Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月27日(2010.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生体内でキャプチャされた１組の画像から要約動画ストリームを生成する方法であって、
体の管腔内に配置された摂取可能な生体内装置によって１組の画像をキャプチャし、
１組の画像をデータプロセッサに転送し、
１組の画像の動画ストリームを生成し、
１組の画像のうちの複数の画像のサブセット内で所定の数の連続した画像の各グループから１つの画像を選択することにより、キャプチャされた画像の組から画像のサブセットを表示するために自動的に選択し、少なくとも２つの異なる生体領域内でキャプチャされた画像を選択するために異なる所定の数が使用され、選択は、表示のために症状に関する画像を選択すること、表示のために既存の画像との類似を有する画像を選択すること、色の弁別の基準に基づいて画像を選択すること、注釈ベースの基準に基づいて画像を選択すること、および画像品質に基づいて画像を選択することからなるグループから選択された編集方法に基づいており、および
選択された画像のサブセットを、１組の画像の動画ストリームを要約する要約動画ストリームとして、モニタ上に表示すること
を含む、方法。
【請求項２】
装置がカプセルである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
画像が胃腸管内でキャプチャされた画像である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
編集方法がユーザによって選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
要約動画ストリームを観察するための編集方法を格納するシステムであって、
体の管腔内に配置された摂取可能な生体内装置によってキャプチャされた１組の画像と、１組の画像から生成された動画ストリームを受けることができる画像記憶メモリと、
１組の画像のうちの複数の画像のサブセット内で所定の数の連続した画像の各グループから１つの画像を選択することにより、キャプチャされた画像の組から画像のサブセットを表示するために自動的に選択するための編集方法のグループを格納することができる編集メモリであって、少なくとも２つの異なる生体領域内でキャプチャされた画像を選択するために異なる所定の数が使用され、選択は、表示のために症状に関する画像を選択すること、表示のために既存の画像との類似を有する画像を選択すること、色の弁別の基準に基づいて画像を選択すること、および画像品質に基づいて画像を選択することからなるグループから選択された編集方法に基づいている、前記編集メモリと、
選択された画像のサブセットを、１組の画像の動画ストリームを要約する要約動画ストリームとして表示するためのディスプレイと
を備える、システム。
【請求項６】
生体内装置が飲込み可能なカプセルである、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
画像が胃腸管内でキャプチャされた画像である、請求項５に記載のシステム。
【請求項８】
編集方法がユーザによって選択される、請求項５に記載のシステム。
【請求項９】
生体内でキャプチャされた１組の画像から要約動画ストリームを生成するシステムであって、
体の管腔内に配置された場合に１組の画像をキャプチャするように構成された摂取可能な生体内装置と、
生体内装置によりキャプチャされた１組の画像を受信し、１組の画像の動画ストリームを生成し、１組の画像のうちの複数の画像のサブセット内で所定の数の連続した画像の各グループから１つの画像を選択することによってキャプチャされた画像の組から画像のサブセットを表示するために自動的に選択するデータプロセッサであって、少なくとも２つの異なる生体領域内でキャプチャされた画像を選択するために異なる所定の数が使用され、選択は、表示のために症状に関する画像を選択すること、表示のために既存の画像との類似を有する画像を選択すること、色の弁別の基準に基づいて画像を選択すること、注釈ベースの基準に基づいて画像を選択すること、および画像品質に基づいて画像を選択することからなるグループから選択された編集方法に基づいている、前記データプロセッサと、
選択された画像のサブセットを、１組の画像の動画ストリームを要約する要約動画ストリームとして表示するためのディスプレイと
を備える、システム。
【請求項１０】
生体内装置がカプセルである、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
画像が胃腸管内でキャプチャされた画像である、請求項９に記載のシステム。
【請求項１２】
編集方法がユーザによって選択される、請求項９に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月18日(2010.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明なフィルム基材の片面または両面に少なくとも２層のアンダーコート層を介して、透明導電体層を有する透明導電性フィルムであって、
前記透明導電体層はパターン化されており、かつ前記透明導電体層を有しない非パターン部には前記少なくとも１層のアンダーコート層を有し、かつ、少なくとも、透明なフィルム基材から最も離れたアンダーコート層は、透明導電体層と同様にパターン化されていることを特徴とする透明導電性フィルム。
【請求項２】
アンダーコート層が少なくとも２層あり、少なくとも、透明なフィルム基材から最も離れたアンダーコート層は、無機物により形成されていることを特徴とする請求項１記載の透明導電性フィルム。
【請求項３】
無機物により形成されたアンダーコート層が、ＳｉＯ２膜であることを特徴とする請求項２記載の透明導電性フィルム。
【請求項４】
透明なフィルム基材から第一層目のアンダーコート層は、有機物により形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の透明導電性フィルム。
【請求項５】
透明導電体層の屈折率とアンダーコート層の屈折率の差が、０．１以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の透明導電性フィルム。
【請求項６】
パターン化された透明導電体層は、２層のアンダーコート層を介して設けられており、
透明なフィルム基材から第一層目のアンダーコート層は、屈折率（ｎ）が１．５〜１．７、厚み（ｄ）が１００〜２２０ｎｍであり、
透明なフィルム基材から第二層目のアンダーコート層は、屈折率（ｎ）が１．４〜１．５、厚み（ｄ）が２０〜８０ｎｍであり、
透明導電体層は、屈折率（ｎ）が１．９〜２．１、厚み（ｄ）が１５〜３０ｎｍであり、
前記各層の光学厚み（ｎ×ｄ）の合計が、２０８〜５５４ｎｍであることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の透明導電性フィルム。
【請求項７】
