【手続補正書】
【提出日】平成21年12月25日(2009.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
次いで、図４に示すように、［期間−ＴＰ（５）5］において、駆動トランジスタＴDrvに対する書込み処理を行う。具体的には、図７の（Ｃ）に示すように、第１ノード初期化トランジスタＴND1、第２ノード初期化トランジスタＴND2、及び、発光制御トランジスタＴEL_Cのオフ状態を維持したまま、データ線ＤＴＬの電位を映像信号に相当する電圧［発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号（駆動信号、輝度信号）ＶSig］とし、次いで、走査線ＳＣＬをハイレベルとすることによって映像信号書込みトランジスタＴSigをオン状態とする。その結果、第１ノードＮＤ1の電位は、ＶSigへと上昇する。第１ノードＮＤ1の電位の変化分に基づく電荷は、コンデンサ部Ｃ1、発光部ＥＬＰの寄生容量ＣEL、駆動トランジスタＴDrvのゲート電極とソース領域との間の寄生容量に振り分けられる。従って、第１ノードＮＤ1の電位が変化すると、第２ノードＮＤ2の電位も変化する。しかし、発光部ＥＬＰの寄生容量ＣELの容量値が大きな値である程、第２ノードＮＤ2の電位の変化は小さくなる。そして、一般に、発光部ＥＬＰの寄生容量ＣELの容量値は、コンデンサ部Ｃ1の容量値及び駆動トランジスタＴDrvの寄生容量の値よりも大きい。そこで、第２ノードＮＤ2の電位は殆ど変化しないとすれば、駆動トランジスタＴDrvのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間の電位差Ｖgsは、以下の式（Ａ）のとおりとなる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
図１９に示す例では、有機ＥＬ素子１０1の経路長が最も短く、有機ＥＬ素子１０Nの経路長が最も長い。従って、発光制御トランジスタ制御回路１０３の信号の波形ＡＦ0は、右端に配列された有機ＥＬ素子１０Nに、より変形して伝達される。図１９に、上述した［期間−ＴＰ（５）2］〜［期間−ＴＰ（５）7］において、有機ＥＬ表示装置の発光制御トランジスタ制御線ＣＬEL_Cを伝達する信号の波形ＡＦ0，ＡＦ1，ＡＦNを模式的に示した。発光制御トランジスタ制御回路１０３の信号の波形ＡＦ0は、発光制御トランジスタＴEL_Cをオン状態とするための電圧（例えば３０ボルト）と、オフ状態とするための電圧（例えば−１０ボルト）の２値からなる矩形波であり、発光制御トランジスタＴEL_Cのゲート電極に印加される。図１９に示すように、有機ＥＬ素子１０1には、元波形、即ち波形ＡＦ0に対して、殆ど劣化のない波形ＡＦ1が伝達され、有機ＥＬ素子１０1の発光制御トランジスタＴEL_Cのゲート電極に印加される。一方、有機ＥＬ素子１０Nには変形した略台形状の波形ＡＦNが伝達され、有機ＥＬ素子１０Nの発光制御トランジスタＴEL_Cのゲート電極に印加される。図２０に、図１９に示す波形ＡＦ0，ＡＦ1，ＡＦNと、図４の上段に示すタイミングチャートとを対比して示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
