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【手続補正書】
【提出日】平成22年10月1日(2010.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型窒化物半導体層と、
前記ｎ型窒化物半導体層上に設けられた所定の波長を有する光を発する発光層と、
前記発光層上に設けられたｐ型窒化物半導体層と、
前記ｎ型窒化物半導体層と電気的に接続されたｎ電極と、
前記ｐ型窒化物半導体層と電気的に接続されたｐ電極とを備え、
前記ｎ電極は、前記ｎ型窒化物半導体層に近い側から順に第１層、第２層、第３層とがそれぞれ積層された積層膜であり、
前記第１層は、厚さが１ｎｍ以上、５ｎｍ以下の範囲を有する窒化アルミニウムからなり、
前記第２層は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｏ及びＰｔから選ばれる１以上の金属からなり、
前記第３層は、Ａｕからなることを特徴とする窒化物半導体発光装置。
【請求項２】
前記ｎ電極と前記ｎ型窒化物半導体層とを接続する電気的特性は、オーム性であることを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体発光装置。
【請求項３】
前記ｎ電極の前記第２層は、前記ｎ型窒化物半導体層に近い側にＴｉが配置され、遠い側にＰｔが配置された二層構造であることを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体発光装置。
【請求項４】
前記窒化アルミニウムは、前記ｎ型窒化物半導体層の表面の少なくとも一部が露出するように島状に設けられていることを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体発光装置。
【請求項５】
前記ｎ電極は、前記ｎ型窒化物半導体層の前記ｎ型窒化物半導体層に近い側の表面、もしくは前記表面に対向する側の裏面に設けられていることを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体発光装置。
【請求項６】
前記窒化物半導体発光装置は、発光ダイオード（LED）であることを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体発光装置。
【請求項７】
前記窒化物半導体発光装置は、レーザダイオード（LD）であることを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体発光装置。
【請求項８】
ｎ型窒化物半導体層上に、所定の波長を有する光を発する発光層を形成する工程と、
前記発光層上に、少なくともｐ型不純物が添加されたｐ型窒化物半導体層を形成する工程と、
前記ｐ型窒化物半導体上にｐ電極を形成する工程と、
前記ｎ型窒化物半導体層の一表面上に、前記ｎ型窒化物半導体層に近い側から順に窒化アルミニウムからなる厚さが１ｎｍ以上、５ｎｍ以下の範囲である第１層と、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｏ及びＰｔから選ばれる１以上の金属からなる第２層と、Ａｕからなる第３層とのそれぞれを積層する工程と、
前記積層する工程の後に、前記ｎ型窒化物半導体層に熱処理を施す工程とを具備することを特徴とする窒化物半導体発光装置の製造方法。
【請求項９】
前記熱処理の温度範囲は、４００℃〜６００℃であることを特徴とする請求項８記載の窒化物半導体発光装置の製造方法。
【請求項１０】
前記窒化アルミニウムは、スパッタ法により形成されることを特徴とする請求項８記載の窒化物半導体発光装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月2日(2010.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記複数の配線のうちのいずれか一方の電圧または信号の供給配線が、オプティカルブラック画素の光電変換素子の直上を通って導出されている
ことを特徴とする請求項３記載の固体撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の光電変換素子に入射光を導く光学系と、
前記固体撮像装置の出力信号を処理する信号処理回路を備えたカメラであって、
前記固体撮像装置は、
光電変換素子と該光電変換素子からの信号の読み出しに用いる複数の画素トランジスタを有する画素が２次元的に配列された撮像領域を有し、
前記各画素を駆動するための配線が積層され、
前記画素間の遮光部が前記配線のうちの複数の異なる配線を組み合わせて形成されている
ことを特徴とするカメラ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
先ず、選択パルスＳ３及びリセットパルスＳ２を供給して、読み出しを行う行の選択用トランジスタ９と、リセット用トランジスタ７を導通状態にして、増幅用トランジスタ８のゲート（いわゆるフローティング・ディフージョンＦＤ）の電位をリセットする。リセット用トランジスタ７を非導通にした後、各画素３のリセットレベルに対応した電圧を後段のＣＤＳ回路２３に読み出しておく。次に、転送パルスＳ１を供給して転送用トランジスタ６を導通状態にし、光電変換素子２に蓄積された電荷をフローティング・ディフージョン（ＦＤ）、したがって増幅用トランジスタ８のゲートに転送する。転送終了後、転送用トランジスタ６を非導通状態にした後、蓄積されていた電荷量に応じた信号レベルの電圧を後段のＣＤＳ回路２３に読み出す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
第１実施の形態では、３層目のメタル配線で格子状の電源配線４７及びグランド配線４８を形成し、両配線４７及び４８の組み合わせで格子状の遮光部５３を形成するようにした。その他、３層目のメタル配線で信号配線４４，４５，４６のいずれか１つの信号配線と、電源配線４７またはグランド配線４８電源配線のいずれか１つとを、図１と同様にして一部不連続の格子状に形成し、接続用配線５５を用いるようにして、両配線の組み合わせで遮光部５３を形成するように構成することも可能である。この場合には、電源配線４７またはグランド配線４８のいずれか他方が２層目のメタル配線で他の信号線と共に、平行にかつ水平方向に延長して形成される。
この構成においても、遮光部の開口が広がり、感度の向上が図れる。また、配線の低抵抗化、低容量化で画質の向上が図れる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
そして、本実施の形態では、有効画素領域７７のグランド配線４８を、３層目以外の他の層、本例では２層目のメタル配線による電圧供給配線９３を介して外部まで導出して構成される。電圧供給配線９３は、この例ではグランド電圧供給用の配線となる。このとき、電圧供給配線９３は、無効画素領域９２の光電変換素子５１及びＯＰＢ画素７８の光電変換素子５１の直上を通るように配線される。また、電圧供給配線９３は、図８で示したように、上下左右の４辺に対称性をもって、且つ周囲の無効画素領域９２に対応する各開口５２を通過するように形成される。この構成では、電源電圧は外周のＯＰＢ画素領域７９上の遮光メタル９１から供給され、グランド電圧は電圧供給配線９３から供給される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
