(57)【要約】【課題】コバルト含有マグヘマイト薄膜よりなる磁性層を有する磁気テープにおいて、磁気ヘッドの磨耗の低減化を図る。【解決手段】長尺状の非磁性支持体１上に、コバルト含有マグヘマイト薄膜よりなる磁性層２を有し、磁性層２上に、ホローカソードを含むイオン源を利用する化学的気相成長法により形成され、カーボンを含有する保護層３が形成されてなり、保護層のラマン分光散乱分析における、１５５０ｃｍ-1以上１６５０ｃｍ-1以下に位置するピークの強度（Ｇ）と、１３５０ｃｍ-1以上１４５０ｃｍ-1以下に位置するピークの強度（Ｄ）との比（Ｄ／Ｇ）が、１．０以下である磁気記録媒体を作製する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
長尺状の非磁性支持体上に磁性層を有する磁気記録媒体であって、
前記磁性層が、コバルトの含有量が１〜１０重量％のコバルト含有マグヘマイト薄膜よりなり、
前記磁性層上に、ホローカソードを含むイオン源を利用する化学的気相成長法により形成されたカーボンを含有する保護層を有し、
前記保護層のラマン分光散乱分析における、１５５０ｃｍ-1以上１６５０ｃｍ-1以下に位置するピークの強度（Ｇ）と、１３５０ｃｍ-1以上１４５０ｃｍ-1以下に位置するピークの強度（Ｄ）との比（Ｄ／Ｇ）が、１．０以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記保護層の膜厚が２〜１４ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は高密度型の磁気記録媒体に関するものであり、特に、磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）や、巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＧＭＲヘッド）のような高感度型の磁気ヘッドを用いたシステムにおいて優れた磁気特性及び走行耐久性を発揮し、かつ保存安定性についても優れたテープ状の磁気記録媒体を提供するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気記録媒体においては、大容量のデータを取り扱うために、高密度記録化への要求が益々高まってきている。特に最近では、さらなる高密度記録化を達成するために、記録信号の再生を行う際に用いる磁気ヘッドについて、従来の誘導型ヘッドに代わり磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）や、巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＧＭＲヘッド）のような高感度型の磁気ヘッドが実用化されており、ハードディスクだけではなく、いわゆる磁気テープに対しても適用されるようになってきている。
【０００３】
このような高密度型の磁気記録媒体としては、従来、いわゆるスパッタリング法や真空蒸着法によって磁性層を形成した金属薄膜型の磁気記録媒体が知られており、上述したような高感度型の磁気ヘッドを用いて記録密度を向上させるために磁性層を薄膜化し、更なる高保磁力化、低ノイズ化を図ることが必要とされている。また、高密度記録化とともに、長期に亘って信号品質の劣化を起こすことなく保存が可能な、いわゆるアーカイブ性に対する要求も厳しくなってきている。
【０００４】
一方において、次世代の高密度記録媒体として有力な金属薄膜型の磁気記録媒体は、磁性塗料により磁性層を形成する塗布型の磁気記録媒体よりも耐食性においては劣るものであるため、上記アーカイブ性についての検討が重要な課題となっている。
【０００５】
また、ＭＲヘッドやＧＭＲヘッドのような高感度型の磁気ヘッドで信号の再生を行う場合、磁気ヘッドの飽和を回避するために、磁性層をより薄膜化しなければならないが、これによって保磁力が低下し、安定した信号記録が困難になるという問題がある。
