Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月11日(2010.2.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に設けられたメモリセルアレイ及び駆動回路部を含むメモリを有し、
前記メモリセルアレイは、第１のゲート電極層、第１のソース領域及び第１のドレイン領域を含む第１の半導体層、並びに第１のゲート絶縁層を含む第１の薄膜トランジスタを有し、
前記駆動回路部は、第２のゲート電極層、第２のソース領域及び第２のドレイン領域を含み前記第１の半導体層より膜厚の薄い第２の半導体層、並びに第２のゲート絶縁層を含む第２の薄膜トランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に設けられたメモリセルアレイ及び駆動回路部を含むメモリを有し、
前記メモリセルアレイは、第１のゲート電極層、第１のソース領域及び第１のドレイン領域を含む第１の半導体層、並びに第１のゲート絶縁層を含む第１の薄膜トランジスタを有し、
前記駆動回路部は、第２のゲート電極層、第２のソース領域及び第２のドレイン領域を含み前記第１の半導体層より膜厚の薄い第２の半導体層、並びに前記第１のゲート絶縁層より膜厚の薄い第２のゲート絶縁層を含む第２の薄膜トランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板上に設けられたメモリセルアレイ及び駆動回路部を含むメモリを有し、
前記メモリセルアレイは、第１のゲート電極層、第１のソース領域及び第１のドレイン領域を含む第１の半導体層、並びに第１のゲート絶縁層を含む第１の薄膜トランジスタを有し、
前記駆動回路部は、第２のゲート電極層、第２のソース領域及び第２のドレイン領域を含み前記第１の半導体層より膜厚の薄い第２の半導体層、並びに第２のゲート絶縁層を含む第２の薄膜トランジスタを有し、
前記第１のゲート電極層及び前記第２のゲート電極層の側面にサイドウォール構造の絶縁層が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板上に設けられたメモリセルアレイ及び駆動回路部を含むメモリを有し、
前記メモリセルアレイは、第１のゲート電極層、第１のソース領域及び第１のドレイン領域を含む第１の半導体層、並びに第１のゲート絶縁層を含む第１の薄膜トランジスタを有し、
前記駆動回路部は、第２のゲート電極層、第２のソース領域及び第２のドレイン領域を含み前記第１の半導体層より膜厚の薄い第２の半導体層、並びに前記第１のゲート絶縁層より膜厚の薄い第２のゲート絶縁層を含む第２の薄膜トランジスタを有し、
前記第１のゲート電極層及び前記第２のゲート電極層の側面にサイドウォール構造の絶縁層が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
絶縁表面を有する基板上に設けられたメモリセルアレイ及び駆動回路部を含むメモリを有し、
前記メモリセルアレイは、第１のゲート電極層、第１のソース領域及び第１のドレイン領域を含む第１の半導体層、並びに第１のゲート絶縁層を含む第１の薄膜トランジスタを有し、
前記駆動回路部は、第２のゲート電極層、第２のソース領域及び第２のドレイン領域を含み前記第１の半導体層より膜厚の薄い第２の半導体層、並びに第２のゲート絶縁層を含む第２の薄膜トランジスタを有し、
前記第１のゲート電極層及び前記第２のゲート電極層の側面にサイドウォール構造の絶縁層と、
前記第１のソース領域、前記第１のドレイン領域、前記第２のソース領域、及び前記第２のドレイン領域の表面にシリサイドとが設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
絶縁表面を有する基板上に設けられたメモリセルアレイ及び駆動回路部を含むメモリを有し、
前記メモリセルアレイは、第１のゲート電極層、第１のソース領域及び第１のドレイン領域を含む第１の半導体層、並びに第１のゲート絶縁層を含む第１の薄膜トランジスタを有し、
前記駆動回路部は、第２のゲート電極層、第２のソース領域及び第２のドレイン領域を含み前記第１の半導体層より膜厚の薄い第２の半導体層、並びに前記第１のゲート絶縁層より膜厚の薄い第２のゲート絶縁層を含む第２の薄膜トランジスタを有し、
前記第１のゲート電極層及び前記第２のゲート電極層の側面にサイドウォール構造の絶縁層と、
前記第１のソース領域、前記第１のドレイン領域、前記第２のソース領域、及び前記第２のドレイン領域の表面にシリサイドとが設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層は側面にサイドウォール構造の絶縁層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、前記メモリは昇圧回路を有し、
前記昇圧回路は、第３のゲート電極層、第３のソース領域及び第３のドレイン領域を含み前記第２の半導体層より膜厚の厚い第３の半導体層、並びに第３のゲート絶縁層を含む第３の薄膜トランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれか一項において、前記絶縁表面を有する基板上に電源回路を有し、
前記電源回路は、第３のゲート電極層、第３のソース領域及び第３のドレイン領域を含み前記第２の半導体層より膜厚の厚い第３の半導体層、並びに第３のゲート絶縁層を含む第３の薄膜トランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、前記絶縁表面を有する基板上に、ｐ型を付与する不純物元素が添加された絶縁層を有し、前記第１の薄膜トランジスタおよび前記第２の薄膜トランジスタは前記ｐ型を付与する不純物元素が添加された絶縁層上に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月15日(2010.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁層内に形成されている第１の配線と、前記第１の絶縁層および前記第１の配線上に形成されている第２の絶縁層内に形成されている第２の配線とを有し、
前記第１の配線はＣｕ配線であり、前記第２の配線はＣｕＡｌ配線であって、
前記第２の配線は、複数のバリア層を介在して、前記第１の配線に電気的に接続しており、
前記複数のバリア層のうち少なくとも１つのバリア層は窒素原子含有量が１０原子％以上であり、かつ、前記ＣｕＡｌ配線と接触するＣｕＡｌ接触バリア層は窒素原子含有量が１０原子％未満である半導体装置。
【請求項２】
第１の絶縁層内に形成されている第１の配線と、前記第１の絶縁層および前記第１の配線上に形成されている第２の絶縁層内に形成されている第２の配線とを有し、
前記第１の配線はＣｕ配線であり、前記第２の配線はＣｕと添加元素で構成されているＣｕ合金配線であって、
