(57)【要約】      （修正有）【課題】回路基板上に半田等を用いて接続した際における、アノード・カソード間のショートを防止した安全性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】アノード電極とカソード電極を有する表面実装型の半導体装置であって、アノード電極８とカソード電極９との間に、アノード電極及びカソード電極から離れた位置に絶縁体７が形成され、絶縁体の高さは、アノード電極及びカソード電極の高さと略同一であり、絶縁体は、第１の絶縁部１３と第２の絶縁部１４からなり、アノード電極とカソード電極間を直線距離で結んだ場合に、直線距離上に複数の絶縁部が形成される。【選択図】図２
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性を有する板状の基板と、
前記基板の一方の主面上に形成されたアイランド配線導体と、
前記基板の一方の主面上に形成されたターミナル配線導体と、
前記アイランド配線導体上に配置された半導体発光素子と、前記半導体発光素子と前記ターミナル配線導体とを接続するリード細線と、前記アイランド配線導体が前記基板の端面に沿って前記基板の他方の主面に延伸してカソード電極を形成し、前記ターミナル配線導体が前記基板の前記端面と対向する端面に沿って前記基板の他方の主面に延伸してアノード電極を形成し、前記アノード電極と前記カソード電極との間の前記他方の主面上に、前記アノード電極及び前記カソード電極から離れた位置に絶縁体が形成され、前記絶縁体の前記他方の主面からの高さは、前記アノード電極及び前記カソード電極の高さと略同一であることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記絶縁体は、第１の絶縁部と第２の絶縁部からなり、前記アノード電極と前記カソード電極間を直線距離で結んだ場合に、前記直線距離上に複数の絶縁部が形成される箇所を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記絶縁体の形状によって、前記アノード電極と前記カソード電極の向きを特定することが可能となることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
アノード電極とカソード電極を有する表面実装型の半導体装置であって、前記アノード電極と前記カソード電極との間に、前記アノード電極及び前記カソード電極から離れた位置に絶縁体が形成され、前記絶縁体の高さは、前記アノード電極及び前記カソード電極の高さと略同一であり、前記絶縁体は、第１の絶縁部と第２の絶縁部からなり、前記アノード電極と前記カソード電極間を直線距離で結んだ場合に、前記直線距離上に複数の絶縁部が形成される箇所を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記絶縁体の形状によって、前記アノード電極と前記カソード電極の向きを特定することが可能となることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。  
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、ダイオードや発光ダイオード（ＬＥＤ）等の半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば下記特許文献１に示される表面実装型の半導体発光装置は、一方の主面にアイランド配線導体（ダイパッド）とターミナル配線導体（ボンディングパッド）とを個別に形成した絶縁性の基板と、アイランド配線導体上に固着された半導体発光素子（発光ダイオードチップ）と、半導体発光素子の上面に形成された電極とターミナル配線導体とを接続するリード細線と、基板の一方の主面のアイランド配線導体及びターミナル配線導体の一部、半導体発光素子及びリード細線を被覆する光透過性の樹脂封止体とから構成される。
基板の一方の主面に形成されたアイランド配線導体及びターミナル配線導体は、基板の端面に沿って下方に延び、アイランド配線導体及びターミナル配線導体の先端側は、基板の他方の主面まで延伸して接続用電極を構成する。
半導体発光素子の上面から放出された光は樹脂封止体を通じて外部に放出される。発光ダイオード装置は、基板の底面を回路基板等の上に表面実装することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−３４０３７８号公報
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に係る半導体発光装置は、基板底面の両端部に設けられた接続用電極に半田等を用いて回路基板上に接続される。そのため、接続用電極の間隔が狭い場合、半田等が両電極間に渡って付着することで、ショートしてしまう恐れがあった。特に近年の半導体発光装置はより小型化されることが要求され、アノード・カソード端子間の間隔は狭くなる傾向がある。この場合、上述した課題は顕著となる。
【０００５】
本考案は、上述した従来技術の問題点を解消し、回路基板上に半田等を用いて接続した際における、アノード・カソード間のショートを防止した安全性の高い半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するために、本考案は、以下に掲げる構成とした。
