Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月2日(2010.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐチャネル型薄膜トランジスタ、ｎチャネル型薄膜トランジスタ、及び発光素子を含む画素を有し、
前記ｐチャネル型薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方が前記発光素子と電気的に接続され、
前記ｐチャネル型薄膜トランジスタのチャネル領域に含まれるｐ型を付与する不純物元素の濃度は、前記ｎチャネル型薄膜トランジスタのチャネル領域に含まれるｐ型を付与する不純物元素の濃度より低いことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
ｐチャネル型薄膜トランジスタ、ｎチャネル型薄膜トランジスタ、容量素子、及び発光素子を含む画素を有し、
前記ｐチャネル型薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方が前記発光素子と電気的に接続され、
前記ｐチャネル型薄膜トランジスタのチャネル領域に含まれるｐ型を付与する不純物元素の濃度は、前記ｎチャネル型薄膜トランジスタのチャネル領域及び前記容量素子に含まれるｐ型を付与する不純物元素の濃度より低いことを特徴とする表示装置。
【請求項３】
第１のｐチャネル型薄膜トランジスタ、ｎチャネル型薄膜トランジスタ、容量素子、及び発光素子を含む画素と、第２のｐチャネル型薄膜トランジスタを含む駆動回路とを有し、
前記第１のｐチャネル型薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方が前記発光素子と電気的に接続され、
前記第１のｐチャネル型薄膜トランジスタのチャネル領域に含まれるｐ型を付与する不純物元素の濃度は、前記ｎチャネル型薄膜トランジスタのチャネル領域、前記容量素子及び前記第２のｐチャネル型薄膜トランジスタのチャネル領域に含まれるｐ型を付与する不純物元素の濃度より低いことを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、
前記ｐチャネル型薄膜トランジスタのしきい値電圧は−１．１Ｖ以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
第１のｐチャネル型薄膜トランジスタ及び発光素子を含む画素と、第２のｐチャネル型薄膜トランジスタを含む駆動回路とを有し、
前記第１のｐチャネル型薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方が前記発光素子と電気的に接続され、
前記第１のｐチャネル型薄膜トランジスタのチャネル領域に含まれるｐ型を付与する不純物元素の濃度は、前記第２のｐチャネル型薄膜トランジスタのチャネル領域に含まれるｐ型を付与する不純物元素の濃度より低いことを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項３又は請求項５において、
前記第１のｐチャネル型薄膜トランジスタのカットオフ電流は２×１０−１１Ａ以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記ｐ型を付与する不純物元素はボロンであることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
絶縁表面上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に選択的にマスク層を形成し、
前記マスク層を用いて前記半導体膜に選択的にｐ型を付与する不純物元素をドーピングし、
前記選択的に前記ｐ型を付与する不純物元素がドーピングされた半導体膜を加工して前記ｐ型を付与する不純物元素を含む第１の半導体層及び前記ｐ型を付与する不純物元素の濃度が前記第１の半導体層に含まれる濃度より低い第２の半導体層を形成し、
前記第２の半導体層を用いてｐチャネル型薄膜トランジスタを形成し、前記第１の半導体層を用いてｎチャネル型薄膜トランジスタを形成し、
前記ｐチャネル型薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続する発光素子を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項９】
絶縁表面上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜を結晶化し結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜上に選択的にマスク層を形成し、
前記マスク層を用いて前記結晶性半導体膜に選択的にｐ型を付与する不純物元素をドーピングし、
前記選択的に前記ｐ型を付与する不純物元素がドーピングされた結晶性半導体膜を加工して前記ｐ型を付与する不純物元素を含む第１の半導体層及び前記ｐ型を付与する不純物元素の濃度が前記第１の半導体層に含まれる濃度より低い第２の半導体層を形成し、
前記第２の半導体層を用いてｐチャネル型薄膜トランジスタを形成し、前記第１の半導体層を用いてｎチャネル型薄膜トランジスタを形成し、
前記ｐチャネル型薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続する発光素子を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１０】
絶縁表面上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜上に選択的にマスク層を形成し、
前記マスク層を用いて前記非晶質半導体膜に選択的にｐ型を付与する不純物元素をドーピングし、
前記選択的に前記ｐ型を付与する不純物元素がドーピングされた非晶質半導体膜を結晶化し結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜を加工し前記ｐ型を付与する不純物元素を含む第１の半導体層及び前記ｐ型を付与する不純物元素の濃度が前記第１の半導体層に含まれる濃度より低い第２の半導体層を形成し、
