Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月27日(2010.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と半導体素子との間に介在させて前記配線基板と前記半導体素子とを電気的に接続するためのシリコンインターポーザであって、
前記シリコンインターポーザには貫通孔が形成されていて、
前記貫通孔内に、前記配線基板と前記半導体素子とを電気的に接続する貫通電極が形成され、
前記貫通電極は基材部と緩衝部とにより構成されていて、
前記緩衝部は、前記基材部を形成する導電体の弾性率に対して低弾性の導電体により形成されていることを特徴とするシリコンインターポーザ。
【請求項２】
前記緩衝部は複数層に形成されていることを特徴とする請求項１記載のシリコンインターポーザ。
【請求項３】
前記緩衝部を形成する各々の導電体の弾性率が、前記貫通電極の露出面側においてより低弾性率となるように設定されていることを特徴とする請求項２記載のシリコンインターポーザ。
【請求項４】
前記緩衝部は、前記半導体素子が搭載される側に設けられていることを特徴とする請求項１〜３のうちのいずれか一項に記載のシリコンインターポーザ。
【請求項５】
前記緩衝部を構成する導電体は、はんだ、インジウム、すず、ビスマス、金のうちのいずれかからなることを特徴とする請求項１〜４のうちのいずれか一項に記載のシリコンインターポーザ。
【請求項６】
前記緩衝部は、電解めっき法により形成されていることを特徴とする請求項１〜５のうちのいずれか一項に記載のシリコンインターポーザ。
【請求項７】
前記緩衝部は、前記貫通電極の高さ寸法の１０〜２０％の高さ寸法の範囲に形成されていることを特徴とする請求項１〜６のうちのいずれか一項に記載のシリコンインターポーザ。
【請求項８】
前記緩衝部の上面に、配線パターンが形成されていることを特徴とする請求項１〜７のうちのいずれか一項に記載のシリコンインターポーザ。
【請求項９】
請求項１〜８のうちのいずれか一項に記載のシリコンインターポーザと、配線基板が電気的に接続されて形成されたことを特徴とする半導体装置用パッケージ。
【請求項１０】
請求項１〜８のうちのいずれか一項に記載のシリコンインターポーザを介在して、半導体素子と配線基板とが電気的に接続されて形成されたことを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、配線基板と半導体素子との間に介在させて前記配線基板と前記半導体素子とを電気的に接続するためのシリコンインターポーザであって、前記シリコンインターポーザには貫通孔が形成されていて、前記貫通孔内に、前記配線基板と前記半導体素子とを電気的に接続する貫通電極が形成され、前記貫通電極は基材部と緩衝部とにより構成されていて、前記緩衝部は、前記基材部を形成する導電体の弾性率に対して低弾性の導電体により形成されていることを特徴とするシリコンインターポーザである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、前記緩衝部は、前記貫通電極の高さ寸法の１０〜２０％の高さ寸法の範囲に形成されていることを特徴とする。これにより、貫通電極と絶縁膜との接合部分における電気的特性の低下を防ぎつつ貫通電極と絶縁膜との接合部における熱応力を緩和することが可能になるため好都合である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、前記緩衝部の上面に、配線パターンが形成されていることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
まず、図１（ａ）に示すように、シリコンウエハ１０を切り出した後、グラインダ等により３００μｍの板厚寸法となるまで研削加工をする。図１（ｂ）に示すような薄シリコンウエハ１１に加工した後、貫通孔１２を形成する部位を開口させたマスクにより薄シリコンウエハ１１の表面を覆いエッチングすることにより、図１（ｃ）に示すような貫通孔１２が形成される。本実施形態における貫通孔１２の径寸法は６０μｍとなるように形成した。貫通孔１２は後に導電体を充てんすることによりシリコンインターポーザ３０の貫通電極１７となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
このような形態を有するシリコンインターポーザ３０は、後述するように、半導体素子６０を接合する際にはんだ溶融温度まで加熱した後、室温まで冷却することにより貫通電極１７に充てんされている銅１５の熱膨張量（熱収縮量）と、絶縁膜２３を形成する酸化シリコンの熱膨張量（熱収縮量）との間に相違が生じたとしても、銅１５の上部に充てんされているはんだ１６が弾性変形することにより、熱膨張量（熱収縮量）の相違により生じる熱応力が吸収される。すなわち、貫通電極１７の上面における接合部周辺における応力集中が緩和されることになるのである。このように、貫通電極１７内のはんだ１６が熱応力の緩衝部（クッション部分）として作用することで、熱応力の作用により貫通電極１７と絶縁膜２３との間にクラックが発生する不具合を回避することができ、シリコンインターポーザ３０における電気的接続に関する信頼性が向上するため有効である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
このようにして形成された半導体装置７０は、半導体素子６０とシリコンインターポーザ３０との熱膨張量（熱収縮量）をマッチングさせることが可能であり、シリコンインターポーザ３０の接続パッド３２と半導体素子６０の電極６２とを接合するために、はんだ溶融温度まで加熱した後に常温に冷却しても、熱膨張量および熱収縮量は極わずかであるので半導体素子６０が損傷してしまうおそれがない。このことに加え、貫通電極１７には熱膨張係数の差により発生する貫通電極１７周りの熱応力を吸収するクッション部分として作用する緩衝部が設けられているので、貫通電極１７内の銅１５とシリコンインターポーザ３０の上面に形成されている絶縁膜２３との熱膨張量の相違により発生する応力がクッション層（はんだ１６）の弾性変形により吸収され、貫通電極１７周辺におけるひび割れの発生を確実に防止できる。
よって、非常に信頼性の高い半導体装置７０とすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月17日(2010.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示パネルと、該表示パネルに光を照射するバックライトと、
上記バックライトに設けられた複数の発光素子と、
