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【手続補正書】
【提出日】平成21年11月16日(2009.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２５重量％のスチレン含量および約３０％未満のジブロックパーセンテージを有するポリスチレン‐（ポリイソプレン‐コ‐ブタジエン）‐ポリスチレン  ブロックコポリマー、ポリスチレン‐（ポリイソプレン‐コ‐ブタジエン）‐ポリスチレン  ブロックコポリマーでない第２のブロックコポリマーおよび粘着付与樹脂を含んでなるホットメルト接着剤。
【請求項２】
前記ポリスチレン‐（ポリイソプレン‐コ‐ブタジエン）‐ポリスチレン  ブロックコポリマーが、約２０％未満のジブロックパーセンテージを有する、請求項１に記載の接着剤。
【請求項３】
接着剤組成物の重量に対して、０．５重量％〜約１８重量％の前記ポリスチレン‐（ポリイソプレン‐コ‐ブタジエン）‐ポリスチレン  ブロックコポリマー、約３０重量％までの前記第２ブロックコポリマー、約３０〜約８０重量％の粘着付与樹脂および、任意に、約２５重量％までの液状可塑剤および約２５重量％までのワックスを含んでなるホットメルト接着剤。
【請求項４】
約０．５〜約１８重量％の前記ポリスチレン‐（ポリイソプレン‐コ‐ブタジエン）‐ポリスチレン  ブロックコポリマー、約５〜約２０重量％の前記第２ブロックコポリマー、約３０〜約７０重量％の粘着付与樹脂、０〜約２０重量％の液状可塑剤および０〜約５重量％のワックスを含んでなる、請求項１に記載の接着剤。
【請求項５】
前記第２ブロックコポリマーが、スチレン‐イソプレン‐スチレン、スチレン‐ブタジエン‐スチレン、スチレン‐イソブチレン  スチレン、スチレン‐ｂ‐エチレン／ブチレン‐ｂ‐スチレン、スチレン‐ｂ‐エチレン／プロピレン‐ｂ‐スチレンまたはそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１に記載の接着剤。
【請求項６】
請求項１に記載の接着剤を含んでなる製品。
【請求項７】
弾性繊維または他の伸縮性材料を含んでなる、請求項６に記載の物品。
【請求項８】
使い捨て吸収剤物品である、請求項７に記載の物品。
【請求項９】
伸縮性積層体である、請求項６に記載の物品。
【請求項１０】
第１の基材を第２の基材に結合する方法であって、少なくとも第１の基材に請求項１に記載の接着剤を適用する工程、少なくとも第２の基材を、第１の基材上に存在する接着剤と接触させ、それにより前記の第１および第２の基材を結合させる工程を含んでなる、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の実施に使用するＳＩＢＳブロックコポリマーは、少なくとも２５重量％のスチレン含量および３０％未満のジブロックパーセンテージを有する、ポリスチレン‐ポリイソプレン／ポリブタジエン‐ポリスチレン（Ｓ‐Ｉ／Ｂ‐Ｓ）ブロックコポリマーである。ＩＳＯ１１３３法を利用して測定されたメルトフローインデックスは、６〜１１ｇ／１０分（２００℃、５Ｋｇ）である。そのようなポリマーは、公開されている米国特許出願２００４／０１６７２９２に記載されているとおりに調製でき、Ｋｒａｔｏｎ  Ｐｏｌｙｍｅｒ  ＵＳから市販されている。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月14日(2010.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ライト部と、
浮上面の表層として前記ライト部周辺に第１の絶縁材料で形成された第１の絶縁部と、
前記ライト部周辺の前記第１の絶縁部の近傍であって前記浮上面の表層の下層に、前記第１の絶縁材料よりも剛性の低い第２の絶縁材料で形成された、第２の絶縁部と、を備え、
前記浮上面における前記第２の絶縁部によって構成された部分は、前記浮上面における前記ライト部周辺の前記第１の絶縁部によって構成された部分よりも突出していることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】
前記第１の絶縁部のヤング率が５０ＧＰａ以上であり、前記第２の絶縁部のヤング率が１０ＧＰａ以下である請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項３】
前記第２の絶縁部は、前記ライト部からコア幅方向に離れている請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項４】
前記浮上面全体における前記浮上面からの前記表層の厚さは、５μｍ以内である請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項５】
前記浮上面は、前記ライト部の温度が所定の温度よりも高い状態で研磨された請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項６】
前記第１の絶縁材料は、アルミナである請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項７】
前記第２の絶縁材料は、レジストである請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項８】
前記第２の絶縁材料は、フッ素樹脂である請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項９】
ライト部周辺に、浮上面の表層として、第１の絶縁部を、第１の絶縁層で形成するステップと、
前記ライト部周辺の前記第１の絶縁部の近傍であって前記浮上面の表層の下層に、前記第１の絶縁材料よりも剛性の低い第２の絶縁材料で、第２の絶縁部を形成するステップと、
前記第１の絶縁部の前記浮上面側を研磨するステップと、
を有することを特徴とする磁気ヘッド製造方法。
【請求項１０】
前記浮上面側を研磨するステップは、前記ライト部の温度を所定の温度より高い温度に制御して研磨する請求項９に記載の磁気ヘッド製造方法。
【請求項１１】
スピンドルと、
前記スピンドルに支持されて回転する少なくとも１枚の磁気ディスクと、
磁気ヘッドを有する磁気ヘッドスライダを支持して、前記スピンドルによって支持された前記磁気ディスクの半径方向に移動するアクチュエータと、を備え、
前記磁気ヘッドは、
ライト部と、
浮上面の表層として前記ライト部周辺に第１の絶縁材料で形成された第１の絶縁部と、
前記ライト部周辺の前記第１の絶縁部の近傍であって前記浮上面の表層の下層に、前記第１の絶縁材料よりも剛性の低い第２の絶縁材料で形成された、第２の絶縁部と、を備え、
