(57)【要約】  本発明は、単一のプロセス工程で、背面を研磨し、背面エッジを絶縁させるアルカリエッチングペーストを使用する、局所背面電界（ＬＢＳＦ）を有する太陽電池の製造方法に関する。
2015522951.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
局所背面電界（ＬＢＳＦ）を有する太陽電池の製造方法であって、リンシリケートガラス（ＰＳＧまたはＰＳＧ層）と下にあるシリコン層とが、印刷されるエッチングペーストを使用して１エッチング工程でエッチングされ、背面研磨および背面エッジ絶縁が、これによって、アルカリエッチングペーストにより１プロセス工程で行われることを特徴とする、前記方法。
【請求項２】
背面研磨および背面エッジ絶縁が、エッチング成分としてＮａＯＨ、ＫＯＨまたはこれらの混合物を含み、リンシリケートガラス（ＰＳＧまたはＰＳＧ層）と、下にあるシリコン層とを１プロセス工程でエッチングする、アルカリエッチングペーストにより行われることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
コンタクトウィンドウが、シリコン層に対して特定の選択性を有する酸エッチングペーストを使用して、背面多層（パッシベーション層およびＳｉＮｘ）へとエッチングされることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
以下のプロセス工程：
Ｉ．表面のテクスチャリング
ＩＩ．リンドーピング（〜６５Ω／ｓｑ  ＰＯＣｌ３の拡散）
ＩＩＩ．アルカリエッチングペーストによる背面のエッチング、これにより表面は研磨され、同時にｐ／ｎ接合が開放され、ここでエッチングペーストはステンシル印刷を使用して背面に印刷され、該ペーストは約１５０℃で５分間、ベルト炉で活性化され、その後ウェハはＤＩ水ですすがれる
ＩＶ．１５〜３０ｎｍの厚さを有するＳｉＯ２またはＡｌ２Ｏ３パッシベーション層での背面のコーティング、およびその後のプラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ−ＳｉＮｘ）による窒化シリコン（７０〜１００ｎｍ）での背面および前面のコーティング
Ｖ．スクリーン印刷によるエッチングペーストの印刷、ベルト炉における加熱、およびＤＩ水でのすすぎ
ＶＩ．前面および背面の金属化のためのスクリーン印刷、およびその後の焼結（共焼成）
を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
ペーストがＮａＯＨ、ＫＯＨおよびこれらの混合物から選択される、アルカリエッチング成分を、５〜４０重量％の量で含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の方法におけるアルカリエッチングペーストの使用。
【請求項６】
グリセロール、エチレングリコール、ポリエチレングリコール、オクタノール、１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジメチルスルホキシドおよびガンマ−ブチロラクトンの群から選択される溶媒を、純粋な形態でまたは混合物で含むことを特徴とする、請求項５に記載のＫＯＨ含有エッチングペーストの使用。
【請求項７】
少なくとも１種の非粒子増粘剤を含む、請求項５または６に記載のＫＯＨ含有エッチングペーストの使用。
【請求項８】
ポリビニルピロリドン、ポリアクリレート、カルボキシメチルセルロースおよびヒドロキシプロピルセルロースの群から選択される非粒子増粘剤を、純粋な形態または混合物で含む、請求項５〜７のいずれか一項に記載のＫＯＨ含有エッチングペーストの使用。
【請求項９】
カーボンブラック、熱分解ケイ酸、ケイ酸アルミニウムマグネシウムおよび低融点ワックス粒子の群から選択される粒子増粘剤を、純粋な形態または混合物で含む、請求項５〜８のいずれか一項に記載のＫＯＨ含有エッチングペーストの使用。
【請求項１０】
０．１〜３５重量％の量の増粘剤を含む、請求項５〜９のいずれか一項に記載のＫＯＨ含有エッチングペーストの使用。
【請求項１１】
請求項１〜４のいずれか一項に記載のＬＢＳＦを有する太陽電池の製造方法における、ＫＯＨ含有エッチングペーストの使用。
【請求項１２】
請求項１〜４のいずれか一項に記載のＬＢＳＦを有する太陽電池の製造方法における、背面パッシベーション層を開口するためのリン酸含有エッチングペーストの使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、印刷可能なエッチングペーストを用いる、局所背面電界（local back surface field）を有する太陽電池の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン太陽電池の製造のために、前面上の後者を不動態化反射防止層でコーティングして、それらに背面の全面（背面電界（back surface field））にわたる金属化をもたらすことが知られている。この金属化のために、通常アルミニウムベースのスクリーン印刷ペーストが使用され、これは焼結温度＞８００℃で焼成される。この焼結工程において形成された低融点のＡｌ／Ｓｉ共晶は、シリコン表面と合金を形成し、p−ドーピング作用を有する。
【０００３】
また、接点は、通常、銀ペーストを使用して背面に印刷されている。これらは、モジュールへのセルのはんだ付けのために必要である。銀ペーストを用いて印刷された背面バスバーは、ストリップ（前面バスバーの下）に適用することができ、また前面バスバーの２倍の幅を有することができる。
【０００４】
標準の太陽電池の背面デザインは、製造において多くの変形態様で採用されている。
この技術の記載が刊行物：
P. Choulat et al; 22nd European Photovoltaic Solar Energy Conference (2007), Milan, ItalyおよびG. Agostinelli et al, 20th European Photovoltaic Conference (2005), Barce-lona, Spainにある。
【０００５】
また、文献は、全面アルミニウム層の代わりとして、酸化物パッシベーション層の使用をとおして背面電界の最適化を示している。ここで、背面接点は、p−ドープアルミニウムを使用して、小さなドットまたはライン接点を介して生成される。この特別な背面接点構造は、局所背面電界（ＬＢＳＦ）として知られている。
