(57)【要約】ＳＩＭ（加入者識別モジュール）カードホルダー、移動端末及びＳＩＭカードのホットスワップを識別する方法であって、前記ＳＩＭカードホルダー（１）の基部は、ＳＩＭカードメタル接点（１２）および前記メタル接点と接続する第一固定メタルピン（１４）が設けられ、前記ＳＩＭカードホルダーの基部は、付加メタルドーム（１１）がさらに設けられ、前記付加メタルドームは、ＳＩＭカードが差し込まれていない時に圧縮されない状態にあって且つ高電圧レベルに接触し、ＳＩＭカードが差し込まれる時に圧縮状態にあって且つ低電圧レベルに接触し、前記付加メタルドームは、移動端末のメインチップがＳＩＭカードの差し込みと抜き出しを識別できるように、自身と接触する高低電圧レベルを移動端末のメインチップへ伝送する。前記ＳＩＭカードホルダーは、従来のＳＩＭカードのホットスワップをサポートしている携帯電話に存在する設計上の複雑さ、マザーボードスペースの占用、製品のコスト増加の問題を解決する。
2015525433.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加入者識別モジュール（ＳＩＭ）カードホルダーであって、前記ＳＩＭカードホルダーの基部は、ＳＩＭカードメタル接点および前記メタル接点と接続された第一固定メタルピンが設置され、
前記ＳＩＭカードホルダーの基部は、付加メタルドームがさらに設置され、
前記付加メタルドームは、ＳＩＭカードが差し込まれていない時に圧縮されない状態にあって且つ高電圧レベルに接触し、ＳＩＭカードが差し込まれる時に圧縮状態にあって且つ低電圧レベルに接触し、自身と接触する高低電圧レベルを所属の移動端末のメインチップへ伝送して、ＳＩＭカードの差し込みと抜き出しを識別するように構成されることを特徴とするＳＩＭカードホルダー。
【請求項２】
前記ＳＩＭカードホルダーの基部は、さらに、
前記付加メタルドームと接続するための第二固定メタルピンを含み、
それに応じて、前記付加メタルドームは、さらに、ＳＩＭカードが差し込まれていない時に、前記第二固定メタルピンにより所属の移動端末において予め設定された高電圧レベルインターフェースと接続するように構成されることを特徴とする請求項１に記載のＳＩＭカードホルダー。
【請求項３】
前記移動端末において予め設定された高電圧レベルインターフェースは、移動端末のメインチップの汎用入力/出力ＧＰＩＯインターフェースであることを特徴とする請求項２に記載のＳＩＭカードホルダー。
【請求項４】
前記付加メタルドームは、具体的に、ＳＩＭカードが差し込まれる時に、ＳＩＭカードの押し出しにより圧縮状態にあって且つ前記付加メタルドームの下方に露出された、予め設定された低電圧レベルのマザーボード区域に接触するように構成されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のＳＩＭカードホルダー。
【請求項５】
前記ＳＩＭカードホルダーの基部は、前記付加メタルドームの下方に穴が設置され、前記穴は、前記予め設定された低電圧レベルのマザーボード区域に対応して位置され、前記ＳＩＭカードの押し出しにより、前記付加メタルドームは前記穴により前記予め設定された低電圧レベルのマザーボード区域と接触することを特徴とする請求項４に記載のＳＩＭカードホルダー。
【請求項６】
前記付加メタルドームは前記メタル接点におけるグランドピンと隣接して、前記付加メタルドームはＳＩＭカードが差し込まれる時に、ＳＩＭカードの押し出しにより圧縮状態にあって且つ前記メタル接点におけるグランドピンと接触することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のＳＩＭカードホルダー。
【請求項７】
前記ＳＩＭカードホルダーは、前記ＳＩＭカードホルダーの基部と噛み合うメタルシェルをさらに含み、前記メタルシェルは、本体ケース、メタルシェル側面に設置されたスナップ及びメタルピンを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のＳＩＭカードホルダー。
【請求項８】
移動端末であって、
請求項１〜７のいずれか１項に記載のＳＩＭカードホルダーとメインチップを含むことを特徴とする移動端末。
【請求項９】