上記発光素子が配置される回路基板と、
上記発光素子の光が入射する導光板と、
上記導光板を収納する収納ケースとを有し、
上記回路基板の上記発光素子が搭載された面は上記導光板の入射面に対向するように設けられ、
上記回路基板の幅は上記導光板の入射面の厚さよりも大きく、
上記回路基板は発光素子が設けられる光出射部と、発光素子に電気的に接続した配線が形成された配線部とを有し、
上記回路基板は光出射部と配線部とを重ねるように折り曲げられて収納され、
上記回路基板には折り曲げ可能なようにスリットが設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
上記発光素子はＬＥＤであることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
上記回路基板は高反射率な表面を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
上記収納ケースは金属からなり、
上記回路基板は収納ケースに接触していることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
液晶パネルと、該液晶パネルに光を照射する面状光源装置と、
該面状光源装置内で線状に配置された発光ダイオードと、
該発光ダイオードを電気的に接続する回路基板と、
上記発光ダイオードの光が入射する入射面を有する導光板と、
上記導光板を収納する収納部とを有し、
上記回路基板は上記導光板の入射面に対向するよう配置され、回路基板の幅は上記導光板の入射面の厚さよりも大きく、
上記回路基板は発光素子が設けられる光出射部と、発光素子に電気的に接続した配線が形成された配線部とを有し、
上記収納部は上記導光板の入射面に沿うように形成された側壁を有し、
上記回路基板は光出射部と配線部とを重ねるように折り曲げられて、
上記側壁の表面と裏面とに接触していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
上記回路基板には折り曲げ可能なようにスリットが設けられていることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
上記回路基板は高反射率な表面を有することを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
上記スリットは上記収納部の側壁の端部に位置することを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月8日(2010.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応容器内にカソード電極とアノード電極が平行に配置された平行平板型のプラズマ処理装置を使用して被処理体をプラズマ処理する方法であって、該被処理体をプラズマ処理する際に、前記カソード電極に給電開始時の位相が異なる２つの高周波を時間的に分離して交互に給電し、その際、一方の高周波の給電時における電極上の電力分布と他方の高周波の給電時における電極上の電力分布とが相補的となるよう前記２つの高周波の位相差を設定することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
上記２つの高周波の給電開始時の位相の差が８０°〜１００°であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理方法。
【請求項３】
反応容器内にカソード電極とアノード電極が平行に配置された平行平板型のプラズマ処理装置において、前記カソード電極に給電開始時の位相が異なる２つの高周波を時間的に分離して交互に給電する高周波給電手段を有し、一方の高周波の給電時における電極上の電力分布と他方の高周波の給電時における電極上の電力分布とが相補的となるよう前記２つの高周波の位相差が設定されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
上記カソード電極上に設けられた一つの給電点を介して上記高周波給電手段から該電極へ高周波を給電することを特徴とする請求項３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
上記高周波給電手段が、
a) 高周波信号を発生する信号発生器と、
b) 該高周波信号を入力して位相が異なる２つの高周波信号を出力する位相偏移変調器と、
c) 前記位相偏移変調器から出力される２つの高周波信号を時間的に分離して交互に出力する高周波スイッチと、
d) 該高周波スイッチから出力される高周波信号を増幅する高周波アンプと、
を備えた１台の高周波電源から成ることを特徴とする請求項３又は４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
上記２つの高周波の給電開始時の位相の差が８０°〜１００°であることを特徴とする請求項３〜５のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月10日(2010.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
ショ糖脂肪酸エステル及び／又はポリグリセリン脂肪酸エステルのＨＬＢが３以上である請求項４に記載の浮上促進剤。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月20日(2009.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面（１１）側に当該一面（１１）より突出する第１のバンプ（３１）を備える第１の部材（１０）と、一面（２１）側に当該一面（２１）より突出する第２のバンプ（３２）を備える第２の部材（２０）とを用意し、前記両部材（１０、２０）の前記一面（１１、２１）同士を対向させ前記両バンプ（３１、３２）の先端部同士を接触させた状態で、これら両バンプ（３１、３２）を接合するバンプの接合方法において、
前記第１のバンプ（３１）の先端部に、当該先端部より前記第２のバンプ（３２）側へ向かって突出し、前記第１および第２のバンプ（３１、３２）よりも硬い材料よりなる突起（４０）を設けておき、
その後、前記突起（４０）を前記第２のバンプ（３２）の先端部に突き刺して前記両バンプ（３１、３２）の先端部同士を接触させることを特徴とするバンプの接合方法。
【請求項２】
前記第１のバンプ及び前記第２のバンプは金よりなり、前記突起は鉄鋼又は銅よりなるものであることを特徴とする請求項１に記載のバンプの接合方法。
【請求項３】
