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【手続補正書】
【提出日】平成22年7月2日(2010.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板処理装置及び基板処理装置の排気ガス処理方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応室より排出された排気ガスに含まれる副生成物を捕捉するトラップを排気系に付設する基板処理装置であって、  前記トラップの内部に、排気ガスの流れに対し、少なくとも上流側および下流側ともに、前記排気ガスを強制冷却するための強制冷却手段を備え、前記強制冷却手段は、排気ガスの下流側より上流側の冷却力が大きくなるように構成されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
さらに、前記トラップの内部に、前記排気ガスを滞留させるための遮蔽手段を備えることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
基板を処理する処理室と、その処理室内のガスを排気する第一の排気ラインと、
第一の排気ラインと第一の開口部にて連通し処理室から排気された排気ガスの中に含まれる処理室で生成された反応生成物を液化して除去するトラップと、トラップの底部に設けられた第二の開口部にて連通しトラップにより液化された反応生成物を捕集する捕集ラインと、トラップと第三の開口部にて連通しトラップから排気された排気ガスを排気する第二の排気ラインとを備える基板処理装置の排気ガス処理方法であって、
処理室から排気された排気ガスを第三の開口部から遠ざけるように案内経路によってトラップ内に案内する第１のステップと、
その案内経路から第四の開口部を経てトラップ内に排気ガスを排出する第２のステップと、
捕集ラインから第二の開口部を経て第三の開口部側まで延在する冷却手段によって第四の開口部から排出された排気ガスを冷却する第３のステップと、
冷却された排気ガスから液化副生成物を捕捉する第４のステップと、
液化副生成物の含まれない排気ガスを第５の開口部から工場排気させる第５のステップと、
から構成される基板処理装置の排気ガス処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月8日(2010.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
各前記第１のトランジスタの制御電極は、前記第２の方向に沿って連続的に延在する導電層で構成され、
各前記第３のトランジスタの制御電極は、前記第２の方向に沿って連続的に延在する導電層で形成され、
各前記第２のトランジスタの制御電極は、対応のメモリセル領域において前記第１の活性領域を横切るように形成される前記第２の方向に沿って配置される導電層で構成される、請求項１３記載の半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月17日(2010.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法、表示装置の作製方法、半導体装置、及び表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上面の一部に凹部を形成し、
前記凹部に接合層を形成し、
前記凹部において、前記基板と、水素イオンを所定の深さに注入して形成されたイオン注入層を有する半導体基板とを前記接合層を介して貼り合わせ、
熱処理を行い、前記イオン注入層を劈開面として前記半導体基板の一部を剥離して前記基板上にＳＯＩ層を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板の上面の一部に凹部を形成し、
前記凹部に接合層を形成し、
前記凹部において、前記基板と、水素イオンを所定の深さに注入して形成されたイオン注入層を有する半導体基板とを前記接合層を介して貼り合わせ、
熱処理を行い、前記イオン注入層を劈開面として前記半導体基板の一部を剥離して前記基板上にＳＯＩ層を形成し、
前記ＳＯＩ層上及び前記基板上に半導体層を形成し、
前記凹部が形成された領域以外の前記基板の上面の領域においてマスク層を選択的に形成し、
前記マスク層をマスクとしてエッチングすることにより、前記ＳＯＩ層と異なる領域に選択的に半導体層を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記ＳＯＩ層は、複数のＳＯＩ層が前記凹部において互いに隣り合って接するように前記基板に複数の前記半導体基板を貼り合わせて形成する半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記基板上に選択的にマスクを形成し、
前記基板表面に平均粒子径が３μｍ〜４０μｍである微細粉末を噴射し、前記マスクが形成されていない部分の表面を削ることにより、前記凹部を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記マスクは紫外線硬化型のウレタン樹脂である半導体装置の作製方法。
【請求項６】
基板の上面の一部に凹部を形成し、
前記凹部に接合層を形成し、
前記凹部において、前記基板と、水素イオンを所定の深さに注入して形成されたイオン注入層を有する半導体基板とを前記接合層を介して貼り合わせ、
熱処理を行い、前記イオン注入層を劈開面として前記半導体基板の一部を剥離して前記基板上にＳＯＩ層を形成し、
前記ＳＯＩ層上に選択的にマスク層を形成し、
前記マスク層をマスクとしてエッチングすることにより島状のＳＯＩ層を形成し、
前記島状のＳＯＩ層を覆うようにゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層を介して前記島状のＳＯＩ層の一部の上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして不純物元素を添加することにより、前記島状のＳＯＩ層の一部に不純物領域を形成し、
前記ゲート電極上及び前記ゲート絶縁層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層の前記不純物領域上の部分にコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールを介して前記不純物領域と接するように配線を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一に記載の半導体装置と対向基板とを用いた表示装置の作製方法であって、
前記凹部が形成された基板の周辺部と前記対向基板との間で封止を行う表示装置の作製方法。
【請求項８】
上面の一部に凹部が設けられた基板と、
前記凹部に設けられた接合層と、
前記接合層上に前記凹部において貼り合わされることにより設けられたＳＯＩ層と、を有する半導体装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記凹部が設けられた部分以外の前記基板の上面の一部の上に設けられた半導体層と、を有する半導体装置。
【請求項１０】
請求項８または請求項９において、
前記ＳＯＩ層は、前記凹部において互いに隣り合って接するように設けられた複数のＳＯＩ層により構成される半導体装置。
