Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月10日(2010.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示画面上となる第１の面、及び第２の面を有する透光性基板と、
前記第１の面に設けられた複数の凸部を有する反射防止膜と、
前記複数の凸部の間を埋めるように設けられた保護層と、を有し、
前記凸部の底面と斜面との角度は８４度以上９０度未満であり、
前記保護層の屈折率は、前記凸部の屈折率より低く、
前記保護層は、前記凸部の先端が露出するように設けられたことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
表示画面上となる第１の面、及び第２の面を有する透光性基板と、
前記第１の面に設けられた複数の凸部を有する反射防止膜と、
前記複数の凸部の間を埋めるように設けられた保護層と、を有し、
前記凸部の底面と斜面との角度は８４度以上９０度未満であり、
前記保護層の屈折率は、前記凸部の屈折率より低く、
前記保護層は前記凸部を覆うように設けられ、かつ前記保護層の表面は前記複数の凸部によって形成された凹凸形状が反映されていることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
表示画面上となる第１の面、及び第２の面を有する透光性基板と、
前記第１の面に設けられた複数の凸部を有する反射防止膜と、
前記複数の凸部の間を埋めるように設けられた保護層と、を有し、
前記凸部の底面と斜面との角度は８４度以上９０度未満であり、
前記保護層の屈折率は、前記凸部の屈折率より低く、
前記保護層は前記凸部を覆うように設けられ、かつ前記保護層の表面は前記複数の凸部によって形成された凹凸形状の凹部にそって膜厚が減少していることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第２の面に設けられた偏光板を有することを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記凸部は前記凸部の表面側は空気と同等な屈折率を有し、前記凸部の底面側は前記透光性基板と同等な屈折率を有するように、前記透光性基板に近づくにつれて連続的に屈折率が高くなっていることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記保護層は前記透光性基板に近づくにつれて連続的に屈折率が変化していることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記保護層はシリカ、アルミナ、及び炭素を含むエアロゲルのいずれかからなることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記反射防止膜は酸素を含む窒化珪素でなることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記凸部の底面と斜面との角度が８４度以上９０度未満のとき、前記反射防止膜における外光の平均反射率は０．１５％以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記凸部は高さが１μｍ〜３μｍ、かつ前記凸部の底面と斜面との角度が８７．２度のとき、前記反射防止膜における外光の反射率は０．１％以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項１乃至８において、
前記凸部は上底面及び下底面を有する円錐形状であり、
前記上底面の直径ａと、前記下底面の直径ｂとの比が０．２以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記反射防止膜における外光の反射率は０．７％以下であることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月10日(2010.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示画面上となる第１の面、及び第２の面を有する透光性基板と、
前記第１の面に設けられた複数の凸部を有する反射防止膜と、
前記第２の面に設けられた偏光板と、を有し、
前記凸部の底面と斜面との角度は８４度以上９０度未満であることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記凸部は前記凸部の表面側は空気と同等な屈折率を有し、前記凸部の底面側は前記透光性基板と同等な屈折率を有するように、前記透光性基板に近づくにつれて連続的に屈折率が高くなっていることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記反射防止膜はフッ化物、酸化物、又は窒化物を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１または２において、
前記反射防止膜は酸素を含む窒化珪素でなることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記凸部の底面と斜面との角度が８４度以上９０度未満のとき、前記反射防止膜における外光の平均反射率は０．１％以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記凸部は、高さが１μｍ以上３μｍ以下、底面の直径が０．１μｍ以上０．３μｍ以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記凸部は高さが１μｍ以上３μｍ以下、かつ前記凸部の底面と斜面との角度が８７．２度のとき、前記反射防止膜における外光の反射率は０．０４％以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記凸部は、円柱上に円錐を積層する形状であることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至７において、
前記凸部は上底面及び下底面を有する円錐形状であり、
前記上底面の直径ａと、前記下底面の直径ｂとの比が０．２以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記凸部は上底面及び下底面を有する円錐形状であり、
前記上底面の直径ａと、前記下底面の直径ｂとの比が０．２以下のとき、前記反射防止膜における外光の反射率は０．３５％以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一に記載の表示装置は、電子ペーパーであることを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１０のいずれか一に記載の表示装置は、液晶表示装置であり、バックライトとして発光ダイオードを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記発光ダイオードはＲＧＢの発光色を有し、フィールドシーケンシャルモードで動作させることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月25日(2010.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボトムゲート型薄膜トランジスタと、
ＩＴＯからなる画素電極と、
前記ボトムゲート型薄膜トランジスタのソース領域またはドレイン領域の上部及び前記画素電極の上部に形成され、前記ボトムゲート型薄膜トランジスタと前記画素電極を接続するモリブデンからなる配線と、
