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【手続補正書】
【提出日】平成21年12月4日(2009.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極を含む管状の周辺部、
前記第１電極と対向する第２電極、を含み、前記周辺部の内部に前記周辺部と同軸に配置された中心部、及び、
前記第１電極と前記第２電極との間に挟まれている発光部材を有する線状発光体を具備する有機発光ダイオード。
【請求項２】
前記線状発光体の断面が実質的に円形であり、その直径が200nm以下である請求項１に記載の有機発光ダイオード。
【請求項３】
前記線状発光体の中心部が棒状のコアを含み、前記第２電極が前記コアに配置されてなる請求項１又は２に記載の有機発光ダイオード。
【請求項４】
前記線状発光体の中心部が、中心軸に沿って延びる中空部、を含み、前記第２電極が前記中空部を囲んでなる請求項１から３のいずれか１つに記載の有機発光ダイオード。
【請求項５】
前記第１電極及び前記第２電極の少なくとも一つが光透過性物質を含む請求項１から４のいずれか１つに記載の有機発光ダイオード。
【請求項６】
前記線状発光体がナノサイズのワイヤーまたはチューブである請求項１から５のいずれか１つに記載の有機発光ダイオード。
【請求項７】
鋳型の孔の中に管状の第１電極を形成する段階、
前記第１電極の孔の中に管状の発光部材を形成する段階、及び、
前記発光部材の孔の中に第２電極を形成する段階を有する有機発光ダイオードの製造方法。
【請求項８】
前記第１電極、前記発光部材、及び前記第２電極の少なくとも一つを気相重合で形成する請求項７に記載の有機発光ダイオードの製造方法。
【請求項９】
基板、並びに、
前記基板の上に形成されている線状発光体であり、
第１電極を含む管状の周辺部、
前記第１電極と対向する第２電極、を含み、前記周辺部の内部に前記周辺部と同軸に配置された中心部、及び、
前記第１電極と前記第２電極との間に挟まれている発光部材を有する線状発光体を具備する有機発光表示装置。
【請求項１０】
基板、
前記基板の上に形成されている第１信号線、
前記第１信号線と交差する第２信号線、
前記第１信号線と前記第２信号線とに連結されている第１薄膜トランジスタ、
前記第１薄膜トランジスタに連結されている第２薄膜トランジスタ、並びに、
前記第２薄膜トランジスタに連結されている線状発光体であり、
前記第２薄膜トランジスタに連結されている第１電極、を含む管状の周辺部、
前記第１電極と対向する第２電極、を含み、前記周辺部の内部に前記周辺部と同軸に配置された中心部、及び、
前記第１電極と前記第２電極との間に挟まれている発光部材を有する線状発光体を有する有機発光表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月18日(2009.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第1深さで拡張された素子分離領域によって分離される、第１高電圧トランジスタウェル及び第１低電圧トランジスタウェルを基板内に形成し、
前記基板内に第１深さより浅い第２深さで第１導電型のドーパントを同時にイオン注入して、前記第１低電圧トランジスタウェル内のチャネル領域及び前記第１高電圧トランジスタウェル内のドレーン領域を形成する第１イオン注入工程を含むことを特徴とする基板上に高電圧及び低電圧トランジスタをともに形成する方法。
【請求項２】
前記第１イオン注入工程は、前記第１低電圧トランジスタウェル内のチャネル領域及び前記第１高電圧トランジスタウェル内のドレーン領域を形成するために一つのマスクを使うことを特徴とする請求項１に記載の基板上に高電圧及び低電圧トランジスタをともに形成する方法。
【請求項３】
前記基板内部に第１深さで拡張された素子分離領域によって分離される、第２高電圧トランジスタウェル及び第２低電圧トランジスタウェルを前記基板内に形成し、
前記基板内に前記第１深さより浅い第３深さで第２導電型ドーパントを同時に注入する第２イオン注入工程を使って、第２低電圧トランジスタウェル内のチャネル領域及び第２高電圧トランジスタウェル内のドレーン領域を形成することをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の基板上に高電圧及び低電圧トランジスタをともに形成する方法。
【請求項４】
前記第２イオン注入工程は、第2低電圧トランジスタウェル内のチャネル領域及び第２高電圧トランジスタウェル内のドレーン領域を形成するために一つのマスクを使うことを特徴とする請求項３に記載の基板上に高電圧及び低電圧トランジスタをともに形成する方法。
【請求項５】
第２及び第３深さは、実質的に同一であることを特徴とする請求項１に記載の基板上に高電圧及び低電圧トランジスタをともに形成する方法。
【請求項６】
STI技術を使って前記素子分離領域を形成することをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の基板上に高電圧及び低電圧トランジスタをともに形成する方法。
【請求項７】
第１深さに対する第２深さの比または第１深さに対する第３深さの比は、1/3から1/2の間であることを特徴とする請求項１に記載の基板上に高電圧及び低電圧トランジスタをともに形成する方法。
【請求項８】
前記第１及び第２高電圧トランジスタウェル内に第１厚さのゲート酸化膜を含む第１及び第２高電圧非対称トランジスタを各々形成し、
前記第１及び第２低電圧トランジスタウェル内に第２厚さのゲート酸化膜を含む第１及び第２低電圧トランジスタを各々形成することをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の基板上に高電圧及び低電圧トランジスタをともに形成する方法。
【請求項９】
前記第１厚さ及び第２厚さは、実質的に同一であることを特徴とする請求項８に記載の基板上に高電圧及び低電圧トランジスタをともに形成する方法。
【請求項１０】
第１及び第２非対称トランジスタは、相補的なペアであって、基板上に互いに隣接して形成されることを特徴とする請求項８に記載の基板上に高電圧及び低電圧トランジスタをともに形成する方法。
【請求項１１】
第１及び第２低電圧トランジスタは、相補的なペアであって、基板上に互いに隣接して形成されることを特徴とする請求項８に記載の基板上に高電圧及び低電圧トランジスタをともに形成する方法。
【請求項１２】
第１及び第２電圧非対称トランジスタの各ドレーン領域は、LDD 領域であることを特徴とする請求項８に記載の基板上に高電圧及び低電圧トランジスタをともに形成する方法。
【請求項１３】
第１及び第２ドーパントイオン注入工程のうち少なくとも一つは、ハロイオン注入工程であることを特徴とする請求項８に記載の基板上に高電圧及び低電圧トランジスタをともに形成する方法。
【請求項１４】
前記基板は、シリコン基板、SOI基板、ガリウム砒素基板、シリコンゲルマニウム基板及びセラミック基板のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１に記載の基板上に高電圧及び低電圧トランジスタをともに形成する方法。
【請求項１５】
