(57)【要約】  結合を用いた非接触式温度測定システムは、制御装置と、制御装置に接続される駆動回路と、駆動回路に接続されるスイッチ回路と、スイッチ回路に接続される共振回路と、共振回路に結合される温度センサと、共振回路及び制御装置に接続される信号検出回路とを備える。同非接触式温度測定システムにおいて、温度センサはシステムの他の構成部品から分離され、対象物の非接触式温度測定は、電磁結合を用いて実施される。本システムは、単純な電気回路を備えるとともに低コストであり、小型設計に適し、したがって様々な状況において使用できる。結合を用いた非接触式温度測定システムの測定方法が更に提供される。該測定方法は、温度信号の伝達を電磁結合の形態で実行し、温度信号に基づいて計算及び分析を行うことにより、対象物の非接触式温度測定を行う。したがって、この測定方法は、高圧電力ケーブルの内部コアワイヤの信頼性の高い温度測定に適用することができる。
2015508495.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御装置、駆動回路、スイッチ回路、共振回路、温度センサ、及び信号検出回路を備える、結合を用いた非接触式温度測定システムであって、
駆動回路は、制御装置に接続され、制御装置からの２つの駆動信号を増幅した後に、増幅された信号を出力し、
スイッチ回路は、駆動回路に接続され、２つの増幅された駆動信号に基づいて方形波信号を出力し、
共振回路は、スイッチ回路に接続され、方形波信号をＡＣ電圧信号に変換し、
温度センサは、測定対象物の温度を感知するために使用され、共振回路と結合し、共振回路により変換されたＡＣ電圧信号を作動電圧として取り込み、測定対象物の温度に対応する温度電圧信号を生成し、共振回路に温度電圧信号を送信し、
信号検出回路は、共振回路に接続され、共振回路により受け取られた温度電圧信号を収集して整形し、検出電圧信号を出力し、
制御装置は、信号検出回路に接続され、信号検出回路から出力された検出電圧信号に基づき測定対象物の温度を分析して計算し、
更に、温度センサは、このシステムの他の装置から分離され、電磁結合による温度信号の伝達を実現し、温度信号に基づく計算及び分析により更に対象物について非接触温度測定を実現し、温度センサは直列型又は並列型の共振回路であり、共振抵抗は熱抵抗であり、
スイッチ回路は、２つのＭＯＳ電界効果トランジスタＱ１−Ｑ２及び２つのダイオードＤ１−Ｄ２を備え、ＭＯＳ電界効果トランジスタＱ１のソース電極は第１供給電圧に接続され、ＭＯＳ電界効果トランジスタＱ１のグリッド電極はスイッチ回路の第１入力端子であり、ＭＯＳ電界効果トランジスタＱ１のドレイン電極はダイオードＤ１の正極に接続され、ＭＯＳ電界効果トランジスタＱ２のソース電極は接地され、ＭＯＳ電界効果トランジスタＱ２のグリッド電極はスイッチ回路の第２入力端子であり、ＭＯＳ電界効果トランジスタＱ２のドレイン電極はダイオードＤ２の負極に接続され、ダイオードＤ１の負極は、スイッチ回路の出力端子を形成するダイオードＤ２の正極に接続され、
信号検出回路は、４つの抵抗器Ｒ３−Ｒ６、１つのコンデンサＣ３、及び１つの演算増幅器Ｕを含み、抵抗器Ｒ３の一端は信号検出回路の入力端子であり、抵抗器Ｒ３の他端及び抵抗器Ｒ４の一端は演算増幅器Ｕの正相入力端子に接続され、抵抗器Ｒ４の他端は抵抗器Ｒ５の一端に接続されるとともに接地され、抵抗器Ｒ５の他端は演算増幅器Ｕの逆相入力端子と、抵抗器Ｒ６の一端と、コンデンサＣ３の一端とに接続され、演算増幅器Ｕの正電力端子は第２供給電圧に接続され、演算増幅器Ｕの負電力端子は第３供給電圧に接続され、演算増幅器Ｕの出力端子は、抵抗器Ｒ６の他端と、信号検出回路の出力端子を形成するコンデンサＣ３の他端とに接続される
