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【手続補正書】
【提出日】平成22年7月13日(2010.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、
該基材上に設けられ、金属原子と、該金属原子と結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含む接合膜とを有し、
前記接合膜の少なくとも一部の領域にエネルギーを付与し、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離することにより、前記接合膜の表面の前記領域に、他の被着体との接着性が発現するものであることを特徴とする接合膜付き基材。
【請求項２】
前記金属原子は、インジウム、スズ、亜鉛、チタン、およびアンチモンのうちの少なくとも１種である請求項１に記載の接合膜付き基材。
【請求項３】
前記脱離基は、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種である請求項１または２に記載の接合膜付き基材。
【請求項４】
前記接合膜は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）または二酸化チタン（ＴｉＯ２）に、脱離基として水素原子が導入されたものである請求項１ないし３のいずれかに記載の接合膜付き基材。
【請求項５】
前記接合膜は、その少なくとも表面付近に存在する前記脱離基が、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離した後に、活性手が生じる請求項１ないし４のいずれかに記載の接合膜付き基材。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の接合膜付き基材の製造方法であって、
前記基材を用意する工程と、
前記脱離基を構成する原子成分を含む雰囲気下で、物理的気相成膜法により、前記金属原子と前記酸素原子とを含む金属酸化物材料を前記基材上に成膜することにより、前記接合膜を形成する工程とを有することを特徴とする接合膜付き基材の製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし５のいずれかに記載の接合膜付き基材と、前記他の被着体とを用意する工程と、
該接合膜付き基材中の前記接合膜の少なくとも一部の領域にエネルギーを付与する工程と、
前記接合膜と前記他の被着体とを密着させるように、前記接合膜付き基材と前記他の被着体とを貼り合わせ、接合体を得る工程とを有することを特徴とする接合方法。
【請求項８】
請求項１ないし５のいずれかに記載の接合膜付き基材と、前記他の被着体とを用意する工程と、
前記接合膜と前記他の被着体とを密着させるように、前記接合膜付き基材と前記他の被着体とを貼り合わせ、積層体を得る工程と、
該積層体中の前記接合膜の少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜付き基材と前記他の被着体とを接合し、接合体を得る工程とを有することを特徴とする接合方法。
【請求項９】
請求項１ないし５のいずれかに記載の接合膜付き基材と、被着体とを有し、
これらを、前記接合膜を介して接合してなることを特徴とする接合体。
【請求項１０】
請求項１ないし５のいずれかに記載の接合膜付き基材を２枚有し、
これらを、前記接合膜同士を対向させて接合してなることを特徴とする接合体。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月24日(2010.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロジェクタから投射された投射画像の形状歪を補正するための、投射画像の形状歪補正支援システムであって、
チャート画像を前記プロジェクタに投射させるチャート画像表示手段と、
前記プロジェクタから投射された前記チャート画像を撮像し、センシング画像を得る撮像手段と、
前記センシング画像と、前記チャート画像とをブレンドしたブレンド画像を、前記プロジェクタに表示させるブレンド画像表示手段とを備えていることを特徴とする投射画像の形状歪補正支援システム。
【請求項２】
請求項１に記載の投射画像の形状歪補正支援システムにおいて、
前記チャート画像及び前記センシング画像のうちいずれかの画像を変形させる画像変形手段を備えていることを特徴とする投射画像の形状歪補正支援システム。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の投射画像の形状歪補正支援システムにおいて、
前記センシング画像の解析を行い、該センシング画像の座標を取得するセンシング画像解析手段を備えていることを特徴とする投射画像の形状歪補正支援システム。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の投射画像の形状歪補正支援システムにおいて、
前記チャート画像の座標、及び前記センシング画像の座標に基づいて、前記プロジェクタから投射された投射画像の形状歪の状態を評価する形状歪評価手段を備えていることを特徴とする投射画像の形状歪補正支援システム。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の投射画像の形状歪補正支援システムにおいて、
前記チャート画像は、低輝度の背景画像上に高輝度の領域が散点状又は市松状に配置されて構成され、
前記チャート画像によって表示されるブレンド画像中の高輝度の領域の位置座標と、これに対応する前記センシング画像によって表示されるブレンド画像中の高輝度の領域の位置座標から求められる距離が所定の閾値以下となったら、異なる色に変更して表示させる色表示変更手段を備えていることを特徴とする投射画像の形状歪補正支援システム。
【請求項６】
プロジェクタから投射された投射画像の形状歪を補正するための、投射画像の形状歪補正支援方法であって、
チャート画像を前記プロジェクタに投射させる手順と、
前記プロジェクタから投射された前記チャート画像を撮像し、センシング画像を得る手順と、
前記センシング画像と、前記チャート画像とをブレンドしたブレンド画像を表示する手順とを実施することを特徴とする投射画像の形状歪補正支援方法。
【請求項７】
プロジェクタから投射された投射画像の形状歪を補正する方法であって、
チャート画像を前記プロジェクタから投射する手順と、
前記プロジェクタから投射された前記チャート画像を撮像し、センシング画像を得る手順と、
前記センシング画像と、前記チャート画像とをブレンドしたブレンド画像を表示する手順と、
前記ブレンド画像に基づき、前記投射画像を補正すべき量を設定させる手順と、
設定された前記補正すべき量に応じて、前記投射画像の形状歪を補正する手順とを実施することを特徴とする方法。
【請求項８】