前記第１深さは、約2500〜3000Åであることを特徴とする請求項１に記載の基板上に高電圧及び低電圧トランジスタをともに形成する方法。
【請求項１６】
前記第２及び第３深さの少なくとも一つは、900〜1100Åであることを特徴とする請求項１５に記載の基板上に高電圧及び低電圧トランジスタをともに形成する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月15日(2009.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに分離された第１活性領域、第２活性領域及び第３活性領域を備える半導体基板と、
前記活性領域の上部を横切る共通の浮遊ゲートと、
前記浮遊ゲートの両側の前記第３活性領域に形成されたソース／ドレイン領域と、
前記第１活性領域に接続する第１配線と、
前記第２活性領域に接続する第２配線と、
前記ソース／ドレイン領域のうち一つに接続する第３配線と、を備えることを特徴とするＥＥＰＲＯＭ。
【請求項２】
前記第１活性領域の半導体基板内に配置された第１ウェルと、
前記浮遊ゲートの両側の第１活性領域に形成された第１不純物領域と、をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のＥＥＰＲＯＭ。
【請求項３】
前記第１配線は、前記第１ウェル及び前記第１不純物領域に共通的に接続することを特徴とする請求項２に記載のＥＥＰＲＯＭ。
【請求項４】
前記第２活性領域の半導体基板内に配置された第２ウェルと、
前記浮遊ゲートの両側の第２活性領域に形成された第２不純物領域と、をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のＥＥＰＲＯＭ。
【請求項５】
前記第２配線は、前記第２ウェル及び前記第２不純物領域に共通的に接続することを特徴とする請求項４に記載のＥＥＰＲＯＭ。
【請求項６】
前記第１活性領域の半導体基板内に配置された第１ウェルと、
前記第２活性領域の半導体基板内に配置され、前記第１ウェルと同じ導電型を有する第２ウェルと、をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のＥＥＰＲＯＭ。
【請求項７】
前記半導体基板は、Ｐ型基板であり、前記第１ウェル及び前記第２ウェルは、Ｎ−ウェルであることを特徴とする請求項６に記載のＥＥＰＲＯＭ。
【請求項８】
前記第３活性領域の半導体基板内に配置され、前記ソース／ドレイン領域を取り囲む第３ウェルをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のＥＥＰＲＯＭ。
【請求項９】
前記ソース／ドレイン領域のうち残りの一つ及び前記第３ウェルに共通的に接続する第４配線をさらに備えることを特徴とする請求項８に記載のＥＥＰＲＯＭ。
【請求項１０】
前記半導体基板は、Ｐ型基板であり、前記第３ウェルは、Ｐ−ウェルであることを特徴とする請求項８に記載のＥＥＰＲＯＭ。
【請求項１１】
前記第３ウェルを取り囲む深いＮ−ウェルをさらに備えることを特徴とする請求項１０に記載のＥＥＰＲＯＭ。
【請求項１２】
前記浮遊ゲートと前記第１活性領域とが重畳する面積は、前記浮遊ゲートと前記第２活性領域とが重畳する面積及び前記浮遊ゲートと前記第３活性領域とが重畳する面積より大きいことを特徴とする請求項１に記載のＥＥＰＲＯＭ。
【請求項１３】
第１導電型を有する半導体基板と、
前記基板に互いに分離されて備えられた読み取り活性領域、制御活性領域及び消去活性領域と、
前記制御活性領域の基板内に配置された第２導電型を有する制御ウェルと、
前記消去活性領域の基板内に配置された第２導電型を有する消去ウェルと、
前記活性領域の上部を横切る共通の浮遊ゲートと、
前記浮遊ゲートの両側の前記読み取り活性領域に形成され、第２導電型を有するソース／ドレイン領域と、
前記浮遊ゲートの両側の前記制御活性領域に形成され、第１導電型を有する制御不純物領域と、
前記浮遊ゲートの両側の前記消去活性領域に形成され、第１導電型を有する消去不純物領域と、
前記制御ウェル及び前記制御不純物領域に共通的に接続するワードラインと、
前記消去ウェル及び前記消去不純物領域に共通的に接続する消去ラインと、を備えることを特徴とするＥＥＰＲＯＭ。
【請求項１４】
前記浮遊ゲートは、線形であることを特徴とする請求項１３に記載のＥＥＰＲＯＭ。
【請求項１５】
前記ソース／ドレイン領域のうち一つに接続するビットラインをさらに備えることを特徴とする請求項１３に記載のＥＥＰＲＯＭ。
【請求項１６】
前記読み取り活性領域の半導体基板内に配置されて前記ソース／ドレイン領域を取り囲み、第１導電型を有する読み取りウェルをさらに備え、
前記読み取りウェルの下部に配置されて前記読み取りウェルを取り囲み、第２導電型を有する深いウェルをさらに備えることを特徴とする請求項１３に記載のＥＥＰＲＯＭ。
【請求項１７】
前記ソース／ドレイン領域のうち一つ及び前記読み取りウェルに共通的に接続するソースラインをさらに備えることを特徴とする請求項１６に記載のＥＥＰＲＯＭ。
【請求項１８】
前記第１導電型は、Ｐ型であり、前記第２導電型は、Ｎ型であることを特徴とする請求項１３に記載のＥＥＰＲＯＭ。
【請求項１９】
ビットラインに連結されたドレイン領域、ソースラインに連結されたソース領域及び浮遊ゲートを備える読み取りトランジスタと、
一つの電極が前記浮遊ゲートを共有し、他の電極がワードラインに連結された制御ＭＯＳキャパシタと、
一つの電極が前記浮遊ゲートを共有し、他の電極が消去ラインに連結された消去ＭＯＳキャパシタと、を備えることを特徴とするＥＥＰＲＯＭ。
【請求項２０】
前記制御ＭＯＳキャパシタの他の電極は、半導体基板に備えられた制御活性領域であり、前記制御活性領域は、前記浮遊ゲートの両側の制御不純物領域及び前記浮遊ゲートの下部の制御ウェルを備え、
前記ワードラインは、前記制御ウェル及び前記制御不純物領域に共通的に接続することを特徴とする請求項１９に記載のＥＥＰＲＯＭ。
【請求項２１】
前記消去ＭＯＳキャパシタの他の電極は、半導体基板に備えられた消去活性領域であり、前記消去活性領域は、前記浮遊ゲートの両側の消去不純物領域及び前記浮遊ゲートの下部の消去ウェルを備え、
前記消去ラインは、前記消去ウェル及び前記消去不純物領域に共通的に接続することを特徴とする請求項１９に記載のＥＥＰＲＯＭ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月17日(2009.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板上に銅を含む金属物質で形成される金属膜と、
前記金属膜の下部面と接触して形成される第１非晶質カーボン膜とを有することを特徴とする金属配線。
【請求項２】
前記第１非晶質カーボン膜は、窒素イオンがドーピングされることを特徴とする請求項１に記載の金属配線。
【請求項３】
前記金属層の上部面と接触して形成される第２非晶質カーボン膜を更に有することを特徴とする請求項１に記載の金属配線。
【請求項４】
前記第２非晶質カーボン膜は、窒素イオンがドーピングされることを特徴とする請求項３に記載の金属配線。
【請求項５】
ベース基板上に第１非晶質カーボン膜を形成する段階と、
