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【手続補正書】
【提出日】平成22年4月13日(2010.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不揮発性メモリと二次電池とを有するバッテリーパックを充電する充電装置であって、
所定のデータを前記不揮発性メモリに書き込むための制御手段と、
ＡＣ電源から前記充電装置への電力供給の停止を検出する検出手段と、
前記バッテリーパックからの電力が前記制御手段に供給されるようにする切替手段とを有し、
前記充電装置が前記バッテリーパックを前記ＡＣ電源から供給された電力を用いて充電している場合であり、かつ、前記所定のデータの前記不揮発性メモリへの書き込みが終了する前に前記ＡＣ電源から前記充電装置への電力供給の停止が検出された場合、前記切替手段は、前記バッテリーパックからの電力が前記制御手段に供給されるようにし、前記所定のデータの前記不揮発性メモリへの書き込みが終了した後に前記バッテリーパックからの電力が前記制御手段に供給されないようにすることを特徴とする充電装置。
【請求項２】
前記所定のデータは、前記バッテリーパックの充電状態に関するデータを含む充電状態データであることを特徴とする請求項１に記載の充電装置。
【請求項３】
前記充電状態データは、前記二次電池の残容量に関するデータを含むことを特徴とする請求項２に記載の充電装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】充電装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、不揮発性メモリと二次電池とを有するバッテリーパックを充電する充電装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
そこで、本発明は、バッテリーパックを充電している場合であり、かつ、当該バッテリーパック内の不揮発性メモリにデータの書き込みを行っている場合に、電源からの電力供給がなくなったとしても、当該データの書き込みを行うことができる充電装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る充電装置は、不揮発性メモリと二次電池とを有するバッテリーパックを充電する充電装置であって、所定のデータを前記不揮発性メモリに書き込むための制御手段と、ＡＣ電源から前記充電装置への電力供給の停止を検出する検出手段と、前記バッテリーパックからの電力が前記制御手段に供給されるようにする切替手段とを有し、前記充電装置が前記バッテリーパックを前記ＡＣ電源から供給された電力を用いて充電している場合であり、かつ、前記所定のデータの前記不揮発性メモリへの書き込みが終了する前に前記ＡＣ電源から前記充電装置への電力供給の停止が検出された場合、前記切替手段は、前記バッテリーパックからの電力が前記制御手段に供給されるようにし、前記所定のデータの前記不揮発性メモリへの書き込みが終了した後に前記バッテリーパックからの電力が前記制御手段に供給されないようにすることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、バッテリーパックを充電している場合であり、かつ、当該バッテリーパック内の不揮発性メモリにデータの書き込みを行っている場合に、電源からの電力供給がなくなったとしても、当該データの書き込みを行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月29日(2010.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力軸を備えたギヤーボックスから左右方向に延設したパイプフレーム内の出力軸によりパイプフレームの左右方向いずれか一側方に設けた伝動チェーンケースに伝達し、伝動チェーンケースの下端部に連結された砕土爪軸を駆動し、動力取り出し軸を備えたサイドドライブ式砕土作業機において、
ギヤーボックスと伝動チェーンケース間の前記出力軸上に砕土爪軸の駆動を断続するクラッチ部を設け、
該クラッチ部を入り切り操作することで、砕土爪軸と動力取り出し軸を選択駆動可能としたことを特徴とする砕土作業機。
【請求項２】
前記動力取り出し軸をクラッチ部近傍で砕土作業機の巾内に配備したことを特徴とした請求項１記載の砕土作業機。
【請求項３】
前記動力取り出し軸を前記出力軸の前方位置で平行に設けたことを特徴とした請求項２記載の砕土作業機。
【請求項４】
洗車用ポンプを前記動力取り出し軸に連結して設けたことを特徴とした請求項２または３記載の砕土作業機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の砕土作業機は、入力軸を備えたギヤーボックスから左右方向に延設したパイプフレーム内の出力軸によりパイプフレームの左右方向いずれか一側方に設けた伝動チェーンケースに伝達し、伝動チェーンケースの下端部に連結された砕土爪軸を駆動し、動力取り出し軸を備えたサイドドライブ式砕土作業機において、ギヤーボックスと伝動チェーンケース間の前記出力軸上に砕土爪軸の駆動を断続するクラッチ部を設け、該クラッチ部を入り切り操作することで、砕土爪軸と動力取り出し軸を選択駆動可能としたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月20日(2010.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、特許文献３に開示されている半導体レーザ光源は、＋１次回折光を位置検出素子で測定する際、半導体レーザから射出されたレーザ光のビーム形状が楕円形である性質を利用して、長軸方向に径を縮小する光学素子を挿入することで、レーザ光の波長の変化を検出する精度を向上させていた。
【特許文献１】特開昭６２−００５６７７号公報
【特許文献２】特開２００６−３２３９７号公報
【特許文献３】特開２００６−３２４３７１号公報
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２０】
2008263176.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月26日(2010.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つの色信号を得ることが可能な画素部が同一平面上に複数配列された固体撮像素子であって、
前記画素部は、
基板上方に形成された下部電極、前記下部電極上方に形成された上部電極、及び前記下部電極と前記上部電極に挟まれた光電変換膜を含む光電変換素子と、
前記上部電極上方に形成されたカラーフィルタとを備え、
前記光電変換膜下面から前記カラーフィルタ上面までの距離をｄとし、前記光電変換素子の配列ピッチをｐとしたときに、ｄ＜ｐとなっており、
前記画素部が、前記上部電極と前記カラーフィルタとの間に前記光電変換素子を保護する無機材料の保護膜を備える固体撮像素子。
