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【手続補正書】
【提出日】平成21年12月8日(2009.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検眼の眼軸長を測定する眼軸長測定装置において、
測定光と参照光を干渉させ、干渉信号を検出することにより、非接触にて眼軸長を測定する非接触式眼軸長測定手段と、
超音波プローブを被検眼角膜に接触させた状態で超音波を発信し眼組織で反射したエコー信号を受信して被検眼の眼軸長を測定する超音波式眼軸長測定手段と、
前記非接触式眼軸長測定手段を用いて測定を行う第１測定モードと前記超音波眼軸長測定手段を用いて測定を行う第２測定モードとを自動もしくは手動にて切換えるモード切換手段と、
前記第１測定モード及び第２測定モードにて得られた測定結果を表示する表示手段と、を備えることを特徴とする眼軸長測定装置。
【請求項２】
請求項１の眼軸長測定装置は、さらに
前記第１測定モードにおいて前記非接触眼軸長測定手段によって得られる測定結果が所定の測定条件を満たすか否かを判定する測定判定手段と、
前記測定判定手段により測定条件を満たさないと判定されたときは、前記第１測定モードから第２測定モードに自動的に切換え、または前記第２測定モードにて眼軸長測定を行うべき旨を報知する切換制御手段と、
を備えることを特徴とする眼軸長測定装置。
【請求項３】
請求項１の眼軸長測定装置は、さらに
被検眼前眼部の断面像を撮影する撮影光学系と、
撮影された前眼部断面像を処理して、被検眼透光体部分に許容できない混濁があるか否かを判定する混濁判定手段と、
を有することを特徴とする眼軸長測定装置。
【請求項４】
被検眼の眼軸長を測定する眼軸長測定装置において、
測定光と参照光を干渉させ、干渉信号を検出することにより、非接触にて眼軸長を測定する非接触式眼軸長測定手段と、
超音波プローブを被検眼角膜に接触させた状態で超音波を発信し眼組織で反射したエコー信号を受信し被検眼の眼軸長を測定する測定手段であって、該非接触式眼軸長測定手段の筐体上に前後方向に移動可能に設けられた超音波式眼軸長測定手段と、
前記非接触式眼軸長測定手段を用いて測定を行う第１測定モードと前記超音波眼軸長測定手段を用いて測定を行う第２測定モードとを自動もしくは手動にて切換えるモード切換手段と、
前記非接触式眼軸長測定手段を前後・左右・上下方向に移動させる移動手段と、
第２測定モードへの切換え信号に基づいて超音波プローブを待機位置から測定可能位置に被検者側に前進させる駆動手段と、
前記第１測定モード及び第２測定モードにて得られた測定結果を表示する表示手段と、を備えることを特徴とする眼軸長測定装置。
【請求項５】
請求項４の眼軸長測定装置は、さらに第２測定モードへの切換え信号に基づいて超音波プローブを下降させるように前記移動手段を制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とする眼軸長測定装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
（１）  被検眼の眼軸長を測定する眼軸長測定装置において、測定光と参照光を干渉させ、干渉信号を検出することにより、非接触にて眼軸長を測定する非接触式眼軸長測定手段と、超音波プローブを被検眼角膜に接触させた状態で超音波を発信し眼組織で反射したエコー信号を受信して被検眼の眼軸長を測定する超音波式眼軸長測定手段と、前記非接触式眼軸長測定手段を用いて測定を行う第１測定モードと前記超音波眼軸長測定手段を用いて測定を行う第２測定モードとを自動もしくは手動にて切換えるモード切換手段と、前記第１測定モード及び第２測定モードにて得られた測定結果を表示する表示手段と、を備えることを特徴とする。
（２）  （１）の眼軸長測定装置は、さらに前記第１測定モードにおいて前記非接触眼軸長測定手段によって得られる測定結果が所定の測定条件を満たすか否かを判定する測定判定手段と、前記測定判定手段により測定条件を満たさないと判定されたときは、前記第１測定モードから第２測定モードに自動的に切換え、または前記第２測定モードにて眼軸長測定を行うべき旨を報知する切換制御手段と、を備えることを特徴とする。
（３）  （１）の眼軸長測定装置は、さらに被検眼前眼部の断面像を撮影する撮影光学系と、撮影された前眼部断面像を処理して、被検眼透光体部分に許容できない混濁があるか否かを判定する混濁判定手段と、を有することを特徴とする。
（４）  被検眼の眼軸長を測定する眼軸長測定装置において、測定光と参照光を干渉させ、干渉信号を検出することにより、非接触にて眼軸長を測定する非接触式眼軸長測定手段と、超音波プローブを被検眼角膜に接触させた状態で超音波を発信し眼組織で反射したエコー信号を受信し被検眼の眼軸長を測定する測定手段であって、該非接触式眼軸長測定手段の筐体上に前後方向に移動可能に設けられた超音波式眼軸長測定手段と、前記非接触式眼軸長測定手段を用いて測定を行う第１測定モードと前記超音波眼軸長測定手段を用いて測定を行う第２測定モードとを自動もしくは手動にて切換えるモード切換手段と、前記非接触式眼軸長測定手段を前後・左右・上下方向に移動させる移動手段と、第２測定モードへの切換え信号に基づいて超音波プローブを待機位置から測定可能位置に被検者側に前進させる駆動手段と、前記第１測定モード及び第２測定モードにて得られた測定結果を表示する表示手段と、を備えることを特徴とする。
（５）  （４）の眼軸長測定装置は、さらに第２測定モードへの切換え信号に基づいて超音波プローブを下降させるように前記移動手段を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月16日(2009.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
髄腔に押し込まれる髄腔挿入部の近位部の一部を骨セメント固定し、固定した
以下の部分をセメント非使用の骨誘導材で作成し、前記髄腔に押し込み、更に髄腔挿入部の上端全外周部に幅が７ｍｍから２０ｍｍ、深さが１ｍｍから３ｍｍの骨セメント充填層を被着し、沈込み予防カラーをセメント層上端に備えて前記髄腔に固定とすることを特徴とする人工関節及び人工骨頭用ステムの固定方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月21日(2009.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