前記第１非晶質カーボン膜上に銅を含む金属物質で金属膜を形成する段階と、
前記金属膜をパターニングして金属パターンを形成する段階とを有することを特徴とする金属配線の製造方法。
【請求項６】
前記第１非晶質カーボン膜は、窒素イオンがドーピングされることを特徴とする請求項５に記載の金属配線の製造方法。
【請求項７】
前記金属膜をパターニングして金属パターンを形成する段階は、前記金属膜上に前記金属パターンに対応するフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記フォトレジストパターンを利用して前記金属膜をエッチングして前記金属パターンを形成する段階と、
前記金属パターン上に残留する前記フォトレジストパターンを除去する段階とを含み、
前記フォトレジストパターンを除去する段階において、エッチングされた金属膜によって露出した第１非晶質カーボン膜が同時に除去されることを特徴とする請求項５に記載の金属配線の製造方法。
【請求項８】
前記金属膜を形成する段階の後に、金属膜上に第２非晶質カーボン膜を形成する段階を更に有することを特徴とする請求項５に記載の金属配線の製造方法。
【請求項９】
前記第２非晶質カーボン膜は、窒素イオンがドーピングされることを特徴とする請求項８に記載の金属配線の製造方法。
【請求項１０】
前記金属膜をパターニングして金属パターンを形成する段階は、前記第２非晶質カーボン膜上に前記金属パターンに対応するフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記フォトレジストパターンを利用して前記第２非晶質カーボン膜及び金属膜をエッチングして金属パターンを形成する段階と、
前記金属パターン上に残留する前記フォトレジストパターンを除去する段階とを含み、
前記フォトレジストパターンを除去する段階において、エッチングされた金属膜によって露出した第１非晶質カーボン膜が同時に除去されることを特徴とする請求項８に記載の金属配線の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】金属配線及びその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、金属配線及びその製造方法に関し、より詳細には、配線不良を防止するための金属配線及びその製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の他の目的は、上記金属配線の製造方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
次に、本発明に係る金属配線及び製造方法を実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月2日(2010.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及び表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルム基板上に設けられた珪素を有する絶縁膜と、
前記珪素を有する絶縁膜上に設けられた不純物領域を有する半導体膜と、
前記不純物領域に接続された電極とを有する半導体装置であって、
前記フィルム基板と前記珪素を有する絶縁膜との間に点在する酸化タングステンを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
フィルム基板上に設けられた珪素を有する絶縁膜と、
前記珪素を有する絶縁膜上に設けられた不純物領域を有する半導体膜と、
前記不純物領域に接続された電極とを有する半導体装置であって、
前記フィルム基板と前記珪素を有する絶縁膜との間に点在する酸化タングステンと、接着剤とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記珪素を有する絶縁膜は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜及び酸化窒化シリコン膜のいずれかを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記半導体膜は非晶質珪素膜又は結晶性珪素膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記半導体膜の上方又は下方にゲート電極を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記酸化タングステンは、ＷＯ３であり、
前記ＷＯ３が、前記フィルム基板と前記珪素を有する絶縁膜との間に点在していることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記ＷＯ３の全体の２／３が、前記フィルム基板と前記珪素を有する絶縁膜との間に点在していることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記酸化タングステンは、ＷＯ３及びＷＯＸ（２＜Ｘ＜３）であり、
前記ＷＯ３及びＷＯＸ（２＜Ｘ＜３）が、前記フィルム基板と前記珪素を有する絶縁膜との間に点在していることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記ＷＯ３の全体の８４％及び前記ＷＯＸ（２＜Ｘ＜３）の全体の１６％が、前記フィルム基板と前記珪素を有する絶縁膜との間に点在していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
フィルム基板上に設けられた珪素を有する絶縁膜と、
前記珪素を有する絶縁膜上に設けられた不純物領域を有する半導体膜と、
前記不純物領域に接続された電極と、
前記電極上に設けられた発光層と、を有する表示装置であって、
前記フィルム基板と前記珪素を有する絶縁膜との間に点在する酸化タングステンを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
フィルム基板上に設けられた珪素を有する絶縁膜と、
前記珪素を有する絶縁膜上に設けられた不純物領域を有する半導体膜と、
前記不純物領域に接続された電極と、
前記電極上に設けられた発光層と、を有する表示装置であって、
前記フィルム基板と前記珪素を有する絶縁膜との間に点在する酸化タングステンと、接着剤とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
フィルム基板上に設けられた珪素を有する絶縁膜と、
前記珪素を有する絶縁膜上に設けられた不純物領域を有する半導体膜と、
前記不純物領域に接続された電極と、
前記電極上に設けられた発光層と、
前記発光層上に設けられたＵＶ防止膜と、を有する表示装置であって、
前記フィルム基板と前記珪素を有する絶縁膜との間に点在する酸化タングステンを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
フィルム基板上に設けられた珪素を有する絶縁膜と、
前記珪素を有する絶縁膜上に設けられた不純物領域を有する半導体膜と、
前記不純物領域に接続された電極と、
前記電極上に設けられた発光層と、
前記発光層上に設けられたＵＶ防止膜と、を有する表示装置であって、
