Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年5月20日(2010.5.20)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
安全モード時間間隔の終了時、安全モード動作を続行し又は維持した状態で自己試験モードがマイクロコントローラコードで自動的にトリガされ、植込み可能医用器具が正しく動作しているかどうかを確かめる。かくして、この自己試験モード中、所定の安全モード動作は、自己試験動作が実行されている間、同時に実効状態のままである。特に、自己試験モードは、次の所定の動作、即ち、メモリ内容の点検又は確認（例えば、安全モードのトリガの前後でメモリチェックサムを比較する）、メモリ動作の試験（記憶装置の読取り／書込み試験）及び植込み可能医用器具のコンポーネントの動作（例えば、電池レベル、水晶振動数、発信周波数、検出装置の入力レンジ、マイクロコントローラの通信ポート）の確認のうち１以上を開始させる。メモリ内容及び磁場検出センサの確認によりエラーが検出されなければ、所定の安全モード動作が実行不能になり、電子式植込み可能医用器具の通常の動作に復帰する。もしそうでなければ、警報又は他の装置が好ましくはトリガされ、患者及び医療従事者に点検する旨の警報を出し、必要ならば、植込み可能医用器具の動作を遠距術により補正する旨の警報を出す。誤差が検出された後者の場合、所定の安全モード動作が検出された誤差の補正後遠距術により実行不能になるまで続行する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
（６）所定の自己診断モード動作は、（ｉ）メモリ内容の確認、（ｉｉ）記憶装置の試験動作、及び（ｉｉｉ）植込み可能な薬剤投与器具のコンポーネントの動作の確認のうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
（７）自己試験モード中動作にエラーが無いことが検出されると、所定の安全モード動作を実行不能にする段階を更に有していることを特徴とする請求項１記載の方法。
（８）自己試験モード中動作にエラー検出されると、エラーが検出されたことを指示する段階と、動作のエラーが補正されると所定の安全モード動作を実行不能にする段階とを更に有していることを特徴とする請求項１記載の方法。
（９）マイクロコントローラは、自己安全モードだけを自動的にトリガすることを特徴とする請求項２記載のシステム。
（１０）マイクロコントローラは、自己試験モードだけを自動的にトリガすることを特徴とする請求項２記載のシステム。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
（１１）マイクロコントローラは、安全モードを、次に自己試験モードを自動的にトリガし、所定の安全モードは、所定の自己試験モード動作と同時に続行することを特徴とする請求項２記載のシステム。
（１２）マイクロコントローラは、（ｉ）全てのデータを複製する動作、（ｉｉ）全てのデータをメモリに保存する動作、（ｉｉｉ）植込み可能な薬剤投与器具の送信器／受信器を短絡する動作、（ｉｖ）植込み時に不揮発性メモリに記憶されている植込み可能な薬剤投与器具のデフォルト動作に復帰させる動作、（ｖ）自己試験モード中に確認されるべきメモリチェックサムを計算する動作、（ｖｉ）検出装置により検出されたデータを記憶する動作、及び（ｖｉｉ）薬剤の送り出しを終了させる動作のうち少なくとも１つを含む所定の安全モード動作でプログラムされていることを特徴とする請求項２記載のシステム。
（１３）検出装置は、複数のリードスイッチ又は複数のホール磁気センサから成ることを特徴とする請求項２記載のシステム。
（１４）マイクロコントローラ中にプログラムされている所定の自己診断モード動作は、（ｉ）メモリ内容の確認、（ｉｉ）記憶装置の試験動作、及び（ｉｉｉ）植込み可能な薬剤投与器具のコンポーネントの動作の確認のうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項２記載のシステム。
（１５）自己試験モード中動作にエラーが無いことが検出されると、マイクロコントローラは、所定の安全モード動作を実行不能にすることを特徴とする請求項２記載のシステム。
（１６）マイクロコントローラは、自己試験モード中動作のエラーの検出を指示し、動作のエラーが補正されると所定の安全モード動作を実行不能にするようプログラムされていることを特徴とする請求項２記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月11日(2010.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
従来より、車両にはブレーキ油圧を検出する圧力センサ装置が設置されている（例えば、特許文献１を参照）。図５は、複数の圧力センサを搭載した集合式の圧力センサ装置を示した図である。この図に示される圧力センサ装置は、複数のセンサチップ１０と、基板２００に設置された複数の処理回路チップ３００と、基板２００の裏面側に設置された図示しない複数の特性調整チップと、を備えて構成されている。そして、基板２００は固定部材４００に固定された状態となっている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記構成を有する集合式の圧力センサ装置においては、圧力関数が異なるセンサチップ１０を複数用いているため、各センサチップ１０に対応した各処理回路チップ３００から出力されるセンサ出力値も異なってしまう。そのため、各処理回路チップ３００には各センサチップ１０にて検出される圧力に対して所望のセンサ出力となるような増幅率が設定されている。このようにして、各処理回路チップ３００のセンサ出力に対する増幅率を変更することで、異なる圧力関数を有する各センサチップ１０のセンサ出力がそれぞれのセンサチップ１０で同じになるようにしている。
【特許文献１】特開２００４−２０２１６号公報
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月15日(2010.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料を保持して移動可能な試料ステージと、
電子源と、前記電子源から発生された電子ビームを収束して試料上に走査して照射する電子ビーム光学系とを有する電子ビームカラムと、
ガスイオン源と、試料片を取り出すためのイオンビーム照射が可能な形状の穴を選択可能なマスクと、前記ガスイオン源から発生され前記マスクを通過したイオンビームを試料上に照射するイオンビーム光学系とを有するイオンビームカラムと、
前記電子ビームあるいはイオンビームの照射によって試料から発生した試料信号を検出する検出器と、
前記検出器の信号を取り込んで試料画像を生成する画像生成部とを有し、