【請求項２】
請求項１記載の固体撮像素子であって、
前記保護膜が、無機酸化物で構成されている固体撮像素子。
【請求項３】
請求項２記載の固体撮像素子であって、
前記無機酸化物が金属酸化物である固体撮像素子。
【請求項４】
請求項３記載の固体撮像素子であって、
前記金属酸化物がＡｌ２Ｏ３である固体撮像素子。
【請求項５】
請求項２〜４のいずれか１項記載の固体撮像素子であって、
前記保護膜が原子層堆積（ＡＬＤ）法で成膜されたものである固体撮像素子。
【請求項６】
請求項４又は５記載の固体撮像素子であって、
前記保護膜と前記カラーフィルタの間、又は、前記保護膜と前記上部電極との間に保護膜をもう１つ備え、
前記もう１つの保護膜が高分子化合物からなる固体撮像素子。
【請求項７】
請求項６記載の固体撮像素子であって、
前記高分子化合物がパラキシリレン系樹脂である固体撮像素子。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項記載の固体撮像素子であって、
前記光電変換膜が有機光電変換材料を含んで構成される固体撮像素子。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか１項記載の固体撮像素子であって、
前記光電変換膜が直接遷移型無機結晶性半導体材料を含んで構成される固体撮像素子。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項記載の固体撮像素子であって、
前記光電変換膜の膜厚が３μｍよりも小さい固体撮像素子。
【請求項１１】
請求項１０記載の固体撮像素子であって、
前記光電変換素子の配列ピッチｐが３μｍよりも小さい固体撮像素子。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項記載の固体撮像素子であって、
前記光電変換膜の波長４００ｎｍ〜７００ｎｍにおける光吸収率が５０％以上である固体撮像素子。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項記載の固体撮像素子であって、
前記上部電極がインジウム錫オキサイド、インジウムオキサイド、錫オキサイド、及び亜鉛オキサイドのいずれかで構成される固体撮像素子。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１項記載の固体撮像素子であって、
前記複数の画素部に含まれるカラーフィルタが原色カラーフィルタである固体撮像素子。
【請求項１５】
請求項１〜１３のいずれか１項記載の固体撮像素子であって、
前記複数の画素部に含まれるカラーフィルタが補色カラーフィルタである固体撮像素子。
【請求項１６】
請求項１５記載の固体撮像素子であって、
前記画素部を３つ以上有し、
前記補色カラーフィルタが、イエロー，シアン，マゼンタの３種類、イエロー，シアン，透明の３種類、イエロー，透明，マゼンタの３種類、透明，シアン，マゼンタの３種類、及びイエロー，シアン，マゼンタ，透明の４種類のいずれかである固体撮像素子。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれか１項記載の固体撮像素子であって、
前記カラーフィルタが金属粒子を含んで構成されたものである固体撮像素子。
【請求項１８】
請求項１７記載の固体撮像素子であって、
前記金属粒子が金粒子又は銀粒子である固体撮像素子。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれか１項記載の固体撮像素子であって、
前記光電変換膜が、複数の前記画素部で共通の一枚構成となっている固体撮像素子。
【請求項２０】
請求項１〜１９のいずれか１項記載の固体撮像素子であって、
前記下部電極が、入射光が入射して反射した光が隣の前記画素部に侵入するのを防ぐための光侵入防止部を備える固体撮像素子。
【請求項２１】
請求項１〜２０のいずれか１項記載の固体撮像素子であって、
前記保護膜の波長４００ｎｍ〜７００ｎｍにおける光透過率が８０％以上である固体撮像素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の固体撮像素子は、１つの色信号を得ることが可能な画素部が同一平面上に複数配列された固体撮像素子であって、前記画素部は、基板上方に形成された下部電極、前記下部電極上方に形成された上部電極、及び前記下部電極と前記上部電極に挟まれた光電変換膜を含む光電変換素子と、前記上部電極上方に形成されたカラーフィルタとを備え、前記光電変換膜下面から前記カラーフィルタ上面までの距離をｄとし、前記光電変換素子の配列ピッチをｐとしたときに、ｄ＜ｐとなっており、前記画素部が、前記上部電極と前記カラーフィルタとの間に前記光電変換素子を保護する無機材料の保護膜を備える。
また、本発明の固体撮像素子は、前記保護膜が、無機酸化物で構成されている。
また、本発明の固体撮像素子は、前記無機酸化物が金属酸化物である。
また、本発明の固体撮像素子は、前記金属酸化物がＡｌ２Ｏ３である。
また、本発明の固体撮像素子は、前記保護膜が原子層堆積（ＡＬＤ）法で成膜されたものである。
また、本発明の固体撮像素子は、前記保護膜と前記カラーフィルタの間、又は、前記保護膜と前記上部電極との間に保護膜をもう１つ備え、前記もう１つの保護膜が高分子化合物からなる。
また、本発明の固体撮像素子は、前記高分子化合物がパラキシリレン系樹脂である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明の固体撮像素子は、前記下部電極が、入射光が入射して反射した光が隣の前記画素部に侵入するのを防ぐための光侵入防止部を備える。また、本発明の固体撮像素子は、前記保護膜の波長４００ｎｍ〜７００ｎｍにおける光透過率が８０％以上である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月13日(2010.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体フィルム上に形成された樹脂モノマーからなる誘電体膜と、この誘電体膜上の一方の端に絶縁マージンを設けるように形成された金属蒸着電極と、からなる金属化フィルムにおいて、一対の前記金属化フィルムを前記絶縁マージンが互いに反対側になるように前記誘電体フィルムを介して前記金属蒸着電極が対向するようにした金属化フィルムコンデンサであって、前記誘電体膜は、前記樹脂モノマーを重合反応させることによって形成された膜であり、前記樹脂モノマーは、ビニル基とエチレンオキサイド鎖を有する一般式（１）で示されるものであることを特徴とする金属化フィルムコンデンサ。
【化１】
2008263107.tif 000001
【請求項２】
