(57)【要約】  本開示は、実質的に酸を含まず実質的に無水の条件下で、極性プロトン性の第１の溶媒中、遷移金属前駆体と１族または２族金属のカルボン酸塩を混ぜ合せて遷移金属カルボン酸塩組成物を含む混合物を得ることによって、遷移金属カルボン酸塩組成物を作製するプロセスを提供する。場合によって、遷移金属カルボン酸塩組成物は、例えば、実質的に第１の溶媒を除去して遷移金属カルボン酸塩組成物を含む残渣を得ることによって、また場合によって、非配位性の第２の溶媒で残渣から遷移金属カルボン酸塩組成物をさらに抽出して遷移金属カルボン酸塩組成物を含む抽出物を得ることによって、さらに精製することができる。【特許請求の範囲】
【請求項１】
遷移金属カルボン酸塩組成物であって、実質的に無水であり、かつ実質的に酸を含まない条件下で、、
１）式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２［式中、ＭＢは、ｘが＋１〜＋６の整数である＋ｘ酸化状態の遷移金属であり、
各Ｘは独立してｙが−３〜−１の整数である電荷ｙを有する陰イオン性配位子であり、
各Ｌは独立して中性配位子であり；
ｌは０〜７の整数であり；
ｍは−４〜４の整数であり；
ｍ＝（ｙ×ｘ１）＋（ｘ×ｙ１）であり；
Ｃは、ｃが＋１〜＋３の整数である電荷ｃを有する陽イオン種であり；
Ａは、ａが−１〜−３の整数である電荷ａを有する陰イオン種であり；
ｍ＜０のとき、｜ｍ×ｑ｜＝ｃ×ｍ１、かつｍ２＝０であり；
ｍ＝０のとき、ｍ１＝０かつｍ＝０であり；
ｍ＞０のとき、ｍ×ｑ＝｜ａ×ｍ２｜かつｍ１＝０である］を有する遷移金属前駆体；
２）１族または２族金属のＣ３−Ｃ２５カルボン酸塩；および
３）第１の溶媒を接触させて遷移金属カルボン酸塩を形成するステップを含むプロセスによって製造された組成物。
【請求項２】
遷移金属前駆体が式ＭＢＸｘＬｌを有し、式中、ＭＢは、ｘが１〜６までの整数であるｘ酸化状態の遷移金属であり；各Ｘは独立してモノ陰イオン性配位子であり；各Ｌは独立して中性配位子であり；ｌは０〜７の整数である、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
ＭＢがＴｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、ＣｏまたはＣｕである、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
各Ｘが独立してハライド、硝酸塩、硫酸塩またはリン酸塩であり、各Ｌが独立してＣ２−Ｃ４０エーテル、Ｃ２−Ｃ４０チオエーテル、Ｃ２−Ｃ２０ニトリル、Ｃ１−Ｃ６０アミン、Ｃ３−Ｃ６０ホスフィンまたはその任意の組み合わせである、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
１族または２族金属のカルボン酸塩が式（ＭＡ）ｑ［（Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃ］ｓを有し、式中、ＭＡは１族または２族金属であり；（Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃは、ｒが１〜４の整数であるＣ３−Ｃ２５カルボン酸塩であり、Ｒ１ｃは炭化水素基または置換炭化水素基であり；ｑはｒとＭＡの酸化状態との最大公約数で除したｒであり；ｓは、ｒとＭＡの酸化状態との最大公約数で除したＭＡの酸化状態である、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
１族または２族金属のカルボン酸塩が式ＭＡＯ２ＣＲ２ｃを有し、式中、ＭＡは１族金属であり、Ｏ２ＣＲ２ｃはＣ３−Ｃ２５モノカルボン酸塩であり、Ｒ２ｃはヒドロカルビル基または置換ヒドロカルビル基である、請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
遷移金属カルボン酸塩組成物のカルボン酸塩が式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するモノカルボン酸塩を含み、式中、Ｒ２ｃはヒドロカルビル基または置換ヒドロカルビル基である、請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
遷移金属前駆体および１族または２族金属のカルボン酸塩を、０．９５：１〜１．３：１のカルボン酸塩基と遷移金属の当量比で接触させる、請求項１に記載の組成物。
【請求項９】
第１の溶媒が、Ｃ２−Ｃ４０エーテル、Ｃ２−Ｃ４０チオエーテル、Ｃ２−Ｃ２０ニトリル、Ｃ１−Ｃ６０アミン、Ｃ３−Ｃ６０ホスフィンまたはその任意の組み合わせを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項１０】
遷移金属前駆体が式ＣｒＸ３Ｌｌを有し、式中、
各Ｘは独立してハライドであり、
各Ｌは独立してＣ２−Ｃ１０エーテル、Ｃ２−Ｃ１０チオエーテル、Ｃ２−Ｃ５ニトリル、Ｃ１−Ｃ３０アミン、またはＣ３−Ｃ３０ホスフィン、またはその任意の組み合わせであり、
ｌは０〜７の範囲であり、
１族または２族金属のカルボン酸塩は、１族金属Ｃ３−Ｃ２５モノカルボン酸塩である、請求項１に記載の組成物。
【請求項１１】
１族金属カルボン酸塩のカルボン酸塩が、プロピオン酸塩、酪酸塩、ペンタン酸塩、ヘキサン酸塩、へプタン酸塩、オクタン酸塩、ノナン酸塩、デカン酸塩、ウンデカン酸塩、ドデカン酸塩、トリデカン酸塩、テトラデカン酸塩、ペンタデカン酸塩、ヘキサデカン酸塩、ヘプタデカン酸塩、オクタデカン酸塩またはその任意の組み合わせを含む、請求項１０に記載の組成物。
【請求項１２】
１族金属カルボン酸塩のカルボン酸塩が２−エチルヘキサン酸塩を含む、請求項１０に記載の組成物。
【請求項１３】
式ＣｒＸ３Ｌ３を有する遷移金属前駆体および１族金属カルボン酸塩を、１族金属カルボン酸塩とクロムの３：１〜３．６：１のモル比で接触させる、請求項１０に記載の組成物。
【請求項１４】
第１の溶媒が、Ｃ２−Ｃ４０エーテル、Ｃ２−Ｃ４０チオエーテル、Ｃ２−Ｃ２０ニトリル、Ｃ１−Ｃ６０アミンもしくはＣ３−Ｃ６０ホスフィンまたはその任意の組み合わせを含む、請求項１０に記載の組成物。
【請求項１５】
混合物から第１の溶媒を蒸発させて、遷移金属カルボン酸塩組成物を得るステップをさらに含む、請求項１０に記載の組成物。
【請求項１６】
第１の遷移金属カルボン酸塩組成物を非配位性溶媒と接触させて溶液を形成し、溶液を濾過し、非配位性溶媒を蒸発させて精製された遷移金属カルボン酸塩組成物を得ることによって遷移金属カルボン酸塩組成物を精製するステップをさらに含む、請求項１５に記載の組成物。
【請求項１７】
νｓｙｍ（ＣＯ２）赤外線吸収ピークの１１０ｃｍ−１内にνａｓｙｍ（ＣＯ２）ピーク赤外線吸収ピークを含むＫＢｒペレット赤外線スペクトルを有し、かつ、１５１６±１５ｃｍ−１でのνａｓｙｍ（ＣＯ２）の赤外線吸光度ピークと７００±５０ｃｍ−１に位置する赤外線吸光度ピークとの３：１以上の赤外線吸光度ピーク高さ比を有することを特徴とするカルボン酸クロム組成物。
【請求項１８】
ＫＢｒペレット赤外スペクトルが、１５１６±１５ｃｍ−１での赤外線吸光度ピークと１４２９±１５ｃｍ−１での赤外線吸光度ピークの０．５：１以上の赤外線吸光度ピーク高さ比を有する、請求項１７に記載のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物。
【請求項１９】
ＫＢｒペレット赤外スペクトルが、１６１６±２０ｃｍ−１に位置するνｓｙｍ（ＣＯ２）赤外線吸光度ピークと１４２９±１５ｃｍ−１でのνａｓｙｍ（ＣＯ２）赤外線吸光度ピークの０．８：１以上の赤外線吸光度ピーク高さ比を有する、請求項１７に記載のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物。
【請求項２０】
ＫＢｒペレット赤外スペクトルが、１４２９±１５ｃｍ−１に位置するνｓｙｍ（ＣＯ２）赤外線吸光度ピークと１６８５±２０ｃｍ−１でのνａｓｙｍ（ＣＯ２）赤外線吸光度ピークの３．５：１以上の赤外線吸光度ピーク高さ比を有する、請求項１７に記載のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物。
【請求項２１】
カルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物のカルボン酸塩が、Ｃ３−Ｃ２５カルボン酸塩を含む、請求項１７に記載のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物。
【請求項２２】
カルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物のカルボン酸塩が、プロピオン酸塩、酪酸塩、ペンタン酸塩、ヘキサン酸塩、へプタン酸塩、オクタン酸塩、ノナン酸塩、デカン酸塩、ウンデカン酸塩、ドデカン酸塩、トリデカン酸塩、テトラデカン酸塩、ペンタデカン酸塩、ヘキサデカン酸塩、ヘプタデカン酸塩、オクタデカン酸塩またはその任意の組み合わせを含む、請求項１７に記載のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物。
【請求項２３】
２−エチルヘキサン酸塩を含む、請求項１７に記載のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物。
【請求項２４】
１．３オングストローム〜４オングストロームのｒ範囲にわたりカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物の高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点を単核酢酸クロム（ＩＩＩ）の理論モデルの算定高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点と比較したとき、少なくとも０．６の適合度検定値Ｒ２を有するカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物。
【請求項２５】
適合度検定値Ｒ２＝１（ＳＳｅｒｒ／ＳＳｔｏｔ）であり、式中、
１）ＳＳｅｒｒ＝１．３オングストローム〜４オングストロームの範囲にわたる、カルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物の高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点と、単核酢酸クロム（ＩＩＩ）の理論モデルの算定高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）の高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点との間の差異の平方の合計であり、
２）ＳＳｔｏｔは、１．３オングストローム〜４オングストロームの範囲にわたる、カルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物の高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点と、カルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物の高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点の平均値との間の差の平方の合計である、請求項２４に記載のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物。
【請求項２６】
適合度検定値Ｒ２が、１．３オングストローム〜４オングストロームのｒ範囲にわたる、カルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物の高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点と、単核酢酸クロム（ＩＩＩ）の理論モデルの算定高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点との間の最適化された適合性を用いて算定され、その最適化が、
１）単核酢酸クロム（ＩＩＩ）モデルの理論モデルについての算定高エネルギーＸ線回折ｄ（ｒ）データ点を高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点に変換し、式ｇ（ｒ）＝（（（（ｄ（ｒ）／（４π×ρ０×ｒ））＋１）×ｆａｃ）＋Ｃ）（式中、ρ０、ｆａｃおよびＣはスケーリング変数である）を用いて１．３オングストローム〜４オングストロームのｒ範囲にわたる、単核酢酸クロム（ＩＩＩ）モデルの理論モデルの算定高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点をカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物にスケーリングすることによって
２）ｒ＝１．７９オングストロームで算定した、単核酢酸クロム（ＩＩＩ）の理論モデルの算定高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点が０に等しいという制約条件の下で、スケーリング変数ρ０、ｆａｃおよびＣを用いて１オングストローム〜４オングストロームのｒ範囲にわたり、単核酢酸クロム（ＩＩＩ）モデルについての算定高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点と、カルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物の高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点との間の差の平方の和を極小化することによって達成される、請求項２４に記載のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物。
【請求項２７】
適合度検定値を算定するために使用されるカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物の高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点、および単核酢酸クロム（ＩＩＩ）の理論モデルの算定高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点が、０．０１オングストロームの間隔で設けられる、請求項２４に記載のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物。
【請求項２８】
カルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物のカルボン酸塩が、Ｃ３−Ｃ２５カルボン酸塩を含む、請求項２４に記載のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物。
【請求項２９】
カルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物のカルボン酸塩が、プロピオン酸塩、酪酸塩、ペンタン酸塩、ヘキサン酸塩、へプタン酸塩、オクタン酸塩、ノナン酸塩、デカン酸塩、ウンデカン酸塩、ドデカン酸塩、トリデカン酸塩、テトラデカン酸塩、ペンタデカン酸塩、ヘキサデカン酸塩、ヘプタデカン酸塩、オクタデカン酸塩またはその任意の組み合わせを含む、請求項２４に記載のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物。
【請求項３０】
カルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物のカルボン酸塩が２−エチルヘキサン酸塩を含む、請求項２４に記載のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物。
【請求項３１】
遷移金属カルボン酸塩組成物を調製するためのプロセスであって、実質的に無水であり、かつ実質的に酸を含まない条件下で、、１）式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２［式中、ＭＢは、ｘが＋１〜＋６の整数である＋ｘ酸化状態の遷移金属であり；各Ｘは独立して、ｙが−３〜−１の整数である電荷ｙを有する陰イオン性配位子であり；各Ｌは独立して中性配位子であり、ｌは０〜７の整数であり、ｍは−４〜４の整数であり；ｍ＝（ｙ×ｘ１）＋（ｘ×ｙ１）であり；Ｃは、、ｃが＋１〜＋３の整数である電荷ｃを有する陽イオン種であり；Ａは、ａが−１〜−３の整数である電荷ａを有する陰イオン種であり；ｍ＜０のとき、｜ｍ×ｑ｜＝ｃ×ｍ１かつｍ２＝０であり；ｍ＝０のとき、ｍ１＝０かつｍ＝０であり、ｍ＞０のとき、ｍ×ｑ＝｜ａ×ｍ２｜かつｍ１＝０である］を有する遷移金属前駆体；２）１族または２族金属のＣ３−Ｃ２５カルボン酸塩；および３）第１の溶媒を接触させて遷移金属カルボン酸塩を形成するステップを含むプロセス。
【請求項３２】
遷移金属前駆体が、式ＭＢＸｘＬｌを有し、式中、ＭＢはｘが１〜６の整数であるｘ酸化状態の遷移金属であり；各Ｘは独立してモノ陰イオン性配位子であり；各Ｌは独立して中性配位子であり；ｌは０〜７の整数である、請求項３１に記載のプロセス。
【請求項３３】
ＭＢがＴｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、ＣｏまたはＣｕである、請求項３１に記載のプロセス。
【請求項３４】
各Ｘが独立してハライド、硝酸塩、硫酸塩またはリン酸塩であり、各Ｌが独立してＣ２−Ｃ４０エーテル、Ｃ２−Ｃ４０チオエーテル、Ｃ２−Ｃ２０ニトリル、Ｃ１−Ｃ６０アミン、Ｃ３−Ｃ６０ホスフィンまたはその任意の組み合わせである、請求項３１に記載のプロセス。
【請求項３５】
１族または２族金属カルボン酸塩が式（ＭＡ）ｑ［（Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃ］ｓを有し、式中、ＭＡは１族または２族金属であり；（Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃがＣ３−Ｃ２５カルボン酸塩であり、式中ｒは１〜４の整数であり、Ｒ１ｃは炭化水素基または置換炭化水素基であり；ｑは、ｒとＭＡの酸化状態との最大公約数で除したｒであり；ｓは、ｒとＭＡの酸化状態との最大公約数で除したＭＡの酸化状態である、請求項３１に記載のプロセス。
【請求項３６】
１族または２族金属のカルボン酸塩が式ＭＡＯ２ＣＲ２ｃを有し、ＭＡが１族金属であり、Ｏ２ＣＲ２ｃがＣ３−Ｃ２５モノカルボン酸塩であり、Ｒ２ｃがヒドロカルビル基または置換ヒドロカルビル基である、請求項３１に記載のプロセス。
【請求項３７】
遷移金属カルボン酸塩組成物のカルボン酸塩が式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するモノカルボン酸塩を含み、式中、Ｒ２ｃがヒドロカルビル基である、請求項３１に記載のプロセス。
【請求項３８】
遷移金属前駆体および１族または２族金属カルボン酸塩を、０．９５：１〜１．３：１のカルボン酸塩基と遷移金属の酸化状態の当量比で接触させる、請求項３１に記載のプロセス。
【請求項３９】
第１の溶媒が、Ｃ２−Ｃ４０エーテル、Ｃ２−Ｃ４０チオエーテル、Ｃ２−Ｃ２０ニトリル、Ｃ１−Ｃ６０アミン、Ｃ３−Ｃ６０ホスフィンまたはその任意の組み合わせを含む、請求項３１に記載のプロセス。
【請求項４０】
第１の溶媒を蒸発させて遷移金属カルボン酸塩組成物を得るステップをさらに含む、請求項３１に記載のプロセス。
【請求項４１】
遷移金属カルボン酸塩組成物を非配位性溶媒と接触させて溶液を形成し、溶液を濾過し、非配位性溶媒を蒸発させて精製された遷移金属カルボン酸塩組成物を得ることによって遷移金属カルボン酸塩組成物を精製するステップをさらに含む、請求項３１に記載のプロセス。
【請求項４２】
１）遷移金属カルボン酸塩組成物をクロロシランおよび溶媒と接触させて混合物を形成するステップ２）混合物をある時間の間置くステップ３）混合物を濾過して沈殿物を除去するステップ４）溶媒を蒸発させて精製された遷移金属カルボン酸塩組成物を得るステップをさらに含む、請求項３１に記載のプロセス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、オレフィンオリゴマー化触媒を調製するのに有用な、クロム含有カルボン酸塩を含む、遷移金属カルボン酸塩、および遷移金属カルボン酸塩を作製するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
エチレンを三量体化する１−ヘキセンの生成は、このアルファオレフィンの選択的な調製について工業的に重要なプロセスであり、これは、通常、エチレンとのコモノマーとしてある範囲のポリオレフィンの調製に有用である。１つの広く用いられる触媒系は、成分としてカルボン酸クロムを使用する。例えば、トリス（２−エチルヘキサン酸）クロム（ＩＩＩ）組成物は、エチレンの１−ヘキセンへの選択的な三量体化のための幾つかの効果的なクロム（ＩＩＩ）触媒系の成分として使用される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
工業的な２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）の品質のバッチ間変動、およびそれに付随する触媒系の性能における不整合性のために、クロムカルボン酸塩への新規の合成手法のための探索が促されている。代替の調製手法のためのこの探索は、触媒系の生産性および選択性を改善し触媒系のコストを下げようと試る願望によってさらに動機づけられる。したがって、遷移金属カルボン酸塩を製造する新規の合成手法に対する必要性が未だに存在する。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
一態様において、本願は、遷移金属カルボン酸塩組成物を調製するためのプロセスであって、実質的に無水であり、かつ実質的に酸を含まない条件下で、１）式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２を有する遷移金属前駆体；２）１族または２族金属のＣ３−Ｃ２５カルボン酸塩；および３）第１の溶媒を接触させて遷移金属カルボン酸塩を形成するステップを含み、式中、ＭＢは、ｘが＋１〜＋６の整数である＋ｘ酸化状態の遷移金属であり、各Ｘは、独立して、ｙが−３〜−１の整数である電荷ｙを有する陰イオン性配位子であり、各Ｌは独立して中性配位子であり、ｌは０〜７の整数であり、ｍは−４〜４の整数であり、ｍ＝（ｙ×ｘ１）＋（ｘ×ｙ１）であり、Ｃは、ｃが＋１〜＋３の整数である電荷ｃを有する陽イオン種であり、Ａはａが−１〜−３の整数である電荷ａを有する陰イオン種であり、ｍ＜０のとき、｜ｍ×ｑ｜＝ｃ×ｍ１かつｍ２＝０であり、ｍ＝０のとき、ｍ１＝０かつｍ＝０であり、ｍ＞０のとき、ｍ×ｑ＝｜ａ×ｍ２｜かつｍ１＝０であるプロセスを対象とする。一実施形態において、本プロセスにおいて使用することができる遷移金属前駆体は、式ＭＢＸｘＬｌ［式中、ＭＢは、ｘが１〜６の整数であるｘ酸化状態の遷移金属であり；各Ｘは独立してモノ陰イオン性配位子であり；各Ｌは独立して中性配位子であり；ｌは０〜７の整数である］を有することができる。一部の実施形態において、遷移金属ＭＢは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、ＣｏまたはＣｕであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。他の実施形態において、遷移金属前駆体は、式ＣｒＸ３Ｌｌ［式中、各Ｘは独立してｙが−３〜−１の整数である電荷ｙを有する陰イオン性配位子であり、各Ｌは独立して中性配位子であり、ｌは０〜７の整数である］を有する。
【０００５】
一実施形態において、本プロセスで使用される１族または２族金属Ｃ３−Ｃ２５カルボン酸塩は、式（ＭＡ）ｑ［（Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃ］ｓ［式中、ＭＡは１族または２族金属であり、（Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃはＣ３−Ｃ２５カルボン酸塩であってもよく、式中ｒは１〜４の整数であってもよく、Ｒ１ｃは炭化水素基または置換炭化水素基であってもよく、ｑは、ｒとＭＡの酸化状態との最大公約数で除したｒであってもよく、ｓは、ｒとＭＡの酸化状態との最大公約数で除したＭＡの酸化状態であってもよい］を有することができる。他の実施形態において、１族または２族金属Ｃ３−Ｃ２５カルボン酸塩は、１族または２族金属Ｃ３−Ｃ２５モノカルボン酸塩であってよく、これを含んでよく、または本質的にこれからなってよい。また他の実施形態において、１族または２族金属カルボン酸塩は式ＭＡＯ２ＣＲ２ｃであってもよく、式中、ＭＡは１族金属であってもよく、Ｏ２ＣＲ２ｃは、Ｃ３−Ｃ２５モノカルボン酸塩であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよく、Ｒ２ｃは、ヒドロカルビル基または置換ヒドロカルビル基であってもよい］。さらなる実施形態において、１族金属カルボン酸塩のカルボン酸塩には、プロピオン酸塩、酪酸塩、ペンタン酸塩、ヘキサン酸塩、へプタン酸塩、オクタン酸塩、ノナン酸塩、デカン酸塩、ウンデカン酸塩、ドデカン酸塩、トリデカン酸塩、テトラデカン酸塩、ペンタデカン酸塩、ヘキサデカン酸塩、ヘプタデカン酸塩、オクタデカン酸塩もしくはその任意の組み合わせ；または代替として、２−エチルヘキサン酸塩が含まれる。
【０００６】
一実施形態において、本プロセスで使用される第１の溶媒は、無極性溶媒であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一部の実施形態において、第１の溶媒は、極性溶媒であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。他の実施形態において、第１の溶媒は、Ｃ２−Ｃ４０エーテル、Ｃ２−Ｃ４０チオエーテル、Ｃ２−Ｃ２０ニトリル、Ｃ１−Ｃ６０アミン、またはＣ３−Ｃ６０ホスフィン、またはその任意の組み合わせを含むことができる。
【０００７】
一態様において、本願は、本明細書に記載される任意のプロセスによって調製された遷移金属カルボン酸塩組成物を対象とする。一部の実施形態において、本願は、本明細書に記載される任意のプロセスによって調製されたカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物を対象とする。
【０００８】
一態様において、本願は、本明細書に記載される任意のプロセスによって調製されたカルボン酸クロム組成物を対象とする。別の態様において、本願は、際立った赤外線吸収（ａｄｓｏｒｐｔｉｏｎ）ピーク特性、および／または際立った赤外線吸収ピーク比を有するカルボン酸クロム組成物を対象とする。一実施形態において、カルボン酸クロム組成物は、νｓｙｍ（ＣＯ２）赤外線吸収ピークの１１０ｃｍ−１内にνａｓｙｍ（ＣＯ２）ピーク赤外線吸収ピークを含むＫＢｒペレット赤外線吸収スペクトルを有することができる。一部の実施形態において、カルボン酸クロム組成物は、１５１６±１５ｃｍ−１でのνａｓｙｍ（ＣＯ２）の赤外線吸光度ピークと７００±５０ｃｍ−１に位置する赤外線吸光度ピークとの３：１以上の赤外線吸光度ピーク高さ比、１５１６±１５ｃｍ−１での赤外線吸光度ピークと１４２９±１５ｃｍ−１での赤外線吸光度ピークとの、０．５：１以上の赤外線吸光度ピーク高さ比を有する、１６１６±２０ｃｍ−１に位置するνｓｙｍ（ＣＯ２）の赤外線吸光度ピークと１４２９±１５ｃｍ−１でのνａｓｙｍ（ＣＯ２）の赤外線吸光度ピークとの、０．８：１以下の赤外線吸光度ピーク高さ比を有する、および／または１４２９±１５ｃｍ−１に位置するνｓｙｍ（ＣＯ２）の赤外線吸光度ピークと１６８５±２０ｃｍ−１での赤外線吸光度ピークとの、３．５：１以上の赤外線吸光度ピーク高さ比を有するＫＢｒペレット赤外線吸収スペクトルをさらに有することができる。一部の実施形態において、際立った赤外線吸収スペクトルの特色を有するカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物は、Ｃ３−Ｃ２５カルボン酸塩を含むことができ；代替として、プロピオン酸塩、酪酸塩、ペンタン酸塩、ヘキサン酸塩、へプタン酸塩、オクタン酸塩、ノナン酸塩、デカン酸塩、ウンデカン酸塩、ドデカン酸塩、トリデカン酸塩、テトラデカン酸塩、ペンタデカン酸塩、ヘキサデカン酸塩、ヘプタデカン酸塩、オクタデカン酸塩もしくはその任意の組み合わせを含み；または、代替として、２−エチルヘキサン酸塩を含む。
【０００９】
一態様において、本開示は、ｒスペクトルに対して際立った高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）の特色を有するカルボン酸クロム組成物を対象とする。一実施形態において、本発明は、カルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物の高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点を、１．３オングストローム〜４オングストロームのｒ範囲にわたり単核酢酸クロム（ＩＩＩ）の理論モデルの算定高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点に比較した場合、０．６を超える適合度検定値Ｒ２を有するカルボン酸クロム組成物を対象とする。一部の実施形態において、ｒスペクトルに対して際立った高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）の特色を有するカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物は、Ｃ３−Ｃ２５カルボン酸塩を含むことができ；代替として、プロピオン酸塩、酪酸塩、ペンタン酸塩、ヘキサン酸塩、へプタン酸塩、オクタン酸塩、ノナン酸塩、デカン酸塩、ウンデカン酸塩、ドデカン酸塩、トリデカン酸塩、テトラデカン酸塩、ペンタデカン酸塩、ヘキサデカン酸塩、ヘプタデカン酸塩、オクタデカン酸塩もしくはその任意の組み合わせを含み；または、代替として、２−エチルヘキサン酸塩を含む。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本開示の単離した遷移金属カルボン酸塩（２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ））の写真である。
【図２】単離した市販の遷移金属カルボン酸塩（２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ））の写真である。
【図３】第１の市販の２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）組成物のＩＲスペクトルを示す。
【図４】第１の市販の２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）組成物のＩＲスペクトルの拡大部、２０００ｃｍ−１〜１０００ｃｍ−１を示す。
【図５】第２の市販の２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）組成物のＩＲスペクトルを示す。
【図６】第２の市販の２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）組成物のＩＲスペクトルの拡大部、２０００ｃｍ−１〜１０００ｃｍ−１を示す。
【図７】２−エチルヘキサン酸ナトリウムとＣｒＣｌ３（ＴＨＦ）３とのモル比が約３：１である、本明細書に開示される方法に従って製造した２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）のＩＲスペクトルを示す。
【図８】２−エチルヘキサン酸ナトリウムとＣｒＣｌ３（ＴＨＦ）３とのモル比が約３である、本明細書に開示される方法に従って製造した２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）のＩＲスペクトルの拡大部、２０００ｃｍ−１〜１０００ｃｍ−１を示す。
【図９】２−エチルヘキサン酸ナトリウムとＣｒＣｌ３（ＴＨＦ）３とのモル比が約３．１：１である、本明細書に開示される方法に従って製造した２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）のＩＲスペクトルを示す。
【図１０】２−エチルヘキサン酸ナトリウムとＣｒＣｌ３（ＴＨＦ）３とのモル比が約３．１：１である、本明細書に開示される方法に従って製造した２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）のＩＲスペクトルの拡大部、２０００ｃｍ−１〜１０００ｃｍ−１を示す。
【図１１】２−エチルヘキサン酸ナトリウムとＣｒＣｌ３（ＴＨＦ）３とのモル比約３．３：１である、本明細書に開示される方法に従って製造した２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）のＩＲスペクトルを示す。
【図１２】２−エチルヘキサン酸ナトリウムとＣｒＣｌ３（ＴＨＦ）３とのモル比が約３．３：１である、本明細書に開示される方法に従って製造した２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）のＩＲスペクトルの拡大部、２０００ｃｍ−１〜１０００ｃｍ−１を示す。
【図１３】２−エチルヘキサン酸ナトリウムとＣｒＣｌ３（ＴＨＦ）３とのモル比が約３．３：１である、本明細書に開示される方法に従って製造したナトリウム含まない２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）のＩＲスペクトルを示す。
【図１４】２−エチルヘキサン酸ナトリウムとＣｒＣｌ３（ＴＨＦ）３とのモル比が約３．３：１である、本明細書に開示される方法に従って製造したナトリウムを含まない２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）のＩＲスペクトルの拡大部、２０００ｃｍ−１〜１０００ｃｍ−１を示す。
【図１５】２−エチルヘキサン酸ナトリウムとＣｒＣｌ３（ＴＨＦ）３とのモル比が約４：１である、本明細書に開示される方法に従って製造した２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）のＩＲスペクトルを示す。
【図１６】２−エチルヘキサン酸ナトリウムとＣｒＣｌ３（ＴＨＦ）３とのモル比が約４：１である、本明細書に開示される方法に従って製造した２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）のＩＲスペクトルの拡大部、２０００ｃｍ−１〜１０００ｃｍ−１を示す。
【図１７】本明細書に記載される手順に従って調製した２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）組成物の高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点と第１の市販の２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）組成物の高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点との比較を示す。
【図１８】本明細書に記載される手順に従って調製した２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）組成物の高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点と文献で報告された２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）組成物の高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点との比較を示す。
【図１９】本明細書に記載される手順に従って調製した２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）組成物の高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点と理論的単核酢酸クロム（ＩＩＩ）モデルの最適化した算定高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点との比較を示す。
【図２０】市販の２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）組成物の高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点と理論的単核酢酸クロム（ＩＩＩ）モデルの最適化した算定高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点との比較を示す。
【図２１】文献で調製された２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）組成物の高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点理論的単核酢酸クロム（ＩＩＩ）モデルの最適化した算定高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点との比較を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
一態様において、本開示は、遷移金属カルボン酸塩組成物、すなわち少なくとも１種の遷移金属カルボン酸塩化合物を含む組成物を調製する合成手法を提供する。用語「カルボン酸塩」は、１個または複数のカルボン酸塩官能基を含む化学部分を記載するために本明細書において用いられる。例えば、本開示の１族または２族カルボン酸塩の出発材料、および遷移金属カルボン酸塩組成物は、一般式（Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃ［式中、カルボン酸塩含有部分はｒ個のカルボン酸塩基を有し、ｒは１〜４の整数とすることができる］のカルボン酸塩含有部分を包含することができる。この態様において、例えば、本開示の方法は、単純なモノカルボン酸塩（Ｏ２ＣＲ２ｃなど）を含む組成物の調製に適用できる。
【００１２】
遷移金属カルボン酸塩組成物を調製する通常の合成手法は、遷移金属酢酸前駆体を対応するカルボン酸（例えばプロパン酸（ＣＨ３ＣＨ２ＣＯ２Ｈ）、酪酸（ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＯ２Ｈ）など）と反応させることを必要とする。例えば、Ｃｒ（２−ヘキサン酸エチル）３（「Ｃｒ（ＥＨ）３」）などのカルボン酸クロム（ＩＩＩ）の工業的な調製は、一般に過剰な２−エチルヘキサン酸の存在下で、酢酸クロム（ＩＩＩ）の加熱を伴う。結果として得られた酢酸、過剰の２−エチルヘキサン酸および水は、通常、真空下で反応混合物の加熱により可能な程度に除去される。代替として、カルボン酸クロム（ＩＩＩ）は、カルボン酸の存在下で三酸化クロムの還元によって製造され、このとき、還元剤はカルボン酸である。例えばカルボン酸クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ（２−エチルヘキサノアート）３など）の工業的な調製は、三酸化クロムおよび過剰の２−エチルヘキサン酸を含む混合物の加熱を伴うことができる。しかしながら、これらの方法では、一般にカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物内に残留カルボン酸が残り、カルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物中の水を除去することが困難になり、および／またはオリゴマー状カルボン酸クロム化合物を生成する場合がある。結果として得られるＣｒ（ＥＨ）３の意図する適用の幾つかが、水および／または酸に敏感であるので、水および残留のカルボン酸の存在は、幾つかの適用においてこれらの組成物の使用を複雑にする場合がある。加えて、プロトン性のカルボン酸およびカルボン酸クロムオリゴマーが存在するため、オレフィンオリゴマー化触媒系の製造およびオレフィンのオリゴマー化におけるその後の使用において問題を引き起こす場合がある。例として、また理論によって限定されないが、カルボン酸クロムオリゴマーが濾過しなければならない不溶性生成物をもたらし、および／またはオレフィンのオリゴマー化の間にポリマーの生成を増加させるが、プロトン性カルボン酸は助触媒を消費し、触媒系コストを増加させる恐れがある。したがって、本開示は、Ｈ２Ｏおよび／またはカルボン酸（２−エチルヘキサン酸など）などの望ましくないプロトン源を削減し、極小化し、もしくは実質的になくし、および／またはカルボン酸クロムオリゴマーの存在を極小化する合成法を提供する。具体的には、本開示は、極性非プロトン性溶媒中で遷移金属前駆体および１族または２族金属Ｃ３−Ｃ２５カルボン酸塩を接触させて遷移金属カルボン酸塩を含む混合物を得るステップを含む遷移金属カルボン酸塩組成物を製造するための改善されたプロセスを提供する。
【００１３】
本明細書において使用される用語をより明瞭に定義するために、以下の定義が提供される。特段の断りのない限り、以下の定義が本開示に適用できる。ある用語が本開示において使用されるが、本明細書において具体的に定義されない場合、その定義が、本明細書において適用される他の任意の開示または定義と矛盾しない限り、またはその定義が適用される任意のクレームを不明確または不可能にしない限り、ＩＵＰＡＣ  Ｃｏｍｐｅｎｄｉｕｍ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｔｅｒｍｉｎｏｌｏｇｙ，２ｎｄＥｄ（１９９７）からの定義を適用することができる。参照によって参照により本明細書において組み込まれる任意の文書によって提供される任意の定義または使用が、本明細書において提供される定義または使用と矛盾する範囲では、本明細書において提供される定義または使用が優先する。
【００１４】
元素表の族は、Ｃｈｅｍｉｃａｌ  ａｎｄ  Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ  Ｎｅｗｓ，６３（５），２７，１９８５に公開された版の元素の周期表に示されている番号体系を使用して示す。幾つかの事例において、元素の族は、族に割り当てられた一般名；例えば、１族元素に対してアルカリ金属、２族元素に対してアルカリ土類金属、３〜１２族元素対して遷移金属、および１７族元素に対してハロゲンを使用して示すことができる。
【００１５】
クレーム移行用語または移行句に関して、「包含すること」、「含有すること」、「有すること」、または「特徴とすること」と同義である、「含むこと」という移行用語は、包括的であり、すなわち、オープンエンドであり、さらなる記述しない要素または方法ステップを除外しない。「からなること」という移行句は、クレーム中の指定されないいかなる要素、ステップ、または原料も除外する。「本質的にからなること」という移行句は、特許請求の範囲を、指定された材料またはステップ、ならびに請求された発明の基本的および新規の特性に実質的に影響を与えないものに限定する。「本質的にからなること」というクレームは、「からなること」という書式で書かれたクローズドのクレームと「含むこと」という書式で起草された完全にオープンなクレームとの間の中央領域を占める。化合物または組成物を記載する場合、それとは反対の指示がない限り、「本質的にからなること」は、「含むこと」と解釈されるものではなく、その用語が適用される組成物または方法を著しく改変しない物質を含む、記述された要素を記載するように意図される。例えば、物質Ａからなる供給原料は、記述された化合物または組成物の工業的に製造されたまたは市販の試料中に、通常、存在する不純物を含むことができる。クレームが、異なる特色および／または特色の種類（様々な可能性の中でも、例えば、方法ステップ、供給原料の特色、および／または、製品の特色）を含む場合、「含むこと」、「本質的にからなること」、および「からなること」という移行用語は、使用される特色の種類にのみに当てはまり、クレーム内の異なる特色を含む異なる移行用語または移行句を使用することができる。例えば、ある方法は、幾つかの記述されたステップ（および他の記述されていないステップ）が含むことができるが、特定のステップからなる、または代替として、特定のステップからなる触媒系調製物を使用するおよび／または記述された要素および他の記述されていない要素を含む触媒系を使用することができる。
【００１６】
本開示内では、「含むこと」または等価表現の使用は、「本質的にからなること」、「本質的にからなる」という語句、またはオープンエンド表現への代替実施形態としての等価表現の使用を企図する。加えて、本明細書において、「含むこと」もしくは等価表現の使用、または「本質的にからなること」の使用は、語句「からなること」、「からなる」または等価表現の使用を、それぞれオープンエンドの表現または中央領域の表現に対する代替として、企図する。例えば、「含むこと」は、特にほかに示されない限り、明細書において提示された態様、特色および／または要素の代替実施形態として、「本質的にからなること」および「からなること」を含むと理解されるべきである。
【００１７】
「ａ」、「ａｎ」および「ｔｈｅ」という用語は、特に他に示されない限り、複数の代替、例えば、少なくとも１つを含むよう意図される。例えば、「ハロゲン化クロム水和物」の開示は、別段の定めがない限り、１種のハロゲン化クロム水和物、または複数のハロゲン化クロム水和物の混合物または組み合わせを包含するよう意図される。
【００１８】
本開示において、とりわけ、第１、第２および第３という用語は、同様の要素の複数の出現を識別するために使用することができる。例えば、ある方法は、方法の異なるステップにおいて、２種以上の溶媒を、または代替として、混合物中に２種の異なる溶媒を使用することができる。識別する用語は、区別するのに必要なときに本明細書に記載される任意の要素に適用することができる。識別する用語の数字またはアルファベットが先行しても、特にほかに指定されない限り、本明細書に記載される方法または化合物の要素の特別の順序または好みを暗示しないことは理解されるはずである。
【００１９】
本開示において、プロセスは、複数のステップを有することができ、または幾つかの異なる要素（例えば触媒系中の成分または様々な特色の中でもオレフィン三量体化オリゴマー化プロセス中の成分）を有する特色を含むことができる。このステップおよび／または要素は、各プロセスステップおよび／または要素のための記号を設けるのに必要なときに、系列ａ）、ｂ）、ｃ）など、ｉ）、ｉｉ）、ｉｉｉ）など、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）などおよび／または（ｉ）、（ｉｉ）、（ｉｉｉ）など（様々な記号系列の中でも）を使用して示すことができる。記号系列内の記号の数字またはアルファベットが先行しても、特にほかに指定されない限り、または他のプロセスステップ、要素および／または要素の特色によって必要とされない限り、本明細書に記載されるプロセス中のプロセスステップの要素、本明細書に記載される特色および／または特色の中の要素の特別の順序または好みを暗示しないことは理解されるはずである。加えて、これらの記号系列は、異なるプロセスステップおよび／または特色の中の要素を識別するために設けられ、必要に応じて使用することができ、記号系列が一貫して異なる特色、異なるプロセスステップおよび／または特色の異なる要素を識別する限り、この説明に使用される特別のステップ、要素または特色のために使用された記号系列に配慮をせず、使用することができる。
【００２０】
用語「実質的に無水の」は、化合物、溶液、溶媒または一般条件を指す場合、水の量が化合物、溶液または溶媒の重量に対して１００ｐｐｍ以下（重量による）であることを意味する。用語「実質的に乾燥した」は、雰囲気を指す場合、雰囲気が、雰囲気の組成に関係なく、雰囲気中の水の量が１００重量ｐｐｍ以下であることを意味することを意味する。
【００２１】
用語「酸を含まない」は、酸性またはプロトン性化合物もしくは物質の離散的な添加なしで行われているプロセスを指す。例えば、「酸を含まない」は、カルボン酸、鉱酸または無機酸、アルコールまたは他のプロトン性の化合物もしくは物質の、「酸を含まない」として記載される反応物または溶液への添加がないことを意味する。用語「酸を含まない」は、「酸を含まない」という条件がなお添加された成分中に汚染物質として存在し得る、または反応溶液の反応物または調製の間に副生物として生じ得る少量の酸の存在を反映することがあり得るので、［Ｈ３Ｏ］＋の０ｐｐｍの濃度または酸性またはプロトン性の源の０ｐｐｍの濃度を反映するようには意図されない。例えば、開示される方法によって調製した遷移金属カルボン酸塩および遷移金属カルボン酸塩組成物は、計測可能な量の遊離カルボン酸、あるいは汚染物質として、またはそのような化合物もしくは組成物の調製中に副生物として生じ得る他のプロトジェニック化合物を含むことができる。用語「実質的に酸を含まない」は、化合物、溶液、溶媒または一般条件を指す場合、酸の量が、化合物、溶液または溶媒の重量に対して１０００ｐｐｍ以下（重量による）であることを意味する。
【００２２】
用語「室温」、「環境温度」は、外部の加熱または冷却源を反応容器に直接適用しない１５℃から３５℃の任意の温度を記載するために本明細書において用いられる。したがって、用語「室温」、「環境温度」は、外部の加熱または冷却源を反応容器に直接適用しない、個々の温度および１５℃から３５℃の温度のありとあらゆる範囲、サブレンジおよびサブレンジの組み合わせを包含する。
【００２３】
用語「大気圧」は、外部の圧力を修正する手段を使用しない地球の気圧を記載するために本明細書において用いられる。一般に、極端な地球の高所で実施されない限り、「大気圧」は、約１気圧（代替として、約１４．７ｐｓｉまたは約１０１ｋＰａ）である。
【００２４】
用語「非プロトン性の」は、所与の条件下で非プロトジェニックである溶媒を記載するために本明細書において用いられる。したがって「非プロトン性」化合物または溶媒は、具体的な条件下でブレーンステッド酸としての強酸性または弱酸性いずれかのプロトン供与体として働くことができない。例えば、アセトニトリルは、たとえ強塩基（カリウムｔｅｒｔ−ブトキシドなど）の存在下で脱プロトン化することができても非プロトン性溶媒であることができる。
【００２５】
本明細書に開示される任意の特定の化合物に関して、提示された一般構造または名称はまた、他に示されない限り、置換基の特定の集合から生じ得る構造異性体、配座異性体、および立体異性体をすべて包含するように意図される。したがって、ある化合物に対する一般的な言及は、他に明示的に示されない限り、すべての構造異性体を含む。例えば、ペンタンに対する一般的な言及は、ｎ‐ペンタン、２−メチル−ブタン、および２，２−ジメチルプロパンを含み、一方、ブチル基に対する一般的な言及は、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソ−ブチル基、およびｔｅｒｔ−ブチル基を含む。さらに、一般的な構造または名称に対する言及は、文脈が認めるまたは必要とする限り、鏡像異性体であろうとまたはラセミ体であろうとすべての鏡像異性体、ジアステレオマー、および他の光学異性体、ならびに立体異性体の混合物を包含する。提示される任意の特定の式または名称について、提示される任意の一般式または名称はまた、置換基の特定の集合から生じ得るすべての配座異性体、位置異性体、および立体異性体を包含する。
【００２６】
化学「基」は、たとえその基がこのようにして文字通りに合成されなくても、例えば、基を生成するために親化合物から形式的に除去された水素原子の数によって、その基が参照または「親」化合物からどのように形式的に由来するかによって記載される。これらの基は、置換基として使用され、または、金属原子に配位もしくは結合され得る。例として、アルカンから１個の水素原子を除去することによって、「アルキル基」を形式的に誘導することができ、一方、アルカンから２個の水素原子を除去することにより「アルキレン基」を形式的に誘導することができる。さらに、より一般的な用語を、親化合物から任意の数（「１個または複数」）の水素原子を除去することにより形式的に誘導される様々な基を包含するために使用することができる。この親化合物は、この例においては「アルカン基」として記載することができ、また、「アルキル基」を包含するが、アルカンから、状況に応じて必要な、３個以上の水素原子が除去される「アルキレン基」を包含する。全体を通じて、置換基、配位子、または、他の化学的な部分が特定の「基」を構成し得るという開示は、記載される通りその基が使用されるとき、化学構造および結合の周知のルールに従うことを示唆する。「によって誘導される」、「に由来する」、「によって形成される」または「から形成される」基を記載する場合、そのような用語は、形式的な意味において使用され、他に指定されまたは文脈が他に必要としない限り、任意の特定の合成法または手順を反映するようには意図されない。他の識別子または制限用語が、特定の置換基の有無、特定の位置化学および／または立体化学、または基礎をなす分枝構造もしくは骨格の有無を示すために使用されてもよい。
【００２７】
ある基を記載するために、例えば、特定の基の置換された類似体を指すときに使用される場合の「置換された」という用語は、その基の水素を形式的に置き換える任意の非水素部分を記載することが意図され、非限定的であるように意図される。基はまた、本明細書において「非置換」または「無置換」などの等価の用語で呼ばれ、これは、非水素部分がその基内の水素を置き換えていない元の基を指す。「置換された」は、非限定的であり、無機置換基または有機置換基を含むように意図される。
【００２８】
「カルボン酸塩」は、一般式［ＺＣ（＝Ｏ）Ｏ］−［式中、Ｚは任意のオルガニル基を表す］を有する陰イオンの有機基である。
【００２９】
「ニトリル」は、式Ｒ１Ｃ≡Ｎ［式中、Ｒ１は本明細書において与えられる］を有する有機化合物である。脂肪族ニトリルは芳香族基を含まないニトリルである。芳香族ニトリルは芳香族基を有するニトリルである（例えばベンゾニトリル）。
【００３０】
「エーテル」は、式Ｒ２−Ｏ−Ｒ３［式中、Ｒ２およびＲ３は本明細書において与えられる］を有する有機化合物である。脂肪族エーテルは芳香族基を有するエーテルである。芳香族エーテルは、芳香族基（エーテル酸素原子を含んでも含まなくても）を有するエーテルである。非環式エーテルは、エーテル酸素原子が環に含まれていないエーテルである。（しかし、Ｒ２および／もしくはＲ３としてまたはその内に、脂肪族または芳香族の環を有することができる）。環式エーテルは、エーテル酸素原子が環（脂肪族環または芳香環のいずれか）内に組み込まれたエーテルである。脂肪族環式エーテルは、エーテル酸素原子が脂肪族環内に組み込まれた環式エーテル（とりわけ例えば、テトラヒドロフラン、２，３−ジヒドロフラン、ピラン）である。芳香族環式エーテルは、エーテル酸素原子が芳香環または芳香族環系内に組み込まれたエーテル（とりわけ、例えばフラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン）である。
【００３１】
「チオエーテル」は、式Ｒ４−Ｓ−Ｒ５［式中、Ｒ４およびＲ５は本明細書において与えられる］を有する有機化合物である。脂肪族チオエーテルは、芳香族基を有しないチオエーテルである。芳香族チオエーテルは、芳香族基（チオエーテル硫黄原子を含んでも含まなくても）を有するエーテルである。非環式チオエーテルは、チオエーテル硫黄原子が環に含まれていないチオエーテルである（しかし、Ｒ４および／もしくはＲ５として、またはＲ４および／もしくはＲ５内に、脂肪族または芳香族の環を有することができる）。環式チオエーテルは、環（脂肪族環または芳香環いずれも）内にチオエーテル硫黄原子が組み込まれたチオエーテルである。脂肪族環式チオエーテルは、チオエーテル硫黄原子が脂肪族環内に組み込まれた環式チオエーテル（とりわけ例えば、テトラヒドロチオフェン、チアン）である。芳香族環式チオエーテルは、チオエーテル硫黄原子が芳香環または芳香族環系内に組み込まれたチオエーテル（とりわけ例えば、チオフェン、ベンゾチオフェン）である。
【００３２】
「アミン」は、式ＮＲ６Ｒ７Ｒ８、ＮＨＲ６Ｒ７、ＮＨ２Ｒ６またはＮＨ３［式中、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８は本明細書において与えられる］を有する有機化合物である。脂肪族アミンは芳香族基を有しないアミンである。芳香族アミンは、芳香族基（アミン窒素原子を含んでも含まなくても）を有するアミンである。非環式アミンは、アミン窒素原子が環に含まれていないアミンである。（しかし、Ｒ６、Ｒ７および／もしくはＲ８として、またはＲ６、Ｒ７および／またはＲ８内に脂肪族または芳香族の環を有することができる）。環式アミンは、アミン窒素原子が環（脂肪族環または芳香環いずれでも）内に組み込まれたアミンである。脂肪族環式アミンは、アミン窒素原子が、脂肪族環内に組み込まれた環式アミン（とりわけ例えば、ピロリジン、ピペリジン）である。芳香族環式アミンは、アミン窒素原子が、芳香環または芳香族環系内に組み込まれたアミン（とりわけ例えば、ピリジン、ピロール、インドール）である。
【００３３】
「ホスフィン」は、式ＰＲ９Ｒ１０Ｒ１１、ＰＨＲ９Ｒ１０またはＰＨ２Ｒ９［式中、Ｒ９、Ｒ１０およびＲ１１は本明細書において与えられる］を有する有機化合物である。脂肪族ホスフィンは芳香族基を有しないホスフィンである。芳香族ホスフィンは芳香族基（ホスフィンリン原子を含んでも含まなくても）を有するホスフィンである。非環式ホスフィンは、ホスフィンリン原子が環（しかし、Ｒ９、Ｒ１０および／もしくはＲ１１として、またはＲ９、Ｒ１０および／もしくはＲ１１内に脂肪族または芳香族の環を有することができる）に含まれていないホスフィンである。環式ホスフィンは、ホスフィンリン原子が環（脂肪族環または芳香環のいずれでも）内に組み込まれたホスフィンである。脂肪族環式ホスフィンは、ホスフィンリン原子が脂肪族環内に組み込まれた環式ホスフィン（とりわけ例えば、ホスホラン、ホスフィナン）である。芳香族環式ホスフィンは、ホスフィンリン原子が芳香環または芳香族環系内に組み込まれたホスフィン（とりわけ例えば、ホスホール）である。
【００３４】
「ホスファイト」は、式Ｐ（ＯＲ１２）（ＯＲ１３）（ＯＲ１４）またはＰＨ（Ｏ）（ＯＲ１２）（ＯＲ１３）［式中、Ｒ１２、Ｒ１３およびＲ１４は本明細書において与えられる］を有する有機化合物である。脂肪族ホスファイトは、芳香族基を有しないホスファイトである。芳香族ホスファイトは、芳香族基（ホスファイトリン原子を含んでも含まなくても）を有するホスファイトである。非環式ホスファイトは、ホスファイトリン原子が環（しかし、Ｒ１２、Ｒ１３および／もしくはＲ１４として、またはＲ１２、Ｒ１３および／もしくはＲ１４内に脂肪族または芳香族の環を有することができる）に含まれていないホスファイトである。環式ホスファイトは、ホスファイトリン原子が環（脂肪族環または芳香環のいずれでも）内に組み込まれたホスファイトである。脂肪族環式ホスファイトは、ホスファイトリン原子が脂肪族環内に組み込まれた環式ホスファイトである。芳香族環式ホスファイトは、ホスファイトリン原子が芳香環または芳香族環系内に組み込まれたホスファイトである。
【００３５】
「非環式の」に対する用語「環式の」は、エーテル、チオエーテル、アミン、ホスフィンまたはホスファイトを指す場合、ヘテロ原子Ｏ、Ｓ、ＮまたはＰがそれぞれ環式構造内に包含され、この環構造がまた、エーテルＲ２−Ｏ−Ｒ３のＲ２およびＲ３の基を、チオエーテルＲ４−Ｓ−Ｒ５のＲ４およびＲ５の基を、アミンＮＲ６Ｒ７Ｒ８もしくはＮＨＲ６Ｒ７のＲ６、Ｒ７およびＲ８の任意の組み合わせを、ホスフィンＰＲ９Ｒ１０Ｒ１１もしくはＰＨＲ９Ｒ１０のＲ９、Ｒ１０およびＲ１１の任意の組み合わせを、またはホスファイトＰ（ＯＲ１２）（ＯＲ１３）（ＯＲ１４）もしくはＰＨ（Ｏ）（ＯＲ１２）（ＯＲ１３）のＲ１２、Ｒ１３およびＲ１４の任意の組み合わせを包含する化合物を指すために用いられる。例えば、「環式エーテル」は、Ｒ２およびＲ３が、一般に（非環式）エーテルＲ２−Ｏ−Ｒ３の記載において上記に与えられる通りである非環式エーテル構造Ｒ２−Ｏ−Ｒ３の類似体である。ただし、Ｒ２およびＲ３が、Ｒ２およびＲ３のそれぞれから水素原子を除去（水素原子はエーテル酸素を含む環式構造を形成するように除去される）し、Ｒ２とＲ３との間の結合の形成によって互いに連結または結合しているという点は除く。テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）は、ジエチルエーテル（ＣＨ３ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ３）の各ＣＨ３基から水素原子をまたはメチルｎ−プロピルエーテル（ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ３）の各ＣＨ３基から水素原子を除去し、続いて水素原子が除去された２個の炭素を連結または結合することにより形式的に派生し得る原型の環式エーテルである。同様に、環式エーテル２−メチルオキセタンは、エチルエーテルの１個のエチル基のＣＨ３基から水素原子を、ジエチルエーテル（ＣＨ３ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ３）の他方のエチル基のＣＨ２から水素原子を除去し、続いて水素原子が除去された２個の炭素を形式的に連結することにより形式的に派生することができる。
【００３６】
「オルガニル基」という用語は、本明細書において、ＩＵＰＡＣによって指定された定義、「官能基の種類に関係なく、炭素原子に自由１価（ｏｎｅ  ｆｒｅｅ  ｖａｌｅｎｃｅ）を有する有機置換基」に従って使用される。同様に、「オルガニレン基」とは、官能基の種類に関係なく、有機化合物から２個の水素原子、すなわち、１個の炭素原子から２個の水素原子を、または２個の異なる炭素原子それぞれから１個の水素原子を除去することにより誘導されたオルガニック基を指す。「オルガニック基」とは、有機化合物の炭素原子から１個または複数の水素原子を除去することにより形成された一般化された基を指す。したがって、「オルガニル基」、「オルガニレン基」および「オルガニック基」は、有機官能基および／または炭素および水素以外の原子を含むことができる。すなわち、オルガニック基は、炭素および水素に加えて官能基および／または原子を含むことができる。例えば、炭素および水素以外の原子の非限定的な例は、様々な元素の中でもハロゲン、酸素、窒素、硫黄、リンを含むがこれらに限定されない。官能基の非限定的な例は、エーテル、アルデヒド、ケトン、エステル、スルフィド、アミン、ホスフィンなどを含む。一態様において、除去されて「オルガニル基」、「オルガニレン基」または「オルガニック基」を形成する水素原子は、官能基、様々な可能性の中でも、例えば、アシル基（−Ｃ（Ｏ）Ｒ）、ホルミル基（−Ｃ（Ｏ）Ｈ）、カルボキシ基（−Ｃ（Ｏ）ＯＨ）、ヒドロカルボキシカルボニル基（−Ｃ（Ｏ）ＯＲ）、シアノ基（−Ｃ≡Ｎ）、カルバモイル基（−Ｃ（Ｏ）ＮＨ２）、Ｎ−ヒドロカルビルカルバモイル基（−Ｃ（Ｏ）ＮＨＲ）、またはＮ，Ｎ’−ジヒドロカルビルカルバモイル基（−Ｃ（Ｏ）ＮＲ２）に属する炭素原子に結合されていてもよい。別の態様において、除去されて「オルガニル基」、「オルガニレン基」または「オルガニック基」を形成する水素原子は、官能基、様々な要素の中でも、例えば、ＣＨ２Ｃ（Ｏ）ＣＨ３、ＣＨ２ＮＲ２に属さず、かつ、そこから遠い炭素原子に結合されていてもよい。「オルガニル基」、「オルガニレン基」または「オルガニック基」は、環式もしくは非環式を含む脂肪族であってもよく、または芳香族であってもよい。「オルガニル基」、「オルガニレン基」および「オルガニック基」はまた、ヘテロ原子含有環、ヘテロ原子含有環系、ヘテロ芳香環、およびヘテロ芳香環系を包含する。「オルガニル基」、「オルガニレン基」および「オルガニック基」は、別段の定めがない限り、直鎖状または分岐状であってもよい。最後に、「オルガニル基」、「オルガニレン基」または「オルガニック基」定義は、「ヒドロカルビル基」、「ヒドロカルビレン基」、「炭化水素基」をそれぞれ、また成員として「アルキル基」、「アルキレン基」および「アルカン基」をそれぞれ含むことが留意される。
【００３７】
用語「不活性官能基からなるオルガニル基」は、有機官能基、および／または、官能基中に存在する炭素および水素以外の原子が、金属化合物と錯体を形成しない、および／または本明細書において定義されたプロセス条件下で不活性である、有機官能基、および／または、炭素および水素以外の原子に限定されたオルガニル基を指す。したがって、「不活性官能基からなるオルガニル基」という用語または用語の変形は、さらに、不活性官能基からなるオルガニル基内に存在し得る特定のオルガニル基を定義する。さらに、「不活性官能基からなるオルガニル基」という用語は、オルガニル基内の１個または複数の不活性官能基の存在を指すことがある。「不活性官能基からなるオルガニル基」という用語または用語の変形は、成員としてヒドロカルビル基を含む。同様に、「不活性官能基からなるオルガニレン基」とは、不活性官能基からなる有機化合物の１個または２個の炭素原子から２個の水素原子を除去することによって形成されたオルガニック基を指し、また「不活性官能基からなるオルガニック基」とは、不活性官能基からなる有機化合物の１個または２個の炭素原子から２個の水素原子を除去することによって形成された不活性官能基からなる一般化されたオルガニック基を指す。
【００３８】
本願の目的に対して、「不活性官能基」とは、不活性官能基を有する物質が一部を成す、本明細書に記載されるプロセスと実質的に干渉しない、および／または、金属錯体の金属化合物と錯体を形成しない、ヘテロ原子に自由原子価を有する基である。「金属化合物と錯体を形成しない」という用語は、金属化合物と錯体を形成し得るが、しかし、特に本明細書に記載される分子は、配位子内のその位置関係により、金属化合物と錯体を形成し得ない基を含んでいてもよい。したがって、特定の官能基の不活性度は、金属化合物と錯体を形成する官能基の固有の無能力に関係するだけでなく、金属錯体内の官能基の位置にも関係し得る。本明細書に記載されるプロセスと実質的に干渉しない不活性官能基の非限定的な例は、とりわけハライド（フルオリド、クロリド、ブロミド、およびヨージド）、ニトロ、ヒドロカルボキシ基（とりわけ、例えばアルコキシおよび／またはアロキシ）、および／またはヒドロカルボスルフィジル基（例えば、ＲＳ−）を含むことができる。
【００３９】
「炭化水素」という用語は、本明細書および特許請求の範囲において使用される場合は常に、炭素および水素のみを含有する化合物を指す。他の識別子は炭化水素中の特定の基の存在を示すために使用することができる（例えば、ハロゲン化炭化水素は、炭化水素中の等しい数の水素原子を置き換えた１個または複数のハロゲン原子の存在を示す）。「ヒドロカルビル基」という用語は、本明細書において、ＩＵＰＡＣによって規定された定義：「炭化水素から水素原子を除去することにより形成された１価の基」（すなわち、炭素および水素のみ含有する基）に従って使用される。ヒドロカルビル基の非限定的な例は、エチル、フェニル、トリル、プロペニルなどを含む。同様に、「ヒドロカルビレン基」は、炭化水素から２個の水素原子、１個の炭素原子からの２個の水素原子、または、２個の異なる炭素原子のそれぞれから１個の水素原子を除去することにより形成された基を指す。したがって、本明細書において使用される用語論によると、「炭化水素基」は、炭化水素から１個または複数の水素原子を（特定の基に必要なように）除去することによって形成された一般化された基を指す。「ヒドロカルビル基」、「ヒドロカルビレン基」および「炭化水素基」は、非環式または環式の基であってもよく、および／または直鎖状または分枝状であってもよい。「ヒドロカルビル基」、「ヒドロカルビレン基」および「炭化水素基」は、炭素および水素を含む環、環系、芳香環、および芳香環系を含むことができる。「ヒドロカルビル基」、「ヒドロカルビレン基」および「炭化水素基」は、例として、成員として、様々な基の中でも、それぞれアリール、アリーレン、アレーン基、アルキル、アルキレン、アルカン、シクロアルキル、シクロアルキレン、シクロアルカン基、アラルキル、アラルキレンおよびアラルカン基を含む。
