Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月3日(2010.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハに対して酸化雰囲気中にハロゲンを添加した熱酸化を行うことにより、前記半導体ウエハに前記ハロゲンが１×１０１７／ｃｍ３〜５×１０２０／ｃｍ３の濃度で含まれる酸化膜を形成し、
イオン化した水素であって質量がプロトンよりも重い水素イオンを電界で加速して、前記酸化膜を介して前記半導体ウエハに注入し、該半導体ウエハの表面から所定の深さに分離層を形成し、
前記半導体ウエハの一の面側の前記酸化膜上に窒素を含有する第１の絶縁層を形成し、
前記半導体ウエハの一の面側の前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成し、
絶縁表面を有する基板の一の面側と、前記半導体ウエハの一の面側に形成された前記第２の絶縁層とを貼り合わせて熱処理及び加圧処理を行い、前記絶縁表面を有する基板と前記半導体ウエハとの接合強度を向上させ、
前記分離層若しくはその近傍を劈開面として、前記絶縁表面を有する基板の一の面に厚さが２００ｎｍ以下である半導体層を残存させた状態で、前記半導体ウエハを剥離することを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項２】
半導体ウエハの一の面に窒素を含有する第１の絶縁層を形成し、
イオン化した水素であって質量がプロトンよりも重い水素イオンを電界で加速して、前記第１の絶縁層を介して前記半導体ウエハに注入し、該半導体ウエハの表面から所定の深さに分離層を形成し、
前記半導体ウエハの一の面側の前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成し、
絶縁表面を有する基板の一の面側と、前記半導体ウエハの一の面側に形成された前記第２の絶縁層とを貼り合わせて熱処理を行い、前記絶縁表面を有する基板と前記半導体ウエハとの接合強度を向上させ、
前記分離層若しくはその近傍を劈開面として、前記絶縁表面を有する基板の一の面に厚さが２００ｎｍ以下である半導体層を残存させた状態で、前記半導体ウエハを剥離することを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記半導体層に酸素濃度が１０ｐｐｍ以下の不活性気体中でのレーザアニールを行うことにより前記半導体層の表面の平滑化処理を行うことを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記第１の絶縁層は、窒素よりも酸素の含有量が多い酸化窒化シリコン層と、酸素よりも窒素の含有量が多い窒化酸化シリコン層との積層構造であることを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記絶縁表面を有する基板としてガラス基板を用いることを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
水素プラズマを生成し、該プラズマ中に生成されるイオンを質量分離せず、電界で加速することにより、前記イオン化した水素であって質量がプロトンよりも重い水素イオンであるＨ３＋イオンの割合を８０％以上含まれるようにして前記半導体ウエハに注入することを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
水素プラズマを生成し、該プラズマ中に生成されるイオンを質量分離して、前記イオン化した水素であって質量がプロトンよりも重い水素イオンを電界で加速することにより、前記半導体ウエハに注入することを特徴とする半導体基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月19日(2010.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
前記導電膜は複数であり且つ互いに間隔をおいて平行に形成され、
隣接する導電膜において、前記ヒューズ素子電極及び基板接続電極は、前記被保護素子電極に対して反対側に形成され、
前記導電膜における前記ヒューズ素子電極の両側の部分の線幅は、前記被保護素子電極の線幅よりも太いことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
図２（ａ）及び（ｂ）は、図１に示す第１の実施形態に係る半導体装置の等価回路であり、（ａ）はヒューズ素子電極３２が切断される前の状態であり、（ｂ）はヒューズ素子電極３２が切断された状態である。なお、被保護素子２１は不揮発性メモリ素子アレイとして表示している。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月3日(2010.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体ウェーハの表面上に接合層を形成し、
イオンドーピング装置によりＨ３＋イオンを前記第１の半導体ウェーハに照射して前記接合層の下方に分離層を形成し、
前記第１の半導体ウェーハに第２の半導体ウェーハの一方の面を前記接合層を介して貼り合わせ、
熱処理を行うことにより前記分離層の層内または前記分離層界面を劈開面として前記第１の半導体ウェーハの一部を分離して、前記第２の半導体ウェーハの一方の面上に、前記接合層と、前記接合層上に単結晶半導体層とを有する構造を形成し、
前記イオンドーピング装置のイオン源は、チャンバー内に熱電子放出用フィラメントと、前記チャンバーの周囲に極性を交互にして複数配置されたリング状の永久磁石とを有し、
前記Ｈ３＋イオンの割合は、発生させた水素プラズマ全体の８割以上である半導体ウェーハの作製方法。
【請求項２】
第１の半導体ウェーハの表面上に接合層を形成し、
イオンドーピング装置によりＨ３＋イオンを前記第１の半導体ウェーハに照射して前記接合層の下方に分離層を形成し、
前記第１の半導体ウェーハに第２の半導体ウェーハの一方の面を前記接合層を介して貼り合わせ、
熱処理を行うことにより前記分離層の層内または前記分離層界面を劈開面として前記第１の半導体ウェーハの一部を分離して、前記第２の半導体ウェーハの一方の面上に、前記接合層と、前記接合層上に単結晶半導体層とを有する構造を形成し、
前記イオンドーピング装置のイオン源は、チャンバー内に熱電子放出用フィラメントと、前記チャンバーの周囲に極性を交互にして複数配置されたリング状の永久磁石とを有する半導体ウェーハの作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の半導体ウェーハを垂直に立てた状態に近い傾斜状態で水平方向に前記Ｈ３＋イオンを前記第１の半導体ウェーハに照射する半導体ウェーハの作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記接合層は、プラズマＣＶＤ法により得られる酸化シリコンを含む絶縁膜である半導体ウェーハの作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記Ｈ３＋イオンの照射は、断面が線状または長方形のイオン流を発生させて照射する半導体ウェーハの作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
