【手続補正書】
【提出日】平成21年12月15日(2009.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ消去の単位であるブロックにデータを記憶する不揮発性メモリと、
前記ブロックのうちから選択された監視対象ブロックに記憶されたデータの誤り数を監視し、前記データの誤り数が所定の閾値以上である監視対象ブロックに対してリフレッシュを行う制御部と、
を備えることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
前記制御部は、
前記ブロックから読み出したデータの誤りを訂正する誤り訂正手段と、
前記誤り訂正手段で訂正したデータの誤り数を検出する誤り数検出手段と、
前記誤り数が所定の第１の閾値以上であるブロックをデータの誤り数を監視する監視対象ブロックとし、このブロックのデータを所定の間隔で読み出す監視手段と、
前記誤り数が前記第１の閾値よりも大きい所定の第２の閾値以上である前記監視対象ブロックのリフレッシュを行うリフレッシュ手段と、
を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
前記監視対象ブロックのブロック番号が登録される第１のテーブルを備え、
前記監視手段は前記第１のテーブルを参照して前記監視対象ブロックのデータの誤り数を検出して監視すること、
を特徴とする請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
前記監視手段は、リフレッシュが行われた前記監視対象ブロックの番号を前記第１のテーブルから消去すること、
を特徴とする請求項３に記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
前記制御部は、
前記ブロックから読み出したデータの誤りを訂正する誤り訂正手段と、
前記誤り訂正手段で訂正したデータの誤り数を検出する誤り数検出手段と、
前記ブロックから読み出したデータの読み出し量を検出するデータ読み出し量検出手段と、
前記データの読み出し量が所定の第３の閾値以上であるブロックをデータの誤り数を監視する監視対象ブロックとし、このブロックのデータを所定の間隔で読み出す監視手段と、
前記誤り数が所定の第２の閾値以上である前記監視対象ブロックのリフレッシュを行うリフレッシュ手段と、
を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項６】
前記監視対象ブロックのブロック番号が登録される第１のテーブルを備え、
前記監視手段は前記第１のテーブルを参照して前記監視対象ブロックのデータの誤り数を検出して監視すること、
を特徴とする請求項５に記載の半導体記憶装置。
【請求項７】
前記監視手段は、リフレッシュが行われた前記監視対象ブロックの番号を前記第１のテーブルから消去すること、
を特徴とする請求項６に記載の半導体記憶装置。
【請求項８】
前記データの読み出し量が登録される第２のテーブルを備え、
前記監視手段は前記第２のテーブルを参照して前記ブロックを前記監視対象ブロックとして前記第１のテーブルに登録すること、
を特徴とする請求項６に記載の半導体記憶装置。
【請求項９】
前記制御部は、
前記ブロックから読み出したデータの誤りを訂正する誤り訂正手段と、
前記誤り訂正手段で訂正したデータの誤り数を検出する誤り数検出手段と、
前記ブロックへデータを書き込んでからの経過時間を検出する書き込み時刻検出手段と、
前記経過時間が所定の第４の閾値以上であるブロックをデータの誤り数を監視する監視対象ブロックとし、このブロックのデータを所定の間隔で読み出す監視手段と、
前記誤り数が所定の第２の閾値以上である前記監視対象ブロックのリフレッシュを行うリフレッシュ手段と、
を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項１０】
前記監視対象ブロックのブロック番号が登録される第１のテーブルを備え、
前記監視手段は前記第１のテーブルを参照して前記監視対象ブロックのデータの誤り数を検出して監視すること、
を特徴とする請求項９に記載の半導体記憶装置。
【請求項１１】
