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【手続補正書】
【提出日】平成22年3月30日(2010.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
暗号鍵を用いてデータを暗号化復号化して記録再生する記録再生装置と、
記憶部を有し、前記記録再生装置に着脱可能なバッテリと、
暗号鍵が記憶された記憶部を有し、前記バッテリを充電する充電装置とを含んで構成される記録再生システムであって、
前記バッテリを前記充電装置に接続した際に、前記充電装置の記憶部に記憶された暗号鍵を前記バッテリの記憶部に複写する暗号鍵複写手段を有し、
前記記録再生装置は、前記バッテリの記憶部に複写された暗号鍵を用いてデータの暗号化及び復号化のうち少なくともいずれか一方を行うことを特徴とする記録再生システム。
【請求項２】
前記バッテリの記憶部は、揮発性メモリであり、
前記充電装置の記憶部は、不揮発性メモリであり、
前記暗号鍵複写手段により前記バッテリの揮発性メモリに複写される暗号鍵は、公開鍵及び秘密鍵であることを特徴とする請求項１に記載の記録再生システム。
【請求項３】
さらに、記録再生装置内にメモリを有し、
前記暗号鍵複写手段により前記揮発性メモリに複写された暗号鍵のうち公開鍵を前記記録再生装置内のメモリに複写する公開鍵複写手段を有し、
前記記録再生装置内のメモリに複写された公開鍵を用いてデータを暗号化し、前記揮発性メモリに複写された暗号鍵のうち秘密鍵を用いてデータを復号化することを特徴とする請求項２に記載の記録再生システム。
【請求項４】
前記バッテリは、前記揮発性メモリに複写された暗号鍵を消去する消去手段を有することを特徴とする請求項２又は３に記載の記録再生システム。
【請求項５】
前記記録再生装置は、前記バッテリが装着された状態で、前記揮発性メモリに複写された暗号鍵を消去する消去手段を有することを特徴とする請求項２〜４のいずれか１項に記載の記録再生システム。
【請求項６】
前記記録再生装置は、前記暗号鍵複写手段によって前記揮発性メモリに複写された暗号鍵を用いてデータを復号化して外部機器に転送する復号化転送手段を有することを特徴とする請求項２〜５のいずれか１項に記載の記録再生システム。
【請求項７】
前記記録再生装置は、前記充電装置と接続されている状態で、前記不揮発性メモリに記憶された暗号鍵を用いてデータの暗号化及び復号化のうち少なくともいずれか一方を行うことを特徴とする請求項２〜６のいずれか１項に記載の記録再生システム。
【請求項８】
暗号鍵を用いてデータを暗号化または復号化が可能な記録再生装置であって、
暗号鍵が記憶された記憶部を有する充電装置から、前記暗号鍵の情報が複写された記憶部を有しているバッテリを装着する装着部と、
前記バッテリを前記装着部に装着した状態で、前記バッテリの記憶部に複写された暗号鍵を用いてデータの暗号化及び復号化のうち少なくともいずれか一方を行うデータ処理部とを有することを特徴とする記録再生装置。
【請求項９】
前記バッテリの記憶部は、揮発性メモリであり、
さらに、記録再生装置内にメモリを有し、
前記揮発性メモリが有する暗号鍵のうち公開鍵を前記記録再生装置内のメモリに複写する公開鍵複写手段とを有し、
前記記録再生装置内のメモリに複写された公開鍵を用いてデータを暗号化し、前記揮発性メモリが有する暗号鍵のうち秘密鍵を用いてデータを復号化することを特徴とする請求項８に記載の記録再生装置。
【請求項１０】
前記バッテリの記憶部に複写された暗号鍵を消去する消去手段を有することを特徴とする請求項８又は９に記載の記録再生装置。
【請求項１１】
暗号鍵を用いてデータを暗号化復号化して記録再生する記録再生装置と、
記憶部を有し、前記記録再生装置に着脱可能なバッテリと、
暗号鍵が記憶された記憶部を有し、前記バッテリを充電する充電装置とを含んで構成される記録再生システムの制御方法であって、
前記バッテリを前記充電装置に接続した際に、前記充電装置の記憶部に記憶された暗号鍵を前記バッテリの記憶部に複写する暗号鍵複写ステップと、
前記記録再生装置において、前記バッテリの記憶部に複写された暗号鍵を用いてデータの暗号化及び復号化のうち少なくともいずれか一方を行うステップとを有することを特徴とする制御方法。
【請求項１２】
暗号鍵を用いてデータを暗号化または復号化が可能であり、暗号鍵が記憶された記憶部を有する充電装置から、前記暗号鍵の情報が複写された記憶部を有しているバッテリを装着する装着部を備える記録再生装置の制御方法であって、
前記バッテリを前記装着部に装着した状態で、前記バッテリの記憶部に複写された暗号鍵を用いてデータの暗号化及び復号化のうち少なくともいずれか一方を行うステップを有することを特徴とする制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記録再生システム、記録再生装置、記録再生システムの制御方法、及び記録再生装置の制御方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、例えば画像データを暗号化復号化して記録再生するデジタルカメラ等の記録再生装置を含む記録再生システム、記録再生装置、記録再生システムの制御方法、及び記録再生装置の制御方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、暗号鍵を用いてデータを暗号化復号化して記録再生する記録再生装置と、記憶部を有し、前記記録再生装置に着脱可能なバッテリと、暗号鍵が記憶された記憶部を有し、前記バッテリを充電する充電装置とを含んで構成される記録再生システムであって、前記バッテリを前記充電装置に接続した際に、前記充電装置の記憶部に記憶された暗号鍵を前記バッテリの記憶部に複写する暗号鍵複写手段を有し、前記記録再生装置は、前記バッテリの記憶部に複写された暗号鍵を用いてデータの暗号化及び復号化のうち少なくともいずれか一方を行うことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、暗号鍵を用いてデータを暗号化または復号化が可能な記録再生装置であって、暗号鍵が記憶された記憶部を有する充電装置から、前記暗号鍵の情報が複写された記憶部を有しているバッテリを装着する装着部と、前記バッテリを前記装着部に装着した状態で、前記バッテリの記憶部に複写された暗号鍵を用いてデータの暗号化及び復号化のうち少なくともいずれか一方を行うデータ処理部とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月30日(2010.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の色空間上の画像データを第２の色空間上の画像データに変換するための色変換テーブルに対する階調性を評価する階調性評価装置であって、
