【手続補正書】
【提出日】平成22年3月10日(2010.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
ここで、基層と下地層とによってトンネル接合が形成される条件として、基板と同じ導電型を有する基層の上に、基板と反対の導電型を有する下地層を接合し、その上に、下地層と同じ導電型を有する、即ち、第１導電型を有する第１化合物半導体層を積層すればよい。そして、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層されて成る発光部を形成することができる。ここで、単純なｐｎ接合では、基本的には、逆方向には電流が流れない。しかし、逆方向に高電圧をかけると、空乏層が非常に薄くなり、電子は空乏層をトンネルし、電流が流れ始める。これをダイオードのツェナー降伏といい、このようなダイオードをツェナーダイオードというが、この空乏層の厚さは、不純物濃度によって更に調節することが可能である。従って、この場合、例えば、基層と下地層との界面接合部及びその近傍の各不純物濃度を、結晶の品質を著しく損なわない範囲内（１×１０18／ｃｍ3〜１×１０21／ｃｍ3のキャリア濃度）で出来るだけ大きくして接合すると、接合界面において形成される空乏層の幅が狭くなるので、トンネル効果が起こり易くなる。また、トンネル効果は、バンドギャップが小さい半導体ほど起こり易くなるので、少なくとも、界面接合構造部において、基層の最表面層（頂面層）、あるいは、基層に最も近い下地層の最下面層において、どちらか一方の層が、エネルギーバンドギャップが小さく、もう一方の層のエネルギーバンドギャップが大きくなるように、材料を選択してもよい。このような材料から成る化合物半導体層を更に超格子層として部分的に用いる（非常に薄い層を用いる）ことによって、エネルギーバンドギャップが小さい材料の割合を最小限に抑えられるので、発光層で発生した光の吸収量を、必要最低限に抑えることが可能になる。以上のように、基層と下地層との界面及び界面近傍を構成する化合物半導体層の不純物濃度、あるいは、エネルギーバンドギャップ、あるいは、厚さに着目することによって、トンネル効果の増大と光吸収量の抑制とを両立できる構造を得ることができる。次に述べる本発明の第２の態様に係る下地層の形成方法においても同様である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
以上に説明した各種の好ましい構成、形態を含む本発明の半導体発光素子及びその製造方法、並びに、本発明の第１の態様若しくは第２の態様に係る下地層の形成方法（以下、これらを総称して、単に、本発明と呼ぶ場合がある）において、マスク層を構成する材料として、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ＳｉＯＮといった半導体酸化物層あるいは半導体窒化物層、高融点金属層、高融点金属酸化物層、高融点金属窒化物層を例示することができる。マスク層の形成方法として、スパッタリング法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）を挙げることができる。また、マスク層の除去は、マスク層を構成する材料に依存して、ウエットエッチング法を採用してもよいし、ドライエッチング法を採用してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
実施例１の半導体発光素子にあっては、基板１０に設けられた下地層１１の頂面上に、順次、第１導電型を有するＧａＡｓから成るバッファ層１２、第１化合物半導体層２１、活性層２３、第２化合物半導体層２２Ａが形成され、第２化合物半導体層２２Ａ上には、更に、第２化合物半導体層２２Ｂが形成され、頂点を形成している。ここで、｛１１０｝面で下地層１１を切断したときの第２化合物半導体層２２Ｂを含む発光部２０の断面形状は三角形であり、発光部２０の側面は、｛１１１｝Ｂ面（より具体的には、（１１−１）Ｂ面及び（１−１１）Ｂ面）から構成されている。第２化合物半導体層２２Ａと第２化合物半導体層２２Ｂの組成を変えることで、断面形状が三角形の発光部２０を正確に形成することができる。一般に、ＭＯＣＶＤ法（ＭＯＶＰＥ法とも呼ばれる）においては、特殊な結晶成長条件を除けば、｛１１１｝Ｂ面は、Ａｓトリマーで覆われた非成長面として知られている。従って、ＳＤＨ型半導体レーザの場合、斜面（側面）が｛１１１｝Ｂ面である発光部２０が形成されると、その後、ＭＯＣＶＤを継続しても、発光部の結晶成長は「自己成長停止」が保持される。｛１１１｝Ｂ面の角度は５４．７度である。成長条件等によっては、断面形状が三角形の部分を発光部２０のみから構成することもできる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５４】
あるいは又、第（Ｉ）−５−ｃの構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２Ａ化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（Ｉ）−５−ｃ−２の構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（Ｉ）−５−ｃ−２の構成の半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第２Ａ化合物半導体層における不純物，第２Ｂ化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物）の組合せは、１×３×２×３×１の１８通りである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１２】
あるいは又、第（ＩＩ）−５−ａの構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（ＩＩ）−５−ａ−２の構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（ＩＩ）−５−ａ−２の構成の半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第２化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第１埋込層，第２埋込層）の組合せは、１×３×３×１×３×２の５４通りである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３１】
あるいは又、第（ＩＩ）−５−ｃの構成の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、炭素（Ｃ）であり、
第２Ａ化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物であり、第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物である構成とすることができる。便宜上、係る構成を『第（ＩＩ）−５−ｃ−２の構成の半導体発光素子』と呼ぶ。第（ＩＩ）−５−ｃ−２の構成の半導体発光素子にあっては、（第１化合物半導体層における不純物，第２Ｂ化合物半導体層における不純物，第２Ａ化合物半導体層における不純物，第４化合物半導体層における不純物，第３化合物半導体層における不純物，第１埋込層，第２埋込層）の組合せは、１×２×３×３×１×３×２の１０８通りである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３７】
第（ＩＩ）の構成の半導体発光素子において、電流ブロック層の上方に位置する埋込層にあっては、第２埋込層を第２導電型とするための不純物は、第２埋込層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成る。従って、第２埋込層を第２導電型とするための不純物は、発光部の両端部における頂面上に形成された電流ブロック層と同じ組成を有する積層構造から構成された堆積層における第１導電型を有する化合物半導体層中に拡散し、係る第１導電型を有する化合物半導体層を第２導電型を有する化合物半導体層へと変化させる。そして、以上の結果として、発光部の上方に位置する化合物半導体層は、全て、第２導電型を有するようになる。それ故、発光部の積層構造の頂面には電流ブロック層と同じ積層構造を有する堆積層が存在しなくなり、半導体発光素子の発光効率が低下するといった問題や、電気抵抗の増加による発熱や消費電流の増加といった問題の発生を確実に回避することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２４２】
