【手続補正書】
【提出日】平成22年8月17日(2010.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された柱状体と、
前記柱状体の基端側に形成された基端側不純物拡散領域であって、前記半導体基板の表面に沿った水平方向に延在する第一の拡散部分と、前記柱状体の側面に沿った垂直方向に前記第一の拡散部から延在する第二の拡散部分と、を含む前記基端側不純物拡散領域と、
前記柱状体の先端側に形成された先端側不純物拡散領域と、
前記柱状体の外周面に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜に接し且つ前記柱状体の外周面に対向して形成されたゲート電極であって、前記ゲート電極が、前記先端側不純物拡散領域と相互に重ならない高さに位置すると共に、前記ゲート電極が、前記基端側不純物拡散領域と相互に重ならない高さに位置するゲート電極と、
前記ゲート電極より下且つ前記半導体基板の表面より上に位置する絶縁膜と、を少なくとも含む半導体装置であって、
前記基端側不純物拡散領域の前記第二の拡散部分は上面を有し、前記上面は、前記絶縁膜の上面より低く且つ前記絶縁膜の下面より高い半導体装置。
【請求項２】
前記柱状体は、前記半導体基板の表面から垂直方向に延在する請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記基端側不純物拡散領域は、前記柱状体の底部の近傍に設けられる請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記先端側不純物拡散領域は、前記柱状体の上端に設けられる請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ゲート電極は、前記柱状体を包囲する請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記基端側不純物拡散領域を覆い且つ包囲する第一の絶縁層と、
前記先端側不純物拡散領域を包囲する第二の絶縁層と、
を更に含む請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記ゲート絶縁膜は、前記先端側不純物拡散領域を包囲し、前記第二の絶縁層は、前記ゲート電極を包囲する請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記ゲート絶縁膜と前記ゲート電極とを覆い、前記第二の絶縁層を前記ゲート絶縁膜と前記ゲート電極とから分離する保護酸化膜を更に含む請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された柱状体と、
前記柱状体の基端側に形成された基端側不純物拡散領域と、
前記柱状体の先端側に形成された先端側不純物拡散領域と、
前記柱状体の外周面に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜に接し、前記ゲート絶縁膜により前記柱状体から分離したゲート電極であって、前記柱状体の少なくとも一部と水平方向にオーバーラップするが、前記基端側不純物拡散領域と前記先端側不純物拡散領域とには水平方向にオーバーラップしないゲート電極と、
前記ゲート電極より下で前記半導体基板の表面より上に位置する部分を含む絶縁膜と、
を少なくとも含む半導体装置。
【請求項１０】
前記柱状体は、前記半導体基板の表面から垂直方向に延在する請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記基端側不純物拡散領域は、前記柱状体の底部の近傍に設けられる請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記先端側不純物拡散領域は、前記柱状体の上端に設けられる請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記ゲート電極は、前記柱状体を包囲する請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記基端側不純物拡散領域を覆い且つ包囲する第一の絶縁層と、
前記先端側不純物拡散領域を包囲する第二の絶縁層と、
を更に含む請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記ゲート絶縁膜は、前記先端側不純物拡散領域を包囲し、前記第二の絶縁層は、前記ゲート電極を包囲する請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記ゲート絶縁膜と前記ゲート電極とを覆い、前記第二の絶縁層を前記ゲート絶縁膜と前記ゲート電極とから分離する保護酸化膜を更に含む請求項１５に記載の半導体装置。
【請求項１７】
半導体基板と、
前記半導体基板の表面から垂直方向に延在する柱状体と、
前記柱状体の先端側に形成された先端側不純物拡散領域であって、前記半導体基板の表面に沿った水平方向に延在する第一の拡散部分と、前記柱状体の側面に沿った垂直方向に前記第一の拡散部から延在する第二の拡散部分と、を含む前記基端側不純物拡散領域と、
前記柱状体の先端側に形成された先端側不純物拡散領域と、