ＳＩＭカードのホットスワップを識別する方法であって、
移動端末のメインチップは、ＳＩＭカードホルダー基部に設置される付加メタルドームの電圧レベル変化をモニターして、前記付加メタルドームが、ＳＩＭカードが差し込まれていない時に圧縮されない状態にあって且つ高電圧レベルに接触し、ＳＩＭカードが差し込まれる時に圧縮状態にあって且つ低電圧レベルに接触し、自身の高低電圧レベルを移動端末のメインチップへ伝送するステップと、
移動端末のメインチップは、前記付加メタルドームが高電圧レベルから低電圧レベルへ転換する時に、ＳＩＭカードが前記ＳＩＭカードホルダーに差し込まれることを特定するステップと、
移動端末のメインチップは、前記付加メタルドームが低電圧レベルから高電圧レベルへ転換する時に、ＳＩＭカードが前記ＳＩＭカードホルダーから抜き出されることを特定するステップと、を含むことを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は移動通信装置分野に関して、特にＳＩＭカードホルダー、移動端末及びＳＩＭカードのホットスワップを識別する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
通信ネットワークの高速的な発展に伴って、携帯電話は既に人々の日常生活の中で必要不可欠な電子製品になって、人々は、携帯電話がより小型化される一方、その機能はより多様化されることを望んでいる。それに応じて、移動加入者識別モジュール（ＳＩＭ、Ｓｕｂｓｃｒｉｂｅｒ  Ｉｄｅｎｔｉｔｙ  Ｍｏｄｕｌｅ）カードに対するリクエストもより高くなって、一台の携帯電話はＳＩＭカードとマイクロＳＤカード（Ｍｉｃｒｏ  ＳＤ  Ｃａｒｄ）が配置されているだけではなく、さらにホットスワップに対するリクエストもより高くなって、そして、Ｍｉｃｒｏ  ＳＤ  Ｃａｒｄの普及に伴って、ＳＩＭカードのホットスワップ機能に対するリクエストもより切迫になった。
【０００３】
現在、市場で種々のＳＩＭカードのホットスワップ機能を備える携帯電話が現れ、ＳＩＭカードを交換する時にシャットダウンする必要がある問題を初歩的に解決したが、現在の一般的なホットスワップ携帯電話は電子スイッチなどの方式によりＳＩＭカードの差し込みと抜き出しの状態を検出して、さらにメインチップにより関連な処理操作が行われ、この設計方式は複雑だけではなく、マザーボードスペースを占用して、製品のコストを増加させ、同時に携帯電話はより小さくなる発展の勢いにも合わない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態はＳＩＭカードホルダー、移動端末及びＳＩＭカードのホットスワップを識別する方法を提供して、従来のＳＩＭカードのホットスワップをサポートしている携帯電話に存在する設計上の複雑さ、マザーボードスペースの占用、製品のコストの増加の問題を解決しようとする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上述した技術課題を鑑みて、本発明の実施形態はＳＩＭカードホルダーを提供して、前記ＳＩＭカードホルダーの基部は、メタル接点および前記メタル接点と接続される第一固定メタルピンが設置され、前記ＳＩＭカードホルダー基部は、付加メタルドームがさらに設置され、この中に、
前記付加メタルドームは、ＳＩＭカードが差し込まれていない時に圧縮されない状態にあって且つ高電圧レベルに接触し、ＳＩＭカードが差し込まれる時に圧縮状態にあって且つ低電圧レベルに接触し、自身の高低電圧レベルを移動端末のメインチップへ伝送して、ＳＩＭカードの差し込みと抜き出しを識別するように構成させる。
【０００６】
上述した方案において、前記ＳＩＭカードホルダーの基部は、前記付加メタルドームと接続するための第二固定メタルピンをさらに含み、それに応じて、前記付加メタルドームは、さらに、ＳＩＭカードが差し込まれていない時に、前記第二固定メタルピンにより所属の移動端末において予め設定された高電圧レベルインターフェースと接続するように構成される。
【０００７】
上述した方案において、前記移動端末において予め設定された高電圧レベルインターフェースは、移動端末のメインチップの汎用入力/出力（ＧＰＩＯ、Ｇｅｎｅｒａｌ  Ｐｕｒｐｏｓｅ  Ｉｎｐｕｔ/Ｏｕｔｐｕｔ）インターフェースである。