前記浮上面における前記第２の絶縁部によって構成された部分は、前記浮上面における前記ライト部周辺の前記第１の絶縁部によって構成された部分よりも突出していることを特徴とする磁気ディスク装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】磁気ヘッド、磁気ヘッド製造方法および磁気ディスク装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本明細書に開示の磁気ヘッドは、ライト部と、浮上面の表層として前記ライト部周辺に第１の絶縁材料で形成された第１の絶縁部と、前記ライト部周辺の前記第１の絶縁部の近傍であって前記浮上面の表層の下層に、前記第１の絶縁材料よりも剛性の低い第２の絶縁材料で形成された、第２の絶縁部と、を備え、前記浮上面における前記第２の絶縁部によって構成された部分は、前記浮上面における前記ライト部周辺の前記第１の絶縁部によって構成された部分よりも突出している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本明細書に開示の磁気ヘッド製造方法は、ライト部周辺に、浮上面の表層として、第１の絶縁部を、第１の絶縁層で形成するステップと、前記ライト部周辺の前記第１の絶縁部の近傍であって前記浮上面の表層の下層に、前記第１の絶縁材料よりも剛性の低い第２の絶縁材料で、第２の絶縁部を形成するステップと、前記第１の絶縁部の前記浮上面側を研磨するステップと、を有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本明細書に開示の磁気ディスク装置は、スピンドルと、前記スピンドルに支持されて回転する少なくとも１枚の磁気ディスクと、磁気ヘッドを有する磁気ヘッドスライダを支持して、前記スピンドルによって支持された前記磁気ディスクの半径方向に移動するアクチュエータと、を備え、前記磁気ヘッドは、ライト部と、浮上面の表層として前記ライト部周辺に第１の絶縁材料で形成された第１の絶縁部と、前記ライト部周辺の前記第１の絶縁部の近傍であって前記浮上面の表層の下層に、前記第１の絶縁材料よりも剛性の低い第２の絶縁材料で形成された、第２の絶縁部と、を備え、前記浮上面における前記第２の絶縁部によって構成された部分は、前記浮上面における前記ライト部周辺の前記第１の絶縁部によって構成された部分よりも突出している。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月2日(2010.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【非特許文献１】「非特許文献」石井祐介著、取引別集計表及び資産管理明細書等未公表
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月28日(2009.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カードにおける支持部を形成する空胴にマイクロ回路を搭載する方法において、前記マイクロ回路を前記空胴に収容し、前記モジュールの固定が、堆積材を前記空胴の底に堆積すること、前記堆積材に粘着するコーティング材料で前記マイクロ回路をコーティングすること、及び前記堆積材を硬化させることを含み、前記コーティング材料を完全に取り囲み、前記空胴の底の連続的な周辺領域上に部分的に延在する圧縮可能な環状領域を前記空胴に形成するように、前記マイクロ回路を収容する接続盤から成るモジュールを形成し、前記カードに固定することを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記圧縮可能環状領域の少なくとも一部を、前記空胴において前記堆積材をすべて取り囲む空気のリングを形成することによって形成することを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、前記圧縮可能環状領域の少なくとも一部を、前記空胴において前記堆積材をすべて取り囲むエラストマ材料のリングを置くことによって形成することを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項２に記載の方法において、前記圧縮可能環状領域の少なくとも一部を、前記空胴において前記コーティング材料をすべて取り囲むエラストマ材料のリングを置くことによって形成し、前記圧縮可能環状領域を、前記空胴において並んだ空気のリングおよびエラストマ材料のリングを形成することによって形成することを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法において、前記空気のリングを、前記空胴の底に、前記空胴の体積と前記モジュールの体積との差よりも明らかに小さい体積の樹脂を堆積することによって形成し、前記モジュールを、前記マイクロ回路が前記空胴に収容されるように取り付けることを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法において、前記空胴の底の中央を、前記樹脂を堆積する前に、レーザビームによって表面処理することを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項５に記載の方法において、チキソトロピー性樹脂を使用することを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項５に記載の方法において、前記樹脂を、前記空胴の底に、前記空胴の形状によって決定される配置において分布させることを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法において、前記空胴が少なくともほぼ長方形または楕円輪郭を有し、実際的に前記空胴の底に関して中心を置かれ、前記空胴の底とほぼ同じ形状の配置を規定する複数の樹脂の滴を堆積することを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法において、前記空胴の長手方向においてオフセットした２つの滴を堆積することを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の方法において、前記空胴の長手方向に伸びた配置を規定する複数の小滴を堆積することを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１０に記載の方法において、前記配置の中央において、より少ない量の樹脂を堆積することを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項８に記載の方法において、前記配置を、樹脂の滴を前記空胴の底に堆積することによって規定することを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１１に記載の方法において、らせん状滴を堆積し、前記配置の外形を、前記空胴の周辺の形状と同様にすることを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１に記載の方法において、支持部を形成する前記カードを、ポリブチレン−テレフタレートタイプのプラスティック材料で形成することを特徴とする方法。
【請求項１６】
