(57)【要約】  センサデバイスを形成するためのシステムおよび方法は、シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）ウェーハのデバイス層内に面内電極を画成するステップと、デバイス層の上部表面の上に位置するシリコンキャップ層内に面外電極を形成するステップと、シリコンキャップ層の上面にシリサイド形成金属を堆積させるステップと、堆積させたシリサイド形成金属をアニールしてシリコンキャップ層内にシリサイド部分を形成するステップとを含む。
2015534044.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）ウェーハのデバイス層内に面内電極を画成するステップと、
前記デバイス層の上部表面の上に位置するシリコンキャップ層内に面外電極を形成するステップと、
前記シリコンキャップ層の上面にシリサイド形成金属を堆積させるステップと、
前記堆積させたシリサイド形成金属をアニールして前記シリコンキャップ層内にシリサイド部分を形成するステップと、
を含む、センサデバイスを形成する方法。
【請求項２】
前記堆積させたシリサイド形成金属をアニールするステップが、前記堆積させたシリサイド形成金属を急速熱アニールするステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記シリコンキャップ層の前記上面から残留シリサイド形成金属をエッチングするステップ、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記シリサイド形成金属を堆積させるステップが、
ニッケル、タンタル、チタン、タングステン、および白金から成るグループから選択されたシリサイド形成金属を堆積させるステップ、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記堆積させたシリサイド形成金属をアニールするステップが、
１秒〜１０分の持続時間、前記堆積させたシリサイド形成金属をアニールするステップ、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記堆積させたシリサイド形成金属をアニールするステップが、
２５０℃〜８００℃の範囲の温度で前記堆積させたシリサイド形成金属をアニールするステップ、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記アニール温度が４５０℃未満である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記堆積させたシリサイド形成金属をアニールするステップが、
前記キャップ層全体がシリサイドに変換されるように前記堆積させたシリサイド形成金属をアニールするステップ
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記シリサイド形成金属を堆積させる前に前記キャップ層内に少なくとも１つの非シリコンスペーサを形成するステップ、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
面内電極と、
前記面内電極の上部表面から離隔されたキャップ層と、
前記キャップ層内に画成された面外電極と、
前記キャップ層内に形成されたシリサイド部分と、
を備える、センサデバイス。
【請求項１１】
前記シリサイドが、前記キャップ層の上面に堆積させたシリサイド形成金属をアニールすることによって前記キャップ層内に形成される、請求項１０に記載のセンサデバイス。
【請求項１２】
前記シリサイド形成金属がニッケル、タンタル、チタン、タングステン、および白金のうちの１つまたは複数である、請求項１１に記載のセンサデバイス。
【請求項１３】
前記センサデバイスが圧力センサデバイスであり、前記シリサイドが前記キャップ層の深さ全体にわたって形成される、請求項１０に記載のセンサデバイス。
【請求項１４】
前記センサデバイスが圧電抵抗圧力センサであり、前記シリサイドが１つまたは複数の圧電抵抗素子への電気的接続を提供するように前記キャップ層の上部部分に形成される、請求項１０に記載のセンサデバイス。
【請求項１５】
