(57)【要約】複数のオプトエレクトロニクス部品（１００）を製造する方法は、キャリア（１１４）の上に配置される半導体ボディ（１０１）を設けるステップと、光伝導性転移要素（１２０）によって半導体ボディ（１０１）に変換材料（１０５）を塗布するステップと、を含んでいる。
2015523738.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス部品（１００）を製造する方法であって、
−  キャリア（１１４）の上に配置される半導体ボディ（１０１）を設けるステップと、
−  光伝導性転移要素（１２０）によって前記半導体ボディ（１０１）に変換材料（１０５）を塗布するステップと、
を含んでいる、方法。
【請求項２】
前記変換材料（１０５）を塗布する前記ステップが、
−  前記光伝導性転移要素（１２０）を静電的に帯電させるステップと、
−  指定されるパターンに従って前記光伝導性転移要素の領域を放電させるステップと、
−  前記変換材料（１０５）を静電引力によって前記光伝導性転移要素（１２０）に塗布するステップと、
−  前記光伝導性転移要素（１２０）から前記変換材料（１０５）を電磁界によって前記半導体ボディ（１０１）に転移するステップと、
を含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記転移要素の領域が、光の照射（１３１）によって放電される、
請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記変換材料（１０５）が、塗布された後に固定される、
請求項１から請求項３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
固定する前記ステップが、熱的に、または固定層を形成することによって、実施される、
請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記変換材料（１０５）が、光伝導的に被覆されたローラーまたは光伝導的に被覆された帯状片によって塗布される、
請求項１から請求項５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記変換材料（１０５）が粉末（１１６）の形で塗布される、
請求項１から請求項６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
−  第２の変換材料１０４を含んでいる変換層（１０７）を、少なくとも、前記キャリア（１１４）とは反対側の前記半導体ボディ（１０１）の面（１０５）、に形成するステップと、
−  前記半導体ボディ（１０１）の少なくとも１つの特性変数の値を求めるステップと、
−  前記特性変数の前記求められたそれぞれの値を指定される所望の値と比較し、求められた値と指定される所望の値との間のそれぞれの差異を求めるステップと、次いで、
−  前記半導体ボディ（１０１）の領域（１０９）において、前記それぞれ求められた差異に従って前記光伝導性転移要素（１２０）によって前記変換材料（１０５）を前記変換層（１０７）に塗布するステップと、
を含んでいる、請求項１から請求項７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記少なくとも１つの特性変数の値を求める前記ステップそれぞれが、
−  前記被覆されたそれぞれの半導体ボディによって放出される放射の波長、前記被覆されたそれぞれの半導体ボディによって放出される放射のスペクトル、前記被覆されたそれぞれの半導体ボディによって放出される放射の色度座標、前記被覆された半導体ボディの効率、のうちの少なくとも１つを求めるステップ、
を含んでいる、
請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記指定されるパターンが、前記求められた差異に従って指定される、
請求項が請求項２を参照する請求項８または請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
−  前記キャリア（１１４）の上に複数の半導体ボディ（１０１，１０２，１０３）が設けられ、
−  前記複数の半導体ボディ（１０１，１０２，１０３）の前記半導体ボディの前記少なくとも１つの特性変数それぞれの値を求めるステップと、
−  前記特性変数それぞれの求められた値と指定される所望の値とを比較し、求められた値とそれぞれ指定される所望の値との間のそれぞれの差異を求めるステップと、次いで、
−  前記複数の半導体ボディ（１０１，１０２，１０３）の前記半導体ボディの領域（１０９，１１９）それぞれにおいて、前記それぞれ求められた差異に従って前記光伝導性転移要素（１２０）によって前記変換層（１０７）に前記変換材料（１０５）を塗布するステップと、
