(57)【要約】  ＲＤＬパッド中心軸ＲＲとＲＤＬキャプチャーパッド中心軸ＲＲの周りに配置されるＲＤＬパッド外周端部（４９）とを有するＲＤＬキャプチャーパッド（４１）、及びＲＤＬキャプチャーパッドの上に配置されるアンダーバンプ金属（ＵＢＭ）パッド（６０）を備えた再配線層（ＲＤＬ）を有するウエハスケールパッケージング（ＷＳＰ）ダイ。ＵＢＭパッドは、ＵＢＭパッド中心軸ＵＵとＵＢＭパッド中心軸ＵＵの周りに配置されるＵＢＭパッド外周端部（６７）とを有する。ＵＢＭパッド中心軸ＵＵは、ＲＤＬパッド中心軸ＲＲから水平方向にオフセットされる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハスケールパッケージング（ＷＳＰ）ダイであって、
再配線層（ＲＤＬ）パッド外周端部を有するＲＤＬキャプチャーパッドと、
前記ＲＤＬキャプチャーパッドの上に配置され、アンダーバンプ金属（ＵＢＭ）パッド外周端部を有するＵＢＭパッドであって、前記ＵＢＭパッド外周端部が、部分的に前記ＲＤＬキャプチャーパッド外周端部の横方向内側に配置され、部分的に前記ＲＤＬキャプチャーパッド外周端部の横方向外側に配置される、前記ＵＢＭパッドと、
を含む、ＷＳＰダイ。
【請求項２】
請求項１に記載のＷＳＰダイであって、前記ＲＤＬキャプチャーパッドが、前記ＵＢＭパッド外周端部により画定される領域より小さな領域を有する、ＷＳＰダイ。
【請求項３】
請求項１に記載のＷＳＰダイであって、前記ＲＤＬ外周端部が左右対称の幾何学的形状を含む、ＷＳＰダイ。
【請求項４】
請求項１に記載のＷＳＰダイであって、前記ＲＤＬ外周端部が円形の形状を含む、ＷＳＰダイ。
【請求項５】
請求項１に記載のＷＳＰダイであって、前記ＲＤＬ外周端部が楕円の形状を含む、ＷＳＰダイ。
【請求項６】
請求項１に記載のＷＳＰダイであって、前記ＵＢＭパッド外周端部及び前記ＲＤＬキャプチャーパッド外周端部が同じ形状を有する、ＷＳＰダイ。
【請求項７】
請求項１に記載のＷＳＰダイであって、前記ＵＢＭパッド外周端部の半径方向外側に配置される前記ＲＤＬキャプチャーパッドの前記部分が、前記ＲＤＬキャプチャーパッドの領域の少なくとも２．８％を含む、ＷＳＰダイ。
【請求項８】
請求項１に記載のＷＳＰダイであって、
前記ＲＤＬキャプチャーパッド及び前記ＵＢＭパッド外周端部がいずれも円形であり、
前記ＲＤＬキャプチャーパッド及び前記ＵＢＭパッドの中心が、前記ＲＤＬキャプチャーパッドの半径の５％〜１２％の距離オフセットされる、
ＷＳＰダイ。
【請求項９】
ウエハスケールパッケージング（ＷＳＰ）ダイであって、
再配線層（ＲＤＬ）パッド中心軸を有するＲＤＬパッドと、前記ＲＤＬパッド中心軸の周りに配置されるＲＤＬパッド外周とを有するＲＤＬ、及び
前記ＲＤＬパッドの上に配置されるアンダーバンプ金属（ＵＢＭ）パッドであって、ＵＢＭパッド中心軸と前記ＵＢＭ中心軸の周りに配置されるＵＢＭパッド外周とを有する、前記ＵＢＭパッド、
を含み、
前記ＵＢＭパッド中心軸が前記ＲＤＬパッド中心軸から水平方向にオフセットされる、
ＷＳＰダイ。
【請求項１０】
請求項９に記載のＷＳＰダイであって、前記ＲＤＬキャプチャーパッド外周がＲＤＬパッド領域を画定し、前記ＵＢＭパッド外周がＵＢＭパッド領域を画定し、前記ＵＢＭパッド領域が前記ＲＤＬパッド領域より大きい、ＷＳＰダイ。
【請求項１１】
比較的低い寄生容量と良好な機械的インテグリティとを有するＷＳＰダイをつくる方法であって、
中心軸と、円形外周端部と、前記円形外周端部により画定される領域とを備えたＲＤＬキャプチャーパッドを形成すること、及び
前記ＲＤＬキャプチャーパッドの上に、前記ＲＤＬキャプチャーパッドの前記中心軸に平行に半径方向にオフセットして配置される中心軸を有し、且つ、前記ＲＤＬキャプチャーパッドの領域より大きいＵＢＭ円形領域を画定する外周端部を有する、ＵＢＭパッドを形成すること、
