(57)【要約】レチクルを用いてウェハ上に形成される複数のプリント可能な特徴と、レチクルを用いてウェハ上に形成されないプリント不可な特徴を指定するレチクル設計データを提供する工程を含み、レチクル設計データがレチクルの製造に利用できる方法の実施形態。低減された設計データベースは、レチクル設計データから生成され、この低減された設計データベースは、レチクルのプリント不可な特徴の記述またはマップと、レチクルの複数のセル間領域の記述またはマップと、レチクル設計データからラスター化されたグレースケール・レチクル画像とを含む。製造施設においてレチクルを定期的に検査するために低減された設計データベースを使用することができるよう、レチクルと共に低減された設計データベースが製造施設に転送される。
2015508513.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハ製造施設におけるレチクルの検査のための設計データ情報を提供するための方法であって、
前記レチクルの製造に使用可能であり、前記レチクルを用いてウェハ上に形成される複数のプリント可能な特徴と前記レチクルを用いて前記ウェハ上に形成されない複数のプリント不可な特徴とを指定するレチクル設計データを提供する工程と、
前記レチクルのプリント不可な特徴の記述またはマップと、前記レチクルの複数のセル間領域の記述またはマップと、前記レチクル設計データからラスター化されたグレースケール・レチクル画像とを含む低減された設計データベースを前記レチクル設計データから生成する工程と、
製造施設において前記レチクルを定期的に検査するために前記低減された設計データベースを使用することができるよう、前記レチクルと共に、前記低減された設計データベースを前記製造施設に転送する工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記レチクルに対する低減された設計データベースの大きさが約２００ギガバイト未満である、
ことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記レチクル設計データは、前記レチクル設計データから形成されるレチクルを用いて製造されるウェハ上にプリントされないプリント不可な特徴を含む、
ことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記レチクル設計データは専有情報を含み、
前記低減された設計データベースは前記専有情報を含まない、
ことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記グレースケール・レチクル画像がプリント不可な特徴として線幅が所定値以下である線を有しており、当該特徴から、所定値と同等あるいはそれ以上の線幅の線の特徴までの距離が所定距離以下である場合に、前記グレースケール・レチクル画像の各特徴を定義することにより前記レチクルのプリント不可な特徴の記述またはマップが生成される、
ことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記プリント不可な特徴の記述またはマップが、各プリント不可な特徴またはプリント不可な特徴の領域に対する大きさおよび位置を指定する、
ことを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記低減された設計データベースが、前記レチクル設計データに含まれ、指定された複数の設計ポリゴンとは異なる色を有する複数のポリゴンの形で、前記プリント不可な特徴のマップを含む、
ことを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記セル間領域の前記記述またはマップが、前記グレースケール・レチクル画像内の繰り返しパターンを検出することによって生成される、
ことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記セル間領域の記述またはマップが、繰り返しパターンまたは繰り返しパターンの各領域に対する大きさおよび位置を指定する、
ことを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記レチクル設計データのプリント不可な特徴が、前記プリント可能な特徴の一部の繰り返しパターンにおいて非対称を生じさせるアルゴリズムによって生成される、
ことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記低減された設計データベースを前記レチクルと共に製造施設に転送する前に、前記低減された設計データベースを圧縮および暗号化する工程をさらに含む、
ことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
ウェハ製造施設におけるレチクルの検査のための設計データ情報を提供するシステムであって、
前記レチクルの製造に使用可能であり、前記レチクルを用いてウェハ上に形成される複数のプリント可能な特徴と前記レチクルを用いて前記ウェハ上に形成されない複数のプリント不可な特徴とを指定するレチクル設計データを受信する工程と、
前記レチクルのプリント不可な特徴の記述またはマップと、前記レチクルの複数のセル間領域の記述またはマップと、前記レチクル設計データからラスター化されたグレースケール・レチクル画像とを含む低減された設計データベースを前記レチクル設計データから生成する工程と、
製造施設において前記レチクルを定期的に検査するために前記低減された設計データベースを使用することができるよう、前記レチクルと共に、前記低減された設計データベースを前記製造施設に転送する工程と、
を実行するよう構成された少なくとも１つのプロセッサと少なくとも１つのメモリを備えることを特徴とするシステム。
【請求項１３】
前記レチクル設計データは、前記レチクル設計データから形成されるレチクルを用いて製造されるウェハ上にプリントされないプリント不可な特徴を含む、
ことを特徴とする、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記レチクル設計データは専有情報を含み、
前記低減された設計データベースは前記専有情報を含まない、
ことを特徴とする、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１５】
前記グレースケール・レチクル画像がプリント不可な特徴として線幅が所定値以下である線を有しており、当該特徴から、所定値と同等あるいはそれ以上の線幅の線の特徴までの距離が所定距離以下である場合に、前記グレースケール・レチクル画像の各特徴を定義することにより前記レチクルのプリント不可な特徴の記述またはマップが生成される、