【請求項１１】
請求項８乃至請求項１０のいずれか一項に記載のＳＯＩ層と、
前記ＳＯＩ層を覆うように設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記ＳＯＩ層上に設けられたゲート電極と、
前記ＳＯＩ層の一部に設けられた不純物領域と、
前記ゲート電極及び前記ゲート絶縁層上に設けられ、複数のコンタクトホールを有する絶縁層と、
前記コンタクトホールを介して前記不純物領域に接するように設けられた配線と、
対向基板と、を有し、
前記ＳＯＩ基板の周辺部と前記対向基板との間で封止が行われている表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月22日(2010.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
除振台と、
前記除振台を支持する空気ばねと、
前記空気ばねを駆動するアクチュエータと、
除振用リニアモータと、
前記除振台の位置を計測する位置計測手段と、
前記除振台の振動を計測する振動計測手段と、
前記位置計測手段の出力に基づく位置フィードバック制御系および前記振動計測手段の出力に基づく加速度フィードバック制御系を含み、前記アクチュエータおよび前記除振用リニアモータを制御する制御手段と、を有する除振装置であって、
前記制御手段は、前記加速度フィードバック制御系の制御電流値の２乗を積分時間にわたって積分した値により地震を検知する、ことを特徴とする除振装置。
【請求項２】
前記制御手段は、地震を検知した場合、前記加速度フィードバック制御系の制御電流の入力対象を前記除振用リニアモータから前記アクチュエータに切り換える、ことを特徴とする請求項１に記載の除振装置。
【請求項３】
前記制御手段は、地震が収まったことを検知した場合、前記加速度フィードバック制御系の制御電流の入力対象を前記アクチュエータから前記除振用リニアモータに切り換える、ことを特徴とする請求項２に記載の除振装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の除振装置の除振台に載置されている、ことを特徴とする露光装置。
【請求項５】
請求項４に記載の露光装置を用いてウェハを露光する工程と、前記工程で露光されたウェハを現像する工程と、を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
しかし、上記の従来例の防振装置は、地震検知用センサにより地震を検知するため、除振台のアクティブ制御が、地震によって過負荷となるタイミングを正確に検知できない。
従って、地震発生時に防振装置を停止するための地震検知トレランスを適切な値に設定することが難しい。
また、地震検知トレランス値が適切でない場合、地震検知用センサが地震を検知する前に、加速度フィードバックループ制御用アクチュエータのドライバー出力電流がその電気容量を越える場合がある。この場合、ドライバーのハードインターロックが先に掛かる。
その結果、加速度フィードバックループ制御が停止してしまうという問題が生じる。
そこで、本発明は、地震が発生した場合の制御に有利な除振装置を提供することを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明の除振装置は、除振台と、
前記除振台を支持する空気ばねと、
前記空気ばねを駆動するアクチュエータと、
除振用リニアモータと、
前記除振台の位置を計測する位置計測手段と、
前記除振台の振動を計測する振動計測手段と、
前記位置計測手段の出力に基づく位置フィードバック制御系および前記振動計測手段の出力に基づく加速度フィードバック制御系を含み、前記アクチュエータおよび前記除振用リニアモータを制御する制御手段と、を有する除振装置であって、
前記制御手段は、前記加速度フィードバック制御系の制御電流値の２乗を積分時間にわたって積分した値により地震を検知する、ことを特徴とする除振装置である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明によれば、地震が発生した場合の制御に有利な除振装置を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月4日(2010.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）第一の導電型を有する第一のトランジスタが形成される第一の領域と、第二の導電型を有する第二のトランジスタが形成される第二の領域とを有する、半導体基板を用意する工程と、
（Ｂ）前記第一の領域の前記半導体基板上に、加熱により応力が生ずるカバー膜を形成する工程と、
（Ｃ）前記工程（Ｂ）の後に、前記半導体基板に対して加熱処理を施すことによって前記カバー膜に応力を発生させることにより、前記第一の領域の前記半導体基板に対して、前記第一のトランジスタの特性を向上させる第一の特性向上処理を施す工程と、
（Ｄ）前記カバー膜をマスクとして使用して、前記カバー膜から露出している前記第二の領域の前記半導体基板に対して、前記第二のトランジスタの特性を向上させる第二の特性向上処理を施す工程とを、備えており、
前記第一のトランジスタは、
Ｎ型トランジスタであり、
前記第二のトランジスタは、
Ｐ型トランジスタであり、
前記工程（Ｄ）は、
（Ｄ−１）前記第二の領域において、前記Ｐ型トランジスタのソース・ドレイン領域となる前記半導体基板の上面部分を除去することにより、リセス部を形成する工程と、
（Ｄ−２）前記リセス部に対して、ＳｉＧｅエピタキシャル成長層を形成する工程とを、有する、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
（Ａ）第一の導電型を有する第一のトランジスタが形成される第一の領域と、第二の導電型を有する第二のトランジスタが形成される第二の領域とを有する、半導体基板を用意する工程と、
（Ｂ）前記第一の領域の前記半導体基板上に、加熱により応力が生ずるカバー膜を形成する工程と、
（Ｃ）前記工程（Ｂ）の後に、前記半導体基板に対して加熱処理を施すことによって前記カバー膜に応力を発生させることにより、前記第一の領域の前記半導体基板に対して、前記第一のトランジスタの特性を向上させる第一の特性向上処理を施す工程と、
（Ｄ）前記カバー膜をマスクとして使用して、前記カバー膜から露出している前記第二の領域の前記半導体基板に対して、前記第二のトランジスタの特性を向上させる第二の特性向上処理を施す工程とを、備えており、
前記第一のトランジスタは、
Ｐ型トランジスタであり、
前記第二のトランジスタは、
Ｎ型トランジスタであり、
前記工程（Ｄ）は、
（Ｄ−１）前記第二の領域において、前記Ｎ型トランジスタのソース・ドレイン領域となる前記半導体基板の上面部分を除去することにより、リセス部分を形成する工程と、
（Ｄ−２）前記リセス部分に対して、ＳｉＣエピタキシャル成長層を形成する工程とを、有する、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記工程（Ｄ）は、
前記工程（Ｃ）の後に行う、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記工程（Ｃ）は、
