(57)【要約】      （修正有）【課題】光源から放射された光束を反射する部材の防汚を図ることにより、光源光の利用率を向上させることができる光源装置の提供。【解決手段】光源装置において、副反射鏡の反射面１３１の表層近傍に誘電体多層膜６０の一部として酸化チタン膜６３が形成されていることにより、光源ランプから放射される紫外線を含む光束によって光触媒反応が誘起されるので、副反射鏡の反射面１３１に付着した有機物等の塵埃が分解され、除去される。また、副反射鏡の反射面１３１に結露しても光触媒反応によって親水化されるので、水滴との接触跡が残りにくく、この点でも反射面１３１の防汚が図られる。したがって、光源ランプから放射される光束が副反射鏡で確実に反射され、反射面１３１の曇りによる反射率の低下を防止して光源光の利用率を大幅に向上させることができる。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極間で放電発光が行われる発光部、およびこの発光部の両端に設けられる封止部を有する発光管と、この発光管から放射された光束を一定方向に揃えて射出するリフレクタと、反射面がこのリフレクタの反射面と対向配置されるとともに、前記発光管の光束射出方向前側を覆って前記発光管から放射された光束を前記リフレクタに反射する副反射鏡とを備えた光源装置であって、
前記副反射鏡の反射面は、屈折率の異なる複数の膜が積層された誘電体多層膜として構成され、この反射面の表層近傍には、光触媒機能を有する層が形成されていることを特徴とする光源装置。
【請求項２】
請求項1に記載の光源装置において、
前記光触媒機能を有する層は、アナタース型ＴｉＯ2からなることを特徴とする光源装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の光源装置において、
前記リフレクタの反射面は、屈折率の異なる複数の膜が積層された誘電体多層膜として構成され、この反射面の表層近傍には、光触媒機能を有する層が形成されていることを特徴とする光源装置。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれかに記載の光源装置において、
前記発光部には、その外周面に光触媒機能を有する層が形成されていることを特徴とする光源装置。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれかに記載の光源装置において、
前記副反射鏡は、熱伝導率が１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の材質からなることを特徴とする光源装置。
【請求項６】
電極間で放電発光が行われる発光部、およびこの発光部の両端に設けられる封止部を有する発光管と、この発光管から放射された光束を一定方向に揃えて射出するリフレクタと、反射面がこのリフレクタの反射面と対向配置されるとともに、前記発光管の光束射出方向前側を覆って前記発光管から放射された光束を前記リフレクタに反射する副反射鏡とを備えた光源装置であって、
前記副反射鏡は透光性材料からなるとともに、この副反射鏡の内周面には透光性を有し、かつ光触媒機能を有する膜が成膜され、
前記反射面は、この副反射鏡の外周面に成膜された前記誘電体多層膜として構成されることを特徴とする光源装置。
【請求項７】
電極間で放電発光が行われる発光部、およびこの発光部の両端に設けられる封止部を有する発光管と、この発光管の発光部の光束射出方向前側を覆う副反射鏡とを備えた光源であって、
前記副反射鏡の反射面は、屈折率の異なる複数の膜が積層された誘電体多層膜として構成され、
この反射面の表層近傍には、光触媒機能を有する層が形成されていることを特徴とする光源。
【請求項８】
請求項７に記載の光源において、
前記発光部には、その外周面に光触媒機能を有する層が形成されていることを特徴とする光源。
【請求項９】
光源から射出された光束を、画像情報に応じて変調して光学像を形成し、拡大投射するプロジェクタであって、
請求項１〜請求項６のいずれかに記載の光源装置、または、請求項７および請求項８のいずれかに記載の光源を備えていることを特徴とするプロジェクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極間で放電発光が行われる発光部、およびこの発光部の両端に設けられる封止部を有する発光管と、この発光管から放射された光束を一定方向に揃えて射出するリフレクタと、反射面がこのリフレクタの反射面と対向配置され、前記発光管の光束射出方向前側を覆い、前記発光管から放射された光束を前記リフレクタに反射する副反射鏡とを備えた光源装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、光源から射出された光束を画像情報に応じて変調し光学像を拡大投写するプロジェクタが知られており、パーソナルコンピュータとともに会議等でのプレゼンテーションに利用されている。また、近年、家庭において大画面で映画等を見たいというニーズに応えて、ホームシアター用途にも利用されている。
このようなプロジェクタでは、より鮮明な光学像を投写するために、光源としてメタルハライドランプ、高圧水銀ランプ等、高輝度で発光する放電型発光管が採用されている。これらの放電型発光管は、一対の電極間で放電発光が行われる球状の発光部、およびこの発光部の両端に設けられ、電極への電圧印加のための金属箔が封入された封止部とを備え、希ガス、及び少量のハロゲンが封入されて構成されており、強力な紫外光を含む光束を放射する（例えば、特許文献１参照）。
そして、放射された光束は、絶縁体であるガラス製等の基材に増反射膜が形成されたリフレクタなどの反射部材によって反射され、所定の方向に揃えられて照明などに利用される。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−３５０７７８号公報（［００１５］段落、図４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ガラス製等の反射部材は比較的帯電しやすく、外気に漂う塵埃等が静電気によって付着し易い。この塵埃等が付着すると化学変化が誘起され、リフレクタの表面が変質しかねない。さらに、反射部材の表面で結露が生じることがあり、その水滴に含まれる有機物質が輪染み状に残るおそれもある。
