(57)【要約】  圧電性トランスデューサ（ＰＺＴ）を駆動するための装置（１００）及び方法が提供される。Ｈブリッジ（１１６）が、スイッチ（Ｓ１−Ｓ４）を含み、端子ＳＷＰ及びＳＷＭを介してインダクタＬに結合され、バックブースト回路（１１０）として機能する。制御回路（１１８）が、ホストプロセッサ（１０３）からＰＺＴ（１０４）の所望の電力出力及び応答の周波数を示す制御信号を受信する。バックブースト回路端子（ＳＷＰ、ＳＷＭ、ＢＳＴ）からの電流及び／又は電圧検出に基づいて、制御回路（１１８）は、スイッチ（Ｓ１−Ｓ４）を制御するために用いられるパルス幅変調（ＰＷＭ）信号を生成して、適切なときＨブリッジ（１１６）に結合されるセル（１０１）からキャパシタＣ上のチャージを提供するためバックブースト回路（１１０）をイネーブルする。
2015525558.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置であって、
供給端子、
第１のスイッチング端子、
第２のスイッチング端子であって、前記第１及び第２のスイッチング端子がインダクタに結合されるように構成される、前記第２のスイッチング端子、
キャパシタに結合されるように構成されるブースト端子、
第１の出力端子、
第２の出力端子であって、前記第１及び第２の出力端子が圧電性トランスデューサに結合されるように構成される、前記第２の出力端子、
前記供給端子、前記ブースト端子、前記第１のスイッチング端子、及び前記第２のスイッチング端子に結合される第１のＨブリッジ、
前記ブースト端子、前記第１の出力端子、及び前記第２の出力端子に結合される第２のＨブリッジ、及び
前記第１及び第２のＨブリッジを制御するように結合される制御回路、
を含み、
前記制御回路が前記第１のＨブリッジをバックブースト回路として動作させるように構成され、前記制御回路が、実質的にオーディオ帯域内で駆動するように前記第１及び第２のＨブリッジを動作させるように構成される、
装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、前記制御回路が、前記第１のＨブリッジを、前記キャパシタ上の所望の電圧が第１の閾値電圧より小さいときバックモードで、前記キャパシタ上の前記所望の電圧が第２の閾値電圧より大きいときブーストモードで、及び前記キャパシタ上の前記所望の電圧が前記第１の閾値電圧と第２の閾値電圧との間であるときバックブーストモードで、動作させるように構成される、装置。
【請求項３】
請求項２に記載の装置であって、前記第１のＨブリッジが、第１、第２、第３、及び第４のスイッチを更に含み、前記第２のＨブリッジが、第５、第６、第７、及び第８のスイッチを更に含む、装置。
【請求項４】
請求項３に記載の装置であって、前記制御回路が、
前記第１及び第２の出力端子に結合されるゼロ交差検出器、
前記ゼロ交差検出器に結合されるブリッジコントローラ、及び
前記ブリッジコントローラ、前記第５のスイッチ、前記第６のスイッチ、前記第７のスイッチ、及び前記第８のスイッチに結合されるドライバ、
を更に含む、装置。
【請求項５】
請求項４に記載の装置であって、
前記ドライバが第１のドライバを更に含み、
前記制御回路が、
前記第１及び第２のスイッチング端子に結合されるバックブースト検出器、
前記バックブースト検出器に結合されるバックブーストコントローラ、
前記バックブーストコントローラに結合されるパルス幅変調器（ＰＷＭ）、及び
前記ＰＷＭ、前記第１のスイッチ、前記第２のスイッチ、前記第３のスイッチ、及び前記第４のスイッチに結合される第２のドライバ、
を更に含む、
装置。
【請求項６】
方法であって、
入力信号を受信する工程、
キャパシタ上の所望の電圧の、第１の閾値及び第２の閾値に対する比較から、バックブースト段に対して複数のモードの少なくとも１つを選択する工程であって、前記所望の電圧が前記入力信号から決められる工程、及び
各ゼロ交差で状態を変えるＨブリッジを用いて前記キャパシタ上の前記所望の電圧を用いて実質的にオーディオ帯域内で圧電性トランスデューサを駆動する工程、