を含んでいる、請求項８から請求項１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記変換層を塗布する前記ステップが、
ドクターナイフを使用しての被覆、スプレーコーティング、浸漬コーティング、スクリーン印刷、ステンシル印刷、スピン印刷、
のうちの少なくとも１つを含んでいる、
請求項８から請求項１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
−  前記光伝導性転移要素（１２０）によってマトリックス材料を前記半導体ボディ（１０１）に塗布するステップ、
を含んでいる、請求項１から請求項１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記変換材料（１０５）を前記半導体ボディ（１０１）に塗布する前記ステップが、
−  前記変換材料（１０５）を前記光伝導性転移要素（１２０）によってさらなる転移要素に塗布するステップと、
−  前記さらなる転移要素（１２０）から前記半導体ボディ（１０１）に前記変換材料（１０５）を転移するステップと、
を含んでいる、
請求項１から請求項１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記さらなる転移要素がウェハを備えており、
−  前記変換材料（１０５）の少なくとも１つの物理特性が、前記変換材料（１０５）が前記さらなる転移要素に塗布された後、前記半導体ボディ（１０１）に転移される前に、変化する、
請求項１４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、オプトエレクトロニクス部品、詳細には、チップによって放出される放射の少なくとも一部分が波長変換されるオプトエレクトロニクス部品、を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
オプトエレクトロニクス部品（例えばＬＥＤチップ）によって生成される光を変換することは、例えば、青色発光ＬＥＤチップを用いて加法混色によって白色光を生成する目的で使用されている。チップによって放出される光は、完全に、または一部分を変換することができる。変換体は、例えば、高分子マトリックスに埋め込まれている染料や、焼結された蛍光体粒子からなるセラミックプレートレットである。変換の程度は、例えば、変換体プレートレットの層厚および空隙率、粒子の大きさ、温度などのパラメータによって決まる。チップ変換システムを製造する目的で、しばしば層転移（layer transfer）によってチップの上に変換体プレートレットが配置される。
【０００３】
チップ変換システムの色度座標は、指定された色度座標にできる限り正確に一致するように意図されており、一緒に製造されるすべてのシステムの色度座標が均一である、または特定の分布が望ましいことがある。この目的のため、ウェハの個々のチップ変換システムが、それぞれの色度座標に応じて例えば個片化に従って分類される。システムの色度座標の分布は、さまざまな影響の理由、例えばチップの方向特性のばらつき、チップ表面と変換体プレートレットとの間の接着剤層の厚さのばらつき、変換体プレートレットを配置するときのばらつきの理由によって、極めて広い。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
オプトエレクトロニクス部品の少なくとも１つの特性を指定された所望の値に正確かつ高い費用効果で適合させることのできる、オプトエレクトロニクス部品の製造方法を提供することが望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施形態においては、オプトエレクトロニクス部品の製造方法は、キャリアの上に配置される半導体ボディを設けるステップを含んでいる。半導体ボディそれぞれに光伝導性転移要素（photoconductive transfer element）によって変換材料を塗布する。
【０００６】
半導体ボディは、特に、いわゆる人工ウェハの上に設ける。キャリアは、半導体ボディの成長基板とは異なる。さらに、半導体ボディを、接触配線によってキャリアに電気的に結合する。実施形態によると、キャリアの上に複数の半導体を配置する。
【０００７】
光伝導性転移要素によって変換材料を塗布することによって、個々の半導体ボディそれぞれにおける変換材料の量を個別に正確に指定することが可能である。結果として、製造工程時、制御された方法で色度座標を調整することが容易に可能である。
【０００８】
実施形態によると、変換材料を塗布するステップは、光伝導性転移要素を静電的に帯電させるステップを含んでいる。指定されるパターンに従って光伝導性転移要素の領域を放電させる。静電引力によって変換材料が光伝導性転移要素に塗布される。光伝導性転移要素から半導体ボディに変換材料を電磁界によって転移する。
【０００９】