【０００６】
また、高感度型の磁気ヘッドを適用する場合には、ノイズの低減化が重要な課題であるが、磁性層を構成する磁性粒子の微細化には製造工程上の制限があるため、特に高密度型の磁気記録媒体については、ノイズについて一層の低減化が求められている。
【０００７】
上述したような高感度型の磁気記録媒体に関する各種問題点を解決するものとして、コバルト含有マグヘマイト薄膜よりなる磁性層を有する磁気記録媒体についての提案がなされている（例えば、特許文献１、２参照。）。
【０００８】
このようなコバルト含有マグヘマイト薄膜は、蒸着テープ等の金属薄膜型の磁性層に比べ、保存安定性に優れ、かつ膜の硬度が高く耐久性に優れているという利点を有しており、また、スパッタ法により成膜するため粒子径が微細で従来の蒸着型の磁気テープに比べてさらなる低ノイズ化が可能であるという特長を有している。
【０００９】
【特許文献１】特開平１１−３２８６５１号公報
【特許文献２】特開平１１−３２８６５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、磁気ヘッドと磁気記録媒体とが高速で摺動するテープシステムにおいては、より一層の走行安定性や走行耐久性、耐磨耗性の向上、及び磁気ヘッドの素子破壊の防止を図るために、磁気記録媒体の摺動面の表面特性を厳密に制御することが重要な課題となってきた。すなわち、上記コバルト含有マグヘマイト薄膜は硬度が高い材料であるため、高速で接触摺動するシステムにおいては、ＭＲヘッドやＧＭＲヘッドの感磁部が磨耗により損傷してしまうおそれがあるためである。
【００１１】
そこで本発明においては、上述した各問題に鑑みて、コバルト含有マグヘマイト薄膜よりなる磁性層の利点を生かしつつ、走行安定性、走行耐久性、及び磁気ヘッドの耐磨耗性の向上を図り、高い信頼性を有するテープ型の磁気記録媒体を得ることを目的とした。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の磁気記録媒体は、長尺状の非磁性支持体上に、コバルトの含有量が１〜１０重量％のコバルト含有マグヘマイト薄膜よりなる磁性層を有し、磁性層上に、ホローカソードを含むイオン源を利用する化学的気相成長法により形成されたカーボンを含有する保護層を有し、保護層のラマン分光散乱分析における、１５５０ｃｍ-1以上１６５０ｃｍ-1以下に位置するピークの強度（Ｇ）と、１３５０ｃｍ-1以上１４５０ｃｍ-1以下に位置するピークの強度（Ｄ）との比（Ｄ／Ｇ）が、１．０以下であるものとする。
【００１３】
本発明によれば、カーボン保護層において、グラファイト構造のｓｐ2結合に対応するピークである１５５０ｃｍ-1以上１６５０ｃｍ-1以下に位置するピークの強度（Ｇ）とダイヤモンドライクカーボンのｓｐ3結合に対応するピークである、１３５０ｃｍ-1以上１４５０ｃｍ-1以下に位置するピークの強度（Ｄ）との比（Ｄ／Ｇ）を適切な値に制御したことにより表面硬度の制御した。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、コバルト含有マグヘマイト薄膜よりなる磁性層上に、ホローカソードを含むイオン源を利用する化学的気相成長法によりカーボン含有保護層を形成し、この保護層のラマン分光散乱分析における、１５５０ｃｍ-1以上１６５０ｃｍ-1以下に位置するピークの強度（Ｇ）と、１３５０ｃｍ-1以上１４５０ｃｍ-1以下に位置するピークの強度（Ｄ）との比（Ｄ／Ｇ）を１．０以下であることとしたことにより、例えばＭＲヘッドやＧＭＲヘッドのような極めて高感度型磁気ヘッドを用いた場合においても、極めて磁気ヘッド磨耗が少なく、感磁部の破壊を効果的に防止でき、耐久性の向上が図られ、長期に亘り良好な電磁変換特性を維持することができた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の磁気記録媒体の具体的な実施形態について説明するが、本発明は以下の例に限定されるものではない。
