(57)【要約】本発明は、２層以上の中実シールド層を含む高シールド機能の極薄シールドフィルムを提供し、前記中実シールド層の一方の外表面には導電接着剤層が塗布されており、前記中実シールド層の他方の外表面には１層以上の絶縁フィルム層が設けられており、前記絶縁フィルム層の外表面にはキャリアフィルム層が設けられており、前記導電接着剤層の下面は保護膜で覆われている。さらに、本発明は高シールド機能の極薄シールドフィルムの作製方法を開示する。本発明は、２層以上の極薄の完全な中実シールド層を提供し、高周波の干渉信号を複数回にわたって反射および吸収可能であるとともに、余分な電荷をグランド層に導入することで、高シールド機能を実現可能である点で優れている。測定の結果、周波数が３００ＭＨｚを上回る場合、シールド機能は６０ｄＢ以上を達成可能であった。また、極薄の中実シールド層は良好な曲げ性能を提供可能であり、電子製品における軽量・薄型化要求が満たされる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
２層以上の中実シールド層を含むことを特徴とする高シールド機能の極薄シールドフィルム。
【請求項２】
前記中実シールド層は続く層の表面に順に形成されることを特徴とする請求項１に記載の高シールド機能の極薄シールドフィルム。
【請求項３】
前記中実シールド層は少なくとも２層の異なる材料からなることを特徴とする請求項２に記載の高シールド機能の極薄シールドフィルム。
【請求項４】
前記中実シールド層の一方の外表面には導電接着剤層が形成されており、前記中実シールド層の他方の外表面には１層以上の絶縁フィルム層が形成されている、ことを特徴とする請求項１に記載の高シールド機能の極薄シールドフィルム。
【請求項５】
前記絶縁フィルム層は、一体に接続された第１の絶縁フィルム層と第２の絶縁フィルム層からなり、厚みは３〜２５μｍである、ことを特徴とする請求項１に記載の高シールド機能の極薄シールドフィルム。
【請求項６】
前記第１の絶縁フィルム層用の材料として、ＰＰＳ、ＰＥＮ、ポリエステルまたはポリイミドフィルムを選択し、
第２の絶縁フィルム層は、塗布されたエポキシ樹脂、ポリウレタン系樹脂、アクリル樹脂またはポリイミド樹脂である、ことを特徴とする請求項５に記載の高シールド機能の極薄シールドフィルム。
【請求項７】
前記絶縁フィルム層の外表面はキャリアフィルム層により覆われており、前記導電接着剤層の外表面には必要に応じて保護膜が形成される、ことを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項に記載の高シールド機能の極薄シールドフィルム。
【請求項８】
前記中実シールド層の材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀または金か、あるいは、これら金属のうちいずれか１種類以上を含む金属合金か、あるいは、フェライト、カーボンナノチューブであり、厚みは０．０１〜０．５μｍの間である、ことを特徴とする請求項１に記載の高シールド機能の極薄シールドフィルム。
【請求項９】
前記中実シールド層の厚みは０．０１〜０．２μｍの間とすることを特徴とする請求項８に記載の高シールド機能の極薄シールドフィルム。
【請求項１０】
前記導電接着剤層のバインダーは、ポリスチロール系、酢酸ビニル類、ポリエステル類、ポリエチレン類、ポリアミド類、ゴム類、アクリル酸エステル類の熱可塑性樹脂とするか、あるいは、フェノール類、エポキシ類、カルバミン酸エステル類、メラミン類またはアルキド類の熱硬化性樹脂を使用し、導電性粒子は、炭素、銀、ニッケル、銅の粒子、ニッケル−金、銅−ニッケル、銅−銀、ニッケル−銀、ニッケル−金、銀コートガラスまたは銅−ニッケル−金の粒子、あるいはカーボンナノチューブであり、ペーストに対する導電性粒子の重量比は１０〜４００％であり、厚みは３〜５０μｍである、ことを特徴とする請求項４に記載の高シールド機能の極薄シールドフィルム。
【請求項１１】
導電接着剤層は厚みが５〜２０μｍ、重量比が１０〜１００％であり、
導電性粒子は、銀コート銅粒子、ニッケルコート銅粒子、銀粒子、銅粒子またはニッケル粒子とする、ことを特徴とする請求項４に記載の高シールド機能の極薄シールドフィルム。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の高シールド機能の極薄シールドフィルムの作製方法であって、
１）キャリアフィルム層上に絶縁フィルム層を形成するステップ、
２）絶縁フィルム層上に第１の中実シールド層を形成するステップ、
３）第１の中実シールド層の上面に少なくとも一層の中実シールド層を形成するステップ、
４）最外層の中実シールド層の外表面に導電接着剤層を形成するステップ、を含むことを特徴とする作製方法。
【請求項１３】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の高シールド機能の極薄シールドフィルムの作製方法であって、
１）剥離可能な２層以上の中実シールド層を必要に応じて形成するステップ、
２）前記中実シールド層の一方の外表面に絶縁フィルム層を形成するステップ、
３）前記中実シールド層の他方の外表面に所望の導電接着剤層を形成するステップ、を含むことを特徴とする作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フレキシブル回路基板およびリジッドフレキシブル回路基板用のシールドフィルム分野に関し、具体的には高シールド機能の極薄シールドフィルムおよびその作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子製品の軽量・薄型・短尺・小型化要求や、通信システムの高周波化および高速駆動に起因するモジュール内外での電磁干渉問題が深刻化しつつあり、電磁シールドは必須事項となっている。
【０００３】
現在、主な耐電磁干渉技術としては、シールド技術、グラウディング技術およびフィルタリング技術がある。回路基板としては、フレキシブル回路基板、リジッド基板およびリジッドフレキシブル回路基板があり、耐電磁干渉の実現は、主として導電性銀ペーストを印刷して金属銅層を増やすか、あるいは電磁シールドフィルムを接着するとの面から考慮されている。可撓性や厚みの面から考慮した場合、電磁シールドフィルムはより良好な操作性と実用性を備えており、フレキシブル回路基板やリジッドフレキシブル回路基板に広く応用されている。
【０００４】
従来のシールドフィルムは、以下のような構造に大別される。
【０００５】
第１の構造は次の通りである。
【０００６】
中国発明特許である特許文献１の「シールドフィルム、シールドプリント回路基板、シールドフレキシブルプリント回路基板、シールドフィルムの製造方法およびシールドプリント回路基板の製造方法」は、最外層のハード層と続く外層のソフト層から絶縁層を構成し、ソフト層に中実金属導体層を形成したのち、中実金属導体層に熱硬化性の導電接着剤層を形成したシールドフィルムを開示している。当該シールドフィルムは中実の金属シールド層を備えることから、高いシールド機能を有する。しかし、高周波となるにつれて、特に周波数が１ＧＨｚを超えると、そのシールド効果は大幅に低下してしまい、６０ｄＢ以上のシールド機能要求は満たせない。したがって、６０ｄＢ以上の安定したシールド機能を要求する製品については、依然として一定の厚みの銀ペーストを印刷することで実現しているメーカーが多い。
