Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月15日(2010.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周波数ホッピング無線伝送方式、且つ、CAZAC符号を用いた符号化伝送方式の無線送信装置において、
周波数ホッピングの前後で異なるCAZAC符号を用いて符号化を行う符号化手段を備えたことを特徴とする無線送信装置。
【請求項２】
周波数ホッピングの前後で、CAZAC符号を構成する位相シフト量のみが異なることを特徴とする請求項１に記載の無線送信装置。
【請求項３】
周波数ホッピングの前後で、CAZAC符号を構成するCAZAC系列のみが異なることを特徴とする請求項１に記載の無線送信装置。
【請求項４】
周波数ホッピングの前後で、CAZAC符号を構成するCAZAC系列及び位相シフト量の両方が異なることを特徴とする請求項１に記載の無線送信装置。
【請求項５】
前記CAZAC符号は、基本のCAZAC系列又は基本の位相シフト量に対する変更量を表すCAZAC符号変更情報に基づいて生成されたものであることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の無線送信装置。
【請求項６】
前記CAZAC符号は、CAZAC符号を構成するCAZAC系列又は位相シフト量を表すCAZAC符号変更情報に基づいて生成されたものであることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の無線送信装置。
【請求項７】
前記CAZAC符号変更情報を生成するCAZAC符号変更情報生成手段と、
前記CAZAC符号変更情報生成手段によって生成されたCAZAC符号変更情報に基づいてCAZAC符号を生成する符号生成手段と、
を備えたことを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の無線送信装置。
【請求項８】
前記符号化手段は、周波数ホッピングの時間間隔毎に、又は周波数ホッピングの時間間隔の一定倍毎に、周波数ホッピングの前後で異なるCAZAC符号を用いて符号化を行うことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の無線送信装置。
【請求項９】
周波数ホッピング無線伝送方式、且つ、CAZAC符号を用いた符号化伝送方式の無線受信装置において、
周波数ホッピングの前後で異なるCAZAC符号を用いて復号化を行う復号化手段を備えたことを特徴とする無線受信装置。
【請求項１０】
周波数ホッピングの前後で、CAZAC符号を構成する位相シフト量のみが異なることを特徴とする請求項９に記載の無線受信装置。
【請求項１１】
周波数ホッピングの前後で、CAZAC符号を構成するCAZAC系列のみが異なることを特徴とする請求項９に記載の無線受信装置。
【請求項１２】
周波数ホッピングの前後で、CAZAC符号を構成するCAZAC系列及び位相シフト量の両方が異なることを特徴とする請求項９に記載の無線受信装置。
【請求項１３】
前記CAZAC符号は、基本のCAZAC系列又は基本の位相シフト量に対する変更量を表すCAZAC符号変更情報に基づいて生成されたものであることを特徴とする請求項９から請求項１２のいずれか１項に記載の無線受信装置。
【請求項１４】
前記CAZAC符号は、CAZAC符号を構成するCAZAC系列又は位相シフト量を表すCAZAC符号変更情報に基づいて生成されたものであることを特徴とする請求項９から請求項１２のいずれか１項に記載の無線受信装置。
【請求項１５】
前記CAZAC符号変更情報を生成するCAZAC符号変更情報生成手段と、
前記CAZAC符号変更情報生成手段によって生成されたCAZAC符号変更情報に基づいてCAZAC符号を生成する符号生成手段と、
を備えたことを特徴とする請求項１３又は請求項１４に記載の無線受信装置。
【請求項１６】
前記復号化手段は、周波数ホッピングの時間間隔毎に、又は周波数ホッピングの時間間隔の一定倍毎に、周波数ホッピングの前後で異なるCAZAC符号を用いて復号化を行うことを特徴とする請求項９から請求項１５のいずれか１項に記載の無線受信装置。
【請求項１７】
周波数ホッピング無線伝送方式、且つ、CAZAC符号を用いた符号分割多重伝送方式の無線送信装置において、
周波数ホッピングの前後で異なるCAZAC符号を用いて符号化を行う符号化手段をユーザ毎に設けたことを特徴とする無線送信装置。
【請求項１８】
周波数ホッピングの前後におけるCAZAC符号の変更量は、ユーザ間で同じであることを特徴とする請求項１７に記載の無線送信装置。
【請求項１９】
周波数ホッピングの前後におけるCAZAC符号の変更量は、ユーザ間で異なることを特徴とする請求項１７に記載の無線送信装置。
【請求項２０】
周波数ホッピング無線伝送方式、且つ、CAZAC符号を用いた符号分割多重伝送方式の無線受信装置において、
周波数ホッピングの前後で異なるCAZAC符号を用いて復号化を行う復号化手段をユーザ毎に設けたことを特徴とする無線受信装置。
【請求項２１】
周波数ホッピングの前後におけるCAZAC符号の変更量は、ユーザ間で同じであることを特徴とする請求項２０に記載の無線受信装置。
【請求項２２】
周波数ホッピングの前後におけるCAZAC符号の変更量は、ユーザ間で異なることを特徴とする請求項２０に記載の無線受信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月30日(2010.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリコーディングを行うＭＩＭＯ方式の移動通信システムで使用される基地局装置であって、
特定のプリコーディングベクトルを示すプリコーディングマトリクスインジケータ（ＰＭＩ）をユーザ装置から受信する受信部と、
前記ＰＭＩで特定されるプリコーディングベクトルを下りリンクの通信に使用するか否かを示すフラグインジケータの値を決定する決定部と、
前記フラグインジケータを少なくとも含む下り制御信号を作成する制御信号生成部と、
前記下り制御信号を含む信号を下りリンクで送信する送信部と、
を有する基地局装置。
【請求項２】
プリコーディングを行うＭＩＭＯ方式の移動通信システムで使用される基地局装置であって、
特定のプリコーディングベクトルを示すプリコーディングマトリクスインジケータ（ＰＭＩ）であって、かつユーザ装置から受信したＰＭＩで特定されるプリコーディングベクトルを下りリンクの通信に使用するか否かが示されたフラグインジケータを少なくとも含む下り制御信号を作成する制御信号生成部と、
前記下り制御信号を含む信号を下りリンクで送信する送信部と、
を有する基地局装置。
【請求項３】
前記制御信号生成部は、制御情報、フラグインジケータ及び誤り検出情報を含む情報部分を符号化単位としてチャネル符号化し、
