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【手続補正書】
【提出日】平成22年1月7日(2010.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さ方向に積層される複数の板状の電池セルと、該電池セルを収容する外箱と、該外箱内に間隙を形成するとともに前記板状電池セルを加圧する可撓性のスペーサと、を含み構成され、
前記スペーサは、その長さ方向の断面が曲成された第１部分と、前記第１部分と左右対称に長さ方向の断面が曲成された第２部分と、を備え、
前記スペーサの一部が、前記電池セルに直接に又は加圧板を介して取り付けられ、
前記スペーサが、厚み方向の１端部に１つの第１受圧部と、他端部に隙間を設けた２つの第２受圧部とを備え、
前記スペーサは他のスペーサとは面方向に間隔をおいた状態で複数個配置され、
前記スペーサが前記電池セル又は前記加圧板から加圧され弾性変形する際に発生する個々の弾性力が前記電池セルに個々に加えられ、該個々の弾性力が集合することで、前記電池セルに押圧力を加えること、
を特徴とする電池モジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
請求項１の発明によれば、スペーサの耐力が低くても、スペーサが集合して作用することで、弾性ヒステリシスを低減し、セルに対する所望の加圧力が得られる。また、スペーサの個数、或いは、スペーサの形状・構造等を変更することで、セルへの加圧力の調整が容易である。セルの加圧につき、低圧力から高圧力まで所望の圧力で対応でき、リチウムイオン電池、電気二重層キャパシタ等、種類に応じて対応できる。さらに、弾性体を兼ねるスペーサの伸長・圧縮のストロークが小さいので、電池モジュールがコンパクトになり、振動にも強い。通風空間が広くとれ、空気の流れも間隙を縦横に流れることから、セルの冷却効率が高くなる。弾性ヒステリシスの現象を解消できる。以上のように加圧性能、通風性能、耐振性能、軽量化、小型化等によって自動車等の車両に電池モジュールを搭載することで、車両の総合性能を高める。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
前記スペーサの長さ方向の断面がΩ字形状であるので、弾性ヒステリシスが改善され耐圧性が高くなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
前記第１部分が長さ方向の断面がＳ字ないし逆Ｚ字形状に曲成され、前記第２部分が長さ方向に前記第１部分と向き合わされた逆Ｓ字ないしＺ字形状の形状をなしているので、弾性ヒステリシスが改善され、耐圧性、密着性が高くなる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
前記スペーサの長さ方向の断面形状がＣ字形状又はＯ字形状にスリットを形成した形状である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
前記加圧板に形成された溝に前記スペーサの前記第１受圧部及び／又は第２受圧部を嵌合させ、該スペーサの長さ方向への移動を規制するので、位置が安定する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
レール又はカバーに溝を形成し、該溝に前記第１受圧部及び／又は第２受圧部を嵌合させ、当該レール又はカバーを前記加圧板に固定するか又は形成し、該スペーサの長さ方向への移動を止めるので、レール又はカバーを加圧板に固定するだけでよいので、組み立てが容易である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
前記電池セルが加圧板に接し、対向する２枚の加圧板の間に前記複数個のスペーサが介装されて取り付けられ、組み立てが容易である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
前記スペーサが前記電池セルの間に介装されることがなく前記外箱内に設けられるので、発熱性を考慮しなくてもよい電池セルに好適である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
前記外箱が、前記ユニットの厚さ方向の両端部に配置される剛性の面板と、前記面板を拘止する剛性の側板と、を備え、前記面板及び側板が、前記電池セル及びスペーサを前記厚さ方向から圧縮力を負荷した状態で拘束し、前記スペーサの弾発力によって前記電池セルを加圧するので、軽量・小型化、製造コスト削減に貢献する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月1日(2010.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明においては、凹部と、前記凹部で区画された突出領域とを備える集電体を用い、前記突出領域に、柱状粒子が担持されている。このため、柱状粒子同士のつながりが起こりにくくなり、集電体にしわが生じたり、集電体が切れたりすることが抑制される。よって、本発明により、リチウム二次電池のサイクル特性を向上させることができる。
柱状粒子の成長方向が、集電体の表面の法線方向に対して傾斜している場合、正極活物質層と対向する負極集電体の露出部の面積が減少し、したがって、負極集電体の露出部に析出するリチウムの量を低下させることができる。よって、柱状粒子の成長方向を、集電体の表面の法線方向に対して傾斜させることにより、充放電効率を向上させることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
図４に、集電体の表面に規則的なパターンで設けられた複数の突出領域の一例を示す。
図４において、複数の突出領域４１は、複数の第１の線４２および複数の第２の線４３に沿って、規則的に配置されている。また、複数の第１の線４２はそれぞれ平行であり、同様に、複数の第２の線４３はそれぞれ平行である。
なお、図４においては、複数の突出領域は、その中心が第１の線および第２の線に沿うように配置されている。また、図４に示されるように、複数の第１の線４２がそれぞれ平行であり、複数の第２の線４３がそれぞれ平行である場合には、複数の突出領域４１は、格子状に配置される。
例えば、図４に示されるようなひし形、楕円形等において、突出領域を、その法線方向から見たときの最大径Ｗaと最大径Ｗbとの交点が、前記「中心」となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
水銀ポロシメータを用いた空隙率Ｐの測定は、活物質層がリチウムを全く含まない状態で行うことが好ましい。可逆容量が０である状態における活物質層の空隙率Ｐ’は、空隙率Ｐを補正することにより求めることができる。可逆容量が０である状態の活物質層の真体積をＶａとし、リチウムを全く含まない状態の活物質層の体積をＶ０とする。そのとき、空隙率Ｐと空隙率Ｐ’とは、Ｐ’＝１００−Ｖａ（１００−Ｐ）／Ｖ０の関係を満たす。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
