(57)【要約】【課題】本発明は、渦電流による温度上昇を抑え、磁気コイルの放熱効果を高めることができる磁界発生機、およびデータの高速な記録再生が可能な光磁気記憶装置を提供することを目的とする。【解決手段】磁界を発生する磁気コイルと、磁気コイルを構成している導線の幅よりも大きい幅を有し、磁気コイルの外周を取り囲んで、磁気コイルに駆動電流を誘導する電流誘導部を備える。このような電流誘導部を従来の放熱部材として適用することにより、発生した渦電流がコイルの駆動電流によって打ち消されるため、効率よくコイルの熱を放熱することができる。【選択図】        図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の平面内で平面的に広がる螺旋状の導線からなるコイルと、
前記コイルの外周を取り囲み、該コイルを構成する導線に接続した、前記平面内の方向について前記導線の幅よりも大きい幅を有する、該コイルに供給される電流を誘導する電流誘導部とを備えたことを特徴とする磁界発生機。
【請求項２】
前記コイルを、前記平面に垂直な方向に並んだ状態で複数備え、
前記電流誘導部は、前記平面に垂直な方向についても前記導線の幅よりも大きい幅を有する、複数のコイルのうち少なくとも１つのコイルの外周に設けられたものであることを特徴とする請求項１記載の磁界発生機。
【請求項３】
前記電流誘導部は、前記平面に垂直な方向について、複数並べられたコイルのうち２つ以上のコイルにまたがる幅を有するものであることを特徴とする請求項２記載の磁界発生機。
【請求項４】
前記平面に垂直な方向から見て前記コイルに重なる位置に、該コイルとは絶縁されて設けられた、磁性材料からなる磁性体をさらに有することを特徴とする請求項１記載の磁界発生機。
【請求項５】
光の照射および磁場の印加を受けることにより情報が記録される光記憶媒体に対し、光の照射および磁場の印加によって情報アクセスを行う光磁気記憶装置において、
光を前記光記憶媒体上に集光する集光手段と、
前記集光手段と前記光記憶媒体との間に配設され、該光記憶媒体上の、前記集光手段が光を集光する位置に磁場を発生させる、所定の平面内で平面的に広がる螺旋状の導線からなるコイルと、
前記コイルの外周を取り囲み、該コイルを構成する導線に接続した、前記平面内の方向について前記導線の幅よりも大きい幅を有する、該コイルに供給される電流を誘導する電流誘導部とを備えたことを特徴とする光磁気記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁界を発生させる磁界発生機、および情報記憶媒体に対し光および磁場を用いて情報アクセスを行う光磁気記憶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、音声信号や画像信号を記憶する大容量の記憶媒体として、ＣＤ，ＣＤ−ＲＷ，ＣＤ−Ｒ，ＤＶＤ−ＲＡＭ，ＰＤ，ＭＯ，ＭＤ等といった情報記憶媒体が広く使われている。特に、光と磁場で情報アクセスが行われる光記憶媒体は、情報の書き換えが可能な高記憶密度媒体として注目されている。また、近年におけるコンピュータの高性能化に伴い、そのような光記憶媒体における記憶密度の飛躍的な向上や、光記憶媒体に対する情報再生や情報記録をより高速に行うための光磁気記憶装置の開発が望まれている。
【０００３】
従来の光磁気記憶装置では、情報に応じて光を変調することによって記憶媒体に情報を記録する光変調方式が採用されているが、上述したような高記憶密度化に伴い、従来の光変調方式に替えて、情報に応じて磁界を変調することによって情報を記録する磁界変調方式を採用する傾向が生じている。
【０００４】
磁界変調方式を用いた光磁気記憶装置は、記録のためのレーザ光を集光することにより光記憶媒体の記録膜の温度をキュリー点に近づけ、その状態で、磁気コイルによって発生された、情報に応じた向きの磁界を記録膜に印加することにより、記録膜の磁化方向を情報に応じた方向に向けて情報を記録する。
【０００５】