光伝導性転移要素を静電的に帯電させ、次いでその領域を放電させることによって、半導体ボディに塗布される変換材料の量を正確に調整することが可能である。変換材料は、静電引力によって転移要素の非放電領域に引きつけられる。非放電領域は、その後に転移要素に対する半導体ボディの位置に対応する。
【００１０】
複数の半導体ボディが設けられている場合、後から半導体ボディそれぞれの位置に一致する転移要素の領域上に、静電引力によって変換材料が配置される。光伝導性転移要素の領域を放電させることにより、半導体ボディそれぞれに塗布される変換材料の量を調整する。指定されるパターンは、例えば、個々の半導体ボディそれぞれに指定される塗布させる変換材料の量に対応する。したがって、共同工程において、例えば、第１の半導体ボディに、第２の半導体ボディとは独立して、指定される量の変換材料を正確に被覆させることが可能である。
【００１１】
さらなる実施形態によると、光伝導性転移要素の領域を、光の照射によって放電させる。例えば、ＬＥＤによって光を照射する。
【００１２】
実施形態によると、変換材料を塗布した後、変換材料を固定する。固定するステップは、例えば熱的に行う。この目的のため、変換材料は、熱的に活性化することのできる接着剤を含んでいる。さらなる実施形態によると、固定するステップは、変換材料に塗布される固定層によって行う。固定層は、特に、液体の形で塗布され、その後に硬化する。
【００１３】
実施形態によると、変換材料は、粉末の形で塗布される。粉末は、例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、酸化物、窒化物のうちの少なくとも１種類を備えている。さらなる実施形態によると、粉末は、Ｃｅによってドープされたガーネット材料を備えている。変換材料の個々の粒子の大きさは、特に、３〜１５μｍである。
【００１４】
適切な変換材料は、例えば、希土類元素によってドープされたガーネット、希土類元素によってドープされたアルカリ土類硫化物、希土類元素によってドープされたチオガレート、希土類元素によってドープされたアルミン酸塩、希土類元素によってドープされたケイ酸塩、希土類元素によってドープされたオルトケイ酸塩、希土類元素によってドープされたクロロシリケート、希土類元素によってドープされたアルカリ土類窒化ケイ素、希土類元素によってドープされた酸窒化物、希土類元素によってドープされたアルミナ窒化物、希土類元素によってドープされたシリコン窒化物、希土類元素によってドープされたサイアロン、のうちの１種類である。
【００１５】
さらなる実施形態によると、本方法は、第２の変換材料を含む変換層を、少なくとも、キャリアとは反対側の半導体ボディの面に、形成するステップを含んでいる。
【００１６】
半導体ボディの少なくとも１つの特性変数それぞれの値を求める。求めたそれぞれの値を、その特性変数の指定される所望の値と比較する。求めた値と指定される所望の値との間のそれぞれの差異を求める。次いで、それぞれ求めた差異に従って光伝導性転移要素によって半導体ボディの領域において変換材料を変換層に塗布する。
【００１７】
共通のキャリアの上に複数の半導体ボディが配置される場合、各半導体ボディの値を求める。次いで、個々の半導体ボディそれぞれについて、さらに追加的に塗布する変換材料の量を、それぞれの所望の値からの差異に従って求める。次いで、求めた量を、半導体ボディそれぞれの領域に塗布する。したがって、各半導体ボディを、それぞれ指定される所望の値に個別に適合させることが可能である。
【００１８】
第２の変換材料を含む変換層は、ルミネセンス物質が加えられた、放射に対して透過性のマトリックス材料を含んでいることが好ましい。このマトリックス材料は、例えば、ＳｉＯ２もしくはＡｌ２Ｏ３またはその両方を含んでいることができる。さらなる実施形態によると、マトリックス材料は、酸化物もしくは窒化物またはその両方を含んでいる。さらなる実施形態によると、マトリックス材料は、Ｃｅによってドープされたガーネット材料を含んでいる。さらなる実施形態によると、マトリックス材料は、シリコーンまたはポリシラザンを含んでいる。さらに、マトリックス材料は、エポキシドを含んでいる、またはエポキシドからなることもできる。
【００１９】
変換材料は、一般的には、ルミネセンス物質である。例えば、変換材料は、ルミネセンス物質の粒子として形成される。
【００２０】
変換層は、共通のキャリアの上に配置されている半導体ボディすべての上にわたり、特に、途切れることなく延在している。動作時、変換層は、半導体ボディの一次放射の最初の波長変換を行う。しかしながら、この波長変換は、例えば、半導体ボディのそれぞれの一次放射や、第１および第２の半導体ボディの領域における変換層のそれぞれの厚さに応じて、半導体ボディごとに異なる。これらの半導体ボディごとの差異と、指定される所望の値からの差異は、次いで変換材料を追加的に塗布することによって補正される。
【００２１】