【０００６】
今日まで最も頻繁に記載され、使用されている、局所背面電界（ＬＢＳＦ）構造の製造方法は、レーザーによって行われる。薄いアルミニウム層は、ここでは、酸化物層（ＳｉＯ２またはＡｌ２Ｏ３）をとおして、レーザーによってシリコンと溶融される。しかしながら、この方法の本質的な欠点は、シリコン表面の損傷であり、表面での電子再結合率の増加をもたらす。
【０００７】
２０％を超える効率を有する高効率太陽電池について、局所背面電界（ＬＢＳＦ）に関連する新規のセルの概念が記載されている(M.A. Green, J. Zhao, A. Wang, S.R. Wenham, Solar Energy Materials & Solar Cells 65 (2001) 9 16, Progress and outlook for high efficiency crystalline solar cells)。
【０００８】
ＬＢＳＦ技術の使用は、達成されるべき０．５％（絶対）を超える太陽電池（ＰＥＲＣ−passivated emitter rear contactでより知られる）の効率において、有意な増加を可能にする。既知の従来技術によれば、二重層−酸化アルミニウムまたはＳｉＯ２と窒化シリコンとからなる−が、背面パッシベーションのために、ウェハの背面に（ＰＥＣＶＤによって）適用される。
【０００９】
図１、２および３は、局所背面電界（ＬＢＳＦ）を有する太陽電池の製造において、これまで行わなければならなかった必要なプロセス工程のプロセスフローチャートを描写する。これらの製造方法は、既に太陽電池の工業的製造に導入されている。
【００１０】
図１に示すように、プロセス変形態様Ａによれば、ＬＢＳＦを有する太陽電池の製造は、以下の工程：
１．ピラミッド構造での表面のテクスチャリング
２．リンドーピング（６５Ω／ｓｑ  ＰＯＣｌ３の拡散）
３．ＨＦ／ＨＮＯ３を用いた背面上のエッジ絶縁およびＰＳＧエッチング
４．パッシベーション層（ＳｉＯ２またはＡｌ２Ｏ３）およびＳｉＮｘ層（ＰＥＣＶＤ  ＳｉＮｘ）の堆積
５．表面（銀ペースト）および背面（アルミニウムペースト）の金属化のためのスクリーン印刷／焼結
６．シリコンと背面アルミニウムのレーザ接点
を含む。
【００１１】
図２に示すように、プロセス変形態様Ｂによれば、ＬＢＳＦを有する太陽電池の製造は、以下の工程：
１．ピラミッド構造での表面のテクスチャリング
２．背面研磨（ＨＦ／ＨＮＯ３を用いたエッチ−研磨）
３．リンドーピング（６５Ω／ｓｑ  ＰＯＣｌ３の拡散）
４．ＨＦ／ＨＮＯ３を使用した背面上のエッジ絶縁およびＰＳＧエッチング
５．パッシベーション層（ＳｉＯ２またはＡｌ２Ｏ３）およびＳｉＮｘ層（ＰＥＣＶＤ  ＳｉＮｘ）の堆積
６．パッシベーション層およびＳｉＮｘ層のレーザーによる選択的開口
７．前面（銀ペースト）および背面（アルミニウムペースト）の金属化のためのスクリーン印刷／焼結
を含む。
【００１２】
２０１１年以降、図３に描写されているとおりのプロセス変形態様Ｃが知られており（PVSEC Conference 2011で提示された）、これは変形態様Ｂより高い効率を有する、ＬＢＳＦを有する太陽電池の製造を可能にする。
【００１３】
このプロセス変形態様Ｃは、以下の７工程：
１．ピラミッド構造での表面のテクスチャリング
２．背面研磨（ＨＦ／ＨＮＯ３を使用したエッチング−研磨）
３．リンドーピング（６５Ω／ｓｑ  ＰＯＣｌ３の拡散）
４．ＨＦ／ＨＮＯ３を使用した背面上のエッジ絶縁およびＰＳＧエッチング
５．パッシベーション層（ＳｉＯ２またはＡｌ２Ｏ３）およびＳｉＮｘ層（ＰＥＣＶＤ  ＳｉＮｘ）の堆積
６．パッシベーション層およびＳｉＮｘ層のエッチングペーストによる選択的開口（SolarEtch AQS印刷、加熱、すすぎ）
７．表面（銀ペースト）および背面（アルミニウムペースト）の金属化のためのスクリーン印刷／焼結
を含み、これをまた図３に描写する。
【００１４】
このプロセス変形態様において、ウェハを、アルカリテクスチャリング（Ｃｚ−Ｓｉウェハの場合）または酸テクスチャリング（ｍｃ−Ｓｉウェハの場合）の後、背面上を、ＨＦ／ＨＮＯ３混合物を使用して化学的に研磨する（テクスチャの除去）。ウェハを、その後約８００〜８５０℃の温度で、約２５分間ＰＯＣｌ３で処理する。この処理の間、リンはウェハの表面へ拡散する。同時に、表面抵抗はこれにより約６５オーム／ｓｑ（Ω／ｓｑ）に調整される。エッジ絶縁（ｐ／ｎ接合の開放）は、ウェハの背面上でＨＦ／ＨＮＯ３混合物によって行われる（RENAからの装置）。このエッチング工程について、エッチング浴濃度および滞留時間は、所望のエッチング深さまたは完成したセルの所望のシャント値を達成するために調整される。３０〜４０ｋΩｃｍ2のシャント値は、通常、背面エッチングを使用して設定される。
【００１５】
前面上のＰＳＧガラス（リンシリケートガラス）をフッ酸により除去する。その後、ウェハをすすぎ、乾燥し、パッシベーション層を堆積する次のプロセス工程に送る。後者は、ＡＬＤ法（原子層堆積）によって、ＳｉＯ２のまたはＡｌ２Ｏ３のための堆積により行うことができる。ＳｉＮｘ層は、その後、背面上およびまた前面上の両方に堆積される。これは、反射防止層でのマスキング（ＡＲＣ堆積）に対応し、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のプラズマ化学気相蒸着法（ＰＥＣＶＤ）によって行われる。SolarEtch AQSエッチングペーストがスクリーン印刷（約７０〜１００μｍの直径のドットパターン）によって背面に印刷され、３９０℃でベルト炉において活性化される。その後、エッチングペーストを、超音波浴中の０．１％ＫＯＨ溶液を使用して洗い流し、ＤＩ水ですすぎ、乾燥する。前面接点のために銀ペーストが印刷され、アルミニウムペーストが局所背面電界として印刷された後、ウェハをベルト炉での加熱により乾燥させる（焼成）。
【００１６】
この局所背面電界（ＬＢＳＦ）を有する太陽電池の製造方法の欠点は、時間がかかり、高価である多数のプロセス工程、およびまたＨＦ／ＨＮＯ３の高消費の両方にある。
【発明の概要】
【００１７】
目的
