Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月3日(2009.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
運転席のフロア上方で車体の一部に回動可能に取り付けられたペダルアームのパーキングペダルを踏み込むことによりパーキングブレーキの作動状態がロックされ、前記パーキングペダルを再度踏み込むとロックが解除されるロック機構を備えた産業車両における足踏み式パーキングブレーキ装置において、
前記パーキングブレーキの作動状態がロックされている時、前記ペダルアームの一部に係合して前記ペダルアームの復帰方向の回動を規制する補助ロック機構を設け、補助ロック機構の規制を解除するリリースペダルを前記パーキングペダルに近接して配置し、
前記ペダルアームの一部に係合部が設けられ、
前記補助ロック機構は、前記産業車両の運転席のフロア下部に回動可能に取り付けられるとともに前記フロアの上方向に付勢された解除リンクと前記解除リンクに連結したリリースペダルとから成り、前記解除リンクの先端部を前記ペダルアームの係合部の回動軌跡上に突出させ、前記リリースペダルの先端部を前記ロック解除時に前記パーキングペダルにおいた運転者の足の踵と接触する位置に配設したことを特徴とする産業車両における足踏み式パーキングブレーキ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項１に記載の本願発明は、運転席のフロア上方で車体の一部に回動可能に取り付けられたペダルアームのパーキングペダルを踏み込むことによりパーキングブレーキの作動状態がロックされ、前記パーキングべダルを再度踏み込むとロックが解除されるロック機構を備えた産業車両における足踏み式パーキングブレーキ装置において、前記パーキングブレーキの作動状態がロックされている時、前記ペダルアームの一部に契合して前記ペダルアームの復帰方向の回動を規制する補助ロック機構を設け、補助ロック機構の規制を解除するリリースペダルを前記パーキングべダルに近接して配設した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
さらに、前記ペダルアームの一部に係合部が設けられ、前記補助ロック機構は、前記産業車両の運転席のフロア下部に回動可能に取り付けられるとともに前記フロアの上方向に付勢された解除リンクと前記解除リンクに連結したリリースペダルとから成り、前記解除リンクの先端部を前記ペダルアームの係合部の回動軌跡上に突出させ、前記リリースペダルの先端部を前記ロック解除時に前記パーキングペダルに置いた運転者の足の踵と接触する位置に配設したことを特徴とする。このため補助ロック機構を機械的に極めて簡単な構成にすることができ、しかも運転席のフロアの下に埋設することができるので、産業車両の通常の運転に支障をきたすことも無い。また、ロック機構及び補助ロック機構の解除は運転者の片方の足のみで行うことができるので、ハンドリリース式に比し操作性を向上することができ、さらに部品点数の少ない構成とすることができるのでコストメリットも期待することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月26日(2010.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に形成された画像表示装置であって、
複数行複数列に配置された複数の画素表示回路と、それぞれ前記複数行に対応して設けられた複数の走査線と、それぞれ前記複数列に対応して設けられた複数のデータ線とを含む画像表示パネル、
それらの第１の電極がそれぞれ前記複数のデータ線に接続され、前記画像表示パネルの通常動作時に非導通にされる複数の検査トランジスタ、
前記複数の検査トランジスタのうちの各奇数番の検査トランジスタの第２の電極に接続された第１の検査端子、
前記複数の検査トランジスタのうちの各偶数番の検査トランジスタの第２の電極に接続された第２の検査端子、
前記複数の検査トランジスタのゲートに接続され、前記画像表示パネルの検査時に前記複数の検査トランジスタを制御するための制御信号を受ける制御端子、および
それぞれ前記複数のデータ線に対応して設けられ、各々が前記通常動作時に前記画素表示回路に画素を表示させるための画素電位を受ける複数のデータ端子を備え、
前記第１の検査端子、前記第２の検査端子および前記制御端子の各々は、前記検査後に半導体チップが実装される領域に配置され、実装された前記半導体チップから前記通常動作時に前記複数の検査トランジスタを非導通にするための所定の電位を受ける、画像表示装置。
【請求項２】
前記第１の検査端子、前記第２の検査端子および前記制御端子の各々のサイズは、前記データ端子のサイズよりも大きい、請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
絶縁基板上に形成された画像表示装置であって、
複数行複数列に配置された複数の画素表示回路と、それぞれ前記複数行に対応して設けられた複数の走査線と、それぞれ前記複数列に対応して設けられ、予め複数のデータ線グループに分割された複数のデータ線とを含み、各データ線グループは互いに異なる色に対応するＮ本（ただし、Ｎは２以上の整数である）のデータ線を有する画像表示パネル、および
それぞれ前記複数のデータ線グループに対応して設けられた複数のトランジスタグループを含むデマルチプレクサを備え、
各トランジスタグループは、それらの第１の電極が対応のデータ線グループに属するＮ本のデータ線にそれぞれ接続され、それらの第２の電極が互いに接続された第１〜第Ｎのトランジスタを含み、
さらに、それぞれ前記複数のトランジスタグループに対応して設けられ、各々の第１の電極が対応のトランジスタグループの第１〜第Ｎのトランジスタの第２の電極に接続され、前記画像表示パネルの通常動作時に非導通にされる複数の検査トランジスタ、
前記複数のトランジスタグループに共通に設けられ、それぞれ各トランジスタグループの前記第１〜第Ｎのトランジスタのゲートに接続された第１〜第Ｎの色端子、
前記複数の検査トランジスタのうちの各奇数番の検査トランジスタの第２の電極に接続された第１の検査端子、
前記複数の検査トランジスタのうちの各偶数番の検査トランジスタの第２の電極に接続された第２の検査端子、
前記複数の検査トランジスタのゲートに接続され、前記画像表示パネルの検査時に前記複数の検査トランジスタを制御するための制御信号を受ける制御端子、および
それぞれ前記複数のトランジスタグループに対応して設けられ、各々が、対応のトランジスタグループの第１〜第Ｎのトランジスタの第２の電極に接続され、前記通常動作時に前記画素表示回路に画素を表示させるための画素電位を受ける複数のデータ端子を備え、
前記第１の検査端子、前記第２の検査端子および前記制御端子の各々は、前記検査後に半導体チップが実装される領域に配置され、実装された前記半導体チップから前記通常動作時に前記複数の検査トランジスタを非導通にするための所定の電位を受ける、画像表示装置。
【請求項４】