光源から射出された光束を画像情報に応じて変調して光学像を形成し、投射するプロジェクタであって、
チャート画像を投射するチャート画像表示手段と、
前記プロジェクタから投射された前記チャート画像を撮像し、センシング画像を得る撮像手段と、
前記センシング画像と、前記チャート画像とをブレンドしたブレンド画像を表示するブレンド画像表示手段とを備えていることを特徴とするプロジェクタ。
【請求項９】
プロジェクタから投射された投射画像の形状歪を補正するための、投射画像の形状歪補正支援プログラムであって、
チャート画像を前記プロジェクタに投射させる手順と、
前記プロジェクタから投射された前記チャート画像を撮像手段に撮像させ、センシング画像を得る手順と、
前記センシング画像と、前記チャート画像とをブレンドしたブレンド画像を表示させる手順とをコンピュータに実施させることを特徴とする投射画像の形状歪補正支援プログラム。
【請求項１０】
プロジェクタから投射された投射画像の形状歪を補正するためのプログラムであって、
チャート画像を前記プロジェクタに投射させる手順と、
前記プロジェクタから投射された前記チャート画像を撮像手段に撮像させ、センシング画像を得る手順と、
前記センシング画像と、前記チャート画像とをブレンドしたブレンド画像を表示させる手順と、
前記ブレンド画像に基づき、前記投射画像を補正すべき量を設定させる手順と、
設定された前記補正すべき量に応じて、前記投射画像の形状歪を補正する手順とをコンピュータに実施させることを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月22日(2010.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１４】
かかる位置登録応答信号にＸＡリストｇが含まれていると判定された場合、ステップＳ４２において、ＸＡ対応移動端末ａは、現在の位置登録エリアとして、位置登録応答信号に含まれていたＸＡリストｇをメモリｈに記憶する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１５】
かかる位置登録応答信号にＸＡリストｇが含まれていないと判定された場合、ステップＳ４３において、ＸＡ対応移動端末ａは、現在の位置登録エリアとして、位置登録応答信号に含まれていたＲＡをメモリｈに記憶する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2009049816.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2009049816.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月2日(2010.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
図１において、ルート無線通信装置１００は、制御部１０１、無線送信部１０２、無線受信部１０３、スロット・タイミング生成部１０４、受信品質判定（無線接続品質判定）部１０５、送信アンテナ切換え部１０６、データソース蓄積部１０７を有する。更に、データ生成部１０８、第１の送信アンテナ１０９（ＴＡ１）、第２の送信アンテナ１１０（ＴＡ２）、受信アンテナ１１１（ＲＡ１）を有している。接続品質は、無線統括局と無線通信局、或は無線通信局間（無線通信局同士）の無線接続の品質を示す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０９】
従って本実施の形態２によれば、通信中であっても適応的にタイムスロットの変更が可能になる。これにより、何らかの障害物によって１つの通信パスが遮られても、残りの通信パスによって同じ内容のフレームを、周期Ｔｓの時間内で受信可能となる。更に、より良好なパスをより先に中継するようにしたので、中継伝送されるデータの品質の劣化が少なくなり、全てのノード無線通信装置は、よりエラーの少ないデータ受信が可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月20日(2010.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部配線を含む集積回路が形成された半導体基板と、
前記半導体基板に形成され、前記集積回路に電気的に接続された電極と、
前記内部配線の一部を覆い、遮光性を有し、表面が平坦な下地層と、
前記電極の少なくとも一部を露出させる開口を有して前記半導体基板上に形成され、光透過性を有し、前記下地層を覆うパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜上に配置された樹脂突起と、
前記電極上から前記樹脂突起上に至るように配置されている配線と、
前記下地層上方における前記パッシベーション膜上に配置され、前記配線と同じ材料からなり、前記配線との位置が固定された位置決めマークと、
を有する半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載された半導体装置において、
前記パッシベーション膜は、表面が凸凹な領域と、表面が平坦な領域と、を含み、
前記位置決めマークは、前記平坦な領域のみに形成されてなる半導体装置。
【請求項３】
請求項２に記載された半導体装置において、
前記下地層と前記位置決めマークは異なる平面形状を有する半導体装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載された半導体装置において、
前記樹脂突起は、長尺状に形成され、
複数の前記樹脂突起が平行に配列され、
前記複数の樹脂突起に挟まれた領域に前記位置決めマークが位置する半導体装置。
【請求項５】
集積回路が形成された半導体基板であって、前記集積回路に電気的に接続された電極が形成され、前記電極の少なくとも一部を露出させる開口を有するパッシベーション膜が形成された半導体基板の、前記パッシベーション膜上に樹脂突起を形成する工程と、
前記電極上から前記樹脂突起上に至るように配線を形成する工程と、
前記パッシベーション膜上に位置決めマークを形成する工程と、
を含み、
前記配線及び前記位置決めマークを同時に形成する半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載された半導体装置の製造方法において、
前記パッシベーション膜は、表面が凸凹な領域と、表面が平坦な領域と、を含み、
前記位置決めマークは、前記平坦な領域のみに形成する半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５又は６に記載された半導体装置の製造方法において、
前記集積回路は、内部配線を含み、
前記内部配線の一部を覆う、遮光性を有して表面が平坦な下地層をさらに有し、
前記パッシベーション膜は、光透過性を有し、前記下地層を覆い、