前記第２の半導体層を用いてｐチャネル型薄膜トランジスタを形成し、前記第１の半導体層を用いてｎチャネル型薄膜トランジスタを形成し、
前記ｐチャネル型薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続する発光素子を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１１】
絶縁表面上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に選択的にマスク層を形成し、
前記マスク層を用いて前記半導体膜に選択的にｐ型を付与する不純物元素をドーピングし、
前記選択的に前記ｐ型を付与する不純物元素がドーピングされた半導体膜を加工して前記ｐ型を付与する不純物元素を含む第１の半導体層、前記ｐ型を付与する不純物元素を含む第２の半導体層及び前記ｐ型を付与する不純物元素の濃度が前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層に含まれる濃度より低い第３の半導体層を形成し、
前記第３の半導体層を用いて第１のｐチャネル型薄膜トランジスタを形成し、前記第１の半導体層を用いてｎチャネル型薄膜トランジスタを形成し、前記第２の半導体層を用いて駆動回路に用いられる第２のｐチャネル型薄膜トランジスタを形成し、
前記第１のｐチャネル型薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続する発光素子を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月20日(2009.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中心導体と、前記中央導体の周囲を被覆する絶縁体と、前記絶縁体の周囲にまきつけられた外部導体と、前記外部導体を覆う同軸絶縁外皮からなる同軸信号線を束ねて構成される耐屈曲性信号伝送ケーブルであって、
前記複数の同軸信号線をカッド構造になるように束ねたカッド同軸構造線と、前記カッド同軸構造線の周囲を被覆する絶縁テープと、前記絶縁テープの外周に配置される金属網と、前記金属網を被覆する絶縁外被と、を備えたことを特徴とする耐屈曲信号伝送ケーブル。
【請求項２】
前記耐屈曲性信号伝送ケーブルの外径が、４．５ｍｍ以下となるように構成されたことを特徴とする請求項１記載の耐屈曲性信号伝送ケーブル。
【請求項３】
前記複数の同軸信号線を、１０ｍｍピッチで撚っていることを特徴とする請求項１記載の耐屈曲性信号伝送ケーブル。
【請求項４】
前記耐屈曲性信号伝送ケーブルのケーブル長は、４５００ｍｍ以下であり、前記同軸信号線の特性インピーダンスは５５オームとしたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の耐屈曲性信号伝送ケーブル。
【請求項５】
前記中心導体は、線径が０．０３〜０．０８ｍｍの銅合金線で構成され、前記外部導体および金属網は線径０．０３〜０．０８ｍｍの軟銅線または銅合金線等で構成されていることを特徴とする請求項１記載の耐屈曲性信号伝送ケーブル。
【請求項６】
前記同軸信号線の絶縁体および前記同軸絶縁外被は、フッソ樹脂からなり、前記カッド同軸構造の外側の前記絶縁外被は塩化ビニール樹脂、ポリウレタンおよびフッソ樹脂のいずれかからなることを特徴とする請求項１記載の耐屈曲性信号伝送ケーブル。
【請求項７】
前記耐屈曲性信号伝送ケーブルの同軸信号線の特性インピーダンスを５０オームとしたことを特徴とする請求項１、２、３、５、または６のいずれか１項記載の耐屈曲性信号伝送ケーブル。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項記載の耐屈曲性信号伝送ケーブルを、コンピュータ機器と周辺機器間あるいは前記周辺機器相互間に配線して、前記２本の中心導体によって差動信号を伝送することを特徴とする耐屈曲性信号伝送ケーブルのデータ伝送方法。
【請求項９】
前記差動信号の伝送は、ＩＥＥＥ１３９４規格またはＵＳＢ規格によるシリアル・インターフェースの信号伝送機能に沿って行われることを特徴とする請求項８記載の耐屈曲性信号伝送ケーブルのデータ伝送方法。
【請求項１０】
請求項１〜７のいずれか１項記載の耐屈曲性信号伝送ケーブルを信号線用または電力用として使用することを特徴とする耐屈曲性信号伝送ケーブルのデータ伝送方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記問題を解決するため、請求項１に記載の発明は、耐屈曲性信号伝送ケーブルに係り、中心導体と、前記中央導体の周囲を被覆する絶縁体と、前記絶縁体の周囲にまきつけられた外部導体と、前記外部導体を覆う同軸絶縁外皮からなる同軸信号線を束ねて構成される耐屈曲性信号伝送ケーブルであって、前記複数の同軸信号線をカッド構造になるように束ねたカッド同軸構造線と、前記カッド同軸構造線の周囲を被覆する絶縁テープと、前記絶縁テープの外周に配置される金属網と、前記金属網を被覆する絶縁外被と、を備えたことを特徴としている。
また、請求項２に記載の発明は、請求項１記載の耐屈曲性信号伝送ケーブルにおいて、前記耐屈曲性信号伝送ケーブルの外径が、４．５ｍｍ以下となるように構成されたことを特徴としている。
また、請求項３に記載の発明は、請求項１記載の耐屈曲性信号伝送ケーブルにおいて、前記複数の同軸信号線を、１０ｍｍピッチで撚っていることを特徴としている。
また、請求項４に記載の発明は、請求項１〜３のいずれか1項記載の耐屈曲性信号伝送ケーブルにおいて、前記耐屈曲性信号伝送ケーブルのケーブル長は、４５００ｍｍ以下であり、前記同軸信号線の特性インピーダンスは５５オームとしたことを特徴としている。
また、請求項５に記載の発明は、請求項１記載の耐屈曲性信号伝送ケーブルにおいて、前記中心導体の線径が０．０３〜０．０８ｍｍの銅合金線で構成され、前記外部導体および金属網は線径が０．０３〜０．０８ｍｍの軟銅線または銅合金線で構成されていることを特徴としている。
また、請求項６に記載の発明は、請求項１記載の耐屈曲性信号伝送ケーブルにおいて、前記同軸信号線の絶縁体および同軸絶縁外被は、フッソ樹脂からなり、前記カッド同軸構造の外側の前記絶縁外被は塩化ビニール樹脂、ポリウレタンおよびフッソ樹脂のいずれかからなることを特徴としている。