前記フィルム基板と前記珪素を有する絶縁膜との間に点在する酸化タングステンと、接着剤とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
請求項１２又は１３のいずれか一において、
前記ＵＶ防止膜上に設けられた応力緩和材を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１５】
フィルム基板上に設けられた珪素を有する絶縁膜と、
前記珪素を有する絶縁膜上に設けられた不純物領域を有する半導体膜と、
前記不純物領域に接続された電極と、
前記電極上に設けられた液晶と、を有する表示装置であって、
前記フィルム基板と前記珪素を有する絶縁膜との間に点在する酸化タングステンを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１６】
フィルム基板上に設けられた珪素を有する絶縁膜と、
前記珪素を有する絶縁膜上に設けられた不純物領域を有する半導体膜と、
前記不純物領域に接続された電極と、
前記電極上に設けられた液晶と、を有する表示装置であって、
前記フィルム基板と前記珪素を有する絶縁膜との間に点在する酸化タングステンと、接着剤とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１７】
請求項１０乃至１６のいずれか一において、
前記酸化タングステンは、ＷＯ３であり、
前記ＷＯ３が、前記フィルム基板と前記珪素を有する絶縁膜との間に点在していることを特徴とする表示装置。
【請求項１８】
請求項１７において、
前記ＷＯ３の全体の２／３が、前記フィルム基板と前記珪素を有する絶縁膜との間に点在していることを特徴とする表示装置。
【請求項１９】
請求項１０乃至１６のいずれか一において、
前記酸化タングステンは、ＷＯ３及びＷＯＸ（２＜Ｘ＜３）であり、
前記ＷＯ３及びＷＯＸ（２＜Ｘ＜３）が、前記フィルム基板と前記珪素を有する絶縁膜との間に点在していることを特徴とする表示装置。
【請求項２０】
請求項１９において、
前記ＷＯ３の全体の８４％及び前記ＷＯＸ（２＜Ｘ＜３）の全体の１６％が、前記フィルム基板と前記珪素を有する絶縁膜との間に点在していることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月13日(2009.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
噴霧流体を、研磨剤スラリーの入口オリフィスを有する噴霧ヘッドに通して流し；
研磨剤スラリーを研磨剤スラリー容器から該研磨剤スラリー入口オリフィスを通して抜き出し、そして、該噴霧流体を該噴霧ヘッドに通して流すことにより生ずる負圧により、該噴霧ヘッドへと抜き出し；そして、
噴霧化した研磨剤スラリーを、半導体エッチング室の内部表面に施したか、又はエッチング室の構成部品上に形成した誘電体被覆上に向けて、該誘電体被覆の表面から、該誘電体被覆を実質的に損傷したり、劣化したりすることなく、堆積物を除去することを含み、その際、該噴霧ヘッドから出る該噴霧化した研磨剤スラリーが、スラリーの小滴から構成され、０.０１ｇｍ／ｃｃ〜０.２０ｇｍ／ｃｃの密度を有する、方法。
【請求項２】
研磨剤スラリーが、二酸化ケイ素、酸化カルシウム、軽石、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、およびこれらの組合せから選択される研磨剤粒子を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
噴霧ヘッドを出る噴霧化研磨剤スラリーの圧力を制御する工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
圧力を制御することが、圧力を約２５〜約１５０ｐｓｉｇの範囲の圧力に制御することを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
噴霧ヘッドを出る噴霧化研磨剤スラリーの運動量を制御することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
噴霧化研磨剤スラリーの運動量を約１００,０００ｇｍ−ｃｍ／秒〜約３００,０００ｇｍ−ｃｍ／秒の範囲の運動量に制御することを更に含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
研磨剤スラリーが、少なくとも９のモース硬さを有する研磨剤粒子を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
誘電体被覆が、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2、およびＹ2Ｏ3からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
誘電体被覆が、Ｙ2Ｏ3を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
誘電体被覆が、プラズマ噴射した被覆である、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
研磨剤スラリーを、混合装置を利用する研磨剤スラリー容器において良好に分散した状態に維持することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月26日(2010.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して下部電極と、発光層と、上部電極と、保護層とがこの順に設けられた発光素子において、
前記保護層は真空成膜法によって形成され、前記保護層の表面は凹凸を有しており、
前記保護層の前記基板と反対側には、接着剤を介して円偏光部材が設けられており、
前記接着剤は１μｍ以上の厚みを有することを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記上部電極は光取り出し側電極であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記保護層はケイ素と窒素とから少なくとも構成されることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項４】
前記円偏光部材より光取り出し側に更に保護部材を有することを特徴とする請求項２に記載の発光素子。
【請求項５】
前記接着剤の厚さは５μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一項に記載の前記発光素子を表示部に有するディスプレイ。
【請求項７】
請求項１乃至５の何れか一項に記載の前記発光素子と撮像部を有する撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
よって本発明は、
基板に対して下部電極と、発光層と、上部電極と、保護層とがこの順に設けられた発光素子において、
前記保護層は真空成膜法によって形成され、前記保護層の表面は凹凸を有しており、
前記保護層の前記基板と反対側には、接着剤を介して円偏光部材が設けられており、