ことを特徴とする、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１６】
前記プリント不可な特徴の記述またはマップが、各プリント不可な特徴またはプリント不可な特徴の領域に対する大きさおよび位置を指定する、
ことを特徴とする、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
前記低減された設計データベースが、前記レチクル設計データに含まれ、指定された複数の設計ポリゴンとは異なる色を有する複数のポリゴンの形で、前記プリント不可な特徴のマップを含む、
ことを特徴とする、請求項１６に記載のシステム。
【請求項１８】
前記セル間領域の前記記述またはマップが、前記グレースケール・レチクル画像内の繰り返しパターンを検出することによって生成される、
ことを特徴とする、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１９】
前記セル間領域の記述またはマップが、繰り返しパターンまたは繰り返しパターンの各領域に対する大きさおよび位置を指定する、
ことを特徴とする、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２０】
前記レチクル設計データのプリント不可な特徴が、前記プリント可能な特徴の一部の繰り返しパターンにおいて非対称を生じさせるアルゴリズムによって生成される、
ことを特徴とする、請求項１２に記載のシステム。
【請求項２１】
レチクルを用いてウェハを製造するウェハ製造施設において前記レチクルを検査するためのシステムであって
前記レチクルの前記プリント不可な特徴の記述またはマップと、前記レチクルの複数のセル間領域の記述またはマップと、前記レチクル設計データからラスター化されたグレースケール・レチクル画像とを含み、レチクル設計データから生成される低減された設計データベースを受信する製造記憶システムと、
前記レチクルの画像を取得する検査ツールと、
前記低減された設計データベースに基づいて、前記レチクルの前記取得した画像を分析することによって、前記レチクル内の欠陥を検出する欠陥処理システムと、
を備えることを特徴とするシステム。
【請求項２２】
前記欠陥処理システムが、複数の異なる検査アルゴリズムを用いて前記レチクルの試験画像を分析することによって、欠陥を検出するようさらに構成され、
前記低減された設計データベースの一部によって定義された前記試験画像の第１の領域において、前記検査アルゴリズムの第１のアルゴリズムの第１の感度が、前記低減された設計データベースによって定義されない前記試験画像のその他の領域に対する前記検査アルゴリズムの第２のアルゴリズムの第２の感度レベルよりも小さい、
ことを特徴とする、請求項２１に記載のシステム。
【請求項２３】
前記試験画像の前記分析は、前記試験画像を前記グレースケール・レチクル画像の一部に対応する基準画像と比較することによって遂行される、
ことを特徴とする、請求項２２に記載のシステム。
【請求項２４】
前記試験画像の前記分析は、前記試験画像を前記レチクルの基準ダイまたは基準セルから得られた基準画像と比較することによって遂行される、
ことを特徴とする、請求項２２に記載のシステム。
【請求項２５】
前記第１の感度は、前記レチクルの前記プリント不可な特徴の記述またはマップに基づいて選択される、
ことを特徴とする、請求項２２に記載のシステム。
【請求項２６】
前記第２の感度は、前記レチクルの複数のセル間領域の記述またはマップに基づいて選択される、
ことを特徴とする、請求項２２に記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連案件の相互参照
本願は、２０１２年１月１３日出願の「ＭＥＴＨＯＤ  ＯＦ  ＤＡＴＡＢＡＳＥ−ＡＳＳＩＳＴＥＤ  ＩＮＳＰＥＣＴＩＯＮ  ＦＯＲ  ＳＩＮＧＬＥ−ＤＩＥ  ＲＥＴＩＣＬＥ  ＲＥＱＵＡＬＩＦＩＣＡＴＩＯＮ  ＩＮ  ＷＡＦＥＲ  ＦＡＢ」を名称とする、米国特許仮出願第６１／５８６，６０７号（Ｌｉｈ−Ｈｕａｈ  Ｙｉｉｎら）の優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に援用される。
【０００２】
本発明は、一般に検査システムに関する。より詳細には、本発明は、設計データベースを用いたレチクルの検査に関する。
【背景技術】
【０００３】
一般に、半導体製造業界では、シリコンなどの基板上に積層されパターニングされた半導体材料を用いて集積回路を製造するための非常に複雑な手法が用いられている。回路集積の大型化および半導体デバイスの小型化により、製造されたデバイスは一層欠陥の影響を受けやすくなっている。つまり、デバイス故障を発生させる欠陥が一層微小化してきている。デバイスは、エンド・ユーザーまたは顧客への出荷前は欠陥フリーとなる。
【０００４】
集積回路は、一般に、複数のレチクルから製造される。レチクルの作製およびこのレチクルのその後の光学検査は、半導体の製造において標準的な工程となっている。最初に、回路設計者は、特定の集積回路（ＩＣ）設計を記述する回路パターン・データをレチクル製造システムまたはレチクル・ライタに渡す。回路パターン・データは、一般に、製造されたＩＣデバイスの物理層の表現レイアウトの形態を取る。この表現レイアウトは、ＩＣデバイスのそれぞれの物理層（例えば、ゲート酸化物、ポリシリコン、金属配線など）の表現層を含む。表現層はそれぞれ、特定のＩＣデバイスの層のパターニングを定義する複数のポリゴンから構成される。
【０００５】
レチクル・ライタは、この回路パターン・データを用いて複数のレチクルを書き込み（例えば、一般に、レチクル・パターンの露光に電子ビーム・ライタまたはレーザ・スキャナが用いられる）、このレチクルが後に特定のＩＣ設計の製造に用いられる。次に、レチクル検査システムは、レチクルにレチクルの製造中に発生した可能性のある欠陥がないか、検査を行うことができる。
【０００６】
レチクルすなわちフォトマスクは、少なくとも透明および不透明の領域、時には半透明の、移相領域を含む光学素子であり、これらの領域が共に、集積回路などの電子デバイス中で同一平面上の特徴のパターンを規定する。レチクルは、フォトリソグラフィ中に、エッチング、イオン・インプランテーション、またはその他の製造プロセスに対して、半導体ウェハの特定の領域を定義するのに用いられる。
【０００７】
各レチクルまたはレチクルの各群を製造後、各レチクルは、一般に、制御された照射器から放射される光で各レチクルを照射することによって検査される。レチクルの一部の試験画像は、反射、透過、またはそれ以外の方法で光センサーに向けられた光の一部に基づいて構築される。このような検査技術および装置は、当技術分野で周知であり、カリフォルニア州ミルピタスにあるＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから入手できる多くの製品など、様々な市販の製品において実施している。
