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【手続補正書】
【提出日】平成22年2月12日(2010.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板における第１の活性領域上に形成された第１導電型の第１のＭＩＳトランジスタと第２の活性領域上に形成された第２導電型の第２のＭＩＳトランジスタとを備えた半導体装置において、
前記第１のＭＩＳトランジスタは、
前記第１の活性領域上に形成された第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜上に形成された第１の金属膜、及び、前記第１の金属膜上に形成された第１のシリコン膜を含む第１のゲート電極と、
前記第２のＭＩＳトランジスタは、
前記第２の活性領域上に形成された第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜上に形成された前記第１の金属膜、前記第１の金属膜上に接して形成された第２の金属膜、及び、前記第２の金属膜の上に形成された第２のシリコン膜を含む第２のゲート電極とを備え、
前記第１の金属膜と前記第２の金属膜とは、互いに同じ金属材料又は金属化合物材料からなる、半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１の金属膜の密度は、前記第２の金属膜の密度よりも小さい、半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体装置において、
前記第１の金属膜の膜厚は、１ｎｍ以上であって且つ５ｎｍ以下であり、
前記第２のゲート電極における前記第１の金属膜及び前記第２の金属膜の膜厚の合計は、１０ｎｍ〜２０ｎｍである、半導体装置。
【請求項４】
請求項１〜３のうちのいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記第１のゲート絶縁膜と前記第２のゲート絶縁膜とは、互いに同じ絶縁材料からなる、半導体装置。
【請求項５】
請求項１〜４のうちのいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記第１のゲート絶縁膜及び前記第２のゲート絶縁膜は、下地膜と前記下地膜上に形成された高誘電率膜を含む、半導体装置。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置において、
前記下地膜は、膜厚が０．８ｎｍ〜１．０ｎｍのシリコン酸化膜からなり、
前記高誘電率膜は、比誘電率が１０以上の金属酸化物からなる、半導体装置。
【請求項７】
請求項１〜６のうちのいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記第１のゲート電極は、前記第１のシリコン膜の上部に形成された第１のシリサイド膜をさらに備えており、
前記第２のゲート電極は、前記第２のシリコン膜の上部に形成された第２のシリサイド膜をさらに備えている、半導体装置。
【請求項８】
請求項１〜７のうちのいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記第１のゲート電極は、前記第１の金属膜上に前記第１のシリコン膜が接して形成されている、半導体装置。
【請求項９】
請求項１〜７のうちのいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記第１のゲート電極は、
前記第１の金属膜の上に形成された導電膜と、
前記導電膜と前記第１のシリコン膜との間に形成された前記第２の金属膜とをさらに備えている、半導体装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体装置において、
前記導電膜は、シリコン膜からなる、半導体装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のうちのいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記半導体基板上に、前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極を覆うように形成された絶縁膜をさらに備えている、半導体装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の半導体装置において、
前記第１のゲート電極の側面上に形成された断面形状がＬ字状の第１のサイドウォールと、
前記第２のゲート電極の側面上に形成された断面形状がＬ字状の第２のサイドウォールとをさらに備え、
前記絶縁膜は、前記第１のサイドウォール及び前記第２のサイドウォールの上に接して形成されている、半導体装置。
【請求項１３】
請求項１〜１２のうちいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記第１のＭＩＳトランジスタは、ｎ型ＭＩＳトランジスタであり、
前記第２のＭＩＳトランジスタは、ｐ型ＭＩＳトランジスタである、半導体装置。
【請求項１４】
半導体基板における第１の活性領域上に形成された第１導電型の第１のＭＩＳトランジスタと第２の活性領域上に形成された第２導電型の第２のＭＩＳトランジスタとを有する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板に、素子分離領域によって囲まれた前記第１の活性領域と前記第２の活性領域とを形成する工程（ａ）と、
前記第１の活性領域及び前記第２の活性領域上に、ゲート絶縁膜形成膜、第１の金属膜及び第２の金属膜をこの順で形成する工程（ｂ）と、
前記第１の活性領域上に形成された前記第２の金属膜を除去する工程（ｃ）と、
前記工程（ｃ）の後に、前記半導体基板の上にシリコン膜を形成する工程（ｄ）と、
前記工程（ｄ）の後に、パターニングを行うことにより、前記第１の活性領域上に、前記ゲート絶縁膜形成膜からなる第１のゲート絶縁膜と、前記第１の金属膜と、前記シリコン膜とを含む第１のゲート電極形成部を形成すると共に、前記第２の活性領域上に、前記ゲート絶縁膜形成膜からなる第２のゲート絶縁膜と、前記第１の金属膜と、前記第２の金属膜と、前記シリコン膜とを含む第２のゲート電極形成部を形成する工程（ｅ）とを備え、
前記第１の金属膜と前記第２の金属膜とは、互いに同じ金属材料又は金属化合物材料からなる、半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の金属膜の密度は、前記第２の金属膜の密度よりも小さい、半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
