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【手続補正書】
【提出日】平成22年7月5日(2010.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
赤色発光素子と、緑色発光素子と、青色発光素子とを含む、複数の有機発光素子を有し、各有機発光素子は第１電極と光取り出し側の透明電極からなる第２電極との間に形成されている、発光層を含む有機層を有しており、
前記発光層で発光する光を、前記発光層よりも前記第１電極側に設けられている第１反射面と、前記発光層よりも前記第２電極側に設けられている第２反射面との間で共振させる共振器構造を有する、表示装置において、
前記３色の有機発光素子のうち１色もしくは２色の有機発光素子は、発光層よりも第２電極側に金属半透明層を有し、第２反射面は前記金属半透明層の発光層側にあり、
残りの有機発光素子における第２反射面は、第２電極の光取り出し側にあることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記３色の有機発光素子のうち１色もしくは２色の有機発光素子は、前記緑色発光素子であり、
前記残りの有機発光素子は、前記赤色発光素子及び前記青色発光素子であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記赤色発光素子、前記緑色発光素子、前記青色発光素子の発光ピーク波長をそれぞれ、λR、λG、λBとし、第１反射面と第２反射面との光学的距離をそれぞれ、ＬR、ＬG、ＬBとする場合、以下の数１を満たすことを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
【数１】
2009026574.tif 000001
（ここで、φR、φG、φBは、それぞれ前記赤色発光素子、前記緑色発光素子、前記青色発光素子の第１反射面の位相シフト量と第２反射面の位相シフト量との和である。）
【請求項４】
前記金属半透明層は、前記第２電極の前記光取り出し側に配置されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記赤色発光素子、前記緑色発光素子、前記青色発光素子の発光ピーク波長をそれぞれ、λR、λG、λBとし、第１反射面と第２反射面との光学的距離をそれぞれ、ＬR、ＬG、ＬBとする場合、以下の数２を満たすことを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
【数２】
2009026574.tif 000002
（ここで、φR、φG、φBは、それぞれ前記赤色発光素子、前記緑色発光素子、前記青色発光素子の第１反射面の位相シフト量と第２反射面の位相シフト量との和である。）
【請求項６】
前記金属半透明層は、前記第２電極の前記光取り出し側に配置されることを特徴とする請求項１、２及び５のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項７】
発光層を除く有機層は、前記複数の有機発光素子の間を跨いで連続して形成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決するための手段として、本発明は、
赤色発光素子と、緑色発光素子と、青色発光素子とを含む、複数の有機発光素子を有し、各有機発光素子は第１電極と光取り出し側の透明電極からなる第２電極との間に形成されている、発光層を含む有機層を有しており、
前記発光層で発光する光を、前記発光層よりも前記第１電極側に設けられている第１反射面と、前記発光層よりも前記第２電極側に設けられている第２反射面との間で共振させる共振器構造を有する、表示装置において、
前記３色の有機発光素子のうち１色もしくは２色の有機発光素子は、発光層よりも第２電極側に金属半透明層を有し、第２反射面は前記金属半透明層の発光層側にあり、
残りの有機発光素子における第２反射面は、第２電極の光取り出し側にあることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月7日(2010.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
（ａ）半導体基板上に順に絶縁膜およびポリシリコン層を堆積し、その上に窒化膜製のハードマスクをパターン形成し、そのハードマスクをエッチングマスクとしてエッチング処理してゲートを形成する工程と、
（ｂ）前記半導体基板にソース／ドレインのエクステンション領域を形成する工程と、
（ｃ）前記ゲートの側面と前記エクステンション領域の必要部分とを被覆する様に側面視断面Ｌ字状に酸化膜を形成しその上に窒化膜を形成することで、サイドウォールを形成する工程と、
（ｃ）前記半導体基板における、ソース／ドレインのコンタクト領域となる領域をリセスし、そのリセスした溝に、前記半導体基板の半導体素材よりも格子間隔の大きい第１の半導体素材または格子間隔の小さい第２の半導体素材をエピタキシャル成長させてソース／ドレインのコンタクト領域を形成し、その上にシリコン層を形成する工程と、
（ｄ）窒化膜エッチングにより、前記サイドウォールの前記窒化膜および前記ハードマスクを除去する工程と、
（ｅ）前記ゲートおよび前記ソース／ドレインを被覆する様に、圧縮型または引張型のストレスライナー膜を形成する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月17日(2010.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に下部ゲート絶縁膜を形成し、
前記下部ゲート絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜を結晶化することにより前記下部ゲート絶縁膜上に結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜上に上部ゲート絶縁膜を形成し、
前記上部ゲート絶縁膜上に上部ゲート電極を形成し、
前記剥離層を前記絶縁膜から剥離し、
前記絶縁膜を加工することにより前記下部ゲート絶縁膜を露出させ、
前記露出した下部ゲート絶縁膜に接する下部ゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記結晶質半導体膜はチャネル形成領域を有しており、前記下部ゲート電極が前記下部ゲート絶縁膜に接する領域は、前記チャネル形成領域に対応する領域の内側に位置していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１において、前記結晶質半導体膜は、チャネル形成領域及び該チャネル形成領域の外側に形成された低濃度不純物領域を有しており、前記下部ゲート電極が前記下部ゲート絶縁膜に接する領域は、前記チャネル形成領域と前記低濃度不純物領域とに対応する領域の内側に位置していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜を結晶化することにより前記絶縁膜上に結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜上に上部ゲート絶縁膜を形成し、