また、請求項７に記載の発明は、請求項１、２、３、５、または６のいずれか１項記載の耐屈曲性信号伝送ケーブルにおいて、前記耐屈曲性信号伝送ケーブルの同軸信号線の特性インピーダンスを５０オームとしたことを特徴としている。
また、請求項８に記載の発明は、耐屈曲性信号伝送ケーブルのデータ伝送方法に係り、請求項１〜７のいずれか１項記載の耐屈曲性信号伝送ケーブルを、コンピュータ機器と周辺機器間あるいは前記周辺機器相互間に配線して、前記２本の中心導体によって差動信号を伝送することを特徴としている。
また、請求項９に記載の発明は、請求項８記載の耐屈曲性信号伝送ケーブルのデータ伝送方法において、前記差動信号の伝送がＩＥＥＥ１３９４規格またはＵＳＢ規格によるシリアル・インターフェースの信号伝送機能に沿って行われることを特徴とする。
そして、請求項１０に記載の発明は、耐屈曲性信号伝送ケーブルのデータ伝送方法において、請求項１〜７のいずれか１項記載の耐屈曲性信号伝送ケーブルを信号線用の用途以外に、電力用として使用することを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月26日(2010.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正孔輸送性有機化合物と、前記正孔輸送性有機化合物に対し電子受容性を示す金属酸化物とを複合化させ、抵抗率が５×１０４〜１×１０６Ω・ｃｍである透光性導電膜で形成された画素部の電極を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
正孔輸送性有機化合物と、前記正孔輸送性有機化合物に対し電子受容性を示す金属酸化物とを複合化させ、抵抗率が５×１０４〜１×１０６Ω・ｃｍである透光性導電膜で形成された画素部の電極と、
前記電極とオーム接触をなす配線とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
正孔輸送性有機化合物と、前記正孔輸送性有機化合物に対し電子受容性を示す金属酸化物とを複合化させ、抵抗率が５×１０４〜１×１０６Ω・ｃｍである透光性導電膜で形成された画素部の電極と、
前記電極とオーム接触をなす配線と、
前記電極に接して設けられたＥＬ層とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記電極は発光素子の陽極であることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記透光性導電膜は、４５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長領域において吸収ピークを有しないことを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記正孔輸送性有機化合物は、１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有することを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記正孔輸送性有機化合物は、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素又は高分子化合物であることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記芳香族アミン化合物は、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）から選ばれた一種又は複数種であることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項７において、
前記カルバゾール誘導体は、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（Ｎ−カルバゾリル）］フェニル−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）、２，３，５，６−トリフェニル−１，４−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼンから選ばれた一種又は複数種であることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項７において、
前記芳香族炭化水素は、９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，１０−ジ（ナフタレン−１−イル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０−ジ（４−フェニルフェニル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）、９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ジ（４−メチルナフタレン−１−イル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス［２−（ナフタレン−１−イル）フェニル］アントラセン、９，１０−ビス［２−（ナフタレン−１−イル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（ナフタレン−１−イル）アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジ（２−フェニルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）から選ばれた一種又は複数種であることを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項７において、
