Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月8日(2009.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を発する光源と、
前記光源の発光部分の像を形成して自由空間上に仮想発光部を表示する結像光学系と、
前記仮想発光部近傍に障害物が存在した場合に、前記光源より放射され前記障害物により散乱・反射された光を検出する光検出器と
を備えた表示検出装置。
【請求項２】
前記結像光学系と前記仮想発光部との間に配置された光学フィルタ
をさらに備えた請求項１に記載の表示検出装置。
【請求項３】
前記光検出器の光入射側に配置された光学フィルタ
をさらに備えた請求項１に記載の表示検出装置。
【請求項４】
前記光検出器は、前記光源の近傍に配置されており、前記障害物により散乱・反射された光を前記結像光学系を介して検出する
請求項１に記載の表示検出装置。
【請求項５】
前記障害物により散乱・反射され前記結像光学系側に戻って来た光を前記光源とは異なる方向に反射する反射光学部材をさらに備え、
前記光検出器が、前記反射光学部材による光の反射方向に設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載の表示検出装置。
【請求項６】
前記光検出器は、前記反射光学部材からの光路長が、前記光源から前記反射光学部材までの光路長と略同じとなる位置に設けられている
請求項５に記載の表示検出装置。
【請求項７】
前記反射光学部材と前記光検出器との間で、前記反射光学部材からの光路長が、前記光源から前記反射光学部材までの光路長と略同じとなる位置に設けられた検出用光路制限手段
をさらに備えた請求項５に記載の表示検出装置。
【請求項８】
前記光源と前記結像光学系との間に設けられ、前記光源からの光を集光する集光光学系と、
前記集光光学系の焦点位置近傍に設けられた光源用光路制限手段と
をさらに備えた請求項１に記載の表示検出装置。
【請求項９】
前記障害物により散乱・反射され前記結像光学系側に戻って来た光を前記光源とは異なる方向に反射する反射光学部材をさらに備え、
前記光検出器は、前記反射光学部材による光の反射方向に設けられると共に、前記反射光学部材からの光路長が、前記光源用光路制限手段から前記反射光学部材までの光路長と略同じとなる位置に設けられている
請求項８に記載の表示検出装置。
【請求項１０】
前記障害物により散乱・反射され前記結像光学系側に戻って来た光を前記光源とは異なる方向に反射する反射光学部材と、
前記反射光学部材と前記光検出器との間に設けられた検出用光路制限手段とをさらに備え、
前記光検出器は、前記反射光学部材による光の反射方向に設けられ、
前記検出用光路制限手段は、前記反射光学部材からの光路長が、前記光源用光路制限手段から前記反射光学部材までの光路長と略同じとなる位置に設けられている
請求項８に記載の表示検出装置。
【請求項１１】
前記光検出器が、光源用光路制限手段の近傍に設けられている
請求項８に記載の表示検出装置。
【請求項１２】
表示用の光を発する表示用光源と、
障害物検出用の光を発する検出用光源と、
前記表示用光源の発光部分の像を形成して自由空間上に仮想発光部を表示し、かつ、前記検出用光源の発光部分の像を自由空間上の前記仮想発光部の近傍に形成する結像光学系と、
前記仮想発光部近傍に障害物が存在した場合に、前記検出用光源より放射され前記障害物により散乱・反射された光を検出する光検出器と
を備えた表示検出装置。
【請求項１３】
前記光検出器の光入射側に配置された光学フィルタ
をさらに備えた請求項１２に記載の表示検出装置。
【請求項１４】
前記表示用光源で発する光は可視光であり、
前記検出用光源で発する光は不可視光である
請求項１２に記載の表示検出装置。
【請求項１５】
前記検出用光源が発する光は赤外光である
請求項１２に記載の表示検出装置。
【請求項１６】
前記光検出器は、前記検出用光源の近傍に配置されており、前記障害物により散乱・反射された光を前記結像光学系を介して検出する
請求項１２に記載の表示検出装置。
【請求項１７】
前記障害物により散乱・反射され前記結像光学系側に戻って来た光を前記検出用光源とは異なる方向に反射する反射光学部材をさらに備え、
前記光検出器が、前記反射光学部材による光の反射方向に設けられている
請求項１２に記載の表示検出装置。
【請求項１８】
前記光検出器は、前記反射光学部材からの光路長が、前記検出用光源から前記反射光学部材までの光路長と略同じとなる位置に設けられている
をさらに備えた請求項１７に記載の表示検出装置。
【請求項１９】
前記反射光学部材と前記光検出器との間で、前記反射光学部材からの光路長が、前記検出用光源から前記反射光学部材までの光路長と略同じとなる位置に設けられた検出用光路制限手段
をさらに備えた請求項１７に記載の表示検出装置。
【請求項２０】
前記表示用光源と前記結像光学系との間、または前記検出用光源と前記結像光学系との間の少なくとも一方に設けられ、前記表示用光源または前記検出用光源からの光を集光する集光光学系と、
前記集光光学系の焦点位置近傍に設けられた光源用光路制限手段と
をさらに備えた請求項１２に記載の表示検出装置。
【請求項２１】
前記障害物により散乱・反射され前記結像光学系側に戻って来た光を前記検出用光源とは異なる方向に反射する反射光学部材をさらに備え、
前記集光光学系と前記光源用光路制限手段とが、前記検出用光源と前記結像光学系との間に設けられ、
前記光検出器は、前記反射光学部材による光の反射方向に設けられると共に、前記反射光学部材からの光路長が、前記光源用光路制限手段から前記反射光学部材までの光路長と略同じとなる位置に設けられている
請求項２０に記載の表示検出装置。
【請求項２２】
前記障害物により散乱・反射され前記結像光学系側に戻って来た光を前記検出用光源とは異なる方向に反射する反射光学部材と、
前記反射光学部材と前記光検出器との間に設けられた検出用光路制限手段とをさらに備え、
前記集光光学系と前記光源用光路制限手段とが、前記検出用光源と前記結像光学系との間に設けられ、
前記光検出器は、前記反射光学部材による光の反射方向に設けられ、
前記検出用光路制限手段は、前記反射光学部材からの光路長が、前記光源用光路制限手段から前記反射光学部材までの光路長と略同じとなる位置に設けられている
請求項２０に記載の表示検出装置。
【請求項２３】
光を発する光源と、
前記光源の発光部分の像を自由空間上に形成する結像光学系と、
前記発光部分の像の近傍に障害物が存在した場合に、前記光源より放射され前記障害物により散乱・反射された光を検出する光検出器と