このような磁界変調方式を用いた光磁気記憶装置で、大容量データの記録や再生を高速に実行するためには、光記憶媒体に光を集光する光学系と、磁界を発生させる磁気コイルを、光記憶媒体から見て同一の側に配置する表面記録型の構成を有することが望ましい。また、この表面記録型の構成においては、磁界を効率よく印加するために、磁気コイルとして薄膜コイルを適用し、光記憶媒体と磁気コイルとの間の距離をなるべく近づけることが好ましく、光学系と光記憶媒体との間に環状の薄膜コイルが配置される構成が提案されている。
【０００６】
さらに、磁界の発生効率を向上させるためには、磁気コイルの磁心として機能する磁性体が磁気コイルと光学系との間に設けられた構成が有効であることが知られており、例えば特許文献１には、中央に孔が空いた円盤状の磁性体が設けられた例が示されている。
【０００７】
このような磁性体が設けられている場合に、磁気コイルを高周波数（例えば、２０ＭＨｚ）で駆動すると、この磁性体内には、磁性体の磁化変化に伴う渦電流が発生し、この渦電流が損失となって磁性体の温度を上昇させる。この温度上昇は、磁気コイルの温度上昇を招き、マイグレーションと称されるような、磁気コイルが細く痩せてしまって極端な場合には断線にいたる現象の原因となる場合がある。また、磁気コイルの温度上昇は、磁気コイルの抵抗を上昇させ、磁界の発生効率を低下させてしまううえ、例えば、光の屈折率などのような、磁気コイルの光学的特性を変化させてしまう恐れがあり、この場合、磁気コイルの内孔を通ってきた光が光記憶媒体上に正しく集光されないなどという問題がある。
【０００８】
このような磁気コイルの温度上昇を抑えるため、磁気コイルの周辺に熱伝導率が高い金属製の放熱部材を配置して、熱を磁気コイルの外に逃がすことも行われている（例えば、特許文献２および特許文献３参照）。
【０００９】
【特許文献１】
特開平１０−３２０８６３号公報
【特許文献２】
特開２００３−５１１４４号公報
【特許文献３】
特開２０００−１３２８０３号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、磁気コイルに近接した位置に金属製の放熱部材を配置すると、その放熱部材にも渦電流が発生し、コイルの温度をさらに上昇させてしまう恐れがある。したがって、本来の目的である磁気コイルの放熱効果を得るためには、放熱部材を、渦電流の発生が回避される程度に磁気コイルから遠ざけて配置する必要があり、この場合、十分には放熱効果を得られないという問題がある。
【００１１】
本発明は、上記事情に鑑み、渦電流による温度上昇が抑えられた、放熱効果の高い磁界発生機、およびデータの高速な記録再生が可能な光磁気記憶装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する本発明の磁界発生機は、
所定の平面内で平面的に広がる螺旋状の導線からなるコイルと、
コイルの外周を取り囲み、そのコイルを構成する導線に接続した、平面内の方向について導線の幅よりも大きい幅を有する、コイルに供給される電流を誘導する電流誘導部とを備えたことを特徴とする。
【００１３】
本発明の磁界発生機によれば、上記平面内の方向について幅広の電流誘導部がコイルの外周を取り囲んでおり、この電流誘導部が、コイルの熱を奪って放熱する、従来の放熱部材の役割を担っている。従来の放熱部材と同様に、電流誘導部にも渦電流が発生するが、電流誘導部にはコイルに供給される駆動電流が流れるため、この駆動電流によって渦電流が打ち消され、渦電流損失によって引き起こされるコイルの温度上昇が抑えられる。また、電流誘導部における渦電流損失の影響が少ないため、電流誘導部とコイルを近接して配置することができるうえ、電流誘導部とコイルとは接続されているため、コイルの熱を効率よく放熱することができる。
【００１４】
また、本発明の磁界発生機は、コイルを、上記平面に垂直な方向に並んだ状態で複数備え、
電流誘導部は、上記平面に垂直な方向についても導線の幅よりも大きい幅を有する、複数のコイルのうち少なくとも１つのコイルの外周に設けられたものであることが好適である。
【００１５】
磁界発生機に複数のコイルを搭載することにより、磁界の発生効率を向上させることができるが、コイル全体としての発熱量も増加してしまう。このような複数のコイルが搭載された磁界発生機に、平面内の方向だけでなく、平面に垂直な方向についても幅広な電流誘導部を備えることにより、より多くの熱を放熱することができる。