前記接着剤は１μｍ以上の厚みを有することを特徴とする発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月23日(2010.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録材に画像を形成するための画像形成手段と、記録材を前記画像形成手段に搬送する第１搬送手段と、前記第１搬送手段と前記画像形成手段との間に配置され、前記第１搬送手段によって搬送された記録材を前記画像形成手段に搬送する第２搬送手段と、前記第１搬送手段と前記第２搬送手段とにより搬送された記録材に前記画像形成手段によって画像を転写するために記録材を担持して搬送する記録材搬送手段とを有する画像形成装置において、
前記記録材の後端が前記第１搬送手段を通過した後に、前記第２搬送手段と前記記録材搬送手段による記録材の搬送速度を、記録材の後端が前記第１搬送手段を通過する前の搬送速度よりも速い速度に切り換える制御する搬送制御手段
を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記第１搬送手段と前記第２搬送手段との間に搬送される記録材を検知するセンサをさらに備え、前記搬送制御手段は、前記センサによって前記記録材を検知したタイミングに基づいて前記記録材の後端が前記第１搬送手段を通過するタイミングを判定し、判定したタイミングから前記第２搬送手段と前記記録材搬送手段による記録材の搬送速度を前記速い速度に切り換えることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記搬送制御手段は、前記判定したタイミングから一定期間、前記第２搬送手段と前記記録材搬送手段による記録材の搬送速度を前記速い速度に切り換えて、その後、記録材の搬送速度を記録材の後端が前記第１搬送手段を通過する前の搬送速度に戻すことを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記センサにより記録材の先端と後端とを検出することにより、記録材の搬送速度を算出する算出手段をさらに備え、
前記搬送制御手段は、前記算出された搬送速度に基づいて前記第１搬送手段及び前記第２搬送手段による記録材の搬送速度を補正することを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
このような目的を達成するため、本願発明の画像形成装置は、記録材に画像を形成するための画像形成手段と、記録材を画像形成手段に搬送する第１搬送手段と、第１搬送手段と画像形成手段との間に配置され、第１搬送手段によって搬送された記録材を画像形成手段に搬送する第２搬送手段と、第１搬送手段と第２搬送手段とにより搬送された記録材に画像形成手段によって画像を転写するために記録材を担持して搬送する記録材搬送手段とを有する画像形成装置において、記録材の後端が第１搬送手段を通過した後に、第２搬送手段と記録材搬送手段による記録材の搬送速度を、記録材の後端が第１搬送手段を通過する前の搬送速度よりも速い速度に切り換える制御する搬送制御手段を備えたことを特徴とする。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年7月2日(2010.7.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性担持テープ（２０）と、体液中の分析物を検出するために前記担持テープ（２０）上に離間して配置され、体液中の分析物を検出するための複数の検査領域（１４）と、を有する体液を分析するための検査テープにおいて、
前記担持テープ（２０）がさらに、前記担持テープ（２０）の送り中にその位置を非接触で検出または記録するための標識領域（１２）を備え、それぞれの標識領域が、前記担持テープ（２０）の長さ方向において連続した前記検査領域（１４）間のテープ部に延在し、前記担持テープ（２０）によって移動距離を検出するために距離スケールを形成することを特徴とする体液を分析するための検査テープ。
【請求項２】
前記テープ部の前記検査領域（１４）を含む部分には標識領域が設けられていないことを特徴とする請求項１記載の検査テープ。
【請求項３】
前記標識領域（１２）が、変化量の距離スケールを形成することを特徴とする請求項１または２記載の検査テープ。
【請求項４】
テープ送りを位置制御することによって、前記検査領域（１４）を使用位置に継続して配置することができることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の検査テープ。
【請求項５】
前記標識領域（１２）が、交互に配置された明るい部分と暗い部分を有するラスター帯片（２２）によって形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の検査テープ。
【請求項６】
前記標識領域（１２）が、テープの長さ方向に互いに変位して配置された二条の平行ラスター帯片（２２）を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の検査テープ。
【請求項７】
前記標識領域（１２）が、絶対値によってコード化された距離スケールを形成することを特徴とする請求項１または２記載の検査テープ。
【請求項８】
未使用検査テープの供給部（４６）と使用済み検査テープの廃棄部（４８）とを有する請求項１〜７のいずれか１項に記載の検査テープを格納するためのテープ・カセット（４４）。
【請求項９】
体液中の分析物を検出するための検査領域（１４）が設けられた検査テープ（１０）、前記検査領域（１４）を配置するためのテープ送り装置（１６）、およびテープ送り中にテープ位置を非接触で検出または記録するために前記検査テープ（１０）の上に設けられた標識領域（１２）を含む位置検出装置（１８）を有する分析装置であって、それぞれの標識領域が、前記担持テープ（２０）の長さ方向において連続した前記検査領域（１４）間のテープ部に延在し、前記担持テープ（２０）によって移動距離を検出するために距離スケールを形成することを特徴とする分析装置。
【請求項１０】
前記位置検出装置（１８）が、テープ送り中の送りの方向と送り距離を、前記検査テープ（１０）上で直接検出することを特徴とする請求項９記載の分析装置。
【請求項１１】
前記位置検出装置（１８）が、前記検査領域（１４）を走査する計測ユニット（５２）からテープ沿いに予め決められた距離だけ離間して配置されていることを特徴とする請求項９または１０記載の分析装置。
【請求項１２】
前記位置検出装置（１８）が、テープ送り中に前記標識領域（１２）を非接触走査するために、前記検査テープ（１０）の横に配置されたセンサ手段（３０）を有することを特徴とする請求項９〜１１のいずれか１項に記載の分析装置。
【請求項１３】
前記テープ送り装置（１６）が、前記位置検出装置（１８）に接続されて、前記検査テープ（１０）を所要の位置に送るための駆動制御装置（３２，３４）を有することを特徴とする請求項９〜１２のいずれか1項に記載の分析装置。
【請求項１４】