を備えた光検出装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月10日(2010.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子カメラから転送された撮影画像を記録する記録手段と、
ユーザに入力されたユーザ登録情報に基づいて、前記電子カメラと前記ユーザとを対応付けて登録するユーザ登録手段と、
前記ユーザによるアンリンク指示に応じて、前記ユーザ登録手段により登録されている前記電子カメラと前記ユーザとの対応付けを無効化する登録無効化手段と、
前記登録無効化手段により前記電子カメラと前記ユーザとの対応付けが無効化されているときには、前記電子カメラからの前記撮影画像の転送を無効化する転送無効化手段とを備えることを特徴とするサーバ装置。
【請求項２】
請求項１に記載のサーバ装置において、
前記登録無効化手段により前記電子カメラと前記ユーザとの対応付けが無効化されているときに、前記電子カメラからリセット情報が送信されると、前記電子カメラと前記ユーザとの対応付けを解除してユーザ登録を取り消す登録取り消し手段をさらに備えることを特徴とするサーバ装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のサーバ装置において、
前記ユーザのリリンク指示に応じて、前記登録無効化手段により無効化された前記電子カメラと前記ユーザとの対応付けを回復させる回復手段をさらに備えることを特徴とするサーバ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
請求項１の発明によるサーバ装置は、電子カメラから転送された撮影画像を記録する記録手段と、ユーザに入力されたユーザ登録情報に基づいて、電子カメラとユーザとを対応付けて登録するユーザ登録手段と、ユーザによるアンリンク指示に応じて、ユーザ登録手段により登録されている電子カメラとユーザとの対応付けを無効化する登録無効化手段と、登録無効化手段により電子カメラとユーザとの対応付けが無効化されているときには、電子カメラからの撮影画像の転送を無効化する転送無効化手段とを備えるものである。
請求項２の発明は、請求項１に記載のサーバ装置において、登録無効化手段により電子カメラとユーザとの対応付けが無効化されているときに、電子カメラからリセット情報が送信されると、電子カメラとユーザとの対応付けを解除してユーザ登録を取り消す登録取り消し手段をさらに備えるものである。
請求項３の発明は、請求項１または２に記載のサーバ装置において、ユーザのリリンク指示に応じて、登録無効化手段により無効化された電子カメラとユーザとの対応付けを回復させる回復手段をさらに備えるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月28日(2009.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極と、前記画素電極上に発光領域を画定する絶縁層と、前記発光領域に積層されかつ少なくとも正孔輸送層及び有機発光層の２層を含む有機発光媒体層と、前記有機発光媒体層を介して前記画素電極に対向する対向電極とからなる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記発光領域内に、正孔輸送材料又は有機発光材料を溶媒に溶解または分散させたインキを凸版印刷法により凸版の凸部から前記絶縁層の間にある画素電極に印刷して正孔輸送層又は発光層を形成する工程を備え、その際、前記凸版の上で前記インキが半乾燥する時間を設けることで、前記インキの濃度と粘度を増加させることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２】
相対湿度４０〜５０％、温度２３〜２６℃の条件下において、固形分濃度が０．５〜４．０重量％、粘度が１０〜３０ｍＰａ・ｓ、蒸気圧が０．１〜２０ｋＰａの前記インキを印刷する場合、前記半乾燥時間が５〜６０秒であることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項３】
前記半乾燥後における前記インキの固形分濃度が５〜３０重量％であることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項４】
前記半乾燥後における前記インキの粘度が３０〜１００ｍＰａ・Ｓであることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項５】
画素電極と、前記画素電極上に発光領域を画定する絶縁層と、前記発光領域に積層されかつ少なくとも正孔輸送層及び有機発光層の２層を含む有機発光媒体層と、前記有機発光媒体層を介して前記画素電極に対向する対向電極とからなり、両電極から前記有機発光媒体層に電流を流すことにより前記有機発光媒体層を発光させる有機エレクトロルミネッセンス素子において、請求項１〜４のいずれかに記載の製造方法を用いることによって形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上述の目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、画素電極と、前記画素電極上に発光領域を画定する絶縁層と、前記発光領域に積層されかつ少なくとも正孔輸送層及び有機発光層の２層を含む有機発光媒体層と、前記有機発光媒体層を介して前記画素電極に対向する対向電極とからなる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記発光領域内に、正孔輸送材料又は有機発光材料を溶媒に溶解または分散させたインキを凸版印刷法により凸版の凸部から前記絶縁層の間にある画素電極に印刷して正孔輸送層又は発光層を形成する工程を備え、その際、前記凸版の上で前記インキが半乾燥する時間を設けることで、前記インキの濃度と粘度を増加させることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項２に記載の発明は、相対湿度４０〜５０％、温度２３〜２６℃の条件下において、固形分濃度が０．５〜４．０重量％、粘度が１０〜３０ｍＰａ・ｓ、蒸気圧が０．１〜２０ｋＰａの前記インキを印刷する場合、前記半乾燥時間が５〜６０秒であることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項３に記載の発明は、前記半乾燥後における前記インキの固形分濃度が５〜３０重量％であることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項４に記載の発明は、前記半乾燥後における前記インキの粘度が３０〜１００ｍＰａ・Ｓであることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項５に記載の発明は、画素電極と、前記画素電極上に発光領域を画定する絶縁層と、前記発光領域に積層されかつ少なくとも正孔輸送層及び有機発光層の２層を含む有機発光媒体層と、前記有機発光媒体層を介して前記画素電極に対向する対向電極とからなり、両電極から前記有機発光媒体層に電流を流すことにより前記有機発光媒体層を発光させる有機エレクトロルミネッセンス素子において、請求項１〜４のいずれかに記載の製造方法を用いることによって形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
