(57)【要約】【課題】  バイアス磁界発生源を設けることなく機能することのできる磁歪素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】  一般式：ＴｂxＤｙ1-xＦｅy（ただし、ｘ及びｙは原子比を表し、０．３４≦ｘ≦１．００、１．５０≦ｙ≦２．３０）で表される組成を有する原料金属粉末を磁界中で所定形状に成形する成形工程と、成形工程で得られた成形体を焼結する焼結工程と、焼結工程で得られた焼結体に着磁処理を施す着磁工程とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式：ＴｂxＤｙ1-xＦｅy（ただし、ｘ及びｙは原子比を表し、０．３４≦ｘ≦１．
００、１．５０≦ｙ≦２．３０）で表される組成を有する焼結体から構成され、６０Ｏｅ以上の保磁力（Ｈｃ）を有することを特徴とする磁歪素子。
【請求項２】
ｘが０．４０≦ｘ≦１．００であり、１００Ｏｅ以上の保磁力（Ｈｃ）を有することを特徴とする請求項１に記載の磁歪素子。
【請求項３】
一般式：ＴｂxＤｙ1-xＦｅy（ただし、ｘ及びｙは原子比を表し、０．３４≦ｘ≦１．
００、１．５０≦ｙ≦２．３０）で表される組成を有する原料金属粉末を磁界中で所定形状に成形する成形工程と、
前記成形工程で得られた成形体を焼結する焼結工程と、
前記焼結工程で得られた焼結体に着磁処理を施す着磁工程と、
を備えることを特徴とする磁歪素子の製造方法。
【請求項４】
前記着磁処理は、磁化容易軸の方向の着磁であることを特徴とする請求項３に記載の磁歪素子の製造方法。
【請求項５】
一般式：ＴｂxＤｙ1-xＦｅy（ただし、ｘ及びｙは原子比を表し、０．３４≦ｘ≦１．
００、１．５０≦ｙ≦２．３０）で表される組成を有する焼結体から構成され、６０Ｏｅ以上の保磁力（Ｈｃ）を有する磁歪素子と、
前記磁歪素子を駆動させるための磁界を発生するか又は前記磁歪素子に加わった外力に基づく前記磁歪素子の透磁率の変化を検知するコイルと、
を備えることを特徴とするデバイス。
【請求項６】
前記磁歪素子が振動子として用いられる場合には、その振動子は所定の磁界中で着磁処理されることにより６０Ｏｅ以上の保磁力（Ｈｃ）を有し、かつ前記着磁処理で印加された磁界以下の交流磁界で駆動されることを特徴とする請求項５に記載のデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁歪素子に関し、特に磁歪振動子として用いられる場合にバイアス磁界を印加するための要素を省くことのできる磁歪素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
強磁性体を磁化したときに、磁性体の寸法が変化する現象を磁歪といい、このような現象を生ずる材料を磁歪材料という。磁歪による飽和変化量である飽和磁歪定数は、一般には１０-5〜１０-6の値を有し、大きな飽和磁歪定数を有する磁歪材料は超磁歪材料とも呼ばれ、振動子、フィルター、センサ等に広く利用されている。現在、Ｒ（希土類元素）とＦｅの化合物であるＲＦｅ2ラーベス型金属間化合物を主体とする磁歪材料が飽和磁歪定
数の大きな材料として知られている（例えば、米国特許第３９４９３５１号（特許文献１）、同４１５２１７８号（特許文献２）、同４３０８４７４号（特許文献３）、同４３７５３７２号（特許文献４））。しかしこれら材料において、印加される外部磁界が大きいときには磁歪値が大きいが、外部磁界が小さいときには磁歪値が十分ではないという問題を有していた。そこで、ＲＦｅ2ラーベス型金属間化合物を主体とする磁歪材料において
、低外部磁界でも磁歪値を大きくする検討が行われ、磁化容易軸であって、磁歪定数の大きい［１１１］軸方向に配向させることが提案されている。また、ＲＦｅ2ラーベス型金