ことを特徴とする、結合を用いた非接触式温度測定システム。
【請求項２】
前記共振回路は直列型共振回路である、請求項１に記載の結合を用いた非接触式温度測定システム。
【請求項３】
前記制御装置はＤＳＰである、請求項１に記載の結合を用いた非接触式温度測定システム。
【請求項４】
結合を用いた非接触式温度測定方法であって、
（１）方形波信号が制御装置により駆動されたスイッチ回路から出力され、方形波信号が共振回路によりＡＣ電圧信号に変換され、その後、ＡＣ電圧信号が温度センサに結合され、制御装置は、温度センサが作動し始めた後に駆動を停止する工程と、
（２）温度センサが測定対象物の温度を感知し、当該温度に対応する温度電圧信号が生成され、更に、該温度電圧信号が共振回路に結合され、信号検出器回路が、共振回路により受け取られた温度電圧信号を収集して整形し、整形後に、対応する検出電圧信号を制御装置に提供する工程と、
（３）制御装置が、前記検出電圧信号に基づいて該検出電圧信号の周期を取り出し、前記検出電圧信号上で連続するＡ／Ｄサンプルを連続的に取り込み、前記検出電圧信号の連続する３つの周期のピーク点を複数のサンプリングポイントとして取り出し、検出電圧信号の周期及び３つのサンプリングポイントの電圧値に基づいて、式１を用いて検出電圧信号の減衰係数を計算し、
【数１】
2015508495.tif 000008
式中、ｕ１、ｕ２、ｕ３はそれぞれ３つのサンプリングポイントの対応する電圧値であり、ｔ１、ｔ２、ｔ３はそれぞれｕ１、ｕ２、ｕ３に対応する時点であり、ｔ２＝ｔ１＋Ｔ、ｔ３＝ｔ２＋Ｔであり、Ｔは周期、αは減衰係数であり、
前記制御装置は、前記減衰係数に基づいて、温度センサが直列共振型回路である場合には式２を用いて、温度センサが並列共振型回路である場合には式３を用いて、温度センサの熱抵抗器の抵抗値を計算し、抵抗値分析に基づいて測定対象物の温度を求める、
【数２】
2015508495.tif 000009
【数３】
2015508495.tif 000010
式中、Ｒは温度センサの熱抵抗器の抵抗値であり、Ｃは温度センサの共振コンデンサの容量値である、工程と
を含む方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
（発明の分野）
本発明は、温度測定技術に関し、詳細には、結合を用いた非接触式温度測定システム及びその測定方法に関する。
（発明の背景）
日常生活及び工業生産プロセスにおいて、様々な物体の温度の測定が必要とされる。温度は多くの技術分野で非常に重要なパラメータであり、測定装置は、工業、医療、軍事領域、日常生活等多くの技術分野において温度をモニタリングするために必要とされる。様々な産業において安全に製造し、ロスを低減するためには、自動的に温度をモニタリングすることが最も重要な方法のうちの１つであるとされてきた。特定の場合においては、従来の測定方法で温度測定をすると、散在し互いに遠隔にあるモニタリングポイントに起因して、より長い時間及びより多くの費用を必要とし、また、測定者は各個所の温度を測定しなければならないため、作業の効率が非常に低くなってしまう。
【０００２】