前記イオンビームカラムは、前記マスクの形状選択と前記イオンビーム光学系の制御により、細く絞ったイオンビーム又は幅の広い試料片を取り出すためのプロジェクションビームを発生することを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項２】
請求項１記載の荷電粒子線装置において、前記細く絞ったイオンビームは試料上に走査して照射され、前記プロジェクションビームは前記マスクの試料片を取り出すための形状に従ったビームとして走査することなく試料に照射されることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項３】
請求項２記載の荷電粒子線装置において、前記電子ビームあるいはイオンビームの照射によって試料表面にデポジション膜を形成するためのデポガス源を備えることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項４】
請求項３記載の荷電粒子線装置において、前記電子ビームによって試料表面に形成されたデポジション膜を前記細く絞ったイオンビームを用いて前記画像生成部で生成した画像によりマークとして検出し、検出したマークの位置をもとに前記プロジェクションビームを用いて試料片を取り出すための試料加工を行なうことを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項５】
半導体試料を保持して移動可能な試料ステージと、
電子源と、前記電子源から発生された電子ビームを収束して試料上に走査して照射する電子ビーム光学系とを有する電子ビームカラムと、
ガスイオン源と、試料片を取り出すためのイオンビーム照射が可能な形状の穴を選択可能なマスクと、前記ガスイオン源から発生され前記マスクを通過したイオンビームを試料上に照射するイオンビーム光学系とを有し、前記マスクの形状選択と前記イオンビーム光学系の制御により、試料上に走査される細く絞ったイオンビームと、前記マスクの形状に従ったビーム形状を有し、走査することなく試料に照射される幅の広いプロジェクションビームとを発生するイオンビームカラムと、
前記電子ビームあるいはイオンビームの照射によって試料から発生した試料信号を検出する検出器と、
前記検出器の信号を取り込んで試料画像を生成する画像生成部と、
前記試料画像を処理する画像処理部とを有し、
前記電子ビームカラムからの電子ビーム照射によって得られる試料画像を前記画像処理部で処理して半導体試料の欠陥検査を行い、前記イオンビームカラムから照射される細く絞ったイオンビームを用いて試料画像を取得し、前記プロジェクションビームを用いて試料片を取り出すための試料加工を行うことを特徴とする半導体検査装置。
【請求項６】
請求項５記載の半導体検査装置において、前記電子ビームあるいはイオンビームの照射によって試料表面にデポジション膜を形成するためのデポガス源を備えることを特徴とする半導体検査装置。
【請求項７】
請求項６記載の半導体検査装置において、前記電子ビームによって試料表面に形成されたデポジション膜を前記細く絞ったイオンビームを用いて前記画像生成部で生成した画像によりマークとして検出し、検出したマークの位置をもとに前記プロジェクションビームで試料片を取り出すための試料加工を行うことを特徴とする半導体検査装置。
【請求項８】
請求項６記載の半導体検査装置において、前記デポジション膜は酸化膜であることを特徴とする半導体検査装置。
【請求項９】
請求項５記載の半導体検査装置において、前記プロジェクションビームによって加工した試料片を取り出すためのプローブを備えることを特徴とする半導体検査装置。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体検査装置において、取り出した試料片を固定するためのサンプルキャリアを保持したカートリッジを備えることを特徴とする半導体検査装置。
【請求項１１】
請求項１０記載の半導体検査装置において、前記カートリッジは傾斜させることができることを特徴とする半導体検査装置。
【請求項１２】
請求項５記載の半導体検査装置において、前記イオンビームカラムは前記電子ビームカラムの視野と違う視野を観察するように離れて搭載されていることを特徴とする半導体検査装置。
【請求項１３】
請求項５記載の半導体検査装置において、前記電子ビームカラムの光軸は前記試料ステージの移動面に対して垂直であり、前記イオンビームカラムの光軸は前記試料ステージの移動面に対して傾斜していることを特徴とする半導体検査装置。
【請求項１４】
請求項５記載の半導体検査装置において、前記マスクはＬ字形の穴が設けられた第１のマスクと矩形の穴が設けられ前記第１のマスクと重ねて搭載された第２のマスクからなり、前記２つのマスクを相対的に移動することで所望の矩形加工とＬ字形加工のためのプロジェクションビームを照射することを特徴とする半導体検査装置。
【請求項１５】
半導体試料上に電子ビームを走査して試料から発生した試料信号を検出して試料像を生成し、
前記試料像を処理して欠陥を検出し、
検出された欠陥位置にデポガスを供給しながら電子ビームを照射することにより試料表面にデポジション膜によってマークを形成し、
ガスイオン源から発生されたイオンビームを細く絞って試料上に走査し、試料から発生した試料信号を検出して試料像を生成し、
前記試料像中において前記マークを検出して加工領域を設定し、
前記ガスイオン源から発生されたイオンビームを所望形状のマスクに通して形成した幅の広いプロジェクションビームによって前記加工領域を加工し、試料片を取り出すことを特徴とする試料加工方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の試料加工方法において、前記デポジション膜は酸化膜であることを特徴とする試料加工方法。
【請求項１７】
請求項１５記載の試料加工方法において、前記デポジション膜によるマークは、前記細く絞ったイオンビームの最小ビーム径の２倍以上の大きさであることを特徴とする試料加工方法。
【請求項１８】
請求項１５記載の試料加工方法において、前記プロジェクションビームによって加工された試料片を可動プローブに固定して取り出すことを特徴とする試料加工方法。
【請求項１９】
請求項１８記載の試料加工方法において、前記試料片を取り出したあとにできた半導体試料の加工穴にデポガスを供給しながらプロジェクションビームを照射することにより前記加工穴を酸化膜からなるデポジション膜によって埋め戻すことを特徴とする試料加工方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月3日(2010.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一次光を発する発光素子と、前記一次光の一部を吸収して、一次光の波長以上の波長を有する二次光を発する波長変換部とを備える発光装置であって、前記波長変換部は緑色系発光蛍光体および赤色系発光蛍光体を含み、
