(57)【要約】      （修正有）【課題】基準クロック周波数が２００ＭＨｚ以上、線速度が４０ｍ／ｓとなる高データ転送レートの記録に用いる光記録方法を提供する。【解決手段】記録マーク長ｎＴを形成する際、αｉＴ、βｉＴで示されるｍ個の記録パルスαｉＴとｍ個のオフパルスβｉＴとを用い、αｉＴ（１≦ｉ≦ｍ）は記録パワーＰｗｉを照射し、βｉＴ（１≦ｉ≦ｍ−１）はＰｂｉ＜Ｐｗｉ且つＰｂｉ＜Ｐｗｉ＋１のバイアスパワーＰｂｉを照射し、α１Ｔは先頭位置から時間ｄＴｔｏｐずれて立ち上げ、一つの記録マークはパルス分割数ｍを２以上とし、且つ、ｍが２以上の全ての記録マークは２．５≦ｎ／ｍとし、複数の異なる記録マーク長を同一のパルス分割数ｍで形成する場合は、α１及び／又はαｍを変化させて形成するとともに、α１を変化させる場合は、ｄＴｔｏｐ及び／又はβ１を変化させ、αｍを変化させる場合は、βｍ−１及び／又はβｍを変化させる。【選択図】図２
2005122874.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に局所的に記録光を照射してマーク長変調された情報を記録するための光記録方法であって、
一つの記録マークの記録マーク長をｎＴとしたとき（Ｔは基準クロック周期であり、ｎは２以上の自然数である。）、 
前記ｎＴの記録マーク長を形成するために、 
【数１】
2005122874.tif 000013
（ここで、ｍはパルス分割数を示す自然数である。αｉ（１≦ｉ≦ｍ）は０より大きい実数であり、βｉ（１≦ｉ≦ｍ−１）は０より大きい実数であり、βｍは０以上の実数である。）で示される、ｍ個の記録パルスαｉＴ（１≦ｉ≦ｍ）とｍ個のオフパルスβｉＴ（１≦ｉ≦ｍ）を用い、 
１≦ｉ≦ｍのいずれかにおけるαｉＴの時間内においては、記録パワーＰｗｉの記録光を照射し、 
１≦ｉ≦ｍ−１のいずれかにおけるβｉＴの時間内においては、Ｐｂｉ＜ＰｗｉかつＰｂｉ＜Ｐｗｉ＋１  なるバイアスパワーＰｂｉの記録光を照射し、 
先頭の記録パルスα１Ｔは、前記ｎＴの長さを有する記録マークの先頭位置から、時間ｄＴｔｏｐ（ｎＴの長さを有する記録マークの先頭位置から遅れる場合を正とする。）だけずれて立ち上がるものとし、 
少なくとも２つの記録マークについては上記パルス分割数ｍを２以上とし、かつ、ｍが２以上の総ての記録マークについて２．５≦ｎ／ｍとし、 
複数の異なる記録マーク長を同一のパルス分割数ｍでそれぞれ形成する場合に、α１及び／又はαｍを変化させて前記異なる長さの記録マーク長をそれぞれ形成するとともに、  前記α１を変化させる場合は、ｄＴｔｏｐ及び／又はβ１も変化させ、 
前記αｍを変化させる場合は、βｍ−１及び／又はβｍも変化させることを特徴とする光記録方法。
【請求項２】
前記パルス分割数ｍが２以上である総ての記録マークについて、ｎ／ｍ≦５とすることを特徴とする請求項１に記載の光記録方法。 
【請求項３】
前記パルス分割数ｍが２以上である総ての記録マークにおいて、１≦ｉ≦ｍ−１における（αｉ＋βｉ）が、概ね３又は４のいずれかの値をとることを特徴とする請求項１又は２に記載の光記録方法。
【請求項４】
同一のパルス分割数ｍで形成する複数の異なる記録マーク長における、１つの記録マーク長Ａを形成するために用いる光記録方法を基準として、
前記光記録方法においてα１又はαｍを変化させることにより、前記複数の異なる記録マーク長における前記記録マーク長Ａ以外の記録マーク長を形成することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光記録方法。
【請求項５】
同一のパルス分割数ｍで３つ以上の異なる記録マーク長を形成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光記録方法。 
【請求項６】
ｎが３又は４増える毎に、ｍが１増えるようにすることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光記録方法。 
【請求項７】
ｎ＝２、３、４となる記録マーク長に対してはｍ＝１、 
ｎ＝５、６、７となる記録マーク長に対してはｍ＝２、 
ｎ＝８、９、１０となる記録マーク長に対してはｍ＝３、 
ｎ＝１１、１２、１３となる記録マーク長においては、ｍ＝４、 
ｎ＝１４、１５、１６となるマーク長においてはｍ＝５、 
とすることを特徴とする請求項６に記載の光記録方法。 
【請求項８】
同一の分割数ｍ＝Ｌ（Ｌ≧２）で形成する、ｎ＝３Ｌ−１、３Ｌ、３Ｌ＋１の３つの記録マーク長を一組とし、ｎ＝３Ｌの記録マーク長を形成するために用いる光記録方法を基準として、前記光記録方法において少なくともαｍを増減することによって、ｎ＝３Ｌ−１とｎ＝３Ｌ＋１の記録マーク長をそれぞれ形成することを特徴とする請求項７に記載の光記録方法。 
【請求項９】
ｎ＝３Ｌ−１、３Ｌ、３Ｌ＋１（Ｌ≧２）の３つの記録マーク長におけるそれぞれの（αｍ、βｍ−１、βｍ）の値が、Ｌによらず一定であることを特徴とする請求項８に記載の光記録方法。 
【請求項１０】
ｎ＝３Ｌ−１、３Ｌ、３Ｌ＋１（Ｌ≧２）の３つの記録マーク長におけるそれぞれの（αｍ、βｍ−１、βｍ）の値が、ｎ＝５の場合を除いて、Ｌによらず一定であることを特徴とする請求項８に記載の光記録方法。 
【請求項１１】
同一の分割数ｍ＝Ｌ（Ｌ≧２）で形成する、ｎ＝３Ｌ−１、３Ｌ、３Ｌ＋１の３つの記録マーク長を一組とし、ｎ＝３Ｌの記録マーク長を形成するために用いる光記録方法を基準として、前記光記録方法において少なくともαｍを減ずることによって、ｎ＝３Ｌ−１の記録マーク長を形成し、 
さらに、ｎ＝３Ｌの記録マーク長を形成するために用いる光記録方法を基準として、前記光記録方法において少なくともα１を増加させることにより、ｎ＝３Ｌ＋１の場合の記録マーク長を形成することを特徴とする請求項７に記載の光記録方法。 
【請求項１２】
ｎ＝３Ｌ−１、３Ｌ、３Ｌ＋１（Ｌ≧２）の３つの記録マーク長におけるそれぞれの（α１、ｄＴｔｏｐ、β１、αｍ、βｍ−１、βｍ）の値が、Ｌによらず一定であることを特徴とする請求項１１に記載の光記録方法。 
【請求項１３】
ｎ＝３Ｌ−１、３Ｌ、３Ｌ＋１（Ｌ≧２）の３つの記録マーク長におけるそれぞれの（α１、ｄＴｔｏｐ、β１、αｍ、βｍ−１、βｍ）の値が、ｎ＝５の場合を除いて、Ｌによらず一定であることを特徴とする請求項１１に記載の光記録方法。 
【請求項１４】
ｎが６以上のすべての記録マーク長において、ｎ／ｍを３以上とすることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の光記録方法。 
【請求項１５】
ｎ＝２、３、４の記録マーク長に対してはｍ＝１、 
ｎ＝５、６、７、８の記録マーク長に対してはｍ＝２、 
ｎ＝９、１０、１１の記録マーク長においてはｍ＝３、 
ｎ＝１２、１３、１４の記録マーク長においてはｍ＝４、 
ｎ＝１５、１６、１７の記録マーク長においてはｍ＝５、 
であることを特徴とする請求項１４に記載の光記録方法。 
【請求項１６】
同一の分割数ｍ＝Ｌ（Ｌ≧２）で形成する、ｎ＝３Ｌ、３Ｌ＋１、３Ｌ＋２の３つの記録マーク長を一組とし、ｎ＝３Ｌの記録マーク長を形成するために用いる光記録方法を基準として、前記光記録方法において少なくともαｍを増加させて、ｎ＝３Ｌ＋１の記録マーク長を形成し、 
さらに、ｎ＝３Ｌ＋１の記録マーク長を形成するために用いる光記録方法を基準として、前記光記録方法において少なくともα１を増加させることにより、ｎ＝３Ｌ＋２の記録マーク長を形成することを特徴とする請求項１５に記載の光記録方法。 
【請求項１７】
同一の分割数ｍ＝Ｌ（Ｌ≧２）で形成する、ｎ＝３Ｌ、３Ｌ＋１、３Ｌ＋２の３つの記録マーク長を一組とし、ｎ＝３Ｌの記録マーク長を形成するために用いる光記録方法を基準として、前記光記録方法において少なくともα１を増加させて、ｎ＝３Ｌ＋１の記録マーク長を形成し、 
さらに、ｎ＝３Ｌ＋１の記録マーク長を形成するために用いる光記録方法を基準として、前記光記録方法において少なくともαｍを増加させることにより、ｎ＝３Ｌ＋２の場合の記録マーク長を形成することを特徴とする請求項１５に記載の光記録方法。 
【請求項１８】
ｎ＝３Ｌ、３Ｌ＋１、３Ｌ＋２（Ｌ≧２）の３つの記録マーク長におけるそれぞれの（α１、ｄＴｔｏｐ、β１、αｍ、βｍ−１、βｍ）の値が、Ｌによらず一定であることを特徴とする請求項１６又は１７に記載の光記録方法。 
【請求項１９】
ｎ＝２、３、４の記録マーク長においてはｍ＝１、 
ｎ＝５、６、７、８の記録マーク長においてはｍ＝２、 
ｎ＝９、１０、１１、１２の記録マーク長においてはｍ＝３、 
ｎ＝１３、１４、１５、１６の記録マーク長においてはｍ＝４ 
であることを特徴とする請求項１４に記載の光記録方法。 
【請求項２０】
同一の分割数ｍ＝Ｌ（Ｌ≧２）で形成する、ｎ＝４Ｌ−３、４Ｌ−２、４Ｌ−１、４Ｌの４つの記録マーク長を一組とし、ｎ＝４Ｌ−２の記録マーク長を形成するために用いる光記録方法を基準として、前記光記録方法において少なくともαｍを増減して、ｎ＝４Ｌ−１とｎ＝４Ｌ−３との記録マーク長をそれぞれ形成し、 
さらに、ｎ＝４Ｌ−１の記録マーク長を形成するために用いる光記録方法を基準として、前記光記録方法において少なくともα１を増加させて、ｎ＝４Ｌの記録マーク長を形成することを特徴とする請求項１９に記載の光記録方法。 
【請求項２１】
同一の分割数ｍ＝Ｌ（Ｌ≧２）で形成する、ｎ＝４Ｌ−３、４Ｌ−２、４Ｌ−１、４Ｌとなる４つの記録マーク長を一組とし、ｎ＝４Ｌ−２の記録マーク長を形成するために用いる光記録方法を基準として、前記光記録方法において少なくともαｍを減じて、ｎ＝４Ｌ−３の記録マーク長を形成し、ｎ＝４Ｌ−２の記録マーク長を形成するために用いる光記録方法を基準として、前記光記録方法において少なくともα１を増加させて、ｎ＝４Ｌ−１の記録マーク長を形成し、 
さらに、ｎ＝４Ｌ−１の記録マーク長を形成するために用いる光記録方法を基準として、前記光記録方法において少なくともαｍを増加させて、ｎ＝４Ｌの記録マーク長を形成することを特徴とする請求項１９に記載の光記録方法。 
【請求項２２】
ｎ＝４Ｌ−３、４Ｌ−２、４Ｌ−１、４Ｌ（Ｌ≧２）の４つの記録マーク長におけるそれぞれの（α１、ｄＴｔｏｐ、β１、αｍ、βｍ−１、βｍ）の値が、Ｌによらず一定であることを特徴とする請求項２０又は２１に記載の光記録方法。
【請求項２３】
ｎ＝４Ｌ−３、４Ｌ−２、４Ｌ−１、４Ｌ（Ｌ≧２）の４つの記録マーク長におけるそれぞれの（α１、ｄＴｔｏｐ、β１、αｍ、βｍ−１、βｍ）の値が、ｎ＝５の場合を除いて、Ｌによらず一定であることを特徴とする請求項２０又は２１に記載の光記録方法。
【請求項２４】
ｎ＝４の場合に、ｎ／ｍ＝２であることを特徴とする請求項１乃至２３のいずれか１項に記載の光記録方法。 
【請求項２５】
記録媒体に局所的に記録光を照射してマーク長変調された情報を記録するための光記録装置であって、
一つの記録マークの記録マーク長をｎＴとしたとき（Ｔは基準クロック周期であり、ｎは２以上の自然数である。）、 
前記ｎＴの記録マーク長を形成するために、 
【数２】
2005122874.tif 000014
（ここで、ｍはパルス分割数を示す自然数である。αｉ（１≦ｉ≦ｍ）は０より大きい実数であり、βｉ（１≦ｉ≦ｍ−１）は０より大きい実数であり、βｍは０以上の実数である。）で示される、ｍ個の記録パルスαｉＴ（１≦ｉ≦ｍ）とｍ個のオフパルスβｉＴ（１≦ｉ≦ｍ）を用い、 
１≦ｉ≦ｍのいずれかにおけるαｉＴの時間内においては、記録パワーＰｗｉの記録光を照射し、 
１≦ｉ≦ｍ−１のいずれかにおけるβｉＴの時間内においては、Ｐｂｉ＜ＰｗｉかつＰｂｉ＜Ｐｗｉ＋１  なるバイアスパワーＰｂｉの記録光を照射し、 
先頭の記録パルスα１Ｔは、前記ｎＴの長さを有する記録マークの先頭位置から、時間ｄＴｔｏｐ（ｎＴの長さを有する記録マークの先頭位置から遅れる場合を正とする。）だけずれて立ち上がるものとし、 
少なくとも２つの記録マークについては上記パルス分割数ｍを２以上とし、かつ、ｍが２以上の総ての記録マークについて２．５≦ｎ／ｍとし、 
複数の異なる記録マーク長を同一のパルス分割数ｍでそれぞれ形成する場合に、α１及び／又はαｍを変化させて前記異なる長さの記録マーク長をそれぞれ形成するとともに、  前記α１を変化させる場合は、ｄＴｔｏｐ及び／又はβ１も変化させ、
前記αｍを変化させる場合は、βｍ−１及び／又はβｍも変化させるように構成されることを特徴とする光記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光記録方法等に関し、より詳しくは、書換え可能な光記録媒体に対する、高速の光記録方法等に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般にコンパクトディスク（ＣＤ）又はディジタルバーサタイルディスク（ＤＶＤ）は、凹ピットの底部及び鏡面部からの反射光の干渉により生じる反射率変化を利用して２値信号の記録及びトラッキング信号の検出が行われている。
近年、書き換え型光記録媒体として、相変化型の書換え型コンパクトディスク（ＣＤ−ＲＷ、ＣＤ−Ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ）又は、相変化型の書き換え型ＤＶＤ（商品名：ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ、本明細書では書き換え型ＤＶＤをＲＷ−ＤＶＤという場合がある。）が使用されている。
【０００３】
相変化型のＣＤ−ＲＷ又はＲＷ−ＤＶＤは、非晶質と結晶状態の屈折率差によって生じる反射率差および位相差変化を利用して記録情報信号の検出を行う。通常の相変化型のＣＤ−ＲＷ又はＲＷ−ＤＶＤは、基板上に下部保護層、相変化型記録層、上部保護層、反射層を設けた構造を有し、これら層の多重干渉を利用して反射率差および位相差を制御しＣＤ又はＤＶＤと互換性を持たせることができる。なお、ＣＤ−ＲＷ又はＲＷ−ＤＶＤにおける記録とは、記録と消去を同時に行うオーバーライト記録をいう。
【０００４】
上記、オーバーライト記録においては、結晶状態を未記録・消去状態とし、局所的に形成された非晶質状態を記録マークとする。  
記録層を記録光ビームによって局所的に融点以上に昇温し、その直後に急冷すれば、記録前の記録層の状態（結晶又は非晶質）の如何にかかわらず、非晶質マークが形成される。冷却は、通常、記録光ビームを瞬時に遮断し、拡散放熱によって実現される。一方、記録層を、記録時より弱いパワーの記録光ビームによって、概ね、結晶化温度以上、融点近傍以下に昇温すれば、記録前の記録層の状態（結晶又は非晶質）の如何にかかわらず、消去・結晶状態となる。以上のように、書き換え型相変化形媒体においては、記録光ビームのパワーと、その強度変化によって、記録層中の昇温、冷却過程を制御して、オーバーライトを実現している。一般に、このような、記録光ビームの強度変化は、数十ｎｓｅｃ以下の短時間で行われる。  
【０００５】
さて、ＣＤ−ＲＷ、ＲＷ−ＤＶＤを利用する場合の問題点のひとつに記録速度と転送レートの遅さがある。  
ＣＤの記録再生時の基準速度（以下、１倍速とも称する）は、線速度（本明細書においては、「線速度」を単に「線速」という場合がある。）１．２〜１．４ｍ／ｓであるが、ＣＤ−ＲＯＭではすでに最大４０倍速程度の高速再生が実現されており、１倍速という低速で利用されるのは音楽や画像の再生程度に限られる。一般に、１６倍速再生まではＣＤ本来の一定線速度モード（ＣＬＶ、Ｃｏｎｓｔａｎｔ  Ｌｉｎｅａｒ  Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）であるが、２４〜４０倍速再生は、内周部で部分的に一定回転速度モード（Ｐ−ＣＡＶ、Ｃｏｎｓｔａｎｔ  Ａｎｇｕｌａｒ  Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）を適用することで外周部データの転送レート、アクセス及びシーク時間が飛躍的に高速化されている。  
【０００６】
現在コンピュータの外部記憶装置としては、ＣＤ−ＲＷがＰ−ＣＡＶ方式で最大３２倍速が達成されている。一方で、ライトワンス型のＣＤ−Ｒがすでに最大５２倍速記録を達成しており、ＣＤ−ＲＷにおいても記録時転送レートをさらに向上させることが望まれている。  
【０００７】
一方、ＤＶＤの再生時の基準速度（以下、１倍速とも称する）は、線速度３．４９ｍ／ｓであるが、ＤＶＤ−ＲＯＭではすでに最大１６倍速程度の高速再生が実現されており、１倍速という低速で利用されるのは音楽や画像の再生程度に限られる。  
ＲＷ−ＤＶＤにおいても記録の高速化は進んでいるがＣＬＶモードで高々４倍速程度までにとどまっている。一方で、やはりライトワンス型のＤＶＤ−Ｒがすでに最大８倍速記録を達成しており、ＲＷ−ＤＶＤにおいても記録時転送レートをさらに向上させることが望まれている。  
【０００８】
このため、より高速で記録できる書き換え型相変化媒体と記録方法が求められていた。しかし、ＣＤの３２倍速以上、ＲＷ−ＤＶＤの１０倍速以上の高線速まで記録可能な書き換え型相変化媒体は、未だ実現されていない。  
【０００９】
このような書き換え型相変化媒体が実現できない第一の理由は、非晶質マークの高速結晶化による短時間の消去と、非晶質マークの経時安定性とを両立させるのが困難だからである。本発明者らは、すでに、このような高速でオーバーライト可能な、Ｓｂを主成分とする記録層材料を見出している。これらの材料を用いれば、５０ｍ／ｓ程度の記録線速度でもオーバーライトそのものは可能である。  
【００１０】
このように高線速度でオーバーライト可能な相変化記録材料がいくつか提案されているにもかかわらず、４０ｍ／ｓ以上の高いデータ転送レートにおけるオーバーライト可能なＣＤ−ＲＷ、ＲＷ−ＤＶＤが未だ実現できない第二の理由は、すでに知られている記録パルスストラテジー（パルス分割方法）に限界があるためである。  
【００１１】
即ち、ＣＤ−ＲＷ規格オレンジブック・パート３には、図１に示す記録パルスストラテジーが規定されている。従って現在実用化されている記録装置では、上記記録パルスストラテジー発生用ＩＣ回路を用いているのが実情である。従って、現在実用化されている記録装置では、上記記録パルスストラテジー又はこれを若干変更した記録パルスストラテジーをもって、１倍速から８倍速〜１０倍速又は８倍速〜３２倍速までの広範囲な線速度の記録を行わなければならない。  
【００１２】
書き換え型ＤＶＤの規格である、ＤＶＤ−ＲＷやＤＶＤ＋ＲＷでも、同様の記録ストラテジーが規定されている。これら記録ストラテジーの特徴は、ｎＴ（Ｔは基準クロック周期）マーク長の非晶質マークをｎ−１個の記録パルスと冷却パルス（オフパルス）に分割して記録することである。このため、これら記録ストラテジーでは、一対の記録パルスと冷却パルスの繰り返し平均周期が約１Ｔとなっている。  
【００１３】
図１（ａ）はＣＤフォーマットで使用されるマーク長変調方式の例で、３Ｔ〜１１Ｔの時間的長さを有するデータ信号であり、図１（ｂ）、図１（ｃ）は、当該データ信号に基づいて発生される実際の記録光のレーザーパワーである。以下では、図１（ｂ）のように、概ね基準クロック周期Ｔ（１００）に基づいて、記録パルスのオン・オフが繰り返される記録パルスストラテジーを１Ｔストラテジー、概ね基準クロック周期の２倍の周期２Ｔで記録パルスのオン・オフが繰り返される記録パルスストラテジーを２Ｔストラテジーと呼ぶ。Ｐｗは記録層を溶融させ急冷によって非晶質マークを形成するための記録パワー、Ｐｅは非晶質マークを結晶化によって消去するための消去パワーである。また、バイアスパワーＰｂは、通常、再生光の再生パワーＰｒとほぼ同じである。記録パワーＰｗ照射区間を記録パルス、バイアスパワー照射区間を冷却パルス（「冷却パルス」をオフパルスという場合もある。）と称する。ＥＦＭ＋変調の場合においては、上記３Ｔ〜１１Ｔの時間的長さを有するデータ信号に１４Ｔの時間的長さを有するデータ信号が加わる。  
【００１４】
ここで、上記記録ストラテジーでは、記録パルスとオフパルスの繰り返しの周期が基本的に、基準クロック周期Ｔ又はその２倍周期２Ｔで一定である。基準クロック周期Ｔは、高線速記録では、線速度に比例して高周波数化される。  
ＣＤの１倍速基準速度では、Ｔ＝２３１ｎｓｅｃであるが、４０倍速ではＴ＝５．８ｎｓｅｃ、４８倍速ではＴ＝４．７ｎｓｅｃである。従って、４０倍速以上の高線速度記録において図１（ｃ）に示す２Ｔストラテジーを用いても、上記高速記録に伴う高クロック周波数化により、分割された記録パルス及びオフパルスの時間幅は約６ｎｓｅｃ以下となる。  
【００１５】
一方、ＤＶＤの１倍速基準速度では、Ｔ＝３８．２ｎｓｅｃであるが、１０倍速では、Ｔ＝３．８２ｎｓｅｃ、１２倍速ではＴ＝３．２ｎｓｅｃ、１６倍速ではＴ＝２．４ｎｓｅｃ、である。従って、１０倍速以上の高線速度記録においては、図１（ｃ）における２Ｔストラテジーを用いても、このような高速記録に伴う高周波数化により、分割された記録パルス及びオフパルスの時間幅は約４ｎｓｅｃ以下となる。  
【００１６】
ところで、通常記録パワーのレーザー光照射では、立ち上がり立下りに１−２ｎｓｅｃは要する。このため、このような高周波においては、上記立ち上がり立下り時間が無視できなくなり、記録パルス区間の長さ及びオフパルス区間の長さは、実質的にはさらに短くなり、５ｎｓｅｃ程度（ＣＤ−ＲＷの場合）又は３ｎｓｅｃ程度（ＲＷ−ＤＶＤの場合）を大幅に下回ることとなる。この際、記録パルスにおける加熱は不十分となり、必要とされる記録パワーが急激に高くなる。一方、オフパルス区間の冷却も不十分となるために、非晶質化に必要な冷却速度が得られなくなる。また、高線速記録のために、ＣＤ−ＲＷ又はＲＷ−ＤＶＤの記録層には、一般に消去速度即ち結晶化速度の速い材料を用いる。従って、上記オフパルス区間における冷却速度の不足は、いったん溶融された領域の再結晶化を招きやすい。この傾向は、高線速でかつ、高データ転送レート（高密度）記録ほど、顕著になりやすい。  
【００１７】
このような問題は、相変化型の書き換え型光記録媒体（本発明においては、「書き換え型相変化媒体」という場合がある。）において、最も顕著となりやすい。但し、図１に示すような分割記録パルスを用い、昇温過程と冷却過程との両方を制御することによってマーク長変調記録を行う場合においては、高クロック周波数化するにつれ、レーザーダイオード光出力の応答時間の限界及び記録層の熱容量による熱応答の遅れの問題は、光記録一般においてますます顕著になりつつある。  
【００１８】
本発明者等は、すでに、記録パルスとオフパルスとの繰り返しの周期を２Ｔとする２Ｔストラテジーにより、ＣＤの２０倍速以上、ＤＶＤの５倍速以上でのオーバーライト記録を実現した（非特許文献１〜３、特許文献１参照）。  
しかし、非特許文献１〜３、特許文献１において報告したような２Ｔベースの分割方法を用いてもなお、ＣＤの３２倍速以上又はＤＶＤの１２倍速以上では、上記した通り、高線速記録のための高い結晶化速度を有する材料を用いる必要がある一方で、このような材料を用いると、冷却速度が不足することによる再結晶化現象がよりいっそう深刻となることが判明した。  
【００１９】
このような問題は、相変化型の書き換え型光記録媒体のみならず、分割記録パルスを用いて、加熱と冷却の双方の過程を制御する記録方法を適用する媒体において、高データ転送レート（高基準クロック周期、高線速度）の記録を行う場合に、共通の問題でもある。
上述のように、基準クロック周波数が高くなり、基準クロック周期Ｔが概ね５ｎｓｅｃを切るような状況では、記録パルス分割数を減らすことが、自然な拡張として考えられる。実際、ｎ／３なる分割方法が、いくつか開示されている（特許文献２、特許文献３参照）。
【００２０】
【非特許文献１】プロシーディングス  オブ  ピーシーオーエス２０００（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  ＰＣＯＳ２０００）、相変化記録研究会、２０００年１１月３０日、２０００年１１月３０日−１２月１日号、ｐ．５２−５５
【非特許文献２】プロシーディングス  オブ  エスピーアイイー（Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ）、ザ  インターナショナル  ソサイティ  フォ  オプティカル  エンジニアリング（Ｔｈｅ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  ｆｏｒ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ）、２００２年、第４０９０号、ｐ．１３５−１４３
【非特許文献３】プロシーディングス  オブ  エスピーアイイー（Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ）、ザ  インターナショナル  ソサイティ  フォ  オプティカル  エンジニアリング（Ｔｈｅ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  ｆｏｒ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ）、２０００年、第４３４２号、ｐ．７６−８７
【特許文献１】特開２００１−３３１９３６号公報
【特許文献２】特開２００３−３０８３６号公報
【特許文献３】国際公開第０２／０８９１２１号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
しかしながら、特許文献２及び特許文献３に開示されている分割方法では、パルス発生が基準クロック周期と同期しない問題がある。また、記録パルス分割方法を規定するための独立パラメータが不明確又はパラメータ数が多すぎて記録パルス発生回路の設計が困難である。さらに、概念のみが開示されており、具体的に適用しても良い結果が必ずしも得られない等の問題がある。  
本発明の目的は、このように、基準クロック周波数が概ね２００ＭＨｚ以上（基準クロック周期が、概ね５ｎｓｅｃ以下）、線速度が概ね４０ｍ／ｓとなる高データ転送レートの記録に用いる光記録方法において、実使用可能な光記録方法を提供することにある。  
【課題を解決するための手段】
【００２２】
かかる課題を解決すべく、本発明においては、記録媒体に局所的に光を照射することによって、マーク長変調方式による記録マークを形成する場合において、記録マークを複数の記録パルスと冷却パルスに分割して記録を行う、いわゆる、分割記録パルスによる記録方法を採用している。
即ち、本発明が適用される光記録方法は、記録媒体に局所的に記録光を照射してマーク長変調された情報を記録するための光記録方法であって、一つの記録マークの記録マーク長をｎＴとしたとき（Ｔは基準クロック周期であり、ｎは２以上の自然数である。）、ｎＴの記録マーク長を形成するために、
【００２３】
【数１】
2005122874.tif 000003
【００２４】
（ここで、ｍはパルス分割数を示す自然数である。αｉ（１≦ｉ≦ｍ）は０より大きい実数であり、βｉ（１≦ｉ≦ｍ−１）は０より大きい実数であり、βｍは０以上の実数である。）で示される、ｍ個の記録パルスαｉＴ（１≦ｉ≦ｍ）とｍ個のオフパルスβｉＴ（１≦ｉ≦ｍ）を用い、１≦ｉ≦ｍのいずれかにおけるαｉＴの時間内においては、記録パワーＰｗｉの記録光を照射し、１≦ｉ≦ｍ−１のいずれかにおけるβｉＴの時間内においては、Ｐｂｉ＜ＰｗｉかつＰｂｉ＜Ｐｗｉ＋１  なるバイアスパワーＰｂｉの記録光を照射し、先頭の記録パルスα１Ｔは、ｎＴの長さを有する記録マークの先頭位置から、時間ｄＴｔｏｐ（ｎＴの長さを有する記録マークの先頭位置から遅れる場合を正とする。）だけずれて立ち上がるものとし、少なくとも２つの記録マークについては上記パルス分割数ｍを２以上とし、かつ、ｍが２以上の総ての記録マークについて２．５≦ｎ／ｍとし、複数の異なる記録マーク長を同一のパルス分割数ｍでそれぞれ形成する場合に、α１及び／又はαｍを変化させて異なる長さの記録マーク長をそれぞれ形成するとともに、α１を変化させる場合は、ｄＴｔｏｐ及び／又はβ１も変化させ、αｍを変化させる場合は、βｍ−１及び／又はβｍも変化させることを特徴とするものである。
【００２５】
また、本発明が適用される光記録装置は、記録媒体に局所的に記録光を照射してマーク長変調された情報を記録するための光記録装置であって、一つの記録マークの記録マーク長をｎＴとしたとき（Ｔは基準クロック周期であり、ｎは２以上の自然数である。）、ｎＴの記録マーク長を形成するために、  
【００２６】
【数２】
2005122874.tif 000004
【００２７】
（ここで、ｍはパルス分割数を示す自然数である。αｉ（１≦ｉ≦ｍ）は０より大きい実数であり、βｉ（１≦ｉ≦ｍ−１）は０より大きい実数であり、βｍは０以上の実数である。）で示される、ｍ個の記録パルスαｉＴ（１≦ｉ≦ｍ）とｍ個のオフパルスβｉＴ（１≦ｉ≦ｍ）を用い、１≦ｉ≦ｍのいずれかにおけるαｉＴの時間内においては、記録パワーＰｗｉの記録光を照射し、１≦ｉ≦ｍ−１のいずれかにおけるβｉＴの時間内においては、Ｐｂｉ＜ＰｗｉかつＰｂｉ＜Ｐｗｉ＋１  なるバイアスパワーＰｂｉの記録光を照射し、先頭の記録パルスα１Ｔは、ｎＴの長さを有する記録マークの先頭位置から、時間ｄＴｔｏｐ（ｎＴの長さを有する記録マークの先頭位置から遅れる場合を正とする。）だけずれて立ち上がるものとし、少なくとも２つの記録マークについては上記パルス分割数ｍを２以上とし、かつ、ｍが２以上の総ての記録マークについて２．５≦ｎ／ｍとし、複数の異なる記録マーク長を同一のパルス分割数ｍでそれぞれ形成する場合に、α１及び／又はαｍを変化させて異なる長さの記録マーク長をそれぞれ形成するとともに、α１を変化させる場合は、ｄＴｔｏｐ及び／又はβ１も変化させ、αｍを変化させる場合は、βｍ−１及び／又はβｍも変化させるように構成されることを特徴とする。
【００２８】
本発明によれば、記録時の記録光ビームの記録層に対する走査線速度が概ね４０ｍ／ｓ以上、または、クロック周期が概ね２００ＭＨｚ以上（クロック周期５ｎｓｅ以下）、の高線速度、高データ転送レートにおける光記録方法又は光記録装置が提供される。さらに、広範囲の記録線速度で良好な記録を行うことができる光記録方法又は光記録装置が提供される。より具体的には、従来のＣＤ−ＲＯＭ又はＤＶＤ（−ＲＯＭ）規格などで規定される再生専用媒体と再生互換性を有する書換え可能な光記録媒体に適用できる高速の光記録方法又は光記録装置が提供される。  
【発明の効果】
【００２９】
かくして本発明によれば、高データ転送レートの記録に適用可能な光記録方法又は光記録装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下に、本発明を実施するための最良の形態（以下、発明の実施の形態という。）について詳述する。但し、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。
［１］光記録方法
本実施の形態が適用される光記録方法の、その最も基本となる記録方法は、記録媒体に局所的に光を照射することによって、マーク長変調方式による記録マークを形成する場合において、記録マークを複数の記録パルスと冷却パルスに分割して記録を行う、いわゆる、分割記録パルスによる光記録方法に適用される。この最も基本となる記録方法を、以下に示すとおり記録パルス分割方法（Ｉ）と称する。  
【００３１】
記録パルス分割方法（Ｉ）；  
一つの記録マークの記録マーク長をｎＴとしたとき（Ｔは基準クロック周期であり、ｎは２以上の自然数である。）、前記ｎＴの記録マーク長を形成するために、  
【００３２】
【数３】
2005122874.tif 000005
【００３３】
（ここで、ｍはパルス分割数を示す自然数である。αｉ（１≦ｉ≦ｍ）は０より大きい実数であり、βｉ（１≦ｉ≦ｍ−１）は０より大きい実数であり、βｍは０以上の実数である。）のｍ個の記録パルスαｉＴ（１≦ｉ≦ｍ）とｍ個のオフパルスβｉＴ（１≦ｉ≦ｍ）を用い、１≦ｉ≦ｍのいずれかにおけるαｉＴの時間内においては記録パワーＰｗｉの記録光を照射し、１≦ｉ≦ｍ−１のいずれかにおけるβｉＴの時間内においては、Ｐｂｉ＜ＰｗｉかつＰｂｉ＜Ｐｗｉ＋１なるバイアスパワーＰｂｉの記録光を照射し、先頭の記録パルスα１Ｔは、前記ｎＴの長さを有する記録マークの先頭位置から、時間ｄＴｔｏｐ（ｎＴの長さを有する記録マークの先頭位置から遅れる場合を正とする。）だけずれて立ち上がるものとし、少なくとも２つの記録マークについては上記パルス分割数ｍを２以上とし、かつ、ｍが２以上の総ての記録マークについて２．５≦ｎ／ｍとし、複数の異なる記録マーク長を同一のパルス分割数ｍでそれぞれ形成する場合に、α１及び／又はαｍを変化させて前記異なる長さの記録マーク長をそれぞれ形成するとともに、前記α１を変化させる場合は、ｄＴｔｏｐ及び／又はβ１も変化させ、前記αｍを変化させる場合は、βｍ−１及び／又はβｍも変化させる、というパルス分割方法である。
【００３４】
このような記録パルス分割方法（Ｉ）の記録方法に従い光記録を行うことにより、基準クロック周波数が２００ＭＨｚ程度以上（基準クロック周期が５ｎｓｅｃ程度以下）での高データ転送レートでのマーク長変調記録が良好にできるようになる。より具体的には、上記記録方法に従って光記録を行うことにより、ＲＷ−ＤＶＤの４倍速程度以上、ＣＤ−ＲＷの３２倍速程度以上の記録線速度において情報の書き換えが良好にできるようになる。また、上記記録方法に従って光記録を行うことにより、特に、基準クロック周波数が３００ＭＨｚ程度以上（基準クロック周期が３ｎｓｅｃ程度以下）での高データ転送レートでの記録が良好にできるようになる。より具体的には、上記記録方法に従って光記録を行うことにより、ＲＷ−ＤＶＤの８倍速程度以上の記録線速度において、従来の記録ストラテジーでは実現不可能な良好なマーク長変調によるオーバーライト記録を実現できる。
【００３５】
