Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月25日(2010.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上で複数の光電変換素子が二次元の行列状に配列された受光部と、前記光電変換素子の列方向に沿って隣接して配置され前記光電変換素子で発生した信号電荷を読み出して垂直方向に転送する複数の垂直電荷転送部と、前記垂直電荷転送部から転送された信号電荷を水平方向に転送する水平電荷転送部とを備え、前記受光部が、少なくとも３つの異なる色成分を検出する光電変換素子が分散配置されてなる固体撮像素子の駆動方法であって
前記垂直電荷転送部に対して、３以上の奇数行分の光電変換素子からの信号電荷を蓄積する１つの電荷蓄積パケットを複数形成し、
前記電荷蓄積パケットのそれぞれに、前記光電変換素子から同色同士の信号電荷を複数行分読み出して電荷加算した後、
前記垂直電荷転送部の信号電荷を前記電荷蓄積パケット一つ分だけ転送し、
前記電荷蓄積パケットに読み出された色と同色となる前記光電変換素子に残された信号電荷を、前記電荷蓄積パケットに読み出して再度電荷加算する固体撮像素子の駆動方法。
【請求項２】
請求項１記載の固体撮像素子の駆動方法であって、
前記受光部の光電変換素子は、一行毎に同色の色成分を検出する光電変換素子が列方向に沿って交互に配列されている固体撮像素子の駆動方法。
【請求項３】
請求項１記載の固体撮像素子の駆動方法であって、
前記受光部の光電変換素子は、一行毎に同色の色成分を検出する光電変換素子が列方向に沿って交互に配列された第１光電変換素子列と、該第１光電変換素子列に対して配列ピッチの１／２だけ水平及び垂直方向にずれた位置に配列された第２光電変換素子列と、を行方向に繰り返し配列されている固体撮像素子の駆動方法。
【請求項４】
半導体基板上で複数の光電変換素子が二次元の行列状に配列された受光部と、前記光電変換素子の列方向に沿って隣接して配置され前記光電変換素子で発生した信号電荷を読み出して垂直方向に転送する複数の垂直電荷転送部と、前記垂直電荷転送部から転送された信号電荷を水平方向に転送する水平電荷転送部と、前記垂直電荷転送部と前記水平電荷転送部との間に設けられたラインメモリと、を備え、前記受光部の光電変換素子は、一行毎に同色の色成分を検出する光電変換素子が列方向に沿って交互に配列されている固体撮像素子の駆動方法であって、
前記垂直電荷転送部に対して、前記光電変換素子の信号電荷を前記列方向に沿って２行の読み込み、１行の非読み込みを順次繰り返して１行分の空白電荷パケットを前記垂直電荷転送部に離散配置した後、
前記垂直電荷転送部の信号電荷を３行分転送し、
前記垂直電荷転送部の前記空白電荷パケットに、該空白電荷パケットの前後の電荷パケットに読み出された色と同色となる前記垂直電荷転送部に残された信号電荷を読み出し、  これにより得られる３つの連続する色成分の信号電荷を前記ラインメモリまたは前記水平電荷転送部で電荷加算して転送する固体撮像素子の駆動方法。
【請求項５】
前記固体撮像素子が、半導体基板上で複数の光電変換素子が二次元の行列状に配列された受光部と、前記光電変換素子の列方向に沿って隣接して配置され前記光電変換素子で発生した信号電荷を読み出して垂直方向に転送する複数の垂直電荷転送部と、前記垂直電荷転送部から転送された信号電荷を水平方向に転送する水平電荷転送部とを備え、
請求項１〜請求項３のいずれか１項記載の固体撮像素子の駆動方法に基づいて信号処理する信号処理手段と、
前記固体撮像素子に光学像を結像させる光学系と、
を備えた撮像装置。
【請求項６】
前記信号処理手段が、ムービー画像の撮像時、ＡＥ（自動露出）／ＡＦ（自動焦点）制御時のいずれかを行うときに、前記固体撮像素子の駆動方法による信号処理に切り替える請求項５記載の撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る上記目的は、下記構成により達成できる。
（１）半導体基板上で複数の光電変換素子が二次元の行列状に配列された受光部と、前記光電変換素子の列方向に沿って隣接して配置され前記光電変換素子で発生した信号電荷を読み出して垂直方向に転送する複数の垂直電荷転送部と、前記垂直電荷転送部から転送された信号電荷を水平方向に転送する水平電荷転送部とを備え、前記受光部が、少なくとも３つの異なる色成分を検出する光電変換素子が分散配置されてなる固体撮像素子の駆動方法であって
前記垂直電荷転送部に対して、３以上の奇数行分の光電変換素子からの信号電荷を蓄積する１つの電荷蓄積パケットを複数形成し、
前記電荷蓄積パケットのそれぞれに、前記光電変換素子から同色同士の信号電荷を複数行分読み出して電荷加算した後、
前記垂直電荷転送部の信号電荷を前記電荷蓄積パケット一つ分だけ転送し、
前記電荷蓄積パケットに読み出された色と同色となる前記光電変換素子に残された信号電荷を、前記電荷蓄積パケットに読み出して再度電荷加算する固体撮像素子の駆動方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
（５）  前記固体撮像素子が、半導体基板上で複数の光電変換素子が二次元の行列状に配列された受光部と、前記光電変換素子の列方向に沿って隣接して配置され前記光電変換素子で発生した信号電荷を読み出して垂直方向に転送する複数の垂直電荷転送部と、前記垂直電荷転送部から転送された信号電荷を水平方向に転送する水平電荷転送部とを備え、
上記（１）〜（３）のいずれか１項記載の固体撮像素子の駆動方法に基づいて信号処理する信号処理手段と、
前記固体撮像素子に光学像を結像させる光学系と、
を備えた撮像装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
図２に示す例では、一行毎に同色の色成分を検出する光電変換素子が列方向に沿って交互に配列される配列（ベイヤー配列）の各列がそれぞれ複数列配置されている（本明細書では「ダブルベイヤー配列」と呼称する）。即ち、図中上側からＧＲＧＲ・・・及びＢＧＢＧ・・・の順で１列毎に配列された第１光電変換素子列８１と、第１光電変換素子列８１に対して配列ピッチの１／２だけ水平及び垂直方向にずれた位置に配列された第２光電変換素子列８３とが、行方向に繰り返し配列されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2009065478.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月3日(2010.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素が行方向及び列方向に配列された画素配列と、
前記画素配列における１つの行の画素信号を読み出して、読み出した行における各列の画素信号を順次に後段へ転送する読み出し部と、
前記読み出し部が各列の画素信号を後段へ転送するための転送期間において、画素をリセットするための駆動信号を前記画素配列に供給する駆動部と、