接触式温度測定や非接触式温度測定を含む２つの主なタイプの温度測定技術がある。接触式温度測定技術では、センサは測定対象物の表面に密着しなければならない一方で、測定回路がセンサに接続された状態でなければならない。頻繁に使用される接触式温度測定技術には熱電対温度測定技術、熱抵抗器温度測定技術、半導体温度測定技術、光ファイバー温度測定技術等がある。光学的温度測定技術に代表される非接触式温度測定システムはより良い感度、精度、安定性、及びより高い自動化の度合を有する。最も一般的な光学的測定技術には、スペクトル温度測定技術、ホログラフィー干渉法による温度測定技術、ＣＣＤを用いた三色温度測定技術、赤外線放射温度測定技術が含まれる。非接触式温度測定システムでは、測定回路は測定される対象物の表面から分離される。非接触式温度測定システムは、長距離測定や幾つかの特殊な場合に適用される。
【０００３】
米国特許出願公開第２００４/００６６８３３Ａ１号の特許出願は、光学的測定技術を用いた非接触温度測定装置を開示しており、該装置は、ユーザが使いやすいように、温度検出に対応した出力表示装置を備える。米国特許出願公開第２００７/００１９７０５Ａ１号の特許出願は、非接触温度測定能力を備えた流速計を開示しており、該流速計は、光学的測定技術を用いた温度センサを備える。米国特許出願公開第００５８２６９８０Ａ号の特許出願は、非接触温度計を開示しており、その非接触温度測定原理は、赤外線放射温度測定技術に基づくものである。米国特許出願公開第２００５／０１７８１９９Ａ１号の特許出願は、非接触温度測定能力を備えた湿度計を開示しており、その非接触温度測定原理は、光学的測定技術に基づくものである。米国特許出願公開第２００９／０２１０１９１Ａ１号の特許出願は、物理的に対象物に接触することなく対象物の温度を判定し、その外方放射のデータを利用して対象物の温度を測定するためのシステム及び方法を開示している。先行技術の非接触温度測定技術は、光学的温度測定技術により基づくものである。
【０００４】
しかしながら、測定対象物と測定装置との間に障害物があると、光学的温度測定技術を用いた非接触温度測定技術の場合、制限を伴う。例えば、高圧電力ケーブルの内部ケーブルコアの温度測定を例にとると、内部ケーブルコアが外側絶縁層により保護されており、赤外線が外側絶縁層を通り抜けることができず、したがって、赤外線放射温度測定技術をこの場合に使用することができない。絶縁層の存在により、スペクトル温度測定技術、ホログラフィー干渉法による温度測定技術、及びＣＣＤを用いた三色温度測定技術も制限されてしまう。一方で、コアワイヤが高電位にあるため、安全性を考慮して、回路との接触による直接の温度測定もできない。ファイバー温度測定技術が温度を測定するために使用される場合、電気的絶縁に関する問題は解決されるが、実際には、測定装置を実用化できるように設置することは実に困難である。したがって、高圧電力ケーブルの内部コアワイヤの温度を測定するために、信頼性の高い温度測定技術及び装置が至急必要とされている。そのような技術と装置により、温度による安全対策の準備が可能になり、したがって、高圧ケーブルを備えた電力機器の安全性に関する隠れた危険性がなくなる。その温度測定技術及び装置は、有望な市場を世界的に持つことになるであろう。
（発明の概要）
高圧ケーブルを有する電力機器用の非接触温度測定技術の不備を解消するために、本発明は、測定対象物と測定装置との間に障害物がある場合に適用される、結合を用いた非接触式温度測定システム及びその測定方法を提供する。結合を用いた非接触式温度測定システム及びその測定方法は、高圧電力ケーブルの内部コアワイヤの温度を確実に測定するために使用することができる。本発明により提供される非接触式温度測定システムは、単純な電気回路を備えるとともに低コストであり、小型設計に適し、様々な状況において使用できる。更に、その原理は結合を用いた非接触温度測定技術に基づくものであり、先行技術の光学的測定技術を用いた非接触温度測定技術とは異なり、また、新しい非接触温度測定分野へと拡張することが有望であり、国際市場における大規模な商業的成功を獲得するのにも有望である。本発明は次の技術を提案するものである。
