Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月25日(2010.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネル形成領域を有する半導体基板にダミーゲート絶縁膜及びダミーゲート電極を形
成する工程と、
前記ダミーゲート電極をマスクとして前記半導体基板にソース・ドレイン領域を形成す
る工程と、
酸化シリコンよりもフッ酸耐性を有する絶縁性材料により前記ダミーゲート電極よりも
厚い膜厚で前記ダミーゲート電極を被覆して第１絶縁膜を形成する工程と、
前記第１絶縁膜の上層に前記第１絶縁膜と異なる絶縁性材料により第２絶縁膜を形成す
る工程と、
前記第２絶縁膜の上面から前記第１絶縁膜の頂部が露出するまで前記第２絶縁膜を除去
する工程と、
前記第１絶縁膜の上面から前記ダミーゲート電極が露出するまで前記第１絶縁膜と残存
する前記第２絶縁膜とを平坦化しながら同時に除去する工程と、
前記ダミーゲート電極及び前記ダミーゲート絶縁膜を除去してゲート電極用溝を形成す
る工程と、
前記ゲート電極用溝の底部にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上における前記ゲート電極用溝内を導電性材料で埋め込んでゲート電
極を形成する工程と
を有し、電界効果トランジスタを形成することを特徴とする
半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１絶縁膜と残存する前記第２絶縁膜とを同時に除去する工程において、前記第１
絶縁膜及び残存する前記第２絶縁膜を研磨除去する
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２絶縁膜を除去する工程において、前記第２絶縁膜を研磨除去する
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記ダミーゲート電極を形成する工程の後、前記ソース・ドレイン領域を形成する工程
の前に、前記ダミーゲート電極の両側部にオフセットスペーサを形成する工程と、前記オ
フセットスペーサ及び前記ダミーゲート電極をマスクとして前記半導体基板にエクステン
ション領域を形成する工程と、前記オフセットスペーサの両側部にサイドウォールスペー
サを形成する工程とをさらに有し、
前記ソース・ドレイン領域を形成する工程において、前記サイドウォールスペーサ、前
記オフセットスペーサ及び前記ダミーゲート電極をマスクとして前記半導体基板にソース
・ドレイン領域を形成する
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記ゲート電極用溝を形成する工程においては、１対の前記オフセットスペーサで挟ま
れた領域に前記ゲート電極用溝を形成する
請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記ゲート電極を形成する工程が、前記ゲート絶縁膜上における前記ゲート電極用溝の
内部及び外部に導電性材料を堆積させる工程と、前記ゲート電極用溝の外部の前記導電性
材料を除去する工程とを含む
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記ゲート電極用溝を形成する工程において、前記ダミーゲート絶縁膜をフッ酸系の薬
液で除去する
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１絶縁膜を形成する工程において、窒化シリコン、ホウ素がドープされた窒化シ
リコン、炭化シリコン、窒化炭化シリコン、及び炭化酸化シリコンのいずれかを含む絶縁
性材料により形成する
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
次に、図１２（ａ）に示すように、例えば、ＡＬＤ（atomic layer deposition）法に
より、ゲート電極用溝Ｔの内側を被覆して全面に酸化ハフニウムなどからなるゲート絶縁
膜１１３を形成する。
次に、例えば、スパッタリング法あるいはＣＶＤ法などにより、ゲート絶縁膜１１３の
上層において、ゲート電極用溝Ｔを埋め込んで全面にタングステンなどを堆積させて導電
層１１４を形成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
次に、図７（ｂ）に示すように、例えば、熱酸化法によりゲート電極用溝Ｔの底面を被
覆して窒化酸化シリコン、あるいは、ＡＬＤ法によりゲート電極用溝Ｔの内側表面を被覆
して、酸化ハフニウムあるいは酸化アルミニウムなどのＨｉｇｈ−ｋ膜からなるゲート絶
縁膜２３を形成する。Ｈｉｇｈ−ｋ膜を形成した後の工程においては、Ｈｉｇｈ−ｋ膜は
耐熱性が低いため、処理温度が５００℃を超えないような工程で行う。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
次に、図９（ａ）に示すように、例えば、ＣＶＤ法によって、ゲート電極２４ａ、オフ
セットスペーサ１５、サイドウォールスペーサ１７ａ及び第１絶縁膜２１の上層に、酸化
シリコンを２００〜１０００ｎｍの膜厚で堆積させて、上層絶縁膜２５を形成する。
必要に応じて、ゲート電極２４ａの上層において１００〜８００ｎｍ程度の膜厚になる
ように、上層絶縁膜２５の表面をＣＭＰ法で研磨して平坦化する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
次に、図９（ｂ）に示すように、例えば、フォトリソグラフィ工程により、コンタクト
ホールのパターンで開口するレジスト膜（不図示）を形成し、ＲＩＥ（反応性イオンエッ
チング）などのドライエッチング処理を行って、上層絶縁膜２５及び第１絶縁膜２１を貫
通して、ソース・ドレイン領域１９の高融点金属シリサイド層２０などに達するコンタク
トホールＣＨを形成する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月13日(2010.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
表面領域にＮ型半導体領域およびＰ型半導体領域を有する半導体基板と、
前記Ｎ型半導体領域上に形成されるＰｃｈ絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、
前記Ｐ型半導体領域上に形成されるＮｃｈ絶縁ゲート型電界効果トランジスタと
を備え、
前記Ｐｃｈ絶縁ゲート型電界効果トランジスタが、
前記Ｎ型半導体領域に相互に離間して形成されるＰ型のソース層およびドレイン層と、前記Ｎ型半導体領域上に形成される第１のゲート絶縁膜と、少なくとも前記Ｐ型のソース層およびドレイン層間の領域上に位置するように前記第１のゲート絶縁膜上に形成される第１のゲート電極膜と、前記第１のゲート電極膜上に形成されるとともにＰ型不純物を含むシリコンにより構成される第２のゲート電極膜とを有していて、前記第１のゲート電極膜が前記第２のゲート電極膜とは異なる材料で構成され、
