Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月11日(2010.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光層を有する積層体を、その第１の面が基板の第１の面側に隣接するように形成する工程と、
前記積層体の前記第１の面とは反対側の第２の面にｐ側電極及びｎ側電極を形成する工程であって、前記ｐ側電極及び前記ｎ側電極のうち、いずれか一方の電極は前記発光層の上方に形成し、いずれか他方の電極は前記発光層を含まない前記積層体の上に形成する工程と、
前記ｐ側電極及び前記ｎ側電極の上に、第１及び第２の開口を有する絶縁膜を前記第２の面側に形成する工程と、
前記絶縁膜と前記第１及び第２の開口とを覆うシード金属を形成する工程と、
前記シード金属の上にｐ側金属配線層及びｎ側金属配線層をそれぞれ形成する工程であって、前記ｐ側金属配線層及び前記ｎ側金属配線層のうち前記他方の電極と接続する金属配線層の面積は、前記他方の電極側の面よりも前記他方の電極とは反対側の面において大となるように形成する工程と、
前記ｐ側金属配線層と前記ｎ側金属配線層との間に露出した前記シード金属を除去し、ｐ側シード金属とｎ側シード金属とに分離する工程と、
前記シード金属を除去した空間の少なくとも一部に樹脂を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記シード金属を形成する工程は、前記第１及び第２の開口を連続した金属で覆うことを特徴とする請求項１記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記ｐ側金属配線層の上にｐ側金属ピラーを、前記ｎ側金属配線層の上にｎ側金属ピラーを、それぞれ形成する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記一方の電極は、ｎ側電極であり、
前記他方の電極は、ｐ側電極であり、
前記ｎ側金属配線層の一部は、前記発光層の真下まで延在するように、前記ｎ側金属配線層を形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記積層体を形成する工程は、互いに離間し且つ隣接した第１及び第２の積層体を形成する工程を含み、
前記ｐ側金属配線層及び前記ｎ側金属配線層を形成する工程は、前記第１の積層体の側に設けられる第１のｐ側金属配線層と前記第２の積層体の側に設けられる第２のｎ側金属配線層とを連結して形成する工程を含み、
前記ｐ側シード金属と前記ｎ側シード金属とに分離する工程は、前記第１の積層体の側に設けられた第１のｎ側金属配線層と前記第１のｐ側金属配線層との間に露出した前記シード金属を除去し第１のｎ側シード金属と第１のｐ側シード金属とに分離するとともに、前記第２の積層体の側に設けられた第２のｐ側金属配線層と前記第２のｎ側金属配線層との間に露出した前記シード金属を除去し第２のｐ側シード金属と第２のｎ側シード金属とに分離する工程を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
【請求項６】
第１の面と、前記第１の面とは反対側の第２の面と、を有し、且つ発光層を有する積層体と、
前記積層体の前記第２の面に設けられたｐ側電極及びｎ側電極と、
前記ｐ側電極及び前記ｎ側電極が露出する開口を有する絶縁膜と、
前記ｐ側電極上に設けられたｐ側シード金属と、前記ｐ側シード金属の上に設けられたｐ側金属配線層と、を有するｐ側引き出し電極と、
前記ｎ側電極上に設けられたｎ側シード金属と、前記ｎ側シード金属の上に設けられたｎ側金属配線層と、を有するｎ側引き出し電極と、
前記ｐ側引き出し電極及び前記ｎ側引き出し電極を囲むように、充填された樹脂層と、
を備え、
前記ｐ側電極及び前記ｎ側電極のうち、いずれか一方の電極は前記発光層の上方に設けられ、いずれか他方の電極は前記発光層を含まない前記積層体の上に設けられ、
前記ｐ側金属配線層及び前記ｎ側金属配線層のうち前記他方の電極と接続する金属配線層の面積は、前記他方の電極側の面よりも前記他方の電極とは反対側の面において大とされ、
前記発光層からの放出光は、前記積層体の前記第１の面を介して放出されることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
前記ｐ側引き出し電極は、前記ｐ側金属配線層の上に設けられたｐ側金属ピラーをさらに有し、
前記ｎ側引き出し電極は、前記ｎ側金属配線層の上に設けられたｎ側金属ピラーをさらに備えたことを特徴とする請求項６記載の発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一態様によれば、発光層を有する積層体を、その第１の面が基板の第１の面側に隣接するように形成する工程と、前記積層体の前記第１の面とは反対側の第２の面にｐ側電極及びｎ側電極を形成する工程であって、前記ｐ側電極及び前記ｎ側電極のうち、いずれか一方の電極は前記発光層の上方に形成し、いずれか他方の電極は前記発光層を含まない前記積層体の上に形成する工程と、前記ｐ側電極及び前記ｎ側電極の上に、第１及び第２の開口を有する絶縁膜を前記第２の面側に形成する工程と、前記絶縁膜と前記第１及び第２の開口とを覆うシード金属を形成する工程と、前記シード金属の上にｐ側金属配線層及びｎ側金属配線層をそれぞれ形成する工程であって、前記ｐ側金属配線層及び前記ｎ側金属配線層のうち前記他方の電極と接続する金属配線層の面積は、前記他方の電極側の面よりも前記他方の電極とは反対側の面において大となるように形成する工程と、前記ｐ側金属配線層と前記ｎ側金属配線層との間に露出した前記シード金属を除去し、ｐ側シード金属とｎ側シード金属とに分離する工程と、前記シード金属を除去した空間の少なくとも一部に樹脂を形成する工程と、を備えたことを特徴とする発光装置の製造方法が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の他の一態様によれば、第１の面と、前記第１の面とは反対側の第２の面と、を有し、且つ発光層を有する積層体と、前記積層体の前記第２の面に設けられたｐ側電極及びｎ側電極と、前記ｐ側電極及び前記ｎ側電極が露出する開口を有する絶縁膜と、前記ｐ側電極上に設けられたｐ側シード金属と、前記ｐ側シード金属の上に設けられたｐ側金属配線層と、を有するｐ側引き出し電極と、前記ｎ側電極上に設けられたｎ側シード金属と、前記ｎ側シード金属の上に設けられたｎ側金属配線層と、を有するｎ側引き出し電極と、前記ｐ側引き出し電極及び前記ｎ側引き出し電極を囲むように、充填された樹脂層と、を備え、前記ｐ側電極及び前記ｎ側電極のうち、いずれか一方の電極は前記発光層の上方に設けられ、いずれか他方の電極は前記発光層を含まない前記積層体の上に設けられ、前記ｐ側金属配線層及び前記ｎ側金属配線層のうち前記他方の電極と接続する金属配線層の面積は、前記他方の電極側の面よりも前記他方の電極とは反対側の面において大とされ、前記発光層からの放出光は、前記積層体の前記第１の面を介して放出されることを特徴とする発光装置が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月26日(2010.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ローカル・ネットワークおよび前記ローカル・ネットワーク上のルータに接続された装置に於いて、前記ローカル・ネットワークを介して前記装置から宛先装置へのデータの配信を制御する方法であって、
