Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月22日(2010.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オフサルミックレンズを製造する方法であって、
第１のオフサルミックレンズモールド部材及び第２のオフサルミックレンズモールド部材を用意するステップを包含し、前記モールド部材のうちの少なくとも一方は、光屈折力インサート用ブッシュ内に収納された光屈折力インサートを有するモールドキャビティ内に熱可塑性材料を差し向けるステップを有する方法によって製作され、前記ブッシュは、第１の端部と、第２の端部と、前記第１の端部から前記第２の端部まで延びる長さと、内部側壁表面により包囲されていて、前記光屈折力インサートを収容するよう構成されたボアと、前記モールドキャビティからのガスを前記ボア内に収納された前記光屈折力インサートと前記内部側壁表面との間で前記ブッシュの前記第１の端部から前記ブッシュの前記第２の端部の方へ差し向けて成形されたオフサルミックレンズモールドを形成するよう構成されたガス抜きシステムとを有し、
前記第１のオフサルミックレンズモールド部材及び前記第２のオフサルミックレンズモールド部材により画定されたオフサルミックレンズ形状キャビティ内に収納された重合性レンズ前駆組成物を硬化させるステップをさらに包含する、ことを特徴とするオフサルミックレンズ製造方法。
【請求項２】
前記複数のチャネルの各々は、２００マイクロメートル未満の最大深さを有する、請求項１記載のオフサルミックレンズ製造方法。
【請求項３】
前記複数のチャネルの各々は、約２０マイクロメートル以下の最大深さを有する、請求項１記載のオフサルミックレンズ製造方法。
【請求項４】
前記複数のチャネルの各々は、約１マイクロメートル〜約１５マイクロメートルの最大深さを有する、請求項１記載のオフサルミックレンズ製造方法。
【請求項５】
前記複数のチャネルの各々は、約６マイクロメートル〜約８マイクロメートルの最大深さを有する、請求項１記載のオフサルミックレンズ製造方法。
【請求項６】
前記複数のチャネルの各々は、第１の内部側壁表面とこれから間隔を置いて位置する第２の内部側壁表面との間に設けられている、請求項１記載のオフサルミックレンズ製造方法。
【請求項７】
前記複数のチャネルの各々は、互いに平行であり、前記ブッシュの前記第１の端部の近くから前記ブッシュの前記第２の端部まで延びている、請求項１記載のオフサルミックレンズ製造方法。
【請求項８】
前記チャネルは、前記内部側壁表面に形成された侵食チャネルである、請求項１記載のオフサルミックレンズ製造方法。
【請求項９】
前記チャネルは、放電加工チャネル、ワイヤ侵食チャネル、酸侵食チャネル、及びこれらの組合せから成る群から選択される、請求項８記載のオフサルミックレンズ製造方法。
【請求項１０】
前記光屈折力インサートは、前記光屈折力インサートが前記ボア内に収納されている場合、側方に固定された位置のままである、請求項１記載のオフサルミックレンズ製造方法。
【請求項１１】
前記光屈折力インサートは、前記内部側壁表面にその表面積の少なくとも３０％にわたり接触する、請求項１記載のオフサルミックレンズ製造方法。
【請求項１２】
前記光屈折力インサートは、前記内部側壁表面にその表面積の約４０％〜約６０％にわたり接触する、請求項１記載のオフサルミックレンズ製造方法。
【請求項１３】
前記成形されたオフサルミックレンズは、シリコーンヒドロゲルコンタクトレンズである、請求項１記載のオフサルミックレンズ製造方法。
【請求項１４】
前記成形されたオフサルミックレンズは、トーリックゾーンを有するコンタクトレンズである、請求項１記載のオフサルミックレンズ製造方法。
【請求項１５】
第１の端部、第２の端部、前記第１の端部から前記第２の端部まで延びる長さ、及び内部側壁表面によって包囲されていて、光屈折力インサートを受け入れるよう構成されたボアを有する光屈折力インサートブッシュと、
前記光屈折力インサートブッシュの前記ボア内に配置された前記光屈折力インサートとを包含するオフサルミックレンズモールドを成形するためのオフサルミックレンズモールド成形システムであって、
該オフサルミックレンズモールド成形システムが、さらに、ガスを、前記ボア内に収納された光屈折力インサートと前記内部側壁表面との間で前記ブッシュの前記第１の端部から前記ブッシュの前記第２の端部の方へ差し向けるよう前記内部側壁表面に構成された複数のチャンネルを設けていることを特徴とするオフサルミックレンズモールド成形システム。
【請求項１６】
前記複数のチャネルの各々は、２００マイクロメートル未満の最大深さを有する、請求項１５記載のオフサルミックレンズモールド成形システム。
【請求項１７】
前記複数のチャネルの各々は、約２０マイクロメートル以下の最大深さを有する、請求項１５記載のオフサルミックレンズモールド成形システム。
【請求項１８】
前記複数のチャネルの各々は、約１マイクロメートル〜約１５マイクロメートルの最大深さを有する、請求項１５記載のオフサルミックレンズモールド成形システム。
【請求項１９】
前記複数のチャネルの各々は、約６マイクロメートル〜約８マイクロメートルの最大深さを有する、請求項１５記載のオフサルミックレンズモールド成形システム。
【請求項２０】
前記複数のチャネルの各々は、第１の内部側壁表面とこれから間隔を置いて位置する第２の内部側壁表面との間に設けられている、請求項１５記載のオフサルミックレンズモールド成形システム。
【請求項２１】
前記複数のチャネルの各々は、互いに平行であり、前記ブッシュの前記第１の端部の近くから前記ブッシュの前記第２の端部まで延びている、請求項１５記載のオフサルミックレンズモールド成形システム。
【請求項２２】
前記チャネルは、前記内部側壁表面に形成された侵食チャネルである、請求項１５記載のオフサルミックレンズモールド成形システム。
【請求項２３】
前記チャネルは、放電加工チャネル、ワイヤ侵食チャネル、酸侵食チャネル、及びこれらの組合せから成る群から選択される、請求項２２記載のオフサルミックレンズモールド成形システム。
【請求項２４】
前記光屈折力インサートは、側方に固定された位置のままである、請求項１５記載のオフサルミックレンズモールド成形システム。
【請求項２５】
前記光屈折力インサートは、前記内部側壁表面にその表面積の少なくとも３０％にわたり接触する、請求項１５記載のオフサルミックレンズモールド成形システム。
【請求項２６】
前記光屈折力インサートは、前記内部側壁表面にその表面積の約４０％〜約６０％にわたり接触する、請求項１５記載のオフサルミックレンズモールド成形システム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月8日(2010.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電動式のモータを回転駆動源とし、ハンマーをアンビルに衝突させることによりインパクトを発生させて負荷に回転力を与えるインパクト式のネジ締め装置であって、