前記第２の配線は、複数のバリア層を介在して、前記第１の配線に電気的に接続しており、
前記複数のバリア層のうち少なくとも１つのバリア層は窒素原子含有量が１０原子％以上であり、かつ、前記Ｃｕ合金配線と接触するＣｕ合金接触バリア層は窒素原子含有量が１０原子％未満である半導体装置。
【請求項３】
前記第１の配線と接触する第１のバリア層は、前記第２の配線のビアプラグ部の直下に選択的に形成されている請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の配線と接触する第１のバリア層は、前記第１の配線の直上に選択的に形成されている請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ＣｕＡｌ接触バリア層の窒素原子含有量が１原子％未満である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記Ｃｕ合金接触バリア層の窒素原子含有量が１原子％未満である請求項２に記載の半導体装置。
【請求項７】
窒素原子含有量が１０原子％以上である前記少なくとも１つのバリア層のうちの１つは、前記第１の配線たる前記Ｃｕ配線と接触するＣｕ接触バリア層である請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項８】
第１の絶縁層内に形成された第１の配線を準備する工程と、
前記第１の絶縁層および前記第１の配線上に第２の絶縁層を形成する工程と、
前記第２の絶縁層内に配線用溝および前記第１の配線に達するビアホールを形成する工程と、
前記配線用溝および前記ビアホール内に複数のバリア層を形成する工程と、
前記複数のバリア層上に第２の配線を形成する工程とを含み、
前記第１の配線はＣｕ金属で形成され、前記第２の配線はＣｕＡｌ合金で形成され、
前記複数のバリア層のうち少なくとも１つのバリア層は窒素原子含有量が１０原子％以上であり、かつ、前記ＣｕＡｌ合金で形成された前記第２の配線と接触するＣｕＡｌ接触バリア層は窒素原子含有量が１０原子％未満である半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記複数のバリア層を形成する工程において、前記第１の配線と接触する第１のバリア層を前記ビアホールの底面の直上に選択的に形成する請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
窒素原子含有量が１０原子％以上である前記少なくとも１つのバリア層のうちの１つは、前記Ｃｕ金属で形成された前記第１の配線と接触するＣｕ接触バリア層である請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１１】
第１の絶縁層内に形成された第１の配線を準備する工程と、
前記第１の配線の直上に第１のバリア層を選択的に形成する工程と、
前記第１の絶縁層および前記第１のバリア層上に第２の絶縁層を形成する工程と、
前記第２の絶縁層内に配線用溝および前記第１のバリア層に達するビアホールを形成する工程と、
前記配線用溝および前記ビアホール内に１以上の他のバリア層を形成する工程と、
前記他のバリア層上に第２の配線を形成する工程とを含み、
前記第１の配線はＣｕ金属で形成され、前記第２の配線はＣｕＡｌ合金で形成され、
前記第１のバリア層および前記他のバリア層のうち少なくとも１つのバリア層は窒素原子含有量が１０原子％以上であり、かつ、前記ＣｕＡｌ合金で形成された前記第２の配線と接触するＣｕＡｌ接触バリア層は窒素原子含有量が１０原子％未満である半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
窒素原子含有量が１０原子％以上である前記少なくとも１つのバリア層のうちの１つは、前記Ｃｕ金属で形成された前記第１の配線と接触するＣｕ接触バリア層である請求項１１に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の半導体装置の一実施形態は、第１の絶縁層内に形成されている第１の配線と、第１の絶縁層および第１の配線上に形成されている第２の絶縁層内に形成されている第２の配線とを有する半導体装置である。ここで、第１の配線はＣｕ配線であり、第２の配線はＣｕＡｌ配線である。また、第２の配線は、複数のバリア層を介在して、第１の配線に電気的に接続している。また、複数のバリア層のうち少なくとも１つのバリア層は窒素原子含有量が１０原子％以上であり、かつ、ＣｕＡｌ配線と接触するＣｕＡｌ接触バリア層は窒素原子含有量が１０原子％未満である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明の半導体装置の製造方法の一の実施形態は、第１の絶縁層内に形成された第１の配線を準備する工程と、第１の絶縁層および第１の配線上に第２の絶縁層を形成する工程と、第２の絶縁層内に配線用溝および第１の配線に達するビアホールを形成する工程と、配線用溝およびビアホール内に複数のバリア層を形成する工程と、複数のバリア層上に第２の配線を形成する工程とを含む。ここで、第１の配線はＣｕ金属で形成され、第２の配線はＣｕＡｌ合金で形成され、複数のバリア層のうち少なくとも１つのバリア層は窒素原子含有量が１０原子％以上であり、かつ、ＣｕＡｌ合金で形成された第２の配線と接触するＣｕＡｌ接触バリア層は窒素原子含有量が１０原子％未満である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月15日(2010.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
ここで、単位配線パターン長をＡ、必要とする単位配線パターンピッチをＢとして、Ｂに対するＡの割合を長さの有効率Ｃとすると、Ｃ＝（Ａ÷Ｂ）×１００（％）の関係式が成り立ち、この長さの有効率Ｃが悪くなるほど、ＣＯＦキャリアテープ２２２の製造コストが高くなる。ここで、単位配線パターン長Ａに対して、必要な単位配線パターンピッチＢと長さの有効率Ｃの関係を数値で表したものを表２に示す（表中のＰはスプロケットホールのピッチである）。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月22日(2010.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１窒化物半導体層、活性層、第２窒化物半導体層を含む窒化物半導体層と、該窒化物半導体層に形成された保護膜と、を有する窒化物半導体レーザ素子において、
