(57)【要約】  集積化センサの例が本明細書で開示される。集積化センサの例は、基材と、基材の表面上に形成された検知部材とを備える。検知部材は、崩壊可能信号増幅構造と、崩壊可能信号増幅構造を囲むエリアとを含み、このエリアは、このエリアに暴露される液滴の崩壊可能信号増幅構造に向かう自己位置決めを可能にする。【選択図】図５
2015514991.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積化センサであって、
基材と、
前記基材の表面上に形成された検知部材と、
を備え、
前記検知部材は、
崩壊可能信号増幅構造と、
前記崩壊可能信号増幅構造を囲むエリアであって、該エリアに暴露される液滴の前記崩壊可能信号増幅構造に向かう自己位置決めを可能にする、エリアと、
を含む、集積化センサ。
【請求項２】
前記崩壊可能信号増幅構造を囲むエリアは、前記崩壊可能信号増幅構造より疎水性が高い、請求項１に記載の集積化センサ。
【請求項３】
前記崩壊可能信号増幅構造を囲むエリアは、前記基材上に形成されたポリマピラーのグラジエントを含み、該ポリマピラーのグラジエントは、前記検知部材の周辺において、より密である、請求項２に記載の集積化センサ。
【請求項４】
前記崩壊可能信号増幅構造は、金属キャップ付きポリマピラー、金属コーティング式ポリマ・ナノフレーク、金属コーティング式マッシュルーム状構造、又は金属リング付きポリマピラーを含み、
前記グラジエント内の前記ポリマピラーは信号増幅材料がない、請求項３に記載の集積化センサ。
【請求項５】
前記崩壊可能信号増幅構造を囲むエリアは、該エリア上に堆積された疎水性分子を含む、請求項２に記載の集積化センサ。
【請求項６】
前記崩壊可能信号増幅構造を囲むエリアは、前記基材の表面内に画定された溝を含み、該溝は、前記液滴を前記崩壊可能信号増幅構造に向かって方向付ける形状を有する、請求項１に記載の集積化センサ。
【請求項７】
前記崩壊可能信号増幅構造は、所定の形状に制御可能に位置決めされて、多角形組立体を形成し、
前記検知部材は、制御されたパターンに配列された多角形組立体のアレイを含む、請求項１に記載の集積化センサ。
【請求項８】
複数の離間した検知部材を含む、請求項１に記載の集積化センサ。
【請求項９】
検知システムであって、
請求項１に記載される集積化センサと、
前記集積化センサを受取り、分配点から受取り点まで前記基材を割出し送りする検知デバイスと、
を備え、前記検知デバイスは、
前記基材が割出し送りされるときに、前記検知部材上にサンプルを分注する分注システムと、
前記検知部材が前記サンプルに暴露された後に該検知部材上に光を投影するレーザ源と、
前記検知部材が前記光に暴露された後に放出される信号を検出する検出器と、
前記検出器に動作可能に接続されたプロセッサと、
を備える、検知システム。
【請求項１０】
前記プロセッサはクラウドコンピューティングシステムのコンポーネントである、請求項９に記載の検知システム。
【請求項１１】
請求項１に記載される集積化センサを使用する方法であって、
前記検知部材のエリアを、前記液滴の形態のサンプルに暴露するステップであって、それにより、前記エリアが、前記液滴を前記崩壊可能信号増幅構造に向かって移動させ、前記液滴からの毛管力が、前記崩壊可能信号増幅構造を崩壊させる、前記暴露するステップと、
前記液滴が蒸発することを可能にするステップと、
前記検知部材において検知動作を実施するステップと、
を含む、方法。
【請求項１２】
前記集積化センサを熱又は超音波に暴露することによって前記液滴の流動性を増加させるステップを更に含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
集積化センサを作製する方法であって、
基材の表面上に検知部材を生成するステップを含み、該生成するステップは、
前記表面上に複数の崩壊可能信号増幅構造を形成するステップと、
前記崩壊可能信号増幅構造を囲む前記表面の予め画定されたエリアを、該予め画定されたエリアが、該エリアに暴露される液滴の前記崩壊可能信号増幅構造に向かう自己位置決めを可能にするように修飾するステップと、
によって行われる、方法。
【請求項１４】
前記予め画定されたエリアを修飾するステップは、
ｉ）前記基材上にポリマピラーのグラジエント形成するステップであって、該ポリマピラーのグラジエントは、前記検知部材の周辺において、より密である、形成するステップと、
ｉｉ）前記予め画定されたエリア上に疎水性分子を堆積させるステップと、
ｉｉｉ）前記表面内に複数の溝を形成するステップであって、該溝は、前記液滴を前記崩壊可能信号増幅構造に向かって方向付ける形状を有する、形成するステップと、
によって達成される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記複数の崩壊可能信号増幅構造を形成するステップは、
ナノインプリント、エンボス加工、又はロール・ツー・ロール処理によって、複数のポリマピラー、ポリマ・ナノフレーク、又はポリママッシュルーム状構造を形成するステップと、
前記複数のポリマピラー、ポリマ・ナノフレーク、又はポリママッシュルーム状構造のそれぞれの少なくとも一部分上に信号増幅材料を堆積させるステップと、
によって達成される、請求項１３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（連邦政府による資金提供を受けた研究又は開発に関する陳述）
本発明は、米国防総省国防高等研究計画局（Defense Advanced Research Projects Agency）（ＤＡＲＰＡ）からの認可、契約番号第ＨＲ００１１−０９−３−０００２によって部分的に資金提供を受けた研究の過程で行われた。米国政府は本発明に一定の権利を有する。
【背景技術】
【０００２】
アッセイ及び他のセンシングシステムは、化学、生化学、医療及び環境の分野において、１つ又は複数の化学種の存在及び／又は濃度を検出するために使用されてきた。幾つかのセンシング技法、例えば反射率、透過率、蛍光又は燐光に基づく技法は、種検出及び測定に色又はコントラストを利用する。ラマン分光法又は表面増強ラマン分光法（ＳＥＲＳ）等の他のセンシング技法は、系における振動モード、回転モード及び他の低振動数モードを研究する。特に、ラマン分光法を使用して、光子が分子と相互作用する（それにより、散乱した光子のエネルギーがシフトする）ときの分子エネルギー状態間の遷移が研究される。分子のラマン散乱を、２つのプロセスとして見ることができる。或る特定のエネルギー状態にある分子は、最初に、通常は光の振動数の領域にある入射光子によって別の（仮想又は実）エネルギー状態に励起される。そして、励起された分子は、励起光子に比較して比較的低い可能性がある振動数である（すなわちストークス散乱）か、又は比較的高い可能性がある振動数である（すなわちアンチストークス散乱）環境の影響下で、双極子源として放射される。種々の分子又は物質のラマンスペクトルには、種を同定するために使用することができる特徴的なピークがある。