【００１６】
また、本発明の磁界発生機において、上述したように複数のコイルを搭載する場合には、上記の電流誘導部は、平面に垂直な方向について、複数並べられたコイルのうち２つ以上のコイルにまたがる幅を有するものであることも好ましい。
【００１７】
このような十分な幅を有する電流誘導部を備えることによって、複数のコイルで発生した熱を十分に放熱することができる。
【００１８】
さらに、本発明の磁界発生機は、上記平面に垂直な方向から見てコイルに重なる位置に、コイルとは絶縁されて設けられた、磁性材料からなる磁性体をさらに有することが好ましい。
【００１９】
磁性体を搭載することによって、コイルの磁界の発生効率を向上させることができる。
【００２０】
また、本発明の光磁気記憶装置は、光の照射および磁場の印加を受けることにより情報が記録される光記憶媒体に対し、光の照射および磁場の印加によって情報アクセスを行う光磁気記憶装置において、
光を光記憶媒体上に集光する集光手段と、
集光手段と光記憶媒体との間に配設され、光記憶媒体上の、集光手段が光を集光する位置に磁場を発生させる、所定の平面内で平面的に広がる螺旋状の導線からなるコイルと、
コイルの外周を取り囲み、コイルを構成する導線に接続した、平面内の方向について導線の幅よりも大きい幅を有する、コイルに供給される電流を誘導する電流誘導部とを備えたことを特徴とする。
【００２１】
なお、本発明にいう光磁気記憶装置については、ここではその基本形態のみを示すのにとどめるが、これは単に重複を避けるためであり、本発明にいう光磁気記憶装置には、上記の基本形態のみではなく、前述した磁界発生機の各形態に対応する各種の形態が含まれる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【００２３】
図１は、本発明の磁界発生機の一実施形態が組み込まれた、本発明の光磁気記憶装置の一実施形態を示す図である。
【００２４】
ここに例示した光磁気記憶装置１００には、光磁気記憶装置１００の土台となるアルミニウム合金製のドライブベース１１０が備えられており、ドライブベース１１０はフレーム１２０に取り付けられている。また、ドライブベース１１０には、トップカバー１３０およびボトムカバー（図示省略）がそれぞれねじ止めされている。
【００２５】
フレーム１２０には、フロントパネル１４０が取り付けられており、このフロントパネル１４０には、本発明にいう光記憶媒体の一例に相当する光磁気（ＭＯ）ディスクを内蔵したＭＯディスクカートリッジが光磁気記憶装置１００内に挿入されるための挿入口１４１が設けられている。
【００２６】
光磁気記憶装置１００の、フロントパネル１４０が取り付けられた前端に対する後端には、光磁気記憶装置１００をコンピュータ等といった機器と電気的に接続するためのコネクタ１５０が搭載されている。
【００２７】
光磁気記憶装置１００の内部には、ＭＯディスクを保持して回転させるスピンドルモータや、ＭＯディスクに対して光の照射や磁場の印加を行って情報の記録や再生を行うヘッドが搭載されている。
【００２８】
図２は、ヘッドの構成を表す斜視図である。
【００２９】
図２に示すヘッドは、ＭＯディスク２１０の半径方向に移動自在な移動アセンブリ１６０と、図１に示すドライブベース１１０に固定される固定アセンブリ２００とで構成されている。
【００３０】
固定アセンブリ２００には、情報の読み書きに用いられるレーザ光を発生するレーザダイオード２０１と、ＭＯディスク２１０が反射した光に含まれている、ＭＯディスク２１０に記憶されている情報に応じた信号を検出する光検出器２０２と、情報を記憶する場所としてＭＯディスク２１０上に螺旋状に多数周設けられているトラックに対する集光スポットのずれを検出するための光検出器２０３と、集光スポットのフォーカスのずれを検出するための光検出器２０４が取り付けられている。
【００３１】