【０００７】
中国発明特許である特許文献２の「回路インピーダンスを変更可能な極薄シールドフィルム、回路基板およびその作製方法」が開示する製品構造は３層構造であり、絶縁層を最外層、続く層を金属導体層とし、最後に金属導体層に対して熱硬化性の導電接着剤層を塗布している。当該発明特許では、金属導体層のグリッド寸法を変更することで最終的なインピーダンス制御を実現することを要点としており、同時にシールドフィルム機能も兼ね備えている。しかし、そのシールド機能は上述のシールドフィルムに相当し、同様の不備が存在する。
【０００８】
また、上記２つの特許出願は、いずれも金属導体層に続いて導電接着剤を塗布する構造でシールド機能を実現しており、一般的な意味でのシールドフィルムにすぎない。
【０００９】
第２の構造は次の通りである。
【００１０】
中国発明特許である特許文献３の「導電層を備えた電子モジュール、および導電接着剤フィルムとその製造方法」は２層構造からなるものを開示しており、最外層を金属導体層、続く層を導電接着剤層としている。第１の構造と比較すると、最外層に絶縁層は設けられず、最外層が金属に直接接続可能とされている。このシールド構造では金属導体層に続いて導電接着剤層を塗布しており、シールド機能としては上述の第１の構造と本質的に変わらない。
【００１１】
第３の構造は次の通りである。
【００１２】
中国発明特許である特許文献４の「電磁波シールド性接着フィルム、その製造方法ならびに被接着物の電磁波遮蔽方法」は２層構造からなるものを開示しており、最外層を絶縁層、続く層を全方位の導電接着剤層としている。第１および第２の構造と比較して、当該構造は中実の金属薄膜層構造を備えないため、さらなる薄型化要求を実現可能であるとともに、耐曲げ性能にいっそう優れ、より廉価となる。しかし、シールドフィルムとして最も重要な指標はシールド機能であるのに対し、当該構造は中実のシールド金属導体層を備えないことから、伝達周波数が１ＧＨｚを上回る場合に、シールド機能は４０ｄＢを達成不可能である。
【００１３】
第４の構造は次の通りである。
【００１４】
中国発明特許である特許文献５の「高熱伝導および電磁シールド機能を備える複合材料」はシールド層を２層備えるものを開示しているが、電磁シールド層は碁盤の目状となっており、両シールド層の間を高熱伝導層内に設けることで形成している。一方、その熱伝導接着剤は熱伝導粒子を含むことから、シールド層内に蓄積された電荷をグランド層に導入して安定した高周波信号シールドを実現することは不可能である。また他方では、金属導体層は中実の金属シールド構造ではなく碁盤の目状であるため、極めて高いシールド機能は実現できない。
【００１５】
第５の構造は次の通りである。
【００１６】
中国発明特許である特許文献６の「二重電磁シールドフィルム」は、オーステナイト系のニッケルクロム類ステンレスをスパッタリングターゲットとする二重電磁シールドフィルムについて開示しているが、これはプラスチック表面に対する加工であり、かつ、全体として生産効率が極めて低く、ロール状の極薄シールドフィルムの大規模生産は実現できない。
【００１７】
第６の構造は次の通りである。
【００１８】
中国発明特許である特許文献７の「シールド構造および当該シールド構造を備えるフレキシブルプリント回路基板」は、塗布により片面フレキシブル銅張板構造を形成してから金属層に導電接着剤を塗布してなるシールドフィルムを開示しており、金属銅層を１〜６
μｍの間、ポリイミドを３〜１０μｍの範囲としている。しかし、金属層の厚みが１μｍを超えており、現在市販されているシールド金属層の厚みよりも遥かに厚いことから、硬度が大幅に増加し、可撓性要求への対応には不利である。また、当該構造の金属箔は支持キャリアを必要とするため工程が複雑となり、コストが高騰し、市場競争力に乏しい。
【００１９】
第７の構造は次の通りである。
【００２０】
中国発明特許である特許文献８の「プリント配線板用シールドフィルムおよびプリント配線板」はシールドフィルムを開示しており、大きな曲げ半径から小さな曲げ半径になるまでの繰り返し屈曲および摺動に対して金属層の破壊が起こりにくいプリント配線板用シールドフィルムおよびプリント配線板を得ている。しかし、当該第１の金属層は１種類以上の鱗片状金属粒子で形成された層であり、第２の金属層は複数の孔を有する多孔質層であるため、極めて高いシールド機能の実現は困難である。
【００２１】
上述した構造は、１層の完全な金属導体層に導電接着剤を塗布した構造か、１層の全方位の導電接着剤のみを備える構造か、中実の金属導体層およびグラウディング設計を備えずに２層のグリッド金属導体層を備えた熱伝導構造設計かのいずれかである。もしくは、６０ｄＢ以上のシールド機能を達成できないか、曲げ性能または剥離強度または抗酸化性能を満たせないか、極薄ロール状の大規模生産が不可能かのいずれかである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２２】
【特許文献１】中国特許ＣＮ１０１１７６３８８Ａ号公報
【特許文献２】中国特許ＣＮ１０１４４８３６２Ｂ号公報
【特許文献３】中国特許ＣＮ１８４２２４５Ａ号公報
【特許文献４】中国特許ＣＮ１０１１２０６２７Ａ号公報
【特許文献５】中国特許ＣＮ２６２６１９３Ｙ号公報
【特許文献６】中国特許ＣＮ１８１９７５８Ａ号公報
【特許文献７】中国特許ＣＮ１０１５２１９８５Ａ号公報
【特許文献８】中国特許ＣＮ１０１７７２９９６Ａ号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２３】
本発明は従来技術における上記の課題を解決するものであって、耐干渉性に優れ、良好な曲げ性能を供与可能であるとともに、電子製品における軽量・薄型化要求を満たす高シールド機能の極薄シールドフィルムを提供することを目的とする。
【００２４】
また、本発明は、高シールド機能の極薄シールドフィルムの作製方法を提供することを他の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
本発明は、２層以上の中実シールド層を含む高シールド機能の極薄シールドフィルムによって実現される。
【００２６】
前記中実シールド層同士は、続く層の表面に順に形成される。
【００２７】
前記中実シールド層は少なくとも２層の異なる材料からなる。
【００２８】
前記最外層の中実シールド層の一方の外表面には導電接着剤層が形成されており、前記最外層の中実シールド層の一方の外表面には絶縁フィルム層が形成されている。
【００２９】
前記絶縁フィルム層は、各種絶縁薄膜層としてもよいし、各種樹脂層としてもよいし、絶縁層の薄膜上に必要に応じて異なる樹脂を塗布することで複合的に形成してもよい。