前記画素電極上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された共通電極と、を有し、
前記画素電極と、前記共通電極との電位差に依存して液晶層の液晶分子の分子配列が変化することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
ボトムゲート型薄膜トランジスタと、
ＩＴＯからなる画素電極と、
前記ボトムゲート型薄膜トランジスタのソース領域またはドレイン領域の上部及び前記画素電極の上部に形成され、前記ボトムゲート型薄膜トランジスタと前記画素電極を接続するモリブデンからなる配線と、
前記画素電極上に形成された窒化珪素膜からなる絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された共通電極と、を有し、
前記画素電極と、前記共通電極との電位差に依存して液晶層の液晶分子の分子配列が変化することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
ボトムゲート型薄膜トランジスタと、
ＩＴＯからなる画素電極と、
前記ボトムゲート型薄膜トランジスタのソース領域またはドレイン領域の上部及び前記画素電極の上部に形成され、前記ボトムゲート型薄膜トランジスタと前記画素電極を接続するモリブデンからなる配線と、
前記画素電極上に形成され、前記ボトムゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁膜になる窒化珪素膜からなる絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された前記ボトムゲート型薄膜トランジスタの半導体膜と同時に形成された共通電極と、を有し、
前記画素電極と、前記共通電極との電位差に依存して液晶の液晶分子の分子配列が変化することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の液晶表示装置を表示部に用いた電子機器。
【請求項５】
請求項４において、
前記電子機器は、カメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、カーオーディオ、オーディオコンポ等コンピュータ、ゲーム機器、モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍であることを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月14日(2010.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２次元位相データ・パターンを物体光上にインプリントするための位相ＳＬＭを有する、ホログラフィック・ストレージ媒体に書き込みを行う装置であって、
前記物体光の位相データ・パターンを強度データ・パターンに変換するコモンパス干渉計と、
参照光および前記強度データ・パターンを有する前記物体光を前記ホログラフィック・ストレージ媒体に照射するための対物レンズとを含む、前記装置。
【請求項２】
前記コモンパス干渉計が非線形変換を行う位相差フィルタを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記位相差フィルタが前記物体光のフーリエ変換の中心部分の位相を第１の値だけシフトさせる内側中心領域と、前記物体光のフーリエ変換の外側部分の位相を第２の値だけシフトさせる、前記内側中心領域を囲繞する円環状領域とを含む、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記第１の値と前記第２の値との間の差が「π」の相対位相シフトに達する、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記位相差フィルタが、前記物体光のフーリエ変換にローパス・フィルタをかけるための外側ブロッキング領域を有する、請求項２乃至４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
位相ＳＬＭを用いて物体光上に２次元位相データ・パターンをインプリントするステップと、
コモンパス干渉計を用いて前記位相データ・パターンを強度データ・パターンに変換するステップと、
参照光および前記強度データ・パターンを有する前記物体光をホログラフィック・ストレージ媒体に照射するステップとを含む、ホログラフィック・ストレージ媒体にデータ・パターンを書き込むための方法。
【請求項７】
非線形変換を用いた位相差フィルタによって前記位相データ・パターンを強度データ・パターンに変換する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記位相差フィルタが前記物体光のフーリエ変換の中心部分の位相を第１の値だけシフトさせる内側中心領域と、前記物体光のフーリエ変換の外側部分の位相を第２の値だけシフトさせる、前記内側中心領域を囲繞する円環状領域とを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第１の値と前記第２の値との間の差が「π」の相対位相シフトに達する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記物体光のフーリエ変換にローパス・フィルタをかけるステップをさらに有する、請求項７乃至９のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月26日(2010.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
現像剤を担持し、像担持体に形成された静電像を現像剤で現像する現像剤担持体と、
前記現像剤担持体へ現像剤を供給すると共に、前記現像剤担持体から現像剤を除去する現像剤供給除去部材であって、前記現像剤担持体と離間して設けられ、導電部材と、前記現像剤供給除去部材の表面に設けられた絶縁部材と、を備える現像剤供給除去部材と、
前記現像剤担持体と前記現像剤供給除去部材との間で電界を形成する電界形成装置と、を有し、
前記現像剤供給除去部材と前記現像剤担持体とが対向する位置において、前記現像剤担持体の移動方向は前記現像剤供給除去部材の移動方向とは逆方向であり、
前記電界は、振動電界であって、前記導電部材の直流電位は、前記現像剤担持体の直
流電位と同じか、又は、前記現像剤担持体の直流電位に対して現像剤の正規の帯電極性とは逆側であることを特徴とする現像装置。
【請求項２】
前記現像剤担持体に印加される電圧は、交流電圧なしの直流電圧であることを特徴とする請求項１に記載の現像装置。
【請求項３】
前記導電部材の直流電位は、前記現像剤担持体の直流電位と同じであり、前記導電部材に印加される電圧は、サイン波形の交流電圧を備え、前記現像剤担持体と前記導電部材との間に形成される最大電界は、８．０×１０6Ｖ／ｍ以上であることを特徴とする請求項２に記載の現像装置。
【請求項４】
前記導電部材の直流電位は、前記現像剤担持体の直流電位に対して現像剤の正規の帯電極性とは逆側であり、前記導電部材に印加される電圧は、サイン波形の交流電圧を備え、前記現像剤担持体と前記導電部材との間に形成される最大電界は、１．０×１０7Ｖ／ｍ以上であることを特徴とする請求項２に記載の現像装置。
【請求項５】
前記最大電界は、１．６×１０7Ｖ／ｍ以上であることを特徴とする請求項４に記載の現像装置。
【請求項６】
