【手続補正書】
【提出日】平成22年7月21日(2010.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクブランク用基板上にマスクパターンとなる薄膜を形成する薄膜形成工程と、前記薄膜上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程とを有するマスクブランクの製造方法であって、
前記レジスト膜を前記薄膜上に形成した日付情報を含むレジスト膜形成情報を保存する工程と、
前記レジスト膜形成情報と前記マスクブランクとを対応させる工程と、
前記レジスト膜形成情報に基づき、前記マスクブランクに形成されたレジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたマスクブランクを特定する工程と、
前記特定したマスクブランクに形成されたレジスト膜を剥離する工程と、
前記レジスト膜を剥離した前記薄膜上に再度レジスト膜を形成する工程と、
を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
【請求項２】
マスクブランク用基板上にマスクパターンとなる薄膜を形成した薄膜付き基板の前記薄膜上にレジスト膜を形成するマスクブランクの製造方法であって、
前記レジスト膜を前記薄膜上に形成したときの日付情報を含むレジスト膜形成情報を形成情報蓄積手段に保存する工程と、
前記形成情報蓄積手段に保存された前記レジスト膜形成情報と前記マスクブランクとを対応させる工程と、
前記レジスト膜形成情報及び前記マスクブランクの対応関係に基づき、前記マスクブランクに形成されたレジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたマスクブランクの前記レジスト膜を剥離する工程と、
前記レジスト膜を剥離した前記薄膜上に再度レジスト膜を形成する工程と、
を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
【請求項３】
前記レジスト膜を剥離する工程は、前記レジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたマスクブランクを特定し、この特定したマスクブランクに形成された前記レジスト膜を剥離することを特徴とする請求項２記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項４】
前記薄膜の形成時又は形成後に、マスクブランクの仕様に係わる薄膜の膜情報を取得し、保存する工程と、
前記膜情報と前記マスクブランクとを対応させる工程と、を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項５】
前記マスクブランク用基板のマスクブランクの仕様に係わる基板情報を取得し、保存する工程と、
前記基板情報と前記マスクブランクとを対応させる工程と、を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項６】
前記膜情報は、欠陥情報、光学特性情報、薄膜形成情報、表面形態情報のいずれかの情報を含むことを特徴とする請求項４記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項７】
前記基板情報は、欠陥情報、光学特性情報、表面形態情報のいずれかの情報を含むことを特徴とする請求項５記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項８】
前記マスクブランクと、前記レジスト膜形成情報と、薄膜の膜情報及び／又は基板情報の対応付けが可能となるように、前記マスクブランクに対して直接的又は間接的に識別情報を付与する工程と、を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項９】
前記レジスト膜が、化学増幅型レジスト膜であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法によって得られたマスクブランクの前記薄膜をパターニングして、前記マスクブランク用基板上にマスクパターンを形成することを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項１１】
マスクブランク用基板上にマスクパターンとなる薄膜とレジスト膜とを形成したマスクブランクにおける、前記レジスト膜を形成した日付情報を含むレジスト膜形成情報を蓄積する形成情報蓄積手段と、
前記マスクブランクに識別情報を付与する識別情報付与手段と、
前記レジスト膜形成情報と、前記識別情報とを対応させてそれらの情報を保存するマスクブランク情報蓄積手段と、
前記日付情報に基づき前記マスクブランクに形成されたレジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたマスクブランクを特定するマスクブランク選定手段と、
を有することを特徴とするマスクブランク管理システム。
【請求項１２】
前記マスクブランク用基板のマスクブランクの仕様に係わる、基板情報及び／又は薄膜の膜情報を保存する基板情報蓄積手段及び／又は膜情報蓄積手段を有し、前記マスクブランク情報蓄積手段に、前記基板情報及び／又は前記膜情報が保存されていることを特徴とする請求項１１記載のマスクブランク管理システム。
【請求項１３】
前記識別情報、前記レジスト膜形成情報、前記膜情報及び／又は前記基板情報をマスク製造部門に通信回線を介して提供できるように情報送信手段を設けたことを特徴とする請求項１１又は１２記載のマスクブランク管理システム。
【請求項１４】
マスク製造部門によって前記レジスト膜形成情報に基づき前記マスクブランクに形成されたレジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたマスクブランクの情報を、通信回線を介して受信できるように情報受信手段を設けたことを特徴とする請求項１１〜１３のいずれかに記載のマスクブランク管理システム。
【請求項１５】
マスクブランク用基板上にレジスト膜を形成した日付情報を含むレジスト膜形成情報に基づき、マスクブランクに形成されたレジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたマスクブランクを特定し、該特定したマスクブランクに形成されたレジスト膜を剥離する工程と、
前記レジスト膜を剥離した前記薄膜上に再度レジスト膜を形成する工程と、を有することを特徴とするマスクブランクの再生方法。
【請求項１６】
前記レジスト膜をアルカリ性溶媒及び／又は有機溶媒で剥離することを特徴とする請求項１５記載のマスクブランクの再生方法。
【請求項１７】
