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【手続補正書】
【提出日】平成22年3月10日(2010.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上において互いに離間して形成された一対の不純物領域の間にチャネル形成領域を有する半導体層と、
前記半導体層の上層部であって、前記チャネル形成領域と略重なる位置に、第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上の電荷蓄積層と、前記電荷蓄積層上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の制御ゲートと、を有し、
前記電荷蓄積層は、絶縁性を有するゲルマニウム化合物で形成され、
前記ゲルマニウム化合物は、窒化ゲルマニウム、酸化ゲルマニウム、酸素が添加された窒化ゲルマニウム、窒素が添加された酸化ゲルマニウム、酸素及び水素が添加された窒化ゲルマニウム、または窒素及び水素が添加された酸化ゲルマニウムであり、
前記第１の絶縁層は１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の厚さを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】
絶縁表面上において互いに離間して形成された一対の不純物領域の間にチャネル形成領域を有する半導体層と、
前記半導体層の上層部であって、前記チャネル形成領域と略重なる位置に、第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上の電荷蓄積層と、前記電荷蓄積層上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の制御ゲートと、を有し、
前記電荷蓄積層は、絶縁性を有するゲルマニウム化合物で形成される層であり、且つ粒子を含み、
前記ゲルマニウム化合物は、窒化ゲルマニウム、酸化ゲルマニウム、酸素が添加された窒化ゲルマニウム、窒素が添加された酸化ゲルマニウム、酸素及び水素が添加された窒化ゲルマニウム、または窒素及び水素が添加された酸化ゲルマニウムであり、
前記第１の絶縁層は１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の厚さを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】
請求項２において、前記粒子は、ゲルマニウムまたはシリコンゲルマニウムであることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記電荷蓄積層は１ｎｍ以上２０ｎｍ以下の厚さで形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記第１の絶縁層は、酸化珪素層であり、且つ前記酸化珪素層及び前記電荷蓄積層の界面、または前記酸化珪素層において窒素を含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項６】
請求項５に記載の前記酸化珪素層は、前記半導体層をプラズマ処理により酸化して形成された酸化珪素層をプラズマ処理により窒化して形成されることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記半導体層に、複数の電荷蓄積層及び制御ゲートが重なることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、前記半導体層は、ガラス基板上に形成された半導体層であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月5日(2010.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板の上に形成されている複数の画素と、前記複数の画素の上に設けられている円偏光部材とを有し、前記各画素は、互いに発光色が異なる複数の副画素から構成されており、前記各副画素は、前記基板側から順に下部電極と、発光層と、上部電極とを有する発光素子で構成されている表示装置において、
前記円偏光部材の透過率は、複数の前記発光色より選択される少なくとも１つの発光色の方が他の発光色よりも大きく、
前記選択される発光色を呈する副画素を構成する発光素子は、発光層より下部電極側に第１の反射面を有し、かつ発光層より上部電極側に第２の反射面を有しており、
前記第１の反射面と前記第２の反射面との間の光学距離が、前記第１の反射面で反射する外光の前記選択される発光色の波長成分と前記第２の反射面で反射する外光の前記選択される発光色の波長成分とを干渉を利用して弱め合わせる光学距離であることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記他の発光色を呈する副画素のうち少なくとも１つの前記副画素を構成する発光素子は、発光層より下部電極側に第３の反射面を有し、かつ発光層より上部電極側に第４の反射面を有しており、
前記第３の反射面と前記第４の反射面との間の光学距離が、発光層から発する前記他の発光色の光を強め合わせ、かつ前記第３の反射面で反射する外光の前記選択される発光色の波長成分と前記第４の反射面で反射する外光の前記選択される発光色の波長成分とを干渉を利用して弱め合わせる光学距離であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
基板と、前記基板の上に形成されている複数の画素と、前記複数の画素の上に設けられている円偏光部材とを有し、前記各画素は、互いに発光色が異なる複数の副画素から構成されている表示装置において、
前記円偏光部材の透過率は、複数の前記発光色より選択される少なくとも１つの発光色の方が他の発光色よりも大きく、
光吸収部材が、前記選択される発光色を呈する前記副画素の発光領域を除いて前記他の発光色を呈する前記副画素の上に配置されており、前記光吸収部材は、前記選択される発光色の光を吸収することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
前記複数の副画素は、それぞれ前記基板側から順に下部電極と、発光層と、上部電極とを有する発光素子で構成され、
前記選択される発光色を呈する副画素を構成する発光素子は、発光層より下部電極側に第１の反射面を有し、かつ発光層より上部電極側に第２の反射面を有しており、
前記第１の反射面と前記第２の反射面との間の光学距離が、前記第１の反射面で反射する外光の前記選択される発光色の波長成分と前記第２の反射面で反射する外光の前記選択される発光色の波長成分とを干渉を利用して弱め合わせる光学距離であることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記光吸収部材は、金属と透明電極で構成される多重干渉膜であり、前記多重干渉膜の分光反射率は、前記選択される発光色の波長域において、最小値もしくは極小値が存在することを特徴とする請求項３又は４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記外光の前記選択される発光色の波長成分を吸収する素子分離膜を、前記副画素の間に有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記複数の副画素は前記基板の上に積層されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記選択される発光色は、前記複数の副画素の中で発光効率が最も低い副画素の呈する発光色であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
