Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月24日(2010.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録材を給紙するための給紙手段と、
像担持体に画像を形成する画像形成手段と、
前記像担持体に形成された画像を中間転写体に転写する一次転写手段と、
前記中間転写体に転写された画像を前記給紙手段から給紙された記録材に転写する二次転写手段と、
記録材のサイズを検知するサイズ検知手段と、
前記中間転写体上に形成される複数の画像の画像形成の間隔を設定する設定手段とを有し、
前記給紙手段から記録材の給紙を開始するタイミングよりも、前記画像形成手段によって画像形成を開始するタイミングが早くなるように設定されており、
前記設定手段は、前記サイズ検知手段で記録材のサイズを検知するまでは、予め設定された記録材のサイズに応じた第１の間隔で前記中間転写体に複数の画像を形成し、前記サイズ検知手段で記録材のサイズを検知した後は、検知した記録材のサイズに応じた第２の間隔で前記中間転写体上に複数の画像を形成するように画像形成の間隔を設定することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記設定手段は、前記サイズ検知手段で記録材のサイズを検知したときに、前記中間転写体に形成されている画像と、次の画像が形成されるまでの間隔を前記第２の間隔とすることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記給紙手段から記録材の給紙を開始する位置から前記二次転写手段によって記録材に画像を転写する位置までの距離が、前記画像形成手段によって像担持体に画像の形成を開始する位置から前記二次転写手段によって記録材に画像を転写する位置までの距離よりも短いことを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記第２の間隔は前記第１の間隔よりも小さい間隔であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記予め設定された記録材のサイズとは、記録材の搬送方向の長さであり、かつ、前記給紙部にセットされる記録材の最大の長さであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記設定手段は、前記サイズ検知手段で記録材のサイズを検知した後は、検知した記録材のサイズに応じて前記第２の間隔を算出することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項７】
記録材を給紙するための給紙手段と、
像担持体に画像を形成する画像形成手段と、
前記像担持体に形成された画像を中間転写体に転写する一次転写手段と、
前記中間転写体に転写された画像を前記給紙部から給紙された記録材に転写する二次転写手段と、
記録材のサイズを検知するサイズ検知手段と、
記録材のサイズを指定する指定手段と、
前記中間転写体上に形成される複数の画像の画像形成の間隔を設定する設定手段とを有し、
前記給紙手段から記録材の給紙を開始するタイミングよりも、前記画像形成部によって画像形成を開始するタイミングが早くなるように設定されており、
前記設定手段は、前記指定手段によって指定された記録材のサイズに応じた第１の間隔で前記中間転写体に複数の画像を形成し、前記サイズ検知手段で記録材のサイズを検知した後は、検知した記録材のサイズに応じた第２の間隔で前記中間転写体上に複数の画像を形成するように画像形成の間隔を設定することを特徴とする画像形成装置。
【請求項８】
前記設定手段は、前記サイズ検知手段で記録材のサイズを検知したときに、前記中間転写体に形成されている画像と、次の画像が形成されるまでの間隔を前記第２の間隔とすることを特徴とする請求項７に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記給紙手段から記録材の給紙を開始する位置から前記二次転写部によって記録材に画像を転写する位置までの距離が、前記画像形成部によって像担持体に画像の形成を開始する位置から前記二次転写部によって記録材に画像を転写する位置までの距離よりも短いことを特徴とする請求項７又は８に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
前記給紙手段は、フリーサイズの記録材が供給可能であることを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項１１】
前記予め設定された記録材のサイズとは、記録材の搬送方向の長さであり、かつ、前記給紙部に供給される記録材の最大の長さであることを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項１２】
前記設定手段は、前記サイズ検知手段で記録材のサイズを検知した後は、検知した記録材のサイズに応じて前記第２間隔を算出することを特徴とする請求項７乃至１１のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項１３】
前記サイズ指定手段は、複数の用紙サイズを指定可能であることを特徴とする請求項７乃至１２のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
上記目的を達成するための、本願発明の画像形成装置は、記録材を給紙するための給紙手段と、像担持体に画像を形成する画像形成手段と、前記像担持体に形成された画像を中間転写体に転写する一次転写手段と、前記中間転写体に転写された画像を前記給紙手段から給紙された記録材に転写する二次転写手段と、記録材のサイズを検知するサイズ検知手段と、前記中間転写体上に形成される複数の画像の画像形成の間隔を設定する設定手段とを有し、前記給紙手段から記録材の給紙を開始するタイミングよりも、前記画像形成手段によって画像形成を開始するタイミングが早くなるように設定されており、前記設定手段は、前記サイズ検知手段で記録材のサイズを検知するまでは、予め設定された記録材のサイズに応じた第１の間隔で前記中間転写体に複数の画像を形成し、前記サイズ検知手段で記録材のサイズを検知した後は、検知した記録材のサイズに応じた第２の間隔で前記中間転写体上に複数の画像を形成するように画像形成の間隔を設定する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月9日(2010.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上を一方向に伸びて形成された複数のゲート線と、
前記ゲート線と交差して形成された複数のデータ線と、
前記データ線の間に位置する画素領域に形成された複数の画素電極と、を備え、