これら塵埃、結露等により反射部材の反射面が曇ると反射率が損なわれる。つまり、前述したような発光管から高輝度の光が放射されても、この光源光の利用が制限されてしまうという問題があった。
ここで、ファンにより送風して塵埃を強制的に除去することが考えられるが、送風により発光管が冷却されてハロゲンサイクルが損われたり、発光管が高温となって失透したりするおそれがあるので送風制御が難しく、しかも発光管およびリフレクタ等の反射部材は互いに近接しているため、十分な防汚効果を得ることが困難であった。
【０００５】
本発明の目的は、光源から放射された光束を反射する部材の防汚を図ることにより、光源光の利用率を向上させることができる光源装置、光源、およびこれらの光源装置または光源を備えたプロジェクタを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の光源装置は、電極間で放電発光が行われる発光部、およびこの発光部の両端に設けられる封止部を有する発光管と、この発光管から放射された光束を一定方向に揃えて射出するリフレクタと、反射面がこのリフレクタの反射面と対向配置されるとともに、前記発光管の光束射出方向前側を覆って前記発光管から放射された光束を前記リフレクタに反射する副反射鏡とを備えた光源装置であって、前記副反射鏡の反射面は、屈折率の異なる複数の膜が積層された誘電体多層膜として構成され、この反射面の表層近傍には、光触媒機能を有する層が形成されていることを特徴とする。
また、本発明の光源装置では、前記リフレクタの反射面は、屈折率の異なる複数の膜が積層された誘電体多層膜として構成され、この反射面の表層近傍には、光触媒機能を有する層が形成されていることが好ましい。
さらに、本発明の光源は、電極間で放電発光が行われる発光部、およびこの発光部の両端に設けられる封止部を有する発光管と、この発光管の発光部の光束射出方向前側を覆う副反射鏡とを備えた光源であって、前記副反射鏡の反射面は、屈折率の異なる複数の膜が積層された誘電体多層膜として構成され、この反射面の表層近傍には、光触媒機能を有する層が形成されていることを特徴とする。この光源の利用に際して、発光管をリフレクタにセットしてもよいが、別の手段によって光源光を回収しても良い。
【０００７】
ここで、リフレクタとして、内面の反射面が楕円面状の楕円リフレクタ等を採用できる。また、発光部の略半分を覆うように副反射鏡を装着して、発光管からリフレクタとは反対側に放射された光束をこの副反射鏡でリフレクタに反射させることができる。これにより、光源光の多くを利用でき、しかもリフレクタから封止部を突出させることができるので、光源装置の小型化も図られる。
なお、発光管のクーリングを図るため、副反射鏡は発光管との間に隙間を空けて装着されることが好ましい。リフレクタおよび副反射鏡の材質は、熱膨張係数の小さい石英等を採用できる。
そして、誘電体多層膜は、例えば、高屈折率の五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）による膜と、低屈折率の二酸化珪素（ＳｉＯ2）による膜とを積層して形成できる。これらＴａ2Ｏ5やＳｉＯ2等の無機系材質は光によって劣化しにくい。また、これら高屈折率層と低屈折率層とを交互に、例えば数十層積層すれば、増反射効果をより高めることができる。
ここで、光触媒機能を有する膜も誘電体多層膜の層を構成している。半導体光触媒のひとつとして、ｎ型半導体である酸化チタン（チタニア・ＴｉＯ2）が知られているが、例えば、交互に積層されたＴａ2Ｏ5、ＳｉＯ2を含んで誘電体多層膜が形成される場合は、反射面の表層近傍でＴａ2Ｏ5が積層される位置に、高屈折率のＴｉＯ2を配置することができる。このＴｉＯ2は、光触媒として機能するほか、誘電体多層膜の一部を構成して増反射にも寄与できる。
なお、高屈折率層として、Ｔａ2Ｏ5のほかに、ＴｉＯ2、タンタルの酸化物（Ｔａ2Ｏ3）、酸化ジルコニウム（ジルコニア・ＺｒＯ2）等も採用可能である。また、低屈折率層としては、ＳｉＯ2のほかに、弗化マグネシウム（ＭｇＦ2）、酸化アルミニウム（アルミナ・Ａｌ2Ｏ3）等も採用可能である。
【０００８】
上記の発明によれば、発光管から放射される光成分に応じて光触媒反応が誘起されるので、副反射鏡の反射面に付着した有機物、ガス等が分解され、除去される。また、副反射鏡の反射面に結露が生じた場合も、やはり光触媒反応によって水滴との接触跡となる物質が分解される。また、結露した状態で光が照射されれば、光触媒の親水化作用によって、水滴表面に水滴内部の有機物が集まり反射面に固着するのを防止できる。これにより、空気中に浮遊する塵埃の反射面への付着を防止できる。
したがって、このような防汚作用によって光源光が副反射鏡で確実に反射され、ファン送風によらなくても反射面の曇りによる反射率の低下を防止して光源光の利用率を向上させることができる。
同様に、光触媒機能を有する膜をリフレクタにも成膜する場合には、リフレクタの反射率の低下も防止でき、光源光の利用率をさらに向上させることができる。
ここで、発光管が強力な紫外線を含んで発光するメタルハライドランプや超高圧水銀ランプ等であって、紫外線によって光触媒反応が活性化されるＴｉＯ2を光触媒として採用する場合には、光成分が光触媒の性質に適合するから、防汚効果を一層高めることができる。
【０００９】
本発明の光源装置では、前記光触媒機能を有する層は、アナタース型ＴｉＯ2からなることが好ましい。
この発明によれば、アナタース型ＴｉＯ2はルチル型よりも触媒活性が高いとともに、バンドギャップが大きく、紫外線だけでなく可視光によっても半導体光触媒反応が活性化されるため、防汚効果をより一層向上させることができる。
【００１０】
さらに、本発明の光源装置、および本発明の光源では、前記発光部には、その外周面に光触媒機能を有する層が形成されていることが好ましい。
ここで、発光館に付着した塵埃を送風によって除去しようとすると、特に副反射鏡と発光管との間が狭い場合は困難であり、除去が可能でも、発光管が冷却されてハロゲンサイクルに影響が出やすい。
それに対し、これらの発明によれば、発光管に付着した有機物等が光触媒反応により分解されるので、発光管内部から放射された光束が塵埃等に阻害されることなく外部に射出されて、送風しなくても光源光をロスなく利用できる。
なお、発光管に成膜される光触媒物質として、前述のようなＴｉＯ2を採用できる。
【００１１】
本発明の光源装置では、前記副反射鏡は、熱伝導率が１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の材質からなることが好ましい。
