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【手続補正書】
【提出日】平成21年12月28日(2009.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱媒体供給手段に接続され、熱媒体を輸送させる輸送手段を収容し、複数敷設され、床暖房を構成する床暖房ユニットボードであって、
ボード本体のいずれかの面に前記輸送手段が収容される収容部が設けられ、
前記収容部の面に熱を移動する熱移動溝が設けられ、
前記ボード本体が敷設された状態で前記熱移動溝及び前記収容部がそれぞれ連通し、収容された前記輸送手段が前記熱媒体供給手段に接続可能となることを特徴とする床暖房ユニットボード。
【請求項２】
熱媒体供給手段に接続され、熱媒体を輸送させる輸送手段を収容し、複数敷設され、床暖房を構成する床暖房ユニットボードであって、
ボード本体のいずれかの面に前記輸送手段が収容される収容部が設けられ、
前記収容部の面に熱を移動する熱移動溝が設けられ、
前記ボード本体のいずれかの面に根太を収容する収容溝が設けられ、
前記ボード本体が敷設された状態で前記熱移動溝及び前記収容部がそれぞれ連通し、収容された前記輸送手段が前記熱媒体供給手段に接続可能となることを特徴とする床暖房ユニットボード。
【請求項３】
前記収容溝の底面に前記根太を支持する根太支持部材が収容される収容孔を設けたことを特徴とする請求項２記載の床暖房ユニットボード。
【請求項４】
前記熱移動溝の最深部幅と前記収容部の表面部幅とが同一であることを特徴とする請求項１又は２記載の床暖房ユニットボード。
【請求項５】
前記収容部の壁面に前記輸送手段を係止させる係止部が設けられていることを特徴とする請求項１又は２記載の床暖房ユニットボード。
【請求項６】
前記係止部が設けられている範囲における前記収容部内の幅が前記輸送手段の最大幅より小さく、前記収容部の高さが前記輸送手段の高さより大きく形成されていることを特徴とする請求項５記載の床暖房ユニットボード。
【請求項７】
前記ボード本体のいずれかの面の一端から他端まで直線状の不陸調整溝が設けられていることを特徴とする請求項１又は２記載の床暖房ユニットボード。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項１に記載の発明は、熱媒体供給手段に接続され、熱媒体を輸送させる輸送手段を収容し、複数敷設され、床暖房を構成する床暖房ユニットボードであって、ボード本体のいずれかの面に前記輸送手段が収容される収容部が設けられ、前記収容部の面に熱を移動する熱移動溝が設けられ、前記ボード本体が敷設された状態で前記熱移動溝及び前記収容部がそれぞれ連通し、収容された前記輸送手段が前記熱媒体供給手段に接続可能となることを特徴とする。
熱移動溝が収容部の面から他の床暖房ユニットボードの熱移動溝と連通するように設けられているので、輸送手段から放散される熱（電磁波）は熱移動溝に沿って移動する。したがって、床暖房ユニットボードの上に床仕上げ材が敷設される使用状態において、輸送手段から放散される熱はボード本体へ伝達されず、ボード本体と仕上げ材の間を熱移動溝に沿って広がり仕上げ材を暖めるので、熱源から供給される熱は効率的に利用される。
一般的に輸送手段は全て連通されているので床暖房ユニットボードの部分的な温度調整を行うには、輸送手段の設置間隔を小さくする方法が適用される。この場合、一度床暖房ユニットボードが設置されると輸送手段の配置を変更するにはその場で収容部を形成させなければならないので、非常に手間が掛かる。
床暖房ユニットボードには熱移動溝が設けられ、熱移動溝に沿って放射熱が床暖房ユニットボード全体に広がるので、熱伝導フイルムのような均熱部材を設置しなくとも仕上げ材は温められる。仕上げ材に均熱部材を当接させて熱伝導させる方が熱放射させるより仕上げ材に熱が伝わり易いので、均熱部材が使用される場合より仕上げ材の温度は低い。したがって、床暖房ユニットボード設置後でもこの均熱部材の有無で温度調整を図ることが可能である。仕上げ材を一時撤去すると均熱部材の交換ができるので、温度調整は容易に行われる。
請求項２に記載の発明は、熱媒体供給手段に接続され、熱媒体を輸送させる輸送手段を収容し、複数敷設され、床暖房を構成する床暖房ユニットボードであって、ボード本体のいずれかの面に前記輸送手段が収容される収容部が設けられ、前記収容部の面に熱を移動する熱移動溝が設けられ、前記ボード本体のいずれかの面に根太を収容する収容溝が設けられ、前記ボード本体が敷設された状態で前記熱移動溝及び前記収容部がそれぞれ連通し、収容された前記輸送手段が前記熱媒体供給手段に接続可能となる。
前記収容溝の底面に前記根太を支持する根太支持部材が収容される収容孔を設けることもある。（請求項３）。この場合、支持部材の上面が収容溝の底面より高くなれば根太を支持部材によって支持されることができるので、ボード本体の沈下が防止され、仕上げ材の安定性が向上する。
熱移動溝の最深部幅と収容部の表面部幅とが同一であることがある（請求項４）。この場合、輸送手段の設置箇所の変更等によって収容部が新設される状況下において、熱移動溝が収容部設置のガイドとして機能される。
収容部の壁面に輸送手段を係止させる係止部が設けられている場合がある（請求項５）。この場合、輸送手段の収容部からの逸脱が防止される。
係止部が設けられている範囲における収容部内の幅が輸送手段の最大幅より小さく、収容部の高さは輸送手段の高さより大きく形成されている場合がある（請求項６）。この場合、係止部によって輸送手段が保持されて、輸送手段と収容部との間にクリアランスが形成されるので、輸送手段が多少膨張してもボード本体の破損は防止される。
ボード本体のいずれかの面の一端から他端まで直線状の不陸調整溝が設けられている場合がある（請求項７）。不陸調整溝が設けられている面が床暖房ユニットボードを敷設する面と接して設置される場合、敷設する面が不陸であっても不陸調整溝の中に床暖房ユニットボードを不陸に追従させて曲げ込むことができるので、床暖房ユニットボードのバタツキが抑制される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月5日(2010.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有し、一方の主面に測定対象の圧力を受ける受圧部と、前記受圧部の前記一方の主面と他方の主面とを囲むように設けられた支持部とを備えた第１ダイヤフラムと、
接着媒体を用いて前記支持部に接合して、前記他方の主面と対向するように前記第１ダイヤフラムと積層した板部と、
前記板部と前記受圧部との間に設けた気密空間内に位置し、前記受圧部の他方の主面に配設されたセンサ素子片と、
前記支持部の外側端部と内側端部との間の範囲内に、前記接着媒体が流入するための溝部が設けられている、
ことを特徴とする圧力センサ。
【請求項２】
前記センサ素子片は、振動部と前記振動部の周囲に設けた枠部とを備え、
前記第１ダイヤフラムと前記板部との間に前記枠部を配設して、前記枠部を介して前記板部と前記支持部とを接合している、
ことを特徴とする請求項１に記載の圧力センサ。
【請求項３】