移動アセンブリ１６０は、一対の磁気回路２２０によって駆動され、一対のガイドレール２３０に沿ってＭＯディスク２１０の半径方向に移動する。移動アセンブリ１６０上には、ＭＯディスク２１０上に光を集光する集光レンズ３００や、集光レンズ３００による集光スポットの位置に磁界を発生させる磁気コイルや、集光レンズ３００の位置を微調整することによって、集光スポットのフォーカスを調整する（フォーカス制御）とともに集光スポットをトラック上に位置させる（シーク制御）アクチュエータなどが搭載されている。アクチュエータによる集光レンズ３００の位置の微調整は、上述した光検出器２０４，２０５によって検出されたずれに基づいて行われる。
【００３２】
また、移動アセンブリ１６０には、断面が四角形の筒口１６１が設けられており、固定アセンブリ２００のレーザダイオード２０１によって発せられたレーザ光がこの筒口１６１から移動アセンブリ１６０内に入る。また、ＭＯディスク２１０が反射した光がこの筒口１６１から固定アセンブリ２００に戻る。さらに、移動アセンブリ１６０内の、筒口１６１の奥には、筒口１６１から入ったレーザ光を集光レンズ３００に入射させる立ち上げミラーも内蔵されている。
【００３３】
図３は、移動アセンブリの構成を表す図である。
【００３４】
ＭＯディスク２１０は、基板２１１と記録層２１２とで構成されている。移動アセンブリ１６０には、図２に示す集光レンズ３００を構成する半球レンズ３０１および非球面レンズ３０２と、図２に示すレーザダイオード２０１から発せられたレーザ光ＬをＭＯディスク２１０に照射し、ＭＯディスク２１０の記録層２１２で反射されたレーザ光Ｌを固定アセンブリ２００に返す立ち上げミラー１６３と、集光レンズ３００および磁気発生部１７０（後述する）を含む集光部１６４を駆動して、上述したフォーカス制御およびシーク制御を行うアクチュエータ１６２が備えられている。図２に示す固定アセンブリ２００から導かれてきたレーザ光Ｌは、半球レンズ３０１と非球面レンズ３０２を経てＭＯディスク２１０上の記録層２１２に集光されて、集光スポットを形成する。
【００３５】
非球面レンズ３０２のＭＯディスク２１０側には、本発明の磁界発生機の一実施形態に相当する磁気発生部１７０が設けられており、記録層２１２上の、集光スポットが形成された位置に、記録層２１２に対して垂直な磁界を発生させる。
【００３６】
記録層２１２上の、集光スポットが形成された位置では、レーザ光Ｌの照射によって温度がキュリー点に達し、磁気発生部１７０が発生する磁界によって記録層２１２の磁区の磁化方向が、記録情報に応じた方向に決められる。これによってＭＯディスク２１０に情報が記録される。
【００３７】
ここで、光磁気記憶装置１００における本発明の特徴は、磁気発生部１７０にあり、以下では、この磁気発生部１７０について詳しく説明する。
【００３８】
図４は、磁気発生部の断面図である。
【００３９】
図４に示すように、磁気発生部１７０は、光を透過するガラス基板１７１と、ガラス基板１７１とは異なる成分によって構成されているが、ガラス基板１７１と同様に光透過性を有する透明な絶縁層１７２とで構成されている。
【００４０】
絶縁層１７２内部の、ガラス基板１７１に近い側には、磁界の発生効率を向上させる磁性体１７６が備えられており、絶縁層１７２内部の、ＭＯディスク２１０に近い側には、磁界を発生する２層のコイル１７３，１７４と、コイル１７３，１７４に駆動電流を誘導する電流誘導部１７５とが備えられている。
【００４１】
磁性体１７６は、本発明にいう磁性体の一例に相当し、中央部分にレーザ光Ｌが通る透過孔１７６ａが設けられている。
【００４２】
また、コイル１７３，１７４は、レーザ光Ｌが透過する内孔１７３ａ，１７４ａを取り囲む螺旋状の形状を有する、いわゆる薄膜コイルであり、２層のコイルのうち磁性体１７６に近い方のコイル１７４には、電流誘導部１７５が電気的に接続されている。コイル１７３，１７４は、本発明にいうコイルの一例にあたり、電流誘導部１７５は、本発明にいう電流誘導部の一例に相当する。
【００４３】
尚、本実施形態においては、コイル１７３，１７４、および電流誘導部１７５はどちらも一般的な銅で構成されており、磁性体１７６は、電流誘導部１７５は一般的なＮｉ−Ｆｅ合金で構成されているが、本発明にいうコイル、電流誘導部、および磁性体の材質はこれらに限らない。