【００３０】
前記絶縁フィルム層の外表面はキャリアフィルム層により覆われており、前記導電接着剤層の外表面には必要に応じて保護膜を形成してもよい。
【００３１】
前記絶縁フィルム層は、一体に接続された第１の絶縁フィルム層と第２の絶縁フィルム層からなり、厚みは３〜２５μｍである。前記第１の絶縁フィルム層用の材料としては、ポリフェニレンスルファイド（ＰＰＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエステルまたはポリイミドフィルムを選択し、第２の絶縁フィルム層は、塗布されたエポキシ樹脂、ポリウレタン系樹脂、アクリル樹脂またはポリイミド樹脂である。
【００３２】
前記中実シールド層の材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀または金か、あるいは、これら金属のうちいずれか１種類以上を含む金属合金であり、ニッケル−クロム合金、銅−ニッケル合金、チタン−マンガン合金、ニッケル−クロム類ステンレス等の材質を含むが、これに限らない。また、フェライトやカーボンナノチューブ等の材質としてもよい。厚みは０．０１〜０．５μｍの間とし、曲げ要求を考慮して、厚みは０．０１〜０．２μｍの間とすることが好ましい。
【００３３】
前記導電接着剤層のバインダーは、ポリスチロール系、酢酸ビニル類、ポリエステル類、ポリエチレン類、ポリアミド類、ゴム類、アクリル酸エステル類等の熱可塑性樹脂とするか、あるいは、フェノール類、エポキシ類、カルバミン酸エステル類、メラミン類またはアルキド類の熱硬化性樹脂を使用し、導電性粒子は、炭素、銀、ニッケル、銅の粒子、ニッケル−金、銅−ニッケル、銅−銀、ニッケル−銀、ニッケル−金、銀コートガラスまたは銅−ニッケル−金の粒子、あるいはカーボンナノチューブとすればよく、ペーストに対する導電性粒子の重量比は１０〜４００％とする。実際の要求に応じて、導電接着剤層の厚みは３〜２０μｍ、重量比は１０〜１００％とすることが好ましい。信頼性とコストの両面から考慮して、導電性粒子は銀コート銅粒子、ニッケルコート銅粒子、銀粒子、銅粒子、ニッケル粒子とすることが好ましく、バインダーは、耐高温性の熱硬化性能を備えたエポキシ樹脂またはアクリル樹脂とすることが好ましく、硬化条件として、温度を８０〜１５０℃、時間を２０〜１分とする。前記保護膜としては、廉価で一定の温度に耐え得るポリエステル保護膜を選択するが、ポリエステルシリコーン保護膜としてもよく、厚みは２５〜１２５μｍとする。
【００３４】
シールド機能が極めて高い極薄シールドフィルムの作製方法は、以下の作製ステップを含む。
【００３５】
１）キャリアフィルム層上に絶縁フィルム層を形成する。
【００３６】
２）絶縁フィルム層上に第１の中実シールド層を形成する。
【００３７】
３）第１の中実シールド層の上面に少なくとも一層の中実シールド層を形成する。
【００３８】
４）最外層の中実シールド層の外表面に導電接着剤層を形成する。
【００３９】
以上の操作ステップは順に実施してもよいし、次の第２の作製ステップとしてもよい。
【００４０】
シールド機能が極めて高い極薄シールドフィルムの作製方法は、以下の作製ステップを含む。
【００４１】
１）剥離可能な２層以上の中実シールド層を必要に応じて形成する。
【００４２】
２）前記中実シールド層の一方の外表面に絶縁フィルム層を形成する。
【００４３】
３）前記中実シールド層の他方の外表面に所望の導電接着剤層を形成する。
【００４４】
前記導電接着剤層の外表面に、必要に応じて保護膜を形成する。
【００４５】
上記により形成されたシールドフィルムの構造は、前述の手順により形成される構造と一致するが、工程が異なる。
【００４６】
絶縁フィルム層用の材料としては、ＰＰＳ、ＰＥＮ、ポリエステル、ポリイミドフィルムを選択するか、あるいは、変性エポキシ樹脂、ポリウレタン系樹脂、変性アクリル樹脂またはポリイミド樹脂を塗布するか、あるいは、絶縁層の薄膜に必要に応じて異なる樹脂を塗布することで複合的に形成する。前記絶縁フィルム層の厚みは３〜２５μｍ、好ましくは３〜７μｍであり、十分な可撓性と絶縁耐力が保証される。２層以上の中実シールド層は異なる電磁シールド面を備えることから、干渉信号を複数回にわたり反射および吸収可能であり、高周波および高速の干渉信号に対する高度なシールドを実現する。中実シールド層と回路基板は導電接着剤を介して電気接続されるため、干渉信号による電荷のスムーズな接地が保証され、高度なシールドが実現される。
【発明の効果】
【００４７】
従来技術と比較して、本発明は以下の点で優れている。すなわち、２層以上の極薄の中実シールド層を提供し、高周波の干渉信号を複数回にわたって反射および吸収可能であるとともに、余分な電荷をグランド層に導入することで極めて高いシールド機能を実現可能である。測定の結果、周波数が３００ＭＨｚを上回る場合、シールド機能は６０ｄＢ以上を達成可能であった。また、異なるシールド層を設けることから、高い剥離強度や抗酸化性能を実現可能であるとともに、極薄のシールド層は良好な曲げ性能を提供可能なことから、電子製品における軽量・薄型化の要求が満たされる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】図１は、本発明における高シールド機能の極薄シールドフィルムの実施例１の断面構造図である。
【図２】図２は、本発明における高シールド機能の極薄シールドフィルムの実施例２の断面構造図である。
【図３】図３は、本発明における高シールド機能の極薄シールドフィルムの実施例３の断面構造図である。
【図４】図４は、本発明における高シールド機能の極薄シールドフィルムの実施例４の断面構造図である。
【図５】図５は、本発明における高シールド機能の極薄シールドフィルムの実施例５の断面構造図である。
【図６】図６は、本発明における高シールド機能の極薄シールドフィルムの実施例６の断面構造図である。
【発明を実施するための形態】
【００４９】
以下、図面と具体的実施例を組み合わせて本発明をさらに詳細に説明する。
【００５０】
実施例１
高シールド機能の極薄シールドフィルムは、図１に示すように、第１の中実シールド層１と第２の中実シールド層２という２層の中実シールド層を含む。前記第１の中実シールド層１は前記第２の中実シールド層２の表面に形成されている。前記第２の中実シールド層２の外表面には導電接着剤層８が形成されており、前記第１の中実シールド層１の外表面には絶縁フィルム層１０が形成されている。絶縁フィルム層１０の上面はキャリアフィルム層１１で覆われており、前記導電接着剤層８の下面は保護膜９で覆われている。キャリアフィルム層１１は絶縁フィルム層１０を支持する作用を奏し、後続の加工に寄与する。保護膜９は導電接着剤層８を保護する作用を奏し、これも後続の加工に寄与するほか、外部からの汚染を防止可能とする。なお、前記第１の中実シールド層１と第２の中実シールド層２は、導電接着剤層８を通じて接地が実現される。
【００５１】
高シールド機能の極薄シールドフィルムの作製方法に含まれる具体的作製ステップを以下に述べる。
