【手続補正書】
【提出日】平成22年8月31日(2010.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体チップと、
前記第１の半導体チップと電気的に接続された配線パターンと、
前記第１の半導体チップと対向する前記配線パターンの第１の面の反対側に位置する前記配線パターンの第２の面を露出するように、前記第１の半導体チップを封止する第１の封止樹脂と、
前記配線パターンの第２の面と対向するように配置され、前記配線パターンと電気的に接続された第２の半導体チップと、を備えたことを特徴とする半導体チップ積層構造体。
【請求項２】
前記第２の半導体チップは、前記配線パターンに対してフリップチップ接続されており、
前記第２の半導体チップと前記配線パターン及び前記第１の封止樹脂との間に、前記第２の半導体チップと前記配線パターン及び前記第１の封止樹脂とを接着する樹脂を設けたことを特徴とする請求項１記載の半導体チップ積層構造体。
【請求項３】
前記第１の半導体チップは、前記配線パターンに対してフリップチップ接続されていることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体チップ積層構造体。
【請求項４】
前記配線パターンの第１の面に設けられた部分の前記第１の封止樹脂を貫通すると共に、前記配線パターンと接続された貫通電極を設けたことを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか一項記載の半導体チップ積層構造体。
【請求項５】
前記配線パターンと接続された側とは反対側の前記貫通電極の端部に、外部接続端子を設けたことを特徴とする請求項１ないし４のうち、いずれか一項記載の半導体チップ積層構造体。
【請求項６】
前記配線パターンの第１の面に設けられた部分の前記第１の封止樹脂に、前記配線パターンの第１の面を露出する開口部を設けたことを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか一項記載の半導体チップ積層構造体。
【請求項７】
請求項１ないし６のうち、いずれか一項記載の半導体チップ積層構造体を複数有し、
複数の前記半導体チップ積層構造体を積み重ねて配置すると共に、前記複数の半導体チップ積層構造体に設けられた前記配線パターンを電気的に接続する導電部材を設けたことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
前記導電部材は、対向する２つの前記半導体チップ積層構造体に設けられた前記配線パターンと接触するように、前記対向する２つの半導体チップ積層構造体に設けられた前記配線パターンの間に配置したことを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
対向する２つの前記半導体チップ積層構造体は、
それぞれの前記半導体チップ積層構造体に設けられた前記第２の半導体チップ同士が対向するように配置され、かつ、それぞれの前記半導体チップ積層構造体に設けられた前記配線パターンの前記第２の面同士が、前記導電部材により電気的に接続されていることを特徴とする請求項８記載の半導体装置。
【請求項１０】
対向する２つの前記半導体チップ積層構造体は、
一の前記半導体チップ積層構造体に設けられた前記第１の半導体チップと、他の前記半導体チップ積層構造体に設けられた前記第２の半導体チップとが対向するように配置され、かつ、前記一の半導体チップ積層構造体に設けられた前記配線パターンの前記第１の面と、前記他の半導体チップ積層構造体に設けられた前記配線パターンの前記第２の面とが、前記導電部材により電気的に接続されていることを特徴とする請求項８記載の半導体装置。
【請求項１１】
積み重ねられた前記複数の半導体チップ積層構造体のうち、最下層に配置された前記半導体チップ積層構造体は、前記貫通電極を有することを特徴とする請求項７ないし１０のうち、一項記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記第１の封止樹脂から露出された前記貫通電極の端部を露出するように、前記積み重ねられた複数の半導体チップ積層構造体を封止する第２の封止樹脂を設けたことを特徴とする請求項１１記載の半導体装置。
【請求項１３】
第１半導体チップ及び第２半導体チップを有する半導体チップ積層構造体の製造方法において、
導電性を有する支持体の上面に配線パターンを形成する工程と、
前記第１の半導体チップと前記配線パターンとを接続する工程と、
前記配線パターンの一部を露出する開口部を有した封止樹脂により、前記配線パターンと、前記第１の半導体チップとを封止する工程と、
前記支持体を除去する工程と、
前記支持体を除去した面の前記配線パターンと前記第２の半導体チップとを接続する第２の半導体チップ接続工程と、を有する半導体チップ積層構造体の製造方法。
【請求項１４】
前記開口部に貫通電極を形成する工程を有することを特徴とする請求項１３記載の半導体チップ積層構造体の製造方法。
【請求項１５】
前記第２の半導体チップ接続工程の前に、前記封止樹脂から露出したパッドに検査装置の端子を接触させて前記第１の半導体チップの電気的検査を行う工程を有することを特徴とする請求項１３又は１４記載の半導体チップ積層構造体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体チップ積層構造体とその製造方法及び半導体装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、複数の半導体チップを備えた半導体チップ積層構造体とその製造方法及び半導体装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
そこで本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、歩留まりを向上させることができると共に、小型化を図ることのできる半導体チップ積層構造体とその製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、厚さ方向のサイズが小型化された半導体チップ積層構造体を積み重ねることにより、半導体装置の厚さ方向のサイズを小型化することができる。
本発明の他の観点によれば、第１半導体チップ及び第２半導体チップを有する半導体チップ積層構造体の製造方法において、導電性を有する支持体の上面に配線パターンを形成する工程と、前記第１の半導体チップと前記配線パターンとを接続する工程と、前記配線パターンの一部を露出する開口部を有した封止樹脂により、前記配線パターンと、前記第１の半導体チップとを封止する工程と、前記支持体を除去する工程と、前記支持体を除去した面の前記配線パターンと前記第２の半導体チップとを接続する第２の半導体チップ接続工程と、を有する半導体チップ積層構造体の製造方法が提供される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
図１８を参照するに、第１の実施の形態の第３変形例に係る半導体装置７５は、第１の実施の形態の半導体装置６５に設けられた半導体チップ積層構造体５５の代わりに、半導体チップ積層構造体４０上に半導体チップ積層構造体５０（図７参照）と、半導体チップ積層構造体４５（図６参照）とを順次積み重ね、積み重ねられた半導体チップ積層構造体４０，４５，５０を第２の封止樹脂６６で封止した以外は半導体装置６５と同様に構成される。第２の封止樹脂６６は、外部接続端子１７が配設される側の第１の封止樹脂１４の面を露出するように配設されている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１３】
図２２を参照するに、第２の実施の形態の半導体チップ積層構造体８０は、第１の実施の形態の半導体チップ積層構造体１０に設けられた第２の半導体チップ１８の代わりに第２の半導体チップ８２，８３を設けると共に、さらに配線パターン８１を設けた以外は半導体チップ積層構造体１０と同様に構成される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５１】
なお、導電部材４１の代わりに図１７で説明した導電部材７１を設けて、導電部材７１により、半導体チップ積層構造体１００に設けられたパッド２４と半導体チップ積層構造体１１５に設けられたパッド２４とを電気的に接続してもよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６３】
本発明は、複数の半導体チップを備えた半導体チップ積層構造体とその製造方法及び半導体装置に適用できる。