Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月3日(2009.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
図４の構成で網状駆動電極の断面にアスペクト比の小さなもの（すなわち表示面から見て細線状だが表示面と垂直方向に高さを有するもの）を用い（Ｅ）に示すように駆動電極側面両面に広面積に粒子を堆積することによってセルの明状態の更なる透過率向上がはかれる。
図２（Ｃ）、（Ｄ）のように画素中央部に柱状電極、画素周辺部に輪状電極を設けた従来の構成の最大の難点は画素内での電界の不均一性である。画素内の不均一電界のため画素内での場所的粒子濃度の均一性が確保できず、明状態、暗状態の劣化を生じ、画素間での特性のバラツキが表示ムラとなって現れるのは必然である。不均一電界中での粒子の移動は誘電泳動(dielectrophoresis)現象が加味されるため、より複雑化する。誘電泳動現象とは不均一電界中に置かれた粒子が分極する結果たとえ粒子がもともと電荷を有していなくても電界に引かれて移動する現象で、粒子の誘電率が分散媒より大き（小さ）ければ、より強い（弱い）電界の方向に引かれて移動する。電界の極性によらずＤＣ電界でもＡＣ電界でもこの現象は発生する。本願では元々帯電した粒子を用いるものであるが、粒子が不均一電界に晒され分極する結果粒子に働く誘電泳動力が、本来の電荷に働くクーロン力に勝ることになると全く表示が果たせない事態が発生する。たとえば電極に粒子を堆積させてオン状態を実現して後、強いＡＣ電圧を印加して電極に堆積した粒子を再分散しようとしても粒子が強い誘電泳動力のために電極に留まりオフ状態を作り出すことが不可能になる場合が生じるからである。本願で出来るだけ不均一電界を発生させない電極構成にしているのは誘電泳動の影響を避けることも重要な理由の１つである。仮に誘電泳動の影響を小さくしたとしても不均一電界でのクーロン力で粒子を移動させることで、上に述べた通りセル内の粒子濃度の不均一化が生じるのは避けられない。その結果粒子濃度の高くなった部分では応答性やオン透過率の悪化をもたらし、粒子濃度の低くなった領域が暗状態を悪化させる。粒子移動型表示装置では画素内での電界の均一性、一様性を確保し、画素面内で粒子濃度の均一性を維持することが極めて重要であるが、従来例はこの対策が未解決であり、課題の重要性が十分意識されていたとも言い難い。しかるに図４（Ｅ）の櫛型電極構成では画素内での電界の均一性を著しく向上できるからこの問題から解放されるという絶大な効果を発揮する。
一方直視型表示の中精細度では画素ピッチ３００μｍ程度であり、図２（Ｃ）では電極間距離が最短でも約１５０μｍになってしまい、高電圧、低速駆動が避けられなかった。しかるに図４（Ｅ）の櫛型電極構成では駆動電極と共通電極間ピッチを自由に選択できるから電極面積率増大と視野角低下が許容できる範囲で画素内に複数の電極を挿入することで画素サイズに拘わらず低電圧、高速応答が実現できる利点がある。また図２（Ｃ）の構成の他の難点は粒子を堆積できる大面積電極が周囲４面のみに制約されることである。ほぼ同等の面積は３電極構成の図４（Ｅ）で実現できる。平板電極に同じ厚みのものを使用すれば電極面積率は図４（Ｅ）の方が柱電極部を無視しても３／４＝７５％ですみより明るい表示を実現できる。図２（Ｃ）と同じ面積率なら画素内に２枚の電極を挿入でき、６面分の粒子堆積面積を確保できるから電界強度の上昇に加えて薄い粒子層の着脱で明・暗を切り替えることが可能になり応答速度を顕著に向上することができる。表示面と垂直方向に、サイズがセル厚、セル幅に相当する面積の大きい平板電極で櫛型電極を構成し、これら平板対向電極で形成される均一電界で粒子を横方向に移動させ、少なくとも１枚の電極の両主側面に粒子を堆積する構成はまさに本願の特徴をなすもので本願が初めて提起するセル構成である。堆積粒子層が厚くなると通常電界が弱められる難点や、粒子層厚の不均一性の増大、最下層粒子の電極からの脱出遅れによる応答の低下などが発生するから堆積粒子層は薄い方が圧倒的に有利である。駆動電極側面両面に広面積に薄く粒子を堆積できる図４（Ｅ）の櫛型電極構成は低電圧、高速応答、高透過率、高コントラストを実現できるほか、ほぼ均一電界で粒子を移動できるため画素内での粒子濃度の均一性を維持でき、信頼性を向上するなど従来の構成における数々の難点を克服したものである。以上の如く櫛型電極構成は特性面、信頼性面から絶大な利点をもたらすものであるためサイズが１００μｍないしそれ以下の画素であっても櫛型電極構成を採用し、セル内に両側面に粒子を堆積する電極を少なくとも一枚設けることは理にかなった大いに推奨すべき構成である。勿論図４（Ｅ）の構成で平板状駆動および共通電極間の電界の均一性を確保するために、各々の複数の電極板同士を繋ぐ配線などは剥き出しにすることなく絶縁性隔壁に埋め込むなり、絶縁体で覆うなどの配慮が必要である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
本発明で駆動電極と共通電極の電極間ピッチＰとは両者が同一面にある構成（図８（Ｄ））では図４（Ａ）に記載の通り、同一面内の電極ピッチであり、両者が異なる面にある構成（図８（Ａ）〜（Ｃ）、（Ｅ）、（Ｆ））ではピッチＰは駆動電極のピッチを意味する。図４（E）の構成では当然駆動電極と共通電極のピッチを意味することは言うまでもない。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月27日(2010.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動電流を生成する駆動トランジスタ、前記駆動トランジスタの出力端に接続された電気光学素子、映像信号の信号振幅に応じた情報を保持する保持容量、および前記信号振幅に応じた情報を前記保持容量に書き込むサンプリングトランジスタを具備し、前記保持容量に保持された情報に基づく駆動電流を前記駆動トランジスタで生成して前記電気光学素子に流すことで当該電気光学素子が発光する画素回路が行列状に配置されている画素アレイ部と、
前記画素回路を走査して前記保持容量に前記信号振幅に応じた情報を書き込むための書込走査パルスを前記サンプリングトランジスタに出力する書込走査部、前記書込走査部での前記走査に合わせて映像信号を前記映像信号線に供給する水平駆動部を具備する制御部とを備え
前記画素アレイ部には、前記電気光学素子が発光する表示面よりも奥側に、配線パターンが形成された配線層が設けられ、
前記配線パターンの隙間は、前記配線層を平坦化する所定間隔以下となるように設定されている
表示装置。
【請求項２】
前記配線パターンを構成する配線として、前記画素回路の駆動トランジスタ、電気光学素子、保持容量、およびサンプリングトランジスタの何れにも接続されていない他の配線が配置されている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記他の配線は、フローティング状態とされている