【０００３】
本開示の例の特徴及び利点は、以下の詳細な説明及び図面を参照することによって明らかとなろう。図面において、同様の参照符号は、同様であるが場合によっては同一ではない構成要素に対応する。簡潔にするために、参照符号又は上記で説明した機能を有する特徴を、それらが現れる他の図面に関連して説明する場合もあれば説明しない場合もある。
【図面の簡単な説明】
【０００４】
【図１Ａ−１Ｂ】液体サンプルに暴露する前及び暴露した後の集積化センサの一例の半模式的斜視図である。
【図２Ａ−２Ｅ】制御可能に位置決めされた崩壊可能信号増幅構造の所定の幾何学的形状の５つの異なる例の半模式的上面図である。
【図３Ａ−３Ｃ】崩壊可能信号増幅構造の３つの異なる例の半模式的斜視図である。
【図４Ａ−４Ｄ】合わせて、集積化センサを作成するための方法の例を示し、また、図４Ａと図４Ｂとの間及び図４Ｂと図４Ｃとの間の矢印のところに２つの断面図も含む半模式的斜視図である。
【図５】ポリマ・ナノピラーのグラジエントによって囲まれた崩壊可能信号増幅構造を含む検知部材の半模式的上面図である。
【図６】疎水性分子によって囲まれた崩壊可能信号増幅構造を含む検知部材の半模式的上面図である。
【図７】溝によって囲まれた崩壊可能信号増幅構造を含む検知部材の半模式的上面図である。
【図８】検知システムの例の半模式図及び部分的斜視図である。
【図９】検知システムの別の例の模式図及び部分的斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００５】
本開示は、一般に集積化センサに関する。集積化センサの例は、表面増強ラマン分光（ＳＥＲＳ：surface enhanced Raman spectroscopy）で使用するのに適する。センサの例は、多角形組立体に配列された崩壊可能又は再構成可能信号増幅構造を含む１つ又は複数の検知部材を含む。単一多角形組立体の崩壊可能信号増幅構造は、毛管力（例えば、液体蒸発中の）を用いて、自己癒着（例えば、構造の先端における自己閉鎖又は自己再構成）を受けることができる。信号増幅構造は、閉鎖先端の間に形成されるホットスポットに分子を捕捉することができ、それが、ＳＥＲＳ問い合わせ（interrogation）の下で電磁界を著しく増幅させる。更に、集積化センサの例は可撓性基材上に制御可能に形成され、これらの集積化センサは、有利には、長期間にわたる連続モニタリングのために使用することができる。更に、集積化センサの幾つかの例は、集積化センサに暴露されるサンプルを、崩壊可能信号増幅構造に向かってサンプルが送られるように自己位置決めすることができる。これらの例では、集積化センサは、最適信号増強のためにサンプルを動的に再構成することができる。
【０００６】
ここで図１Ａ及び図１Ｂを参照すると、液体サンプル暴露の前（図１Ａ）及び液体サンプル暴露の後（図１Ｂ）の集積化センサ１０の例が示される。一例では、集積化センサ１０は、可撓性基材１２と、可撓性基材１２の表面Ｓ１２上に形成された離間した検知部材１４Ａ、１４Ｂのアレイとを含む。２つの検知部材１４Ａ、１４Ｂが図１Ａ及び図１Ｂに示されるが、任意の数の検知部材１４Ａ、１４Ｂ（本明細書で１４とも呼ばれる）を可撓性基材１２上に形成することができることが理解される。例えば、単一検知部材１４Ａ又は１４Ｂを形成することもできるし、数十又は数百の検知部材１４Ａ、１４Ｂを形成することもできる。形成される検知部材１４Ａ、１４Ｂの数は、例えば、可撓性基材１２の寸法（すなわち、長さ及び幅）によって及び／又は任意の１つの検知部材１４Ａ、１４Ｂ内に形成される多角形組立体１６の数によって制限されることがある。幾つかの例として、検知部材１４Ａ、１４Ｂのアレイは、可撓性基材１２の長さに沿う検知部材１４Ａ、１４Ｂの単一行（例えば、図９参照）、又は、可撓性基材１２の長さに沿う複数行及び可撓性基材１２の幅に沿う複数列（例えば、図８参照）を含むことができる。隣接する検知部材１４Ａ、１４Ｂの間の間隔は、例えば、可撓性基材１２の寸法（すなわち、長さ及び幅）及び／又はセンサ１０に問い合わせするために使用されることになる検知システムの分注器、光源、検出器等の構成に依拠することができる。例えば、検知システムが、検知部材１４Ａ、１４Ｂに分析物溶液（すなわち、サンプル）を分注するために単一分注器を有する場合、検知部材１４Ａ、１４Ｂは、可撓性基材１２の長さに沿う単一行内で互いから約１０００μｍ（すなわち、１ｍｍ）〜約１００００μｍ（すなわち、１０ｍｍ）の範囲の距離だけ離間することができるため、分注器は、検知部材１４Ａ、１４Ｂを次々に充填するよう作動することができる。別の例では、隣接する検知部材１４Ａ、１４Ｂの間の距離は、約２００μｍ（すなわち、０．２ｍｍ）〜約５００μｍ（すなわち、０．５ｍｍ）又は約１０００μｍ（すなわち、１ｍｍ）の範囲にある。単一検知部材１４Ａ、１４Ｂは、約０．１ｍｍ〜約２ｍｍの範囲の長さ及び／又は幅を有することができる。一例では、単一検知部材１４Ａ、１４Ｂは、約１ｍｍの長さ及び／又は幅を有することができる。
【０００７】
可撓性基材１２は、破断することなく撓むか又は屈曲することが可能である任意の基材材料とすることができる。可撓性基材１２はまた、可撓性基材１２内に形成された信号増幅構造１８を有することが可能である。可撓性はまた、可撓性基材１２が、モニタリングのために（例えば、連続式又はラチェット式に）割出し送りされる（indexed）か、又は移動されることを可能にすることができる。可撓性基材１２の例は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、グリコール変性ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴＧ）、ポリプロピレン、ポリエチレン、又はポリカーボネートを含む。一例では、可撓性基材１２は、約３０μｍ〜約５０μｍの範囲にある厚さを有する。他の例では、基材１２の厚さは５０μｍより大きい。より硬質の材料（例えば、ポリカーボネート）が使用される例では、基材１２の厚さは、所望の可撓性を得るために厚さ範囲の下端にすることができる。幾つかの基材１２の幅は、約８ｍｍ〜約１２ｍｍの範囲にすることができる。
【０００８】