前記高分子化合物は、ポリ｛４−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニル］アミノスチレン｝（略称：ＰＳｔＤＰＡ）、ポリ｛４−［Ｎ−（９−カルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］スチレン｝（略称：ＰＳｔＰＣＡ）、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）から選ばれた一種又は複数種であることを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
前記金属酸化物は、遷移金属酸化物であることを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、
前記金属酸化物は、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物であることを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一において、
前記金属酸化物は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムから選ばれた一種又は複数種であることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月21日(2010.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、
−  動作可能範囲の大部分にわたって一定のリチウム挿入／脱離電位を呈し、ＬｉＮｉ０．５Ｍｎ１．５Ｏ４、およびＬｉ１−ａＮｉ０．５−ｂＭｎ１．５−ｃＯ４−ｄ型の、ａ、ｂ、ｃ、およびｄが−０．１〜＋０．１である、ＬｉＮｉ０．５Ｍｎ１．５Ｏ４の誘導体の中から選択された正極活物質と、
−  青銅型構造の酸化チタンＴｉＯ２により形成された負極活物質と
を備えた、リチウムイオン蓄電池。
【請求項２】
前記ＬｉＮｉ０．５Ｍｎ１．５Ｏ４の誘導体が、ＬｉＮｉ０．５−ｘＭｎ１．５＋ｘＯ４−ｄ型の誘導体であり、−０．１≦ｘ≦０．１およびｄ≦＋０．１である、請求項１に記載の蓄電池。
【請求項３】
少なくともＬｉ＋イオンを陽イオンとして有する塩を含む液体電解質を染み込ませたセパレータを含んでなる、請求項１または２に記載の蓄電池。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月26日(2010.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板の上に配置される有機発光素子と、前記有機発光素子の上に配置される無機封止層を有する有機発光装置の製造方法であって、
基板の上に有機発光素子を形成する工程と、
前記有機発光素子の上に無機封止層を形成する工程と、
前記有機発光素子の周辺で前記無機封止層を分割する工程と、
前記有機発光素子の周辺で前記基板を分割する工程と、を有し、
前記無機封止層を分割する工程は、前記無機封止層をスクライブする工程と、前記スクライブする工程によって形成された線に沿って前記無機封止層を割る工程と、を有し、
前記基板を分割する工程は、前記基板をスクライブする工程と、前記スクライブする工程によって形成された線に沿って前記基板を割る工程と、を有し、
前記基板をスクライブする工程は、前記無機封止層をスクライブする工程の後に行われることを特徴とする有機発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記無機封止層を分割する位置は、前記基板を分割する位置よりも前記有機発光装置の面内の内側であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記有機発光素子を形成する工程は、前記基板の上に複数の有機発光素子を形成する工程であり、
前記基板を分割する位置および前記無機封止層を分割する位置は、前記複数の有機発光素子の間であることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項４】
基板と、前記基板の上に配置される有機発光素子と、前記有機発光素子の上に配置される無機封止層を有し、一体で形成された複数の有機発光装置を分割することにより得られる有機発光装置の製造方法であって、
基板の上に複数の有機発光素子を形成する工程と、
前記複数の有機発光素子の上に、前記複数の有機発光素子に接して無機封止層を形成する工程と、
有機発光装置の単位毎で前記無機封止層を分割する工程と、
有機発光装置の単位毎で前記基板を分割する工程と、を有し
前記無機封止層を分割する工程は、前記無機封止層をスクライブする工程と、前記スクライブする工程によって形成された線に沿って前記無機封止層を割る工程と、を有し、
前記基板を分割する工程は、前記基板をスクライブする工程と、前記スクライブする工程によって形成された線に沿って前記基板を割る工程と、を有し、
前記基板をスクライブする工程は、前記無機封止層をスクライブする工程の後に行われることを特徴とする有機発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記無機封止層を分割する位置は、前記基板を分割する位置よりも前記有機発光装置の単位毎における面内の内側であることを特徴とする請求項４に記載の有機発光装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】有機発光装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、フラット素子ディスプレイ等に用いられる有機発光装置の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、無機封止層が形成された有機発光装置パネルを分割する工程において、無機封止層の剥離やクラックを抑制して分割された有機発光装置の製造方法を提供することを目的とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記した背景技術の課題を解決するための手段として、本発明に係る有機発光装置の製造方法は、
基板と、前記基板の上に配置される有機発光素子と、前記有機発光素子の上に配置される無機封止層を有する有機発光装置の製造方法であって、
基板の上に有機発光素子を形成する工程と、
前記有機発光素子の上に無機封止層を形成する工程と、
前記有機発光素子の周辺で前記無機封止層を分割する工程と、