を含む、方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、前記複数のモードの少なくとも１つを選択する前記工程が、前記キャパシタ上の前記所望の電圧が前記第１の閾値より小さい場合にバックモードを選択することを更に含む、方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、前記複数のモードの少なくとも１つを選択する前記工程が、前記キャパシタ上の前記所望の電圧が前記第２の閾値より大きい場合にブーストモードを選択することを更に含む、方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であって、前記複数のモードの少なくとも１つを選択する前記工程が、前記キャパシタ上の前記所望の電圧が前記第１の閾値と第２の閾値との間である場合にバックブーストモードを選択することを更に含む、方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、前記複数のモードの少なくとも１つを選択する前記工程が、前記キャパシタ上に電荷を構築するとき、前記キャパシタ上の前記所望の電圧が前記第１の閾値より小さい場合にバック充電モードを選択することを更に含む、方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法であって、前記複数のモードの少なくとも１つを選択する前記工程が、前記キャパシタ上に電荷を構築するとき、前記キャパシタ上の前記所望の電圧が前記第２の閾値より大きい場合にブースト充電モードを選択することを更に含む、方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、前記複数のモードの少なくとも１つを選択する前記工程が、前記キャパシタ上に電荷を構築するとき、前記キャパシタ上の前記所望の電圧が前記第１の閾値と第２の閾値との間である場合にバックブースト充電モードを選択することを更に含む、方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、前記複数のモードの少なくとも１つを選択する前記工程が、前記キャパシタから電荷を回復するとき、前記キャパシタ上の前記所望の電圧が前記第１の閾値がより小さい場合にバック放電モードを選択することを更に含む、方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、前記複数のモードの少なくとも１つを選択する前記工程が、前記キャパシタから電荷を回復するとき、前記キャパシタ上の前記所望の電圧が前記第２の閾値より大きい場合にブースト放電モードを選択することを更に含む、方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、前記複数のモードの少なくとも１つを選択する前記工程が、前記キャパシタから電荷を回復するとき、前記キャパシタ上の前記所望の電圧が前記第１の閾値と第２の閾値との間である場合にバックブースト放電モードを選択することを更に含む、方法。
【請求項１６】
装置であって、
ホストプロセッサ、
セル、
前記セルに結合されるキャパシタ、
インダクタ、
圧電性トランスデューサ、及び
圧電性ドライバ、
を含み、
前記圧電性ドライバが、
前記ホストプロセッサに結合される入力端子と、
前記セルに結合される第１の供給端子と、
前記セルに結合される第２の供給端子と、
前記インダクタに結合される第１のスイッチング端子と、
前記インダクタに結合される第２のスイッチング端子と、
前記キャパシタに結合されるブースト端子と、
前記圧電性トランスデューサに結合される第１の出力端子と、
前記圧電性トランスデューサに結合される第２の出力端子と、
前記第１の供給端子、前記第２の供給端子、前記ブースト端子、前記第１のスイッチング端子、及び前記第２のスイッチング端子に結合される第１のＨブリッジと、
前記ブースト端子、前記第２の供給端子、前記第１の出力端子、及び前記第２の出力端子に結合される第２のＨブリッジと、
前記第１及び第２のＨブリッジを制御するように結合される制御回路と、
を有し、