前記データ端子以外の各端子のサイズは、前記データ端子のサイズよりも大きい、請求項３に記載の画像表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月21日(2009.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に形成され、屈折率の異なる２つの膜を交互に積層した交互層の、９層もしくは１１層構造からなるＮＤフィルタにおいて、前記交互層は、前記透明基板側から基板側反射光減衰多層膜、透過率調整多層膜の順に形成されており、該基板側反射光減衰多層膜の光吸収量は２０％以上３０％以下であり、表面反射率および裏面反射率がともに１％以下である
ことを特徴とするＮＤフィルタ。
【請求項２】
透明基板上に形成され、屈折率の異なる２つの膜を交互に積層した交互層の、９層もしくは１１層構造からなるＮＤフィルタにおいて、前記交互層は、前記透明基板側から基板側反射光減衰多層膜、透過率調整多層膜、表面側反射光減衰多層膜の順に形成されており、該基板側反射光減衰多層膜及び表面側反射光減衰多層膜の光吸収量は２０％以上３０％以下であり、表面反射率および裏面反射率がともに１％以下であることを特徴とするＮＤフィルタ。
【請求項３】
前記交互層は誘電膜と金属酸化膜からなっていることを特徴とする請求項１または２に記載のＮＤフィルタ。
【請求項４】
前記誘電膜は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＭｇＦ２から選択された１つの膜であり、前記金属酸化膜は、ＴｉＯ、であることを特徴とする請求項３に記載のＮＤフィルタ。
【請求項５】
前記基板側反射光減衰多層膜における誘電膜の膜厚は、前記透過率調整多層内層における誘電膜の膜厚よりも厚いことを特徴とする請求項３に記載のＮＤフィルタ。
【請求項６】
可視全域（４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下）において、透過率が５％以上１５％以下であり、表面反射率および裏面反射率がともに１％以下であることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれかに記載のＮＤフィルタ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月6日(2010.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された表示素子を有する層と、
前記第１の基板または前記第２の基板の外側に積層された偏光子と、を有し、
前記積層された偏光子は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された表示素子を有する層と、
前記第１の基板または前記第２の基板の外側に積層された偏光子と、
前記第１の基板または前記第２の基板と、前記積層された偏光子との間に設けられた位相差板と、を有し、
前記積層された偏光子は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記積層された偏光子の吸収軸と、前記位相差板の遅相軸は、４５°ずれるように配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
前記積層された偏光子は、消衰係数が同じであることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された表示素子を有する層と、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子と、
前記第２の基板の外側に積層された偏光子と、を有し、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、
前記第２の基板の外側に積層された偏光子は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子の吸収軸と、前記第２の基板の外側に積層された偏光子の吸収軸は、クロスニコルとなるように配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された表示素子を有する層と、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子と、
前記第２の基板の外側に積層された偏光子と、を有し、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、
前記第２の基板の外側に積層された偏光子は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子の吸収軸と、前記第２の基板の外側に積層された偏光子の吸収軸は、パラレルニコルとなるように配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された表示素子を有する層と、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子と、
前記第２の基板の外側に積層された偏光子と、
前記第１の基板と、前記第１の基板の外側に積層された偏光子との間に設けられた第１の位相差板と、
前記第２の基板と、前記第２の基板の外側に積層された偏光子との間に設けられた第２の位相差板と、を有し、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、
前記第２の基板の外側に積層された偏光子は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子の吸収軸と、前記第２の基板の外側に積層された偏光子の吸収軸は、クロスニコルとなるように配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された表示素子を有する層と、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子と、
前記第２の基板の外側に積層された偏光子と、
前記第１の基板と、前記第１の基板の外側に積層された偏光子との間に設けられた第１の位相差板と、
前記第２の基板と、前記第２の基板の外側に積層された偏光子との間に設けられた第２の位相差板と、を有し、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、
前記第２の基板の外側に積層された偏光子は、互いの吸収軸がパラレルニコルとなるように配置され、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子の吸収軸と、前記第２の基板の外側に積層された偏光子の吸収軸は、パラレルニコルとなるように配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項７または請求項８において、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子の吸収軸と、前記第１の位相差板の遅相軸は、４５°ずれるように配置され、