前記選択される発光色は、前記複数の副画素の中で発光半減寿命が最も短い副画素の呈する発光色であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記選択される発光色は、前記複数の副画素の中で駆動電流密度が最も大きい副画素の呈する発光色であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記複数の副画素は、赤色発光素子及び緑色発光素子及び青色発光素子を含み、前記選択される発光色は、赤色又は青色又はその組み合わせであることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、以下のように構成した表示装置を提供するものである。すなわち、本発明の表示装置は、基板と、前記基板の上に形成されている複数の画素と、前記複数の画素の上に設けられている円偏光部材とを有し、前記各画素は、互いに発光色が異なる複数の副画素から構成されており、前記各副画素は、前記基板側から順に下部電極と、発光層と、上部電極とを有する発光素子で構成されている表示装置において、前記円偏光部材の透過率は、複数の前記発光色より選択される少なくとも１つの発光色の方が他の発光色よりも大きく、前記選択される発光色を呈する副画素を構成する発光素子は、発光層より下部電極側に第１の反射面を有し、かつ発光層より上部電極側に第２の反射面を有しており、前記第１の反射面と前記第２の反射面との間の光学距離が、前記第１の反射面で反射する外光の前記選択される発光色の波長成分と前記第２の反射面で反射する外光の前記選択される発光色の波長成分とを干渉を利用して弱め合わせる光学距離であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また本発明の表示装置は、基板と、前記基板の上に形成されている複数の画素と、前記複数の画素の上に設けられている円偏光部材とを有し、前記各画素は、互いに発光色が異なる複数の副画素から構成されている表示装置において、前記円偏光部材の透過率は、複数の前記発光色より選択される少なくとも１つの発光色の方が他の発光色よりも大きく、光吸収部材が、前記選択される発光色を呈する前記副画素の発光領域を除いて前記他の発光色を呈する前記副画素の上に配置されており、前記光吸収部材は、前記選択される発光色の光を吸収することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月15日(2010.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記基板は、前記基材上に前記有機ＥＬ素子の発光を制御する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆っている絶縁層とを有しており、
前記立体部は前記薄膜トランジスタを構成する層及び前記絶縁層に形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記基材上の、前記薄膜トランジスタを構成する層と同層に抵抗線が設けられており、
前記立体部は、前記抵抗線上に設けられていることを特徴とする請求項７に記載の有機発光装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
基板と、前記基板上に順に配置されている第１電極と、有機発光層と、第２電極とを有する有機ＥＬ素子と、前記有機ＥＬ素子上及び前記基板表面を覆い、前記基板端部に延在して成膜されている無機封止層とを有する有機発光装置の製造方法であって、
前記基板上に順に前記第１電極と、前記有機発光層と、前記第２電極とを有する有機ＥＬ素子を形成する工程と、
前記第２電極上から予め設定された分割線に延在して前記無機封止層を形成する工程と、
前記分割線に沿って前記基板及び前記無機封止層を分割する工程と、
を有する有機発光装置の製造方法において、
前記基板の分割線に沿って、該分割線よりも有機発光装置の内側となる位置に立体部を形成する工程を有することを特徴とする有機発光装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月26日(2010.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
順に積層された、第１電極、少なくとも有機発光層を含む積層された有機材料層、及び第２電極からなる有機ＥＬ素子であって、
前記有機発光層からの発光光が透過するように前記第１電極又は前記第２電極の少なくとも一方の外側に前記第１電極又は前記第２電極の少なくとも一方と接触して形成された粗面を構成する粗面界面を含む光散乱層を有し、
前記有機材料層は、ｄ≧５×Ｒａの関係（ただしｄは前記有機材料層の平均膜厚を、Ｒａは前記粗面界面の平均粗さを示す）を満たす膜厚ｄを有することを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項２】
前記有機材料層は、ｄ≧１０×Ｒａの関係（ただしｄは前記有機材料層の平均膜厚を、Ｒａは前記粗面界面の平均粗さを示す）を満たす膜厚ｄを有することを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ素子。
【請求項３】
前記有機材料層の一部または全ては加熱処理を施して作製されたことを特徴とする請求項１又は２記載の有機ＥＬ素子。
【請求項４】
前記有機材料層の一部または全ては塗布法にて作製されたことを特徴とする請求項１又は２記載の有機ＥＬ素子。
【請求項５】
前記有機材料層は前記有機発光層に関して互いに反対側に配置されたホール輸送層及び電子輸送層の少なくとも一方を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか記載の有機ＥＬ素子。
【請求項６】
前記有機材料層は前記有機発光層に関してそれぞれ前記ホール輸送層及び電子輸送層の外側に配置されたホール注入層及び電子注入層の少なくとも一方を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか記載の有機ＥＬ素子。
【請求項７】
前記光散乱層は３０％以上の光散乱率を有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか記載の有機ＥＬ素子。
【請求項８】
前記有機材料層に関して前記光散乱層の外側に配置された低屈折率層を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか記載の有機ＥＬ素子。
【請求項９】
前記低屈折率層は１．３以下の屈折率を有することを特徴とする請求項８記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１０】