前記上部ゲート絶縁膜上に上部ゲート電極を形成し、
前記剥離層を前記絶縁膜から剥離し、
前記絶縁膜に開口部を形成することにより該開口部によって前記結晶質半導体膜を露出させ、
前記露出した結晶質半導体膜に接する下部ゲート絶縁膜を形成し、
前記下部ゲート絶縁膜に接する下部ゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、前記結晶質半導体膜はチャネル形成領域を有しており、前記開口部によって前記結晶質半導体膜が露出した領域は、前記チャネル形成領域に対応する領域の内側に位置していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４において、前記結晶質半導体膜は、チャネル形成領域及び該チャネル形成領域の外側に形成された低濃度不純物領域を有しており、前記開口部によって前記結晶質半導体膜が露出した領域は、前記チャネル形成領域と前記低濃度不純物領域とに対応する領域の内側に位置していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜を結晶化することにより前記絶縁膜上に結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜上に上部ゲート絶縁膜を形成し、
前記上部ゲート絶縁膜上に上部ゲート電極を形成し、
前記剥離層を前記絶縁膜から剥離し、
前記絶縁膜を加工することにより前記結晶質半導体膜を露出させ、
前記露出した結晶質半導体膜を加工することにより、前記結晶質半導体膜にその膜厚を薄くした薄膜領域を形成し、
前記薄膜領域に接する下部ゲート絶縁膜を形成し、
前記下部ゲート絶縁膜に接する下部ゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、前記結晶質半導体膜はチャネル形成領域を有しており、前記薄膜領域は、前記チャネル形成領域に対応する領域の内側に位置していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された下部ゲート絶縁膜と、
前記下部ゲート絶縁膜上に形成された結晶質半導体膜と、
前記結晶質半導体膜上に形成された上部ゲート絶縁膜と、
前記上部ゲート絶縁膜上に形成された上部ゲート電極と、
前記絶縁膜に形成され、前記下部ゲート絶縁膜下に位置された開口部と、
前記開口部内に形成され、前記下部ゲート絶縁膜に接して形成された下部ゲート電極と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９において、前記結晶質半導体膜はチャネル形成領域を有しており、前記下部ゲート電極が前記下部ゲート絶縁膜に接する領域は、前記チャネル形成領域に対応する領域の内側に位置していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項９において、前記結晶質半導体膜は、チャネル形成領域及び該チャネル形成領域の外側に形成された低濃度不純物領域を有しており、前記下部ゲート電極が前記下部ゲート絶縁膜に接する領域は、前記チャネル形成領域と前記低濃度不純物領域とに対応する領域の内側に位置していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された結晶質半導体膜と、
前記結晶質半導体膜上に形成された上部ゲート絶縁膜と、
前記上部ゲート絶縁膜上に形成された上部ゲート電極と、
前記絶縁膜に形成され、前記結晶質半導体膜下に位置された開口部と、
前記開口部内に形成され、前記結晶質半導体膜に接して形成された下部ゲート絶縁膜と、
前記開口部内に形成され、前記下部ゲート絶縁膜に接して形成された下部ゲート電極と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１２において、前記結晶質半導体膜はチャネル形成領域を有しており、前記下部ゲート絶縁膜が前記結晶質半導体膜に接する領域は、前記チャネル形成領域に対応する領域の内側に位置していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１２において、前記結晶質半導体膜は、チャネル形成領域及び該チャネル形成領域の外側に形成された低濃度不純物領域を有しており、前記下部ゲート絶縁膜が前記結晶質半導体膜に接する領域は、前記チャネル形成領域と前記低濃度不純物領域とに対応する領域の内側に位置していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された結晶質半導体膜と、
前記結晶質半導体膜上に形成された上部ゲート絶縁膜と、
前記上部ゲート絶縁膜上に形成された上部ゲート電極と、
前記絶縁膜に形成され、前記結晶質半導体膜下に位置された開口部と、
前記開口部に繋げられ、前記結晶質半導体膜内に形成された凹部と、
前記凹部上に形成され、前記結晶質半導体膜の膜厚が薄くされた薄膜領域と、
前記凹部内に形成され、前記薄膜領域に接して形成された下部ゲート絶縁膜と、
前記凹部内及び前記開口部内に形成され、前記下部ゲート絶縁膜に接して形成された下部ゲート電極と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１５において、前記結晶質半導体膜はチャネル形成領域を有しており、前記薄膜領域は、前記チャネル形成領域に対応する領域の内側に位置していることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月6日(2010.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の誘導加熱手段及び電熱ヒータと、前記複数の誘導加熱手段及び前記電熱ヒータへの通電を総電力が最大定格消費電力値を越えないように各々制御する複数の制御手段と、設定情報を入力すると共に、前記最大定格消費電力値を設定することができる操作設定手段とを備え、前記複数の誘導加熱手段及び前記電熱ヒータの同時使用可能口数を、前記操作設定手段で設定された前記最大定格消費電力値によって変更する構成とした加熱調理器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、屋内配線の制約により機器の最大定格消費電力値を制限される機器において、調理上の制約を軽減できる加熱調理器を提供することを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
前記従来の課題を解決するために、本発明の加熱調理器は、複数の誘導加熱手段及び複数の電熱ヒータと、前記複数の誘導加熱手段及び前記複数の電熱ヒータへの通電を総電力が最大定格消費電力値を越えないように各々制御する複数の制御手段と、設定情報を入力すると共に、前記最大定格消費電力値を設定することができる操作設定手段とを備え、前記複数の誘導加熱手段及び前記複数の電熱ヒータの同時使用可能口数を、前記操作設定手段で設定された前記最大定格消費電力値によって変更したものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