前記ハンマーが前記アンビルから離れた位置である初期位置にあるときに、前記モータに電流を流してハンマーを正方向に回転させて加速し、前記ハンマーを前記アンビルに衝突させてインパクトを発生させ、
前記ハンマーがアンビルに衝突した後は、前記モータに流す電流を零にして前記モータを自由回転が可能な状態とするか、または前記モータに逆方向に電流を流して前記モータを逆転させることによって、前記ハンマーを前記アンビルとの衝突位置から前記初期位置に戻し、
これを繰り返すことによって前記負荷に連続的にインパクトを与えるように構成された、
ことを特徴とするインパクト式のネジ締め装置。
【請求項２】
前記ハンマーがアンビルに衝突した後において、前記モータに流す電流を零にして前記モータを自由回転が可能な状態とし、前記ハンマーのアンビルへの衝突による跳ね返りによって前記ハンマーを前記初期位置に戻す、
請求項１記載のインパクト式のネジ締め装置。
【請求項３】
前記ハンマーがアンビルに衝突した後において、前記モータに逆方向に電流を流して前記モータを逆転させることによって前記ハンマーを前記初期位置に戻す、
請求項１記載のインパクト式のネジ締め装置。
【請求項４】
前記ハンマーがアンビルに衝突した後において、前記モータに流す電流を一旦零にし、その後に逆方向に電流を流して前記モータを強制的に逆転させ、これによって前記ハンマーを前記初期位置に戻す、
請求項１記載のインパクト式のネジ締め装置。
【請求項５】
前記ハンマーがアンビルに衝突したことが検出されてから予め設定された第１の時間が経過したときに、前記ハンマーが前記初期位置に戻ったとして前記モータに電流を流してハンマーを正方向に回転させる、
請求項４記載のインパクト式のネジ締め装置。
【請求項６】
前記ハンマーがアンビルに衝突したことが検出されてから予め設定された第１の時間が経過するまでの間において、予め設定された第２の時間だけ前記モータに逆方向に電流を流す、
請求項５記載のインパクト式のネジ締め装置。
【請求項７】
前記負荷に与える回転トルクを検出するトルクセンサを設けておき、
前記トルクセンサの検出信号が予め設定された設定トルクに達したときに、前記ハンマーがアンビルに衝突したことを検出する、
請求項１ないし６のいずれかに記載のインパクト式のネジ締め装置。
【請求項８】
電動式のモータを回転駆動源とし、ハンマーをアンビルに衝突させることによりインパクトを発生させて負荷に回転力を与えるインパクト式のネジ締め装置であって、
前記ハンマーが前記アンビルから離れた位置である初期位置にあるときに、前記モータに電流を流すように制御してハンマーを正方向に回転させて加速し、前記ハンマーを前記アンビルに衝突させてインパクトを発生させ、
前記ハンマーがアンビルに衝突した後は、前記モータに流す電流を零にしまたは減少させるように制御して前記モータを自由回転が可能な状態とするか、または前記モータに逆方向に電流を流すように制御して前記モータを逆転させることによって、前記ハンマーを前記アンビルとの衝突位置から前記初期位置に戻し、
これを繰り返すことによって前記負荷に連続的にインパクトを与えるように構成された、
ことを特徴とするインパクト式のネジ締め装置。
【請求項９】
電動式のモータを回転駆動源とし、ハンマーをアンビルに衝突させることによりインパクトを発生させて負荷に回転力を与えるインパクト式のネジ締め装置であって、
前記ハンマーが前記アンビルから離れた位置である初期位置にあるときに、前記モータに電流を流すため電流指令データを出力してハンマーを正方向に回転させて加速し、前記ハンマーを前記アンビルに衝突させてインパクトを発生させ、
前記ハンマーがアンビルに衝突した後は、前記電流指令データを零にするかまたは負の前記電流指令データを出力することによって、前記ハンマーを前記アンビルとの衝突位置から前記初期位置に戻し、
これを繰り返すことによって前記負荷に連続的にインパクトを与えるように構成された、
ことを特徴とするインパクト式のネジ締め装置。
【請求項１０】
前記ハンマーがアンビルに衝突した後において、前記電流指令データを一旦零にし、その後に負の前記電流指令データを出力して前記モータを強制的に逆転させ、これによって前記ハンマーを前記初期位置に戻す、
請求項９記載のインパクト式のネジ締め装置。
【請求項１１】
前記ハンマーがアンビルに衝突したことが検出されてから予め設定された第１の時間が経過したときに、前記ハンマーが前記初期位置に戻ったとして正の前記電流指令データを出力して前記ハンマーを正方向に回転させる、
請求項１０記載のインパクト式のネジ締め装置。
【請求項１２】
前記ハンマーがアンビルに衝突したことが検出されてから予め設定された第１の時間が経過するまでの間において、予め設定された第２の時間だけ負の前記電流指令データを出力する、
請求項１１記載のインパクト式のネジ締め装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月7日(2010.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
図示した態様において円１４０が図示した直径を有する場合、α＝１３°、β＝２６°およびγ＝３９°である。γはαおよびβのいずれよりも著しく大きいため、人間の知覚では、十五本の溝１２８をそれぞれ三本の溝からなる五組のセット１４８にグループ化する傾向がある。このようにセット１４８にグループ化される場合、すなわち反復するピッチ角度のなかで最大のピッチ角度（または二つのピッチ角度のみを問題としている場合には、より大きなピッチ角度）によってセットが分離される場合、可変の角ピッチは、一つ以上のセット内ピッチ角度（この場合、ピッチ角度αおよびβの二つ）およびセット間ピッチ角度（この場合、ピッチ角度γ）を含む。図示した態様では、同種の五組のセット１４８のセット内ピッチ角度α、βは相互に等しく、同様に、五回出現するセット間ピッチ角度γも相互に等しい。ただし、代替態様ではこの必要はない。すなわち、ピッチ角度α、β、γのいずれか一つ以上は、セット１４８間および任意の二組の隣接するセット間で異なることができる。一般に、三本の溝１２８からなるセット１４８の視覚的な区別を維持するには、ピッチ角度γがそれぞれのピッチ角度αおよびβよりも十分に大きく、各セットの三本の溝が明らかに相互にグループ化されるようにすればよい。ピッチ角度γを大きくすると、半径方向ピッチまたは隣接する溝１２８の間隔も増加する。半径方向ピッチまたは間隔の増加により、セット１４８が分離する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図１０は、物品、たとえばウェーハ５０８を研磨するため、図１〜９の研磨パッド１００、２００、３００、４００または本発明の他の研磨パッドのいずれかであることができる研磨パッド５０４を使用するのに好適な研磨機５００を示す。研磨機５００は、研磨パッド５０４が取り付けられるプラテン５１２を含むことができる。