Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月25日(2010.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
特許文献１によれば、音叉型水晶振動片２００は図６に示すように基部２２３に振動腕２２１が設けられ、支持腕２２２は基部２２３の幅方向に延長し、さらに振動腕方向に伸びている。この支持腕２２２を形成することで、パッケージ外部の温度変化、又は落下などの衝撃からの影響を減少させ、特に温度特性が良好となる。また、支持腕２２２を形成することはパッケージ内部の振動腕２２１の振動漏れが外部に及ぼす影響を少なくし、ＣＩ値を改善していた。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の音叉型水晶振動片は、例えば３２．７６８ｋＨｚで信号を発振する振動片でＹ軸方向の長さが１．４５ｍｍ程度、Ｘ方向の長さが０．５ｍｍ程度、Ｚ方向の厚さが０．１２ｍｍ前後の小型な形状となっている。この音叉型水晶振動片の外形を形成する工程のエッチングでわずかな寸法の違いが発生し、このわずかな寸法の違いは小型な形状であるために音叉型水晶振動片に与える影響は大きい。以下の実施例はＣＩ値の劣化の少ない小型な音叉型水晶振動片の形状を示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図１（ａ）で示すように、第１音叉型水晶振動片１００の基部２３は同じ基部の長さＬＫで幅方向に伸び、その伸びた基部２３から支持腕２２が伸びた形状である。また、第１音叉型水晶振動片１００の第１振動腕４１と第１振動腕４１との距離である第２幅Ｗ２は第１振動腕の幅である第１幅Ｗ１と同じであり、また第１振動腕４１と支持腕２２との距離である第３幅Ｗ３も第１幅Ｗ１と同じ長さで形成されている。つまり第１音叉型水晶振動片１００は第１幅Ｗ１と、第２幅Ｗ２と、第３幅Ｗ３とを同一幅で設計する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
エッチング進行上の異方性はこれらのエッチング工程でおこり、図１に示された結晶軸（ＸＹＺ）のＸ軸を第１音叉型水晶振動片１００の幅、Ｙ軸を長さ、Ｚ軸を厚さとし、Ｘ，Ｙ，Ｚ軸上で異方性がおこる。
すなわち、第１音叉型水晶振動片１００に関するエッチングレートは、Ｚ軸方向が大きく、次にプラスＸ軸方向が大きく、次にマイナスＸ軸方向が大きく、Ｙ軸方向が一番小さい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
（溝形の形成）
次に、溝形成用レジストにより、各溝部２４を挟む両側の壁部を残す様に、溝部２４を形成しない部分に耐蝕膜を残し、外形エッチングと同じエッチング条件で、第１振動腕４１の表面と裏面とを、それぞれウエットエッチングすることにより溝部２４を形成する。溝部２４の深さは厚みに対して、３０ないし４５パーセント程度とで形成する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
第１音叉型水晶振動片１００は支持腕２２の接合部２５で圧電デバイス５０のパッケージＰＫＧと接合している。例えば、接合部２５はパッケージＰＫＧの電極（図示しない）に塗布した導電性接着剤の上に載置して、導電性接着剤を仮硬化させる。次に、硬化炉で導電性接着剤を本硬化することで接合部２５は、第１音叉型水晶振動片１００とパッケージＰＫＧとに導電性を持たせたまま接合され、パッケージ外部の外部電極５１と電気的に接続される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
圧電デバイス５０は第１音叉型水晶振動片１００の第１振動腕４１の先端にレーザー光を照射して、錘の金属被膜の一部を蒸散・昇華させ、質量削減方式による周波数の調整を行う。また圧電振動デバイス５０は駆動特性などの検査を行うことで完成する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
【図１】（ａ）は、第１音叉型水晶振動片１００の上面図である。  （ｂ）は、（ａ）に示した音叉型水晶振動片１００のＡ−Ａ断面図である。
【図３】第２音叉型水晶振動片１１０の上面図である。
【図４】第３音叉型水晶振動片１２０の上面図である。
【図５】（ａ）は、第１音叉型水晶振動片１００の変形例を示す上面図である。  （ｂ）は、第２音叉型水晶振動片１１０の変形例を示す上面図である。  （ｃ）は、第３音叉型水晶振動片１２０の変形例を示す上面図である。
【図６】従来の支持腕を持つ音叉型水晶振動片２００の上面図である。る。
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2009284219.tif 000001
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2009284219.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月20日(2009.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動画を撮像する撮像手段と、
前記撮像手段で撮像された前記動画から前記動画の一部領域に存在する追跡対象を検知する検知手段と、
前記動画および前記追跡対象を記録する記録手段と、
前記追跡対象を複数並べた追跡対象部を表示する表示手段と、
前記追跡対象部に並べられた複数の前記追跡対象のうちの所定の追跡対象が選択された場合、その追跡対象に対応する動画を再生するよう制御する制御手段と
を備える情報処理装置。
【請求項２】
前記動画には、複数の前記追跡対象が含まれる
請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記表示手段は、所定の日付の所定の時間帯における録画実績を表す録画実績表示部を前記追跡対象部とともに表示し、
前記制御手段は、前記録画実績表示部において所定の日付の所定の時間帯における録画実績が選択された場合、その日付のその時間帯に検知された前記追跡対象を前記追跡対象部に表示するよう制御する
請求項１または２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
コンピュータを、動画および前記動画の一部領域に存在する追跡対象を再生する再生手段と、前記再生手段から再生された前記動画および前記追跡対象を表示手段に表示するよう制御する制御手段として機能させるプログラムであって、
前記制御手段は、前記追跡対象を複数並べた追跡対象部を前記表示手段に表示し、前記追跡対象部に並べられた複数の前記追跡対象のうちの所定の追跡対象が選択された場合、その追跡対象に対応する動画を再生するよう制御する
プログラム。
【請求項５】
前記動画には、複数の前記追跡対象が含まれる
請求項４に記載のプログラム。