【０００８】
一般には、従来の検査プロセス中に、レチクルの試験画像が基準画像と比較される。基準画像は、回路パターン・データ、もしくはレチクル自体上の隣接するダイのいずれかから生成される。いずれの場合も、試験画像の特徴が分析され、この基準画像の特徴と比較される。次に、それぞれの差分値が、所定の閾値と比較される。試験画像が、基準画像から所定の閾値より大きく異なれば、欠陥と定義されて報告される。
【０００９】
２枚の画像の間で検出されたそれぞれの差は、プリント可能な欠陥につながる可能性がある。反対に、検出された欠陥の中には、結果として製造される集積回路に影響しないものもある。この手法では、この閾値の設定が高過ぎたり、または低過ぎたりするかに応じて、小さな欠陥を捕らえられず、多くの「偽の」欠陥を捕らえてしまうことがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
検出される「偽の」欠陥の数を減らしつつ、レチクルなどの欠陥を正確かつ確実に検出するための改善された検査手法が未だ必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の特定の実施形態の基本的な理解を与えるために、以下に、本開示の簡易化された概要を提示する。この概要は、本開示の広範な要約ではなく、本発明の主要な／重要な要素を特定するものでも、本発明の範囲を明確にするものでもない。その唯一の目的は、本明細書に開示される一部の概念を、後述の詳細な説明の導入部としての簡易化された形態で提示することにある。
【００１２】
一実施形態では、ウェハ製造施設におけるレチクルの検査のための設計データ情報を提供する方法が開示される。この方法は、レチクルを用いてウェハ上に形成される複数のプリント可能な特徴とレチクルを用いてウェハ上に形成されない複数のプリント不可な特徴とを指定するレチクル設計データを提供する工程を含み、レチクル設計データは、レチクルの製造に使用可能である。レチクル設計データから、低減された設計データベースが生成される。この低減された設計データベースは、レチクルのプリント不可な特徴の記述またはマップと、レチクルの複数のセル間領域の記述またはマップと、レチクル設計データからラスター化されたグレースケール・レチクル画像とを含む。製造施設においてレチクルを定期的に検査するために低減された設計データベースを使用することができるよう、レチクルと共に、低減された設計データベースが製造施設に転送される。
【００１３】
特定の実装において、レチクル設計データには、レチクル設計データから形成されるレチクルを用いて製造されるウェハ上にプリントできないプリント不可な特徴が含まれる。別の実施形態では、レチクル設計データは専有情報を含み、低減された設計データベースはこのような専有情報を含まない。
【００１４】
さらに別の実装においては、レチクルのプリント不可な特徴の記述またはマップは、グレースケール・レチクル画像の各特徴が、所定の閾値と同等か、またはそれを超えた測定された線幅を有するグレースケール・レチクル画像の別の特徴に対して、所定の距離内にある場合に、プリント不可な特徴として、所定の閾値未満の測定された線幅を有するグレースケール・レチクル画像の特徴を定義することによって生成される。さらなる態様では、プリント不可な特徴の記述またはマップは、各プリント不可な特徴またはプリント不可な特徴の領域に対する大きさおよび位置を指定する。さらに別の態様では、低減された設計データベースには、レチクル設計データに含まれ、指定された複数の設計ポリゴンとは異なる色を有する複数のポリゴンの形で、プリント不可な特徴のマップが含まれる。
【００１５】
別の実施形態では、セル間領域の記述またはマップは、グレースケール・レチクル画像内の繰り返しパターンを検出することによって生成される。さらなる態様では、セル間領域の記述またはマップは、繰り返しパターンまたは繰り返しパターンの各領域に対する大きさおよび位置を指定する。別の例では、レチクル設計データのプリント不可な特徴は、プリント可能な特徴の一部の繰り返しパターンにおいて非対称を生じさせるアルゴリズムによって生成される。
【００１６】
別の実装では、この方法は、製造施設に、レチクルと共に、低減された設計データベースを転送する前に、低減された設計データベースを圧縮および暗号化する工程を含む。圧縮は、セル間領域の記述またはマップ、プリント不可な特徴の記述またはマップおよび任意の生成されたグレースケール・レチクル画像に適用されうる。
【００１７】
代替実施形態では、本発明は、ウェハ製造施設においてレチクルの検査のための設計データ情報を提供するシステムに関する。少なくとも１つのプロセッサと少なくとも１つのメモリを備えるこのシステムは、上記の動作の１つ以上を実行するよう構成される。別の実施形態では、レチクルを用いてウェハを製造するウェハ製造施設において、レチクルを検査するシステムが開示される。このシステムは、レチクル設計データから生成された低減された設計データベースを受信する製造記憶システムを備え、低減された設計データベースは、レチクルのプリント不可な特徴の記述またはマップと、レチクルのセル間領域の記述またはマップと、レチクル設計データからラスター化されたグレースケール・レチクル画像とを含む。また、このシステムには、レチクルの画像を取得する検査ツールと、低減された設計データベースに基づいて、取得したレチクルの画像を分析することによって、レチクル内の欠陥を検出する欠陥処理システムも備える。
【００１８】
本発明の上記の態様およびその他の態様は、図面を参照して、以下にさらに説明される。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一実施形態による、レチクル検査中に用いられる「ライト」データベースを提供するシステムの図示表現である。
【図２】本発明の一実施形態による、抽出された「ライト」設計データベースに基づいてレチクルを検査するシステムの図示表現である。
【図３】本発明の特定の実装に係る、ライト設計データベースを生成する手順を示すフロー・チャートである。
【図４Ａ】特定の実施形態に係る、フォトマスク上に設けられた基本パターンを示す図である。
【図４Ｂ】リソグラフィ転写後の図４Ａにおける基本パターンの結果となるウェハの画像を示す図である。
【図５】本発明の例示的な実施形態による、グレースケール・レチクル画像に基づいた、フォトマスクの細線検出の手順のフロー・チャートである。
【図６】円輪郭上の異なる位置にある様々な線幅を取得する工程を示す図である。
【図７】本発明の一実施形態による、レチクル検査手順を示すフロー・チャートである。
【図８Ａ】特定の実施形態に係る、ウェハにフォトマスクからのマスク・パターンを転写するリソグラフィ・システムの簡略模式図である。