マイクロ回路を支持する接続盤から成るモジュールを収容する空胴と、前記空胴において形成され、前記空胴の底上の材料を完全に取り囲み、前記空胴の底の連続する周辺領域上に部分的に延在する圧縮可能環状領域とを含むことを特徴とするマイクロ回路カード。
【請求項１７】
請求項１６に記載のマイクロ回路カードにおいて、前記圧縮可能環状領域が空気のリングを含むことを特徴とするマイクロ回路カード。
【請求項１８】
請求項１６に記載のマイクロ回路カードにおいて、前記圧縮可能環状領域がエラストマ材料のリングを含むことを特徴とするマイクロ回路カード。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月20日(2009.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】前記制御手段は、前記レイアウト手段によるレイアウトを行わずに画像形成手段にて画像形成することを特徴とする請求項５記載の画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月8日(2009.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  原稿台に載置された原稿から画像を読み取る画像読取部と、該画像読取部により原稿から読み取られた画像を用紙上に印刷する画像形成部とを備えた画像複写装置であって、
前記画像複写装置が電源オンから立ち上げられた場合には、シェーディング補正板のどの部分にゴミが付着しているかを検出するゴミ位置検出動作を前記画像読取部に行わせて前記画像読取部を立ち上げ、前記画像複写装置がスリープ状態から立ち上げられた場合には、前記ゴミ位置検出動作を前記画像読取部に行わせることなく前記画像読取部を立ち上げる制御手段を有することを特徴とする画像複写装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、原稿台に載置された原稿から画像を読み取る画像読取部と、該画像読取部により原稿から読み取られた画像を用紙上に印刷する画像形成部とを備えた画像複写装置であって、前記画像複写装置が電源オンから立ち上げられた場合には、シェーディング補正板のどの部分にゴミが付着しているかを検出するゴミ位置検出動作を前記画像読取部に行わせて前記画像読取部を立ち上げ、前記画像複写装置がスリープ状態から立ち上げられた場合には、前記ゴミ位置検出動作を前記画像読取部に行わせることなく前記画像読取部を立ち上げる制御手段を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の画像複写装置によれば、画像複写装置が電源オンから立ち上げられた場合には、ゴミ位置検出動作を画像読取部に行わせて画像読取部を立ち上げ、画像複写装置がスリープ状態から立ち上げられた場合には、ゴミ位置検出動作を画像読取部に行わせることなく画像読取部を立ち上げる制御を行うので、画像複写装置の立ち上がり時間に影響を与えることなく、しかも省エネルギ動作を実現しながら、高品位な読み取り画像の提供を可能とすることができるという効果を奏する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月7日(2010.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の形状を有するセラミックからなる基材を供給する段階と、
前記基材の表面上に別の物質を適用することで、レンズ表面を形成するために、前記物質は少なくとも一定の部分で前記基材の表面を覆う段階と、
を含む光学用ハイブリッドレンズの製造方法であって、
その際、
前記セラミックが、ポリ結晶物質である光セラミックであり、かつ、前記物質よりも高い熱伝導率を有し、
高い熱伝導率を有する材料からなるモールドを、前記物質に適用し、
前記物質に面する前記基材の１以上の表面が湾曲するように形成され、
前記物質は、前記光セラミックの融解温度と比較して、低温で変形されるか改鋳されうる物質であり、前記基材に適用される、光学用ハイブリッドレンズの製造方法。
【請求項２】
前記基材の表面からみて外方に面する前記物質の表面が、少なくとも一定の部分に、球状若しくは非球状に湾曲した表面として、または自由形状の表面として、または球状に湾曲した表面として形成される、請求項１に記載の光学用ハイブリッドレンズの製造方法。
【請求項３】
前記基材の表面は、少なくとも一定の部分に、球形に湾曲した表面として形成される、請求項１または２に記載の光学用ハイブリッドレンズの製造方法。
【請求項４】
前記物質は、前記基材が完全に囲まれるかまたは閉じこめられるように適用される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の光学用ハイブリッドレンズの製造方法。
【請求項５】
前記物質は、前記基材より、高い熱伝導率を有する、請求項４に記載の光学用ハイブリッドレンズの製造方法。
【請求項６】
前記物質は、ガラスである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の光学用ハイブリッドレンズの製造方法。
【請求項７】
前記ガラスは、精密ブランク加圧成形またはキャスティングプロセスによって形成される、請求項６に記載の光学用ハイブリッドレンズの製造方法。
【請求項８】
前記ガラスは、表面処理加工が行われていない、請求項６または７に記載の光学用ハイブリッドレンズの製造方法。
【請求項９】
前記ガラスは低Ｔｇガラスである、請求項６〜８のいずれか１項に記載の光学用ハイブリッドレンズの製造方法。
【請求項１０】
前記ガラスは、前記基材と一体的に結合される、請求項６〜９のいずれか１項に記載の光学用ハイブリッドレンズの製造方法。
【請求項１１】
前記ガラスおよびセラミックは、接着により互いに結合される、請求項１０に記載の光学用ハイブリッドレンズの製造方法。
【請求項１２】
前記ガラスおよび前記光セラミックが、ＩＲスペクトルの範囲またはＵＶスペクトルの範囲で透明である、請求項６〜１１のいずれか１項に記載の光学用ハイブリッドレンズの製造方法。
【請求項１３】
前記物質はポリマーである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の光学用ハイブリッドレンズの製造方法。
【請求項１４】
前記ポリマーは熱可塑性である、請求項１３に記載の光学用ハイブリッドレンズの製造方法。
【請求項１５】
前記ポリマーは、熱作用、注入モールディングまたはエンボス加工により形成される、請求項１４に記載の光学用ハイブリッドレンズの製造方法。
【請求項１６】
前記ポリマーは、熱硬化性プラスチックである、請求項１３に記載の光学用ハイブリッドレンズの製造方法。
【請求項１７】
前記ポリマーは、キャスティングプロセスおよびキュアリングによって形成される、請求項１６に記載の光学用ハイブリッドレンズの製造方法。
【請求項１８】
無機ナノ粒子が前記ポリマーに混合される、請求項１７に記載の光学用ハイブリッドレンズの製造方法。
【請求項１９】