さらに第２の半導体ウェーハの一方の面に接合層を形成した後、該接合層を前記第１の半導体ウェーハの接合層に貼り合わせる半導体ウェーハの作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月30日(2010.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜トランジスタの作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁膜上に、シリコン又はゲルマニウムを含む第１の堆積性ガスと、第１の水素ガスと、を用いて非晶質半導体部分及び結晶半導体部分を有する第１の半導体膜を形成する工程と、
プラズマ処理により前記第１の半導体膜の前記非晶質半導体部分を選択的にエッチングして、前記絶縁膜上に前記結晶半導体部分を残存させる工程と、
シリコン又はゲルマニウムを含む第２の堆積性ガスと、第２の水素ガスと、を用い、且つ、前記残存した前記結晶半導体部分を核とした結晶成長をさせることによって、第２の半導体膜を形成する工程と、を有し、
前記プラズマ処理は、水素プラズマ処理、フッ素プラズマ処理、又は希ガスプラズマ処理であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２】
ゲート電極上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に、シリコン又はゲルマニウムを含む第１の堆積性ガスと、第１の水素ガスと、を用いて非晶質半導体部分及び結晶半導体部分を有する第１の半導体膜を形成する工程と、
プラズマ処理により前記第１の半導体膜の前記非晶質半導体部分を選択的にエッチングして、前記絶縁膜上に前記結晶半導体部分を残存させる工程と、
シリコン又はゲルマニウムを含む第２の堆積性ガスと、第２の水素ガスと、を用い、且つ、前記残存した前記結晶半導体部分を核とした結晶成長をさせることによって、第２の半導体膜を形成する工程と、を有し、
前記プラズマ処理は、水素プラズマ処理、フッ素プラズマ処理、又は希ガスプラズマ処理であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項３】
ゲート電極上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に、シリコン又はゲルマニウムを含む第１の堆積性ガスと、第１の水素ガスと、を用いて非晶質半導体部分及び結晶半導体部分を有する第１の半導体膜を形成する工程と、
プラズマ処理により前記第１の半導体膜の前記非晶質半導体部分を選択的にエッチングして、前記絶縁膜上に前記結晶半導体部分を残存させる工程と、
シリコン又はゲルマニウムを含む第２の堆積性ガスと、第２の水素ガスと、を用い、且つ、前記残存した前記結晶半導体部分を核とした結晶成長をさせることによって、第２の半導体膜を形成する工程と、
前記第２の半導体膜上にバッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層上にソース領域及びドレイン領域を形成する工程と、を有し、
前記プラズマ処理は、水素プラズマ処理、フッ素プラズマ処理、又は希ガスプラズマ処理であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記第２の半導体膜を形成した後、前記第２の半導体膜を大気に触れさせることなく連続的に前記バッファ層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月16日(2010.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動画像復号部から出力される復号後の動画像フレームをもとに、当該動画像フレームの内容が切り替わる画像変化点を表す情報を生成する動画像処理装置において、
前記動画像復号部から出力された第１の動画像フレームの表示指定時刻と、当該第１の動画像フレームに先行する第２の動画像フレームの表示指定時刻との差分に応じて欠落フレームの有無を判定する手段と、
欠落フレームが無いと判定された場合に、前記第１の動画像フレームの画像の特徴量と前記第２の動画像フレームの画像の特徴量に基づいて画像変化点を表す情報を生成し、欠落フレームが有ると判定された場合に、前記第１の動画像フレームの表示指定時刻と前記第２の動画像フレームの表示指定時刻との間に設定される時刻情報を含む画像変化点を表す情報を生成する手段と
を具備することを特徴とする動画像処理装置。
【請求項２】
前記欠落フレームの有無を判定する手段は、前記第１の動画像フレームの表示指定時刻と前記第２の動画像フレームの表示指定時刻との差分が、前記動画像復号部から出力される動画像フレームのフレーム周期に応じて設定される第１の閾値以内であれば欠落フレームが無いと判定することを特徴とする請求項１記載の動画像処理装置。
【請求項３】
前記画像変化点を表す情報を生成する手段は、欠落フレームが有ると判定された場合に、時刻情報と白色雑音画像から抽出される画像特徴量とを含む画像変化点を表す情報を生成することを特徴とする請求項１記載の動画像処理装置。
【請求項４】
前記動画像復号部が復号後の動画像フレームのうちリフレッシュフレームのみを出力する機能を備えている場合に、
前記画像変化点を表す情報を生成する手段は、前記表示指定時刻の差分が前記第１の閾値以内であると判定された場合に、第１のリフレッシュフレームの表示指定時刻と、当該第１のリフレッシュフレームに先行する第２のリフレッシュフレームの表示指定時刻との差分を計算し、この計算された差分がリフレッシュフレームの出力周期に対応して設定された第２の閾値と等しくないと判定された場合に、前記第１のリフレッシュフレームの画像特徴量に基づいて画像変化点を表す情報を生成することを特徴とする請求項２記載の動画像処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するためにこの発明の一観点は、動画像復号部から出力される復号後の動画像フレームをもとに、当該動画像フレームの内容が切り替わる画像変化点を表す情報を生成する動画像処理装置において、上記動画像復号部から出力された第１の動画像フレームの表示指定時刻と当該第１の動画像フレームに先行する第２の動画像フレームの表示指定時刻との差分に応じて欠落フレームの有無を判定する。そして、この判定の結果、欠落フレームが無いと判定された場合に、前記第１の動画像フレームの画像の特徴量と前記第２の動画像フレームの画像の特徴量に基づいて画像変化点を表す情報を生成し、欠落フレームが有ると判定された場合に、前記第１の動画像フレームの表示指定時刻と前記第２の動画像フレームの表示指定時刻との間に設定される時刻情報を含む画像変化点を表す情報を生成するように構成したものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