なお、本実施の形態の有機ＥＬ素子は、陽極である画素電極と陰極である対向電極の間に陽極層側から正孔輸送層と有機発光層を積層した構成であるが、陽極層と陰極層の間において正孔輸送層、有機発光層以外に正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層といった層を必要に応じ選択した積層構造をとることができる。また、これらの層を形成する際にも本発明の方法を使用できる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月9日(2010.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
制御弁式鉛蓄電池の作製
上記セパレータ３として、平均繊維径が０．８μｍのガラス繊維のみからなるもの（Ａ）、平均繊維径が０．８μｍのガラス繊維に平均繊維径が１５μｍのアクリル繊維９質量％、ポリエステル繊維６質量％、オレフィン繊維１２質量％を混抄させたもの（Ｂ）、平均繊維径が０．８μｍのガラス繊維に平均繊維径が１５μｍのアクリル繊維９質量％、ポリエステル繊維６質量％、オレフィン繊維１２質量％を混抄させたマットに平均粒子径が１５ｎｍのシリカ粉末を分散させたもの（Ｃ）、の３種類を準備し、各セパレータ（Ａ）〜（Ｃ）を用いた制御弁式鉛蓄電池には、比重が１．２２０の希硫酸を電解液として注液して電槽化成するとともに、別の（Ｂ）を用いた制御弁式鉛蓄電池には、電槽化成後の質量比が、電槽化成後の電解液質量に対して質量％（以下同じ）が０．３％、０．５％、１．０％、１．５％、２．０％、３．０％、５．０％、７．０％になるように調製したシリカを希硫酸に添加し、比重が１．２２０の希硫酸の硫酸根量と同じになるように調製し、混合、攪拌することによってシリカゾルにしたものを電解液として注液して電槽化成し、それぞれを５個単位で作製した。作製した電池は電圧が２Ｖ、初期容量が２５ＡＨ（５時間率）である。なお、シリカは日産化学工業製のスノーテックス２０（商品名）を使用した。なお、作製した制御弁式鉛蓄電池は、セパレータ３が（Ａ）のものをａ、セパレータ３が（Ｂ）のものをｂ、セパレータ３が（Ｃ）のものをｃとし、セパレータ３が（Ｂ）のもので、シリカを添加していないものをｂ0、シリカを０．３％添加したものをｂ1、シリカを０．５％添加したものをｂ2、シリカを１．０％添加したものをｂ3、シリカを１．５％添加したものをｂ4、シリカを２．０％添加したものをｂ5、シリカを３．０％添加したものをｂ6、シリカを５．０％添加したものをｂ7、シリカを７．０％添加したものをｂ8とした（以下、単に電池ａ、電池ｂ0、・・・のように言う）。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月10日(2009.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
炭化水素系燃料を原燃料とし、水蒸気との改質反応により水素リッチガスを製造する少なくとも改質器、ＣＯ変成器、ＣＯ選択反応器から構成される燃料改質装置と、その燃料改質装置で製造された水素リッチな改質ガスを燃料電池本体に適した温度に冷却する改質ガス冷却器とを備えた燃料電池発電システムにおいて、
前記ＣＯ選択反応器と前記改質ガス冷却器とを一体化して冷却器内蔵型ＣＯ選択反応器を構成し、
この冷却器内蔵型ＣＯ選択反応器は、内部に２つの室が形成されその一方の室にＣＯ選択反応触媒を充填して改質ガス入口より導入された改質ガスを通流させる触媒流路が形成され、他方の室に第１の改質ガス流路と第２の改質ガス流路が形成された容器と、前記第１の改質ガス流路と第２の改質ガス流路に配設された冷却管とを備え、
前記容器内の一方の室に導入された改質ガスを前記触媒流路から前記第１の改質ガス流路及び第２の改質ガス流路の順に流し、且つ前記冷却管を流れる冷却媒体により前記燃料電池本体に適した温度に冷却して流出させることを特徴とする燃料電池発電システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、上記の目的を達成するため、炭化水素系燃料を原燃料とし、水蒸気との改質反応により水素リッチガスを製造する少なくとも改質器、ＣＯ変成器、ＣＯ選択反応器から構成される燃料改質装置と、その燃料改質装置で製造された水素リッチな改質ガスを燃料電池本体に適した温度に冷却する改質ガス冷却器とを備えた燃料電池発電システムにおいて、前記ＣＯ選択反応器と前記改質ガス冷却器とを一体化して冷却器内蔵型ＣＯ選択反応器を構成し、この冷却器内蔵型ＣＯ選択反応器は、内部に２つの室が形成されその一方の室にＣＯ選択反応触媒を充填して改質ガス入口より導入された改質ガスを通流させる触媒流路が形成され、他方の室に第１の改質ガス流路と第２の改質ガス流路が形成された容器と、前記第１の改質ガス流路と第２の改質ガス流路に配設された冷却管とを備え、前記容器内の一方の室に導入された改質ガスを前記触媒流路から前記第１の改質ガス流路及び第２の改質ガス流路の順に流し、且つ前記冷却管を流れる冷却媒体により前記燃料電池本体に適した温度に冷却して流出させる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月10日(2010.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤ式信号機点滅の影響を受けない第１周波数を用いて、受信した映像信号を画像情報に変換する第１画像変換部と、
汎用映像信号に対応した第２周波数を用いて、前記第１画像変換部で変換された画像情報を映像信号として表示部に出力する第２画像変換部と、
前記第１画像変換部で変換された画像情報を記憶する記憶部と、
前記第１周波数を用いて受信した映像信号を画像信号に変換させるように前記第１画像変換部を制御し、且つ、前記第２周波数を用いて前記第１画像変換部で変換された画像情報を映像信号として前記記憶部に記録するように、又は前記第２周波数を用いて前記記憶部に記憶された画像情報を映像信号として表示部に出力するように前記第２画像変換部を制御する制御部と、