前記誤り検出情報は、前記制御情報及び前記フラグインジケータを少なくとも含む演算対象に所定の演算を行うことで導出され、
前記フラグインジケータの値に応じて、前記ＰＭＩが前記演算対象に含まれるか否かが決定される請求項１または２に記載の基地局装置。
【請求項４】
前記ＰＭＩで特定されるプリコーディングベクトルが下りリンクの通信に使用されない場合、当該基地局装置及び前記ユーザ装置双方で既知のデフォルトベクトルが、下りリンクの通信でプリコーディングベクトルとして使用される請求項１から３のいずれかに記載の基地局装置。
【請求項５】
前記フラグインジケータが１ビットで表現される請求項１から４のいずれかに記載の基地局装置。
【請求項６】
前記フラグインジケータが、複数のデフォルトベクトルの内の何れかを指定するように多ビットで表現される請求項１から４のいずれかに記載の基地局装置。
【請求項７】
前記フラグインジケータが所定値の場合、前記制御信号生成部は、前記制御情報に前記ＰＭＩが畳み込まれた情報と、前記フラグインジケータと、前記誤り検出情報とを含む情報部分を符号化単位としてチャネル符号化する請求項３に記載の基地局装置。
【請求項８】
前記ＰＭＩについて誤り検出を行う検出部を更に有する請求項１に記載の基地局装置。
【請求項９】
前記受信部は、前記ＰＭＩと、前記ＰＭＩに対する誤り検出情報とを受信し、前記ユーザ装置で算出された誤り検出情報と、当該基地局装置で算出された誤り検出情報とを比較することで、前記誤り検出が行われる請求項８に記載の基地局装置。
【請求項１０】
前記検出部は、前記ユーザ装置から受信した上りリファレンス信号の受信品質の良否に応じて、前記誤り検出を行う請求項８に記載の基地局装置。
【請求項１１】
前記検出部は、前記ユーザ装置から受信した共有データチャネルの尤度情報に基づいて、前記誤り検出を行う請求項８に記載の基地局装置。
【請求項１２】
プリコーディングを行うＭＩＭＯ方式の移動通信システムで使用される送信方法であって、
特定のプリコーディングベクトルを示すプリコーディングマトリクスインジケータ（ＰＭＩ）をユーザ装置から受信するステップと、
前記ＰＭＩで特定されるプリコーディングベクトルを下りリンクの通信に使用するか否かを示すフラグインジケータの値を決定するステップと、
前記フラグインジケータを少なくとも含む下り制御信号を作成するステップと、
前記下り制御信号を含む信号を下りリンクで送信するステップと、
を有する送信方法。
【請求項１３】
プリコーディングを行うＭＩＭＯ方式の移動通信システムで使用される送信方法であって、
特定のプリコーディングベクトルを示すプリコーディングマトリクスインジケータ（ＰＭＩ）であって、かつユーザ装置から受信したＰＭＩで特定されるプリコーディングベクトルを下りリンクの通信に使用するか否かが示されたフラグインジケータを少なくとも含む下り制御信号を作成するステップと、
前記下り制御信号を含む信号を下りリンクで送信するステップと、
を有する送信方法。
【請求項１４】
プリコーディングを行うＭＩＭＯ方式の移動通信システムであって、
下りリンクで信号を送信する基地局装置と、
前記基地局装置からの信号を受信するユーザ装置とを備え、
前記基地局装置は、
特定のプリコーディングベクトルを示すプリコーディングマトリクスインジケータ（ＰＭＩ）をユーザ装置から受信する受信部と、
前記ＰＭＩで特定されるプリコーディングベクトルを下りリンクの通信に使用するか否かを示すフラグインジケータの値を決定する決定部と、
前記フラグインジケータを少なくとも含む下り制御信号を作成する制御信号生成部と、
前記下り制御信号を含む信号を下りリンクで送信する送信部と、
を有する移動通信システム。
【請求項１５】
プリコーディングを行うＭＩＭＯ方式の移動通信システムであって、
下りリンクで信号を送信する基地局装置と、
前記基地局装置からの信号を受信するユーザ装置とを備え、
前記基地局装置は、
特定のプリコーディングベクトルを示すプリコーディングマトリクスインジケータ（ＰＭＩ）であって、かつユーザ装置から受信したＰＭＩで特定されるプリコーディングベクトルを下りリンクの通信に使用するか否かが示されたフラグインジケータを少なくとも含む下り制御信号を作成する制御信号生成部と、
前記下り制御信号を含む信号を下りリンクで送信する送信部と、
を有する移動通信システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基地局装置、送信方法及び移動通信システム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
一実施例による基地局装置は、
プリコーディングを行うＭＩＭＯ方式の移動通信システムで使用される基地局装置であって、
特定のプリコーディングベクトルを示すプリコーディングマトリクスインジケータ（ＰＭＩ）をユーザ装置から受信する受信部と、
前記ＰＭＩで特定されるプリコーディングベクトルを下りリンクの通信に使用するか否かを示すフラグインジケータの値を決定する決定部と、
前記フラグインジケータを少なくとも含む下り制御信号を作成する制御信号生成部と、
前記下り制御信号を含む信号を下りリンクで送信する送信部と、
を有する基地局装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月21日(2010.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザにより選択可能な互いに異なる色を示す複数の構成要素の画像を出力する第１の出力手段と；
上記第１の出力手段により出力された画像に基づくユーザの指示に応じて、上記複数の構成要素のうち、ユーザにより選択された構成要素に対応する色が出力対象の画像に含まれないように、上記出力対象の画像が示す色を決定する決定手段と；
上記決定手段により決定された色に基づき配色された画像を出力する第２の出力手段と；
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
請求項１において、
上記決定手段は、所定の出力対象の画像を解析することによって、上記所定の出力対象の画像のうちユーザにより選択された構成要素に対応する色を有する部分の色が、他の色に変換されるよう決定することを特徴とする画像処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
上記第１の出力手段は、背景とオブジェクトとを有する複数のパターンを上記複数の構成要素として出力し、
上記決定手段は、ユーザにより選択されたパターンに応じて、出力対象の画像に含まれるオブジェクトの背景の色を決定することを特徴とする画像処理装置。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか１項において、
