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【手続補正書】
【提出日】平成21年11月11日(2009.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
横方向にそれぞれ延長されている第１及び第２のゲートラインと、
前記第１及び第２のゲートラインと絶縁されて交差するデータラインと、
前記第１及び第２のゲートラインと前記データラインにそれぞれ接続された第１及び第２の薄膜トランジスタと、
両側面が前記第１及び第２のゲートラインと傾斜を形成してジグザグに延長されており、
前記延長方向に沿って第１の領域及び第２の領域に分割される画素電極とを含み、
前記画素電極は、前記第１の薄膜トランジスタに接続されており、前記第１の領域及び前記第２の領域の上部及び下部を占有し、前記第１の領域と前記第２の領域が連結電極によって接続されている第１のサブ画素電極、及び前記第２の薄膜トランジスタに接続されており、前記第２の領域の中央部を占有し、一側面が前記第１のサブ画素電極の第１の領域に隣接し、上端及び下端が前記第１のサブ画素電極の前記第２の領域に隣接する第２のサブ画素電極を含み、前記連結電極の少なくとも一つは前記第２のゲートラインとオーバーラップされている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第２のゲートラインは、前記第１のサブ画素電極の第１の領域及び前記第１のサブ画素電極の第２の領域を横切ることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記画素電極の両側面は平行に延長されており、
前記第１の領域及び前記第２の領域の境界部に前記画素電極の両側面と平行にジグザグに延長されている斜線型間隙を備えることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記画素電極の両側面及び前記斜線型間隙は、前記第１及び第２のゲートラインと４５°又は−４５°の傾斜角を形成することを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記画素電極は、前記両側面の傾斜方向がかえられる少なくとも一つの折り曲げ部を含み、前記折り曲げ部で前記第１及び第２のゲートラインと平行し、前記斜線型間隙と続く水平形間隙を備えることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記画素電極は、３個の折り曲げ部を備え、前記画素電極の上部から下側方向に第１の折り曲げ部、第２の折り曲げ部及び第３の折り曲げ部を備えることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第２のゲートラインは、前記第１の折り曲げ部より画素電極の上部に設けられ、前記画素電極は、前記第２の折り曲げ部を基準に上下が対称であることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
横方向にそれぞれ延長されている第１及び第２のゲートラインと、
前記第１及び第２のゲートラインと絶縁されて交差するデータライン、前記データラインから分枝された第１及び第２のソース電極、前記第１及び第２のソース電極と離隔されて対向する第１及び第２のドレイン電極、及び前記第２のドレイン電極から分枝された第３のドレイン電極を含むデータ配線と、
前記第１のゲートライン、前記第１のソース電極及び前記第１のドレイン電極と接続された第１の薄膜トランジスタと、
前記第２のゲートライン、前記第２のソース電極及び前記第２のドレイン電極と接続された第２の薄膜トランジスタと、
両側面が前記第１及び第２のゲートラインと傾斜を形成してジグザグに延長されており、前記延長方向に沿って第１の領域及び第２の領域に分割される画素電極とを含み、
前記画素電極は、前記第１の薄膜トランジスタに接続されており、前記第１の領域及び前記第２の領域の上部及び下部を占有し、前記第１の領域と前記第２の領域が連結電極によって接続されている第１のサブ画素電極、及び前記第２の薄膜トランジスタに接続されており、前記第２の領域の中央部を占有し、一側面が前記第１のサブ画素電極の第１の領域に隣接し、上端及び下端が前記第１のサブ画素電極の前記第２の領域に隣接する第２のサブ画素電極を含み、
前記第２のゲートラインは、前記第１の領域及び前記第２の領域の境界部で前記第３のドレイン電極とオーバーラップされていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
前記第２のゲートラインは、前記第１のサブ画素電極の第１の領域及び前記第１のサブ画素電極の第２の領域を横切ることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
横方向にそれぞれ延長されている第１及び第２のゲートラインと、
前記第１及び第２のゲートラインと絶縁されて交差するデータライン、前記データラインから分枝された第１及び第２のソース電極、前記第１及び第２のソース電極と離隔されて対向する第１及び第２のドレイン電極、及び前記データラインから分枝された第３のソース電極を含むデータ配線と、
前記第１のゲートライン、前記第１のソース電極及び前記第１のドレイン電極と接続された第１の薄膜トランジスタと、
前記第２のゲートライン、前記第２のソース電極及び前記第２のドレイン電極と接続された第２の薄膜トランジスタと、
両側面が前記第１及び第２のゲートラインと傾斜を形成してジグザグに延長されており、前記延長方向に沿って第１の領域及び第２の領域に分割される画素電極とを含み、
前記画素電極は、前記第１の薄膜トランジスタに接続されており、前記第１の領域及び前記第２の領域の上部及び下部を占有し、前記第１の領域と前記第２の領域が連結電極によって接続されている第１のサブ画素電極、及び前記第２の薄膜トランジスタに接続されており、前記第２の領域の中央部を占有し、一側面が前記第１のサブ画素電極の第１の領域に隣接し、上端及び下端が前記第１のサブ画素電極の前記第２の領域に隣接する第２のサブ画素電極を含み、
前記第２のゲートラインは、前記第１の領域及び前記第２の領域の境界部で前記第３のソース電極とオーバーラップされていることを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月28日(2010.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１制御信号及び第１基準電圧を充電し、前記第１制御信号に従って第１チャージング電圧を第１出力端に供給する第１キャパシタと、
第２制御信号及び前記第１基準電圧を充電し、前記第２制御信号に従って第２チャージング電圧を出力する第２キャパシタと、
前記第１キャパシタと前記第１出力端との間に形成され、前記第１チャージング電圧を選択的に前記第１出力端に出力させる第１スイッチング素子と、
