(57)【要約】  誘電体層を形成する方法が、記載される。本方法は、局所プラズマを用いる化学気相堆積により、ケイ素含有膜を堆積する。ケイ素含有膜は、低い基板温度で堆積の間、流動可能である。ケイ素前駆体（例えば、シリルアミン、高次シラン又はハロゲン化シラン）が、基板処理領域に供給され、局所プラズマの中で励起される。第二のプラズマ蒸気又はガスが、基板処理領域の中でケイ素前駆体と結合される。これは、アンモニア、窒素（Ｎ２）、アルゴン、水素（Ｈ２）及び／又は酸素（Ｏ２）を含んでよい。これらの蒸気／ガスの結合と組み合されて、本明細書に開示される装置構成は、比較的に低い電力を用いて局所プラズマが励起されるときに、２００℃より低い又は約２００℃の基板温度で流動性を有する堆積に帰結することが見出された。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン形成された基板上に誘電体層を形成する方法であって、
パターン形成された基板を基板処理領域の中へ移送すること、
ケイ素前駆体を基板処理領域の中へ流すこと、
ケイ素前駆体を基板処理領域の中へ流すことと並行して、プラズマ蒸気／ガスを基板処理領域の中へ流すこと、
パターン形成された基板面積の１平方センチメートル当たり０．３Ｗ未満又は約０．３Ｗのプラズマ出力を印加することにより、基板処理領域の中にプラズマを発生させること、及び
窒素と炭素のうちの一つとケイ素を含む誘電体層であって、堆積の間は流動性を有する誘電体層を、パターン形成された基板上に形成することを含み、
ケイ素前駆体を基板処理領域の中へ流すことは、流動性を有する誘電体層の形成の間を通じて、基板処理領域へケイ素前駆体の連続的な流れを供給することを含み、プラズマを発生させることは、流動性を有する誘電体層の形成の間を通じて、プラズマ出力を連続的に印加することを含む、方法。
【請求項２】
流動性を有する誘電体層を形成している間、パターン形成された基板の温度が、２００℃未満である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
プラズマ蒸気／ガスは、アンモニア、水素（Ｈ２）、アルゴン、窒素（Ｎ２）、炭化水素及び酸素（Ｏ２）のうちの一つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
ケイ素前駆体は、トリシリルアミン、ジシリルアミン及びモノシリルアミンのうちの一つである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ケイ素前駆体は、３個又はそれ以上のケイ素原子を含有する高次シランを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
ケイ素前駆体は、ハロゲン置換シランを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ハロゲン置換シランは、ヘキサクロロジシランである、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
誘電体層は、炭化ケイ素、窒化ケイ素及びＳｉＣＮのうちの一つである、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
誘電体層は、ケイ素、窒素及び水素からなる、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
誘電体層は、ケイ素、炭素、窒素及び水素からなる、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
プラズマを発生させることは、容量性又は誘導性の手段により、基板処理領域に高周波（ＲＦ）を印加することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
プラズマを発生させることは、紫外（ＵＶ）光を基板処理領域の中に照射することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
プラズマを発生させることは、パターン形成された表面積の１平方センチメートル当たり、０．０２５Ｗから０．３０Ｗまでのプラズマ出力を基板処理領域に印加することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
プラズマを発生させることは、誘電体層を形成している間を通じて、連続的にプラズマ出力を印加することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
基板は、パターン形成されていて、約５０ｎｍ又はそれ以下の幅を持つトレンチを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
誘電体層を形成する作業の後に、誘電体層を固化することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
固化後の誘電体層の厚さが、パターン形成された基板の主面に垂直に約２５ｎｍ又はそれ以下である、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
ケイ素前駆体、プラズマ蒸気／ガス及び誘電体層は、各々、炭素フリーである、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
流動性を有する誘電体層を形成している間、パターン形成された基板の温度が、１００℃未満である、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
流動性を有する誘電体層を形成している間、パターン形成された基板の温度が、３０℃未満である、請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、２０１２年９月１１日に出願された、「ＬＯＷ  ＣＯＳＴ  ＦＬＯＷＡＢＬＥ  ＤＩＥＬＥＣＴＲＩＣ  ＦＩＬＭＳ」なる名称の、Ｃｈａｔｔｅｒｊｅｅ他による米国特許仮出願第６１／６９９，４９５号の利益を主張し、あらゆる目的においてその全体が本明細書に組み込まれる。