これによって、仕向け地の電力供給事状に合わせて機器の最大定格消費電力値を切り替えて設定でき、かつ使用者にも最大定格消費電力値毎に快適に使用できる加熱調理器を提供することができる。また、製造段階では、各基板の組み合わせの管理をする必要がなくなり、製造コスト的にも有利になる。例えば、最大定格消費電力値が最大５８００Ｗの機器の場合は、誘導加熱ユニットを２口、ロースタ用シーズヒータを１口、ラジェントヒータを１口の４口を同時に使用でき、最大定格消費電力値が最大４８００Ｗの機器の場合は、誘導加熱ユニットを２口、ロースタ用シーズヒータを１口もしくは、ラジェントヒータを１口の３口を同時に使用できるようにする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の加熱調理器は、仕向け地の電力供給事状に合わせて最大定格消費電力を切り替えることができ、最大定格消費電力量値毎に、前記複数の誘導加熱手段及び電熱ヒータの同時使用可能口数を変更することで、仕向け地の電力供給事状に合わせて機器の最大定格消費電力値を設定でき、かつ使用者にも最大定格消費電力値毎に快適に使用できる加熱調理器を提供することができる。また、製造段階では、各基板の組み合わせの管理をする必要がなくなり、製造コスト的にも有利になる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
第１の発明は、複数の誘導加熱手段及び電熱ヒータと、前記複数の誘導加熱手段及び前記電熱ヒータへの通電を総電力が最大定格消費電力値を越えないように各々制御する複数の制御手段と、設定情報を入力すると共に、前記最大定格消費電力値を設定することができる操作設定手段とを備え、前記複数の誘導加熱手段及び前記電熱ヒータの同時使用可能口数を、前記操作設定手段で設定された前記最大定格消費電力値によって変更する構成としたことにより、仕向け地の電力供給事状に合わせて機器の最大定格消費電力値を設定でき、かつ使用者にも最大定格消費電力値毎に快適に使用できる加熱調理器を提供することができる。また、製造段階では、各基板の組み合わせの管理をする必要がなくなり、製造コスト的にも有利になる。例えば、最大定格消費電力値が最大５８００Ｗの機器の場合は、誘導加熱ユニットを２口、ロースタ用シーズヒータを１口、ラジェントヒータを１口の４口を同時に使用でき、最大定格消費電力値が最大４８００Ｗの機器の場合は、誘導加熱ユニットを２口、ロースタ用シーズヒータを１口もしくは、ラジェントヒータを１口の３口を同時に使用することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態及び参考の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、この実施の形態によって本発明が限定されるものではない。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
（参考の形態１）
図１は、本発明の参考の形態１における加熱調理器のブロック図である。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
使用者にとっては、加熱機器の全ての加熱熱源を同時に使用したいという声が大きくなってきている中、５８００Ｗの機器を例にとって見てみると、ロースタ１８００Ｗ、ラジェント１２００Ｗを使用した際、左右の誘導加熱ユニットの入力電力は１４００Ｗに制限されてしまうのが実情となっている。誘導加熱ユニットの入力電力が１４００Ｗ程度であれば、大きな鍋の湯沸し以外の調理ではさほど影響はないのであるが、４８００Ｗの機器であれば、左右の誘導加熱ユニットの入力電力が９００Ｗとなってしまい、調理に支障をきたす恐れがあるため、４８００Ｗの機器では同時使用可能口数を３口までとして誘導加熱ユニットの入力電力を１４００Ｗ以上確保している。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
（参考の形態２）
図２は、本発明の参考の形態２における加熱調理器のブロック図であり、参考の形態１と同一の構成手段からなる。参考の形態１と異なる点は、操作設定手段９に記憶手段１２を設けたことである。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
（実施の形態１）
本発明は参考の形態２と同一の構成手段からなる。参考の形態２と異なる点は、記憶手段１２に機器の最大定格消費電力値毎の同時使用可能口数変更だけでなく、機器の最大定格消費電力値の変更も可能にした点である。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
【図１】本発明の参考の形態１における加熱調理器のブロック図
【図２】本発明の参考の形態２、実施の形態１における加熱調理器のブロック図
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月7日(2010.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を発生する複数のＬＥＤと、
前記複数のＬＥＤが複数のブロックに区分され、各ブロック別にオン／オフ可能なように、前記複数のＬＥＤを支持駆動する印刷回路基板を有するＬＥＤモジュールと、
前記ＬＥＤモジュールの上側に一体に取り付けられた光学シートと
を備え、
前記光学シートは、前記複数のＬＥＤと対応する光透過孔を有する
ことを特徴とするバックライトユニット。
【請求項２】
前記ＬＥＤモジュールが一定領域の対向する二辺に配置され、かつ、互いの方向に光を照射する
ことを特徴とする請求項１に記載のバックライトユニット。
【請求項３】
前記ＬＥＤモジュールが、一定領域を取り囲むように配置されることを特徴とする請求項１または２に記載のバックライトユニット。
【請求項４】
前記ＬＥＤモジュールは、長手方向に並列に配列され、ＬＥＤモジュールの各々の上側に前記光学シートが一体に取付けられる
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のバックライトユニット。
【請求項５】
前記ＬＥＤモジュールの背面に一体に取り付けられた放熱パッドをさらに備えることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のバックライトユニット。
【請求項６】
前記ＬＥＤモジュール、前記光学シート及び前記放熱パッドが、同一の大きさに設けられたことを特徴とする請求項５に記載のバックライトユニット。
【請求項７】
前記光学シート及び前記放熱パッドの大きさが、前記ＬＥＤモジュールより小さいことを特徴とする請求項５に記載のバックライトユニット。
【請求項８】
前記複数のＬＥＤは、
主波長が４２０〜４５６ｎｍのＬＥＤチップと、
前記ＬＥＤチップの周囲に配置され、前記ＬＥＤチップにより励起されて赤色光を発する赤色蛍光体と、
前記ＬＥＤチップの周囲に配置され、前記ＬＥＤチップにより励起されて緑色光を発する緑色蛍光体と
を含むことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載のバックライトユニット。
【請求項９】
前記赤色蛍光体が、窒化物系または硫化物系の赤色蛍光体を含むことを特徴とする請求項８に記載のバックライトユニット。
【請求項１０】
