【手続補正書】
【提出日】平成21年11月17日(2009.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に堆積物を形成するための堆積システムであって：
外側の壁と、材料堆積を容易にするように構成された処理空間と、前記処理空間へのプロセスガスの導入のための注入プレートとを有する第１のアセンブリと；
前記第１のアセンブリに組み合わせられ、前記堆積システムとの間で前記基板の移送を容易にするための移送空間を有する第２のアセンブリと；
前記第２のアセンブリに接続し、前記基板を支持するように構成された基板ステージと；
前記移送空間から前記処理空間を分離するように構成されたシール部材と；
前記外側の壁の内側で、前記注入プレートを取り囲み、前記注入プレートから前記第２のアセンブリの方へと延びており、前記処理空間からプロセスガスの排気のために内部に含まれている排気チャネルを有し、前記第２のアセンブリと接触していない前記第１のアセンブリの延長部材と、を具備し、
前記第１のアセンブリは、第１の温度で維持されるように構成され、前記第２のアセンブリは、第１の温度より低く低下された温度で維持されるように構成されている堆積システム。
【請求項２】
前記第１のアセンブリは、プロセスの間、１００℃以上の前記第１の温度で維持されるように構成され、前記第２のアセンブリは１００℃未満の前記第２の温度で維持されるように構成されている請求項１の堆積システム。
【請求項３】
前記第１のアセンブリは、プロセスの間、５０℃以上の前記第１の温度で維持されるように構成され、前記第２のアセンブリは、５０℃未満の前記第２の温度で維持されるように構成されている請求項１の堆積システム。
【請求項４】
前記第１のアセンブリと、前記第２のアセンブリとの間の接合の近くの第１のアセンブリのボディ内部にクーラントチャンネルを更に具備する請求項１の堆積システム。
【請求項５】
前記第１のアセンブリと、前記第２のアセンブリとの間の接合の近くの第２のアセンブリのボディ内部にクーラントチャンネルを更に具備する請求項１の堆積システム。
【請求項６】
前記第１のアセンブリは、アルミニウムまたはアルミニウム合金材料を備え；
前記第２のアセンブリは、アルミニウムまたはアルミニウム合金材料を備え；
前記第２のアセンブリは、ステンレス鋼コンポーネントによって前記第１のアセンブリに取り付けられる請求項１の堆積システム。
【請求項７】
前記シール部材は、前記移送空間から前記処理空間を真空アイソレートする封止を備えており、
前記延長部材は、この延長部材の前記シール部材への長手方向の端部でベースに接して前記移送空間から前記処理空間を分離する請求項１の堆積システム。
【請求項８】
前記封止は、処理空間から移送空間までのガスリークを１０−３Ｔｏｒｒ−ｌ／ｓ未満に減少するように構成されている請求項７のシステム。
【請求項９】
前記封止は、処理空間から移送空間までのガスリークを１０−４Ｔｏｒｒ−ｌ／ｓ未満に減少するように構成されている請求項７のシステム。
【請求項１０】
前記第１のアセンブリに組み合わせられ、プロセスの間、前記処理空間を排気するように構成された第１の圧力制御システムと；
前記第２のアセンブリに組み合わせられ、前記移送空間の減じられた汚染物質環境を提供するように構成されている第２の圧力制御システムと；
前記第１のアセンブリに接続し、前記材料堆積の間、前記処理空間にプロセス組成を導入するように構成されているガス注入システムと；
前記基板ステージに組み合わせられ、前記基板の温度を制御するように構成された温度制御システムと；を更に具備する請求項１の堆積システム。
【請求項１１】
前記第１のアセンブリは、前記堆積システムの上部部分を備え、
前記第２のアセンブリは、前記堆積システムの下部部分を備え、
前記基板ステージは、前記基板を縦方向に移動するように構成されている請求項１の堆積システム。
【請求項１２】
プラズマ形成を容易にするために前記処理空間のプロセスガス組成にパワーを結合させるように構成されている電源を更に具備する請求項１の堆積システム。
【請求項１３】
前記電源は、０．１から１００ＭＨｚまでの周波数でＲＦエネルギを出力するように構成されているＲＦ電力電源であり；
前記基板ステージは、前記ＲＦ電力電源に接続され、前記処理空間に前記ＲＦエネルギを結合させるように構成されている電極を含んでいる請求項１の堆積システム。
【請求項１４】
前記延長は、前記第１のアセンブリと、前記第２のアセンブリとの間の放射シールドとして構成されている請求項１の堆積システム。
【請求項１５】
前記延長は、前記基板ステージの近くの延長の第１の側部から、前記第１の側部に対向する延長の端部に長手方向に置かれる第２側部までガスコンダクタンスを提供している内側のチャネルを含んでいる請求項１の堆積システム。
【請求項１６】
前記延長は、前記処理空間から前記移送空間への熱流に対する熱インピーダンスを備えている請求項１５の堆積システム。
【請求項１７】
前記処理空間は、原子層堆積（ＡＬＤ）または化学気相成長（ＣＶＤ）のうちの少なくとも１つのために構成されている請求項１の堆積システム。
【請求項１８】
前記処理チャンバのプロセスを制御するように構成されたコントローラを更に具備する請求項１の堆積システム。
【請求項１９】
前記コントローラは、第１の温度で前記蒸着システムの第１のアセンブリを維持し；
前記第１の温度より低く低下された温度で、前記蒸着システムの第２のアセンブリを維持し；
前記基板を前記処理空間に配置し；
前記基板上に材料を堆積させるようにプログラムされる請求項１８の堆積システム。
【請求項２０】
