【手続補正書】
【提出日】平成21年11月25日(2009.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極を有する半導体素子と、
前記半導体素子を収納する凹部を備えたハウジングと、
前記凹部の底面に露出した第１リード電極及び第２リード電極と、
前記半導体素子を前記第１リード電極にダイボンドする接着層と、
前記半導体素子の前記一対の電極と、前記第１リード電極及び前記第２リード電極とをそれぞれワイヤボンドする導電ワイヤと、を備えた半導体装置であって、
前記ハウジングが、前記凹部の前記底面に、前記第１リード電極の表面をダイボンド領域とワイヤボンド領域とに区分するように横断して設けられた少なくとも１つの第１壁部を備えており、
前記第１リード電極は、少なくとも前記第１壁部の直下に、前記第１リード電極の縁部を切り欠いた切欠き部を備えており、前記第１壁部と前記ハウジングの底部とが、前記切欠き部を通じて接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１壁部の断面が前記ワイヤボンド領域から前記ダイボンド領域に向かって高くなるように傾斜されている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ハウジングが、前記凹部の前記底面に、前記第１リード電極と前記第２リード電極との間を介して前記ハウジングの前記底部と接続する第２壁部を有し、
前記ダイボンド領域が、前記第１壁部、前記第２壁部および前記ハウジングの側壁によって包囲されている請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記切欠き部は、前記ハウジングの前記底部から前記凹部に向かって寸法が小さくなる漏斗状である請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
一対の電極を有する半導体素子と、
前記半導体素子を収納する凹部を備えたハウジングと、
前記凹部の底面に露出した第１リード電極及び第２リード電極と、
前記半導体素子を前記第１リード電極にダイボンドする接着層と、
前記半導体素子の前記一対の電極と、前記第１リード電極及び前記第２リード電極とをそれぞれワイヤボンドする導電ワイヤと、を備えた半導体装置であって、
前記ハウジングが、前記凹部の前記底面に、前記第１リード電極の表面をダイボンド領域とワイヤボンド領域とに区分するように横断して設けられた少なくとも１つの第１壁部を備えており、
前記第１リード電極は、少なくとも前記第１壁部の直下に、前記第１リード電極に形成された貫通孔を備えており、前記第１壁部と前記ハウジングの底部とが、前記貫通孔を通じて接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
前記貫通孔の直径は、前記第１壁部の幅よりも大きい請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記ハウジングが、前記凹部の前記底面に、前記第１リード電極と前記第２リード電極との間を介して前記ハウジングの前記底部と接続する複数の第２壁部を有し、
前記第１壁部および前記第２壁部によって包囲された領域に、前記半導体素子と、当該半導体素子を保護する保護素子とが配置されている請求項５又は６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１リード電極の表面には、前記第１壁部の直下にさらに溝部が設けられており、
前記溝部は前記第１壁部に沿って延在すると共に、前記溝部に前記第１壁部の底部が係合している請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
一対の電極を有する半導体素子と、
前記半導体素子を収納する凹部を備えたハウジングと、
前記凹部の底面に露出した第１リード電極及び第２リード電極と、
前記半導体素子を前記第１リード電極にダイボンドする接着層と、
前記半導体素子の前記一対の電極と、前記第１リード電極及び前記第２リード電極とをそれぞれワイヤボンドする導電ワイヤと、を備えた半導体装置であって、
前記ハウジングが、前記凹部の前記底面に、前記第１リード電極の表面をダイボンド領域とワイヤボンド領域とに区分するように横断して設けられた少なくとも１つの壁部を備えており、
前記第１リード電極の表面には、前記壁部の直下に溝部が設けられており、前記溝部は前記壁部に沿って延在すると共に、前記溝部に前記壁部の底部が係合していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
前記溝部の一端は、前記第１リード電極の縁部まで延び、
前記溝部の他端は、前記第１リード電極の縁部より手前で終端している請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第１リード電極の縁部には、少なくとも前記壁部の直下に切欠き部を備えて、前記壁部と前記ハウジングの底部とが前記切欠き部を通じて接続されて、
前記溝部の一端は、前記第１リード電極の縁部まで延びて前記切欠き部と接続している請求項９又は１０に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