前記赤色蛍光体が、窒化物系組成のＣａＡｌＳｉＮ3：Ｅｕ又は硫化物系の組成の（Ｃａ，Ｓｒ）Ｓ：Ｅｕ赤色蛍光体を含むことを特徴とする請求項８に記載のバックライトユニット。
【請求項１１】
前記緑色蛍光体が、シリケート系、硫化物系及び窒化物系のうちのいずれか一つを含むことを特徴とする請求項８に記載のバックライトユニット。
【請求項１２】
前記緑色蛍光体が、Ａ２ＳｉＯ４又はＡ３ＳｉＯ５シリケート系、ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕ組成の硫化物系及びＢｅｔａ―ＳｉＡｌＯＮ組成の窒化物系のうちのいずれか一つを含み、前記ＡはＳｒであることを特徴とする請求項８に記載のバックライトユニット。
【請求項１３】
前記緑色蛍光体が、Ａ２ＳｉＯ４又はＡ３ＳｉＯ５シリケート系、ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕ組成の硫化物系及びＢｅｔａ―ＳｉＡｌＯＮ組成の窒化物系のうちのいずれか一つを含み、前記ＡはＳｒと、Ｂａ、Ｃａ及びＭｇから選択される一種以上の原子とを含み、ここで、０＜Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇの組成の和≦１であることを特徴とする請求項８に記載のバックライトユニット。
【請求項１４】
前記複数のＬＥＤは、連続して配列される三角形状の各頂点に配置される、ことを特徴とする請求項１から１３のいずれか一項に記載のバックライトユニット。
【請求項１５】
同じ列に配置され、かつ、互いに隣接するＬＥＤどうしの距離が、２０〜１４０ｍｍであることを特徴とする請求項１４に記載のバックライトユニット。
【請求項１６】
前記三角形状の各頂点に配置されたＬＥＤ間の距離が、８．２〜７０ｍｍであることを特徴とする請求項１４または１５に記載のバックライトユニット。
【請求項１７】
前記複数のＬＥＤは、連続して配列される四角形の各頂点に配置される、ことを特徴とする請求項１から１３のいずれか一項に記載のバックライトユニット。
【請求項１８】
行方向または列方向において互いに隣接したＬＥＤ間の距離が、８．２〜７０ｍｍであることを特徴とする請求項１７に記載のバックライトユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月14日(2010.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の少なくとも裏面を目視検査を行うための基板検査装置であって、
前記基板を載置し前記基板を反転させるアームと、
該アームに配置され前記基板の裏面を吸着する吸着保持部と、
前記アームを垂直方向に移動させる昇降機構と、
前記吸着保持部により吸着された状態の前記基板の外周縁に接触して半径方向に押圧する複数の接触部を有する押圧保持部とを備え、
前記押圧保持部は前記昇降機構による基板の上昇動作に伴い前記基板を押圧することを特徴とする基板検査装置。
【請求項２】
前記昇降機構は前記アームを水平状態に維持したまま前記基板を上昇させることを特徴とする請求項１に記載の基板検査装置。
【請求項３】
前記押圧保持部は前記基板を複数の接触部で同時に押圧することを特徴とする請求項１ 又は請求項２に記載の基板検査装置。
【請求項４】
前記押圧保持部は前記昇降機構による基板の上昇動作に伴い付勢力を発生させ前記基板 を押圧することを特徴とする請求項１に記載の基板検査装置。
【請求項５】
前記押圧保持部が、前記接触部に、該基板の外周縁を嵌合させる嵌合溝を有する請求項 １に記載の基板検査装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明は以下の手段を提供する。
基板の少なくとも裏面を目視検査を行うための基板検査装置であって、前記基板を載置し前記基板を反転させるアームと、該アームに配置され前記基板の裏面を吸着する吸着保持部と、前記アームを垂直方向に移動させる昇降機構と、前記吸着保持部により吸着された状態の前記基板の外周縁に接触して半径方向に押圧する複数の接触部を有する押圧保持部とを備え、前記押圧保持部は前記昇降機構による基板の上昇動作に伴い前記基板を押圧することを特徴とする基板検査装置を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明によれば、吸着状態が切れても基板の健全性を維持することができるという効果を奏する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月6日(2010.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に位置する絶縁層と、
前記基板に接しており、一部が前記絶縁層上に位置する半導体層と、
前記半導体層上に位置するゲート絶縁層、該ゲート絶縁層上に位置するゲート電極、前記半導体層の一部を成すドレイン領域及びソース領域を含むトランジスタと、を有し、
前記ソース領域は、湾曲しており、
前記ソース領域と前記基板とが接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記絶縁層上に素子分離絶縁層を有し、
前記トランジスタは、前記素子分離絶縁層に囲まれていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ドレイン領域は、湾曲しており、
前記ドレイン領域と前記支持基板とが接していることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
支持基板と、
前記支持基板上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられた半導体層と、
前記半導体層に設けられたトランジスタと、を有し、
前記トランジスタは、
前記半導体層上に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられたゲート電極と、
前記半導体層に設けられたドレイン領域と、
前記半導体層に設けられたソース領域と、を含み、
前記絶縁層には、前記ソース領域の一部の直下に空洞部が形成され、
前記ソース領域は、前記空洞部近傍において前記支持基板に接し、かつ、前記絶縁層と前記空洞部との間の段差部近傍において湾曲部を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記トランジスタは、前記半導体層に設けられ、前記絶縁層に到達する深さを有する素子分離絶縁層により画定された領域内に設けられていることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記絶縁層には、前記ドレイン領域の一部の直下にも空洞部が形成され、
前記ドレイン領域は、前記空洞部近傍において前記支持基板に接し、かつ、前記絶縁層と前記空洞部との間の段差部上において湾曲部を有していることを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体装置。
【請求項７】
支持基板と該支持基板上に設けられた絶縁層と該絶縁層上に設けられた半導体層とを準備する工程と、
前記半導体層内に、素子分離領域を形成する工程と、