を有することを特徴とするドライブレコーダ。
【請求項２】
前記第１周波数に対応した周波数によって画像を取り込み、取り込んだ画像に基づいた映像信号を出力する撮像部を更に有する、請求項１に記載のドライブレコーダ。
【請求項３】
前記第２周波数又は前記複数の汎用周波数に対応した周波数の映像信号を表示する表示部を更に有する、請求項１又は２に記載のドライブレコーダ。
【請求項４】
前記第２周波数を用いて前記記憶部に記憶された画像情報を映像信号として出力するタイミングを設定するための操作部を更に有する、請求項１〜３の何れか一項に記載のドライブレコーダ。
【請求項５】
前記記憶部は、一次記憶用のバッファメモリ又は携帯可能な記録媒体である、請求項１〜４の何れか一項に記載のドライブレコーダ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月21日(2010.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の裏面側から光を照射し、前記半導体基板内に形成された多数の光電変換素子の各々で前記光に応じて発生した電荷に応じた信号を、前記半導体基板の表面側に形成した読み出し回路から読み出して撮像を行う裏面照射型撮像素子であって、
前記多数の光電変換素子の各々に対応させて前記半導体基板の裏面上方に形成されたカラーフィルタと、
前記半導体基板の裏面上方に形成され、前記多数の光電変換素子の各々に対応して開口が形成された遮光膜とを備え、
多数の前記カラーフィルタが、それぞれ異なる色の光を透過する少なくとも３種類のカラーフィルタを含み、
前記裏面照射型撮像素子の周辺部にある前記光電変換素子に対応する前記遮光膜の開口は、該光電変換素子に対応するカラーフィルタの種類に応じて大きさが異なっており、且つ、その中心が該光電変換素子の中心よりも前記裏面照射型撮像素子の中心部側にずれており、
前記周辺部にある前記光電変換素子に対応する前記遮光膜の開口が、該光電変換素子に対応するカラーフィルタを透過する光の波長が長波長に向かうほど小さくなっている裏面照射型撮像素子。
【請求項２】
請求項１記載の裏面照射型撮像素子であって、
前記遮光膜が、前記半導体基板と前記カラーフィルタとの間に形成されている裏面照射型撮像素子。
【請求項３】
請求項１又は２記載の裏面照射型撮像素子であって、
前記周辺部にある前記光電変換素子に対応する前記カラーフィルタの中心が、該光電変換素子の中心よりも前記中心部側にずれている裏面照射型撮像素子。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項記載の裏面照射型撮像素子であって、
前記カラーフィルタの上に、各光電変換素子に対応させて形成されたマイクロレンズを備え、
前記周辺部にある前記光電変換素子に対応する前記マイクロレンズの中心が、該光電変換素子の中心よりも前記中心部側にずれている裏面照射型撮像素子。
【請求項５】
請求項１記載の裏面照射型撮像素子であって、
前記遮光膜が前記カラーフィルタの上に形成されており、
前記遮光膜の開口内に形成されたマイクロレンズを備える裏面照射型撮像素子。
【請求項６】
請求項５記載の裏面照射型撮像素子であって、
前記周辺部にある前記光電変換素子に対応する前記カラーフィルタの中心が、該光電変換素子の中心よりも前記中心部側にずれている裏面照射型撮像素子。
【請求項７】
請求項５又は６記載の裏面照射型撮像素子であって、
前記周辺部にある前記光電変換素子に対応する前記マイクロレンズの中心が、該光電変換素子の中心よりも前記中心部側にずれている裏面照射型撮像素子。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月22日(2010.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
ワード線１１の幅の大きさ、隣り合うワード線１１間における溝１１Ａの幅の大きさを夫々Ｌ１、Ｌ２とすると、Ｌ１に対してＬ２が大きすぎる場合は十分にＯＮＯ膜１７に電荷が蓄積されないおそれがある。また、Ｌ２に対してＬ１が大きすぎる場合にはワード線１１間における隣り合うポリシリコン膜１６，１６間及び１８，１８間の寄生容量が大きくなり、これらの膜間に電荷が蓄積されてしまったり、これら膜１６，１６間及び１８，１８間で電気が流れてしまうことでデバイスとしての機能が果たせなくなるおそれがあることから、概ねＬ１：Ｌ２＝１：１となるように構成される必要がある。また、シリコン膜１２によるライン１２Ａの幅の大きさ、隣り合う前記ライン１２Ａの間隔の大きさを夫々Ｌ３、Ｌ４とすると、デバイスの機能を担保するためにこれらＬ３及びＬ４はＬ１，Ｌ２と略同じ大きさとなるように構成される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、いずれは配線の微細化の要求がさらに進み、３０ｎｍ程度ないしは２０ｎｍ程度の線幅で露光を行うことが要求されると考えられており、露光装置の性能を超えた解像度が求められることが予想されていることから、ダブルパターニングと呼ばれる手法を用いてエッチングすることが検討されている。このダブルパターニングについて説明すると、例えばレジストマスクを用いてそのレジストマスクの下層の例えばＳｉＮなどの無機膜をパターンマスクとして形成し、続いてそのパターンマスクの壁部の左右両側にサイドウォールと呼ばれる側壁を形成する。そしてこの側壁をマスクとしてパターンマスクの下層膜をエッチングすることでパターンマスクに対応する１つのパターンから２つのパターンをその下層膜に形成する手法であり、この手法によればパターンマスクにおけるパターンの線幅の略半分の線幅を持ったパターンをその略２倍の密度で前記下層膜に形成することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
