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【手続補正書】
【提出日】平成21年12月2日(2009.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス中のＣＯ2又はＨ2Ｓを吸収する吸収液が、１級のアミノ基を持つ直鎖又は環状のアミン化合物、２級のアミノ基を持つ直鎖又は環状のアミン化合物の内から選択される三種以上のアミン化合物を含むことを特徴とする吸収液。
【請求項２】
請求項１において、
三種のアミン化合物が、１級のアミノ基を持つ直鎖のアミン化合物又は２級のアミノ基を持つ直鎖のアミン化合物から選ばれる二種のアミン化合物と、１級又は２級のアミノ基を持つ環状のアミン化合物とを含むことを特徴とする吸収液。
【請求項３】
請求項１において、
三種のアミン化合物が、１級のアミノ基を持つ直鎖のアミン化合物から選ばれる一つの化合物、２級のアミノ基を持つ直鎖のアミン化合物から選ばれる一つの化合物からなる二種のアミン化合物と、１級又は２級のアミノ基を持つ環状のアミン化合物とを含むことを特徴とする吸収液。
【請求項４】
請求項１において、
三種のアミン化合物が、２級のアミノ基を持つ直鎖のアミン化合物とから選ばれる二種のアミン化合物と、１級又は２級のアミノ基を持つ環状のアミン化合物とを含むことを特徴とする吸収液。
【請求項５】
請求項１において、
三種のアミン化合物の配合割合が、
主成分として２−ｎ−ブチルアミノエタノール（ｎ−ＢＡＥ）又は２−エチルアミノエタノール（ＥＡＥ）を用い、その割合が３０〜５５重量％、
副成分として１級のアミノ基を持つ直鎖又は環状のアミン化合物、２級のアミノ基を持つ直鎖又は環状のアミン化合物から選ばれる二種のアミン化合物を用い、その割合が１〜３０重量％、残りが水であることを特徴とする吸収液。
【請求項６】
請求項５において、
二種のアミン化合物が、
第１の副成分として１級のアミノ基を持つ直鎖又は環状のアミン化合物を用い、その割合が１５〜５重量％、
第２の副成分として２級のアミノ基を持つ直鎖又は環状のアミン化合物から選ばれる二種のアミン化合物を用い、その割合が１０〜１重量％、残りが水であることを特徴とする吸収液。
【請求項７】
請求項５又は６において、
二種のアミン化合物が、ピペラジン（Ｐ）、メチルピペラジン（ＭＰ）、ヒドロキシエチルピペラジン(ＨＥＰ)、モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、ジエタノールアミン（ＤＥＡ）、ジイソプロパノールアミン（ＤＩＰＡ）、ジグリコールアミン（ＤＧＡ）、３−アミノ−１−プロパノール（ＡＰ）、２−アミノ２−メチルプロパノール（ＡＭＰ）、２−メチルアミノエタノール（ＭＡＥ）、２−エチルアミノエタノール（ＥＡＥ）、２−ｎ−プロピルアミノエタノール（ｎ−ＰＡＥ）、２−ｎ−ブチルアミノエタノール（ｎ−ＢＡＥ）、２−イソプロピルアミノエタノール(ｉ−ＰＡＥ)、２−イソブチルアミノエタノール（ｉ-ＢＡＥ）、１−（２−アミノエチル）ピペラジン（ＡＥＰＲＺ）、ピペリジノール（ＰＤＮ）のいずれかより選ばれる二種であることを特徴とする吸収液。
【請求項８】
ＣＯ2又はＨ2Ｓを含有するガスと吸収液とを接触させて前記ＣＯ2又はＨ2Ｓを除去する吸収塔と、
ＣＯ2又はＨ2Ｓを吸収した溶液を再生する再生塔と、
前記再生塔でＣＯ2又はＨ2Ｓを除去して再生した溶液を前記吸収塔で再利用するガス中のＣＯ2又はＨ2Ｓ除去装置であって、
請求項１乃至７のいずれか一つの吸収液を用いてなることを特徴とするＣＯ2又はＨ2Ｓ除去装置。
【請求項９】
ＣＯ2又はＨ2Ｓを含有するガスと吸収液とを接触させて前記ＣＯ2又はＨ2Ｓを除去し、
ＣＯ2又はＨ2Ｓを吸収した溶液を再生した溶液を再利用するガス中のＣＯ2又はＨ2Ｓ除去方法であって、
請求項１乃至７のいずれか一つの吸収液を用いることを特徴とするＣＯ2又はＨ2Ｓ除去方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
第８の発明は、ＣＯ2又はＨ2Ｓを含有するガスと吸収液とを接触させて前記ＣＯ2又はＨ2Ｓを除去する吸収塔と、ＣＯ2又はＨ2Ｓを吸収した溶液を再生する再生塔と、前記再生塔でＣＯ2又はＨ2Ｓを除去して再生した溶液を前記吸収塔で再利用するガス中のＣＯ2又はＨ2Ｓ除去装置であって、第１乃至７のいずれか一つの吸収液を用いてなることを特徴とするＣＯ2又はＨ2Ｓ除去装置にある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
第９の発明は、ＣＯ2又はＨ2Ｓを含有するガスと吸収液とを接触させて前記ＣＯ2又はＨ2Ｓを除去し、ＣＯ2又はＨ2Ｓを吸収した溶液を再生した溶液を再利用するガス中のＣＯ2又はＨ2Ｓ除去方法であって、請求項１乃至７のいずれか一つの吸収液を用いることを特徴とするＣＯ2又はＨ2Ｓ除去方法にある。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月14日(2010.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上述の様な加工工程を有する従来技術の場合、上記内輪３の外周面に、バリを捲れ込む事による欠陥部が発生する可能性がある。この様に、この内輪３の外周面に発生する欠陥部は、前記円柱状素材８を得る為に、金属製の線材若しくは棒材を切断した際に生じた、この円柱状素材８の軸方向端部外周縁のバリが原因となる。そして、この様な欠陥部が、上記内輪３の外周面のうちで、内輪軌道６部分若しくはこの内輪軌道６とこの内輪軌道６に隣接する円筒面部との境界部２６に発生した場合には、ラジアル玉軸受１を組み立てた状態で、転がり精度や耐久性を低下させる原因になる為、特に問題となる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月31日(2010.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体の表面に機能性パターンを含む積層体を転写し、焼成することにより、機能性パターンの焼成体を形成するために用いる、焼成用転写フィルムにおいて、
前記焼成用転写フィルムは、剥離フィルムと、前記剥離フィルムの一方の表面に接するように形成された前記積層体とを含み、
前記積層体はさらに、前記焼成用転写フィルムを前記基体の表面に貼着するための粘着層と、前記剥離フィルムと前記粘着層との間に形成された機能性パターンとを含み、
前記機能性パターンは、無機粉体と焼成により除去可能な第１の有機物とを含有し、
前記粘着層は、焼成により除去可能であって前記第１の有機物とは異なる第２の有機物を含有し、
前記積層体を前記基体の表面に転写し焼成するときの焼成条件における前記第１の有機物の熱分解温度（Tdb）と、前記第２の有機物の熱分解温度（Tda）と、前記無機粉体の融着温度（Tw）とが、Tdb＜Tda＜Twの関係を満たすことを特徴とする焼成用転写フィルム。
【請求項２】
前記積層体は、前記機能性パターンと前記粘着層との間に形成された中間層を備え、
前記焼成条件における前記第１の有機物の熱分解温度（Tdb）と、前記第２の有機物の熱分解温度（Tdm）と、前記粘着層に含有される有機物の熱分解温度（Tda）と、前記無機粉体の融着温度（Tw）とが、Tdb＜Tdm＜Tda＜Twの関係を満たすことを特徴とする請求項１記載の焼成用転写フィルム。