誘電体フィルム上に形成された樹脂モノマーからなる誘電体膜と、この誘電体膜上の一方の端に絶縁マージンを設けるように形成された金属蒸着電極と、この金属蒸着電極の上にさらに形成された前記誘電体膜とからなる金属化フィルムにおいて、一対の前記金属化フィルムを前記絶縁マージンが互いに反対側になるように前記誘電体フィルムを介して前記金属蒸着電極が対向するようにした金属化フィルムコンデンサであって、前記誘電体膜は、前記樹脂モノマーを重合反応させることによって形成された膜であり、前記樹脂モノマーは、ビニル基とエチレンオキサイド鎖を有する一般式（１）で示されるものであることを特徴とする金属化フィルムコンデンサ。
【化２】
2008263107.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月30日(2010.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と第２の電極の間に、発光層とキャリアの移動を制御する層とを有し、
前記キャリアの移動を制御する層は、第１の有機化合物と、第２の有機化合物とを有し、
前記キャリアの移動を制御する層は、前記発光層と前記第２の電極の間に設けられており、
前記第１の有機化合物は、電子輸送性の有機化合物であり、
前記第２の有機化合物は、電子トラップ性の有機化合物であり、
前記キャリアの移動を制御する層において、前記第２の有機化合物よりも前記第１の有機化合物が多く含まれており、
前記第１の電極の電位が前記第２の電極の電位よりも高くなるように電圧を印加することにより、前記発光層からの発光が得られることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の有機化合物は前記第１の有機化合物の最低空軌道準位より０．３ｅＶ以上低い最低空軌道準位を有することを特徴とする発光素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記発光層は、電子輸送性であることを特徴とする発光素子。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記発光層は、第３の有機化合物と第４の有機化合物とを有し、
前記第３の有機化合物は、前記第４の有機化合物よりも多く含まれており、
前記第３の有機化合物は電子輸送性であることを特徴とする発光素子。
【請求項５】
請求項４において、前記第１の有機化合物と前記第３の有機化合物とは異なる有機化合物であることを特徴とする発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記第１の有機化合物は、金属錯体であることを特徴とする発光素子。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記第２の有機化合物は、クマリン誘導体であることを特徴とする発光素子。
【請求項８】
第１の電極と第２の電極との間に、発光層とキャリアの移動を制御する層とを有し、
前記キャリアの移動を制御する層は、第１の有機化合物と、第２の有機化合物とを有し、
前記キャリアの移動を制御する層は、前記発光層と前記第１の電極との間に設けられており、
前記第１の有機化合物は、正孔輸送性の有機化合物であり、
前記第２の有機化合物は、正孔トラップ性の有機化合物であり、
前記キャリアの移動を制御する層において、前記第２の有機化合物よりも前記第１の有機化合物が多く含まれており、
前記第１の電極の電位が前記第２の電極の電位よりも高くなるように電圧を印加することにより、前記発光層からの発光が得られることを特徴とする発光素子。
【請求項９】
請求項８において、
前記第２の有機化合物は前記第１の有機化合物の最高被占有軌道準位より０．３ｅＶ以上高い最高被占有軌道準位を有することを特徴とする発光素子。
【請求項１０】
請求項８または請求項９において、
前記発光層は、正孔輸送性であることを特徴とする発光素子。
【請求項１１】
請求項８または請求項９において、
前記発光層は、第３の有機化合物と第４の有機化合物とを有し、
前記第３の有機化合物は、前記第４の有機化合物よりも多く含まれており、
前記第３の有機化合物は正孔輸送性であることを特徴とする発光素子。
【請求項１２】
請求項１１において、前記第１の有機化合物と前記第３の有機化合物とは異なる有機化合物であることを特徴とする発光素子。
【請求項１３】
請求項８乃至請求項１２のいずれか１項において、
前記第１の有機化合物は、芳香族アミン化合物であることを特徴とする発光素子。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか１項において、
前記キャリアの移動を制御する層の膜厚は、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることを特徴とする発光素子。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか１項において、
前記キャリアの移動を制御する層と前記発光層とは接するように設けられていることを特徴とする発光素子。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか１項に記載の発光素子と、前記発光素子の発光を制御する制御手段とを有する発光装置。
【請求項１７】
表示部を有し、
前記表示部は、請求項１乃至請求項１５のいずれか１項に記載の発光素子と前記発光素子の発光を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月3日(2010.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接続端子を備えた複数の電子部品を、前記接続端子を露出面側として平面的に配列して、粘着支持する粘着シートキャリアと、
該粘着シートキャリアを支持する支持ステージと、
前記電子部品の前記接続端子に接続材料を転写する転写機構部と、
該転写機構部に設けられた転写ヘッドに接続材料を供給する接続材料の供給機構部と、
前記転写機構部と前記供給機構部の動作を制御する制御部とを備え、
前記転写機構部は、前記転写ヘッドを転写面が下向きとなる位置と上向きとなる位置に転回させる機構、および前記転写ヘッドをX−Y−Z−θ方向に移動させる移動機構を有して、前記粘着シートキャリアに支持された前記電子部品に位置合わせして前記転写ヘッドを移動させる駆動部を備え、
前記供給機構部は、前記転写ヘッドの転写面が挿入される供給孔が厚さ方向に貫通して設けられた供給ステージ板と、該供給ステージ板上をスライド移動するスキージと、該スキージを往復駆動させる往復駆動部とを備え、
前記制御部は、前記駆動部を制御して、前記転写ヘッドの転写面が上向きのときに、接続材料が供給される位置に前記転写ヘッドを位置合わせし、前記転写ヘッドの転写面が下向きのときに、前記粘着シートキャリアに配置された電子部品に押接する接続材料の転写位置に前記転写ヘッドを位置合わせすることを特徴とする電子部品の接続材料塗布装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記供給孔内での前記転写ヘッドの転写面の高さ位置を調節し、転写ヘッドの転写面に供給される接続材料の厚さを調節する調節機構を備えていることを特徴とする請求項１記載の接続材料塗布装置。