柱状粒子が傾斜している場合、柱状粒子の傾斜角度θは、１０°以上９０°未満であることが望ましく、１０°以上８０°以下であることがより望ましい。傾斜角度θが９０°
に近くなると、柱状粒子を集電体に担持することが困難となる。また、所定の柱状粒子において、他の柱状粒子で遮蔽される部分が多くなる。このため、電池のハイレート特性が低下する場合がある。角度θが１０°未満となると、正極活物質層に対向する負極集電体の露出部の面積が増加するため、電池の充放電効率が低下する。
傾斜角度θは、例えば、柱状粒子の成長方向と集電体の表面の法線方向とがなす角度を、任意の２〜１０個の柱状粒子について測定し、それらの値を平均することにより求めることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
蒸着装置９０を用いる負極活物質層の作製方法においては、まず、負極集電体１１を固定台９１に固定し、チャンバー８１内部に酸素ガスを導入する。この状態で、ターゲット８５に電子ビームを照射して加熱し、その蒸気を発生させる。例えば、ターゲットとしてケイ素を用いた場合、気化したケイ素は、酸素雰囲気を通過して、ケイ素酸化物が集電体の表面に堆積する。このとき、固定台９１を実線の位置に配置することによって、突出領域に図７に示す粒層６０ａが形成される。次に、固定台９１を一点破線の位置に角変位させることによって、図７に示す粒層６０ｂが形成される。このように固定台９１の位置を交互に角変位させることによって、図７に示す８つの粒層を有する柱状粒子６０が形成される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４５】
表１および図１２に示すように、電池１Ａにおいては、１０サイクル目のようなサイク
ル初期においても、５００サイクル後おいても、充放電効率、ハイレート比率および容量維持率は、高い値を示した。
一方、比較電池１Ｂの５００サイクル目での容量維持率は、電池１Ａと比べて、顕著に低下していた。これは、比較電池１Ｂにおいて、充電時の膨張の際に、集電体にしわが生じたり、集電体が切れたりしたためと考えられる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７４】
電池３Ａ〜３Ｄの結果から、突出領域の面積と凹部の面積との合計に占める突出領域の面積の割合が１０〜３０％の場合に、サイクル特性が、特に優れていることが分かった。また、突出領域と重複する部分の合計長さの割合が最も長くなるように集電体上に描かれた線分の全長に対する前記合計長さの割合が３５〜６０％の場合に、サイクル特性が特に優れていることが分かった。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月27日(2010.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
構造内の欠陥または応力の顕在化を可能とするプロセスであって、
−分子接着によって、結晶材料を含有した第１部材（１）の面（１４）を、結晶材料を含有した第２部材（２）の面（２１）に対して、前記面どうしが結晶格子に関してオフセットを有するようにして、固定し、これにより、固定界面に隣接した結晶領域に、結晶欠陥および／または応力場からなる格子（３）を形成し；
−前記両部材のうちの一方の部材（１）の厚さを減少させることにより、前記固定界面（１４／２１）に沿って前記格子構造が形成されるようにして他方の部材（２）に対して接着された薄膜（１６）を形成し、この薄膜（１６）の厚さを、この薄膜（１６）の自由表面（１５）が結晶欠陥格子および／または応力場を顕在化しないようなものとし；
−イオン打込または拡散を使用した前記薄膜内への化学種の導入によって、前記結晶欠陥格子（１８）および／または前記応力場の顕在化を前記薄膜の前記自由表面にもたらし、前記自由表面の表面トポロジーの変更を生じさせる処理を、前記薄膜（１６）に対して行う；
ことを特徴とするプロセス。
【請求項２】
請求項１記載のプロセスにおいて、
導入される前記化学種を、応力場の影響によって結晶欠陥上に凝結する種とすることを特徴とするプロセス。
【請求項３】
請求項１記載のプロセスにおいて、
前記薄膜に対する前記処理を、局所的に行うことにより、結晶欠陥格子および／または応力場格子からなる１つまたは複数のゾーンを顕在化させることを特徴とするプロセス。
【請求項４】
請求項１記載のプロセスにおいて、
−複数の接着性薄膜を形成し、
−それら複数の薄膜の中の１つまたは複数の薄膜に対して厚さを減少させる処理を行う、
ことを特徴とするプロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月16日(2010.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に、第１の電極層と、前記第１の電極層上の有機化合物を含む層と、前記有機化合物を含む層上のヤング率７．５×１０１０Ｎ／ｍ２以下の第２の電極層とを有する素子層を形成し、
前記素子層を第２の基板へ固定した後、前記素子層を前記第１の基板から剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の電極層の膜厚を１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記素子層を前記第１の基板から剥離した後、前記素子層に可撓性を有する第３の基板を固定することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第２の基板として、可撓性を有する基板を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第２の電極層を、インジウム（Ｉｎ）、バリウム（Ｂａ）、鉛（Ｐｂ）、カルシウム（Ｃａ）、ビスマス（Ｂｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、錫（Ｓｎ）、又はアルミニウム（Ａｌ）のうち少なくとも１つを含む材料を用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記素子層には、記憶素子、発光素子、圧電素子、又は有機トランジスタが形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月16日(2010.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に半導体デバイスを形成する方法であって、
前記半導体基板上にフォトレジスト層を形成すること、
前記フォトレジスト層内にウインドを形成すること、
前記フォトレジスト層上、および前記ウインド内に誘電体材料からなる共形層を形成すること、
前記フォトレジスト層および前記ウインドの底部から実質的に全ての前記共形層を選択的に除去し、前記ウインド内に誘電体側壁を形成すること、
前記ウインド内に金属膜を堆積すること、
前記ウインドを等方的にエッチングして、前記ウインドの前記誘電体側壁から前記共形層の一部を除去すること、