【０００２】
半導体デバイスの形状寸法は、数十年前のその導入以来、サイズにおいて劇的に縮小して来た。現代の半導体製造装置は、４５ｎｍ、３２ｎｍ及び２８ｎｍの特徴サイズを有するデバイスを日常的に生産しており、更に小さな形状寸法を有するデバイスを作るために、新たな装置が、開発され、実施されている。特徴サイズが縮小する結果、デバイス上の構造的特徴が空間的な寸法を縮小させた。デバイス上の間隙及びトレンチの幅は狭まり続け、今や、幅に対する間隙深さのアスペクト比は、誘電体材料で間隙を充填することが困難なほどの高さに達している。堆積している誘電体材料は、間隙が完全に充填されないうちに、上部で詰まり、間隙の途中にボイド又はシームを生ずる傾向がある。
【０００３】
誘電体材料が間隙の上部を詰まらせることを回避するため、又は、形成されたボイド若しくはシームを「直す」ため、何年にもわたって、多くの技術が開発されて来た。一つの手法は、回転する基板の表面に液相で塗布されうる、流動性の高い前駆体材料で開始することであった（例えば、ＳＯＧ堆積技術）。これらの流動性のある前駆体は、ボイド又は脆いシームを形成することなく、非常に狭い基板間隙の中へ流れ、その間隙を充填することができる。しかしながら、これらの流動性の高い材料は、堆積後には、固体の誘電体材料へと硬化されなければならない。
【０００４】
多くの場合、硬化は、堆積された材料から炭素及び水酸基を除去し、酸化ケイ素などの固体誘電体を残す熱処理を含む。あいにく、除去される炭素及び水酸基種は、硬化した誘電体の中に、最終材料の品質を低下させる空孔を、しばしば残す。加えて、硬化している誘電体はまた、体積が縮小する傾向があり、それによって、誘電体と周囲の基板との界面に、クラック及びスペースを残しうる。場合によっては、硬化された誘電体の体積は、４０％又はそれ以上、減少することがありうる。
【０００５】
スピンオン誘電体（ＳＯＤ）も、パターン形成された基板上の特徴の中へ流すために、使用されて来た。一般に、材料は、ケイ素、窒素及び水素を含有するシラザン型の膜から酸化ケイ素へ変えられる。液体としての誘電体層を塗布することは、非常に厚い層をもたらし、狭い間隙を充填することを困難にする。
【０００６】
従って、気相堆積技術を用いて、構造化された基板上に誘電体材料を形成する、新たな堆積プロセス及び材料に対する要求が存在する。これら及び他の要求が、本出願において扱われる。
【発明の概要】
【０００７】
誘電体層を形成する方法が、記載される。本方法は、局所プラズマを用いる化学気相堆積により、ケイ素含有膜を堆積する。ケイ素含有膜は、低基板温度での堆積の間、流動性を有する。ケイ素前駆体（例えば、シリルアミン、高次シラン又はハロゲン化シラン）が、基板処理領域に供給されて、局所プラズマの中で励起される。第二のプラズマ蒸気又はガスが、基板処理領域の中でケイ素前駆体と結合される。第二のプラズマ蒸気又はガスは、アンモニア、窒素（Ｎ２）、アルゴン、水素（Ｈ２）及び／又は酸素（Ｏ２）を含んでよい。これらの蒸気／ガスの結合と組み合された、本明細書に開示される装置構成は、相対的に低い電力を用いて局所プラズマが励起されるときに、２００℃より低い又は約２００℃の基板温度での流動性を有する堆積をもたらすことが見出された。本プロセスは、過渡的な種を生じ、これは堆積の間は流動性を有する膜をもたらし、その後に、膜は固化して、パターン形成された基板の中の間隙を充填する。
【０００８】
本発明の実施形態は、パターン形成された基板上に誘電体層を形成する方法を含む。本方法は、ケイ素前駆体を基板処理領域の中へ流すことを含む。本方法は、プラズマ蒸気／ガスを基板処理領域の中へ流すことを、更に含む。本方法は、０．３Ｗ／ｃｍ２未満又は約０．３Ｗ／ｃｍ２のプラズマ出力密度を印加することにより、基板処理領域の中にプラズマを発生させることを、更に含む。本方法は、パターン形成された基板上に誘電体層を形成することを、更に含む。誘電体層は、炭素と窒素のうちの一つとケイ素を含む。誘電体層は、堆積の間、流動性を有する。
【０００９】
追加の実施形態及び特徴が、一部は以下の記載中に述べられ、一部は明細書の検討を通じて又は発明の実施を通じて、当業者に明らかとなるであろう。本発明の特徴及び利点は、本明細書に記載される手段、組合せ、及び方法によって、実現され、達成されうる。
【００１０】
本発明の性質及び利点についての更なる理解は、本明細書の残りの部分及び図面を参照することにより、なされうる。同様な参照数字が、類似の構成要素を指すために、幾つかの図面を通じて使用される。幾つかの場合において、サブラベルが参照数字と関連付けられて、ハイフンの後に付けられ、複数の類似の構成要素のうちの一つを示す。存在しているサブラベルを特定せずに、参照数字への参照がなされる場合、全てのそのような複数の類似の構成要素を指すものとする。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態による、酸化ケイ素膜を作るための選択されたステップを示すフローチャートである。
【図２】本発明の実施形態による、基板処理システムを示す。
【図３Ａ】本発明の実施形態による、基板処理チャンバを示す。
【図３Ｂ】本発明の実施形態による、ガス分配シャワーヘッドを示す。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
誘電体層を形成する方法が、記載される。本方法は、局所プラズマを用いる化学気相堆積により、ケイ素含有膜を堆積する。ケイ素含有膜は、低基板温度で堆積の間、流動性を有する。ケイ素前駆体（例えば、シリルアミン、高次シラン又はハロゲン化シラン）が、基板処理領域に供給され、局所プラズマの中で励起される。第二のプラズマ蒸気又はガスが、基板処理領域の中でケイ素前駆体と結合され、そして、アンモニア、窒素（Ｎ２）、アルゴン、水素（Ｈ２）及び／又は酸素（Ｏ２）を含みうる。これらの蒸気／ガスの結合と組み合された、本明細書に開示される装置構成は、相対的に低い電力を用いて局所プラズマが励起されるときに、２００℃より低い又は約２００℃の基板温度で流動性を有する堆積に帰結することが見出された。本プロセスは、過渡的な種を作り、これは堆積の間は流動性を有する膜をもたらし、その後に、膜は固化して、パターン形成された基板の中の間隙を充填する。