前記物質および／または前記基材の表面上に第２物質を適用する段階をさらに含み、それにより、レンズ表面を形成するために、前記第２物質は少なくとも一定の部分で前記物質および／または基材の表面を覆う、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の光学用ハイブリッドレンズの製造方法。
【請求項２０】
回折光学構造がレンズ表面の内または上にさらに形成される、請求項１〜１９のいずれか１項に記載の光学用ハイブリッドレンズの製造方法。
【請求項２１】
前記回折光学構造は前記レンズ表面をエンボス加工することによって形成される、請求項２０に記載の光学用ハイブリッドレンズの製造方法。
【請求項２２】
前記物質または前記第２物質は光感受性物質を含み、前記回折構造は前記光感受性物質の露光により形成される、請求項２０または２１に記載の光学用ハイブリッドレンズの製造方法。
【請求項２３】
前記基材および前記物質は、可視スペクトルの範囲で透明である、請求項１〜２２のいずれか１項に記載の光学用ハイブリッドレンズの製造方法。
【請求項２４】
前記物質は、ガラスであり、精密ブランク加圧成形プロセスによりプレスされるか、キャスティングプロセスにより形成される、請求項１〜２３のいずれか１項に記載の光学用ハイブリッドレンズの製造方法。
【請求項２５】
前記物質はポリマーであり、注入モールディングによって前記基材に適用される、または、熱処理および熱変形、および／または熱エンボス加工によってレンズ表面に成形される、請求項１〜２３のいずれか１項に記載の光学用ハイブリッドレンズの製造方法。
【請求項２６】
前記モールドが、注入モールドまたは圧縮モールドである、請求項１〜２５のいずれか１項に記載の光学用ハイブリッドレンズの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月23日(2010.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素領域及び前記画素領域の外部の領域を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた、透光性を有する第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された液晶材料と、
少なくとも前記画素領域に設けられた複数の薄膜トランジスタ及び複数のバスラインと、
前記第２の基板上に設けられたブラックマトリクス、第１のギャップ保持部材及び第２のギャップ保持部材と、を有し、
前記第１のギャップ保持部材は、前記画素領域の前記バスラインに対向し、かつ前記ブラックマトリクス上の領域に固定して設けられ、
前記第２のギャップ保持部材は、前記画素領域の外部の領域に対向し、かつ前記ブラックマトリクス上の領域に固定して設けられ、
前記第１のギャップ保持部材及び前記第２のギャップ保持部材は、それぞれ前記第２の基板上に形成された感光性樹脂膜の一部からなり、
前記第２のギャップ保持部材の高さは、前記第１のギャップ保持部材の高さよりも高く、
前記第１のギャップ保持部材の高さは、前記第１のギャップ保持部材自体の高さであり、
前記第２のギャップ保持部材の高さは、前記第２のギャップ保持部材自体の高さであり、
前記第１のギャップ保持部材及び前記第２のギャップ保持部材それぞれの側面及び表面は、垂直配向膜により覆われており、
前記垂直配向膜はラビング処理が施されていないことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
画素領域及び前記画素領域の外部の領域を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた、透光性を有する第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された液晶材料と、
少なくとも前記画素領域に設けられた複数の薄膜トランジスタ及び複数のバスラインと、
前記第２の基板上に設けられたブラックマトリクス、第１のギャップ保持部材及び第２のギャップ保持部材と、を有し、
前記第１のギャップ保持部材は、前記画素領域の前記バスラインに対向し、かつ前記ブラックマトリクス上の領域に固定して設けられ、
前記第２のギャップ保持部材は、前記画素領域の外部の領域に対向し、かつ前記ブラックマトリクス上の領域に固定して設けられ、
前記第１のギャップ保持部材及び前記第２のギャップ保持部材は、それぞれ前記第２の基板上に形成された感光性樹脂膜の一部からなり、
前記第２のギャップ保持部材の高さは、前記第１のギャップ保持部材の高さよりも高く、
前記第１のギャップ保持部材の高さは、前記第２の基板の表面に垂直な方向において、前記第１のギャップ保持部材が設けられる面と、前記第１のギャップ保持部材が設けられる面に対向する前記第１のギャップ保持部材の上面との間の距離であり、
前記第２のギャップ保持部材の高さは、前記第２の基板の表面に垂直な方向において、前記第２のギャップ保持部材が設けられる面と、前記第２のギャップ保持部材が設けられる面に対向する前記第２のギャップ保持部材の上面との間の距離であり、
前記第１のギャップ保持部材及び前記第２のギャップ保持部材それぞれの側面及び表面は、垂直配向膜により覆われており、
前記垂直配向膜はラビング処理が施されていないことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記第２の基板の表面から前記第１のギャップ保持部材が設けられる面の間の距離は、前記第２の基板の表面から前記第２のギャップ保持部材が設けられる面の間の距離よりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記第１のギャップ保持部材の高さ及び前記第２のギャップ保持部材の高さは、２．０〜５．０μｍであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記第２の基板の表面から前記第１のギャップ保持部材の上面までの高さと、前記第２の基板の表面から前記第２のギャップ保持部材の上面までの高さとは、概略等しいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記第２の基板表面から前記第１のギャップ保持部材の上面までの高さと、前記前記第２の基板表面から前記第２のギャップ保持部材の上面までの高さの精度は、前記第２の基板全体でそれぞれ±０．１μｍの範囲であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、前記感光性樹脂膜は、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、及びポリイミドアミドから選ばれた材料であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、前記第１の基板の前記画素領域に対向電極を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８において、前記垂直配向膜の材料は、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、及びポリイミドアミドから選ばれた材料であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、前記第１のギャップ保持部材及び前記第２のギャップ保持部材の形状は、円柱状、楕円柱状、矩形柱状、又は多角柱状であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、前記薄膜トランジスタは逆スタガ型薄膜トランジスタであることを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月5日(2010.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