図１Ａ及び図１Ｂに示す例では、各検知部材１４Ａ、１４Ｂは、可撓性基材１２の表面Ｓ１２上に制御されたパターンで配列された複数の多角形組立体１６を含む。制御されたパターンは、任意のＮ×Ｍアレイを含むことができる。ここで、Ｎ、Ｍは、２、３、４、５、…５０…２０００から個々に選択される。一例では、Ｎ＝Ｍ＝１００〜１０００である。図１Ａ及び図１Ｂの検知部材１４Ａ、１４Ｂのそれぞれに示す多角形組立体１６の制御されたパターンは２×２アレイである。この例では、検知部材１４Ａ、１４Ｂのそれぞれは、同じ制御されたパターンを有するが、検知部材１４Ａ、１４Ｂの１つ又は複数が、他の検知部材１４Ａ、１４Ｂの１つ又は複数と異なる制御されたパターンで配列された多角形組立体１６を有することができることが理解される。単一検知部材１４Ａ又は１４Ｂ内の各多角形組立体１６は、同じ検知部材１４Ａ又は１４Ｂ内の他の各多角形組立体１６から所定の距離にあることができる。一例では、所定の距離は約０．５μｍ〜約１μｍ又は約１０μｍの範囲をとることができる。別の例では、所定の距離は約０．７μｍとすることができる。制御されたパターン及び所定の距離は、本明細書に開示される作製方法を使用して得ることができる。
【０００９】
各多角形組立体１６は、所定の幾何学的形状に制御可能に位置決めされた崩壊可能信号増幅構造１８を含む。所定の幾何学的形状の例の上面図が、図２Ａ〜図２Ｅに示される。これらの形状は、三角形（すなわち、３量体、図２Ａに示すように３つの崩壊可能信号増幅構造１８を含む）、四角形（すなわち、４量体、図２Ｂに示すように４つの崩壊可能信号増幅構造１８を含む）、五角形（すなわち、５量体、図２Ｃに示すように５つの崩壊可能信号増幅構造１８を含む）、六角形（すなわち、６量体、図２Ｄに示すように６つの崩壊可能信号増幅構造１８を含む）、及び、七角形（すなわち、７量体、図２Ｅに示すように７つの崩壊可能信号増幅構造１８を含む）を含む。複数の例では、三角形形状又は四角形形状を有する多角形組立体１６の周期は、約４００ｎｍ〜約７００ｎｍの範囲にあり、五角形形状、六角形形状、又は七角形形状を有する多角形組立体１６の周期は、約６００ｎｍ〜約９００ｎｍの範囲にある。一例では、単一検知部材１４Ａ、１４Ｂ内の多角形組立体１６のアレイは、約５０μｍ〜約１００μｍ幅及び約５０μｍ〜約１００μｍ長である可撓性基材１２上の空間を占めることができる。例として、五角形の３×３アレイは約２×２μｍ２のエリアをカバーすることができ、一方、五角形の３０×３０アレイは約２０×２０μｍ２のエリアをカバーすることができる。
【００１０】
少なくとも一部には、大きなエリアにわたって任意の対称性の実質的に均一な構造（例えば、４量体、５量体、７量体等）も形成しながら、所望の小さなギャップサイズ（例えば、崩壊した信号増幅構造間の２ｎｍ以下のギャップ）を得ることは困難であるという理由で、所定の幾何学的形状の信号増幅構造１８の制御された作製が達成されていないと思われる。しかし、本明細書で開示される作製方法は、比較的大きなエリア（例えば、約８ｍｍ〜約１２ｍｍ幅）にわたって多角形組立体の崩壊したギャップサイズ並びに幾何学的形状を制御することを可能にする。
【００１１】
各崩壊可能信号増幅構造１８は、ポリマベースナノ構造２０及びその上に位置決めされた信号増幅材料２２を含む。ポリマベースナノ構造２０の例は、図１Ａ、図１Ｂ、及び図３Ａに示す、ピラー、円柱状、又はフィンガ様構造、図３Ｂに示すナノフレーク構造、図３Ｃに示すマッシュルーム状ナノ構造を含む。図４Ａ〜図４Ｄを参照して以下で述べるように、これらのポリマベースナノ構造２０は、可撓性基材１２内に形成され、したがって、可撓性基材１２と同じ材料から形成される。
【００１２】
信号増幅材料２２は、特定の検知プロセス中に生成される信号を増強することが可能である任意の材料とすることができる。一例では、信号増幅材料２２は、分子（又は他の関心の種）が、崩壊した信号増幅構造（複数の場合もある）１８によって捕捉されるときに、また、分子及び材料２２が光放射／電磁放射を受けるときにラマン散乱光子の数を増加させるラマン信号増強材料（組成物）である。ラマン信号増強材料は、銀、金、及び銅を含むが、それらに限定されない。信号増幅材料２２はまた、増強フルオレセンス（例えば、金属増強フルオレセンス又は表面増強フルオレセンス（ＳＥＦ：surface enhanced fluorescence）又は増強ケミルミネセンス等の他の技法で使用するために選択することができる。一例として、金属増強フルオレセンス用途の場合、信号増幅構造１８のポリマベースナノ構造２０は、銀ナノ粒子でコーティングすることができる。増強フルオレセンスは、入射光が、銀ナノ粒子の近傍の分子によって銀ナノ粒子に結合するときに観測される。信号増幅材料２２は、局在化した（また幾つかの事例では、伝播する）表面プラズモンに結合するように構成することができる。崩壊可能信号増幅構造１８を形成するためにポリマベースナノ構造２０上の所望の位置に信号増幅材料２２を堆積させるための方法はまた、図４Ａ〜図４Ｄを参照して論じられることになる。
【００１３】
図１Ａと図１Ｂとの間の矢印で示すように、図１Ａの集積化センサ１０の検知部材１４Ａ、１４Ｂのそれぞれが液体サンプルに暴露される。図１Ｂに示すように、サンプルに暴露される崩壊可能信号増幅構造１８は、毛管力を用いて自己閉鎖を受けるため、信号増幅材料２２は、互いの方に引き寄せられて、ｎｍ以下のギャップを生成し、そこで、オリジナルの液体サンプル内に存在する関心の分析物（例えば、分析物２４）が捕捉（trap）される。上記で述べたように、閉鎖した信号増幅構造１８は、ＳＥＲＳ場を増幅するホットスポットを形成し、それにより、ＳＥＲＳ信号を増強する。
【００１４】
ここで図４Ａ〜図４Ｄを参照すると、集積化センサ１０の例を形成するための方法の例が、半模式的に示される。この方法は、ナノインプリント又はエンボス加工に基づく制御された方法である。図４Ａ〜図４Ｄは、ナノインプリントに基づく方法を述べる。エンボス加工は、シリコンモールドを調製すること、及び、その後、モールドを使用してモールドフィーチャをポリマに転写することを含むことができる。
【００１５】