前記半導体層にトランジスタを形成する工程と、を含み、
前記トランジスタを形成する工程は、
前記半導体層にウェルを形成する工程と、
前記半導体層上にゲート絶縁層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成する工程と、
前記半導体層の所定の領域にドレイン領域、ソース領域、ボディ領域を形成する工程と、
前記ソース領域の一部の直下の絶縁層を除去して該絶縁層に空洞部を形成するとともに、前記ソース領域を前記空洞部内に露出する前記支持基板に当接させて、該ソース領域に、前記絶縁層と前記空洞部との間の段差部近傍において湾曲部を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記素子分離領域を形成する工程では、前記素子分離絶縁層を、前記絶縁層に到達する深さに形成することを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の半導体装置は、
基板と、
前記基板上に位置する絶縁層と、
前記基板に接しており、一部が前記絶縁層上に位置する半導体層と、
前記半導体層上に位置するゲート絶縁層、該ゲート絶縁層上に位置するゲート電極、前記半導体層の一部を成すドレイン領域及びソース領域を含むトランジスタと、を有し、
前記ソース領域は、湾曲しており、
前記ソース領域と前記基板とが接していることを特徴とする。
また、前記半導体装置において、前記絶縁層上に素子分離絶縁層を有し、
前記トランジスタは、前記素子分離絶縁層に囲まれていることを特徴とする。
また、前記半導体装置において、前記ドレイン領域は、湾曲しており、
前記ドレイン領域と前記支持基板とが接していることを特徴とする。
また、本発明の半導体装置は、支持基板と、前記支持基板上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた半導体層と、前記半導体層に設けられたトランジスタと、を有し、
前記トランジスタは、前記半導体層上に設けられたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に設けられたゲート電極と、前記半導体層に設けられたドレイン領域と、前記半導体層に設けられたソース領域と、を含み、
前記絶縁層には、前記ソース領域の一部の直下に空洞部が形成され、
前記ソース領域は、前記空洞部近傍において前記支持基板に接し、かつ、前記絶縁層と前記空洞部との間の段差部近傍において湾曲部を有していることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月15日(2010.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原版のパターンを基板に投影して該基板を露光する露光装置であって、
露光すべき基板の表面形状を示す表面形状データに基づいて、不良となる可能性のあるチップ数が許容範囲となるショットレイアウトを決定するレイアウト決定部と、
前記レイアウト決定部によって決定されたショットレイアウトに従って基板を露光する露光部と、
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記レイアウト決定部は、予め定められた複数のショットレイアウトの候補の中から、前記表面形状データに基づいて、不良となる可能性のあるチップ数が前記許容範囲となる１つのショットレイアウトを選択する、ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記レイアウト決定部は、予め定められた複数のショットレイアウトにおけるショット領域を該ショット領域より小さいショット領域に分割することにより新たなショットレイアウトを生成する、ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項４】
前記レイアウト決定部は、露光すべき個々の基板に対してショットレイアウトを個別に決定する、ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項５】
露光すべき基板の表面形状を示す表面形状を計測して表面形状データを生成する計測器を更に備え、前記レイアウト決定部は、前記計測器によって得られた表面形状データに基づいて、不良となる可能性のあるチップ数が前記許容範囲となるショットレイアウトを決定する、ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項６】
原版のパターンを基板に投影して該基板を露光する露光装置において露光の際に使用されるショットレイアウトを決定する情報処理装置であって、
露光すべき基板の表面形状を示す表面形状データに基づいて、不良となる可能性のあるチップ数が許容範囲となるショットレイアウトを決定するレイアウト決定部を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項７】
前記レイアウト決定部は、予め定められた複数のショットレイアウトの候補の中から、前記表面形状データに基づいて、不良となる可能性のあるチップ数が前記許容範囲となる１つのショットレイアウトを選択する、ことを特徴とする請求項６に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記レイアウト決定部は、予め定められた複数のショットレイアウトにおけるショット領域を該ショット領域より小さいショット領域に分割することにより新たなショットレイアウトを生成する、ことを特徴とする請求項６に記載の情報処理装置。
【請求項９】
デバイス製造方法であって、
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の第１の側面は、原版のパターンを基板に投影して該基板を露光する露光装置に係り、該露光装置は、露光すべき基板の表面形状を示す表面形状データに基づいて、不良となる可能性のあるチップ数が許容範囲となるショットレイアウトを決定するレイアウト決定部と、前記レイアウト決定部によって決定されたショットレイアウトに従って基板を露光する露光部とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の第２の側面は、原版のパターンを基板に投影して該基板を露光する露光装置において露光の際に使用されるショットレイアウトを決定する情報処理装置に係り、前記情報処理装置は、露光すべき基板の表面形状を示す表面形状データに基づいて、不良となる可能性のあるチップ数が許容範囲となるショットレイアウトを決定するレイアウト決定部を備える。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月17日(2010.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
本発明では、式（１）で表されるように、電流の閾値が、磁性層の体積Ｖ、磁性層の飽和磁化量Ｍｓ、スピン注入効率と制動定数を制御することにより、任意に設定することが可能であることを利用する。
そして、磁化状態により情報を保持することができる磁性層（記憶層）と、磁化の向きが固定された磁化固定層とを有する記憶素子を構成する。