前記位置決めマークは、前記下地層の上方に形成する半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載された半導体装置の製造方法において、
前記下地層と前記位置決めマークは、異なる平面形状を有するように形成する半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項５から８のいずれか１項に記載された半導体装置の製造方法において、
前記樹脂突起は、長尺状に形成し、
複数の前記樹脂突起が平行に配列し、
前記複数の樹脂突起に挟まれた領域に、前記位置決めマークを形成する半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月16日(2010.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の実装方法：
（ａ）第１の面と、前記第１の面に形成され、且つ第１ピッチで配置された複数の第１ランドと、前記第１の面に形成され、且つ前記複数の第１ランドよりも小さく形成され、且つ前記複数の第１ランドよりも前記第１の面の中央部寄りに前記第１ピッチよりも小さな第２ピッチで配置された複数の第２ランドと、前記複数の第１ランドにそれぞれ接続され、且つ第１の高さを有し、且つ第１の径を有する複数の第１バンプと、前記複数の第２ランドにそれぞれ接続され、且つ前記第１の高さよりも小さな第２の高さを有し、且つ前記第１の径よりも小さな第２の径を有する複数の第２バンプと、を備えた半導体装置を準備する工程；
（ｂ）前記複数の第１バンプを介して前記半導体装置を実装基板に実装し、前記複数の第１バンプおよび前記複数の第２バンプをアンダーフィル樹脂で覆う工程。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の実装方法において、
前記複数の第１バンプは、前記実装基板への接続に用いられる端子、前記実装基板への接続並びにスクリーニングテスタとの接続に用いられる端子、及び前記実装基板への接続に用いられず、且つスクリーニングテスタとの接続に用いられる端子に割り当てられ、
前記複数の第２バンプは、前記実装基板への接続に用いられず且つスクリーニングテスタとの接続に用いられない端子に割り当てられる。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の実装方法において、
前記複数の第１バンプのうちスクリーニングテスタとの接続に用いられない端子は出力端子又は入出力端子である。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置の実装方法において、
前記複数の第１バンプのうちスクリーニングテスタとの接続に用いられる端子は入力端子である。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置の実装方法において、
前記半導体装置は、さらに、回路が形成された半導体集積回路チップを備えており、
前記回路として、第１回と前記第１回路に信号線によって接続される第２回路とを有し、
前記第２回路に接続される外部端子の一部又は全部は、前記第２バンプであり、
前記第１回路に接続される外部端子の全部は、前記第１バンプである。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置の実装方法において、
前記第１回路は、命令を実行する中央処理装置を含み、
前記第２回路は、前記中央処理装置によって制御される周辺回路を含む。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の実装方法
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月23日(2010.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に半導体層を形成し、
前記半導体層が完全溶融する第１の光強度と前記第１の光強度より強度が低い第２の光強度を有するパルスレーザー光を照射することにより、微結晶半導体領域及び多結晶半導体領域を形成し、
前記半導体層をパターニングして、前記多結晶半導体領域は除去するとともに、前記微結晶半導体領域を有する島状の半導体層を形成し、
前記半導体層に前記第１の光強度を有するパルスレーザー光部分を照射することにより前記微結晶半導体領域を形成し、前記半導体層に前記第２の光強度を有するパルスレーザー光部分を照射することにより前記多結晶半導体領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に非晶質半導体層を形成し、
前記非晶質半導体層が完全溶融する第１の光強度と前記第１の光強度より強度が低い第２の光強度を有するパルスレーザー光を照射することにより、前記非晶質半導体層を結晶化させて微結晶半導体領域及び多結晶半導体領域を形成し、
結晶化された前記非晶質半導体層をパターニングして、前記多結晶半導体領域は除去するとともに、前記微結晶半導体領域を有する島状の半導体層を形成し、
前記半導体層に前記第１の光強度を有するパルスレーザー光部分を照射することにより前記微結晶半導体領域を形成し、前記半導体層に前記第２の光強度を有するパルスレーザー光部分を照射することにより前記多結晶半導体領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１において、前記基板上に金属材料又は合金材料を含むゲート電極を形成し、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して前記半導体層を形成し、
前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極が下部全面にわたって位置するように、前記パターニングにより、前記島状の半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２において、前記基板上に金属材料又は合金材料を含むゲート電極を形成し、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して前記非晶質半導体層を形成し、
前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極が下部全面にわたって位置するように、前記パターニングにより、前記島状の半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記島状の半導体層上に、順に、バッファー層、一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体層、ソース電極又はドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記島状の半導体層を有する薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記パルスレーザー光のビーム形状は線状であり、前記第２の光強度を有するパルスレーザー光部分は、前記線状のパルスレーザー光の端部であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月8日(2010.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する第１の端面および第２の端面の間に少なくとも一つのレーザストライプを有する一つのレーザチップを有し、