【００４０】
脂肪族化合物は、芳香族化合物を除く、非環式または環式の、飽和または不飽和の炭素化合物である。「脂肪族基」は、脂肪族化合物の炭素原子から１個または複数の水素原子を（特定の基に必要なように）除去することによって形成された一般化された基である。脂肪族化合物と脂肪族基は、炭素および水素以外の有機官能基および／または原子を含むことができる。
【００４１】
「アルカン」という用語は、本明細書および特許請求の範囲において使用される場合は常に、飽和炭化水素化合物を指す。他の識別子をアルカン中の特定の基の存在を示すために使用することができる。（例えば、ハロゲン化アルカンは、アルカン中の等しい数の水素原子を置き換えた１個または複数のハロゲン原子の存在を示す）。「アルキル基」という用語は、本明細書においてＩＵＰＡＣによって規定された定義：「アルカンから水素原子を除去することにより形成された１価の基」に従って使用される。同様に、「アルキレン基」とは、アルカンから２個の水素原子（１個の炭素原子からの２個の水素原子、または２個の異なる炭素原子からの１個の水素原子のいずれか）を除去することにより形成された基を指す。「アルカン基」とは、アルカンから１個または複数の水素原子を（特定の基に必要なように）除去することによって形成された基を指す一般的用語である。「アルキル基」、「アルキレン基」および「アルカン基」は、別段の定めがない限り、非環式または環式の基であってもよく、および／または直鎖状または分枝状であってもよい。第一級、第二級、および第三級アルキル基は、アルカンの、それぞれ、第一級、第二級、第三級炭素原子からの水素原子の除去によって誘導される。ｎ−アルキル基は、直鎖状アルカンの末端炭素原子からの水素原子の除去によって誘導することができる。基ＲＣＨ２（ＲはＨではない）、Ｒ２ＣＨ（ＲはＨではない）、およびＲ３Ｃ（ＲはＨではない）は、それぞれ、第一級、第二級、および第三級アルキル基である。
【００４２】
「シクロアルカン」は、側鎖を含む、または含まない飽和環式炭化水素、例えば、シクロブタンである。１個または複数の二重結合または１個の三重結合を環内に有する不飽和環状炭化水素は、それぞれシクロアルケンおよびシクロアルキンと呼ばれる。ただ１個、ただ２個、ただ３個などの二重結合または三重結合を、環内に有するシクロアルケンおよびシクロアルキンは、「モノ」、「ジ」、「トリ」などの用語の使用によって、シクロアルケンまたはシクロアルキンの名称内で特定することができる。シクロアルケンおよびシクロアルキンは、さらに、環内の二重結合または三重結合の位置を特定することができる。他の識別子は、シクロアルカン中の特定の基の存在を示すために使用することができる（例えば、ハロゲン化シクロアルカンは、シクロアルカン中の等しい数の水素原子を置き換えた１個または複数のハロゲン原子の存在を示す）。
【００４３】
「シクロアルキル基」は、シクロアルカンの環炭素原子から水素原子を除去することにより誘導される１価の基である。例えば、１−メチルシクロプロピル基および２−メチルシクロプロピル基は、以下のように図示される。
【化１】
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同様に、「シクロアルキレン基」とは、少なくともその１個が環炭素であるシクロアルカンから２個の水素原子を除去することにより誘導された基を指す。したがって、「シクロアルキルエン基」は、２個の水素原子が同一の環炭素から形式的に除去されたシクロアルカンから誘導された基、２個の水素原子が２個の異なる環炭素から形式的に除去されたシクロアルカンから誘導された基、および、第１の水素原子が環炭素から形式的に除去され、かつ第２の水素原子が環炭素でない炭素原子から形式的に除去されたシクロアルカンから誘導された基のいずれをも含む。「シクロアルカン基」とは、シクロアルカンから１個または複数の水素原子を（特定の基に必要なように、また少なくともその１個は環炭素である）除去することにより形成された一般化された基を指す。本明細書に提供される定義によると、一般的なシクロアルカン基（シクロアルキル基およびシクロアルキレン基を含む）は、シクロアルカン環炭素原子（例えば、メチルシクロプロピル基）に結合した、０、１個または複数のヒドロカルビル置換基を有する基を含み、炭化水素基の群の成員であることが留意されるべきである。しかし、指定された数のシクロアルカン環炭素原子を有するシクロアルカン基（とりわけ、例えば、シクロペンタン基またはシクロヘキサン基）を指す場合、規定された数のシクロアルカン環炭素原子を有するシクロアルカン基の基本名は、非置換シクロアルカン基（シクロアルカン基環炭素原子上に位置するヒドロカルビル基を有しない基を含む）を指す。したがって、指定された数の環炭素原子を有する置換シクロアルカン基（とりわけ、例えば、置換シクロペンタンまたは置換シクロヘキサン）は、シクロアルカン基環炭素原子に結合した１個または複数の置換基を有する各基（他の置換基の中でも、ハロゲン、ヒドロカルビル基、またはヒドロカルボキシ基を含む）を指す。規定された数のシクロアルカン環炭素原子を有する置換シクロアルカン基が、炭化水素基の群の成員（またはシクロアルカン基の一般的な群の成員）である場合、規定された数のシクロアルカン環炭素原子を有する置換シクロアルカン基の各置換基は、ヒドロカルビル置換基に限定される。炭化水素基の成員（またはシクロアルカン基の一般的な基の成員）として使用することができる、特定の数の環炭素原子を有する一般的な基、特定の基、および／または個々の置換シクロアルカン基は、容易に識別し選択することができる。
【００４４】
「オレフィン」という用語は、本明細書および特許請求の範囲において使用される場合は常に、芳香環または環系の一部でない、少なくとも１個の炭素−炭素二重結合を有する化合物を指す。「オレフィン」という用語は、特に別記しない限り、芳香環または環系の一部でない、少なくとも１個の炭素−炭素二重結合を有する、脂肪族および芳香族、環式および非環式、および／または直鎖状および分枝状化合物を含む。「オレフィン」という用語単独では、明示的に示されない限り、ヘテロ原子の有無および／または他の炭素−炭素二重結合の有無を示さない。１個のみ、２個のみ、３個のみなどの炭素−炭素二重結合を有するオレフィンは、「モノ」、「ジ」、「トリ」などの用語の使用によって、オレフィンの名称内で特定することができる。オレフィンは、炭素−炭素二重結合の位置によってさらに特定することができる。
【００４５】
「アルケン」という用語は、本明細書および特許請求の範囲において使用される場合は常に、少なくとも１個の非芳香族炭化水素炭素−炭素二重結合を有する炭化水素オレフィンを指す。用語「アルケン」は、特にほかに明示されない限り、少なくとも１個の非芳香族炭素−炭素二重結合を有する、脂肪族または芳香族（化合物内に芳香族置換基を有するアルケン）、環式または非環式、および／または直鎖および分岐化合物を含む。ただ１個、ただ２個、ただ３個などの炭素二重結合を有するアルケンは、「モノ」、「ジ」、「トリ」などの用語の使用によって、その名称内で特定することができる。例えば、アルカモノエン、アルカジエンおよびアルカトリエンは、ただ１個の炭素−炭素二重結合（一般式ＣｎＨ２ｎ）、ただ２個の炭素−炭素二重結合（一般式ＣｎＨ２ｎ−２）、および３個のみの炭素−炭素二重結合（一般式ＣｎＨ２ｎ−４）をそれぞれ有する、直鎖状または分枝状炭化水素オレフィンを指す。アルケンは、さらに、炭素−炭素二重結合の位置によって特定することができる。他の識別子はアルケン内の特定の基の有無を示すために使用することができる。例えば、ハロアルケンは、１個または複数の水素原子をハロゲン原子に置き換えたアルケンを指す。
【００４６】
「アルケニル基」は、アルケンの任意の炭素原子からの水素原子の除去によってアルケンから誘導された１価の基である。したがって、「アルケニル基」は、ｓｐ２混成（オレフィン）炭素原子から水素原子が形式的に除去された基、および他の任意の炭素原子から形式的に水素原子が除去された基を含む。例えば、別段の定めがない限り、プロペン−１−イル（−ＣＨ＝ＣＨＣＨ３）、プロペン−２−イル［（ＣＨ３）Ｃ＝ＣＨ２］、およびプロペン−３−イル（−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）基はすべて、「アルケニル基」という用語に包含される。同様に、「アルケニレン基」は、アルケンから形式的に２個の水素原子、すなわち１個の炭素原子からの２個の水素原子または２個の異なる炭素原子からの１個の水素原子を除去することにより形成された基を指す。「アルケン基」とは、アルケンから１個または複数の水素原子を（特定の基に必要なように）除去することにより形成された一般化された基を指す。水素原子が炭素−炭素二重結合に参加する炭素原子から除去される場合、水素原子が除去される炭素の位置化学、および炭素−炭素二重結合の位置化学はともに指定することができる。アルケニル基はまた、複数のそのような多重結合を有することができる。アルケン基はまた、炭素−炭素二重結合の位置によってさらに特定することができる。他の識別子はアルケン基内の特定の基の有無を示すために使用することができる。例えば、ハロアルケン基は、１個または複数の水素原子をハロゲン原子に置き換えたアルケン基を指す。
【００４７】
「アルキン」という用語は、本明細書および特許請求の範囲において、少なくとも１個の非芳香族炭素−炭素三重結合を有する炭化水素化合物を指すために使用される。用語「アルキン」は、特にほかに明示されない限り、少なくとも１個の非芳香族炭素−炭素三重結合を有する、脂肪族または芳香族（化合物内に芳香族置換基を有するアルキン）、環式または非環式、および／または直鎖および分岐化合物を含む。ただ１個、ただ２個、ただ３個などの炭素−炭素三重結合を有するアルキンは、「モノ」、「ジ」、「トリ」などの用語の使用によって、その名称内で特定することができる。例えば、アルカモノイン、アルカジインおよびアルカトリインは、ただ１個の炭素−炭素三重結合（一般式ＣｎＨ２ｎ−２）、ただ２個の炭素−炭素三重結合（一般式ＣｎＨ２ｎ−６）、およびただ３個の炭素−炭素三重結合（一般式ＣｎＨ２ｎ−１０）をそれぞれ有する、直鎖状または分枝状炭化水素オレフィンを指す。アルキンは、炭素−炭素三重結合の位置によってさらに特定することができる。他の識別子はアルキン内の特定の基の有無を示すために使用することができる。例えば、ハロアルキンは、１個または複数の水素原子をハロゲン原子に置き換えたアルキンを指す。
【００４８】
「アルキニル基」とは、アルキンの任意の炭素原子からの水素原子の除去によってアルキンから誘導された１価の基である。したがって、「アルキニル基」は、ｓｐ混成（アセチレン）炭素原子から水素原子が形式的に除去された基、および他の任意の炭素原子から形式的に水素原子が除去された基を含む。例えば、別段の定めがない限り、プロピン−１−イル（Ｃ≡ＣＣＨ３）およびプロピン−１−イル（ＨＣ≡ＣＣＨ２−）基はすべて、「アルキニル基」という用語に包含される。同様に、「アルキニレン基」は、アルキンから２個の水素原子、すなわち、可能ならば１個の炭素原子からの２個の水素原子、または２個の異なる炭素原子からの１個の水素原子のいずれかを、形式的に除去することによって形成された基を指す。「アルキン基」とは、アルキンから１個または複数の水素原子を（特定の基に必要なように）除去することにより形成された一般化された基を指す。アルキニル基はまた複数のそのような多重結合を有することができる。アルキン基はまた、炭素−炭素三重結合の位置によってさら特定することができる。他の識別子をアルキン基内の特定の基の有無を示すために使用することができる。例えば、ハロアルキン基は、１個または複数の水素原子をハロゲン原子に置き換えたアルキン基を指す。
【００４９】
「複素環化合物」は、環員原子として少なくとも２種の異なる元素を有する環式化合物である。例えば、複素環化合物は、炭素および窒素（とりわけ、例えばテトラヒドロピロールおよびピロール）、炭素および酸素（とりわけ、例えばテトラヒドロフランおよびフラン）、または炭素および硫黄（とりわけ、例えばテトラヒドロチオフェンおよびチオフェン）を含有する環を含んでいてもよい。複素環化合物および複素環基は、脂肪族または芳香族のいずれであってもよい。
【００５０】
「ヘテロシクリル基」は、複素環化合物の複素環または環系炭素原子から水素原子を除去することにより形成された１価の基である。水素原子が複素環または環系炭素原子から除去されることを指定することによって、「ヘテロシクリル基」は、水素原子が複素環または環系ヘテロ原子から除去される「シクロヘテリル基」と識別される。例えば、以下に説明されるピロリジン−２−イル基は、「ヘテロシクリル基」の一例であり、以下に説明されるピロリジン−１−イル基は、「シクロヘテリル」基の一例である。
【化２】
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同様に、「ヘテロシクリレン基」、またはより簡単に「ヘテロシクレン基」とは、少なくともその１個が複素環または環系炭素からである、複素環の化合物から２個の水素原子を除去することによって形成された基を指す。したがって、「ヘテロシクリレン基」において、少なくとも１個の水素は複素環または環系炭素原子から除去され、例えば、同一の複素環または環系炭素原子、異なる複素環または環系環炭素原子、または非環炭素原子を包含する他の任意の炭素原子から、他の水素原子を除去することができる。「複素環基」は、複素環化合物から１個または複数の水素原子を（特定の基に必要なように、また少なくともその１個は複素環炭素原子である）除去することにより形成された一般化された基を指す。
【００５１】
「シクロヘテリル基」は、本明細書において説明の通り、複素環化合物の複素環または環系ヘテロ原子から水素原子を除去することにより形成された１価の基である。水素原子が、環炭素原子からではなく、複素環または環系ヘテロ原子から除去されることを指定することによって、「シクロヘテリル基」は、水素原子が、複素環または環系炭素原子から除去される「ヘテロシクリル基」から識別される。同様に、「シクロヘテリレン基」は、少なくともその１個が複素環化合物の複素環または環系ヘテロ原子から除去され、他の水素原子は、例えば、複素環または環系環炭素原子、別の複素環または環系ヘテロ原子、または非環原子（炭素またはヘテロ原子）を包含する他の原子から除去することができる、複素環化合物から２個の水素原子を除去することによって形成された基を指す。「シクロヘテロ基」は、複素環化合物から１個または複数の水素原子を（特定の基に必要なように、またその少なくとも１個は複素環または環系ヘテロ原子からである）除去することにより形成された一般化された基を指す。
【００５２】
芳香族化合物は、ｎが１から５までの整数である、Ｈｕｃｋｅｌ（４ｎ＋２）ルールに従い、（４ｎ＋２）π電子を含む、循環的に共役の二重結合系を含有する化合物である。芳香族化合物は、「アレーン」（炭化水素芳香族化合物）、および「ヘタレーン（ｈｅｔａｒｅｎｅｓ）」（複素芳香族化合物）とも称される「ヘテロアレーン」を含む。ヘテロアレーンは、芳香族系の特徴である連続的なπ電子系、およびＨｕｃｋｅｌルール（４ｎ＋２）に対応する数の面外π電子を維持するように、周期的な共役二重結合系の１個または複数のメチン（−Ｃ＝）炭素原子を、３価または２価のヘテロ原子と置き換えることによってアレーンから形式的に誘導される。アレーン化合物およびヘテロアレーン化合物は芳香族化合物の群の相互に排他的な成員であるが、アレーン基およびヘテロアレーン基の両方を有する化合物は、一般にヘテロアレーン化合物と考えられる。芳香族化合物、アレーン、およびヘテロアレーンは、別段の定めがない限り、単環（例えば、ベンゼン、トルエン、フラン、ピリジン、メチルピリジン）、または多環であってもよい。多環芳香族化合物、アレーンおよびヘテロアレーンは、別段の定めがない限り、芳香環が縮合されていてよい化合物（例えば、ナフタレン、ベンゾフラン、およびインドール）、芳香族基が分離され結合によって連結されていてよい化合物（例えば、ビフェニルまたは４−フェニルピリジン）、または芳香族基が連結原子を含む基によって連結された化合物（他の連結基の中でも、例えば、炭素−ジフェニルメタン中のメチレン基；酸素−ジフェニルエーテル；窒素−トリフェニルアミン）を含む。本明細書に開示されるように、「置換された」という用語は、非水素部分が形式的に化合物中の水素を交換した、芳香族基、アレーン、またはヘテロアレーンを記載するために使用することができ、非限定的であることが意図される。
【００５３】
「芳香族基」とは、芳香族化合物から１個または複数の水素原子（特定の基に必要なように、また少なくともその１個は芳香環炭素原子である）を除去することにより形成された一般化された基を指す。１価の「芳香族基」に関して、除去された水素原子は芳香環炭素からでなければならない。芳香族化合物から複数の水素原子を除去することにより形成された「芳香族基」に関して、少なくとも１個の水素原子は芳香族炭化水素環炭素からでなければならない。さらに、「芳香族基」は、水素原子が芳香環または環系の同一の環から除去され（例えば、フェン−１，４−イレン、ピリジン−２，３−イレン、ナフト−１，２−イレン、およびベンゾフラン−２，３−イレン）、水素原子が環系の２個の異なる環から除去され（例えば、ナフト−１，８−イレンおよびベンゾフラン−２，７−イレン）、または水素原子が２個の単離した芳香環または環系から除去されていてもよい（例えば、ビス（フェン−４−イレン）メタン）。
【００５４】
アレーンは、側鎖を含む、または含まない芳香族炭化水素である（とりわけ、例えば、ベンゼン、トルエン、またはキシレン）。「アリール基」は、アレーンの芳香環炭素からの水素原子の形式的な除去から誘導された基である。アレーンは、単一の芳香族炭化水素環（例えば、ベンゼン、またはトルエン）を含み、縮合芳香環（例えば、ナフタレンまたはアントラセン）を含み、結合を介して共有結合で連結した１個または複数の単離した芳香環（例えば、ビフェニル）または非芳香族炭化水素基（例えば、ジフェニルメタン）を含んでいてもよいことは留意されるべきである。「アリール基」の一例は、オルト−トリル（ｏ−トリル）であり、その構造は次に示される。
【化３】
2015505854.tif 000004
同様に、「アリーレン基」とは、アレーンから２個の水素原子（少なくともその１個は芳香環炭素からである）を除去することにより形成された基を指す。「アレーン基」とは、アレーンから１個または複数の水素原子（特定の基に必要なように、またその少なくとも１個は芳香環炭素である）を除去することにより形成された一般化された基を指す。しかし、基が別々の異なったアレーンおよびヘテロアレーン環または環系（例えば、７−フェニルベンゾフラン中のフェニルおよびベンゾフランの部分）を含む場合、その分類は、水素原子が除去された特定の環または環系、すなわち、除去された水素が芳香族炭化水素環または環系炭素原子から来た場合、アレーン基（例えば、６−フェニルベンゾフランのフェニル基中の２−炭素原子）、および除去された水素炭素（ｈｙｄｒｏｇｅｎ  ｃａｒｂｏｎ）がヘテロ芳香環または環系炭素原子から来た場合、ヘテロアレーン基（例えば、ベンゾフラン基または６−フェニルベンゾフランの２−または７−炭素原子）に依存する。本明細書に提供される定義によると、一般的なアレーン基（アリール基およびアリーレン基を含む）は、芳香族炭化水素環または環系炭素原子に位置する０、１、または複数のヒドロカルビル置換基を有する基（とりわけ、例えば、トルエン基またはキシレン基）を包含し、炭化水素基の群の成員であることが留意されるべきである。しかし、フェニル基（またはフェニレン基）および／またはナフチル基（またはナフチレン基）は、特定の非置換アレーン基（芳香族炭化水素環または環系炭素原子に位置するヒドロカルビル基を有しない）を指す。したがって、置換フェニル基または置換ナフチル基は、芳香族炭化水素環または環系炭素原子に位置する１個または複数の置換基（とりわけ、ハロゲン、ヒドロカルビル基、またはヒドロカルボキシ基を含む）を有する各アレーン基を指す。置換フェニル基および／または、置換ナフチル基が、炭化水素基の群の成員（またはアレーン基の一般的な群の成員）である場合、各置換基はヒドロカルビル置換基に限定される。炭化水素基の群の成員（またはアレーン基の一般的な群の成員）として使用することができる、一般的置換フェニルおよび／または置換ナフチル基、特定の置換フェニルおよび／または置換ナフチル基、および／または個々の置換フェニルまたは置換ナフチル基を容易に識別し選択することができる。
【００５５】
ヘテロアレーンは、芳香環または環系内にヘテロ原子を有する、側鎖を含むまたは含まない芳香族化合物である（とりわけ、例えば、ピリジン、インドールまたはベンゾフラン）。「ヘテロアリール基」は、「ヘテロシクリル基」の種類であり、ヘテロアレーン化合物のヘテロ芳香環または環系炭素原子から水素原子を除去することにより形成された１価の基である。水素原子が環炭素原子から除去されたことを指定することによって、「ヘテロアリール基」は、水素原子がヘテロ芳香環または環系ヘテロ原子から除去された「アリールヘテリル基」と識別される。例えば、以下に説明されるインドール−２−イル基は、「ヘテロアリール基」の一例であり、以下に説明されるインドール−１−イル基は、「アリールヘテリル」基の一例である。
【化４】
2015505854.tif 000005
同様に、「ヘテロアリーレン基」とは、少なくともその１個がヘテロアレーン環または環系炭素原子からである２個の水素原子を、ヘテロアレーン化合物から除去することにより形成された基を指す。したがって、「ヘテロアリーレン基」において、少なくとも１個の水素が、ヘテロアレーン環または環系炭素原子から除去され、他の水素原子は、例えば、ヘテロアレーン環もしくは環系炭素原子、または非ヘテロアレーン環もしくは環系原子を包含する他の炭素原子から除去することができる。「ヘテロアレーン基」とは、ヘテロアレーン化合物から１個または複数の水素原子（特定の基に必要なように、また少なくともその１個はヘテロアレーン環炭素原子または環系炭素原子である）を除去することによって形成された一般化された基を指す。水素原子が、ヘテロ芳香環もしくは環系ヘテロ原子から、および、ヘテロ芳香環または環系炭素原子、または芳香族炭化水素環もしくは環系炭素原子から除去される場合、この基は、「アリールヘテリレン（ａｒｙｌｈｅｔｅｒｙｌｅｎｅ）基」または「アリールヘテロ基」として分類される。
【００５６】
「アリールヘテリル基」は、「シクロヘテリル基」の種類であり、説明されるように、ヘテロ芳香環または環系ヘテロ原子から水素原子を除去することにより形成された１価の基である。ヘテロ芳香環または環系炭素原子からではなく、水素原子がヘテロ芳香環または環系ヘテロ原子から除去されると指定することによって、「アリールヘテリル基」は、水素原子がヘテロ芳香環または環系炭素原子から除去される「ヘテロアリール基」と識別される。同様に、「アリールヘテリレン基」とは、少なくともその１個がヘテロアリール化合物のヘテロ芳香環または環系ヘテロ原子から除去される２個の水素原子を、ヘテロアリール化合物から除去することにより形成された基を指し；他の水素原子は、例えば、複素芳香族化合物からの、ヘテロ芳香環もしくは環系炭素原子、別のヘテロ芳香環もしくは環系ヘテロ原子、または非環原子（炭素またはヘテロ原子）を包含する他の任意の原子から除去することができる。「アリールヘテロ基」とは、ヘテロアレーン化合物から１個または複数の水素原子（特定の基に必要なように、また少なくともその１個がヘテロ芳香環または環系ヘテロ原子からである）を除去することにより形成された一般化された基を指す。
【００５７】
「アラルキル基」は、非芳香族炭素原子（とりわけ、例えば、ベンジル基、または２−フェニルエタ−１−イル基）に自由原子価（ｖａｌａｎｃｅ）を有するアリール置換アルキル基である。同様に、「アラルキレン基」は、１個の非芳香族炭素原子に自由２価、または２個の非芳香族炭素原子に自由１価を有するアリール置換アルキレン基であるが、「アラルカン基」は、非芳香族炭素原子に自由１価または複数の自由原子価を有する一般化されたアリール置換アルカン基である。「ヘテロアラルキル基」は、非ヘテロ芳香環または環系炭素原子に自由原子価を有する、ヘテロアリール置換アルキル基である。同様に、「ヘテロアラルキレン基」は、１個の非ヘテロ芳香環もしくは環系炭素原子に自由２価または２個の非ヘテロ芳香環もしくは環系炭素原子に自由１価を有するヘテロアリール置換アルキレン基であるが、「ヘテロアラルカン基」は、非ヘテロ芳香環または環系炭素原子に自由１価または複数の自由原子価を有する一般化されたアリール置換アルカン基である。本明細書に提供される定義によると、一般的なアラルカン基は、アラルカン芳香族炭化水素環または環系炭素原子に位置する０、１個または複数のヒドロカルビル置換基を有する基を包含し、炭化水素基の群の成員であることに留意されるべきである。しかし、特定のアリール基（とりわけ、例えば、ベンジル基中のフェニル基または２−フェニルエチル基）を指定する特定のアラルカン基は、特定の非置換アラルカン基を指す（アラルカン芳香族炭化水素環または環系炭素原子に位置するヒドロカルビル基を含まない）。したがって、特定のアリール基を指定する置換アラルカン基は、１個または複数の置換基を有する各アラルカン基を指す（ハロゲン、ヒドロカルビル基、またはヒドロカルボキシ基をとりわけ含む）。特定のアリール基を指定する置換アラルカン基が炭化水素基の群の成員（またはアラルカン基の一般的な群の成員）である場合、各置換基はヒドロカルビル置換基に限定される。炭化水素基の群の成員（またはアラルカン基の一般的な群の成員）として使用することができる、特定のアリール基を指定する置換アラルカン基は、容易に識別し選択することができる。
【００５８】
「ハライド」はその通常の意味を有する。したがって、ハライドの例は、フルオリド、クロリド、ブロミド、およびヨージドを含む。
【００５９】
「オルガノヘテリル基」は、炭素を含有する１価の基である。したがって、これは有機系であるが、炭素以外の原子にそれらの自由原子価を有している。したがって、オルガノヘテリルおよびオルガニル基は相補的で、相互に排他的である。オルガノヘテリル基は、環式または非環式、および／または、脂肪族または芳香族であってもよく、したがって脂肪族「シクロヘテリル基」（とりわけ、例えば、ピロリジン−１−イルまたはモルホリン−１−イル）、芳香族「アリールヘテリル基」（とりわけ、例えば、ピロール−１−イルまたはインドール−１−イル）、および非環式の基（とりわけ、例えば、オルガニルチオ、トリヒドロカルビルシリル、アリールオキシ、またはアルコキシ）を包含する。同様に、「オルガノヘテリレン（ｏｒｇａｎｏｈｅｔｅｒｙｌｅｎｅ）基」は、少なくともその１つはヘテロ原子にある自由２価を有する炭素および少なくとも１個のヘテロ原子を含む２価の基である。「オルガノヘテロ基」は、オルガノヘテロ化合物から自由１価または複数の自由原子価を有する（特定の基に必要なように、また少なくともその１つはヘテロ原子にある）炭素および少なくとも１個のヘテロ原子を含む一般化された基である。
【００６０】
化合物または基が複数の部分を含む場合、それは、形式的には、ＩＵＰＡＣによって規定される最も高い命名優先順位を有する群の成員である。例えば、４−フェニルピリジンはヘテロ芳香族化合物であり、４−（フェン−２−イレン）ピリジン−２−イル基はヘテロ芳香族基であるが、それは最も高い命名基がそれぞれピリジン基およびピリジン−２−イル基であるからである。
【００６１】
幾つかの事例において、「環式基」に言及されることがある。別段の定めがない限り、「環式基」は、同素環式および複素環基を含む環構造を有する芳香族および脂肪族基を含み、「シクロ」は、環構造を示すために名称に使用される接頭辞である。
【００６２】
一態様において、本開示は、遷移金属カルボン酸塩組成物を調製するための合成法を提供する。一態様において、開示される合成法は、遷移金属の酢酸塩またはカルボン酸を含む他のカルボン酸塩の錯体の反応のための要求事項をなくす。具体的には、本開示は、１族または２族のカルボン酸塩および遷移金属前駆体が溶媒中で結合される、所望の遷移金属カルボン酸塩組成物への合成経路を包含する。一態様において、しかし限定されないが、本開示の方法は、式１に従ってカルボン酸クロム（ＩＩＩ）を製造するために使用することができる。
【化５】
2015505854.tif 000006
一実施形態において、このプロセスは、所望の遷移金属カルボン酸塩（例えば式１に説明されるカルボン酸クロム（ＩＩＩ））から分離することができる副生物（例えば式１に説明される塩化ナトリウム）を生成し得る。遷移金属カルボン酸塩組成物を製造するための一般法は、様々な遷移金属（とりわけ、例えばＴｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、ＣｏおよびＣｕ）および様々なカルボン酸塩含有部分（とりわけ例えば、ナフテン酸塩、安息香酸塩およびシュウ酸塩）を有する他の遷移金属組成物の調製を包含するように拡張することができる。
【００６３】
一態様において、本開示は遷移金属カルボン酸塩組成物を提供する。一実施形態において、遷移金属カルボン酸塩組成物は、本明細書に記載される遷移金属カルボン酸塩組成物を製造するための任意のプロセスの生成物となることができ、これを含むことができ、または本質的にこれからなることができる。別の実施形態において、遷移金属カルボン酸塩組成物は、特定の分光学的特色を有すると記載することができる。一部の実施形態において、遷移金属カルボン酸塩組成物は特定の赤外スペクトルの特色を有することができる。他の実施形態において、遷移金属カルボン酸塩組成物は特定の高エネルギーＸ線回折スペクトルの特色を有することができる。また他の実施形態において、遷移金属カルボン酸塩組成物は、単核遷移金属カルボン酸塩の理論モデルの算定高エネルギーＸ線回折スペクトルに比較して優れた高エネルギーＸ線回折スペクトルを有することができる。
【００６４】
一態様において、本開示は、１）遷移金属前駆体、２）１族または２族金属カルボン酸塩、および３）溶媒を接触させて遷移金属カルボン酸塩を形成するステップを含む遷移金属カルボン酸塩組成物を調製するためのプロセスを記載する。一実施形態において、遷移金属カルボン酸塩は、遷移金属カルボン酸塩を形成することができる条件下で形成することができる。一部の実施形態において、遷移金属、１族または２族金属カルボン酸塩および溶媒を特定の接触条件下で接触させることができる。一部の実施形態において、遷移金属カルボン酸塩を含む溶液を形成することができる。一般に、遷移金属前駆体、１族または２族金属カルボン酸塩、溶媒、接触させるステップ、接触条件および遷移金属カルボン酸塩を形成することができる条件は、遷移金属カルボン酸塩組成物を調製するためのプロセスの様々な特色（とりわけ例えば、単離および／もしくは精製のステップまたは方法）の中でも、遷移金属カルボン酸塩組成物を製造するプロセスの独立した要素である。本明細書に記載される遷移金属前駆体の、本明細書に記載される任意の態様および／または実施形態、本明細書に記載される１族または２族金属カルボン酸塩、本明細書に記載される溶媒、本明細書に記載される接触ステップ、本明細書に記載される接触条件、本明細書に記載される遷移金属カルボン酸塩を形成することができる条件、および本明細書に記載される遷移金属カルボン酸塩組成物を調製するためのプロセスの他の特色（とりわけ、例えば単離および／もしくは精製のステップまたは方法）は、遷移金属カルボン酸塩組成物を製造するプロセスをさらに記載するために使用することができる。
【００６５】
非限定的な態様において、遷移金属カルボン酸塩（または遷移金属カルボン酸塩組成物）は特定の特性を有することができる。これらの特性は独立して本明細書に記載され、遷移金属カルボン酸塩組成物を調製するためのプロセスをさらに記載するために使用することができる。
【００６６】
別の態様において、本開示は、カルボン酸クロム組成物（例えばカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物）を調製するためのプロセスであって、１）クロム前駆体（例えばクロム（ＩＩＩ）前駆体）、２）１族または２族金属カルボン酸塩、および３）溶媒を接触させてカルボン酸クロム（例えばカルボン酸クロム（ＩＩＩ））を形成するステップを含むプロセスを記載する。一実施形態において、カルボン酸クロムは、カルボン酸クロムを形成することができる条件下で形成することができる。一部の実施形態において、クロム前駆体、１族または２族金属カルボン酸塩、および溶媒は、特定の接触条件下で接触させることができる。一部の実施形態において、カルボン酸クロムを含む溶液を形成することができる。一般に、カルボン酸クロム組成物を調製するためのプロセス（とりわけ、例えば単離および／もしくは精製のステップまたは方法）の様々な特色の中でも、クロム前駆体、１族または２族金属カルボン酸塩、溶媒を接触させるステップ、接触条件、およびカルボン酸クロムを形成することができる条件は、カルボン酸クロム組成物を製造するプロセスの独立した要素である。本明細書に記載されるクロム前駆体の任意の態様および／または実施形態、本明細書に記載される１族または２族金属カルボン酸塩、本明細書に記載される溶媒、本明細書に記載される接触ステップ、本明細書に記載される接触条件、本明細書に記載されるカルボン酸クロムを形成することができる条件、および本明細書に記載されるカルボン酸クロム組成物を調製するためのプロセスの他の特色（とりわけ、例えば単離および／もしくは精製のステップまたは方法）は、カルボン酸クロム組成物を製造するプロセスをさらに記載するために使用することができる。
【００６７】
非限定的な態様において、カルボン酸クロム（またはカルボン酸クロム組成物）は特定の特性を有することができる。これらの特性は独立して本明細書に記載され、カルボン酸クロム組成物を調製するためのプロセスをさらに記載するために使用することができる。
【００６８】
本開示の態様によれば、遷移金属カルボン酸塩組成物を製作する方法は遷移金属前駆体を使用する。一般に、遷移金属前駆体は、中性、陽イオン性または陰イオン性になり得る遷移金属錯体を含む。遷移金属錯体が中性の場合、遷移金属錯体は遷移金属前駆体である。遷移金属錯体が陽イオン性である場合、遷移金属前駆体は、中性の遷移金属前駆体を与えるために好適な数の遷移金属錯体および陰イオン種を含む。遷移金属錯体が陰イオン性である場合、遷移金属前駆体は、中性の遷移金属前駆体を与えるために好適な数の遷移金属錯体および陽イオン種を含む。
【００６９】
遷移金属前駆体および／または遷移金属錯体は、最低限、遷移金属を含む。一実施形態において、遷移金属前駆体および／または遷移金属錯体は、遷移金属および陰イオン性配位子を含むか、本質的にこれらからなるか、またはこれらからなる。別の実施形態において、遷移金属前駆体および／または遷移金属錯体は、遷移金属および中性配位子を含んでも、本質的にこれらからなっても、またはこれらからなってもよい。一実施形態において、遷移金属前駆体は、陰イオン性遷移金属錯体；または代替として、陽イオン性遷移金属錯体を含むことができる。他の実施形態において、遷移金属前駆体は、陽イオン性遷移金属錯体および少なくとも１個の陰イオン種；代替として、陰イオン性遷移金属錯体および少なくとも１個の陽イオン種を含んでも、本質的にこれらからなっても、またはこれらからなってもよい。一実施形態において、遷移金属錯体（陰イオン性、陽イオン性または中性の）は、遷移金属、陰イオン性配位子および中性配位子を含んでも、本質的にこれらからなっても、またはこれらからなってもよい。一部の実施形態において、遷移金属錯体（陰イオン性、陽イオン性または中性）は、少なくとも１個の遷移金属および少なくとも１個の陰イオン性配位子；代替として、少なくとも１個の遷移金属および少なくとも１個の中性配位子；または代替として、少なくとも１個の遷移金属、少なくとも１個の陰イオン性配位子、および少なくとも１個の中性配位子を含んでも、本質的にこれらからなっても、またはこれらからなってもよい。
【００７０】
一態様において、遷移金属前駆体は、式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２を有することができる。一般に、遷移金属前駆体内で、ＭＢは、ｘの酸化状態を有する遷移金属を表し、ｙ１は、ｘの酸化状態を有する遷移金属の数を表し、Ｘは、ｙの電荷を有する陰イオン性配位子を表し、ｘ１は、ｙの電荷を有する陰イオン性配位子の数を表し、Ｌは中性配位子を表し、ｌは中性配位子の数を表し、（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌは電荷ｍを有する遷移金属錯体を表し、ｑは、電荷ｍを有する遷移金属錯体の数を表し、Ｃは、電荷ｃを有する陽イオン種を表し、ｍ１は、電荷ｃを有する陽イオン種をの数を表し、Ａは、電荷ａを有する陰イオン種を表し、ｍ２は、電荷ａを有する陰イオン種の数を表す。ｘの酸化状態を有する遷移金属（ＭＢ）、ｘの酸化状態を有する遷移金属の数（ｙ１）、ｙの電荷を有する陰イオン性配位子（Ｘ）、ｙの電荷を有する陰イオン性配位子の数（ｘ１）、中性配位子（Ｌ）、中性配位子の数（ｌ）、遷移金属錯体（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）上の電荷（ｍ）、遷移金属錯体（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）の数（ｑ）電荷ｃを有する陽イオン種（Ｃ）、電荷ｃを有する陽イオン種の数（ｍ１）、電荷ａを有する陰イオン種（Ａ）、および電荷ａを有する陰イオン種の数（ｍ２）は、独立して本明細書に記載される。これらの独立した説明は、任意の適合する方式および／または組み合わせにおいて、式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２を有する遷移金属前駆体をさらに記載するために使用することができる。ｘ（遷移金属ＭＢの酸化状態）、ｙ１（ｘの酸化状態を有する遷移金属の数）、ｙ（陰イオン性配位子Ｘ上の電荷）、ｘ１（ｙの電荷を有する陰イオン性配位子の数）、ｌ（中性配位子Ｌの数）、ｍ（遷移金属錯体（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ上の電荷）、ｑ（遷移金属錯体（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌの数）ｃ（陽イオン種Ｃ上の電荷）、ｍ１（陽イオン種Ｃの数）、ａ（陰イオン種Ａの電荷）、およびｍ２（陰イオン種Ａの数）の特定の値に応じて、遷移金属前駆体のための他の実現可能な一般式があり得る。これらの他の遷移金属前駆体の式は本明細書において与えられ、本明細書に記載される、任意の適用できる態様および／または実施形態において遷移金属前駆体として使用することができる。
【００７１】
一実施形態において、遷移金属前駆体は、式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２、［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１、［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２、［（ＭＢＬｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２、（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ、［（ＭＢＸｘＬｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２、［（ＭＢＸｘＬｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１、［（ＭＢＸｘＬｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２、ＭＢＸｘＬｌ、［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２、［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１、［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２、（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１、［（ＭＢＸｘ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２、［（ＭＢＸｘ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１、［（ＭＢＸｘ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２またはＭＢＸｘを有することができる。一部の実施形態において、遷移金属前駆体は式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２、［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１、［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２、［（ＭＢＬｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２、（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ、［（ＭＢＸｘＬｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２、［（ＭＢＸｘＬｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１、［（ＭＢＸｘＬｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２もしくはＭＢＸｘＬｌ、代替として、（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２、［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１、［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２、（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１、［（ＭＢＸｘ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２、［（ＭＢＸｘ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１、［（ＭＢＸｘ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２もしくはＭＢＸｘ；代替として、［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２、［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１、［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２、［（ＭＢＬｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２もしくは（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ；代替として、［（ＭＢＸｘＬｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２、［（ＭＢＸｘＬｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１、［（ＭＢＸｘＬｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２もしくはＭＢＸｘＬｌ、代替として、（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２、［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１、［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２、（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１、または代替として、［（ＭＢＸｘ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２、［（ＭＢＸｘ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１、［（ＭＢＸｘ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２もしくはＭＢＸｘを有することができる。他の実施形態において、遷移金属前駆体は、式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２、［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１、［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２、［（ＭＢＬｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２、（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ、［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２、［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１、［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２もしくは（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１；または代替として、［（ＭＢＸｘＬｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２、［（ＭＢＸｘＬｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１、［（ＭＢＸｘＬｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２、ＭＢＸｘＬｌ、［（ＭＢＸｘ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２、［（ＭＢＸｘ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１、［（ＭＢＸｘ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２もしくはＭＢＸｘを有することができる。また他の実施形態において、遷移金属前駆体は、式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２；代替として、［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１；代替として、［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２；代替として、［（ＭＢＬｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２；代替として、（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ；代替として、［（ＭＢＸｘＬｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２；代替として、［（ＭＢＸｘＬｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１；代替として、［（ＭＢＸｘＬｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２；代替として、ＭＢＸｘＬｌ；代替として、［（ＭＢ）（ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２；代替として、［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１；代替として、［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２；代替として、（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１；代替として、［（ＭＢＸｘ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２；代替として、［（ＭＢＸｘ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１；代替として、［（ＭＢＸｘ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２；または代替として、ＭＢＸｘを有することができる。
【００７２】
一実施形態において、遷移金属前駆体の遷移金属は、４−１１族金属を含んでも、本質的にこれらからなっても、またはこれらからなってもよい。一部の実施形態において、遷移金属前駆体の遷移金属は、５−９族金属；代替として、４族金属；代替として、５族金属；代替として、６族金属；代替として、７族金属；代替として、８族金属；代替として、９族金属；代替として、１０族金属；または代替として、１１族金属を含んでも、本質的にこれらからなっても、またはこれらからなってもよい。他の実施形態において、遷移金属前駆体の遷移金属は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、ＣｏまたはＣｕ；代替として、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、ＦｅまたはＣｏ；代替として、Ｃｒ、ＦｅまたはＣｏ；代替として、Ｔｉ；代替として、Ｚｒ；代替として、Ｃｒ；代替として、Ｆｅ；または代替として、Ｃｏを含んでも、本質的にこれらからなっても、またはこれらからなってもよい。特定の実施形態において、遷移金属は、クロムを含んでも、本質的にこれらからなっても、またはこれらからなってもよい。一部の実施形態において、遷移金属前駆体は、クロム前駆体を含んでも、本質的にこれらからなっても、またはこれらからなってもよい。一般に、遷移金属カルボン酸塩の遷移金属は、遷移金属前駆体の遷移金属として同一の遷移金属であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【００７３】
一般に、遷移金属前駆体の遷移金属酸化状態ｎは、遷移金属がとることができるすべての正の酸化状態を有することができる。一態様において、遷移金属前駆体の遷移金属は、１〜６の酸化状態を有することができる。一部の実施形態において、遷移金属前駆体の遷移金属は２、３または４；代替として、２または３；代替として、２；または代替として、３の酸化状態を有することができる。遷移金属酸化状態は、遷移金属名に続く括弧内のローマ数字として示すことができる（例えば、クロム（ＩＩＩ）によって示すことができる３の酸化状態を有するクロム）ことに留意されるべきである。幾つかの非限定的な実施形態において、遷移金属前駆体の遷移金属は、クロム（ＩＩ）またはクロム（ＩＩＩ）；代替として、クロム（ＩＩ）；または代替として、クロム（ＩＩＩ）を含んでも、本質的にこれらからなっても、またはこれらからなってもよい。
【００７４】
遷移金属前駆体（または遷移金属錯体）中の遷移金属原子の数ｙ１は、遷移金属原子の酸化状態、陰イオン性配位子の電荷、陰イオン性配位子の数、陰イオン性配位子の電荷、および遷移金属錯体上の電荷の関数である。一般に、遷移金属前駆体（または遷移金属錯体）中の遷移金属原子の数ｙ１は、１〜３；代替として、１；代替として、２；または代替として、３の範囲の整数であってもよい。
【００７５】
遷移金属前駆体の遷移金属錯体が陰イオン性または陽イオン性（ｍ≠０である、様々な本明細書に記載されるものの中で、例えば式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２、［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１、［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２、［（ＭＢＬｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２、［（ＭＢＸｘＬｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２、［（ＭＢＸｘＬｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１、［（ＭＢＸｘＬｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２、［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２、［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１、［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２、［（ＭＢＸｘ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２、［（ＭＢＸｘ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１および／または［（ＭＢＸｘ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２を有する）である場合、酸化状態ｘを有する遷移金属原子の数（ｙ１）、電荷ｙを有する陰イオン性配位子（Ａ）の数、および、陰イオンまたは陽イオン性の遷移金属錯体上の電荷は、式ｍ＝（ｙ×ｘ１）＋（ｘ×ｙ１）によって関係づけることができる。遷移金属前駆体の遷移金属錯体が中性（ｍ＝０である様々な中でも、例えば式（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ、ＭＢＸｘＬｌ、（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１および／またはＭＢＸｘを有する）の場合、酸化状態ｘを有する遷移金属原子の数（ｙ１）、および電荷ｙを有する陰イオン性配位子（Ａ）の数は、式ｘ×ｙ１＝｜ｙ×ｘ１｜によって関係づけることができる。一部の実施形態において、遷移金属前駆体の遷移金属錯体が中性（様々なｍ＝０であるものの中でも、例えば式（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ、ＭＢＸｘＬｌ、（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１および／またはＭＢＸｘを有する）の場合、遷移金属原子の数ｙ１は、ｙ１＝ｘと｜ｙ｜との最大公約数で除した｜ｙ｜という関係によって、遷移金属酸化状態（ｘ）および陰イオン性配位子（Ａ）の電荷（ｙ）に関係づけることができる。
【００７６】
一態様において、各陰イオン性配位子Ｘは、独立してハライド、硝酸塩、亜硝酸塩、硫酸塩、亜硫酸塩、重硫酸塩、リン酸塩、塩素酸塩、シアノ、シアン酸塩、チオシアン酸塩、またはイソチオシアン酸塩であってもよい。一実施形態において、各陰イオン性配位子は独立してハライド、硝酸塩、硫酸、リン酸塩；または代替として、ハライドまたは硝酸塩であってもよい。一部の実施形態において、陰イオン性配位子Ｘは、ハライド；代替として、硝酸塩；代替として、亜硝酸塩；代替として、硫酸；代替として、亜硫酸塩；代替として、重硫酸塩；代替として、リン酸塩；代替として、塩素酸塩；代替として、シアノ；代替として、シアン酸塩；代替として、チオシアン酸塩；または代替として、イソチオシアン酸塩であってもよい。一実施形態において、各ハライドは、独立して、フルオリド、クロリド、ブロミド、またはヨージド；代替として、フルオリド；代替として、クロリド；代替として、ブロミド；または代替として、ヨージドであってもよい。一実施形態において、各ハロゲン酸塩（ｈａｌａｔｅ）は独立して、フッ素酸塩、塩素酸塩、臭素酸塩、またはヨウ素酸塩；代替として、フッ素酸塩；代替として、塩素酸塩；代替として、臭素酸塩；または代替として、ヨウ素酸塩であってもよい。さらなる実施形態において、遷移金属前駆体は、これらの配位子の任意の組み合わせを含むことができる。一部の実施形態において、各陰イオン性配位子は独立してモノ陰イオン性配位子であってもよい。
【００７７】
一般に、遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）が少なくとも１個の陰イオン性配位子を含む場合、各陰イオン性配位子Ｘの電荷ｙは、独立して−１〜−３の範囲の整数であってもよい。一実施形態において、各陰イオン性配位子上の電荷ｙは、独立して−１または−２；代替として、−１；代替として、−２；または代替として、−３であってもよい。一実施形態において、各陰イオン性配位子Ｘは、−１の電荷ｙを有するモノ陰イオン性配位子であってもよい。一般に、陰イオン性配位子Ｘの電荷ｙは、陰イオン性配位子の正体（ｉｄｅｎｔｉｔｙ）から明らかである。例えば、ハライド、硝酸塩、亜硝酸塩、重硫酸塩、ハロゲン酸塩、シアノ、シアン酸塩、チオシアン酸塩およびイソチオシアン酸塩は−１の電荷ｙを有し、硫酸塩および亜硫酸塩は−２の電荷ｙを有し、リン酸塩は−３の電荷ｙを有する。
【００７８】
遷移金属前駆体（または遷移金属錯体）中の陰イオン性配位子の数ｘ１は、遷移金属原子の数、遷移金属原子の酸化状態、陰イオン性配位子の電荷ｙ、および遷移金属錯体上の電荷の関数である。一般に、遷移金属前駆体（または遷移金属錯体）中の陰イオン性配位子の数ｘ１は、０〜７；代替として、０から６；代替として、０から５；代替として、０から４；代替として、０から３；代替として、１から７；代替として、１〜６；代替として、１から５；代替として、１〜４；代替として、１から３；代替として、２から５；代替として、２から４；代替として、２から３；または代替として、３から７の整数であってもよい。一部の実施形態において、遷移金属前駆体（または遷移金属錯体）中の陰イオン性配位子の数ｘ１は、０；代替として、１；代替として、２；代替として、３；代替として、４；または代替として、５、代替として、６；または代替として、７であってもよい。
【００７９】
遷移金属前駆体の遷移金属錯体が陰イオン性または陽イオン性（ｍ≠０である様々なものの中でも、例えば式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２、［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１、［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２、［（ＭＢＬｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２、［（ＭＢＸｘＬｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２、［（ＭＢＸｘＬｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１、［（ＭＢＸｘＬｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２、［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２、［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１、［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２、［（ＭＢＸｘ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２、［（ＭＢＸｘ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１および／または［（ＭＢＸｘ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２を有する）の場合、酸化状態ｘを有する遷移金属原子の数（ｙ１）、電荷ｙを有する陰イオン性配位子（Ａ）の数、および陰イオン性または陽イオン性遷移金属錯体上の電荷は、式ｍ＝（ｙ×ｘ１）＋（ｘ×ｙ１）によって関係づけることができる。遷移金属前駆体の遷移金属錯体が中性（ｍ＝０である様々なものの中でも、例えば、式（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ、ＭＢＸｘＬｌ、（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１および／またはＭＢＸｘを有する）である場合、酸化状態ｘを有する遷移金属原子の数（ｙ１）、および電荷ｙを有する陰イオン性配位子（Ｘ）の数は、式ｘ×ｙ１＝｜ｙ×ｘ１｜によって関係づけることができる。一部の実施形態において、遷移金属前駆体の遷移金属錯体が中性の場合（様々なｍ＝０であるものの中でも、例えば、式（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ、ＭＢＸｘＬｌ、（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１および／またはＭＢＸｘを有する）、陰イオン性配位子の数ｘ１は、遷移金属酸化状態（ｘ）および陰イオン性配位子（Ｘ）の電荷（ｙ）と、ｘ１＝ｘと｜ｙ｜の最大公約数で除したｘという関係によって関係づけることができる。
【００８０】
一態様において、遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立して、安定または単離可能な遷移金属錯体を形成することができる任意の中性配位子；または代替として、安定または単離可能な遷移金属錯体を形成することができる任意の中性配位子の組み合わせであってもよい。適切な中性配位子は、遷移金属原子に配位することができる少なくとも１個の配位性原子を含むシグマ供与体化合物を含む。一実施形態において、中性配位子の配位性原子は、酸素、窒素、硫黄、リンまたはその任意の組み合わせ；代替として、酸素、窒素、硫黄またはその任意の組み合わせ；代替として、酸素、窒素またはその任意の組み合わせ；代替として、酸素、硫黄またはその任意の組み合わせ；代替として、酸素；代替として、窒素；代替として、硫黄；または代替として、リンを含むがこれらに限定されない。別段の定めがない限り、配位性化合物は非置換であっても置換されていてもよい。置換基は、独立して本明細書に記載され、本明細書に記載される任意の遷移金属前駆体および／または遷移金属錯体に使用することができる置換中性配位子を記載するために、限定されずに使用することができる。
【００８１】
一態様において、各中性配位子は、独立して非環式ヘテロ原子化合物、または複素環化合物；代替として、非環式ヘテロ原子化合物；または代替として、複素環化合物であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一実施形態において、各中性配位子（環式または非環式の）は独立して、脂肪族ヘテロ原子化合物またはヘテロアレーン；代替として、脂肪族ヘテロ原子化合物；または代替として、ヘテロアレーンであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。各中性配位子（環式もしくは非環式、および／または脂肪族もしくは芳香族）に適しているヘテロ原子は、本明細書に記載され、中性配位子として使用することができるヘテロ原子化合物を記載するために、限定されずに、さらに使用することができる。
【００８２】
一実施形態において、各中性配位子は、独立して脂肪族非環式複素環化合物、置換脂肪族非環式複素環化合物、脂肪族複素環化合物、置換脂肪族複素環化合物、ヘテロアレーン、または置換ヘテロアレーンであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一部の実施形態において、各中性配位子は、独立して脂肪族非環式複素環化合物または置換脂肪族非環式複素環化合物；代替として、脂肪族複素環化合物または置換脂肪族複素環化合物；または代替として、ヘテロアレーンまたは置換ヘテロアレーンであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。他の実施形態において、各中性配位子は、独立して脂肪族非環式複素環化合物、脂肪族複素環化合物、またはヘテロアレーン；代替として、脂肪族非環式複素環化合物；代替として、脂肪族複素環化合物；または代替として、ヘテロアレーンであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一実施形態において、中性配位子として使用することができる任意の脂肪族非環式複素環化合物（置換または非置換）は、Ｃ２−Ｃ６０脂肪族非環式複素環化合物；代替として、Ｃ２−Ｃ４５脂肪族非環式複素環化合物；代替として、Ｃ２−Ｃ３０脂肪族非環式複素環化合物；または代替として、Ｃ２−Ｃ２０脂肪族非環式複素環化合物；代替として、Ｃ２−Ｃ１０脂肪族非環式複素環化合物；または代替として、Ｃ２−Ｃ５脂肪族非環式複素環化合物であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一実施形態において、中性配位子として使用することができる任意の脂肪族複素環化合物（置換または非置換）は、Ｃ３−Ｃ６０脂肪族複素環化合物；代替として、Ｃ３−Ｃ４５脂肪族複素環化合物；代替として、Ｃ３−Ｃ３０脂肪族複素環化合物；代替として、Ｃ３−Ｃ２０脂肪族複素環化合物；代替として、Ｃ３−Ｃ１５脂肪族複素環化合物；または代替として、Ｃ３−Ｃ１０脂肪族複素環化合物であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一実施形態において、中性配位子として使用することができる任意のヘテロアレーン化合物（置換または非置換）は、Ｃ４−Ｃ６０ヘテロアレーン；代替として、Ｃ４−Ｃ４５ヘテロアレーン；代替として、Ｃ４−Ｃ３０ヘテロアレーン；代替として、Ｃ４−Ｃ２０ヘテロアレーン；代替として、Ｃ４−Ｃ１５ヘテロアレーン；または代替として、Ｃ４−Ｃ１０ヘテロアレーンであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。置換配位性化合物のための置換基は、本明細書に開示され、中性配位子として使用することができる置換脂肪族非環式複素環化合物、置換脂肪族複素環化合物および／または置換ヘテロアレーンを記載するために、限定されずに、使用することができる。
【００８３】