前記工程（Ｄ）の後に行う、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月17日(2009.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
点火プラグの中心電極を構成する略円柱形状のプラグ材料であって、
その断面構造において、第１の金属からなる境界相と、前記境界相により区分された第２の金属からなるセル相からなり、前記第１の金属と前記第２の金属とは、耐火花消耗性の異なる金属であり、
第１の金属及び第２の金属は、白金：５〜１００重量％、イリジウム：１０〜１００重量％、ロジウム：０．１〜５０重量％の少なくともいずれかよりなる貴金属合金、又は、前記貴金属合金に鉄、ニッケル、クロムの少なくともいずれかを０．１〜１５重量％添加した貴金属合金であり、
第１の金属のＩｒ濃度は第２の金属のＩｒ濃度に比べて５重量％以上少ないものであり、
プラグ材料の断面積に対する第２の金属の面積比が、２〜８０％であるプラグ材料。
【請求項２】
セル相は、外周に向かう平坦な延長部を有する略菱形又は略三叉形の多角形状を有し、前記セル相によって区分された複数の相が形成されてなる請求項１に記載のプラグ材料。
【請求項３】
境界相が複数のセル層を分断することにより、ハニカム形状を有してなる請求項１に記載のプラグ材料。
【請求項４】
外周側面に第１の金属からなる被覆層を有する請求項１〜請求項３のいずれかに記載のプラグ材料。
【請求項５】
請求項１〜請求項３のいずれかに記載のプラグ材料の製造方法であって、複数の第１の金属からなる棒材又は線材と、第２の金属からなる棒材又は線材とを並列に結束し、結束した前記棒材又は線材を線引き加工するプラグ材料の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜請求項４のいずれかに記載のプラグ材料の製造方法であって、第１の金属で被覆された第２の金属からなる棒材又は線材を複数並列に結束し、結束した前記棒材又は線材を線引き加工するプラグ材料の製造方法。
【請求項７】
結束した棒材又は線材の、側面又は少なくともいずれかの端部を溶接接合した後、線引き加工する請求項５又は請求項６記載のプラグ材料の製造方法。
【請求項８】
線引き加工の前に、結束した棒材又は線材を第１の金属からなる筒状材に挿入し、前記筒状材を線引き加工する請求項６又は請求項７記載のプラグ材料の製造方法。
【請求項９】
第１の金属と第２の金属との硬度差が１００Ｈｖ以下である材料を用いて加工する請求項５〜請求項８のいずれかに記載のプラグ材料の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【表１】
2009016255.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月3日(2010.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
また、被写体を追尾する際、被写体の移動に伴う合焦位置のずれが生じないように画面内のＡＦ枠を移動させて被写体を追尾し、ＡＦ動作を継続するカメラがある（例えば、特許文献３参照）。同特許文献３ではＣＣＤイメージセンサにより得られる撮像出力信号に基づいて撮影対象物の動きベクトルを動きベクトル検出部により検出し、その動きベクトルに応じて合焦制御部における測距領域を測距領域制御部７により移動させる制御を行い、合焦制御部により画像の合焦状態を検出し、撮像レンズの合焦機構を駆動するモータを制御して被写体を追尾し、ＡＦ動作を継続すると共に、合焦制御部の測距領域の位置をビューファインダの表示画面に表示する撮像装置が開示されている。
また、特許文献４には、ユーザがディスプレイに重畳されたタッチパネル上の任意の位置をタップすると、ＡＦ枠をその座標を中心とするように配置し、そのＡＦ領域を対象としてＡＦ処理を行うＰＤＡが開示されている。
【特許文献１】特開２０００−９２３５４号公報
【特許文献２】特開２００４−１１２５５０号公報
【特許文献３】特開平５−３４４４０３号公報
【特許文献４】特開２００４−２０５８８４号公報
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月6日(2010.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極の間に、昇華精製された有機化合物を含む有機光電変換層と、一方の電極と該有機光電変換層との間に有機正孔ブロッキング層とを配置し、該正孔ブロッキング層のイオン化ポテンシャルが、隣接する一方の電極の仕事関数より１．３ｅＶ以上大きく、かつ、該正孔ブロッキング層の電子親和力が、隣接する有機光電変換層の電子親和力と同等か、もしくはそれより大きいことを特徴とする有機光電変換素子。
【請求項２】
一対の電極の間に、昇華精製された有機化合物を含む有機光電変換層と、一方の電極と該有機光電変換層との間に有機電子ブロッキング層とを配置し、該電子ブロッキング層の電子親和力が、隣接する一方の電極の仕事関数より１．３ｅＶ以上小さく、かつ、該電子ブロッキング層のイオン化ポテンシャルが、隣接する有機光電変換層のイオン化ポテンシャルと同等か、もしくはそれより小さいことを特徴とする有機光電変換素子。
【請求項３】
一対の電極の間に、昇華精製された有機化合物を含む有機光電変換層と、一方の電極と該有機光電変換層との間に有機正孔ブロッキング層と、もう一方の電極と該有機光電変換層との間に有機電子ブロッキング層とを配置し、該正孔ブロッキング層のイオン化ポテンシャルが、隣接する一方の電極の仕事関数より１．３ｅＶ以上大きく、かつ、該正孔ブロッキング層の電子親和力が、隣接する有機光電変換層の電子親和力と同等か、もしくはそれより大きく、
かつ、該電子ブロッキング層の電子親和力が、隣接するもう一方の電極の仕事関数より１．３ｅＶ以上小さく、かつ、該電子ブロッキング層のイオン化ポテンシャルが、隣接する有機光電変換層のイオン化ポテンシャルと同等か、もしくはそれより小さいことを特徴とする有機光電変換素子。
【請求項４】
上記有機正孔ブロッキング層の中に電子供与性の材料を、０．１％〜３０％混合することを特徴とする請求項１または３のいずれかに記載の有機光電変換素子。
【請求項５】
上記有機電子ブロッキング層の中に電子受容性の材料を、０．１％〜３０％混合することを特徴とする請求項２または３のいずれかに記載の有機光電変換素子。
【請求項６】
上記有機ブロッキング層の厚みが１０ｎｍ〜２００ｎｍであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の有機光電変換素子。
【請求項７】
上記有機化合物が３回以上昇華精製された有機化合物であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の有機光電変換素子。
【請求項８】
更に、ＣＣＤ又はＣＭＯＳによる読み出し回路を有する請求項１〜７のいずれか一つに記載の有機光電変換素子。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一つに記載の有機光電変換素子を組み込んだことを特徴とする撮像素子。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれか一つに記載の有機光電変換素子の駆動法であって