前記第１の色空間内の複数格子点の各々に応じた、前記第２の色空間上における色彩情報を取得する取得手段と、
前記第１の色空間内の前記格子点間における前記色彩情報の変化量に基づいて前記色変換テーブルに対する階調性評価値を算出する算出手段と、
前記階調性評価値に基づいて前記格子点における階調性を評価する評価手段と、
を有することを特徴とする階調性評価装置。
【請求項２】
前記算出手段は、
前記変化量を、前記色変換テーブルを構成する前記複数格子点全体の特徴量として算出し、該特徴量に基づいて前記色変換テーブルに対する階調性評価値を算出することを特徴とする請求項１に記載の階調性評価装置。
【請求項３】
さらに、前記階調性評価値を報知する報知手段を有することを特徴とする請求項１に記載の階調性評価装置。
【請求項４】
前記取得手段は、
前記第１の色空間を格子状に分割して得られる格子点に応じた複数のパッチ画像を測色して得られる前記第２の色空間上の測色値を前記色彩情報として取得する測色値取得手段を有することを特徴とする請求項１に記載の階調性評価装置。
【請求項５】
前記色変換テーブルの特徴量は、前記第１の色空間内の２点の前記格子点間における前記色彩情報の曲率であることを特徴とする請求項２に記載の階調性評価装置。
【請求項６】
前記算出手段は、前記第１の色空間を構成する要素ごとの曲率の平均値を、前記階調性評価値として算出することを特徴とする請求項１に記載の階調性評価装置。
【請求項７】
前記算出手段は、前記第１の色空間内の隣接する前記格子点間における曲率の変化量の絶対和を、前記階調性評価値として算出することを特徴とする請求項１に記載の階調性評価装置。
【請求項８】
前記算出手段は、前記第１の色空間を構成する要素ごとの曲率の分散和を、前記階調性評価値として算出することを特徴とする請求項１に記載の階調性評価装置。
【請求項９】
さらに、前記第１の色空間内の隣接する前記格子点間における前記色彩情報の変化量を隣接変化量として算出する隣接変化量算出手段と、
前記隣接変化量に基づいて、前記色変換テーブルにおける階調飛び発生個所を抽出する抽出手段と、
を有することを特徴とする請求項１に記載の階調性評価装置。
【請求項１０】
前記抽出手段は、前記隣接変化量の符号が反転する前記格子点を、階調飛び発生個所として抽出することを特徴とする請求項９に記載の階調性評価装置。
【請求項１１】
前記取得手段は、
前記第１の色空間を格子状に分解して得られる格子点に応じた複数のパッチ画像の画像信号を生成する生成手段と、
前記生成手段で生成された複数のパッチ画像の画像信号ごとに、前記色変換テーブルによって前記第２の色空間上に変換された信号値を前記色彩情報として算出する色彩情報算出手段と、
を有することを特徴とする請求項１に記載の階調性評価装置。
【請求項１２】
さらに、出力対象となる画像情報を入力する入力手段と、
前記出力対象となる画像情報に対する階調性評価値を、前記階調性評価値に基づいて算出する出力画像階調性評価値算出手段と、
を有することを特徴とする請求項１に記載の階調性評価装置。
【請求項１３】
第１の色空間上の画像データを第２の色空間上の画像データに変換するための色変換テーブルに対する階調性を評価する階調性評価方法であって、
取得手段が、前記第１の色空間内の複数格子点の各々に応じた、前記第２の色空間上における色彩情報を取得する取得ステップと、
算出手段が、前記第１の色空間内の前記格子点間における前記色彩情報の変化量に基づいて前記色変換テーブルに対する階調性評価値を算出する算出ステップと、
評価手段が、前記階調性評価値に基づいて前記格子点における階調性を評価する評価ステップと、
を有することを特徴とする階調性評価方法。
【請求項１４】
コンピュータで実行されることにより、該コンピュータを請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載の階調性評価装置として機能させるコンピュータプログラムを記録したことを特徴とするコンピュータ可読な記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
第１の色空間上の画像データを第２の色空間上の画像データに変換するための色変換テーブルに対する階調性を評価する階調性評価装置であって、
前記第１の色空間内の複数格子点の各々に応じた、前記第２の色空間上における色彩情報を取得する取得手段と、
前記第１の色空間内の前記格子点間における前記色彩情報の変化量に基づいて前記色変換テーブルに対する階調性評価値を算出する算出手段と、
前記階調性評価値に基づいて前記格子点における階調性を評価する評価手段と、
を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
例えば、前記算出手段は、前記変化量を、前記色変換テーブルを構成する前記複数格子点全体の特徴量として算出し、該特徴量に基づいて前記色変換テーブルに対する階調性評価値を算出することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月24日(2010.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線信号の送受信を行う無線端末において、
第１の筐体片と、
前記第１の筐体片の外周面の全周にわたって形成される溝部と、
前記第１の筐体片の溝部に嵌め込まれるパッキンと、
前記パッキンを介して前記第１の筐体片の外周面の全周に当接しつつ前記第１の筐体片に取り付けられる第２の筐体片と、
を備えると共に、
前記パッキンの全周は前記溝部の全周よりも小さく設定され、伸長しながら前記溝部に嵌め込まれ、
前記パッキンには爪部が形成され、前記溝部には前記爪部が係止される係止部が形成されることを特徴とする無線端末。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月22日(2010.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
ｎ型Ａｌy1Ｇａ1-y1Ｎ層７には、例えば濃度４×１０１８ｃｍ−３でシリコン（Ｓｉ）がドープされている。また、ｎ型ＧａＮ層８には、例えば濃度５×１０１８ｃｍ−３でＳｉがドープされている。Ｓｉは、ｎ型ドーパントであり、その原料として例えばシランが使用される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
まず、単結晶のＳｉＣ基板１上に、厚さ０．３μｍのＡｌＮ層２と厚さ２．５μｍのノンドープＧａＮ層３をバッファ層として形成する。続いて、ノンドープＧａＮ層３の上に、厚み方向にＩｎ組成比ｘ２が変化するノンドープＩｎx2Ａｌ1-x2Ｎ層１４を２０ｎｍ、ノンドープＧａＮチャネル層５を１００ｎｍ、ノンドープＡｌy1Ｇａ1-y1Ｎ層６を５ｎｍ、ｎ型Ａｌy1Ｇａ1-y1Ｎ層７を２０ｎｍ、およびｎ型ＧａＮ層８を７ｎｍの厚さに順に形成する。なお、Ａｌy1Ｇａ1-y1Ｎ層６、７の組成ｙ1を例えば０．３３とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
