Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月16日(2010.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに相関関係のある欠陥とアナログ特性とをデータベースに保存し、
第１ウエハ内の不良ビットを探し出し、
前記第１ウエハ内の不良ビットのアナログ特性を測定し、
前記測定されたアナログ特性と前記データベースに保存されたアナログ特性とを比較して、不良の原因となった欠陥を判別することを含む不良分析方法。
【請求項２】
前記データベースに保存することは、第２ウエハ内の欠陥を探し出し、前記第２ウエハ内の不良ビットを探し出し、前記第２ウエハ内の不良ビットのアナログ特性を測定し、前記第２ウエハ内の欠陥と前記アナログ特性との間に相関関係があるかを検証し、前記相関関係があると検証された前記欠陥と前記アナログ特性とをデータベースに保存することを含む請求項１に記載の不良分析方法。
【請求項３】
前記第２ウエハ内の欠陥を探し出すことは、前記第２ウエハの製造工程中に前記第２ウエハに対して欠陥検査を実施して前記第２ウエハの外観に形成された欠陥の位置及び写真を求めることを含む請求項２に記載の不良分析方法。
【請求項４】
前記第２ウエハ内の不良ビットを探し出すことは、前記第２ウエハの製造工程が完了した後、前記第２ウエハに対して電気的テストを実施して前記不良ビットの位置を求めることを含む請求項２に記載の不良分析方法
【請求項５】
前記第２ウエハ内の不良ビットのアナログ特性を測定することは、前記欠陥の位置と前記不良ビットの位置とが互いにマッチされる不良ビットのアナログ特性を測定することを含む請求項２に記載の不良分析方法。
【請求項６】
前記検証することは、前記欠陥を反映した回路をモデリングし、前記モデリングした回路をシミュレーションして得たアナログ特性と前記測定された不良ビットのアナログ特性とを比較することを含む請求項２に記載の不良分析方法。
【請求項７】
前記不良の原因となった欠陥を判別することは、
前記データベースに保存された多数のアナログ特性のうち、前記測定されたアナログ特性と類似した１つ以上のアナログ特性を探し出して提供するが、前記各類似アナログ特性と相関関係のある１つ以上の欠陥を共に提供することを含む請求項１に記載の不良分析方法。
【請求項８】
第１ウエハの製造工程中に、前記第１ウエハに対して欠陥検査を実施して前記第１ウエハ内の欠陥を探し出し、前記第１ウエハの製造工程が完了した後、前記第１ウエハに対して電気的テストを実施して前記第１ウエハ内の不良ＳＲＡＭセルを探し出し、前記欠陥の位置と前記不良ＳＲＡＭセルの位置とが互いにマッチされる不良ＳＲＡＭセルのアナログ特性を測定し、前記第１ウエハ内の欠陥と、前記第１ウエハ内の不良ＳＲＡＭセルの前記アナログ特性との間に相関関係があるか否かを検証し、前記相関関係があると検証された前記欠陥と前記アナログ特性とをデータベースに保存し、第２ウエハの製造工程が完了した後で、前記第２ウエハに対して電気的テストを実施して前記第２ウエハ内の不良ＳＲＡＭセルを探し出し、前記第２ウエハ内の不良ＳＲＡＭセルのアナログ特性を測定し、前記第２ウエハ内の不良ＳＲＡＭセルの測定されたアナログ特性と前記データベースに保存されたアナログ特性とを比較して、不良の原因となった欠陥を判別することを含む不良分析方法。
【請求項９】
第２ウエハの製造工程中には、第２ウエハに対して欠陥検査を実施しない請求項８に記載の不良分析方法。
【請求項１０】
相関関係のある欠陥とアナログ特性とを保存しているデータベースと、
前記ウエハ内の不良ビットを探し出す電気的テスタと、
前記ウエハ内の不良ビットのアナログ特性を測定するアナログ特性テスタと、
前記測定されたアナログ特性と、前記データベースに保存されたアナログ特性とを比較して不良の原因となった欠陥を判別する分析器と、を備える不良分析システム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月5日(2010.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クイックコネクタ継手１０であって、
入口９４から軸方向後方に延びる貫通内孔５０を画定するとともに、後方に面する管状当接面１０３を画定するリップ１０２を有する、コネクタ本体１２と、
半径方向拡大アップセット３８と共に前記内孔５０に受け入れられるチューブ３４と、
前記内孔５０に配置され、第１のリテーナリング１２２及び該第１のリテーナリング１２２の軸方向前方に位置する２つの第１のリテーナアーム１２４を有する第１のリテーナ２６であって、該第１のリテーナアーム１２４のそれぞれは前記アップセット３８と当接関係にある、第１のリテーナ２６と、
前記内孔５０に配置され、第２のリテーナリング１４０及び該第２のリテーナリング１４０の軸方向後方に位置する２つの第２のリテーナアーム１４２を有する第２のリテーナ２８であって、該第２のリテーナリング１４０は、前記当接面１０３の軸方向後方に、且つ該当接面と当接関係で配置され、該第２のリテーナアーム１４２のそれぞれは、前記２つの第１のリテーナアーム１２４間に周方向に、且つ前記アップセット３８と当接関係で位置する、第２のリテーナ２８とを備える、クイックコネクタ継手。
【請求項２】
前記コネクタ本体１２は位置合わせスロット１２０を画定し、前記第２のリテーナ２８は前記第２のリテーナリング１４０から半径方向外方に延びる位置合わせタブ１４８を含み、該位置合わせタブ１４８は前記位置合わせスロット１２０内に配置される、請求項１に記載のクイックコネクタ継手。
【請求項３】
前記第１のリテーナアーム１２４のそれぞれは、半径方向内側セクション１２６、半径方向外側セクション１２８、及び該半径方向内側セクション１２６と該半径方向外側セクション１２８とを接続するリアベンド１３０を含み、前記半径方向内側セクション１２６は前記アップセット３８と当接関係にある、請求項１に記載のクイックコネクタ継手。
【請求項４】
前記第１のリテーナアーム１２４のそれぞれの前記リアベンド１３０は、前記第２のリテーナリング１４０に隣接している、請求項３に記載のクイックコネクタ継手。
【請求項５】
前記半径方向内側セクション１２６のそれぞれは、該半径方向内側セクション１２６の各周方向側部から周方向に延びるブレイス１３２を含む、請求項３に記載のクイックコネクタ継手。
【請求項６】
前記第１のリテーナ２６は、更に、前記第１のリテーナリング１２２から軸方向後方に延びる円筒形スリーブ１３６を含む、請求項１に記載のクイックコネクタ継手。
【請求項７】
前記コネクタ本体１２は、軸方向に延びる貫通内孔を画定するステムと、前記ステムに恒久的に固定される分離キャップであって、軸方向に延びる貫通内孔を画定する、分離キャップとを備え、該ステムと該分離キャップとは一緒に固定されて該コネクタ本体を形成する、請求項１に記載のクイックコネクタ継手。