したがって、本発明の目的は、簡単に行うことができ、時間および費用ならびにプロセス工程を節約することを可能にする、局所背面電界（ＬＢＳＦ）および高効率を有する太陽電池の製造方法を提供することである。本発明の目的は、また、プロセスをより環境に優しくする、および例えばＨＦおよびＨＮＯ３の使用を制限するまたは可能であれば回避することである。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】ＬＢＳＦを有する太陽電池の標準的な製造方法のプロセス変形態様Ａ
【図２】ＬＢＳＦを有する太陽電池の標準的な製造方法のプロセス変形態様Ｂ
【図３】ＬＢＳＦを有する太陽電池の標準的な製造方法のプロセス変形態様Ｃ
【図４】６個のプロセス工程（エッチングペーストを使用したパッシベーション層の開口）を含む、本発明の方法Ｄの表示
【図５】６個のプロセス工程（レーザーを使用したパッシベーション層の開口）を含む、本発明の方法Ｅの表示
【図６】未処理表面および処理された表面の比較、本発明のエッチングペーストのシリコン表面上への効果
【図７】ウェハのエッチングされた背面の表面プロファイル、右から左（未処理側からエッチングされた側）への表面粗さのプロファイル測定
【図８】本発明の方法の前の未処理ウェハ表面のＳＥＭ顕微鏡写真
【図９】本発明のエッチングペーストを用いた本発明の方法後のウェハ表面のＳＥＭ顕微鏡写真
【図１０】ウェハの背面へのエッチングペーストのステンシル印刷のための詳細なスケッチ（寸法付き）
【図１１】加熱工程前の印刷されたペーストの詳細なスケッチ（エッジ領域の側面図）。印刷後の約１００μｍのエッジからの間隔。
【図１２】加熱工程後の印刷されたペーストの詳細なスケッチ（エッジ領域の側面図）。ペーストはエッジへ流れていた。
【００１９】
本発明の主題
驚くべきことに、様々なエッチングペースト組成物での実験は、この目的が新規のＫＯＨ含有エッチングペースト組成物の使用によって、および方法を同時に改変することによって達成することができることを示した。
【００２０】
したがって、本発明は、背面研磨および背面エッジ絶縁を、アルカリエッチングペーストを用いた１プロセス工程によって容易にすることを特徴とする、局所背面電界（ＬＢＳＦ）を有する太陽電池の製造方法に関する。さらなるプロセス工程において、コンタクトウィンドウが、酸エッチングペーストを用いて、背面多層（パッシベーション層およびＳｉＮｘ）へとエッチングされ、ここで使用される酸エッチングペーストはシリコン層に対して特定の選択性を有する。
【００２１】
特に、この本発明の新規の方法は、エッチング研磨およびエッジ絶縁が、ＨＦ／ＨＮＯ３混合物の使用なしで行われるという事実をとおして、今日まで知られている方法とは異なる。アルカリエッチングペーストの使用は、有利に、化学排気洗浄を完全に省略することを可能にする。
【００２２】
好ましい態様において、図４に表すとおり、局所背面電界（ＬＢＳＦ）を有する太陽電池の製造のための本発明の方法は、以下のプロセス工程：
Ｉ．表面のテクスチャリング
ＩＩ．リンドーピング（〜６５Ω／ｓｑ  ＰＯＣｌ３の拡散）
ＩＩＩ．アルカリエッチングペーストによる背面のエッチング、これにより表面は研磨され、同時にｐ／ｎ接合が開放され、ここでエッチングペーストはステンシル印刷を使用して背面に印刷され、約１５０℃で２分間、ベルト炉で活性化され、ウェハはＤＩ水ですすがれる
ＩＶ．ＳｉＯ２またはＡｌ２Ｏ３パッシベーション層（１５〜３０ｎｍ）での背面のコーティング、およびその後のプラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ−ＳｉＮｘ）による窒化シリコン（７０〜１００ｎｍ）での背面および前面のコーティング
Ｖ．スクリーン印刷によるエッチングペーストの印刷、ベルト炉における加熱、およびＤＩ水でのすすぎ
ＶＩ．前面および背面の金属化のためのスクリーン印刷とその後の焼結（共焼成）
を含む。
【００２３】
シーケンスを変更した後の改変した態様において（図５）、単一工程エミッタを含む、太陽電池の製造のための本発明の方法は以下のプロセス工程：
Ｉ．表面のテクスチャリング
ＩＩ．リンドーピング（〜６５Ω／ｓｑ  ＰＯＣｌ３の拡散）
ＩＩＩ．アルカリエッチングペーストを用いた背面のエッチング、これにより表面は研磨され、同時にｐ／ｎ接合が開放される（ステンシル印刷を使用したエッチングペーストの背面への印刷、約１５０℃で２分間、ベルト炉で活性化、ＤＩ水でのウェハのすすぎ）
ＩＶ．ＳｉＯ２またはＡｌ２Ｏ３パッシベーション層（１５〜３０ｎｍ）を用いた背面のコーティング、その後のプラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ−ＳｉＮｘ）による窒化シリコン（７０〜１００ｎｍ）での背面および前面のコーティング
Ｖ．レーザーによるＳｉＯ２／ＳｉＮｘ層またはＡｌ２Ｏ３／ＳｉＮｘ層の開口（直径約７０μｍのドット開口）
ＶＩ．前面および背面の金属化のためのスクリーン印刷とその後の焼結（共焼成）
を含む。
【００２４】
本発明の目的を達成するために、特にアルカリエッチングペーストの使用が寄与し、これは好ましくは、アルカリエッチング成分としてＮａＯＨ、ＫＯＨまたはこれらの混合物を含み、これは局所背面電界（ＬＢＳＦ）を有する太陽電池の製造について記載された方法の中に記載されている。この点に関して、特に好ましいのは、エッチング成分としてＫＯＨを含むエッチングペーストである。この目的のために特に好ましいのは５〜４０重量％で量のＫＯＨを含むＫＯＨ含有エッチングペーストである。
【００２５】
ＫＯＨに加え、本発明のペーストは、溶媒または溶媒混合物を含む。この目的のために特に適している溶媒は、この場合において、グリセロール、エチレングリコール、ポリエチレングリコール、オクタノール、１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジメチルスルホキシドおよびガンマ−ブチロラクトンの群から選択される溶媒であり、これらのそれぞれは、純粋な形態または混合物で使用することができる。溶媒または溶媒混合物は、２０〜７０重量％の量で、ペースト中に存在し得る。
【００２６】
これらの組成物は、さらに好ましくは少なくとも１種の非粒子増粘剤を含む。特に、これらのペーストは、ポリビニルピロリドン、ポリアクリレート、カルボキシメチルセルロースおよびヒドロキシプロピルセルロースの群から選択される非粒子増粘剤を、純粋な形態または混合物で含む。カーボンブラック、熱分解ケイ酸、ケイ酸アルミニウムマグネシウムおよび低融点ワックス粒子の群から選択される粒子増粘剤を、純粋な形態または混合物で含む対応するペーストは特に良好な特性を有する。
【００２７】
