(57)【要約】【課題】特定の非イオン界面活性剤を含むＣＭＰ組成物下で、ＩＩＩ−Ｖ材料を化学機械研磨（ＣＭＰ）する、半導体装置の製造方法。【解決手段】（Ａ）無機粒子、有機粒子又はそれらの混合物若しくは複合物と、（Ｂ）少なくとも１種の両親媒性非イオン界面活性剤と、（Ｍ）水性媒体とを含む化学機械研磨組成物の存在下で、少なくとも１種のＩＩＩ−Ｖ材料を含む層又は基板を、化学機械研磨する半導体装置の製造方法であって、両親媒性非イオン界面活性剤が（ｂ１）少なくとも１種の疎水性基と、（ｂ２）ポリアルキレン基からなる群より選択される少なくとも１種の親水性基とを持ち、当該ポリオキシアルキレン基が、（ｂ２２）オキシエチレン単位以外のオキシアルキレンモノマーを含む。【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学機械研磨組成物（Ｑ１）の存在下における、少なくとも１種のＩＩＩ−Ｖ材料を含む層又は基板の化学機械研磨工程を含む半導体装置の製造方法であって、
前記化学機械研磨組成物（Ｑ１）は、
（Ａ）無機粒子、有機粒子又はそれらの混合物若しくは複合物と、
（Ｂ）両親媒性非イオン界面活性剤であって、
（ｂ１）少なくとも１種の疎水性基、及び、
（ｂ２）ポリオキシアルキレン基からなる群より選択される少なくとも１種の親水性基を含み、当該ポリオキシアルキレン基が、
（ｂ２２）オキシエチレンモノマー単位以外のオキシアルキレンモノマー単位
を含む、少なくとも１種の両親媒性非イオン界面活性剤と、
（Ｍ）水性媒体と、を含有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記ＩＩＩ−Ｖ材料が、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＡｌＡｓ、ＡｌＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＡｌＮ、ＧａＩｎＮ、ＩｎＧａＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＩｎＰ、ＧａＡｌＳｂ、ＧａＩｎＳｂ、ＧａＡｌＡｓＳｂ又はＧａＩｎＡｓＳｂである請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記ＩＩＩ−Ｖ材料が、ＧａＡｓである請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記親水性基（ｂ２）が、ポリオキシアルキレン基からなる群より選択される親水性基であって、
当該ポリオキシアルキレン基が、
（ｂ２１）オキシアルキレンモノマー単位と、
（ｂ２２）オキシエチレンモノマー単位以外のオキシアルキレンモノマー単位と、を含有し、
前記モノマー単位（ｂ２１）は、前記モノマー単位（ｂ２２）と同一ではなく、（ｂ２）の前記ポリオキシアルキレン基が、モノマー単位（ｂ２１）及び（ｂ２２）を、ランダム、交互、勾配及び／又はブロック状の分布で含有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記親水性基（ｂ２）が、ポリオキシアルキレン基からなる群より選択される親水性基であって、
当該ポリオキシアルキレン基が、
（ｂ２１）オキシエチレンモノマー単位、及び、
（ｂ２２）オキシエチレンモノマー単位以外のオキシアルキレンモノマー単位と、を含有し、
（ｂ２）の前記ポリオキシアルキレン基が、モノマー単位（ｂ２１）及び（ｂ２２）を、ランダム、交互、勾配及び／又はブロック状の分布で含有する請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記組成物（Ｑ１）のｐＨが１〜８である請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記組成物（Ｑ１）が、更に、（Ｄ）少なくとも１種の酸化剤を含有する請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記疎水性基（ｂ１）が、５〜２０の炭素原子を含むアルキル基である請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
オキシエチレンモノマー単位以外の前記オキシアルキレンモノマー単位（ｂ２２）が、置換基が炭素原子１〜１０を持つアルキル基からなる群より選択される置換オキシラン（Ｘ）から誘導される請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
オキシエチレンモノマー単位以外の前記オキシアルキレンモノマー単位（ｂ２２）が、メチルオキシラン（プロピレンオキシド）及び／又はエチルオキシラン（ブチレンオキシド）から誘導される請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記粒子（Ａ）がシリカ粒子である請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記組成物（Ｑ１）が、
（Ａ）シリカ粒子と、
（Ｂ）少なくとも１種の両親媒性非イオン界面活性剤と、
（Ｄ）酸化剤と、
（Ｍ）水性媒体と、を含有し、
前記両親媒性非イオン界面活性剤が、
（ｂ１）５〜１０の炭素原子を持つアルキル基である少なくとも１種の疎水性基と、
（ｂ２）ポリオキシアルキレン基からなる群より選択される少なくとも１種の親水性基と、を含有し、
当該ポリオキシアルキレン基が、
（ｂ２１）オキシエチレンモノマー単位と、
（ｂ２２）オキシエチレンモノマー単位以外のオキシアルキレンモノマー単位と、を含有し、
当該オキシアルキレンモノマー単位は、メチルオキシラン（プロピレンオキシド）及び／又はエチルオキシラン（ブチレンオキシド）から誘導され、
（ｂ２）の前記ポリオキシアルキレン基は、モノマー単位（ｂ２１）及び（ｂ２２）を、ランダム、交互、勾配及び／又はブロック状分布で含有する請求項１〜１１のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
（Ａ）無機粒子、有機粒子又はそれらの混合物若しくは複合物と、
（Ｂ）両親媒性非イオン界面活性剤であって、
（ｂ１）少なくとも１種の疎水性基、及び、
（ｂ２）ポリオキシアルキレン基からなる群より選択される少なくとも１種の親水性基を含み、当該ポリオキシアルキレン基が、
（ｂ２２）オキシエチレンモノマー単位以外のオキシアルキレンモノマー単位
を含む、少なくとも１種の両親媒性非イオン界面活性剤と、
（Ｍ）水性媒体と、を含有する化学機械研磨組成物（Ｑ１）を、
少なくとも１種のＩＩＩ−Ｖ材料を含む層又は基板の化学機械研磨に使用する方法。
【請求項１４】
化学機械研磨組成物（Ｑ２）の存在下における、少なくとも１種のＩＩＩ−Ｖ材料を含む層又は基板の化学機械研磨工程を含む半導体装置の製造方法であって、
前記化学機械研磨組成物（Ｑ２）が
（Ａ）無機粒子、有機粒子又はそれらの混合物若しくは複合物と、
（Ｃ）両親媒性非イオンポリオキシエチレン界面活性剤であって、
（ｃ１）炭素原子数が８以下のアルキル基である少なくとも１種の疎水性基及び
（ｃ２）ポリオキシエチレン基である少なくとも１種の親水性基を含む、少なくとも１種の両親媒性非イオンポリオキシエチレン界面活性剤と、
（Ｍ）水性媒体と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
（Ａ）無機粒子、有機粒子又はそれらの混合物若しくは複合物と、
（Ｃ）両親媒性非イオンポリオキシエチレン界面活性剤であって、
（ｃ１）炭素原子数が８以下のアルキル基である少なくとも１種の疎水性基及び
（ｃ２）ポリオキシエチレン基である少なくとも１種の親水性基を含む、少なくとも１種の両親媒性非イオンポリオキシエチレン界面活性剤と、
（Ｍ）水性媒体と、
を含む化学機械研磨組成物（Ｑ２）を、少なくとも１種のＩＩＩ−Ｖ材料を含む層又は基板の化学機械研磨に使用する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、本質的に、特定のノニオン（非イオン）界面活性剤を含むＣＭＰ組成物の存在下で、ＩＩＩ−Ｖ材料を化学機械研磨（以下、ＣＭＰと略記する）する工程を含む半導体装置の製造方法と、ＩＩＩ−Ｖ材料を含む半導体産業の基板研磨でのその使用に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体産業では、化学機械研磨は、半導体ウェハのような、先進のフォトニック、微小電子機械並びに微小電子材料及び装置の製造において適用される公知の技術である。
【０００３】