【００４４】
図２に示すレーザダイオード２０１から発せられたレーザ光Ｌは、磁性体１７６の透過孔１７６ａおよびコイル１７３，１７４の内孔１７３ａ，１７４ａを通って、ＭＯディスク２１０に照射される。また、情報記録時には、コイル１７３，１７４に対し、記録情報に応じた向きに流れる駆動電流が電流誘導部１７５を介して供給され、コイル１７３，１７４で発生された磁界がＭＯディスク２１０に印加される。
【００４５】
ここで、上述した駆動電流は、記録データの転送速度を考慮すると、最大で２０ＭＨｚ以上の周波数を有するものである。つまり、コイル１７３，１７４に流れる電流やコイル１７３，１７４が発生する磁界は、５０ｎｓ以下の短時間内で急速に反転することとなる。コイル１７３，１７４が発生する磁界が急速に反転すると、磁性体１７６に渦電流損失が生じ、磁性体１７６が熱を発して、磁性体１７６に近接して配設されたコイル１７３，１７４の温度が上昇してしまう恐れがある。
【００４６】
図５は、本実施形態の磁気発生部に搭載されたコイル、および電流誘導部を示す図である。
【００４７】
図４にも示すコイル１７３，１７４は、ｘｙ平面上に螺旋状に広がった形状を有しており、最内周の接続部分１７３ｂ，１７４ｂにおいて、２層のコイル１７３，１７４が相互に接続されている。２層のコイルのうち、この図４の上方に示されたコイル１７４が形成する螺旋の外周には、ｘｙ平面内の方向について幅広な電流誘導部１７５が配設されており、コイル１７４と電流誘導部１７５は接続部分１７４ｃで接続されている。図示しない電源から供給される駆動電流は、電流誘導部１７５よって、コイル１７４およびコイル１７３に誘導される。本実施形態においては、コイル１７４および電流誘導部１７５は、後述する半導体プロセスの応用によって一体的に作成されており、電流誘導部１７５がコイル１７４を構成する最外周の導線の役割を担っている。
【００４８】
本実施形態においては、電流誘導部１７５のｘｙ平面内の方向についての幅は２００μｍであり、コイル１７３，１７４を構成する導線のｘｙ平面内の方向についての幅は１０μｍである。ただし、本発明にいうコイルおよび電流誘導部における所定の平面内の方向についての幅はこれらに限らない。電流誘導部１７５は、コイル１７４を構成している導線よりも表面積が大きく、電流誘導部１７５に接続されたコイル１７４、およびそのコイル１７４の近くに配設されたもう一層のコイル１７３の熱を逃がすことができ、従来の放熱部材の役割も担っている。電流誘導部１７５は断面積が大きいために抵抗値は小さく、コイル１７３，１７４に供給される駆動電流の減少が抑えられるため、コイル１７３，１７４の磁界の発生効率の低下も抑えることができる。また、通常は、コイルの近辺に金属部材が配設されると、コイルに供給される高周波の駆動電流によって金属部材に渦電流が生じて熱が発生してしまうが、本実施形態においては、コイル１７３，１７４に供給される駆動電流が電流誘導部１７５を流れるため、その駆動電流によって渦電流が打ち消される。したがって、渦電流の影響を受けず、効率よくコイル１７３，１７４の熱を放熱することができる。
【００４９】
次に、本実施形態に備えられる磁性体、コイル、および電流誘導部の作成方法について説明する。なお、磁界発生部における磁性体、コイル、および電流誘導部以外の各構成部分については、メッキ処理や露光処理などを用いる半導体プロセスによって作成することができることが従来より知られているので、作成方法の説明は省略する。
【００５０】
まずは、磁性体の作成方法について説明する。
【００５１】
図６は、本実施形態に備えられる磁性体の作成方法の説明図である。この図６には、図４に示す磁性体１７６の、レーザ光Ｌを中心とした片半分のみ示されている。
【００５２】
先ず、ガラス基板４０１として、所望の屈折率を有するものが選定され（ステップＳ１）、そのガラス基板４０１上に、磁性材料の層を形成するためのメッキベース（下地）４０２を、真空蒸着法もしくはスパッタ法によって成膜する（ステップＳ２）。この場合のメッキベース４０２の厚さは数ｎｍ〜数十ｎｍで良い。
【００５３】