【請求項３】
前記電子部品を、前記粘着シートキャリア上に所定配置に移載する移載装置を備えていることを特徴とする請求項１または２記載の接続材料塗布装置。
【請求項４】
前記移載装置は、前記支持ステージ上における前記粘着シートキャリアの配置位置を検知する検知部を備えていることを特徴とする請求項３記載の接続材料塗布装置。
【請求項５】
半導体パッケージを積み重ね、はんだボールを介して接合して形成する半導体装置の製造方法において、
支持ステージに支持された粘着シートキャリア上に、前記半導体パッケージの一方を、前記はんだボールを上向きとして、複数個、粘着支持する工程と、
接続材料の転写機構部と、該転写機構部に設けられた転写ヘッドに接続材料を供給する接続材料の供給機構部とを備えた接続材料塗布装置を使用し、前記転写機構部に設けられた駆動部により、前記転写ヘッドを転回、移動し、前記粘着シートキャリアに支持された半導体パッケージのはんだボール接合面に、前記転写ヘッドの接続材料が供給された転写面を押接して前記はんだボールに接続材料を転写する工程と、
前記接続材料が転写された半導体パッケージの上に、他方の半導体パッケージを位置合わせして搭載する工程と、
前記粘着シートキャリアに前記半導体パッケージを支持した状態で、はんだリフロー炉を通過させ、はんだリフローする工程と
を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、上記目的を達成するため次の構成を備える。
すなわち、接続端子を備えた複数の電子部品を、前記接続端子を露出面側として平面的に配列して、粘着支持する粘着シートキャリアと、該粘着シートキャリアを支持する支持ステージと、前記電子部品の前記接続端子に接続材料を転写する転写機構部と、該転写機構部に設けられた転写ヘッドに接続材料を供給する接続材料の供給機構部と、前記転写機構部と前記供給機構部の動作を制御する制御部とを備え、前記転写機構部は、前記転写ヘッドを転写面が下向きとなる位置と上向きとなる位置に転回させる機構、および前記転写ヘッドをX−Y−Z−θ方向に移動させる移動機構を有して、前記粘着シートキャリアに支持された前記電子部品に位置合わせして前記転写ヘッドを移動させる駆動部を備え、前記供給機構部は、前記転写ヘッドの転写面が挿入される供給孔が厚さ方向に貫通して設けられた供給ステージ板と、該供給ステージ板上をスライド移動するスキージと、該スキージを往復駆動させる往復駆動部とを備え、前記制御部は、前記駆動部を制御して、前記転写ヘッドの転写面が上向きのときに、接続材料が供給される位置に前記転写ヘッドを位置合わせし、前記転写ヘッドの転写面が下向きのときに、前記粘着シートキャリアに配置された電子部品に押接する接続材料の転写位置に前記転写ヘッドを位置合わせすることを特徴とする。
なお、接続端子とは半導体パッケージを実装基板に接合する場合に用いるはんだボール、半導体パッケージ等の電子部品を相互に接合する場合に用いるはんだボール等の接合部品の意味であり、必ずしもはんだボールに限るものではない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、半導体パッケージを積み重ね、はんだボールを介して接合して形成する半導体装置の製造方法において、支持ステージに支持された粘着シートキャリア上に、前記半導体パッケージの一方を、前記はんだボールを上向きとして、複数個、粘着支持する工程と、接続材料の転写機構部と、該転写機構部に設けられた転写ヘッドに接続材料を供給する接続材料の供給機構部とを備えた接続材料塗布装置を使用し、前記転写機構部に設けられた駆動部により、前記転写ヘッドを転回、移動し、前記粘着シートキャリアに支持された半導体パッケージのはんだボール接合面に、前記転写ヘッドの接続材料が供給された転写面を押接して前記はんだボールに接続材料を転写する工程と、前記接続材料が転写された半導体パッケージの上に、他方の半導体パッケージを位置合わせして搭載する工程と、前記粘着シートキャリアに前記半導体パッケージを支持した状態で、はんだリフロー炉を通過させ、はんだリフローする工程とを備えていることを特徴とする。これによって、積み重ね型の半導体装置を容易に製造することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月9日(2010.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溝部が形成され、前記溝部の底面に電極が設けられた基板と、
前記電極に電気的に接続されたフレキシブル基板と、
貫通孔が形成され、前記溝部にて前記フレキシブル基板上に設けられた弾性部材と、
前記溝部に設けられ、前記貫通孔に充填された熱硬化性樹脂材料と、
を備え、
前記弾性部材の一部は、前記熱硬化性樹脂材料から露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記弾性部材は、フッ素ゴム、シリコーンゴム及びアクリルゴムのいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記貫通孔は、前記溝部が延びる方向に沿って複数形成されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
溝部が形成され、前記溝部の底面に電極が設けられた基板と、
前記電極に電気的に接続されたフレキシブル基板と、
貫通孔が形成され、前記溝部にて前記フレキシブル基板上に設けられた弾性部材と、
前記溝部に設けられ、前記貫通孔に充填された熱硬化性樹脂材料と、
を備え、
前記弾性部材の一部は、前記熱硬化性樹脂材料から露出していることを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項５】
溝部の底面上に設けられた電極とフレキシブル基板とが電気的に接続された半導体装置の製造方法において、
前記電極の上面に、熱硬化性樹脂材料を塗布する樹脂材料塗布工程と、
前記熱硬化性樹脂材料を介して前記電極の上方に、前記フレキシブル基板および弾性部材を順に載置する載置工程と、
前記弾性部材に形成された貫通孔に前記熱硬化性樹脂材料が充填されるように前記弾性部材を介して前記フレキシブル基板を前記電極に向かって押圧しつつ、前記熱硬化性樹脂材料を加熱する加圧・加熱工程とを有し、
前記加圧・加熱工程にて、前記弾性部材の一部を、前記熱硬化性樹脂材料から露出させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月11日(2009.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体単結晶基板の表面に酸化膜と半導体単結晶層とを順次形成することによって、酸化膜上に半導体単結晶層を有する半導体基板を製造する方法であって、少なくとも、