【請求項８】
前記ステム及び前記キャップのうちの一方は、該ステム及び該キャップのうちの一方の前記内孔の外方に位置する軸方向に延びる環状リブを含み、前記ステム及び前記キャップの他方は、該ステム及び該キャップの他方の前記内孔の半径方向外方に位置する環状溝を含み、前記環状リブは前記環状溝内に配置される、請求項７に記載のクイックコネクタ継手。
【請求項９】
前記ステム及び前記キャップのうちの一方は、半径方向外方に延びるリムを含み、前記環状リブは該リムから軸方向に延びる、請求項７に記載のクイックコネクタ継手。
【請求項１０】
前記キャップは位置合わせスロットを画定し、前記リテーナは、前記リテーナリングから半径方向外方に延びる位置合わせタブを含み、該位置合わせタブは前記位置合わせスロット内に位置付けられる、請求項８に記載のクイックコネクタ継手。
【請求項１１】
前記コネクタ本体が、２つの環状面及び該コネクタ本体を軸方向に貫通する貫通内孔への入口を画定し、前記内孔に配置されると共に前記環状面間に軸方向に位置するリテーナが備わる、請求項８に記載のクイックコネクタ継手。
【請求項１２】
前記キャップは、ほほ円筒形の壁及び該壁から半径方向内方に延びるリップを有し、該リップは前記環状面のうちの一方を画定し、前記ステムは該環状面のうちの他方を画定する、請求項１１に記載のクイックコネクタ継手。
【請求項１３】
前記キャップは位置合わせスロットを画定し、前記リテーナは、前記リテーナリングから半径方向外方に延びる位置合わせタブを含む、請求項１２に記載のクイックコネクタ継手。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月13日(2010.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ａ）で表されるオルガノシラン化合物の加水分解物及び／又はその部分縮合物により表面処理された無機微粒子。
一般式（Ａ）
【化１】
2008121011.tif 000001
（式中、R1は光によりラジカルが発生する重合開始部位を有する置換アルキル基を表し、R2は置換もしくは無置換のアルキル基、又は不飽和結合を有する重合性基を有する置換アルキル基を表す。Xは水酸基または加水分解可能な基を表す。mは1〜3の整数を、nは0〜2の整数を、pは1〜3の整数を表す。mとnとpの合計は4である。）
【請求項２】
前記無機微粒子がケイ素、アルミニウム、ジルコニウム、チタニウム、亜鉛、ゲルマニウム、マグネシウム、インジウム、スズ、アンチモン及びセリウムよりなる群から選ばれる少なくとも一つの元素を含む酸化物微粒子又はフッ化マグネシウムを含有する微粒子である請求項１に記載の無機微粒子。
【請求項３】
前記無機微粒子が中空の酸化物微粒子又は中空の微粒子である請求項１又は２に記載の無機微粒子。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の無機微粒子と、光により硬化する皮膜形成化合物とを含む組成物。
【請求項５】
さらに一般式（Ａ)以外のオルガノシラン化合物で表面処理された無機微粒子を含有し、無機微粒子が下記群Ａから選ばれる請求項４に記載の組成物。
（群Ａ）
ジルコニウム、チタン、アルミニウム、インジウム、マグネシウム、亜鉛、錫、アンチモンおよびケイ素からなる群から選択された少なくとも１つの酸化物微粒子、又はフッ化マグネシウムを含有する微粒子。
【請求項６】
請求項４又は５に記載の組成物を硬化してなる硬化物。
【請求項７】
透明支持体上に請求項４又は５に記載の組成物を塗布形成してなる層を有する光学フィルム。
【請求項８】
透明支持体上に低屈折率層を有する反射防止フィルムであって、低屈折率層が請求項４又は５に記載の組成物を塗布形成してなる層である反射防止フィルム。
【請求項９】
偏光膜と、該偏光膜の両側に設けられた保護フィルムとを有する偏光板であって、該保護フィルムの少なくとも一方が、請求項７に記載の光学フィルム及び請求項８に記載の反射防止フィルムのいずれかである偏光板。
【請求項１０】
請求項７に記載の光学フィルム、請求項８に記載の反射防止フィルム、請求項９に記載の偏光板のいずれかを有する画像表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】無機微粒子、塗布組成物、硬化物、光学フィルム、反射防止フィルム、偏光板、及び画像表示装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明者らは、上記課題を解消すべく鋭意検討した結果、重合開始部位を有し、水酸基または加水分解可能な基がケイ素に直接結合している、オルガノシラン化合物の加水分解物および／またはその部分縮合物を用いて表面処理された少なくとも１種の無機微粒子を含有する塗布組成物を使用することにより、塗膜形成時に迅速に硬化でき、耐擦傷性に優れた塗膜が得られることを見出し、本発明をなすに至った。
１．
下記一般式（Ａ）で表されるオルガノシラン化合物の加水分解物及び／又はその部分縮合物により表面処理された無機微粒子。
一般式（Ａ）
【化２１】
2008121011.tif 000002
（式中、R1は光によりラジカルが発生する重合開始部位を有する置換アルキル基を表し、R2は置換もしくは無置換のアルキル基、又は不飽和結合を有する重合性基を有する置換アルキル基を表す。Xは水酸基または加水分解可能な基を表す。mは1〜3の整数を、nは0〜2の整数を、pは1〜3の整数を表す。mとnとpの合計は4である。）
２．
前記無機微粒子がケイ素、アルミニウム、ジルコニウム、チタニウム、亜鉛、ゲルマニウム、マグネシウム、インジウム、スズ、アンチモン及びセリウムよりなる群から選ばれる少なくとも一つの元素を含む酸化物微粒子又はフッ化マグネシウムを含有する微粒子である上記１に記載の無機微粒子。
３．
前記無機微粒子が中空の酸化物微粒子又は中空の微粒子である上記１又は２に記載の無機微粒子。
４．
上記１〜３のいずれか１項に記載の無機微粒子と、光により硬化する皮膜形成化合物とを含む組成物。
５．
さらに一般式（Ａ)以外のオルガノシラン化合物で表面処理された無機微粒子を含有し、無機微粒子が下記群Ａから選ばれる上記４に記載の組成物。
（群Ａ）
ジルコニウム、チタン、アルミニウム、インジウム、マグネシウム、亜鉛、錫、アンチモンおよびケイ素からなる群から選択された少なくとも１つの酸化物微粒子、又はフッ化マグネシウムを含有する微粒子。
６．
上記４又は５に記載の組成物を硬化してなる硬化物。
７．
透明支持体上に上記４又は５に記載の組成物を塗布形成してなる層を有する光学フィルム。
８．
透明支持体上に低屈折率層を有する反射防止フィルムであって、低屈折率層が上記４又は５に記載の組成物を塗布形成してなる層である反射防止フィルム。