本発明の方法における使用に極めて特に適しているのは、非粒子増粘剤およびまた粒子増粘剤の両方を含むペーストである。ペーストは、好ましくは０．１〜３５重量％の量の、好ましくは０．５〜３５重量％の量の増粘剤を含む。
【００２８】
ＬＢＳＦ（local back surface field）を有する太陽電池の製造のためのＫＯＨ含有エッチングペーストの使用により、改善された有効性を有する太陽電池が得られる。簡便化されたプロセスによるかかるＬＢＳＦを有する太陽電池の製造について、背面パッシベーション層を開口するためにリン酸を含有するエッチングペーストを使用することが有利であることがここで証明された。
【００２９】
発明の詳細な記載
実験は、驚くべきことに、新規のＫＯＨ含有エッチングペーストの使用をとおして、リンケイ酸ガラス（ＰＳＧまたはリンガラス）に対する極めて良好なエッチング結果が達成されることを示している。ここで、下にあるシリコン層を、１工程で同時にエッチングすることができることが特に有利であることが見出された。新規なエッチングペースト配合物での実験はまた、本発明の組成物の使用が、極めて良好な達成すべき研磨結果、およびまた計画されたエッチングにおいて短時間で達成することができ、p／ｎ接合の開放に十分で、ここで達成される＞５μｍのエッチング深さを有するエッチング深さの両方を可能にすることもまた示している。
【００３０】
さらに、局所背面電界（ＬＢＳＦ）を有する太陽電池の製造方法への新規のエッチングペースト組成物の統合が、方法をうまく簡略化し、より安価にすることを可能にすることが見出された。下にあるシリコン層の同時エッチング−研磨およびエッジ絶縁（ｐ／ｎ開放）は、本発明にかかる改善された方法により、より高い効率を有するＬＢＳＦを有する太陽電池の製造を可能にする。
【００３１】
本発明の方法において、ＨＦおよびＨＮＯ３を使用した酸テクスチャリングの後またはＫＯＨおよびイソプロパノールを使用したアルカリテクスチャリングの後、ウェハはウェハ全面にわたり高ドープされる。この目的のために、ウェハを、約３０〜９０分の滞留時間の間、約８００〜８５０℃の温度で、ＰＯＣｌ３を使用してリンをドープする。ドーピングにより、セル前面の導電率は、約６０〜７０オーム／ｓｑ．に調整される。その後、新規のエッチングペーストを、Ｓｉウェハの背面上に、好ましくは全面に、特別なスクリーンレイアウトを使用するかまたはスチールステンシルによるスクリーン印刷によって印刷し、加熱する。ウェハ表面は、この目的のために、１００℃〜１５０℃の温度に加熱する。加熱時間は２〜５分である。
【００３２】
加熱は、好ましくは、ベルト炉で行う。加熱工程の間に、ＰＳＧ層およびまたシリコン層の両方がエッチングされる。＞５μｍのエッチング深さに達したときにエッチングは完了する。これは背面が強く輝き始めることから明らかである。ＤＩ水で簡単に洗浄後、ウェハの前面上のＰＳＧガラス（リンガラス）は、次の工程において、フッ化水素酸を用いて除去される。ウェハは再度ＤＩ水ですすぎ、乾燥する。その後パッシベーション層を背面に適用する。この目的のために、ＳｉＯ２を３０ｎｍの層厚で（熱表面酸化によって）、またはＡｌ２Ｏ３を２０ｎｍの層厚で（原子層堆積を使用して）適用することができる。
【００３３】
その後、窒化ケイ素を、背面および前面上に、ＰＥ−ＣＶＤによって、９０ｎｍの層厚で堆積させる。SolarEtch AQSエッチングペーストは、ドットパターン（９０μｍの直径で約２５０００ドット）（スクリーン印刷による）として背面上に印刷する。ウェハ表面は、その後３５０℃〜４５０℃の温度に加熱する。ここで加熱時間は１〜５分である。加熱は、好ましくはベルト炉で行う。加熱工程の間、ＳｉＮｘ層と、またＳｉＯ２またはＡｌ２Ｏ３との両方がエッチングされる。
【００３４】
このプロセス工程後、ウェハ表面を超音波浴中で０．１〜０．４％のＫＯＨ溶液で洗浄し、ＤＩ水ですすぎ、乾燥する。対応する銀ペーストを、前面接点のために前面上に印刷し、一方アルミニウムペーストを背面接点のために、代わりの領域において背面上に印刷する。この目的のために、特別なＬＢＳＦアルミニウムペーストの使用が好ましく、これはガラスフリットの濃度を低減する（例えば、DuPontからのSolamet（登録商標）ＬＢＳＦアルミニウムペースト）。印刷されたウェハを、最終的にベルト炉内で加熱し、乾燥する。
【００３５】
したがって、本発明のエッチングペースト組成物を使用する、局所背面電界を有する太陽電池の製造のための本発明の方法は、以下の工程を含み、これは図４に再現される：
１．ピラミッド構造での表面のテクスチャリング
２．リンドーピング（〜６５Ω／ｓｑ  ＰＯＣｌ３の拡散）
３．本発明のエッチングペーストを使用した背面のエッチング、これにより表面は研磨され、同時にｐ／ｎ接合が開放される（ステンシル印刷によるエッチングペーストの背面への印刷、約１５０℃で２分間、ベルト炉で活性化、ＤＩ水でのウェハのすすぎ）
４．ＨＦを使用したＰＳＧエッチング（ＰＳＧ：リンケイ酸ガラス）
５．ＳｉＯ２またはＡｌ２Ｏ３パッシベーション層での背面のコーティングおよび窒化シリコンでの背面および前面のコーティング［ＰＥＣＶＤ−ＳｉＮｘ（ＰＥＣＶＤ：プラズマ化学気相成長法）］
６．エッチングペーストによるパッシベーション層およびＳｉＮｘ層の選択的開口（SolarEtch AQS印刷、加熱、すすぎ）
７．前面（銀ペースト）および背面（アルミニウムペースト）の金属化のためのスクリーン印刷／ベルト炉内での焼結。
【００３６】
既知の局所背面電界（ＬＢＳＦ）を有する太陽電池の製造方法と比較して、本発明の方法はより少ないプロセス工程を含む。したがって、本発明のエッチングペースト組成物を使用した改変された方法によって、２つの除外される工程に必要とされていた時間およびまた化学物質の両方を省くことが可能である。したがって、同時に、製造プロセス全体も安価となる。
【００３７】
局所背面電界（ＬＢＳＦ）を有する太陽電池の製造について、本発明の方法およびそれにより製造された太陽電池は、前記既知の方法Ａ、ＢおよびＣに対して以下の有利な点を示す：
１．選択エミッタを含む、太陽電池の製造のためのプロセス工程の減少
２．全プロセスを実施するためのコストの削減
３．より環境に優しいプロセス、ＨＦ／ＨＮＯ３混合物からなる酸混合物を使用したエッチング工程（研磨工程）が不要であり、亜硝酸ガスの形成が回避されるため
４．標準の太陽電池より高い効率またはより高いセル効率
【００３８】