【０００５】
結合を用いた非接触式温度測定システムであって、制御装置と、制御装置に接続される駆動回路であって、制御装置からの２つの駆動信号を増幅した後に、増幅された駆動信号を出力する駆動回路と、駆動回路に接続されるスイッチ回路であって、２つの増幅された駆動信号に基づいて方形波信号を出力するスイッチ回路と、前記スイッチ回路に接続される共振回路であって、前記方形波信号をＡＣ電圧信号に変換する共振回路と、前記共振回路に結合される温度センサであって、測定対象物の温度を感知するために使用され、作動電圧としてＡＣ電圧信号を扱い、測定対象物の温度に対応する温度電圧信号を生成し、該温度電圧信号を共振回路に送信する温度センサと、共振回路に接続される信号検出回路であって、共振回路により受け取られた温度電圧信号を収集して整形し、検出電圧信号を出力する信号検出回路とを備え、制御装置は信号検出回路に接続され、該制御装置は、測定対象物の温度を検出電圧信号に基づいて分析し、計算する、結合を用いた非接触式温度測定システム。
【０００６】
温度センサは、直列又は並列共振型回路であり、共振抵抗は熱抵抗である。
スイッチ回路は、２つのＭＯＳ電界効果トランジスタＱ１−Ｑ２及び２つのダイオードＤ１−Ｄ２を備え、ＭＯＳ電界効果トランジスタＱ１のソース電極は第１供給電圧に接続され、ＭＯＳ電界効果トランジスタＱ１のグリッド電極は、スイッチ回路の第１入力端子であり、駆動回路から出力された第１駆動信号を受け取り、ＭＯＳ電界効果トランジスタＱ１のドレイン電極はダイオードＤ１の正極に接続され、ＭＯＳ電界効果トランジスタＱ２のソース電極は接地され、ＭＯＳ電界効果トランジスタＱ２のグリッド電極はスイッチ回路の第２入力端子であり、駆動回路から出力された第２駆動信号を受け取り、ＭＯＳ電界効果トランジスタＱ２のドレイン電極はダイオードＤ２の負極に接続され、ダイオードＤ１の負極は、スイッチ回路の出力端子を形成するダイオードＤ２の正極に接続され、スイッチ回路の出力端子は方形波信号を出力する。
【０００７】
信号検出回路は、４つの抵抗器Ｒ３−Ｒ６と、１つのコンデンサＣ３と、１つの演算増幅器Ｕとを備え、抵抗器Ｒ３の一端は信号検出回路の入力端子であり、共振回路により受け取られた温度電圧信号を収集し、抵抗器Ｒ３は共振回路により受け取られた温度電圧信号を収集し、抵抗器Ｒ３の他端及び抵抗器Ｒ４の一端は演算増幅器Ｕの正相入力端子に接続され、抵抗器Ｒ４の他端は抵抗器Ｒ５の一端に接続されるとともに接地され、抵抗器Ｒ５の他端は演算増幅器Ｕの逆相入力端子と、抵抗器Ｒ６の一端と、コンデンサＣ３の一端とに接続され、演算増幅器Ｕの正電力端子は第２供給電圧に接続され、演算増幅器Ｕの負電力端子は第３供給電圧に接続され、演算増幅器Ｕの出力端子は抵抗器Ｒ６の他端と、信号検出回路の出力端子を形成するコンデンサＣ３の他端とに接続され、信号検出回路の出力端子は検出電圧信号を出力する。
【０００８】
共振回路は、直列共振型回路である。
制御装置は、ＤＳＰ（デジタル信号プロセッサ）である。
結合を用いた非接触式温度測定方法であって、（１）スイッチ回路が制御装置により駆動された方形波信号を出力し、方形波信号が、共振回路によりＡＣ電圧信号に変換され、その後、ＡＣ電圧信号が温度センサに結合され、制御装置が、温度センサが作動し始めた後に駆動を停止する工程と、（２）温度センサが測定対象物の温度を感知し、当該温度に対応する温度電圧信号が生成され、更に、温度電圧信号が共振回路に結合され、信号検出回路が、共振回路により受け取られた温度電圧信号を収集して整形し、調整後、対応する検出電圧信号を制御装置に提供する工程と、（３）制御装置が、検出電圧信号に基づいて測定対象物の温度を分析して計算する工程とを含む方法。