続いてウエハＷに処理ガスとして例えばＯ2ガスとＨＢｒガスとを供給し、これらの処理ガスをプラズマ化し、アモルファスシリコン膜３１を下方に向けて異方性エッチングする。そして、ＳｉＮ膜２４のマスク部分の両側壁に下方へ向けて広がった、互いに組３３を構成する、アモルファスシリコン膜３１からなる堆積物（サイドウォール）３３ａ，３３ｂが残り、且つ同じ組３３を構成する堆積物３３ａと３３ｂとの間においてＳｉＮ膜２４表面が露出すると共に隣り合う組３３，３３間にＳｉＯ2膜２３が露出したらエッチングを停止する（図１（ｃ））。ここで、アモルファスシリコン膜３１は均一に下方にエッチングされることから、堆積物３３ａ，３３ｂの側壁の傾きは、アモルファスシリコン膜３１が均一に異方性エッチングされることで前記凹部３２の側壁の傾きと等しくなっており、そのことからエッチング終了後の堆積物３３ａ，３３ｂの横幅Ｍ６の大きさは、アモルファスシリコン膜３１の膜厚を制御することで制御される。図４を用いて具体的に説明すると、図４（ａ）に示すように予めアモルファスシリコン膜３１を厚く形成しておけば、エッチング終了後に堆積物３３ａ、３３ｂ（図では３３ｂのみ図示）の横幅Ｍ６は大きくなり（図４（ｂ））、図４（ｃ）に示すように予めアモルファスシリコン膜３１を薄く形成しておけば、エッチング終了後に堆積物３３ａ、３３ｂ（図では３３ｂのみ図示）の横幅Ｍ６は小さくなる（図４（ｄ））。ここでは前記Ｍ６が２７ｎｍとなり、また、このときの堆積物の組３３と組３３との開口幅Ｍ３の大きさが２７ｎｍとなるような膜厚を有するように上記のアモルファスシリコン膜３１が形成される。後述の他の実施形態でもこれと同様に、各アモルファスシリコン膜の膜厚を制御することで当該アモルファスシリコン膜からエッチングにより形成される堆積物の横幅が制御される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
この第２の実施形態においては、上述のようにマスクパターン４６及び各膜４２〜４５の寸法を設定し、第１の実施形態と同様にサイドウォールの形成と、それをマスクとしたプラズマエッチングを繰り返し行う。それによってＳｉＯ２膜４２にマスクパターン４６に並行するパターンを多数形成し、その形成したＳｉＯ２膜４２のパターンの幅の大きさがマスクパターン４６の幅の大きさの１／５になり且つそのＳｉＯ２膜４２のパターンの幅と隣接するパターンとパターンとの間隔とが概ね１対１になるようにすることを目的とする。従ってＳｉＯ２膜４２に形成されるパターンの数としてはＳｉＮ膜４５に形成されたパターンの数の５倍になる（パターンの５倍化）。各膜をプラズマエッチングするために用いる処理ガス及びアモルファスシリコン膜を成膜するために用いる処理ガスは第１の実施形態で用いたものと同様のものを用いる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
その後、マスク部分６２をプラズマエッチングして除去し（図８（ｂ））、アモルファスシリコン膜６７の堆積物６８ａ〜６８ｃをマスクとしてＳｉＯ2膜４２を下方に向けてプラズマにより異方性エッチングし、ＳｉＯ2膜４２にパターン４０を形成する（図８（ｃ））。然る後、堆積物６８ａ〜６８ｃをプラズマエッチングにより除去する（図８（ｄ））。上述のようにパターン４０の幅Ｎ４、隣接するパターン４０，４０間の幅Ｎ５は互いに等しく、ＳｉＮ膜４５のマスクパターン４６の幅Ｎ１の５分の１の大きさである１６ｎｍである。従って、Ｎ１：Ｎ５：Ｎ６：Ｎ７＝５：１：１：１である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
その後、ＳｉＮ膜７６をプラズマエッチングして除去し（図９（ｄ））、さらに前記堆積物８３ａ，８３ｂをマスクとしてＳｉＯ2膜７５をプラズマにより下方に向けて異方性エッチングして、堆積物８３ａ，８３ｂに対応するマスクパターン８５を構成するマスク部分８４を形成する（図１０（ａ））。マスクパターン８５の幅＞マスクパターン８６の幅である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2009164205.tif 000001
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2009164205.tif 000002
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2009164205.tif 000003
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
2009164205.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月7日(2010.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一主面に中央領域とこの中央領域の外側に配設された周辺領域とを有する基板と、
前記基板の前記一主面上に配設され、前記基板に比べて硬い半導体材料により構成され、周囲に側面を持つ半導体層と、
前記半導体層の前記側面に配設され、この側面以外の前記半導体層の他の領域に比べて抵抗値が高い高抵抗領域と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記基板がIV族半導体材料又はIII−V族化合物半導体材料であり、前記半導体層はヘテロ接合を持つ窒化物系半導体層を有し、前記ヘテロ接合界面近傍に二次元電子ガス層を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記高抵抗領域は、リーク電流を抑制するイオン注入層であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体層の前記側面上であって、前記高抵抗領域上に絶縁膜を有することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
基板の一主面上にこの基板に比べて硬い半導体材料の半導体層生成層を形成する工程と、
前記半導体層生成層の一部に前記基板の前記一主面の表面に達するエッチングを行い、前記一主面の第１の方向及びそれに交差する第２の方向に一定間隔において前記半導体層生成層から細分化され、周囲に側面を持つ複数の半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の前記側面にこの側面以外の前記半導体層の他の領域に比べて抵抗値が高い高抵抗領域を形成する工程と、
