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【手続補正書】
【提出日】平成22年4月27日(2010.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投射システムを用いて、パターン化された放射ビームを、前記投射系の最終要素と基板との間の空間に供給される浸漬液を介して、前記基板に供給するデバイス製造方法であって、
前記基板上には保護膜が設けられており、該保護膜は、前記浸漬液中で不溶性でありかつ該浸漬液に対して１００°の接触角を有する、デバイス製造方法。
【請求項２】
前記保護膜は、前記接触角を提供するために決定された量の、少なくともひとつのフッ化処理されたポリマーを含む、請求項１に記載のデバイス製造方法。
【請求項３】
前記基板上にはレジストが設けられており、該レジスト上に前記保護膜が設けられている、請求項１又は請求項２のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
【請求項４】
液浸露光に用いられる基板であって、
前記基板は、該基板の表面上に設けられたレジストと、該レジスト上に設けられた保護膜とを備え、
前記保護膜は、前記浸漬液中で不溶性でありかつ浸漬液に対して１００°の接触角を有する、基板。
【請求項５】
前記保護膜は、前記接触角を提供するために決定された量の、少なくともひとつのフッ化処理されたポリマーを含む、請求項４に記載の基板。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月18日(2010.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
両端に設けた電線端子挿入口とそれぞれ連通する受接続端保持孔を内部に直列的に配すると共に、前記受接続端保持孔は２個のスルーピン挿入孔の１個とそれぞれ交叉するようにしたホルダと、一端に受接続端を有し他端に電線を接続し前記受接続端を両側の前記電線端子挿入口を経て前記受接続端保持孔にそれぞれ挿入する少なくとも２個の電線端子と、平行な２本のスルーピンを平行に配置すると共にこれらのスルーピン同士を剛体から成る導電連結部によりコ字型に連結した挿込導通部材とから成り、前記電線端子の受接続端を前記ホルダの両側の前記電線端子挿入口を経てそれぞれ前記受接続端保持孔に挿入し、前記挿込導通部材のスルーピンを前記ホルダのスルーピン挿入孔にそれぞれ挿入することにより、前記ホルダ内の前記電線端子の受接続端の接点と接触し、両側からそれぞれ挿入した前記電線端子同士を短絡することによって電気接続することを特徴とする接続部材。
【請求項２】
前記電線端子は前記スルーピンの挿入方向においても積層したことを特徴とする請求項１に記載の接続部材。
【請求項３】
前記受接続端の接点は、前記スルーピンを挿通する筒形としたことを特徴とする請求項１又は２に記載の接続部材。
【請求項４】
前記スルーピンの横断面は略四角形としたことを特徴とする請求項１〜３の何れか１つの請求項に記載の接続部材。
【請求項５】
前記受接続端保持孔内には前記電線端子を係止する係止ランスを設けたことを特徴とする請求項１〜４の何れか１つの請求項に記載の接続部材。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか１つの請求項に記載の接続部材を使用したことを特徴とする自動車用ハーネス回路。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月29日(2010.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子分離領域により分離された第１および第２のトランジスタ領域を有する半導体基板と、
前記第１のトランジスタ領域において、前記半導体基板上に形成された第１の不純物拡散抑制層と、
前記第２のトランジスタ領域において、前記半導体基板上に形成され、前記第１の不純物拡散抑制層よりも厚さの厚い第２の不純物拡散抑制層と、
前記第１の不純物拡散抑制層上に形成された第１の結晶層と、
前記第２の不純物拡散抑制層上に形成された第２の結晶層と、
前記第１の結晶層上に第１のゲート絶縁膜を介して形成された第１のゲート電極と、
前記第２の結晶層上に第２のゲート絶縁膜を介して形成された第２のゲート電極と、
前記第１のトランジスタ領域において、前記半導体基板、前記第１の不純物拡散抑制層および前記第１の結晶層中の前記第１のゲート電極下の領域に形成され、第１のＰ型不純物を含む第１のチャネル領域と、
前記第２のトランジスタ領域において、前記半導体基板、前記第２の不純物拡散抑制層および前記第２の結晶層中の前記第２のゲート電極下の領域に形成され、第２のＰ型不純物を含む第２のチャネル領域と、
前記第１のチャネル領域の両側に形成された第１のソース・ドレイン領域と、
前記第２のチャネル領域の両側に形成された第２のソース・ドレイン領域と、
を有し、
前記第１のＰ型不純物は、前記第１のチャネル領域の前記第１の結晶層中の領域における濃度が、前記第１のチャネル領域の前記半導体基板中の領域における濃度よりも低く、
前記第２のＰ型不純物は、前記第２のチャネル領域の前記第２の結晶層中の領域における濃度が、前記第２のチャネル領域の前記半導体基板中の領域における濃度よりも低い、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１および第２のＰ型不純物はＢを含み、
前記第１および第２の不純物拡散抑制層はＳｉ：Ｃ結晶、ＳｉＧｅ結晶、またはＳｉＧｅ：Ｃ結晶からなる、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
素子分離領域により分離された第１および第２のトランジスタ領域を有する半導体基板と、
前記第１のトランジスタ領域において、前記半導体基板上に第１のゲート絶縁膜を介して形成された第１のゲート電極と、
前記第２のトランジスタ領域において、前記半導体基板上に形成された不純物拡散抑制層と、
前記不純物拡散抑制層上に形成された結晶層と、
前記結晶層上に第２のゲート絶縁膜を介して形成された第２のゲート電極と、
前記第１のトランジスタ領域において、前記半導体基板中の前記第１のゲート電極下の領域に形成され、Ｐ型不純物を含む第１のチャネル領域と、
前記第２のトランジスタ領域において、前記半導体基板、前記不純物拡散抑制層および前記結晶層中の前記第２のゲート電極下の領域に形成され、前記Ｐ型不純物を含む第２のチャネル領域と、
前記第１のチャネル領域の両側に形成された第１のソース・ドレイン領域と、
前記第２のチャネル領域の両側に形成された第２のソース・ドレイン領域と、
を有し、
前記Ｐ型不純物は、前記第２のチャネル領域の前記結晶層中の領域における濃度が、前記第２のチャネル領域の前記半導体基板中の領域における濃度よりも低く、
前記第２のチャネル領域の前記半導体基板中の領域における前記Ｐ型不純物は、前記第１のチャネル領域の前記Ｐ型不純物よりも高い濃度を有する、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記第２のゲート絶縁膜は高誘電率膜からなり、
前記第２のゲート電極は金属または金属化合物からなる層を含み、