請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記他の配線には、固定電位が供給される
請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記配線層は、前記表示面に最も近い奥側に形成されており、当該配線層の全てのパターンの隙間は、最小パターン間隔程度に設定されている
請求項１乃至４いずれか1項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記駆動電流を一定に維持する駆動信号一定化回路をさらに備えている
請求項１乃至５いずれか1項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記制御部は、駆動電流を前記電気光学素子に流すために使用される第１電位および前記第１電位とは異なる第２電位を切り替えて前記駆動トランジスタの電源供給端に供給する駆動走査部をさらに有し、
前記水平駆動部は、基準電位と信号電位で切り替わる映像信号を前記サンプリングトランジスタに供給するものであり、
前記駆動信号一定化回路は、前記書込走査部、前記水平駆動部、および前記駆動走査部の制御の下で、前記第１電位に対応する電圧が前記駆動トランジスタの前記電源供給端に供給されかつ映像信号における基準電位が前記サンプリングトランジスタに供給されている時間帯で前記サンプリングトランジスタを導通させることで前記駆動トランジスタの閾値電圧に対応する電圧を前記保持容量に保持させる閾値補正機能を実現するように構成されたものである
請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記駆動信号一定化回路は、前記駆動トランジスタの閾値電圧に対応する電圧を前記保持容量に保持させる閾値補正機能と、閾値補正動作の後に、前記サンプリングトランジスタを導通させることで前記保持容量に信号電位に応じた情報を書き込む際、前記駆動トランジスタの移動度に対する補正分を前記保持容量に書き込まれる信号に加える移動度補正機能とを実現するように構成されたものである
請求項６に記載の表示装置。
【請求項９】
前記駆動信号一定化回路は、前記保持容量が前記駆動トランジスタの制御入力端と前記駆動電流出力端の間に接続されることでブートストラップ機能を実現するように構成されたものである
請求項６に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月20日(2010.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可動板と、該可動板を支持する１対の軸部材とを備えた振動部と、
前記振動部に設けられたコイルと、
前記コイルに通電するための配線と、
前記コイルに対向して設置された磁石とを有し、
前記磁石の磁界中に配された前記コイルに通電することにより、前記可動板を前記各軸部材の捩れ変形を伴って回動させるように構成され、
前記コイルは、絶縁膜を介して前記振動部上に設けられ、
前記絶縁膜は、前記各軸部材に対し離間しつつ延長された延長部を有し、
前記配線は、前記延長部上に設けられていることを特徴とするアクチュエータ。
【請求項２】
前記配線は、前記１対の軸部材のうちの少なくとも一方の軸部材に沿って設けられている請求項１に記載のアクチュエータ。
【請求項３】
前記コイルは、前記可動板に設けられている請求項１ないし２のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項４】
前記コイルは、前記可動板の板面に沿って渦巻状に形成されている請求項３に記載のアクチュエータ。
【請求項５】
前記配線は、前記可動板と前記各軸部材との境界部付近に接合された１対の第１の接合点を有している請求項４に記載のアクチュエータ。
【請求項６】
前記振動部を支持する支持部を有しており、前記配線は、前記支持部と前記各軸部材との境界部付近に接合された１対の第２の接合点を有している請求項５に記載のアクチュエータ。
【請求項７】
前記１対の第１の接合点および前記１対の第２の接合点は、前記１対の軸部材に対する前記配線の影響が互いに等しくなるように設けられている請求項６に記載のアクチュエータ。
【請求項８】
前記配線は、前記１対の軸部材に対する影響が互いに等しくなるように設けられている請求項１ないし７のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項９】
前記可動板および前記各軸部材は、シリコンで一体的に形成されている請求項１ないし８のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項１０】
前記コイルおよび前記配線は、それぞれ、金属で構成されている請求項１ないし９のいずれかに記載のアクチュエータ。
【請求項１１】
光反射部が設けられた可動板と、該可動板を支持する１対の軸部材とを備えた振動部と 
、
前記振動部に設けられたコイルと、
前記コイルに通電するための配線と、
前記コイルに対向して設置された磁石とを有し、
前記磁石の磁界中に配された前記コイルに通電することにより、前記可動板を前記各軸部材の捩れ変形を伴って回動させ、前記光反射部で反射した光を走査するように構成され、
前記コイルは、絶縁膜を介して前記振動部上に設けられ、
前記絶縁膜は、前記各軸部材に対し離間しつつ延長された延長部を有し、
前記配線は、前記延長部上に設けられていることを特徴とする光スキャナ。
【請求項１２】
光反射部が設けられた可動板と、該可動板を支持する１対の軸部材とを備えた振動部と、
前記振動部に設けられたコイルと、
前記コイルに通電するための配線と、
前記コイルに対向して設置された磁石とを有し、
前記磁石の磁界中に配された前記コイルに通電することにより、前記可動板を前記各軸部材の捩れ変形を伴って回動させ、前記光反射部で反射した光を走査して、画像を形成するように構成され、
前記コイルは、絶縁膜を介して前記振動部上に設けられ、
前記絶縁膜は、前記各軸部材に対し離間しつつ延長された延長部を有し、
前記配線は、前記延長部上に設けられていることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月10日(2010.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
像担持体とこの像担持体に作用するプロセス手段を備えたカートリッジと、
前記カートリッジによって形成された画像を記録材に転写するためのエンドレス状のベルトと、
前記ベルトに設けられた第１係合部と、
前記ベルトの移動方向と直交する方向のベルトの寄りを規制するため前記第１係合部と係合する第２係合部と、
前記第１係合部が前記第２係合部から外れるのを抑えるための規制部材と、を有する画像形成装置において、