上記決定手段は、上記第１の出力手段により出力された画像に含まれる複数の構成要素の全てがユーザにより選択されたと判別した場合、出力対象の画像が示す色を、白または黒に決定することを特徴とする画像処理装置。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれか１項において、
上記第１の出力手段は、上記複数の構成要素の画像を印刷装置に出力してシートに印刷させ、
上記決定手段は、上記第１の出力手段により印刷されたシートを読取装置が読み取って得られた画像を取得し、取得した上記画像に基づき上記シートに含まれる複数の構成要素のうちユーザにより選択された構成要素を判別することによって、出力対象の画像が示す色を決定することを特徴とする画像処理装置。
【請求項６】
請求項１〜請求項５のいずれか１項において、
上記第２の出力手段は、上記決定手段により決定された色に基づき配色された画像を、表示装置に出力して表示させることを特徴とする画像処理装置。
【請求項７】
請求項１〜請求項５のいずれか１項において、
上記第２の出力手段は、上記決定手段により決定された色に基づき配色された画像を、印刷装置に出力して印刷させることを特徴とする画像処理装置。
【請求項８】
ユーザにより選択可能な互いに異なる色を示す複数の構成要素の画像を出力する第１の出力工程と；
上記第１の出力工程において出力された画像に基づくユーザの指示に応じて、上記複数の構成要素のうち、ユーザにより選択された構成要素に対応する色が出力対象の画像に含まれないように、上記出力対象の画像が示す色を決定する決定工程と；
上記決定工程において決定された色に基づき配色された画像を出力する第２の出力工程と；
を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項９】
請求項８に記載の画像処理方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置、画像処理方法、およびプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の画像処理装置は、ユーザにより選択可能な互いに異なる色を示す複数の構成要素の画像を出力する第１の出力手段と、上記第１の出力手段により出力された画像に基づくユーザの指示に応じて、上記複数の構成要素のうち、ユーザにより選択された構成要素に対応する色が出力対象の画像に含まれないように、上記出力対象の画像が示す色を決定する決定手段と、上記決定手段により決定された色に基づき配色された画像を出力する第２の出力手段とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月21日(2010.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に銀塩を含有する銀塩含有層を有する感光材料を露光し、現像処理することにより金属銀部を形成する金属銀形成工程と、
前記金属銀部を圧密処理する圧密処理工程と、
を有し、
前記圧密処理をカレンダーロールにより、線圧力１９６０Ｎ／ｃｍ（２００ｋｇｆ／ｃｍ）以上で行うことを特徴とする導電膜の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の導電膜の製造方法において、
前記圧密処理を線圧力２９６０Ｎ／ｃｍ（３００ｋｇｆ／ｃｍ）以上で行うことを特徴とする導電膜の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の導電膜の製造方法において、
前記圧密処理を線圧力６８６０Ｎ／ｃｍ（７００ｋｇｆ／ｃｍ）以下で行うことを特徴とする導電膜の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法において、
前記金属銀形成工程は、前記金属銀部及び光透過性部を形成することを特徴とする導電膜の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法において、
前記金属銀形成工程は、前記金属銀部及び絶縁性部を形成することを特徴とする導電膜の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法において、
前記圧密処理後の前記金属銀部が銀及び非導電性の高分子からなり、Ａｇ／非導電性高分子の体積比が２／１以上であることを特徴とする導電膜の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の導電膜の製造方法において、
前記非導電性の高分子は、体積で５０％以上がゼラチンであることを特徴とする導電膜の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法において、
前記圧密処理工程の前段に、さらに還元剤水溶液に浸漬する工程を有することを特徴とする導電膜の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法において、
前記圧密処理工程の後段に、さらに前記金属銀部の表面を黒化処理液で黒化処理する黒化処理工程を有することを特徴とする導電膜の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法において、
前記銀塩含有層におけるＡｇ／バインダの体積比率が１／２以上であることを特徴とする導電膜の製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法において、
前記圧密処理工程の前段又は後段に、さらに前記金属銀部の表面にめっき層を形成するめっき工程を有することを特徴とする導電膜の製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法において、
前記支持体が樹脂フイルムであることを特徴とする導電膜の製造方法。
【請求項１３】
支持体上に圧密処理された導電性金属部からなる細線構造部と透明導電性膜とを有し、
前記細線構造部がない場合の透明導電性膜単独の表面抵抗が、1０２オーム／ｓｑ〜１０８オーム／ｓｑであり、透明導電性フイルムの表面抵抗が０．１オーム／ｓｑ以上１０００オーム／ｓｑ以下であることを特徴とする透明導電性フイルム。
【請求項１４】
請求項１３記載の透明導電性フイルムにおいて、
前記透明導電性膜が導電性材料を含むことを特徴とする透明導電性フイルム。
【請求項１５】
請求項１４記載の透明導電性フイルムにおいて、
前記導電性材料が透明導電性有機ポリマー、導電性無機又は有機水溶性塩及び導電性無機微粒子から選ばれることを特徴とする透明導電性フイルム。
【請求項１６】
請求項１３〜１５のいずれか１項に記載の透明導電性フイルムにおいて、
前記細線構造部の厚み（高さ）が、１００μｍ以下であることを特徴とする透明導電性フイルム。
【請求項１７】
請求項１３〜１６のいずれか１項に記載の透明導電性フイルムにおいて、