ノンドープＩｎx2Ａｌ1-x2Ｎ層１４の組成比ｘ２は、例えば、ノンドープＩｎx2Ａｌ1-x2Ｎ層１４の最下層で０．２、最上層で０．１５のように、下側よりも上側が小さくなるように変化している。その変化は、ここでは連続的な変化とするが、ステップ状の変化であってもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
ｎ型ＡｌＧａＮ層７には、例えば濃度４×１０１８ｃｍ−３のＳｉがドープされている。また、ｎ型ＧａＮ層８には、例えば濃度５×１０１８ｃｍ−３でＳｉがドープされている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
なお、ＧａＮ−ＨＥＭＴを周囲から分離する場合には、マスクを使用して素子の周囲をエッチングして素子分離用リセスを形成する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
これにより、ＧａＮ−ＨＥＭＴの基本的な構造が形成される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
また、ノンドープＩｎx2Ａｌ1-x2Ｎ層１４の下層部における組成比ｘ2は０．２であり、その上層部における組成比ｘ2は０．１５である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
従って、ノンドープＩｎx2Ａｌ1-x2Ｎ層１４は、その下のノンドープＧａＮ層３よりも格子定数は大きいが、その上のノンドープＧａＮ層５よりも格子定数が小さい。また、ノンドープＩｎx2Ａｌ1-x2Ｎ層１４は、その上下のノンドープＧａＮ層３、５よりもエネルギーバンドギャップが大きい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
このような格子定数の関係からノンドープＩｎx2Ａｌ1-x2Ｎ層１４とその下のノンドープＧａＮ層３には格子不整合があり、そのヘテロ接合界面には負のピエゾチャージが発生してその界面のエネルギーバンドが持ち上がる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
また、ノンドープＩｎx2Ａｌ1-x2Ｎ層１４とその上のノンドープＧａＮ層５にも格子不整合があるが、格子定数は、ノンドープＩｎx2Ａｌ1-x2Ｎ層１４よりもノンドープＧａＮ層５の方が大きく、そのヘテロ接合界面にも負のピエゾチャージが発生してその界面のエネルギーバンドが持ち上がる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
このため、チャネル領域となるノンドープＧａＮ層５の下層部には二次元電子ガスは生成されないが、その下のノンドープＩｎx2Ａｌ1-x2Ｎ層１４がバリアとなる。このため、チャネル領域で加速されて高エネルギーを持った電子がそのバリアによってバッファ層に向けて拡散できなくなり、ゲート電圧によるドレイン・ソース間電流のオフ制御が容易になる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
なお、ドレイン・ソース間電流Ｉdsの最大値は従来技術に係る素子の方が本実施形態より大きいが、第１実施形態に係るＧａＮ−ＨＥＭＴよりもさらに良好なピンチオフ特性を得ることができる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
（ＩｎxＡｌ1-x）yＧａ1-yＮ層２４は、図８（ｂ）に示すエネルギーバンドギャップと格子定数の関係から破線で囲んだ領域にすることが好ましく、これによりその伝導帯エネルギーバンドは、図２と図６に示したと同等かそれらに近い状態となり、チャネル領域であるノンドープＧａＮ層５のチャネル領域で加速されたキャリアのバリア層側への移動が規制されて、ソース・ドレイン電流のオフの制御が容易になる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月25日(2010.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された一対の基板と、
前記一対の基板間に封止され、電圧無印加時に前記基板に対してほぼ垂直に配向する液晶と、
前記一対の基板の外側にそれぞれ配置された一対の１／４波長板と、
前記一対の１／４波長板の外側にそれぞれ配置された一対の偏光板と、
前記一対の基板の一方側から入射する光を反射する反射板を備えた反射領域と、前記一対の基板の他方側から入射する光を前記一対の基板の一方側に透過させる透過領域とを備えた画素領域とを有する液晶表示装置であって、
前記反射板は、前記画素領域毎に形成された薄膜トランジスタの電極と同一の形成材料且つ同一の層で形成されてなり、
基板面に垂直方向に見て、前記反射板を覆って前記画素領域毎に形成された透明画素電極が形成されており、
前記反射板の上部には前記薄膜トランジスタの保護膜を形成する絶縁層が一部に形成されてなり、該絶縁層の形成されていない開口部から該反射板が露出してなり、該露出した反射板に接して該透明画素電極が形成されてなること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記反射板は、前記画素領域毎に形成された蓄積容量の一方の電極であること
を特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記一対の基板の一方の外側に配置された光散乱層を有すること
を特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記反射板のうち少なくとも一部は、アルミニウムで形成されていること
を特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
アルミニウム層とアルミニウム以外からなる導電層とが薄膜トランジスタ構成電極として形成されてなり、
前記導電層及び前記アルミニウム層は、前記絶縁層が除去された開口部から露出しており、特に、前記アルミニウム層が露出して前記反射板の反射面を形成していること
を特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記光散乱層は、所定範囲の入射角で入射する光のみを散乱させること
を特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記反射板は、前記透明画素電極に電気的に接続されていること
を特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記反射板は、前記透明画素電極から電気的に分離されていること