前記キャップ層の上部表面から下方へ延在する非シリコンスペーサであって、前記シリサイド部分の第１の領域を前記シリサイド部分の第２の領域から電気的に絶縁する前記非シリコンスペーサ、
をさらに備える、請求項１０に記載のセンサデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、２０１２年８月２０日に出願された米国仮出願第６１／６９１，１５７号の利益を主張する。
[0001]本開示は、容量性微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]容量性ＭＥＭＳ圧力センサは、印加圧力の下で互いに移動する２つの電極を必要とする。この構成は、ほとんどの場合、基板内に固定電極（以降下部電極と呼ばれる）を形成し、一方で検知されることになる圧力にさらされる変形可能な膜内に可動電極（以降上部電極と呼ばれる）を設けることによって達成される。電極の１つまたは複数は、典型的には、導電性フィルムの堆積、導電層の電気的絶縁によって、または２つの導電性材料間に酸化物層を加えることによって形成される。
【０００３】
[0003]図１は、その全内容が参照により本明細書に組み込まれる、２０１１年９月１４日に出願された米国特許出願第１３／２３２，００５号に記載されたようなＭＥＭＳ圧力センサ１０の側部断面図を示す。圧力センサ１０は、互いに移動するように構成された１対の電極を含む。圧力センサ１０は、ハンドル層（ｈａｎｄｌｅ  ｌａｙｅｒ）１２、埋め込み酸化物層１４、およびデバイス層１６を含む。酸化物層１８は、デバイス層１６をキャップ層２０から分離する。不動態層（ｐａｓｓｉｖｅ  ｌａｙｅｒ）２２がキャップ層２０の上に位置する。
【０００４】
[0004]デバイス層１６内部で、面内電極２４が２つのエッチ部分２６および２８によって画成される。面内電極２４は、酸化物層１８のエッチングされた部分３０によってキャップ層２０から絶縁される。エッチングされた部分２６、２８、および３０は、キャップ層２０によって閉じられるガス抜き穴３２を通してエッチングされる。
【０００５】
[0005]面外電極３４は、面内電極２４の上に位置し、エッチングされた部分３０によって面内電極２４から電気的に絶縁される。面外電極３４は、２つのスペーサ３６および３８によってキャップ層２０のその他の部分から絶縁される。スペーサ３６および３８は、エッチングされた部分３０から上方へ延在する下部窒化物部分４０、および窒化物部分４０からキャップ層２０の上部表面まで延在する上部酸化物部分４２を含む。
【０００６】
[0006]スペーサ３６および３８と同様に形成されるスペーサ４４および４６は、キャップ層２０内のコネクタ４８をキャップ層２０のその他の部分から電気的に絶縁する。コネクタ４８は、デバイス層１６内のコネクタ５０と電気的に通じる。コネクタ５０は、面内電極２４と電気的に通じ、絶縁ポスト５２および５４によってデバイス層１６の残りの部分から絶縁される。絶縁ポスト５２および５４は、埋め込み酸化物層１４から酸化物層１８まで延在する。ボンドパッド（ｂｏｎｄ  ｐａｄ）またはトレース５６は、不動態層２２の上に位置し、コネクタ４８と電気的に通じる。
【０００７】
[0007]センサデバイスのトレース、例えば図１の圧力センサ１０のトレース５６は、センサデバイスの上面に堆積させた金属の層から形成されることが多い。しかし、センサデバイスの上面に金属を配置することは、センサ特性の経年劣化およびドリフトにつながる可能性がある。これらの特性変化は、一般に金属膜の機械的安定性の不足による。さらに、センサの上面に堆積させた金属層は、様々なセンサ構成要素に個々の電気的接続を提供するために典型的にはパターニングされ、したがって、余分の処理ステップが加わる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
[0008]必要とされるものは、デバイス内部の電極に電気的接続を行うために施される金属層を使用しない容量性センサである。公知の作製プロセスで製造することができ、施される金属層を使用しないセンサは、さらに有益であろう。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