半導体産業で使用される材料や装置の製造の間、ＣＭＰは、金属及び／又は酸化物表面の平坦化に用いられる。ＣＭＰは、研磨すべき表面の平面性を獲得するために、化学及び機械的作用の相互作用を利用する。化学的作用は、ＣＭＰ組成物又はＣＭＰスラリーとも呼ばれる、化学的組成物によりもたらされる。機械的作用は、通常、研磨パッドにより行われ、研磨パッドは、典型的には、研磨すべき表面に押し付けられ、移動圧盤に搭載される。圧盤の移動は、通常、直線、回転又は軌道である。
【０００４】
典型的なＣＭＰプロセス工程では、回転ウェハホルダーが、研磨すべきウェハを研磨パッドに接触させる。ＣＭＰ組成物は、通常、研磨すべきウェハと研磨パッドとの間に供給される。
【０００５】
最新技術では、非イオン界面活性剤を含有するＣＭＰ組成物の存在下で、ＩＩＩ−Ｖ材料の化学機械研磨を含むプロセスが、例えば下記文献に記載され、公知になっている。
【０００６】
ＣＮ  １０１０９６５７１  Ａは、ＧａＡｓ研磨用のアルカリ組成物を開示しており、その組成物は、ｐＨ値が１１〜１２で、研磨剤、ｐＨ調整剤、水、更には、非イオン界面活性剤として、脂肪アルコールポリオキシエチレンエーテル又はアルキルアルコールアミド（アルカノールアミド）を含有する。
【０００７】
ＣＮ  １０１０８１９６６  Ａは、ＧａＡｓ研磨用アルカリ組成物を開示しており、その組成物は、ｐＨ値が１１〜１２で、研磨剤、ｐＨ調整剤、キレート剤、水、そして、非イオン界面活性剤として、脂肪アルコールポリオキシエチレンエーテル又はアルキルアルコールアミド（アルカノールアミド）を含む。
【０００８】
特開２００２−０２５９５４は、ＧａＡｓ研磨用アルカリ組成物を開示しており、その組成物は：
・ポリエチレングリコール−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎ（ｎは１以上）  又は、
・２−メトキシエタノール  ＣＨ３Ｏ（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）Ｈ  又は、
・Ｎ，Ｎ−ジエタノールメタンアミド  ＣＨ３Ｎ（ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）２  又は、
・２−メトキシエタノール及びＮ，Ｎ−ジエタノールメタンアミドの混合物
を、非イオン界面活性剤として含有する。
【０００９】
ＵＳ  ２００８／１２４９１３  Ａ１は、ポリシリコン層上にパッシベーション層を選択的に形成する、非イオン界面活性剤を含む研磨スラリーと、研磨ポリシリコン表面を形成するためパターン上に形成されたポリシリコン層の上方部分を除去する方法を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】ＣＮ  １０１０９６５７１  Ａ
【特許文献２】ＣＮ  １０１０８１９６６  Ａ
【特許文献３】特開２００２−０２５９５４
【特許文献４】ＵＳ  ２００８／１２４９１３  Ａ１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の一目的は、ＩＩＩ−Ｖ材料、特に、ＧａＡｓ基板の化学機械研磨に適した、ＣＭＰ組成物及びＣＭＰプロセスを提供し、研磨効果を改善することであって、特に、
（ｉ）ＩＩＩ−Ｖ材料（例えばＧａＡｓ）の高材料除去速度（ＭＲＲ）、
（ｉｉ）ＩＩＩ−Ｖ材料（例えばＧａＡｓ）の低静的エッチング速度（ＳＥＲ）、
（ｉｉｉ）ＣＭＰ工程後のＩＩＩ−Ｖ材料（例えばＧａＡｓ）の高い表面品質、
（ｉｖ）安全な取り扱いと、毒性副生成物（例えば、ＧａＡｓ研磨の場合の毒性ガスＡｓＨ３）を最小まで減少させ、
（ｖ）又は、（ｉ）、（ｉｉ）、（ｉｉｉ）及び（ｉｖ）の組合せである。
【００１２】
更に、ＣＭＰ工程は、可能な限り少ない工程を必要とし、かつ、容易に適用可能なものが要求される。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
従って、ＣＭＰ組成物の存在下で、少なくともＩＩＩ−Ｖ材料を含有する層又は基板の化学機械研磨を含む半導体装置の製造方法において、当該ＣＭＰ組成物（Ｑ１）は、
（Ａ）無機粒子、有機粒子又はそれらの混合物若しくは複合物と、
（Ｂ）少なくとも１種の両親媒性非イオン界面活性剤であって、
（ｂ１）少なくとも１種の疎水性基、及び、
（ｂ２）ポリオキシアルキレン基からなる群より選択される少なくとも１種の親水性基を含み、当該ポリオキシアルキレン基が、
（ｂ２２）オキシエチレンモノマー単位以外のオキシアルキレンモノマー単位を含む両親媒性非イオン界面活性剤と、
（Ｍ）水性媒体（aqueous medｉum）と、
を含む。
【００１４】
また、少なくとも１種のＩＩＩ−Ｖ材料を含む層又は基板の化学機械研磨用のＣＭＰ組成物（Ｑ１）の使用も見出された。
【００１５】
一方で、半導体装置の製造方法は、ＣＭＰ組成物の存在下での、少なくとも１種のＩＩＩ−Ｖ材料を含有する層又は基板の化学機械研磨を含み、当該ＣＭＰ組成物（Ｑ２）は、
（Ａ）無機粒子、有機粒子又はそれらの混合物若しくは複合物と、
（Ｃ）両親媒性非イオンポリオキシエチレン界面活性剤であって、
（ｃ１）８以下の炭素原子を持つアルキル基である、少なくとも１種の疎水性基、及び、
（ｃ２）ポリオキシエチレン基である少なくとも１種の親水性基と、を含む、
少なくとも１種の非イオン性ポリオキシエチレン界面活性剤と、
（Ｍ）水性媒体と、を含有する。
【００１６】
更に、少なくとも１種のＩＩＩ−Ｖ材料を含む層又は基板の化学機械研磨用のＣＭＰ組成物（Ｑ２）の使用を見出した。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
請求項や本明細書に、好ましい実施形態を説明する。好ましい実施形態の組合せは、本発明の範囲内にあると考えられる。
【００１８】
本発明の方法により、半導体装置が製造可能であり、前記方法は、ＣＭＰ組成物（Ｑ１）又は（Ｑ２）の存在下で、少なくとも１種のＩＩＩ−Ｖ材料を含む層又は基板、好ましくは層を、化学機械研磨する工程を含む。ＩＩＩ−Ｖ材料が層の形態を持つ場合、層に含まれる全ＩＩＩ−Ｖ材料の含有量は、対応する層の質量中、好ましくは９０％を超え、より好ましくは９５％を超え、最も好ましくは９８％より多く、特に好ましくは９９％より多く、例えば、９９．９％よりも多い。ＩＩＩ−Ｖ材料は、少なくとも１種の第１３属元素（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎを含む）及び少なくとも１種の第１５属元素（Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂを含む）からなる材料である。従って、本発明では、言い換えれば、ＩＩＩ−Ｖ材料は、少なくとも１種の第１３属元素と、少なくとも１種の第１５属元素との組合せである。用語「第１３属」及び「第１５属」は、化学元素の周期表での属の命名に関する、現状のＩＵＰＡＣ規定による。好ましくは、前述のＩＩＩ−Ｖ材料は、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＡｌＡｓ、ＡｌＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＡｌＮ、ＧａＩｎＮ、ＩｎＧａＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＩｎＰ、ＧａＡｌＳｂ、  ＧａＩｎＳｂ、ＧａＡｌＡｓＳｂ又はＧａＩｎＡｓＳｂである。より好ましくは、前述のＩＩＩ−Ｖ材料は、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＩｎＧａＡｓ又はＩｎＡｌＡｓである。最も好ましくは、前述のＩＩＩ−Ｖ材料は、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ又はＩｎＡｓである。特に、前述のＩＩＩ−Ｖ材料はＧａＡｓ（ガリウムひ素）である。
【００１９】