前記柱状体の外周面に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜に接し、前記ゲート絶縁膜により前記柱状体から分離したゲート電極であって、前記柱状体の少なくとも一部と水平方向にオーバーラップするが、前記基端側不純物拡散領域と前記先端側不純物拡散領域とには水平方向にオーバーラップしないゲート電極と、
前記ゲート電極より下で前記半導体基板の表面より上に位置する部分を含む絶縁膜と、
を少なくとも含む半導体装置であって、
前記基端側不純物拡散領域の前記第二の拡散部分は上面を有し、該上面は、前記絶縁膜の上面より低く且つ前記絶縁膜の底面より高い半導体装置。
【請求項１８】
前記絶縁膜は、
前記基端側不純物拡散領域を覆い且つ包囲する第一の絶縁層と、
前記先端側不純物拡散領域を包囲する第二の絶縁層と、
を含む請求項１７に記載の半導体装置。
【請求項１９】
前記ゲート絶縁膜は、前記先端側不純物拡散領域を包囲し、前記第二の絶縁層は、前記ゲート電極を包囲する請求項１８に記載の半導体装置。
【請求項２０】
前記ゲート絶縁膜と前記ゲート電極とを覆い、前記第二の絶縁層を前記ゲート絶縁膜と前記ゲート電極とから分離する保護酸化膜を更に含む請求項１９に記載の半導体装置。
【請求項２１】
半導体基板上に柱状体を形成するとともに前記柱状体の基端側に基端側不純物拡散領域を形成する基端側不純物拡散領域工程と、
高密度プラズマＣＶＤ法によって、前記半導体基板および前記柱状体を覆うように、かつ、前記半導体基板を覆う厚みよりも前記柱状体の外周面を覆う厚みが薄くなるように、酸化膜層を形成する酸化膜層形成工程と、
前記酸化膜層に等方性エッチングを施して、前記半導体基板上の前記酸化膜層を残存させつつ前記外周面上の前記酸化膜層を除去することにより、前記基端側不純物拡散領域を覆う基端側絶縁層を形成する基端側絶縁層形成工程と、
前記柱状体の外周面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
少なくとも前記ゲート絶縁膜を覆うようにゲート電極層を形成してから、前記ゲート電極層のうち前記柱状体の先端側の一部を異方性エッチングにより除去して前記柱状体の先端側のゲート絶縁膜を露出させることにより、ゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、
高密度プラズマＣＶＤ法によって、少なくとも前記柱状体の先端側に露出されたゲート絶縁膜を覆うように別の酸化物層を形成することによって、前記先端側のゲート絶縁膜を覆う先端側絶縁層を形成する先端側絶縁層形成工程と、
前記柱状体の先端側であって前記先端側絶縁層が形成された領域に先端側不純物拡散領域を形成する先端側不純物拡散領域工程と、を具備してなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
前記酸化膜層形成工程が、前記柱状体および前記半導体基板に均一な膜厚の酸化膜を下地層として形成した後に、高密度プラズマＣＶＤ法を用いて、前記柱状体の外周面上よりも半導体基板表面における膜厚が厚くなるように酸化膜層を成長させる工程であることを特徴とする請求項２１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
前記基端側不純物拡散領域工程の後であって、酸化膜層形成工程の前において、前記柱状体および前記半導体基板に均一な膜厚の犠牲酸化膜を形成した後、ウエットエッチングにより前記犠牲酸化膜を除去して、前記柱状体の上に積層され前記柱状体の形成に用いられたマスク層の端面よりも前記柱状体の外周面を引き込ませる外周面引き込み工程と、
さらに、前記ゲート電極形成工程において、前記ゲート電極層を形成してから、前記ゲート電極層のうち前記柱状体の先端側の一部を異方性エッチングにより除去して、少なくとも前記マスク層の端面よりも引き込まれた部分にゲート電極層を残しつつゲート電極を形成し、前記残存するゲート電極層を熱酸化して、保護酸化膜を形成する保護酸化膜形成工程を具備することを特徴とする請求項２１または請求項２２に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された柱状体と、前記柱状体の基端側に形成された基端側不純物拡散領域であって、前記半導体基板の表面に沿った水平方向に延在する第一の拡散部分と、前記柱状体の側面に沿った垂直方向に前記第一の拡散部から延在する第二の拡散部分と、を含む前記基端側不純物拡散領域と、前記柱状体の先端側に形成された先端側不純物拡散領域と、前記柱状体の外周面に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に接し且つ前記柱状体の外周面に対向して形成されたゲート電極であって、前記ゲート電極が、前記先端側不純物拡散領域と相互に重ならない高さに位置すると共に、前記ゲート電極が、前記基端側不純物拡散領域と相互に重ならない高さに位置するゲート電極と、前記ゲート電極より下且つ前記半導体基板の表面より上に位置する絶縁膜と、を少なくとも含む半導体装置であって、前記基端側不純物拡散領域の前記第二の拡散部分は上面を有し、前記上面は、前記絶縁膜の上面より低く且つ前記絶縁膜の下面より高いことを特徴とする。