【０００９】
制御装置が測定対象物の温度を分析して計算する工程（３）においては、以下の工程を含む：
１）検出電圧信号の周期を取り出す工程；
２）検出電圧信号上で連続するＡ／Ｄサンプルを取り込み、サンプリングポイントとして検出電圧信号の３つの連続した周期のピーク点を取り出す工程；
３）検出電圧信号の周期及び３つのサンプリングポイントの電圧値に基づいて、式１を用いて検出電圧信号の減衰係数を計算する工程
【００１０】
【数１】
2015508495.tif 000003
【００１１】
式中、ｕ１、ｕ２、ｕ３はそれぞれ３つのサンプリングポイントの電圧値に対応し、ｔ１、ｔ２、ｔ３はそれぞれｕ１、ｕ２、ｕ３に対応する時点であり、ｔ２＝ｔ１＋Ｔ、ｔ３＝ｔ２＋Ｔであり、Ｔは周期、αは減衰係数である；及び
４）減衰係数に基づいて、温度センサが直列共振型回路である場合には式２を用いて、温度センサが並列共振型回路である場合には式３を用いて、温度センサの熱抵抗器の抵抗値を計算し、抵抗値分析に基づいて測定対象物の温度を計算する工程
【００１２】
【数２】
2015508495.tif 000004
【００１３】
【数３】
2015508495.tif 000005
【００１４】
式中、Ｒは温度センサの熱抵抗器の抵抗値であり、Ｃは温度センサの共振コンデンサの容量値である。
本発明における温度測定方法において、温度センサはこのシステムの他の構成部品から分離され、温度信号の伝達が電磁結合により実行され、温度信号に基づいて計算と分析が行われ、対象物の非接触式温度測定を実現する。本発明における温度測定方法は、高圧電力ケーブル中の内部コアワイヤの、信頼性の高い温度測定に適用することができる。本発明における温度測定システムは、単純な電気回路を備えるとともに低コストであり、小型設計に適し、様々な状況において使用できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明による、結合を用いた非接触式温度測定システムの好ましい一実施形態の構造図である。
【図２】本発明による、結合を用いた非接触式温度測定システムの好ましい実施形態の電気回路図である。
【図３】本発明による、結合を用いた非接触式温度測定システムの好ましい一実施形態の配置図である。図中、１は温度センサ、２は絶縁層、３はコアワイヤをそれぞれ表わす。
【図４】本発明による、結合を用いた非接触式温度測定システムの信号検出回路により収集された検出電圧信号の波形図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
発明をより分かり易く説明するために、図面及び詳細な実施形態に従って本発明における測定システム及びその方法を詳細に説明する。
図１及び図２に示すように、結合を用いた非接触式温度測定システムは、ＤＳＰと、駆動回路と、スイッチ回路１０１と、共振回路１０２と、信号検出回路１０４と、温度センサ１０３とを備える。
【００１７】
駆動回路は、ＤＳＰに接続され、ＤＰＳにより提供された２つの駆動信号を増幅した後に信号を出力する。本実施形態においては、駆動回路はインターナショナルレクティファイアー（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ）社のＩＲＦ２１１０チップである。