９．
偏光膜と、該偏光膜の両側に設けられた保護フィルムとを有する偏光板であって、該保護フィルムの少なくとも一方が、上記７に記載の光学フィルム及び上記８に記載の反射防止フィルムのいずれかである偏光板。
１０．
上記７に記載の光学フィルム、上記８に記載の反射防止フィルム、上記９に記載の偏光板のいずれかを有する画像表示装置。
本発明は、上記１〜１０に関するものであるが、参考のためその他の事項（例えば下記［１］〜［１０］に記載した事項など）についても記載した。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月10日(2010.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ツェレビチノフ活性水素原子を有するスターター化合物を、アルキレンオキシドと、脂肪酸エステルの存在下、塩基触媒反応にしたがって反応させてポリエーテル−エステルポリオールを得ることを含む、ポリエーテル−エステルポリオールの製造方法。
【請求項２】
塩基触媒はアミンである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
最終生成物の量に基づいて、５〜８５重量％の脂肪酸エステルを用いる、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
脂肪酸基が遊離ＯＨ基を含有しない脂肪酸エステルを用いる、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の方法により得ることができるポリエーテル−エステルポリオール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
実施例ＩおよびＪの比較は、低ＯＨ価を有するエーテルの製造において、該反応混合物は、脂肪酸エステルと塩基触媒との接触前に、好ましくは水の痕跡を含有すべきではないことを示す。実施例ＪおよびＫの比較は、強鉱酸を中和に用いる場合の穏やかな仕上げ加工条件の利点を示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
表４中の実施例は、アミン触媒反応下で製造された本発明のポリエーテル−エステルポリオールを大量に含むポリオール処方物を使用する場合、短い型滞留時間でさえも成型体の低い後膨張が確保されることを示す。
本発明の好ましい態様は、以下を包含する。
［１］  ツェレビチノフ活性水素原子を有するスターター化合物を、アルキレンオキシドと、脂肪酸エステルの存在下、塩基触媒反応にしたがって反応させてポリエーテル−エステルポリオールを得ることを含む、ポリエーテル−エステルポリオールの製造方法。
［２］  塩基触媒はアミンである、［１］に記載の方法。
［３］  最終生成物の量に基づいて、５〜８５重量％の脂肪酸エステルを用いる、［１］または［２］に記載の方法。
［４］  脂肪酸基が遊離ＯＨ基を含有しない脂肪酸エステルを用いる、［３］に記載の方法。
［５］  ［１］〜［５］のいずれかに記載の方法により得ることができるポリエーテル−エステルポリオール。
［６］  ポリウレタンの製造のための、［５］に記載のポリエーテル−エステルポリオールの使用。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月5日(2010.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
硫化亜鉛にＣｕＡｌＳ２を添加して前記硫化亜鉛と前記ＣｕＡｌＳ２の混合物とし、
前記混合物を反応容器内に入れ、
前記反応容器内を１×１０−３Ｐａ以下の減圧に保った状態で密閉封止し、
前記密閉封止した反応容器内で前記混合物を焼成することを特徴とする発光材料の製造方法。
【請求項２】
硫黄を含む材料、銅を含む材料、及びアルミニウムを含む材料を混合した第１の混合物を第１の反応容器内に入れ、
前記第１の反応容器内を１×１０−３Ｐａ以下の減圧に保った状態で密閉封止し、
前記密閉封止した第１の反応容器内で、前記第１の混合物を焼成してＣｕＡｌＳ２を得た後、
硫化亜鉛に前記ＣｕＡｌＳ２を添加して前記硫化亜鉛と前記ＣｕＡｌＳ２の第２の混合物とし、
前記第２の混合物を第２の反応容器内に入れ、
前記第２の反応容器内を１×１０−３Ｐａ以下の減圧に保った状態で密閉封止し、
前記密閉封止した第２の反応容器内で前記第２の混合物を焼成することを特徴とする発光材料の製造方法。
【請求項３】
銅の硫化物及びアルミニウムの硫化物を混合した第１の混合物を第１の反応容器内に入れ、
前記第１の反応容器内を１×１０−３Ｐａ以下の減圧に保った状態で密閉封止し、
前記密閉封止した第１の反応容器内で、前記第１の混合物を焼成してＣｕＡｌＳ２を得た後、
硫化亜鉛に前記ＣｕＡｌＳ２を添加して前記硫化亜鉛と前記ＣｕＡｌＳ２の第２の混合物とし、
前記第２の混合物を第２の反応容器内に入れ、
前記第２の反応容器内を１×１０−３Ｐａ以下の減圧に保った状態で密閉封止し、
前記密閉封止した第２の反応容器内で前記第２の混合物を焼成することを特徴とする発光材料の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記硫化亜鉛に前記ＣｕＡｌＳ２を添加する際、前記ＣｕＡｌＳ２の重量は、前記硫化亜鉛の重量に比べて少ないことを特徴とする発光材料の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記硫化亜鉛に添加する前記ＣｕＡｌＳ２の重量は、前記硫化亜鉛に対して０．０１重量％以上１０重量％以下であることを特徴とする発光材料の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記焼成温度は１０００℃以上であることを特徴とする発光材料の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月21日(2010.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＦｅＣｏ系合金において、Ｆｅ：Ｃｏのａｔ比が１０：９０〜７０：３０とすることを特徴とする軟磁性ＦｅＣｏ系ターゲット材。
【請求項２】
請求項１において、ＡｌまたはＣｒの１種または２種を０．２〜５．０ａｔ％含有させてなることを特徴とする軟磁性ＦｅＣｏ系ターゲット材。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、Ｂ，Ｎｂ、Ｚｒ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｔｉ，Ｖのいずれか１種または２種以上を３０ａｔ％以下含有させてなることを特徴とする軟磁性ＦｅＣｏ系ターゲット材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