本実施の形態が適用される光記録方法において、記録用光エネルギービームのエネルギー制御方法を、記録パルスストラテジー又はパルスストラテジーと総称する。特に、ｎＴマークの形成を所定の時間的な長さに分割された複数の記録パワーレベルのパルス列で形成する方法を、分割記録パルスストラテジー、記録パルス分割方法、パルス分割方法、又は、分割記録パルス発生方法と称する。
【００３６】
Ｐｗｉ及びＰｂｉは、１≦ｉ≦ｎにおける記録光の強度であり、特に、Ｐｗｉを記録パワーと称し、Ｐｂｉをバイアスパワー、オフパワー、又は冷却パワーと称する。本実施の形態においては、特に断らない限り、パワーとは、光エネルギーの強度のことを意味する。
また、記録パワーＰｗｉを照射する区間αｉＴを、オンパルス区間あるいは記録パルス区間と称し、Ｐｗｉなる強度でαｉＴなる区間に照射する光エネルギーを、オンパルスあるいは記録パルスと称する。Ｐｗｉを照射することにより、記録層を記録マーク形成に必要な臨界温度Ｔｃｍ以上に昇温せしめる。より具体的には、書き換え型相変化媒体においては、Ｔｃｍは記録層の融点である。  
【００３７】
一方、バイアスパワーＰｂｉを照射する区間βｉＴを、オフパルス区間あるいは冷却パルス区間と称し、Ｐｂｉなる強度でβｉＴなる区間に照射する光エネルギーを、オフパルスあるいは冷却パルスと称する。  
【００３８】
そして、Ｐｂｉ照射区間において、先行又は後続する記録パルス区間αｉＴで昇温された記録層から熱を放熱冷却させる。より具体的には、書き換え型相変化媒体では、非晶質マーク生成に必要な冷却速度を（単位時間当たりの温度低下率）を確保する。このため、１≦ｉ≦ｍ−１におけるＰｂｉは、少なくとも直前の記録パルスの記録パワーＰｗｉ及び直後の記録パルスの記録パワーＰｗｉ＋１よりも低くすることが必要である。具体的には、Ｐｂｉ＜Ｐｗｉ、Ｐｂｉ＜Ｐｗｉ＋１であることが必要である。非晶質マークを形成する書き換え型相変化媒体においては、特に、Ｐｂｉ≦０．２Ｐｗｉ、Ｐｂｉ≦０．２Ｐｗｉ＋１とし、冷却パルス区間において、より、効果的な拡散放熱が行われるようにする。
【００３９】
本実施の形態において、記録パワーＰｗｉ及びバイアスパワーＰｂｉは、ｉの値によって可変としてもよいが、記録方法を簡便にしてより実使用に近づけるために、Ｐｗｉ及びＰｂｉは、原則として一定値、Ｐｗ及びＰｂを取ることが好ましい。特に、ｎが６以上では、記録パルス区間αｉＴ乃至は冷却パルス区間βｉＴの時間幅のパラメータのみの調整で、同一の分割数ｍをとる複数のマーク長を形成するようにして、Ｐｗｉ、Ｐｂｉはｉ及びｎによらず、一定値Ｐｗ及びＰｂであることが好ましい。この場合にも、Ｐｂｍだけは、１≦ｉ≦ｍ−１におけるＰｂｉ＝Ｐｂとは異なる値をとることで、良好な結果が得られる場合がある。  
【００４０】
なお、レーザーダイオードの動作の安定化のために、クロック周波数より概ね１桁以上高い高周波数で出力パワーを発振させる、いわゆる高周波重畳を行う場合には、平均パワーレベルをもって記録パワーレベルとする。平均パワーレベルをもって記録パワーレベルとすることは周知である。本発明でも、高周波重畳によるパワー変動は、平均化して考えることとする。  
【００４１】
本明細書においては、記録パワーＰｗｉをｉ（１≦ｉ≦ｍ）ごとに考慮する必要のある場合には、「Ｐｗｉ」という表現を用いる。一方、記録パワーＰｗｉをｉ（１≦ｉ≦ｍ）ごとに考慮する必要のない場合、又は、記録パワーＰｗｉをｉ（１≦ｉ≦ｍ）によらず一定値と考える場合、には、「Ｐｗ」という表現を用いる。同様に、バイアスパワーＰｂｉをｉ（１≦ｉ≦ｍ）ごとに考慮する必要のある場合には、「Ｐｂｉ」という表現を用いる。一方、バイアスパワーＰｂｉをｉ（１≦ｉ≦ｍ）ごとに考慮する必要のない場合、又は、記録パワーＰｂｉをｉ（１≦ｉ≦ｍ）によらず一定値と考える場合、には、「Ｐｂ」という表現を用いる。
【００４２】
本実施の形態において、αｉＴ及びβｉＴ以外の区間での記録光強度については、特に、定めていないが、適用する記録媒体によって記録光強度が異なる。例えば、オーバーライト可能な書き換え型相変化媒体では、消去パワーＰｅを照射する。つまり、結晶状態を未記録・消去状態とし、非晶質状態を記録マークとするオーバーライト可能な書き換え型相変化媒体では、消去パワーＰｅは、記録層を結晶化温度以上、概ね融点以下の温度に昇温せしめる温度である。その場合、Ｐｅ／Ｐｗは、通常０．１以上、好ましくは０．２以上とする。一方、Ｐｅ／Ｐｗは、通常０．６以下、好ましくは０．４以下とする。上記範囲のうち、Ｐｅ／Ｐｗは、０．１〜０．６のいずれかの値であり、特に、０．２〜０．４の範囲の値がより好ましい。この比が上記範囲より小さいと、消去パワーが低すぎて、非晶質マークの消え残りが生じやすくなる。一方、上記範囲より大きいと、Ｐｅの照射部が溶融したのち、再び非晶質化してしまう場合がある。尚、この場合、最後端の冷却パルス区間βｍＴにおけるバイアスパワーＰｂｍは、Ｐｂｍ＜Ｐｗｍ、０≦Ｐｂｍ≦Ｐｅとするのが好ましい。  
【００４３】
本実施の形態における記録マーク（あるいは、単にマーク）とは、記録層中に局所的に形成された、他の部分と光学的に区別しうる物理的状態として認識される。他の部分と光学的に区別できればよいため、一つの記録マークを連続的に形成してもよいし、一つの記録マークを光学的には連結してみえる程度であっても物理的には分離した複数のマークから形成してもよい。オーバーライト可能な書き換え型相変化記録の場合においては、記録マークは、結晶状態にある未記録・初期状態の記録層中に、局所的かつ空間的に連続的に形成された非晶質マーク、又は分離して形成された複数の非晶質マークから形成される。
【００４４】
上記記録マークを物理的に分離した複数のマークで形成する場合、複数の物理的マークを概ね０．２（λ／ＮＡ）の間隔よりも近接させるようにすれば、これらの複数の物理的マークを複数の分離したマークとしてではなく、一個のまとまったマークとして光学的に認識できるようになる。なお、ＮＡは再生光の集束用の対物レンズの開口数であり、λは再生光波長である。
従って、マーク長ｎＴの記録マーク１個を複数の物理的マークから形成する場合には、複数の物理的マークの間隔を０．２（λ／ＮＡ）よりも小さくするのが好ましい。  
【００４５】
以下、図面に基づき、本実施の形態が適用される光記録方法について説明する。  
図２は、本実施の形態が適用される光記録方法におけるパルス分割方法を実施する場合の、各記録パルスの関係の一例を説明するためのタイミングチャート図である。図２（ａ）は、形成するｎＴの記録長の記録マークのタイミングチャートを示す。図２（ｂ）は、この記録マークを形成するための記録パルス分割方法のタイミングチャートを示す。 
【００４６】
光記録媒体に情報の記録を行う記録装置における、記録パワーＰｗ、バイアスパワーＰｂ、消去パワーＰｅそれぞれのレーザ光の照射タイミングを制御する電子回路（集積回路）は、図２に示すタイミングチャートを元に設計される。図２（ｂ）においては、Ｐｂ≦Ｐｅ≦Ｐｗとし、記録パルス区間αｉＴ（ｉ＝１〜ｍの整数）における記録パワーはＰｗで一定であり、冷却パルス区間βｉＴ（ｉ＝１〜ｍの整数）におけるバイアスパワーはＰｂで一定であり、マークの間及びαｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）及びβｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）以外の区間における光照射のパワーは消去パワーＰｅで一定である場合が示してある。  
【００４７】
図２（ａ）において、２００は長さｎＴの記録マークに対応した時間幅に対応する。図２（ｂ）は、ｎＴマーク長を形成するために、複数の記録パルス区間αｉＴと冷却パルス区間βｉＴに分割した光エネルギーを照射する時間変化をあらわす波形である。２００は、基準クロックに同期して時間Ｔ１（ｎＴマークの始点あるいは先頭位置と呼ぶ）で立ち上がり、時間ｎＴ経過後、また、基準クロックに同期して、時間Ｔ２（ｎＴマークの終点あるいは後端位置と呼ぶ）で立ち下がる。マーク長変調記録では、ｎとして複数の整数値を取りうる。また、マークとマークとの間も、同様に複数の時間ｎＴをとりうる。これをマーク間長もしくは、スペース長と呼ぶ。  
【００４８】
先頭記録パルスα１Ｔの立ち上がるタイミング（始点）は、時間幅ｎＴの立ち上がり（Ｔ１）から、ｄＴｔｏｐの時間的ずれが存在するものとする。本実施の形態が適用される光記録方法では、ｄＴｔｏｐは、Ｔ１から遅延する場合（ｎＴの長さを有する記録マークの先頭位置から遅れる場合）を、正の値とする。ｄＴｔｏｐは、図２及び以下の説明では、−２Ｔ以上２Ｔ以下の範囲を想定するが、ｎＴマークの時間幅の信号図２（ａ）と、実際の分割記録パルス図２（ｂ）との時間的位置関係は、相対的なものであり、時間Ｔ１をどこにとるかは任意性がある。なお、ｄＴｔｏｐは、−２Ｔ以上２Ｔ以下の値を想定しており、当然ｄＴｔｏｐ＝０（時間的ずれのない場合）もあり得る。
【００４９】
一方、βｍＴの終点とＴ２との時間的ずれがη２Ｔであり、Ｔ２より遅延する場合を、負の値とする。以上の定義に従えば、Σ（αｉ＋βｉ）Ｔ＋ｄＴｔｏｐ＋η２Ｔ＝ｎＴとなる。Σ（αｉ＋βｉ）Ｔは、必ずしも正確にｎＴである必要はないが、通常、ｎＴとの差は、プラス・マイナス２Ｔの範囲内とするのが好ましい。  
【００５０】
図１に示された従来の記録方式に対して、図２で示された本実施の形態が適用される光記録方法の意義は以下のとおりである。即ち、従来のＣＤ−ＲＷ又はＲＷ−ＤＶＤの規格書に記載の分割方式では、ｍ＝ｎ−１、ｍ＝ｎ／２又はｍ＝（ｎ＋１）／２に固定されている。即ち、記録パルスとオフパルスからなる繰り返しの周期の平均値（本実施の形態においては、この一対の記録パルスとオフ（冷却）パルスからなる繰り返しの周期、即ち、（αｉ＋βｉ）Ｔ、の平均値を、「分割（記録）パルスの平均周期」という場合がある。）は、約１Ｔ又は約２Ｔである。これに対して、本実施の形態においては、記録パルスの分割数ｍが２以上となるすべての記録マーク長において、ｎ／ｍを２．５以上とする。ｎが６以上では、ｎ／ｍは、２．５以上、好ましくは３以上とする。一方、ｎ／ｍは、通常５以下、好ましくは４．５以下、より好ましくは４以下とする。  
【００５１】
本実施の形態では、少なくとも２つの記録マーク長は、２個以上の記録パルスに分割して記録する。つまり、ｍ＝２以上である記録マーク長が少なくとも２つ存在する。マーク長変調記録では、ｎとしては２以上の自然数から複数かつ有限の値が選ばれるが、上記規定から、ｎとして５以上の値を含まれる場合を実質的に想定していることになる。通常ＣＤで使用されるマーク長変調方式では、ｎとして３以上１１以下の自然数を取りうる。また、ＤＶＤで使用されるマーク長変調方式では、ｎとして３以上１１以下の自然数と１４を取りうる。これらから、実用的なマーク長変調方式は、ｎとして５以上の値を含まれる場合を実質的に想定している。従って、本実施の形態が適用される光記録方法は、上記実用的なマーク長変調方式での記録に適用可能である。
【００５２】
なお、ｎは、符号理論によって有限個の値をとることができる。また、ｎの値に上限を決める必要はない。但し、ｎは、通常１００以下、実用的には５０以下、より実用的には２０以下の値をとる。ｎが取りうる最大値をｎｍａｘとする。一方、ｎの最小値（ｎｍｉｎ）は、通常２又は３である。
【００５３】
ここで、仮にｄＴｔｏｐ及びη２を０とすると、Σｉ（αｉ＋βｉ）／ｍ＝ｎ／ｍであるから、ｎ／ｍは（αｉ＋βｉ）の平均的な長さに対応する値であり、（ｎ／ｍ）Ｔは、また、分割パルスの平均周期に対応する値となる。従って、本実施の形態では、記録パルスとオフパルスからなる繰り返しの平均周期（分割パルスの平均周期）を概ね３Ｔとすることができる。
【００５４】
概ね３Ｔであるとは、ｍが２以上となるすべてのマーク長において、個々の（αｉ＋βｉ）Ｔ（１≦ｉ≦ｍ−１）の値が２．５Ｔ以上、好ましくは３Ｔ以上となることをいう。一方、「概ね３Ｔ」という場合は、個々の（αｉ＋βｉ）Ｔ（１≦ｉ≦ｍ−１）の値は、通常５Ｔ以下、好ましくは４．５Ｔ以下、より好ましくは４Ｔ以下となる。また、個々の（αｉ＋βｉ）Ｔ（１≦ｉ≦ｍ−１）の平均値は、通常、２．５Ｔ以上４．５Ｔ以下となる。
【００５５】
ここで、（αｍ＋βｍ）Ｔの場合を除外したのは以下の理由による。すなわち、後述のように、βｍＴは、ゼロとなりうる等他のβｉＴと大きく異なる値をとりうる。このため、（αｍ＋βｍ）Ｔが必ずしも２．５Ｔ以上４．５Ｔ以下の範囲とならない場合があり得るからである。
【００５６】
この場合、同一分割数ｍで記録すべき、異なる記録マーク長の数が、平均して３個以上となるという特徴がある。即ち、ｎ／ｍが概ね３であれば、必然的に、同一の分割数ｍで形成すべき記録マーク長は平均して３個となる。  
【００５７】
本実施の形態の説明においては、従来の図１（ｂ）、（ｃ）で規定されたパルス分割方法を、記録パルスの繰り返し周期に注目した「１Ｔストラテジー」、及び「２Ｔストラテジー」と呼ぶ。一方、本実施の形態が適用されるパルス分割方法は、特にこの分割パルスの平均周期を概ね３Ｔとするため、「３Ｔストラテジー」と称する。  
【００５８】
基準クロック周期Ｔがおよそ３ｎｓｅｃを切ると、従来の「１Ｔストラテジー」においては、分割パルスの平均周期が概ね３ｎｓｅｃを切る。従来の「２Ｔストラテジー」における分割パルスの平均周期は６ｎｓｅｃより短くなる。そしてこの場合、記録パルス区間αｉＴの平均値又はオフパルス区間βｉＴの平均値は「１Ｔストラテジー」では、約１．５ｎｓｅｃ以下、「２Ｔストラテジー」でも約３ｎｓｅｃ以下となる。これは少なくとも一つのｉに対して、従来ストラテジーでは、αｉＴもしくはβｉＴのいずれかが３ｎｓｅｃ以下になることを示す。なお、上記の説明において、どれか特定のαｉもしくはβｉを平均値より長くしたとしても、それは別のβｉもしくはαｉがさらに短くなることを意味している。このため、やはりαｉＴもしくはβｉＴのいずれかが小さくなることに変わりはない。そして、αｉＴもしくはβｉＴのいずれかが概ね３ｎｓｅｃ以下、さらには、２ｎｓｅｃ以下となると、高速記録においてビームの照射及び冷却時間が十分に確保されなくなる場合がある。  
【００５９】
一方、本実施の形態が適用される光記録方法において、ｍが２以上となるすべての記録マーク長において、ｎ／ｍを２．５以上とする。さらにｎが６以上では、ｍを２以上とし、ｎ／ｍを２．５以上とする。好ましくは、ｎが６以上では、ｍを２以上とし、ｎ／ｍを３以上とすることである。一方、ｎ／ｍの上限は、５以下とすることが好ましい。
【００６０】
ｍ、ｎ／ｍを上記のように規定することによって、記録パルスとオフパルスからなる繰り返しの平均周期を概ね３Ｔとすることができ、αｉＴとβｉＴの長さを十分なものとできるのである。例えば、記録パルス区間αｉＴ、オフパルス区間βｉＴを１Ｔより十分長めに取ることができ、基準クロック周期Ｔが約３ｎｓｅｃ程度になっても、平均的な記録パルス幅、及び、冷却パルス幅を約２ｎｓｅｃ以上とできる。このため、記録層の加熱を十分に行うことができるようになる一方、後続パルスによる熱の供給を抑えて十分な冷却効果を得ることができる。このために、ｍが２以上の場合においては、隣り合う記録パルスの立ち上がり時間の間隔が、少なくとも２．５Ｔ以上、さらには３Ｔ以上離れており、βｍＴを除く、すべてのβｉＴ（１≦ｉ≦ｍ−１）が、１Ｔより大きいことが好ましい。逆に、本実施の形態においては、基準クロック周期Ｔが、およそ３ｎｓｅｃ以下となっても、βｉＴ（１≦ｉ≦ｍ−１）を１Ｔより大きくすることが容易に実現できる。  
【００６１】
ｍが２以上の記録マーク長のいずれかで、ｎ／ｍが２．５未満であれば、図１に示された従来のストラテジーの範疇となり、一部の記録マークで上記本発明効果が得られず、ジッタ等が悪化するので、ｍが２以上のすべての記録マーク長に対してｎ／ｍが２．５以上となることが重要である。  
【００６２】
一方、ｎ／ｍは、ｎ＝５なる記録マークを一個の記録パルスで形成する場合を除き、通常５以下、好ましくは４．５以下とする。ｎ／ｍが５より大きい場合、各記録パルス間の間隔が開きすぎて、光学的に見て連続な記録マークの形成が困難となる場合がある。  
【００６３】
図２において、少なくともｍが２以上となるすべての記録マーク長においては、３Ｔ乃至は４Ｔ周期のいずれかとなるように、αｉＴの立ち上がり及びαｉＴの立下りをクロック周期に同期させることが好ましい。これは、分割記録パルス発生のための電気回路が簡便化される、等の利点が発揮されるようになるためである。このため、１≦ｉ≦ｍ−１における個々の（αｉ＋βｉ）Ｔの値は、３Ｔ乃至は４Ｔ（１≦ｉ≦ｍ−１における（αｉ＋βｉ）が概ね３又は４のいずれかの値をとる）を基本とする。そして、先端のα１Ｔ及び後端のαｍＴ立ち上がり（乃至は立下り）や、βｍＴの終点のタイミング（ＰｂからＰｅへの切り替えのタイミング）を、当該３Ｔ乃至は４Ｔ周期を基準として、若干ずらすことが好ましい。なお、αｉＴと基準クロック周期は、αｉＴの立ち上がり（始点）で同期をとっても良いし、αｉＴの立ち下がり（終点）で同期をとっても良い。  
【００６４】
つまり、ｎＴマーク長に対応する時間幅ｎＴの始点Ｔ１を基準として、記録パルスは、３Ｔあるいは、４Ｔ周期に同期して立ち上がる（乃至は立下りが同期する）ようにするのが好ましい。３Ｔ周期のみでもいいが、一部が４Ｔ周期となっていても良い。  
【００６５】
ここで、α１Ｔは、かかる同期のタイミングＴ１に対して、ｄＴｔｏｐのずれを許容する。また、αｍＴの立ち上がり時間をＴ３とすると、α１Ｔの立ち上がりの時間Ｔ１から、ｘ個の３Ｔ周期とｙ個の４Ｔ周期（ｘ、ｙは整数）を経てＴ３に到る。但し図２（ｂ）に示すように、αｍＴの立ち上がりのタイミングは、かかる同期のタイミングに対して、ｄＴｌａｓｔのずれを許容するものとする。そして、Ｔ３からのずれをｄＴｌａｓｔと定義する。ｄＴｌａｓｔは、Ｔ３から遅延する場合を、正の値とする。本実施の形態が適用される光記録方法では、このようなｄＴｔｏｐ及びｄＴｌａｓｔ分のずれを考慮した上での、（αｉ＋βｉ）に対する制限を、「（αｉ＋βｉ）が概ね３又は４のいずれかの値をとる」という。  
【００６６】
さて、本実施の形態が適用される光記録方法では、少なくとも２つ以上、好ましくは３個以上の記録マーク長において、ｍが２以上、つまり２個以上の記録パルスに分割して記録を行う。前述のように、ｎ／ｍが概ね３であれば、必然的に、同一の分割数ｍで形成すべき記録マーク長は平均して３個となる。従って、同一の分割数で、少なくとも３個の異なる長さの記録マークを、それぞれ形成することが好ましい。  
【００６７】
本実施の形態が適用される光記録方法では、複数の異なる記録マーク長を同一のパルス分割数ｍでそれぞれ形成するために、少なくともα１及び／又はαｍを変化させる。つまり、主として、先頭の記録パルスα１Ｔ、又は、後端記録パルスαｍＴを変化させて前記異なる長さを有する記録マークを、それぞれ形成る。そして、前記α１を変化させる場合は、ｄＴｔｏｐ及び／又はβ１も変化させ、前記αｍを変化させる場合には、βｍ−１及び／又はβｍも変化させる。この場合、上記で変化させる可能性のある「α１、ｄＴｔｏｐ、β１」及び／又は「αｍ、βｍ−１、βｍ」以外の、αｉ（２≦ｉ≦ｍ−１）及びβｉ（２≦ｉ≦ｍ−２）は、ｉによらない一定値αｃ及びβｃをとることがより好ましい。
【００６８】
本実施の形態が適用される光記録方法において好ましいのは、複数の異なる記録マーク長を同一のパルス分割数ｍでそれぞれ形成するために、少なくともα１又はαｍを変化させることである。そして、前記α１を変化させる場合は、ｄＴｔｏｐ及び／又はβ１も変化させ、前記αｍを変化させる場合には、βｍ−１及び／又はβｍも変化させる。この場合、上記で変化させる可能性のある「α１、ｄＴｔｏｐ、β１」又は「αｍ、βｍ−１、βｍ」以外の、αｉ（２≦ｉ≦ｍ−１）及びβｉ（２≦ｉ≦ｍ−２）は、ｉによらない一定値αｃ及びβｃをとることがより好ましい。  
【００６９】
本実施の形態が適用される光記録方法においてより好ましいのは、以下の方法である。すなわち、同一のパルス分割数ｍで形成する複数の異なる記録マーク長における、１つの記録マーク長Ａを形成するために用いる光記録方法を基準として考える。そしてこの基準とする光記録方法においてα１又はαｍを変化させることにより、前記複数の異なる記録マーク長における前記記録マーク長Ａ以外の記録マーク長を形成することである。このように、同一のパルス分割数ｍで形成する複数の異なる記録マーク長において基準となるマーク長を決めることにより、独立パラメータ数を削減できる。この結果、レーザー発光制御用の電子回路の設計が簡便となる。
【００７０】
ここで、同一のパルス分割数ｍで３つ以上の異なる記録マーク長を形成することが好ましい。このように３以上の記録マークを同一分割数ｍで形成するようにすれば、さらに独立パラメータの数を減らすことができる。この結果、レーザー発光制御用の電子回路の設計をさらに簡便にできるようになる。
【００７１】
（ｄＴｔｏｐ、α１Ｔ＝Ｔｔｏｐ、β１）及び（βｍ−１、αｍＴ＝Ｔｌａｓｔ、βｍＴ＝Ｔｃｌ）は、それぞれマークの前後端位置とジッタの微調整に用いるパラメータであり、ｎＴに比例したマーク長の補正は、主としてこれらの時間にかかわるパラメータの増減によって実現される。なお、前述のように、（αｉ＋βｉ）が概ね３又は４のいずれかの値をとる場合には、β１Ｔはβ１Ｔ＝（３Ｔもしくは４Ｔ）−（Ｔｔｏｐ＋ｄＴｔｏｐ）で自動的に決まり、βｍ−１Ｔはβｍ−１Ｔ＝（３Ｔもしくは４Ｔ）−αｃＴ＋ｄＴｌａｓｔで自動的に決まる。その場合には、（Ｔｔｏｐ、ｄＴｔｏｐ）で、マーク前端における調整を行い、（Ｔｌａｓｔ、ｄＴｌａｓｔ、Ｔｃｌ）で、マーク後端における調整を行う。  
【００７２】
本発明者等は、前述した文献（例えば、Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  ＰＣＯＳ２０００、相変化記録研究会、２０００年１１月３０日、２０００年１１月３０日−１２月１日号、ｐ．５２−５５）において、同一の分割数ｍにおける偶数長マークと奇数長マークとの１Ｔ分のマーク長の差を良好に実現させるために、主としてβ１Ｔとβｍ−１Ｔの長さをそれぞれ補正してβ１’Ｔ、βｍ−１’Ｔとすることを提案している。  
【００７３】
しかしながら、さらに検討を行った結果、上記β１とβｍ−１との補正だけでは、同一分割数ｍにおける複数の異なるマーク長を良好に形成することができなくなることが判明した。特に、同一分割数ｍで３個以上の異なるマーク長を、それぞれ形成する場合、β１、βｍ−１更にはその他のオフパルス区間の長さのみを調節して、同一分割数ｍにおける複数のマーク長を調整し、かつ、記録パワーがある程度変動した場合においても良好な記録特性を実現することは困難となることが判明した。  
【００７４】
従来の記録パルス分割方法において、オフパルス区間βｉＴ、（主としてβ１Ｔ、βｍ−１Ｔ）だけで、同一分割数ｍにおける複数の異なるマーク長を形成する場合、上記マーク形成のために付与される記録パルス区間の総和ΣαｉＴは、これらのマーク長で同一となる。また、本実施の形態において、好ましくは、一つの記録マークを形成する際の記録パルス区間における記録パワーＰｗが一定（つまり、α１ＴからαｍＴまでの各区間において記録パワーＰｗを一定とする。）である場合を想定している。このため、マーク長が異なるにもかかわらずΣαｉＴが同じであるということは、同一分割数の複数のマーク長形成にかかわる記録エネルギーの総和：Ｐｗ×（ΣαｉＴ）が同一となることを意味する。      
【００７５】
ところで、光記録媒体に記録を行うための記録装置（ドライブ）は、個々の記録装置間でレーザ発生装置の出力に若干のばらつきを有するのが通常である。これは、上記記録パワーＰｗが記録装置間でばらついているか、同一装置でも記録を行うごとに上記記録パワーＰｗがばらつくことを意味する。本発明者らが鋭意検討を加えた結果、上記した同一分割数の複数のマーク長形成に用いる記録エネルギーの総和：Ｐｗ×（ΣαｉＴ）を一定とする記録エネルギーの照射方法では、上記記録装置間のＰｗのばらつき又は同一装置における記録毎のＰｗのばらつきにより、同一分割数ｍにおける各マーク長のＰｗによる変化率ΔＴｍａｒｋが同一とならない問題があることがわかった。つまり、ＰｗがばらついてΔＰｗの変化があったときに、各マーク長の変化率ΔＴｍａｒｋがほぼ同一であれば問題はないが、記録方法としてオフパルス区間のみの補正（Ｐｗ×（ΣαｉＴ）を一定とする方法）を行うと、ΔＰｗによって、各マークのΔＴｍａｒｋの異なりが顕著になることが分かった。この場合、特に、マーク間長のジッタ（スペースジッタ又はランドジッタという）が大きくなりやすくなる。  
【００７６】
尚、図１に示す従来の１Ｔベースの記録パルス分割方法では、マーク長が１Ｔ変化するたびに記録パルスを１個追加していたので、マーク長が長ければ、記録エネルギーの総和が単調増加するという規則が維持されていた。このため、記録装置間のＰｗのばらつき又は同一装置における記録毎のＰｗのばらつきに伴う、ΔＴｍａｒｋは、ほぼ一定であったので、この問題は現れなかった。  
【００７７】
一方、本発明「３Ｔストラテジー」の記録パルス分割方法では、上記Ｐｗが変動したときのΔＴｍａｒｋを同一分割数ｍで形成される複数のマーク長においてほぼ一定とする必要があるために、格別の工夫が必要になる。  
【００７８】
このため、本発明者らは、記録装置間のΔＰｗに伴って生ずるΔＴｍａｒｋを、同一分割数ｍで形成される複数のマーク長の間においてほぼ一定とするために、以下の方法が有効であることを見出した。すなわち、同一分割数ｍにおける、異なるマーク長を形成する場合に、αｍＴ又はα１Ｔの少なくともいずれか一方を必ず補正し、記録エネルギーの総和Ｐｗ×（ΣαｉＴ）を、マーク長ともに単調に増加させることが有効であることを見出したのである。
【００７９】
即ち、マーク長を短くする場合には、αｍＴ乃至はα１Ｔの少なくとも一方を減少させることが好ましい。一方、マーク長を長くする場合には、αｍＴ乃至はα１Ｔの少なくとも一方を増加させることが好ましい。  
【００８０】
一方、記録パルスαｉＴ（１≦ｉ≦ｍ）のうちのいずれを調整するかについては、ｍが増減する毎に最後尾のαｉＴが１個増えるのと同様の機能を持たせるために、同一のｍにおいては最後尾のαｉＴ即ち、αｍＴの長さを調節することが最も好ましい。α１Ｔ〜αｍ−１Ｔまでの、分割記録パルス発生方法を一定とできるので、独立パラメータ数を少なくできるからである。  
【００８１】
次いで、Ｔｔｏｐ＝α１Ｔを調整することが好ましい。このように、最前部α１及び最後尾のαｍを調節することが好ましいのは、このような調整により、少なくとも中間記録パルス、αｉＴ（２≦ｉ≦ｍ−１）を一定に保つこと、αｉ＋βｉ（２≦ｉ≦ｍ−１）を概ね３又は４のいずれかの値とすること、が可能となるからである。  
【００８２】
そして、基準とするマーク長に対して、マーク長を±１Ｔ増減させる場合には、まず、Ｔｌａｓｔ＝αｍＴを概ね１Ｔ以内で増減することが好ましい。２Ｔ以上のマーク長の増減を行う場合、これに加えて、Ｔｔｏｐ＝α１Ｔを概ね１Ｔ以内で増減するのが好ましい。  
【００８３】
さらに、本発明者等の検討により、Ｔｔｏｐ＝α１Ｔを変更した場合には、ｄＴｔｏｐ及び／又はβ１Ｔを調整し、αｍＴを調整した場合には、βｍ−１Ｔ及び／又はβｍＴをあわせて調整することが、１Ｔ分のマーク長の補正と共に、マーク端における低いジッタを得ることに有効であることがわかった。  
【００８４】
α１Ｔの長さの変化は、α１Ｔ照射による記録層溶融領域の前後への広がりを発生させるだけではない。つまり、この記録層溶融領域の前後への広がりに伴って、余熱効果も変化する。従って、α１Ｔの長さを変えると、マーク先端の再結晶化の状態が変化する傾向となる。このため、本発明においては、上記再結晶化の状態の変化を補うために、β１Ｔを調整する。そして、さらに好ましくはｄＴｔｏｐを微調整する。
【００８５】
つまり、α１Ｔを長くした場合には、上記余熱効果が増すため、β１Ｔも長くして、冷却効果を増すようにする。そして、必要に応じてｄＴｔｏｐの長さを調整することにより、マーク先端位置をより正確に制御する。一方、α１Ｔを短くした場合には、上記余熱効果が減るため、β１Ｔも短くして、冷却効果を減らすようにする。ただし、α１Ｔ及びβ１Ｔを短くすることは、（α１＋β１）Ｔの周期を３Ｔより大幅に小さくすることとなる場合がある。このため、α１Ｔを長くするように調整を行うことが好ましい。
【００８６】
αｍＴの長さの変化は、α１Ｔの長さを変化させる場合と同様に、αｍＴ照射による記録層溶融領域の前後への広がりを発生させるだけではない。つまり、この記録層溶融領域の前後への広がりに伴って、余熱効果も変化する。従って、αｍＴの長さを変えると、マーク後端の再結晶化の状態が変化する傾向にある。このため、本発明においては、上記再結晶化の状態の変化を補うために、βｍ−１Ｔを調整する。そして、さらに好ましくはβｍＴを調整する。
【００８７】
つまり、αｍＴを長くした場合には、上記余熱効果も増すため、βｍ−１Ｔ又はβｍＴを長くして冷却効果を増すようにする。一方、αｍＴを短くした場合は、上記余熱効果が減るため、βｍ−１Ｔ又はβｍＴを短くして冷却効果を減らすようにする。ただし、αｍＴを短くする場合にβｍ−１ＴやβｍＴを短くする操作と、αｍＴを長くする場合にβｍ−１ＴやβｍＴを長くする操作と、を比較すると、より重要なのは、αｍＴを短くする場合にβｍ−１ＴやβｍＴを短くする操作である。このため、αｍＴを長くする場合には、βｍ−１ＴやβｍＴを長くする操作は省略できる場合がある。
【００８８】
本実施の形態では、α１を調整する際にはｄＴｔｏｐ及び／又はβ１を調整し、αｍを調整する際にはβｍ−１及び／又はβｍを調整する。しかしながら、同一分割数ｍで３以上の記録マーク長を形成する場合に２つの記録マーク長で上記条件が満足されていれば、ある程度の効果が得られる場合もある。このため、例えば以下の様な制御方法の例も本発明に含まれる。すなわち、例えば、同一分割数ｍで形成する３以上の記録マーク長における２つの記録マーク長を、αｍを減ずると同時にβｍ−１及び／又はβｍを調整して形成する。そして、上記２つの記録マーク長とは異なる記録マーク長を形成するために、αｍを増やす場合には、βｍ−１、βｍを変えないようにしてもよい。
【００８９】
これより、良好な高速記録が確実に行えるようになるとともに、特に、後述のＣＡＶやＰ−ＣＡＶ記録のように幅広い線速度範囲で良好な記録を行えることもわかった。  
さらに、本発明者等の検討によれば、αｍを増減して１Ｔ分のマーク長差を付与する場合に、その増減量は正確に１であるよりも、０〜１の範囲にあることが好ましいこともわかった。同様に、α１を増減して１Ｔ分のマーク長差を付与する場合に、その増減量は正確に１であるよりも、０〜１の範囲にあることが好ましいこともわかった。  
【００９０】
さて、図２に示すような、実際の分割記録パルス光をレーザーダイオードから出力させるには、図３に例として示すようなタイミングチャートでゲート信号を発生する論理レベルの集積回路出力を、レーザードライバー回路に入力する。そして、レーザー駆動のための大電流を制御し、レーザーダイオードからの光出力を制御して記録パワーの制御をすることで、図２に示すような分割記録パルス光の制御が達成される。  
【００９１】
図３は、本実施の形態が適用される光記録方法において、記録パルス分割方法を発生する（論理）回路のタイミングチャートの具体的な例であり、特に、ｎ＝１１、ｍ＝４である場合に、各記録パルス及び冷却パルス区間が、基準クロック（３００）とできるだけ同期するように設定された例である。つまり、１≦ｉ≦ｍ−１における（αｉ＋βｉ）Ｔが、概ね３Ｔ周期となる例であるが、この一部または全部に４Ｔ周期が混じってもかまわない。図３では、論理レベルの高低２値レベルの切り替えに対応して、各パルスの生成（ＯＮ）と休止（ＯＦＦ）とが決まる。  
【００９２】
図３（ａ）は、時間幅ｎＴのｎＴマーク長信号（３０１）であり、図３（ｂ）〜（ｅ）に示すように、３０２、３０３、３０４、３０５にそれぞれ示された複数の記録パルス制御用ゲートを組み合わせて生成される。即ち、先頭記録パルスα１Ｔを生成するゲート信号Ｇ１（３０２）、中間記録パルス群αｉＴ（２≦ｉ≦ｍ−１）を生成するゲート信号Ｇ２（３０３）、および後端記録パルスαｍＴ（３０４）を生成するゲートＧ３、Ｐｅ及びＰｂを印加する区間を定義して冷却パワーパルスを生成するための冷却パルス／消去パワー切り替えゲート信号Ｇ４（３０５）を別々に生成し、これを合成する。Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３においては、ＯＮレベルにおいて、記録パワーが発光されるものとする。なお、ゲート信号Ｇ４はそのオン区間は、α１Ｔの立ち上がりを基点として（即ち、Ｔ１からｄＴｔｏｐだけ遅延後）、Σ（αｉ＋βｉ）Ｔの区間として設定される。  
【００９３】
このようなゲート信号の優先関係は、ゲートのオン／オフを論理的な１（Ｈｉｇｈ）、０（Ｌｏｗ）レベルに対応させて、各ゲート制御の論理信号の和演算を行うことによって達成される。具体的には、Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３のオン信号が、Ｇ４のオン信号に優先し、Ｇ４オン期間中（Ｐｂ照射中）でも、Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３がオンとなれば、Ｐｗを照射するようにする。その結果、ゲート信号Ｇ４は、Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３がいずれもオフとなる区間において、オフパルス区間βｉＴのタイミングを規定することになる。また、Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４の全てがオフの場合にＰｅが照射される。  
【００９４】
図３３は、本発明の光記録方法を実施するための光記録装置の一例であり、コンピュータ用のデータを記録するための光ディスク記録・再生装置としての実施形態の例である。