前記透明導電性フイルムの光の透過率が、５５０ｎｍの光に対して７０％以上であることを特徴とする透明導電性フイルム。
【請求項１８】
請求項１３〜１７のいずれか１項に記載の透明導電性フイルムにおいて、
前記細線構造部が、前記支持体上に少なくとも感光性銀塩含有層を有する感光層を露光し、現像処理することにより形成された導電性金属銀からなることを特徴とする透明導電性フイルム。
【請求項１９】
請求項１３〜１８のいずれか１項に記載の透明導電性フイルムにおいて、
前記支持体上に感光性銀塩含有層を有する感光材料を露光・現像することにより導電性金属銀部と光透過性部が形成されてなることを特徴とする透明導電性フイルム。
【請求項２０】
請求項１３〜１９のいずれか１項に記載の透明導電性フイルムにおいて、
前記細線構造部の導電性金属部が銀を含有し、Ａｇ／バインダ体積比が１／４ 以上であることを特徴とする透明導電性フイルム。
【請求項２１】
請求項１３〜２０のいずれか１項に記載の透明導電性フイルムにおいて、
前記透明導電性膜を前記細線構造部の上面及び／又は下面に設けることを特徴とする透明導電性フイルム。
【請求項２２】
請求項１３〜２１のいずれか１項に記載の透明導電性フイルムにおいて、
前記支持体上に少なくとも感光性ハロゲン化銀含有層を含む写真構成層を有し、該写真構成層の少なくとも１層が導電性材料を含有する層である感光材料を露光、現像することにより形成された前記細線構造部が、該導電性材料を含有する透明導電性膜と金属銀部と光透過性部からなることを特徴とする透明導電性フイルム。
【請求項２３】
請求項１３〜２２のいずれか１項に記載の透明導電性フイルムにおいて、
前記細線構造部を形成した後に該細線構造部と前記透明導電性膜とが貼り合わされてなることを特徴とする透明導電性フイルム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月20日(2010.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の溝と、第１の溝内に埋め込まれた素子分離膜と、この素子分離膜に囲まれた活性領域を有する半導体基板を用意する工程と、
前記半導体基板上にマスク形成用膜を形成する工程と、
前記マスク形成用膜上に、前記活性領域を横切る開口を有する第１のマスクを形成する工程と、
第１のマスクを用いて異方性エッチングを行って、前記開口に対応する開口を有する前記マスク形成用膜からなる第２のマスクと、前記活性領域内に、対向する素子分離膜露出面を有し且つ第１の溝より浅い第２の溝を形成する工程と、
第２の溝内の半導体基板表面と素子分離膜露出面との境界を含む領域に酸素イオンが照射されるように、第２の溝内に、第２のマスクを用いて、酸素イオンを斜めに注入する工程と、
第２の溝内の酸素イオンが注入された領域を酸化して酸化領域を形成する工程と、
前記酸化領域を除去する工程を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
第２の溝内を含む半導体基板表面の酸化を行って、第２の溝内の酸素イオンが注入された領域を酸化して酸化領域を形成するとともに、この酸化領域を含む酸化膜を形成する工程と、
前記酸化膜を除去するとともに、前記酸化領域を除去する工程を有する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
第２のマスクを除去する工程と、
第２の溝内を含む半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜が形成された第２の溝内を埋め込むように導電膜を形成し、この導電膜をパターニングしてゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極の両側の当該活性領域に不純物を導入してソース／ドレイン領域を形成する工程をさらに有する請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記素子分離膜は酸化シリコン膜、前記マスク形成用膜は窒化シリコン膜である請求項１から３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
溝内に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極を挟んで第１の方向に形成された第１及び第２の拡散層領域と、
前記ゲート電極を挟んで前記第１の方向に直交する第２の方向に形成された第１及び第２の素子分離領域とを備えたトレンチゲートトランジスタの製造方法であって、
前記溝を形成した後に、該溝内に半導体基板に垂直な方向に対して所定の角度をずらしてイオン注入を行なう工程と、
前記イオン注入が行なわれた前記半導体基板の領域を除去する工程とを含む、トレンチゲートトランジスタの製造方法。
【請求項６】
前記溝を形成するための所定の高さのマスクを形成する工程を有し、
前記所定の角度は、前記マスクの高さに応じて制御される、請求項５に記載のトレンチゲートトランジスタの製造方法。
【請求項７】
前記イオン注入におけるイオンは、酸素イオンである、請求項５又は６に記載のトレンチゲートトランジスタの製造方法。
【請求項８】
請求項５から７のいずれか一項に記載の方法によりトレンチゲートトランジスタを少なくとも一つ形成する、半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月26日(2010.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上述の従来の装置状態監視方法では、流量制御装置１１２０が流量監視部１１１１に予め登録された流量制御特性にしたがって流量制御を実施することが前提になっている。すなわち、流量制御装置１１２０の流量制御機構が流量制御特性にしたがった流量制御を行い続けることが必要である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
なお、実流量Ｆnm、制御差分Ｄnm、および変動差分ＤTの全てが規格範囲内に属していた場合、判定部１１６は、次基板処理が完了するまで待機し、次基板処理について上述の判定を行う（ステップＳ６１５Ｙｅｓ、Ｓ６１７、Ｓ６１２）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