前記突起（４０）を前記第１のバンプ（３１）の先端部に取り付けることにより、前記第１のバンプ（３１）の先端部に前記突起（４０）を設けることを特徴とする請求項２に記載のバンプの接合方法。
【請求項４】
前記突起（４０）を保持する治具（Ｋ１）上にて、前記突起（４０）を前記第１のバンプ（３１）に対応する位置に配置しておき、
前記治具（Ｋ１）上に前記第１の部材（１０）の前記一面（１１）を対向させ、前記第１のバンプ（３１）に前記突起（４０）を転写することにより、前記突起（４０）を前記第１のバンプ（３１）の先端部に取り付けることを特徴とする請求項３に記載のバンプの接合方法。
【請求項５】
さらに前記突起（４０）として、棒状をなすものを用い、前記突起（４０）をその長さ方向に沿って立たせるように前記治具（Ｋ１）に保持させ、
前記第１のバンプ（３１）に荷重を加えて前記突起（４０）を前記第１のバンプ（３１）の先端部に食い込ませることによって前記転写を行うことを特徴とする請求項４に記載のバンプの接合方法。
【請求項６】
一面（１１）側に当該一面（１１）より突出する第１のバンプ（３１）を備える第１の部材（１０）と、一面（２１）側に当該一面（２１）より突出する第２のバンプ（３２）を備える第２の部材（２０）とを備え、前記両部材（１０、２０）の前記一面（１１、２１）同士を対向させ前記両バンプ（３１、３２）の先端部同士を接触させた状態で、これら両バンプ（３１、３２）が接合されてなるバンプの接合構造体において、
前記第１のバンプ（３１）の先端部には、前記第２のバンプ（３２）側へ向かって突出し、前記両バンプ（３１、３２）よりも硬い材料よりなる突起（４０）が設けられており、
前記両バンプ（３１、３２）の接合部では、前記突起（４０）は前記第２のバンプ（３２）の先端部に突き刺さっていることを特徴とするバンプの接合構造体。
【請求項７】
前記突起（４０）の一端側が前記第１のバンプ（３１）に対して食い込んだ状態で埋設され、当該突起（４０）の他端側が前記第１のバンプ（３１）の内部から前記両バンプ（３１、３２）の接触界面を超えて前記第２のバンプ（３２）の内部に食い込んでいるものであることを特徴とする請求項６に記載のバンプの接合構造体。
【請求項８】
前記第１のバンプ及び前記第２のバンプは金よりなり、前記突起は鉄鋼又は銅よりなるものであることを特徴とする請求項６または７に記載のバンプの接合構造体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、第１のバンプ（３１）の先端部に、当該先端部より第２のバンプ（３２）側へ向かって突出する突起（４０）を設けておき、その後、突起（４０）を第２のバンプ（３２）の先端部に突き刺して両バンプ（３１、３２）の先端部同士を接触させることを特徴とするバンプの接合方法が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
それによれば、第１のバンプ（３１）側の突起（４０）を第２のバンプ（３２）の先端部に突き刺して両バンプ（３１、３２）の先端部同士を接触させるため、バンプサイズを大きくすることなく、当該接触時における両バンプ（３１、３２）の相対的な位置ずれが規制される。
この場合、請求項１に記載の発明のように、突起（４０）として第１および第２のバンプ（３１、３２）よりも硬い材料よりなるものにできる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
ここで、請求項２に記載の発明のように、前記第１のバンプ及び前記第２のバンプは金よりなり、前記突起は鉄鋼又は銅よりなるものとしてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この場合、請求項３に記載の発明のように、突起（４０）を第１のバンプ（３１）の先端部に取り付けることにより、第１のバンプ（３１）の先端部に突起（４０）を設けるものにできる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、請求項６に記載の発明では、第１のバンプ（３１）の先端部には、第２のバンプ（３２）側へ向かって突出し、両バンプ（３１、３２）よりも硬い材料よりなる突起（４０）が設けられており、両バンプ（３１、３２）の接合部では、突起（４０）は第２のバンプ（３２）の先端部に突き刺さっていることを特徴とするバンプの接合構造体が提供される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
この接合構造体においては、請求項７に記載の発明のように、突起（４０）の一端側が第１のバンプ（３１）に対して食い込んだ状態で埋設され、当該突起（４０）の他端側が第１のバンプ（３１）の内部から両バンプ（３１、３２）の接触界面を超えて第２のバンプ（３２）の内部に食い込んでいるものにできる。このような接合構造体は、上記請求項３の接合方法により適切に製造される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月13日(2010.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
請求項３から７のいずれかに記載の半導体レーザのスクリーニング方法において、
前記光加速工程の前に、前記決定された雰囲気温度よりも高い雰囲気温度で前記半導体レーザを動作させる第２温度加速工程をさらに含む、
ことを特徴とする半導体レーザのスクリーニング方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、本発明の一態様では、前記光加速工程の後に、前記決定された雰囲気温度よりも高い雰囲気温度で前記半導体レーザを動作させる第１温度加速工程をさらに含んでもよい。また、前記光加速工程の前に、前記決定された雰囲気温度よりも高い雰囲気温度で前記半導体レーザを動作させる第２温度加速工程をさらに含んでもよい。こうすれば、半導体レーザの初期故障モードをより確実に排除できるようになる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月6日(2010.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビーム（２８）を発生するように構成されているエミッタ素子（２６）と、
前記エミッタ素子（２６）に隣接して配置されて、そこから電子ビーム（２８）を引き出す引出し電極（２０）であって、それを貫通する開口（２４）を含んでいる引出し電極（２０）と、
前記引出し電極（２０）の前記開口（２４）の中に配置されて、前記エミッタ素子（２６）の表面の電界の強度及び一様性を増強する網状格子（３２）と、