前記第１のゲート電極はＳｉ系多結晶からなる、
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記Ｐ型不純物はＢを含み、
前記不純物拡散抑制層はＳｉ：Ｃ結晶、ＳｉＧｅ結晶、またはＳｉＧｅ：Ｃ結晶からなる、
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月26日(2010.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体高分子電解質層と、この固体高分子電解質層の両側に設けられた第１電極層及び第２電極層と、これら電極層の更に外側に各々配置された第１導電層及び第２導電層とを備え、これら各層をインサート成形した樹脂成形体で一体化してあり、
前記第１導電層は、前記第１電極層を部分的に露出させる露出部を有する第１金属層からなり、前記第２導電層は、前記第２電極層を部分的に露出させる露出部を有する第２金属層からなる燃料電池。
【請求項２】
前記樹脂成形体は、第１電極層及び第２電極層に気体又は液体を供給するための供給部を有する請求項１に記載の燃料電池。
【請求項３】
前記樹脂成形体の供給部は、前記第１金属層又は第２金属層の露出部に対応する位置に設けられた開孔である請求項２に記載の燃料電池。
【請求項４】
前記樹脂成形体の開孔と前記第１電極層又は第２電極層との間には、多孔質層が介在する請求項１又は２に記載の燃料電池。
【請求項５】
請求項１〜４いずれかに記載の燃料電池を単位セルとして、その単位セルの複数が同じ面内に並設されるように、前記樹脂成形体で一体化してある燃料電池。
【請求項６】
固体高分子電解質層と、その両側に配される第１電極層及び第２電極層と、それらの外側に配され、前記第１電極層及び第２電極層を部分的に露出させる露出部を有する第１金属層及び第２金属層との積層物を、成形型内に配置する工程と、
前記第１金属層及び第２金属層を両側から加圧した状態で、その成形型内に樹脂を注入することで、第１電極層及び第２電極層に気体又は液体を供給するための供給部を有し、前記積層物を一体化する樹脂成形体を成形する工程とを含む燃料電池の製造方法。
【請求項７】
前記成形型を分割構造にして分割した型部材の内面に凸部を設け、その凸部を前記第１金属層又は第２金属層に圧接させた状態で、前記成形型内に樹脂を注入する請求項６に記載の燃料電池の製造方法。
【請求項８】
前記第１金属層又は第２金属層の表面には複数の開孔が設けられており、前記分割した型部材には、前記開孔よりやや大きい上面を有する複数の凸部を前記複数の開孔に対応する位置にそれぞれ設けてある請求項６に記載の燃料電池の製造方法。
【請求項９】
前記積層物を成形型内に配置する工程で、前記積層物を複数用いて、それらの積層物の各々を電気的に接続した状態で成形型内に並設する請求項６〜８いずれかに記載の燃料電池の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月4日(2010.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＮｉＦｅＣｒで形成され、２５％〜４０％のＣｒ原子比率を有し、２０×１０-10ｍ〜６０×１０-10ｍの厚さを有する種層と、
強磁性体で形成され、回転可能な磁気モーメントを有し、前記種層と隣接して設けられた自由層と、
ＣｏＦｅで形成され、固定した磁気モーメントを有するピン化層と、
ＰｔＭｎＸで形成され、前記ピン化層と隣接して設けられたピンニング層と、
非磁性体材料で形成され、前記自由層と前記ピン化層との間に設けられ、２０×１０-10ｍ〜３５×１０-10ｍの厚さを有するるスペーサー層とを備え、
前記自由層が、ＮｉＦｅで形成された第１強磁性層と、ＣｏＦｅで形成された第２強磁性層とを含み、前記第１強磁性層の厚さは２０×１０-10ｍ〜１００×１０-10ｍであり、前記第２強磁性層の厚さは５×１０-10ｍ〜２５×１０-10ｍであり、
前記ピンニング層を構成するＰｔＭｎＸのＸが、０％より大きく１％以下である原子比率を有するＣｒであるか、または、２５％〜３５％の原子比率を有するＰｄである、磁気読み取りヘッドに用いられる巨大磁気抵抗効果スタック。
【請求項２】
前記ピン化層が１８×１０-10ｍ〜３０×１０-10ｍの厚さを有する、請求項１に記載の巨大磁気抵抗効果スタック。
【請求項３】
前記ピン化層が、１５×１０-10ｍ〜４０×１０-10ｍの厚さを有する第１強磁性層、１５×１０-10ｍ〜４０×１０-10ｍの厚さを有する第２強磁性層、および、前記第１および第２強磁性層の間に形成された、８×１０-10ｍ〜１２×１０-10ｍの厚さを有する結合層を含む、請求項１に記載の巨大磁気抵抗効果スタック。
【請求項４】
前記種層の組成が、約Ｎｉ（６０）Ｆｅ（１５）Ｃｒ（２５）と約Ｎｉ（４８）Ｆｅ（１２）Ｃｒ（４０）との間の領域にある、請求項１〜３のいずれかに記載の巨大磁気抵抗効果スタック。
【請求項５】
前記自由層の組成が、概ねＮｉ（８５）Ｆｅ（１５）とＮｉ（８０．５）Ｆｅ（１９．５）との間の領域にある、請求項１〜４のいずれかに記載の巨大磁気抵抗効果スタック。
【請求項６】
前記ピン化層の組成が、概ねＣｏ（９０）Ｆｅ（１５）である、請求項１〜５のいずれかに記載の巨大磁気抵抗効果スタック。
【請求項７】
前記ピンニング層の組成が、概ねＰｔ（３６）Ｍｎ（６４）Ｃｒ（＞０）とＰｔ（４８）Ｍｎ（５１）Ｃｒ（１）との間の領域、または、概ねＰｔ（１５）Ｍｎ（５０）Ｐｄ（３５）とＰｔ（２５）Ｍｎ（５０）Ｐｄ（２５）との間の領域にある、請求項１〜６のいずれかに記載の巨大磁気抵抗効果スタック。
【請求項８】
前記ピン化層が約３８０℃の耐ブロック温度を有する、請求項１〜７のいずれかに記載の巨大磁気抵抗効果スタック。
【請求項９】
前記ピン化層が約２７０℃のアニーリング温度を有する、請求項１〜８のいずれかに記載の巨大磁気抵抗効果スタック。
【請求項１０】
ＧＭＲ比が約１０．３％である、請求項３に記載の巨大磁気抵抗効果スタック。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】磁気読み取りヘッドに用いられる巨大磁気抵抗効果スタック
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
（発明の背景）
本発明は、磁気読み取りヘッドに用いられる、改善された熱的および磁気的安定性を有する巨大磁気抵抗効果スタックに関するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月1日(2010.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体電解質をアノード電極とカソード電極とで挟んで構成される電解質・電極接合体と、クロムを含有する金属セパレータとが交互に積層される固体電解質形燃料電池のセパレータ表面処理方法であって、
前記金属セパレータの前記カソード電極に対向するカソード面に、クロム飛散防止層を被覆する第１工程と、
前記第１工程により前記金属セパレータの前記アノード電極に対向するアノード面に付着した前記クロム飛散防止層を除去するとともに、前記アノード面を粗面化する第２工程と、
前記第２工程の後、前記金属セパレータの前記アノード面に、酸化防止層を被覆する第３工程と、