前記第１スイッチング素子と排他的にターンオン及びターンオフされ、前記第２チャージング電圧によってターンオンされ、第１キャパシタに前記第１基準電圧を供給する第２スイッチング素子と、
前記第１チャージング電圧によってターンオンされ、前記第１基準電圧を前記第２キャパシタに供給すると同時に、前記第１基準電圧を前記第１及び第２スイッチング素子に供給して前記第１スイッチング素子をターンオンさせ、これと同時に前記第２スイッチング素子をターンオフさせる第３スイッチング素子とを有することを特徴とするゲートオン電圧発生回路。
【請求項２】
前記第１スイッチング素子は、ｐ型トランジスタで形成されることを特徴とする請求項１に記載のゲートオン電圧発生回路。
【請求項３】
前記第２及び第３スイッチング素子は、ｎ型トランジスタで形成されることを特徴とする請求項１に記載のゲートオン電圧発生回路。
【請求項４】
前記第２スイッチング素子は、前記第１チャージング電圧が出力される間、前記第１基準電圧がゲートに入力されて常にターンオフされ、前記第１チャージング電圧が前記第２スイッチング素子に逆供給されることを防止することを特徴とする請求項１に記載のゲートオン電圧発生回路。
【請求項５】
前記第１チャージング電圧は、前記第１基準電圧が昇圧され出力されることを特徴とする請求項１に記載のゲートオン電圧発生回路。
【請求項６】
第１制御信号及び第２基準電圧を充電し、前記第１制御信号に従って第３チャージング電圧を第２出力端に供給する第３キャパシタと、
第２制御信号及び前記第２基準電圧を充電し、第２制御信号に従って第４チャージング電圧を出力する第４キャパシタと、
前記第３キャパシタと前記第２出力端との間に形成され、前記第３チャージング電圧を選択的に前記第２出力端に出力させる第４スイッチング素子と、
前記第４スイッチング素子と排他的にターンオン及びターンオフされ、前記第４チャージング電圧によってターンオンされ、前記第３キャパシタに前記第２基準電圧を供給する第５スイッチング素子と、
前記第３チャージング電圧によってターンオンされ、前記第２基準電圧を前記第４キャパシタに供給すると同時に、前記第２基準電圧を前記第４及び第５スイッチング素子に供給して前記第４スイッチング素子をターンオンさせ、これと同時に前記第５スイッチング素子をターンオフさせる第６スイッチング素子とを有することを特徴とするゲートオフ電圧発生回路。
【請求項７】
前記第４スイッチング素子は、ｎ型トランジスタで形成されることを特徴とする請求項６に記載のゲートオフ電圧発生回路。
【請求項８】
前記第５及び第６スイッチング素子は、ｐ型トランジスタで形成されることを特徴とする請求項６に記載のゲートオフ電圧発生回路。
【請求項９】
前記第５スイッチング素子は、前記第３チャージング電圧が出力される間、前記第２基準電圧がゲートに入力されて常にターンオフされ、前記第３チャージング電圧が前記第５スイッチング素子に逆供給されることを防止することを特徴とする請求項６に記載のゲートオフ電圧発生回路。
【請求項１０】
前記第３チャージング電圧は、前記第２基準電圧以下に降圧されて出力されることを特徴とする請求項６に記載のゲートオフ電圧発生回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ゲートオン電圧発生回路及びゲートオフ電圧発生回路
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明はゲートオン電圧発生回路及びゲートオフ電圧発生回路に係り、特に、液晶パネルに薄膜トランジスタを用いて小さい面積に集積して形成されたゲートオン電圧発生回路及びゲートオフ電圧発生回路に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明に係るゲートオン電圧発生回路及びゲートオフ電圧発生回路によれば、ゲートオン電圧及びゲートオフ電圧それぞれを出力するゲートオン電圧発生回路及びゲートオフ電圧発生回路を最小面積に最小数量のポリシリコン薄膜トランジスタを用いて薄膜トランジスタ基板上に集積することができるという効果がある。従って、電源部の負荷を減少させ、従来電源部の製造の際発生される費用を減少させることができるという効果がある。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月30日(2010.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１および第２の面を有する第１の光透過レンズ素子であって、該第１の面が主光学領域を有し、該主光学領域内の該第１の面が拡散反射型テキスチャーを有するものと；
該拡散反射型テキスチャーの少なくとも一部に適用された反射媒体であって、十分に薄くなっていてそこに照射される光の一部のみ反射させ、残りを、該反射媒体を通って透過させ、更に、該反射媒体が該第１の光透過レンズ素子の第１の面を表す拡散反射型テキスチャーに対して適用されたものと；
該第１の面に適用された光透過性接着剤層であって、第５および第６の面を有し、該光透過性接着剤層の第５の面が該第１の光透過レンズ素子の第１の面に適応して形成されたものと；
第３および第４の面を有する第２の光透過レンズ素子であって、該第４の面が該光透過性接着剤層の該第６の面と接しているものと；
を具備してなる拡散反射レンズであり；
該第１の光透過レンズ素子の第２の面および該第２の光透過レンズ素子の第３の面が、該拡散反射レンズの両側外側面を形成していることを特徴とする拡散反射レンズ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月17日(2009.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
更に、本実施形態によれば、隣接する複数のレンズ素子１３間において第１，第２の液体１１，１２が互いに連通する構成であるので、第１の液体１１と第２の液体１２との間の界面はひとつにつながっている。そして、この界面エネルギーは最小になるように働くので、個々のレンズ素子１３のバラツキは均一化される。これにより、レンズ素子１３ごとの第１，第２の液体１１，１２の液量のバラツキを抑えることができる。また、素子単位で液量を高精度に調整する必要がなくなる。以上により、レンズアレイ１０を構成する各レンズ素子１３のレンズ特性を容易かつ均一化することができるとともに、レンズアレイ１０の組立ても容易となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
柱状の突起１６の断面形状は図示の例では円形とされるが、勿論これに限られず、楕円体、三角系や四角形等の多角形状であってもよい。また、突起１６の高さは、図１Ｂに示したように共通基板１４の側壁１４ａの高さよりも低くする場合に限らず、側壁１４ａの高さと一致させてもよい。この場合、突起１６の上端が蓋体１５に接するため、レンズアレイ１０の面積を大きくしても外力等によって基板１４と蓋体１５との間隔が変化することが防止される。従って、レンズアレイ１０の大きさや使用条件によって、突起１６の上端と蓋体１５との間に隙間を設けてもよいし、突起１６の幾つかだけを蓋体１５と接する高さに形成するようにしてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