を含む、方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、前記ＲＤＬキャプチャーパッドを前記配置することが、前記ＲＤＬパッド中心軸を、前記ＵＢＭパッドにより受け取られるべきはんだボールに依存する方向に前記ＵＢＭパッド中心軸に関連して半径方向にオフセットすることを含む、方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、前記ＲＤＬ中心軸を前記ＵＢＭ中心軸に関連して前記半径方向にオフセットすることが、ＲＤＬ半径の長さの５％〜１２％の距離前記ＲＤＬ軸を半径方向にオフセットすることを含む、方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、前記ＵＢＭパッド及び前記ＲＤＬキャプチャーパッドの軸方向に離間された部分間に誘電体層を提供することを更に含む、方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、誘電体層を前記提供することが、前記ＵＢＭパッド及び前記ＲＤＬキャプチャーパッド両方を超えて横方向に延びる誘電体層を提供することを含む、方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であって、前記ＵＢＭパッド及び前記ＲＤＬキャプチャーパッドの軸方向に離間された部分間に誘電体層を前記提供することが、ポリイミド層を提供することを含む、方法。
【請求項１７】
請求項１１に記載の方法であって、前記ＲＤＬキャプチャーパッドの上に、前記ＲＤＬキャプチャーパッドの前記中心軸に平行に半径方向にオフセットして配置される中心軸を有し、且つ、前記ＲＤＬキャプチャーパッドの領域より大きいＵＢＭ円形領域を画定する外周端部を有する、ＵＢＭパッドを形成することが、前記ＲＤＬキャプチャーパッドの前記領域より少なくとも２．８％大きいＵＢＭ円形領域を有するＵＢＭパッドを形成することを含む、方法。
【請求項１８】
請求項２に記載のＷＳＰダイであって、前記ＵＢＭパッド外周端部の前記領域が、前記ＲＤＬパッドの前記領域の少なくとも２．８％大きい領域を画定する、ＷＳＰダイ。
【請求項１９】
請求項７に記載のＷＳＰダイであって、前記ＵＢＭパッド外周端部の前記領域が、前記ＲＤＬパッドの前記領域より少なくとも２．８％大きい領域を画定する、ＷＳＰダイ。
【請求項２０】
請求項１に記載のＷＳＰダイであって、前記ＵＢＭパッド及び前記ＲＤＬキャプチャーパッドの離間された部分間に誘電性材料の層が配置される、ＷＳＰダイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
集積回路（「ＩＣ」、「半導体チップ」又は「チップ」と称される）は、シリコンなどの半導体材料の薄い基板の表面へのトレース要素の拡散によりつくられる電子回路である。半導体チップは典型的に、多数の同一の集積回路を含む単一ウエハの形式で大量生産される。ウエハは、「ダイ」又は「ダイス（dice）」と称される多数の個別の半導体チップにカット（シンギュレーション）される。
【背景技術】
【０００２】
ダイは、通常、ダイへの損傷を避けるため及びダイの回路ボードへの取り付けを促進するために、「パッケージング」される。集積回路ダイをパッケージングするために、種々のパッケージング材料及びプロセスが用いられてきている。従来のパッケージング方法の一つは、基板ストリップ上の所定のパターンに個別のダイを搭載することを含む。基板ストリップ上に搭載されたダイはその後、プラスチックなどの保護材料に封止される。封止されたダイは次に、封止されたダイ／基板ストリップを所定のダイ搭載パターンに従ってカットすることにより、個別の集積回路パッケージにシンギュレーションされる。典型的なカットツールはソー（saw）及びパンチを含む。各集積回路パッケージは概して、典型的にダイを覆う封止材料だけでなく、少なくとも一つのダイ及びそれが搭載された基板ストリップの下層部分を含む。この下層基板ストリップは、ダイが電気的に接続されるリードフレームである場合があり、これは、印刷回路ボード（ＰＣボード）に接続されるように適合される。
【０００３】