前記Ｎｃｈ絶縁ゲート型電界効果トランジスタが、
前記Ｐ型半導体領域に相互に離間して形成されるＮ型のソース層およびドレイン層と、前記Ｐ型半導体領域上に形成される第２のゲート絶縁膜と、少なくとも前記Ｎ型のソース層およびドレイン層間の領域上に位置するように前記第２のゲート絶縁膜上に形成されるとともにＮ型不純物を含むシリコンにより形成され且つ前記第２のゲート電極膜より厚い第３のゲート電極膜とを有する
ことを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
積層形成された前記ゲート電極膜の下層膜として、金属及びその窒化物、珪化物、炭化物から選ばれた少なくとも１種の膜が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一態様の半導体装置は、表面領域にＮ型半導体領域およびＰ型半導体領域を有する半導体基板と、前記Ｎ型半導体領域上に形成されるＰｃｈ絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、前記Ｐ型半導体領域上に形成されるＮｃｈ絶縁ゲート型電界効果トランジスタとを備え、前記Ｐｃｈ絶縁ゲート型電界効果トランジスタが、前記Ｎ型半導体領域に相互に離間して形成されるＰ型のソース層およびドレイン層と、前記Ｎ型半導体領域上に形成される第１のゲート絶縁膜と、少なくとも前記Ｐ型のソース層およびドレイン層間の領域上に位置するように前記第１のゲート絶縁膜上に形成される第１のゲート電極膜と、前記第１のゲート電極膜上に形成されるとともにＰ型不純物を含むシリコンにより構成される第２のゲート電極膜とを有していて、前記第１のゲート電極膜が前記第２のゲート電極膜とは異なる材料で構成され、前記Ｎｃｈ絶縁ゲート型電界効果トランジスタが、前記Ｐ型半導体領域に相互に離間して形成されるＮ型のソース層およびドレイン層と、前記Ｐ型半導体領域上に形成される第２のゲート絶縁膜と、少なくとも前記Ｎ型のソース層およびドレイン層間の領域上に位置するように前記第２のゲート絶縁膜上に形成されるとともにＮ型不純物を含むシリコンにより形成され且つ前記第２のゲート電極膜より厚い第３のゲート電極膜とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月8日(2010.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数個の半導体素子が積層された積層型半導体装置であって、
前記半導体素子の電極端子に一端が接続された金属ワイヤが、前記半導体素子の側面側に延出され、該側面に当接されており、
且つ前記半導体素子の側面側に延出された金属ワイヤの部分の少なくとも一部が、前記積層された半導体素子の側面に導電性粒子を含有する導電性ペーストによって形成された側面配線に接合されていることを特徴とする積層型半導体装置。
【請求項２】
金属ワイヤが、電極端子が形成された電極端子形成面が上面となるように半導体素子を搭載した金属箔に、一端を接続した金属ワイヤの他端を半導体素子の電極端子に接続する打ち上げ方式でワイヤボンディングして、前記半導体素子の側面側に延出されている請求項１記載の積層型半導体装置。
【請求項３】
金属ワイヤが、半導体素子の側面を越えて電極端子形成面に対して反対側面まで延出されている請求項１又は請求項２記載の積層型半導体装置。
【請求項４】
電極端子に一端が接続された金属ワイヤが側面側に延出され、該側面に当接された複数個の半導体素子を接着層を介して積層した後、
前記積層した半導体素子の側面に導電性ペーストを塗布し、前記半導体素子の側面側に延出した金属ワイヤの部分の少なくとも一部を接合する側面配線を形成することを特徴とする積層型半導体装置の製造方法。
【請求項５】
複数個の半導体素子を積層する前に、
電極端子が形成された電極端子形成面が上面となるように半導体素子を搭載した金属箔に、一端を接続した金属ワイヤの他端を半導体素子の電極端子に接続する打ち上げ方式でワイヤボンディングした後、前記金属ワイヤを半導体素子の側面に当接するように前記半導体素子を回転し、次いで、前記半導体素子の側面に金属ワイヤを延出した状態で前記金属ワイヤを切断する請求項４記載の積層型半導体装置の製造方法。
【請求項６】
複数個の半導体素子を積層する前に、
電極端子が形成された電極端子形成面が上面となるように半導体素子を搭載した金属箔に、一端を接続した金属ワイヤの他端を半導体素子の電極端子に接続する打ち上げ方式でワイヤボンディングした後、前記金属ワイヤを半導体素子の側面に当接するように前記半導体素子をスライドし、次いで、前記半導体素子の側面に金属ワイヤを延出した状態で前記金属ワイヤを切断する請求項４記載の積層型半導体装置の製造方法。
【請求項７】
複数個の半導体素子を積層する前に、
電極端子が形成された電極端子形成面が上面となるように半導体素子を搭載した金属箔に、一端を接続した金属ワイヤの他端を半導体素子の電極端子に接続する打ち上げ方式でワイヤボンディングした後、前記金属ワイヤを半導体素子の側面及び前記電極端子形成面の反対側面に当接するように前記半導体素子を回転して、前記半導体素子の側面及び電極端子形成面の反対側面に金属ワイヤを延出している状態で前記金属ワイヤを切断する請求項４記載の積層型半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明者等は前記課題を解決すべく検討を重ねた結果、電極端子に一端が接続された金属ワイヤを側面側に延出した複数個の半導体素子を積層し、これらの半導体素子の側面側に延出した金属ワイヤの部分を、積層した半導体素子の側面に導電性ペーストによって形成した側面配線に接合することによって、半導体素子の電極端子と側面配線とを確実に且つ容易に接続できることを見出し、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、複数個の半導体素子が積層された積層型半導体装置であって、前記半導体素子の電極端子に一端が接続された金属ワイヤが、前記半導体素子の側面側に延出され、該側面に当接されており、且つ前記半導体素子の側面側に延出された金属ワイヤの部分の少なくとも一部が、前記積層された半導体素子の側面に導電性粒子を含有する導電性ペーストによって形成された側面配線に接合されていることを特徴とする積層型半導体装置にある。
また、本発明は、電極端子に一端が接続された金属ワイヤが側面側に延出され、該側面に当接された複数個の半導体素子を接着層を介して積層した後、前記積層した半導体素子の側面に導電性ペーストを塗布し、前記半導体素子の側面側に延出した金属ワイヤの部分の少なくとも一部を接合する側面配線を形成することを特徴とする積層型半導体装置の製造方法でもある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