メモリとして存在し得るためには、書き込まれた情報を保持することができなければならない。情報を保持する能力の指標として、前述した熱安定性指標Δの値で判断される。磁性層（記憶層）の熱安定性指標Δは、下記式（２）により表される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月10日(2010.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
正電極板１１と負電極板１２とは同じ構成で、厚さ１５〜１００μｍのアルミ箔からなる集電体に、活性炭、導電剤、バインダー、溶剤等を混合してスラリー状にしたものを電極となるリード端子１１ａ，１２ａ以外の部分の片面或いは両面に塗布して乾燥したものである。正電極板１１と負電極板１２とを交互に、かつ、ほぼ垂直方向に配置して、水平方向に複数枚積層している。絶縁部材１３は、各電極板１１，１２が直接接触しないように絶縁するもので、紙、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリアミドイミド、ポリエステル、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン、ガラス繊維などの絶縁性素材からなる不織布や多孔性フィルムを使用している。
なお、積層体１５は、積層した正電極板１１、負電極板１２、絶縁部材１３を両側から挟む絶縁シート１４を省略してもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
図６は、本発明の電気二重層キャパシタの縦断面図である。袋体３１の入口縁部３１ａと絶縁性フィルム２６の縁部２６ａとの融着部を折りたたみ、全体を金属製の容器２８内に挿入し、封口体２１の周囲と金属製の容器２８とをレーザ溶接等によって封止している。そして、開口２１ａには圧力調整弁２７を取り付けない状態で、袋体３１内に電解物質として電解液を充填し、不純物除去を行い、開口２１ａに圧力調整弁２７を取り付ける。これによって、積層体１５は、一体化した袋体３１と絶縁性フィルム２６とで液密・気密に遮断されているので、容器２８の内部において絶縁された状態となる。この電解液の充填と不純物除去、及び弁の取り付けは、前述の、袋体３１と絶縁性フィルム２６とを融着した直後に行ってもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月10日(2010.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
正電極１１と負電極１２とは同じ構成で、厚さ１５〜１００μｍのアルミ箔からなる集電体に、活性炭、導電剤、バインダー、溶剤等を混合してスラリー状にしたものを電極となるリード端子１１ａ，１２ａ以外の部分の片面或いは両面に塗布して乾燥したものである。正電極１１と負電極１２とを交互に、かつ、ほぼ垂直方向に配置して、水平方向に複数枚積層している。絶縁セパレータ１３は、各電極１１，１２が直接接触しないように絶縁するもので、紙、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリアミドイミド、ポリエステル、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン、ガラス繊維などの絶縁性素材を使用した不織布や多孔性フィルムを使用している。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月7日(2010.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理を施す基板処理装置と、複数の基板処理装置を管理する郡管理装置と、前記群管理装置に接続される複数の操作端末と、によって構成される基板処理システムにおいて、
前記群管理装置は、前記基板処理装置から取得したデータを第一蓄積手段に蓄積し、前記第一蓄積手段から理論データを取得し、該理論データからチェックポイントを検出するためのデータ取得期間検出部によってデータ取得期間検出用データを生成して第二蓄積手段に蓄積しておき、
一定時間毎に前記第二蓄積手段からデータを取得して前記データ取得期間検出用データを用いて解析し、データ取得期間判明時に、サマリデータ蓄積・管理部によってサマリデータを第三蓄積部に蓄積し、
前記操作端末は前記第三蓄積手段から前記サマリデータを取得することを特徴とする基板処理システム。
【請求項２】
基板処理装置から取得したデータを第一蓄積手段に蓄積し、前記第一蓄積手段から理論データを取得し、該理論データからチェックポイントを検出するためのデータ取得期間検出部によってデータ取得期間検出用データを生成して第二蓄積手段に蓄積しておき、一定時間毎に前記第二蓄積手段からデータを取得して前記データ取得期間検出用データを用いて解析し、データ取得期間判明時に、サマリデータ蓄積・管理部によってサマリデータを第三蓄積部に蓄積し、前記第三蓄積手段から前記サマリデータを取得する基板処理装置のデータ取得方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月21日(2010.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、
前記ベース基板側に凹部が形成された半導体膜とを有し、
前記ベース基板と前記凹部の間には空洞が形成されており、前記半導体膜のうち前記空洞と重なる領域は、前記ベース基板側に向かって歪んでいることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ベース基板と、
前記ベース基板上に形成された半導体膜と、
前記半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された電極とを有し、
前記半導体膜は前記ベース基板側に凹部を有し、
前記ベース基板と、前記凹部の間には、空洞が形成されており、前記半導体膜のうち前記空洞と重なる領域は、前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記電極とも重なっており、前記半導体膜のうち前記空洞と重なる領域は、前記ベース基板側に向かって歪んでいることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ベース基板と、
半導体膜と、
前記ベース基板と前記半導体膜の間において空洞が形成された絶縁膜とを有し、
前記半導体膜のうち前記空洞と重なる領域は、前記ベース基板側に向かって歪んでいることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
ベース基板と、
前記ベース基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された半導体膜と、
前記半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された電極とを有し、