前記溝部は、前記枠部に設けたことを特徴とする請求項２に記載の圧力センサ。
【請求項４】
前記溝部は、前記支持部および前記板部のうち少なくともいずれか一方に設けたことを特徴とする請求項１または２に記載の圧力センサ。
【請求項５】
前記溝部を設けた部位は、結晶構造が異方性を有する材料であり、
互いに結晶方位が異なる前記部位同士は、前記溝部の開口部分の幅を互いに変えることにより、前記溝部の単位長さ当たりの体積を互いに等しくしていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の圧力センサ。
【請求項６】
前記溝部は、前記枠部の一方の面と他方の面とが貫通した貫通溝であることを特徴とする請求項３に記載の圧力センサ。
【請求項７】
前記板部は、可撓性を有し、一方の主面に測定対象の圧力を受ける受圧部と、当該受圧部の前記一方の主面と他方の主面とを囲むように設けられた支持部とを有する第２ダイヤフラムであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに一項に記載の圧力センサ。
【請求項８】
前記センサ素子片に発振回路が接続し、前記発振回路に周波数測定演算手段が接続したことを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の圧力センサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明に係る圧力センサは、可撓性を有し、一方の主面に測定対象の圧力を受ける受圧部と、前記受圧部の前記一方の主面と他方の主面とを囲むように設けられた支持部とを備えた第１ダイヤフラムと、接着媒体を用いて前記支持部に接合して、前記他方の主面と対向するように前記第１ダイヤフラムと積層した板部と、前記板部と前記受圧部との間に設けた気密空間内に位置し、前記受圧部の他方の主面に配設されたセンサ素子片と、前記支持部の外側端部と内側端部との間の範囲内に、前記接着媒体が流入するための溝部が設けられている、ことを特徴としている。
この場合において、前記センサ素子片は、振動部と前記振動部の周囲に設けた枠部とを備え、前記第１ダイヤフラムと前記板部との間に前記枠部を配設して、前記枠部を介して前記板部と前記支持部とを接合すればよい。また、前記溝部は、前記枠部に設けるとよい。更に、前記溝部は、前記支持部および前記板部のうち少なくともいずれか一方に設ければよい。前記溝部を設けた部位は、結晶構造が異方性を有する材料であり、互いに結晶方位が異なる前記部位同士は、前記溝部の開口部分の幅を互いに変えることにより、前記溝部の単位長さ当たりの体積を互いに等しくするとよい。前記溝部は、前記枠部の一方の面と他方の面とが貫通した貫通溝とすることができる。前記板部は、可撓性を有し、一方の主面に測定対象の圧力を受ける受圧部と、当該受圧部の前記一方の主面と他方の主面とを囲むように設けられた支持部とを有する第２ダイヤフラムとして構成できる。前記センサ素子片に発振回路が接続し、前記発振回路に周波数測定演算手段が接続した構成にできる。
本発明に係る圧力センサは、測定対象の圧力を受ける受圧部と、受圧部の周囲に設けた支持部とを備えた第１ダイヤフラムと、接着媒体を用いて支持部に接合して、第１ダイヤフラムと積層方向に重ねて配設した板部と、支持部の外側端部と内側端部との間の範囲内に設けられ、接着媒体が流入する溝部と、板部と受圧部の間に設けた気密空間内における受圧部に接合したセンサ素子片とを有することを特徴としている。第１ダイヤフラムと板部とを重ねると接着媒体が支持部に沿って広がるが、支持部と板部とが接合する箇所に設けてある溝部に接着媒体を流入させているので、受圧部に接着媒体が流れ込むのを防止できる。これにより受圧部の可動条件が変化するのを防止できるので、圧力センサの感度劣化や特性バラツキが生じるのを防止できる。また支持部の幅を狭くできるので、圧力センサの平面サイズを小型化できる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月15日(2010.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
以下、本発明の一実施形態に係るクランク装置を図面に基づいて説明する。また、本発明は以下の実施形態に限定されない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
遊星歯車１０３の遊星軸部材１３２から軸方向に突出したピン１４７は、遊星歯車１０３の回転中心軸ｃ２から半径方向にピッチ円１０３ｃの半径ｒ１分ずれた位置に配設されている。すなわち、ピン１４７は、遊星歯車１０３のピッチ円１０３ｃの円周上に配設されている。このクランク装置１００は、クランク部材１０４が回転すると、遊星歯車１０３は内周太陽歯車１０２と噛合しながら自転および公転する。遊星歯車１０３は、１回公転する毎に２回自転する。クランク部材１０４の装着穴１５２は、図３に示すように、遊星歯車１０３の自転および公転を支持する腕部としての機能を奏する。遊星歯車１０３の自転および公転に応じて、ピン１４７は直線往復動する。この実施形態では、ピン１４７は、内周太陽歯車１０２のピッチ円１０２ｃの直径（厳密には、内周太陽歯車１０２のピッチ円１０２ｃの一つの直径に平行な直線Ｌ）に沿って直線往復動する。例えば、図３に示す状態では、クランク部材１０４が図中の矢印の方向ｅに回転すると、遊星歯車１０３は矢印ｆの方向に回転し、ピン１４７は直線Ｌに沿って矢印ｇの方向に移動する。クランク部材１０４が逆方向に回転すると、遊星歯車１０３の回転方向も逆になり、ピン１４７は直線Ｌに沿って矢印ｇとは反対の方向に移動する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
第２部材３０２を構成する両側の各部材３２１、３２２は、図６に示すように、装着穴３０３の内側面に沿って装着されている。両側の各部材３２１、３２２は、連接棒１０５の端面に沿って延在するフランジ部３２４、３２５を連接棒１０５の端面にねじで固定して、連接棒１０５に取り付けられている。第２部材３０２を構成する両側の各部材３２１、３２２の間には、凹円弧面３２３に凸円弧面３１２が嵌った状態で、第１部材３０１が装着されている。ピン１４７は、斯かる第１部材３０１の挿入穴３１１に滑り材３３１（ブッシュ）を介して装着されている。また、この実施形態では、図６に示すように、ピン１４７には、内部に給油通路４００が形成されている。斯かる給油通路４００は、図示は省略するが、クランクケース１０１、クランク部材１０４、および、遊星軸部材１３２、ピン１４７の内部に形成されている。この実施形態では、図６に示すように、潤滑油は、斯かる給油通路４００を通ってブッシュ３３１に供給され、さらに、ブッシュ３３１から滴り出る潤滑油が一対の滑り部材の滑り面（この実施形態では、第１部材３０１の凸円弧面３１２と第２部材３０２の凹円弧面３２３）に供給される。これにより、当該滑り面に適度な潤滑が得られ、斯かる滑り面の損傷を防止できる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月9日(2010.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クライアント装置と通信可能な画像処理装置であって、
