【手続補正書】
【提出日】平成22年9月17日(2010.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方主面に光検出領域を有する第１半導体チップと、
前記第１半導体チップが一方主面上に配置される第２半導体チップと、
前記第１半導体チップおよび前記第２半導体チップを封止する封止部材とを備え、
前記第１半導体チップは、一方主面から他方主面まで貫通する貫通電極を有するとともに、前記光検出領域が前記第２半導体チップとは反対側を向くように前記第２半導体チップの一方主面上に配置されており、
前記封止部材は、前記第１半導体チップの前記光検出領域の上方に位置する部分に、透明領域を有していることを特徴とする、半導体装置。
【請求項２】
一方主面に光検出領域を有する第１半導体チップと、
前記第１半導体チップを貫通する貫通電極と、
前記第１半導体チップの他方主面と電気的に接続される第２半導体チップと、
前記第１半導体チップおよび前記第２半導体チップを封止する封止部材とを備え、
前記封止部材は、平面視において前記第１半導体チップの前記光検出領域の上方に位置する部分に、透明領域を有していることを特徴とする、半導体装置。
【請求項３】
一方主面に光検出領域を有し、平面視において、前記光検出領域よりも外側の領域に電極層を有する第１半導体チップと、
前記第１半導体チップが一方主面上に配置される第２半導体チップと、
前記第１半導体チップおよび前記第２半導体チップを封止する封止部材とを備え、
前記第１半導体チップは、一方主面から他方主面まで貫通する貫通電極を有するとともに、前記光検出領域が前記第２半導体チップとは反対側を向くように前記第２半導体チップの一方主面上に配置されており、
前記封止部材は、前記第１半導体チップの前記光検出領域の上方に位置する部分に、透明領域を有していることを特徴とする、半導体装置。
【請求項４】
一方主面に光検出領域を有し、平面視において隅部に電極層を有する第１半導体チップと、
前記第１半導体チップが一方主面上に配置される第２半導体チップと、
前記第１半導体チップおよび前記第２半導体チップを封止する封止部材とを備え、
前記第１半導体チップは、一方主面から他方主面まで貫通する貫通電極を有するとともに、前記光検出領域が前記第２半導体チップとは反対側を向くように前記第２半導体チップの一方主面上に配置されており、
前記封止部材は、前記第１半導体チップの前記光検出領域の上方に位置する部分に、透明領域を有していることを特徴とする、半導体装置。
【請求項５】
前記第１半導体チップの他方主面上には、前記貫通電極と電気的に接続される突起電極が形成されており、
前記第２半導体チップには、前記突起電極と電気的に接続されるパッド電極が形成されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記封止部材は、透明な樹脂から構成されていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記透明な樹脂は、エポキシ樹脂から構成されていることを特徴とする、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第２半導体チップには、前記第１半導体チップの前記光検出領域で発生する光検出信号を処理する信号処理回路部が形成されていることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１半導体チップおよび前記第２半導体チップが前記封止部材で封止されることによって、ＱＦＰ型またはＢＧＡ型のパッケージ形態に構成されていることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記光検出領域には、フォトダイオードまたはフォトトランジスタが形成されていることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第１半導体チップは、前記第２半導体チップよりも小さい平面積を有していることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記第１半導体チップの一方主面上には、電極層が形成されていることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記電極層は、アノード電極とカソード電極とを有し、前記光検出領域と電気的に接続されていることを特徴とする、請求項１２に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記第１半導体チップの一方主面上の所定領域には、前記電極層を覆う保護層が形成されていることを特徴とする、請求項１２または１３に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記保護層は酸化シリコンからなることを特徴とする、請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記貫通孔は、前記保護層に形成された開口部の内平面と連続した内壁面を有することを特徴とする、請求項１４または１５に記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記貫通孔および前記開口部の内平面には、絶縁層が形成されていることを特徴とする、請求項１６に記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記絶縁層は酸化シリコンからなることを特徴とする、請求項１７に記載の半導体装置。
【請求項１９】
前記第１半導体チップの他方主面には、前記貫通電極と電気的に接続された突起電極が形成されていることを特徴とする、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２０】
前記突起電極は、銅または金からなることを特徴とする、請求項１９に記載の半導体装置。
【請求項２１】
前記第２半導体チップは、前記第１半導体チップの光検出領域で発生した光検出信号を処理する機能を有することを特徴とする、請求項１〜２０のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２２】
前記第１半導体チップの一方主面に、光検出信号の信号処理を行う信号処理回路部が形成されていることを特徴とする、請求項１〜２１のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２３】
前記第２半導体チップの一方主面上に、電極パッドが形成されていることを特徴とする、請求項１〜２２のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２４】
前記電極パッドは、前記信号処理回路部と電気的に接続されていることを特徴とする、請求項２３に記載の半導体装置。
【請求項２５】
前記第２半導体チップの一方主面上における外周部に位置する領域には、リード端子と電気的に接続される電極パッドが複数形成されていることを特徴とする、請求項１〜２４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２６】
前記第２半導体チップの一方主面上に、前記電極パッドの一方主面および前記電極パッドの一方主面を露出させる保護層が形成されていることを特徴とする、請求項２５に記載の半導体装置。
【請求項２７】
前記第１半導体チップは突起電極を有し、
前記電極パッドの一方主面上には、前記第１半導体チップの前記突起電極と電気的に接続されたパッド電極が形成されていることを特徴とする、請求項２５または２６に記載の半導体装置。
【請求項２８】
前記リード端子は、銅、燐青銅または無酸素銅から構成されていることを特徴とする、請求項２５〜２７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２９】
前記リード端子は、前記封止部材から導出された部分であるアウターリード部と、前記封止部材により覆われるインナーリード部とを有していることを特徴とする、請求項２５〜２８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項３０】
前記アウターリード部では、前記リード端子が折り曲げられていることを特徴とする、請求項２９に記載の半導体装置。
【請求項３１】
前記第２半導体チップは、電極パッドを有し、
前記インナーリード部は、ボンディングワイヤを介して、前記第２半導体チップの前記電極パッドに電気的と接続されていることを特徴とする、請求項２９または３０に記載の半導体装置。
【請求項３２】
前記第２半導体チップは、ダイパッドの一方主面上に、接着層を介して固定されていることを特徴とする、請求項１〜３１のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項３３】
前記封止部材は、染料またはフィラーを含まない樹脂からなることを特徴とする、請求項１〜３２のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項３４】
前記第２半導体チップが固定されるダイパッドと、前記第２半導体チップがボンディングワイヤを介して電気的に接続されるリード端子のインナーリード部とを有し、
前記封止部材は、前記第１半導体チップ、前記第２半導体チップ、前記ダイパッド、前記ボンディングワイヤ、前記リード端子のインナーリード部を樹脂封止することを特徴とする、請求項１〜３３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項３５】
前記光検出領域が前記第２半導体チップと反対側を向いた状態で、前記突起電極と前記パッド電極とが、電気的に接続されることを特徴とする、請求項２５〜３１のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項３６】
前記光検出領域の上方に位置する部分のみが透明となるように、前記封止部材を構成したことを特徴とする、請求項１〜３５のいずれか１項に記載の半導体装置。