(57)【要約】  セラミックスコーティングされた物品を製造するために、リング形状を有する石英基板の少なくとも１つの表面は、約１００マイクロインチ〜約３００マイクロインチの粗さに粗面化される。その後、石英基板は、イットリウム含有酸化物を含むセラミックスコーティングでコーティングされる。その後、石英基板は、研磨される。
2015523458.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物品を製造する方法であって、
リング形状を有する石英基板の少なくとも１つの表面を約１００マイクロインチ（μｉｎ）〜約３００マイクロインチの粗さに粗面化する工程と、
イットリウム含有酸化物を含むセラミックスコーティングによって、石英基板の前記少なくとも１つの表面をコーティングする工程と、
セラミックスコーティングを研磨する工程を含む方法。
【請求項２】
粗面化する工程の前に、第１マスクによって石英基板の側部をマスキングする工程であって、マスクされた側部は粗面化されない工程と、
コーティングする工程の前に、第２マスクによって石英基板の前記側部をマスキングする工程であって、マスクされた前記側部はコーティングされない工程と、
研磨する工程の前に、第２マスクを除去して、アセトンによって石英基板の前記側部を洗浄する工程を含む請求項１記載の方法。
【請求項３】
第１マスクはハードマスクであり、第２マスクはソフトマスクであり、石英基板のマスクされた側部は、石英基板のリング形状の内側部に対応する請求項２記載の方法。
【請求項４】
セラミックスコーティングは、研磨前に約１〜１２ミルの厚さ、研磨後に約１〜１０ミルの厚さを有する請求項１記載の方法。
【請求項５】
石英基板をコーティングする工程が、
石英基板を約１０℃〜３００℃の温度に加熱する工程と、
約５０ｋＷ〜９０ｋＷのプラズマ溶射電力を用いて石英基板をプラズマ溶射する工程を含む請求項１記載の方法。
【請求項６】
セラミックスコーティングは、Ｙ２Ｏ３、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２（ＹＡＧ）、及び、Ｙ４Ａｌ２Ｏ９（ＹＡＭ）を含む化合物とＹ２−ｘＺｒｘＯ３の固溶体とからなるリストから選択される請求項１記載の方法。
【請求項７】
リング形状を有する石英基板及びセラミックスコーティングを含む物品であって、物品は、
リング形状を有する石英基板の少なくとも１つの表面を約１００マイクロインチ〜約３００マイクロインチの粗さに粗面化する工程と、
イットリウム含有酸化物を含むセラミックスコーティングによって、石英基板の少なくとも１つの表面をコーティングする工程と、
セラミックスコーティングを研磨する工程を含むプロセスによって調製された物品。
【請求項８】
前記プロセスが、
粗面化する工程の前に、第１マスクによって石英基板の側部をマスキングする工程であって、マスクされた側部は粗面化されない工程と、
コーティングする工程の前に、第２マスクによって石英基板の前記側部をマスキングする工程であって、マスクされた側部はコーティングされない工程と、
コーティングを実行した後で、第２マスクを除去して、アセトンによって石英基板の前記側部を洗浄する工程を含む請求項７記載の物品。
【請求項９】
第１マスクはハードマスクであり、第２マスクはソフトマスクであり、石英基板のマスクされた側部は、石英基板のリング形状の内側部に対応する請求８記載の物品。
【請求項１０】
石英基板をコーティングする工程が、
石英基板を約１０℃〜３００℃の温度に加熱する工程と、
約５０ｋＷ〜９０ｋＷのプラズマ溶射電力を用いて石英基板をプラズマ溶射する工程を含む請求項７記載の物品。
【請求項１１】
セラミックスコーティングは、Ｙ２Ｏ３、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２（ＹＡＧ）、及び、Ｙ４Ａｌ２Ｏ９（ＹＡＭ）を含む化合物とＹ２−ｘＺｒｘＯ３の固溶体とからなるリストから選択される請求項７記載の方法。
【請求項１２】
リング形状を有し、約１００マイクロインチ〜約３００マイクロインチの粗さに粗面化された表面を有する石英基板と、
イットリウム含有酸化物を含み、約１〜１０ミルの厚さを有する、石英基板の前記粗面化された表面上のセラミックスコーティングを含む物品。
【請求項１３】
リング形状を有する石英基板は、内側部、上部、底部、及び外側部を含み、
上部及び外側部は、粗面化された面とセラミックスコーティングを有し、
底部及び内側部は、粗面化されていない面を有し、セラミックスコーティングを欠いている請求項１２記載の物品。
【請求項１４】
セラミックスコーティングは、Ｙ２Ｏ３及びＹ３Ａｌ５Ｏ１２（ＹＡＧ）からなるリストから選択される請求項１２記載の物品。
【請求項１５】
セラミックスコーティングは、Ｙ４Ａｌ２Ｏ９（ＹＡＭ）を含む化合物と、Ｙ２−ｘＺｒｘＯ３の固溶体とからなる請求項１２記載の物品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、概して、セラミックスコーティングされた物品、及びリング形状を有する基板にセラミックスコーティングを施すための方法に関する。
【背景】
【０００２】