したがってこの発明の一観点によれば、例えば伝送路上で動画像ストリームに伝送エラーが発生し、その影響により動画像復号部から出力される動画像フレームの一部が欠落したとすると、この動画像フレームの欠落が第１の動画像フレームとそれに先行する第２の動画像フレームとの間の表示指定時刻差をもとに検出される。そして、欠落が検出されると、第１の動画像フレームの表示指定時刻と第２の動画像フレームの表示指定時刻との間に設定される時刻情報を含む画像変化点を表す情報を生成される。したがって、メモリに記憶された情報をもとに部分動画像（ショット）の分割を行う場合に、欠落フレームが存在するエラー区間を先行するショットに含めることなく独立したショットとして分割することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月10日(2010.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレーム間予測を用いた第１の符号化方式、またはフレーム間予測を用いた、前記第１の符号化方式とは異なる第２の符号化方式によって画像データを符号化する画像符号化装置であって、
前記第１の符号化方式によって符号化された画像データを復号化する復号化手段と、
前記復号化手段によって復号化された画像データを前記第２の符号化方式によって再符号化する再符号化手段と、
前記第１の符号化方式で用いられた動きベクトルを内分して、前記第２の符号化方式に対応する動きベクトルに補正する動きベクトル補正手段とを有し、
前記再符号化手段は、前記動きベクトル補正手段によって補正された動きベクトルを用いて前記復号化された画像データを再符号化することを特徴とする画像符号化装置。
【請求項２】
前記動きベクトル補正手段によって補正された動きベクトルを動き検出の開始点に設定して動きベクトルの検出を行う動き検出手段を有し、
前記再符号化手段は、前記動き検出手段によって検出された動きベクトルを用いて前記画像データを再符号化することを特徴とする請求項１に記載の画像符号化装置。
【請求項３】
前記動き検出手段は、前記動きベクトル補正手段によって補正された動きベクトルをステップサーチの開始点に設定することを特徴とする請求項２に記載の画像符号化装置。
【請求項４】
前記動きベクトル補正手段は、前記第１の符号化方式で用いたマクロブロックのサイズが、前記第２の符号化方式で用いるマクロブロックのサイズと異なる場合に、前記第２の符号化方式で用いるマクロブロックに相当する前記第１の符号化方式で用いた複数の動きベクトルから前記第２の符号化方式に対応する動きベクトルに補正することを特徴とする請求項１または２に記載の画像符号化装置。
【請求項５】
前記動きベクトル補正手段は、前記第２の符号化方式で用いるマクロブロックに相当する前記第１の符号化方式で用いた複数の動きベクトルに基づく平均値、あるいは中央値を用いて補正することを特徴とする請求項４に記載の画像符号化装置。
【請求項６】
前記第２の符号化方式で用いるマクロブロックに相当する前記第１の符号化方式で用いた複数の動きベクトルに基づく分散値が所定の値よりを小さいときに、前記再符号化手段は、前記動きベクトル補正手段によって補正された動きベクトルを用いて前記画像データを再符号化することを特徴とする請求項４に記載の画像符号化装置。
【請求項７】
前記第１の符号化方式はＭＰＥＧ−４方式またはＨ．２６４方式であり、前記第２の符号化方式はＭＰＥＧ−２方式であることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の画像符号化装置。
【請求項８】
フレーム間予測を用いた第１の符号化方式、またはフレーム間予測を用いた、前記第１の符号化方式とは異なる第２の符号化方式によって画像データを符号化する画像符号化方法であって、
前記第１の符号化方式によって符号化された画像データを復号化する復号化工程と、
前記復号化工程において復号化した画像データを前記第２の符号化方式によって再符号化する再符号化工程と、
前記第１の符号化方式で用いられた動きベクトルを内分して、前記第２の符号化方式に対応する動きベクトルに補正する動きベクトル補正工程とを有し、
前記再符号化工程においては、前記動きベクトル補正工程において補正した動きベクトルを用いて前記復号化した画像データを再符号化することを特徴とする画像符号化方法。
【請求項９】
フレーム間予測を用いた第１の符号化方式、またはフレーム間予測を用いた、前記第１の符号化方式とは異なる第２の符号化方式によって画像データを符号化する画像符号化方法の各工程をコンピュータに実行させるプログラムであって、
前記第１の符号化方式によって符号化された画像データを復号化する復号化工程と、
前記復号化工程において復号化した画像データを前記第２の符号化方式によって再符号化する再符号化工程と、
前記第１の符号化方式で用いられた動きベクトルを内分して、前記第２の符号化方式に対応する動きベクトルに補正する動きベクトル補正工程とをコンピュータに実行させ、
前記再符号化工程においては、前記動きベクトル補正工程において補正した動きベクトルを用いて前記復号化した画像データを再符号化することを特徴とするプログラム。
【請求項１０】
請求項９に記載のプログラムを記録したことを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明のプログラムは、フレーム間予測を用いた第１の符号化方式、またはフレーム間予測を用いた、前記第１の符号化方式とは異なる第２の符号化方式によって画像データを符号化する画像符号化方法の各工程をコンピュータに実行させるプログラムであって、前記第１の符号化方式によって符号化された画像データを復号化する復号化工程と、前記復号化工程において復号化した画像データを前記第２の符号化方式によって再符号化する再符号化工程と、前記第１の符号化方式で用いられた動きベクトルを内分して、前記第２の符号化方式に対応する動きベクトルに補正する動きベクトル補正工程とをコンピュータに実行させ、前記再符号化工程においては、前記動きベクトル補正工程において補正した動きベクトルを用いて前記復号化した画像データを再符号化することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月9日(2010.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）チップ支持面、前記チップ支持面の周縁部に形成された段差部および前記チップ支持面とは反対側の裏面を有するチップ搭載部と、前記チップ搭載部の周囲に配置された複数のリードと、を備えたリードフレームを準備する工程；