前記有機発光素子の周辺で前記基板を分割する工程と、を有し、
前記無機封止層を分割する工程は、前記無機封止層をスクライブする工程と、前記スクライブする工程によって形成された線に沿って前記無機封止層を割る工程と、を有し、
前記基板を分割する工程は、前記基板をスクライブする工程と、前記スクライブする工程によって形成された線に沿って前記基板を割る工程と、を有し、
前記基板をスクライブする工程は、前記無機封止層をスクライブする工程の後に行われることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明に係る有機発光装置の製造方法は、
基板と、前記基板の上に配置される有機発光素子と、前記有機発光素子の上に配置される無機封止層を有し、一体で形成された複数の有機発光装置を分割することにより得られる有機発光装置の製造方法であって、
基板の上に複数の有機発光素子を形成する工程と、
前記複数の有機発光素子の上に、前記複数の有機発光素子に接して無機封止層を形成する工程と、
有機発光装置の単位毎で前記無機封止層を分割する工程と、
有機発光装置の単位毎で前記基板を分割する工程と、を有し
前記無機封止層を分割する工程は、前記無機封止層をスクライブする工程と、前記スクライブする工程によって形成された線に沿って前記無機封止層を割る工程と、を有し、
前記基板を分割する工程は、前記基板をスクライブする工程と、前記スクライブする工程によって形成された線に沿って前記基板を割る工程と、を有し、
前記基板をスクライブする工程は、前記無機封止層をスクライブする工程の後に行われることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月20日(2010.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＬ素子を有する画素がマトリックス状に配置された表示画面と、
前記画素に映像信号を印加するソースドライバ回路と、
前記画素を選択するゲートドライバ回路と、
前記画素の前記ＥＬ素子に、第１の電圧を供給する電圧発生回路と、
前記電圧発生回路に接続され、前記第１の電圧を、前記画素の前記ＥＬ素子に伝達する伝達線と、
前記伝達線に配置され、前記第１の電圧の遮断又は印加を制御する半導体からなるスイッチ回路と、
前記伝達線に配置され、前記伝達線に流れる電流を取り出す取り出し端子と、
を有することを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記ソースドライバ回路は、白映像信号、又は、黒映像信号を出力し、
前記ソースドライバ回路が、前記白映像信号、又は、前記黒映像信号を、前記画素に印加したときに、
前記スイッチ回路により前記第１の電圧を遮断して、前記取り出し端子から流れる電流を測定できる、
ことを特徴とする請求項１記載のＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記スイッチ回路により前記電圧を遮断して、前記取り出し端子に第２の電圧を印加できる、
ことを特徴とする請求項１記載のＥＬ表示装置。
【請求項４】
ＥＬ素子を有する画素がマトリックス状に配置された表示画面と、
前記画素に映像信号を印加するソースドライバ回路と、
前記画素を選択するゲートドライバ回路と、
電圧出力端子をオープンにする遮断回路を有し、かつ、第１の電圧を発生する電圧発生回路と、
前記電圧発生回路の電圧出力端子に接続され、前記第１の電圧を前記画素に伝達する伝達線と、
前記伝達線に配置された電流取り出し端子とを具備するＥＬ表示装置において、
前記ソースドライバ回路が、前記画素に所定の映像信号を印加した状態で、
前記遮断回路により、前記第１の電圧を遮断して、前記電流取り出し端子から流れる電流を測定する、
ことを特徴とするＥＬ表示装置の駆動方法。
【請求項５】
前記電流取り出し端子に流れる電流を電流計で測定する、
ことを特徴とする請求項４記載のＥＬ表示装置の駆動方法。
【請求項６】
前記遮断回路は、前記電圧出力端子をハイインピーダンス状態と電圧出力状態とに切り替える、
ことを特徴とする請求項４記載のＥＬ表示装置の駆動方法。
【請求項７】
複数のゲート信号線及び複数のソース信号線が直交して配置され、ＥＬ素子を有する画素がマトリックス状に配置された表示画面と、
前記画素を選択するゲートドライバ回路と、
ゲート端子以外の第１の端子が前記ソース信号線と接続され、第２の端子に第２の電圧が印加されたトランジスタと、
前記画素に印加する第１の電圧を発生する電圧発生回路と、
前記電圧発生回路が発生した前記第１の電圧を、表示画面の画素に伝達する電源配線と、
前記電圧発生回路の第１の電圧出力をオープン状態にする出力オープン回路とを具備するＥＬ表示装置において、
前記トランジスタのゲート端子に、オン電圧を印加して、前記ソース信号線に前記第２の電圧を印加し、
前記ゲートドライバ回路は、順次画素を選択して、前記第２の電圧を前記選択した画素に印加し、
前記出力オープン回路はオープン状態にし、
前記電源配線の電位を第３の電圧とする、
ことを特徴とするＥＬ表示装置の駆動方法。
【請求項８】
前記電源配線は、アノード配線又はカソード配線である、
ことを特徴とする請求項７記載のＥＬ表示装置の駆動方法。
【請求項９】
前記電圧発生回路は、複数の電流リミット値を設定できる、
ことを特徴とする請求項７記載のＥＬ表示装置の駆動方法。
【請求項１０】
前記第２の電圧は可変できる、
ことを特徴とする請求項７記載のＥＬ表示装置の駆動方法。
【請求項１１】
クロック検出回路を更に有し、前記クロック検出回路が検出したクロック数により、前記電圧圧制回路の出力を制御する、
ことを特徴とする請求項７記載のＥＬ表示装置の駆動方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＥＬ表示装置及びＥＬ表示装置の駆動方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、ＥＬ素子を有する画素がマトリックス状に配置された表示画面と、前記画素に映像信号を印加するソースドライバ回路と、前記画素を選択するゲートドライバ回路と、前記画素の前記ＥＬ素子に、第１の電圧を供給する電圧発生回路と、前記電圧発生回路に接続され、前記第１の電圧を、前記画素の前記ＥＬ素子に伝達する伝達線と、前記伝達線に配置され、前記第１の電圧の遮断又は印加を制御する半導体からなるスイッチ回路と、前記伝達線に配置され、前記伝達線に流れる電流を取り出す取り出し端子と、を有することを特徴とするＥＬ表示装置。