半導体産業では、ますます減少するサイズの構造を作る多くの製造プロセスによって、デバイスは製造される。いくつかの製造プロセス（例えば、プラズマエッチングプロセスやプラズマ洗浄プロセス）は、基板をエッチング又は洗浄するためにプラズマの高速流に基板を曝露させる。プラズマは非常に腐食性があり、プラズマに曝露される処理チャンバ及び他の表面を腐食する可能性がある。この腐食は、デバイスの欠陥に寄与する、処理されている基板をしばしば汚染する粒子を生成する場合がある。
【０００３】
デバイスの幾何学形状が縮小するにつれて、欠陥への感受性は増加し、粒子汚染物質の要件はより厳しくなる。したがって、デバイスの幾何学形状が縮小するにつれて、粒子汚染の許容レベルは低下する可能性がある。プラズマエッチングプロセス及び／又はプラズマ洗浄プロセスによって導入される粒子汚染を最小限にするために、プラズマに耐性のあるチャンバ材料が開発されている。このような耐プラズマ性材料の例は、石英と、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＳｉＣ、Ｙ２Ｏ３、及びＺｒＯ２から構成されるセラミックスとを含む。異なる材料は、異なる材料特性（例えば、耐プラズマ性、剛性、曲げ強度、耐熱衝撃性など）を提供する。また、異なる材料は、異なる材料コストを有する。したがって、いくつかの材料は、優れた耐プラズマ性を有し、他の材料は、より低いコストを有し、更に他の材料は、優れた曲げ強度及び／又は耐熱衝撃性を有する。
【概要】
【０００４】
一実施形態では、セラミックスコーティングされた物品は、石英基板と、石英基板上のセラミックスコーティングを含む。セラミックスコーティングされた物品を製造するために、石英基板の少なくとも１つの面が、約１００マイクロインチ（μｉｎ）〜約３００マイクロインチの粗さに粗面化される。その後、石英基板は、イットリウム含有酸化物を含むセラミックスコーティングでコーティングされる。その後、石英基板は、研磨される。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
本発明は、添付図面の図の中で、限定としてではなく、例として示され、同様の参照符号は同様の要素を示す。この開示における「一」又は「１つの」実施形態への異なる参照は、必ずしも同じ実施形態への参照ではなく、そのような参照は、少なくとも１つを意味することに留意すべきである。
【図１】本発明の一実施形態に係る、製造システムの例示的なアーキテクチャを示す。
【図２】本発明の実施形態に係る、コーティングされたセラミックス物品を製造するためのプロセスを示すフローチャートである。
【図３】本発明の実施形態に係る、製造プロセスの異なる段階中の物品の断面側面図を示す。
【図４Ａ】本発明の一実施形態に係る、プラズマエッチングリアクタ内で使用されるリングの上面図を示す。
【図４Ｂ】本発明の一実施形態に係る、プラズマエッチングリアクタの断面側面図を示す。
【図５】従来の石英リングとセラミックスコーティングされた石英リングを使用して処理されたウェハ間のウェハエッジのエッチング深さの比較を示すグラフである。
【実施形態の詳細な説明】
【０００６】
本発明の実施形態は、セラミックスコーティングを有するリング形状を有する基板をコーティングするためのプロセス（方法）に向けられ、及びそのようなコーティングプロセスを使用して作成される物品に向けられている。一実施形態では、リング形状を有する基板は、粗面化され、セラミックスコーティングでコーティングされ、研磨される。粗面化、コーティング、及び研磨のためのパラメータは、基板へのセラミックスコーティングの接着強度を最大にするように最適化することができるので、基板からのセラミックスコーティングの将来的な剥離を低減することができる。
【０００７】
物品のセラミックスコーティングは、プラズマエッチングに対して高い耐性をもつことができ、基板は、優れた機械的特性（例えば、高い曲げ強度及び高い耐熱衝撃性）を有することができる。例えば、石英（例えば、溶融石英）は、高い熱機械的強度及び比較的低い費用を有するが、比較的低い耐プラズマ性を有している。対照的に、Ｙ２Ｏ３含有セラミックスは、耐プラズマ性が向上し、費用は増加するが、比較的低い熱機械的強度を有している。したがって、物品は、物質（例えば、石英）の有利な特性と、セラミックスコーティング（例えば、Ｙ２Ｏ３含有セラミックス）の有利な特性を、両者の物質の弱点なしに有することができる。コーティングされたセラミックス物品の性能特性は、比較的高い加熱能力（例えば、最大約１０００℃の動作温度に耐える能力）、比較的長い寿命、低いウェハ上の粒子及び金属汚染、及び（例えば、物品でのＡｌＦの形成をブロックすることによる）安定した静電チャック（ＥＳＣ）リーク電流性能を含むことができる。
【０００８】
本明細書中で「約」及び「およそ」という用語が使用される場合、これらは提示された公称値が±１０％以内で正確であることを意味することを意図している。いくつかの実施形態は、半導体製造用のプラズマエッチング装置で使用されるリングを参照して本明細書で記載されていることにも留意すべきである。しかしながら、このようなプラズマエッチング装置は、マイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを製造するためにも使用することができることを理解すべきである。更に、本明細書に記載の物品は、プラズマに曝露される他の構造であってもよい。例えば、物品は、プラズマエッチング装置、プラズマ洗浄装置、プラズマ推進システムなどの壁、土台、ガス分配板、シャワーヘッド、基板保持枠などであってもよい。