一実施形態において、各中性配位子は独立して、エーテル、チオエーテル、ニトリル、アミン、ホスフィン、ホスファイトまたはその任意の組み合わせ；代替として、エーテル；代替として、チオエーテル；代替として、ニトリル；代替として、アミン；代替として、ホスフィン；または代替として、ホスファイトであってもよいが、限定されない。一部の実施形態において、各中性配位子は、独立して、非環式エーテル、置換非環式エーテル、環式エーテル、置換環式エーテル、非環式チオエーテル、置換非環式チオエーテル、環式チオエーテル、置換環式チオエーテル、脂肪族ニトリル、置換脂肪族ニトリル、芳香族ニトリル、置換芳香族ニトリル、非環式アミン、置換非環式アミン、環式アミン、置換環式アミン、非環式ホスフィン、置換非環式ホスフィン、環式ホスフィン、置換環式ホスフィン、非環式ホスファイト、置換非環式ホスファイト、環式ホスファイト、置換環式ホスファイトもしくはその任意の組み合わせ；代替として、非環式エーテル、置換非環式エーテル、非環式チオエーテル、置換非環式チオエーテル、脂肪族ニトリル、置換脂肪族ニトリル、非環式アミン、置換非環式アミン、非環式ホスフィン、置換非環式ホスフィン、非環式ホスファイト、置換非環式ホスファイトもしくはその任意の組み合わせ；代替として、環式エーテル、置換環式エーテル、環式チオエーテル、置換環式チオエーテル、環式アミン、置換環式アミン、環式ホスフィン、置換環式ホスフィン、環式ホスファイト、置換環式ホスファイトもしくはその任意の組み合わせ；代替として、非環式エーテル、置換非環式エーテル、環式エーテルもしくは置換環式エーテル；代替として、非環式チオエーテル、置換非環式チオエーテル、環式チオエーテルもしくは置換環式チオエーテル；代替として、脂肪族ニトリル、置換脂肪族ニトリル、芳香族ニトリルもしくは置換芳香族ニトリル；代替として、非環式アミン、置換非環式アミン、環式アミンもしくは置換環式アミン；代替として、非環式ホスフィン、置換非環式ホスフィン、環式ホスフィンもしくは置換環式ホスフィン；または代替として、非環式ホスファイト、置換非環式ホスファイト、環式ホスファイトもしくは置換環式ホスファイトであってもよいが、限定されない。他の実施形態において、各中性配位子は独立して、非環式エーテル、環式エーテル、非環式チオエーテル、環式チオエーテル、脂肪族ニトリル、芳香族ニトリル、非環式アミン、環式アミンもしくはその任意の組み合わせ；代替として、非環式エーテルもしくは置換非環式エーテル；代替として、環式エーテルもしくは置換環式エーテル；代替として、非環式チオエーテルもしくは置換非環式チオエーテル；代替として、環式チオエーテルもしくは置換環式チオエーテル；代替として、脂肪族ニトリルもしくは置換脂肪族ニトリル；代替として、芳香族ニトリルもしくは置換芳香族ニトリル；代替として、非環式アミンもしくは置換非環式アミン；代替として、環式アミンもしくは置換環式アミン；代替として、非環式ホスフィンもしくは置換非環式ホスフィン；代替として、環式ホスフィンもしくは置換環式ホスフィン；代替として、非環式ホスファイトもしくは置換非環式ホスファイト；代替として、環式ホスファイトもしくは置換環式ホスファイト；代替として、非環式エーテル；代替として、環式エーテル；代替として、非環式チオエーテル；代替として、環式チオエーテル；代替として、脂肪族ニトリル；代替として、芳香族ニトリル；代替として、非環式アミン；代替として、環式アミン；代替として、非環式ホスフィン；代替として、環式ホスフィン；代替として、非環式ホスファイト；または代替として、環式ホスファイトであってもよいが、限定されない。一実施形態において、環式エーテル（置換または非置換）、環式チオエーテル（置換または非置換）、環式アミン（置換または非置換）、環式ホスフィン（置換または非置換）、および／または環式ホスファイト（置換または非置換）は、脂肪族もしくは芳香族；代替として、脂肪族；または代替として、芳香族であってもよい。独立して置換基（非水素置換基または非水素置換基とも称される）は本明細書に開示され、中性配位子として使用することができる、置換エーテル（非環式、環式、脂肪族または芳香族）、置換チオエーテル（非環式、環式、脂肪族または芳香族）、置換ニトリル（脂肪族または芳香族）、置換アミン（非環式、環式、脂肪族または芳香族）、置換ホスフィン（非環式、環式、脂肪族または芳香族）および／または置換ホスファイト（非環式、環式、脂肪族または芳香族）をさらに記載するために限定されずに使用することができる。
【００８４】
一実施形態において、中性配位子として使用されるニトリルは式Ｒ１Ｃ≡Ｎを有することができる。一実施形態において、中性配位子として使用されるエーテルは式Ｒ２−Ｏ−Ｒ３を有することができる。一実施形態において、中性配位子として使用されるチオエーテルは式Ｒ４−Ｓ−Ｒ５を有することができる。一実施形態において、中性配位子として使用されるアミンは、式ＮＲ６Ｒ７Ｒ８、ＮＨＲ６Ｒ７またはＮＨ２Ｒ６；代替として、ＮＲ６Ｒ７Ｒ８；代替として、ＮＨＲ６Ｒ７；または代替として、ＮＨ２Ｒ６を有することができる。一実施形態において、中性配位子として使用されるホスフィンは、式ＰＲ９Ｒ１０Ｒ１１、ＰＨＲ９Ｒ１０もしくはＰＨ２Ｒ９；代替として、ＰＲ９Ｒ１０Ｒ１１；代替として、ＰＨＲ９Ｒ１０；または代替として、ＰＨ２Ｒ９を有することができる。一実施形態において、配位化合物として使用されるホスファイトは、式Ｐ（ＯＲ１２）（ＯＲ１３）（ＯＲ１４）もしくはＰＨ（Ｏ）（ＯＲ１２）（ＯＲ１３）；代替として、Ｐ（ＯＲ１２）（ＯＲ１３）（ＯＲ１４）；または代替として、ＰＨ（Ｏ）（ＯＲ１２）（ＯＲ１３）を有することができる。一実施形態において、各Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３またはＲ１４は、独立してＣ１−Ｃ２０オルガニル基；代替として、Ｃ１−Ｃ１０オルガニル基；または代替として、Ｃ１−Ｃ２０オルガニル基であってもよい。一部の実施形態において、各Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３またははＲ１４は、独立してＣ１−Ｃ２０ヒドロカルビル基もしくはＣ１−Ｃ２０置換ヒドロカルビル基；代替として、Ｃ１−Ｃ２０ヒドロカルビル基；または代替として、Ｃ１−Ｃ２０置換ヒドロカルビル基であってもよい。他の実施形態において、各Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３もしくはＲ１４は、独立してＣ１−Ｃ１０ヒドロカルビル基もしくはＣ１−Ｃ１０置換ヒドロカルビル基；代替として、Ｃ１−Ｃ１０ヒドロカルビル基；または代替として、Ｃ１−Ｃ１０置換ヒドロカルビル基であってもよい。また他の実施形態において、各Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３もしくはＲ１４は、独立してＣ１−Ｃ５ヒドロカルビル基またはＣ１−Ｃ５置換ヒドロカルビル基；代替として、Ｃ１−Ｃ５ヒドロカルビル基；または代替として、Ｃ１−Ｃ５置換ヒドロカルビル基であってもよい。
【００８５】
式Ｒ２−Ｏ−Ｒ３を有するエーテルのＲ２およびＲ３、式Ｒ４−Ｓ−Ｒ５を有するＲ４およびＲ５、式ＮＲ６Ｒ７Ｒ８またはＮＨＲ６Ｒ７を有するアミンのＲ６、Ｒ７およびＲ８の任意の２個、式ＰＲ９Ｒ１０Ｒ１１またはＰＨＲ９Ｒ１０を有するホスフィンのＲ９、Ｒ１０およびＲ１１の任意の２個、ならびに／または式Ｐ（ＯＲ１２）（ＯＲ１３）（ＯＲ１４）もしくはＰＨ（Ｏ）（ＯＲ１２）（ＯＲ１３）を有するホスファイトのＲ１２、Ｒ１３およびＲ１４の任意の２個は、環式のエーテル、チオエーテル、アミン、ホスフィンおよびホスファイトについて本明細書に記載されるように、結合してエーテル酸素原子チオエーテル硫黄原子、アミン窒素原子、ホスフィンリン原子またはホスファイトリン原子を含む環を形成し、それぞれ環式のエーテル、チオエーテル、アミン、ホスフィンまたはホスファイトを形成することができることは留意されるべきである。
【００８６】
一実施形態において、各Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３またはＲ１４は、独立して、アルキル基、置換アルキル基、シクロアルキル基、置換シクロアルキル基、アリール基、置換アリール基、アラルキル基もしくは置換アラルキル基；代替として、アルキル基もしくは置換アルキル基；代替として、シクロアルキル基もしくは置換シクロアルキル基；代替として、アリール基もしくは置換アリール基；代替として、アラルキル基もしくは置換アラルキル基；代替として、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基もしくはアラルキル基；代替として、アルキル基；代替として、置換アルキル基、代替として、シクロアルキル基；代替として、置換シクロアルキル基；代替として、アリール基；代替として、置換アリール基；代替として、アラルキル基；または代替として、置換アラルキル基であってもよい。一般に、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３またはＲ１４として使用することができるアルキル基、置換アルキル基、シクロアルキル基、置換シクロアルキル基、アリール基、置換アリール基、アラルキル基および置換アラルキル基は、これらが成員であるオルガニル基またはヒドロカルビル基と同数の炭素原子を有することができる。
【００８７】
一実施形態において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３および／またはＲ１４として使用することができるアルキル基（置換または非置換）は、Ｃ１−Ｃ２０アルキル基（置換または非置換）；代替として、Ｃ１−Ｃ１０アルキル基（置換または非置換）；または代替として、Ｃ１−Ｃ５アルキル基（置換または非置換）であってもよい。一部の実施形態において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３および／またはＲ１４として使用することができる各アルキル基は、独立して、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基またはノナデシル基；または代替として、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基もしくはデシル基であってもよい。他の実施形態において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３および／またはＲ１４として使用することができる各アルキル基は、独立して、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ−ペンチル基もしくはネオペンチル基；代替として、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基もしくはネオペンチル基；代替として、メチル基；代替として、エチル基；代替として、ｎ−プロピル基；代替として、イソプロピル基；代替として、ｔｅｒｔ−ブチル基；または代替として、ネオペンチル基であってもよい。一実施形態において、置換アルキル基の各置換基は独立して、ハライドまたはヒドロカルボキシ基；代替として、ハライド；または代替として、ヒドロカルボキシ基であってもよい。
【００８８】
一実施形態において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３および／またはＲ１４として使用することができるシクロアルキル基（置換または非置換）は、Ｃ４−Ｃ２０シクロアルキル基（置換または非置換）；代替として、Ｃ４−Ｃ１５シクロアルキル基（置換または非置換）；または代替として、Ｃ４−Ｃ１０シクロアルキル基（置換または非置換）であってもよい。一部の実施形態において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３および／またはＲ１４として使用することができる各基は、独立して、シクロブチル基、置換シクロブチル基、シクロペンチル基、置換シクロペンチル基、シクロヘキシル基、置換シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、置換シクロヘプチル基、シクロオクチル基または置換シクロオクチル基；代替として、シクロペンチル基、置換シクロペンチル基、シクロヘキシル基または置換シクロヘキシル基であってもよい。他の実施形態において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３および／またはＲ１４として使用することができる各基は、独立して、シクロブチル基または置換シクロブチル基；代替として、シクロペンチル基もしくは置換シクロペンチル基；代替として、シクロヘキシル基もしくは置換シクロヘキシル基；代替として、シクロヘプチル基もしくは置換シクロヘプチル基；または代替として、シクロオクチル基もしくは置換シクロオクチル基；代替として、シクロペンチル基；代替として、置換シクロペンチル基；シクロヘキシル基；または代替として、置換シクロヘキシル基であってもよい。一実施形態において、置換シクロアルキル基の各置換基は独立して、ハライド、ヒドロカルビル基もしくはヒドロカルボキシ基；代替として、ハライドもしくはヒドロカルビル基；代替として、ハライドもしくはヒドロカルボキシ基；代替として、ヒドロカルビル基もしくはヒドロカルボキシ基；代替として、ハライド；代替として、ヒドロカルビル基；または代替として、ヒドロカルボキシ基であってもよい。
【００８９】
一実施形態において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３および／またはＲ１４として使用することができるアリール基（置換または非置換）は、Ｃ６−Ｃ２０アリール基（置換または非置換）；代替として、Ｃ６−Ｃ１５アリール基（置換または非置換）；または代替として、Ｃ６−Ｃ１０アリール基（置換または非置換）であってもよい。一部の実施形態において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３および／またはＲ１４として使用することができる各基は、独立して、フェニル基、置換フェニル基、ナフチル基もしくは置換ナフチル基；代替として、フェニル基もしくは置換フェニル基；代替として、ナフチル基もしくは置換ナフチル基；代替として、フェニル基もしくはナフチル基；または代替として、置換フェニル基もしくは置換ナフチル基であってもよい。一実施形態において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３および／またはＲ１４として使用することができる各置換フェニル基は、独立して、２−置換フェニル基、３−置換フェニル基、４−置換フェニル基、２，４−二置換フェニル基、２，６−二置換フェニル基、３，５−二置換フェニル基または２，４，６−三置換フェニル基であってもよい。他の実施形態において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３および／またはＲ１４として使用することができる各置換フェニル基は、独立して、２−置換フェニル基、４−置換フェニル基、２，４二置換フェニル基もしくは２，６二置換フェニル基；代替として、３−置換フェニル基もしくは３，５二置換フェニル基；代替として、２−置換フェニル基もしくは４−置換フェニル基；代替として、２，４−二置換フェニル基もしくは２，６−二置換フェニル基；代替として、２−置換フェニル基；代替として、３−置換フェニル基；代替として、４−置換フェニル基；代替として、２，４−二置換フェニル基；代替として、２，６−二置換フェニル基；代替として、３，５−二置換フェニル基；または代替として、２，４，６−三置換フェニル基であってもよい。一実施形態において、置換アリール基の各置換基は、独立して、ハライド、ヒドロカルビル基、またはヒドロカルボキシ基；代替として、ハライドもしくはヒドロカルビル基；代替として、ハライドもしくはヒドロカルボキシ基；代替として、ヒドロカルビル族もしくはヒドロカルボキシ基；代替として、ハライド；代替として、ヒドロカルビル基；または代替として、ヒドロカルボキシ基であってもよい。
【００９０】
一部の実施形態において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３および／またはＲ１４として使用することができるアラルキル基（置換または非置換）は、Ｃ７−Ｃ２０アラルキル基（置換または非置換）；代替として、Ｃ７−Ｃ１５アラルキル基（置換または非置換）；または代替として、Ｃ７−Ｃ１０アラルキル基（置換または非置換）であってもよい。一部の実施形態において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３および／またはＲ１４として使用することができる各基は、独立して、ベンジル基もしくは置換ベンジル基；代替として、ベンジル基、または代替として、置換ベンジル基であってもよい。一実施形態において、置換アラルキル基の各置換基は、独立してハライド、ヒドロカルビル基もしくはヒドロカルボキシ基；代替として、ハライドもしくはヒドロカルビル基；代替として、ハライドもしくはヒドロカルボキシ基；代替として、ヒドロカルビル基もしくはヒドロカルボキシ基；代替として、ハライド；代替として、ヒドロカルビル基；または代替として、ヒドロカルボキシ基であってもよい。
【００９１】
ハライド、ヒドロカルビル基、およびヒドロカルボキシ基の置換基（非水素置換基または非水素置換の基とも称される）は独立して本明細書に開示される。これらの置換基は、本明細書に記載される任意の置換Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３および／またはＲ１４基をさらに記載するために限定されずに使用することができる。
【００９２】
一実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の中性配位子として使用することができる各エーテルおよび／または非環式エーテル（置換または非置換）は、独立して、Ｃ２−Ｃ４０のエーテルおよび／または非環式エーテル；代替として、Ｃ２−Ｃ３０のエーテルおよび／もしくは非環式エーテル；代替として、Ｃ２−Ｃ２０のエーテルおよび／もしくは非環式エーテル；代替として、Ｃ２−Ｃ１５のエーテルおよび／もしくは非環式エーテル；または代替として、Ｃ２−Ｃ１０のエーテルおよび／もしくは非環式エーテルであってもよい。一実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の中性配位子として使用することができる各環式エーテル（置換または非置換および／または脂肪族もしくは芳香族）は、独立して、Ｃ３−Ｃ４０環式エーテル；代替として、Ｃ４−Ｃ３０環式エーテル；代替として、Ｃ４−Ｃ２０環式エーテル；代替として、Ｃ４−Ｃ１５環式エーテル；または代替として、Ｃ４−Ｃ１０環式エーテルであってもよい。
【００９３】
本開示の態様において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立して、ジヒドロカルビルエーテルもしくは置換ジヒドロカルビルエーテル；または代替として、ジヒドロカルビルエーテルであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。ヒドロカルビル基（置換または非置換）が一般に本開示内に開示される（様々な位置の中でも、例えば、式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するモノカルボン酸塩のためのＲ２ｃの選択肢として、および／またはＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３もしくはＲ１４の選択肢として）。本明細書に記載されるこれらのヒドロカルビル基の態様および実施形態（当業者によって明示的に指定されるかまたは暗黙に認識される）は、中性配位子として使用することができるジヒドロカルビルエーテル（置換または非置換）のヒドロカルビル基として限定されずに使用することができる。
【００９４】
非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立して、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、メチルエチルエーテル、メチルプロピルエーテル、メチル、ブチルエーテルもしくはその任意の組み合わせ；代替として、ジメチルエーテル；代替として、ジエチルエーテル；代替として、ジプロピルエーテル；代替として、ジブチルエーテル；代替として、メチルエチルエーテル；代替として、メチルプロピルエーテル；または代替として、メチルブチルエーテルであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。本明細書に記載される別の非限定的な実施形態において、任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してジフェニルエーテル、置換ジフェニルエーテル、ジトリルエーテル、置換ジトリルエーテルもしくはその任意の組み合わせ；代替として、ジフェニルエーテル、ジトリルエーテルもしくはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してジフェニルエーテル；代替として、置換ジフェニルエーテル；代替として、ジトリルエーテル；または代替として、置換ジトリルエーテルであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【００９５】
非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してテトラヒドロフラン、置換テトラヒドロフラン、２，３−ジヒドロフラン、置換２，３−ジヒドロフラン、２，５−ジヒドロフラン、置換２，５−ジヒドロフランもしくはその組み合わせ；代替として、テトラヒドロフラン、２，３−ジヒドロフラン、２，５−ジヒドロフランもしくはその組み合わせ；代替として、テトラヒドロフラン；代替として、置換テトラヒドロフラン；２，３−ジヒドロフラン；代替として、置換２，３−ジヒドロフラン；代替として、２，５−ジヒドロフラン；または代替として、置換２，５−ジヒドロフランであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。別の非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してテトラヒドロフラン、２−置換テトラヒドロフラン、３−置換テトラヒドロフランもしくはその任意の組み合わせ；代替として、テトラヒドロフラン；代替として、２−置換テトラヒドロフラン；または代替として、３−置換テトラヒドロフランであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。さらなる非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してテトラヒドロフラン、２−アルキル置換テトラヒドロフラン、３−アルキル置換テトラヒドロフランもしくはその任意の組み合わせ；代替として、テトラヒドロフラン；代替として、２−アルキル置換テトラヒドロフラン；または代替として、３−アルキル置換テトラヒドロフランであってもよい。
【００９６】
非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してフラン、置換フラン、ベンゾフラン、置換ベンゾフラン、イソベンゾフラン、置換イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、置換ジベンゾフラン、またはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。別の非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してフラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフランもしくはその任意の組み合わせ；代替として、フラン；代替として、置換フラン；代替として、ベンゾフラン；代替として、置換ベンゾフラン；代替として、イソベンゾフラン；代替として、置換イソベンゾフラン；代替として、ジベンゾフラン；代替として、置換ジベンゾフランであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【００９７】
非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してテトラヒドロフラン、置換テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、置換テトラヒドロピラン、３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン、置換３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン、３，６−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン、置換３，６−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン、２Ｈ−ピラン、置換２Ｈ−ピラン、４Ｈ−ピラン、置換４Ｈ−ピラン、１，３−ジオキサン、置換１，３−ジオキサン、１，４−ジオキサン、置換１，４−ジオキサン、モルホリン、置換モルホリン、Ｎ−置換モルホリン、置換Ｎ−置換モルホリン、またはその任意の組み合わせ；代替として、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン、３，６−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン、２Ｈ−ピラン、４Ｈ−ピラン、１，３−ジオキサン、１，４−ジオキサン、モルホリン、Ｎ−置換モルホリン、またはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。別の非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してテトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１，３−ジオキサン、１，４−ジオキサン、またはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。さらなる非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してテトラヒドロピラン；代替として、置換テトラヒドロピラン；代替として、３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン；代替として、置換３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン；代替として、３，６−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン；代替として、置換３，６−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン；代替として、２Ｈ−ピラン；代替として、置換２Ｈ−ピラン；代替として、４Ｈ−ピラン；代替として、置換４Ｈ−ピラン；代替として、１，３−ジオキサン；代替として、置換１，３−ジオキサン；代替として、１，４−ジオキサン；代替として、置換１，４−ジオキサン；代替として、モルホリン；代替として、置換モルホリン；代替として、Ｎ−置換モルホリン；または代替として、置換Ｎ−置換モルホリンであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【００９８】
一般的な置換基（非水素置換基または非水素置換の基とも称される）は独立して本明細書に開示される。これらの置換基は、中性配位子として使用することができる任意の置換エーテル、置換非環式エーテル、置換環式エーテル（脂肪族または芳香族）、置換ジフェニルエーテル、置換ジトリルエーテル、置換テトラヒドロフラン、アルキル置換テトラヒドロフラン、置換フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、置換テトラヒドロピラン、置換３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン、置換３，６−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン、置換４Ｈ−ピラン、置換１，３−ジオキサン、置換１，４−ジオキサン、置換モルホリン、Ｎ−ヒドロカルビルモルホリン、および／または置換Ｎ−ヒドロカルビルモルホリンをさらに記載するために限定されずに使用することができる。
【００９９】
一実施形態において、中性配位子として使用することができる任意のチオエーテルおよび／または非環式チオエーテル（置換または非置換）は、Ｃ２−Ｃ４０のチオエーテルおよび／もしくは非環式チオエーテル；代替として、Ｃ２−Ｃ３０のチオエーテルおよび／もしくは非環式チオエーテル；代替として、Ｃ２−Ｃ２０のチオエーテルおよび／もしくは非環式チオエーテル；代替として、Ｃ２−Ｃ１５のチオエーテルおよび／もしくは非環式チオエーテル；または代替として、Ｃ２−Ｃ１０のチオエーテルおよび／もしくは非環式チオエーテルであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一実施形態において、中性配位子として使用することができる任意の環式チオエーテル（置換もしくは非置換の、および／または脂肪族もしくは芳香族）は、Ｃ３−Ｃ４０環式チオエーテル；代替として、Ｃ４−Ｃ３０環式チオエーテル；代替として、Ｃ４−Ｃ２０環式チオエーテル；代替として、Ｃ４−Ｃ１５環式チオエーテル；または代替として、Ｃ４−Ｃ１０環式チオエーテルであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０１００】
本開示の態様において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してジヒドロカルビルチオエーテルもしくは置換ジヒドロカルビルチオエーテル；または代替として、ジヒドロカルビルチオエーテルであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。ヒドロカルビル基（置換または非置換）は、一般に本開示内に開示される（様々な位置の中でも、例えば式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するモノカルボン酸塩のためのＲ２ｃの選択肢としておよび／またはＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３もしくはＲ１４の選択肢として）。本明細書に記載されるこれらのヒドロカルビル基の態様および実施形態（当業者によって明示的に指定されるかまたは暗黙に認識される）は、中性配位子として使用することができるジヒドロカルビルチオエーテル（置換または非置換）のヒドロカルビル基として限定されずに使用することができる。
【０１０１】
非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してジメチルチオエーテル、ジエチルチオエーテル、ジプロピルチオエーテル、ジブチルチオエーテル、メチルエチルチオエーテル、メチルプロピルチオエーテル、メチルブチルチオエーテルまたはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。別の非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してジメチルチオエーテル；代替として、ジエチルチオエーテル；代替として、ジプロピルチオエーテル；代替として、ジブチルチオエーテル；代替として、メチルエチルチオエーテル；代替として、メチルプロピルチオエーテル；代替として、またはメチルブチルチオエーテルであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してジフェニルチオエーテル、置換ジフェニルチオエーテル、ジトリルチオエーテル、置換ジトリルチオエーテル、またはその任意の組み合わせ；代替として、ジフェニルチオエーテル、ジトリルチオエーテル、またはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してジフェニルチオエーテル；代替として、置換ジフェニルチオエーテル；代替として、ジトリルチオエーテル；または代替として、置換ジトリルチオエーテルであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０１０２】
非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してチオフェン、ベンゾチオフェン置換チオフェン、置換ベンゾチオフェンまたはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。別の非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してチオフェン、ベンゾチオフェンまたはその任意の組み合わせ；代替として、チオフェン；代替として、置換チオフェン；代替として、ベンゾチオフェン；または代替として、置換ベンゾチオフェンであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０１０３】
非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してテトラヒドロチオフェン、置換テトラヒドロチオフェン、チアン、置換チアン、またはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。別の非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してテトラヒドロチオフェン、チアンまたはその組み合わせ；代替として、テトラヒドロチオフェン；代替として、置換テトラヒドロチオフェン；代替として、チアン；または代替として、置換チアンであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０１０４】
一般的な置換基（非水素置換基または非水素置換の基とも称される）は本明細書に記載される。これらの置換基は、中性配位子として使用することができる任意の置換チオエーテル、置換非環式チオエーテル、置換環式チオエーテル、置換ジフェニルチオールエーテル、置換ジトリルチオエーテル、置換チオフェンおよび／または置換ベンゾチオフェンをさらに記載するために限定されずに使用することができる。
【０１０５】
一実施形態において、中性配位子として使用することができる任意のニトリル（置換または非置換）は、Ｃ２−Ｃ２０脂肪族ニトリル；代替として、Ｃ２−Ｃ１５脂肪族ニトリル；代替として、Ｃ２−Ｃ１０脂肪族ニトリル；または代替として、Ｃ２−Ｃ５脂肪族ニトリルであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一実施形態において、中性配位子として使用することができる任意のニトリル（置換または非置換）は、Ｃ６−Ｃ２０芳香族ニトリル；代替として、Ｃ６−Ｃ１５芳香族ニトリル；または代替として、Ｃ６−Ｃ１０芳香族ニトリルであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０１０６】
本開示の態様において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してヒドロカルビルニトリルもしくは置換ヒドロカルビルニトリル；または代替として、ヒドロカルビルニトリルであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。ヒドロカルビル基（置換または非置換）は一般に本開示内に開示される（様々な位置の中でも、例えば、式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するモノカルボン酸塩のためのＲ２ｃの選択肢として、および／またはＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３またはＲ１４の選択肢として）。本明細書に記載されるこれらのヒドロカルビル基の態様および実施形態（当業者によって明示的に指定されるかまたは暗黙に認識される）は、中性配位子として使用することができるヒドロカルビルニトリル（置換または非置換）のヒドロカルビル基として限定されずに使用することができる。
【０１０７】
非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してアセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、またはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。別の非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属の前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してアセトニトリル；代替として、プロピオニトリル；または代替として、ブチロニトリルであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０１０８】
非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してベンゾニトリル、置換ベンゾニトリルまたはその任意の組み合わせ；代替として、ベンゾニトリル；または代替として、置換ベンゾニトリルであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。別の非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してベンゾニトリル、２−置換ベンゾニトリル、３−置換ベンゾニトリル、４−置換ベンゾニトリル、２，４−置換ベンゾニトリル、３，５−二置換、２，４，６−三置換ベンゾニトリルもしくはその任意の組み合わせ；代替として、２−置換ベンゾニトリル、４−置換ベンゾニトリル、２，４−置換ベンゾニトリル、２，４，６−三置換ベンゾニトリルもしくはその任意の組み合わせ、代替として、２−置換ベンゾニトリル；代替として、３−置換ベンゾニトリル；代替として、４−置換ベンゾニトリル；代替として、２，４−置換ベンゾニトリル；代替として、３，５−二置換ベンゾニトリル；または代替として、２，４，６−三置換ベンゾニトリルであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。また他の実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立して２−アルキルベンゾニトリル、３−アルキルベンゾニトリルベンゾニトリル、４−メチルベンゾニトリル、２，４−アルキルベンゾニトリル、３，５−ジアルキル、２，４，６−トリアルキルベンゾニトリルもしくはその任意の組み合わせ；代替として、２−アルキルベンゾニトリル、４−アルキルベンゾニトリル、２，４−アルキルベンゾニトリル、２，４，６−トリアルキルベンゾニトリルもしくはその任意の組み合わせ、代替として、２−アルキルベンゾニトリル；代替として、３−アルキルベンゾニトリル；代替として、４−アルキルベンゾニトリル；代替として、２，４−アルキルベンゾニトリル；代替として、３，５−ジアルキル；または代替として、２，４，６−トリアルキルベンゾニトリルであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０１０９】
一般的な置換基（非水素置換基または非水素置換の基とも称される）は、独立して本明細書に記載される。これらの置換基は、中性配位子として使用することができる任意の置換脂肪族ニトリル、置換芳香族ニトリル、置換ベンゾニトリルおよび／またはアルキル置換ベンゾニトリルをさらに記載するために限定されずに使用することができる。
【０１１０】
一実施形態において、中性配位子として使用することができる任意のアミンおよび／または非環式アミン（置換または非置換）は、Ｃ１−Ｃ６０のアミンおよび／もしくは非環式アミン；代替として、Ｃ１−Ｃ４５のアミンおよび／もしくは非環式アミン；代替として、Ｃ１−Ｃ３０のアミンおよび／もしくは非環式アミン；代替として、Ｃ１−Ｃ２０のアミンおよび／もしくは非環式アミン；代替として、Ｃ１−Ｃ１５のアミンおよび／もしくは非環式アミン；または代替として、Ｃ１−Ｃ１０のアミンおよび／もしくは非環式アミンであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一実施形態において、中性配位子として使用することができる任意の環式アミン（置換もしくは非置換の、および／または脂肪族もしくは芳香族）、Ｃ３−Ｃ６０環式アミン；代替として、Ｃ３−Ｃ４５環式アミン；代替として、Ｃ３−Ｃ３０環式アミン；代替として、Ｃ４−Ｃ２０環式アミン；または代替として、Ｃ４−Ｃ１５環式アミンであってもよい。
【０１１１】
本開示の態様において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してヒドロカルビルアミン、置換ヒドロカルビルアミン、ジヒドロカルビルアミン、置換ジヒドロカルビルアミン、トリヒドロカルビルアミン、置換トリヒドロカルビルアミン、その任意の組み合わせ；ヒドロカルビルアミン、ジヒドロカルビルアミン、トリヒドロカルビルアミンまたはその任意の組み合わせ；代替として、ヒドロカルビルアミンまたは置換ヒドロカルビルアミン；代替として、ジヒドロカルビルアミンまたは置換ジヒドロカルビルアミン；代替として、トリヒドロカルビルアミンまたは置換トリヒドロカルビルアミン；代替として、ヒドロカルビルアミン；代替として、置換ヒドロカルビルアミン；代替として、ジヒドロカルビルアミン；代替として、置換ジヒドロカルビルアミン；代替として、トリヒドロカルビルアミン；または代替として、置換トリヒドロカルビルアミンであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。ヒドロカルビル基（置換または非置換）は一般に本開示内に開示される（様々な位置の中でも、例えば式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するモノカルボン酸塩のためのＲ２ｃの選択肢として、および／またはＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３もしくはＲ１４の選択肢として）。本明細書に記載されるこれらのヒドロカルビル基の態様および実施形態（当業者によって明示的に指定されるかまたは暗黙に認識される）は、中性配位子として使用することができるヒドロカルビルアミン（置換または非置換）、ジヒドロカルビルアミン（置換または非置換）、トリヒドロカルビルアミン（置換または非置換）のヒドロカルビル基として限定されずに使用することができる。
【０１１２】
非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してメチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミンまたはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。別の非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してメチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミンまたはその任意の組み合わせ；代替として、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミンもしくはその任意の組み合わせ；または代替として、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミンもしくはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。また別の非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してメチルアミン；代替として、エチルアミン；代替として、プロピルアミン；代替として、ブチルアミン；代替として、ジメチルアミン；代替として、ジエチルアミン；代替として、ジプロピルアミン；代替として、ジブチルアミン；代替として、トリメチルアミン；代替として、トリエチルアミン；代替として、トリプロピルアミン；または代替として、トリブチルアミンであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０１１３】
非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してアニリン、置換アニリン、Ｎ−ヒドロカルビルアニリン、置換Ｎ−ヒドロカルビルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジヒドロカルビルアニリン、置換Ｎ，Ｎ−ジヒドロカルビルアニリン、ジフェニルアミン、ジ（置換フェニル）アミン、Ｎ−ヒドロカルビルジフェニルアミン、Ｎ−ヒドロカルビルジ（置換フェニル）アミン、トリフェニルアミン、置換トリフェニルアミン、またはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。別の非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してアニリン、置換アニリン、Ｎ−ヒドロカルビルアニリン、置換Ｎ−ヒドロカルビルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジヒドロカルビルアニリン、置換Ｎ，Ｎ−ジヒドロカルビルアニリンまたはその任意の組み合わせ；代替として、ジフェニルアミン、ジ（置換フェニル）アミン、Ｎ−ヒドロカルビルジフェニルアミン、Ｎ−ヒドロカルビルジ（置換フェニル）アミンもしくはその任意の組み合わせ；または代替として、トリフェニルアミン、置換トリフェニルアミンもしくはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。また別の非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してアニリン；代替として、置換アニリン；代替として、Ｎ−ヒドロカルビルアニリン；代替として、置換Ｎ−ヒドロカルビルアニリン；代替として、Ｎ，Ｎ−ジヒドロカルビルアニリン；代替として、置換Ｎ，Ｎ−ジヒドロカルビルアニリン；代替として、ジフェニルアミン；代替として、ジ（置換フェニル）アミン；代替として、Ｎ−ヒドロカルビルジフェニルアミン；代替として、Ｎ−ヒドロカルビルジ（置換フェニル）アミン；代替として、トリフェニルアミン；または代替として、置換トリフェニルアミンであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。幾つかの非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してアニリン、トリルアミン、キシリルアミン、ジフェニルアミン、ジトリルアミン、トリフェニルアミンまたはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。他の非限定的な実施形態において、各配位性化合物は、アニリン；代替として、トリルアミン；代替として、キシリルアミン；代替として、ジフェニルアミン；代替として、ジトリルアミン；または代替として、トリフェニルアミンであってもよい。
【０１１４】
非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してピロール、置換ピロール、インドール、置換インドール、ピリジン、置換ピリジン、キノリン、置換キノリン、またはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。別の非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してピロール、置換ピロールまたはその任意の組み合わせ；代替として、インドール、置換インドールもしくはその任意の組み合わせ；代替として、ピリジン、置換ピリジンもしくはその任意の組み合わせ；または代替として、キノリン、置換キノリンもしくはその任意の組み合わせ；代替として、ピロール、インドール、ピリジン、キノリンもしくはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。また別の非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してピロール；代替として、置換ピロール；代替として、インドール；代替として、置換インドール；代替として、ピリジン；代替として、置換ピリジン；代替として、キノリン；または代替として、置換キノリンであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０１１５】
一般的な置換基（非水素置換基または非水素置換の基とも称される）は独立して本明細書に開示される。これらの置換基は、中性配位子として使用することができる任意の置換アミン、置換非環式アミン、置換環式アミン、Ｎ−ヒドロカルビルアニリン（置換または非置換）、Ｎ，Ｎ−ジヒドロカルビルアニリン（置換または非置換）、置換ジフェニルアミン、置換トリフェニルアミン、置換ピロール、置換インドール、置換ピリジンおよび／または置換キノリンをさらに記載するために限定されずに使用することができる。
【０１１６】
一態様において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の中性配位子は独立してピロール化合物であってもよい。一実施形態において、中性配位子に使用することができるピロール化合物は構造Ｐ１を有することができる。
【化６】
2015505854.tif 000007
構造Ｐ１において、Ｒ２ｐ、Ｒ３ｐ、Ｒ４ｐおよびＲ５ｐは、独立して水素原子または置換基であってもよい。ピロールが構造Ｐ１を有する実施形態において、Ｒ３ｐ、Ｒ４ｐおよびＲ５ｐは水素であってもよく、Ｒ２ｐは本明細書に記載される任意の非水素ピロール置換基であってもよく；または、代替として、Ｒ２ｐ、Ｒ４ｐおよびＲ５ｐは水素であってもよく、Ｒ３ｐは本明細書に記載される任意の非水素ピロール置換基であってもよい。ピロールが構造Ｐ１を有する実施形態において、Ｒ３ｐおよびＲ４ｐは水素であってもよく、Ｒ２ｐおよびＲ５ｐは、独立して本明細書に記載される任意の非水素ピロール置換基であってもよく；代替として、Ｒ２ｐおよびＲ５ｐは水素であってもよく、Ｒ３ｐおよびＲ４ｐは、独立して本明細書に記載される任意の非水素ピロール置換基であってもよく；または、代替として、Ｒ２ｐおよびＲ４ｐは水素であってもよく、Ｒ３ｐおよびＲ５ｐは、独立して本明細書に記載される任意の非水素ピロール置換基であってもよい。ピロールが構造Ｐ１を有する実施形態において、Ｒ５ｐは水素であってもよく、Ｒ２ｐ、Ｒ３ｐおよびＲ４ｐは、独立して本明細書に記載される任意の非水素ピロール置換基であってもよく；または、代替として、Ｒ４ｐは水素であってもよく、Ｒ２ｐ、Ｒ３ｐおよびＲ５ｐは、本明細書に記載される任意の非水素ピロール置換基であってもよい。他の実施形態において、Ｒ２ｐ、Ｒ３ｐ、Ｒ４ｐおよびＲ５ｐは、独立して本明細書に記載される任意の非水素ピロール置換基であってもよい。
【０１１７】
一実施形態において、中性配位子として使用することができるピロール化合物は、構造Ｐ２、構造Ｐ３、構造Ｐ４、構造Ｐ５もしくはその組み合わせ；代替として、構造Ｐ２、構造Ｐ３、構造Ｐ４もしくはその任意の組み合わせ；代替として、構造Ｐ２；代替として、構造Ｐ３；代替として、構造Ｐ４；または代替として、構造Ｐ５を有することができる。
【化７】
2015505854.tif 000008
ピロール構造Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４およびＰ５において、Ｒ１２ｐ、Ｒ１３ｐ、Ｒ１４ｐ、Ｒ２２ｐ、Ｒ２４ｐ、Ｒ３３ｐ、Ｒ３４ｐ、Ｒ４２ｐおよびＲ４５ｐは、独立して、本明細書に記載される任意の非水素ピロール置換基であってもよい。
【０１１８】
一実施形態において、構造Ｐ１を有するピロール化合物のＲ２ｐ、Ｒ３ｐ、Ｒ４ｐおよびＲ５ｐとして、または構造Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／もしくはＰ５を有するピロール化合物のＲ１２ｐ、Ｒ１３ｐ、Ｒ１４ｐ、Ｒ２２ｐとしてＲ２４ｐ、Ｒ３３ｐ、Ｒ３４ｐ、Ｒ４２ｐおよびＲ４５ｐとして使用することができる各非水素置換の基は、独立してハライド、オルガノキシ基またはオルガニル基；代替として、ハライドもしくはオルガノキシ基；代替として、ハライドもしくはオルガニル基；代替として、オルガノキシ基もしくはオルガニル基；代替として、ハライド；代替として、オルガノキシ基；または代替として、オルガニル基であってもよい。一実施形態において、構造Ｐ１を有するピロール化合物のＲ２ｐ、Ｒ３ｐ、Ｒ４ｐおよびＲ５ｐとして、または構造Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／もしくはＰ５を有するピロール化合物のＲ１２ｐ、Ｒ１３ｐ、Ｒ１４ｐ、Ｒ２２ｐ、Ｒ２４ｐ、Ｒ３３ｐ、Ｒ３４ｐ、Ｒ４２ｐおよびＲ４５ｐとして使用することができる各非水素置換の基は、独立して不活性官能基からなるハライド、オルガノキシ基、または不活性官能基からなるオルガニル基；代替として、不活性官能基からなるハライドまたはオルガノキシ基；代替として、不活性官能基からなるハライドまたはオルガニル基；代替として、不活性官能基からなるオルガノキシ基、または不活性官能基からなるオルガニル基；代替として、ハライド；代替として、不活性官能基からなるオルガノキシ基；または代替として、不活性官能基からなるオルガニル基であってもよい。一実施形態において、構造Ｐ１を有するピロール化合物のＲ２ｐ、Ｒ３ｐ、Ｒ４ｐおよびＲ５ｐとして、または構造Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／もしくはＰ５を有するピロール化合物のＲ１２ｐ、Ｒ１３ｐ、Ｒ１４ｐ、Ｒ２２ｐ、Ｒ２４ｐ、Ｒ３３ｐ、Ｒ３４ｐ、Ｒ４２ｐおよびＲ４５ｐとして使用することができる各非水素置換の基は、独立してハライド、ヒドロカルボキシ基もしくはヒドロカルビル基；代替として、ハライドもしくはヒドロカルボキシ基；代替として、ハライドもしくはヒドロカルビル基；代替として、ヒドロカルボキシ基もしくはヒドロカルビル基；代替として、ハライド；代替として、ヒドロカルボキシ基；または代替として、ヒドロカルビル基であってもよい。
【０１１９】
本明細書に記載される態様または任意の実施形態において、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる各オルガニル基は、独立して、Ｃ１−Ｃ３０オルガニル基；代替として、Ｃ１−Ｃ１８オルガニル基；代替として、Ｃ１−Ｃ１０オルガニル基；または代替として、Ｃ１−Ｃ５オルガニル基であってもよい。本明細書に記載される態様または任意の実施形態において、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる各オルガノキシ基は、独立して、Ｃ１−Ｃ３０オルガノキシ基；代替として、Ｃ１−Ｃ１８オルガノキシ基；代替として、Ｃ１−Ｃ１０オルガノキシ基；または代替として、Ｃ１−Ｃ５オルガノキシ基であってもよい。本明細書に記載される態様または任意の実施形態において、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる不活性官能基からなる各オルガニル基は、独立して、不活性官能基からなるＣ１−Ｃ３０オルガニル基；代替として、不活性官能基からなるＣ１−Ｃ１８オルガニル基；代替として、不活性官能基からなるＣ１−Ｃ１０オルガニル基；または代替として、不活性官能基からなるＣ１−Ｃ５オルガニル基であってもよい。本明細書に記載される態様または任意の実施形態において、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる不活性官能基からなる各オルガノキシ基は、独立して、不活性官能基からなるＣ１−Ｃ３０オルガノキシ基；代替として、不活性官能基からなるＣ１−Ｃ１８オルガノキシ基；代替として、不活性官能基からなるＣ１−Ｃ１０オルガノキシ基；または代替として、不活性官能基からなるＣ１−Ｃ５オルガノキシ基であってもよい。本明細書に記載される態様または任意の実施形態において、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる各ヒドロカルビル基は、独立して、Ｃ１−Ｃ３０ヒドロカルビル基；代替として、Ｃ１−Ｃ１８ヒドロカルビル基；代替として、Ｃ１−Ｃ１０ヒドロカルビル基；または代替として、Ｃ１−Ｃ５ヒドロカルビル基であってもよい。本明細書に記載される態様または任意の実施形態において、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる各ヒドロカルボキシ基は、独立して、Ｃ１−Ｃ３０ヒドロカルボキシ基；代替として、Ｃ１−Ｃ１８ヒドロカルボキシ基；代替として、Ｃ１−Ｃ１０ヒドロカルボキシ基；または代替として、Ｃ１−Ｃ５ヒドロカルボキシ基であってもよい。
【０１２０】
本明細書に記載される態様または任意の実施形態において、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる各ハライドは、独立して、フルオリド、クロリド、ブロミドまたはヨージドであってもよい。本明細書に記載される態様または任意の実施形態において、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる各ハライドは、独立して、フルオリド；代替として、クロリド；代替として、ブロミド；または代替として、ヨージドであってもよい。
【０１２１】
一実施形態において、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる各非水素置換の基は、独立してアルキル基、置換アルキル基、シクロアルキル基、置換シクロアルキル基、アリール基、置換アリール基、アラルキル基もしくは置換アラルキル基；代替として、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基もしくはアラルキル基；代替として、アルキル基もしくは置換アルキル基；代替として、シクロアルキル基もしくは置換シクロアルキル基；代替として、アリール基もしくは置換アリール基；または代替として、アラルキル基もしくは置換アラルキル基であってもよい。他の実施形態において、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる各非水素置換の基は、独立して、アルキル基；代替として、置換アルキル基；代替として、シクロアルキル基；代替として、置換シクロアルキル基；代替として、アリール基；代替として、置換アリール基；代替として、アラルキル基；または代替として、置換アラルキル基であってもよい。一般に、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができるアルキル基、置換アルキル基、シクロアルキル基、置換シクロアルキル基、芳香族基、置換芳香族基、アリール基、置換アリール基、アラルキル基、置換アラルキル基および／またはシリル基は、本明細書に記載される構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる、それぞれのオルガニル基またはヒドロカルビル基として、同一の炭素数を有することができる。
【０１２２】
一実施形態において、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる各アルキル基（置換または非置換）は、独立して、Ｃ１−Ｃ２０アルキル基（置換または非置換）；代替として、Ｃ１−Ｃ１０アルキル基（置換または非置換）；または代替として、Ｃ１−Ｃ５アルキル基（置換または非置換）であってもよい。一部の実施形態において、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる各非水素置換の基は、独立してメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基またはデシル基であってもよい。一部の実施形態において、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる各アルキル基は、独立してメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ−ペンチル基もしくはネオペンチル基；代替として、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基もしくはネオペンチル基；代替として、メチル基；代替として、エチル基；代替として、ｎ−プロピル基；代替として、イソプロピル基；代替として、ｔｅｒｔ−ブチル基；または代替として、ネオペンチル基であってもよい。一実施形態において、これらのアルキル基のいずれも、置換されて置換アルキル基を形成することができる。一実施形態において、置換アルキル基の各置換基は、独立してハライドまたはヒドロカルボキシ基；代替として、ハライド；または代替として、ヒドロカルボキシ基であってもよい。置換基ハライドおよびヒドロカルボキシ基は、独立して本明細書に開示され、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる置換アルキル基をさらに記載するために限定されずに使用することができる。
【０１２３】
一実施形態において、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができるシクロアルキル基（置換または非置換）は、独立して、Ｃ４−Ｃ２０シクロアルキル基（置換または非置換）；代替として、Ｃ４−Ｃ１５シクロアルキル基（置換または非置換）；または代替として、Ｃ４−Ｃ１０シクロアルキル基（置換または非置換）であってもよい。一部の実施形態において、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる各非水素置換の基、独立してシクロペンチル基、置換シクロペンチル基、シクロヘキシル基または置換シクロヘキシル基であってもよい。他の実施形態において、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる各非水素置換の基は、独立して、シクロペンチル基もしくは置換シクロペンチル基；または代替として、シクロヘキシル基もしくは置換シクロヘキシル基であってもよい。さらなる実施形態において、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる各非水素置換の基は、独立して、シクロペンチル基；代替として、置換シクロペンチル基；代替として、シクロヘキシル基；または代替として、置換シクロヘキシル基であってもよい。置換シクロアルキル基のために使用することができる置換基は独立して本明細書に開示され、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる置換シクロアルキル基をさらに記載するために限定されずに使用することができる。
【０１２４】
一部の実施形態において、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができるアリール基（置換または非置換）は、独立して、Ｃ６−Ｃ２０アリール基（置換または非置換）；代替として、Ｃ６−Ｃ１５アリール基（置換または非置換）；または代替として、Ｃ６−Ｃ１０アリール基（置換または非置換）であってもよい。一部の実施形態において、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる各非水素置換の基は、独立してフェニル基、置換フェニル基、ナフチル基または置換ナフチル基であってもよい。一実施形態において、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる各非水素置換の基は、独立してフェニル基もしくは置換フェニル基；代替として、ナフチル基もしくは置換ナフチル基；代替として、フェニル基もしくはナフチル基；または代替として、置換フェニル基もしくは置換ナフチル基であってもよい。置換フェニル基または置換ナフチル基のために使用することができる置換基は、独立して本明細書に開示され、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる置換フェニル基または置換ナフチル基をさらに記載するために限定されずに使用することができる。
【０１２５】
一実施形態において、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる各置換フェニル基は、独立して、２−置換フェニル基、３−置換フェニル基、４−置換フェニル基、２，４−二置換フェニル基、２，６−二置換フェニル基、３，５二置換フェニル基または２，４，６−三置換フェニル基であってもよい。他の実施形態において、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる各置換フェニル基は、独立して、２−置換フェニル基、４−置換フェニル基、２，４−二置換フェニル基もしくは２，６−二置換フェニル基；代替として、３−置換フェニル基もしくは３，５−二置換フェニル基；代替として、２−置換フェニル基もしくは４−置換フェニル基；代替として、２，４−二置換フェニル基もしくは２，６−二置換フェニル基；代替として、２−置換フェニル基；代替として、３−置換フェニル基；代替として、４−置換フェニル基；代替として、２，４−二置換フェニル基；代替として、２，６−二置換フェニル基；代替として、３，５−二置換フェニル基；または代替として、２，４，６−三置換フェニル基であってもよい。これらの具体的な置換フェニル基のために使用することができる置換基は、独立して本明細書に開示され、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができるこれらの置換フェニル基をさらに記載するために限定されずに使用することができる。
【０１２６】
一実施形態において、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができるアラルキル基（置換または非置換）は、独立して、Ｃ７−Ｃ２０アラルキル基（置換または非置換）；代替として、Ｃ７−Ｃ１５アラルキル基（置換または非置換）；または代替として、Ｃ７−Ｃ１０アラルキル基（置換または非置換）であってもよい。一部の実施形態において、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる各非水素置換の基は、独立して、ベンジル基または置換ベンジル基であってもよい。一実施形態において、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる各非水素置換の基は、独立してベンジル基、または代替として、置換ベンジル基であってもよい。置換アラルキル基のために使用することができる置換基は、独立して本明細書に開示され、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる置換アラルキル基をさらに記載するために限定されずに使用することができる。
【０１２７】