（ｂ）前記（ａ）工程の後、前記チップ搭載部の前記チップ支持面にフィルムタイプではないペースト材を塗布し、前記複数のリードのそれぞれの一部および前記チップ搭載部の前記段差部が半導体チップの裏面と対向するように前記ペースト材を介して前記半導体チップを前記チップ支持面上に配置し、前記チップ支持面の全面に前記ペースト材を配置する工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記チップ搭載部の前記裏面が露出するように、前記半導体チップおよび前記チップ搭載部を樹脂で封止し、封止体を形成する工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記封止体から露出する前記チップ搭載部の前記裏面に外装めっきを形成する工程；
ここで、
前記段差部のうちの前記半導体チップの前記裏面と対向する面は、前記チップ搭載部の前記チップ支持面と前記チップ搭載部の前記裏面との間に位置しており、
前記チップ搭載部の前記チップ支持面の外形サイズは、前記半導体チップの前記裏面の外形サイズよりも小さく、
前記（ｃ）工程では、前記封止体の一部が前記半導体チップの前記裏面と接触するように、前記封止体は形成される。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程の後、かつ前記（ｃ）工程の前に、前記半導体チップの前記裏面とは反対側の主面に形成された複数のパッドと前記複数のリードとを、複数のワイヤを介してそれぞれ電気的に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記リードのうちの前記ワイヤが接続されるワイヤ接続面は、前記チップ搭載部の前記チップ支持面とほぼ同じ高さであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程は、前記チップ搭載部の前記裏面にテープが接着した状態で行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
チップ支持面、前記チップ支持面の周縁部に形成された段差部および前記チップ支持面とは反対側の裏面を有するチップ搭載部と、
前記チップ搭載部の周囲に配置された複数のリードと、
前記チップ支持面の全面に配置された接着材と、
前記複数のリードのそれぞれの一部および前記チップ搭載部の前記段差部が半導体チップの裏面と対向するように、前記接着材を介して前記チップ支持面上に配置された前記半導体チップと、
前記チップ搭載部の前記裏面が露出するように、前記半導体チップおよび前記チップ搭載部を封止する封止体と、
前記封止体から露出する前記チップ搭載部の前記裏面に形成された外装めっきと、
を含み、
前記段差部のうちの前記半導体チップの前記裏面と対向する面は、前記チップ搭載部の前記チップ支持面と前記チップ搭載部の前記裏面との間に位置しており、
前記チップ搭載部の前記チップ支持面の外形サイズは、前記半導体チップの前記裏面の外形サイズよりも小さく、
前記封止体は、前記封止体の一部が前記半導体チップの前記裏面と接触するように、形成されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
すなわち、本発明は、以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）チップ支持面、前記チップ支持面の周縁部に形成された段差部および前記チップ支持面とは反対側の裏面を有するチップ搭載部と、前記チップ搭載部の周囲に配置された複数のリードと、を備えたリードフレームを準備する工程；
（ｂ）前記（ａ）工程の後、前記チップ搭載部の前記チップ支持面にフィルムタイプではないペースト材を塗布し、前記複数のリードのそれぞれの一部および前記チップ搭載部の前記段差部が半導体チップの裏面と対向するように前記ペースト材を介して前記半導体チップを前記チップ支持面上に配置し、前記チップ支持面の全面に前記ペースト材を配置する工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記チップ搭載部の前記裏面が露出するように、前記半導体チップおよび前記チップ搭載部を樹脂で封止し、封止体を形成する工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記封止体から露出する前記チップ搭載部の前記裏面に外装めっきを形成する工程；
ここで、
前記段差部のうちの前記半導体チップの前記裏面と対向する面は、前記チップ搭載部の前記チップ支持面と前記チップ搭載部の前記裏面との間に位置しており、
前記チップ搭載部の前記チップ支持面の外形サイズは、前記半導体チップの前記裏面の外形サイズよりも小さく、
前記（ｃ）工程では、前記封止体の一部が前記半導体チップの前記裏面と接触するように、前記封止体は形成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、本発明は、チップ支持面、前記チップ支持面の周縁部に形成された段差部および前記チップ支持面とは反対側の裏面を有するチップ搭載部と、前記チップ搭載部の周囲に配置された複数のリードと、前記チップ支持面の全面に配置された接着材と、前記複数のリードのそれぞれの一部および前記チップ搭載部の前記段差部が半導体チップの裏面と対向するように、前記接着材を介して前記チップ支持面上に配置された前記半導体チップと、前記チップ搭載部の前記裏面が露出するように、前記半導体チップおよび前記チップ搭載部を封止する封止体と、前記封止体から露出する前記チップ搭載部の前記裏面に形成された外装めっきと、を含み、前記段差部のうちの前記半導体チップの前記裏面と対向する面は、前記チップ搭載部の前記チップ支持面と前記チップ搭載部の前記裏面との間に位置しており、前記チップ搭載部の前記チップ支持面の外形サイズは、前記半導体チップの前記裏面の外形サイズよりも小さく、前記封止体は、前記封止体の一部が前記半導体チップの前記裏面と接触するように、形成されているものである。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月1日(2009.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
