Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月12日(2010.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１対のＰチャネルＭＯＳ負荷トランジスタと、１対のＮチャネルＭＯＳ転送トランジスタと、１対のＮチャネルＭＯＳ駆動トランジスタとを有するメモリセルと、
１対のＰチャネルＭＯＳ負荷トランジスタと、１対のＮチャネルＭＯＳ転送トランジスタと、１対のＮチャネルＭＯＳ駆動トランジスタとを有するダミーメモリセルと、
前記メモリセル及び前記ダミーメモリセルの双方の前記ＰチャネルＭＯＳ負荷トランジスタ用のソース電源を降圧する電圧制御回路と、前記メモリセル及び前記ダミーメモリセルの双方の前記ＮチャネルＭＯＳ駆動トランジスタ用のソース電源を昇圧する電圧制御回路と、前記メモリセル及び前記ダミーメモリセルの双方の前記ＰチャネルＭＯＳ負荷トランジスタの基板電位を昇圧する電圧制御回路と、前記メモリセル及び前記ダミーメモリセルの双方の前記ＮチャネルＭＯＳ転送トランジスタの基板電位を昇圧する電圧制御回路と、前記メモリセル及び前記ダミーメモリセルの双方の前記ＮチャネルＭＯＳ駆動トランジスタの基板電位を降圧する電圧制御回路とのうち少なくとも１つの電圧制御回路とを備え、
前記メモリセルへのデータ書き込み動作時に、前記ダミーメモリセルの前記１対のＮチャネルＭＯＳ転送トランジスタのゲートにダミー選択信号が与えられた後、書き込み補助動作として前記電圧制御回路の昇圧又は降圧動作を開始し、その後、前記ダミーメモリセルの記憶ノードの値に基づいて前記電圧制御回路の昇圧又は降圧動作を終了し、かつ、
前記電圧制御回路の昇圧又は降圧動作を開始した後に、前記メモリセルの前記１対のＮチャネルＭＯＳ転送トランジスタのゲートに選択信号が与えられることを特徴とするスタティック型半導体記憶装置。
【請求項２】
請求項１記載のスタティック型半導体記憶装置において、
前記電圧制御回路の昇圧又は降圧動作を終了した後に、前記メモリセルの前記１対のＮチャネルＭＯＳ転送トランジスタのゲートに選択信号が与えられることを特徴とするスタティック型半導体記憶装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のスタティック型半導体記憶装置において、
１対のＰチャネルＭＯＳ負荷トランジスタと、１対のＮチャネルＭＯＳ転送トランジスタと、１対のＮチャネルＭＯＳ駆動トランジスタとを有する他のダミーメモリセルを更に備え、
前記電圧制御回路は、前記複数のダミーメモリセルの各々の記憶ノードの値の論理演算結果に基づいて前記電圧制御回路の昇圧又は降圧動作を終了することを特徴とするスタティック型半導体記憶装置。
【請求項４】
請求項１又は２に記載のスタティック型半導体記憶装置において、
１対のＰチャネルＭＯＳ負荷トランジスタと、１対のＮチャネルＭＯＳ転送トランジスタと、１対のＮチャネルＭＯＳ駆動トランジスタとを有し、かつ１本のワード線を前記メモリセルと共有する他のメモリセルを更に備え、
前記電圧制御回路は、前記ダミーメモリセルを利用して前記複数のメモリセルの各々に同じ昇圧又は降圧動作を行うことを特徴とするスタティック型半導体記憶装置。
【請求項５】
請求項１又は２に記載のスタティック型半導体記憶装置において、
１対のＰチャネルＭＯＳ負荷トランジスタと、１対のＮチャネルＭＯＳ転送トランジスタと、１対のＮチャネルＭＯＳ駆動トランジスタとを有し、かつ１対のビット線を前記メモリセルと共有する他のメモリセルを更に備え、
前記電圧制御回路は、前記ダミーメモリセルを利用して前記複数のメモリセルの各々に同じ昇圧又は降圧動作を行うことを特徴とするスタティック型半導体記憶装置。
【請求項６】
請求項１又は２に記載のスタティック型半導体記憶装置において、
前記電圧制御回路は、
ゲートには第１の制御信号が接続され、ソースには第１の電源が接続され、ドレインには前記メモリセル及び前記ダミーメモリセルの双方の前記ＮチャネルＭＯＳ駆動トランジスタ用のソースが接続された昇圧トランジスタと、
ゲートには第２の制御信号が接続され、ソースには第２の電源が接続され、ドレインには前記メモリセル及び前記ダミーメモリセルの双方の前記ＰチャネルＭＯＳ負荷トランジスタ用のソースが接続された降圧トランジスタとのいずれか一方を含み、
前記第１の制御信号及び前記第２の制御信号は、前記ダミーメモリセルの記憶ノードの値によって制御されることを特徴とするスタティック型半導体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
具体的に説明すると、本発明によれば、メモリセル及びダミーメモリセルの双方のＰチャネルＭＯＳ負荷トランジスタ用のソース電源を降圧する電圧制御回路と、メモリセル及びダミーメモリセルの双方のＮチャネルＭＯＳ駆動トランジスタ用のソース電源を昇圧する電圧制御回路と、メモリセル及びダミーメモリセルの双方のＰチャネルＭＯＳ負荷トランジスタの基板電位を昇圧する電圧制御回路と、メモリセル及びダミーメモリセルの双方のＮチャネルＭＯＳ転送トランジスタの基板電位を昇圧する電圧制御回路と、メモリセル及びダミーメモリセルの双方のＮチャネルＭＯＳ駆動トランジスタの基板電位を降圧する電圧制御回路とのうち少なくとも１つの電圧制御回路を備え、メモリセルへのデータ書き込み動作時に、ダミーメモリセルの１対のＮチャネルＭＯＳ転送トランジスタのゲートにダミー選択信号が与えられた後、書き込み補助動作として前記電圧制御回路の昇圧又は降圧動作を開始し、その後、ダミーメモリセルの記憶ノードの値に基づいて前記電圧制御回路の昇圧又は降圧動作を終了する。しかも、前記電圧制御回路の昇圧又は降圧動作を開始した後に、又は前記電圧制御回路の昇圧又は降圧動作を終了した後に、メモリセルの１対のＮチャネルＭＯＳ転送トランジスタのゲートに選択信号が与えられる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月30日(2010.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
三塩化シランガスの熱分解および水素還元によって多結晶シリコンを製造する方法において、複数の加熱反応炉を直列に接続し、前工程の反応炉から排出された未反応の三塩化シラン、副生した四塩化珪素および水素を含む排ガスを次工程の反応炉に導入して反応させることによって、該排ガスに含まれる三塩化シラン、四塩化珪素、および水素を次工程の反応炉において多結晶シリコンの析出に利用することを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。
【請求項２】
二段目以降の反応炉に原料供給工程から三塩化シランガスを導入し、不足量の三塩化シランガスを補いつつ反応させる請求項１に記載する多結晶シリコンの製造方法。
【請求項３】
前工程の反応炉から排出された排ガスを次工程の反応炉に導入すると共に、この次工程の反応炉に投入する原料ガスが一次投入原料ガスの３０％〜８０％である請求項１または請求項２に記載する多結晶シリコンの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は以下の多結晶シリコンの製造方法に関する。