一実施形態において、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる各非水素置換の基は、独立してアルコキシ基、置換アルコキシ基、シクロアルコキシ基、置換シクロアルコキシ基、アロキシ基、置換アロキシ基、アラルコキシ基または置換アラルコキシ基；代替として、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アロキシ基もしくはアラルコキシ基；代替として、アルコキシ基もしくは置換アルコキシ基；代替として、シクロアルコキシ基もしくは置換シクロアルコキシ基；代替として、アロキシ基もしくは置換アロキシ基；または代替として、アラルコキシ基もしくは置換アラルコキシ基であってもよい。他の実施形態において、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる各非水素置換の基は、独立して、アルコキシ基；代替として、置換アルコキシ基；代替として、シクロアルコキシ基；代替として、置換シクロアルコキシ基；代替として、アロキシ基；代替として、置換アロキシ基；代替として、アラルコキシ基；または代替として、置換アラルコキシ基であってもよい。一般に、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができるアルコキシ基、置換アルコキシ基、シクロアルコキシ基、置換シクロアルコキシ基、芳香族基、置換芳香族基、アロキシ基、置換アロキシ基、アラルコキシ基および／または置換アラルコキシ基は、本明細書に記載される構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができるヒドロカルボキシ基と同一の炭素数を有することができる。置換基は独立して本明細書に記載され、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる置換アルコキシ基、シクロアルコキシ基、置換シクロアルコキシ基、芳香族基、置換芳香族基、アロキシ基、置換アロキシ基、アラルコキシ基、および／または置換アラルコキシ基をさらに記載するために限定されずに使用することができる。
【０１２８】
一実施形態において、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる各非水素置換の基は、独立してメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキソキシ基、ヘプトキシ基、またはオクトキシ基；または代替として、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基もしくはペントキシ基であってもよい。一実施形態において、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる各非水素置換の基は、独立してメトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基、ネオペントキシ基、ｎ−ヘキソキシ基、ｎ−ヘプトキシ基、ｎ−オクトキシ基；または代替として、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基もしくはネオペントキシ基であってもよい。一実施形態において、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる各非水素置換の基は、独立して、メトキシ基；代替として、エトキシ基；代替として、ｎ−プロポキシ基；代替として、イソプロポキシ基；代替として、ｎ−ブトキシ基；代替として、イソブトキシ基；代替として、ｔｅｒｔ−ブトキシ基；代替として、ｎ−ペントキシ基；代替として、ネオペントキシ基；代替として、ｎ−ヘキソキシ基；代替として、ｎ−ヘプトキシ基；または代替として、ｎ−オクトキシ基であってもよい。
【０１２９】
一実施形態において、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる各非水素置換の基は、独立してシクロブトキシ基、置換シクロブトキシ基、シクロペントキシ基、置換シクロペンタオキシ基、シクロヘキソキシ基、置換シクロヘキソキシ基、シクロヘプトキシ基、置換シクロヘプトキシ基、シクロオクトキシ基または置換シクロオクトキシ基であってもよい。一部の実施形態において、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる各非水素置換の基は、独立してシクロペントキシ基、置換シクロペントキシ基、シクロヘキソキシ基または置換シクロヘキソキシ基であってもよい。他の実施形態において、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる各非水素置換の基は、独立して、シクロブトキシ基もしくは置換シクロブトキシ基；代替として、シクロペンタオキシ基もしくは置換シクロペンタオキシ基；代替として、シクロヘキサオキシ基もしくは置換シクロヘキサオキシ基；代替として、シクロヘプタオキシ基もしくは置換シクロヘプタオキシ基；または代替として、シクロオクタオキシ基もしくは置換シクロオクタオキシ基であってもよい。さらなる実施形態において、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる各非水素置換の基は、独立して、シクロペントキシ基；代替として、置換シクロペントキシ基；代替として、シクロヘキソキシ基；または代替として、置換シクロヘキソキシ基であってもよい。置換シクロアルコキシ基のために使用することができる置換基は、独立して本明細書に開示され、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる置換シクロアルコキシ基をさらに記載するために限定されずに使用することができる。
【０１３０】
一態様において、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる各非水素置換の基は、独立して、フェノキシ基もしくは置換フェノキシ基；または代替として、フェノキシ基であってもよい。一実施形態において、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる置換フェノキシ基は、独立して２−置換フェノキシ基、４−置換フェノキシ基、２，４−置換フェノキシ基、２，６−二置換フェノキシ基もしくは２，４，６−三置換フェノキシ基；代替として、２−置換フェノキシ基もしくは４−置換フェノキシ基；代替として、２，４−置換フェノキシ基もしくは２，６−二置換フェノキシ基；２−置換フェノキシ基；代替として、４−置換フェノキシ基；代替として、２，４−置換フェノキシ基；代替として、２，６−二置換フェノキシ基；または代替として、２，４，６−三置換フェノキシ基であってもよい。置換シクロアルコキシ基のために使用することができる置換基は独立して本明細書に開示され、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる置換フェノキシ基をさらに記載するために限定されずに使用することができる。
【０１３１】
一態様において、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる各非水素置換の基は、独立して、ベンゾキシ基または置換ベンゾキシ基；代替として、置換ベンゾキシ基であってもよい。一実施形態において、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる置換ベンゾキシ基は、独立して、２−置換ベンゾキシ基、４−置換ベンゾキシ基、２，４−置換ベンゾキシ基、２，６−二置換ベンゾキシ基もしくは２，４，６−三置換ベンゾキシ基；代替として、２−置換ベンゾキシ基もしくは４−置換ベンゾキシ基；代替として、２，４−置換ベンゾキシ基もしくは２，６−二置換ベンゾキシ基；２−置換ベンゾキシ基；代替として、４−置換ベンゾキシ基；代替として、２，４−置換ベンゾキシ基；代替として、２，６−二置換ベンゾキシ基；または代替として、２，４，６−三置換ベンゾキシ基であってもよい。置換シクロアルコキシ基のために使用することができる置換基が独立して本明細書に開示され、構造Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４および／またはＰ５を有するピロール化合物の非水素置換の基として使用することができる置換ベンゾキシ基をさらに記載するために限定されずに使用することができる。
【０１３２】
非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してピロール、２，５−ジメチルピロール、２−メチル−５−エチルピロール、２，５−ジエチルピロール、２−エチル−５−ｎ−プロピルピロール、２，５−ジ−ｎ−プロピルピロール、２，５−ジイソプロピルピロール、２，５−ジ−ｎ−ブチルピロール、２，５−ジ−ｎ−ペンチルピロール、２，５−ジ−ｎ−ヘキシルピロール、２，５−ジ−ｎ−ヘプチルピロール、２，５−ジ−ｎ−オクチルピロール、２−メチル−４−イソプロピルピロール、２−エチル−４−イソプロピルピロール、２−メチル−４−ｓｅｃ−ブチルピロール、２−エチル−４−ｓｅｃ−ブチルピロール、２−メチル−４−イソブチルピロール、２−エチル−４−イソブチルピロール、２−メチル−４−ｔ−ブチルピロール、２−エチル−４−ｔ−ブチルピロール、２−メチル−４−ネオ−ペンチルピロール、２−エチル−４−ネオペンチルピロール、３，４−ジイソプロピルピロール、３，４−ジ−ｓｅｃ−ブチルピロール、３，４−ジイソブチルピロール、３，４−ジ−ｔ−ブチルピロール、３，４−ジ−ネオ−ペンチルプロピルピロール、２，３，５−トリエチルピロール、２，３，５−トリ−ｎ−ブチルピロール、２，３，５−トリ−ｎ−ペンチルピロール、２，３，５−トリ−ｎ−ヘキシルピロール、２，３，５−トリ−ｎ−ヘプチルピロール、２，３，５−トリ−ｎ−オクチルピロール、２，３，４，５−テトラエチルピロール、２，３，４，５−テトラ−ｎ−ブチルピロール、２，３，４，５−テトラ−ｎ−ヘキシルピロール、２，５−ジベンジルピロール、２，４−ジメチルピロール、２−メチル−４−イソプロピルピロール、２，４−ジメチル−３−エチルピロール、２，４−ジエチルピロール、２−エチル−４−イソプロピルピロール、２−メチル−４−ｓｅｃ−ブチルピロール、２−エチル−４−ｓｅｃ−ブチルピロール、２−メチル−４−イソブチルピロール、２−エチル−４−イソブチルピロール、２−メチル−４−ｔ−ブチルピロール、２−エチル−４−ｔ−ブチルピロール、２−メチル−４−ネオペンチルピロール、２−エチル−４−ネオペンチルピロール、３，４−ジメチルピロール、３，４−ジエチルピロール、３，４−ジイソプロピルピロール、３，４−ジ−ｓｅｃ−ブチルピロール、３，４−ジイソブチルピロール、３，４−ジ−ｔ−ブチルピロール、３，４−ジ−ネオペンチルピロールまたはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。他の非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属の前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してピロール、２，５−ジメチルピロール、２−メチル−５−エチルピロール、２，５−ジエチルピロール、２，５−ジ−ｎ−プロピルピロール、２，５−ジ−ｎ−ブチルピロール、２，５−ジ−ｎ−ペンチルピロール、２，５−ジ−ｎ−ヘキシルピロール、２，５−ジ−ｎ−ヘプチルピロール、２，５−ジ−ｎ−オクチルピロールもしくはその任意の組み合わせ；代替として、ピロール；代替として、２，５−ジメチルピロール、代替として、２−メチル−５−エチルピロール；代替として、２，５−ジエチルピロール；代替として、２，５−ジ−ｎ−プロピルピロール；代替として、２，５−ジ−ｎ−ブチルピロール；代替として、２，５−ジ−ｎ−ペンチルピロール；代替として、２，５−ｎ−ヘキシルピロール；代替として、２、５−ジｎ−ヘプチルピロール；または代替として、２，５−ジ−ｎ−オクチルピロールであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０１３３】
非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してピロール、２，５−ビス（２’，２’，２’−トリフルオロエチル）ピロール、２，５−ビス（２’−メトキシメチル）ピロール、ピロール−２−カルボン酸、２−アセチルピロール、ピロール−２−カルボキサルデヒド、３−アセチル−２，４−ジメチルピロール、エチル−２，４−ジメチル−５−（エトキシカルボニル）−３−ピロール−プロピオナート、エチル−３，５−ジメチル−２−ピロールカルボキシラート、３，４−ジクロロピロール、２，３，４，５−テトラクロロピロールまたはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。他の非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属の前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してピロール、ピロール−２−カルボン酸、２−アセチルピロール、ピロール−２−カルボキサルデヒド、３−アセチル−２，４−ジメチルピロール、エチル−２，４−ジメチル−５−（エトキシカルボニル）−３−ピロール−プロピオナート、またはエチル−３，５−ジメチル−２−ピロールカルボキシラートまたはその任意の組み合わせ；代替として、３，４−ジクロロピロール、２，３，４，５−テトラクロロピロールまたはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。また他の非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属の前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立して、２，５−ビス（２’，２’，２’−トリフルオロエチル）ピロール；代替として、２，５−ビス（２’−メトキシメチル）ピロール；代替として、ピロール−２−カルボン酸；代替として、２−アセチルピロール；代替として、ピロール−２−カルボキサルデヒド；代替として、３−アセチル−２，４−ジメチルピロール；代替として、エチル−２，４−ジメチル−５−（エトキシカルボニル）−３−ピロール−プロピオナート；代替として、エチル−３，５−ジメチル−２−ピロールカルボキシラート；代替として、３，４−ジクロロピロール；または代替として、２，３，４，５−テトラクロロピロールであってもよい。
【０１３４】
一実施形態において、中性配位子として使用することができる任意のホスフィンおよび／または非環式ホスフィン（置換または非置換）は、Ｃ３−Ｃ６０のホスフィンおよび／もしくは非環式ホスフィン；代替として、Ｃ３−Ｃ４５のホスフィンおよび／もしくは非環式ホスフィン；代替として、Ｃ３−Ｃ３０のホスフィンおよび／もしくは非環式ホスフィン；代替として、Ｃ３−Ｃ２０のホスフィンおよび／もしくは非環式ホスフィン；または代替として、Ｃ３−Ｃ１０のホスフィンおよび／もしくは非環式ホスフィンであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一実施形態において、中性配位子として使用することができる任意の環式ホスフィン（置換もしくは非置換の、および／または脂肪族もしくは芳香族）は、Ｃ４−Ｃ６０環式ホスフィン；代替として、Ｃ４−Ｃ４５環式ホスフィン；代替として、Ｃ４−Ｃ３０環式ホスフィン；代替として、Ｃ４−Ｃ２０環式ホスフィン；または代替として、Ｃ４−Ｃ１５環式ホスフィンであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０１３５】
本開示の態様において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してヒドロカルビルホスフィン、置換ヒドロカルビルホスフィン、ジヒドロカルビルホスフィン、置換ジヒドロカルビルホスフィン、トリヒドロカルビルホスフィン、置換トリヒドロカルビルホスフィン、その任意の組み合わせ；ヒドロカルビルホスフィン、ジヒドロカルビルホスフィン、トリヒドロカルビルホスフィンもしくはその任意の組み合わせ；代替として、ヒドロカルビルホスフィンもしくは置換ヒドロカルビルホスフィン；代替として、ジヒドロカルビルホスフィンもしくは置換ジヒドロカルビルホスフィン；代替として、トリヒドロカルビルホスフィンもしくは置換トリヒドロカルビルホスフィン；代替として、ヒドロカルビルホスフィン；代替として、置換ヒドロカルビルホスフィン；代替として、ジヒドロカルビルホスフィン；代替として、置換ジヒドロカルビルホスフィン；代替として、トリヒドロカルビルホスフィン；または代替として、置換トリヒドロカルビルホスフィンであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。ヒドロカルビル基（置換または非置換）が一般に本開示内に開示される（様々な位置の中でも、例えば、式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するモノカルボン酸塩のためのＲ２ｃの選択肢として、および／またはＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３またはＲ１４の選択肢として）。本明細書に記載されるこれらのヒドロカルビル基の態様および実施形態（当業者によって明示的に指定されるかまたは暗黙に認識される）は、中性配位子として使用することができるヒドロカルビルホスフィン（置換または非置換）、ジヒドロカルビルホスフィン（置換または非置換）、および／またはトリヒドロカルビルホスフィン（置換または非置換）のヒドロカルビル基として限定されずに使用することができる。
【０１３６】
非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してトリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリプロピルホスフィン、トリブチルホスフィンまたはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。別の非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してトリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリプロピルホスフィン、トリブチルホスフィンまたはその任意の組み合わせ；代替として、トリメチルホスフィン；代替として、トリエチルホスフィン；代替として、トリプロピルホスフィン；または代替として、トリブチルホスフィンであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０１３７】
非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してフェニルホスフィン、置換フェニルホスフィン、ジフェニルホスフィン、ジ（置換フェニル）ホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリ（三置換フェニル）ホスフィンもしくはその任意の組み合わせ；代替として、フェニルホスフィン、置換フェニルホスフィンもしくはその任意の組み合わせ；代替として、ジフェニルホスフィン、ジ（置換フェニル）ホスフィンもしくはその任意の組み合わせ、または代替として、トリフェニルホスフィン、トリ（三置換フェニル）ホスフィンもしくはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してフェニルホスフィン；代替として、置換フェニルホスフィン；代替として、ジフェニルホスフィン；代替として、ジ（置換フェニル）ホスフィン；代替として、トリフェニルホスフィン；または代替として、トリ（置換フェニル）ホスフィンであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０１３８】
一般的な置換基（非水素置換基または非水素置換の基とも称される）は独立して本明細書に開示される。これらの置換基は、中性配位子として使用することができる任意の置換ホスフィン、置換非環式ホスフィン、置換環式ホスフィン（非環式または環式）、置換フェニルホスフィン、ジ（置換フェニル）ホスフィンおよび／またはトリ（置換フェニル）ホスフィンをさらに記載するために限定されずに使用することができる。
【０１３９】
幾つかの非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してフェニルホスフィン、トリルホスフィン、ジフェニルホスフィン、ジトリルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリトリルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、ジメチルフェニルホスフィン、エチルジフェニルホスフィン、ジエチルフェニルホスフィン、またはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。他の非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してフェニルホスフィン；代替として、ジフェニルホスフィン；代替として、トリフェニルホスフィン；代替として、トリルホスフィン；代替として、ジトリルホスフィン；代替として、トリトリルホスフィン；代替として、メチルジフェニルホスフィン；代替として、ジメチルフェニルホスフィン；代替として、エチルジフェニルホスフィン；または代替として、ジエチルフェニルホスフィンであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０１４０】
一実施形態において、中性配位子として使用することができる任意のホスファイトおよび／または非環式ホスファイト（置換または非置換）は、Ｃ３−Ｃ６０のホスファイトおよび／もしくは非環式ホスファイト；代替として、Ｃ３−Ｃ４５のホスファイトおよび／もしくは非環式ホスファイト；代替として、Ｃ３−Ｃ３０のホスファイトおよび／もしくは非環式ホスファイト；代替として、Ｃ３−Ｃ２０のホスファイトおよび／もしくは非環式ホスファイト；または代替として、Ｃ３−Ｃ１０のホスファイトおよび／もしくは非環式ホスファイトであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一実施形態において、中性配位子として使用することができる任意の環式のホスファイト（置換もしくは非置換の、および／または脂肪族もしくは芳香族）は、Ｃ３−Ｃ６０環式ホスファイト；代替として、Ｃ４−Ｃ４５環式ホスファイト；代替として、Ｃ４−Ｃ３０環式ホスファイト；代替として、Ｃ４−Ｃ２０環式ホスファイト；または代替として、Ｃ４−Ｃ１５環式ホスファイトであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０１４１】
本開示の態様によれば、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してジヒドロカルビルホスファイト、置換ジヒドロカルビルホスファイト、トリジヒドロカルビルホスファイト、置換トリジヒドロカルビルホスファイトもしくはその任意の組み合わせ；代替として、ジヒドロカルビルホスファイト、トリジヒドロカルビルホスファイトもしくはその任意の組み合わせ；ジヒドロカルビルホスファイトもしくは置換ジヒドロカルビルホスファイト；代替として、トリジヒドロカルビルホスファイトもしくは置換トリジヒドロカルビルホスファイト；代替として、ジヒドロカルビルホスファイト；代替として、置換ジヒドロカルビルホスファイト；代替として、トリジヒドロカルビルホスファイト；または代替として、置換トリジヒドロカルビルホスファイトであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。ヒドロカルビル基（置換または非置換）が一般に本開示内に開示される（様々な位置の中でも、例えば、式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するモノカルボン酸塩のためのＲ２ｃの選択肢として、および／またはＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３またはＲ１４の選択肢として）。本明細書に記載されるこれらのヒドロカルビル基（当業者によって明示的に指定されるかまたは暗黙に認識される）は、中性配位子として使用することができるジヒドロカルビルホスファイト（置換または非置換）および／またはトリジヒドロカルビルホスファイト（置換または非置換）のヒドロカルビル基として限定されずに使用することができる。
【０１４２】
非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属の前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してトリメチルホスファイト、トリエチルホスファイト、トリプロピルホスファイト、トリブチルホスファイト、メチルジフェニルホスファイト、ジメチルフェニルホスファイト、エチルジフェニルホスファイト、ジエチルフェニルホスファイト、ジフェニルホスファイト、トリフェニルホスファイト、ジトリルホスファイト、トリトリルホスファイト、またはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。別の非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してトリメチルホスファイト、トリエチルホスファイト、トリプロピルホスファイト、トリブチルホスファイトまたはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０１４３】
非限定的な実施形態において、任意の遷移金属錯体または遷移金属（一般的なものまたは特定のもの）前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してジフェニルホスファイト、ジ（置換フェニル）ホスファイト、トリフェニルホスファイト、トリ（置換フェニル）ホスファイトまたはその任意の組み合わせ；代替として、ジフェニルホスファイト、トリフェニルホスファイトまたはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。他の非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属の前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してジフェニルホスファイト；代替として、ジ（置換フェニル）ホスファイト；代替として、トリフェニルホスファイト；または代替として、トリ（置換フェニル）ホスファイトであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０１４４】
一般的な置換基（非水素置換基または非水素置換の基とも称される）は独立して本明細書に開示される。これらの置換基は、中性配位子として使用することができる任意の置換ホスファイト、置換非環式ホスファイト、および／または置換環式ホスファイト、ジ（置換フェニル）ホスファイト、および／またはトリ（置換フェニル）ホスファイトをさらに記載するために限定されずに使用することができる。
【０１４５】
別の非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してメチルジフェニルホスファイト、ジメチルフェニルホスファイト、エチルジフェニルホスファイト、ジエチルフェニルホスファイトまたはその任意の組み合わせ；代替として、ジフェニルホスファイト、トリフェニルホスファイト、ジトリルホスファイト、トリトリルホスファイトまたはその任意の組み合わせ；代替として、トリフェニルホスファイト、トリトリルホスファイトまたはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。また別の非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してジメチルフェニルホスファイト；代替として、エチルジフェニルホスファイト；代替として、ジエチルフェニルホスファイト；代替として、ジフェニルホスファイト；代替として、トリフェニルホスファイト；代替として、ジトリルホスファイト；または代替として、トリトリルホスファイトであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０１４６】
本開示の態様によれば、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立して置換または非置換のアゼチジン、オキセタン、チエタン、ジオキセタン、ジチエタン、テトラヒドロピロール、ジヒドロピロール、ピロール、インドール、イソインドール、テトラヒドロフラン、ジヒドロフラン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、テトラヒドロチオフェン、ジヒドロチオフェン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、イミダゾリジン、ピラゾール、イミダゾール、オキサゾリジン、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾリジン、チアゾール、イソチアゾール、ベンゾチアゾール、ジオキソラン、ジチオラン、トリアゾール、ジチアゾール、ピペリジン、ピリジン、テトラヒドロピラン、ジヒドロピラン、ピラン、チアン、ピペラジン、ジアジン、オキサジン、チアジン、ジチアン、ジオキサン、ダイオキシン、トリアジン、トリアジナン、トリオキサン、オキセピン、アゼピン、チエピン、ジアゼピン、モルホリン、キノリン、テトラヒドロキノン、ビシクロ［３．３．１］テトラシロキサンまたはその任意の組み合わせ；代替として、置換または非置換のアゼチジン、オキセタン、チエタン、ジオキセタン、ジチエタン、テトラヒドロピロール、テトラヒドロフラン、テトラヒドロチオフェン、イミダゾリジン、オキサゾリジン、オキサゾール、チアゾリジン、チアゾール、ジオキソラン、ジチオラン、ピペリジン、テトラヒドロピラン、ピラン、チアン、ピペラジン、オキサジン、チアジン、ジチアン、ジオキサン、ダイオキシン、トリアジナン、トリオキサン、アゼピン、チエピン、ジアゼピン、モルホリン、１，２−チアゾール、ビシクロ［３．３．１］テトラシロキサンまたはその任意の組み合わせ；代替として、置換または非置換のテトラヒドロピロール、テトラヒドロフラン、テトラヒドロチオフェン、オキサゾリジン、チアゾリジン、ジオキソラン、ジチオラン、ジチアゾール、ピペリジン、テトラヒドロピラン、ピラン、チアン、ピペラジン、ジチアン、ジオキサン、ダイオキシン、トリオキサン、モルホリン、またはその任意の組み合わせ；代替として、置換または非置換のテトラヒドロフラン、テトラヒドロチオフェン、ジオキソラン、ジチオラン、テトラヒドロピラン、ピラン、チアン、ジチアン、ジオキサン、ダイオキシン、トリオキサン、またはその任意の組み合わせ；代替として、テトラヒドロフラン、ジオキソラン、テトラヒドロピラン、ジオキサン、トリオキサン；またはその任意の組み合わせ；代替として、置換または非置換のピロール、フラン、ピラゾール、イミダゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾール、イソチアゾール、トリアゾール、ピリジン、ジアジン、トリアジン、キノリンまたはその組み合わせ；代替として、置換または非置換のピロール、フラン、イミダゾール、オキサゾール、チアゾール、トリアゾール、ピリジン、ジアジン、トリアジンまたはその組み合わせ；代替として、フラン、オキサゾール、チアゾール、トリアゾール、ピリジン、ジアジン、トリアジン、またはその組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０１４７】
本開示の態様によれば、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してアゼチジン、オキセタン、チエタン、ジオキセタン、ジチエタン、テトラヒドロピロール、ジヒドロピロール、ピロール、インドール、イソインドール、テトラヒドロフラン、ジヒドロフラン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、テトラヒドロチオフェン、ジヒドロチオフェン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、イミダゾリジン、ピラゾール、イミダゾール、オキサゾリジン、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾリジン、チアゾール、イソチアゾール、ベンゾチアゾール、ジオキソラン、ジチオラン、トリアゾール、ジチアゾール、ピペリジン、ピリジン、テトラヒドロピラン、ジヒドロピラン、ピラン、チアン、ピペラジン、ジアジン、オキサジン、チアジン、ジチアン、ジオキサン、ダイオキシン、トリアジン、トリアジナン、トリオキサン、オキセピン、アゼピン、チエピン、ジアゼピン、モルホリン、キノリン、テトラヒドロキノン、ビシクロ［３．３．１］テトラシロキサンまたはその任意の組み合わせ；代替として、アゼチジン、オキセタン、チエタン、ジオキセタン、ジチエタン、テトラヒドロピロール、テトラヒドロフラン、テトラヒドロチオフェン、イミダゾリジン、オキサゾリジン、オキサゾール、チアゾリジン、チアゾール、ジオキソラン、ジチオラン、ピペリジン、テトラヒドロピラン、ピラン、チアン、ピペラジン、オキサジン、チアジン、ジチアン、ジオキサン、ダイオキシン、トリアジナン、トリオキサン、アゼピン、チエピン、ジアゼピン、モルホリン、１，２−チアゾール、ビシクロ［３．３．１］テトラ−シロキサンまたはその任意の組み合わせ；代替として、テトラヒドロピロール、テトラヒドロフラン、テトラヒドロチオフェン、オキサゾリジン、チアゾリジン、ジオキソラン、ジチオラン、ジチアゾール、ピペリジン、テトラヒドロピラン、ピラン、チアン、ピペラジン、ジチアン、ジオキサン、ダイオキシン、トリオキサン、モルホリンまたはその任意の組み合わせ；代替として、テトラヒドロチオフェン、ジオキソラン、ジチオラン、テトラヒドロピラン、ピラン、チアン、ジチアン、ジオキサン、ダイオキシン、トリオキサンまたはその任意の組み合わせ；代替として、テトラヒドロフラン、ジオキソラン、テトラヒドロピラン、ジオキサン、トリオキサン；またはその任意の組み合わせ；代替として、ピロール、フラン、ピラゾール、イミダゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾール、イソチアゾール、トリアゾール、ピリジン、ジアジン、トリアジン、キノリン、またはその組み合わせ；代替として、ピロール、フラン、イミダゾール、オキサゾール、チアゾール、トリアゾール、ピリジン、ジアジン、トリアジンまたはその組み合わせ；代替として、フラン、オキサゾール、チアゾール、トリアゾール、ピリジン、ジアジン、トリアジンまたはその組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０１４８】
本開示の態様によれば、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立して置換もしくは非置換のアゼチジン、テトラヒドロピロール、ジヒドロピロール、ピロール、インドール、イソインドール、イミダゾリジン、ピラゾール、イミダゾール、オキサゾリジン、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾリジン、チアゾール、イソチアゾール、トリアゾール、ベンゾトリアゾール、ジチアゾール、ピペリジン、ピリジン、ピペラジン、ジアジン、オキサジン、チアジン、トリアジン、アゼピン、ジアゼピン、テトラヒドロイソキノリンモルホリン、キノリン、もしくはその任意の組み合わせ；代替として、置換もしくは非置換のテトラヒドロピロール、ピロール、インドール、イソインドール、イミダゾリジン、イミダゾール、オキサゾリジン、オキサゾール、チアゾリジン、チアゾール、ピペリジン、ピリジン、ピペラジン、ジアジン、トリアジン、モルホリン、キノリン、テトラヒドロイソキノリンもしくはその任意の組み合わせ；代替として、置換もしくは非置換のテトラヒドロピロール、ピロール、イソインドール、イミダゾール、オキサゾリジン、オキサゾール、チアゾリジン、チアゾール、ピペリジン、ピリジン、ピペラジン、ジアジン、トリアジン、モルホリン、キノリンもしくはその任意の組み合わせ；代替として、置換もしくは非置換のテトラヒドロピロール、ピロール、イミダゾール、オキサゾール、チアゾール、ピペリジン、ピリジン、ピペラジン、ジアジン、トリアジン、モルホリン、キノリンもしくはその任意の組み合わせ；代替として、置換もしくは非置換のテトラヒドロピロール、ピロール、ピペリジン、ピペラジン、モルホリン、キノリンもしくはその任意の組み合わせ；または代替として、置換もしくは非置換のイミダゾール、オキサゾール、チアゾール、ピリジン、ジアジン、トリアジンもしくはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一部の実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してアゼチジン、テトラヒドロピロール、ジヒドロピロール、ピロール、インドール、イソインドール、イミダゾリジン、ピラゾール、イミダゾール、オキサゾリジン、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾリジン、チアゾール、イソチアゾール、トリアゾール、ベンゾトリアゾール、ジチアゾール、ピペリジン、ピリジン、ピペラジン、ジアジン、オキサジン、チアジン、トリアジン、アゼピン、ジアゼピン、モルホリン、キノリン、テトラヒドロイソキノリンもしくはその任意の組み合わせ；代替として、テトラヒドロピロール、ピロール、インドール、イソインドール、イミダゾリジン、イミダゾール、オキサゾリジン、オキサゾール、チアゾリジン、チアゾール、ピペリジン、ピリジン、ピペラジン、ジアジン、トリアジン、モルホリン、キノリン、テトラヒドロイソキノリンもしくはその任意の組み合わせ；代替として、テトラヒドロピロール、ピロール、イソインドール、イミダゾール、オキサゾリジン、オキサゾール、チアゾリジン、チアゾール、ピペリジン、ピリジン、ピペラジン、ジアジン、トリアジン、モルホリン、キノリンもしくはその任意の組み合わせ；代替として、テトラヒドロピロール、ピロール、イミダゾール、オキサゾール、チアゾール、ピペリジン、ピリジン、ピペラジン、ジアジン、トリアジン、モルホリン、キノリンもしくはその任意の組み合わせ；代替として、テトラヒドロピロール、ピロール、ピペリジン、ピペラジン、モルホリン、キノリンもしくはその任意の組み合わせ；または代替として、イミダゾール、オキサゾール、チアゾール、ピリジン、ジアジン、トリアジンもしくはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０１４９】
本開示の態様によれば、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立して置換もしくは非置換のオキセタン、ジオキセタン、テトラヒドロフラン、ジヒドロフラン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、オキサゾリジン、オキサゾール、イソオキサゾール、ジオキソラン、テトラヒドロピラン、ジヒドロピラン、ピラン、オキサジン、ジオキサン、ダイオキシン、トリオキサン、オキセピン、モルホリン、もしくはビシクロ［３．３．１］テトラシロキサンもしくはその任意の組み合わせ；代替として、置換もしくは非置換のオキセタン、ジオキセタン、テトラヒドロフラン、フラン、イソベンゾフラン、オキサゾリジン、オキサゾール、ジオキソラン、テトラヒドロピラン、ピラン、ジオキサン、ダイオキシン、トリオキサン、モルホリンもしくはその任意の組み合わせ；代替として、置換もしくは非置換のテトラヒドロフラン、オキサゾール、ジオキソラン、テトラヒドロピラン、ジオキサン、ダイオキシン、トリオキサンもしくはその任意の組み合わせ；または代替として、置換もしくは非置換のテトラヒドロフラン、ジオキソラン、テトラヒドロピラン、ジオキサン、トリオキサンもしくはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一部の実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してオキセタン、ジオキセタン、テトラヒドロフラン、ジヒドロフラン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、オキサゾリジン、オキサゾール、イソオキサゾール、ジオキソラン、テトラヒドロピラン、ジヒドロピラン、ピラン、オキサジン、ジオキサン、ダイオキシン、トリオキサン、オキセピン、モルホリンもしくはビシクロ［３．３．１］テトラシロキサンもしくはその任意の組み合わせ；代替として、オキセタン、ジオキセタン、テトラヒドロフラン、フラン、イソベンゾフラン、オキサゾリジン、オキサゾール、ジオキソラン、テトラヒドロピラン、ピラン、ジオキサン、ダイオキシン、トリオキサン、モルホリンもしくはその任意の組み合わせ；代替として、テトラヒドロフラン、オキサゾール、ジオキソラン、テトラヒドロピラン、ジオキサン、ダイオキシン、トリオキサンもしくはその任意の組み合わせ；または代替として、テトラヒドロフラン、ジオキソラン、テトラヒドロピラン、ジオキサン、トリオキサンもしくはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０１５０】
本開示の態様によれば、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立して置換または非置換のチエタン、ジチエタン、テトラヒドロチオフェン、ジヒドロチオフェン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、チアゾリジン、チアゾール、イソチアゾール、ジチオラン、ジチアゾール、チアン、チアジン、ジチアン、チエピンもしくはその任意の組み合わせ；代替として、置換または非置換のチエタン、ジチエタン、テトラヒドロチオフェン、チオフェン、イソベンゾチオフェン、チアゾリジン、チアゾール、ジチオラン、チアン、ジチアンもしくはその任意の組み合わせ；または代替として、置換もしくは非置換のテトラヒドロチオフェン、ジチオラン、チアン、ジチアンもしくはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一部の実施形態において、各配位性化合物は、独立して置換または非置換のチエタン、ジチエタン、テトラヒドロチオフェン、ジヒドロチオフェン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、チアゾリジン、チアゾール、イソチアゾール、ジチオラン、ジチアゾール、チアン、チアジン、ジチアン、チエピンもしくはその任意の組み合わせ；代替として、チエタン、ジチエタン、テトラヒドロチオフェン、チオフェン、イソベンゾチオフェン、チアゾリジン、チアゾール、ジチオラン、チアン、ジチアンもしくはその任意の組み合わせ；または代替として、テトラヒドロチオフェン、ジチオラン、チアン、ジチアンもしくはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０１５１】
一部の実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してアゼチジン；代替として、オキセタン；代替として、チエタン；代替として、ジオキセタン；代替として、ジチエタン；代替として、テトラヒドロピロール；代替として、ジヒドロピロール、代替として、ピロール；代替として、インドール；代替として、イソインドール；代替として、テトラヒドロフラン；代替として、ジヒドロピロール；代替として、フラン；代替として、ベンゾフラン；代替として、イソベンゾフラン；代替として、テトラヒドロチオフェン；代替として、ジヒドロチオフェン；代替として、チオフェン；代替として、ベンゾチオフェン；代替として、イソベンゾチオフェン；代替として、イミダゾリジン；代替として、ピラゾール；代替として、イミダゾール；代替として、オキサゾリジン；代替として、オキサゾール；代替として、イソオキサゾール；代替として、チアゾリジン；代替として、チアゾール；代替として、ベンゾチアゾール；代替として、イソチアゾール；代替として、ジオキソラン；代替として、ジチオラン；代替として、トリアゾール；代替として、ジチアゾール；代替として、ピペリジン；代替として、ピリジン；代替として、テトラヒドロピラン；代替として、ジヒドロピラン；代替として、ピラン；代替として、チアン；代替として、ピペラジン；代替として、ジアジン；代替として、オキサジン；代替として、チアジン；代替として、ジチアン；代替として、ジオキサン；代替として、ダイオキシン；代替として、トリアジン；代替として、トリアジナン；代替として、トリオキサン；代替として、オキセピン；代替として、アゼピン；代替として、チエピン；代替として、ジアゼピン；代替として、モルホリン；代替として、キノリン；代替として、テトラヒドロキノン；または代替として、ビシクロ［３．３．１］テトラシロキサンであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０１５２】
本開示の態様によれば、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、フラン、メチルテトラヒドロフラン、ジヒドロフラン、テトラヒドロピラン、２，３−ジヒドロピラン、１，３−ジオキサン、１，４−ジオキサン、モルホリン、Ｎ−メチルモルホリン、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、ベンゾニトリル、ピリジン、アンモニア（ＮＨ３）、メチルアミン（ＮＨ２Ｍｅ）、エチルアミン（ＮＨ２Ｅｔ）、ジメチルアミン（ＮＨＭｅ２）、ジエチルアミン（ＮＨＥｔ２）、トリメチルアミン（ＮＭｅ３）、トリエチルアミン（ＮＥｔ３）、トリメチルホスフィン（ＰＭｅ３）、トリエチルホスフィン（ＰＥｔ３）、トリフェニルホスフィン（ＰＰｈ３）、トリｎ−ブチルホスフィン（Ｐ（ｎ−Ｂｕ）３）、トリメチルホスファイト（Ｐ（ＯＭｅ）３）、トリエチルホスファイト（Ｐ（ＯＥｔ）３）、トリ−ｎ−ブチルホスファイト（Ｐ（Ｏ−ｎ−Ｂｕ）３）、メチルイソシアニド、ｎ−ブチルイソシアニド、フェニルイソシアニド、ＳＭｅ２、チオフェンまたはテトラヒドロチオフェン（ＴＨＴ）であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一部の実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、メチルテトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１，４−ジオキサン、アセトニトリル、ピリジン、アンモニア（ＮＨ３）、トリメチルアミン（ＮＭｅ３）、トリエチルアミン（ＮＥｔ３）、トリメチルホスフィン（ＰＭｅ３）、トリエチルホスフィン（ＰＥｔ３）、トリフェニルホスフィン（ＰＰｈ３）、ＳＭｅ２、またはテトラヒドロチオフェン（ＴＨＴ）；またはテトラヒドロチオフェン（ＴＨＴ）；代替として、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、メチルテトラヒドロフラン、テトラヒドロピランもしくは１、４−ジオキサン；代替として、アンモニア（ＮＨ３）、トリメチルアミン（ＮＭｅ３）もしくはトリエチルアミン（ＮＥｔ３）；または代替として、トリメチルホスフィン（ＰＭｅ３）、トリエチルホスフィン（ＰＥｔ３）、トリフェニルホスフィン（ＰＰｈ３）であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。他の実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してテトラヒドロフラン、アセトニトリル、ピリジン、アンモニア、トリメチルアミン、トリメチルホスフィンもしくはトリフェニルホスフィン；代替として、テトラヒドロフラン、アセトニトリル、ピリジン、トリメチルアミン、トリメチルホスフィンもしくはトリフェニルホスフィン；または代替として、テトラヒドロフランもしくはアセトニトリルであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。さらに別の実施形態において、各配位性化合物は独立してテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）；代替として、テトラヒドロピラン；代替として、１，４−ジオキサン；代替として、アセトニトリル；代替として、ピリジン；代替として、アンモニア（ＮＨ３）；代替として、トリメチルアミン（ＮＭｅ３）；代替として、トリエチルアミン（ＮＥｔ３）；代替として、トリメチルホスフィン（ＰＭｅ３）；代替として、トリエチルホスフィン（ＰＥｔ３）；代替として、トリフェニルホスフィン（ＰＰｈ３）；代替として、ＳＭｅ２；または代替として、テトラヒドロチオフェン（ＴＨＴ）であってもよい。また別の実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属錯体（一般的なものまたは特定のもの）または遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）の各中性配位子は、独立してトリメチルアミンテトラヒドロフラン、アセトニトリル、ピリジン、アンモニア、トリメチルホスフィンもしくはトリフェニルホスフィン；代替として、テトラヒドロフラン、アセトニトリル、ピリジン、トリメチルアミン、トリメチルホスフィンもしくはトリフェニルホスフィン；または代替として、テトラヒドロフランもしくはアセトニトリルであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０１５３】
一般的な置換基（非水素置換基または非水素置換の基とも称される）は独立して本明細書に開示される。これらの置換基は、中性配位子として使用することができる任意のアゼチジン、オキセタン、チエタン、ジオキセタン、ジチエタン、テトラヒドロピロール、ジヒドロピロール、ピロール、インドール、イソインドール、テトラヒドロフラン、ジヒドロフラン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、テトラヒドロチオフェン、ジヒドロチオフェン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、イミダゾリジン、ピラゾール、イミダゾール、オキサゾリジン、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾリジン、チアゾール、イソチアゾール、ベンゾチアゾール、ジオキソラン、ジチオラン、トリアゾール、ジチアゾール、ピペリジン、ピリジン、テトラヒドロピラン、ジヒドロピラン、ピラン、チアン、ピペラジン、ジアジン、オキサジン、チアジン、ジチアン、ジオキサン、ダイオキシン、トリアジン、トリアジナン、トリオキサン、オキセピン、アゼピン、チエピン、ジアゼピン、モルホリン、キノリン、テトラヒドロキノン、ビシクロ［３．３．１］テトラシロキサン、オキセタンおよび／またはジオキセタンをさらに記載するために限定されずに使用することができる。
【０１５４】
一態様において、遷移金属錯体は、中性遷移金属錯体（ｍは０と等しく、その場合、遷移金属錯体は遷移金属前駆体である）、陽イオン性遷移金属錯体（ｍは正の数である）、または陰イオン性遷移金属錯体（ｍは負の数である）；代替として、中性遷移金属錯体；代替として、陽イオン性遷移金属錯体；または代替として、陰イオン性遷移金属錯体であってもよい。一実施形態において、陽イオン性遷移金属錯体の電荷ｍは、１〜４；代替として、１；代替として、２、代替として、３、または代替として、４であってもよい。一実施形態において、陰イオン性遷移金属錯体の電荷ｍは、１〜４；代替として、１；代替として、２、代替として、３、または代替として、４であってもよい。
【０１５５】
遷移金属錯体は、遷移金属前駆体の成分（代替として、遷移金属前駆体として）として本明細書に記載された。これらの説明の中で、遷移金属錯体は、式（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ、（ＭＢＸｘ１Ｌｌ）ｍ、（ＭＢＬｌ）ｍ、（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ、ＭＢＸｘＬｌ、（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ、（ＭＢＸｘ１）ｍ、（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１もしくはＭＢＸｘ；代替として、（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ、（ＭＢＸｘ１Ｌｌ）ｍ、（ＭＢＬｌ）ｍ、（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍもしくは（ＭＢＸｘ１）ｍ；代替として、（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ、（ＭＢＸｘ１Ｌｌ）ｍもしくは（ＭＢＬｌ）ｍ；代替として、（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍもしくは（ＭＢＸｘ１Ｌｌ）ｍ；代替として、（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍもしくは（ＭＢＸｘ１）ｍ；代替として、（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ、ＭＢＸｘＬｌ、（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１もしくはＭＢＸｘ；代替として、（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１ＬｌもしくはＭＢＸｘＬｌ；代替として、（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１もしくはＭＢＸｘ；代替として、（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ；代替として、（ＭＢＸｘ１Ｌｌ）ｍ；代替として、（ＭＢＬｌ）ｍ；代替として、（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ；代替として、ＭＢＸｘＬｌ；代替として、（ＭＢ）（ｙ１Ｘｘ１）ｍ；代替として、（ＭＢＸｘ１）ｍ；代替として、（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１；または代替として、ＭＢＸｘであってもよい。一般に、遷移金属（ＭＢ）、遷移金属の酸化状態（ｘ）、遷移金属の数（ｙ１）、陰イオン性配位子（Ｘ）、陰イオン性配位子の電荷（ｙ）、陰イオン性配位子の数（ｘ１）、中性配位子（Ｌ）、中性配位子の数（ｌ）、および遷移金属錯体の電荷は先に本明細書に記載され、遷移金属錯体は、本明細書に記載される遷移金属錯体の特色にはまる、これらの独立して記載される要素の任意の適合する組み合わせを使用して記載することができる。
【０１５６】
一態様において、遷移金属前駆体中に存在することができる遷移金属錯体の数（ｑ）は、１〜３；または代替として、２〜３の範囲であってもよい。一部の実施形態において、遷移金属前駆体中に存在することができる遷移金属錯体の数（ｑ）は、１；代替として、２；または代替として、３であってもよい。
【０１５７】
非限定的な実施形態において、遷移金属錯体は、中性遷移金属（ＩＩ）錯体、陽イオン性遷移金属（ＩＩ）錯体または陰イオン性遷移金属（ＩＩ）錯体；代替として、中性遷移金属（ＩＩＩ）錯体、陽イオン性遷移金属（ＩＩＩ）錯体または陰イオン性遷移金属（ＩＩＩ）錯体；代替として、中性遷移金属（ＩＶ）錯体、陽イオン性遷移金属（ＩＶ）錯体または陰イオン性遷移金属（ＩＶ）錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。幾つかの非限定的な実施形態において、遷移金属錯体は、中性遷移金属（ＩＩ）錯体；代替として、陽イオン性遷移金属（ＩＩ）錯体；代替として、陰イオン性遷移金属（ＩＩ）錯体；代替として、中性遷移金属（ＩＩＩ）錯体；代替として、陽イオン性遷移金属（ＩＩＩ）錯体；代替として、陰イオン性遷移金属（ＩＩＩ）錯体；代替として、中性遷移金属（ＩＶ）錯体；代替として、陽イオン性遷移金属（ＩＶ）錯体；または代替として、陰イオン性遷移金属（ＩＶ）錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０１５８】
非限定的な実施形態において、遷移金属錯体は、クロム錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一実施形態において、クロム錯体は、陽イオン性クロム錯体、または陰イオン性クロムが複合体を形成する中性クロム錯体、；代替として、中性クロム錯体；代替として、陽イオン性クロム錯体；または代替として、陰イオン性クロム錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。遷移金属がクロムである幾つかの非限定的な実施形態において、遷移金属錯体は、中性クロム（ＩＩ）錯体、陽イオン性クロム（ＩＩ）錯体、陰イオン性クロム（ＩＩ）錯体、中性クロム（ＩＩＩ）錯体、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）錯体もしくは陰イオン性クロム（ＩＩＩ）錯体；中性クロム（ＩＩ）錯体、陽イオン性クロム（ＩＩ）錯体もしくは陰イオン性クロム（ＩＩ）錯体；または代替として、中性クロム（ＩＩＩ）錯体、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）錯体もしくは陰イオン性クロム（ＩＩＩ）錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。遷移金属はクロムである他の非限定的な実施形態において、遷移金属錯体は、中性クロム（ＩＩ）錯体；代替として、陽イオン性クロム（ＩＩ）錯体；代替として、陰イオン性クロム（ＩＩ）錯体；代替として、中性クロム（ＩＩＩ）錯体；代替として、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）錯体；または代替として、陰イオン性クロム（ＩＩＩ）錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０１５９】
一態様において、および任意の実施形態において、中性遷移金属錯体（その場合には遷移金属錯体は遷移金属前駆体になる）は、式（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ、ＭＢＸｘＬｌ、（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１もしくはＭＢＸｘ；代替として、（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１ＬｌまたはＭＢＸｘＬｌ；代替として、（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１またはＭＢＸｘ；代替として、（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ；代替として、ＭＢＸｘＬｌ；代替として、（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１；または代替として、ＭＢＸｘを有することができる。一般に、中性遷移金属錯体は、本明細書に記載される遷移金属（ＭＢ）、本明細書に記載される遷移金属（ｘ）の酸化状態、本明細書に記載される遷移金属の数（ｙ１）、本明細書に記載される陰イオン性配位子（Ｘ）、本明細書に記載される陰イオン性配位子の電荷（ｙ）、本明細書に記載される陰イオン性配位子の数（ｘ１）、本明細書に記載される中性配位子（Ｌ）、および本明細書に記載される中性配位子の数（ｌ）の任意の適合する組み合わせを用いて記載することができる。
【０１６０】
非限定的な実施形態において、中性遷移金属錯体は、中性遷移金属ハライド、中性遷移金属ハライドヒドロカルビルニトリル錯体、中性遷移金属ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体、中性遷移金属ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体、中性遷移金属ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体、または中性遷移金属ハライドトリヒドロカルビルホスフィン錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。幾つかの非限定的な実施形態において、中性遷移金属錯体は、中性遷移金属ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体、中性遷移金属ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体、または中性遷移金属ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。幾つかの非限定的な実施形態において、中性遷移金属錯体は、中性遷移金属ハライドアンモニア錯塩、中性遷移金属ハライドテトラヒドロフラン錯体、または中性遷移金属ハライドテトラヒドロチオフェン錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。また他の非限定的な実施形態において、中性遷移金属錯体は、中性遷移金属ハライド；代替として、中性の遷移金属ハライドアンモニア錯塩；代替として、中性遷移金属ハライドヒドロカルビルニトリル錯体；代替として、中性遷移金属ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体；代替として、中性遷移金属ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体；代替として、中性遷移金属ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体；代替として、中性遷移金属ハライドテトラヒドロフラン錯体；代替として、中性遷移金属ハライドテトラヒドロチオフェン錯体；または代替として、中性遷移金属ハライドトリヒドロカルビルホスフィン錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一般に、中性遷移金属錯体のこれらの非限定的な実施形態の個々の要素は、独立して本明細書に記載され、中性遷移金属錯体をさらに記載するために任意の適合する組み合わせにおいて使用することができる。
【０１６１】
中性遷移金属錯体を記載するために使用することができる遷移金属および遷移金属酸化状態は、独立して本明細書に記載され、本明細書に開示される任意の態様または任意の実施形態において使用することができる中性遷移金属錯体をさらに記載するために任意の組み合わせにおいて使用することができる。非限定的な実施形態において、本明細書に開示される任意の態様または任意の実施形態において使用することができる中性遷移金属錯体は、本明細書に記載される任意の陰イオン性配位子および本明細書に記載される任意の中性配位子を有する、中性チタン（ＩＩＩ）錯体、中性バナジウム（ＩＩＩ）錯体、中性ニオブ（ＩＩＩ）錯体、中性クロム（ＩＩＩ）錯体、中性マンガン（ＩＩＩ）錯体または中性鉄（ＩＩＩ）錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一部の実施形態において、本明細書に記載される任意の陰イオン性配位子、および本明細書に記載される任意の中性配位子は、非限定的な中性チタン（ＩＩＩ）錯体；代替として、中性バナジウム（ＩＩＩ）錯体；代替として、中性ニオブ（ＩＩＩ）錯体；代替として、中性クロム（ＩＩＩ）錯体；代替として、中性マンガン（ＩＩＩ）錯体；または代替として、中性鉄（ＩＩＩ）錯体をさらに記載するために使用することができる。非限定的な実施形態において、中性遷移金属錯体は、中性チタン（ＩＩＩ）ハライド錯体、中性バナジウム（ＩＩＩ）ハライド錯体、中性ニオブ（ＩＩＩ）ハライド錯体、中性クロム（ＩＩＩ）錯体、中性マンガン（ＩＩＩ）ハライド錯体、または中性鉄（ＩＩＩ）ハライド錯体；代替として、中性チタン（ＩＩＩ）ハライド錯体；代替として、中性バナジウム（ＩＩＩ）ハライド錯体；代替として、中性ニオブ（ＩＩＩ）ハライド錯体；代替として、中性クロム（ＩＩＩ）錯体；代替として、中性マンガン（ＩＩＩ）ハライド錯体；または代替として、中性鉄（ＩＩＩ）ハライド錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０１６２】