このメッキベース４０２の上にレジスト４０３を塗布し、透過孔を囲むドーナツ状を抜いた形状にパターン化されたマスクを用いて露光現像を行う。その結果、マスクパターンと同一形状のレジスト４０３がメッキベース４０２上に残される（ステップＳ３）。
【００５４】
次に、メッキ処理によって、レジスト４０３で覆われた部分以外のメッキベース４０２上に、磁性材料の層４０４が形成される（ステップＳ４）。その後、剥離液が用いられてレジスト４０３が除去される（ステップＳ５）。
【００５５】
次に、ミリング等によってメッキベース４０２の厚さの分だけ全面が均等に削り取られることにより、上述したマスクパターンと逆の、ドーナツ状の磁性体１７６が形成される（ステップＳ６）。
【００５６】
次に、磁性体１７６と、この後に積層される他の層とを絶縁するために、磁性体１７６の上を覆うように、アルミナ等の絶縁材料の膜を形成して、さらに、アルミナ層４０５を成長させる（ステップＳ７）。
【００５７】
最後に、アルミナ層４０５の凹凸形状をＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈ）にて平坦化する処理を施す（ステップＳ８）ことにより、磁性体１７６を含む磁性層４００が形成される。
【００５８】
続いて、コイルおよび電流誘導部の作成方法について説明する。
【００５９】
図７は、本実施形態に備えられるコイルおよび電流誘導部の作成方法の説明図である。この図に７も、図６と同様に、図４に示すコイル１７４および電流誘導部１７５の、レーザ光Ｌを中心とした片半分のみ示されている。
【００６０】
ここでは、図６のステップＳ１からステップＳ８までの工程を経て作成された磁性層４００がベースとして用いられる。
【００６１】
まず、図６のステップＳ２と同様に、ベースである磁性層４００上に、メッキベース４１１を、真空蒸着法もしくはスパッタ法によって成膜する（ステップＳ９）。この場合のメッキベース４１１の厚さも数ｎｍ〜数十ｎｍで良い。
【００６２】
続いて、図６のステップＳ３と同様に、メッキベース４１１の上にレジスト４１２を塗布し、コイルと電流誘導部を形成するためのコイルパターンを用いて露光現像を行う。その結果、レジスト４１２がメッキベース４１１上に残される（ステップＳ１０）。
【００６３】
次に、図６のステップＳ４と同様に、メッキ処理によって、メッキベース４１１上に、銅の層４１３が形成される（ステップＳ１１）。その後、図６のステップＳ５と同様に、剥離液によってレジスト４１２が除去される（ステップＳ１２）。
【００６４】
次に、図６のステップＳ６と同様に、ミリング等によって全面が均等に削り取られることにより、コイル１７４および電流誘導部１７５が形成される（ステップＳ１３）。
【００６５】
さらに、図６のステップＳ７およびステップＳ８と同様に、コイル１７４および電流誘導部１７５の上を覆うように、アルミナ層４１４が形成され（ステップＳ１４）、そのアルミナ層４１４の凹凸形状が平坦化される（ステップＳ１５）。ステップＳ９からステップＳ１５までの工程が繰り返されることによって、複数層のコイルが形成される。
【００６６】
以上説明したように、磁性体、コイル、および従来の放熱部材の役割を担う電流誘導部は、コストの低いメッキ処理によって作成することができる。したがって、磁界発生部そのものの作成コストを抑えることができる。
【００６７】
以下、上述した実施形態とは異なる別の実施形態について説明する。
【００６８】
この別の実施形態は、電流誘導部の形状を除いて、上述した実施形態とほぼ同様の実施形態であるので、以下では、相違点のみに着目して説明を行う。
【００６９】
図８は、第２実施形態における磁気発生部の断面図である。
【００７０】
ここに示す実施形態では、図４に示す磁性体１７６に替えて、磁性体１８０が搭載されている。この磁性体１８０は、第１実施形態の磁性体１７６と同様に、ｘｙ平面において幅広な形状を有しているが、さらに、ｚ方向についても幅広な形状を有し、コイル１７４だけでなくコイル１７３にもまたがっている。
【００７１】