長年にわたって、集積回路及び集積回路が取り付けられる回路ボードは、物理的に縮小されてきており、一層複雑になってきている。一つの比較的新しい技術は、「ウエハスケールパッケージング」、「ウエハレベルチップスケールパッケージング」、「ウエハレベルチップサイズパッケージング」、又は他の同様の名称のいずれかとして知られている。本明細書では「ウエハスケールパッケージング」（ＷＳＰ）というフレーズが用いられる。ＷＳＰパッケージングを用いて、パッケージングされていないダイ、即ち、保護封止の囲い層のないダイ、が印刷回路ボード上に直接搭載され得る。ダイの印刷回路ボードへの電気的接続に必要な構造は、通常、ダイの第１の表面上に製造され、これらのダイはまだ単一のウエハに共に一体的に接続されている。例えば、ＷＳＰパッケージング１つの形式において、電気的コンタクトパッド、はんだバンプ、及び中間層を含む種々の層が、ウエハレベルでダイの第１の表面上に形成される。ＷＳＰは、ＩＣダイ自体を電気的接続基板として用いることにより、ダイボンディング、ワイヤボンディング、及びパッケージ基板へのダイレベルフリップチップ取り付けプロセスなどの従来のパッケージング工程をなくす。ダイ自体をＷＳＰ基板として利用することで、パッケージ基板に取り付けられる同じＩＣダイと較べて、ＩＣダイに対するフットプリントが著しく低減される。
【０００４】
ＷＳＰは、ダイレクトバンプＷＳＰ又は再配線層（ＲＤＬ: redistribution layer）ＷＳＰとして具体化され得、これは、ダイレクトバンプＷＳＰとは異なりリワイヤリング層として機能するＲＤＬを付加する。このリワイヤリング層は、所望の位置での外部端子の再位置決めを可能にする。（再配線層は、当業界で「リダイレクト層」と称されることもある。）
【発明の概要】
【０００５】
典型的なＲＤＬ  ＷＳＰ製造フローにおいて、バックエンドオブライン（ＢＥＯＬ）ウエハファブ処理の間、ＩＣダイにダイパッド（ボンドパッド又はダイボンドパッドとしても知られている）及びパッシベーション層が提供される。その後、パッシベーション層及びダイパッドの上に第１のＷＳＰ誘電体（例えば、ポリイミド）が堆積される。ダイパッドの上の第１のＷＳＰ誘電体に第１のビアを形成するためにリソグラフィ／エッチングが用いられ、その後、ダイパッドに接しダイパッドから横方向に延びる、複数のＲＤＬトレースを含む、ＲＤＬの堆積及びパターニングが続く。その後、ＲＤＬ上に第２のＷＳＰ誘電体（例えば、ポリイミド）が堆積され、ＲＤＬキャプチャーパッド位置でＲＤＬに達する第２のビアが形成される。ＲＤＬキャプチャーパッドの位置は、ダイパッドの位置から横方向に離間される。アンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）パッドは、通常、「ボールパッド」又は「バンプパッド」と称され、第２のビアの上に形成され、ＲＤＬキャプチャーパッドに結合されＲＤＬキャプチャーパッドにより概して囲まれ、その後、ＵＢＭパッド上の金属（例えば、はんだ）ボール、ピラー、又は他のボンディングコネクタの形成が続く。ＲＤＬキャプチャーパッドの領域は概して、応力を吸収するためにその上のＵＢＭパッドの領域より大きく、そのため、構造的信頼性が改善される。ＷＳＰウエハは、通常、ボード領域が貴重であるポータブルデバイスのための回路ボード上に用いるために、複数のシンギュレートされたＷＳＰダイを形成するようにシンギュレートされる。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、再配線層（ＲＤＬ）キャプチャーパッドの上に張り出すアンダーバンプ金属（ＵＢＭ）パッドを有するＷＳＰダイの断面図である。
【０００７】
【図２】図２は、アンダーバンプ金属（ＵＢＭ）パッドに関連して半径方向にオフセットされるＲＤＬキャプチャーパッドを有するＷＳＰダイの断面側面図である。
【０００８】
【図３】図３は、図２のＷＳＰダイの２つの層の一部の平面図であり、ＲＤＬキャプチャーパッドとその上に配置されるＵＢＭパッドとの相対的な位置を示す。
