Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月31日(2010.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周波数領域において、システム帯域内に複数のリソースユニットが配置されるとともに、かつ時間領域において、サブフレームにふたつのスロットが配置され、サブフレームの前半のスロットとサブフレームの後半のスロットにおいて、異なった周波数のリソースユニットにデータをマッピングする変調部と、
前記変調部においてマッピングしたデータを送信する送信部と
を備え、
前記変調部では、連続した２つ以上のリソースユニットを含んだリソースユニットグループが、システム帯域内に２つ以上規定される場合に、前半のスロットにおけるマッピング対象のリソースユニットを含むリソースユニットグループと、後半のスロットにおけるマッピング対象のリソースユニットを含むリソースユニットグループとは、一定数のリソースユニットグループ分の周波数だけ異なっていることを特徴とするユーザ装置。
【請求項２】
１サブフレームおける時間領域において、前半のスロットに対応する前半のリソースユニットと後半のスロットに対応する後半のリソースユニットとが対応付けられており、前半のリソースユニットを示す情報を基地局装置から受けつける受信部をさらに備え、
前記変調部は、前記受信部において受けつけた情報をもとに、マッピングを実行することを特徴とする請求項１に記載のユーザ装置。
【請求項３】
前記変調部は、リソースユニットブロックに含まれるリソースユニットに対し、その一方から、周波数領域において、該リソースユニットを識別するためのインデックスが付されている場合に、（リソースユニットブロックにおけるリソースユニットの最大インデックス）＋１−（リソースユニットブロックにおける前半のリソースユニットのインデックス）に対応するリソースユニットを前記後半のリソースユニットとすることを特徴とする請求項１または２に記載のユーザ装置。
【請求項４】
周波数ホッピングを適用することについての通知を基地局装置から受けつける受信部をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のユーザ装置。
【請求項５】
周波数領域において、システム帯域内に複数のリソースユニットが配置されるとともに、かつ時間領域において、サブフレームにふたつのスロットが配置され、サブフレームの前半のスロットとサブフレームの後半のスロットにおいて、異なった周波数のリソースユニットにデータをマッピングするステップと、
マッピングしたデータを送信するステップとを備え、
前記マッピングするステップでは、連続した２つ以上のリソースユニットを含んだリソースユニットグループが、システム帯域内に２つ以上規定される場合に、前半のスロットにおけるマッピング対象のリソースユニットを含むリソースユニットグループと、後半のスロットにおけるマッピング対象のリソースユニットを含むリソースユニットグループとは、一定数のリソースユニットグループ分の周波数だけ異なっていることを特徴とする送信方法。
【請求項６】
ユーザ装置と、
基地局装置と
を備え、
前記ユーザ装置は、
周波数領域において、システム帯域内に複数のリソースユニットが配置されるとともに、かつ時間領域において、サブフレームにふたつのスロットが配置され、サブフレームの前半のスロットとサブフレームの後半のスロットにおいて、異なった周波数のリソースユニットにデータをマッピングする変調部と、
前記変調部においてマッピングしたデータを前記基地局装置へ送信する送信部とを備え、
前記変調部では、連続した２つ以上のリソースユニットを含んだリソースユニットグループが、システム帯域内に２つ以上規定される場合に、前半のスロットにおけるマッピング対象のリソースユニットを含むリソースユニットグループと、後半のスロットにおけるマッピング対象のリソースユニットを含むリソースユニットグループとは、一定数のリソースユニットグループ分の周波数だけ異なっていることを特徴とする通信システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ユーザ装置、送信方法、及び通信システム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本ユーザ装置は、
周波数領域において、システム帯域内に複数のリソースユニットが配置されるとともに、かつ時間領域において、サブフレームにふたつのスロットが配置され、サブフレームの前半のスロットとサブフレームの後半のスロットにおいて、異なった周波数のリソースユニットにデータをマッピングする変調部と、
前記変調部においてマッピングしたデータを送信する送信部とを備え、
前記変調部では、連続した２つ以上のリソースユニットを含んだリソースユニットグループが、システム帯域内に２つ以上規定される場合に、前半のスロットにおけるマッピング対象のリソースユニットを含むリソースユニットグループと、後半のスロットにおけるマッピング対象のリソースユニットを含むリソースユニットグループとは、一定数のリソースユニットグループ分の周波数だけ異なっている。
本送信方法は、
周波数領域において、システム帯域内に複数のリソースユニットが配置されるとともに、かつ時間領域において、サブフレームにふたつのスロットが配置され、サブフレームの前半のスロットとサブフレームの後半のスロットにおいて、異なった周波数のリソースユニットにデータをマッピングするステップと、
マッピングしたデータを送信するステップと
を備え、
前記マッピングするステップでは、連続した２つ以上のリソースユニットを含んだリソースユニットグループが、システム帯域内に２つ以上規定される場合に、前半のスロットにおけるマッピング対象のリソースユニットを含むリソースユニットグループと、後半のスロットにおけるマッピング対象のリソースユニットを含むリソースユニットグループとは、一定数のリソースユニットグループ分の周波数だけ異なっている。
本通信システムは、
ユーザ装置と、
基地局装置と
を備え、
前記ユーザ装置は、
周波数領域において、システム帯域内に複数のリソースユニットが配置されるとともに、かつ時間領域において、サブフレームにふたつのスロットが配置され、サブフレームの前半のスロットとサブフレームの後半のスロットにおいて、異なった周波数のリソースユニットにデータをマッピングする変調部と、
前記変調部においてマッピングしたデータを前記基地局装置へ送信する送信部とを備え、
前記変調部では、連続した２つ以上のリソースユニットを含んだリソースユニットグループが、システム帯域内に２つ以上規定される場合に、前半のスロットにおけるマッピング対象のリソースユニットを含むリソースユニットグループと、後半のスロットにおけるマッピング対象のリソースユニットを含むリソースユニットグループとは、一定数のリソースユニットグループ分の周波数だけ異なっている。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月2日(2010.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