本実施形態によれば、共通基板１４と蓋体１５との間に多孔板３１を配置し、当該多孔板３１の非開口部３３で複数のレンズ素子１３を区画するとともに、通路３５，３６を介して、隣接する複数のレンズ素子１３間の液的な連通を図るようにしている。これにより、レンズ素子１３ごとの第１，第２の液体１１，１２の液量のバラツキを抑えることができる。また、素子単位で液量を高精度に調整する必要がなくなる。以上により、レンズアレイ３０を構成する各レンズ素子１３のレンズ特性を容易かつ均一化することができるとともに、レンズアレイ３０の組立ても容易となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
一方、多孔板３２をガラスやプラスチック、セラミック等の絶縁性材料で構成する場合には、図７Ｂに示すように、各々の開口部３２の周縁部に、電極３７としてＩＴＯ等の透明導電膜をパターン形成し、図８に示すように電極３７を撥水性の絶縁膜３４で被覆すればよい。電極３７は、各開口部３２間で網目状に引き回され、多孔板３１の枠部３１Ｆの外面に形成した連絡部３７Ｐを介して、共通基板１４の表面の一側部に形成した端子部２１ｂに共通に接続される。なお、各開口部３２の電極３７を各々独立して形成し、各開口部に対応して設けた端子部２１ｂに個別に接続することで、個々のレンズ素子１３を独立して駆動させることが可能となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
一方、図９Ｂは、多孔板３１の下面に通路３５を形成して隣接する開口部３２間を液的に連通可能とした構成例の要部断面図である。通路３５の形状、大きさ、形成数、形成位置は特に制限されないが、開口部３２内への第１，第２の液体１１，１２の導入のし易さを確保できる程度に設計するのが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
本実施形態によれば、隣接する複数のレンズ素子１３間が液的に連通された構成であるので、レンズ素子１３間の液量のバラツキを抑えることができる。また、素子単位で液量を高精度に調整する必要をなくすことができる。以上により、レンズアレイ３０を構成する各レンズ素子１３のレンズ特性を容易かつ均一化することができるとともに、レンズアレイ３０の組立ても容易となる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月16日(2010.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数行の走査線と、
複数列のデータ線と、
前記複数行の走査線に対応して設けられた複数の容量線と、
前記複数行の走査線と前記複数列のデータ線との交差に対応して設けられ、
各々は、
一端が自身に対応するデータ線に接続されるとともに、自身に対応する走査線が選択されたときに導通状態となる画素スイッチング素子と、
一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端がコモン電極に接続される画素容量と、
前記画素容量の一端と前記走査線に対応して設けられた容量線との間に介挿された蓄積容量と、
を含む画素と、
を有する電気光学装置の駆動回路であって、
前記走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、
走査線が選択される毎に、低位側電圧と高位側電圧とが交互に切り替えられて給電される給電線と、
一の走査線に対応して設けられた容量線に対し、当該一の走査線が選択されたときに給電線を選択し、当該一の走査線に対して所定奇数行だけ離間した走査線が選択されたときにも前記給電線を選択して、前記給電線の電圧を印加する容量線駆動回路と、
選択された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に対応したデータ信号を、データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
を具備することを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
【請求項２】
前記容量線駆動回路は、
当該一の容量線を、
当該一の走査線に対し下または上方向に前記所定奇数行だけ離間した走査線の選択が終了してから、当該一の走査線が再び選択されるまで、
ハイ・インピーダンス状態とする
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項３】
前記容量線駆動回路は、
前記容量線の各々に対応して、第１および第２トランジスタを有し、
一の容量線に対応する前記第１トランジスタは、ゲート電極が当該一の容量線に対応する走査線に接続され、ソース電極が前記給電線に接続され、
前記第２トランジスタは、ゲート電極が当該一の走査線に対して下または上方向に前記所定奇数行だけ離間した走査線に接続され、ソース電極が前記給電線に接続され、
前記第１および第２トランジスタのドレイン電極が当該一の容量線に共通接続された
ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項４】
前記走査線駆動回路は、前記走査線の選択方向を下または上方向に切り替え可能であり、
前記容量線駆動回路は、当該一の容量線を、
前記走査線の選択方向が下方向であれば、当該一の走査線に対し下方向に前記所定奇数行だけ離間した走査線の選択が終了してから、当該一の走査線に対し上方向に前記所定奇数行だけ離間した走査線が再び選択されるまで、ハイ・インピーダンス状態とし、
前記走査線の選択方向が上方向であれば、当該一の走査線に対し上方向に前記所定奇数行だけ離間した走査線の選択が終了してから、当該一の走査線に対し下方向に前記所定奇数行だけ離間した走査線が再び選択されるまで、ハイ・インピーダンス状態とする
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項５】
前記容量線駆動回路は、
前記容量線の各々に対応して、第１、第２および第３トランジスタを有し、
一の容量線に対応する前記第１トランジスタは、ゲート電極が当該一の容量線に対応する走査線に接続され、ソース電極が前記給電線に接続され、
前記第２トランジスタは、ゲート電極が当該一の走査線に対して上方向に前記所定奇数行だけ離間した走査線に接続され、ソース電極が前記給電線に接続され、
前記第３トランジスタは、ゲート電極が当該一の走査線に対して下方向に前記所定奇数行だけ離間した走査線に接続され、ソース電極が前記給電線に接続され、
前記第１、第２および第３トランジスタのドレイン電極が当該一の容量線に共通接続された