また、（メタ）アクリル酸の合成で得られた不純分を含む粗（メタ）アクリル酸は、抽出、蒸留等の通常の手段により精製処理することにより不純物の少ない製品とすることができる。しかしながら、上記の方法では、微量に存在する、合成時の副反応生成物である不純分（以下「副反応不純分」という）を除去することが難しく、（メタ）アクリル酸製品が着色する、又は重合阻害を生じさせるといった問題が生じている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
また、粗（メタ）アクリル酸を少量のアミノ基含有化合物で処理する場合、副反応不純分とアミノ基含有化合物との反応生成物は粘着性を有するもの又は固形物であることが多い。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
粗（メタ）アクリル酸の純度としては、５０％以上が好ましく、９０％以上がより好ましい。更に好ましくは９９％以上である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
[アミン添加工程]
本発明では、粗（メタ）アクリル酸に第１級及び／又は第２級のアミノ基含有化合物が添加される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
アミノ基含有化合物は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。また、アミノ基含有化合物の添加量は、粗（メタ）アクリル酸１００質量部に対して、０．００１〜１質量部が好ましく、０．００５〜０．８質量部がより好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
[イオン交換樹脂・ホルムアルデヒド処理工程]
イオン交換樹脂処理工程での処理を実施しても（メタ）アクリル酸の精製が不十分な場合には、イオン交換樹脂処理工程の後に、更に、イオン交換樹脂・ホルムアルデヒド処理工程を有することが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
イオン交換樹脂・ホルムアルデヒド処理工程で使用されるホルムアルデヒド含有物としては、ホルムアルデヒド、ホルムアルデヒド溶解溶液、及びパラホルムアルデヒド等のホルムアルデヒドを生成し得る化合物が挙げられる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
回収率（％）＝Ｂ／Ａ×１００
Ａ：精製処理前の粗メタクリル酸含有物に含まれるメタクリル酸の質量
Ｂ：精製処理後の精製メタクリル酸に含まれるメタクリル酸の質量  誘導期間の測定は次のように行った。すなわち、試験管に測定対象の精製メタクリル酸１００ｍｌ、ヒドロキノンモノメチルエーテル５ｍｇ及び重合促進剤として過酸化ベンゾイル０．１ｇを加えて溶解した。これに水１０ｍｌを加え、温度６５℃の恒温槽に浸漬し、熱電対を用いて試験管内の液温を測定した。液温が６５℃より上昇した時点、即ち重合熱の発生し始めた時点を測定し、恒温槽に浸漬してから重合開始までに要した時間を誘導期間とした。重合性能は誘導期間が短いものほど優れている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
［実施例２及び３］
表１に記載の下記条件のイオン交換樹脂処理工程及び下記条件のイオン交換樹脂・ホルムアルデヒド処理工程で処理する以外は実施例１と同様にして粗メタクリル酸の精製処理を実施した。また、半年間連続運転した後に、反応装置内の付着物の有無を調べてみた処、付着物は非常に少なく、液の排出口が閉塞する心配もなく、良好な運転を継続できた。評価結果を表１に示す。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
［比較例１］
縦型多段翼反応槽を使用する代わりに、図６に示すように完全混合型の反応槽を使用した反応装置（Ａ）とする以外は実施例１と同様にして粗メタクリル酸の精製処理を実施した。この処理条件では、反応装置（Ａ）として完全混合槽列モデルで１槽と２槽の中間に相当する流れ特性を有していた。評価結果を表１に示す。また、半年間連続運転した後に、反応装置内の付着物の有無を調べてみた処、多くの付着物が確認され、液の排出口を閉塞する心配があり、運転を止めて、付着物を除去する必要があった。
【表１】
2008161848.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月6日(2010.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
非特許文献１では、イオン注入法におけるｐ型半導体の作製方法が記載されている。サファイア基板上のアンドープのＧａＮエピタキシャル層に、ベリリウム（Ｂｅ）と酸素（O）を共注入した後に、窒素（Ｎ２）の雰囲気中でアニールを行う。この後に、ホール測定のための電極を作製した。ホール測定の結果によれば、ベリリウム（Ｂｅ）と酸素（O）の共添加により、ｐ型ＧａＮが得られた。そのアクセプタの活性化エネルギーは、５７ｍｅＶ以下であった。サファイア基板上のアンドープのＧａＮエピタキシャル層に、マグネシウム（Ｍｇ）と酸素（O）を共注入した後に、窒素（Ｎ２）の雰囲気中でアニールを行ったけれども、まったくｐ型特性が得られなかった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
非特許文献１では、ベリリウム（Ｂｅ）と酸素（O）の共注入とＮ２アニールされたＧａＮにおいて、良好な特性のｐ型半導体が得られているが、マグネシウム（Ｍｇ）と酸素（O）の共注入とＮ２アニールされたＧａＮにおいては、ｐ型半導体が得られていない。非特許文献２では、イオン注入法ではなく熱拡散法によってＭｇ添加を行ってｐ型ＧａＮが得られている。しかしながら、熱拡散法では、ｐ型ドーパントのプロファイルの制御が困難である。また、低いｐ型ドーパント濃度の制御が困難である。さらに、微細なｐ型半導体領域を形成することが困難である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