前記転送期間において前記駆動信号のレベルが遷移するタイミングで前記読み出し部により転送された画素信号を、補正する補正部と、
を備えたことを特徴とする撮像システム。
【請求項２】
前記補正部は、
前記転送期間において前記駆動信号のレベルが遷移するタイミングを示す遷移パルス数を保持する第１の保持部と、
前記遷移パルス数に対応した補正量を保持する第２の保持部と、
前記遷移パルス数により示されるタイミングで、前記遷移パルス数に対応した補正量に応じた量を、前記読み出し部により転送された画素信号から減算する減算部と、
を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像システム。
【請求項３】
前記補正部は、
前記転送期間が開始してから、各列の画素信号を後段へ転送するための転送パルスの累積数をカウントするカウンタと、
前記カウンタから出力されたカウント値と、前記第１の保持部に保持された遷移パルス数とを比較し、前記カウント値と前記遷移パルス数とが等しい場合、前記遷移パルス数に対応した補正量が前記第２の保持部から前記減算部に供給されるようにする比較部と、
をさらに含む
ことを特徴とする請求項２に記載の撮像システム。
【請求項４】
前記第２の保持部は、さらに、前記遷移パルス数より１大きい値から前記遷移パルス数にＮ（Ｎ；正の整数）を加えた値までの遷移後段パルス数のそれぞれに対応した補正量を保持し、
前記比較部は、さらに、前記カウンタから出力されたカウント値と、前記遷移後段パルス数のそれぞれとを比較し、前記カウント値と前記遷移後段パルス数とが等しい場合、前記カウント値と等しい前記遷移後段パルス数に対応した補正量が前記第２の保持部から前記減算部に供給されるようにし、
前記減算部は、前記遷移後段パルス数のそれぞれにより示されるタイミングで、前記遷移後段パルス数のそれぞれに対応した補正量に応じた量を、前記読み出し部により転送された画素信号から減算する
ことを特徴とする請求項３に記載の撮像システム。
【請求項５】
前記補正部は、
前記比較部が比較した結果に基づいて重み付け係数を決定し、前記遷移パルス数に対応した補正量に前記重み付け係数を乗算した量を前記減算部に供給する乗算部をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の撮像システム。
【請求項６】
複数の画素が行方向及び列方向に配列された画素配列と、
前記画素配列における１つの行の画素信号を読み出して、読み出した行における各列の画素信号を順次に後段へ転送する読み出し部と、
前記読み出し部が各列の画素信号を後段へ転送するための転送期間が開始してから、各列の画素信号を後段へ転送するための転送パルスの累積数をカウントして複数ビットで構成されるカウント値を出力するカウンタと、
前記カウンタから出力されるカウント値を構成している複数ビットのうち遷移するビットがどれであるかを示す遷移ビット数に応じて、前記読み出し部により転送された画素信号を補正する補正部と、
を備えたことを特徴とする撮像システム。
【請求項７】
前記補正部は、
前記カウント値の遷移ビット数に対応した補正量を保持する第３の保持部と、
前記カウント値により示されるタイミングで、前記遷移ビット数に対応した補正量に応じた量を、前記読み出し部により転送された画素信号から減算する減算部と、
を含む
ことを特徴とする請求項６に記載の撮像システム。
【請求項８】
前記補正部は、
前記読み出し部により転送された画素信号から、補正量に応じた量を減算する減算部と、
前記減算部により減算された画素信号をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換部と、
を含む
ことを特徴とする請求項１又は６に記載の撮像システム。
【請求項９】
前記補正部は、
前記読み出し部により転送された画素信号をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換部と、
前記Ａ／Ｄ変換部によりＡ／Ｄ変換された画素信号から、補正量に応じた量を減算する減算部と、
を含む
ことを特徴とする請求項１又は６に記載の撮像システム。
【請求項１０】
前記画素配列は、
黒基準信号を出力するためのオプティカルブラック画素領域と、
画素信号を出力するための有効画素領域と、
を有し、
前記減算部は、画素信号から、前記補正量と前記黒基準信号に応じた量とを減算する
ことを特徴とする請求項８又は９に記載の撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の第２の側面に係る撮像システムは、複数の画素が行方向及び列方向に配列された画素配列と、前記画素配列における１つの行の画素信号を読み出して、読み出した行における各列の画素信号を順次に後段へ転送する読み出し部と、前記読み出し部が各列の画素信号を後段へ転送するための転送期間が開始してから、各列の画素信号を後段へ転送するための転送パルスの累積数をカウントして複数ビットで構成されるカウント値を出力するカウンタと、前記カウンタから出力されるカウント値を構成している複数ビットのうち遷移するビットがどれであるかを示す遷移ビット数に応じて、前記読み出し部により転送された画素信号を補正する補正部とを備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月9日(2010.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に強誘電体キャパシタを形成する工程と、
該強誘電体キャパシタを被覆する水素バリア膜を形成する工程と、
該水素バリア膜を被覆する絶縁膜を形成する工程と、
第１の混合ガスを用いたエッチングにより前記絶縁膜を貫通する第１貫通孔を形成する工程と、
第２の混合ガスを用いたエッチングにより前記水素バリア膜を貫通する第２貫通孔を形成する工程と、を備え、
前記第１の混合ガス及び前記第２の混合ガスは、フルオロカーボンガス及び酸素ガスを含む混合ガスであり、
前記第１の混合ガスにおける前記フルオロカーボンガスの流量及び前記酸素ガスの流量の和に対する前記フルオロカーボンガスの流量の割合は、前記第２の混合ガスにおける前記フルオロカーボンガスの流量及び前記酸素ガスの流量の和に対する前記フルオロカーボンガスの流量の割合よりも小さく、
前記第１貫通孔を形成する工程と前記第２貫通孔を形成する工程とが連続して行われることを特徴とする強誘電体メモリ装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の混合ガスにおける前記フルオロカーボンガスの流量と前記酸素ガスの流量との和が、前記第２の混合ガスにおける前記フルオロカーボンガスの流量と前記酸素ガスの流量との和よりも多いことを特徴とする請求項１に記載の強誘電体メモリ装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の貫通孔を形成する工程における高周波バイアスパワーが、前記第２貫通孔を形成する工程における高周波バイアスパワーよりも大きいことを特徴とする請求項１または２に記載の強誘電体メモリ装置の製造方法。