基板に堆積物を形成するための堆積システムであって：
最も外側の壁と、材料堆積を容易にするように構成された処理空間と、前記処理空間へのプロセスガスの導入のための注入プレートとを有する第１のアセンブリと；
前記第１のアセンブリの最も外側の壁を前記第２のアセンブリに接続するシールされた接合を渡って前記第１のアセンブリに結合され、前記堆積システムとの間で前記基板の移送を容易にするための移送空間を有する第２のアセンブリと；
前記第２のアセンブリに接続し、前記基板を支持するように構成された基板ステージと；
前記移送空間から前記処理空間を分離するように構成されたシール部材と；
前記最も外側の壁の内側に配置され、および、前記最も外側の壁から取り外され、前記注入プレートを取り囲み、前記注入プレートから前記第２のアセンブリの方へと延びており、前記処理空間からプロセスガスの排気のために内部に含まれている排気チャネルを有する前記第１のアセンブリの延長とを具備し、
前記第１のアセンブリは、第１の温度で維持されるように構成され、前記第２のアセンブリは、第１の温度より低く低下された温度で維持されるように構成されている堆積システム。
【請求項２１】
蒸着システムの基板上に材料を堆積させる方法であって、
第１の温度で蒸着システムの第１のアセンブリを維持することと；
前記第１の温度より低く低下された温度で前記蒸着システムの第２のアセンブリを維持することと；
前記第２のアセンブリの移送空間から真空アイソレートされた前記第１のアセンブリの処理空間に前記基板を配置することと；
前記基板上に材料を堆積させることとを具備した方法。
【請求項２２】
前記第１のアセンブリを１００℃以上で維持することと、
前記第２のアセンブリを１００℃未満に維持することとを更に具備する請求項２１の方法。
【請求項２３】
前記第１のアセンブリを５０℃以上で維持することと、
前記第２のアセンブリを５０℃未満に維持することとを更に具備する請求項２１の方法。
【請求項２４】
前記材料を堆積させることは、蒸着のための前記処理空間にプロセスガス組成を導入することを備えている請求項２１の方法。
【請求項２５】
前記材料を堆積させることは、プラズマ増強蒸着のための前記処理空間にプロセスガス組成を導入することと、
前記プロセスガス組成からプラズマを形成することとを備えている請求項２１の方法。
【請求項２６】
前記材料を堆積させることは、タンタル膜、タンタル炭化物膜、タンタル窒化膜、またはタンタル炭窒化物膜のうちの少なくとも１つを堆積させることを備えている請求項２１の方法。
【請求項２７】
前記材料を堆積させることは、金属、金属炭化物膜、金属酸化物、金属窒化、金属炭窒化物、若しくは金属シリサイド、またはこれらの膜のいずれかの組合せのうちの少なくとも１つを堆積させることを備えている請求項２１の方法。
【請求項２８】
前記配置することは、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセス、プラズマ増強ＡＬＤ（ＰＥＡＬＤ）プロセス、化学気相成長（ＣＶＤ）プロセス、またはプラズマ増強ＣＶＤプロセスのうちの少なくとも１つを実行するように構成されているチャンバに前記基板を配置していることを備えている請求項２１の方法。
【請求項２９】
前記材料を堆積させることは、前記ＡＬＤプロセスを使用して第１の膜を堆積させることと；
前記ＰＥＣＶＤまたは前記ＰＥＡＬＤプロセスを使用して第２の膜を堆積させることとを備えている請求項２８の方法。
【請求項３０】
前記材料を堆積させることは、前記ＣＶＤプロセスを使用して第１の膜を堆積させることと；
前記ＰＥＣＶＤまたは前記ＰＥＡＬＤプロセスを使用して第２の膜を堆積させることとを備えている請求項２８の方法。
【請求項３１】
前記材料を堆積させることは、
前記ＡＬＤプロセスを使用して第１の膜を堆積させることと；
前記ＣＶＤプロセスを使用して第２の膜を堆積させることとを備えている請求項２８の方法。
【請求項３２】
前記材料を堆積させることは、前記処理空間のプロセスガスに０．１から１００ＭＨｚまでの周波数でＲＦエネルギを印加することである請求項２１の方法。
【請求項３３】
前記材料を堆積させた後にパージガスを導入することを更に具備する請求項２１の方法。
【請求項３４】
堆積される材料の均一性を改良する位置に、基板ステージを移動することを更に具備する請求項２１の方法。
【請求項３５】
前記材料を堆積させることは、前記処理空間のプラズマ均一性が前記基板ステージの３００ｍｍ直径に渡って２％より良くなるような位置に、前記基板を保持している基板ステージの位置をセットすることと；
前記基板の上に材料堆積のためのプラズマを形成することとを備えている請求項２１の方法。
【請求項３６】
前記セットすることは、前記基板ステージをプラズマ均一性が前記基板ステージの３００ｍｍ直径に渡って１％より良くなるような位置にセットすることを備えている請求項３５の方法。
【請求項３７】
前記基板を配置することは、前記処理空間から前記移送空間までのガスリークが１０−３Ｔｏｒｒ−ｌ／ｓ未満を有する処理チャンバに前記基板を配置することを備えている請求項２１の方法。
【請求項３８】
前記基板を配置することは、前記処理空間から前記移送空間までのガスリークが１０−４Ｔｏｒｒ−ｌ／ｓ未満を有する処理チャンバに前記基板を配置することを備えている請求項２１の方法。
【請求項３９】
基板処理システムプロセッサ上の実行のためのプログラム命令を含んでいるコンピュータ読み取り可能なメディアであって、
請求項２１−３８において詳述されるステップのいずれかを実行するように前記基板処理システムを起動するメディア。