【０００９】
更に、実施形態は、プラズマリッチのプロセス用のプロセスチャンバ内で使用された場合に、粒子汚染を低減させることができるセラミックスコーティングされたリング及びセラミックスコーティングされた石英を参照して本明細書で説明されている。しかしながら、本明細書で論じられるセラミックスコーティングされたリング及びセラミックスコーティングされた石英はまた、他のプロセス（例えば、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）、プラズマ強化物理蒸着（ＰＥＰＶＤ）、プラズマ強化原子層堆積（ＰＥＡＬＤ））用のプロセスチャンバで使用する場合も、低減した粒子汚染を提供することができることを理解すべきである。更に、本明細書で論じられるセラミックスコーティングされたリング及びセラミックスコーティングされた石英は、非プラズマエッチングリアクタ、非プラズマ洗浄装置、化学蒸着（ＣＶＤ）チャンバ、物理蒸着（ＰＶＤ）チャンバなどで使用してもよいことを理解すべきである。
【００１０】
図１は、本発明の実施形態に係る、製造システム１００の例示的なアーキテクチャを示す。製造システム１００は、セラミックスの製造システムであってもよい。一実施形態では、製造システム１００は、機器自動化レイヤー１１５に接続された処理機器１０１を含む。処理機器１０１は、ビーズブラスター１０２、１以上の湿式洗浄装置１０３、セラミックスコータ１０４及び／又は１以上のグラインダ１０５を含むことができる。製造システム１００は、機器自動化レイヤー１１５に接続された１以上のコンピューティングデバイス１２０を更に含むことができる。代替の実施形態では、製造システム１００は、より多くの又はより少ない構成要素を含むことができる。例えば、製造システム１００は、機器自動化レイヤー１１５又はコンピューティングデバイス１２０なしで、手動操作（例えば、オフライン）の処理機器１０１を含んでもよい。
【００１１】
ビーズブラスター１０２は、物品（例えば、セラミックス基板及び石英基板）の表面を粗面化するように構成された機械である。ビーズブラスター１０２は、ビーズブラストキャビネット、ハンドヘルドビーズブラスター、又は他のタイプのビーズブラスターであってもよい。ビーズブラスター１０２は、ビーズ又は粒子を基板に衝突させることによって、基板を粗面化することができる。一実施形態では、ビーズブラスター１０２は、基板にセラミックスビーズ又は粒子を発射する。ビーズブラスター１０２によって達成された粗さは、ビーズを発射するために使用される力、ビーズ材料、ビーズサイズ、基板からのビーズブラスターの距離、処理時間などに基づく可能性がある。一実施形態では、ビーズブラスターは、セラミックス物品を粗面化するために、ある範囲のビーズサイズを使用する。
【００１２】
代替の実施形態では、ビーズブラスター１０２ではなく他のタイプの表面粗面化装置が使用されてもよい。例えば、電動砥粒（研磨）パッドを用いて、セラミックス基板の表面を粗面化してもよい。サンダーは、砥粒パッドをセラミックス物品の表面に押し付けながら砥粒パッドを回転または振動させることができる。砥粒パッドにより達成される粗さは、印加された圧力、振動又は回転速度、及び／又は砥粒パッドの粗さに依存する可能性がある。
【００１３】
湿式洗浄装置１０３は、湿式洗浄プロセスを使用して物品（例えば、セラミックス物品及び石英物品）を洗浄する洗浄装置である。湿式洗浄装置１０３は、基板を洗浄するために基板を浸漬させる液体で満たされた湿式浴を含む。湿式洗浄装置１０３は、洗浄効果を向上させるために、洗浄中に超音波を用いて湿式浴を撹拌することができる。本明細書では、これを湿式浴の超音波処理と呼ぶ。
【００１４】
一実施形態では、湿式洗浄装置１０３は、脱イオン（ＤＩ）水の浴槽を用いてセラミックス物品を洗浄する第１湿式洗浄装置と、アセトンの浴槽を用いてセラミックス物品を洗浄する第２湿式洗浄装置を含む。両方の湿式洗浄装置１０３は、洗浄プロセス中に浴槽を超音波処理することができる。湿式洗浄装置１０３は、処理中に複数の段階でセラミックス基板を洗浄することができる。例えば、基板が粗面化された後、セラミックスコーティングが基板に施された後、物品が処理で使用された後などに、湿式洗浄装置１０３は物品を洗浄することができる。
【００１５】
他の実施形態では、代替のタイプの洗浄装置（例えば、乾式洗浄装置）を使用して、物品を洗浄してもよい。乾式洗浄装置は、熱を印加する、ガスを印加する、プラズマを印加するなどによって、物品を洗浄することができる。
【００１６】
セラミックスコータ１０４は、基板の表面にセラミックスコーティングを施すように構成された機械である。一実施形態では、セラミックスコータ１０４は、セラミックス基板上にセラミックスコーティングをプラズマ溶射するプラズマ溶射装置である。代替の実施形態では、セラミックスコータ１０４は、他の熱溶射技術を適用することができる（例えば、デトネーション溶射、ワイヤアーク溶射、高速酸素燃料（ＨＶＯＦ）溶射、フレーム溶射、ウォームスプレー及びコールドスプレーを使用することができる）。更に、セラミックスコータ１０４は、他のコーティングプロセスを実行してもよい（例えば、セラミックスコーティングを形成するために、エアロゾルデポジション法、電気めっき、物理蒸着（ＰＶＤ）や化学蒸着（ＣＶＤ）を使用することができる）。