【００１３】
プラズマ化学気相堆積（ｐｌａｓｍａ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）又はプラズマ化学気相堆積（ｐｌａｓｍａ−ｅｎｈａｎｃｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）（ＰＥＣＶＤ）を行なうことは、堆積を行なうために基板処理領域の中で局所プラズマを適用することを含む。本明細書で開示される、プラズマ蒸気／ガスと一緒にケイ素前駆体（例えば、ＴＳＡなどのシリルアミン）を流すことは、ケイ素、窒素、水素を含む誘電体層を作ることが、発明者により見出された。膜が、堆積の間、流れ、半導体処理の間に使用されるパターン形成された基板上で普通にある間隙の充填を容易にすることが、見出された。酸化ケイ素層を形成する方法及びシステムについての追加の詳細が、次に記載される。
【００１４】
例示的な酸化ケイ素形成プロセス
図１は、本発明の実施形態による、誘電体膜を作る方法１００における選択されたステップを示しているフローチャートである。例示的な方法１００は、基板処理領域にトリシリルアミンを供給することを含む１０２。本方法は、基板処理領域の中へアンモニアを流すことを、更に含む１０４。本発明の実施形態において、トリシリルアミン及びアンモニアが、基板処理領域の中へ同時に流されてもよく、中へ入る前にプラズマによって励起されていなくともよい。基板処理領域の両側の容量性プレートに高周波電力を印加することにより、プラズマ励起が供給される１０６。例えば、容量性プレートが、基板処理領域の上下に配置されうる。アンモニアとトリシリルアミンの結合のプラズマ励起は、パターン形成された基板表面上での流動性を有する誘電体層（ケイ素、窒素、水素を含む）の形成に帰結する。
【００１５】
概して、トリシリルアミンは、本明細書中で、シリルアミンを含有するケイ素前駆体と呼ばれうるが、ケイ素前駆体はまた、炭素を含有しうる。ケイ素前駆体は、トリシリルアミン、ジシリルアミン及びモノシリルアミンのうちの一つを含有しうる。ケイ素前駆体は、キャリアガスにより運ばれるガス又は蒸気の形での気相の形で供給される。間もなく詳細に論じられるように、炭素の欠如は、堆積された膜の収縮を減少させる。しかしながら、ケイ素前駆体及び誘電体膜は、開示される実施形態において、炭素を含有する。炭化ケイ素及び炭窒化ケイ素は、幾つかのプロセスフローにおいて望ましく、本明細書で開示される方法を用いて堆積される流動性を有する誘電体層の定義の範囲内にある。そうは言っても、ケイ素前駆体は、開示される実施形態において、酸素フリー及び炭素フリーであってよい。酸素の欠如は、前駆体から形成される流動性を有する誘電体層の中のシラノール（Ｓｉ‐ＯＨ）基の、より低い又は無視できる濃度に帰結する。堆積された膜の中の過剰なシラノールの部分は、堆積された層から水酸基（‐ＯＨ）部分を除去する堆積後ステップの間に、多孔性及び収縮の増加を引き起こすことがありうる。
【００１６】
ケイ素前駆体の特定の例は、Ｈ２Ｎ（ＳｉＨ３）、ＨＮ（ＳｉＨ３）２、及びＮ（ＳｉＨ３）３などのシリルアミンを含みうる。ケイ素前駆体はまた、本明細書中で、ＳｉｎＨ２ｎ+２（式中、ｎ＞＝３）と定義される、高次シランでありうる。本発明の実施形態において、ケイ素前駆体はまた、ハロゲン化シランであってもよく、塩素化シランであってもよい。ハロゲン化シランは、ＳｉｎＨ２ｎ＋２（開示される実施形態において、式中、ｎ＞＝１又はｎ＞＝２）で、水素原子のうちの少なくとも一つが取り除かれ、ハロゲンで置換されているものと、本明細書中で定義される。ケイ素前駆体は、例えば、開示される実施形態において、ヘキサクロロジシラン Ｓｉ２Ｃｌ６である。ケイ素前駆体の流量は、種々の実施形態において、４０ｓｃｃｍより大きい若しくは約４０ｓｃｃｍ、６０ｓｃｃｍより大きい若しくは約６０ｓｃｃｍ、又は１００ｓｃｃｍより大きい若しくは約１００ｓｃｃｍでありうる。本明細書中で与えられる全ての流量は、２チャンバ基板処理システムを参照する。単一ウェハシステムは、これらの流量の半分を必要とするであろうし、他のウェハサイズは、処理される面積により調整された流量を必要とするであろう。ケイ素前駆体は、キャリアガス、反応ガス、又はその両方として作用しうる追加のガスと混合されうる。
【００１７】
プラズマ蒸気／ガスが、ケイ素前駆体と結合され、基板処理領域の中へ流される、又は、基板処理領域の中へ別々に流され、そこで、ケイ素前駆体とプラズマ蒸気／ガスの結合が、プラズマの中で励起される。例示的なプラズマ蒸気／ガスは、アンモニア、Ｈ２、Ｎ２、Ｏ２、Ｈ２Ｏ、Ｏ３、Ｈ２Ｏ２、Ｎ２Ｏ、ＮＯ、Ｈｅ、及びＡｒ、などのガスを含む。プラズマ蒸気／ガスは、炭化ケイ素膜及びＳｉＣＮ膜を形成するために、炭素を含有してもよく、その場合、プラズマ蒸気／ガスは、メタン、エタン、プロパン、ブタン、アセチレン、又は他の炭化水素を含みうる。プラズマ蒸気／ガスの流量は、開示される実施形態において、２５ｓｃｃｍより大きい若しくは約２５ｓｃｃｍ、４０ｓｃｃｍより大きい若しくは約４０ｓｃｃｍ、又は５０ｓｃｃｍより大きい若しくは約５０ｓｃｃｍでありうる。実施形態において、酸素源は、流動性を増加させるように、含まれていなくてもよい。
【００１８】