電子文書を記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶されている電子文書を表示可能な表示手段と、
前記表示手段に表示される画面の転送要求を前記クライアント装置から受信する受信手段と、
前記受信手段が受信した前記転送要求に基づいて、前記表示手段が表示する画面に対応する画面データを前記クライアント装置へ送信する画面送信手段と、
前記表示手段がアクセス権管理された電子文書を表示する場合、前記画面送信手段が前記クライアント装置に前記画面データを送信することを制限する制限手段と、
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
更に、前記表示手段に表示する画面データを記憶する画面データ記憶手段を備え、
前記画面送信手段は、前記画面データ記憶手段に記憶されている画面データを前記クライアント装置へ送信することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記表示手段がアクセス権管理された電子文書を表示していない場合、前記制限手段は、前記画面送信手段が前記クライアント装置に前記画面データを送信することを制限しないことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記表示手段がアクセス権管理された電子文書を表示する場合、前記制限手段は、前記表示手段によって表示される画面における前記アクセス権管理された電子文書に対応する画面表示領域を隠蔽した画面データを送信するよう前記画面送信手段を制御することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記表示手段がアクセス権管理された電子文書を表示する場合、前記制限手段は、前記表示手段によって表示される画面における前記アクセス権管理された電子文書に対応する画面表示領域以外の領域に対応する画面データを送信するよう前記画面送信手段を制御することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記表示手段がアクセス権管理された電子文書を表示する場合、前記制限手段は画面データの送信を拒否する旨を示すメッセージを前記クライアント装置に通知するよう制御することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
更に、前記クライアント装置のユーザが前記電子文書に対するアクセス権限を有しているか否かを判定する判定手段を備え、
前記クライアント装置のユーザが前記文書に対するアクセス権限を有していると前記判定手段が判定した場合、前記制限手段は前記クライアント装置への前記画面データの送信を制限しないことを特徴とする、請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
クライアント装置と通信可能であり、電子文書を記憶する記憶手段と前記記憶手段に記憶されている電子文書を表示可能な表示手段とを備える画像処理装置における表示画面送信方法であって、
前記表示手段に表示される表示画面の転送要求を前記クライアント装置から受信する受信工程と、
前記受信工程にて受信した転送要求に基づいて、前記表示手段が表示する画面に対応する画面データを前記クライアント装置へ送信する画面送信工程と、
前記表示手段がアクセス権管理された電子文書を表示する場合、前記画面送信工程において前記クライアント装置に前記画面データを送信することを制限する制限工程と、
を備えることを特徴とする表示画面送信方法。
【請求項９】
クライアント装置と通信可能であり、電子文書を記憶する記憶手段と前記記憶手段に記憶されている電子文書を表示可能な表示手段とを備える画像処理装置における表示画面送信方法を画像処理装置に実行させるための制御プログラムであって、
前記表示画面送信方法は、
前記表示手段に表示される表示画面の転送要求を前記クライアント装置から受信する受信工程と、
前記受信工程にて受信した転送要求に基づいて、前記表示手段が表示する画面に対応する画面データを前記クライアント装置へ送信する画面送信工程と、
前記表示手段がアクセス権管理された電子文書を表示する場合、前記画面送信工程において前記クライアント装置に前記画面データを送信することを制限する制限工程と、
を備えることを特徴とする制御プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置、表示画面送信方法、制御プログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
クライアント装置と通信可能な画像処理装置であって、電子文書を記憶する記憶手段と、前記記憶手段に記憶されている電子文書を表示可能な表示手段と、前記表示手段に表示される画面の転送要求を前記クライアント装置から受信する受信手段と、前記受信手段が受信した前記転送要求に基づいて、前記表示手段が表示する画面に対応する画面データを前記クライアント装置へ送信する画面送信手段と、前記表示手段がアクセス権管理された電子文書を表示する場合、前記画面送信手段が前記クライアント装置に前記画面データを送信することを制限する制限手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
クライアント装置と通信可能であり、電子文書を記憶する記憶手段と前記記憶手段に記憶されている電子文書を表示可能な表示手段とを備える画像処理装置における表示画面送信方法であって、前記表示手段に表示される表示画面の転送要求を前記クライアント装置から受信する受信工程と、前記受信工程にて受信した転送要求に基づいて、前記表示手段が表示する画面に対応する画面データを前記クライアント装置へ送信する画面送信工程と、前記表示手段がアクセス権管理された電子文書を表示する場合、前記画面送信工程において前記クライアント装置に前記画面データを送信することを制限する制限工程と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月26日(2009.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ページ記述言語によって記述された印刷データを第１の電子機器装置から受信し、当該
印刷データに基づいた印刷処理を実行する画像形成装置であって、
前記印刷データを解析してビットマップデータを生成する解析手段と、
前記解析手段による印刷データの解析エラーを検知する検知手段と、
前記検知手段が解析エラーを検知した場合に、解析エラーが発生する印刷データを当該データが印刷データである旨を示す特別情報とともにファクシミリ通信、又は、インターネットファクシミリ通信によって第２の電子機器装置に送信する送信手段とを備えることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月5日(2010.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】バックライトおよび液晶表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の分割領域及び導電性ビアホールを有する基板と、