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項６】
複数行の走査線と、
複数列のデータ線と、
前記複数行の走査線に対応して設けられた複数の容量線と、
前記複数行の走査線と前記複数列のデータ線との交差に対応して設けられた複数の画素であって、各々は、
一端が自身に対応するデータ線に接続されるとともに、自身に対応する走査線が選択されたときに導通状態となる画素スイッチング素子と、
一端が前記画素スイッチング素子の他端に接続され、他端がコモン電極に接続される画素容量と、
前記画素容量の一端と前記走査線に対応して設けられた容量線との間に介挿された蓄積容量とを含む画素と、
前記走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、
走査線が選択される毎に、低位側電圧と高位側電圧とが交互に切り替えられて給電される給電線と、
一の走査線に対応して設けられた容量線に対し、当該一の走査線が選択されたときに給電線を選択し、当該一の走査線に対して所定奇数行だけ離間した走査線が選択されたときにも前記給電線を選択して、前記給電線の電圧を印加する容量線駆動回路と、
選択された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に対応したデータ信号を、データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
を具備することを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項６に記載の電気光学装置を有する
ことを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月10日(2010.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられたＩＤＴ電極と、
前記圧電基板上に設けられ、ガスに反応して発熱するガス反応触媒膜と、
前記ＩＤＴ電極を励振させる発振回路と、を備え、
前記ガス反応触媒膜が前記ＩＤＴ電極で励振される弾性表面波の伝播路上に設けられたことを特徴とするガスセンサ。
【請求項２】
請求項１に記載のガスセンサにおいて、
前記ガス反応触媒膜が前記ＩＤＴ電極における交差指電極の間の前記伝播路上に設けられていることを特徴とするガスセンサ。
【請求項３】
請求項１に記載のガスセンサにおいて、
前記ＩＤＴ電極を覆う絶縁膜を有し、前記ガス反応触媒膜が前記絶縁膜上でかつ、前記伝播路上に設けられていることを特徴とするガスセンサ。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載のガスセンサにおいて、
前記ガス反応触媒膜に白金またはパラジウムが用いられていることを特徴とするガスセンサ。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載のガスセンサにおいて、
前記圧電基板に水晶基板が用いられていることを特徴とするガスセンサ。
【請求項６】
請求項５に記載のガスセンサにおいて、
水晶の結晶の電気軸をＸ軸、機械軸をＹ軸、光学軸をＺ軸とした場合、
前記水晶基板は、前記Ｘ軸と前記Ｚ軸とを含む平面を、前記Ｘ軸を回転軸とし、前記結晶の＋Ｚ軸から前記結晶の−Ｙ軸へ回転する方向を正として、θ°回転してできる平面を主面としたものであり、
前記ＩＤＴ電極は、前記弾性表面波が前記Ｘ軸に平行に伝播するように設けられており、
前記θが３３以上５３以下を満たすことを特徴とするガスセンサ。
【請求項７】
請求項５に記載のガスセンサにおいて、
前記ＩＤＴ電極より励振される弾性表面波がＳＴＷ波であることを特徴とするガスセンサ。
【請求項８】
請求項６に記載のガスセンサにおいて、
前記ＩＤＴ電極より励振される弾性表面波がレイリー波であることを特徴とするガスセンサ。
【請求項９】
圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられたＩＤＴ電極と、
前記圧電基板上に設けられ、ガスに反応して発熱するガス反応触媒膜と、
前記ＩＤＴ電極を励振させる発振回路と、を備え、
前記ガス反応触媒膜が前記ＩＤＴ電極で励振される弾性表面波の伝播路上に設けられたことを特徴とする水素濃度検出システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ガスセンサ及び水素濃度検出システム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明のガスセンサは、圧電基板と、前記圧電基板の表面に形成され多数の交差指電極を有するＩＤＴ電極と、前記圧電基板に形成されガスに反応して発熱するガス反応触媒膜と、前記ＩＤＴ電極により励振される弾性表面波の伝播方向に沿って前記ＩＤＴ電極の両側に配置された１対の反射器と、前記ＩＤＴ電極を励振させる発振回路と、を備え、前記ガス反応触媒膜が前記ＩＤＴ電極で励振される前記弾性表面波の伝播路上に形成され、前記ガス反応触媒膜の発熱による前記圧電基板の温度変化を周波数信号として検出することを特徴とする。
また、本発明のガスセンサは、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられたＩＤＴ電極と、前記圧電基板上に設けられ、ガスに反応して発熱するガス反応触媒膜と、前記ＩＤＴ電極を励振させる発振回路と、を備え、前記ガス反応触媒膜が前記ＩＤＴ電極で励振される弾性表面波の伝播路上に設けられたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明のガスセンサは、前記ガス反応触媒膜が前記ＩＤＴ電極における前記交差指電極の間の前記伝播路上に設けられていることが望ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明のガスセンサは、前記ガス反応触媒膜が前記ＩＤＴ電極を覆う絶縁膜上でかつ、前記弾性表面波伝播路上に形成されていることが望ましい。
また、本発明のガスセンサは、前記ＩＤＴ電極を覆う絶縁膜を有し、前記ガス反応触媒膜が前記絶縁膜上でかつ、前記伝播路上に設けられていることが望ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明のガスセンサは、前記ガス反応触媒膜は白金またはパラジウムから選択される材料で形成されていることが望ましい。
また、本発明のガスセンサは、前記ガス反応触媒膜に白金またはパラジウムが用いられていることが望ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明のガスセンサは、前記圧電基板に水晶基板が用いられていることが望ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明のガスセンサは、水晶の結晶の電気軸をＸ軸、機械軸をＹ軸、光学軸をＺ軸として、Ｘ軸とＺ軸の作る平面を主面とするＹ板をＸ軸の回りに反時計方向にθ°回転してできる水晶基板から、Ｘ軸に平行に前記弾性表面波が伝播するように前記ＩＤＴ電極が形成されており、θ＝３３〜５３（°）であることが望ましい。