〔１〕三塩化シランガスの熱分解および水素還元によって多結晶シリコンを製造する方法において、複数の加熱反応炉を直列に接続し、前工程の反応炉から排出された未反応の三塩化シラン、副生した四塩化珪素および水素を含む排ガスを次工程の反応炉に導入して反応させることによって、該排ガスに含まれる三塩化シラン、四塩化珪素、および水素を次工程の反応炉において多結晶シリコンの析出に利用することを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。
〔２〕二段目以降の反応炉に原料供給工程から三塩化シランガスを導入し、不足量の三塩化シランガスを補いつつ反応させる上記[１]に記載する多結晶シリコンの製造方法。
〔３〕前工程の反応炉から排出された排ガスを次工程の反応炉に導入すると共に、この次工程の反応炉に投入する原料ガスが一次投入原料ガスの３０％〜８０％である上記[１]または上記[２]に記載する多結晶シリコンの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の製造方法は、三塩化シランガスの熱分解および水素還元によって多結晶シリコンを製造する方法において、複数の加熱反応炉を直列に接続し、前工程の反応炉から排出された未反応の三塩化シラン、副生した四塩化珪素および水素を含む排ガスを次工程の反応炉に導入して反応させることによって、該排ガスに含まれる三塩化シラン、四塩化珪素、および水素を次工程の反応炉において多結晶シリコンの析出に利用することを特徴とする多結晶シリコンの製造方法である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
一次反応炉１０の前工程には、金属シリコンと塩素を反応させて粗三塩化シランガスを製造する塩化工程７と、この粗三塩化シランガスを精製する工程８からなる原料供給工程６が設けられている。さらに、原料供給工程６の精製工程８から一次反応炉１０および二次反応炉２０に精製した三塩化シランガスを導入する管路９が設けられている。このように、反応炉１０、２０に原料供給工程６から精製された三塩化シランガスが導入される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月10日(2010.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シス-１,４結合量が90％以上及びビニル結合量が1.2％以下で且つ第一級アミノ基を有する変性共役ジエン系重合体を10質量％以上含むゴム成分100質量に対し、無機充填剤及び／又はカーボンブラックを10〜100質量部配合してなり、
前記変性共役ジエン系重合体が、
（１）シス-１,４結合量が90％以上及びビニル結合量が1.2％以下で且つ活性末端を有する共役ジエン系重合体に、該活性末端に対して反応性を示す官能基Ａと、少なくとも一つの反応性官能基Ｂとを有する化合物Ｘ（但し、官能基Ａと官能基Ｂは同一であってもよい）を反応させて一次変性共役ジエン系重合体を得る工程と、
（２）前記一次変性共役ジエン系重合体に、前記反応性官能基Ｂに対して反応性を示す官能基Ｃと、少なくとも一つの第一級アミノ基又は保護された第一級アミノ基とを有する化合物Ｙ（但し、官能基Ｃは第一級アミノ基又は保護された第一級アミノ基であってもよい）を反応させて二次変性共役ジエン系重合体を得る工程と、
を含む変性共役ジエン系重合体の製造方法により得られたことを特徴とするゴム組成物。
【請求項２】
前記カーボンブラックは、窒素吸着比表面積が20〜180m2/gであることを特徴とする請求項１に記載のゴム組成物。
【請求項３】
前記カーボンブラックは、窒素吸着比表面積が20〜100m2/gであることを特徴とする請求項２に記載のゴム組成物。
【請求項４】
前記ゴム成分が、前記変性共役ジエン系重合体10〜90質量％及び該変性共役ジエン系重合体以外のジエン系重合体90〜10質量％を含むことを特徴とする請求項１に記載のゴム組成物。
【請求項５】
前記変性共役ジエン系重合体以外のジエン系重合体が天然ゴムであることを特徴とする請求項４に記載のゴム組成物。
【請求項６】
硫黄架橋性であることを特徴とする請求項１に記載のゴム組成物。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載のゴム組成物をタイヤ部材のいずれかに用いたことを特徴とするタイヤ。
【請求項８】
（１）シス-１,４結合量が90％以上及びビニル結合量が1.2％以下で且つ活性末端を有する共役ジエン系重合体に、該活性末端に対して反応性を示す官能基Ａと、少なくとも一つの反応性官能基Ｂとを有する化合物Ｘ（但し、官能基Ａと官能基Ｂは同一であってもよい）を反応させて一次変性共役ジエン系重合体を得る工程と、
（２）前記一次変性共役ジエン系重合体に、前記反応性官能基Ｂに対して反応性を示す官能基Ｃと、少なくとも一つの第一級アミノ基又は保護された第一級アミノ基とを有する化合物Ｙ（但し、官能基Ｃは第一級アミノ基又は保護された第一級アミノ基であってもよい）を反応させて二次変性共役ジエン系重合体を得る工程と、
を含むことを特徴とする変性共役ジエン系重合体の製造方法。
【請求項９】
更に（３）前記二次変性共役ジエン系重合体を加水分解し、化合物Ｙ由来の保護された第一級アミノ基を脱保護する工程を含むことを特徴とする請求項８に記載の変性共役ジエン系重合体の製造方法。
【請求項１０】
前記共役ジエン系重合体が希土類金属を触媒として合成されたことを特徴とする請求項８に記載の変性共役ジエン系重合体の製造方法。
【請求項１１】
前記化合物Ｘがポリメチレンポリフェニルポリイソシアネートであり、前記化合物Ｙがヘキサメチレンジアミンであることを特徴とする請求項８に記載の変性共役ジエン系重合体の製造方法。
【請求項１２】
請求項８〜１１のいずれかに記載の方法によって製造された変性共役ジエン系重合体。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月13日(2010.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の（１）〜（３）の工程を含むカーボンナノチューブ膜の製造方法。
（１）アニオン性分散剤を含有するカーボンナノチューブ分散液を調製する工程。
（２）上記（１）の工程で調製されたカーボンナノチューブ分散液に酸を添加する工程。
（３）上記（２）の工程で酸を添加したカーボンナノチューブ分散液を用いてカーボンナノチューブ膜を製造する工程。
【請求項２】
アニオン性分散剤がカルボン酸塩、スルホン酸塩、ホスホン酸塩、ホスフィン酸塩から撰ばれた少なくとも一種類の基を有する有機物であることを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブ膜の製造方法。
【請求項３】
カーボンナノチューブ薄膜が導電性フィルム用であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のカーボンナノチューブ膜の製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載のカーボンナノチューブ膜の製造方法によって得られるカーボンナノチューブ膜をフィルム上に形成したカーボンナノチューブ膜付きフィルムの光透過率が７０％以上、表面抵抗値１×１０４Ω／□未満となることを特徴とするフィルムの製造方法。