前記制御回路が、前記第１のＨブリッジをバックブースト回路として動作させるように構成され、前記制御回路が、実質的に前記オーディオ帯域内で駆動するように前記第１及び第２のＨブリッジを動作させるように構成される、
装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の装置であって、前記制御回路が前記第１のＨブリッジを、前記キャパシタ上の所望の電圧が第１の閾値電圧より小さいときバックモードで、前記キャパシタ上の前記所望の電圧が第２の閾値電圧より大きいときブーストモードで、及び前記キャパシタ上の前記所望の電圧が前記第１の閾値と第２の閾値電圧との間であるときバックブーストモードで、動作させるように構成される、装置。
【請求項１８】
請求項１７に記載の装置であって、前記第１のＨブリッジが、第１、第２、第３、及び第４のスイッチを更に含み、前記第２のＨブリッジが、第５、第６、第７、及び第８のスイッチを更に含む、装置。
【請求項１９】
請求項１８に記載の装置であって、前記制御回路が、
前記第１及び第２の出力端子に結合されるゼロ交差検出器、
前記ゼロ交差検出器に結合されるブリッジコントローラ、及び
前記ブリッジコントローラ、前記第５のスイッチ、前記第６のスイッチ、前記第７のスイッチ、及び前記第８のスイッチに結合されるドライバ、
を更に含む、装置。
【請求項２０】
請求項１９に記載の装置であって、
前記圧電性トランスデューサがスクリーンに結合され、前記ドライバが第１のドライバを更に含み、
前記制御回路が、
前記第１及び第２のスイッチング端子に結合されるバックブースト検出器と、
前記バックブースト検出器に結合されるバックブーストコントローラと、
前記バックブーストコントローラに結合されるＰＷＭと、
前記ＰＷＭ、前記第１のスイッチ、前記第２のスイッチ、前記第３のスイッチ、及び前記第４のスイッチに結合される第２のドライバと、
前記バックブーストコントローラ及び前記ホストコントローラに結合されるインタフェース回路と、
を更に含む、
装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、概して容量性負荷のためのドライバに関し、更に特定して言えば、オーディオ帯域において圧電性トランスデューサを駆動するように構成されるドライバに関連する。
【背景技術】
【０００２】
多くの用途において、ロバスト性を増大させコストを低減する要望がある。この要望がある用途の一つはモバイル空間デバイスであり、コストを低減し、且つ、ロバスト性を増大させるための１つの手法は、モバイルデバイスのヒューマンインタフェース部を、即ち、スピーカー及び触覚（haptics）機能性を縮小する（collapse）ことにより、変えることである。これを達成するには、スクリーンを、スピーカーとして機能させるか又は触覚フィードバックを備えた（例えば、振動性フィードバックがボタンタッチを示すなど）タッチスクリーンとして機能させるようにスクリーンを振動するように、圧電性トランスデューサがスクリーンに固定され得る。
【０００３】
しかし、１つの問題点は、圧電性トランスデューサは概して高度に容量性負荷（例えば、１μＦ）であり、スピーカーとして機能するために充分な質と触覚効果を提供するために充分な電力とを備えてこれらのトランスデューサを駆動することが困難となり得ることである。このような容量性負荷を駆動するための最良の従来の手法では、Ｄ級アンプにＧ級又はＨ級ブースト段を用いる。図１に示すように、この種の従来の回路は、約３．６Ｖのバッテリー電圧で１０ｋＨｚ及び２０ＶＰＰで１μＦの容量性負荷を駆動するために、約１１０ｍＡの平均バッテリー電流を用いることができる。しかしこの特定の手法は、概して、複数の大型で高価な構成要素（複数のインダクタなど）を用いるため、この手法はひどく高価となる。
【０００４】
従って、容量性負荷のための改善されたドライバが求められている。
【０００５】
ＰＣＴ公開番号ＷＯ２００９／０２９５６３において従来のシステムの別の例が説明されている。
【特許文献１】ＰＣＴ公開番号ＷＯ２００９／０２９５６３
【発明の概要】
【０００６】