半導体単結晶基板を熱処理炉内に投入した後、酸化性雰囲気下で所定の酸化温度まで昇温することによって、前記半導体単結晶基板の表面に前記半導体単結晶基板とエピタキシャルな関係を保持した酸化膜を形成する工程と、
前記酸化温度で所定時間保持することによって、前記半導体単結晶基板とエピタキシャルな関係を保持した酸化膜を成長させて所望の膜厚とする工程と、
前記熱処理炉内の雰囲気ガスを半導体単結晶層成長用ガスに切り替え、前記酸化膜上に半導体単結晶層をエピタキシャル成長する工程と
を有することを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項２】
前記酸化温度を６００℃以上９００℃以下とし、該酸化温度までの昇温速度を５℃／秒以上とすることを特徴とする請求項１に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項３】
前記半導体単結晶層の成長温度を、６００℃以上９００℃以下とすることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項４】
前記半導体単結晶基板を、Ｓｉ単結晶基板とすることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項５】
前記半導体単結晶層を、Ｓｉ層、ＳｉＧｅ層、Ｇｅ層のいずれかとすることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項６】
前記酸化温度と前記半導体単結晶層の成長温度とを同一の温度とすることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の半導体基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月15日(2010.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
読み取った画像データを着脱可能な携帯メモリに保存することができる画像処理装置において、
記憶部と、
前記携帯メモリに対応したキーファイルを作成するキーファイル作成部と、
作成した前記キーファイルを前記記憶部に登録すると共に前記携帯メモリに保存するメモリ制御部と、
前記画像データを前記携帯メモリに保存する前に、前記記憶部に登録されている前記キーファイルと前記携帯メモリに保存されている前記キーファイルとの一致判定を行う判定部と、
前記判定部にて一致が判定された場合、前記画像データを前記携帯メモリに保存する画像データ保存制御部と、
を備えたことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記キーファイル作成部は、
前記携帯メモリに予め保持されている前記携帯メモリに固有の識別情報を読み出し、読み出した前記識別情報に基づいて前記キーファイルを作成する、
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記判定部は、
前記携帯メモリに予め保持されている前記識別情報と、前記キーファイルに含まれている前記識別情報との一致判定をさらに行う、
ことを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記キーファイル作成部は、
前記キーファイルを作成するときの時刻情報を含む登録情報と、前記識別情報とに基づいて前記キーファイルを作成する、
ことを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記画像データを前記携帯メモリに保存するときに
前記キーファイル作成部は、前記キーファイルを新たに作成し、
前記メモリ制御部は、前記新たに作成された前記キーファイルによって前記記憶部に登録されている過去のキーファイルを更新すると共に、前記携帯メモリに保存されている過去のキーファイルを更新する、
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項６】
着脱可能な携帯メモリに読み取った画像データを保存することができる画像処理方法において、
前記携帯メモリに対応したキーファイルを作成し、
作成した前記キーファイルを記憶部に登録すると共に前記携帯メモリに保存し、
前記画像データを前記携帯メモリに保存する前に、前記記憶部に登録されている前記キーファイルと前記携帯メモリに保存されている前記キーファイルとの一致の判定を行い、
一致していると判定された場合、前記画像データを前記携帯メモリに保存する、
ステップを備えたことを特徴とする画像処理方法。
【請求項７】
前記携帯メモリに予め保持されている前記携帯メモリに固有の識別情報を読み出し、読み出した前記識別情報に基づいて前記キーファイルを作成する、
ことを特徴とする請求項６に記載の画像処理方法。
【請求項８】
前記携帯メモリに予め保持されている前記識別情報と、前記キーファイルに含まれている前記識別情報との一致判定を行う、
ことを特徴とする請求項７に記載の画像処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置及び画像処理方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、画像処理装置、及び画像処理方法に係り、特に、読み取った画像データをＵＳＢメモリ等の携帯メモリに保存することができる画像処理装置及び画像処理方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、読み取った画像データを携帯メモリに保存することができる画像読取装置において、高いセキュリティの確保を実現し、携帯メモリの不正な利用を防止することができる画像処理装置及び画像処理方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明に係る画像処理装置は、読み取った画像データを着脱可能な携帯メモリに保存することができる画像処理装置において、記憶部と、前記携帯メモリに対応したキーファイルを作成するキーファイル作成部と、作成した前記キーファイルを前記記憶部に登録すると共に前記携帯メモリに保存するメモリ制御部と、前記画像データを前記携帯メモリに保存する前に、前記記憶部に登録されている前記キーファイルと前記携帯メモリに保存されている前記キーファイルとの一致判定を行う判定部と、前記判定部にて一致が判定された場合、前記画像データを前記携帯メモリに保存する画像データ保存制御部と、を備える。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明に係る画像処理方法は、着脱可能な携帯メモリに読み取った画像データを保存することができる画像処理方法において、前記携帯メモリに対応したキーファイルを作成し、作成した前記キーファイルを記憶部に登録すると共に前記携帯メモリに保存し、前記画像データを前記携帯メモリに保存する前に、前記記憶部に登録されている前記キーファイルと前記携帯メモリに保存されている前記キーファイルとの一致の判定を行い、一致していると判定された場合、前記画像データを前記携帯メモリに保存する、ステップを備える。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に係る画像処理装置及び画像処理方法によれば、読み取った画像データを携帯メモリに保存することができる画像処理装置において、高いセキュリティの確保を実現し、携帯メモリの不正な利用を防止することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明に係る画像処理装置及び画像処理方法の実施形態について、添付図面を参照して説明する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
