Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月2日(2010.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体側から像側へ順に、負の屈折力の第１レンズ群、正の屈折力の第２レンズ群、正の屈折力の第３レンズ群より構成され、ズーミングに際して各レンズ群の間隔が変化するズームレンズであって、前記第２レンズ群は複数のレンズを有し、レンズ全系の広角端と望遠端における焦点距離を各々ｆＷ、ｆＴ、望遠端において無限遠物体に合焦しているときの前記第２レンズ群の結像倍率をβ２Ｔ、前記第２レンズ群の物体側から数えて第ｊ番目のレンズの材料のアッベ数と部分分散比を各々νｄｊ、θｇＦｊ、前記第２レンズ群の物体側から数えて第ｊ番目のレンズの空気中における焦点距離をｆｊ、前記第２レンズ群の物体側から数えて第ｋ面の物体側と像側の屈折率を各々Ｎｋ、Ｎｋ´、前記第２レンズ群の物体側から数えて第ｋ面の曲率半径をＲｋとし、第２レンズ群の各要素の和をΣと表わすとき、
２．１＜｜β２Ｔ｜＜３．５
（ΔθｇＦ）ｊ＝θｇＦｊ−（−０．０１６８＊νｄｊ＋０．６４４）
【数１】
2008241794.tif 000001
なる条件式を満足することを特徴とするズームレンズ。
【請求項２】
開口絞りを有し、該開口絞りの開口径が広角端と望遠端で異なることを特徴とする請求項１のズームレンズ。
【請求項３】
広角端と望遠端での撮像時における前記開口絞りの開口面の最大面積を各々ＳＷ、ＳＴとするとき、
１．５＜ＳＴ／ＳＷ＜４．０
なる条件式を満足することを特徴とする請求項２のズームレンズ。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項のズームレンズと、該ズームレンズによって形成された像を受光する固体撮像素子を有することを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明のズームレンズは、物体側から像側へ順に、負の屈折力の第１レンズ群、正の屈折力の第２レンズ群、正の屈折力の第３レンズ群より構成され、ズーミングに際して各レンズ群の間隔が変化するズームレンズであって、前記第２レンズ群は複数のレンズを有し、レンズ全系の広角端と望遠端における焦点距離を各々ｆＷ、ｆＴ、望遠端において無限遠物体に合焦しているときの前記第２レンズ群の結像倍率をβ２Ｔ、前記第２レンズ群の物体側から数えて第ｊ番目のレンズの材料のアッベ数と部分分散比を各々νｄｊ、θｇＦｊ、前記第２レンズ群の物体側から数えて第ｊ番目のレンズの空気中における焦点距離をｆｊ、前記第２レンズ群の物体側から数えて第ｋ面の物体側と像側の屈折率を各々Ｎｋ、Ｎｋ´、前記第２レンズ群の物体側から数えて第ｋ面の曲率半径をＲｋとし、第２レンズ群の各要素の和をΣと表わすとき、
２．１＜｜β２Ｔ｜＜３．５
（ΔθｇＦ）ｊ＝θｇＦｊ−（−０．０１６８＊νｄｊ＋０．６４４）
【数２】
2008241794.tif 000002
なる条件式を満足することを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
各実施例のズームレンズは、物体側から像側へ順に、負の屈折力の第１レンズ群、正の屈折力の第２レンズ群、正の屈折力の第３レンズ群より構成され、ズーミングに際し各レンズ群の間隔が変化するズームレンズである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
第２レンズ群Ｌ２内で物体側から数えて第ｊ番目のレンズの空気中における焦点距離をｆｊとする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
第２レンズ群Ｌ２内で物体側から数えて第ｋ面の曲率半径をＲｋとする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１０】
更に負レンズＧ１１の像側の面をレンズ中心からレンズ周辺に行くほど負の屈折力が弱くなる非球面形状としている。これにより非点収差と歪曲収差をバランスよく補正し、第１レンズ群を２枚のレンズで構成してレンズ全体のコンパクト化を図っている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３０】
又、第１レンズ群Ｌ１の物体側又は第３レンズ群Ｌ３の像側の少なくとも一方に屈折力の小さなレンズ群を付加しても良い。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３２】
以上のように、各実施例では負の屈折力のレンズ群より先行するズームレンズにおいて、前述の如くレンズ群を構成することにより、ズーム比５以上の高ズーム比とレンズ群の小型化を両立した高性能なズームレンズを得ている。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月19日(2010.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
そこで本先行開発例は、信号線ＳＬに供給される映像信号の信号電位Ｖｓｉｇが高い時補正期間ｔが短くなる一方、信号線ＳＬに供給される映像信号の信号電位Ｖｓｉｇが低い時補正期間ｔが長くなるように、自動的にサンプリングトランジスタＴｒ１のオフタイミングを調整している。この原理を図８に示す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
図９に示したように出力バッファに対する入力がローレベルになったとき、出力バッファを構成するインバータのＰチャネルトランジスタが導通して、電源パルスを抜き取っている。ここで抜き取られた電源パルスのレベルが小さくなるにつれ、Ｐチャネルトランジスタの動作中にゲート／ソース間に加わる電圧Ｖｇｓが小さくなってしまう。この電圧Ｖｇｓが小さくなるにつれ抜き取られた電源パルスのトランジェントは、Ｐチャネルトランジスタの特性ばらつきの影響を受けやすくなり、補正時間にばらつきが生じてしまう。図示の例では、標準位相（１）の場合に比べ、バラツキワースト位相（２）のとき制御信号ＷＳの立下りに応じてサンプリングトランジスタＴｒ１がオフするタイミングが後方にシフトするため、移動度補正時間はその分長くなってしまう。特に白階調では最適な補正時間が短いため、このばらつきが顕著に現れこのままでは筋ムラが発生してしまう。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