このように、ｘｙ平面についてだけでなく、ｚ方向についても幅広な電流誘導部を用いることにより、電流誘導部が複数のコイルに近接されるため、効率よくコイルの熱を逃がすことができる。また、電流誘導部１８０は、コイル１７４だけでなくコイル１７３にもまたがっているため、各コイルの熱を奪うことができる。
【００７２】
なお、電流誘導部を、コイル１７４だけでなくコイル１７３にも同様に備えてもよい。このように、各コイルに電流誘導部を備えた磁気発生部を用いることにより、各コイルで発生した熱を、それぞれのコイルに備えられた電流誘導部において効率よく放熱することができる。しかし、幅広な形状を有する金属の電流誘導部が誘電体を挟むことによって、電流誘導部がキャパシタンスとして作用してしまう恐れがあるため、図８に示すような、ｚ方向についても幅広な形状を有する電流誘導部を１つのコイルにのみ備えた形態の方が好適である。
【００７３】
以上で、本発明の実施形態についての説明を終了する。
【００７４】
なお、上記では、本発明にいう光記憶媒体の一例としてＭＯディスクが示されているが、本発明にいう光記憶媒体は、光と磁場で情報アクセスが行われるものであればこれに限らない。
【００７５】
また、上記では、本発明にいう電流誘導部の一例として、コイルと同じ材質で構成され、コイルと一体的に接続された電流誘導部が用いられる例が示されているが、本発明にいう電流誘導部は、コイルと異なる材質で構成されて、コイルと電気的に接続されたものであってもよい。
【００７６】
また、上記では、本発明にいうコイルの一例として、２層のコイルが並べられた複数層コイルが用いられる例を示したが、本発明にいうコイルは、単層コイルや３層以上のコイルが並べられた複数層コイルであってもよい。
【００７７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の磁気発生装置および光磁気記憶装置によれば、渦電流による温度上昇が抑えられ、放熱効果を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁界発生機の一実施形態が組み込まれた、本発明の光磁気記憶装置の一実施形態を示す図である。
【図２】ヘッドの構成を表す斜視図である。
【図３】移動アセンブリの構成を表す図である。
【図４】磁気発生部の断面図である。
【図５】本実施形態の磁気発生部に搭載されたコイル、および電流誘導部を示す図である。
【図６】本実施形態に備えられる磁性体の作成方法の説明図である。
【図７】本実施形態に備えられるコイルおよび電流誘導部の作成方法の説明図である。
【図８】第２実施形態における磁気発生部の断面図である。
【符号の説明】
１００    光磁気記憶装置
１１０    ドライブベース
１２０    フレーム
１３０    トップカバー
１４０    フロントパネル
１４１    挿入口１４１
１５０    コネクタ
１６０    移動アセンブリ
１６１    筒口
１６２    アクチュエータ
１６３    立ち上げミラー
１６４    集光部
１７０    磁気発生部
１７１    ガラス基板
１７２    絶縁層
１７３    コイル
１７３ａ    内孔
１７３ｂ    接続部分
１７４    コイル
１７４ａ    内孔
１７４ｂ    接続部分
１７４ｃ    接続部分
１７５    電流誘導部
１７６    磁性体
１７６ａ    透過孔
１８０    磁性体
２００    固定アセンブリ
２０１    レーザダイオード
２０２    光検出器
２０３    光検出器
２０４    光検出器
２１０    ＭＯディスク
２１１    基板
２１２    記録層
２３０    ガイドレール
３００    集光レンズ
３０１    半球レンズ
３０２    非球面レンズ
４００    磁性層
４０１    ガラス基板
４０２    メッキベース
４０３    レジスト
４０４    層
４０５    アルミナ層
４１１    メッキベース
４１２    レジスト
４１３    層
４１４    アルミナ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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