を有することを特徴とする固体電解質形燃料電池のセパレータ表面処理方法。
【請求項２】
請求項１記載のセパレータ表面処理方法において、前記第１工程の前に、前記金属セパレータの前記カソード面を粗面化する工程を有することを特徴とする固体電解質形燃料電池のセパレータ表面処理方法。
【請求項３】
請求項２記載のセパレータ表面処理方法において、前記第１工程は、前記金属セパレータの前記カソード面に、前記クロム飛散防止層を溶射により被覆する一方、
前記第３工程は、前記セパレータの前記アノード面に、前記酸化防止層を溶射により被覆することを特徴とする固体電解質形燃料電池のセパレータ表面処理方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のセパレータ表面処理方法において、前記クロム飛散防止層は、ペロブスカイト型複合酸化物であることを特徴とする固体電解質形燃料電池のセパレータ表面処理方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のセパレータ表面処理方法において、前記酸化防止層は、少なくともＮｉ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｕ又はＡｇのいずれかであることを特徴とする固体電解質形燃料電池のセパレータ表面処理方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のセパレータ表面処理方法において、前記固体電解質形燃料電池は、平板型固体酸化物形燃料電池であることを特徴とする固体電解質形燃料電池のセパレータ表面処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
さらにまた、クロム飛散防止層は、ペロブスカイト型複合酸化物であることが好ましい。これにより、金属セパレータからクロムが析出して飛散することによる電解質・電極接合体の劣化を抑制することができ、固体電解質形燃料電池の耐久性を向上させることが可能になる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
具体的には、大気圧プラズマ溶射法（ＡＰＳ）を採用し、ペロブスカイト型複合酸化物の粉末材料を溶融して挟持部６６のカソード面６６ｂに溶射することにより、図８に示すように、クロム飛散防止層１３０が設けられる（ステップＳ４）。このクロム飛散防止層１３０は、１０μｍ〜３０μｍの厚さを有する平滑面に形成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
ペロブスカイト型複合酸化物としては、例えば、ＬａＣｏＯ３（ランタン・コバルト系複合酸化物）、ＬａＣｒＯ３（ランタン・クロム系複合酸化物）、ＬａＭｎＯ３（ランタン・マンガン系複合酸化物）、ＬＳＭ（ランタン・ストロンチウム・マンガン系複合酸化物）、ＬＳＣＭ（ランタン・ストロンチウム・コバルト・マンガン系複合酸化物）等が用いられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
また、クロム飛散防止層１３０は、ペロブスカイト型複合酸化物を用いており、金属セパレータ２８からクロムが析出して飛散することによる電解質・電極接合体２６の劣化を抑制することができ、燃料電池１０の耐久性を向上させることが可能になる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月7日(2010.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
カソード電極とアノード電極との間に電圧が印加された状態でダイオードの耐圧を確保するために、ダイオードとしては、ガードリング（ｐ型層）を備えたダイオードが一般的に広く用いられている。ガードリングは、アノード（ｐ型拡散領域）の端から距離を隔ててアノードを取り囲むように形成されることで、ｐ型拡散領域の外周端部の電界が緩和されることになる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
図１５に示される３つのグラフＡ，Ｂ，Ｃのうち、面積比（Ｓｋ／Ｓａ）が０．４のグラフＣでは、グラフＣの右端の部分のリカバリー損失が、トレードオフ許容値を示すグラフＴよりも高くなっている。このことから、ダイオードのスイッチングをより高速にしてリカバリー損失を抑えるには、面積比（Ｓｋ／Ｓａ）は０．５以下にならないようにする必要がある。すなわち、カソード側ｐ型拡散領域１４の張り出し領域１４ａの張り出し寸法としては、アノード２（ｐ型拡散領域３）の面積Ｓａの５０％を超えないように設定する必要がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
上述した半導体装置では、まず、ガードリング対向領域１５にカソード側ｐ型拡散領域１４ｂが形成されていることで、ｎ型領域の体積（電子濃度）が減少し、オン状態において、ガードリング６直下のドリフト層の領域１０ａに蓄積されるキャリアを減少させることができる。そして、図１８に示すように、カソード側ｐ型拡散領域１４ｂに重金属が拡散されていることで、オン状態からオフ状態に変わるオフ時に、拡散された重金属が再結合中心となって、蓄積された電子とホールとが再結合して消滅する割合が高められることになる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
なお、重金属は、たとえば、酸化膜マスクにより重金属をスパッタ法あるいは蒸着法によってカソード側ｐ型拡散領域に導入した後に、適当な熱処理を施すことによってカソード側拡散領域１４ｂに拡散させることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
上述した半導体装置では、まず、ガードリング対向領域１５にカソード側ｐ型拡散領域１４ｃが形成されていることで、ｎ型領域の体積（電子濃度）が減少し、オン状態において、ガードリング６直下のドリフト層の領域１０ａに蓄積されるキャリアを減少させることができる。そして、図２１に示すように、カソード側ｐ型拡散領域１４ｃには電子線等が照射されて結晶欠陥が生じていることで、オン状態からオフ状態に変わるオフ時に、結晶欠陥が再結合中心となって、蓄積された電子とホールとが再結合して消滅する割合が高められることになる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
上述した半導体装置では、まず、ガードリング対向領域にカソード側ｐ型拡散領域１４ｄが形成されていることで、ｎ型領域の体積（電子濃度）が減少し、オン状態において、ガードリング６直下のドリフト層の領域１０ａに蓄積されるキャリアを減少させることができる。これにより、オフ時に、ドリフト層の領域１０ａからガードリング６直近のｐ型拡散領域３の外周端部に流れ込むキャリアが減少する。その結果、ｐ型拡散領域３の外周端部において電流（逆回復電流）が集中するのを抑制して、破壊耐量を向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月26日(2010.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サファイア基板上にシード層としてスパッター法で堆積されたＡｌＮ結晶膜を有し、該シード層上にＩＩＩ族窒化物半導体からなる、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体において、該シード層のＡｌＮ結晶膜中の酸素含有量が０．１原子％以上５原子％以下であり、ＡｌＮ結晶膜は結晶粒界の間隔が２００ｎｍ以上であることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体。