各画素領域は、
前記ゲート線を含む領域に形成された反射領域と、
前記反射領域を挟んで両側に形成された透過領域と、
前記基板上の任意の領域に形成された第1の電極パターンと、
前記第1の電極パターンに接続され、前記ゲート線の下を通って前記データ線に接続された活性層と、を備え、
前記活性層は、
前記データ線に接続されたソース領域と、
前記画素電極に接続されたドレイン領域と、
前記ソース領域及びドレイン領域の間であって、上部に前記ゲート線を有するチャンネル領域と、
を備えることを特徴とする薄膜トランジスター基板。
【請求項２】
前記ゲート線と所定の間隔を隔てて形成された前記ストレジキャパシタの上部電極をなす第２の電極パターンをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスター基板。
【請求項３】
前記第２の電極パターンは、前記活性層と接続される部分を除き、前記第１の電極パターンと重なり合うように形成されていることを特徴とする請求項２に記載の薄膜トランジスター基板。
【請求項４】
前記画素電極は、それぞれ角部が丸く面取りされた矩形形状を有し、前記反射領域および前記透過領域にそれぞれ形成されるとともに、接合部により電気的に接続されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の薄膜トランジスター基板。
【請求項５】
前記透過領域の前記画素電極には切欠部をさらに備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の薄膜トランジスター基板。
【請求項６】
前記反射領域の前記画素電極の上部または下部に反射膜が形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の薄膜トランジスター基板。
【請求項７】
基板の上部に半導体層を形成した後、パターニングにより活性層および第１の電極パターンを形成する段階と、
前記基板の上部全体にゲート絶縁膜及び第１の導電層を形成した後、前記第１の導電層をパターニングしてゲート線および第２の電極パターンを形成する段階と、
前記基板の上部全体に第１の保護膜を形成した後、パターニングにより前記活性層の一部を露出させる第１のコンタクトホールを形成する段階と、
前記基板の上部全体に第２の導電層を形成した後、パターニングにより、前記第１のコンタクトホールを通して前記活性層の一部に接続されるデータ線を形成する段階と、
前記基板の上部全体に第２の保護膜を形成した後、パターニングにより前記活性層の一部を露出させる第２のコンタクトホールを形成する段階と、
前記基板の上部全体に第３の導電層を形成した後、パターニングにより前記第２のコンタクトホールを介して前記活性層領域の他の一部に接続される画素電極を形成する段階と、
前記画素電極の上部の所定の領域に反射膜を形成する段階と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスター基板の製造方法。
【請求項８】
前記第２の保護膜を湾曲させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスター基板の製造方法。
【請求項９】
前記画素電極を形成する段階は、前記画素電極に切欠部を形成することを含むことを特徴とする請求項７または８に記載の薄膜トランジスター基板の製造方法。
【請求項１０】
第１の基板上の一方向に伸びて形成された複数のゲート線と、前記ゲート線と交差する方向に伸びて形成された複数のデータ線と、前記データ線の間に画定される画素領域に形成された画素電極と、を備え、前記画素領域は、前記ゲート線を含む領域に設けられた反射領域と、前記反射領域を挟み、前記反射領域を中心として対称となる位置に形成された透過領域と、を備える薄膜トランジスター基板と、
前記画素領域以外の領域に対応する第２の基板上の領域に形成されたブラックマトリックスと、前記画素領域に対応する前記第２の基板上の領域に形成されたカラーフィルターと、前記第２の基板上に形成された共通電極と、を備えるカラーフィルター基板と、
前記薄膜トランジスター基板と前記カラーフィルター基板との間に形成された液晶層と、を備え、
前記画素領域は、前記薄膜トランジスター基板上の任意の領域に形成された第1の電極パターンと、前記第1の電極パターンに接続され、前記ゲート線の下を通って前記データ線に接続された活性層と、を備え、
前記活性層は、前記データ線に接続されたソース領域と、前記画素電極に接続されたドレイン領域と、前記ソース領域及びドレイン領域の間であって、上部に前記ゲート線を有するチャンネル領域と、を備えることを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月18日(2009.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
次に、本実施の形態に係る撮像レンズの具体的な数値実施例について説明する。以下では、第１ないし第７の数値実施例をまとめて説明する。
図１に示した撮像レンズの構成に対応する具体的なレンズデータを実施例１として、図８（Ａ），図８（Ｂ）に示す。特に図８（Ａ）にはその基本的なレンズデータを示し、図８（Ｂ）には非球面に関するデータを示す。図８（Ａ）に示したレンズデータにおける面番号Ｓｉの欄には、最も物体側の構成要素の面を１番目として、像側に向かうに従い順次増加するようにして符号を付したｉ番目（ｉ＝１〜８）の面の番号を示している。曲率半径Ｒｉの欄には、図１において付した符号Ｒｉに対応させて、物体側からｉ番目の面の曲率半径の値（ｍｍ）を示す。面間隔Ｄｉの欄についても、同様に物体側からｉ番目の面Ｓｉとｉ＋１番目の面Ｓｉ＋１との光軸上の間隔（ｍｍ）を示す。Ｎｄｊは、物体側からｊ番目（ｊ＝１〜４）の光学要素のｄ線（波長５８７．６ｎｍ）に対する屈折率の値を示す。νｄｊの欄には、物体側からｊ番目の光学要素のｄ線に対するアッベ数の値を示す。図８（Ａ）にはまた、諸データとして、全系の近軸焦点距離ｆ（ｍｍ）、およびＦナンバー（ＦＮＯ．）の値についても示す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図１７には、上述の各条件式に関する値を各実施例についてまとめて示す。図１７から分かるように、実施例１ないし６については、各条件式の数値範囲内となっている。実施例７については、条件式（４）を除いて数値範囲内となっている。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月12日(2009.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成装置に用いられる現像装置において、
磁性現像剤を担持搬送する現像ローラと、
前記現像ローラの一部を露出するための開口部を有し、前記現像ローラを回転可能に支持する現像枠体と、