前記絶縁膜には空洞が形成されており、前記半導体膜のうち前記空洞と重なる領域は、前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記電極とも重なっており、前記半導体膜のうち前記空洞と重なる領域は、前記ベース基板側に向かって歪んでいることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、前記半導体膜はゲルマニウムを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、前記半導体膜は、（１００）面においてキャリアの移動する方向が［０１１］であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
開口部または凹部を有する絶縁膜をベース基板上に形成し、
前記絶縁膜を間に挟んで、前記ベース基板上にボンド基板を減圧雰囲気下で貼り合わせ、
前記ボンド基板を劈開させることで、前記絶縁膜上に、前記開口部または前記凹部を覆うように半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
ボンド基板に凹部を形成し、
前記凹部が前記ベース基板側を向くように、前記ボンド基板をベース基板に貼り合わせ、
前記ボンド基板を劈開させることで、前記凹部を有する半導体膜を前記ベース基板上に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
ボンド基板上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜を介して前記ボンド基板に水素若しくは希ガス、又は水素イオン若しくは希ガスイオンを注入して、前記ボンド基板の表面から一定の負荷朝の領域に微小ボイドを有する欠陥層を形成し、
前記第１の絶縁膜及び前記ボンド基板を部分的にエッチングして前記第１の絶縁膜及び前記ボンド基板に凹部を形成し、
ベース基板上に第２の絶縁膜を形成し、
前記凹部が前記ベース基板側を向くように、前記ボンド基板をベース基板に減圧雰囲気下で貼り合わせ、
前記ボンド基板を劈開させることで、前記凹部を有する半導体膜を前記ベース基板上に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月14日(2010.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体の第１面の側を覆うように第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層に第１ビアホール形成する工程と、
前記第１ビアホールの内部に第１プラグ電極を形成する工程と、
前記第１絶縁層及び前記第１プラグ電極を覆うように、前記第１絶縁層と異なる材料で構成される第２絶縁層を形成する工程と、
前記第２絶縁層を覆うように、前記第２絶縁層と異なる材料で構成される第３絶縁層を形成する工程と、
前記第２絶縁層をエッチングストッパとして、前記第３絶縁層に第２ビアホール及び第１開口部を形成する工程と、
前記第２絶縁層を開口し、前記第１プラグを露出させる第３ビアホール、及び第２開口部を形成する工程と、
前記第３絶縁層、前記第２ビアホール、前記第３ビアホール、前記第１開口部及び前記第２開口部を覆うように金属層を形成する工程と、
前記金属層を平坦化し、前記第３絶縁層を覆う前記金属層を取り除き、前記第２ビアホール及び前記第３ビアホールの内部に第２プラグ電極を形成すると共に、前記第１開口部及び前記第２開口部の内部に合わせマークを形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法であって、前記第２プラグ電極及び前記合わせマークの酸化を抑制するための酸化バリア層を形成する工程を更に含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
基体の第１面の側を覆うように第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層を覆うように、前記第１絶縁層と異なる材料で構成される第２絶縁層を形成する工程と、
前記第２絶縁層を覆うように、前記第２絶縁層と異なる材料で構成される第３絶縁層を形成する工程と、
前記第２絶縁層をエッチングストッパとして、前記第３絶縁層に第１開口部を形成する工程と、
前記第３絶縁層及び前記第１開口部を覆うように金属層を形成する工程と、
前記金属層を平坦化し、前記第３絶縁層を覆う前記金属層を取り除き、前記第１開口部の内部に合わせマークを形成する工程と、
を含むことを特徴とする合わせマークの製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の合わせマークの形成方法であって、前記第１開口部を形成する工程と、前記金属層を形成する工程と、の間に、前記第２絶縁層を開口し、第２開口部を形成する工程を更に含むことを特徴とする合わせマークの形成方法。
【請求項５】
基体の第１面の側に配置される第１絶縁層と、
前記第１絶縁層を覆う第２絶縁層と、
前記第２絶縁層を覆う第３絶縁層と、
前記第３絶縁層に形成される第１開口部と、
前記第１開口部の内部に配置される金属層を含む合わせマークと、
を含み、
前記第３絶縁層に前記第１開口部を形成する際、前記第２絶縁層がエッチングストッパとなることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置であって、
前記第２絶縁層に第２開口部が形成され、前記第１開口部と前記第２開口部とは連通していることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり以下の形態又は適用例として実現することが可能である。なお、「酸化雰囲気中での熱処理工程」には、強誘電体層のアニール工程としての酸化雰囲気中での熱処理を含む。強誘電体層を有する半導体装置の製造工程では、強誘電体層の材料を結晶化、及びスパッタリングやエッチングによるプロセスダメージを回復すべく酸化雰囲気中で熱処理を行う必要がある。
本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基体の第１面の側を覆うように第１絶縁層を形成する工程と、前記第１絶縁層に第１ビアホール形成する工程と、前記第１ビアホールの内部に第１プラグ電極を形成する工程と、前記第１絶縁層及び前記第１プラグ電極を覆うように、前記第１絶縁層と異なる材料で構成される第２絶縁層を形成する工程と、前記第２絶縁層を覆うように、前記第２絶縁層と異なる材料で構成される第３絶縁層を形成する工程と、前記第２絶縁層をエッチングストッパとして、前記第３絶縁層に第２ビアホール及び第１開口部を形成する工程と、前記第２絶縁層を開口し、前記第１プラグを露出させる第３ビアホール、及び第２開口部を形成する工程と、前記第３絶縁層、前記第２ビアホール、前記第３ビアホール、前記第１開口部及び前記第２開口部を覆うように金属層を形成する工程と、前記金属層を平坦化し、前記第３絶縁層を覆う前記金属層を取り除き、前記第２ビアホール及び前記第３ビアホールの内部に第２プラグ電極を形成すると共に、前記第１開口部及び前記第２開口部の内部に合わせマークを形成する工程と、を含むことを特徴とする。
また、前記第２プラグ電極及び前記合わせマークの酸化を抑制するための酸化バリア層を形成する工程を更に含むことを特徴とする。