非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の態様または任意の実施形態において使用することができる遷移金属錯体は、中性チタン（ＩＩＩ）ハライド、中性チタン（ＩＩＩ）ハライドヒドロカルビルニトリル錯体、中性チタン（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体、中性チタン（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体、中性チタン（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体、中性チタン（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルホスフィン錯体、中性バナジウム（ＩＩＩ）ハライド、中性バナジウム（ＩＩＩ）ハライドヒドロカルビルニトリル錯体、中性バナジウム（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体、中性バナジウム（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体、中性バナジウム（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体、中性バナジウム（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルホスフィン錯体、中性ニオブ（ＩＩＩ）ハライド、中性ニオブ（ＩＩＩ）ハライドヒドロカルビルニトリル錯体、中性ニオブ（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体、中性ニオブ（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体、中性ニオブ（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体、中性ニオブ（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルホスフィン錯体、中性クロム（ＩＩＩ）ハライド、中性クロム（ＩＩＩ）ハライドヒドロカルビルニトリル錯体、中性クロム（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体、中性クロム（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体、中性クロム（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体、中性クロム（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルホスフィン錯体、中性マンガン（ＩＩＩ）、中性マンガン（ＩＩＩ）ハライドヒドロカルビルニトリル錯体、中性マンガン（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体、中性マンガン（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体、中性マンガン（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体、中性マンガン（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルホスフィン錯体、中性鉄（ＩＩＩ）ハライド、中性鉄（ＩＩＩ）ハライドヒドロカルビルニトリル錯体、中性鉄（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体、中性鉄（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体、中性鉄（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体または中性鉄（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルホスフィン錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。幾つかの非限定的な実施形態において、本明細書に開示される任意の態様または任意の実施形態において使用することができる中性遷移金属錯体は、中性チタン（ＩＩＩ）ハライド、中性チタン（ＩＩＩ）ハライドヒドロカルビルニトリル錯体、中性チタン（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体、中性チタン（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体、中性チタン（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体または中性チタン（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルホスフィン錯体；代替として、中性バナジウム（ＩＩＩ）ハライド、中性バナジウム（ＩＩＩ）ハライドヒドロカルビルニトリル錯体、中性バナジウム（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体、中性バナジウム（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体、中性バナジウム（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体または中性バナジウム（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルホスフィン錯体；代替として、中性ニオブ（ＩＩＩ）ハライド、中性ニオブ（ＩＩＩ）ハライドヒドロカルビルニトリル錯体、中性ニオブ（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体、中性ニオブ（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体、中性ニオブ（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体または中性ニオブ（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルホスフィン錯体；代替として、中性クロム（ＩＩＩ）ハライド、中性クロム（ＩＩＩ）ハライドヒドロカルビルニトリル錯体、中性クロム（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体、中性クロム（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体、中性クロム（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体または中性クロム（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルホスフィン錯体；代替として、中性マンガン（ＩＩＩ）ハライド、中性マンガン（ＩＩＩ）ハライドヒドロカルビルニトリル錯体、中性マンガン（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体、中性マンガン（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体、中性マンガン（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体または中性マンガン（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルホスフィン錯体；または代替として、中性鉄（ＩＩＩ）ハライド、中性鉄（ＩＩＩ）ハライドヒドロカルビルニトリル錯体、トリヒドロカルビルアミン中性鉄（ＩＩＩ）ハライド錯体、中性鉄（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体、中性鉄（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体、中性鉄（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルホスフィン錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。また他の非限定的な実施形態において、本明細書に開示される任意の態様または任意の実施形態において使用することができる中性遷移金属錯体は、中性チタン（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロフラン錯体、中性バナジウム（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロフラン錯体、中性ニオブ（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロフラン錯体、中性クロム（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロフラン錯体、中性マンガン（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロフラン錯体または中性鉄（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロフラン錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。さらなる非限定的な実施形態において、本明細書に開示される任意の態様または任意の実施形態において使用することができる中性遷移金属錯体は、中性チタン（ＩＩＩ）ハライド；代替として、中性チタン（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロフラン錯体；代替として、中性チタン（ＩＩＩ）ハライドヒドロカルビルニトリル錯体；代替として、中性チタン（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体；代替として、中性チタン（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体；代替として、中性チタン（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体；代替として、中性チタン（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルホスフィン錯体；代替として、中性クロム（ＩＩＩ）ハライド；代替として、中性クロム（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロフラン錯体；代替として、中性クロム（ＩＩＩ）ハライドヒドロカルビルニトリル錯体；代替として、中性クロム（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体；代替として、中性クロム（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体；代替として、中性クロム（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体；代替として、中性クロム（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルホスフィン錯体；代替として、中性鉄（ＩＩＩ）ハライド；代替として、中性鉄（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロフラン錯体；代替として、中性鉄（ＩＩＩ）ハライドヒドロカルビルニトリル錯体；代替として、中性鉄（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体；代替として、中性鉄（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体；代替として、中性鉄（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体；または代替として、中性鉄（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルホスフィン錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。式ＭＢＬｌを有する、他の一般的または具体的な中性遷移金属錯体は、本開示の態様および実施形態を用いて記載することができる。これらの一般的および具体的な中性クロム錯体は容易に明らかであり、企図される。
【０１６３】
一態様において、陽イオン性遷移金属錯体（ｍが正の整数である遷移金属錯体）は、式（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ、（ＭＢＸｘ１Ｌｌ）ｍ、（ＭＢＬｌ）ｍ、（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍもしくは（ＭＢＸｘ１）ｍ；代替として、（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ、（ＭＢＸｘ１Ｌｌ）ｍ、（ＭＢＬｌ）ｍ、（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍもしくは（ＭＢＸｘ１）ｍ；代替として、（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ、（ＭＢＸｘ１Ｌｌ）ｍもしくは（ＭＢＬｌ）ｍ；代替として、（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍもしくは（ＭＢＸｘ１Ｌｌ）ｍ；代替として、（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍもしくは（ＭＢＸｘ１）ｍ；代替として、（ＭＢ）（ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ；代替として、（ＭＢＸｘ１Ｌｌ）ｍ；代替として、（ＭＢＬｌ）ｍ；代替として、（ＭＢ）（ｙ１Ｘｘ１）ｍ；または代替として、（ＭＢＸｘ１）ｍを有することができる。一般に、陽イオン性遷移金属錯体は、本明細書に記載される遷移金属（ＭＢ）、本明細書に記載される遷移金属（ｘ）の酸化状態、本明細書に記載される遷移金属の数（ｙ１）、本明細書に記載される陰イオン性配位子（Ｘ）、本明細書に記載される陰イオン性配位子の電荷（ｙ）、本明細書に記載される陰イオン性配位子の数（ｘ１）、本明細書に記載される中性配位子（Ｌ）、および本明細書に記載される中性配位子の数（ｌ）の任意の適合する組み合わせを用いて記載される。
【０１６４】
非限定的な実施形態において、陽イオン性遷移金属錯体は、陽イオン性遷移金属ハライド、陽イオン性遷移金属ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体、陽イオン性遷移金属ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体、または陽イオン性遷移金属ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。幾つかの非限定的な実施形態において、陽イオン性遷移金属錯体は、陽イオン性遷移金属ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体、陽イオン性遷移金属ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体または陽イオン性遷移金属ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。他の非限定的な実施形態において、陽イオン性遷移金属錯体は、陽イオン性遷移金属ハライドアンモニア錯塩、陽イオン性遷移金属ハライドテトラヒドロフラン錯体または陽イオン性遷移金属ハライドテトラヒドロチオフェン錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。また他の非限定的な実施形態において、陽イオン性遷移金属錯体は、陽イオン性遷移金属ハライド錯体；代替として、陽イオン性遷移金属ハライドアンモニア錯塩；代替として、陽イオン性遷移金属ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体；代替として、陽イオン性遷移金属ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体；代替として、陽イオン性遷移金属ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体；代替として、陽イオン性遷移金属ハライドテトラヒドロフラン錯体；または代替として、陽イオン性遷移金属ハライドテトラヒドロチオフェン錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一般に、陽イオン性遷移金属錯体のこれらの非限定的な実施形態の個々の要素は、独立して本明細書に記載され、陽イオン性遷移金属錯体をさらに記載するために任意の適合する組み合わせにおいて使用することができる。
【０１６５】
陽イオン性遷移金属錯体を記載するために使用することができる遷移金属および遷移金属酸化状態は、本明細書に記載され、本明細書に開示される任意の態様または任意の実施形態において使用することができる陽イオン性遷移金属錯体をさらに記載するために任意の組み合わせにおいて使用することができる。非限定的な実施形態において、陽イオン性遷移金属錯体は、本明細書に記載される任意の陰イオン性配位子、および本明細書に記載される任意の中性配位子を有する、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）錯体、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）錯体、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）錯体、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）錯体、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）錯体、または陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一部の実施形態において、本明細書に記載される任意の陰イオン性配位子および本明細書に記載される任意の中性配位子は、非限定的な陽イオン性チタン（ＩＩＩ）錯体；代替として、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）錯体；代替として、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）錯体；代替として、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）錯体；代替として、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）錯体；または代替として、陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）錯体をさらに記載するために使用することができる。非限定的な実施形態において、陽イオン性遷移金属錯体は、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）ハライド錯体、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ハライド錯体、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ハライド錯体、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）錯体、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）ハライド錯体、または陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）ハライド錯体；代替として、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）ハライド錯体；代替として、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ハライド錯体；代替として、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ハライド錯体；代替として、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）ハライド錯体；代替として、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）ハライド錯体；または代替として、陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）ハライド錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０１６６】
非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の態様または任意の実施形態において使用することができる遷移金属錯体は、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）トリヒドロカルビルアミン錯体、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルエーテル錯体、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルスルフィド錯体、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）アンモニア錯塩、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）トリヒドロカルビルアミン錯体、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルエーテル錯体、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルスルフィド錯体、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）トリヒドロカルビルアミン錯体、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルエーテル錯体、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルスルフィド錯体、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）トリヒドロカルビルアミン錯体、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルエーテル錯体、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルスルフィド錯体、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）トリヒドロカルビルアミン錯体、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルエーテル錯体、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルスルフィド錯体、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）トリヒドロカルビルアミン錯体、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルエーテル錯体、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルスルフィド錯体、陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）トリヒドロカルビルアミン錯体、陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルエーテル錯体、陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルスルフィド錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。幾つかの非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の態様または任意の実施形態において使用することができる遷移金属錯体は、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）トリヒドロカルビルアミン錯体、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）トリヒドロカルビルアミン錯体、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）トリヒドロカルビルアミン錯体、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）トリヒドロカルビルアミン錯体、または陽イオン性鉄（ＩＩＩ）トリヒドロカルビルアミン錯体、陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）トリヒドロカルビルアミン錯体；代替として、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルエーテル錯体、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルエーテル錯体、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルエーテル錯体、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルエーテル錯体、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルエーテル錯体または陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルエーテル錯体；または代替として、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルスルフィド錯体、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルスルフィド錯体、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルスルフィド錯体、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルスルフィド錯体、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルスルフィド錯体または陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルスルフィド錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。他の非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の態様または任意の実施形態において使用することができる遷移金属錯体は、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）トリヒドロカルビルアミン錯体、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルエーテル錯体、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルスルフィド錯体；代替として、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）トリヒドロカルビルアミン錯体、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルエーテル錯体、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルスルフィド錯体；代替として、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）トリヒドロカルビルアミン錯体、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルエーテル錯体、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルスルフィド錯体；代替として、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）トリヒドロカルビルアミン錯体、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルエーテル錯体、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルスルフィド錯体；代替として、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）トリヒドロカルビルアミン錯体、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルエーテル錯体、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルスルフィド錯体；または代替として、陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）トリヒドロカルビルアミン錯体、陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルエーテル錯体または陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルスルフィド錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。また他の非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の態様または任意の実施形態において使用することができる遷移金属錯体は、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）トリヒドロカルビルアミン錯体；代替として、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）トリヒドロカルビルアミン錯体；代替として、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）トリヒドロカルビルアミン錯体；代替として、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）トリヒドロカルビルアミン錯体；代替として、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）トリヒドロカルビルアミン錯体；代替として、陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）トリヒドロカルビルアミン錯体；代替として、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルエーテル錯体；代替として、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルエーテル錯体；代替として、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルエーテル錯体；代替として、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルエーテル錯体；代替として、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルエーテル錯体；代替として、陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルエーテル錯体；代替として、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルスルフィド錯体；代替として、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルスルフィド錯体；代替として、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルスルフィド錯体；代替として、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルスルフィド錯体；代替として、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルスルフィド錯体；または代替として、陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）ジヒドロカルビルスルフィド錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０１６７】
非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の態様または任意の実施形態において使用することができる遷移金属錯体は、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）アンモニア錯体、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）アンモニア錯体、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）アンモニア錯体、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）アンモニア錯体、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）アンモニア錯体、陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）アンモニア錯体、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）テトラヒドロフラン錯体、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）テトラヒドロフラン錯体、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）テトラヒドロフラン錯体、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）テトラヒドロフラン錯体、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）テトラヒドロフラン錯体、陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）テトラヒドロフラン錯体、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）テトラヒドロチオフェン錯体、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）テトラヒドロチオフェン錯体、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）テトラヒドロチオフェン錯体、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）テトラヒドロチオフェン錯体、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）テトラヒドロチオフェン錯体または陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）テトラヒドロチオフェン錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。幾つかの非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の態様または任意の実施形態において使用することができる遷移金属錯体は、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）アンモニア錯体、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）アンモニア錯体、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）アンモニア錯体、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）アンモニア錯体、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）アンモニア錯体または陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）アンモニア錯体；代替として、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）テトラヒドロフラン錯体、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）テトラヒドロフラン錯体、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）テトラヒドロフラン錯体、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）テトラヒドロフラン錯体、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）テトラヒドロフラン錯体または陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）テトラヒドロフラン錯体；または代替として、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）テトラヒドロチオフェン錯体、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）テトラヒドロチオフェン錯体、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）テトラヒドロチオフェン錯体、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）テトラヒドロチオフェン錯体、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）テトラヒドロチオフェン錯体または陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）テトラヒドロチオフェン錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。他の非限定的な実施形態において、、本明細書に記載される任意の態様または任意の実施形態において使用することができる遷移金属錯体は、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）アンモニア錯体、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）テトラヒドロフラン錯体、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）テトラヒドロチオフェン錯体；代替として、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）アンモニア錯体、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）テトラヒドロフラン錯体、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）テトラヒドロチオフェン錯体；代替として、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）アンモニア錯体、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）テトラヒドロフラン錯体、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）テトラヒドロチオフェン錯体；代替として、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）アンモニア錯体、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）テトラヒドロフラン錯体、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）テトラヒドロチオフェン錯体；代替として、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）アンモニア錯体、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）テトラヒドロフラン錯体、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）テトラヒドロチオフェン錯体；または代替として、陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）アンモニア錯体、陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）テトラヒドロフラン錯体もしくは陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）テトラヒドロチオフェン錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。また他の非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の態様または任意の実施形態において使用することができる遷移金属錯体は、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）アンモニア錯体；代替として、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）アンモニア錯体；代替として、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）アンモニア錯体；代替として、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）アンモニア錯体；代替として、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）アンモニア錯体；代替として、陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）アンモニア錯体；代替として、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）テトラヒドロフラン錯体；代替として、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）テトラヒドロフラン錯体；代替として、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）テトラヒドロフラン錯体；代替として、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）テトラヒドロフラン錯体；代替として、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）テトラヒドロフラン錯体；代替として、陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）テトラヒドロフラン錯体；代替として、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）テトラヒドロチオフェン錯体；代替として、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）テトラヒドロチオフェン錯体；代替として、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）テトラヒドロチオフェン錯体；代替として、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）テトラヒドロチオフェン錯体；代替として、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）テトラヒドロチオフェン錯体；または代替として、陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）テトラヒドロチオフェン錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０１６８】
非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の態様または任意の実施形態において使用することができる遷移金属錯体は、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）ハライド、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ハライド、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ハライド、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）ハライド、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）ハライド、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体、陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）ハライド、陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体、陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体、または陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。幾つかの非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の態様または任意の実施形態において使用することができる遷移金属錯体は、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）ハライド、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ハライド、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ハライド、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）ハライド、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）ハライドもしくは陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）ハライド；代替として、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体もしくは陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体；代替として、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体もしくは陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体；または代替として、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体もしくは陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。他の非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の態様または任意の実施形態において使用することができる遷移金属錯体は、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）ハライド、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体；代替として、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ハライド、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体；代替として、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ハライド、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体；代替として、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）ハライド、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体；代替として、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）ハライド、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体；または代替として、陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）ハライド、陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体、陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体もしくは陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。また他の非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の態様または任意の実施形態において使用することができる遷移金属錯体は、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）ハライド；代替として、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ハライド；代替として、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ハライド；代替として、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）ハライド；代替として、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）ハライド；代替として、陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）ハライド；代替として、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体；代替として、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体；代替として、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体；代替として、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体；代替として、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体；代替として、陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体；代替として、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体；代替として、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体；代替として、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体；代替として、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体；代替として、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体；代替として、陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルエーテル錯体；代替として、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体；代替として、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体；代替として、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体；代替として、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体；代替として、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体；または代替として、陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）ハライドジヒドロカルビルスルフィド錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０１６９】
非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の態様または任意の実施形態において使用することができる遷移金属錯体は、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）ハライドアンモニア錯体、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ハライドアンモニア錯体、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ハライドアンモニア錯体、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）ハライドアンモニア錯体、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）ハライドアンモニア錯体、陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）ハライドアンモニア錯体、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロフラン錯体、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロフラン錯体、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロフラン錯体、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロフラン錯体、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロフラン錯体、陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロフラン錯体、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロチオフェン錯体、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロチオフェン錯体、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロチオフェン錯体、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロチオフェン錯体、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロチオフェン錯体または陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロチオフェン錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。幾つかの非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の態様または任意の実施形態において使用することができる遷移金属錯体は、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）ハライドアンモニア錯体、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ハライドアンモニア錯体、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ハライドアンモニア錯体、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）ハライドアンモニア錯体、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）ハライドアンモニア錯体もしくは陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）ハライドアンモニア錯体；代替として、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロフラン錯体、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロフラン錯体、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロフラン錯体、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロフラン錯体、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロフラン錯体もしくは陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロフラン錯体；または代替として、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロチオフェン錯体、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロチオフェン錯体、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロチオフェン錯体、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロチオフェン錯体、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロチオフェン錯体もしくは陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロチオフェン錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。他の非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の態様または任意の実施形態において使用することができる遷移金属錯体は、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）ハライドアンモニア錯体、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロフラン錯体、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロチオフェン錯体；代替として、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ハライドアンモニア錯体、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロフラン錯体、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロチオフェン錯体；代替として、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ハライドアンモニア錯体、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロフラン錯体、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロチオフェン錯体；代替として、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）ハライドアンモニア錯体、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロフラン錯体、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロチオフェン錯体；代替として、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）ハライドアンモニア錯体、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロフラン錯体、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロチオフェン錯体；または代替として、陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）ハライドアンモニア錯体、陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロフラン錯体、または陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロチオフェン錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。また他の非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の態様または任意の実施形態において使用することができる遷移金属錯体は、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）ハライドアンモニア錯体；代替として、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ハライドアンモニア錯塩；代替として、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ハライドアンモニア錯体；代替として、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）ハライドアンモニア錯体；代替として、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）ハライドアンモニア錯体；代替として、陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）ハライドアンモニア錯体；代替として、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロフラン錯体；代替として、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロフラン錯体；代替として、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロフラン錯体；代替として、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロフラン錯体；代替として、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロフラン錯体；代替として、陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロフラン錯体；代替として、陽イオン性チタン（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロチオフェン錯体；代替として、陽イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロチオフェン錯体；代替として、陽イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロチオフェン錯体；代替として、陽イオン性クロム（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロチオフェン錯体；代替として、陽イオン性鉄（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロチオフェン錯体；または代替として、陽イオン性コバルト（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロチオフェン錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０１７０】
非限定的な実施形態において、陽イオン性遷移金属錯体は、ＴｉＣｌ２（ＴＨＦ）４１＋、Ｖ（ＮＨ３）６３＋、Ｖ（ＮＨ３）６２＋、Ｃｏ（ＮＨ３）６２＋またはＣｏ（ＮＨ３）６３＋であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。他の非限定的な実施形態において、陽イオン性遷移金属錯体は、ＴｉＣｌ２（ＴＨＦ）４１＋；代替として、Ｖ（ＮＨ３）６３＋またはＶ（ＮＨ３）６２＋；代替として、Ｖ（ＮＨ３）６３＋；代替として、Ｖ（ＮＨ３）６２＋；代替として、Ｃｏ（ＮＨ３）６２＋；または代替として、Ｃｏ（ＮＨ３）６３＋であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。式ＭＢＬｌを有する他の一般的または具体的な陽イオン性遷移金属錯体は、本開示の態様および実施形態を用いて記載することができる。これらの一般的および具体的な陽イオン性遷移金属錯体は容易に明らかであり、企図される。
【０１７１】
一態様において、陰イオン性遷移金属錯体（ｍが負の整数である遷移金属錯体）は、式（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ、（ＭＢＸｘ１Ｌｌ）ｍ、（ＭＢＬｌ）ｍ、（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍもしくは（ＭＢＸｘ１）ｍ；代替として、（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ、（ＭＢＸｘ１Ｌｌ）ｍ、（ＭＢＬｌ）ｍ、（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍもしくは（ＭＢＸｘ１）ｍ；代替として、（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ、（ＭＢＸｘ１Ｌｌ）ｍもしくは（ＭＢＬｌ）ｍ；代替として、（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍもしくは（ＭＢＸｘ１Ｌｌ）ｍ；代替として、（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍもしくは（ＭＢＸｘ１）ｍ；代替として、（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ；代替として、（ＭＢＸｘ１Ｌｌ）ｍ；代替として、（ＭＢＬｌ）ｍ；代替として、（ＭＢ）（ｙ１Ｘｘ１）ｍ；または代替として、（ＭＢＸｘ１）ｍを有することができる。一般に、陰イオン性遷移金属錯体は、本明細書に記載される遷移金属（ＭＢ）、本明細書に記載される遷移金属（ｘ）の酸化状態、本明細書に記載される遷移金属の数（ｙ１）、本明細書に記載される陰イオン性配位子（Ｘ）、本明細書に記載される陰イオン性配位子の電荷（ｙ）、本明細書に記載される陰イオン性配位子の数（ｘ１）、本明細書に記載される中性配位子（Ｌ）、および本明細書に記載される中性配位子の数（ｌ）の任意の適合する組み合わせを用いて記載することができる。
【０１７２】
非限定的な実施形態において、陰イオン性遷移金属錯体は、陰イオン性遷移金属ハライドまたは陰イオン性遷移金属シアニド錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。幾つかの非限定的な実施形態において、陰イオン性遷移金属錯体は、陰イオン性遷移金属ハライド；または代替として、陰イオン性遷移金属シアニド錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一般に、陰イオン性遷移金属錯体のこれらの非限定的な実施形態の個々の要素は、独立して本明細書に記載され、陰イオン性遷移金属錯体をさらに記載するために任意の適合する組み合わせにおいて使用することができる。
【０１７３】
