(57)【要約】  ディスプレイシステムにおける伝搬遅延効果の特徴を解明する方法であって、その方法が、その電流が安定値にてセトリングするのに十分な期間に亘り、駆動トランジスタに流れる第１電流を計測することで、信号又はモニタラインの伝搬遅延効果を排するステップと、そのディスプレイの信号又はモニタラインのタイミングバジェット向けに提供される期間に亘り、駆動トランジスタに流れる第２電流を計測するステップと、第１及び第２電流を比較することで信号又はモニタラインに係る伝搬遅延効果を抽出するステップと、を有する。
2015525367.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスプレイシステムであって、
発光デバイスと、その発光デバイスに流れる電流をその駆動トランジスタに加わる駆動電圧に従い駆動するための駆動トランジスタと、を有するピクセル回路であり、更に、そのピクセル回路を信号ライン及びモニタラインに選択的に接続するよう配置された１個又は複数個のスイッチトランジスタを有するピクセル回路と、
信号ラインを介し駆動電圧でピクセル回路にプログラミングを施すためのドライバと、
駆動トランジスタに流れる電流をモニタラインを介し計測するためのモニタと、
ドライバ及びモニタを動作させるためのコントローラと、
を備え、そのコントローラが、
モニタライン上の電流が安定値にてセトリングするのに十分な期間に亘り、モニタを介し、駆動トランジスタに流れる第１電流を計測することで、そのモニタラインの伝搬遅延効果を排し、
本ディスプレイのモニタリングタイミングバジェット向けに提供された期間に亘り、モニタを介し、駆動トランジスタに流れる第２電流を計測し、
計測された第１及び第２電流を比較することでそのピクセルに関しモニタラインの伝搬遅延効果を抽出する、
よう構成されたディスプレイシステム。
【請求項２】
請求項１記載のディスプレイシステムであって、そのコントローラが、更に、
ピクセル回路から計測された電流に係る利得係数を、計測された第１及び第２電流値の比率に基づき判別し、
モニタラインの伝搬遅延効果が勘案されるよう、判別された利得係数に従い爾後の電流計測をスケーリングする、
よう構成されたディスプレイシステム。
【請求項３】
請求項１記載のディスプレイシステムであって、ロー及びカラムをなすよう配置されたピクセル回路のアレイを備え、そのコントローラが、更に、モニタからの線距離のある範囲にてモニタラインの伝搬遅延効果の特徴が解明されるようにそのディスプレイ内のピクセルの代表的サブセットについて計測及び比較を反復する、よう構成されたディスプレイシステム。
【請求項４】
請求項１記載のディスプレイシステムであって、コントローラが、更に、
印加された電圧が信号ライン上で安定値にてセトリングするのに十分な期間に亘り、ドライバを介しピクセル回路にプログラミングを施すことで、その信号ラインの伝搬遅延効果を排し、
駆動トランジスタに流れる第３電流をモニタを介し計測し、
本ディスプレイのプログラミングタイミングバジェット向けに提供された期間に亘り、ドライバを介しピクセル回路にプログラミングを施し、
駆動トランジスタに流れる第４電流をモニタを介し計測し、
第３及び第４電流値を比較することでそのピクセルに関し信号ラインの伝搬遅延効果を抽出する、
よう構成されたディスプレイシステム。
【請求項５】
請求項４記載のディスプレイシステムであって、ロー及びカラムをなすよう配置されたピクセル回路のアレイを備え、そのコントローラが、更に、ドライバからの線距離のある範囲にて信号ラインの伝搬遅延効果の特徴が解明されるように本ディスプレイ内のピクセルの代表的サブセットについてプログラミング動作、計測動作及び比較を反復する、よう構成されたディスプレイシステム。
【請求項６】
請求項１記載のディスプレイシステムであって、コントローラが、更に、
駆動トランジスタに流れる電流を計測する一方でモニタラインの伝搬遅延効果を勘案することにより、その駆動トランジスタの時間従属パラメタを判別し、
判別された時間従属パラメタに従い爾後のプログラミング値を調整する、
よう構成されたディスプレイシステム。
【請求項７】
駆動トランジスタにより駆動される発光デバイスを有するピクセル回路を備えたディスプレイシステムにおける伝搬遅延効果の特徴を解明する方法であって、そのピクセル回路が、その駆動トランジスタに流れる電流に影響が及ぶようそのピクセル回路にプログラミング電圧を供給するための信号ラインと、その駆動トランジスタに流れる電流のレベルを計測するためのモニタラインと、に接続された方法において、
その電流が安定値にてセトリングするのに十分な期間に亘り、モニタを介し、駆動トランジスタに流れる第１電流を計測することで、モニタラインの伝搬遅延効果を排するステップと、
そのディスプレイのモニタリングタイミングバジェット向けに提供された期間に亘り、モニタを介し、駆動トランジスタに流れる第２電流を計測するステップと、
第１及び第２電流を比較することでそのピクセル回路に関しモニタラインの伝搬遅延効果を抽出するステップと、
を有する方法。
【請求項８】
請求項７記載の方法であって、更に、
発光デバイスで生ずべき輝度の程度を示すデータインプットを受け取るステップと、
ディスプレイシステムがライン伝搬遅延効果から実質的に独立に動作するよう、ドライバを介したディスプレイのプログラミング、並びに判別された伝搬遅延効果に基づく計測のうち、少なくとも一方に対する調整を決めるステップと、
を有する方法。
【請求項９】
請求項７記載の方法であって、ディスプレイシステムが、更に、ロー及びカラムをなすよう配置された複数個のピクセル回路を有し、本方法が、更に、
モニタからの線距離のある範囲にてモニタラインの伝搬遅延効果の特徴が解明されるよう、ディスプレイシステム内のピクセル回路のあるサブセットについて計測及び比較を反復するステップを、有する方法。
【請求項１０】
駆動トランジスタにより駆動される発光デバイスを有するピクセル回路を備えたディスプレイシステムにおける伝搬遅延効果の特徴を解明する方法であって、そのピクセル回路が、その駆動トランジスタに流れる電流に影響が及ぶようそのピクセル回路にプログラミング電圧を供給するための信号ラインと、その駆動トランジスタに流れる電流のレベルを計測するためのモニタラインと、に接続された方法において、
印加された電圧が信号ライン上で安定値にてセトリングするのに十分な期間に亘り、ドライバを介し、ピクセル回路にプログラミングを施すことにより、その信号ラインの伝搬遅延効果を排するステップと、
伝搬遅延効果を排するのに十分な期間でのプログラミングに応じ、モニタを介し、駆動トランジスタに流れる第１電流を計測するステップと、
そのディスプレイのプログラミングタイミングバジェット向けに提供された期間に亘り、ドライバを介し、ピクセル回路にプログラミングを施すステップと、
そのプログラミングタイミングバジェットでのプログラミングに応じ、モニタを介し、駆動トランジスタに流れる第２電流を計測するステップと、
第１及び第２電流を比較することでそのピクセル回路に関し信号ラインの伝搬遅延効果を抽出するステップと、
を有する方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の方法であって、更に、
発光デバイスで生ずべき輝度の程度を示すデータインプットを受け取るステップと、
ディスプレイシステムがライン伝搬遅延効果から実質的に独立に動作するよう、判別した伝搬遅延効果に基づく計測並びにプログラミングのうち少なくとも一方に対する調整を決めるステップと、
を有する方法。
【請求項１２】
請求項１０記載の方法であって、ディスプレイシステムが、更に、ロー及びカラムをなすよう配置された複数個のピクセル回路を有し、本方法が、更に、
ドライバからの線距離のある範囲にて信号ラインの伝搬遅延効果の特徴が解明されるよう、ディスプレイシステム内のピクセル回路のあるサブセットについて、プログラミング、計測及び比較を反復するステップを、有する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、総じて、ディスプレイで使用される回路、並びにディスプレイの駆動、校正及びプログラミングを行う方法に関し、特に、能動マトリクス有機発光ダイオード(active matrix organic light emitting diode)ディスプレイ等のディスプレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
ディスプレイは、それぞれ個別の回路（即ちピクセル回路）によって制御される発光デバイスのアレイから生成することができ、そのピクセル回路には、表示情報でプログラミングされその表示情報に従い光を発するよう、同回路を選択的に制御するトランジスタを設ける。そうしたディスプレイには、基板上に形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を組み込むことができる。ＴＦＴには、ディスプレイが加齢するにつれ経時的に、またそのディスプレイパネル上に亘り不均一挙動を呈する、という傾向がある。その加齢に伴うディスプレイの劣化を勘案すると共にそのディスプレイ上に亘る画像均一性を達成するため、こうしたディスプレイに対し、補償技術を適用することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００１／０００２７０３号明細書（Ａ１）
【特許文献２】米国特許出願公開第２００１／０００９２８３号明細書
【特許文献３】米国特許出願公開第２００１／００２４１８１号明細書
【特許文献４】米国特許出願公開第２００１／００２４１８６号明細書
【特許文献５】米国特許出願公開第２００１／００２６２５７号明細書（Ａ１）
【特許文献６】米国特許出願公開第２００１／００３０３２３号明細書（Ａ１）
【特許文献７】米国特許出願公開第２００１／００４０５４１号明細書
【特許文献８】米国特許出願公開第２００１／００４３１７３号明細書（Ａ１）
【特許文献９】米国特許出願公開第２００１／００４５９２９号明細書（Ａ１）
【特許文献１０】米国特許出願公開第２００１／００５２６０６号明細書（Ａ１）
【特許文献１１】米国特許出願公開第２００１／００５２９４０号明細書
【特許文献１２】米国特許出願公開第２０１０／００２６７２５号明細書（Ａ１）
【特許文献１３】米国特許出願公開第２００２／００００５７６号明細書（Ａ１）
【特許文献１４】米国特許出願公開第２００２／００１１７９６号明細書（Ａ１）
【特許文献１５】米国特許出願公開第２００２／００１１７９９号明細書（Ａ１）
【特許文献１６】米国特許出願公開第２００２／００１２０５７号明細書
【特許文献１７】米国特許出願公開第２００２／００１４８５１号明細書
【特許文献１８】米国特許出願公開第２００２／００１８０３４号明細書
【特許文献１９】米国特許出願公開第２００２／００３０１９０号明細書
【特許文献２０】米国特許出願公開第２００２／００４７５６５号明細書
【特許文献２１】米国特許出願公開第２００２／００５２０８６号明細書
【特許文献２２】米国特許出願公開第２００２／００６７１３４号明細書
【特許文献２３】米国特許出願公開第２００２／００８４４６３号明細書（Ａ１）
【特許文献２４】米国特許出願公開第２００２／０１０１１７２号明細書（Ａ１）
【特許文献２５】米国特許出願公開第２００２／０１０５２７９号明細書
【特許文献２６】米国特許出願公開第２００２／０１１７７２２号明細書
【特許文献２７】米国特許出願公開第２００２／０１２２３０８号明細書
【特許文献２８】米国特許出願公開第２００２／０１５８５８７号明細書
【特許文献２９】米国特許出願公開第２００２／０１５８６６６号明細書
【特許文献３０】米国特許出願公開第２００２／０１５８８２３号明細書（Ａ１）
【特許文献３１】米国特許出願公開第２００２／０１６７４７４号明細書（Ａ１）
【特許文献３２】米国特許出願公開第２００２／０１８０３６９号明細書
【特許文献３３】米国特許出願公開第２００２／０１８０７２１号明細書
【特許文献３４】米国特許出願公開第２００２／０１８６２１４号明細書
【特許文献３５】米国特許出願公開第２００２／０１９０９２４号明細書（Ａ１）
【特許文献３６】米国特許出願公開第２００２／０１９０９７１号明細書（Ａ１）
【特許文献３７】米国特許出願公開第２００２／０１９５９６７号明細書
【特許文献３８】米国特許出願公開第２００２／０１９５９６８号明細書（Ａ１）
【特許文献３９】米国特許出願公開第２００３／００２０４１３号明細書（Ａ１）
【特許文献４０】米国特許出願公開第２００３／００３０６０３号明細書
【特許文献４１】米国特許出願公開第２００３／００４３０８８号明細書
【特許文献４２】米国特許出願公開第２００３／００５７８９５号明細書
【特許文献４３】米国特許出願公開第２００３／００５８２２６号明細書
【特許文献４４】米国特許出願公開第２００３／００６２５２４号明細書
【特許文献４５】米国特許出願公開第２００３／００６３０８１号明細書
【特許文献４６】米国特許出願公開第２００３／００７１８２１号明細書
【特許文献４７】米国特許出願公開第２００３／００７６０４８号明細書（Ａ１）
【特許文献４８】米国特許出願公開第２００３／００９０４４７号明細書
【特許文献４９】米国特許出願公開第２００３／００９０４８１号明細書（Ａ１）
【特許文献５０】米国特許出願公開第２００３／０１０７５６０号明細書
【特許文献５１】米国特許出願公開第２００３／０１１１９６６号明細書（Ａ１）
【特許文献５２】米国特許出願公開第２００３／０１２２７４５号明細書（Ａ１）
【特許文献５３】米国特許出願公開第２００３／０１４２０８８号明細書
【特許文献５４】米国特許出願公開第２００３／０１５１５６９号明細書（Ａ１）