イオン注入が窒化ガリウム系半導体のＩｎＧａＮ領域に行われたとき、熱処理の温度ＴＡは摂氏９００度以下であることが好ましい。表面荒れや結晶性の劣化等により、p型のキャリアが得られにくくなるからである。また、温度ＴＡは摂氏６００度以上であることが好ましい。この温度未満の温度では十分な活性化効果が得られないからである。この方法によれば、ｐ型ＩｎＧａＮが形成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2009170604.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月16日(2010.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板を介して上下面にサイズが異なる半導体チップを１つずつ、前記回路基板上面から見た場合に、その重心位置をずらし重ねて搭載した両面実装構造の半導体装置であって、
上面に搭載される半導体チップと下面に搭載される半導体チップが重なり合う領域には、前記回路基板の少なくとも一方の表面に凹部または凸部が形成されている
半導体装置。
【請求項２】
前記凹部または凸部は、前記重なり合う全領域に形成されている
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記凹部または凸部は、反対側に搭載されている半導体チップの外周に対応する位置に沿って鍵型の形状に形成されている
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記凹部または凸部は、反対側に搭載されている半導体チップの外周に対応する位置に沿って断続的に鍵型の形状に形成されている
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
回路基板の上下面にサイズが異なる半導体チップを１つずつ、前記回路基板上面から見た場合に、その重心位置をずらし重ねて搭載した両面実装構造の半導体装置であって、
上面に搭載される半導体チップと下面に搭載される半導体チップが重なり合わない領域の前記回路基板の表面には、弾性体の凸部が形成されている
半導体装置。
【請求項６】
前記凹部または凸部は、樹脂材料である請求項５記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の請求項１記載の半導体装置は、回路基板を介して上下面にサイズが異なる半導体チップを１つずつ、前記回路基板上面から見た場合に、その重心位置をずらし重ねて搭載した両面実装構造の半導体装置であって、上面に搭載される半導体チップと下面に搭載される半導体チップが重なり合う領域には、前記回路基板の少なくとも一方の表面に凹部または凸部が形成されている半導体装置である。
また、本発明の請求項２記載の半導体装置は、請求項１において、前記凹部または凸部は、前記重なり合う全領域に形成されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の請求項３記載の半導体装置は、請求項１において、前記凹部または凸部は、反対側に搭載されている半導体チップの外周に対応する位置に沿って鍵型の形状に形成されていることを特徴とする。
また、本発明の請求項４記載の半導体装置は、請求項３において、前記凹部または凸部は、反対側に搭載されている半導体チップの外周に対応する位置に沿って断続的に鍵型の形状に形成されていることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の請求項５記載の半導体装置は、回路基板の上下面にサイズが異なる半導体チップを１つずつ、前記回路基板上面から見た場合に、その重心位置をずらし重ねて搭載した両面実装構造の半導体装置であって、上面に搭載される半導体チップと下面に搭載される半導体チップが重なり合わない領域の前記回路基板の表面には、弾性体の凸部が形成されていることを特徴とする。
また、本発明の請求項６記載の半導体装置は、請求項５において、前記凸部は、樹脂材料であることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月17日(2010.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜上に形成された電荷蓄積層と、
前記電荷蓄積層上に形成された第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜上に形成された制御ゲート電極層とを備え、
前記第２のゲート絶縁膜は、前記電荷蓄積層と前記制御ゲート電極層との間において、シリコン酸化膜と、シリコン窒化膜の比誘電率よりも高い比誘電率を有する第１の高誘電体絶縁膜と、シリコン窒化膜の比誘電率よりも高い比誘電率を有する第２の高誘電体絶縁膜との層構造を備え、前記第１および第２の高誘電体絶縁膜が前記シリコン酸化膜を挟んだ構造をなしていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜上に形成された電荷蓄積層と、
前記電荷蓄積層上に形成された第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜上に形成された制御ゲート電極層とを備え、
前記第２のゲート絶縁膜は、前記電荷蓄積層と前記制御ゲート電極層との間に前記電荷蓄積層側から前記制御ゲート電極層側にかけて、第１のシリコン窒化膜、第１のシリコン酸化膜、比誘電率がシリコン窒化膜の比誘電率よりも高い比誘電率を有する第１の高誘電体絶縁膜、第２のシリコン酸化膜、第２のシリコン窒化膜の積層構造を備えると共に、第１のシリコン窒化膜および第１のシリコン酸化膜間、または、第２のシリコン窒化膜および第２のシリコン酸化膜間の少なくとも何れか一方に比誘電率がシリコン窒化膜の比誘電率よりも高い比誘電率を有する第２の高誘電体絶縁膜を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜上に形成された電荷蓄積層と、
前記電荷蓄積層上に形成された第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜上に形成された制御ゲート電極層とを備え、