ここで、熱伝導率が１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の材質としては、サファイア、ＹＡＧ（Ｙ3Ａｌ5Ｏ12）等を採用できる。
この発明によれば、熱伝導率が高いことにより副反射鏡が比較的低温となって熱膨張量が低減するので、誘電体多層膜の剥離を防止できるとともに、膜の材質・厚み等の設計や、成膜条件の自由度を向上させることができる。
【００１２】
本発明の光源装置は、電極間で放電発光が行われる発光部、およびこの発光部の両端に設けられる封止部を有する発光管と、この発光管から放射された光束を一定方向に揃えて射出するリフレクタと、反射面がこのリフレクタの反射面と対向配置されるとともに、前記発光管の光束射出方向前側を覆って前記発光管から放射された光束を前記リフレクタに反射する副反射鏡とを備えた光源装置であって、前記副反射鏡は透光性材料からなるとともに、この副反射鏡の内周面には透光性を有し、かつ光触媒機能を有する膜が成膜され、前記反射面は、この副反射鏡の外周面に成膜された前記誘電体多層膜として構成されることを特徴とする。
ここで、透光性材料としては石英や、ＹＡＧ（Ｙ3Ａｌ5Ｏ12）、サファイア等を採用でき、透光性および光触媒機能を有する膜は、ＴｉＯ2等により形成できる。
また、副反射鏡の内周面側には、反射防止膜（ＡＲコート・Anti Reflection Coating）を形成することが好ましい。この反射防止膜は単層膜としてもよいが、誘電体多層膜のように、屈折率の異なる膜を積層して形成することもできる。これら反射防止膜および誘電体多層膜は、熱膨張に伴う剥離も考慮の上、対応する光波長に応じた各層の膜材質、膜厚、積層順序、層数等が適宜設計される。
【００１３】
この発明によれば、光源光は、副反射鏡の内周面に成膜された透光性および光触媒機能を有する膜を透過して副反射鏡の外周面側に形成された誘電体多層膜によって反射される。そして、副反射鏡の内周面に付着した有機物やガス、水滴等は、光触媒反応によりそれぞれ分解、親水化されるので、副反射鏡の内周面から外周面にかけての透光性が維持され、反射率の低下を防止できる。
ここで、前述したような副反射鏡では、反射面が発光管に近接する内周面側に形成されていたため、耐熱性の高い材質で誘電体多層膜を形成する必要があった。これに対し、この副反射鏡では反射面が外周面側に形成されるため、反射面の温度を低温化できる。したがって、反射面を構成する誘電体多層膜の材質選択の自由度を向上させることができる。
【００１４】
本発明のプロジェクタは、光源から射出された光束を、画像情報に応じて変調して光学像を形成し、拡大投射するプロジェクタであって、前述した光源装置または光源を備えていることを特徴とする。
この発明によれば、光源装置が前述のような作用及び効果を具備するため、同様の作用及び効果を享受でき、光源光の利用率が向上されたプロジェクタを提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
〔１〕第１実施形態
（プロジェクタの構成）
図１には、本発明の第１実施形態に係るプロジェクタ１の光学系を表す模式図が示され、このプロジェクタ１は、光源から射出された光束を、画像情報に応じて変調して光学像を形成し、スクリーン上に拡大投写する光学機器であり、光源装置１０、均一照明光学系２０、色分離光学系３０、リレー光学系３５、光学装置４０、及び投写光学系５０を備えて構成され、これらの光学系２０〜３５を構成する光学素子は、所定の照明光軸Ａが設定されたライトガイド２内に位置決め調整されて収納されている。
【００１６】
光源装置１０は、光源ランプ１１から放射された光束を一定方向に揃えて射出し、光学装置４０を照明するものであり、詳しくは後述するが、光源ランプ１１、楕円リフレクタ１２、副反射鏡１３、防爆ガラス１４、及び図示を略したが、これらを保持するランプハウジングを備えて構成され、楕円リフレクタ１２の光束射出方向後段には、平行化凹レンズ１５が設けられている。尚、この平行化凹レンズ１５は、光源装置１０と一体化してもよいし、別体としてもよい。
そして、光源ランプ１１から放射された光束は、楕円リフレクタ１２により装置前方側に射出方向を揃えて収束光として射出され、平行化凹レンズ１５によって平行化され、均一照明光学系２０に射出される。
【００１７】
均一照明光学系２０は、光源装置１０から射出された光束を複数の部分光束に分割し、照明領域の面内照度を均一化する光学系であり、第１レンズアレイ２１、第２レンズアレイ２２、偏光変換素子２３、及び重畳レンズ２４、及び反射ミラー２５を備えている。
第１レンズアレイ２１は、光源ランプ１１から射出された光束を複数の部分光束に分割する光束分割光学素子としての機能を有し、照明光軸Ａと直交する面内にマトリクス状に配列される複数の小レンズを備えて構成され、各小レンズの輪郭形状は、後述する光学装置４０を構成する液晶パネル４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂの画像形成領域の形状とほぼ相似形をなすように設定されている。
第２レンズアレイ２２は、前述した第１レンズアレイ２１により分割された複数の部分光束を集光する光学素子であり、第１レンズアレイ２１と同様に照明光軸Ａに直交する面内にマトリクス状に配列される複数の小レンズを備えた構成であるが、集光を目的としているため、各小レンズの輪郭形状が液晶パネル４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂの画像形成領域の形状と対応している必要はない。
【００１８】
偏光変換素子２３は、第１レンズアレイ２１により分割された各部分光束の偏光方向を一方向の直線偏光に揃える偏光変換素子である。
この偏光変換素子２３は、図示を略したが、照明光軸Ａに対して傾斜配置される偏光分離膜及び反射ミラーを交互に配列した構成を具備する。偏光分離膜は、各部分光束に含まれるＰ偏光光束及びＳ偏光光束のうち、一方の偏光光束を透過し、他方の偏光光束を反射する。反射された他方の偏光光束は、反射ミラーによって曲折され、一方の偏光光束の射出方向、すなわち照明光軸Ａに沿った方向に射出される。射出された偏光光束のいずれかは、偏光変換素子２３の光束射出面に設けられる位相差板によって偏光変換され、すべての偏光光束の偏光方向が揃えられる。このような偏光変換素子２３を用いることにより、光源ランプ１１から射出される光束を、一方向の偏光光束に揃えることができるため、光学装置４０で利用する光源光の利用率を向上することができる。