半導体基板における第１の活性領域上に形成された第１導電型の第１のＭＩＳトランジスタと第２の活性領域上に形成された第２導電型の第２のＭＩＳトランジスタとを有する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板に、素子分離領域によって囲まれた前記第１の活性領域と前記第２の活性領域とを形成する工程（ａ）と、
前記第１の活性領域及び前記第２の活性領域上に、ゲート絶縁膜形成膜、第１の金属膜及び導電膜をこの順で形成する工程（ｂ）と、
前記第２の活性領域上に形成された前記導電膜を除去する工程（ｃ）と、
前記工程（ｃ）の後に、前記第１の活性領域における前記導電膜の上及び前記第２の活性領域における前記第１の金属膜の上に、第２の金属膜を形成する工程（ｄ）と、
前記工程（ｄ）の後に、前記半導体基板の上にシリコン膜を形成する工程（ｅ）と、
前記工程（ｅ）の後に、パターニングを行うことにより、前記第１の活性領域上に、前記ゲート絶縁膜形成膜からなる前記第１のゲート絶縁膜と、前記第１の金属膜と、前記導電膜と、前記第２の金属膜と、前記シリコン膜とを含む第１のゲート電極形成部を形成すると共に、前記第２の活性領域上に、前記ゲート絶縁膜形成膜からなる前記第２のゲート絶縁膜と、前記第１の金属膜と、前記第２の金属膜と、前記シリコン膜とを含む第２のゲート電極形成部を形成する工程（ｆ）とを備え、
前記第１の金属膜と前記第２の金属膜とは、互いに同じ金属材料又は金属化合物材料からなる、半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の金属膜の密度は、前記第２の金属膜の密度よりも小さい、半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月20日(2010.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体からなる第１の層と、
第２導電型の半導体からなる第２の層と、
前記第１の層と前記第２の層との間に設けられた多重量子井戸を含む活性層であって、前記多重量子井戸のそれぞれの障壁層内の第１導電型の不純物濃度は略平坦な分布であるかまたは前記第２の層に向かって増加し、前記多重量子井戸のそれぞれの井戸層からみて前記第２の層側の障壁層の不純物濃度の平均値は前記第１の層側の障壁層の不純物濃度の平均値以上であり、前記第２の層に最も近い障壁層の不純物濃度の平均値は前記第１の層に最も近い障壁層の不純物濃度の平均値よりも高い活性層と、
を備えたことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記活性層は、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（但し、０．０５≦ｘ≦１）からなる前記井戸層と、ＩｎｙＧａ１−ｙＮ（但し、０≦ｙ≦１且つｘ＞ｙ）からなる前記障壁層と、を有し、
前記第１の層は、ＡｌｔＧａ１−ｔＮ（但し、０≦ｔ≦１．０）からなり、
前記第２の層は、ＡｌｕＧａ１−ｕＮ（但し、０≦ｕ≦１．０）からなることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記第１導電型は、ｎ型であることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記障壁層の不純物濃度は、前記第１の層の不純物濃度以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項５】
前記障壁層の幅は、５ｎｍ以上２５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項６】
前記井戸層の数は、６以上１２以下であり、
前記障壁層における第１導電型の不純物濃度の平均値は、１×１０１８ｃｍ−３以上２×１０１９ｃｍ−３以下の範囲であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項７】
前記多重量子井戸は、第１導電型の不純物濃度が略平坦な分布である前記障壁層と、第１導電型の不純物濃度が前記第２の層に向かって増加する前記障壁層と、を有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項８】
前記多重量子井戸の全ての障壁層内の第１導電型の不純物濃度の平均値は、前記第２の層に向かって増加することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月8日(2010.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記第１の低域通過フィルタの時定数をτ１とし、
前記エリアセンサからの１フレームの読み出しに必要な時間をＴｆとし、
前記エリアセンサのゲート線の本数をｎとしたときに、
６・τ１≦Ｔｆ／ｎの関係が満たされていることを特徴とする請求項２又は３に記載の読み出し装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月21日(2009.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原稿画像内の正対していない２次元コードである第１の２次元コードを復号化する復号化手段と、
前記復号化により得られた情報を用いて、正対した２次元コードである第２の２次元コードを作成し、前記第２の２次元コードを印刷画像に合成する合成手段と、
前記第１の２次元コードの回転角を算出する算出手段とを有し、
前記合成手段は、前記第１の２次元コードの回転角が、閾長から決まる回転角閾値より大きいかどうかを判定し、前記第１の２次元コードの回転角が前記回転角閾値より大きい場合に、前記第２の２次元コードを前記回転角だけ回転して前記印刷画像に合成し、前記第１の２次元コードの回転角が前記回転角閾値以下の場合に、前記第２の２次元コードを回転せずに前記印刷画像に合成し、