これに対し、本実施形態では、図７（ｂ）に示すようにターゲット値の設定範囲７０１と独立して、流量制御精度の規格範囲７０２が制御差分Ｄnmの規格範囲として設定されている。すなわち、図７（ｂ）において、流量制御のターゲット値を、流量値７１１のターゲット値７１６から、流量値７１２のターゲット値７１７に変更した場合、ターゲット値の変更に応じて流量値は変動する。このとき、流量差分Ｄnmに対する規格範囲７０２は固定されている。この場合、流量値７１１、７１３に対応する制御差分７２１、７２３は、規格範囲７０２を満足するため、正常と判定される。また、流量値７１４に対応する制御差分７２４は制御精度の規格範囲７０２を満足しないため、異常と判定される。また、本実施形態では、ターゲット値を変更した直後の流量値７１２に対応する制御差分７２２は、ゼロ点変動として検出される。しかしながら、当該変動量がターゲット値の変動に応じた変動であるか否かを判定することにより、真のゼロ点変動であるか否を容易に識別することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
図９は本実施形態の装置状態監視装置を示す概略構成図である。図９に示すように、本実施形態においても、基板処理装置９１１は、上述の第１および第２の実施形態と同様に、基板処理を実施する際に、圧力制御装置９１２へ要求値９２１（制御信号）を出力する。圧力制御装置９１２は、基板処理装置９１１の、例えば処理室内部の圧力を計測する圧力計９１８から出力される戻り値９２２を取得する。ここでは、戻り値９２２は、圧力計９１８が計測した圧力に対応する電圧値である。圧力制御装置９１２は、戻り値９２２が示す圧力値が要求値９２１に対応する圧力値と一致するように、圧力制御弁９１９へ動作値９１７（出力値）を入力する。ここで、動作値９１７は、圧力制御弁９１９の開度を指定する電気信号である。また、圧力制御装置９１２は、圧力計９１８から取得した戻り値９２２を順次基板処理装置９１１に出力する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
本実施形態では、基板処理装置９１１は、圧力制御装置９１２からの戻り値９２２が要求値９２１に対応する値になったとき（基準状態）に、ゼロ点取得トリガを出力する。また、ゼロ点取得トリガを出力後から処理終了までの間は、基板処理装置９１１は、一定周期でデータ取得トリガを出力する。したがって、本実施形態では、ゼロ点取得トリガが入力されたときに入力ポート１１４が取得する動作値９１７は、圧力制御装置９１２が、所定の圧力制御を開始する時点で、圧力制御弁９１９に出力していた動作値９１７になる。また、データ取得トリガが入力されたときに入力ポート１１４が取得する動作値９１７は、圧力制御装置９１２が所定の圧力制御を実施中に、圧力制御弁９１９に出力していた動作値９１７になる。そして、本実施形態では、演算部１１５が、圧力制御装置９１２が所定の圧力制御を実施中に、圧力制御弁９１９に出力していた動作値９１７と、基準状態において圧力制御弁９１９に出力していた動作値９１７との差分（出力差分値）を算出する。この場合、当該差分は、圧力制御弁９１９の変動量に対応する値になる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月31日(2010.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
一方これに対して、本実施の形態の試料Ｎｏ．１〜６の静電気対策部品は、いずれも、差動インピーダンスの変動（ΔＺ）が−２１Ωと差動伝送回路に使用した場合の伝送特性が良好であり、ピーク電圧値（Ｖｓ）が約３５０Ｖ以下で、バリスタ電圧（Ｖ１ｍＡ）の変化率（ΔＶ１ｍＡ）が−６％以下と静電気パルスに対する吸収抑制効果および静電気パルスに対する耐性も十分であった。これらの評価結果から、本実施の形態の静電気対策部品は、伝送特性と静電気パルスに対する吸収抑制効果がともに良好で、特に、高速差動伝送回路における静電気対策に適した静電気対策部品であることが確認できた。また特に、抵抗体とバリスタとの接続距離を電気長に換算して５０ｐｓｅｃ以下とし、抵抗体の抵抗値を１５Ω以上とした本実施の形態の試料Ｎｏ．２、３、４および５の静電気対策部品は、いずれも、差動インピーダンスの変動（ΔＺ）が−１５Ω以下と極めて小さく、差動伝送回路に使用した場合の伝送特性が特に良好であり、最近のデジタルＴＶなどの高速インターフェースとして用いられるＨＤＭＩ（High  Definition  Multimedia  Interface、１０８０Ｐでの伝送レート１．５Ｇｂｐｓ）で要求される厳しい伝送規格であるＴＤＲでの差動インピーダンスが１００Ω±１５Ω以内の規格を満たすものであった。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月2日(2010.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電子装置を有する装置基板と前記装置基板の電子装置形成面を覆うカバー基板とを、前記複数の電子装置の各々の周囲を囲み且つ互いの間に間隙を形成するように配置した第一シール部の材料により接合し、前記第一シール部の各々の外周面を覆う第二シール部を形成し、前記第二シール部と前記装置基板と前記カバー基板とを通る所定のラインで前記装置基板およびカバー基板を分割して、前記電子装置を各々有する電子部品パッケージに個片化することを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
【請求項２】
装置基板、または、カバー基板は、１つのウエハである請求項１記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項３】
第二シール部は、装置基板とカバー基板との間に基板端部からシール材料を充填することにより形成することを特徴とする請求項１または請求項２記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項４】
第二シール部は、装置基板とカバー基板との間に、前記装置基板とカバー基板の少なくとも一方に形成した貫通孔を通じてシール材料を充填することにより形成することを特徴とする請求項１または請求項２記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項５】
貫通孔は、第一シール部の各々の外周側に、装置基板およびカバー基板を分割する際に切除される基板幅よりも大きい径にて形成されていることを特徴とする請求項４記載の電子部品パッケージの製造方法。
【請求項６】
電子装置を有する装置基板と、前記装置基板の電子装置形成面を覆ったカバー基板と、前記電子装置の周囲を囲み且つ前記装置基板と前記カバー基板とを接合している第一シール部と、前記第一シール部の外周面を覆う第二シール部とを有し、前記装置基板と前記カバー基板と前記第二シール部とを通る外周面を有することを特徴とする電子部品パッケージ。
【請求項７】
第一シール部の材料が金属であることを特徴とする請求項６記載の電子部品パッケージ。
【請求項８】
第二シール部の材料が金属であることを特徴とする請求項６または請求項７のいずれかに記載の電子部品パッケージ。
【請求項９】
第二シール部の材料が樹脂であることを特徴とする請求項６または請求項７のいずれかに記載の電子部品パッケージ。