前記低屈折率層はシリカを含むことを特徴とする請求項８又は９記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１１】
前記有機材料層に関して前記第１電極の外側に配置されたガスバリア層を有することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１２】
前記ガスバリア層は高分子薄膜及び無機薄膜の積層又は高分子薄膜若しくは無機薄膜であることを特徴とする請求項１１記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１３】
前記光散乱層は散乱粒子が分散した散乱粒子含有膜であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１４】
前記散乱粒子は０．１〜１μｍの粒径を有することを特徴とする請求項１３記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１５】
前記散乱粒子はＴｉＯｘである請求項１３又は１４記載の有機ＥＬ素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
従来の有機ＥＬ素子の散乱層としては、基板の凹凸の粗さを大きくする方法にしても散乱粒子を分散させる方法にしても、その粒径が発光波長の十分の一程度以上の大きさでないと効果がないため、散乱層の表面性は大きく荒れたものとなる。よく知られているとおり、有機材料層は薄膜から構成されるため、積層された有機発光層の表面平滑性は、有機ＥＬ素子の複数を配列したディスプレイパネルの表示品位に大きく影響する。
そこで本発明は、発光効率を維持するとともに構造が簡単な有機ＥＬ素子を提供することが一例として挙げられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項１記載の有機ＥＬ素子は、順に積層された、第１電極、少なくとも有機発光層を含む積層された有機材料層、及び第２電極からなる有機ＥＬ素子であって、
前記有機発光層からの発光光が透過するように前記第１電極又は前記第２電極の少なくとも一方の外側に前記第１電極又は前記第２電極の少なくとも一方と接触して形成された粗面を構成する粗面界面を含む光散乱層を有し、
前記有機材料層は、ｄ≧５×Ｒａの関係（ただしｄは前記有機材料層の平均膜厚を、Ｒａは前記粗面界面の平均粗さを示す）を満たす膜厚ｄを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月3日(2010.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に形成されている有機発光素子と、前記有機発光素子上に形成されており、前記有機発光素子を覆っている防湿層と、を有し、前記有機発光素子は、前記基板側から順に下部電極と、有機化合物層と、上部電極と、を有する有機発光装置において、前記防湿層は重水素を含むことを特徴とする有機発光装置。
【請求項２】
前記防湿層は、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコンのいずれかからなることを特徴とする請求項１に記載の有機発光装置。
【請求項３】
基板と、前記基板上に順に配置されている下部電極と有機化合物層と上部電極とを有する有機発光素子と、前記有機発光素子を覆っている防湿層と、を有する有機発光装置の製造方法において、
前記有機発光素子を、前記基板上に形成する工程と、
前記防湿層を、重水素ガスとその他の原料ガスとを反応させることにより前記有機発光素子上及び前記有機発光素子の周辺に露出する前記基板上に、形成する工程と、を有することを特徴とする有機発光装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月3日(2010.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板の上に配置されており、前記基板の上に第１電極と、有機化合物層と、第２電極とを有する有機発光素子と、前記有機発光素子の上に成膜されており、前記有機発光素子を被覆している無機防湿層とを有し、一体に形成された複数の有機発光装置を分割することにより得られる有機発光装置において、
前記無機防湿層は、前記有機発光素子の周囲に前記無機防湿層の分割によって形成される分割端部を有しており、
前記無機防湿層の前記分割端部の厚みは、前記有機発光素子の上の前記無機防湿層の厚みより薄いことを特徴とする有機発光装置。
【請求項２】
前記無機防湿層の前記分割端部の厚みは、０．７μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光装置。
【請求項３】
前記無機防湿層は、前記分割端部を前記無機防湿層の周囲の四辺に有しており、
前記無機防湿層の四隅の各頂点の厚みは、前記四辺の直線部分の前記無機防湿層の厚みよりも薄いことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の有機発光装置。
【請求項４】
前記無機防湿層は、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素のいずれかからなることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項５】
トップエミッション型の有機発光装置であり、前記第２電極、及び前記無機防湿層は光透過部材であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
なお、本発明において、有機発光素子上の無機防湿層の厚みとは、有機発光素子上の無機防湿層の厚みの平均値のことである。測定する場合には例えば５点あるいは１０点など複数箇所で無機防湿層の厚みを測定し、その平均値が無機防湿層の厚みとなる。一方分割（予定）部分の無機防湿層の厚みとは、分割（予定）部分に形成された辺の無機防湿層の厚みの平均値のことである。測定する場合には例えば５点あるいは１０点など複数箇所で無機防湿層の分割された端部の厚みを測定し、その平均値が分割（予定）部分の無機防湿層の厚みとなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
また、本発明の有機発光装置は、有機発光素子を１つ有する装置であってもよいし、有機発光素子を複数有する装置であってもよい。有機発光素子を１つ有する有機発光装置の場合には、照明や液晶表示装置等のバックライトに好ましく用いることができる。また、有機発光素子を複数有し、赤、緑、青の３色の有機発光素子を有する場合には、フルカラーの有機ＥＬ表示装置に好ましく用いることができる。有機ＥＬ表示装置として、本発明の有機発光装置はテレビや、ＰＣモニタ、携帯電話の表示部、カメラの背面表示部等に好ましく用いることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月26日(2010.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理チャンバで利用されるプラズマプローブ装置であって、