外部から１．０×１０５Ｖ／ｃｍ〜１．０×１０７Ｖ／ｃｍの電圧を前記有機光電変換層に印加し、光を照射し、該光照射により生じたキャリアを読み出すことを特徴とする有機光電変換素子の駆動方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
（１）
一対の電極の間に、昇華精製された有機化合物を含む有機光電変換層と、一方の電極と該有機光電変換層との間に有機正孔ブロッキング層とを配置し、該正孔ブロッキング層のイオン化ポテンシャルが、隣接する一方の電極の仕事関数より１．３ｅＶ以上大きく、かつ、該正孔ブロッキング層の電子親和力が、隣接する有機光電変換層の電子親和力と同等か、もしくはそれより大きいことを特徴とする有機光電変換素子。
（２）
一対の電極の間に、昇華精製された有機化合物を含む有機光電変換層と、一方の電極と該有機光電変換層との間に有機電子ブロッキング層とを配置し、該電子ブロッキング層の電子親和力が、隣接する一方の電極の仕事関数より１．３ｅＶ以上小さく、かつ、該電子ブロッキング層のイオン化ポテンシャルが、隣接する有機光電変換層のイオン化ポテンシャルと同等か、もしくはそれより小さいことを特徴とする有機光電変換素子。
（３）
一対の電極の間に、昇華精製された有機化合物を含む有機光電変換層と、一方の電極と該有機光電変換層との間に有機正孔ブロッキング層と、もう一方の電極と該有機光電変換層との間に有機電子ブロッキング層とを配置し、該正孔ブロッキング層のイオン化ポテンシャルが、隣接する一方の電極の仕事関数より１．３ｅＶ以上大きく、かつ、該正孔ブロッキング層の電子親和力が、隣接する有機光電変換層の電子親和力と同等か、もしくはそれより大きく、
かつ、該電子ブロッキング層の電子親和力が、隣接するもう一方の電極の仕事関数より１．３ｅＶ以上小さく、かつ、該電子ブロッキング層のイオン化ポテンシャルが、隣接する有機光電変換層のイオン化ポテンシャルと同等か、もしくはそれより小さいことを特徴とする有機光電変換素子。
（４）
上記有機正孔ブロッキング層の中に電子供与性の材料を、０．１％〜３０％混合することを特徴とする（１）または（３）のいずれかに記載の有機光電変換素子。
（５）
上記有機電子ブロッキング層の中に電子受容性の材料を、０．１％〜３０％混合することを特徴とする（２）または（３）のいずれかに記載の有機光電変換素子。
（６）
上記有機ブロッキング層の厚みが１０ｎｍ〜２００ｎｍであることを特徴とする（１）〜（５）のいずれか一つに記載の有機光電変換素子。
（７）
上記有機化合物が３回以上昇華精製された有機化合物であることを特徴とする（１）〜（６）のいずれか一つに記載の有機光電変換素子。
（８）
更に、ＣＣＤ又はＣＭＯＳによる読み出し回路を有する（１）〜（７）のいずれか一つに記載の有機光電変換素子。
（９）
上記（１）〜（８）のいずれか一つに記載の有機光電変換素子を組み込んだことを特徴とする撮像素子。
（１０）
上記（１）〜（８）のいずれか一つに記載の有機光電変換素子の駆動法であって
外部から１．０×１０５Ｖ／ｃｍ〜１．０×１０７Ｖ／ｃｍの電圧を前記有機光電変換層に印加し、光を照射し、該光照射により生じたキャリアを読み出すことを特徴とする有機光電変換素子の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月5日(2010.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽光を太陽電池セル層の隙間から透過して全体として太陽光を半透過する透過型太陽電池モジュールにおいて、前記太陽電池セル層の太陽光受光面の反対側に液晶層を配置したことを特徴とする透過型太陽電池モジュール。
【請求項２】
前記液晶層への印加電圧を制御して前記液晶層の光透過率を変化するようにしたことを特徴とする請求項１に記載の透過型太陽電池モジュール。
【請求項３】
前記液晶層は部分的に光透過率を変化させることを特徴とする請求項２に記載の透過型太陽電池モジュール。
【請求項４】
前記液晶層は前記太陽電池セル層の隙間に相当する位置に配置したことを特徴とする請求項１〜３の何れか１つの請求項に記載の透過型太陽電池モジュール。
【請求項５】
前記太陽電池セル層及び液晶層を２枚の透明基板により挟着したことを特徴とする請求項１〜４の何れか１つの請求項に記載の透過型太陽電池モジュール。
【請求項６】
前記２枚の透明基板間の任意の位置に空気層又は希ガス層を設けたことを特徴とする請求項５に記載の透過型太陽電池モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月16日(2010.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に導電性薄膜、光電変換膜、透明導電性酸化物薄膜の順に積層されてなる光電変換素子において、該透明導電性酸化物薄膜の膜厚が該光電変換膜厚みの１／５以下であることを特徴とする光電変換素子。
【請求項２】
前記透明導電性酸化物薄膜の膜厚が前記光電変換膜厚みの１／１０以下であることを特徴とする請求項１に記載の光電変換素子。
【請求項３】
基体上に導電性薄膜、光電変換膜、透明導電性酸化物薄膜の順に積層されてなる光電変換素子において、該透明導電性酸化物薄膜の膜厚が５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする光電変換素子。
【請求項４】
前記光電変換膜の膜厚が３５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項５】
前記透明導電性酸化物がＩＴＯ又はＩＺＯであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項６】
前記透明導電性酸化物薄膜の光透過率が光波長４００〜７００ｎｍの範囲で７５％以上であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項７】
前記透明導電性酸化物薄膜のシート抵抗が１００Ω/□以上１００００Ω/□以下であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項８】
前記透明導電性酸化物薄膜がプラズマフリーな方法で成膜されることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項９】
前記光電変換膜に、顔料系材料層が含まれることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項１０】
前記顔料系材料層の膜厚が７５ｎｍ以上であることを特徴とする請求項９に記載の光電変換素子。
【請求項１１】
前記顔料系材料層の膜厚が１００ｎｍ以上であることを特徴とする請求項９または１０に記載の光電変換素子。
【請求項１２】
前記導電性薄膜下方の半導体基板内に無機光電変換部を有する請求項１〜１１のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項１３】
前記透明導電性酸化物薄膜の上に形成された保護膜を有する請求項１〜１２のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項１４】
前記光電変換膜が、ｐ型有機半導体又はｎ型有機半導体を含む請求項１〜１３のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項１５】