前記導電部材の直流電位は、前記現像剤担持体の直流電位に対して現像剤の正規の帯電極性とは逆側であり、前記導電部材に印加される電圧は、矩形波の交流電圧を備え、前記現像剤担持体と前記導電部材との間に形成される最大電界は、６．０×１０6Ｖ／ｍ以上であることを特徴とする請求項２に記載の現像装置。
【請求項７】
前記最大電界は、８．０×１０6Ｖ／ｍ以上であることを特徴とする請求項６に記載の現像装置。
【請求項８】
前記最大電界は、１．０×１０7Ｖ／ｍ以上であることを特徴とする請求項６に記載の現像装置。
【請求項９】
前記現像剤担持体に印加される電圧は、交流電圧と直流電圧との重畳電圧であることを特徴とする請求項１に記載の現像装置。
【請求項１０】
前記導電部材の直流電位は、前記現像剤担持体の直流電位に対して現像剤の正規の帯電極性とは逆側であり、前記交流電圧は、矩形波形であり、前記現像剤担持体と前記導電部材との間に形成される最大電界は、１．０×１０7Ｖ／ｍ以上であることを特徴とする請求項９に記載の現像装置。
【請求項１１】
前記現像剤担持体の周速をｄ（ｍｍ／ｓｅｃ）、前記振動電界の周波数をｆ（Ｈｚ）とすると、２．５＜ｆ／ｄ＜２５を満たすことを特徴とする請求項１〜１０のいずれかの項に記載の現像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記目的は本発明に係る現像装置にて達成される。要約すれば、本発明は、現像剤を担持し、像担持体に形成された静電像を現像剤で現像する現像剤担持体と、
前記現像剤担持体へ現像剤を供給すると共に、前記現像剤担持体から現像剤を除去する現像剤供給除去部材であって、前記現像剤担持体と離間して設けられ、導電部材と、前記現像剤供給除去部材の表面に設けられた絶縁部材と、を備える現像剤供給除去部材と、
前記現像剤担持体と前記現像剤供給除去部材との間で電界を形成する電界形成装置と、を有し、
前記現像剤供給除去部材と前記現像剤担持体とが対向する位置において、前記現像剤担持体の移動方向は前記現像剤供給除去部材の移動方向とは逆方向であり、
前記電界は、振動電界であって、前記導電部材の直流電位は、前記現像剤担持体の直
流電位と同じか、又は、前記現像剤担持体の直流電位に対して現像剤の正規の帯電極性とは逆側であることを特徴とする現像装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月19日(2010.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１００℃以上のガラス転移温度を有するポリカーボネートからなるフィルムの両面にポリエステル樹脂からなるフィルムを積層し、位相差が２０ｎｍ以下である光拡散フィルム用基材の片面に光拡散層を設け、他の片面にスティッキング防止層を設けてなる光拡散フィルムであって、
前記光拡散層が有機樹脂に１〜５０μｍのビーズを有機樹脂１００質量部に対して１０〜５００質量部混合させたものであり、
前記スティッキング防止層が有機樹脂に１〜５０μｍのビーズを有機樹脂１００質量部に対して０．２〜１００質量部混合させたものであることを特徴とする光拡散フィルム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の光拡散フィルムは、１００℃以上のガラス転移温度を有するポリカーボネートからなるフィルムの両面にポリエステル樹脂からなるフィルムを積層し、位相差が２０ｎｍ以下である光拡散フィルム用基材の片面に光拡散層を設け、他の片面にスティッキング防止層を設けてなる光拡散フィルムであって、
前記光拡散層が有機樹脂に１〜５０μｍのビーズを有機樹脂１００質量部に対して１０〜５００質量部混合させたものであり、
前記スティッキング防止層が有機樹脂に１〜５０μｍのビーズを有機樹脂１００質量部に対して０．２〜１００質量部混合させたものであることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月12日(2010.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶素子を有する画素と、駆動回路とを有し、
前記駆動回路は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、第５のトランジスタと、第６のトランジスタと、第７のトランジスタと、第８のトランジスタとを有し、
前記第１のトランジスタのゲートが第１の配線に電気的に接続され、前記第１のトランジスタの第１端子が第２の配線に電気的に接続され、前記第１のトランジスタの第２端子が第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのゲートが第４の配線に電気的に接続され、前記第８のトランジスタの第１端子が第５の配線に電気的に接続され、前記第８のトランジスタの第２端子が前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのゲートが前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、前記第６のトランジスタの第１端子が前記第５の配線に電気的に接続され、前記第６のトランジスタの第２端子が前記第３のトランジスタのゲートおよび前記第４のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのゲート及び第１端子が前記第２の配線に電気的に接続され、前記第５のトランジスタの第２端子が前記第３のトランジスタのゲートおよび前記第４のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのゲートが第３の配線に電気的に接続され、前記第７のトランジスタの第１端子が前記第５の配線に電気的に接続され、前記第７のトランジスタの第２端子が前記第３のトランジスタのゲートおよび前記第４のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第４のトランジスタの第１端子が前記第５の配線に電気的に接続され、前記第４のトランジスタの第２端子が前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第３のトランジスタの第１端子が前記第５の配線に電気的に接続され、前記第３のトランジスタの第２端子が第６の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの第１端子が前記第３の配線に電気的に接続され、前記第２のトランジスタの第２端子が前記第６の配線に電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１のトランジスタ乃至前記第８のトランジスタは同じ導電型のトランジスタであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第５のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌは、前記第６のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌよりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第５のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌは、前記第７のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌよりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のうちいずれか一項において、