【請求項４】
前記フルオロカーボンガスが、パーフルオロカーボンガスであることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の強誘電体メモリ装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１貫通孔を形成する工程と前記第２貫通孔を形成する工程とを、同一チャンバ内で連続して行うことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の強誘電体メモリ装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１の混合ガス及び前記第２の混合ガスが、一酸化炭素ガスを含むことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の強誘電体メモリ装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
少なくとも前記課題のひとつを解決するために、本発明にかかる強誘電体メモリ装置の製造方法は、基板上に強誘電体キャパシタを形成する工程と、該強誘電体キャパシタを被覆する水素バリア膜を形成する工程と、該水素バリア膜を被覆する絶縁膜を形成する工程と、第１の混合ガスを用いたエッチングにより前記絶縁膜を貫通する第１貫通孔を形成する工程と、第２の混合ガスを用いたエッチングにより前記水素バリア膜を貫通する第２貫通孔を形成する工程と、を備え、前記第１の混合ガス及び前記第２の混合ガスは、フルオロカーボンガス及び酸素ガスを含む混合ガスであり、前記第１の混合ガスにおける前記フルオロカーボンガスの流量及び前記酸素ガスの流量の和に対する前記フルオロカーボンガスの流量の割合は、前記第２の混合ガスにおける前記フルオロカーボンガスの流量及び前記酸素ガスの流量の和に対する前記フルオロカーボンガスの流量の割合よりも小さく、前記第１貫通孔を形成する工程と前記第２貫通孔を形成する工程とが連続して行われることを特徴とする。
上記の強誘電体メモリ装置の製造方法において、前記第１の混合ガスにおける前記フルオロカーボンガスの流量と前記酸素ガスの流量との和が、前記第２の混合ガスにおける前記フルオロカーボンガスの流量と前記酸素ガスの流量との和よりも多いことが好ましい。
上記の強誘電体メモリ装置の製造方法において、前記第１の貫通孔を形成する工程における高周波バイアスパワーが、前記第２貫通孔を形成する工程における高周波バイアスパワーよりも大きいことが好ましい。
上記の強誘電体メモリ装置の製造方法において、前記フルオロカーボンガスが、パーフルオロカーボンガスであることが好ましい。
上記の強誘電体メモリ装置の製造方法において、前記第１貫通孔を形成する工程と前記第２貫通孔を形成する工程とを、同一チャンバ内で連続して行うことが好ましい。
上記の強誘電体メモリ装置の製造方法において、前記第１の混合ガス及び前記第２の混合ガスが、一酸化炭素ガスを含むことが好ましい。
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明にかかる強誘電体メモリ装置の製造方法は、基板上に強誘電体キャパシタを形成する工程と、該強誘電体キャパシタを被覆する水素バリア膜を形成する工程と、該水素バリア膜を被覆する絶縁膜を形成する工程と、フルオロカーボンガス及び酸素ガスを含む混合ガスを用いたエッチングにより前記絶縁膜を貫通する第１貫通孔を形成する工程と、前記混合ガスを用いたエッチングにより前記水素バリア膜を貫通する第２貫通孔を前記第１貫通孔と連続して形成する工程とを備え、前記第１貫通孔の形成工程における前記フルオロカーボンガスの流量及び前記酸素ガスの流量の和に対する前記フルオロカーボンガスの流量の割合が、前記第２貫通孔の形成工程における前記フルオロカーボンガスの流量の割合よりも小さいことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月2日(2010.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）第１表面と、前記第１表面に形成された第１配線パターンと、前記第１表面とは反対側の第１裏面とを有する第１半導体チップを準備する工程；
（ｂ）第２表面と、前記第２表面に形成された第２配線パターンと、前記第２表面とは反対側の第２裏面とを有する第２半導体チップを、前記第２裏面が前記第１表面と対向するように、接着用フィルムを介して前記第１半導体チップの前記第１表面上に搭載する工程；
（ｃ）前記第１半導体チップおよび前記第２半導体チップを、複数のフィラーを含有する樹脂材料で封止する工程；
ここで、
前記（ａ）および（ｂ）工程後、かつ前記（ｃ）工程前の前記接着用フィルムの厚みである第１の厚みは、前記複数のフィラーのフィラー径よりも大きい。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記フィラー径は、前記樹脂材料中に含有される前記複数のフィラーの平均粒径であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂材料中に含有される前記複数のフィラーは、１〜１０μｍの粒径のフィラーを含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂材料中では、前記平均粒径と同じサイズの粒径を有するフィラーの数よりも、前記第１の厚みと同じサイズの粒径を有するフィラーの数が少ないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂材料中に含有される前記複数のフィラーが、前記平均粒径近傍にピークを有する粒度分布を有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程後、かつ前記（ｂ）工程前に、上面および前記上面とは反対側の下面を有する配線基板の前記上面に、前記第１半導体チップの前記第１裏面が前記配線基板の前記上面と対向するように、前記（ｂ）工程で使用する前記接着用フィルムの厚さよりも薄い第１接着用フィルムを介して搭載することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の厚みと前記平均粒径との差が、前記第１の厚みの１／４以上であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の厚みと前記平均粒径との差が、５μｍ以上であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記フィラー径は、前記樹脂材料中に含有される前記複数のフィラーの最大粒径であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の厚みが、前記最大粒径の２倍以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂材料中に含有される前記複数のフィラーの形状は、球状であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂材料中に含有される前記複数のフィラーは、酸化シリコンの粒子により形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）および（ｂ）工程後、かつ前記（ｃ）工程前に、前記（ｂ）工程で使用する前記接着用フィルムの第１端部が、前記第２半導体チップの前記第２裏面の第２端部から第１の距離だけ前記第２半導体チップの前記第２裏面の内側方向に後退しており、