【特許文献５５】米国特許出願公開第２００３／０１５６１０１号明細書
【特許文献５６】米国特許出願公開第２００３／０１７４１５２号明細書
【特許文献５７】米国特許出願公開第２００３／０１７９６２６号明細書（Ａ１）
【特許文献５８】米国特許出願公開第２００３／０１９７６６３号明細書
【特許文献５９】米国特許出願公開第２００３／０２３０１４１号明細書
【特許文献６０】米国特許出願公開第２００３／０２３０９８０号明細書（Ａ１）
【特許文献６１】米国特許出願公開第２００３／０２３１１４８号明細書
【特許文献６２】米国特許出願公開第２００３／０１２２８１３号明細書（Ａ１）
【特許文献６３】米国特許出願公開第２００３／０２１０２５６号明細書（Ａ１）
【特許文献６４】米国特許出願公開第２００４／００３２３８２号明細書
【特許文献６５】米国特許出願公開第２００４／００６６３５７号明細書（Ａ１）
【特許文献６６】米国特許出願公開第２００４／００７０５５７号明細書（Ａ１）
【特許文献６７】米国特許出願公開第２００４／００７０５６５号明細書
【特許文献６８】米国特許出願公開第２００４／００９０１８６号明細書
【特許文献６９】米国特許出願公開第２００４／００９０４００号明細書
【特許文献７０】米国特許出願公開第２００４／００９５２９７号明細書
【特許文献７１】米国特許出願公開第２００４／０１００４２７号明細書（Ａ１）
【特許文献７２】米国特許出願公開第２００４／０１０８５１８号明細書（Ａ１）
【特許文献７３】米国特許出願公開第２００４／０１３５７４９号明細書（Ａ１）
【特許文献７４】米国特許出願公開第２００４／０１４５５４７号明細書（Ａ１）
【特許文献７５】米国特許出願公開第２００４／０１５０５９２号明細書
【特許文献７６】米国特許出願公開第２００４／０１５０５９４号明細書
【特許文献７７】米国特許出願公開第２００４／０１５０５９５号明細書
【特許文献７８】米国特許出願公開第２００４／０１５５８４１号明細書（Ａ１）
【特許文献７９】米国特許出願公開第２００４／０１７４３４７号明細書
【特許文献８０】米国特許出願公開第２００４／０１７４３５４号明細書（Ａ１）
【特許文献８１】米国特許出願公開第２００４／０１８３７５９号明細書（Ａ１）
【特許文献８２】米国特許出願公開第２００４／０１８９６２７号明細書
【特許文献８３】米国特許出願公開第２００４／０１９６２７５号明細書
【特許文献８４】米国特許出願公開第２００４／０２０７６１５号明細書
【特許文献８５】米国特許出願公開第２００４／０２３９５９６号明細書
【特許文献８６】米国特許出願公開第２００４／０２５２０８９号明細書（Ａ１）
【特許文献８７】米国特許出願公開第２００４／０２５７３１３号明細書
【特許文献８８】米国特許出願公開第２００４／０２５７３５３号明細書
【特許文献８９】米国特許出願公開第２００４／０２５７３５５号明細書（Ａ１）
【特許文献９０】米国特許出願公開第２００４／０２６３４３７号明細書
【特許文献９１】米国特許出願公開第２００４／０２６３４４４号明細書
【特許文献９２】米国特許出願公開第２００４／０２６３４４５号明細書
【特許文献９３】米国特許出願公開第２００４／０２６３５４１号明細書
【特許文献９４】米国特許出願公開第２００４／０１７８７４３号明細書（Ａ１）
【特許文献９５】米国特許出願公開第２００５／０００７３５５号明細書
【特許文献９６】米国特許出願公開第２００５／０００７３５７号明細書
【特許文献９７】米国特許出願公開第２００５／００１７６５０号明細書
【特許文献９８】米国特許出願公開第２００５／００２４０８１号明細書
【特許文献９９】米国特許出願公開第２００５／００２４３９３号明細書
【特許文献１００】米国特許出願公開第２００５／００３０２６７号明細書
【特許文献１０１】米国特許出願公開第２００５／００５７５８０号明細書
【特許文献１０２】米国特許出願公開第２００５／００６７９７０号明細書（Ａ１）
【特許文献１０３】米国特許出願公開第２００５／００６７９７１号明細書（Ａ１）
【特許文献１０４】米国特許出願公開第２００５／００６８２７０号明細書
【特許文献１０５】米国特許出願公開第２００５／００６８２７５号明細書
【特許文献１０６】米国特許出願公開第２００５／００７３２６４号明細書（Ａ１）
【特許文献１０７】米国特許出願公開第２００５／００８３３２３号明細書
【特許文献１０８】米国特許出願公開第２００５／００８８１０３号明細書
【特許文献１０９】米国特許出願公開第２００５／０１１０４２０号明細書
【特許文献１１０】米国特許出願公開第２００５／０１１０８０７号明細書
【特許文献１１１】米国特許出願公開第２００５／０１４０５９８号明細書
【特許文献１１２】米国特許出願公開第２００５／０１４０６１０号明細書（Ａ１）
【特許文献１１３】米国特許出願公開第２００５／０１４５８９１号明細書
【特許文献１１４】米国特許出願公開第２００５／０１４６８３１号明細書
【特許文献１１５】米国特許出願公開第２００５／０１６８４１６号明細書
【特許文献１１６】米国特許出願公開第２００５／０１７９６２６号明細書
【特許文献１１７】米国特許出願公開第２００５／０１７９６２８号明細書
【特許文献１１８】米国特許出願公開第２００５／０１８５２００号明細書
【特許文献１１９】米国特許出願公開第２００５／０２００５７５号明細書（Ａ１）
【特許文献１２０】米国特許出願公開第２００５／０２０６５９０号明細書（Ａ１）
【特許文献１２１】米国特許出願公開第２００５／０２１９１８４号明細書
【特許文献１２２】米国特許出願公開第２００５／０２４８５１５号明細書
【特許文献１２３】米国特許出願公開第２００５／０２６９９５９号明細書（Ａ１）
【特許文献１２４】米国特許出願公開第２００５／０２６９９６０号明細書
【特許文献１２５】米国特許出願公開第２００５／０２８０６１５号明細書
【特許文献１２６】米国特許出願公開第２００５／０２８０７６６号明細書
【特許文献１２７】米国特許出願公開第２００５／０２８５８２２号明細書（Ａ１）
【特許文献１２８】米国特許出願公開第２００５／０２８５８２５号明細書（Ａ１）
【特許文献１２９】米国特許出願公開第２００６／０００１６１３号明細書
【特許文献１３０】米国特許出願公開第２００６／０００７０７２号明細書（Ａ１）
【特許文献１３１】米国特許出願公開第２００６／００１２３１０号明細書（Ａ１）
【特許文献１３２】米国特許出願公開第２００６／００１２３１１号明細書（Ａ１）
【特許文献１３３】米国特許出願公開第２００６／００２７８０７号明細書
【特許文献１３４】米国特許出願公開第２００６／００３００８４号明細書
【特許文献１３５】米国特許出願公開第２００６／００３８７５８号明細書（Ａ１）
【特許文献１３６】米国特許出願公開第２００６／００３８７６２号明細書
【特許文献１３７】米国特許出願公開第２００６／００６６５３３号明細書
【特許文献１３８】米国特許出願公開第２００６／００７７１３５号明細書
【特許文献１３９】米国特許出願公開第２００６／００８２５２３号明細書
【特許文献１４０】米国特許出願公開第２００６／００９２１８５号明細書
【特許文献１４１】米国特許出願公開第２００６／００９７６２８号明細書（Ａ１）
【特許文献１４２】米国特許出願公開第２００６／００９７６３１号明細書
【特許文献１４３】米国特許出願公開第２００６／０１０３６１１号明細書（Ａ１）
【特許文献１４４】米国特許出願公開第２００６／０１４９４９３号明細書
【特許文献１４５】米国特許出願公開第２００６／０１７０６２３号明細書
【特許文献１４６】米国特許出願公開第２００６／０１７６２５０号明細書
【特許文献１４７】米国特許出願公開第２００６／０２３２５２２号明細書（Ａ１）
【特許文献１４８】米国特許出願公開第２００６／０２４４６９７号明細書
【特許文献１４９】米国特許出願公開第２００６／０２６１８４１号明細書（Ａ１）
【特許文献１５０】米国特許出願公開第２００６／０２７３９９７号明細書（Ａ１）
【特許文献１５１】米国特許出願公開第２００６／０２８４８０１号明細書
【特許文献１５２】米国特許出願公開第２００６／０２８４８９５号明細書
【特許文献１５３】米国特許出願公開第２００６／０２９０６１８号明細書
【特許文献１５４】米国特許出願公開第２００６／００９２１８５号明細書
【特許文献１５５】米国特許出願公開第２００６／０２０８９６１号明細書
【特許文献１５６】米国特許出願公開第２００７／０００１９３７号明細書（Ａ１）
【特許文献１５７】米国特許出願公開第２００７／０００１９３９号明細書
【特許文献１５８】米国特許出願公開第２００７／０００８２６８号明細書（Ａ１）
【特許文献１５９】米国特許出願公開第２００７／０００８２９７号明細書（Ａ１）
【特許文献１６０】米国特許出願公開第２００７／００５７８７３号明細書（Ａ１）
【特許文献１６１】米国特許出願公開第２００７／００６９９９８号明細書
【特許文献１６２】米国特許出願公開第２００７／００７５７２７号明細書
【特許文献１６３】米国特許出願公開第２００７／００７６２２６号明細書
【特許文献１６４】米国特許出願公開第２００７／００８０９０５号明細書
【特許文献１６５】米国特許出願公開第２００７／００８０９０６号明細書（Ａ１）
【特許文献１６６】米国特許出願公開第２００７／００８０９０８号明細書
【特許文献１６７】米国特許出願公開第２００７／００９７０３８号明細書（Ａ１）
【特許文献１６８】米国特許出願公開第２００７／００９７０４１号明細書
【特許文献１６９】米国特許出願公開第２００７／０１０３４１９号明細書（Ａ１）
【特許文献１７０】米国特許出願公開第２００７／０１１５２２１号明細書
【特許文献１７１】米国特許出願公開第２００７／０１８２６７１号明細書
【特許文献１７２】米国特許出願公開第２００７／０２３６５１７号明細書
【特許文献１７３】米国特許出願公開第２００７／０２４１９９９号明細書
【特許文献１７４】米国特許出願公開第２００７／０２７３２９４号明細書
【特許文献１７５】米国特許出願公開第２００７／０２８５３５９号明細書（Ａ１）
【特許文献１７６】米国特許出願公開第２００７／０２９０９５８号明細書
【特許文献１７７】米国特許出願公開第２００７／０２９６６７２号明細書（Ａ１）
【特許文献１７８】米国特許出願公開第２００８／０００１５２５号明細書（Ａ１）
【特許文献１７９】米国特許出願公開第２００８／０００１５４４号明細書
【特許文献１８０】米国特許出願公開第２００８／００３６７０８号明細書
【特許文献１８１】米国特許出願公開第２００８／００４２９４２号明細書
【特許文献１８２】米国特許出願公開第２００８／００４２９４８号明細書（Ａ１）
【特許文献１８３】米国特許出願公開第２００８／００４８９５１号明細書
【特許文献１８４】米国特許出願公開第２００８／００５５２０９号明細書
【特許文献１８５】米国特許出願公開第２００８／００７４４１３号明細書（Ａ１）
【特許文献１８６】米国特許出願公開第２００８／００８８５４９号明細書
【特許文献１８７】米国特許出願公開第２００８／００８８６４８号明細書
【特許文献１８８】米国特許出願公開第２００８／０１１７１４４号明細書
【特許文献１８９】米国特許出願公開第２００８／０１５０８４７号明細書（Ａ１）
【特許文献１９０】米国特許出願公開第２００８／０２３１５５８号明細書
【特許文献１９１】米国特許出願公開第２００８／０２３１５６２号明細書
【特許文献１９２】米国特許出願公開第２００８／０２５２５７１号明細書（Ａ１）
【特許文献１９３】米国特許出願公開第２００８／０２９０８０５号明細書
【特許文献１９４】米国特許出願公開第２００８／０２９７０５５号明細書
【特許文献１９５】米国特許出願公開第２００９／００５８７７２号明細書（Ａ１）
【特許文献１９６】米国特許出願公開第２００９／０１６０７４３号明細書
【特許文献１９７】米国特許出願公開第２００９／０１７４６２８号明細書
【特許文献１９８】米国特許出願公開第２００９／０１８４９０１号明細書（Ａ１）
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【特許文献２００】米国特許出願公開第２００９／０２０１２８１号明細書
【特許文献２０１】米国特許出願公開第２００９／０２１３０４６号明細書
【特許文献２０２】米国特許出願公開第２０１０／０００４８９１号明細書
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【特許文献２０８】米国特許出願公開第２０１０／０３１５３１９号明細書
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【特許文献２１０】米国特許出願公開第２０１１／００６９０８９号明細書
【特許文献２１１】米国特許出願公開第２０１１／００７４７５０号明細書
【特許文献２１２】米国特許出願公開第２０１１／０１４９１６６号明細書
【特許文献２１３】米国特許出願公開第２０１１／０２２７９６４号明細書
【特許文献２１４】米国特許出願公開第２０１１／０２９３４８０号明細書
【特許文献２１５】米国特許出願公開第２０１２／００５６５５８号明細書
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【特許文献２１７】米国特許出願公開第２０１３／００５７５９５号明細書
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【特許文献４６９】特開２００３−１７７７０９号公報
【特許文献４７０】国際公開第ＷＯ２００３／０５８５９４号パンフレット（Ａ１）
【特許文献４７１】国際公開第ＷＯ２００３／０６３１２４号パンフレット
【特許文献４７２】欧州特許出願公開第１３３５４３０号明細書（Ａ１）
【特許文献４７３】国際公開第ＷＯ２００３／０７７２３１号パンフレット
【特許文献４７４】特開２００３ー２７１０９５号公報