パターン化された透明導電体層と２層のアンダーコート層に係る前記光学厚みの合計と、非パターン部のアンダーコート層の光学厚みの差（Δｎｄ）が、４０〜１３０ｎｍであることを特徴とする請求項６記載の透明導電性フィルム。
【請求項８】
少なくとも片面に前記パターン化された透明導電体層が配置されるように、透明な粘着剤層を介して、請求項１〜７のいずれかに記載の透明導電性フィルムが少なくとも２枚積層されていることを特徴とする透明導電性フィルム。
【請求項９】
片面に前記パターン化された透明導電体層が配置されるように、請求項１〜８のいずれかに記載の透明導電性フィルムの片面に、透明な粘着剤層を介して透明基体が貼り合わされていることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の透明導電性フィルム。
【請求項１０】
タッチパネルに用いられるものであることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の透明導電性フィルム。
【請求項１１】
タッチパネルが静電容量結合方式のタッチパネルであることを特徴とする請求項１０に記載の透明導電性フィルム。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれかに記載の透明導電性フィルムの製造方法であって、
透明なフィルム基材の片面または両面に、少なくとも２層のアンダーコート層を介して、透明導電体層を有する透明導電性フィルムを調製する工程、
前記透明導電体層を、酸によりエッチングしてパターン化する工程、および、前記パターン化する工程の後に、少なくとも、透明なフィルム基材から最も離れたアンダーコート層をアルカリによりエッチングする工程を有することを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法。
【請求項１３】
透明導電体層をパターン化する工程の後に、パターン化された透明導電体層をアニール化処理して結晶化させる工程を有することを特徴とする請求項１２記載の透明導電性フィルムの製造方法。
【請求項１４】
請求項１〜１１のいずれかに記載の透明導電性フィルムを備えたことを特徴とするタッチパネル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
透明導電性フィルムにおいて、透明導電体層がパターン化して設けられた場合には、パターン部と非パターン部の反射率差によってパターン間が明確化になって見栄えが損なわれていた。本発明の透明導電性フィルムでは、透明導電体層をパターン化しているが、非パターン部にはアンダーコート層が設けられており、パターン部と非パターン部の反射率差を小さく抑えることができ、パターン間の明確化による不具合が解消されて見栄えがよくなる。また、非パターン部にアンダーコート層が設けられることで、フィルム基材がむき出し状態にならず、フィルム基材中のオリゴマーの発生を抑えることができ、外観の点で良好である。また、非パターン部にアンダーコート層が設けられることで、パターン化された透明導電体層は、それぞれの間が絶縁化され、パターン化された透明導電体層によって、透明導電性フィルムの使用態様が広がる。かかる透明導電性フィルムは、タッチパネルにおいて好適に用いられる。特に静電容量結合方式のタッチパネルに好適に用いられる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月9日(2010.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
請求項１に記載のアルカリ蓄電池用負極において、前記の平均分子量が１００万以下のフッ素樹脂が、四フッ化エチレン樹脂、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体から選択される少なくとも１種であることを特徴とするアルカリ蓄電池用負極。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
ここで、上記の平均分子量が１００万以下のフッ素樹脂としては、例えば、四フッ化エチレン樹脂、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体から選択される少なくとも1種を用いることができ、特に、平均分子量が１００万以下のものが得やすい四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体を用いることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月3日(2010.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に外部端子接合用パッドを有し、該外部端子接合用パッドにピン又は半田ボールが半田接合されて外部接続端子が形成される配線基板であって、
前記外部端子接合用パッドは、中央部が突出した立体形状であることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記立体形状は、端部から滑らかに中央部に突出した球面状の曲面形状であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記立体形状は、中央部と端部が段差を有し、端部は平坦で中央部のみが突出した形状であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項４】
前記立体形状は、中央部と端部が異なる高さに突出し、中央部の突出高さが端部の突出高さよりも高い形状であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項５】
前記外部端子接合用パッドは、絶縁層上に形成され、周囲がソルダレジストで囲まれていることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項６】
前記外部端子接合用パッドは、ビア穴上に形成され、周囲がソルダレジストで囲まれていることを特徴とする請求項１又は３に記載の配線基板。
【請求項７】
前記外部端子接合用パッドは、絶縁層上に形成され、表面が絶縁層から露出されていることを特徴とする請求項１、２又は４のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の配線基板を有し、
外部端子接合用パッドに、ピンが半田接合された外部接続端子を有することを特徴とするピン付き配線基板。
【請求項９】
中央部が突出した立体形状の外部端子接合用パッドを有する配線基板の製造方法であって、
金属からなる支持体に、レジストをパターンニングするレジストパターンニング工程と、
エッチングを行い、前記レジストに覆われていない部分の前記支持体に窪みを形成するエッチング工程と、
前記窪みに、電解めっきにより前記外部端子接合用パッドを形成する外部端子接合用パッド形成工程と、
前記レジストを除去するレジスト除去工程と、
前記外部端子接合用パッドが形成された前記支持体の表面に、絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層上に、前記外部端子接合用パッドと接続する配線層を形成する配線層形成工程と、