図４Ａは、各検知部材１４Ａ、１４Ｂの多角形組立体１６を形成するために使用することができるモールド２６の斜視図を示す。図４Ａに示すモールド２６は、それぞれが五角形又は５量体である４つの多角形組立体を有する１つの検知部材を形成するためのパターンを含む。これは、モールド２６の簡略化した例であり、モールド２６が、形成される信号増幅構造１８のポリマベースナノ構造２０の制御された幾何学的形状を含む、形成される多角形組立体に似る任意の制御されたパターン（複数の場合もある）を有することができることが理解される。例えば、複数の検知部材がモールド２６を使用して形成されるとき、モールド２６は、それぞれが、形成されるそれぞれの構造の所望のパターンに対応する、複数の離間した制御されたパターンを含むことができる。モールド２６のパターン及びフィーチャが使用されて、最終の集積化センサ１０のパターン及びフィーチャを形成することになる。モールド２６は、単結晶シリコン、ポリマ材料（アクリル樹脂、ポリカーボネート、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）、ポリイミド等）、金属（アルミニウム、銅、ステンレス鋼、ニッケル、合金等）、石英、セラミック、サファイア、窒化シリコン、又はガラスから形成することができる。
【００１６】
複数の検知部材１４、１４Ａ、１４Ｂが形成されるとき、モールド２６は、形成される検知部材１４、１４Ａ、１４Ｂ用の（すなわち、検知部材間の間隔を画定する）パターン、各検知部材１４、１４Ａ、１４Ｂの形成される多角形組立体１６の配置用のパターン、及び各多角形組立体１６の形成されるポリマベースナノ構造２０用のパターンを含む。換言すれば、モールドパターンは、可撓性基材１２内に形成される（多角形組立体１６を含む）所望の検知部材１４、１４Ａ、１４Ｂの複製である。
【００１７】
パターンは、モールド２６内に一体的に形成することができる。一例では、パターンは、電子ビーム（ｅビーム）リソグラフィ又はフォトリソグラフィ及びドライエッチングによってモールド２６内に形成することができる。本明細書で述べる制御されたパターンを生成するために、集束イオンビーム又は光リソグラフィもまた、モールド２６を形成するために使用することができる。モールドは、シリコン基材のダイレクトエッチングによって調製することもできる。
【００１８】
その後、モールド２６を使用して、制御されたパターンをＵＶ又は熱硬化性レジストに転写し、それにより、図４Ｂに示すポリマリバーストーンモールド２８が形成される。示すように、ポリマリバーストーンモールド２８は、モールド２６のパターンのネガ複製を呈する。換言すれば、多角形組立体及びポリマベースナノ構造の制御されたパターンは、ポリマリバーストーンモールド２８の表面Ｓ２８に入るように延在する。したがって、ポリマリバーストーンモールド２８を形成するために使用される硬化性レジストは、モールド２６のパターンに一致しかつパターンを精密に再現／複製することができるのに十分な剛性を有するように選択される。
【００１９】
ポリマリバーストーンモールド２８を形成するのに適した紫外線硬化性レジストは、光開始剤（すなわち、ＵＶ放射の暴露に応答してラジカルを生成する化合物）、架橋剤、及びシロキサンベースバックボーンチェーン（例えば、ＵＶ硬化性アクリル化ポリ（ジメチルシロキサン）材料）を含む。適した光開始剤の例は、アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ（商標）１８４、及びＩＲＧＡＣＵＲＥ（商標）８１０（BASF社（ニュージャージ州フローハム・パーク（Florham Park, NJ）所在）から市販されている）を含み、架橋剤の例は、硬化すると開口し重合する２つ以上の２重結合又は３重結合を有する種々の種を含む。一例では、少なくとも一部には、シロキサンベースバックボーンが存在するため、更なる溶剤は、こうしたＵＶ硬化性レジストに含まれない。シロキサンベースバックボーンは、アクリル等の２重結合した末端官能基を含むことができる。ポリマリバーストーンモールド２８を形成するのに適したＵＶレジストの成分は、光開始剤と架橋剤とシロキサンバックボーンとの所定の比で含めることができる。各成分は、レジストの総重量の０．０５％〜９９．９％の範囲に存在することができる。一例では、ＵＶレジストは、ラジカル開始剤の約０．５重量％〜約２重量％、ＵＶ硬化性モノマ種（すなわち、シロキサンベースバックボーンチェーン）の約８８重量％〜約９２重量％、及び架橋剤の約７重量％〜約１１重量％を含む。別の例では、ＵＶレジストは、ラジカル開始剤の１重量％、ＵＶ硬化性モノマ種（すなわち、シロキサンベースバックボーンチェーン）の９０重量％、及び架橋剤の９重量％を含む。硬化性レジストのために使用することができる商業的に入手可能なレジストは、ＮＸＲ−２０１０（Nanonex社（ニュージャージ州モンマウス・ジャンクション（Monmouth Junction, NJ）所在））及びＡＲ−ＵＶ−０１（Nanolithosolution社（カリフォルニア州サン・マルコス（San Marcos, CA）所在））を含む。
【００２０】
一例では、ポリマリバーストーンモールド２８は、紫外線硬化性（すなわち、ＵＶ硬化性）ナノインプリントリソグラフィ（ＮＩＬ）を使用して形成することができる。ＵＶ対応ＮＩＬツールをこのプロセスで使用することができる。上記で述べたＵＶ硬化性レジストは、モールド２６上に（例えば、スピンコーティング、ドロップコーティング、ディップコーティング、又は同様なものによって）堆積され、その後、（ツール内で）硬化して、ポリマリバーストーンモールド２８を形成することができる。別の例では、モールド２６は、基材上に以前に堆積されたレジストに圧入することができ、その後、硬化が実施される。硬化条件及びパラメータが、使用されるＵＶレジストに少なくとも部分的に依拠することになることが理解される。モールド２６がレジストに圧入される（又は、その他の方法で接触する）間に、部分的な硬化を実施することができることが更に理解される。部分的な硬化は、レジストの全てではないが一部を硬化させる。部分的に硬化した後、モールド２６を取外すことができる。モールド２６が取り外されると、硬化が継続し、ついには、レジストが完全に硬化して、ポリマリバーストーンモールド２８を形成することができる。
【００２１】
モールド２６上にＵＶ硬化性レジストを堆積させる前に、又は、モールド２６をＵＶ硬化性レジストに圧入させる前に、モールド２６は、硬化が終了した後にモールド２６からポリマリバーストーンモールド２８を除去するのを補助するクロロシラン・カップリング剤（例えば、（３−アクリロキシプロピル）メチルジクロロシラン）でプライマ処理することができる（prime）。図４Ａと図４Ｂとの間の矢印で示す断面図は、ポリマリバーストーンモールド２８がモールド２６から除去されていることを示す。
【００２２】
