【手続補正書】
【提出日】平成22年5月11日(2010.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンの形成方法であって、
第一の材料からなる母材の表面に、第二の材料からなる薄膜を形成する工程と、
前記第二の材料からなる薄膜の表面に、レジストによるパターンを形成する工程と、
前記レジストによるパターンの上に、第三の材料からなる反転層を形成する工程と、
前記反転層を前記レジストの表面が露出するまで除去する工程と、
前記レジストを除去することにより、前記レジストによるパターンと相補的な前記反転層による反転パターンを形成する工程と、
前記反転層による反転パターンをマスクとして前記第二の材料からなる薄膜をエッチングし、該薄膜上に前記反転層を有する該薄膜によるハードマスク層を形成する工程と、
前記薄膜上に前記反転層を有する該薄膜によるハードマスク層をマスクとして、または前記薄膜上の前記反転層を除去した該薄膜によるハードマスク層をマスクとして、前記第一の材料からなる母材をエッチングする工程と、
を有することを特徴とするパターンの形成方法。
【請求項２】
前記母材をエッチングする工程においてマスクとして使用する前記ハードマスク層が形成された領域以外の面積が、前記母材の面積全体の５０％以上であることを特徴とする請求項１に記載のパターンの形成方法。
【請求項３】
前記反転層を形成する工程の後に、該反転層の表面を平坦化する工程を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のパターンの形成方法。
【請求項４】
パターンの形成方法であって、
第一の材料からなる母材の表面に設けられた第二の材料からなる薄膜上の転写層に、レジストによるパターンを形成する工程と、
前記レジストによるパターンの上に、第三の材料からなる一回目の反転層を形成する工程と、
前記反転層を前記レジストの表面が露出するまで除去した後、前記レジストを除去して前記レジストによるパターンと相補的な前記反転層による第一の反転パターンを形成する工程と、
前記第一の反転パターンをマスクとして前記転写層をエッチングし、転写層上に前記第一の反転パターンを有する第二の反転パターンを形成する工程と、
前記第二の反転パターンの上に、前記第三の材料からなる二回目の反転層を形成する工程と、
前記二回目の反転層および前記第一の反転パターンを前記転写層の表面が露出するまで除去した後、転写層を除去して前記第一の反転パターンと相補的な前記二回目の反転層による第三の反転パターンを得る工程と、
前記第三の反転パターンをマスクとして前記第二の材料からなる薄膜をエッチングし、該薄膜上に前記第三の反転パターンを有するハードマスク層を形成する工程と、
前記薄膜上に前記第三の反転パターンを有するハードマスク層をマスクとして、または前記薄膜上の前記第三の反転パターンを除去した該薄膜によるハードマスク層をマスクとして、前記第一の材料からなる母材をエッチングする工程と、を有することを特徴とするパターンの形成方法。
【請求項５】
前記二回目の反転層を形成する工程の後に、該二回目の反転層を平坦化する工程を有することを特徴とする請求項４に記載のパターンの形成方法。
【請求項６】
前記反転層は、前記レジストよりもプラズマ耐性の高い材料からなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のパターンの形成方法。
【請求項７】
前記第一の材料が酸化シリコン、前記第二の材料がクロム、前記第三の材料が酸化シリコンを含むＳＯＧ、であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のパターンの形成方法。
【請求項８】
前記パターンが、ハーフピッチ（ｈｐ）が２２ｎｍ以下、側壁の角度が８７．５°以上、アスペクト比が２．０以上であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のパターンの形成方法。
【請求項９】
前記パターンが、ハーフピッチ（ｈｐ）が３２ｎｍ以下、側壁の角度が８４°以上、アスペクト比が２．０以上であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のパターンの形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】パターンの形成方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、パターンの形成方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
