【手続補正書】
【提出日】平成22年4月5日(2010.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の表面に形成され、前記基材と屈折率が異なる単層膜、または互いに屈折率が異なる複数の薄膜の積層膜からなる反射防止層と、
前記反射防止層の上に形成され、シリコンの層を積層してなる防汚層と、
からなることを特徴とする汚れ防止膜。
【請求項２】
前記防汚層は、シリコンの層を原子数で２０層以下に積層してなることを特徴とする請求項１に記載の汚れ防止膜。
【請求項３】
前記防汚層は、シリコンの層を原子数で３〜１０層に積層してなることを特徴とする請求項２に記載の汚れ防止膜。
【請求項４】
前記防汚層の前記シリコンの層は、スパッタ装置により成膜し、酸化させることなく形成することを特徴とする請求項１乃至請求項３のうち何れか１項に記載の汚れ防止膜。
【請求項５】
画像を表示する表示素子と、
前記表示素子の観察面を覆って設けられ、前記表示素子の観察面を形成する部材と屈折率が異なる単層膜、または互いに屈折率が異なる複数の薄膜を積層してなる反射防止層と、前記反射防止層の上に形成され、シリコンの層を積層してなる防汚層と、からなる汚れ防止膜と、
を備えることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
前記表示素子の観察面にタッチ入力パネルが配置されており、前記汚れ防止膜は、前記タッチ入力パネルの上に形成されていることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記表示素子は、
予め定めた間隙を設けて対向配置された、観察側とその反対側の一対の基板と、
前記一対の基板間の間隙に封入された液晶層と、
前記一対の基板の前記液晶層に対向する内面の少なくとも一方に設けられ、前記液晶層に液晶分子の配向状態を制御するための電界を印加する複数の電極と、
前記一対の基板のうちの少なくとも前記観察側の基板の外面に配置された偏光板と、からなる液晶表示素子であり、
前記汚れ防止膜は、前記観察側の偏光板の上に形成されていることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
液晶表示装置等の表示装置として、観察面に、アモルファスカーボン膜からなる膜を設け、耐傷性を向上させたものがある。（特許文献１参照）
【特許文献１】特開２００５−１３４５４２号公報
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
この発明の請求項１に記載の表示装置の汚れ防止膜は、
基材の表面に形成され、前記基材と屈折率が異なる単層膜、または互いに屈折率が異なる複数の薄膜の積層膜からなる反射防止層と、
前記反射防止層の上に形成され、シリコンの層を積層してなる防汚層と、
からなることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項２に記載の発明は、前記請求項１に記載の表示装置の汚れ防止膜において、前記防汚層は、シリコンの層を原子数で２０層以下に積層してなることを特徴とする。
請求項３に記載の発明は、前記請求項２に記載の表示装置の汚れ防止膜において、前記防汚層は、シリコンの層を原子数で３〜１０層に積層してなることを特徴とする。
請求項４に記載の発明は、前記請求項１乃至請求項３のうち何れか１項に記載の表示装置の汚れ防止膜において、前記防汚層の前記シリコンの層は、スパッタ装置により成膜し、酸化させることなく形成することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明の請求項５に記載の表示装置は、
画像を表示する表示素子と、
前記表示素子の観察面を覆って設けられ、前記表示素子の観察面を形成する部材と屈折率が異なる単層膜、または互いに屈折率が異なる複数の薄膜を積層してなる反射防止層と、前記反射防止層の上に形成され、シリコンの層を積層してなる防汚層と、からなる汚れ防止膜と、
を備えることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項６に記載の発明は、前記請求項５に記載の表示装置において、前記表示素子の観
察面にタッチ入力パネルが配置されており、前記汚れ防止膜は、前記タッチ入力パネルの
上に形成されていることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項７に記載の発明は、前記請求項５に記載の表示装置において、
前記表示素子は、
予め定めた間隙を設けて対向配置された、観察側とその反対側の一対の基板と、
前記一対の基板間の間隙に封入された液晶層と、
前記一対の基板の前記液晶層に対向する内面の少なくとも一方に設けられ、前記液晶層に液晶分子の配向状態を制御するための電界を印加する複数の電極と、
前記一対の基板のうちの少なくとも前記観察側の基板の外面に配置された偏光板と、からなる液晶表示素子であり、
前記汚れ防止膜は、前記観察側の偏光板の上に形成されていることを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
この液晶表示素子１は、液晶分子をツイスト配向させたＴＮまたはＳＴＮ型、液晶分子を基板２，３面に対して垂直に配向させた垂直配向型、液晶分子をツイストさせることなく基板２，３面に対して平行に配向させた水平配向型、液晶分子をベンド配向させるベンド配向型のいずれか、あるいは強誘電性または反強誘電性液晶表示素子であり、前記一対の偏光板９，１０は、それぞれの透過軸の向きを、良好なコントラストが得られるように設定して配置されている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
この反射防止層１８の積層膜の厚さ、つまり前記フッ化ニオブまたは酸化チタンからなる薄膜と前記ＳｉＯ２からなる薄膜とを複数積層した膜の膜厚の合計値は、例えば数１０〜１５０ｎｍの範囲である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
また、前記汚れ防止膜１７の防汚層１９は、上記Ｓｉ膜に限らず、イオンプレーティング法等により成膜されたＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）の層を原子数で２０層以下（好ましくは３〜１０層）の層数に積層したものでもよく、その場合も、上記実施例と同等の効果を得ることができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
また、タッチ入力パネル１１は、前記液晶表示素子１の観察側基板２と観察側偏光板９を利用して構成してもよく、その場合は、前記観察側偏光板９を前記観察側基板２との間に間隙を設けて配置し、前記観察側基板２と前記観察側偏光板９の互いに対向する面にそれぞれ抵抗膜１５，１６を形成すればよい。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
さらにまた、液晶表示素子１の観察面に配置するタッチ入力パネルは、上記実施例の抵抗型タッチ入力パネルに限らず、静電容量型または磁場検出型等の他の型式のタッチ入力パネルでもよい。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
（第２の実施形態）
図２はこの発明の第２の実施例を示す汚れ防止膜を備えた表示装置の断面図である。なお、この実施例において、上記第１の実施例に対応するものには同符号を付し、同じものについてはその説明を省略する。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
この実施例の表示装置は、上記第１の実施例の表示装置において、液晶表示素子１の観察面に配置した抵抗型タッチ入力パネル１１の前基板１３の内面に、前記タッチ入力パネル１１の上に形成された汚れ防止膜１７の反射防止層１８と同じ膜からなる他の反射防止層１８ａを形成したものであり、他の構成は第１の実施例と同じである。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
（第３の実施形態）
図３はこの発明の第３の実施例を示す汚れ防止膜を備えた表示装置の断面図である。なお、この実施例において、上記第１の実施例に対応するものには同符号を付し、同じものについてはその説明を省略する。