これらのプロセスの利点および太陽電池のより高い効率に加え、本発明の新規のペーストを使用したエッチング後のウェハの背面が、極めて低粗度を有することが観察されている。この低粗度は、電子の再結合速度を著しく低下させる。次に後者は製造した太陽電池の効率に正の影響を及ぼす。
【００３９】
特に、これらの利点は、プロセス工程３におけるアルカリエッチングペーストの使用によって達成される。ＮａＯＨ、ＫＯＨまたはこれらの混合物がアルカリエッチング成分としてその中に存在し得る。好ましいのは、エッチング成分としてＫＯＨを含むエッチングペーストである。対応するアルカリペーストは、組成物全体に対して５〜４０重量％の範囲内の濃度でアルカリエッチング成分を含む。エッチング成分の濃度は好ましくは１０〜３７重量％の範囲内である。濃度は特に好ましくは、混合物中の１２〜３５重量％の範囲内のＫＯＨまたはＫＯＨおよびＮａＯＨである。
【００４０】
実験により、２０〜３５重量％の濃度でＫＯＨを含む組成物で特に良好な結果が得られた。溶媒としての水とは別に、グリセロール、エチレングリコール、ポリエチレングリコール、オクタノール、１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジメチルスルホキシドおよびガンマ−ブチロラクトンのグループから選択される溶媒は、純粋な形態または混合物中で、本発明に従って使用されるアルカリエッチングペースト中に存在してもよい。これらの溶媒は、２０〜７０重量％の量で、好ましくは２０〜６０重量％の量で、特に好ましくは２０〜４０重量％の量で組成物に添加することができる。
【００４１】
増粘のために、ペーストはポリビニルピロリドン、ポリアクリレート、カルボキシメチルセルロースおよびヒドロキシプロピルセルロースの群から選択される非粒子増粘剤を、純粋な形態または混合物で含む。さらに、カーボンブラック、熱分解ケイ酸、ケイ酸アルミニウムマグネシウムおよび低融点ワックス粒子の群から選択される粒子増粘剤を、ペーストに添加することができる。これらの粒子増粘剤は、純粋な形態または混合物で添加することができる。増粘剤の選択に応じて、増粘剤は、この種のエッチングペースト中、全量０．１〜３５重量％で存在し得る。好ましくは、良好なエッチング特性を有する対応するエッチングペーストにおける増粘剤濃度は、好ましくは０．５〜３５重量％である。
【００４２】
図６は、本発明のエッチングペーストでの処理後のウェハと比較した未処理ウェハの表面の写真を示す。アルカリエッチングペーストを使用したエッチング工程後、滑らかな反射面が明らかに明白である。
図７は、部分的にエッチングされたウェハの表面プロファイルを示す。実演のため、ウェハの表面の半分は本発明のエッチングペーストを使用して印刷およびエッチングはなされていない。したがって、１回の測定操作で未処理側およびエッチングされた側の測定が可能である。
【００４３】
既に上述したとおり、パッシベーション層およびＳｉＮｘ層の選択的開放は、市販の、例えばSolarEtch AQSの名前のエッチングペーストを使用して行うことができる。より詳細に、とりわけWO 03/034504 A1に記載されたこれらのエッチングペーストは、無機層に対しておよびまたに対して好適なＨＦ／フッ化物を含まないエッチング媒体である。これらは通常、エッチング成分として、リン酸および／またはその塩を含み、これらは加熱の際に、対応するリン酸に分解される。これらのペースト形態のために、開口される表面領域に選択的に適用することができ、その結果その後の２５０〜３５０℃の範囲の温度での３０〜１２０秒間の加熱の際、ウェハ表面の局所開口が製造される。
【００４４】
本発明の適用のために、好適な組成物は、エッチング成分として、オルトリン酸、メタリン酸、ピロリン酸またはこれらの塩を含み、ここでは特にアンモニウム塩（（ＮＨ４）２ＨＰＯ４、ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４、（ＮＨ４）３ＰＯ４）および熱分解でこれらの化合物の１つを形成する他の化合物を適切な濃度で含み、その結果、これらは２５０℃を超える温度で、数秒から数分内に層厚７０ｎｍの窒化シリコン層の完全なエッチング除去をすることができる。エッチング成分に加え、これらのエッチングペーストは、溶媒、増粘剤および任意の添加剤、例えば消泡剤、チキソトロープ剤、流動性制御剤、脱気剤、接着促進剤などを含む。
【００４５】
エッチング成分は、組成物中に、エッチングペーストの総重量に対して１〜８０重量％の濃度範囲で、好ましくは上側の濃度範囲で適度に存在する。組成物中の溶媒の割合は、エッチングペーストの総重量に対して２０〜８０重量％の範囲内で、好ましくは適度な範囲の下側であり得る。好適な溶媒は、純粋な無機または有機溶媒あるいはこれらの混合物、例えば水、単純および／または多価アルコール、エーテル、特にエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、または［２，２−ブトキシ（エトキシ）］エチルアセタートであり得る。
【００４６】
さらに、粘度範囲の特定の設定のために、および、原則として組成物の印刷可能性を達成するために、すなわち印刷可能なペーストの形成のために必要である、ペーストに存在する増粘剤の割合は、エッチングペーストの総重量に対して１〜２０重量％の範囲内である。存在し得る増粘剤は、有機もしくは無機製品またはこれらの混合物、例えばエチル−、ヒドロキシプロピル−、ヒドロキシエチル−、カルボキシメチルセルロースナトリウムなどのセルロース／セルロース誘導体、またはカルボキシメチルスターチナトリウム（vivastar（登録商標））などのデンプン／デンプン誘導体、またはアニオン性ヘテロ多糖類、アクリレート（Borchigel（登録商標）など）、ポリビニルアルコール（Mowiol（登録商標））、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）などのポリマー、またはAerosil（登録商標）などの高分散ケイ酸であり得る。有機および無機の両方の種の増粘剤を所望により組み合わせることもできる。任意に存在する添加剤は、消泡剤、チキソトロープ剤、流動性制御剤／流れ止め剤（antiflow agent）、脱気剤、接着促進剤であり得る。
【００４７】