ＣＭＰ組成物（Ｑ１）又は（Ｑ２）は、少なくとも１種のＩＩＩ−Ｖ材料を含有する層又は基板の化学機械研磨、好ましくは、少なくとも１種のＩＩＩ−Ｖ材料を含有する層の化学機械研磨に用いられる。ＩＩＩ−Ｖ材料が層の形態を持つ場合、層中に含まれる全ＩＩＩ−Ｖ材料の含有量は、対応する層の質量中、好ましくは、９０％より多く、より好ましくは９５％より多く、最も好ましくは９８％より多く、特に９９％より多く、例えば、９９．９％よりも多い。好ましくは、前述のＩＩＩ−Ｖ材料は、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＡｌＡｓ、ＡｌＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＡｌＮ、ＧａＩｎＮ、ＩｎＧａＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＩｎＰ、ＧａＡｌＳｂ、ＧａＩｎＳｂ、ＧａＡｌＡｓＳｂ又はＧａＩｎＡｓＳｂである。より好ましくは、前述のＩＩＩ−Ｖ材料は、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＩｎＧａＡｓ又はＩｎＡｌＡｓである。最も好ましくは、前述のＩＩＩ−Ｖ材料は、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ又はＩｎＡｓである。特に、前述のＩＩＩ−Ｖ材料は、ＧａＡｓ（ガリウムひ素）である。
【００２０】
ＣＭＰ組成物（Ｑ１）は、成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｍ）及び任意に以下の更なる成分を含有する。
【００２１】
ＣＭＰ組成物（Ｑ２）は、成分（Ａ）、（Ｃ）、（Ｍ）及び任意に以下の更なる成分を含有する。
【００２２】
ＣＭＰ組成物（Ｑ１）又は（Ｑ２）は、無機粒子、有機粒子又はそれらの複合物若しくは混合物（Ａ）を含有する。（Ａ）は、
・１種類の無機粒子、
・異なる種類の無機粒子の複合物若しくは混合物、
・１種類の有機粒子、
・異なる種類の有機粒子の複合物若しくは混合物、又は、
・１種類以上の無機粒子と１種類以上の有機粒子の複合物若しくは混合物、
とすることができる。
【００２３】
複合物は、２種類以上の粒子を含む複合粒子であり、それら２種以上の粒子が、機械的、化学的又は他の方法で互いに結合している。複合の一例は、外殻（シェル、殻）の１種類の粒子と、内殻（コア、核）の他の種類の粒子とを含むコア‐シェル粒子である。
【００２４】
通常、粒子（Ａ）は、ＣＭＰ組成物（Ｑ１）又は（Ｑ２）中に多様な量で含有可能である。好ましくは、（Ａ）の量は、組成物（Ｑ１）又は（Ｑ２）の全質量に対し、１０質量％以下（質量％は、質量によるパーセントを示す）、より好ましくは７質量％以下、最も好ましくは５質量％以下、特に３質量％以下、例えば１．５質量％以下である。好ましくは、（Ａ）の量は、組成物（Ｑ１）又は（Ｑ２）の全質量に対し、少なくとも０．００２質量％、より好ましくは少なくとも０．０１質量％、最も好ましくは少なくとも０．０８質量％、特に少なくとも０．４質量％、例えば、少なくとも０．７質量％である。
【００２５】
通常、粒子（Ａ）は、多様な粒径分布（粒度分布）で含有することができる。粒子（Ａ）の粒径分布は、モノモーダル（単頂）又はマルチモーダル（多頂）とすることができる。マルチモーダル粒径分布の場合、バイモーダル（二頂）がしばしば好ましい。本発明のＣＭＰ方法の間、再現性の容易な特性プロファイルと、再現性の容易な条件を得るために、単頂の粒径分布が（Ａ）については好ましい。（Ａ）として最も好ましくは、単頂の粒径分布を持つことである。
【００２６】
粒子（Ａ）の平均粒子径は、広い範囲で変化可能である。平均粒子径は、（Ｍ）水性媒体中の（Ａ）の粒径分布のｄ５０値であり、動的光散乱技術により測定可能である。そして、ｄ５０値は、粒子が原則球形だと仮定して算出される。粒径分布曲線が、相対粒子カウントの５０％高さと交差する（最大粒子カウントの高さが１００％高さとして標準化）２つの交点の間の距離（Ｘ軸の単位に与えられる）が、平均粒子径分布の幅である。
【００２７】
好ましくは、粒子（Ａ）の平均粒径は、５ｎｍ〜５００ｎｍの範囲、より好ましくは１０ｎｍ〜４００ｎｍの範囲、最も好ましくは２０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲であり、特に、３０ｎｍ〜１６０ｎｍの範囲であり、例えば、３５ｎｍ〜１３５ｎｍの範囲である。これらの粒径は、マルバーンインスツールメント社のＨｉｇｈ  Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ  Ｐａｒｔｉｃｌｅ  Ｓｉｚｅｒ（ＨＰＰＳ）やＨｏｒｉｂａ  ＬＢ５５０などの装置を用いて動的光散乱技術により測定される。
【００２８】
粒子（Ａ）は、多様な形状とすることができる。それに関し、粒子（Ａ）は、原則、１種又は原則１種類のみの形状である。しかし、粒子（Ａ）が異なる形状を持つことも可能である。例えば、２種類の異なる形状の粒子（Ａ）も存在することがある。例えば、（Ａ）は、立方体、縁が面取りされた立方体、八面体、二十面体、コクーン（繭状）、瘤状（nodules）、又は、突起や窪みがをある若しくは無い球形の形となることができる。好ましくは、それらは、突起や窪みが非常に少ない又は全く存在しない球形である。他の実施形態によれば、それらは、好ましくは、コクーン形状である。コクーン形状粒子は、短軸が１０ｎｍ〜２００ｎｍ、長／短軸の比が１.４〜２.２の粒子である。
【００２９】
粒子（Ａ）の化学特性は、特に限定されない。（Ａ）は、同一の化学特性又は異なる化学特性の複合物又は混合物とすることができる。一般に、同じ化学特性の粒子（Ａ）が好ましい。通常、（Ａ）は：
・金属、金属酸化物又は炭化物などの無機粒子（メタロイド（半金属）、メタロイド酸化物又は炭化物を含む）、
・ポリマー粒子のような有機粒子、又は、
・無機及び有機粒子の複合物若しくは混合物、
とすることができる。
【００３０】
粒子（Ａ）は：
・好ましくは無機粒子又はそれらの複合物若しくは混合物、
・より好ましくは金属もしくはメタロイドの酸化物及び炭化物、又は、それらの複合物若しくは混合物、
・最も好ましくは、アルミナ、セリア、酸化銅、酸化鉄、酸化ニッケル、酸化マグネシウム、シリカ、シリコン窒化物（窒化シリコン）、シリコンカーバイド（炭化ケイ素）、酸化錫、チタニア、炭化チタン、酸化タングステン、酸化イットリウム、ジルコニア又はそれらの複合物若しくは混合物、
・特に好ましくは、アルミナ、セリア、シリカ、チタニア、ジルコニア又はそれらの複合物若しくは混合物、
・特にシリカ粒子、
・例えば、コロイダルシリカ粒子である。
【００３１】
通常、コロイダルシリカ粒子は、湿沈殿法により製造される。
【００３２】
（Ａ）が有機粒子、又は、無機及び有機粒子の複合物若しくは混合物である他の実施形態では、ポリマー粒子が有機粒子として好ましい。ポリマー粒子は、単独又は共重合体（ホモ又はコポリマー）とすることができる。後者は、例えば、ブロック共重合体（ブロックコポリマー）又は統計コポリマーである。単独又は共重合体は、多様な構造、例えば、直鎖、分枝、櫛状、デンドリメリック（樹枝状）、絡み合い又は架橋を持つことがある。ポリマー粒子は、アニオン（非イオン）性、カチオン性、ラジカル調整、フリーラジカルメカニズムに従い、懸濁又は乳化重合法により得られる。好ましくは、ポリマー粒子は、ポリスチレン、ポリエステル、アルキド樹脂、ポリウレタン、ポリラクトン、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリエーテル、ポリ（Ｎ−アルキルアクリルアミド）、ポリ（メチルビニルエーテル）、又は、共重合体の少なくとも１種であり、共重合体は、モノマー単位として、ビニル芳香族化合物、アクリレート、メタクリレート、無水マレイン酸アクリルアミド、メタクリルアミド、アクリル酸若しくはメタクリル酸、又はそれらの複合物若しくは混合物のうち、少なくとも１種を含有する。それらの中でも、架橋構造を持つポリマー粒子が好ましい。
【００３３】
ＣＭＰ組成物（Ｑ１）は、少なくとも１種の両親媒性非イオン界面活性剤（Ｂ）を含有し、当該界面活性剤（Ｂ）は、
（ｂ１）少なくとも１種の疎水性基、及び、
（ｂ２）少なくとも１種の親水性基
を持ち、親水性基（ｂ２）は、（ｂ２２）オキシエチレンモノマー単位以外のオキシアルキレンモノマー単位を含むポリオキシアルキレン基からなる群より選択される。
【００３４】
両親媒性非イオン界面活性剤（Ｂ）は、好ましくは、水溶性及び／又は水分散性であり、より好ましくは水分散性である。「水溶性」の意味は、本発明の組成の関連する成分又は原料が、分子レベルで水相に溶解可能なことである。「水分散性」の意味は、本発明の組成の関連する成分又は原料が、水相中に分散し、安定したエマルジョン又は懸濁を形成可能なことである。
【００３５】
両親媒性非イオン界面活性剤（Ｂ）は、少なくとも１種の疎水性基（ｂ１）を含有する。これは、両親媒性非イオン界面活性剤（Ｂ）が、１以上の疎水性基（ｂ１）、例えば、２、３又はそれ以上の基（ｂ１）を持つことを意味し、それらの基は、以下に説明する親水性基（ｂ２）により、互いに分離される。
【００３６】