マスクブランク用基板上にマスクパターンとなる薄膜を形成した薄膜付き基板の前記薄膜上にレジスト膜を形成するマスクブランクの製造方法であって、
前記レジスト膜について、レジスト膜の感度変化に影響を与える情報を含むレジスト膜形成情報を保存する工程と、
前記レジスト膜形成情報と前記マスクブランクとを対応させる工程と、
前記マスクブランクをマスク製造部門に提供する工程と、
前記レジスト膜形成情報及び前記マスクブランクの対応関係に基づき、前記マスク製造部門から返却されたレジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたマスクブランクの前記レジスト膜を剥離する工程と、
前記レジスト膜を剥離した前記薄膜上に再度レジスト膜を形成する工程と、を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
【請求項１８】
前記レジスト膜を剥離する工程は、前記レジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたマスクブランクを特定し、この特定したマスクブランクに形成された前記レジスト膜を剥離することを特徴とする請求項１７に記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項１９】
前記レジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたマスクブランクは、前記マスク製造部門で特定されることを特徴とする請求項１７又は１８に記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項２０】
前記レジスト膜形成情報は、前記薄膜付き基板上にレジスト膜を塗布・形成した日、レジスト種、加熱条件、マスクブランク保管環境のいずれかの情報を含むことを特徴とする請求項１７〜１９のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項２１】
前記薄膜の形成時又は形成後に、マスクブランクの仕様に係わる薄膜の膜情報を取得し、保存する工程と、
前記膜情報と前記マスクブランクとを対応させる工程と、を有することを特徴とする請求項１７〜２０のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項２２】
前記マスクブランク用基板のマスクブランクの仕様に係わる基板情報を取得し、保存する工程と、
前記基板情報と前記マスクブランクとを対応させる工程と、を有することを特徴とする請求項１７〜２１のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項２３】
前記膜情報は、欠陥情報、光学特性情報、薄膜形成情報、表面形態情報のいずれかの情報を含むことを特徴とする請求項２１に記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項２４】
前記基板情報は、欠陥情報、光学特性情報、表面形態情報のいずれかの情報を含むことを特徴とする請求項２２に記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項２５】
前記マスクブランクと、前記レジスト膜形成情報と、薄膜の膜情報及び／又は基板情報の対応付けが可能となるように、前記マスクブランクに対して直接的又は間接的に識別情報を付与する工程と、を有することを特徴とする請求項１７〜２４のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項２６】
前記レジスト膜は化学増幅型レジスト膜であることを特徴とする請求項１７〜２５のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項２７】
請求項１７〜２６のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法によって得られたマスクブランクの前記薄膜をパターニングして、前記マスクブランク用基板上にマスクパターンを形成することを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項２８】
前記レジスト膜をアルカリ性溶媒及び／又は有機溶媒で剥離することを特徴とする請求項１７〜２７のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
【請求項２９】
マスクブランク用基板上にマスクパターンとなる薄膜を形成した薄膜付き基板の前記薄膜上にレジスト膜を有するマスクブランクの管理方法であって、
レジスト膜の感度変化に影響を与える情報を含むレジスト膜形成情報と対応付けられたマスクブランクをブランクス製造部門から提供される工程と、
前記レジスト膜形成情報に基づき、マスクブランクに形成されたレジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたマスクブランクを特定する工程と、
前記許容範囲を超えたマスクブランクを前記ブランクス製造部門に返却する工程とを有することを特徴とするマスクブランクの管理方法。
【請求項３０】
前記レジスト膜形成情報は、前記薄膜付き基板上にレジスト膜を塗布・形成した日、レジスト種、加熱条件、マスクブランク保管環境のいずれかの情報を含むことを特徴とする請求項２９に記載のマスクブランクの管理方法。
【請求項３１】
前記ブランクス製造部門から提供されるマスクブランクは、マスクブランクの仕様に係わる薄膜の膜情報が対応付けられていることを特徴とする請求項２９又は３０に記載のマスクブランクの管理方法。
【請求項３２】
前記ブランクス製造部門から提供されるマスクブランクは、マスクブランク用基板のマスクブランクの仕様に係わる基板情報が対応付けられていることを特徴とする請求項２９〜３１のいずれかに記載のマスクブランクの管理方法。
【請求項３３】
前記膜情報は、欠陥情報、光学特性情報、薄膜形成情報、表面形態情報のいずれかの情報を含むことを特徴とする請求項３１に記載のマスクブランクの管理方法。
【請求項３４】
前記基板情報は、欠陥情報、光学特性情報、表面形態情報のいずれかの情報を含むことを特徴とする請求項３２に記載のマスクブランクの管理方法。
【請求項３５】
前記マスクブランクと、前記レジスト膜形成情報と、薄膜の膜情報及び／又は基板情報の対応付けが可能となるように、前記マスクブランクに対して直接的又は間接的に識別情報が付与されていることを特徴とする請求項２９〜３４のいずれかに記載のマスクブランクの管理方法。
【請求項３６】
前記レジスト膜は、化学増幅型レジスト膜であることを特徴とする請求項２９〜３５のいずれかに記載のマスクブランクの管理方法。