第１の端部にプローブ面を有するプローブ素子と、
前記プローブ素子に対して電気的に接続された電気コネクタと、
前記プローブ素子の少なくとも一部を囲む電気絶縁スリーブと、
前記プローブ素子に結合された調整装置であって、前記プローブ面が前記プラズマ処理チャンバのチャンバ内面と同一平面上に存在するように、前記プローブ素子を調整する調整装置と
を備えるプラズマプローブ装置。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマプローブ装置であって、さらに、前記電気絶縁スリーブを調整するためのスリーブ調整装置を備え、前記電気絶縁スリーブは外縁を有し、前記スリーブ調整装置は、前記プローブ面と同一平面上に存在するように前記外縁を調整するプラズマプローブ装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のプラズマプローブ装置であって、前記プローブ素子は半導体プローブ素子であり、前記プローブ面は半導体プローブ面であるプラズマプローブ装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載のプラズマプローブ装置であって、前記スリーブ調整装置は、前記電気絶縁スリーブと前記半導体プローブ素子との間に配置された少なくとも１つの着脱可能なスペーサを備えるプラズマプローブ装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載のプラズマプローブ装置であって、さらに、
前記電気コネクタと、前記プローブ素子の少なくとも一部とを囲む分割カバーと、
前記分割カバーを囲む少なくとも１つのＯ−リングと
を備えるプラズマプローブ装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載のプラズマプローブ装置であって、さらに、支持軸を備え、
前記調整装置は、前記支持軸に対して機械的に結合されており、調整の際に前記支持軸を移動させる
プラズマプローブ装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載のプラズマプローブ装置であって、
前記プローブ素子は、
前記プローブ面を有する第１の端部と、
前記第１の端部から離れた位置の第２の端部と、
前記第１の端部と前記第２の端部との間のネック部と
を備え、
前記ネック部は、前記第１の端部の断面および前記第２の端部の断面よりも小さい断面を有する
プラズマプローブ装置。
【請求項８】
請求項７に記載のプラズマプローブ装置であって、
前記絶縁スリーブは、さらに、リップ部を備え、
前記リップ部は、前記プローブ素子の前記第２の端部および前記ネック部は通過でき、かつ前記プローブ素子の前記第１の端部は通過できない開口部を形成し、
前記少なくとも１つの着脱可能なスペーサは、前記リップ部と、前記プローブ素子の前記第１の端部における前記プローブ面の反対側の面との間に配置される
プラズマプローブ装置。
【請求項９】
請求項７または８に記載のプラズマプローブ装置であって、
前記分割カバーは、
前記プローブ素子の前記第２の端部と係合する第１のリップ部と、
前記電気コネクタと係合する第２のリップ部と
を備え、
前記第１のリップ部および前記第２のリップ部により、前記プローブ素子の前記第２の端部が前記電気コネクタに向かって押し付けられる
プラズマプローブ装置。
【請求項１０】
請求項９に記載のプラズマプローブ装置であって、
前記第２のリップ部は、前記電気コネクタと斜めに接触する面を有することで、前記プローブ素子の前記第２の端部を前記電気コネクタに向かって押し付けるプラズマプローブ装置。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載のプラズマプローブ装置であって、
前記第１のリップ部は、前記電気コネクタと斜めに接触する面を有することで、前記プローブ素子の前記第２の端部を前記電気コネクタに向かって押し付けるプラズマプローブ装置。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれかに記載のプラズマプローブ装置であって、さらに、前記プローブ素子の前記第２の端部を前記電気コネクタに対して電気的に接続する金網バネおよびエラストマ接着剤を備えるプラズマプローブ装置。
【請求項１３】
請求項１ないし１１のいずれかに記載のプラズマプローブ装置であって、さらに、前記プローブ素子と、前記電気コネクタとに対して、ろう付けされたワイヤを備えるプラズマプローブ装置。
【請求項１４】
請求項１ないし１３のいずれかに記載のプラズマプローブ装置であって、前記プローブ面はシリコンであるプラズマプローブ装置。
【請求項１５】
請求項１ないし１４のいずれかに記載のプラズマプローブ装置であって、さらに、前記電気コネクタに対して電気的に接続された検知用電子機器を備え、前記検知用電子機器は電流計を備えるプラズマプローブ装置。
【請求項１６】
請求項１ないし１５のいずれかに記載のプラズマプローブ装置であって、前記電気絶縁スリーブは石英であるプラズマプローブ装置。
【請求項１７】
プラズマ処理チャンバで利用されるプラズマプローブ装置であって、
第１の端部に半導体プローブ面を有する半導体プローブ素子と、
前記半導体プローブ素子の第２の端部に対して電気的に接続された電気コネクタと、
前記プローブ素子の少なくとも一部を囲む電気絶縁スリーブと、
前記半導体プローブ素子に結合された調整装置であって、前記プローブ面が前記プラズマ処理チャンバのチャンバ内面と同一平面上に存在するように、前記半導体プローブ素子を調整する調整装置と、
前記電気絶縁スリーブを調整するためのスリーブ調整装置であって、前記電気絶縁スリーブは外縁を有し、前記スリーブ調整装置は、前記プローブ面と同一平面上に存在するように前記外縁を調整するスリーブ調整装置と、
前記電気コネクタに対して電気的に接続され、電流計を備えた検知用電子機器と
を備えるプラズマプローブ装置。
【請求項１８】
請求項１７に記載のプラズマプローブ装置であって、前記プローブ面はシリコンであるプラズマプローブ装置。
【請求項１９】
請求項１７または１８に記載のプラズマプローブ装置であって、前記電気絶縁スリーブは石英であるプラズマプローブ装置。
【請求項２０】
プラズマ処理チャンバであって、
プラズマ処理チャンバの区画を形成するチャンバ壁と、
前記プラズマ処理チャンバ内にウエハを支持する基板支持部と、
プラズマを制御するために前記プラズマ処理チャンバ容器にエネルギを付与する少なくとも一つの電極と、
前記プラズマ処理チャンバ内にガスを供給するガス流入口と、
請求項１ないし１９のいずれか記載のプラズマプローブ装置と
を備えたプラズマ処理チャンバ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月10日(2010.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性の基板と、
前記基板上にマトリックス状に配置されていて、放射線を電気信号に変換する変換素子および前記電気信号を転送するための第一のスイッチ素子をそれぞれ含む複数の画素と、
前記複数の画素のそれぞれを選択するための複数の第一のゲート配線と、
前記複数の画素のそれぞれの電荷を読出すための複数の信号配線と、