前記緑色系発光蛍光体は、
一般式：ＥｕaＳｉbＡｌcＯdＮe
（式中、０．００５≦ａ≦０．４、ｂ＋ｃ＝１２、ｄ＋ｅ＝１６である。）
で表されるβ型ＳＩＡＬＯＮである２価のユーロピウム付活酸窒化物蛍光体からなり、
前記赤色系発光蛍光体は、
一般式：（ＭＩ1-fＥｕf）ＭＩＩＳｉＮ3
（式中、ＭＩは、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａから選ばれる少なくとも１種の元素を示し、ＭＩＩはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、ＧｄおよびＬｕから選ばれる少なくとも１種の元素を示し、０．００１≦ｆ≦０．０５である。）
で表される２価のユーロピウム付活窒化物蛍光体からなり、
前記波長変換部における前記赤色系発光蛍光体の含有率は、１〜６０重量％の範囲内
であることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記赤色系発光蛍光体の含有率は、５〜３０重量％の範囲内であることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記緑色系発光蛍光体の含有率は、３０〜９８重量％の範囲内であることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項４】
前記緑色系発光蛍光体の含有率は、６０〜９５重量％の範囲内であることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項５】
前記赤色系発光蛍光体として、上記一般式中、ＭＩＩがＡｌ、ＧａおよびＩｎから選ばれる少なくとも１種の元素である、２価のユーロピウム付活窒化物蛍光体を用いたことを特徴とする、請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項６】
前記波長変換部に用いられる蛍光体は、波長変換部の一次光の入射側から出射側に向かって、二次光の波長の長い蛍光体順に積層されたものである、請求項１〜４のいずれかに記載の発光装置。
【請求項７】
発光素子が４３０〜４８０ｎｍのピーク波長を有する一次光を発する窒化ガリウム（ＧａＮ）系半導体であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の発光装置。
【請求項８】
白色ＬＥＤであることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の発光装置。
【請求項９】
請求項１〜８の発光装置を光源とするＬＣＤ用バックライト装置。
【請求項１０】
請求項１〜８の発光装置を光源とする一般照明機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の第１の局面に従った発光装置（以下、「第１の態様の発光装置」と呼称する）は、一次光を発する発光素子と、前記一次光の一部を吸収して、一次光の波長以上の波長を有する二次光を発する波長変換部とを備える発光装置であって、前記波長変換部は緑色系発光蛍光体および赤色系発光蛍光体を含み、前記緑色系発光蛍光体は、
一般式：ＥｕaＳｉbＡｌcＯdＮe
（式中、０．００５≦ａ≦０．４、ｂ＋ｃ＝１２、ｄ＋ｅ＝１６である。）
で実質的に表されるβ型ＳＩＡＬＯＮ（サイアロン）である２価のユーロピウム付活酸窒化物蛍光体からなり、前記赤色系発光蛍光体は、
一般式：（ＭＩ1-fＥｕf）ＭＩＩＳｉＮ3
（式中、ＭＩは、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａから選ばれる少なくとも１種の元素を示し、ＭＩＩはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、ＧｄおよびＬｕから選ばれる少なくとも１種の元素を示し、０．００１≦ｆ≦０．０５である。）
で実質的に表される２価のユーロピウム付活窒化物蛍光体からなり、
前記波長変換部における前記赤色系発光蛍光体の含有率は、１〜６０重量％の範囲内であることを特徴とする。前記赤色系発光蛍光体の含有率は、５〜３０重量％の範囲内であることがより好ましい。
また、前記波長変換部における前記緑色系発光蛍光体の含有率は、３０〜９８重量％の範囲内であることが好ましく、さらに、前記緑色系発光蛍光体の含有率は、６０〜９５重量％の範囲内であることがより好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また上述した本発明の第１の態様の発光装置は、前記波長変換部に用いられる蛍光体は、波長変換部の一次光の入射側から出射側に向かって、二次光の波長の長い蛍光体順に積層されたものであることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の第１の態様の発光装置は、白色ＬＥＤであることが好ましく、ＬＣＤ用バックライト装置や一般照明機器の光源に用いられるものであることがより好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月12日(2010.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
さらに、紙面製作における画像作成技術において、原画像を原寸表示し、この原画像において紙面に合成する画像領域をトリミングする技術がある（例えば、特許文献３参照）。
さらにまた、デジタルカメラで撮影された画像はモニタに表示されるが、通常、モニタの液晶画面のサイズを基準にして決められた倍率にしたがってモニタに表示されている。しかしながら、近年、いろいろな液晶画面の形状、サイズが用いられている。このように、多くのデジタルカメラが異なる液晶画面に撮影画像を表示しているために同じ被写体を表示させていてもカメラの種類によって表示画像のサイズが異なるといった課題があった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上述の課題を解決するものして、また、プリンタ付撮影装置で撮影した画像を再生時に印刷サイズで表示して確認してから印刷できるようにしたことにより、プリント出力するときに得られる画像の実際の大きさを把握し易くし、所望の印刷サイズの画像をプリントできるようにしたカメラがある（例えば、特許文献４参照）。 
また、撮影時に印刷サイズの画像データを生成して記録し、再生時に印刷サイズで画像を表示することにより出力される印刷サイズに応じた画像を視認可能とした撮像装置がある（例えば、特許文献５参照）。 
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