前記カートリッジを保持し、装置本体に対して移動可能な保持手段であって、前記装置本体に対して移動した時に前記カートリッジを着脱可能な保持手段を有し、前記規制部材は前記保持手段に取り付けられていることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記第１係合部は断面凸形状に形成された突き当てリブであり、かつ前記第２係合部は断面凹形状に形成された環状溝であり、
前記環状溝に係合して案内される前記突き当てリブが前記環状溝から外れることを抑えるように前記ベルトを押圧する前記規制部材が、前記保持手段に回転可能に軸支されたコロ部材であることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記保持手段の前記装置本体に対する移動により、前記コロ部材が、前記突き当てリブが前記環状溝から外れることを抑えるよう前記ベルトを押圧する第１位置と、前記ベルトから退避した第２位置との間を移動可能となっていることを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明の代表的な画像形成装置は、像担持体とこの像担持体に作用するプロセス手段を備えたカートリッジと、前記カートリッジによって形成された画像を記録材に転写するためのエンドレス状のベルトと、前記ベルトに設けられた第１係合部と、前記ベルトの移動方向と直交する方向のベルトの寄りを規制するため前記第１係合部と係合する第２係合部と、前記第１係合部が前記第２係合部から外れるのを抑えるための規制部材と、を有する画像形成装置において、前記カートリッジを保持し、装置本体に対して移動可能な保持手段であって、前記装置本体に対して移動した時に前記カートリッジを着脱可能な保持手段を有し、前記規制部材は前記保持手段に取り付けられていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月25日(2010.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する二つの基板と、
前記二つの基板間に配置された液晶層と、
マトリクス状の画素を形成すべく各基板の対向する面に配置される複数の画素電極と、
前記液晶層の液晶を所定方向に配向させるために前記二つの基板上に形成された配向膜と、
前記二つの基板間において、隣接して配置された前記画素電極間に形成されたスペーサと、を有し、
画素単位は、赤緑青で形成する第一画素、第二画素、および第三画素の三画素単位であり、
前記スペーサは、
隣接する画素単位間に形成されている
液晶表示素子。
【請求項２】
前記スペーサは、
少なくとも第一画素と第三画素間に形成されている
請求項１記載の液晶表示素子。
【請求項３】
第二画素は緑色画素である
請求項２記載の液晶表示素子。
【請求項４】
前記スペーサは前記隣接する４つの画素電極A1,A2,B1,B2の間に配置され、
前記４つの画素電極は、配向方向に対し前段側A1、A2、自段側B1、B2と定義した場合、
前記スペーサ中心部延長線上から画素電極A1,A2までの最短距離（ａ）と画素電極B1,B2までの最短距離（ｂ）は、（a）≦（ｂ）の関係を満足する
請求項１〜３いずれか１項に記載の液晶表示素子。
【請求項５】
前記液晶層に用いる液晶は室温での屈折率異方性が０．１０以上であり、液晶層の厚みが４μｍ以下である
請求項１〜４いずれか１項に記載の液晶表示素子。
【請求項６】
前記画素電極が設けられた液晶パネルは透過型である
請求項１〜５いずれか１項に記載の液晶表示素子。
【請求項７】
前記単色１画素の画素ピッチは２０μｍ以下である
請求項１〜６いずれか１項に記載の液晶表示素子。
【請求項８】
前記配向膜は無機配向膜により形成されている
請求項１〜７いずれか１項に記載の液晶表示素子。
【請求項９】
光源と、
液晶表示素子と、
前記光源から出射された光を互いに異なる主波長を有する赤色光、緑色光、青色光の色光に分離し、前記液晶表示素子に導く集光光学系と、
上記液晶表示素子で光変調した光を拡大して投射する投射光学系と、を有し、
上記液晶表示素子は、
互いに対向する二つの基板と、
前記二つの基板間に配置された液晶層と、
マトリクス状の画素を形成すべく各基板の対向する面に配置される複数の画素電極と、
前記液晶層の液晶を所定方向に配向させるために前記二つの基板上に形成された配向膜と、
前記二つの基板間において、隣接して配置された前記画素電極間に形成されたスペーサと、を有し、
画素単位は、赤緑青で形成する第一画素、第二画素、および第三画素の三画素単位であり、
前記スペーサは、
隣接する画素単位間に形成されている
投射型液晶表示装置。
【請求項１０】
前記スペーサは、
少なくとも第一画素と第三画素間に形成されている
請求項９記載の投射型液晶表示装置。
【請求項１１】
第二画素は緑色画素である
請求項１０記載の投射型液晶表示装置。
【請求項１２】
前記スペーサは前記隣接する４つの画素電極A1,A2,B1,B2の間に配置され、
前記４つの画素電極は、配向方向に対し前段側A1、A2、自段側B1、B2と定義した場合、
前記スペーサ中心部延長線上から画素電極A1,A2までの最短距離（ａ）と画素電極B1,B2までの最短距離（ｂ）は、（a）≦（ｂ）の関係を満足する
請求項９〜１１いずれか１項に記載の投射型液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月3日(2010.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタパネルと該薄膜トランジスタパネル下に対向配置された対向パネルとがシール材を介して貼り合わされ、前記シール材の内側における前記薄膜トランジスタパネルと前記対向パネルとの間に液晶が封入され、前記対向パネル下にバックライトが配置された液晶表示装置において、
前記対向パネルは反射層を兼ねたブラックマスクを備えていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記ブラックマスクはアルミニウム、銀もしくはそれらの合金によって形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載の発明において、前記ブラックマスクは、前記対向パネルの対向基板の上面に設けられた金属層からなり、且つ、前記薄膜トランジスタパネルに設けられた画素電極に対応する部分に該画素電極のサイズよりも小さめの開口部が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１に記載の発明において、前記バックライトは、導光板の下面に反射層が設けられたものを備えていることを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