【請求項５】
カーボンナノチューブ分散液に緩衝剤が添加されていることを特徴とする請求項１から請求項４いずれかに記載のカーボンナノチューブ膜の製造方法。
【請求項６】
アニオン性分散剤がポリスチレンスルホン酸塩、カルボキシメチルセルロース塩およびコール酸塩から選択された１種以上であることを特徴とする請求項１から請求項５いずれかに記載のカーボンナノチューブ膜の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月13日(2010.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含むカーボンナノチューブ膜の製造方法。
（１）（A）から(C)いずれかのアニオン性分散剤と酸を含有するカーボンナノチューブ分散液を調製する工程。
（A）アニオン性の官能基を有する非共役系ポリマー分散剤。
（B）アニオン性の官能基を有し、主鎖にπ共役系骨格と非共役系骨格を有するポリマー分散剤。
（C）アニオン性の官能基を有する非ポリマー分散剤。
（２）（１）のカーボンナノチューブ分散液を用いてカーボンナノチューブ膜を製造する工程。
【請求項２】
アニオン性官能基がスルホン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、カルボン酸、フェノール性水酸基およびそれらの塩から撰ばれた少なくとも一種類の基を有することを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブ膜の製造方法。
【請求項３】
酸がアニオン性分散剤とは異なる酸であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のカーボンナノチューブ膜の製造方法。
【請求項４】
アニオン性官能基を有する非共役系ポリマー分散剤がポリスチレンスルホン酸塩またはカルボキシメチルセルロースの塩またはコール酸の塩であることを特徴とする請求項１から請求項３いずれかに記載のカーボンナノチューブ膜の製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載のカーボンナノチューブ膜の製造方法によって得られるカーボンナノチューブ膜をフィルム上に形成したカーボンナノチューブ膜付きフィルムの光透過率が７０％以上、表面抵抗値１×１０４Ω/□未満となることを特徴とするフィルムの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月1日(2010.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
上記構造単位の組み合わせとしては、
（Ａ1）
（Ａ1）、（Ｂ1）、（Ｃ1）
（Ａ1）、（Ｂ1）、（Ｂ2）、（Ｃ1）
（Ａ1）、（Ｂ1）、（Ｂ2）、（Ｃ2）
（Ａ1）、（Ｂ1）、（Ｂ3）、（Ｃ1）
（Ａ1）、（Ｂ1）、（Ｂ3）、（Ｃ2）
（Ａ1）、（Ｂ1）、（Ｂ2）、（Ｃ1）、（Ｃ2）
（Ａ1）、（Ａ2）、（Ｂ1）、（Ｃ1）
が好ましく、特に好ましいモノマー組成比としては、ｐ−ヒドロキシ安息香酸、テレフタル酸、4，4’−ジヒドロキシビフェニル（これらの誘導体を含む。）を８０〜１００モル％と、これら以外の芳香族ジオール、芳香族ヒドロキシジカルボン酸及び芳香族ジカルボン酸からなる群から選択される芳香族化合物０〜２０モル％（両者を合わせて１００モル％とする。）である。ｐ−ヒドロキシ安息香酸、テレフタル酸、4，4’−ジヒドロキシビフェニルが８０モル％未満になると、耐熱性が低下する傾向にあり、好ましくない。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月26日(2010.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光層を含む複数の有機層の少なくとも一層を、有機高分子材料を溶媒に溶解して形成されるインクを塗布することで得る際に、前記溶媒は前記有機高分子材料との光散乱強度法から測定される第２ビリアル係数が１×１０-3ｃｍ3・ｍｏｌ／ｇ2以上であり、前記溶媒に前記有機高分子材料を溶解してインクを製造すること
を特徴とするインクの製造方法。
【請求項２】
前記溶媒に前記有機高分子材料を添加して攪拌させ、攪拌後、８時間から１２時間放置する、請求項１記載のインクの製造方法。
【請求項３】
溶媒は第２ビリアル係数が１×１０-3ｃｍ3・ｍｏｌ／ｇ2以上の液体であり、前記溶媒に有機高分子材料を溶解してなること
を特徴とする有機ＥＬ素子用インク。
【請求項４】
前記溶媒は、キシレン、メトキシトルエン、トルエンから選択される液体であることを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ素子用インク。
【請求項５】
請求項１記載のインクを用いて、湿式法で形成される有機ＥＬ素子。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月8日(2010.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
近年、内臓脂肪蓄積を基盤に、糖代謝異常、脂質代謝異常、高血圧を合併し、動脈硬化性心血管疾患リスクの高い病態であるメタボリックシンドローム（Metabolic syndrome）の疾病概念が確立され、そのキープレイヤーである内臓脂肪の蓄積を低減する方法が注目されている（非特許文献１〜３）。内臓脂肪を低減するための食事療法として低カロリー食があげられるが、施行後にリバンドが起きやすい点が指摘されており、無理がなく安全にカロリー制限（Caloric restriction）ができる具体的な対処法が強く望まれている。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月20日(2010.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マグネシウム濃度が少なくとも2000ppmである人工または天然の海水を含む皮膚治療用の組成物。
【請求項２】
マグネシウム濃度が少なくとも8000ppmである請求項１記載の組成物。
【請求項３】
マグネシウム濃度が少なくとも40,000ppmである請求項１記載の組成物。
【請求項４】
マグネシウムが酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、塩化マグネシウム、硫酸マグネシウム、マグネサイトおよびドロマイトのうちの少なくとも１で存在する請求項１記載の組成物。
【請求項５】
皮膚治療用の医薬を製造するための、少なくとも2000ppmのマグネシウムの濃度を有する人工または天然の海水の使用。
【請求項６】
海水が、少なくとも2000ppmを含むのに十分に添加されたマグネシウムを有する天然に発生する海水である請求項５記載の使用。
【請求項７】
海水が人工の海水である請求項５記載の使用。
【請求項８】
皮膚の治療がざ瘡治療の目的である請求項５記載の使用。
【請求項９】
皮膚の治療が、湿疹、酒さ性ざ瘡、脂漏症および乾癬を含む群から選択される症状の治療のためである請求項５記載の使用。
【請求項１０】
皮膚の治療が、皮膚のシワおよび毛髪損失を含む群から選択される症状を治療するためである請求項５記載の使用。