そして、有効画素用電源配線９６を、無効画素領域９２の光電変換素子上、及びＯＰＢ画素７８の光電変換素子上を横切るように他の層、例えば２層目のメタル配線による電圧供給配線９３を介して、外部に導出して構成される。
この構成によれば、有効画素用電源配線９６及びＯＰＢ画素用電源配線９７に、それぞれ異なる電源を供給することができ、有効画素７６とＯＰＢ画素７８の特性を揃えることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
図１１に、上述した本発明に係る固体撮像装置を備えたカメラの概略構成を示す。本実施の形態に係るカメラ１００は、光学系（光学レンズ）１０１と、固体撮像装置１０２と、信号処理回路１０３とを有して成る。固体撮像装置１０２は、上述した第１〜第５実施の形態のいずれか１つ、好ましくは第１実施の形態、第４実施の形態の配線構造を有する固体撮像装置等が適用される。光学系１０１は、被写体からの像光（入射光）を固体撮像装置１０２の撮像面上に結像させる。これにより、固体撮像装置１０２の光電変換素子において一定期間信号電荷が蓄積される。信号処理回路１０３は、固体撮像装置１０２の出力信号に対して種々の信号処理を施して出力する。本実施の形態のカメラ１００は、光学系１０１、固体撮像装置１０２及び信号処理回路１０３がモジュール化したカメラモジュールの形態を含む。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月13日(2010.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
請求項１または２に記載の光伝送モジュールにおいて、
前記サブ基板は、前記信号生成回路を制御する制御回路をさらに搭載し、
前記フレキシブル基板は、前記制御回路用の配線を有する、
ことを特徴とする光伝送モジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明の一態様では、前記サブ基板は、前記信号生成回路を制御する制御回路をさらに搭載し、前記フレキシブル基板は、前記制御回路用の配線を有する。この態様によれば、フレキシブル基板に設けるべき配線の数が減るため、フレキシブル基板のサイズが縮小され、光送信モジュールの製造を容易にすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月26日(2009.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
具体的には、ＴＣＰ／ＩＰ処理部１３２より受け取ったＳＩＰメッセージの送信元がＧＷ２である場合、ＳＩＰ中継処理部１３３は、このＳＩＰメッセージがＲＥＧＩＳＴＥＲメッセージであれば、これをレジストラ部１３４に中継し、ＲＥＧＩＳＴＥＲメッセージ以外のＳＩＰメッセージであれば、ＬＡＮ側ＳＩＰ−ＵＡ部１３６に中継する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
また、ＴＣＰ／ＩＰ処理部１３２より受け取ったＳＩＰメッセージの送信元がＩＰ網８側である場合、ＳＩＰ中継処理部１３３は、このＳＩＰメッセージがＲＥＧＩＳＴＥＲメッセージに対する２００ＯＫメッセージであれば、これをレジストラ部１３４に中継し、ＲＥＧＩＳＴＥＲメッセージに対する２００ＯＫメッセージ以外のＳＩＰメッセージであれば、ＷＡＮ側ＳＩＰ−ＵＡ部１３５に中継する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１１】
ＧＷ２がＲＥＧＩＳＴＥＲメッセージをＳＩＰサーバ６に送信すると（Ｓ２０１）、接続アダプタ１は、これを受信し、このＲＥＧＩＳＴＥＲメッセージに含まれているＧＷ２の登録情報を、自接続アダプタ１の登録情報として仮登録する（Ｓ２０２）。また、接続アダプタ１は、ＳＩＰサーバ６に、このＲＥＧＩＳＴＥＲメッセージを転送する（Ｓ２０３）。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
次に、ＳＩＰサーバ６が、ＲＥＧＩＳＴＥＲメッセージに対する応答として、２００ＯＫメッセージをＧＷ２に送信すると（Ｓ２０４）、接続アダプタ１は、これを受信し、Ｓ２０２で仮登録した登録情報を本登録する（Ｓ２０５）。また、接続アダプタ１は、この２００ＯＫメッセージをＧＷ２に転送する（Ｓ２０６）。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月1日(2010.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ライン状に配列された複数のエミッタよりレーザ光を射出する２つの光素子と、前記エミッタから射出される前記レーザ光を反射する第１光学部材と、前記第１光学部材で反射された前記レーザ光の光路上に配置され、前記レーザ光が通過する際に前記レーザ光の波長を変換する波長変換素子と、前記波長変換素子から射出された前記レーザ光の光路上に配置され、前記光素子との間で共振器構造を構成する外部共振器と、を有する光源装置であって、前記２つの光素子が前記第１光学部材を挟んで配置されていることを特徴とする光源装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光源装置であって、前記外部共振器は、前記光素子から射出された前記レーザ光のうち、前記波長変換素子を通過することにより波長変換されない非波長変換レーザ光は反射させて再び前記波長変換素子に戻し、前記波長変換素子を通過することにより波長変換された波長変換レーザ光は通過させることを特徴とする光源装置。
【請求項３】
請求項１に記載の光源装置であって、前記波長変換素子に対してＳ偏光成分となる前記レーザ光を分離させ、Ｐ偏光成分を通過させる偏光特性、又は、前記レーザ光を前記波長変換素子に対してＰ偏光に揃える偏光変換素子特性を有する選択透過ミラーを、前記外部共振器と前記波長変換素子との間に含むことを特徴とする光源装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の光源装置であって、前記外部共振器に代えて、前記波長変換素子から射出される前記波長変換レーザ光を通過させ、前記非波長変換レーザ光を反射する、第２選択透過ミラーを備えることを特徴とする光源装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の光源装置であって、前記２つの光素子の前記エミッタは、各々列状に並んだエミッタ列を構成し前記エミッタ列に属する前記エミッタが射出する前記レーザ光の光軸が、前記波長変換素子の入射面において、互いに前記エミッタの延在方向にずらして入射されるよう前記エミッタ列を配置したことを特徴とする光源装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の光源装置であって、前記２つの光素子の少なくとも一つは、前記エミッタがライン状に配列された前記エミッタ列を複数含むことを特徴とする光源装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載の光源装置であって、前記第１光学部材は、プリズムであることを特徴とする光源装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載の光源装置と、該光源装置から射出された前記レーザ光を画像情報に応じて変調する光変調素子と、該光変調素子によって形成された画像を投射する投射装置と、を備えることを特徴とするプロジェクタ。