【特許文献４７５】中国特許第１４４８９０８号明細書
【特許文献４７６】特開２００３−３０８０４６号公報
【特許文献４７７】特開２００３ー３１７９４４号公報
【特許文献４７８】欧州特許第１３７２１３６号明細書
【特許文献４７９】英国特許第２３８９９５１号明細書
【特許文献４８０】国際公開第ＷＯ２００４／００３８７７号パンフレット
【特許文献４８１】欧州特許第１３８１０１９号明細書
【特許文献４８２】カナダ特許第２４６３６５３号明細書
【特許文献４８３】カナダ特許第２４９８１３６号明細書
【特許文献４８４】国際公開第ＷＯ２００４／０２５６１５号パンフレット（Ａ）
【特許文献４８５】国際公開第ＷＯ２００４／０３４３６４号パンフレット
【特許文献４８６】欧州特許第１４１８５６６号明細書
【特許文献４８７】特開２００４−１４５１９７号公報
【特許文献４８８】国際公開第ＷＯ２００４／０４７０５８号パンフレット
【特許文献４８９】欧州特許出願公開第１４２９３１２号明細書（Ａ）
【特許文献４９０】中華民国特許第１２２１２６８号明細書
【特許文献４９１】欧州特許出願公開第１４６５１４３号明細書（Ａ）
【特許文献４９２】特開２００４−２８７３４５号公報
【特許文献４９３】欧州特許出願公開第１４６９４４８号明細書（Ａ）
【特許文献４９４】カナダ特許第２５２２３９６号明細書
【特許文献４９５】韓国特許出願公開第２００４−０１００８８７号明細書
【特許文献４９６】国際公開第ＷＯ２００４／１０４９７５号パンフレット（Ａ１）
【特許文献４９７】特開２００５−５７２１７号公報
【特許文献４９８】国際公開第ＷＯ２００５／０２２４９８号パンフレット
【特許文献４９９】国際公開第ＷＯ２００５／０２２５００号パンフレット（Ａ）
【特許文献５００】カナダ特許第２４４３２０６号明細書
【特許文献５０１】国際公開第ＷＯ２００５／０２９４５５号パンフレット
【特許文献５０２】国際公開第ＷＯ２００５／０２９４５６号パンフレット
【特許文献５０３】欧州特許出願公開第１５２１２０３号明細書（Ａ２）
【特許文献５０４】国際公開第ＷＯ２００５／０５５１８５号パンフレット
【特許文献５０５】欧州特許第１５９４３４７号明細書
【特許文献５０６】カナダ特許第２４７２６７１号明細書
【特許文献５０７】カナダ特許第２５６７０７６号明細書
【特許文献５０８】国際公開第ＷＯ２００６／０００１０１号パンフレット
【特許文献５０９】中国特許第１７６０９４５号明細書
【特許文献５１０】カナダ特許第２５２６７８２号明細書
【特許文献５１１】国際公開第ＷＯ２００６／０５３４２４号パンフレット
【特許文献５１２】国際公開第ＷＯ２００６／０６３４４８号パンフレット（Ａ）
【特許文献５１３】国際公開第ＷＯ２００６／０８４３６０号パンフレット
【特許文献５１４】国際公開第ＷＯ２００７／００３８７７号パンフレット
【特許文献５１５】欧州特許出願公開第１７８４０５５号明細書（Ａ２）
【特許文献５１６】中華民国特許第２００７２７２４７号明細書
【特許文献５１７】国際公開第ＷＯ２００７／０７９５７２号パンフレット
【特許文献５１８】国際公開第ＷＯ２００７／１２０８４９号パンフレット（Ａ２）
【特許文献５１９】欧州特許出願公開第１８７９１６９号明細書（Ａ１）
【特許文献５２０】欧州特許第１８７９１７２号明細書
【特許文献５２１】カナダ特許第２５５０１０２号明細書
【特許文献５２２】特開平４−１５８５７０号公報
【特許文献５２３】国際公開第ＷＯ２００９／０５５９２０号パンフレット
【特許文献５２４】国際公開第ＷＯ２０１０／０２３２７０号パンフレット
【特許文献５２５】国際公開第ＷＯ２０１１／０４１２２４号パンフレット（Ａ１）
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】Ahnood et al.: "Effect of threshold voltage instability on field effect mobility in thin film transistors deduced from constant current measurements"; dated August 2009
【非特許文献２】Alexander et al.: "Pixel circuits and drive schemes for glass and elastic AMOLED displays"; dated July 2005 (9 pages)
【非特許文献３】Alexander et al.: "Unique Electrical Measurement Technology for Compensation, Inspection and Process Diagnostics of AMOLED HDTV"; dated May 2010 (4 pages)
【非特許文献４】Ashtiani et al.: "AMOLED Pixel Circuit With Electronic Compensation of Luminance Degradation"; dated March 2007 (4 pages)
【非特許文献５】Chaji et al.: "A Current-Mode Comparator for Digital Calibration of Amorphous Silicon AMOLED Displays"; dated July 2008 (5 pages)
【非特許文献６】Chaji et al.: "A fast settling current driver based on the CCII for AMOLED displays"; dated December 2009 (6 pages)
【非特許文献７】Chaji et al.: " A Low-Cost Stable Amorphous Silicon AMOLED Display with Full V~T- and V~O~L~E~D Shift Compensation"; dated May 2007 (4 pages)
【非特許文献８】Chaji et al.: "A low-power driving scheme for a-Si:H active-matrix organic light-emitting diode displays"; dated June 2005 (4 pages)
【非特許文献９】Chaji et al.: "A low-power high-performance digital circuit for deep submicron technologies"; dated June 2005 (4 pages)
【非特許文献１０】Chaji et al.: "A novel a-Si:H AMOLED pixel circuit based on short-term stress stability of a-Si:H TFTs"; dated October 2005 (3 pages)
【非特許文献１１】Chaji et al.: "A Novel Driving Scheme and Pixel Circuit for AMOLED Displays"; dated June 2006 (4 pages)
【非特許文献１２】Chaji et al.: "A novel driving scheme for high-resolution large-area a-Si:H AMOLED displays"; dated August 2005 (4 pages)
【非特許文献１３】Chaji et al.: "A Stable Voltage-Programmed Pixel Circuit for a-Si:H AMOLED Displays"; dated December 2006 (12 pages)
【非特許文献１４】Chaji et al.: "A Sub-μA fast-settling current-programmed pixel circuit for AMOLED displays"; dated September 2007
【非特許文献１５】Chaji et al.: "An Enhanced and Simplified Optical Feedback Pixel Circuit for AMOLED displays"; dated October 2006
【非特許文献１６】Chaji et al.: "Compensation technique for DC and transient instability of thin film transistor circuits for large-area devices"; dated August 2008
【非特許文献１７】Chaji et al.: "Driving scheme for stable operation of 2-TFT a-Si AMOLED pixel"; dated April 2005 (2 pages)
【非特許文献１８】Chaji et al.: "Dynamic-effect compensating technique for stable a-Si:H AMOLED dislays"; dated August 2005 (4 pages)
【非特許文献１９】Chaji et al.: "Electrical Compensation of OLED Luminance Degradation"; dated December 2007 (3 pages)
【非特許文献２０】Chaji et al.: "eUTDSP: a design study of a new VLIW-based DSP architecture"; dated May 2003 (4 pages)
【非特許文献２１】Chaji et al.: "Fast and Offset-Leakage Insensitive Current-Mode Line Driver for Active Matrix Displays and Sensors"; dated February 2009 (8 pages)
【非特許文献２２】Chaji et al.: "High Speed Low Power Adder Design With A New Logic Style: Pseudo Dynamic Logic (SDL)"; dated October 2001 (4 pages)
【非特許文献２３】Chaji et al.: "High-precision, fast current source for large-area current-programmed a-Si flat panels"; dated September 2006 (4 pages)
【非特許文献２４】Chaji et al.: "Low-Cost AMOLED Television with IGNIS Compensating Technology"; dated May 2008 (4 pages)
【非特許文献２５】Chaji et al.: "Low-Cost Stable a-Si:H AMOLED Display for Portable Applications"; dated June 2006 (4 pages)
【非特許文献２６】Chaji et al.: "Low-Power Low-Cost Voltage-Programmed a-Si:H AMOLED Display"; dated June 2008 (5 pages)
【非特許文献２７】Chaji et al.: "Merged phototransistor pixel with enhanced near infrared response and flicker noise reduction for biomolecular imaging"; dated November 2008 (3 pages)
【非特許文献２８】Chaji et al.: "Parallel Addressing Scheme for Voltage-Programmed Active-Matrix OLED Displays"; dated May 2007 (6 pages)
【非特許文献２９】Chaji et al.: "Pseudo dynamic logic (SDL): a high-speed and low-power dynamic logic family"; dated 2002 (4 pages)
【非特許文献３０】Chaji et al.: "Stable a-Si:H circuits based on short-term stress stability of amorphous silicon thin film transistors"; dated May 2006 (4 pages)
【非特許文献３１】Chaji et al.: "Stable Pixel Circuit for Small-Area High-Resolution a-Si:H AMOLED Displays"; dated October 2008 (6pages)
【非特許文献３２】Chaji et al.: "Stable RGBW AMOLED display with OLED degradation compensation using electrical feedback"; dated February 2010 (2 pages)
【非特許文献３３】Chaji et al.: "Thin-Film Transistor Integration for Biomedical Imaging and AMOLED Displays"; dated 2008 (177 pages)