前記第２半導体チップの前記第２端部は、前記第１半導体チップの上方に位置しており、
前記第１の距離が、前記第１の厚みの１／２以上であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程では、前記第２半導体チップを取得するための半導体ウエハの裏面に接着用フィルムを貼り付けてから、前記半導体ウエハを複数の前記第２半導体チップに分割することで、分割された前記接着用フィルムからなる前記接着用フィルムが前記第２裏面に貼り付けられた前記第２半導体チップを搭載することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程では、前記第２半導体チップを取得するための半導体ウエハを複数の半導体チップに分割してから、前記分割で得られた半導体チップの裏面に前記接着用フィルムを貼り付けることで、前記接着用フィルムが前記第２裏面に貼り付けられた前記第２半導体チップを搭載することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程は、加熱しながら行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は、以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）第１表面と、前記第１表面に形成された第１配線パターンと、前記第１表面とは反対側の第１裏面とを有する第１半導体チップを準備する工程；
（ｂ）第２表面と、前記第２表面に形成された第２配線パターンと、前記第２表面とは反対側の第２裏面とを有する第２半導体チップを、前記第２裏面が前記第１表面と対向するように、接着用フィルムを介して前記第１半導体チップの前記第１表面上に搭載する工程；
（ｃ）前記第１半導体チップおよび前記第２半導体チップを、複数のフィラーを含有する樹脂材料で封止する工程；
ここで、
前記（ａ）および（ｂ）工程後、かつ前記（ｃ）工程前の前記接着用フィルムの厚みである第１の厚みは、前記複数のフィラーのフィラー径よりも大きい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月24日(2010.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜トランジスタの作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にゲート電極を形成し、
前記基板及び前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に金属元素を含む層を形成し、前記金属元素を含む層上に半導体層を形成した後、レーザビームの照射、又は加熱によってシリサイド層を形成し、前記シリサイド層上に微結晶半導体膜を形成することにより、金属元素を含む微結晶半導体膜を形成し、
前記金属元素を含む微結晶半導体膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜上に一導電型を付与する不純物が添加された半導体膜で形成されるソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域上にソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記金属元素を含む層を、薄膜形成方法又は金属元素を含む溶液の塗布によって形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月25日(2010.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
図１のレベルシフト回路の動作を説明する。定常時では、例えば入力信号ＩＮがＨ（ＶＤＤ）レベル、その反転信号ＸＩＮがＬ（ＶＳＳ）レベルのとき、Ｎ型トランジスタＮ５１はＯＮ、Ｎ型トランジスタＮ５２はＯＦＦ、Ｐ型トランジスタＰ５１はＯＦＦ、Ｐ型トランジスタＰ５２はＯＮの状態にある。また、一方のノードＷ５１はＬ（ＶＳＳ）レベル、他方のノードＷ５２はＨ（ＶＤＤ３）レベルにある。Ｎ型トランジスタＮ５１とＰ型トランジスタＰ５１、Ｎ型トランジスタＮ５２とＰ型トランジスタＰ５２は、各々相補的な関係にあるので、この定常時では電流は流れない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図２のレイアウトにおいて、ゲート本数をｍとすると、Ｎ型トランジスタの総ゲート幅は、Ｗｎ２×ｍであり、
Ｗｎ２＝Ｗ−２×ＧＯ
ｍ＝（Ｈ−２×ＤＯ−Ｌ）÷（Ｌ＋ＧＳ）の整数項である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
図４のレイアウトのように拡散領域を分割することによって、単位ゲート幅サイズＷｎ２を十分に小さくすることができる。これにより、図８に示した逆ナロー特性によって、図７のレイアウトに比べて閾値電圧を下げることができる。これにより、Ｎ型トランジスタの電流能力が上がるため、動作下限電圧をより下げることが可能になる。すなわち、図４のレイアウトの方が、低電圧時のＮ型トランジスタの駆動電流能力が大きくなり、レベルシフト回路の動作下限電圧を下げることが可能になる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月11日(2010.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の実施例１に従う複合半導体装置１０は、図１に概略的に示すように、電圧が印加される第１及び第２の主端子１１，１２と、制御信号が供給される主制御端子１３と、主絶縁ゲート型電界効果トランジスタ即ち主ＭＯＳＦＥＴ１４と、補助スイッチ手段としての副絶縁ゲート型電界効果トランジスタ即ち副ＭＯＳＦＥＴ１５と、ゲート抵抗１６とを有する。主ＭＯＳＦＥＴ１４及び副ＭＯＳＦＥＴ１５は後述から明らかになるように逆流阻止用のショットキーダイオードを内蔵している。主ＭＯＳＦＥＴ１４と副ＭＯＳＦＥＴ１５とゲート抵抗１６とは共通のシリコン半導体基体（基板）２０を使用したモノリシック集積回路に構成されている。