【手続補正書】
【提出日】平成22年6月15日(2010.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板と、
前記基板上に形成され、前記基板に対して水平または回転移動可能な第１構造層と、一部が前記基板に固定されている第２構造層とが絶縁層と接する第２半導体層で形成された微小構造体と、
前記基板上に形成された、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、チャネル形成領域が設けられている第１半導体層と、を有するトランジスタと、
前記微小構造体に電気的に接続された前記トランジスタを有し、前記基板上に形成された電気回路と、
を有する微小電気機械式装置であって、
前記ゲート絶縁層と前記第１構造層および第２構造層の絶縁層とは、それぞれ、前記基板上の同じ絶縁膜をパターニングすることを用いて形成された絶縁層であり、
前記第１半導体層と前記第１構造層および第２構造層の第２半導体層とは、それぞれ、前記基板上の同じ半導体膜をパターニングすることを用いて形成された半導体層であることを特徴とする微小電気機械式装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１構造層および前記第２構造層の第２半導体層は、結晶性半導体層であることを特徴とする微小電気機械式装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記第１構造層および前記第２構造層の第２半導体層は、金属元素を用いて結晶化された結晶性半導体層であることを特徴とする微小電気機械式装置。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板と、
前記基板上に形成され、前記基板に対して水平または回転移動可能な第１構造層と、一部が前記基板に固定されている第２構造層とが絶縁層と接する導電層とで形成された微小構造体と、
前記基板上に形成された、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、チャネル形成領域が設けられている第１半導体層と、を有するトランジスタと、
前記微小構造体に電気的に接続された前記トランジスタを有し、前記基板上に形成された電気回路と、
を有する微小電気機械式装置であって、
前記ゲート絶縁層と前記第１構造層および第２構造層の絶縁層とは、それぞれ、前記基板上の同じ絶縁膜をパターニングすることを用いて形成された絶縁層であり、
前記第１半導体層と前記第１構造層および第２構造層の導電層とは、それぞれ、前記基板上の同じ半導体膜をパターニングすることを用いて形成された半導体層であり、
前記第１構造層および前記第２構造層の導電層は、半導体と金属元素との化合物を含むことを特徴とする微小電気機械式装置。
【請求項５】
絶縁表面を有する基板と、
前記基板上に形成され、前記基板に対して水平または回転移動可能な第１構造層と、一部が前記基板に固定されている第２構造層とが絶縁層と、前記絶縁層に接する第３半導体層と、前記第３半導体層に接する第４半導体層とで形成された微小構造体と、
前記基板上に形成された、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、チャネル形成領域が設けられている第１半導体層と、高濃度不純物領域が設けられている第２半導体層と、を有するトランジスタと、
前記微小構造体に電気的に接続された前記トランジスタを有し、前記基板上に形成された電気回路と、
を有する微小電気機械式装置であって、
前記ゲート絶縁層と前記第１構造層および第２構造層の絶縁層とは、それぞれ、前記基板上の同じ絶縁膜をパターニングすることを用いて形成された絶縁層であり、
前記第１半導体層と前記第３半導体層とは、それぞれ、前記基板上の同じ半導体膜をパターニングすることを用いて形成された半導体層であり、
前記第２半導体層と前記第４半導体層とは、それぞれ、前記基板上の同じ半導体膜をパターニングすることを用いて形成された半導体層であることを特徴とする微小電気機械式装置。
【請求項６】
絶縁表面を有する基板と、
前記基板上に形成され、前記基板に対して水平または回転移動可能な第１構造層と、一部が前記基板に固定されている第２構造層とが絶縁層と、前記絶縁層に接する第３半導体層と、前記第３半導体層に接する第４半導体層とで形成された微小構造体と、