かかる本発明において、複数個の半導体素子を積層する前に、電極端子が形成された電極端子形成面が上面となるように半導体素子を搭載した金属箔に、一端を接続した金属ワイヤの他端を半導体素子の電極端子に接続する打ち上げ方式でワイヤボンディングした後、前記金属ワイヤを半導体素子の側面に当接するように前記半導体素子を回転し、次いで、前記半導体素子の側面に金属ワイヤを延出した状態で前記金属ワイヤを切断すること、或いは電極端子が形成された電極端子形成面が上面となるように半導体素子を搭載した金属箔に、一端を接続した金属ワイヤの他端を半導体素子の電極端子に接続する打ち上げ方式でワイヤボンディングした後、前記金属ワイヤを半導体素子の側面に当接するように前記半導体素子をスライドし、次いで、前記半導体素子の側面に金属ワイヤを延出した状態で前記金属ワイヤを切断することによって、金属ワイヤを少なくとも半導体素子の側面に当接して延出することができる。
また、複数個の半導体素子を積層する前に、電極端子が形成された電極端子形成面が上面となるように半導体素子を搭載した金属箔に、一端を接続した金属ワイヤの他端を半導体素子の電極端子に接続する打ち上げ方式でワイヤボンディングした後、前記金属ワイヤを半導体素子の側面及び前記電極端子形成面の反対側面に当接するように前記半導体素子を回転して、前記半導体素子の側面及び電極端子形成面の反対側面に金属ワイヤを延出している状態で前記金属ワイヤを切断することによって、金属ワイヤを、半導体素子の側面を越えて電極端子形成面に対して反対側面まで延出することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月22日(2010.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学被写体像を画素単位の電気信号に変換する撮像素子と、
前記撮像素子によって複数枚の画像を連続して撮像する撮像手段と、
前記複数枚の画像の各々について、フリッカ成分を補正するフリッカ補正を行う補正手段と、
前記補正手段により前記フリッカ補正が行われた前記複数枚の画像を合成し、１枚の合成画像を生成する合成手段と、
前記合成画像を出力する出力手段とを有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
光学被写体像を画素単位の電気信号に変換する撮像素子と、
前記撮像素子によって複数枚の画像を連続して撮像する撮像手段と、
前記複数枚の画像の各々を、画像に含まれるフリッカ成分の位相に応じたグループに分類する分類手段と、
前記分類手段によって同じグループに分類された画像を合成し、前記グループごとの第１の合成画像を生成する第１の合成手段と、
前記グループごとの第１の合成画像について、フリッカ成分を補正するフリッカ補正を行う補正手段と、
前記補正手段により前記フリッカ補正が行われた前記グループごとの第１の合成画像を合成し、１枚の第２の合成画像を生成する第２の合成手段と、
前記第２の合成画像を出力する出力手段とを有することを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
前記撮像素子がＸＹアドレス方式の撮像素子であることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の撮像装置。
【請求項４】
光学被写体像を画素単位の電気信号に変換する撮像素子を有する撮像装置の制御方法であって、
撮像手段が、前記撮像素子によって複数枚の画像を連続して撮像する撮像工程と、
補正手段が、前記撮像工程で得られた前記複数枚の画像の各々について、フリッカ成分を補正するフリッカ補正を行う補正工程と、
合成手段が、前記補正工程により前記フリッカ補正が行われた前記複数枚の画像を合成し、１枚の合成画像を生成する合成工程と、
出力手段が、前記合成画像を出力する出力工程とを有することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項５】
光学被写体像を画素単位の電気信号に変換する撮像素子を有する撮像装置の制御方法であって、
撮像手段が、前記撮像素子によって複数枚の画像を連続して撮像する撮像工程と、
分類手段が、前記複数枚の画像の各々を、画像に含まれるフリッカ成分の位相に応じたグループに分類する分類工程と、
第１の合成手段が、前記分類工程によって同じグループに分類された画像を合成し、前記グループごとの合成画像を生成する第１の合成工程と、
補正手段が、前記グループごとの第１の合成画像について、フリッカ成分を補正するフリッカ補正を行う補正工程と、
第２の合成手段が、前記補正工程により前記フリッカ補正が行われた前記グループごとの第１の合成画像を合成し、１枚の第２の合成画像を生成する第２の合成工程と、
出力手段が、前記第２の合成画像を出力する出力工程とを有することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、上述の目的は、光学被写体像を画素単位の電気信号に変換する撮像素子と、撮像素子によって複数枚の画像を連続して撮像する撮像手段と、複数枚の画像の各々を、画像に含まれるフリッカ成分の位相に応じたグループに分類する分類手段と、分類手段によって同じグループに分類された画像を合成し、グループごとの第１の合成画像を生成する第１の合成手段と、グループごとの第１の合成画像について、フリッカ成分を補正するフリッカ補正を行う補正手段と、補正手段によりフリッカ補正が行われたグループごとの第１の合成画像を合成し、１枚の第２の合成画像を生成する第２の合成手段と、第２の合成画像を出力する出力手段とを有することを特徴とする撮像装置によっても達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、上述の目的は、光学被写体像を画素単位の電気信号に変換する撮像素子を有する撮像装置の制御方法であって、撮像手段が、撮像素子によって複数枚の画像を連続して撮像する撮像工程と、補正手段が、撮像工程で得られた複数枚の画像の各々について、フリッカ成分を補正するフリッカ補正を行う補正工程と、合成手段が、補正工程によりフリッカ補正が行われた複数枚の画像を合成し、１枚の合成画像を生成する合成工程と、出力手段が、合成画像を出力する出力工程とを有することを特徴とする撮像装置の制御方法によっても達成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、上述の目的は、光学被写体像を画素単位の電気信号に変換する撮像素子を有する撮像装置の制御方法であって、撮像手段が、撮像素子によって複数枚の画像を連続して撮像する撮像工程と、分類手段が、複数枚の画像の各々を、画像に含まれるフリッカ成分の位相に応じたグループに分類する分類工程と、第１の合成手段が、分類工程によって同じグループに分類された画像を合成し、グループごとの合成画像を生成する第１の合成工程と、補正手段が、グループごとの第１の合成画像について、フリッカ成分を補正するフリッカ補正を行う補正工程と、第２の合成手段が、補正工程によりフリッカ補正が行われたグループごとの第１の合成画像を合成し、１枚の第２の合成画像を生成する第２の合成工程と、出力手段が、第２の合成画像を出力する出力工程とを有することを特徴とする撮像装置の制御方法によっても達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月7日(2010.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水晶基板のカット面および弾性波伝搬方向をオイラー角表示で（０°，θ，ψ）とするとき、前記角度ψが約＋９０度または約−９０度である前記水晶基板に少なくとも一つのＩＤＴ電極を配置してなるＳＨ型バルク波共振子であって、