また、本発明は、ＥＬ素子を有する画素がマトリックス状に配置された表示画面と、前記画素に映像信号を印加するソースドライバ回路と、前記画素を選択するゲートドライバ回路と、電圧出力端子をオープンにする遮断回路を有し、かつ、第１の電圧を発生する電圧発生回路と、前記電圧発生回路の電圧出力端子に接続され、前記第１の電圧を前記画素に伝達する伝達線と、前記伝達線に配置された電流取り出し端子とを具備するＥＬ表示装置において、前記ソースドライバ回路が、前記画素に所定の映像信号を印加した状態で、前記遮断回路により、前記第１の電圧を遮断して、前記電流取り出し端子から流れる電流を測定する、ことを特徴とするＥＬ表示装置の駆動方法である。
さらに、本発明は、複数のゲート信号線及び複数のソース信号線が直交して配置され、ＥＬ素子を有する画素がマトリックス状に配置された表示画面と、前記画素を選択するゲートドライバ回路と、ゲート端子以外の第１の端子が前記ソース信号線と接続され、第２の端子に第２の電圧が印加されたトランジスタと、前記画素に印加する第１の電圧を発生する電圧発生回路と、前記電圧発生回路が発生した前記第１の電圧を、表示画面の画素に伝達する電源配線と、前記電圧発生回路の第１の電圧出力をオープン状態にする出力オープン回路とを具備するＥＬ表示装置において、前記トランジスタのゲート端子に、オン電圧を印加して、前記ソース信号線に前記第２の電圧を印加し、前記ゲートドライバ回路は、順次画素を選択して、前記第２の電圧を前記選択した画素に印加し、前記出力オープン回路はオープン状態にし、前記電源配線の電位を第３の電圧とする、ことを特徴とするＥＬ表示装置の駆動方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月12日(2010.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光線を発する光源装置と、スクリーン上に画像を形成する走査型の画像形成手段と、前記光源装置から発せられた光線が該画像形成手段に到達するまでの光路中に配設された可変焦点装置と、該可変焦点装置を制御する制御手段とを備え、該制御手段による前記可変焦点装置の制御により、前記スクリーンへ投射される光線のスポットサイズを、前記スクリーン上の画面サイズである投影サイズに応じて変更することを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記投影サイズを検出する投影サイズ検出手段を有し、前記制御手段による前記可変焦点装置の制御により、前記投影サイズ検出手段で検出された投影サイズに応じて、前記スポットサイズを変更することを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記投影サイズ検出手段は、前記スクリーンまでの投影距離を検出する距離検出手段であり、前記制御手段は、前記距離検出手段で検出された投影距離に対応した投影サイズに応じて、前記スポットサイズを変更するように、前記可変焦点装置を制御することを特徴とする請求項２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記スポットサイズを変更するユーザ操作を受け付ける操作手段を有し、該操作手段で受け付けたユーザ操作に応じた前記スポットサイズの変更を行うように、前記可変焦点装置を制御することを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記可変焦点装置は、前記スポットサイズを電気的に制御することが可能な素子を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記可変焦点装置は、前記素子として液晶レンズを有し、該液晶レンズへの印加電圧制御によって前記スポットサイズを変更することを特徴とする請求項５に記載の画像表示装置。
【請求項７】
前記可変焦点装置は、前記素子として液体レンズを有し、該液体レンズの印加電圧制御によって前記スポットサイズを変更することを特徴とする請求項５に記載の画像表示装置。
【請求項８】
前記可変焦点装置は、前記素子として、ミラーの曲面形状が可変である可変焦点ミラーを有し、該可変焦点ミラーへの印加電圧制御によって前記スポットサイズを変更することを特徴とする請求項５に記載の画像表示装置。
【請求項９】
前記可変焦点装置は、前記スクリーン上でのスポットの形状を略四角形となるよう制御することを特徴とする請求項８に記載の画像表示装置。
【請求項１０】
前記可変焦点装置は、複数枚のレンズと、該レンズの少なくとも１つを光軸方向に移動させるレンズ可動機構とを有し、該レンズ可動機構でレンズを移動させることによって前記スポットサイズを変更することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項１１】
前記制御手段は、前記スクリーンの傾きを検出する傾き検出手段を有し、該傾き検出手段で検出された傾きに応じて、前記スクリーン上の画面内でスポットサイズを変更するように、前記可変焦点装置を制御することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上述のごとき課題を解決するために、本発明の第１の技術手段は、光線を発する光源装置と、スクリーン上に画像を形成する走査型の画像形成手段と、前記光源装置から発せられた光線が該画像形成手段に到達するまでの光路中に配設された可変焦点装置と、該可変焦点装置を制御する制御手段とを備え、該制御手段による前記可変焦点装置の制御により、前記スクリーンへ投射される光線のスポットサイズを、前記スクリーン上の画面サイズである投影サイズに応じて変更することを特徴としたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