【００５２】
１）キャリアフィルム層１１に絶縁フィルム層１０を形成する。絶縁フィルム層１０の厚みは３〜２５μｍとする。絶縁フィルム層１０用の材料としては、ＰＰＳ、ＰＥＮ、ポリエステル、ポリイミドフィルムを選択するか、あるいは、エポキシ樹脂、ポリウレタン系樹脂、アクリル樹脂またはポリイミド樹脂を塗布する。好ましくは、厚みを３〜８μｍの間とする。
【００５３】
２）絶縁フィルム層上に所望の第１の中実シールド層を形成する。前記第１の中実シールド層の材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀、金およびこれら材料のうちいずれか１種類以上を含む金属合金とすればよく、ニッケル−クロム合金、銅−ニッケル合金、チタン−マンガン合金、ニッケル−クロム類ステンレス等の材質を含むが、これに限らない。また、フェライトやカーボンナノチューブ等の材質としてもよい。厚みは０．０１〜０．５μｍの間とし、化学めっき方式、物理気相成長（ＰＶＤ）、化学気相成長（ＣＶＤ）、電子銃蒸着、スパッタリング、電気めっき、またはこれらを複合して形成すればよい。曲げ要求を考慮して、厚みは０．０１〜０．２μｍの間とすることが好ましい。
【００５４】
３）前記第１の中実シールド層１上に所望の第２の中実シールド層２を形成する。第２の中実シールド層２の材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀、金およびこれら材料のうちいずれか１種類以上を含む金属合金とすればよく、ニッケル−クロム合金、銅−ニッケル合金、チタン−マンガン合金、ニッケル−クロム類ステンレス等の材質を含むが、これに限らない。また、フェライトやカーボンナノチューブ等の材質としてもよい。厚みは０．０１〜３μｍの間とし、化学めっき方式、物理気相成長（ＰＶＤ）、化学気相成長（ＣＶＤ）、電子銃蒸着、スパッタリング、電気めっき、またはこれらを複合して形成すればよい。シールド機能を考慮して、第１の中実シールド層と第２の中実シールド層は異なるシールド材料とする。前記第２の中実シールド層の厚みは０．０１〜１μｍの間とすることが好ましい。
【００５５】
４）第２の中実シールド層２の外表面に導電接着剤層を塗布し、硬化する。前記導電接着剤層のバインダーは、ポリスチロール系、酢酸ビニル類、ポリエステル類、ポリエチレン類、ポリアミド類、ゴム類、アクリル酸エステル類等の熱可塑性樹脂とするか、あるいは、フェノール類、エポキシ類、カルバミン酸エステル類、メラミン類またはアルキド類の熱硬化性樹脂を使用するものとし、導電性粒子は、炭素、銀、ニッケル、銅の粒子、ニッケル−金、銅−ニッケル、銅−銀、ニッケル−銀、ニッケル−金、銀コートガラスまたは銅−ニッケル−金の粒子、あるいはカーボンナノチューブとすればよく、ペーストに対する導電性粒子の重量比は１０〜４００％とする。実際の要求に応じて、導電接着剤層の厚みは５〜２０μｍ、重量比は１０〜１００％とすることが好ましい。信頼性とコストの両面から考慮して、導電性粒子は銀コート銅粒子、ニッケルコート銅粒子、銀粒子、銅粒子、ニッケル粒子とすることが好ましく、バインダーは、耐高温性の熱硬化性能を備えた変性エポキシ樹脂または変性アクリル樹脂とすることが好ましく、厚みを３〜５０μｍとし、硬化条件として、温度を８０〜１５０℃、時間を２０〜１分とする。
【００５６】
５）導電接着剤層８を離型可能な保護膜９で覆う。前記保護膜９としては、廉価で一定の温度に耐え得るポリエステル保護膜を選択するが、ポリエステルシリコーン保護膜としてもよく、厚みは２５〜１２５μｍとする。
【００５７】
実施例２
高シールド機能の極薄シールドフィルムは、図２に示すように、第１の中実シールド層１、第２の中実シールド層２および第３の中実シールド層３という３層の中実シールド層を含む。前記第１の中実シールド層１、第２の中実シールド層２および第３の中実シールド層３は、一層ずつ順に次の層の外表面上に形成されている。前記第３の中実シールド層３の外表面には導電接着剤層８が形成されており、前記第１の中実シールド層１の外表面には絶縁フィルム層１０が形成されている。絶縁フィルム層１０の上面はキャリアフィルム層１１で覆われており、前記導電接着剤層８の下面は保護膜９で覆われている。キャリアフィルム層１１は絶縁フィルム層１０を支持する作用を奏し、後続の加工に寄与する。保護膜９は導電接着剤層８を保護する作用を奏し、これも後続の加工に寄与するほか、外部からの汚染を防止可能とする。前記第１の中実シールド層１、第２の中実シールド層２および第３の中実シールド層３は、導電接着剤層を通じて接地を実現する。
【００５８】
高シールド機能の極薄シールドフィルムの作製方法に含まれる具体的作製ステップを以下に述べる。
【００５９】
１）キャリアフィルム層１１に絶縁フィルム層１０を形成する。絶縁フィルム層１０の厚みは３〜２５μｍとする。絶縁フィルム層用の材料としては、ＰＰＳ、ＰＥＮ、ポリエステル、ポリイミドフィルムを選択するか、あるいは、エポキシ樹脂、ポリウレタン系樹脂、アクリル樹脂またはポリイミド樹脂を塗布する。好ましくは、厚みを３〜８μｍの間とする。
【００６０】
２）絶縁フィルム層１０上に所望の第１の中実シールド層を形成する。前記第１の中実シールド層の材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀、金およびこれら材料のうちいずれか１種類以上を含む合金金属層とすればよく、ニッケル−クロム合金、銅−ニッケル合金、チタン−マンガン合金、ニッケル−クロム類ステンレス等の材質を含むが、これに限らない。また、フェライトやカーボンナノチューブ等の材質としてもよい。厚みは０．０１〜０．５μｍの間とし、化学めっき方式、ＰＶＤ、ＣＶＤ、電子銃蒸着、スパッタリング、電気めっき、あるいはこれらを複合して形成すればよい。曲げ要求を考慮して、厚みは０．０１〜０．２μｍの間とすることが好ましい。
【００６１】
３）前記第１の中実シールド層１上に所望の第２の中実シールド層２を形成する。第２の中実シールド層２の材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀、金およびこれら材料のうちいずれか１種類以上を含む合金金属層とすればよく、ニッケル−クロム合金、銅−ニッケル合金、チタン−マンガン合金、ニッケル−クロム類ステンレス等の材質を含むが、これに限らない。また、フェライトやカーボンナノチューブ等の材質としてもよい。厚みは０．０１〜３μｍの間とし、化学めっき方式、ＰＶＤ、ＣＶＤ、電子銃蒸着、スパッタリング、電気めっき、あるいはこれらを複合して形成すればよい。第１の中実シールド層と第２の中実シールド層は異なるシールド材料とする。第２の中実シールド層の厚みは０．０１〜０．５μｍの間とすることが好ましい。
【００６２】