図３に示すように、順バイアス状態におけるキャリア濃度のグラフ（分布）は、Ｐ層の端部とＮ層の端部とを結ぶ略双曲線関数の曲線となる。Ｐ層の端部では、キャリア濃度はＰ層の不純物濃度と同じ濃度となり、Ｎ層の端部では、キャリア濃度はＮ層の不純物濃度と同じ濃度となる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月24日(2010.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記第２の端面窓構造の下端は、前記第２の第１導電型クラッド層の下端よりも上側であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体レーザ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記第２の半導体レーザ素子は、前記半導体基板と前記第２の第１導電型クラッド層との間に形成されたバッファ層を有し、
前記第２の活性層は、バンドギャップが前記バッファ層よりも小さく、
前記第２の端面窓構造の下端は、前記バッファ層に達していることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体レーザ装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】
第１導電型の半導体基板の上に、第１の第１導電型クラッド層と、ＡｌxＧａ1-xＡｓ（但し、０≦ｘ≦１である）からなる層を含む第１の活性層と、第１の第２導電型クラッド層とを有する第１の半導体層を形成する工程（ａ）と、
前記第１の半導体層の端面となる領域に第１の不純物を注入する工程（ｂ）と、
前記工程（ｂ）よりも後に、前記第１の半導体層を選択的に除去する工程（ｃ）と、
前記工程（ｃ）よりも後に、第２の第１導電型クラッド層、（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ（但し、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１である。）からなる層を含む第２の活性層と、第２の第２導電型クラッド層とを有する第２の半導体層を形成する工程（ｄ）と、
前記第２の半導体層の端面となる領域に、第２の不純物を導入することにより、前記第２の半導体層の上部から少なくとも前記第２の活性層までの領域を無秩序化する工程（ｅ）とを備えていることを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の半導体レーザ装置において、第２の端面窓構造の下端は、第２の第２導電型クラッド層の下端よりも上側であってもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の半導体レーザ装置において、第２の半導体レーザ素子は、半導体基板と第２の第１導電型クラッド層との間に形成されたバッファ層を有し、第２の活性層は、バンドギャップがバッファ層よりも小さく、第２の端面窓構造の下端は、バッファ層に達していてもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
本発明に係る半導体レーザ装置の製造方法は、第１導電型の半導体基板の上に、第１の第１導電型クラッド層と、ＡｌxＧａ1-xＡｓ（但し、０≦ｘ≦１である）からなる層を含む第１の活性層と、第１の第２導電型クラッド層とを有する第１の半導体層を形成する工程（ａ）と、第１の半導体層の端面となる領域に第１の不純物を注入する工程（ｂ）と、工程（ｂ）よりも後に、第１の半導体層を選択的に除去する工程（ｃ）と、工程（ｃ）よりも後に、第２の第１導電型クラッド層、（ＡｌxＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ（但し、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１である。）からなる層を含む第２の活性層と、第２の第２導電型クラッド層とを有する第２の半導体層を形成する工程（ｄ）と、第２の半導体層の端面となる領域に、上部から第２の不純物を拡散させる工程（ｅ）とを備えていることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2009076665.tif 000001
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2009076665.tif 000002
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2009076665.tif 000003
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１６】
2009076665.tif 000004
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２０】
2009076665.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月25日(2010.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に記録された楽曲信号を再生する再生部と、
前記再生部が再生した楽曲信号を蓄積するメモリと、
前記メモリへの楽曲信号の蓄積及び前記メモリからの楽曲信号の読出しを行うとともに、前記メモリに蓄積される楽曲信号の無音区間を検出する信号処理部と、
前記信号処理部が無音区間を検出したとき、当該無音区間より前の一定区間の楽曲信号を自動ループ区間としてループ再生するよう制御する制御部と、
を備えることを特徴とする再生装置。
【請求項２】
請求項１に記載の再生装置であって、前記信号処理部は楽曲信号の拍ポイントを検出し、前記制御部は前記自動ループ区間のスタートポイント及びエンドポイントを拍ポイントに設定することを特徴とする再生装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の再生装置であって、前記信号処理部は楽曲信号の拍ポイントを検出し、前記制御部は前記自動ループ区間のエンドポイントを前記無音区間の直前の拍ポイントから所定の拍分前に設定することを特徴とする再生装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の再生装置であって、前記制御部は前記無音区間を再生する楽曲信号のＢＰＭに応じて設定することを特徴とする再生装置。
【請求項５】
記録媒体に記録された楽曲信号を再生し、
再生した楽曲信号をメモリに蓄積し、
前記メモリに蓄積される楽曲信号の無音区間を検出し、
無音区間を検出したとき、当該無音区間より前の一定区間の楽曲信号を自動ループ区間としてループ再生する、
ことを特徴とする再生方法。
【請求項６】
請求項５に記載の再生方法であって、前記自動ループ区間のスタートポイント及びエンドポイントは拍ポイントに設定される、ことを特徴とする再生方法。
【請求項７】