【請求項６】
前記制御手段は、所定の日付の所定の時間帯における録画実績を表す録画実績表示部を前記追跡対象部とともに前記表示手段に表示し、前記録画実績表示部において所定の日付の所定の時間帯における録画実績が選択された場合、その日付のその時間帯に検知された前記追跡対象を前記追跡対象部に表示するよう制御する
請求項４または５に記載のプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理装置およびプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、情報処理装置およびプログラムに関し、特に、所定の領域を撮影するとともに、その領域内の動体を撮影し、その結果得られる画像のうち、ユーザの所望する画像を容易に再生することができるようにする情報処理システム、情報処理装置およびプログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の情報処理装置は、動画を撮像する撮像手段と、撮像手段で撮像された動画から動画の一部領域に存在する追跡対象を検知する検知手段と、動画および追跡対象を記録する記録手段と、追跡対象を複数並べた追跡対象部を表示する表示手段と、追跡対象部に並べられた複数の追跡対象のうちの所定の追跡対象が選択された場合、その追跡対象に対応する動画を再生するよう制御する制御手段とを備える。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
この動画には、複数の追跡対象が含まれるようにすることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
表示手段は、所定の日付の所定の時間帯における録画実績を表す録画実績表示部を追跡対象部とともに表示し、制御手段は、録画実績表示部において所定の日付の所定の時間帯における録画実績が選択された場合、その日付のその時間帯に検知された追跡対象を追跡対象部に表示するよう制御することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明のプログラムは、コンピュータを、動画および動画の一部領域に存在する追跡対象を再生する再生手段と、再生手段から再生された動画および追跡対象を表示手段に表示するよう制御する制御手段として機能させるプログラムであって、制御手段は、追跡対象を複数並べた追跡対象部を表示手段に表示し、追跡対象部に並べられた複数の追跡対象のうちの所定の追跡対象が選択された場合、その追跡対象に対応する動画を再生するよう制御する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
この動画には、複数の追跡対象が含まれるようにすることができる。
制御手段は、所定の日付の所定の時間帯における録画実績を表す録画実績表示部を追跡対象部とともに表示手段に表示し、録画実績表示部において所定の日付の所定の時間帯における録画実績が選択された場合、その日付のその時間帯に検知された追跡対象を追跡対象部に表示するよう制御することができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明においては、動画の一部領域に存在する追跡対象を複数並べた追跡対象部が表示手段に表示され、追跡対象部に並べられた複数の追跡対象のうちの所定の追跡対象が選択された場合、その追跡対象に対応する動画が再生される。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月7日(2010.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記した目的を達成するため、例えば、特許請求の範囲に記載されるように構成すればよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像データと、字幕データと、番組情報データを受信する受信部と、
前記受信部で受信された字幕データに基づく字幕を、前記受信部で受信された映像データに基づく映像にオンスクリーンさせるための第１のオンスクリーン部と、
前記受信部で受信された番組情報データに基づく番組情報を、前記受信部で受信された映像データに基づく映像にオンスクリーンさせるための第２のオンスクリーン部と、
前記受信部で受信された映像データに基づく映像の画像フォーマットを変換するフォーマット変換部と、
前記フォーマット変換部で画像フォーマットが変換された映像に、前記第１のオンスクリーン部により字幕がオンスクリーンされたもの、あるいは、前記フォーマット変換部で画像フォーマットが変換された映像に、前記第２のオンスクリーン部により番組情報がオンスクリーンされたものを表示する表示部とを備え、
前記表示部で字幕がオンスクリーンされた映像を表示する場合には、映像の画像フォーマットが変換されるのにあわせて字幕の画像フォーマットも前記フォーマット変換部により変換され、
前記表示部で番組情報がオンスクリーンされた映像を表示する場合には、番組情報の画像フォーマットは変換されないことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記フォーマット変換部において、映像及び字幕の画像の垂直サイズあるいは水平サイズが変換されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記字幕データに基づく字幕は、前記映像データの内容に関連したクローズドキャプションの字幕であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記番組情報データに基づく番組情報は、文字のグラフィックスデータであることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
映像データと、字幕データと、番組情報データを受信する受信部と、
前記受信部で受信された字幕データに基づく字幕を、前記受信部で受信された映像データに基づく映像にオンスクリーンさせるための第１のオンスクリーン部と、
前記受信部で受信された番組情報データに基づく番組情報を、前記受信部で受信された映像データに基づく映像にオンスクリーンさせるための第２のオンスクリーン部と、
前記受信部で受信された映像データに基づく映像の画像フォーマットを変換するフォーマット変換部と、
前記字幕及び／または前記番組情報がオンスクリーンされ、かつ前記フォーマット変換部で画像フォーマットが変換された映像が表示可能な表示部とを備え、
前記フォーマット変換部によって、前記映像とともに前記オンスクリーンされた字幕の画像フォーマットが変換され、前記映像とともに前記オンスクリーンされた番組情報の画像フォーマットは変換されないことを特徴とする表示装置。
【請求項６】