【請求項１１】
人工または天然の海水を含有するリポソームを含む皮膚症状を治療するための組成物。
【請求項１２】
少なくとも2000ppmのマグネシウム濃度を有する請求項１１記載の組成物。
【請求項１３】
海水が人工の海水である請求項１１記載の組成物。
【請求項１４】
海水が天然の海水である請求項１１記載の組成物。
【請求項１５】
皮膚治療用の医薬を製造するための、皮膚を治療するのに十分な有効量の人工の海水の使用。
【請求項１６】
量がざ瘡を治療するのに有効である請求項１５記載の使用。
【請求項１７】
皮膚の治療が、湿疹、酒さ性ざ瘡、脂漏症および乾癬を含む群から選択される症状を治療するためである請求項１５記載の使用。
【請求項１８】
治療が必要な哺乳動物の治療することが望まれる身体の望む領域に直接的に適用することを含む請求項１ないし４および１１ないし１４のいずれか一項に記載の組成物を使用する方法。
【請求項１９】
組成物を創傷潅注の目的で創傷に適用するかまたは日焼け止め剤として使用する請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
組成物を哺乳動物の治療における塩類溶液の代わりに用いる請求項１８記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月21日(2010.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
剥離シートを積層した接着テープを巻き付けた引出用リール部材を装着可能なテープ引出部と、
前記テープ引出部に対しテープ引出方向下流側に近接配置され、前記接着テープの剥離シートを巻き取る巻取用リール部材を装着可能なテープ巻取部と、
前記テープ巻取部に装着される巻取用リール部材に対し近接又は離間自在に構成され、前記引出用リール部材から引き出された接着テープを前記テープ巻取部に装着された巻取リール部材の巻取部分に対して弾性的に押圧可能な押圧ローラを複数有するテープ押圧機構と、
前記テープ巻取部及び前記テープ押圧機構に対しテープ引出方向下流側に近接配置されたカッタ刃を有する切断部とを備えたテープカッタ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前記目的を達成するためになされた本発明は、剥離シートを積層した接着テープを巻き付けた引出用リール部材を装着可能なテープ引出部と、前記テープ引出部に対しテープ引出方向下流側に近接配置され、前記接着テープの剥離シートを巻き取る巻取用リール部材を装着可能なテープ巻取部と、前記テープ巻取部に装着される巻取用リール部材に対し近接又は離間自在に構成され、前記引出用リール部材から引き出された接着テープを前記テープ巻取部に装着された巻取リール部材の巻取部分に対して弾性的に押圧可能な押圧ローラを複数有するテープ押圧機構と、前記テープ巻取部及び前記テープ押圧機構に対しテープ引出方向下流側に近接配置されたカッタ刃を有する切断部とを備えたテープカッタ装置である。
本発明では、前記テープ引出部と、前記テープ巻取部と、前記テープ押圧機構と、前記切断部とが装置本体部に一体的に取り付けられている場合にも効果がある。
本発明では、前記テープ引出部が、剥離シートを当該巻付ロールの内方側に配置した前記接着テープを巻き付けた巻取用リール部材が装着される場合にも効果がある。
また、本発明は、上述したテープカッタ装置を用い、引出用リール部材から剥離シート付きの接着テープを引き出し、前記接着テープから当該剥離シートを剥離して巻取用リール部材に巻き取り、前記接着テープを所定の長さに切断する工程と、当該切断された接着テープを用い、リール部材に巻き取られた接着フィルム同士を貼り合わせる工程とを有するフィルム貼り合わせ方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月28日(2010.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバーと、
前記チャンバー内に配置され、被成膜基板が保持される保持電極と、
前記保持電極に電気的に接続される高周波電源と、
前記保持電極に保持された前記被成膜基板に対向して配置され、アース電源又はフロート電源に接続される対向電極と、
前記対向電極と前記保持電極との間の空間に原料ガスを供給する原料ガス供給機構と、
前記チャンバー内を真空排気する排気機構と、
を具備し、
前記対向電極は、前記保持電極に保持された前記被成膜基板の成膜面を覆うように形成されており、
前記対向電極の内側の空間が前記対向電極の外側の空間に繋がる開口部における前記対向電極と前記保持電極との最大間隔が５ｍｍ以下であり、
前記保持電極の表面積をａとし、前記対向電極の表面積をｂとした場合に下記式を満たすことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
ｂ／ａ≧２
【請求項２】
請求項１において、前記高周波電源の周波数は１００ｋＨｚ〜３００ＭＨｚであることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記対向電極に付着したＣＶＤ膜を除去する際に、前記対向電極に高周波電力を印加するための高周波電源と、前記保持電極にアース電位を印加するためのアース電源とをさらに具備することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項４】
請求項３において、前記対向電極に前記高周波電力を印加する際に、前記対向電極の外側に配置されたアースシールドをさらに具備することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項５】
チャンバーと、
前記チャンバー内に配置され、被成膜基板が保持される保持電極と、
前記保持電極に第１のスイッチを介して電気的に接続された第１のアース電源と、
前記保持電極に第２のスイッチを介して電気的に接続された高周波電源と、
前記保持電極に保持された前記被成膜基板に対向して配置され、前記高周波電源に前記第２のスイッチを介して電気的に接続された対向電極と、
前記対向電極と前記保持電極との間の空間に原料ガスを供給する原料ガス供給機構と、
前記チャンバー内を真空排気する排気機構と、
前記対向電極に第３のスイッチを介して電気的に接続された第２のアース電源と、
を具備し、
前記保持電極の表面積をａとし、前記対向電極の表面積をｂとした場合に下記式を満たすことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
ｂ／ａ≧２
【請求項６】
請求項５において、前記対向電極に前記第３のスイッチを介して電気的に接続されたフロート電源をさらに具備することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項７】
請求項５又は６において、前記対向電極は、前記保持電極に保持された前記被成膜基板の成膜面を覆うように形成されていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項８】
請求項７において、前記対向電極の内側の空間が前記対向電極の外側の空間に繋がる開口部における前記対向電極と前記保持電極との最大間隔が５ｍｍ以下であることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項９】