前記第２の基板の外側に積層された偏光子の吸収軸と、前記第２の位相差板の遅相軸は、４５°ずれるように配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項５乃至請求項９のいずれか１項において、
前記第１の基板の外側に積層された偏光子は、消衰係数が同じであり、
前記第２の基板の外側に積層された偏光子は、消衰係数が同じであることを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか１項において、
前記表示素子は、液晶素子であることを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１０のいずれか１項において、
前記表示素子は、エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
請求項１２において記載された表示装置は、両面発光型の表示装置であることを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか１項において、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に、微結晶状態の半導体材料を用いて設けられたトランジスタを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか１項に記載の表示装置を有することを特徴とする電子機器。
【請求項１６】
請求項１５において記載された電子機器とは、テレビジョン装置、カメラ、携帯電話装置、携帯情報端末、携帯型ゲーム機、コンピュータ用のモニター、コンピュータ、音響再生装置、または記録媒体を備えた画像再生装置であることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月17日(2009.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
像担持体と、
前記像担持体上に形成された画像をシートに転写する転写手段と、
前記転写手段により転写されたシート上の画像を定着する定着手段と、
前記転写手段と前記定着手段とによって搬送されるシートに形成されるループを検知するループ検知手段と、
前記ループ検知手段の出力に応じて、前記転写手段と前記定着手段とによって搬送されるシートにループが形成されるように前記定着手段でのシート搬送速度を制御する制御手段と、
前記ループ検知手段で前記転写手段と前記定着手段との間に存在するシートを検知するために、前記転写手段と前記定着手段との間に存在する該シートを前記ループ検知手段の方向に押す移動部材と、
を有し、
前記制御手段は、シートの搬送のための前記転写手段と前記定着手段の駆動が停止している状態で、前記移動部材によって前記転写手段と前記定着手段との間に存在するシートを押した際に、該シートを前記ループ検知手段で検知した場合に、残留シートがあると判断して警告信号を出力することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
開閉可能な開閉部材を更に有し、
前記移動部材は、前記開閉部材の開動作に応じてシートを押すように動作することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記移動部材は、前記開閉部材の開動作に応じて回動することにより、シートを押すように動作することを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記移動部材は、前記定着手段を保護するための保護部材であることを特徴とする請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記像形成装置の電源オン時に、前記ループ検知手段がシートを検出した場合に、残留シートがあると判断して警告信号を出力することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項６】
更に、前記定着手段のシート搬送方向下流側にシートを検出するシート検出手段を有し、
前記制御手段は、前記シート検出手段の出力に基づきシートの搬送遅延が発生したと判断し、かつ、前記ループ検知手段の出力に基づきシートを検出した場合に、残留シートがあると判断して警告信号を出力することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項７】
画像形成装置における残留シート検出方法であって、
シートに画像を転写する転写部と転写されたシート上の画像を定着する定着部との間にシートを搬送させながら、シートのループを検知するループ検知センサからの出力に応じてシートにループを形成するように前記定着部によるシート搬送速度を制御するループ制御工程と、
シートの搬送のための前記転写部と前記定着部の駆動が停止している状態で、移動部材によって前記転写部と前記定着部との間に存在するシートを押した際に、前記ループ検知センサからの出力に応じて前記画像形成装置内に残留シートがあるか否かを判断する残留シート判断工程と、
を有することを特徴とする残留シート検出方法。
【請求項８】
前記残留シート判断工程は、前記画像形成装置の電源がオンされた時に実行されることを特徴とする請求項７に記載の残留シート検出方法。
【請求項９】
前記残留シート判断工程は、前記画像形成装置の動作中にシートの搬送遅延が発生した時に実行されることを特徴とする請求項７に記載の残留シート検出方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成装置及び画像形成装置における残留シート検出方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、像担持体に静電潜像を形成して現像し、シートに転写・定着して像形成する画像形成装置及び画像形成装置における残留シート検出方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本願発明の特徴は、装置のコストアップを抑えて転写部と定着部の間の残留シートを確実に検知できる画像形成装置及びその残留シートの検出方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために本発明の一態様に係る画像形成装置は以下のような構成を備える。即ち、
像担持体と、
前記像担持体上に形成された画像をシートに転写する転写手段と、
前記転写手段により転写されたシート上の画像を定着する定着手段と、
前記転写手段と前記定着手段とによって搬送されるシートに形成されるループを検知するループ検知手段と、
前記ループ検知手段の出力に応じて、前記転写手段と前記定着手段とによって搬送されるシートにループが形成されるように前記定着手段でのシート搬送速度を制御する制御手段と、