実施例５は、第（Ｉ）−１の構成（より具体的には、第（Ｉ）−１−Ａの構成）、第（Ｉ）−２−Ａの構成、第（Ｉ）−４−Ａの構成の半導体発光素子に関する。実施例５の半導体発光素子の概念図を、図７の（Ａ）に概念図を示す。ここで、模式的な一部断面図は、図１の（Ａ）及び（Ｂ）に示したと同様である。尚、図７〜図４８のそれぞれの（Ａ）及び（Ｂ）においては、「化合物半導体層」を単に「層」と表現した。即ち、例えば、第１層とは、第１化合物半導体層を意味する。また、図２１〜図４８のそれぞれの（Ａ）は、半導体発光素子の両端部における概念図であり、図２１〜図４８のそれぞれの（Ｂ）は、半導体発光素子の中央部における概念図である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２７９】
実施例７にあっても、実施例１の［工程−１３０］と同様の工程において、例えば、電流ブロック層位置調整層３０、第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３から成る電流ブロック層４０を、順次、ＭＯＣＶＤ法に基づき形成する。ここで、第３化合物半導体層４３は、ｐ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｃから成り、第４化合物半導体層４４はｎ−Ａｌ0.47Ｇａ0.53Ａｓ：Ｓｅから成る。即ち、第３化合物半導体層４３を第１導電型（ｐ型）とするための不純物（Ｃ）の第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである。また、第４化合物半導体層４４を第２導電型（ｎ型）とするための不純物（Ｓｅ）の第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトも、Ｖ族原子が占めるサイトである。即ち、第３化合物半導体層４３を第１導電型とするための不純物は、第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層４４を第２導電型とするための第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。後述する実施例１６にあっても同様である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３０１】
ここで、実施例９の半導体発光素子にあっても、下地層１１の上に形成された活性層２３は、活性層２３よりも屈折率が低い電流ブロック層４０によって横方向（側面）が囲まれ、活性層２３よりも屈折率が低い第１化合物半導体層２１及び第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂによって上下方向が囲まれている。従って、活性層２３の上下方向及び横方向は完全なる光閉込め構造となっている。しかも、基板１０の露出面の上にあっては、活性層２３の側面近傍は、ｐ−ｎ−ｐ−ｎ構造（ｐ型埋込層３１−ｎ型第３化合物半導体層４３−ｐ型第４化合物半導体層４４、ｐ型電流ブロック層位置調整層３０（ｐ型第２化合物半導体層２２Ｂ）及びｐ型第２化合物半導体層２２Ａ−ｎ型第１化合物半導体層２１）の、いわばサイリスタ構造が形成される。従って、基板１０の露出面において電流が流れることが阻止され、これによって活性層２３に電流が集中し、低閾値電流化を図ることができる。後述する実施例１８にあっても同様である。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３１１】
更には、第（Ｉ）−４−ａの構成に沿って表せば、実施例１１の半導体発光素子にあっては、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂを第２導電型（ｎ型）とするための不純物は、第４化合物半導体層４４を第２導電型（ｎ型）とするための不純物とは異なる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３７９】
電流ブロック層内に、不純物拡散バリア層を設けてもよい。具体的には、電流ブロック層を構成する第２導電型を有する第４化合物半導体層内に、同じく第２導電型を有する不純物拡散バリア層が少なくとも１層（例えば、第７化合物半導体層）、挿入され、第４化合物半導体層の不純物の置換サイトと、不純物拡散バリア層（例えば、不純物拡散バリア層が１層である場合、第７化合物半導体層）の不純物の置換サイトとが異なるように、不純物を選択すればよい。より具体的には、例えば、図１３の（Ａ）や図１４の（Ａ）に示した構造において、あるいは又、後述する図３３の（Ａ）及び（Ｂ）あるいは図３４の（Ａ）及び（Ｂ）に示す構造において、第４化合物半導体層における不純物を亜鉛（Ｚｎ）とし、第４化合物半導体層内に挿入する第２導電型の不純物拡散バリア層（第７化合物半導体層）における不純物を炭素（Ｃ）とする構成を採用することができる。即ち、
ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
ｐ型第７化合物半導体層（不純物：Ｃ）
ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
といった構成とすることができる。あるいは又、図１３の（Ｂ）や図１４の（Ｂ）に示した構造において、あるいは又、後述する図３５の（Ａ）及び（Ｂ）あるいは図３６の（Ａ）及び（Ｂ）に示す構造において、第４化合物半導体層における不純物をケイ素（Ｓｉ）とし、第４化合物半導体層内に挿入する第２導電型の不純物拡散バリア層（第７化合物半導体層）における不純物をセレン（Ｓｅ）とする構成を採用することができる。即ち、
ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
ｎ型第７化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
といった構成とすることができる。このような構成とすれば、例えば、第１Ｂ化合物半導体層から不純物である第ＶＩ族不純物（Ｓｅ）や炭素（Ｃ）が電流ブロック層中（Ｚｎドープ層中あるいはＳｉドープ層中）を拡散した場合、係る不純物は、係る不純物の置換サイトが競合する不純物（炭素やセレン）を含んだ第７化合物半導体層中で拡散できず、高い信頼性を有する電流ブロック層を形成することができる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３８３】
あるいは又、電流ブロック層を多層構成としてもよい。具体的には、例えば、図１４の（Ａ）に示した構造において、あるいは又、後述する図３４の（Ａ）及び（Ｂ）に示す構造において、ｎ型第３化合物半導体層／ｐ型第４化合物半導体層／ｎ型第６化合物半導体層の積層構造の電流ブロック層を用いる替わりに、電流ブロック層全体の厚さを変えずに、電流ブロック層を、
（１）ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（２）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（３）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（４）ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（５）ｎ型第６化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
といった５層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（２）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（３）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（４）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（５）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（６）ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（７）ｎ型第６化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