請求項５又は請求項６に記載の再生方法であって、前記自動ループ区間のエンドポイントは、前記無音区間の直前の拍ポイントから所定の拍分前に設定される、ことを特徴とする再生方法。
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれか１項に記載の再生方法であって、前記無音区間は、再生する楽曲信号のＢＰＭに応じて設定される、ことを特徴とする再生方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月8日(2010.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照射光によって光学特性が変化し、かつ照射光パワーが低減した際には光照射前の光学特性に戻る材料を有する光情報記録媒体に光を照射して前記光情報記録媒体から情報を再生する光情報再生方法であって、
フォーカシングサーボ機能を実行して、前記光情報記録媒体の記録面に、光スポットを追従させる工程と、
トラッキングサーボ機能を実行しないで、前記照射光の反射光を光検出器で検出信号として検出しながら、前記光情報記録媒体に照射する光のパワーを変化させる工程と、
最適な光パワーの範囲を決定する工程とを有し、
前記検出信号を、一定の照射光パワーを照射している間に得られる信号の平均値とすることを特徴とする光情報再生方法。
【請求項２】
前記検出信号の絶対値あるいは相対値、または照射光パワーに対する１次微分係数あるいは２次微分係数の少なくともいずれかを用いて最適な光パワーの範囲を決定することを特徴とする請求項１記載の光情報再生方法。
【請求項３】
さらに前記検出信号とトラッキングエラー信号の両方を検出する工程を有し、
前記検出信号と前記トラッキングエラー信号のそれぞれで最適な光パワーの範囲を同定し、両範囲の重なりを最適な光パワーの範囲として決定することを特徴とする請求項１記載の光情報再生方法。
【請求項４】
照射光によって光学特性が変化し、かつ照射光パワーが低減した際には光照射前の光学特性に戻る材料を有する光情報記録媒体に光を照射して前記光情報記録媒体から情報を再生する光情報再生方法であって、
フォーカシングサーボ機能を実行して、前記光情報記録媒体の記録面に、光スポットを追従させる工程と、
前記照射光パワーの大きさと、クロストラック信号のエンベロップの上レベルと下レベルを再生レーザパワーで除した値との関係において、前記上レベルの微分係数が略０から負に変化する値をＰ２，前記下レベルの微分係数の変曲点をＰ３としたとき、前記Ｐ２の再生パワーでトラッキングサーボを行い、続いて、前記Ｐ２から前記Ｐ３の間で再生パワーを変化させて、最適再生パワーを決定することを特徴とする光情報再生方法。
【請求項５】
照射光によって光学特性が変化し、かつ照射光パワーが低減した際には光照射前の光学特性に戻る材料を含む光情報記録媒体に光を照射して、前記照射光の反射光を処理する光学系と、前記光学系を介して前記反射光からフォーカスサーボ信号を検出するフォーカスサーボ信号検出器と、前記光学系を介して前記反射光からトラッキングサーボ信号を検出するトラッキングサーボ信号検出器と、前記フォーカスサーボ信号検出器と前記トラッキングサーボ信号検出器のそれぞれからの検出信号を処理する信号処理・制御システムと、を有し、前記光情報記録媒体から情報を再生する光情報再生装置であって、
前記信号処理・制御システムが、
前記フォーカスサーボ信号検出器の出力信号に基づいて、前記光情報記録媒体の記録面に、光スポットを追従させる追従手段と、
トラッキングサーボ機能のための制御信号を出力しないで、前記照射光の反射光を光検出器で検出信号として検出しながら前記光情報記録媒体に照射する光のパワーを変化させる光パワー調整手段と、
最適な光パワーの範囲を決定する決定手段とを有し、
前記検出信号を、一定の照射光パワーを照射している間に得られる信号の平均値とすることすることを特徴とする光情報再生装置。
【請求項６】
前記観測手段が、前記検出信号の絶対値あるいは相対値、または照射光パワーに対する１次微分係数あるいは２次微分係数の少なくともいずれかを観測し、
前記決定手段が、前記観測結果を用いて最適な光パワーの範囲を決定することを特徴とする請求項５記載の光情報再生装置。
【請求項７】
さらに前記信号処理・制御システムが、
前記トラッキング信号検出器からの出力信号から、トラッキングエラー信号を検出し、
前記照射光の反射光の光検出器での検出信号と前記トラッキングエラー信号との両方を検出し、
前記検出信号と前記トラッキングエラー信号のそれぞれで最適な光パワーの範囲を同定し、両範囲の重なりを最適な光パワーの範囲として決定することを特徴とする請求項５記載の光情報再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光情報再生方法及び光情報再生装置
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月4日(2010.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のキーを備えたキーボードであって、
前記複数のキーのそれぞれは、複数のコマンド値と、複数の数字と複数のアルファベット文字とを含む複数の英数字文字とのうちの少なくとも１つを示す印をその上に表示し、数字の印を表示する各キーは、コマンド値とアルファベット文字とのうちの少なくとも１つも表示し、前記複数のアルファベット文字は、ＱＷＥＲＴＹ、ＡＺＥＲＴＹまたはＤＶＯＲＡＫからなる群から選択されたキーボードレイアウトに配置されており、前記複数の英数字文字の印を表示するキーの数は、２６より小さく、９より大きく、
コマンド値の印を表示する少なくとも１つのキーは、数字の印とアルファベット文字の印とを表示する他のキーと連係して、前記数字の印に関連付けられた数字を入力するために用いられる、キーボード。
【請求項２】
前記複数のアルファベット文字に関連付けられたキーの数は、１４であり、前記複数のキーの総数は、２３である、請求項１に記載のキーボード。
【請求項３】
前記複数のキーは、複数の行および複数の列を有する格子状に配置されており、前記複数の行は、第１の行および最後の行を含み、前記複数の列は、第１の列および最後の列を含み、前記第１の行および前記第１の列は、文字「ＱＷ」に対応するキーを含む、請求項１に記載のキーボード。
【請求項４】
前記複数のキーのうち「ｓｐａｃｅ」コマンド値に関連付けられた印を表示するキーは、数字「０」に関連付けられた印も表示する、請求項１に記載のキーボード。
【請求項５】
前記複数のキーは、少なくとも４つの行および少なくとも５つの列を有する格子状に配置されており、前記少なくとも４つの行は、第１、第２、第３および最後の行をこの順番で含み、前記少なくとも５つの列は、第１、第２、第３、第４および第５の列をこの順番で含む、請求項１に記載のキーボード。
【請求項６】