請求項１、２、５乃至８のいずれか一項に記載のプラズマＣＶＤ装置を用いて成膜されたことを特徴とするＤＬＣ膜。
【請求項１０】
請求項１、２、５乃至８のいずれか一項に記載のプラズマＣＶＤ装置を用いた薄膜の製造方法において、
前記保持電極に被成膜基板を保持し、
前記チャンバー内の前記被成膜基板と前記対向電極との間の放電によって前記原料ガスをプラズマ状態とすることにより、前記被成膜基板の表面に薄膜を形成することを特徴とする薄膜の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０において、前記薄膜は炭素又は珪素が主成分であることを特徴とする薄膜の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月24日(2010.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
橋軸方向において所定の遊間を介して対向するように、道路橋の継目に設置される一対の縦板部材と、
橋軸方向における一端が一方の縦板部材に固定されるとともに、他端が他方の縦板部材に固定されて、前記一対の縦板部材の間に架設される弾性シート部材とを備え、
前記一対の縦板部材それぞれの橋幅方向における一方の端部は、道路橋の地覆部に対応して立ち上がっており、
前記弾性シート部材は、前記縦板部材の立ち上がりに合わせて立ち上がるように屈曲してＬ字状に成形されており、さらに
前記弾性シート部材は、橋軸方向における少なくとも一部が窪むように形成されており、その窪みの深さを変化させて、前記一対の縦板部材の離間距離の変化に応じて変形する道路橋伸縮装置を製造する方法において、
前記縦板部材を、前記一方の端部に向かうに従って互いに近づくようにハの字状に対向させるように配置する第１工程と、
前記窪みが、前記一方の端部から遠ざかるに従って浅くなるように、前記ハの字状に配置された一対の縦板部材それぞれに、前記一端及び他端それぞれを固定して、前記弾性シート部材を一対の縦板部材の間に架設する第２工程と、
前記ハの字状に配置された前記一対の縦板部材を、それらの間に前記遊間が形成されるように、互いに平行にして前記道路橋の継目に設置する第３工程と
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記弾性シート部材は、基底部と、前記基底部の橋幅方向における端部から立ち上がるようにして形成された立上部とによってＬ字状に形成され、前記基底部の端部における窪み部の深さは、前記立上部における窪みの深さと同一であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第３工程において、前記一対の縦板部材が平行にされることにより、前記一方の端部から遠ざかるに従って浅くなっていた前記窪みの深さは、均一にさせられることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
橋軸方向において対向する一対の本体縦板部材と、橋軸方向における一端が一方の本体縦板部材に固定されるとともに、他端が他方の本体縦板部材に固定されて、前記一対の縦板部材の間に架設される本体弾性シート部材とを備える本体ブロック部を前記継目に設置する工程と、
前記一対の縦板部材の橋幅方向における他方の端部それぞれを、前記本体縦板部材の橋幅方向における一方の端部それぞれに接続するとともに、前記一対の縦板部材の他方の端部の間に架設される前記弾性シート部材の接続端部を、前記本体縦板部材の一方の端部の間に架設される前記本体弾性シート部材の接続端部に接続する工程とをさらに備え、
前記弾性シート部材は、そのシート部材の前記一端と他端の間に形成される架設部を有すると共に、
前記本体弾性シート部材は、そのシート部材の前記一端と他端の間に形成される本体架設部を有し、
前記弾性シート部材の接続端部における前記架設部の断面形状は、前記本体弾性シート部材の接続端部における前記本体架設部の断面形状に同一であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第２工程において、前記弾性シート部材の一端及び他端は、加硫成型により、前記一対の縦板部材それぞれに接着されて固定されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
橋軸方向において所定の遊間を介して対向するように、道路橋の継目に設置される一対の縦板部材と、
橋軸方向における一端が一方の縦板部材に固定されるとともに、他端が他方の縦板部材に固定されて、前記一対の縦板部材の間に架設される弾性シート部材とを備え、
前記一対の縦板部材それぞれの橋幅方向における一方の端部は、道路橋の地覆部に対応して立ち上がられており、
前記弾性シート部材は、前記縦板部材の立ち上がりに合わせて立ち上がるように屈曲してＬ字状に成形されており、さらに
前記弾性シート部材は、橋軸方向における少なくとも一部が窪むように形成されており、その窪みの深さを変化させて、前記一対の縦板部材の離間距離の変化に応じて変形する道路橋伸縮装置において、
前記一対の縦板部材が、前記一方の端部に向かうに従って互いに近づくようにハの字状に対向させた状態で、前記弾性シート部材の橋軸方向における一端及び他端それぞれが前記一対の縦板部材それぞれに固定されることにより、前記窪みが前記一方の端部から遠ざかるに従って浅くなるように、前記弾性シート部材が一対の縦板部材の間に架設され、
前記ハの字状に配置された前記一対の縦板部材が、それらの間に前記遊間を形成するように、互いに平行にされて前記道路橋の継目に設置されることを特徴とする道路橋伸縮装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、弾性シート部材の屈曲部において、弾性シート部材を蛇腹状にして上記引張力を低減させることも考えられる。しかしこのような構成では、弾性シート部材を成型する際の金型形状が複雑になるという問題がある。
なお、例えば特許文献１には、地覆部に設けられる弾性シート部材がＬ字形状を呈する点が開示されている。
【特許文献１】実公平７−３２５７８号公報
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月24日(2010.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゾル−ゲル法によってガラス又はガラスセラミック基体（２）上に装飾層（５）を製造する方法であって、装飾顔料（６、７）及び充填剤（８）をゾルに添加し形成される混合物を焼成によって硬化することで前記装飾層（５）を形成し、その際、フレーク様顔料粒子（６）及び固体潤滑剤（７）を装飾顔料として１０：１〜１：１、好ましくは５：１〜１：１、特に好ましくは３：１〜１．５：１の範囲の重量％比で添加することを特徴とする、方法。
【請求項２】
無機固体潤滑剤として、グラファイト及び／又は窒化ホウ素及び／又は硫化モリブデン及び／又は無機非酸化物（inorganic non-oxide）であり、小さな表面エネルギーを有するもの、好ましくは表面エネルギーがグラファイトの表面エネルギーよりも多くとも２０％高いものを、前記装飾層を製造するためにゾルに添加することをさらに特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