サンプリング期間（映像信号書込期間）の終了するタイミングＴ９より前のタイミングで、パルス状の制御信号ＤＳが走査線ＤＳに印加される。このパルス状の制御信号はタイミングＴ６で立下り続いてタイミングＴ７で立上っており、比較的パルス幅の短い負極性パルスとなっている。このタイミングＴ６からタイミングＴ７までの期間Ｔ６‐Ｔ７でスイッチングトランジスタＴｒ４がオンし、移動度補正期間を規定している。この移動度補正期間Ｔ６‐Ｔ７は制御信号ＤＳのパルス幅のみにて決まり、画素間のばらつきは少ない。移動度補正期間Ｔ６‐Ｔ７は、映像信号書込期間Ｔ５‐Ｔ９中に納まっている。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月21日(2009.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶層に基板面方向の電界を印加して液晶分子の配向制御を行う、第１の画素電極および第２の画素電極を備える横電界方式の液晶素子と、
各画素回路に設けられ、第１の電圧および第２の電圧の供給源として機能するメモリ回路と、
各画素回路に設けられ、前記メモリ回路から供給される前記第１および第２の電圧の各々を、前記液晶素子の前記第１の画素電極および前記第２の画素電極のいずれに供給するかを切り換えることにより、前記液晶素子に印加する電圧を反転させる印加電圧反転回路と、
前記液晶素子に印加する電圧を保持する保持コンデンサと、
を有し、
前記印加電圧反転回路は、前記メモリ回路の前記第１および第２の電圧の供給端と、基準電源電位との間に直列に接続された、第１および第２のスイッチ素子と、
前記メモリ回路の前記第１および第２の電圧の供給端と、前記基準電源電位との間に直列に接続された、第３および第４のスイッチ素子と、を有し、
前記第１および第２のスイッチ素子の共通接続点および前記第３および第４のスイッチ素子の共通接続点の少なくとも１つに前記保持コンデンサの一端が接続され、さらに前記第１および第２のスイッチ素子の共通接続点と前記第３および第４のスイッチ素子の共通接続点の各々に、前記液晶素子の前記第１の画素電極および第２の画素電極の各々が接続されると共に、
前記第１および第４のスイッチ素子を選択的にオンさせるか、前記第２および第３のスイッチ素子を選択的にオンさせるか、あるいは前記第１〜第４のスイッチ素子をすべてオフさせるかを、切換制御信号によって制御することを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１記載の液晶装置であって、
前記保持コンデンサは、前記第１および第２のスイッチ素子の共通接続点と、前記第３および第４のスイッチ素子の共通接続点との間に接続されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
請求項１記載の液晶装置であって、
前記保持コンデンサは、その一端が前記第１および第２のスイッチ素子の共通接続点または前記第３および第４のスイッチ素子の共通接続点と接続され、他端は所定の直流電位と接続されることを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項２記載の液晶装置であって、
前記第１、第２、第３および第４のスイッチ素子の各々は、同一導電型のトランジスタによって構成され、
前記液晶素子に印加される電圧の更新期間には、前記第１および第３のスイッチ素子と、第２および第４のスイッチ素子とは、互いに逆相の前記切換制御信号によって相補的に駆動され、前記液晶素子に印加される電圧を前記保持コンデンサにて保持する期間中には、前記第１および第３のスイッチ素子ならびに前記第２および第４のスイッチ素子は前記切換制御信号によってすべてオフ状態となることを特徴とする液晶装置。
【請求項５】
請求項４記載の液晶装置であって、
前記１本の走査線に接続され、前記各画素回路に設けられた前記メモリ回路の各々に対して表示データを書き込んでいる期間において、前記１走査線に接続された画素回路に設けられた前記印加電圧反転回路を構成する前記第１および第３のスイッチ素子ならびに前記第２および第４のスイッチ素子はすべてオフ状態となり、
前記１走査線に接続され、前記各画素回路に設けられた前記メモリ回路の各々への前記表示データの書き込みが終了すると、前記第１および第２のスイッチ素子あるいは前記第３および第４のスイッチ素子がオン状態となって、前記更新された表示データの電圧が前記液晶素子に印加されることを特徴とする液晶装置。
【請求項６】
請求項４記載の液晶装置であって、
前記全ての走査線に接続され、前記各画素回路に設けられた前記メモリ回路の各々に対して表示データを書き込んでいる期間において、前記全ての走査線に接続された画素回路に保持された前記印加電圧反転回路を構成する前記第１および第３のスイッチ素子ならびに前記第２および第４のスイッチ素子はすべてオフ状態となり、
前記全ての走査線（ＷＬ）に接続され、前記各画素回路に設けられた前記メモリ回路の各々に対して前記表示データの書き込みが終了すると、前記第１および第２のスイッチ素子、あるいは前記第３および第４のスイッチ素子がオン状態となって、前記更新された表示データの電圧が液晶に印加されることを特徴とする液晶装置。
【請求項７】
請求項１〜請求項６のいずれか記載の液晶装置を搭載した電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液晶装置および電子機器
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月12日(2010.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ方向に沿って配置されたＸドライバと、
前記Ｘドライバから供給される画像データを前記Ｘ方向と直交するＹ方向に転送するための、複数段の転送単位回路が従属接続されて構成されるＹ方向シフトレジスタと、
前記Ｙ方向シフトレジスタの各段の前記転送単位回路に対応して設けられた、前記各段の転送単位回路に保持されている前記画像データの各々をパラレルにラッチする複数のラッチ要素回路を含むラッチ回路と、
を有し、