前記ＩＤＴ電極がアルミニウムであって、
オイラー角表示の前記角度θが９５°＜θ＜１５１°であり、
前記水晶基板の厚みをｔ、前記弾性波の波長をλとしたとき、規格化基板厚みｔ/λがｔ/λ≦４であり、
前記ＩＤＴ電極の膜厚をＨとしたとき、規格化電極厚みＨ/λがＨ/λ≦０．０５であって、
オイラー角表示の前記角度θが次式、
θ＝１６１．６７×（Ｈ/λ）2＋２１．６７×（Ｈ/λ）＋１２６．００、
を満足することを特徴とするＳＨ型バルク波共振子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この構成によれば、オイラー角（０°，θ，ψ）で表される水晶基板上に、弾性波伝搬方向である角度ψが約＋９０度または約−９０度であるＩＤＴ電極が配置され、規格化基板厚みｔ/λ≦４とすることでＳＨ型バルク波を励振することができる。また、ψが約±９０度であることで、ψが０度のときに励振される多数のラム波を無くすことができ、スプリアスの発現を抑圧することができる。
そして、角度θが９５°＜θ＜１５１°の範囲であることで、表面波より電気機械結合係数Ｋ2が大きく、高周波化に対応する位相速度４０００ｍ/ｓ以上のＳＨ型バルク波を利用することができる。
このように、本発明によれば電気機械結合係数Ｋ2が大きく、スプリアスが少ない高周波化に適したＳＨ型バルク波共振子を提供することができる。
なお、本願ではＸ軸方向にラム波を励振させる圧電基板において、その弾性波の伝搬方向を９０°Ｘ伝搬とした波をＳＨ型バルク波と呼ぶ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
ここで、高周波帯のＳＨ型バルク波共振子を考えた場合、位相速度が速いことが必要である。本願では、位相速度が４０００ｍ/ｓ以上を高周波化に対応する位相速度とし、図４においては、ＩＤＴ電極に用いられる電極の密度、厚みなどによって低下する速度を考慮して４５００ｍ/ｓ以上の位相速度をもって高周波に対応する位相速度と規定した。図４から基本波の位相速度が４５００ｍ/ｓ以上となるオイラー角θの範囲は、９５°＜θ＜１５１°である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月26日(2009.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザ装置に報知チャネルを送信し、通信を行う基地局装置であって、
報知チャネルが送信される所定の周期が予め決定され、
前記所定の周期において報知チャネルが複数回送信され、
チャネル符号化された報知チャネルに、前記複数回に応じたリピティション処理を施すリピティション手段と、
前記リピティション処理が施された各報知チャネルの信号波形を変更する信号波形変更手段と
を有し、
前記複数回送信される報知チャネルの順番と、各報知チャネルの信号波形とが対応付けられていることを特徴とする基地局装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基地局装置において、
前記リピティション処理が施された各報知チャネルの情報ビットに対してインタリーブを行うインタリーブ手段と、
前記インタリーブが行われた各報知チャネルに対しデータ変調を行うデータ変調手段と、
前記データ変調が行われた各報知チャネルに対して、スクランブルコードを乗算する拡散処理手段と
を有し、
前記信号波形変更手段は、前記拡散処理手段に対して、前記データ変調が行われた各報知チャネルに対して、異なるスクランブルコードを乗算するように制御することを特徴とする基地局装置。
【請求項３】
請求項１に記載の基地局装置において、
前記信号波形変更手段は、前記リピティション処理が施された各報知チャネルに対して、異なるパンクチャパタンによりパンクチャ処理を行うことを特徴とする基地局装置。
【請求項４】
請求項１に記載の基地局装置において、
前記リピティション処理が施された各報知チャネルの情報ビットに対してインタリーブを行うインタリーブ手段
を有し、
前記信号波形変更手段は、前記インタリーブ手段に対して、前記リピティション処理が施された各報知チャネルに対して、異なる並べ替えのパタンにより、前記報知チャネルの情報ビットの並べ替えを行うように制御することを特徴とする基地局装置。
【請求項５】
請求項１に記載の基地局装置において、
前記リピティション処理が施された各報知チャネルの情報ビットに対してインタリーブを行うインタリーブ手段と、
前記インタリーブが行われた各報知チャネルに対しデータ変調を行うデータ変調手段と、
前記データ変調が行われた各報知チャネルに対して、スクランブルコードを乗算する拡散処理手段と、
前記スクランブルコードが乗算された各報知チャネルをシステム帯域幅の中心周波数にマッピングするマッピング手段と
を有し、
前記信号波形変更手段は、前記マッピング手段に対して、スクランブルコードが乗算された各報知チャネルを、異なる無線リソースにマッピングするように制御することを特徴とする基地局装置。
【請求項６】
請求項５に記載の基地局装置において、
前記マッピング手段は、前記報知チャネルを同期チャネルと同じ中心周波数全域にマッピングすることを特徴とする基地局装置。
【請求項７】
請求項５に記載の基地局装置において、
前記マッピング手段は、前記報知チャネルを同期チャネルと同じ中心周波数の一部の帯域にマッピングすることを特徴とする基地局装置。
【請求項８】
請求項６に記載の基地局装置において、
サブフレーム毎に、共有チャネルを用いて通信を行う移動局を選別し、該移動局が受信するユーザデータに用いられるリソースブロックを決定するスケジューラ
を備え、
前記マッピング手段は、決定されたリソースブロックに基づいて、物理下りリンク共有チャネルで送信する報知チャネルを、同期チャネルと同じ中心周波数帯域のリソースブロックにマッピングすることを特徴とする基地局装置。
【請求項９】
請求項８に記載の基地局装置において、
同期チャネルと同じ中心周波数帯域のリソースブロックは、前記同期チャネルと同じ中心周波数帯域以外のリソースブロックとその帯域幅が等しいことを特徴とする基地局装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の基地局装置において、