図３３において、２００１は、図示しないホストコンピュータとのデータの受け渡しをするためのインターフェース（Ｉ／Ｆ）回路、２００２は記録するデータを符号変調するための変調回路、２００３は該変調回路２００２で変調された信号に基づき分割記録パルスを生成するための分割記録パルス生成制御回路である。また、２００４は、分割記録パルス生成制御回路２００３の出力する論理レベルの制御信号に基づいてレーザー光出力を制御するためのＬＤドライバ、２００５は光ディスク記録・再生装置の光源となる半導体レーザー（ＬＤ）である。さらに、２００６は、半導体レーザー２００５からのレーザー光を記録媒体である光ディスク２００７上に出射光として出力させ、光ディスク２００７からの反射光を分離してフォトディテクタ２００８に導くためのビームスプリッタである。
【００９５】
レーザー光は対物レンズ２００９により、光ディスク２００７上に集束する。なお、フォトディテクタ２００８は反射光を受光して電気信号に変換するための部品である。
【００９６】
また、２０１０はフォトディテクタ２００８の出力する電気信号から光ディスク２００７上に記録された信号を検出し、そのための基準クロック（周期Ｔ）を生成する再生回路である。また、２０１１は上記再生回路２０１０より再生された光ディスク２００７上に記録されたデータを復調するための復調回路であり、２０１２は光ディスク２００７の記録・再生装置全体を制御するためのドライブマイコンである。さらに、２０１３は光ディスク（記録媒体）２００７を回転させるためのスピンドルモーターである。
【００９７】
光ディスク（記録媒体）２００７上に記録される記録データは、上記変調回路２００２より符号変調されたパラレルデータをさらに、シリアルなＮｏｎ  Ｒｅｔｕｒｎ  ｔｏ  Ｚｅｒｏ  Ｉｎｖｅｒｔｅｄ（ＮＲＺＩ）信号に変換するマーク変調記録方式が採用されている。その際の動作クロックは上記再生回路２０１０から出力される基準クロックである。通常は、再生回路２０１０においては、光ディスク２００７上にあらかじめ形成された案内溝の溝蛇行（ｗｏｂｂｌｅ）信号を検出して、基準クロックを抽出する。このため、記録線速度に応じた基準クロックが得られる。
【００９８】
本実施の形態によれば、この分割記録パルス生成制御回路２００３では、ｎＴマーク長を形成するための分割記録パルスを、図３のタイミングチャートの例に示すような複数の部分パルスからなるゲート信号を分割生成する。そして、これらのうち記録パルスにかかわるゲート信号Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３を合成した分割記録パルス制御信号Ｇｓと、Ｇ４とを出力する。一連のｎＴマーク長が順に発生されるにつれ、対応するゲート信号Ｇｓとマーク間の消去パワーレベルを規定するゲート信号Ｇ４が順次発生される。
【００９９】
なお、図３のタイミングチャートでは、４つの部分パルス群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３、Ｇ４を生成するゲート信号を用いたが、本発明における分割記録パルスの生成においては、必要に応じて、異なる組み合わせのゲート信号を用いることもできる。
【０１００】
一方、この４つのゲート信号発生において、たとえば、記録媒体Ａに対して最適化された記録パルスを発生するためのゲート信号ＧＡ（Ｇ１Ａ，Ｇ２Ａ，Ｇ３Ａ，Ｇ４Ａ）、記録媒体Ｂに対して最適化された記録パルスを発生するためのゲート信号ＧＢ（Ｇ１Ｂ，Ｇ２Ｂ，Ｇ３Ｂ，Ｇ４Ｂ）のように、複数の記録媒体のそれぞれに適したゲート信号を用意し、ドライブマイコン２０１２からの選択信号２０２０によって選択することもできる。さらに、記録線速度のそれぞれに応じた分割記録パルスを生成するためのゲート信号を選択して使用する事もできる。
【０１０１】
ＬＤドライバ２００４は、図３４に示すような構成となっている。セレクタ２０３０は、複数（ここでは３個）のチャネル（出力端子）へそれぞれディジタル電圧制御信号を出力するためのものである。セレクタ２０３０で出力される３個のチャネルに対してそれぞれ指定されたディジタル電圧制御信号は、各チャネル（Ｃｈ１，Ｃｈ２，Ｃｈ３）から供給されるＬＤ駆動用電流の大きさを示している。上記ドライブマイコン２０１２が設定した光ディスク２００７に最適な分割記録パルスに基づき、例えば、ｃｈ１には、バイアスパワーＰｂに相当する値の電圧値、ｃｈ２にはバイアスパワーＰｂと合わせて消去パワーＰｅとなる値の電圧値、ｃｈ３には、バイアスパワーＰｂ及び消去パワーＰｅと合わせて記録パワーＰｗになる値の電圧値を出力する。
【０１０２】
このようなセレクタ２０３０の各チャネルからのディジタル電圧出力は、次に、ディジタル・アナログ変換器（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｎａｌｏｇ  Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ（以下ＤＡＣという場合がある。）１，ＤＡＣ２，ＤＡＣ３（それぞれ、２０３１，２０３２，２０３３で示す）へ入力されてアナログ電圧に変換され、さらに、それぞれの電圧―電流（Ｖ／Ｉ）変換器２０３４，２０３５，２０３６により電流に変換される。その後、これら各チャネルの電流は、それぞれ、電流を増幅するためのイネーブル端子つきの電流増幅アンプ２０３７，２０３８，２０３９を介して電流加算器２０４０へ導かれる。その出力として半導体レーザー２００５を制御・駆動するＬＤ（制御電流）が得られる。
【０１０３】
上記各チャネルｃｈ１、ｃｈ２の電流増幅アンプ２０３７，２０３８のイネーブル端子には、それぞれ分割記録パルス生成制御回路２００３からのゲート信号ＧｓとＧ４から生成した２種のチャネルイネーブル信号（ｃｈ１  ｅｎｂ，ｃｈ２  ｅｎｂ）が入力されている。
なお、各チャネルイネーブル信号（ゲート信号）とチャネル信号（各パワーレベルレベル）との関係を以下の表１に示す。こうして所望の電流パターンのＬＤ制御信号が得られる。
【０１０４】
【表１】
2005122874.tif 000006
【０１０５】
なお、セレクタ２０３０においては、通常は、上記ｃｈ１、ｃｈ２に加え、再生光パワーレベルを出力するためのチャネルｃｈ３、チャネルイネーブル信号ｃｈ３  ｅｎｂが追加される。また、Ｇ１、Ｇ２，Ｇ３のそれぞれに対して異なる記録パワーレベルを用いる場合には、それぞれを異なるチャネルに入力する。
【０１０６】
中間記録パルス群αｉＴ（２≦ｉ≦ｍ−１）は、ｍが３以上の場合に存在しうるが、その値は、ｉによらず一定値αｃＴを取ることが、ゲートＧ２を簡便化する上で好ましい。さらに、αｃはｎによって異なる値を取ることも可能であるが、ｎによらず一定値をとることが回路を簡便にするためには好ましい。  
【０１０７】
マーク後端位置は、最後端の後端記録パルスαｍＴ＝Ｔｌａｓｔの立下り位置や、その後の記録層温度の冷却過程に依存する。また、マーク後端位置は、マーク最後端の分割パルス周期（αｍ＋βｍ）Ｔにおける、記録パワーＰｗｍ、バイアスパワーＰｂｍ、βｍ−１、αｍ、及びβｍの値に依存する。本実施の形態が適用される光記録方法では、最後端の記録パルス区間αｍＴ＝Ｔｌａｓｔ及びオフパルス区間βｍＴ＝Ｔｃｌの値が、記録層の冷却速度に大きな影響を与える。
【０１０８】
Ｔｌａｓｔの立下り（終点）は、Ｔｃｌの開始位置（始点）である。Ｔｌａｓｔの立ち上がり（始点）は、やはり、ｄＴｌａｓｔによって基準クロックＴ３からのずれをもって規定される。ｄＴｌａｓｔは、Ｔ３より遅れる方向を正とする。後述のｄＴｌａｓｔ＋及びｄＴｌａｓｔ−も同様に定義する。
【０１０９】
ｄＴｌａｓｔは、通常−１．５Ｔ以上、好ましくは−Ｔ以上、より好ましくは−０．５Ｔ以上とする。一方、ｄＴｌａｓｔは、通常１．５Ｔ以下、好ましくはＴ以下、より好ましくは０．５Ｔ以下とする。αｍ−１Ｔの立ち上がり（始点）からＴ３までの時間が、３Ｔ又は４Ｔであれば、βｍ−１Ｔは、βｍ−１Ｔ＝（３Ｔ又は４Ｔ）−αｃＴ＋ｄＴｌａｓｔで自動的に決まる。  
【０１１０】
先ず、Ｔｌａｓｔを概ね１Ｔ、より好ましくは、０以上１Ｔ以下の範囲で増減して、マーク長を１Ｔ増減し、Ｔｃｌで、ジッタが低くなるように調整し、ｄＴｌａｓｔで正確に１Ｔ分のマーク長差が得られるように微調整する。Ｔｃｌの調整とｄＴｌａｓｔの調整は、いずれか一方でもよい場合もある。また、βｍ−１が、上述のように、周期３Ｔ又は４Ｔ、Ｔｌａｓｔ、ｄＴｌａｓｔで自動的に決まってもかまわない。その場合、独立パラメータ数を少なくできる。  
【０１１１】
一方、マーク前端の位置は、ほぼ先頭記録パルスα１Ｔ＝Ｔｔｏｐにおける記録パワーレーザー光の立ち上がり位置で決まり、そのジッタは、α１Ｔとβ１ＴにおけるパワーＰｗ１、Ｐｂ１、さらには、α１Ｔとβ１Ｔのデューティー比で決まる。また、α１Ｔ＝Ｔｔｏｐの立ち上がり位置は、クロック周期を基準にして、ｄＴｔｏｐのずれにも依存する。ｄＴｔｏｐは、Ｔ１より遅れる方向を正とする。
【０１１２】
ｄＴｔｏｐは、通常−１．５Ｔ以上、好ましくは−Ｔ以上、より好ましくは−０．５Ｔ以上とする。一方、ｄＴｔｏｐは、通常１．５Ｔ以下、好ましくはＴ以下、より好ましくは０．５Ｔ以下とする。Ｔ１からα２Ｔの立ち上がり（始点）までの時間が、３Ｔ又は４Ｔであれば、β１Ｔは、β１Ｔ＝（３Ｔ又は４Ｔ）−（Ｔｔｏｐ＋ｄＴｔｏｐ）で自動的に決まる。      
【０１１３】
先ず、Ｔｔｏｐを概ね１Ｔ、より好ましくは０以上１Ｔ以下の範囲で増減して、マーク長を１Ｔ増減する。そして、β１でジッタが低くなるように調整する。さらに、ｄＴｔｏｐで正確に１Ｔ分のマーク長差が得られるように微調整する。  
β１の調整とｄＴｔｏｐとの調整は、いずれか一方でもよい場合もある。また、β１が、上述のように、周期３Ｔ又は４Ｔ、Ｔｔｏｐ、ｄＴｔｏｐで自動的に決まってもかまわない。その場合、独立パラメータ数を少なくできる。  
【０１１４】
分割数ｍが３以上である場合は、先頭のパルスと最後尾のパルスと間に存在する中間記録パルス群のうち、ｉ＝２〜ｍ−１のαｉＴは一定値αｃ、（αｃＴ＝Ｔｍｐ）とすることでパルス発生回路を簡便化できることはすでに述べた。さらに、（αｉ＋βｉ）Ｔも３Ｔ又は４Ｔのいずれかの値のみを取ることも、パルス発生回路を簡便化でき好ましいことをすでに述べた。ここで、「一定値」と言う場合、電子回路等の実性能上不可避的に発生するずれは許容されるものとする。即ち、良好な記録が可能となる本実施の形態の効果を奏する限り、多少のずれが生じてもよいのである。例えば、±０．２Ｔ程度のずれは、電子回路等の実性能上不可避的に発生するずれに含まれることになる。
【０１１５】
以上のようにすることにより、記録パルスストラテジーの記録パルス及びオフパルスのレーザー光（パルス光）発生を制御する制御回路（論理回路、及びレーザードライバー回路）の設計がより簡便化されるようになる。  
【０１１６】
本実施の形態が適用される光記録方法では、図３に示したような論理回路レベルでの時間幅を基準にパルス幅を規定することとする。即ち、αｉＴの時間幅は、図３に示したタイミングチャートのような分割パルス発生論理回路におけるＰｗとＰｂとの間のパワーレベルの遷移、あるいはＰｗとＰｅとの間のパワーレベルの遷移に対応する論理レベルの遷移において、論理レベルの電圧又は電流出力が一方のレベルから他のレベルの半分に達した時間（半値幅）で定義する。Ｐｅ→Ｐｗの遷移、Ｐｂ→Ｐｗの遷移のいずれであっても、論理レベルでは２値レベル間の遷移となるので、半値幅の定義に区別はない。ここで論理レベルとは、例えば、ＴＴＬにおける、Ｌｏｗレベル（通常０Ｖ）とＨｉｇｈレベル（通常３．５〜５Ｖ）との２値の電圧に対応するレベルのことである。  
【０１１７】
実際の出力光波形は、１〜２ｎｓｅｃ程度の遅延を生じると共に、オーバーシュート、アンダーシュートを伴うので、その記録パワーの時間変動は、図２で示すような単純な方形波形状をしているわけではない。しかし、本実施の形態が適用される光記録方法における記録パルス分割方法では、記録パルス区間αｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）が概ね２ｎｓｅｃ以上あれば、記録光の立ち上がり／立ち下がりの問題はあるものの、記録パワーＰｗｉを上げることで記録に必要な照射エネルギーを確保できる。その場合も、記録レーザー光パルスの立ち上がり及び立下りを、２ｎｓｅｃ未満、より好ましくは１．５ｎｓｅｃ未満、さらに好ましくは１ｎｓｅｃ未満とすることで、必要な記録パワーＰｗを抑制することができる。  
【０１１８】
尚、実際の記録パワー立ち上がり、立下り時間は、通常、それぞれ、Ｐｅ又はＰｂとＰｗのパワーレベル間でパワーが遷移するとき、一方のレベルから、他方のレベルの差の１０％から９０％までの遷移に要する時間をいう。立ち上がり、立下り時間の合計は、通常αｉＴより小さく、αｉＴの８０％以下であることが好ましく、αｉＴの５０％以下であることがより好ましい。
【０１１９】
本実施の形態が適用される光記録方法における記録パルス分割方法においては、論理レベルの時間幅と、実際の記録パワーの応答にずれがあったとしても、上記、立ち上がり、立下り時間程度の遅延であれば問題はなく、後述の記録パルス分割方法を規定する各パラメータ（論理レベルで規定）の、好ましいとする可変範囲において、良好な特性を得ることができる。逆に、そのような遅延やオーバーシュート等を必然的に伴う、レーザーダイオード出力であっても、概ね５ｎｓｅｃ未満のクロック周期での分割記録パルスによるマーク長変調記録が可能となるのが本実施の形態が適用される光記録方法の重要な特徴である。  
【０１２０】
一方、オフパルス区間βｉＴ（ｉ＝１〜ｍ−１）も２ｎｓｅｃ以上あれば、バイアスパワーＰｂを再生光パワーＰｒと同程度、あるいはトラッキングサーボ等他に支障の無い限り０まで下げることで冷却効果が確保できる。  
さらに大きな冷却効果を得るためには、総ての記録マークの時間的長さについてΣｉ（αｉ）は０．５ｎよりも小さくするのが好ましい。より好ましくはΣｉ（αｉ）は０．４ｎ以下とする。即ち、記録パルス区間の総和Σｉ（αｉＴ）をΣｉ（βｉＴ）より短くして、各マーク内でオフパルス区間が長くなるようにする。特に好ましくは、ｉ＝２〜ｍ−１の総てのｉに対してαｉＴ≦βｉＴとし、少なくとも２番目以降の記録パルス列においてβｉＴをαｉＴよりも長くする。  
【０１２１】
本実施の形態において、βｍを０として最後のオフパルス区間であるＴｃｌ＝βｍＴにバイアスパワーのレーザ光を照射しなくてもよいが、通常は、マーク後端部の熱蓄積を避けるためにβｍＴを設けるのが好ましい。βｍは０以上の実数とする。βｍの上限は、通常１０以下である。
【０１２２】
具体的には、βｍＴは、通常２ｎｓｅｃ以上とし、好ましくは３ｎｓｅｃ以上とする。ここで、βｍＴのパルス時間幅は、上記αｉＴと同様に規定すればよい。すなわち、ＰｗとＰｂとの間のパワーレベルの遷移及びＰｂとＰｅとの間のパワーレベルの遷移において、Ｐｗ−Ｐｂの半分のパワーレベルに達した時間からＰｅ−Ｐｂの半分のパワーレベルに達した時間までをβｍＴのパルス時間幅とすればよい。そして、このパルス時間幅は、論理レベルの時間幅で代替しても良い。  
【０１２３】
本実施の形態が適用される記録方法において、αｉ（ｉ＝１〜ｍ）及びβｉ（ｉ＝１〜ｍ−１）の値は、記録パルス区間αｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）やオフパルス区間βｉＴ（ｉ＝１〜ｍ−１）等の値によって適宜設定されるが、それぞれ０より大きく、好ましくは０．１以上、より好ましくは０．５以上であり、他方、好ましくは３以下、より好ましくは２以下である。特に、αｉ（ｉ＝１〜ｍ）については、記録パルス区間αｉＴが長いと、溶融領域に熱がこもって非晶質マーク形成のための急冷が阻害される場合があるので、上限を２以下とすることが好ましい。一方、βｉ（ｉ＝１〜ｍ−１）については、冷却効果を十分に確保するために、１以上とするのが好ましい。  
オフパルス区間を大きくする効果は、マーク先端の形状に大きな影響を与える最初のオフパルス区間β１Ｔ及びマーク後端の形状に大きな影響を与える最後のオフパルス区間βｍＴにおいて特に大きい。  
【０１２４】
本実施の形態において、記録パルス区間αｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）に照射する記録光のパワーＰｗｉ及びオフパルス区間βｉＴ（ｉ＝１〜ｍ−１）に照射する記録光のパワーＰｂｉは、Ｐｂｉ＜Ｐｗｉ、Ｐｂｉ＜Ｐｗｉ＋１なるものとする。但し、ｉ及びｎによらず、一つの記録パルス区間及びオフパルス区間中においては、Ｐｗ及びＰｂをそれぞれ一定値とすることが好ましい。大きな冷却効果を得るためには、総ての記録マークの時間的長さについて０≦Ｐｂ＜Ｐｗとするのが好ましい。より好ましくは０≦Ｐｂ／Ｐｗ≦０．２であり、さらに好ましくは０≦Ｐｂ／Ｐｗ≦０．１である。また、バイアスパワーＰｂは再生時に照射する光のパワーＰｒと等しくすることができる。その結果、パルス分割に必要な分割パルス回路の設定が簡便になる。  
【０１２５】
パルス幅に関するパラメータαｉ（ｉ＝１〜ｍ）及びβｉ（ｉ＝１〜ｍ−１）は、１／１６Ｔ以上の高分解能で指定できることが好ましい。より好ましくは、１／２０Ｔ以上、さらに好ましくは１／３２Ｔ以上の光分解能で指定できることである。１／８Ｔより荒い低分解能では、良好な記録が可能な最適なパルス幅に関するパラメータ値を見出せない場合がある。  
【０１２６】
そのような場合に、特定の一つの記録マークの時間的長さに対して、ｉに応じてＰｂｉ及び／又はＰｗｉとして異なる２以上の値を用いることもできる。例えば、先頭の記録パルス区間α１Ｔ及び最後尾の記録パルス区間αｍＴにおける記録パワーＰｗ１及びＰｗｍを、中間の記録パルス区間αｉＴ（ｉ＝２〜ｍ−１）における記録パワーＰｗｉ（ｉ＝２〜ｍ−１）と異なる値とすることで、マークの始端部・終端部のマーク形状を正確に制御することができるようになる。この場合、中間の記録パルス区間αｉＴ（ｉ＝２〜ｍ−１）における記録パワーＰｗｉは、総て同じパワー値にするのが、分割パルス回路の設定が簡便となり好ましい。オフパルス区間βｉＴ（ｉ＝１〜ｍ−１）におけるバイアスパワーＰｂｉについても同様に、総てのｉで同じパワー値とし、βｍＴにおけるバイアスパワーＰｂｍのみを補助的に他のＰｂと異なる値とするのが好ましい。また、ｍが１である複数のマーク長のマークを良好に記録するために、異なるｎを有する少なくとも２つの記録マークの間で、同じｉに対して異なるＰｗｉ及び／又はＰｂｉの値としてもよい。その場合も、Ｐｂは一定とするのが好ましい。  
【０１２７】
バイアスパワーＰｂは再生光の再生に要する再生パワーＰｒとほぼ同じ値であることが好ましく、ＣＤ−ＲＷにおいては、通常は２ｍＷ以下、好ましくは１．５ｍＷ以下、より好ましくは１ｍＷ以下、より一層好ましくは０．５ｍＷ以下の値とする。フォーカスやトラッキングサーボに支障が無い限りできるだけ０に近づけたほうが、Ｐｂ照射区間（オフパルス区間）における記録層の急冷効果が促進されて好ましい。なお、Ｐｗ、Ｐｅ及びＰｂの値は、必ずしも直流的に一定である必要はなく、例えばクロック周期Ｔの１／１０程度以下の周期で高周波重畳を加えてレーザーの動作を安定させることができる。この場合のＰｗ、Ｐｅ及びＰｂはそれらの平均値となる。  
【０１２８】
本実施の形態において、第１義的には、Ｔｔｏｐ＝α１Ｔ、ｄＴｔｏｐ、β１Ｔ、Ｔｌａｓｔ＝αｍＴ、ｄＴｌａｓｔ、及びβｍＴ＝Ｔｃｌのいずれかの時間の（パルス幅に関する）パラメータの制御のみで、正確なマーク長の制御と、低ジッタを実現できる。このため、上記時間のパラメータの設定になんらかの制限がある場合においてのみ、Ｐｗ１、Ｐｗｍ、Ｐｂｍを個別に微調整することが回路を簡素化する上で好ましい。上記制限とは、具体的には、パルス幅に関するパラメータ値を設定するための分解能が荒く、パルス幅設定だけでは良好な記録ができないような場合である。  
【０１２９】
より具体的には、αｉＴ、βｉＴは、１／８Ｔ、好ましくは、１／１０Ｔより細かい時間刻みで、設定値を最適化できることが望ましい。しかしながら、電子回路の性能上、通常は、０．０ｌ〜０．２ｎｓｅｃが、設定の限界であることが多い。たとえば、０．２ｎｓｅｃが限界となる場合、基準クロック周期がその１０倍となる２ｎｓｅｃより短い場合には、記録パルスや冷却パルスの時間幅の制御だけでは、記録品質（ジッタ等）が不十分な場合がある。そのような場合には、補助的にα１Ｔ、αｍＴ、βｍＴの期間における記録パワー強度や冷却パワー強度を、上記α１Ｔ、αｍＴ、βｍＴの期間内において段階的に変化させたり、他のαｉＴ、βｉＴにおける記録パワー強度や冷却パワー強度と異なる値とすることが、有効となる場合がある。  
【０１３０】
本実施の形態が適用される光記録方法における「３Ｔストラテジー」は、分割数ｍのｎに対する周期性を維持することが望ましい。即ち、「分割数ｍのｎに対する周期性」を維持する場合としては、ｎが３増える毎にｍが１増える場合と、ｎが４増える場合にｍが１増える場合とが考えられる。それぞれを、以下では、「ｎ／３ストラテジー」及び「ｎ／４ストラテジー」と呼ぶ。尚、同様の表記法を用いれば、記録パルスの繰り返し周期に注目した図１（ｂ）の「１Ｔストラテジー」及び図１（ｃ）の「２Ｔストラテジー」は、それぞれ、「ｎ／１ストラテジー」及び「ｎ／２ストラテジー」と呼ぶことができる。  
以下において、「ｎ／３ストラテジー」や「ｎ／４ストラテジー」につき、その周期性に注目したより具体的な方法を述べるが、以下において、ｎ＝２、３、４、そして、場合によっては、ｎ＝５の場合は、このような周期的な分割数の増減や、図５のパラメータ（αｉ、βｉ、ｄＴｔｏｐ、ｄＴｌａｓｔ）の周期的な変化の規則に従わないことが多い。
【０１３１】
ｎ＝５の場合は、ｍ＝１乃至は２のいずれかをとりうるが、ｍ＝１でのみ、ｎ／ｍ＝５となり、ｍ＝２とすれば、ｎ／ｍ＝２．５となる。つまり、ｎが５以上の場合には、ｎ／ｍの最小値は２．５をとりうるが、ｎが６以上の場合における、ｎ／ｍは概ね３とするのが好ましく、具体的には、２．５＜ｎ／ｍ≦４．５の範囲の値とするのが好ましい。尚、基準クロック周期が、概ね２ｎｓｅｃをきる場合には、ｍ＝１とし、それ以上の場合はｍ＝２とするのが好ましい場合がある。５Ｔマーク（ｎ＝５）をｍ＝２で形成する場合は、他のｍ＝２である記録マーク長とのマーク長の差を正確に形成するために、ＰｗやＰｂの値を、他のｍ＝２であるマーク長とは異なる値とすることも有効である。  
【０１３２】
さらに、ｎ＝２、３、４の場合には、ｍ＝１とする。これら短いマーク（２Ｔマーク、３Ｔマーク、４Ｔマーク）を２個以上の記録パルスに分割して記録すると、記録パルス区間、冷却パルス区間の幅を平均して２Ｔより大きくすることが困難となる。このため、本実施の形態が適用される光記録方法の趣旨である、基準クロック周期を短くした場合に、記録区間の時間長又は冷却区間の時間長のいずれかが不十分となる傾向にある。  
【０１３３】
分割数ｍが１の場合、α１、β１がαｍ、βｍを兼ねるから、他のｎとは異なる値として、α１、β１のみで、マーク長とマーク前端のジッタと後端のジッタとを調整する必要がある。ｎ＝２、３、４の場合も、主として、パルス幅のパラメータであるα１、β１を調整して、異なるマーク長を、それぞれ形成するのであるが、特に、これらのマーク長においては、他のマーク長における記録パワーＰｗ、バイアスパワーＰｂとは異なるＰｗ１やＰｂ１を補助的に用いて、異なるマーク長を、それぞれ形成することがより有効である。  
【０１３４】
さて、「ｎ／３ストラテジー」の具体例として記録パルス分割方法（ＩＩ）を以下に説明する。  
【０１３５】
記録パルス分割方法（ＩＩ）；  
ｎ＝２、３、４のマーク長においてはｍ＝１、ｎ＝５、６、７のマーク長においてはｍ＝２、ｎ＝８、９、１０のマーク長に対してはｍ＝３、ｎ＝１１、１２、１３のマーク長に対しては、ｍ＝４、ｎ＝１４、１５、１６のマーク長に対しては、ｍ＝５である記録方法を挙げることができる。即ち、「ｎ／３ストラテジー」では、同じ分割数ｍに対して、異なるマーク長が３つずつ組になっている。ｎ＝２〜１６を、ｍが同じ３個のｎごとに区切って、ｎ／ｍを計算した値を順に並べると、（２、３、４）、（２．５、３、３．５）、（２．６７、３、３．３）、（２．７５、３、３．２５）、（２．８、３、３．２）となる。ｎが１７以上の場合にも同様に、ｎ＝３Ｌ−１、３Ｌ、３Ｌ＋１（Ｌは自然数）を一組として、ｍ＝Ｌとすればよい。
【０１３６】
この場合、全マーク長におけるｎ／ｍの平均値は、ちょうど３となる。また、ｍが２以上の場合のｎ／ｍの平均値もちょうど３となる。さらに、ｎが５以上（ｍが２以上）のマーク長においては、個々のｎ／ｍも２．５以上となるので、αｉ＋βｉも２．５以上とすることが可能となる。また、ｎ／ｍが３以下となるｎ＝５、８、１１、１４のマーク長においても、ｎ＝５（ｍ＝２）の場合を除いて、ｎ／ｍは、約２．７より大きくできる。このため、αｉＴの繰り返し周期を、概ね３に近い値とすることができる。  
【０１３７】
尚、ｎに関する３ごとの周期性を、ｎ＝６以上に限って適用し、６以上のすべてのｎにおいてｎ／ｍを３以上とでき、αｉ＋βｉをより確実に３以上とすることができる方法として、以下の記録パルス分割方法（ＩＩＩ）法が挙げられる。  
【０１３８】
記録パルス分割方法（ＩＩＩ）；  
ｎ＝２、３、４のマーク長においてはｍ＝１、ｎ＝５、６、７、８のマーク長においてはｍ＝２、ｎ＝９、１０、１１のマーク長に対してはｍ＝３、ｎ＝１２、１３、１４のマーク長においてはｍ＝４、ｎ＝１５、１６、１７のマーク長に対しては、ｍ＝５である記録方法を挙げることができる。ｎが６以上では、同じ分割数ｍに対して、異なるマーク長が３つずつ組になっている。ｎ＝２〜１７を、ｍが同じものごとに区切って、ｎ／ｍを計算した値を順に並べると、（２、３、４）、（２．５、３、３．５、４）、（３、３．３、３．６７）、（３、３．３、３．６７）、（３、３．３、３．６７）となる。ｎが１８以上の場合も同様に、ｎ＝３Ｌ、３Ｌ＋１、３Ｌ＋２（Ｌは自然数）を一組として、ｍ＝Ｌとすればよい。
【０１３９】
「ｎ／３ストラテジー」（ＩＩ）に対する、（ＩＩＩ）の利点は、６以上のｎに対して、αｉ＋βｉを３以上とできることと、後述のように、独立パラメータの数を少なくし、記録パルスの立ち上がり、立下りを基準クロックに同期させやすいということである。  
【０１４０】
一方、「ｎ／４ストラテジー」の具体例としては、記録パルス分割方法（ＩＶ）が挙げられる。  
【０１４１】
記録パルス分割方法（ＩＶ）；  
ｎ＝２、３、４のマーク長においてはｍ＝１、ｎ＝５、６、７、８のマーク長においてはｍ＝２、ｎ＝９、１０、１１、１２のマーク長に対してはｍ＝３、ｎ＝１３、１４、１５、１６のマーク長に対しては、ｍ＝４である記録方法を挙げることができる。即ち、「ｎ／４ストラテジー」では、ｎ＝２、３、４の場合を除いて、同じ分割数ｍに対して、異なるマーク長が４つずつ組になっている。ｎ＝２〜１６を、ｍが同じものごとに区切って、ｎ／ｍを計算した値を順に並べると、（２、３、４）、（２．５、３、３．５、４）、（３、３．３、３．６７、４）、（３．２５、３．５、３．７５、４）となる。ｎが１７以上の場合にも同様に、ｎ＝４Ｌ−３、４Ｌ−２、４Ｌ−１、４Ｌを一組として、ｍ＝Ｌとすればよい。
【０１４２】
「ｎ／３ストラテジー」に対する、「ｎ／４ストラテジー」の利点は、ｎ＝２、５の場合を除いて、すべてのｎにおいてｎ／ｍを３以上とでき、個々のαｉ＋βｉを３乃至は４とすることができる点である。これにより、αｉＴ及びβｉＴを確実に１Ｔより大きな値とすることができる。さらには、αｉＴ及びβｉＴを概ね１．５Ｔより大きな値とできるので、基準クロック周波数がより高い（基準クロック周期がより短い）場合まで適用できる。  
【０１４３】
以下において、各記録パルス分割方法を、独立パラメータの数を少なくし、記録パルスの立ち上がり、立下りを基準クロックに同期させるという観点から、より具体的で好ましい形態をもって説明する。以下の説明は、さらにまた、先頭記録パルスαｉＴ＝Ｔｔｏｐ、中間記録パルス群αｉＴ＝αｃＴ＝Ｔｍｐ（２≦ｉ≦ｍ−１、αｃはこれらのｉによらない一定値）、後端記録パルスαｍＴ＝Ｔｌａｓｔの３つの部分に分けて、分割記録パルスを発生させるという、図３に示した論理回路に適応した方法となっている。  
【０１４４】
図４は、記録パルス分割方法（ＩＩ）を、ｎ＝２〜１６からなるマーク長に適用したタイミングチャートの具体例である。そして、各記録パルスの立ち上がり、または、立下りの位置を、基準クロックとできるだけ同期させている。それととともに、複数のマーク長における各パラメータを、ｎに関する周期性を考慮して、できるだけ規則的に変化させたものである。図４では、特に、ｍが２以上では、ｎ＝３Ｌ−１（図４（ａ））、ｎ＝３Ｌ（図４（ｂ））、ｎ＝３Ｌ＋１（図４（ｃ））（Ｌ≧２の整数）の３つのマーク長を一組として考え、Ｌが１増減すれば、ｍを１増減させている。そして、ｎ＝３Ｌの記録マーク長を形成するために用いる光記録方法（記録パルス分割方法）を基準として、プラス・マイナス１Ｔのマーク長差を、原則として、Ｌによらない一定のパラメータを用いて実現している。
【０１４５】
具体的には、同一の分割数ｍ＝Ｌ（Ｌ≧２）で形成する、ｎ＝３Ｌ−１、ｎ＝３Ｌ、ｎ＝３Ｌ＋１の３つの記録マーク長を一組とし、ｎ＝３Ｌの記録マーク長を形成するために用いる光記録方法（記録パルス分割方法）を基準として、前記光記録方法において少なくともαｍを増減することによって、ｎ＝３Ｌ−１とｎ＝３Ｌ＋１の記録マーク長をそれぞれ形成する。そして、ｎ＝３Ｌの系列、ｎ＝３Ｌ−１の系列、ｎ＝３Ｌ＋１の系列のそれぞれで、Ｌに依存しない独立パラメータを決める。このようにすることで、独立パラメータの数を大幅に少なくできる。以下では、この具体例を記録パルス分割方法（ＩＩａ）とする。  
【０１４６】
図５は、特にＬ＝４の場合の例である。図４におけるｎ＝３Ｌ−１、ｎ＝３Ｌ、ｎ＝３Ｌ＋１（Ｌ≧２の整数）の３つのマーク長を一組とする、周期的なパラメータ変化に注目して詳細な説明を行う。  
先ず、記録パルス幅は一定値、Ｔｍｐ＝αｃＴを基本とする。そして、原則として、記録パルスは、周期３Ｔをもって基準クロック周期Ｔに同期して発生される。そして、ｎが３増える毎（マーク長が３Ｔ増える毎、Ｌが１増える毎）に、時間的長さＴｍｐの中間記録パルスとそれに続くオフパルスの１組が、周期３Ｔで追加される。図５（ａ）に示すように、基準クロック周期Ｔは５００の一箱の区間で表され、ｎＴマークは、基準クロックに同期した一点である時間Ｔ１を先頭とする。  
【０１４７】
そして、図５（ｃ）に示すように、ｎ＝３Ｌの場合には、Ｔｔｏｐ＝α１Ｔ（５０１）が、Ｔ１からｄＴｔｏｐ（５０３）の時間的ずれをもって発生される。ｄＴｔｏｐは、この図では、Ｔ１から遅延する場合を正の値とする。ｄＴｔｏｐは、Ｔｔｏｐの先頭位置におけるｎＴマークの先頭位置（Ｔ１）からの同期のずれ時間を定義しており、正確なマーク前端位置の調整に利用される。通常は、先頭記録パルスには、それに先行する記録パルスからの余熱がないので、Ｔｔｏｐ≧Ｔｍｐとして、後続のＴｍｐ区間における加熱と同等の加熱効果が得られるようにするのが好ましい。この場合には、β１Ｔ（５０４）は、β１Ｔ＝３Ｔ−（Ｔｔｏｐ＋ｄＴｔｏｐ）で決まるので、独立パラメータではない。  
【０１４８】
Ｔｔｏｐの後、周期３Ｔで、基準クロックに同期してｍ−２個のＴｍｐ（５０２）と、Ｔｌａｓｔ＝αｍＴ（５０５）との順に記録パルスが発生され、最後にＴｃｌ＝βｍＴ（５０６）のオフパルスが発生される。よって、オフパルス区間βｉＴ（２≦ｉ≦ｍ−２）は、３Ｔ−Ｔｍｐ＝（３−αｃ）Ｔ＝βｃＴ（５０７）となる。また、βｍ−１Ｔ（５０８）は、やはりβｍ−１Ｔ＝３Ｔ−Ｔｍｐで決まるから、独立パラメータではない。Ｔｍｐは、前述のように、３Ｔ周期ごとに基準クロック周期に同期して繰り返し発生される。もちろん、ｎ＝５、６、７の場合には、中間記録パルス区間Ｔｍｐは発生されない。なお、Ｔｌａｓｔの始点にｄＴｌａｓｔのずれを付加することは適宜可能であるが、ｄＴｌａｓｔ＝０とすることが好ましい。
【０１４９】
一方、図５（ｄ）に示すように、ｎ＝３Ｌ＋１の場合は、やはり、Ｔｔｏｐ＝α１Ｔが、Ｔ１からｄＴｔｏｐの時間的ずれをもって発生される。また、Ｔｔｏｐの後、ｍ−２個のＴｍｐとＴｌａｓｔとの順に記録パルスが発生され、最後にＴｃｌが発生される。ここで、Ｔｌａｓｔ及びＴｃｌは、ｎ＝３Ｌの場合とは異なる値Ｔｌａｓｔ＋（５１０）、Ｔｃｌ＋（５１１）をとりうる独立パラメータである。また、Ｔｌａｓｔ＋（５１０）は、補正値ｄＴｌａｓｔ＋（５１２）を付加して、基準クロックからの同期をずらすことができるものとする。Ｔｌａｓｔ＋、Ｔｃｌ＋、及び、ｄＴｌａｓｔ＋により、ｎ＝３Ｌの場合より、１Ｔ長いマーク長が形成される。通常は、Ｔｌａｓｔ＋＞Ｔｌａｓｔとし、０＜（Ｔｌａｓｔ＋−Ｔｌａｓｔ）≦Ｔとするのが好ましい。なお、βｍ−１Ｔ（５１３）は、βｍ−１Ｔ＝３Ｔ−Ｔｍｐ＋ｄＴｌａｓｔ＋で決まるから、独立パラメータではない。つまり、ｄＴｌａｓｔ＋の調整は、βｍ−１Ｔの調整を行っていることを意味する。  
【０１５０】
図５（ｂ）に示すように、ｎ＝３Ｌ−１の場合には、やはり、Ｔｔｏｐ＝α１Ｔが、Ｔ１からｄＴｔｏｐの時間的ずれをもって発生される。また、Ｔｔｏｐの後、ｍ−２個のＴｍｐと、Ｔｌａｓｔとの順に記録パルスが発生され、最後にＴｃｌが発生される。ここで、Ｔｌａｓｔ、Ｔｃｌは、ｎ＝３Ｌの場合とは異なる値Ｔｌａｓｔ−（５２０）、Ｔｃｌ−（５２１）をとりうる独立パラメータである。また、Ｔｌａｓｔ−（５２０）は、補正値ｄＴｌａｓｔ−（５２２）を付加して、基準クロックからの同期をずらすことができるものとする。Ｔｌａｓｔ−、Ｔｃｌ−、及び、ｄＴｌａｓｔ−により、ｎ＝３Ｌの場合より、１Ｔ短いマーク長が形成される。通常は、Ｔｌａｓｔ＞Ｔｌａｓｔ−とし、０＜（Ｔｌａｓｔ−Ｔｌａｓｔ−）≦Ｔとするのが好ましい。なお、βｍ−１Ｔ（５２３）は、βｍ−１Ｔ＝３Ｔ−Ｔｍｐ＋ｄＴｌａｓｔ−で決まるから、独立パラメータではない。つまり、ｄＴｌａｓｔ−の調整は、βｍ−１Ｔの調整を行っていることを意味する。
【０１５１】