プログラム・コンテンツを表すディジタル信号であり、前記ローカル・ネットワーク外への前記ディジタル信号の配信を許可する第１のトランスポート・モードと、前記ローカル・ネットワーク外への前記ディジタル信号の配信を禁止する第２のトランスポート・モードとを示す認証フィールドを有する前記ディジタル信号を受信するステップと、
前記ディジタル信号が配信される前記宛先装置が前記ローカル・ネットワーク外に在るか否かを、前記ルータから受信される位置情報を用いて判断するステップと、
前記認証フィールドが、前記第１または第２のトランスポート・モードの何れを示しているかを判断するステップと、
前記認証フィールドが、前記第２のトランスポート・モードを示しており、且つ、前記宛先装置が前記ローカル・ネットワーク外に在ることが判断されると、前記ディジタル信号の送信を禁止し、その他の場合であることが判断されると、前記ディジタル信号を前記宛先装置に送信するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記ディジタル信号が配信される前記宛先装置が前記ネットワーク外に在るか否かを判断する前記ステップが、
前記プログラム・コンテンツが配信される前記宛先装置に関連付けられた位置情報を示す宛先データを受信するステップと、
前記宛先データが前記ルータの前記位置情報に対応しているか否かを判断することにより、前記宛先装置が前記ネットワーク外に在るか否かを判断するステップと、
を含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ディジタル信号がトランスポート・ストリーム・パケットを含む、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記トランスポート・ストリーム・パケットの各々について、ペイロード部分を調べて、そのパケットに関連付けられた認証フィールドが、前記宛先装置が前記ローカル・ネットワーク外に在る場合に、前記ローカル・ネットワーク外への前記コンテンツの送信の許可を示しているか否かを判断し、前記ディジタル信号の送信の前記禁止が、その判断結果に応じて、前記パケットを捨てることを含む、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記装置はアクセス装置であり、放送供給元からの前記ディジタル信号にアクセスするステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月17日(2010.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルム上に接着層が設けられたダイシング用固定シートにおいて、
前記接着層は前記基材フィルムとの共押出により形成されたものであって、前記接着層を形成する接着剤のベースポリマーがホットメルト型熱可塑性樹脂であり、接着層の貯蔵弾性率が、２０℃において１×１０６〜１×１０９Ｐａ、接着層の厚さが３〜１０μｍであり、
前記基材フィルムは熱可塑性樹脂により形成されたものであり、前記基材フィルムの融点が接着層の融点よりも２０℃以上高いことを特徴とするダイシング用固定シート。
【請求項２】
５０℃以上の温度で、接着層をＳｕｓ３０４ＢＡ板に貼り付けたときの、２３℃におけるＳｕｓ３０４ＢＡ板に対する接着層の引き剥がし力が、０．５Ｎ／２５ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１記載のダイシング用固定シート。
【請求項３】
前記ホットメルト型熱可塑性樹脂の融点が３０〜１００℃であることを特徴とする請求項１または２記載のダイシング用固定シート。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載のダイシング用固定シートの接着層を、当該接着層を形成するホットメルト型熱可塑性樹脂の軟化以上の温度である５０℃以上の温度においてダイシング対象の被切断体へ貼り付け、常温に戻した後に、被切断体をダイシングすることを特徴とするダイシング方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月8日(2010.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査すべき基板の複数の評価ポイントの座標情報と、前記複数の評価ポイントを含む領域に形成されたパターンの設計レイアウト情報と、ユーザより入力された所定のパラメータの値又は範囲若しくは予め記録されたデフォルト値の情報と、を含む入力情報を設定するステップと、
前記設計レイアウト情報を用いて、前記複数の評価ポイントの座標情報と前記所定のパラメータの値又は範囲若しくは前記デフォルト値の情報とに基づいて設定された撮像ポイントの探索範囲から、前記複数の評価ポイント間で共有しうる撮像ポイントを決定し、前記決定された撮像ポイントと前記撮像ポイントを共有する前記複数の評価ポイントとを所定の順序で撮像する撮像シーケンスを決定するステップと、
前記決定された撮像ポイント及び撮像シーケンスと前記入力情報に基づいて、前記複数の評価ポイント間で前記撮像ポイントを共有する撮像レシピを生成するステップと、
を有することを特徴とする撮像レシピの生成方法。
【請求項２】
請求項１記載の撮像レシピの生成方法であって、
前記所定のパラメータの値又は範囲の情報は、処理パラメータ，ユーザ要求仕様，履歴情報，アドレッシングあるいはオートフォーカスあるいはオートブライトネス・コントラスト用の撮像ポイントの数，座標，サイズ，形状，撮像順序，電子ビーム垂直入射座標，撮像条件の一部又は全ての撮像パラメータ、のうち選択されたパラメータの値又は範囲の情報であり、
前記撮像ポイントと撮像シーケンスを設定するステップでは、前記設定された探索範囲における撮像ポイント候補の指標値を前記設計レイアウト情報を用いて算出し、前記算出された指標値に基づいて前記撮像ポイント候補の中から前記撮像ポイントを決定し、前記決定された撮像ポイントと前記複数の評価ポイントの座標情報と前記選択されたパラメータの値又は範囲の情報とに基づいて前記撮像シーケンスを決定することを特徴とする撮像レシピの生成方法。