（１）画像読取装置の構成
図１は、本発明の一実施形態に係る画像読取装置（画像処理装置）１の構成例を示す図である。画像読取装置１は、原稿読み取り専用のスキャナや、複写機或いはＭＦＰ（Multi-Function  Peripheral）の原稿読み取り部として構成される装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月22日(2009.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記高速化回路部は、
前記第１の信号がゲート端子に入力され、前記基準電位のラインと一端が接続された第１導電型の第７のＭＯＳトランジスタと、
前記第７のＭＯＳトランジスタの他端と前記第２の出力トランジスタのゲート端子との間に接続され、前記電源電位が所定値以下の場合にオン状態となる第１導電型の第８のＭＯＳトランジスタと、
前記第２の信号がゲート端子に入力され、前記電源電位のラインと一端が接続された第２導電型の第９のＭＯＳトランジスタと、
前記第９のＭＯＳトランジスタの他端と前記第１の出力トランジスタのゲート端子の間に接続され、前記電源電位が所定値以下の場合にオン状態となる第２の導電型の第１０のＭＯＳトランジスタとを有していることを特徴とする請求項６に記載の出力回路。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月18日(2010.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
ステップＳ４５において、カウント値Ｎが値Ｈより小さくない、即ちカウント値Ｎが値Ｈ以上であると判定された場合、ステップＳ４６において、判定部８２は、検出対象信号のフェードインアウト信号を出力し、処理は図７のステップＳ１１に戻る。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月29日(2010.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
ブロック周波数変換装置４ａでは、入力端子６ａに第１のグループの地上デジタルテレビジョン放送信号が供給される。第１のグループの地上デジタルテレビジョン放送信号は、第１の受信アンテナ（図示せず）で受信されている。第１のグループの地上デジタルテレビジョン放送信号は、利得調整器８ａ、減衰器１０ａからなるレベル調整手段によってレベル調整が行われた後、フィルタ手段、例えばバンドパスフィルタ１２ａによって不要な信号成分が除去される。バンドパスフィルタ１２ａの出力信号は、増幅手段、例えば高周波増幅器１４ａによって増幅される。増幅器１４ａの出力信号は、フィルタ手段、例えばローパスフィルタ１６ａによって不要な信号成分が除去された後、ミキサ１８ａに供給される。ミキサ１８ａには、局部発振手段、例えば局部発振器２０ａから第１の局部発振信号ｆＬ１が供給されている。第１局部発振信号の周波数は、例えば３８６ＭＨｚに設定されている。これによって、ミキサ１８ａは、ＣＨ１８をＣ１４に、ＣＨ１９をＣ１５に周波数変換する。ミキサ１８ａの出力信号は、フィルタ手段、例えばバンドパスフィルタ２２ａによって不要な信号成分が除去される。バンドパスフィルタ２２ａの出力信号は、レベル調整手段、例えば利得調整器２４ａによってレベル調整が行われた後、増幅手段、例えば増幅器２６ａによって増幅される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
同様に、ＣＨ２１の受信電界強度が大きくて、第１の受信アンテナにおいてもＣＨ２１が受信されて、ブロック周波数変換装置４ａに供給されると、ＣＨ２１は、第１局部発振信号ｆＬ１によって周波数変換され、Ｃ１７と同じチャンネルに周波数変換され、Ｃ１７に妨害を与える。同様にＣＨ２２乃至ＣＨ２６の電界強度が大きく、ブロック周波数変換装置４ａに供給されると、ＣＨ２２の周波数変換後の信号がＣ１８に、ＣＨ２３の周波数変換後の信号がＣ１９に・・・・ＣＨ２６の周波数変換後の信号がＣ２１に妨害を与える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
妨害が生じる場合には、同図（ｂ）に示すように、ブロックコンバータ２の入力端子６ａ、６ｂには、同図（ａ）の場合と同様に、バンドパスフィルタ４０ａ、４０ｂを介して第１及び第２の受信アンテナでの受信信号を供給する。ブロックコンバータ２の操作スイッチ３２は、出力端子３８ａにブロック周波数変換装置４ａの出力信号のみが、出力端子３８ｂにブロック周波数変換装置４ｂの出力信号のみがそれぞれ出力されるように切り換えておく。出力端子３８ａの出力信号は、Ｃ１４、Ｃ１５のみを通過させるバンドパスフィルタ４４ａを介して出力し、出力端子３８ｂの出力信号は、Ｃ１６乃至Ｃ２１のみを通過させるバンドパスフィルタ４４ｂを介して出力する。これらバンドパスフィルタ４４ａ、４４ｂの出力信号は、混合手段、例えば混合器４６によって混合されて出力される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
上記の実施形態では、地上デジタルテレビジョン放送信号は、２つのグループとしたが、受信地域における地上デジタルテレビジョン放送信号の周波数割り当てによっては、更に多くのグループとすることもある。この場合、グループごとにブロック周波数変換装置を設けるが、これらブロック周波数変換装置で使用する局部発振信号の周波数と各グループの地上デジタルテレビジョン放送信号のチャンネルとの関係上、妨害信号が発生する場合には、まず各ブロック周波数変換装置の各出力信号を混合器で混合するように構成する。また、各ブロック周波数変換装置にそれぞれ対応する出力端子を設ける。１台を除いてブロック周波数変換装置の出力信号は、リレーのような選択手段を用いて、混合器に供給される状態と、対応する出力端子に出力信号を出力する状態とに切り換えられるように構成する。上述したようにして除かれたブロック周波数変換装置に対応する出力端子には、混合器の混合信号を供給する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月26日(2010.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カメラシステムにおいて、