一実施例が或る装置を提供する。この装置は、供給端子、第１のスイッチング端子、第２のスイッチング端子、キャパシタに結合されるように構成されるブースト端子、第１の出力端子、第２の出力端子、供給端子とブースト端子と第１のスイッチング端子と第２のスイッチング端子とに結合される第１のＨブリッジ、ブースト端子と第１の出力端子と第２の出力端子とに結合される第２のＨブリッジ、及び第１及び第２のＨブリッジを制御するように結合される制御回路を含む。第１及び第２のスイッチング端子は、インダクタに結合されるように構成される。第１及び第２の出力端子は、圧電性トランスデューサに結合されるように構成される。制御回路は、第１のＨブリッジをバックブースト回路として動作させるように構成され、制御回路は、実質的にオーディオ帯域内で駆動するように第１及び第２のＨブリッジを動作させるように構成される。
【０００７】
一実施例に従って、制御回路は、第１のＨブリッジを、キャパシタ上の所望の電圧が第１の閾値電圧より小さいときバックモードで、キャパシタ上の所望の電圧が第２の閾値電圧より大きいときブーストモードで、及びキャパシタ上の所望の電圧が第１の閾値電圧と第２の閾値電圧との間であるときバックブーストモードで、動作させるように構成される。
【０００８】
一実施例に従って、第１のＨブリッジは、第１、第２、第３、及び第４のスイッチを更に含み、第２のＨブリッジは、第５、第６、第７、及び第８のスイッチを更に含む。
【０００９】
一実施例に従って、制御回路は、第１及び第２の出力端子に結合されるゼロ交差検出器、ゼロ交差検出器に結合されるブリッジコントローラ、及びブリッジコントローラと第５のスイッチと第６のスイッチと第７のスイッチと第８のスイッチとに結合されるドライバを更に含む。
【００１０】
一実施例に従って、ドライバは第１のドライバを更に含む。制御回路は、第１及び第２のスイッチング端子に結合されるバックブースト検出器、バックブースト検出器に結合されるバックブーストコントローラ、バックブーストコントローラに結合されるパルス幅変調器（ＰＷＭ）、及びＰＷＭと第１のスイッチと第２のスイッチと第３のスイッチと第４のスイッチとに結合される第２のドライバを更に含む。
【００１１】
一実施例に従って或る方法が提供される。この方法は、入力信号を受信する工程、キャパシタ上の所望の電圧の、第１の閾値及び第２の閾値に対する比較から、バックブースト段に対して複数のモードの少なくとも１つを選択する工程であって、所望の電圧が入力信号から決められる工程、及び各ゼロ交差で状態を変えるＨブリッジを用いてキャパシタ上の所望の電圧を用いて実質的にオーディオ帯域内で圧電性トランスデューサを駆動する工程を含む。
【００１２】
一実施例に従って、複数のモードの少なくとも１つを選択する工程は、キャパシタ上の所望の電圧が第１の閾値より小さい場合にバックモードを選択することを更に含む。
【００１３】
一実施例に従って、複数のモードの少なくとも１つを選択する工程は、キャパシタ上の所望の電圧が第２の閾値より大きい場合にブーストモードを選択することを更に含む。
【００１４】
一実施例に従って、複数のモードの少なくとも１つを選択する工程は、キャパシタ上の所望の電圧が第１の閾値と第２の閾値との間である場合にバックブーストモードを選択することを更に含む。
【００１５】
一実施例に従って、複数のモードの少なくとも１つを選択する工程は、キャパシタ上に電荷を構築するとき、キャパシタ上の所望の電圧が第１の閾値より小さい場合にバック充電モードを選択することを更に含む。
【００１６】
一実施例に従って、複数のモードの少なくとも１つを選択する工程は、キャパシタ上に電荷を構築するとき、キャパシタ上の所望の電圧が第２の閾値より大きい場合にブースト充電モードを選択することを更に含む。
【００１７】
一実施例に従って、複数のモードの少なくとも１つを選択する工程は、キャパシタ上に電荷を構築するとき、キャパシタ上の所望の電圧が第１の閾値と第２の閾値との間である場合にバックブースト充電モードを選択することを更に含む。
【００１８】
一実施例に従って、複数のモードの少なくとも１つを選択する工程は、キャパシタから電荷を回復するとき、キャパシタ上の所望の電圧が第１の閾値がより小さい場合にバック放電モードを選択することを更に含む。