前記ループ検知手段で前記転写手段と前記定着手段との間に存在するシートを検知するために、前記転写手段と前記定着手段との間に存在する該シートを前記ループ検知手段の方向に押す移動部材と、
を有し、
前記制御手段は、シートの搬送のための前記転写手段と前記定着手段の駆動が停止している状態で、前記移動部材によって前記転写手段と前記定着手段との間に存在するシートを押した際に、該シートを前記ループ検知手段で検知した場合に、残留シートがあると判断して警告信号を出力することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するために本発明の一態様に係る画像形成装置における残留シート検出方法は以下のような工程を備える。即ち、
画像形成装置における残留シート検出方法であって、
シートに画像を転写する転写部と転写されたシート上の画像を定着する定着部との間にシートを搬送させながら、シートのループを検知するループ検知センサからの出力に応じてシートにループを形成するように前記定着部によるシート搬送速度を制御するループ制御工程と、
シートの搬送のための前記転写部と前記定着部の駆動が停止している状態で、移動部材によって前記転写部と前記定着部との間に存在するシートを押した際に、前記ループ検知センサからの出力に応じて前記画像形成装置内に残留シートがあるか否かを判断する残留シート判断工程と、
を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月1日(2010.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上のリブで分けられて、荷電不透明粒子を閉じ込めるセルを形成する第１の透明基板及び第２の透明基板を有し、
前記第１の透明基板は、前記荷電不透明粒子に影響を与えるために、電源に接続する様に構成されている少なくとも１つの第１の電極及び少なくとも１つの第２の電極と、前記荷電不透明粒子に影響を与えるために、前記電源に接続する様に構成されている少なくとも１つの第３の電極と共に設けられており、
前記第１の電極、前記第２の電極及び前記第３の電極に印加される電圧が同一の又は反対の符号を有するように制御できる、
可変アイリスにおいて、
前記荷電不透明粒子の前記セルから前記第１の電極及び／又は前記第２の電極への移動と、前記セル内への移動を支援するために、電圧パルスを少なくとも前記第３の電極に印加するパルスドライバを含むことを特徴とする可変アイリス。
【請求項２】
前記第３の電極が、前記第２の透明基板又は前記リブ上に配置されている、
請求項１に記載の可変アイリス。
【請求項３】
前記リブが、前記第３の電極を形成する、
請求項１に記載の可変アイリス。
【請求項４】
正及び負に荷電された荷電不透明粒子の両方が、前記セルに閉じ込められている、
請求項１から３のいずれか１項に記載の可変アイリス。
【請求項５】
前記第１の透明基板及び前記第２の透明基板の少なくとも１つが、誘電体層で覆われている、
請求項１から４のいずれか１項に記載の可変アイリス。
【請求項６】
１つ以上のリブで分けられて、第１の符号の荷電不透明粒子を閉じ込めるセルを形成する第１の透明基板及び第２の透明基板を有し、
前記第１の透明基板は、前記荷電不透明粒子に影響を与えるために、電源に接続する様に構成されている少なくとも１つの第１の電極及び少なくとも１つの第２の電極と、前記荷電不透明粒子に影響を与えるために、前記電源に接続する様に構成されている少なくとも１つの第３の電極と共に設けられている可変アイリスを動作させる方法において、
前記荷電不透明粒子を前記セル内に移動させるため、前記第１の符号の電圧を前記第２の電極及び／又は前記第１の電極に印加するステップと、
続いて、前記荷電不透明粒子を前記第１の電極及び／又は第２の電極に移動させるため、反対の符号の電圧を前記第１の電極及び／又は前記第２の電極に印加するステップとを備えており、さらに、
前記荷電不透明粒子の前記第１の電極及び／又は前記第２の電極への移動と、セル内への移動を支援するために、前記反対の符号の電圧パルスを前記第３の電極に印加するステップを備えている、
前記可変アイリスを動作させる方法。
【請求項７】
前記第１の電極及び前記第２の電極間の更なる中間電極に、前記反対の符号の電圧パルスを印加するステップを、続けて有する、
請求項６に記載の方法。
【請求項８】
請求項１から５のいずれか１項に記載の可変アイリスを含む、
光学記憶媒体から読み取る及び／又はそれに書き込む装置。
【請求項９】
請求項１から５のいずれか１項に記載の可変アイリスを含む、
画像装置。
【請求項１０】
請求項１から５のいずれか１項に記載の可変アイリスを含む、
投影装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月10日(2009.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コアと、前記コアのまわりに設置されたコアより屈折率の小さいクラッドとから構成されるシート状の光デバイスであって、コアが熱可塑性樹脂によって形成されてなり、クラッドが熱可塑性樹脂と硬化性樹脂によって形成されてなり、前記コアが複数の導光路となる光デバイス。
【請求項２】
前記コアとクラッドの一部が厚み方向に交互に５層以上に積層されている請求項１に記載の光デバイス。
【請求項３】
前記導光路が光デバイスの厚み方向および／または巾方向に３次元的に複数配列してなる請求項１または２に記載の光デバイス。
【請求項４】
前記コアの厚みが１μｍ以上３００μｍ以下であり、前記クラッドの一部の厚みが１μｍ以上５００μｍ以下である請求項１〜３のいずれかに記載の光デバイス。
【請求項５】
ＵＶ吸収剤を含んでなる請求項１〜４のいずれかに記載の光デバイス。
【請求項６】
前記導光路の進行方向において１ｍ以上の長さを有する請求項１〜５のいずれかに記載の光デバイス。
【請求項７】
前記光デバイスの端面が、垂線に対して８°傾斜した傾斜端面である請求項１〜６のいずれかに記載の光デバイス。
【請求項８】
破断伸度が１０％以上である請求項１〜７のいずれかに記載の光デバイス。
【請求項９】
光情報通信用モジュール分野に用いられる請求項１〜８のいずれかに記載の光デバイス。
【請求項１０】
２台の押出機から熱可塑性樹脂層Ａからなるコアと熱可塑性樹脂層Ｂからなるクラッドの一部が積層装置を用いて厚み方向に交互に３層以上に積層され、次いで口金のスリット部から溶融状態でシート状に押し出されて固化されてなる光デバイス基材を形成する工程と、前記光デバイス基材に導光路が形成される工程とを含む光デバイスの製造方法。
【請求項１１】
前記光デバイス基材に導光路が形成される工程が、レーザー光の照射、またはブレードによるエッチング工程である請求項１０に記載の光デバイスの製造方法。
【請求項１２】
前記エッチング工程により形成されてなる溝に樹脂を流し込む工程を含む請求項１０または１１に記載の光デバイスの製造方法。
【請求項１３】
レーザー光がエキシマレーザーである請求項１０〜１２のいずれかに記載の光デバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月6日(2010.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