ただし、実施形態２の画像処理装置は、正規化部１０４及び線形化部１０６を有してない点で実施形態１と相違していて、画像データＡ、Ｂ、Ｃを規格化することなくＨＤＲ合成部１０５に入力している。また、ＨＤＲ合成された画像を改めて線形化することなく表示部１０７や画像保存部１０８に出力する。
ＣＣＤカメラ１０１によって得られた画像データＡ、Ｂ、Ｃは、それぞれメモリ１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃに保存される。そして、明るさ情報算出部７１１において合成される。合成の結果、合成輝度データが作成される。ただし、明るさ情報算出部７１１は、合成後の画像データを線形化する補正をせず、図２（ｂ）に示した直線群２０２をそのまま合成輝度データのカメラ輝度として使用する。重み付け計算部７１２は直線群２０２に基づいて重みを決定する。決定された重みは、ＨＤＲ合成部１０５に入力する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2009049547.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月5日(2010.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
ＳＩＰ  ＧＷ１０が例えば加入者（ユーザ）宅内に設置され、宅内端末ＵＡ２０と公衆ＩＰ網４０との間に位置する。例えば、ホームネットワークと公衆網４０の境界に位置することができる。端末ＵＡ２０と通信先ＵＡ３０間で、ＩＰネットワーク４０、ＳＩＰ  ＧＷ１０を介してセッションが接続される。このようなネットワーク構成において、該加入者の加入サービス契約により、宅内から使用可能な最大セッション数（この例では２セッションと仮定する）が予め規定されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図６（ａ）に示すテーブルは、すでに最大セッション数に達するセッションが通信中の場合の例である。この例では、セッション管理番号Ｓ１のセッションでは、セットトップボックスである端末ＵＡ−Ａ２１（ＵＲＩ：ｓｔｂ−ｔａｎａｋａ@ｈｏｍｅ１．ｃｏｍ）と、ビデオ配信サーバである通信先ＵＡ−ａ３１（ＵＲＩ：ｄｏｗｌｏａｄ@ｉｃｐ２．ｃｏｍ）とが、セッションＩＤ  ａａａで接続されている。また、セッション管理番号Ｓ２のセッションでは、ＰＣである端末ＵＡ−Ｂ２２（ＵＲＩ：ｖｉｄｅｏｃｏｎ−ｔａｎａｋａ@ｈｏｍｅ１．ｃｏｍ）と、テレビ会議サーバである通信先ＵＡ−ｂ３２（ＵＲＩ：ｖｉｄｅｏｃｏｎ@ｃｏｍｐａｎｙ１．ｃｏｍ）とが、セッションＩＤ  ｂｂｂで接続されている。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月31日(2010.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【非特許文献１】"An 800MHz to 5GHz Software-Defined Radio Receiver in 90nm CMOS", R. Bagheri他, ISSCC Dig. Tech. Papers, pp.480
【特許文献１】特開２００７−６４９３号公報
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月27日(2010.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体光を導く撮像光学系と、被写体光に含まれる赤外光成分をカットする赤外光カットフィルタと、前記撮像光学系及び前記赤外光カットフィルタの後方に配置された撮像素子と、前記撮像素子及び前記撮像素子とは異なる電子部品及び／又は電極パターンが配置された基板と、前記撮像光学系及び前記赤外光カットフィルタの少なくとも一方を保持し前記基板に組み付けられる枠部材と、を有し、
前記枠部材は、前記基板側の端部に前記基板の面に沿った平坦面と、前記平坦面と異なる高さの段差部を有し、前記平坦面は前記基板上に位置し、前記段差部は前記撮像素子上であって前記撮像素子の受光画素部を避けた位置となるよう組み付けられていることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記枠部材の前記平坦面は前記基板と接着されていることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記枠部材の前記段差部は前記撮像素子と接着されていることを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記段差部は前記撮像素子に当接していることを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の撮像装置を備えたことを特徴とする携帯端末。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
１．被写体光を導く撮像光学系と、被写体光に含まれる赤外光成分をカットする赤外光カットフィルタと、前記撮像光学系及び前記赤外光カットフィルタの後方に配置された撮像素子と、前記撮像素子及び前記撮像素子とは異なる電子部品及び／又は電極パターンが配置された基板と、前記撮像光学系及び前記赤外光カットフィルタの少なくとも一方を保持し前記基板に組み付けられる枠部材と、を有し、前記枠部材は、前記基板側の端部に前記基板の面に沿った平坦面と、前記平坦面と異なる高さの段差部を有し、前記平坦面は前記基板上に位置し、前記段差部は前記撮像素子上であって前記撮像素子の受光画素部を避けた位置となるよう組み付けられていることを特徴とする撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月15日(2010.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象画像データを処理する画像処理装置であって、
前記対象画像データから、各画素の色を表す輝度成分と第１色差成分と第２色差成分とを取得する色成分取得部と、
前記対象画像データによって表される対象画像の少なくとも一部の領域の個々の画素位置において、前記第１色差成分に対して最も強い平滑化処理を実行する平滑化処理部と、
を備える、画像処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の画像処理装置であって、
前記平滑化処理部は、前記輝度成分と、前記第１と第２の色差成分とのそれぞれに対して平滑化処理を実行するとともに、前記第１色差成分と前記第２色差成分とのそれぞれに対して、前記輝度成分よりも強い平滑化処理を実行する、