【図８Ｂ】特定の実施形態に係る、フォトマスク検査装置の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下の説明では、本発明を完全に理解できるよう、多くの具体的な詳細を記載する。本発明は、これらの詳細の一部または全部を用いなくても、実施されうる。他の例では、本発明をわかりにくくすることを避けるため、周知のプロセス操作は詳細には説明されていない。本発明は、詳細な実施形態と連動して説明されているが、本発明がこれらの実施形態に限定されないことが理解されよう。
【００２１】
特定の実施形態は、ウェハ製造施設におけるレチクルの検査のための設計データベースの「ライト」もしくは縮小版を提供する。例えば、ライト設計データベースは、特定のレチクルに対する設計データから抽出される。このライト設計データベースは、このライト設計データベースを伝送し、このライト設計データベースにアクセスするための大幅に少ない帯域幅の他、元の設計データベースよりも大幅に少ない記憶領域を用いて記憶される。例えば、元の設計データが各レチクルに対して、テラバイト単位の記憶サイズが必要である一方で、各レチクルに対する抽出されたライト設計データベースは、約２００ギガバイト未満のメモリしか必要としない場合がある。次に、製造施設で最初に受信された際に、このライト設計データベースを最初に用いて、特定のレチクルを検査できる。また、ウェハを用いて１枚以上のウェハを製造した後に、このライト設計データベースを用いて、特定のレチクルを定期的に検査（最適格性確認）できる。
【００２２】
図１は、本発明の一実施形態による、レチクル検査中に用いられる「ライト」データベースを提供するマスク・システム１００の図示表現である。事前ＯＰＣ設計データ１０４およびレチクル設計データ１０２はいずれも、ライト・データベース・エクストラクタ１０１に渡されうる。事前ＯＰＣ設計データ１０４には、一般に、任意のＯＰＣ（光近接効果補正）構造が設計データに追加される前に、特定のレチクルに対する設計者もしくは合成ツールによって生成されたポリゴンが含まれる。事前ＯＰＣ設計データ１０４は、設計者の意図を表していると言え、一般に、レチクル設計データ１０２を用いて作成されるレチクルで製造される最終ウェハに似る。レチクル設計データ１０２は、一般に、事前ＯＰＣ設計データに追加されたＯＰＣ装飾を含む。ＯＰＣ装飾は、レチクルの製造を改善する。例えば、一定のＯＰＣによる改善が設計データ内の角近くに追加されると、この角において、より鮮明な映像が得られる。
【００２３】
ライト・データベース・エクストラクタ１０２は、一般に、事前ＯＰＣ設計データ１０４およびレチクル設計データ１０２から、レチクル検査中に使用される設計データの小さい小部分を抽出するよう構成される。抽出された設計データは、ダイ−データベース間、ダイ間、セル間など、どの種類のレチクル検査も容易にする任意の適切な形態を取りうる。図示の通り、ライト・データベース・エクストラクタ１０２は、ＳＲＡＦ記述１１２を生成するためのＳＲＡＦ（サブレゾリューション補助特徴）検出器１０６と、セル間領域記述１１４を生成するためのセル間分析器１０８と、グレースケール・レチクル画像１１６を生成するためのポリゴン・ラスター化モジュール１１０とを含んでもよい。システム１００はまた、圧縮されたライト設計データベース１２０を形成するため、ＳＲＡＦ記述１１２と、セル間領域記述１１４と、グレースケール・レチクル画像１１６とによって表現されたデータを圧縮するための圧縮モジュール１１８を備えてもよい。
【００２４】
ポリゴン・ラスター化モジュール１１０は、ぞれぞれ、レチクル設計データ１０２（もしくは、事前ＯＰＣ設計データ１０４）と同じ量の設計詳細を含まない１つまたは複数のグレースケール画像を生成する。レチクル設計データ１０２は、一般に、各ポリゴンに対する正確な仕様の一覧を含む。つまり、レチクル設計データは、無限の解像度などの、高度な特定性のあるポリゴン設計データを記述する情報を含む。設計データベースは、一般に、専有知的財産情報を含む。ポリゴン・ラスター化モジュール１１０によって生成されるグレースケール画像は、レチクル設計データ１０２よりもはるかに低い解像度を有する。例えば、事後ＯＰＣ設計データは、一般に、ＯＰＣモデルによって生成されたＯＰＣ構造の非常に詳細な記述を含む。この詳細なＯＰＣ記述は、事後ＯＰＣ設計データを事前ＯＰＣ設計データと比較することにより（例えば、リバース・エンジニアリング）、ＯＰＣモデルを容易に決定できるよう、ＯＰＣ構造の正確な数値的寸法の一覧を指定する。生成されたグレースケール・レチクル画像は、ＯＰＣ構造の正確な数値的寸法などの特定の専有情報を含まない。一般に、ダイ−データベース間検査で欠陥を検出できるようにする解像度を有するよう、グレースケール・レチクル画像が生成される。
【００２５】
ＳＲＡＦ検出器１０６は、一般に、例えば、グレースケール・レチクル画像に基づいて、レチクル設計データ１０２内に各ＳＲＡＦの表現を生成する。例えば、ＳＲＡＦ検出器１０６は、各ＳＲＡＦの座標および形状もしくは大きさの一覧を提供しうる。ＳＲＡＦ特徴のマップまたは画像が代わりに供給されうる。例えば、ＳＲＡＦマップは、それぞれがＳＲＡＦの各領域または個々のＳＲＡＦに対応するポリゴンを含んでいてもよく、各ＳＲＡＦポリゴンは、その他のレチクル設計特徴／ポリゴンの色とは異なる色を有していてもよい。様々なＳＲＡＦ検出器の実施形態を、以下にさらに説明する。
【００２６】
セル間分析器１０８は、レチクル設計データ１０２内での繰り返しパターンを検出するよう構成されてもよい。セル間領域は、一般に、例えば、レチクル設計データ１０２から生成されたグレースケール画像内において、繰り返しパターンまたは構造を含むよう構成された領域である。ＯＰＣアルゴリズムは、レチクル設計データに非対称性を追加しうる。従って、セル間分析器１０８は、事前ＯＰＣ設計データ１０４とは対照的に、セル間となるよう設計されたが、非対称的なＯＰＣ構造から非対称的となる領域が、特定されたセル間領域から除去されるよう、事後ＯＰＣ設計データ１０２内のセル間領域を検出するよう構成されてもよい。一実施形態においては、セル間分析器１０８は、セル間領域の位置、形状および大きさの一覧を生成する。例えば、特定のセル間領域内の各セルの形状および大きさが特定される。代わりに、例えば、ＳＲＡＦマップに対して記述されたように、セル間領域のマップが提供される。一般に、セル間分析器は、１つまたは複数のその他の同一のピクセルの周辺領域があるかどうかを判定するグレースケール・レチクル画像のピクセルの各小領域を分析するよう構成される。
【００２７】