を特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記導電層は、チタン層であること
を特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
薄膜トランジスタ基板上の透明電極の材質が対向基板上の透明電極と同一材料で構成されていること
を特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月26日(2010.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に係る請求項１に記載の走査型レーザ顕微鏡は、可視領域にスペクトルを有する第１のレーザ光を試料上で走査して前記試料を励起して蛍光を発生させる第１の走査光学系と、前記第１の走査光学系内の光路中に配されて前記試料からの蛍光を前記第１のレーザ光の光路から分離する第１ダイクロイックミラーと、第１ダイクロイックミラーで分離された蛍光を検出する光検出器と、第１ダイクロイックミラーと光検出器との間に配置され前記第１のレーザ光を遮断し前記蛍光を透過する測光フィルタと、紫外または赤外領域にスペクトルを有する第２のレーザ光を試料上の特定の部位に導入するための第２の走査光学系と、第１ダイクロイックミラーと光検出器との間に配置され前記第２のレーザ光の透過を制限する吸収フィルタとを備えた。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係る請求項２に記載の走査型レーザ顕微鏡は、可視領域にスペクトルを有する第１のレーザ光を試料上で走査して前記試料を励起して蛍光を発生させる第１の走査光学系と、前記第１の走査光学系内の光路中に配されて前記試料からの蛍光を前記第１のレーザ光の光路から分離する第１ダイクロイックミラーと、第１ダイクロイックミラーで分離された蛍光を検出する光検出器と、第１ダイクロイックミラーと光検出器との間に配置され前記第１のレーザ光を遮断し前記蛍光を透過する測光フィルタと、試料に特異現象を発現させるための第２のレーザ光を試料上の特定の部位に導入するための第２の走査光学系と、第１ダイクロイックミラーと光検出器との間に配置され前記第２のレーザ光の透過を制限する吸収フィルタとを備えた。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に係る請求項３に記載の走査型レーザ顕微鏡は、上記記載の発明である走査型レーザ顕微鏡において、前記特異現象は、少なくともケージド試薬の開裂、光褪色のいずれかを含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可視領域にスペクトルを有する第１のレーザ光を試料上で走査して前記試料を励起して蛍光を発生させる第１の走査光学系と、
前記第１の走査光学系内の光路中に配されて前記試料からの蛍光を前記第１のレーザ光の光路から分離する第１ダイクロイックミラーと、
第１ダイクロイックミラーで分離された蛍光を検出する光検出器と、
第１ダイクロイックミラーと光検出器との間に配置され前記第１のレーザ光を遮断し前記蛍光を透過する測光フィルタと、
紫外または赤外領域にスペクトルを有する第２のレーザ光を試料上の特定の部位に導入するための第２の走査光学系と、
第１ダイクロイックミラーと光検出器との間に配置され前記第２のレーザ光の透過を制限する吸収フィルタと、
を備えたことを特徴とする走査型レーザ顕微鏡。
【請求項２】
可視領域にスペクトルを有する第１のレーザ光を試料上で走査して前記試料を励起して蛍光を発生させる第１の走査光学系と、
前記第１の走査光学系内の光路中に配されて前記試料からの蛍光を前記第１のレーザ光の光路から分離する第１ダイクロイックミラーと、
第１ダイクロイックミラーで分離された蛍光を検出する光検出器と、
第１ダイクロイックミラーと光検出器との間に配置され前記第１のレーザ光を遮断し前記蛍光を透過する測光フィルタと、
試料に特異現象を発現させるための第２のレーザ光を試料上の特定の部位に導入するための第２の走査光学系と、
第１ダイクロイックミラーと光検出器との間に配置され前記第２のレーザ光の透過を制限する吸収フィルタと、
を備えたことを特徴とする走査型レーザ顕微鏡。
【請求項３】
前記特異現象は、少なくともケージド試薬の開裂、光褪色のいずれかを含むことを特徴とする請求項２に記載の走査型レーザ顕微鏡。
【請求項４】
前記光検出器と前記測光フィルタが複数設けられ、
これらの光検出器に向けて試料からの蛍光を分光する第２ダイクロイックミラーを前記第１ダイクロイックミラーと光検出器との間に備え、
前記吸収フィルタは、前記第１ダイクロイックミラーと前記第２ダイクロイックミラーとの間に配置され、
前記測光フィルタは、それぞれの光検出器と前記第２ダイクロイックミラーとの間に配置されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の走査型レーザ顕微鏡。
【請求項５】
前記第２のレーザ光の波長を切り換える波長切り換え部と、
この第２のレーザ光の波長に応じて前記吸収フィルタを切り換えるフィルタ切り換え部とを備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の走査型レーザ顕微鏡。
【請求項６】
前記測光フィルタは基板の一方の面に配置され、前記吸収フィルタは前記基板の他方の面に配置されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の走査型レーザ顕微鏡。
【請求項７】
前記第の２レーザ光は多光子励起現象を引き起こすことができるＩＲパルスレーザであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の走査型レーザ顕微鏡。
【請求項８】
前記第２の走査光学系は、前記第１の走査光学系を備えた走査型レーザ顕微鏡本体に対して着脱可能であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の走査型レーザ顕微鏡。
【請求項９】
前記測光フィルタは、前記第１のレーザ光の透過率が０．０１％以下であり、前記吸収フィルタは、前記第２のレーザ光の透過率が０．０１％以下であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の走査型レーザ顕微鏡。
【請求項１０】
前記測光フィルタ及び吸収フィルタは、干渉フィルタであることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の走査型レーザ顕微鏡。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月10日(2010.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するため、請求項１に記載の発明の画像処理装置は、