前記支持体を、エッチングにより除去する支持体除去工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記レジストパターニング工程は、円形状の開口の中に、円環状のパターンを有するめっきレジストを用いて行われ、
前記エッチング工程における窪みの形状は、中央部と周辺部で段差のある形状であることを特徴とする請求項９に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項９又は１０に記載の配線基板の製造方法を実行し、
外部端子接合用パッドに、半田接合によりピンを付けて、外部接続端子を形成することを特徴とするピン付き配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するため、第１の発明に係る配線基板は、表面に外部端子接合用パッドを有し、該外部端子接合用パッドにピン又は半田ボールが半田接合されて外部接続端子が形成される配線基板であって、
前記外部端子接合用パッドは、中央部が突出した立体形状であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
第５の発明は、第１又は第２の発明に係る配線基板において、
前記外部端子接合用パッドは、絶縁層上に形成され、周囲がソルダレジストで囲まれていることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
これにより、外部端子接合用パッドの外部接続端子との半田接合力を向上させるとともに、ピン付けの際に、半田内部にボイドが滞留するのを防ぐことができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
第６の発明は、第１又は第３の発明に係る配線基板において、
前記外部端子接合用パッドは、ビア穴上に形成され、周囲がソルダレジストで囲まれていることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
これにより、ビア穴上に形成された外部端子接合用パッドの外部接続端子との半田接合力を向上させるとともに、ピン付けの際に、半田内部にボイドが滞留するのを防ぐことができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
第７の発明は、第１、２又は第４のいずれか一つの発明に係る配線基板において、
前記外部端子接合用パッドは、絶縁層上に形成され、表面が絶縁層から露出されていることを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
これにより、ソルダレジストを形成しない態様の外部端子用接合用パッドを有する配線基板においても、外部接続端子との半田接合力を向上させるとともに、ピン付けの際に半田内部にボイドが滞留するのを防ぐことができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
第８の発明は、第１〜７のいずれか一つの発明に係る配線基板を有し、
外部端子接合用パッドに、ピンが半田接合された外部接続端子を有することを特徴とするピン付き配線基板。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
これにより、ピンと外部端子接合用パッドとの半田接合力を高めることができ、半導体素子搭載の際にも、ピンの位置を維持することができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
第９の発明に係る配線基板の製造方法は、中央部が突出した立体形状の外部端子接合用パッドを有する配線基板の製造方法であって、
金属からなる支持体に、レジストをパターンニングするレジストパターンニング工程と、
エッチングを行い、前記レジストに覆われていない部分の前記支持体に窪みを形成するエッチング工程と、
前記窪みに、電解めっきにより前記外部端子接合用パッドを形成する外部端子接合用パッド形成工程と、
前記レジストを除去するレジスト除去工程と、
前記外部端子接合用パッドが形成された前記支持体の表面に、絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層上に、前記外部端子接合用パッドと接続する配線層を形成する配線層形成工程と、
前記支持体を、エッチングにより除去する支持体除去工程と、を含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月30日(2010.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部電圧線を備える回路ブロックと、
前記回路ブロックの周囲で閉じた環状線を形成し、電源電圧または基準電圧が印加される第１環状線と、
前記第１環状線と前記回路ブロックとの間で閉じた環状線を形成し、複数の箇所で前記内部電圧線に接続されている第２環状線と、
前記第１環状線と前記第２環状線との間に電気的に接続される複数のスイッチと、
を有する半導体集積回路。
【請求項２】
前記回路ブロックの周囲に配置されるスイッチブロックを有し、
前記複数のスイッチは、前記スイッチブロック内に配置された複数のスイッチトランジスタから構成されている
請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項３】
前記スイッチブロック内において、前記第１環状線と前記第２環状線が並んで配線され、かつ、前記複数のスイッチトランジスタの一部が前記第１環状線と前記第２環状線の下層領域に配置されている
請求項２に記載の半導体集積回路。
【請求項４】
前記スイッチブロックを複数有し、
各スイッチブロックは矩形の外周を備え、
前記各スイッチブロックの外周の４辺のうち前記回路ブロックに近い内側辺から前記第１環状線までの距離が前記複数のスイッチブロックで等しく、かつ、前記内側辺から前記第２環状線までの距離が前記複数のスイッチブロックで等しい
請求項３に記載の半導体集積回路。
【請求項５】
前記回路ブロックは少なくとも２組の互いに対向する２辺からなる外周を備え、
前記対向する２辺の側に配置された前記スイッチブロックが、ミラー対称または１８０度回転対称のパターンを有する
請求項３に記載の半導体集積回路。
【請求項６】
前記回路ブロックの前記対向する２辺の側で前記スイッチブロックの配置数が異なる
請求項５に記載の半導体集積回路。
【請求項７】
前記複数のスイッチブロック内で、前記スイッチトランジスタは、ゲート電極の長手方向が同じ方向に揃えられている
請求項３に記載の半導体集積回路。
【請求項８】
前記回路ブロック内で、前記第２環状線に電気的に接続された複数の前記内部電圧線が格子状に配置されている
請求項１〜７の何れか一項に記載の半導体集積回路。
【請求項９】
格子状の前記複数の内部電圧線は、第１方向の内部電圧線と、前記第１方向と直交する第２方向の内部電圧線とが異なる階層の配線層から形成されている
請求項８に記載の半導体集積回路。
【請求項１０】
前記第２環状線は、第１方向の配線層と、前記第１方向と直交する第２方向に配線され前記第１方向の配線層と異なる階層の第２方向の配線層とから形成されている