属間化合物を主体とする材料としては、Ｔｂ0.3Ｄｙ0.7Ｆｅ2.0（原子比）の組成を有す
る場合に磁歪値が大きいため、専らこの組成が採用されていた。
【０００３】
【特許文献１】米国特許第３９４９３５１号
【特許文献２】米国特許第４１５２１７８号
【特許文献３】米国特許第４３０８４７４号
【特許文献４】米国特許第４３７５３７２号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、超磁歪材料を振動子に用いこれを駆動する形態のアクチュエータにおいては、振動子にバイアス磁界を印加する必要があった。そのため、バイアス磁界発生源として電磁コイルあるいは永久磁石を設けていた。バイアス磁界は、アクチュエータに限らず、磁歪素子を用いたセンサについても同様に必要であった。したがって、磁歪素子を含むデバイスの小型化を望む場合、バイアス磁界発生源がその妨げとなっていた。
本発明は、このような技術的課題に基づいてなされたもので、バイアス磁界発生源を設けることなく機能することのできる磁歪素子及びその製造方法を提供することを目的とする。また本発明は、そのような磁歪素子を用いたデバイスの提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
超磁歪材料自身が永久磁石としての機能を有することができれば、バイアス磁界発生源を省くことができる。ところが、従来用いられているＴｂ0.3Ｄｙ0.7Ｆｅ2.0の組成の超
磁歪材料は、磁気異方性が小さく、保磁力（Ｈｃ）が小さい。ところが、ＴｂxＤｙ(1-x)Ｆｅ2.0の組成の範囲でｘ、つまりＴｂの比を多くすると磁気異方性が大きくなり、この
材料を着磁することにより永久磁石としての機能を備えることを本発明者等は見出した。
したがって本発明は、一般式：ＴｂxＤｙ1-xＦｅy（ただし、ｘ及びｙは原子比を表し
、０．３４≦ｘ≦１．００、１．５０≦ｙ≦２．３０、以下、式（１）ということがある）で表される組成を有する焼結体から構成され、６０Ｏｅ以上の保磁力（Ｈｃ）を有することを特徴とする磁歪素子を提供する。
本発明において、一般式のｘが０．４０≦ｘ≦１．００であり、１００Ｏｅ以上の保磁
力（Ｈｃ）を有することが望ましい。
【０００６】
以上の磁歪素子は、一般式：ＴｂxＤｙ1-xＦｅy（ただし、ｘ及びｙは原子比を表し、
０．３４≦ｘ≦１．００、１．５０≦ｙ≦２．３０）で表される組成を有する原料金属粉末を磁界中で所定形状に成形する成形工程と、成形工程で得られた成形体を焼結する焼結工程と、焼結工程で得られた焼結体に着磁処理を施す着磁工程と、を備えることを特徴とする磁歪素子の製造方法により製造することができる。
本発明の磁歪素子の製造方法において、着磁処理は、磁化容易軸の方向の着磁であることが望ましい。
【０００７】
本発明はまた、一般式：ＴｂxＤｙ1-xＦｅy（ただし、ｘ及びｙは原子比を表し、０．
３４≦ｘ≦１．００、１．５０≦ｙ≦２．３０）で表される組成を有する焼結体から構成され、６０Ｏｅ以上の保磁力（Ｈｃ）を有する磁歪素子と、磁歪素子を駆動させるための磁界を発生するか又は磁歪素子に加わった外力に基づく磁歪素子の透磁率の変化を検知するコイルとを備えることを特徴とするデバイスを提供する。このデバイスは、磁歪素子が永久磁石としての機能を有するため、バイアス磁界用の永久磁石その他の要素を省くことができる。
本発明のデバイスは、磁歪素子が振動子として用いられる場合には、その振動子は所定の磁界中で着磁処理されることにより６０Ｏｅ以上の保磁力（Ｈｃ）を有し、かつ着磁処理で印加された磁界以下の交流磁界で駆動されることになる。
【発明の効果】
【０００８】