前記光電変換膜が、電荷ブロッキング層を含む請求項１〜１４のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項１６】
前記電荷ブロッキング層が電子ブロッキング層である請求項１５に記載の光電変換素子。
【請求項１７】
前記透明導電性酸化物薄膜が前記光電変換膜上に形成されている請求項１〜１６のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項１８】
請求項１〜１７のいずれかに記載の光電変換素子を有する撮像素子。
【請求項１９】
請求項１８記載の撮像素子であって、
前記光電変換素子が上方に形成される基板と、
前記基板に形成され、前記光電変換素子で発生した信号電荷に応じた信号を読み出す読み出し部とを備える撮像素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明は下記の手段により、解決された。
（１）基体上に導電性薄膜、光電変換膜、透明導電性酸化物薄膜の順に積層されてなる光電変換素子において、該透明導電性酸化物薄膜の膜厚が該光電変換膜厚みの１／５以下であることを特徴とする光電変換素子。
（２）前記透明導電性酸化物薄膜の膜厚が前記光電変換膜厚みの１／１０以下であることを特徴とする（１）に記載の光電変換素子。
（３）基体上に導電性薄膜、光電変換膜、透明導電性酸化物薄膜の順に積層されてなる光電変換素子において、該透明導電性酸化物薄膜の膜厚が５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする光電変換素子。
（４）前記光電変換膜の膜厚が３５０ｎｍ以下であることを特徴とする（１）〜（３）のいずれかに記載の光電変換素子。
（５）前記透明導電性酸化物がＩＴＯ又はＩＺＯであることを特徴とする（１）〜（４）のいずれかに記載の光電変換素子。
（６）前記透明導電性酸化物薄膜の光透過率が光波長４００〜７００ｎｍの範囲で７５％以上であることを特徴とする（１）〜（５）のいずれかに記載の光電変換素子。
（７）前記透明導電性酸化物薄膜のシート抵抗が１００Ω/□以上１００００Ω/□以下であることを特徴とする（１）〜（６）のいずれかに記載の光電変換素子。
（８）前記透明導電性酸化物薄膜がプラズマフリーな方法で成膜されることを特徴とする（１）〜（７）のいずれかに記載の光電変換素子。
（９）前記光電変換膜に、顔料系材料層が含まれることを特徴とする（１）〜（８）のいずれかに記載の光電変換素子。
（１０）前記顔料系材料層の膜厚が７５ｎｍ以上であることを特徴とする（９）に記載の光電変換素子。
（１１）前記顔料系材料層の膜厚が１００ｎｍ以上であることを特徴とする（９）または（１０）に記載の光電変換素子。
（１２）前記導電性薄膜下方の半導体基板内に無機光電変換部を有する（１）〜（１１）のいずれかに記載の光電変換素子。
（１３）前記透明導電性酸化物薄膜の上に形成された保護膜を有する（１）〜（１２）のいずれかに記載の光電変換素子。
（１４）前記光電変換膜が、ｐ型有機半導体又はｎ型有機半導体を含む（１）〜（１３）のいずれかに記載の光電変換素子。
（１５）前記光電変換膜が、電荷ブロッキング層を含む（１）〜（１４）のいずれかに記載の光電変換素子。
（１６）前記電荷ブロッキング層が電子ブロッキング層である（１５）に記載の光電変換素子。
（１７）前記透明導電性酸化物薄膜が前記光電変換膜上に形成されている（１）〜（１６）のいずれかに記載の光電変換素子。
（１８）（１）〜（１７）のいずれかに記載の光電変換素子を有する撮像素子。
（１９）（１８）記載の撮像素子であって、前記光電変換素子が上方に形成される基板と、前記基板に形成され、前記光電変換素子で発生した信号電荷に応じた信号を読み出す読み出し部とを備える撮像素子。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月14日(2010.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光色の異なる複数の有機発光素子を有し、
各有機発光素子は、光反射性の陰極と、前記陰極に接している電子注入層および発光層を含む有機化合物層と、光透過性の陽極と、を有し、
前記電子注入層は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物の少なくとも１種と、有機化合物と、を含む有機発光装置において、
前記電子注入層の厚みは、前記発光色の異なる複数の有機発光素子で異なっており、かつ、各有機発光素子の前記発光層から外部に出る光と前記陰極が有する反射面で反射して外部に出る光とが強め合う膜厚であることを特徴とする有機発光装置。
【請求項２】
各有機発光素子における前記電子注入層を除く前記有機化合物層の厚みは、前記発光色によらず同一であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光装置。
【請求項３】
前記有機化合物層は、前記電子注入層以外の電荷伝導層を有し、
前記電荷伝導層は、発光色の異なる複数の有機発光素子の間を跨いで共通に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の有機発光装置。
【請求項４】
各有機発光素子における、前記発光層中の発光位置と前記陰極が有する反射面との間の光学距離が、各有機発光素子の前記発光層から外部に出る光と前記陰極が有する反射面で反射して外部に出る光とが強め合う光学距離であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項５】
各有機発光素子における、前記発光層中の発光位置と前記陰極が有する反射面との間の光学距離が、前記発光層から出る光のピーク波長の１／４の奇数倍であることを特徴とする請求項４に記載の有機発光装置。
【請求項６】
各有機発光素子における、前記発光層中の発光位置と前記陰極が有する反射面との間の光学距離が、前記発光層から出る光のピーク波長の３／４であることを特徴とする請求項５に記載の有機発光装置。
【請求項７】
前記アルカリ金属化合物は、セシウム化合物であることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項８】
前記セシウム化合物は、炭酸セシウムを加熱して得られる物質であることを特徴とする請求項７に記載の有機発光装置。
【請求項９】
前記複数の有機発光素子を駆動するための薄膜トランジスタを複数有することを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項１０】
前記薄膜トランジスタは、ｎチャンネル型であることを特徴とする請求項９に記載の有機発光装置。
【請求項１１】
前記薄膜トランジスタを形成する半導体層は、アモルファスシリコンであることを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の有機発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記背景技術の課題を解決するための手段として、請求項１に記載した発明に係る有機発光装置は、
発光色の異なる複数の有機発光素子を有し、
各有機発光素子は、光反射性の陰極と、前記陰極に接している電子注入層および発光層を含む有機化合物層と、光透過性の陽極と、を有し、