［比較例］
図１０ないし図１２と表４は、比較例の撮影レンズ系を示している。図１０は、無限遠物体合焦時のレンズ構成図、図１１はその諸収差図、図１２は横収差図、表４はその数値データである。図１０のレンズ構成では、図１、図４、図７の各実施例のレンズ構成と異なり、中間レンズ１４が存在しない。他の対応するレンズについては同一の符号を付した。絞りＳは第３レンズ（第６面）の後方（像側）7.73の位置とし、また諸収差図は本願実施例の像高に合わせて計算した。
（表４）
FNO. =  1: 1.4
f    =  51.55
W    =  15.6
fB   =  38.50
面No.    r          d          Nd         ν
1      41.367      5.09     1.77250      49.6
2     241.284      0.15
3      27.126      4.14     1.83481      42.7
4      40.784      1.38
5      68.568      2.19     1.64769      33.8
6      17.678     15.55
7     -18.632      2.10     1.80518      25.4
8     831.348      6.34     1.75700      47.8
9     -34.089      0.12
10    -79.308      4.17     1.88300      40.8
11    -30.662      0.15
12    127.031      3.00     1.80400      46.6
13   -127.031       -
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2010072390.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月4日(2010.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記映像投影部は、前記奥行き呈示目標位置を連続的に変えつつ、前記動体視差と、前記奥行き呈示目標位置と、に基づいて、前記表示オブジェクトの前記映像内における位置、形及び大きさの少なくともいずれかを変化させることを特徴とする請求項３記載の車載用表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記映像投影部は、
前記観視者から、前記反射体によって形成される前記映像の虚像の位置までの距離をＬｖｉとし、
前記観視者から前記映像の奥行き呈示目標位置までの距離をＬｄｐ０とし、
前記検出された片目の検出位置の変動の距離をＳｏｂｓ．としたとき、
前記表示オブジェクトの前記映像内における位置を、Ｓｖｉ＝Ｓｏｂｓ．（１−Ｌｖｉ／Ｌｄｐ０）の距離で変動させることを特徴とする請求項８記載の車載用表示装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
また、図２（ｂ）に表したように、本実施形態に係る車載用表示装置１０においては、検出された片目１０１の位置に基づいて、表示オブジェクト３３１の映像３３０内における形を変化させることができる。形とは、例えば、表示オブジェクト３３１の縦横比や映像３３０内における配置角度などを含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
図３は、本発明の第１の実施形態に係る車載用表示装置の動作を例示する模式図である。  
すなわち、同図は、観視者１００が、２つの物体、すなわち、観視者１００に近い側の第１物体３４１と遠い側の第２物体３４２と、を観視したときの様子を例示している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図３に表したように、観視者１００が、第１及び第２物体３４１、３４２に対して左側から観視したときには、観視者１００が観視する像３５０ａにおいては、第１物体３４１の像３４１ａは、第２物体３４２の像３４２ａよりも右側に配置される。  
また、観視者１００が、第１及び第２物体３４１、３４２に対して右側から観視したときには、観視者１００が観視する像３５０ｃにおいては、第１物体３４１の像３４１ａは、第２物体３４２の像３４２ａよりも左側に配置される。  
そして、観視者１００が、第１及び第２物体３４１、３４２に対して正面から観視したときには、観視者１００が観視する像３５０ｂにおいては、第１物体３４１の像３４１ａは、第２物体３４２の像３４２ａと重なって配置される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
このように、観視者１００と物体との位置関係において、観視者１００が移動した場合に、物体の見え方は変化する。すなわち、観視者の頭部運動により運動視差が発生する。このとき、観視者１００に対して、前後に配置された第１物体３４１及び第２物体３４２の奥行きに関する位置関係は、この運動視差に基づいて認識されることが可能となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
このとき、本実施形態に係る車載用表示装置１０においては、数式（１）を満足するように、虚像移動量Ｓｖｉを設定する。
Ｓｖｉ＝Ｓｏｂｓ．（１−Ｌｖｉ／Ｌｄｐ）    …  （１）
そして、表示オブジェクトの前記映像内における位置を、この虚像移動量Ｓｖｉの距離で変動させる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
図６に表したように、本実施形態に係る車載用表示装置１０においては、例えば、映像の奥行き呈示目標位置Ｐｄｐ０が、観視者１００からの距離が距離Ｌ１の位置Ｐ１である場合、観視者１００の片目１０１の移動の距離Ｓｏｂｓ．に対して、Ｓｖｉ＝Ｓｏｂｓ．（１−Ｌｖｉ／Ｌ１）の量だけ、映像３３０における表示オブジェクト３３１の位置を移動させる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