前記第２のゲート絶縁膜は、前記電荷蓄積層と前記制御ゲート電極層との間において、第１ないし第３のシリコン酸化膜の３層シリコン酸化膜構造を備えると共に、比誘電率がシリコン窒化膜の比誘電率よりも高い比誘電率を有する第１の高誘電体絶縁膜と、比誘電率がシリコン窒化膜の比誘電率よりも高い比誘電率を有する第２の高誘電体絶縁膜とを備え、前記第１の高誘電体絶縁膜が前記３層シリコン酸化膜構造間に介在する２層のうちの何れか一方に形成されていると共に前記第２の高誘電体絶縁膜が前記３層シリコン酸化膜構造間に介在する２層のうちの他方に形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】
前記第１の高誘電体絶縁膜は遷移金属元素の酸化膜を含んでいることを特徴とする請求項１ないし３の何れかに記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項５】
半導体基板上に第１のゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第１のゲート絶縁膜上に電荷蓄積層を形成する工程と、
前記電荷蓄積層上に第１のシリコン窒化膜を形成する工程と、
前記第１のシリコン窒化膜上に第１のシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記第１のシリコン酸化膜上に比誘電率がシリコン窒化膜の比誘電率よりも高い比誘電率を有する第１の高誘電体絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の高誘電体絶縁膜上に第２のシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記第２のシリコン酸化膜上に比誘電率がシリコン窒化膜の比誘電率よりも高い比誘電率を有する第２の高誘電体絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の高誘電体絶縁膜上に第２のシリコン窒化膜を形成する工程と、
前記第２のシリコン窒化膜上に制御ゲート電極層を形成する工程とを備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一態様は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜上に形成された電荷蓄積層と、前記電荷蓄積層上に形成された第２のゲート絶縁膜と、前記第２のゲート絶縁膜上に形成された制御ゲート電極層とを備え、前記第２のゲート絶縁膜は、前記電荷蓄積層と前記制御ゲート電極層との間において、シリコン酸化膜と、シリコン窒化膜の比誘電率よりも高い比誘電率を有する第１の高誘電体絶縁膜と、シリコン窒化膜の比誘電率よりも高い比誘電率を有する第２の高誘電体絶縁膜との層構造を備え、前記第１および第２の高誘電体絶縁膜が前記シリコン酸化膜を挟んだ構造をなしていることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の別の態様は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜上に形成された電荷蓄積層と、前記電荷蓄積層上に形成された第２のゲート絶縁膜と、前記第２のゲート絶縁膜上に形成された制御ゲート電極層とを備え、前記第２のゲート絶縁膜は、前記電荷蓄積層と前記制御ゲート電極層との間において、第１ないし第３のシリコン酸化膜の３層シリコン酸化膜構造を備えると共に、比誘電率がシリコン窒化膜の比誘電率よりも高い比誘電率を有する第１の高誘電体絶縁膜と、比誘電率がシリコン窒化膜の比誘電率よりも高い比誘電率を有する第２の高誘電体絶縁膜とを備え、前記第１の高誘電体絶縁膜が前記３層シリコン酸化膜構造間に介在する２層のうちの何れか一方に形成されていると共に前記第２の高誘電体絶縁膜が前記３層シリコン酸化膜構造間に介在する２層のうちの他方に形成されていることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月18日(2010.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
細孔が設けられたメソフェーズ小球体の球晶黒鉛化物を含む負極活物質。
【請求項２】
前記メソフェーズ小球体の球晶黒鉛化物は、全表面積に対する外表面積の割合が１０％以上５０％以下のものである請求項１記載の負極活物質。
【請求項３】
前記メソフェーズ小球体の球晶黒鉛化物は、窒素吸着測定に基づきＢＥＴ法によって決定される比表面積が０．１ｍ2 ／ｇ以上５ｍ2 ／ｇ以下のものである請求項１記載の負極活物質。
【請求項４】
前記メソフェーズ小球体の球晶黒鉛化物は、レーザ回折式粒度分布計による中位径（Ｄ50）が５μｍ以上５０μｍ以下のものである請求項１記載の負極活物質。
【請求項５】
前記メソフェーズ小球体の球晶黒鉛化物は、Ｘ線広角回折法により算出されるＣ軸方向の格子面間隔ｄ002 が０．３３５４ｎｍ以上０．３３７０ｎｍ以下であり、かつ、Ｃ軸方向の結晶子の大きさが８０ｎｍ以上のものである請求項１記載の負極活物質。
【請求項６】
前記メソフェーズ小球体の球晶黒鉛化物は、アルゴンイオンレーザ光を用いたラマンスペクトルが以下の条件式（１）を満たすものである請求項１記載の負極活物質。
０．０５≦Ｂ／Ａ≦０．２  ……（１）
但し、
Ａ：１５７０ｃｍ-1 以上１６２０ｃｍ-1 以下の範囲に現れるピークの強度
Ｂ：１３５０ｃｍ-1 以上１３７０ｃｍ-1 以下の範囲に現れるピークの強度
【請求項７】
負極集電体に設けられた負極活物質層を有し、
前記負極活物質層は、細孔が設けられたメソフェーズ小球体の球晶黒鉛化物を負極活物質として含む負極。
【請求項８】
前記メソフェーズ小球体の球晶黒鉛化物は、全表面積に対する外表面積の割合が１０％以上５０％以下のものである請求項７記載の負極。
【請求項９】
前記メソフェーズ小球体の球晶黒鉛化物は、窒素吸着測定に基づきＢＥＴ法によって決定される比表面積が０．１ｍ2 ／ｇ以上５ｍ2 ／ｇ以下のものである請求項７記載の負極。
【請求項１０】
前記メソフェーズ小球体の球晶黒鉛化物は、レーザ回折式粒度分布計による中位径（Ｄ50）が５μｍ以上５０μｍ以下のものである請求項７記載の負極。
【請求項１１】
前記メソフェーズ小球体の球晶黒鉛化物は、Ｘ線広角回折法により算出されるＣ軸方向の格子面間隔ｄ002 が０．３３５４ｎｍ以上０．３３７０ｎｍ以下であり、かつ、Ｃ軸方向の結晶子の大きさが８０ｎｍ以上のものである請求項７記載の負極。