４）前記第２の中実シールド層２上に所望の第３の中実シールド層３を形成する。第３の中実シールド層３の材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀、金およびこれら材料のうちいずれか１種類以上を含む合金金属層とし、ニッケル−クロム合金、銅−ニッケル合金、チタン−マンガン合金、ニッケル−クロム類ステンレス等の材質を含むが、これに限らない。また、フェライトやカーボンナノチューブ等の材質としてもよい。厚みは０．０１〜３μｍの間とし、化学めっき方式、ＰＶＤ、ＣＶＤ、電子銃蒸着、スパッタリング、電気めっき、あるいはこれらを複合して形成すればよい。第２の中実シールド層２と第３の中実シールド層３は異なるシールド材料とすればよく、両者の工程を異ならせてもよい。第３の中実シールド層３はシールド機能を増強可能であり、好ましくは、厚みを０．０１〜１μｍの間とする。
【００６３】
５）第３の中実シールド層３の外表面に導電接着剤層８を塗布し、硬化する。前記導電接着剤層のバインダーは、ポリスチロール系、酢酸ビニル類、ポリエステル類、ポリエチレン類、ポリアミド類、ゴム類、アクリル酸エステル類等の熱可塑性樹脂とするか、あるいは、フェノール類、エポキシ類、カルバミン酸エステル類、メラミン類またはアルキド類の熱硬化性樹脂を使用するものとし、導電性粒子は、炭素、銀、ニッケル、銅の粒子、ニッケル−金、銅−ニッケル、銅−銀、ニッケル−銀、ニッケル−金、銀コートガラスまたは銅−ニッケル−金の粒子、あるいはカーボンナノチューブとすればよく、ペーストに対する導電性粒子の重量比は１０〜４００％とする。実際の要求に応じて、導電接着剤層の厚みは５〜２０μｍ、重量比は１０〜１００％とすることが好ましい。信頼性とコストの両面から考慮して、導電性粒子は銀コート銅粒子、ニッケルコート銅粒子、銀粒子、銅粒子、ニッケル粒子とすることが好ましく、バインダーは、耐高温性の熱硬化性能を備えた変性エポキシ樹脂または変性アクリル樹脂とすることが好ましく、厚みを３〜５０μｍとし、硬化条件として、温度を８０〜１５０℃、時間を２０〜１分とする。
【００６４】
６）導電接着剤層を離型可能な保護膜で覆う。前記保護膜としては、廉価で一定の温度に耐え得るポリエステル保護膜を選択するが、ポリエステルシリコーン保護膜としてもよく、厚みは２５〜１２５μｍとする。
【００６５】
実施例３
高シールド機能の極薄シールドフィルムは、図３に示すように、第１の中実シールド層１、第２の中実シールド層２、第３の中実シールド層３および第４の中実シールド層４という４層の中実シールド層を含む。前記第１の中実シールド層１、第２の中実シールド層２、第３の中実シールド層３および第４の中実シールド層４は、一層ずつ順に次の層の外表面上に形成されている。前記第４の中実シールド層４の外表面には導電接着剤層８が形成されており、前記第１の中実シールド層１の外表面には絶縁フィルム層１０が形成されている。絶縁フィルム層１０の上面はキャリアフィルム層１１で覆われており、前記導電接着剤層８の下面は保護膜９で覆われている。キャリアフィルム層１１は絶縁フィルム層１０を支持する作用を奏し、後続の加工に寄与する。保護膜９は導電接着剤層８を保護する作用を奏し、これも後続の加工に寄与するほか、外部からの汚染を防止可能とする。４層の中実シールド層は、導電接着剤層を通じて接地を実現する。
【００６６】
高シールド機能の極薄シールドフィルムの作製方法に含まれる具体的作製ステップを以下に述べる。
【００６７】
１）キャリアフィルム層１１に絶縁フィルム層１０を形成する。絶縁フィルム層１０の厚みは３〜２５μｍとする。絶縁フィルム層用の材料としては、ＰＰＳ、ＰＥＮ、ポリエステル、ポリイミドフィルムを選択するか、あるいは、変性エポキシ樹脂、ポリウレタン系樹脂、変性アクリル樹脂またはポリイミド樹脂を塗布する。好ましくは、厚みを３〜８μｍの間とする。
【００６８】
２）絶縁フィルム層上に所望の第１の中実シールド層１を形成する。前記第１の中実シールド層１の材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀、金およびこれら材料のうちいずれか１種類以上を含む合金金属層とし、ニッケル−クロム合金、銅−ニッケル合金、チタン−マンガン合金、ニッケル−クロム類ステンレス等の材質を含むが、これに限らない。また、フェライトやカーボンナノチューブ等の材質としてもよい。厚みは０．０１〜０．５μｍの間とし、化学めっき方式、ＰＶＤ、ＣＶＤ、電子銃蒸着、スパッタリング、電気めっき、あるいはこれらを複合して形成すればよい。曲げ要求を考慮して、厚みは０．０１〜０．２μｍの間とすることが好ましい。
【００６９】
３）前記第１の中実シールド層１上に所望の第２の中実シールド層２を形成する。第２の中実シールド層の材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀、金およびこれら材料のうちいずれか１種類以上を含む合金金属層とし、ニッケル−クロム合金、銅−ニッケル合金、チタン−マンガン合金、ニッケル−クロム類ステンレス等の材質を含むが、これに限らない。また、フェライトやカーボンナノチューブ等の材質としてもよい。厚みは０．０１〜３μｍの間とし、化学めっき方式、ＰＶＤ、ＣＶＤ、電子銃蒸着、スパッタリング、電気めっき、あるいはこれらを複合して形成すればよい。第１の中実シールド層１と第２の中実シールド層２は異なるシールド材料とする。第２の中実シールド層２の厚みは０．０１〜０．５μｍの間とすることが好ましい。
【００７０】
４）前記第２の中実シールド層２上に所望の第３の中実シールド層３を形成する。第３の中実シールド層３の材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀、金およびこれら材料のうちいずれか１種類以上を含む合金金属層とし、ニッケル−クロム合金、銅−ニッケル合金、チタン−マンガン合金、ニッケル−クロム類ステンレス等の材質を含むが、これに限らない。また、フェライトやカーボンナノチューブ等の材質としてもよい。厚みは０．０１〜３μｍの間とし、化学めっき方式、ＰＶＤ、ＣＶＤ、電子銃蒸着、スパッタリング、電気めっき、あるいはこれらを複合して形成すればよい。第２の中実シールド層と第３の中実シールド層は異なるシールド材料とすればよく、両者の工程を異ならせてもよい。第３の中実シールド層はシールド機能を増強可能であり、好ましくは、厚みを０．０１〜１μｍの間とする。
【００７１】
５）前記第３の中実シールド層３上に所望の第４の中実シールド層４を形成する。第４の中実シールド層４の材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀、金およびこれら材料のうちいずれか１種類以上を含む合金金属層とし、ニッケル−クロム合金、銅−ニッケル合金、チタン−マンガン合金、ニッケル−クロム類ステンレス等の材質を含むが、これに限らない。また、フェライトやカーボンナノチューブ等の材質としてもよい。厚みは０．０１〜３μｍの間とし、化学めっき方式、ＰＶＤ、ＣＶＤ、電子銃蒸着、スパッタリング、電気めっき、あるいはこれらを複合して形成すればよい。第４の中実シールド層と第３の中実シールド層は異なるシールド材料とすればよく、第４の中実シールド層はシールド機能を高め、抗酸化性能を向上可能である。厚みは０．０１〜１μｍの間とすることが好ましい。