その発明の要旨とするところは、
（１）ＦｅＣｏ系合金において、Ｆｅ：Ｃｏのａｔ比が１０：９０〜７０：３０とすることを特徴とする軟磁性ＦｅＣｏ系ターゲット材。
（２）前記（１）において、ＡｌまたはＣｒの１種または２種を０．２〜５．０ａｔ％含有させてなることを特徴とする軟磁性ＦｅＣｏ系ターゲット材。
（３）前記（１）または（２）において、Ｂ，Ｎｂ、Ｚｒ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｔｉ，Ｖのいずれか１種または２種以上を３０ａｔ％以下含有させてなることを特徴とする軟磁性ＦｅＣｏ系ターゲット材にある。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月23日(2009.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２種類以上の短繊維集合体からなる不織布構造体で、マトリックス繊維およびマトリックス繊維の融点よりも低い融点を有する成分を含む低融点繊維からなり、該低融点繊維を５〜４０ｗｔ％含有し、密度が５ｋｇ／ｍ３以上５０ｋｇ／ｍ３以下で、厚さが１００ｍｍ以上であることを特徴とする線路用吸音材。
【請求項２】
前記不織布構造体の繊維方向が構造体の厚さ方向に対して比較的平行に揃っており、幅方向に伸縮することを特徴とする請求項１記載の線路用吸音材。
【請求項３】
前記不織布構造体の片面もしくは両面に膜状物を積層することを特徴とする請求項１または２記載の線路用吸音材。
【請求項４】
前記膜状物が不織布で、厚さが０．０１ｍｍ以上５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項記載の線路用吸音材。
【請求項５】
前記不織布構造体の側面が加熱を施すことにより硬化膜状になっていることを特徴とする請求項１〜４いずれか１項記載の線路用吸音材。
【請求項６】
吸音材を鉄橋の線路の枕木間に挿入して施工するものであって、前記吸音材が、２種類以上の短繊維集合体からなる不織布構造体で、マトリックス繊維およびマトリックス繊維の融点よりも低い融点を有する成分を含む低融点繊維からなり、該低融点繊維を５〜４０ｗｔ％含有し、密度が５ｋｇ／ｍ３以上５０ｋｇ／ｍ３以下で、厚さが１００ｍｍ以上であることを特徴とする鉄橋周辺の騒音防止施工法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、線路の枕木間に挿入して使用することができる線路用吸音材とそれを使用して鉄橋周辺の騒音を防止する施工方法に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月13日(2009.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】  本発明は、補持具本体に沿って形成した挿入空間に回転チェーンからなる可動体を長手方向に挿入、配置し、差込孔から差し込んだシート体の端縁を保持部に沿って前記挿入空間に差し込むと、挿入空間に配置される回転体チェーンの各回転体と保持部との間にシート体の端縁が挟まれ、次いで、回転体チェーンが重力により下方へと移動するときはそのままで、重力で移動しない場合には差し込んだシート体を差込孔の差込口端方向へ引くと各回転体が差込孔へ移動して楔効果によりシート体の端縁を押圧保持する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】  このように本発明は、シート体の端縁を差込孔から挿入空間へと差し込み、次いで、回転体チェーンが重力により下方へと移動するときはそのままで、重力で移動しない場合には少し抜き方向へ戻すというきわめて簡単な作業でシート体の端縁を保持することが可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2008121337.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月18日(2009.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
潤滑油が底部に溜められる密閉容器（１）と、この密閉容器（１）内に配置された圧縮要素（２）と、上記密閉容器（１）内に配置され、上記圧縮要素（２）をシャフト（１２）を介して駆動するモータ（３）とを備え、
上記モータ（３）は、ロータ（６）と、このロータ（６）の径方向外側に配置されたステータ（５）とを有し、
上記ステータ（５）は、ステータコア（５１０）と、このステータコア（５１０）に巻かれたコイル（５２０）と、上記ステータコア（５１０）の上記圧縮要素（２）側に上記コイル（５２０）よりも径方向外側に配置された外側ガイド部（５０１）と、上記ステータコア（５１０）の上記圧縮要素（２）側に上記コイル（５２０）よりも径方向内側に配置された内側ガイド部（５０２）とを有し、
上記外側ガイド部（５０１）は、上記内側ガイド部（５０２）の上記圧縮要素（２）側の端よりも、上記圧縮要素（２）側に、延びていることを特徴とする圧縮機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するため、この発明の圧縮機は、
潤滑油が底部に溜められる密閉容器と、この密閉容器内に配置された圧縮要素と、上記密閉容器内に配置され、上記圧縮要素をシャフトを介して駆動するモータとを備え、
上記モータは、ロータと、このロータの径方向外側に配置されたステータとを有し、
上記ステータは、ステータコアと、このステータコアに巻かれたコイルと、上記ステータコアの上記圧縮要素側に上記コイルよりも径方向外側に配置された外側ガイド部と、上記ステータコアの上記圧縮要素側に上記コイルよりも径方向内側に配置された内側ガイド部とを有し、
上記外側ガイド部は、上記内側ガイド部の上記圧縮要素側の端よりも、上記圧縮要素側に、延びていることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この発明の圧縮機によれば、上記外側ガイド部は、上記内側ガイド部の上記圧縮要素側の端よりも、上記圧縮要素側に、延びており、上記外側ガイド部および上記内側ガイド部は、上記密閉容器内の潤滑油を、上記圧縮要素から上記密閉容器内に吐出された冷媒ガスとともに、上記ステータの径方向内側にガイドする。この結果、上記密閉容器内の潤滑油を、冷媒ガスとともに、上記ステータの径方向内側の空間に、流すことができる。つまり、上記ステータの径方向内側の空間を、潤滑油および冷媒ガスの往き専用の通路とし、上記ステータの径方向外側の空間を、潤滑油の戻り専用の通路とすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