該保護膜は、六方晶系の結晶構造を有し、前記窒化物半導体層に形成された共振器面を被覆する第１の面と、前記第２窒化物半導体層表面を被覆する第２の面と、該第１の面と第２の面の間に連続する第３の面と、を具備しており、前記第１の面は、前記共振器面と同じ結晶面であり、第２の面は、前記窒化物半導体層の結晶成長面と同じ結晶面である窒化物半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記第３の面は、前記第１の面及び第２の面とは異なる結晶面を有する請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記第３の面は、前記窒化物半導体レーザ素子の外表面の角部を被覆する請求項１又は２に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記第１の面がＭ面（１−１００）であり、第２の面がＣ面（０００１）である請求項１乃至３のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記保護膜は、共振器面に接して形成される請求項１乃至４のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記保護膜の上に、さらにアモルファスの第２の保護膜を有する請求項１乃至５のいずれか１つに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項７】
前記第２の保護膜の膜厚は、前記保護膜の膜厚よりも厚いことを特徴とする請求項６に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明の窒化物半導体レーザ素子は、第１窒化物半導体層、活性層、第２窒化物半導体層を含む窒化物半導体層と、該窒化物半導体層に形成された保護膜と、を有する窒化物半導体レーザ素子において、該保護膜は、六方晶系の結晶構造を有し、前記窒化物半導体層に形成された共振器面を被覆する第１の面と、前記第２窒化物半導体層表面を被覆する第２の面と、該第１の面と第２の面の間に連続する第３の面と、を具備しており、前記第１の面は、前記共振器面と同じ結晶面であり、第２の面は、前記窒化物半導体層の結晶成長面と同じ結晶面である。
また、このような窒化物半導体レーザ素子においては、前記第３の面は、前記第１の面及び第２の面とは異なる結晶面を有することが好ましい。
また、前記第３の面は、前記窒化物半導体レーザ素子の外表面の角部を被覆することが好ましい。
また、前記第１の面がＭ面（１−１００）であり、第２の面がＣ面（０００１）であることが好ましい。
また、前記保護膜は、共振器面に接して形成されることが好ましい。
また、前記保護膜の上に、さらにアモルファスの第２の保護膜を有することが好ましい。
また、前記第２の保護膜の膜厚は、前記保護膜の膜厚よりも厚いものであることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月12日(2010.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン単結晶ウエーハと研磨布との間に研磨スラリーを介在させて前記シリコン単結晶ウエーハを研磨する複数段の研磨工程のうち、最終段である仕上げ研磨工程の少なくとも終了時点における研磨速度を、５ｎｍ／ｍｉｎ以下として仕上げ研磨することを特徴とするシリコン単結晶ウエーハの仕上げ研磨方法。
【請求項２】
前記仕上げ研磨工程において、常に研磨速度を５ｎｍ／ｍｉｎ以下として仕上げ研磨することを特徴とする請求項１に記載のシリコン単結晶ウエーハの仕上げ研磨方法。
【請求項３】
前記仕上げ研磨における研磨速度を、前記研磨されるシリコン単結晶ウエーハと前記研磨布との相対速度を調節することにより調節することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のシリコン単結晶ウエーハの仕上げ研磨方法。
【請求項４】
前記仕上げ研磨における研磨代を、５ｎｍ以上とすることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載のシリコン単結晶ウエーハの仕上げ研磨方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載のシリコン単結晶ウエーハの仕上げ研磨方法によって仕上げ研磨されたシリコン単結晶ウエーハであって、ウエーハ表面のＰＩＤが、直径３００ｍｍウエーハ換算で１００個未満であることを特徴とするシリコン単結晶ウエーハ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するため、本発明は、シリコン単結晶ウエーハと研磨布との間に研磨スラリーを介在させて前記シリコン単結晶ウエーハを研磨する複数段の研磨工程のうち、最終段である仕上げ研磨工程において、研磨速度を、１０ｎｍ／ｍｉｎ以下として仕上げ研磨することを特徴とするシリコン単結晶ウエーハの仕上げ研磨方法を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
この場合、前記仕上げ研磨における研磨速度を、前記研磨されるシリコン単結晶ウエーハと前記研磨布との相対速度を調節することにより調節することが好ましい。
このように、仕上げ研磨における研磨速度を、研磨されるシリコン単結晶ウエーハと研磨布との相対速度を調節することにより調節すれば、簡便な調節方法により、研磨速度を調節することができ、かつ十分な効果を得ることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、前記仕上げ研磨における研磨代を、５ｎｍ以上とすることが好ましい。
このような仕上げ研磨における研磨代を、５ｎｍ以上とすれば、より確実にシリコン単結晶ウエーハ表面のヘイズを低減することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、前記仕上げ研磨工程の少なくとも終了時点における研磨速度を、１０ｎｍ／ｍｉｎ以下とすることが好ましい。
このように、仕上げ研磨工程の少なくとも終了時点における研磨速度を１０ｎｍ／ｍｉｎ以下とすればＰＩＤの低減効果は十分である。また、仕上げ研磨工程においてまず研磨速度を１０ｎｍ／ｍｉｎを超えるものとし、その後に研磨速度を１０ｎｍ／ｍｉｎ以下とすれば、生産性を著しく低下させずに仕上げ研磨を行うことができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明は、前記のシリコン単結晶ウエーハの仕上げ研磨方法によって仕上げ研磨されたシリコン単結晶ウエーハであって、ウエーハ表面のＰＩＤが、直径３００ｍｍウエーハ換算で１００個未満であることを特徴とするシリコン単結晶ウエーハを提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月19日(2010.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部機器と通信しデータを送受信することが可能な通信装置であって、
前記外部機器との通信に用いるアドレス及び前記アドレスのリース期間を受信する受信手段と、
