【手続補正書】
【提出日】平成22年1月12日(2010.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極が形成された半導体チップと、
前記半導体チップにおける前記電極が形成された面に形成されたものであって、第１の高さにて形成された第１の部分および前記第１の高さよりも高さが低い第２の高さに形成された第２の部分を含む樹脂突起と、
前記第１の部分に位置する電気的接続部と、
前記電気的接続部と前記電極と電気的に接続する配線と、
を有し、
前記第１の部分と前記第２の部分とが隣接し、かつ直線上に配置され、
前記第１の部分の前記直線方向における長さは、前記電気的接続部の前記直線方向における長さよりも短いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記樹脂突起は、前記第１の部分と第２の部分との間に配置されたテーパー部分をさらに含む半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置において、
電気的接続部は、第２の部分と重複する領域に至らないように形成されている半導体装
置。
【請求項４】
請求項２記載の半導体装置において、
前記電気的接続部は、前記テーパー部分を超えて、その一部が前記第２の部分と重複するように形成されている半導体装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置において、
前記電気的接続部は、前記第１の部分と重複する重複部と、前記樹脂突起と重複しない
突出部とを含み、
前記突出部の前記直線方向における長さは、前記第１及び第２の部分の高さの差よりも広い半導体装置。
【請求項６】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置において、
前記電気的接続部は、前記第１の部分と重複する重複部と、前記樹脂突起と重複しない突出部とを含み、
前記突出部の前記直線方向における長さは、前記第１及び第２の部分の高さの差よりも狭い半導体装置。
【請求項７】
請求項５又は請求項６記載の半導体装置において、
前記重複部の前記直線方向における長さは、前記電気的接続部の前記直線方向における長さの８０％以上である半導体装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第２の部分の表面は、粗面になっている半導体装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれかに記載の半導体装置において、
前記樹脂突起は、前記第２の部分の側方に配置された、前記第２の部分よりも高さが低い第３の部分をさらに含む半導体装置。
【請求項１０】
配線パターンを有する配線基板と、
電極が形成された半導体チップと、前記半導体チップにおける前記電極が形成された面に形成されたものであって、第１の高さにて形成された第１の部分および前記第１の高さよりも高さが低い第２の高さを有する第２の部分を含む樹脂突起と、前記第１の部分上に配置された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、を有し、前記電気的接続部が前記配線パターンと対向するように前記配線基板に搭載された半導体装置と、
前記配線基板と前記半導体装置とを接着する接着剤と、
を含み、
前記第１の部分は、前記直線方向における長さが、前記電気的接続部の前記直線方向における長さよりも短く、前記半導体チップと前記配線基板と
によって押しつぶされて弾性変形している電子デバイス。
【請求項１１】
請求項１０記載の電子デバイスにおいて、
前記電気的接続部は、前記第１の部分と重複する重複部と、前記第１の部分と重複しない突出部とを含み、
前記第突出部は、前記配線パターンと接触している電子デバイス。
【請求項１２】
請求項１０記載の電子デバイスにおいて、
前記電気的接続部は、
前記第１の部分と重複する重複部と、前記第１の部分と重複しない突出部とを含み、
前記突出部が前記配線基板と接触しないように、前記重複部と前記突出部との境界で屈曲している電子デバイス。
【請求項１３】
請求項１２記載の電子デバイスにおいて、
前記接着剤は、前記突出部と前記配線基板との間を含む部分に形成されている電子デバイス。
【請求項１４】
配線パターンを有する配線基板と、
電極が形成された半導体チップと、前記半導体チップにおける前記電極が形成された面に形成された、仮想の直線に沿って延びる形状をなす樹脂突起と、前記樹脂突起上に配置された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、を有し、前記電気的接続部が前記配線パターンと対向するように前記配線基板に搭載された半導体装置と、