前記フォーマット変換部によって、映像及び字幕の画像の垂直サイズあるいは水平サイズが変換されることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記字幕データに基づく字幕は、前記映像データの内容に関連したクローズドキャプションの字幕であることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項８】
前記番組情報データに基づく番組情報は、文字のグラフィックスデータであることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月24日(2009.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記設定手段により設定されるミラー領域情報をデータ格納手段に登録する内部登録手段と、
前記内部登録手段により登録された前記ミラー領域情報を前記ホスト装置が備える各データ格納手段に外部登録する外部登録手段と、
前記データ格納手段に対するアクセスが不能となる障害の発生状態を判断する判断手段と、
前記判断手段により前記データ格納手段に障害が発生していると判断した場合に、前記登録手段により登録されたミラー領域情報を前記ホスト装置から取得して前記データ格納手段上のミラー領域情報を復旧させる復旧手段と、
を有することを特徴とする請求項１記載のサーバ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月25日(2009.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通電に応じてインクを吐出するために利用される熱エネルギーを発生する発熱部を有するインクジェット記録ヘッド用基板であって、
基体と、
前記基体の上に設けられた、第１の間隙を有する電極配線層と、
前記第１の間隙に対応する前記基体の上と、前記電極配線層の上とに設けられ、前記第１の間隔に対応する部分が前記発熱部として用いられる発熱抵抗体層と、
該発熱抵抗体層の上に設けられた第１保護層と、
前記第１の間隙より広い第２の間隙を有し、前記発熱部に対応する部分の上を除いて前記第１保護層の上に設けられた第２保護層と、
を具えたことを特徴とするインクジェット記録ヘッド用基板。
【請求項２】
前記第１保護層の膜質は、前記第２保護層の膜質に対して疎であることを特徴とする請求項１に記載のインクジェット記録ヘッド用基板。
【請求項３】
前記第１保護層はＳｉＯ２からなり、前記第２保護層はＰ−ＳｉＯからなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のインクジェット記録ヘッド用基板。
【請求項４】
前記発熱抵抗体層および前記第１保護層は、膜厚方向において連続的または段階的に組成が変化する層の部分として形成されていることを特徴とする請求項１に記載のインクジェット記録ヘッド用基板。
【請求項５】
通電に応じてインクを吐出するために利用される熱エネルギーを発生する発熱部を有するインクジェットヘッド用基板の製造方法であって、
基体上に、第１の間隙を有する電極配線層を設ける工程と、
前記第１の間隙に対応する前記基体の上と、前記電極配線層の上とに設けられ、前記第１の間隔に対応する部分が前記発熱部として用いられる発熱抵抗体層を設ける工程と、
前記発熱抵抗体層の上に第１保護層を設ける工程と、
前記第１保護層の上と前記電極配線層の上とに第２保護層となる膜を設ける工程と、
前記発熱部に対応する部分に位置する前記第２保護層となる膜を除去し、前記第１の間隔より広い第２の間隔を有する前記第２保護層を設ける工程と、
を具えたことを特徴とするインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
【請求項６】
前記発熱抵抗体層と前記第１保護層とは、同時にパターニングされることにより同じ形状に形成されていることを特徴とする請求項５に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
【請求項７】
前記第１保護層は、バイアススパッタ法により形成されることを特徴とする請求項５に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
【請求項８】
前記第１保護層は、ＥＣＲスパッタ法により形成されることを特徴とする請求項５に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
【請求項９】
前記発熱抵抗体層および前記第１保護層は、膜厚方向で連続的もしくは段階的に組成を変えながら成膜を行う手段を適用することで、前記発熱抵抗体層として機能する膜部分および前記第１保護層として機能する膜部分を膜厚方向に連続的または段階的に変化するように設けられていることを特徴とする請求項５に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第２の間隔は、前記第２保護層となる膜の一部をエッチングにより除去することで設けられ、前記第２保護層は、前記第１保護層に比べてエッチングされやすいことを特徴とする請求項５ないし請求項９のいずれかに記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第１保護層の膜質は、前記第２保護層の膜質に対して疎であることを特徴とする請求項５ないし請求項１０のいずれかに記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第１保護層はＳｉＯ２からなり、前記第２保護層はＰ−ＳｉＯからなることを特徴とする請求項５ないし請求項１１のいずれかに記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のインクジェット記録ヘッド用基板と、
前記発熱部に対応したインク吐出口が形成された部材と、
を具えたことを特徴とするインクジェット記録ヘッド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
そのために、本発明は、通電に応じてインクを吐出するために利用される熱エネルギーを発生する発熱部を有するインクジェット記録ヘッド用基板であって、
基体と、
前記基体の上に設けられた、第１の間隙を有する電極配線層と、
前記第１の間隙に対応する前記基体の上と、前記電極配線層の上とに設けられ、前記第１の間隔に対応する部分が前記発熱部として用いられる発熱抵抗体層と、
該発熱抵抗体層の上に設けられた第１保護層と、
前記第１の間隙より広い第２の間隙を有し、前記発熱部に対応する部分の上を除いて前記第１保護層の上に設けられた第２保護層と、
を具えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、本発明は、通電に応じてインクを吐出するために利用される熱エネルギーを発生する発熱部を有するインクジェットヘッド用基板の製造方法であって、
基体上に、第１の間隙を有する電極配線層を設ける工程と、