一方、手ブレを防止する技術として、手ブレを検知して警告表示などを出力し、しっかりカメラを保持するようユーザを促すものがある。このようなカメラとして、加速度センサの出力が所定値より大きいことを判定する第１判定手段と、画像信号が所定量以上に変化した時を判定する第２判定手段とを設け、第１、第２の判定手段の判定結果に従って警告を行うカメラがある（例えば、特許文献６参照）。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、シャッター操作時の撮影画像を保存すると共に、シャッター操作前後の画像を自動的に取得し、シャッター操作時の画像と比較して手ブレを検出したとき警告するように構成した電子スチルカメラがある（例えば、特許文献７参照）。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【特許文献１】特開２００４−１８６９４８号公報
【特許文献２】特開２００４−２０７８１３号公報
【特許文献３】特開２００４−０４０４４８号公報
【特許文献４】特開２００２−１９９３１１号公報
【特許文献５】特開２００４−３２０１１１号公報
【特許文献６】特開２００３−１４０２１９号公報
【特許文献７】特許第２８７０７７２号
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月2日(2010.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
デジタルカメラを始めとする撮影装置、ディスプレイ装置等においては、被写体像を表示するためのモニタ画面が設けられている。そして例えば、視聴者の動きに応じて揺動自在なディスプレイ本体を設け、視聴者を常に画面の中心に映し出すディスプレイ装置が知られている（特許文献１参照）。また、撮影時に可動してビューファインダとして用いられ、撮影しないときには収納される表示部を備えたカメラも知られている（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平６−２４５２０９号公報（段落［００１５］〜［００２２］、図１、２等参照）
【特許文献２】特開２００５−６２５６３号公報（図１等参照）
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月3日(2009.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アイオノマー膜と、該アイオノマー膜の両面の触媒領域にそれぞれ配置された電気触媒層と、前記アイオノマー膜の両面の非触媒領域にそれぞれ配置されたサブガスケットとを備え、
前記２つの電気触媒層のそれぞれの触媒領域が、前記アイオノマー膜の領域よりも小さく、
前記アイオノマー膜の縁が、前記サブガスケットによって封じられている電極膜アセンブリ。
【請求項２】
２つ以上のサブガスケットが、前記アイオノマー膜の片面または両面に配置された請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３】
前記触媒領域は、前記サブガスケットによって覆われていない前記電気触媒層が前記アイオノマーの両面に配置されてなる３層電極膜構造を有する活性領域であり、
前記非触媒領域は、前記アイオノマー膜の両面が前記サブガスケットによって覆われてなる領域であり、
前記アイオノマー膜の縁は、アイオノマー膜の両面に配置されたサブガスケットの縁が重なり合うことによって封じられている請求項１または２に記載のアセンブリ。
【請求項４】
前記アイオノマーの両面に配置された各電気触媒層のアイオノマー膜とは反対側の表面にガス・マイクロ拡散層がさらに配置されてなる５層電極膜構造を有する請求項３に記載のアセンブリ。
【請求項５】
前記２つのガス・マイクロ拡散層のアイオノマー膜とは反対側の表面に別のガス・マイクロ拡散層がさらに配置されてなる７層電極膜構造を有する請求項４に記載のアセンブリ。
【請求項６】
前記アイオノマー膜および電気触媒層が、‐ＳＯ3Ｈ酸または塩化された形態および／または−ＣＯＯＨ酸基の状態でスルホン基を有し、３８０ｇ／ｅｑ〜１，６００ｇ／ｅｑの当量を有している（パー）フッ化アイオノマーを使用することによって得られ、
（Ａ）１つ以上のフッ化モノマーから由来し、少なくとも１つのエチレン不飽和を含んでいるモノマー単位、および
（Ｂ）‐ＳＯ2Ｆスルホニル基を加水分解によって得ることができる‐ＳＯ3Ｈ酸または塩化された形態および／または加水分解によって‐ＣＯＯＨ酸の基へと変換される前駆基を含んでいるモノマー（Ｂ'）を、アイオノマーが前記範囲の当量を有するような量で含んでいるフッ化モノマー単位
を含んでいる請求項１〜５のいずれか１つに記載のアセンブリ。
【請求項７】
前記アイオノマー膜および電気触媒層が、
・ＴＦＥから由来するモノマー単位、および
・ＣＦ2＝ＣＦ‐Ｏ‐ＣＦ2ＣＦ2ＳＯ2Ｆから由来するモノマー単位
を含んでいるアイオノマーから得られるパーフッ化アイオノマーを含んでいる請求項１〜６のいずれか１つに記載のアセンブリ。
【請求項８】
前記サブガスケットが、熱可塑性ポリマーまたはエラストマーからなり、水素化またはフッ化されている請求項１〜７のいずれか１つに記載のアセンブリ。
【請求項９】
前記アイオノマー膜は、前記非触媒領域に開口を有し、
前記サブガスケットは、アイオノマー膜の前記触媒領域に形成された第１の開口と、アイオノマー膜の前記開口の位置にこの開口の内周よりも小さいサイズで形成された第２の開口と、アイオノマー膜の外周よりも大きいサイズの外周とを有する請求項１〜８に記載のアセンブリ。
【請求項１０】
請求項１〜９に記載のアセンブリを作製するためのプロセスであって、
前記アイオノマー膜の両面の非触媒領域にそれぞれサブガスケットを積層する工程と、
前記アイオノマー膜の両面の触媒領域にそれぞれ電気触媒層を積層する工程と、
前記アイオノマー膜の両面のサブガスケットによってアイオノマー膜の縁を封じる工程とを含むプロセス。
【請求項１１】
前記サブガスケットの前記アイオノマー膜への積層が、サブガスケットのホットプレス、または付着性にされたサブガスケットのカレンダ処理、あるいは射出成型によって行なわれる請求項１０に記載のプロセス。
【請求項１２】
請求項１〜９のいずれか１つに記載のアセンブリを有している電気化学装置。
【請求項１３】
請求項１〜９のいずれか１つに記載のアセンブリを有している燃料電池。
【請求項１４】
請求項１〜９のいずれか１つに記載のアセンブリの電気化学装置または燃料電池における使用。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月18日(2010.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子実装用基板と、発光素子実装用基板の上面に実装された複数のＬＥＤと、ＬＥＤを挟んで発光素子実装用基板の上に配置された導光部材とを含む面光源装置であって、