プラテン５１２は、プラテンドライバ（図示せず）によって回転軸Ａ１を中心に回転可能である。研磨機５００はさらに、プラテン５１２の回転軸Ａ１に対して平行かつ離間した回転軸Ａ２を中心に回転可能であり、研磨中にウェーハ５０８を支持するウェーハキャリヤ５２０を含むことができる。ウェーハキャリヤ５２０は、ウェーハ５０８が研磨パッド５０４の研磨面５２４に対してごくわずかに非平行な向きをとることができるようにするジンバル式リンク（図示せず）を備えることができ、その場合、回転軸Ａ１、Ａ２は相互に対してごくわずかに斜行していることができる。ウェーハ５０８は、研磨層５２４に面し、研磨中に平坦化される被研磨面５２８を含む。ウェーハキャリヤ５２０は、ウェーハ５０８を回転させ、研磨中に被研磨面とパッドとの間に所望の圧力が存在するよう下向きの力Ｆを加えて被研磨面５２８を研磨パッド５０４に押し当てるように適合されたキャリヤ支持アセンブリ（図示せず）により、支持することができる。研磨機５００は、研磨面５２４に研磨媒体５３６を供給するための研磨媒体導入口５３２を含むこともできる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月13日(2010.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貯留槽中の雑排水を吸引・加圧するためのポンプと、該ポンプによって加圧した雑排水を該貯留槽中に噴射するためのノズル及びこれらを相互に連結するパイプを少なくとも具備し、ポンプ稼動中に該ポンプと該ノズルと該貯留槽とを順次流れる雑排水の循環路が形成される雑排水処理装置であって、貯留槽から継続的に流入し常時満杯状態の貯留槽中の雑排水を該循環路を循環させながら、噴射により発生するキャビテーションによって浄化するのに使用されることを特徴とする雑排水処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の雑排水処理装置を該雑排水貯留槽に取り付け固定してなる雑排水処理システム。
【請求項３】
請求項２に記載の雑排水処理システムを用い、雑排水貯留槽への未処理雑排水の流入と雑排水貯留槽からの処理済み雑排水の流出を継続させる中で、雑排水貯留槽に溜めた雑排水を高速水噴流にして貯留槽の雑排水中に噴射し、循環路を循環させることによって、前記放射の際に生成される高エネルギーがもたらすキャビテーション効果により雑排水を浄化することを特徴とする雑排水処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月31日(2010.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微細流体処理基板のミキシングチャンバに少なくとも二種類の流体を順次に収容し、前記少なくとも二種類の流体が混合されるまで前記基板を時計回り方向及び逆時計回り方向に交互に回転させるが、時計回り方向及び逆時計回り方向のうちいずれかの回転によって、前記ミキシングチャンバに形成された渦流が消える前に他方向に回転方向を転換させることを特徴とする流体混合方法。
【請求項２】
時計回り方向に回転する時間区間の回転周波数分布と逆時計回り方向に回転する時間区間の回転周波数分布とが、対称または非対称であることを特徴とする請求項１に記載の流体混合方法。
【請求項３】
時計回り方向に回転する時間区間及び逆時計回り方向に回転する時間区間での最大回転周波数は、５〜６０Ｈｚであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の流体混合方法。
【請求項４】
時計回り方向に回転する時間区間及び逆時計回り方向に回転する時間区間の各開始時点で、０Ｈｚより大きく、前記最大回転周波数より小さい開始回転周波数を有することを特徴とする請求項３に記載の流体混合方法。
【請求項５】
時計回り方向に回転する時間区間及び逆時計回り方向に回転する時間区間内でそれぞれ加速区間を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の流体混合方法。
【請求項６】
前記加速区間で回転周波数の上昇率は、２０〜１５０Ｈｚ／ｓであることを特徴とする請求項５に記載の流体混合方法。
【請求項７】
互いに混合される前記少なくとも二種類の流体のうち、少なくとも一種類の流体は、０より大きく、１０μｍ以下の直径を有する複数の粒子を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の流体混合方法。
【請求項８】
時計回り方向に回転する各時間区間及び逆時計回り方向に回転する各時間区間の所要時間が、１０秒以内であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の流体混合方法。
【請求項９】
時計回り方向に回転する各時間区間及び逆時計回り方向に回転する各時間区間の所要時間が、１秒以内であることを特徴とする請求項８に記載の流体混合方法。
【請求項１０】
前記ミキシングチャンバの内側面に突出部を形成して、前記ミキシングチャンバ内部で流体の渦流発現を促進することを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の流体混合方法。
【請求項１１】
一種類の流体を微細流体処理基板のミキシングチャンバに収容し、前記流体と異なる少なくとも一種類の流体を前記ミキシングチャンバにチャンネルを介して連結された少なくとも一つの供給チャンバに収容し、遠心力によって前記供給チャンバに収容された流体が前記ミキシングチャンバに流動して、前記ミキシングチャンバに収容された流体と混合されるまで前記基板を時計回り方向及び逆時計回り方向に交互に回転させるが、時計回り方向及び逆時計回り方向のうちいずれかの回転によって、前記ミキシングチャンバに形成された渦流が消える前に、他方向に回転方向を転換させることを特徴とする流体混合方法。
【請求項１２】
時計回り方向に回転する時間区間の回転周波数分布と逆時計回り方向に回転する時間区間の回転周波数分布が、対称または非対称であることを特徴とする請求項１１に記載の流体混合方法。
【請求項１３】
時計回り方向に回転する時間区間及び逆時計回り方向に回転する時間区間での最大回転周波数は、５〜６０Ｈｚであることを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の流体混合方法。
【請求項１４】
時計回り方向に回転する時間区間及び逆時計回り方向に回転する時間区間の各開始時点で、０Ｈｚより大きく、前記最大回転周波数より小さい開始回転周波数を有することを特徴とする請求項１３に記載の流体混合方法。
【請求項１５】
時計回り方向に回転する時間区間及び逆時計回り方向に回転する時間区間内でそれぞれ加速区間を有することを特徴とする請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の流体混合方法。
【請求項１６】