上記従来の液晶表示装置における対向パネルでは、画素領域以外からの光漏れを防止するために、その基板の下面にブラックマスクが設けられている。一方、薄膜トランジスタパネルでは、その基板の下面に、ブラックマスクと同一パターンの反射層が設けられている。この反射層は、バックライトからの光を反射し、この反射光をバックライトの反射層でさらに反射させ、この反射光の少なくとも一部を表示に寄与させることにより、光利用効率を良くするためのものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、薄膜トランジスタパネルと該薄膜トランジスタパネル下に対向配置された対向パネルとがシール材を介して貼り合わされ、前記シール材の内側における前記薄膜トランジスタパネルと前記対向パネルとの間に液晶が封入され、前記対向パネル下にバックライトが配置された液晶表示装置において、前記対向パネルは反射層を兼ねたブラックマスクを備えていることを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記ブラックマスクはアルミニウム、銀もしくはそれらの合金によって形成されていることを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記ブラックマスクは、前記対向パネルの対向基板の上面に設けられた金属層からなり、且つ、前記薄膜トランジスタパネルに設けられた画素電極に対応する部分に該画素電極のサイズよりも小さめの開口部が設けられていることを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記バックライトは、導光板の下面に反射層が設けられたものを備えていることを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
次に、図１および図２を参照して説明する。薄膜トランジスタ基板２の下面の所定の箇所にはゲート電極８および該ゲート電極８に接続された走査ライン３が設けられている。薄膜トランジスタ基板２の下面の他の所定の箇所には補助容量ライン７が設けられている。この場合、ゲート電極８、走査ライン３および補助容量ライン７は、例えばクロム、モリブデンもしくはそれらの合金等によって形成されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
オーミックコンタクト層１２、１３の下面にはソース電極１４およびドレイン電極１５が設けられている。ゲート絶縁膜９の下面の所定の箇所にはデータライン４がドレイン電極１５に接続されて設けられている。この場合、ソース電極１４、ドレイン電極１５およびデータライン４は、例えばクロム、モリブデンもしくはそれらの合金等によって形成されている。ここで、薄膜トランジスタ６は、ゲート電極８、ゲート絶縁膜９、半導体薄膜１０、チャネル保護膜１１、オーミックコンタクト層１２、１３、ソース電極１４およびドレイン電極１５により構成されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
一方、対向パネル２１はガラス等からなる対向基板２２を備えている。対向基板２２の上面には、ブラックマスク２３、樹脂等からなるカラーフィルタ２４、ＩＴＯ等からなる対向電極２５および配向膜２６が設けられている。この場合、ブラックマスク２３は、例えばクロム、モリブデンもしくはそれらの合金等よりも高反射率の金属材料である例えばアルミニウム、銀もしくはそれらの合金等によって形成され、反射層を兼ねている。ブラックマスク２３の平面形状については、後で説明する。対向基板２２の下面には裏面側偏光板２７が設けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月30日(2010.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに交差して延在するデータ線及び走査線と、
前記データ線及び前記走査線に電気的に接続されたトランジスタと、
前記トランジスタに対応して設けられた画素電極と、
前記トランジスタにおける所定領域を覆うように設けられた遮光膜と、
該遮光膜上に設けられた少なくとも１つの段差部と、
該段差部に形成された蓄積容量と
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記遮光膜は、前記トランジスタにおける前記画素電極に電気的に接続された画素電極側ソースドレイン領域及び前記チャネル領域間に配置された画素電極側ＬＤＤ領域に沿って当該画素電極側ＬＤＤ領域の両側に延在する延在部を有するように設けられることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記段差部は、前記画素電極側ＬＤＤ領域と前記延在部とで高さが異なるように設けられることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記遮光膜は、前記走査線と電気的に接続された、前記トランジスタにおけるゲート電極と同一層に形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記遮光膜は、平面的に見て、前記データ線及び前記走査線の交差する交差領域内に少なくとも部分的に配置されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記段差部は、絶縁膜を局所的に積層することで形成されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記段差部は、平坦化処理が施された遮光膜の上層に設けられることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月17日(2010.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に凹凸を有する液晶配向膜であって、該液晶配向膜の表面形状がモールドの形状の転写によって形成されてなることを特徴とする液晶配向膜。
【請求項２】
前記液晶配向膜が無機材料からなることを特徴とする請求項１記載の液晶配向膜。
【請求項３】
前記液晶配向膜が酸化ケイ素を主成分とする膜であることを特徴とする請求項２記載の液晶配向膜。
【請求項４】
前記液晶配向膜が、基板面に塗布されたＳＯＧ材料に対して形状転写を行って形成された膜であることを特徴とする請求項３記載の液晶配向膜。
【請求項５】
前記モールドの表面形状が、ＥＢ露光を用いたリソグラフィーによって形成されてなる請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶配向膜。
【請求項６】
前記モールドの表面形状が、自己形成・自己組織化によって形成されてなる請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶配向膜。
【請求項７】
一対の基板と、該基板に挟持された液晶層と、前記基板の表面と前記液晶層との間の少なくとも一方に請求項１〜６のいずれか１項に記載の液晶配向膜とを有し、該液晶配向膜の凹凸形状が前記液晶層と接していることを特徴とする液晶装置。
【請求項８】
前記液晶配向膜により前記液晶層の液晶分子が該基板面に対して略垂直に配向していることを特徴とする請求項７記載の液晶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