【００１９】
重畳レンズ２４は、第１レンズアレイ２１、第２レンズアレイ２２、及び偏光変換素子２３を経た複数の部分光束を集光して液晶パネル４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂの画像形成領域上に重畳させる光学素子である。この重畳レンズ２４は、本例では光束透過領域の入射側端面が平面で射出側端面が球面の球面レンズであるが、射出側端面が双曲面状の非球面レンズを用いることも可能である。
この重畳レンズ２４から射出された光束は、反射ミラー２５で曲折されて色分離光学系３０に射出される。
【００２０】
色分離光学系３０は、２枚のダイクロイックミラー３１、３２と、反射ミラー３３とを備え、ダイクロイックミラー３１、３２より均一照明光学系２０から射出された複数の部分光束を、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色の色光に分離する機能を具備する。
ダイクロイックミラー３１、３２は、基板上に所定の波長領域の光束を反射し、他の波長の光束を透過する波長選択膜が形成された光学素子であり、光路前段に配置されるダイクロイックミラー３１は、赤色光を透過し、その他の色光を反射するミラーである。光路後段に配置されるダイクロイックミラー３２は、緑色光を反射し、青色光を透過するミラーである。
【００２１】
リレー光学系３５は、入射側レンズ３６と、リレーレンズ３８と、反射ミラー３７、３９とを備え、色分離光学系３０を構成するダイクロイックミラー３２を透過した青色光を光学装置４０まで導く機能を有している。尚、青色光の光路にこのようなリレー光学系３５が設けられているのは、青色光の光路長が他の色光の光路長よりも長いため、光の発散等による光の利用効率の低下を防止するためである。本例においては青色光の光路長が長いのでこのような構成とされているが赤色光の光路長を長くする構成も考えられる。
【００２２】
前述したダイクロイックミラー３１により分離された赤色光は、反射ミラー３３により曲折された後、フィールドレンズ４１を介して光学装置４０に供給される。また、ダイクロイックミラー３２により分離された緑色光は、そのままフィールドレンズ４１を介して光学装置４０に供給される。さらに、青色光は、リレー光学系３５を構成するレンズ３６、３８及び反射ミラー３７、３９により集光、曲折されてフィールドレンズ４１を介して光学装置４０に供給される。尚、光学装置４０の各色光の光路前段に設けられるフィールドレンズ４１は、第２レンズアレイ２２から射出された各部分光束を、照明光軸に対して並行な光束に変換するために設けられている。
【００２３】
光学装置４０は、入射した光束を画像情報に応じて変調してカラー画像を形成するものであり、照明対象となる光変調装置としての液晶パネル４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂと、色合成光学系としてのクロスダイクロイックプリズム４３とを備えて構成される。尚、フィールドレンズ４１及び各液晶パネル４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂの間には、入射側偏光板４４が介在配置され、図示を略したが、各液晶パネル４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂ及びクロスダイクロイックプリズム４３の間には、射出側偏光板が介在配置され、入射側偏光板４４、液晶パネル４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂ、及び射出側偏光板によって入射する各色光の光変調が行われる。
【００２４】
液晶パネル４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂは、一対の透明なガラス基板に電気光学物質である液晶を密閉封入したものであり、例えば、ポリシリコンＴＦＴをスイッチング素子として、与えられた画像信号に従って、入射側偏光板４４から射出された偏光光束の偏光方向を変調する。この液晶パネル４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂの変調を行う画像形成領域は、矩形状であり、その対角寸法は、例えば０．７インチである。
【００２５】
クロスダイクロイックプリズム４３は、射出側偏光板から射出された各色光毎に変調された光学像を合成してカラー画像を形成する光学素子である。このクロスダイクロイックプリズム４３は、４つの直角プリズムを貼り合わせた平面視略正方形状をなし、直角プリズム同士を貼り合わせた界面には、誘電体多層膜が形成されている。略Ｘ字状の一方の誘電体多層膜は、赤色光を反射するものであり、他方の誘電体多層膜は、青色光を反射するものであり、これらの誘電体多層膜によって赤色光及び青色光は曲折され、緑色光の進行方向と揃えられることにより、３つの色光が合成される。
そして、クロスダイクロイックプリズム４３から射出されたカラー画像は、投写光学系５０によって拡大投写され、図示を略したスクリーン上で大画面画像を形成する。
【００２６】
（光源装置の構成）
光源装置１０は、図２に示すように、楕円リフレクタ１２の内部に発光管としての光源ランプ１１を配置した構成を具備している。
発光管としての光源ランプ１１は、中央部が球状に膨出した石英ガラス管から構成され、中央部分が発光部１１１、この発光部１１１の両側に延びる部分が封止部１１２とされる。
【００２７】
発光部１１１の内部には、内部に離間配置される一対のタングステン製の電極１１１Ａと、水銀、希ガス、及び少量のハロゲンが封入されており、超高圧水銀ランプとして構成されている。なお、光源ランプ１１の種類は、後述する光触媒の種類に応じて、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、キセノンランプ等も選択できる。
発光部１１１の両側に延出する封止部１１２の内部には、発光部１１１の電極と電気的に接続されるモリブデン製の金属箔１１２Ａがそれぞれ挿入され、ガラス材料等で封止されている。各金属箔１１２Ａには、さらに電極引出線としてのリード線１１３が接続され、このリード線１１３は、光源ランプ１１の外部まで延出している。