前記導光部材の発光素子実装用基板側の下面には、ＬＥＤに対応する位置に凹部が形成され、該凹部にＬＥＤが収納されるようになっており、
前記導光部材の下面の凹部の周辺近傍領域には、光反射部が設けられておらず、
前記導光部材の下面の前記周辺近傍領域以外の領域には、全面に光反射部が設けられており、
前記導光部材の発光素子実装用基板と反対側の上面には、ＬＥＤに対応する位置に光半透過部が設けられていることを特徴とする面光源装置。
【請求項２】
前記光半透過部が、円形状であり、光反射率が、５０％〜９５％である請求項１に記載の面光源装置。
【請求項３】
前記光反射部が、白色塗装により形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の面光源装置。
【請求項４】
前記導光部材の下面の凹部の周辺近傍領域には、均一な距離ｄ１で光反射部が設けられておらず、
隣接するＬＥＤの離間間隔をＤとしたとき、Ｄ／４≧ｄ１であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の面光源蔵置。
【請求項５】
発光素子実装用基板と、発光素子実装用基板の上面に実装された複数のＬＥＤと、ＬＥＤを挟んで発光素子実装用基板の上に配置された導光部材とを含む面光源装置であって、
前記導光部材の発光素子実装用基板側の下面には、ＬＥＤに対応する位置に凹部が形成され、該凹部にＬＥＤが収納されるようになっており、
前記導光部材の下面の凹部の周辺近傍領域には、ドット形状の光反射部が形成されており、凹部に近いほどドット密度が低くなるように構成されており、
前記導光部材の下面の前記周辺近傍領域以外の領域には、全面に光反射部が設けられており、
前記導光部材の発光素子実装用基板と反対側の上面には、ＬＥＤに対応する位置に光半透過部が設けられていることを特徴とする面光源装置。
【請求項６】
前記光半透過部が、円形状であり、光反射率が、５０％〜９５％である請求項５に記載の面光源装置。
【請求項７】
前記光反射部が、白色塗装により形成されていることを特徴とする請求項５または６に記載の面光源装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】面光源装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本発明者らは、上記課題を解決するために、本発明の導光部材、および、この導光部材を備えた面光源装置、ならびに、その面光源装置を用いた表示装置を見出した。
すなわち、本発明は例えば以下の（１）〜（７）の態様を含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
（１）  発光素子実装用基板と、発光素子実装用基板の上面に実装された複数のＬＥＤと、ＬＥＤを挟んで発光素子実装用基板の上に配置された導光部材とを含む面光源装置であって、
前記導光部材の発光素子実装用基板側の下面には、ＬＥＤに対応する位置に凹部が形成され、該凹部にＬＥＤが収納されるようになっており、
前記導光部材の下面の凹部の周辺近傍領域には、光反射部が設けられておらず、
前記導光部材の下面の前記周辺近傍領域以外の領域には、全面に光反射部が設けられており、
前記導光部材の発光素子実装用基板と反対側の上面には、ＬＥＤに対応する位置に光半透過部が設けられていることを特徴とする面光源装置。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
（２）  前記光半透過部が、円形状であり、光反射率が、５０％〜９５％である請求項１に記載の面光源装置。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
（３）  前記光反射部が、白色塗装により形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の面光源装置。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
（４）  前記導光部材の下面の凹部の周辺近傍領域には、均一な距離ｄ１で光反射部が設けられておらず、
隣接するＬＥＤの離間間隔をＤとしたとき、Ｄ／４≧ｄ１であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の面光源蔵置。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
（５）  発光素子実装用基板と、発光素子実装用基板の上面に実装された複数のＬＥＤと、ＬＥＤを挟んで発光素子実装用基板の上に配置された導光部材とを含む面光源装置であって、
前記導光部材の発光素子実装用基板側の下面には、ＬＥＤに対応する位置に凹部が形成され、該凹部にＬＥＤが収納されるようになっており、
前記導光部材の下面の凹部の周辺近傍領域には、ドット形状の光反射部が形成されており、凹部に近いほどドット密度が低くなるように構成されており、
前記導光部材の下面の前記周辺近傍領域以外の領域には、全面に光反射部が設けられており、
前記導光部材の発光素子実装用基板と反対側の上面には、ＬＥＤに対応する位置に光半透過部が設けられていることを特徴とする面光源装置。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
（６）  前記光半透過部が、円形状であり、光反射率が、５０％〜９５％である請求項５に記載の面光源装置。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
（７）  前記光反射部が、白色塗装により形成されていることを特徴とする請求項５または６に記載の面光源装置。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月26日(2009.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の工程：
ａ）一定間隔で長手方向に対称に配置された電気触媒層（２）を各面に有するイオノマー膜シートで構成された中心層（１）で形成された複合シート（２０）で形成されたロール巻き（Ａ）を製造し；
ｂ）ロール巻き（Ａ）の電気触媒層（２）の位置に対応する開口（３）を有するサブガスケットシート（２１）を含む２つのサブガスケットロール巻き（Ｂ）を製造し；ここで、（サブガスケット開口（３）面積）／（電気触媒層（２）面積）の比が９０〜９９％であり；
ｃ）２つのドラム（８）の間の２つのロール巻き（Ｂ）からのサブガスケットシート（２１）の間に、ロール巻き（Ａ）からの複合シート（２０）を供給することにより、２つのロール巻き（Ｂ）をロール巻き（Ａ）と熱積層して、サブガスケットシート（２１）の開口（３）の外周が電気触媒層（２）の領域内に入るようにし、サブガスケットが適用された触媒被覆膜（ＣＣＭ）の列で形成されたロール巻き（Ｃ）を得る