前記第１の間隙に対応する前記基体の上と、前記電極配線層の上とに設けられ、前記第１の間隔に対応する部分が前記発熱部として用いられる発熱抵抗体層を設ける工程と、
前記発熱抵抗体層の上に第１保護層を設ける工程と、
前記第１保護層の上と前記電極配線層の上とに第２保護層となる膜を設ける工程と、
前記発熱部に対応する部分に位置する前記第２保護層となる膜を除去し、前記第１の間隔より広い第２の間隔を有する前記第２保護層を設ける工程と、
を具えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月18日(2010.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光色の異なる有機ＥＬ素子を複数備えており、
前記有機ＥＬ素子は、陽極と、陰極と、発光層を含む有機化合物層と、を有し、前記陽極及び前記陰極のどちらか一方に半透過電極を含み、前記陽極と前記陰極の間で前記発光層が発した光を共振させる共振器構造を有する有機発光装置において、
全部又は一部の有機ＥＬ素子は、半透過電極の材料若しくは膜厚が異なることを特徴とする有機発光装置。
【請求項２】
半透過電極の材料若しくは膜厚が異なる有機ＥＬ素子は、最も発光効率の低い有機ＥＬ素子であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光装置。
【請求項３】
発光波長の大きい色を発する有機ＥＬ素子ほど、半透過電極の膜厚が厚いことを特徴とする請求項１に記載の有機発光装置。
【請求項４】
前記有機ＥＬ素子は、視野角４５度以内での正面との色度ずれが、
＜式１＞
Δｕ’ｖ’＜０．０２５
（但し、Δｕ’ｖ’はｕ’ｖ’色度図での正面視の色度座標と斜面視の色度座標との距離のことである。）
を満たすことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項５】
前記有機ＥＬ素子の光取り出し側の電極は、半透過電極と透明電極との積層構造であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項６】
半透過電極は合金からなることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項７】
前記複数の有機ＥＬ素子は、赤色を発する有機ＥＬ素子と、緑色を発する有機ＥＬ素子と、青色を発する有機ＥＬ素子と、を有し、
前記緑色を発する有機ＥＬ素子の半透過電極が、他の色を発する有機ＥＬ素子の半透過電極の膜厚よりも厚いことを特徴とする請求項１に記載の有機発光装置。
【請求項８】
前記緑色を発する有機ＥＬ素子の半透過電極、前記赤色を発する有機ＥＬ素子の半透過電極、前記青色を発する有機ＥＬ素子の半透過電極の順に膜厚が薄くなることを特徴とする請求項７に記載の有機発光装置。
【請求項９】
前記複数の有機ＥＬ素子は、赤色を発する有機ＥＬ素子と、緑色を発する有機ＥＬ素子と、青色を発する有機ＥＬ素子と、を有し、
前記青色を発する有機ＥＬ素子の半透過電極の膜厚が、他の色を発する有機ＥＬ素子の半透過電極の膜厚よりも薄いことを特徴とする請求項１に記載の有機発光装置。
【請求項１０】
前記青色を発する有機ＥＬ素子の半透過電極の膜厚のみが、他の色を発する有機ＥＬ素子の半透過電極の膜厚と異なることを特徴とする請求項９に記載の有機発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記背景技術の課題を解決するための手段として、請求項１に記載した発明に係る有機発光装置は、
発光色の異なる有機ＥＬ素子を複数備えており、
前記有機ＥＬ素子は、陽極と、陰極と、発光層を含む有機化合物層と、を有し、前記陽極及び前記陰極のどちらか一方に半透過電極を含み、前記陽極と前記陰極の間で前記発光層が発した光を共振させる共振器構造を有する有機発光装置において、
全部又は一部の有機ＥＬ素子は、半透過電極の材料若しくは膜厚が異なることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
ここでは反射面を有する第１電極（陽極）、半透過層を有する第２電極（陰極）の有機ＥＬ素子を考えており、Ｒ2、Ｔ2は半透過層の反射率、透過率である。Ｒ1は第１電極の反射率である。φ1、φ2は各電極での位相シフトである。ｚは発光位置と第１電極との間の距離であり、ｄは共振波長である。＜数１＞から分かる通り、半透過層の反射率、透過率の値によって放射強度、つまり、共振の強さが異なる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
【表１】
2008091323.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
【表２】
2008091323.tif 000002
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
陰極の半透過層７として、銀（Ａｇ）をシャドーマスクを用いて順次形成する。各有機ＥＬ素子における半透過層の膜厚は、７Ｒが３０ｎｍ、７Ｇが２５ｎｍ、７Ｂが１５ｎｍとする。蒸着時の真空度は１×１０-4Ｐａ、成膜速度は０．２ｎｍ／ｓｅｃの条件である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月18日(2010.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】化学気相成長リアクタ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランプと、
化学気相成長リアクタ内にランプを留めるための締結具と、
前記ランプを前記リアクタから取り外した後、前記ランプ上に前記締結具を保持するための手段と、
を備え、
前記ランプは、ランプボディと、前記ランプボディ内のフィラメントと、前記フィラメントから前記締結具を保持するための手段への電気的接続を提供する導電コネクタと、を有する化学気相成長リアクタ。
【請求項２】
前記締結具を保持するための手段は、開口部を含むハトメ部を有し、前記締結具は、前記開口部から挿入される請求項１に記載の化学気相成長リアクタ。
【請求項３】
前記締結具を保持するための手段は、さらに座金を備える請求項２に記載の化学気相成長リアクタ。
【請求項４】
前記締結具を保持するための手段は、前記導電コネクタの延長部を含み、当該導電コネクタの延長部は、前記締結具を所定位置に保持するように、前記ハトメ部の被加締め部分を通って突出する請求項２に記載の化学気相成長リアクタ。
【請求項５】
前記締結具は、頭部および長い軸部分を含むねじであり、当該長い軸部分は、ねじ切りされていない中間部と、ねじ切りされた端部とを有する請求項２に記載の化学気相成長リアクタ。
【請求項６】
前記開口部は、ねじ切りされ、前記締結具は、前記ねじ切りされた開口部を通って螺合される請求項５に記載の化学気相成長リアクタ。