上記レーザチップは、上記第１の端面側および上記第２の端面側にそれぞれモード同期レーザ部およびこのモード同期レーザ部から発生する光を増幅する半導体光増幅器部を有し、
上記第１の端面の法線と上記モード同期レーザ部の上記レーザストライプとのなす角度が０°以上１°以下であり、かつ、上記法線と上記半導体光増幅器部の上記レーザストライプとのなす角度が１°より大きく９０°未満である半導体レーザ。
【請求項２】
上記モード同期レーザ部は利得領域と可飽和吸収領域とを有する請求項１記載の半導体レーザ。
【請求項３】
上記第１の端面側に上記利得領域を有し、上記利得領域と上記半導体光増幅器部との間に上記可飽和吸収領域を有する請求項２記載の半導体レーザ。
【請求項４】
上記利得領域と上記可飽和吸収領域と上記半導体光増幅器部とが互いに独立に駆動可能に構成されている請求項２記載の半導体レーザ。
【請求項５】
上記利得領域と上記可飽和吸収領域と上記半導体光増幅器部との上に互いに分離してそれぞれ電極を有する請求項２記載の半導体レーザ。
【請求項６】
上記利得領域に直流電流を注入し、上記可飽和吸収領域に逆バイアス電圧を印加し、あるいは、上記可飽和吸収領域をアースへショートし、上記半導体光増幅器部に直流電流を注入することにより動作させる請求項２記載の半導体レーザ。
【請求項７】
上記モード同期レーザ部の中に光結合用のグレーティング構造を有する請求項１記載の半導体レーザ。
【請求項８】
上記モード同期レーザ部の上記半導体光増幅器部側の部分に光結合用のグレーティング構造を有する請求項１記載の半導体レーザ。
【請求項９】
上記グレーティング構造がレーザ構造を形成する半導体層内に形成されている請求項７または８記載の半導体レーザ。
【請求項１０】
上記グレーティング構造が上記レーザストライプに形成されている請求項７または８記載の半導体レーザ。
【請求項１１】
上記半導体光増幅器部の上記レーザストライプが上記第２の端面に向かって幅が徐々に広がったテーパー形状を有する請求項１記載の半導体レーザ。
【請求項１２】
上記第１の端面の外側に外部ミラーを有する請求項１記載の半導体レーザ。
【請求項１３】
上記半導体光増幅器部に電気的な変調信号を印加し、ゲート機能を持たせる請求項１記載の半導体レーザ。
【請求項１４】
光源に半導体レーザを用い、
上記半導体レーザが、
互いに対向する第１の端面および第２の端面の間に少なくとも一つのレーザストライプを有する一つのレーザチップを有し、
上記レーザチップは、上記第１の端面側および上記第２の端面側にそれぞれモード同期レーザ部およびこのモード同期レーザ部から発生する光を増幅する半導体光増幅器部を有し、
上記第１の端面の法線と上記モード同期レーザ部の上記レーザストライプとのなす角度が０°以上１°以下であり、かつ、上記法線と上記半導体光増幅器部の上記レーザストライプとのなす角度が１°より大きく９０°未満である半導体レーザであるバイオイメージングシステム。
【請求項１５】
光源に半導体レーザを用い、
上記半導体レーザが、
互いに対向する第１の端面および第２の端面の間に少なくとも一つのレーザストライプを有する一つのレーザチップを有し、
上記レーザチップは、上記第１の端面側および上記第２の端面側にそれぞれモード同期レーザ部およびこのモード同期レーザ部から発生する光を増幅する半導体光増幅器部を有し、
上記第１の端面の法線と上記モード同期レーザ部の上記レーザストライプとのなす角度が０°以上１°以下であり、かつ、上記法線と上記半導体光増幅器部の上記レーザストライプとのなす角度が１°より大きく９０°未満である半導体レーザである顕微鏡。
【請求項１６】
光源に半導体レーザを用い、
上記半導体レーザが、
互いに対向する第１の端面および第２の端面の間に少なくとも一つのレーザストライプを有する一つのレーザチップを有し、
上記レーザチップは、上記第１の端面側および上記第２の端面側にそれぞれモード同期レーザ部およびこのモード同期レーザ部から発生する光を増幅する半導体光増幅器部を有し、
上記第１の端面の法線と上記モード同期レーザ部の上記レーザストライプとのなす角度が０°以上１°以下であり、かつ、上記法線と上記半導体光増幅器部の上記レーザストライプとのなす角度が１°より大きく９０°未満である半導体レーザである光ディスク装置。
【請求項１７】
光源に半導体レーザを用い、
上記半導体レーザが、
互いに対向する第１の端面および第２の端面の間に少なくとも一つのレーザストライプを有する一つのレーザチップを有し、
上記レーザチップは、上記第１の端面側および上記第２の端面側にそれぞれモード同期レーザ部およびこのモード同期レーザ部から発生する光を増幅する半導体光増幅器部を有し、
上記第１の端面の法線と上記モード同期レーザ部の上記レーザストライプとのなす角度が０°以上１°以下であり、かつ、上記法線と上記半導体光増幅器部の上記レーザストライプとのなす角度が１°より大きく９０°未満である半導体レーザである光ピックアップ。
【請求項１８】
光源に半導体レーザを用い、
上記半導体レーザが、
互いに対向する第１の端面および第２の端面の間に少なくとも一つのレーザストライプを有する一つのレーザチップを有し、
上記レーザチップは、上記第１の端面側および上記第２の端面側にそれぞれモード同期レーザ部およびこのモード同期レーザ部から発生する光を増幅する半導体光増幅器部を有し、
上記第１の端面の法線と上記モード同期レーザ部の上記レーザストライプとのなす角度が０°以上１°以下であり、かつ、上記法線と上記半導体光増幅器部の上記レーザストライプとのなす角度が１°より大きく９０°未満である半導体レーザである加工装置。
【請求項１９】
光源に半導体レーザを用い、
上記半導体レーザが、
互いに対向する第１の端面および第２の端面の間に少なくとも一つのレーザストライプを有する一つのレーザチップを有し、
上記レーザチップは、上記第１の端面側および上記第２の端面側にそれぞれモード同期レーザ部およびこのモード同期レーザ部から発生する光を増幅する半導体光増幅器部を有し、
上記第１の端面の法線と上記モード同期レーザ部の上記レーザストライプとのなす角度が０°以上１°以下であり、かつ、上記法線と上記半導体光増幅器部の上記レーザストライプとのなす角度が１°より大きく９０°未満である半導体レーザである内視鏡。
【請求項２０】
互いに対向する第１の端面および第２の端面の間に少なくとも一つのレーザストライプを有する一つのレーザチップを有し、