画像を取得する取得手段と、前記取得手段によって取得された画像から顔の特徴部を検出する特徴部検出手段と、前記特徴部検出手段によって検出された前記特徴部の位置を基準とした、顔の擬似輪郭線を生成する輪郭生成手段と、前記輪郭生成手段によって生成された擬似輪郭線に基づいて、前記画像に対して補正処理を行う補正手段と、を備えたことを特徴としている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の画像処理装置において、
前記特徴部検出手段は、前記取得手段によって取得された画像から、前記顔の特徴部として目の位置を検出し、前記輪郭生成手段は、前記検出された目の位置を基準として当該顔の擬似輪郭線を生成することを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の画像処理装置において、
前記輪郭生成手段は、前記検出された目の位置に基づいて、画像における顔の傾き及び左右目間距離を算出し、この算出結果に基づいて当該顔の擬似輪郭線を生成することを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項４に記載の発明は、請求項１〜３の何れか一項に記載の画像処理装置において、
前記特徴部検出手段によって検出された特徴部の大きさを算出する算出手段を更に備え、前記輪郭生成手段は、前記特徴部検出手段によって検出された前記特徴部の位置及び前記算出手段によって算出された前記特徴部の大きさに基づいて、当該顔の擬似輪郭線を生成することを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項５に記載の発明は、請求項１〜４の何れか一項に記載の画像処理装置において、
前記補正処理とは、前記輪郭生成手段によって生成された擬似輪郭線に基づいて、前記画像を変形させる処理であることを特徴としている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の画像処理装置において、
前記画像中の画素の各々について前記擬似輪郭線との距離をそれぞれ算出する距離算出手段と、当該距離算出手段によって算出された距離に応じて各画素における移動量を決定する移動量決定手段と、を更に備え、前記画像を変形させる処理は、前記移動量決定手段によって決定された移動量に応じて行われることを特徴としている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項８に記載の発明の画像処理方法は、
画像を取得する取得手段を備える画像処理装置に、前記取得手段によって取得された画像から顔の特徴部を検出する処理と、検出された前記特徴部の位置を基準とした、顔の擬似輪郭線を生成する処理と、生成された擬似輪郭線に基づいて、前記画像に対して補正を行う処理と、を実行させることを特徴としている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項９に記載の発明のプログラムは、
画像を取得する取得手段を備える画像処理装置のコンピュータを、前記取得手段によって取得された画像から顔の特徴部を検出する特徴部検出手段、前記特徴部検出手段によって検出された前記特徴部の位置を基準とした、顔の擬似輪郭線を生成する輪郭生成手段、前記輪郭生成手段によって生成された擬似輪郭線に基づいて、前記画像に対して補正を行う補正手段、として機能させることを特徴としている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を取得する取得手段と、
前記取得手段によって取得された画像から顔の特徴部を検出する特徴部検出手段と、
前記特徴部検出手段によって検出された前記特徴部の位置を基準とした、顔の擬似輪郭線を生成する輪郭生成手段と、
前記輪郭生成手段によって生成された擬似輪郭線に基づいて、前記画像に対して補正処理を行う補正手段と、
を備えたことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記特徴部検出手段は、前記取得手段によって取得された画像から、前記顔の特徴部として目の位置を検出し、
前記輪郭生成手段は、前記検出された目の位置を基準として、当該顔の擬似輪郭線を生成することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記輪郭生成手段は、前記検出された目の位置に基づいて、画像における顔の傾き及び左右目間距離を算出し、この算出結果に基づいて当該顔の擬似輪郭線を生成することを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記特徴部検出手段によって検出された特徴部の大きさを算出する算出手段を更に備え、
前記輪郭生成手段は、前記特徴部検出手段によって検出された前記特徴部の位置及び前記算出手段によって算出された前記特徴部の大きさに基づいて、当該顔の擬似輪郭線を生成することを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記補正処理とは、前記輪郭生成手段によって生成された擬似輪郭線に基づいて、前記画像を変形させる処理であることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記画像中の画素の各々について前記擬似輪郭線との距離をそれぞれ算出する距離算出手段と、
当該距離算出手段によって算出された距離に応じて各画素における移動量を決定する移動量決定手段と、
を更に備え、
前記画像を変形させる処理は、前記移動量決定手段によって決定された移動量に応じて行われることを特徴とする請求項５に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記補正手段による前記補正処理の処理強度を設定する設定手段を更に備え、
前記補正手段は、更に、前記設定手段によって設定された前記処理強度に応じて前記補正処理を行うことを特徴とする請求項１〜６の何れか一項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
画像を取得する取得手段を備える画像処理装置に、
前記取得手段によって取得された画像から顔の特徴部を検出する処理と、
検出された前記特徴部の位置を基準とした、顔の擬似輪郭線を生成する処理と、
生成された擬似輪郭線に基づいて、前記画像に対して補正を行う処理と、
を実行させることを特徴とする画像処理方法。
【請求項９】
画像を取得する取得手段を備える画像処理装置のコンピュータを、
前記取得手段によって取得された画像から顔の特徴部を検出する特徴部検出手段、
前記特徴部検出手段によって検出された前記特徴部の位置を基準とした、顔の擬似輪郭線を生成する輪郭生成手段、