以上説明したように、本発明によれば、磁歪素子自体が所定の保磁力（Ｈｃ）を備えるために永久磁石としての機能を発揮し、したがって従来必要とされていたバイアス磁界発生源を省くことができる。この磁歪素子を用いたデバイスは、部品点数を削減することができ、ひいては装置の小型化を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の磁歪素子は、その組成がＴｂxＤｙ1-xＦｅyで表される。
ここで、ｘ及びｙは原子比を表し、０．３４≦ｘ≦１．００、１．５０≦ｙ≦２．３０である。
ｘが０．３４未満では磁歪素子に永久磁石としての特性を付与することができない。ｘの値が大きくなるにつれて保磁力（Ｈｃ）が増大する傾向を示しているため、永久磁石としての特性を考慮する場合には、ｘは０．４０以上、あるいは０．６０以上とすることが望ましい。しかし、一方でｘの値が大きくなると低い磁界での磁歪値が得にくくなるため、ｘを定める場合には、この点をも考慮する必要がある。永久磁石としての機能及び磁歪値のバランスをとるという観点では、ｘは０．４０〜０．９０、さらには０．５０〜０．８０の範囲とすることが望ましい。なお、ｘをこの範囲に設定すると材料の磁化容易軸が［１１１］になる。
【００１０】
次に、上記式においてｙ＝２のときに形成されるＲＦｅ2ラーベス型金属間化合物は、
キュリー温度が高く、磁歪量が大きいため、磁歪素子に適する。そこで、ＲＦｅ2を主相
とする合金を形成させるために、ｙを上記範囲とする。ここで、ｙが１．５０未満の組成ではＲを主成分とする相が多くなり大幅に磁歪量を低下させ、ｙが２．３０を超える組成では、ＲＦｅ3相等のＦｅリッチの相が多くなり、磁歪量を低下させるため好ましくない
。望ましいｙは１．７０〜２．２０、さらに望ましいｙは１．９０〜２．１０である。
なお、本発明の磁歪素子は、Ｔｂ、Ｄｙ及びＦｅを基本的な構成元素とするが、Ｆｅの一部をＣｏ及び／又はＮｉで置換することができるとともに、Ｔｂ、Ｄｙと合金を形成する遷移金属を含有させることもできる。この遷移金属としては、具体的にはＭｎ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗを挙げることができる。
【００１１】
従来の磁歪素子は、所定の仕様を有する原料合金粉末を磁界中で成形した後に、所定条件の焼結により得られた焼結体に所定の機械加工を施して使用されていた。これに対して本発明は、得られた焼結体に対して着磁処理を施す。この着磁処理によって本発明の磁歪素子は永久磁石としての機能を備えることになる。本発明による磁歪素子は、ｘの値により保磁力（Ｈｃ）を７０Ｏｅ（５．６ｋＡ／ｍ）以上、さらには１５０Ｏｅ（１２ｋＡ／ｍ）以上とすることができる。このような保磁力（Ｈｃ）を有する本発明の磁歪素子は、アクチュエータ、センサ等のデバイスに必要であったバイアス磁界発生源を省くことができる。
【００１２】
次に本発明の磁歪素子を得るのに好適な製造方法について説明する。
本発明の磁歪素子は、粉末冶金法により以下のようにして製造することができる。ここで図１は、本実施の形態による磁歪素子の製造方法の工程概要を示す図である。本実施の形態による磁歪素子の製造方法は、原料Ａ、原料Ｂ及び原料Ｃと三種類の異なる原料粉末を用いる。
原料Ａとして（Ｔｂx1Ｄｙ1-x1）Ｆｅy1（以下、式（２）ということがある）で表される組成の原料を用いる。ここで、Ｆｅは、Ｔｂ、Ｄｙと磁歪特性の高い（Ｔｂ、Ｄｙ）Ｆｅ2金属間化合物を形成するからである。このときに、Ｆｅの一部をＣｏ、Ｎｉで置換す
るものであってもよいが、Ｃｏは磁気異方性を大きくするが透磁率を低くし、また、Ｎｉはキュリー温度を下げ、結果として常温・高磁界での磁歪値を低下させる。したがって、Ｆｅの一部をＣｏ、Ｎｉで置換する場合には、Ｆｅは７０ｗｔ％以上、一層好ましくは８０ｗｔ％以上含有させるのが良い。