グラファイトが前記固体潤滑剤として用いられる場合、添加するグラファイトの９０％は６μｍ〜１９μｍよりも短い最大断面の長さを有すること、及び／又は、窒化ホウ素が固体潤滑剤として用いられる場合、１μｍ〜１００μｍ、好ましくは３μｍ〜２０μｍの平均粒径を有する粒子を添加することをさらに特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
水平構造化した（laterally structured）前記装飾層は、前記基体に、特に該基体の一部にのみ塗布されることをさらに特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
異なる組成及び／又は美的外観及び／又は色のペーストは、前記基体の表面のいくつかの異なる領域に塗布されることをさらに特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記基体に導入される前記層は１００℃〜２５０℃で乾燥されることをさらに特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記乾燥した層は、前記基体上に少なくとも３５０℃の温度で焼成されることをさらに特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
製造される前記修飾層（５）は別の層（１１）によりシールされ、ここでは、該シールする層はゾル−ゲル法によって製造され、その際、装飾顔料及び充填剤をゾルに添加し、形成される混合物が硬化することで前記シール層を形成し、さらにその際、フレーク様顔料及び固定潤滑剤を、１０：１〜１：１、好ましくは５：１〜１：１、特に好ましくは３：１〜１．５：１の重量比で添加することをさらに特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記焼成した装飾層（５）上に導入される前記シール層は、３００℃未満、好ましくは１００℃〜２５０℃の温度で硬化されることをさらに特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記装飾層及び前記シール層は同じ抽出物から製造されることをさらに特徴とする、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
特に、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法により製造可能な、装飾コーティングを有するガラス又はガラスセラミック製品（１）であって、装飾層（５）を有するガラス又はガラスセラミック基体（２）を備え、該装飾層（５）は、硬化したゾルーゲル結合剤を含有し、該結合剤は金属酸化物網状構造、装飾顔料（６、７）、及び任意に充填剤（８）を形成し、その際、装飾顔料としては、フレーク様顔料粒子（６）及び固体潤滑剤（７）であり、該フレーク様顔料粒子（６）と該固体潤滑剤（７）との重量％比は１０：１〜１：１、好ましくは５：１〜１：１、特に好ましくは３：１〜１．５：１に等しいことを特徴とする、ガラス又はガラスセラミック製品。
【請求項１２】
前記フレーク様顔料の最大断面の平均長さは、前記装飾層の乾燥層厚に対して１０：１〜１：３、好ましくは８：１〜１：１、特に好ましくは６：１〜２：１の比であることをさらに特徴とする、請求項１１に記載のガラス又はガラスセラミック製品。
【請求項１３】
前記装飾層の前記硬化したゾル−ゲル結合剤は、無機固体潤滑剤として、グラファイト及び／又は窒化ホウ素及び／又は硫化モリブデン及び／又は無機非酸化物であり、小さな表面エネルギーを有するもの、好ましくは表面エネルギーがグラファイトの表面エネルギーよりも多くとも２０％高いものを含有することをさらに特徴とする、請求項１１又は１２に記載のガラス又はガラスセラミック製品。
【請求項１４】
前記固体潤滑剤として、前記グラファイト粒子を含有し、その９０％は好ましくは６μｍ〜１９μｍよりも短い最大断面の長さを有すること、及び／又は１μｍ〜１００μｍ、好ましくは３μｍ〜２０μｍの平均粒径を有する前記窒化ホウ素粒子を含有することをさらに特徴とする、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載のガラス又はガラスセラミック製品。
【請求項１５】
前記フレーク様顔料の前記平均最大断面は双峰性分布を有し、その最大値は好ましくは、用いる上部断面領域及び下部断面領域にあることをさらに特徴とする、請求項１１〜１４のいずれか一項に記載のガラス又はガラスセラミック製品。
【請求項１６】
ガラス又はガラスセラミック製品（１）であって、前記装飾層（５）は別の層（１１）によりシールされることをさらに特徴とする、請求項１１〜１５のいずれか一項に記載のガラス又はガラスセラミック製品。
【請求項１７】
ガラス又はガラスセラミック製品（１）であって、前記シール層は、フレーク様顔料、固体潤滑剤、及び充填剤を含有する硬化したゾル−ゲル層を含み、フレーク様顔料粒子及び固体潤滑剤は、１０：１〜１：１、好ましくは５：１〜１：１、特に好ましくは３：１〜１．５：１の範囲の重量％比で存在することをさらに特徴とする、請求項１６に記載のガラス又はガラスセラミック製品。
【請求項１８】
前記装飾層（５）は固体潤滑剤としてグラファイトを含み、ＣＩＥＬＡＢ色システムにおいて値Ｌ＝８５〜３０、ａ＝−８〜＋８、ｂ＝−８〜＋８を含む範囲にある灰色相を有することをさらに特徴とする、請求項１１〜１７のいずれか一項に記載のガラス又はガラスセラミック製品。
【請求項１９】
前記装飾層（５）は前記ガラスセラミック基体（２）の前記下面（３）に配置されることをさらに特徴とする、請求項１１〜１８のいずれか一項に記載のガラスセラミック製品（１）を含む、ガラスセラミック製調理用レンジ上面。
【請求項２０】
前記装飾層（５）はまた、前記調理用レンジ上面の少なくとも１つの加熱ゾーン（１２）を覆うことをさらに特徴とする、請求項１８又は１９に記載のガラスセラミック製調理用レンジ上面。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月17日(2010.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
衛生紙の束を内部に収納し、この衛生紙を取り出すための取りだし口が設けられた箱であり、前記箱の一面には、折り線が互いに平行で且つ互いが向き合う第一の羽根部と第二の羽根部が切り込み線を形成することにより設けられ、前記切り込み線は、前記第一の羽根部の先端部から前記第二の羽根部の先端部まで結ぶ共通の切り込み線を含み、前記共通の切り込み線は、前記第一の羽根部の先端部と前記第二の羽根部の先端部を結んだ直線に対して蛇行するように形成されていて、前記共通の切り込み線は、前記第一の羽根部の先端部側で前記直線よりも第二の羽根部側に食い込むように突出する第一の山部を第一の羽根部に形成し、第二の羽根部の先端部側で前記直線よりも第一の羽根部側に食い込むように突出する第二の山部を第二の羽根部に形成するように蛇行し、前記第一の山部は前記第二の羽根部の付け根部の折線よりも前記直線側に位置し、前記第二の山部は前記第一の羽根部の付け根部の折線より前記直線側に位置することを特徴とする衛生紙収納用箱。