前記現像枠体と前記現像ローラとの間から前記磁性現像剤が漏れるのを規制するために、前記現像ローラの回転方向における前記現像枠体の上流側端部に取り付けられて前記現像ローラに当接するシート部材と、
前記現像枠体と前記現像ローラとの間で前記磁性現像剤をシールするために、前記現像ローラの長手方向の端部において前記現像枠体に取り付けられた磁気シール部材であって、磁性を有して前記現像ローラの外周面と間隙をもって対向する円弧面と、磁性を有して前記回転方向における前記円弧面の上流側端部から前記回転方向の上流側へ突出して、前記円弧面よりも前記現像ローラの外周面から離れるように構成され、前記シート部材によって少なくとも一部が覆われた突出面と、を有する磁気シール部材と、
を有することを特徴とする現像装置。
【請求項２】
前記現像ローラに付着した前記磁性現像剤を前記長手方向の内側に掻き寄せるために、前記現像ローラと当接する掻き寄せ部であって、前記回転方向における前記円弧面の下流側端部よりも前記回転方向の下流側、かつ、前記突出面よりも前記回転方向の上流側に配置された掻き寄せ部を有し、
前記長手方向における前記突出面の内側端部が、前記長手方向における前記掻き寄せ部の内側端部よりも、前記長手方向において外側に位置することを特徴とする請求項１に記載の現像装置。
【請求項３】
前記長手方向における前記円弧面の内側端部が、前記長手方向における前記掻き寄せ部の内側端部よりも、前記長手方向において内側に位置することを特徴とする請求項２に記載の現像装置。
【請求項４】
前記シート部材は、前記長手方向において前記突出面の内側の部分を覆うことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の現像装置。
【請求項５】
前記シート部材は、前記円弧面の一部も覆うことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の現像装置。
【請求項６】
前記シート部材と前記突出面とが接着されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の現像装置。
【請求項７】
画像形成装置本体に着脱可能なプロセスカートリッジにおいて、
電子写真感光体と、
磁性現像剤を担持搬送して、前記電子写真感光体に形成された静電潜像を現像する現像ローラと、
前記現像ローラの一部を露出するための開口部を有し、前記現像ローラを回転可能に支持する現像枠体と、
前記現像枠体と前記現像ローラとの間から前記磁性現像剤が漏れるのを規制するために、前記現像ローラの回転方向における前記現像枠体の上流側端部に取り付けられて前記現像ローラに当接するシート部材と、
前記現像枠体と前記現像ローラとの間で前記磁性現像剤をシールするために、前記現像ローラの長手方向の端部において前記現像枠体に取り付けられた磁気シール部材であって、磁性を有して前記現像ローラの外周面と間隙をもって対向する円弧面と、磁性を有して前記回転方向における前記円弧面の上流側端部から前記回転方向の上流側へ突出して、前記円弧面よりも前記現像ローラの外周面から離れるように構成され、前記シート部材によって少なくとも一部が覆われた突出面と、を有する磁気シール部材と、
を有することを特徴とするプロセスカートリッジ。
【請求項８】
現像枠体と現像ローラとの間で磁性現像剤をシールするために前記現像ローラの長手方向の端部において前記現像枠体に取り付けられる磁気シール部材において、
前記磁気シール部材が前記現像枠体に取り付けられた状態で、磁性を有して前記現像ローラの外周面と間隙をもって対向する円弧面と、
前記磁気シール部材が前記現像枠体に取り付けられた状態で、磁性を有して前記現像ローラの回転方向における前記円弧面の上流側端部に設けられ、前記円弧面よりも前記現像ローラの外周面から離れるように構成された突出面であって、前記現像枠体に取り付けられて前記現像ローラに当接するシート部材、によって少なくとも一部が覆われる突出面と、
を有することを特徴とする磁気シール部材。
【請求項９】
前記磁気シール部材が前記現像枠体に取り付けられた状態で、前記長手方向における前記突出面の内側端部が、前記長手方向における前記円弧面の内側端部よりも、前記長手方向において外側に位置することを特徴とする請求項８に記載の磁気シール部材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するための、本出願に係る発明は、画像形成装置に用いられる現像装置において、磁性現像剤を担持搬送する現像ローラと、前記現像ローラの一部を露出するための開口部を有し、前記現像ローラを回転可能に支持する現像枠体と、前記現像枠体と前記現像ローラとの間から前記磁性現像剤が漏れるのを規制するために、前記現像ローラの回転方向における前記現像枠体の上流側端部に取り付けられて前記現像ローラに当接するシート部材と、前記現像枠体と前記現像ローラとの間で前記磁性現像剤をシールするために、前記現像ローラの長手方向の端部において前記現像枠体に取り付けられた磁気シール部材であって、磁性を有して前記現像ローラの外周面と間隙をもって対向する円弧面と、磁性を有して前記回転方向における前記円弧面の上流側端部から前記回転方向の上流側へ突出して、前記円弧面よりも前記現像ローラの外周面から離れるように構成され、前記シート部材によって少なくとも一部が覆われた突出面と、を有する磁気シール部材と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月16日(2009.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、結着樹脂、着色剤及びワックス成分を含有するトナー母粒子と、無機微粉体とを含むイエロートナーにおいて、
着色剤として少なくともＣ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  １５５をトナー全体に対して１〜２０質量％含有し、
該Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  １５５中の塩素原子が該Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  １５５に対して１００〜１，０００ｐｐｍであることを特徴とするイエロートナー。
【請求項２】
前記Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  １５５は、個数平均粒径（Ｄｍ）が３０ｎｍ以上７０ｎｍ以下であるＰＹ−１５５ａと、個数平均粒径（Ｄｍ）が８０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であるＰＹ−１５５ｂとの混合物であり、
該ＰＹ−１５５ａと該ＰＹ−１５５ｂは、ＰＹ−１５５ａ／ＰＹ−１５５ｂ＝９５／５〜５０／５０の質量比率で混合されている請求項１に記載のイエロートナー。