【請求項３】
前記積層体は、前記機能性パターンを保護するための、前記剥離フィルムと前記機能性パターンとの間に形成された保護層を備え、
前記保護層は、焼成により除去可能であって前記第１の有機物とは異なる第３の有機物を含有し、
前記焼成条件における前記第３の有機物の熱分解温度（Tdp）と、前記第１の有機物の熱分解温度（Tdb）とが、Tdp＜Tdbの関係を満たすことを特徴とする請求項１または２記載の焼成用転写フィルム。
【請求項４】
前記焼成条件における前記粘着層に含有される有機物の熱分解ガス発生速度の最大値が、前記粘着層に含有される有機物の最初の重量を基準として５ｗｔ％／ｓｅｃ未満であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の焼成用転写フィルム。
【請求項５】
基体の表面に機能性パターンを含む積層体を転写し、焼成することによる、機能性パターン付き基体の形成方法において、
請求項１〜４のいずれか１項記載の焼成用転写フィルムを、前記粘着層を介して前記基体の表面に貼着し、前記焼成用転写フィルムの前記剥離フィルムを剥離し、機能性パターンを含む積層体が転写した基体を形成し、
前記積層体が転写した基体を、前記積層体に含有される有機物が前記基体表面から遠い順に熱分解する焼成条件で焼成することを特徴とする機能性パターン付き基体の形成方法。
【請求項６】
前記焼成条件が、前記粘着層に含有される有機物の熱分解ガス発生速度の最大値が、前記粘着層に含有される有機物の最初の重量を基準として５ｗｔ％／ｓｅｃ未満であることを特徴とする請求項４記載の機能性パターン付き基体の形成方法。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれか１項記載の焼成用転写フィルムが形成されたことを特徴とするガラス物品。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月4日(2010.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
順次給送されるシートを束状に部揃えする集積トレイ手段と、
前記集積トレイ手段で部揃えされたシート束を下流側の糊塗布位置に搬送するシート束搬送手段と、
前記糊塗布位置のシート束に糊を塗布する糊塗布手段と、
上記したシート束搬送手段及び糊塗布手段によって実行される製本処理を制御する制御手段と、
を有し、
前記制御手段は、製本処理の中止信号を受けた際、前記集積トレイ手段に２枚以上のシートが存在しているときは、該２枚以上のシートに糊の塗布処理を実行し、前記集積トレイ手段に１枚のシートが存在しているときは、該１枚のシートに糊の塗布処理を実行しないことを特徴とする製本装置。
【請求項２】
前記糊塗布手段により糊を塗布されたシート束に表紙シートを綴じ合わせる表紙綴じ手段と、前記表紙綴じ手段で製本されたシート束を積載する積載部と、糊の塗布処理が実行されたシート束を前記積載部に排出するシート束排出手段とを有し、
前記制御手段は、前記シート束搬送手段、前記糊塗布手段及び前記表紙綴じ手段によって実行される製本処理を制御するものであって、
前記制御手段は、前記糊の塗布処理を実行したシート束を、表紙シートを綴じ合わせることなく、前記シート束排出手段によって前記積載部に排出することを特徴とする請求項１に記載の製本装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記集積トレイ手段に規定のシート枚数がない状態で、前記製本処理の中止信号を受けた場合、当該シート束に対して前記糊の塗布処理を実行することを特徴とする請求項１又は２に記載の製本装置。
【請求項４】
前記糊の塗布処理が実行される処理中のシート束は、前記集積トレイ手段から搬送された後のものであることを特徴とする請求項１又は２に記載の製本装置。
【請求項５】
順次、シート上に画像形成する画像形成部と、前記製本装置の集積トレイ手段に向けて画像形成したシートを順次、排出する排紙手段とを有する画像形成装置を、前記請求項１から４のいずれかに記載の製本装置に連接したことを特徴とする画像形成システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記した課題を解決するために、本発明は、順次給送されるシートを束状に部揃えする集積トレイ手段と、前記集積トレイ手段で部揃えされたシート束を下流側の糊塗布位置に搬送するシート束搬送手段と、前記糊塗布位置のシート束に糊を塗布する糊塗布手段と、上記したシート束搬送手段及び糊塗布手段によって実行される製本処理を制御する制御手段と、を有する構成において、前記制御手段は、製本処理の中止信号を受けた際、前記集積トレイ手段に２枚以上のシートが存在しているときは、該２枚以上のシートに糊の塗布処理を実行し、前記集積トレイ手段に１枚のシートが存在しているときは、該１枚のシートに糊の塗布処理を実行しないことを特徴とする製本装置を提供するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記した構成の本製本装置は、さらに、前記糊塗布手段により糊を塗布されたシート束に表紙シートを綴じ合わせる表紙綴じ手段と、前記表紙綴じ手段で製本されたシート束を積載する積載部と、糊の塗布処理が実行されたシート束を前記積載部に排出するシート束排出手段と、を有し、前記制御手段は、前記シート束搬送手段、前記糊塗布手段及び前記表紙綴じ手段によって実行される製本処理を制御するものであって、前記糊の塗布処理を実行したシート束を、表紙シートを綴じ合わせることなく、前記シート束排出手段によって前記積載部に排出する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月29日(2010.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料電池スタックを冷却する液状の冷媒が通流する通流路を有し、
前記通流路を横断する弁軸と、前記弁軸に設けられた弁体と、を含み、前記弁軸がその軸線方向の一端側から回動駆動されるように構成されたバタフライ型の弁装置であって、
前記弁軸は、駆動側となる一端側の軸受がリップシールでシールされているとともに、
非駆動側となる他端側の軸受が樹脂製の液中軸受とされて、その側方がキャップシールでシールされており、
前記キャップシールと前記液中軸受との間には、前記通流路から前記液中軸受を通じて流入してくる冷媒の流入室が形成され、
前記流入室と前記通流路との間には、前記流入室に溜まった空気を前記通流路に向けて排出するための排出路が形成され、
前記排出路は、前記液中軸受の鉛直方向の上側に配置されていることを特徴とする弁装置。
【請求項２】
前記通流路の側壁には、前記液中軸受に冷媒を導く導入部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の弁装置。
【請求項３】