前記フォトレジスト層を分離し、前記金属膜から金属ゲートを形成すること、を備える方法。
【請求項２】
前記フォトレジストの形成が、
前記半導体基板上にポリメチル・メタクリレート（ＰＭＭＡ）層を形成すること、
前記ＰＭＭＡ層上にポリメチル・メタクリレート−メタクリル酸（ＰＭＭＡ−ＭＡＡ）共重合体層を形成することを含み、前記共形層の形成が前記ＰＭＭＡ層および前記ＰＭＭＡ−ＭＡＡ共重合体層が流動しない温度で前記誘電体材料を堆積することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記共形層が窒化ケイ素（ＳｉＮ）を含み、前記ＰＭＭＡ−ＭＡＡ共重合体層の形成が前記フォトレジスト層の流動しない温度で前記フォトレジスト上に前記ＳｉＮを堆積することを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記半導体基板がインジウム・リン（ＩｎＰ）基板からなる、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記フォトレジスト層および前記ウインドの底部から実質的に全ての前記共形層を選択的に除去し、前記誘電体側壁を形成することが、前記共形層に対し異方性誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ）エッチングを適用することを含む、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記フォトレジスト層および前記ウインドの底部から実質的に全ての前記共形層を選択的に除去し、前記誘電体側壁を形成することが、プラズマ・エネルギを制御するための１０〜５０Ｗの間の高周波（ＲＦ）バイアス電力、およびイオン生成を制御するための１００〜５００Ｗの間のＲＦ  ＩＣＰ電力で前記共形層に対し異方性誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ）エッチングを適用することを含む、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記フォトレジスト層および前記ウインドの底部から実質的に全ての前記共形層を選択的に除去し、前記誘電体側壁を形成することが、前記フォトレジスト層および前記ウインドを方向性エッチングすることを含む、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記ウインド内、および前記フォトレジスト上に金属膜を堆積すること、
前記フォトレジスト層を分離し、前記金属膜から金属Ｔ型ゲートを形成すること、を備える請求項１乃至７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記金属膜が、チタン、白金および金の１つからなる、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記フォトレジスト層内に前記ウインドを形成することが、電子ビーム・リソグラフィ（ＥＢＬ）によって前記ウインドを形成することを含む、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
ＩＩＩ−Ｖ族半導体基板上に金属Ｔ型ゲートを形成する方法であって、ポリメチル・メタクリレート（ＰＭＭＡ）層が前記半導体基板上に堆積され、ポリメチル・メタクリレート−メタクリル酸（ＰＭＭＡ−ＭＡＡ）共重合体層が前記ＰＭＭＡ層上に堆積され、ウインドが前記ＰＭＭＡ−ＭＡＡ共重合体層および前記ＰＭＭＡ層内に形成されている、金属Ｔ型ゲートを形成する方法において、
前記ＰＭＭＡ−ＭＡＡ共重合体層上、および前記ウインドを覆うように誘電体層を堆積すること、
前記誘電体層を選択的に除去して、前記ウインド内に誘電体側壁を残留させること、
蒸着により前記ウインド内に金属膜を堆積すること、
前記ＰＭＭＡ層および前記ＰＭＭＡ−ＭＡＡ共重合体層を分離し、前記金属膜から金属Ｔ型ゲートを形成すること、を備える方法。
【請求項１２】
前記誘電体層を選択的に除去して、前記ウインド内に誘電体側壁を残留させることが、前記誘電体層に異方性誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ）エッチングを適用することを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ＰＭＭＡ層の一部において等方性の反応性イオン・エッチングによって前記誘電体層を部分的に除去した後、前記ＰＭＭＡ層および前記共重合体層を分離することを備える請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記誘電体層が窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる、請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
３００ＧＨｚから３ＴＨｚの周波数で動作するサブ・ミリメータ波増幅器のための高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）半導体デバイスであって、
ＩＩＩ−Ｖ族基板と、
前記基板上に配置された第１ソース電極および第２ソース電極と、
前記基板上に配置されたドレイン電極と、
前記第１ソース電極と前記ドレイン電極の間に配置される第１金属ゲート・フィンガおよび前記ドレイン電極と前記第２ソース電極の間に配置される第２金属ゲート・フィンガであって、該第１および第２金属ゲート・フィンガの各々が約５０ｎｍ未満で０ｎｍより大きい幅を有する金属Ｔ型ゲートを備える、前記第１金属ゲート・フィンガおよび前記第２金属ゲート・フィンガとを備える、デバイス。
【請求項１６】
前記基板がＩｎ０．７５Ｇａ０．２５Ａｓチャネルを有するインジウム・リン基板を含む、請求項１５に記載の半導体デバイス。
【請求項１７】
前記第１および第２金属ゲート・フィンガの各々が、チタン、白金、および金の１つからなる前記金属Ｔ型ゲートを含む、請求項１５または１６に記載の半導体デバイス。
【請求項１８】
前記第１および第２金属ゲート・フィンガの各々が、約３５ｎｍの幅を有する前記金属Ｔ型ゲートを含む、請求項１５乃至１７のいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項１９】
前記第１および第２金属ゲート・フィンガの各々が、誘電体材料からなる側壁部分を有する前記金属Ｔ型ゲートを含む、請求項１５乃至１８のいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月7日(2010.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有するフィルム基板の上に、導電性微粒子が粘着物質に分散して充填されたものを加熱しながら加圧して形成したパターンを設け、