同期チャネルと同じ中心周波数帯域のリソースブロックは、前記同期チャネルと同じ中心周波数帯域以外のリソースブロックとそのサイズが等しいことを特徴とする基地局装置。
【請求項１１】
ユーザ装置に報知チャネルを送信し、通信を行う基地局装置における報知チャネル送信方法であって、
報知チャネルが送信される所定の周期が予め決定され、
前記所定の周期において報知チャネルが複数回送信され、
チャネル符号化された報知チャネルに、前記複数回に応じたリピティション処理を施すリピティションステップと、
前記リピティション処理が施された各報知チャネルの信号波形を、前記複数回送信される報知チャネルの順番と対応付けられた信号波形に変更する信号波形変更ステップと
を有することを特徴とする基地局装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月18日(2010.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
ステップＳ２７において、符号化制御部２７は、現在のピクチャＰｍｏｖｉｅ（ｔ）のピクチャタイプＰｔｙｐｅ（ｔ）がＩピクチャであるか否かを判断し、ＩピクチャのときステップＳ２６に進み、ＩピクチャではないときステップＳ２９に進む。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
また、符号化制御部２７は、ピクチャ番号ｔの値がｋ−４からｋ−１までのピクチャ、すなわちカットシーン切替前であってピクチャタイプＰｔｙｐｅ（ｔ）がＰピクチャ及びＢピクチャのピクチャＰｍｏｖｉｅ（ｔ）に対して、ステップＳ２５に進んでフラグＰｉｎｔｒａの値を０に設定し、その後ステップＳ３４に進んで予測タイプＰｒｅｄ（ｔ）を前方予測処理にし、続いてステップＳ３６に進んで割当ビット量Ｂｉｔａｌｌｏｃ（ｔ）を最小に設定する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１０】
また、符号化制御部２７は、フェードシーン開始前のＰピクチャ及びＢピクチャであるＰｍｏｖｉｅ（ｋ−４）、Ｐｍｏｖｉｅ（ｋ−２）、Ｐｍｏｖｉｅ（ｋ−１）に対して、ステップＳ２５に進んでフラグＰｉｎｔｒａの値を０に設定して、その後ステップＳ３４に進んで予測タイプＰｒｅｄ（ｔ）を前方予測処理に設定し、続いてステップＳ３６に進んで割当ビット量Ｂｉｔａｌｌｏｃ（ｔ）を最小に設定する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１１】
また、符号化制御部２７は、フェードシーン切替中のＰピクチャ及びＢピクチャであるＰｍｏｖｉｅ（ｋ）、Ｐｍｏｖｉｅ（ｋ＋１）、Ｐｍｏｖｉｅ（ｋ＋２）、Ｐｍｏｖｉｅ（ｋ＋４）に対して、ステップＳ２５に進んでフラグＰｉｎｔｒａの値を０に設定して、その後ステップＳ３３により予測タイプＰｒｅｄ（ｔ）を重み付き予測に設定し、続いてステップＳ３６に進んで割当ビット量Ｂｉｔａｌｌｏｃ（ｔ）を最小に設定する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１４】
また、符号化制御部２７は、フェードシーン切替後で現在のピクチャタイプＰｔｙｐｅ（ｔ）がＰピクチャ又はＢピクチャであるピクチャであって、このフェードシーン切替後においてＩピクチャ又はＰピクチャが過去に存在するピクチャＰｍｏｖｉｅ（ｋ＋７）、Ｐｍｏｖｉｅ（ｋ＋８）に対して、ステップＳ２５に進んでフラグＰｉｎｔｒａの値を０に設定し、続いてステップＳ３６に進んで割当ビット量Ｂｉｔａｌｌｏｃ（ｔ）を最小に設定する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月10日(2010.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷を実行させる制御を行う印刷制御装置において、
印刷指示媒体の画像から印刷条件の指定情報を取得する指定情報取得手段と、
上記指定情報に基づいて印刷対象の画像データを印刷させるよう印刷指示する印刷指示手段と、
所定の上記指定情報を特定指定情報として取得し、当該特定指定情報が上記指定情報取得手段によって取得できる上記印刷指示媒体を印刷させる印刷指示を行う印刷指示媒体作成手段とを具備することを特徴とする印刷制御装置。
【請求項２】
上記印刷指示媒体作成手段が上記印刷指示媒体を印刷装置に印刷させるにあたり、当該印刷装置が備える印刷ヘッドのノズルチェックを行うことを特徴とする請求項１に記載の印刷制御装置。
【請求項３】
上記特定指定情報は、印刷対象の画像データを指定する対象指定情報と印刷対象の画像データに対する画像処理を指定する絵作り指定情報との少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１または請求項２のいずれか一項に記載の印刷制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】印刷制御装置
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月3日(2010.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷を実行させる制御を行う印刷制御装置において、
印刷指示媒体の画像から印刷対象の画像データを指定する対象指定情報を取得する指定情報取得手段と、
上記対象指定情報に基づいて特定した画像データを印刷させるよう印刷指示を行う印刷指示手段とを具備することを特徴とする印刷制御装置。
【請求項２】
上記印刷指示手段は、上記対象指定情報に基づいて印刷対象の画像データを検索することにより印刷対象の上記画像データを特定することを特徴とする請求項１に記載の印刷制御装置。
【請求項３】
上記指定情報取得手段は、上記印刷指示媒体上から対象指定画像の特徴情報を上記対象指定情報として取得するとともに、
上記印刷指示手段は、上記特徴情報に基づいて上記対象指定画像に類似する画像データを検索することにより印刷対象の上記画像データを特定することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の印刷制御装置。
【請求項４】
上記指定情報取得手段は、上記印刷指示媒体から対象指定画像に含まれる人物の検出結果を上記対象指定情報として取得するとともに、
上記印刷指示手段は、上記検出結果に基づいて印刷対象の画像データを検索することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の印刷制御装置。
【請求項５】
上記指定情報取得手段は、上記印刷指示媒体から画像データのファイル名と更新日時の少なくとも一方を上記対象指定情報として取得するとともに、