前記網状格子（３２）の前記エミッタ素子（２６）側とは反対の側で前記網状格子（３２）に隣接して配置されて、電子ビーム（２８）のエミッタンス増大を制御するように構成されているエミッタンス補償電極（ＥＣＥ）（３４）と、
制御装置（２１，５４）と、
を有し、
前記制御装置（２１，５４）は、
前記電子ビーム（２８）に所望の電流密度が発生するように前記引出し電極（２０）に印加される電圧を生じさせ、
前記電子ビーム（２８）のエミッタンス増大を最小限にする、前記ＥＣＥ（３４）に印加される電圧を前記引出し電極（２０）に印加される電圧に基づいて決定し、
前記網状格子（３２）の両側に存在する電界が互いに等しくなるように前記ＥＣＥ（３４）に印加される前記決定された電圧を生じさせるように構成されている、電子銃（１０）。
【請求項２】
前記ＥＣＥ（３４）は、電子ビーム（２８）が該ＥＣＥ（３４）を通過できるようにする開口（３６）を含んでいる、請求項１記載の電子銃（１０）。
【請求項３】
前記開口（３６）は角度の付いた開口（３８）を有している、請求項２記載の電子銃（１０）。
【請求項４】
前記ＥＣＥ（３４）は更に、前記開口（３６）内に配置された二次格子（４０）を有しており、前記二次格子（４０）はその中に、電子ビーム（２８）の通路に沿って前記網状格子（３２）内の開口（４４）と整列する複数の開口（４２）を含んでいる、請求項２記載の電子銃（１０）。
【請求項５】
前記制御装置（５４）は、前記引出し電極（２０）に可変の電圧が印加されたとき電子ビーム（２８）のエミッタンス増大が変化するように、前記ＥＣＥ（３４）に一定の電圧を印加するように構成されている、請求項１記載の電子銃（１０）。
【請求項６】
更に、前記ＥＣＥ（３４）を通過した後の電子ビーム（２８）を受け取るように配置されていて、電子ビーム（２８）を集束してターゲット陽極（６２）上に焦点スポット（６０）を形成するように構成されている集束電極（５６）を含んでいる請求項１記載の電子銃（１０）。
【請求項７】
前記集束電極（５６）は、電子ビーム（２８）の断面積を圧縮するように構成されている、請求項６記載の電子銃（１０）。
【請求項８】
前記制御装置（２１，５４）は、前記電子ビーム（２８）内の電子が横断方向において圧縮され、ほぼ同じモーメントを持つように前記ＥＣＥ（３４）に印加される前記決定された電圧を生じさせるように構成されている、請求項１記載の電子銃（１０）。
【請求項９】
Ｘ線源用の陰極組立体であって、
基板と、
該基板に隣接して配置されていて、中に網状格子を配置した開口を持つ引出し素子と、
前記基板と前記引出し素子との間の絶縁層であって、該絶縁層が前記引出し素子内の前記開口と概ね整列した空洞を持つ前記絶縁層と、
前記絶縁層の前記空洞内に配置され、放出電圧が前記引出し素子に印加されているときに電子ビームを放出するように構成されている電界エミッタ素子と、
前記引出し素子の下流に配置されていて、空間及びモーメント位相空間内で電子ビームを圧縮するように構成されているエミッタンス補償電極（ＥＣＥ）と、
制御装置と、
を有し、
前記制御装置は、
前記引出し素子に印加される前記放出電圧を制御し、
前記ＥＣＥに印加される圧縮電圧を制御して前記電子ビームの圧縮を変化させるように構成され、
前記ＥＣＥに印加される前記圧縮電圧は、前記引出し素子に印加される前記放出電圧に関連し、
前記ＥＣＥに印加される前記圧縮電圧は、前記制御装置に制御されて、前記電子ビームのエミッタンス増大を最小限にするように、空間及びモーメント位相空間内で前記電子ビームを圧縮する、陰極組立体。
【請求項１０】
多重スポットＸ線源であって、
少なくとも１つの電子ビームを発生するように構成されている複数の電界エミッタ装置と、
前記少なくとも１つの電子ビームの通路内に配置されていて、前記電子ビームが衝突したときにＣＴイメージング処理に使用するための高周波電磁エネルギのビームを放出するように構成されているターゲット陽極と、
を含み、
前記複数の電界エミッタ装置の各々は、複数の炭素ナノチューブ（ＣＮＴ）グループを有するＣＮＴエミッタ素子と、
前記ＣＮＴエミッタ素子から前記電子ビームを引き出すためのゲート電極とを含み、
前記ゲート電極は前記電子ビーム通路内に配置された網状格子を含み、
前記複数のＣＮＴグループの各々が前記網状格子の対応する開口に整列し、
前記複数の電界エミッタ装置の各々は、更に、前記エミッタ素子から前記電子ビームを受け取って、該電子ビームを集束して前記ターゲット陽極上に焦点スポットを形成するように配置された集束素子と、前記網状格子と前記集束素子との間に配置されていて、電子ビーム・エミッタンス増大を制御するように構成されているエミッタンス補償電極（ＥＣＥ）とを含む、多重スポットＸ線源。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月15日(2010.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定電極と、転動自在な可動電極とが、相互接触して生じる電気的導通状態を検知する方式の傾斜・振動センサにおいて、
前記固定電極と前記可動電極との接触が、前記固定電極の端部尖端で行われることを特徴とする傾斜・振動センサ。
【請求項２】
スペーサと、
前記スペーサの上下に配置された上下電極と、
前記スペーサと前記上下電極とによって形成される中空部内に転動自在に配置された可動電極と、
一部を前記中空部内に突出させた状態で前記スペーサに保持された固定電極とを備え、
前記中空部内において前記可動電極の転動によって生じる前記固定電極と前記可動電極との接触・非接触を、前記上下電極と前記固定電極との間の電気的導通・非導通をもって検知することを特徴とする傾斜・振動センサ。
【請求項３】
前記固定電極の前記中空部内に突出した部分が、平板状である請求項２に記載の傾斜・振動センサ。
【請求項４】
前記固定電極が球状である請求項２または３に記載の傾斜・振動センサ。
【請求項５】
前記固定電極が複数組、設けられている請求項２〜４のいずれか１項に記載の傾斜・振動センサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の思想を実現するために、実施においては固定電極として薄板状の金属電極を採用し、フォトエッチング技術に依って電極の加工を行った。本発明の代表的な実施形態を傾斜センサの場合として図１に示す。
具体的な電極材としては、５０μｍ〜１００μｍのベリリウム銅、りん青銅あるいは純銅などを用い、レジストで電極パターンを形成後、エッチング加工により不要部分を溶かし去り、下地にニッケルメッキ、最終的に金メッキで仕上げて固定電極２を得た（図２（ｂ）を参照）。