疎水性基（ｂ１）は、好ましくは、アルキル基、より好ましくは４〜４０、最も好ましくは５〜２０、特に好ましくは７〜１8、特に１０〜１６、例えば１１〜１４の炭素原子を持つアルキル基である。
【００３７】
両親媒性非イオン界面活性剤（Ｂ）は、少なくとも１種の親水性基（ｂ２）を含む。これは、両親媒性非イオン界面活性剤（Ｂ）が、１以上の基（ｂ２）、例えば、２、３又はそれ以上の基（ｂ２）を含むことを意味し、それらの基は疎水性基（ｂ１）により互いに分離される。
【００３８】
従って、両親媒性非イオン界面活性剤（Ｂ）は、異なるブロック状の共通構造（blocklike general structures）を持つことが可能である。そのような、共通ブロック状構造の例は：（ｉ）b１−b２；  （ｉｉ）b１−b２−b１；  （ｉｉｉ）b２−b１−b２；  （ｉｖ）b２−b１−b２−b１；  （ｖ）b１−b２−b１−b２−b１；  （ｖｉ）b２−b１−b２−b１−b２などである。親水性基（ｂ２）は、オキシエチレンモノマー単位以外の（ｂ２２）オキシアルキレンモノマー単位を含むポリオキシアルキレン基からなる群より選択される。
【００３９】
好ましくは、親水性基（ｂ２）は、ポリオキシアルキレン基からなる群より選択される親水性基であって、当該ポリオキシアルキレン基は、
（ｂ２１）オキシアルキレンモノマー単位、及び、
（ｂ２２）オキシエチレンモノマー単位以外のオキシアルキレンモノマー単位とを含み、
モノマー単位（ｂ２１）は、モノマー単位（ｂ２２）と同一ではなく、（ｂ２）のポリオキシアルキレン基は、モノマー単位（ｂ２１）及び（ｂ２２）を、ランダムに、交互に、勾配し、及び／またはブロック状分布で含む。
【００４０】
より好ましくは、親水性基（ｂ２）は、ポリオキシアルキレン基からなる群より選択される親水性基であって、当該ポリオキシアルキレン基は、
（ｂ２１）オキシエチレンモノマー単位、及び、
（ｂ２２）オキシエチレンモノマー単位以外のオキシアルキレンモノマー単位とを含み、
（ｂ２）のポリオキシアルキレン基は、モノマー単位（ｂ２１）及び（ｂ２２）を、ランダムに、交互に、勾配し、及び／またはブロック状分布で含む。
【００４１】
前述のポリオキシアルキレン基は、オリゴマー又は高分子（重合体）とすることができる。一実施形態では、オキシアルキレンモノマー単位（ｂ２１）は、好ましくはオキシエチレンモノマー単位である。
【００４２】
他の実施形態では、オキシアルキレンモノマー単位（ｂ２１）は、置換オキシアルキレンモノマー単位であり、ここで、置換基は、アルキル、シクロアルキル、アリール、アルキル−シクロアルキル、アルキル−アリール、シクロアルキル−アリール及びアルキル−シクロアルキル−アリール基からなる群より選択される。オキシアルキレンモノマー単位（ｂ２１）は、
・より好ましくは、オキシエチレンモノマー単位である、又は、置換オキシラン（Ｘ）から誘導され、ここで、置換基はアルキル、シクロアルキル、アリール、アルキル−シクロアルキル、アルキル−アリール、シクロアルキル−アリール及びアルキル−シクロアルキル−アリール基からなる群より選択され、
・最も好ましくは、アルキル−置換オキシラン（Ｘ）から誘導され、
・特に好ましくは、置換オキシラン（Ｘ）から誘導され、ここで、置換基は、１〜１０の炭素原子を持つアルキル基から選択され、
・例えば、メチルオキシラン（プロピレンオキシド）及び／又はエチルオキシラン（ブチレンオキシド）から誘導される。
【００４３】
好ましくは、オキシエチレンモノマー単位意外のオキシアルキレンモノマー単位（ｂ２２）は、置換オキシアルキレンモノマー単位であって、ここで、置換基は、アルキル、シクロアルキル、アリール、アルキル−シクロアルキル、アルキル−アリール、シクロアルキル−アリール及びアルキル−シクロアルキル−アリール基からなる群より選択される。オキシエチレンモノマー単位以外のオキシアルキレンモノマー単位は、
・より好ましくは、置換オキシラン（Ｘ）から誘導され、ここで、置換基はアルキル、シクロアルキル、アリール、アルキル−シクロアルキル、アルキル−アリール、シクロアルキル−アリール及びアルキル−シクロアルキル−アリール基からなる群より選択され、
・最も好ましくは、アルキル−置換オキシラン（Ｘ）から誘導され、
・特に好ましくは、置換オキシラン（Ｘ）から誘導され、ここで、置換基は、１〜１０の炭素原子を持つアルキル基から選択され、
・例えば、メチルオキシラン（プロピレンオキシド）及び／又はエチルオキシラン（ブチレンオキシド）から誘導される。
【００４４】
置換オキシラン（Ｘ）の置換基それ自身も不活性置換（inert substituents）、すなわち、オキシラン（Ｘ）の共重合と両親媒性非イオン界面活性剤（Ｂ）の表面活性に悪影響を与えない置換基としてふるまうことも可能である。そのような不活性置換基の例は、フッ素及び塩素原子、ニトロ基及び二トリル基である。そのような不活性置換基が存在する場合、それらは、両親媒性非イオン界面活性剤（Ｂ）の親水性−疎水性バランスに悪影響を与えないような量で使用される。好ましくは、置換オキシラン（Ｘ）の置換基は、そのような不活性置換基としてはふるまわない。
【００４５】
置換オキシラン（Ｘ）の置換基は、好ましくは、１〜１０の炭素原子を持つアルキル基、スピロ環、環外及び／又はアニールされた形態の５〜１０の炭素原子を持つシクロアルキル基、６〜１０の炭素原子を持つアリール基、６〜２０の炭素原子を持つアルキル−シクロアルキル基、７〜２０炭素原子を持つアルキル−アリール基、１１〜２０の炭素原子を持つシクロアルキル−アリール基及び１２〜３０の炭素原子を持つアルキル−シクロアルキル−アリール基からなる群より選択される。最も好ましくは、置換オキシラン（Ｘ）の置換基は、１〜１０の炭素原子を持つアルキル基からなる群より選択される。
【００４６】
特に好ましい置換オキシラン（Ｘ）の例は、メチル、エチル、２，２−及び２，３−ジメチル、２，２，３−トリメチル、２，２，３，３−テトラメチル、２−メチル−３−エチル、２，２及び２，３−ジエチル、ｎ−プロピル、２−メチル−３−ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、シクロペンチル、シクロヘキシル、フェニル、及びナフチルオキシラン；１，２−エポキシ−シクロヘキサン及び−シクロペンタン；１−オキサ−３−スピロ［３.４］−ヘプタン１−オキサ−３−スピロ［３.５］−オクタン；並びに１，２−エポキシ−２，３−ジヒドロインデンである。
【００４７】
最も好ましい置換オキシラン（Ｘ）の例は、メチルオキシラン（プロピレンオキシド）及び／又はエチルオキシラン（ブチレンオキシド）であり、特にメチルオキシランである。
【００４８】
最も好ましくは、親水性基（ｂ２）が、モノマー単位（ｂ２１）及び（ｂ２２）からなる。
【００４９】
親水性基（ｂ２）がモノマー単位（ｂ２１）及び（ｂ２２）を含む／からなる実施形態では、親水性基（ｂ２）として機能するポリオキシアルキレン基は、モノマー単位（ｂ２１）及び（ｂ２２）をランダムに、交互に、勾配して及び／又はブロック状分布で含む。この意味は、１つの親水性基（ｂ２）が、ただ１種類の分布のみを持つことが可能だという意味であり、即ち、
・ランダム：…−ｂ２１−ｂ２１−ｂ２２−ｂ２１−ｂ２２−ｂ２２−ｂ２２−ｂ２１−ｂ２２−…、
・交互：…−ｂ２１−ｂ２２−ｂ２１−ｂ２２−ｂ２１−…、
・勾配：…ｂ２１−ｂ２１−ｂ２１−ｂ２２−ｂ２１−ｂ２１−ｂ２２−ｂ２２−ｂ２１−ｂ２２−ｂ２２−ｂ２２−…、又は、
・ブロック状：…−ｂ２１−ｂ２１−ｂ２１−ｂ２１−ｂ２２−ｂ２２−ｂ２２−ｂ２２−…．
ということである。
【００５０】
親水性基（ｂ２）がモノマー単位（ｂ２１）及び（ｂ２２）を含む／からなる実施形態では、親水性基（ｂ２）が、或いは、少なくとも２種の分布を持つことも可能であり、例えば、ランダム分布を持つオリゴマー又は高分子セグメントと、交互分布を持つオリゴマー又は高分子セグメントである。最も好ましくは、親水性基（ｂ２）が、好ましくは、１種類の分布のみを持ち、最も好ましくは前記分布がランダム又はブロック状である。
【００５１】
親水性基（ｂ２）がモノマー単位（ｂ２１）及び（ｂ２２）を含む／からなる実施形態では、（ｂ２１）の（ｂ２２）に対するモル比は、幅広く変更可能であり、そのため、本発明の使用、方法及び組成物の要求に対し最も効果的に調節可能である。好ましくは、モル比（ｂ２１）：（ｂ２２）は、１００：１〜１：１であり、より好ましくは６０：１〜１．５：１であり、最も好ましくは５０：１〜１．５：１であり、特に好ましくは２５：１〜１．５：１であり、特には１５：１〜２：１であり、例えば９：１〜２：１である。
【００５２】