前記弁体は、前記通流路に開口した前記排出路の排出口を、閉弁位置に回動した状態で塞ぐように構成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の弁装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前記目的を達成するために、本発明の弁装置は、燃料電池スタックを冷却する液状の冷媒の通流路に設置され、前記通流路を横断する弁軸と、前記弁軸に設けられた弁体と、を含み、前記弁軸がその軸線方向の一端側から回動駆動されるように構成されたバタフライ型の弁装置であって、前記弁軸は、駆動側となる一端側の軸受がリップシールでシールされているとともに、非駆動側となる他端側の軸受が樹脂製の液中軸受とされて、その側方がキャップシールでシールされており、前記キャップシールと前記液中軸受との間には、前記通流路から前記液中軸受を通じて流入してくる冷媒の流入室が形成され、前記流入室と前記通流路との間には、前記流入室に溜まった空気を前記通流路に向けて排出するための排出路が形成され、前記排出路は、前記液中軸受の鉛直方向の上側に配置されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
さらに、キャップシールと液中軸受との間には、通流路から液中軸受を通じて流入してくる流体の流入室が形成され、流入室と通流路との間には、流入室に溜まった空気を通流路に向けて排出するための排出路が形成されているので、液中軸受の周りや流入室に溜まった空気をこの排出路を通じて通流路に好適に排出することができる。
したがって、液中軸受により弁軸を低摩擦で好適に支持することができ、長期間にわたって安定した弁軸の回動動作を維持することができる。このことは、耐久性に優れ、信頼性に優れた燃料電池システムの実現に寄与する。
また、流入室に溜まった空気を排出路を通じて通流路に排出することができるので、冷媒の変動量を減少することができ、冷媒を貯留するために用いられるリザーブタンクの小型化も可能になる。
また、前記排出路は、前記液中軸受の鉛直方向の上側に配置されているので、流入室に溜まった空気が排出路を通じて通流路に好適に排出されるようになり、空気溜りがより一層生じ難くなって、長期間にわたって安定した弁軸の回動動作を維持することができるようになる。このことは、より耐久性に優れ、より信頼性に優れた燃料電池システムの実現に寄与する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月31日(2010.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
前記角ビレットを、下記の各圧延機列の間に冷却設備を備えた全連続式熱間圧延ラインによって、表２に試験番号２〜１４として示した条件で「総減面率」が９５．１％の熱間圧延を行い、直径４０ｍｍの棒鋼に加工した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２０】
【表２】
2009275263.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２８】
【表３】
2009275263.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２９】
表３から、本発明で規定する製造条件を満たす試験番号２〜７のうち、第一中間列、第二中間列、仕上列での圧延工程中の被圧延材の表面温度が、Ａｅ1点〜（Ａｅ1点＋４０℃）であり、球状化熱処理の省略効果がより安定して得られた試験番号２、試験番号３および試験番号５については、その評価は「◎」であって、球状化率は８５％以上であり、球状化焼鈍が省略可能であることがわかる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３１】
（実施例２）
前記の実施例１で作製した直径が４０ｍｍの圧延棒鋼のうち、表３における評価が「−」、すなわち球状化熱処理の省略効果が得られなかった試験番号４および試験番号６〜１３の直径４０ｍｍの各棒鋼から長さが３００ｍｍの試験片を切り出した。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３６】
【表４】
2009275263.tif 000003
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４２】
表４から、本発明で規定する製造条件を満たす試験番号１６〜１８の場合、その評価は「○」であって、球状化熱処理時間を短縮できることが明らかである。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４５】
【図２】実施例２の試験番号１６〜２４の試験片について、大気雰囲気の箱型電気加熱炉装置を用いて行った球状化処理条件を説明する図である。
【図３】実施例２の試験番号２５の試験片について、大気雰囲気の箱型電気加熱炉装置を用いて行った球状化処理条件を説明する図で、一般に球状化処理条件として用いられている長時間処理の一例である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月25日(2010.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の少なくとも一方の面に粘着剤層を有する再剥離用粘着シートであって、
前記粘着剤層が、アクリル共重合体と架橋剤とを含有するアクリル系エマルジョン型粘着剤からなり、
前記アクリル共重合体が、ｎ−ブチルアクリレート及び２−エチルヘキシルアクリレートを単量体として使用し、さらにアクリル酸又はメタクリル酸の少なくとも一種を併用し、アゾ系開始剤を重合開始剤とするアクリル共重合体であり、
前記架橋剤がオキサゾリン系架橋剤であり、
前記粘着剤層の周波数１Ｈｚ、−５０℃〜１５０℃における動的粘弾性スペクトルの損失正接が、
（ａ）−２０℃以下の低温域で上に凸のピークを有し、
（ｂ）１０〜４０℃の中温域で下に凸のピークを有し、
（ｃ）７０℃における損失正接が０．３８〜０．５７
であることを特徴とする再剥離用粘着シート。
【請求項２】
５０〜１２０℃の高温域における損失正接が、５０℃において、０．３８〜０．５３であり、１００℃において、０．４０〜０．６５であり、１２０℃において、０．４０〜０．６６であることを特徴とする請求項２に記載の再剥離用粘着シート。
【請求項３】
前記粘着剤層の周波数１Ｈｚ、７０℃における貯蔵弾性率が６．０×１０４〜２．１×１０５Ｐａである請求項１又は２に記載の再剥離用粘着シート。
【請求項４】
前記アクリル共重合体中のｎ−ブチルアクリレート及び２−エチルヘキシルアクリレートの含有量が５０〜９９質量％である請求項１〜３のいずれかに記載の再剥離用粘着シート。
【請求項５】
前記アクリル共重合体中のアクリル酸及びメタクリル酸の含有量が０．５〜４．０質量％である請求項１〜４のいずれかに記載の再剥離用粘着シート。
【請求項６】
前記アクリル共重合体がアクリル酸及びメタクリル酸を含有し、アクリル酸に対するメタクリル酸の割合が質量比で０．５〜２．０である請求項１〜５のいずれかに記載の再剥離用粘着シート。
【請求項７】
前記アクリル共重合体中のカルボキシル基に対するオキサゾリン系架橋剤のオキサゾリン基の官能基数比が、０．０３〜０．２５である請求項１〜６のいずれかに記載の再剥離用粘着シート。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の再剥離用粘着シートを用いたリサイクル用ラベル。
【請求項９】