固定電極２は、その両側を電気絶縁性を持つスペーサ３で挟む形で、デバイスに組み込んだ（図１と図２（ａ）を参照）。
他方、可動電極１は、銅や炭素鋼合金などを素材とした球体を金メッキして仕上げ、固定電極２間に装着した。
複数組の固定電極２を要する振動センサも、技術内容は傾斜センサの場合と同様である（図３を参照）。
固定電極２をフォトエッチングで加工する際、フォトエッチング技術の本質的な特性として、加工端面に先細り状のエッチ残り幅が生じる。板厚が小さい場合、その幅は板厚のほぼ半分とされ、片面腐食では大きく両面腐食ではそれよりも小さくなることが知られている。本発明ではその思想から言って、これらエッチ残り幅部分を固定電極２の端部尖端としてその尖端で可動電極１に接触するよう、可動電極１と固定電極２の位置関係を調整している。
本実施形態では、固定電極２はフォトエッチング技術で作製した。しかし本特許の思想を実現するには、固定電極２の形状を針状として、その尖端で接触させるのが理想的である。また、固定電極２の加工方法をより経済的なプレス技術による型抜き加工にする場合には、切断時に不可避なバリ部分を積極的に利用するとか、一般的な固定電極２ではそのエッジ部分に集中して接触点として限定することにより、同様な効果が得られる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
「実施形態の効果」
上記実施形態によれば、可動電極１と固定電極２の接触時のスイッチング動作が向上し、従来のように、接触しても電気的な導通が無い、いわゆる空スイッチングや、可動電極１の動作不全を回避することが出来た。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態の傾斜センサを示す側面図である。
【図２】（ａ）は図１における傾斜センサの上面図、（ｂ）は（ａ）図における固定電極のパターンを示す。
【図３】本発明の他の実施形態における振動センサの電極構造を示す側面図である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月24日(2010.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリに記憶されたデータの読み出しに関する入力のための回転可能な操作円盤部と、
前記操作円盤部の押下に応じた静電容量の変化を表すセンサ値を出力する静電容量センサ部と、
前記操作円盤部の非押下状態におけるセンサ値に対応する参照値を記憶する記憶部と、
前記静電容量センサ部からのセンサ値と前記記憶部に記憶された参照値との差分から得た相対値であるベクトル量に基づいて前記操作円盤部の押圧の有無を判定する制御部と、
を備える、ことを特徴とする再生装置。
【請求項２】
前記記憶部は、所定の相対値しきい値を記憶し、
前記制御部は、前記相対値が前記相対値しきい値を超えるとき、前記操作円盤部の押圧があったと判定する、ことを特徴とする請求項１に記載の再生装置。
【請求項３】
前記記憶部は、所定の絶対値しきい値を記憶し、
前記静電容量センサ部は、複数方向におけるセンサ値を出力し、
前記制御部は、前記相対値が前記相対値しきい値以下であり前記操作円盤部の押圧があったと判定しない場合であっても、前記複数方向におけるセンサ値の総和が前記記憶部に記憶された絶対値しきい値を超えるとき、前記操作円盤部の押圧があったと判定する、ことを特徴とする請求項２に記載の再生装置。
【請求項４】
前記参照値は一定期間毎に更新される、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の再生装置。
【請求項５】
メモリに記憶されたデータの読み出しに関する入力のための回転可能な操作円盤部を備えた操作子を用いる再生方法であって、
操作円盤部の押下に応じた静電容量の変化を表すセンサ値を取得するステップと、
前記操作円盤部の非押下状態におけるセンサ値に対応する参照値と、取得したセンサ値との差分から相対値であるベクトル量を算出するステップと、
算出した前記相対値に基づいて前記操作円盤部の押圧の有無を判定するステップと、
を備える、ことを特徴とする再生方法。
【請求項６】
前記相対値が所定の相対値しきい値を超えるか否かを判定するステップをさらに備え、
前記相対値が前記相対値しきい値を超えるとき、前記操作円盤部の押圧があったと判定する、ことを特徴とする請求項５に記載の再生方法。
【請求項７】
複数方向におけるセンサ値の総和が、所定の絶対値しきい値を超えるか否かを判定するステップをさらに備え、
前記相対値が前記相対値しきい値以下であり前記操作円盤部の押圧があったと判定しない場合であっても、前記総和が前記絶対値しきい値を超えるとき、前記操作円盤部の押圧があったと判定する、ことを特徴とする請求項６に記載の再生方法。
【請求項８】
前記参照値は一定期間毎に更新される、ことを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載の再生方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記構成において、前記記憶部は、所定の相対値しきい値を記憶し、
前記制御部は、前記相対値が前記相対値しきい値を超えるとき、前記操作円盤部の押圧があったと判定する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記構成において、前記記憶部は、所定の絶対値しきい値を記憶し、
前記静電容量センサ部は、複数方向におけるセンサ値を出力し、
前記制御部は、前記相対値が前記相対値しきい値以下であり前記操作円盤部の押圧があったと判定しない場合であっても、前記複数方向におけるセンサ値の総和が前記記憶部に記憶された絶対値しきい値を超えるとき、前記操作円盤部の押圧があったと判定する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記方法は、前記相対値が所定の相対値しきい値を超えるか否かを判定するステップをさらに備え、
前記相対値が前記相対値しきい値を超えるとき、前記操作円盤部の押圧があったと判定する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記方法は、複数方向におけるセンサ値の総和が、所定の絶対値しきい値を超えるか否かを判定するステップをさらに備え、
前記相対値が前記相対値しきい値以下であり前記操作円盤部の押圧があったと判定しない場合であっても、前記総和が前記絶対値しきい値を超えるとき、前記操作円盤部の押圧があったと判定する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