といった７層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（２）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（３）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（４）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（５）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（６）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（７）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（８）ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（９）ｎ型第６化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
といった９層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（２）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（３）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（４）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（５）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（６）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（７）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（８）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（９）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（１０）ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（１１）ｎ型第６化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
といった１１層積層構造から構成してもよい。同様に、図１６の（Ａ）に示した構造において、あるいは又、後述する図３８の（Ａ）及び（Ｂ）に示す構造において、ｎ型第３化合物半導体層／ｐ型第４化合物半導体層／ｎ型第６化合物半導体層の積層構造の電流ブロック層を用いる替わりに、電流ブロック層全体の厚さを変えずに、電流ブロック層を、
（１）ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（２）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（３）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（４）ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（５）ｎ型第６化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
といった５層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（２）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（３）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（４）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（５）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（６）ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（７）ｎ型第６化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
といった７層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（２）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（３）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（４）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（５）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（６）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（７）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（８）ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（９）ｎ型第６化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
といった９層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｎ型第３化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（２）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（３）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（４）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（５）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（６）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（７）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（８）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（９）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（１０）ｐ型第４化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（１１）ｎ型第６化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
といった１１層積層構造から構成してもよい。また、図１４の（Ｂ）に示した構造において、あるいは又、後述する図３６の（Ａ）及び（Ｂ）に示す構造において、ｐ型第３化合物半導体層／ｎ型第４化合物半導体層／ｐ型第６化合物半導体層の積層構造の電流ブロック層を用いる替わりに、電流ブロック層全体の厚さを変えずに、電流ブロック層を、
（１）ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（２）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（３）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（４）ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（５）ｐ型第６化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
といった５層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（２）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（３）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（４）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（５）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（６）ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（７）ｐ型第６化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