周知のポリープスクリーニング工程は典型的には、洗浄の準備と送気とを必要とする。送気によりポリープが伸張し、かつ平坦化するので、該ポリープを検出することが困難になる。加えて、洗浄の準備と送気は患者にとっては不快なものであり、患者がそのような処置を受けることを避けてしまう結果にもなる。
【特許文献１】米国特許第５６０４５３１号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２００１／００３５９０２号明細書
【特許文献３】米国特許第６９０４３０８号明細書
【特許文献４】米国特許出願公開第２００５／００７５５５１号明細書
【特許文献５】米国特許第６２４０３１２号明細書
【特許文献６】米国特許出願公開第２００２／００４２５６２号明細書
【特許文献７】米国特許第３９７１３６２号明細書
【特許文献８】米国特許第４６８９６２１号明細書
【特許文献９】米国特許第４８４４０７６号明細書
【特許文献１０】米国特許第５２７９６０７号明細書
【特許文献１１】米国特許第５８１９７３６号明細書
【特許文献１２】米国特許第５８３３６０３号明細書
【特許文献１３】米国特許第５８５３００５号明細書
【特許文献１４】米国特許第６０７４３４９号明細書
【特許文献１５】米国特許第４９１５１１３号明細書
【特許文献１６】米国特許第４２７８０７７号明細書
【特許文献１７】米国特許第６０１０４５３号明細書
【特許文献１８】米国特許第６２８５８９７号明細書
【特許文献１９】米国特許第６２６６５５０号明細書
【特許文献２０】西独国特許出願公開第３４４０１７７号明細書
【特許文献２１】特開平４−１０９９２７号公報
【特許文献２２】特開平５−０１５５１５号公報
【特許文献２３】国際公開第９８／１１８１６号
【特許文献２４】特開平６−１４２０８１号公報
【特許文献２５】国際公開第９２／２１３０７号
【特許文献２６】特開昭５７−４５８３３号公報
【特許文献２７】特開平４−１８０７３６号公報
【特許文献２８】特開平３−２８９７７９号公報
【特許文献２９】国際公開第０１／５０９４１号
【特許文献３０】米国特許第６５４９７９６号明細書
【特許文献３１】米国特許第４７４１３２７号明細書
【特許文献３２】米国特許第３６８３３８９号明細書
【特許文献３３】米国特許第６４７５１４５号明細書
【特許文献３４】米国特許第６１６５１２８号明細書
【特許文献３５】米国特許出願公開第２００１／００５１７６６号明細書
【特許文献３６】米国特許出願公開第２００３／００１３３７０号明細書
【特許文献３７】米国特許第５４２１３３７号明細書
【特許文献３８】米国特許第３８８８２３７号明細書
【特許文献３９】米国特許出願公開第２００３／１６７０００号明細書
【特許文献４０】国際公開第０１／０８５４８号
【特許文献４１】国際公開第０１／５３７９２号
【特許文献４２】国際公開第０１／８７３７７号
【特許文献４３】特開２００１−２２４５５３号公報
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月20日(2010.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生体腔内に挿入可能な導入管と、前記導入管に装填された２つ以上の処置具と、前記導入管に挿通され、前記２つ以上の処置具とそれぞれ連結した複数の操作ワイヤとを有する内視鏡用処置具において、
前記操作ワイヤ同士を連結させ、前記複数本の操作ワイヤを一体化させたことを特徴とする内視鏡用処置具。
【請求項２】
生体腔内に挿入可能な導入管と、前記導入管内に直列に配設された２つ以上の処置具とからなる内視鏡用処置具において、
前記導入管内に配置された前記処置具の残数が識別可能な表示手段を前記処置具に付与したことを特徴とする内視鏡用処置具。
【請求項３】
前記操作ワイヤ同士を連結する可撓性を有する連結部材をさらに有していることを特徴とする請求項１に記載の内視鏡用処置具。
【請求項４】
前記操作ワイヤは、互いに異なる長さを有していることを特徴とする請求項１に記載の内視鏡用処置具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この発明は、前記目的を達成するために、請求項１は、生体腔内に挿入可能な導入管と、前記導入管に装填された２つ以上の処置具と、前記導入管に挿通され、前記２つ以上の処置具とそれぞれ連結した複数の操作ワイヤとを有する内視鏡用処置具において、前記操作ワイヤ同士を連結させ、前記複数本の操作ワイヤを一体化させたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項２は、生体腔内に挿入可能な導入管と、前記導入管内に直列に配設された２つ以上の処置具とからなる内視鏡用処置具において、前記導入管内に配置された前記処置具の残数が識別可能な表示手段を前記処置具に付与したことを特徴とする。  
請求項３は、前記操作ワイヤ同士を連結する可撓性を有する連結部材をさらに有していることを特徴とする請求項１に記載の内視鏡用処置具である。 
請求項４は、前記操作ワイヤは、互いに異なる長さを有していることを特徴とする請求項１に記載の内視鏡用処置具である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月27日(2009.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
フェノール樹脂含有加硫接着剤が、ノボラックフェノール樹脂、レゾールフェノール樹脂およびゴムポリマーを含有している加硫接着剤である請求項１記載のニトリルゴム-金属積層ガスケット素材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の目的は、ステンレス鋼板とニトリルゴムとの複合体よりなるゴム-金属積層ガスケット素材を形成するに際し、有害な塗布型クロメート処理などを金属に施さなくとも耐水性、耐LLC性、耐熱性にすぐれ、例えばエンジンシリンダーヘッドガスケットの実使用環境下を考慮した耐水試験方法においても、接着剥がれの生じないニトリルゴム-金属積層ガスケット素材を提供することにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明にかかるニトリルゴム-金属積層ガスケット素材は、ステンレス鋼板、有機金属化合物およびシリカを含有する表面処理剤層、フェノール樹脂含有加硫接着剤層およびニトリルゴム層よりなる積層構造を有することにより、水、LLC液に対してすぐれた耐久耐液性を示すばかりではなく、すぐれた耐熱性をも有している。かかる耐久耐液性は、ガスケットと異種金属とが同一液に接触している場合にも有効に発揮され、異種金属間に発生する電位によって接着剥がれを生ずることもないといったすぐれた接着性を示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