【請求項１２】
前記メソフェーズ小球体の球晶黒鉛化物は、アルゴンイオンレーザ光を用いたラマンスペクトルが以下の条件式（２）を満たすものである請求項７記載の負極。
０．０５≦Ｂ／Ａ≦０．２  ……（２）
但し、
Ａ：１５７０ｃｍ-1 以上１６２０ｃｍ-1 以下の範囲に現れるピークの強度
Ｂ：１３５０ｃｍ-1 以上１３７０ｃｍ-1 以下の範囲に現れるピークの強度
【請求項１３】
前記負極活物質層の体積密度が１．５０ｇ／ｃｍ3 以上２．２６ｇ／ｃｍ3 以下である請求項７記載の負極。
【請求項１４】
正極および負極と共に電解質を備えた電池であって、
前記負極は、負極集電体に設けられた負極活物質層を有し、
前記負極活物質層は、細孔が設けられたメソフェーズ小球体の球晶黒鉛化物を負極活物質として含む電池。
【請求項１５】
負極集電体を用意したのち、この負極集電体に、細孔が設けられたメソフェーズ小球体の球晶黒鉛化物を含む負極活物質層を形成する工程と、
前記負極活物質層を、その体積密度が１．５０ｇ／ｃｍ3 以上２．２６ｇ／ｃｍ3 以下となるようにプレス成型する工程と
を含む負極の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
一方、粒子硬度の小さい黒鉛粒子、例えば天然黒鉛や、鱗片状黒鉛、または鱗片状黒鉛を粉砕・造粒した黒鉛などを負極活物質として用いた場合には高密度充填が可能であり、電池のさらなる高エネルギー密度化に有利である。しかしながら、そのような粒子硬度の小さなものを高密度充填すると、圧縮成型の際、負極活物質層の（特に表面近傍の）空隙が減少してしまい、電解液が十分に浸透もしくは含浸できず、高負荷での充放電特性や低温での充電特性が低下する、といった問題が懸念される。さらに、鱗片状黒鉛およびそれを粉砕・造粒した黒鉛は、メソフェーズ黒鉛小球体に比べて比表面積が大きく、負極集電体と負極活物質層との間における剥離強度の低下や、電解液の分解による充放電効率の低下を引き起こす可能性がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
正極５１は、正極集電体５１Ａの一面に正極活物質層５１Ｂが設けられたものである。負極５２は、負極集電体５２Ａの一面に負極活物質層５２Ｂおよび被膜５２Ｃが設けられたものである。正極集電体５１Ａ、正極活物質層５１Ｂ、負極集電体５２Ａ、負極活物質層５２Ｂおよびセパレータ５３の構成は、それぞれ上記した第１の電池における正極集電体２１Ａ、正極活物質層２１Ｂ、負極集電体２２Ａ、負極活物質層２２Ｂおよびセパレータ２３の構成と同様である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月13日(2010.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
一方、後掲の特許文献１および特許文献２では、Ｏ２アッシング処理を使用することなくレジストパターンを除去する手法が提案されている。例えば、特許文献１に開示された技術では、まず、レジストパターンを形成した際の最高熱処理温度よりも高い温度で水蒸気のみの処理を行うことによりレジスト表面領域にポッピングと呼ぶレジストの局所的な破裂を発生させる。その後、オゾンと水蒸気を混合させた雰囲気で処理することによりレジストを除去する。また、特許文献１には、オゾンと水蒸気の混合ガスでの処理後にＳＰＭで処理することも記載されている。また、特許文献２には、９５℃以上の水蒸気を密閉チャンバ中に充満させた後にオゾンガスを噴霧することにより、イオン注入のドーズ量が１×１０１４ｃｍ−２を越える場合にもレジスト除去が可能となることが開示されている。
【特許文献１】特開２００４−３２７５３７号公報
【特許文献２】特開２００６−９３４７３号公報
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
Ｎチャネルトランジスタの高濃度不純物領域を形成する場合、シリコン単結晶基板１００上には、Ｐチャネルトランジスタの形成領域を被覆するレジストパターン１２１が形成される。当該状態で、Ｎ型の不純物イオンが１×１０１５ｃｍ−２程度のドーズ量でイオン注入され、ゲート電極１０４両側のシリコン単結晶基板表面にＮ型の高濃度不純物領域１０８が形成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
また、チャック１１と薬液回収カップ１２と薬液吐出ノズル１３は、ボックス状のチャンバ１８内に配置されている。当該構成により、薬液回収カップ１２から排気ライン１６を通じた雰囲気の装置外部への排出を可能にするとともに、ウェハＷ付近で気流が乱流となり、雰囲気が装置外部へ拡散することを防止することができる。また、当該枚葉式処理装置では、ウェハＷ上の気流を制御するためにチャンバ１８の天井部分に、ＨＥＰＡフィルタ（High Efficiency Particulate Air Filter）１９が配置されており、よりスムーズな気流制御を実現させている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
以上の構成を有する枚葉式処理装置において、硬化層酸化処理は、以下のようにして実施される。まず、硬化層酸化処理の開始前に、タンク２１において、酸化剤である過酸化水素水の温度が昇温される。また、配管２５の温度もテープヒータ２８により過酸化水素水の温度に応じた温度に昇温される。このときの過酸化水素水の温度は、酸化能力を最大限に確保すると同時に過酸化水素水ができる限り分解されない状態の濃度に維持可能な温度に設定される。例えば、タンク２１内の過酸化水素水の温度が、ヒータ２２により７０℃に維持される。なお、タンク２１内の過酸化水素水の温度は８０℃以下であることが好ましい。これは、８０℃を超えると、過酸化水素が分解し、酸化能力が低下するからである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
Ｏ３吐出ノズル４８は、配管４２を介してＯ３ガスを貯蔵するボンベ４０に接続されている。配管４２に介在されたバルブ４１を開放状態にすると、配管４２を通じて所定温度のＯ３ガスがＯ３吐出ノズル４８に供給される。なお、配管４２の周囲には、ボンベ４０とチャンバ１８との間に、供給するＯ３ガスの温度を所定温度に昇温し、当該所定温度にＯ３ガスの温度を維持するテープヒータ５０が配置されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