【請求項７】
前記ねじ切りされた端部の近位端に隣接して設けられる保持用リングは、前記締結具を前記ハトメに回転自在に設ける請求項５に記載の化学気相成長リアクタ。
【請求項８】
前記締結具は、頭部および長い軸部分を有し、前記頭部は、底面に円形の蟻溝を有し、前記ハトメ部は、前記円形の蟻溝と係合するように適合されて上向きに延びるノッチ付きの１つまたはそれ以上の突起部をさらに含む請求項２に記載の化学気相成長リアクタ。
【請求項９】
ランプと、
化学気相成長リアクタ内にランプを留めるための締結具と、
前記ランプを前記リアクタから取り外した後、前記ランプ上に前記締結具を保持するための手段と、を備え、
前記ランプは、ランプボディと、前記ランプボディ内のフィラメントと、前記フィラメントから前記締結具を保持するための手段への電気的接続を提供する導電コネクタと、を有し、
前記締結具を保持するための手段は、開口部を有するハトメ部を有し、
前記締結具は、前記開口部から挿入され、
前記締結具は、頭部および長い軸部分を含むねじであり、当該長い軸部分は、ねじ切りされていない中間部と、ねじ切りされた端部とを有し、
前記ねじ切りされた端部の近位端に隣接して設けられる保持用リングは、前記締結具を前記ハトメに回転自在に設け、
前記保持用リングを保持するために、環状の溝が、前記ねじ切りされた端部の近位端に隣接して設けられ、当該保持用リングは、前記環状の溝内にスナップ留めされるスナップリングを備える化学気相成長リアクタ。
【請求項１０】
前記締結具を保持するための手段は、前記ハトメ部と一体化した捕捉部分をさらに含む請求項２に記載の化学気相成長リアクタ。
【請求項１１】
前記捕捉部分は、上向きに突出するタブを含む請求項１０に記載の化学気相成長リアクタ。
【請求項１２】
前記タブは、前記締結具の頭部上の所定位置に撓むように適合される請求項１１に記載の化学気相成長リアクタ。
【請求項１３】
前記タブは、適合性があり、前記締結具の頭部の周りにスナップ留めされる形状である請求項１１に記載の化学気相成長リアクタ。
【請求項１４】
ランプと、
化学気相成長リアクタ内にランプを留めるための締結具と、
前記ランプを前記リアクタから取り外した後、前記ランプ上に前記締結具を保持するための手段と、を備え、
前記ランプは、ランプボディと、前記ランプボディ内のフィラメントと、前記フィラメントから前記締結具を保持するための手段への電気的接続を提供する導電コネクタと、を有し、
前記締結具を保持するための手段は、開口部を有するハトメ部を有し、前記締結具は、前記開口部から挿入され、
前記締結具を保持するための手段は、前記ハトメ部と一体化した捕捉部分をさらに有し、
前記捕捉部分は、前記ハトメ部上に配置され得るハウジングアセンブリを含み、さらに、前記ハウジングアセンブリは、前記ハトメ部から延びるアームを含み、当該アームは、前記ハトメ部から間隔を置いて配置されたハウジング部を含み、当該ハウジング部は、開口部を含み、前記アーム部は、前記ハトメ部の上に前記ハウジング部を配置するように適合されて半径周りを撓み得る化学気相成長リアクタ。
【請求項１５】
前記ハウジング部は、前記ハトメ部から遠位に延びるノッチ付きタブをさらに含み、さらに、前記ハトメは、キャッチタブを含み、当該キャッチタブは、前記ハウジング部の遠位の前記ハトメ部の側から延び、キャッチ用突起部を受け入れるように適合される請求項１４に記載の化学気相成長リアクタ。
【請求項１６】
前記上向きに延びるノッチ付きの１つまたはそれ以上の突起部は、前記ハトメ部の前記開口部と同軸でカラー状の円形突起である請求項８に記載の化学気相成長リアクタ。
【請求項１７】
前記上向きに延びるノッチ付きの１つまたはそれ以上の突起部は、複数のタブ突起である請求項８に記載の化学気相成長リアクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月12日(2010.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動画ファイルを記録媒体に記録する記録手段と、
前記記録媒体に記録された一つのクリップの前記動画ファイルに関するクリップ情報を生成する生成手段と、
記録開始の指示に応じて、一つのクリップの前記動画ファイルと前記動画ファイルのクリップ情報を含むクリップ情報ファイルとを前記記録媒体に記録するように、前記記録手段と前記生成手段を制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、第１クリップの記録開始の指示に応じて、前記第１クリップに連続して再生するクリップの識別情報を含まない前記第１クリップのクリップ情報を生成して前記第１クリップのクリップ情報ファイルを記録し、前記第１クリップに連続して再生する第２クリップの動画ファイルの記録が終了したことに応じて、前記第２クリップの識別情報を含む前記第１クリップのクリップ情報を新たに生成し、先に前記記録媒体に記録された前記第１クリップのクリップ情報ファイルを前記新たに生成された前記第１クリップのクリップ情報により更新するように、前記記録手段と前記生成手段を制御することを特徴とする記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の記録装置は、動画ファイルを記録媒体に記録する記録手段と、前記記録媒体に記録された一つのクリップの前記動画ファイルに関するクリップ情報を生成する生成手段と、記録開始の指示に応じて、一つのクリップの前記動画ファイルと前記動画ファイルのクリップ情報を含むクリップ情報ファイルとを前記記録媒体に記録するように、前記記録手段と前記生成手段を制御する制御手段とを備え、前記制御手段は、第１クリップの記録開始の指示に応じて、前記第１クリップに連続して再生するクリップの識別情報を含まない前記第１クリップのクリップ情報を生成して前記第１クリップのクリップ情報ファイルを記録し、前記第１クリップに連続して再生する第２クリップの動画ファイルの記録が終了したことに応じて、前記第２クリップの識別情報を含む前記第１クリップのクリップ情報を新たに生成し、先に前記記録媒体に記録された前記第１クリップのクリップ情報ファイルを前記新たに生成された前記第１クリップのクリップ情報により更新するように、前記記録手段と前記生成手段を制御することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月4日(2010.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内側領域と、前記内側領域を囲む外側領域とを有する基板であって、前記外側領域及び前記内側領域は、第１の偏光方向と第２の偏光方向とに対して異なる光学的特性を有する、基板と、
光ビームの偏光に影響を与え、前記基板に取り付けられる波長板と、
を備えており、
前記波長板の、前記外側領域又は前記内側領域に対応する第１の部分が、切替え可能であり、他の領域の各々に対応する前記波長板の第２の領域は切替え不可能である、