【請求項３】
請求項１記載の撮像レシピの生成方法であって、
前記撮像ポイントと撮像シーケンスを決定するステップでは、前記撮像ポイントのサイズ及び形状も含めて決定し、前記決定された撮像ポイントと前記撮像ポイントを共有する前記複数の評価ポイントとを所定の順序で撮像する撮像シーケンスを決定することを特徴とする撮像レシピの生成方法。
【請求項４】
請求項１記載の撮像レシピの生成方法であって、
前記撮像ポイントと撮像シーケンスを決定するステップでは、前記所定のパラメータの値又は範囲若しくは前記デフォルト値の情報としてビームシフトの可動範囲及び禁止領域の情報を用いて、前記撮像ポイントの探索範囲を設定することを特徴とする撮像レシピの生成方法。
【請求項５】
請求項１記載の撮像レシピの生成方法であって、
前記撮像ポイントと撮像シーケンスを決定するステップにおいて前記決定された撮像ポイントは、前記撮像ポイントの探索範囲内にあるアドレッシングポイント、オートフォーカスポイント、オートスティグマポイント又はオートブライトネス・コントラスポイントから選択されたものであることを特徴とする撮像レシピの生成方法。
【請求項６】
請求項１乃至６記載の撮像レシピの生成方法であって、
前記入力情報を設定するステップにおいて、前記複数の評価ポイントの座標情報は、前記検査すべき基板の回路設計データに基づいて決定されることを特徴とする撮像レシピ生成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月25日(2010.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集電体と、前記集電体上に形成されたリチウムイオンを吸蔵および放出可能な電極活物質を含む電極活物質層と、を有する非水電解質二次電池用電極板であって、
前記電極活物質層は、前記集電体の中央部に形成された第１の活物質層と、前記集電体の幅方向の両端部に形成され、前記第１の活物質層よりも薄い第２の活物質層とからなり、
前記第２の活物質層の厚さは、前記第１の活物質層の厚さの０％以上、５０％以下であることを特徴とする非水電解質二次電池用電極板。
【請求項２】
前記電極活物質層は気相法で作製された層であること、を特徴とする請求項１に記載の非水電解質二次電池用電極板。
【請求項３】
リチウムイオンを吸蔵・放出可能な正極活物質を含む正極板と、請求項１または2に記載の非水電解質二次電池用電極板からなる負極板と、セパレータと、から構成される極板群と、
リチウムイオン伝導性を有する電解質と、を含む非水電解質二次電池であって、前記極板群は、前記正極板と前記非水電解質二次電池用電極板とを前記セパレータを介して長さ方向に捲回または折り畳んで構成されていること、を特徴とする非水電解質二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月8日(2010.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘッド・ディスク間接触（ＨＤＣ）を決定するヘッド・ディスク試験機であって、
記録された磁気変換を持たない回転可能な磁気記録ディスクと、
前記ディスクが回転しているとき、前記ディスクの表面の近傍で維持される空気軸受スライダと、
前記スライダ上の磁気抵抗（ＭＲ）読取りヘッドであって、約３ＭＨｚ未満の周波数で、ＨＤＣを有する第１の振幅とＨＤＣを有しない第２の振幅を持つＭＲ信号を検出するＭＲ読取りヘッドと、
前記読取りヘッドと前記ディスク表面の間の間隔を変える浮上高アクチュエータと、
約３ＭＨｚ未満の周波数で前記読取りヘッドからのＭＲ信号の振幅を検出するフィルタと、
前記フィルタの出力側に接続され、該フィルタの出力がある閾値を越えたとき、高出力を検出するシュミットトリガであって、該閾値は、前記第２のＭＲ信号振幅に、前記第１信号の振幅と第２の信号振幅の差の所定の率を加えたものを表す、シュミットトリガと、
を備えるヘッド・ディスク試験機。
【請求項２】
ＨＤＣを報知するデジタルコントローラと、前記シュミットトリガの前記出力側を前記コントローラに接続するアナログ／デジタル変換器をさらに備える請求項１に記載のヘッド・ディスク試験機。
【請求項３】
前記ヘッド浮上高アクチュエータが、前記スライダ上に配置され、かつ、熱アクチュエータ、静電アクチュエータ、および圧電アクチュエータの１つである、請求項１に記載のヘッド・ディスク試験機。
【請求項４】
ヘッド・ディスク間接触（ＨＤＣ）を決定するヘッド・ディスク試験機であって、
磁気記録層を持たない回転可能な磁気記録ディスクと、
前記ディスクが回転しているとき、前記ディスクの表面の近傍で維持される空気軸受スライダと、
前記スライダ上の磁気抵抗（ＭＲ）読取りヘッドであって、約３ＭＨｚ未満の周波数で、ＨＤＣを有する第１の振幅とＨＤＣを有しない第２の振幅を持つＭＲ信号を検出するＭＲ読取りヘッドと、
前記読取りヘッドと前記ディスク表面の間の間隔を変える浮上高アクチュエータと、
約３ＭＨｚ未満の周波数で前記読取りヘッドからのＭＲ信号の振幅を検出するフィルタと、
前記フィルタの出力側に接続され、ＭＲ信号振幅とある閾値を比較するコンパレータであって、該閾値は、前記第２のＭＲ信号振幅に、前記第１のＭＲ信号振幅と第２のＭＲ信号振幅の差の所定の率を加えたものを表す、コンパレータと、
を備えるヘッド・ディスク試験機。
【請求項５】
前記ヘッド浮上高アクチュエータは、前記スライダ上に配置され、かつ、熱アクチュエータ、静電アクチュエータ、および圧電アクチュエータの１つである、請求項４に記載のヘッド・ディスク試験機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ヘッド・ディスク試験機
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月30日(2010.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクチュエータによって、コーティング材料の分注を許容する開状態と閉状態との間で移動可能なニードルバルブから分注ニードルまで、コーティング材料を誘導する流路を有するアプリケータを支持する保定装置を作動するプログラム可能制御装置によって移動可能なアプリケータを用いて、基板上にコーティング材料を自動的に分注する方法であって、
アクチュエータに一連の電気パルスを印加する段階と、
前記アクチュエータに印加されている前記一連の電気パルスの各パルスに応答してニードルバルブを反復的に開くことにより、該ニードルバルブを通過してコーティング材料を移動する段階と、
前記一連の電気パルスのパルス間の期間に応答して、前記ニードルバルブを反復的に閉じることにより、分注ニードルから基板に前記コーティング材料を放出する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