第２の発明では、第１リード電極の表面に、溝部が形成されていて、その溝部の上に、第１壁部が形成されている。この溝部は、ダイボンド領域とワイヤボンド領域との間を区分する第１壁部に沿って形成されているので、ダイボンド用の接着剤の接着剤成分が第１リード電極と第１壁部との界面を伝ってワイヤボンド領域方向に浸入してきても、溝部の窪みに溜まってそれ以上浸入できなくなる。すなわち、第１壁部の直下に溝部を備えることによって、接着剤成分がワイヤボンド領域に浸入するのを確実に防止することができる。
また、第１壁部の断面積が溝部の分だけ大きくなることにより、壁部とハウジングの側壁部との結合強度も増加する。結合強度の増加により、第１壁部と第１リード電極の表面との密着性が高まり、これにより、接着剤成分が第１リード電極と第１壁部との界面を伝ってワイヤボンド領域に浸入するのを抑制するのに有効である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
さらに、第２の発明には、第１壁部の形成時にも有利である。溝部を形成することにより、成形材料を注入する間口が広くなり、充填しやすくなり、第１壁部が充填不十分で一部欠如する等の欠陥が生じにくくなる。第１壁部は、ワイヤボンドを阻害しない程度に高さが低くて成形材料を充填しにくく、粘度の高い成形材料を使用すると部分的に充填不十分になる恐れがある。しかしながら、溝部を設けることにより充填流路が広がり、成形材料を充填しやすくなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
＜実施の形態１＞
図１及び図２Ａは、実施の形態１にかかる半導体装置１０の製造過程の途中の様子を図示しており、最終的には、図６に図示するような形態に形成される。このような形態の半導体装置１０は、極めて薄型であり、半導体素子２８に半導体発光素子を用いた薄型の発光装置として利用されている。
実施の形態１の半導体装置１０は、凹部１４を備えたハウジング１２と、凹部１４の底部１６に露出した第１リード電極１８及び第２リード電極２０とを備えている。第１リード電極１８は、ダイボンド領域２２とワイヤボンド領域２４とを有しており、これらの領域は、第１リード電極１８の表面に、第１リード電極１８を横切って配置された第１壁部２６によって区分されている。第２リード電極２０は、ダイボンド領域を持たず、ワイヤボンド領域２４’のみから構成されている。第１リード電極１８と第２リード電極２０との間には、第２壁部３４が突出している。第１及び第２壁部２６、３４は、ハウジング１２と一体に形成されている。半導体素子２８は、その基板側がダイボンド領域２２にダイボンド用の接着剤から成る接着層３０により固定されており、さらに半導体側に形成された電極がワイヤボンド領域２４、２４’に導電ワイヤ３２により接続されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
第１及び第２壁部２６、３４は、接着層３０を形成する接着剤の接着剤成分がダイボンド領域２２からワイヤボンド領域２４、２４’にブリードせず、また、導電ワイヤ３２によるワイヤボンドを阻害しない高さに形成される。壁部２６、３４は、接着剤成分のブリードを防止でき、そして導電ワイヤのワイヤボンドを妨げなければ、どのような形状にすることもでき、例えば断面矩形、断面三角形、断面台形、断面半円形又は断面半楕円径などの様々な断面形状を有する形態にすることができる。特に、図２Ａに示すように、壁部２６、３４がワイヤボンド領域２４、２４’からダイボンド領域２２に向かって高くなるように傾斜した断面三角形に形成されていると、接着剤成分の堰き止め効果と導電ワイヤ３２の張りやすさとに優れているので好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
図３に示す一連の工程により、図１及び図４に示すようなハウジング１２が一部に成型されたリードフレーム４２が得られる。
図１に示すように、リードフレーム４２に固定されたハウジング１２は、凹部１４の内部に露出した第１リード電極１８及び第２リード電極を備えており、それぞれのリード電極１８、２０が、リードフレーム４２に接続した第１外部電極７８及び第２外部電極８０と繋がっている。また、ハウジング１２の側面には、ハンガーリード４６の先端が食い込んでいる。ハウジング１２は、外部電極７８、８０とハンガーリード４６とによってリードフレーム４２に係持されている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
樹脂４４の封止が完了すると、外部電極７８、８０は、破線Ｘの位置で切断してリードフレーム４２から分離する。外部電極７８、８０は、ハウジング１２の外形に沿って折り曲げて、図６に図示するようなＪ−ベンド（Ｂｅｎｄ）型の形状に成形される（外部電極７８、８０のカットフォーミングと呼ばれる）。このとき、ハウジング１２は、ハンガーリード４６のみでリードフレーム４２に支持されているが、カットフォーミングの際にかかる応力でハウジング１２が傾いてリードフレーム４２から脱落しないように、ハウジング１２を保持する治具を利用するのが好ましい。
このカットフォーミングは、１枚のリードフレーム４２に形成された複数のハウジング１２に対して同時に行えるので、発光装置１０の製造効率を向上させることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
カットフォーミングか完了したら、最後に、ハウジング１２をリードフレーム４２から外す。ハンガーリード４６、４６’を折り曲げることにより、ハンガーリード４６の先端をハウジング１２から簡単に外すことができる。