【００１７】
グラインダ１０５は、物品の表面を研削及び／又は研磨する砥粒ディスクを有する機械である。グラインダ１０５は、研磨／研削システム（例えば、荒ラッピングステーション、化学機械平坦化（ＣＭＰ）装置など）を含むことができる。グラインダ１０５は、基板を保持するプラテンと、回転しながら基板に押圧される砥粒ディスク又は研磨パッドを含むことができる。これらのグラインダ１０５は、セラミックスコーティングの表面を研削し、これによってセラミックスコーティングの粗さを低下させ、及び／又はセラミックスコーティングの厚さを減少させる。グラインダ１０５は、複数の工程でセラミックスコーティングを研削／研磨することができ、各々の工程は、（例えば、ＣＭＰが使用される場合）わずかに異なる粗さ及び／又は異なるスラリーを有する砥粒パッドを使用する。例えば、高い粗さを有する第１砥粒パッドを用いて、セラミックスコーティングをすばやく所望の厚さまで研削することができ、低い粗さを有する第２砥粒パッドを用いて、セラミックスコーティングを所望の粗さに研磨することができる。
【００１８】
グラインダ１０５は、セラミックスコーティングをある角度で研削するアングルグラインダを更に含むことができる。アングルグラインダは、セラミックス基板に対してある角度で保持された砥粒ディスク又はパッドを有する。アングルグラインダはセラミックスコーティングをトリミングし、セラミックスコーティングとセラミックス基板との間に、面取り、丸みを帯びたエッジ、又は他の傾斜した移行部を生成することができる。
【００１９】
機器自動化レイヤー１１５は、製造機械１０１の一部又は全部をコンピューティングデバイス１２０と、他の製造機械と、計測ツール及び／又は他のデバイスと相互接続することができる。機器自動化レイヤー１１５は、ネットワーク（例えば、位置エリアネットワーク（ＬＡＮ））、ルータ、ゲートウェイ、サーバ、データストアなどを含むことができる。製造機械１０１は、ＳＥＭＩ  Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ  Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ  Ｓｔａｎｄａｒｄ／Ｇｅｎｅｒｉｃ  Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ  Ｍｏｄｅｌ（ＳＥＣＳ／ＧＥＭ）インタフェースを介して、イーサネットインタフェースを介して、及び／又は他のインタフェースを介して、機器自動化レイヤー１１５に接続することができる。一実施形態では、機器自動化レイヤー１１５は、プロセスデータ（例えば、プロセス実行中に製造機械１０１によって収集されたデータ）をデータストア（図示せず）に保存可能にする。代替の一実施形態では、コンピューティングデバイス１２０は、１以上の製造機械１０１に直接接続する。
【００２０】
一実施形態では、一部又は全部の製造機械１０１は、プロセスレシピをロード、ストア、及び実行することができるプログラマブルコントローラを含む。プログラマブルコントローラは、製造機械１０１の温度設定、ガス及び／又は真空の設定、時間の設定等を制御することができる。プログラマブルコントローラは、メインメモリ（例えば、リードオンリーメモリ（ＲＯＭ）、フラッシュメモリ、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）、スタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）など）、及び／又は二次メモリ（例えば、データ記憶装置（例えば、ディスクドライブ））を含むことができる。メインメモリ及び／又は二次メモリは、本明細書に記載の熱処理プロセスを実行するための命令を記憶することができる。
【００２１】
プログラマブルコントローラはまた、メインメモリ及び／又は二次メモリに（例えば、バスを介して）結合された処理デバイスを含み、これによって命令を実行することができる。処理デバイスは、汎用処理デバイス（例えば、マイクロプロセッサ、中央処理装置等）であってもよい。処理デバイスはまた、専用処理デバイス（例えば、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、ネットワークプロセッサ等）であってもよい。一実施形態では、プログラマブルコントローラは、プログラマブルロジックコントローラ（ＰＬＣ）である。
【００２２】
一実施形態では、製造機械１０１は、製造機械に基板を粗面化させる、基板及び／又はセラミックス物品を洗浄させる、セラミックス物品をコーティングさせる、及び／又はセラミックス物品を加工（例えば、研削又は研磨）させるレシピを実行するようにプログラミングされている。一実施形態では、製造機械１０１は、図２を参照して説明されるように、セラミックスコーティングされた物品を製造するための複数工程のプロセスの操作を実行するレシピを実行するようにプログラミングされている。コンピューティングデバイス１２０は、製造機械１０１にダウンロードすることができる１以上のセラミックスコーティングのレシピ１２５を格納し、これによって製造機械１０１に本発明の実施形態に係るセラミックスコーティングされた物品を製造させることができる。
【００２３】