【０００８】
上述した方案において、前記付加メタルドームは、具体的に、ＳＩＭカードが差し込まれる時に、ＳＩＭカードの押し出しにより圧縮状態にあって且つ前記付加メタルドームの下方に露出された、予め設定された低電圧レベルのマザーボード区域に接触するように構成される。
【０００９】
上述した方案において、前記ＳＩＭカードホルダーの基部は、前記付加メタルドームの下方に穴が設置され、前記穴は、前記予め設定された低電圧レベルのマザーボード区域に対応して位置され、前記ＳＩＭカードの押し出しにより、前記付加メタルドームは前記穴により前記予め設定された低電圧レベルのマザーボード区域と接触する。
【００１０】
上述した方案において、前記付加メタルドームは前記メタル接点におけるグランドピンと隣接して、前記付加メタルドームはＳＩＭカードが差し込まれる時に、ＳＩＭカードの押し出しにより圧縮状態にあって且つ前記メタル接点におけるグランドピンと接触する。
【００１１】
上述した方案において、前記ＳＩＭカードホルダーは、前記ＳＩＭカードホルダーの基部と噛み合うメタルシェルをさらに含み、前記メタルシェルは、本体ケース、メタルシェル側面に設置されたスナップ及びメタルピンを含む。
【００１２】
本発明の実施形態はさらに移動端末を提供しており、当該移動端末は、前記ＳＩＭカードホルダーとメインチップを含む。
【００１３】
本発明の実施形態は、ＳＩＭカードのホットスワップを識別する方法を提供しており、当該方法は、移動端末のメインチップは、ＳＩＭカードホルダー基部に設置される付加メタルドームの電圧レベル変化をモニターして、前記付加メタルドームが、ＳＩＭカードが差し込まれていない時に圧縮されない状態にあって且つ高電圧レベルに接触し、ＳＩＭカードが差し込まれる時に圧縮状態にあって且つ低電圧レベルに接触し、自身の高低電圧レベルを移動端末のメインチップへ伝送するステップと、
移動端末のメインチップは、前記付加メタルドームが高電圧レベルから低電圧レベルへ転換する時に、ＳＩＭカードが前記ＳＩＭカードホルダーに差し込まれることを特定するステップと、
移動端末のメインチップは、前記付加メタルドームが低電圧レベルから高電圧レベルへ転換する時に、ＳＩＭカードが前記ＳＩＭカードホルダーから抜き出されたことを特定するステップと、を含む。
【００１４】
本発明の実施形態の有益な効果は以下のものを含む。ＳＩＭカードホルダーの構成を変更することにより、機械的な方式でＳＩＭカードのホットスワップの問題を解決して、ＳＩＭカードホルダーの基部に一つの付加メタルドームを追加して、ＳＩＭカードが差し込まれていない時に、前記付加メタルドームは圧縮されない状態にあって且つ高電圧レベルに接触し、ＳＩＭカードが差し込まれる時、前記付加メタルドームは圧縮状態にあって且つ低電圧レベルに接触し、付加メタルドームは自身と接触する高低電圧レベルを移動端末のメインチップへ伝送することで、移動端末のメインチップがＳＩＭカードの差し込みと抜き出しを識別できるようにさせ、ＳＩＭカードのホットスワップを簡単に識別することを実現する。そして、本発明の実施形態は従来のＳＩＭカードホルダーに対する変更が比較的に小さく、新しい部品を追加する必要がなく、携帯電話マザーボードのレイアウトスペース及び製品コストを増加させなく、簡単且つ実用的で、いずれもの移動端末のＳＩＭカードホルダーに適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施形態一により提供されるＳＩＭカードホルダー基部の構成を示す模式図である。
【図２】本発明の実施形態二により提供されるＳＩＭカードホルダー基部の構成を示す模式図である。
【図３】本発明により提供されるＳＩＭカードホルダーのメタルシェルの構成を示す模式図である。
【図４】本発明の実施形態により提供されるＳＩＭカードのホットスワップを識別する方法のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、説明書の図面に結合して、本発明の実施形態により提供されるＳＩＭカードホルダー、移動端末及びＳＩＭカードのホットスワップを識別する方法の具体的な実施形態に対して説明する。
【００１７】