といった７層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（２）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（３）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（４）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（５）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（６）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（７）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（８）ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（９）ｐ型第６化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
といった９層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（２）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（３）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（４）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（５）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（６）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（７）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（８）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（９）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
（１０）ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｉ）
（１１）ｐ型第６化合物半導体層（不純物：Ｚｎ）
といった１１層積層構造から構成してもよい。同様に、図１６の（Ｂ）に示した構造において、あるいは又、後述する図４０の（Ａ）及び（Ｂ）に示す構造において、ｐ型第３化合物半導体層／ｎ型第４化合物半導体層／ｐ型第６化合物半導体層の積層構造の電流ブロック層を用いる替わりに、電流ブロック層全体の厚さを変えずに、電流ブロック層を、
（１）ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（２）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（３）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（４）ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（５）ｐ型第６化合物半導体層（不純物：Ｃ）
といった５層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（２）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（３）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（４）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（５）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（６）ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（７）ｐ型第６化合物半導体層（不純物：Ｃ）
といった７層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（２）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（３）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（４）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（５）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（６）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（７）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（８）ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（９）ｐ型第６化合物半導体層（不純物：Ｃ）
といった９層積層構造から構成してもよいし、
（１）ｐ型第３化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（２）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（３）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（４）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（５）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（６）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（７）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（８）ｎ型化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（９）ｐ型化合物半導体層（不純物：Ｃ）
（１０）ｎ型第４化合物半導体層（不純物：Ｓｅ）
（１１）ｐ型第６化合物半導体層（不純物：Ｃ）
といった１１層積層構造から構成してもよい。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３８８】
そして、実施例１４の半導体発光素子は、電流ブロック層４０及び発光部２０上に形成された埋込層３１を更に備えており、活性層２３は、図６０の（Ｂ）に平面形状を模式的に示す凸部２１１と同様の平面形状を有する下地層１１１（所謂メサ構造である）の上方に積層されることにより、中央部の幅が両端部の幅よりも狭い帯状の平面形状を有する。即ち、実施例１４、あるいは、後述する実施例１５〜実施例２２の半導体発光素子は、所謂フレア・ストライプ構造を有する。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４０６】
具体的には、発光部の端部における概念図を図２２の（Ａ）に示し、発光部の中央部における概念図を図２２の（Ｂ）に示すように、第（ＩＩ）−１−Ｂの構成に沿って表せば、実施例１５の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４１２】
具体的には、発光部の端部における概念図を図２３の（Ａ）に示し、発光部の中央部における概念図を図２３の（Ｂ）に示し、模式的な一部断面図を図５５及び図５６に示し、拡大された模式的な一部断面図を図５７の（Ａ）〜（Ｃ）に示す。ここで、図５５は、半導体発光素子の中央部における半導体発光素子の模式的な一部断面図であり、図５６は、半導体発光素子の端部における半導体発光素子の模式的な一部断面図である。更には、図５７の（Ａ）は、電流ブロック層周りの拡大された模式的な一部断面図であり、図５７の（Ｂ）及び（Ｃ）は、半導体発光素子の端部における発光部周りの拡大された模式的な一部断面図である。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４２１】