前記基板の上面に配置された複数の発光ダイオードと、
前記基板の端面に配置されたコネクタと、
前記複数の分割領域内のそれぞれで、前記複数の発光ダイオードを電気的に連結した第１リードパターンと、
前記基板の下面に形成された第２リードパターンとを備え、
前記第２リードパターンは、前記導電性ビアホールを通してそれぞれの前記複数の分割領域内の前記第１リードパターンと、前記コネクタとを電気的に連結しているバックライト。
【請求項２】
前記基板は、前記複数の発光ダイオードの少なくとも一部の下側に、放熱用ビアホールをさらに備える請求項１に記載のバックライト。
【請求項３】
前記基板の下面に設けられ、前記放熱用ビアホールに接触している絶縁性の放熱パッドをさらに備える請求項２に記載のバックライト。
【請求項４】
前記コネクタと隣接する分割領域の前記第１リードパターンは、前記コネクタと直接連結された請求項１から３のいずれか1項に記載のバックライト。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか1項に記載のバックライトを備える液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月10日(2010.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に複数の結晶粒で構成された半導体膜であって、
前記半導体膜の第１の面において、結晶の面方位は、±１０°の角度揺らぎの範囲内において＜００１＞方位が６割以上１０割未満であり、
前記半導体膜の第２の面において、結晶の面方位は、±１０°の角度揺らぎの範囲内において＜００１＞、＜１０１＞、＜２０１＞、＜３０１＞、＜４０１＞、＜５０１＞又は＜６０１＞のいずれかの方位が６割以上１０割未満であり、
前記半導体膜の第３の面において、結晶の面方位は、±１０°の角度揺らぎの範囲内において＜００１＞、＜１０１＞、＜２０１＞、＜３０１＞、＜４０１＞、＜５０１＞又は＜６０１＞のいずれかの方位が６割以上１０割未満であり、
前記半導体膜の前記第１の面は、前記基板の表面に垂直な方向を第１方向とし、前記第１方向が法線ベクトルとなる面であり、
前記半導体膜の前記第２の面は、前記基板の表面に平行であり、かつ結晶成長方向に平行な方向を第２の方向とし、前記第２の方向が法線ベクトルとなる面であり、
前記半導体膜の前記第３の面は、前記基板の表面に平行であり、かつ結晶成長方向に垂直な方向を第３の方向とし、前記第３の方向が法線ベクトルとなる面であることを特徴とする結晶性半導体膜。
【請求項２】
基板上に複数の結晶粒で構成された半導体膜であって、
前記半導体膜の第１の面において、結晶の面方位は、±１０°の角度揺らぎの範囲内において＜００１＞方位が６割以上１０割未満であり、
前記半導体膜の第２の面において、結晶の面方位は、±１０°の角度揺らぎの範囲内において＜ｘ０１＞（ｘ＝０、１、２、３、４、５、６）の方位が６割以上１０割未満であり、
前記半導体膜の第３の面において、結晶の面方位は、±１０°の角度揺らぎの範囲内において＜ｘ０１＞（ｘ＝０、１、２、３、４、５、６）の方位が６割以上１０割未満であり、
前記半導体膜の前記第１の面は、前記基板の表面に垂直な方向を第１方向とし、前記第１方向が法線ベクトルとなる面であり、
前記半導体膜の前記第２の面は、前記基板の表面に平行であり、かつ結晶成長方向に平行な方向を第２の方向とし、前記第２の方向が法線ベクトルとなる面であり、
前記半導体膜の前記第３の面は、前記基板の表面に平行であり、かつ結晶成長方向に垂直な方向を第３の方向とし、前記第３の方向が法線ベクトルとなる面であることを特徴とする結晶性半導体膜。
【請求項３】
前記半導体膜の結晶粒の大きさは、幅が０．１〜１０μｍ、長さが５〜５０μｍである請求項１または２に記載の結晶性半導体膜。
【請求項４】
前記半導体膜の半導体はＳｉ又はＳｉ1-xＧｅx（０＜ｘ＜０．１）である請求項１ないし３のいずれか１項に記載の結晶性半導体膜。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の前記結晶性半導体膜を備える半導体素子を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
前記半導体素子は、薄膜トランジスタ、ダイオード、抵抗素子、容量素子、ＣＣＤ、又は光電変換素子である請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜上に、膜厚が２００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、酸素を１０ａｔｏｍｉｃ％以下含み、且つ珪素に対する窒素の組成比が１．３以上１．５以下である窒化珪素膜を形成し、
前記窒化珪素膜を透過する連続発振のレーザ光又は繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のレーザ光を前記非晶質半導体膜に照射して前記非晶質半導体膜を溶融させた後結晶化することを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【請求項８】
前記窒化珪素膜は、ＳｉＨ4、ＮＨ3及びＮ2Ｏを含有する雰囲気中でプラズマＣＶＤ法により形成されるものである請求項７に記載の結晶性半導体膜の作製方法。
【請求項９】
前記窒化珪素膜は、ＳｉＨ4及びＮＨ3を含有する雰囲気中でプラズマＣＶＤ法により形成されるものである請求項７に記載の結晶性半導体膜の作製方法。
【請求項１０】
前記非晶質半導体膜の膜厚は２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下である請求項７ないし９のいずれか１項に記載の結晶性半導体膜の作製方法。
【請求項１１】
前記連続発振のレーザ光又は繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のレーザ光は、前記非晶質半導体膜に吸収される波長である請求項７ないし１０のいずれか１項に記載の結晶性半導体膜の作製方法。
【請求項１２】
請求項７ないし１１のいずれか１項において、
前記結晶化された半導体膜が第１の面ないし第３の面を有し、
前記第１の面において、結晶の面方位は、±１０°の角度揺らぎの範囲内において＜００１＞方位が６割以上１０割未満であり、
前記第２の面において、結晶の面方位は、±１０°の角度揺らぎの範囲内において＜００１＞、＜１０１＞、＜２０１＞、＜３０１＞、＜４０１＞、＜５０１＞又は＜６０１＞のいずれかの方位が６割以上１０割未満であり、
前記第３の面において、結晶の面方位は、±１０°の角度揺らぎの範囲内において＜００１＞、＜１０１＞、＜２０１＞、＜３０１＞、＜４０１＞、＜５０１＞又は＜６０１＞のいずれかの方位が６割以上１０割未満であり、
前記第１の面は、前記基板の表面に垂直な方向を第１方向とし、前記第１方向が法線ベクトルとなる面であり、
前記第２の面は、前記基板の表面に平行であり、かつ結晶成長方向に平行な方向を第２の方向とし、前記第２の方向が法線ベクトルとなる面であり、