前記電子注入層は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物の少なくとも１種と、有機化合物と、を含む有機発光装置において、
前記電子注入層の厚みは、前記発光色の異なる複数の有機発光素子で異なっており、かつ、各有機発光素子の前記発光層から外部に出る光と前記陰極が有する反射面で反射して外部に出る光とが強め合う膜厚であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
なお、トップエミッション素子では、反射電極と空気界面の間の光学距離も光取り出し効率に影響を与えることが知られている。光取り出し効率を向上させる目的で、発光色毎に別々に成膜する発光層の膜厚を発光色毎に変えることで膜厚を調整することができる。この場合、発光色毎に駆動電圧を大きく変えない範囲で厚みを調整することが望ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月30日(2010.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱膨張率６×１０−７／℃より大きく３８×１０−７／℃以下のガラス基板上に、半導体膜を含む層を形成し、
前記半導体膜を含む層を加熱して前記半導体膜を含む層の全応力を−５００Ｎ／ｍ以上＋５０Ｎ／ｍ以下とした後、
前記半導体膜を含む層に紫外光であり、幅が１００μｍ以下であり、前記幅に対する長さの比が１対５００以上であるパルス発振のレーザビームを照射して前記半導体膜を完全溶融させながら基板の水平方向に結晶を成長させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記半導体膜を含む層は、前記ガラス基板上に窒化酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、非晶質珪素膜を順に積層して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１において、前記半導体膜を含む層は、前記ガラス基板上に酸化窒化珪素膜、非晶質珪素膜を順に積層して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
熱膨張率が６×１０−７／℃より大きく３８×１０−７／℃以下で厚さが０．５ｍｍ以上１．２ｍｍ以下のガラス基板に、厚さ４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の窒化酸化珪素膜、厚さ８０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下の酸化窒化珪素膜、及び厚さ５０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の非晶質半導体膜を順にプラズマＣＶＤ法で成膜し、
５００℃以上６５０℃以下で加熱し、前記窒化酸化珪素膜、前記酸化窒化珪素膜、及び前記非晶質半導体膜の全応力を−５００Ｎ／ｍ以上＋５０Ｎ／ｍ以下とした後、
前記非晶質半導体膜に紫外光であり、幅が１００μｍ以下であり、前記幅に対する長さの比が１対５００以上であるパルス発振のレーザビームを照射し、前記非晶質半導体膜を完全溶融させながら前記ガラス基板の水平方向に結晶を成長させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
熱膨張率が６×１０−７／℃より大きく３１．８×１０−７／℃以下であり、厚さが０．５ｍｍ以上１．２ｍｍ以下であるガラス基板に、厚さ４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の窒化酸化珪素膜、厚さ８０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下の酸化窒化珪素膜、厚さ５０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の非晶質半導体膜を順にプラズマＣＶＤ法で成膜し、
５００℃以上６５０℃以下で加熱し、前記窒化酸化珪素膜、前記酸化窒化珪素膜、及び前記非晶質半導体膜の全応力を−５００Ｎ／ｍ以上＋５０Ｎ／ｍ以下とした後、
前記非晶質半導体膜に紫外光であり、幅が１００μｍ以下であり、前記幅に対する長さの比が１対５００以上であるパルス発振のレーザビームを走査させながら複数ショット照射する半導体装置の作製方法であって、
ｎ（ｎは自然数）ショット目の前記レーザビームを照射して前記非晶質半導体膜を完全溶融させながら前記ガラス基板の水平方向に結晶を成長させ、溶融部の端部から結晶化してきた結晶粒が前記溶融部の中央でぶつかることにより凸部を形成し、
ｎ＋１ショット目の前記レーザビームを、前記凸部をはずすように前記ｎショット目における結晶の成長距離ｄより大きくかつ２ｄ未満の送り幅分走査して照射し、前記結晶粒と前記凸部が交互に形成される結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
熱膨張率が６×１０−７／℃より大きく３１．８×１０−７／℃以下で厚さが０．５ｍｍ以上１．２ｍｍ以下のガラス基板に、厚さ４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の窒化酸化珪素膜、厚さ８０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下の酸化窒化珪素膜、厚さ５０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の非晶質半導体膜を順にプラズマＣＶＤ法で成膜し、
５００℃以上６５０℃以下で加熱し、前記窒化酸化珪素膜、前記酸化窒化珪素膜、及び前記非晶質半導体膜の全応力を−５００Ｎ／ｍ以上＋５０Ｎ／ｍ以下とした後、
前記非晶質半導体膜に紫外光であり、幅が１００μｍ以下であり、前記幅に対する長さの比が１対５００以上であるパルス発振のレーザビームを走査させながら複数ショット照射する半導体装置の作製方法であって、
ｎ（ｎは自然数）ショット目の前記レーザビームを照射して前記非晶質半導体膜を完全溶融させながら前記ガラス基板の水平方向に結晶を成長させ、溶融部の端部から結晶化してきた結晶粒が前記溶融部の中央でぶつかることにより凸部を形成し、
ｎ＋１ショット目の前記レーザビームを、前記凸部が含まれるように前記ｎショット目における結晶の成長距離ｄ未満の送り幅分走査して照射し、前記ｎショット目の前記レーザビームの照射により形成された結晶性半導体領域をも再溶融させて一方向に結晶粒が伸びた結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記レーザビームの周波数は、１Ｈｚ以上１０ＭＨｚ未満であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月17日(2010.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に第１の絶縁層を形成し、
前記半導体層及び前記第１の絶縁層をエッチングして、前記半導体層のチャネル形成領域の側面を露出させ、