【請求項９】
請求項１から７のいずれか一項に記載の光源装置と、該光源装置により照射された被写体を撮像する撮像手段と、を備えることを特徴とするモニタ装置。
【請求項１０】
第１のレーザ光を射出する第１の光素子と、
第２のレーザ光を射出する第２の光素子と、
前記第１のレーザ光及び前記第２のレーザ光を反射する第１光学部材と、
前記第１光学部材で反射された前記第１のレーザ光の波長を変換して第３のレーザ光とし、前記第２のレーザ光の波長を変換して第４のレーザ光とする波長変換素子と、
前記第３のレーザ光及び前記第４のレーザ光が入射される共振器と、を含むことを特徴とする光源装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の光源装置であって、前記波長変換素子は、前記第１のレーザ光の波長である第５のレーザ光と、前記第２のレーザ光の波長である第６のレーザ光と、を射出し、
前記共振器は、前記第５のレーザ光及び前記第６のレーザ光を反射させ、前記第３のレーザ光及び前記第４のレーザ光を通過させ、
前記共振器で反射された前記第５のレーザ光及び前記第６のレーザ光は前記波長変換素子に入射されることを特徴とする光源装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月29日(2010.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
半導体基板上の層間絶縁膜に形成された配線溝と、
前記配線溝の側壁及び底面に形成された第１のバリアメタル膜と、
前記配線溝の側壁において、第１のバリアメタル膜の上に形成された第２のバリアメタル膜と、
前記配線溝内に設けられ、銅膜または銅合金膜を有する配線を有し、
前記配線溝の側壁に形成された前記第２のバリアメタル膜の上端が上方へ向けて広がった傾斜形状であることを特徴とする、半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
半導体基板上の層間絶縁膜に形成された配線溝と、
前記配線溝の側壁及び底面に形成された第１のバリアメタル膜と、
前記配線溝の側壁において、第１のバリアメタル膜の上に形成された第２のバリアメタル膜と、
前記配線溝内に設けられ、銅膜または銅合金膜を有する配線を有し、
前記第２のバリアメタル膜の上端は、前記配線溝側壁の上端よりも低く、
前記配線溝側壁の上端で、前記第１のバリアメタル膜と前記銅膜または銅合金膜が接していることを特徴とする、半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
半導体基板上の層間絶縁膜に配線溝を形成する工程（ａ）と、
前記工程（ａ）の後に、前記配線溝の側壁及び底部、及び前記層間絶縁間上に第１のバリアメタル膜を堆積する工程（ｂ）と、
前記工程（ｂ）の後に、前記第１のバリアメタル膜上に第２のバリアメタル膜を堆積する工程（ｃ）と、
前記工程（ｃ）の後に、前記層間絶縁膜上面の前記第１のバリアメタル上に形成された前記第２のバリアメタル膜を除去するとともに、前記配線溝側壁の前記第２のバリアメタル膜の上端に、当該上端が上方へ向けて広がった傾斜形状を形成する工程（ｄ）と、
前記工程（ｄ）の後に、前記第１及び第２のバリアメタル膜上に、銅または銅合金からなるシード膜を堆積する工程（ｅ）と、
前記工程（ｅ）の後に、前記シード膜上に、銅または銅合金からなるめっき膜を堆積する工程（ｆ）と、
前記工程（ｆ）の後に、化学機械研磨法により前記配線溝外の前記シード膜、めっき膜及び前記第１バリアメタル膜を除去して配線を形成する工程（ｇ）と
を有することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
半導体基板上の層間絶縁膜に配線溝を形成する工程（ａ）と、
前記工程（ａ）の後に、前記配線溝の側壁及び底部、及び前記層間絶縁間上に第１のバリアメタル膜を堆積する工程（ｂ）と、
前記工程（ｂ）の後に、前記第１のバリアメタル膜上に第２のバリアメタル膜を堆積する工程（ｃ）と、
前記工程（ｃ）の後に、前記層間絶縁膜上面の前記第１のバリアメタル上に形成された前記第２のバリアメタル膜を除去するとともに、前記配線溝側壁の前記第２のバリアメタル膜の上端を前記配線溝側壁の上端よりも低くする工程（ｄ）と、
前記工程（ｄ）の後に、前記第１及び第２のバリアメタル膜上に、銅または銅合金からなるシード膜を堆積する工程（ｅ）と、
前記工程（ｅ）の後に、前記シード膜上に、銅または銅合金からなるめっき膜を堆積する工程（ｆ）と、
前記工程（ｆ）の後に、化学機械研磨法により前記配線溝外の前記シード膜、めっき膜及び前記第１バリアメタル膜を除去して配線を形成する工程（ｇ）と
を有することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
次に、図５（２）に示すように、第２の層間絶縁膜１５の上に、第２のライナー膜２１および第３の層間絶縁膜２２を順次堆積し、従来のリソグラフィー技術及びドライエッチング技術を用いて、第２のビアホール２３及び第２の配線溝２４を形成する。このとき、第２のライナー膜２１を開口して第２のＣｕ配線が露出した後に洗浄処理されるが、Ｒｕ膜１９が露出していないので、この洗浄工程においても電池効果によって配線溝１７内のＣｕが溶出する腐食現象は起きない。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
なお、第１及び２の実施の形態では、純Ｃｕ配線について説明したが、Ｃｕ合金膜でも良い。また、第１及び２の実施形態では、第２のバリアメタル膜としてＲｕ膜を例に説明したが、Ｒｕ膜の代わりにＣｕ膜より大きい標準電極電位を有する金属（例えば、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ）を使用する場合にも、本発明は有効である。また、第１のバリアメタル膜としてＴａＮ膜を例に説明したが、バリアメタル膜として使用可能な他の材質を使用してもよい。このような材質としては、例えば、Ｔａ、またはＴａに窒素、炭素、シリコンのうち少なくとも１つ以上を添加した導電膜、あるいはＴａと窒素、炭素、シリコンのうち少なくとも１つ以上をＴａに添加した導電膜との積層膜などが挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月23日(2010.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、ここでは、ＣＶＤ法でＳｉＯＣ膜を形成しているが、形成方法はこれに限るものではない。例えば、ポロジェン材料を含有する溶液をスピンコートし熱処理して薄膜を形成するＳＯＤ（ｓｐｉｎ  ｏｎ  ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｃｏａｔｉｎｇ）法を用いても好適である。ＳＯＤ法で形成する低誘電率絶縁膜の材料としては、例えば、メチルシロセスキオキサン（ｍｅｔｈｙｌ  ｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅ：ＭＳＱ）を用いることができる。また、ＭＳＱの他に、例えば、ポリメチルシロキサン、ポリシロキサン、ハイドロジェンシロセスキオキサンなどのシロキサン骨格を有する膜、および多孔質シリカ膜などのポーラス膜からなる群から選択される少なくとも一種を用いて形成しても構わない。ＳＯＤ法では、例えば、スピナーで成膜し、このウエハをホットプレート上で窒素雰囲気中でのベークを行なうことでポロジェン材料２２２が均一に含有された例えば有機シロキサンを主骨格成分とするＳｉＯＣ膜２２０を形成することができる。いずれの低誘電率絶縁膜の材料を用いても、最終的に比誘電率が２．５未満の低誘電率を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月10日(2010.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の構造層と、