【請求項１０】
装置基板の外周面とカバー基板の外周面とは同一平面上にあり、前記装置基板とカバー基板の少なくとも一方の外周面に、基板の一主面から他主面にわたって延びて第二シール部に接続している溝部を少なくとも一つ有することを特徴とする請求項６から請求項９のいずれか１項に記載の電子部品パッケージ。
【請求項１１】
カバー基板に、装置基板の電子装置に電気的に接続する内部接続端子と外部接続端子とを有する導通経路が形成されていることを特徴とする請求項６から請求項１０のいずれか１項に記載の電子部品パッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明の電子部品パッケージの製造方法は、複数の電子装置を有する装置基板と前記装置基板の電子装置形成面を覆うカバー基板とを、前記複数の電子装置の各々の周囲を囲み且つ互いの間に間隙を形成するように配置した第一シール部の材料により接合し、前記第一シール部の各々の外周面を覆う第二シール部を形成し、前記第二シール部と前記装置基板と前記カバー基板とを通る所定のラインで前記装置基板およびカバー基板を分割して、前記電子装置を各々有する電子部品パッケージに個片化することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、装置基板、または、カバー基板は、１つのウエハとすることができる。
また、第二シール部は、装置基板とカバー基板との間に基板端部からシール材料を充填することにより形成することができる。
また第二シール部は、装置基板とカバー基板との間に、前記装置基板とカバー基板の少なくとも一方に形成した貫通孔を通じてシール材料を充填することにより形成することができる。貫通孔は、第一シール部の各々の外周側に、装置基板およびカバー基板を分割する際に切除される基板幅よりも大きい径にて形成されているのが好都合である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の電子部品パッケージは、電子装置を有する装置基板と、前記装置基板の電子装置形成面を覆ったカバー基板と、前記電子装置の周囲を囲み且つ前記装置基板と前記カバー基板とを接合している第一シール部と、前記第一シール部の外周面を覆う第二シール部とを有し、前記装置基板と前記カバー基板と前記第二シール部とを通る外周面を有することを特徴とする。上記の方法によって製造できるもので、第一シール部と第二シール部との複数層構造によって高い気密性が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月11日(2010.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光集積素子
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に設けられ、少なくとも１箇所以上で第１の光導波路層と第２の光導波路層の二つの光導波路層が突合せ接続方式により集積された光導波路領域と、
前記光導波路領域の上下にそれぞれ設けられ光を閉じ込める上側クラッド層と下側クラッド層とを有し、
リッジ導波路のメサ構造を形成するために前記上側クラッド層が除去された領域において、
前記光導波路領域と前記上側クラッド層との間に、前記第１の光導波路層と前記第２の光導波路層との突合せ接続部を跨ぐように設けられた保護膜は、前記突合せ接続部の少なくとも一部、或いは全部を被覆し、
前記保護膜が、前記上側クラッド層内に設けられていることを特徴とするリッジ導波路型光集積素子。
【請求項２】
前記保護膜は、前記第１の光導波路層の周辺部と、前記第２の光導波路層の全面に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のリッジ導波路型光集積素子。
【請求項３】
前記第１の光導波路層と前記第２の光導波路層との間の突合せ接合部において、
前記保護膜の周辺部が、前記第１の光導波路層の表面を覆うように、前記突合せ接続部から0.01μｍ以上10μｍ以下の範囲に延在していることを特徴とする請求項１に記載のリッジ導波路型光集積素子。
【請求項４】
前記第１の光導波路層は、光を発生、或いは吸収する多重量子井戸層で構成され、
前記第２の光導波路層は、光を伝搬させる半導体バルク多層膜で構成されていることを特徴とする請求項１に記載のリッジ導波路型光集積素子。
【請求項５】
前記第１の光導波路層、前記第２の光導波路層、及び前記保護膜を形成する材料は、In、Ga、Al、As、P、Sb、Nの中から選ばれるIII-V族化合物半導体であることを特徴とする請求項１に記載のリッジ導波路型光集積素子。
【請求項６】
前記突合せ接続部の周辺領域上に設けられた前記保護膜は、前記第１の光導波路層および前記第２の光導波路層から離隔して延在することを特徴とする請求項１に記載のリッジ導波路型光集積素子。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月3日(2010.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）第１の基板の主表面上に、ＡｕＳｎ合金からＳｎを吸収して、該ＡｕＳｎ合金のＳｎの組成比を低下させる金属からなる第１のＳｎ吸収層を形成する工程と、
（ｂ）第２の基板の主表面上に、ＡｕＳｎ合金からＳｎを吸収して、該ＡｕＳｎ合金のＳｎの組成比を低下させる金属からなる第２のＳｎ吸収層を形成する工程と、
（ｃ）前記第１のＳｎ吸収層及び前記第２のＳｎ吸収層の少なくとも一方のＳｎ吸収層の上に、ＡｕＳｎ合金からなる半田層を形成する工程と、
（ｄ）前記第１の基板と第２の基板の主表面同士が対向するように、前記第１の基板と第２の基板とを密着させた状態で、前記半田層を溶融させて、該第１の基板を第２の基板に接合する工程と
を有する基板接合方法。
【請求項２】
前記第１のＳｎ吸収層及び第２のＳｎ吸収層がＮｉで形成されている請求項１に記載の基板接合方法。
【請求項３】
前記半田層が、前記第１のＳｎ吸収層及び第２のＳｎ吸収層のうち一方のＳｎ吸収層の上にのみ形成されており、前記半田層が形成されている方のＳｎ吸収層の厚さが１００ｎｍ以上である請求項２に記載の基板接合方法。
【請求項４】
前記半田層が形成されていない方のＳｎ吸収層の厚さが１５０ｎｍ以上である請求項３に記載の基板接合方法。
【請求項５】
前記工程（ｄ）において、前記半田層内のＳｎ原子が、前記第１のＳｎ吸収層及び第２のＳｎ吸収層内に拡散することにより、固化後の前記半田層のＳｎの組成比が、溶融前の前記半田層のＳｎの組成比より小さくなっている請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板接合方法。
【請求項６】
第１の基板と、
前記第１の基板に接合された半導体からなる動作層と、