また、上記式（２）中のｘ１、ｙ１は原子比を表し、０．３５＜ｘ１≦０．５０、１．５０≦ｙ１≦２．３０とすればよい。磁歪素子の磁歪特性をさらに高めるためには、磁歪の大きい方向の結晶軸を配向させて異方性を付与することが有効である。しかしながら、ｘ１が小さいと、原料Ａに含まれるＴｂが少ないため［１１１］軸方向の配向が困難になる。また、ｘ１が０．５を超えると、後述する原料Ｃの混合比率を高くする必要があるため、原料Ａの比率が低くなってしまい、焼結後の［１１１］軸方向の配向度が低くなる。従って、ｘ１は上記範囲とする。また、ｙが１．５０未満では、原料Ｃの混合比率を高くする必要が生じ、原料Ａの比率が低くなるため、焼結後の［１１１］軸方向の配向度が低くなってしまう。ｙが大きいと（Ｔｂ、Ｄｙ）Ｆｅ3等のＦｅリッチの相が多くなり、こ
のため、磁界中成形による配向度が低くなり、それにつれて焼結後の磁歪素子の配向度も低くなる。
【００１３】
原料Ｂとして、ＤｙtＦｅ1-t（以下、式（３）ということがある）で表される原料を用いる。上記式（３）中のｔは原子比を表し、０．３７≦ｔ≦１．００の範囲とすることが望まれる。ＤｙとＦｅは共晶点を有するので、ｔがこの範囲以外の組成では、原料Ａと原料Ｃとの混合において、共晶組成であるＲ2Ｆｅが少なくなり、焼結密度を高くすること
が難しくなる。
原料Ｂは、図１に示すように水素吸蔵処理を行うことが好ましい。Ｄｙ等の希土類金属は酸化されやすいために、わずかな酸素があっても酸化被膜を形成する。そこで、過剰な酸化を抑える目的で、原料Ｂに水素を吸蔵させて原料Ｂを酸化されにくくする。また、原料Ｂに水素を吸蔵させることにより、水素化物を形成するか又は水素原子が結晶内に侵入するなどして結晶に歪みが生ずる。このために、原料Ａと原料Ｃと混合し、成形体を形成する際の圧力により、原料Ｂ粒子の破壊・粉砕が進んで粒子が微細化される。そのために、原料Ｂは原料Ａの間に入り込むことで、その後の焼結によって密度の高い焼結体を形成することができる。
また、本実施の形態による磁歪素子の製造方法は、Ｆｅを含む原料Ｃを原料Ａ、Ｂとともに添加される。
【００１４】
前記原料Ａ、Ｂ、Ｃとの混合の割合は、式（１）で表される組成になるように適宜決定することができる。式（１）の組成に対して、原料Ａは５０ｗｔ％以上で１００ｗｔ％未満、一層好ましくは６０ｗｔ％以上で９５ｗｔ％以下が良い。原料Ａが少ないと、磁界中成形で配向するものが少なく、焼結して得られる磁歪素子の配向度が低くなる。また、原料Ａが多いと、水素を含有した原料Ｂの比率が小さくなるために、密度の高い焼結体を得ることができない。磁歪素子に対して、原料Ｂは４０ｗｔ％以下で、一層好ましくは５ｗｔ％以上で３０ｗｔ％以下が良い。原料Ｂが少ないと、前述のように密度の高い焼結体を得ることができない。また、原料Ｂが多いと、原料Ａの比率が小さくなるため、配向度が上がらない。また、原料Ｃは、式（１）のＦｅの原子比ｙに相当するように、原料Ａ、Ｂの割合を考慮して添加量を決定する。
【００１５】
以上の原料Ａ、Ｂ、Ｃは、図１に示すように、秤量してから混合し、粉砕処理される。各原料の平均粒径は、１〜１００μｍ、一層好ましくは５〜２０μｍが良い。平均粒径が小さいと製造中に各原料の過剰な酸化を招く。平均粒径が大きいと焼結が進みにくく、焼結密度が高くならない。粉砕処理には、湿式ボールミル、アトライタ、アトマイザー等の粉砕機を適宜選択して用いることができる。この中で、特に、アトマイザーが好ましい。その理由は、衝撃と剪断を同時にかけることができ、粉体の凝集を防ぎ、かつ装置への付着粉が少ないことにより生産性が高いからである。粉砕処理は、Ａｒガス等の不活性ガス雰囲気下で行うが、この不活性ガス雰囲気中に微量の空気を含有させることもできる。これにより、得られる磁歪素子の酸素含有量を調整することができる。
【００１６】