前記第１の構造層に空隙を介して対向し、且つ一部が前記第１の構造層に固定されている第２の構造層と、を有し、
前記第１の構造層及び前記第２の構造層は少なくとも一方が変位可能であり、
前記空隙を介して前記第２の構造層に対向する前記第１の構造層の第１の面は、複数の凸部が設けられており、
前記空隙を介して前記第１の構造層に対向する前記第２の構造層の第２の面は、複数の凸部が設けられており、
前記第１の面及び前記第２の面は、互いに粗さが異なることを特徴とする微小構造体。
【請求項２】
同一基板上に設けられた微小構造体と、半導体素子と、を有し、
前記微小構造体は、第１の構造層と、前記第１の構造層に空隙を介して対向し、且つ一部が前記第１の構造層に固定されている第２の構造層と、を有し、
前記半導体素子は、半導体層と、前記半導体層上にゲート絶縁層を介して設けられたゲート電極層と、を有し、
前記第１の構造層は、前記半導体層と同じ材料から形成され、
前記第２の構造層の一部は、前記ゲート絶縁層と同じ材料から形成され、
前記第１の構造層及び前記第２の構造層は少なくとも一方が変位可能であり、
前記空隙を介して前記第２の構造層に対向する前記第１の構造層の第１の面は、複数の凸部が設けられており、
前記空隙を介して前記第１の構造層に対向する前記第２の構造層の第２の面は、複数の凸部が設けられており、
前記第１の面及び前記第２の面は、互いに粗さが異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記微小構造体の前記第１の構造層及び前記半導体素子の半導体層は、結晶質珪素膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
基板上に第１の構造層を形成し、
前記第１の構造層に粗面処理を施し、
前記第１の構造層上に金属層を形成し、
前記金属層に粗面処理を施して犠牲層を形成し、
前記第１の構造層上および前記犠牲層上に第２の構造層を形成し、
前記犠牲層を除去して空隙部を形成することを特徴とする微小構造体の作製方法。
【請求項５】
基板上に第１の構造層を形成し、
前記第１の構造層にレーザビームを照射することによって粗面処理を施し、
前記第１の構造層上に金属層を形成し、
前記金属層にレーザビームを照射することによって粗面処理を施して犠牲層を形成し、
前記第１の構造層上および前記犠牲層上に第２の構造層を形成し、
前記犠牲層を除去して空隙部を形成することを特徴とする微小構造体の作製方法。
【請求項６】
基板上に第１の構造層を形成し、
前記第１の構造層にレーザビームを照射することによって粗面処理を施し、
前記第１の構造層上に金属層を形成し、
前記金属層を加熱処理することによって粗面処理を施して犠牲層を形成し、
前記第１の構造層上および前記犠牲層上に第２の構造層を形成し、
前記犠牲層を除去して空隙部を形成することを特徴とする微小構造体の作製方法。
【請求項７】
請求項４又は請求項５において、
前記金属層を、タングステン、モリブデン、又はチタンを用いて形成することを特徴とする微小構造体の作製方法。
【請求項８】
請求項４又は請求項６において、
前記金属層を、アルミニウムを用いて形成することを特徴とする微小構造体の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月23日(2010.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程（ｉ）〜（ｉｖ）：
（ｉ）鋳型構造体（１００）の１以上の表面（１０６）に前駆材料を塗工し、この塗工した前駆材料を硬化させる工程であって、前駆材料は、
（ａ）鋳型構造体表面（１０６）と鋳型構造体（１００）内の鋳造される物品との間の反応を防止することができるフェースコート（１０４）に硬化可能に変換することができるフェースコート形成性成分と、
（ｂ）鋳造される物品に対する保護皮膜形成剤と
を含んでなる工程、
（ｉｉ）硬化した前駆材料から形成されたフェースコート（１０４）と接触させて溶融材料を鋳型構造体（１００）中に導入する工程、
（ｉｉｉ）溶融材料を冷却して鋳型構造体（１００）内で鋳造物品を形成する工程であって、鋳造物品のある表面は硬化した前駆材料（１０４）と接触している工程、及び
（ｉｖ）硬化した前駆材料を鋳造物品と反応させて、鋳造物品の表面上に保護皮膜（１２６）を形成する工程
を含んでなる、物品を形成する方法であって、上記保護皮膜形成剤が、工程（ｉｖ）の前の成分の早期の反応を防止するように、工程（ｉｉ）及び（ｉｉｉ）の間フェースコート形成性成分と熱力学的平衡にある成分を含んでおり、工程（ｉｖ）を、全ての保護皮膜成分を前駆材料と接触している鋳造物品の表面と反応させるのに充分な温度条件下で前記硬化した前駆材料を加熱することによって実施する、方法。
【請求項２】
フェースコート（１０４）が、酸化物、ケイ化物、ケイ酸塩、硫化物、酸硫化物、ガーネット、アルミナ、アルミン酸塩及びこれらの組合せからなる群から選択される１種以上の材料を含んでなる、請求項１記載の方法。
【請求項３】
保護皮膜形成剤がケイ素、クロム及びチタンを含んでなる、請求項１又は請求項２記載の方法。
【請求項４】
前駆材料を２以上の層又は相として塗工する、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前駆材料が互いに覆って塗工された複数の層を含んでなり、これらの層の２以上がフェースコート形成性成分及び保護皮膜形成剤の両方を含んでなる、請求項４記載の方法。
【請求項６】
フェースコート形成性成分及び保護皮膜形成剤の両方を含有する層（６０、６２、６４、６６）が組成上傾斜していて、フェースコート形成性成分及び保護皮膜形成剤の比例量が層間で変化する、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前駆材料を、鋳型構造体（１００）内に配置された１以上の中子（１０８）の表面上にも塗工し、次いで中子表面（１２２）上で硬化させる、請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
工程（ｉｉ）で鋳型中に導入される溶融材料が中子（１０８）を包囲し、前駆材料を硬化させたときに中子（１０８）上に形成されるフェースコート（１２０）が中子（１０８）と溶融材料との間に障壁を提供する、請求項７記載の方法。
【請求項９】
