【手続補正書】
【提出日】平成22年6月11日(2010.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光素子の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板１００上に、逆スタガ型薄膜トランジスタであるトランジスタ１３９ａ及び１３９ｂを有する発光素子の作製方法であって、
前記トランジスタ１３９ａはゲート電極層１０３、ゲート絶縁層１０５、半導体層１０８、一導電型を有する半導体層１１０ａ、１１０ｂ、ソース電極層又はドレイン電極層１１６、１１７を有し、
前記トランジスタ１３９ｂはゲート電極層１０４、ゲート絶縁層１０５、半導体層１０９、一導電型を有する半導体層１１１ａ、１１１ｂ、ソース電極層又はドレイン電極層１１８、１１９を有し、
前記基板１００上に、前記ゲート電極層１０３及び１０４を形成する第１の工程を有し、
前記第１の工程は、
１）基板１０１の表側の面上に導電膜を形成する工程と、
２）前記基板１００と、前記導電膜とを対向させる工程と、
３）前記基板１０１の裏側の面よりレーザ光を照射して前記基板１００上に前記導電膜を転置して前記ゲート電極層１０３及び１０４を形成する工程と、を有し、
前記ゲート電極層１０３及び１０４上に前記ゲート絶縁層１０５を形成する第２の工程を有し、
前記ゲート絶縁層１０５にレーザ光を照射して前記ゲート電極層１０４の上面の一部が露出するように前記ゲート絶縁層１０５に開口１０７を形成する第３の工程を有し、
前記ゲート絶縁層１０５上に前記半導体層１０８及び１０９を形成する第４の工程を有し、
前記第４の工程は、
１）基板の表側の面上に半導体膜を形成する工程と、
２）前記ゲート絶縁層１０５と、前記半導体膜とを対向させる工程と、
３）前記基板の裏側の面よりレーザ光を照射して前記半導体膜を転置して、前記ゲート電極層１０３上に前記ゲート絶縁層１０５を介して前記半導体層１０８を形成するとともに、前記ゲート電極層１０４の露出していない領域上に前記ゲート絶縁層１０５を介して前記半導体層１０９を形成する工程と、を有し、
前記半導体層１０８及び１０９上に前記一導電型を有する半導体層１１０ａ、１１０ｂ、１１１ａ及び１１１ｂを形成する第５の工程を有し、
前記第５の工程は、
１）基板１１４の表側の面上に一導電型を有する半導体膜を形成する工程と、
２）前記半導体層１０８及び１０９と、前記一導電型を有する半導体膜とを対向させる工程と、
３）前記基板１１４の裏側の面よりレーザ光を照射して前記一導電型を有する半導体膜を転置して、前記半導体層１０８上にソース領域又はドレイン領域となる前記一導電型を有する半導体層１１０ａ及び１１０ｂを形成するとともに、前記半導体層１０９上にソース領域又はドレイン領域となる前記一導電型を有する半導体層１１１ａ及び１１１ｂを形成する工程と、を有し、
前記半導体層１１０ａ、１１０ｂ、１１１ａ、１１１ｂ上及び前記ゲート電極層１０４上の前記開口１０７に、前記ソース電極層又はドレイン電極層１１６、１１７、１１８、１１９を形成する第６の工程を有し、
前記第６の工程は、
１）基板１２１の表側の面上に導電膜を形成する工程と、
２）前記半導体層１１０ａ、１１０ｂ、１１１ａ、１１１ｂ及び前記ゲート電極層１０４上の前記開口１０７と、前記導電膜を対向させる工程と、
３）前記基板１２１の裏側の面よりレーザ光を照射して前記導電膜を転置して、ａ）前記半導体層１１０ａ上に前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層１１６を形成し、
ｂ）前記半導体層１１０ｂ上及び前記ゲート電極層１０４の前記開口１０７に前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層１１７を形成し、
ｃ）前記半導体層１１１ａ上に前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層１１９を形成し、
ｄ）前記半導体層１１１ｂ上に前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層１１８を形成する、工程と、を有し、
前記第１の工程乃至前記第６の工程により、前記トランジスタ１３９ａ及び１３９ｂが完成し、
前記トランジスタ１３９ａ及び１３９ｂ上に絶縁層１２３を形成する第７の工程を有し、
前記絶縁層１２３に、レーザ光を照射して前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層１１９の上面の一部を露出するように前記絶縁層１２３に開口１２５を形成する第８の工程を有し、
前記絶縁層１２３上及び前記開口１２５に導電膜を形成し、エッチング加工して画素電極として機能する第１の電極層１２６を形成する第９の工程を有し、
前記絶縁層１２３上及び前記第１の電極層１２６上に絶縁層を形成し、当該絶縁層をエッチング加工して、前記第１の電極１２６上に開口部を有する絶縁層１３１を形成する第１０の工程を有し、
熱処理を行って前記第１の電極層１２６及び前記絶縁層１３１に含まれる水分又は表面に吸着している水分を除去する第１１の工程を有し、
前記第１の電極層１２６上に電界発光層１３２を形成する第１２の工程を有し、
前記電界発光層１３２上に第２の電極層１３３を形成する第１３の工程を有する、ことを特徴とする発光素子の作製方法。
【請求項２】
基板上に、逆スタガ型薄膜トランジスタである第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを有する発光素子の作製方法であって、