任意の適切な画像圧縮手法を用いて、圧縮モジュール１１８を実施してもよい。一般に、圧縮には、無関係かつ冗長な特徴を減らす工程が含まれる。例として、ランレングス符号化、ＤＰＣＭ（差分パルス符号変調）符号化、予測符号化、エントロピー符号化、収縮符号化、またはチェーン符号化の可逆圧縮手法の内、１つまたは複数を用いてもよい。特定のアルゴリズムにおいて、ランレングス符号化は、一連の同じデータ値に対する単一のデータ値を記憶する工程を伴う。例えば、それぞれが値Ｂを有する１０個の黒いピクセルの列は、１０Ｂという単一の値と置換されうる。従って、１０文字（１０個のＢ）は、３文字（１０Ｂ）に減らされる。また、圧縮モジュールは、Ｌｅｍｐｅｌ−Ｚｉｖ−Ｍａｒｋｏｖ  ｃｈａｉｎ  Ａｌｇｏｒｉｔｈｍ（ＬＺＭＡ）などの適切な画像暗号手法も含んでもよい。
【００２８】
図２は、本発明の一実施形態による、抽出された「ライト」設計データベースに基づいてレチクルを検査するシステム２００の図示表現である。図２に関して説明されている構成要素は、１つまたは複数の物理的デバイスに統合され、図２に示す個々のデバイスまたはシステムに限定されない。図示の通り、抽出されたライト・データベース１２０は、１つまたは複数の記憶デバイス２０４に関連付けられる製造記憶システムまたはサーバ２０２に受信されてもよい。製造記憶サーバ２０２は、該１つまたは複数の記憶デバイス２０４に受信されたライト・データベース１２０を記憶するよう構成される。一実施形態では、ライト・データベース１２０は、記憶サーバ２０２によって１つまたは複数の記憶デバイス２０４に維持された検査入力および結果データベースに記憶される。
【００２９】
検査システム２００はまた、レチクルから検査画像（もしくは信号）２１０を取得するための画像（もしくは信号）取得システム２０８を備えてもよい。システム２００はまた、検査システム２０８から受信された画像を分析するための欠陥または画像プロセッサ２０６を備えてもよい。欠陥プロセッサ２０６は、取得された画像（もしくは信号）に欠陥が含まれているかを判定する。ライト・データベースは、この欠陥検出プロセスを容易にするのに用いられる。例えば、ＳＲＡＦ記述を用いて、ＳＲＡＦ領域（例えば、より高い閾値での検査）に対する検査を除外してもよい。画像プロセッサは、取得された画像と共に、ＳＲＡＦ領域（位置、大きさなど）の情報を受信し、ＳＲＡＦ領域を判定する資源を費やす必要はない。セル間記述を用いて、セル間領域に対して、より高速で、より敏感なアルゴリズムを実施してもよい。欠陥または画像取得システム２０６はまた、検査レポート２１２を生成するよう構成されてもよく、このレポートは、レチクル／ダイ内の欠陥の画像、欠陥の分類および欠陥の位置を含んでもよい。
【００３０】
画像取得システム２０８は、以下にさらに説明されるように、レチクルを検査し、検査画像（もしくは信号）を取得するための任意の適切なツールの形態を取ってもよい。一実施形態では、画像取得システム２０８は、光学ビームがレチクルを横切って走査されるとき、ビームでレチクルを走査し、レチクルの個々の部分の画像を取得するよう構成される。例えば、画像取得システム２０８は、レチクルを横切る複数の画像スワスを取得し、これらの画像スワスは、欠陥を検出するための該画像プロセッサに送信される。代わりに、画像取得システムは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）の形態を取ってもよい。
【００３１】
図３は、本発明の特定の実装に係る、ライト設計データベースを生成する手順３００を示すフロー・チャートである。最初に、事前ＯＰＣレチクル設計データが操作３０２に渡される。該事前ＯＰＣレチクル設計データは、任意の適切なレイアウト・ツールを用いて、１人または複数人によって生成されてもよい。追加的に又は代替案として、ポリゴンは、Ｖｅｒｉｌｏｇなどのハードウェア記述言語（ＨＤＬ）によって表現される設計に基づいて、任意の適切な合成ツールによって生成されてもよく、ＨＤＬ設計も、１人または複数人によって生成されてもよい。ＨＤＬ設計は、カスタムのコンポーネントおよび／またはコンポーネント・ライブラリで利用可能な標準のコンポーネントを備えてもよい。「設計データ」という用語は、一般に、ＩＣ（集積回路）の物理的設計（レイアウト）を表す。事前ＯＰＣ設計データは、ウェハ上に製造されている、もしくはウェハ上に製造されるデバイスの物理的設計レイアウトを表す（例えば、グラフィック・データ・ストリーム（ＧＤＳ）ファイル、ＧＤＳＩＩファイル、または別の標準的なファイルもしくはデータベースなどのデータ構造から取得された情報）。ＧＤＳファイル、その他のファイルまたはデータベースからの情報は、（例えば、光近接効果補正（ＯＰＣ）特徴および設計に追加された任意のその他の解像度向上技術（ＲＥＴ）特徴を含まずに）物理的設計レイアウト事前装飾を記述してもよい。
【００３２】
次に、ＯＰＣ構造が事前ＯＰＣデータに追加されて、操作３０４でレチクル設計データを形成してもよい。ＯＰＣ構造が１つまたは複数のＯＰＣ生成モデルに基づいて生成されるよう、該モデルが事前ＯＰＣ設計に適用されてもよい。該モデルは、実験および／またはシミュレーション結果に基づいてもよい。一般に、本明細書において、ＯＰＣ、ＳＲＡＦ、細線、およびプリント不可構造という用語が代替可能に用いられる。
【００３３】
グレースケール・レチクル画像も、操作３０６で生成されてもよい。例えば、グレースケール・レチクル画像を取得するため、検査ツール光学素子がモデリングされ、設計データ・パターンに適用される。グレースケール画像は、検査ツールの反射および伝送光学構成要素の両方に対して生成されてもよい。グレースケール画像は、事前ＯＰＣ設計データのみから生成されてもよい。代替実施形態では、事前ＯＰＣ設計データのグレースケール画像も生成されてもよい。
【００３４】
操作３０８において、グレースケール・レチクル画像内のＳＲＡＦ構造も検出され、ＳＲＡＦ記述またはマップも生成されてもよい。一般に、任意の適切な手法を用いて、レチクル検査中に、プリント不可な特徴を含む領域を後で「除外」するために、設計データ内のプリント可能な特徴（主要輪郭とも称される）とプリント不可な特徴（細線とも称される）を分けてもよい。１つの簡単な手法では、事前ＯＰＣ設計データが事後ＯＰＣ設計データと比較され、グレースケール・レチクル画像の他、事後ＯＰＣ設計データ内のプリント不可な特徴の位置を判定する。例えば、ブーリアン演算を用いて、ＳＲＡＦまたはプリント不可な特徴データを得られるよう、事後ＯＰＣ設計データから事前ＯＰＣ設計データを差し引いてもよい。
【００３５】