図２は、本発明の実施形態に係る、コーティングされたセラミックス物品を製造するためのプロセス２００を示すフローチャートである。図１に記載されるように、プロセス２００の操作は、様々な製造機械によって実行することができる。
【００２４】
ブロック２０１では、リング形状を有する石英基板が提供される。代替実施形態では、基板は、炭化ケイ素リング又はシリコンリングであることができる。また、リング以外の形状を有する石英基板が提供されてもよい。一実施形態では、石英基板は、約０．５５〜０．６２インチの厚さを有する。
【００２５】
ブロック２０２では、提供された基板は、粗面化されない基板の部分を覆うためにマスクされる。最終的にセラミックスコーティングでコーティングされない任意の領域をマスクすることができる。一実施形態では、ハードマスク（例えば、金属マスク）が、領域をマスクするために使用される。一実施形態では、石英リングの側部がマスクされる。石英リングのマスクされた側部は、リングの内側部に対応することができる。
【００２６】
プロセス２００のブロック２０５では、石英リングは、ビーズブラスター（又は他のセラミックス粗面化装置）によって粗面化される。一実施形態では、ビーズブラスターは、石英リングをブラストするためにビーズ（例えば、セラミックスビーズ又はソルトビーズ）を使用する。セラミックスビーズは、約０．２〜２ｍｍのビーズサイズを有することができる。一実施形態では、セラミックスビーズは、約０．２〜２ｍｍのサイズ範囲を有する。ビーズブラスターは、約３０〜９０ｐｓｉの空気圧と、約５０〜１５０ｍｍの作動距離で、石英リングをビーズブラストすることができ、基板へのブラスト角は、約９０度又は９０度よりも若干小さくすべきである。ビーズブラスターは、石英リングの露出した部分（マスクによって覆われていない部分）を粗面化することができる。一実施形態では、石英リングの上部及び外側部が、粗面化される。
【００２７】
一実施形態では、処理された石英リングは、約１００〜３００マイクロインチのブラスト後の粗さを有する。最適な粗さに石英リングを粗面化することによって、石英リングへのセラミックスコーティングの接着強度を向上させることができる。
【００２８】
ブロック２１０で、粗面化された石英リングは洗浄される。石英リングは、１以上の湿式洗浄装置を用いて洗浄することができる。各湿式洗浄装置は、各種液体（例えば、脱イオン（ＤＩ）水及びアセトン）を有する１以上の湿式浴を含むことができる。一実施形態では、湿式洗浄装置は、周波数１０〜１００ｋＨｚ及び最大１００％の電力でＤＩ水浴を超音波攪拌しながら、ＤＩ水浴中で１０分間、石英リングを洗浄する洗浄レシピを実行する。
【００２９】
ブロック２１２では、石英リングがマスクされる。粗面化されなかった石英リングの部分（例えば、以前にマスクされたのと同じ部分）をマスクすることができる。一実施形態では、ソフトマスクが粗面化されない部分を覆うために用いられる。ソフトマスクは、例えば、粗面化されない部分の上に配置されるテープ及び／又はポリマーであってもよい。
【００３０】
ブロック２１５では、粗面化された石英リングは、セラミックスコーティングでコーティングされる。プラズマ環境に曝露される石英リングの部分は、コーティングすることができる。一実施形態では、プラズマ溶射装置が、石英リングの上にセラミックスコーティングをプラズマ溶射するのに使用される。
【００３１】
セラミックスコーティングは、Ｙ２Ｏ３、Ｙ４Ａｌ２Ｏ９（ＹＡＭ）、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２（ＹＡＧ）、又は他のイットリア含有セラミックスで形成することができる。セラミックスコーティングは、純粋な酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、又はＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、ＣｅＯ２、Ｓｍ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、又は他の酸化物のうちの１以上によってドープすることができる酸化イットリウム含有固溶体であってもよい。一実施形態では、セラミックスコーティングは、化合物Ｙ４Ａｌ２Ｏ９と固溶体Ｙ２−ｘＺｒｘＯ３（Ｙ２Ｏ３−ＺｒＯ２固溶体）で構成される高機能材料（ＨＰＭ）である。
【００３２】
一実施形態では、セラミックスコーティングは、溶射技術又はプラズマ溶射技術を用いて、セラミック基板上に堆積された酸化イットリウム含有セラミックスである。溶射技術及びプラズマ溶射技術は、材料（例えば、セラミックス粉末）を溶融し、溶融した材料をセラミックス基板上に噴射することができる。溶射又はプラズマ溶射されたセラミックスコーティングは、約１〜１２ミルの厚さを有することができる。セラミックスコーティングは、石英リングとは著しく異なる構造特性を有することができる。
【００３３】