上記レーザチップは、上記第１の端面側および上記第２の端面側にそれぞれ利得スイッチ部およびこの利得スイッチ部から発生する光を増幅する半導体光増幅器部を有し、
上記第１の端面の法線と上記利得スイッチ部の上記レーザストライプとのなす角度が０°以上１°以下であり、かつ、上記法線と上記半導体光増幅器部の上記レーザストライプとのなす角度が１°より大きく９０°未満である半導体レーザ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月7日(2010.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を記録する転写材を搬送する転写材搬送手段と、発光素子を発光させ前記転写材の表面で反射した反射光に基づいて、前記転写材の種類を判別する転写材判別手段であって、前記反射光に基づいて前記転写材の搬送方向端を検出する転写材判別手段とを有する画像形成装置において、
前記転写材判別手段は、前記転写材の搬送方向端を検出する際の前記発光素子からの発光光量を、前記転写材の種類を判別する際の前記発光素子からの発光光量よりも小さくなるように前記発光素子の発光動作を制御することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記転写材判別手段は、前記発光素子からの発光光量の強度を調整して、前記転写材の搬送方向端を検出する際の前記発光素子からの発光光量を、前記転写材の種類を判別する際の前記発光素子からの発光光量よりも小さくなるように制御することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記転写材判別手段は、前記発光素子の発光と停止とを繰り返し実行して、前記転写材の搬送方向端を検出する際の前記発光素子からの発光光量を、前記転写材の種類を判別する際の前記発光素子からの発光光量よりも小さくなるように制御することを特徴とする請求項１または２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記転写材の搬送方向端を検出するタイミングは、前記転写材の搬送方向の先端を検知するタイミング、及び、前記転写材の後端を検出するタイミングを含み、
前記転写材判別手段は、前記転写材の先端及び後端を検知して、該転写材の搬送方向のサイズを検知することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項５】
画像形成される転写材の搬送方向端を検出する転写材検出方法であって、
発光素子から発光されて前記転写材の表面で反射した反射光に基づいて前記転写材の種類を判別する判定工程と、
前記反射光に基づいて前記転写材の搬送方向端を検出する検出工程と、
前記検出工程における前記発光素子からの発光光量が前記判定工程における前記発光素子からの発光光量よりも小さくなるように前記発光素子の発光動作を制御する制御工程と、
を有することを特徴とする転写材検出方法。
【請求項６】
前記制御工程は、前記発光素子からの発光光量の強度を調整して、前記検出工程における前記発光素子からの発光光量を、前記判定工程における前記発光素子からの発光光量よりも小さくなるように制御する工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の転写材検出方法。
【請求項７】
前記制御工程は、前記発光素子の発光と停止とを繰り返し実行して、前記検出工程における前記発光素子からの発光光量を、前記判定工程における前記発光素子からの発光光量よりも小さくなるように制御することを特徴とする請求項５または６に記載の転写材検出方法。
【請求項８】
前記転写材の搬送方向端を検知とは、前記転写材の搬送方向の先端を検知するタイミング、及び、前記転写材の後端を検出するタイミングを含み、
前記検出工程は、前記転写材の先端及び後端を検知して、該転写材の搬送方向のサイズを検知する工程を含むことを特徴とする請求項５乃至７のいずれかに記載の転写材検出方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月18日(2010.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
被検査デバイス１は５つの電極が一列に並んでおり、そのうち４つが電源電極２で、１つがグランド電極３である。被検査デバイス１の複数の電極には、配線シート４の下側である被検査デバイス１側に配置された電源配線５とグランド配線６が接触する。電源配線５とグランド配線６は、電源電極２とグランド電極３の位置に合わせて配置する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
このように、グランド電極３と同電位となる第１のベタグランド面８が電源配線５の上側にあることより、電源配線５とグランド配線６の間にコンデンサを挿入することなく、プローブの先端である電源配線５の先端部分のインダクタンス成分を低減できる。これにより、電源配線５どうしの間隔および電源配線５とグランド配線６の間隔を小さくでき、狭ピッチ（例えば２００μｍ以下）の電極配置を持つ被検査デバイスへの電源供給が可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月13日(2010.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相対回転可能に対向配置された一対の軌道輪で成る４つ以上の軸受と、一端部から他端部まで延出し、前記軸受の一方の軌道輪が固定される軸と、当該軸受の他方の軌道輪が固定されるハウジングを備えた軸受ユニットであって、
前記ハウジングは、２つの構造体が組み付けられて一体となる分割構造を成しており、各構造体に前記軸受の他方の軌道輪が２つ以上ずつそれぞれ固定されるとともに、前記各構造体が前記軸の延出方向に相対する端面同士を突き当てた状態で固定されることで、一体を成して組み付けられることを特徴とする軸受ユニット。
【請求項２】
前記ハウジングの各構造体は、前記端面を相互に同一角度で逆方向にそれぞれ傾斜させた傾斜部を有しており、当該傾斜部を密着させることで前記各構造体が一体を成して組み付けられていることを特徴とする請求項１に記載の軸受ユニット。
【請求項３】
前記ハウジングの各構造体には、相互に係合可能な段差部が前記端面にそれぞれ形成されており、当該段差部を係合させることで前記各構造体が一体を成して組み付けられていることを特徴とする請求項１に記載の軸受ユニット。
【請求項４】
相対回転可能に対向配置された一対の軌道輪で成る４つの軸受と、一端部から他端部まで延出し、前記軸受の一方の軌道輪が固定される軸と、当該軸受の他方の軌道輪が固定されるハウジングを備え、
前記ハウジングは、２つの構造体が組み付けられて一体となる分割構造を成しており、