【請求項３】
前記イエロートナーの重量平均粒径Ｄ４が４．０〜８．０μｍであり、重量平均粒径Ｄ４と個数平均粒径Ｄ１の比（重量平均粒径Ｄ４／個数平均粒径Ｄ１）が１．３５以下である請求項１または２に記載のイエロートナー。
【請求項４】
スルホン酸基、スルホン酸塩基又はスルホン酸エステル基を有する重合体又は共重合体をさらに含有する請求項１乃至３のいずれか一項に記載のイエロートナー。
【請求項５】
さらに極性樹脂を含有し、該極性樹脂が触媒としてチタンキレート化合物を使用して重合したポリエステル樹脂である請求項１乃至４のいずれか一項に記載のイエロートナー。
【請求項６】
前記チタンキレート化合物の配位子が、ジオール、ジカルボン酸、オキシカルボン酸のいずれかである請求項５に記載のイエロートナー。
【請求項７】
前記トナー母粒子が、水系媒体中で製造されたものである請求項１乃至６のいずれか一項に記載のイエロートナー。
【請求項８】
前記トナー母粒子が、重合性単量体、着色剤、及びワックス成分を少なくとも含有する重合性単量体組成物を水系媒体中に分散し、前記重合性単量体組成物の粒子を造粒し、前記重合性単量体組成物の粒子中の前記重合性単量体を重合させて得られたものである請求項１乃至７のいずれか一項に記載のイエロートナー。
【請求項９】
請求項１に記載のイエロートナーの製造方法であって、
重合性単量体、着色剤、及びワックス成分を少なくとも含有する重合性単量体組成物を水系媒体中に分散し、前記重合性単量体組成物の粒子を造粒し、前記重合性単量体組成物の粒子中の前記重合性単量体を重合させてトナー母粒子を製造する工程と、
該トナー母粒子と無機微粉体とを混合する工程を有し、
該トナー母粒子を製造する工程は、該着色剤としてＣ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  １５５を、該Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  １５５が該イエロートナーの全体に対して１〜２０質量％含有されるように含有させる工程を含み、
該Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  １５５は、該Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  １５５中の塩素原子が該Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  １５５に対して１００〜１，０００ｐｐｍであることを特徴とするイエロートナーの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するための本発明は以下の通りである。
＜１＞
少なくとも、結着樹脂、着色剤及びワックス成分を含有するトナー母粒子と、無機微粉体とを含むイエロートナーにおいて、
着色剤として少なくともＣ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  １５５をトナー全体に対して１〜２０質量％含有し、
該Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  １５５中の塩素原子が該Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  １５５に対して１００〜１，０００ｐｐｍであることを特徴とするイエロートナー。
＜２＞
前記Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  １５５は、個数平均粒径（Ｄｍ）が３０ｎｍ以上７０ｎｍ以下であるＰＹ−１５５ａと、個数平均粒径（Ｄｍ）が８０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であるＰＹ−１５５ｂとの混合物であり、
該ＰＹ−１５５ａと該ＰＹ−１５５ｂは、ＰＹ−１５５ａ／ＰＹ−１５５ｂ＝９５／５〜５０／５０の質量比率で混合されている＜１＞に記載のイエロートナー。
＜３＞
前記イエロートナーの重量平均粒径Ｄ４が４．０〜８．０μｍであり、重量平均粒径Ｄ４と個数平均粒径Ｄ１の比（重量平均粒径Ｄ４／個数平均粒径Ｄ１）が１．３５以下である＜１＞または＜２＞に記載のイエロートナー。
＜４＞
スルホン酸基、スルホン酸塩基又はスルホン酸エステル基を有する重合体又は共重合体をさらに含有する＜１＞乃至＜３＞のいずれか一項に記載のイエロートナー。
＜５＞
さらに極性樹脂を含有し、該極性樹脂が触媒としてチタンキレート化合物を使用して重合したポリエステル樹脂である＜１＞乃至＜４＞のいずれか一項に記載のイエロートナー。
＜６＞
前記チタンキレート化合物の配位子が、ジオール、ジカルボン酸、オキシカルボン酸のいずれかである＜５＞に記載のイエロートナー。
＜７＞
前記トナー母粒子が、水系媒体中で製造されたものである＜１＞乃至＜６＞のいずれか一項に記載のイエロートナー。
＜８＞
前記トナー母粒子が、重合性単量体、着色剤、及びワックス成分を少なくとも含有する重合性単量体組成物を水系媒体中に分散し、前記重合性単量体組成物の粒子を造粒し、前記重合性単量体組成物の粒子中の前記重合性単量体を重合させて得られたものである＜１＞乃至＜７＞のいずれか一項に記載のイエロートナー。
＜９＞
請求項１に記載のイエロートナーの製造方法であって、
重合性単量体、着色剤、及びワックス成分を少なくとも含有する重合性単量体組成物を水系媒体中に分散し、前記重合性単量体組成物の粒子を造粒し、前記重合性単量体組成物の粒子中の前記重合性単量体を重合させてトナー母粒子を製造する工程と、
該トナー母粒子と無機微粉体とを混合する工程を有し、
該トナー母粒子を製造する工程は、該着色剤としてＣ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  １５５を、該Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  １５５が該イエロートナーの全体に対して１〜２０質量％含有されるように含有させる工程を含み、
該Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  １５５は、該Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  １５５中の塩素原子が該Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  １５５に対して１００〜１，０００ｐｐｍであることを特徴とするイエロートナーの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月13日(2009.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、該光源と光学的に接続される導光部材と、該導光部材の出射側端部に設けられ前記光源からの光を波長変換する波長変換部材と、前記導光部材の断線を検出する検出部材を具備する発光装置であって、