[0009]一実施形態によると、センサデバイスを形成する方法は、シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）ウェーハのデバイス層内に面内電極を画成するステップと、デバイス層の上部表面の上に位置するシリコンキャップ層内に面外電極を形成するステップと、シリコンキャップ層の上面にシリサイド形成金属を堆積させるステップと、堆積させたシリサイド形成金属をアニールしてシリコンキャップ層内にシリサイド部分を形成するステップとを含む。
【００１０】
[0010]別の実施形態では、センサデバイスは、面内電極と、面内電極の上部表面から離隔されたキャップ層と、キャップ層内に画成された面外電極と、キャップ層内に形成されたシリサイド部分とを含む。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】[0011]金属層をセンサの上面に堆積させ、パターニングした公知のセンサデバイスの側部断面図である。
【図２】[0012]キャップ層の上部にシリサイドを含むセンサデバイスである。
【図３】[0013]面内電極を画成するためにデバイス層がエッチングされたウェーハの側部断面図である。
【図４】[0014]図３のウェーハの平面図である。
【図５】[0015]トレンチが酸化物材料で充填され、酸化物層がデバイス層の上に形成された図３のウェーハである。
【図６】[0016]図５のウェーハの平面図である。
【図７】[0017]デバイス層のコンタクト部分の上の酸化物層内に開口部がエッチングされた図５のウェーハである。
【図８】[0018]図７のウェーハの平面図である。
【図９】[0019]第１のキャップ層部分が酸化物層の上に形成され、トレンチが酸化物層内に形成された図７のウェーハである。
【図１０】[0020]図９のウェーハの平面図である。
【図１１】[0021]トレンチが絶縁材料で充填された図９のウェーハであり、絶縁材料が第１のキャップ層部分の上の層も形成し、エッチング停止層が絶縁層の上に形成されている。
【図１２】[0022]図１１のウェーハの平面図である。
【図１３】[0023]絶縁層およびエッチング停止層がエッチングされ、面外電極およびデバイス層のコンタクトに対するガスケットを画成した後の図１１のウェーハである。
【図１４】[0024]図１３のウェーハの平面図である。
【図１５】[0025]第２のキャップ層部分を第１のキャップ層部分およびガスケットの上に堆積させ、第２のキャップ層部分を平坦化した後の図１３のウェーハである。
【図１６】[0026]図１５のウェーハの平面図である。
【図１７】[0027]気相エッチガス抜き孔が第１のキャップ層部分および第２のキャップ層部分を貫いてエッチングされ、酸化物層の一部、デバイス層内の酸化物材料、および埋め込み酸化物層の一部がエッチングされ、それによって、面内電極を電気的に絶縁し、面内電極の上の第１のキャップ層部分をリリースした後の図１５のウェーハである。
【図１８】[0028]図１７のウェーハの平面図である。
【図１９】[0029]気相エッチガス抜き孔が第３のキャップ層部分によって封止された後の図１７のウェーハである。
【図２０】[0030]図１９のウェーハの平面図である。
【図２１】[0031]トレンチが第３のキャップ層部分および第２のキャップ層部分を貫いてガスケットの上部表面まで形成された図１９のウェーハである。
【図２２】[0032]図２１のウェーハの平面図である。
【図２３】[0033]絶縁材料をトレンチ内部に堆積させ、シリサイド形成材料を第３のキャップ層部分の上部表面に沿って堆積させた図２１のウェーハである。
【図２４】[0034]図２３のウェーハの平面図である。
【図２５】[0033]キャップ層の上部部分に形成されたシリサイド層を含むウェーハの側部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
[0035]本開示の原理についての理解を促す目的で、図面に示され、以下の明細書に記載された実施形態をここで参照する。これによって本開示の範囲を限定することは意図されていないことを理解されたい。本開示が、例示される実施形態に対するいかなる変更形態および修正形態をも含み、本開示が関係する当業者が通常思い浮かぶような本開示の原理の適用形態をさらに含むことをさらに理解されたい。
【００１３】