画像処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の画像処理装置であって、
前記対象画像データは、複数の画素を含む画素ブロック毎の復号を利用して生成された画像データであり、
前記画像処理装置は、さらに、
前記第１色差成分を含む平滑化処理の対象の色成分の中の特定色成分に関して、前記対象画像データ内の対象画素ブロックと、前記対象画素ブロックに隣接する他の画素ブロックとの間の境界線におけるブロックノイズ強度を、前記対象画像データを用いた所定のノイズ強度演算によって算出するノイズ強度算出部を備え、
前記平滑化処理部は、前記特定色成分に関して、前記対象画素ブロック内の少なくとも一部の領域に対して、前記ブロックノイズ強度が強いほど強い平滑化処理を実行し、
前記ノイズ強度演算は、前記対象画素ブロック内の画素値の変化率の大きさを示す指数が大きいほど弱い前記ブロックノイズ強度が算出されるように設定されている、
画像処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月20日(2010.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
コンピュータに請求項８に記載の画像処理方法の各工程を実行させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
さらに、上記課題を解決するための別の本発明は、コンピュータに前記画像処理方法の各工程を実行させることを特徴とするプログラムである。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月19日(2010.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静止画撮影モード及び動画撮影モードの撮像方式を備えた撮像装置であって、
前記撮像装置の正姿勢に対する傾きを検出する角度検出部と、
前記撮像装置の前記傾きに応じて、前記静止画撮影モード及び前記動画撮影モードのどちらか一方から他方に切り替える切り替え手段と、を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記切り替え手段を有効にする手段及び無効にする手段を備えていることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記切り替え手段は、前記撮像装置の撮影中は前記正姿勢に対する傾きが変化しても前記撮像方式は切り替わらず、撮影待機中は前記撮像方式が切り替わることを特徴とする請求項１又は２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記切り替え手段とは別の手段としての、前記撮像方式を選択する撮像方式選択手段を更に備えていることを特徴とする請求項１乃至３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記撮像装置の電源を投入した際、前記傾きに応じて、前記静止画撮影モード又は前記動画撮影モードで起動することを特徴とする請求項１乃至４に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記切り替え手段は、前記撮像装置が横姿勢である場合に、前記撮像方式を前記動画撮影モードから前記静止画撮影モードに切り換えることを特徴とする請求項１乃至５に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記切り替え手段は、前記撮像装置が前記横姿勢である場合に、前記撮像方式を前記動画撮影モードから前記静止画撮影モードに切り換え、
前記撮像装置が前記正姿勢である場合には、前記撮像方式選択手段の状態に基づいて前記撮像方式を切り換えることを特徴とする請求項１乃至５に記載の撮像装置。
【請求項８】
静止画撮影モード及び動画撮影モードの撮像方式を備えた撮像装置の制御方法であって、
前記撮像装置の正姿勢に対する傾きを検出する角度検出ステップと、
前記角度検出ステップで検出した前記傾きに応じて、前記静止画撮影モード及び前記動画撮影モードのどちらか一方から他方に切り替える切り替えステップと、を有することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像装置及びその制御方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の別の側面としての撮像装置の制御方法は、静止画撮影モード及び動画撮影モードの撮像方式を備えた撮像装置の制御方法であって、前記撮像装置の正姿勢に対する傾きを検出する角度検出ステップと、前記角度検出ステップで検出した前記傾きに応じて、前記静止画撮影モード及び前記動画撮影モードのどちらか一方から他方に切り替える切り替えステップと、を有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月16日(2010.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を構成する複数の画素のうち所定方向に並ぶ第１の画素群の位置情報を取得する情報取得手段と、 
前記第１の画素群の画素値に対して平滑化処理を行う平滑化手段と、 
前記平滑化処理において、前記第１の画素群の少なくとも一部の画素の画素値を用いる場合と、前記複数の画素のうち前記第１の画素群と異なる第２の画素群の少なくとも一部の画素の画素値を用いる場合とで異なる平滑化処理を行うように前記平滑化手段を制御する制御手段と
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の画像処理装置において、
前記第２の画素群は、前記第１の画素群に隣接していることを特徴とする画像処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の画像処理装置において、 
前記平滑化手段は、前記第１の画素群のうちの前記平滑化処理の対象画素の近傍にある画素の画素値の中でｎ番目（ｎ≧２）に大きい画素値、および前記第２の画素群のうちの前記平滑化処理の対象画素の近傍にある画素の画素値の中で１番目に大きい画素値のうち大きい方の画素値を参照最大値とし、前記平滑化処理の対象画素の画素値が前記参照最大値より大きい場合、前記対象画素の画素値を小さくするように補正することを特徴とする画像処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の画像処理装置において、 
前記平滑化手段は、前記平滑化処理の対象画素の画素値が前記参照最大値と所定値との和より小さい場合、当該対象画素の画素値を小さくするように補正することを特徴とする画像処理装置。
【請求項５】