主ＭＯＳＦＥＴ１４と副ＭＯＳＦＥＴ１５との電気的分離領域が半導体基体２０の一方の表面におけるライン１８によって説明的に示され、主ＭＯＳＦＥＴ１４とゲート抵抗１６との電気的分離領域がライン１９によって説明的に示されている。なお、図１において、半導体基体２０内の各素子を構成する半導体領域、及び半導体基体２０の一方の表面上の絶縁膜の図示は省略されている。主ＭＯＳＦＥＴ１４と副ＭＯＳＦＥＴ１５は半導体基体２０の他方の主面（下面）にドレイン電極（図示せず）をそれぞれ有し、これ等は金属製の導電性支持板２０´に電気的及び機械的に結合されている。第１の主端子１１は導電性支持板２０´から導出され、導電性支持板２０´と一体に形成されている。半導体基体２０の一方の主面（上面）に主ＭＯＳＦＥＴ１４のソース電極Ｓ１とゲート電極Ｇ１が示され、また、副ＭＯＳＦＥＴ１５のソース電極Ｓ２とゲート電極Ｇ２が示されている。主ＭＯＳＦＥＴ１４のソース電極Ｓ１は導体２１によって第２の主端子１２に接続されていると共に導体２２によって副ＭＯＳＦＥＴ１５のゲート電極Ｇ２に接続されている。主ＭＯＳＦＥＴ１４のゲート電極Ｇ１は導体２３によってゲート抵抗１６の一端に接続されていると共に導体２４によって副ＭＯＳＦＥＴ１５のソース電極Ｓ２に接続されている。ゲート抵抗１６の他端は導体２５によって主制御端子１３に接続されている。この複合半導体装置１０は、主ＭＯＳＦＥＴ１４と副ＭＯＳＦＥＴ２５とゲート抵抗１６とを有するが、これ等は一体化されているので、３端子素子として使用できる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
図９に実施例６に従うプレーナー構造を有する主MOSFET１４ｄが示されている。主MOSFET１４ｃのゲート絶縁膜４４及びゲート電極Ｇ１は半導体基体２０ｃの第１の主面４１上に形成されている。また、ドレイン領域４６ａ及びボデイ領域４９ａが半導体基体２０ｃの第１の主面４１に露出している。ドレイン領域４６ａは図３の実施例１と同様にN+型半導体から成る第１のドレイン領域４７とN-型半導体から成る第２のドレイン領域４８とを有し、第２のドレイン領域４８のみが半導体基体２０ｃの第１の主面４１に露出している。ボデイ領域４９ａは、第２のドレイン領域４８の中に島状に形成されたP型半導体から成る第１のボデイ領域５０とP-型半導体から成る第２のボデイ領域５１とから成る。ソース領域５２ａは第２のボデイ領域５１の中に島状に形成されている。ゲート絶縁膜４４は少なくともボデイ領域４９ａの露出面を覆うように半導体基体２０ｃの第１の主面４１上に形成されている。ゲート電極Ｇ１はゲート絶縁膜４４を介してボデイ領域４９ａの露出面に対向している。ソース電極Ｓ１は、ソース領域５２ａにオーミック接触し、第２のボデイ領域５１にショットキー接触している。従って、図９に実施例６に従う主MOSFET１４ｃの等価回路を、図２の主MOSFET１４と同様に示すことができる。この図９に実施例６に従う主MOSFET１４ｄを使用して図１及び図２に示す複合半導体装置を構成しても実施例１と場合でも、図３に実施例１と同様な効果を得ることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2009065026.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2009065026.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月16日(2010.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分離領域を規定するよう半導体基板に包囲パターンに形成された素子分離膜と、
前記分離領域に形成された半導体柱と、
前記半導体柱の側壁上に形成された第１のゲート電極と、
前記素子分離膜の側壁上に形成された第２のゲート電極と、
前記第２のゲート電極をフローティング状態から阻止するための所定の電圧を前記第２のゲート電極に供給するように電気的に接続された電極と
を備えた縦型ＭＯＳトランジスタを含む半導体装置。
【請求項２】
前記第１のゲート電極は前記第２のゲート電極から電気的に分離されている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１のゲート電極は前記第２のゲート電極に電気的に接続されている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
さらに、前記半導体柱の下部に形成された下部拡散層と、前記半導体柱の上部に形成された上部拡散層を有する請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記素子分離膜の底部が前記下部拡散層の底部より深さ方向に深い請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記素子分離膜は、浅溝素子分離である請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
縦型ＭＯＳトランジスタを含む半導体装置であって、
前記縦型ＭＯＳトランジスタは、
半導体基板の浅溝素子分離膜で素子分離される領域に形成された半導体柱と、
前記浅溝素子分離膜の深さより浅く、前記半導体柱の下部の半導体基板に形成された下部拡散層と、
前記半導体柱の上部に形成された上部拡散層と
前記上部及び下部拡散層に挟まれた領域に形成されるチャネル部と、
前記チャネル部の側面にゲート絶縁膜とゲート電極と、
前記浅溝素子分離膜の側面に形成された導電性サイドウォールと、
前記導電性サイドウォールをフローティング状態から阻止するために所定の電圧を前記導電性サイドウォールに供給するように電気的に接続された電極と
を備える半導体装置。
【請求項８】
前記所定の電圧を前記導電性サイドウォールに供給するように電気的に接続された電極は、ダミートランジスタのゲート電極である請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
さらに、前記浅溝素子分離膜と前記縦型ＭＯＳトランジスタとの間にダミートランジスタを有し、前記縦型ＭＯＳトランジスタのゲート電位が、前記ダミートランジスタのゲート電極材を介して、前記導電性サイドウォールに接続する電極により制御される請求項７に記載の半導体装置。
【請求項１０】
縦型ＭＯＳトランジスタを有する半導体装置の製造方法であって、
（１）半導体基板に浅溝素子分離のための溝を形成し、該溝内に素子分離絶縁膜を埋め込む工程、
（２）浅溝素子分離された領域に半導体柱形成用のマスクとなる絶縁膜を形成する工程、
（３）前記絶縁膜をマスクとして、浅溝素子分離された領域の半導体基板を掘り下げ、縦型ＭＯＳトランジスタ用半導体柱を形成する工程、
（４）半導体基板上に不純物を注入して、前記浅溝素子分離深さより浅い部分に下部拡散層を形成する工程、
（５）半導体基板上及び縦型ＭＯＳトランジスタ用半導体柱側壁にゲート絶縁膜を形成する工程、