請求項８または９に記載の半導体集積回路。
【請求項１１】
前記回路ブロックは、前記スイッチブロックにより電源供給が制御される機能回路の配置領域と、汎用回路の配置領域とを備え、
前記汎用回路の配置領域が前記回路ブロック内の周辺部に配置されている
請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項１２】
前記汎用回路の配置領域は、前記回路ブロック内のコーナー部に位置する
請求項１１に記載の半導体集積回路。
【請求項１３】
前記汎用回路はメモリまたはＣＰＵである
請求項１１または１２に記載の半導体集積回路。
【請求項１４】
前記複数のスイッチセル内の、異なるスイッチトランジスタを各々制御する複数のスイッチ制御線を有する
請求項２に記載の半導体集積回路。
【請求項１５】
前記複数のスイッチ制御線の各々に対し、バッファ回路が接続されている
請求項１４に記載の半導体集積回路。
【請求項１６】
複数の前記バッファ回路が、前記回路ブロックに対し、前記第２環状線の外側に配置されている
請求項１５に記載の半導体集積回路。
【請求項１７】
前記バッファ回路は、前記第１環状線から電源供給を受ける波形整形回路である
請求項１６に記載の半導体集積回路。
【請求項１８】
内部電圧線を備える回路ブロックと、
前記回路ブロックの周囲で閉じた配線を形成し、電源電圧または基準電圧が印加される環状線と、
前記環状線の一部となる電圧線セグメント、および、当該電圧線セグメントと前記内部電圧線間の接続と非接続を制御するスイッチを各々が備え、前記環状線に沿って前記回路ブロックの周囲に配置されている複数のスイッチブロックと、
を有する半導体集積回路。
【請求項１９】
前記複数のスイッチブロックの各々に、前記スイッチが複数配置され、
各スイッチブロック内で、複数の前記スイッチの一部が前記電圧線セグメントの下層領域に配置されている
請求項１８に記載の半導体集積回路。
【請求項２０】
前記複数のスイッチブロックの各々において前記電圧線セグメントと前記スイッチが内部接続され、
各スイッチブロックのブロック枠の対向する２辺における、前記電圧線セグメントの端辺の位置関係が、前記複数のスイッチブロックで同じに設定されている
請求項１８に記載の半導体集積回路。
【請求項２１】
前記複数のスイッチブロックは、同一サイズを有し、前記回路ブロックの４つの辺ごとに異なる４種類のスイッチブロックから構成されることにより規格化されている
請求項２０に記載の半導体集積回路。
【請求項２２】
前記複数のスイッチブロックは、前記回路ブロックの４辺の各辺からみた、当該回路ブロックへ電源電圧または基準電圧を供給する配線のインピーダンスが小さいほど数多くなるように、前記回路ブロックの辺ごとの配置数が決められている
請求項２１に記載の半導体集積回路。
【請求項２３】
前記スイッチブロックの各々において、
前記スイッチの配置領域と交差または近接して前記電圧線セグメントが配置され、
前記スイッチの配置領域および前記電圧線セグメントに対し前記回路ブロックと反対の側に、前記電圧線セグメントから電圧供給を受けて動作するバッファ回路が形成され、
前記バッファ回路の入力側に、制御線を介して制御信号が入力される第１制御線セグメントが配置され、
前記バッファ回路の出力側に、前記スイッチの制御ノードに電気的に接続される第２制御線セグメントが配置されている
請求項１８に記載の半導体集積回路。
【請求項２４】
前記スイッチとして設けられたトランジスタのゲート電極の長手方向が、前記複数のスイッチブロック内で同じ方向に揃えられている
請求項１８に記載の半導体集積回路。
【請求項２５】
前記環状線は、前記回路ブロックの４辺のうち、一方の対向する２辺と平行な配線部分と、他の対向する２辺と平行な配線部分とが、異なる階層の配線層により形成されている
請求項１８に記載の半導体集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月11日(2010.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
オペレータが、レシピおよびロット番号を指定してロットスタートボタンを「オン」すると、該当ロットが投入され、そのロットに含まれるウエハを順に搬送する準備が整う。このタイミングに連動して図５のステップ５００から搬送処理が開始され、図６のステップ６００からウエハ処理が開始される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
そこで、本実施形態にかかる異常発生時割込処理では、以上に示した搬送状態の場合、図７のステップ７１５にて、搬送禁止部２６５は「Ｙｅｓ」と判定し、ステップ７２０に進んで、搬送先決定部２５５は異常ＰＭの復帰後、退避ウエハを復帰したＰＭに搬送するように搬送先を決定する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月17日(2010.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影光学系の最終面の光学素子と基板との間の領域に液体を流し、該投影光学系を介して原版のパターンを該基板に露光する露光装置であって、
前記領域に前記液体を供給する供給口と、
前記領域から前記液体を回収する回収口と、
移動可能に配置された平面板と、
前記平面板に設けられ、前記液体又は気体を吸引する吸引管と、
前記吸引管が前記液体又は前記気体を吸引しているときに、前記平面板を該平面板の表面と平行に駆動して前記吸引管の位置を移動させる駆動装置と、を有し、
前記駆動装置は、前記光学素子の下方の空間を液体で充填する工程において、前記吸引口が液体又は気体を吸引しているときに、前記平面板を駆動して前記吸引管を移動させることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記駆動装置は、前記平面板を駆動して前記光学素子の接液部より広い範囲で前記吸引管を移動させることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記露光装置は、前記駆動装置による前記平面板の駆動時間を計測するタイマ回路を有し、
前記タイマ回路は、計測された前記駆動時間に従い、前記駆動装置による前記平面板の駆動を停止させることを特徴とする請求項１又は２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記露光装置は、露光光を受光することにより気体の位置を特定するセンサを有し、
前記駆動装置は、前記平面板を駆動して、前記センサにより特定された前記気体の位置に前記吸引管を移動させることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記載の露光装置。
【請求項５】
投影光学系の最終面の光学素子と基板との間の領域に液体を流し、該投影光学系を介して原版のパターンを該基板に露光する露光装置であって、
前記領域に前記液体を供給する供給口と、
前記領域から前記液体を回収する回収口と、
前記光学素子と対向して配置される平面板と、