オリゴマー及び高分子ポリオキシアルキレン基（親水性基（ｂ２）として機能する）の重合度もまた、幅広く変化可能であり、そのため、本発明の使用、方法及び組成物の特定の要求に対し、有利に調整可能である。好ましくは、重合度は５〜１００、好ましくは５〜９０、最も好ましくは５〜８０の範囲にある。
【００５３】
特に、両親媒性非イオン界面活性剤（Ｂ）は、両親媒性非イオンポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレンアルキルエーテル界面活性剤であって、当該界面活性剤は、平均で、１０〜１６の炭素原子を持つアルキル基、及び５〜２０のオキシエチレンモノマー単位（ｂ２１）及び２〜8のオキシプロピレンモノマー単位（ｂ２２）をランダム分布で含む分子の混合物である。例えば、両親媒性非イオン界面活性剤（Ｂ）は、両親媒性非イオンポリオキシエチレン−ポリプロピレンアルキルエーテル界面活性剤であって、平均で、１１〜１４の炭素原子を持つアルキル基及び１２〜２０のオキシエチレンモノマー単位（ｂ２１）及び３〜５のオキシプロピレンモノマー単位（ｂ２２）をランダム分布で含む分子の混合物である。
【００５４】
両親媒性非イオン界面活性剤（Ｂ）を、ＣＭＰ組成物（Ｑ１）中、多様な量で含有することができる。好ましくは、組成物（Ｑ１）の合計質量に対し、（Ｂ）の量は、１０質量％以下、より好ましくは３質量％以下、最も好ましくは１質量％以下、特に好ましくは０．５質量％以下、特に０．２５質量％以下、例えば、０．１５質量％以下である。好ましくは、組成物（Ｑ１）の合計重量に対し、（Ｂ）の量は、少なくとも０．０００１質量％、より好ましくは少なくとも０．００１質量％、最も好ましくは少なくとも０．００８質量％、特に好ましくは少なくとも０．０２質量％、特に少なくとも０．０５質量％、例えば、少なくとも０．０８質量％である。
【００５５】
通常、両親媒性非イオン界面活性剤（Ｂ）は、異なる質量平均分子量を持つことが可能である。（Ｂ）の質量平均分子量は、好ましくは少なくとも３００、より好ましくは少なくとも５００、最も好ましくは少なくとも７００、特に少なくとも８００、例えば少なくとも９００である。（Ｂ）の質量平均分子量は、好ましくは１５，０００以下、より好ましくは６，０００以下、最も好ましくは３，０００以下、特に２，０００以下、例えば、１，４００以下である（それぞれ単位はｇ／ｍｏｌ、ゲル透過クロマトグラフィー（以下でＧＰＣと略記する）により測定される）。特に、（Ｂ）の質量平均分子量は９００〜１，４００［ｇ／ｍｏｌ］である（ＧＰＣにより測定）。前記ＧＰＣは、当業者に公知の標準的な技術である。
【００５６】
通常、水性媒体中での両親媒性非イオン界面活性剤（Ｂ）の溶解性は、広い範囲で変えることができる。ｐＨ７、２５℃、大気圧下の水中での（Ｂ）の溶解性は、好ましくは少なくとも１ｇ／Ｌ、より好ましくは少なくとも５ｇ／Ｌ、最も好ましくは少なくとも２０ｇ／Ｌ、特に少なくとも５０ｇ／Ｌ、例えば少なくとも１５０ｇ／Ｌである。前記溶解性は、溶媒を蒸発させ、飽和溶液中の残留質量を測定することにより判断することができる。
【００５７】
ＣＭＰ組成物（Ｑ２）は、少なくとも１種の両親媒性非イオンポリオキシエチレン界面活性剤（Ｃ）を含有し、当該界面活性剤（Ｃ）は、
（ｃ１）８以下の炭素原子を持つアルキル基である少なくとも１種の疎水性基と、
（ｃ２）ポリオキシエチレン基である少なくとも１種の親水性基と、を持つ。
【００５８】
両親媒性非イオンポリオキシエチレン界面活性剤（Ｃ）は、好ましくは水溶性及び／又は水分散性、より好ましくは、水分散性である。「水溶解性」の意味は、本発明の組成物の関連する成分又は原料が、水相中に分子レベルで溶解可能なことである。「水分散性」の意味は、本発明の組成物の関連する成分又は原料が、水相中に乳化又は懸濁の状態で分散可能なことである。
【００５９】
両親媒性非イオンポリオキシエチレン界面活性剤（Ｃ）は、少なくとも１種の疎水性基（ｃ１）を含む。この意味は、（Ｃ）が１を超える疎水性基（ｃ１）、すなわち、２、３又はそれ以上の（ｃ１）を具備可能なことであり、これら（ｃ１）は下記の少なくとも１種の親水性基（ｃ２）により互いに分離される。
【００６０】
疎水性基（ｃ１）は、炭素原子数が８以下のアルキル基であり、好ましくは炭素原子数が７以下のアルキル基礎、より好ましくは、炭素原子数が３〜７のアルキル基、最も好ましくは、炭素原子数が４〜７のアルキル基であり、特に、炭素原子数は５〜６である。
【００６１】
両親媒性非イオンポリオキシエチレン界面活性剤（Ｃ）は、少なくとも１種の親水性基（ｃ２）を含む。この意味は、両親媒性非イオン界面活性剤（Ｃ）が、１以上の基（ｃ２）、即ち、疎水性基（ｃ１）により互いに分離される、２、３又はそれ以上の基（ｃ２）を含むことを意味する。従って、両親媒性非イオンポリオキシエチレン界面活性剤（Ｃ）は、異なるブロック状一般構造を持つことができる。そのような一般ブロック状構造の例は：
−    ｃ１−ｃ２、
−    ｃ１−ｃ２−ｃ１、
−    ｃ２−ｃ１−ｃ２、
−    ｃ２−ｃ１−ｃ２−ｃ１、
−    ｃ１−ｃ２−ｃ１−ｃ２−ｃ１及び
−    ｃ２−ｃ１−ｃ２−ｃ１−ｃ２である。
【００６２】
疎水性基（ｃ２）は、オリゴマー又は高分子（重合体）となりうるポリオキシエチレン基である。
【００６３】
疎水性基（ｃ２）として機能する、オリゴマー又は高分子ポリオキシエチレン基の重合度は、広範囲で変化させることが可能であり、それゆえ、本発明の使用方法、組成物の特定の要求に対し、最も効果的に調整することができる。好ましくは、重合度は、５〜１００、好ましくは５〜９０、最も好ましくは５〜8０の範囲である。
【００６４】
両親媒性非イオンポリオキシエチレン界面活性剤（Ｃ）は、ＣＭＰ組成物（Ｑ２）中、多用な範囲で含有可能である。好ましくは、（Ｃ）の量は、組成物（Ｑ２）の全質量に対し、１０質量％以下であり、より好ましくは３質量％以下、最も好ましくは１質量％以下、特に好ましくは０．５質量％以下、特に、０．２５質量％以下、例えば、０．１５質量％以下である。好ましくは、（Ｃ）の量は、組成物（Ｑ２）の全質量に対し、少なくとも０．０００１質量％、より好ましくは少なくとも０．００１質量％、最も好ましくは少なくとも０．００８質量％、特に好ましくは少なくとも０．０２質量％、特に少なくとも０．０５質量％、例えば、少なくとも０．０８質量％である。
【００６５】
通常、両親媒性非イオンポリオキシエチレン界面活性剤（Ｃ）は異なる質量平均分子量を持つことが可能である。（Ｃ）の質量平均分子量は、好ましくは少なくとも１００、より好ましくは少なくとも１５０、最も好ましくは少なくとも２００、特に少なくとも２５０、例えば、少なくとも３００である。（Ｃ）の質量平均分子量は、好ましくは、１０，０００以下であり、より好ましくは３，０００以下、最も好ましくは１，０００以下、特に、７００以下、例えば、４００以下である（以下でＧＰＣとも略記する、ゲル透過クロマトグラフィーにより測定、［ｇ／ｍｏｌ］）。特に、（Ｃ）の質量平均分子量は、２００〜１，０００［ｇ／ｍｏｌ］（ＧＰＣにより測定）。前述のＧＰＣは、当業者に公知の標準的なＧＰＣ技術である。
【００６６】
通常、両親媒性非イオンポリオキシエチレン界面活性剤（Ｃ）の、水性媒体中での溶解性は、広範囲で変化させることができる。大気圧下、ｐＨ７、２５℃の水中での（Ｃ）の溶解性は、好ましくは少なくとも１ｇ／Ｌ、より好ましくは少なくとも５ｇ／Ｌ、最も好ましくは少なくとも２０ｇ／Ｌ、特に、少なくとも５０ｇ／Ｌ、例えば、少なくとも１５０ｇ／Ｌである。前述の溶解性は、溶媒を蒸発させ、飽和溶液中の残留質量を測定することで決定可能である。
【００６７】
本発明によれば、ＣＭＰ組成物（Ｑ１）又は（Ｑ２）が、水性媒体（Ｍ）を含む。（Ｍ）は、水性媒体１種又は異なる種類の混合物とすることができる。
【００６８】
通常、水性媒体（Ｍ）は、水を含むいかなる媒体とすることもできる。好ましくは、水性媒体（Ｍ）は、水と、水に対し混和性の有機溶媒との混合物である（即ち、アルコール、好ましくはＣ１〜Ｃ３アルコール又はアルキレングリコール誘導体）。より好ましくは、水性媒体（Ｍ）は水である。最も好ましくは、水性媒体（Ｍ）は、脱イオン水である。
【００６９】
（Ｍ）以外の成分の量が全体でＣＭＰ組成物のｙ％とすると、（Ｍ）の量は、ＣＭＰ組成物の（１００−ｙ）質量％である。
【００７０】