ポリマリバーストーンモールド２８は、その後、（例えば、ＵＶ対応ＮＩＬツールを使用して）別のＵＶ硬化性ナノインプリントリソグラフィプロセスで使用して、可撓性基材１２内に多角形組立体１６及び関連するポリマベースナノ構造２０を形成することができる。この例では、ポリマリバーストーンモールド２８は、（図４Ｂと図４Ｃとの間の矢印で示すように）可撓性基材１２に圧入することができ、その後、硬化を実施することができる。硬化が終了した後、ポリマリバーストーンモールド２８を除去し、可撓性基材１２を、ポリマベースナノ構造２０の多角形組立体１６、したがって、検知部材１４で制御可能にパターニングされた状態にすることができる。
【００２３】
図４Ｄに示すように、信号増幅材料２２は、少なくともポリマベースナノ構造２０の表面に堆積されて、信号増幅構造（複数の場合もある）１８を形成する。信号増幅材料２２は、任意の適した堆積又は他のコーティング技法によって形成することができる。幾つかの例では、選択的な堆積技法を使用することができるため、材料２２は、例えば、ポリマベースナノ構造２０の先端だけに形成される。例として、材料２２は、垂直入射の電子ビーム（ｅビーム）又はスパッタリングによって堆積することができる。更に他の例では、信号増幅材料２２は、ポリマベースナノ構造２０上にコーティングされる（例えば、銀、金、銅等の）予備成形されたナノ粒子とすることができる。こうしたナノ粒子は、約５ｎｍ〜約５０ｎｍの範囲の平均径（平均直径）を有することができる。ポリマベースナノ構造２０の頂端又は先端に材料２２が存在することが、例えばＳＥＲＳ動作中に電界を更に増強させると思われる。材料２２自体はまた、堆積プロセス中に自然に形成する表面粗さを有することができる。この表面粗さは、更なる光アンテナとして働いて、各信号増幅構造１８にわたってＳＥＲＳ活性部位を増加させる可能性がある。一例では、信号増幅材料２２の厚さは、約５０ｎｍ〜約８０ｎｍの範囲にある。
【００２４】
本明細書で開示する方法（複数の場合もある）では、パターンが、（例えば、初期ｅビームリソグラフィによって）オリジナルのモールド２６内に精密に画定され、ナノインプリントリソグラフィによって忠実に再現性があるため、多角形組立体１６の任意の制御されたパターンを有する検知部材１４、１４Ａ、１４Ｂの任意のアレイを、可撓性基材１２内の望ましい位置に均一に作製することができる。
【００２５】
図４Ａ〜図４Ｄを参照して述べる方法（複数の場合もある）は、金属キャップ付きポリマ・ナノピラー（例えば、信号増幅構造１８）の形成を示すが、この方法（複数の場合もある）は、金属リング付きポリマ・ナノピラー（図３Ａに示す）、金属コーティング式ポリマ・ナノフレーク（図３Ｂに示す）、又は金属コーティング式マッシュルーム状ナノ構造（図３Ｃに示す）を形成するために同様に使用することができることが理解される。金属リング付きポリマ・ナノピラーを形成するために、例えば、選択的堆積（例えば、角度付き堆積）又はシャドウマスキングを使用して、ピラー２０の高さに沿う所望の位置に信号増幅材料２２（例えば、予備成形された材料）を堆積することができる。他の例では、金属リング付きポリマ・ナノピラーは、信号増幅材料２２が堆積されると自然に形成することができる。ポリマ・ナノフレーク又はマッシュルーム状ナノ構造を形成するために、オリジナルのシリコンモールド２６は、上記で述べたピラー形状と対照的にこれらの形状に形成されることになる。これらのナノフレーク又はマッシュルーム状ナノ構造を、所定の幾何学的形状のうちの任意の幾何学的形状（例えば、３角形、４角形等）に形成して、検知部材１４Ａ、１４Ｂの多角形組立体を生成することができることが理解される。
【００２６】
上記で述べた方法（複数の場合もある）をロール・ツー・ロールプロセスとして実装することができることが理解される。上記で述べた方法を、熱インプリント（例えば、熱硬化性レジストを使用する）又はエンボス加工プロセスのために変更することができることが更に理解される。
【００２７】
ここで図５〜図７を参照すると、集積化センサ１０’、１０’’、及び１０’’’は、これらの図において１４Ｃ、１４Ｄ、１４Ｅとしてそれぞれ示す検知部材の異なる例を含む。これらの検知部材１４Ｃ、１４Ｄ、１４Ｅのそれぞれは、崩壊可能信号増幅構造１８を囲むエリア３０を含み、エリア３０は、エリアに暴露される液滴が、崩壊可能信号増幅構造１８に向かってそれ自身を位置決めすることを可能にするように修飾されている。換言すれば、検知部材１４Ｃ、１４Ｄ、１４Ｅ内でかつ検知部材１４の多角形組立体１６の制御されたパターンを囲むエリア３０は、その表面を、崩壊可能信号増幅構造１８に向かって液滴を誘導（guide）するように修飾させることができる。液滴が自分自身を崩壊可能信号増幅構造１８に再位置決めすると、液滴内の分析物は、崩壊可能信号増幅構造１８の外部の又はそれを囲むエリア３０内に付着せず、したがって、検知中、考慮されない。むしろ、液滴は、崩壊可能信号増幅構造１８を含む検知部材１４Ｃ、１４Ｄ、１４Ｅのエリアに存在する。したがって、液滴が蒸発してサイズが小さく（例えば、直径が約５０μｍ〜約１００μｍに）なると、多角形組立体１６における分析物の濃度が、初期の流体サンプルと比較して増加する。
【００２８】
図５〜図７を参照して更に述べられるように、エリア３０に対して行われる修飾は化学的及び／又は物理的とすることができる。
【００２９】
図５及び図６に示す例では、エリア３０の湿潤性が修飾される。より詳細には、エリア３０は、崩壊可能信号増幅構造１８に比べて疎水性が高く（親水性が低く）なるように修飾される。
【００３０】
図５では、エリア３０は、ポリマピラーのグラジエントＧを含み、グラジエントＧに沿ってピラー間の分離が変動する。図５に示すように、グラジエントＧは、検知部材１４Ｃの周辺に向かってより密になるポリマピラー３２を含む。ポリマピラー３２のグラジエントＧは、崩壊可能信号増幅構造１８に向かって線形密度等級にすることができるため、エリア３０に暴露される液滴は、グラジエントＧの周辺から崩壊可能信号増幅構造１８に向かって移動する。図５のグラジエントＧは、ピラー３２間に２つの異なる分離サイズ（すなわち、ギャップ）を含むが、ピラー３２間の分離サイズが、グラジエントＧに沿って３回以上変動することができることが理解される。ピラー３２は、約５００ｎｍまで区分的に線形にスケールアップすることができる約５０ｎｍの最小径を有することができる。５０ｎｍ径ピラー３２は、約５０ｎｍ〜約１５０ｎｍの範囲の距離によって分離され、５００ｎｍ径ピラー３２は、約３００ｎｍ〜約５００ｎｍの範囲の距離によって分離することができる。スケールアップされた径は、約５０ｎｍ〜約５００ｎｍのどの値でもよく、これらのピラー間の距離もまた約５０ｎｍ〜約５００ｎｍの範囲にある。
【００３１】
エリア３０内のポリマピラー３２にはまた、信号増幅材料２２が存在しない。
【００３２】