【００１９】
一実施例に従って、複数のモードの少なくとも１つを選択する工程は、キャパシタから電荷を回復するとき、キャパシタ上の所望の電圧が第２の閾値より大きい場合にブースト放電モードを選択することを更に含む。
【００２０】
一実施例に従って、複数のモードの少なくとも１つを選択する工程は、キャパシタから電荷を回復するとき、キャパシタ上の所望の電圧が第１の閾値と第２の閾値との間である場合にバックブースト放電モードを選択することを更に含む。
【００２１】
一実施例に従って或る装置が提供される。この装置は、ホストプロセッサ、セル、セルに結合されるキャパシタ、インダクタ、圧電性トランスデューサ、及び圧電性ドライバを含む。圧電性ドライバは、ホストプロセッサに結合される入力端子、セルに結合される第１の供給端子、セルに結合される第２の供給端子、インダクタに結合される第１のスイッチング端子、インダクタに結合される第２のスイッチング端子、キャパシタに結合されるブースト端子、圧電性トランスデューサに結合される第１の出力端子、圧電性トランスデューサに結合される第２の出力端子、第１の供給端子と、第２の供給端子と、ブースト端子と、第１のスイッチング端子と、第２のスイッチング端子とに結合される第１のＨブリッジ、ブースト端子と、第２の供給端子と、第１の出力端子と、第２の出力端子とに結合される第２のＨブリッジ、第１及び第２のＨブリッジを制御するように結合される制御回路を有する。制御回路は、第１のＨブリッジをバックブースト回路として動作させるように構成され、制御回路は、実質的にオーディオ帯域内で駆動するように第１及び第２のＨブリッジを動作させるように構成される。
【００２２】
一実施例に従って、圧電性トランスデューサはスクリーンに結合され、ドライバは第１のドライバを更に含む。制御回路は、第１及び第２のスイッチング端子に結合されるバックブースト検出器、バックブースト検出器に結合されるバックブーストコントローラ、バックブーストコントローラに結合されるＰＷＭ、ＰＷＭと、第１のスイッチと、第２のスイッチと、第３のスイッチと、第４のスイッチとに結合される第２のドライバ、バックブーストコントローラとびホストコントローラとに結合されるインタフェース回路を更に含む。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１は、従来のドライバのためのオペレーションを示す。
【００２４】
【図２】図２は、本発明に従ったシステムの一例を図示する。
【００２５】
【図３】図３は、図２の制御回路の一例を図示する。
【００２６】
【図４】図４は、図２のバックブースト回路を示す例示のオペレーションを図示する。
【００２７】
【図５Ａ】図５Ａは、図２のバックブースト段のためのバック充電モードの一例を示す。
【図５Ｂ】図５Ｂは、図２のバックブースト段のためのバック充電モードの一例を示す。
【００２８】
【図６Ａ】図６Ａは、図２のバックブースト段のためのブースト充電モードの一例を示す。
【図６Ｂ】図６Ｂは、図２のバックブースト段のためのブースト充電モードの一例を示す。
【００２９】
【図７Ａ】図７Ａは、図２のバックブースト段のためのバックブースト充電モードの一例を示す。
【図７Ｂ】図７Ｂは、図２のバックブースト段のためのバックブースト充電モードの一例を示す。
【００３０】
【図８Ａ】図８Ａは、図２のバックブースト段のためのバックブースト放電モードの一例を示す。
【図８Ｂ】図８Ｂは、図２のバックブースト段のためのバックブースト放電モードの一例を示す。
【００３１】
【図９Ａ】図９Ａは、図２のバックブースト段のためのブースト放電モードの一例を示す。
【図９Ｂ】図９Ｂは、図２のバックブースト段のためのブースト放電モードの一例を示す。
【００３２】
【図１０Ａ】図１０Ａは、図２のバックブースト段のためのバック放電モードの一例を示す。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、図２のバックブースト段のためのバック放電モードの一例を示す。
【００３３】
【図１１】図１１は、図２のＨブリッジ回路の例示のオペレーションを示す。
【００３４】