ＲＡＭ２０から読み出されたデジタルオーディオデータはＤＡＣ２２に出力される。ＤＡＣ２２は、デジタルオーディオデータをアナログオーディオ信号に変換する。ＤＡＣ２２により変換されたアナログオーディオ信号は、出力端子２３から出力される。デジタル入力可能な機器に出力する場合には、ＤＡＣ２２を設けず、所定のデジタルフォーマットで出力するようにしてもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
（押圧判定処理）
以下、制御部１２が静電容量センサ部２８からのセンサ値に基づいて操作円盤部５４の押圧の有無を判定する処理について図面を参照して詳細に説明する。図７に、押圧判定の処理フローを示す。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月17日(2010.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを記憶領域へ記録する記憶装置であって、
予め設定された所定の条件が満たされたかどうかを判断する判断部と、
前記判断部により前記所定の条件が満たされたと判断された場合に、該満たされた条件と、前記記憶装置のリード動作又はライト動作、及び前記記憶装置の状態に関する情報を含む内部情報と、を対応付けて管理する内部情報管理部と
を備える記憶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の記憶装置において、
時間の経過をカウントするカウント部をさらに備え、
前記判断部は、前記カウント部によりカウントされる時間が予め設定された所定の時間に達した場合、前記所定の条件が満たされたと判断し、
前記内部情報管理部は、前記所定の時間と該所定の時間に達するまでの内部情報とを対応付けて管理することを特徴とする記憶装置。
【請求項３】
請求項１に記載の記憶装置において、
前記判断部は、前記内部情報における所定の値が予め設定された所定の値に達した場合、前記所定の条件が満たされたと判断し、
前記内部情報管理部は、前記所定の値と該所定の値に達するまでの内部情報とを対応付けて管理することを特徴とする記憶装置。
【請求項４】
請求項２に記載の記憶装置において、
前記内部情報管理部は、管理する内部情報の情報密度を前記所定の時間に基づいて変更することを特徴とする記憶装置。
【請求項５】
請求項３に記載の記憶装置において、
前記内部情報管理部は、管理する内部情報の情報密度を前記所定の値に基づいて変更することを特徴とする記憶装置。
【請求項６】
データを記憶領域へ記録する記憶装置における内部情報保存方法であって、
予め設定された所定の条件が満たされたかどうかを判断する判断ステップと、
前記判断ステップにより前記所定の条件が満たされたと判断された場合に、該満たされた条件と、前記記憶装置のリード動作又はライト動作、及び前記記憶装置の状態に関する情報を含む内部情報と、を対応付けて管理する内部情報管理ステップと
を備える内部情報保存方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上述した課題を解決するため、記憶装置は、データを記憶領域へ記録する装置であって、予め設定された所定の条件が満たされたかどうかを判断する判断部と、前記判断部により前記所定の条件が満たされたと判断された場合に、該満たされた条件と、前記記憶装置のリード動作又はライト動作、及び前記記憶装置の状態に関する情報を含む内部情報と、を対応付けて管理する内部情報管理部とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、内部情報保存方法は、データを記憶領域へ記録する記憶装置における内部情報保存方法であって、予め設定された所定の条件が満たされたかどうかを判断する判断ステップと、前記判断ステップにより前記所定の条件が満たされたと判断された場合に、該満たされた条件と、前記記憶装置のリード動作又はライト動作、及び前記記憶装置の状態に関する情報を含む内部情報と、を対応付けて管理する内部情報管理ステップとを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月30日(2010.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
２枚の板の長辺がパウチ容器の注出部の筒部の正面幅より大きくフランジの正面幅より小さい間隔を有して平行に並び、２枚の板は最下端のフランジとその上にあるフランジの間隔よりも薄く、かつ同じ高さに並べて固定された状態のものをレールとし、該レール前部には駆動装置としてのソレノイドを載置し、プランジャと連動した２つのゲートがレール方向に対して前後にあり、前方のゲートはレールを閉じ、後方のゲートはレールを開いた状態を定常状態として、プランジャの動きにより前方ゲートと後方ゲートの開閉が反対に作用し、２つのゲートにおけるレール方向の幅は概ねパウチ容器のキャップの径であり、レールは前方を下に傾斜して支持されており、パウチ容器のフランジギャップを後方のレール口に入れてパウチ容器を装填すると、フランジの一部がレール上面に接してレールに吊下げられた状態で前方に移動し、閉じた前方ゲートによりレール上に停止し、レールの長さに応じて複数のパウチ容器を装填することができ、販売時にはソレノイドに電流が流されプランジャが移動することにより、プランジャと連動した前方ゲートが開いて最前列にあったパウチ容器をレールから落下させるとともに、同じくプランジャと連動した後方のゲートが閉じて、落下した直後のパウチ容器およびそれ以降に装填されているパウチ容器を停止させ、ソレノイドへの電流が停止するとプランジャがバネの弾性力で元の位置に戻り、プランジャに連動した２つのゲートは定常状態の位置に戻り、前方のゲートが閉じ、後方のゲートが開かれ、落下したパウチ容器の直後にあったパウチ容器が最前列のパウチ容器として前方ゲートに止められた状態になる動作が一販売動作となるよう構成されていることを特徴とするパウチ容器送出装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
中古の自動販売機のサーペンタイン装置の一部あるいは全部を取り外し、該自販機筐体内部に請求項１乃至請求項８のうちいずれか１つに記載のパウチ容器送出装置を取り付け、中古自動販売機の配線と請求項１乃至請求項８のうちいずれか１つに記載のパウチ容器送出装置の電気系統の配線と接続し、中古の自動販売機をリニューアルする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月18日(2009.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