前記第１のトランジスタ乃至前記第８のトランジスタの半導体層に非結晶半導体が用いられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１のトランジスタ乃至前記第８のトランジスタは、化合物半導体を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記化合物半導体には、ＺｎＯ又はａ−ＩｎＧａＺｎＯが用いられることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
液晶素子を有する画素と、駆動回路とを有し、
前記駆動回路は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタとを有し、
前記第１のトランジスタのゲート及び第１端子が第１の配線に電気的に接続され、前記第１のトランジスタの第２端子が前記第４のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートが第２の配線に電気的に接続され、前記第２のトランジスタの第１端子が第４の配線に電気的に接続され、前記第２のトランジスタの第２端子が前記第４のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートが第３の配線に電気的に接続され、前記第３のトランジスタの第１端子が前記第４の配線に電気的に接続され、第３のトランジスタの第２端子が前記第４のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第４のトランジスタの第１端子が前記第４の配線に電気的に接続され、前記第４のトランジスタの第２端子が第５の配線に電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記第１のトランジスタ乃至前記第４のトランジスタは同じ導電型のトランジスタであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項８または請求項９のいずれか一項において、
前記第１のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌは、前記第２のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌよりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１１】
請求項８乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記第１のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌは、前記第３のトランジスタのチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比Ｗ／Ｌよりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１２】
請求項８乃至請求項１１において、
前記第１のトランジスタ乃至前記第４のトランジスタの半導体層に非結晶半導体が用いられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１３】
請求項８乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記第１のトランジスタ乃至前記第４のトランジスタは、化合物半導体を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記化合物半導体には、ＺｎＯ又はａ−ＩｎＧａＺｎＯが用いられることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一項に記載の液晶表示装置を具備する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月16日(2010.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液晶表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置された複数の画素と、
ソースドライバと、
ゲートドライバと、
バックライトユニットと、を有し、
１フレーム期間は複数の点灯期間を有し、
前記複数の点灯期間それぞれにおいて、
前記ソースドライバはデジタル信号を前記画素に複数回供給し、
前記ゲートドライバは前記画素を複数回走査し、
前記バックライトユニットは前記点灯期間ごとに光の波長を変えることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
マトリクス状に配置された複数の画素と、
ソースドライバと、
ゲートドライバと、
バックライトユニットと、を有し、
１フレーム期間は複数の点灯期間を有し、
前記複数の点灯期間それぞれにおいて、
前記ソースドライバはデジタル信号を前記画素に複数回供給し、
前記ゲートドライバは前記画素を複数回走査し、
前記バックライトユニットは、前記点灯期間ごとに光の波長を変え、且つ前記ゲートドライバが前記画素を走査しているときには点灯せず、前記ゲートドライバが前記画素を走査していないときに点灯することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
マトリクス状に配置された複数の画素と、
ソースドライバと、
ゲートドライバと、
バックライトユニットと、を有し、
１フレーム期間は複数の点灯期間を有し、
前記複数の点灯期間それぞれにおいて、
前記ソースドライバは、デジタル信号を前記画素に複数回供給し、且つ前記点灯期間の最後に前記画素に供給するデジタル信号を前記画素が非発光となるような値とし、
前記ゲートドライバは前記画素を複数回走査し、
前記バックライトユニットは前記点灯期間ごとに光の波長を変えることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
マトリクス状に配置された複数の画素と、
ソースドライバと、
ゲートドライバと、
バックライトユニットと、を有し、
１フレーム期間は複数の点灯期間を有し、
前記複数の点灯期間それぞれにおいて、
前記ソースドライバはデジタル信号を前記画素に複数回供給し、
前記ゲートドライバは前記画素を複数回走査し、
前記バックライトユニットは、前記点灯期間ごとに光の波長を変え、且つ前記ソースドライバが前記点灯期間の最初にデジタル信号を供給している画素には光を入射させないことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
マトリクス状に配置された複数の画素と、
ソースドライバと、
ゲートドライバと、
バックライトユニットと、を有し、
前記複数の画素のそれぞれは、液晶素子と、前記液晶素子を制御するトランジスタと、を有し、
前記トランジスタはａ−ＩｎＧａＺｎＯを有し、
１フレーム期間は複数の点灯期間を有し、
前記複数の点灯期間それぞれにおいて、
前記ソースドライバはデジタル信号を前記画素に複数回供給し、
前記ゲートドライバは前記画素を複数回走査し、
前記バックライトユニットは前記点灯期間ごとに光の波長を変えることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
マトリクス状に配置された複数の画素と、
ソースドライバと、
ゲートドライバと、
バックライトユニットと、を有し、
前記複数の画素のそれぞれは、液晶素子と、前記液晶素子を制御するトランジスタと、を有し、