【図１２】図１２は、図２のドライバのためのオペレーションを示す。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
図２及び図３は、システム１００の一例を示す。この例では、システム１００は、信号を集積回路（ＩＣ）１０２に提供することができるホストプロセッサ１０３を有するモバイルデバイス（携帯電話など）であり得、ＩＣ１０２は、概して、圧電性トランスデューサ又はＰＺＴ１０４のための圧電性ドライバとして機能する。（ピン又は端子ＩＮを介して受信される）入力信号に基づいて、制御回路１１８は、制御信号を、それぞれ、Ｈブリッジ１１４及び１１６のスイッチＳ１〜Ｓ４及びＳ５〜Ｓ８に供給して、ＰＺＴ１０４に、例えば、スクリーン１０６、又はモバイルデバイス（例えば、携帯電話）のシャーシを振動させてオーディオ信号又は触覚効果を生成させることができる。そのため、ＩＣ１０２は、ＰＺＴ１０４を実質的に全オーディオ帯域（例えば、約５０Ｈｚ〜約２０ｋＨｚ）内で駆動することができる。
【００３６】
概して、オペレーションにおいて、Ｈブリッジ１１６は、適切な電力及び周波数を提供することによりＰＺＴ１０４を「駆動」する役割を担っている。図２の例に示すように、Ｈブリッジ１１６（これは、図示するように、スイッチＳ１〜Ｓ４を含む）が、端子ＳＷＰ及びＳＷＭを介してインダクタＬに結合され、バックブースト回路１１０として機能する。オペレーションにおいて、制御回路１１８のインタフェース回路２１２は、ホストプロセッサ１０３から端子ＩＮ（これはアナログ又はマルチビットデジタルバスとし得る）を介して、ＰＺＴ１０４の所望の電力出力及び応答の周波数を示す制御信号を受信する。インタフェース回路２１２及びバックブースト検出器２０４（これらは端子ＳＷＰ、ＳＷＭ、及びＢＳＴから電流及び／又は電圧検出を実行することができる）からの出力に基づいて、バックブーストコントローラ２０８が、パルス幅変調器（ＰＷＭ）２１０（これは、例えば約１０ＭＨｚのスイッチング周波数で動作し得る）を制御して、ドライバがスイッチＳ１〜Ｓ４をアクティベート及びディアクティベートするために用いることができるＰＷＭ信号を生成する。これらのスイッチングオペレーションの結果、バックブースト回路１１０は、適切なときに適切なチャージをキャパシタＣへ（又はキャパシタＣから）セル１０１（これは、端子ＢＡＴ及びＧＮＤでＨブリッジ１１６に結合される）から（又はセル１０１へ）搬送（又は回復）することができる。
【００３７】
図４は、バックブースト回路１１０のオペレーションの一例を示す。図示するように、バックブースト回路１１０は、振幅及び周波数の両方で変化し得る端子ＢＳＴにおいて正の正弦波「ピーク」を搬送することができる（ここで、振幅及び周波数は、ホストプロセッサ１０３によって提供される信号に基づく）。これは、概して、バックブースト回路１１０を幾つかのモードで動作することにより達成される。これらのモードは概して、チャージがキャパシタＣ上で構築されていようと又はキャパシタＣが放電されていようと、閾値電圧Ｖ１及びＶ２により差別化され得る。
【００３８】
例えば、チャージを端子ＢＳＴ上の所望の電圧の関数としてキャパシタＣ上に構築させ得る、（図５Ａ〜図７Ｂに示すような）３つの充電モードがあり得る。端子ＢＳＴ上の電圧が、閾値電圧Ｖ１（これは、例えばセル１０１からの供給電圧ＶＢＡＴの約８０％とし得る）より小さい場合、バック充電モードが用いられる。このモードでは、スイッチＳ４は開又は「オフ」であり、スイッチＳ３が閉又は「オン」である。（図５Ａに示すような）初期状態において、スイッチＳ１は閉であり、その後（図５Ｂに示すように）、後続の状態においてスイッチＳ２が閉となる。端子ＢＳＴの電圧が、閾値電圧Ｖ２（これは、例えば供給電圧ＶＢＡＴの約１２０％とし得る）より大きい場合、ブースト充電モードが用いられる。このモードでは、スイッチＳ２は開又は「オフ」であり、スイッチＳ１は閉又は「オン」である。（図６Ａに示すような）初期状態において、スイッチＳ４は閉であり、その後（図６Ｂに示すように）、後続の状態においてスイッチＳ３が閉となる。端子ＢＳＴ上の電圧が閾値電圧Ｖ１とＶ２との間である場合、バックブースト充電モードが用いられる。（図７Ａに示すような）初期状態において、スイッチＳ１及びＳ４が閉であり、その後（図７Ｂに示すように）、スイッチＳ２及びＳ３は後続の状態において閉となる。