前記半導体層生成層の一部がエッチングされた領域において前記基板に細分化処理を行い、前記基板を細分化する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記高抵抗領域を形成する工程は、前記半導体層の前記側面の表面部分に不純物を注入し、この不純物の注入によって前記半導体層の前記表面部分にリーク電流を抑制するイオン注入層を形成する工程であることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記基板はIV族半導体材料又はIII−V族化合物半導体材料であり、前記半導体層生成層を形成する工程は窒化物系半導体層を有する半導体層生成層を形成する工程であることを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記イオン注入層を形成する工程は、前記半導体層の結晶性が前記半導体層の中央側の結晶性に比べて低下されている、又は緩和されていることを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明の実施の形態に係る第１の特徴は、半導体装置において、一主面に中央領域とこの中央領域の外側に配設された周辺領域とを有する基板と、基板の一主面上に配設され、基板に比べて硬い半導体材料により構成され、周囲に側面を持つ半導体層と、半導体層の側面に配設され、この側面以外の半導体層の他の領域に比べて抵抗値が高い高抵抗領域とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、第１の特徴に係る半導体装置において、基板がIV族半導体材料又はIII−V族化合物半導体材料であり、半導体層はヘテロ接合を持つ窒化物系半導体層を有し、ヘテロ接合界面近傍に二次元電子ガス層を有することが好ましい。また、第１の特徴に係る半導体装置において、高抵抗領域は、リーク電流を抑制するイオン注入層であることが好ましい。更に、第１の特徴に係る半導体装置において、半導体層の側面上であって、高抵抗領域上に絶縁膜を有することが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の実施の形態に係る第２の特徴は、半導体装置の製造方法において、基板の一主面上にこの基板に比べて硬い半導体材料の半導体層生成層を形成する工程と、半導体層生成層の一部に基板の一主面の表面に達するエッチングを行い、一主面の第１の方向及びそれに交差する第２の方向に一定間隔において半導体層生成層から細分化され、周囲に側面を持つ複数の半導体層を形成する工程と、半導体層の側面にこの側面以外の前記半導体層の他の領域に比べて抵抗値が高い高抵抗領域を形成する工程と、半導体層生成層の一部がエッチングされた領域において基板に細分化処理を行い、基板を細分化する工程とを備える。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、第２の特徴に係る半導体装置の製造方法において、高抵抗領域を形成する工程は、半導体層の側面の表面部分に不純物を注入し、この不純物の注入によって半導体層の表面部分にリーク電流を抑制するイオン注入層を形成する工程であることが好ましい。更に、第２の特徴に係る半導体装置の製造方法において、基板はIV族半導体材料又はIII−V族化合物半導体材料であり、半導体層生成層を形成する工程は窒化物系半導体層を有する半導体層生成層を形成する工程であることが好ましい。更に、第２の特徴に係る半導体装置の製造方法において、イオン注入層を形成する工程は、半導体層の結晶性が半導体層の中央側の結晶性に比べて低下されている、又は緩和されていることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月29日(2010.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
三次元的に成型した合成樹脂材から成る樹脂プレート上に金属箔から成る回路パターンを載置した複数枚の回路基板を積層し、これらの回路基板の所定個所に前記積層した回路基板に共通の端子挿通孔を形成し、前記任意の層の回路基板の前記端子挿通孔に金属製の略円筒状の受端子を取り付け、該受端子に付設したタブを当該回路基板の前記回路パターンに接続し、前記共通の端子挿通孔にピン状の挿入端を有する挿入端子を挿通し、前記受端子を介して該当の前記回路基板の各層の前記回路パターンを電気的に導通すると共に、突出した前記挿入端子により内在又は隣接する電子回路ユニットと接続することを特徴とする回路基板を用いたジョイントボックス。
【請求項２】
前記電子回路ユニットはボックスに収容したことを特徴とする請求項１に記載のジョイントボックス。
【請求項３】
前記受端子のタブは前記回路パターンに溶着により接続した請求項１又は２に記載の回路基板を用いたジョイントボックス。
【請求項４】
前記受端子は短円筒状に形成した筒状接続部の上部にフランジ部を形成し、該フランジ部の一部に前記タブを付設し、前記筒状接続部を前記フランジ部の境界部をテーパ状の案内部としたことを特徴とする請求項１〜３の何れか１つの請求項に記載のジョイントボックス。
【請求項５】
前記挿入端は断面角型としたことを特徴とする請求項１〜４の何れか１つの請求項に記載の回路基板を用いたジョイントボックス。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月1日(2010.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に、半導体素子を含む素子形成層を形成し、
前記素子形成層上に、プラスチックを含む支持基材を設け、
前記剥離層と前記素子形成層との間で、前記基板及び前記剥離層から前記素子形成層を分離し、
前記分離によって現れた面を液体で濡らし、
前記素子形成層の分離の後、前記素子形成層に可撓性基板を固定することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に、半導体素子を含む素子形成層を形成し、
前記素子形成層上に、プラスチックを含む支持基材を設け、
前記基板と前記剥離層との間で、前記基板から前記剥離層及び前記素子形成層を分離し、
前記分離によって現れた面を液体で濡らし、
前記素子形成層の分離の後、前記素子形成層に可撓性基板を固定することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に、半導体素子を含む素子形成層を形成し、
前記素子形成層上に、プラスチックを含む支持基材を設け、
前記剥離層の内部で、前記基板から前記素子形成層を分離し、
前記分離によって現れた面を液体で濡らし、
前記素子形成層の分離の後、前記素子形成層に可撓性基板を固定することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に、半導体素子を含む素子形成層を形成し、
前記素子形成層上に、プラスチックを含む支持基材を設け、
前記剥離層と前記素子形成層との間で、前記基板及び前記剥離層から前記素子形成層を分離しながら、前記分離によって現れた面を液体で濡らし、
前記素子形成層の分離の後、前記素子形成層に可撓性基板を固定することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に、半導体素子を含む素子形成層を形成し、
前記素子形成層上に、プラスチックを含む支持基材を設け、
前記基板と前記剥離層との間で、前記基板から前記前記剥離層及び前記素子形成層を分離しながら、前記分離によって現れた面を液体で濡らし、