前記加速区間で回転周波数の上昇率は、２０〜１５０Ｈｚ／ｓであることを特徴とする請求項１５に記載の流体混合方法。
【請求項１７】
互いに混合される前記少なくとも二種類の流体のうち、少なくとも一種類の流体は、０より大きく、１０μｍ以下の直径を有する複数の粒子を含むことを特徴とする請求項１１〜１６のいずれか一項に記載の流体混合方法。
【請求項１８】
時計回り方向に回転する各時間区間及び逆時計回り方向に回転する各時間区間の所要時間が、１０秒以内であることを特徴とする請求項１１〜１７のいずれか一項に記載の流体混合方法。
【請求項１９】
時計回り方向に回転する各時間区間及び逆時計回り方向に回転する各時間区間の所要時間が、１秒以内であることを特徴とする請求項１８に記載の流体混合方法。
【請求項２０】
前記ミキシングチャンバの内側面に突出部を形成して、前記ミキシングチャンバ内部で流体の渦流発現を促進することを特徴とする請求項１１〜１９のいずれか一項に記載の流体混合方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月18日(2010.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転軸Ｄを中心に回転可能な混合ベッセルを有して成るダブルコーン・ミキサーであって、
混合ベッセルが、真ん中の円筒部を成す胴部分、および、円筒部の２つの開口端部に設けられたコーンを有して成り、
混合ベッセルの内部には、回転軸Ｄの軸方向に生成物の混合を行うバッフルが設けられている、ダブルコーン・ミキサー。
【請求項２】
混合ベッセルの内部がエナメルコーティングされている、請求項１に記載のダブルコーン・ミキサー。
【請求項３】
ダブルコーン・ミキサーが、Ｓ１およびＳ１’タイプのバッフルならびに／またはＳ２およびＳ２’タイプのバッフルを有しており、
Ｓ１およびＳ１’タイプでは、回転軸Ｄと整列するように混合ベッセルの壁にバッフルが設けられ、かつ、かかるバッフルが、回転軸Ｄに対して垂直な中央線ＭＬから角度βまたは角度β’回転した向きに設けられており、
Ｓ２およびＳ２’タイプでは、Ｓ２のバッフルが回転軸Ｄから角度α回転した投影面ＡＥに位置し、Ｓ２’のバッフルが回転軸Ｄから角度α’回転した投影面ＡＥに位置している、
請求項１に記載のダブルコーン・ミキサー。
【請求項４】
角度αおよび角度α’がそれぞれ等しい値（絶対値）を有している、または、角度βおよび角度β’がそれぞれ等しい値（絶対値）を有しており、
角度αと角度α’とが相互に数学的に等しい方向へと回転することで形成されている一方、角度βと角度β’が相互に数学的に反対方向に回転することで形成されている、請求項３に記載のダブルコーン・ミキサー。
【請求項５】
角度αおよび角度α’の絶対値が２０°〜６０°であり、角度βおよびβ’の絶対値が１５°〜５０°である、請求項３に記載のダブルコーン・ミキサー。
【請求項６】
バッフルは、
混合ベッセルの壁の長さ（ａ）の０．３倍〜０．７５倍の長さ（ｃ）、
混合ベッセルのセグメント（Ｌ）の０．０３倍〜０．１倍の高さ（ｄ）、
高さ（ｄ）の０．２倍〜０．５倍の厚さ（ｆ）、および
混合ベッセルの壁から６０ｍｍ〜１５０ｍｍ離れた距離（ｅ）
を有しており、混合ベッセルの壁長さ（ａ）に対する混合ベッセルの壁長さ（ｂ）の比が０．３〜０．７となる箇所に設けられている、請求項１に記載のダブルコーン・ミキサー。
【請求項７】
請求項１に記載のダブルコーン・ミキサーを用いて多糖類誘導体を処理する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
本明細書中で触れた全ての文献の内容は全て、この引用により、本明細書に含まれるものとする。
尚、上述のような本発明は、次の態様を包含する：
第１の態様：回転軸Ｄを中心に回転可能な混合ベッセルを有して成るダブルコーン・ミキサーであって、
混合ベッセルが、真ん中の円筒部を成す胴部分、および、円筒部の２つの開口端部に設けられたコーンを有して成り、
混合ベッセルの内部には、回転軸Ｄの軸方向に生成物の混合を行うバッフルが設けられている、ダブルコーン・ミキサー。
第２の態様：上記第１の態様において、混合ベッセルの内部がエナメルコーティングされているダブルコーン・ミキサー。
第３の態様：上記第１の態様において、２つのコーンがそれぞれ同じ数のバッフルを有しており、
各々のコーンでは、回転軸Ｄに垂直な中央面Ｍによって分けられた同じ大きさの２つの半分割領域に、それぞれ同じ数のバッフルが設けられているダブルコーン・ミキサー。
第４の態様：上記第１の態様において、混合ベッセルは合計２個〜８個のバッフルを有するダブルコーン・ミキサー。
第５の態様：上記第１の態様において、バッフルが、全体的に対称となるように混合ベッセルに配置されており、その結果、混合ベッセルの回転に起因してバッフルによってもたらされる軸方向の生成物流れが、ベッセルの回転方向に応じて、混合ベッセルの中央に向かって内側に流れたり、あるいは、混合ベッセルの壁に向かって外側へと流れるダブルコーン・ミキサー。
第６の態様：上記第１の態様において、ダブルコーン・ミキサーが、Ｓ１およびＳ１’タイプのバッフルならびに／またはＳ２およびＳ２’タイプのバッフルを有しており、
Ｓ１およびＳ１’タイプでは、回転軸Ｄと整列するように混合ベッセルの壁にバッフルが設けられ、かつ、かかるバッフルが、回転軸Ｄに対して垂直な中央線ＭＬから角度βまたは角度β’回転した向きに設けられており、
Ｓ２およびＳ２’タイプでは、Ｓ２のバッフルが回転軸Ｄから角度α回転した投影面ＡＥに位置し、Ｓ２’のバッフルが回転軸Ｄから角度α’回転した投影面ＡＥに位置しているダブルコーン・ミキサー。
第７の態様：上記第６の態様において、角度αおよび角度α’がそれぞれ等しい値（絶対値）を有している、または、角度βおよび角度β’がそれぞれ等しい値（絶対値）を有しており、
角度αと角度α’とが相互に数学的に等しい方向へと回転することで形成されている一方、角度βと角度β’が相互に数学的に反対方向に回転することで形成されているダブルコーン・ミキサー。
第８の態様：上記第６の態様において、角度αおよび角度α’の絶対値が２０°〜６０°であり、角度βおよびβ’の絶対値が１５°〜５０°であるダブルコーン・ミキサー。
第９の態様：上記第１の態様において、バッフルは、
混合ベッセルの壁の長さ（ａ）の０．３倍〜０．７５倍の長さ（ｃ）、
混合ベッセルのセグメント（Ｌ）の０．０３倍〜０．１倍の高さ（ｄ）、
高さ（ｄ）の０．２倍〜０．５倍の厚さ（ｆ）、および
混合ベッセルの壁から６０ｍｍ〜１５０ｍｍ離れた距離（ｅ）
を有しており、混合ベッセルの壁長さ（ａ）に対する混合ベッセルの壁長さ（ｂ）の比が０．３〜０．７となる箇所に設けられているダブルコーン・ミキサー。
第１０の態様：上記第１の態様において、バッフルが、単一の脚部を介して混合ミキサーの壁に取り付けられているダブルコーン・ミキサー。
第１１の態様：上記第１の態様のダブルコーン・ミキサーを用いて多糖類誘導体を処理する方法。