前記再剥離用粘着シートの基材として、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリスチレン、ポリフェニレンエーテル、ＡＢＳ、ポリカーボネート及びこれらの複合材料を主成分とする基材シートを使用した請求項８に記載のリサイクル用ラベル。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月26日(2010.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
前記動弁機構３２におけるカムシャフト３３およびクランクシャフト１７間には、１／２の減速比でクランクシャフト１７からの回転動力を伝達する第１調時伝動手段４５が設けられ、前記回転軸５０およびクランクシャフト１７間には、クランクシャフト１７の回転動力を１／２に減速して回転軸５０に伝達する第２調時伝動手段５１Ｂが設けられる。この第２調時伝動手段５１Ｂは、クランクシャフト１７に固定される駆動ギヤ４６と、該駆動ギヤ４６に噛合するようにして回転軸５０に一体に設けられる被動輪としての第２被動ギヤ５２Ｂとから成り、第２被動ギヤ５２Ｂに、回転軸５０の軸線に直交する平面への投影図上で前記回転軸５０の軸線に関して前記偏心軸５３の軸線と反対側に重心Ｇ２が配置されるカウンタウエイト部６５が設けられ、このカウンタウエイト部６５が回転軸５０とともに回転する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2009275553.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月18日(2010.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する回路電極同士を電気的に接続する回路接続材料であって、（１）遊離ラジカルを発生する硬化剤と、（２）ラジカル重合性物質と、（３）リン酸エステルと、（４）導電粒子を含有し、導電粒子を除く、回路接続材料全体を１００重量部とした場合、それに占めるリン酸エステルの割合が０．５重量部から３．５重量部の範囲であり、
少なくとも一方の回路電極がベンズイミダゾール系樹脂錯体の被膜を有する、回路接続材料。
【請求項２】
前記リン酸エステルの割合が１重量部から３重量部の範囲である請求項１に記載の回路接続材料。
【請求項３】
導電粒子が、表面に突起部を有する請求項１又は２に記載の回路接続材料。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】回路接続材料
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月15日(2010.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３１】
上述した構成は、本発明の実施形態の一例を示すものであり、当然に、本発明の技術的範囲に属するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月24日(2010.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
連続発振のレーザビーム又は繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のレーザビームを半導体膜に照射して結晶性半導体膜を形成する結晶性半導体膜の作製方法であって、
前記レーザビームの照射時間は、前記半導体膜の一領域あたり５マイクロ秒以上１００マイクロ秒以下であり、
前記レーザビームは走査方向と垂直な方向に波型のエネルギー分布を有し、
前記波型のエネルギー分布の周期は０．５μｍ以上１０μｍ以下であり、
前記半導体膜に前記レーザビームを照射し、前記レーザビームを走査することにより、前記半導体膜にそれぞれ結晶粒界を形成し、
前記結晶性半導体膜は、各結晶粒界が互いに平行であり、且つ結晶粒の幅が０．５μｍ以上１０μｍであることを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記半導体膜上に、厚さが２００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であるキャップ膜を形成することを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記レーザビームは、一つのレーザ発振器から射出されたレーザビームを複数に分割した後合成することで形成することを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【請求項４】
請求項１又は２において、
前記レーザビームは、回折光学素子を用いて形成することを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【請求項５】
連続発振のレーザビーム又は繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のレーザビームを半導体膜に照射して結晶性半導体膜を形成する結晶性半導体膜の作製方法であって、
前記半導体膜上に、厚さが２００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、凹部と凸部の周期が０．５μｍ以上１０μｍである、縞状の凹凸を有するキャップ膜を形成し、
前記レーザビームの照射時間は、前記半導体膜の一領域あたり５マイクロ秒以上１００マイクロ秒以下であり、
前記レーザビームは走査方向と垂直な方向に台形のエネルギー分布を有し、
前記キャップ膜を介して前記半導体膜に前記レーザビームを照射し、前記レーザビームを前記縞と平行な方向に走査することにより、前記キャップ膜の凹部と重畳する前記半導体膜にそれぞれ結晶粒界を形成し、
前記結晶性半導体膜は、各結晶粒界が互いに平行であり、且つ結晶粒の幅が０．５μｍ以上１０μｍであることを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【請求項６】
連続発振のレーザビーム又は繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のレーザビームを半導体膜に照射して結晶性半導体膜を形成する結晶性半導体膜の作製方法であって、
半導体膜上に、厚さが２００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であるキャップ膜を形成し、
前記キャップ膜上に前記レーザビームを反射する反射膜を、前記反射膜が設けられる領域と前記反射膜が設けられない領域の周期が０．５μｍ以上１０μｍになるように縞状に形成し、
前記レーザビームの照射時間は、前記半導体膜の一領域あたり５マイクロ秒以上１００マイクロ秒以下であり、
前記レーザビームは走査方向に垂直な方向において台形のエネルギー分布を有し、
前記キャップ膜及び前記反射膜を介して前記半導体膜に前記レーザビームを照射し、前記レーザビームを前記縞と平行な方向に走査することにより、前記反射膜が形成されていない領域と重畳する前記半導体膜にそれぞれ結晶粒界を形成し、
前記結晶性半導体膜は、各結晶粒界が互いに平行であり、且つ結晶粒の幅が０．５μｍ以上１０μｍであることを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【請求項７】
請求項２、５又は６のいずれか一項において、