前記問題点を解決するために、本発明の液晶配向膜は、表面に凹凸を有する液晶配向膜であって、該液晶配向膜の表面形状がモールドの形状の転写によって形成されてなることに特徴がある。よって、確実に良好な配向性を得られ、液晶配向膜の無機化が容易にできる。また、製造装置・製造プロセスが簡易で、低コスト、高スループットで、基板の大型化にも対応しやすい。また、ローラナノインプリント（ローラの外周がモールドになっている）によれば、斜方蒸着装置等と違って装置を極端に大型化することなく、基板の大面積化に対応できる。本発明の液晶配向膜により、ネマチック液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等の配向制御が可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月24日(2010.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）アルカリ可溶性ノボラック樹脂、（Ｂ）感光剤、及び（Ｃ）水酸基の一部又は全部が有機酸でエステル化されている多価アルコールのエステルを含有するポジ型ホトレジスト組成物であって、
前記（Ｃ）成分が、グリセリンモノアセテート、グリセリンジアセテート、及びグリセリントリアセテートから選ばれる少なくとも１種であり、該（Ｃ）成分の配合量が前記（Ａ）成分に対して１〜３０質量％であるポジ型ホトレジスト組成物。
【請求項２】
前記（Ｂ）成分が、全フェノール性水酸基の水素原子の一部が１，２−ナフトキノンジアジドスルホニル基で置換されているアルカリ可溶性ノボラック樹脂である請求項１記載のポジ型ホトレジスト組成物。
【請求項３】
（Ｄ）全フェノール性水酸基の水素原子の一部が１，２−ナフトキノンジアジドスルホニル基で置換されているアルカリ可溶性ノボラック樹脂、及び（Ｃ）水酸基の一部又は全部が有機酸でエステル化されている多価アルコールのエステルを含有するポジ型ホトレジスト組成物であって、
前記（Ｃ）成分が、グリセリンモノアセテート、グリセリンジアセテート、及びグリセリントリアセテートから選ばれる少なくとも１種であり、該（Ｃ）成分の配合量が前記（Ｄ）成分に対して１〜３０質量％であるポジ型ホトレジスト組成物。
【請求項４】
前記（Ｃ）成分が、グリセリントリアセテートである請求項１又は３記載のポジ型ホトレジスト組成物。
【請求項５】
請求項１又は３記載のポジ型ホトレジスト組成物を用いて形成した感光性膜が基板上に形成されていることを特徴とする感光性膜付基板。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月19日(2010.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１台座（１２）を有する第１本体（１１）と、第２台座（１５）を有する第２本体（１４）と、第１本体（１１）を第２本体（１４）に連結する管状中間体（１７）とを備え、第１台座（１２）から突出する第１本体（１１）の突出部（１３）が管状中間体（１７）の第１端部（１８）内に、第２台座（１５）から突出する第２本体（１４）の突出部（１６）が管状中間体（１７）の第２端部（１９）内に各々ねじを介して回転可能に案内され、このため管状中間体（１７）の回転に伴い、一方で中間体（１７）が第１本体（１１）に対し、他方で同時に第２本体（１４）が中間体（１７）に対し入れ子式に変位し、中間体（１７）の回転方向に応じ、第１本体（１１）と第２本体（１４）が互いに接近運動又は離隔運動するように変位することを特徴とするリフト装置。
【請求項２】
第１台座（１２）から突出する第１本体（１１）の突出部（１３）が管状とされ、このため管状中間体（１７）の回転に伴い両本体（１１、１４）が接近運動した際、第２台座（１５）から突出する第２本体（１４）の突出部（１６）が、第１本体（１１）の管状突出部（１３）の中にもぐり込むことを特徴とする請求項１記載のリフト装置。
【請求項３】
第１本体（１１）の突出部（１３）と中間体（１７）との間のねじ並びに第２本体（１４）の突出部（１６）と中間体（１７）との間のねじが異なるねじれ方向、異なるねじピッチおよび異なる直径を有することを特徴とする請求項１又は２記載のリフト装置。
【請求項４】
第２本体（１４）の突出部（１６）と中間体（１７）との間のねじが大きなねじピッチを有することを特徴とする請求項３記載のリフト装置。
【請求項５】
各本体（１１、１４）を部材に固定し、もって両本体を圧縮荷重下並びに引張り荷重下で利用するために、両本体（１１、１４）の両台座（１２、１５）が取付け装置を有することを特徴とする請求項１から４の１つに記載のリフト装置。
【請求項６】
クランクシャフト軸受をエンジンに組込みないしエンジンから取り外すため、第２本体（１４）の台座（１５）がクランクシャフト軸受カバーに結合され、第１本体（１１）の台座（１２）がエンジンのオイルパン或いは横桁等の補助装置に結合されたことを特徴とする請求項５記載のリフト装置。
【請求項７】
請求項１から６の１つに記載のリフト装置を、クランクシャフト軸受をエンジンに組み込み又はエンジンから取り外すために利用することを特徴とするリフト装置の利用方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月29日(2010.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種の担体と、少なくとも１種の第VIII族元素と、少なくとも１種の第VIB族元素と、リンとを含む触媒であって、
担体の単位表面積当たりの第VIB族元素の密度は、担体面積（ｍ２）当たり第VIB族元素の酸化物２×１０−４〜１８×１０−４グラム（上限および下限値を含む）であり、第VIB族元素に対するリンのモル比は０．２７〜２．００であり、第VIB族元素の量は、第VIB族元素の酸化物の重量で１〜２０％（上限および下限値を含む）であり、担体の比表面積は、１３５ｍ２／ｇ未満である、触媒。
【請求項２】
触媒中の第VIII族元素の量は、第VIII族元素酸化物の重量で０．１〜２０％（上限および下限値を含む）である、請求項１に記載の触媒。
【請求項３】
リン含有量は、Ｐ２Ｏ５の重量で０．１〜１０％（上限および下限値を含む）である、請求項１または２に記載の触媒。
【請求項４】
第VIB族元素（単数種または複数種）は、モリブデンおよび／またはタングステンから選択される、請求項１〜３のいずれか１つに記載の触媒。
【請求項５】
第VIII族元素（単数種または複数種）は、ニッケルおよび／またはコバルトから選択される、請求項１〜４のいずれか１つに記載の触媒。
【請求項６】
担体は、アルミナ、シリカ、シリカ−アルミナ、マグネシウムによって構成される群から、または単独で若しくはアルミナまたはシリカ−アルミナとの混合物として用いられるマグネシウムまたはチタンの酸化物から選択される多孔質固体である、請求項１〜５のいずれか１つに記載の触媒。
【請求項７】
触媒担体は、少なくとも５１重量％の遷移アルミナを含む、請求項１〜６のいずれか１つに記載の触媒。