例に記載されるように、プラズマは、１３．５６ＭＨｚに近い高周波を用いる、容量結合プラズマ（ＣＣＰ）構成を用いて、発生されうる。しかしながら、より高い及び／又はより低い高周波（例えば、マイクロ波域の中の２．４ＧＨｚ又は３５０ｋＨｚ）などの他の周波数及び励起源が用いられてもよい。誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）が、ＣＣＰと組み合わされて又はＣＣＰの代わりに用いられうる。プラズマ出力は、形成しつつある膜の中に、流動を誘発する化学的中間体の形成を引き起こすように、比較的低い。３００ｍｍ基板に対して、電力は、１０〜３５０Ｗの範囲内でありうる。電力密度は、本発明の実施形態において、パターン形成された基板面積の１平方センチメートル当たり０．３Ｗ未満若しくは約０．３Ｗ、１平方センチメートル当たり０．２５Ｗ未満若しくは約０．２５Ｗ、１平方センチメートル当たり０．２Ｗ未満若しくは約０．２Ｗ、又は１平方センチメートル当たり０．１５Ｗ未満若しくは約０．１５Ｗでありうる。電力は、誘電体層の形成の間、開示される実施形態において、パルスよりむしろ連続的にオンでありうる。開示される実施形態において、プラズマを発生させることは、（パターン形成された表面積の１平方センチメートル当たり）０．０２５Ｗから０．３０Ｗまでのプラズマ出力を基板処理領域に印加することを意味する。パターン形成された表面積は、パターン形成された特徴を通過する単一の平面上（一般には、基板の頂面上）の面積として計算される。プラズマ励起はまた、紫外（ＵＶ）光を基板処理領域の中へ照射することにより、遂行されうる。
【００１９】
ケイ素前駆体を流すことは、流動性を有する誘電体層の形成の間中、基板処理領域へケイ素前駆体の連続的な流れを供給することを含む。同様に、プラズマを発生させることは、流動性を有する誘電体層の形成の間中、プラズマ出力を連続的に印加することを含む。ケイ素前駆体の流れ又はプラズマ出力のいずれか（及び、もちろん、両方）をパルスにすることは、本明細書で記載される、好ましい流動性を有する誘電体膜ではなく、共形膜に帰結することが、見出された。本発明の実施形態において、プラズマ蒸気／ガスの流れもまた、流動性を有する誘電体層の形成の間中、連続的である。
【００２０】
基板処理領域の中で、ケイ素前駆体及びプラズマ蒸気／ガスが、プラズマの中で混合し反応し、堆積基板上に流動性を有する誘電体膜を堆積させる。本発明の実施形態において、流動性を有する誘電体膜は、ケイ素、窒素、及び水素を含有し、これらの元素のみから構成されうる。堆積される誘電体膜は、従来の窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）膜堆積技術と違って、流動性を有する特質を持つ。形成の間の流動性を有する性質は、膜が、固化する前に、狭い特徴の中へ流れることを可能にする。ケイ素前駆体と三フッ化窒素の両方とも、窒素を含有することができるので、ケイ素‐窒素‐及び水素を含有する膜の中の窒素は、プラズマ蒸気／ガスとケイ素前駆体の両方に由来しうる。
【００２１】
ケイ素含有膜の流動性は、上記のように、低強度局所プラズマの存在の中で、本明細書で概説される、プラズマ蒸気／ガスをケイ素前駆体と混合させることから生ずる、種々の特性によるものでありうる。これらの特性は、水素及び／又はハロゲン末端を持ちうる短鎖ポリシラザンポリマーの存在を含みうる。これらの短鎖は、成長し、網状になり、膜の形成の間及び後に、より高密度な誘電体材料を形成する。例えば、堆積される膜は、シラザン型の、Ｓｉ‐ＮＨ‐Ｓｉ バックボーン（すなわち、炭素フリーのＳｉ‐Ｎ‐Ｈ膜）を持ちうる。
【００２２】
幾つかの実施形態において、基板処理領域の中のプラズマに供給される全ての前駆体は、炭素フリーであり、それゆえ、堆積されるケイ素‐窒素‐フッ素‐及び‐水素を含有する膜もまた、実質的に炭素フリーである。もちろん、「炭素フリー」は、膜が痕跡量の炭素さえ欠いていることを、必ずしも意味しない。炭素混入物が、堆積されるケイ素‐及び‐窒素を含有する前駆体の中に入り込む前駆体材料の中に存在しうる。これらの炭素不純物の量は、しかしながら、炭素部分を持つケイ素前駆体（例えば、ＴＥＯＳ、ＴＭＤＳＯ、その他）の中に見出されるであろう量より、はるかに少ない。
【００２３】
ケイ素前駆体及びプラズマ蒸気／ガスはまた、上記の窒化ケイ素よりむしろ、炭化ケイ素又は炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）を形成するために、選択されうる。全ての場合において、窒化ケイ素、炭化ケイ素又はＳｉＣＮは、膜の流動性を促進しうる幾らかの水素を含有しうる。流動性を有する誘電体膜は、開示される実施形態において、ケイ素、炭素及び水素から構成される。流動性を有する誘電体膜はまた、ケイ素及び炭素から構成されうる。流動性を有する誘電体膜は、開示される実施形態において、ケイ素、窒素及び水素から構成される。流動性を有する誘電体膜はまた、ケイ素及び窒素から構成されうる。流動性を有する誘電体膜は、開示される実施形態において、ケイ素、炭素、窒素及び水素から構成される。流動性を有する誘電体膜はまた、ケイ素、炭素及び窒素から構成されうる。
【００２４】
流動性を有する誘電体層の堆積の間の基板の温度は、開示される実施形態において、２００℃未満若しくは約２００℃、１５０℃未満若しくは約１５０℃、１２５℃未満若しくは約１２５℃、１００℃未満若しくは約１００℃、７５℃未満若しくは約７５℃、５０℃未満若しくは約５０℃、又は３０℃未満若しくは約３０℃でありうる。例えば、基板温度は、シリルアミン及びプラズマ蒸気／ガスからケイ素‐窒素‐水素化物膜を成長させている間、１５０℃未満でありうる。別の例について、基板温度は、高次シラン及びプラズマ蒸気／ガスからケイ素‐窒素‐水素化物膜を成長させている間、８０℃未満でありうる。開示される実施形態においてまた、基板温度は、任意の次数のハロゲン化シラン及びプラズマ蒸気／ガスからケイ素‐窒素‐水素化物膜を成長させている間、１５０℃未満でありうる。
【００２５】
堆積の間の基板処理領域の中の圧力は、開示される実施形態において、５トルより大きい若しくは約５トル、１０トルより大きい若しくは約１０トル、１５トルより大きい若しくは約１５トル又は２０トルより大きい若しくは約２０トルでありうる。堆積の間の基板処理領域の中の圧力は、開示される実施形態において、５０トルより小さい若しくは約５０トル、４０トルより小さい若しくは約４０トル又は３０トルより小さい若しくは約３０トルでありうる。本発明の実施形態により、追加の圧力範囲に到達するために、上限は下限と組み合わされうる。流動性を有する誘電体膜の堆積速度は、開示される実施形態において、４００Å／分より大きい若しくは約４００Å／分、５００Å／分より大きい若しくは約５００Å／分、６００Å／分より大きい若しくは約６００Å／分、又は７００Å／分より大きい若しくは約７００Å／分でありうる。固化後の堆積された誘電体層の厚さは、バルクスピンオン技術（ＳＯＧ、ＳＯＤ）を用いて可能であるよりも、はるかに小さいことがありうる。厚さは、開示される実施形態において、２５ｎｍより小さい若しくは約２５ｎｍ、２０ｎｍより小さい若しくは約２０ｎｍ、１５ｎｍより小さい若しくは約１５ｎｍ又は１０ｎｍより小さい若しくは約１０ｎｍでありうる。これらの厚さは、パターン形成された基板の主面に垂直に測定され、そして、堆積された膜の流動性の特質が弱まった後に測定される。