前記キャップ膜は、酸素を０．１〜１０ａｔｏｍｉｃ％含み、且つ珪素に対する窒素の組成比が１．３以上１．５以下である窒化珪素膜であることを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記半導体膜は、非晶質珪素膜であることを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月23日(2010.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体膜上に、膜厚が２００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、酸素を０．１〜１０ａｔｏｍｉｃ％含み、且つ珪素に対する窒素の組成比が１．３以上１．５以下である窒化珪素膜を形成する工程と、
前記窒化珪素膜を透過する連続発振のレーザビームが前記半導体膜に照射されるように走査して前記半導体膜を溶融させた後結晶化し、０．５μｍ以上１０μｍ以下の幅の結晶粒を有する結晶性半導体膜を形成する工程とを有し、
前記レーザビームの長さ方向及び幅方向のエネルギー分布はガウス分布であり、前記半導体膜の一領域あたり前記レーザビームを５マイクロ秒以上１００マイクロ秒以下照射することを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記半導体膜の厚さは２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記レーザビームの走査速度を３００ｍｍ／秒以上７００ｍｍ／秒以下とすることを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記半導体膜は、非晶質珪素膜であることを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項で形成される結晶性半導体膜を用いて半導体素子を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月6日(2010.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜上に、支持基板に複数の凸部が設けられているマスクを形成し、
前記第１の導電膜上で、前記マスクが形成されていない領域に絶縁膜を形成し、
前記マスクを除去し、前記絶縁膜に開口を形成し、
前記開口に第２の導電膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体膜、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜トランジスタを形成し、
前記ソース電極又は前記ドレイン電極上に、支持基板に複数の凸部が設けられているマスクを形成し、
前記ソース電極又は前記ドレイン電極上でマスクが形成されていない領域に絶縁膜を形成し、
前記マスクを除去し、絶縁膜に開口を形成し、
前記開口に画素電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体膜、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜トランジスタを形成し、
前記ソース電極又は前記ドレイン電極上に、支持基板に複数の凸部が設けられているマスクを形成し、
前記ソース電極又は前記ドレイン電極上でマスクが形成されていない領域に絶縁膜を形成し、
前記マスクを除去し、絶縁膜に開口を形成し、
前記開口に第１の電極を形成し、
前記第１の電極上に電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に第２の電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
蒸着法、スパッタリング法、又は化学的気相成長法によって前記絶縁膜を成膜することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記マスクの凸部は針状であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記マスクの除去をエッチングによって行うことを特徴とする表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月18日(2010.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、亜鉛化合物半導体、又は酸化物半導体からなる第１の半導体膜を成膜し、
レーザビームを遮蔽する遮蔽物を有するフォトマスクを通して、前記第１の半導体膜にレーザビームを照射して、前記フォトマスク中の遮蔽物が形成されない領域を通過する前記レーザビームの照射により前記第１の半導体膜中の第１の領域を昇華させることにより、島状半導体膜を形成し、
前記島状半導体膜上に、ソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記島状半導体膜、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に、ゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、亜鉛化合物半導体、又は酸化物半導体からなる第１の半導体膜を形成し、
レーザビームを遮蔽する遮蔽物を有するフォトマスクを通して、前記第１の半導体膜にレーザビームを照射して、前記フォトマスク中の遮蔽物が形成されない領域を通過する前記レーザビームの照射により前記第１の半導体膜中の第１の領域を昇華させることにより、島状半導体膜を形成し、
前記島状半導体膜上に、ソース電極及びドレイン電極を形成する
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
透光性を有する第１の基板上に、亜鉛化合物半導体、又は酸化物半導体からなる第１の半導体膜を形成し、
レーザビームを遮蔽する遮蔽物が形成された、透光性を有する第２の基板を介して前記レーザビームを前記第１の基板に照射して前記第１の半導体膜を選択的に昇華させることにより、第３の基板上に島状半導体膜を形成し、
前記島状半導体膜上に、ソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記島状半導体膜、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
第３の基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
透光性を有する第１の基板上に、亜鉛化合物半導体、又は酸化物半導体からなる第１の半導体膜を形成し、
レーザビームを遮蔽する遮蔽物が形成された、透光性を有する第２の基板を介して前記レーザビームを前記第１の基板に照射して前記第１の半導体膜を選択的に昇華させることにより、前期ゲート絶縁膜上に島状半導体膜を形成し、
前記島状半導体膜上に、ソース電極及びドレイン電極を形成する
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
透光性を有する第４の基板上に第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜上に第１の金属膜を形成し、
レーザビームを遮蔽する遮蔽物が形成された、透光性を有する第５の基板を介して前記レーザビームを前記第４の基板に照射して前記第２の半導体膜を選択的に昇華させることにより、前記第１の金属膜を前記ソース電極またはドレイン電極として形成する