第１２の態様：上記第１０の態様において、多糖類または多糖類誘導体の分子量が減るように多糖類または多糖類誘導体を処理し、必要に応じて酸性ガスの作用の下で多糖類または多糖類誘導体を処理する方法。
第１３の態様：上記第１１の態様において、混合ベッセルの所定の回転方向に起因してバッフルによって生じる軸方向の流れが混合ベッセルの壁に向かって外側へと流れるように設計されたダブルコーン・ミキサーを使用する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月8日(2010.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマからの光を供給する光源装置であって、
前記プラズマからの光を反射する光学部材と、
前記光学部材で反射した光の位置を一定に維持する維持手段と、を有し、
前記維持手段は、前記光学部材で反射した光を検出する検出手段を含むことを特徴とする光源装置。
【請求項２】
ターゲットを供給するターゲット供給装置と、
レーザー光を射出するレーザー発生部と、前記ターゲットに前記レーザー光を集光する集光素子と、を含む前記プラズマを生成するレーザー装置と、を更に有することを特徴とする請求項１記載の光源装置。
【請求項３】
電極から電圧を印加して、放電により前記プラズマを生成する印加装置を更に有することを特徴とする請求項１記載の光源装置。
【請求項４】
前記維持手段は、
前記光学部材の位置及び角度のうち少なくとも一方を調整する第１の調整手段、前記集光素子の位置及び角度のうち少なくとも一方を調整する第２の調整手段、前記ターゲット供給装置の位置及び角度のうち少なくとも一方を調整する第３の調整手段のうち少なくとも一の調整手段と、
前記検出手段の検出結果に基づいて前記調整手段を制御する制御部と、を含むことを特徴とする請求項２記載の光源装置。
【請求項５】
前記維持手段は、
前記光学部材の位置及び角度のうち少なくとも一方を調整する第１の調整手段、前記電極の位置及び角度のうち少なくとも一方を調整する第２の調整手段のうち少なくとも一の調整手段と、
前記検出手段の検出結果に基づいて前記調整手段を制御する制御部と、を含むことを特徴とする請求項３記載の光源装置。
【請求項６】
レチクルのパターンを被処理体に露光する露光装置であって、
プラズマからの光を供給する光源装置と、
前記光源装置からの光を用いて前記レチクルを照明する照明光学系と、
前記レチクルのパターンを前記被処理体に投影する投影光学系と、
前記光源装置からの光の位置を一定に維持する維持手段と、を有し、
前記光源装置は、前記プラズマからの光を反射する光学部材を含み、
前記維持手段は、前記光学部材で反射した光を検出する検出手段を含むことを特徴とする露光装置。
【請求項７】
前記維持手段は、
前記光源装置を調整する調整手段と、
前記検出手段の検出結果に基づいて前記調整手段を制御する制御部と、を含むことを特徴とする請求項６記載の露光装置。
【請求項８】
前記照明光学系には、基準点（ＳＴＰ）が設けられており、
前記制御部は、その基準点を基準として、前記制御部を制御することを特徴とする請求項７記載の露光装置。
【請求項９】
請求項６ないし８のいずれか１項に記載の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、
露光された前記被処理体を現像するステップと、を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項１０】
被測定体の反射率を測定する測定装置であって、
プラズマからの光を供給する光源装置と、
前記光源装置からの光を前記被測定体に照射する照射手段と、
前記被測定体で反射した光を検出する検出手段と、
前記光源装置からの光の位置を一定に維持する維持手段と、を有し、
前記光源装置は、前記プラズマからの光を反射する光学部材を含み、
前記維持手段は、前記光学部材で反射した光を検出する検出手段を含むことを特徴とする測定装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
維持手段２００は、供給するＥＵＶ光ＥＬの位置と供給位置ＳＰＰの基準となる基準点ＳＴＰとの位置関係を維持する機能を有する。換言すれば、維持手段２００は、光源装置１００が供給するＥＵＶ光ＥＬの供給位置ＳＰＰを常に一定に保つ。なお、基準点ＳＴＰは、光源装置１００がＥＵＶ光ＥＬを供給する後段の光学系に設けられている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
図３７は図３３〜図３６までに説明した検出手段２９０Ｅを使ってＥＵＶ光源１００Ｅの光軸の角度を具体的に算出する方法について説明した図である。図３７において集光点ＦＰの位置がＦＰａからＺ方向にｄＺ，Ｙ方向にｄＹだけずれた場合を考える。図３３と同じようにＺ＝Ｚ０面上をスキャンしてその位置における強度と入射角度を計測する。入射角度を計測した結果が例えば図３８となったとする。図３８においてはＹ＝ｄＹにおいて入射光の角度が０であり計測位置Ｙにおける入射角のタンジェント（ｔａｎθ）が５０９のような直線にプロットされる。この直線の傾きをａとする。一方移動した集光点ＦＰｂからＺ＝Ｚ０平面までの距離をＬ２とすると入射光の角度はｔａｎθ＝Ｙ／Ｌ２で表すことができるので、Ｙ／ｔａｎθ＝Ｌ２となるが、これが即ち直線５０９の傾きとなる。このことから集光点ＦＰのＺ方向とＹ方向への変動を算出することができる。ここでは集光点ＦＰのＺ，Ｙ方向への変動のみについて扱ったが、Ｙ方向への算出方法と同様な方法でＸ方向の変動を計測することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
以下、図２６及び図２７を参照して、光源装置１００の変形例である光源装置１００Ｆについて説明する。図２６は、光源装置１００Ｆの構成を示す概略断面図である。光源装置１００Ｆは、上述の光源手段１００乃至１００Ｅの構成を全て有し、ＥＵＶ光ＥＬの光軸の位置及び／又は角度を基準点ＳＴＰに対して所定の位置（即ち、供給位置ＳＰＰ）に保つことができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
これを利用して、光源装置１００Ｆは、ＥＵＶ光ＥＬの光軸の位置及び角度を供給位置ＳＰＰに維持することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
また、電界の印加は、プラズマ光源１９０の電界印加装置１９１のみを用いてもよいし、付加的に取り付けられた電界印加装置１９３と組み合わせて用いてもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１４】