【請求項８】
第VIB族元素はモリブデンであり、第VIII族元素はコバルトであり、担体の単位表面積当たりのモリブデンの密度は、担体の面積（ｍ２）当たりモリブデン酸化物３×１０−４〜１４×１０−４グラム（上限および下限値を含む）であり、モリブデンに対するリンのモル比は０．２７〜２．００（上限および下限値を含む）であり、モリブデン含有量は、モリブデンの酸化物の重量で１〜２０％（上限および下限値を含む）であり、コバルト含有量は、コバルト酸化物の重量で０．３〜５％（上限および下限値を含む）であり、リン含有量は、Ｐ２Ｏ５の重量で０．２〜５％（上限および下限値を含む）であり、触媒担体は、少なくとも９０重量％の遷移アルミナを含み、担体の比表面積は１３５ｍ２／ｇ未満である、請求項１〜７のいずれか１つに記載の触媒。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１つに記載の触媒の存在下にガソリン留分を水素化脱硫する方法。
【請求項１０】
水素化脱硫されるべき仕込み原料は、コーキング装置、ビスブレーキング装置、水蒸気分解装置または接触分解装置に由来する硫黄を含有するガソリン留分である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
水素化脱硫のための仕込み原料は、接触分解装置に由来するガソリン留分であって、その沸点が５個の炭素原子を含有する炭化水素の沸点〜約２５０℃であるものである、請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１２】
水素化脱硫の操作条件は、２００〜４００℃の温度、１〜３ＭＰａの全圧、１００〜６００リットル／リットルの炭化水素仕込み原料の容積当たりの水素の容積比である、請求項９〜１１のいずれか１つに記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、少なくとも１種の担体と、少なくとも１種の第VIII族元素と、少なくとも１種の第VIB族元素と、リンとを含み、担体の単位表面積当たりの第VIB族元素の密度が、担体の面積（ｍ２）当たり第VIB族元素の酸化物２×１０−４〜１８×１０−４グラム（上限および下限値を含む）であり、第VIB族元素に対するリンのモル比が０．２５以上であり、第VIB族元素の量が第VIB族元素の酸化物の重量で１〜２０％（上限および下限値を含む）である触媒に関する。本発明はまた、炭化水素仕込み原料、好ましくは接触分解ガソリンタイプを水素化脱硫する方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記課題を解決するため、本発明の触媒は、少なくとも１種の担体と、少なくとも１種の第VIII族元素と、少なくとも１種の第VIB族元素と、リンとを含む触媒であって、担体の単位表面積当たりの第VIB族元素の密度は、担体面積（ｍ２）当たり第VIB族元素の酸化物２×１０−４〜１８×１０−４グラム（上限および下限値を含む）であり、第VIB族元素に対するリンのモル比は０．２７〜２．００であり、第VIB族元素の量は、第VIB族元素の酸化物の重量で１〜２０％（上限および下限値を含む）であり、担体の比表面積は、１３５ｍ２／ｇ未満である、ものである。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月12日(2010.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の給紙手段の少なくとも何れかの給紙手段の印刷媒体を用いて処理すべきジョブの印刷動作を印刷装置により実行させる印刷システムであって、
第１の給紙手段に存在する複数の第１の印刷媒体の全てを使い果たすこと無しに、前記第１の給紙手段を用いた後に前記第１の印刷媒体と同じサイズで且つ同じタイプの第２の印刷媒体が存在する第２の給紙手段を用いて、処理すべき１つのジョブにて必要な印刷動作を前記印刷装置により継続可能にするためのユーザ設定を、ユーザインタフェース手段を介してオペレータから受付ける手段と、
前記ユーザ設定が前記ユーザインタフェース手段を介してオペレータによりなされた場合に、前記第１の給紙手段に存在する前記複数の第１の印刷媒体の全てを使い果たすこと無しに、前記第１の給紙手段を用いた後に前記第２の印刷媒体が存在する前記第２の給紙手段を用いて、前記処理すべき１つのジョブにて必要な印刷動作を前記印刷装置により継続可能にする制御手段と、
を有することを特徴とする印刷システム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月10日(2010.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データを受信する第１の接続手段と、
前記画像データに対応し、前記画像データを出力制御する制御情報を受信する第２の接
続手段と、
前記画像データの第１の印刷ジョブ情報を通信する第３の接続手段と、
前記第３の接続手段で受信した前記第１の印刷ジョブ情報を表示する表示手段と、
を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記第３の接続手段は、前記表示手段に表示された前記第１の印刷ジョブ情報に対する所定の操作の要求を送信し、前記所定の操作が施された第２の印刷ジョブ情報を受信することを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記第２の印刷ジョブ情報の順序に従って、前記第２の印刷ジョブ情報に対応した複数の前記画像データを出力する出力手段とを備えることを特徴とする請求項２記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記所定の操作は、前記第１の印刷ジョブ情報に含まれる印刷ジョブの順序を入れ替えるコマンドであることを特徴とする請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記所定の操作は、前記第１の印刷ジョブ情報に含まれる印刷ジョブを削除するコマンドであることを特徴とする請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記所定の操作は、前記第１の印刷ジョブ情報に含まれる印刷ジョブを一時中断するコマンドことであることを特徴とする請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記所定の操作は、前記第１の印刷ジョブ情報に含まれる印刷ジョブを即時印刷するコマンドであることを特徴とする請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項８】
画像データを受信し、
前記画像データに対応し、前記画像データを出力制御する制御情報を受信し、
前記画像データの第１の印刷ジョブ情報を受信し、
受信した前記第１の印刷ジョブ情報を表示することを特徴とする画像形成方法。
【請求項９】