前記検出部材は、前記波長変換部材によって波長変換された光を検出する受光素子、又は、前記波長変換部材の温度を検出する温度センサを有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記受光素子は、前記導光部材の前記光源側に設けられ、前記光源からの光と前記波長変換部材によって変換された光とを分光させる分光器を介して設けられる請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記受光素子は、前記光源と光学的に接続されている導光部材とは異なる第２の導光部材に接続されている請求項１又は請求項２記載の発光装置。
【請求項４】
前記第２の導光部材と前記波長変換部材との間に、前記光源からの光を反射させるとともに前記波長変換部材によって変換された光を透過させる光学膜を有する請求項３記載の発光装置。
【請求項５】
前記光源と光学的に接続される導光部材と前記第２の導光部材とが同一の保持部材によって保持されていることを特徴とする請求項３又は４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記第２の導光部材の出射側の端面が、前記光源と光学的に接続される導光部材の端面と同じ面上になるように位置していることを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記受光素子は、前記導光部材の出射側に設けられる請求項１記載の発光装置。
【請求項８】
前記温度センサは、前記導光部材の出射側に設けられる請求項１記載の発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の請求項５に記載の発光装置は、光源と光学的に接続される導光部材と第２の導光部材とが同一の保持部材によって保持されていることを特徴とする。
本発明の請求項６に記載の発光装置は、第２の導光部材の出射側の端面が、光源と光学的に接続される導光部材の端面と同じ面上になるように位置していることを特徴とする。
本発明の請求項７に記載の発光装置は、受光素子は、導光部材の出射側に設けられることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の請求項８に記載の発光装置は、温度センサは、導光部材の出射側に設けられることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月16日(2009.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソルダーレジストのパターン形成における露光処理に用いられ、フォトマスクを具備するフォトツールにおいて、該フォトマスクのレジスト面側に３７０ｎｍ以下の光を５０％以上カットし且つ４００ｎｍ以上の光を８０％以上透過する保護フィルムを具備することを特徴とするフォトツール。
【請求項２】
前記保護フィルムが熱可塑性フィルムであり、紫外線吸収剤を含有することを特徴とする請求項１に記載のフォトツール。
【請求項３】
前記保護フィルムが紫外線吸収層を有する保護フィルムであることを特徴とする請求項１に記載のフォトツール。
【請求項４】
アルカリ現像可能な感光性組成物を基板上に塗布し、またはアルカリ現像可能な感光性組成物をフィルムに塗布、乾燥してなるドライフィルムを基板上にラミネートし、得られた塗膜に対し、請求項１乃至３のいずれか１項に記載のフォトツールを介して選択的に紫外線を照射し、未露光部分を現像してパターン形成した後、加熱により熱硬化させて硬化塗膜を得ることを特徴とするソルダーレジストパターンの形成方法。
【請求項５】
前記感光性組成物が、該感光性組成物の乾燥塗膜の波長４０５ｎｍにおける吸光度が膜厚２５μｍあたり０．２〜１．２の感光性組成物であることを特徴とする、請求項４に記載のソルダーレジストパターンの形成方法。
【請求項６】
請求項４または５に記載のソルダーレジストパターンの形成方法により得られる硬化塗膜を具備するプリント配線板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明により、アルカリ現像可能な感光性組成物をフィルムに塗布、乾燥してなるドライフィルムを基板上にラミネートし、得られた塗膜に対し、上記フォトツールを介して選択的に紫外線を照射し、未露光部分を現像してパターン形成した後、加熱により熱硬化させて硬化塗膜を得ることを特徴とするソルダーレジストパターンの形成方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月16日(2009.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソルダーレジスト層にフォトマスクを介して所望パターンを露光しレジストパターンを形成するレジストパターン形成方法において、露光光を発生する光源とフォトマスクとの間に、３７０ｎｍ以下の光を５０％以上カットし且つ４００ｎｍ以上の光を８０％以上透過するフィルムを介在させ、光源から発生する露光光を前記フィルム及びフォトマスクを介してソルダーレジスト層に照射することを特徴とするソルダーレジストパターンの形成方法。
【請求項２】
前記フィルムが熱可塑性フィルムであり、紫外線吸収剤を含有することを特徴とする請求項１に記載のソルダーレジストパターンの形成方法。
【請求項３】
前記フィルムが、熱可塑性フィルムと該熱可塑性フィルム上にラミネートされた紫外線吸収剤含有層とから構成されることを特徴とする請求項１に記載のソルダーレジストパターンの形成方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載のソルダーレジストパターンの形成方法において、ソルダーレジスト層に所望パターンを露光した後、未露光部分を現像してパターン形成し、加熱により熱硬化させて硬化塗膜を得ることを特徴とするソルダーレジストパターンの形成方法。
【請求項５】
前記ソルダーレジスト層がアルカリ現像可能な感光性組成物からなり、該感光性組成物が、その乾燥塗膜の波長４０５ｎｍにおける吸光度が膜厚２５μｍあたり０．２〜１．２であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のソルダーレジストパターンの形成方法。
【請求項６】
請求項４又は５に記載のソルダーレジストパターンの形成方法により得られる硬化塗膜を具備するプリント配線板。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月31日(2010.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に順次積層された第１酸化膜及び第１窒化膜と、