図３２を参照するに、測定装置４００は、レーザー光源部２０で発生したレーザー光ＬＬをレーザー光学系３２で集光及び反射して、ターゲット供給装置１０から供給されたターゲットＴＧに対して照射することでＥＵＶ光ＥＬを発生する。ＥＵＶ光ＥＬは、集光ミラー４２で集光され、前置鏡４１０及びスリット４２０を通過し、回折格子４３０で分光された後、スリット４４０で所望の波長のみが選択され、後置鏡４５０で再び反射された後、被測定体ＯＭに照射され、被測定体ＯＭで反射された光の大きさを検出器４６０で検出する。測定装置４００は、光源装置１００を用いることにより、より高精度な反射率の測定を行うことが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月25日(2010.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマを用いて基板を処理するための装置であって、
第１の電極と、
第２の電極と、
該第１の電極に直接接触し、該第１の電極と該第２の電極との間に延在する側壁を形成する該第２の電極に直接接触する管状分離部材であって、該管状分離部材と該第１の電極と該第２の電極とはプロセス領域を形成し、該管状分離部材は、該第１の電極と該第２の電極とを電気的に絶縁可能な誘電材と、大気から該プロセス領域の内部を絶縁しながら該大気からに暴露される第１表面とを備える該管状分離部材と、
該プロセス領域へ処理用ガスを導入するための処理用ガスポートと、
該プロセス領域内の処理用ガスからプラズマを発生させるのに適した圧力にすべく、該プロセス領域を排気するための真空ポートと、
を備えていることを特徴とする装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、前記装置はさらに、
該真空ポートに結合された真空マニホールドであって、該第１の電極および該第２の電極に対して電気的に絶縁されているような真空マニホールドを備えていることを特徴とする。
【請求項３】
請求項２に記載の装置であって、該真空マニホールドは、
前記装置において、前記真空マニホールドは、前記真空ポートの近接した閉じた容積を含み、
この装置はさらに、
電気絶縁材料から作られ、該閉じた容積内に配置されるインサートであって、前記真空マニホールドを前記真空ポートに結合させる複数の第１の流路を含んでいるような前記インサートを備えていることを特徴とする装置。
【請求項４】
請求項３に記載の装置であって、
該真空ポートは、前記第１の電極を通って延在する複数の第２の流路により画定され、前記複数の第１の流路に位置合わせされていることを特徴とする装置。
【請求項５】
請求項１に記載の装置であって、
前記装置はさらに、該管状分離部材と該第１の電極と該第２の電極とを囲む導電性容器を備え、該第１の電極と該第２の電極とはそれぞれ空気ギャップにより該導電性容器から分離されていることを特徴とする装置。
【請求項６】
請求項５に記載の装置であって、
該導電性容器はさらに、ベースと、該プロセス領域にアクセスするために開閉位置間を可動な蓋とを備え、該蓋は該ベースに対して該第１の電極を移動させることを特徴とする装置。
【請求項７】
請求項５に記載の装置であって、
前記装置はさらに、該第１の電極と第２の電極とを冷やすための該空気ギャップに冷媒の供給を行うように該蓋に配置される冷媒ポートを備えていることを特徴とする装置。
【請求項８】
請求項１に記載の装置であって、
該第１の電極は真空ポートを有し、該第２の電極はプロセスガスポートを有することを特徴とする装置。
【請求項９】
請求項１に記載の装置であって、
該第２の電極は、該プロセス領域を閉じる第１位置と、該プロセス領域へ又は該プロセス領域から基材を移送するための該第２位置と、の間を該第１の電極に対して可動であって、
該管状分離部材は、該第１の電極が該第１の位置にあるときに、前記第１の電極と該第２の電極との間に真空シールを形成することを特徴とする装置。
【請求項１０】
複数の基板をプラズマ処理するための装置であって、
第１の電極と、
該第１の電極に対して離して配置された第２の電極と、
該第１の電極と該第２の電極との間に配置された第３の電極と、
該第１の電極に直接接触し、該第１の電極と該第２の電極との間に延在する第１側壁を形成する該第３の電極に直接接触する第１管状分離部材であって、該第１管状分離部材と該第１の電極と該第３の電極とは第１プロセス領域を形成し、該第１の電極はプラズマ処理のための該第１プロセス領域において複数の基板の一つを支持するようになっていて、該第１管状分離部材は、該第１の電極を該第３の電極から電気的に絶縁可能な誘電材と、大気から絶縁され、該第１プロセス領域の内部に暴露される第１表面とを備える該第１管状分離部材と、
該第２の電極に直接接触し、該第２の電極と該第３の電極との間に延在する第２側壁を形成する該第３の電極に直接接触する第２管状分離部材であって、該第２管状分離部材と該第１の電極と該第３の電極とは第２プロセス領域を形成し、該第３の電極はプラズマ処理のための該第２プロセス領域において複数の基板の一つを支持するようになっていて、該第２管状分離部材は、該第２の電極を該第３の電極から電気的に絶縁可能な誘電材と、大気から絶縁され、該第２プロセス領域の内部に暴露される第２表面とを備える該第２管状分離部材と、
該第１のプロセス領域と第２のプロセス領域とへ処理用ガスを導入するための少なくともひとつの処理用ガスポートと、
該第１のプロセス領域および該第２のプロセス領域の中を処理用ガスからプラズマを発生させるに適した圧力とするための該プロセス領域を排気するための真空ポートと、
を備えていることを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月3日(2010.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極と、該陽極と該陰極との間に配置され、下記一般式［Ｉ］で示されるオリゴフルオレン化合物を含有する有機化合物層とを有することを特徴とする、有機発光素子。
【化１】
2008218952.tif 000001
（式中、Ｒ1及びＲ2は、メチル基、エチル基、３−メチルブチル基から選ばれる。一のフルオレン環のＲ1とＲ2は、同じである。また、一のフルオレン環のＲ1及びＲ2と他のフルオレン環のＲ1及びＲ2は、同じであっても異なっていてもよい。但し、Ｒ1又はＲ2で表される全ての置換基のうち、少なくとも４つが３−メチルブチル基であり、少なくとも４つがメチル基又はエチル基である。ｎは、４以上１０以下の整数を表す。）
【請求項２】
前記有機化合物層が発光層であることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項３】
前記発光層がホストとゲストとからなり、該ホストが前記オリゴフルオレン化合物であり、該ゲストが三重項発光材料であることを特徴とする、請求項２に記載の有機発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機発光素子を有することを特徴とする、表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】オリゴフルオレン化合物を用いた有機発光素子及び表示装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、オリゴフルオレン化合物を用いた有機発光素子及び表示装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の有機発光素子は、陽極と陰極と、該陽極と該陰極との間に配置され、下記一般式［Ｉ］で示されるオリゴフルオレン化合物を含有する有機化合物層とを有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