前記輪郭生成手段によって生成された擬似輪郭線に基づいて、前記画像に対して補正を行う補正手段、
として機能させることを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月17日(2010.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
製品に組み込まれる電子部品を搭載した基板に、データ書換を行う無線リーダー／ライターから発信された電磁波を受けるアンテナ部と、前記アンテナ部で受けた電磁波からの電力伝搬およびデータ通信によりメモリーに書き込みを行う無線機能部と、前記製品の制御を行うマイコンとを備え、前記無線機能部および前記メモリーに格納された情報を前記マイコンへ送信する通信Ｉ／Ｆからなる無線書換部と前記マイコンとの接続部分に回路分離装置を備えたことを特徴とするデータ書換システム。
【請求項２】
前記無線書換部に前記無線リーダー／ライターから送られるデータが既定のものでなければ前記メモリーに書き込まない手段を有したことを特徴とする請求項１記載のデータ書換システム。
【請求項３】
前記無線リーダー／ライターがネットワークに接続されている場合、前記基板から読み取った識別情報を基にサーバーから適切なデータを前記無線リーダー／ライターにダウンロードしてデータ通信により前記基板のメモリーに書き込みを行うことを特徴とする請求項１記載のデータ書換システム。
【請求項４】
前記基板がネットワークに接続されている場合、特定の無線リーダー／ライターからのみアクセスされたとき、サーバーにデータを取りに行き、前記基板のメモリーに自動で書き換えることを特徴とする請求項１記載のデータ書換システム。
【請求項５】
前記無線書換部が製品本体から給電される場合、前記無線書換部から接続したアンテナ部に通電して通信距離を伸ばすことを特徴とする請求項１記載のデータ書換システム。
【請求項６】
前記無線書換部に接続する切り替え可能な複数のアンテナ部を有し、送受信周波数に対応したアンテナ部を選択することを特徴とする請求項１記載のデータ書換システム。
【請求項７】
前記無線リーダー／ライターから前記基板までの距離が大きい場合、前記アンテナ部を前記基板とは別に配設するか、または前記無線機能部に設けた専用のＩ／Ｆを介して筐体を伝送路として用いることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のデータ書換システム。
【請求項８】
前記無線書換部にプログラマブルアレイなどの変更可能なＨ／Ｗを有し、前記メモリーのデータを書き換えることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載のデータ書換システム。
【請求項９】
製品に組み込まれる電子部品を搭載した基板に、データ書換を行うリーダー／ライターから発信された可視光を受ける受光部と、前記受光部で受けた可視光からのパルス信号によりメモリーに書き込みを行う無線機能部と、前記メモリーからのデータを取り込んで前記製品の制御を行うマイコンとを備えたことを特徴とするデータ書換システム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月28日(2010.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式［１］で示されることを特徴とする、ベンゾ［ｇｈｉ］フルオランテン誘導体。
【化１】
2008280312.tif 000001
（式［１］において、Ｒ1乃至Ｒ4及びＲ6乃至Ｒ9は、それぞれ水素原子を表す。Ｒ5及びＲ10は、それぞれ水素原子、ナフチル基、フェナントリル基、クリセニル基、フルオレニル基、フルオランテニル基及びベンゾフルオランテニル基のいずれかから選ばれる二環以上からなる縮合多環基、又はキノリル基、イソキノリル基、ナフチリジニル基、アザフルオレニル基、アザフルオランテニル基及びアザベンゾフルオランテニル基のいずれかから選ばれる二環以上からなる縮合多環複素環基を表す。ただし、Ｒ5及びＲ10のいずれかが二環以上からなる縮合多環基又は二環以上からなる縮合多環複素環基である。尚、二環以上からなる縮合多環基及び二環以上からなる縮合多環複素環基は、炭素数１以上４以下のアルキル基又はアリール基をさらに有してもよい。）
【請求項２】
下記式で示される化合物のいずれかであることを特徴とする、請求項１に記載のベンゾ［ｇｈｉ］フルオランテン誘導体。
【化２】
2008280312.tif 000002
【請求項３】
陽極及び陰極からなる一対の電極と、前記一対の電極間に挟持される有機化合物層と、からなり、前記陽極及び前記陰極のいずれかが透明又は半透明である有機発光素子において、前記有機化合物層が請求項１又は２に記載のベンゾ［ｇｈｉ］フルオランテン誘導体を含有することを特徴とする、有機発光素子。
【請求項４】
前記ベンゾ［ｇｈｉ］フルオランテン誘導体を含有する層が発光層であることを特徴とする、請求項３に記載の有機発光素子。
【請求項５】
前記発光層が、ホストとゲストとから構成されることを特徴とする請求項４に記載の有機発光素子。
【請求項６】
前記ホストが、下記式
【化３】
2008280312.tif 000003
で示される化合物であり、
前記ゲストが、下記式
【化４】
2008280312.tif 000004
で示される化合物であることを特徴とする請求項５に記載の有機発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明のベンゾ［ｇｈｉ］フルオランテン誘導体は、下記一般式［１］で表されることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【化１】
2008280312.tif 000005
（式［１］において、Ｒ1乃至Ｒ4及びＲ6乃至Ｒ9は、それぞれ水素原子を表す。Ｒ5及びＲ10は、それぞれ水素原子、ナフチル基、フェナントリル基、クリセニル基、フルオレニル基、フルオランテニル基及びベンゾフルオランテニル基のいずれかから選ばれる二環以上からなる縮合多環基、又はキノリル基、イソキノリル基、ナフチリジニル基、アザフルオレニル基、アザフルオランテニル基及びアザベンゾフルオランテニル基のいずれかから選ばれる二環以上からなる縮合多環複素環基を表す。ただし、Ｒ5及びＲ10のいずれかが二環以上からなる縮合多環基又は二環以上からなる縮合多環複素環基である。尚、二環以上からなる縮合多環基及び二環以上からなる縮合多環複素環基は、炭素数１以上４以下のアルキル基又はアリール基をさらに有してもよい。）
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