絶縁性を有する板状の基板と、前記基板の一方の主面上に形成されたアイランド配線導体と、前記基板の一方の主面上に形成されたターミナル配線導体と、前記アイランド配線導体上に配置された半導体発光素子と、前記半導体発光素子と前記ターミナル配線導体とを接続するリード細線と、前記アイランド配線導体が前記基板の端面に沿って前記基板の他方の主面に延伸してカソード電極を形成し、前記ターミナル配線導体が前記基板の前記端面と対向する端面に沿って前記基板の他方の主面に延伸してアノード電極を形成し、前記アノード電極と前記カソード電極との間の前記他方の主面上に、前記アノード電極及び前記カソード電極から離れた位置に絶縁体が形成され、前記絶縁体の前記他方の主面からの高さは、前記アノード電極及び前記カソード電極の高さと略同一であることを特徴とする。
【考案の効果】
【０００７】
本考案に係る半導体装置は、回路基板上に半田等を用いて接続した際における、アノード・カソード間のショートを防止した安全性の高い半導体装置を提供する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本考案による半導体装置の構成例を示す断面図である。
【図２】本考案による半導体装置の構成例を示す底面図である。
【考案を実施するための形態】
【０００９】
以下、本考案の実施の形態について、詳細に説明する。但し、図面は模式的なものであり、寸法関係の比率等は現実のものとは異なる。  
【００１０】
以下、図面を参照して本考案に係る半導体装置１０の構成を説明する。図１は、本考案に係る半導体装置１０の構成例を示す断面図である。一方の主面１１にアイランド配線導体（ダイパッド）６とターミナル配線導体（ボンディングパッド）５とを個別に形成した絶縁性の基板１と、アイランド配線導体６上に固着された半導体発光素子（発光ダイオードチップ）２と、半導体発光素子２の上面に形成された電極とターミナル配線導体５とを接続するリード細線４と、基板１の一方の主面のアイランド配線導体６及びターミナル配線導体５の一部、半導体発光素子２及びリード細線４を被覆する光透過性の樹脂封止体３とから構成される。
【００１１】
基板１の一方の主面１１に形成されたアイランド配線導体６及びターミナル配線導体５は、基板の端面に沿って下方に延び、アイランド配線導体６及びターミナル配線導体５の先端側は、基板１の他方の主面１２まで延伸して接続用電極（アノード電極８、カソード電極９）を構成する。
半導体発光素子２の上面から放出された光は樹脂封止体３を通じて外部に放出される。半導体装置１０は、基板１の底面を回路基板等の上に表面実装することができる。
【００１２】
基板１の底面（他方の主面１２）のアノード電極８とカソード電極９の間には、絶縁体７が構成される。絶縁体７の基板１の他方の主面１２からの高さは、アノード電極８及びカソード電極９と揃えるように略同一に配置している。このように、アノード電極８とカソード電極９間に絶縁体７を配置することで、半導体装置１０を半田等を用いて回路基板等の上に表面実装する際に、過剰の半田がアノード電極８とカソード電極９間に流入した場合、その流通経路は絶縁体７によって遮断されるため、アノード電極８とカソード電極９間がショートすることが防止される。
【００１３】
なお、絶縁体７の材料は特に限定されないが、本実施形態においてはレジストで構成している。また、絶縁体７の形状は、例えば図２に示すように、第１の絶縁部１３と第２の絶縁部１４とにより構成することができる。第1の絶縁部１３は、一定の幅を有した直線状であって、カソード電極９に平行し、底面視において長方形の基板１の一方の長辺側（アノード電極・カソード電極が形成されていない辺のうち一方）から、それと対向する他方の長辺側に渡って延伸するように形成している。また、第２の絶縁部１４は、略三角形状であって、その１つの頂点が第1の絶縁部１３と接し、前記頂点と対向する底辺が第1の絶縁部１３と平行となるように、底面視において長方形の基板１の一方の長辺側から、それと対向する他方の長辺側に渡って配置されるように形成している。絶縁体７を第1の絶縁部１３と第２の絶縁部１４によって形成することで、万が一、アノード電極８とカソード電極９間に半田が流入し、第1の絶縁部１３と第２の絶縁部１４のいずれか一方の絶縁部を乗り越えた場合においても、第1の絶縁部１３と第２の絶縁部１４のいずれか他方の絶縁部において、半田を遮断することができる。すなわち、アノード電極８とカソード電極９間を直線距離で結んだ場合（図２におけるＡ−Ａ線）において、２つの絶縁部を形成することで、アノード電極８とカソード電極９間における半田の流通経路を２段階で遮断した構成となっている。なお、アノード電極８とカソード電極９間を直線距離で結んだ場合に３以上の複数の絶縁部を設けることも任意で可能である。さらに、第1の絶縁部１３と第２の絶縁部１４の形状を組合せることにより、絶縁体７をカソードマークとなるような形状に構成することができる。この場合、半導体装置１０を回路基板等に接続する際のアノード電極とカソード電極の向きを特定することができるため、アノード側とカソード側を逆に接続するという誤接続を防止することができる。
【００１４】
なお、上記実施形態においては、半導体発光装置（ＬＥＤ）の場合として説明してきたが、ＬＥＤではないダイオードパッケージにおいても適用できることは明らかである。
【符号の説明】
【００１５】
１・・・基板２・・・半導体発光素子３・・・光透過性樹脂封止体４・・・リード細線５・・・ターミナル配線導体６・・・アイランド配線導体７・・・絶縁体８・・・アノード電極９・・・カソード電極１０・・・半導体発光装置１１・・・一方の主面１２・・・他方の主面１３・・・第1の絶縁部１４・・・第２の絶縁部 
【図１】
0003190017.tif 000003
【図２】
0003190017.tif 000004