を有する撮像装置であって、
前記基板上における前記複数の画素が配置された領域外に複数の第二のスイッチ素子を有し、
前記複数の信号配線の各々は、該当する列の画素の前記第一のスイッチ素子に接続され、
前記複数の信号配線の各々は、前記複数の画素が配置された領域外で、前記複数の第二のスイッチ素子のいずれかを介して他の前記信号配線と接続されていることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記複数の第二のスイッチ素子を覆う遮光層を更に有することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記遮光層は、一定電位に接続される金属層であることを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記第二のスイッチ素子は、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を有し、前記ゲート電極が第二のゲート配線と電気的に接続され、前記ソース電極及び前記ドレイン電極のそれぞれが互いに異なる前記信号配線と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記信号配線と前記変換素子に接続されているバイアス配線との間が、前記基板上における前記画素が配置された領域外で、第三のスイッチ素子を介して接続されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記バイアス配線と前記第一のゲート配線との間、及び、隣接する前記第一のゲート配線の間が、前記基板上における前記画素が配置された領域外で、高抵抗体を介して接続されていることを特徴とする請求項５に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記信号配線と前記変換素子に接続されるバイアス配線との間、前記バイアス配線と前記第一のゲート配線との間、及び、隣接する前記第一のゲート配線の間が、前記基板上における前記画素が配置された領域外で、第三のスイッチ素子を介して接続されていることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載の撮像装置と、
前記撮像装置の前記画素が配置された領域上に配置されていて、放射線を前記変換素子が感知可能な波長帯域の光に変換するシンチレータ層と、
を備えることを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項９】
前記第二のスイッチ素子は、シンチレータ層が発生する光から遮光されていることを特徴とする請求項８に記載の放射線撮像装置。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか１項に記載の撮像装置を駆動する方法であって、撮像装置を駆動する際は、前記第二のスイッチ素子をオフすることを特徴とする撮像装置の駆動方法。
【請求項１１】
請求項８又は９に記載の放射線撮像装置と、
前記放射線撮像装置からの信号を処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、
前記放射線を発生させるための放射線源と、
を具備することを特徴とする放射線撮像システム。
【請求項１２】
基板上に配置されていて、変換素子および前記変換素子に接続された第一のスイッチ素子をそれぞれ有する複数の画素と、該当する列の画素の前記第一のスイッチ素子に接続されている複数の信号配線と、前記複数の画素の領域の外側に配置され、前記複数の信号配線の各々と他の前記信号配線とを接続する複数の第２のスイッチ素子とを有する撮像装置の製造方法であって、
前記複数の信号配線に対して接続端子を介して信号処理回路を接続し、
前記複数の第二のスイッチ素子上に遮光層を形成する、
ことを特徴とする撮像装置の製造方法。
【請求項１３】
前記遮光層は一定電位に接続されることを特徴とする請求項１２に記載の撮像装置の製造方法。
【請求項１４】
前記複数の信号配線に前記接続端子を介して前記信号処理回路を接続する前に、前記複数の第２のスイッチ素子を覆わないように前記複数の画素領域上にシンチレータ層を形成することを特徴とする請求項１２又は１３に記載の撮像装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像装置、放射線撮像装置、撮像装置の駆動方法、放射線撮像システムおよび撮像装置の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月4日(2010.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビット線を有する金属層と、
バルクシリコン層、及び該バルクシリコン層上に製造された相補型ＭＯＳＦＥＴ（ＣＭＯＳ）トランジスタを有するバルク技術集積回路（バルクＩＣ）であって、前記ＣＭＯＳトランジスタの第１のトランジスタは、第１のソース領域及び第１のドレイン領域のうち一方に対応する第１のドープ領域を含む、該バルクＩＣと、
第１の単一トランジスタダイナミックランダムアクセスメモリ（１Ｔ−ＤＲＡＭ）セルであって、前記バルクＩＣに隣接して設けられ且つ一体化された１Ｔ  ＤＲＡＭを有する、該第１の１Ｔ−ＤＲＡＭセルと、
を備え、
前記第１の１Ｔ−ＤＲＡＭセルは、第２のソース領域に対応する第２のドープ領域を有しており、前記ビット線は、前記第１のドープ領域及び前記第２のドープ領域に電気的に接続しており、
前記ビット線は、該ビット線に沿った第１の位置で前記ＣＭＯＳトランジスタに接続しており、該ビット線に沿った第２の位置であって前記第１の位置とは異なる該第２の位置で前記第１の１Ｔ−ＤＲＡＭセルに接続しており、
集積回路。
【請求項２】
前記第１の１Ｔ−ＤＲＡＭセルが、
アモルファスシリコン層と、
前記アモルファスシリコン層に隣接して設けられた第１及び第２のゲート酸化層、並びに、前記第１及び第２のゲート酸化層内に設けられた第１及び第２のゲートポリシリコン層を有する第１及び第２のゲートと、
を備える、請求項１に記載の集積回路。
【請求項３】
前記第１の１Ｔ−ＤＲＡＭセルが、前記アモルファスシリコン層並びに前記第１及び第２のゲートに隣接して設けられた第１の層間誘電体（ＩＬＤ）を有する、請求項２に記載の集積回路。
【請求項４】
前記バルクＩＣの前記バルクシリコン層が、第３のドープ領域及び第４のドープ領域を有するＮウェル、並びに、第５のドープ領域を有するＰウェルを備え、
前記バルクＩＣが、前記バルクシリコン層に隣接して設けられた第３及び第４のゲート酸化層、並びに、前記第３及び第４のゲート酸化層内に設けられた第３及び第４のゲートポリシリコン層を有する第３及び第４のゲートを更に備える、
請求項３に記載の集積回路。
【請求項５】
前記バルクシリコン層並びに前記第３及び第４のゲートに隣接して設けられた第２のＩＬＤを更に備える、請求項４に記載の集積回路。
【請求項６】
前記第２のＩＬＤの内に設けられ、且つ、前記バルクシリコン層の前記第３及び第５のドープ領域にそれぞれ接続する第１及び第２のコンタクトを更に備える、請求項５に記載の集積回路。
【請求項７】