前記動作層を前記第１の基板に接合するＡｕ、Ｓｎ、及び他の第３の元素を含む合金からなる接合層と
を有し、前記接合層内に、前記接合層内の厚さ方向に関する中央部分、該中央部分よりも前記第１の基板側の第１の部分、及び前記動作層側の第２の部分を定義したとき、前記中央部分のＳｎの組成比が、前記第１の部分及び前記第２の部分のいずれのＳｎの組成比よりも小さく、前記中央部分のＡｕの組成比が、前記第１の部分及び前記第２の部分のいずれのＡｕの組成比よりも大きく、前記中央部分の前記第３元素の組成比が、前記第１の部分及び前記第２の部分のいずれの前記第３の元素の組成比よりも小さくなるように各元素の組成比が厚さ方向に関して変化している半導体装置。
【請求項７】
第１の基板と、
前記第１の基板に接合された半導体からなる動作層と、
前記動作層を前記第１の基板に接合するＡｕ、Ｓｎ、及び他の第３の元素を含む合金からなる接合層と
を有し、前記接合層が、前記第３の元素を主成分とする２つの層と、該２つの層の間に配置されたＡｕを主成分とする層とを含む半導体装置。
【請求項８】
前記第３の元素が、Ｎｉ、Ｐｔ、またはＰｄである請求項６または７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１の部分及び第２の部分において、第３の元素の組成比が、Ａｕの組成比及びＳｎの組成比のいずれよりも大きい請求項６乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記中央部分において、Ａｕの組成比が第３の元素の組成比よりも大きく、第３の元素の組成比がＳｎの組成比よりも大きい請求項６乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置。  
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
第１の基板１の底面に形成されたＰｔ層２及び表側電極３０から、動作層１２にキャリアが供給される。動作層１２で発生した光は、表側電極３０が形成された面から外部に放出される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
ほぼ中央の領域ＢのＳｎの組成比が、領域Ａ及び領域ＣのいずれのＳｎの組成比よりも小さい。中央の領域ＢのＡｕの組成比が、領域Ａ及び領域ＣのいずれのＡｕの組成比よりも大きい。また、中央の領域ＢのＮｉの組成比が、領域Ａ及び領域ＢのいずれのＮｉの組成比よりも小さい。領域Ａ及び領域Ｃにおいて、Ｎｉの組成比が、Ａｕの組成比及びＳｎの組成比のいずれよりも大きい。中央の領域Ｂにおいて、Ａｕの組成比がＮｉの組成比よりも大きく、Ｎｉの組成比がＳｎの組成比よりも大きい。なお、試料３の構成より第２のＳｎ吸収層１７を薄くすることにより、領域Ｄの厚さが薄くなることが確認された。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月5日(2010.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鋼矢板の片面に、該鋼矢板の長手方向に延びる補剛用の形鋼を配置してなる組合せ鋼矢板において、前記鋼矢板に対し前記形鋼の長手方向の複数個所で接合し、前記接合位置のうちの１箇所は固定されており、少なくとも他の１箇所の接合位置について、前記鋼矢板と前記形鋼の長手方向へのずれを許容する構造とすることで、前記鋼矢板と前記形鋼のたわみ挙動がほぼ一致するようにしてあることを特徴とする組合せ鋼矢板。
【請求項２】
前記複数個所の中には、前記形鋼の長手方向両端部が含まれることを特徴とする請求項１記載の組合せ鋼矢板。
【請求項３】
前記形鋼がＨ形鋼であることを特徴とする請求項１または２記載の組合せ鋼矢板。
【請求項４】
前記接合位置について、前記鋼矢板と前記形鋼の長手方向へのずれを許容する構造が、前記鋼矢板と前記形鋼の少なくとも一方に形成された長孔またはバカ孔と該長孔またはバカ孔を貫通して、前記鋼矢板と前記形鋼を接合するボルトの組み合わせによるものであることを特徴とする請求項１、２または３記載の組合せ鋼矢板。
【請求項５】
前記鋼矢板が幅方向両端に形成された継手の係合により、長手方向と直角な断面における凹凸が同じ向きになるように接続されるハット形鋼矢板であることを特徴とする請求項１、２、３または４記載の組合せ鋼矢板。
【請求項６】
前記鋼矢板を前記形鋼との間にスペーサーとしての鋼材を介在させて接合してあることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の組合せ鋼矢板。
【請求項７】
複数の鋼矢板を、鋼矢板の両端に設けた継手を介して接続してなる鋼矢板壁であって、前記鋼矢板の少なくとも一部に、請求項１〜６の何れかに記載の組合せ鋼矢板を用いたことを特徴とする鋼矢板壁。
【請求項８】
前記組合せ鋼矢板を構成する前記鋼矢板が、土圧を受ける側または土圧の大きい側に配置されていることを特徴とする請求項７記載の鋼矢板壁。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【特許文献１】特開２００５−２９９２０２号公報
【特許文献２】特開２００８−２６７０６９号公報
【特許文献３】特開２００８−１７５０２９号公報
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本願の請求項１に係る組合せ鋼矢板は、鋼矢板の片面に、該鋼矢板の長手方向に延びる補剛用の形鋼を配置してなる組合せ鋼矢板において、前記鋼矢板に対し前記形鋼の長手方向の複数個所で接合し、前記接合位置のうちの１箇所は固定されており、少なくとも他の１箇所の接合位置について、前記鋼矢板と前記形鋼の長手方向へのずれを許容する構造とすることで、前記鋼矢板と前記形鋼のたわみ挙動がほぼ一致するようにしてあることを特徴とするものであり、土圧等が組合せ鋼矢板の矢板側からかかることを想定している。
鋼矢板に対し、形鋼の長手方向両端部以外の中間部でも接合する場合には、中間の接合部を固定し、両端部でずれを許容するように構成することもできる。また、両端部の一方を固定し、他端部および中間部でずれを許容するように構成することもできる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
請求項４は、請求項１、２または３に係る組合せ鋼矢板において、前記接合位置について、前記鋼矢板と前記形鋼の長手方向へのずれを許容する構造が、前記鋼矢板と前記形鋼の少なくとも一方に形成された長孔またはバカ孔と該長孔またはバカ孔を貫通して、前記鋼矢板と前記形鋼を接合するボルトの組み合わせによるものである場合を限定したものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