前記トランジスタはａ−ＩｎＧａＺｎＯを有し、
１フレーム期間は複数の点灯期間を有し、
前記複数の点灯期間それぞれにおいて、
前記ソースドライバはデジタル信号を前記画素に複数回供給し、
前記ゲートドライバは前記画素を複数回走査し、
前記バックライトユニットは、前記点灯期間ごとに光の波長を変え、且つ前記ゲートドライバが前記画素を走査しているときには点灯せず、前記ゲートドライバが前記画素を走査していないときに点灯することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
マトリクス状に配置された複数の画素と、
ソースドライバと、
ゲートドライバと、
バックライトユニットと、を有し、
前記複数の画素のそれぞれは、液晶素子と、前記液晶素子を制御するトランジスタと、を有し、
前記トランジスタはａ−ＩｎＧａＺｎＯを有し、
１フレーム期間は複数の点灯期間を有し、
前記複数の点灯期間それぞれにおいて、
前記ソースドライバは、デジタル信号を前記画素に複数回供給し、且つ前記点灯期間の最後に前記画素に供給するデジタル信号を前記画素が非発光となるような値とし、
前記ゲートドライバは前記画素を複数回走査し、
前記バックライトユニットは前記点灯期間ごとに光の波長を変えることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
マトリクス状に配置された複数の画素と、
ソースドライバと、
ゲートドライバと、
バックライトユニットと、を有し、
前記複数の画素のそれぞれは、液晶素子と、前記液晶素子を制御するトランジスタと、を有し、
前記トランジスタはａ−ＩｎＧａＺｎＯを有し、
１フレーム期間は複数の点灯期間を有し、
前記複数の点灯期間それぞれにおいて、
前記ソースドライバはデジタル信号を前記画素に複数回供給し、
前記ゲートドライバは前記画素を複数回走査し、
前記バックライトユニットは、前記点灯期間ごとに光の波長を変え、且つ前記ソースドライバが前記点灯期間の最初にデジタル信号を供給している画素には光を入射させないことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記バックライトユニットはＬＥＤを有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記ＬＥＤを用いてフィールドシーケンシャル駆動を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記デジタル信号は３値を持つ信号であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記バックライトユニットは、複数の赤色発光ダイオードと、複数の緑色発光ダイオードと、複数の青色発光ダイオードと、を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記複数の画素のそれぞれは、反射領域と、透過領域と、を有し、
前記反射領域にはカラーフィルタが設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項に記載の液晶表示装置を用いた電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月21日(2010.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置及び表示装置の駆動方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子が設けられた画素を複数有する表示装置の駆動方法であって、
前記複数の画素は、それぞれｍ個（ｍはｍ≧２の整数）のサブ画素を有し、
１フレームをｎ個（ｎはｎ≧２の整数）のサブフレームに分割し、
前記ｎ個のサブフレームにおいて、（ｐ＋１）番目（１≦ｐ≦ｎ−１）のサブフレームの長さは、ｐ番目のサブフレームの長さの２ｍ倍であり、
前記ｎ個のサブフレームのうちいずれかのサブフレームを、さらに複数のサブフレームに分割して、前記ｎ個のサブフレームをｔ個（ｔ＞ｎ）のサブフレームにし、
前記ｔ個のサブフレームのうちいずれかのサブフレームは、ある階調を境に、当該階調より高い階調を表現する際は常に点灯することを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記ｍ個のサブ画素の面積は互いに異なることを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記ｎ個のサブフレームのうち最長のサブフレームを分割することで、前記ｔ個のサブフレームにすることを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記ｎ個のサブフレームのうちいずれかのサブフレームを、さらに互いに等しい長さの複数のサブフレームに分割して、前記ｔ個のサブフレームにすることを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記ｔ個のサブフレームは、各サブフレームの長さの昇順に配置されていることを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記ｔ個のサブフレームは、各サブフレームの長さの降順に配置されていることを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
低階調領域については、輝度を階調に対して線形に変化させ、
前記低階調領域以外の階調領域については、輝度を階調に対して非線形に変化させることを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項８】
ｍ個（ｍはｍ≧２の整数）のサブ画素を有する画素を複数有し、
前記ｍ個のサブ画素はそれぞれ、発光素子と、信号線と、走査線と、第１の電源線と、第２の電源線と、選択トランジスタと、駆動トランジスタとを有し、
前記選択トランジスタは、第１の電極が前記信号線と電気的に接続され、第２の電極が前記駆動トランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記駆動トランジスタは、第１の電極が前記第１の電源線と電気的に接続され、
前記発光素子は、第１の電極が前記駆動トランジスタの第２の電極と電気的に接続され、第２の電極が前記第２の電源線に接続され、
１フレームをｎ個（ｎはｎ≧２の整数）のサブフレームに分割し、
前記ｎ個のサブフレームにおいて、（ｐ＋１）番目（１≦ｐ≦ｎ−１）のサブフレームの長さは、ｐ番目のサブフレームの長さの２ｍ倍であり、
前記ｎ個のサブフレームのうちいずれかのサブフレームを、さらに複数のサブフレームに分割して、前記ｎ個のサブフレームをｔ個（ｔ＞ｎ）のサブフレームにし、
前記ｔ個のサブフレームのうちいずれかのサブフレームは、ある階調を境に、当該階調より高い階調を表現する際は常に点灯することを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記ｍ個のサブ画素間で、前記信号線が共有されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項８において、
前記ｍ個のサブ画素のいずれか２個のサブ画素間では前記信号線が共有されることを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項８において、
前記ｍ個のサブ画素間で、前記走査線が共有されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項８において、