前記第１のＩＬＤ内に設けられた第３及び第４のコンタクトを更に備え、前記第１及び第２のコンタクトがそれぞれ前記第３及び第４のコンタクトに接続する、請求項６に記載の集積回路。
【請求項８】
前記ビット線が、前記第３及び第４のコンタクトに接続する、請求項７に記載の集積回路。
【請求項９】
前記アモルファスシリコン層が、前記第２のドープ領域及び第６のドープ領域を有し、前記１Ｔ−ＤＲＡＭセルの前記第１のゲートが前記第２及び前記第１のドープ領域の一部に隣接して設けられており、前記１Ｔ−ＤＲＡＭセルの前記第２のゲートが前記第２及び前記第６のドープ領域の一部に隣接して設けられており、
前記第６のドープ領域が前記ビット線に直接接触していない、
請求項８に記載の集積回路。
【請求項１０】
前記第１のＩＬＤ内に設けられ、且つ、前記アモルファスシリコン層の前記第２のドープ領域に接続する第５のコンタクトを更に備える、請求項９に記載の集積回路。
【請求項１１】
前記第１の１Ｔ−ＤＲＡＭセルが、ゲート領域を有する第１のトランジスタを備える、請求項１に記載の集積回路。
【請求項１２】
前記第１の１Ｔ−ＤＲＡＭセルが、本体領域及び第２のソース領域を有する第１のトランジスタを備える、請求項１に記載の集積回路。
【請求項１３】
前記本体領域がデータを蓄え、前記１Ｔ−ＤＲＡＭセルがキャパシタ内にデータを蓄えない、請求項１２に記載の集積回路。
【請求項１４】
前記本体領域がアモルファスシリコン層を有する、請求項１３に記載の集積回路。
【請求項１５】
前記第２のソ−ス領域を前記第１の１Ｔ−ＤＲＡＭセルの前記第１のトタンジスタと共有する第２のトランジスタを有する第２の１Ｔ−ＤＲＡＭセルを更に備える、請求項１２に記載の集積回路。
【請求項１６】
前記第１の１Ｔ−ＤＲＡＭセル及び前記第２の１Ｔ−ＤＲＡＭセルが２ビットのデータを蓄える、請求項１６に記載の集積回路。
【請求項１７】
前記第１の１Ｔ−ＤＲＡＭが、
前記第２のソ−ス領域と、
本体領域と、
前記第２のドレイン領域と、
を備え、
前記第２のソ−ス領域と、前記本体領域と、前記第２のドレイン領域とが、前記バルクＩＣに隣接して設けられたドープアモルファスシリコン層内に形成されている、請求項１に記載の集積回路。
【請求項１８】
前記第１の１Ｔ−ＤＲＡＭセルの前記第２のソース領域が、ニッケルを用いてシード形成された結晶化シリコンを備える、請求項１７に記載の集積回路。
【請求項１９】
前記第１の１Ｔ−ＤＲＡＭセルの前記第２のソース領域が、シード形成された結晶化シリコンのアイランドを備える、請求項１７に記載の集積回路。
【請求項２０】
前記結晶化シリコンのアイランドと前記バルクＩＣとが、共通の配向を有する、請求項１９に記載の集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月19日(2009.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データを蓄積する画像データ蓄積手段と、通信線を介して他の装置へ画像データを出力する第１の出力手段と、印刷装置へ画像データを出力する第２の出力手段と、前記画像データ蓄積手段から画像データを読み出してそのままで前記第１の出力手段へ出力、又は前記他の装置の種類に応じて指定された色空間又は前記他の装置から要求された種類の色空間に変換して前記第１の出力手段へ出力し、前記画像データ蓄積手段から画像データを読み出して前記印刷装置の種類に応じて指定された色空間に変換して前記第２の出力手段へ出力する制御手段とを備えたことを特徴とするデータ処理装置。
【請求項２】
前記制御手段に、前記画像データ蓄積手段から読み出した画像データを予め指定された解像度に変換する解像度変換手段を設けたことを特徴とする請求項１記載のデータ処理装置。
【請求項３】
前記制御手段に、前記第２の出力手段へ出力する画像データに予め指定された階調処理を施す階調処理手段を設けたことを特徴とする請求項１又は２記載のデータ処理装置。
【請求項４】
前記制御手段に、前記第１の出力手段へ出力する画像データに圧縮処理を施す圧縮処理手段を設けたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のデータ処理装置。
【請求項５】
前記制御手段に、前記画像データ蓄積手段に蓄積された画像データが所定の圧縮処理を施された画像データの場合、前記画像データ蓄積手段から読み出した画像データに伸張処理を施す伸張処理手段を設けたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のデータ処理装置。
【請求項６】
前記画像データ蓄積手段に蓄積された画像データはＲＧＢデータであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のデータ処理装置。
【請求項７】
前記第１の出力手段へ出力する際に変換する色空間はｓＲＧＢであり、前記第２の出力手段へ出力する際に変換する色空間はＹＭＣＫであることを特徴とする請求項６記載のデータ処理装置。
【請求項８】
画像データを蓄積する画像データ蓄積工程と、通信線を介して他の装置へ画像データを出力する第１の出力工程と、印刷装置へ画像データを出力する第２の出力工程と、前記画像データ蓄積工程によって蓄積された画像データを読み出してそのままで前記第１の出力工程による出力に移行させ、又は前記他の装置の種類に応じて指定された色空間又は前記他の装置から要求された種類の色空間に変換して前記第１の出力工程による出力に移行させ、前記画像データ蓄積工程によって蓄積された画像データを読み出して前記印刷装置の種類に応じて指定された色空間に変換して前記第２の出力工程による出力に移行させる制御工程とからなることを特徴とするデータ処理方法。
【請求項９】
コンピュータに、画像データを蓄積する画像データ蓄積手順と、通信線を介して他の装置へ画像データを出力する第１の出力手順と、印刷装置へ画像データを出力する第２の出力手順と、前記画像データ蓄積手順によって蓄積された画像データを読み出してそのままで前記第１の出力手順による出力に移行させ、又は前記他の装置の種類に応じて指定された色空間又は前記他の装置から要求された種類の色空間に変換して前記第１の出力手順による出力に移行させ、前記画像データ蓄積手順によって蓄積された画像データを読み出して前記印刷装置の種類に応じて指定された色空間に変換して前記第２の出力手順による出力に移行させる制御手順とを実行させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月6日(2010.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
グラフィック処理ユニット（ＧＰＵ）上で第１のプログラムの実行を開始し、暗号文から第１の文字に対応する第１のデータバイト値を有する復号データを提供する段階と、
ＧＰＵ上で第２のプログラムの実行を開始して、文字テクスチャにおいて前記第１の文字にインデックスする段階と、
を含み、
前記復号データはシステムプロセッサに伝達されないことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記第１のデータバイト値をレンダーターゲットに書き込み、前記レンダーターゲットからデータテクスチャを構成する段階を含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２のプログラム、ＡＳＣＩＩテクスチャ、及びリニアライザテクスチャを前記ＧＰＵにアップロードする段階を含み、