中子（１０８）の表面（１２２）上で硬化した前駆材料を中子と接触している鋳造物品の内部部分と反応させることにより、その内部部分上に保護皮膜（１２６）を形成する、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
鋳造物品がタービン部品である、請求項１乃至請求項９のいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
耐熱性金属金属間複合材を鋳造するのに適切な鋳型構造体（１００）の１以上の表面（１０６）に塗工するための前駆材料であって、
（Ａ）鋳型構造体の表面（１０６）と鋳型構造体内で鋳造される物品との間の反応を防止することができるフェースコート（１０４）に変換するのに適切な１種以上のフェースコート形成性成分であって、モノケイ酸イットリウム及び遊離のイットリアからなるフェースコート形成性成分、及び
（Ｂ）鋳造される物品のための、５０〜９０原子％のケイ素と、２〜３５原子％のチタンと、２〜４５原子％のクロムとを含む保護皮膜形成剤であって、フェースコート形成性成分と熱力学的平衡にある成分を含んでいる保護皮膜形成剤
を含んでなる前駆材料。
【請求項１２】
溶融材料を鋳造して物品を形成するための鋳型構造体（１００）であって、
（Ｉ）溶融材料を収容するためのシェル（１０２）、並びに
（II）シェルの１以上の表面（１０６）上に配置され、
（ａ）シェル表面（１０６）と鋳型構造体（１００）内で鋳造される物品との間の反応を防止することができるフェースコート（１０４）に硬化可能に変換することができるフェースコート形成性成分、及び
（ｂ）鋳造される物品のための保護皮膜形成剤
を含んでなる前駆材料を含んでなる鋳型構造体（１００）。
【請求項１３】
さらに、前記構造体内に配置された１以上の中子（１０８）を含んでおり、前駆材料が中子（１０８）の表面（１２２）上にも配置されている、請求項１２記載の鋳型構造体（１００）。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年12月21日(2009.12.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ投影装置であって、
放射の投影ビームを供給するための放射システムと、
前記放射の投影ビームのビーム経路中に配置すべき実質的に平坦な物品を支持するための支持体の平坦面を提供するように配置された突起構成を画定する複数の突起を含む物品保持器と、を備え、
前記物品保持器は、前記物品を前記物品保持器に対してクランピングするために、静電クランピング力を生成するための少なくとも１個のクランピング電極を含み、
前記少なくとも１個のクランピング電極は、前記物品の局所的な高さのばらつきを水平化するために、前記静電クランピング力を局所的に変更する電界変更構造を備えることを特徴とするリソグラフィ投影装置。
【請求項２】
前記電界変更構造は、電極境界縁部を備え、
前記電極境界縁部は、少なくとも幾つかの境界突起の回りで局所的に湾曲しており、
前記境界突起は、前記突起構成を画定する複数の突起の一部の突起であって、前記電極境界縁部の付近に位置する、請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項３】
前記電界変更構造は、前記クランピング電極を覆う導電層及び／又は基底層を備える、請求項１又は請求項２に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項４】
前記電界変更構造は、電極境界縁部を備え、
前記電極境界縁部は、前記電極境界縁部の曲率全体よりも少なくとも５％大きい変化量にあたる微小波形又は湾曲を２個の突起間に形成する局所的に湾曲した形状を有するように、少なくとも１つの突起に隣接する少なくとも前記電極境界縁部の１つの線分の範囲内で、変化前の前記電極境界縁部の複数倍変化する、請求項１乃至請求項３のうち何れか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項５】
前記クランピング電極は、隣接する境界突起を連結する周囲の線にしたがって形状付けられる境界縁部を備え、
前記境界突起は、前記突起構成を画定する複数の突起の一部の突起であって、前記境界縁部の付近に位置する、請求項１乃至請求項４のうち何れか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項６】
前記電界変更構造は、前記クランピング電極中の少なくとも１つの穿孔を備える、請求項１乃至請求項５のうち何れか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項７】
前記穿孔は、概ね円形である、請求項６に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項８】
前記穿孔は、概ねスリット形状である、請求項６に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項９】
前記穿孔は、２つの隣接する突起間の平均的な間隔距離の何分の１かの寸法である、請求項６乃至請求項８のうち何れか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項１０】
前記穿孔は、０．１から０．５ｍｍまでの範囲にわたる、請求項６乃至請求項９のうち何れか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項１１】
前記穿孔は、３つの突起によって形成される三角形の中央に配置される、請求項６乃至請求項１０のうち何れか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項１２】
前記クランピング電極は、単一の制御電圧によって制御される単一部品型である、請求項１乃至請求項１１のうち何れか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項１３】
前記突起は、概ね円筒形に形成されている、請求項１乃至請求項１２のうち何れか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項１４】
実質的に平坦な物品を支持するための支持体の平坦面を提供するように配置された突起構成を画定する複数の突起を備える、請求項１乃至請求項１３のうち何れか１項に記載のリソグラフィ投影装置のための物品保持器であって、
前記保持器は、物品を前記保持器に対してクランピングするために、静電クランピング力を生成する少なくとも１個のクランピング電極を備え、
前記少なくとも１個のクランピング電極は、前記物品の局所的な高さのばらつきを水平化するために、前記静電クランピング力を局所的に変更する電界変更構造を備えることを特徴とする物品保持器。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