前記平面板に設けられ、前記液体又は気体を吸引する吸引管と、
前記平面板に設けられ、露光領域より広い開口を備えた吸引部材と、を有し、
前記液体又は前記気体は、前記吸引部材を介して前記吸引管に吸引されることを特徴とする露光装置。
【請求項６】
前記吸引部材は、複数の貫通孔が形成された多孔板であることを特徴とする請求項５記載の露光装置。
【請求項７】
前記吸引部材は、多孔質部材からなることを特徴とする請求項５記載の露光装置。
【請求項８】
投影光学系の最終面の光学素子と基板との間の領域に液体を流し、該投影光学系を介して原版のパターンを該基板に露光する露光装置であって、
前記領域に前記液体を供給する供給口と、
前記領域から前記液体を回収する回収口と、
前記光学素子と対向して配置される平面板と、
前記平面板に設けられ、前記液体又は気体を吸引する複数の吸引管と、を有し、
前記複数の吸引管は、露光領域より広い範囲に配置されていることを特徴とする露光装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一に記載の露光装置を用いて前記基板を露光するステップを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記目的を達成するため、本発明の露光装置のうち代表的な一つは、投影光学系の最終面の光学素子と基板との間の領域に液体を流し、該投影光学系を介して原版のパターンを該基板に露光する露光装置であって、前記領域に前記液体を供給する供給口と、前記領域から前記液体を回収する回収口と、移動可能に配置された平面板と、前記平面板に設けられ、前記液体又は気体を吸引する吸引管と、前記吸引管が前記液体又は前記気体を吸引しているときに、前記平面板を該平面板の表面と平行に駆動して前記吸引管の位置を移動させる駆動装置とを有し、前記駆動装置は、前記光学素子の下方の空間を液体で充填する工程において、前記吸引口が液体又は気体を吸引しているときに、前記平面板を駆動して前記吸引管を移動させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月3日(2010.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
縞状に交互に配置された第一導電型のソース領域及び第二導電型のベースコンタクト領域を含むアレイ領域と、
前記アレイ領域が延在する方向に、前記アレイ領域を挟むようにストライプ状に配置された複数のゲートトレンチと、
隣接する２つの前記ゲートトレンチに接するように形成された第二導電型のダイオード領域と、を備え、
前記ダイオード領域の大きさは、少なくとも１つの前記ソース領域と２つのベースコンタクト領域に対応する大きさである半導体装置。
【請求項２】
前記ダイオード領域の大きさは、１つの前記ソース領域と２つの前記ベースコンタクト領域に対応する大きさである請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ダイオード領域は、隣接する２つの前記ベースコンタクト領域と、当該２つのベースコンタクト領域間に形成された前記ソース領域に並ぶように形成されている請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ダイオード領域は、隣接する２つのソース領域と、当該２つのソース領域間に形成された前記コンタクトベース領域に並ぶように形成されている請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ダイオード領域は、前記アレイ領域と同じサイズを有する請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ダイオード領域と異なる他のダイオード領域を更に有し、
前記ダイオード領域および前記他のダイオード領域は、少なくとも１つの前記ゲートトレンチを挟むように形成されている請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記ゲートトレンチ内に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成された絶縁膜とを備え、
前記ゲートトレンチは、前記ゲート電極、前記絶縁膜とで埋め込まれている請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、特許文献２には、従来のストライプトレンチ構造を有するＭＯＳＦＥＴの例が記載されている。図１２〜１５に、特許文献２に記載の従来のＭＯＳＦＥＴの構造が示される。図１２、１３は、特許文献２に記載のＭＯＳＦＥＴの平面構造を示す図である。図１４は図１２、１３に示されるＡ−Ａ'断面図、図１５はＢ−Ｂ'断面図である。図に示すように、特許文献２に記載のＭＯＳＦＥＴは、ストライプトレンチ構造を有するが、ゲートトレンチ埋め込み構造ではない。さらに、ＤｅｅｐＰ＋領域が、ゲートトレンチと平行に形成されている。
【特許文献１】米国特許第６３５１００９号明細書
【特許文献２】米国特許第５９９８８３７号明細書
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
ゲートトレンチ７間には、Ｎ＋ソース領域４とＰ＋ベース領域（ベースコンタクト領域）５とが形成されている。Ｎ＋ソース領域４とＰ＋ベース領域５とは、ゲートトレンチ７に略直交する方向に、交互に形成されている。すなわち、図１において、横方向にＮ＋ソース領域４とＰ＋ベース領域５とが交互に縞状に形成されており、縦方向にゲートトレンチ７が形成されている。換言すると、本実施の形態に係るＭＯＳＦＥＴは、Ｐ＋ベース領域５とＮ＋ソース領域４とが交互に配置された複数のアレイを含む。これらのアレイは、ゲートトレンチ７に隣接して配置されている。つまり、各アレイは、ゲートトレンチ７によって次のアレイから分離されている。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月13日(2010.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
前述の構成の液晶表示装置において、バックライトユニット１上には液晶パネル１１上に実装されたＬＳＩ１３が配置された状態となる。このような配置状態でバックライトユニット１から光漏れが生ずると、液晶表示装置の品位を低下させるのみならず、ＬＳＩ１３の誤動作の原因にもなる。ここで、本実施形態の液晶表示装置では、フレキシブル基板３上に形成された配線パターン５が遮光パターンとして機能し、ＬＥＤチップ２の光漏れを防いでいるので、ＬＳＩ１３に不用意に光が入り込むことはなく、ＬＳＩ１３が誤動作を起こすことがない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2009076318.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2009076318.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2009076318.tif 000003