ポリマピラー３２は、所望のピラーグラジエントをエリア３０に転写することができる、グラジエントテクスチャを有するモールドを使用して形成することができる。
【００３３】
図６では、エリア３０は、エリア３０に対して複数の疎水性分子（ＨＰＭ）を堆積させるか又はその他の方法で添加することによって化学的に修飾される。疎水性分子ＨＰＭが崩壊可能信号増幅構造１８より疎水性が高い限り、任意の疎水性分子ＨＰＭを選択することができる。疎水性分子ＨＰＭの幾つかの例は、（Ｃ２Ｆ２）ｎチェーン（例えば、DuPont社からのＴＥＦＬＯＮ（商標））を含むことができる。
【００３４】
図７では、エリア３０は、可撓性基材１２の表面Ｓ１２内に形成された毛管ガイド又は溝３４によって物理的に修飾される。毛管ガイド又は溝３４は、エリア３０内の表面Ｓ１２内にエンボス加工することができる。毛管ガイド又は溝３４の形状及び寸法は、液滴が毛管ガイド又は溝３４に暴露されると、液滴が崩壊可能信号増幅構造１８に向かって自動的に移動するように選択される。一例では、毛管ガイド又は溝３４は、１０μｍの最大深さを有するｍｍ長Ｖ溝の小部分であり、深さは、崩壊可能信号増幅構造１８から離れると線形に浅くなる。
【００３５】
示されない集積化センサの他の例では、エリア３０は、疎水性分子ＨＰＭと毛管ガイド若しくは溝３４との両方又は疎水性分子ＨＰＭとポリマピラーグラジエントＧとの両方を含むことができる。
【００３６】
本明細書で開示される例の任意の例では、液滴流動性は、センサ１０、１０’、１０’’、及び１０’’’を加熱することによって又は低パワー超音波を印加することによって増加させることができる。加熱は、外部加熱器を使用して達成することができるか、又は、ＳＥＲＳ光源（例えば、図８及び図９の参照符号３８）からの光が、液滴流動性を増加させるのに適することができる。低パワー超音波は、集積化されたＳｉベースＰＺＴ（（ＰｂＺｒｘＴｉ１−ｘ）Ｏ３）超音波変換器を使用して印加することができる。一例では、超音波変換器は、シリコン基材に集積化することができる。例えば、圧電素子は、シリコン基材のエッチングされたフィーチャ内へのＰＺＴの堆積によって形成することができる。超音波変換器は、分注器３６と光源３８との間に固定要素として動作可能に位置決めすることができる。基材１２が検知動作中に移動すると、超音波変換器は、分注器３６から分注されたサンプルを励起するように動作することができる。
【００３７】
ここで図８を参照すると、集積化センサ１０の例を組込む検知システム１００の例が示される。センサ１０のこの例は、可撓性基材１２の幅に沿う４つの列及び可撓性基材１２の長さに沿う複数の行で形成された複数の検知部材１４を含む。明確にするために図示しないが、検知部材１４のそれぞれが多角形組立体１６の制御されたパターンを含み、図５、図６、又は図７を参照して述べた修飾されたエリア３０を含むことができることが理解される。
【００３８】
システム１００では、可撓性基材１２が、検知システム１００のコンポーネント（例えば、分注器又は分注システム３６、レーザ源３８、及び検出器４０）に関して位置決めされるため、分注、問い合わせ、及び検出は、可撓性基材１２がそれぞれのコンポーネント３６、３８、及び４０を通過して割出し送りされている間に、所望の順序で起こる可能性がある。例えば、可撓性基材１２は、１つ又は複数のサンプルが、問い合わせ及び検出の前に検知部材（複数の場合もある）１４上に導入されるように、分注器３６に対して位置決めすることができる。分注システム３６は、検知部材の１つ又は複数にサンプルを同時に分注することができる（例えば、単一行の各部材１４がサンプルを同時に受取ることができる）及び／又は順次に分注することができる（例えば、１つの検知部材１４が１度に１サンプルを受取る、又は、１つの行が１度に１サンプルを受取る、等）。分注システム３６の例は、インクジェット技術、ピペット操作、又は同様なものに基づく自動化分注器を含む。手動分注器もまた使用することができる。分注システム３６が、同じ溶液を全ての検知部材１４に、又は、異なる溶液を検知部材１４の２つ以上に分注するように動作可能とすることができることが理解される。
【００３９】
レーザ源３８は、狭いスペクトル線幅を有する光源とすることができ、可視域内又は近赤外域内の単色光ビームＬを放出するように選択される。レーザ源３８は、分注システム３６が配置される場所から下流で、可撓性基材１２が割出し送りされる方向に位置決めされる。分注システム３６に対する光源３８の位置決めは、液滴流動性を増加させる熱を供給するのに十分に接近しながら、分注された液滴が蒸発し始めることを可能にするのに十分に遠くすることができる。例えば、レーザ源３８は、基材１２及び液滴に熱を供給し、それにより、液滴の加熱、液滴の乾燥、及び後続の、多角形組立体１６の表面を湿潤化することによって生成される毛管力によるピラー崩壊を促進することができる。レーザ源３８は、定常状態レーザ又はパルス駆動式レーザから選択することができる。レーザ源３８は、光Ｌを種々の検知部材１４上に投影するように位置決めされる。図８に示す例は、暴露される検知部材１４の全体の行を光Ｌに同時に暴露するＶＣＳＥＬ（垂直共振器面発光）である。他の例では、レーザ源３８は、１度に単一検知部材１４に問い合わせるか又は検知部材１４の複数行に同時に問い合わせるように選択することができる。したがって、並列検知を実施することができる。レンズ（図示せず）及び／又は他の光学機器（例えば、光学顕微鏡）を使用して、レーザ光Ｌを所望の方法で方向付ける（例えば、屈曲させる）ことができる。一例では、レーザ源３８は、チップ上に一体化される。レーザ源３８はまた、電源（図示せず）に動作可能に接続することができる。
【００４０】
システム１００の動作中、可撓性基材１２は、分配点４２から受取り点４４まで割出し送りすることができる。可撓性基材１２が割出し送りされるにつれて、分注システム３６は、１つ又は複数のサンプル（関心の分析物（複数の場合もある）を含む）を所望の検知部材１４内に分注するように動作することができる。分注システム３６は、各行内に、一つおきの行内に、又は任意の他の所望の構成で分注するようプログラムすることができる。
【００４１】