上記印刷指示手段は、上記ファイル名と上記更新日時の少なくとも一方に基づく検索を行うことにより印刷対象の上記画像データを特定することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の印刷制御装置。
【請求項６】
上記印刷指示手段は、上記対象指定情報に応じて印刷対象の画像データに行う画像処理を切り替えることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の印刷制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】印刷制御装置
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月5日(2010.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送受信信号を処理する無線ＩＣチップと、
インダクタンス素子を含み、該インダクタンス素子が前記無線ＩＣチップと電気的に導通状態で接続されている給電回路基板と、
前記無線ＩＣチップを前記給電回路基板上に搭載した電磁結合モジュールが配置された誘電体と、
を備え、
前記電磁結合モジュールは前記誘電体に実装されており、
前記誘電体は前記電磁結合モジュールの実装部分の厚みが使用周波数に相当する波長の１／１６以下であること、
を特徴とする無線ＩＣデバイス。
【請求項２】
前記給電回路基板に共振回路を備えていることを特徴とする請求項１に記載の無線ＩＣデバイス。
【請求項３】
前記給電回路基板に整合回路を備えていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の無線ＩＣデバイス。
【請求項４】
前記インダクタンス素子を複数備え、
前記複数のインダクタンス素子は２本の線状電極からなり、各線状電極の一端は前記無線ＩＣチップの入出力端子電極に電気的に接続され、他端は互いに電気的に接続されていること、を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の無線ＩＣデバイス。
【請求項５】
前記２本の線状電極は互いに隣接するように配置されていることを特徴とする請求項４に記載の無線ＩＣデバイス。
【請求項６】
前記２本の線状電極はそれぞれ線路長が異なっていることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の無線ＩＣデバイス。
【請求項７】
前記２本の線状電極は２重の螺旋形状に配置されていることを特徴とする請求項４ないし請求項６のいずれかに記載の無線ＩＣデバイス。
【請求項８】
前記給電回路基板は多層基板で構成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の無線ＩＣデバイス。
【請求項９】
前記無線ＩＣチップ及び前記給電回路基板の少なくともいずれかを覆う保護膜が設けられていることを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の無線ＩＣデバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
前記目的を達成するため、本発明に係る無線ＩＣデバイスは、
送受信信号を処理する無線ＩＣチップと、
インダクタンス素子を含み、該インダクタンス素子が前記無線ＩＣチップと電気的に導通状態で接続されている給電回路基板と、
前記無線ＩＣチップを前記給電回路基板上に搭載した電磁結合モジュールが配置された誘電体と、
を備え、
前記電磁結合モジュールは前記誘電体に実装されており、
前記誘電体は前記電磁結合モジュールの実装部分の厚みが使用周波数に相当する波長の１／１６以下であること、
を特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る無線ＩＣデバイスにおいて、放射板は物品の一部又は物品の包装材の一部である誘電体、あるいは、物品に貼着される誘電体薄片である。この誘電体が給電回路基板に設けたインダクタンス素子と結合し、該誘電体で受信された信号によって無線ＩＣチップが動作され、該無線ＩＣチップからの応答信号が誘電体から外部に放射される。誘電体は電磁結合モジュールの実装部分の厚みが使用周波数に相当する波長の１／１６と薄いので、電磁結合モジュールの周囲おおよそ０〜１０ｃｍの範囲でリーダライタとの通信が成立する。よって、無線ＩＣチップに格納されている情報が不必要に漏洩するおそれを解消できる。なお、本発明において、誘電体とは誘電率がおおよそ１以上のもので、紙片、樹脂フィルム、布片などである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
電磁結合モジュールを構成する無線ＩＣチップ及び給電回路基板ともに小型・薄型であり、取り付けた物品の外観を損なうことはない。また、無線ＩＣチップを給電回路基板上に搭載して電磁結合モジュールを構成しているため、微小な無線ＩＣデバイスを小型の給電回路基板上に容易に実装することができる。しかも、電磁結合モジュールを放射板に実装するに際して高精度の位置決めは不要である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明に係る無線ＩＣデバイスにおいて、給電回路基板には共振回路及び／又は整合回路が形成されていてもよい。また、インダクタンス素子は２本の線状電極からなり、各線状電極の一端は無線ＩＣチップの入出力端子電極に電気的に接続され、他端は互いに電気的に接続されていてもよい。二つのインダクタンス素子で発生する磁界が相殺されることになり、電磁結合モジュールの近傍にしか磁界が発生せず、外部への情報漏れ防止に好都合である。従って、２本の線状電極は互いに隣接するように配置されていることが好ましい。また、２本の線状電極はそれぞれの線路長が異なっていてもよい。使用周波数帯域を広げることができる。さらに、２本の線状電極は２重の螺旋形状に配置されていてもよい。整合回路を小型に構成できる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月10日(2010.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷を実行させる制御を行う印刷制御装置において、
複数の構成要素からなる印刷指示媒体の画像を取得する画像取得手段と、
取得した上記画像から各構成要素の指定する印刷条件指定情報を取得して、当該指定情報の組み合わせによる指定情報セットを取得する指定情報セット取得手段と、
上記指定情報セットに基づく印刷指示を行う印刷指示手段とを具備することを特徴とする印刷制御装置。
【請求項２】
上記指定情報セット取得手段は、上記構成要素の表すテクスチャの上記取得画像が示す画像そのものを背景テクスチャ指定情報として取得し、該背景テクスチャ指定情報を上記指定情報の一つとして含む上記指定情報セットを取得するとともに、