前記ｍ個のサブ画素のいずれか２個のサブ画素間では前記走査線が共有されることを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
請求項８、請求項９または請求項１１において、
前記ｍ個のサブ画素間で、前記第１の電源線が共有されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
請求項８、請求項９または請求項１１において、
前記ｍ個のサブ画素のいずれか２個のサブ画素間では前記第１の電源線が共有されることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月7日(2010.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外光の反射を低減する機能を有する光干渉層と、複数の着色層と、二色性を持つ第１の偏光素子とが絶縁表面上の一方の面に順に積層形成された第１の基板と、
前記第１の基板の一方の面と対向するように配置され、画素電極及び薄膜トランジスタが一方の面に形成されているとともに、他方の面に二色性を持つ第２の偏向素子が形成されている第２の基板と、
前記第１の基板及び前記第２の基板の一方の面どうしの間に形成されている液晶層と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記画素電極と前記液晶層の間に設けられた第１の配向膜と、
前記二色性を持つ第１の偏光素子と前記液晶層の間に設けられた第２の配向膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記二色性を持つ第１の偏光素子と前記第２の配向膜の間に対向電極を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
外光の反射を低減する機能を有する光干渉層と、複数の着色層と、二色性を持つ第１の偏光素子とが絶縁表面上の一方の面に順に積層形成された第１の基板と、
前記第１の基板の一方の面と対向するように配置され、画素電極、共通電極、及び薄膜トランジスタが一方の面に形成されているとともに、他方の面に二色性を持つ第２の偏向素子が形成されている第２の基板と、
前記第１の基板及び前記第２の基板の一方の面どうしの間に形成されている液晶層と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記複数の着色層のうち、互いに異なる着色層の間には遮光層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記光干渉層は、反射防止膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記光干渉層の材料は、ＭｇＦ2 、ＳｉＯ2 、ＣｅＦ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＮｘ、ＩＴＯ、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 のうちの少なくとも一つであることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月12日(2010.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１フレーム期間を複数のサブフレーム期間に分割して階調を表現する表示装置であって、
前記１フレーム期間は、少なくとも第１のサブフレーム期間と、第２のサブフレーム期間とに分割され、
最大の階調を表示するときの前記第１のサブフレーム期間における第１の輝度をＬｍａｘ１とし、最大の階調を表示するときの前記第２のサブフレーム期間における第２の輝度をＬｍａｘ２としたとき、前記１フレーム期間において、（１／２）Ｌｍａｘ２＜Ｌｍａｘ１＜（９／１０）Ｌｍａｘ２を満たすことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
１フレーム期間を複数のサブフレーム期間に分割して階調を表現する表示装置であって、
前記１フレーム期間は、少なくとも第１のサブフレーム期間と、第２のサブフレーム期間とに分割され、
最大の階調を表示するときの前記第１のサブフレーム期間における第１の輝度をＬｍａｘ１とし、最大の階調を表示するときの前記第２のサブフレーム期間における第２の輝度をＬｍａｘ２としたとき、前記１フレーム期間において、（１／２）Ｌｍａｘ１＜Ｌｍａｘ２＜（９／１０）Ｌｍａｘ１を満たすことを特徴とする表示装置。
【請求項３】
１フレーム期間を複数のサブフレーム期間に分割して階調を表現する表示装置であって、
前記１フレーム期間は、少なくとも第１のサブフレーム期間と、第２のサブフレーム期間とに分割され、表示できる階調は、分割されたｎ個（ｎは２以上の整数）の階調領域で構成され、
前記階調領域のそれぞれが、前記第１のサブフレーム期間と、前記第２のサブフレーム期間のいずれか一方において、階調変化に対する輝度変化が一定、又は前記第１のサブフレーム期間における第１の輝度と、前記第２のサブフレーム期間における第２の輝度との比が、階調に対して一定であることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記１フレーム期間は、少なくとも第１のサブフレーム期間と、第２のサブフレーム期間と、第３のサブフレーム期間とに分割され、
前記第３のサブフレーム期間における最大の輝度をＬｍａｘ３としたとき、Ｌｍａｘ３は、前記第１のサブフレーム期間の最大輝度および第２のサブフレーム期間の最大輝度の１０分の１以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の表示装置において、
オーバードライブ回路を有することを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の表示装置において、
輝度を変化させて走査するバックライトユニットを有することを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の表示装置において、
前記第１の輝度及び前記第２の輝度を制御するコモン線を有することを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の表示装置において、
電流で駆動される表示素子を有することを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の表示装置において、
ＴＮ方式の液晶を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の表示装置において、
ＭＶＡ方式の液晶を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の表示装置において、
ＰＶＡ方式の液晶を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の表示装置において、
ＩＰＳ方式の液晶を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の表示装置において、
ＦＦＳ方式の液晶を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項に記載の表示装置が用いられることを特徴とする電子機器。
【請求項１５】
複数の表示素子を並置して画像を表示する表示装置の駆動方法であって、
１フレーム期間は、第１のサブフレーム期間と、第２のサブフレーム期間と、に分割され、