【非特許文献３４】European Search Report for EP Application No.10166143, dated Sptember 3, 2010 (2 pages)
【非特許文献３５】European Search Report for European Application No.EP 11739485.8-1904 dated August 6, 2013 (14 pages)
【非特許文献３６】European Search Report for European Application No.EP 011122313 dated September 14, 2005 (4 pages)
【非特許文献３７】European Search Report for European Application No.EP 04786661 dated March 9, 2009
【非特許文献３８】European Search Report for European Application No.EP 05759141 dated October 30, 2009 (2 pages)
【非特許文献３９】European Search Report for European Application No.EP 05819617 dated January 30, 2009
【非特許文献４０】European Search Report for European Application No.EP 06705133 dated July 18, 2008
【非特許文献４１】European Search Report for European Application No.EP 06721798 dated November 12, 2009 (2 pages)
【非特許文献４２】European Search Report for European Application No.EP 07719579 dated May 20, 2009
【非特許文献４３】European Search Report for European Application No.EP 07815784 dated July 20, 2010 (2 pages)
【非特許文献４４】European Search Report for European Application No.EP 07710608.6 dated March 19, 2010 (7 pages)
【非特許文献４５】European Search Report, Application No.EP 10834294.0-1903, dated April 8, 2013 (9 pages)
【非特許文献４６】European Supplementary Search Report corresponding to European Application No. EP 04786662 dated January 19, 2007 (2 pages)
【非特許文献４７】Extended European Search Report mailed April 27, 2011 issued during prosecution of European patent application No.EP 09733076.5 (13 page)
【非特許文献４８】Extended European Search Report mailed July 11, 2012 which issued in corresponding European Patent Application No.EP 11191641.7 (14 pages)
【非特許文献４９】Extended European Search Report mailed November 29, 2012, issued in European Patent Application No.EP 11168677.0 (13 pages)
【非特許文献５０】FOSSUM, ERIC R., "Active Pixel Sensors: Are CCD's Dinosaurs?" SPIE: Symposium on Electronic Imaging, February 1, 1993 (13 pages)
【非特許文献５１】International Preliminary Report on Patentability for International Application No.PCT/CA2005/001007 dated October 16,2006, 4 pages
【非特許文献５２】International Search Report corresponding to International Application No.PCT/IB2011/050502, dated June 27, 2011 (6 pages)
【非特許文献５３】International Search Report corresponding to International Application No.PCT/CA2004/001742, Canadian Patent Office, dated February 21, 2005 (2 pages)
【非特許文献５４】International Search Report corresponding to International Application No.PCT/IB2010/055541 filed December 1, 2010, dated May 26, 2011; 5 pages
【非特許文献５５】International Search Report corresponding to International Application No.PCT/IB2011/055135, Canadian Patent Office, dated April 16, 2012 (5 pages)
【非特許文献５６】International Search Report for Application No.PCT/IB2010/055486, Dated April 19, 2011, 5 pages
【非特許文献５７】International Search Report for International Application No.PCT/CA2005/001007 dated October 18, 2005
【非特許文献５８】International Search Report for International Application No.PCT/CA2007/000652 dated July 25, 2007
【非特許文献５９】International Search Report for International Application No.PCT/CA2006/000177 dated June 2, 2006
【非特許文献６０】International Search Report for International Application No.PCT/CA2004/001741 dated February 21, 2005
【非特許文献６１】International Search Report for PCT Application No.PCT/CA2009/001769, dated April 8, 2010 (3 pages)
【非特許文献６２】International Search Report mailed December 03, 2002, issued in International Patent Application No.PCT/JP02/09668 (4 pages)
【非特許文献６３】International Search Report mailed July 30, 2009 for International Appllication No.PCT/CA2009/000501 (4 pages)
【非特許文献６４】International Search Report mailed March 21, 2006 issued in International Patent Application No.PCT/CA2005/001897 (2 pages)
【非特許文献６５】International Search Report, PCT/IB2012/052372, mailed September 12, 2012 (3 pages)
【非特許文献６６】International Searching Authority Search Report, PCT/IB2010/0055481, dated April 7, 2011, 3 pages
【非特許文献６７】International Searching Authority Search Report, PCT/IB2011/051103, dated July 8, 2011, 3 pages
【非特許文献６８】International Searching Authority Written Opinion, PCT/IB2010/055481, dated April 7, 2011, 6 pages
【非特許文献６９】International Searching Authority Written Opinion, PCT/IB2011/051103, dated July 8, 2011, 6 pages
【非特許文献７０】International Written Opinion corresponding to International Application No.PCT/CA2004/001742, Canadian Patent Office, dated February 21, 2005 (5 pages)
【非特許文献７１】International Written Opinion corresponding to International Application No.PCT/IB2011/055135, Canadian Patent Office, dated April 16, 2012 (5 pages)
【非特許文献７２】International Written Opinion for Application No.PCT/IB2010/055486, Dated April 19, 2011, 8 pages
【非特許文献７３】International Written Opinion for International Application No.PCT/CA2009/000501 mailed July 30, 2009 (6 pages)
【非特許文献７４】International Written Opinion mailed March 21, 2006 corresponding to International Patent Application No.PCT/CA2005/001897 (4 pages)
【非特許文献７５】International Written Opinion of the International Searching Authority corresponding to International Application No.PCT/IB2011/050502, dated June 27, 2011 (7 pages)
【非特許文献７６】International Written Opinion of the International Searching Authority corresponding to International Application No.PCT/IB2010/055541, dated May 26, 2011; 6 pages
【非特許文献７７】International Written Opinion, PCT/IB2012/052372, mailed September 12, 2012 (6 pages)
【非特許文献７８】Jafarabadiashitiani et al.: "A New Driving Method for a-Si AMOLED Displays Based on Voltage Feedback"; dated 2005 (4 pages)
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【非特許文献８６】MENDES E., et al. "A High Resolution Switch-Current Memory Base Cell," IEEE: Circuits and Systems, Vol.2, August 1999 (pgs.718-721)
【非特許文献８７】Nathan et al., "Thin Film imaging technology on glass and plastic" ICM 2000, proceedings of the 12 international conference on microelectronics, dated October 31, 2001 (4 pages)
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【非特許文献８９】Nathan et al.: "Backplane Requirements for Active Matrix Organic Light Emitting Diode Displays"; dated 2006 (16 pages)