第２の技術手段は、第１の技術手段において、前記投影サイズを検出する投影サイズ検出手段を有し、前記制御手段による前記可変焦点装置の制御により、前記投影サイズ検出手段で検出された投影サイズに応じて、前記スポットサイズを変更することを特徴としたものである。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年5月13日(2010.5.13)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 半導体ワークピース上の多層メタルの露出領域をエッチングする方法であって、該メタルが、耐熱性金属の第２の層の上にあるアルミニウム又はアルミニウムアロイの第１の層を少なくとも有し、前記方法が、
（ａ）（ｉ）第１の耐熱性金属の第１の層と、アルミニウム又はアルミニウムアロイの第２の層と、第２の耐熱性金属の第３の層と、を少なくとも有し、第１の層が第２の層の上にあり、第２の層が第３の層の上にある多層メタルの露出領域と、（ｉｉ）ワークピースの上で多層メタルの下にある他の材料と、を有する半導体ワークピースを提供するステップと、
（ｂ）第１の混合ガスのプラズマ分解によって発生され、アルミニウムおよび第１の耐熱性金属をエッチングする化学物質を有する第１の雰囲気にワークピースを曝露するステップと、
（ｃ）第２の混合ガスのプラズマ分解によって発生されアルミニウムのエッチングより高速で第２の耐熱性金属をエッチングする化学物質を有する第２の雰囲気に、その後ワークピースを曝露するステップと、
を有する方法。
【請求項２】第２の層の露出領域が除去され、第１の層の露出領域の少なくとも一部が除去されるまで、第１の雰囲気にワークピースを露出するステップが実行される請求項１に記載の方法。
【請求項３】 第１および第２の層の露出領域が除去されるまで、第１の雰囲気にワークピースを曝露するステップが実行される請求項１に記載の方法。
【請求項４】 第３の層が除去されるまで、第２の雰囲気にワークピースを曝露するステップが実行される請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】 第２の耐熱性金属が十分除去されて第１の雰囲気に前記他の材料の部分が露出される前に、第２の雰囲気にワークピースを曝露するステップが開始される請求項１に記載の方法。
【請求項６】 第２の耐熱性金属がエッチング速度の降下を示す程度に第２の耐熱性金属が除去される前に、第２の雰囲気にワークピースを曝露するステップが開始される請求項１に記載の方法。
【請求項７】 前記提供するステップで、多層メタルの上にレジスト層を有する半導体ワークピースを提供し、
第２の耐熱性金属をエッチングしつつも、レジストの下にあるアルミニウムの側壁が、エッチング速度の増加を示す程度に露出領域の第２の耐熱性金属が除去される前に、第２の雰囲気にワークピースを曝露するステップが開始される請求項１に記載の方法。
【請求項８】 第１の耐熱性金属と第２の耐熱性金属が同じである請求項１に記載の方法。
【請求項９】 第１の耐熱性金属が、チタン、窒化チタン、タングステンまたはモリブデンを含み、第２の耐熱性金属が、チタン、窒化チタン、タングステンまたはモリブデンを含む、請求項１に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶ディスプレイや集積回路等の電子デバイスの製造に用いられるプラズマエッチングプロセスに関する。より具体的には、本発明はチタン等の高融点金属（又は耐熱性金属（refractory metal））の層の上にアルミニウム又はアルミニウムアロイの層を有するメタル表面形状をエッチングするためのプロセスに関する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
チャンバ内部への各ガスの流量は、それぞれの流量制御装置６３、６５、６７及び６９によって制御される。流量制御装置から流れたガスは、２つのガス分配マニホールド７０を通ってチャンバ内部に分配される。各ガス分配マニホールドは、ガス出口アパーチャのフラットで方形のアレイを有し、このアレイの平面は、隣接したワークピース５０と平行であり、即ち図５に示されるようにこのページに垂直である。ガスはポンプ７２によってチャンバから排気されるが、このポンプはチャンバ内の全ガス圧を調整するための絞り弁を有する。図１の矢印は、ガス流動の方向を例示する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月18日(2010.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
口金と、前記口金の外周側に配置されるハニカム構造体の外壁を規定する押え板のほかに、同じく前記口金の外周側に配置され押し出される坏土量を調整する裏押え板を備えたハニカム構造体押出成形用装置であって、
前記口金が、互いに連結した薄壁から構成されたセル部と、前記セル部の最外周側に外壁が形成されたハニカム構造体を排出するスリット（排出通路）を一端に開口し、他端を一定深さまで独立して設けられた多数の供給通路に連結してなり、スリット（排出通路）を有するスリット部（排出部）が平坦な基部と、前記基部の外周方向に傾斜した傾斜面が形成された外縁部とを有するものであり、
前記口金が、前記スリット部の基部と外縁部との境界に配設されたスリットを構成する基部部材（ピン）を除去するとともに、前記口金と前記裏押え板との間に、厚さが１．０〜３．５ｍｍの裏間座を挿入し、かつ
前記外縁部の直径が、前記基部の直径の１．２倍以下で、前記裏押え板の内径が、前記基部の直径の１．０〜１．１倍であるハニカム構造体押出成形用装置。
【請求項２】
前記基部部材（ピン）が除去され、形成されたザグリ部が平坦になるように形成される請求項１に記載のハニカム構造体押出成形用装置。
【請求項３】
前記基部のスリットのスリット比（前記スリット長さ／前記スリット幅）が、７以上である請求項１又は２に記載のハニカム構造体押出成形用装置。
【請求項４】
前記ザグリ部のスリットのスリット比（前記スリット長さ／前記スリット幅）が、０〜６である請求項２又は３に記載のハニカム構造体押出成形用装置。
【請求項５】
前記ハニカム構造体の外壁厚比（最小外壁厚／セル壁厚）が、１．３以上である請求項１〜４のいずれか１項に記載のハニカム構造体押出成形用装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