一実施形態では、セラミックスコーティングは、Ｙ２Ｏ３粉末から製造される。セラミックスコーティングはまた、Ｙ２Ｏ３粉末とＡｌ２Ｏ３との組み合わせから製造することもできる。あるいはまた、セラミックスコーティングは、Ｙ２Ｏ３粉末とＺｒＯ２粉末とＡｌ２Ｏ３粉末との混合物から製造された高機能材料（ＨＰＭ）セラミック複合材料であってもよい。一実施形態では、ＨＰＭセラミックス複合材料は、７７％のＹ２Ｏ３と、１５％のＺｒＯ２と、８％のＡｌ２Ｏ３を含む。別の一実施形態では、ＨＰＭセラミックス複合材料は、６３％のＹ２Ｏ３と、２３％のＺｒＯ２と、１４％のＡｌ２Ｏ３を含む。更に別の一実施形態では、ＨＰＭセラミックス複合材料は、５５％のＹ２Ｏ３と、２０％のＺｒＯ２と、２５％のＡｌ２Ｏ３を含む。相対的なパーセンテージは、モル比であってもよい。例えば、ＨＰＭセラミックスは、７７モル％のＹ２Ｏ３と、１５モル％のＺｒＯ２と、８モル％のＡｌ２Ｏ３を含んでもよい。これらのセラミックス粉末の他の配分もまた、ＨＰＭ材料用に使用することができる。
【００３４】
一実施形態では、Ｙ２Ｏ３とＡｌ２Ｏ３とＺｒＯ２のセラミックス原料粉末を一緒に混合する。これらのセラミックス原料粉末は、一実施形態では、９９．９％以上の純度を有していてもよい。セラミックス原料粉末は、例えば、ボールミルを用いて混合することができる。セラミックス原料粉末は、約１００ｎｍ〜２０μｍの粉末サイズを有することができる。一実施形態では、セラミックス原料粉末は、約５μｍの粉末サイズを有する。セラミックス粉末を混合した後、それらは、約１２００〜１６００℃（例えば、一実施形態では、１４００℃）の焼成温度及び約２〜５時間（例えば、一実施形態では、３時間）の焼成時間で焼成することができる。混合粉末を噴霧乾燥した顆粒粒径は、約３０μｍの粒径分布を有することができる。
【００３５】
混合セラミックス原料粉末は、石英リング上に溶射される。石英リングは、プラズマ溶射中に約１０〜３００℃の温度に加熱することができる。一実施形態では、石英リングは、約２５℃の温度に加熱される。一実施形態では、約５０〜９０キロワット（ｋＷ）のプラズマ電力が、約１００〜１６０アンペアの電流及び約２６０〜３１０ボルトの電圧で、石英リングをプラズマ溶射するために使用される。一実施形態では、７４ｋＷの電力、１３０アンペアの電流、及び２８７ボルトの電圧が使用される。一実施形態では、セラミックス粉末が５〜１００グラム／分の速度で供給される。プラズマ溶射装置はまた、アルゴン及び／又は酸素に対して０〜１００Ｌ／分のプラズマガス流量を使用することができる。
【００３６】
プラズマ溶射法は、複数の溶射パスで実行することができる。パスは、約６００〜３０００ｍｍ／秒のノズル移動速度を有することができる。各パスに対して、プラズマ溶射ノズルの角度は、溶射される面に対してある相対的な角度を維持するように変更することができる。例えば、プラズマ溶射ノズルは、溶射される石英リングの表面と約４５度〜約９０度の角度を維持するように回転させることができる。一実施形態では、プラズマ溶射ノズルは、約１〜１２ミルの厚さを有するセラミックスコーティングを作成するために塗布される被溶射面から約６０〜１５０ｍｍの距離を維持する。各パスは、最大約１００μｍの厚さを堆積させることができる。
【００３７】
セラミックスコーティングは、約０．５〜５％（例えば、一実施形態では、約５％未満）の空孔率と、約４〜８ギガパスカル（ＧＰａ）の（例えば、一実施形態では、約４ＧＰａよりも大きい）硬度と、約２００℃の（例えば、一実施形態では、約１２０℃より大きい）耐熱衝撃性を有することができる。また、セラミックスコーティングは、約４〜２０ＭＰａの（例えば、一実施形態では、約１４ＭＰａより大きい）接着強度を有することができる。接着強度は、セラミックス基板からセラミックスコーティングが剥離するまでセラミックスコーティングに（例えば、メガパスカルで測定される）力を加えることによって決定することができる。
【００３８】
ブロック２１８では、マスクは、石英基板から除去される。マスクは、マスクの除去後、石英上にポリマーの残留物を残す可能性がある。したがって、石英リングは、残留物を除去するためにアセトンで洗浄することができる。一実施形態では、マスクが配置されていた領域は、石英リングの残りの部分を洗浄することなしに洗浄される。あるいはまた、石英リングの全体を、（例えば、アセトン浴を有する湿式洗浄装置を用いて）洗浄することができる。
【００３９】
ブロック２２０では、セラミックスコーティングが機械加工される。機械加工は、石英リングの内側部でセラミックスコーティングをトリミングする工程を含むことができる。機械加工は、セラミックスコーティングの研削、ラッピング及び／又は研磨を更に含み、これによってセラミックスコーティングの厚さを減少させる、及び／又はセラミックスコーティングの粗さを低減させることができる。セラミックスコーティングされた石英リングは、導体のエッチングを実行するために使用されるプラズマエッチング装置用チャンバ内のチャンバ構成要素として使用することができる。一実施形態では、セラミックスコーティングは、約１〜１０ミルの研磨後の厚さと、約６〜１２マイクロインチ（例えば、一実施形態では、８マイクロインチ）の研磨後の粗さを有する。
【００４０】
ブロック２２５では、セラミックスコーティングされた石英リングが洗浄される。洗浄は、１以上の湿式洗浄装置を使用して行うことができる。一実施形態では、第１湿式洗浄装置は、約１０〜１００ｋＨｚの周波数と最大１００％の電力でＤＩ水浴を超音波攪拌しながら、ＤＩ水浴中で１０分間セラミックス物品を洗浄する洗浄レシピを実行する。一実施形態では、第２湿式洗浄装置は、アセトン浴中で約５分間セラミックス物品を洗浄する洗浄レシピを実行する。その後、セラミックス基板は、第１湿式洗浄装置で二度目の洗浄をしてもよい。
【００４１】