【請求項２】
ＡｌＮ結晶膜表面の算術平均表面粗さ（Ｒａ）が２Å以下である請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体。
【請求項３】
ＡｌＮ結晶膜の（０００２）面と（１０−１０）のＸ線回折におけるロッキングカーブの半値幅がそれぞれ１００arcsec以下および１．７度以下である請求項１または２に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体。
【請求項４】
サファイア基板がＣ面サファイア基板である請求項１〜３のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体。
【請求項５】
サファイア基板が０．１〜０．７度のオフ角を有する請求項１〜４のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体。
【請求項６】
サファイア基板が、直径１００ｍｍ以上である請求項１〜５のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を含む発光素子。
【請求項８】
請求項７に記載の発光素子からなるランプ。
【請求項９】
請求項８に記載のランプが組み込まれてなる電子機器。
【請求項１０】
請求項９に記載の電子機器が組み込まれてなる機械装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
上記の課題を解決するために、本発明は以下の発明を提供する。
（１）サファイア基板上にシード層としてスパッター法で堆積されたＡｌＮ結晶膜を有し、該シード層上にＩＩＩ族窒化物半導体からなる、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体において、該シード層のＡｌＮ結晶膜中の酸素含有量が０．１原子％以上５原子％以下であり、ＡｌＮ結晶膜は結晶粒界の間隔が２００ｎｍ以上であることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体；
（２）ＡｌＮ結晶膜表面の算術平均表面粗さ（Ｒａ）が２Å以下である上記（１）に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体；
（３）ＡｌＮ結晶膜の（０００２）面と（１０−１０）のＸ線回折におけるロッキングカーブの半値幅がそれぞれ１００arcsec以下および１．７度以下である上記（１）または
（２）に記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体；
（４）サファイア基板がＣ面サファイア基板である上記（１）〜（３）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体；
（５）サファイア基板が０．１〜０．７度のオフ角を有する上記（１）〜（４）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体；
（６）サファイア基板が、直径が１００ｍｍ以上である上記（１）〜（５）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体；
（７）上記（１）〜（６）のいずれかに記載のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を含む発光素子；
（８）上記（７）に記載の発光素子からなるランプ；
（９）上記（８）に記載のランプが組み込まれてなる電子機器；ならびに
（１０）上記（９）に記載の電子機器が組み込まれてなる機械装置、
である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
以下に、本発明の好適な実施態様例について、図１〜６を適宜用いて説明する。本発明のＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体（１０）は、サファイア基板（１１）上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる、ｎ型半導体層（１４）、発光層（１５）およびｐ型半導体層（１６）を積層してなり、そのサファイア基板（11）表面（１１ａ）にシード層（１２）としてＡｌＮ結晶膜を有し、ＡｌＮ結晶膜は、その縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の、基板に平行な方向の少なくとも２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されないこと、すなわち結晶粒界の間隔が２００ｎｍ以上であることを特徴とする。本発明において、縦断面TEMとは基板表面に対して垂直な面を観察したTEM像であり、平面TEMとは基板表面と平行な面を観察したTEM像である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月14日(2010.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
頭部（２）及び軸部（３）を持つ盲鋲素子（１，２１）であって、軸部（３）が、頭部（２）から遠い方の端部の範囲に、雌ねじ（４）又はボルト（２３）用受入れ部（２２）を持ち、雌ねじ（４）又はボルト（２３）用受入れ部（２２）と頭部（２）との間に変形区域（５）を持ち、頭部（２）が軸部（３）より大きい外径を持っているものにおいて、軸部（３）が、変形区域（５）の中央の周範囲にのみ、軸部（３）にある複数の穴（７）により、軸部壁（６）の弱体化部を持っていることを特徴とする、盲鋲素子。
【請求項２】
穴（７）が軸部（３）を貫通していることを特徴とする、請求項１に記載の盲鋲素子。
【請求項３】
軸部（３）が頭部（２）と軸部（３）の雌ねじ（４）又はボルト（２３）用受入れ部（２２）との間に、一定な内径及び／又は外径を持っていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の盲鋲素子。
【請求項４】
穴（７）が、軸部縦軸線（８）に対して直角な円面を持つ軸部（３）の周囲円に設けられていることを特徴とする、請求項１〜３の１つに記載の盲鋲素子。
【請求項５】
少なくとも２つの穴（７）なるべく少なくとも３つの穴（７）が設けられていることを特徴とする、請求項１〜４の１つに記載の盲鋲素子。
【請求項６】
穴（７）が、丸い断面を持っていることを特徴とする、請求項１〜５の１つに記載の盲鋲素子。
【請求項７】
雌ねじ（４）又はボルト（２３）用受入れ部（２２）からの弱体化部の距離が、頭部（２）からの距離より小さいことを特徴とする、請求項１〜６の１つに記載の盲鋲素子。
【請求項８】