前記配線基板と前記半導体装置とを接着する接着剤と、
を含み、
前記樹脂突起は、
前記配線基板と前記半導体チップとによって押しつぶされて弾性変形しており、
前記電気的接続部の中央領域を第１の弾性力で前記配線基板に押し付ける第１の部分と、前記電気的接続部の端部領域を前記第１の弾性力よりも小さい第２の弾性力で前記配線基板に押し付ける第２の部分とを有し、
前記第１及び第２の部分は、前記直線に沿って配置されている電子デバイス。
【請求項１５】
電極が形成された半導体基板を用意する工程と、
前記半導体基板における前記電極が形成された面に樹脂部材を形成する工程と、
前記樹脂部材上に配置された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線を形成する工程と、
前記樹脂部材の一部を除去して、前記電気的接続部を支持する、仮想の直線に沿って配列される複数の第１の部分と、前記第１の部分の側方に配置された、前記第１の部分よりも高さが低い第２の部分とを有する樹脂突起を形成する工程と、
を含み、
前記樹脂突起を形成する工程では、前記第１の部分の前記直線方向における長さが、前記電気的接続部の前記直線方向における長さよりも短くなるように、前記樹脂部材の一部を除去する半導体
装置の製造方法。
【請求項１６】
電極が形成された半導体基板を用意する工程と、
前記半導体基板における前記電極が形成された面に樹脂部材を形成する工程と、
前記樹脂部材上に配置された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線を形成する工程と、
前記樹脂部材の一部を除去して、前記電気的接続部を支持する、仮想の直線に沿って配列される複数の第１の部分と、前記第１の部分の側方に配置された、前記第１の部分よりも高さが低い第２の部分とを有する樹脂突起を形成する工程と、
前記電気的接続部の幅が前記仮想の直線に沿った方向に広くなるように、前記電気的接続部に対してめっき処理を行う工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
配線パターンを有する配線基板を用意する工程と、
電極が形成された半導体チップと、前記半導体チップにおける前記電極が形成された面に形成された、仮想の直線に沿って配列された複数の第１の部分と、前記第１の部分の側方に配置された、前記第１の部分よりも高さが低い第２の部分とを含む樹脂突起と、前記第１の部分によって支持された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、を有する半導体装置を用意する工程と、
前記配線基板に前記半導体装置を搭載して、前記電気的接続部を前記配線パターンに対向させて電気的に接続させる工程と、
前記配線基板と前記半導体装置とを接着する接着剤を形成する工程と、
を含み、
前記第１の部分の上面における前記直線方向の長さは、前記電気的接続部の前記直線方向の長さよりも短く、
前記配線基板に前記半導体装置を搭載する工程では、前記配線基板と前記半導体チップとによって前記樹脂突起を弾性変形させて、前記第１の部分の弾性力によって前記電気的接続部の中央領域を前記配線基板に押し付けて、前記第２の部分の弾性力によって前記電気的接続部の端部領域を前記配線基板に押し付ける電子デバイスの製造方法。
【請求項１８】
配線パターンを有する配線基板を用意する工程と、
電極が形成された半導体チップと、前記半導体チップにおける前記電極が形成された面に形成された、仮想の直線に沿って配列された複数の第１の部分と、前記第１の部分の側方に配置された、前記第１の部分よりも高さが低い第２の部分とを含む樹脂突起と、前記第１の部分によって支持された電気的接続部を有する、前記電極と電気的に接続された配線と、を有する半導体装置を用意する工程と、
前記配線基板に前記半導体装置を搭載して、前記電気的接続部を前記配線パターンに対向させて電気的に接続させる工程と、
前記配線基板と前記半導体装置とを接着する接着剤を形成する工程と、
を含み、
前記第１の部分の上面における前記直線方向の長さは、前記電気的接続部における前記直線方向の長さよりも短く、
前記配線基板に前記半導体装置を搭載する工程では、前記配線基板と前記半導体チップとによって前記樹脂突起を弾性変形させて、前記第１の部分の弾性力のみによって、前記電気的接続部を前記配線パターンに押し付ける電子デバイスの製造方法。