【手続補正書】
【提出日】平成22年7月21日(2010.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＤＲＡＭ、フラッシュメモリ、マイクロプロセッサなどの半導体装置、または複数の前記半導体装置を同一基板上に設けた半導体装置の製造方法であって、
半導体ウエハ上に形成した絶縁膜または導電膜からなる皮膜に回路パターンを形成する工程が、
半導体ウエハ上に絶縁膜または導電膜からなる皮膜を形成するステップと、
前記皮膜上にフォトレジスト膜を形成するステップと、
縮小投影レンズの開口数が１以下である従来の縮小投影露光に用いるマスクの回路パターンデータを利用して回路パターンの形状が相似形に追加縮小させるデータ変換処理し、縮小投影レンズの開口数が１以上の縮小投影露光に対応した、マスク上での形状が追加縮小された回路パターンが含まれた前記皮膜に形成する回路パターンのマスクを設計、作製するステップと
前記マスクを縮小投影露光装置の所定の箇所に配置するステップと、
透明な液体からなるウエハカバーを半導体ウエハ上のフォトレジスト表面に接触させた状態で、前記半導体ウエハを縮小投影露光装置の所定の箇所に配置するステップと、
前記マスクを照明し、前記縮小投影露光装置の投影レンズ、及び前記透明な液体からなるウエハカバーを透過した露光光によって、半導体ウエハ上のフォトレジストを露光するステップと、
前記透明な液体からなるウエハカバーを除去した後、前記フォトレジストを現像するステップと、
現像によるレジストの回路パターンを基にして半導体ウエハ上に回路パターンを形成するステップと、から構成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記皮膜を形成するステップは、ＣＶＤ法、スパッタリング法を含む膜形成法による絶縁膜または導電膜からなる皮膜を形成するステップと、前記皮膜または前記皮膜を構成する一部の皮膜に対して化学機械研磨法または化学機械研削法を含む平坦化を遂行するステップとを含み、
前記フォトレジストを露光するステップは、前記平坦化により、縮小投影露光装置の投影レンズの対物面と半導体ウエハ面との相対的な平面位置の移動に伴う液体中の微小泡の発生を抑制させて、前記透明な液体からなるウエハカバーを透過した露光光によって露光を遂行させるように半導体ウエハ上のフォトレジストを露光するステップを含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
ＤＲＡＭ、フラッシュメモリ、マイクロプロセッサなどの半導体装置、または複数の前記半導体装置を同一基板上に設けた半導体装置の製造方法であって、
半導体ウエハ上に形成した絶縁膜または導電膜からなる皮膜に回路パターンを形成する工程が、
半導体ウエハ上に絶縁膜または導電膜からなる皮膜を形成するステップと、
前記皮膜上にフォトレジスト膜を形成するステップと、
露光光の波長が１９３ｎｍまたは１５７ｎｍのいずれかであること、及び縮小投影レンズの開口数が１以上であること、を含む条件の縮小投影露光に対応し、フォトレジスト膜にパターン形成可能な最小寸法の回路パターンが設けられた前記皮膜に形成する回路パターンのマスクを設計、作製するステップ、
前記マスクを縮小投影露光装置の所定の箇所に配置するステップと、
透明な液体からなるウエハカバーを半導体ウエハ上のフォトレジスト表面に接触させた状態で、前記半導体ウエハを縮小投影露光装置の所定の箇所に配置するステップと、
前記マスクを照明し、前記縮小投影露光装置の投影レンズ、及び前記透明な液体からなるウエハカバーを透過した露光光によって、半導体ウエハ上のフォトレジストを露光するステップと、
前記透明な液体なるウエハカバーを除去した後、前記フォトレジストを現像するステップと、
現像によるレジストの回路パターンを基にして半導体ウエハ上に回路パターンを形成するステップと、から構成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置の製造方法であって、
前記皮膜を形成するステップは、ＣＶＤ法、スパッタリング法を含む膜形成法による絶縁膜または導電膜からなる皮膜を形成するステップと、前記皮膜または前記皮膜を構成する一部の皮膜に対して化学機械研磨法または化学機械研削法を含む平坦化を遂行するステップとを含み、
前記フォトレジストを露光するステップは、前記平坦化により、縮小投影露光装置の投影レンズの対物面と半導体ウエハ面との相対的な平面位置の移動に伴う液体中の微小泡の発生を抑制させて、前記透明な液体からなるウエハカバーを透過した露光光によって露光を遂行させるように半導体ウエハ上のフォトレジストを露光するステップを含むことを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