陰イオン性遷移金属錯体を記載するために使用することができる遷移金属および遷移金属酸化状態は、本明細書に記載され、本明細書に開示される任意の態様または任意の実施形態において使用することができる陰イオン性遷移金属錯体をさらに記載するために任意の組み合わせにおいて使用することができる。非限定的な実施形態において、本明細書に開示される任意の態様または任意の実施形態において使用することができる陰イオン性遷移金属錯体本明細書に記載される任意の陰イオン性配位子を有する、陰イオン性チタン（ＩＩＩ）錯体、陰イオン性バナジウム（ＩＩＩ）錯体、陰イオン性ニオブ（ＩＩＩ）錯体、陰イオン性クロム（ＩＩＩ）錯体、陰イオン性マンガン（ＩＩＩ）錯体、陰イオン性鉄（ＩＩＩ）錯体、または陰イオン性コバルト（ＩＩＩ）錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一部の実施形態において、本明細書に記載される任意の陰イオン性配位子は、非限定的な陰イオン性チタン（ＩＩＩ）錯体；代替として、陰イオン性バナジウム（ＩＩＩ）錯体；代替として、陰イオン性ニオブ（ＩＩＩ）錯体；代替として、陰イオン性クロム（ＩＩＩ）錯体；代替として、陰イオン性マンガン（ＩＩＩ）錯体；代替として、陰イオン性鉄（ＩＩＩ）錯体；または代替として、陰イオン性コバルト（ＩＩＩ）錯体をさらに記載するために使用することができる。
【０１７４】
非限定的な実施形態において、本明細書に開示される任意の態様または任意の実施形態において使用することができる陰イオン性遷移金属錯体は、陰イオン性チタン（ＩＩＩ）ハライド錯体、陰イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ハライド錯体、陰イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ハライド錯体、陰イオン性クロム（ＩＩＩ）ハライド錯体、陰イオン性マンガン（ＩＩＩ）ハライド錯体、陰イオン性鉄（ＩＩＩ）ハライド錯体、陰イオン性コバルト（ＩＩＩ）ハライド錯体、陰イオン性チタン（ＩＩＩ）シアニド錯体、陰イオン性バナジウム（ＩＩＩ）シアニド錯体、陰イオン性ニオブ（ＩＩＩ）シアニド錯体、陰イオン性クロム（ＩＩＩ）シアニド錯体、陰イオン性マンガン（ＩＩＩ）シアニド錯体、陰イオン性鉄（ＩＩＩ）シアニド錯体、または陰イオン性コバルト（ＩＩＩ）シアニド錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。幾つかの非限定的な実施形態において、本明細書に開示される任意の態様または任意の実施形態において使用することができる陰イオン性遷移金属錯体は、陰イオン性チタン（ＩＩＩ）ハライド錯体、陰イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ハライド錯体、陰イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ハライド錯体、陰イオン性クロム（ＩＩＩ）ハライド錯体、陰イオン性マンガン（ＩＩＩ）ハライド錯体、陰イオン性鉄（ＩＩＩ）ハライド錯体もしくは陰イオン性コバルト（ＩＩＩ）ハライド錯体；または代替として、陰イオン性チタン（ＩＩＩ）シアノ錯塩、陰イオン性バナジウム（ＩＩＩ）シアノ錯塩、陰イオン性ニオブ（ＩＩＩ）シアノ錯塩、陰イオン性クロム（ＩＩＩ）シアノ錯塩、陰イオン性マンガン（ＩＩＩ）シアノ錯塩、陰イオン性鉄（ＩＩＩ）シアノ錯塩もしくは陰イオン性コバルト（ＩＩＩ）シアノ錯塩であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。まだ他の実施形態において、本明細書に開示される任意の態様または任意の実施形態において使用することができる陰イオン性遷移金属錯体は、陰イオン性チタン（ＩＩＩ）ハライド錯体もしくは陰イオン性チタン（ＩＩＩ）シアニド錯体；代替として、陰イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ハライド錯体もしくは陰イオン性バナジウム（ＩＩＩ）シアニド錯体；代替として、陰イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ハライド錯体もしくは陰イオン性ニオブ（ＩＩＩ）シアニド錯体；代替として、陰イオン性クロム（ＩＩＩ）ハライド錯体もしくは陰イオン性クロム（ＩＩＩ）シアニド錯体；代替として、陰イオン性マンガン（ＩＩＩ）ハライド錯体もしくは陰イオン性マンガン（ＩＩＩ）シアニド錯体；代替として、陰イオン性鉄（ＩＩＩ）ハライド錯体もしくは陰イオン性鉄（ＩＩＩ）シアニド錯体；または代替として、陰イオン性コバルト（ＩＩＩ）ハライド錯体もしくは陰イオン性コバルト（ＩＩＩ）シアニド錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。また他の実施形態において、本明細書に開示される任意の態様または任意の実施形態において使用することができる陰イオン性遷移金属錯体は、陰イオン性チタン（ＩＩＩ）ハライド錯体；代替として、陰イオン性バナジウム（ＩＩＩ）ハライド錯体；代替として、陰イオン性ニオブ（ＩＩＩ）ハライド錯体；代替として、陰イオン性クロム（ＩＩＩ）ハライド錯体；代替として、陰イオン性マンガン（ＩＩＩ）ハライド錯体；代替として、陰イオン性鉄（ＩＩＩ）ハライド錯体；代替として、陰イオン性コバルト（ＩＩＩ）ハライド錯体；代替として、陰イオン性チタン（ＩＩＩ）シアニド錯体；代替として、陰イオン性バナジウム（ＩＩＩ）シアニド錯体；代替として、陰イオン性ニオブ（ＩＩＩ）シアニド錯体；代替として、陰イオン性クロム（ＩＩＩ）シアニド錯体；代替として、陰イオン性マンガン（ＩＩＩ）シアニド錯体；代替として、陰イオン性鉄（ＩＩＩ）シアニド錯体；または代替として、陰イオン性コバルト（ＩＩＩ）シアノ錯塩であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０１７５】
非限定的な実施形態において、陰イオン性遷移金属錯体は、（Ｔｉ（ＣＮ）６）３−、（ＶＣｌ４）１−、（ＣｒＣｌ４）１−、（Ｃｒ（ＣＮ）６）３−、（ＭｎＣｌ５）２−、（ＭｎＦ４）１−、（ＭｎＦ５）２−、（ＭｎＦ６）３−、（ＦｅＦ６）３−、（ＦｅＣｌ４）１−、（ＦｅＣｌ５）２−、（ＦｅＩ４）１−、（Ｃｏ（ＣＮ）６）３−または（ＣｏＦ６）３−であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。他の非限定的な実施形態において、陰イオン性遷移金属錯体は、（Ｔｉ（ＣＮ）６）３−；代替として、（ＶＣｌ４）１−；代替として、（ＣｒＣｌ４）１−または（Ｃｒ（ＣＮ）６）３−；代替として、（ＣｒＣｌ４）１−；代替として、（Ｃｒ（ＣＮ）６）３−；代替として、（ＭｎＣｌ５）２−；代替として、（ＭｎＦ４）１−、（ＭｎＦ５）２−もしくは（ＭｎＦ６）３−；代替として、（ＭｎＦ４）１−；代替として、（ＭｎＦ５）２−；代替として、（ＭｎＦ６）３−；代替として、（ＦｅＦ６）３−、（ＦｅＣｌ４）１−、（ＦｅＣｌ５）２−もしくは（ＦｅＩ４）１−；代替として、（ＦｅＦ６）３−；代替として、（ＦｅＣｌ４）１−；代替として、（ＦｅＣｌ５）２−；代替として、（ＦｅＩ４）１−；代替として、（Ｃｏ（ＣＮ）６）３−もしくは（ＣｏＦ６）３−；代替として、（Ｃｏ（ＣＮ）６）３−；または代替として、（ＣｏＦ６）３−であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。式［（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ］ｍおよび／または式［ＭＢＸｘ］ｍを有する他の一般的または具体的な陽イオン性遷移金属錯体は、本開示の態様および実施形態を用いて記載することができる。これらの一般的および具体的な陰イオン性遷移金属錯体は容易に明らかであり、企図される。
【０１７６】
一般に、遷移金属錯体が負電荷を有する場合（ｍは負となり得る様々なものの中で、例えば式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２、［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１、［（ＭＢＸｘＬｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２、［（ＭＢＸｘＬｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１、［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２、［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１、［（ＭＢＸｘ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２および／または［（ＭＢＸｘ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１を有する）、遷移金属錯体上の負電荷は、陽イオン性種によって均衡させて中性遷移金属前駆体を得ることができる。一般に、遷移金属前駆体は、本明細書に記載される遷移金属（ＭＢ）、本明細書に記載される遷移金属の酸化状態（ｘ）、本明細書に記載される遷移金属の数（ｙ１）、本明細書に記載される陰イオン性配位子（Ｘ）、本明細書に記載される陰イオン性配位子の電荷（ｙ）、本明細書に記載される陰イオン性配位子の数（ｘ１）、本明細書に記載される中性配位子の数（ｌ）本明細書に記載される遷移金属錯体の電荷（ｍ）、本明細書に記載される陰イオン性金属錯体の数（ｑ）、本明細書に記載される陽イオン種（Ｃ）、本明細書に記載される陽イオン種上の電荷（ｃ）、および本明細書に記載される陽イオン種の数（ｍ１）の任意の適合する組み合わせを用いて記載することができる。
【０１７７】
一般に、遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）が少なくとも１個の陽イオン種を含む場合、各陽イオン種Ｃの電荷ｃは、独立して１〜３の範囲の整数、または代替として、１〜２の範囲の整数であってもよい。一実施形態において、各陽イオン種Ｃの電荷ｃは、独立して１；代替として、２；または代替として、３であってもよい。一般に、陽イオン種Ｃの電荷ｃは、陽イオン配位子の正体〜明らかである。
【０１７８】
一般に、遷移金属前駆体中の陽イオン種の数ｍ１は、０〜５の範囲の整数であってもよい。一実施形態において、遷移金属前駆体中のｍ１は、０〜４；代替として、０〜３；代替として、０〜２；代替として、１〜５；代替として、〜１〜４；代替として、１〜３；または代替として、１〜２の範囲の整数であってもよい。一実施形態において、遷移金属前駆体中のｍ１は、０；代替として、１；代替として、２；代替として、３；代替として、４；または代替として、５であってもよい。
【０１７９】
遷移金属前駆体中の陽イオン性種の数ｍ１は、遷移金属錯体上の電荷（ｍ）、遷移金属錯体の数（ｑ）、陽イオン種、および陽イオン種上の電荷（ｃ）の関数である。遷移金属錯体が陰イオンである場合、電荷ｍを有する陰イオン性遷移金属錯体の数（ｑ）、および電荷ｃを有する陽イオン種（Ｃ）の数は、式｜ｍ×ｑ｜＝ｃ×ｍ１によって関係づけることができる。一部の実施形態において、遷移金属錯体が陰イオンである場合、陰イオン性遷移金属錯体の数ｑは、陰イオン性遷移金属錯体上の電荷（ｍ）、陽イオン種（Ｃ）および陽イオン種の電荷（ｃ）に、ｑ＝ｃと｜ｍ｜の最大公約数で除したｃという関係によって関係づけることができる。一部の実施形態において、遷移金属錯体が陰イオンである場合、陽イオン種の数（ｍ１）は、陰イオン性遷移金属錯体上の電荷（ｍ）、陽イオン種および陽イオン種の電荷（ｃ）に、ｍ１＝ｃと｜ｍ｜の最大公約数で除した｜ｍ｜という関係によって関係づけることができる。
【０１８０】
一態様において、遷移金属前駆体において使用することができる各陽イオン種Ｃは、独立して１族金属陽イオン、２族金属陽イオン、テトラオルガニルアンモニウム陽イオン、またはテトラオルガニルホスホニウム陽イオンであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一実施形態において、各陽イオン種Ｃは、独立して１族金属陽イオンまたは２族金属陽イオン；代替として、テトラオルガニルアンモニウム陽イオンもしくはテトラオルガニルホスホニウム陽イオン；代替として、１族金属陽イオン；代替として、２族金属陽イオン；代替として、テトラオルガニルアンモニウム陽イオン；または代替として、テトラオルガニルホスホニウム陽イオンであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一態様において、テトラオルガニルアンモニウム陽イオンまたはテトラオルガニルホスホニウム陽イオンの各オルガニル基は、独立してヒドロカルビル基もしくは置換ヒドロカルビル基；代替として、ヒドロカルビル基；または代替として、置換ヒドロカルビル基であってもよい。一部の実施形態において、遷移金属前駆体において使用することができる陽イオン種Ｃは、テトラヒドロカルビルアンモニウム陽イオンもしくはテトラヒドロカルビルホスホニウム陽イオン；テトラヒドロカルビルアンモニウム陽イオン；または代替として、テトラヒドロカルビルホスホニウム陽イオンであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。他の実施形態において、遷移金属前駆体において使用することができる陽イオン種Ｃは、テトラアルキルアンモニウム陽イオンもしくはテトラアルキルホスホニウム陽イオン；テトラアルキルアンモニウム陽イオン；または代替として、テトラアルキルホスホニウム陽イオンであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。陽イオン性種が１族金属陽イオン、テトラオルガニルアンモニウム陽イオンまたはテトラオルガニルホスホニウム陽イオンである場合、陽イオン種上の電荷ｃは１である。陽イオン種が２族金属陽イオンである場合、陽イオン種上の電荷ｃは２である。
【０１８１】
一態様において、陽イオン種として使用することができる各１族金属陽イオンは、独立してＬｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｒｂ＋またはＣｓ＋であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一実施形態において、陽イオン種として使用することができる各１族陽イオンは、独立してＬｉ＋；代替として、Ｎａ＋；代替として、Ｋ＋；代替として、Ｒｂ＋；または代替として、Ｃｓ＋であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一態様において、陽イオン種として使用することができる各２族金属陽イオンは、独立してＢｅ２＋、Ｍｇ２＋、Ｃａ２＋、Ｓｒ２＋またはＢａ２＋であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一実施形態において、陽イオン種として使用することができる各２族金属陽イオンは、独立してＢｅ２＋；代替として、Ｍｇ２＋；代替として、Ｃａ２＋；代替として、Ｓｒ２＋；または代替として、Ｂａ２＋であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０１８２】
一態様において、陽イオン種として使用することができる各テトラオルガニルアンモニウム陽イオンは、独立して、式ＮＲ１ｂＲ２ｂＲ３ｂＲ４ｂを有することができる。別の態様において、テトラオルガニルアンモニウム陽イオンは式Ｎ（Ｒ５ｂ）４を有することができる。一態様において、陽イオン種として使用することができる各テトラオルガニルホスホニウム陽イオンは、独立して、式ＰＲ１ｄＲ２ｄＲ３ｄＲ４ｄを有することができる。別の態様において、テトラヒドロカルビルホスホニウム陽イオンは式Ｐ（Ｒ５ｄ）４を有することができる。式ＮＲ１ｂＲ２ｂＲ３ｂＲ４ｂを有するテトラオルガニルアンモニウム陽イオン、式Ｎ（Ｒ５ｂ）４を有するテトラオルガニルアンモニウム陽イオン、式ＰＲ１ｄＲ２ｄＲ３ｄＲ４ｄを有するテトラオルガニルホスホニウム陽イオン、および式Ｐ（Ｒ５ｄ）４を有するテトラヒドロカルビルホスホニウム陽イオン内で、Ｒ１ｂ、Ｒ２ｂ、Ｒ３ｂ、Ｒ４ｂ、Ｒ５ｂ、Ｒ１ｄ、Ｒ２ｄ、Ｒ３ｄ、Ｒ４ｄおよび／またはＲ５ｄは、独立して、Ｃ１−Ｃ２０オルガニル基；代替として、Ｃ１−Ｃ１５オルガニル基；Ｃ１−Ｃ１０オルガニル基；または代替として、Ｃ１−Ｃ５オルガニル基であってもよい。一実施形態において、Ｒ１ｂ、Ｒ２ｂ、Ｒ３ｂ、Ｒ４ｂ、Ｒ５ｂ、Ｒ１ｄ、Ｒ２ｄ、Ｒ３ｄ、Ｒ４ｄおよび／またはＲ５ｄとして使用することができる各オルガニル基は、独立して、ヒドロカルビル基または置換ヒドロカルビル基；代替として、ヒドロカルビル基；または代替として、置換ヒドロカルビル基であってもよい。一般に、Ｒ１ｂ、Ｒ２ｂ、Ｒ３ｂ、Ｒ４ｂ、Ｒ５ｂ、Ｒ１ｄ、Ｒ２ｄ、Ｒ３ｄ、Ｒ４ｄおよび／またはＲ５ｄとして使用することができるヒドロカルビル基および／または置換ヒドロカルビル基は、独立して、Ｒ１ｂ、Ｒ２ｂ、Ｒ３ｂ、Ｒ４ｂ、Ｒ５ｂ、Ｒ１ｄ、Ｒ２ｄ、Ｒ３ｄ、Ｒ４ｄおよび／またはＲ５ｄとして使用することができるオルガニル基と同一の炭素原子数を有することができる。ヒドロカルビル基（置換または非置換）は、一般に本開示内に開示される（様々な位置の中でも、例えば式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するモノカルボン酸塩のためのＲ２ｃの選択肢として、および／またはＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３またはＲ１４の選択肢として）。本明細書に記載されるこれらのヒドロカルビル基の態様および実施形態（当業者によって明示的に指定されるかまたは暗黙に認識される）は、Ｒ１ｂ、Ｒ２ｂ、Ｒ３ｂおよびＲ４ｂ（式ＮＲ１ｂＲ２ｂＲ３ｂＲ４ｂを有するテトラヒドロカルビルアンモニウム陽イオンの）として、Ｒ１ｄ、Ｒ２ｄ、Ｒ３ｄおよびＲ４ｄ（式ＰＲ１ｄＲ２ｄＲ３ｄＲ４ｄを有するテトラヒドロカルビルホスホニウム陽イオンの）として、Ｒ５ｂ（式Ｎ（Ｒ５ｂ）４を有するテトラヒドロカルビルアンモニウム陽イオンの）として、およびＲ５ｄ（式Ｐ（Ｒ５ｄ）４を有するテトラヒドロカルビルアンモニウム陽イオンの）として使用することができるヒドロカルビル基として限定されずに使用することができる。
【０１８３】
非限定的な実施形態において、各陽イオン種は、独立してテトラメチルアンモニウム（ＮＭｅ４＋）、テトラエチルアンモニウム（ＮＥｔ４＋）、テトラブチルアンモニウム（ＮＢｕ４＋）、またはテトラフェニルアンモニウム（ＮＰｈ４＋）であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。幾つかの非限定的な実施形態において、各陽イオン種は、テトラメチルアンモニウム（ＮＭｅ４＋）、テトラエチルアンモニウム（ＮＥｔ４＋）、またはテトラブチルアンモニウム（ＮＢｕ４＋）；代替として、テトラメチルアンモニウム（ＮＭｅ４＋）；代替として、テトラエチルアンモニウム（ＮＥｔ４＋）；代替として、テトラブチルアンモニウム（ＮＢｕ４＋）；または代替として、テトラフェニルアンモニウム（ＮＰｈ４＋）であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。他の非限定的な実施形態において、各陽イオン種は、テトラメチルホスホニウム（ＰＭｅ４＋）、テトラエチルホスホニウム（ＰＥｔ４＋）、テトラブチルホスホニウム（ＰＢｕ４＋）、またはテトラフェニルホスホニウム（ＰＰｈ４＋）であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。また他の非限定的な実施形態において、各陽イオン種は、テトラメチルホスホニウム（ＰＭｅ４＋）、テトラエチルホスホニウム（ＰＥｔ４＋）、またはテトラブチルホスホニウム（ＰＢｕ４＋）；代替として、テトラメチルホスホニウム（ＰＭｅ４＋）；代替として、テトラエチルホスホニウム（ＰＥｔ４＋）；代替として、テトラブチルホスホニウム（ＰＢｕ４＋）；または代替として、テトラフェニルホスホニウム（ＰＰｈ４＋）であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０１８４】
一般に、遷移金属錯体が正の電荷を有する（ｍが正になり得る本明細書に記載されるものの中でも、例えば式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２、［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２、［（ＭＢＬｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２、［（ＭＢＸｘＬｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２、［（ＭＢＸｘＬｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２、［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２、［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２、［（ＭＢＸｘ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２および／または［（ＭＢＸｘ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２を有する）場合、遷移金属錯体の正の電荷は陰イオン種によって均衡させて中性遷移金属前駆体を得ることができる。一般に、遷移金属前駆体は、本明細書に記載される遷移金属（ＭＢ）、本明細書に記載される遷移金属の酸化状態（ｘ）、本明細書に記載される遷移金属の数（ｙ１）、本明細書に記載される陰イオン性配位子（Ｘ）、本明細書に記載される陰イオン性配位子の電荷（ｙ）、本明細書に記載される陰イオン性配位子の数（ｘ１）、本明細書に記載される中性配位子の数（ｌ）、本明細書に記載される遷移金属錯体の電荷（ｍ）、本明細書に記載される陰イオン性金属錯体の数（ｑ）、本明細書に記載される陽イオン種（Ｃ）、本明細書に記載される陰イオン種上の電荷（ａ）、および本明細書に記載される陰イオン種の数（ｍ２）の任意の適合する組み合わせを用いて記載することができる。
【０１８５】
一般に、遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）が少なくとも１個の陰イオン種を含む場合、各陽イオン種Ａの電荷ａは、独立して１〜３の範囲の整数、または代替として、１〜２の範囲の整数であってもよい。一実施形態において、各陽イオン種Ａの電荷ａは、独立して、１；代替として、２；または代替として、３であってもよい。一般に、陽イオン種Ａの電荷ａは、陽イオン配位子の正体から明らかである。
【０１８６】
一般に、遷移金属前駆体中の陰イオン種の数ｍ２は、０〜５の範囲の整数であってもよい。一実施形態において、遷移金属前駆体中のｍ２は、０〜４；代替として、０〜３；代替として、０〜２；代替として、１〜５；代替として、〜１〜４；代替として、１〜３；または代替として、１〜２の範囲の整数であってもよい。一実施形態において、遷移金属前駆体中のｍ２は、０；代替として、１；代替として、２；代替として、３；代替として、４；または代替として、５であってもよい。
【０１８７】
遷移金属前駆体中の陰イオン種の数ｍ２は、遷移金属錯体上の電荷（ｍ）、遷移金属錯体の数（ｑ）、陰イオン種、および陰イオン種上の電荷（ａ）の関数であってもよい。遷移金属錯体が陽イオンである場合、電荷ｍを有する陽イオン性遷移金属錯体の数（ｑ）、および電荷ａを有する陰イオン種（Ａ）の数は、式ｍ×ｑ＝｜ａ×ｍ２｜によって関係づけることができる。一部の実施形態において、遷移金属錯体が陽イオンである場合、陽イオン性遷移金属錯体の数ｑは、陽イオン性遷移金属錯体上の電荷（ｍ）、陰イオン種（Ａ）、および陰イオン種の電荷（ｃ）とｑ＝｜ａ｜とｍの最大公約数で除した｜ａ｜という関係によって関係づけられる。一部の実施形態において、遷移金属錯体が陽イオンである場合、陰イオン種の数ｍ２は、陽イオン性遷移金属錯体上の電荷（ｍ）、陰イオン種（Ａ）、および陰イオン種の電荷（ｃ）とｍ２＝｜ａ｜とｍの最大公約数で除した｜ｍ｜という関係によって関係づけられる。
【０１８８】
一態様において、遷移金属前駆体において使用することができる各陰イオン種Ａは、独立してハライド、次亜ハロゲン酸塩、亜ハロゲン酸塩、ハロゲン酸塩、過ハロゲン酸塩、硝酸塩、亜硝酸塩、硫酸塩、亜硫酸塩、重硫酸塩、リン酸塩、シアニド、シアン酸塩、チオシアン酸塩、ヘキサハロリン酸塩、テトラハロアルミン酸、ヘキサハロアルミン酸、ヘキサハロケイ酸塩、メタホウ酸塩、四硼酸塩、テトラハロホウ酸塩またはテトラオルガニルホウ酸塩であってもよいが、限定されない。一実施形態において、各陰イオン性種は、独立してハライド、硝酸塩、硫酸塩、リン酸塩、シアノ、ヘキサハロリン酸塩、テトラハロホウ酸塩またはテトラオルガニルホウ酸塩；代替として、ハライド、硝酸塩、硫酸塩、またはリン酸塩；代替として、ハライド；代替として、次亜ハロゲン酸塩；代替として、亜ハロゲン酸塩；代替として、ハロゲン酸塩；代替として、過ハロゲン酸塩；代替として、硝酸塩；代替として、亜硝酸塩；代替として、硫酸塩；代替として、亜硫酸塩；代替として、重硫酸塩；代替として、リン酸塩；代替として、亜リン酸塩；代替として、シアン化物；代替として、シアン酸塩；代替として、チオシアン酸塩；代替として、ヘキサハロリン酸塩；代替として、ヘキサハロアルミン酸；代替として、ヘキサハロケイ酸塩；代替として、メタホウ酸塩；代替として、四ホウ酸塩；代替として、テトラハロホウ酸塩；または代替として、テトラオルガニルホウ酸塩であってもよい。陰イオン種が、ハライド、次亜ハロゲン酸塩、亜ハロゲン酸塩、ハロゲン酸塩、過ハロゲン酸塩、硝酸塩、硝酸塩、重亜硫酸塩、シアニド、シアン酸塩、チオシアン酸塩、テトラハロアルミン酸、ヘキサハロリン酸塩、メタホウ酸塩、テトラハロホウ酸塩またはテトラオルガニルホウ酸塩である場合、陰イオン種上の電荷ａは１である。陰イオン種が硫酸塩、亜硫酸塩、ヘキサハロケイ酸塩または四ホウ酸塩である場合、陰イオン種上の電荷ａは２である。陰イオン種がリン酸塩またはヘキサハロアルミン酸塩である場合、陰イオン種上の電荷ａは３である。
【０１８９】
一実施形態において、ハライド陰イオン種は、フルオリド、クロリド、ブロミド、またはヨージド；代替として、フルオリド；代替として、クロリド：代替として、ブロミド；または代替として、ヨージドであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一実施形態において、陰イオン種は、次亜フッ素酸塩、次亜ハロゲン酸塩、次亜塩素酸塩、次亜臭素酸塩または次亜ヨウ素酸塩；代替として、次亜フッ素酸塩；代替として、次亜塩素酸塩；代替として、次亜臭素酸塩；または代替として、次亜ヨウ素酸塩であってもよい。一実施形態において、亜ハロゲン酸塩陰イオン種は、亜フッ素酸塩、亜塩素酸塩、亜臭素酸塩または亜ヨウ素酸塩；代替として、亜フッ素酸塩；代替として、亜塩素酸塩；代替として、亜臭素酸塩；または代替として、亜ヨウ素酸塩であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一実施形態において、ハロゲン酸塩陰イオン種は、フッ素酸塩、塩素酸塩、臭素酸塩またはヨウ素酸塩；代替として、フッ素酸塩；代替として、塩素酸塩；代替として、臭素酸塩；または代替として、ヨウ素酸塩であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一実施形態において、過ハロゲン酸塩陰イオン性種過フッ素酸塩、過塩素酸塩、過臭素酸塩または過ヨウ素酸塩；代替として、過フッ素酸塩；代替として、過塩素酸塩；代替として、過臭素酸塩；または代替として、過ヨウ素酸塩であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一実施形態において、ヘキサハロリン酸塩陰イオン種は、ヘキサフルオロリン酸塩、ヘキサクロロリン酸塩、ヘキサブロモ、リン酸塩またはヘキサヨードリン酸塩；代替として、ヘキサフルオロリン酸塩；代替として、ヘキサクロロリン酸塩；代替として、ヘキサブロモリン酸塩；または代替として、ヘキサヨードリン酸塩であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一実施形態において、ヘキサハロアルミン酸塩陰イオン種は、ヘキサフルオロアルミン酸塩、ヘキサクロロアルミン酸塩、ヘキサブロモアルミン酸塩またはヘキサヨードアルミン酸塩；代替として、ヘキサフルオロアルミン酸；代替として、ヘキサクロロアルミン酸塩；代替として、ヘキサブロモアルミン酸塩；または代替として、ヘキサヨードアルミン酸塩であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一実施形態において、ヘキサハロケイ酸塩陰イオン種は、ヘキサフルオロケイ酸塩、ヘキサクロロケイ酸塩、ヘキサブロモケイ酸塩またはヘキサヨードケイ酸塩；代替として、ヘキサフルオロケイ酸塩；代替として、ヘキサクロロケイ酸塩；代替として、ヘキサブロモケイ酸塩；または代替として、ヘキサヨードケイ酸塩であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一実施形態において、テトラハロホウ酸塩陰イオン種は、テトラフルオロホウ酸塩、テトラクロロホウ酸塩、テトラブロモホウ酸塩またはテトラヨードホウ酸塩；代替として、テトラフルオロホウ酸塩；代替として、テトラクロロホウ酸塩；代替として、テトラブロモホウ酸塩；または代替として、またはテトラヨードホウ酸塩であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０１９０】
一態様において、テトラオルガニルホウ酸塩陰イオンは式ＢＲ１ｇＲ２ｇＲ３ｇＲ４ｇを有することができる。別の態様において、テトラオルガニルアンモニウム陽イオンは式Ｂ（Ｒ５ｇ）４を有することができる。式ＢＲ１ｇＲ２ｇＲ３ｇＲ４ｇを有するテトラオルガニルホウ酸塩陰イオン、および式Ｂ（Ｒ５ｇ）４を有するテトラオルガニルホウ酸塩陰イオン内で、Ｒ１ｇ、Ｒ２ｇ、Ｒ３ｇ、Ｒ４ｇおよび／またはＲ５ｇは、独立して、Ｃ１−Ｃ２０オルガニル基；代替として、Ｃ１−Ｃ１５オルガニル基；Ｃ１−Ｃ１０オルガニル基；または代替として、Ｃ１−Ｃ５オルガニル基であってもよい。一実施形態において、Ｒ１ｇ、Ｒ２ｇ、Ｒ３ｇ、Ｒ４ｇおよび／またはＲ５ｇとして使用することができる各オルガニル基は、独立して、ヒドロカルビル基もしくは置換ヒドロカルビル基；代替として、ヒドロカルビル基；または代替として、置換ヒドロカルビル基であってもよい。一般に、Ｒ１ｇ、Ｒ２ｇ、Ｒ３ｇ、Ｒ４ｇおよび／またはＲ５ｇとして使用することができるヒドロカルビル基および／または置換ヒドロカルビル基は、独立して、Ｒ１ｇ、Ｒ２ｇ、Ｒ３ｇ、Ｒ４ｇおよび／またはＲ５ｇとして使用することができるオルガニル基と同一の数の炭素原子を有することができる。ヒドロカルビル基（置換または非置換）は一般に本開示内にを開示される（様々な位置の中でも、例えば式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するモノカルボン酸塩のためのＲ２ｃの選択肢として、および／またはＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、またはＲ１４の選択肢として）。本明細書に記載されるこれらのヒドロカルビル基の態様および実施形態（当業者によって明示的に指定されるかまたは暗黙に認識される）は、Ｒ１ｇ、Ｒ２ｇ、Ｒ３ｇおよびＲ４ｇ（式ＢＲ１ｇＲ２ｇＲ３ｇＲ４ｇを有するテトラオルガニルホウ酸塩陰イオンの）として使用することができるヒドロカルビル基として、およびＲ５ｂ（式Ｎ（Ｒ５ｂ）４を有するテトラヒドロカルビルアンモニウム陽イオンの）として、およびＲ５ｄ（式Ｂ（Ｒ５ｇ）４を有するテトラオルガニルアンモニウム陽イオンの）として限定されずに使用することができる。
【０１９１】
非限定的な実施形態において、陰イオン種として使用することができる各テトラオルガニルホウ酸塩陰イオンは、独立してテトラフェニルホウ酸塩、テトラキス（パラトリル）ホウ酸塩、テトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ホウ酸塩またはテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸塩であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。他の幾つかの非限定的な実施形態において、陰イオン性種として使用することができる各テトラオルガニルホウ酸塩陰イオンは、独立して、テトラフェニルホウ酸塩；代替として、テトラキス（パラ−トリル）ホウ酸塩；代替として、テトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ホウ酸塩；または代替として、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸塩であってもよい。
【０１９２】
一態様において、遷移金属前駆体は式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２を有することができる。ｘの酸化状態を有する遷移金属（ＭＢ）、ｘの酸化状態を有する遷移金属の数（ｙ１）、ｙの電荷を有する陰イオン性配位子（Ｘ）、ｙの電荷を有する陰イオン性配位子の数（ｘ１）、中性配位子（Ｌ）、中性配位子の数（ｌ）、遷移金属錯体（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ上の電荷（ｍ）、遷移金属錯体（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍの数（ｑ）、電荷ｃを有する陽イオン性種（Ｃ）、電荷ｃを有する陽イオン種の数（ｍ１）、電荷ａを有する陰イオン性種（Ａ）、および電荷ａを有する陰イオン種の数（ｍ２）は、独立して本明細書に記載される。これらの独立した説明は、式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２を有する遷移金属前駆体をさらに記載するために任意の適合する方式および／または組み合わせで使用することができる。遷移金属前駆体が式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２を有することができる態様において、式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２は、陰イオン性遷移金属錯体（すなわち、ｍは、ｍ＜０である本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲を有し、ｍ１＞０の本明細書に開示される値または範囲値をｍ１は有し、およびｍ２＝０である）を有する、陽イオン性遷移金属錯体（すなわち、ｍは、ｍ＞０である本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲を有し、ｍ１＝０、およびｍ２＞０の本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲をｍ２は有する）を有する、および／または、中性遷移金属前駆体（すなわち、ｍ＝０、ｍ１＝０、およびｍ２＝０）を有する一般的な遷移金属前駆体を包含することができる。式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２を有する一般的および具体的な遷移金属前駆体は、本開示の態様および実施形態を用いて記載することができる。これらの一般的および具体的な遷移金属前駆体は容易に明らかであり、企図される。
【０１９３】
式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２を有する遷移金属前駆体の各Ｘがモノ陰イオン性配位子である場合、遷移金属前駆体は、式［（ＭＢＸｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２を有することができる。遷移金属前駆体が式［（ＭＢＸｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２を有することができる態様において、式［（ＭＢＸｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２は、陰イオン性遷移金属錯体（すなわち、ｍは、ｍ＜０である本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲を有し、ｍ１＞０の本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲をｍ１は有し、およびｍ２＝０である）を有する、陽イオン性遷移金属錯体（すなわち、ｍは、ｍ＞０である本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲を有し、ｍ１＝０、ｍ２＞０の本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲をｍ２は有する）を有する、および／または中性遷移金属前駆体（すなわち、ｍ＝０、ｍ１＝０、およびｍ２＝０）を有する一般的な遷移金属前駆体を包含することができる。式［（ＭＢＸｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２を有する一般的および具体的な遷移金属前駆体は、本開示の態様および実施形態を用いて記載することができる。これらの一般的および具体的な遷移金属前駆体は容易に明らかであり、企図される。
【０１９４】
非限定的な実施形態において、式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２または式［（ＭＢＸｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２を有する遷移金属前駆体は、陰イオン性遷移金属錯体と、陽イオン種と、陰イオン種との間に関係を有する陰イオン性遷移金属錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよく、ここで、ｍは、ｍ＜０の、本明細書に開示される任意の値（または値の範囲）を有することができ、ｑおよびｃは、独立して、ｑ＝ｃと｜ｍ｜の最大公約数で除したｃである、本明細書に開示される任意の値（または値の範囲）を有することができ、ｍ１は、ｍ＝ｃと｜ｍ｜の最大公約数で除した｜ｍ｜である、本明細書に開示される任意の値（または値の範囲）を有することができ、ｍ２＝０である。別の非限定的な実施形態において、式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２または式［（ＭＢＸｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２を有する遷移金属前駆体は、陰イオン性遷移金属錯体と陽イオン種と陰イオン種との間に関係を有する中性遷移金属錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよく、ここでｍ＝０、ｍ１＝０およびｍ２＝０である。また別の非限定的な実施形態において、式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２または式［（ＭＢＸｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２を有する遷移金属前駆体は、陽イオン性遷移金属錯体と、陽イオン種と、陰イオン種との間に関係を有する陽イオン性遷移金属錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよく、ここで、ｍ＞０の、本明細書に開示される任意の値（または値の範囲）を有することができ、ｑおよびａは、独立して本明細書に開示される任意の値（または値の範囲）を有することができ、ここで、ｑ＝ｍと｜ａ｜の最大公約数で除した｜ａ｜であり、ｍ１＝０であり、ｍ２は、ｍ２＝ｍと｜ａ｜との最大公約数で除したｍである、本明細書に開示される任意の値（または値の範囲）を有することができる。
【０１９５】
一態様において、遷移金属前駆体は式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１を有することができる。ｘの酸化状態を有する遷移金属（ＭＢ）、ｘの酸化状態を有する遷移金属の数（ｙ１）、ｙの電荷を有する陰イオン性配位子（Ｘ）、ｙの電荷を有する陰イオン性配位子の数（ｘ１）、中性配位子（Ｌ）、中性配位子の数（ｌ）、遷移金属錯体（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ上の電荷（ｍ）、遷移金属錯体（ＭＢ）（ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍの数（ｑ）、電荷ｃを有する陽イオン種（Ｃ）、および電荷ｃを有する陽イオン種の数（ｍ１）は、独立して本明細書に記載される。これらの独立した説明は、式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１を有する遷移金属前駆体をさらに記載するために、任意の適合する方式および／または組み合わせで使用することができる。遷移金属前駆体が式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１を有することができる態様において、式［（ＭＢ）（ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１は、陰イオン性遷移金属錯体（すなわち、ｍは、ｍ＜０の、本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲を有し、ｍ１は、ｍ１＞０の、本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲を有する）を有する一般的な遷移金属前駆体を包含することができる。一実施形態において、式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１を有する遷移金属前駆体は、陰イオン性遷移金属錯体と陽イオン種との間に関係を有する陰イオン性遷移金属錯体を有する一般的な遷移金属前駆体を包含することができ、ここで、ｍは、ｍ＜０の、本明細書に開示される任意の値（または値の範囲）を有することができ、ｑおよびｃは、独立してｑ＝ｃと｜ｍ｜の最大公約数で除したｃである、本明細書に開示される任意の値（または値の範囲）を有することができ、ｍ１は、ｍ１＝ｃと｜ｍ｜の最大公約数で除した｜ｍ｜である、本明細書に開示される任意の値（または値の範囲）を有することができる。一実施形態において、式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１を有する遷移金属前駆体は、陰イオン性遷移金属錯体を有する一般的な遷移金属前駆体を包含することができ、ここで、ｍは、ｍ＜０かつｍ＝（ｘ×ｙ１）＋（ｙ×ｘ１）である、本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲であってもよい。条件ｍ＜０かつｍ＝（ｘ×ｙ１）＋（ｙ×ｘ１）の結果として、ｘ１は、式ｘ１＞（ｘ×ｙ１）／｜ｙ｜（本明細書に開示されるｘ、ｙ１およびｙの任意の値を用いて）を満たす本明細書に開示される任意の正の整数であってもよく、および／またはｙ１は、式ｙ１×（｜ｙ｜×ｘ１）／ｘ（本明細書に開示されるｘ、ｘ１およびｙの任意の値を用いて）を満たす正の整数であってもよい。一部の実施形態において、ｘ１は、式ｘ１＞（ｘ×ｙ１）／｜ｙ｜（本明細書に開示されるｘ、ｙ１およびｙの任意の値を用いて）を満たす最小の正の整数から式ｘ１＞（ｘ×ｙ１）／｜ｙ｜（本明細書に開示されるｘ、ｙ１およびｙの任意の値を用いて）を満たす最小の正の整数より大きい本明細書において与えられるｘ１の任意の値までの範囲であってもよい。一部の実施形態において、ｙ１は、本明細書に開示されるｙ１の任意の値から式ｙ１×（｜ｙ｜×ｘ１）／ｘ��本明細書に開示されるｘ、ｘ１およびｙの任意の値を用いて）を満たす任意の正の整数までの範囲であってもよい。ｘ１、ｙ１およびｍの値に関係なく、式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１を有する遷移金属前駆体中の中性配位子の数（ｌ）は、本明細書に開示される任意の値、または任意の値の範囲であってもよい。式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１を有する一般的および具体的な遷移金属前駆体は、本開示の態様および実施形態を用いて記載することができる。これらの一般的および具体的な遷移金属前駆体は容易に明らかであり、企図される。
【０１９６】
式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１を有する遷移金属前駆体の各Ｘが、モノ陰イオン性配位子である場合、遷移金属前駆体は式［（ＭＢＸｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１を有することができる。遷移金属前駆体が式［（ＭＢＸｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１（ここで、Ｘは各モノ陰イオン性配位子である）を有することができる態様において、式［（ＭＢＸｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１は、陰イオン性遷移金属錯体（すなわち、ｍは、ｍ＜０の、本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲を有し、ｍ１は、ｍ１＞０の、本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲を有する）を有する一般的な遷移金属前駆体を包含することができる。遷移金属前駆体が式［（ＭＢＸｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１（式中、Ｘは各モノ陰イオン性配位子である）を有することができる態様において、式［（ＭＢＸｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１  は、陰イオン性遷移金属錯体と陽イオン種との間に関係を有する陰イオン性遷移金属錯体を有する一般的な遷移金属前駆体を包含することができ、ここで、ｍは、ｍ＜０の、本明細書に開示される任意の値（または値の範囲）を有することができ、ｑおよびｃは、独立してｑ＝ｃと｜ｍ｜の最大公約数で除したｃである、本明細書に開示される任意の値（または値の範囲）を有することができ、ｍ１は、ｍ１＝ｃと｜ｍ｜の最大公約数で除した｜ｍ｜である、本明細書に開示される任意の値（または値の範囲）を有することができる。一実施形態において、式［（ＭＢＸｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１（式中、Ｘは各モノ陰イオン性配位子である）を有する遷移金属前駆体は、陰イオン性遷移金属錯体を有する一般的な遷移金属前駆体を包含することができ、ここで、ｍは、ｍ＜０かつｍ＝ｘ−ｘ１である、本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲を有することができる。条件ｍ＜０かつｍ＝ｘ−ｘ１の結果として、ｘ１は、式ｘ１＞ｘ（本明細書に開示されるｘの任意の値を用いて）を満たす、本明細書に開示される任意の正の整数であってもよい。一部の実施形態において、ｘ１は、式ｘ１＞ｘ（本明細書に開示されるｘの任意の値を用いて）を満たす最小の正の整数から、式ｘ１＞ｘ（本明細書に開示されるｘの任意の値を用いて）を満たす最小の正の整数より大きい本明細書において与えられるｘ１の任意の値までの範囲であってもよい。ｍまたはｘ１の値に関係なく、式［（ＭＢＸｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１（式中、Ｘは各モノ陰イオン性配位子である）を有する遷移金属前駆体中の中性配位子の数（ｌ）は、本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲であってもよい。式［（ＭＢＸｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１（式中、Ｘは各モノ陰イオン性配位子である）を有する一般的および具体的な遷移金属前駆体は、本開示の態様および実施形態を用いて記載することができる。これらの一般的および具体的な遷移金属前駆体は容易に明らかであり、企図される。
【０１９７】
非限定的な実施形態において、遷移金属前駆体は、［Ｃｃ］［（ＴｉＣｌ４（ＴＨＦ）２）１−］ｑであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。この非限定的な実施形態において、Ｃは本明細書に記載される電荷ｃを有する任意の陽イオン種、およびｑ＝ｃであってもよい。一部の実施形態において、式［Ｃｃ］［（ＴｉＣｌ４（ＴＨＦ）２）１−］ｑを有する遷移金属前駆体は、Ｎａ３ＣｒＣｌ６またはＬｉＣｒＣｌ４；代替として、Ｎａ３ＣｒＣｌ６；または代替として、ＬｉＣｒＣｌ４であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。式［（（ＭＢ）ｘ１Ｘｎ１Ｌｌ）ｍ］ｑ１［Ｃｃ］ｍ１および／または［（ＭＢＸｎ１Ｌｌ）ｍ］ｑ１［Ｃｃ］ｍ１を有する他の一般的および具体的な遷移金属前駆体は、本開示の態様および実施形態を用いて記載することができる。これらの一般的および具体的な遷移金属前駆体は容易に明らかであり、企図される。
【０１９８】
一態様において、遷移金属前駆体は式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２を有することができる。ｘの酸化状態を有する遷移金属（ＭＢ）、ｘの酸化状態を有する遷移金属の数（ｙ１）、ｙの電荷を有する陰イオン性配位子（Ｘ）、ｙの電荷を有する陰イオン性配位子の数（ｘ１）、中性配位子（Ｌ）、中性配位子の数（ｌ）、遷移金属錯体（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ上の電荷（ｍ）、遷移金属錯体（ＭＢ）（ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍの数（ｑ）、電荷ａを有する陰イオン性種（Ａ）、および電荷を有する陰イオン種の数（ｍ２）は、独立して本明細書に記載される。これらの独立した説明は、式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２を有する遷移金属前駆体をさらに記載するために、任意の適合する方式および／または組み合わせで使用することができる。遷移金属前駆体が式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２、式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２を有することができる態様において、陽イオン性遷移金属錯体（すなわち、ｍは、ｍ＞０の、本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲を有し、ｍ２は、ｍ２＞０の、本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲を有する）を有する一般的な遷移金属前駆体を包含することができる。一実施形態において、式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２を有する遷移金属前駆体は、陽イオン性遷移金属錯体と陰イオン種との間に関係を有する陽イオン性遷移金属錯体を有する一般的な遷移金属前駆体を包含することができ、式中、ｍは、ｍ＞０の、本明細書に開示される任意の値（または値の範囲）を有することができ、ｑおよびａは、独立してｑ＝ｍと｜ａ｜の最大公約数で除した｜ａ｜である、本明細書に開示される任意の値（または値の範囲）を有することができ、ｍ２は、ｍ２＝ｍと｜ａ｜のの最大公約数で除したｍである、本明細書に開示される任意の値（または値の範囲）を有することができる。一実施形態において、式［（ＭＢ）（ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２を有する遷移金属前駆体は、陽イオン性遷移金属錯体を有する一般的な遷移金属前駆体を包含することができ、式中、ｍは、ｍ＞０かつｍ＝（ｘ×ｙ１）＋（ｙ×ｘ１）である、本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲を有することができる。条件ｍ＞０かつｍ＝（ｘ×ｙ１）＋（ｙ×ｘ１）の結果として、ｘ１は、式ｘ１＜（ｘ×ｙ１）／｜ｙ｜（本明細書に開示されるｘ、ｙ１およびｙの任意の値を用いて）を満たす、本明細書に開示される任意の正の整数であってもよく、および／または、ｙ１は、正の整数であってもよく、式ｙ１×（｜ｙ｜×ｘ１）／ｘ（本明細書に開示されるｘ、ｘ１およびｙの任意の値を用いて）を満たす。一部の実施形態において、ｘ１は、０、または式ｘ１＜（ｘ×ｙ１）／｜ｙ｜（本明細書に開示されるｘ、ｙ１およびｙの任意の値を用いて）を満たす値より小さい本明細書に開示される任意のｘ１値から、式ｘ１＜（ｘ×ｙ１）／｜ｙ｜（本明細書に開示されるｘ、ｙ１およびｙの任意の値を用いて）を満たす、本明細書において与えられるｘ１の任意の値までの範囲であってもよい。一部の実施形態において、ｙ１は、式ｙ１×（｜ｙ｜×ｘ１）／ｘ（本明細書��開示されるｘ、ｘ１およびｙの任意の値を用いて）を満たす、本明細書に開示されるｙ１の任意の値から、式ｙ１×（｜ｙ｜×ｘ１）／ｘ（本明細書に開示されるｘ、ｘ１およびｙの任意の値を用いて）を満たす値より大きい、本明細書に開示される任意の値までの範囲であってもよい。ｘ１、ｙ１およびｍの値に関係なく、式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２を有する遷移金属前駆体中の中性配位子の数（ｌ）は、本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲であってもよい。式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２を有する一般的および具体的な遷移金属前駆体は、本開示の態様および実施形態を用いて記載することができる。これらの一般的および具体的な遷移金属前駆体は容易に明らかであり、企図される。
【０１９９】
式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２を有する遷移金属前駆体の各Ｘがモノ陰イオン性配位子である場合、遷移金属前駆体は、式［（ＭＢＸｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２を有することができる。遷移金属前駆体が式［（ＭＢＸｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２（式中、Ｘは各モノ陰イオン性配位子である）を有することができる態様において、式［（ＭＢＸｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２は、陽イオン性遷移金属錯体（すなわち、ｍは、ｍ＞０の、本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲を有し、ｍ２は、ｍ２＞０の、本明細書に開示される任意の値またはに値の範囲を有する）を有する一般的な遷移金属前駆体を包含することができる。遷移金属前駆体が式［（ＭＢＸｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２（式中、Ｘは各モノ陰イオン性配位子である）を有することができる態様において、式［（ＭＢＸｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２は、陽イオン性遷移金属錯体と陰イオン種との間に関係を有する陽イオン性遷移金属錯体を有する一般的な遷移金属前駆体を包含することができ、式中、ｍは、ｍ＞０の、本明細書に開示される任意の値（または値の範囲）を有することができ、ｑおよびａは、独立してｑ＝ｍと｜ａ｜の最大公約数で除したａ（陰イオン種の電荷）である、本明細書に開示される任意の値（または値の範囲）を有することができ、ｍ２は、ｍ２＝ｍと｜ａ｜の最大公約数で除したｍである、本明細書に開示される任意の値（または値の範囲）を有することができる。条件ｍ＞０かつｍ＝ｘ−ｘ１の結果として、ｘ１は、式ｘ１＜ｘを満たす、本明細書に開示される任意の正の整数（本明細書に開示されるｘの任意の値を用いて）であってもよい。一部の実施形態において、ｘ１は０の、式ｘ１＜ｘ（本明細書に開示されるｘの任意の値を用いて）を満たす値より小さい、本明細書に開示される任意のｘ１値から、式ｘ１＜ｘ（本明細書に開示されるｘ、ｙ１およびｙの任意の値を用いて）を満たす、本明細書において与えられるｘ１の任意の値までの範囲であってもよい。ｘ１およびｍの値に関係なく、式［（ＭＢＸｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２（式中、各Ｘはモノ陰イオン性配位子である）を有する遷移金属前駆体中の中性配位子の数（ｌ）は、本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲であってもよい。式［（ＭＢＸｘ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２（式中、各Ｘはモノ陰イオン性配位子である）を有する一般的および具体的な遷移金属前駆体は、本開示の態様および実施形態を用いて記載することができる。これらの一般的および具体的な遷移金属前駆体は容易に明らかであり、企図される。
【０２００】
非限定的な実施形態において、遷移金属前駆体は、［（ＴｉＣｌ２（ＴＨＦ）４）１＋］ｑ［Ａａ］であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。この非限定的な実施形態において、Ａは、本明細書に記載される電荷ａを有し、式中ｑ＝｜ａ｜である任意の陰イオン種である。式［（（ＭＢ）ｘ１Ｘｎ１Ｌｌ）ｍ］ｑ２［Ａａ］ｍ２および／または［（ＭＢＸｎ１Ｌｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２を有する他の一般的および具体的な遷移金属前駆体は、本開示の態様および実施形態を用いて記載することができる。これらの一般的および具体的な遷移金属前駆体は容易に明らかであり、企図される。
【０２０１】
一態様において、遷移金属前駆体は式［（ＭＢＬｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２を有することができる。ｘの酸化状態を有する遷移金属（ＭＢ）、中性配位子（Ｌ）、中性配位子の数（ｌ）、遷移金属錯体（ＭＢＬｌ）ｍ上の電荷（ｍ）遷移金属錯体（ＭＢＬｌ）ｍの数（ｑ）、電荷ａを有する陰イオン性種（Ａ）、および電荷ａを有する陰イオン種の数（ｍ２）は、独立して本明細書に記載される。これらの独立した説明は、式［（ＭＢＬｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２を有する遷移金属前駆体をさらに記載するために、任意の適合する方式および／または組み合わせで使用することができる。遷移金属前駆体が式［（ＭＢＬｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２、式［（ＭＢＬｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２を有することができる態様において、陽イオン性遷移金属錯体を有する一般的な遷移金属前駆体を包含することができる（すなわち、ｍは、ｍ＞０の、本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲を有し、ｍ２は、ｍ２＞０の、本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲を有する）一般に、式［（ＭＢＬｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２を有する遷移金属前駆体は、陽イオン性遷移金属錯体を有する一般的な遷移金属前駆体を包含することができ、式中、ｍ＝ｘであり、電荷ｍ（またはｘ）を有する陽イオン性遷移金属錯体の数（ｑ）、および電荷ａを有する陰イオン種（Ａ）の数は、式ｍ×ｑ＝｜ａ×ｍ２｜（またはｘ×ｑ＝｜ａ×ｍ２｜）によって関係づけられる。一部の実施形態において、遷移金属前駆体が式［（ＭＢＬｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２を有する場合、陽イオン性遷移金属錯体の数ｑは、陽イオン性遷移金属錯体上の電荷（ｍまたはｘ）および陰イオン種の電荷（ｃ）と、ｑ＝ｍ（またはｘ）と｜ａ｜の最大公約数で除した｜ａ｜という関係によって関係づけることができる。一部の実施形態において遷移金属前駆体が式［（ＭＢＬｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２を有する場合、陰イオン種の数ｍ２は、陽イオン性遷移金属錯体上の電荷（ｍまたはｘ）、および陰イオン種の電荷ｃとｍ２＝ｍと｜ａ｜の最大公約数で除したｍという関係によって関係づけることができる。一実施形態において、式［（ＭＢＬｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２を有する遷移金属前駆体は、陽イオン性遷移金属錯体を有する一般的な遷移金属前駆体を包含することができ、式中、ｍは、ｍ＞０かつｍ＝ｘである、本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲を有することができる。ｍの値に関係なく、式［（ＭＢＬｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２を有する遷移金属前駆体中の中性配位子の数（ｌ）は、本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲であってもよい。式［（ＭＢＬｌ）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２を有する一般的および具体的な遷移金属前駆体は、本開示の態様および実施形態を用いて記載することができる。これらの一般的および具体的な遷移金属前駆体は容易に明らかであり、企図される。
【０２０２】
非限定的な実施形態において、遷移金属前駆体［（Ｖ（ＮＨ３）６）３＋］ｑ［Ａａ］ｍ２、［（Ｖ（ＮＨ３）６）２＋］ｑ［Ａａ］ｍ２、［（Ｃｒ（ＮＨ３）６）３＋］ｑ［Ａａ］ｍ２、［（Ｃｒ（ＮＨ３）６）２＋］ｑ［Ａａ］ｍ２、［（Ｃｏ（ＮＨ３）６）２＋］ｑ［Ａａ］ｍ２または［（Ｃｏ（ＮＨ３）６）３＋］ｑ［Ａａ］ｍ２であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。幾つかの非限定的な実施形態において、遷移金属前駆体は、［（Ｖ（ＮＨ３）６）３＋］ｑ［Ａａ］ｍ２もしくは［（Ｖ（ＮＨ３）６）２＋］ｑ［Ａａ］ｍ２；代替として、［（Ｃｒ（ＮＨ３）６）３＋］ｑ［Ａａ］ｍ２もしくは［（Ｃｒ（ＮＨ３）６）２＋］ｑ［Ａａ］ｍ２；代替として、［（Ｃｏ（ＮＨ３）６）２＋］ｑ［Ａａ］ｍ２もしくは［（Ｃｏ（ＮＨ３）６）３＋］ｑ［Ａａ］ｍ２；代替として、［（Ｖ（ＮＨ３）６）３＋］ｑ［Ａａ］ｍ２；代替として、［（Ｖ（ＮＨ３）６）２＋］ｑ［Ａａ］ｍ２；代替として、［（Ｃｒ（ＮＨ３）６）３＋］ｑ［Ａａ］ｍ２；代替として、［（Ｃｒ（ＮＨ３）６）２＋］ｑ［Ａａ］ｍ２；代替として、［（Ｃｏ（ＮＨ３）６）２＋］ｑ［Ａａ］ｍ２；または代替として、［（Ｃｏ（ＮＨ３）６）３＋］ｑ［Ａａ］ｍ２であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。これらの非限定的な実施形態において、Ａは本明細書に記載される電荷ａを有する任意の陰イオン種であってもよく、ｑ＝｜ａ｜と遷移金属錯体（ＭＢＬｌ）ｍ上の電荷ｍの最大公約数で除したａ（陰イオン種の電荷）であり、ｍ２は、｜ａ｜と遷移金属錯体（ＭＢＬｌ）ｍ上の電荷ｍの最大公約数で除した遷移金属錯体（ＭＢＬｌ）ｍ上の電荷ｍである。式［（ＭＢＬｌ）ｎ］ｑ２［Ａａ］ｍ２を有する他の一般的および具体的な遷移金属前駆体は、本開示の態様および実施形態を用いて記載することができる。これらの一般的および具体的な遷移金属前駆体は容易に明らかであり、企図される。
【０２０３】
一態様において、遷移金属前駆体は式（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌを有することができる。ｘの酸化状態を有する遷移金属（ＭＢ）、ｘの酸化状態を有する遷移金属の数（ｙ１）、ｙの電荷を有する陰イオン性配位子（Ｘ）、ｙの電荷を有する陰イオン性配位子の数（ｘ１）、中性配位子（Ｌ）、および中性配位子の数（ｌ）は、独立して本明細書に記載される。これらの独立した説明は、式（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌを有する遷移金属前駆体をさらに記載するために、任意の適合する方式および／または組み合わせで使用することができる。遷移金属前駆体が式（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌを有することができる態様において、式（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌは、中性遷移金属錯体（すなわちｍ＝０、ｍ１＝０かつｍ２＝０）である一般的な遷移金属前駆体を包含することができる。遷移金属前駆体が式（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌを有する場合、酸化状態ｘを有する遷移金属原子の数（ｙ１）、および電荷ｙを有する陰イオン性配位子（Ａ）の数は、式ｘ×ｙ１＝｜ｙ×ｘ１｜によって関係づけることができる。一部の実施形態において遷移金属前駆体の遷移金属錯体が式（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌを有する場合、遷移金属の数ｙ１は、遷移金属酸化状態（ｘ）および陰イオン性配位子（Ｘ）の電荷（ｙ）にｙ１＝ｘと｜ｙ｜との最大公約数で除した｜ｙ｜という関係によって、関連づけることができる。一部の実施形態において、遷移金属前駆体の遷移金属錯体が式（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌを有する場合、陰イオン性配位子の数ｘ１は、遷移金属酸化状態（ｘ）および陰イオン性配位子（Ｘ）の電荷（ｙ）にｘ１＝ｘと｜ｙ｜との最大公約数で除したｘという関係によって、関係づけることができる。ｘ１およびｙ１の値に関係なく、式（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌを有する遷移金属前駆体中の中性配位子の数（ｌ）は、本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲であってもよい。式（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌを有する一般的および具体的な遷移金属前駆体は、本開示の態様および実施形態を用いて記載することができる。これらの一般的および具体的な遷移金属前駆体は容易に明らかであり、企図される。
【０２０４】
各Ｘがモノ陰イオン性配位子である場合、式（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌを有する遷移金属前駆体はモノ陰イオン性配位子であり、遷移金属前駆体は式ＭＢＸｘＬｌを有することができる。ｘの値に関係なく、式ＭＢＸｘＬｌを有する遷移金属前駆体中の中性配位子の数（ｌ）は、本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲を有することができる式ＭＢＸｘＬｌを有する一般的および具体的な遷移金属前駆体は、本開示の態様および実施形態を用いて記載することができる。これらの一般的および具体的な遷移金属前駆体は容易に明らかであり、企図される。