前記粘着物質の前記基板の面と垂直方向の密度変化は、前記基板と接触する面近傍の方が、前記基板と接触する面と反対側の面近傍よりも高くなる傾斜構造を有するようにしたことを特徴とする導電パターン形成フィルム。
【請求項２】
前記導電性微粒子を金属又は半導体の微粒子としたことを特徴とする請求項１記載の導電パターン形成フィルム。
【請求項３】
前記導電性微粒子の粒子径を１０ｎｍから１０μｍの範囲内の任意の値としたことを特徴とする請求項１又は２項記載の導電パターン形成フィルム。
【請求項４】
前記導電性微粒子を集合又は凝集して粉体としたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の導電パターン形成フィルム。
【請求項５】
前記粉体の形状は、長軸と短軸とに差を有するものであって、その長軸が基板面に平行に配向して、隣接する粉体と接触していることを特徴とする請求項４記載の導電パターン形成フィルム。
【請求項６】
前記導電性微粒子又は前記粉体を構成する導電性微粒子を、銀、金、銅及びアルミニウムの内の任意のものを含むようにしたことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の導電パターン形成フィルム。
【請求項７】
前記導電性微粒子又は前記粉体を形成する導電性微粒子を構成する金属の微粒子を、粒子添加物が混入しているアルミニウムとしたことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の導電パターン形成フィルム。
【請求項８】
前記粒子添加物を、亜鉛粒子としたことを特徴とする請求項７記載の導電パターン形成フィルム。
【請求項９】
前記導電性微粒子又は前記粉体を形成する導電性微粒子を構成する半導体の微粒子を、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化チタン、酸化スズ及び酸化ニッケル又はそれらを含む化合物の内の任意のものとしたことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の導電パターン形成フィルム。
【請求項１０】
前記粘着物質は、粘着物質を含む導電性ペーストとしたことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項記載の導電パターン形成フィルム。
【請求項１１】
前記フィルム基板が、前記粘着物質に含まれる溶剤に対して耐性を持ち、それらの溶剤の沸点以上のガラス転移点を持ち、粘着物質と密着性が良く、電気絶縁性を有することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項記載の導電パターン形成フィルム。
【請求項１２】
前記パターンの表面平滑性を、粗さ曲線を断面の光学顕微鏡像の算出幅１００μｍから求めたとき、算術粗さ（Ｒａ）で、０．１６μｍ以下の任意の値としたことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項記載の導電パターン形成フィルム。
【請求項１３】
平らな載置面を有し、水平方向に移動自在に構成されている試料設置台と、前記載置面に対し任意の速度で移動自在に対向配置された圧力印加用駆動体からなり、前記圧力印加用駆動体は、前記載置面と対抗し且つ試料と接触する面を、曲面又は球面としたことを特徴とする導電パターン形成装置。
【請求項１４】
前記圧力印加用駆動体を、下面に金属球体を設けた金属平板から構成したことを特徴とする請求項１３記載の導電パターン形成装置。
【請求項１５】
前記金属球体は、その直径が０．１ｍｍから５ｍｍの範囲内の任意の値をとることを特徴とする請求項１４記載の導電パターン形成装置。
【請求項１６】
前記圧力印加用駆動体は、前記試料設置台に対して、鉛直方向に移動されて圧力を印加すると供に、水平方向に試料の移動速度とは異なる速度で駆動され、前記鉛直方向と前記水平方向の両方に圧力を加えるように構成されていることを特徴とする請求項１３乃至１５のいずれか１項記載の導電パターン形成装置。
【請求項１７】
前記圧力印加駆動体は、前記金属球体を複数個前記金属平板の前記試料設置台側に１段設けたことを特徴とする請求項１４乃至１６のいずれか１項記載の導電パターン形成装置。
【請求項１８】
前記金属平板に、該金属平板を介して前記金属球体を吸着保持する磁石を設けたことを特徴とする請求項１４乃至１７のいずれか１項記載の導電パターン形成装置。
【請求項１９】
前記圧力印加駆動体と試料との間にメッシュシートを配置し、該メッシュシートを介して圧力を印加させることを特徴とする請求項１４乃至１８のいずれか１項記載の導電パターン形成装置。
【請求項２０】
前記圧力印加駆動体が、前記試料設置台の平らな載置面と平行に且つ互いに並列に複数個設けられ、前記載置面上の試料に対し前記並列に設けた複数個により連続的に複数回の圧力印加を行なえるようにしたことを特徴とする請求項１４乃至１９のいずれか１項記載の導電パターン形成装置。
【請求項２１】
前記試料設置台に設けた制御装置は、前記試料設置台と前記圧力印加駆動体に設けた加熱手段によりそれぞれの加熱温度をそれぞれ独立に制御できるようにしたことを特徴とする請求項１４乃至２０のいずれか１項記載の導電パターン形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月5日(2010.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に光触媒導電層を形成し、
前記光触媒導電層上に光触媒反応層を形成し、
前記光触媒反応層の表面に紫外光を照射して、前記光触媒導電層表面に導電性を有し、かつ前記光触媒反応層に比べて濡れ性の高い領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に光触媒導電層を形成し、
前記光触媒導電層上に光触媒反応層を形成し、
前記光触媒反応層の表面に紫外光を照射して、前記光触媒導電層表面に導電性を有し、かつ前記光触媒反応層に比べて濡れ性の高い領域を形成し、
前記濡れ性の高い領域に液状のパターン材料を吐出してマスク層を形成し、
前記マスク層を用いて前記光触媒導電層をエッチングすることにより、第１の導電層及び第２の導電層を形成し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層の少なくとも一部を覆うように有機半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に光触媒導電層を形成し、
前記光触媒導電層上に光触媒反応層を形成し、
前記光触媒反応層の表面に紫外光を照射して、前記光触媒導電層表面に導電性を有し、かつ前記光触媒反応層に比べて濡れ性の高い領域を形成し、
前記濡れ性の高い領域に液状の発光材料を吐出して発光物質を有する層を形成し、
前記発光物質を有する層上に導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に光触媒導電層を形成し、
前記光触媒導電層上に光触媒反応層を形成し、
前記光触媒反応層の表面に紫外光を照射して、前記光触媒導電層表面に導電性を有し、かつ前記光触媒反応層に比べて濡れ性の高い領域を形成し、