発光部１１１の外周面には、図３にも示されるように、光触媒機能を有する光触媒膜１１１Ｂが成膜されている。このため、発光部１１１を厚肉として、高耐熱とするとよい。
また、この光触媒膜１１１Ｂは、後述するような方法で蒸着形成される酸化チタン（ＴｉＯ2）の薄膜とされている。
そして、リード線１１３に電圧を印加すると、図３に示すように、金属箔１１２Ａを介して電極１１１Ａ間に電位差が生じて放電が生じ、アーク像Ｄが生成されて発光部１１１が発光する。この光源ランプ１１は超高圧水銀ランプであり、強い紫外線を含む光束を放射する。
【００２８】
楕円リフレクタ１２は、光源ランプ１１の基端側の封止部１１２が挿通される首状部１２１及びこの首状部１２１から拡がる楕円面状の反射部１２２を備えた石英ガラス製の一体成形品である。なお、熱膨張係数が小さい石英ガラス以外にも、熱伝導率が大きいサファイア、ＹＡＧ（Ｙ3Ａｌ5Ｏ12）等を採用することもできる。
首状部１２１には、中央に挿入孔１２３が形成されており、この挿入孔１２３の中心に封止部１１２が配置される。
反射部１２２は、楕円面状の内周面１２２Ｂに、後述するように、誘電体多層膜７０が全体に蒸着形成されて構成され、反射面１２２Ａが形成されている。この反射面１２２Ａは、可視光を反射して赤外線を透過するコールドミラーとされる。
また、反射部１２２の拡開側の端縁は段付き形状に形成されており、ここに防爆ガラス１４が端面にて接着されて、楕円リフレクタ１２の光束射出面を覆っている。
【００２９】
このような楕円リフレクタ１２の反射部１２２内部に配置される光源ランプ１１は、発光部１１１内の電極１１１Ａ間の発光中心が反射部１２２の反射面１２２Ａの楕円面の第１焦点位置Ｌ１の近傍となるように配置される。
そして、光源ランプ１１を点灯すると、発光部１１１から放射された光束は、反射部１２２の反射面１２２Ａで反射され、楕円面の第２焦点位置Ｌ２に収束する収束光となる。
【００３０】
このような楕円リフレクタ１２に光源ランプ１１を固定する際には、光源ランプ１１の封止部１１２を楕円リフレクタ１２の挿入孔１２３に挿入し、発光部１１１内の電極１１１Ａ間の発光中心が反射部１２２の楕円面の第１焦点位置Ｌ１となるように配置し、挿入孔１２３内部にシリカ／アルミナを主成分とする無機系接着剤を充填する。
また、反射部１２２の光軸方向寸法は、光源ランプ１１の長さ寸法よりも短くなっており、このように楕円リフレクタ１２に光源ランプ１１を固定すると、光源ランプ１１の前方側の封止部１１２が楕円リフレクタ１２の光束射出開口から突出する。
【００３１】
副反射鏡１３は、光源ランプ１１の発光部１１１の光束射出方向前側略半分を覆う反射部材であり、図４に示すように、内周面１３０が球面状であり、外周面１３２が内周面１３０の曲率に倣うような曲面状とされた椀形状に形成されている。
そして、副反射鏡１３の椀形状の底面部分には開口部１３３が形成され、この開口部１３３の内周面は、封止部１１２との固定用接着剤が充填される接着面１３４とされる。
この副反射鏡１３は、石英ガラス製の厚肉円筒状部材の研磨加工によって形成されており、この円筒状部材の一方の端面を凹曲面状に研磨して内周面１３０が形成され、この内周面１３０に倣うように凸曲面状に研磨して外周面１３２が形成されている。なお、石英ガラス材料のほか、楕円リフレクタ１２と略同様に、サファイア、ＹＡＧ（Ｙ3Ａｌ5Ｏ12）等も採用可能である。
ここで、内周面１３０には、次に述べるように、誘電体多層膜６０が全体に蒸着形成されて反射面１３１が構成され、コールドミラーとされている。この誘電体多層膜６０は、楕円リフレクタ１２の誘電体多層膜７０とほぼ同様の構成とされている。
【００３２】
このような副反射鏡１３を光源ランプ１１に取り付ける際は、接着面１３４および光源ランプ１１の封止部１１２の外周面の間に接着剤を介在させて副反射鏡１３を接着固定する。接着剤の材質としては、光源ランプ１１を楕円リフレクタ１２に接着固定する場合と同様に、シリカ／アルミナ系の無機系接着剤を採用することができる。
この際、光源ランプ１１のクーリングを図るため、副反射鏡１３の反射面１３１と光源ランプ１１との間には隙間を残しておくとよい（図３参照）。
【００３３】
以上説明した副反射鏡１３および楕円リフレクタ１２はともに、図５にも示されるように、各反射面１３１、１２２Ａがそれぞれ誘電体多層膜６０，７０として構成されている。
ここで、副反射鏡１３の誘電体多層膜６０は、交互に数十層積層された高屈折率のＴａ2Ｏ5によるタンタル膜６１および低屈折率のＳｉＯ2によるシリカ膜６２とを有しており、反射が強化された増反射膜とされている。なお、高屈折率層をＴｉＯ2、タンタルの酸化物（Ｔａ2Ｏ3）、酸化ジルコニウム（ジルコニア・ＺｒＯ2）等による膜としてもよく、低屈折率層を弗化マグネシウム（ＭｇＦ2）、酸化アルミニウム（アルミナ・Ａｌ2Ｏ3）等による膜としてもよい。これらの無機系材料は光によって劣化しにくい。
この誘電体多層膜６０の表層近傍には、半導体光触媒であるＴｉＯ2による酸化チタン膜６３が積層され、誘電体多層膜６０の１つの層をなすように形成されている。ここで、ＴｉＯ2は線熱膨張係数が比較的大きいことにより、剥離防止のため、この酸化チタン膜６３の膜厚は薄く設定されている。また、この酸化チタン膜６３に含まれるＴｉＯ2は、バンドギャップが約３ｅＶであり、主として紫外光によって光触媒反応が誘起される。
さらに、この酸化チタン膜６３の上には、耐酸化性および耐熱性に優れたシリカ膜６２が積層され、副反射鏡１３の反射面１３１の最表層を形成している。したがって、酸化チタン膜６３は反射面１２２Ａ，１３１の表面から数えて第２層とされており、光触媒機能を有する層に相当する。
最表層のシリカ膜６２は、これより下層の酸化チタン膜６３等を被覆しており、光源の発する高熱から酸化チタン膜６３を保護するとともに、酸化還元によって光触媒機能が阻害されてしまうのを防止している。ただしＴｉＯ2は耐酸化性が比較的高いことにより、シリカ膜６２によってコーティングせずに酸化チタン膜６３を最表層とすることもできるが、ＴｉＯ2の結晶構造を維持し、高い光触媒活性を発揮させるには、このようにシリカコーティングした方がよい。また、ＳｉＯ2は比較的親水性が高いため、後述する光触媒の親水化作用にも寄与できる。
なお、楕円リフレクタ１２の誘電体多層膜７０についても、上記誘電体多層膜６０と略同様に、タンタル膜７１、シリカ膜７２、酸化チタン膜７３が積層されている。また、これら誘電体多層膜６０，７０は、光源ランプ１１の放射する光の波長に応じて、各膜６１，６２，６３，７１，７２，７３の膜材質、膜厚、積層順序、層数等が適宜設計される。