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2009076318.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月23日(2010.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
側面を有する導光板と、
前記導光板の側面に近接して配置された光源と、
前記導光板の角部に配置され前記光源を保持する弾性材料からなる光源保持体と、
前記導光板と前記光源と前記光源保持体とを収納する第１のフレームを備え、
前記第１のフレームは、前記導光板の側面に対向し前記導光板の側面を保持する導光板収納部を有し、
前記光源保持体は、前記導光板収納部と対向する前記導光板の側面に対して前記導光板収納部よりも近接して配置される突起部を有する
表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係る表示装置は、側面を有する導光板と、導光板の側面に近接して配置された光源と、導光板の角部に配置され光源を保持する弾性材料からなる光源保持体と、導光板と光源と光源保持体とを収納する第１のフレームを備え、第１のフレームは、導光板の側面に対向し導光板の側面を保持する導光板収納部を有し、光源保持体は、導光板収納部と対向する導光板の側面に対して導光板収納部よりも近接して配置される突起部を有して構成される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月17日(2010.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤ光源と、前記ＬＥＤ光源を載置し該ＬＥＤ光源の点灯時に発生する熱を外部に放散するためのヒートシンクと、前記ＬＥＤ光源を覆うように配置されて該ＬＥＤ光源から出射された光を前方に向けて反射するリフレクタと、前記リフレクタからの反射光を前方に向けて集束させながら照射する投影レンズを備えたＬＥＤランプユニットであって、前記ＬＥＤランプユニットは、該ＬＥＤランプユニットの前記ヒートシンク側を上側にして車両に搭載されることを特徴とするＬＥＤランプユニット。
【請求項２】
前記ＬＥＤランプユニットは、前記リフレクタと前記投影レンズの間に、前記リフレクタからの反射光の一部を遮光してカットオフラインを形成するシャッタを備えており、前記ヒートシンクと前記シャッタは前記投影レンズの光軸を含む面に対して互いに異なる側に位置し、前記リフレクタは内周面を反射面とする第１のリフレクタ領域と第２のリフレクタ領域と第３のリフレクタ領域の３つのリフレクタ領域からなり、前記第１のリフレクタ領域は前記ＬＥＤ光源を覆うように該ＬＥＤ光源近傍を第１の焦点の位置とし、前記シャッタの上端部近傍を第２の焦点の位置とする楕円系面からなる内周面を有し、前記第１の焦点および第２の焦点を含む長軸は前記ランプユニットの照射軸と略同一直線上に位置し、前記第２のリフレクタ領域は前記ＬＥＤ光源を覆うように該ＬＥＤ光源近傍を第１の焦点の位置とし、前記第３のリフレクタ領域の内周面の第１の焦点近傍の位置を第２の焦点の位置とする楕円系面からなる内周面を有し、前記第３のリフレクタ領域は第２のリフレクタ領域の内周面の第２の焦点近傍を第１の焦点の位置とし、前記シャッタの上端部近傍を第２の焦点の位置とする楕円系面からなる内周面を有することを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤランプユニット。
【請求項３】
前記ヒートシンクは、前記ＬＥＤ光源を載置したベース部と複数のフィン部が一体化され、前記ベース部および該ベース部に載置されたＬＥＤ光源はＬＥＤランプユニットの照射軸に対して後方に向かって下側に傾斜し、前記ヒートシンクのフィン部は、両横端部が前記ベース部に対して略垂直に延び、前記ベース部と対向する側にあるフィン部の先端部は前記ベース部と略平行に延びて２分割されており、前方に位置するフィン部の長さに対して後方に位置するフィン部の長さが長くなっていることを特徴とする請求項１または２のいずれか１項に記載のＬＥＤランプユニット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記課題を解決するために、本発明の請求項１に記載された発明は、ＬＥＤ光源と、前記ＬＥＤ光源を載置し該ＬＥＤ光源の点灯時に発生する熱を外部に放散するためのヒートシンクと、前記ＬＥＤ光源を覆うように配置されて該ＬＥＤ光源から出射された光を前方に向けて反射するリフレクタと、前記リフレクタからの反射光を前方に向けて集束させながら照射する投影レンズを備えたＬＥＤランプユニットであって、前記ＬＥＤランプユニットは、該ＬＥＤランプユニットの前記ヒートシンク側を上側にして車両に搭載されることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、本発明の請求項２に記載された発明は、請求項１において、前記ＬＥＤランプユニットは、前記リフレクタと前記投影レンズの間に、前記リフレクタからの反射光の一部を遮光してカットオフラインを形成するシャッタを備えており、前記ヒートシンクと前記シャッタは前記投影レンズの光軸を含む面に対して互いに異なる側に位置し、前記リフレクタは内周面を反射面とする第１のリフレクタ領域と第２のリフレクタ領域と第３のリフレクタ領域の３つのリフレクタ領域からなり、前記第１のリフレクタ領域は前記ＬＥＤ光源を覆うように該ＬＥＤ光源近傍を第１の焦点の位置とし、前記シャッタの上端部近傍を第２の焦点の位置とする楕円系面からなる内周面を有し、前記第１の焦点および第２の焦点を含む長軸は前記ランプユニットの照射軸と略同一直線上に位置し、前記第２のリフレクタ領域は前記ＬＥＤ光源を覆うように該ＬＥＤ光源近傍を第１の焦点の位置とし、前記第３のリフレクタ領域の内周面の第１の焦点近傍の位置を第２の焦点の位置とする楕円系面からなる内周面を有し、前記第３のリフレクタ領域は第２のリフレクタ領域の内周面の第２の焦点近傍を第１の焦点の位置とし、前記シャッタの上端部近傍を第２の焦点の位置とする楕円系面からなる内周面を有することを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、本発明の請求項３に記載された発明は、請求項１または２のいずれか１項において、前記ヒートシンクは、前記ＬＥＤ光源を載置したベース部と複数のフィン部が一体化され、前記ベース部および該ベース部に載置されたＬＥＤ光源はＬＥＤランプユニットの照射軸に対して後方に向かって下側に傾斜し、前記ヒートシンクのフィン部は、両横端部が前記ベース部に対して略垂直に延び、前記ベース部と対向する側にあるフィン部の先端部は前記ベース部と略平行に延びて２分割されており、前方に位置するフィン部の長さに対して後方に位置するフィン部の長さが長くなっていることを特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月27日(2010.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】絶縁基板上に島状半導体領域を形成する方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板を選択的にエッチングすることにより、複数の第１の凸部を有する第１の単結晶半導体基板を形成し、