【０００９】
【図４】図４は、図２のＷＳＰダイの断面図であり、第２の誘電体層を介するクラックの伝播を示す。
【００１０】
【図５】図５は、ＷＳＰダイをつくる方法のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
ＷＳＰダイ（ＷＳＰ「チップ」と呼ぶこともある）は、しばしば、ボールグリッドアレイを用いて、例えば、印刷回路（ＰＣ）ボード、ワイヤリング基板、又は他のチップなどの外部回路要素に接続される。ボールグリッドアレイが、各ダイの表（頂部）面上に形成され、外部回路要素上の対応するコネクタと電気的接触させられる。このようなボールグリッドアレイを有するＷＳＰダイは、当業界で「フリップチップ」と呼ぶこともある。これは、ボールグリッドアレイがそれを外部回路要素に接続するために表（頂部）面に下向きに、単に「ひっくり返される（flipped over）」ためである。ボールグリッドアレイを備えたＷＳＰダイを設計する際、相反する問題がある。各ボールの寸法、及びそのためそのボールが取り付けられるアンダーバンプ金属（ＵＢＭ）層の直径は、機械的信頼性の問題のため低減することができない。しかし、大きなボールは、ボールがＲＦ信号を搬送するとき概して望ましくない。というのは、関連する大きなＵＢＭ層と、ＵＢＭが取り付けられる対応する大きな再配線層（ＲＤＬ）キャプチャーパッドとが、静電容量関連寄生効果を生じさせるためである。これらの寄生効果は、典型的なワイヤレストランシーバに対して、一層低い送信電力、一層劣った信号マッチング、及び／又はオペレーションの一層低い帯域幅などに現れる。典型的なＷＳＰダイにおいてＲＤＬキャプチャーパッドは、ＵＢＭパッドより大きなフットプリントを有する。ＲＤＬキャプチャーパッドの寸法を低減することで、静電容量／寄生効果が低減され得る。しかし、ＲＤＬキャプチャーパッドの寸法を低減することは、図１により示されるような他の問題を生じさせる。図１は、ＷＳＰダイ２の一部の断面側面図である。このＷＳＰダイは、外周端部５で終端するＲＤＬキャプチャーパッド３を有する。ＷＳＰダイ２はＵＢＭパッド４を有し、ＵＢＭパッド４は、ＲＤＬキャプチャーパッド３の一部の上に配置され、ＲＤＬキャプチャーパッド３の一部に接する。ＵＢＭパッド４は外周端部６を有し、外周端部６は、ＲＤＬキャプチャーパッドの全外周端部５を超えて半径方向外側に延びる。図１に示すような構造を用いると、深刻なクラック問題が起こり得る。クラック７などのクラックはしばしば、ＵＢＭパッド４の外周端部６近くに生じる。クラック７は、下向きに伝播し得、阻止されない場合、ＵＢＭの下の種々のダイ層を介して、ＲＤＬ周辺端部５を通り、最終的にシリコン基板８に入り得る。そのため、クラック７は、ダイ表面層を破断したり弱めたりするだけでなく、トランジスタ、及び／又は、シリコン基板８における他の電子機器を損傷させ得る。出願人は、上述のクラック問題が著しく低減され、ＲＦ送信が改善され得る、比較的一層小さいＲＤＬキャプチャーパッドを備えたＷＳＰダイを設計している。
【００１２】
ＷＳＰダイの種々の特徴を説明する際、出願人は、地表に対する向きに対するリファレンスにおいて用いられることもある、「上」、「下」、「底部」、「頂部」、「〜の上」、「〜の下」、「横方向」、及び「垂直」など、位置的／方向的リファレンスの用語を用いてきている。このような用語は、本願においてはその意味には用いられていない。そうではなく、上、下などの用語は、図面に示すように当初方向付けられた構造における、他の層又は表面などに対する、ダイ層又は表面の位置を示すように相対的な意味で用いられる。この意味で用いられるように、車の「頂部」は、その車が後に溝に逆さまに置かれた場合でもやはり車の「頂部」と称され得る。また、大抵、ダイの種々の層が、垂直に分離される平面に平行に、即ち、その平面に対して垂直の方向に、非常に小さい距離、例えば０．１〜１０μｍ、隔てて配置されることが当業者には理解されよう。第１の層がこのように第２の層の上に配置されるとき、たとえこれらの２つの層が異なる平面内に配置されるとしても、第１の層上に重なる第２の層の垂直の突出部から横方向外側に突出する第１の層の一部が、単に、第２の層から横方向外側に突出する、と称され得、またその逆も同様である。