【非特許文献９０】Nathan et al.: "Call for papers second international workshop on compact thin-film transistor (TFT) modeling for circuit simulation"; dated September 2009 (1 page)
【非特許文献９１】Nathan et al.: "Driving schemes for a-Si and LTPS AMOLED displays"; dated December 2005 (11 pages)
【非特許文献９２】Nathan et al.: "Invited Paper: a-Si for AMOLED - Meeting the Performance and Cost Demands of Display Applications (Cell Phone to HDTV)"; dated 2006 (4 pages)
【非特許文献９３】Office Action in Japanese patent application no.JP2006-527247 dated March 15, 2010 (8 pages)
【非特許文献９４】Office Action in Japanese patent application no.JP2007-545796 dated September 5, 2011 (8 pages)
【非特許文献９５】Partial European Search Report mailed March 20, 2012 which issued in corresponding European Patent Application No.EP 11191641.7 (8 pages)
【非特許文献９６】Partial European Search Report mailed September 22, 2011 corresponding to European Patent Application No.EP 11168677.0 (5 pages)
【非特許文献９７】Philipp: "Charge transfer sensing" SENSOR REVIEW, vol.19, no.2, 31 December 1999 (1999-12-31), 10 pages
【非特許文献９８】Rafati et al.: "Comparison of a 17 b multiplier in Dual-rail domino and in Dual-rail DL (DL) logic styples"; dated 2002 (4 pages)
【非特許文献９９】Safavaian et al.: "Three-TFT image sensor for real-time digital X-ray imaging"; dated 02.02.2006 (2 pages)
【非特許文献１００】Safavian et al.: "3-TFT active pixel sensor with correlated double sampling readout circuit for real-time medical x-ray imaging"; dated June 2006 (4 pages)
【非特許文献１０１】Safavian et al.: "A novel current scaling active pixel sensor with correlated double sampling readout circuit for real time medical x-ray imaging"; dated May 2007 (7 pages)
【非特許文献１０２】Safavian et al.: "A novel hybrid active-passive pixel with correlated double sampling CMOS readout circuit for medical x-ray imaging"; dated May 2008 (4 pages)
【非特許文献１０３】Safavian et al.: "Self-compensated a-Si:H detector with current-mode readout circuit for digital X-ray fluoroscopy"; dated August 2005 (4 pages)
【非特許文献１０４】Safavian et al.: "TFT active image sensor with current-mode readout circuit for digital x-ray fluoroscopy [5969D-82]"; dated September 2005 (9 pages)
【非特許文献１０５】Search Report for Taiwan Invention Patent Application No.093128894 dated May 1, 2012 (1 page)
【非特許文献１０６】Search Report for Taiwan Invention Patent Application No.94144535 dated November 1, 2012 (1 page)
【非特許文献１０７】Spindler et al., System Considerations For RGBW OLED Displays, Journal of the SID 14/1, 2006, pp.37-48
【非特許文献１０８】Stewart M. et al., "polysilicon TFT technology for active matrix oled displays" IEEE transactions on electron devices, vol,48, No.5, dated May 2001 (7 pages)
【非特許文献１０９】Vygranenko et al.: "Stability of indium-oxide thin-film transistors by reactive ion beam assisted deposition"; dated 2009
【非特許文献１１０】Wang et al.: "Indium oxides by reactive ion beam assisted evaporation: From material study to device application"; dated March 2009 (6 pages)
【非特許文献１１１】Yi He et al., "Current-Source a-Si:H Thin Film Transistor Circuit for Active-Matrix Organic Light-Emitting Displays", IEEE Electron Device Letters, Vol.21, No.12, December, 2000, pp.590-592
【非特許文献１１２】Yu, Jennifer: "Improve OLED Technology for Display", Ph.D. Dissertation, Massachusetts Institute of Technology, September 2008 (151 pages)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ディスプレイパネル上に亘るばらつき及び経時的な変動を勘案するためディスプレイに適用される補償方式のなかには、モニタリングシステムを用い、ピクセル回路の加齢（即ち劣化）に関連した時間従属パラメタを計測する方式がある。そして、その計測で得られた情報は、計測にかかったあらゆる劣化がプログラミングに対する調整で確実に勘案されるよう、ピクセル回路の爾後のプログラムを通知するのに使用することができる。こうしてモニタされるピクセル回路では、そのピクセル回路をモニタリングシステムに選択的に結合させ情報を読み出す（リードアウトする）ことができるよう、付加的なトランジスタ及び／又はラインを使用することが必要な場合がある。付加的なトランジスタ及び／又はラインを組み込むと、ピクセルピッチ（即ちピクセル密度）が不本意に削がれる可能性がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の諸態様では、ピクセル加齢に関し補償可能な構成を有するモニタ対象ディスプレイで使用するのに適したピクセル回路が提供される。本願記載のピクセル回路形態によれば、そのピクセル回路の劣化の程度を示す電流及び／又は電圧をモニタで計測することができるよう、モニタリングスイッチトランジスタ経由でそのモニタがピクセル回路のノードにアクセスすることができる。本発明の諸態様では、更に、スイッチングトランジスタの抵抗から独立にピクセルにプログラミングを施せるピクセル回路形態が提供される。本願記載のピクセル回路形態は、プログラミング動作中に駆動トランジスタに流れる電流がそのストレージキャパシタ上の電荷に影響しないよう、そのピクセル回路内のストレージキャパシタを当該駆動トランジスタから分離するトランジスタを有する。
【０００７】
上述のものを含め、本発明の諸態様及び諸実施形態については、本件技術分野に習熟した者（いわゆる当業者）ならば、次の欄で概略説明する図面を参照しつつ、諸実施形態及び／又は構成についての詳細な説明を参照することで、理解できよう。
【０００８】
上述のものを含め、本発明の長所については、これから示す詳細な説明を読むことにより、また図面を参照することにより、より明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】ピクセルにおける劣化をモニタしてそれに対し補償を施すシステムであって本発明に係るものの一例形態を示す図である。
【図２】ディスプレイシステム内データライン及びモニタラインのＲＣモデルを示す回路図である。
【図３Ａ】ピクセルのプログラミングに係る電圧対時間描写プロットであり図２中の第Ｎロー内ピクセルについてセトリング効果を示す図である。
【図３Ｂ】ピクセルのプログラミングに係る電圧対時間描写プロットであり図２中の第ｉロー内ピクセルについてセトリング効果を示す図である。
【図３Ｃ】ピクセルのプログラミングに係る電圧対時間描写プロットであり図２中の第１ロー内ピクセルについてセトリング効果を示す図である。
【図４Ａ】セトリング効果の影響を受ける動作プログラミング期間でプログラミングされたピクセルからの電流読み取りに係る電流対時間描写プロットである。
【図４Ｂ】セトリング効果の影響を受けない拡張プログラミング期間でプログラミングされたピクセルからの電流読み取りに係る電流対時間描写プロットである。
【図５】ピクセル劣化由来誤差やプログラミング中及びリードアウト中のライン伝搬による誤差累積を示す図である。
【図６】スタートアップ校正データを用いモニタライン効果の特徴が解明される動作シーケンスを示す図である。
【図７】ピクセル加齢の校正を行うためリアルタイム計測が用いられる動作シーケンスを示す図である。
【図８】ディスプレイ動作寿命の初期におけるプログラミング経路内初期誤差の分離を示す図である。
【図９】ディスプレイ内の各ローに関し、セトリング効果を実質的に排するために必要なリードアウト期間を示す一例グラフである。
【図１０】モニタライン上での伝搬遅延効果を抽出する実施形態のフローチャートである。
【図１１】信号ライン上での伝搬遅延効果を抽出する実施形態のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明は様々に変形すること及び代替形態にすることが可能な発明であるが、図面には例示を以て特定の実施形態を示し、それを本願中で詳細に説明することにする。しかし、ご理解頂けるように、本発明は、説明中にある特定の形態に限定される趣旨のものではない。寧ろ、別紙特許請求の範囲で規定される本発明の技術的範囲及び神髄に属するあらゆる変形物、均等物及び代替物をカバーする趣旨のものである。
【００１１】
図１は、ディスプレイシステムの一例５０を示す図である。このディスプレイシステム５０は、アドレスドライバ８、データドライバ(data driver)４、コントローラ(controller)２、メモリストレージ６及びディスプレイパネル２０を有している。ディスプレイパネル２０は、ロー(row)及びカラム(column)をなすよう配置されたピクセル（画素）１０のアレイを有している。各ピクセル１０には、個別のプログラム可能輝度値で発光するよう個別にプログラミングを施すことができる。コントローラ２は、ディスプレイパネル２０上に表示すべき情報を示すディジタルデータを受け取る。コントローラ２は、提示された情報が表示されるよう、データドライバ４に信号３２、アドレスドライバ８にスケジューリング信号３４を送ってディスプレイパネル２０内ピクセル１０を駆動する。ディスプレイパネル２０に係る複数個のピクセル１０は、このようにして、コントローラ２で受け取られたインプットディジタルデータに従い情報を動的に表示するよう適合化された、ディスプレイアレイ（ディスプレイスクリーン）を構成する。ディスプレイスクリーン上には、例えば、コントローラ２が受け取ったビデオデータストリームに由来するビデオ情報を表示させることができる。電圧源１４は、一定の電源電圧を供給する電圧源とすることも、コントローラ２からの信号によって制御される可調電圧源とすることもできる。ディスプレイシステム５０には、また、ディスプレイパネル２０内ピクセル１０にバイアス電流を供給することでそのピクセル１０に係るプログラミング時間を短縮すべく、電流源又は電流シンク（図示せず）に発する諸部材を組み込むこともできる。