【００１８】
スイッチ回路１０１は、駆動回路に接続され、駆動回路により提供された２つの増幅された駆動信号に基づいて方形波信号を出力する。本実施形態では、スイッチ回路１０１は、２つのＭＯＳ電界効果トランジスタＱ１−Ｑ２及び２つのダイオードＤ１−Ｄ２を備え、ＭＯＳ電界効果トランジスタＱ１のソース電極は＋１２Ｖの供給電圧に接続され、ＭＯＳ電界効果トランジスタＱ１のグリッド電極は、スイッチ回路１０１の第１入力端子であり、駆動回路から第１駆動信号出力を受け取り、ＭＯＳ電界効果トランジスタＱ１のドレイン電極はダイオードＤ１の正極に接続され、ＭＯＳ電界効果トランジスタＱ２のソース電極は接地され、ＭＯＳ電界効果トランジスタＱ２のグリッド電極は、スイッチ回路１０１の第２入力端子であり、駆動回路から第２駆動信号出力を受け取り、ＭＯＳ電界効果トランジスタＱ２のドレイン電極はダイオードＤ２の負極に接続され、ダイオードＤ１の負極は、スイッチ回路１０１の出力端子を形成するダイオードＤ２の正極に接続され、スイッチ回路１０１の出力端子は方形波信号を出力する。
【００１９】
共振回路１０２はスイッチ回路１０１に接続され、方形波信号をＡＣ電圧信号に変換する。本実施形態において、共振回路１０２は直列共振型回路であり、１つの抵抗器Ｒ２と、１つのコンデンサＣ２と、１つのインダクタＬ２とを備え、抵抗器Ｒ２の一端が、共振回路１０２の入力端子を形成するコンデンサＣ２の一端に接続され、共振回路１０２の入力端子は、スイッチ回路１０１が受け取って出力した方形波信号を受け取り、コンデンサＣ２の他端はインダクタＬ２の一端に接続され、インダクタＬ２の他端は抵抗器Ｒ２の他端に接続されるとともに接地される。
【００２０】
温度センサ１０３は、共振回路１０２に結合され、共振回路１０２のインダクタに結合することにより得られたＡＣ電圧信号を作動電圧として取り込む。図３に示すように、本実施形態の測定対象は、高圧電力ケーブルの内部コアワイヤである。温度センサ１０３は、高圧電力ケーブルの絶縁層の内側に配置され、ケーブルの内部コアワイヤの温度を感知するために使用され、コアワイヤの温度に対応する温度電圧信号を生成し、結合を介して共振回路１０２に温度電圧信号を送信する。温度センサ１０３は、１つの熱抵抗器Ｒ１と、１つのコンデンサＣ１と、１つのインダクタＬ１とを備える直列共振型回路であり、熱抵抗器Ｒ１の一端はコンデンサＣ１の一端に接続され、コンデンサＣ１の他端はインダクタＬ１の一端に接続され、インダクタＬ１の他端は熱抵抗器Ｒ１の他端に接続され、インダクタＬ１は共振回路１０２のインダクタＬ２と結合される。本実施形態では、熱抵抗器Ｒ１の型はＰＴ１００である。
【００２１】
信号検出回路１０４は共振回路１０２に接続される。信号検出回路は、共振回路１０２により受け取られた温度電圧信号を収集して整形し、検出電圧信号を出力する。本実施形態では、信号検出回路１０４は、４つの抵抗器Ｒ３−Ｒ６と、１つのコンデンサＣ３と、１つの演算増幅器Ｕとを備える。抵抗器Ｒ３の一端は、信号検出回路１０４の入力端子であり、共振回路１０２により受け取られた温度電圧信号を収集するために共振回路１０２のインダクタＬ２の一端に接続され、抵抗器Ｒ３の他端及び抵抗器Ｒ４の一端は演算増幅器Ｕの正相入力端子に接続され、抵抗器Ｒ４の他端は、抵抗器Ｒ５の一端に接続されるとともに接地され、抵抗器Ｒ５の他端は、演算増幅器Ｕの逆相入力端子と、抵抗器Ｒ６の一端と、コンデンサＣ３の一端とに接続される。演算増幅器Ｕの正電力端子は＋５Ｖ供給電圧に接続され、演算増幅器Ｕの負電力端子は−５Ｖ供給電圧に接続される。演算増幅器Ｕの出力端子及び抵抗器Ｒ６の他端は、検出電圧信号を出力する信号検出回路１０４の出力端子を形成するコンデンサＣ３の他端に接続される。