ただし、ｎ＝５は、他のｎ＝３Ｌ−１の場合とは異なるｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｌａｓｔ、ｄＴｌａｓｔ、Ｔｃｌをそれぞれ決める自由度があることが望ましい。このため、独立パラメータであることを明らかにするため、図４においては、ｄＴｔｏｐ５、Ｔｔｏｐ５、Ｔｌａｓｔ５、ｄＴｌａｓｔ５、Ｔｃｌ５と表記している。５Ｔマーク長では、ｎ／ｍ＝２．５であるため、他のｎ＝３Ｌ−１であるマーク長と異なり、記録パルスの繰返し周期が２．５Ｔ程度と小さくなる。このため、５Ｔマーク長は、他のｎ＝３Ｌ−１であるマーク長と同じパラメータでは、正確なマーク長と、低ジッタの実現が難しい場合がある。  
【０１５２】
ｎ＝２、３、４の場合は、ｍ＝１である。このため、一対の記録パルス区間Ｔｔｏｐとオフパルス区間β１Ｔ＝Ｔｃｌで、ｎ＝２、３、４のマーク長をそれぞれ形成すると同時に、低いマーク端ジッタを実現する。いずれの場合も、ｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｃｌの３つのパラメータで定義される。そして、それぞれのパラメータは、他のいずれのマーク長におけるｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｃｌとは別に独立して、定められるものとする。即ち、図４に示すように、２Ｔマーク長においては、ｄＴｔｏｐ２、Ｔｔｏｐ２、Ｔｃｌ２、３Ｔマーク長においては、ｄＴｔｏｐ３、Ｔｔｏｐ３、Ｔｃｌ３、４Ｔマーク長においては、ｄＴｔｏｐ４、Ｔｔｏｐ４、Ｔｃｌ４をもって、それぞれ異なるマーク長を形成する。  
【０１５３】
以上をまとめると、図４で定義される記録パルス分割方法（ＩＩａ）における独立パラメータの数は、ｎ＝２、３、４におけるそれぞれ３個を合計した９個のパラメータ（ｄＴｔｏｐ２、Ｔｔｏｐ２、Ｔｃｌ２、ｄＴｔｏｐ３、Ｔｔｏｐ３、Ｔｃｌ３、ｄＴｔｏｐ４、Ｔｔｏｐ４、Ｔｃｌ４）、ｎ＝５における５個のパラメータ（ｄＴｔｏｐ５、Ｔｔｏｐ５、Ｔｌａｓｔ５、ｄＴｌａｓｔ５、Ｔｃｌ５）、及びｎ＝６以上における１１個のパラメータ（ｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｍｐ、Ｔｌａｓｔ、Ｔｃｌ、Ｔｌａｓｔ＋、Ｔｃｌ＋、ｄＴｌａｓｔ＋、Ｔｌａｓｔ−、Ｔｃｌ−、ｄＴｌａｓｔ−）である。パラメータの数は、全部で９＋５＋１１＝２５個となる。
【０１５４】
また、通常は、ｄＴｌａｓｔ＋、Ｔｃｌ＋のうちのいずれか一方は、ｄＴｌａｓｔ＋＝０、乃至は、Ｔｃｌ＋＝Ｔｃｌとして、独立パラメータの数を一つ減らすことができる。同様に、ｄＴｌａｓｔ−、Ｔｃｌ−のうちのいずれか一方は、ｄＴｌａｓｔ−＝０、乃至は、Ｔｃｌ−＝Ｔｃｌとして、独立パラメータの数を一つ減らすことができる。即ち、ｎ＝６以上における独立パラメータを（ｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｍｐ、Ｔｌａｓｔ、Ｔｃｌ、Ｔｌａｓｔ＋、ｄＴｌａｓｔ＋、Ｔｌａｓｔ−、ｄＴｌａｓｔ−）の９個、または（ｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｍｐ、Ｔｌａｓｔ、Ｔｃｌ、Ｔｌａｓｔ＋、Ｔｃｌ＋、Ｔｌａｓｔ−、Ｔｃｌ−）の９個とすることもできる。  
【０１５５】
ｎ＝５における５個のパラメータ（ｄＴｔｏｐ５、Ｔｔｏｐ５、Ｔｌａｓｔ５、ｄＴｌａｓｔ５、Ｔｃｌ５）が、ｎ＝６以上の場合のｎ＝３Ｌ−１におけるパラメータ（ｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｌａｓｔ−、ｄＴｌａｓｔ−、Ｔｃｌ）と一部又は全部が同じであれば、独立パラメータの数をさらに減らすことができ好ましい。  
【０１５６】
記録パルス分割方法（ＩＩａ）の利点は、後端記録パルス区間αｍＴ＝Ｔｌａｓｔの及びその前後の区間（βｍ−１Ｔ、βｍＴ＝Ｔｃｌ）の調整で、ｎ＝３Ｌ−１、３Ｌ、３Ｌ＋１の３つのマーク長をそれぞれ形成できる点にある。尚、βｍ−１Ｔの調整は、ｄＴｌａｓｔの調整を介して行っている。そして、ｎ＝６以上における１１個のパラメータ、（ｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｍｐ、Ｔｌａｓｔ、Ｔｃｌ、Ｔｌａｓｔ＋、Ｔｃｌ＋、ｄＴｌａｓｔ＋、Ｔｌａｓｔ−、Ｔｃｌ−、ｄＴｌａｓｔ−）がＬによらず一定であるということは、ｎ＝５の場合を除いて、ｎ＝３Ｌ−１、３Ｌ、３Ｌ＋１（Ｌ≧２）の３つの記録マーク長におけるそれぞれの（αｍ、βｍ−１、βｍ）の値が、Ｌによらず一定ということになる。
【０１５７】
さらに、ｎ＝５における５個のパラメータ（ｄＴｔｏｐ５、Ｔｔｏｐ５、Ｔｌａｓｔ５、ｄＴｌａｓｔ５、Ｔｃｌ５）が、Ｌ≧３の場合のｎ＝３Ｌ−１の場合におけるパラメータと同じであれば、Ｌ≧２のすべての場合においてｎ＝３Ｌ−１、３Ｌ、３Ｌ＋１（Ｌ≧２）の３つの記録マーク長におけるそれぞれの（αｍ、βｍ−１、βｍ）の値が、Ｌによらず一定ということになる。  
【０１５８】
図２２は、記録パルス分割方法（ＩＩ）の他の一例である。図２２では、特に、ｍが２以上では、ｎ＝３Ｌ−１、３Ｌ、３Ｌ＋１（Ｌ≧２の整数）の３つのマーク長を一組として考え、Ｌが１増減すれば、ｍを１増減するようにしている。そして、ｎ＝３Ｌの記録マーク長を形成するために用いる光記録方法を基準として、プラス・マイナス１Ｔのマーク長差を、原則として、Ｌによらず、一定のパラメータを用いて実現している。具体的には、同一の分割数ｍ＝Ｌ（Ｌ≧２）で形成する、ｎ＝３Ｌ−１、３Ｌ、３Ｌ＋１の３つの記録マーク長を一組とし、ｎ＝３Ｌの記録マーク長を形成するために用いる光記録方法を基準として、前記光記録方法において少なくともαｍを減ずることによって、ｎ＝３Ｌ−１の記録マーク長を形成し、ｎ＝３Ｌの記録マーク長を形成するために用いる光記録方法を基準として、前記光記録方法において少なくともα１を増加させることにより、ｎ＝３Ｌ＋１の場合の記録マーク長を形成する。そして、ｎ＝３Ｌの系列、ｎ＝３Ｌ−１の系列、ｎ＝３Ｌ＋１の系列のそれぞれで、Ｌに依存しない独立パラメータを決める。このようにすることで、独立パラメータの数を大幅に少なくできる。以下では、この具体例を記録パルス分割方法（ＩＩｂ）とする。  
【０１５９】
特に、Ｌ＝４の場合を例とする図２３で、図２２におけるｎ＝３Ｌ−１、３Ｌ、３Ｌ＋１（Ｌ≧２の整数）の３つのマーク長を一組とする、周期的なパラメータ変化に注目して詳細な説明を行う。  
まず、記録パルス幅は一定値、Ｔｍｐ＝αｃＴを基本とする。そして、原則として、記録パルスは、周期３Ｔをもって基準クロック周期Ｔに同期して発生される。そして、ｎが３増える毎（マーク長が３Ｔ増える毎、Ｌが１増える毎）に、時間的長さＴｍｐの中間記録パルスとそれに続くオフパルスの１組が、周期３Ｔで追加される。基準クロック周期Ｔは、図２３（ａ）の６００の一箱の区間で表され、ｎＴマークは、基準クロックに同期した一点である時間Ｔ１を先頭とする。  
【０１６０】
そして、ｎ＝３Ｌ（図２３（ｃ））の場合には、Ｔｔｏｐ＝α１Ｔ（６０１）が、Ｔ１からｄＴｔｏｐ（６０３）の時間的ずれをもって発生される。ｄＴｔｏｐは、この図では、Ｔ１から遅延する場合を正の値とする。ｄＴｔｏｐは、Ｔｔｏｐの先頭位置におけるｎＴマークの先頭位置（Ｔ１）からの同期のずれ時間を定義しており、正確なマーク前端位置の調整に利用される。通常は、先頭記録パルスには、それに先行する記録パルスからの余熱がないので、Ｔｔｏｐ≧Ｔｍｐとして、後続のＴｍｐ区間における加熱と同等の加熱効果が得られるようにするのが好ましい。β１Ｔ（６０４）は、この場合には、β１Ｔ＝３Ｔ−（Ｔｔｏｐ＋ｄＴｔｏｐ）で決まるので、独立パラメータではない。  
【０１６１】
Ｔｔｏｐの後、周期３Ｔで、基準クロックに同期してｍ−２個のＴｍｐ（６０２）と、Ｔｌａｓｔ＝αｍＴ（６０５）との順に記録パルスが発生され、最後にＴｃｌ＝βｍＴ（６０６）のオフパルスが発生される。よって、オフパルス区間βｉＴ（２≦ｉ≦ｍ−２）は、３Ｔ−Ｔｍｐ＝（３−αｃ）Ｔ＝βｃＴ（６０７）となる。また、この場合には、βｍ−１Ｔ（６０８）も、βｍ−１Ｔ＝３Ｔ−Ｔｍｐで決まるから、独立パラメータではない。なお、Ｔｌａｓｔの始点にｄＴｌａｓｔのずれを付加することは適宜可能であるが、ｄＴｌａｓｔ＝０とすることが好ましい。
【０１６２】
Ｔｍｐは、前述のように、３Ｔ周期ごとに基準クロック周期に同期して繰り返し発生される。もちろん、ｎ＝５、６、７の場合には、中間記録パルス区間Ｔｍｐは発生されない。      
【０１６３】
一方、ｎ＝３Ｌ＋１（図２３（ｄ））の場合には、やはり、Ｔｔｏｐ＝α１Ｔが、Ｔ１からｄＴｔｏｐの時間的ずれをもって発生されるが、Ｔｔｏｐ、ｄＴｔｏｐは、ｎ＝３Ｌの場合とは異なる値、Ｔｔｏｐ＋（６１０）、ｄＴｔｏｐ＋（６１１）をとりうるものとする。  
【０１６４】
また、Ｔｔｏｐ＋の後、ｍ−２個のＴｍｐと、Ｔｌａｓｔとの順に記録パルスが発生され、最後にＴｃｌが発生される。主として、Ｔｔｏｐをｎ＝３Ｌとは異なる値Ｔｔｏｐ＋とし、ｄＴｔｏｐ＋で補正することにより、ｎ＝３Ｌよりも１Ｔ長いマーク長を形成する。この際、α２Ｔは、Ｔ１から４Ｔ周期をもって立ち上がるものとする。通常は、Ｔｔｏｐ＋＞Ｔｔｏｐ、とし、０＜（Ｔｔｏｐ＋−Ｔｔｏｐ）≦Ｔとするのが好ましい。これに伴い、β１Ｔ（６１２）は、β１Ｔ＝４Ｔ−（Ｔｔｏｐ＋＋ｄＴｔｏｐ＋）により決まるので、独立パラメータではない。つまり、ｄＴｔｏｐ＋及びＴｔｏｐ＋の調整は、β１Ｔの調整を行っていることを意味する。  
【０１６５】
このように、Ｔｔｏｐを増減する場合、Ｔ１からα２Ｔの立ち上がりまでの周期を１Ｔ増減することで、後続の記録パルスの発生が１Ｔのずれで、基準クロック周期との同期を維持できる。また、Ｔｔｏｐを減少させる場合、Ｔ１とα２Ｔの立ち上がりまでの時間が２Ｔとなって、十分な冷却時間β１Ｔが維持できなくなる。このため、Ｔｔｏｐを可変して１Ｔのマーク長差を付ける場合は、１Ｔ増加させることが好ましい。
【０１６６】
ｎ＝３Ｌ−１（図２３（ｂ））の場合には、やはり、Ｔｔｏｐ＝α１Ｔが、Ｔ１からｄＴｔｏｐの時間的ずれをもって発生される。また、Ｔｔｏｐの後、ｍ−２個のＴｍｐと、Ｔｌａｓｔとの順に記録パルスが発生され、最後にＴｃｌが発生される。ここで、Ｔｌａｓｔ、Ｔｃｌは、ｎ＝３Ｌの場合とは異なる値Ｔｌａｓｔ−（６２０）、Ｔｃｌ−（６２１）をそれぞれとりうる独立パラメータである。また、Ｔｌａｓｔ−（６２０）は、補正値ｄＴｌａｓｔ−（６２２）を付加して、基準クロックからの同期をずらすことができるものとする。Ｔｌａｓｔ−、Ｔｃｌ−、及び、ｄＴｌａｓｔ−により、ｎ＝３Ｌの場合より、１Ｔ短いマーク長を形成する。通常は、Ｔｌａｓｔ＞Ｔｌａｓｔ−とし、０＜（Ｔｌａｓｔ−Ｔｌａｓｔ−）≦Ｔとするのが好ましい。なお、βｍ−１Ｔ（６２３）は、βｍ−１Ｔ＝３Ｔ−Ｔｍｐ＋ｄＴｌａｓｔ−で決まるから、独立パラメータではない。つまり、ｄＴｌａｓｔ−の調整は、βｍ−１Ｔの調整を行っていることを意味する。  
【０１６７】
ただし、ｎ＝５は、他のｎ＝３Ｌ−１の場合とは異なるｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｌａｓｔ、ｄＴｌａｓｔ、Ｔｃｌをそれぞれ決める自由度があることが望ましい。このため、それぞれ、独立パラメータであることを明らかにするため、図２２においては、ｄＴｔｏｐ５、Ｔｔｏｐ５、Ｔｌａｓｔ５、ｄＴｌａｓｔ５、Ｔｃｌ５と表記する。５Ｔマーク長ではｎ／ｍ＝２．５であるため、他のｎ＝３Ｌ−１であるマーク長と異なり、記録パルスの繰返し周期が２．５Ｔ程度と小さくなる。このため、５Ｔマーク長は、他のｎ＝３Ｌ−１であるマーク長と同じパラメータでは、正確なマーク長と、低ジッタの実現が難しい場合がある。  
【０１６８】
ｎ＝２、３、４の場合は、ｍ＝１である。このため、一対の記録パルス区間Ｔｔｏｐとオフパルス区間β１Ｔ＝Ｔｃｌで、ｎ＝２、３、４のマーク長をそれぞれ形成すると同時に、低いマーク端ジッタを実現する。いずれの場合も、ｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｃｌの３つのパラメータで定義される。そして、それぞれのパラメータは、他のいずれのマーク長におけるｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｃｌとは別に独立して、定められるものとする。すなわち、図４に示すように、２Ｔマーク長においては、ｄＴｔｏｐ２、Ｔｔｏｐ２、Ｔｃｌ２、３Ｔマーク長においては、ｄＴｔｏｐ３、Ｔｔｏｐ３、Ｔｃｌ３、４Ｔマーク長においては、ｄＴｔｏｐ４、Ｔｔｏｐ４、Ｔｃｌ４をもって、それぞれ異なるマーク長を形成する。  
【０１６９】
以上をまとめると、図２２で定義される記録パルス分割方法（ＩＩｂ）における独立パラメータの数は、ｎ＝２、３、４におけるそれぞれ３個を合計した９個のパラメータ（ｄＴｔｏｐ２、Ｔｔｏｐ２、Ｔｃｌ２、ｄＴｔｏｐ３、Ｔｔｏｐ３、Ｔｃｌ３、ｄＴｔｏｐ４、Ｔｔｏｐ４、Ｔｃｌ４）、ｎ＝５における５個のパラメータ（ｄＴｔｏｐ５、Ｔｔｏｐ５、Ｔｌａｓｔ５、ｄＴｌａｓｔ５、Ｔｃｌ５）、及びｎ＝６以上における１０個のパラメータ（ｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｍｐ、Ｔｌａｓｔ、Ｔｃｌ、ｄＴｔｏｐ＋、Ｔｔｏｐ＋、Ｔｌａｓｔ−、Ｔｃｌ−、ｄＴｌａｓｔ−）である。すなわち、パラメータの数は、全部で９＋５＋１０＝２４個となる。  
【０１７０】
なお、ｍ＝２以上のｎ＝３Ｌ−１のマーク長を形成する際に、ｄＴｌａｓｔ−をゼロとするか、Ｔｃｌ−＝Ｔｃｌとすることも可能である。つまり、ｎ＝３Ｌ−１における、ｄＴｌａｓｔ又はＴｃｌの一方だけを、ｎ＝３Ｌの場合と異なる値とすることでも良好な結果が得られる場合が多い。この場合、ｎ＝６以上における独立パラメータを（ｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｍｐ、Ｔｌａｓｔ、Ｔｃｌ、ｄＴｔｏｐ＋、Ｔｔｏｐ＋、Ｔｌａｓｔ−、Ｔｃｌ−）の９個、または、（ｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｍｐ、Ｔｌａｓｔ、Ｔｃｌ、ｄＴｔｏｐ＋、Ｔｔｏｐ＋、ｄＴｌａｓｔ−、Ｔｌａｓｔ−）の９個とすることができる。
【０１７１】
ｎ＝５における５個のパラメータ（ｄＴｔｏｐ５、Ｔｔｏｐ５、Ｔｌａｓｔ５、ｄＴｌａｓｔ５、Ｔｃｌ５）が、ｎ＝３Ｌ−１（Ｌ≧３）における独立パラメータ（ｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｌａｓｔ−、ｄＴｌａｓｔ−、Ｔｃｌ−）の一部又は全部と同じであれば、独立パラメータの数をさらに減らすことができ好ましい。
【０１７２】
記録パルス分割方法（ＩＩｂ）の利点は、同一分割数ｍ＝Ｌ（Ｌ≧２）における、ｎ＝３Ｌ−１、３Ｌ、３Ｌ＋１となる３つの記録マーク長を一組とし、ｎ＝３Ｌの記録マーク長を形成するために用いる光記録方法を基準として、前記光記録方法において、後端記録パルス区間αｍＴ＝Ｔｌａｓｔ及びその前後の区間（βｍ−１Ｔ、βｍＴ＝Ｔｃｌ）の調整でｎ＝３Ｌ−１の記録マーク長を形成する点にある。
【０１７３】
また、記録パルス分割方法（ＩＩｂ）の別の利点は、同一分割数ｍ＝Ｌ（Ｌ≧２）における、ｎ＝３Ｌ−１、３Ｌ、３Ｌ＋１となる３つの記録マーク長を一組とし、ｎ＝３Ｌの記録マーク長を形成するために用いる光記録方法を基準として、前記光記録方法において先端記録パルス区間α１Ｔ＝Ｔｔｏｐ及びその後の区間β１Ｔの調整でｎ＝３Ｌ＋１の記録マーク長を形成する点にある。
なお、βｍ−１Ｔの調整は、ｄＴｌａｓｔの調整を介して行っており、β１Ｔの調整は、Ｔｔｏｐ＝α１ＴとｄＴｔｏｐの調整を介して行っている。  
【０１７４】
そして、ｎ＝６以上における１０個のパラメータ、（ｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｍｐ、Ｔｌａｓｔ、Ｔｃｌ、ｄＴｔｏｐ＋、Ｔｔｏｐ＋、Ｔｌａｓｔ−、Ｔｃｌ−、ｄＴｌａｓｔ−）がＬによらず一定であるということは、ｎ＝５の場合を除いて、ｎ＝３Ｌ−１、３Ｌ、３Ｌ＋１（Ｌ≧２）の３つの記録マーク長におけるそれぞれの（α１、ｄＴｔｏｐ、β１、αｍ、βｍ−１、βｍ）の値が、Ｌによらず一定ということになる。さらに、ｎ＝５における５個のパラメータ（ｄＴｔｏｐ５、Ｔｔｏｐ５、Ｔｌａｓｔ５、ｄＴｌａｓｔ５、Ｔｃｌ５）が、ｎ＝６以上の場合のｎ＝３Ｌ−１の場合におけるパラメータと同じであれば、Ｌ≧２のすべての場合においてｎ＝３Ｌ−１、３Ｌ、３Ｌ＋１（Ｌ≧２）の３つの記録マーク長におけるそれぞれの（α１、ｄＴｔｏｐ、β１、αｍ、βｍ−１、βｍ）の値が、Ｌによらず一定ということになる。  
【０１７５】
なお、記録パルス分割方法（ＩＩａ）、（ＩＩｂ）において、ｎ＝３Ｌ−１においてαｍを小さくするのではなく、α１を小さくすることでマーク長を調整することも可能である。但し、α１を小さくすることによりα１＋β１が３より短くなる場合があるため、この場合にはαｍを小さくすることが好ましい。
【０１７６】
図６は、記録パルス分割方法（ＩＩＩ）を、ｎ＝２〜１７からなるマーク長に適用した具体例である。そして、各記録パルスの立ち上がり、または、立下りの位置を、基準クロックとできるだけ同期させている。それとともに、複数のマーク長における各パラメータを、ｎに関する周期性を考慮して、できるだけ規則的に変化させたものである。以下では、この具体例を記録パルス分割方法（ＩＩＩａ）とする。  
【０１７７】
ｎが６以上の場合には、ｎ＝３Ｌ、ｎ＝３Ｌ＋１、ｎ＝３Ｌ＋２（Ｌ≧２の整数）の３つのマーク長を一組として考える。そして、ｎ＝３Ｌの記録マーク長を形成するために用いる光記録方法（記録パルス分割方法）を基準として、プラス１Ｔ及びプラス２Ｔのマーク長差を、原則として、Ｌによらない一定のパラメータを用いて実現している。具体的には、同一の分割数ｍ＝Ｌ（Ｌ≧２）で形成する、ｎ＝３Ｌ、ｎ＝３Ｌ＋１、ｎ＝３Ｌ＋２の３つの記録マーク長を一組とし、ｎ＝３Ｌの記録マーク長を形成するために用いる光記録方法（記録パルス分割方法）を基準として、前記光記録方法において少なくともαｍを増加させて、ｎ＝３Ｌ＋１の記録マーク長を形成し、さらに、ｎ＝３Ｌ＋１の記録マーク長を形成するために用いる光記録方法（記録パルス分割方法）を基準として、前記光記録方法において少なくともα１を増加させることにより、ｎ＝３Ｌ＋２との記録マーク長を形成する。そして、ｎ＝３Ｌの系列、ｎ＝３Ｌ＋１の系列、ｎ＝３Ｌ＋２の系列のそれぞれで、Ｌに依存しない独立パラメータを決める。このようにすることで、独立パラメータの数を大幅に少なくできる。  
【０１７８】
図７は、特にＬ＝４の場合の例である。図６におけるｎ＝３Ｌ、ｎ＝３Ｌ＋１、ｎ＝３Ｌ＋２（Ｌ≧２の整数）の３つのマーク長を一組とする、周期的なパラメータ変化に注目して詳細な説明を行う。  
先ず、記録パルス幅は、一定値Ｔｍｐ＝αｃＴを基本とする。そして、原則として、記録パルスは、周期３Ｔをもって基準クロック周期Ｔに同期して発生される。そして、ｎが３増える毎（マーク長が３Ｔ増える毎、Ｌが１増える毎）に、時間的長さＴｍｐの中間記録パルスとそれにつづくオフパルスとの１組が周期３Ｔで追加される。図７（ａ）に示すように、基準クロック周期Ｔは７００の一箱の区間で表され、ｎＴマークは、基準クロックに同期した一点である時間Ｔ１を先頭とする。  
【０１７９】
そして、図７（ｂ）に示すように、ｎ＝３Ｌの場合には、Ｔｔｏｐ＝α１Ｔ（７０１）が、Ｔ１からｄＴｔｏｐ（７０３）の時間的ずれをもって発生される。ｄＴｔｏｐは、この図では、Ｔ１から遅延する場合を正の値とする。ｄＴｔｏｐは、Ｔｔｏｐの先頭位置におけるｎＴマークの先頭位置（Ｔ１）からの同期のずれ時間を定義しており、正確なマーク前端位置の調整に利用される。通常は、先頭記録パルスには、それに先行する記録パルスからの余熱がないので、Ｔｔｏｐ≧Ｔｍｐとして、後続のＴｍｐ区間における加熱と同等の加熱効果が得られるようにするのが好ましい。この場合には、β１Ｔ（７０４）は、β１Ｔ＝３Ｔ−（Ｔｔｏｐ＋ｄＴｔｏｐ）で決まるので、独立パラメータではない。  
【０１８０】
Ｔｔｏｐの後、周期３Ｔで、基準クロックに同期してｍ−２個のＴｍｐ（７０２）と、Ｔｌａｓｔ＝αｍＴ（７０５）との順に記録パルスが発生され、最後にＴｃｌ＝βｍＴ（７０６）のオフパルスが発生される。よって、オフパルス区間βｉＴ（２≦ｉ≦ｍ−２）は、３Ｔ−Ｔｍｐ＝（３−αｃ）Ｔ＝βｃＴ（７０７）となる。また、βｍ−１Ｔ（７０８）は、やはりβｍ−１Ｔ＝３Ｔ−Ｔｍｐで決まるから、独立パラメータではない。Ｔｍｐは、前述のように、３Ｔ周期ごとに基準クロック周期に同期して繰り返し発生される。もちろん、ｎ＝５、６、７、８の場合には、中間記録パルス区間Ｔｍｐは発生されない。なお、Ｔｌａｓｔの始点にｄＴｌａｓｔのずれを付加することは適宜可能であるが、ｄＴｌａｓｔ＝０とすることが好ましい。
【０１８１】
一方、図７（ｃ）に示すように、ｎ＝３Ｌ＋１の場合は、やはり、Ｔｔｏｐ＝α１Ｔが、Ｔ１からｄＴｔｏｐの時間的ずれをもって発生される。また、Ｔｔｏｐの後、ｍ−２個のＴｍｐと、Ｔｌａｓｔとの順に記録パルスが発生され、最後にＴｃｌが発生されるのである。ここで、Ｔｌａｓｔ及びＴｃｌは、ｎ＝３Ｌの場合とは異なる値Ｔｌａｓｔ＋（７１０）、Ｔｃｌ＋（７１１）をとりうる独立パラメータである。また、補正値ｄＴｌａｓｔ＋（７１２）を付加して、基準クロックからの同期をずらすことができるものとする。Ｔｌａｓｔ＋、Ｔｃｌ＋、ｄＴｌａｓｔ＋により、ｎ＝３Ｌの場合より、１Ｔ長いマーク長を形成する。通常は、Ｔｌａｓｔ＋＞Ｔｌａｓｔとし、０＜（Ｔｌａｓｔ＋−Ｔｌａｓｔ）≦Ｔとするのが好ましい。なお、βｍ−１Ｔ（７１３）は、βｍ−１Ｔ＝３Ｔ−Ｔｍｐ＋ｄＴｌａｓｔ＋で決まるから、独立パラメータではない。つまり、ｄＴｌａｓｔ＋の調整は、βｍ−１Ｔの調整を行っていることを意味する。  
【０１８２】
図７（ｄ）に示すように、ｎ＝３Ｌ＋２の場合には、やはり、Ｔｔｏｐ＝α１Ｔが、Ｔ１からｄＴｔｏｐの時間的ずれをもって発生される。但し、Ｔｔｏｐ、ｄＴｔｏｐは、他の３Ｌ、３Ｌ＋１の場合とは異なる値、Ｔｔｏｐ＋（７２０）、ｄＴｔｏｐ＋（７２１）をとりうるものとする。また、Ｔｔｏｐ＋の後、ｍ−２個のＴｍｐと、Ｔｌａｓｔとの順に記録パルスが発生され、最後にＴｃｌが発生される。ここで、Ｔｌａｓｔ、Ｔｃｌは、ｎ＝３Ｌ＋１の場合と同じ値Ｔｌａｓｔ＋（７２３）、Ｔｃｌ＋（７２４）及び補正値ｄＴｌａｓｔ＋（７２５）をとりうるものとする。主として、Ｔｔｏｐをｎ＝３Ｌ＋１とは異なる値Ｔｔｏｐ＋とし、ｄＴｔｏｐ＋で補正することにより、ｎ＝３Ｌ＋１よりも１Ｔ長いマーク長が形成される。この際、α２Ｔは、Ｔ１から４Ｔ周期をもって立ち上がるものとする。通常は、Ｔｔｏｐ＋＞Ｔｔｏｐ、とし、０＜（Ｔｔｏｐ＋−Ｔｔｏｐ）≦Ｔとするのが好ましい。これに伴い、β１Ｔ（７２２）は、β１Ｔ＝４Ｔ−（Ｔｔｏｐ＋＋ｄＴｔｏｐ＋）により決まるので、独立パラメータではない。つまり、ｄＴｔｏｐ＋及びＴｔｏｐ＋の調整は、β１Ｔの調整を行っていることを意味する。  
【０１８３】
このように、Ｔｔｏｐを増減する場合、Ｔ１からα２Ｔの立ち上がりまでの周期を、１Ｔ増減することで、後続の記録パルスの発生が１Ｔのずれで、基準クロック周期との同期を維持できる。また、Ｔｔｏｐを減少させる場合、Ｔ１とα２Ｔの立ち上がりまでの時間が２Ｔとなって、十分な冷却時間β１Ｔが維持できなくなる場合がある。このため、Ｔｔｏｐを可変して１Ｔのマーク長差をつける場合は、１Ｔ増加させることが好ましい。  
【０１８４】
ｎ＝５は、他のｎ＝３Ｌ＋２の場合とは異なるｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｌａｓｔ、ｄＴｌａｓｔ、Ｔｃｌをそれぞれ決める自由度があることが望ましい。このため、それぞれ、独立パラメータであることを明らかにするため、図６においては、ｄＴｔｏｐ５、Ｔｔｏｐ５、Ｔｌａｓｔ５、ｄＴｌａｓｔ５、Ｔｃｌ５と表記する。５Ｔマーク長ではｎ／ｍ＝２．５であるため、他のｎ＝３Ｌ＋２であるマーク長と異なり、記録パルスの繰返し周期が２．５Ｔ程度と小さくなる。このため、５Ｔマーク長は、他のｎ＝３Ｌ＋２であるマーク長と同じパラメータでは、正確なマーク長と、低ジッタの実現が難しい場合がある。
【０１８５】
ｎ＝２、３、４の場合は、ｍ＝１である。このため、一対の記録パルス区間Ｔｔｏｐとオフパルス区間β１Ｔ＝Ｔｃｌで、ｎ＝２、３、４のマーク長をそれぞれ形成すると同時に、低いマーク端ジッタを実現する。いずれの場合も、ｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｃｌの３つのパラメータで定義される。そして、それぞれのパラメータは、他のいずれのマーク長における、ｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｃｌとは別に独立して、定められるものとする。即ち、図６に示すように、２Ｔマーク長においては、ｄＴｔｏｐ２、Ｔｔｏｐ２、Ｔｃｌ２、３Ｔマーク長においては、ｄＴｔｏｐ３、Ｔｔｏｐ３、Ｔｃｌ３、４Ｔマーク長においては、ｄＴｔｏｐ４、Ｔｔｏｐ４、Ｔｃｌ４をもって、それぞれ異なるマーク長を形成する。  
【０１８６】
以上をまとめると、図６で定義される記録パルス分割方法（ＩＩＩａ）における独立パラメータの数は、ｎ＝２、３、４におけるそれぞれ３個を合計した９個のパラメータ（ｄＴｔｏｐ２、Ｔｔｏｐ２、Ｔｃｌ２、ｄＴｔｏｐ３、Ｔｔｏｐ３、Ｔｃｌ３、ｄＴｔｏｐ４、Ｔｔｏｐ４、Ｔｃｌ４）、ｎ＝５における５個のパラメータ（ｄＴｔｏｐ５、Ｔｔｏｐ５、Ｔｌａｓｔ５、ｄＴｌａｓｔ５、Ｔｃｌ５）、及びｎ＝６以上における１０個のパラメータ（ｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｍｐ、Ｔｌａｓｔ、Ｔｃｌ、Ｔｌａｓｔ＋、ｄＴｌａｓｔ＋、Ｔｃｌ＋、ｄＴｔｏｐ＋、Ｔｔｏｐ＋）である。すなわち、パラメータの数は、全部で９＋５＋１０＝２４個となる。
【０１８７】
尚、ｍ＝２以上のｎ＝３Ｌ＋２のマーク長を形成する際に、さらに、Ｔｌａｓｔ＋、Ｔｃｌ＋を、ｎ＝３Ｌ＋１のマーク長の場合と異なる値Ｔｌａｓｔ＋２、Ｔｃｌ＋２としてもよい。Ｔｌａｓｔ＋２及びＴｃｌ＋２を独立パラメータとして別途定めることで、より良いジッタが得られる場合がある。一方で、ｄＴｌａｓｔ＋、ｄＴｌａｓｔ＋２をゼロとするか、Ｔｃｌ＋＝Ｔｃｌ、Ｔｃｌ＋２＝Ｔｃｌとすることも可能である。つまり、ｎ＝３Ｌ＋１、３Ｌ＋２における、ｄＴｌａｓｔもしくは、Ｔｃｌの一方だけをｎ＝３Ｌの場合と異なる値とすることでも良好な結果が得られる場合が多い。この場合、ｎ＝６以上における独立パラメータを（ｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｍｐ、Ｔｌａｓｔ、Ｔｃｌ、Ｔｌａｓｔ＋、Ｔｃｌ＋、ｄＴｔｏｐ＋、Ｔｔｏｐ＋）又は（ｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｍｐ、Ｔｌａｓｔ、Ｔｃｌ、Ｔｌａｓｔ＋、ｄＴｌａｓｔ＋、ｄＴｔｏｐ＋、Ｔｔｏｐ＋）の９個とすることができる。  
【０１８８】
ｎ＝５における５個のパラメータ（ｄＴｔｏｐ５、Ｔｔｏｐ５、Ｔｌａｓｔ５、ｄＴｌａｓｔ５、Ｔｃｌ５）が、ｎ＝３Ｌ＋２（Ｌ≧２）における独立パラメータ（ｄＴｔｏｐ＋、Ｔｔｏｐ＋、Ｔｌａｓｔ＋、ｄＴｌａｓｔ＋、Ｔｃｌ＋）の一部又は全部と同じであれば、独立パラメータの数をさらに減らすことができ好ましい。  
【０１８９】
記録パルス分割方法（ＩＩＩａ）の利点は、同一分割数ｍ＝Ｌ（Ｌ≧２）における、ｎ＝３Ｌ、３Ｌ＋１、３Ｌ＋２となる３つの記録マーク長を一組とし、ｎ＝３Ｌの記録マーク長を形成するために用いる光記録方法を基準として、前記光記録方法において、後端記録パルス区間αｍＴ＝Ｔｌａｓｔ及びその前後の区間（βｍ−１Ｔ、βｍＴ＝Ｔｃｌ）の調整のみでｎ＝３Ｌ＋１の記録マーク長を形成する点にある。
【０１９０】
記録パルス分割方法（ＩＩＩａ）の別の利点は、同一分割数ｍ＝Ｌ（Ｌ≧２）における、ｎ＝３Ｌ、３Ｌ＋１、３Ｌ＋２となる３つの記録マーク長を一組とし、ｎ＝３Ｌ＋１の記録マーク長を形成するために用いる光記録方法を基準として、前記光記録方法において先端記録パルス区間α１Ｔ＝Ｔｔｏｐ及びその後の区間β１Ｔの調整でｎ＝３Ｌ＋２の記録マーク長を形成する点にある。
なお、βｍ−１Ｔの調整は、ｄＴｌａｓｔの調整を介して行っており、β１Ｔの調整は、Ｔｔｏｐ＝α１ＴとｄＴｔｏｐの調整を介して行っている。  
【０１９１】
そして、ｎ＝６以上における１０個のパラメータ、（ｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｍｐ、Ｔｌａｓｔ、Ｔｃｌ、Ｔｌａｓｔ＋、ｄＴｌａｓｔ＋、Ｔｃｌ＋、ｄＴｔｏｐ＋、Ｔｔｏｐ＋）が、Ｌによらず一定であるということは、ｎ＝３Ｌ、３Ｌ＋１、３Ｌ＋２（Ｌ≧２）の３つの記録マーク長におけるそれぞれの（α１、ｄＴｔｏｐ、β１、αｍ、βｍ−１、βｍ）の値が、Ｌによらず一定であるということに他ならない。  
【０１９２】
図２４は、記録パルス分割方法（ＩＩＩ）の他の一例である。以下では、この具体例を記録パルス分割方法（ＩＩＩｂ）とする。  
ｎが６以上の場合には、ｎ＝３Ｌ、３Ｌ＋１、３Ｌ＋２（Ｌ≧２の整数）の３つのマーク長を一組として考える。そして、ｎ＝３Ｌの記録マーク長を形成するために用いる光記録方法を基準として、プラス１Ｔ及びプラス２Ｔのマーク長差は、原則として、Ｌによらない一定のパラメータを用いて実現している。具体的には、同一の分割数ｍ＝Ｌ（Ｌ≧２）で形成する、ｎ＝３Ｌ、３Ｌ＋１、３Ｌ＋２の３つの記録マーク長を一組とし、ｎ＝３Ｌの記録マーク長を形成するために用いる光記録方法を基準として、前記光記録方法において少なくともα１を増加させて、ｎ＝３Ｌ＋１の記録マーク長を形成し、ｎ＝３Ｌ＋１の記録マーク長を形成するために用いる光記録方法を基準として、前記光記録方法において少なくともαｍを増加させることにより、ｎ＝３Ｌ＋２の場合の記録マーク長を形成する。そして、ｎ＝３Ｌの系列、ｎ＝３Ｌ＋１の系列、ｎ＝３Ｌ＋２の系列のそれぞれで、Ｌに依存しない独立パラメータを決める。このようにすることで、独立パラメータの数を大幅に少なくできる。  
【０１９３】
特に、Ｌ＝４の場合を例とする図２５において、図２４におけるｎ＝３Ｌ、３Ｌ＋１、３Ｌ＋２（Ｌ≧２の整数）の３つのマーク長を一組とする、周期的なパラメータ変化に注目して詳細な説明を行う。  
まず、記録パルス幅は、一定値Ｔｍｐ＝αｃＴを基本とする。そして、原則として、記録パルスは、周期３Ｔをもって基準クロック周期Ｔに同期して発生される。そして、ｎが３増える毎（マーク長が３Ｔ増える毎、Ｌが１増える毎）に、Ｔｍｐの中間記録パルスとそれにつづくオフパルスとの１組が周期３Ｔで追加される。基準クロック周期Ｔは、図２５（ａ）の８００の一箱の区間で表され、ｎＴマークは、基準クロックに同期した一点である時間Ｔ１を先頭とする。  
【０１９４】
そして、ｎ＝３Ｌ（図２５（ｂ））の場合には、Ｔｔｏｐ＝α１Ｔ（８０１）が、Ｔ１からｄＴｔｏｐ（８０３）の時間的ずれをもって発生される。ｄＴｔｏｐは、この図では、Ｔ１から遅延する場合を正の値とする。ｄＴｔｏｐは、Ｔｔｏｐの先頭位置におけるｎＴマークの先頭位置（Ｔ１）からの同期のずれ時間を定義しており、正確なマーク前端位置の調整に利用される。通常は、先頭記録パルスには、それに先行する記録パルスからの余熱がないので、Ｔｔｏｐ≧Ｔｍｐとして、後続のＴｍｐ区間における加熱と同等の加熱効果が得られるようにするのが好ましい。この場合には、β１Ｔ（８０４）は、β１Ｔ＝３Ｔ−（Ｔｔｏｐ＋ｄＴｔｏｐ）で決まるので、独立パラメータではない。  
【０１９５】
Ｔｔｏｐの後、周期３Ｔで、基準クロックに同期してｍ−２個のＴｍｐ（８０２）と、Ｔｌａｓｔ＝αｍＴ（８０５）との順に記録パルスが発生され、最後にＴｃｌ＝βｍＴ（８０６）のオフパルスが発生される。よって、オフパルス区間βｉＴ（２≦ｉ≦ｍ−２）は、３Ｔ−Ｔｍｐ＝（３−αｃ）Ｔ＝βｃＴ（８０７）となる。また、βｍ−１Ｔ（８０８）も、βｍ−１Ｔ＝３Ｔ−Ｔｍｐ決まるから独立パラメータではない。なお、Ｔｌａｓｔの始点にｄＴｌａｓｔのずれを付加することは適宜可能であるが、ｄＴｌａｓｔ＝０とすることが好ましい。
【０１９６】
Ｔｍｐは、前述のように、３Ｔ周期ごとに基準クロック周期に同期して繰り返し発生される。もちろん、ｎ＝５、６、７、８の場合には、中間記録パルス区間Ｔｍｐは発生されない。  
【０１９７】
一方、ｎ＝３Ｌ＋１（図２５（ｃ））の場合には、やはり、Ｔｔｏｐ＝α１Ｔが、Ｔ１からｄＴｔｏｐの時間的ずれをもって発生されるが、Ｔｔｏｐ、ｄＴｔｏｐは、他の３Ｌの場合とは異なる値、Ｔｔｏｐ＋（８１０）、ｄＴｔｏｐ＋（８１１）をとりうるものとする。  
また、Ｔｔｏｐ＋の後、ｍ−２個のＴｍｐと、Ｔｌａｓｔとの順に記録パルスが発生され、最後にＴｃｌが発生される。主として、Ｔｔｏｐをｎ＝３Ｌとは異なる値Ｔｔｏｐ＋とし、ｄＴｔｏｐ＋で補正することにより、ｎ＝３Ｌよりも１Ｔ長いマーク長を形成する。この際、α２Ｔは、Ｔ１から４Ｔ周期をもって立ち上がるものとする。通常は、Ｔｔｏｐ＋＞Ｔｔｏｐ、とし、０＜（Ｔｔｏｐ＋−Ｔｔｏｐ）≦Ｔとするのが好ましい。これに伴い、β１Ｔ（８１２）は、β１Ｔ＝４Ｔ−（Ｔｔｏｐ＋＋ｄＴｔｏｐ＋）により決まるので、独立パラメータではない。つまり、ｄＴｔｏｐ＋及びＴｔｏｐ＋の調整は、β１Ｔの調整を行っていることを意味する。  
【０１９８】
ｎ＝３Ｌ＋２（図２５（ｄ））の場合には、やはり、Ｔｔｏｐ＝α１Ｔが、Ｔ１からｄＴｔｏｐの時間的ずれをもって発生されるが、Ｔｔｏｐ及び、ｄＴｔｏｐは、ｎ＝３Ｌ＋１と同じ値、Ｔｔｏｐ＋（８２０）及びｄＴｔｏｐ＋（８２１）をとるものとする。この際、α２Ｔ＝Ｔｍｐは、Ｔ１から４Ｔ周期をもって立ち上がるものとする。これに伴い、β１Ｔ（８２２）は、β１Ｔ＝４Ｔ−（Ｔｔｏｐ＋＋ｄＴｔｏｐ＋）により決まるので、独立パラメータではない。つまり、ｄＴｔｏｐ＋及びＴｔｏｐ＋の調整は、β１Ｔの調整を行っていることを意味する。  