請求項１または２に記載の画像処理装置において、 
前記平滑化手段は、前記第１の画素群のうちの前記平滑化処理の対象画素の近傍にある画素の中でｎ番目（ｎ≧２）に小さい画素値、および前記第２の画素群のうちの前記平滑化処理の対象画素の近傍にある画素の中で１番目に小さい画素値のうち小さい方の画素値を参照最小値とし、前記平滑化処理の対象画素の画素値が前記参照最小値より小さい場合、前記対象画素の画素値を大きくするように補正することを特徴とする画像処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の画像処理装置において、 
前記平滑化手段は、前記平滑化処理の対象画素の画素値が前記参照最小値から所定値を引いた差より大きい場合、当該対象画素の画素値を大きくするように補正することを特徴とする画像処理装置。
【請求項７】
請求項４または６に記載の画像処理装置において、 
前記所定値は、前記画像を撮像する撮像装置で生じるノイズデータに基づいて設定されることを特徴とする画像処理装置。 
【請求項８】
請求項７に記載の画像処理装置において、 
前記平滑化手段は、前記画像を撮像した時の温度情報に応じて前記所定値を変化させることを特徴とする画像処理装置。 
【請求項９】
請求項１〜請求項８のいずれか一項に記載の画像処理装置において、 
前記平滑化手段は、前記平滑化処理の対象画素の画素値および前記画像上において前記対象画素の近傍にある画素の画素値の局所平均値が所定の判定閾値より小さい場合に、前記平滑化処理を行うことを特徴とする画像処理装置。 
【請求項１０】
請求項９に記載の画像処理装置において、 
前記判定閾値は、前記画像を撮像する撮像装置で生じるノイズデータに基づいて設定されることを特徴とする画像処理装置。 
【請求項１１】
請求項１〜請求項１０のいずれか一項に記載の画像処理装置において、
前記複数の画素は第１の色成分データと第２の色成分データとを含み、 
前記平滑化手段は、同色成分同士のデータを用いて前記平滑化処理を行うことを特徴とする画像処理装置。 
【請求項１２】
請求項１〜請求項１１のいずれか一項に記載の画像処理装置を搭載することを特徴とするカメラ。 
【請求項１３】
画像を構成する複数の画素のうち所定方向に並ぶ第１の画素群の位置情報を取得する第１処理と、 
第１の画素群の少なくとも一部の画素の画素値を用いて第１参照値を得る第２処理と、
前記複数の画素のうち前記第１の画素群と異なる第２の画素群の少なくとも一部の画素の画素値を用いて第２参照値を得る第３処理と、
前記第１参照値および前記第２参照値を用いて第１の画素群の画素値を平滑化する第４処理とをコンピュータ装置に実行させることを特徴とする画像処理プログラム。 
【請求項１４】
画像を構成する複数の画素のうち所定方向に並ぶ第１の画素群の位置情報を取得する第１処理と、 
第１の画素群の少なくとも一部の画素の画素値を用いて第１参照値を得る第２処理と、
前記複数の画素のうち前記第１の画素群と異なる第２の画素群の少なくとも一部の画素の画素値を用いて第２参照値を得る第３処理と、 
前記第１参照値および前記第２参照値を用いて第１の画素群の画素値を平滑化する第４処理とを行うことを特徴とする画像処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
（１）請求項１に記載の発明による画像処理装置は、画像を構成する複数の画素のうち所定方向に並ぶ第１の画素群の位置情報を取得する情報取得手段と、第１の画素群の画素値に対して平滑化処理を行う平滑化手段と、平滑化処理において、第１の画素群の少なくとも一部の画素の画素値を用いる場合と、複数の画素のうち第１の画素群と異なる第２の画素群の少なくとも一部の画素の画素値を用いる場合とで異なる平滑化処理を行うように平滑化手段を制御する制御手段とを有することを特徴とする。
（２）請求項１２に記載の発明によるカメラは、請求項１〜請求項１１のいずれか一項に記載の画像処理装置を搭載することを特徴とする。
（３）請求項１３に記載の発明による画像処理プログラムは、画像を構成する複数の画素のうち所定方向に並ぶ第１の画素群の位置情報を取得する第１処理と、第１の画素群の少なくとも一部の画素の画素値を用いて第１参照値を得る第２処理と、複数の画素のうち第１の画素群と異なる第２の画素群の少なくとも一部の画素の画素値を用いて第２参照値を得る第３処理と、第１参照値および第２参照値を用いて第１の画素群の画素値を平滑化する第４処理とをコンピュータ装置に実行させることを特徴とする。 
（４）請求項１４に記載の発明による画像処理方法は、画像を構成する複数の画素のうち所定方向に並ぶ第１の画素群の位置情報を取得する第１処理と、第１の画素群の少なくとも一部の画素の画素値を用いて第１参照値を得る第２処理と、複数の画素のうち第１の画素群と異なる第２の画素群の少なくとも一部の画素の画素値を用いて第２参照値を得る第３処理と、第１参照値および第２参照値を用いて第１の画素群の画素値を平滑化する第４処理とを行うことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月21日(2010.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第1の周波数および該第1の周波数と異なる第2の周波数の電磁波を発振する発振素子であって、
共鳴トンネルダイオードと、
共振器と、を備え、
前記共鳴トンネルダイオードは、
量子井戸層と該量子井戸層を挟む第1および第2の障壁層とを含む利得媒質と、
前記利得媒質を挟み厚さの異なる第1および第2の調整層と、
を有し、
前記共振器は、
前記第1の調整層の電位が前記第2の調整層の電位よりも高い場合に前記共鳴トンネルダイオードが発生する前記第1の周波数の電磁波と、
前記第2の調整層の電位が前記第1の調整層の電位よりも高い場合に前記共鳴トンネルダイオードが発生する前記第2の周波数の電磁波と、
を前記発振素子が発振するように構成されている、
ことを特徴とする発振素子。
【請求項２】
前記第1及び第2の調整層の厚さは、5nmから60nmであることを特徴とする請求項1に記載の発振素子。
【請求項３】
前記利得媒質は、複数の前記量子井戸層を有し、該量子井戸層同士の間には、障壁層が設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の発振素子。
【請求項４】
前記第1の調整層は、前記第1の障壁層と第1のコンタクト層との間に設けられているノンドープの層であり、且つ前記第2の調整層は、前記第2の障壁層と第2のコンタクト層との間に設けられているノンドープの層であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の発振素子。
【請求項５】