撮像面上に結像する被写体の像に対応した光電変換出力を得る撮像素子と、
前記撮像素子の露光時間を制御するための露光時間制御部と、
前記撮像素子の光電変換出力の増幅率に相応したＩＳＯ感度値を設定する感度調整機能部と、
前記感度調整機能部で設定したＩＳＯ感度値に基づいて、レンズ部で消費される電力を低減するように前記レンズ部の制御方法を変更する変更手段と、
を有することを特徴とするカメラシステム。
【請求項２】
外来ノイズに対する強さを示すノイズ耐量データを有し、
前記感度調整機能部で設定したＩＳＯ感度値、前記露光時間制御部からの出力値、前記ノイズ耐量データに基づいて、前記レンズ部で消費される電力を低減するように前記レンズ部の制御方法を変更することを特徴とする請求項１に記載のカメラシステム。
【請求項３】
前記レンズ部の制御を行うレンズマイコンを有し、
前記変更手段は、前記レンズマイコンで消費される電力を低減するように制御方法を変更することを特徴とする請求項１または２に記載のカメラシステム。
【請求項４】
カメラシステムにおいて、
撮像面上に結像する被写体の像に対応した光電変換出力を得る撮像素子と、
前記撮像素子の露光時間を制御するための露光時間制御部と、
前記撮像素子の光電変換出力の増幅率に相応したＩＳＯ感度値を設定する感度調整機能部と、
外来ノイズに対する強さを示すノイズ耐量データと、
フォーカスレンズと、
前記フォーカスレンズを移動させるモータと、
前記感度調整機能部で設定したＩＳＯ感度値、前記露光時間制御部からの出力値、前記ノイズ耐量データに基づいて、前記モータの速度を制限するように制御方法を変更する変更手段と、
を有することを特徴とするカメラシステム。
【請求項５】
前記ＩＳＯ感度値が所定値よりも大きい場合、前記制御方法を変更することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のカメラシステム。
【請求項６】
前記変更手段は、前記撮像素子が光電変換中又は光電変換した後のデータが内部のメモリ装置に転送中である場合、前記制御方法を変更することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のカメラシステム。
【請求項７】
前記変更手段は、前記ノイズ耐量データから前記カメラ本体の外来ノイズに対する強さが設定された強さよりも小さいと判断した場合、前記制御方法を変更することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のカメラシステム。
【請求項８】
交換レンズであって、
カメラ本体から送信されるＩＳＯ感度値に基づいて、前記交換レンズで消費される電力を低減するように前記交換レンズの制御方法を変更する変更手段を有することを特徴とする交換レンズ。
【請求項９】
交換レンズであって、
カメラ本体から送信されるＩＳＯ感度値、露光時間、ノイズ耐量データに基づいて、前記交換レンズで消費される電力を低減するように前記交換レンズの制御方法を変更する変更手段を有することを特徴とする交換レンズ。
【請求項１０】
前記交換レンズの制御を行うレンズマイコンを有し、
前記変更手段は、前記レンズマイコンで消費される電力を低減するように制御方法を変更することを特徴とする請求項８または９に記載の交換レンズ。
【請求項１１】
交換レンズであって、
フォーカスレンズと、
前記フォーカスレンズを移動させるモータと、
カメラ本体から送信されるＩＳＯ感度値、露光時間、ノイズ耐量データに基づいて、前記モータの速度を制限するように制御方法を変更する変更手段と、
を有することを特徴とする交換レンズ。
【請求項１２】
カメラ本体であって、
撮像面上に結像する被写体の像に対応した光電変換出力を得る撮像素子と、
前記撮像素子の光電変換出力の増幅率に相応したＩＳＯ感度値を設定する感度調整機能部と、
請求項８に記載の交換レンズに前記ＩＳＯ感度値を送信する通信手段と、
を有することを特徴とするカメラ本体。
【請求項１３】
カメラ本体であって、
撮像面上に結像する被写体の像に対応した光電変換出力を得る撮像素子と、
前記撮像素子の露光時間を制御するための露光時間制御部と、
前記撮像素子の光電変換出力の増幅率に相応したＩＳＯ感度値を設定する感度調整機能部と、
外来ノイズに対する強さを示すノイズ耐量データと、
請求項９または１１に記載の交換レンズに前記ＩＳＯ感度値、前記露光時間制御部からの出力値、前記ノイズ耐量データを送信する通信手段と、
を有することを特徴とするカメラ本体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】カメラシステム、交換レンズおよびカメラ本体
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するための本発明に係るカメラシステムの技術的特徴は、撮像面上に結像する被写体の像に対応した光電変換出力を得る撮像素子と、前記撮像素子の露光時間を制御するための露光時間制御部と、前記撮像素子の光電変換出力の増幅率に相応したＩＳＯ感度値を設定する感度調整機能部と、前記感度調整機能部で設定したＩＳＯ感度値に基づいて、レンズ部で消費される電力を低減するように前記レンズ部の制御方法を変更する変更手段と、を有することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明によるカメラシステムの技術的特徴は、撮像面上に結像する被写体の像に対応した光電変換出力を得る撮像素子と、前記撮像素子の露光時間を制御するための露光時間制御部と、前記撮像素子の光電変換出力の増幅率に相応したＩＳＯ感度値を設定する感度調整機能部と、外来ノイズに対する強さを示すノイズ耐量データと、フォーカスレンズと、前記フォーカスレンズを移動させるモータと、前記感度調整機能部で設定したＩＳＯ感度値、前記露光時間制御部からの出力値、前記ノイズ耐量データに基づいて、前記モータの速度を制限するように制御方法を変更する変更手段と、を有することにある。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月17日(2009.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一導電型の電荷蓄積領域と複数の第二導電型の不純物領域とを含んで構成される光電変換素子と、前記光電変換素子にて生じた電荷を転送する転送ＭＯＳトランジスタと、前記転送ＭＯＳトランジスタによって電荷が転送される第一導電型の不純物領域と、が第一導電型の半導体基板に配されたＣＭＯＳ型光電変換装置であって、
前記複数の第二導電型の不純物領域は、前記電荷蓄積領域の下部から前記転送ＭＯＳトランジスタのゲート電極の下部まで連続して配され、且つ、少なくとも第１の不純物領域と、該第１の不純物領域と前記電荷蓄積領域との間に配された第２の不純物領域と、該第２の不純物領域と前記電荷蓄積領域との間に配された第３の不純物領域と、を含み、