前記回転角閾値（θ）は、前記第１の２次元コードの一辺の長さをＡ［ｍｍ］とし、前記閾長をＺ［ｍｍ］として、Ａ（ｓｉｎθ＋ｃｏｓθ−１）≦Ｚを満たす値であることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記印刷画像は、前記原稿画像から前記第１の２次元コードが削除されて得られた画像であることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記合成手段は、前記第２の２次元コードを前記印刷画像に合成するにあたって、前記第１の２次元コードの外接矩形領域を算出し、当該算出された外接矩形領域内に、前記第２の２次元コードを合成することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記第２の２次元コードを前記印刷画像に合成するにあたって、前記第１の２次元コードの外接矩形領域の画素の色を変化させることを特徴とする請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記合成手段は、前記第２の２次元コードを前記印刷画像に合成するにあたって、前記第１の２次元コードの外接矩形領域に基づく領域を算出し、当該算出された前記基づく領域内に、前記第２の２次元コードを合成することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記第２の２次元コードを前記印刷画像に合成するにあたって、前記第１の２次元コードの外接矩形領域に基づく領域の画素の色を変化させることを特徴とする請求項５に記載の画像形成装置。
【請求項７】
原稿画像内の正対していない２次元コードである第１の２次元コードを復号化する復号化ステップと、
前記復号化により得られた情報を用いて、正対した２次元コードである第２の２次元コードを作成し、前記第２の２次元コードを印刷画像に合成する合成ステップと、
前記第１の２次元コードの回転角を算出する算出ステップとを有し、
前記合成ステップは、前記第１の２次元コードの回転角が、閾長から決まる回転角閾値より大きいかどうかを判定し、前記第１の２次元コードの回転角が前記回転角閾値より大きい場合に、前記第２の２次元コードを前記回転角だけ回転して前記印刷画像に合成し、前記第１の２次元コードの回転角が前記回転角閾値以下の場合に、前記第２の２次元コードを回転せずに前記印刷画像に合成し、
前記回転角閾値（θ）は、前記第１の２次元コードの一辺の長さをＡ［ｍｍ］とし、前記閾長をＺ［ｍｍ］として、Ａ（ｓｉｎθ＋ｃｏｓθ−１）≦Ｚを満たす値であることを特徴とする画像形成方法。
【請求項８】
前記印刷画像は、前記原稿画像から前記第１の２次元コードが削除されて得られた画像であることを特徴とする請求項７に記載の画像形成方法。
【請求項９】
前記合成ステップは、前記第２の２次元コードを前記印刷画像に合成するにあたって、前記第１の２次元コードの外接矩形領域を算出し、当該算出された外接矩形領域内に、前記第２の２次元コードを合成することを特徴とする請求項７に記載の画像形成方法。
【請求項１０】
前記第２の２次元コードを前記印刷画像に合成するにあたって、前記第１の２次元コードの外接矩形領域の画素の色を変化させることを特徴とする請求項９に記載の画像形成方法。
【請求項１１】
前記合成ステップは、前記第２の２次元コードを前記印刷画像に合成するにあたって、前記第１の２次元コードの外接矩形領域に基づく領域を算出し、当該算出された前記基づく領域内に、前記第２の２次元コードを合成することを特徴とする請求項７に記載の画像形成方法。
【請求項１２】
前記第２の２次元コードを前記印刷画像に合成するにあたって、前記第１の２次元コードの外接矩形領域に基づく領域の画素の色を変化させることを特徴とする請求項１１に記載の画像形成方法。
【請求項１３】
請求項７乃至１２に記載の方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項１４】
請求項１３に記載のプログラムを記憶したコンピュータで読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成装置、画像形成方法、プログラムおよび記憶媒体
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、２次元コードを取り扱うことができる画像形成装置、画像形成方法、プログラムおよび記憶媒体に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明に係る画像形成装置は、原稿画像内の正対していない２次元コードである第１の２次元コードを復号化する復号化手段と、前記復号化により得られた情報を用いて、正対した２次元コードである第２の２次元コードを作成し、前記第２の２次元コードを印刷画像に合成する合成手段と、前記第１の２次元コードの回転角を算出する算出手段とを有し、前記合成手段は、前記第１の２次元コードの回転角が、閾長から決まる回転角閾値より大きいかどうかを判定し、前記第１の２次元コードの回転角が前記回転角閾値より大きい場合に、前記第２の２次元コードを前記回転角だけ回転して前記印刷画像に合成し、前記第１の２次元コードの回転角が前記回転角閾値以下の場合に、前記第２の２次元コードを回転せずに前記印刷画像に合成し、前記回転角閾値（θ）は、前記第１の２次元コードの一辺の長さをＡ［ｍｍ］とし、前記閾長をＺ［ｍｍ］として、Ａ（ｓｉｎθ＋ｃｏｓθ−１）≦Ｚを満たす値であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月7日(2010.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デジタル記録された本編コンテンツの指定、この本編コンテンツと共に１幕を構成する各種のコンテンツの指定、前記本編コンテンツと前記各種コンテンツの再生順序および再生開始条件、前記本編コンテンツと前記各種のコンテンツを再生出力する場合の上映機器および劇場設備機器の機器設定を１上映シーケンスデータとして登録可能な制御シーケンス設定装置と、
前記制御シーケンス設定装置に登録された１上映シーケンスデータに基づいて制御対象機器に対する制御指示を制御インターフェースを介して出力するプログラム実行装置と、
ネットワーク通信装置と、前記上映機器から送信された機器状態情報を記録する状態管理装置と、前記機器状態情報の内容または受信状況に基づいて機器異常を監視する緊急対応装置とを備え、
前記制御シーケンス設定装置により前記機器異常に対応する緊急シーケンスデータを登録可能とし、
前記ネットワーク通信装置を介して前記制御シーケンス設定装置に対し前記上映シーケンスデータを登録可能とし、
前記緊急対応装置が、検出した機器異常に対応する緊急シーケンスデータを前記プログラム実行装置に実行させるようにし、
前記ネットワーク通信装置を介して前記機器状態情報、ログ管理装置に記録された前記プログラム実行装置の処理履歴情報、及び前記機器異常の発生を示す機器異常情報のうち、１以上の情報を予め登録された通知先に送信可能とし、
前記ネットワーク通信装置の受信した制御指示により前記緊急対応装置が、検出した機器異常に対応する緊急シーケンスデータを実行するようにしたシアターコントロール装置。
【請求項２】