を含む、ＣＣＭの両面にサブガスケットを有するＣＣＭアセンブリを製造する連続方法。
【請求項２】
前記サブガスケットシート（２１）が、水素化及び／又はフッ素化された熱可塑性ポリマーシートを用いて製造される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記サブガスケットシート（２１）が、複合シート（２０）に、次の方法：
ａ'）ホットメルト接着剤を用いて、複合シート（２０）と接触する面にサブガスケットシート（２１）を接着する、
ｂ'）感圧接着剤を用いて、複合シート（２０）と接触する面にサブガスケットシート（２１）を接着する、
ｃ'）１００〜１５０℃の軟化点を有する熱可塑性ポリマーでできたサブガスケットシート（２１）を用いる
の１つにより適用される請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
方法ａ'）を用いる請求項３に記載の方法。
【請求項５】
ホットメルト接着剤が、ＥＶＡ（エチレン酢酸ビニル）である請求項４に記載の方法。
【請求項６】
ロール巻き（Ａ）の膜及び電気触媒層が、３８０〜１６００ｇ／ｅｑの当量を有する酸型−ＳＯ3Ｈ又は中和型のスルホン酸基を有する（ペル）フルオロ化イオノマーを用いて得ることができる請求項１〜５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項７】
イオノマーが、以下の単位：
（Ａ）少なくとも１のエチレン性不飽和を含有する１又は複数のフッ素化モノマーに由来するモノマー単位；
（Ｂ）イオノマーが前記範囲の当量を有するような量でスルホニル基−ＳＯ2Ｆを含むフッ素化モノマー単位
を含み、
イオノマーが、酸型−ＳＯ3Ｈ又は−ＳＯ2Ｆ基の加水分解により得られる塩化された形のスルホン酸基を含有する請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記イオノマーが、前記モノマー単位（Ｂ）で形成されたホモポリマーであり、該イオノマーが、酸型−ＳＯ3Ｈ又は−ＳＯ2Ｆ基の加水分解により得られる塩化された形のスルホン酸基を含有する請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記膜及び電気触媒層が：
−  ＴＦＥに由来するモノマー単位；
−  ＣＦ2＝ＣＦ−Ｏ−ＣＦ2ＣＦ2ＳＯ2Ｆに由来するモノマー単位
を含むポリマーから得ることができるペルフルオロ化イオノマーを含有する請求項６又は７に記載の方法。
【請求項１０】
前記電気触媒層が、イオノマーと触媒、好ましくはＰｔ又はＰｔと１若しくは複数の金属との混合物とを含む請求項１〜９のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１１】
２つの電気触媒層のそれぞれにおける触媒とイオノマーの重量比が、０．５〜４の範囲である請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法で得ることができるアセンブリ。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年9月2日(2010.9.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
基板と基板端部に位置する基板保持部との間の空間に浸入する液体を外部へ排出するよりもむしろ、その空間に気体を供給することにより基板端部の近傍に気体バッファが形成される。これにより、液浸露光用の液体と基板の下の減圧空間との明確な分離を維持し得る。それに加えてまたはそれに代えて、気体バッファは基板の下に単相流をもたらし、この表面を横切るエネルギ勾配を低減し得る。二相流は、例えば基板Ｗの下よりむしろカバーリングの下に生じることがある。その場合、本明細書に記載されている１以上の悪影響を防止することがある。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月30日(2009.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と第２の電極との間に、発光性の物質を含む第１の層、並びに有機化合物と金属酸化物の複合体を含む第２及び第３の層を有し、
前記第２の層は前記第１の電極と接し、前記第３の層は前記第２の電極と接しており、
前記第１の層と前記第２の層との間に前記第１の層を有し、
前記第２及び前記第３の層では、前記有機化合物中の原子のｐ軌道から前記金属酸化物の金属原子のｄ軌道に電荷が移動することを特徴とする発光素子。
【請求項２】
第１の電極と第２の電極との間に、発光性の物質を含む第１及び第２の層、並びに有機化合物と金属酸化物の複合体を含む第３乃至第５の層を有し、
前記第３の層は前記第１の電極と接し、前記第４の層は前記第２の電極と接しており、
前記第３の層と前記第５の層との間に前記第１の層を有し、前記第４の層と前記第５の層との間に前記第２の層を有し、
前記第３乃至前記第５の層では、前記有機化合物中の原子のｐ軌道から前記金属酸化物の金属原子のｄ軌道に電荷が移動することを特徴とする発光素子。
【請求項３】
第１の電極と第２の電極との間に、複数の発光ユニット及び有機化合物と金属酸化物の複合体を含む第１の層を有し、
前記発光ユニットの一つは前記第１の電極と接し、前記発光ユニットの別の一つは前記第２の電極と接し、
複数の前記発光ユニット同士は前記第１の層を介して積層し、
前記第１の層では、前記有機化合物中の原子のｐ軌道から前記金属酸化物の金属原子のｄ軌道に電荷が移動することを特徴とする発光素子。
【請求項４】
第１の電極と第２の電極との間に、発光性の物質を含む第１の層、有機化合物と金属酸化物の複合体を含む第２の層、第３及び第４の層を有し、
前記第３の層は前記第１の電極と接し、前記第４の層は前記第２の電極と接しており、
前記第３の層と前記第４の層との間に前記第１及び前記第２の層を有し、
前記第２の層では、前記有機化合物中の原子のｐ軌道から前記金属酸化物の金属原子のｄ軌道に電荷が移動することを特徴とする発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記金属原子は、遷移金属であることを特徴とする発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記金属原子は、モリブデンであることを特徴とする発光素子。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、前記有機化合物は、芳香族アミン化合物または芳香族炭化水素であることを特徴とする発光素子。
【請求項８】
