【手続補正書】
【提出日】平成22年6月15日(2010.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
再書き込み可能な不揮発性半導体メモリに記憶されているビットデータが変化して発生するビットエラーの予防方法であって、
前記不揮発性半導体メモリに記憶されている記憶データが、ホストシステムによって読み出される際に、ビットエラーに関連するリペア条件を満たすか否かを調べる判定工程と、
読み出された前記記憶データが前記リペア条件を満たす場合に、読み出された前記記憶データを前記不揮発性半導体メモリに書き戻す書き込み工程と、
を含み、
前記リペア条件が、予め設定された閾値によって条件付けられており、
前記判定工程は、
前記記憶データの読み出しに先立って前記閾値を読み出す工程と、
読み出される前記記憶データの、前記閾値に対応する比較値が、前記閾値を超えているか否かを調べる比較値判定工程と、
を含み、
前記書き込み工程は、前記比較値が前記閾値を超えている場合に、読み出された前記記憶データを前記不揮発性半導体メモリに書き戻すことを特徴とするビットエラーの予防方法。
【請求項２】
請求項１に記載のビットエラーの予防方法であって、
前記ホストシステムの読み出し要求に応じて、前記記憶データを一時記憶データとして一時記憶部に記憶する工程、
を含み、
前記比較値判定工程は、前記一時記憶データが前記一時記憶部に記憶されたときに、前記比較値が前記閾値を超えているか否かを調べ、
前記書き込み工程は、前記比較値が前記閾値を超えている場合に、前記一時記憶データを前記不揮発性半導体メモリに書き戻すことを特徴とするビットエラーの予防方法。
【請求項３】
請求項２に記載のビットエラーの予防方法であって、
前記一時記憶データが前記一時記憶部に記憶されたときに、前記一時記憶データにエラーがあるか否かを調べる工程と、
前記一時記憶データにエラーがある場合に、前記一時記憶データのエラーを訂正する工程と、
を含み、
前記書き込み工程は、エラーの訂正が行われた前記一時記憶データを前記不揮発性半導体メモリに書き戻すことを特徴とするビットエラーの予防方法。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のビットエラーの予防方法であって、
前記不揮発性半導体メモリが、前記記憶データが記憶される記憶領域と、エラー訂正データが記憶される冗長領域とを有し、
前記閾値が、前記冗長領域に設定されていることを特徴とするビットエラーの予防方法。
【請求項５】
請求項４に記載のビットエラーの予防方法であって、
前記記憶領域が、ビットエラーに関する特性に基づいて複数の要素記憶領域に区分されており、
前記閾値が、前記要素記憶領域別に設定されていることを特徴とするビットエラーの予防方法。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のビットエラーの予防方法であって、
前記閾値が、前記記憶データの読み出し回数、または、読み出された前記記憶データに含まれるビットエラー数、または、読み出された前記記憶データのビットエラーの累積発生回数、の少なくともいずれか一つを含むことを特徴とするビットエラーの予防方法。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のビットエラーの予防方法であって、
所定のタイミングで、前記記憶データが記憶されている前記不揮発性半導体メモリの記憶領域に対して読み出しを行う工程、
を含むことを特徴とするビットエラーの予防方法。
【請求項８】
請求項７に記載のビットエラーの予防方法であって、
前記所定のタイミングが、電源投入時または電源切断時であることを特徴とするビットエラーの予防方法。
【請求項９】
請求項７または請求項８に記載のビットエラーの予防方法であって、
前記読み出しを行う工程が、不揮発性半導体メモリの記憶領域の全域もしくは一部領域に対して読み出しを行うことを特徴とするビットエラーの予防方法。
【請求項１０】
請求項１ないし請求項９のいずれかに記載のビットエラーの予防方法であって、
前記ビットエラーが、リードディスターブエラーを含むことを特徴とするビットエラーの予防方法。
【請求項１１】
再書き込み可能な不揮発性半導体メモリと、
前記不揮発性半導体メモリに記憶されている記憶データを読み出す読み出し手段と、
前記読み出し手段によって読み出される前記記憶データが、ビットエラーに関連するリペア条件を満たすか否かを調べる判定手段と、
読み出された前記記憶データが前記リペア条件を満たす場合に、読み出された前記記憶データを前記不揮発性半導体メモリに書き戻す書き込み手段と、
を備え、
前記リペア条件が、予め設定された閾値によって条件付けられており、
前記判定手段は、
前記記憶データの読み出しに先立って前記閾値を読み出す手段と、
読み出される前記記憶データの、前記閾値に対応する比較値が、前記閾値を超えているか否かを調べる比較値判定手段と、
を含み、
前記書き込み手段は、前記比較値が前記閾値を超えている場合に、読み出された前記記憶データを前記不揮発性半導体メモリに書き戻すことを特徴とする情報処理装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の情報処理装置であって、さらに、
前記読み出し手段の読み出し要求に応じて、一時記憶データとして前記記憶データを一時的に記憶する一時記憶部、
を備え、
前記比較値判定手段は、前記一時記憶データが前記一時記憶部に記憶されたときに、前記比較値が前記閾値を超えているか否かを調べ、
前記書き込み手段は、前記比較値が前記閾値を超えている場合に、前記一時記憶データを前記不揮発性半導体メモリに書き戻すことを特徴とする情報処理装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の情報処理装置であって、さらに、