前記濡れ性の高い領域に液状の導電性粒子を有する組成物を吐出し、前記吐出した組成物を焼成し、前記組成物の吐出と焼成を繰り返すことによって、凸状の導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記光触媒導電層は、抵抗率が１×１０-2Ωｃｍ以下で光触媒性を有する層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記光触媒導電層は、インジウム錫酸化物を含む膜、インジウム錫酸化物に酸化珪素を含有させた導電材料を含む膜、フッ素ドープ酸化錫膜、アンチモンドープ酸化錫膜、酸化錫膜、フッ素ドープ酸化亜鉛膜、アルミニウムドープ酸化亜鉛膜、ガリウムドープ酸化亜鉛膜、ホウ素ドープ酸化亜鉛膜、又は酸化亜鉛膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記光触媒反応層は、アルキル基を有する化合物を含む組成物、又は有機シランを含む組成物を用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月13日(2009.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路を過電圧イベントから保護するための装置であって、
電源が接続されるコネクタピンを有する集積回路チップ、
該電源を整流する電力管理デバイス、
上記コネクタピンと上記集積回路チップ上に含まれる少なくとも１つの回路デバイスとの間に接続されて上記集積回路チップ内に埋め込まれる過電圧イベント記録機構、及び
該集積回路チップに内蔵され、回路ブレーカ及びヒューズの少なくとも１つを備えた電気又は半導体のいずれか一方のタイプの検出回路
を備え、
前記過電圧イベント記録機構は、上記集積回路チップ上に短絡状態を発生させることによって上記少なくとも１つの回路デバイスを保護するものであり、該短絡状態によって回路ブレーカ及びヒューズのどちらか一方が開放され、該短絡状態の特定が該回路ブレーカ及び該ヒューズの少なくとも１つの状態を視ることによる物理的観察によって可能となるものであり、
該過電圧イベント記録機構は並列接続された１以上の検出器回路及び少なくとも１つの記録回路からなる装置。
【請求項２】
前記過電圧イベント記録機構がさらに、
前記過電圧イベントを、後に前記イベントに関する情報を検索できる媒体に記録するように設計された記録回路を備え、
前記集積回路チップ上の前記少なくとも１つの回路デバイスの指定された最大動作電圧をわずかに超える電圧で動作するように前記検出器回路が設計された請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記過電圧イベント記録機構がさらに、
メモリセル、及び
読み取り可能レジスタ
のうちの少なくとも１つを備える請求項１記載の装置。
【請求項４】
前記過電圧イベント記録機構は直列接続された１以上の検出回路及び少なくとも１つの記録回路を備える請求項１記載の装置。
【請求項５】
前記過電圧イベント記録機構は、静電放電イベントを無視するように設計された請求項１記載の装置。
【請求項６】
過電圧イベントが発生したときに、このようなイベントが発生したことの特定が、前記回路ブレーカの状態、前記ヒューズの状態及び少なくとも読み取り可能レジスタのうちの少なくとも１つによる物理的観察によって行われる請求項１記載の装置。
【請求項７】
電話デバイスのコネクタピンへ印加される電圧を検出するための装置であって、
外部電源から前記電話デバイスの集積回路への前記コネクタピンにおける電圧を許容するように設計された検出器回路からなり、該検出器回路が、
過電圧状態によって短絡状態をもたらすための、前記集積回路に内蔵された検出手段であって、電気及び半導体のいずれか一方のタイプの回路ブレーカ及びヒューズからなり、前記短絡状態によって前記回路ブレーカ及び前記ヒューズの少なくとも１つが開放され、該短絡状態の特定が該回路ブレーカ及び該ヒューズの少なくとも１つの状態を視ることによる物理的観察によって可能となっている、検出手段、及び
前記過電圧イベントを記録するための、メモリセル及び読み取り可能レジスタの少なくとも１つからなる手段
を備え、
前記検出器回路は前記集積回路のシリカウェーハ上へ埋め込まれ、さらに、前記外部電源を整流する電力管理デバイスを備え、
該過電圧イベント記録機構は並列接続された１以上の検出器回路及び少なくとも１つの記録回路からなる装置。
【請求項８】
前記少なくとも１つの検出器回路は、（ｉ）上記電話デバイスの前記集積回路上の少なくとも１つの回路デバイスの指定された最大動作電圧をわずかに超える電圧で動作し、及び（ii）静電放電イベントを無視するように設計された請求項７記載の装置。
【請求項９】
過電圧イベントが発生したときに、このようなイベントが発生したことの特定を読み取り可能レジスタの少なくとも１つの値を読み取ることによって行う請求項７記載の装置。
【請求項１０】
前記電話デバイスの集積回路は、デジタル集積回路、アナログデジタル回路、混合信号集積回路及びメモリデバイス集積回路のうちの１つである請求項７記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月12日(2009.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレーム内符号化及びフレーム間予測符号化によって動画像データを符号化する画像符号化装置であって、
入力された動画像データに含まれるフレームを複数枚記憶するフレームメモリと、
前記フレームメモリ内に記憶された複数フレームを所定の順序に従って符号化する符号化器と、
画面複雑度を演算する演算器とを有し、
符号化の開始が命令されると、
前記符号化器は、符号化開始直後において符号化対象である一部のフレームを前記フレームメモリから読み出して仮符号化し、
前記演算器は、前記仮符号化の結果を基に画面複雑度を演算し、
さらに前記符号化器は、前記仮符号化の結果に基づいて演算された画面複雑度を基に、前記フレームメモリ内に記憶された複数フレームを、前記所定の順序に従った符号化順の先頭フレームから本符号化することを特徴とする画像符号化装置。
【請求項２】
前記符号化器は、符号化開始直後の２フレーム分の画像データを前記フレームメモリから読み出して仮符号化することを特徴とする請求項１記載の画像符号化装置。
【請求項３】
前記符号化器は、符号化開始直後の１番目のフレームをフレーム内符号化により仮符号化し、符号化開始直後の２番目のフレームを前方向のフレーム間予測符号化により仮符号化することを特徴とする請求項２記載の画像符号化装置。
【請求項４】
前記符号化器は、表示順では前記先頭フレームよりも先であり、前記符号化順では前記先頭フレームよりも後であるフレーム間予測符号化されるフレームを前記フレームメモリから読み出して仮符号化することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の画像符号化装置。
【請求項５】