これらの構造体は、請求項１〜３のいずれかに記載の態様により、一体を成して組み付けられていることを特徴とする磁気ディスク装置のスイングアーム支持用のピボット軸受ユニット。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の軸受ユニットを製造するための方法であって、
前記ハウジングの各構造体には、前記軸受を接着により固定し、
当該各構造体は、前記端面同士を接着により固定することで、一体を成して組み付け、当該端面同士の接着は、前記各構造体と前記軸受との接着固定と同時に行うことを特徴とする軸受ユニット製造方法。
【請求項６】
前記ハウジングの各構造体には、前記軸受の他方の軌道輪を２つ以上ずつそれぞれ接着により固定し、
当該各構造体は、前記端面同士を接着により固定することで、一体を成して組み付け、当該端面同士の接着は、前記各構造体と前記軸受の他方の軌道輪との接着固定と同時に行うことを特徴とする請求項５に記載の軸受ユニット製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】軸受ユニット、及び当該軸受ユニットの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この場合、前記ハウジングの各構造体に対し、前記端面を相互に同一角度で逆方向にそれぞれ傾斜させた傾斜部を形成し、当該傾斜部を密着させることで前記各構造体が一体を成して組み付けられる構造とすればよい。
あるいは、前記ハウジングの各構造体に対し、相互に係合可能な段差部を前記端面にそれぞれ形成し、当該段差部を係合させることで前記各構造体が一体を成して組み付けられる構造としてもよい。
かかる軸受ユニットの具体的構成の一例としては、相対回転可能に対向配置された一対の軌道輪で成る４つの軸受と、一端部から他端部まで延出し、前記軸受の一方の軌道輪が固定される軸と、当該軸受の他方の軌道輪が固定されるハウジングを備え、前記ハウジングを２つの構造体を組み付けて一体となる分割構造とし、これらの構造体を上記いずれかの態様により、一体を成して組み付けてなる磁気ディスク装置のスイングアーム支持用のピボット軸受ユニットを想定することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、上記のような目的を達成するために、本発明に係る軸受ユニット製造方法は、上記いずれかの構造をなす軸受ユニットを製造する際、前記ハウジングの各構造体には、前記軸受を接着により固定し、当該各構造体は、前記端面同士を接着により固定することで、一体を成して組み付け、当該端面同士の接着は、前記各構造体と前記軸受との接着固定と同時に行う。
すなわち、前記ハウジングの各構造体には、前記軸受の他方の軌道輪を２つ以上ずつそれぞれ接着により固定し、当該各構造体は、前記端面同士を接着により固定することで、一体を成して組み付け、当該端面同士の接着は、前記各構造体と前記軸受の他方の軌道輪との接着固定と同時に行えばよい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月29日(2010.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
請求項１において、冷却運転時は、前記複数の冷凍装置の前記入口温度検知用サーミスタが検知した入口温度の中で最も低い温度、加熱運転時は、前記複数の冷凍装置の前記入口温度検知用サーミスタが検知した入口温度の中で最も高い温度により冷凍装置の運転台数を制御することを特徴とする冷凍システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、冷却運転時は、前記複数の冷凍装置の前記入口温度検知用サーミスタが検知した入口温度の中で最も低い温度、加熱運転時は、前記複数の冷凍装置の前記入口温度検知用サーミスタが検知した入口温度の中で最も高い温度により冷凍装置の運転台数を制御することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月27日(2010.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
当該空気調和装置が設置後初めて運転された年月日もしくは年月を記憶する手段と、
現在の年月日もしくは年月を把握する手段と、を備え、
現在の年月日もしくは年月と、記憶された当該空気調和装置の初めて運転された年月日もしくは年月から実使用期間を演算して、実使用期間を把握することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の空気調和装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
一方では、地球温暖化の抑制を図るべく環境規制から、資源の有効利用を観点に、家庭用電化機器を始めとする電気製品の長期使用化、長寿命化が、社会的に推進されている。このため、家庭用電化機器においては、長期使用の観点からの安全性を保つことも必要であり、製造業者側は、このことを考慮した製品設計を行う必要がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
筐体３０と前面パネル３１の上方には、室内機１００本体内部に室内空気を吸い込む吸い込み口３２が形成されている。吸い込み口３２は、前面パネル３１の正面に形成されてもよいし、前面パネル３１には設けず、筐体３０にだけ形成してもよい。一方、筐体３０の下部で前面パネル３１より下方には、室内機１００本体内部で室内熱交換器６を通過して冷媒と熱交換した後の室内空気（調和空気）を室外に放出する吹き出し口３３が設けられている。吹き出し口３３には、吹き出す調和空気の上下方向や左右方向を調整する風向フラップが設置され、室内側制御装置１２により吹き出す気流の方向を制御することが可能となっている。図４において、吹き出し口３３は、上下方向の気流を調整する２枚の風向フラップによって開口が閉塞された状態（室内機１００の運転停止状態）として図示されになっている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１９】
また、この実施の形態の空気調和装置では、室内機１００本体に、標準使用期間が経過したこと示す経過表示部３６を設けたが、リモコン２５に経過表示部３６を設けてもよく、室内機１００本体とリモコン２５の両方に設けてもよい。リモコン２５に経過表示部３６を設ける場合では、表示画面２７に表示させればよい。経過表示部３６の表示がリモコン２５の表示画面２７に表示されれば、リモコン２５の操作時に使用者が気づき易くなる効果がある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３０】