盲鋲素子が金属から成っていることを特徴とする、請求項１〜７の１つに記載の盲鋲素子。
【請求項９】
盲鋲素子が、盲鋲ナット（１）又は盲鋲ボルト（２１）として構成されていることを特徴とする、請求項１〜８の１つに記載の盲鋲素子。
【請求項１０】
盲鋲素子（１，２１）が部材（９）にある穴（１０）へ挿入され、盲鋲素子（１，２１）の変形後に形成される盲鋲素子（１，２１）の止め頭部（１１）が半径方向に部材（９）の凹所（２８）に係合する、部材（９）に鋲止めするため請求項１〜９の１つに記載の盲鋲素子（１，２１）特に盲鋲ナット（１）又は盲鋲ボルト（２１）の使用方法。
【請求項１１】
部材（９）が少なくとも止め頭部（１１）の範囲で変形可能に構成され、部材（９）にある凹所（２８）が、盲鋲素子（１，２１）の据え込みの際形成される止め頭部（１１）により形成される、請求項１０に記載の使用方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月20日(2010.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
靴底で反射されたTHz波は、レンズ55、反射ミラー57を介してTHz波検出器58で検出される。検出器58では、検出信号に基づいて、靴59の内部深さ方向の各レベル面の2次元断層イメージを合成する。本実施例では、検出器として、DLATGS（Deuterated L-Alanine doped TriGlycene Sulphate）結晶などによる焦電検出器を用いた。しかし、これに限らず、ボロメータ、ショットキーダイオード、ゴーレイセル等を用いることもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月6日(2009.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のマイクロレンズが配列されたマイクロレンズアレイと、
前記マイクロレンズアレイの近傍に該マイクロレンズのそれぞれに対応して複数の受光部が二次元的に配列されるとともに、結像光学系からの光束を前記マイクロレンズアレイを介して受光する受光部アレイと、
前記結像光学系の明るさに関する情報を検出する情報検出手段と、
前記情報検出手段により検出された前記明るさに関する情報に応じて、前記各マイクロレンズに対応する前記複数の受光部の中から対の受光部群を選択する受光部選択手段と、
前記各マイクロレンズにおいて、前記受光部選択手段により選択された前記各受光部群に含まれる受光部の出力信号を加算し、前記対の受光部群に対応する出力信号対を生成する信号生成手段と、
前記信号生成手段により生成された、前記複数のマイクロレンズに対応する複数の出力信号対に基づいて、前記結像光学系の焦点調節状態を検出する焦点検出手段とを備えることを特徴とする焦点検出装置。
【請求項２】
請求項１に記載の焦点検出装置において、
前記受光部選択手段は、前記結像光学系の明るさが暗いときよりも明るいときの方が前記対の受光部群が占める領域が大きくなるように、前記対の受光部群を選択することを特徴とする焦点検出装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の焦点検出装置において、
前記受光部選択手段は、前記対の受光部群のそれぞれが、前記受光部アレイの受光面において各受光部群の重心を結ぶ線の方向にずらした場合に一致するように、前記対の受光部群を選択することを特徴とする焦点検出装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の焦点検出装置において、
前記受光部選択手段は、前記対の受光部群の重心を結ぶ線の方向が互いに異なる複数対の受光部群を選択し、
前記信号生成手段は、前記マイクロレンズごとに前記複数対の受光部群に対応する複数対の出力信号を生成し、
前記焦点検出手段は、前記複数のマイクロレンズに対応する前記複数対の出力信号に基づいて、前記受光部アレイの受光面上の異なる方向について前記結像光学系の焦点調節状態を検出することを特徴とする焦点検出装置。
【請求項５】
請求項４に記載の焦点検出装置において、
前記明るさに関する情報は前記結像光学系の開放Ｆ値であることを特徴とする焦点検出装置。
【請求項６】
請求項４に記載の焦点検出装置において、
前記明るさに関する情報は前記結像光学系による撮影時のＦ値であることを特徴とする焦点検出装置。
【請求項７】
請求項４に記載の焦点検出装置において、
前記明るさに関する情報は前記結像光学系の開放Ｆ値または前記結像光学系による撮影時のＦ値であり、
前記開放Ｆ値と前記撮影時のＦ値のいずれか一方を選択するための選択部材を備えることを特徴とする焦点検出装置。
【請求項８】
請求項４に記載の焦点検出装置において、
前記明るさに関する情報は前記結像光学系の開放Ｆ値または前記結像光学系の撮影時のＦ値であり、
前記結像光学系の前記開放Ｆ値または前記撮影時のＦ値と、前記結像光学系の射出瞳の位置とに応じて前記対の受光部群を選択することを特徴とする焦点検出装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の焦点検出装置を備えることを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
（１）  請求項１の発明は、複数のマイクロレンズが配列されたマイクロレンズアレイと、マイクロレンズアレイの近傍に該マイクロレンズのそれぞれに対応して複数の受光部が二次元的に配列されるとともに、結像光学系からの光束をマイクロレンズアレイを介して受光する受光部アレイと、結像光学系の明るさに関する情報を検出する情報検出手段と、情報検出手段により検出された明るさに関する情報に応じて、各マイクロレンズに対応する複数の受光部の中から対の受光部群を選択する受光部選択手段と、各マイクロレンズにおいて、受光部選択手段により選択された各受光部群に含まれる受光部の出力信号を加算し、対の受光部群に対応する出力信号対を生成する信号生成手段と、信号生成手段により生成された、複数のマイクロレンズに対応する複数の出力信号対に基づいて、結像光学系の焦点調節状態を検出する焦点検出手段とを備えた焦点検出装置である。
（２）  請求項２の焦点検出装置は、受光部選択手段によって、結像光学系の明るさが暗いときよりも明るいときの方が対の受光部群が占める領域が大きくなるように、対の受光部群を選択するようにしたものである。
（３）  請求項３の焦点検出装置は、受光部選択手段によって、対の受光部群のそれぞれが、受光部アレイの受光面において各受光部群の重心を結ぶ線の方向にずらした場合に一致するように、対の受光部群を選択するようにしたものである。
（４）  請求項４の焦点検出装置は、受光部選択手段によって、対の受光部群の重心を結ぶ線の方向が互いに異なる複数対の受光部群を選択し、信号生成手段によって、マイクロレンズごとに複数対の受光部群に対応する複数対の出力信号を生成し、焦点検出手段によって、複数のマイクロレンズに対応する複数対の出力信号に基づいて、受光部アレイの受光面上の異なる方向について結像光学系の焦点調節状態を検出するようにしたものである。
（５）  請求項５の焦点検出装置は、明るさに関する情報を結像光学系の開放Ｆ値としたものである。
（６）  請求項６の焦点検出装置は、明るさに関する情報を結像光学系による撮影時のＦ値としたものである。