前記演算器は、前記仮符号化による発生符号量及び平均量子化スケール値を基に前記画面複雑度を演算することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の画像符号化装置。
【請求項６】
前記符号化器は、符号化開始直後の２フレーム分の画像データを前記フレームメモリから読み出して、一方のフレームをフレーム内符号化により仮符号化し、他方のフレームをフレーム間予測符号化により仮符号化することを特徴とする請求項１記載の画像符号化装置。
【請求項７】
前記演算器は、前記フレーム内符号化による仮符号化の結果を基にフレーム内符号化の画面複雑度を演算し、前記フレーム間予測符号化による仮符号化の結果を基に前方向のフレーム間予測符号化の画面複雑度及び双方向のフレーム間予測符号化の画面複雑度を演算することを特徴とする請求項６記載の画像符号化装置。
【請求項８】
前記符号化器は、前記仮符号化の結果に基づいて演算された画面複雑度を基に目標符号量を設定して本符号化を行うことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の画像符号化装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
画像の圧縮符号化の方式としてＭＰＥＧ方式が広く知られている。ＭＰＥＧ方式は動き補償予測符号化とＤＣＴにより、画像を圧縮符号化する高能率符号化方式である。画像は、フレーム内符号化を行うＩピクチャ、前方予測符号化を行うＰピクチャ、双方向予測符号化を行うＢピクチャで構成され、ＧＯＰと呼ばれる１５フレーム前後でグループ化されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の画像符号化装置は、フレーム内符号化及びフレーム間予測符号化によって動画像データを符号化する画像符号化装置であって、入力された動画像データに含まれるフレームを複数枚記憶するフレームメモリと、前記フレームメモリ内に記憶された複数フレームを所定の順序に従って符号化する符号化器と、画面複雑度を演算する演算器とを有し、符号化の開始が命令されると、前記符号化器は、符号化開始直後において符号化対象である一部のフレームを前記フレームメモリから読み出して仮符号化し、前記演算器は、前記仮符号化の結果を基に画面複雑度を演算し、さらに前記符号化器は、前記仮符号化の結果に基づいて演算された画面複雑度を基に、前記フレームメモリ内に記憶された複数フレームを、前記所定の順序に従った符号化順の先頭フレームから本符号化することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月14日(2009.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれネットワークに接続可能な管理サーバと、サービス利用装置と、複数のサービス提供装置とを含む情報処理システムにおける情報処理方法であって、
前記複数のサービス提供装置のそれぞれにおいて、
前記複数のサービス提供装置のそれぞれが備える機能を記述した閲覧用データを生成する生成ステップと、
前記生成ステップで生成された閲覧用データを前記管理サーバに登録する登録ステップと、
前記サービス提供装置が備える機能が変更又は追加されたか否かを判定する判定ステップと、
前記判定ステップで前記サービス提供装置が備える機能が変更又は追加されたと判定された場合に、前記登録ステップで登録された閲覧用データを更新する更新ステップと
を含み、
前記サービス利用装置において、
前記登録ステップで登録され、又は前記更新ステップで更新された閲覧用データを前記管理サーバから取得する取得ステップと、
前記取得ステップで取得された閲覧用データからサービスリストを生成するステップと、
前記生成するステップで生成されたサービスリストを表示する表示ステップと
を含むことを特徴とする情報処理方法。
【請求項２】
前記閲覧用データは、ＸＭＬによって記述されることを特徴とする請求項１に記載の情報処理方法。
【請求項３】
前記閲覧用データは、ＲＳＳまたはＡｔｏｍの形式で記述されることを特徴とする請求項２に記載の情報処理方法。
【請求項４】
前記管理サーバにおいて、
前記複数のサービス提供装置のそれぞれが備える機能が変更又は追加されたか否かを監視する第１の監視ステップと、
何れかのサービス提供装置が備える機能が変更又は追加されると、前記登録された閲覧用データを更新するステップと、
前記サービス利用装置において、前記管理サーバに登録された閲覧用データが更新されたか否かを監視する第２の監視ステップと
をさらに含み、
前記取得ステップでは、前記管理サーバに登録された閲覧用データが更新されると、該閲覧用データを前記管理サーバから取得することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の情報処理方法。
【請求項５】
前記管理サーバにおいて、前記複数のサービス提供装置のそれぞれが生成した複数の閲覧用データを組み合わせた閲覧用データを生成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の情報処理方法。
【請求項６】
それぞれネットワークに接続可能な管理サーバと、サービス利用装置と、複数のサービス提供装置とを含む情報処理システムであって、
前記複数のサービス提供装置のそれぞれは、
前記複数のサービス提供装置のそれぞれが備える機能を記述した閲覧用データを生成する生成手段と、
前記生成手段によって生成された閲覧用データを前記管理サーバに登録する登録手段と、
前記サービス提供装置が備える機能が変更又は追加されたか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段によって前記サービス提供装置が備える機能が変更又は追加されたと判定された場合に、前記登録手段によって登録された閲覧用データを更新する更新手段と
を備え、
前記サービス利用装置は、
前記登録手段によって登録され、又は前記更新手段によって更新された閲覧用データを前記管理サーバから取得する取得手段と、
前記取得手段によって取得された閲覧用データからサービスリストを生成する手段と、
前記生成する手段によって生成されたサービスリストを表示する表示手段と