前記第３の面は、前記基板の表面に平行であり、かつ結晶成長方向に垂直な方向を第３の方向とし、前記第３の方向が法線ベクトルとなる面であることを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【請求項１３】
請求項７ないし１２のいずれか１項に記載の前記結晶性半導体膜を用いて半導体素子を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月1日(2010.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の不純物領域と、その間のチャネル形成領域とを有する半導体基板と、
前記チャネル形成領域上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の浮遊ゲートと、
前記浮遊ゲート上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の制御ゲートと、を有し、
前記第１の絶縁層は、酸化シリコン層と前記酸化シリコン層上の窒化シリコン層との積層を有し、
前記浮遊ゲートは半導体材料を有し、
前記半導体材料のバンドギャップは、前記半導体基板のチャネル形成領域におけるバンドギャップより小さいことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】
一対の不純物領域と、その間のチャネル形成領域とを有する半導体基板と、
前記チャネル形成領域上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の浮遊ゲートと、
前記浮遊ゲート上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の制御ゲートと、を有し、
前記第１の絶縁層は、酸化シリコン層と前記酸化シリコン層上の窒化シリコン層との積層を有し、
前記浮遊ゲートは、シリコンよりも電子親和力が大きい材料を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】
一対の不純物領域と、その間のチャネル形成領域とを有する半導体基板と、
前記チャネル形成領域上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の浮遊ゲートと、
前記浮遊ゲート上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の制御ゲートと、を有し、
前記第１の絶縁層は、酸化シリコン層と前記酸化シリコン層上の窒化シリコン層との積層を有し、
前記酸化シリコン層により形成される前記半導体基板のチャネル形成領域における電子に対する障壁エネルギーに対し、前記酸化シリコン層により形成される前記浮遊ゲートの電子に対する障壁エネルギーが高いことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】
一対の不純物領域と、その間のチャネル形成領域とを有する半導体基板と、
前記チャネル形成領域上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の浮遊ゲートと、
前記浮遊ゲート上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の制御ゲートと、を有し、
前記第１の絶縁層は、酸化シリコン層と前記酸化シリコン層上の窒化シリコン層との積層を有し、
前記浮遊ゲートは、ゲルマニウム若しくはゲルマニウム化合物で形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項５】
一対の不純物領域と、その間のチャネル形成領域とを有する半導体基板と、
前記チャネル形成領域上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の浮遊ゲートと、
前記浮遊ゲート上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の制御ゲートと、を有し、
前記第１の絶縁層は、酸化シリコン層と前記酸化シリコン層上の窒化シリコン層との積層を有し、
前記浮遊ゲートは、ゲルマニウム若しくはゲルマニウム化合物であり、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下の厚さであることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項６】
請求項１において、前記半導体基板におけるチャネル形成領域を形成する材料のバンドギャップと、前記浮遊ゲートを形成する半導体材料のバンドギャップの差が０．１ｅＶ以上であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項７】
請求項４又は５のいずれか一項において、前記ゲルマニウム化合物が、ゲルマニウム酸化物若しくはゲルマニウム窒化物であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、前記浮遊ゲートは、前記窒化シリコン層に接していることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、前記酸化シリコン層は、前記半導体基板がプラズマ処理により酸化されたものであり、前記窒化シリコン層は、前記酸化シリコン層がプラズマ処理により窒化されたものであることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、前記第１の絶縁層は、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下の厚さであることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項において、前記第２の絶縁層は、前記浮遊ゲートがプラズマ処理により窒化された窒化シリコン層を含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１０のいずれか一項において、前記第２の絶縁層は窒化シリコン層を含み、かつ、前記浮遊ゲートは、前記第２の絶縁層に含まれる窒化シリコン層に接していることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項において、前記制御ゲート、前記第２の絶縁膜及び前記浮遊ゲートの側面にサイドウォールを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１４】
請求項１３において、前記半導体基板は、前記サイドウォールの下方で、かつ、前記一対の不純物領域と前記チャネル形成領域との間に低濃度不純物領域を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月1日(2010.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の不純物領域の間にチャネル形成領域を有する半導体層と、
前記チャネル形成領域上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の浮遊ゲートと、