この発明の圧縮機によれば、上記外側ガイド部は、上記内側ガイド部の上記圧縮要素側の端よりも、上記圧縮要素側に、延びており、上記外側ガイド部および上記内側ガイド部は、上記密閉容器内の潤滑油を、上記圧縮要素から上記密閉容器内に吐出された冷媒ガスとともに、上記ステータの径方向内側にガイドする。この結果、上記油溜まり部の油面切れを防止できる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年4月5日(2010.4.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィにより基板上に形成されるデザインを最適化する方法であって、
（ａ）少なくとも１つのコーナー上に位置した場合において最終的に基板上に転送されるデザイン中のコーナーを鋭くするように働くセリフの寸法に基づき、前記デザインの前記少なくとも１つのコーナーの近似した丸みを決定する工程と、
（ｂ）前記少なくとも１つのコーナーの前記近似した丸みを決定した後に前記デザインの表現を生成する工程と、
（ｃ）前記デザインの表現に基づき前記デザインを結像するために利用されるマスクの最初の表現を生成する工程と、
（ｄ）前記マスクの前記最初の表現を用いて光近接効果の補正（ＯＰＣ）を行う工程とを含む、方法。
【請求項２】
前記工程（ｄ）が、
（ｅ）前記マスクの前記最初の又は次の表現に基づいて前記デザインの像を計算により生成する工程と、
（ｆ）前記工程（ｂ）で生成された前記デザインの表現と工程（ｅ）で生成された前記像の間のずれを評価する工程と、
（ｇ）前記工程（ｆ）の前記評価の結果が予め定義された制約条件を満足するかどうかを判定する工程と、
（ｈ）前記結果が予め定義された制約条件を満足しない場合、前記結果に従って前記マスクの次の表現を生成する工程と、
（ｉ）前記ずれが予め定義された制約条件を満たすまで、前記工程（ｅ）から前記工程（ｈ）を繰り返す工程とをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記工程（ｂ）が、
（ｉ）前記近似した丸みに基づき、面取りの切り取りのサイズを選択する工程と、
（ｉｉ）前記切り取りの前記サイズに従って前記デザインの表現における前記少なくとも１つのコーナーを面取りして、丸みを近似する工程とをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記面取りの切り取る形状を選択する工程をさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記切り取りの前記形状の少なくとも２つの角度が等しい、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記面取りの前記切り取りのサイズが所定のサイズの増分の形で形成される面取りの角度に基づく、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記所定のサイズが４５°である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記デザインの前記表現における前記少なくとも１つのコーナーを面取りして、前記丸みを近似する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記近似した丸みが１組の所定のリソグラフィ処理ファクタに基づく最小の丸みにさらに対応する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記面取りが前記デザインの第１のコーナーに対応する第１の面取りに対応し、
（ｉ）前記第１のコーナーに隣接する第２のコーナー用の第２の面取りの第２の切り取りのサイズを決定する工程と、
（ｉｉ）前記第１の面取りと前記第２の面取りが互いに交差しないように、前記第１の面取りと前記第２の面取りのうちの少なくとも１つのサイズを小さくする工程とをさらに含む、請求項３及び８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記面取りが前記デザインの第１のコーナーに対応する第１の面取りに対応し、
（ｉ）前記第１のコーナーに隣接する第２のコーナー用の第２の面取りの第２の切り取りのサイズを決定する工程と、
（ｉｉ）前記第１の面取りと前記第２の面取りが互いに交差しないように、比例して前記第１の面取りと前記第２の面取りのサイズを小さくする工程とをさらに含む、請求項３及び８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記切り取りの前記サイズが、前記少なくとも１つのコーナーにおける前記セリフ及び前記デザインの対応する部分の重なり合う値に基づく、請求項３に記載の方法。
【請求項１３】
前記工程（ｅ）の前に、
（ｉ）マスク製造上の制約条件に基づき、前記マスクの前記最初の表現のコーナーの丸みを決定する工程と、
（ｉｉ）マスク製造上の制約条件に起因したコーナーの丸み付けが適用された前記最初の表現に基づき、次のマスクの表現を生成する工程とをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項１４】
各コーナーにおける丸みが所定の半径を有する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
少なくとも１つのマシン読み出し可能な媒体によって移送可能な実行可能なコードを含み、少なくとも１つのプログラム可能なコンピュータによるコードの実行が、前記少なくとも１つのプログラム可能なコンピュータをして、前記基板上に製造される前記デザインを最適化するための請求項１から１４までのいずれか一項に記載の工程のシーケンスを実行させる、コンピュータ・プログラム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
本明細書における教示によって、上記に述べた問題が緩和され、基板上に形成されるデザインを最適化する新規な方法が提供される。工程には、デザインによる像の少なくとも１つのコーナーの丸みを近似する工程と、さらに少なくとも１つのコーナーの近似した丸みにデザインの描写（表現）を生成する工程と、その描写に基づきデザインを撮像（結像）するために利用するマスクの最初の描写を生成する工程と、さらにマスクの最初の描写に光近接効果の補正（ＯＰＣ）を実施する工程とが含まれる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月20日(2010.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源の光を用いて画像を投射する画像投射部と、