図５は、当該硬化層酸化処理を実施する枚葉式処理装置の構造を示す概略断面図である。図５に示すように当該枚葉式処理装置は、閉鎖式のチャンバ６４の内部に、ウェハＷを載置するチャック６０を備える。チャック６０は、真空吸着等により載置されたウェハＷを固定する。チャック６０には、セラミックヒータ等からなるヒータ６１が埋設されており、チャック６０に載置されたウェハＷを所定温度に維持する。チャック６０の表面近傍には、ウェハＷの裏面温度を測定する熱電対６２ａが設けられている。また、ヒータ６１の近傍にはチャック６０の温度を測定する熱電対６２ｂが設けられている。各熱電対６２ａ、６２ｂは、温度制御装置６３に接続されており、温度制御装置６３は熱電対６２ａ、６２ｂで測定された温度と設定温度とに基づいて、ウェハＷの温度が所定温度になる状態にヒータ６１の出力を調整する。なお、各エキシマランプユニット６６とウェハＷの間の隙間は１０ｍｍ程度に設定されている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
図８は膨潤化処理および除去処理において、ウェハに供給されるＳＰＭの温度の時間変化を示す図である。図８では、横軸が時間に対応し、縦軸がＳＰＭの温度に対応する。図８に示すように、処理開始時点から時刻ａまでの間は、ＳＰＭ温度は、一定の昇温速度で上昇する。この上昇期間がレジスト膜の膨潤化処理の期間である。その上昇期間に続く時刻ａ〜時刻ｂの上昇期間で到達した温度に維持された期間が除去処理の期間である。このように、膨潤化処理および除去処理は、同一の処理装置で同一の薬液を使用して連続的に実施することができる。時刻０から時刻ａの間における、ＳＰＭ温度の上昇速度は、上昇期間として少なくとも３０秒の時間を確保するために、例えば、０．１〜５℃／ｓｅｃに設定することが好ましい。この場合、ウェハＷも当該昇温速度に近い速度で昇温する。これに対し、１６０℃程度のＳＰＭを時刻０から供給すると、ウェハＷの温度は１０℃／ｓｅｃ以上の昇温速度で上昇するため、膨潤化処理のための十分な時間を確保することができなくなる。加えて、時刻０から高温のＳＰＭをウェハＷに供給すると、硬化変質層７が急激に炭化されレジスト膜２を完全に除去することが困難になる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月21日(2010.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の裏面側から光を照射し、入射光に応じて前記半導体基板内で発生した電荷
を、前記半導体基板の表面側から読み出して撮像を行う裏面照射型撮像素子であって、
前記半導体基板に設けられ、入射光を光電変換することで信号電荷を生成する不純物拡
散層と、
前記半導体基板の表面側に形成された回路基板とを備え、
前記回路基板に、撮像時に電圧が印加されることで、前記不純物拡散層で生成される信号電荷を前記半導体基板の表面側に捕集する電荷捕集電極を備えていることを特徴とする裏面照射型撮像素子。
【請求項２】
前記半導体基板の表面側に設けられ、信号電荷を転送する電荷転送領域を備え、
前記回路基板の裏面側に、信号電荷を転送する電圧が印加される電荷転送電極が設けられ、電荷転送時に、前記電荷捕集電極と前記電荷転送電極にそれぞれ電圧を印加し、信号電荷を前記電荷転送領域に誘導する電圧供給部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の裏面照射型撮像素子。
【請求項３】
半導体基板の裏面側から光を照射し、入射光に応じて前記半導体基板内で発生した電荷を、前記半導体基板の表面側から読み出して撮像を行う裏面照射型撮像素子の駆動方法であって、
前記裏面照射型撮像素子に、入射光を光電変換することで信号電荷を生成するため前記半導体基板に設けられた不純物拡散層と、前記半導体基板の表面側に形成された回路基板とが備えられ、
撮像時に、前記回路基板に設けられた電荷捕集電極に電圧を印加することで、前記不純物拡散層で生成される信号電荷を前記半導体基板の表面側に捕集することを特徴とする裏面照射型撮像素子の駆動方法。
【請求項４】
前記裏面照射型撮像素子に、前記半導体基板の表面側に設けられ、信号電荷を転送する電荷転送領域が備えられ、
前記回路基板の裏面側に、信号電荷を転送する駆動電圧が印加される電荷転送電極が設けられ、電荷転送時に、前記電荷捕集電極と前記電荷転送電極にそれぞれ電圧を印加することで、信号電荷を前記電荷転送領域に誘導することを特徴とする請求項３に記載の裏面照射型撮像素子の駆動方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の上記目的は、下記構成によって達成される。
（１）半導体基板の裏面側から光を照射し、入射光に応じて前記半導体基板内で発生した電荷を、前記半導体基板の表面側から読み出して撮像を行う裏面照射型撮像素子であって、
前記半導体基板に設けられ、入射光を光電変換することで信号電荷を生成する不純物拡散層と、
前記半導体基板の表面側に形成された回路基板とを備え、
前記回路基板に、撮像時に電圧が印加されることで、前記不純物拡散層で生成される信号電荷を前記半導体基板の表面側に捕集する電荷捕集電極を備えていることを特徴とする裏面照射型撮像素子。
（２）前記半導体基板の表面側に設けられ、信号電荷を転送する電荷転送領域を備え、前記回路基板の裏面側に、信号電荷を転送する駆動電圧が印加される電荷転送電極が設けられ、電荷転送時に、前記電荷捕集電極と前記電荷転送電極にそれぞれ電圧を印加し、信号電荷を前記電荷転送領域に誘導する電圧供給部が設けられていることを特徴とする上記（１）に記載の裏面照射型撮像素子。
（３）半導体基板の裏面側から光を照射し、入射光に応じて前記半導体基板内で発生した電荷を、前記半導体基板の表面側から読み出して撮像を行う裏面照射型撮像素子の駆動方法であって、
前記裏面照射型撮像素子に、入射光を光電変換することで信号電荷を生成するため前記半導体基板に設けられた不純物拡散層と、前記半導体基板の表面側に形成された回路基板とが備えられ、
撮像時に、前記回路基板に設けられた電荷捕集電極に電圧を印加することで、前記不純物拡散層で生成される信号電荷を前記半導体基板の表面側に捕集することを特徴とする裏面照射型撮像素子の駆動方法。