混合した後、焼結前に所望の形状に成形する。この成形は、磁界中で行うことで、原料Ａ等を一定方向に揃えて、焼結後の磁歪素子を［１１１］方向に配向させる。印加する磁界は、３００Ｏｅ（２４ｋＡ／ｍ）以上、好ましくは６００Ｏｅ（４８ｋＡ／ｍ）以上が良い。磁界の方向は、圧力の方向に垂直であっても、平行であっても良い。成形圧力は、４．９×１０4Ｐａ以上で、好ましくは２．９×１０5Ｐａ以上が良い。また、成形体の焼結条件は、特に限定されないが、１１００℃以上で、好ましくは１１５０〜１２５０℃で、１〜３０時間行うことがよい。焼結の雰囲気は、得られる磁歪素子の過剰な酸化を防ぐため、非酸化性雰囲気が良く、Ａｒ、窒素ガス等の不活性ガス中、又は真空中がよい。
【００１７】
焼結により得られた焼結体に対して、図１に示すように、着磁処理を施す。着磁処理は、永久磁石に対して施される公知の方法を踏襲すればよい。したがって、静磁界による着磁、パルス磁界による着磁のいずれをも用いることができる。着磁の磁界強度は、３ｋＯｅ（２４０ｋＡ／ｍ）以上、望ましくは１０ｋＯｅ（８００ｋＡ／ｍ）以上とする。また、着磁は磁化容易軸の方向の着磁とする。
【００１８】
本発明による磁歪素子を用いることにより、バイアス磁界発生源を省くことができる。したがって、磁歪素子を用いたアクチュエータその他のデバイスの構造を簡略化できるとともに小型・軽量化することを可能にする。その一例を図２に示す。なお、図２（ａ）は本発明によるアクチュエータ１の基本構造を、図２（ｂ）はバイアス磁界を印加するための要素を備えたアクチュエータ１０の基本構造を示す断面図であり同一の部材には同一の符号を付している。
図２（ａ）、（ｂ）に示すように、アクチュエータ１、１０は、磁歪素子から構成される振動子２と、振動子２に磁界を印加するためのコイル３とを備えている。アクチュエータ１、１０は、振動子２、コイル３を収容するケース４を備えている。従来のアクチュエータ１０は図２（ｂ）に示すように振動子２にバイアス磁界を印加するための永久磁石５を備えていたのに対して、本発明によるアクチュエータ１は図２（ａ）に示すように永久磁石５を設ける必要がない。
以上のアクチュエータ１を駆動する場合、コイル３により振動子２に印加する磁界は、振動子２が着磁された際の磁界以下の交流磁界とする。それは、交流磁界の過渡的な減衰
によって消磁され、振動子２の保磁力が低下するからである。
【００１９】
なお、ここではデバイスの例としてアクチュエータ１について説明したが、本発明のデバイスはこれに限るものではない。他に、外力を検知するセンサへ適用することもできる。このセンサは、磁歪素子の伸縮に応じた電圧を生じるように磁歪素子とコイルとが組み合わされている。この組み合わせを含むデバイスに、振動、加速度またはトルク等に起因する外力が加わると、磁歪素子の寸法が変化し、磁歪素子の透磁率が変化する。このため、磁歪素子の磁束密度が変化し、コイルと鎖交する磁束が変化し、コイルに電圧が誘起する。この誘起電圧から、加えられた外力を検知することができるのである。従来のセンサは、磁歪阻止にバイアス磁界が印加されていたが、本発明によれば、このバイアス磁界発生源を省くことができる。
【実施例１】
【００２０】
以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。
原料Ａとして、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｆｅを秤量して、Ａｒガスの不活性雰囲気中で溶融して、Ｔｂ0.4Ｄｙ0.6Ｆｅ1.93の合金を作製した。その後、この合金をアニール（Ａｒ雰囲気中、１１７０℃×２０時間保持）し、粉砕した。粉砕は、ジョークラッシャーで粗粉砕し、次に、ブラウンミルで平均粒径１００〜１５００μｍになるまで微粉砕した。
原料Ｂとして、Ｄｙ、Ｆｅを秤量して、Ａｒガスの不活性雰囲気中で溶融して、Ｄｙ2.0Ｆｅ1.0合金を作製した。この合金をジョークラッシャーで平均粒径２〜１０ｍｍになるまで粉砕した。次に、この粉砕した粒子を水素＋Ａｒガスの混合ガス雰囲気中に保持して水素吸蔵処理を行った。