本発明の磁気記録媒体１０の一例の概略断面図を図１に示す。
磁気記録媒体１０は、長尺形状の非磁性支持体１の一主面上に磁性層２、保護層３、潤滑剤層５が形成されてなり、磁性層形成面側とは反対側の主面にバックコート層４が形成された構成を有している。
【００１６】
非磁性支持体１は、従来磁気テープ用の長尺形状のベースフィルムとして公知のものを適用することができ、例えばポリアミド、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のプラスチックフィルムが挙げられる。なお、非磁性支持体１の表面性（粗度）については、最終的に目的とする磁気記録媒体における所望の表面性に従い、選定するようにしてもよい。
【００１７】
磁性層２は、コバルト含有マグヘマイト薄膜の面内配向膜により形成されてなり、下記スパッタリング法によって形成することができる。例えば、連続搬送する非磁性支持体（プラスチックフィルム）上に、コバルト含有鉄合金のターゲットを用いて、酸素を導入しながら反応スパッタを行いコバルト含有マグネタイト薄膜を形成し、次に、このコバルト含有マグネタイト薄膜を加熱酸化処理することによってコバルト含有マグヘマイト薄膜を形成する。
【００１８】
なお、上記ターゲットに使用する鉄コバルト合金中のコバルト含有量は１〜１０重量％であるものとし、最終的に成膜する磁性層２のコバルト含有量が１〜１０重量％になるようにする。
ターゲット合金中のコバルトの含有量を増加させると、磁気テープの保磁力Ｈｃを高くすることができ、実用上充分な保磁力Ｈｃを得るためには磁性層２中のコバルト含有量が１重量％以上であることが必要であるが、１０重量％を超えると磁気テープの経時安定性が低下するため、コバルト含有マグヘマイト薄膜中のコバルト含有量を１〜１０重量％とすることが好適である。
【００１９】
スパッタ成膜方法は、特に限定されるものではなく、ＲＦマグネトロンスパッタ法や、ＥＣＲスパッタ法、対向ターゲット式スパッタ法等、いずれの方法も適用することができる。これらのスパッタ法においては、それぞれ酸素流量とガス圧、投入電力を任意に制御しながらコバルト含有マグネタイト薄膜を形成する。
【００２０】
上記スパッタ法によるコバルト含有マグネタイト薄膜形成工程においては、非磁性支持体１の温度を３００℃以下にする。特に加熱による非磁性支持体１の変形を回避し、最終的に得られる磁気テープのカッピングの発生を低減化させるため、好ましくは２４０℃以下、さらには望ましくは２００℃以下とする。
【００２１】
上述のようにして成膜したコバルト含有マグネタイト薄膜は、その後、酸化処理を施してコバルト含有マグヘマイト薄膜とする。この手法としては、例えば、大気中で２５０〜３００℃に保持したキャンに接触搬送させる方法（大気中アニール処理）、希ガスを含むプラズマ活性化された酸素イオンを数秒間照射する方法（プラズマ酸化法）、及び酸素含有ガス雰囲気下で紫外線照射するＵＶオゾン処理法等が挙げられる。
なお、加熱酸化処理工程においては、上記キャンの非磁性支持体走行面を冷却させ、非磁性支持体１の熱変形を防止することが望ましい。
【００２２】
また、磁性層２の面内配向を高めたり、結晶粒子の微細化を促進したり、あるいは磁気テープの変形を抑制するために、非磁性支持体１と磁性層２との間に、任意の材料による下地層（図示せず）を形成してもよい。例えば面内配向を高めるための下地層としてはＮｉＯ膜が挙げられるが、これに限定されない。
【００２３】
上述のようにして形成されるコバルト含有マグヘマイト薄膜は、硬度の高い材料であるので、特に高感度型の磁気ヘッドを適用する場合には、磁気ヘッドの磨耗を防止するために、磁性層２上に保護層３を成膜することが必要である。