請求項７において、前記芳香族アミン化合物の窒素原子のｐ軌道から、電荷が移動していることを特徴とする発光素子。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記発光素子を有する各画素の発光色に応じて、前記有機化合物と前記金属酸化物を用いた複合体を含む層の膜厚が異なることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記有機化合物はＮＰＢであり、前記金属酸化物が酸化モリブデンである前記発光素子を有する画素を複数有し、８５℃で６６０時間駆動した後の画素欠陥の増加数が、総画素数の０．０８７％以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記有機化合物はＮＰＢであり、前記金属酸化物が酸化モリブデンである前記発光素子を有する画素を複数有し、４０℃で６６０時間駆動した後の画素欠陥の増加数が、総画素数の０．０８７％以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記有機化合物はＮＰＢであり、前記金属酸化物が酸化モリブデンである前記発光素子を有する画素を複数有し、８５℃で４時間駆動、−４０℃で４時間駆動を繰り返し、６６０時間駆動した後の画素欠陥の増加数が、総画素数の０．０８７％以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の発光素子を有する発光装置。
【請求項１４】
請求項９乃至請求項１３のいずれか一項に記載の発光装置を有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月12日(2010.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線から画像信号を取得するための放射線検出部と、
前記放射線検出部から転送された前記画像信号を処理して画像を取得するための画像処理部と、
を含む放射線撮像装置であって、
前記画像処理部は、放射線を放射する放射線発生装置と前記放射線検出部との間に被写体がある状態で取得される被写体画像を、前記放射線発生装置と前記放射線検出部との間に前記被写体がない状態又は標準物質がある状態で、前記放射線発生装置から放射された放射線の複数の放射線エネルギー毎に取得された複数の補正用画像のうち、前記被写体画像を取得する際の放射線の放射線エネルギーと最も近い放射線エネルギーで取得された補正用画像を少なくとも用いて、前記被写体画像の補正処理を行なうことを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項２】
前記画像処理部は、前記被写体画像を取得する際の放射線の放射線エネルギーと最も近い放射線エネルギーで取得された第１の補正用画像と、２番目に近い放射線エネルギーで取得された第２の補正用画像とを用いて新規補正用画像を算出し、当該新規補正用画像を用いて前記被写体画像の補正処理を行なうことを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項３】
前記新規補正用画像は、前記第１の補正用画像と前記第２の補正用画像との平均処理により算出されることを特徴とする請求項２に記載の放射線撮像装置。
【請求項４】
前記放射線検出部は、前記放射線から可視光に波長変換を行なう波長変換体と、前記可視光を電気信号に変換するための光電変換素子を含む画素が２次元アレー状に配設された光検出器アレーと、前記光検出器アレーを駆動して前記画像信号を転送する駆動回路とを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項５】
前記波長変換体は、ＣａＷＯ4、ＣｄＷＯ4、ＣｓＩ、及びＺｎＳのうち、少なくともいずれかを母体材料とするものであることを特徴とする請求項４に記載の放射線撮像装置。
【請求項６】
前記光電変換素子は、アモルファスシリコンを主たる材料とするものであることを特徴とする請求項４又は５に記載の放射線撮像装置。
【請求項７】
前記放射線検出部は、前記放射線を直接電気信号に変換する直接型放射線変換素子を含む画素が２次元アレー状に配設された変換基板を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項８】
前記放射線検出部、及び前記画像処理部を制御するための制御部を更に有し、当該制御部は、前記複数の放射線エネルギー毎に取得された複数の補正用画像を記憶するための記憶部と、前記放射線発生装置を更に制御し得ることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項９】
前記標準物質は、水の入ったファントムであることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の放射線撮像装置と、
前記放射線撮像装置からの画像を記録する記録手段と、
前記放射線撮像装置からの画像を表示するための表示手段と、
前記放射線撮像装置からの画像を伝送する伝送処理手段と、
前記放射線発生装置と、
を具備することを特徴とする放射線撮像システム。
【請求項１１】
放射線から画像信号を取得するための放射線検出部と、前記放射線検出部から転送された前記画像信号を処理して画像を取得するための画像処理部と、を含む放射線撮像装置を用いた放射線撮像方法であって、
前記画像処理部が、放射線を放射する放射線発生装置と前記放射線検出部との間に被写体がある状態で取得される被写体画像を、前記放射線発生装置と前記放射線検出部との間に前記被写体がない状態又は標準物質がある状態で、前記放射線発生装置から放射された放射線の複数の放射線エネルギー毎に取得された複数の補正用画像のうち、前記被写体画像を取得する際の放射線の放射線エネルギーと最も近い放射線エネルギーで取得された補正用画像を少なくとも用いて、前記被写体画像の補正処理を行なうことを特徴とする放射線撮像方法。
【請求項１２】
前記画像処理部が、前記被写体画像を取得する際の放射線の放射線エネルギーと最も近い放射線エネルギーで取得された第１の補正用画像と、２番目に近い放射線エネルギーで取得された第２の補正用画像とを用いて新規補正用画像を算出し、当該新規補正用画像を用いて前記被写体画像の補正処理を行なうことを特徴とする請求項１１に記載の放射線撮像方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月23日(2010.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
製品の初期故障区間、偶発故障区間、磨耗故障区間の情報及び、各種の寿命試験による寿命情報を入力された寿命情報ＩＣを内蔵する電気製品及び機械製品。
【請求項２】
製品を購入して使用開始の電源の入力日時及び、使用最後の電源の切断日時を記録して製品の使用期間を常に更新して保存する記録ＩＣを内蔵することに関する電気製品及び機械製品。