（６）ゲート電極材を成膜し、エッチバックして、ゲート絶縁膜の形成された縦型ＭＯＳトランジスタ用半導体柱側壁にゲート電極を、素子分離絶縁膜側壁にゲート電極材を残す工程、
（７）層間絶縁膜を形成し、前記マスク絶縁膜の高さに平坦化する工程、
（８）縦型ＭＯＳトランジスタ用半導体柱上の前記マスク絶縁膜を除去し、形成された開孔部に側壁絶縁膜を形成する工程、
（９）前記側壁絶縁膜を介して不純物を注入して、縦型ＭＯＳトランジスタ用半導体柱上部に上部拡散層を形成する工程、
（１０）前記素子分離絶縁膜側壁のゲート電極材にコンタクトする電極を形成する工程、
とを有する半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記縦型ＭＯＳトランジスタ用半導体柱を、素子分離絶縁膜に近接して形成し、素子分離絶縁膜の側壁に形成された前記ゲート電極材が、前記縦型ＭＯＳトランジスタのゲート電極にコンタクトするように形成することを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記素子分離絶縁膜側壁のゲート電極材にコンタクトする電極を形成する工程は、前記縦型ＭＯＳトランジスタとは異なるダミートランジスタ用半導体柱の側面のゲート電極材にコンタクトする電極を形成する工程である請求項１０又は１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記縦型ＭＯＳトランジスタ用半導体柱を、素子分離絶縁膜に近接して、あるいはダミートランジスタ用半導体柱に近接して形成し、素子分離絶縁膜の側壁に形成された前記ゲート電極材、あるいは、素子分離絶縁膜の側壁に形成されたゲート電極材に接した前記ダミートランジスタのゲート電極材が、前記縦型ＭＯＳトランジスタのゲート電極に接するように形成することを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月5日(2010.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記第１の領域の上に前記第１のサイドウォール及び前記第１のゲート電極を覆うように形成され、且つゲート長方向に引っ張り応力歪みを生じさせる第１の絶縁膜と、
前記第２の領域の上に前記第２のサイドウォール及び前記第２のゲート電極を覆うように形成され、且つゲート長方向に圧縮応力歪みを生じさせる第２の絶縁膜とをさらに備えていることを特徴とする請求項１〜７のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月16日(2010.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボンド基板の下に第１の容器を配置した後、
前記ボンド基板を劈開させることで前記ボンド基板から形成される複数の第１の半導体膜を、前記第１の容器に載置し、
前記第１の容器の上に第２の容器を配置した後、前記第１の容器及び前記第２の容器を反転させることで、前記複数の第１の半導体膜を前記第２の容器に載置し、
前記複数の第１の半導体膜を前記第２の容器から拾い上げて、前記複数の第１の半導体膜どうしが離隔するように、なおかつ前記劈開により露出した面がベース基板側を向くように、前記複数の第１の半導体膜を前記ベース基板に貼り、
前記複数の第１の半導体膜をエッチングすることで、複数の第２の半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
第１の結晶面方位を有する第１のボンド基板の下に第１の容器を配置した後、
前記第１のボンド基板を劈開させることで前記第１のボンド基板から形成される複数の第１の半導体膜を、前記第１の容器に載置し、
前記第１の容器の上に第２の容器を配置した後、前記第１の容器及び前記第２の容器を反転させることで、前記複数の第１の半導体膜を前記第２の容器に載置し、
第２の結晶面方位を有する第２のボンド基板の下に第３の容器を配置した後、
前記第２のボンド基板を劈開させることで前記第２のボンド基板から形成される複数の第２の半導体膜を、前記第３の容器に載置し、
前記第３の容器の上に第４の容器を配置した後、前記第３の容器及び前記第４の容器を反転させることで、前記複数の第２の半導体膜を前記第４の容器に載置し、
前記複数の第１の半導体膜を前記第２の容器から拾い上げて、前記複数の第１の半導体膜どうしが離隔するように、なおかつ前記劈開により露出した面がベース基板側を向くように、前記複数の第１の半導体膜を前記ベース基板に貼り、
前記複数の第２の半導体膜を前記第４の容器から拾い上げて、前記複数の第２の半導体膜どうしが離隔するように、なおかつ前記複数の第１の半導体膜と前記複数の第２の半導体膜とが離隔するように、さらに前記劈開により露出した面が前記ベース基板側を向くように、前記複数の第２の半導体膜を前記ベース基板に貼り、
前記複数の第１の半導体膜及び前記複数の第２の半導体膜をエッチングすることで、複数の第３の半導体膜及び複数の第４の半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、前記第１の結晶面方位は｛１００｝であり、前記第２の結晶面方位は｛１１０｝面であり前記第３の半導体膜からｎチャネル型の素子が形成され、前記第４の半導体膜からｐチャネル型の素子が形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２または３において、前記第１のボンド基板及び前記第２のボンド基板にＨ３＋イオンを有するソースガスをイオンドーピングして劈開面を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月12日(2010.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、該半導体基板の表面側に二次元アレイ状に形成され該半導体基板の裏面側から入射した光によって光電変換された信号電荷を蓄積する複数のフォトダイオードと、前記裏面側に形成され前記光電変換により前記信号電荷と対で発生する電荷を引き寄せる高濃度不純物層と、前記裏面側の前記半導体基板の前記高濃度不純物層に埋設され前記各フォトダイオードへの入射光を隣接する前記フォトダイオードから区画する遮光部材とを備えることを特徴とする裏面照射型固体撮像素子。
【請求項２】
前記遮光部材は導電性材料で形成され、該遮光部材は前記高濃度不純物層内に絶縁膜を被覆した状態で埋設されることを特徴とする請求項１に記載の裏面照射型固体撮像素子。
【請求項３】
前記遮光部材は導電性材料で形成され、該遮光部材は前記高濃度不純物層を突き抜けて形成されることを特徴とする請求項２に記載の裏面照射型固体撮像素子。
【請求項４】
前記遮光部材の前記半導体基板に埋設される部分が絶縁膜で被覆され、隣接するフォトダイオードを区画する境界位置で該遮光部材が一部欠損して設けられることを特徴とする請求項３に記載の裏面照射型固体撮像素子。
【請求項５】