光ビームのための偏光フィルタ。
【請求項２】
前記外側領域は、第１の偏光方向に対する低い反射率と、第２の偏光方向に対する高い反射率を有しており、
前記内側領域は、第１の偏光方向に対する高い反射率と、第２の偏光方向に対する低い反射率を有しており、
前記波長板は、１／４波長板である、
請求項１に記載の偏光フィルタ。
【請求項３】
前記外側領域域は、第１の偏光方向に対する低い透過率と、第２の偏光方向に対する高い透過率を有しており、
前記内側領域は、第１の偏光方向に対する高い透過率と、第２の偏光方向に対する低い透過率を有しており、
前記波長板は、半波長板である、
請求項１に記載の偏光フィルタ。
【請求項４】
前記波長板の前記内側領域に対応する部分が、穴又は切替え不可能である、あるいは、前記波長板の前記外側領域に対応する部分が、切替え不可能又は省略されており、前記内側領域に対応する部分のみが切替え可能である、
請求項１から３のいずれか１項に記載の偏光フィルタ。
【請求項５】
前記波長板は、液晶素子である、
請求項１から４のいずれか１項に記載の偏光フィルタ。
【請求項６】
前記外側領域及び前記内側領域は、サブ波長格子を含んでいる、請求項１から５のいずれか１項に記載の偏光フィルタ。
【請求項７】
前記サブ波長格子は、光学システム内での迷光を避けるため、透過させない又は反射させない光を、十分大きな角度で屈折する様に設計されている、
請求項６に記載の偏光フィルタ。
【請求項８】
前記角度は、少なくとも１０度である、
請求項７に記載の偏光フィルタ。
【請求項９】
信号光及び／又は参照光を、ホログラフィック記録媒体に結像させる４ｆシステムと、
再生された信号光と前記参照光を分離する、請求項１から８のいずれか１項に記載の偏光フィルタと、
を備えているホログラフィック記録媒体の再生及び／又は記録装置。
【請求項１０】
前記偏光フィルタは、４ｆシステムのフーリエ面に位置している、
請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記偏光フィルタは、切替え不可能な波長板を有している、
請求項９又は１０に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月7日(2010.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｔｈ２Ｚｎ１７型結晶構造の希土類−鉄−窒素系磁性粉末であって、
前記希土類−鉄−窒素系磁性粉末は、一般式：ＲｖＦｅ（１００−ｖ−ｗ−ｘ）ＮｗＭｘで表され、ＲはＹを含むランタノイド元素のうち少なくとも一種、ＭはＺｒ又はＴｉであり、
ｖ、ｗはそれぞれ原子百分率で、
３≦ｖ≦３０
５≦ｗ≦１５
ＭがＺｒの場合、ｘは原子百分率で、
０＜ｘ≦０．５
ＭがＴｉの場合、ｘは原子百分率で、
０＜ｘ≦１．５
であることを特徴とする希土類−鉄−窒素系磁性粉末。
【請求項２】
前記Ｍは、前記磁性粉末からなる粒子の内部に均一に含有されていることを特徴とする請求項１に記載の希土類−鉄−窒素系磁性粉末。
【請求項３】
前記ＭがＺｒの場合、磁性粉末中に少なくともＺｒＯ２が含まれ、前記ＭがＴｉの場合、磁性粉末中に少なくともＴｉＯ２が含まれることを特徴とする請求項１または２に記載の希土類−鉄−窒素系磁性粉末。
【請求項４】
前記ＭがＺｒの場合、全成分に対するＺｒの含有原子比率は、０．００２原子％以上０．１原子％以下であり、前記ＭがＴｉの場合、全成分に対するＴｉの含有原子比率は、０．１原子％以上１．０原子％以下である請求項１から３のいずれか一項に記載の希土類−鉄−窒素系磁性粉末。
【請求項５】
希土類−鉄−窒素系磁性粉末の作製方法であって、
Ｙを含むランタノイド元素のうちの少なくとも一種の化合物と、鉄の化合物と、Ｚｒ化合物又はＴｉ化合物とを溶解した溶液を作製する工程と、
前記溶液に沈殿剤を添加して不溶性塩を生成する工程と、
前記不溶性塩を焼成し希土類元素−鉄−Ｚｒの複合酸化物粉末又は希土類元素−鉄−Ｔｉの複合酸化物粉末を得る工程と、
前記複後酸化物を金属Ｃａにて還元拡散反応を行う工程と、
を有することを特徴とする希土類−鉄−窒素系磁性粉末の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月29日(2010.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下電極膜と、前記下電極膜上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた上電極膜と、を備え、
前記下電極膜は、柱状結晶を有する白金を含み、
前記白金の結晶の粒界に酸化物が存在していることを特徴とする圧電素子。
【請求項２】
請求項１に記載の圧電素子において、前記酸化物が酸化チタンからなることを特徴とする圧電素子。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の圧電素子において、前記下電極膜が、前記白金の結晶の上に酸化イリジウムからなる層が存在していることを特徴とする圧電素子。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか一項に記載の圧電素子において、前記白金の結晶の上面に前記酸化物の層が存在していることを特徴とする圧電素子。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか一項に記載の圧電素子において、前記下電極膜は基板上に設けられ、前記酸化物が、白金の粒界の前記基板側ほど少なく、前記圧電体層側ほど多く存在していることを特徴とする圧電素子。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか一項に記載の圧電素子を具備することを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項７】
請求項６に記載の液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前記課題を解決する本発明の第１の態様は、下電極膜と、前記下電極膜上に設けられた圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた上電極膜と、を備え、前記下電極膜は、柱状結晶を有する白金を含み、前記白金の結晶の粒界に酸化物が存在していることを特徴とする圧電素子にある。
かかる第１の態様では、下電極膜を構成する白金の粒界に酸化物が偏析した状態で存在するので、下電極膜の剛性、靱性が向上し、繰り返し駆動による劣化に対する耐性が向上する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の第５の態様は、第１〜４の何れか一つの態様に記載の圧電素子において、前記下電極膜は基板上に設けられ、前記酸化物が、白金の粒界の前記基板側ほど少なく、前記圧電体層側ほど多く存在していることを特徴とする圧電素子にある。