前記素子形成層の分離の後、前記素子形成層に可撓性基板を固定することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に、半導体素子を含む素子形成層を形成し、
前記素子形成層上に、プラスチックを含む支持基材を設け、
前記剥離層の内部で、前記基板から前記素子形成層を分離しながら、前記分離によって現れた面を液体で濡らし、
前記素子形成層の分離の後、前記素子形成層に可撓性基板を固定することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６のいずれか一項において、
毛細管現象によって前記液体を移動させて、前記分離によって現れた面を濡らすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記液体は純水であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記半導体素子により集積回路を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記素子形成層から前記支持基材を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
熱可塑性樹脂を用いて、前記素子形成層に前記可撓性基板を固定することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月1日(2010.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に、画素部を含む素子形成層を形成し、
前記剥離層と前記素子形成層との間で、前記基板及び前記剥離層から前記素子形成層を分離し、
前記分離によって現れた面を液体で濡らし、
前記分離の後、前記素子形成層に第１の可撓性基板を固定し、
接着剤を用いて、前記素子形成層を挟んで、前記第１の可撓性基板に第２の可撓性基板を固定することを特徴とする表示モジュールの作製方法。
【請求項２】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に、画素部を含む素子形成層を形成し、
前記基板と前記剥離層との間で、前記基板から前記剥離層及び前記素子形成層を分離し、
前記分離によって現れた面を液体で濡らし、
前記分離の後、前記素子形成層に第１の可撓性基板を固定し、
接着剤を用いて、前記素子形成層を挟んで、前記第１の可撓性基板に第２の可撓性基板を固定することを特徴とする表示モジュールの作製方法。
【請求項３】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に、画素部を含む素子形成層を形成し、
前記剥離層の内部で、前記基板から前記素子形成層を分離し、
前記分離によって現れた面を液体で濡らし、
前記分離の後、前記素子形成層に第１の可撓性基板を固定し、
接着剤を用いて、前記素子形成層を挟んで、前記第１の可撓性基板に第２の可撓性基板を固定することを特徴とする表示モジュールの作製方法。
【請求項４】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に、画素部を含む素子形成層を形成し、
前記剥離層と前記素子形成層との間で、前記基板及び前記剥離層から前記素子形成層を分離しながら、前記分離によって現れた面を液体で濡らし、
前記分離の後、前記素子形成層に第１の可撓性基板を固定し、
接着剤を用いて、前記素子形成層を挟んで、前記第１の可撓性基板に第２の可撓性基板を固定することを特徴とする表示モジュールの作製方法。
【請求項５】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に、画素部を含む素子形成層を形成し、
前記基板と前記剥離層との間で、前記基板から前記剥離層及び前記素子形成層を分離しながら、前記分離によって現れた面を液体で濡らし、
前記分離の後、前記素子形成層に第１の可撓性基板を固定し、
接着剤を用いて、前記素子形成層を挟んで、前記第１の可撓性基板に第２の可撓性基板を固定することを特徴とする表示モジュールの作製方法。
【請求項６】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に、画素部を含む素子形成層を形成し、
前記剥離層の内部で、前記基板から前記素子形成層を分離しながら、前記分離によって現れた面を液体で濡らし、
前記分離の後、前記素子形成層に第１の可撓性基板を固定し、
接着剤を用いて、前記素子形成層を挟んで、前記第１の可撓性基板に第２の可撓性基板を固定することを特徴とする表示モジュールの作製方法。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６のいずれか一項において、
毛細管現象によって前記液体を移動させて、前記分離によって現れた面を濡らすことを特徴とする表示モジュールの作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記液体は純水であることを特徴とする表示モジュールの作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
熱可塑性樹脂を用いて、前記第１の可撓性基板を前記素子形成層に固定することを特徴とする表示モジュールの作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記表示モジュールは液晶モジュールであることを特徴とする表示モジュールの作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記表示モジュールはＥＬモジュールであることを特徴とする表示モジュールの作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月7日(2010.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信側移動局から送信された信号を基地局経由の移動局間通信チャネルで受信し、前記送信側移動局から送信された信号を移動局間の直接通信チャネルで受信する受信側移動局を含む無線通信システムであって、
前記受信側移動局は、基地局経由の移動局間通信では、前記基地局から前記受信側移動局への下り方向の前記移動局間通信チャネルで受信し、
移動局間直接通信では、前記直接通信チャネルで受信し、
前記受信側移動局は待ち受け時に、前記移動局間通信チャネルと前記直接通信チャネルによる信号の受信の有無を周期的に交互に確認することを特徴とする、無線通信システム。
【請求項２】
前記送信側移動局は、前記基地局の通信圏内での所在の有無の情報を送信信号とともに送信し、