【００７２】
６）第４の中実シールド層４の外表面に導電接着剤層を塗布し、硬化する。前記導電接着剤層のバインダーは、ポリスチロール系、酢酸ビニル類、ポリエステル類、ポリエチレン類、ポリアミド類、ゴム類、アクリル酸エステル類等の熱可塑性樹脂とするか、あるいは、フェノール類、エポキシ類、カルバミン酸エステル類、メラミン類またはアルキド類の熱硬化性樹脂を使用するものとし、導電性粒子は、炭素、銀、ニッケル、銅の粒子、ニッケル−金、銅−ニッケル、銅−銀、ニッケル−銀、ニッケル−金、銀コートガラスまたは銅−ニッケル−金の粒子、あるいはカーボンナノチューブとすればよく、ペーストに対する導電性粒子の重量比は１０〜４００％とする。実際の要求に応じて、導電接着剤層の厚みは５〜２０μｍ、重量比は１０〜１００％とすることが好ましい。信頼性とコストの両面から考慮して、導電性粒子は銀コート銅粒子、ニッケルコート銅粒子、銀粒子、銅粒子、ニッケル粒子とすることが好ましく、バインダーは、耐高温性の熱硬化性能を備えた変性エポキシ樹脂または変性アクリル樹脂とすることが好ましく、厚みを３〜５０μｍとし、硬化条件として、温度を８０〜１５０℃、時間を２０〜１分とする。
【００７３】
７）導電接着剤層を離型可能な保護膜で覆う。前記保護膜としては、廉価で一定の温度に耐え得るポリエステル保護膜を選択するが、ポリエステルシリコーン保護膜としてもよく、厚みは２５〜１２５μｍとする。
【００７４】
実施例４
高シールド機能の極薄シールドフィルムは、図４に示すように、第１の中実シールド層１と第２の中実シールド層２という２層の中実シールド層を含む。前記第２の中実シールド層２は第１の中実シールド層１の表面に形成されている。前記第２の中実シールド層２の外表面には導電接着剤層８が形成されており、前記第１の中実シールド層１の外表面には第１の絶縁フィルム層１３が形成されている。第１の絶縁フィルム層１３の外表面には第２の絶縁フィルム層１０が形成されており、第２の絶縁フィルム層１０の上面はキャリアフィルム層１１で覆われており、前記導電接着剤層８の下面は保護膜９で覆われている。キャリアフィルム層１１は第１の絶縁フィルム層１３と第２の絶縁フィルム層１０を支持する作用を奏し、後続の加工に寄与する。保護膜９は導電接着剤層８を保護する作用を奏し、これも後続の加工に寄与するほか、外部からの汚染を防止可能とする。両中実シールド層は、導電接着剤層８を通じて接地を実現する。
【００７５】
高シールド機能の極薄シールドフィルムの作製方法に含まれる具体的作製ステップを以下に述べる。
【００７６】
１）キャリアフィルム層上に第２の絶縁フィルム層１０を形成し、当該第２の絶縁フィルム層１０上に第１の絶縁フィルム層１３を形成し、前記第２の絶縁フィルム層１０と第１の絶縁フィルム層１３の全厚みを３〜２５μｍとする。前記第２の絶縁フィルム層１０用材料としては、ＰＰＳ、ＰＥＮ、ポリエステル、ポリイミドフィルムを選択し、第１の絶縁フィルム層１３は、変性エポキシ樹脂、ポリウレタン系樹脂、変性アクリル樹脂またはポリイミド樹脂を塗布して形成する。前記第２の絶縁フィルム層１０と第１の絶縁フィルム層１３は、必要に応じて順序を入れ替えてもよい。すなわち、キャリアフィルム側を第１の絶縁フィルム層１３とし、続いて第２の絶縁フィルム層１０としてもよく、図面の構造に限定されない。複数の絶縁層の設置は、絶縁層圧着時の耐破断能力を向上させて、より高次の圧着要求を実現することを目的とする。好ましくは、絶縁層の厚み合計を３〜８μｍの間とする。
【００７７】
２）絶縁フィルム層上に所望の第１の中実シールド層を形成する。前記第１の中実シールド層の材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀、金およびこれら材料のうちいずれか１種類以上を含む合金金属層とし、ニッケル−クロム合金、銅−ニッケル合金、チタン−マンガン合金、ニッケル−クロム類ステンレス等の材質を含むが、これに限らない。また、フェライトやカーボンナノチューブ等の材質としてもよい。厚みは０．０１〜０．５μｍの間とし、化学めっき方式、ＰＶＤ、ＣＶＤ、電子銃蒸着、スパッタリング、電気めっき、あるいはこれらを複合して形成すればよい。曲げ要求を考慮して、厚みは０．０１〜０．２μｍの間とすることが好ましい。
【００７８】
３）前記第１の中実シールド層上に所望の第２の中実シールド層を形成する。第２の中実シールド層の材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀、金およびこれら材料のうちいずれか１種類以上を含む合金金属層とし、ニッケル−クロム合金、銅−ニッケル合金、チタン−マンガン合金、ニッケル−クロム類ステンレス等の材質を含むが、これに限らない。また、フェライトやカーボンナノチューブ等の材質としてもよい。厚みは０．０１〜３μｍの間とし、化学めっき方式、ＰＶＤ、ＣＶＤ、電子銃蒸着、スパッタリング、電気めっき、あるいはこれらを複合して形成すればよい。シールド機能を考慮して、第１の中実シールド層と第２の中実シールド層は異なるシールド材料とする。第２の中実シールド層の厚みは０．０１〜１μｍの間とすることが好ましい。
【００７９】
４）第２の中実シールド層の外表面に導電接着剤層を塗布し、硬化する。前記導電接着剤層のバインダーは、ポリスチロール系、酢酸ビニル類、ポリエステル類、ポリエチレン類、ポリアミド類、ゴム類、アクリル酸エステル類等の熱可塑性樹脂とするか、あるいは、フェノール類、エポキシ類、カルバミン酸エステル類、メラミン類またはアルキド類の熱硬化性樹脂を使用するものとし、導電性粒子は、炭素、銀、ニッケル、銅の粒子、ニッケル−金、銅−ニッケル、銅−銀、ニッケル−銀、ニッケル−金、銀コートガラスまたは銅−ニッケル−金の粒子、あるいはカーボンナノチューブとすればよく、ペーストに対する導電性粒子の重量比は１０〜４００％とする。実際の要求に応じて、導電接着剤層の厚みは５〜２０μｍ、重量比は１０〜１００％とすることが好ましい。信頼性とコストの両面から考慮して、導電性粒子は銀コート銅粒子、ニッケルコート銅粒子、銀粒子、銅粒子、ニッケル粒子とすることが好ましく、バインダーは、耐高温性の熱硬化性能を備えた変性エポキシ樹脂または変性アクリル樹脂とすることが好ましく、厚みを３〜５０μｍとし、硬化条件として、温度を８０〜１５０℃、時間を２０〜１分とする。
【００８０】
５）導電接着剤層を離型可能な保護膜で覆う。前記保護膜としては、廉価で一定の温度に耐え得るポリエステル保護膜を選択するが、ポリエステルシリコーン保護膜としてもよく、厚みは２５〜１２５μｍとする。
【００８１】
実施例５