前記量子井戸層は、インジウムガリウム砒素からなる材料で構成され、前記第1及び第2の障壁層は、アルミニウム砒素あるいはインジウムアルミニウム砒素からなる材料で構成され、前記第1及び第2の調整層は、ノンドープのインジウムガリウム砒素からなる材料で構成されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の発振素子。
【請求項６】
前記共振器は、アンテナを備えていることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の発振素子。
【請求項７】
電磁波を発振する発振装置であって、
共鳴トンネルダイオードと、
前記共鳴トンネルダイオードに印加する電圧の極性を切り換える切換手段と、を備え、
前記共鳴トンネルダイオードは、
量子井戸層と該量子井戸層を挟む第1および第2の障壁層とを含む利得媒質と、
前記利得媒質を挟み厚さの異なる第1および第2の調整層と、を有し、
前記第1の調整層と前記第2の調整層との間に印加する電圧の極性を前記切換手段で切り換えることで、前記電磁波の周波数が変化する、
ことを特徴とする発振装置。
【請求項８】
前記共鳴トンネルダイオードに電圧を印加するための第1の電極と第2の電極とを有し、前記切換手段は、前記共鳴トンネルダイオードに印加する電圧の極性を、前記第1及び第2の電極に対して反転させることにより、発振周波数を変化させるための手段であることを特徴とする請求項7に記載の発振装置。
【請求項９】
共鳴トンネルダイオードに印加する電圧の極性を切り換える切換手段を備える発振装置用の前記共鳴トンネルダイオードであって、
量子井戸層と該量子井戸層を挟む第1および第2の障壁層とを含む利得媒質と、
前記利得媒質を挟む第1および第2の調整層と、を有し、
前記第1の調整層と第2の調整層との間に印加する電圧の極性を前記切換手段で切り換えることによって前記発振装置が発振する電磁波の周波数が変化するように、前記第1の調整層の厚さと第2の調整層の厚さが異なっている、
ことを特徴とする共鳴トンネルダイオード。
【請求項１０】
請求項1から6のいずれか1項に記載の前記発振素子の発振周波数を、検査対象となる物質の固有振動スペクトルに調整することで、検査対象物質の有無を検査することを特徴とする検査装置。
【請求項１１】
請求項1から6のいずれか1項に記載の前記発振素子を光源として用いて、前記発振素子の周波数スイッチングを行い周波数シフトキーイング方式で通信を行うことを特徴とする通信システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
そこで、第1の本発明に係る共鳴トンネルダイオードを用いた発振素子は、次の特徴を有する。第1の周波数および該第1の周波数と異なる第2の周波数の電磁波を発振する発振素子であって、共鳴トンネルダイオードと、共振器と、を備える。前記共鳴トンネルダイオードは、量子井戸層と該量子井戸層を挟む第1および第2の障壁層とを含む利得媒質と、前記利得媒質を挟み厚さの異なる第1および第2の調整層と、を有する。前記共振器は、前記第1の調整層の電位が前記第2の調整層の電位よりも高い場合に前記共鳴トンネルダイオードが発生する前記第1の周波数の電磁波と、前記第2の調整層の電位が前記第1の調整層の電位よりも高い場合に前記共鳴トンネルダイオードが発生する前記第2の周波数の電磁波と、を前記発振素子が発振するように構成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
また、前記発振素子の発振周波数について、前記極性を切り換えるための手段を用いて周波数スイッチングを行うことにより、周波数シフトキーイング方式による通信を行うことも可能となる。即ち、本発明に係る発振素子を光源に用いて、新規な通信システムを構成することもできる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
電源21または22に接続した電極2、3を通してこれらの層に電圧が印加されることになる。このうち、10、11、12の層よって2重障壁量子井戸構造による活性層を構成し、負性抵抗を有する共鳴トンネルダイオードとなって利得部を形成することになる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
このような構成にすることにより、さらに発振周波数を向上（上昇）させることができる。実施例1と同じような構造で、この中央位置からのずれ量を15μmだけずらして位置に配置すると、それぞれの周波数を20%程向上することができ、2周波発振の幅をさらに広く調整することもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月17日(2010.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動局が接続する無線基地局を、接続元無線基地局から接続先無線基地局に切り換えるハンドオーバ制御方法であって、
前記接続元無線基地局が、該接続元無線基地局において保持されている無線関連情報を含むハンドオーバ要求信号を生成し、前記接続先無線基地局に対して送信する工程と、
前記接続先無線基地局が、受信した前記ハンドオーバ要求信号に含まれる前記無線関連情報と、該接続先無線基地局が設定する無線関連情報との差分情報を抽出する工程と、
前記接続先無線基地局が、抽出した前記無線関連情報の差分情報を通知するハンドオーバ要求応答信号を生成し、前記接続元無線基地局に対して送信する工程と、
前記接続元無線基地局が、受信した前記ハンドオーバ要求応答信号に基づいて、前記無線関連情報の差分情報を通知するハンドオーバ指示信号を生成し、前記移動局に対して送信する工程と、
前記移動局が、受信した前記ハンドオーバ指示信号により通知されている前記無線関連情報の差分情報によって、該移動局において保持されている無線関連情報を更新する工程とを有することを特徴とするハンドオーバ制御方法。
【請求項２】
移動局が接続する無線基地局を、接続元無線基地局から切り換えられる無線基地局であって、
前記接続元無線基地局から受信したハンドオーバ要求信号に含まれる該接続元無線基地局において保持されている無線関連情報と、前記無線基地局が設定する無線関連情報との差分情報を抽出するように構成されている無線関連情報差分抽出部と、
前記無線関連情報差分抽出部によって抽出された前記無線関連情報の差分情報を通知するハンドオーバ要求応答信号を生成し、前記接続元無線基地局に対して送信するように構成されているハンドオーバ要求応答信号生成送信部とを具備することを特徴とする無線基地局。
【請求項３】
移動局が接続する無線基地局を、接続元無線基地局から切り換えられる無線基地局であって、
前記接続元無線基地局から受信したハンドオーバ要求信号に応じて、該無線基地局が設定する無線関連情報を通知するハンドオーバ要求応答信号を生成し、該接続元無線基地局に対して送信するように構成されているハンドオーバ要求応答信号生成送信部を具備することを特徴とする無線基地局。
【請求項４】
前記ハンドオーバ要求信号は、前記移動局によって接続元セルにおいて使用されている測定関連情報を含むことを特徴とする請求項３に記載の無線基地局。