ＤＲＡＭ、フラッシュメモリ、マイクロプロセッサなどの半導体装置、または複数の前記半導体装置を同一基板上に設けた半導体装置の製造方法であって、
半導体ウエハ上に形成した絶縁膜または導電膜からなる皮膜に回路パターンを形成する工程が、
半導体ウエハ上に絶縁膜または導電膜からなる皮膜を形成するステップと、
前記皮膜上にフォトレジスト膜を形成するステップと、
露光光の波長が１９３ｎｍまたは１５７ｎｍのいずれかであること、及び縮小投影レンズの開口数が１以上であること、を含む条件の縮小投影露光に対応した上に、マスク透過光の位相を互いに反転する手段が設けられた前記皮膜に形成する回路パターンのマスクを設計、作製するステップと、
前記マスクを縮小投影露光装置の所定の箇所に配置するステップと、
透明な液体からなるウエハカバーを半導体ウエハ上のフォトレジスト表面に接触させた状態で、前記半導体ウエハを縮小投影露光装置の所定の箇所に配置するステップと、
前記マスクを照明し、前記縮小投影露光装置の投影レンズ、及び前記透明な液体からなるウエハカバーを透過した露光光によって、半導体ウエハ上のフォトレジストを露光するステップと、
前記透明な液体からなるウエハカバーを除去した後、前記フォトレジストを現像するステップと、
現像によるレジストの回路パターンを基にして半導体ウエハ上に回路パターンを形成するステップと、から構成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置の製造方法であって、
前記皮膜を形成するステップは、ＣＶＤ法、スパッタリング法を含む膜形成法による絶縁膜または導電膜からなる皮膜を形成するステップと、前記皮膜または前記皮膜を構成する一部の皮膜に対して化学機械研磨法または化学機械研削法を含む平坦化を遂行するステップとを含み、
前記フォトレジストを露光するステップは、前記平坦化により、縮小投影露光装置の投影レンズの対物面と半導体ウエハ面との相対的な平面位置の移動に伴う液体中の微小泡の発生を抑制させて、前記透明な液体からなるウエハカバーを透過した露光光によって露光を遂行させるように半導体ウエハ上のフォトレジストを露光するステップを含むことを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
ＤＲＡＭ、フラッシュメモリ、マイクロプロセッサなどの半導体装置、または複数の前記半導体装置を同一基板上に設けた半導体装置の製造方法であって、
半導体ウエハ上に形成した絶縁膜または導電膜からなる皮膜に回路パターンを形成する工程が、
半導体ウエハ上に絶縁膜または導電膜からなる皮膜を形成するステップと、
前記皮膜上にフォトレジスト膜を形成するステップと、
露光光の波長が１９３ｎｍまたは１５７ｎｍのいずれかであること、及び縮小投影レンズの開口数が１以上であること、を含む条件の縮小投影露光に対応した上、前記皮膜に形成される回路パターンの変形を見込んで、マスク上に形成する回路パターンの寸法または形状を補正する光近接効果補正がなされた前記皮膜に形成する回路パターンのマスクを設計、作製するステップと、
前記マスクを縮小投影露光装置の所定の箇所に配置するステップと、
透明な液体からなるウエハカバーを半導体ウエハ上のフォトレジスト表面に接触させた状態で、前記半導体ウエハを縮小投影露光装置の所定の箇所に配置するステップと、
前記マスクを照明し、前記縮小投影露光装置の投影レンズ、及び前記透明な液体からなるウエハカバーを透過した露光光によって、半導体ウエハ上のフォトレジストを露光するステップと、
前記透明な液体からなるウエハカバーを除去した後、前記フォトレジストを現像するステップと、
現像によるレジストの回路パターンを基にして半導体ウエハ上に回路パターンを形成するステップと、から構成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置の製造方法であって、
前記皮膜を形成するステップは、ＣＶＤ法、スパッタリング法を含む膜形成法による絶縁膜または導電膜からなる皮膜を形成するステップと、前記皮膜または前記皮膜を構成する一部の皮膜に対して化学機械研磨法または化学機械研削法を含む平坦化を遂行するステップとを含み、
前記フォトレジストを露光するステップは、前記平坦化により、縮小投影露光装置の投影レンズの対物面と半導体ウエハ面との相対的な平面位置の移動に伴う液体中の微小泡の発生を抑制させて、前記透明な液体からなるウエハカバーを透過した露光光によって露光を遂行させるように半導体ウエハ上のフォトレジストを露光するステップを含むことを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