請求項５は、請求項１、２、３または４に係る組合せ鋼矢板において、前記鋼矢板が幅方向両端に形成された継手の係合により、長手方向と直角な断面における凹凸が同じ向きになるように接続されるハット形鋼矢板である場合を限定したものである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
請求項６は、請求項１〜５の何れかに係る組合せ鋼矢板において、前記鋼矢板を前記形鋼との間にスペーサーとしての鋼材を介在させて接合してある場合を限定したものである。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
請求項７に係る鋼矢板壁は、複数の鋼矢板を、鋼矢板の両端に設けた継手を介して接続してなる鋼矢板壁であって、前記鋼矢板の少なくとも一部に、請求項１〜６の何れかに記載の組合せ鋼矢板を用いたことを特徴とするものである。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
請求項８は、請求項７に係る鋼矢板壁において、前記組合せ鋼矢板を構成する前記鋼矢板が、土圧を受ける側または土圧の大きい側に配置されていることを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月17日(2010.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一又は接近した固有振動数を有する少なくとも一対の構造物をその振動振幅の異なる部位で連結手段を介して連結し、一対の構造物同士の相互作用力により当該一対の構造物の振動を制御するようにした複数の構造物の制振構造。
【請求項２】
連結手段は、制振装置と弾性装置とを有している請求項１に記載の複数の構造物の制振構造。
【請求項３】
制振装置と弾性装置とは、直列に配されている請求項２に記載の複数の構造物の制振構造。
【請求項４】
一対の構造物をその振動振幅の異なる部位で一対の連結手段を介して連結してなる請求項１から３のいずれか一項に記載の複数の構造物の制振構造。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の制振構造において最適振動減衰が得られるように、連結手段のバネ剛性と減衰係数とを、一対の構造物の夫々を連結部位で分けられた２質点モデルで表した場合に得られる制振構造の等価モデルに基づいて決定してなる制振構造。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月18日(2009.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流入スタブ（３）と、下流側で流入スタブ（３）に隣接し且つ湾曲案内層板（１１、１２、１３）をもつ偏向ユニット（１）とを含み、カラム（２）用の流体入口デバイスにおいて、入ってくる流量が複数の中央及び側部の部分流（１３１、１３２、１３３、１３４、１３５、１３６）に分割できる流体入口デバイスであって、
偏向ユニット（１）が、複数の入口流路（３１、３２、３３、３４、３５、３６）を備える入力ゾーンを含み、入口流路（３１、３２、３３、３４、３５、３６）が横断面を有し、流路の断面がその中で一定のままであり、この入力ゾーンが前記流入スタブ（３）内に少なくとも部分的に配置され、且つ前記入口流路（３１、３２、３３、３４、３５、３６）が前記湾曲案内層板（１１、１２、１３）によって形成された拡散体様の流路に合流し、且つ前記入口流路（３１、３２、３３、３４、３５、３６）が少なくとも第１及び第２の階を有し、第１及び第２の階の各々が少なくとも１つの中央流路（３１、３２、３３）と２つの側部流路（３４、３５、３６）とを有し、第２の階の前記部分流が湾曲案内層板によって下方に反らせるように更に下に配置されることを特徴とする流体入口デバイス。
【請求項２】
３つの流路が第１、第２及び第３の階に配置され、且つ２つの湾曲層板（１１）が前記偏向ユニット（１）内で中央流路を側部流路から分離する請求項１に記載の流体入口デバイス。
【請求項３】
前記偏向ユニット（１）が、前記装置の中心軸上に置かれる垂直面（２１）に関して鏡面対称に作られる請求項１又は２に記載の流体入口デバイス。
【請求項４】
前記偏向ユニットが非対称に作られる請求項１又は２に記載の流体入口デバイス。
【請求項５】
最上部のチャネルが、水平に位置合わせされ、又は前記上部中央の部分流（３１）の方向に下方の傾斜をもって少なくとも１つの平らな、又は湾曲した壁片によって覆われる請求項１に記載の流体入口デバイス。
【請求項６】
覆う壁片が前記流れの方向に下方に湾曲させられる請求項５に記載の流体入口デバイス。
【請求項７】
前記中央入口流路（３１、３２、３３）が水平幅を有し、水平幅が上から下に収束する請求項１に記載の流体入口デバイス。
【請求項８】
前記入口流路（３１、３２、３３）がその拡散体様の流路セクション下流側に続く請求項１に記載の流体入口デバイス。
【請求項９】
リブ形の流体偏向板（１４）が、前記湾曲案内層板（１１、１２、１３）の凹面上に配置される請求項１に記載の流体入口デバイス。
【請求項１０】
前記湾曲案内層板（１１、１２、１３）が、前記案内層板のところで凝結した流体相を、前記ポケット様の縁部によって流体の流れの中の前記供給流体から排出できるように、出口側の縁部上にポケット様に形成される請求項９に記載の流体入口デバイス。
【請求項１１】
中央流路（３１）によって与えられる流れの方向が、中心に、又は前記中心領域の偏心した点に向く、請求項１から１０までのいずれか一項に記載の少なくとも１つの流体入口デバイスをもつカラム（２）。
【請求項１２】
流体入口デバイスへ多相又は単相の流体を供給及び分配する工程を備え、流体入口デバイスが液滴の形で高い密度の相でいっぱいであって分散相を形成し、より高い密度の該分散相が慣性により少なくとも部分的に沈殿する請求項１から１０までのいずれか一項に記載の流体入口デバイスを使用する方法。
【請求項１３】
前記流体が気体の流れである請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記流入流体の流れの非対称流れが非対称的に流入タブを貫流する請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月13日(2010.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記第１の水平方向移動手段（１６）は、夫々の支持体（１１）と関連されていて、前記シャフト（１２）を引っ込み位置から垂直ストローク手段（１３）の外部分の垂直な突起と一致する第１の前方位置までおよびその逆に水平方向（Ａ）に沿って移動させるための少なくとも１つのリニアーアクチュエータを備えている請求項４または５に記載の被覆機械。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2007301994.tif 000001