また、本発明のガスセンサは、水晶の結晶の電気軸をＸ軸、機械軸をＹ軸、光学軸をＺ軸とした場合、前記水晶基板は、前記Ｘ軸と前記Ｚ軸とを含む平面を、前記Ｘ軸を回転軸とし、前記結晶の＋Ｚ軸から前記結晶の−Ｙ軸へ回転する方向を正として、θ°回転してできる平面を主面としたものであり、前記ＩＤＴ電極は、前記弾性表面波が前記Ｘ軸に平行に伝播するように設けられており、前記θが３３以上５３以下を満たすことが望ましい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
この構成によれば、レイリー波およびＳＴＷ波は、基板表面の数μｍ程度の領域に弾性波が集中しており、基板表面部分の温度変化が弾性表面波の周波数の変化として時間をおかずに現れる。このことから、弾性表面波として、レイリー波またはＳＴＷ波を用いることで、水素などのガス検出において応答性のよいガスセンサを提供することができる。
本発明の水素濃度検出システムは、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられたＩＤＴ電極と、前記圧電基板上に設けられ、ガスに反応して発熱するガス反応触媒膜と、前記ＩＤＴ電極を励振させる発振回路と、を備え、前記ガス反応触媒膜が前記ＩＤＴ電極で励振される弾性表面波の伝播路上に設けられたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月10日(2010.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基部と該基部から延在する振動腕とを備えた圧電振動片と、
前記圧電振動片に設けられた励振電極と、
前記圧電振動片に設けられ、ガスに反応して発熱するガス反応触媒膜と、
前記圧電振動片を励振させる発振回路と、を備えたことを特徴とするガスセンサ。
【請求項２】
請求項１に記載のガスセンサにおいて、
前記ガス反応触媒膜が前記圧電振動片の基部の少なくとも一部に備えられたことを特徴とするガスセンサ。
【請求項３】
請求項１に記載のガスセンサにおいて、
前記ガス反応触媒膜が、前記励振電極の表面の少なくとも一部に備えられたことを特徴とするガスセンサ。
【請求項４】
請求項１に記載のガスセンサにおいて、
前記励振電極を覆う絶縁膜を有し、前記ガス反応触媒膜が前記絶縁膜上に設けられていることを特徴とするガスセンサ。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載のガスセンサにおいて、
前記ガス反応触媒膜に白金またはパラジウムが用いられていることを特徴とするガスセンサ。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載のガスセンサにおいて、
前記圧電振動片に水晶基板が用いられていることを特徴とするガスセンサ。
【請求項７】
請求項６に記載のガスセンサにおいて、
水晶の結晶の電気軸をＸ軸、機械軸をＹ軸、光学軸をＺ軸とした場合、
前記水晶基板は、前記Ｘ軸と前記Ｙ軸とを含む平面を、前記Ｘ軸を回転軸とし、前記結晶の＋Ｙ軸から前記結晶の＋Ｚ軸へ回転する方向を正として、θ°回転してできる平面を主面としたものであり、
前記振動腕の延在する方向は、前記Ｙ軸の前記θ°回転後の軸であるＹ´軸に平行であって、
前記θが２８以上３８以下、または、−３６以上−１７以下、
を満たすことを特徴とするガスセンサ。
【請求項８】
基部と該基部から延在する振動腕とを備えた圧電振動片と、
前記圧電振動片に設けられた励振電極と、
前記圧電振動片に設けられ、ガスに反応して発熱するガス反応触媒膜と、
前記圧電振動片を励振させる発振回路と、を備えたことを特徴とする水素濃度検出システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ガスセンサ及び水素濃度検出システム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明のガスセンサは、屈曲振動する振動腕と該振動腕に連結される基部とを備えた圧電振動片と、前記圧電振動片に形成された励振電極と、前記圧電振動片に形成されガスに反応して発熱するガス反応触媒膜と、前記圧電振動片を励振させる発振回路と、を備え、前記ガス反応触媒膜の発熱による前記圧電振動片の温度変化を周波数信号として検出することを特徴とする。
また、本発明のガスセンサは、基部と該基部から延在する振動腕とを備えた圧電振動片と、前記圧電振動片に設けられた励振電極と、前記圧電振動片に設けられ、ガスに反応して発熱するガス反応触媒膜と、前記圧電振動片を励振させる発振回路と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明では、前記ガス反応触媒膜が、前記励振電極の表面の少なくとも一部に備えられていても良い。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明のガスセンサは、前記ガス反応触媒膜が前記圧電振動片における励振電極を覆い形成された絶縁膜の上に備えられていても良い。
また、本発明のガスセンサは、前記励振電極を覆う絶縁膜を有し、前記ガス反応触媒膜が前記絶縁膜上に設けられていても良い。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明のガスセンサは、前記ガス反応触媒膜は白金またはパラジウムから選択される材料で形成されていることが望ましい。
また、本発明のガスセンサは、前記ガス反応触媒膜に白金またはパラジウムが用いられていることが望ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明のガスセンサは、前記圧電振動片が水晶振動片であることが望ましい。
また、本発明のガスセンサは、前記圧電振動片に水晶基板が用いられていることが望ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明のガスセンサは、水晶の結晶の電気軸をＸ軸、機械軸をＹ軸、光学軸をＺ軸として、Ｘ軸とＹ軸の作る平面を主面とするＺ板をＸ軸の回りに反時計方向にθ°回転してできる水晶基板から、前記Ｚ板におけるＹ軸の回転後の軸であるＹ´軸に平行に前記水晶振動片の振動腕が延在して形成されている前記水晶振動片であって、θ＝２８〜３８（°）、または、θ＝−１７〜−３６（°）、であることが望ましい。
また、本発明のガスセンサは、水晶の結晶の電気軸をＸ軸、機械軸をＹ軸、光学軸をＺ軸とした場合、前記水晶基板は、前記Ｘ軸と前記Ｙ軸とを含む平面を、前記Ｘ軸を回転軸とし、前記結晶の＋Ｙ軸から前記結晶の＋Ｚ軸へ回転する方向を正として、θ°回転してできる平面を主面としたものであり、前記振動腕の延在する方向は、前記Ｙ軸の前記θ°回転後の軸であるＹ´軸に平行であって、前記θが２８以上３８以下、または、−３６以上−１７以下、を満たすことが望ましい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