【０１９９】
α２Ｔを含めてｍ−２個のＴｍｐが発生された後、Ｔｌａｓｔの記録パルスが発生され、最後に冷却パルスＴｃｌが発生される。ここで、Ｔｌａｓｔ及びＴｃｌは、ｎ＝３Ｌ＋１の場合とは異なる値Ｔｌａｓｔ＋（８２３）、Ｔｃｌ＋（８２４）をとりうる。また、補正値ｄＴｌａｓｔ＋（８２５）を付加して、基準クロックからの同期をずらすことができるものとする。Ｔｌａｓｔ＋、Ｔｃｌ＋、ｄＴｌａｓｔ＋により、ｎ＝３Ｌ＋１の場合より、１Ｔ長いマーク長をするのである。通常は、Ｔｌａｓｔ＋＞Ｔｌａｓｔとし、０＜（Ｔｌａｓｔ＋−Ｔｌａｓｔ）≦Ｔとするのが好ましい。なお、βｍ−１Ｔ（８２６）は、βｍ−１Ｔ＝３Ｔ−Ｔｍｐ＋ｄＴｌａｓｔ＋で決まるから、独立パラメータではない。つまり、ｄＴｌａｓｔ＋の調整は、βｍ−１Ｔの調整を行っていることを意味する。  
【０２００】
ｎ＝５は、他のｎ＝３Ｌ＋２の場合とは異なるｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｌａｓｔ、ｄＴｌａｓｔ、Ｔｃｌをそれぞれ決める自由度があることが望ましい。このため、それぞれ、独立パラメータであることを明らかにするため、図２４においては、ｄＴｔｏｐ５、Ｔｔｏｐ５、Ｔｌａｓｔ５、ｄＴｌａｓｔ５、Ｔｃｌ５と表記する。５Ｔマーク長ではｎ／ｍ＝２．５であるため、他のｎ＝３Ｌ＋２であるマーク長と異なり、記録パルスの繰返し周期が２．５Ｔ程度と小さくなる。このため、５Ｔマークは、他のｎ＝３Ｌ＋２であるマーク長と同じパラメータでは、正確なマーク長と、低ジッタの実現が難しい場合がある。
【０２０１】
ｎ＝２、３、４の場合は、ｍ＝１である。このため、一対の記録パルス区間Ｔｔｏｐとオフパルス区間β１Ｔ＝Ｔｃｌで、ｎ＝２、３、４のマーク長をそれぞれ形成すると同時に、低いマーク端ジッタを実現する。いずれの場合も、ｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｃｌの３つのパラメータで定義される。そして、それぞれのパラメータは、他のいずれのマーク長における、ｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｃｌとは別に独立して、定められるものとする。すなわち、図２４に示すように、２Ｔマーク長においては、ｄＴｔｏｐ２、Ｔｔｏｐ２、Ｔｃｌ２、３Ｔマーク長においては、ｄＴｔｏｐ３、Ｔｔｏｐ３、Ｔｃｌ３、４Ｔマーク長においては、ｄＴｔｏｐ４、Ｔｔｏｐ４、Ｔｃｌ４をもって、それぞれ異なるマーク長を形成する。  
【０２０２】
以上をまとめると、図２４で定義される記録パルス分割方法（ＩＩＩｂ）における独立パラメータの数は、ｎ＝２、３、４におけるそれぞれ３個を合計した９個のパラメータ（ｄＴｔｏｐ２、Ｔｔｏｐ２、Ｔｃｌ２、ｄＴｔｏｐ３、Ｔｔｏｐ３、Ｔｃｌ３、ｄＴｔｏｐ４、Ｔｔｏｐ４、Ｔｃｌ４）、ｎ＝５における５個のパラメータ（ｄＴｔｏｐ５、Ｔｔｏｐ５、Ｔｌａｓｔ５、ｄＴｌａｓｔ５、Ｔｃｌ５）、及びｎ＝６以上における１０個のパラメータ（ｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｍｐ、Ｔｌａｓｔ、Ｔｃｌ、ｄＴｔｏｐ＋、Ｔｔｏｐ＋、Ｔｌａｓｔ＋、ｄＴｌａｓｔ＋、Ｔｃｌ＋）である。すなわち、パラメータの数は、全部で９＋５＋１０＝２４個となる。  
【０２０３】
なお、ｍ＝２以上のｎ＝３Ｌ＋２のマーク長を形成する際に、さらに、Ｔｔｏｐ＋、ｄＴｔｏｐ＋を、ｎ＝３Ｌ＋１のマーク長の場合と異なる値Ｔｔｏｐ＋２、ｄＴｔｏｐ＋２としてもよい。Ｔｔｏｐ＋２及びｄＴｔｏｐ＋２を独立パラメータとして別途定めることで、より良いジッタが得られる場合がある。一方で、ｄＴｌａｓｔ＋をゼロとするか、Ｔｃｌ＋＝Ｔｃｌとすることも可能である。つまり、３Ｌ＋２における、ｄＴｌａｓｔもしくは、Ｔｃｌの一方だけをｎ＝３Ｌ、３Ｌ＋１の場合と異なる値とすることでも良好な結果が得られる場合が多い。この場合、ｎ＝６以上における独立パラメータを（ｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｍｐ、Ｔｌａｓｔ、Ｔｃｌ、ｄＴｔｏｐ＋、Ｔｔｏｐ＋、Ｔｌａｓｔ＋、Ｔｃｌ＋）の９個、もしくは、（ｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｍｐ、Ｔｌａｓｔ、Ｔｃｌ、ｄＴｔｏｐ＋、Ｔｔｏｐ＋、ｄＴｌａｓｔ＋、Ｔｌａｓｔ＋）の９個とすることができる。  
【０２０４】
ｎ＝５における５個のパラメータ（ｄＴｔｏｐ５、Ｔｔｏｐ５、Ｔｌａｓｔ５、ｄＴｌａｓｔ５、Ｔｃｌ５）が、ｎ＝３Ｌ＋２（Ｌ≧３）における独立パラメータ（ｄＴｔｏｐ＋、Ｔｔｏｐ＋、Ｔｌａｓｔ＋、ｄＴｌａｓｔ＋、Ｔｃｌ＋）の一部又は全部と同じであれば、独立パラメータの数をさらに減らすことができ好ましい。  
【０２０５】
記録パルス分割方法（ＩＩＩｂ）の利点は、同一分割数ｍ＝Ｌ（Ｌ≧２）における、ｎ＝３Ｌ、３Ｌ＋１、３Ｌ＋２となる３つの記録マーク長を一組とし、ｎ＝３Ｌの記録マーク長を形成するために用いる光記録方法を基準として、前記光記録方法において、前記光記録方法において先端記録パルス区間α１Ｔ＝Ｔｔｏｐ及びその後の区間β１Ｔの調整でｎ＝３Ｌ＋１の記録マーク長を形成する点にある。
【０２０６】
記録パルス分割方法（ＩＩＩｂ）の他の利点は、同一分割数ｍ＝Ｌ（Ｌ≧２）における、ｎ＝３Ｌ、３Ｌ＋１、３Ｌ＋２となる３つの記録マーク長を一組とし、ｎ＝３Ｌ＋１の記録マーク長を形成するために用いる光記録方法を基準として、後端記録パルス区間αｍＴ＝Ｔｌａｓｔ及びその前後の区間（βｍ−１Ｔ、βｍＴ＝Ｔｃｌ）の調整でｎ＝３Ｌ＋２の記録マーク長を形成する点にある。
なお、βｍ−１Ｔの調整は、ｄＴｌａｓｔの調整を介して行っており、β１Ｔの調整は、Ｔｔｏｐ＝α１ＴとｄＴｔｏｐの調整を介して行っている。  
【０２０７】
そして、ｎ＝６以上における１０個のパラメータ、（ｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｍｐ、Ｔｌａｓｔ、Ｔｃｌ、Ｔｌａｓｔ＋、ｄＴｌａｓｔ＋、Ｔｃｌ＋、ｄＴｔｏｐ＋、Ｔｔｏｐ＋）が、Ｌによらず一定であるということは、ｎ＝３Ｌ、３Ｌ＋１、３Ｌ＋２（Ｌ≧２）の３つの記録マーク長におけるそれぞれの（α１、ｄＴｔｏｐ、β１、αｍ、βｍ−１、βｍ）の値が、Ｌによらず一定ということになる。  
【０２０８】
図８は、記録パルス分割方法（ＩＶ）を、ｎ＝２〜１６からなるマーク長に適用したタイミングチャートの具体例である。そして、各記録パルスの立ち上がり、または、立下りの位置を、基準クロックとできるだけ同期させている。それとともに、複数のマーク長における各パラメータを、ｎに関する周期性を考慮して、できるだけ規則的に変化させたものである。図８では、特に、ｍが２以上では、ｎ＝４Ｌ−３、ｎ＝４Ｌ−２、ｎ＝４Ｌ−１、ｎ＝４Ｌ（Ｌ≧２の整数）の４つのマーク長を一組として考え、Ｌが１増減すれば、ｍを１増減させる。そして、原則として、ｎ＝４Ｌ−２の記録マーク長を形成するために用いる光記録方法（記録パルス分割方法）を基準として、プラス２Ｔ・マイナス１Ｔのマーク長差を、原則として、Ｌによらない一定のパラメータを用いて実現している。  
【０２０９】
具体的には、同一の分割数ｍ＝Ｌ（Ｌ≧２）で形成する、ｎ＝４Ｌ−３、ｎ＝４Ｌ−２、ｎ＝４Ｌ−１、ｎ＝４Ｌの４つの記録マーク長を一組とし、ｎ＝４Ｌ−２の記録マーク長を形成するために用いる光記録方法（記録パルス分割方法）を基準として、前記光記録方法において少なくともαｍを増減して、それぞれｎ＝４Ｌ−１とｎ＝４Ｌ−３との記録マーク長をそれぞれ形成し、さらに、ｎ＝４Ｌ−１の記録マーク長を形成するために用いる光記録方法（記録パルス分割方法）を基準として、前記光記録方法において少なくともα１を増加させて、ｎ＝４Ｌの記録マーク長を形成する。そして、ｎ＝４Ｌ−３の系列、ｎ＝４Ｌ−２の系列、ｎ＝４Ｌ−１の系列、ｎ＝４Ｌの系列のそれぞれで、Ｌに依存しない独立パラメータを決める。このようにすることで、独立パラメータの数を大幅に少なくできる。以下では、この具体例を記録パルス分割方法（ＶＩａ）とする。  
【０２１０】
図９は、特にＬ＝３の場合の例である。図８におけるｎ＝４Ｌ−３、ｎ＝４Ｌ−２、ｎ＝４Ｌ−１、ｎ＝４Ｌ（Ｌ≧２の整数）の４つのマーク長を一組とする周期的なパラメータ変化に注目して詳細な説明を行う。  
先ず、記録パルス幅は、一定値Ｔｍｐ＝αｃＴを基本とする。そして、原則として、記録パルスは、周期３Ｔ乃至は４Ｔをもって基準クロック周期Ｔに同期して発生される。そして、ｎが４増える毎（マーク長が４Ｔ増える毎、Ｌが１増える毎）に、Ｔｍｐの中間記録パルスとそれに続くオフパルスの１組が周期４Ｔで追加される。基準クロック周期Ｔは、図９（ａ）の９００の一箱の区間で表され、ｎＴマークは、基準クロックに同期した一点である時間Ｔ１を先頭とする。  
【０２１１】
そして、図９（ｃ）に示すように、ｎ＝４Ｌ−２の場合には、Ｔｔｏｐ＝α１Ｔ（９０１）が、Ｔ１からｄＴｔｏｐ（９０３）の時間的ずれをもって発生される。ｄＴｔｏｐは、この図では、Ｔ１から遅延する場合を正の値とする。
【０２１２】
ｄＴｔｏｐは、Ｔｔｏｐの先頭位置におけるｎＴマークの先頭位置（Ｔ１）からの同期のずれ時間を定義しており、正確なマーク前端位置の調整に利用される。通常は、先頭記録パルスには、それに先行する記録パルスからの余熱がないので、Ｔｔｏｐ≧Ｔｍｐとして、後続のＴｍｐ区間における加熱と同等の加熱効果が得られるようにするのが好ましい。β１Ｔ（９０４）は、この場合にはβ１Ｔ＝３Ｔ−（Ｔｔｏｐ＋ｄＴｔｏｐ）で決まるので、独立パラメータではない。  
【０２１３】
Ｔｔｏｐの後、周期３Ｔで、基準クロックに同期して最初のＴｍｐ（９０２）がＴ４で発生され、以後は周期４Ｔとなって、最後にＴ５でＴｌａｓｔ＝αｍＴ（９０５）の順に記録パルスが発生され、最後にＴｃｌ＝βｍＴ（９０６）のオフパルスが発生される。よって、オフパルス区間βｉＴ（２≦ｉ≦ｍ−２）は、４Ｔ−Ｔｍｐ＝（４−αｃ）Ｔ＝βｃＴとなるが、図９に示す例では現れない。また、βｍ−１Ｔ（９０７）は、この場合には、４Ｔ−Ｔｍｐ＝（４−αｍ−１）Ｔとできる。この記録パルス分割方法においては、Ｌが一個増えればＴｍｐが、４Ｔ周期ごとに基準クロック周期に同期して繰り返し発生される点が、記録パルス分割方法（ＩＩａ）、（ＩＩＩａ）とは、異なる。もちろん、ｎ＝５、６、７、８の場合には、中間記録パルス区間Ｔｍｐは発生されない。なお、Ｔｌａｓｔの始点にｄＴｌａｓｔのずれを付加することは適宜可能であるが、ｄＴｌａｓｔ＝０とすることが好ましい。
【０２１４】
図９（ｂ）に示すように、ｎ＝４Ｌ−３の場合は、Ｔｔｏｐ＝α１Ｔが、Ｔ１からｄＴｔｏｐの時間的ずれをもって発生される。また、Ｔｔｏｐの後、周期３Ｔで、基準クロックに同期して最初のＴｍｐがＴ４で発生され、以後は周期４Ｔとなって、Ｔ５でＴｌａｓｔ＝αｍＴの順に記録パルスが発生され、最後にＴｃｌ＝βｍＴのオフパルスが発生される。ここで、Ｔｌａｓｔ、Ｔｃｌは、ｎ＝４Ｌ−２の場合とは異なる値Ｔｌａｓｔ−（９１０）、Ｔｃｌ−（９１１）をそれぞれとりうる独立パラメータである。また、Ｔｌａｓｔ−（９１０）は、補正値ｄＴｌａｓｔ−（９１２）を付加して、基準クロックからの同期をずらすことができるものとする。Ｔｌａｓｔ−、Ｔｃｌ−、及び、ｄＴｌａｓｔ−により、ｎ＝４Ｌ−２の場合より、１Ｔ短いマーク長を形成する。通常は、Ｔｌａｓｔ＞Ｔｌａｓｔ−とし、０＜（Ｔｌａｓｔ−Ｔｌａｓｔ−）≦Ｔとするのが好ましい。なお、βｍ−１Ｔ（９１３）は、この場合にはβｍ−１Ｔ＝４Ｔ−Ｔｍｐ＋ｄＴｌａｓｔ−で決まるから、独立パラメータではない。つまり、ｄＴｌａｓｔ−の調整は、βｍ−１Ｔの調整を行っていることを意味する。  
【０２１５】
一方、図９（ｄ）に示すように、ｎ＝４Ｌ−１の場合は、Ｔｔｏｐ＝α１Ｔが、Ｔ１からｄＴｔｏｐの時間的ずれをもって発生される。また、Ｔｔｏｐの後、周期３Ｔで、基準クロックに同期して最初のＴｍｐがＴ４で発生され、以後は周期４Ｔとなって、最後にＴ５でＴｌａｓｔ＝αｍＴの順に記録パルスが発生され、最後にＴｃｌ＝βｍＴのオフパルスが発生される。ここで、Ｔｌａｓｔ、Ｔｃｌは、ｎ＝４Ｌ−２の場合とは異なる値Ｔｌａｓｔ＋（９２０）、Ｔｃｌ＋（９２１）をそれぞれとりうる独立パラメータである。また、Ｔｌａｓｔ＋（９２０）は、補正値ｄＴｌａｓｔ−（９２２）を付加して、基準クロックからの同期をずらすことができるものとする。Ｔｌａｓｔ＋、Ｔｃｌ＋、及び、ｄＴｌａｓｔ＋により、ｎ＝４Ｌ−２の場合より、１Ｔ長いマーク長を形成する。通常は、Ｔｌａｓｔ＋＞Ｔｌａｓｔとし、０＜（Ｔｌａｓｔ＋−Ｔｌａｓｔ）≦Ｔとするのが好ましい。なお、βｍ−１Ｔ（９２３）は、βｍ−１Ｔ＝４Ｔ−Ｔｍｐ＋ｄＴｌａｓｔ＋で決まるから、独立パラメータではない。つまり、ｄＴｌａｓｔ＋の調整は、βｍ−１Ｔの調整を行っていることを意味する。  
【０２１６】
図９（ｅ）に示すように、ｎ＝４Ｌの場合には、Ｔｔｏｐは、やはり、Ｔｔｏｐ＝α１Ｔが、Ｔ１からｄＴｔｏｐの時間的ずれをもって発生されるが、Ｔｔｏｐ、ｄＴｔｏｐは、他の４Ｌ−３、４Ｌ−２、４Ｌ−１の場合とは異なる値、Ｔｔｏｐ＋（９３０）、ｄＴｔｏｐ＋（９３１）をそれぞれとりうるものとする。  
【０２１７】
また、Ｔｔｏｐ＋の後、ｍ−２個のＴｍｐと、Ｔｌａｓｔとの順に、周期４Ｔで記録パルスが発生され、最後にＴｃｌが発生されるのであるが、Ｔｌａｓｔ、Ｔｃｌは、ｎ＝４Ｌ−１の場合と同じ値Ｔｌａｓｔ＋（９３３）、Ｔｃｌ＋（９３４）及び補正値ｄＴｌａｓｔ＋（９３５）をとりうるものとする。主として、Ｔｔｏｐをｎ＝４Ｌ−１とは異なる値Ｔｔｏｐ＋とし、ｄＴｔｏｐ＋で補正することにより、ｎ＝４Ｌ−１よりも１Ｔ長いマーク長を形成する。通常は、Ｔｔｏｐ＋＞Ｔｔｏｐ、とし、０＜（Ｔｔｏｐ＋−Ｔｔｏｐ）≦Ｔとするのが好ましい。これに伴い、β１Ｔ（９３２）は、β１Ｔ＝４Ｔ−（Ｔｔｏｐ＋＋ｄＴｔｏｐ＋）により決まるので、独立パラメータではない。つまり、Ｔｔｏｐ＋、及びｄＴｌａｓｔ＋の調整は、β１Ｔの調整を行っていることを意味する。  
【０２１８】
ただし、ｎ＝５は、他のｎ＝４Ｌ−３の場合とは異なるｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｌａｓｔ、ｄＴｌａｓｔ、Ｔｃｌをそれぞれ決める自由度があることが望ましい。このため、それぞれ、独立パラメータであることを明らかにするため、図８においては、ｄＴｔｏｐ５、Ｔｔｏｐ５、Ｔｌａｓｔ５、ｄＴｌａｓｔ５、Ｔｃｌ５と表記する。５Ｔマーク長ではｎ／ｍ＝２．５であるため、他のｎ＝３Ｌ−１であるマーク長と異なり、記録パルスの繰返し周期が２．５Ｔ程度と小さくなる。このため、５Ｔマーク長は、他のｎ＝３Ｌ−１であるマーク長と同じパラメータでは、正確なマーク長と、低ジッタの実現が難しい場合がある。  
【０２１９】
ｎ＝２、３、４の場合は、ｍ＝１である。このため、一対の記録パルス区間Ｔｔｏｐとオフパルス区間β１Ｔ＝Ｔｃｌで、ｎ＝２、３、４のマーク長をそれぞれ形成すると同時に、低いマーク端ジッタを実現する。いずれの場合も、ｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｃｌの３つのパラメータで定義される。そして、それぞれのパラメータは、他のいずれのマーク長におけるｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｃｌとは別に独立して、定められるものとする。即ち、図８に示すように、２Ｔマーク長においては、ｄＴｔｏｐ２、Ｔｔｏｐ２、Ｔｃｌ２、３Ｔマーク長においては、ｄＴｔｏｐ３、Ｔｔｏｐ３、Ｔｃｌ３、４Ｔマーク長においては、ｄＴｔｏｐ４、Ｔｔｏｐ４、Ｔｃｌ４をもって、それぞれ異なるマーク長を形成する。  
【０２２０】
以上をまとめると、図８で定義される記録パルス分割方法（ＩＶａ）における独立パラメータの数は、ｎ＝２、３、４におけるそれぞれ３個を合計した９個のパラメータ（ｄＴｔｏｐ２、Ｔｔｏｐ２、Ｔｃｌ２、ｄＴｔｏｐ３、Ｔｔｏｐ３、Ｔｃｌ３、ｄＴｔｏｐ４、Ｔｔｏｐ４、Ｔｃｌ４）、ｎ＝５における５個のパラメータ（ｄＴｔｏｐ５、Ｔｔｏｐ５、Ｔｌａｓｔ５、ｄＴｌａｓｔ５、Ｔｃｌ５）、及びｎ＝６以上における１３個のパラメータ（ｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｍｐ、Ｔｌａｓｔ、Ｔｃｌ、Ｔｌａｓｔ＋、Ｔｃｌ＋、ｄＴｌａｓｔ＋、Ｔｌａｓｔ−、Ｔｃｌ−、ｄＴｌａｓｔ−、ｄＴｔｏｐ＋、Ｔｔｏｐ＋）である。すなわち、パラメータの数は、全部で９＋５＋１３＝２７個となる。      
【０２２１】
また、通常は、ｄＴｌａｓｔ＋、Ｔｃｌ＋のうちのいずれか一方は、ｄＴｌａｓｔ＋＝０乃至は、Ｔｃｌ＋＝Ｔｃｌとして、独立パラメータの数を一つ減らすことができる。同様に、ｄＴｌａｓｔ−、Ｔｃｌ−のうちのいずれか一方は、ｄＴｌａｓｔ−＝０、乃至は、Ｔｃｌ−＝Ｔｃｌとして、独立パラメータの数を一つ減らすことができる。即ち、ｎ＝６以上における独立パラメータを（ｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｍｐ、Ｔｌａｓｔ、Ｔｃｌ、Ｔｌａｓｔ＋、ｄＴｌａｓｔ＋、Ｔｌａｓｔ−、ｄＴｌａｓｔ−、ｄＴｔｏｐ＋、Ｔｔｏｐ＋）の１１個、または（ｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｍｐ、Ｔｌａｓｔ、Ｔｃｌ、Ｔｌａｓｔ＋、Ｔｃｌ＋、Ｔｌａｓｔ−、Ｔｃｌ−、ｄＴｔｏｐ＋、Ｔｔｏｐ＋）の１１個とすることもできる。  
【０２２２】
記録パルス分割方法（ＩＶａ）の利点は、同一分割数ｍ＝Ｌ（Ｌ≧２）における、ｎ＝４Ｌ−３、４Ｌ−２、４Ｌ−１、４Ｌとなる４つの記録マーク長を一組とし、ｎ＝４Ｌ−２の記録マーク長を形成するために用いる光記録方法を基準として、前記光記録方法において後端記録パルス区間αｍＴ＝Ｔｌａｓｔ及びその前後の区間（βｍ−１Ｔ、βｍＴ＝Ｔｃｌ）の調整でｎ＝４Ｌ−３とｎ＝４Ｌ−１との記録マーク長を形成する点にある。
【０２２３】
記録パルス分割方法（ＩＶａ）の他の利点は、同一分割数ｍ＝Ｌ（Ｌ≧２）における、ｎ＝４Ｌ−３、４Ｌ−２、４Ｌ−１、４Ｌとなる４つの記録マーク長を一組とし、ｎ＝４Ｌ−１の記録マーク長を形成するために用いる光記録方法を基準として、前記光記録方法において先端記録パルス区間α１Ｔ＝Ｔｔｏｐ及びその後の区間β１Ｔの調整でｎ＝４Ｌの記録マーク長を形成する点にある。
なお、βｍ−１Ｔの調整は、ｄＴｌａｓｔの調整を介して行っており、β１Ｔの調整は、Ｔｔｏｐ＝α１ＴとｄＴｔｏｐの調整を介して行っている。  
【０２２４】
そして、ｎ＝６以上における１３個のパラメータ、（ｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｍｐ、Ｔｌａｓｔ、Ｔｃｌ、Ｔｌａｓｔ＋、Ｔｃｌ＋、ｄＴｌａｓｔ＋、Ｔｌａｓｔ−、Ｔｃｌ−、ｄＴｌａｓｔ−、ｄＴｔｏｐ＋、Ｔｔｏｐ＋）がＬによらず一定であるということは、ｎ＝４Ｌ−３、４Ｌ−２、４Ｌ−１、４Ｌ（Ｌ≧２）の４つの記録マーク長におけるそれぞれの（α１、ｄＴｔｏｐ、β１、αｍ、βｍ−１、βｍ）の値が、ｎ＝５である場合をのぞいて、Ｌによらず一定であるということに他ならない。より好ましくは、ｎ＝５の場合も含めてＬによらず一定とすることである。      
【０２２５】
図２６は、記録パルス分割方法（ＩＶ）の他の一例である。図２６では、特に、ｍが２以上では、ｎ＝４Ｌ−３、４Ｌ−２、４Ｌ−１、４Ｌ（Ｌ≧２の整数）の４つのマーク長を一組として考え、Ｌが１増減ずれば、ｍを１増減させる。そして、原則として、ｎ＝４Ｌ−２の記録マーク長を形成するために用いる光記録方法を基準として、プラス２Ｔ・マイナス１Ｔのマーク長差を、原則としてＬによらない一定のパラメータを用いて、実現している。  
【０２２６】
具体的には、同一の分割数ｍ＝Ｌ（Ｌ≧２）で形成する、ｎ＝４Ｌ−３、４Ｌ−２、４Ｌ−１、４Ｌの４つの記録マーク長を一組とし、ｎ＝４Ｌ−２の記録マーク長を形成するために用いる光記録方法を基準として、前記光記録方法において少なくともαｍを減じて、ｎ＝４Ｌ−３の記録マーク長を形成し、ｎ＝４Ｌ−２の記録マーク長を形成するために用いる光記録方法を基準として、前記光記録方法において少なくともα１を増加させて、ｎ＝４Ｌ−１の記録マーク長を形成し、さらに、ｎ＝４Ｌ−１の記録マーク長を形成するために用いる光記録方法を基準として、前記光記録方法において少なくともαｍを増加させて、ｎ＝４Ｌの記録マーク長を形成する。そして、ｎ＝４Ｌ−３の系列、ｎ＝４Ｌ−２の系列、ｎ＝４Ｌ−１の系列、ｎ＝４Ｌの系列のそれぞれで、Ｌに依存しない独立パラメータを決める。このようにすることで、独立パラメータの数を大幅に少なくできる。以下では、この具体例を記録パルス分割方法（ＩＶｂ）とする。  
【０２２７】
特にＬ＝３の場合を例とする図２７で、図２６におけるｎ＝４Ｌ−３、４Ｌ−２、４Ｌ−１、４Ｌ（Ｌ≧２の整数）の４つのマーク長を一組とする周期的なパラメータ変化に注目して詳細な説明を行う。  
【０２２８】
まず、記録パルス幅は、一定値Ｔｍｐ＝αｃＴを基本とする。そして、原則として、記録パルスは、周期３Ｔ乃至は４Ｔをもって基準クロック周期Ｔに同期して発生される。そして、ｎが４増える毎（マーク長が４Ｔ増える毎、Ｌが１増える毎）に、Ｔｍｐの中間記録パルスとそれに続くオフパルスの１組が周期４Ｔで追加される。基準クロック周期Ｔは、図２７（ａ）の１０００の一箱の区間で表され、ｎＴマークは、基準クロックに同期した一点である時間Ｔ１を先頭とする。  
【０２２９】
そして、ｎ＝４Ｌ−２（図２７（ｃ））の場合には、Ｔｔｏｐ＝α１Ｔ（１００１）が、Ｔ１からｄＴｔｏｐ（１００３）の時間的ずれをもって発生される。ｄＴｔｏｐは、この図では、Ｔ１から遅延する場合を正の値とする。
【０２３０】
ｄＴｔｏｐは、Ｔｔｏｐの先頭位置におけるｎＴマークの先頭位置（Ｔ１）からの同期のずれ時間を定義しており、正確なマーク前端位置の調整に利用される。通常は、先頭記録パルスには、それに先行する記録パルスからの余熱がないので、Ｔｔｏｐ≧Ｔｍｐとして、後続のＴｍｐ区間における加熱と同等の加熱効果が得られるようにするのが好ましい。β１Ｔ（１００４）は、β１Ｔ＝３Ｔ−（Ｔｔｏｐ＋ｄＴｔｏｐ）で決まるので、独立パラメータではない。  
【０２３１】
Ｔｔｏｐの後、周期３Ｔで、基準クロックに同期して最初のＴｍｐ（１００２）がＴ４で発生され、以後は周期４Ｔとなって、Ｔ５でＴｌａｓｔ＝αｍＴ（１００５）の順に記録パルスが発生され、最後にＴｃｌ＝βｍＴ（１００６）のオフパルスが発生される。よって、オフパルス区間βｉＴ（２≦ｉ≦ｍ−２）は、４Ｔ−Ｔｍｐ＝（４−αｃ）Ｔ＝βｃＴとなるが、図２７に示す例では現れない。また、βｍ−１Ｔも、４Ｔ−Ｔｍｐとなるので、独立パラメータではない。この記録パルス分割方法においては、Ｌが一個増えれば、Ｔｍｐが４Ｔ周期ごとに基準クロック周期に同期して繰り返し発生される点が、記録パルス分割方法（ＩＩｂ）、（ＩＩＩｂ）と異なる点である。もちろん、ｎ＝５、６、７、８の場合には、中間記録パルス区間Ｔｍｐは発生されない。なお、Ｔｌａｓｔの始点にｄＴｌａｓｔのずれを付加することは適宜可能であるが、ｄＴｌａｓｔ＝０とすることが好ましい。  
【０２３２】
以下、ｎ＝４Ｌ−３、ｎ＝４Ｌ−２及びｎ＝４Ｌ−１における記録方法の関係は、記録パルス分割法法（ＩＩｂ）における、ｎ＝３Ｌ−１、ｎ＝３Ｌ及びｎ＝３Ｌ＋１における記録方法の関係と同じである。また、以下、ｎ＝４Ｌ−２、ｎ＝４Ｌ−１及びｎ＝４Ｌにおける記録方法の関係は、記録パルス分割法法（ＩＩＩｂ）における、ｎ＝３Ｌ、ｎ＝３Ｌ＋１及びｎ＝３Ｌ＋２における記録方法の関係と同じである。  
【０２３３】
すなわち、ｎ＝４Ｌ−３（図２７（ｂ））の場合には、Ｔｔｏｐ＝α１Ｔが、Ｔ１からｄＴｔｏｐの時間的ずれをもって発生される。また、Ｔｔｏｐの後、周期３Ｔで、基準クロックに同期して最初のＴｍｐがＴ４で発生され、以後は周期４Ｔとなって、Ｔ５でＴｌａｓｔ＝αｍＴの順に記録パルスが発生され、最後にＴｃｌ＝βｍＴのオフパルスが発生される。ここで、Ｔｌａｓｔ、Ｔｃｌは、ｎ＝４Ｌ−２の場合とは異なる値Ｔｌａｓｔ−（１０１０）、Ｔｃｌ−（１０１１）をそれぞれとりうる独立パラメータである。また、Ｔｌａｓｔ−（１０１０）は、補正値ｄＴｌａｓｔ−（１０１２）を付加して、基準クロックからの同期をずらすことができるものとする。Ｔｌａｓｔ−、Ｔｃｌ−、及び、ｄＴｌａｓｔ−により、ｎ＝４Ｌ−２の場合より、１Ｔ短いマーク長を形成する。通常は、Ｔｌａｓｔ＞Ｔｌａｓｔ−とし、０＜（Ｔｌａｓｔ−Ｔｌａｓｔ−）≦Ｔとするのが好ましい。なお、βｍ−１Ｔ（１０１３）は、βｍ−１Ｔ＝４Ｔ−Ｔｍｐ＋ｄＴｌａｓｔ−で決まるから、独立パラメータではない。つまり、ｄＴｌａｓｔ−の調整は、βｍ−１Ｔの調整を行っていることを意味する。  
【０２３４】
一方、ｎ＝４Ｌ−１（図２７（ｄ））の場合には、Ｔｔｏｐ＝α１Ｔが、Ｔ１からｄＴｔｏｐの時間的ずれをもって発生されるが、Ｔｔｏｐ、ｄＴｔｏｐは、他の３Ｌの場合とは異なる値、Ｔｔｏｐ＋（１０２０）、ｄＴｔｏｐ＋（１０２１）をとりうるものとする。  
【０２３５】
また、Ｔｔｏｐ＋の後、ｍ−２個のＴｍｐと、Ｔｌａｓｔとの順に記録パルスが発生され、最後にＴｃｌが発生される。主として、Ｔｔｏｐをｎ＝４Ｌ−２とは異なる値Ｔｔｏｐ＋とし、ｄＴｔｏｐ＋で補正することにより、ｎ＝４Ｌ−２よりも１Ｔ長いマーク長を形成する。この際、α２Ｔは、Ｔ１から４Ｔ周期をもって立ち上がるものとする。通常は、Ｔｔｏｐ＋＞Ｔｔｏｐ、とし、０＜（Ｔｔｏｐ＋−Ｔｔｏｐ）≦Ｔとするのが好ましい。これに伴い、β１Ｔ（１０２２）は、β１Ｔ＝４Ｔ−（Ｔｔｏｐ＋＋ｄＴｔｏｐ＋）により決まるので、独立パラメータではない。つまり、ｄＴｔｏｐ＋及びＴｔｏｐ＋の調整は、β１Ｔの調整を行っていることを意味する。  
【０２３６】
ｎ＝４Ｌ（図２７（ｅ））の場合には、Ｔｔｏｐ＝α１Ｔが、Ｔ１からｄＴｔｏｐの時間的ずれをもって発生されるが、Ｔｔｏｐ及び、ｄＴｔｏｐは、ｎ＝４Ｌ−１と同じ値、Ｔｔｏｐ＋（１０３０）及びｄＴｔｏｐ＋（１０３１）をとるものとする。この際、α２Ｔ＝Ｔｍｐは、Ｔ１から４Ｔ周期をもって立ち上がるものとする。これに伴い、β１Ｔ（１０３２）は、β１Ｔ＝４Ｔ−（Ｔｔｏｐ＋＋ｄＴｔｏｐ＋）により決まるので、独立パラメータではない。つまり、ｄＴｔｏｐ＋及びＴｔｏｐ＋の調整は、β１Ｔの調整を行っていることを意味する。  
【０２３７】
α２Ｔを含めてｍ−２個のＴｍｐが発生された後、Ｔｌａｓｔの記録パルスが発生され、最後に冷却パルスＴｃｌが発生されるのであるが、Ｔｌａｓｔ及びＴｃｌは、ｎ＝４Ｌ−１の場合とは異なる値Ｔｌａｓｔ＋（１０３３）、Ｔｃｌ＋（１０３４）をそれぞれとりうる独立パラメータである。また、Ｔｌａｓｔ＋（１０３３）は、補正値ｄＴｌａｓｔ＋（１０３５）を付加して、基準クロックからの同期をずらすことができるものとする。Ｔｌａｓｔ＋、Ｔｃｌ＋、ｄＴｌａｓｔ＋により、ｎ＝４Ｌ−１の場合より、１Ｔ長いマーク長を形成するのである。通常は、Ｔｌａｓｔ＋＞Ｔｌａｓｔとし、０＜（Ｔｌａｓｔ＋−Ｔｌａｓｔ）≦Ｔとするのが好ましい。なお、βｍ−１Ｔ（１０３６）は、βｍ−１Ｔ＝４Ｔ−Ｔｍｐ＋ｄＴｌａｓｔ＋で決まるから、独立パラメータではない。つまり、ｄＴｌａｓｔ＋の調整は、βｍ−１Ｔの調整を行っていることを意味する。  
【０２３８】
ただし、ｎ＝５は、他のｎ＝４Ｌ−３の場合とは異なるｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｌａｓｔ、ｄＴｌａｓｔ、Ｔｃｌをそれぞれ決める自由度があることが望ましい。このため、それぞれ、独立パラメータであることを明らかにするため、図２６においては、ｄＴｔｏｐ５、Ｔｔｏｐ５、Ｔｌａｓｔ５、ｄＴｌａｓｔ５、Ｔｃｌ５と表記する。５Ｔマーク長では、ｎ／ｍ＝２．５であるため、他のｎ＝３Ｌ−１であるマーク長と異なり、記録パルスの繰返し周期が２．５Ｔ程度と小さくなる。このため、５Ｔマーク長は、他のｎ＝３Ｌ−１であるマーク長と同じパラメータでは、正確なマーク長と、低ジッタの実現が難しい場合がある。  
【０２３９】
ｎ＝２、３、４の場合は、ｍ＝１である。このため、一対の記録パルス区間Ｔｔｏｐとオフパルス区間β１Ｔ＝Ｔｃｌで、ｎ＝２、３、４のマーク長をそれぞれ形成すると同時に、低いマーク端ジッタを実現する。いずれの場合も、ｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｃｌの３つのパラメータで定義される。そして、それぞれのパラメータは、他のいずれのマーク長におけるｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｃｌとは別に独立して、定められるものとする。すなわち、図２６に示すように、２Ｔマーク長においては、ｄＴｔｏｐ２、Ｔｔｏｐ２、Ｔｃｌ２、３Ｔマーク長においては、ｄＴｔｏｐ３、Ｔｔｏｐ３、Ｔｃｌ３、４Ｔマーク長においては、ｄＴｔｏｐ４、Ｔｔｏｐ４、Ｔｃｌ４をもって、それぞれ異なるマーク長を形成する。  
【０２４０】
以上をまとめると、図２６で定義される記録パルス分割方法（ＩＶｂ）における独立パラメータの数は、ｎ＝２、３、４におけるそれぞれ３個を合計した計９個のパラメータ（ｄＴｔｏｐ２、Ｔｔｏｐ２、Ｔｃｌ２、ｄＴｔｏｐ３、Ｔｔｏｐ３、Ｔｃｌ３、ｄＴｔｏｐ４、Ｔｔｏｐ４、Ｔｃｌ４）、ｎ＝５における５個のパラメータ（ｄＴｔｏｐ５、Ｔｔｏｐ５、Ｔｌａｓｔ５、ｄＴｌａｓｔ５、Ｔｃｌ５）、及びｎ＝６以上における１３個のパラメータ（ｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｍｐ、Ｔｌａｓｔ、Ｔｃｌ、Ｔｌａｓｔ−、Ｔｃｌ−、ｄＴｌａｓｔ−、ｄＴｔｏｐ＋、Ｔｔｏｐ＋、Ｔｌａｓｔ＋、Ｔｃｌ＋、ｄＴｌａｓｔ＋）である。すなわち、パラメータの数は、全部で９＋５＋１３＝２７個となる。  
【０２４１】
また、通常は、ｄＴｌａｓｔ＋、Ｔｃｌ＋のうちのいずれかを、ｄＴｌａｓｔ＋＝０乃至は、Ｔｃｌ＋＝Ｔｃｌとして、独立パラメータの数を一つ減らすことができる。同様に、ｄＴｌａｓｔ−、Ｔｃｌ−のうちのいずれか一方は、ｄＴｌａｓｔ−＝０、乃至は、Ｔｃｌ−＝Ｔｃｌとして、独立パラメータの数を一つ減らすことができる。すなわち、ｎ＝６以上における独立パラメータを（ｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｍｐ、Ｔｌａｓｔ、Ｔｃｌ、Ｔｌａｓｔ−、ｄＴｌａｓｔ−、ｄＴｔｏｐ＋、Ｔｔｏｐ＋、Ｔｌａｓｔ＋、ｄＴｌａｓｔ＋）の１１個、または（ｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｍｐ、Ｔｌａｓｔ、Ｔｃｌ、Ｔｌａｓｔ−、Ｔｃｌ−、ｄＴｔｏｐ＋、Ｔｔｏｐ＋、Ｔｌａｓｔ＋、Ｔｃｌ＋）の１１個とすることもできる。  
【０２４２】
記録パルス分割方法（ＩＶｂ）の利点は、同一分割数ｍ＝Ｌ（Ｌ≧２）における、ｎ＝４Ｌ−３、４Ｌ−２、４Ｌ−１、４Ｌとなる４つの記録マーク長を一組とし、ｎ＝４Ｌ−２の記録マーク長を形成するために用いる光記録方法を基準として、前記光記録方法において後端記録パルス区間αｍＴ＝Ｔｌａｓｔ及びその前後の区間（βｍ−１Ｔ、βｍＴ＝Ｔｃｌ）の調整のみでｎ＝４Ｌ−３とｎ＝４Ｌ−２との記録マーク長をそれぞれ形成し、ｎ＝４Ｌ−１の記録マーク長を形成するために用いる光記録方法を基準として、前記光記録方法において先端記録パルス区間α１Ｔ＝Ｔｔｏｐ及びその後の区間β１Ｔの調整のみでｎ＝４Ｌ−１と４Ｌ−２の記録マーク長をそれぞれ形成し、ｎ＝４Ｌ−１の記録マーク長を形成するために用いる光記録方法を基準として、前記光記録方法において後端記録パルス区間αｍＴ＝Ｔｌａｓｔ及びその前後の区間（βｍ−１Ｔ、βｍＴ＝Ｔｃｌ）の調整のみでｎ＝４Ｌ−１とｎ＝４Ｌとの記録マーク長を、それぞれ形成する点にある。なお、βｍ−１Ｔの調整は、ｄＴｌａｓｔの調整を介して行っており、β１Ｔの調整は、Ｔｔｏｐ＝α１ＴとｄＴｔｏｐの調整を介して行っている。  
【０２４３】
そして、ｎ＝６以上における１３個のパラメータ、（ｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｍｐ、Ｔｌａｓｔ、Ｔｃｌ、Ｔｌａｓｔ−、Ｔｃｌ−、ｄＴｌａｓｔ−、ｄＴｔｏｐ＋、Ｔｔｏｐ＋、Ｔｌａｓｔ＋、Ｔｃｌ＋、ｄＴｌａｓｔ＋）がＬによらず一定であるということは、ｎ＝４Ｌ−３、４Ｌ−２、４Ｌ−１、４Ｌ（Ｌ≧２）の４つの記録マーク長におけるそれぞれの（α１、ｄＴｔｏｐ、β１、αｍ、βｍ−１、βｍ）の値が、ｎ＝５である場合をのぞいて、Ｌによらず一定であるということに他ならない。より好ましくは、ｎ＝５の場合も含めてＬによらず一定とすることである。  
【０２４４】
以下に、上記のいずれの記録方式にも共通する留意点について述べる。  
上記説明における分割記録パルスストラテジーを定義する独立パラメータ、即ち、ｎ＝２、３、４、５における独立パラメータ（ｄＴｔｏｐ２、Ｔｔｏｐ２、Ｔｃｌ２、ｄＴｔｏｐ３、Ｔｔｏｐ３、Ｔｃｌ３、ｄＴｔｏｐ４、Ｔｔｏｐ４、Ｔｃｌ４）、（ｄＴｔｏｐ５、Ｔｔｏｐ５、Ｔｌａｓｔ５、ｄＴｌａｓｔ５、Ｔｃｌ５）、ｎ＝６以上における独立パラメータ、（ｄＴｔｏｐ、Ｔｔｏｐ、Ｔｍｐ、Ｔｌａｓｔ、Ｔｃｌ、Ｔｌａｓｔ＋、Ｔｃｌ＋、ｄＴｌａｓｔ＋、Ｔｌａｓｔ−、Ｔｃｌ−、ｄＴｌａｓｔ−、ｄＴｔｏｐ＋、Ｔｔｏｐ＋）等は、基準クロック周期Ｔで規格化した値に置き換えても良い。Ｔｔｏｐ２、Ｔｔｏｐ＋、Ｔｌａｓｔ２、Ｔｌａｓｔ＋、Ｔｃｌ２、Ｔｃｌ＋等を基準クロック周期Ｔで規格化したものは、添字はそのままで、α１２、α１＋、αｍ２、αｍ＋、βｍ２、βｍ＋等で表記する。一方、ｄＴｔｏｐ２、ｄＴｔｏｐ＋、ｄＴｌａｓｔ２、ｄＴｌａｓｔ＋等をＴで規格化したパラメータは、それぞれの添字はそのままにして、ηｔｏｐ２、ηｔｏｐ＋、ηｌａｓｔ２、ηｌａｓｔ＋等のように表記することとする。
【０２４５】
また、いずれの方法においても、Ｔｔｏｐ＝Ｔｍｐ−ｄＴｔｏｐ＊、Ｔｌａｓｔ＝Ｔｍｐ−ｄＴｌａｓｔ＊（＊は、２、３、４、５、＋、−等の添え字を表す。）とすることで、Ｔｔｏｐ＊やＴｌａｓｔ＊を従属パラメータとすることもできる。