【００２４】
保護層３は、例えばダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）と呼ばれる炭素膜や水素含有炭素膜よりなるものとする。保護層３は、ホローカソードを含むイオン源を利用する化学的気相成長法により形成される。
【００２５】
ホローカソードを含むイオン源を利用する化学的気相成長法（ＣＶＤ法）について、図を参照して説明する。
図２は、ホローカソード型ＣＶＤ装置において利用されるホローカソードを含むイオン源の模式的構成図である。
このイオン源２０は、ホローカソード１１、電極１２、ガス導入管１３、アノード部１４、アノード電極１５、ガス導入管１６、電磁石１７及び原料ガス供給管１８を具備している。
【００２６】
ホローカソード型のイオン源２０は、円筒状の形状をしており、中心部にホローカソード１１が設置されている。ホローカソード１１の内部には電極１２とＡｒ等のガスを導入するガス導入管１３が設けられている。また、ホローカソード１１を取り囲む領域において、環状のアノード部１４が設けられている。アノード部１４の底部にはアノード電極１５とＡｒ等のガスを導入するガス導入管１６が設置されている。また、ホローカソード１１とアノード部１４の間に電磁石１７が設置されている。
【００２７】
中心のホローカソード部１１において、ガス供給管１３からＡｒガスを導入しながら電極１２に高電圧を印加して放電させ、さらにガス導入管１６からＡｒガスを導入しながらアノード電極１５をホローカソード１１よりも高電位にすることにより、ホローカソード１１とアノード電極１５間で放電が生じ、イオン源２０の表面近傍にプラズマＰが形成される。このとき、電磁石１７を励磁させることにより、プラズマＰの密度を高めることができる。
【００２８】
アノード部１４より外側に設けられたガス供給管１８から原料ガスを供給すると、原料ガスはプラズマＰ中で分解される。ホローカソード１１から供給された電子の一部は被処理体Ｓ側に向かい、プラズマ中でイオン化された原料ガスは被処置体側に加速され、被処理体Ｓに被着する。
【００２９】
図３は、図２のホローカソードを含むイオン源を利用したホローカソード型ＣＶＤ装置の概略構成図である。
このＣＶＤ装置は、頭部に設けられた真空排気系２１によって内部が高真空状態となされた真空室２２内に、定速度で回転する送りロール２３と巻き取りロール２４とが設けられ、これら送りロール２３から巻き取りロール２４に、被処理体２５が順次走行するようになされている。
【００３０】
これら送りロール２３から巻き取りロール２４に被処理体Ｓが走行する途中部には、冷却キャン１６が設けられている。この冷却キャン２６は、被処理体Ｓを図中下方に引き出すように設けられ、図中の矢印Ａ方向に定速度で回転する構成となされている。なお、冷却キャン２６の内部には冷却機構（図示せず）が設けられ、被処理体Ｓの温度上昇による変形等を抑制している。従って被処理体Ｓは、送りロール２３から順次送り出され、冷却キャン２６の周面を通過し、巻き取りロール２４に巻き取られるようになされる。
送りロール２３と冷却キャン２６との間、及び冷却キャン２６と巻き取りロールとの間には、それぞれガイドロール２７が設けられ、被処理体Ｓに所定のテンションをかけ円滑に走行するようになされている。
【００３１】
上記真空室２２内には、図中冷却キャン２６の下方に、ホローカソード型のイオン源２０が設けられている。ホローカソード型イオン源２０において、上述したようにプラズマが生成され、原料ガスが分解、イオン化し、被処理体Ｓ上にＤＬＣ膜が形成される。
【００３２】
ホローカソード型ＣＶＤ法においては、従来公知のプラズマＣＶＤ法のように、非磁性支持体上に形成された磁性層を電極として用いない。従って、磁性層の膜組成や膜厚等の構成が変化しても、プラズマを励起する電圧等に変動がなく、特性の安定した保護層を形成することができるという利点を有している。