前記Ｙ方向シフトレジスタを構成する１段の前記転送単位回路と、前記１段の転送単位回路に対応して設けられた前記ラッチ要素回路と、によって１つの画素回路が構成されることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１記載の電気光学装置であって、
前記Ｙ方向シフトレジスタを構成する奇数段の前記転送単位回路は、第１の転送クロックによって駆動され、偶数段の前記転送単位回路は、前記第１の転送クロックとは逆相の第２の転送クロックによって駆動され、
前記ラッチ回路を構成する各段の前記ラッチ要素回路には、前記各段の転送単位回路に保持されている前記画像データの各々をパラレルにラッチするためのラッチパルスが入力され、
前記第１および第２の転送クロック、ならびに前記ラッチパルスは、前記Ｘドライバ側に配置された、または、前記Ｙ方向シフトレジスタを挟んで前記Ｘドライバの反対側に配置されたクロック回路により生成される、
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の電気光学装置であって、
前記Ｙ方向シフトレジスタの出力端から出力される前記画像データを、前記Ｙ方向シフトレジスタの入力端に戻すための帰還経路と、
前記Ｘドライバから供給される前記画像データまたは前記帰還経路を経由して戻される前記画像データを、選択的に前記Ｙ方向シフトレジスタの前記入力端に供給するセレクタと、
を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか記載の電気光学装置であって、
前記Ｙ方向シフトレジスタは転送方向切換制御信号によって、前記画像データの転送方向が切換えられる双方向シフトレジスタであることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれか記載の電気光学装置であって、
さらに、ｍ列ｎ行目（ｍおよびｎは１以上の自然数）の画素回路を構成する前記ラッチ要素回路に保持されている前記画像データを、前記Ｘ方向に隣接する（ｍ＋１）列ｎ行目の前記画素回路を構成する前記ラッチ要素回路に転送するＸ方向シフトレジスタを有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１〜請求項４のいずれか記載の電気光学装置であって、
ｍ列ｎ行目（ｍおよびｎは１以上の自然数）の画素回路を構成する前記ラッチ要素回路に保持されている前記画像データを、隣接する（ｍ＋１）列ｎ行目の前記画素回路を構成する前記ラッチ要素回路に伝達するためのデータ伝達経路と、
前記（ｍ＋１）列ｎ行目の前記画素回路を構成する前記転送単位回路ならびに前記ラッチ要素回路の間に設けられた、前記（ｍ＋１）列ｎ行目の前記画素回路を構成する前記転送単位回路からの前記画像データまたは前記データ伝達経路を経由して前記ｍ列ｎ行目の画素回路を構成する前記ラッチ要素回路から供給される前記画像データを、選択的に前記（ｍ＋１）列ｎ行目の前記画素回路を構成する前記ラッチ要素回路に供給するセレクタと、を有し、
前記セレクタによって、前記データ伝達経路を経由した前記画像データが選択されるとき、前記前記ｍ行ｎ列目の画素回路を構成する前記ラッチ要素回路と、前記（ｍ＋１）行ｎ列目の画素回路を構成する前記ラッチ要素回路とが従属接続された、前記画像データを前記Ｘ方向に転送するためのＸ方向シフトレジスタが構成され、
前記ｍ行ｎ列目の画素回路を構成する前記ラッチ要素回路および前記（ｍ＋１）行ｎ列目の画素回路を構成する前記ラッチ要素回路の各々に、互いに逆相の転送クロックが入力されることによって、前記画像データが前記Ｘ方向に転送されることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項１〜請求項６のいずれか記載の電気光学装置であって、
前記電気光学装置は、反射型液晶装置であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項１〜請求項７のいずれか記載の電気光学装置を搭載する電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電気光学装置および電子機器
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月12日(2010.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持部に支持されたワークの周縁部を観察する周縁観察装置と、
前記周縁観察装置による観察位置を照明する周縁照明装置とを備え、
前記周縁照明装置は、観察位置にある前記ワークの周縁部を照明する複数の照明部を有し、これら照明部は観察位置にある前記ワークの周縁部の上方、下方及び側方のそれぞれに照明することを特徴とする外観検査装置。
【請求項２】
前記照明部は前記ワークの周縁部を囲むように配置されることを特徴とする請求項１に記載の外観検査装置。
【請求項３】
前記周縁観察装置は、前記照明部で囲まれた空間内に配置される光学部材を有することを特徴とする請求項２に記載の外観検査装置。
【請求項４】
前記照明部は、それぞれが投光する照明光が前記周縁観察装置で前記ワークの周縁部を観察するときの観察位置に到達可能な大きさを有することを特徴とする請求項３に記載の外観検査装置。
【請求項５】
前記周縁観察装置において、最も前記ワークの周縁部の近くに配置される光学部材は、前記複数の照明部より前記ワークの周縁部の近くに配置されることを特徴とする請求項２に記載の外観検査装置。
【請求項６】
前記周縁観察装置の光軸位置に合わせて光が通過可能な隙間が設けられた前記照明部を有することを特徴とする請求項１に記載の外観検査装置。
【請求項７】
前記照明部は固定して配置されていることを特徴とする請求項１から６に記載の外観検査装置。
【請求項８】
前記照明部は、面光源であることを特徴とする請求項１から７に記載の外観検査装置。
【請求項９】
前記面光源は前記光学部材より大きい発光面を有することを特徴とする請求項８に記載の外観検査装置。
【請求項１０】
前記光学部材は、ミラーであることを特徴とする請求項５に記載の外観検査装置。
【請求項１１】
前記周縁照明装置は、前記ワークの上下を挟むように配置された１対のバー照明を備えることを特徴とする請求項１に記載の外観検査装置。
【請求項１２】