前記浮遊ゲート上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の制御ゲートと、を有し、
前記第１の絶縁層は、酸化シリコン層と前記酸化シリコン層上の窒化シリコン層との積層を有し、
前記浮遊ゲートは半導体材料を有し、
前記半導体材料のバンドギャップは、前記半導体層のバンドギャップより小さいことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】
一対の不純物領域の間にチャネル形成領域を有する半導体層と、
前記チャネル形成領域上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の浮遊ゲートと、
前記浮遊ゲート上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の制御ゲートと、を有し、
前記第１の絶縁層は、酸化シリコン層と前記酸化シリコン層上の窒化シリコン層との積層を有し、
前記浮遊ゲートは、前記半導体層を形成する材料よりも電子親和力が大きい材料を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】
一対の不純物領域の間にチャネル形成領域を有する半導体層と、
前記チャネル形成領域上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の浮遊ゲートと、
前記浮遊ゲート上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の制御ゲートと、を有し、
前記第１の絶縁層は、酸化シリコン層と前記酸化シリコン層上の窒化シリコン層との積層を有し、
前記酸化シリコン層により形成される前記半導体層の電子に対する障壁エネルギーに対し、前記酸化シリコン層により形成される前記浮遊ゲートの電子に対する障壁エネルギーが高いことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】
一対の不純物領域の間にチャネル形成領域を有する半導体層と、
前記チャネル形成領域上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の浮遊ゲートと、
前記浮遊ゲート上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の制御ゲートと、を有し、
前記第１の絶縁層は、酸化シリコン層と前記酸化シリコン層上の窒化シリコン層との積層を有し、
前記浮遊ゲートは、ゲルマニウム若しくはゲルマニウム化合物であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項５】
一対の不純物領域の間にチャネル形成領域を有する半導体層と、
前記チャネル形成領域上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の浮遊ゲートと、
前記浮遊ゲート上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の制御ゲートと、を有し、
前記第１の絶縁層は、酸化シリコン層と前記酸化シリコン層上の窒化シリコン層との積層を有し、
前記浮遊ゲートは、ゲルマニウム若しくはゲルマニウム化合物であり、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下の厚さであることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、前記半導体層は、島状に分離されて絶縁表面に設けられていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記半導体層に、複数の前記浮遊ゲート及び前記制御ゲートが配列して重なることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項８】
請求項１において、前記半導体層を形成する材料のバンドギャップと、前記浮遊ゲートを形成する半導体材料のバンドギャップの差が０．１Ｖ以上であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項９】
請求項４又は５において、前記ゲルマニウム化合物が、ゲルマニウム酸化物若しくはゲルマニウム窒化物であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、前記浮遊ゲートのチャネル長方向の端部が、前記制御ゲートのチャネル長方向の端部よりも外側にあることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１１】
請求項１乃至９のいずれか一項において、前記浮遊ゲートのチャネル長方向の端部が、前記制御ゲートのチャネル長方向の端部よりも外側にあり、前記半導体層に、前記一対の不純物領域の導電型と同じ導電型であって、前記浮遊ゲートと重なる低濃度不純物領域を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項において、前記浮遊ゲートのチャネル長方向の端部が、前記制御ゲートのチャネル長方向の端部よりも内側にあることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項において、前記浮遊ゲートのチャネル幅方向の端部が、前記半導体層上にあって、前記一対の不純物領域の導電型とは逆の導電型の不純物領域上に位置していることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一項において、前記浮遊ゲートは、前記窒化シリコン層に接していることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか一項において、前記酸化シリコン層は、前記半導体層をプラズマ処理により酸化されたものであり、前記窒化シリコン層は、前記酸化シリコン層をプラズマ処理により窒化されたものであることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか一項において、前記第１の絶縁層は、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下の厚さであることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のいずれか一項において、前記第２の絶縁層は、前記浮遊ゲートがプラズマ処理により窒化された窒化シリコン層を含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１８】
請求項１乃至１６のいずれか一項において、前記第２の絶縁層は窒化シリコン層を含み、かつ、前記浮遊ゲートは、前記第２の絶縁層に含まれる窒化シリコン層に接していることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月24日(2009.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