前記光源への供給電力を制御する電力制御部と、
前記電力制御部へ出力される指令信号の制御を行うシステム制御部と、
揮発性メモリと、
前記揮発性メモリに記憶されたデータを記憶する不揮発性メモリと、
外部電源から前記電力制御部への供給電圧を生成するために用いられるコンデンサを備えた電源部と、を有し、
前記システム制御部は、前記外部電源が遮断した場合に、前記コンデンサの蓄積電荷により生成された電圧を利用して、前記光源を消灯させるための動作を行った後に、前記揮発性メモリ内のデータを前記不揮発性メモリに記憶させることを特徴とする投射型表示装置。
【請求項２】
前記投射型表示装置は、前記システム制御部と前記電力制御部との間にスイッチ部を有し、
前記スイッチ部は、前記電源部に設けられた入力電圧レベル検知部からの信号により、前記システム制御部と前記電力制御部との間を遮断することを特徴とする請求項１に記載の投射型表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明の投射型表示装置のうち代表的な一つは、光源の光を用いて画像を投射する画像投射部と、前記光源への供給電力を制御する電力制御部と、前記電力制御部へ出力される指令信号の制御を行うシステム制御部と、揮発性メモリと、前記揮発性メモリに記憶されたデータを記憶する不揮発性メモリと、外部電源から前記電力制御部への供給電圧を生成するために用いられるコンデンサを備えた電源部と、を有し、前記システム制御部は、前記外部電源が遮断した場合に、前記コンデンサの蓄積電荷により生成された電圧を利用して、前記光源を消灯させるための動作を行った後に、前記揮発性メモリ内のデータを前記不揮発性メモリに記憶させることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月6日(2010.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成装置内のイベントの発生に応じて、該イベントの発生を示すＲＳＳ情報を生成し、該ＲＳＳ情報に該イベントに対応するレベルを割り当てる生成手段と、
前記生成手段により生成されたＲＳＳ情報と、該ＲＳＳ情報のレベルとを保存する情報保存手段と、
前記情報保存手段により保存されたＲＳＳ情報の量が予め定められた上限を越えるか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段により超えると判定された場合に、前記情報保存手段に保存されたＲＳＳ情報の内、レベルが低いＲＳＳ情報を削除し、新たに生成されるＲＳＳ情報のための空き容量を確保する削除手段と
を備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記生成手段は、発生したイベントが画像形成装置の障害である場合、生成したＲＳＳ情報に障害の種類に対応する固有の識別子を関連づけるとともに、障害以外のイベントよりも高いレベルを割り当て、
発生したイベントが障害からの復帰である場合、保存されたＲＳＳ情報の内、復帰した障害に対応する識別子が関連づけられたＲＳＳ情報を検索し、該当するＲＳＳ情報に付与されたレベルを下げるよう制御する制御手段を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記生成手段は、前記ＲＳＳ情報に生成した日時情報を付加して保存し、
前記削除手段は、削除対象となる前記レベルが低いＲＳＳ情報として、レベルが最も低いＲＳＳ情報が複数存在した場合、その中から、付加された前記日時情報が最も古いＲＳＳ情報を保存されたＲＳＳ情報から削除することを特徴とする請求項１または２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
保存されているＲＳＳ情報のレベルを変更した場合、デバイスに障害が発生しており、かつ、その障害に応じたＲＳＳ情報が保存されていないことを判定する第２の判定手段を更に備え、
前記第２の判定手段による判定の結果、デバイスに障害が発生しており、かつ、その障害に応じたＲＳＳ情報が保存されていない場合、当該障害の発生のイベント発生時に生成されるはずのＲＳＳ情報を前記生成手段により生成することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項５】
画像形成装置内のイベントの発生に応じて、該イベントの発生を示すＲＳＳ情報を生成し、該ＲＳＳ情報に該イベントに対応するレベルを割り当てる生成手段と、
前記生成手段により生成されたＲＳＳ情報と、該ＲＳＳ情報のレベルとを保存する情報保存手段と、
前記情報保存手段により保存されたＲＳＳ情報の量が予め定められた上限を越えるか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段により超えると判定された場合に、前記情報保存手段に保存されたＲＳＳ情報の内、レベルが低いＲＳＳ情報を削除し、新たに生成されるＲＳＳ情報のための空き容量を確保する削除手段と
してコンピュータを機能させるためのプログラム。
【請求項６】
前記生成手段は、発生したイベントが画像形成装置の障害である場合、生成したＲＳＳ情報に障害の種類に対応する固有の識別子を関連づけるとともに、障害以外のイベントよりも高いレベルを割り当て、
発生したイベントが障害からの復帰である場合、保存されたＲＳＳ情報の内、復帰した障害に対応する識別子が関連づけられたＲＳＳ情報を検索し、該当するＲＳＳ情報に付与されたレベルを下げるよう制御する制御手段としてコンピュータを更に機能させることを特徴とする請求項５に記載のプログラム。
【請求項７】
前記生成手段は、前記ＲＳＳ情報に生成した日時情報を付加して保存し、
前記削除手段は、削除対象となる前記レベルが低いＲＳＳ情報として、レベルが最も低いＲＳＳ情報が複数存在した場合、その中から、付加された前記日時情報が最も古いＲＳＳ情報を保存されたＲＳＳ情報から削除することを特徴とする請求項５または６に記載のプログラム。
【請求項８】
保存されているＲＳＳ情報のレベルを変更した場合、デバイスに障害が発生しており、かつ、その障害に応じたＲＳＳ情報が保存されていることを判定する第２の判定手段としてコンピュータを更に機能させ、
前記第２の判定手段による判定の結果、デバイスに障害が発生しており、かつ、その障害に応じたＲＳＳ情報が保存されていない場合、当該障害の発生のイベント発生時に生成されるはずのＲＳＳ情報を前記生成手段により生成することを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載のプログラム。
【請求項９】
画像形成装置内のイベントの発生に応じて、該イベントの発生を示すＲＳＳ情報を生成し、該ＲＳＳ情報に該イベントに対応するレベルを割り当てる生成工程と、