【請求項５】
接続する無線基地局を、接続元無線基地局から接続先無線基地局に切り換える移動局であって、
前記接続する無線基地局との接続に係る無線関連情報を保持するように構成されている無線関連情報保持部と、
前記接続元無線基地局から受信したハンドオーバ指示信号により通知されている無線関連情報の差分情報によって、前記無線関連情報保持部において保持されている前記無線関連情報を更新するように構成されている無線関連情報更新部とを具備し、
前記無線関連情報の差分情報は、前記接続元無線基地局において保持されている無線関連情報と、前記接続先無線基地局が設定する無線関連情報との差分であることを特徴とする移動局。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月26日(2009.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通話機能および音声データの再生出力機能を有する携帯電話装置において、
音声を出力するスピーカーと、
第一の補正係数および第二の補正係数を記憶しており、前記第一の補正係数および前記第二の補正係数の何れか一方の補正係数に基づいて、入力デジタル信号を補正するデジタルフィルターと、
前記デジタルフィルターから出力される出力デジタル信号をアナログ信号に変換し、当該アナログ信号を前記スピーカーに向けて出力するＤ／Ａ変換部とを、備えており、
前記第一の補正係数は、
前記スピーカーから第一の距離だけ離れた聴取位置での音響特性を含む第一の伝達特性から決定される係数であり、
前記第二の補正係数は、
前記スピーカーから前記第一の距離より大きい第二の距離だけ離れた聴取位置での音響特性を含む第二の伝達特性から決定される係数である、
ことを特徴とする携帯電話装置。
【請求項２】
通話機能および音声データの再生出力機能を有する携帯電話装置において、
音声を出力するスピーカーと、
第一の補正係数および第二の補正係数を記憶しており、前記第一の補正係数および前記第二の補正係数の何れか一方の補正係数に基づいて、入力デジタル信号を補正するデジタルフィルターと、
前記デジタルフィルターから出力される出力デジタル信号をアナログ信号に変換し、当該アナログ信号を前記スピーカーに向けて出力するＤ／Ａ変換部とを、備えており、
前記第一の補正係数は、
前記スピーカーから第一経路を経た聴取位置での音響特性を含む第一の伝達特性から決定される係数であり、
前記第二の補正係数は、
前記スピーカーから前記第一経路と異なる第二経路を経た聴取位置での音響特性を含む第二の伝達特性から決定される係数である、
ことを特徴とする携帯電話装置。
【請求項３】
前記第一の伝達特性および前記第二の伝達特性の各々は、
前記スピーカーに起因した音響特性および前記携帯電話装置に起因した音響特性を、さらに含んでおり、
前記第一の補正係数は、
前記第一の伝達特性の逆特性であり、
前記第二の補正係数は、
前記第二の伝達特性の逆特性である、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の携帯電話装置。
【請求項４】
前記入力デジタル信号が、通話音から成る場合には、
前記デジタルフィルターは、
第一の補正係数に基づいて、前記入力デジタル信号を補正する、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の携帯電話装置。
【請求項５】
前記入力デジタル信号が、所定のコンテンツの再生音から成る場合には、
前記デジタルフィルターは、
第二の補正係数に基づいて、前記入力デジタル信号を補正する、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の携帯電話装置。
【請求項６】
前記第一の補正係数は、
前記スピーカーをユーザの耳に接触させたときの音響特性を含む前記第一の伝達特性から決定される係数である、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の携帯電話装置。
【請求項７】
外部からの操作が可能な選択スイッチを、さらに備えており、
前記デジタルフィルターは、
前記選択スイッチに対する操作に応じて、前記第一の補正係数に基づく補正または前記第二の補正係数に基づく補正を行う、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の携帯電話装置。
【請求項８】
外部からの前記携帯電話装置への接触状態を感知することができる接触センサーを、さらに備えており、
前記デジタルフィルターは、
前記接触センサーの感知結果に応じて、前記第一の補正係数に基づく補正または前記第二の補正係数に基づく補正を行う、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の携帯電話装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記の目的を達成するために、本発明に係る請求項１に記載の携帯電話装置は、通話機能および音声データの再生出力機能を有する携帯電話装置において、音声を出力するスピーカーと、第一の補正係数および第二の補正係数を記憶しており、前記第一の補正係数および前記第二の補正係数の何れか一方の補正係数に基づいて、入力デジタル信号を補正するデジタルフィルターと、前記デジタルフィルターから出力される出力デジタル信号をアナログ信号に変換し、当該アナログ信号を前記スピーカーに向けて出力するＤ／Ａ変換部とを、備えており、前記第一の補正係数は、前記スピーカーから第一の距離だけ離れた聴取位置での音響特性を含む第一の伝達特性から決定される係数であり、前記第二の補正係数は、前記スピーカーから前記第一の距離より大きい第二の距離だけ離れた聴取位置での音響特性を含む第二の伝達特性から決定される係数である。
また、本発明に係る請求項２に記載の携帯電話装置は、話機能および音声データの再生出力機能を有する携帯電話装置において、音声を出力するスピーカーと、第一の補正係数および第二の補正係数を記憶しており、前記第一の補正係数および前記第二の補正係数の何れか一方の補正係数に基づいて、入力デジタル信号を補正するデジタルフィルターと、前記デジタルフィルターから出力される出力デジタル信号をアナログ信号に変換し、当該アナログ信号を前記スピーカーに向けて出力するＤ／Ａ変換部とを、備えており、前記第一の補正係数は、前記スピーカーから第一経路を経た聴取位置での音響特性を含む第一の伝達特性から決定される係数であり、前記第二の補正係数は、前記スピーカーから前記第一経路と異なる第二経路を経た聴取位置での音響特性を含む第二の伝達特性から決定される係数である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の請求項１に記載の携帯電話装置では、デジタルフィルターは、第一の補正係数および第二の補正係数を記憶しており、第一の補正係数および第二の補正係数の何れか一方の補正係数に基づいて、入力デジタル信号を補正する。ここで、第一の補正係数は、スピーカーから第一の距離だけ離れた聴取位置での音響特性を含む第一の伝達特性から決定され、第二の補正係数は、スピーカーから第一の距離より大きい第二の距離だけ離れた聴取位置での音響特性を含む第二の伝達特性から決定される。