可撓性基材１２が割出し送りされるにつれて、分注されたサンプルは蒸発し始め、それにより、サンプルに暴露された各検知部材１４内の信号増幅構造１８を崩壊させ、崩壊した構造内に分析物を取込む。サンプルを受取った検知部材１４が光源３８に隣接するとき、レーザ源３８は、それぞれの検知部材１４に向かって光Ｌを放出するように動作することができる。検知部材１４の信号増幅構造１８内に捕捉された、又はそこで若しくはその近くで濃縮した分析物分子は、光／電磁放射Ｌと相互作用し、光／電磁放射Ｌを散乱させる（散乱光／電磁放射がＲで表示されることに留意されたい）。分析物分子と信号増幅構造１８の信号増幅材料２２との間の相互作用（図８に示す）は、ラマン散乱放射Ｒの強度の増加をもたらす。ラマン散乱放射Ｒは、光検出器４０に向けて転送され、光検出器４０は、任意の反射成分及び／又はレイリー成分を光学的にフィルタリング除去し、その後、入射波長に近い各波長についてラマン散乱放射Ｒの強度を検出することができる。
【００４２】
可撓性基材１２の割出し送りを連続的とし、ＳＥＲＳ分析が所望の期間にわたって中断なしに起こるようにすることもできるし、割出し送りをパルス状にし、割出し送り及びＳＥＲＳ分析が所定の時間の間に起こり、その後、割出し送りもＳＥＲＳ分析も起こらない別の所定の時間が続くようにすることもできる。検知システム１００を動作させるエレクトロニクスは、所望の連続的又は周期的モニタリングを実施するようにプログラムすることができる。検知システム１００を使用して、要求に応じて検知動作を実施することができる。
【００４３】
更に、図８に示すように、システム１００及びセンサ１０は、或る行内への分注が、分注されたサンプルを既に受取った別の行において問い合わせ及び検出が起こる間に起こることを可能にする。この構成は、連続的モニタリング用の能力に対する寄与が生じることを可能にする。図示しないが、システム１００が、更なる可撓性基板１２及び未使用の検知部材１４を放出するために分配点（例えば、スプール）４２を回転させる電子的機構又は機械的機構を含むことができ、一方、受取り点（例えば、スプール）４４が、同じ方向に回転して、集積化センサ１０の使用済み部分を巻上げることが理解される。一例では、連続的で均質の割出し送りが実施される。別の例では、割出し送り中に、或るカタロギング情報を有する新しいデータセットのヘッダを書込むことができる。
【００４４】
図示しないが、システム１００が検知部材１４と光検出器４０との間に位置決めされた光フィルタリング要素を含むことができることが理解される。この光フィルタリング要素を使用して、任意のレイリー成分及び／又は所望の領域のものでない任意のラマン散乱放射Ｒを光学的にフィルタリング除去することができる。システム１００はまた、検知部材１４と光検出器４０との間に位置決めされた光分散要素を含むことができる。光分散要素は、ラマン散乱放射Ｒを異なる角度で分散させることができる。光フィルタリング及び光分散要素は、同じデバイスの一部とすることもできるし、別個のデバイスとすることもできる。
【００４５】
ハードウェア４６、４６’、プログラミング４８、又はその組合せはまた、分注システム３６、レーザ源３８、及び光検出器４０に動作可能に接続されて、これらのコンポーネント３６、３８、４０を制御することができる。図示しないが、ハードウェア４６、４６’及び／又はプログラミング４８はまた、集積化センサ１０を移動させるために、分配点４２及び受取り点４４に動作可能に接続することができる。
【００４６】
同じ又は異なるハードウェア４６、４６’は、光検出器４０からの読み値を受信し、同じ又は異なる関連プログラミング４８にラマンスペクトル読出しを生成させることができ、その読出しのピーク及び谷が、その後、分析物分子を分析するために利用される。ハードウェア４６、４６’は、後続の取出し、分析、レビュー、ライブラリ又はデータベースの生成のためにハードウェア４６、４６’に送信されるデータを記憶することができるメモリデバイス（複数の場合もある）を含むことができる。
【００４７】
ハードウェア４６及び／又はプログラミング４８は、コンポーネント３６、３８、４０に直接接続されるデバイス５２の一部とすることができる。更に又は代替的に、ハードウェア４６及び／又はプログラミング４８は、クラウドコンピューティングシステム５４の一部とすることができる。ローカルハードウェア４６及び／又は関連するプログラミング４８は、分注システム３６、レーザ源３８、及び光検出器４０を動作させるために望ましい場合があり、クラウドコンピューティングシステム５４は、データを記憶し、こうしたデータを用いてアプリケーションを実施するために望ましい場合がある。
【００４８】
クラウドコンピューティングシステム５４は、特定のコンピューティングタスク（例えば、システム１００のコンポーネントを実行すること、検出器４０からデータを受信すること、ユーザが、記憶されたＳＥＲＳデータ、統計的情報等にアクセスし、及び／又はそれを操作することを可能にすること、及び／又は、ユーザが、前データ処理及び後データ処理、異常検出、緊急事態／破壊の傾向把握（trend emergence/breakdown）、データ内のジャンプ等を実施することを可能にすること）を実施するようネットワークを通じて動作可能に結合された複数のハードウェア４６、４６’を含むコンピューティングシステムである。クラウドハードウェアは、物理的ハードウェア４６（例えば、プロセッサ、サーバ、メモリ等）、ソフトウェア（すなわち、関連するプログラミング４８）、及び仮想ハードウェア４６’の組合せを含むことができる。一例では、クラウド５４は、（ｉ）アプリケーションクライアントサーバ５６を通して複数のユーザから要求を受信し、（ｉｉ）要求応答を返送するように構成することができる。本明細書に開示される複数の例では、要求は、ＳＥＲＳデータの取出し、ユーザの記憶データを利用するＳＥＲＳライブラリの構築等に関連することができる。
【００４９】
物理的ハードウェア４６は、プロセッサ、メモリデバイス、及びネットワーキング機器を含むことができる。仮想ハードウェア４６’は、物理的ハードウェア４６によって処理され、特定のソフトウェアをエミュレートするように設計されるソフトウェアのタイプである。例えば、仮想ハードウェア４６’は、仮想マシン、すなわち、物理的マシンのようなアプリケーションの実行をサポートするコンピュータのソフトウェア実装を含むことができる。本明細書で使用されるアプリケーションは、特定のタスクを実行することを容易にするためのコンピューティングシステムによって実行可能な特定の命令のセットを指す。例えば、アプリケーションは、特定の機能、例えば、以前に保存したＳＥＲＳデータを取出すことをユーザに提供するウェブベースツールの形態をとることができる。ソフトウェア４８は、仮想ハードウェア４６’にアプリケーションを実行させるように構成される命令及びデータのセットである。したがって、クラウド５４は、検知システム１００に関連する特定のアプリケーションを、クライアントデバイス５６を通してユーザに利用可能にすることができる。
【００５０】