前記周縁照明装置は、前記ワークの移動時に干渉しないようにアームにて退避可能であり、観察位置をスポット照明する斜照明を備えることを特徴とする請求項１に記載の外観検査装置。
【請求項１３】
前記周縁照明装置を制御可能な制御装置を備え、この制御装置は明視野と暗視野のそれぞれにおいて点灯させる照明と粗調光したときの光量を初期値として対応付けたテーブルをもち、このテーブルに則って照明の切り替えを行うことを特徴とする請求項１に記載の外観検査装置。
【請求項１４】
前記周縁照明装置を制御可能な制御装置を備え、この制御装置はズーム倍率ごとに粗調光したときの光量データを格納した前記テーブルをもつことを特徴とする請求項１に記載の外観検査装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
上記の課題を本発明は、支持部に支持されたワークの周縁部を観察する周縁観察装置と、
前記周縁観察装置による観察位置を照明する周縁照明装置とを備え、
前記周縁照明装置は、観察位置にある前記ワークの周縁部を照明する複数の照明部を有し、これら照明部は観察位置にある前記ワークの周縁部の上方、下方及び側方のそれぞれに前記ワークの周縁部を囲むように照明することを特徴とする外観検査装置とした。
この外観検査装置では、複数の照明部によりワークの周縁部の上方、下方及び側方のそれぞれからワークが照明される。周縁観察装置は、他方向から照明されたワークの周縁部の観察を行う。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明によれば、複数の照明部でワークの周縁部を明るく照明することができるので、周縁観察装置で観察する位置を変化させた場合でも鮮明な像が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月24日(2010.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
時計ケースと、
前記時計ケースに収容された時計機能体と、
前記時計ケースの一方の開口部を閉鎖する裏蓋と、を有し、
前記裏蓋は、
前記時計ケースの前記一方の開口部に対応する形状を有する内壁部と、
前記内壁部と対向する外壁部と、
前記内壁部と前記外壁部とを接続する周縁壁から形成される密閉性を有する収納部を有し、
前記収納部には、通信回路と、
前記通信回路に接続された通信アンテナと、
前記通信回路に電力を供給する通信電力源とが収納され、
前記裏蓋の前記外周壁には、前記裏蓋を前記時計ケースに取り付けた状態で
前記通信電力源を交換可能な電力補給用構造が設けられていることを特徴とする腕時計。
【請求項２】
前記電力補給用構造は、前記裏蓋に対して前記通信電力源を出し入れ可能に構成された開口部と、該開口部を開閉可能に構成する交換用蓋とを有することを特徴とする請求項１に記載の腕時計。
【請求項３】
前記裏蓋は絶縁材料で構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の腕時計。
【請求項４】
前記通信アンテナと前記通信電力源の平面視位置が重ならない位置に配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の腕時計。
【請求項５】
前記通信アンテナは前記通信回路に対して前記時計機能体が対向する位置に配置されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の腕時計。
【請求項６】
前記時計ケース内には前記時計機能体に電力を供給する時計電力源がさらに配置され、該時計電力源と前記通信アンテナとの平面視位置が重ならない位置に配置されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の腕時計。
【請求項７】
前記時計機能体は文字板を有し、該文字板が絶縁材料で構成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の腕時計。
【請求項８】
前記操作部材の外部操作部分は、前記裏蓋の外周部における３時半〜５時若しくは７時〜８時半の方位範囲内に形成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の腕時計。
【請求項９】
時計ケースと、
前記時計ケース内に収容された時計機能体と、
前記時計機能体へ電力を供給する時計電力源と、
前記時計機能体または前記時計電力源に発生電力を供給する発電手段と、
前記時計ケースの一方の開口部を閉鎖する裏蓋とを有し、
前記裏蓋は、
前記時計ケースの前記一方の開口部に対する形状を有する内壁部と、
前記内壁部と対向する外壁部と、
前記内壁部と前記外壁部とを接続する周縁壁から形成される密閉性を有する収納部を有し、
前記収納部には、通信回路と、
前記通信回路に接続された通信アンテナと、
前記通信回路に電力を供給する通信電力源とが収納され、
前記裏蓋の前記外壁部には、前記裏蓋を前記時計ケースに取り付けた状態で前記通信電力源を交換可能な電力補給用構造が設けられていることを特徴とする腕時計。
【請求項１０】
前記通信アンテナは、前記時計電力源と前記通信電力源の平面視位置が重ならない位置に配置されていることを特徴とする請求項９に記載の腕時計。
【請求項１１】
前記時計電力源と前記通信電力源が相互に平面視位置が重なっていることを特徴とする請求項６又は１０に記載の腕時計。
【請求項１２】
前記無線通信機能体は、前記通信回路の通信機能が開始されているときに外部無線通信装置と相互認証のため間欠的に無線通信を行うことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の腕時計。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
斯かる実情に鑑み、本発明の腕時計は、  時計ケースと、前記時計ケースに収容された時計機能体と、前記時計ケースの一方の開口部を閉鎖する裏蓋と、を有し、
前記裏蓋は、前記時計ケースの前記一方の開口部に対応する形状を有する内壁部と、前記内壁部と対向する外壁部と、
前記内壁部と前記外壁部とを接続する周縁壁から形成される密閉性を有する収納部を有し、
前記収納部には、通信回路と、前記通信回路に接続された通信アンテナと、