【請求項３】
製品の寿命の前後で報知する言葉・内容を変えることが出来る報知伝達ＩＣを内蔵することに関する電気製品及び機械製品。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月15日(2010.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホログラム記録媒体に信号光及び参照光を照射してホログラムとして記録データを記録し、前記ホログラム記録媒体に記録されたホログラムに再生光を照射して回折光を得て、前記回折光より記録データを再生するホログラム記録再生装置において、
外部共振器光源と、
前記外部共振器光源から出射される光ビームの偏光角度を変化させる偏光制御素子と、
前記偏光制御素子からの光ビームの偏光角度に応じて２方向に分離する各々の光ビームの光量の比率を変化させる偏光分離素子と、
前記２方向に分離する光ビームの一方を受光する受光素子と、
前記２方向に分離する光ビームの他方を受光して、前記信号光、前記参照光及び前記再生光を発生する空間光変調器と、
前記受光素子で検出される光量に応じて、前記偏光制御素子から得られる光ビームの偏光角度、あるいは偏光状態を変化させる制御をする制御部と、を備えるホログラム記録再生装置。
【請求項２】
前記偏光制御素子は、
１／２波長板と、
前記１／２波長板を回転させるモータと、で形成される請求項１に記載のホログラム記録再生装置。
【請求項３】
前記モータはステッピングモータである請求項２に記載のホログラム記録再生装置。
【請求項４】
前記偏光制御素子は、
液晶デバイスである請求項１に記載のホログラム記録再生装置。
【請求項５】
さらに、光ビームの通過と阻止とを制御するシャッタを備え、
前記制御部は、
前記ホログラム記録媒体に照射される前記信号光及び前記参照光の露光時間を制御する請求項１に記載のホログラム記録再生装置。
【請求項６】
さらに、前記ホログラム記録媒体の温度を検出する温度センサを備え、
前記制御部は、
前記受光素子で検出される光量に応じた制御に加え、前記温度センサが検出する温度に応じて前記偏光制御素子から得られる光ビームの偏光角度、あるいは偏光状態を変化させる制御をする請求項１に記載のホログラム記録再生装置。
【請求項７】
外部共振器光源と、
前記外部共振器光源から出射される光ビームの偏光角度を変化させる偏光制御素子と、
前記偏光制御素子からの光ビームの偏光角度に応じて２方向に分離する各々の光ビームの光量の比率を変化させる偏光分離素子と、
前記２方向に分離する光ビームの一方を受光する受光素子と、
前記受光素子で検出される光量に応じて、前記偏光制御素子から得られる光ビームの偏光角度、あるいは偏光状態を変化させる制御をする制御部と、を備える光源装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
図７は、１／２波長板５７の回転角度と、電流・電圧変換器１４０から出力される電圧との関係を示す図である。まず、フォトデテクタ５３への入射偏光がp偏光となるように１／２波長板５７の光学軸を調整し（空間変調器１９への入射光量がゼロとなる設定）、その時の１／２波長板５７の回転角度を０°と定める。１／２波長板５７の回転角度を＋θ[ｄｅｇ]とすると（回転方向は時計方向、半時計方向ともに同じ関係となるが、ここでは、光が入射する面に対して時計方向への回転角を＋θ[ｄｅｇ]、反時計方向への回転角を−θ[ｄｅｇ]とする）、１／２波長板５７からの出射偏光角は倍の２θ[ｄｅｇ]回転する。ここで、電流・電圧変換器１４０から出力される電圧は光強度の積分値をモニタしているため、その電圧の大きさは、ｓｉｎ２θで表現できる。すなわち、１／２波長板５７の回転角度が４５°周期で、フォトデテクタ５３への入射光量が最大光量から最小光量（光量ゼロ）まで変化することとなり、電流・電圧変換器１４０から出力される電圧もそれと同様に４５°周期で変化する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
図９から明らかなように差動増幅器１５０からの電圧（誤差電圧）がゼロとなる点における、１／２波長板５７の回転角度は、デジタル・アナログ変換器１３０からのアナログ信号の電圧（基準電圧）に応じて変化し、基準電圧が最小値の場合には、１／２波長板５７の回転角度は４５°となり、基準電圧が中間値の場合には、１／２波長板５７の回転角度は２２．５°となり、基準電圧が最大値の場合には、１／２波長板５７の回転角度は０°となるように、予め設定されている。ここで、ネガティブフィードバックループが、定常偏差なく動作する場合においては、誤差電圧はゼロとするように制御系は作用する。このようにして、基準電圧に応じてフォトデテクタ５３へ入射される光ビームの光量を所定値とするようにして、１／２波長板５７の回転角度は正確に位置決めされる。ここで、終局的な制御対象は空間光変調器１９への入射光量であるので、空間光変調器１９への入射光量とフォトデテクタ５３への入射光量との関係、さらには、空間光変調器１９への入射光量とデジタル・アナログ変換器１３０へ出力されるデジタル信号との関係を予め中央演算装置１２０に配された記憶部（ＲＡＭ）に記憶しておけば、基準電圧の設定によって、容易に空間光変調器１９への入射光量を所望の大きさにすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
又、図３に示すホログラム記録再生装置２において、空間光変調器１９と、集光レンズ５２及びフォトデテクタ５３と、の相互の位置関係を入れ替えるものとしても、同様の機能を果たすことができるものである。この場合においては、１／２波長板５７の回転角度を、例えば、４５°から９０°まで、又は、１３５°から１８０°まで、又は、２２５°から２７０°まで、又は、３１５°から３６０°まで、のいずれかの４５°の範囲に制限をすることとなる。又、ＲＡＭに記憶されたテーブルの内容を書き換えることによって、０°から４５°まで、９０°から１３５°まで、又は、１８０°から２２５°まで、又は、２７０°から３１５°まで、のいずれかの４５°の範囲に制限をすることもできる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
図１１は、デジタル・アナログ変換器１３０からのアナログ信号の電圧を最小値、中間値、最大値とした場合における、ＬＣドライバ１８０のＬＣＤドライブ電圧（ＬＣＤ  ｄｒｉｖｅ  ｖｏｌｔａｇｅ）である出力電圧Ｖｄ（Ｐ−Ｐ値）と差動増幅器１５０からの電圧とを示す図である。図１１において、実線はデジタル・アナログ変換器１３０からのアナログ信号の電圧が最小値の場合、一点鎖線はデジタル・アナログ変換器１３０からのアナログ信号の電圧が中間値（最大値の半分の値）の場合、破線はデジタル・アナログ変換器１３０からのアナログ信号の電圧が最大値の場合の各々を示すものである。