（４）前記裏面照射型撮像素子に、前記半導体基板の表面側に設けられ、信号電荷を転送する電荷転送領域が備えられ、前記回路基板の裏面側に、信号電荷を転送する駆動電圧が印加される電荷転送電極が設けられ、電荷転送時に、前記電荷捕集電極と前記電荷転送電極にそれぞれ電圧を印加することで、信号電荷を前記電荷転送領域に誘導することを特徴とする上記（３）に記載の裏面照射型撮像素子の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月22日(2010.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
次に、図５Ａ（ｂ）に示すように、第１のレジスト３２をＲＩＥ等により除去する。このとき、同時に、第１のＣ含有膜３０の表面の露出部分を所定の深さまで削り、溝３０ａを形成する。この第１のＣ含有膜３０に形成された溝３０ａの深さは、後の工程で形成される第１のパターン部１０の第１の無機層１４の厚さを決定するものであり、例えば、１００ｎｍとする。ここで、第１のレジスト３２のエッチングガスとして、例えば、Ｏ２とＮ２の混合ガスを用い、流量をＯ２／Ｎ２＝１００／５０ｓｃｃｍとする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月25日(2010.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  塩化Ｎ-アセチル-3,4,6-トリ-Ｏ-アセチル-α-グルコサミニルであるアシルアミノ糖と金属フッ化物とを反応させることを特徴とする２−メチル(3,4,6-トリ-Ｏ-アセチル-1,2-ジデオキシ-α-グルコピラノ)[2,1-d]-2-オキサゾリンである糖オキサゾリン誘導体の製造方法。
【請求項２】  金属フッ化物が、アルカリ金属フッ化物である請求項１記載の製造方法。
【請求項３】  請求項１または２に記載の製造方法により糖オキサゾリン誘導体を製造し、次いで、得られた糖オキサゾリン誘導体の保護基の少なくとも一部を除去することを含む、下記一般式（３）で示される糖オキサゾリン誘導体の製造方法。
【化１】
2003012683.tif 000001
（式中、Ｒ1はメチルであり、
Ｒ3及びＲ4はＨであり、
Ｒ2、Ｒ5及びＲ6は、それぞれ独立に、ＯＨ又はＯ−アセチルである。）
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月7日(2010.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
上記ウォーム軸６の基端部に上記スプライン孔１３を、このウォーム軸６の基端面に開口する状態で、このウォーム軸６と同心に形成している。又、上記出力軸１２の先端部に上記スプライン軸部１４を、この出力軸１２と同心に形成している。そして、このスプライン軸部１４と上記スプライン孔１３とをスプライン係合させる事で、上記出力軸１２と上記ウォーム軸６とを、トルクの伝達を自在に結合している。上記スプライン孔１３の内周面に形成した各雌スプライン歯１７、１７のピッチ円直径は、上記スプライン軸部１４の外周面に形成した各雄スプライン歯１８、１８のピッチ円直径よりも少し大きくして、上記スプライン軸部１４を上記スプライン孔１３に、緩く挿入できる様にしている。従って、これらスプライン軸部１４とスプライン孔１３とのスプライン係合部１９には、ウォーム歯５とウォームホイール４との噛合部のバックラッシュを解消すべく、上記ウォーム軸６の先端部（図１の右端部）を上記ウォームホイール４に向け変位させる為に、十分なバックラッシュが存在する。言い換えれば、上記ウォーム歯５とウォームホイール４との噛合部のバックラッシュの解消に伴って、上記スプライン係合部１９にコジリ等の不都合が発生しにくくしている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
１    ステアリングホイール
２    ステアリングシャフト
３    ハウジング
４    ウォームホイール
５    ウォーム歯
６、６ａ    ウォーム軸
７    電動モータ
８    ウォーム
９ａ、９ｂ    転がり軸受
１０    押圧駒
１１    コイルばね
１２、１２ａ    出力軸
１３、１３ａ    スプライン孔
１４、１４ａ    スプライン軸部
１５    中間シャフト
１６    ステアリングギヤユニット
１７    雌スプライン歯
１８    雄スプライン歯
１９    スプライン係合部
２０    内径側係止凹溝
２１    凹部
２２    外径側係止凹溝
２３、２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄ    弾性リング
２４    トルク継手部
２５    凹部
２６ａ    凹凸部
２７    突縁
２８    凸部
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月7日(2010.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記先端側ラジアル転がり軸受１２を構成する内輪１８の内周面と、上記ウォーム軸１０の先端寄り部分の外周面との間に、ゴム等の弾性材製のブッシュ１９ａを設置している。このブッシュ１９ａの内径は、上記ウォーム軸１０の先端寄り部分の外径よりも少し大きくして、このブッシュ１９ａの内径側にこのウォーム軸１０の先端寄り部分を緩く挿入している。従って、ウォーム歯９とウォームホイール４との間でトルクを伝達しない中立状態では、上記ブッシュ１９ａの内周面と上記ウォーム軸１０の先端寄り部分の外周面との間には、図２〜４に示す様に、隙間２０が存在する。この点に関しては、前述の図１２〜１３、１５〜１６に示した従来構造と同様である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月7日(2010.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）シンナミックアルコール及びペリラアルデヒドから選ばれる香気性化合物、並びに（Ｂ）ショ糖脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル及びポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルから選ばれるノニオン性界面活性剤を含有する唾液中へのイムノグロブリンＡ分泌促進剤。