【化２】
2008218952.tif 000002
（式中、Ｒ1及びＲ2は、メチル基、エチル基、３−メチルブチル基から選ばれる。一のフルオレン環のＲ1とＲ2は、同じである。また、一のフルオレン環のＲ1及びＲ2と他のフルオレン環のＲ1及びＲ2は、同じであっても異なっていてもよい。但し、Ｒ1又はＲ2で表される全ての置換基のうち、少なくとも４つが３−メチルブチル基であり、少なくとも４つがメチル基又はエチル基である。ｎは、４以上１０以下の整数を表す。）
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月5日(2010.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
同方向に並列に接続された２個以上のダイオードと、当該ダイオードのアノード側に接続した導線と、当該ダイオードのカソード側に接続した導線とを有することを特徴とする電磁波除去具。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月29日(2010.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
帯状の集電体と、それに設けられた活物質層とを含み、
前記集電体は、その長手方向において、前記活物質層により被覆された被覆部分と、前記活物質層により被覆されていない非被覆部分とを有し、
前記非被覆部分および前記活物質層に、それらを電気的に接続させるように導電体が設けられている、
電極。
【請求項２】
前記導電体は前記非被覆部分の表面から前記活物質層の表面に至る範囲を連続的に被覆している、請求項１記載の電極。
【請求項３】
前記集電体は前記長手方向における端部に前記非被覆部分を有する、請求項１記載の電極。
【請求項４】
前記導電体は前記非被覆部分あるいは前記活物質層のいずれか一方に固定されている、請求項１記載の電極。
【請求項５】
前記導電体は前記集電体と同一の材料からなる、請求項１記載の電極。
【請求項６】
前記導電体は電極リードとして機能する、請求項１記載の電極。
【請求項７】
前記導電体は金属箔からなると共に熱処理されている、請求項１記載の電極。
【請求項８】
正極および負極と共に電解液を備え、
前記正極および前記負極は、帯状の集電体と、それに設けられた活物質層とを含み、
前記集電体は、その長手方向において、前記活物質層により被覆された被覆部分と、前記活物質層により被覆されていない非被覆部分とを有し、
前記正極および前記負極のうちの少なくとも一方における前記非被覆部分および前記活物質層に、それらを電気的に接続させるように導電体が設けられている、
電池。
【請求項９】
前記導電体は前記非被覆部分の表面から前記活物質層の表面に至る範囲を連続的に被覆している、請求項８記載の電池。
【請求項１０】
前記集電体は前記長手方向における端部に前記非被覆部分を有する、請求項８記載の電池。
【請求項１１】
前記集電体は前記長手方向において巻回され、前記導電体は少なくとも前記集電体の巻外側における前記非被覆部分および前記活物質層に設けられている、請求項１０記載の電池。
【請求項１２】
前記正極および前記負極は前記長手方向において前記負極が外側となるように互いに重ねて巻回され、前記導電体は前記負極の非被覆部分および活物質層に設けられている、請求項８記載の電池。
【請求項１３】
前記導電体は前記非被覆部分あるいは前記活物質層のいずれか一方に固定されている、請求項８記載の電池。
【請求項１４】
前記導電体は金属箔からなる、請求項８記載の電池。
【請求項１５】
前記導電体は前記集電体と同一の材料からなる、請求項８記載の電池。
【請求項１６】
前記導電体は電極リードとして機能する、請求項８記載の電池。
【請求項１７】
前記正極の集電体はアルミニウムの金属箔からなり、前記負極の集電体は銅の金属箔からなる、請求項８記載の電池。
【請求項１８】
前記金属箔は熱処理されている、請求項１７記載の電池。
【請求項１９】
前記負極の活物質層は電極反応物質を吸蔵および放出することが可能な材料を含む、請求項８記載の電池。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月1日(2009.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極の間に電気光学層が挟持されてなる複数の画素を有する基板と、
前記基板に対向配置され、前記基板にシール剤層を介して接着される封止部材とを備えた電気光学装置において、
前記基板あるいは前記封止部材の少なくとも一方の前記シール剤層の形成領域に光触媒層が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記光触媒層は酸化チタンからなることを特徴とする請求項１記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記光触媒層が前記基板と前記シール剤層との間、及び前記封止部材とシール剤層との間に形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２記載の電気光学装置。
【請求項４】
一対の電極の間に電気光学層が挟持されてなる複数の画素を有する基板と、
前記基板に対向配置され、前記基板にシール剤層を介して接着される封止部材とを備えた電気光学装置の製造方法であって、
前記基板あるいは前記封止部材の少なくとも一方に光触媒層を形成する工程と、
前記光触媒層上にシール剤層を塗布する工程と、
前記シール剤層を介して前記基板と前記封止部材とを接着する工程とを有することを特徴とする記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記光触媒層は酸化チタンからなることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記シール剤層の塗布工程において、前記シール剤層の形成材料をインクジェット法に
より塗布することを特徴とする請求項４または請求項５に記載の電気光学装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電気光学装置及びその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、電気光学装置及びその製造方法に関するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月4日(2010.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマを供給して、前記プラズマにより被処理面を表面処理するプラズマ処理装置であって、