本発明の一態様の合わせマークの形成方法は、基体の第１面の側を覆うように第１絶縁層を形成する工程と、前記第１絶縁層を覆うように、前記第１絶縁層と異なる材料で構成される第２絶縁層を形成する工程と、前記第２絶縁層を覆うように、前記第２絶縁層と異なる材料で構成される第３絶縁層を形成する工程と、前記第２絶縁層をエッチングストッパとして、前記第３絶縁層に第１開口部を形成する工程と、前記第３絶縁層及び前記第１開口部を覆うように金属層を形成する工程と、前記金属層を平坦化し、前記第３絶縁層を覆う前記金属層を取り除き、前記第１開口部の内部に合わせマークを形成する工程と、を含むことを特徴とする。
また、前記第１開口部を形成する工程と、前記金属層を形成する工程と、の間に、前記第２絶縁層を開口し、第２開口部を形成する工程を更に含むことを特徴とする。
本発明の一態様における半導体装置は、基体の第１面の側に配置される第１絶縁層と、  前記第１絶縁層を覆う第２絶縁層と、前記第２絶縁層を覆う第３絶縁層と、前記第３絶縁層に形成される第１開口部と、前記第１開口部の内部に配置される金属層を含む合わせマークと、を含み、前記第３絶縁層に前記第１開口部を形成する際、前記第２絶縁層がエッチングストッパとなることを特徴とする。
また、前記第２絶縁層に第２開口部が形成され、前記第１開口部と前記第２開口部とは連通していることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月15日(2010.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の物体のパターンの像を第二の物体上に投影する投影光学系であって、
最も前記第二の物体側に配置されたレンズの前記第一の物体側の面が屈折力を有し、
前記レンズの前記第二の物体側の面における投影領域が当該投影光学系の光軸を含まず、
前記レンズの前記第二の物体側の面は前記光軸を含み、前記レンズの第一の物体側の面における有効領域よりも小さい事を特徴とする投影光学系。
【請求項２】
少なくとも１つの反射鏡を有することを特徴とする請求項１に記載の投影光学系。
【請求項３】
前記レンズの前記第二の物体側の面は、前記第一の物体側の有効領域の１／４以下の面積を持つことを特徴とする請求項１又は２に記載の投影光学系。
【請求項４】
前記レンズの前記第二の物体側の面の外径長半径が、前記レンズの前記第一の物体側の面における外径半径未満である事を特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の投影光学系。
【請求項５】
前記レンズの前記第二の物体側の面の外径長半径が、前記レンズの前記第一の物体側の面における有効半径以下である事を特徴とする請求項４に記載の投影光学系。
【請求項６】
前記レンズの前記第二の物体側の面の外径短半径が、前記第二の物体側の面の外径長半径未満であり、且つ、０．１ｍｍ以上である事を特徴とする請求項４に記載の投影光学系。
【請求項７】
第一の物体のパターンの像を第二の物体上に投影する投影光学系を備え、前記投影光学系の最も前記第二の物体側に配置されたレンズと前記第二の物体の間の液体を介して前記第二の物体を露光する露光装置であって、
前記投影光学系が請求項１乃至６のいずれか１項に記載の投影光学系である事を特徴とする露光装置。
【請求項８】
前記レンズと前記第二の物体の間に前記液体を供給する供給ノズルを有し、
前記供給ノズルの供給口と前記光軸との距離は、前記レンズの前記第一の物体側の面の外径半径未満である事を特徴とする請求項７に記載の露光装置。
【請求項９】
前記供給ノズルの供給口と前記光軸との距離は、前記レンズの前記第一の物体側の面の有効半径以下である事を特徴とする請求項８に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記レンズと前記第二の物体の間の前記液体を回収する回収ノズルを有し、
前記回収ノズルの回収口と前記光軸との距離は、前記レンズの前記第一の物体側の面の外径半径未満である事を特徴とする請求項７乃至９のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記回収ノズルの回収口と前記光軸との距離は、前記レンズの前記第一の物体側の面の有効半径以下である事を特徴とする請求項１０に記載の露光装置。
【請求項１２】
請求項７乃至１１のいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、露光した前記基板を現像する工程とを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月28日(2010.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の複数の接続パッド上に各1個の導電性ボールを搭載する方法であって、
導電性ボールの搭載位置に導電性ボール受容口を有する位置決め層と支持層とが積層して成る導電性ボール仮配置板であって、該支持層は少なくとも該位置決め層の導電性ボール受容口の部位では下記フラックスを透過可能である導電性ボール仮配置板を用い、
導電性ボールをフラックス中に分散させたペーストを、上記導電性ボール仮配置板の位置決め層側から刷り込んで、各導電性ボール受容口内に各1個の導電性ボールを含むペーストを保持させ、
上記導電性ボール仮配置板の導電性ボール受容口を上記基板の接続パッドに位置合わせして、各導電性ボール受容口内に保持されたペーストを各接続パッドに転写することにより、接続パッド上にフラックスを伴った導電性ボールを搭載することを特徴とする導電性ボールの搭載方法。
【請求項２】
請求項１において、前記支持層の裏面側に前記フラックスの吸収層を密着配置した状態で、前記位置決め層側から前記ペーストを刷り込むことを特徴とする導電性ボールの搭載方法。
【請求項３】
請求項１または２において、前記支持層が、前記位置決め層の導電性ボール受容口の部位に、前記フラックスが透過する貫通孔を備えていることを特徴とする導電性ボールの搭載方法。
【請求項４】
請求項１または２において、前記支持層が、前記フラックスが透過するメッシュから成ることを特徴とする導電性ボールの搭載方法。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれか１項において、前記ペーストの前記導電性ボール仮配置板への刷り込みを、前記位置決め層上でのスキージ操作により行なうことを特徴とする導電性ボールの搭載方法。
【請求項６】
請求項１から４までのいずれか１項において、前記ペーストの前記導電性ボール仮配置板への刷り込みを、前記位置決め層上でのピストン加圧により行なうことを特徴とする導電性ボールの搭載方法。
【請求項７】
請求項１から６までのいずれか１項において、前記導電性ボール仮配置板の導電性ボール受容口から前記基板の接続パッドへの前記ペーストの転写を、押圧子による押圧によって行なうことを特徴とする導電性ボールの搭載方法。
【請求項８】
請求項１から６までのいずれか１項において、前記導電性ボール仮配置板の導電性ボール受容口から前記基板の接続パッドへの前記ペーストの転写を、前記支持層の裏面側からの気体の噴射によって行なうことを特徴とする導電性ボールの搭載方法。