【００１３】
図２〜図４は、概して、ＷＳＰダイ１０を図示し、ＷＳＰダイ１０は、外周端部４９を備えたＲＤＬキャプチャーパッド４１と、外周端部６７を有するＵＢＭパッド６０とを有する。ＲＤＬキャプチャーパッド４１及びＵＢＭパッド６０の中心軸ＲＲ及びＵＵは、半径方向にオフセットされる。幾つかの実施例においてＵＢＭパッドの外周端部６７は、ＲＤＬキャプチャーパッド４１の領域より大きい領域を画定する。このような一実施例において端部６７により画定される領域は、ＲＤＬキャプチャーパッド４１の領域より少なくとも２．８％大きい。ＵＢＭパッド６０は、ＲＤＬキャプチャーパッド４１の上に配置される。一実施例においてＲＤＬキャプチャーパッド及びＵＢＭパッドの中心は、ＲＤＬキャプチャーパッドの半径の５％〜１２％の距離オフセットされる。ＲＤＬキャプチャーパッド外周端部４６の一部が、ＵＢＭパッド外周端部６７の横方向（半径方向）外側に配置される。ＲＤＬキャプチャーパッドとＵＢＭパッドとの間の重なりの領域を小さくすることで、静電容量関連の寄生効果が小さくなり、そのため、一層大きなＲＤＬキャプチャーパッド／ＵＢＭパッド重なり領域を有するアッセンブリと較べてＲＦ性能が改善される。一実施例において、図３に最もよく示されるように、ＲＤＬキャプチャーパッド４１の部分７０が、ＵＢＭパッド６０の外周端部６７より遠く横方向に（半径方向に）延びる。この突出部７０は、上述の図１を参照して説明したものなど、ＲＤＬ突出部７０を有さないＲＤＬキャプチャーパッド／ＵＢＭパッドアッセンブリに比べて、改善された構造的インテグリティ（integrity）を提供する。一実施例において、突出部７０の領域は、ＲＤＬキャプチャーパッド４１の全体の領域の少なくとも２．８％である。突出部７０は、それがクラックの影響を最も受け易い領域内に配置されるように方向付けられ得る。この突出部７０の位置は、ボールグリッドアレイにおけるボールの位置に従って変化し得る。このようにＷＳＰダイ１０を概して説明してきたので、ＷＳＰダイ１０の更なる詳細をこの後説明する。
【００１４】
図２は、ＷＳＰダイ１０が半導体基板２０を有することを図示し、半導体基板２０はシリコン基板であり得る。基板２０は、上側表面２２及び内部回路要素２６を有する。基板の上側表面２２上に金属ダイパッド３０が形成される。金属ダイパッド３０は、例えば、銅、アルミニウム、又は金から形成され得る。基板の上側表面２２上には、パッシベーション層３２も形成される。パッシベーション層３２は、金属ダイパッド３０から横方向に延在する。図２の例示の実施例において、パッシベーション層３２の小さな部分が、ダイパッド３０の周辺端部部分まで及びその上に延びる。パッシベーション層３２は、例えば、シリコン窒化物から形成され得る。ポリイミド層であり得る第１の誘電体層３４が、金属ダイパッド３０及びパッシベーション層３２の上に配置される。第１のパッシベーション層を介して形成される第１のビアが、第１の誘電体層３４を介して金属ダイパッド３０を露出させる、反転された切頭円錐形状のビアであり得る。このビアが形成される場所が３８で示されている。再配線層（ＲＤＬ）４０が第１の誘電体層３４の頂部上に付けられ、一実施例において、円形のＲＤＬキャプチャーパッド４１と、概して三角形のＲＤＬ遷移領域４３によりＲＤＬキャプチャーパッド４１に接続される、狭く横方向に延びるＲＤＬリード４２とを有する、図３の概して「オタマジャクシ」形状とされ得る。ＲＤＬリード４２は、金属ダイパッド３０の上側表面に接触して延び、そのため金属ダイパッド３０をＲＤＬキャプチャーパッド４１と電気的に接続する。ＲＤＬ４０は、例えば、銅から形成され得る。図２に戻ると、ポリイミド層であり得る第２の誘電体層５６が、ＲＤＬ４０の頂部上に及び第１の誘電体層３４の一部の上部上にも形成され、これはＲＤＬ４０を超えて延びる。その後、第２の誘電体層５６を介して延びる、概して反転された切頭円錐形状のビアが５８で示す位置に形成される。このビアは、第２の誘電体層５６を介してＲＤＬ層キャプチャーパッド４１まで延びる。