前記基板上に形成された、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、チャネル形成領域が設けられている第１半導体層と、高濃度不純物領域が設けられている第２半導体層と、を有するトランジスタと、
前記微小構造体に電気的に接続された前記トランジスタを有し、前記基板上に形成された電気回路と、
を有する微小電気機械式装置であって、
前記第１構造層および前記第２構造層の絶縁層と前記ゲート絶縁層とは、それぞれ、前記基板上の同じ絶縁膜をパターニングすることを用いて形成された絶縁層であり、
前記第１半導体層と前記第３半導体層とはそれぞれ、前記基板上の同じ半導体膜をパターニングすることを用いて形成された半導体層であり、かつ前記第１半導体層と前記第３半導体層は結晶構造が異なり、
前記第２半導体層と前記第４半導体層とは、それぞれ、前記基板上の同じ半導体膜をパターニングすることを用いて形成された半導体層であることを特徴とする微小電気機械式装置。
【請求項７】
絶縁表面を有する基板と、
前記基板上に形成され、前記基板に対して水平または回転移動可能な第１構造層と、一部が前記基板に固定されている第２構造層とが絶縁層と、前記絶縁層に接する第３半導体層と、前記第３半導体層に接する導電層を有する第４半導体層とで形成された微小構造体と、
前記基板上に形成された、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、チャネル形成領域が設けられている第１半導体層と、高濃度不純物領域が設けられている第２半導体層と、を有するトランジスタと、
前記微小構造体に電気的に接続された前記トランジスタを有し、前記基板上に形成された電気回路と、
を有する微小電気機械式装置であって、
前記第１構造層および前記第２構造層の絶縁層と前記ゲート絶縁層とは、それぞれ、前記基板上の同じ絶縁膜をパターニングすることを用いて形成された絶縁層であり、
前記第１半導体層と前記第３半導体層とは、それぞれ、前記基板上の同じ半導体膜をパターニングすることを用いて形成された半導体層であり、
前記第２半導体層と前記第４半導体層とは、それぞれ、前記基板上の同じ半導体膜をパターニングすることを用いて形成された半導体層であり、かつ前記第２半導体層と前記第４半導体層は結晶構造が異なることを特徴とする微小電気機械式装置。
【請求項８】
請求項５乃至７のいずれか１項において、
前記第３半導体層と前記第４半導体層は結晶構造が異なることを特徴とする微小電気機械式装置。
【請求項９】
請求項５乃至７のいずれか１項において、
前記第３半導体層は非晶質半導体層または微結晶半導体層であり、前記第４半導体層は多結晶半導体層であることを特徴とする微小電気機械式装置。
【請求項１０】
請求項５乃至７のいずれか１項において、
前記第３半導体層は非晶質半導体層または微結晶半導体層であり、前記第４半導体層は金属を用いて結晶化された結晶性半導体層であることを特徴とする微小電気機械式装置。
【請求項１１】
請求項５乃至７のいずれか１項において、
前記第３半導体層および前記第４半導体層は結晶性半導体層であり、
前記第３半導体層と前記第４半導体層とは結晶成長方向が異なることを特徴とする微小電気機械式装置。
【請求項１２】
請求項５乃至７のいずれか１項において、
前記第３半導体層および前記第４半導体層は金属元素を用いて結晶化された結晶性半導体層であり、
前記第３半導体層と前記第４半導体層とは結晶成長方向が異なることを特徴とする微小電気機械式装置。
【請求項１３】
絶縁表面を有する基板と、
前記基板上に形成され、前記基板に対して水平または回転移動可能な第１構造層と、一部が前記基板に固定されている第２構造層とが絶縁層と、前記絶縁層に接する第３半導体層と、前記第３半導体層に接する導電層とで形成された微小構造体と、
前記基板上に形成された、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、チャネル形成領域が設けられている第１半導体層と、高濃度不純物領域が設けられている第２半導体層と、を有するトランジスタと、
前記微小構造体に電気的に接続された前記トランジスタを有し、前記基板上に形成された電気回路と、
を有する微小電気機械式装置であって、
前記第１構造層および前記第２構造層の絶縁層と前記ゲート絶縁層とは、それぞれ、前記基板上の同じ絶縁膜をパターニングすることを用いて形成された絶縁層であり、