前記第１窒化膜上に所定の間隔で配列された複数の第１ゲート電極と、
前記各第１ゲート電極の上部及び側壁を覆う第２酸化膜と、
前記第２酸化膜により覆われた前記各第１ゲート電極の側壁に生じたオーバーハング部に埋め込まれた第３酸化膜からなるサイドウォールと、
前記第２酸化膜と前記サイドウォールと前記各第１ゲート電極間の前記第１窒化膜とを覆う第２窒化膜と、
少なくとも隣接する前記各第１ゲート電極間における前記第２窒化膜上に形成された複数の第２ゲート電極とを備え、
前記各第２ゲート電極は、前記第２酸化膜、前記サイドウォール及び前記第２窒化膜により前記第１ゲート電極から離隔されていると共に、前記第１酸化膜、前記第１窒化膜及び前記第２窒化膜により前記半導体基板から離隔されており、
前記第１ゲート電極の下側における前記第１窒化膜と前記第２ゲート電極の下側における前記第１窒化膜とは連続していることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
請求項１に記載の固体撮像装置において、
前記第１ゲート電極と前記第１窒化膜との間、及び前記第２ゲート電極と前記第２窒化膜との間にそれぞれ酸化膜が設けられていることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の固体撮像装置において、
前記第２ゲート電極の下側における前記第１窒化膜と前記第２窒化膜との合計厚さは、前記第１ゲート電極の下側における前記第１窒化膜の厚さと同じであることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の固体撮像装置において、
前記第１酸化膜の膜厚は１０〜５０ｎｍであることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の固体撮像装置において、
前記第１ゲート電極の下の前記第１窒化膜の膜厚は２０〜１００ｎｍであることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の固体撮像装置において、
前記第２ゲート電極の下の前記第２窒化膜の膜厚は２ｎｍ以上で且つ３５ｎｍ以下であることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項７】
半導体基板上に第１酸化膜及び第１窒化膜を順次積層する第１工程と、
前記第１窒化膜上に、所定の間隔で配列された複数の第１ゲート電極を形成する第２工程と、
前記各第１ゲート電極の上部及び側壁を覆う第２酸化膜を形成する第３工程と、
前記第２酸化膜により覆われた前記各第１ゲート電極の側壁に生じたオーバーハング部に、第３酸化膜からなるサイドウォールを埋め込む第４工程と、
前記第２酸化膜と前記サイドウォールと前記各第１ゲート電極間の前記第１窒化膜とを覆う第２窒化膜を形成する第５工程と、
少なくとも隣接する前記各第１ゲート電極間における前記第２窒化膜上に複数の第２ゲート電極を形成する第６工程とを備え、
前記第２工程において、前記各第１ゲート電極間の前記第１窒化膜の一部を残存させることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の固体撮像装置の製造方法において、
前記第２工程よりも前に、前記第１窒化膜上に酸化膜を形成する工程をさらに備え、
前記第６工程よりも前に、前記第２窒化膜上に酸化膜を形成する工程をさらに備えていることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７又は８に記載の固体撮像装置の製造方法において、
前記第２窒化膜の厚さは、前記第１ゲート電極下のポテンシャルと前記第２ゲート電極下のポテンシャルとが同じになるように調節されることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項７〜９のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法において、
前記第２窒化膜の厚さは、２ｎｍ以上で且つ３５ｎｍ以下であることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項７〜１０のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法において、
前記第２窒化膜の厚さは、前記第２ゲート電極の下側における前記第１窒化膜と前記第２窒化膜との合計厚さと、前記第１ゲート電極の下側における前記第１窒化膜の厚さとが同じになるように調節されることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項７〜１１のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法において、
前記第１工程では、前記第１酸化膜の膜厚を１０〜５０ｎｍに設定することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項７〜１２のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法において、
前記第１工程では、前記第１窒化膜の膜厚を２０〜１００ｎｍに設定することを特徴とする固体撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
第一に、第２ゲート電極１６は、シリコン酸化膜１５によって電気的に分離された状態で第１ゲート電極１４とオーバーラップしているが、シリコン酸化膜１５の形成は、前述のように、シリコン窒化膜１３と第１ゲート電極１４を構成するポリシリコン膜との間の酸化膜成長速度差を利用したものであるため、図１６（ａ）に示すように、第１ゲート電極１４と第２ゲート電極１６との間のシリコン酸化膜１５は、第１ゲート電極１４の側壁下部では他の部分よりも薄くなる結果、当該側壁下部でゲート間リーク電流が発生し易い。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