以下の（１）および（２）の構成を有する血液処理フィルター装置：
（１）血液処理フィルター層と該血液処理フィルター層に比し血液がより流れやすいスペーサ層が積層した状態で巻かれた円筒状フィルター材であって、該スペーサ層の端部が該円筒状フィルター材の外周面に露出しており、該円筒状フィルター材の長手方向の両端面が液密に封止されており、前記血液処理フィルター層の通気抵抗が該円筒状フィルター材の外周面から内周面に向かって増加することを特徴とする、円筒状フィルター材、および
（２）血液入口と血液出口を有し、該血液入口は前記円筒状フィルター材の外周面側空間に通じており、該血液出口は前記円筒状フィルター材の内周面側空間に通じている、前記円筒状フィルター材を収める容器。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月7日(2009.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線チップを有するブロック及び該ブロックの収納箱を有し、
前記収納箱は、電波を介して前記無線チップと送受信する機能を有し、
前記収納箱は、インターネットを介してサーバーと送受信する機能を有することを特徴とする玩具用ブロックセット。
【請求項２】
無線チップを有するブロック及び該ブロックの収納箱を有し、
前記収納箱は前記無線チップの情報を取得する機能を有し、
前記収納箱はインターネットを介して、前記取得した情報を送信するとともに、情報を受信する機能を有することを特徴とする玩具用ブロックセット。
【請求項３】
無線チップを有するブロック及び該ブロックの収納箱を有し、
前記収納箱は前記無線チップと送受信して、前記ブロックの認証情報を取得する機能を有し、
前記収納箱は、インターネットを介して、前記認証情報を送信し、前記ブロックの組立手順を受信する機能を有することを特徴とする玩具用ブロックセット。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記収納箱はインターネットを介して受信した情報を表示する表示部を有することを特徴とする玩具用ブロックセット。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記無線チップは、絶縁基板上に形成された薄膜トランジスタを有することを特徴とする玩具用ブロックセット。
【請求項６】
請求項５において、前記絶縁基板はフィルム基板であることを特徴とする玩具用ブロックセット。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記無線チップは、共振回路と、電力生成回路と、クロック生成回路と、復調回路と、読み出し回路と、認証レジスタと、符号化回路と、変調回路と、を有し、
前記共振回路は、前記収納箱から受信した電波にて交流信号を発生し、
前記電力生成回路は、前記交流信号から電力を生成し、前記クロック生成回路は、前記交流信号からクロック信号を生成し、
前記復調回路は、前記交流信号を復調して前記読み出し回路へ復調データを送信し、
前記読み出し回路は、前記復調データが有する認証番号読み出し命令を前記認証レジスタへ送信し、
前記認証レジスタは、前記認証番号読み出し命令により前記符号化回路に前記無線チップに固有の認証番号を送信し、
前記符号化回路は、前記認証番号を符号化した認証信号を前記変調回路に送信し、
前記変調回路は、前記認証信号を変調した変調データを前記共振回路に送信することを特徴とする玩具用ブロックセット。
【請求項８】
無線チップを有するブロックと、該ブロックを収納する収納箱を有し、
前記収納箱は、前記無線チップと送受信することにより、前記各ブロックの認証番号を取得し、取得した前記認証番号をインターネットを介して、サーバーに送信することを特徴とする玩具用ブロックセットの管理方法。
【請求項９】
無線チップを有するブロックと、該ブロックを収納する収納箱を有し、
前記収納箱は、前記無線チップと送受信することにより、前記各ブロックの認証番号を取得し、取得した前記認証番号をインターネットを介してサーバーに送信し、インターネットを介して前記サーバーから情報を受信することを特徴とする玩具用ブロックセットの管理方法。
【請求項１０】
無線チップを有するブロックと、該ブロックを収納する収納箱を有し、
前記収納箱は、前記無線チップと送受信することにより、前記各ブロックの認証番号を取得し、取得した前記認証番号をインターネットを介してサーバーに送信し、インターネットを介して前記サーバーから前記ブロックの組み立て手順を受信することを特徴とする玩具用ブロックセットの管理方法。
【請求項１１】
請求項１０において、インターネットを介して前記組み立て手順を受信することにより、前記組み立て手順は更新されることを特徴とする玩具用ブロックセットの管理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月8日(2009.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の記録素子を列状に配置した記録ヘッド用基板であって、
前記複数の記録素子を複数の記録素子群に分割し、前記分割した記録素子群の数に対応した複数の駆動パルス信号を入力する複数の入力端子と、
前記複数の入力端子夫々からそれぞれ対応する前記記録素子群に対して前記駆動パルス信号を供給する複数の信号線とを備え、
前記複数の記録素子群の内のいずれか２つが隣接する領域では、前記記録素子群が配置されるそれぞれの領域の一部が互いに重なった重なり領域を持つように前記記録素子に対して前記信号線が接続されていることを特徴とする記録ヘッド用基板。
【請求項２】
前記重なり領域に含まれる記録素子に対して２つの信号線夫々が１つおきに接続されることを特徴とする請求項１に記載の記録ヘッド用基板。
【請求項３】
前記重なり領域に含まれる記録素子に対して２つの信号線夫々が予め定められた数おきに交互に接続されることを特徴とする請求項１に記載の記録ヘッド用基板。
【請求項４】
前記重なり領域に含まれる記録素子の数は、前記複数の記録素子群各々に含まれる記録素子の数の半分以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の記録ヘッド用基板。
【請求項５】
前記複数の記録素子の記録特性を測定するモニタ素子を前記記録素子群の数に対応してさらに備え、
前記モニタ素子を前記複数の記録素子群各々に含まれる記録素子の列の中央部に配置することを特徴とする請求項１に記載の記録ヘッド用基板。
【請求項６】
前記複数の記録素子各々は、ヒータ抵抗を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の記録ヘッド用基板。
【請求項７】
前記複数の記録素子の記録特性を表す情報を格納するメモリをさらに有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の記録ヘッド用基板。
【請求項８】