前記第１半導体層と前記第３半導体層とは、それぞれ、前記基板上の同じ半導体膜をパターニングすることを用いて形成された半導体層であり、
前記第１構造層および前記第２構造層の導電層と前記第２半導体層とは、それぞれ、前記基板上の同じ半導体膜をパターニングすることを用いて形成された半導体層であり、かつ半導体と金属元素との化合物を含むことを特徴とする微小電気機械式装置。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記第３半導体層は、半導体と金属元素との化合物を含むことを特徴とする微小電気機械式装置。
【請求項１５】
絶縁表面を有する基板と、
前記基板上に形成され、前記基板に対して水平または回転移動可能な第１構造層と、一部が前記基板に固定されている第２構造層とが絶縁層と、前記絶縁層に接する第３半導体層と、前記第３半導体層に接する導電層とで形成された微小構造体と、
前記基板上に形成された、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、チャネル形成領域が設けられている第１半導体層と、高濃度不純物領域が設けられている第２半導体層と、を有するトランジスタと、
前記微小構造体に電気的に接続された前記トランジスタを有し、前記基板上に形成された電気回路と、
を有する微小電気機械式装置であって、
前記第１構造層および前記第２構造層の絶縁層と前記ゲート絶縁層は、それぞれ、前記基板上の同じ絶縁膜をパターニングすることを用いて形成された絶縁層であり、
前記第１半導体層と前記第３半導体層とは、それぞれ、前記基板上の同じ半導体膜をパターニングすることを用いて形成された半導体層であり、
前記第２半導体層と、前記第１構造層の導電層と、前記第２構造層の導電層とは、それぞれ、前記基板上の同じ半導体膜をパターニングすることを用いて形成された半導体層であり
前記第３半導体層は、半導体と金属元素との化合物を含むことを特徴とする微小電気機械式装置。
【請求項１６】
絶縁表面を有する基板上に形成され、前記基板に対して水平または回転移動可能な第１構造層、および一部が前記基板に固定されている第２構造層を有する微小構造体と、前記基板上に形成され、かつ前記微小構造体に電気的に接続されたトランジスタからなる電気回路とを含む微小電気機械式装置を作製する方法であり、
前記基板上に導電層を形成し、
前記導電層を所定の形状に加工することで、前記第１の領域に第１の犠牲層を形成し、前記第２の領域に前記トランジスタのゲート電極となる第１の導電層を形成し、
前記基板および前記第１の導電層上に、絶縁膜と半導体膜とを形成し、
前記絶縁膜および前記半導体膜を所定の形状に加工することで、前記第１の領域に前記絶縁層と前記半導体層とが積層された前記第１構造層および前記第２構造層を形成し、前記第２の領域に前記絶縁膜から前記トランジスタのゲート絶縁層を形成し、かつ前記半導体膜からチャネル形成領域が形成される半導体層を形成し、
少なくとも前記第２の領域の半導体層にｎ型またはｐ型の導電性を付与する不純物を選択的に添加し、
前記基板、前記第１の絶縁層、および前記半導体層上に他の導電層を形成し、
前記他の導電層を所定の形状に加工することで、前記第１の領域に第２の犠牲層を形成し、前記第２の領域に前記微小構造体と前記電気回路とを電気的に接続する電極となる第２の導電層を形成し、
前記第１の領域及び前記第２の領域上に他の絶縁層を形成し、
前記他の絶縁層の第１の領域に存在する部分の一部を少なくとも除去することで開口部を有する第２の絶縁層を形成し、
前記開口部を介して前記第１の犠牲層および前記第２の犠牲層を除去し、前記第１の領域に前記第１構造層および前記第２構造層を有する前記微小構造体を形成することを特徴とする微小電気機械式装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１６において、
前記第２導電層は金属元素を含み、
前記第２導電層と前記第１の領域の半導体層とを反応させて、半導体と金属元素の化合物を形成することを特徴とする微小電気機械式装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１６又は１７において、前記微小構造体は、前記第１構造体でなる回転子を有することを特徴とする微小電気機械式装置の作製方法。