実施形態によると、この補正は、転移要素によって塗布することにより簡単かつ正確に行うことができ、特性変数の求められた値と所望の値との間の差異に従って、転移要素の領域の放電が実施され、したがってそれぞれの半導体ボディのための変換材料の量が塗布されるためである。例えば、少なくとも１つの特性変数の値を求めるステップは、被覆されたそれぞれの半導体ボディによって放出される放射の波長、被覆されたそれぞれの半導体ボディによって放出される放射のスペクトル、被覆されたそれぞれの半導体ボディによって放出される放射の色度座標、被覆された半導体ボディの効率、のうちの少なくとも１つを求めるステップを含む。
【００２２】
少なくとも１つの特性変数の値を求め、これによって波長変換を制御する。特性変数の値は、次いで変換材料を塗布することによってもう一度調整される。
【００２３】
複数のオプトエレクトロニクス部品のオプトエレクトロニクス部品それぞれが、指定される特性変数の最大限に正確な値を備えているように、本方法は、多数の類似する半導体ボディを使用することによって複数のオプトエレクトロニクス部品を同時に製造するのに適している。
【００２４】
実施形態によると、光伝導性転移要素によって半導体ボディにマトリックス材料を塗布する。特に、マトリックス材料は、変換層の材料である。マトリックス材料は、例えば、シリコーン、ポリシラザン、変換層のさらなるマトリックス材料のうちの少なくとも１種類を含んでいる。したがって、異種材料の組合せを半導体ボディに転移することが可能である。
【００２５】
実施形態によると、半導体ボディに変換材料を塗布するステップは、光伝導性転移要素によってさらなる転移要素に変換材料を塗布するステップを含んでいる。さらなる転移要素は、例えば、テフロン膜、金属からなるローラー、合成材料からなるローラー、スタンプのうちの少なくとも１つを備えている。変換材料は、さらなる転移要素によって半導体ボディに転移される。さらなる実施形態によると、変換層のマトリックス材料も、変換材料に加えて、さらなる転移要素によって半導体ボディに転移される。
【００２６】
さらなる実施形態によると、さらなる転移要素は、例えばセラミック、ポリシラザン、またはシリコーンからなるウェハを備えている。さらなる転移要素に塗布された後、半導体ボディに転移される前に、変換材料の少なくとも１つの物理特性を変化させる。例えば、セラミックウェハを変換材料とともに焼く。
【００２７】
さらなる特徴、利点、および発展形態は、図１Ａ〜図１Ｅを参照しながら説明する以下の例から明らかになるであろう。同じ要素、類似する要素、または機能が同じ要素には、同じ参照番号を付してある。図示した要素と、互いに対するその大きさの比は、基本的には正しい縮尺ではないものとみなされたい。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１Ａ】例示的な実施形態のさまざまな方法段階におけるオプトエレクトロニクス部品の概略断面図を示している。
【図１Ｂ】例示的な実施形態のさまざまな方法段階におけるオプトエレクトロニクス部品の概略断面図を示している。
【図１Ｃ】例示的な実施形態のさまざまな方法段階におけるオプトエレクトロニクス部品の概略断面図を示している。
【図１Ｄ】例示的な実施形態のさまざまな方法段階におけるオプトエレクトロニクス部品の概略断面図を示している。
【図１Ｅ】例示的な実施形態のさまざまな方法段階におけるオプトエレクトロニクス部品の概略断面図を示している。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
図１Ａは、複数の半導体ボディ１０１，１０２，１０３を示している。半導体ボディ１０１，１０２，１０３それぞれは、エピタキシャル層を備えており、それぞれの成長基板１２に結合されている。
【００３０】
半導体ボディ１０１，１０２，１０３を担持して接触を形成するための平面状キャリア１１４は、それぞれの半導体ボディを電気的に接触させるための第１のコンタクト１１０および第２のコンタクト１１１を各半導体ボディのために備えている。
【００３１】
キャリア１１４は、いわゆるインターポーザーウェハ（interposer wafer）であり、半導体ボディ１０１，１０２，１０３はそれぞれの成長基板１１２なしでこのウェハに貼り付けられる。
【００３２】
図１Ｂは、成長基板から分離されてキャリア１１４に結合されている半導体ボディ１０１，１０２，１０３を示している。半導体ボディ１０１，１０２，１０３それぞれは、第１のコンタクト１１０および第２のコンタクト１１１に電気的に結合されている。個片化線１１３は、一例として、本製造方法の最後にキャリアが個片化される位置を示している。個片化は、半導体ボディ１０１，１０２，１０３の１つとキャリア１１４の一部とを備えたオプトエレクトロニクス部品１００を形成する役割を果たす。半導体ボディ１０１，１０２，１０３をキャリア１１４の上に配置し、それぞれの成長基板１１２を除去した後、ボンディングワイヤの存在しないオプトエレクトロニクス部品からなるいわゆる人工ウェハが得られる。