【０２４６】
上記の記録パルス分割方式は、基準クロック周期との同期とマーク長のｎに関する周期性とを元に可能な限り規則性を保持することにより、独立パラメータ数を少なくする。
そして、上記記録パルス分割方式は、記録パルス発生回路を簡便化すること、最適パラメータの決定を容易にすること、を実現している。
当然ながら、本目的に反しない程度に、特定の記録パルスや冷却パルスの立ち上がり、立下りのタイミングを上記記録パルス分割方法で示したタイミングから、±０．２Ｔ程度ずらすことは、適宜可能である。また、特に、ｄＴｔｏｐやβｍＴ等を、当該記録マークに先行する記録マーク長や記録マーク間長に応じて、又は、当該記録マークに後続する記録マーク長や記録マーク間長に応じて、当該記録マーク毎に細かく調整することも可能である。これにより、隣り合う記録マークの間での熱干渉を抑制することができる。このように、付加的に独立パラメータの数が増えても、本発明の趣旨を超えるものではない。  
【０２４７】
上記の説明では、ｎとして、２〜１６あるいは、２〜１７の場合を例示したが、これらのｎの取りうる値に限定されるものではない。ｎ＝１６又は１７以上については、例えば記録方法（ＩＩａ）、（ＩＩＩａ）、（ＩＶａ）において、βｍ−１の前に、一対の冷却パルスと記録パルスＴｍｐを周期３Ｔ又は４Ｔで追加していけばよいので、独立パラメータの数は増加しない。一方、ｎとしてこれらの値（２〜１６、２〜１７）を全部用いる必要もない。一方、ｎの最大値ｎｍａｘは１６又は１７に限定されるものではない。  
【０２４８】
例えば、本実施の形態が適用される光記録方法をＣＤ−ＲＷに適用する場合は、ＥＦＭ変調された情報を複数の記録マーク長及び記録マーク間長により記録するにあたり、ｎｍａｘ＝１１とし、ｎとしては３〜１１までの整数値をとる。そして、消去パワーＰｅと記録パワーＰｗとの比を、通常Ｐｅ／Ｐｗ＝０．１〜０．６とし、バイアスパワーＰｂを、Ｐｂ≦０．２Ｐｅとするのが好ましい。
【０２４９】
また、本実施の形態が適用される光記録方法をＲＷ−ＤＶＤの記録方法として適用する場合は、ＥＦＭ＋変調された情報を複数の記録マーク長及び記録マーク間長により記録するにあたり、ｎｍａｘ＝１４とし、ｎとしては３〜１１までの整数値、及び１４をとる。そして、消去パワーＰｅと記録パワーＰｗとの比を、通常Ｐｅ／Ｐｗ＝０．１〜０．６とし、バイアスパワーＰｂを、Ｐｂ≦０．２Ｐｅとするのが好ましい。  
【０２５０】
ＣＤ−ＲＷ及びＲＷ−ＤＶＤにおける記録パルス分割方法（ＩＩａ）、（ＩＩＩａ）、（ＩＶａ）の場合の独立パラメータ数は、ｎ＝２の場合の独立パラメータ数３個を差し引いた数となる。  
【０２５１】
さらにまた、本実施の形態が適用される光記録方法を最近話題となっているＢｌｕ−Ｒａｙ等の記録方法として適用する場合には、ｎｍａｘ＝８とし、ｎとしては２〜８までの整数値をとる。そして、消去パワーＰｅと記録パワーＰｗとの比を、通常Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２〜０．６とし、バイアスパワーＰｂを、Ｐｂ≦０．２Ｐｅとするのが好ましい。  
【０２５２】
また、本実施の形態が適用される光記録方法をＣＤ−ＲＷに適用する場合においては、記録パルス区間αｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）の平均値およびオフパルス区間βｉＴ（ｉ＝１〜ｍ−１）の平均値をともに３ｎｓｅｃ以上とすることが好ましい。これにより、照射する光パワーの時間追従性を確保しやすくなる。より好ましくは、個々のαｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）およびβｉＴ（ｉ＝１〜ｍ−１）を３ｎｓｅｃ以上とするのが好ましい。  
【０２５３】
一方、本実施の形態が適用される光記録方法をＲＷ−ＤＶＤ及びそれ以上の高密度の媒体に適用する場合においては、記録パルス区間αｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）の平均値およびオフパルス区間βｉＴ（ｉ＝１〜ｍ−１）の平均値をともに２ｎｓｅｃ以上とすることが好ましい。これにより、照射する光パワーの時間追従性を確保しやすくなる。
【０２５４】
ここで、パルスαｉＴ（ｉ＝１〜ｍ）の時間幅は、ＰｗとＰｂ（又はＰｗ−Ｐｅ）との間のパワーレベルの遷移において、Ｐｗ−Ｐｂ（又はＰｗ−Ｐｅ）の半分のパワーレベルに達した時間で定義する。従って、例えば、図５のα１Ｔの記録パルスの時間幅は、前記パルスの立ち上がり部のＰｅからＰｗへ変化する際のＰｅ−Ｐｗの半分のパワーレベルに達した時間から、前記パルスの立ち下がり部のＰｗからＰｂへ変化する際のＰｗ−Ｐｂの半分のパワーレベルに達する時間までの間をいう。  
【０２５５】
ＣＤにおいてはαｉＴ（βｉＴ）を３ｎｓｅｃ以上とするのが好ましいのに対し、ＤＶＤ以上の高密度記録においてはαｉＴ（βｉＴ）を２ｎｓｅｃ以上とするのが好ましい理由を説明する。即ち、ＤＶＤ系以上の高密度記録の場合は、記録用集束光ビームの径がＣＤ系の場合の約７０％程度以下であるから、１回の記録パルス照射があたえる空間的な影響も７０％程度になる。このように集束光ビームの径が小さくなり空間分解能が向上するため、３ｎｓｅｃの約７０％となる２ｎｓｅｃ程度の短時間のパルス照射が有効となるのである。また、小さいビーム系の場合のほうが、昇温される面積が少ないので、冷却が速く、オフパルス区間に関しても、２ｎｓｅｃ程度まで短縮しても十分な冷却効果が得られるのである。  
【０２５６】
さらに、以上の記録パルス分割方法において、ｎ＝４の場合に限って分割数ｍを２とすることで、良好な結果が得られる場合がある。上記の操作は、ＣＤ−ＲＷにおいて適用することが最も好ましい。これは、ＣＤ−ＲＷの場合、４Ｔ記録マークの長さが、約１．１μｍと、ＲＷ−ＤＶＤ（４Ｔマーク長  約０．５３μｍ）以上の高密度媒体よりも倍以上大きいため、単一の記録パルスでは、溶融領域に蓄積された熱が逃げにくく、再結晶化が起こりやすいためである。この場合には、例えば図４の５Ｔマークにおいて、マークの基点Ｔ１から、ｄＴｌａｓｔの起点となる基準クロックの位置までの時間は、必ずしも３Ｔではなく、２Ｔ乃至２．５Ｔを基準としても良い。つまり、Ｔ１から、２Ｔ乃至２．５Ｔ経過したタイミングをｄＴｌａｓｔの基準と考えても良い。  
【０２５７】
なお、この４Ｔマーク長における冷却不足を補うための別法として、記録パルスの分割数は１のままで、むしろ、α１Ｔに先行して、概ね１Ｔ程度より短い、冷却パルスβ０Ｔを挿入することも有効である。
なお、β０Ｔの挿入は、全てのｎＴマークに対して適用することもできる。
【０２５８】
本実施の形態が適用される光記録方法（Ｉ）では、その記録方法を定めれば、おおむね４０ｍ／ｓ以上の高線速を上限とし、その半分以下の任意の線速においても、良好な記録再生が可能となる。そして、上記の分割記録パルス発生方法（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）を用いれば、記録パルス群の切り替え周期は概ね３Ｔ又は４Ｔで一定とし、分割数ｍを一定としたまま、αｉとβｉ（ここでｉ＝１〜ｍ−１）の比を変化させることで、同一の媒体を異なる線速で使用できるようになる。さらに、上記の分割記録パルス発生方法（ＩＩａ）、（ＩＩｂ）、（ＩＩＩａ）、（ＩＩＩｂ）、（ＩＶａ）、（ＩＶｂ）を用いれば、分割数ｍ、基準クロックとの同期、ｎの３に関する周期性による所定の規則性を保ったまま、αｉとβｉ（ここでｉ＝１〜ｍ−１）の比を変化させることで、同一の媒体を異なる線速で使用できるようになる。  
【０２５９】
この際、いずれの線速においても、通常は、図６に示すような、長さｎＴのマークを形成するために記録パワーＰｗとバイアスパワーＰｂとを交互に照射するパルス分割方式を採用するが、その具体的な方式を決定するパラメータの最適値は線速によって変わるのが一般的である。そこで、本実施の形態が適用される媒体には、記録線速に応じた最適記録パワーＰｗ０、最適消去パワーＰｅ０、最適バイアスパワーＰｂ０やαｉ（ｉは１〜ｍの少なくとも１つ）、βｉ（ｉは１〜ｍの少なくとも１つ）、分割数ｍ等の記録パルス分割方法情報のうちの少なくとも１つを媒体上あらかじめ記録しておくのが好ましい。  
【０２６０】
そして、記録パルス分割方法（Ｉ）を基本として、記録パルス分割方法（Ｖ）を適用する。  
（記録パルス分割方法（Ｖ））  
書き換え型光記録媒体が円盤状のディスクであり、同一ディスク面内において、複数の記録線速度で、記録マークの空間線密度を概ね一定としながら、記録を行う光記録方法であって、最大線速度Ｖｍａｘにおけるαｉ＝αｉｍａｘ（ｉ＝１〜ｍ）を０．５〜２とし、低線速度ほど、ｍは一定のまま、αｉ及びαｉ’（ｉ＝１〜ｍ）をそれぞれ単調に減少させるように上記記録パルス分割方法（Ｉ）を用いる方法である。記録マークの空間線密度を概ね一定とするということは、基準クロック周期を線速度に反比例して変化させることで達成される。この際、（αｉ＋βｉ）を概ね３又は４に保つことが望ましく、さらに、αｉ＋βｉ（２≦ｉ≦ｍ−１）を線速によらずほぼ一定とすることが好ましい。  
【０２６１】
記録パルス分割方法（Ｉ）から派生した（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（ＩＩａ）、（ＩＩｂ）、（ＩＩＩａ）、（ＩＩＩｂ）、（ＩＶａ）、（ＩＶｂ）の各々に対しても同様に、記録パルス分割方法が定義でき、それぞれを（ＶＩ）、（ＶＩＩ）、（ＶＩＩＩ）、（ＶＩａ）、（ＶＩｂ）、（ＶＩＩａ）、（ＶＩＩｂ）、（ＶＩＩＩａ）、（ＶＩＩＩｂ）と呼ぶこととする。
【０２６２】
ｍが一定のまま、良好な記録ができる記録線速度の下限を、Ｖｍｉｎとする。
記録パルス分割方法（ＶＩａ）、（ＶＩｂ）、（ＶＩＩａ）、（ＶＩＩｂ）、（ＶＩＩＩａ）、（ＶＩＩＩｂ）は、ｍを一定とし、さらには、αｉ＋βｉ（２≦ｉ≦ｍ−１）を概ね３又は４に保ったまま、Ｖｍａｘ／Ｖｍｉｎの比を少なくとも２以上とすることが可能である。これにより、広い線速度範囲で、変化する基準クロック周期との同期、及びｎに関する周期性を保つことができる。さらに、分割記録パルス発生のための論理回路を簡便化できる。ひいては、各線速度で最適化する必要のある独立パラメータ数を少なくできる。      
【０２６３】
特に、これらの記録パルス分割方法においては、Ｔｍｐ＝αｉＴにおいては、線速度とαｉとをほぼ比例する関係とするのが好ましい。特に、αｉＴの絶対時間幅をほぼ一定とすることで、正確に線速度とαｉとを比例関係とできる。また、Ｔｍｐ＝αｃＴ（２≦ｉ≦ｍ−１）に関しては、絶対時間幅を一定とする部分Ｔｍｐ０と、基準クロック周期（従って線速度）に依存して、γＴで定義される部分とを合わせて、Ｔｍｐ＝αｃＴ＝Ｔｍｐ０＋γＴとしても良い。通常、γは０＜γ＜３、好ましくは０＜γ≦２なる実数とする。この場合でも、αｃは、線速度とほぼ比例させることが望ましい。α１Ｔ＝Ｔｔｏｐ＝ｄＴｔｏｐ−Ｔｍｐと定義する場合には、Ｔｍｐの絶対時間幅をほぼ一定とし、一方で、ｄＴｔｏｐは、各線速度で独立に変化させることも好ましい。
【０２６４】
なお、具体例としてＣＤ−ＲＷ及びＲＷ−ＤＶＤに適用する場合、１倍速基準線速度、最大線速度Ｖｍａｘ、最小線速度ＶｍｉｎについてＣＤ−ＲＷとＲＷ−ＤＶＤで値を使い分ける。即ち、１倍速基準線速度Ｖ１とは、ＣＤ−ＲＷの場合、１．２ｍ／ｓ〜１．４ｍ／ｓであり、ＲＷ−ＤＶＤの場合、３．４９ｍ／ｓである。また、最大線速度Ｖｍａｘとは、ＣＤ−ＲＷの場合、上記ＣＤ−ＲＷの基準線速度の通常３２倍〜約４８倍速の範囲におけるいずれかの線速度であり、特に、４０倍速又は４８倍速をいう。ＲＷ−ＤＶＤの場合、上記ＲＷ−ＤＶＤの基準線速度の通常１０倍速〜約１６倍速の範囲におけるいずれかの線速度であり、特に１０倍速、１２倍速、及び１６倍速をいう。  
【０２６５】
同様に、最小線速度Ｖｍｉｎとは、ＣＤ−ＲＷの場合、通常約１２倍速以下のいずれかの線速度であり、ＲＷ−ＤＶＤの場合、通常約６倍速以下のいずれかの線速度である。当然のことながら、ＶｍａｘとＶｍｉｎが対で用いられる場合、Ｖｍａｘ＞Ｖｍｉｎとなる、線速度範囲から選ばれる。  
【０２６６】
従って、ＣＤ−ＲＷを想定する場合には、１倍速基準線速度、Ｖｍａｘ、Ｖｍｉｎとして上記記載のＣＤ−ＲＷの値を用い、ＲＷ−ＤＶＤを想定する場合には、１倍速基準線速度、Ｖｍａｘ、Ｖｍｉｎとして上記記載のＲＷ−ＤＶＤの値を用いる。  
【０２６７】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、本発明の例示であり、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。  
【０２６８】
また、本発明が適用可能な、具体的な例として、１０倍速以上の高線速記録に用いる書き換え型ＤＶＤ記録媒体が実現できる。より具体的には、記録層が非晶質の状態を記録マークとし、ＥＦＭ＋変調（データの基準クロック周期Ｔに対して３Ｔから１１Ｔまで、及び１４Ｔの時間的長さのマーク長及びマーク間長さの組み合わせ）によるマーク長変調記録を行うことにより、記録信号フォーマットについてはＤＶＤと再生互換を有する書換え型記録媒体の記録方法を提供することができる。  
【０２６９】
また、４０倍速以上の高線速記録に用いるＣＤ−ＲＷを実現できる。より具体的には、ＣＤ−ＲＷでは、記録層が非晶質の状態を記録マークとし、ＥＦＭ変調による（即ちデータの基準クロック周期Ｔに対して３Ｔから１１Ｔまでの時間的長さのマーク長及びマーク間長さの組み合わせによる）マーク長変調記録を行うことにより、記録信号フォーマットについてはＣＤと再生互換を有する書換え型記録媒体の記録方法を提供することができる。      
【０２７０】
さらに、２００Ｍｂｐｓ以上の高データ転送レート記録に用いるＤＶＲを実現できる。より具体的には、記録層が非晶質の状態を記録マークとし、（１、７）Ｒｕｎ−Ｌｎｇｈｔ−Ｌｉｍｉｔｅｄ変調による（即ちデータの基準クロック周期Ｔに対して２Ｔから８Ｔまでの時間的長さのマーク長及びマーク間長さの組み合わせによる）マーク長変調記録を行うことにより、高密度の書換え型記録媒体の記録方法を提供することができる。  
【０２７１】
［２］光記録方法に用いる記録媒体
本実施の形態が適用される光記録方法に用いる記録媒体としては、例えば、相変化型の記録層を有する光記録媒体を挙げることができる。このような光記録媒体の具体例としては、ディスク状の基板上に、第一保護層（下部保護層）、記録層（相変化型記録層）、第二保護層（上部保護層）、反射層、及び保護コート層をこの順に有する層構成をとり、基板を通してレーザ光を照射することにより信号の記録再生を行なう光記録媒体（基板面入射型の光記録媒体として用いられる）を挙げることができる。
【０２７２】
また、相変化型記録層を有する光記録媒体の他の具体例としては、ディスク状の基板上に、反射層、第二保護層（下部保護層）、記録層（相変化型記録層）、第一保護層（上部保護層）、及び保護コート層をこの順に有する層構成をとり、上部保護層を通じてレーザ光を照射することにより信号の記録再生を行なう記録媒体（膜面入射型の光学的情報記録用媒体として用いられる。）を挙げることができる。この膜面入射型の光学的情報記録用媒体では、基板を通さずに上部保護層側からレーザ光を照射することにより信号の記録再生を行なうため、記録層と光ヘッドの距離を数百ミクロン以下に接近させることが可能となり、開口数が０．７以上の対物レンズを使用することで媒体の記録密度を向上させることが出来る。
【０２７３】
尚、上記基板面入射型の光記録媒体及び膜面入射型の光記録媒体それぞれの層構成は例示である。例えば、基板面入射型の光記録媒体及び膜面入射型の光記録媒体のいずれにおいても、保護層と反射層との間に界面層を設けることができるし、膜面入射型の光記録媒体において、基板と反射層との間に下地層を設けてもよい。  
本発明において好ましいのは、高データ転送レートを可能とする、結晶化速度の速い記録材料を記録層に用いた記録媒体を用いることである。
以下、基板、記録層、その他の層（保護層、反射層、保護コート層）の各層について説明する。  
【０２７４】
（１）基板  
基板には、例えば、ポリカーボネート、アクリル、ポリオレフィンなどの樹脂、あるいはガラスを用いることができる。なかでもポリカーボネート樹脂はＣＤ−ＲＯＭ等において最も広く用いられている実績もあり安価でもあるので最も好ましい。基板の厚さは、通常０．１ｍｍ以上、好ましくは０．３ｍｍ以上であり、一方、通常２０ｍｍ以下、好ましくは１５ｍｍ以下である。一般的には０．６ｍｍ〜１．２ｍｍ程度とされる。基板面入射型の光記録媒体においては、基板はレーザ光を透過する必要があるため、レーザ光に対して透明である必要がある。一方、膜面入射型の光記録媒体においては、基板は必ずしも透明である必要はない。
【０２７５】
基板には、通常、同心円状又はスパイラル状のトラック（グルーブ）が形成されている。また、基板の形状はディスク状とするが、ここで、「ディスク状」とは、回転可能な形状をいい、通常は平面円盤形状をいうが、平面円盤形状に限られるものではない。例えば、光学的情報記録用媒体の意匠を魅力的にするために、平面楕円形状や平面四角形状としてもよい。
【０２７６】
（２）記録層  
記録層としては、例えば、ＧｅＳｂＴｅ、ＩｎＳｂＴｅ、ＡｇＳｂＴｅ、及びＡｇＩｎＳｂＴｅといった系列の化合物が繰り返し記録可能な材料として選ばれる。これらの中で、Ｓｂ２Ｔｅ３とＧｅＴｅの疑似２元合金を主成分とする組成、より具体的には、｛（Ｓｂ２Ｔｅ３）１−α（ＧｅＴｅ）α｝１−βＳｂβ組成（ただし、０．２≦α≦０．９、０≦β≦０．１）、あるいは、Ｓｂを５０原子％以上含むＳｂを主成分とする組成のいずれかであることが多い。
【０２７７】
本実施の形態が適用される光記録方法は、結晶化速度の速い材料を記録層に用いた記録媒体に適用することが好ましい。結晶化速度を高めるために、前記記録層にＳｂを主成分とする組成を用いることがより好ましい。なお、本発明において、「Ｓｂを主成分とする」とは、記録層全体のうち、Ｓｂの含有量が５０原子％以上であることを意味する。Ｓｂを主成分とする理由は、Ｓｂの非晶質は、非常に高速で結晶化できるため、非晶質マークを短時間で結晶化することが可能となる。このため、非晶質状態の記録マークの消去が容易となる。この点から、Ｓｂの含有量は６０原子％以上であることが好ましく、７０原子％以上であることがより好ましい。しかし、一方で、Ｓｂ単独で用いるよりも、非晶質形成を促進させ、かつ非晶質状態の経時安定性を高めるための添加元素をＳｂと共に併用することが好ましい。記録層の非晶質形成を促進させ、かつ非晶質状態の経時安定性を高めるためには、上記添加元素の含有量を、通常１原子％以上、好ましくは５原子％以上、より好ましくは１０原子％以上とし、一方、通常３０原子％以下とする。  
【０２７８】
非晶質形成を促進させ、かつ非晶質状態の経時安定性を高める上記添加元素は、結晶化温度を高める効果もある。このような添加元素としては、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、希土類元素、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｃｏ、窒素、酸素、及びＳｅ等を用いることができる。これら添加元素のうち、非晶質形成の促進、非晶質状態の経時安定性の向上、及び結晶化温度を高める観点から、好ましいのはＧｅ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ｇａ、及びＳｎからなる群から選ばれる少なくとも１つとすることであり、特に好ましいのは、Ｇｅ及び／又はＴｅを用いるか、Ｉｎ、Ｇａ、及びＳｎの少なくとも１つを用いることである。  
【０２７９】
上述の通り、記録媒体の記録層においては、高速での結晶化や非晶質の形成及び非晶質状態の経時安定性向上のために、記録層の材料として、ＳｂとＧｅ及び／又はＴｅとを併用することが特に好ましい。Ｇｅ及び／又はＴｅをＳｂに添加する際に、記録層中におけるＧｅ又はＴｅそれぞれの含有量を、１原子％以上３０原子％以下とすることが好ましい。つまり、Ｇｅ及びＴｅは、それぞれ単独で１原子％以上３０原子％以下ずつ含有されていることが好ましい。但し、記録層の主成分をＳｂとした場合にＳｂの含有量は５０原子％以上となるため、Ｓｂと共にＧｅ及びＴｅを記録層に含有させる場合、Ｇｅ及びＴｅの合計量は５０原子％よりは少なくなる。  
【０２８０】
記録層中におけるＧｅ又はＴｅのそれぞれの含有量は、より好ましくは３原子％以上、さらに好ましくは５原子％以上とする。この範囲とすれば、非晶質マークを安定化する効果が十分に発揮されるようになる。一方、記録層中におけるＧｅ又はＴｅのそれぞれの含有量は、より好ましくは２０原子％以下、さらに好ましくは１５原子％以下とする。この範囲とすれば、非晶質が安定になりすぎて逆に結晶化が遅くなるという傾向を良好に抑制することができるようになり、結晶粒界での光散乱によるノイズを抑制することができるようになる。
【０２８１】
上記Ｓｂを主成分とする組成は、記録層中に含有されるＴｅの量によって、２種類に分類することができる。一つは、Ｔｅを１０原子％以上含有する組成であり、もう一つはＴｅを１０原子％未満含有する組成（Ｔｅを含有しない場合を含む）である。  
そのひとつは、記録層材料を、Ｔｅを概ね１０原子％以上含みつつ、Ｓｂ７０Ｔｅ３０共晶組成よりも過剰のＳｂを含有する合金が主成分である組成範囲とすることである。この記録層材料を、以下において、ＳｂＴｅ共晶系と呼ぶ。ここで、Ｓｂ／Ｔｅは３以上とすることが好ましく、４以上とすることがより好ましい。
【０２８２】
記録層中に含有されるＴｅの量によって分類することができる、上記Ｓｂを主成分とするもう一つの組成としては以下のものをあげることができる。すなわち、記録層の組成を、Ｓｂを主成分としつつ、Ｔｅを１０原子％未満とし、さらにＧｅを必須成分として含有するようにするのである。上記記録層の組成の具体例としては、Ｓｂ９０Ｇｅ１０近傍組成の共晶合金を主成分とし、Ｔｅを１０原子％未満含有する合金（本明細書においては、この合金をＳｂＧｅ共晶系と呼ぶ。）を好ましく挙げることができる。
【０２８３】
Ｔｅ添加量が１０原子％未満の組成は、ＳｂＴｅ共晶系ではなく、ＳｂＧｅ共晶系としての性質を有するようになる。このＳｂＧｅ共晶系の合金は、Ｇｅ含有量が１０原子％程度と高くても、初期結晶化後の多結晶状態の結晶粒径は比較的微細なために結晶状態が単一相となりやすく、ノイズが低い。ＳｂＧｅ共晶系の合金においては、Ｔｅは、付加的に添加されるにすぎず必須元素とはならない。
【０２８４】
ＳｂＧｅ共晶系合金では、Ｓｂ／Ｇｅ比を相対的に高くすることで、結晶化速度を速めることができ、再結晶化による非晶質マークの再結晶化が可能である。  
記録層にＳｂを主成分とする組成を用い、結晶状態を未記録・消去状態とし、非晶質マークを形成して記録を行なう場合、冷却効率を良くすることが非常に重要となる。これは以下の理由による。
【０２８５】
すなわち、上記ＳｂＴｅ共晶系又はＳｂＧｅ共晶系等のＳｂを主成分とする記録層は、高速記録に対応するために、Ｓｂ７０Ｔｅ３０共晶点あるいはＳｂ９０Ｇｅ１０共晶点近傍よりもさらにＳｂを過剰に添加して、結晶核生成速度ではなく結晶成長速度を高めることにより結晶化速度を高めている。このため、これら記録層においては、記録層の冷却速度を速くして、再結晶化による非晶質マークの変化（非晶質マークが所望のサイズよりも小さくなること）を抑制することが好ましい。従って、記録層を溶融した後に非晶質マークを確実に形成するために記録層を急冷することが重要となり、記録層の冷却効率を良くすることが非常に重要となるのである。そのため、上記記録層組成においては、反射層に放熱性の高いＡｇ又はＡｇ合金を用いることが特に好ましい。
【０２８６】
上記、ＳｂＴｅ共晶系又はＳｂＧｅ共晶系等のＳｂを主成分とする組成を用いる記録層において、さらに、Ｉｎ、Ｇａ、及びＳｎの少なくとも１つを含有し、前記記録層中におけるＩｎ、Ｇａ、及びＳｎのそれぞれの含有量が１原子％以上３０原子％以下であることが特に好ましい。  
【０２８７】
以下、Ｓｂを主成分とする組成の具体例についてさらに説明する。  
Ｓｂを主成分とする組成としては、まず、（ＳｂｘＴｅ１−ｘ）１−ｙＭｙ（ただし、０．６≦ｘ≦０．９、０≦ｙ≦０．３、ＭはＧｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｖ、Ｎｂ、及びＴａより選ばれる少なくとも１種）合金を主成分とするＳｂＴｅ共晶系の組成を好ましく挙げることができる。なお、上記組成式は、原子数比で組成を表している。従って、例えばｘ＝０．６は、６０原子％を意味する。  
【０２８８】
上記（ＳｂｘＴｅ１−ｘ）１−ｙＭｙ組成においては、Ｍとしては、Ｇｅ、Ｇａ、Ａｇ又はＩｎを単独又は併用して用いることが、オーバーライト特性等の記録特性の観点から特に好ましい。  
【０２８９】
上記（ＳｂｘＴｅ１−ｘ）１−ｙＭｙ組成においては、ｘは、通常０．６以上、好ましくは０．７以上、より好ましくは０．７５以上であり、一方、通常０．９以下とする。また、ｙは、通常０以上、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．０３以上であり、一方、通常０．３以下、好ましくは０．２以下、より好ましくは０．１以下である。ｘ、ｙを上記範囲とすれば、高速記録に対応可能な記録層を得ることができるようになる。
【０２９０】
上記（ＳｂｘＴｅ１−ｘ）１−ｙＭｙ組成においてＭとしてＧｅを用いる組成について更に説明する。この組成としては、Ｓｂ７０Ｔｅ３０共晶点組成を基本として大幅に過剰のＳｂを含むＳｂ７０Ｔｅ３０合金を母体とし、さらにＧｅを含む、Ｇｅｙ（ＳｂｘＴｅ１−ｘ）１−ｙ（ただし、０．０１≦ｙ≦０．０６、０．７≦ｘ≦０．９）であらわされる組成を用いることが好ましい。Ｇｅ量は、Ｇｅｙ（ＳｂｘＴｅ１−ｘ）１−ｙにおけるｙの値として０．０１以上、特に、０．０２以上であることが好ましい。一方、このようにＳｂ含有量が多いＳｂＴｅ共晶組成では、Ｇｅ量が多すぎると、ＧｅＴｅやＧｅＳｂＴｅ系の金属間化合物が析出するとともに、ＳｂＧｅ合金も析出しうるために、記録層中に光学定数の異なる結晶粒が混在すると推定される。そして、この結晶粒の混在により、記録層のノイズが上昇しジッタが増加することがある。また、Ｇｅをあまりに多く添加しても非晶質マークの経時安定性の効果が飽和する。このため、通常Ｇｅ量は、Ｇｅｙ（ＳｂｘＴｅ１−ｘ）１−ｙにおけるｙの値として、０．０６以下、好ましくは０．０５以下、より好ましくは０．０４以下である。
【０２９１】
上記ＧｅＳｂＴｅ共晶系の組成においては、さらにＩｎ、Ｇａ、Ｓｎを含有させることが特に好ましい。すなわち、Ｍ１ｚＧｅｙ（ＳｂｘＴｅ１−ｘ）１−ｙ−ｚ（０．０１≦ｚ≦０．４、０．０１≦ｙ≦０．０６、０．７≦ｘ≦０．９であり、Ｍ１は、Ｉｎ、Ｇａ及びＳｎからなる群から選ばれた少なくとも一種の元素を表す。）で表される組成を用いることが特に好ましい。上記Ｍ１をＩｎ、Ｇａ及びＳｎで示される一群の元素のうち少なくとも１種を添加することによりさらに特性が改善される。Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｎの元素は、結晶状態と非晶質状態の光学的コントラストを大きくでき、ジッタを低減する効果もある。Ｍ１の含有量を示すｚは、通常０．０１以上、好ましくは０．０２以上、より好ましくは０．０５以上、一方、通常０．１５以下、好ましくは０．１以下とする。この範囲とすれば、上記特性改善の効果が良好に発揮されるようになる。
【０２９２】
上記、Ｉｎ，Ｓｎを含むＧｅＳｂＴｅ合金において、好ましい別の組成範囲として、Ｇｅｘ（ＩｎｗＳｎ１−ｗ）ｙＴｅｚＳｂ１−ｘ−ｙ−ｚを挙げることができる。ここで、Ｓｂの含有量は、Ｇｅの含有量、Ｉｎの含有量、Ｓｎの含有量、及びＴｅの含有量のいずれよりも多く、原子数比を表すｘ、ｙ、ｚ、及びｗは下記（ｉ）から（ｖｉ）を満たすようにする。
【０２９３】
（ｉ）０≦ｘ≦０．３  
（ｉｉ）０．０７≦ｙ−ｚ  
（ｉｉｉ）ｗ×ｙ−ｚ≦０．１  
（ｉｖ）０＜ｚ  
（ｖ）（１−ｗ）×ｙ≦０．３５  
（ｖｉ）０．３５≦１−ｘ−ｙ−ｚ  
上記記録層組成では、２０ｍ／ｓ以上の線速度で良好にオーバーライトを行うことが可能になる。以下、上記記録層組成における、各元素含有量と特性との関係を詳細に説明する。
【０２９４】
（Ｓｂ、式（ｖｉ））  
Ｓｂの含有量は、Ｇｅの含有量、Ｉｎの含有量、Ｓｎの含有量、及びＴｅの含有量のいずれよりも多い。すなわち、本発明の記録材料はＳｂを主体とする。具体的には、Ｓｂ含有量は３５原子％以上であり他の含有元素のどれよりも含有量が多い。本発明の効果を十分に得るためにはＳｂ含有量は４０原子％以上であることが好ましく、４５原子％以上であることがより好ましい。  
【０２９５】
（Ｓｎ、式（ｉｉ）、（ｖ））  
Ｓｎ含有量が結晶状態の反射率や結晶と非晶質の反射率差（信号振幅）に与える影響と、Ｉｎ含有量が結晶状態の反射率や結晶と非晶質の反射率差（信号振幅）に与える影響とはほぼ同等である。このため、上記記録層組成にはＳｎ又はＩｎの一方を含有させる。そして、Ｓｎ含有量とＩｎ含有量との合計を、Ｔｅ量より一定量の範囲内で多くすることにより結晶の反射率や信号振幅を大きくできる。一方、Ｔｅ含有量が多くなると結晶の反射率や信号振幅が低下する。したがって、所望する結晶状態の反射率及び信号振幅を得るためには、Ｓｎ及び／又はＩｎの含有量とＴｅの含有量との関係を制御することが重要となる。
このため、上記一般式における（ｙ−ｚ）の値は０．０７以上とし、好ましくは０．１以上、より好ましくは０．１３以上、特に好ましくは０．１５以上とする。ｙの値が大きくなると最適パワーが小さくなり好ましい。  
【０２９６】
また、Ｓｎが多すぎる場合にはジッタ特性が悪化する傾向にあるため、上記一般式における（１−ｗ）×ｙの値は、０．３５以下とし、好ましくは０．３以下とする。したがって、Ｔｅを多く含有させる場合、信号振幅を制御する観点からＩｎ含有量とＳｎ含有量との合計を多くする必要があるが、ジッタ特性を考慮するとＳｎはあまり多くすることができないため、Ｔｅの含有量を多くするときは、Ｓｎに加えＩｎも含むようにすることが好ましくなる。具体的には、Ｓｎを３５原子％を超えて含有させないとＴｅによる結晶の反射率や信号振幅の低下を抑えきれないほどＴｅ含有量を多くするような場合は、Ｉｎを含有させればよい。  
【０２９７】
（Ｉｎ、式（ｉｉｉ））  
Ｉｎを用いることにより、結晶状態の反射率や結晶と非晶質との反射率差（信号振幅）を大きくすることができるため、記録層に含有させる元素としてＩｎを用いることが好ましい。
【０２９８】
Ｉｎを用いることにより、結晶状態の反射率や結晶と非晶質の反射率差（信号振幅）を大きくすることができる上、Ｓｎに比べてジッタ特性への影響を少なくできるという利点がある。Ｓｎ，Ｔｅよりは、結晶粒界ノイズを低下させる機能があるものと推定される。一方で、Ｉｎは準安定結晶状態に由来すると思われる、長期保存による反射率の低下を引き起こす。これに対し、Ｔｅは長期保存による反射率低下を抑える傾向にある。したがって、長期保存における光学的情報記録用媒体の反射率の低下を抑制する観点から、Ｉｎ含有量とＴｅ含有量とを所定の関係とすることが重要となる。
【０２９９】
すなわち、上記一般式において、（Ｉｎ含有量−Ｔｅ含有量）の値を所定の範囲内とすることで、長期保存による反射率の低下を抑制できるようになる。具体的には、上記一般式におけるｗ×ｙ−ｚの値が小さいと長期保存による反射率の低下率が小さくなるので、ｗ×ｙ−ｚの値は０．１以下が好ましく、０．０５以下がより好ましく、０以下とすることがさらに好ましい。ここで、ｗ×ｙ−ｚ＝０はＩｎ含有量とＴｅ含有量とが同一となることを意味する。したがって、Ｉｎ含有量がＴｅ含有量と同一か、又はＩｎ含有量がＴｅ含有量よりも少ないことが本発明では更に好ましいのである。  
【０３００】
このように長期保存による反射率低下をなるべく小さくしようとすると、ＩｎをＴｅに対して過度に多く含有させることができないので、前述の関係式０．０７≦ｙ−ｚを満たすためには、上記記録層組成において、Ｉｎに加えＳｎも含むようにすることが好ましい。具体的には、ｗ×ｙ−ｚ＜０．０７となった場合には、Ｉｎに加えＳｎも含有させないと０．０７≦ｙ−ｚを満たすことができなくなる。また、Ｓｎを含有させずにＩｎとＴｅの含有量を多くすると高速記録に適した結晶化速度を得にくくなるという点でもＩｎとＳｎの両方を含有することが好ましくなる。すなわち、０＜ｗ＜１とするのが好ましい。
【０３０１】
なお、Ｉｎが過度に多いと、光学的情報記録用媒体の長期保存における信号品質が劣化する傾向にある。また、Ｓｎを含まずＩｎを多くするとＩｎ−Ｓｂ系で見られる低反射率の安定結晶層が出現する場合がある。このため、Ｉｎ含有量すなわちｗ×ｙの値は、０．３５以下とすることが好ましい。  
【０３０２】
（Ｔｅ、式（ｉｖ））  
上記記録層組成においてはＴｅを含有させる。Ｔｅは繰り返し記録耐久性を向上させることができる。このためＴｅ含有量はある程度多くすることが好ましいが、上述のとおり、Ｉｎ及び／又はＳｎとＴｅとの関係、及びＩｎとＴｅとの関係を所定の範囲内に制御する必要がある。具体的には、上記一般式におけるＴｅの含有量を示すｚを、０＜ｚとするが、好ましくは０．０１≦ｚ、より好ましくは０．０５≦ｚ、さらに好ましくは０．０８≦ｚ、特に好ましくは０．１≦ｚ、最も好ましくは０．１＜ｚとする。
【０３０３】
Ｔｅ含有量を表わすｚは通常０．２９未満となるが、これは上記一般式に規定された他の関係式により必然的に決まる値である。上述のようにＩｎ、Ｔｅはある程度含有量を多くすることが好ましいが、特にＴｅは結晶化速度を遅くするはたらきがあるため、高速記録に適した結晶化速度を得るためにはＴｅ含有量を表わすｚは、０．２５以下とすることが好ましく、０．２０以下とすることがより好ましい。  
【０３０４】
（Ｇｅ、式（ｉ））  