前記数字の０〜９に対応する印は、前記第２、第３および第４の列、前記第１、第２および第３の列、または、前記第３、第４および第５列に関連付けられている、請求項５に記載のキーボード。
【請求項７】
前記複数の数字は、電話キーパッドに配置されており、前記電話キーパッドは、前記第１、第２、第３および最後の行のキーに関連付けられており、前記第１の行のキーは、前記第２の列の数字「１」、前記第３の列の数字「２」および前記第４の列の数字「３」を含み、前記第２の行のキーに関連付けられた電話キーパッドは、前記第２の列の数字「４」、前記第３の列の数字「５」、前記第４の列の数字「６」を含み、前記３の行のキーに関連付けられた電話キーパッドは、前記第２の列の数字「７」、前記第３の列の数字「８」、前記第４の列の数字「９」を含み、前記最後の行のキーに関連付けられた電話キーパッドは、前記第２の列の「＊」、前記第３の列の数字「０」、前記第４の列の「＃」を含む、請求項６に記載のキーボード。
【請求項８】
前記複数の行は、アーチの形状である、請求項５に記載のキーボード。
【請求項９】
前記複数のコマンド値に関連付けられた印を表示する前記複数のキーは、「ｒｅｔｕｒｎ」、「ｅｎｔｅｒ」、「ｓｐａｃｅ」、「ａｌｔ」、「ｂａｃｋｓｐａｃｅ」、「ｓｈｉｆｔ」、「ｃａｐｓ  ｌｏｃｋ」および「ｎｕｍｅｒａｌ」のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載のキーボード。
【請求項１０】
前記複数の数字は、電話キーパッドレイアウトとして配置されている、請求項１に記載のキーボード。
【請求項１１】
前記電話キーパッドレイアウトは、中央線に対して対称に配置されている、請求項１０に記載のキーボード。
【請求項１２】
前記電話キーパッドレイアウトは、中央線に対して対称に配置されており、前記電話キーパッドレイアウトは、前記複数のキーの範囲内で中央に配置されている、請求項１０に記載のキーボード。
【請求項１３】
請求項１に記載のキーボードであって、前記複数のキーのそれぞれは、前記キーに関連付けられた印に対応する信号を作動させるように構成されている、キーボードと、
前記信号が作動された場合、前記複数のキーから前記信号を受信し、前記受信された信号をアルファベット文字、数字およびコマンド値のシーケンスにマッピングするキーボードインタプリタと
を備えた、モバイル通信デバイス。
【請求項１４】
ハウジングと、
ディスプレイと、
キーボードとを備えたハンドヘルドモバイルステーションであって、
前記キーボードは、関連付けられたキーのセットを有する第１のユーザインタフェースと、関連付けられたキーのセットを有する第２のユーザインタフェースとを有し、前記第２のユーザインタフェースは、前記第１のユーザインタフェースに対する前記キーのセットのサブセットであり、前記第１のユーザインタフェースに含まれる前記キーのセットの各キーは、Ａ〜Ｚを含むアルファベット文字を示す印をその上に表示し、前記第２のユーザインタフェースに含まれる前記キーのセットの各キーは、数字を示す印をその上に表示し、
前記第１のユーザインタフェースの前記キーのセットに関連付けられた前記アルファベット文字は、ＱＷＥＲＴＹ、ＱＷＥＲＴＺ、ＡＺＥＲＴＹおよびＤＶＯＲＡＫからなる群から選択された標準キーボードレイアウトで配置されており、
前記第１のユーザインタフェースに対する前記キーのセットは、２６より少なく、９より多いキーを含み、
コマンド値の印を表示する前記第１のユーザインタフェースの少なくとも１つのキーは、数字の印とアルファベット文字の印とを表示する他のキーと連係して、数字の印に関連付けられた数字を入力するために用いられ、
前記他のキーは、前記第１のユーザインタフェースおよび前記第２のユーザインタフェースの両方に関連付けられている、ハンドヘルドモバイルステーション。
【請求項１５】
前記第２のユーザインタフェースは、前記ハンドヘルドモバイルステーションの面の中心に配置されている、請求項１４に記載のハンドヘルドモバイルステーション。
【請求項１６】
前記複数のキーのうち前記第２のユーザインタフェースの数字「０」に関連付けられた印を表示するキーは、前記第１のユーザインタフェースのｓｐａｃｅコマンドに関連付けられた印も表示する、請求項１４に記載のハンドヘルドモバイルステーション。
【請求項１７】
前記複数のキーは、中央線に対して対称に配置されており、前記キーボードレイアウトは、前記複数のキーの範囲内で中央に配置されている、請求項１４に記載のハンドヘルドモバイルステーション。
【請求項１８】
前記第２のユーザインタフェースは、電話キーパッドとして配置されている、請求項１４に記載のハンドヘルドモバイルステーション。
【請求項１９】
前記電話キーパッドは、前記複数のキーの範囲内で中央に配置されている、請求項１８に記載のハンドヘルドモバイルステーション。
【請求項２０】
前記複数のキーは、中央線に対して対称に配置されている、請求項１４に記載のハンドヘルドモバイルステーション。
【請求項２１】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載のキーボードを含む、ハンドヘルドモバイル通信デバイス。
【請求項２２】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載のキーボードを含む、電話モードおよびテキスト入力モードを有するモバイル通信デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月18日(2010.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に、発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、該有機層の少なくとも一層に、一般式（１）で表されるインドール誘導体を含む有機電界発光素子。
【化１】
2009076834.tif 000001
Ｒ１０１〜Ｒ１０５は水素原子又は置換基を表す。Ｒ１０６は３級または４級の炭素原子を有するアルキル基を表す。Ｒ１０１とＲ１０６とは互いに結合し、環を形成しても良い。Ｌ１０１は連結基を表し、ｎ１０１は２以上の整数を表す。
【請求項２】
前記インドール誘導体が一般式（２）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【化２】
2009076834.tif 000002
Ｒ２０１〜Ｒ２０５は水素原子又は置換基を表す。Ｒ２０６は３級または４級の炭素原子を有するアルキル基を表す。Ｒ２０１とＲ２０６とは互いに結合し、環を形成しても良い。Ｒ２０７は置換基を表す。ｎ２０１は２〜６の整数を表し、ｎ２０２は０〜４の整数を表す。但し、ｎ２０１＋ｎ２０２≦６ である。
【請求項３】
前記インドール誘導体が一般式（３）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【化３】