前記第１の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ１と、前記第２の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ２と、前記第３の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ３とが、Ｃ２＜Ｃ３＜Ｃ１
の関係を満たし、
前記ＣＭＯＳ型光電変換装置は、前記第３の不純物領域の上部かつ前記転送ＭＯＳトランジスタのゲート電極の下部に配された第二導電型のチャネルドープ領域を有していることを特徴とするＣＭＯＳ型光電変換装置。
【請求項２】
前記第３の不純物領域の不純物濃度ピークは、前記第３の不純物領域の前記電荷蓄積領域側に配されていることを特徴とする請求項１に記載のＣＭＯＳ型光電変換装置。
【請求項３】
前記第１の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ１と前記第２の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ２との関係が、３×Ｃ２≦Ｃ１であることを特徴とする請求項１あるいは２に記載のＣＭＯＳ型光電変換装置。
【請求項４】
前記第１の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ１と前記第２の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ２との関係が、５×Ｃ２≦Ｃ１であることを特徴とする請求項３に記載のＣＭＯＳ型光電変換装置。
【請求項５】
前記第１の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ１が１×１０１６ｃｍ−３＜Ｃ１＜１×１０１８ｃｍ−３であり、
前記第２の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ２が１×１０１５ｃｍ−３＜Ｃ２＜５×１０１６ｃｍ−３であり、
前記第３の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ３が２×１０１５ｃｍ−３＜Ｃ３＜２×１０１７ｃｍ−３であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のＣＭＯＳ型光電変換装置。
【請求項６】
前記複数の第二導電型の不純物領域のそれぞれは、前記電荷蓄積領域の下部から前記光電変換素子に隣接した素子分離部の下部まで連続して配されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のＣＭＯＳ型光電変換装置。
【請求項７】
第一導電型の電荷蓄積領域と第二導電型の不純物領域とを含んで構成される光電変換素子と、前記光電変換素子にて生じた電荷を転送する転送ＭＯＳトランジスタと、前記転送ＭＯＳトランジスタによって電荷が転送される第一導電型の不純物領域と、が第一導電型の半導体基板に配されたＣＭＯＳ型光電変換装置であって、
前記第二導電型の不純物領域は、前記電荷蓄積領域の下部から前記転送ＭＯＳトランジスタのゲート電極の下部まで連続して配され、且つ、前記電荷蓄積部の下部から前記半導体基板の深部に向かって順に位置する第１の不純物濃度ピークと、第２の不純物濃度ピークと、第３の不純物濃度ピークとを少なくとも有し、
前記第１の不純物濃度ピークの濃度Ｃ１と、前記第２の不純物濃度ピークの濃度Ｃ２と、前記第３の不純物濃度ピークの濃度Ｃ３とが、
Ｃ２＜Ｃ３＜Ｃ１
の関係を満たし、
前記ＣＭＯＳ型光電変換装置は、前記第二導電型の不純物領域の上部かつ前記転送ＭＯＳトランジスタのゲート電極の下部に配された第二導電型の不純物領域を有していることを特徴とするＣＭＯＳ型光電変換装置。
【請求項８】
前記光電変換素子は、前記電荷蓄積領域の表面側に接して形成された第二導電型の表面不純物領域を有する請求項１乃至７のいずれか１項に記載のＣＭＯＳ型光電変換装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載のＣＭＯＳ型光電変換装置と、
該ＣＭＯＳ型光電変換装置へ光を結像する光学系と、
該ＣＭＯＳ型光電変換装置からの信号を処理する信号処理回路とを有することを特徴とする撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の第１の側面は、第一導電型の電荷蓄積領域と複数の第二導電型の不純物領域とを含んで構成される光電変換素子と、前記光電変換素子にて生じた電荷を転送する転送ＭＯＳトランジスタと、前記転送ＭＯＳトランジスタによって電荷が転送される第一導電型の不純物領域と、が第一導電型の半導体基板に配されたＣＭＯＳ型光電変換装置に係り、前記複数の第二導電型の不純物領域は、前記電荷蓄積領域の下部から前記転送ＭＯＳトランジスタのゲート電極の下部まで連続して配され、且つ、少なくとも第１の不純物領域と、該第１の不純物領域と前記電荷蓄積領域との間に配された第２の不純物領域と、該第２の不純物領域と前記電荷蓄積領域との間に配された第３の不純物領域とを含み、前記第１の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ１と、前記第２の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ２と、前記第３の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ３とが、Ｃ２＜Ｃ３＜Ｃ１の関係を満たし、前記ＣＭＯＳ型光電変換装置は、前記第３の不純物領域の上部かつ前記転送ＭＯＳトランジスタのゲート電極の下部に配された第二導電型のチャネルドープ領域を有していることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の第２の側面は、第一導電型の電荷蓄積領域と第二導電型の不純物領域とを含んで構成される光電変換素子と、前記光電変換素子にて生じた電荷を転送する転送ＭＯＳトランジスタと、前記転送ＭＯＳトランジスタによって電荷が転送される第一導電型の不純物領域と、が第一導電型の半導体基板に配されたＣＭＯＳ型光電変換装置に係り、前記第二導電型の不純物領域は、前記電荷蓄積領域の下部から前記転送ＭＯＳトランジスタのゲート電極の下部まで連続して配され、且つ、前記電荷蓄積部の下部から前記半導体基板の深部に向かって順に位置する第１の不純物濃度ピークと、第２の不純物濃度ピークと、第３の不純物濃度ピークとを少なくとも有し、前記第１の不純物濃度ピークの濃度Ｃ１と、前記第２の不純物濃度ピークの濃度Ｃ２と、前記第３の不純物濃度ピークの濃度Ｃ３とが、Ｃ２＜Ｃ３＜Ｃ１の関係を満たし、前記ＣＭＯＳ型光電変換装置は、前記第二導電型の不純物領域の上部かつ前記転送ＭＯＳトランジスタのゲート電極の下部に配された第二導電型の不純物領域を有していることを特徴とする。