クラッキング装置からのガソリンは、一般的に、モノオレフィンおよび硫黄を豊富に含んでいるが、ジオレフィンも、接触分解からのガソリンについて１〜５重量％の量で含んでいる。ジオレフィンは、容易にポリマー化する不安定な化合物であり、一般的に、ガソリン中の硫黄量に関する規格を満足させることを目的とする水素化脱硫処理を用いる等によってこれらのガソリンを加工処理する前に除去されなければならない。しかしながら、モノオレフィンの水素化を制限するようにおよび水素の消費およびガソリンのオクタン価の喪失を制限するように当該水素化はジオレフィンに対して選択的に適用されなければならない。さらに、ＥＰ−Ａ１−１  ０７７  ２４７に記載されるように、飽和軽質硫黄含有化合物（これは、チオフェンの沸点より低い沸点を有する硫黄含有化合物、例えばメタンチオール、エタンチオール、ジメチルスルフィド等である）を、より重質な化合物に変換し、その後に、脱硫黄化工程を行うことが有利である。このようにすれば、簡単な蒸留により、オクタン価を喪失することなく５個の炭素原子を含有するモノオレフィンから主としてなる脱硫ガソリンフラクションを生じさせることができるからである。選択的水素化および軽質硫黄含有化合物のより重質な化合物への変換後に原料油における硫黄含有量が改変されるわけではなく、軽質硫黄含有化合物のより重質な化合物への変換に起因して硫黄の性質が改変されるだけである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
変換されるべき硫黄含有化合物は、主としてチオールである。主たるチオール変換反応は、チオールによるモノオレフィンのチオエーテル化からなる。この反応は、プロパン−２−チオールのペンタ−２−エンへの付加により、プロピルペンチルスルフィドが形成されることによって下記のように説明される。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月15日(2009.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対のプラットフォーム（１４，１６）の間でそれらを連結する１以上の静翼（１２）を備えるガスタービンエンジンのノズルセグメント（１０）の製造方法であって、当該方法が、
コバルト１０重量％、クロム８．９重量％、モリブデン２重量％、タングステン７重量％、タンタル３．８重量％、アルミニウム４．８重量％、ハフニウム１．５５重量％、炭素０．１１重量％、チタン２．５重量％、ニオブ０．１重量％、ジルコニウム０．０５重量％、ホウ素０．０１５重量％、残部のニッケル及び任意成分としての微量合成元素からなる公称組成のγ′強化ニッケル基超合金からノズルセグメント（１０）を鋳造する段階、
クロム１８重量％、コバルト１０重量％、アルミニウム６．５重量％、タンタル６重量％、レニウム２重量％、ケイ素１重量％、ハフニウム０．５重量％、イットリウム０．３重量％、炭素０．０６重量％、ジルコニウム０．０１５重量％、ホウ素０．０１５％、残部のニッケル及び不可避不純物からなる公称組成を有する主要粒度３８μｍ未満の粉体の溶射によってノズルセグメント（１０）の表面に耐環境性皮膜（２２）を堆積する段階、
耐環境性皮膜（２２）の表面仕上げがＲａ２．０μｍ未満となるように皮膜の表面を加工する段階、
ノズルセグメント（１０）に冷却孔（２６）を穿孔する段階、次いで
ノズルセグメント（１０）にＲａ２．０μｍ未満の表面仕上げを有する最外表面が維持されるようにノズルセグメント（１０）の平滑化表面の上に耐酸化性皮膜（２４）を施工する段階と
を含み、耐環境性皮膜（２２）とその上の耐酸化性皮膜（２４）で画成される最外表面に遮熱コーティングを堆積しない、方法。
【請求項２】
ノズルセグメント（１０）がシングレットノズルセグメント（１０）であって、１以上の静翼（１２）が一対のプラットフォーム（１４，１６）の間でそれらを連結する単一の静翼（１２）であり、加工段階後及び施工段階前に、シングレットノズルセグメント（１０）を実質的に同じ構造の別のシングレットノズルセグメントにろう付けして、一対のプラットフォーム（１４，１６）の間でそれらを連結する２枚の静翼（１２）を有するダブレットノズルセグメント（１０）を形成する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
ノズルセグメント（１０）がダブレットノズルセグメント（１０）として鋳造され、１以上の静翼（１２）が一対のプラットフォーム（１４，１６）の間でそれらを連結する２枚の静翼（１２）である、請求項１記載の方法。
【請求項４】
耐環境性皮膜（２２）が不活性ガスシュラウド中での粉体のプラズマ溶射によって堆積される、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
耐環境性皮膜（２２）の堆積時の表面粗さが２００μｍ未満である、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
耐酸化性皮膜（２４）が拡散アルミナイド皮膜である、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
耐酸化性皮膜（２４）が白金−パラジウム皮膜である、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
前記加工段階が耐環境性皮膜（２２）のショットピーニング及びノズルセグメント（１０）のバレル研磨を含む、請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
ノズルセグメント（１０）を実質的に同じ構造の複数の他のノズルアセンブリと組み立てて、ガスタービンエンジン内にノズルを形成する段階をさらに含む、請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項記載の方法で製造されたノズルセグメント（１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月3日(2010.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
揮発性有機化合物の処理システムであって、
揮発性有機化合物を含む空気を回収し、これを内燃機関の燃焼用空気として用い処理を行なう、ガス処理システム。
【請求項２】
前記内燃機関により発電機を駆動し、その発電機を含む発電システムと一体化された、請求項１に記載のガス処理システム。
【請求項３】
前記内燃機関がコージェネレーションシステムと一体化される、請求項１に記載のガス処理システム。