前記文字テクスチャがＡＳＣＩＩテクスチャであり、前記リニアライザテクスチャが複数の異なる色のテクセルを含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記リニアライザテクスチャ及び前記データテクスチャに基づいて一時テクスチャを構成する段階を含む、
請求項３に記載の方法。
【請求項５】
勾配テクスチャを前記ＧＰＵにアップロードし、前記第１のデータバイト値及び前記勾配テクスチャに基づいて前記ＡＳＣＩＩテクスチャからテクセルを出力する段階を含み、
前記勾配テクスチャが、列に沿って増加する色チャンネルの値を含む列を含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
グラフィック処理ユニット（ＧＰＵ）上でデータを復号して、ＡＳＣＩＩ文字に対応する少なくとも第１のデータバイトを提供する段階と、
ＡＳＣＩＩ文字テクスチャを前記ＧＰＵにアップロードする段階と、
前記ＡＳＣＩＩ文字テクスチャからの複数のテクセルを書き込むことによって前記ＡＳＣＩＩ文字をディスプレイに視覚化する段階と、
を含み、
前記第１のデータバイトはシステムプロセッサに伝達されないことを特徴とする方法。
【請求項７】
リニアライザテクスチャ及びデータテクスチャに基づいて一時テクスチャを構成する段階と、
前記一時テクスチャから第１のデータバイト値を抽出する段階と、
前記第１のデータバイト値に基づいて前記複数のテクセルに対して前記ＡＳＣＩＩ文字テクスチャにインデックスする段階と、
を含む、
請求項６に記載の方法。
【請求項８】
コンピュータ可読記憶媒体において、ＡＳＣＩＩテクスチャをグラフィック処理ユニット（ＧＰＵ）にアップロードし、ＧＰＵ命令の実行を開始して、復号データを有する少なくとも１つのレンダーターゲットから少なくとも１つのデータテクスチャを構成し、更に前記データテクスチャからデータバイト値に基づいて前記ＡＳＣＩＩテクスチャにインデックスするプロセッサ実行可能命令を有し、前記復号データがシステムプロセッサには伝達されないことを特徴とするコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項９】
リニアライザテクスチャを前記ＧＰＵにアップロードするプロセッサ実行可能命令を有し、前記グラフィック処理ユニット命令が、前記リニアライザテクスチャ及び前記データテクスチャに基づいて一時テクスチャから前記データバイト値を抽出する動作を含み、前記リニアライザテクスチャが複数の異なる色のテクセルを含むことを特徴とする請求項８に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１０】
勾配テクスチャをＧＰＵにアップロードするプロセッサ実行可能命令を有し、前記ＧＰＵ命令が、前記データバイト値及び前記勾配テクスチャに基づいて前記ＡＳＣＩＩテクスチャからテクセルを出力する動作を含み、前記勾配テクスチャが、列に沿って増加する色チャンネルの値を含む列を含むことを特徴とする請求項９に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１１】
前記ＧＰＵ命令が、ＤｉｒｅｃｔＸシェーダー言語命令であることを特徴とする請求項８に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１２】
グラフィック処理ユニット（「ＧＰＵ」）と、
前記ＧＰＵに文字テクスチャをアップロードし、第１の動作を有するＧＰＵ命令の実行を開始して少なくとも１つのレンダーターゲットから少なくとも１つのデータテクスチャを構成し、更に前記少なくとも１つのデータテクスチャからデータバイト値に基づいて前記文字テクスチャにインデックスするように構成された、前記ＧＰＵと通信するシステムプロセッサと、
を備える装置。
【請求項１３】
前記システムプロセッサがリニアライザテクスチャを前記ＧＰＵにアップロードするよう構成され、前記リニアライザテクスチャが複数の異なる色のテクセルを含み、前記ＧＰＵ命令が、前記リニアライザテクスチャ及び前記データテクスチャに基づいて一時テクスチャから前記データバイト値を抽出する動作を含むことを特徴とする請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記システムプロセッサが勾配テクスチャを前記ＧＰＵにアップロードするよう構成され、前記ＧＰＵ命令が、前記データバイト値及び前記勾配テクスチャに基づいて前記文字テクスチャからテクセルを出力する動作を含み、前記勾配テクスチャが、列に沿って増加する色チャンネルの値を含む列を含むことを特徴とする請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記文字テクスチャが、ＡＳＣＩＩ文字を格納する複数列×複数行を含むことを特徴とする請求項１２に記載の装置。
【請求項１６】
前記リニアライザテクスチャが１つの赤テクセル、１つの緑テクセル、１つの青テクセル、及び１つの透明テクセルだけを有することを特徴とする請求項１３に記載の装置。
【請求項１７】
前記ＧＰＵ命令が、前記リニアライザテクスチャを拡大して４つの赤テクセル、４つの緑テクセル、４つの青テクセル、及び４つの透明テクセルを有するようにする動作を含むことを特徴とする請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記勾配テクスチャが、行に沿って増加する色チャンネルの値を含む行を更に含むことを特徴とする請求項１４に記載の装置。
【請求項１９】
前記ＧＰＵ命令が、ＤｉｒｅｃｔＸシェーダー言語プログラミング命令であることを特徴とする請求項１２に記載の装置。
【請求項２０】
前記ＡＳＣＩＩテクスチャが、１０１６列×２０行を含むことを特徴とする請求項１５に記載の装置。
【請求項２１】
前記勾配テクスチャが、８列×２０行を含むことを特徴とする請求項１８に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月9日(2010.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
また、傾きの表示方法としても、例えば特許文献２には、水平基準線とカメラの傾きを表わす線の両方を色分けして表示し、一致したら一本の線として表示することが提案されている。
特許文献３に記載の撮像装置では、ポートレート撮影モード、風景撮影モード、接写撮影モード、スポーツ撮影モード、夜景撮影モードを備え、これら各モードの切換設定が可能となっている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【特許文献１】特開昭６４−４０８２４号公報
【特許文献２】特開２００２−２７１６５４号公報
【特許文献３】特開２０００−１８４２６９号公報
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月10日(2009.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
実施例５（定量ＲＴ−ＬＡＭＰによる大腸がんの転移判定）