コーティング材料は誘電材を有し、基盤は電気構成要素を有し、
更に、分注された誘電材が前記電気構成要素上にコンフォーマルコーティングを形成するように、電気構成要素に沿ってアプリケータを動かす段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
タイミング装置を作動して前記一連の電気パルスを発生させる段階を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
パルス幅モジュレータを作動して前記一連の電気パルスを発生させる段階を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記アクチュエータはソレノイドを有し、
前記ソレノイドに印加される各電気パルスに応答してニードルバルブを開くように、加圧流体を送出する段階を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記コンピュータに保存されたオン時間で、パルス幅モジュレータを操作する段階を更に有し、オン時間は、前記一連の電気パルスの各電気パルス時間を決定する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記一連の電気パルスのパルス間における期間の間、ニードルバルブを閉じる段階を更に含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月13日(2010.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電圧パルスを印加することによってインクを吐出する記録素子を、粘度の異なる複数のインク用に複数備えた記録ヘッドを用いて画像を形成するインクジェット記録装置であって、
粘度の高いインクほど吐出速度が小さくなるように前記電圧パルスの形状を前記複数のインクを吐出する前記記録素子ごとに調整する駆動調整手段を具備することを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項２】
前記記録素子からは主滴と少なくとも１つのサテライトに分裂した滴としてインクが吐出され、
前記駆動調整手段は、粘度の高いインクほど前記主滴の吐出速度を小さくすることによって、同一の前記記録素子から吐出された前記主滴と前記サテライトの速度差が少なくなるように、前記電圧パルスの形状を前記複数のインクを吐出する前記記録素子ごとに調整することを特徴とする請求項１に記載のインクジェット記録装置。
【請求項３】
同一の前記記録素子から吐出された前記主滴と前記サテライトが記録媒体に着弾して形成するドット面積のばらつきが前記複数のインク間で平均値の±１０％以内に収まるように、前記電圧パルスの形状を前記複数のインクを吐出する前記記録素子ごとに調整することを特徴とする請求項２に記載のインクジェット記録装置。
【請求項４】
前記駆動調整手段は、前記電圧パルスのパルス幅と電圧値の少なくとも一方を変更することにより前記電圧パルスの形状を調整することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のインクジェット記録装置。
【請求項５】
前記複数のインクには、粘度が０．８ｍＰａ・ｓ以上異なる２種類のインクが含まれていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のインクジェット記録装置。
【請求項６】
前記複数のインクには色材として顔料を含有するインクが含まれていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のインクジェット記録装置。
【請求項７】
前記記録素子は、該記録素子内に備えられたヒータに前記電圧パルスを印加することにより発生する発泡エネルギを用いて、インクを滴として吐出することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のインクジェット記録装置。
【請求項８】
電圧パルスを印加することによってインクを吐出する記録素子を、粘度の異なる複数のインク用に複数備えた記録ヘッドを用いて画像を形成するインクジェット記録方法であって、
粘度の高いインクほど吐出速度が小さくなるように前記電圧パルスの形状を前記複数のインクを吐出する前記記録素子ごとに調整する工程を有することを特徴とするインクジェット記録方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
そのために本発明においては、電圧パルスを印加することによってインクを吐出する記録素子を、粘度の異なる複数のインク用に複数備えた記録ヘッドを用いて画像を形成するインクジェット記録装置であって、粘度の高いインクほど吐出速度が小さくなるように前記電圧パルスの形状を前記複数のインクを吐出する前記記録素子ごとに調整する駆動調整手段を具備することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、電圧パルスを印加することによってインクを吐出する記録素子を、粘度の異なる複数のインク用に複数備えた記録ヘッドを用いて画像を形成するインクジェット記録方法であって、粘度の高いインクほど吐出速度が小さくなるように前記電圧パルスの形状を前記複数のインクを吐出する前記記録素子ごとに調整する工程を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月21日(2010.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
記録媒体を個々に識別するための記録媒体識別情報に対応付けて遊技媒体の貸与に使用される残額を管理する管理装置と、記録媒体の記録媒体識別情報に対応付けて前記管理装置にて管理されている残額である管理残額を用いて前記遊技媒体を貸与するための貸与処理を行なう貸与処理手段を有し遊技機に対応して設けられる遊技用装置と、前記記録媒体の記録媒体識別情報に対応する前記管理残額の精算を行なう精算装置とを備える遊技用システムであって、
前記遊技用装置は、さらに、
前記記録媒体の記録媒体識別情報に対応する管理残額を前記管理装置から取得する管理残額取得手段と、
該管理残額取得手段によって取得された前記管理残額を記憶する残額記憶手段と、
該残額記憶手段に記憶された残額を、前記貸与処理手段による前記貸与処理に用いられる貸与使用額分減算された残額に更新する残額更新手段と、
前記管理装置と通信できる通信可能状態であるか通信できない通信不可能状態であるかを検知する遊技用装置通信可否検知手段とを備え、
前記貸与処理手段は、該遊技用装置通信可否検知手段によって前記通信不可能状態が検知されたときに前記残額記憶手段に記憶された残額が０でないことを条件として、該残額を使用して前記貸与処理を行ない、