前記テープ送り装置（１６）が、前記位置検出装置（１８）の出力信号に応じて、テープ送り方向とは逆の方向に動作することができる駆動装置（３６）を有することを特徴とする請求項９〜１３のいずれか１項に記載の分析装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月5日(2010.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鋼板、非鉄金属板、樹脂板、あるいはフィルム状からなる被洗浄面に付着した水分、油分、あるいは薬品成分等の液体を除去、搾取、洗浄する為のロールにおいて、前記ロールはロール部及び台座を有し、前記ロール部は前記台座の外壁面に形成されてあると共に、ロール片を有し、前記台座は外壁面に前記ロール部が形成され、内筒と外筒とを備える本体部、及び前記本体部の両端に連接される継ぎ手部Ａ、及び継ぎ手部Ｂを有し、前記継ぎ手部Ａから前記継ぎ手部Ｂの方向に流体が貫通するよう中空部が形成されてあり、前記中空部には開口面積が最小となる絞り開口部が形成されてあると共に、前記継ぎ手部Ａ側から前記絞り開口部に向かうほど開口面積が大から小に変化し、前記絞り開口部から前記継ぎ手部Ｂ側に向かうほど開口面積が小から大に変化し、前記本体部の外筒の外壁面に複数の小孔が形成されてあると共に、前記小孔に連通し、連通路を介して大孔が前記本体部の内筒の内壁面に複数設けられ、前記大孔は前記絞り開口部の下流側の近傍に形成されてあることを特徴とするロール。
【請求項２】
請求項１記載の構成よりなるロールにおいて、絞り開口部は本体部の長手方向の略中央部より下流側に形成されてあることを特徴とするロール。
【請求項３】
請求項１又は２記載の構成よりなるロールにおいて、小孔は本体部の長手方向の外筒の外壁面に複数箇所設けられると共に、内筒の内壁面に設けられた大孔に連通するよう分枝状に連通路が形成されてあることを特徴とするロール。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の構成よりなるロールにおいて、本体部の継ぎ手部Ｂ側の端部外方に、中空部における最大開口面積以上の面積を有する流通路が形成されてあることを特徴とするロール。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の構成よりなるロールにおいて、複数の小孔の開口面積は、前記小孔から大孔に連通する連通路の長さが大になるほど大きくなることを特徴とするロール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前記従来の課題を解決する為に、請求項１の発明のロールは、鋼板、非鉄金属板、樹脂板、あるいはフィルム状からなる被洗浄面に付着した水分、油分、あるいは薬品成分等の液体を除去、搾取、洗浄する為のロールにおいて、前記ロールはロール部及び台座を有し、前記ロール部は前記台座の外壁面に形成されてあると共に、ロール片を有し、前記台座は外壁面に前記ロール部が形成され、内筒と外筒とを備える本体部、及び前記本体部の両端に連接される継ぎ手部Ａ、及び継ぎ手部Ｂを有し、前記継ぎ手部Ａから前記継ぎ手部Ｂの方向に流体が貫通するよう中空部が形成されてあり、前記中空部には開口面積が最小となる絞り開口部が形成されてあると共に、前記継ぎ手部Ａ側から前記絞り開口部に向かうほど開口面積が大から小に変化し、前記絞り開口部から前記継ぎ手部Ｂ側に向かうほど開口面積が小から大に変化し、前記本体部の外筒の外壁面に複数の小孔が形成されてあると共に、前記小孔に連通し、連通路を介して大孔が前記本体部の内筒の内壁面に複数設けられ、前記大孔は前記絞り開口部の下流側の近傍に形成されてあることを特徴とするもので、台座の継ぎ手部Ａ側から継ぎ手部Ｂ側に向け、流体を噴射すると、流体は絞り開口部の通過直後において、運動エネルギーが最も上昇する。その結果、大孔近傍の中空部の圧力エネルギーは最も低下するので、大孔近傍の中空部に負圧が発生し、ロールにおける圧力構成は、ロール部に比べて、大孔近傍の中空部の方が低くなる。ところで、物質は圧力の高い方から低い方へ移動することから、ロール部に吸収された液体は、ロール部から小孔、連通路、大孔を介して中空部に排出されることになり、流体と共に、台座の継ぎ手部Ｂ側からロールの外部に放出される。その為、ロール部は液体により吸液飽和状態になることが抑制されるので、ロールは長期間に亘って被洗浄面に付着した液体を迅速、且つ確実に除去、搾取、洗浄することが可能となる。なお、ロール部を構成するロール片は、人工皮革、不織布等の基材からなり、前記基材の有する繊維の毛細管現象により、ロール部に液体が吸収される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項３の発明のロールは、特に、請求項１又は２の発明のロールにおいて、小孔は本体部の長手方向の外筒の外壁面に複数箇所設けられると共に、内筒の内壁面に設けられた大孔に連通するよう分枝状に連通路が形成されてあるもので、ロール部に吸収された液体は、本体部の外壁面の複数箇所に開設された小孔、分枝状に形成された連通路、本体部の内壁面に開設された大孔を介して、中空部に排出される。その為、ロール部に吸収された液体は、ロール部から万遍なく中空部に排出されることから、液体の排出除去機能が大幅に向上する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項４の発明のロールは、特に、請求項１から３のいずれかの発明のロールにおいて、本体部の継ぎ手部Ｂ側の端部外方に、中空部における最大開口面積以上の面積を有する流通路が形成されてあるもので、本体部の継ぎ手部Ｂ側の端部外方における流体の圧力エネルギーは、中空部における圧力エネルギー以下になることが無い。その為、継ぎ手部Ｂ側の端部外方からロールの外部に放出される流体、及び液体は、中空部に引き寄せられることが無いので、流体、及び液体が中空部に逆流することが防止される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項５の発明のロールは、特に、請求項１から４のいずれかの発明のロールにおいて、複数の小孔の開口面積は、前記小孔から大孔に連通する連通路の長さが大になるほど大きくなることを特徴とするもので、小孔の開口面積が略同一の場合においては、大孔から離れた小孔近傍の圧力エネルギーは、大孔の近くに形成された小孔近傍の圧力エネルギーに比べて高くなる。しかしながら、圧力エネルギーが高くなる小孔近傍における小孔の開口面積を、圧力エネルギーの小さい小孔近傍における小孔の開口面積より大きく設定することにより、大孔から離れた小孔から液体が中空部へ排出される量と、大孔の近くの小孔から液体が中空部へ排出される量を略同一にすることができる為、大孔から離れたロール部に吸収された液体も積極的、且つ効果的に中空部に排出することができる。その為、ロール部に吸収された液体の排出除去機能が飛躍的に向上する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月28日(2010.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によれば、一方の天板の長手側木口と他方の天板の短手側木口とを突き合わせた状態で連結するときに、連結部材の切欠きの第二辺に平行な端面を第二の収納ユニットの天板の端部に固定された縦板の長手側木口に当接させるとともに、連結部材の垂直片の第二辺側の端面を第二の収納ユニットの天板の長手側木口に当接させることで、連結部材を第二の収納ユニットの天板に対して容易に位置決めすることができ、この位置を保持しつつ連結部材を第二の収納ユニットに対して木ねじなどの固定具で固定することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