本発明の実施形態により提供されるＳＩＭカードホルダーは、従来のＳＩＭカードホルダーと類似した部分が、カードホルダーの基部には、ＳＩＭカードメタル接点およびメタル接点と接続される第一固定メタルピンが設置されることであり、本発明の実施形態は従来のＳＩＭカードホルダーの構成に対してさらに改進して、ＳＩＭカードホルダーの基部上に付加メタルドームを増設して、当該付加メタルドームは、ＳＩＭカードが差し込まれていない時に圧縮されない状態にあって且つ高電圧レベルに接触し、ＳＩＭカードが差し込まれる時に圧縮状態にあって且つ低電圧レベルに接触し、自身と接触する高低電圧レベルを所属の端末のメインチップへ伝送することにより、所属の移動端末のメインチップをＳＩＭカードの差し込みと抜き出しを識別できるようにさせる。
【００１８】
本発明の実施形態により提供される前記ＳＩＭカードホルダーの構成をよりよく説明するために、以下で二つの具体的な実施形態で説明する。
【００１９】
実施形態一
図１に示すように、本実施形態一のＳＩＭカードホルダーの基部１は、具体的に、付加メタルドーム１１、ＳＩＭカードメタル接点１２、第二固定メタルピン１３、第一固定メタルピン１４、基部側面に対応するスナップジョイント１５及び付加メタルドームの下方の穴１６を含む。
【００２０】
本実施形態一において、付加メタルドーム１１と第二固定メタルピン１３は接続しており、当該第二固定メタルピン１３は移動端末において予め設定された高電圧レベルインターフェースと接続し、具体的に、第二固定メタルピン１３はプリント配線基板（ＰＣＢ、Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ）上の配線により前記第二固定メタルピン１３とメインチップのＧＰＩＯインターフェースを接続させ、当該ＧＰＩＯインターフェースはデフォルトで高電圧レベルにしても良く、もちろん、本実施形態一において、付加メタルドーム１１は第二固定メタルピン１３によりその他の予め設定された高電圧レベルインターフェースと接続しても良く、ここで一一例を挙げない。このようにして、付加メタルドーム１１が変形されていなかった（即ち、ＳＩＭカードが差し込まれていなく、当該付加メタルドームを押し出しない）場合に、付加メタルドームは高電圧レベルに保持される。
【００２１】
同時に、当該付加メタルドーム１１はさらに、ＳＩＭカードが差し込まれる時に、ＳＩＭカードの押し出しにより圧縮状態にあって且つ付加メタルドーム１１の下方に露出された、予め設定された低電圧レベルのマザーボード区域に接触することを実現できる。これを実現するために、好ましいのは、図１に示すように、ＳＩＭカードホルダーの基部は、付加メタルドーム１１の下方に穴１６が設置され、当該穴は予め設定された低電圧レベルのマザーボード区域に対応して位置され、このようにして、ＳＩＭカードの押し出しにより、付加メタルドーム１１は穴１６により当該予め設定された低電圧レベルのマザーボード区域に接触する。
【００２２】
上述した構成において、ＳＩＭカードが差し込まれていない時に、付加メタルドーム１１は高電圧レベルと接触して、高電圧レベルに保持され、ＳＩＭカードが差し込まれた後に、ＳＩＭカードの押し出しにより、付加メタルドーム１１は低電圧レベルと接触して、高電圧レベルから低電圧レベルへ変換して、メインチップは、付加メタルドーム１１のこのような高電圧レベルから低電圧レベルへの変化をモニターして、現在のＳＩＭカードの差し込みを識別でき、逆に、前記付加メタルドーム１１が元に戻れば、即ち、低電圧レベルのマザーボード区域との接触を停止すれば、メインチップはＳＩＭカードが低電圧レベルから高電圧レベルへ戻ることをモニターでき、現時点でＳＩＭカードが既に抜き出されたことを識別する。
【００２３】
さらに、図３に示すように、本実施形態一におけるＳＩＭカードホルダーは、さらに基部と噛み合うメタルシェル２を含み、当該メタルシェルは、本体ケース２１、メタルシェル側面に設置されるスナップ２２及びメタルピン２３を含む。具体的な構成は従来の技術と同じであり、ここで詳しい説明は省略する。
【００２４】
実施形態二