前記上映機器に遅れ時間をもって連動させる予備上映機器の設定を前記１上映シーケンスデータに登録可能とし、前記制御インターフェースに予備上映機器を接続可能とし、前記上映機器と前記予備上映機器の切り替え装置を設けた請求項１に記載のシアターコントロール装置。
【請求項３】
前記１上映シーケンスデータに前記上映機器としてフィルム映写機の指定を登録可能とし、前記制御インターフェースにフィルム映写機を接続可能とした請求項１又は２に記載のシアターコントロール装置。
【請求項４】
請求項１に記載のシアターコントロール装置と、このシアターコントロール装置とネットワークを介して接続された通信装置とを含み、前記通信装置と前記シアターコントロール装置との間で、前記制御シーケンス設定装置に登録される上映シーケンスデータを送受信可能に設けたシアターコントロールシステム。
【請求項５】
前記機器状態情報および前記処理履歴情報のうち、１以上の情報の取得要求を前記通信装置により前記シアターコントロール装置に送信可能とし、
前記シアターコントロール装置を、前記ネットワークを介して受信した取得要求に応じた情報を前記通信装置に送信するように設けた請求項４に記載のシアターコントロールシステム。
【請求項６】
前記通信装置と接続されており、前記シアターコントロール装置と前記通信装置との間で送受信される上映シーケンスデータと、前記通信装置の受信した前記機器状態情報および前記処理履歴情報のうち、１以上の情報とを蓄積するデータベース装置を備えた請求項５に記載のシアターコントロールシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月11日(2010.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
利用者が限定されない開放型ネットワークに専用線を介して接続された利用者が限定された所定サービスエリアのネットワークと、
前記利用者が限定された所定サービスエリアのネットワークに接続された複数の端末と、
前記各端末に備わる開放型ネットワークへの接続手段及び利用者が限定された所定サービスエリアのサービスの契約者認証手段と、
開放型ネットワーク又は利用者が限定された所定サービスエリアのネットワークのいずれかに接続されて契約者認証手段を備える前記端末との間で利用者が限定された所定サービスエリアのサービスのための情報を開放型ネットワークへの接続手段を用いて送受する第一のサーバと、
前記利用者が限定された所定サービスエリアのネットワークに接続された第二のサーバとを有する複数の住宅に提供されたサービス網であって、前記複数の住宅に設けられる集線装置において、
前記集線装置は、前記利用者が限定された所定サービスエリアのサービスの契約者世帯の宅内に備えられ、上位ポートが利用者が限定された所定サービスエリアのネットワークに接続され、下位ポートが前記端末側に接続され、
前記第二のサーバには、Ｗｅｂカメラ、部屋番号入力装置と暗証コード入力装置とを備えた宅配ボックス、テレビカメラを備えたインターホン機器のいずれか一つが接続されており、
前記第二のサーバから前記Ｗｅｂカメラで撮影した映像情報、又は前記宅配ボックスへの商品の収納情報、もしくはインターホン機器のテレビカメラで撮影された映像情報を、前記端末に供給するよう構成としたことを特徴とする集線装置。
【請求項２】
利用者が限定されない開放型ネットワークに専用線を介して接続された利用者が限定された所定サービスエリアのネットワークと、
前記利用者が限定された所定サービスエリアのネットワークに接続された複数の端末と、
前記各端末に備わる開放型ネットワークへの接続手段及び利用者が限定された所定サービスエリアのサービスの契約者認証手段と、
開放型ネットワーク又は利用者が限定された所定サービスエリアのネットワークのいずれかに接続されて契約者認証手段を備える前記端末との間で利用者が限定された所定サービスエリアのサービスのための情報を開放型ネットワークへの接続手段を用いて送受する第一のサーバと、
前記利用者が限定された所定サービスエリアのネットワークに接続された第二のサーバと、
複数の各住宅に設けられる集線装置と、を有して前記複数の住宅それぞれに設けられるサービス網において、
前記集線装置は、前記利用者が限定された所定サービスエリアのサービスの契約者世帯の宅内に備えられ、上位ポートが利用者が限定された所定サービスエリアのネットワークに接続され、下位ポートが前記端末側に接続され、
前記第二のサーバには、Ｗｅｂカメラ、部屋番号入力装置と暗証コード入力装置とを備えた宅配ボックス、テレビカメラを備えたインターホン機器のいずれか一つが接続されており、
前記第二のサーバから前記Ｗｅｂカメラで撮影した映像情報、又は前記宅配ボックスへの商品の収納情報、もしくはインターホン機器のテレビカメラで撮影された映像情報を、前記端末に供給するよう構成したことを特徴とするサービス網。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明はインターネットを利用してマンションや分譲団地の入居者にサービスを提供する集線装置及び利用者が所定サービスエリアのサービス網に関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に係る集線装置は、利用者が限定されない開放型ネットワークに専用線を介して接続された利用者が限定された所定サービスエリアのネットワークと、
前記利用者が限定された所定サービスエリアのネットワークに接続された複数の端末と、
前記各端末に備わる開放型ネットワークへの接続手段及び利用者が限定された所定サービスエリアのサービスの契約者認証手段と、
開放型ネットワーク又は利用者が限定された所定サービスエリアのネットワークのいずれかに接続されて契約者認証手段を備える前記端末との間で利用者が限定された所定サービスエリアのサービスのための情報を開放型ネットワークへの接続手段を用いて送受する第一のサーバと、
前記利用者が限定された所定サービスエリアのネットワークに接続された第二のサーバとを有する複数の住宅用に提供されたサービス網であって、前記複数の住宅に設けられる集線装置において、
前記集線装置は、前記利用者が限定された所定サービスエリアのサービスの契約者世帯の宅内に備えられ、上位ポートが利用者が限定された所定サービスエリアのネットワークに接続され、下位ポートが前記端末側に接続され、
前記第二のサーバには、Ｗｅｂカメラ、部屋番号入力装置と暗証コード入力装置とを備えた宅配ボックス、テレビカメラを備えたインターホン機器のいずれか一つが接続されており、
