【手続補正書】
【提出日】平成22年4月22日(2010.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた第１の金属酸化物を含む層と、
前記第１の金属酸化物層を含む膜上に設けられた第２の金属酸化物を含む層と、
前記第２の金属酸化物を含む層上に設けられた有機化合物を含む層と、
前記有機化合物を含む層上に設けられた第２の電極と、を有するメモリ素子を備え、
前記第１の金属酸化物を含む層は、ｎ型の半導体材料又はｐ型の半導体材料の一方であり、
前記第２の金属酸化物を含む層は、ｎ型の半導体材料又はｐ型の半導体材料の他方であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた有機化合物を含む層と、
前記有機化合物を含む層上に設けられた第１の金属酸化物を含む層と、
前記第１の金属酸化物層を含む膜上に設けられた第２の金属酸化物を含む層と、
前記第２の金属酸化物を含む層上に設けられた第２の電極と、を有するメモリ素子を備え、
前記第１の金属酸化物を含む層は、ｎ型の半導体材料又はｐ型の半導体材料の一方であり、
前記第２の金属酸化物を含む層は、ｎ型の半導体材料又はｐ型の半導体材料の他方であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた第１の金属酸化物を含む層と、
前記第１の金属酸化物層を含む膜上に設けられた有機化合物を含む層と、
前記有機化合物を含む層上に設けられた第２の金属酸化物を含む層と、
前記第２の金属酸化物を含む層上に設けられた第２の電極と、を有するメモリ素子を備え、
前記第１の金属酸化物を含む層は、ｎ型の半導体材料又はｐ型の半導体材料の一方であり、
前記第２の金属酸化物を含む層は、ｎ型の半導体材料又はｐ型の半導体材料の他方であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた第１の金属酸化物を含む層と、
前記第１の金属酸化物層を含む膜上に設けられた第２の金属酸化物を含む層と、
前記第２の金属酸化物を含む層上に設けられた有機化合物を含む層と、
前記有機化合物を含む層上に設けられた第２の電極と、を有するメモリ素子を複数備え、
前記第１の電極は、ストライプ状に設けられており、
前記第１の電極上には、各メモリ素子に対応する開口部を有する第１の隔壁が設けられており、
前記第１の隔壁上には、逆テーパ状の第２の隔壁がストライプ状に設けられており、
前記第１の電極上及び前記第１の隔壁上には、前記第１の金属酸化物を含む層、前記第２の金属酸化物を含む層、前記有機化合物を含む層、及び前記第２の電極が、前記第１の電極と交差するようにストライプ状に設けられており、
前記第１の金属酸化物を含む層は、ｎ型の半導体材料又はｐ型の半導体材料の一方であり、
前記第２の金属酸化物を含む層は、ｎ型の半導体材料又はｐ型の半導体材料の他方であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた有機化合物を含む層と、
前記有機化合物を含む層上に設けられた第１の金属酸化物を含む層と、
前記第１の金属酸化物層を含む膜上に設けられた第２の金属酸化物を含む層と、
前記第２の金属酸化物を含む層上に設けられた第２の電極と、を有するメモリ素子を複数備え、
前記第１の電極は、ストライプ状に設けられており、
前記第１の電極上には、各メモリ素子に対応する開口部を有する第１の隔壁が設けられており、
前記第１の隔壁上には、逆テーパ状の第２の隔壁がストライプ状に設けられており、
前記第１の電極上及び前記第１の隔壁上には、前記有機化合物を含む層、前記第１の金属酸化物を含む層、前記第２の金属酸化物を含む層、及び前記第２の電極が、前記第１の電極と交差するようにストライプ状に設けられており、
前記第１の金属酸化物を含む層は、ｎ型の半導体材料又はｐ型の半導体材料の一方であり、
前記第２の金属酸化物を含む層は、ｎ型の半導体材料又はｐ型の半導体材料の他方であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた第１の金属酸化物を含む層と、
