【手続補正書】
【提出日】平成22年3月25日(2010.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
再書き込み可能な不揮発性半導体メモリに対するアクセスを制御するコントローラであって、
前記不揮発性半導体メモリの記憶領域中のリフレッシュ対象領域を決定する領域決定手段と、
前記リフレッシュ対象領域に格納されている記憶データを、前記不揮発性半導体メモリ内の記憶領域に再書き込みする再書き込み手段と、
を備え、
前記領域決定手段は、
前記不揮発性半導体メモリの記憶領域の中で、読み出し回数が所定回数を超える領域を、前記リフレッシュ対象領域として決定する手段、
を含むことを特徴とするメモリコントローラ。
【請求項２】
請求項１に記載のメモリコントローラにおいて、
前記領域決定手段は、
所定の規則に従い、前記不揮発性半導体メモリ内の全記憶領域を、順にリフレッシュ領域として決定する手段、
を含むことを特徴とするメモリコントローラ。
【請求項３】
請求項１に記載のメモリコントローラにおいて、
前記領域決定手段は、
前記不揮発性半導体メモリの記憶領域の中で、予め定められている領域を、リフレッシュ対象領域として決定する手段、
を含むことを特徴とするメモリコントローラ。
【請求項４】
請求項１に記載のメモリコントローラにおいて、
前記再書き込み手段は、前記不揮発性半導体メモリに対するデータ読み出し後に、前記リフレッシュ対象領域に対する再書き込み処理を実行することを特徴とするメモリコントローラ。
【請求項５】
再書き込み可能な不揮発性半導体メモリに対するアクセスを制御するコントローラであって、
前記不揮発性半導体メモリの記憶領域中のリフレッシュ対象領域を決定する領域決定手段と、
前記リフレッシュ対象領域に格納されている記憶データを、前記不揮発性半導体メモリ内の記憶領域に再書き込みする再書き込み手段と、
を備え、
前記領域決定手段は、
所定の規則に従い、前記不揮発性半導体メモリ内の全記憶領域を、順にリフレッシュ領域として決定する手段、
を含むことを特徴とするメモリコントローラ。
【請求項６】
再書き込み可能な不揮発性半導体メモリに対するアクセスを制御するコントローラであって、
前記不揮発性半導体メモリの記憶領域中のリフレッシュ対象領域を決定する領域決定手段と、
前記リフレッシュ対象領域に格納されている記憶データを、前記不揮発性半導体メモリ内の記憶領域に再書き込みする再書き込み手段と、
を備え、
前記領域決定手段は、
前記不揮発性半導体メモリの記憶領域の中で、予め定められている領域を、リフレッシュ対象領域として決定する手段、
を含むことを特徴とするメモリコントローラ。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のメモリコントローラにおいて、
前記再書き込み手段は、
前記不揮発性半導体メモリの電源がＯＮもしくはＯＦＦされるとき、前記リフレッシュ対象領域に対する記憶データの再書き込み処理を実行する手段、
を含むことを特徴とするメモリコントローラ。
【請求項８】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のメモリコントローラにおいて、
前記再書き込み手段は、
外部から入力した再書き込みタイミング指示に応答して、前記リフレッシュ対象領域に対する記憶データの再書き込み処理を実行する手段、
を含むことを特徴とするメモリコントローラ。
【請求項９】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のメモリコントローラにおいて、
前記再書き込み手段は、
所定のタイミングスケジュールに従い、前記リフレッシュ対象領域に対する記憶データの再書き込み処理を実行する手段、
を含むことを特徴とするメモリコントローラ。
【請求項１０】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のメモリコントローラにおいて、
前記再書き込み手段は、
ホストシステムによる前記不揮発性半導体メモリに対するアクセスが発生していないタイミングで、前記リフレッシュ対象領域に対する記憶データの再書き込み処理を実行する手段、
を含むことを特徴とするメモリコントローラ。
【請求項１１】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のメモリコントローラにおいて、
前記再書き込み手段は、
データバックアップのタイミングで、前記リフレッシュ対象領域に対する記憶データの再書き込み処理を実行する手段、
を含むことを特徴とするメモリコントローラ。
【請求項１２】
請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載のメモリコントローラにおいて、
前記再書き込み手段は、
前記リフレッシュ対象領域のデータを一時記憶メモリに格納後、当該領域のデータを消去し、再び、当該領域に前記一記憶メモリに退避させていたデータを格納する手段、
を含むことを特徴とするメモリコントローラ。
【請求項１３】
請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載のメモリコントローラにおいて、
前記再書き込み手段は、
前記リフレッシュ対象領域を含むブロック領域のデータを一時記憶メモリに格納後、当該ブロック領域のデータを消去し、再び、当該ブロックに前記一記憶メモリに退避させていたデータを格納する手段、
を含むことを特徴とするメモリコントローラ。
【請求項１４】
請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載のメモリコントローラにおいて、
前記再書き込み手段は、
前記リフレッシュ対象領域のデータを、前記不揮発性半導体メモリの記憶領域内の別の領域に格納するとともに、当該データへの参照情報を新しい格納先に変更する手段、
を含むことを特徴とするメモリコントローラ。
【請求項１５】
請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載のメモリコントローラにおいて、
前記再書き込み手段は、
前記リフレッシュ対象領域を含むブロック領域のデータを、前記不揮発性半導体メモリの記憶領域内の別の領域に格納するとともに、当該データへの参照情報を新しい格納先に変更する手段、
を含むことを特徴とするメモリコントローラ。
【請求項１６】
請求項１３または請求項１５に記載のメモリコントローラにおいて、