前記第二のサーバから前記Ｗｅｂカメラで撮影した映像情報、又は前記宅配ボックスへの商品の収納情報、もしくはインターホン機器のテレビカメラで撮影された映像情報を、前記端末に供給するよう構成とした、ことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係る契約サービス網は、利用者が限定されない開放型ネットワークに専用線を介して接続された利用者が限定された所定サービスエリアのネットワークと、
前記利用者が限定された所定サービスエリアのネットワークに接続された複数の端末と、
前記各端末に備わる開放型ネットワークへの接続手段及び利用者が限定された所定サービスエリアのサービスの契約者認証手段と、
開放型ネットワーク又は利用者が限定された所定サービスエリアのネットワークのいずれかに接続されて契約者認証手段を備える前記端末との間で利用者が限定された所定サービスエリアのサービスのための情報を開放型ネットワークへの接続手段を用いて送受する第一のサーバと、
前記利用者が限定された所定サービスエリアのネットワークに接続された第二のサーバと、
複数の各住宅に設けられる集線装置と、を有して前記複数の住宅用それぞれに設けられるサービス網において、
前記集線装置は、前記利用者が限定された所定サービスエリアのサービスの契約者世帯の宅内に備えられ、上位ポートが利用者が限定された所定サービスエリアのネットワークに接続され、下位ポートが前記端末側に接続され、
前記第二のサーバには、Ｗｅｂカメラ、部屋番号入力装置と暗証コード入力装置とを備えた宅配ボックス、テレビカメラを備えたインターホン機器のいずれか一つが接続されており、
前記第二のサーバから前記Ｗｅｂカメラで撮影した映像情報、又は前記宅配ボックスへの商品の収納情報、もしくはインターホン機器のテレビカメラで撮影された映像情報を、前記端末に供給するよう構成した、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月19日(2010.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ガラス基板上に単結晶シリコン薄膜を形成する方法及び半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
歪点７５０℃以上のガラス基板と水素打ち込み層を有するシリコンウェハとを、前記ガラス基板に形成された絶縁性シリコン膜を挟むように、室温で貼り合わせ、
前記貼り合わせ後、加熱処理し、
前記加熱処理後、前記シリコンウェハの前記水素打ち込み層の部分で、前記シリコンウェハの一部を引き離すことを特徴とするガラス基板上に単結晶シリコン薄膜を形成する方法。
【請求項２】
歪点７５０℃以上のガラス基板と水素打ち込み層を有するシリコンウェハとを、前記ガラス基板に形成された絶縁性シリコン膜と前記シリコンウェハに形成された酸化膜とを挟むように、室温で貼り合わせ、
前記貼り合わせ後、加熱処理し、
前記加熱処理後、前記シリコンウェハの前記水素打ち込み層の部分で、前記シリコンウェハの一部を引き離すことを特徴とするガラス基板上に単結晶シリコン薄膜を形成する方法。
【請求項３】
歪点７５０℃以上のガラス基板の表面及び裏面に窒化シリコン膜を形成し、
前記ガラス基板と水素打ち込み層を有するシリコンウェハとを、前記ガラス基板に形成された前記窒化シリコン膜を挟むように、室温で貼り合わせ、
前記貼り合わせ後、加熱処理し、
前記加熱処理後、前記シリコンウェハの前記水素打ち込み層の部分で、前記シリコンウェハの一部を引き離すことを特徴とするガラス基板上に単結晶シリコン薄膜を形成する方法。
【請求項４】
請求項２において、前記酸化膜の膜厚は２００〜７００ｎｍであることを特徴とするガラス基板上に単結晶シリコン薄膜を形成する方法。
【請求項５】
請求項１、２、または４において、
前記絶縁性シリコン膜は、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、または塩素を含む酸化シリコン膜であることを特徴とするガラス基板上に単結晶シリコン薄膜を形成する方法。
【請求項６】
請求項１、２、または４において、前記ガラス基板に非晶質シリコン膜を成膜し、前記非晶質シリコン膜を熱酸化することにより前記絶縁性シリコン膜を形成することを特徴とするガラス基板上に単結晶シリコン薄膜を形成する方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記水素打ち込み層は、ドーズ量５×１０１５〜１×１０１７ｉｏｎｓ／ｃｍ２の水素イオンを打ち込むことによって形成されることを特徴とするガラス基板上に単結晶シリコン薄膜を形成する方法。
【請求項８】
歪点７５０℃以上のガラス基板の表面及び裏面に第１の絶縁性シリコン膜を形成し、
前記ガラス基板と水素打ち込み層を有するシリコンウェハとを、前記ガラス基板に形成された前記第１の絶縁性シリコン膜を挟むように、室温で貼り合わせ、
前記貼り合わせ後、加熱処理し、
前記加熱処理後、前記シリコンウェハの前記水素打ち込み層の部分で、前記シリコンウェハの一部を引き離して、前記ガラス基板上に単結晶シリコン薄膜を形成し、
前記単結晶シリコン薄膜をパターニングして活性層を形成し、
前記活性層が設けられた前記ガラス基板の表面及び裏面に前記第１の絶縁性シリコン膜を介して第２の絶縁性シリコン膜を形成し、
前記第２の絶縁性シリコン膜上にゲイト電極を形成し、
少なくとも前記ゲイト電極でマスクされた部分および前記ガラス基板の裏面に前記第２の絶縁性シリコン膜が残るように、前記ガラス基板の表面の前記第２の絶縁性シリコン膜を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月16日(2010.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面と他方の面とを有する一の絶縁層と、
電子部品が接続される接続面を有し、前記接続面が前記一の絶縁層の前記一方の面に露出されるように、前記一の絶縁層に内設された電子部品搭載用パッドと、
前記一の絶縁層の前記他方の面上に設けられた配線パターンと、
前記一の絶縁層内に設けられ、前記電子部品搭載用パッドと前記配線パターンとを接続するビアと、を有する配線基板本体を備えた配線基板であって、
前記一の絶縁層に前記配線基板本体の反りを低減する反り低減部材を内設したことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記電子部品搭載用パッドの接続面は、前記一の絶縁層の前記一方の面と略面一となるように構成されており、
前記電子部品搭載用パッドの接続面側に位置する前記反り低減部材の面は、前記一の絶縁層の前記一方の面と略面一となるように構成されていることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記反り低減部材は、前記電子部品搭載用パッドと同一平面上に配置されており、