前記生成手段により生成されたＲＳＳ情報と、該ＲＳＳ情報のレベルとを保存する情報保存工程と、
前記情報保存工程により保存されたＲＳＳ情報の量が予め定められた上限を越えるか否かを判定する判定工程と、
前記判定工程により超えると判定された場合に、前記情報保存工程により保存されたＲＳＳ情報の内、レベルが低いＲＳＳ情報を削除し、新たに生成されるＲＳＳ情報のための空き容量を確保する削除工程と
を有することを特徴とするネットワークデバイス管理方法。
【請求項１０】
画像形成装置内のイベントの発生に応じて、該イベントの発生を示すＲＳＳ情報を生成し、該ＲＳＳ情報に該イベントに対応するレベルを割り当てる生成手段と、
前記生成手段により生成されたＲＳＳ情報と、該ＲＳＳ情報のレベルとを保存する情報保存手段と、
前記情報保存手段により保存されたＲＳＳ情報の量が予め定められた上限を越えるか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段により超えると判定された場合に、前記情報保存手段に保存されたＲＳＳ情報の内、レベルが低いＲＳＳ情報を削除し、新たに生成されるＲＳＳ情報のための空き容量を確保する削除手段とを備える画像形成装置と、
前記生成手段により新たに生成されたＲＳＳ情報を取得し、取得したＲＳＳ情報に対応するイベントの発生を表示する端末装置と
を具備したことを特徴とする画像形成装置管理システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
上記目的を達成するために本発明は以下の構成を有する。
画像形成装置内のイベントの発生に応じて、該イベントの発生を示すＲＳＳ情報を生成し、該ＲＳＳ情報に該イベントに対応するレベルを割り当てる生成手段と、
前記生成手段により生成されたＲＳＳ情報と、該ＲＳＳ情報のレベルとを保存する情報保存手段と、
前記情報保存手段により保存されたＲＳＳ情報の量が予め定められた上限を越えるか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段により超えると判定された場合に、前記情報保存手段に保存されたＲＳＳ情報の内、レベルが低いＲＳＳ情報を削除し、新たに生成されるＲＳＳ情報のための空き容量を確保する削除手段とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月24日(2010.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、
前記透明基板の一方の面に形成された有機ＥＬ素子と、
前記透明基板の他方の面に形成された複数の受光素子を有する撮像装置と、
を備え、
前記有機ＥＬ素子は前記透明基板に向けて光を放射し、
前記撮像装置は前記有機ＥＬ素子から放射される光を透過させることを特徴とする画像読取装置。
【請求項２】
前記複数の受光素子は、隣接する２つの受光素子間に所定の間隙が設けられるように配置され、
前記有機ＥＬ素子は、前記間隙と重なる領域の少なくとも一部が発光するように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の画像読取装置。
【請求項３】
透明基板と、
前記透明基板の一方の面に形成された複数の受光素子を有する撮像装置と、
前記透明基板の他方の面に形成された複数の有機ＥＬ素子と、
を備え、
前記複数の受光素子は、隣接する２つの受光素子間に所定の間隙が設けられるように配置され、
前記有機ＥＬ素子は、前記間隙と重なる領域の少なくとも一部が発光するように形成されるとともに前記透明基板に向けて光を放射し、
前記撮像装置は、前記有機ＥＬ素子から放射される光のうち前記間隙に向けて放射される光を透過させることを特徴とする画像読取装置。
【請求項４】
前記複数の有機ＥＬ素子は、赤色に発光する有機ＥＬ素子と緑色に発光する有機ＥＬ素子と青色に発光する有機ＥＬ素子とからなることを特徴とする請求項３に記載の画像読取装置。
【請求項５】
前記複数の受光素子のうちの少なくとも一部は所定の方向に配列され、
前記複数の有機ＥＬ素子は、前記所定の方向に沿って前記赤色に発光する有機ＥＬ素子と前記緑色に発光する有機ＥＬ素子と前記青色に発光する有機ＥＬ素子とが順に配置されていることを特徴とする請求項４に記載の画像読取装置。
【請求項６】
前記複数の有機ＥＬ素子は、前記所定の方向において２つの前記受光素子に対して１つの前記有機ＥＬ素子が対応するように配置されていることを特徴とする請求項５に記載の画像読取装置。
【請求項７】
透明基板の一方の面に有機ＥＬ素子を形成し、
次に、前記透明基板の他方の面に撮像装置を形成することを特徴とする画像読取装置の製造方法。
【請求項８】
透明基板の一方の面にトランジスタアレイを形成し、
次に、前記トランジスタアレイの表面に複数の有機ＥＬ素子をマトリクス状に形成し、
その後、前記透明基板の他方の面に撮像装置を形成することを特徴とする画像読取装置の製造方法。
【請求項９】
透明基板の一方の面に撮像装置を形成し、
次に、前記透明基板の他方の面に有機ＥＬ素子を形成することを特徴とする画像読取装置の製造方法。
【請求項１０】
透明基板の他方の面に撮像装置を形成し、
次に、前記透明基板の他方の面にトランジスタアレイを形成し、
その後、前記トランジスタアレイの表面に複数の有機ＥＬ素子をマトリクス状に形成することを特徴とする画像読取装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
以上の課題を解決するため、請求項１に記載の発明は、透明基板と、前記透明基板の一方の面に形成された有機ＥＬ素子と、前記透明基板の他方の面に形成された複数の受光素子を有する撮像装置と、を備え、前記有機ＥＬ素子は前記透明基板に向けて光を放射し、前記撮像装置は前記有機ＥＬ素子から放射される光を透過させることを特徴とする画像読取装置である。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の画像読取装置であって、前記複数の受光素子は、隣接する２つの受光素子間に所定の間隙が設けられるように配置され、前記有機ＥＬ素子は、前記間隙と重なる領域の少なくとも一部が発光するように形成されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項３に記載発明は、透明基板と、前記透明基板の一方の面に形成された複数の受光素子を有する撮像装置と、前記透明基板の他方の面に形成された複数の有機ＥＬ素子と、を備え、前記複数の受光素子は、隣接する２つの受光素子間に所定の間隙が設けられるように配置され、前記有機ＥＬ素子は、前記間隙と重なる領域の少なくとも一部が発光するように形成されるとともに前記透明基板に向けて光を放射し、前記撮像装置は、前記有機ＥＬ素子から放射される光のうち前記間隙に向けて放射される光を透過させることを特徴とする画像読取装置である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の画像読取装置であって、前記複数の有機ＥＬ素子は、赤色に発光する有機ＥＬ素子と緑色に発光する有機ＥＬ素子と青色に発光する有機ＥＬ素子とからなることを特徴とする。