本発明のベンゾ［ｇｈｉ］フルオランテン誘導体の具体的な構造式を以下に示す。但し、これらは代表例を例示しただけで、本発明は、これに限定されるものではない。尚、以下に列挙される構造式のうち、１０２、１０５、１１５、１１６、１２５、１２６、１３１〜１３５、２０１〜２０７、２０９、２１１、２１３、２１６及び３０１〜３７４が本発明に含まれる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明していくが、本発明はこれらに限定されるものではない。尚、後述する実施例のうち、実施例２及び実施例５が本発明に含まれる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月7日(2010.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表されるケイ素化合物と、このケイ素化合物中の水酸基と縮合反応を生じる基又は原子を３以上有する架橋性ケイ素化合物とから得られる架橋性シロキサンポリマー。
【化１】
2008280420.tif 000001
（一般式（１）中、ｍは独立して０〜３０の整数を表し；ｎは１〜１，０００の整数を表し；Ｒ0は独立して、任意の水素が独立してハロゲン若しくは炭素数１〜２０のアルキルで置き換えられてもよいアリール、又は任意の水素が独立してハロゲン若しくは炭素数１〜２０のアルキルで置き換えられてもよいシクロアルキルを表し；Ｒ1及びＲ2は独立して炭素数１〜４０のアルキル、任意の水素が独立してハロゲン若しくは炭素数１〜２０のアルキルで置き換えられてもよいアリール、又はアリールにおける任意の水素が独立してハロゲン若しくは炭素数１〜２０のアルキルで置き換えられてもよいアリールアルキルを表し；前記炭素数１〜４０のアルキルにおいて、任意の水素は独立してフッ素で置き換えられてもよく、任意の−ＣＨ2−は独立して−Ｏ−又はシクロアルキレンで置き換えられてもよく；前記アリール又はアリールアルキルの置換基である炭素数１〜２０のアルキルにおいて、任意の水素は独立してフッ素で置き換えられてもよく、任意の−ＣＨ2−は独立して−Ｏ−、シクロアルキレン又はフェニレンで置き換えられてもよく；前記アリールアルキルのアルキレンにおいて、その炭素数は１〜１０であり、任意の水素は独立してフッ素で置き換えられてもよく、そして任意の−ＣＨ2−は独立して−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−
又はシクロアルキレンで置き換えられてもよい。）
【請求項２】
前記架橋性ケイ素化合物が、下記一般式（２）〜（４）で表される化合物、及び３以上の水素、ハロゲン又は水酸基が結合するケイ素を含む化合物からなる群から選ばれる一以上であることを特徴とする請求項１記載の架橋性シロキサンポリマー。
Ｒ3−Ｓｉ(Ｒ4)3                          （２）
（一般式（２）中、Ｒ3は炭素数１〜２０のアルキル又は炭素数６〜３０のアリールを表し、Ｒ4は、独立して、ハロゲン、炭素数１〜１５のアシル、炭素数１〜１５のアルコキシル、炭素数１〜１５のオキシム、炭素数０〜１５の置換基を有していてもよいアミノ、炭素数０〜１５の置換基を有していてもよいアミド、炭素数０〜１５の置換基を有していてもよいアミノキシ、及び炭素数０〜１５の置換基を有していてもよいビニルアルコール残基を表す。）
【化２】
2008280420.tif 000002
（一般式（３）及び（４）中、Ｒ5及びＲ6はそれぞれ独立して炭素数１〜１５のアルキル及び炭素数６〜３０のアリールを表し、ａは１以上の整数を表し、ｂは２以上の整数を表す。）
【請求項３】
前記一般式（２）で表される化合物がメチルトリス（メチルエチルケトキシム）シラン又はメチルトリアセトキシシランであることを特徴とする請求項２記載の架橋性シロキサンポリマー。
【請求項４】
前記Ｒ0がフェニルであり、前記Ｒ1及びＲ2がメチルであることを特徴とする請求項１〜３記載の架橋性シロキサンポリマー。
【請求項５】
下記一般式（１）で表されるケイ素化合物と、このケイ素化合物中の水酸基と縮合反応を生じる基又は原子を３以上有する架橋性ケイ素化合物とを含有する架橋性組成物。
【化３】
2008280420.tif 000003
（一般式（１）中、ｍは独立して０〜３０の整数を表し；ｎは１〜１，０００の整数を表し；Ｒ0は独立して、任意の水素が独立してハロゲン若しくは炭素数１〜２０のアルキルで置き換えられてもよいアリール、又は任意の水素が独立してハロゲン若しくは炭素数１〜２０のアルキルで置き換えられてもよいシクロアルキルを表し；Ｒ1及びＲ2は独立して炭素数１〜４０のアルキル、任意の水素が独立してハロゲン若しくは炭素数１〜２０のアルキルで置き換えられてもよいアリール、又はアリールにおける任意の水素が独立してハロゲン若しくは炭素数１〜２０のアルキルで置き換えられてもよいアリールアルキルを表し；前記炭素数１〜４０のアルキルにおいて、任意の水素は独立してフッ素で置き換えられてもよく、任意の−ＣＨ2−は独立して−Ｏ−又はシクロアルキレンで置き換えられてもよく；前記アリール又はアリールアルキルの置換基である炭素数１〜２０のアルキルにおいて、任意の水素は独立してフッ素で置き換えられてもよく、任意の−ＣＨ2−は独立して−Ｏ−、シクロアルキレン又はフェニレンで置き換えられてもよく；前記アリールアルキルのアルキレンにおいて、その炭素数は１〜１０であり、任意の水素は独立してフッ素で置き換えられてもよく、そして任意の−ＣＨ2−は独立して−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又はシクロアルキレンで置き換えられてもよい。）
【請求項６】
前記架橋性ケイ素化合物が、下記一般式（２）〜（４）で表される化合物、及び３以上の水素、ハロゲン又は水酸基が結合するケイ素を含む化合物からなる群から選ばれる一以上であることを特徴とする請求項５記載の架橋性組成物。
Ｒ3−Ｓｉ(Ｒ4)3                          （２）
（一般式（２）中、Ｒ3は炭素数１〜２０のアルキル又は炭素数６〜３０のアリールを表し、Ｒ4は、独立して、ハロゲン、炭素数１〜１５のアシル、炭素数１〜１５のアルコキシル、炭素数１〜１５のオキシム、炭素数０〜１５の置換基を有していてもよいアミノ、炭素数０〜１５の置換基を有していてもよいアミド、炭素数０〜１５の置換基を有していてもよいアミノキシ、及び炭素数０〜１５の置換基を有していてもよいビニルアルコール残基を表す。）
【化４】
2008280420.tif 000004
（一般式（３）及び（４）中、Ｒ5及びＲ6はそれぞれ独立して炭素数１〜１５のアルキル及び炭素数６〜３０のアリールを表し、ａは１以上の整数を表し、ｂは２以上の整数を表す。）
【請求項７】
前記一般式（２）で表される化合物がメチルトリス（メチルエチルケトキシム）シラン又はメチルトリアセトキシシランであることを特徴とする請求項６記載の架橋性組成物。
【請求項８】
前記Ｒ0がフェニルであり、前記Ｒ1及びＲ2がメチルであることを特徴とする請求項５〜７記載の架橋性組成物。