【００３３】
オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、半導体ボディそれぞれは、オプトエレクトロニクス半導体ボディ、特に、発光ダイオード（略してＬＥＤ）である。特に好ましくは、半導体ボディそれぞれは、エピタキシャルに成長しておりかつ窒化物化合物半導体材料ＡｌｎＩｎ１−ｎ−ｍＧａｍＮ（０≦ｎ≦１、０≦ｍ≦１、ｎ＋ｍ≦１）をベースとする半導体積層体を備えている。半導体積層体は、ドーパントおよび追加の構成成分を含んでいることができる。しかしながら、簡潔さのみを目的として、半導体積層体の結晶格子の本質的な構成成分（例えばＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｎ）のみを記載してあり、これらの構成成分は、その一部を少量のさらなる物質によって置き換える、もしくは補足する、またはその両方を行うことができる。
【００３４】
実施形態によると、半導体ボディ１０１，１０２，１０３のそれぞれの位置は、半導体ボディ１０１，１０２，１０３の特徴的な特性のそれぞれの値に従って指定される。したがって、半導体ボディ１０１，１０２，１０３は、キャリア１１４の上に分類されて配置される。分類は、例えば、半導体ボディ１０１，１０２，１０３のそれぞれの色度座標に従って行われる。
【００３５】
キャリア１１４の上に一例として示した３つの半導体ボディ１０１，１０２，１０３の数は、単なる例として理解されたい。実施形態によると、キャリア１１４の上に４つ以上の半導体ボディを配置する。さらなる実施形態によると、キャリア１１４の上に３つ未満の半導体ボディ（例：２つの半導体ボディ）を配置する。
【００３６】
図１Ｃは図１Ｂの配置構造を示しており、キャリア１１４の上に６つの半導体ボディが示してある。半導体ボディ１０１，１０２，１０３が上に配置されているキャリア１１４の面に、変換層１０７が形成されている。変換層１０７は、キャリア１１４とは反対側の半導体ボディ１０１，１０２，１０３それぞれの少なくとも一方の面１０５が変換層１０７によって覆われるように、配置されている。さらに、半導体ボディ１０１，１０２，１０３の側面それぞれも変換層１０７によって覆われている。
【００３７】
実施形態によると、変換層は、ドクターナイフを使用して被覆することによって塗布される。さらなる実施形態によると、変換層は、スプレーコーティング（spray-coating）によって塗布される。さらなる実施形態によると、変換層は、浸漬コーティング（dip-coating）によって塗布される。さらなる実施形態によると、変換層は、スクリーン印刷によって塗布される。さらなる実施形態によると、変換層は、ステンシル印刷によって塗布される。さらなる実施形態によると、変換層は、スピン印刷（spin printing）によって塗布される。さらなる実施形態によると、半導体ボディ１０１，１０２，１０３を備えているキャリア１１４の上に、（変換材料を含む）層を塗布することが可能であるさらなる方法によって、変換層１０７が塗布される。
【００３８】
キャリア１１４および半導体ボディ１０１，１０２，１０３を備えている人工ウェハは、半導体ボディ１０１，１０２，１０３が上に配置されている面に、（半導体ボディ１０１，１０２，１０３の高さがわずかに約６μｍであるため）実質的に平面状の表面を備えているため、動作時に放射が放出される面において人工ウェハに効率的に被覆することができる。さらに、反対側には電気接続部が位置している。したがって、実施形態によると、損傷することのあるボンディングワイヤが存在しない。
【００３９】
実施形態によると、変換層１０７は、変換材料１０４を含んでいる。変換材料１０４は、特に、Ｃｅによってドープされたガーネット材料、特にＹＡＧ：Ｃｅを含んでいる。変換材料は、動作時に半導体ボディ１０１，１０２，１０３のスペクトル特性を変化させることを可能にする。
【００４０】
実施形態によると、製造工程では、キャリア１１４の表面全体にわたり不均一な変換層１０７が形成される。例えば、変換層１０７の層厚や整合性、空隙率が、キャリア１１４の表面全体にわたり不均一である。動作時、これらの不均一性によって、放出される放射の特性が異なる。
【００４１】
図１Ｄは、検出器１４０と、検出器１４０に結合されている評価装置１４１とを概略的に示している。検出器１４０は、半導体ボディ１０１，１０２，１０３の放射１１５を検出するように構成されている。評価装置１４１は、半導体ボディ１０１，１０２，１０３それぞれの少なくとも１つの特性変数の値を、検出された放射から求めるように構成されている。
【００４２】
これを目的として、キャリア１１４の上の複数の半導体ボディに連続的に電流を供給し、例えば、それぞれのコンタクト１１０，１１１に、電流源に接続されている接触ピン１１７，１１８を電気的に結合する。
【００４３】