ハードウェア４６、４６’、プログラミング４８、又はその組合せは、種々の方式で実装することができる。例えば、プログラミング４８は、有形の非一時的なコンピュータ可読メモリ媒体上に記憶されたプロセッサ実行可能命令であり、ハードウェア４６は、これらの命令を実行するためのプロセッサとすることができる。メモリ媒体（例えば、ハードドライブ、サーバによって維持されるメモリ、ＣＤ、ＤＶＤ、又はフラッシュドライブ等の可搬型媒体等）は、プロセッサによって実行されると、検出器４０からメモリ媒体に送信されるデータにユーザがアクセスすることを可能にする命令を記憶するのに使用することができる。一例では、メモリ媒体は、プロセッサと同じデバイス内に一体化されるか、又は、メモリ媒体は、そのデバイス及びプロセッサと別個であるが、それらにアクセス可能とすることができる。
【００５１】
ここで図９を参照すると、検知システム１００’の別の例が示される。この例では、集積化センサ１０は、カセット５８に組込まれる。カセット５８は、カセット５８内に集積化センサ１０を含むハウジングを含む。ハウジングは、例えばポリマ材料を含む任意の適した材料から形成することができる。
【００５２】
カセット５８はまた、カセット５８内に分配点／スプール４２及び受取り点／スプール４４を含む。集積化センサ１０は、最初に、分配点／スプール４２に巻付けられ、受取り点／スプール４４に同様に取付けられる。割出し送りされると、集積化センサ１０は、分配点４２から受取り点４４まで移動する。カセットはまた、動作中に分配点／スプール４２から受取り点／スプール４４までの可撓性基材１２の割出し送りを補助するローラ６０を含むことができる。カセット５８は、ハウジング内に穴を含み、これらの穴は、分配点／スプール４２から受取り点／スプール４４まで可撓性基材１２を進ませるために、それぞれの回転プロングが、分配点／スプール４２及び受取り点／スプール４４に係合することを可能にする。
【００５３】
カセット５８はまた、カセット５８内に形成されたアパーチャ６２を含むことができる。アパーチャ６２は、ハウジングの一方の側面に形成されて、集積化センサ１０が割出し送りされるにつれて、割出し送りされた可撓性基材１２及びその上に形成された検知部材１４を、検知システム１００’の種々のコンポーネント、例えば３６、３８、４０等に暴露させる。所望の数の検知部材１４を暴露するのに十分に大きい１つのアパーチャ６２を含めることもできるし、図９に示すように、複数のアパーチャ６２を、検知システム１００’のそれぞれのコンポーネント、例えば３６、３８、４０等の向かいに形成することもできる。
【００５４】
図示しないが、カセット５８を受取り、カセット５８を動作位置に入るように及び動作位置から出るように移動させるスロットを有するハウジングを、検知システム１００’自体が含むことができることが理解される。システム１００’のこうしたハウジングはまた、集積化センサ１０を適切な方法で進め、検知動作を実施することが望ましいときに、例えば分注システム３６、レーザ源３８、及び光検出器４０を始動させる機械的及び／又は電気的コンポーネントを含むことができる。
【００５５】
図８を参照して述べたように、分注器３６、レーザ源３８、及び検出器４０は、分注、次に、問い合わせ、検出を、この順序で行うように位置決めされる。図示しないが、システム１００’のコンポーネントを動作させ、及び／又は検出器４０から受信されるデータを記憶するためのハードウェア４６、４６’及び／又はプログラミング４８を、この検知システム１００’が同様に含むことができることが理解される。
【００５６】
検知システム１００’のこの例はまた、圧力検知システム６４及び温度分析システム６６等の他のシステムを含む。圧力検知システム６４はシステム１００’の圧力を測定し、温度分析システム６６はシステム１００’の温度を測定する。圧力検知システム６４及び／又は温度分析システム６６は、ＳＥＲＳコンポーネントによって行われる測定を補足する環境特性を測定する別個のユニットである。システムエラー、例えば、分注器３６の誤動作をデバッグするのに役立つ、流量センサ等の他の検知システムを含めることができると思われる。これらの更なるシステムが、ＳＥＲＳコンポーネント（例えば、分注器３６、レーザ源３８、及び検出器４０）に加えて別個のコンポーネントとして検知システム１００’に一体化されることが理解される。これらの更なるシステムは、ＳＥＲＳに加えて他の望ましいプロセスを実施するのに有用とすることができる。これらの更なるセンサが、どんなハードウェア４６、４６’、及び／又はプログラミング４８がシステム１００’を動作させるために利用されてもそのハードウェア４６、４６’、及び／又はプログラミング４８に動作可能に結合することができることが理解される。
【００５７】
本明細書で開示される集積化センサ１０、１０’、１０’’、及び１０’’’を使用して、１つのサンプル又は複数のサンプルの連続的又は周期的モニタリングを実施することができる。可撓性基材１２上の各検知部材１４内の多角形組立体１６の制御されたパターンは、ホットスポット内に分析物を捕捉して、ＳＥＲＳ場及び信号を増強することが可能である独自の信号増幅構造１８を、大きなエリアにわたって提供する。
【００５８】
本明細書で提供される範囲が、述べた範囲及び述べた範囲内の任意の値又は部分範囲を含むことが理解される。例えば、約４００ｎｍ〜約６００ｎｍの範囲が、約４００ｎｍ〜約６００ｎｍの明示的に挙げた限界だけでなく、４１５ｎｍ、４８０ｎｍ、５５０ｎｍ等の個々の値、及び、約４２５ｎｍ〜約５００ｎｍ、約４５０ｎｍ〜約５７５ｎｍ等の部分範囲も同様に含むと解釈されるべきである。更に、「約（about）」が或る値を述べるために利用されるとき、これは、述べた値からのわずか（＋／−１０％まで）の変動を包含することが意味される。
【００５９】
幾つかの例を詳細に説明したが、当業者には、開示した例を変更することができることが明らかとなろう。したがって、上述した説明は、非限定的なものとみなされるべきである。
【図１Ａ−１Ｂ】
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【図２Ａ−２Ｅ】
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【図３Ａ−３Ｃ】
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【図４Ａ−４Ｄ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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