酸素を含む雰囲気下で、前記チャネル形成領域の側面にプラズマ処理を行って、前記チャネル形成領域の側面に接する第２の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に第１の絶縁層を形成し、
マスクを用いて、前記半導体層及び前記第１の絶縁層をエッチングして、前記半導体層のチャネル形成領域の側面を露出させ、
前記マスクを除去し、
酸素を含む雰囲気下で、前記チャネル形成領域の側面及び前記第１の絶縁層の表面にプラズマ処理を行って、前記チャネル形成領域の側面及び前記半導体層の上面に接する第２の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に第１の絶縁層を形成し、
マスクを用いて、前記半導体層及び前記第１の絶縁層をエッチングして、前記半導体層のチャネル形成領域の側面を露出させ、
前記マスクを用いて、酸素を含む雰囲気下で、前記チャネル形成領域の側面にプラズマ処理を行って、前記チャネル形成領域の側面に接する第２の絶縁層を形成し、
前記マスクを除去し、
前記第１の絶縁層上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記プラズマ処理は、電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上１×１０１３ｃｍ−３以下で、電子温度が０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下のプラズマを用いて行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記酸素を含む雰囲気は、酸素と希ガスとの混合ガス雰囲気、酸素と水素と希ガスとの混合ガス雰囲気、一酸化二窒素と希ガスとの混合ガス雰囲気、又は一酸化二窒素と水素と希ガスとの混合ガス雰囲気であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
絶縁表面上に設けられた半導体層と、
前記半導体層上に設けられた第１の絶縁層と、
前記半導体層のチャネル形成領域の側面及び前記半導体層の上面に接する第２の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に設けられたゲート電極と、を有し、
前記第２の絶縁層は、前記半導体層と前記第１の絶縁層との間に設けられ、
前記第１の絶縁層は、前記第２の絶縁層の側面を覆わないことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
絶縁表面上に設けられた半導体層と、
前記半導体層の上面に接する第１の絶縁層と、
前記半導体層のチャネル形成領域の側面に接する第２の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に設けられたゲート電極と、を有し、
前記第１の絶縁層は、前記第２の絶縁層の側面を覆わないことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項６又は請求項７において、
前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層よりも誘電率が低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層よりも実効膜厚が大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項９のいずれか一項に記載の半導体装置を用いたことを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
請求項１０において記載された電子機器とは、カメラ、携帯電話、デジタルプレーヤー、又は電子ペーパーであることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月18日(2010.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二酸化ケイ素堆積方法であって、
（ａ）少なくとも１枚の基板をチャンバ内に位置決めするステップと、
（ｂ）該少なくとも１枚の基板をシリコン前駆体にさらすステップと、
（ｃ）該少なくとも１枚の基板をピリジン浸漬液にさらすステップと、
（ｄ）該少なくとも１枚の基板を酸化源にさらすステップと、
を含む方法。
【請求項２】
該少なくとも１枚の基板をシリコン前駆体にさらす前に該基板をピリジン浸漬液にさらすステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該少なくとも１枚の基板を酸化源にさらすステップが、該少なくとも１枚の基板を酸化源とピリジンにさらすステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
該酸化源と該ピリジンが別々の入口を通して該チャンバ内に流れる、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
（ｂ）-（ｄ）を少なくとも１回繰り返すステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
二酸化ケイ素堆積方法であって、
（ａ）少なくとも１枚の基板をチャンバ内に位置決めするステップと、
（ｂ）該少なくとも１枚の基板をシリコン前駆体にさらすステップと、
（ｃ）該少なくとも１枚の基板を酸化源とピリジンにさらすステップであって、該ピリジンと該酸化源が別々の入口を通してチャンバ内に流れる前記ステップと、
を含む前記方法。
【請求項７】
該堆積方法が、原子層堆積法である、請求項１または６に記載の方法。
【請求項８】
該少なくとも１枚の基板をパージガスにさらすステップを更に含む、請求項１または６に記載の方法。
【請求項９】
該少なくとも１枚の基板をシリコン前駆体にさらすステップが、少なくとも１枚の基板をシリコン前駆体とピリジンにさらすステップを含む、請求項１または６に記載の方法。
【請求項１０】
該シリコン前駆体と該ピリジンが、別々の入口を通してチャンバ内に流れる、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
該シリコン前駆体がヘキサクロロジシランを含む、請求項１または６に記載の方法。
【請求項１２】
該酸化源がＨ２Ｏを含む、請求項１または６に記載の方法。
【請求項１３】
（ｂ）及び（ｃ）のステップを少なくとも１回繰り返すステップを更に含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１４】
該少なくとも１枚の基板をシリコン前駆体にさらす前に該少なくとも１枚の基板をピリジン浸漬液にさらすステップを更に含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１５】
二酸化ケイ素堆積方法であって、
（ａ）少なくとも１枚の基板をチャンバ内に位置決めするステップと、
（ｂ）該少なくとも１枚の基板をヘキサクロロジシランにさらすステップと、
（ｃ）該少なくとも１枚の基板をＨ２Ｏとピリジンにさらすステップであって、ピリジンとＨ２Ｏが別々の入口を通して該チャンバ内に流れる前記ステップと、
を含む前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月24日(2010.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路素子と、