（７）  請求項７の焦点検出装置は、明るさに関する情報を結像光学系の開放Ｆ値または結像光学系による撮影時のＦ値とし、開放Ｆ値と撮影時のＦ値のいずれか一方を選択するための選択部材を備えたものである。
（８）  請求項８の焦点検出装置は、明るさに関する情報を結像光学系の開放Ｆ値または結像光学系の撮影時のＦ値とし、結像光学系の開放Ｆ値または撮影時のＦ値と、結像光学系の射出瞳の位置とに応じて対の受光部群を選択するようにしたものである。
（９）  請求項９の発明は、請求項１〜８のいずれか１項に記載の焦点検出装置を備えた撮像装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明によれば、結像光学系の明るさに関する情報に応じて選択した対の受光部群のそれぞれの出力信号を加算し、得られた複数の出力信号対に基づいて焦点調節状態を検出するので、正確な焦点検出が可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月29日(2010.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面上において互いに間隔を設けて並列された複数の凸部を有し、
前記凸部は、前記平面の法線の方向以外の所定の方向から入射する斜入射光を反射させ、かつ前記斜入射光を反射させることで前記平面のうち前記凸部同士の間の領域に対して前記斜入射光を遮ることを特徴とするスクリーン。
【請求項２】
前記凸部は、前記斜入射光を反射させる反射部を有することを特徴とする請求項１に記載のスクリーン。
【請求項３】
前記平面を有し、光を透過させる基板と、
前記基板のうち前記凸部が設けられる側とは反対側に形成され、光の反射を低減させる反射防止部と、を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のスクリーン。
【請求項４】
前記凸部同士の間に形成され、光の反射を低減させる反射防止部を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のスクリーン。
【請求項５】
前記凸部は、前記斜入射光を拡散させることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のスクリーン。
【請求項６】
前記凸部は、第１の方向を長手方向とする形状を有し、かつ前記第１の方向に直交する第２の方向へ並列されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のスクリーン。
【請求項７】
前記凸部は、前記第１の方向について略平坦、かつ前記第２の方向について曲率を持つ曲面を有することを特徴とする請求項６に記載のスクリーン。
【請求項８】
前記凸部は、第１の方向、及び前記第１の方向に直交する第２の方向へ並列されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のスクリーン。
【請求項９】
前記凸部は、前記第１の方向及び前記第２の方向について曲率を持つ曲面を有することを特徴とする請求項８に記載のスクリーン。
【請求項１０】
前記凸部は、略同心円状に並列されることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載のスクリーン。
【請求項１１】
前記凸部は、半径を略一定とする円弧に沿って並列されることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載のスクリーン。
【請求項１２】
前記凸部は、インクジェット法を用いて形成されることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載のスクリーン。
【請求項１３】
前記凸部は、エンボス加工を用いて形成されることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載のスクリーン。
【請求項１４】
画像信号に応じた光を投写させる投写エンジン部と、
前記投写エンジン部からの光を入射させるスクリーンと、を有し、
前記スクリーンは、平面上において互いに間隔を設けて並列された複数の凸部を有し、
前記投写エンジン部は、前記平面の法線の方向以外の所定の方向から前記スクリーンへ光を入射させ、
前記凸部は、前記投写エンジン部からの光を反射させ、かつ前記投写エンジン部からの光を反射させることで前記平面のうち前記凸部同士の間の領域に対して前記投写エンジン部からの光を遮ることを特徴とするプロジェクションシステム。
【請求項１５】
前記凸部は、前記投写エンジン部からの光を反射させる反射部を有し、
前記反射部は、前記投写エンジン部からの光が持つ波長領域とは異なる他の波長領域の光と比較して、前記投写エンジン部からの光を高い反射率で反射させることを特徴とする請求項１４に記載のプロジェクションシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月25日(2010.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
偏光板本体と、
前記偏光板本体の一側に形成されたフィルムと、
前記偏光板本体と前記フィルムとの間に形成された粘着剤と、
を含み、
前記粘着剤は水溶性導電性高分子を含むことを特徴とする偏光板。
【請求項２】
前記水溶性導電性高分子は、自己ドープ型水溶性ポリアニリングラフト共重合体を含むことを特徴とする請求項１に記載の偏光板。
【請求項３】
前記自己ドープ型水溶性ポリアニリングラフト共重合体は、下記の化学式（Ｉ）で示されることを特徴とする請求項２に記載の偏光板。
【化１】
2008116947.tif 000001
【請求項４】
前記水溶性導電性高分子は、自己ドープ型水溶性ポリピロールグラフト共重合体を含むことを特徴とする請求項１に記載の偏光板。
【請求項５】
前記自己ドープ型水溶性ポリピロールグラフト共重合体は、下記の化学式（ＩＩ）で示されることを特徴とする請求項４に記載の偏光板。
【化２】
2008116947.tif 000002
【請求項６】
前記水溶性導電性高分子は、前記粘着剤の総含量に対して５乃至５０重量％含有されることを特徴とする請求項１に記載の偏光板。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月20日(2010.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理チャンバにおいて、サポート部材にレチクルを配置する工程であって、前記レチクルが、光学的に透明な基板上に形成された金属フォトマスク層と、前記金属フォトマスク層上に堆積したパターン化レジスト材料とを含む工程と、
酸素含有ガスと、塩素含有ガスと、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）、六フッ化硫黄（ＳＦ６）、ヘキサフルオロエタン（Ｃ２Ｆ６）又はアンモニア（ＮＨ３）のうち少なくとも１つとを含む処理ガスを導入する工程と、
前記処理チャンバに電力を分配して、前記処理ガスから形成されたプラズマを生成する工程と、