前記通信回路に電力を供給する通信電力源とが収納され、前記裏蓋の前記外周壁には、前記裏蓋を前記時計ケースに取り付けた状態で前記通信電力源を交換可能な電力補給用構造が設けられていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明の別の腕時計は、時計ケースと、前記時計ケース内に収容された時計機能体と、前記時計機能体へ電力を供給する時計電力源と、
前記時計機能体または前記時計電力源に発生電力を供給する発電手段と、
前記時計ケースの一方の開口部を閉鎖する裏蓋とを有し、前記裏蓋は、
前記時計ケースの前記一方の開口部に対する形状を有する内壁部と、
前記内壁部と対向する外壁部と、前記内壁部と前記外壁部とを接続する周縁壁から形成される密閉性を有する収納部を有し、
前記収納部には、通信回路と、前記通信回路に接続された通信アンテナと、
前記通信回路に電力を供給する通信電力源とが収納され、前記裏蓋の前記外壁部には、前記裏蓋を前記時計ケースに取り付けた状態で前記通信電力源を交換可能な電力補給用構造が設けられていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月19日(2009.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部配線を形成する段階と、
前記下部配線の上面が露出するビアホールを有する層間絶縁膜を形成する段階と、
前記ビアホールの内壁および底面を覆う拡散防止膜を形成する段階と、
熱処理して前記ビアホールの底面に形成された前記拡散防止膜とこれに隣接する前記下部配線とを互いに反転させ、前記下部配線内に前記拡散防止膜の成分を含む不純物領域を形成する段階と、
前記ビアホールを埋め込み、前記下部配線と直接接触する上部配線を形成する段階と、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記下部配線および前記上部配線は、各々銅または銅合金を含む請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記拡散防止膜は、ＴｉＮ、Ｔｉ、Ｔａ、ＴａＮ、ＴｉＳｉＮ、またはＴａＳｉＮで形成する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記拡散防止膜は、その厚さを１０〜５００Åで形成する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記拡散防止膜は、前記ビアホールの底面に１００Å以下の厚さで形成する請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記熱処理は、４００〜７００℃で行う請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記熱処理は、ＲＴＰ工程または炉工程で実施する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記ビアホールを埋め込むとき、
前記ビアホールの側壁に形成された前記拡散防止膜上に銅シード層を形成する段階と、
電気メッキで銅層を形成する段階と、
を含む請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記層間絶縁膜を形成するとき、前記ビアホールの上部にトレンチを形成する段階をさらに含み、
前記拡散防止膜を形成するとき、前記トレンチの内壁に前記拡散防止膜を同時に形成し、
前記ビアホールを埋め込むとき、前記トレンチを同時に埋め込む請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記熱処理は、
前記下部配線の上面を前記ビアホールから露出させる段階と、
前記下部配線の上面プロファイルを、前記ビアホールの底面と当接させる、または前記ビアホールの内部に突出させる段階と、
を含む請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、より詳しくは、信頼性を向上した配線を備える半導体装置の形成方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
そこで、本発明が達成しようとする技術的課題は抵抗特性が改善され信頼性が向上する半導体装置の製造方法を提供することにある。
本発明の技術的課題は、以上で言及した技術的課題に制限されず、言及していないまた他の技術的課題は下記記載によって当業者が明確に理解できるものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、以下のような効果が１つあるいはそれ以上得られる。
第１に、下部配線と上部配線との間に拡散防止膜が介在しないため、銅配線の比抵抗を低減することができる。
第２に、半導体装置における配線のＳＩＶ特性などの信頼性を向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月9日(2010.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
{０００１}面に対して５０°以上６５°以下の範囲内で傾いている結晶面からなる側壁を備えた溝を表面に有する炭化ケイ素からなる半導体層と、
前記溝の前記側壁に接触するように形成された絶縁膜とを備え、
前記溝の前記側壁と前記絶縁膜との界面から１０ｎｍ以内の領域における窒素濃度の最大値が１×１０21ｃｍ-3以上であって、
前記溝の前記側壁内において＜−２１１０＞方向に直交する方向±１０°の範囲内にチャネル方向を有する、炭化ケイ素半導体装置。
【請求項２】
第１導電型の炭化ケイ素からなる基板と、
前記基板上に形成され、前記基板よりも低濃度の第１導電型不純物を含み、{０００１}面に対して５０°以上６５°以下の範囲内で傾いている結晶面からなる側壁を備えた溝を表面に有する第１導電型の炭化ケイ素からなる半導体層と、
前記溝の前記側壁に形成された第２導電型不純物拡散層と、
前記半導体層の表面内に形成された第１導電型不純物拡散層と、
前記溝の前記側壁に接触するように形成された絶縁膜と、
前記半導体層の前記表面の前記絶縁膜の形成部分以外の領域の少なくとも一部に接触するように形成されたソース電極と、
前記絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
前記基板の前記半導体層の形成側と反対側の表面に形成されたドレイン電極とを備え、