銀ペーストを使用した表面の選択的金属化のために、対応する印刷可能な組成物、市販されているものとして、例えばDupontによる製品名PV145 Conductor（登録商標）またはMetalor（登録商標）による製品名MetPaste HeliSiI5718（登録商標）を使用することができる。この種のペーストは、総重量に対して５０〜８０重量％の量の銀、および溶媒または溶媒混合物、さらに有機添加剤および水、ならびに例えば酸化亜鉛、二酸化ケイ素、酸化タリウム、ガラスフリット中の鉛などの無機酸化物を含有することができる。とりわけ、２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオールモノイソブチラート、ジブチルフタラート、テルピネオール、２−（２−ブトキシエトキシ）エチルアセタートまたはエチルセルロースなどの物質が、各場合において、印刷可能なペーストが得られる適切な量で存在し得る。ここで組成物は、金属化ペーストが印刷された後の加熱が、それにより導電性が損なわれるであろう任意の干渉有機物質を含まないように選択すべきである。
【００４８】
既に上述したとおり、背面の金属化は、同様にスクリーン印刷可能であり、高温で加熱して焼結し、導電性コーティングが得られるアルミニウムペーストを使用して行う。好適なペーストは、AG/AL 8205 PC銀アルミニウムペーストの名前で、PEMCO EUROINKS S.r.lにより販売されている。対応するアルミニウムペーストは、５０〜８５重量％の量の銀に加え、少なくとも１〜１０重量％のアルミニウムを含み、上記銀ペーストのように、対応する溶媒および添加剤を含んでいてもよく、ここで具体的に述べるアルミニウムペーストは、ホウケイ酸ガラスに基づいて１〜％の量のエナメルフリット、１〜５重量％の量の鉛化合物および２０重量％未満の量のアルファ−テルピネオールを含む。
【００４９】
上記銀ペーストのように、スクリーン印刷可能なアルミニウムペーストをまた、本発明の方法において、ここで採用する。これに対応して、アルミニウムペーストは、一方では十分に印刷することが可能でなければならず、他方では、それらが選択的に印刷することができ、および高温でウェハの層に十分に結合することができ、および均一な導電性の金属化層を形成できるように、表面に十分に付着しなければならない。
【００５０】
単結晶または多結晶太陽電池の製造のために、対応するウェハは基本的に、典型的には、ワイヤソー（Wire Saw）を使用して、シリコンロッドまたはキャストシリコンブロックから切り出される(Dietl J., Helmreich D., Sirtl E., Crystals : Growth, Properties and Applications, Vol. 5 Springer Verlag 1981, pp. 57 and 73)。例外は、ＥＦＧ法（edge-defined film-fed growth)で形成されるものである(Wald, F. V.; Crystals : Growth, Properties and Applications, Vol. 5 Springer Verlag 1981, p 157)。
【００５１】
本発明の方法による、局所背面電界（ＬＢＳＦ）を有する太陽電池の製造のために、対応して製造された単結晶または多結晶シリコンウェハを採用することができ、これは次にホウ素でドープされてもよい［ｐ型シリコン、５“サイズ（１２５×１２５ｍｍ、Ｄ１５０ｍｍ）、厚さ２００〜２６０μｍ、抵抗率１．０〜１．５Ω．ｃｍ］。
【００５２】
ウェハは、通常、単または多結晶シリコンロッドから切り出される。このようにして得られる、切り出された単結晶または多結晶シリコンウェハは、粗面を有している。この粗さはまた、ソーダメージ（saw damage）とも言われ、頂点から谷までの高さが約２０〜３０μｍである。表面平面におけるこれらの差異は、高性能太陽電池のさらなる処理のために不利である。いわゆるソーダメージエッチングは、太陽電池へのウェハのさらなる処理の前に行われるが、特に最高の効率を達成するために行われる。このソーダメージエッチングの間に、実際に意図したソーダメージ（数μｍの深さを有する極めてひどく損傷したウェハの表面領域）の除去に加え、表面のくぼみに位置する汚染が除去される。この汚染は、特にソーワイヤーからの金属摩耗であるが、わずかな研磨剤でもある。
【００５３】
ソーダメージエッチングは、典型的には、約７０℃、好ましくはそれ以上、特に９０℃の温度で、約３０％の水酸化カリウムまたはナトリウム溶液中で行われる。これらの条件下でも比較的低い２μｍ／分のエッチングレートにより、所望の効果を達成するためには、１０分間およびおそらくそれ以上のエッチング時間が必要になり得る。７μｍの厚さを有するＳｉ層は、通常、このようにウェハ両面で除去される。
【００５４】
このエッチングは、基板上に粗い表面を生成するが、しかしながら、ここで表面で達成される開口角は極めて平坦であり、表面での反射または多重反射ですら低減するのに、全体として不向きである。しかしながら、かかる反射効果は、セルの高効率を達成するために望まれる。したがって、多数の刊行物および特許が、全ての種の太陽電池（たとえばアモルファス太陽電池も）での反射の低減に関する（US 4,252,865 A）。
【００５５】
さらなる記載において、ＬＢＳＦを有する太陽電池の製造のための本発明の方法、およびその中で使用される本発明の保護の範囲内にあるエッチングペーストの例は、より良い理解のためおよび説明するために与えられる。これらの例はまた、可能な改変された方法またはエッチング工程に適したペースト組成物のバリエーションを説明するのに役立つ。しかしながら、記載した本発明の原理の全般的な有効性のためであって、例は、本願の保護の範囲を、これらのみに減少させるのに適するものではない。
【００５６】
例および記載および特許請求の範囲において与えられた温度は、通常℃である。他に示されない限り、含有量データは重量％または重量比で与えられる。
さらに、当業者には言うまでもないが、与えられる例およびまた記載の残りの部分の両方において、組成物に存在する成分量は、常に全組成物に対して、１００重量％、モル％または体積％までしか添加されず、たとえ示されたパーセント範囲からより高い値が生じたとしても、これを超えることはできない。特に断らない限り、％データは、体積データで示された比率を除いて、重量％とみなされる。
【００５７】
本発明の太陽電池の製造
太陽電池の反射の低減は、通常、アルカリ溶液、好ましくはＫＯＨ溶液およびイソプロパノールを含むアルカリ溶液を使用して、またはＨＦおよびＨＮＯ３の酸混合物からなる酸溶液を使用してテクスチャリングすることによって達成される。