この構成によれば、温度感度係数の絶対値が３０〜６０ｐｐｍ／℃の水晶振動片を構成することができ、ガス濃度に対応する発熱を効率よく検出でき、ガス濃度の検知感度に優れたガスセンサを提供することができる。
本発明の水素濃度検出システムは、基部と該基部から延在する振動腕とを備えた圧電振動片と、前記圧電振動片に設けられた励振電極と、前記圧電振動片に設けられガスに反応して発熱するガス反応触媒膜と、前記圧電振動片を励振させる発振回路と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月25日(2010.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被診断電解コンデンサ（２）を有する複数の構成回路（３）を備え、前記複数の構成回路（３）それぞれについて前記被診断電解コンデンサ（２）の誘電正接（ｔａｎδ）測定用の出力部（１５）を有する制御装置（１）と、
前記被診断電解コンデンサ（２）の誘電正接（ｔａｎδ）測定時に、前記出力部（１５）と接続される測定専用治具（４）と、
前記被診断電解コンデンサ（２）の誘電正接（ｔａｎδ）を測定する計測器（６）と、
前記測定専用治具（４）と前記計測器（６）との間に配置され、前記測定専用治具（４）を介して前記計測器（６）に接続される前記複数の構成回路（３）を切り替える入力切替装置（５）と、
前記被診断電解コンデンサ（２）の誘電正接（ｔａｎδ）の劣化判定値を記憶し、前記被診断電解コンデンサ（２）の誘電正接（ｔａｎδ）と前記劣化判定値とを比較して、前記被診断コンデンサ（２）の劣化度を判定するパーソナルコンピュータ（７）と、
を備え、
前記パーソナルコンピュータ（７）は、予め、複数の異なる誘電正接の電解コンデンサ（２ｓ）について単体で測定した誘電正接（ｔａｎδｓ）と、前記複数の構成回路（３）に装着して前記計測器（６）で測定した誘電正接（ｔａｎδｓｍ）とに基づいて、前記単体での誘電正接（ｔａｎδｓ）とそれぞれの前記構成回路（３）に搭載された状態での誘電正接（ｔａｎδｓｍ）との相関関係を表す推定式を、前記構成回路（３）毎にそれぞれ求めて記憶し、
前記計測器（６）は、前記入力切替装置（５）からの信号に基づいて、前記構成回路（３）に搭載された状態での前記被診断電解コンデンサ（２）の誘電正接（ｔａｎδｍ）を測定し、
前記パーソナルコンピュータ（７）は、
前記計測器（６）で測定した前記被診断電解コンデンサ（２）の誘電正接（ｔａｎδｍ）と、測定時の前記構成回路（３）を特定する情報と、前記推定式とに基づいて、前記被診断電解コンデンサ（２）単体時の誘電正接（ｔａｎδ）を推定し、
推定した前記被診断電解コンデンサ（２）単体時の誘電正接（ｔａｎδ）と前記劣化判定値と比較することにより、劣化度を診断することを特徴とする電解コンデンサ劣化診断システム。
【請求項２】
前記パーソナルコンピュータ（７）は、
前記入力切替装置（５）に対して前記測定器（６）へ出力する前記構成回路（３）を選択する動作と、
前記測定器（６）に誘電正接の測定開始及び終了の指示および選択した前記構成回路（３）と誘電正接測定値から成るデータを送信する指令を行い前記データを記憶する動作と、
前記データと前記推定式に基づいて前記被診断電解コンデンサ（２）単体時の誘電正接（ｔａｎδ）を推定し、前記劣化判定値と比較して劣化判定する動作と、
を自動的に前記構成回路（３）の数だけ実行するプログラム（２２）を備えたことを特徴とする請求項１に記載の電解コンデンサ劣化診断システム。
【請求項３】
各仕様の電解コンデンサについて単体での誘電正接（ｔａｎδ）の劣化判定値を記憶し、
被診断電解コンデンサ（２）の誘電正接（ｔａｎδ）と前記劣化判定値を比較して劣化度を判定する手順を備え、前記被診断電解コンデンサ（２）を有する複数の構成回路（３）を備えた制御装置（１）における電解コンデンサ劣化診断方法において、
予め、複数の異なる誘電正接の電解コンデンサ（２ｓ）をサンプルとして用い単体で第１の誘電正接（ｔａｎδｓ）を測定するステップ（ＳＴ１）と、
予め、前記複数の異なる誘電正接の電解コンデンサ（２ｓ）を前記構成回路（３）に装着した状態で第２の誘電正接（ｔａｎδｓｍ）を測定するステップ（ＳＴ２）と、
予め、全ての前記構成回路（３）について、前記第１の誘電正接（ｔａｎδｓ）と前記第２の誘電正接（ｔａｎδｓｍ）との相関関係から推定式を求めて記憶するステップ（ＳＴ３）と、
前記被診断電解コンデンサ（２）の誘電正接（ｔａｎδｍ）を前記構成回路（３）に装着されたままの状態で測定するステップ（ＳＴ４）と、
測定した前記被診断電解コンデンサ（２）の誘電正接（ｔａｎδｍ）および測定時の前記構成回路（３）を特定する情報から前記被診断電解コンデンサ（２）単体時の誘電正接（ｔａｎδ）を前記推定式に基づいて推定するステップ（ＳＴ５）と、
推定した前記被診断電解コンデンサ（２）単体時の誘電正接（ｔａｎδ）と前記劣化判定値と比較することにより劣化度を診断するステップ（ＳＴ６）と、
を備えたことを特徴とする電解コンデンサ劣化診断方法。
【請求項４】
前記被診断電解コンデンサ（２）の誘電正接（ｔａｎδｍ）を前記構成回路（３）に装着されたままの状態で測定する前記ステップ（ＳＴ４）と、測定した前記被診断電解コンデンサ（２）の誘電正接（ｔａｎδｍ）および測定時の前記構成回路（３）を特定する情報から前記被診断電解コンデンサ（２）単体時の誘電正接（ｔａｎδ）を前記推定式に基づいて推定する前記ステップ（ＳＴ５）と、推定した前記被診断電解コンデンサ（２）単体時の誘電正接（ｔａｎδ）と前記劣化判定値と比較することにより劣化度を診断する前記ステップ（ＳＴ６）と、を予め定めた順番に従って、前記被診断電解コンデンサ（２）を搭載した前記構成回路（３）の数だけ自動的に繰り返すステップを有することを特徴とする請求項３に記載の電解コンデンサ劣化診断方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月4日(2010.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
ベース部材２１に設けられている脚部３は、平面視略矩形状に形成されている。脚部３の幅は、係合凹部１６が設けられていない取付孔１５の幅より若干短い寸法で形成されていることが好ましい。また、脚部３の前後方向の長さは、取付孔１５の前後方向の長さより若干短い（脚部３の幅と取付孔１５の幅との差より短い）寸法で形成されていることが好ましい。また、脚部３の長さ（長手方向の長さ）は、特に限定されないが、取付孔１５の長手方向（深さ方向）の長さより短い寸法で形成されていることが好ましい。脚部３の前面の下方は、傾斜されてテーパ面３ａとして形成されていることが好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４Ｂ】