前記第１の凸部上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の単結晶半導体基板に前記第１の絶縁膜を介してイオンを注入し、前記第１の凸部に第１の注入領域を形成し、
絶縁基板と前記第１の凸部とを前記第１の絶縁膜を介して貼り合わせ、加熱することにより前記第１の注入領域に沿って前記第１の凸部の一部を剥離し、前記絶縁基板上に前記第１の絶縁膜を介して複数の島状半導体領域を形成することを特徴とする絶縁基板上に島状半導体領域を形成する方法。
【請求項２】
単結晶半導体基板を選択的にエッチングすることにより、複数の第１の凸部を有する第１の単結晶半導体基板を形成し、
前記第１の凸部上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の単結晶半導体基板に前記第１の絶縁膜を介してイオンを注入し、前記第１の凸部に第１の注入領域を形成し、
第１の絶縁基板と前記第１の凸部とを前記第１の絶縁膜を介して貼り合わせ、加熱することにより前記第１の注入領域に沿って前記第１の凸部の一部を剥離し、前記第１の絶縁基板上に前記第１の絶縁膜を介して複数の島状半導体領域を形成し、
前記第１の凸部の一部が剥離した第２の単結晶半導体基板は、複数の第２の凸部を有する単結晶半導体基板であり、
前記第２の凸部上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の単結晶半導体基板に前記第２の絶縁膜を介してイオンを注入し、前記第２の凸部に第２の注入領域を形成し、
第２の絶縁基板と前記第２の凸部とを前記第２の絶縁膜を介して貼り合わせ、加熱することにより前記第２の注入領域に沿って前記第２の凸部の一部を剥離し、前記第２の絶縁基板上に前記第２の絶縁膜を介して複数の島状半導体領域を形成することを特徴とする絶縁基板上に島状半導体領域を形成する方法。
【請求項３】
請求項２において、前記第２の絶縁膜形成から前記第２の凸部の一部を剥離するまでの工程は、繰り返されることを特徴する絶縁基板上に島状半導体領域を形成する方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜のそれぞれは、有機シランガスを用いて化学気相成長法により作製される酸化シリコン膜であることを特徴とする絶縁基板上に島状半導体領域を形成する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月12日(2010.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源プレーン及び／又はグランドプレーンが形成された配線層を含む多層配線基板であって、
前記電源プレーン及び／又は前記グランドプレーンは、所定の切断ラインで切断され、複数の電源プレーン片及び／又はグランドプレーン片に分割されていることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記所定の切断ラインは、ジグザグのラインを含んでいることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記所定の切断ラインは、隣接する前記電源プレーン片及び／又は前記グランドプレーン片を略線対称に分割するラインを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の多層配線基板。
【請求項４】
前記複数の電源プレーン片及び／又はグランドプレーン片は、略合同であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の多層配線基板。
【請求項５】
前記複数の電源プレーン片及び／又はグランドプレーン片のうち、所定の電源プレーン片同士及び／又はグランドプレーン片同士を電気的に接続する電気接続手段を更に有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の多層配線基板。
【請求項６】
前記電気接続手段は、前記配線層とは異なる配線層を含むことを特徴とする請求項５に記載の多層配線基板。
【請求項７】
配列された複数の多層配線基板と、該複数の多層配線基板を囲む枠部を備えた基板であって、
該枠部の表面には金属部材が被着されており、
該金属部材は、所定の切断ラインにより切断されて分割されていることを特徴とする基板。
【請求項８】
前記所定の切断ラインは、前記基板の配列ラインを外側に延長したものであることを特徴とする請求項７に記載の基板。
【請求項９】
前記複数の多層配線基板の各々は、電源プレーン及び／又はグランドプレーンが形成された配線層を含み、
前記電源プレーン及び／又は前記グランドプレーンは、ジグザグのラインを含む所定の切断ラインで切断され、複数の電源プレーン片及び／又はグランドプレーン片に分割されていることを特徴とする請求項７又は８に記載の基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
図１０（ｂ）は、配線基板３００の温度が下がった状態における、配線層２４０及び絶縁層２５０の断面構成を示した図である。エポキシ樹脂の熱膨張係数は３０〜４０〔１０―６／Ｋ〕であり、銅の熱膨張係数は１７〜１８〔１０―６／Ｋ〕であるため、両者の熱膨張係数には大きな差があり、従って、配線層２４０の収縮率よりも、絶縁層２５０の収縮率の方が大きく、同じ温度に低下した場合には、絶縁層２５０の方が配線層２４０よりも収縮量が大きい。よって、図１０（ｂ）に示すように、配線層２４０が絶縁層２５０に引っ張られるような状態になってしまい、配線基板３００に反りが発生してしまう。配線基板３００製造時に、かかる反りが生じた場合には、反り修正を行う必要があるが、これにより製造工程の効率ダウン及びコスト増加を招くという問題があった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
第２の発明は、第１の発明に係る多層配線基板において、
前記所定の切断ラインは、ジグザグのラインを含んでいることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
第６の発明は、第５の発明に係る多層配線基板において、
前記電気接続手段は、前記配線層とは異なる配線層を含むことを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
第７の発明に係る基板は、配列された複数の多層配線基板と、該複数の多層配線基板を囲む枠部を備えた基板であって、
該枠部の表面には金属部材が被着されており、
該金属部材は、所定の切断ラインにより切断されて分割されていることを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
第８の発明は、第７の発明に係る基板において、