前記溝の前記側壁と前記絶縁膜との界面から１０ｎｍ以内の領域における窒素濃度の最大値が１×１０21ｃｍ-3以上であって、
前記溝の前記側壁内において＜−２１１０＞方向に直交する方向±１０°の範囲内にチャネル方向を有する、炭化ケイ素半導体装置。
【請求項３】
前記ソース電極の表面がストライプ状であることを特徴とする、請求項２に記載の炭化ケイ素半導体装置。
【請求項４】
前記ソース電極の表面がハニカム状であることを特徴とする、請求項２に記載の炭化ケイ素半導体装置。
【請求項５】
前記溝の前記側壁は、{０３−３８}面に対して±５°の範囲内で傾いている結晶面からなることを特徴とする、請求項１から４のいずれかに記載の炭化ケイ素半導体装置。
【請求項６】
炭化ケイ素からなる半導体層の表面に{０００１}面に対して５０°以上６５°以下の範囲内で傾いている結晶面からなる側壁を有する溝を形成する工程と、
前記溝の前記側壁内において＜−２１１０＞方向に直交する方向±１０°の範囲内にチャネル方向が形成されるように前記溝の前記側壁に接触する絶縁膜を形成する工程と、
前記溝の前記側壁と前記絶縁膜との界面から１０ｎｍ以内の領域における窒素濃度の最大値が１×１０21ｃｍ-3以上となるように窒素濃度を調整する工程とを含む、炭化ケイ素半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記半導体層に含まれる欠陥の方位に基づいて前記溝の前記側壁内において＜−２１１０＞方向に直交する方向±１０°の範囲内にチャネル方向を形成することを特徴とする、請求項６に記載の炭化ケイ素半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記窒素濃度を調整する工程は、前記絶縁膜が形成された前記半導体層を、窒素を含有するガスの雰囲気中で熱処理する工程を含むことを特徴とする、請求項６または７に記載の炭化ケイ素半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記窒素濃度を調整する工程は、前記熱処理後の前記半導体層を不活性ガスの雰囲気中で熱処理する工程を含むことを特徴とする、請求項８に記載の炭化ケイ素半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明は、第１導電型の炭化ケイ素からなる基板と、基板上に形成され、基板よりも低濃度の第１導電型不純物を含み、{０００１}面に対して５０°以上６５°以下の範囲内で傾いている結晶面からなる側壁を備えた溝を表面に有する第１導電型の炭化ケイ素からなる半導体層と、溝の側壁に形成された第２導電型不純物拡散層と、半導体層の表面内に形成された第１導電型不純物拡散層と、溝の側壁に接触するように形成された絶縁膜と、半導体層の表面の絶縁膜の形成部分以外の領域の少なくとも一部に接触するように形成されたソース電極と、絶縁膜上に形成されたゲート電極と、基板の半導体層の形成側と反対側の表面に形成されたドレイン電極とを備え、溝の側壁と絶縁膜との界面から１０ｎｍ以内の領域における窒素濃度の最大値が１×１０21ｃｍ-3以上であって、溝の側壁内において＜−２１１０＞方向に直交する方向±１０°の範囲内にチャネル方向を有する炭化ケイ素半導体装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、半導体層１２としては、たとえば、基板１１よりもｎ型不純物濃度の低いｎ型の炭化ケイ素からなる層などを用いることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
ここで、半導体層１２は、たとえば、基板１１の表面１１ａ上に、基板１１よりも低濃度のｎ型不純物を有するｎ型の炭化ケイ素からなる半導体層１２をエピタキシャル成長させることなどにより形成することができる。上記のエピタキシャル成長により半導体層１２を形成した場合には、基板１１の表面１１ａの結晶面を半導体層１２の表面１２ａに引き継がせることができるため、たとえば基板１１の表面１１ａが{２−１−１０}面の結晶面からなる場合には、半導体層１２の表面１２ａも、たとえば図５の模式的平面図に示すような{２−１−１０}面の結晶面とすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月26日(2010.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
以下に、本発明の実施例について説明する。
［実施例１］
実施例１においては、基板の上に、下部ミラー、活性層、上部ミラー、を積層し、前記上部ミラーの光出射部に反射率を制御するために施された段差構造による、凸型の表面レリーフ構造を有する垂直共振器型面発光レーザおよびその製造方法等について説明する。
図１に、本実施例における垂直共振器型面発光レーザの構成を説明する断面図を示す。
図１において、１００は面発光レーザ、１０２は下部電極、１０４は基板、１１０は活性層、１０８は下部スペーサ層、１１２は上部スペーサ層、１０６は下部ミラーである。
１１４は上部ミラー、１１５は高Ａｌ組成層、１１６は活性層へ注入される電流を制限する電流狭窄構造、１２４は絶縁膜、１２６は上部電極、１４０は光出射領域である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
つぎに、以上のようにして成長したウエハに対し、表面レリーフ構造を製造するプロセスについて説明する。
図７に、本実施例における垂直共振器型面発光レーザの製造方法を説明する図を示す。
図７（ａ）から図７（ｉ）は本実施例における面発光レーザの製造工程を示す図である。
まず、図７（ａ）に示す工程において、ウエハの積層成長した側に第１のレジスト膜４１０を塗布し、前記第１のレジスト４１０に、表面レリーフ構造用マスクのパターニングとメサ構造用マスクのパターニングを同時に同一マスクにて行う。なお、メサ構造を形成するためのレジストパターンを第１のパターンといい、表面レリーフ構造を形成するためのレジストパターンを第２のパターンということもある。
ここでは表面レリーフ構造として凸型のものを図示している。例えば、表面レリーフ構造の高反射率領域径は例えば３μｍφ、低反射領域外径は９μｍφ、メサ構造の径は２６μｍφとする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