また、本発明の請求項２に記載の携帯電話装置では、第一の補正係数は、スピーカーから第一経路を経た聴取位置での音響特性を含む第一の伝達特性から決定され、第二の補正係数は、スピーカーから第一経路と異なる第二経路を経た聴取位置での音響特性を含む第二の伝達特性から決定される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月19日(2010.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
前記ワード線における少なくとも前記上層膜は金属膜であることを特徴とする請求項２
に記載の半導体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２６】
前記工程（ｃ）において、前記トンネル膜における前記第１のマスク膜の各開口部からの露出部分を残存させ、
前記工程（ｄ）において、前記不純物は、前記半導体領域に前記トンネル膜を介して導入することを特徴とする請求項２５に記載の半導体記憶装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月30日(2010.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極を備える半導体チップと、
前記半導体チップ上に位置する樹脂突起と、
前記電極に電気的に接続しており、少なくとも前記樹脂突起表面に位置する配線膜と、を備え、
前記樹脂突起表面に位置する前記配線膜は、所定の膜厚を有する第１の部分、前記第１の部分の膜厚よりも膜厚が薄い第２の部分を含み、
前記第１の部分は、前記第２の部分よりも前記半導体チップから離れている位置にあることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、前記樹脂突起の断面形状は、略半円形状であり、
前記配線膜の膜厚が、前記略半円形状の頂点から円弧に沿って底辺に向かうに連れて薄くなることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置において、前記樹脂突起の断面形状は、略台形状であり、
前記配線膜の膜厚が、前記略台形状の上底部より前記略台形状の斜辺部の方が薄いことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
能動面に複数の電極が並んで形成された半導体チップと、
前記半導体チップの前記電極を含む能動面を保護する保護膜上に前記電極の配列方向に沿って連続して突条に形成された樹脂突起と、
前記樹脂突起の頂上部から前記頂上部の周辺である周辺部に形成されると共に前記電極との電気的接続部を有する配線膜と、を備え、前記配線膜を介して前記電極が外部の基板に導電接続される半導体装置であって、
前記配線膜の膜厚が、前記樹脂突起の前記頂上部より前記周辺部の方が薄く形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置において、前記樹脂突起は、前記電極の配列方向と略直交する方向に沿って切断したときの断面形状が略半円形形状に形成され、前記配線膜の膜厚が、前記略半円形形状の頂点から円弧に沿って底辺に向かうに連れて薄くなるように形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４に記載の半導体装置において、前記樹脂突起は、前記電極の配列方向と略直交する方向に沿って切断したときの断面形状が略台形形状に形成され、前記配線膜の膜厚が、前記略台形形状の上底部より前記略台形形状の斜辺部の方が薄く形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載の半導体装置が、電子モジュールを構成する基板上に実装されてなることを特徴とする電子モジュール。
【請求項８】
請求項７に記載の電子モジュールを備えたことを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月30日(2010.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粉末充填・焼結容器（以下モールドという）に粉末を充填し、磁界配向後、モールドごと焼結炉に装入して、モールド内の粉末に何ら機械的圧力を加えることなく加熱することにより焼結体を得るNdFeB焼結磁石の製造方法において、
前記モールドの少なくとも一部分が炭素材料から成ることを特徴とするNdFeB系焼結磁石の製造方法。
【請求項２】
焼結時におけるモールドの底に該当する部分が炭素材料から成ることを特徴とする請求項１に記載のNdFeB系焼結磁石の製造方法。
【請求項３】
前記モールドが本体と蓋を有するものであって、
前記充填の後に前記本体に前記蓋を取り付け、該蓋を下側に向けた状態で前記加熱を行うことを特徴とする請求項２に記載のNdFeB系焼結磁石の製造方法。
【請求項４】
モールドが炭素材料から成る部分と金属から成る部分の双方を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のNdFeB焼結磁石の製造方法。
【請求項５】
前記金属部分の少なくとも一部が強磁性体から成ることを特徴とする請求項４に記載のNdFeB焼結磁石の製造方法。
【請求項６】
前記強磁性体をモールドの両端に配置し、該両端を結ぶ方向に磁界を印加することにより前記磁界配向を行うことを特徴とする請求項５に記載のNdFeB系焼結磁石の製造方法。
【請求項７】
前記モールドの内部空間の四方を囲うように前記強磁性体を配置することを特徴とする請求項６に記載のNdFeB系焼結磁石の製造方法。
【請求項８】
内部に粉末を充填した状態で磁界配向したうえで焼結炉に装入し、内部の粉末に何ら機械的圧力を加えることなく加熱することによりNdFeB焼結磁石の焼結体を得るためのモールドにおいて、
少なくとも一部分が炭素材料から成ることを特徴とするNdFeB系焼結磁石製造用モールド。
【請求項９】
焼結時における底に該当する部分が炭素材料から成ることを特徴とする請求項８に記載のNdFeB系焼結磁石製造用モールド。
【請求項１０】
炭素材料から成る部分と金属から成る部分の双方を有することを特徴とする請求項８又は９に記載のNdFeB系焼結磁石製造用モールド。
【請求項１１】
前記金属部分の少なくとも一部が強磁性体から成ることを特徴とする請求項１０に記載のNdFeB系焼結磁石製造用モールド。
【請求項１２】