前記所定の切断ラインは、前記多層配線基板の配列ラインを外側に延長したものであることを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
これにより、個々の多層配線基板への影響が最も少ない方向に応力を逃がすことができ、個々の多層配線基板の反りを減少させることができる。
第９の発明は、第７又は第８の発明に係る基板において、
前記複数の多層配線基板の各々は、電源プレーン及び／又はグランドプレーンが形成された配線層を含み、
前記電源プレーン及び／又は前記グランドプレーンは、ジグザグのラインを含む所定の切断ラインで切断され、複数の電源プレーン片及び／又はグランドプレーン片に分割されていることを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
熱ストレスが生じるのは、金属と樹脂の熱膨張係数の大きさの相違により、樹脂が熱硬化すると、金属よりも樹脂の方が大きく収縮し、樹脂の絶縁層５０上に形成された金属の配線層４０が、絶縁層５０に引っ張られるように収縮するからである。例えば、配線層４０上の電源プレーン及び／又はグランドプレーン１０が銅であり、絶縁層５０がエポキシ樹脂の場合には、銅の熱膨張係数は１７〜１８〔１０―６／Ｋ〕であり、エポキシ樹脂の熱膨張係数は３０〜４０〔１０―６／Ｋ〕であるので、エポキシ樹脂の熱膨張係数は、銅の熱膨張係数の２倍前後あることになる。この場合に、１５０℃程度の製造工程では多層配線基板１００が反っていなかった場合でも、製造工程が一通り終了して温度が下がった場合には、多層配線基板１００に上述のような熱膨張係数の違いによる変形ストレスが生じてしまう。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月6日(2010.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体基板の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の単結晶半導体基板を容器内に配列させた状態で、前記複数の単結晶半導体基板に絶縁層を形成し、
前記絶縁層を介して前記複数の単結晶半導体基板にドーピングを行うことで、前記複数の単結晶半導体基板のそれぞれに損傷領域を形成し、
前記複数の単結晶半導体基板を前記容器内に配列させた状態で、前記複数の単結晶半導体基板のそれぞれに圧力をかけて、前記複数の単結晶半導体基板とベース基板とを貼り合わせ、
前記複数の単結晶半導体基板のそれぞれを前記損傷領域において分離することで、前記ベース基板上に複数の単結晶半導体層を形成し、
前記複数の単結晶半導体層にレーザビームを照射する前或いは照射した後に、前記複数の単結晶半導体層をエッチングにより薄膜化することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項２】
複数の単結晶半導体基板を容器内に配列させた状態で、前記複数の単結晶半導体基板に絶縁層を形成し、
前記絶縁層を介して前記複数の単結晶半導体基板にドーピングを行うことで、前記複数の単結晶半導体基板のそれぞれに損傷領域を形成し、
前記複数の単結晶半導体基板を前記容器内に配列させ、前記容器の上方にベース基板を載置した状態で、前記複数の単結晶半導体基板と前記ベース基板とを貼り合わせ、
前記容器の上方にベース基板を載置した状態で、前記複数の単結晶半導体基板のそれぞれを前記損傷領域において分離することで、前記ベース基板上に複数の単結晶半導体層を形成し、
前記複数の単結晶半導体層にレーザビームを照射する前或いは照射した後に、前記複数の単結晶半導体層をエッチングにより薄膜化することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、前記貼り合わせ後でかつ前記分離前に、前記ベース基板を前記容器の下側に入れ替えることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
複数の単結晶半導体基板を容器内の複数の凹部にそれぞれ配列させた状態で、前記複数の単結晶半導体基板に絶縁層を形成し、
前記絶縁層を介して前記複数の単結晶半導体基板にドーピングを行うことで、前記複数の単結晶半導体基板のそれぞれに損傷領域を形成し、
前記複数の単結晶半導体基板を前記容器内に配列させた状態で、前記複数の単結晶半導体基板とベース基板とを貼り合わせ、
前記複数の単結晶半導体基板のそれぞれを前記損傷領域において分離することで、前記ベース基板上に複数の単結晶半導体層を形成し、
前記複数の単結晶半導体層にレーザビームを照射する前或いは照射した後に、前記複数の単結晶半導体層をエッチングにより薄膜化し、
前記凹部は縮小投影型露光装置による１ショットの露光領域に収まるサイズであることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項５】
複数の単結晶半導体基板を容器内に配列させた状態で、前記複数の単結晶半導体基板に絶縁層を形成し、
前記絶縁層を介して前記複数の単結晶半導体基板にドーピングを行うことで、前記複数の単結晶半導体基板のそれぞれに損傷領域を形成し、
前記複数の単結晶半導体基板を前記容器内に配列させた状態で、前記複数の単結晶半導体基板とベース基板とを貼り合わせ、
前記複数の単結晶半導体基板のそれぞれを前記損傷領域において分離することで、前記ベース基板上に複数の単結晶半導体層を形成し、
前記複数の単結晶半導体層にレーザビームを照射する前或いは照射した後に、前記複数の単結晶半導体層をエッチングにより薄膜化することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、前記ベース基板は、ガラス基板、石英基板、セラミック基板、及びサファイア基板のいずれか一であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記容器は、石英ガラス、ステンレス、及び無アルカリガラスのいずれか一であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、前記絶縁層は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化ゲルマニウム膜、窒化ゲルマニウム膜、酸化窒化ゲルマニウム膜、窒化酸化ゲルマニウム膜、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化ハフニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム及び窒化酸化アルミニウムのいずれか一、或いはこれらの積層構造であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、前記ドーピングは、Ｈ＋、Ｈ２＋、及びＨ３＋をイオン種として用いたイオンドーピング法により行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項９において、前記イオンドーピング法は、前記Ｈ＋、前記Ｈ２＋、及び前記Ｈ３＋の総量に対して、前記Ｈ３＋が７０％以上含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。