【００１２】
説明の都合上、図１のディスプレイシステム５０に関しては、ディスプレイパネル２０内ピクセル１０のうち４個のみが描かれている。ご理解頂けるように、ディスプレイシステム５０は、似通ったピクセル例えばピクセル１０のアレイを有するディスプレイスクリーンを用い実現することが可能であり、そのディスプレイスクリーンは、ピクセルのロー及びカラムを特定個数有するものに限られない。例えば、ピクセルのロー及びカラムの個数が、モバイルデバイス、モニタ利用デバイス及び／又は投射型デバイス向けのディスプレイで一般に利用可能な個数であるディスプレイスクリーンを用い、ディスプレイシステム５０を実現することが可能である。
【００１３】
ピクセル１０は、概して駆動トランジスタ(driving transistor)２０２（図２参照）及び発光デバイス(light emitting device)２０４を有する駆動回路（ピクセル回路（pixel circuit)）により作動される。以下、ピクセル回路をピクセル１０の語で呼ぶこともある。発光デバイス２０４は、例えば、有機発光ダイオードとすることができるが、本発明の諸形態は、電流駆動発光デバイスを有するものを含め、他種電界発光デバイスを有するピクセル回路にも適用される。ピクセル１０内駆動トランジスタ２０２は、例えば、ｎ型又はｐ型のアモルファスシリコン薄膜トランジスタとすることができるが、本発明の諸形態は、特定極性のトランジスタを有するピクセル回路に限定されるものでも、或いは薄膜トランジスタを有するピクセル回路のみに限定されるものでもない。ピクセル回路１０には、また、プログラミング情報を格納するため、並びにアドレス指定後にピクセル回路１０が発光デバイス２０４を駆動できるようにするための、ストレージキャパシタ２００（図２参照）を設けることができる。即ち、ディスプレイパネル２０を能動マトリクスディスプレイアレイとすることができる。
【００１４】
図１に示す通り、ディスプレイパネル２０内左上ピクセルとして描かれているピクセル１０は、セレクトライン(select line)２４ｊ、サプライライン(supply line)２６ｊ、データライン(data line)２２ｉ及びモニタライン(monitor line)２８ｉに結合されている。実施に当たり、電圧源１４に発しピクセル１０に至る第２サプライラインを設けることもできる。例えば、Ｖｄｄで荷電されている第１サプライライン及びＶSSに結合している第２サプライラインに各ピクセルを結合させ、そのピクセル回路１０を第１サプライライン・第２サプライライン間に配することで、同ピクセル回路のエミッション相中にそれら２本のサプライライン間に駆動電流を流すことができる。ディスプレイパネル２０内左上ピクセル１０は、同ディスプレイパネル２０の第ｊロー及び第ｉカラムに属するディスプレイパネル内ピクセルに対応している。同様に、ディスプレイパネル２０内右上ピクセル１０は第ｊロー及び第ｍカラム、左下ピクセル１０は第ｎロー及び第ｉカラム、右下ピクセル１０は第ｎロー及び第ｉカラムに該当している。各ピクセル１０は、相応のセレクトライン（例．セレクトライン２４ｊ及び２４ｎ）、サプライライン（例．サプライライン２６ｊ及び２６ｎ）、データライン（例．データライン２２ｉ及び２２ｍ）並びにモニタライン（例．モニタライン２８ｉ及び２８ｍ）に結合されている。注記すべきことに、本発明の諸形態は、更なるセレクトラインへの接続等を含め更なる接続個所を有するピクセルや、モニタラインへの接続を欠くピクセル等のように接続個所がより少ないピクセルにも適用される。
【００１５】
ディスプレイパネル２０内左上ピクセル１０に関してはセレクトライン２４ｊがアドレスドライバ８により提供されていて、そのセレクトライン２４ｊを使用することで、例えば、データライン２２ｉを介しピクセル１０にプログラミングを施せるようスイッチ又はトランジスタを作動させることによるピクセル１０のプログラミング動作を、実行可能となる。そのデータライン２２ｉでは、データドライバ４から同ピクセル１０へのプログラミング情報が搬送される。例えば、所望程度の輝度で発光するようピクセル１０にプログラムを施すべくそのピクセル１０にプログラミング電圧又はプログラミング電流を提供するのに、そのデータライン２２ｉを使用することができる。データ（又はソース）ドライバ４によりデータライン２２ｉ経由で供給されるこのプログラミング電圧（又はプログラミング電流）は、同ピクセル１０を、コントローラ２が受け取ったディジタルデータに従い所望程度の輝度で発光させるのに適した電圧（又は電流）である。このプログラミング電圧（又はプログラミング電流）は、ピクセル１０内ストレージデバイス２００例えばストレージキャパシタ（図２）が充電され、それにより、プログラミング動作に後来するエミッション動作中にピクセル１０を所望程度の輝度で発光させることが可能になるよう、ピクセル１０のプログラミング動作中にそのピクセルに印加することができる。例えば、エミッション動作中に駆動トランジスタ２０２のゲート及びソース端子のうち１個又は複数個に電圧が印加されるよう、ひいてはストレージデバイス２００上に格納されている電圧に従い駆動トランジスタ２０２が発光デバイス２０４内に駆動電流を搬送することとなるよう、ピクセル１０内ストレージデバイス２００をプログラミング動作中に適宜充電することができる。
【００１６】
一般に、ピクセル１０内でそのピクセル１０のエミッション動作中に駆動トランジスタ２０２により発光デバイス２０４内に搬送される駆動電流は、第１サプライライン２６ｊによって供給され第２サプライライン（図示せず）へと排出される電流である。第１サプライライン２２ｊ及び第２サプライラインは電圧源１４に結合される。第１サプライライン２６ｊで供給可能なのは正の電源電圧（例．回路設計の分野でＶｄｄと通称される電圧）、第２サプライラインで供給可能なのは負の電源電圧（例．回路設計の分野でＶSSと通称される電圧）である。実施形態によっては、それらサプライラインのうちいずれか一方（例．サプライライン２６ｊ）が接地電圧その他の参照電圧に固定される。
【００１７】
ディスプレイシステム５０は、更に、リードアウト(read out)又はモニタリングシステム(monitoring system)１２を有している。再びディスプレイパネル２０内左上ピクセル１０を参照すると、モニタライン２８ｉによってそのピクセル１０がモニタリングシステム１２に接続されている。モニタリングシステム１２は、データドライバ４と一体化することも、別体のスタンドアロンシステムとすることもできる。特に、モニタリングシステム１２は、例えば、ピクセル１０のモニタリング動作中にデータライン２２ｉの電流及び／又は電圧をモニタすることで実現することができ、またモニタライン２８ｉを全て省略することができる。加えて、ディスプレイシステム５０はモニタリングシステム１２無し又はモニタライン２８ｉ無しで実現することができる。モニタライン２８ｉが設けられているので、モニタリングシステム１２は、ピクセル１０に係る電流又は電圧を計測すること、ひいては同ピクセル１０の劣化を示す情報を抽出することができる。例えば、モニタリングシステム１２では、モニタライン２８ｉを介し、ピクセル１０内駆動トランジスタ２０２に流れる電流を抽出し、その電流計測値と計測中に駆動トランジスタ２０２に印加される電圧とに基づき、駆動トランジスタ２０２のしきい値電圧又はそのシフトを判別することができる。一般には、更に、駆動トランジスタ２０２に流れる電流を計測することで、その駆動トランジスタ２０２の電流電圧特性を抽出することができる。例えば、駆動トランジスタ２０２に流れる電流（ＩDS）を計測することで、ＩDS＝β（ＶGS−Ｖｔｈ）2の関係に従い、しきい値電圧Ｖｔｈ及び／又はパラメタβを決定することができる（但しＶGSは駆動トランジスタ２０２に印加されるゲートソース電圧である）。
【００１８】
モニタリングシステム１２では、これに加え又は代え、発光デバイス２０４の動作電圧（例．発光デバイスが発光動作しているときにその発光デバイスに生じる電圧降下）を抽出することができる。このとき、モニタリングシステム１２がその信号３２をコントローラ２及び／又はメモリ６に送るので、ディスプレイシステム５０では、抽出された劣化情報をメモリ６内に格納することができる。ピクセル１０の爾後のプログラミング及び／又はエミッション動作中には、コントローラ２が、メモリ信号３６の形態でそのメモリ６から劣化情報を読み出し、更に、そのピクセル１０の爾後のプログラミング及び／又はエミッション動作にて抽出される劣化情報に関し、プログラミング値を補償値分だけ増加又は減少させることにより補償を行う。例えば、劣化情報が抽出されたなら、そのピクセル１０の劣化によらず所望程度の規模で同ピクセル１０が発光するよう、データライン２２ｉを介しピクセル１０に搬送されるプログラミング情報を、そのピクセル１０の爾後のプログラミング動作中に適宜調整することができる。一例で言うなら、そのピクセル１０に印加されるプログラミング電圧を相応に高めることにより、ピクセル１０内駆動トランジスタ２０２におけるしきい値電圧の上昇分を補償することができる。
【００１９】
更に、本願中で説明する通り、モニタリングシステム１２では、これに加え又は代え、プログラミング及び／又はモニタリングインターバル中にライン抵抗及びライン静電容量の寄生効果に起因するデータライン（例．データライン２２ｉ，２２ｍ）内伝搬遅延(propagation delay)によるプログラミング及び／又はモニタリングリードアウト内電圧オフセットを示す情報を、（例えば図２に示すリードアウト回路２１０又はモニタリングシステム１２を用い）抽出することができる。
【００２０】
本願記載の実施形態のうち幾つかによれば、能動マトリクス有機発光（ＡＭＯＬＥＤ）ディスプレイの最適性能が、ＯＬＥＤ，バックプレーンデバイス（アモルファス、ポリシリコン又は金属ー酸化物ＴＦＴ）両者の不均一性(non-uniformity)、加齢(aging)及びヒステリシスにより悪影響を受ける。これらの悪影響でディスプレイの動作に時間不変要因及び時間変動要因、特に諸要因の特徴を解明(characterize)しプログラミングプロセス中で調整を施すことで勘案可能なものが入り込む。ＦＨＤ(full-high definition)及びＵＨＤ(ultra-high definition)仕様と共に高いリフレッシュレート（例．１２０Ｈｚ及び２４０Ｈｚ）が求められる大面積アプリケーションでは、ＡＭＯＬＥＤディスプレイを作動させることの難しさが更に強まる。例えば、プログラミング期間が短くなるので、プログラミング動作及び表示動作に対する動的効果の影響が強まる。
【００２１】
加えて、それを介しＡＭＯＬＥＤピクセルがアクセス及びプログラミングされる非常に長い金属（又は他の導電）ライン（例．図１中のライン２２ｉ，２８ｉ，２２ｍ，２８ｍ）の有限コンダクタンスが、そのラインに結合している分布寄生静電容量と相俟ち、駆動信号のステップ関数がパネル上をどれだけ早く伝搬しその安定状態にセトリング(settling)することができるかに関し、基本的制限を導入する。一般に、そうしたライン上の電圧は、１−ｅｘｐ（−ｔ／ＲＣ）に比例する時間従属関数に従い変化する（但しＲは電圧変化源・注目点間の総実効抵抗、Ｃは電圧変化源・注目点間の総実効静電容量である）。こうした基本的制限があるので、適切な補償技術が提供されないことには、大面積パネルをより高いレートでリフレッシュすることができない。他方、工場校正(calibration)に関しては長めのリフレッシュタイムを用い不完全セトリングの影響を排することができるが、校正時間が顕著に延びることからＴａｋｔ時間又はサイクル時間の長時間化（即ち生産の不効率化）が生じることとなろう。
【００２２】
本願では、ＡＭＯＬＥＤパネルのデータライン２２及びモニタライン２８に対する伝搬遅延の影響の特徴を解明し排除（又は少なくとも抑圧）する方法について説明する。ロー上のピクセルのライト及びリードスイッチを制御するセレクトライン（例．図１中のライン２４ｊ，２４ｎ）の不完全セトリングの影響を、同様の手法を用いキャンセルすることができる。
【００２３】
図２は、ディスプレイシステム内データ及びモニタラインのＲＣモデルの回路図である。単純化のため、ディスプレイパネルを構成するカラムのうち１個のみを示してある。「データライン」なる文字が付されているのは、図１中のデータライン２２ｉ，２２ｍのいずれとも等価たり得るデータラインである。「モニタライン」なる文字が付されているのは、図１中のモニタライン２８ｉ，２８ｍのいずれとも等価たり得るモニタラインである。ここに、パネルは整数個（Ｎ個）のローを有しており、そのＮは、ＦＨＤパネルの場合は１０８０、ＵＨＤパネルの場合は２１６０というように、図１中のディスプレイパネル２０におけるローの個数に対応する個数である。データライン及びモニタラインは、Ｎ個縦続接続されたＲＣ素子でモデリングされている。そのＲＣ網の各ノードは、図２に示す通りピクセル回路に接続されている。典型的な構成では、ＲP及びＣPの集中定数和がそれぞれ１０ｋΩ及び５００ｐＦに近くなる。そうしたパネルに関し１０ビット精度を実現する（例．０．１％誤差を達成する）のに必要なセトリング時間が１５μｓ近くとなりうるのに対し、１２０Ｈｚで稼働しているＦＨＤ及びＵＨＤパネルにおけるロー時間（例．相連続するフレーム間で単一ローにプログラミングを施すのに使用できる時間インターバル）は、それぞれおよそ８μｓ及び４μｓとなる。
【００２４】