テクスチャリング後、表面洗浄は、酸含有溶液、熱い脱塩水またはオーブン内での処置で、
次の順序：
ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＦ、熱い脱塩水、ＨＦ、オーブン内での処置、
で行われる。
【００５８】
ウェハの表面を洗浄した後、単一工程エミッタが、拡散工程において形成される。これはバッチ法であり、ウェハの表面が８００℃より高い温度、最大８９５℃の温度で、約１時間、好ましくは約４０分以内に、ウェハの表面がリンでドープされる。ドーピングは、液体のＰＯＣｌ３を用いて行われる。約４０分後、約６５オーム／ｓｑの所望の導電率に達した。
【００５９】
アルカリエッチングペーストを使用すると、背面研磨および背面エッジ絶縁が、１プロセス工程で行われる。ここで、エッチングペーストは、ステンシル印刷によって適用される。エッチング工程には、ＫＯＨ含有エッチングペーストを使用する。ペーストはスクリーン印刷装置（例えば、Bacciniからの好適な装置、４台のカメラを使用して印刷を監視する）を使用して適用することができる。エッチングペーストは、例えば５００μｍのステンシル厚さのKoenenからのステンシルを使用して印刷することができる。ペーストは、スチールドクターブレードを使用して極めて良好に印刷することができる。以下のパラメータがペースト印刷のために設定された：間隔なし；印刷速度：１５０ｍｍ／秒。
【００６０】
エッチングペーストはウェハのエッジから２００μｍ間隔をおいて全面に適用される（図１０のスケッチ参照）。エッチングのために、印刷したウェハを約５分間、１５０℃までの温度に加熱し、エッチングペーストが活性化させる。ベルト炉はこの目的のために使用する。炉は、４つの加熱ゾーンに分割する。ゾーン１は２５０℃に、ゾーン２は２００℃に、ゾーン３は１５０℃に、ゾーン４は１５０℃に設定する。ベルト速度は５１ｃｍ／分である。エッチングされたウェハを、その後Renaインラインクリーニングユニットを使用して洗浄する。洗浄は２工程で行う。第１の工程において、ウェハは連続超音波浴（２×５００Ｗ、４０ｋＨｚ）で処理する。第２の工程において、ウェハは両側を、ウォータージェットを使用して洗浄し、その後乾燥（圧縮空気）する。
【００６１】
ＰＳＧガラスエッチングおよび湿式化学表面洗浄は、ＨＦ、熱い脱塩水を使用して、再度ＨＦを使用して行う。２０ｎｍの厚さの熱ＳｉＯ２の薄層を背面上に堆積する。その後、９０ｎｍのＬＰＣＶＤ  ＳｉＮｘを前面上および背面上に堆積する。
【００６２】
両面のＬＰＣＶＤ  ＳｉＮｘ堆積は７９０℃までで行う。９０ｎｍの層厚の堆積のためのプロセス時間は約２時間である。Ｓｉ３Ｎ４の堆積に使用する反応ガスは、ジクロロシランおよびＮＨ３である。
【００６３】
約９０，０００ドットのドットレイアウト（約１００μｍの直径および５００μｍの間隔）が、その後ウェハの背面上へ印刷される。ペーストはスクリーン印刷装置を使用して適用することができる。エッチングペーストは、例えば、仕様２８０メッシュ/インチおよび２５μｍのワイヤ径をもつKoenenからのスクリーンを使用して印刷することができる。スクリーンのクランプ角は、好ましくは２２．４°である。使用されるスクリーンエマルジョンは、Kissel & WolfからのAzokol Z130タイプである。ペーストは、ダイヤモンドドクターブレードおよび８０ショアのドクターブレード硬度を使用して極めて良好に印刷することができる。
【００６４】
ここではペーストの印刷のために以下のパラメータが設定される：
間隔：１．２ｍｍ；
圧力：７０Ｎ；
速度：１５０ｍｍ／秒
エッチングのために、印刷したウェハを約５分間、４００℃までの温度に加熱し、エッチングペーストを活性化させる。ベルト炉をこの目的のために使用する。炉は、４つの加熱ゾーンに分割する。ゾーン１は５５０℃に、ゾーン２は４００℃に、ゾーン３は４００℃に、ゾーン４は３００℃に設定する。ベルト速度は５１ｃｍ／分である。エッチングされたウェハは、その後インラインクリーニングユニット（例えばRenaから）を使用して洗浄する。洗浄は２工程で行う。第１の工程において、ウェハは連続超音波浴（２×５００Ｗ、４０ｋＨｚ）で処理し、第２の工程において、両側を、ウォータージェットを使用して洗浄し、その後乾燥（例えば圧縮空気を使用）する。
必要な背面接点は以下の条件下で製造することができる：
【００６５】
ペーストは、スクリーン印刷装置を使用して適用することができる。継続的に印刷結果を監視することが有利である。実験に採用されるユニットにおいて、監視は４台のカメラを使用して行う。Ａｇ／Ａｌペーストを標準として使用する。記載した方法のために、対応するDuPontからのPV 502を実験に使用した。ペーストは、例えば、仕様２３０メッシュ/インチおよび３６μｍのワイヤ径を具備するKoenenからのスクリーンを使用して印刷することができる。スクリーンのクランプ角は、好ましくは４５°である。使用するスクリーンエマルジョンはKoenenからのISARタイプである。ここで、使用されたペーストが、ダイヤモンドドクターブレードおよび６０ショアのドクターブレード硬度を使用して極めて良好に印刷することができることが見出された。
【００６６】
以下のパラメータ設定がペーストの印刷に有利であることが証明された：
間隔：１．２ｍｍ；
圧力：７０Ｎ；
速度：１５０ｍｍ／秒
Ａｇ／Ａｌペーストを使用すると、５ｍｍ×１２４ｍｍと測定される２つのバスバーが背面上に印刷される。印刷されたペーストの厚さは約１５μｍである。乾燥のために、印刷されたウェハを、約３分間、２００℃まで加温する。ベルト炉は、この目的のために使用することができる。
【００６７】
アルミニウムＬＢＳＦ接点：
ペーストは「Baccini printer（４台のカメラ付）」の名前で販売されているスクリーン印刷装置を使用して適用される。記載した方法は、Solamet（登録商標）PV36xアルミニウムペースト（DuPontからの局所背面電界用導電性ペースト）を使用して行うことができる。ペーストを、仕様３３０メッシュ/インチおよび３４μｍのワイヤ径をもつKoenenからのスクリーンを使用して印刷する。この目的のためのスクリーンのクランプ角は好ましくは４５°である。使用するスクリーンエマルジョンはKoenenからのISARタイプである。ペーストは、ダイヤモンドドクターブレードおよび６０ショアのドクターブレード硬度を使用して極めて良好に印刷することができる。この場合において、以下のパラメータ設定がペーストの印刷に有利であることが証明された：間隔：１．２ｍｍ；圧力：７０Ｎ；速度：１５０ｍｍ／秒。背面全面に標準Ａｌペーストを使用して印刷した。印刷されたペーストの厚さは好ましくは約２２μｍであり、適用したペーストの量は約２．６４ｍｇ／ｃｍ２である。乾燥のために、印刷したウェハを約３分間、２９０℃まで加温する。これはベルト炉で行われる。