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
透光性を有する第６の基板上に第３の半導体膜を形成し、
前記第３の半導体膜上に第２の金属膜を形成し、
レーザビームを遮蔽する遮蔽物が形成された、透光性を有する第７の基板を介して前記レーザビームを前記第６の基板に照射して前記第３の半導体膜を選択的に昇華させることにより、前記第２の金属膜を前記ゲート電極として形成する
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記亜鉛化合物半導体膜は、酸化亜鉛、酸化亜鉛を含む混晶半導体または硫化亜鉛のいずれか１つを含むことを特徴とする半導体膜の作製方法。
【請求項８】
請求項４において、
前記第２の半導体膜は、亜鉛化合物半導体膜、又は酸化物半導体膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項５において、
前記第３の半導体膜は、亜鉛化合物半導体膜、又は酸化物半導体膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月4日(2010.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性表面を有する基板上に形成された非晶質半導体膜に対して、連続発振のレーザー光又は疑似連続発振のレーザー光を照射して結晶化させる薄膜トランジスタの作製方法であって、
非晶質半導体膜を形成し、
線状に成形されたレーザー光の光強度を該レーザー光の長軸方向に周期的に変調させる光強度変調手段によって空間的に変調させて、前記非晶質半導体膜にレーザー光を照射することで前記レーザー光の照射領域全体にわたって前記非晶質半導体膜を完全溶融させ、前記レーザー光の走査方向と一致する方向に成長した結晶帯を有する多結晶半導体膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２】
絶縁性表面を有する基板上に形成された非晶質半導体膜に対して、連続発振のレーザー光又は疑似連続発振のレーザー光を照射して結晶化させる薄膜トランジスタの作製方法であって、
非晶質半導体膜を形成し、
線状に成形されたレーザー光の光強度を該レーザー光の長軸方向に周期的に変調させる光強度変調手段によって空間的に変調させて、前記非晶質半導体膜にレーザー光を照射することで前記レーザー光の照射領域全体にわたって前記非晶質半導体膜を完全溶融させ、前記レーザー光の走査方向と一致する方向に成長した結晶帯を有する多結晶半導体膜を形成し、
前記多結晶半導体膜の一部に不純物を導入してソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記多結晶半導体膜に含まれる結晶帯の少なくとも一つは、該結晶帯内にソース領域、チャネル形成領域及びドレイン領域を有し、
前記チャネル形成領域のチャネル長方向は、前記結晶帯の長軸方向と概ね平行であり、且つ前記結晶帯の境界と交差することなくソース領域からドレイン領域まで延びる線を描くことができることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記光強度変調手段は、前記レーザー光の長軸方向と一致する方向に凹凸を有する位相シフトマスクであることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、
前記光強度変調手段は、前記レーザー光の走査方向に平行な方向に対して一定の角度だけ傾いた方向の凹凸を有する位相シフトマスクであり、
前記レーザー光の長軸方向について周期的に変調された光強度の値は、長軸方向に一定の間隔で交互に存在する極大値と極小値とを有し、
前記極小値は前記極大値の８０％以上となるように前記角度を調整することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項５】
請求項３又は請求項４において、
前記位相シフトマスクは一定の間隔で溝が形成されたストライプパターンを有する透光性基板であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記透光性基板は石英基板であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項７】
請求項５又は請求項６において、
前記溝の間隔は前記溝の幅と同じ長さであることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記非晶質半導体膜及び前記多結晶半導体膜はシリコンからなることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記結晶化は、前記結晶化を助長する元素を用いて行うことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の方法により作製された薄膜トランジスタを有する半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の前記半導体装置が液晶表示装置又はＥＬ表示装置であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１０に記載の前記半導体装置がＲＦＩＤタグ、光電変換装置又はＣＰＵであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
結晶質半導体膜を有する薄膜トランジスタであって、
前記結晶質半導体膜は結晶粒が一方向に延びた結晶帯を一又は複数有し、
前記結晶帯の少なくとも一つは、該結晶帯内にソース領域、チャネル形成領域及びドレイン領域を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１４】
結晶質半導体膜を有する薄膜トランジスタであって、
前記結晶質半導体膜は結晶粒が一方向に延びた結晶帯を複数有し、
前記複数の結晶帯は、隣接する結晶帯間に境界線を有し、
前記境界線は、薄膜トランジスタのソース領域からドレイン領域に至るまで、チャネル長方向と平行であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１５】
絶縁性表面を有する基板上に形成された結晶質半導体膜を有する薄膜トランジスタであって、
前記結晶質半導体膜は結晶粒が一方向に延びた結晶帯を複数有し、
前記複数の結晶帯は、隣接する結晶帯間に境界線を有し、
前記境界線は、前記結晶質半導体膜の一辺から対向する他辺に至るまで、前記薄膜トランジスタのチャネル長方向と平行であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１６】
絶縁性表面を有する基板上に形成された結晶質半導体膜を有する薄膜トランジスタであって、
前記結晶質半導体膜は結晶粒が一方向に延びた結晶帯を複数有し、
前記結晶帯中における粒界の平均出現間隔は、前記結晶帯の短軸方向の間隔よりも大きいことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１７】
請求項１３乃至請求項１６のいずれか一において、