前記一時記憶データが前記一時記憶部に記憶されたときに、前記一時記憶データにエラーがあるか否かを調べ、前記一時記憶データにエラーがある場合に、前記一時記憶データのエラーを訂正するエラー訂正部、
を備え、
前記書き込み手段は、エラーの訂正が行われた前記一時記憶データを前記不揮発性半導体メモリに書き戻すことを特徴とする情報処理装置。
【請求項１４】
請求項１１ないし請求項１３のいずれかに記載の情報処理装置であって、
前記不揮発性半導体メモリが、前記記憶データが記憶される記憶領域と、エラー訂正データが記憶される冗長領域とを有し、
前記閾値が、前記冗長領域に設定されていることを特徴とする情報処理装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載の情報処理装置であって、
前記記憶領域が、ビットエラーに関する特性に基づいて複数の要素記憶領域に区分されており、
前記閾値が、前記要素記憶領域別に設定されていることを特徴とする情報処理装置。
【請求項１６】
請求項１１ないし請求項１５のいずれかに記載の情報処理装置であって、
前記閾値が、前記記憶データの読み出し回数、または、読み出された前記記憶データに含まれるビットエラー数、または、読み出された前記記憶データのビットエラーの累積発生回数、の少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする情報処理装置。
【請求項１７】
請求項１１ないし請求項１６のいずれかに記載の情報処理装置であって、
前記読み出し手段は、所定のタイミングで、前記記憶データが記憶されている前記不揮発性半導体メモリの記憶領域に対して読み出すことを特徴とする情報処理装置。
【請求項１８】
請求項１７に記載の情報処理装置であって、
前記所定のタイミングが、電源投入時または電源切断時であることを特徴とする情報処理装置。
【請求項１９】
請求項１７または請求項１８に記載の情報処理装置であって、
前記読み出し手段が、不揮発性半導体メモリの記憶領域の全域もしくは一部領域に対して読み出しを行うことを特徴とする情報処理装置。
【請求項２０】
請求項１１ないし請求項１９のいずれかに記載の情報処理装置であって、
前記ビットエラーが、リードディスターブエラーを含むことを特徴とする情報処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項１に記載の本発明は、再書き込み可能な不揮発性半導体メモリに記憶されているビットデータが変化して発生するビットエラーの予防方法であって、前記不揮発性半導体メモリに記憶されている記憶データが、ホストシステムによって読み出される際に、ビットエラーに関連するリペア条件を満たすか否かを調べる判定工程と、読み出された前記記憶データが前記リペア条件を満たす場合に、読み出された前記記憶データを前記不揮発性半導体メモリに書き戻す書き込み工程と、を含み、前記リペア条件が、予め設定された閾値によって条件付けられており、前記判定工程は、前記記憶データの読み出しに先立って前記閾値を読み出す工程と、読み出される前記記憶データの、前記閾値に対応する比較値が、前記閾値を超えているか否かを調べる比較値判定工程と、を含み、前記書き込み工程は、前記比較値が前記閾値を超えている場合に、読み出された前記記憶データを前記不揮発性半導体メモリに書き戻すことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項２に記載の本発明は、請求項１に記載のビットエラーの予防方法であって、前記ホストシステムの読み出し要求に応じて、前記記憶データを一時記憶データとして一時記憶部に記憶する工程、を含み、前記比較値判定工程は、前記一時記憶データが前記一時記憶部に記憶されたときに、前記比較値が前記閾値を超えているか否かを調べ、前記書き込み工程は、前記比較値が前記閾値を超えている場合に、前記一時記憶データを前記不揮発性半導体メモリに書き戻すことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項３に記載の本発明は、請求項２に記載のビットエラーの予防方法であって、前記一時記憶データが前記一時記憶部に記憶されたときに、前記一時記憶データにエラーがあるか否かを調べる工程と、前記一時記憶データにエラーがある場合に、前記一時記憶データのエラーを訂正する工程と、を含み、前記書き込み工程は、エラーの訂正が行われた前記一時記憶データを前記不揮発性半導体メモリに書き戻すことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項４に記載の本発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のビットエラーの予防方法であって、前記不揮発性半導体メモリが、前記記憶データが記憶される記憶領域と、エラー訂正データが記憶される冗長領域とを有し、前記閾値が、前記冗長領域に設定されていることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項５に記載の本発明は、請求項４に記載のビットエラーの予防方法であって、前記記憶領域が、ビットエラーに関する特性に基づいて複数の要素記憶領域に区分されており、前記閾値が、前記要素記憶領域別に設定されていることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項６記載の本発明は、請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のビットエラーの予防方法であって、前記閾値が、前記記憶データの読み出し回数、または、読み出された前記記憶データに含まれるビットエラー数、または、読み出された前記記憶データのビットエラーの累積発生回数、の少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項７記載の本発明は、請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のビットエラーの予防方法であって、所定のタイミングで、前記記憶データが記憶されている前記不揮発性半導体メモリの記憶領域に対して読み出しを行う工程、を含むことを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