実施形態によると、評価装置１４１は、放射１１５の波長の値を求める。さらなる実施形態によると、これに代えて、またはこれに加えて、放射１１５のスペクトルの領域が求められる。さらなる実施形態によると、これに代えて、またはこれに加えて、放射１１５の色度座標の値が求められる。さらなる実施形態によると、これに代えて、またはこれに加えて、被覆された半導体ボディ１０１の効率の値が求められる。さらなる実施形態によると、上記の値のうちの２種類以上が評価装置１４１によって求められる。
【００４４】
さらには、実施形態によると、キャリア１１４の上の検査された半導体ボディのそれぞれの位置が検出される。例えば、いわゆるウェハマップが作成される。
【００４５】
１つまたは複数の特性変数（例えば、波長、スペクトル、色度座標、効率）の、所望の値が指定される。所望の値は、特に、変換材料を備えている複数の半導体ボディの各半導体ボディ１０１，１０２，１０３ごとに指定される。実施形態によると、所望の値は、変換材料を備えている半導体ボディすべてにおいて同じである。さらなる実施形態によると、所望の値は、変換材料を備えている各半導体ボディごとに異なる値として指定される。
【００４６】
評価装置１４１は、１つまたは複数の特性変数の求めた値を、指定される所望の値と比較する。実施形態によると、キャリア１１４に変換層１０７が形成されるとき、所望の値が不正確であり、所望の値を達成するためには追加の変換材料１０５（図１Ｅ）を塗布しなければならない。
【００４７】
評価装置１４１は、求めた値と所望の値との比較から、半導体ボディ１０１，１０２，１０３の半導体ボディの各領域１０９，１１９について、指定される所望の値を達成するために塗布しなければならない追加の変換材料１０５の量を求める。領域１０９は、キャリア１１４とは反対側の半導体ボディ１０１の面の上方の領域であり、領域１１９は、キャリア１１４とは反対側の半導体ボディ１０２の面の上方の領域である。領域１０９および領域１１９それぞれは、動作時に半導体ボディ１０１および半導体ボディ１０２の放出される放射がそれぞれ領域１０９および領域１１９を通過するように、配置されている。
【００４８】
図１Ｅは、追加の変換材料１０５を塗布するステップを概略的に示している。追加の変換材料１０５は、粉末１１６の形で存在する。実施形態によると、変換材料１０５は、変換材料１０４と同じ材料を含んでいる。さらなる実施形態によると、変換材料１０４と変換材料１０５は互いに異なる。
【００４９】
変換材料１０５は、光伝導性転移要素１２０によって、キャリア１１４とは反対側の変換層１０７の面１０８に塗布される。実施形態によると、この変換材料は、面１０８の表面全体に塗布されるのではなく、半導体ボディの上方の領域にのみ塗布される。実施形態によると、半導体ボディの上方の領域は、半導体ボディの表面よりも大きい。例えば、変換材料は、領域１０９および領域１１９に塗布され、領域１０９と領域１１９との間の面１０８には変換材料１０５が存在しないままである。
【００５０】
図示した例示的な実施形態においては、転移要素１２０は転移ローラーである。さらなる実施形態によると、変換材料１０５を変換層１０７に塗布するのに適する異なる形式の転移要素（例えば転移帯状片）が使用される。
【００５１】
転移要素１２０を、静電気的に帯電させる。次いで、転移要素１２０の表面１２２のうち、変換材料１０５を付着させない領域１２１の部分を、光源１３０の放射１３１によって放電させる。放電は、別の方法で行うことができる。転移要素１２０における要求されるパターンを、図１Ｄを参照しながら説明したように前に記録された測定データに従って（例えばウェハマップに従って）調整する。指定される所望の値を達成するために領域１０９，１１９に塗布しなければならない追加の変換材料１０５の量に関して、評価装置１４１によって求められたデータに従って、転移要素１２０を放電させる。
【００５２】
特に、静電引力によって、変換材料１０５を転移要素１２０に転移する。変換材料１０５は、特に、さらなるローラーまたはブラシ（図示していない）によって、転移要素１２０に塗布される。変換材料１０５は、転移要素１２０の帯電した領域１２３に付着し、転移要素１２０の放電された領域１２１には付着しない。
【００５３】
転移要素１２０は、光伝導性被覆、例えばａ−Ｓｉ：Ｈ（非晶質の水素化シリコン）を備えている。静電帯電は、例えば、転移要素１２０を囲む領域におけるコロナ放電によって行われる。暗電圧は、約１．５ｋＶである。光源１３０からの光を照射することによって、転移要素１２０の表面に局所的な電荷キャリアが生成され、これにより、帯電した表面が局所的に放電する。したがって、電荷分布に潜像が存在する。実施形態によると、光に照射される領域と照射されない領域との間の電圧は、例えば３００〜６００Ｖである。転移要素の荷電状態によって、転移される変換材料１０５の量が決まる。
【００５４】