【請求項２】
請求項１に記載の箱において、前記共通する切り込み線の両端部間の、箱の短辺に沿った距離が広がるように取り出し口を回転させることで、羽根部の折り線が箱の長辺方向に対し斜めに設置されていることを特徴とする衛生紙収納用箱。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の箱において、共通の切り込み線上から、前記第一の羽根部あるいは第二の羽根部の付け根部まで切り込み線を入れることにより、一つの羽根部が二つの羽根部に分かれ、かつ分かれた羽根部の回転軸であるそれぞれの折り線が同一直線上にあることを特徴とする衛生紙収納用箱。
【請求項４】
請求項３に記載の箱において、共通の切り込み線上の谷部から前記切れ込み線が入れられることを特徴とする衛生紙収納用箱。
【請求項５】
請求項１、２、３または請求項４に記載の箱において、羽根部の付け根部の一部あるいは当該付け根部の折線の一部が切り込み線で構成されていることを特徴とする衛生紙収納用箱。
【請求項６】
衛生紙の束を内部に収納し、この衛生紙を取り出すための取りだし口が設けられた箱であり、前記箱の一面には、折り線が互いに平行で且つ互いが向き合う第一の羽根部と第二の羽根部が切り込み線を形成することにより設けられ、前記切り込み線は、前記第一の羽根部の一端部から他端部まで結ぶ共通する切り込み線を含むこと、あるいは前記第二の羽根部の一端部から他端部まで結ぶ共通する切り込み線を含むことを特徴とする衛生紙収納用箱。
【請求項７】
請求項６に記載の箱において、共通の切り込み線上から、前記第一の羽根部あるいは第二の羽根部の付け根部まで切り込み線を入れることにより、一つの羽根部が二つの羽根部に分かれ、かつ分かれた当該羽根部の回転軸であるそれぞれの折り線が同一直線上にあることを特徴とする衛生紙収納用箱。
【請求項８】
請求項７に記載の箱において、共通の切り込み線上の谷部から前記切れ込み線が入れられることを特徴とする衛生紙収納用箱。
【請求項９】
請求項６、７または請求項８に記載の箱において、当該箱の前記取出口を構成する第一の羽根部および第二の羽根部の折り線が箱の長辺方向に対し斜めに設置されていることを特徴とする衛生紙収納用箱。
【請求項１０】
請求項６、７、８または請求項９に記載の箱において、羽根部の付け根部の一部あるいは当該付け根部の折線の一部が切り込み線で構成されていることを特徴とする衛生紙収納用箱。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月4日(2010.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
４気筒の４サイクルエンジンを２つの点火コイルで点火させるエンジン点火制御装置において、
各気筒と対応付けられた第１ないし第４点火マップと、
同位相の２つの気筒を同一系統として、系統ごとに設けられた第１および第２点火コイルと、
各気筒の行程を判別する行程判別手段と、
点火マップを、行程判別前は系統ごとに割り当て、行程判別後は気筒ごとに割り当てる点火マップ割当手段と、
各気筒の点火タイミングを、当該気筒に割り当てられた点火マップに基づいて計算する点火タイミング計算手段とを具備し、
行程判別前に各系統に割り当てられた点火マップに基づく点火が完了する前に行程判別が完了すると、当該点火マップに基づく系統点火が完了するまでは、当該系統の各気筒には点火マップが独立に割り当てられないことを特徴とするエンジン点火制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月29日(2010.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
運転者の側方視野内に存在する道路構造物に走行路の平坦部を含めて登り勾配又は下り勾配を示す立体構造からなる勾配段差表示線構造を設けてなる交通渋滞防止手段。
【請求項２】
勾配段差表示線構造が低位置表示線部分と高位置表示線部分とその高低の位置表示線部分間の段差表示線部分とからなる請求項１に記載の交通渋滞防止手段。
【請求項３】
立体構造からなる勾配段差表示線構造が、植栽壁、防塵壁、防護壁、防音壁又はトンネル壁からなる側壁に設けた棒状部材、ワイヤ、鎖、又はロープ、又は、側壁に設けた照明灯、フィリム、テープ又は反射部材、又は、そのいずれかの組み合わせからなる請求項１又は２に記載の交通渋滞防止手段。
【請求項４】
立体構造からなる勾配段差表示線構造が、鉄板状のガードレール、鎖状のガードレール、ロープ又はワイヤ状のガードレール、棒状のガードレール、ガードレールに設けた鎖、ワイヤ、ロープ、棒、照明灯、反射部材又はその組合わせからなる請求項１又は２に記載の交通渋滞防止手段。
【請求項５】
隣り合う勾配段差表示線構造の段差表示線部の間隔が安全運転の車間距離で設けてある請求項１乃至４のいずれかに記載の交通渋滞防止手段。
【請求項６】
隣り合う勾配段差表示線構造の段差表示線部に対応して路面に、文字、粗面、微少凹凸、白線、変色線、反射体、発光体等からなる段差表示を施してなる請求項１乃至５のいずれかに記載の交通渋滞防止手段。
【請求項７】
勾配段差表示線構造の低位置表示線部分、高位置表示線部分又は段差表示線部分に車の進行方向を示す矢印構造を設けてなる請求項１乃至６のいずれかに記載の交通渋滞防止手段。
【請求項８】
勾配段差表示線構造の位置表示線部分に下方又は上方に向かって湾曲した湾曲線部を設けてなる請求項１乃至７のいずれかに記載の交通渋滞防止手段。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月22日(2010.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部から回転駆動可能な入力軸と、前記入力軸の回転により回転する出力軸と、前記入力軸の回転を前記出力軸に伝える伝達機構を内蔵した本体ケーシングと、前記出力軸の回転を制動する遠心ブレーキを内蔵したブレーキハウジングと、前記本体ケーシング内に収容された潤滑油と、を備え、前記ブレーキハウジングを、その少なくとも一部が前記本体ケーシング内に位置し且つ前記潤滑油に浸漬した状態で前記本体ケーシングに取り付けたことを特徴とする回転制御装置。
【請求項２】
前記ブレーキハウジングの少なくとも一部を、前記本体ケーシングに開設された開口部から当該本体ケーシング内に嵌入させた状態で取り付けた請求項１記載の回転制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月9日(2010.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
セパレータ室１３の長手方向の中央部には、ブローバイガス通路の一部として機能する
ことになるその内部空間を上流側の室Ｒ１と下流側の室Ｒ２とに仕切るべく隔壁１６を設
けてあり、さらに隔壁１６の下流側にはその隔壁１６と所定距離隔てて二次衝突板１７を
設けてある。ただし、二次衝突板１７の下端部においてその幅方向の全部または一部はブ
ローバイガス通路の一部となる通路１８として開口している。隔壁１６にはその高さ方向