具体的には、発光部の端部における概念図を図２４の（Ａ）に示し、発光部の中央部における概念図を図２４の（Ｂ）に示すように、第（ＩＩ）−１−Ｄの構成に沿って表せば、実施例１７の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４２７】
具体的には、実施例１８の半導体発光素子は、発光部の端部における概念図を図２５の（Ａ）に示し、発光部の中央部における概念図を図２５の（Ｂ）に示すように、第（ＩＩ）−１−ａの構成に沿って表せば、
第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、電流ブロック層４０（第４化合物半導体層４４及び第３化合物半導体層４３）、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂにおける不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。尚、実施例１８の半導体発光素子の模式的な一部断面図は、図４９及び図５０に示したと同様である。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４３５】
具体的には、発光部の端部における概念図を図２６の（Ａ）に示し、発光部の中央部における概念図を図２６の（Ｂ）に示すように、第（ＩＩ）−１−ｂの構成に沿って表せば、実施例１９の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４４１】
具体的には、発光部の端部における概念図を図２７の（Ａ）に示し、発光部の中央部における概念図を図２７の（Ｂ）に示すように、第（ＩＩ）−１−ｃの構成に沿って表せば、実施例２０の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層２１、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂ、電流ブロック層４０（第３化合物半導体層４３及び第４化合物半導体層４４）、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層２１における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂにおける不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層４３における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層４４における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである。尚、実施例２０の半導体発光素子の模式的な一部断面図は、図５５及び図５６に示したと同様である。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４４３】
更には、第（ＩＩ）−４−ａの構成に沿って表せば、実施例２０の半導体発光素子にあっては、第２化合物半導体層２２Ａ，２２Ｂを第２導電型（ｎ型）とするための不純物は、第４化合物半導体層４４を第２導電型（ｎ型）とするための不純物とは異なる。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４４９】
具体的には、発光部の端部における概念図を図２８の（Ａ）に示し、発光部の中央部における概念図を図２８の（Ｂ）に示すように、第（ＩＩ）−１−ｄの構成に沿って表せば、実施例２１の半導体発光素子にあっては、
第１化合物半導体層、第２化合物半導体層、第３化合物半導体層、第４化合物半導体層、第１埋込層及び第２埋込層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、
第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第３化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第４化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、
第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４５４】
実施例２２は、第（ＩＩ）−５の構成（より具体的には、第（ＩＩ）−５−Ａ−１の構成）に係る半導体発光素子に関する。実施例２２の半導体発光素子は、発光部の端部における概念図を図２９の（Ａ）に示し、発光部の中央部における概念図を図２９の（Ｂ）に示し、図４９、図５０に模式的な一部断面図を示し、拡大された模式的な一部断面図を図５１の（Ａ）〜（Ｃ）に示したと同様に、
（Ａ）第１導電型（実施例２２にあっては、ｎ型）を有する第１化合物半導体層２１、活性層２３、及び、第２導電型（実施例２２にあっては、ｐ型）を有する第２化合物半導体層２２が順次積層されて成る発光部２０、並びに、
（Ｂ）発光部２０の側面に接して設けられた電流ブロック層４０、
を備えている。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４６３】
発光部の端部における概念図を図３０の（Ａ）に示し、発光部の中央部における概念図を図３０の（Ｂ）に示す実施例２２の半導体発光素子の変形例は、第（ＩＩ）−５−Ａ−２の構成の半導体発光素子であり、
第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層を第１導電型であるｐ型とするための不純物は、第ＩＩ族不純物（具体的には、Ｚｎ）であり、
第２化合物半導体層及び第４化合物半導体層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物（具体的には、Ｓｉ）であり、
第１埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＩＶ族不純物であり、第２埋込層を第２導電型であるｎ型とするための不純物は、第ＶＩ族不純物である。
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４６６】
発光部の端部における概念図を図３１の（Ａ）に示し、発光部の中央部における概念図を図３１の（Ｂ）に示すように、あるいは又、発光部の端部における概念図を図３２の（Ａ）に示し、発光部の中央部における概念図を図３２の（Ｂ）に示すように、実施例２２の半導体発光素子のこれらの変形例は、第（ＩＩ）−５−ａの構成の半導体発光素子であり、第１化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４７３】
発光部の端部における概念図を図３３の（Ａ）に示し、発光部の中央部における概念図を図３３の（Ｂ）に示すように、あるいは又、発光部の端部における概念図を図３５の（Ａ）に示し、発光部の中央部における概念図を図３５の（Ｂ）に示すように、実施例２２の半導体発光素子のこれらの変形例は、第（ＩＩ）−５−Ｂの構成の半導体発光素子であり、
第１化合物半導体層は、第１Ａ化合物半導体層、及び、第１Ａ化合物半導体層上に設けられ、活性層と接した第１Ｂ化合物半導体層から成り、
第１Ｂ化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、且つ、第２化合物半導体層を第２導電型とするための第２化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成る。尚、第１Ａ化合物半導体層を第１導電型とするための不純物は、第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第４化合物半導体層を第２導電型とするための第４化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。具体的には、第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである。
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４８１】
発光部の端部における概念図を図３７の（Ａ）に示し、発光部の中央部における概念図を図３７の（Ｂ）に示すように、あるいは又、発光部の端部における概念図を図３９の（Ａ）に示し、発光部の中央部における概念図を図３９の（Ｂ）に示すように、実施例２２の半導体発光素子のこれらの変形例は、第（ＩＩ）−５−ｂの構成の半導体発光素子であり、第１Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第１Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４８９】