前記受信手段によるアドレスの受信から経過した時間と前記アドレスのリース期間とから、前記リース期間の残り時間を算出する算出手段と、
前記通信装置に供給する電力を制御することで、第１の状態と、前記第１の状態よりも供給する電力を少なくする第２の状態とを切り替える電力制御手段と、
データの送信に要する時間を予測し、予測された時間に基づき閾値を設定する設定手段と、
前記第２の状態から前記第１の状態に移行した際に、前記アドレスが有効か否か判断する判断手段とを有し、
前記判断手段は、前記リース期間の残り時間が前記設定手段により設定された閾値よりも長い場合には前記アドレスが有効であると判断し、
前記判断手段により前記アドレスが有効であると判断された場合は前記受信したアドレスを用いて通信を行い、前記アドレスが有効でないと判断された場合は前記受信手段により再度アドレスを受信することを特徴とする通信装置。
【請求項２】
被写体を撮像し画像データを得る撮像手段をさらに有し、
前記電力制御手段は、前記撮像の指示が一定時間なかった場合に前記第１の状態から前記第２の状態への切り替えを行うことを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】
前記設定手段は、前記撮像に関する設定に基づき前記画像データの送信に要する時間を予測することを特徴とする請求項２に記載の通信装置。
【請求項４】
前記設定手段は、前記通信装置に設定されている画像データの圧縮率に基づき前記画像データの送信に要する時間を予測することを特徴とする請求項３に記載の通信装置。
【請求項５】
前記設定手段は、前記通信装置に設定されているＩＳＯ感度に基づき前記画像データの送信に要する時間を予測することを特徴とする請求項３または４に記載の通信装置。
【請求項６】
前記設定手段は、送信されるデータの数に基づき、前記データの送信に要する時間を予測することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項７】
前記電力制御手段が前記第１の状態から前記第２の状態への移行を行う際に、前記判断手段は前記アドレスが有効か否かを判断し、
前記アドレスが有効でない場合には、前記受信手段により再度アドレスを受信した後に前記電力制御手段による第２の状態への移行を行うことを特徴とする請求項１乃至６に記載の通信装置。
【請求項８】
外部機器から時間情報を受信する手段をさらに有し、
前記受信した時間情報から前記受信手段によるアドレスの受信から経過した時間を取得することを特徴とする請求項１乃至７に記載の通信装置。
【請求項９】
外部機器と通信しデータを送受信することが可能な通信装置の制御方法であって、
前記外部機器と通信装置との通信に用いるアドレス及び前記アドレスのリース期間を受信する受信工程と、
前記受信工程におけるアドレスの受信から経過した時間と前記アドレスのリース期間とから、前記リース期間の残り時間を算出する算出工程と、
前記通信装置に供給する電力を制御することで、第１の状態と、前記第１の状態よりも供給する電力を少なくする第２の状態とを切り替える電力制御工程と、
データの送信に要する時間を予測し、予測された時間に基づき閾値を設定する設定工程と、
前記第２の状態から前記第１の状態に移行した際に、前記アドレスが有効か否か判断する判断工程とを有し、
前記判断工程では、前記リース期間の残り時間が前記設定工程において設定された閾値よりも長い場合には前記アドレスが有効であると判断し、
前記判断工程において前記アドレスが有効であると判断された場合は前記受信したアドレスを用いて通信を行い、前記アドレスが有効でないと判断された場合は再度アドレスを受信することを特徴とする通信装置の制御方法。
【請求項１０】
コンピュータに、請求項９に記載の制御方法を実行させるコンピュータ可読のプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上述の課題を解決するために、本発明に係る通信装置は、外部機器と通信しデータを送受信することが可能な通信装置であって、前記外部機器との通信に用いるアドレス及び前記アドレスのリース期間を受信する受信手段と、前記受信手段によるアドレスの受信から経過した時間と前記アドレスのリース期間とから、前記リース期間の残り時間を算出する算出手段と、前記通信装置に供給する電力を制御することで、第１の状態と、前記第１の状態よりも供給する電力を少なくする第２の状態とを切り替える電力制御手段と、データの送信に要する時間を予測し、予測された時間に基づき閾値を設定する設定手段と、前記第２の状態から前記第１の状態に移行した際に、前記アドレスが有効か否か判断する判断手段とを有し、前記判断手段は、前記リース期間の残り時間が前記設定手段により設定された閾値よりも長い場合には前記アドレスが有効であると判断し、前記判断手段により前記アドレスが有効であると判断された場合は前記受信したアドレスを用いて通信を行い、前記アドレスが有効でないと判断された場合は前記受信手段により再度アドレスを受信することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
ステップＳ２２２において、システム制御部１０２は、ネットワークＩ／Ｆ１０６を介して、接続パラメータに設定されたＦＴＰサーバ５００、５００ａに画像を転送し（ステップＳ１０７）、処理をステップＳ２２１に戻す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
ステップＳ１１２において、システム制御部１０２は、ＩＰアドレスを受信してからの経過時間がリース期間よりも長いか否かを判断する。長いと判断された場合には処理をステップＳ１０１に戻す。長くないと判断された場合には処理をステップＳ１１３に進める。このステップＳ１１０〜Ｓ１１２の動作が図４のステップＳ２１１の処理に相当する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月18日(2010.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影動作によって生成される画像データを外部装置に転送する撮像装置であって、
撮影動作に先立って、予め決められたデータサイズを有するダミーデータを前記外部装置に転送する転送手段と、
前記ダミーデータの転送時間を計測する計測手段と、
前記ダミーデータのデータサイズと前記計測手段にて計測した転送時間とに基づき、転送速度を求める算出手段と、
前記撮像装置に設定される撮影条件に基づき、次の撮影で生成される画像データのデータサイズを予測する第１の予測手段と、
前記第１の予測手段にて予測したデータサイズと前記算出手段にて求めた転送速度とに基づき、前記次の撮影で生成される画像データの転送時間を予測する第２の予測手段とを有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記転送手段は、前記撮像装置に撮影を準備する動作を開始させるための操作が行われた場合に、前記ダミーデータを前記外部装置に転送することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