洗浄した後、セラミックス物品は、０．２μｍ以上の大きさの粒子が１平方センチメートル当たり約１０万のレーザー粒子数を有することができる。粒子数を表す測定パラメータは、テープ剥離試験粒子数及び液体粒子数（ＬＰＣ）である。テープ試験は、セラミックスコーティングに粘着テープを付着させ、テープを剥離し、テープに付着する粒子の数を数えることによって行うことができる。ＬＰＣは、水浴（例えば、脱イオン化（ＤＩ）水浴）中にセラミックス物品を配置し、水浴を超音波処理することによって決定することができる。溶液中に取れた粒子の数は、その後例えば、レーザカウンターを用いて数えることができる。
【００４２】
一実施形態では、セラミック基板／物品は、１以上の操作２０５〜２２５を実行する製造機械内にローダによって自動的にロードされる。
【００４３】
図３は、本発明の実施形態に係る、製造プロセスの異なる段階での石英リングの断面側面図３１０〜３４０を示している。一実施形態では、断面側面図は、製造プロセス２００の異なる段階での石英リングの状態に対応する。図示されるように、石英リングは、内側部３０２及び外側部３０４を有する。石英リングはまた、上部３０３及び底部３０５を有する。内側部３０２は、リングの上部３０３にほぼ垂直であることができ、別の処理チャンバコンポーネント（例えば、別のリング）を受け取るために切り欠きが形成されていてもよい。外側部３０４は、丸みを帯びていてもよい。
【００４４】
側面図３１０は、提供された石英リング３５２（又は炭化ケイ素又はシリコンのリング）の保護された部分の上に配置されたハードマスク３５３を示している。図示のように、ハードマスク３５３は、内側部３０２で石英基板の側壁の上に位置する。側面図３１０は、方法２００のブロック２０２の完了後の石英リング３５２の状態を示している。ハードマスク３５３は、保護された部分がビーズブラスト中に粗面化されるのを防止することができる。
【００４５】
側面図３２０は、ビーズブラストの実行後の石英リング３５２を示している。石英リング３５２は、ビーズブラスト中に保護されなかった石英リングの部分に対応する粗面３５８を有する。石英リング３５２は、更に、粗面化されなかった石英リング３５２の部分に対応する滑らかな面３５７を有する。図示のように、ソフトマスク３５６は、石英リング３５２が粗面化された後に滑らかな面３５７の上の石英リング３５２上に配置される。ソフトマスク３５６は、以前にハードマスク３５３によって保護された石英リング３５２の同じ領域を覆うために使用することができる。側面図３２０は、ブロック２１２の完了後の石英リングの状態を示している。
【００４６】
側面図３３０は、石英リング３５２上のセラミックスコーティング３６０を示している。一実施形態では、セラミックスコーティングは、Ｙ４Ａｌ２Ｏ９及びＹ２−ｘＺｒｘＯ３を有するＨＰＭセラミックス複合材料である。あるいはまた、セラミックスコーティングは、ＹＡＧ又はイットリアであってもよい。図示のように、セラミックスコーティング３６０は、粗面３６２を有する。この粗面３１２は、セラミックスコーティングされた石英リングが処理で使用される場合、粒子汚染の源となる可能性がある。更に、セラミックスコーティングは、ソフトマスク３５６があったリップ部３６３及び／又はラフなエッジ部を有する場合がある。このリップ部３６３は、処理中にセラミックスコーティング３６０を石英リング３５２から剥離除去させる可能性がある。また、このリップ部は、粒子汚染の源となる可能性がある。側面図３３０は、ブロック２１５の完了後のセラミックスコーティングされた石英リングの状態を示している。
【００４７】
側面図３４０は、セラミックスコーティング３６０のエッジ部がトリミングされた後、かつセラミックスコーティング３６０が研削／研磨された後における、石英リング３５２上のセラミックスコーティング３６０を示している。グラインダ／ポリッシャの角度は、セラミックスコーティングされた石英リングの丸みを帯びた外側部３０４を研削及び／又は研磨するために、処理中に調整することができる。側面図３４０は、ブロック２２５の完了後のセラミックス物品の状態を示している。図示されるように、セラミックスコーティング３６０の粗面３６２は平滑化されており、セラミックスコーティング３６０の厚さは低減されている。
【００４８】
図４Ａは、本発明の一実施形態に係る、エッチング装置用のセラミックスコーティングされた石英リング４００の上部を示す平面図を示す。図４Ｂは、本発明の一実施形態に係る、図４Ａのセラミックスコーティングされた石英リング４００を組み込んだプラズマエッチング装置４０２の断面側面図を示す。図示のように、リング４００は、石英基板４２０と、石英基板４２０の一部分の上のセラミックスコーティング４１５で構成されている。
【００４９】
プラズマエッチング装置４０２は、チャンバ４４５の上部に蓋４３５を備えたチャンバ４４５を含む。ノズル４４０が、蓋４３５内に挿入されている。セラミックスコーティングされた石英リング４００は、処理中にウェハ４３０を保持するように設計された静電チャック（ＥＳＣ）４２５上に載っている。セラミックスコーティングされた石英リング４００は、さもなければプラズマに曝露されるであろうＥＳＣ４２５の部分を覆う。ＥＳＣ４２５は、アルミニウム、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、及び／又は他の材料から構成することができる。例えば、典型的なＥＳＣは、アルミニウムベースと、ＡｌＮ又はＡｌ２Ｏ３から構成されるセラミックス静電パックを含む。したがって、フッ化物含有プラズマが使用される場合、フッ化物はアルミニウムと反応してフッ化アルミニウムを形成する可能性がある。これは部品の歩留まりに悪影響を与える可能性がある。リング４００は、ＥＳＣ４２５のアルミニウム部分を覆い、ＥＳＣ４２５のアルミニウム部分がプラズマと反応するのを防止する。