前記金属フォトマスク層の露出部分を前記プラズマを用いてエッチングする工程とを含むフォトリソグラフィーレチクルを処理する方法。
【請求項２】
前記処理ガスを導入する工程が、無塩素ハロゲン含有ガスを、前記処理チャンバへ流す工程を含む請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記処理ガスを導入する工程が、臭化水素又はヨウ化水素のうち少なくとも１つを、前記処理チャンバへ流す工程を含む請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記処理ガスを導入する工程が、酸素、一酸化炭素又は二酸化炭素のうち少なくとも１つを前記処理チャンバへ流す工程を含む請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記処理ガスを導入する工程が、塩素、四塩化炭素又は塩酸のうち少なくとも１つを前記処理チャンバへ流す工程を含む請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記プラズマを生成する工程が、前記処理チャンバにおいて、約２００ワット〜約１５００ワットのＲＦ電源をコイルに印加する工程と、前記処理チャンバにおいて、約５ワット〜約２００ワットのバイアス電力をレチクルサポートに印加する工程とを含む請求項１記載の方法。
【請求項７】
処理チャンバにおいて、サポート部材にレチクルを配置する工程であって、前記レチクルが、光学的に透明なケイ素系材料上に形成されたクロム系フォトマスク層と、前記クロム系フォトマスク層上に堆積したパターン化レジスト材料とを含む工程と、
塩素ガスと、酸素ガス、及び、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）、六フッ化硫黄（ＳＦ６）、ヘキサフルオロエタン（Ｃ２Ｆ６）又はアンモニア（ＮＨ３）のうち少なくとも１つとを含む処理ガスを導入する工程と、
処理中に、チャンバ圧を約３ミリトル〜約８ミリトルに、前記レチクルを約２０℃〜約１５０℃の温度に維持する工程と、
前記処理チャンバ近傍に配置されたコイルに約３００〜約３５０ワットの電力を分配して、前記処理ガスからプラズマを生成する工程と、
前記サポート部材に約１５〜約２０ワットのバイアス電力を供給する工程と、
前記クロム系フォトマスク層の露出部分をエッチングする工程と、
前記クロム系フォトマスク層を、約１：１以上のクロム系フォトマスク層対レジスト材料の除去レート比で、除去する工程とを含むフォトリソグラフィーレチクルを処理する方法。
【請求項８】
前記処理ガスを導入する工程が、臭化水素を前記処理チャンバへ流す工程を含む請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記クロム系フォトマスク層が、クロム、酸窒化クロム又はこれらの組み合わせを含み、前記光学的に透明なケイ素系材料が、水晶、ケイ化モリブデン、酸窒化モリブデンケイ素又はこれらの組み合わせを含む請求項１又は７記載の方法。
【請求項１０】
前記レチクルが、酸窒化クロムの反射防止コーティングを含む請求項１又は７記載の方法。
【請求項１１】
前記処理ガスを導入する工程が、アルゴンを、５〜１００ｓｃｃｍの流量で、前記処理チャンバへ流す工程を含む請求項１又は７記載の方法。
【請求項１２】
前記処理ガスを導入する工程が、アルゴンを、２０〜４５ｓｃｃｍの流量で、前記処理チャンバへ流す工程を含む請求項１又は７記載の方法。
【請求項１３】
前記処理ガスを導入する工程が、ヘリウム、アルゴン、キセノン、ネオン又はクリプトンのうち少なくとも１つを、前記処理チャンバへ流す工程を含む請求項１又は７記載の方法。
【請求項１４】
前記金属フォトマスク層をエッチングする工程は、前記金属フォトマスク層を、１：１〜約３：１の金属フォトマスク層対レジスト材料の除去レート比で選択的にエッチングすることを含む請求項１又は７記載の方法。
【請求項１５】
前記処理ガスを導入する工程が、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）、六フッ化硫黄（ＳＦ６）、ヘキサフルオロエタン（Ｃ２Ｆ６）又はアンモニア（ＮＨ３）のうち少なくとも１つを、約１ｓｃｃｍ〜５０ｓｃｃｍのレートで、処理チャンバへ流す工程を含む請求項１又は７記載の方法。
【請求項１６】
前記処理ガスを導入する工程が、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）、六フッ化硫黄（ＳＦ６）、ヘキサフルオロエタン（Ｃ２Ｆ６）又はアンモニア（ＮＨ３）のうち少なくとも１つを、約１ｓｃｃｍ〜５ｓｃｃｍのレートで、処理チャンバへ流す工程を含む請求項１又は７記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月30日(2010.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レチクル評価のための方法であって、
イメージングプロセス中に、異なる偏光条件下で、前記レチクルの複数のイメージを得るステップと、
（i）前記複数のイメージ及び（ii）前記イメージングプロセスと露光プロセスの違いに応じて、出力空間像を生成するステップと、
を備え、
前記露光プロセス中に、前記レチクルのイメージがウェーハ上に投影される方法。
【請求項２】
前記生成するステップが、前記露光プロセス及び前記イメージングプロセスの偏光依存特性に対応可能である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記生成するステップが、
イメージの特定の偏光成分をそのスペクトル成分に分解する工程と、
少なくとも１つのスペクトル成分に補正関数を適用するステップであって、前記補正関数が、少なくとも１つの偏光依存特性に対応可能である工程と、
を備える、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記レチクルが繰り返しパターンを備え、前記方法が、前記繰り返しパターンのピッチに相当する単一のスペクトル成分に前記補正関数を適用するステップを備える、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記スペクトル成分のスペクトル周波数の二乗に反比例する補正関数をスペクトル成分に適用するステップを備える、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記得るステップが、各々が、集光瞳孔面における光の偏光及び強度を制御することによって判断される異なる偏光特性によって特徴付けられている複数の検出チャネルを用いる工程を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
レチクル評価のためのシステムであって、
レチクルの複数のイメージを表す情報を格納するように適合された記憶装置と、
前記記憶装置に接続されたプロセッサであって、イメージングプロセス中に、異なる偏光条件下で取得される前記複数のイメージを表す情報を受取り、（ii）前記複数のイメージ及び（ii）前記イメージングプロセスと露光プロセスの違いに応じて出力空間像を生成するように適合されており、前記露光プロセス中、前記レチクルのイメージがウェーハ上に投影される、プロセッサと、