第二に、第１ゲート電極１４形成時のエッチングにより、第１ゲート電極１４下側以外のシリコン窒化膜１３にはある一定量の膜減りが生じるため、第１ゲート電極１４下側のシリコン窒化膜１３の膜厚と第２ゲート電極１６下側のシリコン窒化膜１３の膜厚との間には差が生じる。その結果、第１ゲート電極１４と半導体基板１１との間の誘電容量と、第２ゲート電極１６と半導体基板１１との間の誘電容量との間には差が発生するため、図１６（ｂ）に示すように、各ゲート電極下のポテンシャルが変動し、蓄積される飽和電荷量の低下や転送効率の悪化などの特性劣化が生じる要因となる。尚、図１６（ｂ）において、ＶＬ及びＶＭは各ゲート電極に印加されている電圧レベルを示している。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月2日(2010.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気素子と、リセット素子と、ラッチ素子とを含む記憶素子を有する不揮発性記憶装置を搭載し、前記リセット素子により前記ラッチ素子へ情報が格納され、前記電気素子が電気的に導通しているか、絶縁しているか、に応じて、前記ラッチ素子に格納される前記情報が決まることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
Ｐ型トランジスタと、電気素子と、ラッチ素子とを含む記憶素子を有する不揮発性記憶装置を有し、
前記Ｐ型トランジスタのゲートは、リセット端子に電気的に接続され、
前記Ｐ型トランジスタのソースは、電源端子に電気的に接続され、
前記Ｐ型トランジスタのドレインは、出力端子と前記ラッチ素子に電気的に接続され、
前記電気素子の一方の端子は、接地端子に電気的に接続され、他方の端子は、前記出力端子と前記ラッチ端子に電気的に接続され、
前記Ｐ型トランジスタが電気的に導通することにより前記ラッチ素子に情報が格納され、
前記ラッチ素子に前記情報が格納された状態で、前記Ｐ型トランジスタが電気的に絶縁することにより前記電気素子と前記出力端子とが電気的に導通しているか、または絶縁しているかに応じて、前記出力端子から出力される情報が決定されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
Ｐ型トランジスタと、Ｎ型トランジスタと、電気素子と、ラッチ素子とを含む記憶素子を有する不揮発性記憶装置を有し、
前記Ｐ型トランジスタのゲートと前記Ｎ型トランジスタのゲートは、リセット端子に電気的に接続され、
前記Ｐ型トランジスタのソースは、電源端子に電気的に接続され、
前記Ｐ型トランジスタのドレインは、前記電気素子の一方の端子に電気的に接続され、
前記Ｎ型トランジスタのソースは、接地端子に電気的に接続され、
前記Ｎ型トランジスタのドレインは、前記電気素子の他方の端子に電気的に接続され、
前記電気素子の一方の端子または他方の端子は、前記ラッチ素子と前記出力端子に電気的に接続され、
前記Ｐ型トランジスタ及び前記Ｎ型トランジスタの一方が電気的に導通することにより前記ラッチ素子に情報が格納され、
前記ラッチ素子に前記情報が格納された状態で、前記Ｐ型トランジスタ及び前記Ｎ型トランジスタの一方が電気的に絶縁することにより前記電気素子と前記出力端子とが電気的に導通しているか、または絶縁しているかに応じて、前記出力端子から出力される情報が決定されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記電気素子は、レーザー描画により切断することで電気的に絶縁されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記電気素子は、過電流を印加し破壊することで電気的に絶縁されることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記電気素子は、第１のダイオードと、第２のダイオードとを含み、前記第１のダイオード及び前記第２のダイオードの少なくとも一方に過電流を印加し破壊することで電気的に導通されることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記電気素子は、相変化により電気抵抗値が変化する相変化メモリであることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記電気素子は、浮遊ゲートを有する不揮発性メモリトランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記電気素子は、ＭＯＮＯＳ構造を有するメモリトランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
電気抵抗と、前記電気抵抗に電気的に接続されるリセット素子と、前記リセット素子と前記電気抵抗に電気的に接続されるラッチ素子と、を含む記憶素子を有する不揮発性記憶装置を有し、
前記リセット素子によって情報が前記ラッチ素子に格納され、
前記情報は、前記電気抵抗が電気的に導通しているか、または絶縁しているかに応じて決定され、
前記電気抵抗は、レーザ描画により切断されることによって電気的に絶縁されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
電気抵抗と、リセット素子と、ラッチ素子と、を含む記憶素子を有する不揮発性記憶装置を有し、
前記リセット素子の第１端子は、第１配線に電気的に接続され、
前記電気抵抗の第１端子は、第２配線に電気的に接続され、
前記リセット素子の第２端子は、前記電気抵抗の第２端子と第３配線に電気的に接続され、
前記ラッチ素子の第１端子および第２端子は、前記第３配線に電気的に接続され、
前記電気抵抗は、レーザ描画により切断されることによって電気的に絶縁されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
第１のダイオードと、第２のダイオードと、リセット素子と、ラッチ素子と、を含む記憶素子を有する不揮発性記憶装置を有し、
前記リセット素子の端子は、第１配線に電気的に接続され、
前記ラッチ素子の第１端子および第２端子は、前記第１配線に電気的に接続され、
前記第２のダイオードは、前記第１のダイオードを介して前記第１配線に電気的に接続され、
前記第１のダイオード及び前記第２のダイオードの少なくとも一方は、過電流が印加されることによって電気的に導通されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
第１のダイオードと、前記第１のダイオードに電気的に接続される第２のダイオードと、前記第１のダイオード及び前記第２のダイオードに電気的に接続されるリセット素子と、前記リセット素子、前記第１のダイオード及び前記第２のダイオードに電気的に接続されるラッチ素子と、を含む記憶素子を有する不揮発性記憶装置を有し、
前記リセット素子によって情報が前記ラッチ素子に格納され、
前記情報は、前記第１のダイオード及び前記第２のダイオードの少なくとも一方が電気的に導通しているか、または絶縁しているかに応じて決定され、