【００３３】
本発明においては、カーボン保護層３の膜質についての特定を行うこととし、ラマン分光散乱分析において、１５５０ｃｍ-1以上１６５０ｃｍ-1以下にピークを有するスペクトルの強度と、１３５０ｃｍ-1以上１４５０ｃｍ-1以下にピークを有するスペクトルの強度比が、１．０以下であるものとした。
ここでラマン散乱について以下に説明する。
ラマン散乱測定装置は、通常、励起光源、試料部、分散系、検出器の４つの部分から構成されている。励起光には、イオンガス（Ａｒ、Ｈｅ−Ｎｅ、Ｋｒ）レーザーが用いられる。試料部は、試料照射、散乱光の集光の光学系からなっている。
ラマン散乱光は、集光レンズまたは集光ミラーで分光器スリット上に集められる。この散乱光は単一分光器を直列に接続したダブルモノクロメーターで分散され、検出器で検知される。
検出器には、光電子増幅管が使用されるが、近年、光マルチチャンネル検出器が用いられるようになっている。光マルチチャンネル検出器は、スペクトルを同時測定できるので、測定時間が数秒ですむという利点を有している。
【００３４】
保護層において、グラファイト構造のｓｐ2結合に対応するピークである１５５０ｃｍ-1以上１６５０ｃｍ-1以下に位置するピークの強度（Ｇ）とダイヤモンドライクカーボンのｓｐ3結合に対応するピークである、１３５０ｃｍ-1以上１４５０ｃｍ-1以下に位置するピークの強度（Ｄ）との比（Ｄ／Ｇ）を１．０以下であることとしたことにより、表面硬度を適切に制御することができ、例えばＭＲヘッドやＧＭＲヘッドのような極めて高感度型磁気ヘッドを用いた場合においても、磨耗の低減化が図られ、感磁部の破壊を効果的に防止でき、耐久性の向上し、長期に亘り良好な電磁変換特性を維持できることが確認できた。
なお、保護層３の膜厚は２〜１４ｎｍとすることが好ましい。保護層３の膜厚をこのような範囲とすることにより、層厚による表面の粗度の変化の影響を実用上問題の生じない程度に抑制できる。具体的には、膜厚が厚くなるほど粗度Ｒａは大きくなるが、膜厚が２〜１４ｎｍであれば、表面粗度の変化は０．０２ｎｍ以下程度に抑制できる。すなわちこれにより、最終的に得られる磁気記録媒体の最表面の粗度を好適な範囲に制御でき、良好な走行安定性、走行耐久性が確保され、優れた電磁変換特性が得られる。
【００３５】
非磁性支持体１の磁性層形成面とは反対側の面にバックコート層４を設ける。バックコート層４は、例えばカーボンブラック、ポリウレタン樹脂、及び所定の溶剤をボールミルに投入して分散、混合し、架橋剤を添加して塗料を調整し、これを塗布することにより形成することができる。
バックコート層４を形成することにより、表面の電気抵抗が低下し、帯電により走行不良を防止し、耐久性が向上し、また、テープ間の摩擦を低減化する等の効果が得られる。
【００３６】
潤滑剤層５は、例えば従来公知のパーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を塗布することにより形成される。潤滑剤層５は、磁気ヘッドやガイドロールとの摺動を滑らかにし、耐久性、走行性を向上させる重要な役割を果たす。
【実施例】
【００３７】
次に、本発明の磁気記録媒体の具体的な実施例について実験結果に基づいて説明する。
〔実験例１〕
非磁性支持体１として、長尺形状で膜厚８μｍのポリイミドフィルムを適用した。次に、対向ターゲット式スパッタ装置を用い、反応スパッタ法により基体１とターゲットとの距離を１５０ｍｍに設定して、１０ｍ／ｍｉｎの送り速度で搬送させた非磁性支持体１上に、室温（３０℃）で全圧０．３０Ｐａ、アルゴン２０ｓｃｃｍ、酸素３０ｓｃｃｍの流量中で、Ｆｅ＋４重量％Ｃｏ金属合金ターゲットを２０ｗ／ｃｍ2の投入電力にてスパッタリングして、Ｃｏ含有マグネタイト薄膜を膜厚１５ｎｍに形成した。さらに２５０℃にてプラズマ酸化処理を行い、Ｃｏ含有マグヘマイト薄膜よりなる磁性層２を形成した。