前記遊技用装置は、さらに、
前記記録媒体の記録媒体識別情報に対応する管理残額を特定可能な管理残額特定情報を該記録媒体に記録する管理残額特定情報記録手段と、
前記記録媒体を排出する記録媒体排出手段とを備え、
前記精算装置は、さらに、
前記管理装置と通信できる通信可能状態であるか通信できない通信不可能状態であるかを検知する精算装置通信可否検知手段と、
該精算装置通信可否検知手段によって前記通信可能状態が検知されているときに前記記録媒体を受付けた場合には、前記記録媒体の記録媒体識別情報に対応付けて前記管理装置にて管理されている前記管理残額に基づいて、精算を行なうオンライン精算処理を行なう一方、前記精算装置通信可否検知手段によって前記通信不可能状態が検知されているときに前記記録媒体を受付けた場合には、前記記録媒体に記録されている前記管理残額特定情報から前記管理残額を特定し、特定した該管理残額の精算を行なうオフライン精算処理を行なう精算手段とを備えることを特徴とする、遊技用システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
（１）  記録媒体（たとえば、会員カード４，ビジタコイン５）を個々に識別するための記録媒体識別情報（たとえば、記録媒体ＩＤ）に対応付けて遊技媒体（たとえば、パチンコ玉）の貸与に使用される残額を（たとえば、ハードディスク５５の残額管理ＤＢにて）管理する管理装置（たとえば、管理装置５０）と、記録媒体の記録媒体識別情報に対応付けて前記管理装置にて管理されている残額である管理残額（たとえば、管理残額）を用いて前記遊技媒体を貸与するための貸与処理を行なう貸与処理手段（たとえば、制御部２１、Ｓ１２１〜Ｓ１３０）を有し遊技機（たとえば、パチンコ機１０）に対応して設けられる遊技用装置（たとえば、玉貸ユニット２０）と、前記記録媒体の記録媒体識別情報に対応する前記管理残額の精算を行なう精算装置と（たとえば、精算装置６０）を備える遊技用システム（たとえば、遊技用システム１）であって、
前記遊技用装置は、さらに、
前記記録媒体の記録媒体識別情報に対応する管理残額を前記管理装置から取得する管理残額取得手段（たとえば、制御部２１、外部通信部２１ｂ、Ｓ２０１、Ｓ２０２、Ｓ２２１、Ｓ２４１）と、
該管理残額取得手段によって取得された前記管理残額を記憶する残額記憶手段（たとえば、制御部２１、Ｓ２２２、Ｓ２４２）と、
該残額記憶手段に記憶された残額を、前記貸与処理手段による前記貸与処理に用いられる貸与使用額（たとえば、使用額＋消費税額）分減算された残額に更新する残額更新手段（たとえば、制御部２１、Ｓ１２９）と、
前記管理装置と通信できる通信可能状態（たとえば、オンライン状態）であるか通信できない通信不可能状態（たとえば、オフライン状態）であるかを検知する遊技用装置通信可否検知手段（たとえば、制御部２１、Ｓ３００）とを備え、
前記貸与処理手段は、該遊技用装置通信可否検知手段によって前記通信不可能状態が検知されたときに前記残額記憶手段に記憶された残額が０でないこと（たとえば、Ｓ５３２でＹであること）を条件として、該残額を使用して前記貸与処理を行ない（たとえば、制御部２１、Ｓ５３３、Ｓ５３４）、
前記遊技用装置は、さらに、
前記記録媒体の記録媒体識別情報に対応する管理残額を特定可能な管理残額特定情報（たとえば、元データおよび演算方式特定情報）を該記録媒体に記録する管理残額特定情報記録手段（たとえば、制御部２１、Ｓ９４１〜Ｓ９４３、Ｓ９５１〜Ｓ９５３、Ｓ９６１〜Ｓ９６３）と、
前記記録媒体を排出する記録媒体排出手段（たとえば、通路ユニット１００、制御部２１、Ｓ５５２、Ｓ５７１、Ｓ５８６）とを備え、
前記精算装置は、さらに、
前記管理装置と通信できる通信可能状態（たとえば、オンライン状態）であるか通信できない通信不可能状態（オフライン状態）であるかを検知する精算装置通信可否検知手段（たとえば、制御部６２、Ｓ８００）と、
該精算装置通信可否検知手段によって前記通信可能状態が検知されているときに前記記録媒体を受付けた場合には、前記記録媒体の記録媒体識別情報に対応付けて前記管理装置にて管理されている前記管理残額に基づいて、精算を行なうオンライン精算処理を行なう（たとえば、Ｓ２２１ａ，Ｓ２４１ａで管理装置５０から送信された精算許諾情報に含まれる管理残額分の貨幣をステップＳ７８１で払出す）一方、前記精算装置通信可否検知手段によって前記通信不可能状態が検知されているときに前記記録媒体を受付けた場合には、前記記録媒体に記録されている前記管理残額特定情報から前記管理残額を特定し（たとえば、制御部６２、Ｓ９０５，Ｓ９０６）、特定した該管理残額の精算を行なうオフライン精算処理を行なう精算手段（たとえば、制御部６２、Ｓ９１４）とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、遊技用装置によって、記録媒体の記録媒体識別情報に対応する管理残額を特定可能な管理残額特定情報が該記録媒体に記録され、記録媒体が排出される。また、精算装置によって、管理装置と通信できる通信可能状態であるか通信できない通信不可能状態であるかが検知され、通信可能状態が検知されているときに前記記録媒体を受付けた場合には、記録媒体の記録媒体識別情報に対応付けて管理装置にて管理されている管理残額に基づいて、精算を行なうオンライン精算処理が行なわれ、通信不可能状態が検知されているときに前記記録媒体を受付けた場合には、記録媒体に記録されている管理残額特定情報から管理残額が特定され、特定された管理残額の精算を行なうオフライン精算処理が行なわれる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月15日(2010.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の識別情報から構成される所定の図柄を変動表示を経て停止表示させる可変表示手段と、
前記可変表示手段に特定図柄が停止表示された場合に特別遊技を実行する特別遊技実行手段と、
前記特別遊技実行手段の作動に起因して作動する可変入賞手段と、
前記可変入賞手段への遊技球の入賞に起因して所定数の賞球の払い出しを行う賞球払出手段と、
前記可変表示手段に前記特定図柄が停止表示される確率を変動させる確率変動手段と、を備える遊技機であって、
前記可変表示手段に停止表示された前記特定図柄が、前記複数の識別情報の全てが同一の組み合わせとされる第１の確率変動図柄である場合に、前記特別遊技実行手段は、前記可変入賞手段を遊技球受入可能な開放状態に変化させることで前記賞球払出手段により前記賞球の払い出しが行われる可能性の高い第１の特別遊技を実行すると共に、該第１の特別遊技の終了後、前記確率変動手段は、前記可変表示手段に前記特定図柄が停止表示される確率を、次回の特別遊技が生じるまでの間、通常の確率から高確率に変動させ、