2008224704.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５Ｂ】
2008224704.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０Ａ】
2008224704.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月3日(2010.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方向に並んだ画素と、
前記各画素に設けられたスリット群であって複数のスリットが前記一方向に配列されたスリット群と、
を備え、
前記スリット群は前記一方向における隣接距離を２種類以上含んで配列されていること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶表示装置であって、
前記スリット群は前記一方向に不規則な隣接距離で配列されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の液晶表示装置であって、
前記画素は、長方形形状を有し、
前記一方向は、前記画素の長辺方向であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の液晶表示装置であって、
前記画素は、長方形形状を有し、
前記一方向は、前記画素の短辺方向であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１または請求項２に記載の液晶表示装置であって、
一対の基板と、
前記一対の基板に挟持された液晶層と、
前記一対の基板の一方の基板に設けられた画素電極と共通電極と、
を備え、
前記各スリット群は前記画素電極と前記共通電極とのうちの前記液晶層側の電極に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
一方向に並んだ画素と、
前記各画素に設けられたスリット群であって複数のスリットが前記一方向に配列されたスリット群と、
を備え、
前記各スリット群の前記画素内における配置位置が前記一方向について２種類以上存在することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項６に記載の液晶表示装置であって、
前記画素は、長方形形状を有し、
前記一方向は、前記画素の長辺方向であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項６に記載の液晶表示装置であって、
前記画素は、長方形形状を有し、
前記一方向は、前記画素の短辺方向であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
請求項６に記載の液晶表示装置であって、
一対の基板と、
前記一対の基板に挟持された液晶層と、
前記一対の基板の一方の基板に設けられた画素電極と共通電極と、
を備え、
前記各スリット群は前記画素電極と前記共通電極とのうちの前記液晶層側の電極に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明に係る液晶表示装置は、一方向に並んだ画素と、前記各画素に設けられたスリット群であって複数のスリットが前記一方向に配列されたスリット群と、を備え、前記スリット群は前記一方向における隣接距離を２種類以上含んで配列されていることを特徴とする。上記構成によれば、スリット群による光の干渉を抑制することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、前記スリット群は前記一方向に不規則な隣接距離で配列されていることが好ましい。上記構成によれば、上記光干渉をいっそう抑制することができる。また、前記画素は、長方形形状を有し、前記一方向は、前記画素の長辺方向であることが好ましい。また、前記画素は、長方形形状を有し、前記一方向は、前記画素の短辺方向であることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
一対の基板と、前記一対の基板に挟持された液晶層と、前記一対の基板の一方の基板に設けられた画素電極と共通電極と、を備え、前記各スリット群は前記画素電極と前記共通電極とのうちの前記液晶層側の電極に設けられていることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明に係る液晶表示装置は、一方向に並んだ画素と、前記各画素に設けられたスリット群であって複数のスリットが前記一方向に配列されたスリット群と、を備え、前記各スリット群の前記画素内における配置位置が前記一方向について２種類以上存在することを特徴とする。上記構成によれば、スリット群による光の干渉を抑制することができる。また、前記画素は、長方形形状を有し、前記一方向は、前記画素の長辺方向であることが好ましい。また、前記画素は、長方形形状を有し、前記一方向は、前記画素の短辺方向であることが好ましい。また、一対の基板と、前記一対の基板に挟持された液晶層と、前記一対の基板の一方の基板に設けられた画素電極と共通電極と、を備え、前記各スリット群は前記画素電極と前記共通電極とのうちの前記液晶層側の電極に設けられていることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月4日(2010.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力される駆動周波数に応じて電圧を出力する圧電トランスと、前記駆動周波数を制御して、前記圧電トランスからの出力電圧を制御する制御手段と、該圧電トランスから出力された電圧を用いて画像を形成する画像形成手段とを備える画像形成装置であって、
前記制御手段は、
前記圧電トランスから出力させる電圧の電圧値を取得する取得手段と、
複数の前記駆動周波数と各駆動周波数に対応する前記出力電圧との対応関係を予め定義したテーブルを用いて、前記取得した電圧値に対応する前記駆動周波数を設定する設定手段と、
前記設定された駆動周波数に従って、前記圧電トランスへ入力する駆動周波数のパルスを生成するパルス生成手段と
を備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記制御手段は、
前記駆動周波数を予め定められた変化量で切り換える切り換え手段と、
前記切り換えられた駆動周波数で生成されたパルスに応じて出力された前記出力電圧を検出する検出手段と、
前記変化量ごとに切り換えられた複数の駆動周波数と、各駆動周波数に応じて出力された出力電圧とを対応づけて格納することにより、前記テーブルを生成するテーブル生成手段とをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記テーブル生成手段は、