各ローに関し必要とされるセトリング時間は、図２に示すように、データ又はソースドライバ４からそのローまでの物理的距離に比例する。言い換えれば、ソースドライバ４から見て物理的に遠く離れた位置にあるピクセル１０の方が、駆動信号が伝搬しピクセル１００の対応するロー上でセトリングするのに要する時間が長くなる。従って、第Ｎローが最も大きなセトリング時間定数を呈するのに対し、第１ロー（ソースドライバ４に対し物理的に最も近いもの）が最速を呈する。図３Ａ〜図３Ｃ中にプロットした例はこの効果を示すものであり、それらの例について次段落で説明することとする。特定ローについてのプログラミング中には、ピクセル回路１０の各キャパシタ２００がデータライン２２に接続されるよう、そのロー内にあるライトトランジスタ２０８（例．そのゲートがＷＲラインに接続されている図２中のトランジスタ２０８）がターンオンされる。
【００２５】
図３Ａは、ピクセル１０のプログラミングに係る電圧対時間描写プロット３００であり、図２中の第Ｎロー内ピクセルについてセトリング効果を示している。図３Ｂは、ピクセル１０のプログラミングに係る電圧対時間描写プロット３０２であり、図２中の第ｉロー内ピクセルについてセトリング効果を示している。図３Ｃは、ピクセル１０のプログラミングに係る電圧対時間描写プロット３０４であり、図２中の第１ロー内ピクセルについてセトリング効果を示している。図３Ａ〜図３Ｃでは、それぞれ、プログラミング電圧ＶPがデータライン２２上に印加される一方、（例．第Ｎ、第ｉ及び第１ロー回路に係るＷＲラインそれぞれを作動させることにより）各ピクセル回路１０がプログラミング対象として選択され、そのピクセル回路が時間従属パラメタ１−ｅｘｐ（−ｔ／ＲＣ）に従い充電される（但しＲＣは各ピクセル１０における総実効抵抗及び静電容量の積である）。データライン２２上の諸点間で総実効抵抗及び静電容量が異なるため、第１ローが最も速やかに充電される一方、第Ｎローは最もゆっくりと充電される。従って、プログラミング期間の終期（ｔprog）には、第Ｎピクセルが値ＶP−ΔＶDATA（Ｎ）に到達する一方、第ｉローが値ＶP−ΔＶDATA（ｉ）、第１ローが値ＶP−ΔＶDATA（１）に到達する。図３Ａ〜図３Ｃに示す通り、ΔＶDATA（１）は、一般にΔＶDATA（Ｎ）より小さな値である。図３Ａ〜図３Ｃにはセトリング時間ｔsettle、即ちプログラミングされた電圧又はそれに近い電圧がストレージキャパシタ２００上に現れるまでの時間も示されている。
【００２６】
しかしながら、各ローに対応する時定数（例．ＲＣ値）はロー番号の線形関数ではない（ロー番号はソースドライバ４からそのローまでの距離に関する線形表現である）。この現象下では、ＲP及びＣPに対しランダムな影響を及ぼす製造プロセス変動（ばらつき）が、ＯＬＥＤ（例．発光デバイス２０４）及び駆動ＴＦＴ２０２の不均一性と相俟ち、データライン２２及びモニタライン２８の正確な挙動予測を事実上不可能にする。
【００２７】
従って、データライン２２上での伝搬遅延により、ピクセル回路１０内ストレージデバイス２００がそのレベルにプログラミングされるべき所望電圧レベルに対し、誤差がもたらされる。反面、モニタライン２８上では、リードアウト回路２１０（例．図１中のモニタリングシステム１２等）で検出されるところの、ＴＦＴ２０２又はＯＬＥＤ２０４の電流レベルに対し誤差がもたらされる。リードアウト回路２１０をパネル５０のソースドライバ４側と同じ側にもその逆の側にも配置できることに留意されたい。
【００２８】
図４Ａは、セトリング効果の影響を受ける動作プログラミング期間（タイミングバジェット(timing budget)；期間ｔprog）でプログラミングが施されたピクセル１０からの、リードアウト回路２１０を用いた電流読み取りに係る電流対時間描写プロット４００である。ＩMONはモニタライン２８を介し計測された電流値（例えば、電流モニタ結果・参照電流間の比較結果等に基づき電流モニタ結果を抽出する電流比較器を介し抽出された値）である。更に、実施形態によっては、モニタライン２８を用いピクセル回路１０からの電圧例えばＯＬＥＤ２０４の動作電圧が計測され、図４Ａ及び図４Ｂの関数形態が電流に代え電圧が計測される状況に敷衍され、計測値としてＶMONが得られる。即ち、図４Ａは、ピクセル回路１０が長さｔprogの期間中にプログラミングを受け長さｔmeasの期間中に計測されるときに、モニタリングシステム１２を介し抽出される情報が、モニタ結果の理想値からオフセットすることを表している。モニタ結果の理想値とは、ライン寄生が発生しておらず且つピクセル回路１０が不均一性、劣化現象、ヒステリシス等を呈していないときに予測される値のことである。図４Ａでは、そのオフセットの程度がΔＩDATA（ｉ）、ΔＩpixel（ｉ）及びΔＩMON（ｉ）で示されている。ΔＩDATA（ｉ）の値は、図３Ａ〜図３Ｃとの関連で論じたデータライン２２の寄生効果により、ΔＶDATA（ｉ）の値に対応した値となる。ΔＩMON（ｉ）の値は、有限ライン静電容量Ｃ及び抵抗Ｒに由来する電流モニタ結果内相応オフセットであり、例えば期間ｔsettleの後で生起する安定値(steady value)でのセトリングに先立ち、モニタライン２８上の電流レベルに経時調整を引き起こす。しかしながら、高解像度ディスプレイのタイミングバジェットが原因でｔmeasが総じてｔsettleより短くなるので、寄生効果はプログラミング動作に加えモニタ動作にも影響しうる。加えて、ＩMON（ｉ）の値は、ΔＩpixel（ｉ）で示す通り、第ｉロー内ピクセル回路の劣化及び／又は不均一性（例．しきい値電圧又は移動度ばらつき、温度感受性、ヒステリシス、製造要因等によるもの）に影響される。従って、時間ｔmeas経過後のＩMON（ｉ）の値を時間ｔsettle経過後のＩMON（ｉ）の値と比較してΔＩMON（ｉ）の値を求めることにより、モニタライン上での伝搬遅延の効果を抽出することができる。
【００２９】
図４Ｂは、セトリング効果を排するのに十分な（ｔmeasより長い）拡張プログラミング期間、例えば図３Ｂ中の時間ｔsettleでプログラミングが施されたピクセル１０からの、電流読み取りに係る電流対時間描写プロット４０２である。図４Ｂでは、電圧モニタ結果ＩMON（ｉ）に影響する諸要因からΔＩDATA（ｉ）要因が実質的に排されるよう、長さｔsettleを有する期間中にピクセルにプログラミングが施される。従って、ピクセルに（図４Ａの如く）期間ｔprogでプログラミングが施されている場合のＩMON（ｉ）の値を、ピクセルに期間ｔsettleでプログラミングが施されている場合のＩMON（ｉ）の値と比較することにより、ΔＩDATA（ｉ）の値を求めることができる。即ち、本発明の諸形態によれば、プログラミングタイミングバジェットを延長して伝搬遅延効果を排すること等により、データライン２２及び／又はモニタライン２８に生じピクセル特性の計測を阻害するところの寄生効果を勘案しつつ、ディスプレイ５０内ピクセル１０の不均一性及び／又は劣化を抽出することができる。
【００３０】
図５に、ピクセル劣化由来誤差や、プログラミング中及びリードアウト中のライン伝搬による、誤差累積を示す。図５は、データライン２２を通じたプログラミングとモニタライン２８を通じたピクセル１０のリードアウトとの間で信号経路沿いにもたらされる一連の誤差５００を表している。ソースドライバは、ピクセル１０にプログラミングを施すべくデータライン２２に所望レベルの信号を供給する（５０２）。プログラム信号経路５１２上で利用可能なロー時間が限られるため、データライン２２からの電圧信号は、ピクセル側にて完全にはセトリングしない（５０４）。従って、注目ピクセル１０のストレージデバイス２００（ＣS）上でサンプリングされる信号レベルは、その定格値から離れたレベルになる。ピクセル１０自体、ピクセル構成デバイス２０２，２０４の加齢及びランダムプロセス変動（ばらつき）により、信号経路５１４へ誤差をもたらす（５０６）。リードアウトのためモニタライン２８を通じピクセル１０がアクセスされるときには、ロー時間内でのモニタライン２８の遅延がまた、データ抽出結果に誤差をもたらす（５０８）。従って、図５に示した誤差累積は、図４Ａに示した時点ｔmeasでのリードアウトレベルに対応するものとなる（５１０）。
【００３１】
リードアウトに割り当てられた時間が（例．期間ｔsettleに）延伸又は延長されていれば、（例．リードアウト回路５１０で抽出された）リードアウト信号レベルを、ロー時間の期間（例．期間ｔprog）中に検出された信号レベルと比較することにより、誤差の振幅を検出することができる。データライン２２の伝搬遅延によりもたらされた誤差は、プログラミングタイミングバジェットを（例．期間ｔsettleへと）延伸又は延長し、リードアウトされた信号のレベルに現れる影響をリードアウト回路２１０を用い観察すること（例えば図４Ｂとの関連で論じた方式）により、間接的に検出することができる。
【００３２】
図６に示す動作シーケンス６００では、スタートアップ校正データを用いモニタライン２８効果の特徴を解明する（６０２）。モニタライン２８の遅延効果について校正するため、そうした遅延を例えば次のようにして抽出する。カラム中の様々な位置にある少数の（必ずしも全てとはいえない）ピクセル１０が、十分長く上述したセトリング問題（例．ｔsettle）を排することができる時間に亘り計測される。次いで、それらのピクセル１０によって引き込まれる電流が所要の期間内に計測（校正）される。各ピクセル１０毎に２個の値を比較することにより、そのローに属するピクセル１０について、モニタライン２８に係る遅延要素が求まる。抽出された遅延を用い、そのカラムに属する個々のピクセル１０について遅延要素が算出される。ディスプレイ５０内の他のカラムについても同様に計測することができる。
【００３３】
抽出された遅延は、それ自体、計測ユニットにより検出されたピクセル電流における利得を表している。この効果について補正するには、その利得係数が勘案されるよう、参照電流をスケーリング(scaling)するか、そのピクセルについて抽出された校正値を相応にスケーリングすればよい。
【００３４】
図６によれば、モニタライン２８により引き起こされた遅延を次のようにして抽出することができる。ソースドライバ４によってデータライン２２上に送り出されたプログラミングデータが、データライン誤差及びピクセル不均一性について校正される（６０２）。ピクセル１０のプログラミング中にデータライン２２によって誤差（例．図４Ａに示したΔＩDATA）がもたらされ（６０４）、また上述したランダムピクセル不均一性が同様に誤差（例．図４Ａに示したΔＩpixel）に寄与する（６０６）。プログラミングが終了し、ピクセル回路１０から電流を読み取るべくモニタライン２８が作動した時点で、そのモニタライン２８によって誤差（例．図４Ａ中のΔＩMON）がもたらされ（６０８）、それら三種類の誤差（ΔＩDATA、ΔＩpixel及びΔＩMON）を累積したものが、リードアウト回路２１０によってモニタされるピクセル回路１０からの信号中に現れる（６１０）。
【００３５】
図７に、ピクセル加齢の校正を行うためリアルタイム計測が用いられる動作シーケンスを示す。図６に示したモニタライン２８の誤差が、ピクセル１０のプログラミングに先立つ加齢及びヒステリシス補償を調整するため、フィードバックとして使用される。図７に示したシステム７００では、データライン２２による遅延及びモニタライン２８による遅延双方の特徴を解明し勘案する。モニタリングシステム１２からの出力が補償されてコントローラ２に送られ（或いはコントローラ２がその出力を受け取った後に何らかの補償を実行し）、そのコントローラが、モニタリングシステム１２からの出力に基づき、且つディスプレイ５０の時間依存特性の判別結果を勘案すべく、ビデオ又はスチル表示データの入来源に係るプログラミング電圧に対するあらゆる調整を動的に決定する。その表示データのヒステリシス及び加齢が補償され（７０２）、ピクセル１０に係るプログラミングデータが、データライン２２の誤差及びピクセル不均一性の双方が勘案されるよう校正される（７０４）。プログラミング中にはデータライン２２によって上述の如く誤差（例．図４Ａ中のΔＩDATA）がもたらされ（７０６）、またピクセル加齢、ヒステリシス及び不均一性（例．図４Ａ中のΔＩpixel）によってピクセル回路１０の電流計測出力が更に低質化される（７０８）。モニタライン２８によって誤差（例．図４Ａ中のΔＩMON）がもたらされ（７１０）、誤差累積（ΔＩDATA、ΔＩpixel及びΔＩMONによる寄与）を伴う最終信号が、図４Ａ中の時点ｔmeasにて、リードアウト回路２１０によって読み取られる（７１２）。モニタリングシステム１２は、モニタライン２８における遅延を、加齢及びヒステリシスの補償へのフィードバックにより補償する（７１４）。
【００３６】
図８に、ディスプレイ動作寿命の初期におけるプログラミング経路内初期誤差を分離するための動作シーケンス８００を示す。データライン２２及びモニタライン２８における伝搬遅延の特徴を解明するため、プログラミング誤差及びリードアウト誤差が図８に示す如く分離される。データライン２２における伝搬遅延の寄与による誤差（ΔＩDATA）及びパネルの初期不均一性によりもたらされる誤差（ΔＩpixel）は、共に集中定数化し誤差の一因として考慮することができる。
【００３７】
集中定数化されたプログラミング誤差は、パネル寿命の初期、即ちパネル５０が加齢する前に初期（工場）校正を実行することによりその特徴が解明される。パネル寿命のその段階では、時間従属的なピクセル劣化の影響が少ないけれども、（製造プロセス、パネルレイアウト特性等による）ピクセル不均一性は、なお、初期集中定数化プログラミング誤差の一部としてその特徴を解明することができる。
【００３８】