図７及び図８は、特に、レチクルが反射型である極紫外線システム中で使用するためのレチクル保持器を示す模式図である。これらのレチクル保持器７は、形状が概ね正方形であり、複数の突起によって支持されている。このような正方形の形状では、基本的な構成が正方形か（図７）又は三角形（図８）であり得るが、後者は、隣接するふしこぶ（ｂｕｒｌｓ）間の間隔距離のばらつきが相対的に少ない。本発明によれば、クランピング電極は、隣接する境界突起を連結する周囲の線にしたがって形状が付けられている境界縁部６を備える。図７では、これによって直線が得られるが、この場合では、境界縁部６の間隔は、２個の隣接する突起間の半分の間隔幅まで多少減少することに改善が見られる。このような最適化された縁部によって、オーバーハング効果は、例えば、電極が突起間隔の半分まで延びる場合は、ウェーハに対して低減可能である。図８では、反射型の正方形レチクル８のための物品保持器が示されているが、突起構成は三角形である。このような構成では、境界縁部６は、隣接する境界突起２を連結する変更周囲の線９にしたがって縁部６を形状付けることによって最適化される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
さらには、図９から、境界縁部６は、少なくとも１個の突起に隣接する少なくとも１本の境界縁部線分の範囲内で、複数倍に変化可能であることが明らかである。このような線分が、参照符号１４によって図中に示されており、２個の隣接する突起間の平均的な間隔距離の０．１から１０倍の範囲にわたる長さを有する。さらには、模式的に、前記境界縁部６に接する接線１５が示されている。図９は、境界縁部６が、少なくとも幾つかの隣接する突起２の回りの周囲の線によって形成される局所的な輪郭を辿るように、方向が異なる、前記境界縁部に接する接線を有することを開示する図である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月22日(2010.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）シロキサン結合を形成することによって架橋しうるケイ素含有官能基を有するオキシアルキレン重合体と、（Ｂ）シロキサン結合を形成することによって架橋しうるケイ素含有官能基を有し、分子鎖が実質的に、（ｂ−１）炭素数１〜２のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステル単量体単位と、（ｂ−２）炭素数７〜９のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステル単量体単位とからなる共重合体とをブレンドする工程、次いで
得られたブレンド物に（Ｃ）硬化促進剤を添加する工程
を有することを特徴とする硬化性樹脂組成物の製造方法。
【請求項２】
重合体（Ａ）が、分子鎖が実質的に一般式（１）：
−ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２−Ｏ− （１）
で示される繰り返し単位からなる重合体である請求項１記載の硬化性樹脂組成物の製造方法。
【請求項３】
重合体（Ａ）が、数平均分子量が６，０００以上であって、Ｍｗ／Ｍｎが１．６以下である請求項１又は２記載の硬化性樹脂組成物の製造方法。
【請求項４】
重合体（Ａ）の主鎖が、開始剤の存在下、複合金属シアン化錯体、セシウム化合物およびＰ＝Ｎ結合を有する化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種を触媒としてアルキレンオキシドを重合させて得られるものである請求項１〜３のいずれかに記載の硬化性樹脂組成物の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月31日(2010.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に不揮発性メモリ素子を備え、
前記不揮発性メモリ素子が、電荷保持膜と、チャネル領域と、前記チャネル領域の両側にソースとドレインとを備える半導体層を備え、
前記電荷保持膜が、少なくともその一部の上側と下側とに設けられた、上側遮光体及び下側遮光体の間、及びチャネル長方向もしくはチャネル幅方向に沿う方向において、左側と右側とに設けられた左側遮光体と右側遮光体との間に位置し、前記左側及び右側遮光体が、それらの平面視において、長さが幅の２倍以上であることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
前記チャネル領域が、前記上側遮光体と下側遮光体との間に位置する請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
前記チャネル領域が、チャネル長方向もしくはチャネル幅方向に沿う方向において、前記左側遮光体と右側遮光体との間に位置する請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
前記半導体層が、前記上側遮光体と下側遮光体との間に位置する請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
前記半導体層が、チャネル長方向もしくはチャネル幅方向に沿う方向において、前記左側遮光体と右側遮光体との間に位置する請求項４に記載の半導体記憶装置。
【請求項６】
前記下側遮光体が、前記チャネル領域の下部に前記電荷保持膜を介して位置する請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体記憶装置。
【請求項７】
前記下側遮光体が、１５００℃以上の融点を有する金属を含む請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体記憶装置。
【請求項８】
前記下側遮光体が、５０〜１０００ｎｍの厚さを有する請求項１〜７のいずれか１つに記載の半導体記憶装置。
【請求項９】
前記左側遮光体及び右側遮光体の少なくともいずれか一方が、前記下側遮光体とコンタクトされている電極プラグである請求項１〜８のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記左側遮光体及び右側遮光体の少なくともいずれか一方が、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ及びＡｇから選択される金属を含む請求項１〜９のいずれか１つに記載の半導体記憶装置。
【請求項１１】
前記左側遮光体及び右側遮光体の少なくともいずれか一方が、平面視において、０．２〜１０μｍの幅の短辺を有する請求項１〜１０のいずれか１つに記載の半導体記憶装置。
【請求項１２】
前記左側遮光体及び右側遮光体が、前記上側遮光体を介して繋がっている請求項１〜１１のいずれか１つに記載の半導体記憶装置。
【請求項１３】
前記上側遮光体が、チャネル領域上に、１〜２００ｎｍの厚さの絶縁膜を介して位置する請求項１〜１２のいずれか１つに記載の半導体記憶装置。
【請求項１４】
前記上側遮光体が、１０００℃以上の融点を有する金属を含む請求項１３に記載の半導体記憶装置。
【請求項１５】
前記上側遮光体が、１００〜１０００ｎｍの厚さを有する請求項１３又は１４に記載の半導体記憶装置。
【請求項１６】
前記上側遮光体が、前記不揮発性メモリ素子上に層間絶縁膜を介して形成され、ソース、ドレイン又はゲート電極のいずれかと接続する配線を兼ねる請求項１〜１５のいずれか１つに記載の半導体記憶装置。
【請求項１７】
前記上側遮光体が、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ及びＡｇから選択される金属を含む請求項１６に記載の半導体記憶装置。
【請求項１８】
前記上側遮光体が、１００〜１００００ｎｍの厚さを有する請求項１６又は１７に記載の半導体記憶装置。
【請求項１９】