前記遮光部材は、前記裏面側から突出して形成されることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の裏面照射型固体撮像素子。
【請求項６】
前記裏面側の表面には絶縁膜と反射防止膜とが形成されることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の裏面照射型固体撮像素子。
【請求項７】
前記反射防止膜は前記遮光部材によって分断されることを特徴とする請求項６に記載の裏面照射型固体撮像素子。
【請求項８】
前記遮光部材の前記裏面側先端部が先細に形成されることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の裏面照射型固体撮像素子。
【請求項９】
前記遮光部材には所定電圧が印加されることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の裏面照射型固体撮像素子。
【請求項１０】
前記所定電圧は、前記半導体基板の周辺部に設けられ回路から印加されることを特徴とする請求項９に記載の裏面照射型固体撮像素子。
【請求項１１】
表面側に複数のフォトダイオードが二次元アレイ状に形成され、裏面側から入射した光によって光電変換された信号電荷が前記フォトダイオードに蓄積される半導体基板の前記裏面側に、前記光電変換により前記信号電荷と対で発生する電荷を引き寄せる高濃度不純物層を形成し、該裏面のうち、前記各フォトダイオードへの入射光を隣接する前記フォトダイオードから区画する境界位置をエッチングにより削り、該境界位置の前記高濃度不純物層に遮光材料を埋設することを特徴とする裏面照射型固体撮像素子の製造方法。
【請求項１２】
前記遮光部材は導電性材料で形成され、該遮光部材は前記高濃度不純物層内に絶縁膜を被覆した状態で埋設されることを特徴とする請求項１１に記載の裏面照射型固体撮像素子の製造方法。
【請求項１３】
前記遮光部材は導電性材料で形成され、該遮光部材は前記高濃度不純物層を突き抜けて形成されることを特徴とする請求項１１に記載の裏面照射型固体撮像素子の製造方法。
【請求項１４】
前記遮光部材の前記半導体基板に埋設される部分が絶縁膜で被覆され、隣接するフォトダイオードを区画する境界位置で該遮光部材が一部欠損して設けられることを特徴とする請求項１３に記載の裏面照射型固体撮像素子の製造方法。
【請求項１５】
前記遮光部材は、前記裏面側から突出して形成されることを特徴とする請求項１１乃至請求項１４のいずれかに記載の裏面照射型固体撮像素子の製造方法。
【請求項１６】
前記裏面側の表面には絶縁膜と反射防止膜とが形成されることを特徴とする請求項１１乃至請求項１５のいずれかに記載の裏面照射型固体撮像素子の製造方法。
【請求項１７】
前記反射防止膜は前記遮光部材によって分断されることを特徴とする請求項１６に記載の裏面照射型固体撮像素子の製造方法。
【請求項１８】
前記遮光部材の前記裏面側先端部が先細に形成されることを特徴とする請求項１１乃至請求項１７のいずれかに記載の裏面照射型固体撮像素子の製造方法。
【請求項１９】
前記遮光部材に所定電圧を印加する周辺回路が前記半導体基板に形成されることを特徴とする請求項１１乃至請求項１８のいずれかに記載の裏面照射型固体撮像素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の裏面照射型固体撮像素子は、半導体基板と、該半導体基板の表面側に二次元アレイ状に形成され該半導体基板の裏面側から入射した光によって光電変換された信号電荷を蓄積する複数のフォトダイオードと、前記裏面側に形成され前記光電変換により前記信号電荷と対で発生する電荷を引き寄せる高濃度不純物層と、前記裏面側の前記半導体基板の前記高濃度不純物層に埋設され前記各フォトダイオードへの入射光を隣接する前記フォトダイオードから区画する遮光部材とを備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の裏面照射型固体撮像素子の製造方法は、表面側に複数のフォトダイオードが二次元アレイ状に形成され、裏面側から入射した光によって光電変換された信号電荷が前記フォトダイオードに蓄積される半導体基板の前記裏面側に、前記光電変換により前記信号電荷と対で発生する電荷を引き寄せる高濃度不純物層を形成し、該裏面のうち、前記各フォトダイオードへの入射光を隣接する前記フォトダイオードから区画する境界位置をエッチングにより削り、該境界位置の前記高濃度不純物層に遮光材料を埋設することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月19日(2010.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドキュメント処理動作を制御するコントローラと、
このコントローラの制御にしたがってドキュメント処理動作を実行し、このドキュメント処理動作の実行に伴ってデータ・ファイルを生成するドキュメント処理手段と、
前記コントローラとデータ通信を行い、転送されたデータを保存する補助的な不揮発性記憶手段を受け入れるインターフェイスと、
このインターフェイスに前記補助的な不揮発性記憶手段が存在すること検出する検出手段と、
この検出手段によって前記補助的な不揮発性記憶手段の存在を検出した後に、ドキュメント処理動作を開始する開始手段と、
この開始手段によって開始された前記ドキュメント処理動作の結果として生成されるデータ・ファイルを前記補助的な不揮発性記憶手段に転送する第１の転送手段と
を有することを特徴とするドキュメント処理システム。
【請求項２】
前記システムは、前記コントローラに関連付けられ、転送されたデータを保存するデータ記憶手段を、さらに、有し、
前記検出手段によって前記補助的な不揮発性記憶手段の存在が検出されない場合に、前記ドキュメント処理動作の実行に伴って生成される前記データ・ファイルを前記データ記憶手段に転送する第２の転送手段を、さらに、有することを特徴とする請求項１に記載のドキュメント処理システム。
【請求項３】
前記補助的な不揮発性記憶手段に保存されたデータ・ファイルの消去を選択的に実行する手段を、さらに、有することを特徴とする請求項１に記載のドキュメント処理システム。
【請求項４】
ドキュメント処理動作を制御するコントローラの制御にしたがってドキュメント処理動作を実行し、このドキュメント処理動作の実行に伴ってデータ・ファイルを生成するステップと、
前記コントローラとデータ通信を行い、転送されたデータを保存する補助的な不揮発性記憶装置を受け入れるステップと、
前記補助的な不揮発性記憶装置が存在することを検出するステップと、
前記補助的な不揮発性記憶装置の存在を検出した後に、ドキュメント処理動作を開始するステップと、
この開始ステップによって開始された前記ドキュメント処理動作の結果として生成されるデータ・ファイルを前記補助的な不揮発性記憶装置に転送するステップと
を含むことを特徴とするドキュメント処理方法。
【請求項５】