突起部が設けられた放熱部材と、
前記放熱部材と前記回路素子との間に設けられた絶縁樹脂層と、
を備え、
前記放熱部材を前記絶縁樹脂層に圧着することにより、前記突起部は前記絶縁樹脂層を貫通し、前記突起部と前記回路素子とが熱的に接続されており、前記突起部は、前記放熱部材と同一材料からなり前記放熱部材と一体的に設けられていることを特徴とする回路装置。
【請求項２】
前記突起部は、
前記回路素子の素子電極の接触面と平行な上面部と、
前記上面部に近づくにつれて径が細くなるように形成された側面部と、
を有することを特徴とする請求項１に記載の回路装置。
【請求項３】
前記上面部に近づくにつれて前記突起部の径が細くなる度合いが、上端部において前記上端部以外に比べてより大きいことを特徴とする請求項２に記載の回路装置。
【請求項４】
突起部の高さと放熱部材の厚さとの和より大きい厚さを有する金属板を準備する工程と、
前記金属板をエッチングすることにより、前記放熱部材と一体的に突起部を形成する突起部形成工程と、
回路素子と前記金属板とを絶縁樹脂層を介して圧着し、前記突起部が前記絶縁樹脂層を貫通することにより、前記突起部と前記回路素子とを熱的に接続する圧着工程と、
を備えることを特徴とする回路装置の製造方法。
【請求項５】
前記突起部形成工程において、前記突起部の形状を上面部に近づくにつれて径が細くなるように形成することを特徴とする請求項４に記載の回路装置の製造方法。
【請求項６】
前記突起部形成工程において、前記上面部に近づくにつれて前記突起部の径が細くなる
度合いが、上端部において前記上端部以外に比べてより大きくなるように形成することを特徴とする請求項５に記載の回路装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月18日(2010.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
次に、本発明の実施の形態１における発光モジュール１００が従来の発光モジュール  と異なる点について説明する。フレネルレンズは一般に、複数の屈折面の間を、光軸に  ほぼ平行な面でつないで構成される。図３の破線は、この一般的なフレネルレンズの形  状を示している。しかし、既に図３１を用いて説明したとおり、この一般的なフレネル  レンズの形状には、光が透過しないレンズの無効部分が存在する。これが図３における  斜線部分である。レンズ部材１２０では、この無効部分を取り除いた形としており、こ  れにより複数の第２の屈折面１２２を形成している。複数の第２の屈折面１２２は、複  数の第１の屈折面１２１と同軸上に交互に形成されることになる。なお、複数の第２の  屈折面１２２は、光源１１０からの出射角がθ０以内の光がレンズ部材１２０内を進む  光線１１４に沿って、レンズの無効部分のみを取り除いて形成することが望ましい。し  たがって、光源１１０から複数の第１の屈折面の最下端に到達する光の光線に沿った面  で構成することが望ましい。これにより、複数の第２の屈折面１２２を形成することは  、光源１１０からの出射角がθ０以内の光をレンズ部材１２０から出射する上で、光の  損失を与えないことになる。そして、レンズ部材１２０の入射側には、全反射を用いた  複数の反射面１２３が形成されている。複数の反射面１２３は、光源１１０からの出射  角がθ０以内の光の通過範囲外に設けているので、やはり光源１１０からの出射角がθ  ０以内の光をレンズ部材１２０から出射する上で、光の損失を与えないことになる。複  数の反射面１２３は、それぞれ複数の第２の屈折面１２２に対応しており、光源１１０  からの出射角がθ０〜θ１の光を対応する複数の第２の屈折面１２２に向けて反射し、  複数の第２の屈折面１２２では、その反射光を屈折してレンズ部材１２０から出射する  。この際、レンズ部材１２０からの出射光が所望の角度となるように（図３においては  、光軸と平行になるように）複数の反射面１２３の角度を設定している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
図８から図１１において、発光モジュール６００は、主要部品として光源１１０とレンズ部材６２０から構成されている。光源１１０は例えばＬＥＤ等であり、カソード電極６１２ａにボンディングされ、アノード電極６１２ｂとワイヤー６１２ｃで電気的に接続されている。レンズ部材６２０と、カソード電極６１２ａ、アノード電極６１２ｂとは、樹脂などを材料とする筐体６３０で固定されている。また、カソード電極６１２ａには、反射部材６４１が設置されている。反射部材６４１は例えば逆円錐の内面形状の光の反射面を有しており、カソード電極６１２ａ上に固着しても良いし、カソード電極６１２ａの材料でカソード電極６１２ａと一体形成することも可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
レンズ部材６２０の出射側には、図３におけるレンズ部材１２０と同様、複数の第１の屈折面１２１を設けており、光源１１０からの出射角がθ０以内の光を屈折して、所望の角度の方向に出射する。また、一般的なフレネルレンズにおける無効部分を取り除いた形で、複数の第２の屈折面１２２を形成していることも図３におけるレンズ部材１２０と同様である。本実施の形態２が、図３に示した実施の形態１と異なる点は、光源１１０の側面から出射する光を反射部材６４１で反射し、つぎにレンズ部材６２０の入射側に設けた複数の反射面６２３で反射し、その光を複数の第２の屈折面１２２によりレンズ部材６２０から所望の角度で出射していることである。つまり、図３に示した実施の形態１では、図３における出射角がθ０〜θ１の光を利用する構成としていたが、それに対して本実施の形態２では、光源の側面からの出射光を利用する構成としているのである。特にＬＥＤを光源１１０に用いる場合には、ＬＥＤ側面からの出射光の電力も大きく、側面からの出射光の電力を利用することにより、発光モジュール６００の効率を高めることができる。なお、複数の反射面６２３は、複数の第２の屈折面１２２に対応して設けており、複数の第２の屈折面１２２で屈折した光が所望の角度で出射するように、複数の反射面６２３の角度を設定している。これにより、複数の第１の屈折面１２１が形成された図１０における直径ｄｏの範囲から、光源１１０からの出射角がθ０以内の光だけでなく、光源１１０の側面からの光も出射されることになり、効率的な発光モジュール６００が得られる。また、光源１１０の側面からの光は、図３１で示した暗部に相当する部分から出射するので、当然の事ながら第１の実施の形態と同様に出射光の明るさムラも改善することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
また、図１３に示すように、反射部材８４１からの反射光をレンズ部材８２０の入射側の入射面８２６から入射して複数の第２の屈折面１２２で屈折させてレンズ部材８２０から出射させても良い。この場合、複数の第２の屈折面１２２からの出射光の角度を全て最適な角度にすることは困難であるが、反射部材８４１の角度を適当に設計することにより、ほぼ所望の出射光の角度を得ることができ、出射光の明るさムラを改善できるとともに、放射強度を高め効率を向上することができるという同様の効果が得られる。