前記結晶帯の長軸方向はチャネル長方向と一致することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１８】
請求項１３乃至請求項１７のいずれか一において、
前記結晶帯の短軸方向の長さは一定であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１９】
請求項１８において、
前記結晶帯の短軸方向の長さは３μｍ以下であり、
前記結晶帯の長軸方向の長さは３μｍ以上２０μｍ以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２０】
絶縁性表面を有する基板上に形成された結晶質半導体膜を有する薄膜トランジスタであって、
前記結晶質半導体膜は結晶粒が一方向に延びた一の結晶帯からなり、
前記結晶帯は、３μｍ以下の一辺と、前記一辺と隣り合う３μｍ以上２０μｍ以下の他の一辺とを有し、
前記結晶質半導体膜のチャネル形成領域は、前記結晶帯内に形成され、
前記結晶質半導体膜のチャネル形成領域には、チャネル長方向を横切る粒界が存在しないことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２１】
請求項１２乃至請求項２０のいずれか一において、
前記基板と前記結晶質半導体膜の間には下地膜を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２２】
請求項１２乃至請求項２１のいずれか一において、
前記結晶質半導体膜はシリコンを主成分とする膜であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２３】
請求項１２乃至請求項２２のいずれか一において、
前記基板はガラス基板であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月4日(2010.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理対象の画像が記憶された記憶手段から読み出した、該処理対象の画像に含まれる複数種類の特徴量をそれぞれ算出し、該複数種類の特徴量に対応する複数種類の個別評価値をそれぞれ算出する個別評価値算出手段と、
前記特徴量および／または前記個別評価値の算出の際に行われる処理についての処理結果を保存する結果保存手段と、
前記個別評価値算出手段が算出した前記複数種類の個別評価値に基づいて、前記処理対象の画像の総合的な評価値である総合評価値を算出する総合評価値算出手段とを備え、
前記個別評価値算出手段が、前記処理対象の画像についての前記処理結果が前記結果保存手段に保存されている場合、該結果保存手段に保存されている前記処理結果を用いて前記特徴量および前記個別評価値を算出する手段であることを特徴とする画像評価装置。
【請求項２】
前記処理結果が、前記特徴量を算出する際に前記処理対象の画像に施される画像処理により得られる画像を含み、
前記結果保存手段は、前記処理結果を一時的に保存するキャッシュ機能を有する手段であることを特徴とする請求項１記載の画像評価装置。
【請求項３】
前記処理結果が、前記特徴量を算出する際に前記処理対象の画像に施される画像処理により得られる画像、および前記特徴量の算出処理および前記個別評価値の算出処理のステータスを表す情報を含み、
前記個別評価値算出手段が、前記ステータスを表す情報に基づいて前記処理対象の画像についての前記処理結果が前記結果保存手段に保存されているか否かを判定し、保存されていると判定した場合、前記結果保存手段に保存されている前記処理結果を用いて前記特徴量及び前記個別評価値を算出する手段であることを特徴とする請求項１記載の画像評価装置。
【請求項４】
処理対象の画像が記憶された記憶手段から読み出した、該処理対象の画像に含まれる複数種類の特徴量をそれぞれ算出し、
該複数種類の特徴量に対応する複数種類の個別評価値をそれぞれ算出し、
前記特徴量および／または前記個別評価値の算出の際に行われる処理についての処理結果を保存し、
前記複数種類の個別評価値に基づいて、前記処理対象の画像の総合的な評価値である総合評価値を算出するに際し、
前記処理対象の画像についての前記処理結果が保存されている場合、該保存されている前記処理結果を用いて前記特徴量および前記個別評価値を算出することを特徴とする画像評価方法。
【請求項５】
処理対象の画像が記憶された記憶手段から読み出した、該処理対象の画像に含まれる複数種類の特徴量をそれぞれ算出する手順と、
該複数種類の特徴量に対応する複数種類の個別評価値をそれぞれ算出する手順と、
前記特徴量および／または前記個別評価値の算出の際に行われる処理についての処理結果を保存する手順と、
前記複数種類の個別評価値に基づいて、前記処理対象の画像の総合的な評価値である総合評価値を算出する手順と、
前記処理対象の画像についての前記処理結果が保存されている場合、該保存されている前記処理結果を用いて前記特徴量および前記個別評価値を算出する手順とを有することを特徴とする画像評価方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月6日(2010.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体と、イオントフォレーゼ処置パッチとを備えるコントローラから構成される装置であって、
前記筐体は、前記イオントフォレーゼ処置パッチに着脱自在に取り付け可能であり、
前記イオントフォレーゼ処置パッチは、前記コントローラが取り付けられた場合は第一のイオントフォレーゼ処置を実行可能であり、前記コントローラが取り外された場合には第二のイオントフォレーゼ処置を実行可能である、
ことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記筐体は、前記イオントフォレーゼ処置パッチに取り付けられたコネクタに、ポジションに応じて選択的に接続される、ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記のポジションに応じた選択的な接続は、供給される薬物に基づく、ことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記筐体は、複数の電気接続ピンを介して前記コネクタに選択的に接続される、ことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項５】
第一のイオントフォレーゼ処置は、前記の選択的な接続に応じて実行される、ことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項６】
前記イオントフォレーゼ処置パッチは、第一の電源を備える、ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記第一の電源を用いて、第一のイオントフォレーゼ処置を実行する、ことを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記第一の電源は、充電池から構成される、ことを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項９】