前記補助的な不揮発性記憶装置の存在が検出されない場合に、前記ドキュメント処理動作の実行に伴って生成される前記データ・ファイルを、前記コントローラに関連付けられ転送されたデータを保存する前記補助的な不揮発性記憶装置とは異なるデータ記憶装置に転送するステップを、さらに、含むことを特徴とする請求項４に記載のドキュメント処理方法。
【請求項６】
前記補助的な不揮発性記憶装置に保存されたデータ・ファイルの消去を選択的に実行するステップを、さらに、含むことを特徴とする請求項４に記載のドキュメント処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
ドキュメント処理動作は、例えば、画像走査、またはコピー、または印刷、または電子メールの送信、または光学的文字認識、またはファクシミリ通信の処理動作である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
補助的な不揮発性記憶手段は、例えば、フラッシュ・メモリ、または磁気記録媒体、または光学記録媒体、またはＩＣメモリカード、または着脱可能なディスク記憶装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月19日(2010.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ドキュメント・データを記憶する記憶部と、
前記電子ドキュメント・データに対応する単一の有形的なハードコピーのサンプルを出力するお試し印刷を選択するお試し印刷選択部と、
前記お試し印刷が選択された場合に、前記電子ドキュメント・データに対応する単一の有形的なハードコピーのサンプルを出力する画像形成部と、
前記画像形成部によって出力された前記サンプルを承認するか否かの情報が入力される入力部と、
前記入力部を介して承認しない旨の情報が入力された場合には、画像形成の継続を不可とし、前記入力部を介して承認する旨の情報が入力された場合には、前記電子ドキュメント・データに対応する有形的な出力を前記画像形成部に行なわせる制御部と
を有することを特徴とするドキュメント処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記入力部を介して承認しない旨の情報が入力され、電子ドキュメント・データの訂正を受付けた後、再度、前記お試し印刷選択部によるお試し印刷の選択を可能とすることを特徴とする請求項１に記載のドキュメント処理装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記入力部を介して承認しない旨の情報が入力された場合に、前記お試し印刷選択部によって選択されるお試し印刷の指示データの受け取りを無効にすることを特徴とする請求項１に記載のドキュメント処理装置。
【請求項４】
前記電子ドキュメント・データに対応する有形的な出力の生成に関連する料金データを表示する料金データ表示部を有することを特徴とする請求項１に記載のドキュメント処理装置。
【請求項５】
前記料金データ表示部に表示された前記料金データに対応するユーザからの支払いを受ける支払部を有し、
前記制御部は、支払い受付け後に、前記電子ドキュメント・データに対応する有形的な出力を前記画像形成部に行なわせることを特徴とする請求項４に記載のドキュメント処理装置。
【請求項６】
電子ドキュメント・データを記憶部から読み出すステップと、
前記電子ドキュメント・データに対応する単一の有形的なハードコピーのサンプルを出力するお試し印刷をお試し印刷選択部を介して選択するステップと、
前記お試し印刷が選択された場合に、前記電子ドキュメント・データに対応する単一の有形的なハードコピーのサンプルを画像形成部を介して出力するステップと、
前記画像形成部によって出力された前記サンプルを承認するか否かの情報を入力部を介して入力するステップと、
前記入力部を介して承認しない旨の情報が入力された場合には、画像形成の継続を不可とするステップと、
前記入力部を介して承認する旨の情報が入力された場合には、前記電子ドキュメント・データに対応する有形的な出力を前記画像形成部に行なわせるステップと
を有することを特徴とするドキュメント処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ドキュメント処理装置および方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ドキュメント処理装置および方法に関し、特に、お試し印刷機能を備えたドキュメント処理装置および方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、上記の従来の問題点に鑑みてなされたもので、適切なお試し印刷機能を備えたドキュメント処理装置および方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明によれば、お試し印刷機能を備えたドキュメント処理装置および方法が提供される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
以下、適宜、図面を参照しながら本発明による実施形態の説明を行う。図１に本発明による実施形態によるお試し印刷（print proofing）機能を備えたドキュメント処理装置および方法が適用されるシステム全体の構成例を示す。図に示したシステム１００は、コンピュータ・ネットワーク１０２として表されている分散コンピューティング環境を利用している。コンピュータ・ネットワーク１０２は、複数の電子装置間におけるデータの交換を可能とする本技術分野で知られている任意の分散通信システムである。コンピュータ・ネットワーク１０２は、例えば、仮想ローカル・エリア・ネットワーク、ワイド・エリア・ネットワーク、パーソナル・エリア・ネットワーク、ローカル・エリア・ネットワーク、インターネット、イントラネット、またはそれらの任意の組み合わせを含む本技術分野で知られている任意のコンピュータ・ネットワークである。本発明による一実施形態において、コンピュータ・ネットワーク１０２は、例えば、トークン・リング、IEEE802.11(x)、Ethernet（登録商標）またはその他の無線ベースまたは有線ベースのデータ通信メカニズム等の既存の多数のデータ転送メカニズムによって例示されるような物理レイヤおよびトランスポート・レイヤから構成される。図にはコンピュータ・ネットワーク１０２を示したが、本発明は、本技術分野で知られているスタンドアローンのシステムにも同様に適用される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、お試し印刷機能を備えたドキュメント処理装置および方法が提供される。また、本発明の１つの実施形態によれば、複数部数のハードコピーについての注文の処理に先行して、課金なしのユーザの校閲および承認のために単一のハードコピー出力を生成可能なドキュメント処理装置および方法が提供され、ユーザの利便性が大いに向上する。