前記ブロック領域は、前記不揮発性半導体メモリの消去単位であることを特徴とするメモリコントローラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記課題を解決するため、請求項１記載の発明は、再書き込み可能な不揮発性半導体メモリに対するアクセスを制御するコントローラであって、前記不揮発性半導体メモリの記憶領域中のリフレッシュ対象領域を決定する領域決定手段と、前記リフレッシュ対象領域に格納されている記憶データを、前記不揮発性半導体メモリ内の記憶領域に再書き込みする再書き込み手段と、を備え、前記領域決定手段は、前記不揮発性半導体メモリの記憶領域の中で、読み出し回数が所定回数を超える領域を、前記リフレッシュ対象領域として決定する手段、を含むことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項２記載の発明は、請求項１に記載のメモリコントローラにおいて、前記領域決定手段は、所定の規則に従い、前記不揮発性半導体メモリ内の全記憶領域を、順にリフレッシュ領域として決定する手段、を含むことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項３記載の発明は、請求項１に記載のメモリコントローラにおいて、前記領域決定手段は、前記不揮発性半導体メモリの記憶領域の中で、予め定められている領域を、リフレッシュ対象領域として決定する手段、を含むことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項４記載の発明は、請求項２に記載のメモリコントローラにおいて、前記再書き込み手段は、前記不揮発性半導体メモリに対するデータ読み出し後に、前記リフレッシュ対象領域に対する再書き込み処理を実行することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項５記載の発明は、再書き込み可能な不揮発性半導体メモリに対するアクセスを制御するコントローラであって、前記不揮発性半導体メモリの記憶領域中のリフレッシュ対象領域を決定する領域決定手段と、前記リフレッシュ対象領域に格納されている記憶データを、前記不揮発性半導体メモリ内の記憶領域に再書き込みする再書き込み手段と、を備え、前記領域決定手段は、所定の規則に従い、前記不揮発性半導体メモリ内の全記憶領域を、順にリフレッシュ領域として決定する手段、を含むことを特徴とする。請求項６記載の発明は、再書き込み可能な不揮発性半導体メモリに対するアクセスを制御するコントローラであって、前記不揮発性半導体メモリの記憶領域中のリフレッシュ対象領域を決定する領域決定手段と、前記リフレッシュ対象領域に格納されている記憶データを、前記不揮発性半導体メモリ内の記憶領域に再書き込みする再書き込み手段と、を備え、前記領域決定手段は、前記不揮発性半導体メモリの記憶領域の中で、予め定められている領域を、リフレッシュ対象領域として決定する手段、を含むことを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項７記載の発明は、請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のメモリコントローラにおいて、前記再書き込み手段は、前記不揮発性半導体メモリの電源がＯＮもしくはＯＦＦされるとき、前記リフレッシュ対象領域に対する記憶データの再書き込み処理を実行する手段、を含むことを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項８記載の発明は、請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のメモリコントローラにおいて、前記再書き込み手段は、外部から入力した再書き込みタイミング指示に応答して、前記リフレッシュ対象領域に対する記憶データの再書き込み処理を実行する手段、を含むことを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項９記載の発明は、請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のメモリコントローラにおいて、前記再書き込み手段は、所定のタイミングスケジュールに従い、前記リフレッシュ対象領域に対する記憶データの再書き込み処理を実行する手段、を含むことを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項１０記載の発明は、請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のメモリコントローラにおいて、前記再書き込み手段は、ホストシステムによる前記不揮発性半導体メモリに対するアクセスが発生していないタイミングで、前記リフレッシュ対象領域に対する記憶データの再書き込み処理を実行する手段、を含むことを特徴とする。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
請求項１１記載の発明は、請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のメモリコントローラにおいて、前記再書き込み手段は、データバックアップのタイミングで、前記リフレッシュ対象領域に対する記憶データの再書き込み処理を実行する手段、を含むことを特徴とする。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
請求項１２記載の発明は、請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載のメモリコントローラにおいて、前記再書き込み手段は、前記リフレッシュ対象領域のデータを一時記憶メモリに格納後、当該領域のデータを消去し、再び、当該領域に前記一記憶メモリに退避させていたデータを格納する手段、を含むことを特徴とする。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
請求項１３記載の発明は、請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載のメモリコントローラにおいて、前記再書き込み手段は、前記リフレッシュ対象領域を含むブロック領域のデータを一時記憶メモリに格納後、当該ブロック領域のデータを消去し、再び、当該ブロックに前記一記憶メモリに退避させていたデータを格納する手段、を含むことを特徴とする。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
請求項１４記載の発明は、請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載のメモリコントローラにおいて、前記再書き込み手段は、前記リフレッシュ対象領域のデータを、前記不揮発性半導体メモリの記憶領域内の別の領域に格納するとともに、当該データへの参照情報を新しい格納先に変更する手段、を含むことを特徴とする。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
請求項１５記載の発明は、請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載のメモリコントローラにおいて、前記再書き込み手段は、前記リフレッシュ対象領域を含むブロック領域のデータを、前記不揮発性半導体メモリの記憶領域内の別の領域に格納するとともに、当該データへの参照情報を新しい格納先に変更する手段、を含むことを特徴とする。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
請求項１６記載の発明は、請求項１３または請求項１５に記載のメモリコントローラにおいて、前記ブロック領域は、前記不揮発性半導体メモリの消去単位であることを特徴とする。