請求項８に記載の本発明は、請求項７に記載のビットエラーの予防方法であって、前記所定のタイミングが、電源投入時または電源切断時であることを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
請求項９に記載の本発明は、請求項７または請求項８に記載のビットエラーの予防方法であって、前記読み出しを行う工程が、不揮発性半導体メモリの記憶領域の全域もしくは一部領域に対して読み出しを行うことを特徴とする。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
請求項１０に記載の本発明は、請求項１ないし請求項９のいずれかに記載のビットエラーの予防方法であって、前記ビットエラーが、リードディスターブエラーを含むことを特徴とする。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
請求項１１に記載の本発明は、情報処理装置であって、再書き込み可能な不揮発性半導体メモリと、前記不揮発性半導体メモリに記憶されている記憶データを読み出す読み出し手段と、前記読み出し手段によって読み出される前記記憶データが、ビットエラーに関連するリペア条件を満たすか否かを調べる判定手段と、読み出された前記記憶データが前記リペア条件を満たす場合に、読み出された前記記憶データを前記不揮発性半導体メモリに書き戻す書き込み手段と、を備え、前記リペア条件が、予め設定された閾値によって条件付けられており、前記判定手段は、前記記憶データの読み出しに先立って前記閾値を読み出す手段と、読み出される前記記憶データの、前記閾値に対応する比較値が、前記閾値を超えているか否かを調べる比較値判定手段と、を含み、前記書き込み手段は、前記比較値が前記閾値を超えている場合に、読み出された前記記憶データを前記不揮発性半導体メモリに書き戻すことを特徴とする。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
請求項１２に記載の本発明は、請求項１１に記載の情報処理装置であって、さらに、
前記読み出し手段の読み出し要求に応じて、一時記憶データとして前記記憶データを一時的に記憶する一時記憶部、を備え、前記比較値判定手段は、前記一時記憶データが前記一時記憶部に記憶されたときに、前記比較値が前記閾値を超えているか否かを調べ、前記書き込み手段は、前記比較値が前記閾値を超えている場合に、前記一時記憶データを前記不揮発性半導体メモリに書き戻すことを特徴とする。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
請求項１３に記載の本発明は、請求項１２に記載の情報処理装置であって、さらに、前記一時記憶データが前記一時記憶部に記憶されたときに、前記一時記憶データにエラーがあるか否かを調べ、前記一時記憶データにエラーがある場合に、前記一時記憶データのエラーを訂正するエラー訂正部、を備え、前記書き込み手段は、エラーの訂正が行われた前記一時記憶データを前記不揮発性半導体メモリに書き戻すことを特徴とする。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
請求項１４に記載の本発明は、請求項１１ないし請求項１３のいずれかに記載の情報処理装置であって、前記不揮発性半導体メモリが、前記記憶データが記憶される記憶領域と、エラー訂正データが記憶される冗長領域とを有し、前記閾値が、前記冗長領域に設定されていることを特徴とする。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
請求項１５に記載の本発明は、請求項１４に記載の情報処理装置であって、前記記憶領域が、ビットエラーに関する特性に基づいて複数の要素記憶領域に区分されており、前記閾値が、前記要素記憶領域別に設定されていることを特徴とする。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
請求項１６に記載の本発明は、請求項１１ないし請求項１５のいずれかに記載の情報処理装置であって、前記閾値が、前記記憶データの読み出し回数、または、読み出された前記記憶データに含まれるビットエラー数、または、読み出された前記記憶データのビットエラーの累積発生回数、の少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
請求項１７に記載の本発明は、請求項１１ないし請求項１６のいずれかに記載の情報処理装置であって、前記読み出し手段は、所定のタイミングで、前記記憶データが記憶されている前記不揮発性半導体メモリの記憶領域に対して読み出すことを特徴とする。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
請求項１８に記載の本発明は、請求項１７に記載の情報処理装置であって、前記所定のタイミングが、電源投入時または電源切断時であることを特徴とする。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
請求項１９に記載の本発明は、請求項１７または請求項１８に記載の情報処理装置であって、前記読み出し手段が、不揮発性半導体メモリの記憶領域の全域もしくは一部領域に対して読み出しを行うことを特徴とする。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
請求項２０に記載の本発明は、請求項１１ないし請求項１９のいずれかに記載の情報処理装置であって、前記ビットエラーが、リードディスターブエラーを含むことを特徴とする。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】