を備えることを特徴とする情報処理システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理方法及び情報処理システム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記目的を達成するため、本発明に係る方法は、それぞれネットワークに接続可能な管理サーバと、サービス利用装置と、複数のサービス提供装置とを含む情報処理システムにおける情報処理方法であって、複数のサービス提供装置のそれぞれにおいて、複数のサービス提供装置のそれぞれが備える機能を記述した閲覧用データを生成する生成ステップと、生成ステップで生成された閲覧用データを管理サーバに登録する登録ステップと、サービス提供装置が備える機能が変更又は追加されたか否かを判定する判定ステップと、判定ステップでサービス提供装置が備える機能が変更又は追加されたと判定された場合に、登録ステップで登録された閲覧用データを更新する更新ステップとを含み、サービス利用装置において、登録ステップで登録され、又は更新ステップで更新された閲覧用データを管理サーバから取得する取得ステップと、取得ステップで取得された閲覧用データからサービスリストを生成するステップと、生成するステップで生成されたサービスリストを表示する表示ステップとを含むことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明に係るシステムは、それぞれネットワークに接続可能な、管理サーバと、サービス利用装置と、複数のサービス提供装置とを含む情報処理システムであって、複数のサービス提供装置のそれぞれは、複数のサービス提供装置のそれぞれが備える機能を記述した閲覧用データを生成する生成手段と、生成手段によって生成された閲覧用データを管理サーバに登録する登録手段と、サービス提供装置が備える機能が変更又は追加されたか否かを判定する判定手段と、判定手段によってサービス提供装置が備える機能が変更又は追加されたと判定された場合に、登録手段によって登録された閲覧用データを更新する更新手段とを備え、サービス利用装置は、登録手段によって登録され、又は更新手段によって更新された閲覧用データを管理サーバから取得する取得手段と、取得手段によって取得された閲覧用データからサービスリストを生成する手段と、生成する手段によって生成されたサービスリストを表示する表示手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月11日(2009.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷対象である第１画像と該第１画像に関する情報をコード化した第２画像とが画像形成装置で同一又は異なる記録材に印刷されるよう、該第２画像の画像データを出力する情報処理装置において、
前記第１画像に適用される出力設定を入力する入力部と、
入力された出力設定を解析する解析部と、
前記第１画像の元データを取得するために利用される前記第２画像の読み取りが前記第１画像によって阻害されないよう、解析された前記出力設定に基づいて、前記第２画像の形成位置を決定する決定部と、
前記決定部によって決定された形成位置に従って、前記第１画像と前記第２画像とを同一又は異なる記録材上に形成するよう前記画像形成装置を制御する制御部と
を含むことを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
それぞれ異なる出力設定ごとに、前記第２画像の形成位置を決定するためのルールを設定する設定部をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記解析部は、前記第１画像に適用される複数の出力設定について、それぞれ対応するルールの優先順位を取得して前記決定部へ渡し、前記決定部は、取得された前記優先順位が相対的に高いルールに基づいて前記第２画像の形成位置を決定することを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記決定部は、
決定された前記第２画像の形成位置に対応する前記第１画像の画素データに基づいて、該形成位置を変更すべきか否かを判定し、
形成位置を変更すべき場合に、前記第２画像を形成可能な位置である形成可能位置を特定する
ことを特徴とする請求項１ないし３の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記決定部は、前記形成可能位置が存在しない場合に、ページを追加し、追加された該ページ上の形成可能位置に前記第２画像の形成位置を変更することで、前記第１画像と前記第２の画像とを異なる記録材に形成することを特徴とする請求項４に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記形成可能位置が存在しない場合に、前記第２画像を複数のサブ画像に分割し、各サブ画像を記録材に形成するよう制御することを特徴とする請求項４に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記出力設定は、ステイプル、パンチ、製本又は両面画像形成を指定するための設定であることを特徴とする請求項１ないし６の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記決定部は、記録材の綴じ位置から、指定された距離以上離れた位置を前記第２画像の形成位置として決定することを特徴とする請求項７に記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記第２画像は、前記第１画像の元データを特定するためのインデックスデータ、前記元データの格納場所を示すアドレスデータ又は前記元データ自体であることを特徴とする請求項１ないし８の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
前記第２画像は、前記第１画像の元データを取得するための情報が変換されて生成されたバーコード画像であることを特徴とする請求項１ないし９の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１１】
前記第１画像を形成するためのジョブ、ページ又はオブジェクトを単位として前記第２画像の画像データを作成する作成部をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし１０の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１２】
前記制御部は、前記第１画像と前記第２画像との対応関係を視覚的に把握可能にするための認識情報を前記第１画像及び前記第２画像のそれぞれに付与して印刷するよう制御することを特徴とする請求項１ないし１１の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１３】
印刷対象である第１画像と該第１画像に関する情報をコード化した第２画像と同一または異なる記録材に印刷する画像形成装置において、
前記第１画像に適用される出力設定を入力する入力部と、
入力された出力設定を解析する解析部と、
前記第１画像の元データを取得するために利用される前記第２画像の読み取りが前記第１画像によって阻害されないよう、解析された前記出力設定に基づいて、前記第２画像の形成位置を決定する決定部と、
前記決定部によって決定された形成位置に従って、前記第１画像と前記第２画像とを同一又は異なる記録材上に形成する画像形成部と
を含むことを特徴とする画像形成装置。
【請求項１４】
記録材に形成された前記第２画像を読み取る読取部と、
読み取られた前記第２画像に従って前記第１画像の元データを取得する取得部と
を含むことを特徴とする請求項１３に記載の画像形成装置。
【請求項１５】
印刷対象である第１画像と該第１画像に関する情報をコード化した第２画像とが画像形成装置で同一又は異なる記録材に印刷されるよう、該第２画像の画像データを出力する情報処理装置の制御方法において、