プリント可能な特徴は、結果生成されるウェハ画像上に現れる特徴として定義されうる。プリント可能な特徴は、同じ形状で結果製造されるウェハ上にあっても、なくてもよく、もしくは、レチクルまたはフォトマスク上でのように形成されても、されなくてもよい。例えば、図４Ａは、フォトマスク上に設けられた基本パターンを示し、図４Ｂは、その基本パターンの結果となるウェハの画像を示す。それゆえ、フォトマスクにおいて、プリント可能な特徴は、ウェハ面上のプリント可能な特徴に対応する領域として理解されてもよい。プリント不可な特徴（または「細線」）は、回折およびその他の理由による結像誤差を補正するのに用いられる様々な光近接効果補正（ＯＰＣ）特徴を含んでもよい。プリント不可な特徴の１つのタイプは、サブレゾリューション補助特徴（ＳＡＲＦ）である。
【００３６】
図５は、本発明の例示的な実施形態による、グレースケール・レチクル画像に基づいた、フォトマスクの細線検出の手順５００のフロー・チャートである。本明細書に記載されている例において、細線検出は、フォトマスクのリソグラフィ的に重要ではない特徴の任意のプリント不可な部分の検出を含む。「細線」、「プリント不可な」および「リソグラフィ的に重要ではない」という用語は、本明細書において代替可能に使用される。
【００３７】
グレースケール・レチクル画像には、パターン、配列、特徴、形状など（「パターン」）が含まれ、パターンは、１組の輪郭、線、境界、縁、曲線など（「輪郭」）として定義されうるが、これらは、一般に、マスク上のパターンを構成する様々な領域の境界を取り囲む、包囲する、および／または示す。線幅は、特定の輪郭上では、確定されるのは困難である場合がある。例えば、円形の輪郭の線幅測定値は、図６に図示される通り、測定値が取得される場所によって決まってもよい。図示の通り、円の中心を通って測定された線幅６０２は、円の縁を通って測定された線幅６０４よりもはるかに大きくなる。
【００３８】
したがって、画像マスク上の線幅を測定する場所を判定するためのプロセスが用いられてもよい。一実施形態では、操作５１０において、スケルトン画像を取得するために、レチクル画像上で細線化プロセスが実行される。一般に、特定のレチクル画像のパターン上で線幅を後で測定するために、レチクル画像内の場所と位置を提供するよう、レチクル画像の各パターンのサイズは、縮小される。例えば、円に対するスケルトンは、レチクル画像上の円の中心を通って、線幅が取得されるよう、円の中心内のピクセルとなり、線に対するスケルトンは、線の線幅が線の縦軸に沿った任意の場所において取得されうるよう、１つのピクセル幅となる。
【００３９】
スケルトン画像を生成するため、レチクル画像が細線化された後、スケルトンおよびレチクル画像を用いて、レチクル画像内の線幅が、操作５１２における細線パターンまたは非細線パターンとして定義されうるかどうかが判定される。この線幅チェックの結果、細線マップおよび非細線マップの両方が生成される。一般に、スケルトン画像を用いて、レチクル画像上の線幅を測定し、測定された線幅を細線（もしくは非細線）に対する線幅仕様と比較する。測定された線幅が、線幅仕様未満の場合、関連するパターンは、細線として定義される。細線として定義された特徴が、非細線の特徴に対する所定の近接以内にある場合に、線幅チェックは、該特徴のみを定義する工程も含んでいてもよい。測定された線幅が線幅仕様と同等か、それよりも大きい場合、関連するパターンは、非細線として定義される。従って、レチクル画像上の特定のパターンは、細線マップおよび非細線マップの両方を生成するため、細線または非細線として定義されうる。
【００４０】
また、レチクル画像が、レベル集合関数に関して定義されてもよい。一実施形態では、レベル集合関数は、境界または輪郭においては、０に等しく、輪郭外では０未満、輪郭内では０よりも大きくなる。レベル集合０関数（または、輪郭を定義する任意の関数）を用いて、マスク画像状の限界寸法（ＣＤ）を測定できる。つまり、ＣＤを直接０番目のレベル集合関数（または定義された輪郭）上で測定できる。例えば、各輪郭特徴上での４つのＣＤ測定値は、４つの方向において取得されてもよく、最小値は、該特徴に対して、ＣＤとして定義される。
【００４１】
レベル集合関数が渡されると、該関数のゼロ交差は、特定の輪郭自体となる。複数の方向に沿ったこの輪郭上の線幅の直接測定を行うことができる。最後に、これらの測定値の最小値を取得する工程が用いられ、線幅の近似値が求められる。主要な特徴を保護するため、線幅チェックは、パターンが細線か、大きい線パターンのいずれかであるかを決定するための唯一の基準となりうる。
【００４２】
さらに、ピクセルが細線と同じ色調を有しているが、その線幅がユーザー定義の線幅仕様よりも大きい場合、該ピクセルは、非細線のピクセルとして扱われうる。これらの非細線ピクセルは、細線の形成から保護される必要のある大きい配列マップ（または非細線マップ）画像を形成する。細線形成中、操作５１４での不要な形成を防ぐために、この画像をレチクルとして用いることができる。従って、本明細書において特徴マップとして言及される、最終的な細線マップ（または逆に非細線マップ）となるよう、細線の形成がレチクル画像の大きい配列領域を侵害しないようにされる。
【００４３】
図３を再度参照すると、操作３１０において、セル間領域も検出されてもよく、セル間領域の記述またはマップも生成されてもよい。一実施形態では、任意の同一の隣接するピクセル群があるかどうかを判定するため、グレースケール・レチクル画像内のピクセル群が分析される。同一のピクセル群は、セル間領域として特定されうる。画像内の繰り返しパターンを検出するための様々な手法が、米国特許第７，０６５，２３９号（Ｍａａｙａｈら）および米国特許第７，９２５，０７２号に記載されており、いずれも、参照により本明細書に援用される。一実施形態では、グレースケール・レチクル画像は、比較的小さいブロックに分割され、次に、アレイメトリックが各ブロックに対して決定されてもよい。アレイメトリックは、ブロックがアレイ・パターンを含んでいる可能性を表す。次に、各ブロックをアレイとしてまたはランダム・ブロックとして分類するために、事前定義された閾値が該メトリックに適用されてもよい。最後に、連結されたアレイ・ブロックは、アレイ領域に結合されてもよい。
【００４４】
次に、操作３１２において、特定のレチクルに対するライト設計データベースが渡される。特定のレチクルに対するライト設計データベースには、１つまたは複数のグレースケール・レチクル画像と、ＳＲＡＦ記述と、セル間領域記述とが含まれる。例えば、ライト設計データベースは、ネットワークまたは記憶デバイスを介して、特定のレチクルを製造する施設から（レチクルに対する設計データに基づいて）、該特定のレチクルを用いてウェハを製造する施設に転送される。レチクル製造施設で実行されたレチクルの特定の組に対する検査から生成された最初のレチクル検査レポートと共に、レチクルの特定の組に対するライト設計データベースが、レチクル製造施設に渡されてもよい。ある設計のレチクルのそれぞれに対して、ライト・データベースを生成する手順が繰り返されてもよい。特定の設計のレチクルすべてに対するライト・データベースは、レチクル製造施設に共に転送されてもよい。