かかる第５の態様では、前記酸化物が、白金の粒界の前記基板側には酸化物が少ないので、白金の配向がさらに良好になり、圧電体層の成長がさらに良好となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の第６の態様は、第１〜５の何れか一つの態様に記載の圧電素子を具備することを特徴とする液体噴射ヘッドにある。
かかる第６の態様では、液滴の吐出特性を良好に保持しつつ、耐久性を向上した液体噴射ヘッドを実現することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の第７の態様は、第６の態様に記載の液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置にある。
かかる第７の態様では、信頼性及び耐久性に優れた液体噴射装置を実現することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月3日(2010.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
さらなる拡大図である図１（ｃ”）に示すように、第１の窒化物半導体層を横方向に成長させることにより、転位１０６が結晶方位の＜０００１＞方向に対して垂直の方向に発生する。結晶方位の＜０００１＞方向に対して垂直の方向とは、例えば、＜１１−２０＞方向又は＜１−１００＞方向等が挙げられる。横方向に成長させた領域には結晶方位に転位が発生することにより、結晶にかかる歪みをこの転位部分に分断して蓄えることができる。さらに横方向への成長領域の幅が大きいほど、また縦方向への成長膜厚Ｘと横方向への成長膜厚Ｙとの関係がＹ＞Ｘであって、その比率が大きいほど、歪みを抑制する効果は大きい。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月30日(2009.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）複数のパッケージ基板形成領域と、互いに隣り合う前記複数のパッケージ基板形成領域の間に配置されたダイシング領域と、前記複数のパッケージ基板形成領域に形成された複数の配線と、前記複数のパッケージ基板形成領域に形成された複数のボンディングパッドと、前記複数のボンディングパッドのそれぞれに形成されたメッキ膜と、前記ダイシング領域に形成された溝とを有する配線基板を準備する工程、
（ｂ）複数の半導体チップを前記複数のパッケージ基板形成領域にそれぞれ搭載する工程、
（ｃ）前記複数の半導体チップと前記複数のボンディングパッドとを前記メッキ膜を介してそれぞれ電気的に接続する工程、
（ｄ）前記複数の半導体チップと前記溝の内部とを樹脂で封止する工程、
（ｅ）前記ダイシング領域に沿ってダイシングブレードを走らせることにより、前記配線基板と前記樹脂とを切断する工程、
を含み、
前記複数のパッケージ基板形成領域のうちの第１パッケージ基板形成領域内に形成された前記複数の配線のうちの第１配線は、前記第１のパッケージ基板形成領域の隣の第２パッケージ基板形成領域内に形成された前記複数の配線のうちの第２配線と、前記溝を介して電気的に分離されており、
前記ダイシングブレードの幅は、前記溝の幅よりも小さいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記（ａ）工程の前に、さらに、
（ｘ１）前記ダイシング領域内に形成された第３配線を介して前記第２配線と電気的に接続された前記第１配線を有する前記配線基板を準備する工程、
（ｘ２）電解メッキ法により前記メッキ膜を前記複数のボンディングパッドのそれぞれに形成する工程、
（ｘ３）前記溝を前記ダイシング領域内に形成し、前記第３配線を除去する工程、
（ｘ４）前記配線基板の導通試験を行う工程、
を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記複数の配線のそれぞれの一部と前記複数のボンディングパッドのそれぞれは、前記配線基板の主面に形成されており、
前記（ｂ）工程では、前記複数の半導体チップのそれぞれは、前記配線基板の前記主面に搭載されており、
前記（ｄ）工程では、前記複数の半導体チップ、前記溝の内部および前記配線基板の前記主面は前記樹脂で封止されていることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記メッキ膜は、ＮｉメッキおよびＡｕメッキからなることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記複数の半導体チップは、前記メッキ膜および複数のボンディングワイヤを介して前記複数のボンディングパッドとそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
（ａ）複数のパッケージ基板形成領域と、互いに隣り合う前記複数のパッケージ基板形成領域の間に配置されたダイシング領域と、前記複数のパッケージ基板形成領域に形成された複数の配線と、前記複数のパッケージ基板形成領域に形成された複数のボンディングパッドと、前記複数のボンディングパッドのそれぞれに形成されたメッキ膜とを有する配線基板を準備する工程、
（ｂ）複数の半導体チップを前記複数のパッケージ基板形成領域にそれぞれ搭載する工程、
（ｃ）前記複数の半導体チップと前記複数のボンディングパッドとを前記メッキ膜を介してそれぞれ電気的に接続する工程、
（ｄ）前記複数の半導体チップを樹脂で封止する工程、
（ｅ）前記ダイシング領域に沿ってダイシングブレードを走らせることにより前記配線基板と前記樹脂とを切断する工程、
を含み、
前記複数のパッケージ基板形成領域のうちの第１パッケージ基板形成領域内に形成された前記複数の配線のうちの第１配線は、前記第１のパッケージ基板形成領域の隣の第２パッケージ基板形成領域内に形成された前記複数の配線のうちの第２配線と、離間し、かつ電気的に分離されており、
前記ダイシングブレードの幅は、前記第１配線と前記第２配線との間隔よりも小さいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記（ａ）工程の前に、さらに、
（ｘ１）前記ダイシング領域内に形成された第３配線を介して前記第２配線と電気的に接続された前記第１配線を有する前記配線基板を準備する工程、
（ｘ２）電解メッキ法により前記メッキ膜を前記複数のボンディングパッドのそれぞれに形成する工程、
（ｘ３）前記第３配線を除去する工程、
（ｘ４）前記配線基板の導通試験を行う工程、
を含むことを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記複数の配線のそれぞれの一部と前記複数のボンディングパッドのそれぞれは、前記配線基板の主面に形成されており、