本実施形態二の原理と構成は実施形態一と基本的に同じであり、図２に示すように、従来のＳＩＭカードホルダーの構成に対して、ＳＩＭカードホルダーの基部に一つの付加メタルドーム１１と第二固定メタルピン１３を追加して、実施形態一との区別は、付加メタルドーム１１はもう一つの方式により圧縮状態で低電圧レベルと接触することを実現し、具体的には、当該付加メタルドーム１１はＳＩＭカードホルダーの基部内に位置して、且つメタル接点におけるグランドピン１７と隣接して、付加メタルドーム１１はＳＩＭカードが差し込まれる時に、ＳＩＭカードの押し出しにより圧縮状態にあって且つ前記ＳＩＭカードメタル接点１２におけるグランドピン１７と接触する。
【００２５】
付加メタルドーム１１は、ＳＩＭカードにより押し出されない場合に、その接続関係は実施形態一と同じであり、そのため、本実施形態二は同様に付加メタルドーム１１の高低電圧レベルの変化によって、ＳＩＭカードが差し込まれるか抜き出されるかを識別することができる。
【００２６】
さらに、本実施形態二は同様に前記ＳＩＭカードホルダーの基部と噛み合うメタルシェル２を含み、図３に示すように、前記実施形態ですでに説明され、ここで詳しい説明は省略する。
【００２７】
本発明の実施形態はさらに移動端末を提供しており、当該移動端末は、本発明の実施形態に記述されるＳＩＭカードホルダーとメインチップを含み、具体的な構成は、前記ＳＩＭカードホルダーと、メインチップの構成と、接続関係の説明を参照するとされるので、ここで詳しい説明は省略する。
【００２８】
本発明の実施形態は同じ発想に基づいて、さらにＳＩＭカードのホットスワップを識別する方法を提供しており、図４に示すように、当該方法は、以下のステップを含む。
【００２９】
ステップＳ１０１において、移動端末のメインチップは、ＳＩＭカードホルダー基部に設置された付加メタルドームの電圧レベル変化が、高電圧レベルから低電圧レベルへ転換するか、低電圧レベルから高電圧レベルへ転換するかをモニターして、前記付加メタルドームが高電圧レベルから低電圧レベルへ転換する時、ステップＳ１０２を実行し、前記付加メタルドームが低電圧レベルから高電圧レベルへ転換する時、ステップＳ１０３を実行する。
【００３０】
ここで、前記付加メタルドームは、ＳＩＭカードが差し込まれていない時に圧縮されない状態にあって且つ高電圧レベルに接触し、ＳＩＭカードが差し込まれる時に圧縮状態にあって且つ低電圧レベルに接触し、自身の高低電圧レベルを移動端末のメインチップへ伝送するためである。
【００３１】
ステップＳ１０２において、移動端末のメインチップは、ＳＩＭカードが前記ＳＩＭカードホルダーに差し込まれることを特定して、処理プロセスを終了する。
【００３２】
ステップＳ１０３において、移動端末のメインチップは、ＳＩＭカードが前記ＳＩＭカードホルダーから抜き出されることを特定する。
【００３３】
前述した実施の形態に対する記述に基づいて、当業者は、本発明の実施形態はハードウェアにより実現でき、基部に一つの追加の付加メタルドームを増設することにより、当該追加の付加メタルドームは、異なる接続方式により、ＳＩＭカードの差し込み状況に対するメインチップ側のモニタリングを実現でき、いずれもの携帯電話のＳＩＭカードホルダーに適用し、別の部品を増加する必要がなく、機械的な方式だけでＳＩＭカードのホットスワップ機能を実現できることを明確に了解できる。
【００３４】
当業者は、図面が一つの好ましい実施形態の模式図に過ぎなく、図面におけるデバイスは本発明を実施することに不可欠ではないことを理解できる。
【００３５】
明らかに、当業者は、本発明の精神と範囲から離脱しないように本発明に対して各種類の改修と変形を行える。これで、もし本発明のそれらの改修と変形は本発明の請求項及びその同等技術の範囲に属すれば、本発明はこれらの改修と変形を含むことも意図する。
【図１】
2015525433.tif 000003
【図２】
2015525433.tif 000004
【図３】
2015525433.tif 000005
【図４】
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【国際調査報告】
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2015525433.tif 000009
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