撮影動作によって生成される画像データを外部装置に転送する撮像装置であって、
前記画像データを前記外部装置に転送する転送手段と、
前記画像データの転送時間を計測する計測手段と、
前記画像データのデータサイズと前記計測手段にて計測した時間とに基づき、転送速度を求める算出手段と、
前記撮像装置に設定される撮影条件に基づき、次の撮影で生成される第２の画像データのデータサイズを予測する第１の予測手段と、
前記第１の予測手段にて予測したデータサイズと前記算出手段にて求めた転送速度とに基づき、前記第２の画像データの転送時間を予測する第２の予測手段とを有することを特徴とする撮像装置。
【請求項４】
撮影動作によって生成される画像データを外部装置に転送する撮像装置の制御方法であって、
撮影動作に先立って、予め決められたデータサイズを有するダミーデータを前記外部装置に転送する転送ステップと、
前記ダミーデータの転送時間を計測する計測ステップと、
前記ダミーデータのデータサイズと前記計測ステップにて計測した転送時間とに基づき、転送速度を求める算出ステップと、
前記撮像装置に設定される撮影条件に基づき、次の撮影で生成される画像データのデータサイズを予測する第１の予測ステップと、
前記第１の予測ステップにて予測したデータサイズと前記算出ステップにて求めた転送速度とに基づき、前記次の撮影で生成される画像データの転送時間を予測する第２の予測ステップとを有することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項５】
撮影動作によって生成される画像データを外部装置に転送する撮像装置の制御方法であって、
前記画像データを前記外部装置に転送する転送ステップと、
前記画像データの転送時間を計測する計測ステップと、
前記画像データのデータサイズと前記計測ステップにて計測した時間とに基づき、転送速度を求める算出ステップと、
前記撮像装置に設定される撮影条件に基づき、次の撮影で生成される第２の画像データのデータサイズを予測する第１の予測ステップと、
前記第１の予測ステップにて予測したデータサイズと前記算出ステップにて求めた転送速度とに基づき、前記第２の画像データの転送時間を予測する第２の予測ステップとを有することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上述の目的を達成するために、本発明の撮像装置は、撮影動作によって生成される画像データを外部装置に転送する撮像装置であって、撮影動作に先立って、予め決められたデータサイズを有するダミーデータを前記外部装置に転送する転送手段と、前記ダミーデータの転送時間を計測する計測手段と、前記ダミーデータのデータサイズと前記計測手段にて計測した転送時間とに基づき、転送速度を求める算出手段と、前記撮像装置に設定される撮影条件に基づき、次の撮影で生成される画像データのデータサイズを予測する第１の予測手段と、前記第１の予測手段にて予測したデータサイズと前記算出手段にて求めた転送速度とに基づき、前記次の撮影で生成される画像データの転送時間を予測する第２の予測手段とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、ダミーデータのデータサイズと外部装置に対するダミーデータの転送時間から求めた転送速度と、次の撮影で生成される画像データの予測したデータサイズとに基づき、画像データの転送時間を予測する。これにより、ユーザは画像データをどのくらいの時間で外部装置に転送できるかを認識することが可能となり、撮像装置の使い勝手を向上させることが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
図５において、デジタルカメラ１００のＣＰＵ２０１は、実効速度管理部３０１により、ＰＣ１５０に対する画像データ転送にかかると予測される予測速度を算出し、予測速度情報として予測時間処理部３０３に入力する。ＣＰＵ２０１は、同時に予測速度情報から表示部１０４に表示するリンク速度を求める。また、ＣＰＵ２０１は、画像サイズ管理部３０２により、現在のカメラ設定における撮影で得られる画像データの予測画像サイズを予測時間処理部３０３に入力する。また、ＣＰＵ２０１は、予測時間処理部３０３により、予測速度情報及び予測画像サイズに基づきＰＣ１５０に対する画像データ転送にかかると予測される予測転送時間を算出する。更に、ＣＰＵ２０１は、算出された予測転送時間およびリンク速度を表示部１０４に表示する（ステップＳ５０１）。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
一方、ＣＰＵ２０１は、シャッタボタン１０１が半押し状態（Ｓ１）に操作された後、更にシャッタボタン１０１が押された状態（Ｓ２）をある一定期間の間に検出しなかった場合には（ステップＳ５０６でＮＯ）、ステップＳ５０１に戻る。ＣＰＵ２０１は、実効速度管理部３０１で算出した予測速度情報と、画像サイズ管理部３０２で記憶している現在のカメラ設定における予測画像サイズを、予測時間処理部３０３に入力する。更に、ＣＰＵ２０１は、予測時間処理部３０３により、予測速度情報及び予測画像サイズに基づき予測転送時間を算出し、予測転送時間およびリンク速度を表示部１０４に表示する（ステップＳ５０１）。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
１００  デジタルカメラ（撮像装置）
１０１  シャッタボタン
１０４  表示部
１５０  ＰＣ（外部装置）
２０１  ＣＰＵ
２０４  撮像部
２０９  通信Ｉ／Ｆ
３０１  実効速度管理部（算出手段）
３０２  画像サイズ管理部
３０３  予測時間処理部
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月21日(2010.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロード端子での抵抗を検出する第１の検出器と、
前記ロード端子と前記ロード端子に接続されるバッテリーに対して電力を供給する電源との間に設けられ、常時ＯＮ状態にあって充電制御信号と放電制御信号とを出力するセルフプロテクション制御ユニットと、
予め設定された最大値と前記検出された抵抗とを比較して、前記抵抗が前記予め設定された最大値を上回る場合には第１の出力信号を生成し、前記抵抗が前記予め設定された最大値を下回る場合には第２の出力信号を生成する第１のコンパレータと、
予め設定された最小値と前記検出された抵抗とを比較して、前記抵抗が前記予め設定された最小値を下回る場合には第３の出力信号を生成し、前記抵抗が前記予め設定された最小値を上回る場合には第４の出力信号を生成する第２のコンパレータと、