原料Ｃとして、平均粒径約５μｍの還元鉄を用いた。還元鉄は、水素ガス雰囲気中約２００℃で約３０分間保持して、原料Ｃの過剰な酸化を抑える還元処理を行った。
【００２１】
次に、原料Ａ、Ｂ、ＣをＴｂxＤｙ1-xＦｅ2の組成になるように秤量した。これらを混
合し、更に粉砕機で粉砕・混合した。ここでは、粉砕機として、アトマイザー（東京アトマイザー製造（株）社製）を用い、Ａｒガス雰囲気下で、平均粒径約１５μｍになるように粉砕した。その後、これらの混合物を、１０ｋＯｅ（８０ｋＡ／ｍ）の平行方向の磁界中で、５９×１０7Ｐａの圧力で成形した。次に、成形体をＡｒ雰囲気中で焼結して、磁
歪素子を作製した。焼結条件は、５℃／ｍｉｎの昇温速度で９４０℃まで昇温して１時間保持し、成形体を一様の温度にしてから、１２３５℃まで昇温して３時間保持するというものである。
【００２２】
得られた磁歪素子を用いて磁歪値を測定した。なお、磁歪値測定のために印加した磁界は、１ｋＯｅ（８ｋＡ／ｍ）、１０ｋＯｅ（８０ｋＡ／ｍ）及び２０ｋＯｅ（１６０ｋＡ／ｍ）の３種類とした。結果を図３に示す。
図３に示すように、１０ｋＯｅ及び２０ｋＯｅといった高い磁界においてはＴｂxＤｙ1-xＦｅ2のｘが０．４を超える範囲においても磁歪値（λ）が大きな値を示すが、１ｋＯ
ｅ程度の磁界においては磁歪値（λ）ｘが０．３においてピークを示している。これが、従来、本系磁歪材料においてＴｂ0.3Ｄｙ0.7Ｆｅ2.0の組成が採用されている要因である
。
【００２３】
次に、以上で得られた磁歪素子のいくつかについて着磁を施した状態及び未着磁の状態の保磁力（Ｈｃ）を測定した。その結果を図４に示す。なお、着磁磁界は３ｋＯｅ（２４０ｋＡ／ｍ）である。図４に示すように、ＴｂxＤｙ1-xＦｅ2におけるｘの値が大きくな
るにつれて保磁力（Ｈｃ）が増大することがわかる。具体的には、ｘが０．３４の場合に７０Ｏｅ、ｘが０．６０の場合に１６０Ｏｅの保磁力（Ｈｃ）を得ることができる。そして、ｘが１．００の場合には保磁力（Ｈｃ）が３００Ｏｅに達する。このように保磁力（Ｈｃ）が発現する性質を利用して、前述の式（１）においてｘの値が０．３４以上の組成
を有する磁歪素子を着磁処理して使用することを本発明は提案するのである。
【００２４】
次に、以上で得られた磁歪素子の中でＴｂ0.4Ｄｙ0.6Ｆｅ1.90の組成を有し着磁されたもの及び未着磁のものについて、交流磁界（Ｈａｃ、５Ｏｅ ｐ−ｐ〜４０Ｏｅ）を印加
したときのインダクタンスを測定した。その結果を図５に示す。着磁された磁歪素子の場合、およそ２０Ｏｅ以上の磁界においてはインダクタンスが３．５ｍＨと高い値を示し、高い磁歪値を確保できることがわかった。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明による磁歪素子の製造方法を示す図である。
【図２】本発明及び従来のアクチュエータの構成概要を示す断面図である。
【図３】ＴｂxＤｙ1-xＦｅ2の組成を有する磁歪素子のｘと磁歪値（λ）の関係を示すグラフである。
【図４】ＴｂxＤｙ1-xＦｅ2の組成を有する磁歪素子のｘと保磁力（Ｈｃ）の関係を示すグラフである。
【図５】Ｔｂ0.4Ｄｙ0.6Ｆｅ1.90の組成を有する磁歪素子における印加磁界とインダクタンスの関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００２６】
１，１０…アクチュエータ、２…振動子、３…コイル、４…ケース、５…永久磁石
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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