（ａ）まず、図１および図２に示すように、連結金具１０の切欠き１３の第二辺１１ｂに平行な端面１３ａを側板２ａの長手側木口２ａＬに当接させ、且つ、垂直片１４の第二辺１１ｂ側の端面１４ａをメイン収納ユニットＡの天板１ａの長手側木口１ａＬに当接させる。さらに、切欠き１３の第三辺１１ｃに平行な端面１３ｂを側板２ａの内面に押し付ける。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2009041663.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月13日(2010.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
ウエーブベアリングがロック状態になると、ウエーブベアリングは剛性カム板と一体回転する。高速回転時には、ウエーブベアリングの外輪と可撓性外歯歯車の間には十分な潤滑油膜が形成されているので、ウエーブベアリングは剛性カム板と一体にスムーズに回転することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図１は本実施の形態に係る波動歯車装置の縦断面図であり、図２は波動歯車装置の噛み合い状態を示す模式図である。波動歯車装置１は、剛性内歯歯車２と、この内側に配置されているカップ型の可撓性外歯歯車３と、この内側に嵌め込まれている楕円形輪郭の波動発生器４を有している。円形の可撓性外歯歯車３における外歯３ａが形成されている部分は、波動発生器４によって楕円形に撓められている。外歯３ａにおける楕円形の長軸Ｌｍａｘ方向の両端部分が、円形の剛性内歯歯車２の内歯２ａに噛み合っている。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月2日(2010.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本発明の第一基布と第二基布は経二重織りで織成された製織布が好ましく使用される。又本発明の基布の目付け量は、第一の基布が３００〜７００g/ｍ２、好ましくは４５０〜６５０g/ｍ２、第二の基布が１００〜５００g/ｍ２、好ましくは２００〜４００g/ｍ２の範囲の製織布を使用することが出来る。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
＜マーク性＞
図６の装置を用い、マークテストにより評価する。試験方法は、フェルト、カーボン紙、紙、バットを重ね合わせ、ロールにてプレス（加圧：３０ｋｇ／ｃｍ）する。バットは１００ｇｓｍ単位で追加される。目視評価で紙に転写された基布マークが確認されないバット重量の１０００分の1の値をマーク指数とする。マーク指数が小さいほどマーク性は良い。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
＜脱毛量＞
図７の装置を用い、ＪＩＳII磨耗試験により評価する。試験条件は、摺動回数３０回／分で400回後の磨耗繊維量を電子天秤にて測定。摺動距離１００mm、磨耗端子面２０×２０ｍｍ、磨耗端子加重５００ｇ、サンドペーパー３２０メッシュを使用する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月6日(2010.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スルホン酸基及び／又はカルボキシル基を有する化合物、該化合物の金属塩、該化合物のアンモニウム塩、並びに該化合物の置換アンモニウム塩から選ばれる少なくとも１種の化合物（Ｂ）を含有する液に、含窒素官能基を有する基材（Ａ）を浸漬した後、
該基材（Ａ）を酸化剤（Ｃ）により酸化処理する、導電体の製造方法。
【請求項２】
スルホン酸基及び／又はカルボキシル基を有する化合物が、下記式（１）〜（３）のいずれかで表される請求項１記載の製造方法。
【化１】
2009041154.tif 000001
式（１）中、Ｘは窒素原子、硫黄原子、Ｒ１〜Ｒ２は、各々独立に、Ｈ、−ＳＯ３−、−ＳＯ３Ｈ、−Ｒ１１ＳＯ３−、−Ｒ１１ＳＯ３Ｈ、−ＯＣＨ３、−ＣＨ３、−Ｃ２Ｈ５、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、−Ｎ（Ｒ１２）２、−ＮＨＣＯＲ１２、−ＯＨ、−Ｏ−、−ＳＲ１２、−ＯＲ１２、−ＯＣＯＲ１２、−ＮＯ２、−ＣＯＯＨ、−Ｒ１１ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲ１２、−ＣＯＲ１２、−ＣＨＯ、又は−ＣＮである。ここで、Ｒ１１は、炭素数１〜２４のアルキレン基、炭素数１〜２４のアリーレン、又は炭素数１〜２４のアラルキレン基であり、Ｒ１２は、炭素数１〜２４のアルキル基、炭素数１〜２４のアリール基、又は炭素数１〜２４のアラルキル基であり、Ｒ１、Ｒ２のうち少なくとも一つが、−ＳＯ３−、−ＳＯ３Ｈ、−Ｒ１１ＳＯ３−、−Ｒ１１ＳＯ３Ｈ、−ＣＯＯＨ、又は−Ｒ１１ＣＯＯＨである。
【化２】
2009041154.tif 000002
式（２）中、Ｘは窒素原子、硫黄原子、Ｒ３〜Ｒ６は、各々独立に、Ｈ、−ＳＯ３−、−ＳＯ３Ｈ、−Ｒ１１ＳＯ３−、−Ｒ１１ＳＯ３Ｈ、−ＯＣＨ３、−ＣＨ３、−Ｃ２Ｈ５、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、−Ｎ（Ｒ１２）２、−ＮＨＣＯＲ１２、−ＯＨ、−Ｏ−、−ＳＲ１２、−ＯＲ１２、−ＯＣＯＲ１２、−ＮＯ２、−ＣＯＯＨ、−Ｒ１１ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲ１２、−ＣＯＲ１２、−ＣＨＯ、又は−ＣＮである。ここで、Ｒ１１は、炭素数１〜２４のアルキレン基、炭素数１〜２４のアリーレン、又は炭素数１〜２４のアラルキレン基であり、Ｒ１２は、炭素数１〜２４のアルキル基、炭素数１〜２４のアリール基、又は炭素数１〜２４のアラルキル基であり、Ｒ３〜Ｒ６のうち少なくとも一つが、−ＳＯ３−、−ＳＯ３Ｈ、−Ｒ１１ＳＯ３−、−Ｒ１１ＳＯ３Ｈ、−ＣＯＯＨ、又は−Ｒ１１ＣＯＯＨである。
【化３】
2009041154.tif 000003
式（３）中、Ｒ７〜Ｒ１０は、各々独立に、Ｈ、−ＳＯ３−、−ＳＯ３Ｈ、−Ｒ１１ＳＯ３−、−Ｒ１１ＳＯ３Ｈ、−ＯＣＨ３、−ＣＨ３、−Ｃ２Ｈ５、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、−Ｎ（Ｒ１２）２、−ＮＨＣＯＲ１２、−ＯＨ、−Ｏ−、−ＳＲ１２、−ＯＲ１２、−ＯＣＯＲ１２、−ＮＯ２、−ＣＯＯＨ、−Ｒ１１ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲ１２、−ＣＯＲ１２、−ＣＨＯ、又は−ＣＮである。ここで、Ｒ１１は、炭素数１〜２４のアルキレン基、炭素数１〜２４のアリーレン、又は炭素数１〜２４のアラルキレン基であり、Ｒ１２は、炭素数１〜２４のアルキル基、炭素数１〜２４のアリール基、又は炭素数１〜２４のアラルキル基であり、Ｒ３〜Ｒ６のうち少なくとも一つが、−ＳＯ３−、−ＳＯ３Ｈ、−Ｒ１１ＳＯ３−、−Ｒ１１ＳＯ３Ｈ、−ＣＯＯＨ、又は−Ｒ１１ＣＯＯＨである。