【００３９】
放電モードでは、チャージが、キャパシタＣから回復され、セル１０１に提供される。これを行うため、例えば、チャージを端子ＢＳＴ上の所望の電圧の関数としてキャパシタＣから放電させ得る、（図８Ａ〜図１０Ｂに示すような）３つのモードがあり得る。端子ＢＳＴ上の電圧が閾値電圧Ｖ１とＶ２との間である場合、バックブースト放電モードが用いられる。（図８Ａに示すような）初期状態において、スイッチＳ２及びＳ３が閉又は「オン」であり、その後（図８Ｂに示すように）、後続の状態においてスイッチＳ１及びＳ４が閉又は「オン」となる。端子ＢＳＴ上の電圧が閾値電圧Ｖ２より大きい場合、ブースト放電モードが用いられる。このモードでは、スイッチＳ２は開又は「オフ」であり、スイッチＳ１は閉又は「オン」である。（図９Ａに示すような）初期状態において、スイッチＳ３は閉又は「オン」であり、その後（図９Ｂに示すように）、後続の状態においてスイッチＳ４が閉又は「オン」となる。端子ＢＳＴ上の電圧が閾値電圧Ｖ１より小さい場合、バック放電モードが用いられる。このモードでは、スイッチＳ４は開又は「オフ」であり、スイッチＳ３は閉又は「オン」である。（図１０Ａに示すような）初期状態において、スイッチＳ２は閉又は「オン」であり、その後（図１０Ｂに示すように）、後続の状態においてスイッチＳ１が閉又は「オン」となる。
【００４０】
端子ＢＳＴ上の電圧が正の整流された正弦曲線であるため、ＰＺＴ１０４への適切な駆動信号を生成するためにＨブリッジ１１４を用いることができる。Ｈブリッジ１１４（これは、図示するようにスイッチＳ５〜Ｓ８を含む）を制御するとき、制御回路１１８は、ゼロ交差でＨブリッジ１１４の状態を変える。これにより、この例に示すように、Ｈブリッジ１１４が、ピン又は端子ＯＵＴＰ及びＯＵＴＭを介してＰＺＴ１０４を差動的に駆動することができ、（図３に図示するような）ゼロ交差検出器２０２が、端子ＯＵＴＰ及びＯＵＴＭ上のゼロ交差事象を検出することができる。ゼロ交差事象が起こるとき、ブリッジコントローラ２０３は、ドライバ２０６−１（これはスイッチＳ５〜Ｓ８を適切にアクティベート及びディアクティベートする）を制御することができる。典型的に、図１１の例において図示するように、正のスイング信号では、スイッチＳ５及びＳ８が閉又はアクティブにされ（一方、スイッチＳ７及びＳ６が開又はディアクティベートされ）て、電流がキャパシタＣ（これは端子ＢＳＴに結合される）からＰＺＴ１０４へ流れるようにする。負のスイング信号では、スイッチＳ６及びＳ７が閉又はアクティブにされ（一方、スイッチＳ５及びＳ８が開又はディアクティベートされる）。これにより、ＰＺＴ１０４がキャパシタＣ及びセル１０１（Ｈブリッジ１１６を介して）から正弦的に駆動され得る。
【００４１】
ドライバ１００を用いた結果、ＰＺＴ１０４は、それが触覚アクチュエータとして及びスピーカーとして動作し得るように効率的に駆動され得る。図１２に示すように、２０Ｖのピークトゥピーク電圧の１０ＫＨｚ信号（ここで、ＰＺＴは１μＦであり、電圧ＶＢＡＴは３．６Ｖである）では、平均バッテリー電流は約１５０ｍＡである。これは、図１での従来の回路の性能に匹敵するが、外部構成要素が一層少なく（即ち、インダクタが一層少なく）、システムのコストが著しく低減される。
【００４２】
当業者であれば、本発明の特許請求の範囲内で、説明した例示の実施例に変形が成され得ること、及び多くの他の実施例が可能であることが分かるであろう。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１】
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【図１２】
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【国際調査報告】
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