転移要素１２０をキャリア１１４に対して動かし、したがって変換材料１０５が、それぞれに設けられた領域１０９，１１９において表面１０８に塗布される。変換材料１０５は、例えば電磁界によって、転移要素１２０から離れて変換層１０７に転移される。
【００５５】
実施形態によると、転移要素１２０およびキャリア１１４の互いに対する動きを制御または調整する制御装置（図示していない）が設けられる。
【００５６】
実施形態によると、次いで、変換材料１０５を変換層１０７に固定する。固定は、例えば熱的に、特に、約２００℃の温度において行うことができる。さらなる実施形態によると、変換材料１０５を固定している面１０８に、追加の固定層（図示していない）を平面的に形成する。
【００５７】
実施形態によると、変換層１０７を堆積させる前に、半導体ボディ１０１，１０２，１０３のためのＥＳＤダイオード、または例えばシリコン酸化物からなるパッシベーション層を、キャリア１１４の上に設ける。
【００５８】
説明した方法では、半導体ボディ１０１，１０２，１０３ごとの変換材料の量の必要な補正を、高い程度の空間解像度および所望の層厚とともに高い信頼性で迅速かつ正確に達成することが可能になる。
【００５９】
実施形態によると、変換層１０７を均一な厚さで塗布する（例えばフリップチップの場合）。さらなる実施形態によると、変換層１０７は、さまざまな厚さを含む指定された層厚プロファイルを備えている。
【００６０】
同じ人工ウェハの上で、説明した方法を繰り返し実行することも可能である。さらには、説明した方法を、すでに存在する製造工程に単純に組み込むことが可能である。
【００６１】
図１Ｅの方法ステップの後の完成したウェハは、依然として、それぞれの半導体ボディ１０１，１０２，１０３と、変換材料１０５を含んだ変換層１０７とからなるオプトエレクトロニクス部品のみを含んでおり、変換材料１０５は、指定された公差の範囲内で特性変数の指定された所望の値に対応する。
【００６２】
実施形態によると、図１Ｅを参照しながら説明した、変換材料を塗布するステップを使用して、変換層１０７が存在しない状態で変換材料１０５を半導体ボディの表面１０８に直接塗布する。
【００６３】
ここまで、本発明について例示的な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明はこれらの例示的な実施形態に限定されない。本発明は、任意の新規の特徴および特徴の任意の組合せを包含しており、特に、請求項における特徴の任意の組合せを含んでいる。これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が請求項あるいは例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。
【００６４】
関連出願
本出願は、独国特許出願第１０２０１２１０６９４９．２号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照によって本明細書に組み込まれている。
【図１Ａ】
2015523738.tif 000003
【図１Ｂ】
2015523738.tif 000004
【図１Ｃ】
2015523738.tif 000005
【図１Ｄ】
2015523738.tif 000006
【図１Ｅ】
2015523738.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月26日(2015.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス部品（１００）を製造する方法であって、
−  キャリア（１１４）の上に配置される半導体ボディ（１０１）を設けるステップと、
−  光伝導性転移要素（１２０）によって前記半導体ボディ（１０１）に変換材料（１０５）を塗布するステップと、
を含んでおり、
前記変換材料が、電磁場によって前記光伝導性転移要素から前記半導体ボディに転移される、
方法。
【請求項２】
前記変換材料（１０５）を塗布する前記ステップが、
−  前記光伝導性転移要素（１２０）を静電的に帯電させるステップと、
−  指定されるパターンに従って前記光伝導性転移要素の領域を放電させるステップと、
−  前記変換材料（１０５）を静電引力によって前記光伝導性転移要素（１２０）に塗布するステップと、
−  前記光伝導性転移要素（１２０）から前記変換材料（１０５）を電磁界によって前記半導体ボディ（１０１）に転移するステップと、
を含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記転移要素の領域が、光の照射（１３１）によって放電される、
請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記変換材料（１０５）が、塗布された後に固定される、
請求項１から請求項３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