水性媒体（Ｍ）は、多様な量でＣＭＰ組成物（Ｑ１）又は（Ｑ２）に含有させることができる。好ましくは、（Ｍ）の量は、ＣＭＰ組成物（Ｑ１）又は（Ｑ２）の全質量に対し、９９．９質量％以下、より好ましくは９９．７質量％以下、最も好ましくは９９．５質量％以下、特に好ましくは９９質量％以下、特に９８．５質量％以下、例えば、９８質量％以下である。好ましくは（Ｍ）の量は、ＣＭＰ組成物（Ｑ１）又は（Ｑ２）の全質量に対し、少なくとも６０質量％、より好ましくは少なくとも７０質量％、最も好ましくは少なくとも８０質量％、特に好ましくは少なくとも９０質量％、特に、少なくとも９３質量％、例えば、少なくとも９６質量％である。
【００７１】
ＣＭＰ組成物（Ｑ１）又は（Ｑ２）は、更に、任意に少なくとも１種の酸化剤（Ｄ）、好ましくは１〜２種類の酸化剤（Ｄ）、より好ましくは１種類の酸化剤（Ｄ）を含有する。組成物（Ｑ１）の場合、酸化剤（Ｄ）は、成分（Ａ）及び（Ｂ）とは異なる。組成物（Ｑ２）の場合、酸化剤（Ｄ）は、成分（Ａ）及び（Ｃ）とは異なる。通常、酸化剤は、研磨すべき基板またはその層のうちの１つを、酸化可能な化合物である。好ましくは、（Ｄ）は、過（per）−型酸化剤である。より好ましくは、（Ｄ）は、過酸化物、過硫酸塩、過塩素酸塩、過臭素酸、過ヨウ素酸塩、過マンガン酸塩又はそれらの誘導体である。最も好ましくは、（Ｄ）は、過酸化物又は過硫酸塩である。特に、（Ｄ）は、過酸化物である。例えば、（Ｄ）は、過酸化水素である。
【００７２】
存在する場合、酸化剤（Ｄ）は、ＣＭＰ組成物（Ｑ１）又は（Ｑ２）中、多用な量で含有させることができる。好ましくは、（Ｄ）の量は、ＣＭＰ組成物（Ｑ１）又は（Ｑ２）の全質量に対し、２０質量％以下、より好ましくは１０質量％以下、最も好ましくは５質量％以下、特に３.５質量％以下、例えば、２．７質量％以下である。好ましくは、（Ｄ）の量は、ＣＭＰ組成物（Ｑ１）又は（Ｑ２）の全質量に対し、少なくとも０．０１質量％、より好ましくは少なくとも０．０８質量％、最も好ましくは少なくとも０．４質量％、特に少なくとも０．７５質量％、例えば、少なくとも１質量％である。過酸化水素を酸化剤（Ｄ）として使用する場合、（Ｄ）の量は、ＣＭＰ組成物（Ｑ１）又は（Ｑ２）の全質量に対し、好ましくは、１〜５質量％、より好ましくは２〜３.５質量％、例えば、２.５質量％である。
【００７３】
ＣＭＰ組成物（Ｑ１）又は（Ｑ２）は、更に、任意に少なくとも１種の殺生物剤（Ｅ）、例えば殺生物剤を１種類含有することができる。組成物（Ｑ１）の場合、殺生物剤（Ｅ）は、成分（Ａ）及び（Ｂ）とは異なるものである。組成物（Ｑ２）の場合、殺生物剤（Ｅ）は成分（Ａ）及び（Ｃ）とは異なるものである。通常、殺生物剤は、化学又は生物的手段により、いかなる有害な生物に対し、調整効果をもたらし、無害化し、阻止する化合物である。好ましくは、（Ｅ）は、四級アンモニウム化合物、イソチアゾリノン−系（based）化合物、Ｎ−置換ジアゼニウムジオキシド又はＮ'−ヒドロキシ−ジアゼニウムジオキシド塩である。より好ましくは、（Ｅ）は、Ｎ−置換ジアゼニウムジオキシド又はＮ'−ヒドロキシ−ジアゼニウムジオキシド塩である。
【００７４】
存在する場合、殺生物剤（Ｅ）は、多用な量で含有させることが可能である。存在する場合、（Ｅ）の量は、対応する組成物の全質量に対し、好ましくは０．５質量％以下、より好ましくは０．１質量％以下、最も好ましくは０．０５質量％以下、特に０．０２質量％以下、例えば、０．００８質量％以下である。存在する場合、（Ｅ）の量は、対応する組成物（Ｑ１）又は（Ｑ２）の全質量に対し、好ましくは少なくとも０．０００１質量％より好ましくは少なくとも０．０００５質量％、最も好ましくは少なくとも０．００１質量％、特に少なくとも０．００３質量％、例えば、少なくとも０．００６質量％である。
【００７５】
ＣＭＰ組成物（Ｑ１）又は（Ｑ２）は、更に、任意に少なくとも１種の腐食防止剤（Ｆ）、例えば、１種類の腐食防止剤を含有することがある。組成物（Ｑ１）の場合、腐食防止剤（Ｆ）は、成分（Ａ）及び（Ｂ）とは異なるものである。組成物（Ｑ２）の場合、腐食防止剤（Ｆ）は、成分（Ａ）及び（Ｃ）とは異なるものである。通常、ＩＩＩ−Ｖ材料（例えばＧａＡｓ）表面上の保護分子層を形成する全ての化合物が、不腐防止剤として使用することが可能である。好ましい腐食防止剤（Ｆ）は、チオール、フィルム形成ポリマー、ポリオール、ジアゾール、トリアゾール、テトラゾール及びこれらの誘導体であって、例えば、ベンゾトリアゾール又はトリルトリアゾールである。
【００７６】
存在する場合、腐食防止剤（Ｆ）は、多様な量で含有可能である。存在するのであれば、（Ｆ）の量は、対応する組成物の全質量に対し、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは２質量％以下、最も好ましくは０．５質量％以下、特に０．１質量％以下、例えば、０．０５質量％以下である。存在するのであれば、（Ｆ）の量は、対応する組成物（Ｑ１）又は（Ｑ２）の全質量に対し、好ましくは少なくとも０．０００５質量％、より好ましくは少なくとも０．００５質量％、最も好ましくは少なくとも０．０２５質量％、特に少なくとも  ０．１質量％、例えば、少なくとも０．４質量％である。
【００７７】
安定性及び研磨性能などの、ＣＭＰ組成物（Ｑ１）又は（Ｑ２）の特性は、当該組成物のｐＨによる。通常、ＣＭＰ組成物（Ｑ１）又は（Ｑ２）は、いかなるｐＨ値とすることもできる。組成物（Ｑ１）又は（Ｑ２）のｐＨ値は、好ましくは１０以下、より好ましくは9以下、最も好ましくは8以下、特に好ましくは7以下、特に最も好ましくは６以下、特に５以下、例えば、４.５以下である。組成物（Ｑ１）又は（Ｑ２）のｐＨ値は、好ましくは少なくとも０、より好ましくは少なくとも１、最も好ましくは少なくとも１．５、特に好ましくは少なくとも２、特に最も好ましくは少なくとも２.５、特に少なくとも３、例えば少なくとも３.５である。組成物（Ｑ１）又は（Ｑ２）のｐＨ値は、好ましくは０〜9の範囲、より好ましくは１〜８の範囲、最も好ましくは２〜７、特に好ましくは２.５〜５.５、特に最も好ましくは３〜５、特に３.５〜４.５、例えば、３．８〜４.２である。
【００７８】
ＣＭＰ組成物（Ｑ１）又は（Ｑ２）は、更に任意に少なくとも１種のｐＨ調整剤（Ｇ）を含有することができる。組成物（Ｑ１）の場合、ｐＨ調整剤（Ｇ）は、成分（Ａ）及び（Ｂ）とは異なる。組成物（Ｑ２）の場合、ｐＨ調整剤（Ｇ）は、成分（Ａ）及び（Ｃ）とは異なる。通常、ｐＨ調整剤（Ｇ）は、ＣＭＰ組成物（Ｑ１）又は（Ｑ２）に、そのｐＨ値を要求された値に調整するため、添加される化合物である。好ましくは、ＣＭＰ組成物（Ｑ１）又は（Ｑ２）は、少なくとも１種のｐＨ調整剤（Ｇ）を含む。好ましいｐＨ調整剤は、無機酸、カルボン酸、アミン塩基、アルカリヒドロキシド、アンモニウムヒドロキド（テトラアルキルアンモニウムヒドロキシドを含む）である。例えば、ｐＨ調整剤（Ｇ）は、硝酸、硫酸、アンモニア、水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムである。
【００７９】
存在する場合、ｐＨ調整剤（Ｇ）は、多様な量で含有させることができる。存在する場合、（Ｇ）の量は、対応する組成物の全質量に対し、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは２質量％以下、最も好ましくは０．５質量％以下、特に０．１質量％以下、例えば０．０５質量％以下である。存在する場合、（Ｇ）の量は、対応する組成物（Ｑ１）又は（Ｑ２）の全質量に対し、好ましくは少なくとも０．０００５質量％、より好ましくは少なくとも０．００５質量％、最も好ましくは少なくとも０．０２５質量％、特に少なくとも０．１質量％、例えば、少なくとも０．４質量％である。
【００８０】
ＣＭＰ組成物（Ｑ１）又は（Ｑ２）は、必要であれば、少なくとも１種の他の添加剤も含有することがあり、当該添加剤は、それに限定はされないが、安定剤、界面活性剤、摩擦減少剤などを含む。組成物（Ｑ１）の場合、前述の他の添加剤は、成分（Ａ）及び（Ｂ）とは異なる。組成物（Ｑ２）の場合、前述の他の添加剤は、成分（Ａ）及び（Ｃ）とは異なる。前述の他の添加剤は、例えば、ＣＭＰ組成物に通常使用されるものであって、当業者に公知のものである。このような添加剤は、例えば、分散を安定させ、又は、研磨性能若しくは異なる層間の選択性を改善可能である。
【００８１】
存在するのであれば、前述の他の添加剤は、多様な量で含有させることができる。好ましくは、前記他の添加剤の合計量は、対応するＣＭＰ組成物の全質量に対し、１０質量％以下、より好ましくは２質量％以下、最も好ましくは０．５質量％以下、特に０．１質量％以下、例えば、０．０１質量％以下である。好ましくは、前記他の添加剤の合計量は、対応する組成物（Ｑ１）又は（Ｑ２）の全質量に対し、少なくとも０．０００１質量％、より好ましくは少なくとも０．００１質量％、最も好ましくは少なくとも０．００８質量％、特に少なくとも０．０５質量％、例えば、少なくとも０．３質量％である。