前記反り低減部材の厚さは、前記電子部品搭載用パッドの厚さと略等しく、かつ前記反り低減部材の材料は、前記電子部品搭載用パッドの材料と略同一であることを特徴とする請求項２記載の配線基板。
【請求項４】
前記反り低減部材は、金属膜であることを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか一項記載の配線基板。
【請求項５】
前記電子部品搭載用パッドの形成領域に対応する部分の前記一の絶縁層よりも外側に位置する前記一の絶縁層に前記反り低減部材が配置されていると共に、前記反り低減部材の形状が平面視額縁形状とされていることを特徴とする請求項１ないし４のうち、いずれか一項記載の配線基板。
【請求項６】
前記反り低減部材は、複数の反り低減部を有し、
前記複数の反り低減部は、他の前記反り低減部から離間するように配置されていることを特徴とする請求項１ないし５のうち、いずれか一項記載の配線基板。
【請求項７】
前記一の絶縁層の一方の面に、前記電子部品搭載用パッドの接続面が露出されると共に、前記電子部品搭載用パッドの接続面側に位置する前記反り低減部材の面を覆うソルダーレジスト層が設けられたことを特徴とする請求項１ないし６のうち、いずれか一項記載の配線基板。
【請求項８】
支持体上に電子部品搭載用パッドと反り低減部材とを形成する工程と、
前記支持体上に、前記電子部品搭載用パッド及び前記反り低減部材を覆うように一の絶縁層を形成する工程と、
前記一の絶縁層上に配線パターンを形成すると共に、前記一の絶縁層内に、前記配線パターンと前記電子部品搭載用パッドとを接続するビアを形成する工程と、
前記一の絶縁層、前記電子部品搭載用パッド及び前記反り低減部材から、前記支持体を除去する工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記電子部品搭載用パッド及び前記反り低減部材は、金属膜であり、
前記金属膜は、めっき法により形成することを特徴とする請求項８記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記の支持体を除去する工程後に、前記電子部品搭載用パッドの接続面側に位置する前記一の絶縁層の面に、前記電子部品搭載用パッドの接続面を露出する開口部を有したソルダーレジスト層を形成する工程を設けたことを特徴とする請求項８又は９記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の一観点によれば、一方の面と他方の面とを有する一の絶縁層と、電子部品が接続される接続面を有し、前記接続面が前記一の絶縁層の前記一方の面に露出されるように、前記一の絶縁層に内設された電子部品搭載用パッドと、前記一の絶縁層の前記他方の面上に設けられた配線パターンと、前記一の絶縁層内に設けられ、前記電子部品搭載用パッドと前記配線パターンとを接続するビアと、を有する配線基板本体を備えた配線基板であって、前記一の絶縁層に前記配線基板本体の反りを低減する反り低減部材を内設したことを特徴とする配線基板が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の他の観点によれば、支持体上に電子部品搭載用パッドと反り低減部材とを形成する工程と、前記支持体上に、前記電子部品搭載用パッド及び前記反り低減部材を覆うように一の絶縁層を形成する工程と、前記一の絶縁層上に配線パターンを形成すると共に、前記一の絶縁層内に、前記配線パターンと前記電子部品搭載用パッドとを接続するビアを形成する工程と、前記一の絶縁層、前記電子部品搭載用パッド及び前記反り低減部材から、前記支持体を除去する工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月4日(2010.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品が実装される電子部品実装領域と、ケーブル接続部を複数有する配線ケーブル接続領域とが一体的に形成され、少なくとも前記配線ケーブル接続領域が可撓性を有する回路基板と、
前記ケーブル接続部に接続された複数の配線ケーブルと、
を備え、
前記回路基板は、前記配線ケーブル接続領域を折り曲げた収納状態と、前記配線ケーブル接続領域を折り曲げる前の平面である展開状態との２つの状態を有し、さらに、前記展開状態において前記配線ケーブル接続領域の長手方向と直交する方向に前記電子部品実装領域が延びており、前記収納状態において前記配線ケーブル接続領域が該配線ケーブル接続領域の長手方向に折り曲げられるとともに前記ケーブル接続部が前記電子部品実装領域の少なくとも一部と立体的で多層に積層されるように重なり、かつ、前記配線ケーブル間の間隔は前記収納状態の方が前記展開状態よりも狭いことを特徴とする電子回路モジュール。
【請求項２】
電子部品が実装される電子部品実装領域と、ケーブル接続部を複数有する配線ケーブル接続領域とが一体的に形成され、少なくとも前記配線ケーブル接続領域が可撓性を有する回路基板と、
前記ケーブル接続部に接続された複数の配線ケーブルと、
を備え、
前記回路基板は、前記配線ケーブル接続領域を折り曲げた収納状態と、前記配線ケーブル接続領域を折り曲げる前の平面である展開状態との２つの状態を有し、さらに、前記展開状態において前記配線ケーブル接続領域の長手方向に沿って前記電子部品実装領域が延びており、前記収納状態において前記配線ケーブル接続領域が該配線ケーブル接続領域の長手方向に折り曲げられるとともに前記ケーブル接続部が前記電子部品実装領域の少なくとも一部と立体的で多層に積層されるように重なり、かつ、前記配線ケーブル間の間隔は前記収納状態の方が前記展開状態よりも狭いことを特徴とする電子回路モジュール。
【請求項３】
前記収納状態において、前記複数の配線ケーブルの間に前記配線ケーブル接続領域の一部が介在していることを特徴とする請求項１または２に記載の電子回路モジュール。
【請求項４】
前記電子部品実装領域に実装する前記電子部品として撮像素子を具備する撮像部品を有し、前記収納状態における前記配線ケーブル接続領域および前記配線ケーブルが、前記撮像素子の光軸方向と直交する前記撮像部品の側面積内に収められたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の電子回路モジュール。
【請求項５】
前記回路基板は、硬質基板上に半導体プロセスを用いて作製した後剥離することにより得られる極薄フレキシブル回路基板であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の電子回路モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月20日(2010.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、