【００２６】
任意選択のステップが、次に記載され、膜を硬化する（初期の膜を流動可能にしたが、もはや必要ない幾つかの構成要素を除去する）のに役立つ。流動性を有する誘電体膜の堆積に続いて、堆積基板は、揮発性種を除去するために、高められた温度で処理されうる。堆積基板は、硬化のために基板処理領域に残ってもよいし、又は、基板は、熱処理が行われる別のチャンバに移送されてもよい。基板の硬化温度は、開示される実施形態において、６００℃未満若しくは約６００℃、４００℃未満若しくは約４００℃、３００℃未満若しくは約３００℃、２５０℃未満若しくは約２５０℃、２００℃未満若しくは約２００℃、又は１５０℃未満若しくは約１５０℃でありうる。基板の温度は、本発明の実施形態において、室温（２５℃）より大きい若しくは約室温（２５℃）、５０℃より大きい若しくは約５０℃、１００℃より大きい若しくは約１００℃、１５０℃より大きい若しくは約１５０℃、又は２００℃より大きい若しくは約２００℃でありうる。追加の開示される実施形態によれば、任意の上限が任意の下限と組み合わされ、基板温度のための追加の範囲を形成しうる。
【００２７】
すでに論じたように、硬化作業は、堆積チャンバの中で起こってもよいし、又は基板はエクスシトゥ硬化チャンバに移送されてもよい。いずれの場合も、堆積作業及び硬化作業が繰り返され、堆積‐硬化‐堆積‐硬化処理シーケンスを形成しうる。プラズマ処理が、硬化作業の間、基板処理領域の中に存在しうるし、そして、プラズマは、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）又は容量結合プラズマ（ＣＣＰ）でありうる。プラズマは、開示される実施形態において、高密度プラズマ（ＨＤＰ）でありうる。プラズマ処理は、高周波（ＲＦ）域（例えば、１３．５６ＭＨｚ）又はマイクロ波周波域（例えば、２．４ＧＨｚ）の中の周波数で電力を印加することにより、行われうる。プラズマは、本発明の実施形態において、ＮＨ３、Ａｒ、Ｎ２、Ｃｌ２、又はＨｅなどの種々のプラズマ入力ガスから形成されうる。
【００２８】
パターン形成された基板は、基板上に形成されるデバイス構成要素（例えば、トランジスタ）の間隔及び構造のための複数の間隙を持ちうる。間隙は、１：１よりもかなり大きい（例えば、５：１又はそれより大きい、６：１又はそれより大きい、７：１又はそれより大きい、８：１又はそれより大きい、９：１又はそれより大きい、１０：１又はそれより大きい、１１：１又はそれより大きい、１２：１又はそれより大きい、その他）、幅に対する高さのアスペクト比（ＡＲ）（すなわち、Ｈ／Ｗ）を定める高さと幅を持ちうる。多くの例において、高いＡＲは、約９０ｎｍから約２２ｎｍ又はそれ未満までの範囲にわたる小さい間隙幅（例えば、９０ｎｍ未満、６５ｎｍ、５０ｎｍ、４５ｎｍ、３２ｎｍ、２２ｎｍ、１６ｎｍ、など）のためである。流動性を有する誘電体層が望ましいのは、それが、非流動性膜、又はスピンオングラス（ＳＯＧ）及びスピンオン誘電体（ＳＯＤ）などのスピンオン技術を用いるバルク流動性膜よりも容易に、例示的な狭い間隙を充填することができるからである。流動性を有する材料の薄層を堆積することは、完全に充填される前に間隙の上部を早くに詰まらせ、間隙の途中にボイドを残す可能性を低下させる。誘電体層は、流動性を有する堆積の後に固化されうる。追加のパラメータが、例示的な酸化ケイ素堆積システムの記述の間に導入されうる。
【００２９】
例示的な酸化ケイ素堆積システム
本発明の実施形態を実施しうる堆積チャンバは、高密度プラズマ化学気相堆積（ＨＤＰ‐ＣＶＤ）チャンバ、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）チャンバ、低大気圧化学気相堆積（ＳＡＣＶＤ）チャンバ、及び熱化学気相堆積チャンバ、その他の型のチャンバ、を含みうる。本発明の実施形態を実施しうるＣＶＤシステムの特定の例は、Ｓａｎｔａ  Ｃｌａｒａ、Ｃａｌｉｆ．のＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．から入手可能な、ＣＥＮＴＵＲＡ  ＵＬＴＩＭＡ（登録商標）ＨＤＰ−ＣＶＤチャンバ／システム、及びＰＲＯＤＵＣＥＲ（登録商標） ＰＥＣＶＤチャンバ／システムを含む。
【００３０】
本発明の例示的な方法とともに用いることができる基板処理チャンバの例は、 全ての目的のためにその内容全体が参照により本明細書に組み込まれる、Ｌｕｂｏｍｉｒｓｋｙ他の、２００６年５月３０日に出願された、「ＰＲＯＣＥＳＳ  ＣＨＡＭＢＥＲ  ＦＯＲ  ＤＩＥＬＥＣＴＲＩＣ  ＧＡＰＦＩＬＬ」なる名称の、同時譲渡された米国特許仮出願第６０／８０３，４９９号の中に示され、記載されるチャンバを含みうる。追加の例示的なシステムは、これもまた全ての目的のために参照により本明細書に組み込まれる、米国特許第６，３８７，２０７号及び第６，８３０，６２４号に示され、記載されるシステムを含みうる。
【００３１】
堆積システムの実施形態は、集積回路チップを生産するためのより大きな製造システムの中に組込まれうる。図２は、開示される実施形態による、堆積、焼成及び硬化チャンバの一つのそのようなシステム１００１を示す。図において、１対のＦＯＵＰ（前方開口型統一ポッド）１００２が、ロボットアーム１００４によって受け取られ、ウェハ処理チャンバ１００８ａ‐ｆのうちの一つの中に置かれる前に低圧ホールドエリア１００６の中に置かれる基板（例えば、３００ｍｍ直径ウェハ）を供給する。第二のロボットアーム２１０が、ホールドエリア１００６から処理チャンバ１００８ａ‐ｆへ、及びその逆方向に、基板ウェハを輸送するために用いられうる。