前記画像形成装置に電源が投入された場合及び前記画像形成装置に含まれるプロセスカートリッジが交換された場合の少なくとも一方で、前記テーブルを生成することを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記制御手段は、デジタル回路であることを特徴とする請求項２又は３に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記設定手段は、
前記テーブルから、前記取得した電圧値に対応する前記駆動周波数を選択する選択手段を備えることを特徴とする請求項２乃至４の何れか１項に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記設定手段は、
前記テーブルから、前記取得した電圧値に近い複数の電圧値に対応する各駆動周波数を抽出して、該取得した電圧値に対応する前記駆動周波数を導出する導出手段とを備えることを特徴とする請求項２乃至４の何れか１項に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記切り換え手段は、
前記圧電トランスの不要共振周波数における出力電圧と、該圧電トランスの共振周波数における出力電圧との間に設定される出力電圧の閾値に基づき、前記圧電トランスからの出力電圧が閾値以下となる周波数領域では前記パルスの周波数を切り換える変化量を第１変化量に変更し、前記閾値を超える周波数領域では前記変化量を該第１変化量よりも大きい第２変化量に変更することを特徴とする請求項２乃至６の何れか１項に記載の画像形成装置。
【請求項８】
入力される駆動周波数に応じて電圧を出力する圧電トランスと、前記駆動周波数を制御して、前記圧電トランスからの出力電圧を制御する制御手段とを備える電圧電源装置であって、
前記制御手段は、
前記圧電トランスから出力させる電圧の電圧値を取得する取得手段と、
複数の前記駆動周波数と各駆動周波数に対応する前記出力電圧との対応関係を予め定義したテーブルを用いて、前記取得した電圧値に対応する前記駆動周波数を設定する設定手段と、
前記設定された駆動周波数に従って、前記圧電トランスへ入力する駆動周波数のパルスを生成するパルス生成手段と
を備えることを特徴とする電圧電源装置。
【請求項９】
入力される駆動周波数に応じて電圧を出力する圧電トランスと、前記駆動周波数を制御して前記圧電トランスからの出力電圧を制御する制御手段と、該圧電トランスから出力された電圧を用いて画像を形成する画像形成手段とを備える画像形成装置を制御する方法であって、
前記制御手段が、
前記圧電トランスから出力させる電圧の電圧値を取得するステップと、
複数の前記駆動周波数と各駆動周波数に対応する前記出力電圧との対応関係を予め定義したテーブルを用いて、前記取得した電圧値に対応する前記駆動周波数を設定するステップと、
前記設定された駆動周波数に従って、前記圧電トランスへ入力する駆動周波数のパルスを生成するステップと
を実行することを特徴とする方法。
【請求項１０】
入力される駆動周波数に応じて電圧を出力する圧電トランスと、前記駆動周波数を制御して、前記圧電トランスからの出力電圧を制御する制御手段とを備える電圧電源装置を制御する方法であって、
前記制御手段が、
前記圧電トランスから出力させる電圧の電圧値を取得するステップと、
複数の前記駆動周波数と各駆動周波数に対応する前記出力電圧との対応関係を予め定義したテーブルを用いて、前記取得した電圧値に対応する前記駆動周波数を設定するステップと、
前記設定された駆動周波数に従って、前記圧電トランスへ入力する駆動周波数のパルスを生成するステップと
を実行することを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、例えば、入力される駆動周波数に応じて電圧を出力する圧電トランスと、駆動周波数を制御して、圧電トランスからの出力電圧を制御する制御手段と、圧電トランスから出力された電圧を用いて画像を形成する画像形成手段とを備える画像形成装置として実現できる。制御手段は、圧電トランスから出力させる電圧の電圧値を取得する取得手段と、複数の駆動周波数と各駆動周波数に対応する出力電圧との対応関係を予め定義したテーブルを用いて、取得した電圧値に対応する駆動周波数を設定する設定手段と、設定された駆動周波数に従って、圧電トランスへ入力する駆動周波数のパルスを生成するパルス生成手段とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月12日(2010.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに分岐されて略平行に延びる複数の流路と、前記複数の流路内を流れる液体と熱交換を行う熱伝導部と、該熱伝導部の少なくとも一部の温度を調整する温度調整手段と、を備える熱交換器において、
前記複数の流路は前記熱伝導部の中心を中心として、その周囲に形成されていることを特徴とする熱交換器。
【請求項２】
前記複数の流路は、前記熱伝導部からそれぞれ所定距離だけ離間して形成されていることを特徴とする請求項１記載の熱交換器。
【請求項３】
前記複数の流路は前記熱伝導部と一体に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の熱交換器。
【請求項４】
前記複数の流路は前記熱伝導部と別体に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の熱交換器。
【請求項５】
前記複数の流路内を流れる液体のうち相対的に高温又は高比熱の液体の流路と、前記熱伝導部と、の熱伝達面積が相対的に大きく形成されていることを特徴とする請求項１に記載の熱交換器。
【請求項６】
前記複数の流路内を流れる液体のうち相対的に高温又は高比熱の液体の流路は、他の流路よりも前記熱伝導部側に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の熱交換器。
【請求項７】
前記複数の流路内を流れる液体のうち相対的に高温又は高比熱の液体の流路に対して、相対的に低温の液体の流路が隣接するように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の熱交換器。
【請求項８】
駆動信号に基づきインクを記録媒体に吐出する記録ヘッドと、
複数の流路を少なくとも有する該記録ヘッドにインクを供給するインク供給経路と、
前記記録媒体を前記記録ヘッドに対して相対的に搬送する記録媒体搬送部と、
前記インク経路に配置された前記請求項１記載の熱交換器と、を備えることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
前記目的を達成するため、本発明の熱交換器は、
互いに分岐されて略平行に延びる複数の流路と、前記複数の流路内を流れる液体と熱交換を行う熱伝導部と、該熱伝導部の少なくとも一部の温度を調整する温度調整手段と、を備える熱交換器において、前記複数の流路は前記熱伝導部の中心を中心として、その周囲に形成されていることを特徴とする。