の中央部に複数の細孔１９を横一連に設けてあり、それらの各細孔１９の下流側の開口部
は隔壁１６に隣接する二次衝突板１７のうち通路１８以外の部分と正対している。したがって、隔壁１６に形成された細孔１９と二次衝突板１７とでオイル分離機構２０を形成している。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月19日(2010.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
吐水口１１は上記の構成により、カバー９０の内部で散水板１００の各突起１０６と可動板６０の各溝６５とが嵌合する。また、散水板１００の各凹部１０４とカバー９０の各突起９１とが嵌合する。従って、カバー９０を回動させると散水板１００と可動板６０とはカバー９０と一体に回動する。また、可動板６０はその外周面にストッパー６４が形成されており、ストッパー６４が固定板５０に形成された両回転止め５３，５３の間を移動する範囲で、可動板６０は固定板５０に対して回動する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月13日(2010.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軸受に相対回転可能に組み込まれる軌道輪に形成されたシール溝に対して、所定の加締め治具によって金属製のシールド板を加締めて固定するシールド板固定方法であって、
加締め治具及び軌道輪の一方を当該軌道輪の軸中心に対して所定の揺動角で揺動させながら、加締め治具からシールド板に加締め力を加えることにより、当該シールド板をシール溝に加締め固定することを特徴とするシールド板固定方法。
【請求項２】
シールド板をシール溝に加締める際に、揺動角を軌道輪の軸中心と一致させた状態で、シールド板に押圧力を加えることにより、当該シールド板をシール溝に押し当てることを特徴とする請求項１に記載のシールド板固定方法。
【請求項３】
加締め治具と軌道輪とを当該軌道輪の軸中心回りに相対的に回転させながら、シールド板をシール溝に加締め固定することを特徴とする請求項１に記載のシールド板固定方法。
【請求項４】
揺動角は、０.５°〜１.５°の範囲に設定されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のシールド板固定方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載のシールド板固定方法によってシールド板がシール溝に加締め固定された転がり軸受であって、
相対回転可能に対向配置された軌道輪と、軌道輪間に転動自在に組み込まれた複数の転動体とを備えており、シールド板は、軌道輪の対向面の少なくとも一方に形成されたシール溝に加締め固定されていることを特徴とする転がり軸受。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の軸受は、ミニアチュア軸受又は小径軸受であることを特徴とする転がり軸受。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
このような目的を達成するために、本発明は、軸受に相対回転可能に組み込まれる軌道輪に形成されたシール溝に対して、所定の加締め治具によって金属製のシールド板を加締めて固定するシールド板固定方法であって、加締め治具及び軌道輪の一方を当該軌道輪の軸中心に対して所定の揺動角で揺動させながら、加締め治具からシールド板に加締め力を加えることにより、当該シールド板をシール溝に加締め固定する。
シールド板をシール溝に加締める際に、揺動角を軌道輪の軸中心と一致させた状態で、シールド板に押圧力を加えることにより、当該シールド板をシール溝に押し当てる。
また、加締め治具と軌道輪とを当該軌道輪の軸中心回りに相対的に回転させながら、シールド板をシール溝に加締め固定する。
また、本発明は、上述したようなシールド板固定方法によってシールド板がシール溝に加締め固定された転がり軸受であって、相対回転可能に対向配置された軌道輪と、軌道輪間に転動自在に組み込まれた複数の転動体とを備えており、シールド板は、軌道輪の対向面の少なくとも一方に形成されたシール溝に加締め固定されている。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月14日(2010.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被取付け部材に取付けられ少なくとも２つの電装基板を連接してなる基板ユニットと、
前記各電装基板の一方に形成された固定用ねじ穴と、
前記電装基板の他方に形成され前記固定用ねじ穴を中心として回転させたときにあらかじめ前記被取付け部材に仮止めされている位置決めねじを受け入れる位置決めスリットと、
前記位置決めスリットに形成され前記位置決めねじに当接して前記基板ユニットの位置決めを行う位置決め部と、を備え、
前記被取付け部材に前記固定用ねじ穴を通して固定ねじを仮止めするとともに、位置決めねじを仮止めした状態で、前記基板ユニットを固定ねじを中心として回転させて位置決めねじに前記位置決めスリットを挿通させ、前記位置決めねじに前記位置決め部を当接させて、固定ねじおよび位置決めねじを締め付けて前記基板ユニットを固定するように構成されていることを特徴とする基板ユニットの取付け構造。
【請求項２】
前記位置決めスリットは、前記固定用ねじ穴を中心とした円弧状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板ユニットの取付け構造。
【請求項３】
前記被取付け部材には、位置決め部材が搭載されるとともに、前記基板ユニットには、位置決め対象物が搭載され、
前記位置決めスリットは、前記位置決めねじに前記位置決め部を当接させた状態で、前記位置決め対象物が前記位置決め部材に対して近接する方向に力が加わることで位置決め可能に形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の基板ユニットの取付け構造。
【請求項４】
前記位置決めスリットの前記位置決め部は、円弧状に形成されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の基板ユニットの取付け構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記目的を達成するため、請求項１に係る発明は、被取付け部材に取付けられ少なくとも２つの電装基板を連接してなる基板ユニットと、前記各電装基板の一方に形成された固定用ねじ穴と、前記電装基板の他方に形成され前記固定用ねじ穴を中心として回転させたときにあらかじめ前記被取付け部材に仮止めされている位置決めねじを受け入れる位置決めスリットと、前記位置決めスリットに形成され前記位置決めねじに当接して前記基板ユニットの位置決めを行う位置決め部と、を備え、
前記被取付け部材に前記固定用ねじ穴を通して固定ねじを仮止めするとともに、位置決めねじを仮止めした状態で、前記基板ユニットを固定ねじを中心として回転させて位置決めねじに前記位置決めスリットを挿通させ、前記位置決めねじに前記位置決め部を当接させて、固定ねじおよび位置決めねじを締め付けて前記基板ユニットを固定するように構成されていることを特徴とする。