【００３２】
処理チャンバ１００８ａ‐ｆは、基板ウェハ上で流動性を有する誘電体膜を堆積し、アニールし、硬化し、及び／又はエッチングするための一つ又は複数のシステム構成要素を含んでよい。一つの構成において、２対の処理チャンバ（例えば、１００８ｃ‐ｄ及び１００８ｅ‐ｆ）が、流動性を有する誘電体材料を基板上に堆積するために使用されてもよく、そして、第三の対の処理チャンバ（例えば、１００８ａ‐ｂ）が、堆積された誘電体をアニールするために使用されてもよい。他の構成において、同じ２対の処理チャンバ（例えば、１００８ｃ‐ｄ及び１００８ｅ‐ｆ）が、基板上で流動性を有する誘電体膜を堆積もアニールもするように構成されてもよく、一方、第三の対のチャンバ（例えば、１００８ａ‐ｂ）が、堆積された膜のＵＶ又は電子ビーム硬化のために使用されてもよい。更に別の構成において、３対全てのチャンバ（例えば、１００８ａ‐ｆ）が、基板上に流動性を有する誘電体膜を堆積させ、そして硬化させるように構成されてもよい。更に別の構成において、２対の処理チャンバ（例えば、１００８ｃ‐ｄ及び１００８ｅ‐ｆ）が、流動性を有する誘電体の堆積及びＵＶ又は電子ビーム硬化の両方のために使用されてもよいし、一方、第三の対の処理チャンバ（例えば、１００８ａ‐ｂ）が、誘電体膜をアニールするために使用されてもよい。記載されるプロセスのうちの任意の一つ又は複数が、種々の実施形態に示される製造システムから分離されたチャンバ（複数可）上で実行されうる。
【００３３】
加えて、処理チャンバ１００８ａ‐ｆのうちの一つ又は複数が、湿式処理チャンバとして構成されうる。これらの処理チャンバは、湿気を含む雰囲気中で流動性を有する誘電体膜を加熱することを含む。従って、システム１００１の実施形態は、堆積された誘電体膜に湿式アニール及びドライアニールの両方を行うための、湿式処理チャンバ１００８ａ‐ｂ及びアニール処理チャンバ１００８ｃ‐ｄを含みうる。
【００３４】
図３Ａは、開示される実施形態による、基板処理チャンバ１１０１である。遠隔プラズマシステム（ＲＰＳ）１１１０は、ガス入り口アセンブリ１１１１をその後に通過するガスを処理しうる。二つの別個のガス供給チャネルが、ガス入り口アセンブリ１１１１の中に見える。第一のチャネル１１１２が、遠隔プラズマシステム（ＲＰＳ）１１１０を通過するガスを運び、一方、第二のチャネル１１１３は、ＲＰＳ１１１０を迂回する。開示される実施形態において、第一のチャネル１１１２が、プロセスガスのために使用されてよく、そして、第二のチャネル１１１３が、処理ガスのために使用されてよい。リッド（又は導電性最上部）１１２１及び貫通孔のあるパーティション（シャワーヘッド１１５３）が、その間にある絶縁リング１１２４とともに示され、このリングは、ＡＣ電位が、シャワーヘッド１１５３に対してリッド１１２１に印加されることを可能にする。プロセスガスは、第一のチャネル１１１２を通って、チャンバプラズマ領域１１２０の中へ進み、そして、チャンバプラズマ領域１１２０のみの中のプラズマによって、又はＲＰＳ１１１０と組み合わされて、励起されうる。チャンバプラズマ領域１１２０及び／又はＲＰＳ１１１０の組合せは、本明細書の中で、遠隔プラズマシステムと呼ばれうる。貫通孔のあるパーティション（シャワーヘッドとも呼ばれうる）１１５３は、チャンバプラズマ領域１１２０を、シャワーヘッド１１５３の下の基板処理領域１１７０から分離する。シャワーヘッド１１５３は、チャンバプラズマ領域１１２０の中にあるプラズマが、基板処理領域１１７０の中のガスを直接に励起することを回避することを可能にするが、それにも関わらず、励起された種が、チャンバプラズマ領域１１２０から基板処理領域１１７０の中へ進むことを可能にする。
【００３５】
シャワーヘッド１１５３は、チャンバプラズマ領域１１２０と基板処理領域１１７０の間に配置され、チャンバプラズマ領域１１２０の内部で作られるプラズマ廃水（前駆体の励起された誘導体又は他のガス）が、プレートの厚さを横切る複数の貫通孔１１５６を通過することを可能にする。シャワーヘッド１１５３はまた、（ケイ素含有前駆体などの）蒸気又はガスの形の前駆体で充填されることができ、そして、小さな孔１１５５を通って基板処理領域１１７０の中へ進むが、直接にチャンバプラズマ領域１１２０の中へ進まない、一つ又は複数の中空の容積１１５１を持つ。シャワーヘッド１１５３は、この開示される実施形態において、貫通孔１１５６の最小直径１１５０の長さより厚い。チャンバプラズマ領域１１２０から基板処理領域１１７０へ通る励起種のかなり大きい濃度を維持するために、貫通孔の最小直径１１５０の長さ１１２６は、シャワーヘッド１１５３を通って途中まで貫通孔１１５６のより大きな直径部分を形成することにより、制限されうる。貫通孔１１５６の最小直径１１５０の長さは、開示される実施形態において、貫通孔１１５６の最小直径と同じ桁又はそれより小さい桁でありうる。
【００３６】
示される実施形態において、シャワーヘッド１１５３は、アンモニア及びケイ素前駆体などのプラズマ蒸気／ガスを含有するプロセスガスを（貫通孔１１５６を経由して）分配しうる。実施形態において、局所プラズマのみが必要であるので、前駆体は、チャンバプラズマ領域１１２０の中で励起されなくてもよい。このプロセスは、基板処理領域１１７０内での局所プラズマによる励起を含むので、任意の前駆体が、貫通孔１１５６又は小さな孔１１５５のいずれかを経由して、基板処理領域１１７０の中へ供給されうることに留意のこと。プロセスガスが、基板処理領域１１７０に入り、局所プラズマの中で励起され、パターン形成された基板上に流動性を有する誘電体層を形成する。
【００３７】
実施形態において、貫通孔１１５６の数は、約６０から約２０００の間でありうる。貫通孔１１５６は、様々な形を持ちうるが、最も容易に、円形に作られる。貫通孔１１５６の最小直径１１５０は、開示される実施形態において、約０．５ｍｍから約２０ｍｍの間、又は約１ｍｍから約６ｍｍの間でありうる。貫通孔の断面形状を選択するに際しても自由裁量があり、それは、円錐形、円柱形、又はその二つの形状の組合せでありうる。基板処理領域１１７０の中にガスを導入するために用いられる小さな孔１1５５の数は、異なる実施形態において、約１００から約５０００の間、又は約５００から約２０００の間でありうる。小さい孔１１５５の直径は、約０．１ｍｍと約２ｍｍの間でありうる。