表示された前記第１の印刷ジョブ情報に対する所定の操作の要求を送信し、前記所定の操作が施された第２の印刷ジョブ情報を受信することを特徴とする請求項８記載の画像形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
データ量の多い印刷ジョブの通信の負担を軽減し、不具合の発生をなくすことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月27日(2010.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１本又は２本以上のコード（Ｆ）をプラスチック又は熱可塑性材料で外装するコード外装装置であって、前記装置の入口のところに配置されていて、ダクトによって、前記材料を粘性状態で圧力下で送り出すことができる押出し手段に連結された中央チャンバ（５１）に通じるコード案内手段（２）と、外装されたコードのための所与の較正断面Ｓ1の出口ダイ（４）と、前記較正断面Ｓ1よりも小さな較正断面Ｓ2を備えた少なくとも１つの可動ダイ（１２）とを有する、コード外装装置において、
各可動ダイ（１２）は、アクチュエータ（１３，１５，１７）によってコード（Ｆ）の移動方向に動かされ、前記アクチュエータは、前記中央チャンバ（５１）を貫通しており、前記アクチュエータは、前記中央チャンバ（５１）を前記可動ダイ（１２）の内部空間に連通させることができる通路（１４）を有する、コード外装装置。
【請求項２】
前記装置が、作動される場合、前記アクチュエータ（１３，１５，１７）は、前記可動ダイを、前記可動ダイが前記中央チャンバ（５１）と前記出口ダイ（４）との間で前記中央チャンバ（５１）から見て下流側に位置し、前記中央チャンバ（５１）からの導入材料の流れが、前記アクチュエータの前記通路（１４）に侵入する場合に前記可動ダイ（１２）を通過することができるようにする第１の位置と、前記可動ダイ（１２）が、前記中央チャンバ（５１）と前記案内手段（２）との間で前記中央チャンバ（５１）から見て上流側に位置し、前記中央チャンバ（５１）からの導入材料が、前記出口ダイ（４）を通過することができるようにする第２の位置との間で移動させる、請求項１記載の外装装置。
【請求項３】
複数個の可動ダイを有し、前記可動ダイは、前記出口ダイ（４）から見て上流側の前記可動ダイから次の可動ダイに次第に減少する較正断面（Ｓi）を有する、請求項１記載の外装装置。
【請求項４】
前記ダイ（１，４）の前記断面（Ｓ1，Ｓ2，Ｓi）は、円形の形のものである、請求項１又は２記載の外装装置。
【請求項５】
前記ダイ（１，４）の前記断面（Ｓ1，Ｓ2）は、長円形の形のものである、請求項１又は２記載の外装装置。
【請求項６】
前記押出し手段は、前記中央チャンバ（５１）内の材料の圧力を調整する手段を有する、請求項１〜５のうちいずれか一に記載の外装装置。
【請求項７】
請求項１〜６のうちいずれか一に記載の装置を用いて１本又は２本以上のコードをプラスチック又は熱可塑性材料で外装する方法であって、
出口ダイ（４）の較正断面Ｓ1よりも小さな較正断面Ｓ2を備えた可動ダイ（１２）を、前記コードが低速で動いているとき、中央チャンバ（５１）と前記出口ダイ（４）との間に配置し、前記可動ダイ（１）を、前記コードが高速で動いているとき、前記中央チャンバ（５１）から見て上流側に移動させる、外装方法。
【請求項８】
一体形コードを、前記装置を通って動かして被覆状態の一体形コードを得る、請求項７記載の外装方法。
【請求項９】
同一平面内で互いに平行に並んで配置されたコードのアレイを、前記装置を通って動かして被覆状態のコードのストリップを得る、請求項７記載の外装方法。
【請求項１０】
前記プラスチック材料は、ゴムである、請求項７〜９のうちいずれか一に記載の外装方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月29日(2010.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
着脱可能なメモリ媒体をセットすることが可能な情報処理装置であって、
外部装置からの前記メモリ媒体に関する問合せに対する応答が不可能な第１の省電力状態と外部装置からの前記メモリ媒体に関する問合せに対する応答が可能であり、前記第１の省電力状態より消費電力の大きい第２の省電力状態と、を切換える切換え手段と、
外部装置からの前記問合せを検出する検出手段と、
前記問合せに応答するための情報を記憶する記憶手段と、
前記第１の省電力状態において前記検出手段により前記問合せが検出されると、前記切換え手段により前記第２の省電力状態に切換えるとともに、前記メモリ媒体へのアクセスを行わずに前記記憶手段に記憶された情報を外部装置へ通知する通知手段と、を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記記憶手段は、前記メモリ媒体が前記情報処理装置から着脱された際に当該メモリ媒体に関する情報を記憶することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記切換え手段は、さらに前記情報処理装置に装着された前記メモリ媒体へのアクセスを行う通常電力状態へ切換え可能であることを特徴とする請求項１または２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記切換え手段は、前記第２の省電力状態において、所定期間外部装置からの問合せがない場合に、前記第１の省電力状態へ切換えることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の記録装置。
【請求項５】
着脱可能なメモリ媒体をセットすることが可能であり、外部装置と接続可能な情報処理装置の制御方法であって、
外部装置からの前記メモリ媒体に関する問合せに対して応答するための情報を、前記情報処理装置の記憶手段に記憶し、
前記情報処理装置が外部装置からの前記問合せに対する応答が不可能な第１の省電力状態であるときに、外部装置からの前記メモリ媒体に関する問合せを検出し、