ある種の例では、セトリング効果を排すべく割り当てられたタイミングバジェットを、ディスプレイのローに応じ異なる値にセットすることができる。例えば、伝搬遅延効果の影響を実質的に受けないプログラミング電圧を提供するのに必要な期間として、図３Ａ〜図３Ｃを参照して説明したｔsettleの値は、ソースドライバから遠くにある（ロー番号が大きい）ローの方が一般にセトリング時定数（例．実効抵抗及び実効静電容量の積）が大きいため、第Ｎローについてよりも第１ローについての方が短めの期間に設定することができる。また別の例では、伝搬遅延効果の影響を実質的に受けずモニタライン２８上の電流をリードアウト又は計測するのに必要な期間として、図４Ａ及び図４Ｂを参照して説明したｔsettleの値は、電流モニタリングシステム１２に最も近いローから遠くにある（ロー番号が大きい）ローの方が一般にセトリング時定数（例．実効抵抗及び実効静電容量の積）が大きいため、第Ｎローについてよりも第１ローについての方が短めの期間に設定することができる。
【００３９】
図９は、１０２４個のローを有するディスプレイ内の各ローに関し、セトリング効果を概ね排するのに必要なリードアウト期間の一例グラフである。図９に例示したグラフでは、ディスプレイ内ローのあるサブセット(subset)に係る計測点及び／又はシミュレート点が丸で示されている（例えばロー１、１０１、２０１、３０１、４０１、５０１、６０１、７０１、８０１、９０１及び１００１内ピクセルをサンプリングし、ディスプレイ５０全体に亘るピクセルの代表的サブセットとすることができる）。その代表的サブセット内のピクセルに関しセトリング排除用のタイミングバジェットが抽出されたら、残りのローのタイミングバジェットを、そのサブセットについての値から算出（例．補間）することができる。図２に示した通り、モニタ（データ）ライン２２，２８の実効抵抗（Ｒ）及び実効静電容量（Ｃ）は、それらラインの抵抗及び静電容量を一連の直列接続抵抗及び並列接続キャパシタとして概ねモデリングすることができるため、電流モニタリングシステム１２（ソースドライバ４）側から数えたロー番号に対しほぼ線形となる。即ち、電流モニタリングシステム１２から遠いロー内に存するピクセルに対しては、電流モニタリングシステム１２の近くに存するピクセルに対してに比べ、セトリング効果を排すべくリードアウト計測に対しより長い時間（モニタリングタイミングバジェット）を割り当てることができる。
【００４０】
図９に示すように、電流モニタリングシステム１２に最も近いロー（例．ロー１〜１００）は、セトリング効果の影響を比較的受けないので、セトリング効果を実質的に排するのに、比較的短いリードアウト又はモニタリングタイミングバジェットで足りる。中間的なロー（例．ロー２００〜４００）では、ディスプレイ内諸ローに亘る実効抵抗及び静電容量によるセトリング効果が顕著になり、（例．２００から４００への）相対変化によってセトリング定数に比較的大きな比較差が生じるため、所要モニタリングタイミングバジェットがロー番号に対し比較的敏感となる。対するに、電流モニタリングシステム１２から最も遠いロー（例．ロー９００〜１０００）では、セトリング効果を排するのに更に長い時間（即ちより多くのモニタリングタイミングバジェット）が必要となるが、実効抵抗（Ｒ）及び静電容量（Ｃ）が累積抵抗及び静電容量によって支配されており、（例．８００から１０００への）増分的変化がセトリング定数における大きな比較差につながらないため、これらのローはロー番号に対し比較的鈍感である。
【００４１】
従って、実施形態によっては、全てのローにてセトリング効果を排するのに十分な一定又は固定のタイミングバジェット、例えば３又は４μｓではなく、各ローに独特な差分的又は可変的タイミングバジェットが使用される。ロー毎又はローのサブセット毎の差分的又は可調的タイミングバジェットを提供することにより、信号ライン(signal line)及び／又は初期ピクセル不均一性の初期工場校正中か或いはモニタライン効果の校正中かによらず、校正向けの全処理時間が顕著に縮まり、ひいては処理及び／又は動作効率が高まる。
【００４２】
そのため、実施形態によっては、総じて、そのピクセルのカラム内位置に従い（例．モニタ及び／又はソースドライバ４，１２からの物理的距離及び／又はそのピクセルのロー番号に従い）、リードアウト若しくはモニタリングタイミング及び／又はプログラミングタイミングバジェットをピクセル１０に割り当てることにより、セトリング時間の影響の低減が実行される。上述した方式は、典型的なプログラミングバジェット中の計測結果を、各ローがセトリングに達するのに十分なタイミングバジェット中の計測結果と比較することによって、ライン伝搬遅延セトリング特性を抽出するのに使用することができる（更にそのタイミングをピクセル位置に従いセットできる）。更に、ラインセトリング特性に従い、リードアウト（又はモニタリング）時間をピクセル１０毎に抽出することができる。
【００４３】
図１０は、モニタライン２８上での伝搬遅延効果を抽出する実施形態のフローチャート１０００である。代表的サブセットに属するピクセルがプログラミングを受け、それらのピクセルを流れる電流がモニタライン２８を介しモニタされる。計測は、モニタライン２８上でのセトリング効果を排するのに十分な期間（群）（例．ｔsettle）で、周期（固定又は可変的モニタリングタイミングバジェット）中に実行される（１００２）。この周期の期間長は、図９との関連で概述した通り、計測対象ピクセルのロー位置に従いセットすることができる。次いで、そのサブセットのピクセルが同じ値でプログラミングを受け、それらのピクセルを流れる電流がモニタライン２８を介しモニタされるが、使用する期間（タイミングバジェット）は、セトリング効果を排するのに十分なｔsettle等の期間ではなく、フィードバック計測向けに典型的に使用できる期間である（１００４）。これら二通りの計測結果は、モニタライン２８（カラム）上での伝搬遅延効果の影響を抽出すべく比較される（１００６）。ある種の例では、爾後の電流計測のスケーリングに使用する利得係数を求めるべく、それら二通りの電流計測結果の比が導出される。伝搬効果が、総じて、各ピクセルリードアウト位置におけるモニタライン２８の実効抵抗及び静電容量に従い予期可能な形態でパネル５０上に亘り変化し、それが一般にモニタからローまでの距離の増大に伴い線形的に累積するので、実効伝搬遅延は代表的サブセットから算出（例．補間）される。
【００４４】
図１１は、信号ライン（例．データライン２２、ピクセル回路１０及びモニタライン２８を包含する信号ライン又は経路）上での伝搬遅延効果を抽出する実施形態のフローチャート１１００である。代表的サブセットに属するピクセルが、セトリング効果を排するのに十分なプログラミングインターバル又はタイミングバジェットでプログラミングを受け（１１０２）、そのサブセットのピクセルに流れる電流が、モニタライン２８を介しリードアウト回路２１０によりモニタされる（１１０４）。そのプログラミングインターバル又はタイミングバジェットはそれぞれプログラミング対象ピクセルの個別ロー位置に従いセットできるので、プログラミングインターバルを、リードアウト回路２１０からそのピクセル１０までの物理的距離の関数として変化させることができる。計測は、モニタライン２８上でのセトリング効果を排するのに十分な期間（群）で周期（固定又は可変的モニタリングタイミングバジェット）中に実行される（１１０４）。その周期又はタイミングバジェットの期間長は、図９との関連で概述した通り、計測対象ピクセルのロー位置に従いセットすることができる。与えられたプログラミング値に対応する所期の理想的電流値からのオフセットがもしあれば、それは、信号ライン又はモニタラインにおける伝搬遅延効果によるものではなく、従ってピクセル不均一性の影響（例．駆動トランジスタ不均一性、しきい値電圧シフト、移動度ばらつきであって例えば温度、機械応力等によるもの）を表している。
【００４５】
次いで、そのサブセットのピクセルに、同じプログラミング値に従い、但し典型的なプログラミングタイミングバジェットと等しいプログラミングインターバル中に、プログラミングを施す（１１０６）。次いで、そのサブセットのピクセルに流れる電流を、ここでもまたセトリング効果を排するのに十分な期間（群）（固定又は可変的モニタリングタイミングバジェット）中に、モニタライン２８を介しリードアウト回路２１０により計測する（１１０８）。それら二通りの計測結果は、信号ライン上での伝搬遅延効果を抽出すべく比較される（１１１０）。ある種の例では、そのサブセットのピクセルに関し抽出された伝搬遅延効果を用い、ピクセルのサブセットそれぞれの個別計測結果に基づき各ロー所在のピクセルのサブセットに係る伝搬遅延効果が算出される（１１１２）。ある種の例では、ディスプレイ５０上に亘る不均一性を検出すべく、この計測方式１１００がディスプレイ内ピクセル毎に反復される。ある種の例では、信号ライン２２，１０，２８上での伝搬遅延効果の抽出を初期工場校正中に実行でき、ディスプレイ５０の爾後動作で使用できるよう（例えばメモリ６内に）その情報を保存できる。
【００４６】
ある種の例では、例えばピクセル加齢情報を抽出するためのリードアウト動作が、非アクティブフレーム期間中に実行されうる。例えば、リードアウトを、（ブラーリング低減により）モーション知覚性を増すべくアクティブフレーム間に挿入されたブラックフレーム（例．リセットフレーム、ブランキングフレーム等）中、画像を表示するようそのディスプレイが駆動されていないディスプレイスタンバイ期間中、そのディスプレイに係る初期スタートアップ及び／又はターンオフシーケンス中等に実行することができる。
【００４７】
図２に示した駆動回路は、薄膜トランジスタであり得且つアモルファスシリコン製であり得るｎ型トランジスタを有しているが、同図の駆動回路は、１個又は複数個のｐ型トランジスタを有しまた薄膜トランジスタ以外のトランジスタを有する相補的な回路に拡張することができる。
【００４８】
本願記載の回路では、総じて、回路コンポーネント同士が互いに接続又は結合されている。多くの場合、そうした接続は直接接続を通じ、即ちその接続点間に導電ライン以外の回路素子がない接続を通じ形成される。あまり明示的に言及してはいないが、そうした接続は、ディスプレイパネルの基板上に形成された導電チャネル、例えば諸接続点間に堆積された透明導電酸化物により形成することができる。酸化インジウムスズがそうした透明導電酸化物の一種である。ある種の例では、接続点が容量素子を通じ直列接続されるよう、結合及び／又は接続対象コンポーネントを接続点間容量結合により結合させることができる。直接接続されてはいないが、そうした容量結合性接続でも、その容量結合効果を通じ且つＤＣバイアス無しで他の接続点にて反射される電圧変化を介し、接続点同士を影響させることができる。
【００４９】
更に、ある種の例では、本願記載の諸接続及び結合が、２個の接続点間に他の回路素子が介在する非直接接続を通じ実現される。一般に、接続点間に配置される回路素子（群）はダイオード、抵抗、トランジスタ、スイッチ等である。接続が非直接である場合、接続用の回路素子を介し２個の接続点間の電圧及び／又は電流が十分に、即ち（電圧変化、電流変化等を通じ）それら２個の接続点が互いに影響するよう且つ本願記載のものと実質的に同じ機能が達成されるように関連付けられる。ある種の例では、回路設計の分野に係る当業者には明瞭な通り、非直接接続を提供する付加的な回路素子が勘案されるよう電圧及び／又は電流レベルを調整することができる。
【００５０】
本願記載のあらゆるコントローラ（例．図１中のコントローラ２）を複数個の情報処理システム又は装置で置き換えることが可能である。それにより、分散処理の原理及び長所、例えば冗長性、複製等を所望の如く実現し、本願記載のコントローラのロバスト性及び性能を高めることができる。
【００５１】
本願に記載した例示的な判別方法及びプロセスの動作は、機械可読命令で実行することができる。そうした例では、それら機械可読命令が、（ａ）プロセッサ、（ｂ）コントローラ例えばコントローラ２及び／又は（ｃ）他の１個又は複数個の相応な処理装置（群）により実行されうるアルゴリズムを構成する。このアルゴリズムは、フラッシュメモリ、ＣＤ−ＲＯＭ、フロッピーディスク（商標）、ハードディスクドライブ、ディジタルビデオ（バーサタイル）ディスク（ＤＶＤ）その他のメモリ装置等の有形媒体上に保存されたソフトウェアにて体現されうるが、本件技術分野に習熟した者（いわゆる当業者）には容易に理解できる通り、そのアルゴリズム全体及び／又はその諸部分を代替的にプロセッサ以外のデバイスで実行させること及び／又はファームウェア若しくは専用ソフトウェアにて周知形態で実現することができる（例．これは用途特化集積回路（ＡＳＩＣ）、プログラマブル論理デバイス（ＰＬＤ）、フィールドプログラマブル論理デバイス（ＦＰＬＤ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、ディスクリート論理回路等により実現することができる）。例えば、ベースラインデータ判別手法の構成要素の一部又は全てを、ソフトウェア、ハードウェア及び／又はファームウェアで実現することができる。また、提示された機械可読命令の一部又は全てを手動で実現することができる。
【００５２】
本発明の特定の実施形態及びアプリケーションについて図示及び説明したが、ご理解頂けるように、本発明は本願記載の子細構成及び組成に限られるものではなく、別紙特許請求の範囲で定義されるところの本発明の技術的範囲及び神髄から逸脱することなく様々な変形、変更及び改変をなし得ることがこれまでの説明から自明である。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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