前記上側遮光体が、前記ソース及び／又はドレインが接続される配線上に、絶縁膜を介して位置する請求項１〜１８のいずれか１つに記載の半導体記憶装置。
【請求項２０】
前記上側遮光体が、Ａｌ又はＡｇを含む請求項１９に記載の半導体記憶装置。
【請求項２１】
前記上側遮光体が、５０〜５００ｎｍの厚さを有する請求項１９又は２０に記載の半導体記憶装置。
【請求項２２】
前記上側遮光体が、前記不揮発性メモリ素子上に、液晶注入領域を介して位置する対向基板に備えられたブラックマトリクスである請求項１〜２１のいずれか１つに記載の半導体記憶装置。
【請求項２３】
前記上側遮光体が、遮光剤入りの樹脂である請求項１〜１３、１５、１９、２１及び２２のいずれか１つに記載の半導体記憶装置。
【請求項２４】
前記遮光剤が、カーボンブラック又はチタン酸化物である請求項２３に記載の半導体記憶装置。
【請求項２５】
前記電荷保持膜上に、２つ以上の前記上側遮光体を備え、前記２つ以上の上側遮光体が、それぞれ異なる成分から構成されている請求項１〜２４のいずれか１つに記載の半導体記憶装置。
【請求項２６】
前記不揮発性メモリ素子が、前記上側遮光体の下又は下側遮光体の上に複数位置する請求項１〜２５のいずれか１つに記載の半導体記憶装置。
【請求項２７】
前記電荷保持膜が、シリコン窒化膜を含む請求項１〜２６のいずれか１つに記載の半導体記憶装置。
【請求項２８】
前記電荷保持膜が、上下のシリコン酸化膜にシリコン窒化膜が挟持された構造である請求項１〜２７のいずれか１つに記載の半導体記憶装置。
【請求項２９】
前記上下のシリコン酸化膜が１〜２０ｎｍの厚さ、前記シリコン窒化膜が１〜５０nmの厚さを有する請求項２８に記載の半導体記憶装置。
【請求項３０】
電界効果型トランジスタを備える表示装置であって、前記電界効果型トランジスタが、同一絶縁基板上に形成された、電荷保持膜を備えるトランジスタと備えないトランジスタとからなり、前記電荷保持膜を備えるトランジスタが、請求項１〜２９記載の半導体記憶装置であることを特徴とする表示装置。
【請求項３１】
携帯電話、携帯情報端末、液晶ＴＶ、有機ＥＬディスプレイＴＶから選択される表示装置付き機器であって、前記表示装置が請求項３０に記載された表示装置であること特徴とする機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
かくして本発明によれば、絶縁基板上に不揮発性メモリ素子を備え、前記不揮発性メモリ素子が、電荷保持膜と、チャネル領域と、前記チャネル領域の両側にソースとドレインとを備える半導体層を備え、前記電荷保持膜が、少なくともその一部の上側と下側とに設けられた、上側遮光体及び下側遮光体の間、及びチャネル長方向もしくはチャネル幅方向に沿う方向において、左側と右側とに設けられた左側遮光体と右側遮光体との間に位置し、前記左側及び右側遮光体が、それらの平面視において、長さが幅の２倍以上であることを特徴とする半導体記憶装置が提供される。
また、本発明によれば、電界効果型トランジスタを備える表示装置であって、前記電界効果型トランジスタが、同一絶縁基板上に形成された、電荷保持膜を備えるトランジスタと備えないトランジスタとからなり、前記電荷保持膜を備えるトランジスタが、上記半導体記憶装置であることを特徴とする表示装置が提供される。
更に、携帯電話、携帯情報端末、液晶ＴＶ、有機ＥＬディスプレイＴＶから選択される表示装置付き機器であって、前記表示装置が上記表示装置であること特徴とする機器が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月6日(2010.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信装置と受信装置との間で自動再送制御を行なう通信システムに適用される送信装置であって、
初送信号または再送信号を構成する情報ビットに冗長ビットを付加する誤り訂正符号化部と、
前記誤り訂正符号化部が出力する符号化ビットに対して、初送信号よりも再送信号を多く間引くパンクチャ処理を行なうパンクチャ部と、
前記パンクチャ処理を行なった符号化ビットからデータ変調シンボルを生成する変調部と、
前記変調シンボルのシンボル数に基づいて、初送信号を送信する際に用いるサブキャリアの間隔よりも再送信号を送信する際に用いるサブキャリアの間隔を大きく設定するサブキャリア間隔設定部と、
前記サブキャリア間隔に基づいて、入力された信号に対してＩＦＦＴ（Inverse Fast Fourier Transform）を行なうＩＦＦＴ部と、
初送信号または再送信号を送信する送信部と、を備えることを特徴とする送信装置。
【請求項２】
前記サブキャリア間隔設定部は、前記ＩＦＦＴ部の入力ポイントに対して、送信信号を構成するデータを少なくとも１ポイント間隔の割り当て間隔で割り当てると共に、前記ＩＦＦＴ部からの出力データを、前記割り当て間隔に対応して間引くようにデータを配置するデータ配置設定部を備えることを特徴とする請求項１記載の送信装置。
【請求項３】
前記サブキャリア間隔設定部は、前記ＩＦＦＴ部のポイント数を設定するポイント数設定部を備えることを特徴とする請求項１記載の送信装置。
【請求項４】
前記パンクチャ部は、前記再送信号と前記初送信号とで異なる符号化ビットを出力することを特徴とする請求項１記載の送信装置。
【請求項５】
前記サブキャリア間隔設定部から出力されるデータ配列パターンに基づいて、ＯＦＤＭ（Orthogonal Frequency Division Multiplexing）シンボル長が一定となるようにＧＩ（Guard Interval）長を設定し、前記設定したＧＩ長に基づいて、送信信号に対してＧＩを付加するＧＩ付加部を更に備えることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の送信装置。
【請求項６】
送信装置と受信装置との間で自動再送制御を行なう通信システムであって、
請求項１から請求項５のいずれかに記載の送信装置と、
前記送信装置から、初送信号または再送信号を受信する受信部と、
前記受信部が受信した受信信号におけるサブキャリアの間隔に基づいて、受信信号に対してＦＦＴ（Fast Fourier Transform）を行なうＦＦＴ部と、を備える受信装置と、から構成されることを特徴とする通信システム。
【請求項７】
送信装置と受信装置との間で自動再送制御を行なう通信システムに適用される送信装置の送信方法であって、
初送信号または再送信号を構成する情報ビットに冗長ビットを付加する誤り訂正符号化するステップと、
前記誤り訂正符号化した符号化ビットに対して、初送信号よりも再送信号を多く間引くパンクチャ処理を行なうステップと、
前記パンクチャ処理を行なった符号化ビットからデータ変調シンボルを生成するステップと、
前記変調シンボルのシンボル数に基づいて、初送信号を送信する際に用いるサブキャリアの間隔よりも再送信号を送信する際に用いるサブキャリアの間隔を大きく設定するステップと、
前記サブキャリア間隔に基づいて、入力された信号に対してＩＦＦＴを行なうステップと、
初送信号または再送信号を送信するステップと、を少なくとも含むことを特徴とする送信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月3日(2010.11.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低抵抗状態と高抵抗状態を有する記憶素子と、