【００８２】
好ましい実施形態（ＰＥ１）によれば、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＡｌＡｓ、ＡｌＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＡｌＮ、ＧａＩｎＮ、ＩｎＧａＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＩｎＰ、ＧａＡｌＳｂ、ＧａＩｎＳｂ、ＧａＡｌＡｓＳｂ又はＧａＩｎＡｓＳｂを含む層又は基板を化学機械研磨する半導体装置の製造方法は、ＣＭＰ組成物（Ｑ１）の存在下で行われ、当該組成物は、
（Ａ）シリカ粒子、
（Ｂ）少なくとも１種の両親媒性非イオン界面活性剤、及び、
（Ｍ）水性媒体を含み、
前記（Ｂ）の両親媒性非イオン界面活性剤が、
（ｂ１）アルキル基である少なくとも１種の疎水性基、及び、
（ｂ２）ポリオキシアルキレン基からなる群より選択される、少なくとも１種の親水性基を含み、
当該ポリオキシアルキレン基が
（ｂ２１）オキシエチレンモノマー単位、及び、
（ｂ２２）オキシエチレンモノマー単位以外のオキシアルキレンモノマー単位（当該オキシアルキレンモノマー単位が、置換基が炭素原子数１〜１０のアルキル基からなる群より選択される置換オキシラン（Ｘ）から誘導される）
を含み、
（ｂ２）の前記ポリオキシアルキレン基が、モノマー単位（ｂ２１）及び（ｂ２２）を、ランダムに、交互に、勾配して及び／又はブロック状分布で含む。
【００８３】
好ましい実施形態（ＰＥ２）によれば、ＧａＡｓを含む層又は基板の化学機械研磨を含む、半導体装置の製造方法は、ＣＭＰ組成物の存在下で行われ、当該ＣＭＰ組成物（Ｑ１）は、
（Ａ）シリカ粒子、
（Ｂ）少なくとも１種の両親媒性非イオン界面活性剤、及び、
（Ｍ）水性媒体を含み、
前記（Ｂ）の両親媒性非イオン界面活性剤が、
（ｂ１）炭素原子数が５〜２０のアルキル基である少なくとも１種の疎水性基、及び、
（ｂ２）ポリオキシアルキレン基からなる群より選択される、少なくとも１種の親水性基を含み、
当該ポリオキシアルキレン基が
（ｂ２１）オキシエチレンモノマー単位、及び、
（ｂ２２）オキシエチレンモノマー単位以外のオキシアルキレンモノマー単位（当該オキシアルキレンモノマー単位が、置換基が炭素原子数１〜１０のアルキル基からなる群より選択される置換オキシラン（Ｘ）から誘導される）
を含み、
（ｂ２）の前記ポリオキシアルキレン基が、モノマー単位（ｂ２１）及び（ｂ２２）を、ランダムに、交互に、勾配して及び／又はブロック状分布で含む。
【００８４】
好ましい実施形態（ＰＥ３）によれば、ＧａＡｓを含む層又は基板の化学機械研磨を含む、半導体装置の製造方法は、ＣＭＰ組成物の存在下で行われ、当該ＣＭＰ組成物（Ｑ１）は、
（Ａ）無機粒子、有機粒子又はそれらの複合物若しくは混合物、
（Ｂ）少なくとも１種の両親媒性非イオン界面活性剤、及び、
（Ｍ）水性媒体を含み、
前記（Ｂ）の両親媒性非イオン界面活性剤が、
（ｂ１）炭素原子数が５〜２０のアルキル基である少なくとも１種の疎水性基、及び、
（ｂ２）ポリオキシアルキレン基からなる群より選択される、少なくとも１種の親水性基を含み、
当該ポリオキシアルキレン基が、
（ｂ２１）オキシエチレンモノマー単位、及び、
（ｂ２２）オキシエチレンモノマー単位以外のオキシアルキレンモノマー単位であって、メチルオキシラン（プロピレンオキシド）及び／又はエチルオキシラン（ブチレンオキシド）から誘導されるオキシアルキレンモノマー単位を含み、
（ｂ２）の前記ポリオキシアルキレン基が、モノマー単位（ｂ２１）及び（ｂ２２）を、ランダムに、交互に、勾配して及び／又はブロック状分布で含む。
【００８５】
好ましい実施形態（ＰＥ４）によれば、ＧａＡｓを含む層又は基板の化学機械研磨を含む、半導体装置の製造方法は、ＣＭＰ組成物の存在下で行われ、当該ＣＭＰ組成物（Ｑ１）は、
（Ａ）シリカ粒子、
（Ｂ）少なくとも１種の両親媒性非イオン界面活性剤、
（Ｄ）酸化剤、及び、
（Ｍ）水性媒体を含み、
前記（Ｂ）の両親媒性非イオン界面活性剤が、
（ｂ１）炭素原子数が５〜２０のアルキル基である少なくとも１種の疎水性基、及び、
（ｂ２）ポリオキシアルキレン基からなる群より選択される、少なくとも１種の親水性基を含み、
当該ポリオキシアルキレン基が、
（ｂ２１）オキシエチレンモノマー単位、及び、
（ｂ２２）オキシエチレンモノマー単位以外のオキシアルキレンモノマー単位であって、メチルオキシラン（プロピレンオキシド）及び／又はエチルオキシラン（ブチレンオキシド）から誘導されるオキシアルキレンモノマー単位を含み、
（ｂ２）の前記ポリオキシアルキレン基が、モノマー単位（ｂ２１）及び（ｂ２２）を、ランダムに、交互に、勾配して及び／又はブロック状分布で含む。
【００８６】
好ましい実施形態（ＰＥ５）によれば、ＧａＡｓを含む層又は基板の化学機械研磨を含む、半導体装置の製造方法は、ｐＨ値が１〜８の範囲にあるＣＭＰ組成物の存在下で行われ、当該ＣＭＰ組成物（Ｑ１）は、
（Ａ）シリカ粒子、
（Ｂ）少なくとも１種の両親媒性非イオン界面活性剤、
（Ｄ）酸化剤、及び、
（Ｍ）水性媒体を含み、
前記（Ｂ）の両親媒性非イオン界面活性剤が、
（ｂ１）炭素原子数が５〜２０のアルキル基である少なくとも１種の疎水性基、及び、
（ｂ２）ポリオキシアルキレン基からなる群より選択される、少なくとも１種の親水性基を含み、
当該ポリオキシアルキレン基が、
（ｂ２１）オキシエチレンモノマー単位、及び、
（ｂ２２）オキシエチレンモノマー単位以外のオキシアルキレンモノマー単位であって、メチルオキシラン（プロピレンオキシド）及び／又はエチルオキシラン（ブチレンオキシド）から誘導されるオキシアルキレンモノマー単位を含み、
（ｂ２）の前記ポリオキシアルキレン基が、モノマー単位（ｂ２１）及び（ｂ２２）を、ランダムに、交互に、勾配して及び／又はブロック状分布で含む。
【００８７】
好ましい実施形態（ＰＥ６）によれば、ＧａＡｓを含む層又は基板の化学機械研磨を含む、半導体装置の製造方法は、ＣＭＰ組成物の存在下で行われ、当該ＣＭＰ組成物（Ｑ２）は、
（Ａ）シリカ粒子、
（Ｂ）少なくとも１種の両親媒性非イオン界面活性剤、
（Ｄ）酸化剤として過酸化水素、及び、
（Ｍ）水性媒体を含み、
前記（Ｂ）の両親媒性非イオン界面活性剤が、
（ｃ１）炭素原子数が４〜７のアルキル基である少なくとも１種の疎水性基、及び、
（ｃ２）ポリオキシエチレン基である少なくとも１種の親水性基を持つ。
【００８８】
ＣＭＰ組成物の調整（製造）方法は、通常は公知のものである。これらの製法は、ＣＭＰ組成物（Ｑ１）又は（Ｑ２）の製造に適用されるであろう。これは、上記成分（Ａ）及び（Ｂ）を、水性媒体（Ｍ）中、好ましくは水中に分散又は溶解し、任意にｐＨ値を、酸、塩基、緩衝剤又はｐＨ調整剤の添加により調整して行うことができる。この目的のためには、通常の標準的な混合方法及び混合装置（攪拌槽、高せん断インペラ、超音波混合機、ホモジナイザーノズル又は対流混合機など）を用いることができる。
【００８９】
ＣＭＰ組成物（Ｑ１）は、好ましくは、粒子（Ａ）を分散し、両親媒性非イオン界面活性剤（Ｂ）及び任意に他の添加剤を水性媒体（Ｍ）中に分散及び／又は溶解させることで製造される。ＣＭＰ組成物（Ｑ２）は、好ましくは、粒子（Ａ）を分散させ、両親媒性非イオンポリオキシエチレン界面活性剤（Ｃ）及び任意に他の添加剤を水性媒体（Ｍ）中に分散及び／又は溶解させることで製造される。
【００９０】
研磨製法は、通常、公知であって、集積回路を備えたウェハの製造でのＣＭＰ用に通常用いられる条件下での装置及び方法を用いて行うことができる。研磨工程を行うことができる装置に関し、特に制限はない。
【００９１】
本技術分野で知られているように、ＣＭＰプロセスの通常の装置は、研磨パッドで覆われた回転圧盤を有する。軌道研磨機も使用されてきた。ウェハは、キャリア又はチャック上に搭載される。ウェハの処理される側（処理面）を、研磨パッドに対向させる（片側研磨プロセス）。保持リングでウェハの水平位置を確かにする。
【００９２】
キャリア下では、より大径の圧盤も通常水平保持され、研磨されるウェハの表面に対し、水平な表面を提供する。圧盤上の研磨パッドは、平坦化プロセスの間、ウェハ表面に接触する。
【００９３】
材料損失のため、ウェハは研磨パッドに押圧される。キャリアと圧盤の両方は、通常、キャリア及び圧盤か垂直に延びるそれらの軸の周囲を回転するようになっている。回転キャリア軸は、回転圧盤に相対的に固定された位置に留まるか、圧盤に相対的に平行な方向で振動する。キャリアの回転方向は、通常、必ずしも必要ではないが、圧盤と同様である。キャリアと圧盤の回転速度は、通常、必ずしも必要ではないが、異なる値に設定される。本発明のＣＭＰ製法の間、ＣＭＰ組成物（Ｑ１）又は（Ｑ２）は、通常、連続流又は液滴法として研磨パッド上に供給される。通常、圧盤の温度は、１０〜7０℃の温度に設定される。