列状に配置された複数の記録素子と、前記複数の記録素子を複数の記録素子群に分割し、前記分割した記録素子群の数に対応した複数の駆動パルス信号を入力する複数の入力端子と、前記複数の入力端子夫々からそれぞれ対応する前記記録素子群に対して前記駆動パルス信号を供給する複数の信号線とを備え、前記複数の前記記録素子群の内のいずれか２つが隣接する領域では、前記記録素子群が配置されるそれぞれの領域の一部が互いに重なった重なり領域を持つように前記記録素子に対して前記信号線が接続されている記録ヘッド用基板と、
外部から供給されるインクの供給口と、
前記供給口から供給されたインクを前記複数の記録素子各々にさらに供給するインクの流路と、
前記複数の記録素子各々に対応してインクを吐出するインク吐出口とを有することを特徴とする記録ヘッド。
【請求項９】
請求項８に記載の記録ヘッドと、
前記供給口に供給するインクを貯留するインクタンクとを有することを特徴とするヘッドカートリッジ。
【請求項１０】
請求項８に記載の記録ヘッドを用いて記録媒体に記録を行う記録装置であって、
前記記録ヘッドのメモリに格納された記録特性を表す情報或は前記記録ヘッドのモニタ素子によって測定された記録特性に従って、前記複数の駆動パルス信号各々のパルス幅を決定する決定手段と、
前記決定手段により決定されたパルス幅をもつ駆動パルス信号で前記記録ヘッドを駆動する駆動手段とを有することを特徴とする記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
即ち、複数の記録素子を列状に配置した記録ヘッド用基板であって、前記複数の記録素子を複数の記録素子群に分割し、前記分割した記録素子群の数に対応した複数の駆動パルス信号を入力する複数の入力端子と、前記複数の入力端子夫々からそれぞれ対応する前記記録素子群に対して前記駆動パルス信号を供給する複数の信号線とを備え、前記複数の記録素子群の内のいずれか２つが隣接する領域では、前記記録素子群が配置されるそれぞれの領域の一部が互いに重なった重なり領域を持つように前記記録素子に対して前記信号線が接続されていることを特徴とすることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月25日(2009.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレームと、
前記フレーム上に配置された音響変換器素子と、
前記フレーム上に配置され、前記音響変換器素子に接続された電子機器モジュールと、  を含み、
前記電子機器モジュールは、前記変換器素子に関連する信号を処理するようになっている、
ことを特徴とする、地表下用途のための音響変換器アセンブリ。
【請求項２】
前記電子機器モジュールは、前記変換器素子に関連する信号をデジタル化するようになっていることを特徴とする請求項１に記載の変換器アセンブリ。
【請求項３】
前記電子機器モジュールは、アナログ信号を処理するようになっていることを特徴とする請求項１に記載の変換器アセンブリ。
【請求項４】
前記変換器素子は、音響エネルギを放射するようになっていることを特徴とする請求項１に記載の変換器アセンブリ。
【請求項５】
前記変換器素子は、音響エネルギを受け取るようになっていることを特徴とする請求項１に記載の変換器アセンブリ。
【請求項６】
前記電子機器モジュールに接続したマルチプレクサモジュールを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の変換器アセンブリ。
【請求項７】
前記音響変換器素子は、圧電素子、チタン酸鉛素子、ジルコン酸チタン酸鉛素子、及び１−３圧電複合型素子から成る群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の変換器アセンブリ。
【請求項８】
前記変換器素子、前記電子機器モジュール、及び前記フレームは、外部流体から保護するために密封材料で覆われることを特徴とする請求項１に記載の変換器アセンブリ。
【請求項９】
前記覆われたアセンブリは、液体を含まないことを特徴とする請求項８に記載の変換器アセンブリ。
【請求項１０】
前記フレームは、可撓性材料で形成されることを特徴とする請求項１に記載の変換器アセンブリ。
【請求項１１】
前記フレームは、回路基板として形成されることを特徴とする請求項１に記載の変換器アセンブリ。
【請求項１２】
電子機器モジュール及び音響変換器素子が配置された互いに連結した複数の個々のフレームを含むことを特徴とする請求項１に記載の変換器アセンブリ。
【請求項１３】
前記変換器素子を選択的に作動させて音響エネルギを受け取るか又は放射することができるように前記電子機器モジュール及び変換器素子を連結するスイッチを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の変換器アセンブリ。
【請求項１４】
第２の表面の反対側に第１の表面を有する円板形音響変換器素子と、
前記変換器素子の前記第２の表面に結合して前記音響変換器素子に関連する信号を処理するようになった、少なくとも１つの信号リードが結合した電子機器モジュールと、
前記電子機器モジュールと前記音響変換器素子との回りに配置された音響減衰材料と、  を含み、
前記音響変換器素子、前記電子機器モジュール、及び前記減衰材料は、前記少なくとも１つのリードを露出したままにして密封材料内に封入される、
ことを特徴とする、地表下用途のための音響変換器アセンブリ。
【請求項１５】
前記音響変換器素子は、圧電素子、チタン酸鉛素子、ジルコン酸チタン酸鉛素子、及び１−３圧電複合型素子から成る群から選択されることを特徴とする請求項１４に記載の変換器アセンブリ。
【請求項１６】
前記電子機器モジュールは、前記音響変換器素子の前記第１の表面で受け取った音響エネルギに関連する信号を増幅するようになっていることを特徴とする請求項１４に記載の変換器アセンブリ。
【請求項１７】
前記電子機器モジュールは、回路基板を含むことを特徴とする請求項１４に記載の変換器アセンブリ。
【請求項１８】
前記電子機器モジュールは、前記変換器素子に関連する信号をデジタル化するようになっていることを特徴とする請求項１７に記載の変換器アセンブリ。
【請求項１９】
前記変換器素子を選択的に作動させて前記第１の表面を通じて音響エネルギを受け取るか又は放射することができるように前記電子機器モジュール及び変換器素子を連結するスイッチを更に含むことを特徴とする請求項１４に記載の変換器アセンブリ。
【請求項２０】
音響変換器素子をフレーム手段上に配置する段階と、
電子機器モジュールを前記フレーム手段上に配置する段階と、
前記音響変換器素子を該変換器素子に関連する信号をデジタル化するようになった前記電子機器モジュールに連結する段階と、
前記変換器素子及び前記電子機器モジュールを密封材料で覆って液体を含ませない段階と、
を含むことを特徴とする、音響変換器を組み立てる方法。
【請求項２１】
さらに、遠隔測定手段との間で信号又は電力を伝達するためのコネクタを備えることを特徴とする請求項１に記載の音響変換器アセンブリ。
【請求項２２】
さらに、遠隔測定手段との間で信号又は電力を伝達するためのコネクタを備えることを特徴とする請求項１４に記載の音響変換器アセンブリ。
【請求項２３】
さらに、遠隔測定手段との間で信号又は電力を伝達するためのコネクタを備えることを特徴とする請求項２０に記載の音響変換器アセンブリ。