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の画像読取装置であって、前記複数の受光素子のうちの少なくとも一部は所定の方向に配列され、前記複数の有機ＥＬ素子は、前記所定の方向に沿って前記赤色に発光する有機ＥＬ素子と前記緑色に発光する有機ＥＬ素子と前記青色に発光する有機ＥＬ素子とが順に配置されていることを特徴とする。
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の画像読取装置であって、前記複数の有機ＥＬ素子は、前記所定の方向において２つの前記受光素子に対して１つの前記有機ＥＬ素子が対応するように配置されていることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項７に記載の発明は、画像読取装置の製造方法であって、透明基板の一方の面に有機ＥＬ素子を形成し、次に、前記透明基板の他方の面に撮像装置を形成することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項８に記載の発明は、画像読取装置の製造方法であって、透明基板の一方の面にトランジスタアレイを形成し、次に、前記トランジスタアレイの表面に複数の有機ＥＬ素子をマトリクス状に形成し、その後、前記透明基板の他方の面に撮像装置を形成することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項９に記載の発明は、画像読取装置の製造方法であって、透明基板の一方の面に撮像装置を形成し、次に、前記透明基板の他方の面に有機ＥＬ素子を形成することを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項１０に記載の発明は、画像読取装置の製造方法であって、透明基板の他方の面に撮像装置を形成し、次に、前記透明基板の他方の面にトランジスタアレイを形成し、その後、前記トランジスタアレイの表面に複数の有機ＥＬ素子をマトリクス状に形成することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月8日(2010.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線を投影する投影系を有し、該投影系により投影された荷電粒子線を用いて基板にパターンを描画する荷電粒子線描画装置であって、
前記投影系は、磁界を発生する対称型磁気ダブレットレンズと、前記磁界と重なる電界を発生する静電レンズとを備え、
前記静電レンズは、第１乃至第３円筒電極を含み、
前記第１円筒電極は物面側に配置され、前記第３円筒電極は像面側に配置され、前記第２円筒電極は前記第１円筒電極と前記第３円筒電極との間に配置され、
前記第１円筒電極および前記第３円筒電極には、前記基板の電位と同一の電位が与えられ、
前記第２円筒電極には、前記対称型磁気ダブレットレンズに入射した荷電粒子線を加速し且つ前記対称型磁気ダブレットレンズから射出する荷電粒子線を減速させるための電位を少なくとも前記対称型磁気ダブレットレンズの瞳に与える電位が与えられる、
ことを特徴とする荷電粒子線描画装置。
【請求項２】
前記第１円筒電極および前記第３円筒電極は、接地される、ことを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線描画装置。
【請求項３】
前記第２円筒電極は、前記対称型磁気ダブレットレンズの上段磁界レンズの鉛直方向における中心位置と前記対称型磁気ダブレットレンズの下段磁界レンズの鉛直方向における中心位置との間に配置されている、ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の荷電粒子線描画装置。
【請求項４】
前記第２円筒電極は、前記第２円筒電極の上端が前記上段磁界レンズの下端を超え、前記第２円筒電極の下端が前記下段磁界レンズの上端を超える長さを有する、ことを特徴とする請求項３に記載の荷電粒子線描画装置。
【請求項５】
前記第２円筒電極の上端から前記対称型磁気ダブレットレンズの瞳までの距離に対する前記第２円筒電極の下端から前記瞳までの距離の比が前記対称型磁気ダブレットレンズの倍率と等しくなるように、前記第２円筒電極が配置されている、ことを特徴する請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の荷電粒子線描画装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の荷電粒子線描画装置を用いて基板にパターンを描画する工程と、
前記工程で前記パターンを描画された基板に現像処理を施す工程と、を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、荷電粒子線を投影する投影系を有し、該投影系により投影された荷電粒子線を用いて基板にパターンを描画する荷電粒子線描画装置であって、前記投影系は、磁界を発生する対称型磁気ダブレットレンズと、前記磁界と重なる電界を発生する静電レンズとを備え、前記静電レンズは、第１乃至第３円筒電極を含み、前記第１円筒電極は物面側に配置され、前記第３円筒電極は像面側に配置され、前記第２円筒電極は前記第１円筒電極と前記第３円筒電極との間に配置され、前記第１円筒電極および前記第３円筒電極には、前記基板の電位と同一の電位が与えられ、前記第２円筒電極には、前記対称型磁気ダブレットレンズに入射した荷電粒子線を加速し且つ前記対称型磁気ダブレットレンズから射出する荷電粒子線を減速させるための電位を少なくとも前記対称型磁気ダブレットレンズの瞳に与える電位が与えられる、ことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
第２円筒電極２０の上端から対称型磁気ダブレットレンズの瞳１８までの距離Ｌ１に対する第２円筒電極２０の下端から磁気ダブレットレンズの瞳１８までの距離Ｌ２の比は数式２を満足するように設定される。Ｍは対称型磁気ダブレットレンズの倍率である。
L２/L１＝M・・・（数式２）
数式２を満たすように第２円筒電極２０を配置すると、上段磁界レンズ１２及び下段磁界レンズ１５の像回転角が等しくなって像の回転がなくなり、非等方収差も発生せず、対称型磁気ダブレットレンズの光学特性が劣化しない。