【請求項９】
請求項５〜８のいずれか一項に記載の架橋性組成物の膜が硬化してなるシリコーン膜。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月16日(2010.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウム粒子の表面に皮膜が形成されてなるアルミニウム顔料であって、
前記皮膜は金属アミン塩を含み、
前記金属アミン塩は、組成式ＲmＨnＮ+-Ｏ−Ｍ（＝Ｏ）2−ＯＨ（ただし、Ｍは金属元
素、Ｒは置換基を有していてもよい炭化水素鎖、ｍは１以上の整数、ｎはｎ＝４−ｍを満たす整数、をそれぞれ示す）で示される、アルミニウム顔料。
【請求項２】
前記金属アミン塩を構成する金属元素Ｍが、ＩＶＡ族、ＩＶＢ族、ＶＡ族、ＶＢ族、ＶＩＡ族、ＶＩＢ族の少なくともいずれかに属する元素から選ばれる少なくとも１種からなる、請求項１に記載のアルミニウム顔料。
【請求項３】
前記金属元素Ｍが、モリブデンである、請求項２に記載のアルミニウム顔料。
【請求項４】
前記金属アミン塩を構成するアミンが、アルキルアミン、アリルアミン、アリールアミン、アルカノールアミン、アルコキシルアミンから選ばれる少なくとも１種からなる、請求項１〜３のいずれかに記載のアルミニウム顔料。
【請求項５】
前記アルミニウム粒子１００質量部に対し、前記金属アミン塩を構成する金属元素Ｍの含有量が０．０２〜１０質量部の範囲内である、請求項１〜４のいずれかに記載のアルミニウム顔料。
【請求項６】
前記アルミニウム粒子１００質量部に対し、前記金属アミン塩を構成するアミンの含有量が０．０１〜１００質量部の範囲内である、請求項１〜５のいずれかに記載のアルミニウム顔料。
【請求項７】
前記アルミニウム粒子１００質量部に対し、窒素元素を０．００４５〜４５質量部の範囲内で含有する、請求項１〜６のいずれかに記載のアルミニウム顔料。
【請求項８】
前記金属アミン塩の含有量が、前記アルミニウム粒子１００質量部に対し、０．５〜２０質量部の範囲内である、請求項１〜７のいずれかに記載のアルミニウム顔料。
【請求項９】
前記金属アミン塩を含む前記皮膜の上に、有機燐化合物を含む吸着層がさらに形成されてなる、請求項１〜８のいずれかに記載のアルミニウム顔料。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載のアルミニウム顔料を得るための製造方法であって、
少なくとも金属アミン塩を疎水性溶媒または親水性溶媒に溶解させてなる金属アミン塩溶液を調製する金属アミン塩溶液調製工程と、
少なくともアルミニウム粒子と前記金属アミン塩溶液とを混合することにより、金属アミン塩を含む皮膜をアルミニウム粒子の表面に形成する皮膜形成工程と、
を含む、アルミニウム顔料の製造方法。
【請求項１１】
前記皮膜形成工程の後、有機燐化合物を含む吸着層を前記皮膜の上に形成する吸着層形成工程をさらに含む、請求項１０に記載のアルミニウム顔料の製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜９のいずれかに記載のアルミニウム顔料を配合してなる水性メタリック塗料組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月14日(2010.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基油に、下記一般式（１）または（２）で表されるウレア化合物と、ベンジリデンソルビトール誘導体とを合計で１０〜３０質量％の割合で配合したことを特徴とする潤滑剤組成物。
【化１】
2008280476.tif 000001
〔（１）式中、ＣｍＨ２ｍ＋１及びＣｎＨ２ｎ＋１は直鎖アルキル基であり、ｍ＋ｎは１６〜３６である。また、（２）式中、ＣｘＨ２ｘ＋１及びＣｙＨ２ｙ＋１は直鎖アルキル基であり、ｘ＋ｙは２０〜３６である。〕
【請求項２】
基油がエステル油であることを特徴とする請求項１記載の潤滑剤組成物。
【請求項３】
（ベンジリデンソルビトール誘導体／ウレア化合物）重量比が０．１〜１．０であることを特徴とする請求項１または２記載の潤滑剤組成物。
【請求項４】
ＮＳＫグリースノイズテスターによるグリースノイズカウントの１２０秒値が５０カウント以下であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の潤滑剤組成物。
【請求項５】
内輪と外輪との間に複数の転動体を転動自在に保持し、かつ、請求項１〜４の何れか１項に記載の潤滑剤組成物を封入したことを特徴とする転がり軸受。
【請求項６】
基油中で、下記一般式（１）または（２）で表されるウレア化合物を合成した後、ベンジリデンソルビトール誘導体を添加し、加熱して前記ウレア化合物及び前記ベンジリデンソルビトール誘導体を溶解した後、冷却することを特徴とする潤滑剤組成物の製造方法。
【化４】
2008280476.tif 000002
〔（１）式中、ＣｍＨ２ｍ＋１及びＣｎＨ２ｎ＋１は直鎖アルキル基であり、ｍ＋ｎは１６〜３６である。また、（２）式中、ＣｘＨ２ｘ＋１及びＣｙＨ２ｙ＋１は直鎖アルキル基であり、ｘ＋ｙは２０〜３６である。〕
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】潤滑剤組成物及びその製造方法、並びに転がり軸受
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
〔（１）式中、ＣｍＨ２ｍ＋１及びＣｎＨ２ｎ＋１は直鎖アルキル基であり、ｍ＋ｎは１６〜３６である。また、（２）式中、ＣｘＨ２ｘ＋１及びＣｙＨ２ｙ＋１は直鎖アルキル基であり、ｘ＋ｙは２０〜３６である。〕
（２）基油がエステル油であることを特徴とする上記（１）記載の潤滑剤組成物。
（３）（ベンジリデンソルビトール誘導体／ウレア化合物）重量比が０．１〜１．０であることを特徴とする上記（１）または（２）記載の潤滑剤組成物。
（４）ＮＳＫグリースノイズテスターによるグリースノイズカウントの１２０秒値が５０カウント以下であることを特徴とする上記（１）〜（３）の何れか１項に記載の潤滑剤組成物。
（５）内輪と外輪との間に複数の転動体を転動自在に保持し、かつ、上記（１）〜（４）の何れか１項に記載の潤滑剤組成物を封入したことを特徴とする転がり軸受。
（６）基油中で、下記一般式（１）または（２）で表されるウレア化合物を合成した後、ベンジリデンソルビトール誘導体を添加し、加熱して前記ウレア化合物及び前記ベンジリデンソルビトール誘導体を溶解した後、冷却することを特徴とする潤滑剤組成物の製造方法。
【化５】
2008280476.tif 000003
〔（１）式中、ＣｍＨ２ｍ＋１及びＣｎＨ２ｎ＋１は直鎖アルキル基であり、ｍ＋ｎは１６〜３６である。また、（２）式中、ＣｘＨ２ｘ＋１及びＣｙＨ２ｙ＋１は直鎖アルキル基であり、ｘ＋ｙは２０〜３６である。〕