前記強磁性体を両端に有することを特徴とする請求項１１に記載のNdFeB系焼結磁石製造用モールド。
【請求項１３】
内部空間の四方を囲うように前記強磁性体を有することを特徴とする請求項１２に記載のNdFeB系焼結磁石製造用モールド。
【請求項１４】
複数枚の仕切り板により区切られた複数個の穴をもつことを特徴とする請求項８〜１３のいずれかに記載のNdFeB焼結磁石製造用モールド。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月4日(2009.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハから半導体装置を製造する方法であり、
半導体ウェーハの一方の面に、表面部から内部に至るトレンチを形成する工程と、
トレンチ内部を含む範囲にアモルファス層を充填する工程と、
アモルファス層の表面に、アモルファス層を構成する物質と同一又は類似の格子定数をもつ物質で構成されるポリ層を形成する工程と、
を備えていることを特徴とする半導体装置を製造する方法。
【請求項２】
トレンチを形成する工程とアモルファス層を充填する工程との間に、トレンチの底面と側面を含む範囲に絶縁膜を形成する工程が付加されており、
アモルファス層を充填する工程では、絶縁膜によって充填されていない範囲のトレンチ内部にアモルファス層を充填することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置を製造する方法。
【請求項３】
アモルファス層を充填する工程とポリ層を形成する工程の前に、
半導体ウェーハの反り量を特定する工程と、
特定した半導体ウェーハの反り量から、アモルファス層を充填する際とポリ層を形成する際の温度差を決定する工程が付加されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置を製造する方法。
【請求項４】
半導体ウェーハに複数のトレンチを形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置を製造する方法。
【請求項５】
半導体ウェーハに形成される複数のトレンチの幅と深さと間隔のうちの少なくとも一種類が、同一半導体ウェーハの中で不均一に調整されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置を製造する方法。
【請求項６】
半導体ウェーハの一方の面に、表面部から内部に至るトレンチを形成するトレンチ形成部と、
半導体ウェーハの反り量を測定する反り量測定部と、
トレンチ内部を含む範囲にアモルファス層を充填し、アモルファス層の表面にポリ層を形成する層形成部と、
反り量測定部の測定結果に基づいて、層形成部で形成するアモルファス層とポリ層の形成温度差を決定する形成温度差決定部を備え、
層形成部では、形成温度差決定部にて決定された形成温度差でアモルファス層とポリ層を形成することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項７】
半導体層と、
半導体層のいずれか一方の表面部から内部に至る範囲に形成されたトレンチの内部を含む範囲に充填されたアモルファス層と、
アモルファス層の表面に形成され、アモルファス層を構成する物質と同一又は類似の格子定数をもつ物質で構成されたポリ層と、
を備えていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置とその製造方法及び製造装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体装置とその半導体装置を半導体ウェーハから製造する方法とその製造装置に関する。特に、半導体ウェーハの反りを調整して、半導体ウェーハから半導体装置を製造する技術に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月20日(2010.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
＜実施例６＞
３６重量％ホルムアルデヒド水溶液１６６８ｇと、９５重量％フェノール２１０ｇと、水１５９０ｇとを混合して混合溶液３４６８ｇを調製した後、該混合溶液にカルボキシメチルセルロースナトリウム塩の２重量％水溶液２４ｇを添加し、攪拌して均一溶液とした。次に、該均一溶液の温度を２０℃に調整した後、攪拌しながら、３０℃の３５重量％塩酸２７４２ｇを加えた。なお、反応液全重量に対するフェノール類の濃度は３．２重量％、ホルムアルデヒドに対するフェノールの仕込みモル比は０．１１、反応液中の塩酸のモル濃度は４．７ｍｏｌ／Ｌであり、実施例１と同じである。塩酸の添加から約２０秒で反応液は白濁化した。白濁化後も反応を継続したところ、塩酸添加から約３０分後に反応液はピンク色に着色した。その後、実施例１と同様にして、加熱、分離、洗浄および乾燥を行ない、粒状フェノール樹脂を得た。次に、得られた粒状フェノール樹脂の２００ｇを用い、実施例１の粒状フェノール樹脂Ｉと同様の条件にて焼成、賦活処理を行ない、賦活処理時の重量減少率が３６％の炭素電極材９を９０ｇ得た。図２に、本実施例の粒状炭素電極材の光学顕微鏡写真を示す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
＜実施例７＞
９５重量％フェノールを６１２ｇ用いたこと以外は、実施例６と同様に反応、焼成および賦活処理を行ない、賦活処理時の重量減少率が３４％の炭素電極材１０を９２ｇ得た。なお、反応液全重量に対するフェノール類の濃度は８．８重量％、ホルムアルデヒドに対するフェノールの仕込みモル比は０．３１、反応液中の塩酸のモル濃度は４．４ｍｏｌ／Ｌである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
＜実施例８＞
混合液の調製に３６重量％ホルムアルデヒド水溶液８３４ｇと、９５重量％フェノール６１２ｇと、水２４０９ｇとを用いたこと以外は、実施例６と同様に反応、焼成および賦活処理を行ない、賦活処理時の重量減少率が３２％の炭素電極材１１を９５ｇ得た。なお、反応液全重量に対するフェノール類の濃度は８．８重量％、ホルムアルデヒドに対するフェノールの仕込みモル比は０．６２、反応液中の塩酸のモル濃度は４．４ｍｏｌ／Ｌである。図３に、本実施例の粒状炭素電極材の光学顕微鏡写真を示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
＜比較例３＞
混合液の調製に３６重量％ホルムアルデヒド水溶液４２０ｇと、９５重量％フェノール６１２ｇと、水２８２０ｇとを用いたこと以外は、実施例６と同様に反応、焼成および賦活処理を行ない、賦活処理時の重量減少率が３０％の炭素電極材１５を８８ｇ得た。反応液全重量に対するフェノール類の濃度は８．８重量％、ホルムアルデヒドに対するフェノールの仕込みモル比は１．２３、反応液中の塩酸のモル濃度は４．４ｍｏｌ／Ｌである。