書き込み回路と、
抵抗部と、
前記書き込み回路へ書き込み電圧を入力する電源入力端子と、
前記記憶素子と前記書き込み回路とを電気的に接続するか否かを選択するビット線駆動回路と、
前記記憶素子に書き込みをするか否かを選択するワード線駆動回路とを有し、
前記記憶素子への書き込み時に前記記憶素子に流れる電流は前記電源入力端子から前記書き込み回路を介して供給され、
前記抵抗部は前記電流の経路上に設けられている
ことを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項２】
低抵抗状態と高抵抗状態を有する記憶素子と、
書き込み回路と、
読み出し回路と、
抵抗部と、
前記書き込み回路へ書き込み電圧を入力する電源入力端子と、
前記記憶素子と前記書き込み回路もしくは前記読み出し回路とを電気的に接続するか否かを選択するビット線駆動回路と、
前記記憶素子に書き込みをするか否かを選択するワード線駆動回路とを有し、
前記記憶素子への書き込み時に前記記憶素子に流れる電流は前記電源入力端子から前記書き込み回路を介して供給され、
前記抵抗部は前記電流の経路上に設けられている
ことを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項３】
低抵抗状態と高抵抗状態を有する記憶素子と、
書き込み回路と、
読み出し回路と、
抵抗部と、
前記書き込み回路へ書き込み電圧を入力する電源入力端子と、
前記記憶素子と前記書き込み回路もしくは前記読み出し回路とを電気的に接続するか否かを選択するビット線駆動回路と、
前記記憶素子に書き込みをするか否かを選択するワード線駆動回路とを有し、
前記記憶素子への書き込み時に前記記憶素子に流れる電流は前記電源入力端子から前記書き込み回路を介して供給され、
前記抵抗部は前記電流の経路上で、なおかつ前記読み出し時に前記記憶素子に流れる電流の経路外に設けられている
ことを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項４】
低抵抗状態と高抵抗状態を有する記憶素子と、
書き込み回路と、
抵抗部と、
前記書き込み回路へ書き込み電圧を入力する電源入力端子と、
前記記憶素子と前記書き込み回路とを電気的に接続するか否かを選択するビット線駆動回路と、
前記記憶素子に書き込みをするか否かを選択するワード線駆動回路とを有し、
前記ビット線駆動回路はビット線を介して前記記憶素子と電気的に接続され、
前記記憶素子への書き込み時には前記記憶素子に電気的に接続されたビット線と前記電源入力端子との間に書き込み電圧が伝達される電気経路が形成され、
前記抵抗部は前記電気経路上に設けられている
ことを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項５】
低抵抗状態と高抵抗状態を有する記憶素子を含むメモリセルと、
書き込み回路と、
抵抗部と、
前記書き込み回路へ書き込み電圧を入力する電源入力端子と、
前記記憶素子と前記書き込み回路とを電気的に接続するか否かを選択するビット線駆動回路と、
前記記憶素子に書き込みをするか否かを選択するワード線駆動回路とを有し、
前記記憶素子の第１の電極はビット線を介して前記ビット線駆動回路と電気的に接続され、
前記記憶素子の第２の電極はワード線を介して前記ワード線駆動回路と電気的に接続され、
前記抵抗部は前記電源入力端子と前記メモリセルとの間に前記記憶素子に対し直列に設けられている
ことを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項６】
請求項５において、
前記メモリセルは前記記憶素子と直列接続されたダイオードを有することを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記記憶素子は、前記書き込みにより前記高抵抗状態から前記低抵抗状態に移行する素子であることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項８】
メモリセルと、
書き込み回路と、
抵抗部と、
前記書き込み回路へ書き込み電圧を入力する電源入力端子と、
前記記憶素子と前記書き込み回路とを電気的に接続するか否かを選択するビット線駆動回路と、
前記記憶素子に書き込みをするか否かを選択するワード線駆動回路とを有し、
前記メモリセルは低抵抗状態と高抵抗状態を有する記憶素子とトランジスタとを有し、
前記ビット線駆動回路はビット線及び前記トランジスタを介して前記記憶素子と電気的に接続され、
前記ワード線駆動回路はワード線を介して前記トランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記記憶素子は前記電源入力端子から電位を供給することにより前記高抵抗状態から前記低抵抗状態へと移行し、
前記抵抗部は前記電源入力端子と前記メモリセルとの間に前記記憶素子に対し直列に設けられていることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項９】
請求項５、請求項６、及び請求項８のいずれか一項において、
前記メモリセルを複数有することを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記抵抗部は前記書き込み回路内に設けられていることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記抵抗部は、半導体層によって構成される抵抗素子、金属薄膜、ダイオード接続されたトランジスタ、もしくはゲート電極を制御されたトランジスタであることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項１２】
請求項１乃至請求１１のいずれか一項において、
前記抵抗部の実効抵抗は、前記記憶素子の前記高抵抗状態における実効抵抗値の１／３以下であることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項１３】
請求項１乃至１１のいずれか一項において、
前記抵抗部の実効抵抗は、前記記憶素子の前記高抵抗状態における実効抵抗値の１／１０以下であることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一項において、
前記抵抗部の実効抵抗は、前記記憶素子の前記低抵抗状態における実効抵抗値の等倍以上であることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項１５】
請求項１乃至１３のいずれか一項において、
前記抵抗部の実効抵抗は、前記記憶素子の前記低抵抗状態における実効抵抗値の３倍以上であることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか一項において、
前記記憶素子の前記高抵抗状態と前記低抵抗状態とでは１０倍以上の抵抗比を有することを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のいずれか一項において、
少なくとも前記不揮発性メモリと、アンテナとを有し、無線通信を行うことを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１７において、
さらにバッテリーを有することを特徴とする半導体装置。