前記イオントフォレーゼ処置パッチ内に備えられた第二の電源は、第一のイオントフォレーゼ処置の間、バイパスされる、ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記コントローラを取り付けることにより、前記イオントフォレーゼ処置パッチと前記第二の電源との間で電気接点がそれる、ことを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
第二のオントフォレーゼ処置は、前記コントローラを前記イオントフォレーゼ処置パッチから取り外すことを契機に機械的に開始される、ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記コントローラを前記イオントフォレーゼ処置パッチから取り外すことを契機に、第二のイオントフォレーゼ処置が開始される、ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記コントローラを前記イオントフォレーゼ処置パッチから取り外すことにより、第二のイオントフォレーゼ処置を電気的に開始するトランジスタスイッチをさらに備える、ことを特徴とする請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
第一のイオントフォレーゼ処置の完了を契機に、第二のイオントフォレーゼ処置が開始される、ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
第一のイオントフォレーゼ処置は、身体部位の導電性向上モードを含む、ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１６】
身体部位の導電性向上モードは、０．５３ミリアンプ／ｃｍ２以下の電流密度で実行する、ことを特徴とする請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
身体部位の導電性向上モードが完了した際に、身体部位の電気導電性が十分に向上されていない場合には、警報を発するインジケータをさらに備える、ことを特徴とする請求項１５に記載の装置。
【請求項１８】
身体部位の導電性向上モードの完了を通知するインジケータをさらに備える、ことを特徴とする請求項１５に記載の装置。
【請求項１９】
身体部位の導電性向上モードは、少なくとも、部分的に当該身体部位の導電性向上モードの開始からの時間の経過に基づいて完了する、ことを特徴とする請求項１５に記載の装置。
【請求項２０】
第二のイオントフォレーゼ処置は、直流電圧式のイオントフォレーゼ処置である、ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月28日(2010.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者における運動にさらされるターゲットボリュームを粒子線治療するための粒子線治療装置において、
高エネルギー粒子を供給するための粒子加速器と、
粒子が治療のために組織と相互作用する照射ボリュームの大きさを設定するための設定装置と、
設定装置を制御するために、運動を止めるかまたは遅くする時間間隔の間にターゲットボリューム全体が照射可能であるように照射ボリュームの３次元の大きさを設定する制御信号を設定装置に出力するように構成されている制御システムと、
ターゲットボリューム全体が照射ボリュームにより前記時間間隔内に走査可能であるように制御可能である走査装置と、
を備えていることを特徴とする粒子線治療装置。
【請求項２】
設定装置が、照射ボリュームの遠位方向の大きさを決定する粒子線のエネルギー分布を調整するための調整装置を有することを特徴とする請求項１記載の粒子線治療装置。
【請求項３】
設定装置が、ビーム案内光学系により粒子線の横方向の大きさを調整するための高エネルギービーム案内手段を有することを特徴とする請求項１又は２記載の粒子線治療装置。
【請求項４】
設定装置が、照射ボリュームの遠位方向の大きさと横方向の大きさとの比を２に等しく又はそれより大きく設定するように構成されていることを特徴とする請求項１乃至３の１つに記載の粒子線治療装置。
【請求項５】
設定装置が、照射ボリュームのビーム入射方向の大きさをターゲットボリュームの遠位方向の大きさの少なくとも１０％に設定するように構成されていることを特徴とする請求項１乃至４の１つに記載の粒子線治療装置。
【請求項６】
設定装置が、照射ボリュームのビーム入射方向の大きさを３ｍｍ〜２５ｍｍの範囲内に設定するように構成されていることを特徴とする請求項１乃至５の１つに記載の粒子線治療装置。
【請求項７】
設定装置が、照射ボリュームの横方向の大きさを５ｍｍ〜１０ｍｍの範囲内に設定するように構成されていることを特徴とする請求項１乃至６の１つに記載の粒子線治療装置。
【請求項８】
調整装置が、デグレーダであることを特徴とする請求項１乃至７の１つに記載の粒子線治療装置。
【請求項９】
走査装置が、ラスタ走査装置または揺動装置であることを特徴とする請求項１乃至８の１つに記載の粒子線治療装置。
【請求項１０】
粒子加速器が、１つの時間間隔内において複数のエネルギー層を照射するためのエネルギーを設定するように構成されていることを特徴とする請求項１乃至９の１つに記載の粒子線治療装置。
【請求項１１】
更に複数のエネルギー層を照射するためのエネルギー設定手段が設けられていることを特徴とする請求項１乃至１０の１つに記載の粒子線治療装置。
【請求項１２】
粒子線を用いて患者における運動にさらされているターゲットボリュームを粒子線治療するために、粒子が治療のために組織と相互作用する照射ボリュームがターゲットボリュームにわたって照射される粒子線治療のための走査方法において、
準静止状態のターゲットボリュームをつくり出すために１つの時間間隔の間ターゲットボリュームの運動を止めるかまたは遅らせ、
前記時間間隔の間に照射すべきボリューム全体を照射することを可能にする３次元の大きさに照射ボリュームを設定し、
前記時間間隔内に照射ボリュームにより照射すべきターゲットボリューム全体を走査する
ことを特徴とする粒子線治療のための走査方法。
【請求項１３】
照射ボリュームの遠位方向の大きさと横方向の大きさとの比が２に等しく又はそれより大きく設定されることを特徴とする請求項１２記載の走査方法。
【請求項１４】
照射ボリュームの遠位方向の大きさがターゲットボリュームの遠位方向の大きさの３分の１以上であることを特徴とする請求項１２又は１３記載の走査方法。
【請求項１５】
照射ボリュームの遠位方向の大きさが５ｍｍ〜２５ｍｍの範囲内にあることを特徴とする請求項１２乃至１４の１つに記載の走査方法。
【請求項１６】
照射ボリュームの横方向の大きさが３ｍｍ〜１０ｍｍの範囲内にあることを特徴とする請求項１２乃至１５の１つに記載の走査方法。
【請求項１７】
照射すべきターゲットボリューム全体を走査するために照射ボリュームを有する少なくとも1つのエネルギー層が走査されることを特徴とする請求項１２乃至１６の１つに記載の走査方法。
【請求項１８】
走査方法がラスタ走査方法または揺動方法であることを特徴とする請求項１２乃至１７の１つに記載の走査方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
更に、ターゲットボリュームの遠位方向大きさの少なくとも１０％を有するビーム入射方向大きさに照射ボリュームを設定すると特に有利である。これは、１０個もしくは好ましくは５〜３個の等エネルギー層を持つターゲットボリュームを走査することを可能にする。例えば、遠位方向大きさは５ｍｍ〜２５ｍｍの範囲内にある。