前記ベース基板の上に実装された回路部品と、
前記ベース基板の上であって前記回路部品の周囲に配置された複数のスペーサ基板とを備え、
前記複数のスペーサ基板が互いに樹脂注入部である隙間部を持って配置されたモジュール。
【請求項２】
前記回路部品の上面が略方形であると共に、
前記隙間部は前記回路部品の角部に対向する請求項１に記載のモジュール。
【請求項３】
前記複数のスペーサ基板の全部、又は少なくとも２つは略同一形状である請求項１に記載のモジュール。
【請求項４】
前記スペーサ基板の高さが前記回路部品の高さよりも高い請求項１に記載のモジュール。
【請求項５】
前記ベース基板の下に実装された第２の回路部品を備えた請求項１に記載のモジュール。
【請求項６】
前記スペーサ基板と前記回路部品との間に配置されると共に外部基板と前記ベース基板とを接着する樹脂を備えた請求項１に記載のモジュール。
【請求項７】
前記スペーサ基板は、端面電極を有する請求項１に記載のモジュール。
【請求項８】
請求項１に記載のモジュールと、
前記モジュールが搭載された外部基板とを備えた電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明のモジュールは、ベース基板と、ベース基板の上に実装された回路部品と、ベース基板の上であって回路部品の周囲に配置された複数のスペーサ基板とを備え、複数のスペーサ基板が互いに樹脂注入部である隙間部を持って配置される構成である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月12日(2010.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
α−ＮａＦｅＯ２型結晶構造を有するリチウム遷移金属複合酸化物の固溶体を含むリチウム二次電池用活物質であって、前記固溶体が含有するリチウム元素及び遷移金属元素の組成比が、関係式Ｌｉ１＋ｘ／３Ｃｏ１−ｘ−ｙＮｉｙ／２Ｍｎ２ｘ／３＋ｙ／２（ｘ＋ｙ≦１、０≦ｙ、且つ、１／３＜ｘ）を満たすことを特徴とするリチウム二次電池用活物質。
【請求項２】
前記ｘの値が０．４５≦ｘである請求項１記載のリチウム二次電池用活物質。
【請求項３】
前記ｘの値がｘ≦０．６である請求項１又は２記載のリチウム二次電池用活物質。
【請求項４】
正極が請求項１〜３のいずれか一項に記載のリチウム二次電池用活物質を含むリチウム二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
ここで、例えばＬｉＣｏＯ２粉末とＬｉＮｉ１／２Ｍｎ１／２Ｏ２粉末とＬｉ［Ｌｉ１／３Ｍｎ２／３］Ｏ２粉末との単なる混合物は、本発明のリチウム二次電池用活物質が含有する前記「固溶体」には含まれないものであることについてはいうまでもない。このような単なる混合物であれば、エックス線回折測定を行った場合に観察される各粉末に対応するピーク位置がそれぞれ異なるため、１本のピークが２本又は３本にスプリットすることとなるので、１本のピークがスプリットしていないことをもって固溶体であることを確認できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
水酸化リチウム一水塩粉末を、遷移金属（Ｎｉ＋Ｍｎ＋Ｃｏ）に対するＬｉ量が表１の実施例１の組成式を満たすように秤量し、混合した。これを圧粉成型してペレットを作製し、電気炉を用いて、エアポンプによる空気流通下、２００℃／時間の昇温速度で１０００℃まで昇温し、１０００℃の温度を１０時間保持した後、自然冷却した。次いで、乳鉢を用いて粒径を揃える程度に粉砕した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
実施例及び比較例の活物質を正極に用いた電池の充放電サイクル試験における５サイク
ル目の充放電曲線を代表して図５に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月5日(2010.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも入力装置又は出力装置の一方に内部電源を有するものに使用して、前記入力装置から入力された信号をレーザ発光素子ユニットにより光信号に変換して送信する送信側インターフェースと、前記送信側インターフェースから送出された光信号を受信して電気信号に変換し出力する受信側インターフェースとを備え、前記送信側インターフェースと前記受信側インターフェースとをつなぐ複数のメタル線を含むケーブルが中間部分で中継コネクタを介して接続される光デジタルビデオケーブルであって、
前記複数のメタル線は、前記入力装置又は前記出力装置から給電可能な第１の電源線と、前記電源線を前記受信側インターフェースから折り返して前記送信側インターフェースのレーザ発光素子ユニットに電源供給する第２の電源線とを含むことを特徴とする光デジタルビデオケーブル。
【請求項２】
前記中継コネクタの抜脱に応じて前記レーザ発光素子ユニットへの電源供給を遮断するスイッチ手段を備えたことを特徴とする請求項１に記載の光デジタルビデオケーブル。
【請求項３】
前記光デジタルビデオケーブルは、光ＤＶＩケーブルであることを特徴とする請求項１または２に記載の光デジタルビデオケーブル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光デジタルビデオケーブル
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、パーソナルコンピュータ、ＤＶＤプレーヤ、セットトップボックス等の入力装置とディスプレイ装置等の出力装置との間の接続に用いて好適な光デジタルビデオケーブルに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