高シールド機能の極薄シールドフィルムは、図５に示すように、第１の中実シールド層１、第２の中実シールド層２および第３の中実シールド層３という３層の中実シールド層を含む。前記第１の中実シールド層１、第２の中実シールド層２および第３の中実シールド層３は、一層ずつ順に次の層の外表面上に形成されている。前記第３の中実シールド層３の外表面には導電接着剤層８が形成されており、前記第１の中実シールド層１の外表面には第１の絶縁フィルム層１２が形成されている。第１の絶縁フィルム層１２の外表面には第２の絶縁フィルム層１０が形成されており、第２の絶縁フィルム層１０の上面はキャリアフィルム層１１で覆われており、前記導電接着剤層８の下面は保護膜９で覆われている。キャリアフィルム層１１は第１の絶縁フィルム層１２と第２の絶縁フィルム層１０を支持する作用を奏し、後続の加工に寄与するほか、外部からの汚染を防止可能とする。３層の中実シールド層は、導電接着剤層を通じて接地を実現する。
【００８２】
高シールド機能の極薄シールドフィルムの作製方法に含まれる具体的作製ステップを以下に述べる。
【００８３】
１）キャリアフィルム層上に第２の絶縁フィルム層１０を形成し、当該第２の絶縁フィルム層１０上に第１の絶縁フィルム層１２を形成し、前記第２の絶縁フィルム層１０と第１の絶縁フィルム層１２の全厚みを３〜２５μｍとする。前記第２の絶縁フィルム層１０用材料としては、ＰＰＳ、ＰＥＮ、ポリエステル、ポリイミドフィルムを選択し、第１の絶縁フィルム層１２は、変性エポキシ樹脂、ポリウレタン系樹脂、変性アクリル樹脂、またはポリイミド樹脂を塗布して形成する。前記第２の絶縁フィルム層１０と第１の絶縁フィルム層１２は、必要に応じて順序を入れ替えてもよい。すなわち、キャリアフィルム側を第１の絶縁フィルム層１２とし、続いて第２の絶縁フィルム層１０としてもよく、図面の構造に限定されない。複数の絶縁層の設置は、絶縁層圧着時の耐破断能力を向上させて、より高次の圧着要求を実現することを目的とする。好ましくは、絶縁層の厚み合計を３〜８μｍの間とする。
【００８４】
２）絶縁フィルム層上に所望の第１の中実シールド層を形成する。前記第１の中実シールド層の材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀、金およびこれら材料のうちいずれか１種類以上を含む合金金属層とし、ニッケル−クロム合金、銅−ニッケル合金、チタン−マンガン合金、ニッケル−クロム類ステンレス等の材質を含むが、これに限らない。また、フェライトやカーボンナノチューブ等の材質としてもよい。厚みは０．０１〜０．５μｍの間とし、化学めっき方式、ＰＶＤ、ＣＶＤ、電子銃蒸着、スパッタリング、電気めっき、あるいはこれらを複合して形成すればよい。曲げ要求を考慮して、厚みは０．０１〜０．２μｍの間とすることが好ましい。
【００８５】
３）前記第１の中実シールド層上に所望の第２の中実シールド層を形成する。第２の中実シールド層の材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀、金およびこれら材料のうちいずれか１種類以上を含む合金金属層とし、ニッケル−クロム合金、銅−ニッケル合金、チタン−マンガン合金、ニッケル−クロム類ステンレス等の材質を含むが、これに限らない。また、フェライトやカーボンナノチューブ等の材質としてもよい。厚みは０．０１〜３μｍの間とし、化学めっき方式、ＰＶＤ、ＣＶＤ、電子銃蒸着、スパッタリング、電気めっき、あるいはこれらを複合して形成すればよい。第１の中実シールド層と第２の中実シールド層は異なるシールド材料とする。第２の中実シールド層の厚みは０．０１〜０．５μｍの間とすることが好ましい。
【００８６】
４）前記第２の中実シールド層上に所望の第３の中実シールド層を形成する。第３の中実シールド層の材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀、金およびこれら材料のうちいずれか１種類以上を含む合金金属層とし、ニッケル−クロム合金、銅−ニッケル合金、チタン−マンガン合金、ニッケル−クロム類ステンレス等の材質を含むが、これに限らない。また、フェライトやカーボンナノチューブ等の材質としてもよい。厚みは０．０１〜３μｍの間とし、化学めっき方式、ＰＶＤ、ＣＶＤ、電子銃蒸着、スパッタリング、電気めっき、あるいはこれらを複合して形成すればよい。第２の中実シールド層と第３の中実シールド層は異なるシールド材料とすればよく、両者の工程を異ならせてもよい。第３の中実シールド層はシールド機能を増強可能であり、好ましくは、厚みを０．０１〜１μｍの間とする。
【００８７】
５）第３の中実シールド層の外表面に導電接着剤層を塗布し、硬化する。前記導電接着剤層のバインダーは、ポリスチロール系、酢酸ビニル類、ポリエステル類、ポリエチレン類、ポリアミド類、ゴム類、アクリル酸エステル類等の熱可塑性樹脂とするか、あるいは、フェノール類、エポキシ類、カルバミン酸エステル類、メラミン類またはアルキド類の熱硬化性樹脂を使用するものとし、導電性粒子は、炭素、銀、ニッケル、銅の粒子、ニッケル−金、銅−ニッケル、銅−銀、ニッケル−銀、ニッケル−金、銀コートガラスまたは銅−ニッケル−金の粒子、あるいはカーボンナノチューブとすればよく、ペーストに対する導電性粒子の重量比は１０〜４００％とする。実際の要求に応じて、導電接着剤層の厚みは５〜２０μｍ、重量比は１０〜１００％とすることが好ましい。信頼性とコストの両面から考慮して、導電性粒子は銀コート銅粒子、ニッケルコート銅粒子、銀粒子、銅粒子、ニッケル粒子とすることが好ましく、バインダーは、耐高温性の熱硬化性能を備えた変性エポキシ樹脂または変性アクリル樹脂とすることが好ましく、厚みを３〜５０μｍとし、硬化条件として、温度を８０〜１５０℃、時間を２０〜１分とする。
【００８８】
６）導電接着剤層を離型可能な保護膜で覆う。前記保護膜としては、廉価で一定の温度に耐え得るポリエステル保護膜を選択するが、ポリエステルシリコーン保護膜としてもよく、厚みは２５〜１２５μｍとする。
【００８９】
実施例６
高シールド機能の極薄シールドフィルムは、図６に示すように、第１の中実シールド層１、第２の中実シールド層２、第３の中実シールド層３および第４の中実シールド層４という４層の中実シールド層を含む。前記第１の中実シールド層１、第２の中実シールド層２、第３の中実シールド層３および第４の中実シールド層４は、一層ずつ順に下層の外表面上に形成されている。前記第４の中実シールド層４の外表面には導電接着剤層８が形成されており、前記第１の中実シールド層１の外表面には第１の絶縁フィルム層１２が形成されている。第１の絶縁フィルム層１２の外表面には第２の絶縁フィルム層１０が形成されており、第２の絶縁フィルム層１０の上面はキャリアフィルム層１１で覆われており、前記導電接着剤層８の下面は保護膜９で覆われている。キャリアフィルム層１１は第１の絶縁フィルム層１２と第２の絶縁フィルム層１０を支持する作用を奏し、後続の加工に寄与するほか、外部からの汚染を防止可能とする。４層の中実シールド層は、導電接着剤層を通じて接地を実現する。
【００９０】
高シールド機能の極薄シールドフィルムの作製方法に含まれる具体的作製ステップを以下に述べる。
【００９１】