[0036]これらの実施形態の多くでは、ＭＥＭＳセンサは、加速度、圧力、または温度などの物理状態を検知するために、および検知された物理状態を表す電気的信号を提供するために使用されうる。各実施形態は、例えば、自動車、家電、ラップトップ、ハンドヘルドもしくはポータブルコンピュータ、移動電話、スマートフォン、無線デバイス、タブレット、個人用携帯情報端末（ＰＤＡ）、ＭＰ３プレーヤ、カメラ、ＧＰＳ受信機もしくはナビゲーションシステム、電子読み取り表示装置、プロジェクタ、コックピット操縦装置、ゲーム機、イヤホン、ヘッドセット、補聴器、ウェアラブル表示デバイス、セキュリティシステムなどの様々な用途で実施され、またはこれら様々な用途と関連付けられてもよい。
【００１４】
[0037]図２は、圧力センサ１００を示す。圧力センサ１００は、ハンドル層１０２、埋め込み酸化物層１０４、およびデバイス層１０６を含む。酸化物層１０８は、デバイス層１０６をキャップ層１１０から分離する。シリサイド層１１２は、キャップ層１１０の上に位置する。
【００１５】
[0038]デバイス層１０６内部で、面内電極１１４が２つのエッチ部分１１６および１１８によって画成される。面内電極１１４は、酸化物層１０８のエッチングされた部分１２０によってキャップ層１１０から絶縁される。エッチングされた部分１１６、１１８、および１２０は、キャップ層１１０によって閉じられたガス抜き孔１２２を通してエッチングされる。
【００１６】
[0039]面外電極１２４は、面内電極１１４の上に位置し、エッチングされた部分１２０によって面内電極１１４から電気的に絶縁される。面外電極１２４は、２つの非シリコンスペーサ１２６および１２８によってキャップ層１１０のその他の部分から絶縁される。スペーサ１２６および１２８は、エッチングされた部分１２０から上方へ延在する下部窒化物部分１３０、および窒化物部分１３０からキャップ層１１０の上部表面に延在する上部酸化物部分１３２を含む。検出信号は、電極１１４と１２４間の容量および／または静電容量の変化である。電極１２４は、外気圧に応じて曲がる。
【００１７】
[0040]スペーサ１２６および１２８と同様に形成されるスペーサ１３４および１３６は、キャップ層１１０内のコネクタ１３８をキャップ層１１０のその他の部分から電気的に絶縁する。コネクタ１３８は、デバイス層１０６内のコネクタ１４０と電気的に通じる。コネクタ１４０は、面内電極１１４と電気的に通じ、絶縁ポスト１４２および１４４によってデバイス層１０６の残りの部分から絶縁される。絶縁ポスト１４２および１４４は、埋め込み酸化物層１０４から酸化物層１０８まで延在する。
【００１８】
[0041]また、スペーサ１２６および１２８は、シリサイド部分１４６を画成し、シリサイド層１１２のその他の部分から電気的に分離するが、スペーサ１３４および１３６は、シリサイド部分１４８をシリサイド層１１２のその他の部分から電気的に分離する。
【００１９】
[0042]シリサイドは、半導体処理における一般的な材料である。シリサイドは、金属の抵抗に匹敵する非常に低い電気抵抗を有し、シリコンに匹敵する機械的性質を有する。さらに、シリサイドは、高導電性である。したがって、シリサイド材料は、機械的に感度のよい圧力センサ膜に適切である。
【００２０】
[0043]図２の圧力センサ１００のシリサイド部分１４６および１４８によって、圧力センサ１００の上面からコネクタ１３８、１４０および面内電極１１４と電気的に通じることができる。図１および図２を比較することによって示されるように、圧力センサ１００内のシリサイド層１１２は、従来技術の圧力センサ１０の不動態層２２およびトレース５６に取って代わる。それゆえ、不動態層２２およびトレース５６を形成するためのプロセスステップがなくなる。あるいは、不動態層２２は、シリサイドの上に追加されてもよい。
【００２１】
[0044]圧力センサ１００などのセンサを形成するプロセスについて、図３〜２５を参照して論じる。最初に図３および４を参照すると、ハンドル層２０２、埋め込み酸化物層２０４、およびデバイス層２０６を含むＳＯＩウェーハ２００が最初にエッチングされ、面内電極２０８および面内電極２０８に対する下部コンタクト部分２１０を画成する。コネクタ２１２が面内電極２０８と下部コンタクト部分２１０との間にエッチングされる。面内電極２０８は、トレンチ部分２１４によって画成され、下部コンタクト部分２１０は、トレンチ部分２１６によって画成され、コネクタ２１２は、トレンチ部分２１８によって画成される。所望の場合、構造層またはハンドル層２０２は、圧力化学堆積（ＬＰＣＶＤ）またはエピ・ポリシリコン層であってもよい。