次に、図７（ｉ）に示す工程において、メサ上部に上部電極１２６を、基板１０４の裏側に下部電極（不図示）を形成する。上部電極１２６は光出射部に開口が明けられている。
この上部電極１２６は、リフトオフ用レジストを光出射領域１４０に残るようにパターニングし、例えばＴｉ／Ａｕを電子ビーム蒸着により上部多層膜反射鏡側に成膜し、例えばアセトンでリフトオフ用レジストをリフトオフすることにより形成する。
下部電極は、基板裏側全体に、例えばＡｕＧｅ／Ａｕを抵抗加熱により蒸着することにより形成する。
以上の工程により、面発光レーザ１００はウエハレベルで素子として完成する。なお、この後に光出射面保護のため、光出射面を樹脂などの保護膜で封止しても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月16日(2009.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
サセプタ１２の上面には、ウエハ吸着用の静電チャックまたはＥＳＣ（Electro-Static Chuck）３８が設けられている。このＥＳＣ３８は、膜状または板状の誘電体４０の中にシート状またはメッシュ状の導電体（電極）４２を封入してなり（図２）、サセプタ１２の上面に一体形成または一体に固着されており、該導電体４２にはチャンバ１０の外に配置される静電吸着力発生用の正極性直流電源４４，除電用の負極性直流電源４６またはグランド電位端子４８の中の１つが選択スイッチ５０および高圧線５２を介して電気的に接続可能となっている。なお、サセプタ１２内で高圧線５２は、たとえば鞘状の絶縁体５３によって絶縁被覆されている（図２）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
制御部１０３は、マイクロコンピュータおよび各種インタフェースを含み、外部メモリまたは内部メモリに格納されるソフトウェア（プログラム）およびレシピ情報にしたがって、このプラズマエッチング装置内の各部たとえば排気装置２４、高周波電源２８，９６、整合器３２，１００、スイッチ３５，５０、リフト機構のアクチエータ７４、チラーユニット（図示せず）、伝熱用ガス供給部（図示せず）および処理ガス供給部９２等の個々の動作および装置全体の動作（シーケンス）を制御する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
そして、上記時点ｔ10の直後の時点ｔ11で、選択スイッチ５０がグランド電位端子４８に切り換わり、ＥＳＣ導電体４２は接地状態にリセットされる（図３の(a)）。これにより、ＥＳＣ導電体４２とサセプタ１２とが選択スイッチ５０およびグランドラインを介して電気的に短絡され、下部ＥＳＣコンデンサ１０６は放電して、それまで蓄積していた負電荷の全部を一瞬に失う。一方、ＥＳＣ導電体４２と半導体ウエハＷとが選択スイッチ５０、グランドラインおよび空間抵抗Ｒpを介して電気的に短絡され、上部ＥＳＣコンデンサ１０４の電荷も殆ど完全に無くなる。つまり、半導体ウエハＷに帯電していた電荷（静電気）は略完全に除去（除電）される。図４Iに、上記時点ｔ11におけるＥＳＣ３８周りの等価回路を示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
同様に、ＥＳＣ導電体４２の電位が上記時点ｔ9でＶP→零ボルトに変わり、上記時点ｔ10で零ボルト→−ＶNに変わり、上記時点ｔ11で−ＶN→零ボルトに変わった時も、サセプタ１２はグランド電位（零ボルト）に保持されている。これらの時点で、半導体ウエハＷの電位が静電誘導によってグランド電位（零ボルト）から高圧ＤＣ電圧−Ｖp，−ＶN，Ｖpと略同レベルまで立ち下がる（または立ち上がる）ものの、それは極一瞬の尖頭値であり、直ぐにグランド電位（零ボルト）に戻るので、異常放電には至らない。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
なお、この比較例では、時点ｔ11で選択スイッチ５０を負極性直流電源４６からグランド電位端子４８に切り換えて、ＥＳＣ導電体４２の電位を−ＶNからグランド電位に戻し（図５の(a)）、その直後の時点ｔ12でリレースイッチ３５をそれまでのオフ（オープン）状態からオン（クローズ）状態に切り換えるようにしている（図５の(c)）。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2010040627.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2010040627.tif 000002
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2010040627.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月28日(2010.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の一方面上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜上に、所定の薬液によるエッチングレートが前記第１の絶縁膜より低い第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１および第２の絶縁膜に、前記半導体基板の一方面まで貫通する開口部を形成する工程と、
前記所定の薬液を用いたエッチングにより、前記開口部に露出した前記第１の絶縁膜の側面を前記開口部に露出した前記第２の絶縁膜の側面より所定長だけ後退させる工程と、
前記開口部に露出した前記半導体基板の一方面上に、前記第２の絶縁膜に当接しない厚さを有する電極層を蒸着により形成する工程と、
前記所定の薬液を用いたエッチングにより、前記第２の絶縁膜を前記第１の絶縁膜とともに除去する工程と、
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項２】
半導体基板の一方面上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜上に、所定の薬液によるエッチングレートが前記第１の絶縁膜より高い第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜上に、前記所定の薬液によるエッチングレートが前記第２の絶縁膜より低い第３の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１、第２および第３の絶縁膜に、前記半導体基板の一方面まで貫通する開口部を形成する工程と、