ここで、波形ＡＦNは波形ＡＦ1に対し立ち下がりが鈍っている。図２０の下段、及び、図２１の（Ａ）に示すΔＴ1は、波形ＡＦ1の立ち下がりにおいて、発光制御トランジスタＴEL_Cのオン状態とオフ状態が切り替わる迄の時間を示す（理想的な矩形波であれば、ΔＴ1は０である）。同様に、図２０の下段、及び、図２１の（Ａ）に示すΔＴnは、波形ＡＦNの立ち下がりにおいて、発光制御トランジスタＴEL_Cのオン状態とオフ状態が切り替わる迄の時間を示す。図から明らかなように、ΔＴ1＜ΔＴnである。上述したように、ソース／ドレイン領域Ａ1，Ａ2は、発光制御トランジスタＴEL_Cがオン状態であれば電圧ＶCCが印加される。従って、波形ＡＦNの立ち下がりにおいては、波形ＡＦ1の立ち下がりに対して、（ΔＴn−ΔＴ1）だけ長くソース／ドレイン領域Ａ1，Ａ2に電圧ＶCCが印加された状態となる。換言すれば、波形ＡＦNの立ち下がりにおいては、波形ＡＦ1の立ち下がりに対して、ソース／ドレイン領域Ａ1，Ａ2の電位はより電圧ＶCC側に保持される。これにより、図２１の（Ｂ）に示すように、波形ＡＦ1、波形ＡＦNの立ち下がり時において、静電結合によるソース／ドレイン領域Ａ1，Ａ2の電位変動は、波形ＡＦ1においてより顕著に現れる。より具体的には、波形ＡＦ1が印加される駆動回路と、波形ＡＦNが印加される駆動回路とを比較すると、前者の駆動回路における発光制御トランジスタＴEL_Cと駆動トランジスタＴDrvとの接続部の電位が、よりマイナス側に変化する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０８】
ここで、コンデンサ部Ｃ1の容量は値ｃ1であり、発光部ＥＬＰの寄生容量ＣELの容量は値ｃELである。そして、駆動トランジスタＴDrvのゲート電極とソース領域との間の寄生容量の値をｃgsとする。駆動トランジスタＴDrvのゲート電極の電位がＶOfsからＶSig（＞ＶOfs）に変化したとき、コンデンサ部Ｃ1の両端の電位（第１ノードＮＤ1及び第２ノードＮＤ2の電位）は、原則として、変化する。即ち、駆動トランジスタＴDrvのゲート電極の電位（＝第１ノードＮＤ1の電位）の変化分（ＶSig−ＶOfs）に基づく電荷が、コンデンサ部Ｃ1、発光部ＥＬＰの寄生容量ＣEL、駆動トランジスタＴDrvのゲート電極とソース領域との間の寄生容量に振り分けられる。然るに、値ｃELが、値ｃ1及び値ｃgsと比較して十分に大きな値であれば、駆動トランジスタＴDrvのゲート電極の電位の変化分（ＶSig−ＶOfs）に基づく駆動トランジスタＴDrvのソース領域（第２ノードＮＤ2）の電位の変化は小さい。そして、一般に、発光部ＥＬＰの寄生容量ＣELの容量値ｃELは、コンデンサ部Ｃ1の容量値ｃ1及び駆動トランジスタＴDrvの寄生容量の値ｃgsよりも大きい。そこで、説明の便宜のため、特段の必要がある場合を除き、第１ノードＮＤ1の電位変化により生ずる第２ノードＮＤ2の電位変化は考慮せずに説明を行う。他の駆動回路においても同様である。尚、図４に示した駆動のタイミングチャートも、第１ノードＮＤ1の電位変化により生ずる第２ノードＮＤ2の電位変化を考慮せずに示した。駆動トランジスタＴDrvのゲート電極（第１ノードＮＤ1）の電位をＶg、駆動トランジスタＴDrvのソース領域（第２ノードＮＤ2）の電位をＶsとしたとき、Ｖgの値、Ｖsの値は以下のとおりとなる。それ故、第１ノードＮＤ1と第２ノードＮＤ2の電位差、即ち、駆動トランジスタＴDrvのゲート電極とソース領域との間の電位差Ｖgsは、以下の式（３）で表すことができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７７】
［期間−ＴＰ（３）5］において、第１ノードＮＤ1の電位が、ＶOfs-LからＶSigへと上昇する。このため、第１ノードＮＤ1の電位変化により生ずる第２ノードＮＤ2の電位変化を考慮すると、第２ノードＮＤ2の電位も、若干、上昇する。即ち、第２ノードＮＤ2の電位を、ＶOfs-L−Ｖth＋α・（ＶSig−ＶOfs-L）と表すことができる。但し、０＜α＜１であり、αの値はコンデンサ部Ｃ1、発光部ＥＬＰの寄生容量ＣELの値等により定まる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2008233502.tif 000001