【００１５】
図２を参照すると、アンダーバンプ金属（ＵＢＭ）パッド６０が、ＲＤＬキャプチャーパッド４１の露出された領域の頂部、及び第２の誘電体層５６の環状の部分上に形成される。そのため、ＵＢＭパッド６０は、円形の、放射状に延在する中央部６２と、遷移ライン６３で中央部６２に接続される環状の傾斜された部分６４とを含む。ＵＢＭパッド６０は更に、外周端部６７で終端する、環状の、放射状に延在する部分６６を含む。傾斜された部分６４及び放射状に延在する部分６６が遭遇する場所に、環状の接続ライン６５が形成される。ＵＢＭ６０は、例えば、銅から形成され得る。はんだボール８０又は他のコネクタがＵＢＭパッド６０に取り付けられ得る。
【００１６】
ＵＢＭパッド６０、及びＲＤＬ４０に対するその相対的な位置の上面図が、図３に図示されている。図３及び図４によって最もよく示されるように、ＲＤＬ層４０はキャプチャーパッド４１を有し、キャプチャーパッド４１は、ほとんどがＵＢＭパッド外側端部６７の内側にある外側円形周辺部４９を備える。ＲＤＬパッド４１の小さな三日月形状の部分７２は、ＵＢＭ外側端部６７の内側にはない。この三日月形状部分は、図３の垂直の軸「ａ」と「ｂ」との間に延在する２つの弧により画定される。外側の弧は、ＲＤＬパッド４１の周辺端部４９の一部である。内側の弧は、ＵＢＭパッド６０の外周端部６７の一部である。周辺端部４９及び６７は、図２〜図４に示す実施例において、いずれも円形である。しかし、これらの周辺部は、図４に示すものとは異なる形状及び寸法を有し得る。例えば、これらの周辺部は多角形又は長円形であってもよい。
【００１７】
ＵＢＭパッド６０の周辺部６７を超えて突出するＲＤＬキャプチャーパッド４１の部分７０を有する利点の一つを図４で説明する。図４は、図２に図示するように、ＵＢＭ６０の周辺部６７近くの第２の誘電体層５６においてクラック９０が形成されているダイ１０を示す。ＲＤＬキャプチャーパッド４１の一層大きな横方向拡張のため、第２の誘電体層５６で始まるクラック９０が伝播するのは、ＲＤＬキャプチャーパッド４１の横方向外側に突出する部分７０までであり、そこで止まる。ＵＢＭパッドがＲＤＬキャプチャーパッド３の周辺端部５の上に張り出す図１の実施例では、クラック７の伝播を止めるために存在するＲＤＬはない。そのため、クラック７はシリコン基板８へ下方に伝播し続ける。
【００１８】
図５は、ＷＳＰダイをつくる方法の一実施例を図示する。この方法は、１０１で示すように、ＲＤＬ中心点を有するＲＤＬパッドにおいて再配線層（ＲＤＬ）を形成することを含む。この方法は更に、１０２で示すように、ＲＤＬパッドの上に、ＲＤＬ中心点から半径方向にオフセットされるＵＢＭ中心点の周りに配置される外周を有するＵＢＭパッドを形成することを含む。
【００１９】
例示の実施例ではＲＤＬキャプチャーパッド４１及びＵＢＭパッド６０は各々円形の外周を有するが、他の実施例において、これらの構造は、それらの中心軸ＲＲ、ＵＵが半径方向にオフセットされる限り、多角形又は他の形状を有していてもよい。幾つかの実施例において、ＵＢＭパッド６０の下に位置するＲＤＬキャプチャーパッド４１の部分は、ＵＢＭパッド６０の外周端部より小さな領域を有し、ＲＤＬキャプチャーパッドの一部が、ＵＢＭパッドとの重なりの領域から外側に突出する。上述のように、ＲＤＬキャプチャーパッド４１の突出部７０が突出する実際の方向は、ダイ１０の構造に依存し得る。
【００２０】
当業者であれば、本発明の特許請求の範囲内で、説明した例示の実施例に変形が成され得ること、及び多くの他の実施例が可能であることが分かるであろう。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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