【００９４】
ウェハへの負荷は、例えば、しばしばバッキングフィルムと呼ばれるソフトパッドで覆われた、鋼製の平坦な圧盤により加えられる。より進化した装置が使用される場合は、空気又は窒素で負荷される柔軟性膜が、ウェハをパッド上に押し付ける。このような膜キャリアは、硬質研磨パッドを使用する場合に、ウェハ上のダウンフォース分布が、硬質圧盤設計を用いたキャリアのそれと比較してより均一になるので、低ダウンフォース（下向きの力）に関し好ましい。ウェハ上の圧力分布を制御するオプションを用いたキャリアも、本発明によれば、使用可能である。それらは、通常、互いに独立してある程度負荷される異なるチャンバーの数により設計される。
【００９５】
更なる詳細な参照は、WO  ２００４／０６３３０１  Ａ１、特に図２に関連する、１６頁、段落００３６から１８頁、段落００４０に開示されている。
【００９６】
本発明のＣＭＰ組成物によれば、誘電体層を含む集積回路を備えたウェハが、優れた機能を具備して製造される。
【００９７】
ＣＭＰ組成物（Ｑ１）又は（Ｑ２）は、スラリーとして使用準備が整った状態で、ＣＭＰプロセスで使用することが可能であり、それらは棚時間（使用期限）が長く、長時間に亘って安定した粒径分布を示す。従って、それらは取り扱い並びに貯蔵が簡単である。それらは、特に、毒性ガスＡｓＨ３の最小生成と組み合わせた低静的エッチング速度に関し、良好な研磨性能を示す。その成分の含量が最小に維持されるので、本発明に係るＣＭＰ組成物（Ｑ１）又は（Ｑ２）及びＣＭＰプロセルは、コスト的に効果的な方法で使用し、又は、適用することができる。
【実施例】
【００９８】
＜実施例及び比較例＞
・ＣＭＰ試験の一般的な工程
ベンチトップ研磨機での評価のために、下記パラメータを選択した。
【００９９】
工程の設定：研磨機「Ｐｏｗｅｒ  Ｐｒｏ  ５０００  ｐｏｌｉｓｈｅｒ」；テーブル／キャリア  ２００／１５０ｒｐｍ；ダウンフォース２.５ｐｓｉ（１７２３８Ｐａ）；スラリー流速  ２０ｍＬ／分；パッドＩＣ  １０００；  研磨時間３分（比較例Ｖ１−Ｖ２、実施例１及び２）；スラリー流速１８ｍＬ／分；パッドＩＣ  １０００；研磨時間１分（比較例Ｖ３−Ｖ６、実施例３及び４）。
【０１００】
ＣＭＰ工程で新しい種類のＣＭＰ組成物を使用する前に、パッドは、数回清掃して調整する。除去速度（除去率）の判定のために、少なくとも３枚のウェハを研磨し、それらの実験で得たデータを平均化する。ＣＭＰ組成物は、ローカル供給装置（local supply station）内で攪拌する。
【０１０１】
・研磨対象物：不定形（unstructured）ＧａＡｓウェハ
ＣＭＰ組成物により研磨される２インチ（＝５.０８ｃｍ）ディスクについてのＧａＡｓ材料除去速度（以下で“ＧａＡｓ−ＭＲＲ”と略記）は、Ｓａｒｔｏｒｉｕｓ  ＬＡ３１０  Ｓ  ｓｃａｌｅを使用し、ＣＭＰ前及び後の、被覆ウェハ又はブランケットディスクの重量差により判定する。密度（ＧａＡｓについては５.３２ｇ／ｃｍ３）及び研磨材料の表面積が公知であるから、重量差はフィルム厚の差に変換可能である。研磨時間によりフィルム厚の差を割ると、材料除去速度の値が得られる。
【０１０２】
ＧａＡｓ層のホット静的エッチング速度（以下、“ＧａＡｓ−ｈＳＥＲ”と称する）は、１ｘ１インチ（２．５４ｘ２．５４ｃｍ）ＧａＡｓ片を、対応する組成物に６０℃で５分間浸漬（ディッピング）し、浸漬前と後での、質量ロスの測定により判断される。
【０１０３】
生成されたＡｓＨ３ガスの量は、研磨パッド上１０ｃｍに設置したドレーゲル社のモバイル水素化物検出器により測定した。その装置は、大気中のＡｓＨ３現状濃度を表示するデジタルディスプレイを持つ。
【０１０４】
・研磨対象物：不定形ＳｉＯ２ウェハ
ＣＭＰ組成物により研磨される２インチ（＝５.０８ｃｍ）ディスクについて、ＳｉＯ２材料除去速度（以下、“Ｏｘｉｄｅ−ＭＲＲ”と称する）は、Ｓａｒｔｏｒｉｕｓ  ＬＡ３１０  Ｓスケールを使用し、ＣＭＰ前と後の、被覆ウェハ又はブランケットディスクの重量差により判断した。密度（ＳｉＯ２について、１．９ｇ／ｃｍ３）と研磨材料の表面積は公知であるから、重量差は、フィルム厚の差に変換可能である。フィルム厚の差を研磨時間で割ることで材料除去速度の値が得られる。
【０１０５】
粒子（Ａ）として使用したシリカ粒子は、ＮｅｘＳｉｌ（登録商標）（Ｎｙａｃｏｌ）タイプである。ＮｅｘＳｉｌ（登録商標）１２５Kは、代表的粒子径（typical particle size）が８５ｎｍ、代表的表面積３５ｍ２／ｇのカリウム安定化コロイダルシリカである。
【０１０６】
（Ｚ）は、両親媒性非イオンポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレンアルキルエーテル界面活性剤である。その界面活性剤は、平均で、炭素原子数１１〜１４のアルキル基並びに１２〜２０のオキシエチレンモノマー単位及び３〜５オキシプロピレンモノマー単位を、ランダム分布で含む分子の混合物である。（Ｚ）の質量平均分子量は、９００〜１，５００［ｇ／ｍｏｌ］である。
【０１０７】
Ｅｍｕｌａｎ  ＨＥ  ５０は、両親媒性非イオンポリオキシエチレンアルキルエーテル界面活性剤であり、５エチレンオキシド単位と反応したＣ４−Ｃ８アルコールである（ＵＳ  ２００７／０１８５２５６  Ａ１を参照）。
【０１０８】
・スラリー製造の標準的プロセス
それぞれ表１及び２で示した量の、成分（Ａ）、（Ｂ）又は（Ｃ）及び（Ｄ）を、脱イオン水中に分散又は溶解させた。ｐＨは、１０％ＫＯＨ水溶液又はＨＮＯ３（０．１％〜１０％）水溶液をスラリーに添加して調整した。ｐＨ値はｐＨ電極で測定した（Schott、ブルーライン、ｐＨ  ０−１４  ／−５…１００℃／３ｍｏｌ／Ｌ  塩化ナトリウム）。
【０１０９】
・実施例１〜４（本発明のプロセスで使用される組成物）、比較例Ｖ１、Ｖ２及びＶ３（比較組成物）並びにＶ４〜Ｖ６（異なる研磨基板）
【０１１０】
表１に記載の成分を含有する水分散液を作成し、実施例１〜４、比較例Ｖ１、Ｖ２及びＶ３のＣＭＰ組成物とした。
【０１１１】
実施例１〜４並びに比較例Ｖ１、Ｖ２及びＶ３の、ＣＭＰ組成物の組成及び研磨性能データを表１に示した。
【０１１２】
表１：実施例１〜４及び比較例Ｖ１〜Ｖ３のＣＭＰ組成物、それらのｐＨ値、ＧａＡｓ−ｈＳＥＲデータ、同様に、それらの組成物を使用した２インチ（＝５.０８ｃｍ）不定形ＧａＡｓウェハの化学機械研磨のプロセスでのＧａＡｓ−ＭＲＲ（ＣＭＰ組成物の水性媒体は脱イオン水）。成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）の量は、対応するＣＭＰ組成物の質量による、質量パーセント（質量％）で特定した。（Ｍ）以外の成分の量が合計でＣＭＰ組成物のy質量％とすると、（Ｍ）の量は、ＣＭＰ組成物の（１００−ｙ）質量％である。
【０１１３】
【表１】
2015523716.tif 000002
【０１１４】
【表２】
2015523716.tif 000003
【０１１５】
表２に記載した成分を含有する水分散液を作成し、比較例Ｖ４、Ｖ５及びＶ６のＣＭＰ組成物とした。
【０１１６】
比較例Ｖ４、Ｖ５及びＶ６のＣＭＰ組成物の組成及び研磨性能データを表２に示した。
【０１１７】
表２：比較例Ｖ４、Ｖ５及びＶ６のＣＭＰ組成物、それらのｐＨ値及び、それら組成物を使用した２インチ（＝５.０８ｃｍ）、不定形ＳｉＯ２ウェハの化学機械研磨のプロセスでのそれらのＯｘｉｄｅ−ＭＲＲ（ここで、ＣＭＰ組成物の水性媒体（Ｍ）が脱イオン水）。成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）の量は、対応するＣＭＰ組成物の質量パーセント（質量％）で特定した。（Ｍ）以外の成分の量が合計でＣＭＰ組成物のy質量％とした場合、（Ｍ）の量は、ＣＭＰ組成物の（１００−ｙ）質量％である。
【０１１８】
【表３】
2015523716.tif 000004
【０１１９】
ＣＭＰ組成物の実施例１、２、３及び４を用いた本発明のＣＭＰプロセスは、ＧａＡｓ層（ＧａＡｓ−ｈＳＥＲ）の減少したホット静的エッチング速度、及び、ＡｓＨ３ガス生成傾向の減少により示される、改善された研磨性能を示した。
【国際調査報告】
2015523716.tif 000005
2015523716.tif 000006
2015523716.tif 000007
2015523716.tif 000008