【００２２】
[0045]次いで、共形の酸化物堆積を使用して、図５および６に示すようにトレンチ部分２１４、２１６、および２１８がトレンチ酸化物部分２２０によって充填される。酸化物堆積によって、結果としてデバイス層２０６の上部表面上の酸化物層２２２がさらに得られる。酸化物層２２２の厚さは、以下でより完全に論じるように２つの電極間のギャップを定める。酸化物層２２２は、化学機械研磨（ＣＭＰ）などの任意の所望の技法（ＣＭＰ）によって平坦化されてもよい。
【００２３】
[0046]図７および８を参照すると、次いで、コンタクト開口部２２４が酸化物層２２２を貫いてエッチングされ、下部コンタクト部分２１０の上部表面を露出する。図９および１０に示すように、エピ・ポリ堆積は、エピ・ポリの下部中間コンタクト部分２２６によってコンタクト開口部２２４を充填し、一方で酸化物層２２２の上の下部キャップ層部分２２８を堆積させる。下部中間コンタクト部分２２６は、こうして下部コンタクト部分２１０の上部表面から下部キャップ層部分２２８の上部表面まで延在する。代替の実施形態では、下部キャップ層部分２２８は、溶融接合プロセス（ｆｕｓｉｏｎ  ｂｏｎｄｉｎｇ  ｐｒｏｃｅｓｓ）とそれに続く、接合ウェーハのバルクを除去するための研削／研磨またはスマートカット（ＳｍａｒｔＣｕｔ）技術を使用して形成される単結晶シリコンであってもよい。この代替の実施形態では、電気的コンタクトは、溶融の後に形成されなければならない。さらなる実施形態では、研磨されたポリシリコンデバイス層が使用されてもよい。
【００２４】
[0047]図９および１０は、下部キャップ層部分２２８のＣＭＰ後にエッチングされてもよいトレンチ２３０および２３２をさらに示す。トレンチ２３０は、下部キャップ層部分２２８の上部表面から酸化物層２２２の上部表面まで延在し、下部中間コンタクト部分２２６を画成する。トレンチ２３２は、下部面外電極部分２３６を画成するトレンチ部分２３４、コネクタ２４０を画成するトレンチ部分２３８、および下部面外電極部分２３６に対する下部コンタクト部分２４４を画成するトレンチ部分２４２を含む。
【００２５】
[0048]次いで、図１１および１２に示すように、低応力窒化物を使用して、トレンチ窒化物部分２５０および２５２によってトレンチ２３０および２３２を充填し、一方低応力窒化物層２５４を下部キャップ層部分２２８の上部表面上に堆積させる。薄い酸化物層２５６が低応力窒化物層２５４の上部表面上に設けられる。次いで、薄い酸化物層２５６および窒化物層２５４がパターニングおよびエッチングされ、結果として図１３および１４の構成が得られる。図１３および１４では、酸化物層２５６の残りの部分２５８、および窒化物層２５４の残りの部分２６０は、以下でより完全に説明する面外電極に対するガスケット２６２を形成する。酸化物層２５６の残りの部分２６４、および窒化物層２５４の残りの部分２６６は、面内電極２０８のコンタクトに対するガスケット２６８を形成する。断面で見たときのガスケット２６２および２６８の横方向の広がりは、これらガスケットによって画成される構成要素に所望の絶縁特性をもたらすように選択されてもよい。
【００２６】
[0049]次いで、薄いエピ・ポリ堆積層２７０が、下部キャップ部分２２８の上部表面、およびガスケット２６２および２６８の上部表面上に形成され、中間キャップ層部分２７２を形成する（図１５および１６参照）。エピ・ポリ堆積層は、Ｃａｎｄｌｅｒらによる「Ｌｏｎｇ−Ｔｅｒｍ  ａｎｄ  Ａｃｃｅｌｅｒａｔｅｄ  Ｌｉｆｅ  Ｔｅｓｔｉｎｇ  ｏｆ  ａ  Ｎｏｖｅｌ  Ｓｉｎｇｌｅ−Ｗａｆｅｒ  Ｖａｃｕｕｍ  Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ  ｆｏｒ  ＭＥＭＳ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒｓ（ＭＥＭＳ共振器に対する新奇な単一ウェーハ真空封入の長期および加速寿命試験）」、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ、ｖｏｌ．１５、ｎｏ．６、２００６年１２月に記載された方法で堆積させてもよい。所望の場合、中間キャップ層部分２７２は、平坦化されてもよい。