【００３４】
副反射鏡１３および楕円リフレクタ１２には、例えば、次のように誘電体多層膜６０、７０を成膜し、各反射面１３１、１２２Ａを形成する。ここでは、物理蒸着法（ＰＶＤ・Physical Vapor Deposition）の一種であるイオンプレーティングにより、高真空中でイオン化したＴａ2Ｏ5，ＳｉＯ2、ＴｉＯ2の蒸気流を負の電圧が印加された楕円リフレクタ１２および副反射鏡１３の基材表面に衝突させ、ガスを反応させて成膜する。ＴｉＯ2の原料としては、アルコキシドを中心とした有機チタン化合物等を用いることができる。
なお、発光部１１１の光触媒膜１１１Ｂについても、略同様にイオンプレーティングによって形成される。
このようなイオンプレーティングにより、比較的低い反応温度で硬く緻密な薄膜が得られる。さらに、成膜加工の際、副反射鏡１３、楕円リフレクタ１２の基材が高温にならずに済むので、反射面１３１、１２２Ａの歪みを防止して形状精度を確保できる。
【００３５】
具体的な成膜手順としては、まず、図５にも示されるように、副反射鏡１３の基材表面にＴａ2Ｏ5によるタンタル膜６１を約３００℃で形成する。ここで、Ｔａ2Ｏ5は、副反射鏡１３の材質である石英と線膨張係数が近似するため、副反射鏡１３の表面からタンタル膜６１が剥離しにくい。
次に、このように成膜されたタンタル膜６１の上に、ＳｉＯ2によるシリカ膜６２を同様にして形成する。そして、タンタル膜６１、シリカ膜６２の成膜を交互に繰り返して数十層積層し、シリカ膜６２が表層となるようにする。
このように数十層積層された結果、表層とされたシリカ膜６２の上に、さらに酸化チタン膜６３を約２００℃で形成する。またさらに、この酸化チタン膜６３の上には、誘電体多層膜６０の最表層となるシリカ膜６２を形成する。
なお、楕円リフレクタ１２の誘電体多層膜７０についても略同様に成膜する。その結果、誘電体多層膜６０，７０は、最表層から順に、シリカ膜６２、７２、酸化チタン膜６３，７３、シリカ膜６２，７２、タンタル膜６１，７１、シリカ膜６２，７２、タンタル膜６１，７１・・・途中省略（シリカ膜６２、７２とタンタル膜６１，７１とを交互に）・・・シリカ膜６２、７２、タンタル膜６１，７１、副反射鏡１３および楕円リフレクタ１２の基材内周面１３０、１２２Ｂというように形成されている。
【００３６】
発光部１１１内部から光束が放射されると、発光部１１１の外周面を光束が透過し、楕円リフレクタ１２および副反射鏡１３の表層近傍に形成された酸化チタン膜７３、６３に到達する。この際、発光部１１１外周面と楕円リフレクタ１２および副反射鏡１３の各反射面１２２Ａ，１３１にてＴｉＯ2の光触媒反応が生じる。この光触媒反応により、楕円リフレクタ１２および副反射鏡１３の反射面１２２Ａ、１３１に付着した有機物やガス等が分解される。この分解作用は、具体的には、酸化チタン膜のＴｉＯ2が紫外光を中心とする光を吸収して電荷分離が起こり、この状態で吸着された有機物等が酸化分解される光触媒酸化反応による。
ここで、封止部１１２と副反射鏡１３との間は間隔が狭く、たとえこの狭い隙間にファン等で送風してもクリーニングが困難である、また、送風により光源ランプ１１が冷却されてハロゲンサイクルが損われたり、光源ランプ１１が高温となって失透したりするおそれがあるので送風制御が難しい。これに伴い、ファンの回転音が騒音化したり、光源ランプ１１の寿命が短くなったりするおそれもある。
しかし、このような送風手段によらなくても、反射面１２２Ａ，１３１全体に光が照射されることによって外気に浮遊する有機物質やガス等が分解され、これら反射面１２２Ａ，１３１を汚れによる曇りから保護することができる。
また、プロジェクタ１の未使用時など、露結現象によって反射面１２２Ａ，１３１に水滴が付着した場合も、やはり光触媒による分解作用により、この水滴の蒸発後に残された有機物質等が分解される。
また、結露した状態で光源ランプ１１を点灯した場合等は、光触媒反応により水滴が吸着されて親水化され、反射面１２２Ａ，１３１との接触角が０°に近づくので、水滴に含まれる有機物が水滴表面に集まって反射面１２２Ａ、１３１に固着するのを防止できる。
以上のように、有機物質、ガス等の分解により、空気中の塵埃が反射面１２２Ａ，１３１に付着するのを防止できる。したがって、光源ランプ１１からの光源光は、塵埃等により阻害されることなく、第２焦点位置Ｌ２に収束する。
【００３７】
（実施形態の効果）
このような第１実施形態によれば、次のような効果がある。
（1-1）光源装置１０では、副反射鏡１３の反射面１３１の表層近傍に誘電体多層膜６０の第２層として酸化チタン膜６３が形成されていることにより、光源ランプ１１から放射される紫外線を含む光束によって光触媒反応が誘起されるので、副反射鏡１３の反射面１３１に付着した有機物やガス等が分解・除去され、反射面１３１に塵埃が付着しない。また、副反射鏡１３の反射面１３１に結露しても光触媒反応によって親水化されるので、水滴との接触跡が残りにくく、この点でも反射面１３１の防汚が図られる。前述のようにファン送風による防汚を図るのが難しい副反射鏡１３と封止部１１２との隙間のクリーニングにおいて有効である。
したがって、光源ランプ１１から放射される光束が副反射鏡１３で確実に反射され、反射面１３１の曇りによる反射率の低下を防止して第２焦点位置Ｌ２へ収束される光源光の利用率を大幅に向上させることができる。
さらに、光源装置１０では、発光部１１１で発光された光源光が外部に確実に放射され、楕円リフレクタ１２および副反射鏡１３で確実に反射されるので、光源装置１０の所定の照明輝度を達成でき、製品の信頼性を向上させることができる。
【００３８】
（1-2）光源ランプ１１として、強力な紫外線を含んで発光する超高圧水銀ランプが採用され、かつ、光触媒としてＴｉＯ2が採用されていることにより、光成分が光触媒の性質に適合し、紫外線によってＴｉＯ2の光触媒反応が活性化されるので、防汚効果を一層高めることができる。
また、このように紫外光が防汚に活用されるとともに、光源装置１０から射出される紫外光を低減できることになるため、液晶パネル４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂ等の有機材料を含む部品の劣化を防止できる。
（1-3）楕円リフレクタ１２の反射面１２２Ａにも酸化チタン膜７３を形成していることにより、光触媒反応によって楕円リフレクタ１２の反射率の低下も防止でき、光源ランプ１１から放射される光源光の利用率をさらに向上させることができる。