前記（ｂ）工程では、前記複数の半導体チップのそれぞれは、前記配線基板の前記主面に搭載されていることを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記メッキ膜は、ＮｉメッキおよびＡｕメッキからなることを特徴とする請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記複数の半導体チップは、前記メッキ膜および複数のボンディングワイヤを介して前記複数のボンディングパッドとそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明による半導体装置の製造方法は、
（ａ）複数のパッケージ基板形成領域と、互いに隣り合う前記複数のパッケージ基板形成領域の間に配置されたダイシング領域と、前記複数のパッケージ基板形成領域に形成された複数の配線と、前記複数のパッケージ基板形成領域に形成された複数のボンディングパッドと、前記複数のボンディングパッドのそれぞれに形成されたメッキ膜と、前記ダイシング領域に形成された溝とを有する配線基板を準備する工程、
（ｂ）複数の半導体チップを前記複数のパッケージ基板形成領域にそれぞれ搭載する工程、
（ｃ）前記複数の半導体チップと前記複数のボンディングパッドとを前記メッキ膜を介してそれぞれ電気的に接続する工程、
（ｄ）前記複数の半導体チップと前記溝の内部とを樹脂で封止する工程、
（ｅ）前記ダイシング領域に沿ってダイシングブレードを走らせることにより、前記配線基板と前記樹脂とを切断する工程、
を含み、
前記複数のパッケージ基板形成領域のうちの第１パッケージ基板形成領域内に形成された前記複数の配線のうちの第１配線は、前記第１のパッケージ基板形成領域の隣の第２パッケージ基板形成領域内に形成された前記複数の配線のうちの第２配線と、前記溝を介して電気的に分離されており、
前記ダイシングブレードの幅は、前記溝の幅よりも小さい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月1日(2010.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セルアレイ領域を間に置いて提供された第１及び第２コア領域を有する半導体基板と、
前記セルアレイ領域を横切って前記第１コア領域に延長された第１及び第２導電性ラインと、
前記セルアレイ領域を横切って前記第２コア領域に延長された第３及び第４導電性ラインと、を含み、
前記第１、第２、第３及び第４導電性ラインは、リソグラフィ工程の限界解像度よりも小さい線幅を有することを特徴とする半導体素子。
【請求項２】
前記第１及び第２導電性ラインは、前記セルアレイ領域でリソグラフィ工程の限界解像度よりも小さい寸法の第１距離離隔され、前記第１コア領域で前記第１距離よりも大きい第２距離離隔された部分を有し、
前記第３及び第４導電性ラインは、前記セルアレイ領域で前記第１距離離隔され、前記第２コア領域で前記第１距離よりも大きい前記第２距離離隔された部分を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項３】
前記第１導電性ラインは前記セルアレイ領域から前記第１コア領域に第１長さ延長され、
前記第２導電性ラインは前記セルアレイ領域から前記第１コア領域に前記第１長さよりも小さい第２長さ延長され、
前記第３導電性ラインは前記セルアレイ領域から前記第２コア領域に前記第１長さ延長され、
前記第４導電性ラインは前記セルアレイ領域から前記第２コア領域に前記第２長さ延長されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項４】
前記第１導電性ラインは前記セルアレイ領域から前記第１コア領域に第１長さ延長され、
前記第２導電性ラインは前記セルアレイ領域から前記第１コア領域に前記第１長さよりも大きい第２長さ延長され、
前記第３導電性ラインは前記セルアレイ領域から前記第２コア領域に前記第２長さ延長され、
前記第４導電性ラインは前記セルアレイ領域から前記第２コア領域に前記第１長さ延長されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項５】
前記セルアレイ領域で前記第２及び第３導電性ラインはリソグラフィ工程の限界解像度よりも小さい寸法の第１距離離隔され、
前記第１及び第２導電性ラインは前記セルアレイ領域で前記第１距離よりも大きい第２距離離隔され、前記第１コア領域で前記第２距離よりも大きい第３距離離隔された部分を有し、
前記第３及び第４導電性ラインは前記セルアレイ領域で前記第２距離離隔され、前記第２コア領域で前記第３距離離隔された部分を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項６】
セルアレイ領域を間に置いて提供された第１及び第２コア領域を有する半導体基板と、
前記セルアレイ領域を横切って前記第１及び第２コア領域に延長されて前記セルアレイ領域に順に配列されると共に、リソグラフィ工程の限界解像度よりも小さい寸法の線幅を有する第１、第２、第３及び第４導電性ラインと、
前記第１コア領域での前記第２及び第４導電性ラインの端部分に電気的に接続された第１コンタクトパッドと、
前記第２コア領域での前記第１及び第３導電性ラインの端部分に電気的に接続された第２コンタクトパッドと、を含み、
前記第１コンタクトパッドは行方向及び列方向に沿って互いに交差して繰り返し配列され、前記第２コンタクトパッドは行方向及び列方向に沿って互いに交差して繰り返し配列されたことを特徴とする半導体素子。
【請求項７】
前記セルアレイ領域で前記第１及び２導電性ラインはリソグラフィ工程の限界解像度よりも小さい寸法の第１距離離隔されると共に、前記第３及び４導電性ラインは前記第１距離離隔され、
前記セルアレイ領域で前記第２及び第３導電性ラインは前記第１距離よりも大きい第２距離離隔されたことを特徴とする請求項６に記載の半導体素子。
【請求項８】
前記第１及び第３導電性ラインのそれぞれは前記セルアレイ領域から前記第１コア領域に第１長さ延長されると共に、前記第２コア領域で前記第１長さよりも大きい第２長さ延長され、
前記第２及び第４導電性ラインのそれぞれは前記セルアレイ領域から前記第２コア領域に前記第１長さ延長されると共に、前記第１コア領域で前記第２長さ延長されたことを特徴とする請求項６に記載の半導体素子。
【請求項９】
前記第１コア領域の前記第２及び第４導電性ラインの端部分と前記第１コンタクトパッドとの間に提供された第１接続部と、
前記第２コア領域の前記第１及び第３導電性ラインの端部分と前記第２コンタクトパッドとの間に提供された第２接続部と、をさらに含み、
前記第１及び第２接続部のそれぞれは前記第１ないし第４導電性ラインよりも大きい幅を有すると共に、前記第１及び第２コンタクトパッドよりも小さい幅を有することを特徴とする請求項６に記載の半導体素子。
【請求項１０】
前記導電性ラインは、埋め込みゲートラインであることを特徴とすることを特徴とする請求項６に記載の半導体素子。