【００２７】
[0050]図１７および１８を参照すると、ガス抜き孔２７４が形成された後、中間キャップ層部分２７２を面内電極２０８からリリースするＨＦ気相エッチリリースが行われる。面内電極２０８の上部表面と中間キャップ層部分２７２の下部表面との間の酸化物層２２２のエッチングされた部分は、こうして面内電極２０８と面外電極になるものの下部表面との間にギャップを定める。次いで、ガス抜き孔２７４を封止するために清浄な高温封止がエピ反応炉内で行われる。あるいは、ガス抜き孔２７４は、酸化物、窒化物、シリコンマイグレーションなどを使用して封止されてもよい。結果として得られる構成が図１９および２０に示され、層部分２７６が中間キャップ層部分２７２の上に形成される。
【００２８】
[0051]次いで、図２１および２２に示すように、トレンチ２８０およびトレンチ２８２がエッチングされる。トレンチ２８０は、層部分２７６の上部表面からエッチストップとして働くガスケット２６２の上部表面まで延在する。トレンチ２８２は、層部分２７６の上部表面からエッチストップとして働くガスケット２６８の上部表面まで延在する。次いで、不動態化部分２８６および２８８を形成するために、酸化物、窒化物などであってもよい不動態化材料をトレンチ２８０および２８２内に堆積させ、パターニングし、シリサイド形成金属２９０を層部分２７６の上部表面上に堆積させる（図２３および２４を参照）。シリサイド形成材料２９０は、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、または白金（Ｐｔ）であってもよい。
【００２９】
[0052]シリサイド形成材料２９０を堆積させた後、組立体２００は、アニールプロセスにかけられる。一部の実施形態では、アニールプロセスの持続時間は、１秒〜１分の範囲にあってもよい。これらの実施形態におけるアニールプロセスの温度は、プロセスで使用されるシリサイド形成金属１９０のタイプに応じて２５０℃〜８００℃の範囲にあってもよい。一部の実施形態では、アニール温度は、４５０℃未満である。シリサイド形成には短いアニール時間のみが必要なため、これらの実施形態における４５０℃未満のアニール温度に限定されないことを理解されたい。
【００３０】
[0053]アニールプロセスでは、シリコン材料の真上にあるシリサイド形成材料は、シリコン材料と反応して図２５に示すようにシリサイド２９２を形成する。不動態化部分２８６および２８８などの非シリコン材料の上にあるシリサイド形成材料は、反応しない。金属エッチングプロセスを使用して、シリサイドに変換されない残留金属を除去する。
【００３１】
[0054]一部の実施形態では、シリサイドは、キャップ層の上部にのみ形成される。そうした実施形態の一例は、シリサイドがキャップ層の上部に形成され、１つまたは複数の圧電抵抗素子への接続を提供する圧電抵抗圧力センサである。他の実施形態では、シリサイドは、キャップ層の深さすべてにわたって形成される。
【００３２】
[0055]この選択的なシリサイド形成プロセスは、上部にシリサイド形成金属を堆積させるパターニングされた不動態化層を使用して行われうる。アニールおよびシリサイド形成の後、金属エッチを使用して過剰な未反応金属が除去される。別の選択肢はアニールプロセスの前にシリサイド形成金属をパターニングすることである。
【００３３】
[0056]記載されたプロセスは、機械的特性に影響を与えずに、圧力センサ膜の他に、低抵抗を有する導電性構造を圧力センサ膜上におよび圧力センサ膜に近接して実現するためにさらに使用されうる。
【００３４】
[0057]本開示について図面および前述の記載において詳細に示され説明されたが、本開示は、性格上例示であって、限定していると考えられるべきではない。好ましい実施形態のみが提示されており、本開示の趣旨の範囲内に入るすべての変更形態、修正形態、および適用形態が保護されることが望まれることを理解されたい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2015534044.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