前記可変表示手段に停止表示された前記特定図柄が、前記複数の識別情報の全てが同一でない組み合わせとされる第２の確率変動図柄である場合に、前記特別遊技実行手段は、前記可変入賞手段を遊技球受入可能であるものの前記第１の特別遊技に比べて受入可能性が低い開放状態に変化させることで前記賞球払出手段により前記賞球の払い出しが行われる可能性の低い第２の特別遊技を実行すると共に、該第２の特別遊技の終了後、前記確率変動手段は、前記可変表示手段に前記特定図柄が停止表示される確率を、次回の特別遊技が生じるまでの間、通常の確率から高確率に変動させ、
前記可変表示手段に停止表示された前記特定図柄が、前記複数の識別情報の全てが同一でない組み合わせとされる第２の非確率変動図柄である場合に、前記特別遊技実行手段は前記第２の特別遊技を実行すると共に、該第２の特別遊技の実行後において、前記可変表示手段に前記特定図柄が停止表示される確率が、前記通常の確率とされることを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記第２の確率変動図柄及び前記第２の非確率変動図柄の両方又は一方は、リーチ表示を経て停止表示されることを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】
前記第２の確率変動図柄及び前記第２の非確率変動図柄の両方又は一方は、リーチ表示を経ずに停止表示されることを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項１記載の遊技機は、
複数の識別情報から構成される所定の図柄を変動表示を経て停止表示させる可変表示手段と、
前記可変表示手段に特定図柄が停止表示された場合に特別遊技を実行する特別遊技実行手段と、
前記特別遊技実行手段の作動に起因して作動する可変入賞手段と、
前記可変入賞手段への遊技球の入賞に起因して所定数の賞球の払い出しを行う賞球払出手段と、
前記可変表示手段に前記特定図柄が停止表示される確率を変動させる確率変動手段と、を備える遊技機であって、
前記可変表示手段に停止表示された前記特定図柄が、前記複数の識別情報の全てが同一の組み合わせとされる第１の確率変動図柄である場合に、前記特別遊技実行手段は、前記可変入賞手段を遊技球受入可能な開放状態に変化させることで前記賞球払出手段により前記賞球の払い出しが行われる可能性の高い第１の特別遊技を実行すると共に、該第１の特別遊技の終了後、前記確率変動手段は、前記可変表示手段に前記特定図柄が停止表示される確率を、次回の特別遊技が生じるまでの間、通常の確率から高確率に変動させ、
前記可変表示手段に停止表示された前記特定図柄が、前記複数の識別情報の全てが同一でない組み合わせとされる第２の確率変動図柄である場合に、前記特別遊技実行手段は、前記可変入賞手段を遊技球受入可能であるものの前記第１の特別遊技に比べて受入可能性が低い開放状態に変化させることで前記賞球払出手段により前記賞球の払い出しが行われる可能性の低い第２の特別遊技を実行すると共に、該第２の特別遊技の終了後、前記確率変動手段は、前記可変表示手段に前記特定図柄が停止表示される確率を、次回の特別遊技が生じるまでの間、通常の確率から高確率に変動させ、
前記可変表示手段に停止表示された前記特定図柄が、前記複数の識別情報の全てが同一でない組み合わせとされる第２の非確率変動図柄である場合に、前記特別遊技実行手段は前記第２の特別遊技を実行すると共に、該第２の特別遊技の実行後において、前記可変表示手段に前記特定図柄が停止表示される確率が、前記通常の確率とされることを特徴とする。
本明細書において参考的に開示する第１の参考発明（以下、「参考発明１」という。）の遊技機は、
所定の図柄を変動表示を経て停止表示させる可変表示手段と、
該可変表示手段に特定図柄が停止表示される場合に状態を変化させる可変入賞手段と、
可変入賞手段の作動を行う作動手段と、
該可変表示手段に前記特定図柄が表示される確率を変動させる確率変動手段と、を備える遊技機であって、
前記可変表示手段に表示される前記特定図柄が第１の確率変動図柄である場合に、前記作動手段は前記可変入賞手段を第１の作動態様に従って作動させると共に、前記確率変動手段は、その後、前記可変表示手段に前記特定図柄が表示される確率を所定条件が成立するまでの間、高確率に変動させ、
前記可変表示手段に表示される前記特定図柄が第２の確率変動図柄である場合に、前記作動手段は前記可変入賞手段を第２の作動態様に従って作動させると共に、前記確率変動手段は、その後、前記可変表示手段に前記特定図柄が表示される確率を所定条件が成立するまでの間、高確率に変動させ、
前記可変入賞手段が前記第２の作動態様に従って作動する場合には、前記可変入賞手段が前記第１の作動態様に従って作動する場合に比べて、前記可変入賞手段への遊技球の入賞率が低くされることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月8日(2010.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
これらの欠点以外に、これらの既存の技術には、その他の問題も関連している。即ち、通常、これら既存の技術は、２次元のナビゲーション／カーソル制御と相対的な座標追跡（例：位置の変化）に限定されている。物体の絶対的な位置（例：現在の位置）ではなく、物体の位置の変化を２次元の空間において追跡しているのである。この相対座標追跡により、絶対位置の追跡が必要とされる手書き入力などのアプリケーションにおいて、これらのシステム及び装置の有用性は制限されている。要すれば、既存の技術は、克服することが困難な重大な制限を有しているのである。
【特許文献１】米国特許第５，５２５，７６４号明細書
【特許文献２】英国特許出願公開第１３３４１２３号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月25日(2010.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第１の電極を形成し、
前記基板及び前記第１の電極上に、熱硬化型樹脂材料を含む絶縁層を形成し、
前記絶縁層にモールドを押圧しながら前記熱硬化型樹脂材料の硬化温度まで第１の加熱を行い、前記モールドを保持して前記熱硬化型樹脂材料を硬化させることで、前記第１の電極上の前記絶縁層中に開口部を形成し、
前記開口部の形成された絶縁層から、前記モールドを取り外し、
前記モールドを取り外した後、前記開口部の形成された絶縁層を第２の加熱を行って、硬化させて隔壁を形成し、
前記第１の電極及び前記隔壁上に、発光層を形成し、
前記発光層上に、第２の電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に、第１の電極を形成し、
前記基板及び前記第１の電極上に、光硬化型樹脂材料を含む絶縁層を形成し、