【００３８】
図３Ｂは、開示される実施形態による、処理チャンバとともに用いられるためのシャワーヘッド１１５３の底面図である。シャワーヘッド１１５３は、図３Ａに示されるシャワーヘッドに対応する。シャワーヘッド１１５３の底部により大きい内径（ＩＤ）を有し、上部により小さいＩＤを有する貫通孔１１５６が、描かれている。小さい孔１１５５が、シャワーヘッドの表面上にわたって、貫通孔１１５６の間でさえ、実質的に均等に分布され、本明細書に記載される他の実施形態よりもより均等な混合を提供することに役立つ。
【００３９】
シャワーヘッド１１５３の中の貫通孔１１５６を通って到着するプラズマ廃水が、中空の容積１１５１から発し、小さい孔１１５５を通って到着するケイ素含有前駆体と結合するときに、例示的な膜が、基板処理領域１１７０の内部のペデスタル（示されていない）によって支持される基板上に作られる。基板処理領域１１７０は、硬化などの他のプロセスのためにプラズマをサポートするように装備されうるけれども、例示的な膜の成長の間、プラズマは存在しない。
【００４０】
プラズマは、シャワーヘッド１１５３上のチャンバプラズマ領域１１２０の中で、又はシャワーヘッド１１５３の下の基板処理領域１１７０の中で、発生されうる。プラズマは、窒素及び水素含有ガスの流入からラジカル窒素前駆体を作り出すために、チャンバプラズマ領域１１２０の中に存在する。堆積の間にチャンバプラズマ領域の中にプラズマを発生させるために、通常、高周波（ＲＦ）域内にあるＡＣ電圧が、処理チャンバの導電性最上部（リッド１１２１）とシャワーヘッド１１５３の間に印加される。ＲＦ電源が、１３．５６ＭＨｚの高いＲＦ周波数を発生させるが、単独で又は１３．５６ＭＨｚ周波数と組合せて、他の周波数をも発生させうる。
【００４１】
基板処理領域１１７０の中の底部プラズマが、誘電体層の形成の間に又は基板処理領域１１７０を縁取る内部表面を洗浄する間にターンオンされるときに、上部プラズマは、低電力で又は電力なしで残されうる。基板処理領域１１７０の中のプラズマは、シャワーヘッド１１５３とペデスタル又はチャンバの底部の間にＡＣ電圧を印加することにより、生成される。洗浄ガスが、プラズマが存在している間、基板処理領域１１７０の中に導入されうる。
【００４２】
それを通って熱交換流体が基板の温度を制御するために流れる熱交換チャネルを、ペデスタルは有してもよい。この構成は、基板温度が、比較的低い温度（室温から約１２０℃まで）を維持するように冷却又は加熱されることを可能にする。熱交換流体は、エチレングリコール及び水を含みうる。ペデスタルのウェハ支持体プラター（好ましくは、アルミニウム、セラミック、又はその組合せ）もまた、平行な同心円の形に２回転するように構成される埋め込まれた単一ループの埋め込まれたヒータ要素を用いて、比較的高い温度（約１２０℃から約１１００℃まで）を達成するために、抵抗加熱されうる。ヒータ要素の内側部分が、より小さい半径を持つ同心円の軌道上を走る一方で、ヒータ要素の外側部分は、支持プラターの周囲に隣接して走ってよい。ヒータ要素への配線は、ペデスタルの脚を通る。
【００４３】
基板処理システムは、システムコントローラによって制御される。例示的な実施形態において、システムコントローラは、ハードディスクドライブ、フロッピーディスクドライブ及びプロセッサを含む。プロセッサは、シングルボードコンピュータ（ＳＢＣ）、アナログ及びデジタル入力／出力ボード、インターフェースボード及びステッパモータコントローラボードを含む。ＣＶＤシステムの種々の部品は、ボード、カードケージ、及びコネクタの寸法及び型を定めるＶｅｒｓａ  Ｍｏｄｕｌａｒ  Ｅｕｒｏｐｅａｎ  （ＶＭＥ）規格に従う。ＶＭＥ規格はまた、バス構造を、１６ビットデータバス及び２４ビットアドレスバスを持つものと定める。
【００４４】
システムコントローラは、堆積システムの活動の全てを制御する。システムコントローラは、コンピュータ可読媒体の中に格納されるコンピュータプログラムである、システム制御ソフトウェアを実行する。好ましくは、媒体は、ハードディスクドライブであるが、媒体は、他の種類の記憶装置であってもよい。コンピュータプログラムは、特定のプロセスの、タイミング、ガスの混合、チャンバ圧力、チャンバ温度、ＲＦ電力レベル、サセプタ位置、及び他のパラメータを指示する命令のセットを含む。例えば、フロッピーディスク又は他の適当なドライバを含む、他の記憶装置上に格納された他のコンピュータプログラムが、システムコントローラに指示するために用いられてもよい。
【００４５】
基板上に膜スタックを堆積させ、膜を酸化ケイ素に変えるためのプロセス、又はチャンバを洗浄するためのプロセスが、システムコントローラにより実行されるコンピュータプログラム製品を用いて実行されることができる。コンピュータプログラムコードは、任意の通常のコンピュータ可読プログラミング言語、例えば、６８０００アセンブリ言語、Ｃ、Ｃ＋＋、Ｐａｓｃａｌ、Ｆｏｒｔｒａｎ、又はその他、で書くことができる。適当なプログラムコードが、通常のテキストエディタを用いて、単一のファイル又は複数のファイルの中に入れられ、そして、コンピュータのメモリシステムなどの、コンピュータ使用可能媒体の中に格納又は取り入れられる。入れられたコードテキストが、高級言語である場合、コードはコンパイルされ、結果として生じるコンパイラコードが、その後、プリコンパイルされたＭｉｃｒｏｓｏｆｔ  Ｗｉｎｄｏｗｓ（登録商標）ライブラリルーチンのオブジェクトコードとリンクされる。リンクされ、コンパイルされたオブジェクトコードを実行するために、システムのユーザは、オブジェクトコードを呼び出し、コンピュータシステムが、コードをメモリの中にロードするようにさせる。ＣＰＵは、それから、コードを読み、実行し、プログラムの中に同定されているタスクを行なう。
【００４６】