【請求項４】
前記揮発性有機化合物を含む空気を回収するガス回収システムと前記内燃機関との間に濃縮装置が設けられ、前記ガス回収システムと前記内燃機関とのシステムマッチングが図られる、請求項１から３のいずれか１項に記載のガス処理システム。
【請求項５】
前記揮発性有機化合物を含む空気を回収するガス回収システムと前記内燃機関との間に濃縮装置が設けられ、前記ガス回収システムと前記内燃機関とのシステムマッチングが図られ、前記コージェネレーションシステムにおける排熱回収設備の排熱を前記濃縮装置の入熱として利用する、請求項３に記載のガス処理システム。
【請求項６】
前記内燃機関における排熱回収設備の排熱を濃縮装置の入熱として利用する、請求項４または５に記載のガス処理システム。
【請求項７】
前記内燃機関は往復動内燃機関およびガスタービンからなる群より選ばれた少なくとも１種を含む、請求項１から６のいずれか１項に記載のガス処理システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ガス処理システム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、工場等で発生する揮発性有機化合物ガス（ＶＯＣガス）を処理削減することを目的とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月29日(2010.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に基板側から順に配置された第１電極と第２電極との間に、少なくとも発光層を有する有機発光素子を複数、配置してなる有機発光装置のリペア方法において、
発光不良が発生した有機発光素子内の異物を検出し、異物を囲む領域にレーザーを照射して、前記発光不良が発生した有機発光素子の前記第１電極と前記第２電極のうち少なくとも一方の電極を除去することを特徴とする有機発光装置のリペア方法。
【請求項２】
互いに異なる色を発する複数種類の有機発光素子を有し、前記発光不良が発生した有機発光素子の発光色によってレーザーの設定を変更してレーザーを照射することを特徴とする請求項１に記載の有機発光装置のリペア方法。
【請求項３】
複数の有機発光素子の間を電気的に分離するための分離膜を有し、前記発光不良が発生した有機発光素子内の前記異物を囲む領域の少なくとも一部が分離膜にかかる際に、レーザーが照射される分離膜の面積を測定し、測定された面積に基づいてレーザーの設定を変更してレーザーを照射することを特徴とする請求項１または請求項２のいずれか１項に記載の有機発光装置のリペア方法。
【請求項４】
レーザーを前記第２電極の側から照射して、前記発光不良が発生した有機発光素子の前記第２電極を除去することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の有機発光装置のリペア方法。
【請求項５】
前記レーザーの設定は、レーザーの照射領域の面積を基にしたレーザーの強度、照射回数の設定であることを特徴とする請求項２に記載の有機発光装置のリペア方法。
【請求項６】
基板の上に基板側から順に配置された第１電極と第２電極との間に、少なくとも発光層を有する有機発光素子を複数、配置してなる有機発光装置の製造方法において、
有機発光装置を作製し、前記有機発光装置における発光不良が発生した有機発光素子内の異物を検出し、異物を囲む領域にレーザーを照射して、前記発光不良が発生した有機発光素子の前記第１電極と前記第２電極のうち少なくとも一方の電極を除去することを特徴とする有機発光装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するための手段として、本発明は、
基板の上に基板側から順に配置された第１電極と第２電極との間に、少なくとも発光層を有する有機発光素子を複数、配置してなる有機発光装置のリペア方法において、
発光不良が発生した有機発光素子内の異物を検出し、異物を囲む領域にレーザーを照射して、前記発光不良が発生した有機発光素子の前記第１電極と前記第２電極のうち少なくとも一方の電極を除去することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月25日(2010.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
＜第１圧電振動片の構成＞
図１（ａ）は、本発明の音叉型水晶振動片２０の実施形態を示した平面図である。（ｂ）はＢ―Ｂ断面図である、
音叉型水晶振動片２０は、たとえば水晶Ｚ板１０となるように水晶単結晶ウエハを切り出して形成されている。水晶以外にもタンタル酸リチウム，ニオブ酸リチウム等の圧電材料を利用することができる。また、図１に示す音叉型水晶振動片２０は３２．７６８ｋＨｚで信号を発振する小型の振動片である。このような音叉型水晶振動片２０は、基部２９とこの基部２９からＹ方向に突出する一対の振動腕２１を有している。この振動腕２１の表面には、溝部２７が図１に示すように各振動腕２１に２箇所ずつ形成されている。この溝部２７は振動腕２１の裏面側にも同様に形成されているため、図１（ｂ）に示されるように、振動腕２１の溝部２７の断面図はほぼＨ型になっている。溝部２７は、ＣＩ（クリスタル・インピーダンス）値の上昇を抑えるために設けられている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
基部２９は、各振動腕２１側の第１基部２９−１と接着領域３３側の第２基部２９−２とを形成している。第１基部２９−１はＸ方向の長さ（幅）がＷ１であり、第２基部２９−２はＸ方向の長さ（幅）が、第１基部２９−１の幅Ｗ１よりも広い幅Ｗ２である。幅Ｗ１は幅Ｗ２の約７５パーセントから９０パーセントである。たとえば、幅Ｗ１は０．４２ｍｍに幅Ｗ２は０．５０ｍｍに形成されている。このため、振動腕２１の振動により溝部２７から漏れてきた漏れ振動は、第２基部２９−２に伝わり難くなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
図８（ａ）は、左図は両面に基部電極２５ａ５を有する従来の音叉型水晶振動片の基部Ｘ線図であり、中央図は少なくとも片面に基部電極２５ａ２を有する第２実施形態の音叉型水晶振動片の図面であり、右図は少なくともに基部電極２５ａ３を有する第２実施形態の音叉型水晶振動片の基部Ｘ線図である。なお、導電性接着剤３１を塗布した状態を示すため、従来の音叉型水晶振動片の基部Ｘ線図にのみ塗布領域３３を描いているが、第２及び第３実施形態の音叉型水晶振動片にも同量の導電性接着剤３１が塗布される。