【請求項３】
含窒素官能基を有する基材（Ａ）が、ウール繊維、ナイロン繊維またはポリイミド繊維である請求項１または２記載の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】導電体の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の導電体の製造方法は、スルホン酸基及び／又はカルボキシル基を有する化合物、該化合物の金属塩、該化合物のアンモニウム塩、並びに該化合物の置換アンモニウム塩から選ばれる少なくとも１種の化合物（Ｂ）を含有する液に、含窒素官能基を有する基材（Ａ）を浸漬した後、該基材（Ａ）を、酸化剤（Ｃ）により酸化処理することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月21日(2010.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃焼ガス中の水分量が５容量％以下となる燃料（Ａ）を燃焼させた火炎外に、炭素源（Ｂ）を供給し、触媒（Ｃ）の存在下４００〜１５００℃の温度範囲の雰囲気で反応させる工程を含む、炭素繊維の製造方法。
【請求項２】
燃料（Ａ）を燃焼させた火炎を熱源として、かつ燃焼ガスをキャリアガスとして利用して、燃焼ガス中の水分量が５容量％以下となる燃料（Ａ）を燃焼させた火炎外で、炭素源（Ｂ）と触媒（Ｃ）を４００〜１５００℃の温度範囲で接触させる工程を含む、炭素繊維の製造方法。
【請求項３】
燃料（Ａ）は、水素原子と炭素原子とのモル比Ｈ／Ｃが１．０未満である請求項１または２に記載の炭素繊維の製造方法。
【請求項４】
さらに、火炎外に水素を供給する工程を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の炭素繊維の製造方法。
【請求項５】
さらに、火炎外に不活性ガスを供給する工程を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の炭素繊維の製造方法。
【請求項６】
さらに、火炎外に硫黄または硫黄化合物（Ｆ）を供給する工程を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の炭素繊維の製造方法。
【請求項７】
さらに、燃焼ガスを焼却処理する工程を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の炭素繊維の製造方法。
【請求項８】
連続式製造法である請求項１〜７のいずれか１項に記載の炭素繊維の製造方法。
【請求項９】
バッチ式製造法である請求項１〜７のいずれか１項に記載の炭素繊維の製造方法。
【請求項１０】
流動層で反応させる請求項１〜７のいずれか１項に記載の炭素繊維の製造方法。
【請求項１１】
気流層で反応させる請求項１〜７のいずれか１項に記載の炭素繊維の製造方法。
【請求項１２】
さらに流動助剤を使用する請求項１０または１１に記載の炭素繊維の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月3日(2010.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
また、手芸用クリップＡ１にはロック手段Ｌが設けられている。このため、トップ布Ｃ１のひだを寄せた部分は、クリップ片１２，２２によって挟まれた状態が維持される。したがって、手芸用クリップＡ１がトップ布Ｃ１から不用意に脱落するといった不都合は回避される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
手芸用クリップＡ１において、クリップ片１２，２２には複数ずつの突起１２４，１２５，２２２が設けられている。このため、クリップ片１２，２２と当該クリップ片１２，２２に挟まれたベース布Ｃ１とは、相対的に位置ずれが起こり難くなっている。したがって、かかる構成は、トップ布Ｃ１からの手芸用クリップＡ１の脱落を防止するのにより一層寄与する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月10日(2010.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
掘削ロッドの先端部に対し拡径可能に支持されると共に拡大掘削用刃物が取り付けられた拡大翼を備えた基礎杭施工用の掘削治具を使用し、上記拡大翼を拡径させて掘削することで掘削穴の途中若しくは下部に根固め球根部を築造する基礎杭施工において、築造された根固め球根部の形状を確認するための、基礎杭施工における根固め球根部の形状確認システムであって、
前記掘削治具に取り付けられて、前記拡大翼の拡径・縮径状態の経時的変化を計測し、その計測結果を記憶する拡大翼変化計測記憶手段と、
地上に設置されて、前記拡大翼が位置する深度の経時的変化を計測し、その計測結果を記憶する拡大翼深度計測記憶手段と、
前記掘削治具が地上に引き上げられた際に、前記拡大翼変化計測記憶手段に記憶されている計測結果を取り出す拡大翼変化計測結果取得手段と、
前記拡大翼深度計測記憶手段によって計測された拡大翼の深度の経時的変化と、前記拡大翼変化計測結果取得手段によって取り出された拡大翼の拡径・縮径状態の経時的変化とを統合し、それによって得られる深度と掘削径の関係に基づいて、根固め球根部の形状を検知する根固め球根部形状検知手段と
を備えていることを特徴とする基礎杭施工における根固め球根部の形状確認システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
［１］掘削ロッドの先端部に対し拡径可能に支持されると共に拡大掘削用刃物が取り付けられた拡大翼を備えた基礎杭施工用の掘削治具を使用し、上記拡大翼を拡径させて掘削することで掘削穴の途中若しくは下部に根固め球根部を築造する基礎杭施工において、築造された根固め球根部の形状を確認するための、基礎杭施工における根固め球根部の形状確認システムであって、
前記掘削治具に取り付けられて、前記拡大翼の拡径・縮径状態の経時的変化を計測し、その計測結果を記憶する拡大翼変化計測記憶手段と、
地上に設置されて、前記拡大翼が位置する深度の経時的変化を計測し、その計測結果を記憶する拡大翼深度計測記憶手段と、
前記掘削治具が地上に引き上げられた際に、前記拡大翼変化計測記憶手段に記憶されている計測結果を取り出す拡大翼変化計測結果取得手段と、
前記拡大翼深度計測記憶手段によって計測された拡大翼の深度の経時的変化と、前記拡大翼変化計測結果取得手段によって取り出された拡大翼の拡径・縮径状態の経時的変化とを統合し、それによって得られる深度と掘削径の関係に基づいて、根固め球根部の形状を検知する根固め球根部形状検知手段と
を備えていることを特徴とする基礎杭施工における根固め球根部の形状確認システム。