ＤＲＡＭ、フラッシュメモリ、マイクロプロセッサなどの半導体装置、または複数の前記半導体装置を同一基板上に設けた半導体装置の製造方法であって、
半導体ウエハ上に形成した絶縁膜または導電膜からなる皮膜に回路パターンを形成する工程が、
半導体ウエハ上に絶縁膜または導電膜からなる皮膜を形成するステップと、
前記皮膜上にフォトレジスト膜を形成するステップと、
露光光の波長が１９３ｎｍまたは１５７ｎｍのいずれかであること、及び縮小投影レンズの開口数が１以上であること、を含む条件の縮小投影露光に対応し、前記皮膜に形成する回路パターンのマスクを設計、作製するステップと、
前記マスクを縮小投影露光装置の所定の箇所に配置するステップと、
透明な液体からなるウエハカバーを半導体ウエハ上のフォトレジスト表面に接触させた状態で、前記半導体ウエハを縮小投影露光装置の所定の箇所に配置するステップと、
半導体ウエハ上のフォトレジストに露光によって形成されるパターンがより鮮明にさせるように、マスクの回路パターンの方向と周期に対応して最適化した角度だけ傾けてマスクの回路パターン面を照明し、前記縮小投影露光装置の投影レンズ、及び前記透明な液体からなるウエハカバーを透過した露光光によって、半導体ウエハ上のフォトレジストを露光するステップと、
前記透明な液体からなるウエハカバーを除去した後、前記フォトレジストを現像するステップと、
現像によるレジストの回路パターンを基にして半導体ウエハ上に回路パターンを形成するステップと、から構成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置の製造方法であって、
前記皮膜を形成するステップは、ＣＶＤ法、スパッタリング法を含む膜形成法による絶縁膜または導電膜からなる皮膜を形成するステップと、前記皮膜または前記皮膜を構成する一部の皮膜に対して化学機械研磨法または化学機械研削法を含む平坦化を遂行するステップとを含み、
前記フォトレジストを露光するステップは、前記平坦化により、縮小投影露光装置の投影レンズの対物面と半導体ウエハ面との相対的な平面位置の移動に伴う液体中の微小泡の発生を抑制させて、前記透明な液体からなるウエハカバーを透過した露光光によって露光を遂行させるように半導体ウエハ上のフォトレジストを露光するステップを含むことを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
ＤＲＡＭ、フラッシュメモリ、マイクロプロセッサなどの半導体装置、または複数の前記半導体装置を同一基板上に設けた半導体装置の製造方法であって、
半導体ウエハ上に形成した絶縁膜または導電膜からなる皮膜に回路パターンを形成する工程が、
半導体ウエハ上にＣＶＤ法、スパッタリング法を含む膜形成法による絶縁膜または導電膜からなる皮膜を形成するステップと、
前記皮膜または前記皮膜を構成する一部の皮膜に対して化学機械研磨法または化学機械研削法を含む平坦化を遂行するステップと、
前記皮膜上にフォトレジスト膜を形成するステップと、
前記皮膜に形成する回路パターンのマスクを作製するステップと、
前記マスクを縮小投影露光装置の所定の箇所に配置するステップと、
透明な液体からなるウエハカバーを半導体ウエハ上のフォトレジスト表面に接触させた状態で、前記半導体ウエハを縮小投影露光装置の所定の箇所に配置するステップと、
前記平坦化により、縮小投影露光装置の投影レンズの対物面と半導体ウエハ面との相対的な平面位置の移動に伴う液体中の微小泡の発生を抑制させて、前記マスクを照明し、前記縮小投影露光装置の投影レンズ、及び前記透明な液体からなるウエハカバーを透過した露光光によって、半導体ウエハ上のフォトレジストを露光するステップと、
前記透明な液体なるウエハカバーを除去した後、前記フォトレジストを現像するステップと、
現像によるレジストの回路パターンを基にして半導体ウエハ上に回路パターンを形成するステップと、から構成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の半導体装置の製造方法であって、
マスクを作製するステップは、縮小投影レンズの開口数が１以下である従来の縮小投影露光に用いるマスクの回路パターンデータを利用して回路パターンの形状が相似形に追加縮小させるデータ変換処理し、縮小投影レンズの開口数が１以上の縮小投影露光に対応した、マスク上で形状が追加縮小された回路パターンが含まれた前記皮膜に形成する回路パターンのマスクを設計、作製するステップである、または、露光光の波長が１９３ｎｍまたは１５７ｎｍのいずれかであること及び縮小投影レンズの開口数が１以上であることを含む条件の縮小投影露光に対応し、フォトレジスト膜にパターン形成可能な最小寸法の回路パターンが設けられた前記皮膜に形成する回路パターンのマスクを設計、作製するステップであることを特徴とする請求項１１記載の半導体装置の製造方法。