ユーザとコントローラとの間のインターフェースは、フラットパネルタッチセンスモニタによる。好適な実施形態において、二つのモニタが用いられ、一つはオペレータのためにクリーンルームの壁の中に据え付けられ、もう一つはサービス技術者のために壁の後ろに据え付けられる。二つのモニタが、同じ情報を同時に表示してもよく、その場合、一度に一つだけが、入力を受け取る。特定のスクリーン又は機能を選択するために、オペレータは、タッチセンスモニタの指定された領域をタッチする。タッチされた領域は、ハイライト表示される色を変化させ、又は新しいメニュー若しくはスクリーンが表示され、オペレータとタッチセンスモニタの間の伝達を確認する。キーボード、マウス、又は他のポインティング若しくは通信装置などの他の装置が、ユーザがシステムコントローラと通信することを可能にするために、タッチセンスモニタの代わりに又はそれに加えて使用されうる。
【００４７】
本明細書で使用されるとき、「基板」は、その上に形成される層を有する又は有しない支持基板でありうる。支持基板は、種々のドーピング濃度及びプロファイルの絶縁体又は半導体であってよく、例えば、集積回路の製造で使用されるタイプの半導体基板であってよい。「酸化ケイ素」の層は、窒素、水素、炭素などの、少数濃度の他の元素成分を含みうる。幾つかの実施形態において、酸化ケイ素は、本質的にケイ素と酸素から成る。「前駆体」という用語は、材料を基板から除去する又は材料を基板上に堆積させる反応に関与する任意のプロセスガスを指すために用いられる。「励起状態」にあるガスは、ガス分子のうちの少なくとも一部が、振動励起状態、解離状態及び／又はイオン化状態であるガスを記述する。ガス（又は前駆体）は、二つ又は複数のガス（又は前駆体）の組合せでありうる。「ラジカル前駆体」は、材料を表面から除去する又は材料を表面上に堆積するための反応に関与するプラズマ廃水（プラズマを出て行きつつある励起状態にあるガス）を記述するために用いられる。「ラジカル窒素前駆体」は、窒素を含有するラジカル前駆体であり、「ラジカル水素前駆体」は、水素を含有するラジカル前駆体である。「不活性ガス」という語句は、膜をエッチングするとき又は膜の中に組み入れられるときに、化学結合を形成しない任意のガスを指す。例示的な不活性ガスは、希ガスを含むが、（典型的には）痕跡量が膜の中にトラップされるときに、いかなる化学結合も形成されない限り、他のガスを含みうる。
【００４８】
「トレンチ」という用語は、エッチングされる形状寸法が大きな水平アスペクト比を持つということを含意せずに、終始用いられる。表面上から見ると、トレンチは、円形、長円形、多角形、長方形、又は種々の他の形に見えうる。「ビア」という用語は、垂直の電気的接続を形成するために、金属で充填されていてもよいし又はされていなくてもよい低アスペクト比トレンチを指すために、用いられる。本明細書で使用されるとき、共形層とは、ある表面上にある、その表面と同じ形状の、概して均一な材料層を指し、すなわち、層の表面と、覆われている表面とが、概して平行である。当業者は、堆積される材料は、１００％共形ということはありそうにないということを認めるであろうから、「概して」という用語は、受入可能な許容範囲を見込む。
【００４９】
幾つかの実施形態を記載してきたが、様々な修正、代替的な構成、及び同等物が、本発明の精神から逸脱することなく、用いられうるということが、当業者により認められるであろう。加えて、本発明を不必要に不明瞭にすることを回避するために、幾つかの既知のプロセス及び要素が、記載されなかった。従って、上記記載は、本発明の範囲を制限するとみなされるべきではない。
【００５０】
値の範囲が与えられる場合、その範囲の上限と下限の間に入る各値もまた、明らかに文脈が異なって要求していない限り、下限の単位の１０分の１まで、明確に開示される、ということが理解される。述べられた範囲の中の任意の述べられた値又は範囲の中に入っている値と、その述べられた範囲の中の任意の他の述べられた値又は範囲の中に入っている値との間の、より小さい範囲の各々が、包含される。これらのより小さい範囲の上限及び下限は、範囲の中に、独立に、含まれてもよいし、除外されてもよいし、そして、上限下限のいずれか又は両方が、より小さい範囲に含まれる、又はいずれも含まれない、範囲の各々もまた、述べられた範囲の中の任意の明確に除外される上限又は下限を条件として、本発明の中に包含される。述べられた範囲が上限下限の一つ又は両方を含む場合、それらの含まれる上限下限のいずれか又は両方を除外する範囲もまた含まれる。
【００５１】
本明細書及び添付の特許請求の範囲において用いられる場合、単数形「一つの（ａ）」、「一つの（ａｎ）」、及び「その（ｔｈｅ）」は、明らかに文脈が異なった要求をしていない限り、複数の参照対象を含む。したがって、例えば、「一つのプロセス（ａ  ｐｒｏｃｅｓｓ）」への参照は、複数のそのようなプロセスを含み、「その前駆体（ｔｈｅ  ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ）」への参照は、一つ又は複数の前駆体及び当業者に既知のその同等物への参照を含む、等々である。
【００５２】
また、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）」、「含んでいる（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅ）」、「含んでいる（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」及び「含む（ｉｎｃｌｕｄｅｓ）」という言葉は、本明細書及び以下の特許請求の範囲において用いられる場合、述べられている特徴、整数、構成要素又はステップの存在を明示するように意図されているが、一つ又は複数の他の特徴、整数、構成要素、ステップ、行為又はグループの存在又は追加を排除しない。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【国際調査報告】
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