前記絶縁層にモールドを押圧し、その後、第１の光照射を行って前記絶縁層を硬化させて前記第１の電極上の前記絶縁層中に開口部を形成し、
前記開口部の形成された絶縁層から、前記モールドを取り外し、
前記モールドを取り外した後、前記開口部の形成された絶縁層に第２の光照射を行って硬化させて隔壁を形成し、
前記第１の電極及び前記隔壁上に、発光層を形成し、
前記発光層上に、第２の電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に、第１の電極を形成し、
前記基板及び前記第１の電極上に、熱可塑型樹脂材料を含む絶縁層を形成し、
前記絶縁層を前記熱可塑型樹脂材料のガラス転移点よりも高い温度まで加熱し、
前記絶縁層にモールドを押圧し、前記第１の電極上の前記絶縁層中に開口部を形成し、
前記開口部の形成された絶縁層から、前記モールドを取り外し、
前記モールドを取り外した後、前記開口部の形成された絶縁層を硬化させて隔壁を形成し、
前記第１の電極及び前記隔壁上に、発光層を形成し、
前記発光層上に、第２の電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記モールドを取り外す際に、前記絶縁層に超音波を用いて振動を加えることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記モールドは、金属材料または絶縁材料により形成されており、
前記モールドの表面には凹凸が形成されているものを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記隔壁は、断面テーパー角が２０°以上５０°以下であり、かつ前記隔壁の底部及び頂部のエッジが曲面を有する形状を有していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月15日(2010.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に電極を形成する工程と、
前記電極上にバッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層上に点在させた触媒層を形成する工程と、
前記触媒層から露出している前記バッファ層をエッチングする工程と、
前記エッチングされたバッファ層上に設けられた前記触媒層から炭素ナノチューブを成長させる工程と、を含むことを特徴とする炭素ナノチューブ構造体の形成方法。
【請求項２】
前記バッファ層は、前記触媒層とエッチング選択性のある物質からなることを特徴とする請求項１に記載の炭素ナノチューブ構造体の形成方法。
【請求項３】
前記バッファ層は、Ａｌ、Ｂ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｔｉ、Ｍｏ、及びＣｒからなる群から選択された少なくとも一つからなることを特徴とする請求項１または２に記載の炭素ナノチューブ構造体の形成方法。
【請求項４】
前記バッファ層は、１０Åないし３０００Åの厚さに形成されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の炭素ナノチューブ構造体の形成方法。
【請求項５】
前記触媒層は、Ｆｅ、Ｃｏ、及びＮｉからなる群から選択された少なくとも一つからなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の炭素ナノチューブ構造体の形成方法。
【請求項６】
前記触媒層は、２Åないし１００Åの厚さに形成されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の炭素ナノチューブ構造体の形成方法。
【請求項７】
前記バッファ層のエッチングは、前記電極が露出されるまで行われることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の炭素ナノチューブ構造体の形成方法。
【請求項８】
前記電極は、Ｍｏ及びＣｒのうち少なくとも一つからなることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載の炭素ナノチューブ構造体の形成方法。
【請求項９】
前記炭素ナノチューブは、化学気相蒸着法によって成長されることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一つに記載の炭素ナノチューブ構造体の形成方法。
【請求項１０】
基板上にカソード電極、絶縁層及び、ゲート電極となる層を順次に形成する工程と、
前記ゲート電極となる層をパターニングして、ゲート電極を形成し、当該ゲート電極をマスクとして露出している前記絶縁層をエッチングして、前記カソード電極を露出させるエミッタホールを形成する工程と、
前記エミッタホールの内部の前記カソード電極上にバッファ層を形成し、前記バッファ層上に点在させた触媒層を形成する工程と、
前記触媒層から露出している前記バッファ層をエッチングする工程と、
前記エッチングされた前記バッファ層上に設けられた前記触媒層から炭素ナノチューブを成長させる工程と、を含むことを特徴とする電界放出素子の製造方法。
【請求項１１】
前記エミッタホールを形成する工程は、
前記パターニングされた前記ゲート電極上にフォトレジストを形成する工程と、
前記フォトレジスト及び前記ゲート電極をマスクとして露出している前記絶縁層を、前記カソード電極が露出されるまでエッチングする工程と、を含むことを特徴とする請求項１０に記載の電界放出素子の製造方法。
【請求項１２】
前記バッファ層及び前記触媒層を形成する工程は、
前記フォトレジスト及び前記エミッタホールの内部の前記カソード電極上にバッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層上に点在させた前記触媒層を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項１１に記載の電界放出素子の製造方法。
【請求項１３】
前記触媒層から露出している前記バッファ層をエッチングした後、前記フォトレジスト及び前記フォトレジスト上に形成された前記バッファ層及び前記触媒層を除去する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の電界放出素子の製造方法。
【請求項１４】
前記バッファ層のエッチングは、前記カソード電極が露出されるまで行われることを特徴とする請求項１０〜１３のいずれか一つに記載の電界放出素子の製造方法。
【請求項１５】
前記バッファ層は、前記触媒層とエッチング選択性のある物質からなることを特徴とする請求項１０〜１４のいずれか一つに記載の電界放出素子の製造方法。
【請求項１６】
