【手続補正書】
【提出日】平成22年1月15日(2010.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置であって、
基板（１）と、
基板上の第１活性層（２）と、
第１活性層上の第２活性層（３）であって、第１活性層と比較した場合、より大きなバンドギャップを有する第２活性層（３）と、
第２活性層上のパッシベーション層（５）と、
パッシベーション層（５）の上に直接接触したソースコンタクト（８）およびドレインコンタクト（９）と、
パッシベーション層（５）の中にあり、パッシベーション層の下の層の中には無い少なくとも１つの孔（６）であって、ソースとドレインの間に配置された孔（６）と、
孔の中のゲートコンタクト（７）と、を含み、
２次元電子ガス層（４）は、ゲートコンタクト（７）の位置の外側の、活性層（２、３）の間に存在し、
ゲートとソースコンタクトが同電圧の場合に、ゲートコンタクト（７）の直下の、活性層の間には実質的に２次元電子ガス層（４）が存在しないことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
更に、パッシベーション層（５）の少なくとも一部の上と孔（６）の中に誘電体層（１０）を含み、ゲートコンタクト（７）が誘電体層（１０）の上に存在することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
基板（１）が、シリコン、サファイア、ＳｉＣ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＧａＡｓ、およびダイアモンドからなる組から選択される材料を含む請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
第１および／または第２活性層（２、３）は、III族ナイトライド半導体材料を含む請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項５】
第１活性層（２）が、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、およびＢＮからなる組から選択される材料を含む請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
第２活性層（３）が、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、およびＡｌＩｎＧａＮからなる組から選択される材料を含む請求項４に記載の半導体装置。
【請求項７】
第２活性層（３）が、１ｎｍと１０ｎｍの間の厚みである請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項８】
第２活性層（３）が、３ｎｍと８ｎｍの間の厚みである請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
パッシベーション層（５）が、電子供給元素と窒素を含む材料を含む請求項１〜８のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項１０】
パッシベーション層（５）が、ＳｉＮ、ＢＮ、Ｓｉ、ＣＮ、およびＧｅＮからなる組から選択される材料を含む請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
パッシベーション層（５）が、１ｎｍと５０００ｎｍの間の厚みである請求項１〜１０のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項１２】
パッシベーション層（５）が、３ｎｍと２０ｎｍの間の厚みである請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
誘電体層（１０）が、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、ＳｉＮ、およびＳｉＯＮからなる組から選択される材料を含む請求項２に記載の半導体装置。
【請求項１４】
パッシベーション層（５）が、孔（６）の中で完全に除去された請求項１〜１３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項１５】
パッシベーション層が、孔（６）中で完全には除去されていない請求項１〜１３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項１６】
更に、第１活性層と第２活性層との間にスペーサ層を含む請求項１〜１５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項１７】
スペーサ層が、ＡｌＮ層である請求項１６に記載の半導体装置。
【請求項１８】
半導体装置を製造する方法であって、
反応チャンバ内に基板（１）を配置する工程と、
基板上に第１活性層（２）を形成する工程と、
第１活性層上に第２活性層（３）を形成する工程であって、第２活性層は第１活性層に比較して大きなバンドギャップを有する工程と、
第２活性層上にパッシベーション層（５）を形成する工程と、
パッシベーション層（５）に直接、電気的に接続されたソース電極（８）とドレイン電極（９）とを形成する工程と、
パッシベーション層（５）の中に少なくとも１つの孔（６）をエッチングし、パッシベーション層の下の層の中にはエッチングしない工程であって、孔はソースコンタクトとドレインコンタクト（８、９）の間に配置される工程と、
孔（６）の中にゲートコンタクト（７）を形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
第２活性層（３）は、第２活性層の上に追加の層が形成されない場合、第１活性層（２）と第２活性層（３）の間に２次元電子ガスが存在しないような組成、厚さ、および歪を有し、
パッシベーション層の形成後に、第１活性層と第２活性層の間に２次元電子ガス（４）が形成されるようにかつそのような材料特性を有するようにパッシベーション層（５）が形成され、
ゲートコンタクト（７）は、ゲートコンタクトとソースコンタクトが同電圧の場合に、実質的に２次元電子ガスがゲートコンタクトの下に存在しないようにかつ材料特性を有するようにゲートコンタクトが形成される請求項１８に記載の製造方法。
【請求項２０】
第２活性層（３）は、第２活性層の上に追加の層が形成されない場合、第１活性層（２）と第２活性層（３）の間に２次元電子ガスが存在するような組成、厚さ、および歪を有し、
パッシベーション層の形成後に、第１活性層と第２活性層の間に２次元電子ガス（４）が形成されるようにかつそのような材料特性を有するようにパッシベーション層（５）が形成され、
孔（６）は、パッシベーション層（５）の全膜厚を通してエッチングされ、
更に、孔に対応する位置の２次元電子ガスを除去するために、孔（６）により露出した第２活性層の一部をプラズマ処理する工程を含む請求項１８に記載の製造方法。
【請求項２１】
第２活性層（３）は、第２活性層の上に追加の層が形成されない場合、第１活性層（２）と第２活性層（３）の間に２次元電子ガスが存在するような組成、厚さ、および歪を有し、
パッシベーション層の形成後に、第１活性層と第２活性層の間に２次元電子ガス（４）が形成されるようにかつそのような材料特性を有するようにパッシベーション層（５）が形成され、
ゲートコンタクト（７）は、ゲートコンタクト（７）の下の２次元電子ガス（４）を除去するような仕事関数を有する請求項１８に記載の製造方法。
【請求項２２】
孔（６）のエッチング後に、第２活性層（３）の上に誘電体層（１０）を形成する工程を含み、ゲートコンタクト（７）は誘電体層（１０）の上に形成される請求項１８〜２１のいずれか１つに記載の製造方法。
【請求項２３】
パッシベーション層（５）は、第２活性層（３）の上にその場成長される請求項１８〜２２のいずれか１つに記載の製造方法。
【請求項２４】
第１活性層（２）、第２活性層（３）、およびパッシベーション層（５）は、金属有機物化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）で形成される請求項１８〜２３のいずれか１つに記載の製造方法。
【請求項２５】
ドレイン電極（９）がソース（８）に比較して大きなポテンシャルを有するように、ソースコンタクトとドレインコンタクト（８、９）の間に電圧を与える工程と、
ソースコンタクトのポテンシャルに対して正の、しきい値電圧を超える電圧を、ゲートコンタクト（７）に与え、ゲートコンタクトの下の、第１活性層と第２活性層の間に、２次元電子ガス層を形成し、これによりソースコンタクトとドレインコンタクトの間に電流を形成する請求項１〜１７のいずれか１つに記載の半導体装置を使用する方法。