発光部の端部における概念図を図４１の（Ａ）に示し、発光部の中央部における概念図を図４１の（Ｂ）に示すように、あるいは又、発光部の端部における概念図を図４３の（Ａ）に示し、発光部の中央部における概念図を図４３の（Ｂ）に示すように、実施例２２の半導体発光素子のこれらの変形例は、第（ＩＩ）−５−Ｃの構成の半導体発光素子であり、
第２化合物半導体層は、活性層と接した第２Ｂ化合物半導体層、及び、第２Ｂ化合物半導体層上に設けられた第２Ａ化合物半導体層から成り、
第２Ｂ化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成り、且つ、第１化合物半導体層を第１導電型とするための第１化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合しない不純物から成る。尚、第２Ａ化合物半導体層を第２導電型とするための不純物は、第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイトが、第３化合物半導体層を第１導電型とするための第３化合物半導体層における不純物の置換サイトと競合する不純物から成る。具体的には、第１化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第１埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第２埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトである。
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４９７】
発光部の端部における概念図を図４５の（Ａ）に示し、発光部の中央部における概念図を図４５の（Ｂ）に示すように、あるいは又、発光部の端部における概念図を図４７の（Ａ）に示し、発光部の中央部における概念図を図４７の（Ｂ）に示すように、実施例２２の半導体発光素子のこれらの変形例は、第（ＩＩ）−５−ｃの構成の半導体発光素子であり、第１化合物半導体層における不純物の置換サイト、第２Ａ化合物半導体層における不純物の置換サイト、第４化合物半導体層における不純物の置換サイト、及び、第３化合物半導体層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第２Ｂ化合物半導体層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトであり、第１埋込層における不純物の置換サイトは、Ｖ族原子が占めるサイトであり、第２埋込層における不純物の置換サイトは、ＩＩＩ族原子が占めるサイトである。
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０５１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０５１６】
【図１】図１の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１の半導体発光素子の模式的な一部断面図、及び、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層の一部を拡大した模式的な一部断面図である。
【図２】図２は、基板及び下地層の模式的な一部断面図である。
【図３】図３の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１の半導体発光素子及びその製造方法、並びに、下地層の形成方法を説明するための基板等の模式的な一部断面図である。
【図４】図４は、図３の（Ｂ）に引き続き、実施例１の半導体発光素子及びその製造方法を説明するための基板等の模式的な一部断面図である。
【図５】図５は、図４に引き続き、実施例１の半導体発光素子及びその製造方法を説明するための基板等の模式的な一部断面図である。
【図６】図６の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例３の半導体発光素子の模式的な一部断面図、及び、第３化合物半導体層及び第４化合物半導体層の一部を拡大した模式的な一部断面図である。
【図７】図７の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例５及び実施例９の半導体発光素子の概念図である。
【図８】図８の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例６及び実施例１０の半導体発光素子の概念図である。
【図９】図９の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例７及び実施例１１の半導体発光素子の概念図である。
【図１０】図１０の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例８及び実施例１２の半導体発光素子の概念図である。
【図１１】図１１の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１３の半導体発光素子の概念図である。
【図１２】図１２の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１３の半導体発光素子の変形例の概念図である。
【図１３】図１３の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１３の半導体発光素子の別の変形例の概念図である。
【図１４】図１４の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１３の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。
【図１５】図１５の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１３の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。
【図１６】図１６の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１３の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。
【図１７】図１７の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１３の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。
【図１８】図１８の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１３の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。
【図１９】図１９の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１３の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。
【図２０】図２０の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１３の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。
【図２１】図２１の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１４の半導体発光素子の概念図である。
【図２２】図２２の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１５の半導体発光素子の概念図である。
【図２３】図２３の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１６の半導体発光素子の概念図である。
【図２４】図２４の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１７の半導体発光素子の概念図である。
【図２５】図２５の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１８の半導体発光素子の概念図である。
