる。
【００６２】
図４には、本発明による接続要素を作製する方法が示されている。ここでは基板を準備することができ、この基板上に接続要素２０が被着される。接続要素２０は、等方的な特性またはパラメタ２４を備えた初期の接続材料を有することができる。例えばスタンプおよび／またはブロックを用いて、上記の接続要素のスタンプ側を向いた表面に力Ｆを作用させることにより、接続材料の分子の方向を設定する（２１）ことができ、異方的な特性またはパラメタを形成することができる。付加的または択一的には、基板１０を加熱することができる。スタンプおよび／またはブロックは接続要素２０上を速度ｖで運動することができ、異方的なパラメタを有する接続材料を備えた接続要素２０を形成することができる。上記のスタンプおよび／またはブロックはまず材料で濡らされ、つぎに押し付けられて水平方向に運動する。
【００６３】
図５には、接続要素２０を有する少なくとも２つのオプトエレクトロニクス素子を同時にまたは順次の流れで製造するための方法が示されている。この方法は、方向が設定されていない分子配置を有する少なくともそれぞれ１つの接続要素を備えた複数のオプトエレクトロニクス素子が同時に基板１０上に配置されていることが、図４の方法とは異なっている。これらのオプトエレクトロニクス素子は、例えば一種の搬送ベルトまたはベルトコンベア上に配置することができ、搬送ベルトまたはベルトコンベアおよびオプトエレクトロニクス素子は、速度ｖで水平方向に運動することができる。択一的に可能であるのは、搬送ベルトまたはベルトコンベアを設けないか、または、これが運動せずにｖ＝０ｍ／ｓを有することも可能である。オプトエレクトロニクス素子の上方には、空間的に離れて、上下運動を行うスタンプおよび／またはブロックを配置することができる。このスタンプおよび／またはブロックは、素子の上方の固定位置に取り付けて、これが水平方向に運動できないようにすることが可能である。択一的にはスタンプが水平方向に運動することが可能である。上記のスタンプおよび／またはブロックは、一実施形態において水平方向および垂直方向に運動可能である。
【００６４】
上記の作製の第１の選択肢では、上記のスタンプおよび／またはブロックは複数のオプトエレクトロニクス素子にわたって固定の位置を有しており、垂直方向にだけ運動することが可能である。それぞれ接続要素２０を有する複数のオプトエレクトロニクス素子は、速度ｖで水平方向に運動し、上記の接続材料の分子は、スタンプおよび／またはブロックの下降運動によって方向が設定される。したがってここでは接続要素２０の作製は、順次に行われるのである。
【００６５】
上記の作製の第２の選択肢では、上記のスタンプおよび／またはブロックは、垂直方向および水平方向に可変の位置を有する。それぞれ接続要素２０を有する複数のオプトエレクトロニクス素子は、スタンプの運動中に速度ｖ＝０ｍ／ｓを有することができ、したがってこの作製ステップでは運動しない。このため、可動に配置された上記のスタンプおよび／またはブロックは、このスタンプおよび／またはブロックの下降運動によって上記の接続材料の分子を順次に方向設定できるのである。
【００６６】
択一的にはスタンプもベルトコンベアも共に運動することが可能である。スタンプとベルトコンベアとの間の相対運動の方向は、水平方向に同じ向きまたは逆向きに行うことが可能である。
【００６７】
択一的には複数のスタンプおよび／またはブロックを使用することも可能である。これによって短時間に多くの接続要素２０を同時に作製することができる。これによって時間およびコストが節約される。
【００６８】
例えば、１つのオプトエレクトロニクス素子上に少なくとも１つずつのスタンプを配置することができる。
【００６９】
上記のスタンプおよび／またはブロックの下降運動の際には、少なくとも接続要素の上側の表面と、スタンプおよび／またはブロックの下側の表面との間の空間的な間隔が、これらが互いに直接接触するまでつねに小さくなる。これにより、接続要素２０に力が作用して、方向が設定されていない分子の方向設定を行うことができる。引き続いてスタンプおよび／またはブロックの上行運動が行われ、スタンプおよび／またはブロックが接続要素から離れるように運動する。つぎの方法ステップでは、積層体３０を被着することができる（図６）。
【００７０】
図７には、少なくとも１つのオプトエレクトロニクス素子を製造する方法が示されている。接続要素２０は、粘着シートまたは接着シートとして形成されており、方向設定前の分子配置２５を備えた接続材料をすでに元々有している。「方向設定前」とは、接続材料の分子がまだ、バランスのとれたその最終的な方向設定を有していないことを意味する。ここでは加熱すること加熱しないことも可能な基板１０を準備する。この基板１０上には接続要素２０をいわゆる「ピック・アンド・プレース・プロセス」において所定の力で基板に配置する（ステップＤ）。これによって方向設定前の分子の方向を設定することができる。択一的または付加的には、接続材料の分子の方向設定を、例えば基板の加熱または冷却による、または時間にわたる温度の上昇および／または下降によって行うことができる。引き続いて積層体３０を被着することができる（ステップＥ）。択一的にはステップＤおよびＥを同時に行って、積層体３０の被着により、接続要素２０における方向設定を行うことが可能である（ステップＧ）。例えば、上記の接着シートは、薄い層厚を、有利には１０ないし５０μｍの、例えば３０μｍの層厚を有し得る。この薄い接着シートの利点は、"adhesive fillet"または接着剤すみ肉が生じないことである。これによって少なくともこれを除去するための別のプロセスステップが節約されて、ひいてはコストが節約される。ここで"adhesive fillet"とは、オプトエレクトロニクス素子の側面にありかつこのオプトエレクトロニクス素子の下にない接続材料のことである。
【００７１】
本発明は、上記の複数の実施例に基づく上記の説明には限定されない。本発明にはむしろ、任意の新たな特徴および複数の特徴の任意の組み合わせが含まれており、これには、殊に特許請求の範囲に記載した複数の特徴の任意の組み合わせが含まれている。このことは、この特徴またはこの組み合わせそれ自体が特許請求の範囲または実施例に明示的に示されていない場合であっても当てはまる。
【００７２】
この特許明細書は、ドイツ国特許明細書第102012108995.7号および第102013101529.8号に優先権を主張するものであり、その開示内容は参照によってここに取り込まれるものとする。
【図１】
2015530750.tif 000003
【図２】
2015530750.tif 000004
【図３】
2015530750.tif 000005
【図４】
2015530750.tif 000006
【図５】
2015530750.tif 000007
【図６】
2015530750.tif 000008
【図７】
2015530750.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月24日(2015.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス素子において、
該オプトエレクトロニクス素子は、
基板（１０）と、
該基板（１０）に被着されている接続要素（２０）と、
電磁ビームを放射する積層体（３０）とを有しており、
該積層体（３０）は、前記接続要素（２０）に被着されており、
前記接続要素（２０）は少なくとも１つの接続材料を有しており、