また、２つめのステップにおける最大運転能力の低下もしくは圧縮機の連続運転の制限については、上記の空気調和装置では電流や吐出温度を運転制御因子や保護手段の作動因子として使用したが、それぞれの機器に対応した運転制御因子や保護手段の作動因子の設定値を下げるようにすればよい。また、空気調和装置も含め、冷凍サイクルの圧縮機が可変速対応でなく一定速機であり、その一定速圧縮機のオンオフにより、運転能力を操作する機器であれば、２つめのステップにおいては、圧縮機のオン時間、すなわち運転時間を制限するような制御を行って、最大運転能力を低下させればよい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月22日(2010.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
楽器のペダルを通じて奏者にテンポを知覚させるテンポ知覚装置であって、
テンポを設定するテンポ設定手段と、
前記テンポ設定手段により設定されたテンポに同期して、駆動信号を生成して出力する駆動信号生成出力手段と、
前記駆動信号生成出力手段により出力される駆動信号によって動作し、前記ペダルに対して奏者が触覚で感じるように力覚を付与する力覚付与手段とを有することを特徴とするテンポ知覚装置。
【請求項２】
拍子を決定する拍子決定手段を有し、前記駆動信号生成出力手段は、前記拍子決定手段により決定された拍子と前記テンポ設定手段により設定されたテンポとから規定される拍タイミングに合わせて前記駆動信号を生成及び出力することを特徴とする請求項１記載のテンポ知覚装置。
【請求項３】
自動演奏データを読み出す読み出し手段を有し、前記拍子決定手段により決定される拍子は、前記読み出し手段により読み出された自動演奏データで規定されることを特徴とする請求項２記載のテンポ知覚装置。
【請求項４】
前記拍子決定手段により決定される拍子は、ユーザにより指定されることを特徴とする請求項２記載のテンポ知覚装置。
【請求項５】
前記力覚付与手段は、前記駆動信号に応じた電流が流されるソレノイドコイルと、前記ペダルに対して固定状態にされたプランジャとを備えるソレノイドであり、さらに、前記プランジャの位置を検出する位置検出手段を有し、前記駆動信号生成出力手段は、前記ソレノイドコイルに流すべき電流値が前記位置検出手段により検出された前記プランジャの位置に応じた値となるように、前記駆動信号を生成することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のテンポ知覚装置。
【請求項６】
前記力覚付与手段によって付与される力覚の時間幅を設定する時間幅設定手段を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のテンポ知覚装置。
【請求項７】
前記力覚付与手段によって付与される力覚の強さを設定する強さ設定手段を有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のテンポ知覚装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するために本発明の請求項１のテンポ知覚装置は、楽器のペダル（２２）を通じて奏者にテンポを知覚させるテンポ知覚装置であって、テンポを設定するテンポ設定手段（１７）と、前記テンポ設定手段により設定されたテンポに同期して、駆動信号を生成して出力する駆動信号生成出力手段（１１、１５）と、前記駆動信号生成出力手段により出力される駆動信号によって動作し、前記ペダルに対して奏者が触覚で感じるように力覚を付与する力覚付与手段（３０）とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月18日(2009.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッチングストップ層上にシリコン系材料からなる被エッチング層が形成され、かつこの被エッチング層の表面にマスクが形成された処理対象物を真空容器内に配置し、
前記真空容器内に、プラズマ発生時に前記被エッチング層のエッチング種を生じる第１のガス成分と、前記被エッチング層を構成するシリコン系材料の原子と反応して付着性の生成物を生成する第２のガス成分とを含む第１のエッチングガスを導入し、
前記真空容器内にプラズマを発生させ、前記被エッチング層の表面の前記マスクから露呈する部分を前記第１のガス成分により生じる前記エッチング種によりエッチングし、
前記第１のエッチングガスによるエッチングを停止した後、前記第１のガス成分と、フルオロカーボン系ガスである第３のガス成分とを含む第２のエッチングガスを導入し、
前記真空容器内にプラズマを発生させ、前記被エッチング層の表面の前記マスクから露呈する部分を前記第１のガス成分により生じる前記エッチング種によりエッチングする、ドライエッチング方法。
【請求項２】
前記被エッチング層のエッチング深さが被エッチング層の厚さの５０％以上に達した後であって前記エッチング深さが前記被エッチング層の前記エッチングストップ層との界面に達する前に、前記エッチングに使用するガスを前記第１のエッチングガスから前記第２のエッチングガスに切り換える、請求項１に記載のドライエッチング方法。
【請求項３】
前記第３のガス成分は、C4F8、CHF3、C5F8、C4F6の少なくともいずれか一つを含む、請求項１又は請求項２に記載のドライエッチング方法。
【請求項４】
前記第１のガス成分はSF6である、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のドライエッチング方法。
【請求項５】
前記被エッチング層はSiであり、前記エッチングストップ層はSiO2である、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のドライエッチング方法。
【請求項６】
エッチングストップ層上にシリコン系材料からなる被エッチング層が形成され、かつこの被エッチング層の表面にマスクが形成された処理対象物が内部に配置される真空容器と、
前記被エッチング層のエッチング種を生じる第１のガス成分と、前記被エッチング層を構成するシリコン系材料の原子と反応して付着性の生成物を生成する第２のガス成分とを含む第１のエッチングガスを前記真空容器内に供給可能な第１のエッチングガス供給源と、
前記第１のガス成分と、フルオロカーボン系ガスである第３のガス成分とを含む第２のエッチングガスを前記真空容器内に供給可能な第２のエッチングガス供給源と、
前記真空容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生源と、
前記第１のエッチングガス供給源が前記第１のエッチングガスを前記真空容器内に供給し、かつ前記プラズマ発生源が前記真空容器内にプラズマを発生させる状態を予め定められた第１の時間は継続した後、前記第２のエッチングガス供給源が前記第２のエッチングガスを前記真空容器内に供給し、かつ前記プラズマ発生源が前記真空容器内にプラズマを発生させる状態を予め定められた第２の時間は継続するように、前記第１及び第２のエッチングガス供給源並びに前記プラズマ発生源を制御する制御装置と
を備えるドライエッチング装置。
【請求項７】