【００３８】
上述したように磁性層を形成した後、ホローカソード型ＣＶＤ装置を用いて、ホローカソードを含むイオン源を利用した下記ＣＶＤ条件により、保護層としてＤＬＣ膜を形成した。
【００３９】
（保護層の成膜条件）
ホローカソードＡｒ流量：２０ｓｃｃｍ
アノードＡｒ流量：４０ｓｃｃｍ
原料ガス：Ｃ2Ｈ4
原料ガス流量：３０ｓｃｃｍ
プロセス圧力：１ｍＴｏｒｒ
放電電圧：５０Ｖ
保護層の膜厚：２ｎｍ
【００４０】
次に、下記組成のバックコート層用組成物をボールミルに投入して２４時間分散、混合し、架橋剤を添加してバックコート層用塗料を調整し、磁性層形成面側とは反対側の面に塗布して膜厚０．６μｍのバックコート層を形成した。
（バックコート層用組成物）
カーボンブラック：５０重量％
ポリウレタン樹脂：５０重量％
【００４１】
次に、保護層３上にパーフルオロポリエーテルを塗布して潤滑剤層を形成し、その後、３．８ｍｍ幅にスリットしてサンプルとなる磁気テープを作製した。
【００４２】
〔実験例２〜７〕
保護層形成工程における放電電圧、送り速度を制御して、膜厚の異なる保護層を形成した。なお、保護層の膜厚の変更は、被処理体の送り速度を変えることにより制御することができる。
【００４３】
なお、各サンプル磁気テープの保護層を形成する際に、放電電圧や膜厚を種々に変更したが、成膜中にアーク等の放電不安定な状況にはならず、安定した成膜を行うことができた。
【００４４】
次に、各サンプル磁気テープの保護層に対して、ラマン分光法による試験を行った。
（ラマン分光試験）
測定用ラマン散乱測定装置は、励起光源、試料部、分散系、及び検出器より構成されるものとし、励起光にはイオンガス（Ａｒ、Ｈｅ−Ｎｅ、Ｋｒ）レーザーを用いた。
試料部は、試料照射、散乱光の集光の光学系からなっている。ラマン散乱光は集光レンズまたは集光ミラーで分光器スリット上に集められる。この散乱光は単一分光器を直列に接続したダブルモノクロメーターで分散され、検出器で検知される。検出器には光電子倍増管が使用されるが、最近においては光マルチチャンネル検出器が用いられるようになっており、この光マルチチャンネル検出器はスペクトルを同時測定できるので、測定時間を数秒程度に短縮できるという利点を有している。
【００４５】
上記各サンプル磁気テープのラマンスペクトルに出現する１５５０ｃｍ-1以上１６５０ｃｍ-1以下にピークを有するスペクトルの強度（Ｇ）と、１３５０ｃｍ-1以上１４５０ｃｍ-1以下にピークを有するスペクトルの強度（Ｄ）との比（Ｄ／Ｇ）を測定した。
【００４６】
（実用特性試験）
上記各サンプル磁気テープに対して実用特性の評価として、磁気ヘッドの磨耗試験及び電磁変換特性試験を行った。
磁気ヘッドの磨耗試験は、ＭｉｃｒｏＭＶレコーダー（ソニー社製、商品名ＤＣＲ−ＩＰ７）を使用し、−５℃の環境下でシャトル走行を６０分×３００回行ったときのＭＲヘッドの磨耗量を測定した。
磁気ヘッドの磨耗量は１μｍを超えると電磁変換特性に実用上問題となる悪影響を与えるようになるため、これを１μｍ以下にすることが必要であると判断した。
【００４７】
また、電磁変換特性試験はドラムテスタを用いて測定した。ギャップ長０．２２μｍ、トラック幅２０μｍのＭＩＧヘッドを使用して記録波長２．０μｍと０．３μｍにて記録し、トラック幅５μｍのＮｉＦｅＭＲヘッドを用いて再生したときのキャリア出力を測定した。
測定方法としては、磁気テープと磁気ヘッドを相対的に正方向と逆方向で動作するようにし、それぞれ出力を測定して平均値を取った。なお、磁気テープとＭＲヘッドとの相対速度は７ｍ／秒とした。
キャリア出力は実施例２の値を基準値（０．０ｄＢ）とし、相対値（ｄＢ）で表示した。なお−３ｄＢ以下では記録再生システムとして実用上充分な信号とはならないものと判断した。
【００４８】
