【手続補正書】
【提出日】平成22年7月12日(2010.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の裏面側から光を照射し、前記光に応じて前記半導体基板内で発生した電荷を、前記半導体基板の表面側から読み出して撮像を行う裏面照射型撮像素子であって、
前記半導体基板の裏面上に形成されたパッド部と、
前記半導体基板内に形成され、前記半導体基板の表面上に形成された配線部と前記パッド部とを電気的に接続するための複数のコンタクト配線部と、
前記半導体基板内に形成され、前記半導体基板の表面側の構成要素と裏面側の構成要素との位置合わせを行うための多数の合わせマークとを備え、
前記多数の合わせマークの各々は、前記半導体基板表面に対して垂直な方向に延びる導電性材料の複数の柱のパターンによって構成されている裏面照射型撮像素子。
【請求項２】
請求項１記載の裏面照射型撮像素子であって、
前記合わせマークを構成する複数の柱が二次元状に配置されている裏面照射型撮像素子。
【請求項３】
請求項１又は２記載の裏面照射型撮像素子であって、
前記合わせマークを構成する複数の柱のパターンが対称となっている裏面照射型撮像素子。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項記載の裏面照射型撮像素子であって、
前記合せマークを構成する複数の柱の各々の幅の最大となる部分の長さが２μｍ以下である裏面照射型撮像素子。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項記載の裏面照射型撮像素子であって、
前記合わせマークを構成する複数の柱の各々が前記半導体基板内の表面から裏面まで達している裏面照射型撮像素子。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項記載の裏面照射型撮像素子であって、
前記複数のコンタクト配線部の各々が、前記半導体基板の裏面から表面まで達する前記半導体基板表面に対して垂直な方向に延びた導電性材料の柱で構成されており、
前記柱の一端に前記パッド部が接続され、前記柱の他端に前記配線部が接続されている裏面照射型撮像素子。
【請求項７】
請求項６記載の裏面照射型撮像素子であって、
前記複数のコンタクト配線部を構成する前記複数の柱が平面視において二次元状に配置されている裏面照射型撮像素子。
【請求項８】
請求項６又は７記載の裏面照射型撮像素子であって、
前記複数のコンタクト配線部を構成する前記複数の柱の各々の幅の最大となる部分の長さが２μｍ以下である裏面照射型撮像素子。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項記載の裏面照射型撮像素子であって、
前記半導体基板の表面に無機接着層を介して貼り合わされた支持基板を備える裏面照射型撮像素子。
【請求項１０】
請求項９記載の裏面照射型撮像素子であって、
前記支持基板が前記半導体基板と同一材料である裏面照射型撮像素子。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項記載の裏面照射型撮像素子であって、
前記半導体基板の裏面上方に形成された前記パッド部と同一材料からなる膜であって、
前記半導体基板内に形成された画素部の一部を遮光するための遮光膜と前記画素部同士の間の境界を遮光するための遮光膜のいずれか又は両方を備える裏面照射型撮像素子。
【請求項１２】
半導体基板の裏面側から光を照射し、前記光に応じて前記半導体基板内で発生した電荷を、前記半導体基板の表面側から読み出して撮像を行う裏面照射型撮像素子の製造方法であって、
前記半導体基板の裏面上に形成するパッド部を形成すべき平面領域において前記半導体基板の表面から裏面まで達する複数の第一の貫通孔を前記表面側から形成する貫通孔形成工程と、
前記複数の第一の貫通孔に導電性材料を埋めて、導電性材料の第一の柱を形成する柱形成工程と、
前記半導体基板の表面上に、前記複数の第一の柱と接続される配線部を形成する配線部形成工程と、
前記配線部の形成後、前記半導体基板の裏面上に前記複数の第一の柱と接続されるパッド部を形成するパッド部形成工程とを備え、
前記貫通孔形成工程では、前記半導体基板の表面側の構成要素と裏面側の構成要素との位置合わせを行うための多数の合わせマークの各々を形成すべき平面領域において前記半導体基板の表面から裏面まで達する複数の第二の貫通孔も形成し、
前記柱形成工程では、前記複数の第二の貫通孔にも前記導電性材料を埋めて、導電性材料の第二の柱も形成し、
前記複数の第二の柱のパターンによって１つの前記合わせマークを形成する裏面照射型撮像素子の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の裏面照射型撮像素子の製造方法であって、
前記貫通孔形成工程では、前記複数の第二の貫通孔を平面視において二次元状に配置して形成する裏面照射型撮像素子の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の裏面照射型撮像素子の製造方法であって、