【００３９】
（1-4）発光部１１１の外周面に光触媒膜１１１Ｂが形成されていることにより、発光部１１１に付着した有機物等が光触媒反応により分解されるので、発光部１１１内部から放射された光束が塵埃等に阻害されることなく外部に射出されて、送風によらなくても光源光をロスなく利用できる。
（1-5）光源装置１０を備えることにより、前述のように、光利用率の向上されたプロジェクタ１を提供できる。また、ファンの送風を強化して強制的にクリーニングしたり、複雑な装置等を備えたりしなくても、光触媒機能によって発光部１１１、楕円リフレクタ１２、および副反射鏡１３がセルフクリーニングされる。これにより、プロジェクタ１の省スペース設計に支障を来たさない。
【００４０】
〔２〕第２実施形態
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
なお、以下の説明では、既に説明した実施形態と同様の構成については、同一符号を付して、説明を省略もしくは簡略化する。
第１実施形態では、副反射鏡１３の内周面１３０に誘電体多層膜６０が全体に蒸着形成されて反射面１３１が構成されるとともに、外周面１３２には成膜されておらず、内周面１３０側の反射面１３１で光源光を反射していた（図４）。
これに対し、第２実施形態では、副反射鏡１６の外周面１３２に誘電体多層膜９０が形成されて反射面１３５が構成されており、光源光をこの外周面１３２側の反射面１３５で反射する点が相違する。以下、具体的に説明する。
【００４１】
図６には、本実施形態の副反射鏡１６が示されている。また、図７にはこの副反射鏡１６の内周面１３０側が拡大されて示されており、図８は、外周面１３２側の拡大図である。
この副反射鏡１６は、ＹＡＧ（Ｙ3Ａｌ5Ｏ12）、サファイア等の透光性材料から形成されており、前記実施形態の副反射鏡１３と略同様に、内周面１３０および外周面１３２が椀形状に研磨されて光源ランプ１１に取り付けられる。ここで、サファイアおよびＹＡＧは共に熱伝導率が高い。
内周面１３０には反射防止膜８０が全体に蒸着形成されて構成されている。また、外周面１３２には誘電体多層膜９０が全体に蒸着形成されており、この誘電体多層膜９０により、副反射鏡１６の反射面１３５が構成されている。
【００４２】
ここで、反射防止膜８０は、図７にも示されるように、光源光の反射を防止するための薄膜であり、光触媒機能を有する層を含んで形成される。
副反射鏡１６の内周面１３０基材の上に、まず、高屈折率のＴａ2Ｏ5によるタンタル膜８１が成膜されており、このタンタル膜８１の上には、低屈折率のＳｉＯ2によるシリカ膜８２が積層されている。さらに、このシリカ膜８２の上には、高屈折率のＴｉＯ2による酸化チタン膜８３が積層されており、この酸化チタン膜８３は、光触媒機能を有する層に相当する。さらに、この酸化チタン膜８３の上には、シリカ膜８２が積層され、副反射鏡１３の内面側の最表層を形成している。このように、反射防止膜８０は例えば、２層〜６層程度の積層数によって構成される。
ここで、酸化チタン膜８３に含まれるＴｉＯ2は、アナタース型ＴｉＯ2とされている。アナタース型ＴｉＯ2は、ルチル型ＴｉＯ2よりも結晶が大きく、触媒活性が高いとともに、バンドギャップが約３．２ｅＶであり、約３８８ｎｍ以下の光によって活性化されるなど可視光応答性も有している。なお、ルチル型ＴｉＯ2のバンドギャップは約３．０ｅＶであり、約４１３ｎｍ以下の光によって活性化される。
また、誘電体多層膜９０は、図８にも示されるように、前記実施形態の内周面１３０に成膜された誘電体多層膜６０と略同様に、高屈折率のＴａ2Ｏ5によるタンタル膜９１と低屈折率のＳｉＯ2によるシリカ膜９２が交互に積層され、増反射膜として形成されている。ただし、この誘電体多層膜９０では、酸化チタン膜は積層されていない。
【００４３】
これら反射防止膜８０および誘電体多層膜９０は、いずれもＴａ2Ｏ5によるタンタル膜８１、９１と、ＳｉＯ2によるシリカ膜８２、９２とが積層されているが、利用する光の波長に応じて、空気、膜、および基材同士の互いの界面で、屈折率の差によって入射光と反射光との位相が反転される膜厚に適宜設定すれば、反射防止膜８０を構成できる。これとは反対に、界面で入射光と反射光との位相が揃うような膜厚に設定すれば、増反射膜としての誘電体多層膜９０を構成できる。
ここで、高屈折率層をＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ3、ＺｒＯ2等による膜としてもよく、低屈折率層をＭｇＦ2、Ａｌ2Ｏ3等による膜としてもよい。光源ランプ１１の放射する光の波長に応じて、各膜８１，８２、８３、９１、９２の材質、膜厚、積層順序、層数等は適宜設計される。
【００４４】
これら反射防止膜８０および誘電体多層膜９０は、例えば、次のような方法で蒸着形成される。
まず、反射防止膜８０から形成する。これには、真空蒸着、スパッタリング、前述のイオンプレーティング等のＰＶＤ法などを実施し、内周面１３０基材表面にタンタル膜８１、シリカ膜８２を蒸着形成する。比較的高温となる液相法／気相法等の化学気相成長（ＣＶＤ）法なども採用できる。
そして、酸化チタン膜８３の成膜は、アナタース型ＴｉＯ2結晶を得るために、例えば、次のようなゾルゲル法を実施する。酸化チタン膜８３の原材料は、アルコキシドを中心とした有機チタン化合物を原材料とし、アルコール媒体中で加水分解して得られるコロイド状の酸化物前駆体粒子を含む溶液（ゾル）を密閉容器内で加熱結晶化して、膜を固定する。この際の加熱温度をプロジェクタ１の実使用温度に近い５００℃〜８００℃とすれば、アナタース型のＴｉＯ2結晶が多く含まれる酸化チタン膜８３が形成される。ここでいうプロジェクタ１実使用時の温度とは、光源ランプ１１発光時の内周面１３０近傍の温度を指している。このようにして形成された酸化チタン膜８３は、粒子サイズが小さく、粒子の大きさも揃っていて、硬く緻密な膜となる。また、プロジェクタ１の使用時に高温となっても、結晶構造等の組成が変態せず、光触媒機能が損なわれない。
次に、誘電体多層膜９０を成膜する。これは例えば、前述したイオンプレーティング法により、約３００℃の加熱温度下で実施し、誘電体多層膜９０の反射面１３５としての形状精度を担保することが好ましい。
【００４５】