前記所定の薬液を用いたエッチングにより、前記開口部に露出した前記第２の絶縁膜の側面を前記開口部に露出した前記第３の絶縁膜の側面より所定長だけ後退させる工程と、
前記開口部に露出した前記半導体基板の一方面上に、前記第３の絶縁膜に当接しない厚さを有する電極層を蒸着により形成する工程と、
前記所定の薬液を用いたエッチングにより、前記第３の絶縁膜を前記第２の絶縁膜とともに除去する工程と、
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項３】
半導体基板の一方面上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜上に、所定の薬液によるエッチングレートが前記第１の絶縁膜より低い第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜上に、前記所定の薬液によるエッチングレートが前記第２の絶縁膜より高い第３の絶縁膜を形成する工程と、
前記第３の絶縁膜上に、前記所定の薬液によるエッチングレートが前記第３の絶縁膜より低い第４の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１、第２、第３および第４の絶縁膜に、前記半導体基板の一方面まで貫通する開口部を形成する工程と、
前記所定の薬液を用いたエッチングにより、前記開口部に露出した前記第３の絶縁膜の側面を前記開口部に露出した前記第４の絶縁膜の側面より所定長だけ後退させる工程と、
前記開口部に露出した前記半導体基板の一方面上に、前記第４の絶縁膜に当接しない厚さを有する電極層を蒸着により形成する工程と、
前記所定の薬液を用いたエッチングにより、前記第４の絶縁膜を前記第３の絶縁膜とともに除去する工程と、
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項４】
半導体基板と、
前記半導体基板の一方面上に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁層上に形成された、所定の薬液によるエッチングレートが前記第１の絶縁膜より低い第２の絶縁膜と、
前記第１および第２の絶縁膜に形成された前記半導体基板の一方面まで貫通する開口部の内側面と、前記半導体基板の一方面と、からなる凹状部を、少なくとも前記第２の絶縁膜の下面を超える高さまで埋める電極層と、
を含み、
前記電極層の外側面に接する前記第１の絶縁膜の側面は、前記電極層の外側面に接する前記第２の絶縁膜の側面より所定長だけ前記凹状部の中央から離れる方向に後退している、
ことを特徴とする半導体素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体素子およびその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明に係る半導体素子の製造方法は、半導体基板の一方面上に第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜上に、所定の薬液によるエッチングレートが前記第１の絶縁膜より低い第２の絶縁膜を形成する工程と、前記第１および第２の絶縁膜に、前記半導体基板の一方面まで貫通する開口部を形成する工程と、前記所定の薬液を用いたエッチングにより、前記開口部に露出した前記第１の絶縁膜の側面を前記開口部に露出した前記第２の絶縁膜の側面より所定長だけ後退させる工程と、前記開口部に露出した前記半導体基板の一方面上に、前記第２の絶縁膜に当接しない厚さを有する電極層を蒸着により形成する工程と、前記所定の薬液を用いたエッチングにより、前記第２の絶縁膜を前記第１の絶縁膜とともに除去する工程と、を含むことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明に係る他の半導体素子の製造方法は、半導体基板の一方面上に第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜上に、所定の薬液によるエッチングレートが前記第１の絶縁膜より高い第２の絶縁膜を形成する工程と、前記第２の絶縁膜上に、前記所定の薬液によるエッチングレートが前記第２の絶縁膜より低い第３の絶縁膜を形成する工程と、前記第１、第２および第３の絶縁膜に、前記半導体基板の一方面まで貫通する開口部を形成する工程と、前記所定の薬液を用いたエッチングにより、前記開口部に露出した前記第２の絶縁膜の側面を前記開口部に露出した前記第３の絶縁膜の側面より所定長だけ後退させる工程と、前記開口部に露出した前記半導体基板の一方面上に、前記第３の絶縁膜に当接しない厚さを有する電極層を蒸着により形成する工程と、前記所定の薬液を用いたエッチングにより、前記第３の絶縁膜を前記第２の絶縁膜とともに除去する工程と、を含むことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、本発明に係る他の半導体素子の製造方法は、半導体基板の一方面上に第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜上に、所定の薬液によるエッチングレートが前記第１の絶縁膜より低い第２の絶縁膜を形成する工程と、前記第２の絶縁膜上に、前記所定の薬液によるエッチングレートが前記第２の絶縁膜より高い第３の絶縁膜を形成する工程と、前記第３の絶縁膜上に、前記所定の薬液によるエッチングレートが前記第３の絶縁膜より低い第４の絶縁膜を形成する工程と、前記第１、第２、第３および第４の絶縁膜に、前記半導体基板の一方面まで貫通する開口部を形成する工程と、前記所定の薬液を用いたエッチングにより、前記開口部に露出した前記第３の絶縁膜の側面を前記開口部に露出した前記第４の絶縁膜の側面より所定長だけ後退させる工程と、前記開口部に露出した前記半導体基板の一方面上に、前記第４の絶縁膜に当接しない厚さを有する電極層を蒸着により形成する工程と、前記所定の薬液を用いたエッチングにより、前記第４の絶縁膜を前記第３の絶縁膜とともに除去する工程と、を含むことを特徴とする。