そこで、本発明は、上記課題を解決し、レジストをエッチングマスクとして用いず、またリフトオフ法を用いることなくパターン形成が可能となるパターンの形成方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、つぎのように構成したパターンの形成方法を提供するものである。本発明のパターンの形成方法は、
第一の材料からなる母材の表面に、第二の材料からなる薄膜を形成する工程と、
前記第二の材料からなる薄膜の表面に、レジストによるパターンを形成する工程と、
前記レジストによるパターンの上に、第三の材料からなる反転層を形成する工程と、
前記反転層を前記レジストの表面が露出するまで除去する工程と、
前記レジストを除去することにより、前記レジストによるパターンと相補的な前記反転層による反転パターンを形成する工程と、
前記反転層による反転パターンをマスクとして前記第二の材料からなる薄膜をエッチングし、該薄膜上に前記反転層を有する該薄膜によるハードマスク層を形成する工程と、
前記薄膜上に前記反転層を有する該薄膜によるハードマスク層をマスクとして、または前記薄膜上の前記反転層を除去した該薄膜によるハードマスク層をマスクとして、前記第一の材料からなる母材をエッチングする工程と、
を有することを特徴とする。
また、本発明のパターンの形成方法は、
前記母材をエッチングする工程においてマスクとして使用する前記ハードマスク層が形成された領域以外の面積が、前記母材の面積全体の５０％以上であることを特徴とする。
また、本発明のパターンの形成方法は、
前記反転層を形成する工程の後に、該反転層の表面を平坦化する工程を有することを特徴とする。
また、本発明のパターンの形成方法は、
第一の材料からなる母材の表面に設けられた第二の材料からなる薄膜上の転写層に、レジストによるパターンを形成する工程と、
前記レジストによるパターンの上に、第三の材料からなる一回目の反転層を形成する工程と、
前記反転層を前記レジストの表面が露出するまで除去した後、前記レジストを除去して前記レジストによるパターンと相補的な前記反転層による第一の反転パターンを形成する工程と、
前記第一の反転パターンをマスクとして前記転写層をエッチングし、転写層上に前記第一の反転パターンを有する第二の反転パターンを形成する工程と、
前記第二の反転パターンの上に、前記第三の材料からなる二回目の反転層を形成する工程と、
前記二回目の反転層および前記第一の反転パターンを前記転写層の表面が露出するまで除去した後、転写層を除去して前記第一の反転パターンと相補的な前記二回目の反転層による第三の反転パターンを得る工程と、
前記第三の反転パターンをマスクとして前記第二の材料からなる薄膜をエッチングし、該薄膜上に前記第三の反転パターンを有するハードマスク層を形成する工程と、
前記薄膜上に前記第三の反転パターンを有するハードマスク層をマスクとして、または前記薄膜上の前記第三の反転パターンを除去した該薄膜によるハードマスク層をマスクとして、前記第一の材料からなる母材をエッチングする工程と、を有することを特徴とする。
また、本発明のパターンの形成方法は、
前記二回目の反転層を形成する工程の後に、該二回目の反転層を平坦化する工程を有することを特徴とする。
また、本発明のパターンの形成方法は、前記反転層が、前記レジストよりもプラズマ耐性の高い材料からなることを特徴とする。
また、本発明のパターンの形成方法は、前記第一の材料が酸化シリコン、前記第二の材料がクロム、前記第三の材料が酸化シリコンを含むＳＯＧ、であることを特徴とする。
また、本発明のパターンの形成方法は、前記パターンが、ハーフピッチ（ｈｐ）が２２ｎｍ以下、側壁の角度が８７．５°以上、アスペクト比が２．０以上であることを特徴とする。
また、本発明のパターンの形成方法は、前記パターンが、ハーフピッチ（ｈｐ）が３２ｎｍ以下、側壁の角度が８４°以上、アスペクト比が２．０以上であることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明によれば、レジストをエッチングマスクとして用いず、またリフトオフ法を用いることなくパターン形成が可能となるパターンの形成方法を実現することができる。