発光部１１１内部から光束が放射されると、この光束は副反射鏡１６の内周面１３０に成膜された反射防止膜８０表層近傍に形成された酸化チタン膜８３に到達し、副反射鏡１６の基材を透過して外周面１３２側の反射面１３５に入射し、この反射面１３５で楕円リフレクタ１２に反射される。
この際の副反射鏡１６の温度は、例えば、外周面１３２の方が内周面１３０よりも約１００℃低温となり、高熱による誘電体多層膜９０への負荷は比較的軽減されている。また、副反射鏡１６の材質が上述のように熱伝導率が高いことにより、放熱されて熱膨張量が抑制され、反射防止膜８０、誘電体多層膜９０の剥離が防止される。
ここで、酸化チタン膜８３には、アナタース型ＴｉＯ2以外に触媒活性が低い非晶質が含まれることがあるが、内周面１３０側では光は透過するので高温化が緩和され、このような非晶質部分を変態させずに済む。また、ルチル型の結晶が形成された場合も、ルチル型の結晶は高温下でも変態しにくいため触媒活性を維持することができ、幅広い波長領域の光に反応して光触媒機能を発揮させることが可能となる。
【００４６】
そして、酸化チタン膜８３に入射することによって、光触媒反応が誘起され、副反射鏡１３と発光部１１１との隙間の有機物等が吸着されて分解される。これにより、反射面１３５に塵埃が付着しないため、発光部１１１からの光束は塵埃に遮られることなく反射面１３５に射出される。
さらに、露結現象が生じても、親水化作用、および有機物質の分解作用により、副反射鏡１６の光の反射に支障を来たさない。
【００４７】
このような第２実施形態によれば、第１実施形態の（1-1）〜（1-5）で述べた効果に加えて、次のような効果がある。
（2-1）酸化チタン膜８３にアナタース型ＴｉＯ2が含まれていることにより、高い触媒活性を得られるともに、バンドギャップが大きく、紫外線だけでなく可視光によっても半導体光触媒反応が活性化されるから、防汚効果をより一層向上させることができる。
（2-2）副反射鏡１６に熱伝導率が高い材質が使用されているため、放熱により副反射鏡が比較的低温となって熱膨張量が低減するので、誘電体多層膜の剥離を防止できるとともに、膜の材質・厚み等の設計や、成膜条件の自由度を向上させることができる。
【００４８】
（2-3）酸化チタン膜８３を含み、光の反射を防止して透過させる反射防止膜８０が内周面１３０側に形成されているとともに、外周面１３２には誘電体多層膜９０により反射面１３５が構成されていることにより、発光部１１１からの光束は、反射防止膜８０を透過して誘電体多層膜９０によって反射される。そして、副反射鏡１６と光源ランプ１１との隙間に付着した有機物、水滴等は、光触媒反応によりそれぞれ分解、親水化されるので、内周面１３０から外周面１３２にかけての透光性が維持され、反射面１３５の反射率低下を防止できる。
また、反射面１３５が外周面１３２側に形成されることによって比較的低温となるため、誘電体多層膜９０の材質選択の自由度を向上させることができる。
【００４９】
（2-4）光触媒反応が誘起される膜を内周面１３０側に、反射面１３５を外周面１３２側に分けて配置したことにより、用途・目的等に応じて膜の材質等を設計できる。つまり、光源ランプ１１から離間する外周面１３２では内周面１３０側よりも低温となり、この温度に応じた膜を設計すればよいから、膜材質等の選択の幅が広がる。
さらに、前述したゾルゲル法のように、ＴｉＯ2が高温焼成されて酸化チタン膜８３が形成されることにより、アナタース型の結晶構造を多く含んだ酸化チタン膜８３を形成できる。この際、反射面１３５が外周面１３１側に配置されていることで、内周面１３０側に高温で酸化チタン膜８３を蒸着しても反射面１３５の曲率等を維持でき、副反射鏡１６の反射に影響が及ばない。
（2-5）プロジェクタ１の実使用条件に近い温度で酸化チタン膜８３を成膜させるので、実使用時、例えば３００℃以上の高温に晒されても、アナタース型結晶を多く含む酸化チタン膜８３の結晶構造変態を防止でき、目論見通りの光触媒性能を実現可能となる。
【００５０】
本発明は、前述の各実施形態に限定されるものではなく、以下に示すような変形をも含むものである。
例えば、前記各実施形態では、酸化チタン膜６３、７３、８３の上にはシリカ膜６２，７２，８２によってコーティングされていたが、このコーティングを省略してもよい。ただし、この場合は結晶構造の安定化の面から、約５００℃〜約８００℃の高温で成膜するのが好ましい。
また、酸化チタン膜６３，７３，８３の成膜方法についても、前記各実施形態に限定されない。例えば、無機系バインダ成分を加えて成膜することにより、バンドギャップの向上を図ることが考えられる。
さらに、前述のようなフロントタイプのプロジェクタ１以外に、リアタイプのプロジェクタ等にも光源装置１０を使用できる。
そして、防爆ガラス１４や平行化凹レンズ１５等、光源装置１０周辺の光学部品にも、酸化チタン膜６３，７３，８３を形成できる。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明は、プロジェクタに利用できる他、その他の小型／高輝度照明装置にも利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の第１実施形態に係るプロジェクタの内部構造を模式的に表す模式図。
【図２】前記実施形態における光源装置の側断面図。
【図３】前記実施形態における光源装置の要部斜視図。
【図４】前記実施形態における副反射鏡の側断面図。
【図５】前記実施形態における副反射鏡の被膜を模式的に表す図。
【図６】本発明の第２実施形態に係る前記実施形態における副反射鏡の側断面図。
【図７】前記実施形態における副反射鏡の内周面側の被膜を模式的に表す図。
【図８】前記実施形態における副反射鏡の外周面側の被膜を模式的に表す図。
【符号の説明】
【００５３】
１…プロジェクタ、１０…光源装置、１１…光源ランプ（発光管）、１２…楕円リフレクタ（リフレクタ）、１３、１５…副反射鏡、６０，７０，９０…誘電体多層膜、６３，７３…酸化チタン膜（光触媒機能を有する膜）、８３…酸化チタン膜（透光性を有し、かつ、光触媒機能を有する膜）、１１１…発光部、１１１Ａ…電極、１１１Ｂ…光触媒膜（光触媒機能を有する膜）、１１２…封止部、１２２Ａ…反射面、１３０…内周面、１３１、１３５…反射面、１３２…外周面。
【図１】
2005122955.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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