上記印刷指示手段は、上記背景テクスチャ指定情報から生成した背景画像データを印刷対象の画像データと合成して形成した画像データを印刷させる上記印刷指示を生成することを特徴とする請求項１に記載の印刷制御装置。
【請求項３】
上記指定情報セット取得手段は、上記構成要素の上記取得画像に基づいて取得したレイアウト指定情報を上記指定情報として含む上記指定情報セットを取得するとともに、
上記印刷指示手段は、上記レイアウト指定情報に基づく位置に印刷対象の画像データを配置して形成した画像データを印刷させる上記印刷指示を生成することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の印刷制御装置。
【請求項４】
上記指定情報セット取得手段は、上記構成要素の上記取得画像に基づいて取得した対象指定情報を上記指定情報として含む上記情報セットを取得するとともに、
上記印刷指示手段は、上記対象指定情報に基づく印刷対象の画像データを印刷させる上記印刷指示を生成することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の印刷制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】印刷制御装置
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月16日(2010.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受信部近傍の妨害波信号を入力した入力信号の位相及び振幅を変更して該入力信号を打ち消すキャンセル信号を生成することと、
前記受信部が受信した通信信号に前記キャンセル信号を加算した信号と、当該通信信号に用いられているＰＲＮコードのレプリカコードとの相関演算を、コード位相範囲及び周波数範囲のうちの所与の相関演算対象範囲内で行うことと、
前記相関演算対象範囲外の非信号範囲で前記相関演算を行い、その相関演算結果に基づいて前記入力信号の位相の移相量及び振幅の振幅変更率を制御することと、
を含むノイズキャンセル方法。
【請求項２】
前記キャンセル信号が加算された前記通信信号を所与の増幅率で増幅してデジタル信号に変換することと、
前記デジタル信号が取り得る各信号値の頻度割合に基づいて前記増幅率を制御することと、
を更に含み、
前記相関演算を行うことは、前記デジタル信号に変換された前記通信信号と、前記レプリカコードとの相関演算を前記相関演算対象範囲内で行うことであり、
前記移相量及び前記振幅変更率を制御することは、前記増幅率の前記制御を一時停止させ、その間に、前記相関演算を前記非信号範囲内で行い、その相関演算の結果に基づいて、前記移相量及び前記振幅変更率を制御することである、
請求項１に記載のノイズキャンセル方法。
【請求項３】
前記移相量及び前記振幅変更率を変更して、前記相関演算による演算結果が最低の値を示す移相量及び振幅変更率を検索し、前記キャンセル信号を生成する際の前記移相量及び前記振幅変更率とする検索処理を行うことを更に含む請求項１又は２に記載のノイズキャンセル方法。
【請求項４】
前記検索処理における前記相関演算結果の最低値を含む値変動許容範囲を設定し、前記検索処理の後は、前記相関演算による演算結果が前記値変動許容範囲内となるように前記キャンセル信号の生成時の移相量及び振幅変更率を調整する調整処理を行うことを更に含む請求項３に記載のノイズキャンセル方法。
【請求項５】
前記通信信号は、前記受信部が測位用衛星から受信した測位用衛星信号でなり、
前記相関演算を行うことは、前記測位用衛星信号を捕捉するために前記相関演算を行うことである、
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載のノイズキャンセル方法。
【請求項６】
受信部近傍の妨害波信号を入力した入力信号の位相及び振幅を変更して該入力信号を打ち消すキャンセル信号を生成するキャンセル信号生成部と、
前記受信部で受信された通信信号に前記キャンセル信号を加算する加算部と、
前記加算部により前記キャンセル信号が加算された通信信号と、当該通信信号に用いられているＰＲＮコードのレプリカコードとの相関演算を、コード位相範囲及び周波数範囲のうちの所与の相関演算対象範囲内で行う相関演算部と、
前記相関演算対象範囲外で前記相関演算を行い、その相関演算結果に基づいて前記入力信号の位相の移相量及び振幅の振幅変更率を制御するキャンセル信号生成制御部と、
を備えた受信回路。
【請求項７】
請求項６に記載の受信回路を備えた電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2009027305.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2009027305.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月13日(2010.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記ハンマー部の幅は、前記アーム部の最小幅より１μｍ〜１００μｍの範囲で増大され、
前記アーム部の内側の側面は、前記アーム部の最小幅が最大幅より５％〜２０％程度減少するように傾斜することを特徴とする請求項１又は２記載の圧電振動片。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
なお、図２（ｂ）は、従来技術と本実施例の圧電振動片の幅関係を示す部分概略図である。図２（ｂ）において、外側の垂直面Ｓ１１と内側のテーパー面Ｓ１２とからなるアーム部は、本実施例に係るアーム部であり、点線で示している外側の傾斜したテーパー面Ｓ１１１と内側のテーパー面Ｓ１２とからなるアーム部は、従来技術に係るアーム部である。なお、実線で示された基部２０は、本実施例によるアーム部を有する圧電振動片の基部であり、点線で示された基部２０１は、従来技術によるアーム部を有する圧電振動片の基部である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
なお、図１（ａ）で示すように、支持腕３０ａの幅Ｗ５は、支持腕３０ａと振動腕１０間の幅Ｗ４と同じように形成されている。上記のようにして、本実施例に係る第一音叉型圧電振動片１００は図１（ａ）の点線で示した中心線で線対称に形成されている。即ち、点線で示した中心線を中心し、夫々に両側に位置している支持腕３０ａと、支持腕２６と、振動腕１０と、半分の振動腕根元部２７が線対称に形成されている。これにより、エッチング工程でエッチング液の流れが同一となり、左右でバランスがとられた第一音叉型圧電振動片１００を形成することができる。これにより、安定した振動を提供することができ、更にＱ値が向上される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月7日(2010.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