【０２０５】
非限定的な実施形態において、本明細書に開示される任意の態様または任意の実施形態において使用することができる遷移金属前駆体（または遷移金属錯体）は、ＴｉＣｌ３（ＴＨＦ）３、ＴｉＣｌ３（ＮＣＭｅ）３、ＴｉＣｌ３（ＮＭｅ３）３、ＶＣｌ３（ＴＨＦ）３、ＶＣｌ３（ＳＭｅ２）２、ＮｂＣｌ３（テトラヒドロチオフェン）３、ＣｒＣｌ３（ＮＭｅ３）２、ＣｒＣｌ３（ピリジン）３、ＣｒＣｌ３（ＴＨＦ）３、ＭｎＩ３（ＰＭｅ３）２またはＦｅＣｌ３（ＰＥｔ３）２であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一部の実施形態において、本明細書に開示される任意の態様または任意の実施形態において使用することができる遷移金属前駆体（または遷移金属錯体）は、ＴｉＣｌ３（ＴＨＦ）３、ＴｉＣｌ３（ＮＣＭｅ）３またはＴｉＣｌ３（ＮＭｅ３）３；代替として、ＶＣｌ３（ＴＨＦ）３またはＶＣｌ３（ＳＭｅ２）２；代替として、ＣｒＣｌ３（ＮＭｅ３）２、ＣｒＣｌ３（ピリジン）３またはＣｒＣｌ３（ＴＨＦ）３；代替として、ＴｉＣｌ３（ＴＨＦ）３、ＶＣｌ３（ＴＨＦ）３、ＣｒＣｌ３（ＮＭｅ３）２、ＣｒＣｌ３（ピリジン）３またはＣｒＣｌ３（ＴＨＦ）３であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。他の非限定的な実施形態において、本明細書に開示される任意の態様または任意の実施形態において使用することができる遷移金属前駆体（または遷移金属錯体）は、ＴｉＣｌ３（ＴＨＦ）３；代替として、ＴｉＣｌ３（ＮＣＭｅ）３；代替として、ＴｉＣｌ３（ＮＭｅ３）３；代替として、ＶＣｌ３（ＴＨＦ）３；代替として、ＶＣｌ３（ＳＭｅ２）２；代替として、ＮｂＣｌ３（テトラヒドロチオフェン）３；代替として、ＣｒＣｌ３（ＮＭｅ３）２；代替として、ＣｒＣｌ３（ピリジン）３；代替として、ＣｒＣｌ３（ＴＨＦ）３；代替として、ＭｎＩ３（ＰＭｅ３）２；または代替として、ＦｅＣｌ３（ＰＥｔ３）２であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。別の実施形態において、本明細書に開示される任意の態様または任意の実施形態において使用することができる遷移金属前駆体（または遷移金属錯体）は、中性クロム（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロフラン錯体、中性クロム（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体、または中性クロム（ＩＩＩ）ハライドピリジン錯体；代替として、中性クロム（ＩＩＩ）ハライドテトラヒドロフラン錯体；代替として、中性クロム（ＩＩＩ）ハライドトリヒドロカルビルアミン錯体；または代替として、中性クロム（ＩＩＩ）ハライドピリジン錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。式（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１Ｌｌおよび／または式ＭＢＸｘＬｌを有する他の一般的および具体的な遷移金属前駆体は、本開示の態様および実施形態を用いて記載することができる。これらの一般的および具体的な遷移金属前駆体は容易に明らかであり、企図される。
【０２０６】
一態様において、遷移金属前駆体は式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２を有することができる。ｘの酸化状態を有する遷移金属（ＭＢ）、ｘの酸化状態を有する遷移金属の数（ｙ１）、ｙの電荷を有する陰イオン性配位子（Ｘ）、ｙの電荷を有する陰イオン性配位子の数（ｘ１）、遷移金属錯体（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ上の電荷（ｍ）、遷移金属錯体（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍの数（ｑ）、電荷ｃを有する陽イオン性種（Ｃ）、電荷ｃを有する陽イオン種の数（ｍ１）、電荷ａを有する陰イオン性種（Ａ）、および電荷ａを有する陰イオン種の数（ｍ２）は、独立して本明細書に記載される。これらの独立した説明は、式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２を有する遷移金属前駆体をさらに記載するために、任意の適合する方式および／または組み合わせで使用することができる。遷移金属前駆体が式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２を有することができる態様において、式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２は、陰イオン性遷移金属錯体（すなわち、ｍは、ｍ＜０の、本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲を有し、ｍ１は、ｍ１＞０かつｍ２＝０である、本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲を有する）を有する、陽イオン性遷移金属錯体（すなわちｍは、ｍ＞０、ｍ１＝０の、本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲を有し、ｍ２は、ｍ２＞０の、本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲を有する）を有する、および／または中性遷移金属前駆体（すなわち、ｍ＝０、ｍ１＝０かつｍ２＝０）を有する、一般的な遷移金属前駆体を包含することができる。式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２を有する一般的および具体的な遷移金属前駆体は、本開示の態様および実施形態を用いて記載することができる。これらの一般的および具体的な遷移金属前駆体は容易に明らかであり、企図される。
【０２０７】
式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２を有する遷移金属前駆体の各Ｘがモノ陰イオン性配位子である場合、遷移金属前駆体は式［（ＭＢＸｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２を有することができる。遷移金属前駆体が式［（ＭＢＸｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２を有することができる態様において、式［（ＭＢＸｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２は、陰イオン性遷移金属錯体（すなわち、ｍは、ｍ＜０の、本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲を有し、ｍ１は、ｍ１＞の、本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲を有し、ｍ２＝０である）を有する、陽イオン性遷移金属錯体（すなわちｍは、式中、ｍ＞０の、本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲を有し、ｍ１＝０であり、ｍ２は、ｍ２＞０の、本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲を有する）を有する、および／または中性遷移金属前駆体（すなわち、ｍ＝０、ｍ１＝０かつｍ２＝０）を有する一般的な遷移金属前駆体を包含することができる。式［（ＭＢＸｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２を有する一般的および具体的な遷移金属前駆体は、本開示の態様および実施形態を用いて記載することができる。これらの一般的および具体的な遷移金属前駆体は容易に明らかであり、企図される。非限定的な実施形態において、式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２または式［（ＭＢＸｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２を有する遷移金属前駆体は、陰イオン性遷移金属錯体と、陽イオン種と、陰イオン種との間に関係を有する陰イオン性遷移金属錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよく、式中、ｍは、ｍ＜０の、本明細書に開示される任意の値（または値の範囲）を有することができ、ｑおよびｃは、独立してｑ＝ｃと｜ｍ｜との最大公約数で除したｃである、本明細書に開示される任意の値（または値の範囲）を有することができ、ｍ１は、本明細書に開示される任意の値（または値の範囲）を有することができるｍ１＝ｃと｜ｍ｜の最大公約数で除した｜ｍ｜であり、ｍ２＝０である。別の非限定的な実施形態において、式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２または式［（ＭＢＸｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２を有する遷移金属前駆体は、陰イオン性遷移金属錯体と、陽イオン種と、陰イオン種との間に関係を有する中性遷移金属錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよく、式中、ｍ＝０、ｍ１＝０かつｍ２＝０である。また別の非限定的な実施形態において、式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２または式［（ＭＢＸｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１［Ａａ］ｍ２を有する遷移金属前駆体が、陽イオン性遷移金属錯体と、陽イオン種と、陰イオン種との間に関係を有する陽イオン性遷移金属錯体であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよく、式中、ｍは、ｍ＞０の、本明細書に開示される任意の値（または値の範囲）を有することができ、ｑおよびａは、独立してｑ＝ｍと｜ａ｜の最大公約数で除した｜ａ｜である、本明細書に開示される任意の値（または値の範囲）を有することができ、ｍ１＝０であり、ｍ２は、ｍ２＝ｍと｜ａ｜との最大公約数で除したｍである、本明細書に開示される任意の値（または値の範囲）を有することができる。
【０２０８】
一態様において、遷移金属前駆体は式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１を有することができる。ｘの酸化状態を有する遷移金属（ＭＢ）、ｘの酸化状態を有する遷移金属の数（ｙ１）、ｙの電荷を有する陰イオン性配位子（Ｘ）、ｙの電荷を有する陰イオン性配位子の数（ｘ１）、遷移金属錯体（ＭＢ）（ｙ１Ｘｘ１）ｍ上の電荷（ｍ）、遷移金属錯体（ＭＢ）（ｙ１Ｘｘ１）ｍの数（ｑ）、電荷ｃを有する陽イオン種（Ｃ）、および電荷ｃを有する陰イオン種の数（ｍ１）は、独立して本明細書に記載される。これらの独立した説明は、式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１を有する遷移金属前駆体をさらに記載するために、任意の適合する方式および／または組み合わせで使用することができる。この態様において、式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１は、陰イオン性遷移金属錯体（すなわちｍは、ｍ＜０の、本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲を有し、ｍ１は、ｍ１＞０の、本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲を有する）を有する一般的な遷移金属前駆体を包含することができる。一実施形態において、式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１を有する遷移金属前駆体は、陰イオン性遷移金属錯体と陽イオン種との間に関係を有する陰イオン性遷移金属錯体を有する一般的な遷移金属前駆体を包含することができ、式中、ｍは、ｍ＜０の、本明細書に開示される任意の値（または値の範囲）を有することができ、ｑおよびｃは、独立してｑ＝ｃと｜ｍ｜との最大公約数で除したｃである、本明細書に開示される任意の値（または値の範囲）を有することができ、ｍ１は、ｍ１＝ｃと｜ｍ｜の最大公約数で除した｜ｍ｜である、本明細書に開示される任意の値（または値の範囲）を有することができる。一実施形態において、式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１を有する遷移金属前駆体は、陰イオン性遷移金属錯体を有する一般的な遷移金属前駆体を包含することができ、式中、ｍは、ｍ＜０かつｍ＝（ｘ×ｙ１）＋（ｙ×ｘ１）である、本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲を有することができる。条件ｍ＜０かつｍ＝（ｘ×ｙ１）＋（ｙ×ｘ１）の結果として、ｘ１は、式ｘ１＞（ｘ×ｙ１）／｜ｙ｜（本明細書に開示されるｘ、ｙ１およびｙの任意の値を用いて）を満たす任意の正の整数であってもよく、および／または、ｙ１は正の整数であってもよく、式ｙ１×（｜ｙ｜×ｘ１）／ｘ（本明細書に開示されるｘ、ｘ１およびｙの任意の値を用いて）を満たす。一部の実施形態において、ｘ１は、式ｘ１＞（ｘ×ｙ１）／｜ｙ｜（本明細書に開示されるｘ、ｙ１およびｙの任意の値を用いて）を満たす最小の正の整数から、式ｘ１＞（ｘ×ｙ１）／｜ｙ｜（本明細書に開示されるｘ、ｙ１およびｙの任意の値を用いて）を満たす最小の正の整数より大きい本明細書において与えられるｘ１の任意の値までの範囲であってもよい。一部の実施形態において、ｙ１は、本明細書に開示されるｙ１の任意の値から、式ｙ１×（｜ｙ｜×ｘ１）／ｘ（本明細書に開示されるｘ、ｘ１およびｙの任意の値を用いて）を満たす任意の正の整数までの範囲であってもよい。式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１を有する一��的および具体的な遷移金属前駆体は、本開示の態様および実施形態を用いて記載することができる。これらの一般的および具体的な遷移金属前駆体は容易に明らかでり、企図される。
【０２０９】
式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１を有する遷移金属前駆体の各Ｘがモノ陰イオン性配位子である場合、遷移金属前駆体は式［（ＭＢＸｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１を有することができる。遷移金属前駆体が式［（ＭＢＸｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１（式中、Ｘは各モノ陰イオン性配位子である）を有することができる態様において、式［（ＭＢＸｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１は、陰イオン性遷移金属錯体（すなわちｍは、ｍ＜０の、本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲を有し、ｍ１は、ｍ１＞０の、本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲を有する）を有する一般的な遷移金属前駆体を包含することができる。遷移金属前駆体が式［（ＭＢＸｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１（式中、Ｘは各モノ陰イオン性配位子である）を有することができる態様において、式［（ＭＢＸｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１は、陰イオン性遷移金属錯体と陽イオン種との間に関係を有する陰イオン性遷移金属錯体を有する一般的な遷移金属前駆体を包含することができ、式中、ｍは、ｍ＜０の、本明細書に開示される任意の値（または値の範囲）を有することができ、ｑおよびｃは、独立してｑ＝ｃと｜ｍ｜の最大公約数で除したｃである、本明細書に開示される任意の値（または値の範囲）を有することができ、ｍ１は、ｍ１＝ｃと｜ｍ｜の最大公約数で除した｜ｍ｜である、本明細書に開示される任意の値（または値の範囲）を有することができる。一実施形態において、式［（ＭＢＸｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１（式中、各Ｘはモノ陰イオン性配位子である）を有する遷移金属前駆体は、陰イオン性遷移金属錯体を有する一般的な遷移金属前駆体を包含することができ、式中、ｍは、ｍ＜０かつｍ＝ｘ−ｘ１である、本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲であってもよい。．条件ｍ＜０かつｍ＝ｘ−ｘ１の結果として、ｘ１は、式ｘ１＞ｘ（本明細書に開示されるｘの任意の値を用いて）を満たす、本明細書に開示される任意の正の整数であってもよい。一部の実施形態において、ｘ１は、式ｘ１＞ｘ（本明細書に開示されるｘの任意の値を用いて）を満たす最小の正の整数から、式ｘ１＞ｘ（本明細書に開示されるｘの任意の値を用いて）を満たす最小の正の整数より大きい、本明細書において与えられるｘ１の任意の値までの範囲であってもよい。式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ｃｃ］ｍ１（式中、各Ｘはモノ陰イオン性配位子である）を有する一般的および具体的な遷移金属前駆体は、本開示の態様および実施形態を用いて記載することができる。これらの一般的および具体的な遷移金属前駆体は容易に明らかであり、企図される。
【０２１０】
非限定的な実施形態において、本明細書に開示される任意の態様または任意の実施形態において使用することができる遷移金属前駆体は、［Ｃｃ］ｍ１［（Ｔｉ（ＣＮ）６）３−］ｑ１、［Ｃｃ］ｍ１［（ＶＣｌ４）１−］ｑ１、［Ｃｃ］ｍ１［（ＣｒＣｌ４）１−］ｑ１、［Ｃｃ］ｍ１［（Ｃｒ（ＣＮ）６）３−］ｑ１、［Ｃｃ］ｍ１［（ＭｎＣｌ５）２−］ｑ１、［Ｃｃ］ｍ１［（ＭｎＦ４）１−］ｑ１、［Ｃｃ］ｍ１［（ＭｎＦ５）２−］ｑ１、［Ｃｃ］ｍ１［（ＭｎＦ６）３−］ｑ１、［Ｃｃ］ｍ１［（ＦｅＦ６）３−］ｑ１、［Ｃｃ］ｍ１［（ＦｅＣｌ４）１−］ｑ１、［Ｃｃ］ｍ１［（ＦｅＣｌ５）２−］ｑ１、［Ｃｃ］ｍ１［（ＦｅＩ４）１−］ｑ１、［Ｃｃ］ｍ１［（Ｃｏ（ＣＮ）６）３−］ｑ１もしくは［Ｃｃ］ｍ１［（ＣｏＦ６）３−］ｑ１；代替として、［Ｃｃ］ｍ１［（ＣｒＣｌ４）１−］ｑ１もしくは［Ｃｃ］ｍ１［（Ｃｒ（ＣＮ）６）３−］ｑ１；代替として、［Ｃｃ］ｍ１［（ＭｎＣｌ５）２−］ｑ１、［Ｃｃ］ｍ１［（ＭｎＦ４）１−］ｑ１、［Ｃｃ］ｍ１［（ＭｎＦ５）２−］ｑ１もしくは［Ｃｃ］ｍ１［（ＭｎＦ６）３−］ｑ１；代替として、［Ｃｃ］ｍ１［（ＦｅＦ６）３−］ｑ１、［Ｃｃ］ｍ１［（ＦｅＣｌ４）１−］ｑ１、［Ｃｃ］ｍ１［（ＦｅＣｌ５）２−］ｑ１もしくは［Ｃｃ］ｍ１［（ＦｅＩ４）１−］ｑ１；または代替として、［Ｃｃ］ｍ１［（Ｃｏ（ＣＮ）６）３−］ｑ１もしくは［Ｃｃ］ｍ１［（ＣｏＦ６）３−］ｑであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。他の非限定的な実施形態において、本明細書に開示される任意の態様または任意の実施形態において使用することができる遷移金属前駆体は、［Ｃｃ］ｍ１［（Ｔｉ（ＣＮ）６）３−］ｑ１；代替として、［Ｃｃ］ｍ１［（ＶＣｌ４）１−］ｑ１；代替として、［Ｃｃ］ｍ１［（ＣｒＣｌ４）１−］ｑ１；代替として、［Ｃｃ］ｍ１［（Ｃｒ（ＣＮ）６）３−］ｑ１；代替として、［Ｃｃ］ｍ１［（ＭｎＣｌ５）２−］ｑ１；代替として、［Ｃｃ］ｍ１［（ＭｎＦ４）１−］ｑ１；代替として、［Ｃｃ］ｍ１［（ＭｎＦ５）２−］ｑ１；代替として、［Ｃｃ］ｍ１［（ＭｎＦ６）３−］ｑ１；代替として、［Ｃｃ］ｍ１［（ＦｅＦ６）３−］ｑ１；代替として、［Ｃｃ］ｍ１［（ＦｅＣｌ４）１−］ｑ１；代替として、［Ｃｃ］ｍ１［（ＦｅＣｌ５）２−］ｑ１；代替として、［Ｃｃ］ｍ１［（ＦｅＩ４）１−］ｑ１；代替として、［Ｃｃ］ｍ１［（Ｃｏ（ＣＮ）６）３−］ｑ１；または代替として、［Ｃｃ］ｍ１［（ＣｏＦ６）３−］ｑ１であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。これらの非限定的な実施形態において、Ｃは、本明細書に記載される電荷ｃを有する任意の陽イオン種であってもよく、ｑ＝ｃと｜ｍ｜（陰イオン性遷移金属錯体上の電荷の絶対値）との最大公約数で除したｃであり、ｍ１＝ｃと｜ｍ｜の最大公約数で除した｜ｍ｜である。式［（（ＭＢ）ｘ１Ｘｎ１）ｍ］ｑ１［Ｃｃ］ｍ１または［（ＭＢＸｎ１）ｍ］ｑ１［Ｃｃ］ｍ１を有する他の有用な遷移金属前駆体は、本開示の態様および実施形態を用いて記載することができる。これらの一般的および具体的な遷移金属前駆体は容易に明らかであり、企図される。
【０２１１】
一態様において、遷移金属前駆体は式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２を有することができる。ｘの酸化状態を有する遷移金属（ＭＢ）、ｘの酸化状態を有する遷移金属の数（ｙ１）、ｙの電荷を有する陰イオン性配位子（Ｘ）、ｙの電荷を有する陰イオン性配位子の数（ｘ１）、遷移金属錯体（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ上の電荷（ｍ）、遷移金属錯体（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍの数（ｑ）、電荷ａを有する陰イオン種（Ａ）、および電荷ａを有する陰イオン種の数（ｍ２）は、独立して本明細書に記載される。これらの独立した説明は、式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２を有する遷移金属前駆体をさらに記載するために、任意の適合する方式および／または組み合わせで使用することができる。遷移金属前駆体が式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２を有することができる態様において、式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２は、陽イオン性遷移金属錯体を有する一般的な遷移金属前駆体を包含することができる（すなわちｍは、ｍ＞０の、本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲を有し、およびｍ２、ｍ２＞の、本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲を有する）。一実施形態において、式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２を有する遷移金属前駆体は、陽イオン性遷移金属錯体と陰イオン種との間に関係を有する陽イオン性遷移金属錯体を有する一般的な遷移金属前駆体を包含することができ、式中、ｍは、ｍ＞の、本明細書に開示される任意の値（または値の範囲）を有することができ、ｑおよびａは、独立してｑ＝ｍと｜ａ｜の最大公約数で除した｜ａ｜である、本明細書に開示される任意の値（または値の範囲）を有することができ、およびｍ２は、ｍ２＝ｍと｜ａ｜の最大公約数で除したｍである、本明細書に開示される任意の値（または値の範囲）を有することができる。一実施形態において、式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２を有する遷移金属前駆体は、陽イオン性遷移金属錯体を有する一般的な遷移金属前駆体を包含することができ、式中、ｍは、ｍ＞０およびｍ＝（ｘ×ｙ１）＋（ｙ×ｘ１）である、本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲を有することができる。条件ｍ＞０およびｍ＝（ｘ×ｙ１）＋（ｙ×ｘ１）の結果として、ｘ１は、式ｘ１＜（ｘ×ｙ１）／｜ｙ｜（本明細書に開示されるｘ、ｙ１およびｙの任意の値を用いて）を満たす、本明細書に開示される任意の正の整数であってもよく、および／またはｙ１は、正の整数であってもよく、式ｙ１×（｜ｙ｜×ｘ１）／ｘ（本明細書に開示されるｘ、ｘ１およびｙの任意の値を用いて）を満たす。一部の実施形態において、ｘ１は、０、または式ｘ１＜（ｘ×ｙ１）／｜ｙ｜（本明細書に開示されるｘ、ｙ１およびｙの任意の値を用いて）を満たす値より小さい、本明細書に開示される任意のｘ１値から、式ｘ１＜（ｘ×ｙ１）／｜ｙ｜（本明細書に開示されるｘ、ｙ１およびｙの任意の値を用いて）を満たす、本明細書において与えられるｘ１の任意の値までの範囲であってもよい。一部の実施形態において、ｙ１は、式ｙ１×（｜ｙ｜×ｘ１）／ｘ（本明細書に開示されるｘ、ｘ１およびｙの任意の値を用いて）を満たす、本明細��に開示されるｙ１の任意の値から、式ｙ１×（｜ｙ｜×ｘ１）／ｘ（本明細書に開示されるｘ、ｘ１およびｙの任意の値を用いて）を満たす値より大きい、本明細書に開示される任意の値までの範囲であってもよい。式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２を有する一般的および具体的な遷移金属前駆体は、本開示の態様および実施形態を用いて記載することができる。これらの一般的および具体的な遷移金属前駆体は容易に明らかであり、企図される。
【０２１２】
式［（（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２を有する遷移金属前駆体の各Ｘがモノ陰イオン性配位子である場合、遷移金属前駆体は式［（ＭＢＸｘ１）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２を有することができる。遷移金属前駆体が式［（ＭＢＸｘ１）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２（式中、各Ｘはモノ陰イオン性配位子である）を有することができる態様において、式［（ＭＢＸｘ１）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２は、陽イオン性遷移金属錯体を有する一般的な遷移金属前駆体を包含することができる（すなわち、ｍは、ｍ＞０の、本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲を有し、ｍ２は、ｍ２＞の、本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲を有する）。遷移金属前駆体が式［（ＭＢＸｘ１）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２（式中、各Ｘはモノ陰イオン性配位子である）を有することができる態様において、式［（ＭＢＸｘ１）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２は、陽イオン性遷移金属錯体と陰イオン種のと間に関係を有する陽イオン性遷移金属錯体を有する一般的な遷移金属前駆体を包含することができ、式中、ｍは、ｍ＞０の、本明細書に開示される任意の値（または値の範囲）を有することができ、ｑおよびａは、独立してｑ＝ｍと｜ａ｜の最大公約数で除した｜ａ｜である、本明細書に開示される任意の値（または値の範囲）を有することができ、ｍ２は、ｍ＝ｍと｜ａ｜の最大公約数で除したｍである、本明細書に開示される任意の値（または値の範囲）を有することができる。一実施形態において、式［（ＭＢＸｘ１）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２（式中、各Ｘはモノ陰イオン性配位子である）を有する遷移金属前駆体は、陽イオン性遷移金属錯体を有する一般的な遷移金属前駆体を包含することができ、式中、ｍは、ｍ＞０かつｍ＝ｘ−ｘ１である、本明細書に開示される任意の値または任意の値の範囲を有することができる。条件ｍ＞０かつｍ＝ｘ−ｘ１の結果として、ｘ１は、式ｘ１＜ｘ（本明細書に開示されるｘの任意の値を用いて）を満たす、本明細書に開示される任意の正の整数であってもよい。一部の実施形態において、ｘ１は、０、または式ｘ１＜ｘ（本明細書に開示されるｘの任意の値を用いて）を満たす値より小さい、本明細書に開示される任意のｘ１値から、式ｘ１＜ｘ（本明細書に開示されるｘ、ｙ１およびｙの任意の値を用いて）を満たす、本明細書において与えられるｘ１の任意の値までの範囲であってもよい。式［（ＭＢＸｘ１）ｍ］ｑ［Ａａ］ｍ２（式中、各Ｘはモノ陰イオン性配位子である）を有する一般的および具体的な遷移金属前駆体は、本開示の態様および実施形態を用いて記載することができる。これらの一般的および具体的な遷移金属前駆体は容易に明らかであり、企図される。
【０２１３】
一態様において、遷移金属前駆体は式（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１を有することができる。ｘの酸化状態を有する遷移金属（ＭＢ）、ｘの酸化状態を有する遷移金属の数（ｙ１）、ｙの電荷を有する陰イオン性配位子（Ｘ）、およびｙの電荷を有する陰イオン性配位子の数（ｘ１）は、一般に独立して本明細書に記載される。これらの独立した説明は、式（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１を有する遷移金属前駆体をさらに記載するために、任意の適合する方式および／または組み合わせで使用することができる。遷移金属前駆体が式（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１を有する態様において、式（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１は、中性遷移金属錯体である一般的な遷移金属前駆体を包含することができる（すなわち、ｍ＝０、ｍ１＝０、およびｍ２＝０）。遷移金属前駆体が式（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１を有する場合、酸化状態ｘを有する遷移金属原子の数（ｙ１）および電荷ｙを有する陰イオン性配位子（Ａ）の数は、式ｘ×ｙ１＝｜ｙ×ｘ１｜によって関係づけることができる。一部の実施形態において遷移金属前駆体の遷移金属錯体が式（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１を有する場合、遷移金属の数ｙ１は、遷移金属の酸化状態（ｘ）および陰イオン性配位子（Ｘ）の電荷（ｙ）に、ｙ１＝ｘと｜ｙ｜の最大公約数で除した｜ｙ｜であるという関係によって関係づけることができる。一部の実施形態において、遷移金属前駆体の遷移金属錯体が式（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１を有する場合、陰イオン性配位子の数ｘ１は、遷移金属の酸化状態（ｘ）および陰イオン性配位子（Ｘ）の電荷（ｙ）に、ｘ１＝ｘと｜ｙ｜の最大公約数で除したｘであるという関係によって関連づけることができる。式（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１を有する一般的および具体的な遷移金属前駆体は、本開示の態様および実施形態を用いて記載することができる。これらの一般的および具体的な遷移金属前駆体は容易に明らかであり、企図される。
【０２１４】
式（ＭＢ）ｙ１Ｘｘ１を有する遷移金属前駆体の各Ｘがモノ陰イオン性配位子である場合、遷移金属前駆体は式ＭＢＸｘを有することができる。式ＭＢＸｘを有する一般的および具体的な遷移金属前駆体は、本開示の態様および実施形態を用いて記載することができる。これらの一般的および具体的な遷移金属前駆体は容易に明らかであり、企図される。
【０２１５】
非限定的な実施形態において、本明細書に開示される任意の態様または任意の実施形態において使用することができる遷移金属前駆体（または遷移金属錯体）は、ＴｉＣｌ３、ＴｉＢｒ３、ＴｉＩ３、ＶＣｌ３、ＣｒＦ３、ＣｒＣｌ３、ＣｒＢｒ３、ＣｒＩ３、ＭｎＣｌ３、ＦｅＣｌ３、ＦｅＢｒ３、ＦｅＩ３、ＣｏＦ３またはＣｏＣｌ３であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。幾つかの非限定的な実施形態において、本明細書に開示される任意の態様または任意の実施形態において使用することができる遷移金属前駆体（または遷移金属錯体）は、ＴｉＣｌ３、ＴｉＢｒ３、ＺｒＣｌ３、ＺｒＢｒ３、ＶＣｌ３、ＣｒＦ３、ＣｒＣｌ３、ＣｒＢｒ３もしくはＣｒＩ３；代替として、ＴｉＣｌ３、ＴｉＢｒ３、ＣｒＦ３、ＣｒＣｌ３、ＣｒＢｒ３もしくはＣｒＩ３；代替として、ＣｒＣｌ３もしくはＣｒＢｒ３；または代替として、ＣｒＣｌ３であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。他の非限定的な実施形態において、本明細書に開示される任意の態様または任意の実施形態において使用することができる遷移金属前駆体（または遷移金属錯体）は、ＴｉＣｌ３、ＴｉＢｒ３もしくはＴｉＩ３；代替として、ＶＣｌ３；代替として、ＣｒＦ３、ＣｒＣｌ３、ＣｒＢｒ３もしくはＣｒＩ３；代替として、ＭｎＣｌ３；代替として、ＦｅＣｌ３、ＦｅＢｒ３もしくはＦｅＩ３；または代替として、ＣｏＦ３もしくはＣｏＣｌ３であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一実施形態において、本明細書に開示される任意の態様または任意の実施形態において使用することができる遷移金属前駆体（または遷移金属錯体）は、代替として、ＴｉＢｒ３；代替として、ＴｉＩ３；代替として、ＣｒＦ３；代替として、ＣｒＣｌ３；代替として、ＣｒＢｒ３；代替として、ＣｒＩ３；代替として、ＦｅＣｌ３；代替として、ＦｅＢｒ３；代替として、ＦｅＩ３；代替として、ＣｏＦ３；または代替として、ＣｏＣｌ３であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。さらなる態様によれば、遷移金属ハライド前駆体は、ハロゲン化クロム（ＩＩＩ）であってよく、これを含んでよく、または本質的にこれからなってよい。非限定的な一態様において、遷移金属前駆体は、ＣｒＣｌ３であってよく、これを含んでよく、または本質的にこれからなってよい。式（ＭＢ）ｙ１Ｘｘおよび／または式ＭＢＸｘを有する、他の一般的および具体的な遷移金属前駆体は、本開示の態様および実施形態を用いて記載することができる。これらの一般的および具体的な遷移金属前駆体は容易に明らかであり、企図される。
【０２１６】
一態様において、本明細書に開示される任意の態様または任意の実施形態において使用される遷移金属前駆体は、実質的に無水；または代替として、無水であってもよい。一部の実施形態において、遷移金属前駆体は、１００ｐｐｍ以下；代替として、９０ｐｐｍ以下；代替として、８０ｐｐｍ以下；代替として、７０ｐｐｍ以下；代替として、６０ｐｐｍ以下；代替として、５０ｐｐｍ以下；代替として、４０ｐｐｍ以下；代替として、３０ｐｐｍ以下；代替として、２０ｐｐｍ以下；代替として、１０ｐｐｍ以下；代替として、９ｐｐｍ以下；代替として、８ｐｐｍ以下；代替として、７ｐｐｍ以下；代替として、６ｐｐｍ以下；代替として、５ｐｐｍ以下；代替として、４ｐｐｍ以下；代替として、３ｐｐｍ以下；代替として、２ｐｐｍ以下；または代替として、１ｐｐｍ以下の水含有率を有することができる。一般に、遷移金属前駆体の水含有率は、遷移金属前駆体中の水のｐｐｍ（重量）に基づくことができる。遷移金属前駆体中に存在する水は、遷移金属前駆体の不純物および／または遷移金属前駆体中の格子間水の形態であってもよいことは留意されるべきである。
【０２１７】
一態様において、本明細書に開示される任意の態様または任意の実施形態において使用される遷移金属前駆体は、実質的に酸を含まなくてよい。一部の実施形態において、遷移金属前駆体は、１０００ｐｐｍ以下；代替として、７５０ｐｐｍ以下；代替として、５００ｐｐｍ以下；または代替として、２５０ｐｐｍ以下の酸含有率を有することができる。他の実施形態において、遷移金属前駆体は、１００ｐｐｍ以下；代替として、９０ｐｐｍ以下；代替として、８０ｐｐｍ以下；代替として、７０ｐｐｍ以下；代替として、６０ｐｐｍ以下；代替として、５０ｐｐｍ以下；代替として、４０ｐｐｍ以下；代替として、３０ｐｐｍ以下；代替として、２０ｐｐｍ以下；代替として、１０ｐｐｍ以下；代替として、９ｐｐｍ以下；代替として、８ｐｐｍ以下；代替として、７ｐｐｍ以下；代替として、６ｐｐｍ以下；代替として、５ｐｐｍ以下；代替として、４ｐｐｍ以下；代替として、３ｐｐｍ以下；代替として、２ｐｐｍ以下；または代替として、１ｐｐｍ以下の酸含有率を有することができる。一般に、遷移金属前駆体の酸含有率は、遷移金属前駆体中の酸のｐｐｍ（重量）に基づくことができる。遷移金属前駆体中に存在する酸は、遷移金属前駆体の不純物および／または遷移金属前駆体中の格子間の酸の形態であってもよいことは留意されるべきである。
【０２１８】
本開示の態様によれば、遷移金属カルボン酸塩組成物を作製する方法は、１族または２族金属カルボン酸塩；代替として、１族金属カルボン酸塩；または代替として、２族金属カルボン酸塩を使用することができる。一般に、１族または２族金属カルボン酸塩のカルボン酸塩部分は、ポリカルボン酸塩またはモノカルボン酸塩；代替として、ポリカルボン酸塩；または代替として、モノカルボン酸塩であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０２１９】
一態様において、１族または２族金属カルボン酸塩は、式（ＭＡ）ｐ［（Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃ］ｓを有することができる。式（ＭＡ）ｐ［（Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃ］ｓを有する１族または２族金属カルボン酸塩において、ＭＡは１族または２族金属を表し、ｐは、１族または２族金属カルボン酸塩中の金属原子の数を表し、（Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃ（またこれはカルボン酸塩部分上にａ−１の電荷を有すると示すことができる−すなわち（−Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃ）は、１族または２族金属カルボン酸塩のカルボン酸塩基を表し、ｓは、１族または２族金属カルボン酸塩中のカルボン酸塩基の数を表す。カルボン酸塩基（−Ｏ２Ｃ）ｒＲ１内では、ｒは、カルボン酸塩基中のカルボン酸塩部分の数を表し、Ｒ１は、カルボン酸塩部分を連結する基を表す。一般に、１族または２族金属（ＭＡ）、１族または２族金属原子の数（ｐ）、カルボン酸塩基（−Ｏ２Ｃ）（ｒＲ１ｃ）、カルボン酸塩族の数（ｑ）、カルボン酸塩基中のカルボン酸塩部分の数（ｒ）、およびカルボン酸塩部分を連結する基（Ｒ１ｃ）は、式（ＭＡ）ｐ［（Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃ］ｓを有する１族または２族金属カルボン酸塩の独立した要素であり、独立して本明細書に記載される。これらの独立した説明は、式（ＭＡ）ｐ［（Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃ］ｓを有する１族または２族金属カルボン酸塩を記載するために任意の組み合わせにおいて使用することができる。
【０２２０】
一態様において、１族または２族金属カルボン酸塩は式ＭＡ（Ｏ２ＣＲ２ｃ）ｓを有することができる。式ＭＡ（Ｏ２ＣＲ２ｃ）ｓを有する１族または２族金属カルボン酸塩において、ＭＡは１族または２族金属を表し、Ｏ２ＣＲ２ｃ（またこれはカルボン酸塩部分上にａ−１の電荷を有すると示すことができる−すなわち−Ｏ２Ｃ）ｒＲ２ｃ）はモノカルボン酸塩基を表し、ｓは１族または２族金属の酸化数を表す。一般に、１族または２族金属（ＭＡ）、モノカルボン酸塩基（−Ｏ２ＣＲ２ｃ）、モノカルボン酸塩基の数、およびＲ２ｃは、式ＭＡ（Ｏ２ＣＲ２ｃ）ｓを有する１族または２族金属カルボン酸塩の独立した要素である。これらの独立した説明は、式ＭＡ（Ｏ２ＣＲ２ｃ）ｓを有する１族または２族金属カルボン酸塩を記載するために任意の組み合わせにおいて使用することができる。
【０２２１】
一態様において、本明細書に記載される任意の１族または２族金属カルボン酸塩の１族または２族金属は、１族金属；または代替として、２族金属であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一実施形態において、本明細書に記載される任意の１族金属カルボン酸塩の１族金属は、Ｌｉ、ＮａもしくはＫ；代替として、ＮａもしくはＫ；代替として、Ｌｉ；代替として、Ｎａ；または代替として、Ｋであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一実施形態において、本明細書に記載される任意の２族金属カルボン酸塩の２族金属は、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒもしくはＢａ；代替として、ＣａもしくはＭｇ；代替として、Ｂｅ；代替として、Ｍｇ；代替として、Ｃａ；代替として、Ｓｒ；または代替として、Ｂａであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一般に、１族金属の酸化状態は１であるが、２族金属の酸化状態は２である。
【０２２２】
一態様において、カルボン酸塩基は、Ｃ２−Ｃ２５カルボン酸塩；代替として、Ｃ３−Ｃ２５カルボン酸塩；代替として、Ｃ４−Ｃ２０カルボン酸塩；または代替として、Ｃ５−Ｃ１２カルボン酸塩であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一実施形態において、カルボン酸塩基は、１〜４個のカルボン酸塩部分；代替として、２から４個のカルボン酸塩部分；代替として、２から３個のカルボン酸塩部分を有することができる。一部の実施形態において、カルボン酸塩基は、１個のカルボン酸塩部分のみ；代替として、２個のカルボン酸塩部分のみ；代替として、３個のカルボン酸塩部分のみ；または代替として、４個のカルボン酸塩部分のみを有することができる。
【０２２３】
一態様において、カルボン酸塩基は一般式（−Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃを有することができる。一般に、ｒおよびＲ１ｃは、独立して本明細書に記載され、式（−Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃを有するカルボン酸塩基は、本明細書に記載されるｒおよびＲ１ｃの任意の組み合わせを用いて記載することができる。
【０２２４】
一態様において、式（−Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃを有するカルボン酸塩基のｒは、１〜４の；代替として、２から４の；または代替として、２から３の整数であってもよい。式（−Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃを有するカルボン酸塩基のｒは、１；代替として、２；代替として、３；または代替として、４であってもよい。ｒが１である場合、式（−Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃを有するカルボン酸塩基は、式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するモノカルボン酸塩基と等価であり、式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するモノカルボン酸塩基のＲ２ｃの態様および実施形態は、ｒが１である場合の式（−Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃを有するカルボン酸塩基のＲ１ｃの態様および実施形態として使用することができる。
【０２２５】
ｒが１である実施形態において、Ｒ１ｃはＣ１−Ｃ２４オルガニル基；代替として、Ｃ２−Ｃ２４オルガニル基；代替として、Ｃ３−Ｃ１９オルガニル基；または代替として、Ｃ４−Ｃ１１オルガニル基であってもよい。ｒが２である実施形態において、Ｒ１ｃは結合またはＣ１−Ｃ２３オルガニレン基；代替として、結合；代替として、Ｃ１−Ｃ２３オルガニレン基；代替として、Ｃ３−Ｃ１８オルガニレン基；または代替として、Ｃ４−Ｃ１０オルガニレン基であってもよい。ｒは３である実施形態において、Ｒ１ｃはＣ１−Ｃ２２オルガニック基；代替として、Ｃ２−Ｃ２２オルガニック基；代替として、Ｃ３−Ｃ１７オルガニック基；または代替として、Ｃ４−Ｃ９オルガニック基であってもよい。ｒが４である実施形態において、Ｒ１ｃは、Ｃ２−Ｃ２１オルガニック基；代替として、Ｃ３−Ｃ１６オルガニック基；または代替として、Ｃ４−Ｃ８オルガニック基であってもよい。
【０２２６】
ｒが１である実施形態において、Ｒ１ｃは、不活性官能基からなるＣ１−Ｃ２４オルガニル基；代替として、不活性官能基からなるＣ２−Ｃ２４オルガニル基；代替として、不活性官能基からなるＣ３−Ｃ１９オルガニル基；または代替として、不活性官能基からなるＣ４−Ｃ１１オルガニル基であってもよい。ｒが２である実施形態において、Ｒ１ｃは、結合または不活性官能基からなるＣ１−Ｃ２３オルガニレン基；代替として、結合；代替として、不活性官能基からなるＣ１−Ｃ２３オルガニレン基；代替として、不活性官能基からなるＣ３−Ｃ１８オルガニレン基；または代替として、不活性官能基からなるＣ４−Ｃ１０オルガニレン基であってもよい。ｒが３である実施形態において、Ｒ１ｃは、不活性官能基からなるＣ１−Ｃ２２オルガニック基；代替として、不活性官能基からなるＣ２−Ｃ２２オルガニック基；代替として、不活性官能基からなるＣ３−Ｃ１７オルガニック基；または代替として、不活性官能基からなるＣ４−Ｃ９オルガニック基であってもよい。ｒが４である実施形態において、Ｒ１ｃは、不活性官能基からなるＣ２−Ｃ２１オルガニック基；代替として、不活性官能基からなるＣ３−Ｃ１６オルガニック基；または代替として、不活性官能基からなるＣ４−Ｃ８オルガニック基であってもよい。
【０２２７】
ｒが１である実施形態において、Ｒ１ｃは、ヒドロカルビル基または置換ヒドロカルビル基；代替として、ヒドロカルビル基；または代替として、置換ヒドロカルビル基であってもよい。一般に、Ｒ１ｃとして使用することができるヒドロカルビル基および／または置換ヒドロカルビル基は、Ｒ１ｃとして使用することができる任意のオルガニル基と同数の炭素原子を有することができる。ｒが２である実施形態において、Ｒ１ｃは、結合、ヒドロカルビレン基、または置換ヒドロカルビレン基；代替として、結合；またはヒドロカルビレン基；代替として、結合；または置換ヒドロカルビレン基；代替として、結合；代替として、ヒドロカルビレン基；または代替として、置換ヒドロカルビレン基であってもよい。一般に、Ｒ１ｃとして使用することができるヒドロカルビレン基および／または置換ヒドロカルビレン基は、Ｒ１ｃとして使用することができる任意のオルガニレン基と同数の炭素原子を有することができる。ｒが３である実施形態において、Ｒ１ｃは、炭化水素基または置換炭化水素基；代替として、炭化水素基；または代替として、置換炭化水素基であってもよい。一般に、Ｒ１ｃとして使用することができる炭化水素基および／または置換炭化水素基は、Ｒ１ｃとして使用することができる任意のオルガニック基と同数の炭素原子を有することができる。ｒが４である実施形態において、Ｒ１ｃは、炭化水素基または置換炭化水素基；代替として、炭化水素基；または代替として、置換炭化水素基であってもよい。一般に、Ｒ１ｃとして使用することができる炭化水素基および／または置換炭化水素基は、Ｒ１ｃとして使用することができる任意のオルガニック基と同数の炭素原子を有することができる。一実施形態において、置換ヒドロカルビル基、置換ヒドロカルビレン基および／または置換炭化水素基の各置換基は、独立してハライド、ヒドロカルビル基もしくはヒドロカルボキシ基；代替として、ハライドもしくはヒドロカルビル基；代替として、ハライドもしくはヒドロカルボキシ基；代替として、ヒドロカルビル基もしくはヒドロカルボキシ基；代替として、ハライド；代替として、ヒドロカルビル基；または代替として、ヒドロカルボキシ基であってもよい。ハライド、ヒドロカルビル基およびヒドロカルボキシ基の置換基（非水素置換基または非水素置換の基とも称される）は、独立して本明細書に開示される。これらの置換基は、Ｒ１ｃとして使用することができる任意の置換ヒドロカルビル基、置換ヒドロカルビレン基および／または置換炭化水素基をさらに記載するために限定されずに使用することができる。
【０２２８】
式（−Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃを有するカルボン酸塩基のｒが３および／または４である実施形態において、Ｒ１ｃは、アルカン基、置換アルカン基、アルケン基、置換アルケン基、シクロアルカン基、置換シクロアルカン基、シクロアルケン基、置換シクロアルケン基、アレーン基、置換アレーン基、アラルカン基もしくは置換アラルカン基；または代替として、アルカン基、アルケン基、シクロアルカン基、シクロアルケン基、アレーン基もしくはアラルカン基であってもよい。一部の実施形態において、式（−Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃを有するカルボン酸塩基のＲ１ｃは、アルカン基もしくは置換アルカン基；代替として、アルケン基もしくは置換アルケン基；代替として、シクロアルカン基もしくは置換シクロアルカン基；代替として、シクロアルケン基もしくは置換シクロアルケン基；代替として、アレーン基もしくは置換アレーン基；または代替として、アラルカン基もしくは置換アラルカン基であってもよい。他の実施形態において、式（−Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃを有するカルボン酸塩基のＲ１ｃは、アルカン基；代替として、置換アルカン基；代替として、アルケン基；代替として、置換アルケン基；代替として、シクロアルカン基；代替として、置換シクロアルカン基；代替として、シクロアルケン基；代替として、置換シクロアルケン基；代替として、アレーン基；代替として、置換アレーン基；代替として、アラルカン基；または代替として、置換アラルカン基であってもよい。一般に、アルカン基、置換アルカン基、アルケン、基、置換アルケン基、シクロアルカン基、置換シクロアルカン基、シクロアルケン基、置換シクロアルケン基、アレーン基、置換、アレーン基、アラルカン基または置換アラルカン基は、式（−Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃ［式中、ｒは３および／または４である］を有するカルボン酸塩基のＲ１ｃとして使用することができるオルガニックおよび炭化水素基のために記載されるのと同数の炭素原子を有することができる。
【０２２９】
式（−Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃを有するカルボン酸塩基のｒが３である態様において、ｒは、Ｃ１−Ｃ２２アルカン基（置換および／または非置換の）；代替として、Ｃ２−Ｃ２２アルカン基（置換または非置換）；代替として、Ｃ３−Ｃ１７アルカン基（置換および／または非置換の）；または代替として、Ｃ４−Ｃ９アルカン基（置換および／または非置換の）であってもよい。式（−Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃを有するカルボン酸塩基のｒが４である態様において、Ｒ１ｃは、Ｃ２−Ｃ２１アルカン基（置換および／または非置換の）；代替として、Ｃ３−Ｃ１６アルカン基（置換および／または非置換の）；または代替として、Ｃ４−Ｃ８アルカン基（置換および／または非置換の）であってもよい。式（−Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃを有するカルボン酸塩基のｒが３および／または４である一部の実施形態において、Ｒ１ｃは、エタン基、プロパン基、ブタン基、ペンタン基、ヘキサン基、ヘプタン基、オクタン基、ノナン基、デカン基、ウンデカン基、ドデカン基、トリデカン基、テトラデカン基、ペンタデカン基、ヘキサデカン基、ヘプタデカン基、オクタデカン基またはノナデカン基であってもよい。式（−Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃを有するカルボン酸塩基のｒが３および／または４である他の実施形態において、Ｒ１ｃは、ブタン基、ペンタン基、ヘキサン基、ヘプタン基、オクタン基、ノナン基、デカン基またはウンデカン基であってもよい。式（−Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃを有するカルボン酸塩基のｒが３および／または４である他の実施形態において、Ｒ１ｃは、ブタン基、ペンタン基、ヘキサン基、ヘプタン基またはオクタン基であってもよい。一実施形態において、式−Ｏ２ＣＲ２を有するカルボン酸塩のＲ１ｃとして使用することができるアルカン基（一般的なものまたは特定のもの）のいずれかは置換されていてよい。一実施形態において、Ｒ１ｃとして使用することができる置換アルカン基（一般的なものまたは特定のもの）の各置換基は、独立して、ハライドもしくはヒドロカルボキシ基；代替として、ハライド；または代替として、ヒドロカルボキシ基であってもよい。ハライド置換基およびヒドロカルボキシ置換基は、独立して本明細書に開示され、Ｒ１ｃとして使用することができる置換アルカン基（一般的なものまたは特定のもの）をさらに記載するために限定されずに使用することができる。
【０２３０】
式（−Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃを有するカルボン酸塩基のｒが３である態様において、ｒはＣ１−Ｃ２２アルケン基（置換または非置換）；代替として、Ｃ２−Ｃ２２アルケン基（置換または非置換）；代替として、Ｃ３−Ｃ１７アルケン基（置換または非置換）；または代替として、Ｃ４−Ｃ９アルケン基（置換または非置換）であってもよい。式（−Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃを有するカルボン酸塩基のｒが４である態様において、Ｒ１ｃは、Ｃ２−Ｃ２１アルケン基（置換または非置換）；代替として、Ｃ３−Ｃ１６アルケン基（置換または非置換）；または代替として、Ｃ４−Ｃ８アルカン基（置換または非置換）であってもよい。式（Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃを有するカルボン酸塩基のｒが３および／または４である他の実施形態において、Ｒ１ｃは、ブテン基、ペンテン基、ヘキセン基、ヘプテン基、オクテン基、ノネン基、デセン基またはウンデケン基であってもよい。式（−Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃを有するカルボン酸塩基のｒが３および／または４であってもよい他の実施形態において、Ｒ１ｃは、ブテン基、ペンテン基、ヘキセン基、ヘプテン基またはオクテン基であってもよい。一実施形態において、Ｒ１ｃとして使用することができる置換アルケン基の各置換基は、独立して、ハライドもしくはヒドロカルボキシ基；代替として、ハライド；または代替として、ヒドロカルボキシ基であってもよい。ハライド置換基およびヒドロカルボキシ置換基は、独立して本明細書に開示され、Ｒ１ｃとして使用することができる置換アルケン基をさらに記載するために限定されずに使用することができる。
【０２３１】
式（−Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃを有するカルボン酸塩基のｒが３および／または４である態様において、Ｒ１ｃは、Ｃ３−Ｃ２１シクロアルカン基（置換または非置換）；代替として、Ｃ５−Ｃ１６シクロアルカン基（置換または非置換）；または代替として、Ｃ５−Ｃ１０シクロアルカン基（置換または非置換）であってもよい。式（−Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃを有するカルボン酸塩基のｒが３および／または４である実施形態において、Ｒ１ｃは、シクロペンタン基、置換シクロペンタン基、シクロヘキサン基、置換シクロヘキサン基、シクロヘプタン基もしくは置換シクロヘプタン基；代替として、シクロペンタン基、置換シクロペンタン基、シクロヘキサン基もしくは置換シクロヘキサン基；代替として、シクロペンタン基もしくは置換シクロペンタン基；または代替として、シクロヘキサン基もしくは置換シクロヘキサン基であってもよい。式（−Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃを有するカルボン酸塩基のｒが３および／または４であってもよい一部の実施形態において、Ｒ１ｃは、シクロペンタン基またはシクロヘキサン基であってもよい。式（−Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃを有するカルボン酸塩基のｒが３および／または４であるまた他の実施形態において、Ｒ１ｃは、シクロペンタン基；代替として、置換シクロペンタン基；代替として、シクロヘキサン基；または代替として、置換シクロヘキサン基であってもよい。一実施形態において、Ｒ１ｃとして使用することができる置換シクロアルカン基（一般的なものまたは特定のもの）の各置換基は、独立してハライド、ヒドロカルビル基もしくはヒドロカルボキシ基；代替として、ハライドもしくはヒドロカルビル基；代替として、ハライドもしくはヒドロカルボキシ基；代替として、ヒドロカルビル基もしくはヒドロカルボキシ基；代替として、ハライド；代替として、ヒドロカルビル基；または代替として、ヒドロカルボキシ基であってもよい。
【０２３２】
式（−Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃを有するカルボン酸塩基のｒが３および／または４である態様において、Ｒ１ｃは、Ｃ３−Ｃ２１シクロアルケン基（置換または非置換）；代替として、Ｃ５−Ｃ１６シクロアルケン基（置換または非置換）；または代替として、Ｃ５−Ｃ１０シクロアルケン基（置換または非置換）であってもよい。式（−Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃを有するカルボン酸塩基のｒが３および／または４である実施形態において、Ｒ１ｃは、シクロペンテン基、置換シクロペンテン基、シクロヘキセン基、置換シクロヘキセン基、シクロヘプテン基もしくは置換シクロヘプテン基；代替として、シクロペンテン基、置換シクロペンテン基、シクロヘキセン基もしくは置換シクロヘキセン基；代替として、シクロペンテン基もしくは置換シクロペンテン基；または代替として、シクロヘキセン基もしくは置換シクロヘキセン基であってもよい。式（Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃを有するカルボン酸塩基のｒが３および／または４である一部の実施形態において、Ｒ１ｃは、シクロペンテン基またはシクロヘキセン基であってもよい。式（−Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃを有するカルボン酸塩基のｒが３および／または４であるまた他の実施形態においてＲ１ｃは、シクロペンテン基；代替として、置換シクロペンテン基；代替として、シクロヘキセン基；または代替として、置換シクロヘキセン基であってもよい。一実施形態において、Ｒ１ｃとして使用することができる置換シクロアルケン基（一般的なものまたは特定のもの）の各置換基は、独立してハライド、ヒドロカルビル基もしくはヒドロカルボキシ基；代替として、ハライドもしくはヒドロカルビル基；代替として、ハライドもしくはヒドロカルボキシ基；代替として、ヒドロカルビル基もしくはヒドロカルボキシ基；代替として、ハライド；代替として、ヒドロカルビル基；または代替として、ヒドロカルボキシ基であってもよい。
【０２３３】
式（−Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃを有するカルボン酸塩基のｒが３および／または４である態様において、Ｒ１ｃは、Ｃ６−Ｃ２１ベンゼン基（置換または非置換）、またはＣ１０−Ｃ２１ナフタレン基（置換または非置換）；代替として、Ｃ６−Ｃ２１ベンゼン基（置換または非置換）；または代替として、Ｃ１０−Ｃ２１ナフタレン基（置換または非置換）であってもよい。式（−Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃを有するカルボン酸塩基のｒが３および／または４である別の態様において、Ｒ１ｃは、Ｃ６−Ｃ１６ベンゼン基（置換または非置換）、またはＣ１０−Ｃ１６ナフタレン基（置換または非置換）；代替として、Ｃ６−Ｃ１６ベンゼン基（置換または非置換）；または代替として、Ｃ１０−Ｃ１６ナフタレン基（置換または非置換）であってもよい。式（−Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃを有するカルボン酸塩基のｒが３および／または４である別の態様において、Ｒ１ｃは、Ｃ６Ｃ１０ベンゼン基（置換または非置換）であってもよい。一実施形態において、Ｒ１ｃとして使用することができる置換ベンゼン基（一般的なものまたは特定のもの）または置換ナフタレンの各置換基は、独立してハライド、ヒドロカルビル基もしくはヒドロカルボキシ基；代替として、ハライドもしくはヒドロカルビル基；代替として、ハライドもしくはヒドロカルボキシ基；代替として、ヒドロカルビル基もしくはヒドロカルボキシ基；代替として、ハライド；代替として、ヒドロカルビル基；または代替として、ヒドロカルボキシ基であってもよい。
【０２３４】
式（−Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃを有するカルボン酸塩基のｒが３および／または４である態様において、Ｒ１ｃは、Ｃ７−Ｃ２１フェニルメタン基（置換または非置換）；代替として、Ｃ７−Ｃ１６フェニルメタン基（置換または非置換）；代替として、Ｃ７−Ｃ１０フェニルメタン基（置換または非置換）であってもよい。一実施形態において、Ｒ１ｃとして使用することができる置換フェニルメタン基（一般的なものまたは特定のもの）の各置換基は、独立してハライド、ヒドロカルビル基もしくはヒドロカルボキシ基；代替として、ハライドもしくはヒドロカルビル基；代替として、ハライドもしくはヒドロカルボキシ基；代替として、ヒドロカルビル基もしくはヒドロカルボキシ基；代替として、ハライド；代替として、ヒドロカルビル基；または代替として、ヒドロカルボキシ基であってもよい。
【０２３５】
ハライド、ヒドロカルビル基の置換基、およびヒドロカルボキシ基の置換基（非水素置換基または非水素置換の基とも称される）は、独立して本明細書に開示される。これらの置換基は、本明細書に記載される式（Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃを有するカルボン酸塩基のＲ１ｃとして使用することができる任意の置換炭化水素基（一般的なものまたは特定のもの）、置換アルカン基（一般的なものまたは特定のもの）、置換アルケン基（一般的なものまたは特定のもの）、置換シクロアルカン基（一般的なものまたは特定のもの）、置換シクロアルケン基（一般的なものまたは特定のもの）、置換アレーン基（一般的なものまたは特定のもの）、置換アラルカン基（一般的なものまたは特定のもの）をさらに記載するために限定されずに使用することができる。
【０２３６】
式（−Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃを有するカルボン酸塩基のｒが２である態様において、式（−Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃを有するカルボン酸塩基のＲ１ｃに関して、任意の一般的または特定のオルガニック基、不活性官能基からなるオルガニック基、炭化水素基、アルカン基、置換アルカン基、アルケン基、置換アルケン基、シクロアルカン基、置換シクロアルカン基、シクロアルケン基、置換シクロアルケン基、アレーン基、置換アレーン基、アラルカン基または置換アラルカン基を、オルガニックのイック（−ｉｃ）炭化水素のオン（−ｏｎ）、一般的または特定のアルカン（アラルカンを含む）のアン（ａｎｅ）、一般的または特定のアルケン（シクロアルケンを含む）の−ｅ、または接尾辞イレン（−ｙｌｅｎｅ）による一般的または特定のアレーンのエン（−ｅｎｅ）に置き換えることにより指すことができる。例えば、ｒが２である場合、一般的なオルガニック基および炭化水素基は、それぞれオルガニレン基およびヒドロカルビレン基になり、一般的なアルカンおよびシクロアルカン基はそれぞれアルキレンおよびシクロアルキレンになり、特定のメタン基およびエタン基はそれぞれメチレン基およびエチレン基になり、一般的なアルケン基はアルケニレン基になり、特定のエテン基はエテニレン基になり、一般的なアレーン基はアリーレン基になり、一般的なアラルカン基はアラルキレン基になる。同様に、式（−Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃを有するカルボン酸塩基のｒが１である態様において、式（−Ｏ２Ｃ）ｒＲ１ｃを有するカルボン酸塩基のＲ１ｃに関して、任意の一般的または特定のオルガニック基、不活性官能基からなるオルガニック基、炭化水素基、アルカン基、置換アルカン基、アルケン基、置換アルケン基、シクロアルカン基、置換シクロアルカン基、シクロアルケン基、置換シクロアルケン基アレーン基、置換アレーン基、アラルカン基または置換アラルカン基を、オルガニックのイック（−ｉｃ）炭化水素のオン（−ｏｎ）、一般的または特定のアルカン（アラルカンを含む）のアン（ａｎｅ）、一般的または特定のアルケン（シクロアルケンを含む）の−ｅ、または接尾辞イル（−ｙｌ）による一般的または特定のアレーンのエン（−ｅｎｅ）に置き換えることにより指すことができる。例えば、ｒが１である場合、一般的なオルガニック基および炭化水素基は（それぞれ）オルガニレン基およびヒドロカルビレン基になり、一般的なアルカンおよびシクロアルカン基は（それぞれ）アルキルおよびシクロアルキルになり、特定のメタン基およびエタン基は（それぞれ）メチル基およびエチル基になり、一般的なアルケン基はアルケニル基になり、特定のエテン基はエテニル基になり、一般的なアレーン基はアリール基になり、一般的なアラルカン基はアラルキル基になる。これらの命名規則の他の一般的または特定の基への拡張は、一般的から特定の基への間の慣用名の変更と共に（例えば、とりわけベンゼン基からフェニレン基またはフェニル基へ）容易に明らかになる。
【０２３７】