それぞれのラマン分光法により測定したＤ／Ｇ比、磁気ヘッドの磨耗試験、及び電磁変換特性の試験結果を下記表１に示す。
【００４９】
【表１】
2005122836.tif 000003
【００５０】
上記表１から明らかなように、ホローカソード型ＣＶＤ法を用いてカーボン保護層を２〜１４ｎｍの膜厚に形成し、かつラマンスペクトルに出現する１５５０ｃｍ-1以上１６５０ｃｍ-1以下にピークを有するスペクトルの強度（Ｇ）と、１３５０ｃｍ-1以上１４５０ｃｍ-1以下にピークを有するスペクトルの強度（Ｄ）との比（Ｄ／Ｇ）の値が１以下である実験例１〜３の磁気テープにおいては、磁気ヘッドの磨耗が極めて少なく、優れた耐久性が得られることが分かった。また、電磁変換特性も良好であった。
【００５１】
図４は、表１の結果から、Ｄ／Ｇ比を放電電圧Ｖelecに対してプロットしたグラフである。Ｄ／Ｇ比と放電電圧とは相関性があり、放電電圧が高いほどＤ／Ｇ比は大きく、放電電圧が低いほどＤ／Ｇ比は小さくなる。
上述のように、Ｄ／Ｇ比は１．０以下であることが好ましく、これを実現するために、上述したホローカソード型ＣＶＤ法の成膜条件において、放電電圧を１２０Ｖ以下に設定することが望ましい。
【００５２】
図５は、上記表１から磁気ヘッド磨耗量（ＨＷ）を保護層（ＤＬＣ膜）の膜厚ｔDLCに対してプロットしたグラフである。グラフ中に記した数字は放電電圧である。
この図から、保護層（ＤＬＣ膜）の膜厚が厚くなるほど磁気ヘッドの磨耗量が大きくなり、また放電電圧が高いほど磁気ヘッドの磨耗量が大きくなる傾向があることが分かった。
上述したように、磁気ヘッド磨耗量は１．０μｍ以下に抑えることが望ましいため、図５からこれを満足する保護層の膜厚及び放電電圧の条件を求めることができる。
放電電圧を１２０Ｖ以下に設定し、磁気ヘッド磨耗量を１．０μｍ以下に低減化し、かつ保護層としての表面保護機能を発揮させるためには、保護層の膜厚は２〜１４ｎｍが好適であることが確かめられた。
【００５３】
一方、実験例４においては、保護層が極めて薄層であるため、充分な表面保護効果が得られず、信号再生の際の走行時に表面に傷が発生してしまい、電磁変換特性が劣化した。
【００５４】
実験例５においては、保護層が厚すぎるため、最表面の粗度が大きくなりすぎてしまい、磁気ヘッドの磨耗量が大きく、感磁部が摩滅してしまった。
【００５５】
実験例６、７においては、Ｄ／Ｇ比が１．０を超えているため、保護層の硬度が高すぎ、摺動によって磁気ヘッドの磨耗量が大きくなってしまい、走行耐久性が劣化した。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の磁気記録媒体の概略断面図を示す。
【図２】ホローカソード型ＣＶＤ装置において利用されるホローカソードを含むイオン源の模式的構成図を示す。
【図３】ホローカソード型ＣＶＤ装置の概略構成図を示す。
【図４】ＤＬＣ膜形成時の放電電圧と、Ｄ／Ｇ比との関係を示す。
【図５】保護層の膜厚と磁気ヘッドの磨耗量との関係を示す。
【符号の説明】
【００５７】
１……非磁性支持体、２……磁性層、３……保護層、４……バックコート層、５……潤滑剤層、１０……磁気記録媒体、１１……ホローカソード、１２……電極、１３……ガス導入管、１４……アノード部、１５……アノード電極、１６……ガス導入管、１７……電磁石、１８……原料ガス供給管、２０……ホローカソード型イオン源、２１……真空排気系、２２……真空室、２３……送りロール、２４……巻き取りロール、２６……冷却キャン、２７……ガイドロール、３０……ＣＶＤ装置
【図１】
2005122836.tif 000004
【図２】
2005122836.tif 000005
【図３】
2005122836.tif 000006
【図４】
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【図５】
2005122836.tif 000008