【００６８】
前面接点（ライン）：
ペーストは「Baccini printer（４台のカメラ付）」の名前で販売されているスクリーン印刷装置を使用して印刷する。記載した方法のために、DuPont社からのPV 145銀ペーストを例として使用する。ペーストを、仕様２８０メッシュ／インチおよび２５μｍのワイヤ径をもつKoenenからのスクリーンを使用して印刷する。スクリーンのクランプ角は２２．５°である。この場合において使用するスクリーンエマルジョンはKoenenからのISARタイプである。ペーストは、ダイヤモンドドクターブレードおよび６０ショアのドクターブレード硬度を使用して極めて良好に印刷することができる。試験した条件下で、以下のパラメータ設定がペーストの印刷に適していることが証明された：
間隔：１．２ｍｍ；
圧力：７０Ｎ；
速度：１６０ｍｍ／秒。
銀ペーストを使用すると、２つのバスバーおよびフィンガーをもつ前面レイアウトが印刷される。線幅は８０μmであり、フィンガー間の間隔は１．７ｍｍである。メインバスバーの幅は２ｍｍである。印刷されたペーストの厚さは約２０μｍである。乾燥のために、印刷したウェハは、３分間２９０℃までの温度で加温する。この目的のためにベルト炉を使用することができる。
【００６９】
焼成条件：
−金属ペーストを使用して印刷されたシリコンウェハは、ＩＲベルト炉を通って搬送され、ここではそれらは最高温度８８０℃に加熱され、焼成される。この温度工程は、有機ペースト成分を燃焼させ、およびまた金属粒子およびガラスフリット成分を焼結し、溶融する両方の役割を果たす。これは、長期的に安定している表面接点を製造する（現状技術：「共焼成（co-firing）」および「ARC焼成スルー（ARC firing through）」）。記載した方法における焼成は、７個のゾーンをもつベルト炉を使用して行われ、以下の温度プロフィールが有利であることが証明された：１．５ｍ／分のベルト速度で、２５０−３５０−４００−４８０−５６０−５６０−８８０℃。
【００７０】
ＬＢＳＦセルの特性：
製造した太陽電池を、標準条件下（ＳＴＣ．１０００Ｗ／ｓｑｍ、ＡＭ  １．５、温度：２５°Ｃ）、太陽光シミュレータ（Ｘｅランプ）を用いて特性づけた。以下の測定値がモデルとして製造された太陽電池について見出された。
【表１】
2015522951.tif 000003
測定値は、本発明の方法を、標準的な太陽電池の効率と比較して＞０．４％増加した効率で、単一工程の選択的エミッタを含む太陽電池を製造するために使用することができることを示している。
【００７１】
使用されるエッチングペーストの例：
例１
１１６ｇのＫＯＨ
０．５ｇのポリビニルピロリドンを、
２４０ｇのグリセロール
６４ｇの水
からなる溶媒混合物に激しく撹拌しながら添加する。その後、２２ｇのカーボンブラックを透明な均一な混合物に添加し、これをその後さらに２時間撹拌する。
【００７２】
例２
８８ｇのＫＯＨ
および
０．３ｇのカルボキシメチルセルロースを、
２１０ｇのポリエチレングリコール
５４ｇの水
からなる溶媒混合物に激しく撹拌しながら添加する。その後、５ｇのCeridust（ポリエチレンワックス）を透明な均一な混合物に添加し、これをその後さらに２時間撹拌する。
【００７３】
例３
９８ｇのＫＯＨ
および
０．３ｇのカルボキシメチルセルロースを、
２１０ｇの１，４−ブタンジオール
５４ｇの水
からなる溶媒混合物に激しく撹拌しながら添加する。その後、５ｇのCeridust 9202 Fを透明な均一な混合物に添加し、これをその後さらに２時間撹拌する。
【００７４】
例４
ＫＯＨを含む別のエッチングペースト
１５ｇのカルボキシメチルセルロースを、
２５０ｇのＫＯＨ溶液（６０％）
５２０ｇのガンマ−ブチロラクトン
からなる溶媒混合物に激しく撹拌しながら添加する。
その後、７０ｇのCeridust 9202 Fを透明な均一な混合物に添加し、これをその後さらに２時間撹拌する。
【００７５】
例５
７０ｇのＫＯＨ
５０ｇのＮａＯＨ
および
０．５ｇのポリビニルピロリドンを、
２４０ｇのグリセロール
６４ｇの水
からなる溶媒混合物に激しく撹拌しながら添加する。その後、２２ｇのカーボンブラックを透明な均一な混合物に添加し、これをその後さらに２時間撹拌する。
【００７６】
使用する準備ができたペーストは、スチールステンシル（図１０参照）またはステンレス鋼布（７０メッシュ/インチおよび５０μｍのエマルジョン厚さ）を有する印刷スクリーンを用いて印刷することができる。原則として、他のスクリーン布材料もまた使用することができる。貯蔵実験において、調製したエッチングペーストは有利なエッチング特性を保持しながら、長い貯蔵寿命を有することが証明された。
【図１】
2015522951.tif 000004
【図２】
2015522951.tif 000005
【図３】
2015522951.tif 000006
【図４】
2015522951.tif 000007
【図５】
2015522951.tif 000008
【図６】
2015522951.tif 000009
【図７】
2015522951.tif 000010
【図８】
2015522951.tif 000011
【図９】
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【図１０】
2015522951.tif 000013
【図１１】
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【図１２】
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【国際調査報告】
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2015522951.tif 000018
2015522951.tif 000019
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