2015534044.tif 000021
【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
2015534044.tif 000024
【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【手続補正書】
【提出日】平成27年5月22日(2015.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）ウェーハのデバイス層内に面内電極を画成するステップと、
前記デバイス層の上部表面の上に位置するシリコンキャップ層内に面外電極を形成するステップと、
前記シリコンキャップ層の上面にシリサイド形成金属を堆積させるステップと、
前記堆積させたシリサイド形成金属をアニールして前記シリコンキャップ層内にシリサイド部分を形成するステップと、
を含む、センサデバイスを形成する方法。
【請求項２】
前記堆積させたシリサイド形成金属をアニールするステップが、前記堆積させたシリサイド形成金属を急速熱アニールするステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記シリコンキャップ層の前記上面から残留シリサイド形成金属をエッチングするステップ、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記シリサイド形成金属を堆積させるステップが、
ニッケル、タンタル、チタン、タングステン、および白金から成るグループから選択されたシリサイド形成金属を堆積させるステップ、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記堆積させたシリサイド形成金属をアニールするステップが、
１秒〜１０分の持続時間、前記堆積させたシリサイド形成金属をアニールするステップ、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記堆積させたシリサイド形成金属をアニールするステップが、
２５０℃〜８００℃の範囲の温度で前記堆積させたシリサイド形成金属をアニールするステップ、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記アニール温度が４５０℃未満である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記堆積させたシリサイド形成金属をアニールするステップが、
前記キャップ層全体がシリサイドに変換されるように前記堆積させたシリサイド形成金属をアニールするステップ
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記シリサイド形成金属を堆積させる前に前記キャップ層内に少なくとも１つの非シリコンスペーサを形成するステップ、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
[0010]別の実施形態では、センサデバイスは、面内電極と、面内電極の上部表面から離隔されたキャップ層と、キャップ層内に画成された面外電極と、キャップ層内に形成されたシリサイド部分とを含む。
前記シリサイドが、前記キャップ層の上面に堆積させたシリサイド形成金属をアニールすることによって前記キャップ層内に形成されてもよい。
前記シリサイド形成金属がニッケル、タンタル、チタン、タングステン、および白金のうちの１つまたは複数であってもよい。
前記センサデバイスが圧力センサデバイスであり、前記シリサイドが前記キャップ層の深さ全体にわたって形成されてもよい。
前記センサデバイスが圧電抵抗圧力センサであり、前記シリサイドが１つまたは複数の圧電抵抗素子への電気的接続を提供するように前記キャップ層の上部部分に形成されてもよい。
前記センサデバイスは、前記キャップ層の上部表面から下方へ延在する非シリコンスペーサであって、前記シリサイド部分の第１の領域を前記シリサイド部分の第２の領域から電気的に絶縁する前記非シリコンスペーサ、をさらに備えてもよい。
【国際調査報告】
2015534044.tif 000028
2015534044.tif 000029
2015534044.tif 000030