前記第１及び第２のコンパレータに接続され、前記検出された抵抗が前記最大値と前記最小値との間の所定の範囲内に存在する場合に所定の制御信号を生成する第２の検出器と、
前記放電制御信号に従って前記バッテリーの放電を制御する第１のスイッチと、
前記電源と前記第１のスイッチとの間に設けられ前記放電制御信号に従って前記バッテリーの放電を制御する第２のスイッチと、
前記所定の信号の入力がある場合には前記放電制御信号を前記第２のスイッチに供給し、前記所定の信号の入力がない場合には、前記電源と前記ロード端子との接続を遮断する第３のスイッチと、
を具備することを特徴とするバッテリー保護回路。
【請求項２】
前記第１のスイッチ乃至前記第３のスイッチの少なくともいずれかは、ｎ−チャネル電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を具備することを特徴とする請求項１記載のバッテリー保護回路。
【請求項３】
前記第１のスイッチ乃至前記第３のスイッチの少なくともいずれかは、ｐ−チャネル電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を具備することを特徴とする請求項１記載のバッテリー保護回路。
【請求項４】
ロード端子での抵抗を検出する第１の検出器と、
前記ロード端子と前記ロード端子に接続されるバッテリーに対して電力を供給する電源との間に設けられ、常時ＯＮ状態にあって充電制御信号と放電制御信号とを出力するセルフプロテクション制御ユニットと、
予め設定された最大値と前記検出された抵抗とを比較して、前記抵抗が前記予め設定された最大値を上回る場合には第１の出力信号を生成し、前記抵抗が前記予め設定された最大値を下回る場合には第２の出力信号を生成する第１のコンパレータと、
予め設定された最小値と前記検出された抵抗とを比較して、前記抵抗が前記予め設定された最小値を下回る場合には第３の出力信号を生成し、前記抵抗が前記予め設定された最小値を上回る場合には第４の出力信号を生成する第２のコンパレータと、
前記第１及び第２のコンパレータに接続され、前記検出された抵抗が前記最大値と前記最小値との間の所定の範囲内に存在する場合に所定の制御信号を生成する第２の検出器と、
前記放電制御信号に従って前記バッテリーの放電を制御する第１のスイッチと、
前記電源と前記第１のスイッチとの間に設けられ前記放電制御信号に従って前記バッテリーの放電を制御する第２のスイッチと、
前記所定の信号の入力がある場合には前記放電制御信号を前記第１のスイッチに供給し、前記所定の信号の入力がない場合には、前記電源と前記ロード端子との接続を遮断する第３のスイッチと、
前記所定の信号の入力がある場合には前記充電制御信号を前記第２のスイッチに供給し、前記所定の信号の入力がない場合には、前記電源と前記ロード端子との接続を遮断する第４のスイッチと、
を具備することを特徴とするバッテリー保護回路。
【請求項５】
前記第１のスイッチ乃至前記第４のスイッチの少なくともいずれかは、ｎ−チャネル電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を具備することを特徴とする請求項４記載のバッテリー保護回路。
【請求項６】
前記第１のスイッチ乃至前記第４のスイッチの少なくともいずれかは、ｐ−チャネル電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を具備することを特徴とする請求項４記載のバッテリー保護回路。
【請求項７】
前記第１及び第２のコンパレータのそれぞれは、第１及び第２の入力を有し、前記各コンパレータの前記第１の入力は前記検出された抵抗に接続されており、前記回路は、前記第１のコンパレータの前記第２の出力に接続された第１の電圧リファレンスと、前記第２のコンパレータの第２の入力に接続された第２の電圧リファレンスと、を有すること、を特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか一項記載のバッテリー保護回路。
【請求項８】
前記第１及び第２の電圧リファレンスのそれぞれは、電圧駆動回路を具備することを特徴とする請求項７記載のバッテリー保護回路。
【請求項９】
前記第２の検出器は、ＯＲゲートを具備することを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか一項記載のバッテリー保護回路。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月8日(2010.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技盤上に設けられ、遊技球の入賞により大当たり抽選をおこなうための始動口と、
前記始動口近傍に設けられ、遊技球を前記始動口へ入賞し易くさせる開状態と、前記開状態よりも遊技球を前記始動口へ入賞し難くさせる閉状態とを有する普通電動役物と、
前記遊技盤上の所定の入賞ゲートを通過した遊技球を検出するゲート検出手段と、
前記ゲート検出手段によって遊技球が検出されるごとに、第１当たり、第２当たり、またははずれのいずれかを選択する普通図柄抽選をおこなう普通図柄抽選手段と、
前記普通図柄抽選手段の抽選結果を表示する表示手段と、
前記普通図柄抽選手段の抽選結果に基づいて、前記第１当たりが選択されたときには前記普通電動役物を所定期間（以下「長期間」という）開状態とする長開放をおこない、前記第２当たりが選択されたときには前記普通電動役物を前記長期間よりも短い期間開状態とする短開放をおこなう役物制御手段と、
前記普通図柄抽選手段の抽選結果に応じて、前記表示手段の表示形式を異ならせる演出をおこなう表示制御手段と、
を備えることを特徴とするぱちんこ遊技機。
【請求項２】
前記表示制御手段は、前記役物制御手段によって前記普通電動役物が開状態となるときに、前記表示手段に前記抽選結果に応じた開放演出をおこなわせることを特徴とする請求項１に記載のぱちんこ遊技機。
【請求項３】
前記始動口は、遊技盤上に複数設けられている始動口のうち、大当たり抽選の抽選内容が有利な始動口であることを特徴とする請求項２に記載のぱちんこ遊技機。
【請求項４】
前記表示手段は、ランプからなり、
前記表示制御手段は、前記普通図柄抽選手段の抽選結果に応じて、前記ランプの点灯形式を異ならせる演出をおこなう点灯制御手段を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載のぱちんこ遊技機。
【請求項５】
前記点灯制御手段は、前記普通図柄抽選手段の抽選結果に応じて、前記ランプの発光色を異ならせることを特徴とする請求項４に記載のぱちんこ遊技機。
【請求項６】
前記表示手段は、複数のランプからなり、
前記点灯制御手段は、前記普通図柄抽選手段の抽選結果が前記第１当たりである場合に、前記複数のランプをそれぞれ異なる色に発光させる演出をおこなうことを特徴とする請求項５に記載のぱちんこ遊技機。
【請求項７】