を備えるシステム。
【請求項８】
前記プロセッサが、前記露光プロセス及び前記イメージングプロセスの偏光依存特性に応じて、前記出力空間像を生成するように適合されている、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記プロセッサが、イメージの特定の偏光成分を、そのスペクトル成分に分解し、少なくとも１つのスペクトル成分に補正関数を適用するように適合されており、前記補正関数が、少なくとも１つの偏光依存特性に対応可能である、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記レチクルが繰り返しパターンを備え、前記プロセッサが、前記繰り返しパターンのピッチに相当する単一のスペクトル成分に前記補正関数を適用するように適合されている、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
空間イメージングのための方法であって、
イメージングプロセス中に、複数の光線の強度及び偏光を制御して、露光プロセス中の前記レチクルの照明条件と実質的に等しいレチクル照明条件を定めるステップであって、前記レチクルのイメージが、前記露光プロセス中、ウェーハ上に投影されるステップと、前記レチクルのイメージを取得するステップとを備える方法。
【請求項１２】
前記取得したイメージを処理して、前記イメージングプロセスと前記露光プロセスの違いを補正するステップをさらに備える、請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月8日(2010.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性基板上に、露光光に対する透過量を調整する機能を有し、金属及び珪素を含む材料からなる半透光性膜と、露光光を遮光する遮光性膜とが順次形成されたマスクブランクから、前記遮光性膜及び前記半透光性膜をパターニングして、フォトマスクを製造するフォトマスクの製造方法であって、
前記半透光性膜のパターニングは、弗化水素酸、珪弗化水素酸、弗化水素アンモニウムから選ばれる少なくとも一つの弗素化合物と、過酸化水素、硝酸、硫酸から選ばれる少なくとも一つの酸化剤とを含むエッチング液を用いたウエットエッチングによって行われ、  前記エッチング液は、該エッチング液中の前記弗素化合物と前記酸化剤のモル比を、ウエットエッチングに伴って発生するガスによるパターン欠陥を防止するモル比に設定したエッチング液とすることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項２】
透光性基板上に、露光光に対する透過量を調整する機能を有し、金属及び珪素を含む材料からなる半透光性膜と、露光光を遮光する遮光性膜とが順次形成されたマスクブランクから、前記遮光性膜及び前記半透光性膜をパターニングして、フォトマスクを製造するフォトマスクの製造方法であって、
前記半透光性膜のパターニングは、弗化水素酸、珪弗化水素酸、弗化水素アンモニウムから選ばれる少なくとも一つの弗素化合物と、過酸化水素、硝酸、硫酸から選ばれる少なくとも一つの酸化剤と、脱泡剤もしくは消泡剤とを含むエッチング液を用いたウエットエッチングにより行うことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項３】
前記エッチング液中の前記弗素化合物と前記酸化剤のモル比は、ウエットエッチングに伴って発生するガスの発生量が最小となるモル比であることを特徴とする請求項１又は２記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項４】
前記半透光性膜の膜厚が１０〜１００オングストロームであることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項５】
前記半透光性膜が、Ｎ、Ｃ、Ｈ、Ｏ、Ｆの元素のうち少なくとも一種類を含むことを特徴とする請求項１乃至４の何れか一に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項６】
前記フォトマスクは、ＦＰＤデバイスを製造するためのフォトマスクであることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一に記載のフォトマスクの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月15日(2010.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平坦な透明基板の最表面に相対的に反射率の高い遮光膜が露出したマスクブランクスを準備する工程と、
前記マスクブランクスの表面に第１のレジスト膜を形成する工程と、
前記第１のレジスト膜に対してマークパターン部とデバイスパターン部とからなる第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンをマスクとして前記遮光膜をエッチングすることにより、前記マークパターン部に相対的に反射率の高い遮光膜を含むアライメントマークパターンを形成すると共に、前記デバイスパターン部に第１のデバイスパターンを形成する工程と、
前記マークパターン部を遮蔽しつつ前記デバイスパターン部の表面に相対的に反射率の低い半透過膜を形成する工程と、
前記半透過膜の表面に第２のレジスト膜を形成する工程と、
前記アライメントマークパターンによってアライメントをとりつつ前記第２のレジスト膜に対して第２のレジストパターンを形成する工程と、
前記第２のレジストパターンをマスクとして前記半透過膜及び前記遮光膜を一括してエッチングすることにより、前記デバイスパターン部に第２のデバイスパターンを形成する工程と
を備えることを特徴とする中間調フォトマスクの製造方法。
【請求項２】
前記マークパターン部を遮蔽しつつ前記デバイスパターン部の表面に相対的に反射率の低い半透過膜を形成する工程は、同一材料から構成され部分的に膜厚の異なる２以上の半透過膜が形成される工程を含むことを特徴とする請求項１記載の中間調フォトマスクの製造方法。
【請求項３】
透明基板上のデバイスパターン部に、相対的に反射率が高く透過率が極めて低い遮光膜の上に相対的に反射率が極めて低く透過率が高い半透過膜が積層されている遮光部と、
前記半透過膜が前記透明基板上に直接堆積した半透過部と、
前記遮光部又は前記半透過部の一部が除去された透光部と
を備える一方、
前記透明基板上の非デバイスパターン部に設けられたアライメントマーク部に、前記遮光膜が形成されていない透光部と前記遮光膜による遮光部とによってアライメントマークが形成されていることを特徴とする中間調フォトマスク。
【請求項４】
前記半透過部は同一材料で構成され部分的に膜厚の異なる２以上の半透過膜で構成されることを特徴とする請求項３記載の中間調フォトマスク。
【請求項５】
表面に低反射率膜が形成されていないマスクブランクスを出発材料として製造されたマークパターン部とデバイスパターン部とを備える中間調フォトマスクであって、デバイスパターン部の表面に半透過膜が形成され、この半透過膜が反射防止機能を備えた低反射率膜としても機能することを特徴とする請求項３記載の中間調フォトマスク。