【００４５】
ライト・データベース情報を用いて、ウェハ検査感度を調整し、妨害となるイベント検出を動的に低減し、欠陥の分類精度を向上させ、プロセス・ウィンドウ適格性確認（ＰＷＱ）などの検査システムのためのアプリケーションを強化することができる。また、ライト設計データベースを用いることで、本明細書にさらに記載されるように、欠陥検査プロセスおよびシステムに利点を提供しうる。さらに、設計データおよび文脈データを用いる方法の例が、米国特許第６，８８６，１５３号（Ｂｅｖｉｓ）、ならびに米国特許出願第１０／８８３，３７２号（２００４年７月１日出願、米国特許出願公開第２００５／０００４７７４号（Ｖｏｌｋら）として２００５年１月６日に公開）に示されており、このいずれも、参照により本明細書に援用される。本明細書に記載の方法には、本発明および本特許出願に記載されている任意の手順の任意の方法が含まれていてもよい。
【００４６】
例示的な用途として、より高速で、より感度の高い検査アルゴリズム（より低い閾値）を、特定されたセル間領域に用いてもよい。対照的に、感度の低い検査（より高い閾値）は、特定されたＳＲＡＦ領域に用いることができる。感度の低いＳＲＡＦ検査は、「妨害となる」イベントまたは疑似欠陥を大幅に減らすことができる。ＳＲＡＦおよびセル間領域は、提供されたライト設計データベースで特定されるため、ＳＲＡＦ領域またはセル間領域を検出するよう、検査ツールを攻勢する必要はない。要するに、異なる検査アルゴリズムを用いて、ＳＲＡＦ領域、セル間領域、およびレチクルのその他の領域を検査できる。
【００４７】
レチクル設計データから生成されるセル間記述またはマップは、一般に、該レチクル画像から生成されるセル間領域記述よりも精度が高い。セル画像のみを使用すると、実際の欠陥によって生じる非対称性とＯＰＣアルゴリズムによって生じる対象の非対称性とを明確に区別することが難しい。セル間記述により、セル間障害分析において、該ＯＰＣアルゴリズムからの該対象の非対称性を除去することができる。さらに、レチクル画像から特定されるセル間領域が、任意の結像システムの固有の光学的解像度制限によって生じる不正確さにつながる。
【００４８】
ライト設計データベースによって、製造設定におけるダイ−データベース間検査が可能となる。完全な設計データベースのライト版を抽出せずに、マスク製造施設からウェハ製造施設への完全な設計データベースの転送を行うと、大幅な時間が費やされ、リソースが記憶され、ウェハ製造施設において、データベース検査の実行が困難になる。さらに、ライト設計データベースは、セル間領域を含まないレチクル領域のダイ−データベース間検査を容易にする。つまり、グレースケール・レチクル画像によって、物理的レチクルから得られたレチクル画像のすべてのピクセル上で検査を行うことができる。例えば、該検査には、特定のレチクルのすべての領域とグレースケール・レチクル画像におけるその対応する領域と比較する工程が含まれる。レチクルに単一のダイしか含まれておらず、グレースケール・レチクル画像が提供されていない場合、該検査は、撮像し、互いに比較する画像に隣接するその他のダイがないため、セル間タイプの検査に依存する必要がある。
【００４９】
一般に、フォトマスクまたはレチクルの任意の適切なタイプを該プロセスで用いることができる。例えば、クロム金属吸収膜によって示されたパターンを有する透明な石英ガラス・ブランクからなるフォトマスクを用いることができる。一般に、フォトマスクまたはマスクは、例えば、位相シフト・マスクおよび埋め込み位相シフト・マスク（ＥＳＰＭ）といった、レチクルまたはフォトマスクの任意の適切なタイプの形をとる。フォトマスクは、一般に、複数のプリント可能な特徴と複数のプリント不可な特徴を含む。
【００５０】
図７は、本発明の一実施形態による、レチクル検査手順を示すフロー・チャートである。最初に、操作７０２において、ライト設計データベースに基づいて、異なるレチクル領域と共に使用するために、異なる検査アルゴリズム（例えば、異なる閾値またはアルゴリズム）を選択してもよい。異なる検査アルゴリズムを選択する工程は、同じアルゴリズムに１つまたは複数のユーザー定義の検出閾値を提供する工程または同じまたは異なる閾値を有する異なるアルゴリズムを選択する工程が伴っていてもよい。例えば、プリント不可な細線特徴として特定されない主要な特徴を有する領域に１つの検査閾値を割り当ててもよい一方で、ＳＲＡＦまたはその他のプリント不可な細線特徴を含むものとして特定される領域により低い閾値を割り当ててもよい。この差別化を用いて、検査リソースを最適化できる。さらに、セル間検査アルゴリズムを、特定されたセル間領域に用いてもよい。
【００５１】
操作７０４において、各レチクル領域に対する基準画像が提供されてもよい。ダイ−データベース間検査では、基準画像は、ライト設計データベース（生成されたグレースケール・レチクル画像）から得られてもよい。さらに、ダイ間またはセル間検査では、該基準画像は、該レチクルの別のダイまたはセルから得られてもよい。
【００５２】
操作７０６において、各レチクル領域に対して、基準画像が試験画像に対して配列される。操作７０８において、各試験画像が、領域に対して選択された検査アルゴリズムを用いて、その対応する基準画像と比較される。ＭＥＥＦ、ユーザー定義閾値、幾何学的マップ、および各領域に対して固有のその他の情報をこの操作で用いてもよい。換言すれば、試験画像の分析には、試験画像の部分および該基準画像の対応する部分を特定する工程と各特定された部分に対するこれらの画像における任意の差を特定する工程とが伴っていてもよい。特定の実施形態において、配列された、送信された試験画像および送信された基準画像間および配列された、反映された試験画像および反映された基準画像間において差が特定される。
【００５３】
次に、操作７１０において、レチクルが検査に合格したかどうかは、比較結果に基づいて判定されてもよい。レチクルが検査に合格した場合、検査プロセスは終了し、合格したレチクルを用いて、製造が進行されうる。レチクルが試験に合格しなかった場合、操作７１２において、レチクルは修理されるか、破棄され、検査は終了する。
【００５４】
一般に、特にライト設計データベースを用いて、レチクル検査中、リソグラフィ的に重要な特徴および欠陥を含む領域が示され、焦点が当てられる。ＳＲＡＦ記述／マップを用いて、検査システムに命令を送り、検査中、細線またはプリント不可な特徴として定義された領域を「除外」することができる。例えば、細線（例えば、ＳＲＡＦ）のみを含む領域は、主要な特徴（プリント可能またはプリント不可な特徴）を含む領域よりも、より低い感度で検査されてもよい。前述の通り、細線特徴マップの領域は、これら２タイプの特徴間で区別される。全体的に、本明細書に記載される新規なプロセスおよび検査システムにより、より効率的なレチクル検査プロセスが可能になる。