このようにして形成された加硫接着剤層上には、未加硫のニトリルゴムコンパウンドが約5〜120μm程度の片面厚さの加硫物層を両面に形成せしめるように、ニトリルゴムコンパウンドの有機溶剤溶液として塗布される。ニトリルゴムとしては、その硬化物の硬度(デュロメーターA)が80以上で、圧縮永久歪(100℃、22時間)が50％以下のものであればよく、特に配合内容によって制限されるものではない。ニトリルゴムは、イオウ、テトラメチルチウラムモノスルフィド等のイオウ系加硫剤を用いたコンパウンドとして使用することもできるものの、好ましくは有機過酸化物を架橋剤として使用した未加硫ニトリルゴムコンパンドとして用いられる。かかるパーオキサイド架橋系の未加硫ニトリルゴムコンパウンドとしては、例えば次のような配合例が示される。
(配合例)
NBR(JSR製品N235S)                                   100重量部
SRFカーボンブラック                                  80  〃
炭酸カルシウム                                       80  〃
粉末状シリカ                                         20  〃
酸化亜鉛                                              5  〃
老化防止剤(大内新興化学製品ノクラック224)             2  〃
トリアリルイソシアヌレート                            2  〃
1,3-ビス(第3ブチルパーオキシ)イソプロピルベンゼン   2.5  〃
可塑剤(バイエル社製品ブカノールOT)                    5  〃
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
以上の各実施例および比較例で得られたガスケット素材について、耐水性試験、耐LLC性試験および耐熱性試験を行った。
耐水性試験：ガラス製容器内に入れた95℃の1重量％炭酸水素ナトリウム水溶液中に70時間、ゴム-金属積層ガスケット素材とアルミニウム板とを逆V字形で頂部が接するようにクリップなどで押さえながら浸漬し、その際頂部付近は液面より上部に位置するようにし、また接触部分のゴム金属積層板はゴム部分を削り取り、ステンレス鋼板部分がアルミニウム板とが直接接触するようにして浸漬試験を行った後、ゴバン目剥離試験(JIS K5600-5-6塗膜の付着性試験方法＝クロスカット法＝準拠)を実施した
なお、この浸漬試験は、異種金属間の電位差を考慮した浸漬試験であり、本出願人によって提案されているものである(特開2005-49257号公報)
耐LLC性試験：ゴム-金属積層ガスケット素材を、50重量％LLC(日本ケミカル工業製品JCC310)水溶液に150℃、100時間浸せき後、ゴバン目剥離試験(JIS K5600-5-6塗膜の付着性試験方法＝クロスカット法＝準拠)を実施した
なお、耐水性試験および耐LLC性試験の評価は、JIS K5600-5-6に規定される分類に従っている。
分類０：カットの縁が完全に滑らかで、その格子の目にも剥がれがない。
〃 １：カットの交差点における塗膜の小さな剥がれ。
クロスカット部分で影響を受けるのは、明確に5％を上回ることはない。
〃 ２：塗膜がカットの縁に沿って、および／または交差点において剥がれている
。
クロスカット部分で影響を受けるのは、明確に5％を超えるが、15％を上
回ることはない。
〃 ３：塗膜がカットの縁に沿って、部分的または全体的に大剥がれを生じており
、および／または目の色々な部分が、部分的または全体的に剥がれている
。
クロスカット部分で影響を受けるのは、明確に15％を超えるが、35％を上
回ることはない。
〃 ４：塗膜がカットの縁に沿って、部分的または全体的に大剥がれを生じており
、および／または数か所の目が部分的または全体的に剥がれている。
クロスカット部分で影響を受けるのは、明確に35％を上回ることはない。
〃 ５：分類４でも分類できない剥がれ程度のいずれか。
耐熱性試験：ゴム-金属積層ガスケット素材を、165℃、100時間空気加熱暴露した後、直径4mmのマンドレルを使用して耐屈曲性試験(JIS K5600-5-1準拠)を実施し、以下の基準に従って評価を行った
評点５：割れ、剥がれなし
〃 ４：端面に小さなひび割れあり
〃 ３：全体的に小さなひび割れあり
〃 ２：全体的にひび割れあり
〃 １：完全に剥がれている
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月4日(2010.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、前記ゲート電極の上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上のソース領域及びドレイン領域を含む半導体膜と、前記ソース領域又は前記ドレイン領域に電気的に接続された配線又は電極と、を有する半導体装置の作製方法であって、
前記半導体膜の上に第１の窒化シリコン膜を形成し、
前記第１の窒化シリコン膜の上に感光性有機樹脂膜を形成し、
前記感光性有機樹脂膜に露光処理を行い、
前記露光処理された前記感光性有機樹脂膜を現像液によりウエットエッチング処理をして、前記感光性有機樹脂膜の表面の曲率半径が、底面から離れるに従って連続的に長くなっている内壁面を有する前記感光性有機樹脂膜の開口部を形成し、
前記感光性有機樹脂膜及び前記感光性有機樹脂膜の開口部の上に第２の窒化シリコン膜を形成し、
前記第２の窒化シリコン膜及び前記第１の窒化シリコン膜は、ドライエッチング処理によって連続的にエッチングされ、
前記第２の窒化シリコン膜の上に、前記第２の窒化シリコン膜の開口部、前記感光性有機樹脂膜の開口部、及び前記第１の窒化シリコン膜の開口部を介して前記ソース領域又は前記ドレイン領域と電気的に接続される画素電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記感光性有機樹脂膜はポジ型であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記感光性有機樹脂膜はアクリルを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記露光処理に用いる光は紫外光を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記ウエットエッチング後に不活性雰囲気で加熱することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、前記第２の窒化シリコン膜はスパッタ法で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記感光性有機樹脂膜は平坦化膜としての機能を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月9日(2010.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光又は熱によって硬化する接着剤組成物と、