【００２２】
ＤＳＰは信号検出回路１０４に接続され、信号検出回路１０４から出力された検出電圧信号を受け取り、検出電圧信号に基づいてケーブルの内部コアワイヤの温度を計算する。本実施形態では、ＤＳＰはテキサスインスツルメンツ（Ｔｅｘａｓ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ）社のＴＭＳ３２０Ｆ２８０３５チップである。
【００２３】
本実施形態における、結合を用いた非接触温度測定方法は、以下の工程を含む。
（１）ＤＰＳは、駆動回路を備えたスイッチ回路１０１の２つのＭＯＳ電界効果トランジスタＱ１−Ｑ２に１対の補完駆動信号をそれぞれ出力し、２つのＭＯＳ電界効果トランジスタＱ１−Ｑ２はスイッチ動作を補完し、スイッチ回路１０１に高周波方形波信号を出力させる。共振回路１０２は方形波信号をＡＣ電圧信号へ変換し、更にインダクタＬ２によりＡＣ電圧信号を温度センサ１０３に結合する。温度センサ１０３が安定して動作した後、ＤＳＰは駆動信号を出力することを停止し、その後、共振回路１０２のコンデンサＣ２及びインダクタＬ２は振動を停止し、急速に放電する。
【００２４】
（２）温度センサ１０３は、インダクタＬ１の結合が電流ループを形成することによりＡＣ電圧信号が得られた後、動作し始める。温度センサ１０３は、熱抵抗器Ｒ１を備えたケーブルの内部コアワイヤの温度を感知し、コアワイヤ温度に対応する温度電圧信号を生成し、更に、インダクタＬ１により温度電圧信号を共振回路１０２に結合する。信号検出回路１０４は、共振回路１０２のインダクタＬ２の結合により得られた温度電圧信号を収集し、整形後に、対応する検出電圧信号をＤＳＰに提供する。
【００２５】
（３）ＤＳＰは、検出電圧信号に基づいて検出電圧信号の周期を取り出し、検出電圧信号上でＡ／Ｄサンプルを連続的に取り込み、その後、検出電圧信号波パターンの３つの連続する周期のピーク点をサンプリングポイントとして取り出し、検出電圧信号の周期及び３つのサンプリングポイントの電圧に基づいて、検出電圧信号の減衰係数を式４を用いて計算する。
【００２６】
【数４】
2015508495.tif 000006
【００２７】
式中、ｕ１、ｕ２、ｕ３はそれぞれ３つのサンプリングポイントの対応する電圧値であり、ｔ１、ｔ２、ｔ３はそれぞれｕ１、ｕ２、ｕ３に対応する時点であり、ｔ２＝ｔ１＋Ｔ、ｔ３＝ｔ２＋Ｔであり、Ｔは周期、αは減衰係数である。
【００２８】
ＤＳＰは、減衰係数に基づき、式５を用いて温度センサ１０３の熱抵抗器１の値を計算し、更に抵抗値と熱抵抗器Ｒ１の温度との関係に基づきケーブルの内部コアワイヤの温度を計算する。
【００２９】
【数５】
2015508495.tif 000007
【００３０】
式中、Ｒは温度センサ１０３の熱抵抗器Ｒ１の抵抗値であり、Ｌは温度センサ１０３のインダクタＬ１のインダクタンス値である。
本発明の技術カテゴリは任意の部品の任意の組み合わせも含む。
【図１】
2015508495.tif 000011
【図２】
2015508495.tif 000012
【図３】
2015508495.tif 000013
【図４】
2015508495.tif 000014
【国際調査報告】
2015508495.tif 000015
2015508495.tif 000016
2015508495.tif 000017
2015508495.tif 000018
2015508495.tif 000019
2015508495.tif 000020