【００５５】
図８Ａは、特定の実施形態に係る、ウェハＷにフォトマスクＭからのマスク・パターンを転写するのに用いることができる典型的なリソグラフィ・システム８００の簡略模式図である。該システムの例には、スキャナおよびステッパ、より詳細には、オランダ、フェルトホーフェンにあるＡＳＭＬから入手できるＰＡＳ５５００システムが含まれる。一般に、照明光源８０３は、照明レンズ８０５を介して、マスク面８０２に位置するフォトマスクＭに、光線を照射する。照明レンズ８０５は、その面８０２に開口数８０１を有する。開口数８０１の値は、該フォトマスク上のどの欠陥がリソグラフィ的に重要な欠陥であるか、どの欠陥がそうでないかに影響する。フォトマスクＭを通過する該光線の一部は、結像光学素子８０８を通過し、ウェハＷに照射され、パターン転送を開始するパターン化された光学信号を形成する。
【００５６】
図８Ｂは、特定の実施形態に係る、レチクル面８５２において、比較的大きい開口数８５１ｂを有する結像レンズ８５１ａを有する検査システム８５０の模式図である。描画された検査システム８５０には、例えば、改善された検査のための６０−２００Ｘ倍率を提供するよう設計された顕微鏡倍率光学素子８５３が含まれる。検査システムのレチクル面８５２における開口数８５１ｂは、リソグラフィ・システム８００のレチクル面８０２における開口数８０１よりも大幅に大きくなることが多く、結果、試験検査画像と実際のプリントされた画像間に差が生じることになる。これらの光学システムのそれぞれ（８００，８５０）は、生成された画像において、異なる光学的効果を含み、これらの効果は本明細書に記載の手法において、説明され、補正されうる。
【００５７】
本明細書に記載の検査手法は、図８Ｂに模式的に示されているものなど、様々な具体的に構成された検査システムにおいて実施してもよい。システム８５０には、レチクル面８５２において、照明光学素子８５１ａ〜ｂを介してフォトマスクＭに照射される光線を生成する照明光源８６０が含まれる。光源の例には、レーザーまたはフィルタ処理されたタンプが含まれる。１つの例では、該光源は、１９３ｎｍレーザーである。上記の通り、検査システム８５０は、対応するリソグラフィ・システムのレチクル面の開口数（例えば、図８Ａにおける要素８０１）よりも大きくてもよい開口数８５１ｂをレチクル面８５２に有する。検査されるフォトマスクＭは、レチクル面８５２に配置され、該光源に晒される。
【００５８】
マスクＭからのパターン化された画像は、倍率光学素子８５３の集合を介して照射され、該パターン化された画像をセンサー８５４に投影する。適切なセンサーには、電荷結合素子（ＣＣＤ）、ＣＣＤアレイ、遅延積算（ＴＤＩ）センサー、ＴＤＩセンサー・アレイ、光電子増倍管（ＰＭＴ）およびその他のセンサーが含まれる。投影システムにおいて、光学素子は、投影された画像を向け、キャプチャする。
【００５９】
センサー８５４によってキャプチャされた信号は、コンピュータ・システム８７３によって、より一般には、信号処理デバイスによって処理されるが、該信号処理デバイスには、センサー８５４からのアナログ信号をデジタル信号に変換し、処理を行うよう構成されたアナログ−デジタル・コンバータが含まれていてもよい。コンピュータ・システム８７３は、検知された光線の密度、位相、および／またはその他の特性を分析するよう構成されてもよい。コンピュータ・システム８７３は、（例えば、命令をプログラミングすることにより）結果となる試験画像およびその他の検査特性を表示するためのユーザー・インターフェース（例えば、コンピュータ画面上で）を提供するよう構成されてもよい。コンピュータ・システム８７３はまた、検出閾値の変更など、ユーザー入力を提供するための１つまたは複数の入力デバイス（例えば、キーボード、マウス、ジョイスティック）を備えてもよい。特定の実施形態において、コンピュータ・システム８７３は、以下に記載の検査手法を実行するよう構成される。コンピュータ・システム８７３は、一般に、入出力ポート、および適切なバスまたはその他の通信機構を介した１つまたは複数のメモリに連結された１つまたは複数のプロセッサを有する。類似のコンピュータ・システムを用いて、本明細書に記載の通りに、低減された設計データベースを生成するための手法が実施してもよい。
【００６０】
該情報およびプログラム命令は、具体的に構成されたコンピュータ・システムで実施してもよいため、該システムには、コンピュータ可読媒体に記憶できる、本明細書に記載の様々な動作を実行するためのプログラム命令／コンピュータ・コードが含まれる。コンピュータ可読媒体の例には、ハード・ディスク、フロッピー（登録商標）・ディスク、および磁気テープなどの磁気媒体、ＣＤ−ＲＯＭディスクなどの光媒体、光ディスクなどの光磁気記録媒体、および読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）とランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）など、プログラム命令を記憶し、実行するよう具体的に構成されたハードウェア・デバイスが含まれるが、これらに限定されない。プログラム命令の例には、コンパイラによって生成されたものなどのマシン・コード、および、インタープリタを用いて、コンピュータによって実行されうるより高いレベルのコードを含むファイルが含まれる。
【００６１】
特定の実施形態において、フォトマスクを検査するためのシステムは、少なくとも１つのメモリと、送信された試験画像と反映された試験画像を含むマスクの試験光度画像を生成する工程と、スポット画像を構成する工程と、スポット画像をマスク画像に戻す工程と、細線化を行う工程と、特徴マップを作成する工程と、特徴マップを用いて、試験光度画像を分析し、フォトマスクの欠陥を特定する工程との操作を実行するよう構成された少なくとも１つのプロセッサとを備える。検査システムの１つの例としては、カリフォルニア州ミルピタス所在のＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒから入手できる、具体的に構成されたＴｅｒａＳｃａｎ（商標）ＤＵＶ検査システムが挙げられる。
【００６２】
前述の本発明を、明白な理解のために詳細に説明したが、添付の特許請求の範囲内において、特定の変更及び改変が実施可能であることが明らかとなろう。本発明のプロセス、システムおよび装置を実施する多くの代わりの方法があることが留意されるべきである。従って、本実施形態は、例示に過ぎず、限定的に解釈されるものではなく、本発明は、本明細書に記載の詳細に限定されるべきではない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【国際調査報告】
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