１）キャリアフィルム層上に第２の絶縁フィルム層１０を形成し、当該第２の絶縁フィルム層１０上に第１の絶縁フィルム層１２を形成し、前記第２の絶縁フィルム層１０と第１の絶縁フィルム層１２の全厚みを３〜２５μｍとする。前記第２の絶縁フィルム層１０用材料としては、ＰＰＳ、ＰＥＮ、ポリエステル、ポリイミドフィルムを選択し、第１の絶縁フィルム層１２は、変性エポキシ樹脂、ポリウレタン系樹脂、変性アクリル樹脂、またはポリイミド樹脂を塗布して形成する。前記第２の絶縁フィルム層１０と第１の絶縁フィルム層１２は、必要に応じて順序を入れ替えてもよい。すなわち、キャリアフィルム側を第１の絶縁フィルム層１２とし、続いて第２の絶縁フィルム層１０としてもよく、図面の構造に限定されない。複数の絶縁層の設置は、絶縁層圧着時の耐破断能力を向上させて、より高次の圧着要求を実現することを目的とする。好ましくは、絶縁層の厚み合計を３〜８μｍの間とする。
【００９２】
２）絶縁フィルム層上に所望の第１の中実シールド層を形成する。前記第１の中実シールド層の材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀、金およびこれら材料のうちいずれか１種類以上を含む合金金属層とし、ニッケル−クロム合金、銅−ニッケル合金、チタン−マンガン合金、ニッケル−クロム類ステンレス等の材質を含むが、これに限らない。また、フェライトやカーボンナノチューブ等の材質としてもよい。厚みは０．０１〜０．５μｍの間とし、化学めっき方式、ＰＶＤ、ＣＶＤ、電子銃蒸着、スパッタリング、電気めっき、あるいはこれらを複合して形成すればよい。曲げ要求を考慮して、厚みは０．０１〜０．２μｍの間とすることが好ましい。
【００９３】
３）前記第１の中実シールド層上に所望の第２の中実シールド層を形成する。第２の中実シールド層の材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀、金およびこれら材料のうちいずれか１種類以上を含む合金金属層とし、ニッケル−クロム合金、銅−ニッケル合金、チタン−マンガン合金、ニッケル−クロム類ステンレス等の材質を含むが、これに限らない。また、フェライトやカーボンナノチューブ等の材質としてもよい。厚みは０．０１〜３μｍの間とし、化学めっき方式、ＰＶＤ、ＣＶＤ、電子銃蒸着、スパッタリング、電気めっき、あるいはこれらを複合して形成すればよい。第１の中実シールド層と第２の中実シールド層は異なるシールド材料とする。第２の中実シールド層の厚みは０．０１〜０．５μｍの間とすることが好ましい。
【００９４】
４）前記第２の中実シールド層上に所望の第３の中実シールド層を形成する。第３の中実シールド層の材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀、金およびこれら材料のうちいずれか１種類以上を含む合金金属層とし、ニッケル−クロム合金、銅−ニッケル合金、チタン−マンガン合金、ニッケル−クロム類ステンレス等の材質を含むが、これに限らない。また、フェライトやカーボンナノチューブ等の材質としてもよい。厚みは０．０１〜３μｍの間とし、化学めっき方式、ＰＶＤ、ＣＶＤ、電子銃蒸着、スパッタリング、電気めっき、あるいはこれらを複合して形成すればよい。第２の中実シールド層と第３の中実シールド層は異なるシールド材料とすればよく、両者の工程を異ならせてもよい。第３の中実シールド層はシールド機能を増強可能であり、好ましくは、厚みを０．０１〜１μｍの間とする。
【００９５】
５）前記第３の中実シールド層上に所望の第４の中実シールド層を形成する。第４の中実シールド層の材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀、金およびこれら材料のうちいずれか１種類以上を含む合金金属層とし、ニッケル−クロム合金、銅−ニッケル合金、チタン−マンガン合金、ニッケル−クロム類ステンレス等の材質を含むが、これに限らない。また、フェライトやカーボンナノチューブ等の材質としてもよい。厚みは０．０１〜３μｍの間とし、化学めっき方式、ＰＶＤ、ＣＶＤ、電子銃蒸着、スパッタリング、電気めっき、あるいはこれらを複合して形成すればよい。第４の中実シールド層と第３の中実シールド層は異なるシールド材料とすればよく、第４の中実シールド層はシールド機能を高め、抗酸化性能を向上可能である。厚みは０．０１〜１μｍの間とすることが好ましい。
【００９６】
６）第４の中実シールド層の外表面に導電接着剤層を塗布し、硬化する。前記導電接着剤層のバインダーは、ポリスチロール系、酢酸ビニル類、ポリエステル類、ポリエチレン類、ポリアミド類、ゴム類、アクリル酸エステル類等の熱可塑性樹脂とするか、あるいは、フェノール類、エポキシ類、カルバミン酸エステル類、メラミン類またはアルキド類の熱硬化性樹脂を使用するものとし、導電性粒子は、炭素、銀、ニッケル、銅の粒子、ニッケル−金、銅−ニッケル、銅−銀、ニッケル−銀、ニッケル−金、銀コートガラスまたは銅−ニッケル−金の粒子、あるいはカーボンナノチューブとすればよく、ペーストに対する導電性粒子の重量比は１０〜４００％とする。実際の要求に応じて、導電接着剤層の厚みは５〜２０μｍ、重量比は１０〜１００％とすることが好ましい。信頼性とコストの両面から考慮して、導電性粒子は銀コート銅粒子、ニッケルコート銅粒子、銀粒子、銅粒子、ニッケル粒子とすることが好ましく、バインダーは、耐高温性の熱硬化性能を備えた変性エポキシ樹脂または変性アクリル樹脂とすることが好ましく、厚みを３〜５０μｍとし、硬化条件として、温度を８０〜１５０℃、時間を２０〜１分とする。
【００９７】
７）導電接着剤層を離型可能な保護膜で覆う。前記保護膜としては、廉価で一定の温度に耐え得るポリエステル保護膜を選択するが、ポリエステルシリコーン保護膜としてもよく、厚みは２５〜１２５μｍとする。
【００９８】
実施例７
高シールド機能の極薄シールドフィルムの作製方法におけるステップを以下に述べる。
【００９９】
（１）光沢基体キャリアテープを形成する。
【０１００】
（２）光沢基体キャリアテープ上に蒸着または電着または化学蒸着技術を用い、所望の２層以上の中実シールド層を順に形成する。
【０１０１】
（３）前記中実シールド層の外表面に絶縁フィルム層を形成する。
【０１０２】
（４）絶縁フィルム層上に移転可能フィルムを貼り付け、絶縁フィルム層と中実シールド層を光沢基体キャリアテープから剥離する。
【０１０３】
（５）前記中実シールド層の他方の外表面に所望の導電接着剤層を形成する。
【０１０４】
（６）必要に応じて、導電接着剤層面に保護層を接着する。
【０１０５】
２層以上の中実シールド層の具体的な作製工程については、発明者が２００９年に出願した公開番号ＣＮ１０１４８６２６４の中国発明特許「剥離可能な極薄移転キャリア金属箔およびその製造方法」に基づけばよい。
【０１０６】
以上は本発明の好ましい実施例にすぎず、本発明の実施範囲はこれに限定されない。すなわち、本発明の特許請求の範囲および説明の内容に基づきなされる容易な等価の変更および追加は、いずれも本発明特許の範囲に包括される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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