すなわち、例えば、図３に例示したように、映像内に、奥行きの異なる２つの表示オブジェクト（第１物体３４１及び第２物体３４２）がある場合、運動視差によって、像３４１ａと像３４２ａとの配置が変化するが、このような映像を、従来のＨＵＤによって両眼で観視した場合には、単に、２つの物体（第１物体３４１及び第２物体３４２）の位置がずれたと見え、この２つの物体の奥行きが異なったと知覚されにくい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
これに対し、本実施形態に係る車載用表示装置１０では、片目１０１で映像が観視される。このため、運動視差によって、像３４１ａと像３４２ａとの配置が変化する映像を観視した場合には、この２つの物体の奥行きが異なって知覚される。そして、図４によって説明したように、車載用表示装置１０が応用される、５ｍ〜十ｍ程度の観視距離においては、運動視差の奥行き知覚に対する感度が他の要素に比べて最も高いため、車載用表示装置１０は、非常に効率良く、効果的に、呈示情報の奥行き知覚位置を任意の位置に安定して配置できる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
なお、ＬＣＤ３５１から出射される光束３５２は実質的に直線偏光であるため、優位眼に対応する偏光フィルタ３５４ａは、光束３５２の偏光方向と平行の偏光状態とし、非優位眼に対応する偏光フィルタ３５４ｂを光束３５２の偏光方向と直交する偏光状態に設定することで、被験者１００ａには優位眼だけに映像を呈示することが可能となる。なお、このＬＣＤ３５１が、車載用表示装置１０における映像投影部１１５に相当する。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
図１１は、本発明の第１の実施形態に係る車載用表示装置に関する実験結果を例示するグラフ図である。  
同図の横軸は、奥行き設定距離Ｌｄｐ０（被験者１００ａの位置から映像の奥行き呈示目標位置Ｐｄｐ０までの距離）を示し、縦軸は、主観的奥行き距離Ｌｓｄｐ（被験者１００ａから、被験者１００ａが回答した主観的奥行き位置Ｐｓｄｐまでの距離）を示す。  
図１１に表したように、運動視差を基に表示オブジェクト３３１の表示位置を変えた本実験において、被験者１００ａが回答した主観的奥行き位置までの距離Ｌｓｄｐは、奥行き設定距離Ｌｄｐ０と良く一致した。すなわち、被験者１００ａは、設定した奥行き呈示目標位置Ｐｄｐ０と実質的に対応する位置に、主観的奥行き位置Ｐｓｄｐを感知する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月16日(2009.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成装置と、前記画像形成装置に装着される複数のオプション装置と、前記画像形成装置と前記複数のオプション装置とを通信可能に接続する通信線とを有する画像形成システムであって、
前記画像形成装置は、前記通信線を介して、前記オプション装置を制御するプログラムの書き換え対象である２つ以上のオプション装置を示す対象情報と、前記プログラムの書き換え指示と、前記プログラムとを前記複数のオプション装置に同時に転送し、
前記複数のオプション装置の各々は、
前記通信線を介して、前記画像形成装置から前記書き換え指示と、前記対象情報と、前記書き換え終了指示とを受信する受信部と、
前記受信部が受信した対象情報が、自身が書き換え対象のオプション装置であることを示している場合には前記プログラムに書き換える書換モードに切り換え、自身が書き換え対象のオプション装置であることを示していない場合には前記書き換え終了指示を受信するまで前記書き換え指示を無視する非書換モードに切り換える切換部と、
前記切換部が書換モードに切り換えた場合において、前記通信線を介して、前記画像形成装置からプログラムを受信して当該プログラムに書き換える書換部とを有することを特徴とする画像形成システム。
【請求項２】
前記切換部は、前記対象情報と自身を識別するための識別情報とを比較して、前記対象情報と前記識別情報とが一致している場合には前記書換モードに切り換え、前記対象情報と前記識別情報とが一致していない場合には前記非書換モードに切り換えることを特徴とする請求項１に記載の画像形成システム。
【請求項３】
前記対象情報は、前記画像形成装置が転送するプログラムの種別を示す転送プログラム種別情報を含み、
前記切換部は、前記転送プログラム種別情報と前記オプション装置が格納している現在のプログラムの種別を示す格納プログラム種別情報とを比較して、前記転送プログラム種別情報と前記格納プログラム種別情報とが一致していない場合には前記書換モードに切り換え、前記転送プログラム種別情報と前記格納プログラム種別情報とが一致している場合には前記非書換モードに切り換えることを特徴とする請求項１に記載の画像形成システム。
【請求項４】
画像形成装置に接続され、前記画像形成装置と通信線を介して通信可能であり、前記画像形成装置に拡張機能を提供するオプション装置であって、
前記通信線を介して、前記オプション装置を制御するプログラムの書き換え指示と、前記プログラムに書き換えるオプション装置を示す対象情報と、前記プログラムの書き換え終了指示とを受信する受信部と、
前記受信部が受信した対象情報が、自身が書き換え対象のオプション装置であることを示している場合には前記プログラムに書き換える書換モードに切り換え、自身が書き換え対象のオプション装置であることを示していない場合には前記書き換え終了指示を受信するまで前記書き換え指示を無視する非書換モードに切り換える切換部と、
前記切換部が書換モードに切り換えた場合において、前記通信線を介して、前記画像形成装置からプログラムを受信して当該プログラムに現在のプログラムを書き換える書換部とを有することを特徴とするオプション装置。
【請求項５】
前記切換部は、前記対象情報と自身を識別するための識別情報とを比較して、前記対象情報と前記識別情報とが一致している場合には前記書換モードに切り換え、前記対象情報と前記識別情報とが一致していない場合には前記非書換モードに切り換えることを特徴とする請求項４に記載のオプション装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成システム及びオプション装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての画像形成システムは、画像形成装置と、前記画像形成装置に装着される複数のオプション装置と、前記画像形成装置と前記複数のオプション装置とを通信可能に接続する通信線とを有する画像形成システムであって、前記画像形成装置は、前記通信線を介して、前記オプション装置を制御するプログラムの書き換え対象である２つ以上のオプション装置を示す対象情報と、前記プログラムの書き換え指示と、前記プログラムとを前記複数のオプション装置に同時に転送し、前記複数のオプション装置の各々は、前記通信線を介して、前記画像形成装置から前記書き換え指示と、前記対象情報と、前記書き換え終了指示とを受信する受信部と、前記受信部が受信した対象情報が、自身が書き換え対象のオプション装置であることを示している場合には前記プログラムに書き換える書換モードに切り換え、自身が書き換え対象のオプション装置であることを示していない場合には前記書き換え終了指示を受信するまで前記書き換え指示を無視する非書換モードに切り換える切換部と、前記切換部が書換モードに切り換えた場合において、前記通信線を介して、前記画像形成装置からプログラムを受信して当該プログラムに書き換える書換部とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月27日(2010.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上方部分及び下方部分を含む内部空間を有するチャンバと、