前記第１画像に適用される出力設定を入力する入力工程と、
入力された出力設定を解析する解析工程と、
前記第１画像の元データを取得するために利用される前記第２画像の読み取りが前記第１画像によって阻害されないよう、解析された前記出力設定に基づいて、前記第２画像の形成位置を決定する決定工程と、
前記決定工程において決定された形成位置に従って、前記第１画像と前記第２画像とを同一又は異なる記録材上に形成するよう前記画像形成装置を制御する制御工程と
を含むことを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項１６】
印刷対象である第１画像と該第１画像に関する情報をコード化した第２画像とが画像形成装置で同一又は異なる記録材に印刷されるよう、該第２画像の画像データを出力する情報処理装置を制御するためのコンピュータプログラムであって、
前記第１画像に適用される出力設定を入力する入力部と、
入力された出力設定を解析する解析部と、
前記第１画像の元データを取得するために利用される前記第２画像の読み取りが前記第１画像によって阻害されないよう、解析された前記出力設定に基づいて、前記第２画像の形成位置を決定する決定部と、
前記決定部によって決定された形成位置に従って、前記第１画像と前記第２画像とを同一又は異なる記録材上に形成するよう前記画像形成装置を制御する制御部として前記情報処理装置に機能させることを特徴とするコンピュータプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、例えば、情報処理装置として実現できる。すなわち、印刷対象である第１画像と第１画像に関する情報をコード化した第２画像とが画像形成装置で同一又は異なる記録材に印刷されるよう、第２画像の画像データを出力する情報処理装置は、第１画像に適用される出力設定を入力する入力部と、入力された出力設定を解析する解析部と、第１画像の元データを取得するために利用される第２画像の読み取りが第１画像によって阻害されないよう、解析された出力設定に基づいて、第２画像の形成位置を決定する決定部と、決定部によって決定された形成位置に従って、第１画像と第２画像とを同一又は異なる記録材上に形成するよう画像形成装置を制御する制御部とを含むことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2008152395.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月4日(2009.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画像データを格納する複数の外部装置と通信可能な情報処理装置であって、
画像データを入力する入力手段と、
前記入力手段により入力された画像データから当該画像データの特徴を示す特徴情報を抽出する抽出手段と、
前記複数の外部装置それぞれから当該外部装置の能力を示す能力情報を取得する取得手段と、
前記抽出手段により抽出された前記特徴情報と前記取得手段により取得された前記能力情報を比較することにより、画像データの検索対象とすべき外部装置を前記複数の外部装置の中から選択する選択手段と、
前記選択手段により選択された外部装置を画像データの検索対象にして、前記入力手段により入力された画像データに対応する画像データを検索する検索処理を実行する検索手段とを有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記選択手段は、前記画像データがカラーの画像データであることを前記特徴情報が示す場合に、原稿をカラーで読み取る能力を有していることが前記能力情報により示される外部装置を前記複数の外部装置の中から選択することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記選択手段は、前記画像データが白黒の画像データであることを前記特徴情報が示す場合に、原稿を白黒で読み取る能力を有していることが前記能力情報により示される外部装置を前記複数の外部装置の中から選択することを特徴とする請求項１又は２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
原稿を読み取る読取手段を更に有し、
前記入力手段は、前記読取手段により読み取られた原稿の画像データを入力することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
請求項１に記載の情報処理装置と、請求項１に記載の外部装置とを有することを特徴とする情報処理システム。
【請求項６】
複数の画像データを格納する複数の外部装置と通信可能な情報処理装置の制御方法であって、
入力手段が、画像データを入力する入力ステップと、
抽出手段が、前記入力ステップにおいて入力された画像データから当該画像データの特徴を示す特徴情報を抽出する抽出ステップと、
取得手段が、前記複数の外部装置それぞれから当該外部装置の能力を示す能力情報を取得する取得ステップと、
選択手段が、前記抽出ステップにおいて抽出された前記特徴情報と前記取得ステップにより取得された前記能力情報を比較することにより、画像データの検索対象とすべき外部装置を前記複数の外部装置の中から選択する選択ステップと、
検索手段が、前記選択ステップにおいて選択された外部装置を画像データの検索対象にして、前記入力ステップにおいて入力された画像データに対応する画像データを検索する検索処理を実行する検索ステップと
を実行することを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項７】
請求項６に記載の情報処理装置の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理装置、その制御方法、プログラム及び情報処理システム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するための一手段として、本発明の情報処理装置は以下の構成を備える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
すなわち、複数の画像データを格納する複数の外部装置と通信可能な情報処理装置であって、画像データを入力する入力手段と、前記入力手段により入力された画像データから当該画像データの特徴を示す特徴情報を抽出する抽出手段と、前記複数の外部装置それぞれから当該外部装置の能力を示す能力情報を取得する取得手段と、前記抽出手段により抽出された前記特徴情報と前記取得手段により取得された前記能力情報を比較することにより、画像データの検索対象とすべき外部装置を前記複数の外部装置の中から選択する選択手段と、前記選択手段により選択された外部装置を画像データの検索対象にして、前記入力手段により入力された画像データに対応する画像データを検索する検索処理を実行する検索手段とを有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】