前記第１の時間は、前記被エッチング層のエッチング深さが、被エッチング層の厚さの５０％に達する時間以上であって、前記エッチング深さが前記被エッチング層の前記エッチングストップ層との界面に達する時間未満である、請求項６に記載のドライエッチング装置。
【請求項８】
前記処理対象物を保持するガイド部材をさらに備え、このガイド部材がフッ素樹脂製である、請求項６又は請求項７に記載のドライエッチング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
第１の発明は、エッチングストップ層上にシリコン系材料からなる被エッチング層が形成され、かつこの被エッチング層の表面にマスクが形成された処理対象物を真空容器内に配置し、前記真空容器内に、プラズマ発生時に前記被エッチング層のエッチング種を生じる第１のガス成分と、前記被エッチング層を構成するシリコン系材料の原子と反応して付着性の生成物を生成する第２のガス成分とを含む第１のエッチングガスを導入し、前記真空容器内にプラズマを発生させ、前記被エッチング層の表面の前記マスクから露呈する部分を前記第１のガス成分により生じる前記エッチング種によりエッチングし、前記第１のエッチングガスによるエッチングを停止した後、前記第１のガス成分と、フルオロカーボン系ガスである第３のガス成分とを含む第２のエッチングガスを導入し、前記真空容器内にプラズマを発生させ、前記被エッチング層の表面の前記マスクから露呈する部分を前記第１のガス成分により生じる前記エッチング種によりエッチングする、ドライエッチング方法を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
第２の発明は、エッチングストップ層上にシリコン系材料からなる被エッチング層が形成され、かつこの被エッチング層の表面にマスクが形成された処理対象物が内部に配置される真空容器と、前記被エッチング層のエッチング種を生じる第１のガス成分と、前記被エッチング層を構成するシリコン系材料の原子と反応して付着性の生成物を生成する第２のガス成分とを含む第１のエッチングガスを前記真空容器内に供給可能な第１のエッチングガス供給源と、前記第１のガス成分と、フルオロカーボン系ガスである第３のガス成分とを含む第２のエッチングガスを前記真空容器内に供給可能な第２のエッチングガス供給源と、前記真空容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生源と、前記第１のエッチングガス供給源が前記第１のエッチングガスを前記真空容器内に供給し、かつ前記プラズマ発生源が前記真空容器内にプラズマを発生させる状態を予め定められた第１の時間は継続した後、前記第２のエッチングガス供給源が前記第２のエッチングガスを前記真空容器内に供給し、かつ前記プラズマ発生源が前記真空容器内にプラズマを発生させる状態を予め定められた第２の時間は継続するように、前記第１及び第２のエッチングガス供給源並びに前記プラズマ発生源を制御する制御装置とを備えるドライエッチング装置を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月27日(2010.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のエンコーダ付きモータと、前記複数のエンコーダ付きモータを位置制御または速度制御するモータ制御装置と、を備えた多軸用モータ制御システムであって、
前記モータ制御装置が、前記位置制御または前記速度制御の演算を実行して制御指令を出力する単数のＣＰＵと、
前記複数のエンコーダ付きモータ個々に対応した、前記制御指令に応じて電力を供給する複数のモータ駆動部と、
接続する前記複数のエンコーダ付きモータの制御軸数に応じて、前記位置制御または前記速度制御の制御周期を変更する構成と、を有することを特徴とする多軸用モータ制御システム。
【請求項２】
前記モータ制御装置が、パラメータ設定装置を介して、前記制御軸数を予め設定されることを特徴とする請求項１に記載の多軸用モータ制御システム。
【請求項３】
前記モータ制御装置が、パラメータ設定装置を介して、前記制御周期を予め設定されることを特徴とする請求項１または２に記載の多軸用モータ制御システム。
【請求項４】
前記モータ制御装置が、前記制御軸数と、前記位置制御および前記速度制御にかかる制御演算時間とに基づいて、前記制御周期を演算することを特徴とする請求項１または２に記載の多軸用モータ制御システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】多軸用モータ制御システム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記問題を解決するため、本発明は、次のように構成したのである。
請求項１に記載の発明は、複数のエンコーダ付きモータと、前記複数のエンコーダ付きモータを位置制御または速度制御するモータ制御装置と、を備えた多軸用モータ制御システムであって、前記モータ制御装置が、前記位置制御または前記速度制御の演算を実行して制御指令を出力する単数のＣＰＵと、前記複数のエンコーダ付きモータ個々に対応した、前記制御指令に応じて電力を供給する複数のモータ駆動部と、接続する前記複数のエンコーダ付きモータの制御軸数に応じて、前記位置制御または前記速度制御の制御周期を変更する構成と、を有するものである。
また、請求項２に記載の発明は、請求項１記載の発明における前記モータ制御装置が、パラメータ設定装置を介して、前記制御軸数を予め設定されるものである。
また、請求項３に記載の発明は、請求項１または２記載の発明における前記モータ制御装置が、パラメータ設定装置を介して、前記制御周期を予め設定されるものである。
また、請求項４に記載の発明は、請求項１または２記載の発明における前記モータ制御装置が、前記制御軸数と、前記位置制御および前記速度制御にかかる制御演算時間とに基づいて、前記制御周期を演算するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項１乃至４のいずれか１つに記載の発明によると、位置制御および速度制御を１つのＣＰＵで実行し、トータルとして低価格化、小形化が実現できる。
また、一般的に位置制御および速度制御の制御周期は短いほど制御精度は向上するため、多軸サーボドライブを適用する機械システム、すなわち接続するサーボモータの数に合わせて位置制御および速度制御の制御周期を設定することにより、ＣＰＵ性能を最大限に活用でき、その結果として機械システムに合わせて最大限の制御精度を得ることができる。
また、制御軸数設定値に設定された制御軸数に基づいて自動的に制御周期設定値に制御周期が設定されるので、制御周期を設定する手間を省くことができ、結果的に多軸サーボドライバの使い勝手を向上させることができる。更に、電流制御手段を電流制御ＬＳＩとしたので、多軸サーボドライバを小形化することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】