上記上方部分に連通された冷却材源と上記内部空間の上記下方部分に配設された加熱源と、
上記上方部分と上記下方部分との間で基板を支持および移動させるように構成された浮揚基板支持体と、
上記加熱源と上記基板との間に配設され、紫外光を透過するウインドウと、
を備える基板処理装置。
【請求項２】
上記冷却材源は、冷却プレートを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
上記冷却プレートは、黒色材料を備える、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
上記冷却プレートは、０．７０〜０．９５の放射率を有する、請求項２に記載の装置。
【請求項５】
上記冷却材源は、上記内部空間の上記上方部分にガスを導くガスポートを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
上記冷却材源は、内部に冷却材を流す為に少なくとも一つの流体チャネルを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
上記冷却材源は、内部に冷却材を流す為に少なくとも一つのチャネルを有する冷却プレートと、上記内部空間の上記上方部分にガスを導くガスポートとを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
上記ウインドウは、その上方表面から延びる複数のリフトピンを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
上方部分及び下方部分を含む内部空間を有するチャンバと、
上記下方部分に配設された加熱源と、
上記上方部分に配設された冷却プレートと、
上記内部空間に少なくとも一部が配設された磁気的に駆動される基板支持体であって、環状本体を備え、上記環状本体は、その上方表面に上記基板を支持するように構成されている、上記基板支持体と、
上記加熱源と上記基板との間に配設され、紫外光を透過するウインドウと、
を備える基板処理装置。
【請求項１０】
上記冷却プレートは、黒色材料を含む、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
上記冷却プレートは、冷却材を流すための少なくとも１つの流体チャネルを備える、請求項９に記載の装置。
【請求項１２】
上記内部空間の上記上方部分にガスを導くガスポートを更に備える、請求項９に記載の装置。
【請求項１３】
上記ウインドウは、その上方表面から延びる複数のリフトピンを含む、請求項９に記載の装置。
【請求項１４】
内部空間に冷却プレートと加熱源とが配設されたチャンバと、
上記チャンバ内に配設され、環状本体を備える磁気浮揚基板支持体であって、その上方表面に上記基板を支持し、上記基板を上記加熱源と上記冷却プレート付近に移動させる、上記基板支持体と、
を備える、基板処理装置。
【請求項１５】
上記加熱源は、上記冷却プレートに対向した関係で配設される、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
上記加熱源は、上記内部空間の下方部分に配設される、請求項１４に記載の装置。
【請求項１７】
上記加熱源と上記冷却プレートとの間に配設されたウインドウを更に備え、上記ウインドウは、紫外光を透過し、その上方表面から延びる複数のリフトピンを有する、請求項１４に記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2008166706.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月8日(2010.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】紙及び半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極層及び第２の電極層からなる一対の電極間に有機化合物を含む層を有する記憶素子、半導体素子、及びアンテナを有する素子層と、前記素子層上に形成された吸湿材を含む封止層とを有する積層体が内部に設けられたことを特徴とする紙。
【請求項２】
請求項１において、前記吸湿材は、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ゼオライト、アルカリ土類金属の酸化物、硫酸塩、または高吸水性ポリマーで形成される粒子であることを特徴とする紙。
【請求項３】
請求項２において、前記粒子の粒径は１μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする紙。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記封止層は、フッ素含有ポリマー、ポリオレフィン、ポリアクリロニトリル、ポリアミド、ポリエステル、またはエポキシ樹脂の高分子材料で形成されることを特徴とする紙。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記紙は、紙幣、証書類、または無記名債券類であることを特徴とする紙。
【請求項６】
第１の電極層及び第２の電極層からなる一対の電極間に有機化合物を含む層を有する記憶素子、及び半導体素子を有する素子層と、
前記素子層上に形成された吸湿材を含む封止層とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、前記素子層及び前記封止層を覆うように設けられた第１の可撓性基板及び第２の可撓性基板を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項６または請求項７において、前記素子層はアンテナを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月10日(2010.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース領域及びドレイン領域として機能する一組の第１不純物領域とチャネル形成領域とを有し、絶縁表面に設けられた厚さ１０ｎｍ乃至２５ｎｍの島状の単結晶半導体層と、