参照光を物体光または再生された物体光と同軸で配置し、前記物体光または前記再生された物体光および前記参照光が対物レンズの対物面において部分的または完全に重なる、ホログラフィック記録媒体の再生および／または記録装置であって、
前記物体光または前記再生された物体光の焦点面内において、前記参照光の理論上の焦点位置を、前記物体光または前記再生された物体光の焦点に対してシフトさせるように適合した光素子を備える装置。
【請求項２】
２つ以上の参照光またはリング状の参照光を使用する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記光素子は、前記２つ以上の参照光またはリング状の参照光を生成するための回折素子または屈折素子である、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記回折素子は、線対称または回転対称の、正弦波格子またはバイナリ格子である、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記屈折素子は、バイプリズム若しくは反転したバイプリズム、または、円錐若しくは反転した円錐である、請求項３に記載の装置。
【請求項６】
１つ以上の前記参照光をブロックするための開口を、更に、有する、請求項１から５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
透過型ホログラフィック記録媒体の再生および／または記録に適用される、請求項１から６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
反射型ホログラフィック記録媒体の再生および／または記録に適用される、請求項１から６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
１つ以上の前記参照光の直径と、前記物体光または再生された前記物体光に対する該参照光の傾き角度は、前記ホログラフィック記録媒体内において、入力する１つ以上の参照光が反射した参照光と重ならない値である、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記ホログラフィック記録媒体の記録層は、前記参照光の焦点領域のフレネル領域に位置している、請求項１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月5日(2010.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する第１の基板上のスイッチング素子と、
前記スイッチング素子上の平坦化樹脂膜と、
前記スイッチング素子と電気的に接続する、前記平坦化樹脂膜上の画素電極と、
前記平坦化樹脂膜を介して前記スイッチング素子と重なる複数のダミー層と、
前記複数のダミー層と重なる位置に対向する、第２の基板上の柱状スペーサと、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に液晶材料と、を有し、
前記画素電極と前記複数のダミー層は同じ材料であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上のスイッチング素子と、
前記スイッチング素子上の平坦化樹脂膜と、
前記スイッチング素子と電気的に接続する、前記平坦化樹脂膜上の画素電極と、
前記平坦化樹脂膜を介して前記スイッチング素子と重なる複数のダミー層と、
前記複数のダミー層を覆って前記複数のダミー層上に設けられた柱状スペーサと、を有し、
前記画素電極と前記複数のダミー層は同じ材料であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、さらに前記絶縁表面を有する基板と対向する対向基板を有し、前記基板と前記対向基板との間に液晶材料を含む液晶層を有し、前記液晶層の動作モードがツイストネマティック型、または、垂直配向型のいずれか一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記画素電極と前記複数のダミー層は透明導電膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記柱状スペーサの頂部を含む上面面積は、前記複数のダミー層の合計上面面積より小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記柱状スペーサの上端部は曲率を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
絶縁表面を有する第１の基板上のスイッチング素子と、
前記スイッチング素子上の平坦化樹脂膜と、
前記スイッチング素子と電気的に接続する、前記平坦化樹脂膜上の画素電極と、
前記平坦化樹脂膜上の共通電極と、
前記平坦化樹脂膜を介して前記スイッチング素子と重なる複数のダミー層と、
前記複数のダミー層と重なる位置に対向する、第２の基板上の柱状スペーサと、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に液晶材料を含む液晶層と、を有し、
前記画素電極、前記共通電極、及び前記複数のダミー層は同じ材料であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
絶縁表面を有する第１の基板上のスイッチング素子と、
前記スイッチング素子上の平坦化樹脂膜と、
前記スイッチング素子と電気的に接続する、前記平坦化樹脂膜上の画素電極と、
前記平坦化樹脂膜上の共通電極と、
前記平坦化樹脂膜を介して前記スイッチング素子と重なる複数のダミー層と、
前記複数のダミー層を覆って前記複数のダミー層上に設けられた柱状スペーサと、を有し、
前記第１の基板と対向する第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に液晶材料を含む液晶層とを有し、
前記画素電極、前記共通電極、及び前記複数のダミー層は同じ材料であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項７または請求項８において、前記液晶層の動作モードがＩＰＳ方式である半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記柱状スペーサは、前記スイッチング素子と重なることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、前記柱状スペーサは、黒色樹脂からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、前記スイッチング素子は、薄膜トランジスタ、有機トランジスタ、ダイオード、ＭＩＭ、ＺｎＯバリスタのいずれか一であることを特徴とする半導体装置。