最大の階調を表示するときの前記第１のサブフレーム期間における第１の輝度をＬｍａｘ１とし、最大の階調を表示するときの前記第２のサブフレーム期間における第２の輝度をＬｍａｘ２としたとき、前記１フレーム期間において、（１／２）Ｌｍａｘ２＜Ｌｍａｘ１＜（９／１０）Ｌｍａｘ２が成り立つことを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項１６】
複数の表示素子を並置して画像を表示する表示装置の駆動方法であって、
１フレーム期間は、第１のサブフレーム期間と、第２のサブフレーム期間と、に分割され、
最大の階調を表示するときの前記第１のサブフレーム期間における第１の輝度をＬｍａｘ１とし、最大の階調を表示するときの前記第２のサブフレーム期間における第２の輝度をＬｍａｘ２としたとき、前記１フレーム期間において、（１／２）Ｌｍａｘ１＜Ｌｍａｘ２＜（９／１０）Ｌｍａｘ１が成り立つことを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項１７】
複数の表示素子を並置して画像を表示する表示装置の駆動方法であって、
１フレーム期間は、第１のサブフレーム期間と、第２のサブフレーム期間と、に分割され、
表示できる階調は、分割されたｎ個（ｎは２以上の整数）の階調領域で構成され、
前記ｎ個に分割された階調領域のそれぞれが、前記第１のサブフレーム期間と、前記第２のサブフレーム期間のいずれか一方において、階調変化に対する輝度変化が一定、又は、前記第１のサブフレーム期間における第１の輝度と、前記第２のサブフレーム期間における第２の輝度との比が、階調に対して一定であることを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項１８】
請求項１５乃至請求項１７のいずれか一項に記載の表示装置の駆動方法において、
１フレーム期間は、第１のサブフレーム期間と、第２のサブフレーム期間と、第３のサブフレーム期間と、に分割され、
前記第３のサブフレーム期間における最大の第３の輝度をＬｍａｘ３としたとき、Ｌｍａｘ３は、第１のサブフレーム期間の最大輝度および第２のサブフレーム期間の最大輝度の１０分の１以下であることを特徴とする表示装置の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月20日(2010.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報を示す電気信号を保持するキャパシタと、当該キャパシタに保持された情報に応じた駆動電流を出力する駆動トランジスタと、当該駆動トランジスタから出力された電流に応じた輝度で発光する発光素子と、当該発光素子の発光または非発光を選択制御するスイッチ素子とを備え、前記キャパシタの一端が前記駆動トランジスタの制御端子に接続される画素回路が複数配置された表示部と、前記画素回路の行毎に設けられた走査線と、前記画素回路の列毎に設けられた情報線と、を備えるアクティブマトリクス型の表示装置において、前記発光素子の発光期間が前記表示部の中心領域から周辺領域に向かって減少するように前記スイッチ素子を制御する制御手段を備えることを特徴とするアクティブマトリクス型の表示装置。
【請求項２】
前記画素回路の各々の前記スイッチ素子は、行毎に同一の発光期間制御用信号線に接続されていて、
前記発光期間制御用信号線に接続される前記スイッチ素子の導通期間は、前記表示部の中心領域の行から周辺領域の行に向かって減少することを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス型の表示装置。
【請求項３】
前記スイッチ素子は、前記駆動トランジスタと前記発光素子との間に設けられていることを特徴とする請求項２に記載のアクティブマトリクス型の表示装置。
【請求項４】
前記スイッチ素子が二つあり、
当該スイッチ素子の一方は、前記走査線と平行に配置された発光期間制御用信号線に接続されており、他方の前記スイッチ素子は、前記情報線と平行に配置された発光期間制御用信号線に接続されていることを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス型の表示装置。
【請求項５】
前記二つのスイッチ素子は、前記駆動トランジスタと前記発光素子との間に設けられ、
前記走査線と平行に配置された発光期間制御用信号線に接続される前記スイッチ素子の導通期間は、前記表示部の中心領域の行から周辺領域の行に向かって減少し、
前記情報線と平行に配置された発光期間制御用信号線に接続される前記スイッチ素子の導通期間は、前記表示部の中心領域の列から周辺領域の列に向かって減少することを特徴とする請求項４記載のアクティブマトリクス型の表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明は、上記課題を解決するための手段として、情報を示す電気信号を保持するキャパシタと、当該キャパシタに保持された情報に応じた駆動電流を出力する駆動トランジスタと、当該駆動トランジスタから出力された電流に応じた輝度で発光する発光素子と、当該発光素子の発光または非発光を選択制御するスイッチ素子とを備え、前記キャパシタの一端が前記駆動トランジスタの制御端子に接続される画素回路が複数配置された表示部と、前記画素回路の行毎に設けられた走査線と、前記画素回路の列毎に設けられた情報線と、を備えるアクティブマトリクス型の表示装置において、前記発光素子の発光期間が前記表示部の中心領域から周辺領域に向かって減少するように前記スイッチ素子を制御する制御手段を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、本発明は、二つのスイッチ素子を有しており、前記駆動トランジスタと前記発光素子との間に接続され、前記走査線と平行に配置された発光期間制御用信号線に接続される前記スイッチ素子の導通期間は、前記表示部の中心領域の行から周辺領域の行に向かって減少し、前記情報線と平行に配置された発光期間制御用信号線に接続される前記スイッチ素子の導通期間は、前記表示部の中心領域の列から周辺領域の列に向かって減少することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
垂直発光期間制御信号線は、実施形態１同様に中央の行で最も見た目の輝度が高くなるように、Ｔ１≦・・≦Ｔｐ≧・・≧Ｔｍとなる制御を行なう。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０７】
ここで、１列目でのＰ１４のＨＩ／ＬＯＷ比をＫｌ＝ＬＯＷ／ＨＩとおくと、Ｋｌは、Ｋ１≦・・≦Ｋｑ≧・・≧Ｋｎとなるように制御する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月4日(2010.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体と、
前記記録媒体の複数の論理空間ごとに、予備領域が使用されている割合を前記論理空間の寿命情報として算出する算出手段と
を含む記録装置。
【請求項２】
前記記録装置が接続されている電子機器からの要求に応じて、前記寿命情報を前記電子機器に送信する送信手段を
さらに含む請求項１に記載の記録装置。
【請求項３】
前記送信手段は、前記寿命情報とともに、前記寿命情報の算出に使用した値に関する情報を送信する
請求項２に記載の記録装置。
【請求項４】
前記算出手段は、前記記録装置が接続されている電子機器からの要求に応じて、前記寿命情報を算出する
請求項１に記載の記録装置。
【請求項５】