前記半導体層の周囲に埋め込まれた、酸化シリコンからなる素子分離絶縁層と、
前記半導体層上に設けられた、厚さ２ｎｍ乃至２０ｎｍの酸化シリコンからなるゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられたゲート電極と、
窒化シリコンからなるサイドウォール絶縁層と、
前記サイドウォール絶縁層に重なり、かつ、前記第１不純物領域と前記チャネル形成領域との間に設けられた第２不純物領域と、を有するＳＯＩ構造のトランジスタと、
前記トランジスタを覆う窒化シリコン層と、を有し、
前記チャネル形成領域のチャネル長は、前記半導体層の厚さの１０倍以上４０倍未満であり、
前記半導体層の端部は４５度乃至９５度のテーパー角を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記トランジスタは、しきい値電圧が０．０１Ｖ以上０．６２Ｖ未満であって、サブスレッショルド値が６０ｍＶ／ｄｅｃａｄｅ以上１００ｍＶ／ｄｅｃａｄｅ未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記半導体層の端部に設けられ、前記素子分離絶縁層と接している窒化シリコン層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
絶縁表面に設けられた厚さ１０ｎｍ乃至２５ｎｍの半導体層と、
前記半導体層上に設けられた厚さ２ｎｍ乃至２０ｎｍのゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられたゲート電極と、を有し、
前記半導体層のチャネル形成領域のチャネル長は、前記半導体層の厚さの１０倍以上４０倍未満であり、
しきい値電圧が０．０１Ｖ以上０．６２Ｖ未満であって、サブスレッショルド値が６０ｍＶ／ｄｅｃａｄｅ以上１００ｍＶ／ｄｅｃａｄｅ未満である電界効果型トランジスタを備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
絶縁表面に設けられた厚さ１０ｎｍ乃至２５ｎｍの半導体層と、
前記半導体層上に設けられた厚さ２ｎｍ乃至２０ｎｍのゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられたゲート電極と、を有し、
前記半導体層のチャネル形成領域のチャネル長は、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ未満であり、
しきい値電圧が０．０１Ｖ以上０．６２Ｖ未満であって、サブスレッショルド値が６０ｍＶ／ｄｅｃａｄｅ以上１００ｍＶ／ｄｅｃａｄｅ未満である電界効果型トランジスタを備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
絶縁表面に設けられた厚さ１０ｎｍ乃至２５ｎｍの半導体層と、
前記半導体層の周囲に設けられた素子分離絶縁層と、
前記半導体層上に設けられた厚さ２ｎｍ乃至２０ｎｍのゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられたゲート電極と、を有し、
前記半導体層のチャネル形成領域のチャネル長は、前記半導体層の厚さの１０倍以上４０倍未満であり、
前記半導体層の端部に設けられ、前記素子分離絶縁層と接している窒化シリコン層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
絶縁表面に設けられた厚さ１０ｎｍ乃至２５ｎｍの半導体層と、
前記半導体層の周囲に設けられた素子分離絶縁層と、
前記半導体層上に設けられた厚さ２ｎｍ乃至２０ｎｍのゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられたゲート電極と、を有し、
前記半導体層のチャネル形成領域のチャネル長は、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ未満であり、
前記半導体層の端部に設けられ、前記素子分離絶縁層と接している窒化シリコン層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項４乃至請求項７のいずれか一項において、
前記半導体層のチャネル形成領域に含まれる一導電型を付与する不純物元素の濃度が５×１０１７ｃｍ−３以上１×１０１８ｃｍ−３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記一導電型不純物はｐ型不純物であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記ｐ型不純物は、硼素、アルミニウム、ガリウムから選ばれた一種又は複数種の元素であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項４乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記ゲート絶縁層が、酸化シリコン層、若しくは酸化シリコン層と窒化シリコン層との積層構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項４乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記ゲート電極が、金属窒化物で形成される第１層と、金属で形成される第２層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項４乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記ゲート絶縁層が、酸化シリコン層と窒化シリコン層との積層構造を有し、
前記ゲート電極が、金属窒化物で形成される第１層と、金属で形成される第２層を有し、
前記ゲート電極の前記金属窒化物で形成される第１層と前記ゲート絶縁層の前記酸化シリコン層との間に前記窒化シリコン層が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項４乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記半導体層は、面方位が異なる複数の結晶領域を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一項に記載の半導体装置を用いることを特徴とするマイクロプロセッサ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月18日(2009.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
Ｓ２０２において露出がオーバーと判断された場合には、露出がアンダーと判断された場合と逆の手順を行う。つまり、基準画像データの黒つぶれの部分を特定し（Ｓ２０３）、露出値を高く補正された基準画像データのＳ２０３で特定された部分に対して填補するべき差分データを、露出オーバー画像データから生成する（Ｓ２０４）。