第１の開口と、該第１の開口に連通するプラズマを生成するプラズマ生成空間とを備え、該プラズマ生成空間において前記プラズマを生成し、生成された前記プラズマを前記第１の開口から前記被処理面に向けて放出するヘッドと、
前記ヘッドの前記プラズマ生成空間に、前記プラズマを生成するためのガスを供給するガス供給手段と、
前記ヘッドは、前記第１の開口に向かって収斂する収斂形状をなす凹部を有する第１の電極と、前記凹部の内周面に対応する形状の外周面を備え、前記内周面と前記外周面との間に前記プラズマ生成空間を画成する第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極とに電圧を印加する、電圧印加手段と、
を有し、
前記第１の電極の内周面および前記第２の電極の外周面のいずれか一方には、前記ヘッドの前記第１の開口の方向に螺旋状の溝が形成され、他方には、前記溝に対応する螺旋状の凸条が形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記ヘッドは、前記プラズマ生成空間に連通する第２の開口を備え、
前記第２の開口の開口面積をＡ［ｃｍ２］とし、前記第１の開口の開口面積をＢ［ｃｍ２］としたとき、Ａ／Ｂが、１．５〜２００程度なる関係を満足する請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記ガス供給手段は、前記ガスが前記螺旋状の溝および前記螺旋状の凸条に沿って、前記ガスを前記プラズマ生成空間に供給する構成である請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記ガス供給手段は、前記ガスを前記プラズマ生成空間に連通する前記第２の開口から供給するノズルを備え、該ノズルは、前記第２の開口に沿って移動可能に設けられている請求項１ないし３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記第２の電極において、前記外周面の、前記第１の開口側の端が、前記第１の開口から突出していない請求項１ないし４のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記プラズマ生成空間において、前記第１の電極と前記第２の電極との間隙が一定である請求項１ないし５のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記第２の電極は円錐形状であり、前記第２の電極の円錐角は、３０〜６０°である請求項１ないし６のいずれかにに記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記螺旋状の溝および前記螺旋状の凸条の幅が第１の開口側に向かって小さくなっている請求項１ないし７のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記螺旋状の溝および前記螺旋状の凸条が複数形成されている請求項１ないし８のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
プラズマを供給して、前記プラズマによりワークの被処理面を表面処理するプラズマ処理装置であって、
下側開口と、該下側開口に連通するプラズマを生成するプラズマ生成空間とを備え、該プラズマ生成空間において前記プラズマを生成し、生成された前記プラズマを前記下側開口から前記ワークの前記被処理面に向けて放出するヘッドと、
該ヘッドの前記プラズマ生成空間内に、前記プラズマを生成するためのガスを供給するガス供給手段と、
前記プラズマ生成空間内に供給された前記ガスに対して、前記プラズマを生成させるための電圧を印加する電圧印加手段とを有し、
前記ヘッドは、前記下側開口に向かって収斂する収斂形状をなす凹部を有する第１の電極と、前記凹部の内周面に対応する形状の外周面を備え、前記内周面と前記外周面との間に前記プラズマ生成空間を画成する第２の電極とを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１１】
被処理面をプラズマによって処理するプラズマ処理装置であって、
前記被処理面に向けて、第１の開口から前記プラズマを放出するプラズマ生成ヘッドと、
前記プラズマ生成ヘッドに、前記プラズマを生成するガスを供給するガス供給手段と、
を有し、
前記プラズマ生成ヘッドにおいて、
前記第１の開口が設けられ、該第１の開口に向かって収斂する収斂形状をなす凹部を有する第１の電極と、
前記第１の電極の前記凹部に収容される第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極とに電圧を印加する、電圧印加手段と、
を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月2日(2010.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加熱物を加熱する加熱コイルと、
前記加熱コイルに高周波電流を供給するインバータ部と、
前記加熱コイルおよび前記インバータ部を冷却する冷却ファンと、
前記冷却ファンにより外気を誘導加熱調理器内に吸気する吸気口と、
前記冷却ファンにより吸気された外気を前記誘導加熱調理器外に排気する排気口と、
前記吸気口および／または前記排気口を開閉する開閉手段と、
温度検知部により検知される温度に応じて前記開閉手段の開度を制御して、前記吸気口からの吸気量および／または前記排気口からの排気量を調整する制御部とを備えることを特徴とする誘導加熱調理器。
【請求項２】
前記温度検知部は、前記インバータ部の温度を検知することを特徴とする請求項１に記載の誘導加熱調理器。
【請求項３】
前記温度検知部は、前記加熱コイルの温度を検知することを特徴とする請求項１に記載の誘導加熱調理器。
【請求項４】
前記温度検知部は、前記被加熱物の温度を検知することを特徴とする請求項１に記載の誘導加熱調理器。
【請求項５】
前記制御部は、前記吸気量および／または前記排気量を調整するために、段階的に前記開閉手段の開度を変化させることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の誘導加熱調理器。
【請求項６】
前記制御部は、前記吸気量および／または前記排気量を調整するために、連続的に前記開閉手段の開度を変化させることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の誘導加熱調理器。
【請求項７】
前記吸気口および／または前記排気口の下部に、前記吸気口および／または前記排気口から侵入した物を受け取る受取手段をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の誘導加熱調理器。