この発明は、係る事情に鑑みてなされたものであり、電源が供給されている状態で、中継コネクタを不意に取り外してもレーザ光が外部に漏洩することがない光デジタルビデオケーブルを提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の光デジタルビデオケーブルは、少なくとも入力装置又は出力装置の一方に内部電源を有するものに使用して、前記入力装置から入力された信号をレーザ発光素子ユニットにより光信号に変換して送信する送信側インターフェースと、前記送信側インターフェースから送出された光信号を受信して電気信号に変換し出力する受信側インターフェースとを備え、前記送信側インターフェースと前記受信側インターフェースとをつなぐ複数のメタル線を含むケーブルが中間部分で中継コネクタを介して接続される光デジタルビデオケーブルであって、前記複数のメタル線は、前記入力装置又は前記出力装置から給電可能な第１の電源線と、前記電源線を前記受信側インターフェースから折り返して前記送信側インターフェースのレーザ発光素子ユニットに電源供給する第２の電源線とを含むことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記構成によれば、外部電源を設けて、第２の電源線を介して送信側インターフェースのレーザ発光素子ユニットに給電を行う光デジタルビデオケーブルであっても、中継コネクタの抜脱に応じてレーザ発光素子ユニットへの給電が遮断されるので、たとえ外部電源により給電が行われている状態で中継コネクタが不用意に取り外されてもレーザ光が外部に漏洩することがない。
また、上記構成において、前記光デジタルビデオケーブルは、光ＤＶＩケーブルであることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の光デジタルビデオケーブルでは、給電が行われている状態で中継コネクタを不用意に取り外してもレーザ光が外部に漏洩することがなく、安全性を確保することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月2日(2010.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検索フォルダに設定された１又は複数の検索条件に対応する該検索フォルダのフォルダ要素を検索する検索手段と、
前記検索手段における検索条件毎の検索の状態を確認する確認手段と、
前記確認手段により前記検索フォルダに設定された１又は複数の検索条件に対応する検索の少なくとも１つが機能していないことが確認された場合、その旨を示す情報を表示する表示手段と
を具備することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記表示手段は、
前記検索フォルダを含むフォルダの一覧表示に際して、前記確認手段により前記検索フォルダに設定された１又は複数の検索条件に対応する検索の少なくとも１つが機能していないことが確認された場合、該フォルダの一覧表示とともに、該検索条件に対応する検索の少なくとも１つが機能していないことを示す情報を表示する
ことを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記表示手段は、
前記検索フォルダのフォルダ要素の表示に際して、前記確認手段により前記検索フォルダに設定された１又は複数の検索条件に対応する検索の少なくとも１つが機能していないことが確認された場合、該フォルダ要素の表示とともに、該検索条件に対応する検索の少なくとも１つが機能していないことを示す情報を表示する
ことを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
【請求項４】
検索機能を有する他装置と通信を行なう通信手段
を更に具備し、
前記確認手段は、
前記検索フォルダに設定された１又は複数の検索条件内に前記他装置が有する検索機能を用いて検索を行なう旨の条件がある場合には、前記通信手段を用いて該他装置で行なわれる検索の状態を確認する
ことを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記表示手段は、
前記検索手段による前記１又は複数の検索条件に対応する検索の状態を各検索条件に対応して表示する
ことを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記表示手段は、
前記確認手段により前記検索フォルダに設定された１又は複数の検索条件に対応する検索の少なくとも１つが機能していないことが確認された場合、該機能していない検索条件による検索の回復方法を表示する
ことを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
【請求項７】
検索フォルダに設定された１又は複数の検索条件に対応する検索の表示を行なう第１の情報処理装置と、
前記第１の情報処理装置と通信手段を介して接続された第２の情報処理装置と
を具備する情報処理システムであって、
前記第２の情報処理手段は、
前記通信手段を介して前記第１の情報処理装置から送られてくる前記検索フォルダに設定された１又は複数の検索条件に基づく検索の依頼を受ける受付手段と、
前記受付手段により受けた依頼に基づく検索を行なう第２の検索手段と
を具備し、
前記第１の情報処理装置は、
前記検索フォルダに設定された１又は複数の検索条件に対応する該検索フォルダのフォルダ要素を検索する第１の検索手段と、
前記第１の検索手段及び前記第２の検索手段における検索条件毎の検索の状態を確認する確認手段と、
前記確認手段により前記検索フォルダに設定された１又は複数の検索条件に対応する検索の少なくとも１つが機能していないことが確認された場合、その旨を示す情報を表示する表示手段と
を具備することを特徴とする情報処理システム。
【請求項８】
情報処理装置の処理方法であって、
検索手段が、検索フォルダに設定された１又は複数の検索条件に対応する該検索フォルダのフォルダ要素を検索する検索工程と、
確認手段が、前記検索工程における検索条件毎の検索の状態を確認する確認工程と、
表示手段が、前記確認工程により前記検索フォルダに設定された１又は複数の検索条件に対応する検索の少なくとも１つが機能していないことが確認された場合、その旨を示す情報を表示する表示工程と
を含むことを特徴とする情報処理装置の処理方法。
【請求項９】
コンピュータを、
検索フォルダに設定された１又は複数の検索条件に対応する該検索フォルダのフォルダ要素を検索する検索手段、
前記検索手段における検索条件毎の検索の状態を確認する確認手段、
前記確認手段により前記検索フォルダに設定された１又は複数の検索条件に対応する検索の少なくとも１つが機能していないことが確認された場合、その旨を示す情報を表示する表示手段
として機能させるための情報処理プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の一態様による情報処理装置の処理方法は、検索手段が、検索フォルダに設定された１又は複数の検索条件に対応する該検索フォルダのフォルダ要素を検索する検索工程と、確認手段が、前記検索工程における検索条件毎の検索の状態を確認する確認工程と、表示手段が、前記確認工程により前記検索フォルダに設定された１又は複数の検索条件に対応する検索の少なくとも１つが機能していないことが確認された場合、その旨を示す情報を表示する表示工程とを含むことを特徴とする。