結晶化速度を調整するため、Ｇｅを用いることができる。すなわち、Ｇｅは、反射率、信号振幅（結晶と非晶質との反射率差）、媒体の長期保存による反射率低下等の特性には大きくは関係しない。このため、Ｇｅは、使用したい記録条件に適した結晶化速度を得るために用いることができる。Ｇｅが多くなると結晶化速度は遅くなるため、例えばより高速記録用の光学的情報記録用媒体ではＧｅ含有量を少なくし、結晶化速度を調整することもできる。ただし、結晶化速度は他の元素含有量にも関係し、Ｓｎが多くなると結晶化速度は速くなり、Ｉｎ、Ｔｅが多くなると結晶化速度は遅くなる。したがって、前述の諸特性を考慮してＧｅ以外の元素の含有量比を決めた後、Ｇｅの含有量を調整することにより記録条件に応じた結晶化速度の調整を行うことが好ましい。Ｇｅ含有量が多すぎると結晶化速度は遅くなりすぎるので、上記一般式におけるｘは０．３以下とし、好ましくは０．２５以下とし、より好ましくは０．２以下とする。なお、含有量が結晶化速度に与える影響は、ＧｅとＴｅが特に大きい。
【０３０５】
また、Ｇｅ含有量が多いと、記録された非晶質マークを長期保存した場合に保存前における記録直後よりも結晶化しにくくなる傾向にある。この現象が顕著になると、記録された光学的情報記録用媒体を長期保存した後にオーバーライトを行う場合に、重ね書きした記録信号の信号品質が不十分となってしまう。つまり、長期保存後の古いマークが十分に消えないため新しい記録マークの信号品質を悪化させるのである。この結晶化がしにくくなる現象は、長期保存後の第一回目の記録においてのみ問題となり、長期保存後に新たに記録される非晶質マークは正常な結晶化速度をもつようになる。いずれにせよ、Ｇｅ含有量を少なくすることによりこの現象は軽減される。この意味において、Ｇｅ含有量は少ない方が好ましく、上記一般式におけるｘの値を０．１以下とすることが特に好ましく、０．０７以下とすることが最も好ましい。
【０３０６】
上述のように、ＴｅやＩｎは結晶化速度を遅くする効果があるので、結晶化速度を遅くする場合に同一の結晶化速度を得るにはＴｅ、Ｉｎの含有量が多い方がＧｅ含有量を少なくできる。この意味においてＴｅ含有量、すなわちｚの値は０．０５以上であることが好ましく、０．０８以上がより好ましく、０．１以上であることが最も好ましい。さらにこのとき、Ｉｎ含有量、すなわちｗ×ｙの値は０．０５以上が好ましく０．０８以上がより好ましい。また、前記のようにＴｅ含有量が多い場合はＩｎとＳｎの両方を含むことが好ましくなる。すなわち、最も好ましい組成ではＧｅ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｔｅすべてを含有することとなる。
【０３０７】
一方、Ｇｅ含有量が少なすぎると、非晶質マークの保存安定性が悪化し長期保存により結晶化する傾向にある。非晶質マークの保存安定性はＩｎを多くすることによっても改善される傾向にあるが、Ｇｅの影響の方が強い傾向にある。一方、他の元素の影響により、Ｇｅ含有量がゼロであっても非晶質マークの保存安定性が比較的良い場合もある。したがって、上記一般式におけるｘの値は０以上とするが、０より大きいことが好ましく、０．０１以上がより好ましく、０．０２以上がさらに好ましい。
【０３０８】
上記ＧｅＳｂＴｅ共晶系の組成においてＩｎ、Ｇａ、Ｓｎ以外に含みうる元素としては、窒素、酸素及び硫黄を挙げることができる。これら元素は、繰返しオーバーライトにおける偏析の防止や光学特性の微調整ができるという効果がある。窒素、酸素及び硫黄の含有量は、Ｓｂ、Ｔｅ及びＧｅの合計量に対して５原子％以下であることがより好ましい。  また、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｃｏを上記ＧｅＳｂＴｅ共晶系の組成に含有させることもできる。これらの元素は、ごく微量の添加により、結晶成長速度を低下させることなく、結晶化温度を上昇させ、さらなる経時安定性の改善に効果がある。ただし、これら元素の量が多すぎると特定の物質の経時的偏析や繰返しオーバーライトによる偏析が起こりやすくなるため、添加量は５原子％以下、特に３原子％以下とするのが好ましい。偏析が生じると、記録層が初期に有する非晶質の安定性や再結晶化速度等が変化して、オーバーライト特性が悪化することがある。
【０３０９】
一方、Ｓｂを主成分とする組成であるＳｂＧｅ共晶系組成としては、ＳｂＧｅ共晶系にＴｅを添加するＴｅＧｅＳｂ系を主成分とする組成、ＳｂＧｅ共晶系にＩｎ、Ｇａ又はＳｎを添加した、ＩｎＧｅＳｂ系、ＧａＧｅＳｂ系、又はＳｎＧｅＳｂ系３元合金を主成分とする組成を挙げることができる。ＳｂＧｅ共晶系の合金に、Ｔｅ、Ｉｎ、Ｇａ、又はＳｎを添加することにより、結晶状態と非晶質状態の光学的特性差を大きくする効果を顕著とすることができるが、特にＳｎを添加することが好ましい。
【０３１０】
このようなＳｂＧｅ共晶系合金の好ましい組成としては、ＴｅγＭ２δ（ＧｅεＳｂ１−ε）１−δ−γ（ただし、０．０１≦ε≦０．３、０≦δ≦０．３、０≦γ＜０．１、２≦δ／γ、０＜δ＋γ≦０．４であり、Ｍ２はＩｎ、Ｇａ、及びＳｎからなる群から選ばれる一つである。）を挙げることができる。ＳｂＧｅ共晶系合金に、Ｉｎ、Ｇａ、又はＳｎを添加することにより、結晶状態と非晶質状態との光学的特性差を大きくできる効果を顕著とすることができる。
【０３１１】
元素Ｍ２としてＩｎ、Ｇａを用いることで、超高速記録におけるジッタが改善され、光学的なコントラストも大きくすることができるようになる。このため、Ｉｎ及び／又はＧａの含有量を示すδは、通常０以上、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．０５以上とする。ただし、Ｉｎ又はＧａが過度に多いと、消去状態として使用する結晶相とは別に、非常に低反射率のＩｎ−Ｓｂ系、又はＧａ−Ｓｂ系の他の結晶相が形成される場合がある。従って、δは、通常０．３以下、好ましくは、０．２以下とする。尚、ＩｎとＧａとを比較すると、Ｉｎの方がより低ジッタを実現できるため、上記Ｍ２はＩｎとすることが好ましい。
【０３１２】
一方、元素Ｍ２としてＳｎを用いることで、超高速記録におけるジッタが改善され、光学的なコントラスト（結晶状態と非晶質状態の反射率差）が大きくとれるようになる。このため、Ｓｎの含有量を示すδは、通常０以上、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．０５以上とする。ただし、Ｓｎが過度に多いと、記録直後の非晶質相が、低反射率の他の非晶質相に変化する場合がある。特に、長時間保存した場合に、この安定化非晶質相が析出して消去性能が低下する傾向がある。従って、δは、通常０．３以下、好ましくは０．２以下とする。
【０３１３】
元素Ｍ２として、Ｉｎ、Ｇａ、及びＳｎのうち複数の元素を用いることもできるが、特に、Ｉｎ及びＳｎを含有させることが好ましい。Ｉｎ及びＳｎを含有させる場合、これら元素の合計含有量は、通常１原子％以上、好ましくは５原子％以上とし、通常４０原子％以下、好ましくは３０原子％以下、より好ましくは２５原子％以下とする。  
上記ＴｅＭ２ＧｅＳｂ系の組成においては、Ｔｅを含有することで超高速記録における消去比の経時的変化を改善することができるようになる。このため、Ｔｅの含有量を示すγは、通常０以上とするが、好ましくは０．０１以上、特に好ましくは０．０５以上とする。ただし、Ｔｅが過度に多いと、ノイズが高くなる場合があるため、γは、通常０．１より小とする。
【０３１４】
尚、上記ＴｅＭ２ＧｅＳｂ系の組成において、Ｔｅと元素Ｍ２とを含有させる場合は、これらの合計含有量を制御することが有効である。従って、Ｔｅ及び元素Ｍ２の含有量を示すδ＋γは、通常０より大きくするが、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．０５以上とすることである。δ＋γを上記範囲とすることで、Ｔｅ及び元素Ｍ２を同時に含有させる効果が良好に発揮されるようになる。一方、ＧｅＳｂ系共晶合金を主成分とする効果を良好に発揮されるために、δ＋γは、通常０．４以下、好ましくは０．３５以下、より好ましくは０．３以下とする。一方、元素Ｍ２とＴｅとの原子数比を表すδ／γは２以上とするのが好ましい。Ｔｅを含有させることによって光学的コントラストが低下する傾向にあるため、Ｔｅを含有させた場合には、元素Ｍ２の含有量を若干多くする（δを若干大きくする）ことが好ましい。
【０３１５】
上記ＴｅＭ２ＧｅＳｂ系の組成に添加しうる元素としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、希土類元素、Ｎ、Ｏ等があり、光学特性や結晶化速度の微調整等に使われるが、その添加量は、最大で１０原子％程度である。  
以上において最も好ましい組成の一つは、ＩｎｐＳｎｑＴｅｒＧｅｓＳｂｔ（０≦ｐ≦０．３、０≦ｑ≦０．３、０＜ｐ＋ｑ≦０．３、０≦ｒ＜０．１、０＜ｓ≦０．２、０．５≦ｔ≦０．９、ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｔ＝１）なる合金系を主成分とする組成である。ＴｅとＩｎ及び／又はＳｎとを併用する場合は、（ｐ＋ｑ）／ｒ≧２とするのが好ましい。
【０３１６】
記録層の膜厚は、十分な光学的コントラストを得、また結晶化速度を速くし短時間での記録消去を達成するためには５ｎｍ以上あるのが好ましい。また反射率を十分に高くするために、より好ましくは１０ｎｍ以上とする。  
一方、クラックを生じにくく、かつ十分な光学的コントラストを得るためには、記録層膜厚は１００ｎｍ以下とするのが好ましいが、より好ましくは５０ｎｍ以下とする。これは、熱容量を小さくし記録感度を上げるためである。また、上記範囲とすれば相変化に伴う体積変化を小さくできるため、上下の保護層に対する、繰り返しオーバーライトによる繰り返し体積変化の影響を小さくすることもできる。ひいては、不可逆な微視的変形の蓄積が抑えられノイズが低減され、繰り返しオーバーライト耐久性が向上する。
【０３１７】
書き換え可能型ＤＶＤのような高密度記録用媒体では、ノイズに対する要求が一層厳しいため、より好ましくは記録層膜厚を３０ｎｍ以下とする。  
上記記録層は、通常、所定の合金ターゲットを不活性ガス、特にＡｒガス中でＤＣまたはＲＦスパッタリングして得ることができる。  
【０３１８】
また、記録層の密度は、バルク密度の通常８０％以上、好ましくは９０％以上とする。ここでいうバルク密度ρとは、通常下記（１）式による近似値を用いるが、記録層を構成する合金組成の塊を作成して実測することもできる。
ρ＝Σｍｉρｉ・・・（１）  
（ここで、ｍｉは各元素ｉのモル濃度であり、ｍｉρｉは元素ｉの原子量である。）  
【０３１９】
スパッタ成膜法においては、成膜時のスパッタガス（通常、Ａｒ等の希ガス。以下、Ａｒの場合を例に説明する。）の圧力を低くしたり、ターゲット正面に近接して基板を配置するなどして、記録層に照射される高エネルギーＡｒ量を多くすることによって、記録層の密度を上げることができる。高エネルギーＡｒは、通常スパッタのためにターゲットに照射されるＡｒイオンが一部跳ね返されて基板側に到達するものか、プラズマ中のＡｒイオンが基板全面のシース電圧で加速されて基板に達するものかのいずれかである。
【０３２０】
このような高エネルギーの希ガスの照射効果をＡｔｏｍｉｃ  ｐｅｅｎｉｎｇ効果というが、一般的に使用されるＡｒガスでのスパッタではＡｔｏｍｉｃ  ｐｅｅｎｉｎｇ効果により、Ａｒがスパッタ膜に混入される。膜中のＡｒ量により、Ａｔｏｍｉｃ  ｐｅｅｎｉｎｇ効果を見積もることができる。すなわち、Ａｒ量が少なければ、高エネルギーＡｒ照射効果が少ないことを意味し、密度の疎な膜が形成されやすい。
【０３２１】
一方、Ａｒ量が多ければ、高エネルギーＡｒの照射が激しくなり、膜の密度は高くなるものの、膜中に取り込まれたＡｒが繰り返しオーバーライト時にｖｏｉｄとなって析出し、繰り返しの耐久性を劣化させやすい。従って、適度な圧力、通常は１０−２〜１０−１Ｐａのオーダーの範囲で放電を行なう。  
【０３２２】
（３）その他の層  
（保護層）  
記録層の相変化に伴う蒸発・変形を防止し、その際の熱拡散を制御するため、通常記録層の上下一方または両方、好ましくは両方に保護層が形成される。保護層の材料は、屈折率、熱伝導率、化学的安定性、機械的強度、密着性等に留意して決定される。一般的には透明性が高く高融点である金属や半導体の酸化物、硫化物、窒化物、炭化物やＣａ、Ｍｇ、Ｌｉ等のフッ化物等の誘電体を用いることができる。  
【０３２３】
この場合、これらの酸化物、硫化物、窒化物、炭化物、フッ化物は必ずしも化学量論的組成をとる必要はなく、屈折率等の制御のために組成を制御したり、混合して用いることも有効である。繰り返し記録特性を考慮すると誘電体の混合物が好ましい。より具体的には、ＺｎＳや希土類硫化物等のカルコゲン化合物と酸化物、窒化物、炭化物、フッ化物等の耐熱化合物の混合物が挙げられる。例えば、ＺｎＳを主成分とする耐熱化合物の混合物や、希土類の硫酸化物、特にＹ２Ｏ２Ｓを主成分とする耐熱化合物の混合物は好ましい保護層組成の一例である。
【０３２４】
保護層の材料としては、通常、誘電体材料を挙げることができる。誘電体材料としては、例えば、Ｓｃ、Ｙ、Ｃｅ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、及びＴｅ等の酸化物、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、及びＰｂ等の窒化物、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、及びＳｉ等の炭化物、又はこれらの混合物を挙げることができる。また、誘電体材料としては、Ｚｎ、Ｙ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、及びＢｉ等の硫化物、セレン化物もしくはテルル化物、Ｍｇ、Ｃａ、Ｌｉ等のフッ化物、又はこれらの混合物を挙げることができる。
【０３２５】
さらに誘電体材料の具体例としては、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＧｅＮ、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＣｒＮ、ＴａＳ２、Ｙ２Ｏ２Ｓ等を挙げることができる。これら材料の中でも、ＺｎＳ−ＳｉＯ２は、成膜速度の速さ、膜応力の小ささ、温度変化による体積変化率の小ささ、及び優れた耐候性から広く利用される。ＺｎＳ−ＳｉＯ２を用いる場合、ＺｎＳとＳｉＯ２との組成比ＺｎＳ：ＳｉＯ２は、通常０：１〜１：０、好ましくは０．５：０．５〜０．９５：０．０５、より好ましくは０．７：０．３〜０．９：０．１とする。最も好ましいのはＺｎＳ：ＳｉＯ２を０．８：０．２とすることである。
【０３２６】
より具体的には、Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｙ等の希土類の硫化物、硫酸化物を５０ｍｏｌ％以上９０ｍｏｌ％以下含む複合誘電体や、ＺｎＳ，ＴａＳ２を７０ｍｏｌ％以上９０ｍｏｌ％以下含有する複合誘電体が望ましい。  
繰り返し記録特性を考慮すると、保護層の膜密度はバルク状態の８０％以上であることが機械的強度の面から望ましい。誘電体の混合物を用いる場合には、バルク密度として上述の一般式（１）の理論密度を用いる。
【０３２７】
保護層の厚さは、一般的に通常１ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。１ｎｍ以上とすることで、基板や記録層の変形防止効果を十分確保することができ、保護層としての役目を十分果たすことができる。また、５００ｎｍ以下とすれば、保護層としての役目を十分果たしつつ、保護層自体の内部応力や基板との弾性特性の差等が顕著になって、クラックが発生するということを防止することができる。
特に、記録層からみて光の入射側に位置する第一保護層を設ける場合、第一保護層は、熱による基板変形を抑制する必要があるため、その厚さは通常１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、さらに好ましくは２０ｎｍ以上、特に好ましくは４０ｎｍ以上である。このようにすれば、繰り返し記録中の微視的な基板変形の蓄積が抑制され、再生光が散乱されてノイズ上昇が著しくなるということがなくなる。  
【０３２８】
一方、第一保護層の厚みは、成膜に要する時間の関係から、通常４００ｎｍ以下、好ましくは３００ｎｍ以下、より好ましくは２００ｎｍ以下、さらに好ましくは１５０ｎｍ以下、特に好ましくは１００ｎｍ以下である。このようにすれば、記録層平面で見た基板の溝形状が変わるということがなくなる。すなわち、溝の深さや幅が、基板表面で意図した形状より小さくなったりする現象が起こりにくくなる。
一方、記録層からみて光に入射側と反対側に位置する第二保護層を設ける場合、第二保護層は、記録層の変形抑制のために、通常その厚さは１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、さらに好ましくは１５ｎｍ以上である。また、繰り返し記録に伴って発生する上部保護層内部の微視的な塑性変形の蓄積を防止し、再生光の散乱によるノイズ上昇を抑制するため、好ましくは２００ｎｍ以下、より好ましくは１５０ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以下、さらに好ましくは６０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以下、最も好ましくは３０ｎｍ以下である。また、保護層は多層に設けてもよい。
【０３２９】
なお、記録層及び保護層の厚みは、機械的強度、信頼性の面からの制限の他に、多層構成に伴う干渉効果も考慮して、レーザ光の吸収効率がよく、記録信号の振幅が大きく、すなわち記録状態と未記録状態のコントラストが大きくなるように選ばれる。  
保護層は通常スパッタ法で形成されるが、ターゲットそのものの不純物量や、成膜時に混入する水分や酸素量も含めて全不純物量を２原子％未満とするのが好ましい。このために保護層をスパッタリングによって形成する際、プロセスチャンバの到達真空度は１×１０−３Ｐａ未満とすることが望ましい。  
【０３３０】
（反射層）  
光記録媒体においては、さらに反射層を設けることができる。反射層の設けられる位置は、通常再生光の入射方向に依存し、入射側に対して記録層の反対側に設けられる。すなわち、基板側から再生光を入射する場合は、基板に対して記録層の反対側に反射層を設けるのが通常であり、記録層側から再生光を入射する場合は記録層と基板との間に反射層を設けるのが通常である。
【０３３１】
反射層に使用する材料は、反射率の大きい物質が好ましく、特に放熱効果も期待できるＡｕ、ＡｇまたはＡｌ等の金属が好ましい。その放熱性は膜厚と熱伝導率で決まるが、熱伝導率は、これら金属ではほぼ体積抵抗率に比例するため、放熱性能を面積抵抗率で表すことができる。面積抵抗率は、通常０．０５Ω／□以上、好ましくは０．１Ω／□以上、一方、通常０．６Ω／□以下、好ましくは０．５Ω／□以下とする。
【０３３２】
これは、特に放熱性が高いことを保証するものであり、上記記録層に用いる組成のように、非晶質マーク形成において、非晶質化と再結晶化の競合が顕著である場合に、再結晶化をある程度抑制するために必要なことである。反射層自体の熱伝導度制御や耐腐蝕性の改善のために、上記の金属にＴａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｇ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｉ等を少量加えてもよい。添加量は通常０．０１原子％以上２０原子％以下である。  
【０３３３】
本実施の形態に適した反射層の材料をより具体的に述べると、ＡｌにＴａ，Ｔｉ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｓｉ，Ｓｃ，Ｈｆ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｍｇ，Ｚｒ，Ｍｏ及びＭｎからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素を含むＡｌ合金を挙げることができる。これらの合金は、耐ヒロック性が改善されるため、耐久性，体積抵抗率，成膜速度等を考慮して用いることができる。上記元素の含有量は、通常０．１原子％以上、好ましくは０．２原子％以上、一方、通常２原子％以下、好ましくは１原子％以下である。Ａｌ合金に関しては、添加不純物量が少なすぎると、成膜条件にもよるが、耐ヒロック性は不十分であることが多い。また、多すぎると十分な放熱効果が得られにくい。
【０３３４】
アルミニウム合金の具体例としては、Ｔａ及びＴｉの少なくとも一方を１５原子％以下含有するアルミニウム合金は、耐腐蝕性に優れており、光記録媒体の信頼性を向上させる上で特に好ましい反射層材料である。  
反射層材料の好ましい例としては、純ＡｇまたはＡｇにＴｉ，Ｖ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｗ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｓｃ，Ｈｆ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｍｇ，Ｚｒ，Ｍｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｎ、及び希土類元素からなる群から選ばれた少なくとも１種の元素を含むＡｇ合金を挙げることができる。経時安定性をより重視する場合には添加成分としてはＴｉ，Ｍｇ又はＰｄが好ましい。上記元素の含有量は、通常０．０１原子％以上、好ましくは０．２原子％以上、一方、通常１０原子％以下、好ましくは５原子％以下である。
特に、ＡｇにＭｇ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｇｅ、希土類元素のいずれか一種を０．０１原子％以上１０原子％以下含むＡｇ合金は、反射率、熱伝導率が高く、耐熱性も優れていて好ましい。  
【０３３５】
なお、上部保護層の膜厚を４０ｎｍ以上５０ｎｍ以下とする場合には特に、反射層を高熱伝導率にするため、含まれる添加元素を２原子％以下とするのが好ましい。
反射層の材料として特に好ましいのは、Ａｇを主成分とすることであり、最も好ましいのは純Ａｇとすることである。Ａｇを主成分とすることが好ましい理由は以下のとおりである。すなわち、長期保存した記録マークを再度記録すると、保存直後の第一回目の記録だけ、相変化記録層の再結晶化速度が速くなる現象が発生する場合がある。このような現象が発生する理由は不明であるが、この保存直後における記録層の再結晶化速度の増加により、保存直後の第一回目の記録で形成した非晶質マークの大きさが所望するマークの大きさよりも小さくなるのではないかと推測される。したがって、このような現象が発生する場合には、反射層に放熱性が非常に高いＡｇを用いて記録層の冷却速度を上げることにより、保存直後における第一回目の記録時の記録層の再結晶化を抑制して非晶質マークの大きさを所望の大きさに保つことができるようになる。
【０３３６】
反射層の膜厚としては、透過光がなく完全に入射光を反射させるために通常１０ｎｍ以上とするが、２０ｎｍ以上とすることが好ましく、４０ｎｍ以上とすることがより好ましく、５０ｎｍ以上とすることがさらに好ましい。また、あまりに厚すぎても、放熱効果に変化はなくいたずらに生産性を悪くし、また、クラックが発生しやすくなるので、通常は５００ｎｍ以下とするが、４００ｎｍ以下とすることが好ましく、３００ｎｍ以下とすることがより好ましく、２００ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。
なお、反射層は通常スパッタ法や真空蒸着法で形成されるが、ターゲットや蒸着材料そのものの不純物量や、成膜時に混入する水分や酸素量も含めて全不純物量を２原子％未満とするのが好ましい。このために反射層をスパッタリングによって形成する際、プロセスチャンバの到達真空度は１×１０３Ｐａ未満とすることが望ましい。  
【０３３７】
また、１０４Ｐａより悪い到達真空度で成膜するなら、成膜レートを１ｎｍ／秒以上、好ましくは１０ｎｍ／秒以上として不純物が取り込まれるのを防ぐことが望ましい。あるいは、意図的な添加元素を１原子％より多く含む場合は、成膜レートを１０ｎｍ／秒以上として付加的な不純物混入を極力防ぐことが望ましい。
【０３３８】
さらなる高熱伝導と高信頼性を得るために反射層を多層化することも有効である。この場合、少なくとも１層は全反射層膜厚の５０％以上の膜厚を有する上記の材料とするのが好ましい。この層は実質的に放熱効果を司り、他の層が耐食性や保護層との密着性、耐ヒロック性の改善に寄与するように構成される。特に、純ＡｇまたはＡｇを主成分とする反射層を、硫黄を含むＺｎＳ等を含む保護層と接して設ける場合には、Ａｇの硫黄との反応による腐食を防ぐために、通常、硫黄を含まない界面層を設けるが、界面層が、反射層として機能するような金属であることが好ましい。界面層の材料としては、Ｔａ、Ｎｂを挙げることができる。
記録層用ターゲット、保護層用ターゲット、必要な場合には反射層材料用ターゲットを同一真空チャンバー内に設置したインライン装置で膜形成を行なうことが各層間の酸化や汚染を防ぐ点で望ましい。また、生産性の面からも優れている。  
【０３３９】
（保護コート層）  
光記録媒体の最表面側には、空気との直接接触を防いだり、異物との接触による傷を防ぐため、紫外線硬化樹脂や熱硬化型樹脂からなる保護コート層を設けるのが好ましい。保護コート層は通常１μｍから数百μｍの厚さである。また、硬度の高い誘電体保護層をさらに設けたり、その上にさらに樹脂層を設けることもできる。  
【０３４０】
（その他）  
なお、ここでは、ＣＤ−ＲＷのような１層構造のものを例に説明したが、これに限られるものではなく、他の構造のもの（例えば２層構造のものやそれ以上の多層構造のもの、２層構造で片面入射型のものや両面入射型のものなど）にも本発明を適用することができる。
【実施例】
【０３４１】
以下に実施例を示して、本実施の形態をさらに具体的に説明する。ただし、本実施の形態はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。  
〔基本例〕  
トラックピッチ０．７４μｍで厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート樹脂基板を射出成形によって形成した。溝幅は約０．３１μｍ、深さは約２８ｎｍとした。溝形状は、いずれも波長４４１．６ｎｍのＨｅ−Ｃｄレーザー光を用いたＵ溝近似の光学回折法で求めた。溝蛇行（ウォブル）はさらに、ＡＤＩＰによるアドレス情報を位相変調により付与した。
つづいて、基板上に、下部保護層、相変化型記録層、上部保護層、反射層、紫外線硬化樹脂層をこの順に形成した。各層の成膜は上記基板上に、真空を解除することなく、順にスパッタリング法によって積層した。ただし、紫外線硬化樹脂層（厚さ約４μｍ）はスピンコート法によって塗布した。その後に、未成膜の０．６ｍｍ厚みの基板を接着剤を介して、上記記録層面が内側になるように貼り合せた。
【０３４２】
成膜直後の記録層は非晶質である。このため、長軸約７５μｍ、短軸約１．０μｍに集光した波長約８１０ｎｍの長楕円形状のレーザー光を記録層に照射して、全面結晶化させ初期（未記録）状態とした。この初期化工程は、初期結晶化後の記録特性を良好とするために、線速と初期化パワーを適当な範囲で選んで行った。
各層の膜厚は成膜レートを正確に測定した後、スパッタ成膜時間によって制御した。記録層組成は、蛍光Ｘ線法による各元素の蛍光強度を、別途化学分析（原子吸光分析）によって求めた絶対組成によって校正した値を用いた。  
【０３４３】
記録再生評価は、パルステック社製ＤＤＵ１０００テスター（波長約６５０ｎｍ、ＮＡ＝０．６５、スポット形状は１／ｅ２  強度で０．８６μｍの円形、以下このテスタをテスター１という。）を用い、上記初期結晶化後の記録層に非晶質マークを形成した。ＤＶＤの標準線速度３．４９ｍ／ｓを１倍速とし、４倍速以上でのオーバーライト特性を評価した。各線速度におけるデータの基準クロック周期は、１倍速におけるデータの基準クロック周期３８．２ｎｓｅｃに対して各線速度で反比例させたものとした。  
【０３４４】
再生は特に断わらない限り１倍速で行った。ＤＤＵ１０００からの出力信号を５〜２０ｋＨｚにカットオフのある高周波通過フィルタを通した後、タイムインターバルアナライザー（横河電機社製）でジッタを測定した。変調度ｍ１４（＝Ｉ１４／Ｉｔｏｐ  ）、Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ、はオシロスコープ上でアイパターン観察により読み取った。ｍ１４は、信号振幅Ｉ１４をアイパターンの上端の値（Ｉｔｏｐ、消去状態高反射率に対応）で除した値である。  
【０３４５】
ＥＦＭ＋ランダムデータを１０回オーバーライト記録した後、当該記録データのデータ・ツー・クロック・ジッタ（Ｄａｔａ  ｔｏ  ｃｌｏｃｋ  ｊｉｔｔｅｒ、以下では、基準クロック周期Ｔで規格化し％値で表したものを単にジッタ（ｊｉｔｔｅｒ）と称する。）、変調度ｍ１４、Ｒｔｏｐ及びアシンメトリー値を測定した。オーバーライト特性の評価は特に断りのない限り、単一のトラックに１０回オーバーライト（未記録状態に初回記録後、同一トラックに９回のオーバーライト）を行った後に評価した。  
【０３４６】
記録パルス分割方法を制御するための論理レベルの生成は、任意信号発生器（ＡＷＧ７１０、ソニーテクトロニクス社製）を用いた。同信号発生器から、概ね図３のＧ１、Ｇ２、Ｇ３を合成したものに相当する論理信号と、Ｇ４に相当する論理信号の２チャンネルのゲート信号と、を取り出した。そして、ＥＣＬレベルの論理信号として上記テスターのレーザードライバーに対するゲート信号として入力した。  
【０３４７】
（実施例１、比較例１）  
上記基本例において、下記のようにディスクを製造し記録を行なった。  
基板上に、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０（保護層組成は、ＺｎＳとＳｉＯ２のモル％、以下同様）らなる下部保護層を約７０ｎｍ、Ｇｅ４Ｉｎ１１Ｓｎ２２Ｓｂ５２Ｔｅ１１合金（記録層組成は原子％である。以下同様である。）からなる記録層を約１３ｎｍ、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる上部保護層を約１４ｎｍ、Ｔａからなる界面層を約２ｎｍ、Ａｇからなる反射層を約２００ｎｍをこの順にスパッタ法により形成した。
初期化は、長軸約７５μｍ、短軸約１．０μｍの楕円形スポット形状を有する波長約８１０ｎｍのレーザーダイオード光を用いた。そして、初期化は、このレーザーダイオード光の短軸を周方向に揃えた状態において線速約２４ｍ／ｓで走査し、長軸を１回転ごとに約５０μｍずつ半径方向に移動させながら行なった。照射パワーは、約１５００ｍＷである。  
【０３４８】
このディスクに、ＮＡ＝０．６５のテスター１を用いて、１０倍速でＤＶＤ互換のＥＦＭ＋変調信号のオーバーライトを行ない、その特性を評価した。消去パワーＰｅ、バイアスパワーはＰｂで一定とし、Ｐｗを２０ｍＷ程度から３０ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させ、それぞれの記録パワーでオーバーライト特性を評価した。いずれも１０回オーバーライト後の値で評価した。  
【０３４９】
図１０は、実施例１として示した「３Ｔストラテジー」に用いた、各マーク長に対する分割記録パルスである。図１０において、各マーク長におけるαｉ及びβｉの値は、それぞれ、図１０中において、上辺に罫線のある欄と、下辺に罫線のある欄で表されている。これらの値は、基準クロック周期Ｔの（１／１５）Ｔ刻みで各パラメータ値の最適化を行い、ジッタ値ができるだけ低くなるように選ばれたものであるので、１５を分母とした値で記載されている。  
【０３５０】
図１０の記録パルスストラテジーは、図４で示した記録パルス分割方式（ＩＩａ）に相当する。表２は、これを、図４及び図５で定義された独立パラメータを用いて表したものである。表２に示すように、Ｔｃｌ＋＝Ｔｃｌ−＝ＴｃｌかつｄＴｔｏｐ＝０となっているので、独立パラメータ数が全部で１９個となっている。  
【０３５１】
【表２】
2005122874.tif 000007
【０３５２】
図１１は、比較例１として示した「２Ｔストラテジー」に用いた、各マーク長に対する分割記録パルスである。図１１において、各マーク長におけるαｉ及びβｉの値は、それぞれ、図１１中に、上辺に罫線のある欄と、下辺に罫線のある欄で表されている。図１１から、分割パルス方法が「２Ｔストラテジー」ゆえ、ｍ＝２以上の総ての記録マークにおいて、ｎ＝５の場合を除きｎ／ｍが２．５未満となっている。つまり「２Ｔストラテジー」では、ｍ＝２以上の総ての記録マークについて２．５≦ｎ／ｍとなっていないことが分かる。  
【０３５３】
図１２（ａ）、（ｂ）は、実施例１（３Ｔストラテジー）及び比較例１（２Ｔストラテジー）において、オーバーライト９回（初回記録を含めると１０回記録）後の、ジッタ及び変調度の記録パワー依存性を示したグラフである。また、図１２（ｃ）は、繰り返しオーバーライト（Ｄｉｒｅｃｔ  Ｏｖｅｒｗｒｉｔｅ、ＤＯＷ）した場合の、ジッタのオーバーライト回数依存性を示すグラフである。図１２（ｃ）の横軸は、オーバーライト回数（ＤＯＷ回数であり、０回とは、未記録状態へのディスクへの初回記録である。  
【０３５４】
図１２（ａ）、（ｂ）の記録パワー依存性の測定においては、「３Ｔストラテジー」では、Ｐｅ＝６．０ｍＷ、「２Ｔストラテジー」では、Ｐｅ＝５．７ｍＷと一定としている。また、図１２（ｃ）においては、「３Ｔストラテジー」では、Ｐｗ＝２４ｍＷ、Ｐｅ＝６．０ｍＷ、「２Ｔストラテジー」では、Ｐｗ＝２６ｍＷ、Ｐｅ＝５．７ｍＷで測定を行った。いずれの場合にもＰｂ＝０．８ｍＷは一定である。  