前記監視手段は、リフレッシュが行われた前記監視対象ブロックの番号を前記第１のテーブルから消去すること、
を特徴とする請求項１０に記載の半導体記憶装置。
【請求項１２】
前記ブロックへのデータの書き込み時刻が登録される第３のテーブルを備え、
前記監視手段は前記第３のテーブルを参照して前記経過時間を取得して前記ブロックを前記監視対象ブロックとして前記第１のテーブルに登録すること、
を特徴とする請求項１０に記載の半導体記憶装置。
【請求項１３】
前記制御部は、
前記ブロックから読み出したデータの誤りを訂正する誤り訂正手段と、
前記誤り訂正手段で訂正したデータの誤り数を検出する誤り数検出手段と、
前記不揮発性メモリ上のブロックにデータを書き込んだ書き込み順序を検出する書き込み順序検出手段と、
前記書き込み順序が所定の第５の閾値以下であるブロックをデータの誤り数を監視する監視対象ブロックとし、このブロックのデータを所定の間隔で読み出す監視手段と、
前記誤り数が所定の第２の閾値以上である前記監視対象ブロックのリフレッシュを行うリフレッシュ手段と、
を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項１４】
前記監視対象ブロックのブロック番号が登録される第１のテーブルを備え、
前記監視手段は前記第１のテーブルを参照して前記監視対象ブロックのデータの誤り数を検出して監視すること、
を特徴とする請求項１３に記載の半導体記憶装置。
【請求項１５】
前記監視手段は、リフレッシュが行われた前記監視対象ブロックの番号を前記第１のテーブルから消去すること、
を特徴とする請求項１４に記載の半導体記憶装置。
【請求項１６】
前記書き込み順序が登録される第４のテーブルを備え、
前記監視手段は前記第４のテーブルを参照して前記ブロックを前記監視対象ブロックとして前記第１のテーブルに登録すること、
を特徴とする請求項１４に記載の半導体記憶装置。
【請求項１７】
前記第１のテーブルへの前記監視対象ブロックの登録順序が登録される第５のテーブルを備え、
前記リフレッシュ手段は、前記第５のテーブルへの前記監視対象ブロックの登録数が所定の第６の閾値に達した場合に、前記第５のテーブルにおいて予め決められた登録順序の前記監視対象ブロックのリフレッシュを行うこと、
を特徴とする請求項３に記載の半導体記憶装置。
【請求項１８】
前記監視対象ブロックのうち前記登録順序の古い監視対象ブロックから先にリフレッシュを行うこと、
を特徴とする請求項１７に記載の半導体記憶装置。
【請求項１９】
保持すべきデータが記憶されていない前記ブロックの番号が登録される第６のテーブルを備え、
前記監視手段は、前記第６のテーブルへ登録された前記ブロックの番号を前記第１のテーブルから消去すること、
を特徴とする請求項３に記載の半導体記憶装置。
【請求項２０】
前記第１のテーブルへ登録された前記監視対象ブロックの番号および該監視対象ブロックに記憶したデータで検出された誤り数が登録される第７のテーブルを備え、
前記監視手段は、前記第７のテーブルに登録された誤り数に基づいて、前記第１のテーブルへ登録された前記監視対象ブロックについて前記所定の間隔を変更すること、
を特徴とする請求項３に記載の半導体記憶装置。
【請求項２１】
前記第７のテーブルへ登録された前記監視対象ブロックのうち、誤り数が多い前記監視対象ブロックについては誤り数が少ない前記監視対象ブロックよりも前記所定の間隔を短くすること、
を特徴とする請求項２０に記載の半導体記憶装置。
【請求項２２】
前記所定の間隔は、前記監視対象ブロックに記憶されたデータに前記第１の閾値を超えた誤りが発生してから、該監視対象ブロックのデータの誤りが前記誤り訂正手段の誤り訂正能力の上限に達するまでの時間よりも短いこと、
を特徴とする請求項２１に記載の半導体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本願発明の一態様によれば、データ消去の単位であるブロックにデータを記憶する不揮発性メモリと、前記ブロックのうちから選択された監視対象ブロックに記憶されたデータの誤り数を監視し、前記データの誤り数が所定の閾値以上である監視対象ブロックに対してリフレッシュを行う制御部と、を備えることを特徴とする半導体記憶装置が提供される。