測定用試料の調製において、大腸がん由来のがん細胞の転移が組織学的に認められたリンパ節（陽性リンパ節）３４個及び大腸がん由来のがん細胞の転移が組織学的に認められなかったリンパ節（陰性リンパ節）４０個を用いた以外は、実施例４と同様にＣＫ１９のｍＲＮＡの絶対量を測定した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
実施例６（定量ＲＴ−ＬＡＭＰによる胃がんの転移判定）
測定用試料の調製において、胃がん由来のがん細胞の転移が組織学的に認められたリンパ節（陽性リンパ節）７個及び胃がん由来のがん細胞の転移が組織学的に認められなかったリンパ節（陰性リンパ節）８個を用いた以外は、実施例４と同様にＣＫ１９のｍＲＮＡの絶対量を測定した。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月4日(2009.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 医用診断システム（１００）に関連付けられる現地交換可能ユニット（１１０）に対して遠隔式に環境設定及びサービスを行う方法であって、医用診断システム（１００）と遠隔の施設（１０２２）の間に通信接続を確立するステップと、前記医用診断システム（１００）に関連付けられる現地交換可能ユニット（１１０）に結合された電子デバイス（１２０）からの識別情報を遠隔の施設（１０２２）に伝達するステップと、前記遠隔の施設（１０２２）からの環境設定情報を前記医用診断システム（１００）に伝達するステップと、前記遠隔の施設（１０２２）からの前記環境設定情報に従って前記医用診断システム（１００）を遠隔式に環境設定するステップと、を含む方法。
【請求項２】 さらに、前記現地交換可能ユニット（１１０）の動作情報を前記遠隔の施設（１０２２）に伝達することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】 さらに、前記遠隔の施設（１０２２）において前記識別情報を加入者ファイルにより検証することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】 さらに、前記現地交換可能ユニット（１１０）の動作情報を、前記現地交換可能ユニット（１１０）に結合された前記電子デバイス（１２０）に伝達することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】 前記動作情報が、設置年月日、故障年月日、スキャン記録、事象ログ、使用データ及び現地故障コードのうちのいずれか１つを含んでいる請求項４に記載の方法。
【請求項６】 前記識別情報が、通し番号、製造年月日、フィラメント較正データ及びモデル番号のうちのいずれか１つを含んでいる請求項１に記載の方法。
【請求項７】 さらに、前記現地交換可能ユニット（１１０）の性能レベルを変更するための新規の特性値情報を、前記遠隔の施設（１０２２）から前記医用診断システム（１００）に伝達することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】 さらに、前記現地交換可能ユニット（１１０）に関連付けられた加入者ファイルを変更するための新規の特性値情報を、前記遠隔の施設（１０２２）から前記医用診断システム（１００）に伝達することを含む請求項３に記載の方法。
【請求項９】 医用診断システムを環境設定する前記ステップが、前記現地交換可能ユニット（１１０）であるＸ線管（２１０）の動作に関する特性情報に従って行われる請求項１に記載の方法。
【請求項１０】 医用診断システム（１００）に関連付けされる現地交換可能ユニット（１１０）に対して遠隔式の環境設定及びサービスを行う装置であって、
現地交換可能ユニット（１１０）に関連付けられた識別及び環境設定認証を記憶するように構成されたメモリ・ユニット（１２３）と、
前記医用診断システム（１００）のオペレーティング・システム（１４０）と通信し、前記オペレーティング・システム（１４０）の指示に基づいて前記メモリ・ユニット（１２３）への読み出しと書き込みを行うプロセッサと、
識別情報をネットワーク（１０８０）を介して遠隔の施設（１０２２）に伝達すると共に、ネットワーク（１０８０）を介して前記遠隔の施設（１０２２）から前記オペレーティング・システム（１４０）への環境設定情報を受領するように構成された通信インタフェース（１０４８）と、を備え、
前記環境設定情報が前記医用診断システム（１００）の遠隔式環境設定に使用される、装置。
【請求項１１】 前記メモリ・ユニット（１２３）が前記現地交換可能ユニット（１１０）の動作データを記憶している請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】 前記ネットワーク（１０８０）がインターネットを含む請求項１０に記載の装置。
【請求項１３】 前記メモリ・ユニット（１２３）が、前記現地交換可能ユニット（１１０）であるＸ線管（２１０）と物理的に結合されている請求項１０に記載の装置。
【請求項１４】 医用診断システム（１００）に関連付けされる現地交換可能ユニット（１１０）に対して遠隔式の環境設定及びサービスを行うシステムであって、医用診断システム（１００）と遠隔の施設（１１０）の間に通信接続を確立する手段と、現地交換可能ユニット（１１０）に結合された電子デバイス（１２０）からの識別情報を前記遠隔の施設（１０２２）へ伝達する手段と、前記遠隔の施設（１０２２）からの環境設定情報を前記医用診断システム（１００）へ伝達する手段と、前記遠隔の施設（１０２２）からの前記環境設定情報に従って前記医用診断システム（１００）を遠隔式に環境設定する手段と、を備えるシステム。
【請求項１５】 さらに、前記現地交換可能ユニット（１１０）の動作情報を前記遠隔の施設（１０２２）へ伝達する手段を備える請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】 前記動作情報が、設置年月日、故障年月日、スキャン記録、事象ログ、使用データ及び現地故障コードのうちのいずれか１つを含んでいる請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】 さらに、前記遠隔の施設（１０２２）において前記識別情報を加入者ファイルにより検証する手段を備える請求項１４に記載のシステム。
【請求項１８】 さらに、前記現地交換可能ユニット（１１０）に関連付けされた加入者ファイルを更新する手段を備える請求項１４に記載のシステム。
【請求項１９】 前記遠隔の施設（１０２２）からの環境設定情報に従って前記医用診断システム（１００）を環境設定する前記手段が、新規のオペレーティング・システム・ソフトウェアを前記医用診断システム（１００）にダウンロードすることを含む請求項１４に記載のシステム。
【請求項２０】 前記新規のオペレーティング・システム・ソフトウェアにより、現地サービス・ユニットが別の動作特性値になるように前記医用診断システム（１００）を環境設定し直す請求項１９に記載のシステム。
【請求項２１】 前記現地交換可能ユニットがＸ線管（２１０）である請求項１４に記載のシステム。
【請求項２２】 さらに、前記現地交換可能ユニット（１１０）であるＸ線管（２１０）を備える請求項１４に記載のシステム。