前記算出手段は、前記記録媒体への書込み系の処理が行われたとき、前記寿命情報を算出する
請求項１に記載の記録装置。
【請求項６】
前記算出手段により算出された前記寿命情報を前記記録媒体の所定の領域に記録する記録制御手段を
さらに含む請求項１に記載の記録装置。
【請求項７】
前記算出手段は、前記複数の論理空間ごとに、前記記録媒体に記録されているデータを消去する単位である各消去ブロックの最大消去回数のうち現在までにデータを消去した回数の割合を、さらに前記寿命情報として算出する
請求項１に記載の記録装置。
【請求項８】
記録媒体を有する記録装置が、
前記記録媒体の複数の論理空間ごとに、予備領域が使用されている割合を前記論理空間の寿命情報として算出する
ステップを含む寿命情報算出方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一側面の記録装置は、記録媒体と、前記記録媒体の複数の論理空間ごとに、予備領域が使用されている割合を前記論理空間の寿命情報として算出する算出手段とを含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
前記記録装置が接続されている電子機器からの要求に応じて、前記寿命情報を前記電子機器に送信する送信手段をさらに設けることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記送信手段には、前記寿命情報とともに、前記寿命情報の算出に使用した値に関する情報を送信させることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前記算出手段には、前記記録装置が接続されている電子機器からの要求に応じて、前記寿命情報を算出させることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記算出手段には、前記記録媒体への書込み系の処理が行われたとき、前記寿命情報を算出させることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
前記算出手段により算出された前記寿命情報を前記記録媒体の所定の領域に記録する記録制御手段をさらに設けることができる。
前記算出手段には、前記複数の論理空間ごとに、前記記録媒体に記録されているデータを消去する単位である各消去ブロックの最大消去回数のうち現在までにデータを消去した回数の割合を、さらに前記寿命情報として算出させることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の一側面の寿命情報算出方法は、記録媒体を有する記録装置が、前記記録媒体の複数の論理空間ごとに、予備領域が使用されている割合を前記論理空間の寿命情報として算出するステップを含む。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の一側面においては、記録媒体の複数の論理空間ごとに、予備領域が使用されている割合が前記論理空間の寿命情報として算出される。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の一側面の記録装置（例えば、図１の記録メディア１）は、記録媒体（例えば、図１のメモリ１２）と、前記記録媒体の複数の論理空間ごとに、予備領域が使用されている割合を前記論理空間の寿命情報として算出する算出手段（例えば、図３の寿命情報算出部５３）とを含む。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の一側面の記録装置は、前記記録装置が接続されている電子機器（例えば、ホスト機器２）からの要求に応じて、前記寿命情報を前記電子機器に送信する送信手段（例えば、図３の通信制御部５１）をさらに含む。
本発明の一側面の記録装置は、前記算出手段により算出された前記寿命情報を前記記録媒体の所定の領域に記録する記録制御手段（例えば、図３のアクセス制御部５２）をさらに含む。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の一側面の寿命算出方法は、記録媒体（例えば、図１のメモリ１２）を有する記録装置（例えば、図１の記録メディア１）が、前記記録媒体の複数の論理空間ごとに、予備領域が使用されている割合を前記論理空間の寿命情報として算出する（例えば、図５のステップＳ２５、図９のステップＳ１０３、または、図１１のステップＳ１４３）ステップを含む。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月11日(2010.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンテナ回路と、電源供給回路と、信号制御回路と、ブースターアンテナとを有し、
前記電源供給回路は、前記アンテナ回路からの信号を整流化する整流回路と、制御回路と、前記整流化された信号により充電されるバッテリーと、スイッチ回路と、低周波信号発生回路と、電源回路を有し、
前記アンテナ回路はブースターアンテナを介して外部からの信号を受信するものであり、
前記制御回路は、
前記整流回路からの電力と、前記バッテリーからの電力とを比較して、前記スイッチ回路に供給する電力を選択する回路であり、
前記整流回路からの電力が前記バッテリーからの電力より小さいときは、前記バッテリーと前記スイッチ回路とを接続し、前記バッテリーからの電力が前記整流回路からの電力より小さいときは、前記バッテリーと前記スイッチ回路とを接続しない回路であり、
前記スイッチ回路は、前記低周波信号発生回路からの信号により、前記制御回路を介して前記電源回路に供給される電力を制御することで、前記信号制御回路への電力の供給を制御する回路であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記バッテリーは、リチウム電池、ニッケル水素電池、ニカド電池、有機ラジカル電池又はキャパシタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、前記バッテリーは、負極活物質層と、前記負極活物質層上の固体電解質層と、前記固体電解質層上の正極活物質層と、前記正極活物質層上の集電体薄膜とで構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記アンテナ回路は、前記バッテリーを充電するための信号を受信するための第１のアンテナ回路と、前記信号制御回路に入出力される信号を送受信するための第２のアンテナ回路で構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、前記第１のアンテナ回路は、複数のアンテナ回路により構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４または５において、前記第１のアンテナ回路及び前記第２のアンテナ回路のいずれか一は、電磁誘導方式により信号を受信することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記低周波信号発生回路は、生成されるクロック信号を分周することにより、前記スイッチ回路に出力する信号を生成する回路であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記信号制御回路は、増幅回路、変調回路、復調回路、論理回路、及びメモリコントロール回路を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の半導体装置を備えたことを特徴とするＩＣラベル、ＩＣタグ、またはＩＣカード。