【０３５５】
図１２（ａ）、（ｂ）から、実施例１の「３Ｔストラテジー」は、比較例１の「２Ｔストラテジー」にくらべて、ジッタも低く、変調度も高い値が得られる。「３Ｔストラテジー」を用いることにより、ジッタ値１０％以下、変調度０．５５以上の良好な記録特性が得られていることがわかる。また、良好な特性が得られる記録パワーも「３Ｔストラテジー」の方が低い値となり、記録感度も改善されている。  
【０３５６】
（実施例２、比較例２）  
実施例１において使用したディスクに、ＮＡ＝０．６５のテスター１を用いて、４倍速でＤＶＤ互換のＥＦＭ＋変調信号のオーバーライトを行ない、その特性を評価した。  
図１３は、実施例２として「３Ｔストラテジー」に用いた、各マーク長に対する分割記録パルスである。図１３において、各マーク長におけるαｉ及びβｉの値は、それぞれ、図１３中に、上辺に罫線のある欄と、下辺に罫線のある欄で表されている。これらの値は、基準クロック周期Ｔの（１／１５）Ｔ刻みで各パラメータ値の最適化を行い、ジッタ値ができるだけ低くなるように選ばれたものであるので、１５を分母とした値で記載されている。  
【０３５７】
図１３に示した記録パルスストラテジーは、図４において示した記録パルス分割方式（ＩＩａ）を低線速で適用した記録パルス分割方式（ＶＩａ）に相当する。表３は、これを、図４及び図５で定義された独立パラメータを用いて表したものである。表３に示すように、Ｔｃｌ＋＝Ｔｃｌ−＝ＴｃｌかつｄＴｔｏｐ＝０となっているので、独立パラメータ数が全部で１９個となっている。  
【０３５８】
【表３】
2005122874.tif 000008
【０３５９】
図１４は、比較例２として示した「２Ｔストラテジー」に用いた、各マーク長に対する分割記録パルスである。この場合は（１／１６）Ｔ刻みでパラメータ値の最適化を行っている。図１４において、各マーク長におけるαｉ及びβｉの値は、それぞれ、図１４中に、上辺に罫線のある欄と、下辺に罫線のある欄で表されている。図１４をみてわかるように、分割パルス方法が「２Ｔストラテジー」ゆえ、ｍ＝２以上の全ての記録マークにおいて、ｎ＝５の場合を除いてｎ／ｍが２．５未満となっている。つまり「２Ｔストラテジー」では、ｍ＝２以上の総ての記録マークについて２．５≦ｎ／ｍ≦５となっていないことが分かる。  
【０３６０】
図１５（ａ）及び（ｂ）は、実施例２（３Ｔストラテジー）及び比較例２（２Ｔストラテジー）において、オーバーライト９回（初回記録を含めると１０回記録）後の、ジッタ及び変調度の記録パワー依存性を示したグラフである。また、図１５（ｃ）は、繰り返しオーバーライトした場合の、ジッタのオーバーライト回数依存性を示すグラフである。図１５（ａ）及び（ｂ）の記録パワー依存性の測定においては、「３Ｔストラテジー」では、Ｐｅ＝６ｍＷ、「２Ｔストラテジー」では、Ｐｅ＝７ｍＷと一定としている。また、図１５（ｃ）においては、「３Ｔストラテジー」では、Ｐｗ＝２２ｍＷ、Ｐｅ＝６ｍＷ、「２Ｔストラテジー」では、Ｐｗ＝２６ｍＷ、Ｐｅ＝７ｍＷで測定を行った。いずれの場合にもＰｂ＝０．５ｍＷは一定である。  
【０３６１】
実施例２の「３Ｔストラテジー」は、比較例２の「２Ｔストラテジー」にくらべて、ジッタも大幅に低く、変調度も高い値が得られる。「３Ｔストラテジー」を用いることにより、ジッタ値約１０％、変調度０．６以上の良好な記録特性が得られていることがわかる。また、良好な特性が得られる記録パワーも「３Ｔストラテジー」の方が低い値となり、記録感度も改善されている。  
【０３６２】
（実施例３、比較例３）  
前述した基本例において、下記のとおりディスクを製造し記録を行なった。  
基板上に、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる下部保護層を約８０ｎｍ、Ｇｅ８Ｉｎ１０Ｓｎ１５Ｓｂ６２Ｔｅ５合金からなる記録層を約１３ｎｍ、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる上部保護層を約２０ｎｍ、Ｔａからなる界面層を約２ｎｍ、Ａｇからなる反射層を約２００ｎｍをこの順にスパッタ法により形成した。
初期化は、長軸約７５μｍ、短軸約１．０μｍの楕円形スポット形状を有する波長約８１０ｎｍのレーザーダイオード光を用いた。そして、初期化は、このレーザーダイオード光の短軸を周方向に揃えた状態において線速約２４ｍ／ｓで走査し、長軸を１回転ごとに約５０μｍずつ半径方向に移動させながら行なった。照射パワーは、約１５００ｍＷである。  
【０３６３】
このディスクに、ＮＡ＝０．６５のテスター１を用いて、１０倍速でＤＶＤ互換のＥＦＭ＋変調信号のオーバーライトを行ない、その特性を評価した。消去パワーＰｅ、バイアスパワーはＰｂで一定とし、Ｐｗを２０ｍＷ程度から３０ｍＷ程度まで１ｍＷ刻みで変化させ、それぞれの記録パワーでオーバーライト特性を評価した。いずれも１０回オーバーライト後の値で評価した。  
【０３６４】
図１６は、実施例３として示した「３Ｔストラテジー」に用いた、各マーク長に対する分割記録パルスである。図１６において、各マーク長におけるαｉ及びβｉの値は、それぞれ、図１６中に、上辺に罫線のある欄と、下辺に罫線のある欄で表されている。これらの値は、基準クロック周期Ｔの（１／１５）Ｔ刻みで各パラメータ値の最適化を行い、ジッタ値ができるだけ低くなるように選ばれたものであるので、１５を分母とした値で記載されている。  
【０３６５】
図１６に示した記録パルスストラテジーは、図８で示した記録パルス分割方式（ＩＩＩａ）に相当する。表４は、これを、図８、９で定義された独立パラメータを用いて表したものである。Ｔｃｌ＋＝ＴｃｌかつｄＴｔｏｐ＝０となっているので、独立パラメータ数が全部で１８個となっている。なお、表４では、５Ｔマークについては、Ｔ１から３Ｔ経過時点を基準として、ｄＴｌａｓｔ５を規定している。
【０３６６】
【表４】
2005122874.tif 000009
【０３６７】
図１７は、比較例３として示した「２Ｔストラテジー」に用いた、各マーク長に対する分割記録パルスである。図１７において、各マーク長におけるαｉ及びβｉの値は、それぞれ、図１７中に、上辺に罫線のある欄と、下辺に罫線のある欄で表されている。図１７をみてわかるように、分割パルス方法が「２Ｔストラテジー」ゆえ、ｍ＝２以上の全ての記録マークにおいて、ｎ＝５の場合を除いてｎ／ｍが２．５未満となっている。つまり「２Ｔストラテジー」では、ｍ＝２以上の総ての記録マークについて２．５≦ｎ／ｍとなっていないことがわかる。  
【０３６８】
図１８（ａ）及び（ｂ）は、実施例３（３Ｔストラテジー）及び比較例３（２Ｔストラテジー）において、オーバーライト９回（初回記録を含めると１０回記録）後の、ジッタ及び変調度の記録パワー依存性を示したグラフである。また、図１８（ｃ）は、繰り返しオーバーライトした場合の、ジッタのオーバーライト回数依存性を示すグラフである。図１８（ａ）及び（ｂ）の記録パワー依存性の測定においては、「３Ｔストラテジー」では、Ｐｅ＝５．８ｍＷ、「２Ｔストラテジー」では、Ｐｅ＝５．６ｍＷと一定としている。また、図１８（ｃ）においては、「３Ｔストラテジー」では、Ｐｗ＝２４ｍＷ、Ｐｅ＝５．８ｍＷ、「２Ｔストラテジー」では、Ｐｗ＝２４ｍＷ、Ｐｅ＝５．６ｍＷで測定を行った。いずれの場合にもＰｂ＝０．５ｍＷは一定である。  
【０３６９】
実施例３の「３Ｔストラテジー」は、比較例３の「２Ｔストラテジー」にくらべて、ジッタも低く、変調度も高い値が得られる。「３Ｔストラテジー」を用いることにより、ジッタ値１０％台、変調度０．６以上の良好な記録特性が得られていることがわかる。また、良好な特性が得られる記録パワーも「３Ｔストラテジー」の方が低い値となり、記録感度も改善されている。  
【０３７０】
（実施例４、比較例４）  
実施例３において使用したディスクに、ＮＡ＝０．６５のテスター１を用いて、４倍速でＤＶＤ互換のＥＦＭ＋変調信号のオーバーライトを行ない、その特性を評価した。  
図１９は、実施例４として示した「３Ｔストラテジー」に用いた、各マーク長に対する分割記録パルスである。図１９において、各マーク長におけるαｉ及びβｉの値は、それぞれ、図１９中に、上辺に罫線のある欄と、下辺に罫線のある欄で表されている。これらの値は、基準クロック周期Ｔの（１／１６）Ｔ刻みで各パラメータ値の最適化を行い、ジッタ値ができるだけ低くなるように選ばれたものであるので、１６を分母とした値で記載されている。  
【０３７１】
図１９に示した記録パルスストラテジーは、図８で示した記録パルス分割方式（ＩＩＩａ）を低線速で適用した記録パルス分割方式（ＶＩＩａ）に相当する。表５は、これを図８、９で定義された、独立パラメータを用いて表したものである。Ｔｃｌ＋＝ＴｃｌかつｄＴｔｏｐ＝０となっているので、独立パラメータ数が全部で１８個となっている。なお、表５では、５Ｔマークについては、Ｔ１から３Ｔ経過時点を基準としてｄＴｌａｓｔ５を規定している。  
【０３７２】
【表５】
2005122874.tif 000010
【０３７３】
図２０は、比較例４として示した「２Ｔストラテジー」に用いた、各マーク長に対する分割記録パルスである。図２０において、各マーク長におけるαｉ及びβｉの値は、それぞれ、図２０中に、上辺に罫線のある欄と、下辺に罫線のある欄で表されている。図２０をみてわかるように、分割パルス方法が「２Ｔストラテジー」ゆえ、ｍ＝２以上の全ての記録マークにおいて、ｎ＝５の場合を除いてｎ／ｍが２．５未満となっている。つまり「２Ｔストラテジー」では、ｍ＝２以上の総ての記録マークについて２．５≦ｎ／ｍとなっていないことが分かる。  
【０３７４】
図２１（ａ）及び（ｂ）は、実施例４（３Ｔストラテジー）及び比較例４（２Ｔストラテジー）において、オーバーライト９回（初回記録を含めると１０回記録）後の、ジッタ及び変調度の記録パワー依存性を示したグラフである。また、図２１（ｃ）は、繰り返しオーバーライトした場合の、ジッタのオーバーライト回数依存性を示すグラフである。図２１（ａ）及び（ｂ）の記録パワー依存性の測定においては、「３Ｔストラテジー」では、Ｐｅ＝５．５ｍＷ、「２Ｔストラテジー」では、Ｐｅ＝５．５ｍＷと一定としている。また、図２１（ｃ）においては、「３Ｔストラテジー」では、Ｐｗ＝２３ｍＷ、Ｐｅ＝５．５ｍＷ、「２Ｔストラテジー」では、Ｐｗ＝２２ｍＷ、Ｐｅ＝５．５ｍＷで測定を行った。いずれの場合にもＰｂ＝０．１ｍＷは一定である。  
【０３７５】
実施例４の「３Ｔストラテジー」は、比較例４の「２Ｔストラテジー」にくらべて、ジッタ、変調度とも同等の値が得られる。「３Ｔストラテジー」を用いることにより、ジッタ値約１０％、変調度０．６以上の良好な記録特性が得られていることがわかる。また、良好な特性が得られる記録パワーは、「３Ｔストラテジー」の方が低い値となり、記録感度、及び繰り返しオーバーライト耐久性も改善されている。  
【０３７６】
（実施例５及び実施例６）  
上記基本例において、下記のようにしてディスクを製造し記録を行なった。  
基板上に、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０（保護層組成は、ＺｎＳとＳｉＯ２のモル％、以下同様）らなる下部保護層を約６５ｎｍ、ＧｅＮ界面層を約５ｎｍ、Ｇｅ７Ｉｎ６Ｓｎ２４Ｓｂ５６Ｔｅ７合金（記録層組成は原子％である。）からなる記録層を約１３ｎｍ、ＧｅＮ界面層を約５ｎｍ、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる上部保護層を約１０ｎｍ、Ｔａからなる界面層を約２ｎｍ、Ａｇからなる反射層を約１５０ｎｍをこの順にスパッタ法により形成した。
初期化は、長軸約７５μｍ、短軸約１．０μｍの楕円形スポット形状を有する波長約８１０ｎｍのレーザーダイオード光を用いた。そして、初期化は、このレーザーダイオード光の短軸を周方向に揃えた状態において線速約３０ｍ／ｓで走査し、長軸を１回転ごとに約５０μｍずつ半径方向に移動させながら行なった。照射パワーは、約１６００ｍＷである。
【０３７７】
上記、ディスクに、ＮＡ＝０．６５のテスター１を用いて、１２倍速（実施例５）及び４倍速（実施例６）でＤＶＤ互換のＥＦＭ＋変調信号のオーバーライトを行ない、その特性を評価した。  
【０３７８】
「４Ｔストラテジー」の実施例５及び実施例６として、各マーク長に対して、図２８及び図２９に示した分割記録パルスを用いた。図２８及び図２９において、各マーク長におけるαｉ及びβｉの値は、それぞれ、図中に上辺に罫線のある欄と、下辺に罫線のある欄で表されている。これらの値は、実施例５及び６でそれぞれ基準クロック周期Ｔの（１／１２）Ｔ及び（１／１５）Ｔ刻みで各パラメータ値の最適化を行い、ジッタ値ができるだけ低くなるように選ばれたものであるので、１２もしくは１５を分母とした値で記載されている。  
【０３７９】
図２８及び図２９の記録パルスストラテジーは、図８で示した記録パルス分割方式（ＩＶａ）及び、それを低線速で適用した記録パルス分割方式（ＶＩＩａ）に相当する。図８で定義された、独立パラメータを用いて表すと、図２８及び図２９の分割記録パルスは表６のような値で規定される。独立パラメータ数が全部で２４個となっている。このうち、ゼロとなっているパラメータ数を差し引けば、独立パラメータ数は、１８個である。なお、表６では、５Ｔマークについては、Ｔ１から３Ｔ経過時点を基準としてｄＴｌａｓｔ５を規定している。
【０３８０】
【表６】
2005122874.tif 000011
【０３８１】
図３０（ａ）、（ｂ）に、オーバーライト９回（初回記録を含めると１０回記録）後の、ジッタ及び変調度の記録パワー依存性を示した。また、図３０（ｃ）は、繰り返しオーバーライトした場合の、ジッタのオーバーライト回数依存性である。実施例５、実施例６の結果は、それぞれ、図中の「１２倍速」、「４倍速」という凡例に従って区別されている。図３０（ａ）、（ｂ）の記録パワー依存性の測定においては、「１２倍速」では、Ｐｅ＝６．４ｍＷ、Ｐｂ＝０．３ｍＷ、「４倍速」では、Ｐｅ＝６．２ｍＷ、Ｐｂ＝０．ｍＷと一定としている。また、図３０（ｃ）においては、「１２倍速」では、Ｐｗ＝３０ｍＷ、Ｐｅ＝６．４ｍＷ、Ｐｂ＝０．３ｍＷ、「４倍速」では、Ｐｗ＝３０ｍＷ、Ｐｅ＝６．２ｍＷ、Ｐｂ＝０．１ｍＷで測定を行った。  
【０３８２】
実施例５、実施例６の「４Ｔストラテジー」は、ジッタ、変調度とも同等の値が得られた。「４Ｔストラテジー」を用いることにより、ジッタ値約１０％以下、変調度０．６以上の良好な記録特性が得られていることがわかる。また、記録感度、及び繰り返しオーバーライト耐久性も良好な結果となった。
【０３８３】
一方、本実施例の記録媒体に対して、「２Ｔストラテジー」を適用しても、１２倍速、４倍速いずれにおいても、冷却区間における冷却効果が不十分であった。具体的には「２Ｔストラテジー」では、良好な非晶質マークの形成が困難であり、１３％程度より低いジッター値は得られなかった。また、「１Ｔストラテジー」では、記録パワーで溶融した部分が、ほぼ完全に再結晶化してしまい、非晶質マークの形成は困難であった。  
【０３８４】
（実施例７）  
下記のようにして、ＣＤ−ＲＷフォーマットに基づく、ディスクを製造し記録を行なった。トラックピッチ１．６μｍで厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート樹脂基板を射出成形によって形成した。溝幅は約０．６μｍ、深さは約３０ｎｍとした。  
【０３８５】
続いて、基板上に、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０（保護層組成は、ＺｎＳとＳｉＯ２のモル％、以下同様）らなる下部保護層を約８０ｎｍ、Ｓｎ２５Ｇｅ１３Ｓｂ６２合金（記録層組成は原子％である。）からなる記録層を約１５ｎｍ、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０からなる上部保護層を約３０ｎｍ、Ｔａからなる界面層を約３ｎｍ、Ａｇからなる反射層を約１５０ｎｍをこの順に形成し、最後に、紫外線硬化樹脂層をこの順に形成した。各層の成膜は上記基板上に、真空を解除することなく、順にスパッタリング法によって積層した。ただし、紫外線硬化樹脂層（厚さ約４μｍ）はスピンコート法によって塗布した。  
【０３８６】
成膜直後の記録層は非晶質であり、長軸約７５μｍ、短軸約１．０μｍに集光した波長約８１０ｎｍの長楕円形状のレーザー光により線速１２ｍ／ｓと初期化パワー約８００ｍＷで全面結晶化させ初期（未記録）状態とした。  
【０３８７】
記録再生評価は、パルステック社製ＤＤＵ１０００テスタ（波長約７８０ｎｍ、ＮＡ＝０．５、スポット形状は１／ｅ２強度で約１．４２×１．３３μｍの楕円形、以下このテスターをテスター２という。）を用いた。  
【０３８８】
データの基準クロック周期は、１倍速におけるデータの基準クロック周期２３１ｎｓｅｃに対して各線速度で反比例させた値、約５．８ｎｓｅｃとした。  
【０３８９】
再生は特に断わらない限り１倍速で行った。ＤＤＵ１０００からの出力信号を５〜２０ｋＨｚにカットオフのある高周波通過フィルタを通した後、タイムインターバルアナライザー（横河電機社製）でジッタを測定した。変調度ｍ１１（＝Ｉ１１／Ｉｔｏｐ）はオシロスコープ上でアイパターン観察により読み取った。  
【０３９０】
記録パルス分割方法を制御するための論理レベルの生成は、任意信号発生器（ＡＷＧ６２０又はＡＷＧ７１０、ソニーテクトロニクス社製）を用いた。上記信号発生器から、概ね図５のＧ１、Ｇ２、Ｇ３を合成したものに相当する論理信号とＧ４に相当する論理信号との２チャンネルのゲート信号とを取り出し、ＥＣＬレベルの論理信号として上記テスター２のレーザードライバーに対するゲート信号として入力した。  
【０３９１】
ＥＦＭランダムデータを１０回オーバーライト記録した後、マーク長及びスペース長ジッタ、ｍ１１を測定した。ＥＦＭランダムデータは、３Ｔから１１Ｔまでのマーク長とスペース長がランダムに現れる。４０倍速におけるデータの基準クロック周期は、１倍速におけるデータの基準クロック周期２３１ｎｓｅｃに対して線速度で反比例させた値（約５．８ｎｓｅｃ）とし、ＥＦＭ変調によるマーク長変調記録を行った。再生は、１倍速で行った。  
【０３９２】
「３Ｔストラテジー」の実施例７として、各マーク長に対して、図３１に示した分割記録パルスを用いた。図３１において、各マーク長におけるαｉ及びβｉの値は、それぞれ、図中に上辺に罫線のある欄と、下辺に罫線のある欄で表されている。これらの値は、実施例７でそれぞれ基準クロック周期Ｔの１／１５Ｔ刻みで各パラメータ値の最適化を行い、ジッタ値ができるだけ低くなるように選ばれたものであるので、１５を分母とした値で記載されている。  
【０３９３】
図３１の記録パルスストラテジーは、図４及び図５で示した記録パルス分割方式（ＩＩａ）に相当するが、４Ｔマーク長の形成に２個の分割記録パルスを用いている点、６Ｔ、７Ｔマーク長と８Ｔ、９Ｔ、１０Ｔ、１１ＴのｄＴｔｏｐとが異なっている点でさらに独立パラメータ数が増えている。本実施例では、所定の記録マークとその前後の記録マークとの間に熱干渉効果が見られたので、ｄＴｔｏｐによる補正を行っている。図４で定義された独立パラメータに、４Ｔマーク形成のためのパラメータ、ｄＴｔｏｐ４、Ｔｔｏｐ４、ｄＴｌａｓｔ４、Ｔｌａｓｔ４、Ｔｃｌ４と、６−７Ｔマーク長及び８−１１Ｔマーク長に対するｄＴｔｏｐ値である、ｄＴｔｏｐ６、ｄＴｔｏｐ８を加えると、図３１の分割記録パルスは表７のような値で規定される。独立パラメータ数が全部で２３個となっている。なお、表７では、４Ｔ及び５Ｔマークについては、Ｔ１から３Ｔ経過時点を基準としてｄＴｌａｓｔ４、ｄＴｌａｓｔ５を規定している。  
【０３９４】
【表７】
2005122874.tif 000012
【０３９５】
図３２（ａ）、（ｂ）に、オーバーライト９回（初回記録を含めると１０回記録）後の、ジッタ及び変調度の記録パワー依存性を示した。ＣＤ−ＲＷでは、通常、個々のマーク長、マーク間（スペース）長ごとにジッタ（クロック周期で規格化しない。）を測定するが、ここでは、３Ｔと１１Ｔマーク長及びマーク間長についてのジッタを代表として示した。
【０３９６】
また、図３２（ｃ）は、繰り返しオーバーライトした場合の、ジッタのオーバーライト回数依存性である。図３２（ａ）、（ｂ）の記録パワー依存性の測定においては、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．２７（Ｐｅの値を一定にするのではなく、Ｐｅ／Ｐｗの比を一定とする）、Ｐｂ＝０．８ｍＷで一定としている。また、図３２（ｃ）においては、Ｐｗ＝４２ｍＷ、Ｐｅ＝１１ｍＷ、Ｐｂ＝０．８ｍＷとした。実施例７の「３Ｔストラテジー」は、ジッタ、変調度とも良好な値が得られた。すなわち、ＣＤ−ＲＷ規格で必要とされるジッタ値３５ｎｓｅｃ以下、変調度０．６以上の良好な記録特性が得られている。  
【０３９７】
一方、本実施例の記録媒体に対して、「２Ｔストラテジー」を適用しても、冷却区間における冷却効果が不十分であった。「２Ｔストラテジー」を用いても、良好な非晶質マークの形成が困難であり、４０ｎｓｅｃ程度より低いジッター値は得られなかった。また、「１Ｔストラテジー」では、記録パワーで溶融した部分が、ほぼ完全に再結晶化してしまい、非晶質マークの形成は困難であった。  
【０３９８】
（比較例５）
実施例１のディスク及び表２の記録パルスストラテジー及び測定条件において、Ｌ＝３の８Ｔ，９Ｔ，１０Ｔマークの場合に注目し、αｍだけを変化させてマーク長を調整することを試みた。
９Ｔマークに用いたαｍ＝２１／１５Ｔをベースとした。そして、８Ｔマークではαｍを短くしてマーク長の調整を行った。また、１０Ｔマークではαｍを長くしてマーク長の調整を行った。具体的には、８Ｔマークではα-ｍ＝１４／１５Ｔとすることにより、８Ｔマーク長が得られた。一方、１０Ｔマークではαｍ＝２５／１５Ｔとすることにより、１０Ｔマーク長が得られた。
【０３９９】
マーク長ごとのジッタを個別に測定したところ、８Ｔ，９Ｔ，１０Ｔのそれぞれのマークにおいて、ジッタは、それぞれ、１６．７％、９．５％、１０．２％となった。
実施例１では、８Ｔ、９Ｔ、１０Ｔのそれぞれのマークにおいて、ジッタは、それぞれ、１０．４％、９．２％、８．８％となった（なお、この場合のデータ・ツー・クロックジッタは、約９％である。）。
【０４００】
以上の結果から、αｍだけの調整では、マーク長の後端のジッタが高くなる傾向にあることが分かる。これは、αｍを変化させることにより、αｍＴ照射前後での熱分布も変わるためであると考えられる。従って、αｍを変化させる場合には、βｍ−１又はβｍのいずれかを少なくとも調整する必要があることが分かる。
【０４０１】
（比較例６）
実施例３のディスク、表４の記録パルスストラテジー及び測定条件において、Ｌ＝３の１０Ｔ、１１Ｔマークの場合に注目し、α１だけを変化させてマーク長を調整することを試みた。
１０Ｔマークに用いたα１＝２５／１５Ｔをベースとした。そして、１１Ｔマークではα１を長くしてマーク長の調整を行った。しかしながら、いくらα１を長くしても、１１Ｔマーク長（１倍速で約４２０ｎｓｅｃ）が得られなかった。ここで、得られた最長マーク長は４００ｎｓｅｃ程度であった。
【０４０２】
α１を単に大きくすると、先頭パルスα１Ｔの蓄熱効果のために、かえってマーク先端が再結晶化する傾向がある。このため、いくらα１を長くしてもマーク長が一定値以上は伸びないと考えられる。そこで、α１Ｔとα２Ｔの間を４Ｔとすることにより（正確には、図７で、Ｔ１からα２Ｔ立ち上がりまでを４Ｔとすることにより）、β１Ｔを長くした。その結果、実施例３と同等の良好な結果が得られた。これは、β１Ｔを長くすることにより、α１Ｔによる蓄熱効果を抑制してマーク先端の再結晶化を抑制できたためであると考えられる。
【０４０３】
以上、本発明を特定の態様を用いて詳細に説明したが、本発明の意図と範囲を離れることなく様々な変更及び変形が可能であることは、当業者にとって明らかである。
尚、本出願は、２００３年７月１８日付けで出願された日本出願（特願２００３−１９９５２２）及び２００３年９月２５日付けで出願された日本出願（特願２００３−３３４３４２）に基づいており、その全体が引用により援用される。
【産業上の利用可能性】
【０４０４】
本発明によれば、高データ転送レートの記録に適用可能な光記録方法又は光記録装置が提供される。  
【図面の簡単な説明】
【０４０５】
【図１】従来のＣＤ−ＲＷ規格オレンジブックパート３に示された記録パルスストラテジーを説明するための図であり、図１（ａ）はＣＤフォーマットで使用されるマーク長変調方式の例で、３Ｔ〜１１Ｔの時間的長さを有するデータ信号であり、図１（ｂ）及び図１（ｃ）は、当該データ信号に基づいて発生される実際の記録光のレーザーパワーである。
【図２】本実施の形態が適用される光記録方法におけるパルス分割方法を実施する場合の、各記録パルスの関係を説明するためのタイミングチャートの図であり、図２（ａ）は、形成するｎＴの記録長の記録マークを示し、図２（ｂ）は、この記録マークを形成するための記録パルス分割方法のタイミングチャートを示す。
【図３】本実施の形態が適用される光記録方法の記録パルス分割方法を発生する論理回路のタイミングチャートの具体例を説明するための図であり、図３（ａ）は、時間幅ｎＴのｎＴマーク長信号（３０１）を示し、図３（ｂ）〜図３（ｅ）は、それぞれ記録パルス制御用ゲート信号を示す。
【図４】記録パルス分割法（ＩＩａ）を、ｎ＝２〜１６からなるマーク長に適用したタイミングチャートの具体例を説明するための図であり、図４（ａ）は、ｎ＝３Ｌ−１の場合であり、図４（ｂ）は、ｎ＝３Ｌの場合であり、図４（ｃ）は、ｎ＝３Ｌ＋１の場合である。
【図５】図４においてＬ＝４の場合の、ｎ＝３Ｌ−１、ｎ＝３Ｌ、ｎ＝３Ｌ＋１の３つのマーク長を一組とする周期パラメータ変化を説明する図であり、図５（ａ）は、３Ｌ−１、３Ｌ、３Ｌ＋１の３つのマーク長であり、図５（ｂ）は、ｎ＝３Ｌ−１の場合であり、図５（ｃ）は、ｎ＝３Ｌの場合であり、図５（ｄ）は、ｎ＝３Ｌ＋１の場合である。
【図６】記録パルス分割方法（ＩＩＩａ）を、ｎ＝２〜１７からなるマーク長に適用した具体例を説明するための図であり、図６（ａ）は、ｎ＝３Ｌの場合であり、図６（ｂ）は、ｎ＝３Ｌ＋１の場合であり、図６（ｃ）は、ｎ＝３Ｌ＋２の場合である。
【図７】図６においてＬ＝４の場合の、ｎ＝３Ｌ、  ｎ＝３Ｌ＋１、ｎ＝３Ｌ＋２の３つのマーク長を一組とする周期パラメータ変化を説明する図であり、図７（ａ）は、３Ｌ−１、３Ｌ、３Ｌ＋１３つのマーク長であり、図７（ｂ）は、ｎ＝３Ｌの場合であり、図７（ｃ）は、ｎ＝３Ｌ＋１の場合であり、図７（ｄ）は、ｎ＝３Ｌ＋２の場合である。
【図８】記録パルス分割法（ＩＶａ）を、ｎ＝２〜１６からなるマーク長に適用したタイミングチャートの具体例を説明するための図であり、図８（ａ）は、ｎ＝４Ｌ−３の場合であり、図８（ｂ）は、ｎ＝４Ｌ−２の場合であり、図８（ｃ）は、ｎ＝４Ｌ−１の場合であり、図８（ｄ）は、ｎ＝４Ｌの場合である。
【図９】図８においてＬ＝３の場合の、ｎ＝４Ｌ−３、ｎ＝４Ｌ−２、ｎ＝４Ｌ−１、ｎ＝４Ｌの４つのマーク長を一組とする周期パラメータ変化を説明する図であり、図９（ａ）は、４Ｌ−３、４Ｌ−２、４Ｌ−１、４Ｌの４つのマーク長であり、図９（ｂ）は、ｎ＝４Ｌ−３の場合であり、図９（ｃ）は、ｎ＝４Ｌ−２の場合であり、図９（ｄ）は、ｎ＝４Ｌ−１の場合であり、図９（ｅ）は、ｎ＝４Ｌの場合である。
【図１０】実施例１として示した「３Ｔストラテジー」に用いた、各マーク長に対する分割記録パルスを説明するための図である。
【図１１】比較例１として示した「２Ｔストラテジー」に用いた、各マーク長に対する分割記録パルスを説明するための図である。
【図１２】図１２（ａ）及び（ｂ）は、実施例１及び比較例１において、オーバーライト９回後のジッタ及び変調度の記録パワー依存性を示すグラフであり、図１２（ｃ）は、ジッタのオーバーライト回数依存性を示すグラフである。
【図１３】実施例２として「３Ｔストラテジー」に用いた、各マーク長に対する分割記録パルスを説明するための図である。
【図１４】比較例２として示した「２Ｔストラテジー」に用いた、各マーク長に対する分割記録パルスを説明するための図である。
【図１５】図１５（ａ）及び（ｂ）は、実施例２及び比較例２において、オーバーライト９回後のジッタ及び変調度の記録パワー依存性を示すグラフであり、図１５（ｃ）は、ジッタのオーバーライト回数依存性を示すグラフである。
【図１６】実施例３として示した「３Ｔストラテジー」に用いた、各マーク長に対する分割記録パルスである。
【図１７】比較例３として示した「２Ｔストラテジー」に用いた、各マーク長に対する分割記録パルスを説明するための図である。
【図１８】図１８（ａ）及び（ｂ）は、実施例３及び比較例３において、オーバーライト９回後のジッタ及び変調度の記録パワー依存性を示すグラフであり、図１８（ｃ）は、ジッタのオーバーライト回数依存性を示すグラフである。
【図１９】実施例４として示した「３Ｔストラテジー」に用いた、各マーク長に対する分割記録パルスを説明するための図である。
【図２０】比較例４として示した「２Ｔストラテジー」に用いた、各マーク長に対する分割記録パルスを説明するための図である。
【図２１】図２１（ａ）及び（ｂ）は、実施例４及び比較例４において、オーバーライト９回後のジッタ及び変調度の記録パワー依存性を示すグラフであり、図２１（ｃ）は、ジッタのオーバーライト回数依存性を示すグラフである。
【図２２】記録パルス分割法（ＩＩｂ）を、ｎ＝２〜１６からなるマーク長に適用したタイミングチャートの具体例を説明するための図であり、図２２（ａ）は、ｎ＝３Ｌ−１の場合であり、図２２（ｂ）は、ｎ＝３Ｌの場合であり、図２２（ｃ）は、ｎ＝３Ｌ＋１の場合である。
【図２３】図２２においてＬ＝４の場合の、ｎ＝３Ｌ−１、ｎ＝３Ｌ、ｎ＝３Ｌ＋１の３つのマーク長を一組とする周期パラメータ変化を説明する図であり、図２３（ａ）は、３Ｌ−１、３Ｌ、３Ｌ＋１の３つのマーク長であり、図２３（ｂ）は、ｎ＝３Ｌ−１の場合であり、図２３（ｃ）は、ｎ＝３Ｌの場合であり、図２３（ｄ）は、ｎ＝３Ｌ＋１の場合である。
【図２４】記録パルス分割方法（ＩＩＩｂ）を、ｎ＝２〜１７からなるマーク長に適用した具体例を説明するための図であり、図２４（ａ）は、ｎ＝３Ｌの場合であり、図２４（ｂ）は、ｎ＝３Ｌ＋１の場合であり、図２４（ｃ）は、ｎ＝３Ｌ＋２の場合である。
【図２５】図２４においてＬ＝４の場合の、ｎ＝３Ｌ、ｎ＝３Ｌ＋１、ｎ＝３Ｌ＋２の３つのマーク長を一組とする周期パラメータ変化を説明する図であり、図２５（ａ）は、３Ｌ、３Ｌ＋１、３Ｌ＋２の３つのマーク長であり、図２５（ｂ）は、ｎ＝３Ｌの場合であり、図２５（ｃ）は、ｎ＝３Ｌ＋１の場合であり、図２５（ｄ）は、ｎ＝３Ｌ＋２の場合である。
【図２６】記録パルス分割法（ＩＶｂ）を、ｎ＝２〜１６からなるマーク長に適用したタイミングチャートの具体例を説明するための図であり、図２６（ａ）は、ｎ＝４Ｌ−３の場合であり、図２６（ｂ）は、ｎ＝４Ｌ−２の場合であり、図２６（ｃ）は、ｎ＝４Ｌ−１の場合であり、図２６（ｄ）は、ｎ＝４Ｌの場合である。
【図２７】図２６においてＬ＝３の場合の、ｎ＝４Ｌ−３、ｎ＝４Ｌ−２、ｎ＝４Ｌ−１、ｎ＝４Ｌの４つのマーク長を一組とする周期パラメータ変化を説明する図であり、図２７（ａ）は、４Ｌ−３、４Ｌ−２、４Ｌ−１、４Ｌの４つのマーク長であり、図２７（ｂ）は、ｎ＝４Ｌ−３の場合であり、図２７（ｃ）は、ｎ＝４Ｌ−２の場合であり、図２７（ｄ）は、ｎ＝４Ｌ−１の場合であり、図２７（ｅ）は、ｎ＝４Ｌの場合である。
【図２８】実施例５として示した「３Ｔストラテジー」に用いた、各マーク長に対する分割記録パルスを説明するための図である。
【図２９】実施例６として示した「３Ｔストラテジー」に用いた、各マーク長に対する分割記録パルスを説明するための図である。
【図３０】図３０（ａ）及び（ｂ）は、実施例５及び実施例６において、オーバーライト９回後のジッタ及び変調度の記録パワー依存性を示すグラフであり、図３０（ｃ）は、ジッタのオーバーライト回数依存性を示すグラフである。
【図３１】実施例７として示した「３Ｔストラテジー」に用いた、各マーク長に対する分割記録パルスを説明するための図である。
【図３２】図３２（ａ）及び（ｂ）は、実施例７において、オーバーライト９回後のジッタ及び変調度の記録パワー依存性を示すグラフであり、図３２（ｃ）は、ジッタのオーバーライト回数依存性を示すグラフである。
【図３３】本実施の形態が適用される光記録方法を実施するための光記録装置の一例の構成図である。
【図３４】本実施の形態が適用される光記録方法を実施するための光記録装置におけるＬＤドライバの一例の構成図である。
【符号の説明】
【０４０６】
２００１…インターフェース（Ｉ／Ｆ）回路、２００２…変調回路、２００３…分割記録パルス生成制御回路、２００４…ＬＤドライバ、２００５…半導体レーザー（ＬＤ）、２００６…ビームスプリッタ、２００７…光ディスク、２００８…フォトディテクタ、２００９…対物レンズ、２０１０…再生回路、２０１１…復調回路、２０１２…ドライブマイコン、２０１３…スピンドルモーター、２０２０…選択信号、２０３０…セレクタ、２０３１，２０３２，２０３３…ディジタル・アナログ変換器（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｎａｌｏｇ  Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ  ＤＡＣ１，ＤＡＣ２，ＤＡＣ３）、２０３４，２０３５，２０３６…電圧―電流（Ｖ／Ｉ）変換器、２０３７，２０３８，２０３９…電流増幅アンプ、２０４０…電流加算器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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