前記表示手段は、普通図柄の変動および確定を示す所定の演出画面を表示する画像表示部を有し、
前記表示制御手段は、前記普通図柄抽選手段の抽選結果に応じた演出画面を前記画像表示部に表示させる画像制御手段を有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載のぱちんこ遊技機。
【請求項８】
前記画像制御手段は、前記第２当たりが抽選された前記普通電動役物の短開放状態において、前記開放演出画面を表示させない制御をおこなうことを特徴とする請求項７に記載のぱちんこ遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ぱちんこ遊技機
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、上記の従来技術による問題点を解消するため、普通図柄の抽選結果としての長開放当たりまたは短開放当たりを容易に認識できるとともに、普通図柄の抽選結果を表示する際の趣向性を高めることのできる、ぱちんこ遊技機を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
以下に添付図面を参照して、本発明にかかる、ぱちんこ遊技機の好適な実施の形態１および実施の形態２を詳細に説明する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月8日(2010.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技盤上に設けられ、遊技球の入賞により大当たり抽選をおこなうための始動口と、
前記始動口への遊技球の入賞を検出する始動入賞検出手段と、
前記始動口近傍に設けられ、遊技球を前記始動口へ入賞し易くさせる開状態と、前記開状態よりも遊技球を前記始動口へ入賞し難くさせる閉状態とを有する普通電動役物と、
前記遊技盤上の所定の入賞ゲートを通過した遊技球を検出するゲート検出手段と、
前記ゲート検出手段によって遊技球が検出されるごとに、当たり、またははずれのいずれかを選択する普通図柄抽選をおこなう普通図柄抽選手段と、
前記普通図柄抽選手段の抽選結果を表示する表示手段と、
前記普通図柄抽選手段の抽選結果に基づいて、当たりが選択されたときには前記普通電動役物を所定期間開状態とする役物制御手段と、
前記役物制御手段による前記普通電動役物の開状態において、前記始動入賞検出手段によって遊技球の入賞が検出されたときに、前記表示手段に遊技球の入賞を示す入賞演出をおこなわせる表示制御手段と、
を備えることを特徴とするぱちんこ遊技機。
【請求項２】
前記普通図柄抽選手段は、前記ゲート検出手段によって遊技球が検出されるごとに、第１当たり、第２当たり、またははずれのいずれかを選択する普通図柄抽選をおこない、
前記役物制御手段は、前記普通図柄抽選手段の抽選結果に基づいて、前記第１当たりが選択されたときには前記普通電動役物を所定期間（以下「長期間」という）開状態とする長開放をおこない、前記第２当たりが選択されたときには前記普通電動役物を前記長期間よりも短い期間開状態とする短開放をおこない、
前記表示制御手段は、前記役物制御手段による前記普通電動役物の開状態において、前記始動入賞検出手段によって遊技球の入賞が検出されたときに、前記表示手段に前記抽選結果に応じた前記入賞演出をおこなわせることを特徴とする請求項１に記載のぱちんこ遊技機。
【請求項３】
前記役物制御手段による前記普通電動役物の開状態において、前記始動入賞検出手段によって遊技球の入賞が検出されたときに、入賞したタイミングが前記普通電動役物の開放開始から予め設定される所定の設定時間経過したか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段によって前記設定時間経過していないと判定された場合に、前記表示制御手段による前記入賞演出の開始を、前記設定時間経過するまで待機させる待機手段と、
をさらに備えることを特徴とする請求項１または２に記載のぱちんこ遊技機。
【請求項４】
前記始動口は、遊技盤上に複数設けられている始動口のうち、大当たり抽選の抽選内容が有利な始動口であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載のぱちんこ遊技機。
【請求項５】
前記表示手段は、ランプからなり、
前記表示制御手段は、前記普通図柄抽選手段の抽選結果に応じて、前記ランプの点灯形式を異ならせる前記入賞演出をおこなう点灯制御手段を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載のぱちんこ遊技機。
【請求項６】
前記点灯制御手段は、前記普通図柄抽選手段の抽選結果に応じて、前記ランプの発光色を異ならせる前記入賞演出をおこなうことを特徴とする請求項５に記載のぱちんこ遊技機。
【請求項７】
前記表示手段は、複数のランプが円形状に配置されたものであり、
前記点灯制御手段は、前記第１当たりが抽選された前記普通電動役物の長開放状態において、遊技球が前記始動口に入賞したときに、前記ランプを順次点滅させることにより回転表示させる前記入賞演出をおこなうことを特徴とする請求項６に記載のぱちんこ遊技機。
【請求項８】
前記表示手段は、普通図柄の変動および確定を示す所定の演出画面を表示する画像表示部を有し、
前記表示制御手段は、前記普通図柄抽選手段の抽選結果に応じた演出画面を前記画像表示部に表示させる画像制御手段を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載のぱちんこ遊技機。
【請求項９】
前記画像制御手段は、前記第１当たりが抽選された前記普通電動役物の長開放状態において、開放演出画面を表示させるとともに、遊技球の前記始動口への入賞時に表示させる入賞演出画面、または遊技球の前記始動口への入賞がなかったときに表示する非入賞演出画面のいずれか一方を表示させることを特徴とする請求項８に記載のぱちんこ遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ぱちんこ遊技機
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上記の従来技術による問題点を解消するため、普通電動役物の開放時における始動口への遊技球の入賞を遊技者が容易に認識できるとともに、始動口への遊技球の入賞を表示する際の趣向性を高めることのできる、ぱちんこ遊技機を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
以下に添付図面を参照して、本発明にかかる、ぱちんこ遊技機の好適な実施の形態１および実施の形態２を詳細に説明する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２４１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月21日(2010.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技盤ユニットと、