【図２６】図２６の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１９の半導体発光素子の概念図である。
【図２７】図２７の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２０の半導体発光素子の概念図である。
【図２８】図２８の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２１の半導体発光素子の概念図である。
【図２９】図２９の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２２の半導体発光素子の概念図である。
【図３０】図３０の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２２の半導体発光素子の変形例の概念図である。
【図３１】図３１の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２２の半導体発光素子の別の変形例の概念図である。
【図３２】図３２の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２２の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。
【図３３】図３３の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２２の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。
【図３４】図３４の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２２の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。
【図３５】図３５の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２２の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。
【図３６】図３６の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２２の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。
【図３７】図３７の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２２の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。
【図３８】図３８の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２２の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。
【図３９】図３９の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２２の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。
【図４０】図４０の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２２の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。
【図４１】図４１の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２２の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。
【図４２】図４２の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２２の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。
【図４３】図４３の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２２の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。
【図４４】図４４の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２２の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。
【図４５】図４５の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２２の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。
【図４６】図４６の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２２の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。
【図４７】図４７の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２２の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。
【図４８】図４８の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２２の半導体発光素子の更に別の変形例の概念図である。
【図４９】図４９は、実施例１４の半導体発光素子の中央部における半導体発光素子の模式的な一部断面図である。
【図５０】図５０は、実施例１４の半導体発光素子の両端部における半導体発光素子の模式的な一部断面図である。
【図５１】図５１の（Ａ）〜（Ｃ）は、実施例１４の半導体発光素子の拡大された模式的な一部断面図である。
【図５２】図５２は、実施例１４の半導体発光素子の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部断面図（但し、半導体発光素子の両端部）である。
【図５３】図５３は、実施例１４の半導体発光素子の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部断面図（但し、半導体発光素子の両端部）である。
【図５４】図５４は、実施例１４の半導体発光素子の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部断面図（但し、半導体発光素子の両端部）である。
【図５５】図５５は、実施例１６の半導体発光素子の中央部における半導体発光素子の模式的な一部断面図である。
【図５６】図５６は、実施例１６の半導体発光素子の両端部における半導体発光素子の模式的な一部断面図である。
【図５７】図５７の（Ａ）〜（Ｃ）は、実施例１６の半導体発光素子の拡大された模式的な一部断面図である。
【図５８】図５８の（Ａ）及び（Ｂ）は、従来の半導体発光素子における問題点を説明するための基板等の模式的な一部断面図である。
【図５９】図５９の（Ａ）及び（Ｂ）は、従来の半導体発光素子における別の問題点を説明するための基板等の模式的な一部断面図である。
【図６０】図６０の（Ａ）は、従来の半導体発光素子の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部断面図であり、図６０の（Ｂ）は、フレア・ストライプ構造を有する半導体発光素子を製造するための凸部あるいは下地層の模式的な平面図である。
【図６１】図６１は、図６０の（Ａ）に引き続き、フレア・ストライプ構造を有する半導体発光素子の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部断面図（但し、半導体発光素子の中央部に相当する）である。
【図６２】図６２は、図６０の（Ａ）に引き続き、フレア・ストライプ構造を有する半導体発光素子の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部断面図（但し、半導体発光素子の両端部に相当する）である。
【図６３】図６３は、図６１に引き続き、フレア・ストライプ構造を有する半導体発光素子の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部断面図（但し、半導体発光素子の中央部に相当する）である。
【図６４】図６４は、図６２に引き続き、フレア・ストライプ構造を有する半導体発光素子の製造方法を説明するための基板等の模式的な一部断面図（但し、半導体発光素子の両端部に相当する）である。