該接続材料は、方向が設定された分子配置（２１）を有しており、
前記接続要素（２０）は、異方的である少なくとも１つのパラメタを有しており、
前記接続要素（２０）は、前記基板（１０）を前記積層体（３０）に接続するために構成されており、
前記接続材料は、ポリマ、ブロックコポリマ、グラフトポリマ、デンドリマおよびこれらの組み合わせを含むグループから選択されており、
前記接続材料の個々の分子の分子長軸の８０％よりも多くの分子長軸が、前記基板の表面に対しておおむね垂直な方向を有しており、
前記接続要素（２０）は、前記基板の表面に対して垂直な方向に異方的な熱伝導率を有する、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス素子。
【請求項２】
請求項１に記載のオプトエレクトロニクス素子において、
前記接続要素（２０）は、接着シートまたは粘着シートとして成形されており、
前記接続材料は、方向設定前の分子配置（２５）を有する、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス素子。
【請求項３】
請求項１または２のいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス素子において、
前記接続材料は、異方的な熱伝導率を有する、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス素子。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス素子において、
前記接続要素（２０）は透過性である、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス素子。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス素子において、
前記接続材料は、ポリマ、ブロックコポリマ、グラフトポリマ、デンドリマ、グラフェンおよびこれらの組み合わせからなるグループから選択される、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス素子。
【請求項６】
請求項１から５までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス素子において、
前記接続材料は、粒子（２３）として構成されており、かつ、マトリクス材料に埋め込まれている、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス素子。
【請求項７】
請求項１から６までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス素子において、
前記接続要素（２０）は層として成形されている、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス素子。
【請求項８】
請求項１から７までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス素子において、
前記接続材料の個々の分子は互いに、おおむね相互に平行に配置されている、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス素子。
【請求項９】
請求項１から８までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス素子において、
前記接続材料の個々の分子は、前記接続要素側を向いた前記基板の表面に対して、おおむね平行に、および／または、垂直に配置されている、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス素子。
【請求項１０】
請求項１から９までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス素子において、
前記接続要素（２０）はシートとして成形されている、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス素子。
【請求項１１】
請求項１から１０までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス素子において、
前記接続材料は、結晶質および／または無定形である、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス素子。
【請求項１２】
請求項１から１１までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス素子において、
前記接続要素（２０）は、結晶質の接続材料を有しており、
前記接続要素は、３７Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有する、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス素子。
【請求項１３】
請求項１から１２までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス素子を製造するための方法において、
該方法は、
Ａ）  前記基板（１０）を準備するステップと、
Ｂ）  前記接続要素（２０）を前記基板（１０）に被着するステップとを有しており、
前記接続要素（２０）は、少なくとも１つの接続材料を有しており、
当該接続材料が、方向が設定された分子配置（２１）を有しているか、または、前記接続材料の前記方向が設定された分子配置（２１）は、前記ステップＢ）においてまたは前記ステップＢ）の後に形成される、
ことを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の、オプトエレクトロニクス素子を製造する方法において、
熱処理、電場の印加、圧力による処理、および／または、力の作用によって、前記接続材料の前記方向が設定された分子配置（２１）を形成する、
ことを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載の、オプトエレクトロニクス素子を製造する方法において、
前記ステップＡ）には付加的に１つのステップＡ’）が含まれており、すなわち、
Ａ’）前記基板（１０）を加熱して、ステップＢ）において、前記基板（１０）上に前記接続要素（２０）を被着する間に、前記接続材料の、方向が設定された分子配置（２１）が形成されるようにするステップが含まれている、
ことを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項１３に記載の、オプトエレクトロニクス素子の製造方法において、
前記方法には、ステップＢ）の後に付加的なステップＣ）が含まれており、すなわち、
Ｃ）  前記積層体（３０）を被着する間に同時に、前記接続材料の、方向が設定された分子配置（２１）が前記接続要素（２０）において形成されるように、前記接続要素（２０）に積層体（３０）を被着するステップが含まれている、
ことを特徴とする方法。
【国際調査報告】
2015530750.tif 000010
2015530750.tif 000011
2015530750.tif 000012
2015530750.tif 000013
2015530750.tif 000014
2015530750.tif 000015