固定する前記ステップが、熱的に、または固定層を形成することによって、実施される、
請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記変換材料（１０５）が、光伝導的に被覆されたローラーまたは光伝導的に被覆された帯状片によって塗布される、
請求項１から請求項５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記変換材料（１０５）が粉末（１１６）の形で塗布される、
請求項１から請求項６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
−  第２の変換材料（１０４）を含んでいる変換層（１０７）を、少なくとも、前記キャリア（１１４）とは反対側の前記半導体ボディ（１０１）の面（１０５）、に形成するステップと、
−  前記半導体ボディ（１０１）の少なくとも１つの特性変数の値を求めるステップと、
−  前記特性変数の前記求められたそれぞれの値を指定される所望の値と比較し、求められた値と指定される所望の値との間のそれぞれの差異を求めるステップと、次いで、
−  前記半導体ボディ（１０１）の領域（１０９）において、前記それぞれ求められた差異に従って前記光伝導性転移要素（１２０）によって前記変換材料（１０５）を前記変換層（１０７）に塗布するステップと、
を含んでいる、請求項１から請求項７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記少なくとも１つの特性変数の値を求める前記ステップそれぞれが、
−  前記被覆されたそれぞれの半導体ボディによって放出される放射の波長、前記被覆されたそれぞれの半導体ボディによって放出される放射のスペクトル、前記被覆されたそれぞれの半導体ボディによって放出される放射の色度座標、前記被覆された半導体ボディの効率、のうちの少なくとも１つを求めるステップ、
を含んでいる、
請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記指定されるパターンが、前記求められた差異に従って指定される、
請求項が請求項２を参照する請求項８または請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
−  前記キャリア（１１４）の上に複数の半導体ボディ（１０１，１０２，１０３）が設けられ、
−  前記複数の半導体ボディ（１０１，１０２，１０３）の前記半導体ボディの前記少なくとも１つの特性変数それぞれの値を求めるステップと、
−  前記特性変数それぞれの求められた値と指定される所望の値とを比較し、求められた値とそれぞれ指定される所望の値との間のそれぞれの差異を求めるステップと、次いで、
−  前記複数の半導体ボディ（１０１，１０２，１０３）の前記半導体ボディの領域（１０９，１１９）それぞれにおいて、前記それぞれ求められた差異に従って前記光伝導性転移要素（１２０）によって前記変換層（１０７）に前記変換材料（１０５）を塗布するステップと、
を含んでいる、請求項８から請求項１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記変換層を塗布する前記ステップが、
ドクターナイフを使用しての被覆、スプレーコーティング、浸漬コーティング、スクリーン印刷、ステンシル印刷、スピン印刷、
のうちの少なくとも１つを含んでいる、
請求項８から請求項１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
−  前記光伝導性転移要素（１２０）によってマトリックス材料を前記半導体ボディ（１０１）に塗布するステップ、
を含んでいる、請求項１から請求項１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記変換材料（１０５）を前記半導体ボディ（１０１）に塗布する前記ステップが、
−  前記変換材料（１０５）を前記光伝導性転移要素（１２０）によってさらなる転移要素に塗布するステップと、
−  前記さらなる転移要素（１２０）から前記半導体ボディ（１０１）に前記変換材料（１０５）を転移するステップと、
を含んでいる、
請求項１から請求項１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記さらなる転移要素がウェハを備えており、
−  前記変換材料（１０５）の少なくとも１つの物理特性が、前記変換材料（１０５）が前記さらなる転移要素に塗布された後、前記半導体ボディ（１０１）に転移される前に、変化する、
請求項１４に記載の方法。
【国際調査報告】
2015523738.tif 000008
2015523738.tif 000009
2015523738.tif 000010
2015523738.tif 000011