ウレタン基及びエステル基を有する有機化合物と、を含有し、
前記有機化合物の重量平均分子量が５０００〜１０００００であり、
基板及びこれの主面上に形成された回路電極を有する回路部材同士を接続するための回路接続材料。
【請求項２】
前記接着剤組成物が、ラジカル重合性化合物及び加熱又は光によってラジカルを発生するラジカル開始剤を含有する、請求項１記載の回路接続材料。
【請求項３】
前記ラジカル重合性化合物が、アクリレート基又はメタクリレート基を有するリン酸エステル化合物を含む、請求項２記載の回路接続材料。
【請求項４】
前記有機化合物が芳香族基及び／又は環状脂肪族基を有する、請求項１〜３の何れか一項に記載の回路接続材料。
【請求項５】
前記有機化合物の重量平均分子量が５０００〜６００００である、請求項１〜４の何れか一項に記載の回路接続材料。
【請求項６】
前記有機化合物の重量平均分子量が２７０００〜６００００である、請求項１〜５の何れか一項に記載の回路接続材料。
【請求項７】
導電性粒子を含有する、請求項１〜６の何れか一項に記載の回路接続材料。
【請求項８】
第一の基板及びこれの主面上に形成された第一の回路電極を有する第一の回路部材と、
第二の基板及びこれの主面上に形成された第二の回路電極を有する第二の回路部材とが、
請求項１〜７の何れか一項に記載の回路接続材料の硬化物からなり前記第一及び第二の回路部材の間に設けられた回路接続部材によって、前記第一の回路電極と前記第二の回路電極とが対峙するとともに電気的に接続されるように接続された回路部材の接続構造。
【請求項９】
前記第一及び第二の回路電極のうち少なくとも一方は、その表面が金、銀、錫、白金族の金属及びインジウム−錫酸化物からなる群より選ばれる少なくとも一種を含む材料からなる、請求項８記載の回路部材の接続構造。
【請求項１０】
第一の基板及びこれの主面上に形成された第一の回路電極を有する第一の回路部材と、
請求項１〜７の何れか一項に記載の回路接続材料からなる層と、
第二の基板及びこれの主面上に形成された第二の回路電極を有する第二の回路部材とを、
前記第一の回路電極と前記第二の回路電極とが対峙するようにこの順に積層した積層体を加熱及び加圧することにより、前記第一の回路電極と前記第二の回路電極とが電気的に接続されるように前記第一の回路部材と前記第二の回路部材とを接続する、回路部材の接続方法。
【請求項１１】
前記第一及び第二の回路電極のうち少なくとも一方は、その表面が金、銀、錫、白金族の金属及びインジウム−錫酸化物からなる群より選ばれる少なくとも一種を含む材料からなる、請求項１０記載の回路部材の接続方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月13日(2010.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報記録媒体に対する情報の読み出し又は書き込みを実行するヘッドの位置と、ホストから入力されるコマンドとの関係から、前記ヘッドが前記コマンドで指定されたデータ領域上に位置しているか否かを判断する判断部と、
前記判断部により、前記ヘッドが前記コマンドで指定されたデータ領域上に位置していないと判断された場合に、前記情報記録媒体上のサーボマークを検出した時からの期間に応じて、前記ヘッドとの間で情報のやりとりをするリードチャネルに対して供給する電源電圧の制御目標値を調整する電圧制御部と、を備える電源電圧調整装置。
【請求項２】
前記サーボマークを検出した時からの期間を、前記サーボマークの検出の時からカウントされるサーボフレームカウンタの値に基づいて検出するタイミング検出部を更に備える請求項１に記載の電源電圧調整装置。
【請求項３】
前記電圧制御部は、前記サーボマークの検出の時を示すサーボゲートがアサートされている間は、前記電源電圧が前記サーボマークの検出に必要な電圧となるように、前記期間を決定することを特徴とする請求項１又は２に記載の電源電圧調整装置。
【請求項４】
前記サーボゲートがアサートされている間の電源電圧の値を確認する電圧確認部を更に備える請求項１〜３のいずれか一項に記載の電源電圧調整装置。
【請求項５】
前記電圧制御部は、前記リードチャネルの温度に応じて、前記電源電圧の制御目標値を変更することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の電源電圧調整装置。
【請求項６】
前記電圧制御部は、前記判断部による判断の結果、前記ヘッドが前記コマンドで指定されたデータ領域上に位置している場合に、前記電源電圧の制御目標値を前記ヘッドの転送レートに応じて調整することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の電源電圧調整装置。
【請求項７】
前記電圧制御部は、前記ヘッドが前記情報の読み出し又は書き込みを実行する前記情報記録媒体上のゾーンに応じて、前記電源電圧の制御目標値を調整することを特徴とする請求項６に記載の電源電圧調整装置。
【請求項８】
情報記録媒体への情報の読み出し又は書き込みを実行するヘッドと、
前記ヘッドとの間で情報のやりとりを行うリードチャネルと、
前記リードチャネルに対して、電源電圧を供給する電源電圧供給部と、
前記電源電圧の制御目標値を調整する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の電源電圧調整装置と、を備える情報記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電源電圧調整装置及び情報記憶装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、電源電圧調整装置及び情報記憶装置に関し、特にヘッドとの間で情報のやり取りを行うリードチャネルに対して供給する電源電圧を調整する電源電圧調整装置、及び当該電源電圧調整装置を具備する情報記憶装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本明細書に記載の電源電圧調整装置は、情報記録媒体に対する情報の読み出し又は書き込みを実行するヘッドの位置と、ホストから入力されるコマンドとの関係から、前記ヘッドが前記コマンドで指定されたデータ領域上に位置しているか否かを判断する判断部と、前記判断部により、前記ヘッドが前記コマンドで指定されたデータ領域上に位置していないと判断された場合に、前記情報記録媒体上のサーボマークを検出した時からの期間に応じて、前記ヘッドとの間で情報のやりとりをするリードチャネルに対して供給する電源電圧の制御目標値を調整する電圧制御部と、を備える電源電圧調整装置である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本明細書に記載の情報記憶装置は、情報記録媒体への情報の読み出し又は書き込みを実行するヘッドと、前記ヘッドとの間で情報のやりとりを行うリードチャネルと、前記リードチャネルに対して、電源電圧を供給する電源電圧供給部と、前記電源電圧の制御目標値を調整する、本明細書に記載の電源電圧調整装置と、を備える情報記憶装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月28日(2010.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上の層間絶縁膜に形成されたトレンチと、