2009076834.tif 000003
Ｒ３０１〜Ｒ３０５は水素原子又は置換基を表す。Ｒ３０６は３級または４級の炭素原子を有するアルキル基を表す。Ｒ３０１とＲ３０６とは互いに結合し、環を形成しても良い。Ｒ３１１〜Ｒ３１５は水素原子又は置換基を表す。Ｒ３１６は３級または４級の炭素原子を有するアルキル基を表す。Ｒ３１１とＲ３１６とは互いに結合し、環を形成しても良い。Ｒ３２１〜Ｒ３２４は水素原子又は置換基を表す。
【請求項４】
前記インドール誘導体を発光層に含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
前記インドール誘導体を発光層に隣接する層に含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
前記発光層に含有される発光材料が燐光発光材料であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
【請求項７】
前記発光層に含有される発光材料が白金錯体であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
【請求項８】
下記一般式（３）で表される化合物。
【化４】
2009076834.tif 000004
Ｒ３０１〜Ｒ３０５は水素原子又は置換基を表す。Ｒ３０６は３級または４級の炭素原子を有するアルキル基を表す。Ｒ３０１とＲ３０６とは互いに結合し、環を形成しても良い。Ｒ３１１〜Ｒ３１５は水素原子又は置換基を表す。Ｒ３１６は３級または４級の炭素原子を有するアルキル基を表す。Ｒ３１１とＲ３１６とは互いに結合し、環を形成しても良い。Ｒ３２１〜Ｒ３２４は水素原子又は置換基を表す。
【請求項９】
下記一般式（１）で表される有機電界発光素子用材料。
【化５】
2009076834.tif 000005
Ｒ１０１〜Ｒ１０５は水素原子又は置換基を表す。Ｒ１０６は３級または４級の炭素原子を有するアルキル基を表す。Ｒ１０１とＲ１０６とは互いに結合し、環を形成しても良い。Ｌ１０１は連結基を表し、ｎ１０１は２以上の整数を表す。
【請求項１０】
下記一般式（２）で表される有機電界発光素子用材料。
【化６】
2009076834.tif 000006
Ｒ２０１〜Ｒ２０５は水素原子又は置換基を表す。Ｒ２０６は３級または４級の炭素原子を有するアルキル基を表す。Ｒ２０１とＲ２０６とは互いに結合し、環を形成しても良い。Ｒ２０７は置換基を表す。ｎ２０１は２〜６の整数を表し、ｎ２０２は０〜４の整数を表す。但し、ｎ２０１＋ｎ２０２≦６ である。
【請求項１１】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機電界発光素子を用いた表示素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
Ｒ３０１〜Ｒ３０５は水素原子又は置換基を表す。Ｒ３０６は３級または４級の炭素原子を有するアルキル基を表す。Ｒ３０１とＲ３０６とは互いに結合し、環を形成しても良い。Ｒ３１１〜Ｒ３１５は水素原子又は置換基を表す。Ｒ３１６は３級または４級の炭素原子を有するアルキル基を表す。Ｒ３１１とＲ３１６とは互いに結合し、環を形成しても良い。Ｒ３２１〜Ｒ３２４は水素原子又は置換基を表す。
（９）  下記一般式（１）で表される有機電界発光素子用材料。
【化３１】
2009076834.tif 000007
Ｒ１０１〜Ｒ１０５は水素原子又は置換基を表す。Ｒ１０６は３級または４級の炭素原子を有するアルキル基を表す。Ｒ１０１とＲ１０６とは互いに結合し、環を形成しても良い。Ｌ１０１は連結基を表し、ｎ１０１は２以上の整数を表す。
（１０）  下記一般式（２）で表される有機電界発光素子用材料。
【化３２】
2009076834.tif 000008
Ｒ２０１〜Ｒ２０５は水素原子又は置換基を表す。Ｒ２０６は３級または４級の炭素原子を有するアルキル基を表す。Ｒ２０１とＲ２０６とは互いに結合し、環を形成しても良い。Ｒ２０７は置換基を表す。ｎ２０１は２〜６の整数を表し、ｎ２０２は０〜４の整数を表す。但し、ｎ２０１＋ｎ２０２≦６ である。
（１１）  （１）〜（７）のいずれか１項に記載の有機電界発光素子を用いた表示素子。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月27日(2010.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部回路と、配線と、前記配線によって前記内部回路に電気的に接続され、２列以上の千鳥状に配置された電極パッドとを備えた半導体装置であって、
前記電極パッドは、プローブの接触及び外部接続が可能なプローブ領域と、プローブの接触が不可であり、外部接続が可能な非プローブ領域とを有し、
前記プローブ領域直下に前記配線が形成されておらず、且つ前記非プローブ領域直下に前記配線が形成されている半導体装置。
【請求項２】
前記プローブ領域は、前記電極パッドのうち、前記配線が延びる方向に対して略平行に延びる前記電極パッドの中心線より２０μｍ以内の領域に配置されており、
前記非プローブ領域は、前記電極パッドのうちプローブ領域以外の領域に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記プローブ領域の直下に設けられ、直上の前記電極パッドに接続され、前記配線と同一配線層に形成されたパッドメタルをさらに備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記電極パッドと前記パッドメタルとを接続する接続部は、前記電極パッドと前記パッドメタルとの間の空間を埋める金属で構成されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記電極パッドと前記パッドメタルを電気的に接続する接続部は、複数のビア形状の金属体で構成されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項６】
１つの前記接続部を構成する前記金属体同士は、平面的に見て互いに等間隔且つ均一に配置されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記プローブ領域と前記非プローブ領域との境界線を光学的に区別可能な目印が形成されていることを特徴とする請求項１〜６のうちいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記目印は、前記電極パッドのトップメタル層によって形成されていることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記目印は、前記電極パッド周辺部上に設けられた保護膜によって形成されていることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。