前記第１のトランジスタは第１のゲート電極層、ゲート絶縁層、第１の半導体層、第１の一導電型を有する半導体層、第２の一導電型を有する半導体層、第１のソース電極層及び第１のドレイン電極層を有し、
前記第２のトランジスタは第２のゲート電極層、ゲート絶縁層、第２の半導体層、第３の一導電型を有する半導体層、第４の一導電型を有する半導体層、第２のソース電極層及び第２のドレイン電極層を有し、
前記基板上に、前記第１のゲート電極層及び前記第２のゲート電極層を形成する第１の工程を有し、
前記第１の工程は、
１）第２の基板の表側の面上に導電膜を形成する工程と、
２）前記基板と、前記導電膜とを対向させる工程と、
３）前記第２の基板の裏側の面よりレーザ光を照射して前記基板上に前記導電膜を転置して前記第１のゲート電極層及び前記第２のゲート電極層を形成する工程と、を有し、
前記第１のゲート電極層及び前記第２のゲート電極層上に前記ゲート絶縁層を形成する第２の工程を有し、
前記ゲート絶縁層にレーザ光を照射して前記第２のゲート電極層の上面の一部が露出するように前記ゲート絶縁層に開口を形成する第３の工程を有し、
前記ゲート絶縁層上に前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層を形成する第４の工程を有し、
前記第４の工程は、
１）第３の基板の表側の面上に半導体膜を形成する工程と、
２）前記ゲート絶縁層と、前記半導体膜とを対向させる工程と、
３）前記第３の基板の裏側の面よりレーザ光を照射して前記半導体膜を転置して、前記第１のゲート電極層上に前記ゲート絶縁層を介して前記第１の半導体層を形成するとともに、前記第２のゲート電極層の露出していない領域上に前記ゲート絶縁層を介して前記第２の半導体層を形成する工程と、を有し、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層上に前記第１の一導電型を有する半導体層、前記第２の一導電型を有する半導体層、前記第３の一導電型を有する半導体層及び前記第４の一導電型を有する半導体層を形成する第５の工程を有し、
前記第５の工程は、
１）第４の基板の表側の面上に一導電型を有する半導体膜を形成する工程と、
２）前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層と、前記一導電型を有する半導体膜とを対向させる工程と、
３）前記第４の基板の裏側の面よりレーザ光を照射して前記一導電型を有する半導体膜を転置して、前記第１の半導体層上にソース領域又はドレイン領域となる前記第１の一導電型を有する半導体層及び前記第２の一導電型を有する半導体層を形成するとともに、前記第２の半導体層上にソース領域又はドレイン領域となる前記第３の一導電型を有する半導体層及び前記第４の一導電型を有する半導体層を形成する工程と、を有し、
前記第１の一導電型を有する半導体層上、前記第２の一導電型を有する半導体層上、前記第３の一導電型を有する半導体層上、前記第４の一導電型を有する半導体層上及び前記第２のゲート電極層上の前記開口に、前記第１のソース電極層、前記第１のドレイン電極層、前記第２のソース電極層、前記第２のドレイン電極層を形成する第６の工程を有し、
前記第６の工程は、
１）第５の基板の表側の面上に導電膜を形成する工程と、
２）前記第１の一導電型を有する半導体層、前記第２の一導電型を有する半導体層、前記第３の一導電型を有する半導体層、前記第４の一導電型を有する半導体層及び前記第２のゲート電極層上の前記開口と、前記導電膜を対向させる工程と、
３）前記第５の基板の裏側の面よりレーザ光を照射して前記導電膜を転置して、ａ）前記第１の一導電型を有する半導体層上に前記第１のソース電極層及び前記第１のドレイン電極層の一方を形成し、
ｂ）前記第２の一導電型を有する半導体層上及び前記第２のゲート電極層の前記開口に前記第１のソース電極層及び前記第１のドレイン電極層の他方を形成し、
ｃ）前記第３の一導電型を有する半導体層上に前記第２のソース電極層及び前記第２のドレイン電極層の一方を形成し、
ｄ）前記第４の一導電型を有する半導体層上に前記第２のソース電極層及び前記第２のドレイン電極層の他方を形成する、工程と、を有し、
前記第１の工程乃至前記第６の工程により、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタが完成し、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタ上に第１の絶縁層を形成する第７の工程を有し、
前記第１の絶縁層に、レーザ光を照射して前記第２のソース電極層及び前記第２のドレイン電極層の一方の上面の一部を露出するように前記第１の絶縁層に開口を形成する第８の工程を有し、
前記第１の絶縁層上及び前記第１の絶縁層の前記開口に導電膜を形成し、エッチング加工して画素電極として機能する第１の電極層を形成する第９の工程を有し、
前記第１の絶縁層上及び前記第１の電極層上に第２の絶縁層を形成し、当該第２の絶縁層をエッチング加工して、前記第１の電極上に開口部を有する第３の絶縁層を形成する第１０の工程を有し、
熱処理を行って前記第１の電極層及び前記第３の絶縁層に含まれる水分又は表面に吸着している水分を除去する第１１の工程を有し、
前記第１の電極層上に電界発光層を形成する第１２の工程を有し、
前記電界発光層上に第２の電極層を形成する第１３の工程を有する、ことを特徴とする発光素子の作製方法。