［１］  口金と、前記口金の外周側に配置されるハニカム構造体の外壁を規定する押え板のほかに、同じく前記口金の外周側に配置され押し出される坏土量を調整する裏押え板を備えたハニカム構造体押出成形用装置であって、前記口金が、互いに連結した薄壁から構成されたセル部と、前記セル部の最外周側に外壁が形成されたハニカム構造体を排出するスリット（排出通路）を一端に開口し、他端を一定深さまで独立して設けられた多数の供給通路に連結してなり、スリット（排出通路）を有するスリット部（排出部）が平坦な基部と、前記基部の外周方向に傾斜した傾斜面が形成された外縁部とを有するものであり、前記口金が、前記スリット部の基部と外縁部との境界に配設されたスリットを構成する基部部材（ピン）を除去するとともに、前記口金と前記裏押え板との間に、厚さが１．０〜３．５ｍｍの裏間座を挿入し、かつ前記外縁部の直径が、前記基部の直径の１．２倍以下で、前記裏押え板の内径が、前記基部の直径の１．０〜１．１倍であるハニカム構造体押出成形用装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
［２］  基部部材（ピン）が除去され、形成されたザグリ部が平坦になるように形成される［１］に記載のハニカム構造体押出成形用装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
［３］  基部のスリットのスリット比（スリット長さ／スリット幅）が、７以上である［１］又は［２］に記載のハニカム構造体押出成形用装置。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
［４］  ザグリ部のスリットのスリット比（スリット長さ／スリット幅）が、０〜６である［２］又は［３］に記載のハニカム構造体押出成形用装置。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
［５］  ハニカム構造体の外壁厚比（最小外壁厚／セル壁厚）が、１．３以上である［１］〜［４］のいずれかに記載のハニカム構造体押出成形用装置。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
【表１】
2006281537.tif 000001
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
（考察：実施例１〜２１、比較例１〜７）
表１の結果から、実施例１〜２１では、寸法比（Ｃ／Ａ）を１．０１〜１．２、スリット部の基部と外縁部との境界に配設されたスリットを構成するピン（基部部材）を除去し、ザグリ部を形成するとともに、裏間座を使用し、裏間座の厚みが１．０〜３．５ｍｍ、且つ寸法比（Ｄ／Ａ）を１．０１〜１．１０の条件下で坏土の押出成形を行うことにより、クラックの発生が無く、パーシャルセルの発生を抑制するとともに、セル変形をすることなく、外壁の厚いセラミックハニカム構造体を得ることができた。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
比較例１では、ピン（基部部材）が除去されていないため、得られたハニカム構造体に多数のパーシャルセルが発生した。比較例２では、裏間座が無いため、得られたハニカム構造体に多数のパーシャルセルが発生した。比較例３では、裏間座の厚みが１．０ｍｍ未満であるため、得られたハニカム構造体に多数のパーシャルセルが発生した。比較例４では、裏間座の厚みが３．５ｍｍを超過しているため、得られたハニカム構造体の外周部のセル変形を十分抑制することができなかった。比較例５では、寸法比（Ｃ／Ａ）が１．２を超過しているため、得られたハニカム構造体の外周部のセル変形を十分抑制することができなかった。比較例６では、寸法比（Ｄ／Ａ）が１．００未満であるため、得られたハニカム構造体に多数のパーシャルセルが発生した。比較例７では、寸法比（Ｄ／Ａ）が１．１０を超過するため、得られたハニカム構造体の外周部のセル変形を十分抑制することができなかった。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月27日(2010.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
調質された熱処理型アルミニウム合金中空形材からなり、該中空形材の外殻部の形状は断面正方形または長方形で、中空部を含む全断面積は３０００〜８０００ｍｍ２のものであり、中空形材の断面には、それぞれ１０００〜４０００ｍｍ２の断面積を有しリブで区画された中空部が２つ設けられており、中空形材における各辺の平均肉厚をｔ（ｍｍ）、中空形材の外郭部とリブとの結合部のコーナー部の半径をＲ（ｍｍ）としたとき、３．２ｍｍ≧ｔ≧１．５ｍｍ、３．５≧Ｒ／ｔ≧１．５の関係を満足することを特徴とするアルミニウム合金製自動車フレーム用軸圧縮エネルギー吸収部材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記の目的を達成するための本発明の請求項１によるアルミニウム合金製自動車フレーム用軸圧縮エネルギー吸収部材は、調質された熱処理型アルミニウム合金中空形材からなり、該中空形材の外殻部の形状は断面正方形または長方形で、中空部を含む全断面積は３０００〜８０００ｍｍ２のものであり、中空形材の断面には、それぞれ１０００〜４０００ｍｍ２の断面積を有しリブで区画された中空部が２つ設けられており、中空形材における各辺の平均肉厚をｔ（ｍｍ）、中空形材の外郭部とリブとの結合部のコーナー部の半径をＲ（ｍｍ）としたとき、３．２ｍｍ≧ｔ≧１．５ｍｍ、３．５≧Ｒ／ｔ≧１．５の関係を満足することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
図１１に示すように、中空形材１は、リブ２で区画された２つの中空部３、３を有する外殻の断面形状が正方形または長方形のもので、中空形材１の中空部を含む全断面積は３０００〜８０００ｍｍ２、中空部３、３の断面積はそれぞれ１０００〜４０００ｍｍ２であり、中空形材１の各辺の平均肉厚をｔ（ｍｍ）、外殻部４とリブ２との結合部５のコーナー部の半径をＲ（ｍｍ）としたとき、３．２ｍｍ≧ｔ≧１．５ｍｍ、３．５≧Ｒ／ｔ≧１．５の関係を満足するよう設計される。