前記受信側移動局は、前記基地局の通信圏外に所在する前記送信側移動局からの信号は前記移動局間の直接通信チャネルを用いて受信し、前記基地局の通信圏内に所在する前記送信側移動局からの信号は前記基地局経由の移動局間通信チャネルを用いて受信することを特徴とする、請求項１に記載の無線通信システム。
【請求項３】
前記送信側移動局は、前記基地局の通信圏内での所在の有無の情報を送信信号とともに送信し、
前記受信側移動局は、前記移動局間の直接通信チャネルの信号の電界と前記基地局経由の移動局間通信チャネルの信号の電界とを計測し、
前記受信側移動局は、前記基地局の通信圏外に所在する前記送信側移動局からの信号は前記移動局間の直接通信チャネルを用いて受信し、前記基地局の通信圏内に所在する前記送信側移動局からの信号は、前記計測結果に基づいて前記移動局間の直接通信チャネルと前記基地局経由の移動局間通信チャネルとを選択して受信することを特徴とする、請求項１に記載の無線通信システム。
【請求項４】
送信側移動局から送信された信号を基地局経由の移動局間通信チャネルで受信し、前記送信側移動局から送信された信号を移動局間の直接通信チャネルで受信する移動局において、
前記移動局は、基地局経由の移動局間通信では、前記基地局からの下り方向の移動局間通信チャネルで受信し、
移動局間直接通信では、前記直接通信チャネルで受信し、
待ち受け時に前記移動局間通信チャネルと前記直接通信チャネルによる信号の受信の有無を周期的に交互に確認することを特徴とする、移動局。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】無線通信システム及び移動局
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、基地局と移動局とを無線回線で接続する無線通信システム及び移動局に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記の課題を解決するために、本発明による無線通信システムは、送信側移動局から送信された信号を基地局経由の移動局間通信チャネルで受信し、送信側移動局から送信された信号を移動局間の直接通信チャネルで受信する受信側移動局を含む無線通信システムであって、受信側移動局は、基地局経由の移動局間通信では、基地局から受信側移動局への下り方向の移動局間通信チャネルで受信し、移動局間直接通信では、直接通信チャネルで受信し、受信側移動局は待ち受け時に、移動局間通信チャネルと直接通信チャネルによる信号の受信の有無を周期的に交互に確認することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によると、受信側移動局は、基地局経由の移動局間通信では、基地局から受信側移動局への下り方向の移動局間通信チャネルで受信し、移動局間直接通信では、直接通信チャネルで受信し、受信側移動局は待ち受け時に、移動局間通信チャネルと直接通信チャネルによる信号の受信の有無を周期的に交互に確認するため、基地局経由の移動局間通信チャネルの設定と移動局間の直接通信チャネルの設定を変更するときに、手動による変更操作をすることなく簡単な構成により両方のチャネルでの通信が可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月28日(2010.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像素子と、
前記撮像素子よりも前方に位置する第一の光学部材と、
前記第一の光学部材と前記撮像素子との間に位置する第二の光学部材と、
前記第一の光学部材を弾性保持するとともに、前記第二の光学部材を前記第一の光学部材に対向するように固定保持する保持部材と、
前記第一の光学部材と前記第二の光学部材との間であって、前記第一の光学部材及び前記第二の光学部材のうち少なくともいずれか一方に接合されるフィルム状樹脂フィルタとを有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記第一の光学部材及び前記第二の光学部材は、水晶、複屈折作用を有する透明部材、及び赤外波長成分をカットする赤外カットフィルタのいずれかにより構成され、
前記フィルム状樹脂フィルタは、位相差解消作用、複屈折作用、又は赤外吸収作用を有することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記第一の光学部材に振動を与える振動素子を有することを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記フィルム状樹脂フィルタは前記第二の光学部材の前面に接合されることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記フィルム状樹脂フィルタは、前記第一の光学部材よりも小さいことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記保持部材が前記第一の光学部材及び前記第二の光学部材を保持した状態において、前記フィルム状樹脂フィルタは、前記第一の光学部材と前記第二の光学部材との間に形成される密閉空間に配置されることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
透過する光束の高周波成分を減衰するとともに、光束の赤外波長成分をカットする光学フィルタであって、
第一の光学部材と、
第二の光学部材と、
前記第一の光学部材を弾性保持するとともに、前記第一の光学部材に対向するように前記第二の光学部材を固定保持する保持部材と、
前記第一の光学部材と前記第二の光学部材との間であって、前記第一の光学部材及び前記第二の光学部材のうち少なくともいずれか一方に接合されるフィルム状樹脂フィルタとを有することを特徴とする光学フィルタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の撮像装置は、撮像素子と、前記撮像素子よりも前方に位置する第一の光学部材と、前記第一の光学部材と前記撮像素子との間に位置する第二の光学部材と、前記第一の光学部材を弾性保持するとともに、前記第二の光学部材を前記第一の光学部材に対向するように固定保持する保持部材と、前記第一の光学部材と前記第二の光学部材との間であって、前記第一の光学部材及び前記第二の光学部材のうち少なくともいずれか一方に接合されるフィルム状樹脂フィルタとを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月21日(2010.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記画像入力部は、画像を記憶する記憶媒体から画像を読み取る請求項２に記載の撮像装置。