前記トレンチの底部及び側壁を覆うように形成され、白金族元素、高融点金属及び窒素を含有する導電体からなる第１のバリアメタル膜と、
前記トレンチにおいて、前記第１のバリアメタル膜上に形成された金属膜とを備え、
前記第１のバリアメタル膜の厚さ方向について、前記金属膜の側に向かって窒素量が減少していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１のバリアメタル膜は、単層構造であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１のバリアメタル膜と、前記金属膜との間に形成され、白金族元素及び高融点金属を含有する導電体からなる第２のバリアメタル膜を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一つにおいて、
前記第１のバリアメタル膜に含有される前記高融点金属の濃度は、前記白金族元素に対する前記高融点金属の固溶限以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一つにおいて、
前記白金族元素は、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）及び白金（Ｐｔ）の少なくとも一つであることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一つにおいて、
前記高融点金属は、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）及びバナジウム（Ｖ）の少なくとも一つであることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一つにおいて、
前記第１のバリアメタル膜は、前記高融点金属の窒化物を含有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
半導体基板上の層間絶縁膜にトレンチを形成する工程（ａ）と、
前記トレンチの側壁及び底部を覆うように、白金族元素、高融点金属及び窒素を含有する導電体からなる第１のバリアメタル膜を形成する工程（ｂ）と、
前記第１のバリアメタル膜を覆うように、銅又は銅合金を堆積する工程（ｃ）と、
前記工程（ｃ）の後に、前記トレンチ内に銅膜を埋め込む工程（ｄ）と、
前記工程（ｄ）の後に、前記トレンチ外にはみ出た部分の前記第１のバリアメタル膜及び銅膜を除去して配線を形成する工程（ｅ）とを備え、
前記工程（ｂ）において、前記トレンチの内側に向かって窒素量が減少している前記第１のバリアメタル膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記工程（ｂ）の後で且つ前記工程（ｃ）の前に、前記第１のバリアメタル膜を覆うように、白金族元素及び高融点金属を含有する導電体からなる第２のバリアメタル膜を形成する工程（ｆ）を更に備え、
前記工程（ｃ）において、前記第２のバリアメタル膜を覆うように銅又は銅合金を堆積し、
前記工程（ｅ）において、前記トレンチ外にはみ出た部分の前記第２のバリアメタル膜についても除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８又は９において、
前記工程（ｂ）において、単層構造の前記第１のバリアメタル膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項８〜１０のいずれか一つにおいて、
前記第１のバリアメタル膜に含有される前記高融点金属の濃度は、前記白金族元素に対する前記高融点金属の固溶限以上であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項８〜１１のいずれか一つにおいて、
前記白金族元素は、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）及び白金（Ｐｔ）の少なくとも一つであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項８〜１２のいずれか一つにおいて、
前記高融点金属は、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）及びバナジウム（Ｖ）の少なくとも一つであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月20日(2010.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
テープ供給回収機構５２Ａは、研磨具である研磨テープ７３を研磨ヘッド組立体５１Ａに供給する供給リール７４と、基板Ｗの研磨に使用された研磨テープ７３を回収する回収リール７５とを備えている。供給リール７４と回収リール７５は上下に配列されている。供給リール７４および回収リール７５にはカップリング７７を介してモータＭ２がそれぞれ連結されている（図１３には供給リール７４に連結されるカップリング７７とモータＭ２のみを示す）。それぞれのモータＭ２は、所定の回転方向に一定のトルクをかけ、研磨テープ７３に所定のテンションをかけることができるようになっている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
研磨ヘッド８０を基板Ｗから離間させることにより研磨動作を終了させる。その後、真空レギュレータ６６によって真空度を下げ（大気圧に近い圧力にし）、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗの上方および下方に設けたノズル８６，８７から基板Ｗに水（好ましくは純水）を供給して、基板Ｗの表裏面が乾燥しないように基板Ｗをリンスする。すべての処理が終了すると、基板保持具４５が上昇し、搬送アーム１２０によって基板Ｗの周縁部が把持される。そして、チューブ２０は窒素ガス供給ライン６０に接続され、真空形成孔１４から窒素ガスを基板Ｗの裏面に向けて噴出することで、基板Ｗを基板保持具４５から離脱させる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2010153585.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
2010153585.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１６】
2010153585.tif 000003