前記第１のダイオード及び前記第２のダイオードの少なくとも一方は、過電流が印加されることによって電気的に導通されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１、１０乃至１３のいずれか一において、前記リセット素子に、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜を活性層とする薄膜トランジスタが用いられることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか一において、前記ラッチ素子に、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜を活性層とする薄膜トランジスタが用いられることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１４または１５において、前記絶縁表面を有する基板は、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板またはＳＯＩ基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のいずれか一において、前記ラッチ素子は、第１のインバータ及び第２のインバータを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月9日(2009.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンを含有する半導体層上に金属層を形成する工程と、
前記半導体層及び前記金属層に熱を加えることにより、前記半導体層の表面に金属シリサイド層を形成する工程と、
前記金属シリサイド層の上方から、該金属シリサイド層をカラー撮像して画像データを生成する工程と、
前記画像データを処理して前記金属シリサイド層の彩度を算出する工程と、
算出した前記彩度に基づいて、前記金属シリサイド層の形成量を判断する工程と、を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
シリコンを含有する半導体層上に金属層を形成する工程と、
前記半導体層及び前記金属層に熱を加えることにより、前記半導体層の表面に金属シリサイド層を形成する工程と、
前記金属シリサイド層の上方から、該金属シリサイド層をカラー撮像して画像データを生成する工程と、
前記画像データを処理して前記金属シリサイド層の色相を算出する工程と、
算出した前記色相に基づいて、前記金属シリサイド層の形成量を判断する工程と、を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記金属層はニッケル層、チタン層、又はコバルト層であり、前記金属シリサイド層はニッケルシリサイド層、チタンシリサイド層、又はコバルトシリサイド層である請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記半導体層は、薄膜トランジスタのソース又はドレインである請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
シリコンを含有する半導体層の表面に形成された金属シリサイド層をカラー撮像して画像データを生成する撮像手段と、
前記画像データを処理して前記金属シリサイド層の彩度を算出する彩度算出部と、
前記彩度算出部が算出した彩度に基づいて、前記金属シリサイド層の形成量を判断する判断部と、を具備する半導体検査装置。
【請求項６】
前記判断部は、前記金属シリサイド層のシート抵抗と彩度の相関を示す式を保持しており、該式に、前記彩度算出部が算出した彩度を代入してシート抵抗を算出し、算出した前記シート抵抗が基準値以下である場合に、前記金属シリサイド層が十分に形成されていると判断する請求項５に記載の半導体検査装置。
【請求項７】
前記判断部は、前記金属シリサイド層の膜厚と彩度の相関を示す式を保持しており、該式に、前記彩度算出部が算出した彩度を代入して膜厚を算出し、算出した前記膜厚が基準値以上である場合に、前記金属シリサイド層が十分に形成されていると判断する請求項５に記載の半導体検査装置。
【請求項８】
前記画像データは、ＲＧＢ画像データであり、
前記彩度算出部は、前記ＲＧＢ画像データにおいてＧの平均値がＢの平均値よりも大きい場合に、前記ＲＧＢ画像データを処理して前記金属シリサイド層の彩度を算出する請求項５乃至７のいずれか一項に記載の半導体検査装置。
【請求項９】
前記彩度算出部は、記録媒体を介してコンピュータシステムにインストールされるプログラムである請求項５乃至８のいずれか一項に記載の半導体検査装置。
【請求項１０】
シリコンを含有する半導体層の表面に形成された金属シリサイド層をカラー撮像して画像データを生成する撮像手段と、
前記画像データを処理して前記金属シリサイド層の色相を算出する色相算出部と、
前記色相算出部が算出した色相に基づいて、前記金属シリサイド層の形成量を判断する判断部と、を具備する半導体検査装置。
【請求項１１】
前記判断部は、前記金属シリサイド層のシート抵抗と色相の相関を示す式を保持しており、該式に、前記色相算出部が算出した色相を代入してシート抵抗を算出し、算出した前記シート抵抗が基準値以下である場合に、前記金属シリサイド層が十分に形成されていると判断する請求項１０に記載の半導体検査装置。
【請求項１２】
前記判断部は、前記金属シリサイド層の膜厚と色相の相関を示す式を保持しており、該式に、前記色相算出部が算出した色相を代入して膜厚を算出し、算出した前記膜厚が基準値以上である場合に、前記金属シリサイド層が十分に形成されていると判断する請求項１０に記載の半導体検査装置。
【請求項１３】
前記画像データは、ＲＧＢ画像データであり、
前記色相算出部は、前記ＲＧＢ画像データにおいてＧの平均値がＢの平均値よりも大きい場合に、前記ＲＧＢ画像データを処理して前記金属シリサイド層の色相を算出する請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載の半導体検査装置。
【請求項１４】
前記色相算出部は、記録媒体を介してコンピュータシステムにインストールされるプログラムである請求項１０乃至１３のいずれか一項に記載の半導体検査装置。
【請求項１５】
前記判断部は、記録媒体を介してコンピュータシステムにインストールされるプログラムである請求項５乃至１４のいずれか一項に記載の半導体検査装置。
【請求項１６】
コンピュータによって実行され、金属シリサイド層の画像データを処理して前記金属シリサイド層の形成量を判断する為のプログラムであって、
前記コンピュータに、
前記画像データを処理して前記金属シリサイド層の彩度を算出する機能と、
算出した前記彩度に基づいて、前記金属シリサイド層の形成量を判断する機能と、を実行させるプログラム。
【請求項１７】
コンピュータによって実行され、金属シリサイド層の画像データを処理して前記金属シリサイド層の形成量を判断する為のプログラムであって、
前記コンピュータに、
前記画像データを処理して前記金属シリサイド層の色相を算出する機能と、
算出した前記色相に基づいて、前記金属シリサイド層の形成量を判断する機能と、を実行させるプログラム。