前記第１の金属酸化物層を含む膜上に設けられた有機化合物を含む層と、
前記有機化合物を含む層上に設けられた第２の金属酸化物を含む層と、
前記第２の金属酸化物を含む層上に設けられた第２の電極と、を有するメモリ素子を複数備え、
前記第１の電極は、ストライプ状に設けられており、
前記第１の電極上には、各メモリ素子に対応する開口部を有する第１の隔壁が設けられており、
前記第１の隔壁上には、逆テーパ状の第２の隔壁がストライプ状に設けられており、
前記第１の電極上及び前記第１の隔壁上には、前記第１の金属酸化物を含む層、前記有機化合物を含む層、前記第２の金属酸化物を含む層、及び前記第２の電極が、前記第１の電極と交差するようにストライプ状に設けられており、
前記第１の金属酸化物を含む層は、ｎ型の半導体材料又はｐ型の半導体材料の一方であり、
前記第２の金属酸化物を含む層は、ｎ型の半導体材料又はｐ型の半導体材料の他方であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記ｎ型の半導体材料は、アルミ酸化物を添加した亜鉛酸化物、タンタル酸化物を添加したチタン酸化物、チタン酸化物を添加した鉄酸化物、ランタン酸化物やタンタル酸化物を添加したチタン酸バリウム、アンチモン酸化物を添加したスズ酸化物、チタン酸化物を添加したカリウム酸化物から選ばれた一種または複数種であり
前記ｐ型の半導体材料は、リチウム酸化物を添加したニッケル酸化物、リチウム酸化物を添加したコバルト酸化物、リチウム酸化物を添加した鉄酸化物、リチウム酸化物を添加したマンガン酸化物、バリウム酸化物を添加したビスマス酸化物、マグネシウム酸化物を添加したクロム酸化物、ストロンチウム酸化物を添加したランタンクロマイト、ストロンチウム酸化物を添加したランタンマンガナイトから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
第１の方向に延びているビット線と、
前記第１の方向と異なる第２の方向に延びているワード線と、
前記ビット線と前記ワード線の交差部にメモリセルと、
前記メモリセル内にメモリ素子とを有し、
前記メモリ素子は、整流特性を有し、少なくとも有機材料を含む層と、第１の金属酸化物を含む層とを有する半導体装置。
【請求項９】
請求項８において、
さらに、前記メモリ素子は、第２の金属酸化物を含む層を有し、前記第１の金属酸化物を含む層と前記第２の金属酸化物を含む層とがＰＮ接合を構成する半導体装置。
【請求項１０】
第１の電極と、
該第１の電極上に第１の金属酸化物を含む層と、
該第１の金属酸化物を含む層上に第２の金属酸化物を含む層と、
該第２の金属酸化物を含む層上に有機化合物を含む層と、
該有機化合物を含む層上に第２の電極とを有し、
前記第１の金属酸化物を含む層と前記第２の金属酸化物を含む層とがＰＮ接合を構成する半導体装置。
【請求項１１】
第１の電極と、
該第１の電極上に有機化合物を含む層と、
該有機化合物を含む層上に第１の金属酸化物を含む層と、
該第１の金属酸化物を含む層上に第２の金属酸化物を含む層と、
該第２の金属酸化物を含む層上に第２の電極とを有し、
前記第１の金属酸化物を含む層と前記第２の金属酸化物を含む層とがＰＮ接合を構成する半導体装置。
【請求項１２】
第１の電極と、
該第１の電極上に第１の金属酸化物を含む層と、
該第１の金属酸化物を含む層上に有機化合物を含む層と、
該有機化合物を含む層上に第２の金属酸化物を含む層と、
該第２の金属酸化物を含む層上に第２の電極とを有する半導体装置。
【請求項１３】
請求項８乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記第１の金属酸化物は、ニッケル酸化物、コバルト酸化物、鉄酸化物、マンガン酸化物、ビスマス酸化物、クロム酸化物、ランタンクロマイト、ランタンマンガナイトから選ばれた一種または複数種である半導体装置。
【請求項１４】
請求項８乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記第２の金属酸化物は、亜鉛酸化物、チタン酸化物、鉄酸化物、チタン酸バリウム、スズ酸化物、カリウム酸化物から選ばれた一種または複数種である半導体装置。