前記貫通孔形成工程では、前記複数の第二の貫通孔のパターンが対称となるように形成する裏面照射型撮像素子の製造方法。
【請求項１５】
請求項１２〜１４のいずれか１項記載の裏面照射型撮像素子の製造方法であって、
前記貫通孔形成工程では、前記複数の第二の貫通孔の各々の幅の最大となる部分の長さが２μｍ以下となるように前記第二の貫通孔を形成する裏面照射型撮像素子の製造方法。
【請求項１６】
請求項１２〜１５のいずれか１項記載の裏面照射型撮像素子の製造方法であって、
前記貫通孔形成工程では、前記複数の第一の貫通孔を平面視において二次元状に配置して形成する裏面照射型撮像素子の製造方法。
【請求項１７】
請求項１２〜１６のいずれか１項記載の裏面照射型撮像素子の製造方法であって、
前記貫通孔形成工程では、前記複数の第一の貫通孔の各々の幅の最大となる部分の長さが２μｍ以下となるように前記第一の貫通孔を形成する裏面照射型撮像素子の製造方法。
【請求項１８】
請求項１２〜１７のいずれか１項記載の裏面照射型撮像素子の製造方法であって、
前記半導体基板内に前記電荷を蓄積する電荷蓄積領域を含む画素部を形成する画素部形成工程を備え、
前記パッド部形成工程は、遮光機能を有する導電性材料を前記裏面上に成膜する工程と、前記パッド部を形成する平面領域上方、一部の前記画素部上方、及び前記画素部間の境界上方のうち、前記平面領域と、前記一部の画素部と前記境界のいずれか又は両方の上方以外の前記導電性材料を除去する工程とを含む裏面照射型撮像素子の製造方法。
【請求項１９】
請求項１８記載の裏面照射型撮像素子の製造方法であって、
前記パッド部形成工程後に前記画素部に対応するカラーフィルタを前記画素部上方に形成するカラーフィルタ形成工程と、
前記パッド部形成工程の後、前記カラーフィルタ形成工程の前に前記半導体基板を加熱する工程とを備える裏面照射型撮像素子の製造方法。
【請求項２０】
請求項１２〜１９のいずれか１項記載の裏面照射型撮像素子の製造方法であって、
前記半導体基板が、第一の半導体基板と第二の半導体基板とこれらに挟まれる酸化膜とからなるＳＯＩ基板の前記第一の半導体基板であり、
前記配線部形成工程後、前記第一の半導体基板の表面側に無機接着膜を介して支持基板を貼り合わせる工程を備える裏面照射型撮像素子の製造方法。
【請求項２１】
請求項２０記載の裏面照射型撮像素子の製造方法であって、
前記支持基板が前記第一の半導体基板と同一材料である裏面照射型撮像素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の裏面照射型撮像素子は、前記半導体基板内に形成され、前記半導体基板の表面側の構成要素と裏面側の構成要素との位置合わせを行うための多数の合わせマークとを備え、前記多数の合わせマークの各々は、前記半導体基板表面に対して垂直な方向に延びる導電性材料の複数の柱のパターンによって構成されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の裏面照射型撮像素子は、前記合せマークを構成する複数の柱の各々の幅の最大となる部分の長さが２μｍ以下である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の裏面照射型撮像素子は、前記合わせマークを構成する複数の柱の各々が前記半導体基板内の表面から裏面まで達している。また、本発明の裏面照射型撮像素子は、前記複数のコンタクト配線部の各々が、前記半導体基板の裏面から表面まで達する前記半導体基板表面に対して垂直な方向に延びた導電性材料の柱で構成されており、前記柱の一端に前記パッド部が接続され、前記柱の他端に前記配線部が接続されている。また、本発明の裏面照射型撮像素子は、前記複数のコンタクト配線部を構成する前記複数の柱が平面視において二次元状に配置されている。また、本発明の裏面照射型撮像素子は、前記複数のコンタクト配線部を構成する前記複数の柱の各々の幅の最大となる部分の長さが２μｍ以下である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明の裏面照射型撮像素子の製造方法は、前記貫通孔形成工程では、前記半導体基板の表面側の構成要素と裏面側の構成要素との位置合わせを行うための多数の合わせマークの各々を形成すべき平面領域において前記半導体基板の表面から裏面まで達する複数の第二の貫通孔も形成し、前記柱形成工程では、前記複数の第二の貫通孔にも前記導電性材料を埋めて、導電性材料の第二の柱も形成し、前記複数の第二の柱のパターンによって１つの前記合わせマークを形成する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本発明の裏面照射型撮像素子の製造方法は、前記貫通孔形成工程では、前記複数の第二の貫通孔の各々の幅の最大となる部分の長さが２μｍ以下となるように前記第二の貫通孔を形成する。また、本発明の裏面照射型撮像素子の製造方法は、前記貫通孔形成工程では、前記複数の第一の貫通孔を平面視において二次元状に配置して形成する。また、本発明の裏面照射型撮像素子の製造方法は、前記貫通孔形成工程では、前記複数の第一の貫通孔の各々の幅の最大となる部分の長さが２μｍ以下となるように前記第一の貫通孔を形成する。