【００５０】
ＥＳＣ４２５を保護するために使用される従来のリングは、純粋な石英である。プラズマに曝露されたときに、従来の純粋な石英リングは、高い浸食速度を有する。石英リングが浸食されるので、ＥＳＣ４２５のアルミニウム部分が露出する（こうして、例えば、ＡｌＦｘの形成を引き起こす）場合があり、リング形状が変化する場合がある。これは、ウェハエッジのクリティカルディメンジョン性能（例えば、エッチング深さ及び深さの不均一性）に重大な影響を与える可能性がある。このように、従来の保護リングは、リングの交換のためにプラズマエッチング装置を頻繁にオフラインにする短い寿命を有している。
【００５１】
本発明の実施形態で説明されるセラミックスコーティングされたリングは、伝統的なリングと比較して、プラズマ耐食性が大幅に改善され、すなわち寿命が大幅に改善されている。例えば、従来の石英リングの浸食速度は、ＣＦ４／ＣＨＦ３の化学薬品に対して、ＨＰＭ又はＹ２Ｏ３をコーティングした石英リングよりも３０倍以上速く、ＹＡＧをコーティングした石英リングよりも約１５倍以上速い可能性がある。同様に、従来の石英リングの浸食速度は、Ｃｌ２／ＨＢｒの化学薬品に対して、ＨＰＭをコーティングした石英リングよりも４６倍以上速く、Ｙ２Ｏ３をコーティングした石英リングよりも２８倍以上速く、ＹＡＧをコーティングした石英リングよりも約１１倍以上速い可能性がある。従来の石英リングの浸食速度は、ＮＦ３／ＨＢｒの化学薬品に対して、ＨＰＭをコーティングした石英リングよりも１０倍以上速く、Ｙ２Ｏ３又はＹＡＧをコーティングした石英リングよりも６倍以上速い可能性がある。同様に、従来の石英リングの浸食速度は、ＣＯＳの化学薬品に対して、ＨＰＭをコーティングした石英リングよりも１８倍以上速く、Ｙ２Ｏ３をコーティングした石英リングよりも２４倍以上速く、ＹＡＧをコーティングした石英リングよりも１２倍以上速い可能性がある。従来の石英リングの浸食速度は、Ｈ２の化学薬品に対して、ＹＡＧをコーティングした石英リングよりも４８倍以上速く、Ｙ２Ｏ３又はＹＡＧをコーティングした石英リングよりも３６倍以上速い可能性がある。
【００５２】
図５は、従来の経年石英リング５１０及び５１５を用いて処理されたウェハと、セラミックスコーティングされた石英リング５０５を用いて処理されたウェハとの間におけるウェハエッジのエッチング深さの比較を示すグラフである。図示されるように、従来の中まで同質の石英リング５１０、５１５に比べて、セラミックスコーティングされた石英リング５０５の使用によって、処理されたウェハのエッジの深さは、約１１ｎｍ増加し、深さの３σ不均一性は、約４％減少した。
【００５３】
前述の説明は、本発明のいくつかの実施形態の良好な理解を提供するために、具体的なシステム、構成要素、方法等の例などの多数の具体的な詳細を説明している。しかしながら、本発明の少なくともいくつかの実施形態は、これらの具体的な詳細なしに実施することができることが当業者には明らかであろう。他の例において、周知の構成要素又は方法は、本発明を不必要に不明瞭にしないために、詳細には説明しないか、単純なブロック図形式で提示されている。したがって、説明された具体的な詳細は、単なる例示である。特定の実装では、これらの例示的な詳細とは異なる場合があるが、依然として本発明の範囲内にあることが理解される。
【００５４】
本明細書全体を通して「１つの実施形態」又は「一実施形態」への参照は、その実施形態に関連して記載された特定の構成、構造、又は特性が少なくとも１つの実施形態に含まれることを意味している。したがって、本明細書を通じて様々な場所における「１つの実施形態では」又は「一実施形態では」という語句の出現は、必ずしも全て同じ実施形態を指すものではない。また、用語「又は」は、排他的な「又は」ではなく包含的な「又は」を意味することを意図している。
【００５５】
本明細書内の本方法の操作が、特定の順序で図示され説明されているが、特定の操作を逆の順序で行うように、又は特定の操作を少なくとも部分的に他の操作と同時に実行するように、各方法の操作の順序を変更することができる。別の一実施形態では、異なる操作の命令又は副操作は、断続的及び／又は交互の方法であることができる。
【００５６】
なお、上記の説明は例示であり、限定的ではないことを意図していることが理解されるべきである。上記の説明を読み理解することにより、多くの他の実施形態が当業者にとって明らかとなるであろう。したがって、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲を、そのような特許請求の範囲が権利を与える等価物の全範囲と共に参照して決定されるべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【国際調査報告】
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