前記バッファ層は、Ａｌ、Ｂ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｔｉ、Ｍｏ、及びＣｒからなる群から選択された少なくとも一つからなることを特徴とする請求項１０〜１５のいずれか一つに記載の電界放出素子の製造方法。
【請求項１７】
前記バッファ層は、１０Åないし３０００Åの厚さに形成されることを特徴とする請求項１０〜１６のいずれか一つに記載の電界放出素子の製造方法。
【請求項１８】
前記触媒層は、Ｆｅ、Ｃｏ、及びＮｉからなる群から選択された少なくとも一つからなることを特徴とする請求項１０〜１７のいずれか一つに記載の電界放出素子の製造方法。
【請求項１９】
前記触媒層は、２Åないし１００Åの厚さに形成されることを特徴とする請求項１０〜１８のいずれか一つに記載の電界放出素子の製造方法。
【請求項２０】
前記カソード電極は、Ｍｏ及びＣｒのうち少なくとも一つからなることを特徴とする請求項１０〜１９のいずれか一つに記載の電界放出素子の製造方法。
【請求項２１】
前記炭素ナノチューブは、化学気相蒸着法によって成長されることを特徴とする請求項１０〜２０のいずれか一つに記載の電界放出素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月1日(2010.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導体（１２）と、
第１の導体（１２）と電気的に接続した状態と第１の導体（１２）と電気的に切断された状態とが切り替わるように第１の導体（１２）と切り替え可能に接続する第２の導体（１４）と
を備える、電流の流れを制御するための装置（１０）であって、
前記導体の少なくとも一方がさらに電気接点（４０）を備えていて、電気接点（４０）が、
１ｎｍ〜１０μｍの範囲内のメジアン細孔径を有する複数の細孔（４４）を含む固体マトリックス（４２）と、
複数の細孔（４４）の少なくとも一部に設けられた融点５７５Ｋ未満の充填材料（４６）と
を含んでなる、装置（１０）。
【請求項２】
マトリックス（４２）が、金属、絶縁体、半導体及び炭素質材料からなる群から選択される材料を含む、請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記金属が、金、アルミニウム、白金、銅、チタン、モリブデン、銀及びタングステンからなる群から選択される１種以上を含む、請求項２記載の装置。
【請求項４】
前記材料が、ケイ素、窒化ケイ素、酸化ケイ素、炭化ケイ素、窒化ガリウム及び窒化アルミニウムからなる群から選択される１種以上を含む、請求項２記載の装置。
【請求項５】
前記充填材料（４６）が金属を含む、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の装置。
【請求項６】
前記金属が、ガリウム、インジウム、亜鉛、スズ、タリウム、銅、ビスマス、ケイ素、水銀及びニッケルからなる群から選択される１種以上を含む、請求項５記載の装置。
【請求項７】
電気接点（４０）が１０Ω未満の抵抗を有する、請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の装置。
【請求項８】
電気接点（４０）が１ｍΩ未満の抵抗を有する、請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載の装置。
【請求項９】
当該装置を単一のデバイス阻止として用いたときに当該装置が１ｃｍ未満の最大寸法を有する、請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載の装置。
【請求項１０】
当該装置がスイッチを備える、請求項１乃至請求項９のいずれか１項記載の装置。
【請求項１１】
１ｎｍ〜１０μｍの範囲内のメジアン細孔径を有する複数の細孔（４４）を含む固体マトリックス（４２）であって金を含む固体マトリックス（４２）と、
複数の細孔（４４）の少なくとも一部に設けられた充填材料（４６）と
を備える電気接点（４０）であって、充填材料（４６）が融点５７５Ｋ未満の金属を含む、電気接点（４０）。
【請求項１２】
電気接点（４０）の製造方法（５０）であって、
基板を準備するステップと、
基板の薄膜堆積材料上に、１ｎｍ〜１０μｍの範囲内のメジアン細孔径を有する複数の細孔（４４）を設けるステップと、
複数の細孔（４４）の少なくとも一部に融点５７５Ｋ未満の充填材料（４６）を設けるステップと
を含んでなる方法（５０）。
【請求項１３】
前記基板が、二次材料とマトリックス（４２）材料との固溶体を含む合金を含む、請求項１２記載の方法（５０）。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月28日(2010.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央処理装置、コントローラ、記憶装置、及び外部との信号の送受信を行うための回路を有し、
前記記憶装置には、前記コントローラを用いて前記外部への信号の送信時における前記中央処理装置の消費電力の低減をおこなうプログラムが記録されており、
前記コントローラは、前記プログラムを実行することで、前記外部への信号の送信時に、前記中央処理装置を停止することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
中央処理装置、コントローラ、記憶装置、及び外部との信号の送受信を行うための回路を有し、
前記記憶装置には、前記コントローラを用いて前記外部への信号の送信時における前記中央処理装置の消費電力の低減をおこなうプログラムが記録されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記プログラムは、コマンド判断ルーチン、固有識別子値処理ルーチン、マスク値比較ルーチン、Ｎスロットカウンタルーチン、及びＮスロット消費電力低減ルーチンを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記外部への信号の送信の終了後に、前記コントローラは、停止させた前記中央処理装置を動作させることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記記憶装置は読み出し専用メモリ及びランダムアクセスメモリを有し、
前記読み出し専用メモリに前記プログラムが格納されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記コントローラは、ＣＰＵインターフェース、制御レジスタ、コード抽出回路、及び符号化回路の一つ以上を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記外部との信号の送受信を行うための回路は、アンテナ、共振回路、電源回路、リセット回路、クロック生成回路、復調回路、変調回路、及び電源生成回路の一つ以上を有することを特徴とする半導体装置。