前記検出に従って、前記情報処理装置を外部装置からの前記メモリ媒体に関する問合せに応答が可能であり、前記第１の省電力状態より消費電力の大きい第２の省電力状態に切換えるとともに、前記メモリ媒体へのアクセスを行わずに前記記憶手段に記憶された情報を外部装置に通知することを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理装置及び情報処理装置の制御方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、情報処理装置及び情報処理装置の制御方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明は上記課題に鑑みてなされたもので、制御や装置を複雑にすることなしに外部装置と接続された状態であっても低消費電力状態へ移行でき、消費電力を削減する情報処理装置及び情報処理装置の制御方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記目的を達成するために本発明の情報処理装置は以下のような構成を備える。即ち、着脱可能なメモリ媒体をセットすることが可能な情報処理装置であって、外部装置からの前記メモリ媒体に関する問合せに対する応答が不可能な第１の省電力状態と外部装置からの前記メモリ媒体に関する問合せに対する応答が可能であり、前記第１の省電力状態より消費電力の大きい第２の省電力状態と、を切換える切換え手段と、外部装置からの前記問合せを検出する検出手段と、前記問合せに応答するための情報を記憶する記憶手段と、前記第１の省電力状態において前記検出手段により前記問合せが検出されると、前記切換え手段により前記第２の省電力状態に切換えるとともに、前記メモリ媒体へのアクセスを行わずに前記記憶手段に記憶された情報を外部装置へ通知する通知手段と、を有する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
以上説明したように本発明によれば、制御を複雑にすることなく、また外部装置と接続された状態でも低消費電力状態へ移行でき、情報処理装置にかかる消費電力を抑制できる効果を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月2日(2010.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ポリエステルＡ層の両面に、ポリエステルＢ層を積層してなる二軸配向積層ポリエステルフィルムであって、
Ａ層およびＢ層はいずれも、共重合ポリエステル、あるいは共重合ポリエステルおよびホモポリエステルを構成成分とし、Ａ層の融点（ＴｍＡ：℃）とＢ層の融点（ＴｍＢ：℃）が下記式（１）及び（２）を同時に満足し、
積層ポリエステルフィルムは、Ａ層およびＢ層ともに配向構造を有し、１５０℃における熱収縮率が長手方向及び幅方向ともに６．０％以下であり、幅方向の厚み変動率が１０％以下であることを特徴とする成型用積層ポリエステルフィルム。
２６０＞ＴｍＢ＞ＴｍＡ＞２００ ・・・（１）
５０＞ＴｍＢ−ＴｍＡ＞５ ・・・（２）
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
共押出し法を用いて、ポリエステルＡ層の両面に、ポリエステルＢ層を積層させてなる未延伸シートを製造する工程、未延伸シートを縦方向および幅方向に二軸延伸する工程、二軸延伸したフィルムをクリップで把持しながらで熱処理する工程からなる成型用積層ポリエステルフィルムの製造方法であって、
Ａ層およびＢ層を構成するポリエステルが、共重合ポリエステル、あるいは共重合ポリエステルとホモポリエステルとの混合物であり、
熱処理工程が２段階以上の熱処理区間を有し、熱処理区間における、最大の昇温速度を１０〜３０℃／秒、最大の熱処理温度を（Ａ層の融点−１０℃）〜（Ａ層の融点＋２０℃）に制御することを特徴とする請求項１に記載の成型用積層ポリエステルフィルムの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記の課題を解決することができる、本発明の成型用積層ポリエステルフィルムおよびその製造方法は、以下の構成からなる。
すなわち、本発明における第１の発明は、ポリエステルＡ層の両面に、ポリエステルＢ層を積層してなる二軸配向積層ポリエステルフィルムであって、
Ａ層およびＢ層はいずれも、共重合ポリエステル、あるいは共重合ポリエステルおよびホモポリエステルを構成成分とし、Ａ層の融点（ＴｍＡ：℃）とＢ層の融点（ＴｍＢ：℃）が下記式（１）及び（２）を同時に満足し、
積層ポリエステルフィルムは、Ａ層およびＢ層ともに配向構造を有し、１５０℃における熱収縮率が長手方向及び幅方向ともに６．０％以下であり、幅方向の厚み変動率が１０％以下であることを特徴とする成型用積層ポリエステルフィルムである。
２６０＞ＴｍＢ＞ＴｍＡ＞２００ ・・・（１）
５０＞ＴｍＢ−ＴｍＡ＞５ ・・・（２）
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
第８の発明は、共押出し法を用いて、ポリエステルＡ層の両面に、ポリエステルＢ層を積層させてなる未延伸シートを製造する工程、未延伸シートを縦方向および幅方向に二軸延伸する工程、二軸延伸したフィルムをクリップで把持しながらで熱処理する工程からなる成型用積層ポリエステルフィルムの製造方法であって、
Ａ層およびＢ層を構成するポリエステルが、共重合ポリエステル、あるいは共重合ポリエステルとホモポリエステルとの混合物であり、
熱処理工程が２段階以上の熱処理区間を有し、熱処理区間における、最大の昇温速度を１０〜３０℃／秒、最大の熱処理温度を（Ａ層の融点−１０℃）〜（Ａ層の融点＋２０℃）に制御することを特徴とする第１の発明に記載の成型用積層ポリエステルフィルムの製造方法である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明の成型用積層ポリエステルフィルムは、コア層（Ａ層）の両面にスキン層（Ｂ層）を有し、スキン層の融点がコア層の融点よりも高く、コア層も配向構造を有する積層構造を採用しているため、スキン層に、耐薬品性および耐熱性のさらなる向上、コア層の保護、などの機能を付与することができる。また、コア層（Ａ層）には、十分な柔軟性を与え成型性をさらに向上させることができる。また、二軸延伸することにより厚みむらを向上させ、配向結晶化による耐熱性と耐薬品性を向上させる機能を発現させている。さらに、スキン層（Ｂ層）の融点を比較的高くし、かつ特定の熱処理条件を採用することにより、滑り性の悪化を抑制し、耐衝撃性を向上させることができる。そのため、フィルムを連続的に長時間製造する際、フィルムへの後加工時（印刷、金属膜や金属酸化物膜の積層など）、成型加工時、あるいは成型品の使用時に、生産性や品質の安定性をさらに高めることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
（積層構成）
本発明の成型用積層ポリエステルフィルムは、ポリエステルＡ層（コア層）の両面に、ポリエステルＢ層（スキン層）を積層してなる二軸配向積層ポリエステルフィルムである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
すなわち、本発明の積層ポリエステルフィルムの積層構成は、Ｂ／Ａ／Ｂの２種３層を基本構成とする。また、前記積層フィルムを基材とし、該基材の少なくとも片面に、本発明のフィルムの片面又は両面に、品質向上あるいは他の機能を付与するために、塗布層（Ｃ層）を設けることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
すなわち、本発明では、コア層（Ａ層）のポリエステルＡよりも融点の高いポリエステルＢからなるスキン層（Ｂ層）を、コア層の両面に積層し、コア層も配向構造が有することが特徴である。コア層（Ａ層）に配向構造を残す理由は、後で詳しく説明する。