前記遊技盤ユニットが収められる枠体と、
を備え、
前記遊技盤ユニットには、
遊技球が流下しうる遊技盤、及び
前記遊技盤に対して取り付けられた遊技盤側の電気機器、及び
前記遊技盤側の電気機器に対して通電可能とする遊技盤側のコネクタ
が設けられてなり、
前記枠体には、
前記遊技盤ユニットが嵌め込まれるように装着されるとともに、この遊技盤ユニットが装着された状態にて当該枠体に対して開いた第１の回動位置と閉じた第２の回動位置とのうちの第２の回動位置にて位置することによって、前記遊技盤ユニットが当該枠体内に収められるようにする遊技盤支持部材、及び
当該枠体に対して取り付けられた枠体側の電気機器、及び
前記枠体側の電気機器に対して通電可能とする枠体側のコネクタ
が設けられてなり、
前記枠体側のコネクタは、
前記遊技盤支持部材に対して前記遊技盤ユニットを嵌め込めるように装着して前記枠体内に収められるようにするときには、前記遊技盤ユニットと前記枠体とが機械的だけでなく電気的にもこれが自ずと繋げられるかたちとなるべく、前記枠体に対して前記遊技盤ユニットを機械的に装着させるときの装着方向を向くように固定配置された前記遊技盤側のコネクタと対向するように固定配置されてなる
ことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記遊技盤ユニットが前記枠体内に収められた状態にて操作されるロック手段を有し、このロック手段が操作されたときには、該ロック手段に対して前記枠体内に収められた前記遊技盤ユニットが係止されうる
請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】
前記ロック手段は、前記枠体の下縁領域にて設けられてなる
請求項２に記載の遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月2日(2010.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
画素寸法を縮小せずに解像度を保ちつつ感度を改善する方法としては、画素のハニカム配列による感度改善が知られている。また、画素において、白色（ホワイト）画素（あるいは灰色（グレー）画素との記述もある）を用いることによる輝度信号の感度改善が知られている（特許文献１、２、３、４参照）。図１６に、特許文献４の白色画素を用いたイメージセンサの例を示す。このイメージセンサ１０２では、垂直・水平各２つの計４つの画素で１単位を構成し、１単位内に赤色画素１０１Ｒ、緑色画素１０１Ｇ、青色画素１０１Ｂ及び白色画素１０１Ｗが配置され、この１単位画素構成が２次元状に配列される。なお、画素のハニカム配列に関しては、垂直・水平解像度を保つことができるが、斜め方向の解像度は落ちることを付記しておく。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
図１に、本発明に係る固体撮像装置、いわゆるＣＭＯＳイメージセンサに適用される一実施の形態の概略構成を示す。本実施の形態に係る固体撮像装置１は、複数の画素２が規則性をもって２次元配列された撮像部（いわゆる画素部）３と、撮像部３の周辺に配置された周辺回路、すなわち垂直駆動部４、水平転送部５及び出力部６を有して構成される。画素２は、１つの光電変換素子であるフォトダイオードＰＤと、複数の画素トランジスタ（ＭＯＳトランジスタ）Ｔｒとにより構成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
図１１に、本発明に係る固体撮像装置の第４実施の形態を示す。本実施の形態においては、遮光画素２ｌｓのフォトダイオードＰＤｌｓの面積を、他の白色画素２ｗ及び各色画素２ｒ，２ｇ，２ｂのフォトダイオードのうちの少なくとも１つのフォトダイオードの面積より小さくして構成される。本例では、白色画素及び各色画素のフォトダイオードＰＤｗ及びＰＤｃ［ＰＤｒ，ＰＤｇ，ＰＤｂ］の面積より小さくして構成される。その他の構成は、前述の図２の第１実施の形態と同様であるので、対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
本実施の形態に係る固体撮像装５１は、複数の共有画素５２が規則性をもって２次元配列された撮像部（いわゆる画素部）３と、撮像部３の周辺に配置された周辺回路、すなわち垂直駆動部４、水平転送部５及び出力部６とを有して構成される。共有画素５２は、複数、本例では４つの光電変換素子であるフォトダイオードＰＤと、４つの転送トランジスタと、各１つのリセットトランジスタ、増幅トランジスタ及び選択トランジスタとから構成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
本発明においては、上述した図１５のカメラ、或いはカメラモジュールを備えた電子機器、例えば携帯機器などを構成することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2009206210.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
2009206210.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月27日(2010.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
上記スリット状開口を構成する上下辺の各々は上記ウェハの最近接表面から０．５〜２５ｍｍ離間して形成されていることを特徴とする請求項８または９に記載のウェハ収納容器。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月25日(2010.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
ＣＰＵ１００は、生成した歪み補正情報を用いて、特徴点の歪みと逆方向の歪みを与える歪み補正処理を入力画像データに施し、(ステップＳ１１０）、歪み補正処理が施された補正画像データに基づいてライトバルブ１３に歪み補正用の画像を表示する。（ステップＳ１１２）。なお、歪み補正処理を行う場合には、各特徴点に対応する箇所のみに対して歪みを与えるだけでなく、各特徴点の周囲の領域についても、例えば、隣接する特徴点同士の歪み量に基づいて近似することにより歪みを補完することが好ましい。図６（ｂ）に、一例として、歪み補正処理が施された補正画像データに基づいてライトバルブ１３に表示される歪み補正用の画像２５０を示す。図６（ｂ）に示すように、歪み補正用の画像２５０の各特徴点Ｐｉは、歪み補正情報に従って、台形補正画像２４０の特徴点Ｒｉの歪みと逆方向に移動されている。この結果、投写面ＳＣには歪みのない画像が表示される。