【請求項２】
成分（Ａ）と成分（Ｂ）との質量比〔（Ａ）：（Ｂ）〕が１：０．２〜１：５０である請求項１記載の唾液中へのイムノグロブリンＡ分泌促進剤。
【請求項３】
成分（Ｂ）のノニオン性界面活性剤の各脂肪酸部分の平均炭素数が１０〜１８である請求項１又は２記載の唾液中へのイムノグロブリンＡ分泌促進剤。
【請求項４】
（Ａ）シンナミックアルコール及びペリラアルデヒドから選ばれる香気性化合物、並びに（Ｂ）ショ糖脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル及びポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルから選ばれるノニオン性界面活性剤を含有する口腔用組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
そこで本発明者らは、口腔内に適用したとき、分泌型ＩｇＡ産生量を増加させ、歯垢等のバイオフィルム生成を抑制する成分について検討したところ、シンナミックアルコール及びペリラアルデヒドから選ばれる香気性化合物と、ショ糖脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル及びポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルから選ばれるノニオン性界面活性剤とを組み合せて用いた場合に、唾液中への顕著なＩｇＡ分泌促進効果、並びに口腔内のバイオフィルム生成抑制による歯垢付着抑制効果を有する口腔用組成物が得られることを見出した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、（Ａ）シンナミックアルコール及びペリラアルデヒドから選ばれる香気性化合物、並びに（Ｂ）ショ糖脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル及びポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルから選ばれるノニオン性界面活性剤を含有する唾液中へのＩｇＡ分泌促進剤及びこれらを含有する口腔用組成物を提供するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月11日(2009.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
このとき、前記冷却補助筒の材質は、黒鉛材、炭素複合材（ＣＣ材）、ステンレス、モリブデン、タングステンのいずれかであることが好ましい（請求項２）。
このように、前記冷却補助筒の材質が、黒鉛材、炭素複合材（ＣＣ材）等の炭素材、およびステンレス、モリブデン、タングステン等の金属材のいずれかであれば、単結晶からの熱をより効率良く吸収することができる。また、その熱を冷却筒により効率良く伝達することができる。また、耐熱性も高いものとすることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図２に本発明で使用することができる冷却補助筒の一例を示す。
図２に示すように、冷却補助筒は軸方向に貫く切れ目２０を有している。
冷却筒１２の内側に冷却補助筒１９を嵌合させるために、単に冷却筒１２の内径と冷却補助筒１９の外径を概略同じにしただけでは、冷却補助筒１９を装着および脱着するのが困難であるが、冷却補助筒１９は軸方向に貫く切れ目２０を有すことで、冷却補助筒１９を容易に装脱着することができる。また、単結晶４の育成中に冷却筒１２と冷却補助筒１９の熱膨張差により冷却補助筒１９が割れてしまうことを防ぐことができる。すなわち、冷却筒は冷却媒体で強制冷却されているので、結晶育成時に熱がかかってもそれほど膨張しないが冷却補助筒は膨張する。さらに、冷却補助筒１９が熱膨張することによって、冷却補助筒１９は冷却筒１２にかたく嵌合し、双方の表面の接触面積が増え、十分に密着するので、冷却補助筒１９から冷却筒１２へ熱を効率よく伝達することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
またこのとき、前記冷却筒１２の下方に延伸する整流筒１４が設けられていることが好ましい。
このように、前記冷却筒１２の下方に延伸する整流筒１４が設けられていれば、ヒータ８および原料融液５からの輻射熱を遮って単結晶４を冷却することができる。また、冷却筒１２が融液面の直上まで近づくことが防がれ安全性が確保される。また、単結晶の引上げ中に発生する酸化性ガスによる汚れ防止のための不活性ガスが融液上方から結晶近傍を下流するように整流する効果を発揮することができ、また、不活性ガスによる単結晶４の冷却効果も期待できる。これによって、育成中の単結晶４をより効率良く冷却することができ、単結晶４の成長速度の高速化の効果を高めることができる。
また、冷却筒１２を非常に高温の融液面と十分離すことができ、原料融解時などに飛散する原料融液５が冷却筒１２に付着し、冷却筒１２が破損、溶損等が生じることもなく、極めて安全に単結晶４の育成を行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月1日(2010.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）を含有する発泡性圧縮成形型浴用剤。
（Ａ）（Ａ１）油性成分、（Ａ２）グリセリン及び（Ａ３）ポリエチレングリコールを含有する粒子であって、ポリエチレングリコールを粒子中に６０〜９５質量％含有する粒子
（Ｂ）水不溶性の無機顔料粉体
（Ｃ）炭酸水素ナトリウム及び／又は炭酸ナトリウム
（Ｄ）有機酸
【請求項２】
粒子（Ａ）中の（Ａ１）油性成分の含有量が（Ａ２）グリセリンの含有量の０．１質量倍以上である請求項１記載の浴用剤。
【請求項３】
（Ａ１）油性成分として、分子量１００以上であってClogP値が６〜１２の脂肪酸エステル類を、粒子中に０．１質量％以上含むものである請求項１又は２に記載の浴用剤。
【請求項４】
さらに、粒子（Ａ）中に香料を含む請求項１〜３のいずれか１項に記載の浴用剤。
【請求項５】
（Ｂ）無機顔料粉体の含有量が、０．１〜１０質量％である請求項１〜４のいずれか１項に記載の浴用剤。