カルボン酸塩基が複数のカルボン酸塩部分を有する非限定的な実施形態において、各カルボン酸塩基は、シュウ酸塩、マロン酸塩（１，３−プロパンジオアート）、コハク酸塩（１，４−ブタンジオアート）、グルタル酸塩（１，５−ペンタンジオアート）、アジピン酸塩（１，６−ヘキサンジオアート）、ピメリン酸塩（１，７−ヘプタンジオアート）、（１，８−オクタンジオアート）スベリン酸塩、マレイン酸塩、フマル酸塩、アセチレンジカルボン酸塩、フタル酸塩（１，２−ベンゼンジカルボン酸塩）、イソフタル酸塩（１，３−ベンゼンジカルボン酸塩）、テレフタル酸塩（１，４−ベンゼンジカルボン酸塩）、フェニレン二酢酸塩；クエン酸塩もしくはその任意の組み合わせ；代替として、マロン酸塩（１，３−プロパンジオアート）、コハク酸塩（１，４−ブタンジオアート）、グルタル酸塩（１，５−ペンタンジオアート）、アジピン酸塩（１，６−ヘキサンジオアート）、ピメリン酸塩（１，７−ヘプタンジオアート）、スベリン酸塩（１，８−オクタンジオアート）、マレイン酸塩、フマル酸塩、アセチレンジカルボン酸塩、フタル酸塩（１，２−ベンゼンジカルボン酸塩）、イソフタル酸塩（１，３−ベンゼンジカルボン酸塩）、テレフタル酸塩（１，４−ベンゼンジカルボン酸塩）、フェニレン二酢酸塩もしくはその任意の組み合わせ；代替として、マロン酸塩（１，３−プロパンジオアート）、コハク酸塩（１，４−ブタンジオアート）、グルタル酸塩（１，５−ペンタンジオアート）、アジピン酸塩（１，６−ヘキサンジオアート）、ピメリン酸塩（１，７−ヘプタンジオアート）、スベリン酸塩（１，８−オクタンジオアート）もしくはその任意の組み合わせ；代替として、マレイン酸塩、フマル酸塩もしくはその任意の組み合わせ；代替として、アセチレンジカルボン酸塩；代替として、フタル酸塩（１，２−ベンゼンジカルボン酸塩）、イソフタル酸塩（１，３−ベンゼンジカルボン酸塩）、テレフタル酸塩（１，４−ベンゼンジカルボン酸塩）もしくはその任意の組み合わせ；または代替として、フェニレン二酢酸塩であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。カルボン酸塩基が複数のカルボン酸塩部分を有する他の非限定的な実施形態において、各カルボン酸塩基は、シュウ酸塩；代替として、マロン酸塩（１，３−プロパンジオアート）；代替として、コハク酸塩（１，４−ブタンジオアート）；代替として、グルタル酸塩（１，５−ペンタンジオアート）；代替として、アジピン酸塩（１，６−ヘキサンジオアート）；代替として、ピメリン酸塩（１，７−ヘプタンジオアート）；代替として、スベリン酸塩（１，８−オクタンジオアート）；代替として、マレイン酸塩；代替として、フマル酸塩；代替として、アセチレンジカルボン酸塩；代替として、フタル酸塩（１，２−ベンゼンジカルボン酸塩）；代替として、イソフタル酸塩（１，３−ベンゼンジカルボン酸塩）；代替として、テレフタル酸塩（１，４−ベンゼンジカルボン酸塩）；代替として、フェニレン二酢酸塩；または代替として、クエン酸塩であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０２３８】
一態様および任意の実施形態において、カルボン酸塩基は、式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するモノカルボン酸塩であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するカルボン酸塩の実施形態において、Ｒ２ｃは、オルガニル基；代替として、不活性官能基からなるオルガニル；代替として、ヒドロカルビル基または置換ヒドロカルビル基；代替として、ヒドロカルビル基；または代替として、置換ヒドロカルビル基であってもよい。一般に、Ｒ２ｃ（オルガニル、不活性官能基からなるオルガニル、ヒドロカルビル、および／または置換ヒドロカルビルであるかどうかに関わらず）は、Ｃ１−Ｃ２４基；代替として、Ｃ２−Ｃ２４基；代替として、Ｃ３−Ｃ１９基；または代替として、Ｃ４−Ｃ１１基であってもよい。
【０２３９】
一実施形態において、式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するカルボン酸塩のＲ２ｃは、アルキル基、置換アルキル基、アルケニル基、置換アルケニル基、シクロアルキル基、置換シクロアルキル基、シクロアルケニル基、置換シクロアルケニル基、アリール基、置換アリール基、アラルキル基もしくは置換アラルキル基；または代替として、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、アリール基もしくはアラルキル基であってもよい。一部の実施形態において、式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するカルボン酸塩のＲ２ｃは、アルキル基もしくは置換アルキル基；代替として、アルケニル基もしくは置換アルケニル基；代替として、シクロアルキル基もしくは置換シクロアルキル基；代替として、シクロアルケニル基もしくは置換シクロアルケニル基；代替として、アリール基もしくは置換アリール基；または代替として、アラルキル基もしくは置換アラルキルであってもよい。他の実施形態において、式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するカルボン酸塩のＲ２ｃは、アルキル基；代替として、置換アルキル基；代替として、アルケニル基；代替として、置換アルケニル基；代替として、シクロアルキル基；代替として、置換シクロアルキル基；代替として、シクロアルケニル基；代替として、置換シクロアルケニル基；代替として、アリール基；代替として、置換アリール基；代替として、アラルキル基；または代替として、置換アラルキル基であってもよい。一般に、アルキル基、置換アルキル基、アルケニル基、置換アルケニル基、シクロアルキル基、置換シクロアルキル基、シクロアルケニル基、置換シクロアルケニル基、アリール基、置換アリール基、アラルキル基または置換アラルキル基は、オルガニック基、不活性官能基からなるオルガニック基、および式−Ｏ２ＣＲ２を有するカルボン酸塩内のＲ２ｃとして使用することができる炭化水素基（置換または非置換）のために記載されるのと同数の炭素原子を有することができる。
【０２４０】
一実施形態において、式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するカルボン酸塩のＲ２ｃとして使用することができるアルキル基（置換または非置換）は、Ｃ１−Ｃ２４アルキル基（置換または非置換）；代替として、Ｃ２−Ｃ２４アルキル基（置換または非置換）；代替として、Ｃ３−Ｃ１９アルキル基（置換または非置換）；または代替として、Ｃ４−Ｃ１１アルキル基（置換または非置換）であってもよい。一実施形態において、式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するカルボン酸塩のＲ２ｃは、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基またはウンデシル基であってもよい。一部の実施形態において、式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するカルボン酸塩のＲ２ｃは、ブチル基；代替として、ペンチル基；代替として、ヘキシル基；代替として、ヘプチル基；代替として、オクチル基；代替として、ノニル基；代替として、デシル基；または代替として、ウンデシル基であってもよい。一実施形態において、式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するカルボン酸塩のＲ２ｃとして使用することができるアルキル基（一般的なものまたは特定のもの）のいずれかは置換されていてよい。一実施形態において、Ｒ２ｃとして使用することができる置換アルキル基（一般的なものまたは特定のもの）の各置換基は、独立してハライドまたはヒドロカルボキシの基；代替として、ハライド；または代替として、ヒドロカルボキシ基であってもよい。ハライド置換基およびヒドロカルボキシ置換基は、独立して本明細書に開示され、Ｒ２ｃとして使用することができる置換アルキル基（一般的なものまたは特定のもの）をさらに記載するために限定されずに使用することができる。
【０２４１】
一実施形態において、式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するカルボン酸塩のＲ２ｃは、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ペンタ−３−イル基、イソアミル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ヘキサノ−２−イル基、ヘキサン−２−イル基、ヘキサン−３−イル基、２−メチルペンタン−１−イル基、２−エチルブタン−１−イル基、２−メチルペンタン−２−イル基、２，３−ジメチルブタン−１−イル基、２，３−ジメチルブタン−２−イル基、ｎ−ヘプチル基、ヘプタン−２−イル基、ヘプタン−３−イル基、ヘプタン−４−イル基、２−メチルヘキサン−１−イル基、２−エチルペンタン−１−イル基、２−メチルヘキサン−２−イル基、２，３−ジメチルペンタン−１−イル基、２，３−ジメチルペンタン−２−イル基、２，３，３−トリメチルペンタン−１−イル基、２，３，３−トリメチルペンタン−２−イル基、ｎ−オクチル基、オクタン−２−イル基、オクタン−３−イル基、オクタン−４−イル基、２−メチルヘプタン−１−イル基、２−エチルヘキサン−１−イル基、２−メチルヘプタン−２−イル基、ｎ−ノニル基、ノナン−２−イル基、ノナン−３−イル基、ノナン−４−イル基、ノナン−５−イル基、ｎ−デシル基、デカン−２−イル基、デカン−３−イル基、デカン−４−イル基、デカン−５−イル基またはｎ−ウンデシル基であってもよい。他の実施形態において、式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するカルボン酸塩のＲ２ｃは、ｎ−プロピル基；代替として、イソプロピル基；代替として、ｎ−ブチル基；代替として、ｓｅｃ−ブチル基；代替として、ｉｓｏ−ブチル基；代替として、ｔ−ブチル基；代替として、ｎ−ペンチル基；代替として、ペンタ−３−イル基；代替として、イソアミル基；代替として、ネオペンチル基；代替として、ｎ−ヘキシル基；代替として、ヘキサン−２−イル基；代替として、ヘキサン−３−イル基；代替として、２−メチルペンタン−１−イル基；代替として、２−エチルブタン−１−イル基；代替として、２−メチルペンタン−２−イル基；代替として、２，３−ジメチルブタン−１−イル基；代替として、２，３−ジメチルブタン−２−イル基；代替として、ｎ−ヘプチル基；代替として、ヘプタン−２−イル基；代替として、ヘプタン−３−イル基；代替として、ヘプタン−４−イル基；代替として、２−メチルヘキサン−１−イル基；代替として、２−エチルペンタン−１−イル基；代替として、２−メチルヘキサン−２−イル基；代替として、２，３−ジメチルペンタン−１−イル基；代替として、２，３−ジメチルペンタン−２−イル基；代替として、２，３，３−トリメチルペンタン−１−イル基；代替として、２，３，３−トリメチルペンタン−２−イル基；代替として、ｎ−オクチル基；代替として、オクタン−２−イル基；代替として、オクタン−３−イル基；代替として、オクタン−４−イル基；代替として、２−メチルヘプタン−１−イル基；代替として、２−エチルヘキサン−１−イル基；代替として、２−メチルヘプタン−２−イル基；代替として、ｎ−ノニル基；代替として、ノナン−２−イル基；代替として、ノナン−３−イル基；代替として、ノナン−４−イル基；代替として、ノナン−５−イル基；代替として、ｎ−デシル基；代替として、デカン−２−イル基；代替として、デカン−３−イル基；代替として、デカン−４−イル基；または代替として、デカン−５−イル基であってもよい。一実施形態において、式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するカルボン酸塩のＲ２ｃとして使用することができるアルキル基のいずれかは置換されていてもよい。一実施形態において、Ｒ２ｃとして使用することができる置換アルキル基（一般的なものまたは特定のもの）の各置換基は、独立して、ハライドまたはヒドロカルボキシ基；代替として、ハライド；または代替として、ヒドロカルボキシ基であってもよい。ハライド置換基およびヒドロカルボキシ置換基は、独立して本明細書に開示され、Ｒ２ｃとして使用することができる置換アルキル基（一般的なものまたは特定のもの）をさらに記載するために限定されずに使用することができる。
【０２４２】
一実施形態において、式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するカルボン酸塩のＲ２ｃとして使用することができるアルケニル基（置換または非置換）は、Ｃ２−Ｃ２４アルケニル基（置換または非置換）；代替として、Ｃ３−Ｃ１９アルケニル基（置換または非置換）；または代替として、Ｃ４−Ｃ１１アルケニル基（置換または非置換）であってもよい。一実施形態において、式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するカルボン酸塩のＲ２ｃは、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ノネニル基、デセニル基、ウンデケニル基、ドデセニル基、トリデケニル基、テトラデケニル基、ペンタデケニル基、ヘキサデケニル基、ヘプタデケニル基、オクタデケニル基またはノナデケニル基；代替として、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ノネニル基、デセニル基またはウンデケニル基であってもよい。一部の実施形態において、式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するカルボン酸塩のＲ２ｃは、エテニル基；代替として、プロペニル基；代替として、ブテニル基；代替として、ペンテニル基；代替として、ヘキセニル基；代替として、ヘプテニル基；代替として、オクテニル基；代替として、ノネニル基；代替として、デセニル基；または代替として、ウンデケニル基であってもよい。一実施形態において、式Ｏ２ＣＲ２ｃを有するカルボン酸塩のＲ２ｃとして使用することができるアルケニル基（一般的なものまたは特定のもの）のいずれか置換されていてよい。一実施形態において、Ｒ２ｃとして使用することができる置換アルケニル基（一般的なものまたは特定のもの）の各置換基は、独立してハライドまたはヒドロカルボキシ基；代替として、ハライド；または代替として、ヒドロカルボキシ基であってもよい。ハライド置換基およびヒドロカルボキシ置換基は、独立して本明細書に開示され、Ｒ２ｃとして使用することができる置換アルケニル基（一般的なものまたは特定のもの）をさらに記載するために限定されずに使用することができる。
【０２４３】
一実施形態において、式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するカルボン酸塩のＲ２ｃとして使用することができるシクロアルキル基（置換または非置換）は、Ｃ３−Ｃ２４シクロアルキル基（置換または非置換）；代替として、Ｃ３Ｃ１９シクロアルキル基（置換または非置換）；または代替として、Ｃ４−Ｃ１１シクロアルキル基（置換または非置換）であってもよい。一実施形態において、式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するカルボン酸塩のＲ２ｃは、シクロペンチル基、置換シクロペンチル基、シクロヘキシル基または置換シクロヘキシル基であってもよい。一部の実施形態において、式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するカルボン酸塩のＲ２ｃは、シクロペンチル基もしくは置換シクロペンチル基；または代替として、シクロヘキシル基もしくは置換シクロヘキシル基であってもよい。一部の実施形態において、式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するカルボン酸塩のＲ２ｃは、シクロペンチル基またはシクロヘキシル基であってもよい。他の実施形態において、式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するカルボン酸塩のＲ２ｃは、シクロペンチル基；代替として、置換シクロペンチル基；代替として、シクロヘキシル基；または代替として、置換シクロヘキシル基であってもよい。一実施形態において、Ｒ２ｃとして使用することができる置換シクロアルキル基（一般的なものまたは特定のもの）の各置換基は、独立してハライド、ヒドロカルビル基もしくはヒドロカルボキシ基；代替として、ハライドもしくはヒドロカルビル基；代替として、ハライドもしくはヒドロカルボキシ基；代替として、ヒドロカルビル基もしくはヒドロカルボキシ基；代替として、ハライド；代替として、ヒドロカルビル基；または代替として、ヒドロカルボキシ基であってもよい。
【０２４４】
一態様において、式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するカルボン酸塩のＲ２ｃとして使用することができるアリール基（置換または非置換）は、Ｃ６−Ｃ２４アリール基（置換または非置換）；代替として、Ｃ６−Ｃ１９アリール基（置換または非置換）；または代替として、Ｃ６−Ｃ１１アリール基（置換または非置換）であってもよい。一実施形態において、式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するカルボン酸塩のＲ２ｃは、フェニル基、置換フェニル基、ナフチル基または置換ナフチル基；または代替として、フェニル基または置換フェニル基；代替として、ナフチル基または置換ナフチル基であってもよい。一部の実施形態において、式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するカルボン酸塩のＲ２ｃは、フェニル基またはナフチル基であってもよい。他の実施形態において、式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するカルボン酸塩のＲ２ｃは、フェニル基；代替として、置換フェニル基；代替として、ナフチル基；または代替として、置換ナフチル基であってもよい。一実施形態において、Ｒ２ｃ置換フェニル基は、２−置換フェニル基、３−置換フェニル基、４−置換フェニル基、２，４−二置換フェニル基、２，６−二置換フェニル基、３，５−二置換フェニル基または２，４，６−三置換フェニル基であってもよい。他の実施形態において、Ｒ２ｃ置換フェニル基は、２−置換フェニル基、４−置換フェニル基、２，４−二置換フェニル基もしくは２，６−二置換フェニル基；代替として、ａ３−置換フェニル基もしくは３，５−二置換フェニル基；代替として、２−置換フェニル基もしくは４−置換フェニル基；代替として、２，４−二置換フェニル基もしくは２，６−二置換フェニル基；代替として、２−置換フェニル基；代替として、３−置換フェニル基；代替として、４−置換フェニル基；代替として、２，４−二置換フェニル基；代替として、２，６−二置換フェニル基；代替として、３，５−二置換フェニル基；または代替として、２，４，６−三置換フェニル基であってもよい。一実施形態において、Ｒ２ｃとして使用することができるアリール基（一般的なものまたは特定のもの）、置換フェニル基（一般的なものまたは特定のもの）、または置換ナフチル基（一般的なものまたは特定のもの）の各置換基は、独立してハライド、ヒドロカルビル基もしくはヒドロカルボキシ基；代替として、ハライドもしくはヒドロカルビル基；代替として、ハライドもしくはヒドロカルボキシ基；代替として、ヒドロカルビル基もしくはヒドロカルボキシ基；代替として、ハライド；代替として、ヒドロカルビル基；または代替として、ヒドロカルボキシ基であってもよい。
【０２４５】
一態様において、式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するカルボン酸塩のＲ２ｃとして使用することができるアラルキル基（置換または非置換）は、Ｃ７−Ｃ２４アラルキル基（置換または非置換）；代替として、Ｃ７−Ｃ１９アラルキル基（置換または非置換）；または代替として、Ｃ７−Ｃ１１アラルキル基（置換または非置換）であってもよい。一実施形態において、式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するカルボン酸塩のＲ２ｃは、ベンジル基または置換ベンジル基であってもよい。一実施形態において、式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するカルボン酸塩のＲ２ｃは、ベンジル基；または代替として、置換ベンジル基であってもよい。一実施形態において、Ｒ２ｃとして使用することができるアラルキル基（一般的なものまたは特定のもの）の各置換基は、独立してハライド、ヒドロカルビル基もしくはヒドロカルボキシ基；代替として、ハライドもしくはヒドロカルビル基；代替として、ハライドもしくはヒドロカルボキシ基；代替として、ヒドロカルビル基もしくはヒドロカルボキシ基；代替として、ハライド；代替として、ヒドロカルビル基；または代替として、ヒドロカルボキシ基であってもよい。
【０２４６】
ハライド、ヒドロカルビル基置換基、およびヒドロカルボキシ基置換基（非水素置換基または非水素置換の基とも称される）は、独立して本明細書に開示される。これらの置換基は、本明細書に記載される任意の置換ヒドロカルビル基（一般的なものまたは特定のもの）、置換アルキル基（一般的なものまたは特定のもの）、置換アルケニル基（一般的なものまたは特定のもの）、置換シクロアルキル基（一般的なものまたは特定のもの）、置換シクロアルケニル基（一般的なものまたは特定のもの）、置換アリール基（一般的なものまたは特定のもの）、置換アラルキル基（一般的なものまたは特定のもの）をさらに記載するために限定されずに使用することができる。
【０２４７】
一実施形態において、置換Ｒ２ｃフェニル基は、トリル基、キシリル基もしくはトリメチルフェニル基；代替として、トリル基；代替として、キシレン基；または代替として、トリメチルフェニル基であってもよい。一部の実施形態において、Ｒ２ｃトリル基は、オルトトリル基、メタトリル基もしくはパラトリル基；代替として、オルトトリル基；代替として、メタトリル基；または代替として、パラトリル基であってもよい。一実施形態において、Ｒ２ｃキシリル基２，３−ジメチルフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基、２，５−ジメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、３，４−ジメチルフェニル基もしくは３，５−ジメチルフェニル基；代替として、２，４−ジメチルフェニル基もしくは２，６−ジメチルフェニル基；代替として、２，３−ジメチルフェニル基；代替として、２，４−ジメチルフェニル基；代替として、２，５−ジメチルフェニル基；代替として、２，６−ジメチルフェニル基；代替として、３，４−ジメチルフェニル基；または代替として、３，５−ジメチル基であってもよい。
【０２４８】
一態様において、各モノカルボン酸塩基は、独立して酢酸塩、プロピオン酸塩、酪酸塩、ペンタン酸塩、ヘキサン酸塩、へプタン酸塩、オクタン酸塩、ノナン酸塩、デカン酸塩、ウンデカン酸塩、ドデカン酸塩、トリデカン酸塩、テトラデカン酸塩、ペンタデカン酸塩、ヘキサデカン酸塩、ヘプタデカン酸塩、オクタデカン酸塩もしくはその任意の組み合わせ；代替として、プロピオン酸塩、酪酸塩、ペンタン酸塩、ヘキサン酸塩、へプタン酸塩、オクタン酸塩、ノナン酸塩、デカン酸塩、ウンデカン酸塩、ドデカン酸塩、トリデカン酸塩、テトラデカン酸塩、ペンタデカン酸塩、ヘキサデカン酸塩、ヘプタデカン酸塩、オクタデカン酸塩もしくはその任意の組み合わせ；または代替として、ペンタン酸塩、ヘキサン酸塩、へプタン酸塩、オクタン酸塩、ノナン酸塩、デカン酸塩、ウンデカン酸塩、ドデカン酸塩もしくはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一部の実施形態において、各モノカルボン酸塩基は、独立して酢酸塩、プロピオン酸塩、ｎ−酪酸塩、イソ酪酸塩、吉草酸塩（ｎ−ペンタン酸塩）、ネオペンタン酸塩、カプロナート（ｎ−ヘキサン酸塩）、ｎ−へプタン酸塩、カプリル酸塩（ｎ−オクタン酸塩）、２−エチルヘキサン酸塩、ｎ−ノナン酸塩、カプリン酸塩（ｎ−デカン酸塩）、ｎ−ウンデカン酸塩、ラウリン酸塩（ｎ−ドデカン酸塩）、ステアリン酸塩（ｎ−オクタデカン酸塩）もしくはその任意の組み合わせ；代替として、プロピオン酸塩、ｎ−酪酸塩、イソ酪酸塩、吉草酸塩（ｎ−ペンタン酸塩）、ネオペンタン酸塩、カプロン酸塩（ｎ−ヘキサン酸塩）、ｎ−へプタン酸塩、カプリル酸塩（ｎ−オクタン酸塩）、２−エチルヘキサン酸塩、ｎ−ノナン酸塩、カプリン酸塩（ｎ−デカン酸塩）、ｎ−ウンデカン酸塩、ラウリン酸塩（ｎ−ドデカン酸塩）、ステアリン酸塩（ｎ−オクタデカン酸塩）もしくはその任意の組み合わせ；代替として、吉草酸塩（ｎ−ペンタン酸塩）、ネオペンタン酸塩、カプロン酸塩（ｎ−ヘキサン酸塩）、ｎ−へプタン酸塩、カプリル酸塩（ｎ−オクタン酸塩）、２−エチルヘキサン酸塩、ｎ−ノナン酸塩、カプリン酸塩（ｎ−デカン酸塩）、ｎ−ウンデカン酸塩、ラウリン酸塩（ｎ−ドデカン酸塩）もしくはその任意の組み合わせ；または代替として、吉草酸塩（ｎ−ペンタン酸塩）、カプリル酸塩（ｎ−オクタン酸塩）もしくは２−エチルヘキサン酸塩であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一部の実施形態において、各モノカルボン酸塩基は、独立して酢酸塩；代替として、プロピオン酸塩；代替として、酪酸塩；代替として、ｎ−酪酸塩；代替として、イソ酪酸塩；代替として、ペンタン酸塩；代替として、吉草酸塩（ｎ−ペンタン酸塩）；代替として、ネオペンタン酸塩；代替として、ヘキサン酸塩；代替として、カプロン酸塩（ｎ−ヘキサン酸塩）；代替として、へプタン酸塩；代替として、オクタン酸塩；代替として、カプリル酸塩（ｎ−オクタン酸塩）；代替として、２−エチルヘキサン酸塩；代替として、ノナン酸塩；代替として、デカン酸塩；代替として、カプリン酸塩（ｎ−デカン酸塩）；代替として、ウンデカン酸塩；代替として、ドデカン酸塩；代替として、ラウリン酸塩（ｎ−ドデカン酸塩）；代替として、トリデカン酸塩；代替として、テトラデカン酸塩；代替として、ペンタデカン酸塩；代替として、ヘキサデカン酸塩；代替として、ヘプタデカン酸塩；代替として、オクタデカン酸塩；または代替として、ステアリン酸塩（ｎ−オクタデカン酸塩）であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０２４９】
一態様において、各モノカルボン酸塩基は、独立して安息香酸塩、置換安息香酸塩、ナフトエ酸塩または置換ナフトエ酸塩であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一部の実施形態において、各モノカルボン酸塩基は、独立して安息香酸塩または置換安息香酸塩；代替として、ナフトエ酸塩または置換ナフトエ酸塩であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。他の実施形態において、モノカルボン酸塩基は、安息香酸塩またはナフトエ酸塩であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。また他の実施形態において、モノカルボン酸塩基は、独立して安息香酸塩；代替として、置換安息香酸塩；代替として、ナフトエ酸塩；または代替として、置換ナフトエ酸塩であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一部の実施形態において、各モノカルボン酸塩は、独立してメチル安息香酸塩、ジメチル安息香酸塩、トリメチル安息香酸塩もしくはその任意の組み合わせ；代替として、メチル安息香酸塩；代替として、ジメチル安息香酸塩；または代替として、トリメチル安息香酸塩であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一実施形態において、メチル安息香酸塩は、２−メチル安息香酸塩、３−メチル安息香酸塩、４−メチル安息香酸塩もしくはその任意の組み合わせ；代替として、２−メチル安息香酸塩、４−メチル安息香酸塩もしくはその任意の組み合わせ；代替として、２−メチル安息香酸塩；代替として、３−メチル安息香酸塩；または代替として、４−メチル安息香酸塩であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一実施形態において、ジメチル安息香酸塩は、２，３−ジメチル安息香酸塩、２，４−ジメチル安息香酸塩、２，５−ジメチル安息香酸塩、２，６−ジメチル安息香酸塩、３，４−ジメチル安息香酸塩、３，５−ジメチル安息香酸塩もしくはその任意の組み合わせ；代替として、２，４−ジメチル安息香酸塩、２，６−ジメチル安息香酸塩もしくはその任意の組み合わせ；代替として、２，３−ジメチル安息香酸塩；代替として、２，４−ジメチル安息香酸塩；代替として、２，５−ジメチル安息香酸塩；代替として、２，６−ジメチル安息香酸塩；代替として、３，４−ジメチル安息香酸塩；または代替として、３，５−ジメチル安息香酸塩であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一実施形態において、トリメチル安息香酸塩は、２，４，６−トリメチル安息香酸塩であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一実施形態において、各モノカルボン酸は、フェニル酢酸、置換フェニル酢酸もしくはその任意の組み合わせ；代替として、フェニル酢酸；または代替として、置換フェニル酢酸であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０２５０】
本明細書に開示されるように、広範囲の１族または２族金属カルボン酸塩を本明細書に開示しされる方法において使用することができる。１族または２族金属、および１族または２族金属カルボン酸塩は、独立して、本明細書に記載され、本明細書に記載される方法において使用される一般的または特定の金属カルボン酸塩を記載するために任意の組み合わせにおいて使用することができる。
【０２５１】
非限定的な実施形態において、１族または２族金属のカルボン酸塩は、カルボン酸ナトリウムもしくはカリウム；代替として、カルボン酸ナトリウム；または代替として、カルボン酸カリウムであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。幾つかの非限定的な実施形態において、１族または２族金属のカルボン酸塩は、シュウ酸ナトリウムもしくはカリウム、マレイン酸ナトリウムもしくはカリウム、コハク酸ナトリウムもしくはカリウム、グルタル酸ナトリウムもしくはカリウム、アジピン酸ナトリウムもしくはカリウム、フタル酸ナトリウムもしくはカリウム、イソフタル酸ナトリウムもしくはカリウム、テレフタル酸ナトリウムもしくはカリウム、クエン酸ナトリウムもしくはカリウム、またはその任意の組み合わせ；代替として、マレイン酸ナトリウムもしくはカリウム、コハク酸ナトリウムもしくはカリウム、グルタル酸ナトリウムもしくはカリウム、アジピン酸ナトリウムもしくはカリウム、フタル酸ナトリウムもしくはカリウム、イソフタル酸ナトリウムもしくはカリウム、テレフタル酸ナトリウムもしくはカリウム、またはその任意の組み合わせ；代替として、シュウ酸ナトリウム、マレイン酸ナトリウム、コハク酸ナトリウム、グルタル酸ナトリウム、アジピン酸ナトリウム、フタル酸ナトリウム、イソフタル酸ナトリウム、テレフタル酸ナトリウム、クエン酸ナトリウムもしくはその任意の組み合わせ；代替として、マレイン酸ナトリウム、コハク酸ナトリウム、グルタル酸ナトリウム、アジピン酸ナトリウム、フタル酸ナトリウム、イソフタル酸ナトリウム、テレフタル酸ナトリウムもしくはその任意の組み合わせ；代替として、シュウ酸カリウム、マレイン酸カリウム、コハク酸カリウム、グルタル酸カリウム、アジピン酸カリウム、フタル酸カリウム、イソフタル酸カリウム、テレフタル酸カリウム、クエン酸カリウムもしくはその任意の組み合わせ；または代替として、マレイン酸カリウム、コハク酸カリウム、グルタル酸カリウム、アジピン酸カリウム、フタル酸カリウム、イソフタル酸カリウム、テレフタル酸カリウムもしくはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。他の非限定的な実施形態において、１族または２族金属のカルボン酸塩は、シュウ酸ナトリウムもしくはカリウム；代替として、マレイン酸ナトリウムもしくはカリウム；代替として、コハク酸ナトリウムもしくはカリウム；代替として、グルタル酸ナトリウムもしくはカリウム；代替として、アジピン酸ナトリウムもしくはカリウム；代替として、フタル酸ナトリウムもしくはカリウム；代替として、イソフタル酸ナトリウムもしくはカリウム；代替として、テレフタル酸ナトリウムもしくはカリウム、クエン酸ナトリウムもしくはカリウム；代替として、シュウ酸ナトリウム；代替として、マレイン酸ナトリウム；代替として、コハク酸ナトリウム；代替として、グルタル酸ナトリウム；代替として、アジピン酸ナトリウム；代替として、フタル酸ナトリウム；代替として、イソフタル酸ナトリウム；代替として、テレフタル酸ナトリウム；代替として、クエン酸ナトリウム；代替として、シュウ酸カリウム；代替として、マレイン酸カリウム；代替として、コハク酸カリウム；代替として、グルタル酸カリウム；代替として、アジピン酸カリウム；代替として、フタル酸カリウム；代替として、イソフタル酸カリウム；代替として、テレフタル酸カリウム；または代替として、クエン酸カリウムであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０２５２】
非限定的な実施形態において、１族または２族金属のカルボン酸塩は、酢酸ナトリウムもしくはカリウム、プロピオン酸ナトリウムまたはカリウム、酪酸ナトリウムもしくはカリウム、ペンタン酸ナトリウムもしくはカリウム、ヘキサン酸ナトリウムもしくはカリウム、へプタン酸ナトリウムもしくはカリウム、オクタン酸ナトリウムもしくはカリウム、ノナン酸ナトリウムもしくはカリウム、デカン酸ナトリウムもしくはカリウム、ウンデカン酸ナトリウムもしくはカリウム、ドデカン酸ナトリウムもしくはカリウム、トリデカン酸ナトリウムもしくはカリウム、テトラデカン酸ナトリウムもしくはカリウム、ペンタデカン酸ナトリウムもしくはカリウム、ヘキサデカン酸ナトリウムもしくはカリウム、ヘプタデカン酸ナトリウムもしくはカリウム、オクタデカン酸ナトリウムもしくはカリウム、イコサン酸ナトリウムもしくはカリウム、ドコサン酸ナトリウムもしくはカリウム、テトラコサン酸ナトリウムもしくはカリウム、安息香酸ナトリウムもしくはカリウム、置換安息香酸ナトリウムもしくはカリウム、またはその任意の組み合わせ；代替として、プロピオン酸ナトリウムもしくはカリウム、酪酸ナトリウムもしくはカリウム、ペンタン酸ナトリウムもしくはカリウム、ヘキサン酸ナトリウムもしくはカリウム、へプタン酸ナトリウムもしくはカリウム、オクタン酸ナトリウムもしくはカリウム、ノナン酸ナトリウムもしくはカリウム、デカン酸ナトリウムもしくはカリウム、ウンデカン酸ナトリウムもしくはカリウム、ドデカン酸ナトリウムもしくはカリウム、トリデカン酸ナトリウムもしくはカリウム、テトラデカン酸ナトリウムもしくはカリウム、ペンタデカン酸ナトリウムもしくはカリウム、ヘキサデカン酸ナトリウムもしくはカリウム、ヘプタデカン酸ナトリウムもしくはカリウム、オクタデカン酸ナトリウムもしくはカリウム、イコサン酸ナトリウムもしくはカリウム、ドコサン酸ナトリウムもしくはカリウム、テトラコサン酸ナトリウムもしくはカリウム、安息香酸ナトリウムもしくはカリウム、置換安息香酸ナトリウムもしくはカリウム、またはその任意の組み合わせ；代替として、ペンタン酸ナトリウムもしくはカリウム、ヘキサン酸ナトリウムもしくはカリウム、へプタン酸ナトリウムもしくはカリウム、オクタン酸ナトリウムもしくはカリウム、ノナン酸ナトリウムもしくはカリウム、デカン酸ナトリウムもしくはカリウム、ウンデカン酸ナトリウムもしくはカリウム、ドデカン酸ナトリウムもしくはカリウム、またはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。非限定的な実施形態において、１族または２族金属のカルボン酸塩は、酢酸ナトリウム、プロピオン酸ナトリウム、酪酸ナトリウム、ペンタン酸ナトリウム、ヘキサン酸ナトリウム、へプタン酸ナトリウム、オクタン酸ナトリウム、ノナン酸ナトリウム、デカン酸ナトリウム、ウンデカン酸ナトリウム、ドデカン酸ナトリウム、トリデカン酸ナトリウム、テトラデカン酸ナトリウム、ペンタデカン酸ナトリウム、ヘキサデカン酸ナトリウム、ヘプタデカン酸ナトリウム、オクタデカン酸ナトリウム、イコサン酸ナトリウム、ドコサン酸ナトリウム、テトラコサン、安息香酸ナトリウム、置換安息香酸ナトリウムまたはその任意の組み合わせ；代替として、プロピオン酸ナトリウム、酪酸ナトリウム、ペンタン酸ナトリウム、ヘキサン酸ナトリウム、へプタン酸ナトリウム、オクタン酸ナトリウム、ノナン酸ナトリウム、デカン酸ナトリウム、ウンデカン酸ナトリウム、ドデカン酸ナトリウム、トリデカン酸ナトリウム、テトラデカン酸ナトリウム、ペンタデカン酸ナトリウム、ヘキサデカン酸ナトリウム、ヘプタデカン酸ナトリウム、オクタデカン酸ナトリウム、イコサン酸ナトリウム、ドコサン酸ナトリウム、テトラコサン酸ナトリウム、安息香酸ナトリウム、置換安息香酸ナトリウムまたはその任意の組み合わせ；代替として、ペンタン酸ナトリウム、ヘキサン酸ナトリウム、へプタン酸ナトリウム、オクタン酸ナトリウム、ノナン酸ナトリウム、デカン酸ナトリウム、ウンデカン酸ナトリウム、ドデカン酸塩またはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。他の非限定的な実施形態において、１族または２族金属カルボン酸塩は、酢酸カリウム、プロピオン酸カリウム、酪酸カリウム、ペンタン酸カリウム、ヘキサン酸カリウム、へプタン酸カリウム、オクタン酸カリウム、ノナン酸カリウム、デカン酸カリウム、ウンデカン酸カリウム、ドデカン酸カリウム、トリデカン酸カリウム、テトラデカン酸カリウム、ペンタデカン酸カリウム、ヘキサデカン酸カリウム、ヘプタデカン酸カリウム、オクタデカン酸カリウム、イコサン酸カリウム、ドコサン酸カリウム、テトラコサン酸カリウム、安息香酸カリウム、置換安息香酸カリウムまたはその任意の組み合わせ；代替として、プロピオン酸カリウム、酪酸カリウム、ペンタン酸カリウム、ヘキサン酸カリウム、へプタン酸カリウム、オクタン酸カリウム、ノナン酸カリウム、デカン酸カリウム、ウンデカン酸カリウム、ドデカン酸カリウム、トリデカン酸カリウム、テトラデカン酸カリウム、ペンタデカン酸カリウム、ヘキサデカン酸カリウム、ヘプタデカン酸カリウム、オクタデカン酸カリウム、イコサン酸カリウム、ドコサン酸カリウム、テトラコサン酸カリウム、安息香酸カリウム、置換安息香酸カリウムまたはその任意の組み合わせ；代替として、ペンタン酸カリウム、ヘキサン酸カリウム、へプタン酸カリウム、オクタン酸カリウム、ノナン酸カリウム、デカン酸カリウム、ウンデカン酸カリウム、ドデカン酸カリウムまたはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０２５３】
非限定的な実施形態において、１族または２族金属カルボン酸塩は、酢酸ナトリウムもしくはカリウム、プロピオン酸ナトリウムもしくはカリウム、ｎ−酪酸ナトリウムもしくはカリウム、イソ酪酸ナトリウムもしくはカリウム、吉草酸（ｎ−ペンタン塩）ナトリウムもしくはカリウム、ネオペンタン酸ナトリウムもしくはカリウム、カプロン酸（ｎ−ヘキサン酸）ナトリウムもしくはカリウム、ｎ−へプタン酸ナトリウムもしくはカリウム、カプリル酸（ｎ−オクタン酸）ナトリウムもしくはカリウム、２−エチルヘキサン酸ナトリウムもしくはカリウム、ｎ−ノナン酸ナトリウムもしくはカリウム、カプリン酸（ｎ−デカン酸）ナトリウムもしくはカリウム、ｎ−ウンデカン酸ナトリウムもしくはカリウム、ラウリン酸（ｎ−ドデカン酸）ナトリウムもしくはカリウム、ステアリン酸（ｎ−オクタデカン酸）ナトリウムもしくはカリウム、安息香酸ナトリウムもしくはカリウムまたはその任意の組み合わせ；代替として、プロピオン酸ナトリウムもしくはカリウム、ｎ−酪酸ナトリウムもしくはカリウム、イソ酪酸ナトリウムもしくはカリウム、吉草酸（ｎ−ペンタン酸）ナトリウムもしくはカリウム、ネオペンタン酸ナトリウムもしくはカリウム、カプロン酸（ｎ−ヘキサン酸）ナトリウムまたはカリウム、ｎ−へプタン酸ナトリウムもしくはカリウム、カプリル酸（ｎ−オクタン酸）ナトリウムもしくはカリウム、２−エチルヘキサン酸ナトリウムもしくはカリウム、ｎ−ノナン酸ナトリウムもしくはカリウム、カプリン酸（ｎ−デカン酸）ナトリウムもしくはカリウム、ｎ−ウンデカン酸ナトリウムもしくはカリウム、ラウリン酸（ｎ−ドデカン酸）ナトリウムもしくはカリウム、ステアリン酸（ｎ−オクタデカン酸）ナトリウムもしくはカリウム、安息香酸ナトリウムもしくはカリウムまたはその任意の組み合わせ；代替として、吉草酸（ｎ−ペンタン酸）ナトリウムまたはカリウム、ネオペンタン酸ナトリウムもしくはカリウム、カプロン酸（ｎ−ヘキサン酸）ナトリウムもしくはカリウム、ｎ−へプタン酸ナトリウムもしくはカリウム、カプリル酸（ｎ−オクタン酸）ナトリウムまたはカリウム、２−エチルヘキサン酸ナトリウムもしくはカリウム、ｎ−ノナン酸ナトリウムもしくはカリウム、カプリン酸（ｎ−デカン酸）ナトリウムもしくはカリウム、ｎ−ウンデカン酸ナトリウムもしくはカリウム、ラウリン酸（ｎ−ドデカン酸）ナトリウムもしくはカリウムまたはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。幾つかの非限定的な実施形態において、１族または２族金属カルボン酸塩は、酢酸ナトリウム、プロピオン酸ナトリウム、ｎ−酪酸ナトリウム、イソ酪酸ナトリウム、吉草酸（ｎ−ペンタン酸）ナトリウム、ネオペンタン酸ナトリウム、カプロン酸（ｎ−ヘキサン酸）ナトリウム、ｎ−へプタン酸ナトリウム、カプリル酸（ｎ−オクタン酸）ナトリウム、２−エチルヘキサン酸ナトリウム、ｎ−ノナン酸ナトリウム、カプリン酸（ｎ−デカン酸）ナトリウム、ｎ−ウンデカン酸ナトリウム、ラウリン酸（ｎ−ドデカン酸）ナトリウム、ステアリン酸（ｎ−オクタデカン酸）ナトリウム、安息香酸ナトリウムまたはその任意の組み合わせ；代替として、プロピオン酸ナトリウム、ｎ−酪酸ナトリウム、イソ酪酸ナトリウム、吉草酸（ｎ−ペンタン酸）ナトリウム、ネオペンタン酸ナトリウム、カプロン酸（ｎ−ヘキサン酸）ナトリウム、ｎ−へプタン酸ナトリウム、カプリル酸（ｎ−オクタン酸）ナトリウム、２−エチルヘキサン酸ナトリウム、ｎ−ノナン酸ナトリウム、カプリン酸（ｎ−デカン酸）ナトリウム、ｎ−ウンデカン酸ナトリウム、ラウリン酸（ｎ−ドデカン酸）ナトリウム、ステアリン酸（ｎ−オクタデカン酸）ナトリウム、安息香酸ナトリウムまたはその任意の組み合わせ；代替として、吉草酸（ｎ−ペンタン酸）ナトリウム、ネオペンタン酸ナトリウム、カプロン酸（ｎ−ヘキサン酸）ナトリウム、ｎ−へプタン酸ナトリウム、カプリル酸（ｎ−オクタン酸）ナトリウム、２−エチルヘキサン酸ナトリウム、ｎ−ノナン酸ナトリウム、カプリン酸（ｎ−デカン酸）ナトリウム、ｎ−ウンデカン酸ナトリウム、ラウリン酸（ｎ−ドデカン酸）ナトリウムまたはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。他の非限定的な実施形態において、１族または２族金属カルボン酸塩は、酢酸カリウム、プロピオン酸カリウム、ｎ−酪酸カリウム、イソ酪酸カリウム、吉草酸（ｎ−ペンタン酸）カリウム、ネオペンタン酸カリウム、カプロン酸（ｎ−ヘキサン酸）カリウム、ｎ−へプタン酸カリウム、カプリル酸（ｎ−オクタン酸）カリウム、２−エチルヘキサン酸カリウム、ｎ−ノナン酸カリウム、カプリン酸（ｎ−デカン酸）カリウム、ｎ−ウンデカン酸カリウム、ラウリン酸（ｎ−ドデカン酸）カリウム、ステアリン酸（ｎ−オクタデカン酸）カリウム、安息香酸カリウム、またはその任意の組み合わせ；代替として、プロピオン酸カリウム、ｎ−酪酸カリウム、イソ酪酸カリウム、吉草酸（ｎ−ペンタン酸）カリウム、ネオペンタン酸カリウム、カプロン酸（ｎ−ヘキサン酸）カリウム、ｎ−へプタン酸カリウム、カプリル酸（ｎ−オクタン酸）カリウム、２−エチルヘキサン酸カリウム、ｎ−ノナン酸カリウム、カプリン酸（ｎ−デカン酸）カリウム、ｎ−ウンデカン酸カリウム、ラウリン酸（ｎ−ドデカン酸）カリウム、ステアリン酸（ｎ−オクタデカン酸）カリウム、安息香酸カリウム、またはその任意の組み合わせ；代替として、吉草酸（ｎ−ペンタン酸）カリウム、ネオペンタン酸カリウム、カプロン酸（ｎ−ヘキサン酸）カリウム、ｎ−へプタン酸カリウム、カプリル酸（ｎ−オクタン酸）カリウム、２−エチルヘキサン酸カリウム、ｎ−ノナン酸カリウム、カプリン酸（ｎ−デカン酸）カリウム、ｎ−ウンデカン酸カリウム、ラウリン酸（ｎ−ドデカン酸）カリウムまたはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。他の非限定的な実施形態において、１族または２族金属のカルボン酸塩は、であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。また他の非限定的な実施形態において、１族または２族金属のカルボン酸塩は、酢酸ナトリウム；代替として、プロピオン酸ナトリウム；代替として、ｎ−酪酸ナトリウム；代替として、イソ酪酸ナトリウム；代替として、吉草酸（ｎ−ペンタン酸）ナトリウム；代替として、ネオペンタン酸ナトリウム；代替として、カプロン酸（ｎ−ヘキサン酸）ナトリウム；代替として、ｎ−へプタン酸ナトリウム；代替として、カプリル酸（ｎ−オクタン酸）ナトリウム；代替として、２−エチルヘキサン酸ナトリウム；代替として、ｎ−ノナン酸ナトリウム；代替として、カプリン酸（ｎ−デカン酸）ナトリウム；代替として、ｎ−ウンデカン酸ナトリウム；代替として、ラウリン酸（ｎ−ドデカン酸）ナトリウム；代替として、ステアリン酸（ｎ−オクタデカン酸）ナトリウム；代替として、安息香酸ナトリウム；代替として、酢酸カリウム；代替として、プロピオン酸カリウム；代替として、ｎ−酪酸カリウム；代替として、イソ酪酸カリウム；代替として、吉草酸（ｎ−ペンタン酸）カリウム；代替として、ネオペンタン酸カリウム；代替として、カプロン酸（ｎ−ヘキサン酸）カリウム；代替として、ｎ−へプタン酸カリウム；代替として、カプリル酸（ｎ−オクタン酸）カリウム；代替として、２−エチルヘキサン酸カリウム；代替として、ｎ−ノナン酸カリウム；代替として、カプリン酸（ｎ−デカン酸）カリウム；代替として、ｎ−ウンデカン酸カリウム；代替として、ラウリン酸（ｎ−ドデカン酸）カリウム；代替として、ステアリン酸（ｎ−オクタデカン酸）カリウム；または代替として、安息香酸カリウムであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０２５４】
非限定的な実施形態において、１族または２族金属のカルボン酸塩は、安息香酸ナトリウムもしくはカリウム、メチル安息香酸ナトリウムもしくはカリウム、ナフテン酸ナトリウムもしくはカリウム、ジメチル安息香酸ナトリウムもしくはカリウム、またはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。幾つかの非限定的な実施形態において、１族または２族金属のカルボン酸塩は、安息香酸ナトリウム、メチル安息香酸ナトリウム、ジメチル安息香酸ナトリウム、ナフテン酸ナトリウム、またはその任意の組み合わせ；代替として、安息香酸カリウム、メチル安息香酸カリウム、ジメチル安息香酸カリウム、ナフテン酸カリウム、またはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。他の非限定的な実施形態において、１族または２族金属のカルボン酸塩は、安息香酸ナトリウム；代替として、メチル安息香酸ナトリウム；代替として、ジメチル安息香酸ナトリウム；代替として、ナフテン酸ナトリウム；代替として、安息香酸カリウム；代替として、メチル安息香酸カリウム；代替として、ジメチル安息香酸カリウム；または代替として、ナフテン酸カリウムであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０２５５】
一態様において、本明細書に開示される任意の態様または任意の実施形態において使用される１族または２族金属カルボン酸塩は、実質的に無水；または代替として、無水であってもよい。一部の実施形態において、１族または２族金属カルボン酸塩は、１００ｐｐｍ以下；代替として、９０ｐｐｍ以下；代替として、８０ｐｐｍ以下；代替として、７０ｐｐｍ以下；代替として、６０ｐｐｍ以下；代替として、５０ｐｐｍ以下；代替として、４０ｐｐｍ以下；代替として、３０ｐｐｍ以下；代替として、２０ｐｐｍ以下；代替として、１０ｐｐｍ以下；代替として、９ｐｐｍ以下；代替として、８ｐｐｍ以下；代替として、７ｐｐｍ以下；代替として、６ｐｐｍ以下；代替として、５ｐｐｍ以下；代替として、４ｐｐｍ以下；代替として、３ｐｐｍ以下；代替として、２ｐｐｍ以下；または代替として、１ｐｐｍ．以下の水含有率を有することができる。一般に、１族または２族金属カルボン酸塩の水含有率は、１族または２族金属カルボン酸塩中の水のｐｐｍ（重量）に基づくことができる。１族または２族金属カルボン酸塩中に存在する水は、１族または２族金属カルボン酸塩の不純物および／または１族または２族金属カルボン酸塩中の格子間水の形態であってもよいことは留意されるべきである。
【０２５６】
一態様において、本明細書に開示される任意の態様または任意の実施形態において使用される１族または２族金属カルボン酸塩は、実質的に酸を含まなくてよい。一部の実施形態において、１族または２族金属カルボン酸塩は１０００ｐｐｍ以下；代替として、７５０ｐｐｍ以下；代替として、５００ｐｐｍ以下；または代替として、２５０ｐｐｍ以下の酸含有率を有することができる。他の実施形態において、１族または２族金属カルボン酸塩は、１００ｐｐｍ以下；代替として、９０ｐｐｍ以下；代替として、８０ｐｐｍ以下；代替として、７０ｐｐｍ以下；代替として、６０ｐｐｍ以下；代替として、５０ｐｐｍ以下；代替として、４０ｐｐｍ以下；代替として、３０ｐｐｍ以下；代替として、２０ｐｐｍ以下；代替として、１０ｐｐｍ以下；代替として、９ｐｐｍ以下；代替として、８ｐｐｍ以下；代替として、７ｐｐｍ以下；代替として、６ｐｐｍ以下；代替として、５ｐｐｍ以下；代替として、４ｐｐｍ以下；代替として、３ｐｐｍ以下；代替として、２ｐｐｍ以下；または代替として、１ｐｐｍ以下の酸含有率を有することができる。一般に、１族または２族金属カルボン酸塩の酸含有率は、１族または２族金属カルボン酸塩中の酸のｐｐｍ（重量）に基づくことができる。１族または２族金属カルボン酸塩中に存在する酸は、１族または２族金属カルボン酸塩の不純物および／または１族または２族金属カルボン酸塩中の格子間の酸の形態であってもよいことは留意されるべきである。
【０２５７】
一態様において、遷移金属前駆体、１族または２族金属カルボン酸塩および溶媒を接触させるステップに使用することができる溶媒は、プロセスに適した任意の溶媒であってもよい。一実施形態において、遷移金属前駆体、１族または２族金属カルボン酸塩、および溶媒を接触させるステップに使用することができる溶媒は、非プロトン性溶媒であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一部の実施形態において、遷移金属前駆体、１族または２族金属カルボン酸塩および溶媒を接触させるステップに使用することができる溶媒は、無極性溶媒、非プロトン性極性溶媒もしくはその任意の組み合わせ；代替として、無極性溶媒および非プロトン性極性溶媒の組み合わせ；代替として、無極性溶媒；または代替として、非プロトン性極性溶媒であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。溶媒（非プロトン性、無極性および／または非プロトン性極性）は、独立して本明細書に記載され、遷移金属前駆体、１族または２族金属カルボン酸塩および溶媒を接触させるステップに使用することができる溶媒をさらに記載するために限定されずに使用することができる。
【０２５８】
一実施形態において、無極性溶媒炭化水素、ハロゲン化炭化水素もしくはその任意の組み合わせ；代替として、炭化水素；または代替として、ハロゲン化炭化水素であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。炭化水素溶剤およびハロゲン化炭化水素系溶剤は、独立して本明細書に記載され、遷移金属前駆体、１族または２族金属カルボン酸塩および溶媒を接触させるステップに溶媒として限定されずに使用することができる。
【０２５９】
一実施形態において、非プロトン性極性溶媒は、本明細書に記載される中性配位子として使用することができる任意の化合物であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一部の実施形態において、非プロトン性極性溶媒は、使用される遷移金属前駆体の中性配位子として使用される同一の化合物であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。他の実施形態において、非プロトン性極性溶媒は、使用される遷移金属前駆体の中性配位子として使用されるものとは異なっている化合物であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。遷移金属前駆体が中性配位子を有していない態様および実施形態において、非プロトン性極性溶媒は、遷移金属前駆体のための中性配位子として使用することができる、本明細書に記載される任意の化合物であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。中性配位子として使用することができる化合物は、独立して本明細書に記載され、遷移金属前駆体、１族または２族金属カルボン酸塩、および溶媒を接触させるステップにおける溶媒として限定されずに使用することができる。
【０２６０】
一態様において、本明細書に開示される任意の態様または任意の実施形態において使用される溶媒は、実質的に無水；または代替として無水であってもよい。一部の実施形態において、溶媒は、１００ｐｐｍ以下；代替として、９０ｐｐｍ以下；代替として、８０ｐｐｍ以下；代替として、７０ｐｐｍ以下；代替として、６０ｐｐｍ以下；代替として、５０ｐｐｍ以下；代替として、４０ｐｐｍ以下；代替として、３０ｐｐｍ以下；代替として、２０ｐｐｍ以下；または代替として、１０ｐｐｍ以下；代替として、９ｐｐｍ以下；代替として、８ｐｐｍ以下；代替として、７ｐｐｍ以下；代替として、６ｐｐｍ以下；代替として、５ｐｐｍ以下；代替として、４ｐｐｍ以下；代替として、３ｐｐｍ以下；代替として、２ｐｐｍ以下；または代替として、１ｐｐｍ以下の水含有率を有することができる。一般に、溶媒の水含有率は、溶媒中の水のｐｐｍ（重量）に基づくことができる。
【０２６１】
一態様において、本明細書に開示される任意の態様または任意の実施形態において使用される溶媒は、実質的に酸を含まないでよい。一部の実施形態において、溶媒は１０００ｐｐｍ以下；代替として、７５０ｐｐｍ以下；代替として、５００ｐｐｍ以下；または代替として、２５０ｐｐｍ以下の酸含有率を有することができる。他の実施形態において、溶媒は、１００ｐｐｍ以下；代替として、９０ｐｐｍ以下；代替として、８０ｐｐｍ以下；代替として、７０ｐｐｍ以下；代替として、６０ｐｐｍ以下；代替として、５０ｐｐｍ以下；代替として、４０ｐｐｍ以下；代替として、３０ｐｐｍ以下；代替として、２０ｐｐｍ以下；代替として、１０ｐｐｍ以下；代替として、９ｐｐｍ以下；代替として、８ｐｐｍ以下；代替として、７ｐｐｍ以下；代替として、６ｐｐｍ以下；代替として、５ｐｐｍ以下；代替として、４ｐｐｍ以下；代替として、３ｐｐｍ以下；代替として、２ｐｐｍ以下；または代替として、１ｐｐｍ以下の酸含有率を有することができる。一般に、溶媒の酸含有率は、溶媒中の酸のｐｐｍ（重量）に基づくことができる。
【０２６２】
一態様において、本開示は、遷移金属カルボン酸塩組成物を調製するためのプロセスであって、１）遷移金属前駆体、２）１族または２族金属カルボン酸塩、および３）溶媒を接触させて遷移金属カルボン酸塩を形成するステップを含むプロセスを記載する。別の態様において、本開示は、遷移金属カルボン酸塩組成物を調製するためのプロセスであって、１）遷移金属前駆体、２）１族または２族金属カルボン酸塩、および３）溶媒を接触させて、遷移金属カルボン酸塩を含む溶液の形成するステップを含むプロセスを記載する。一実施形態において、遷移金属カルボン酸塩組成物を調製するためのプロセスは、ａ）１）遷移金属前駆体、２）１族または２族金属Ｃ３−Ｃ２５カルボン酸塩、および３）溶媒を接触させて遷移金属Ｃ３−Ｃ２５カルボン酸塩を形成するステップを含むことができる。一部の実施形態において、遷移金属カルボン酸塩組成物を調製するためのプロセスは、ａ）１）遷移金属前駆体、２）１族または２族金属Ｃ３−Ｃ２５カルボン酸塩、および３）溶媒を接触させて、遷移金属Ｃ３−Ｃ２５カルボン酸塩を含む溶液を形成するステップを含むことができる。遷移金属前駆体（本明細書に開示される様々なものの中でも、例えばクロム（ＩＩＩ）前駆体）、１族または２族金属カルボン酸塩（本明細書に開示される様々なものの中でも、例えば１族または２族金属Ｃ３−Ｃ２５カルボン酸塩）、および溶媒は、遷移金属カルボン酸塩組成物を調製するためのプロセスの独立した要素である。遷移金属カルボン酸塩を調製するためのプロセスは、本明細書に記載される遷移金属前駆体、１族または２族金属カルボン酸塩、または本明細書に記載される溶媒の任意の態様または任意の実施形態の任意の組み合わせを用いて記載することができる。
【０２６３】
一態様において、遷移金属カルボン酸塩を製造するプロセスで使用される遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）は、実質的に無水の遷移金属前駆体、代替として、実質的に酸を含まない遷移金属前駆体；または代替として、実質的に無水かつ実質的に酸を含まない遷移金属前駆体であってもよい。一実施形態において、遷移金属カルボン酸塩を製造するプロセスで使用される遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）は、本明細書に開示される任意の遷移金属前駆体の水含有率を有することができる。一実施形態において、遷移金属カルボン酸塩を製造するプロセスで使用される遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）は、本明細書に開示される任意の遷移金属前駆体の酸含有率を有することができる。
【０２６４】
一態様において、遷移金属カルボン酸塩を製造するプロセスで使用される１族または２族金属カルボン酸塩（一般的なものまたは特定のもの）は、実質的に無水の１族または２族金属カルボン酸塩；代替として、実質的に酸を含まない１族または２族金属カルボン酸塩；または代替として、実質的に無水かつ実質的に酸を含まない１族または２族金属カルボン酸塩であってもよい。一実施形態において、遷移金属カルボン酸塩を製造するプロセスで使用される１族または２族金属カルボン酸塩（一般的なものまたは特定のもの）は、本明細書に開示される任意の１族または２族金属カルボン酸塩の水含有率を有することができる。一実施形態において、遷移金属カルボン酸塩を製造するプロセスで使用される１族または２族金属カルボン酸塩（一般的なものまたは特定のもの）は、本明細書に開示される任意の１族または２族金属カルボン酸塩の酸含有率を有することができる。
【０２６５】
一態様において、遷移金属前駆体、１族または２族金属カルボン酸塩および溶媒を接触させるステップにおいて使用される溶媒は、実質的に無水；代替として、実質的に酸を含まないまたは代替として、実質的に無水かつ実質的に酸を含まないでよい。一実施形態において、遷移金属カルボン酸塩を製造するプロセスで使用される溶媒は、本明細書に開示される任意の溶媒水含有率を有することができる。一実施形態において、遷移金属カルボン酸塩を製造するプロセスで使用される溶媒は、本明細書に開示される任意の溶媒の酸含有率を有することができる。
【０２６６】
一態様において、遷移金属前駆体、１族または２族金属カルボン酸塩、および溶媒は、実質的に無水条件下で；または代替として、無水条件下で接触させることができる。別の態様において、遷移金属カルボン酸塩は実質的に無水条件下で；または代替として、無水条件下で形成することができる。一態様において、遷移金属前駆体、１族または２族金属カルボン酸塩、および溶媒は、実質的に酸を含まない条件下で；または代替として、酸を含まない条件下で接触させることができる。別の態様において、遷移金属カルボン酸塩は、実質的に酸を含まない条件下で；または代替として、酸を含まない条件下で形成することができる。一実施形態において、遷移金属前駆体、１族または２族金属カルボン酸塩および溶媒のそれぞれは、独立して、遷移金属前駆体、１族または２族金属カルボン酸塩、および溶媒に対する、本明細書に開示される任意の水含有率を有することができる。一態様において、遷移金属前駆体、１族または２族金属カルボン酸塩、および溶媒は、実質的に無水かつ実質的に酸を含まない条件下で；または代替として、無水かつ酸を含まない条件下で接触させることができる。別の態様において、遷移金属カルボン酸塩は、実質的に無水かつ実質的に酸を含まない条件下で；または代替として、無水かつ酸を含まない条件下で形成することができる。一態様において、遷移金属前駆体、１族または２族金属カルボン酸塩、および溶媒は、実質的に酸を含まない条件下で；または代替として、酸を含まない条件下で接触させることができる。
【０２６７】
一態様において、遷移金属前駆体、１族または２族金属カルボン酸塩、および溶媒は、任意の組み合わせまたは順序で接触させることができる。一実施形態において、遷移金属前駆体、１族または２族金属カルボン酸塩、および溶媒は、同時に接触させることができる。一実施形態において、遷移金属前駆体および溶媒を接触させて混合物を形成し、続いて混合物を１族または２族金属カルボン酸塩と接触させることができ；代替として、１族または２族金属カルボン酸塩および溶媒を接触させて混合物を形成し、続いて混合物を遷移金属前駆体と接触させることができ；または代替として、１）遷移金属前駆体および溶媒の一部を接触させて第１の混合物を形成し、２）１族または２族金属カルボン酸塩および溶媒の一部を接触させて第２の混合物を形成し、３）第１および第２の混合物を接触させることができる。一部の実施形態において、第１の混合物の溶媒が第２の混合物の溶媒と同一である。他の実施形態において、第１の混合物の溶媒と第２の混合物は異なる。
【０２６８】
一態様において、遷移金属前駆体、１族または２族金属カルボン酸塩および溶媒を接触させるステップは、特定の種類の接触または形成プロセス、特定の反応器または任意の特定の工学技術的要件に限定されない。一実施形態において、遷移金属カルボン酸塩の形成は、回分法または連続的プロセス；代替として、回分法；または代替として、連続的プロセスによって生じてよい。一部の実施形態において、遷移金属カルボン酸塩の形成は、遷移金属前駆体、１族または２族金属カルボン酸塩および溶媒を含む、または本質的にこれらからなるスラリーまたは混合物中の回分法によって生じる。
【０２６９】
一実施形態において、遷移金属前駆体、１族または２族金属カルボン酸塩、および溶媒の任意の組み合わせは、４０℃〜２００℃；代替として、４０℃〜１５０℃；代替として、４０℃〜１００℃；代替として、２０℃〜８０℃；または代替として、０℃〜６０℃の範囲の温度で接触させることができる。一実施形態において、遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）は、遷移金属前駆体および溶媒を接触させる温度で溶媒に不溶性；代替として、遷移金属前駆体および溶媒を接触させる温度で溶媒に部分的に可溶性；または代替として、遷移金属前駆体および溶媒を接触させる温度で可溶性であってもよい。一実施形態において、１族または２族金属カルボン酸塩（一般的なものまたは特定のもの）は、１族または２族金属カルボン酸塩カルボン酸塩および溶媒を接触させる温度で溶媒に不溶性；代替として、１族または２族金属カルボン酸塩カルボン酸塩および溶媒を接触させる温度で溶媒に部分的に可溶性；または代替として、１族または２族金属カルボン酸塩カルボン酸塩および溶媒を接触させる温度で可溶性であってもよい。
【０２７０】
一実施形態において、遷移金属前駆体および１族または２族金属カルボン酸塩は、任意の適切な遷移金属前駆体とカルボン酸塩基との当量比で接触させることができる。
【０２７１】
一態様において、遷移金属カルボン酸塩は、遷移金属カルボン酸塩を形成するのに適した条件で形成することができる。遷移金属カルボン酸塩を形成することができる条件は、様々な条件の中でも、温度、時間、圧力、遷移金属前駆体とカルボン酸塩基の比（モル濃度または当量）、および／または、その任意の組み合わせを含むことができる。これらの遷移金属カルボン酸塩形成条件は、独立して本明細書に記載され、遷移金属カルボン酸塩組成物を製造するプロセスをさらに記載するために任意の組み合わせにおいて使用することができる。
【０２７２】
一態様において、遷移金属前駆体および１族または２族金属カルボン酸塩は、任意の適切な１族または２族金属カルボン酸塩のカルボン酸塩基と遷移金属前駆体の遷移金属との当量比（すなわちカルボン酸塩基と遷移金属の当量比）で接触させることができる。一実施形態において、カルボン酸塩基と遷移金属との当量比は、カルボン酸塩基と遷移金属との当量比のある範囲内であってもよい。一実施形態において、カルボン酸塩基と遷移金属との当量比の任意の範囲の最小当量比は、０．９５：１；代替として、１：１；代替として、１．０３：１；または代替として、１．０５：１であってもよい。一実施形態において、カルボン酸塩基と遷移金属との当量比の任意の範囲の最大当量比は、１．３：１；代替として、１：２５；代替として、１．２：１；または代替として、１．１５：１であってもよい。一実施形態において、カルボン酸塩基と遷移金属との当量比は、本明細書に記載される任意の最小のカルボン酸塩基と遷移金属との当量比から、本明細書に記載される任意の最大の遷移金属カルボン酸塩基と遷移金属との当量比までの範囲であってもよい。幾つかの非限定的な実施形態において、カルボン酸塩基と遷移金属との当量比は、０．９５：１〜１．３：１；代替として、１：１〜１．２５：１；代替として、１：１〜１．２：１；代替として、１．０３：１〜１．２５：１；代替として、１．０３：１〜１．２：１；代替として、１．０５：１〜１．２：１；または代替として、１．０５：１〜１．１５：１の範囲であってもよい。他のカルボン酸塩基と遷移金属との当量比範囲は、本開示から容易に明らかである。別の非限定的な実施形態において、カルボン酸塩基と遷移金属との当量比が約１．１：１であってもよい。一般に＋ｘ酸化状態の遷移金属は、ｘ当量の遷移金属を含む。
【０２７３】
一態様において、遷移金属前駆体および１族または２族金属カルボン酸塩は、任意の適切な１族または２族金属カルボン酸塩のカルボン酸塩基と遷移金属前駆体の遷移金属とのモル比（すなわちカルボン酸塩基と遷移金属とのモル比）で接触させるこができる。一実施形態において、カルボン酸塩基と遷移金属とのモル比は、カルボン酸塩基と遷移金属とのモル比のある範囲内であってもよい。一般に、カルボン酸塩基と遷移金属とのモル比およびカルボン酸塩基と遷移金属との当量比は、遷移金属前駆体の遷移金属の酸化状態によって、使用されるカルボン酸塩基のモル数は、ｘ×カルボン酸塩基の数の当量に等しいという点で関係づけられる。一実施形態において、カルボン酸塩基と遷移金属とのモル比の任意の範囲の最小モル比は、０．９５×ｘ：１；代替として、１×ｘ：１；代替として、１．０３×ｘ：１；または代替として、１．０５×ｘ：１であってもよい。一実施形態において、カルボン酸塩基と遷移金属とのモル比の任意の範囲の最大モル比は、１．３×ｘ：１；代替として、１×ｘ：２５；代替として、１．２×ｘ：１；または代替として、１．１５×ｘ：１であってもよい。一実施形態において、カルボン酸塩基と遷移金属とのモル比は、本明細書に記載される任意の最小のカルボン酸塩基と遷移金属とのモル比から任意の最大の遷移金属のモル比の範囲であってもよい。幾つかの非限定的な実施形態において、カルボン酸塩基と遷移金属とのモル比０．９５×ｘ：１〜１．３×ｘ：１；代替として、１×ｘ：１〜１．２５×ｘ：１；代替として、１×ｘ：１〜１．２×ｘ：１；代替として、１．０３×ｘ：１〜１．２５×ｘ：１；代替として、１．０３×ｘ：１〜１．２×ｘ：１；代替として、１．０５×ｘ：１〜１．２×ｘ：１；または代替として、１．０５×ｘ：１〜１．１５×ｘ：１の範囲であってもよい。別の非限定的な実施形態において、カルボン酸塩基と遷移金属との当量比は、約１．１×ｘ：１であってもよい。他のカルボン酸塩基と遷移金属とのモル比の範囲は、本開示から容易に明らかである。
【０２７４】
一実施形態において、遷移金属カルボン酸塩は、４０℃〜２００℃；代替として、４０℃〜１５０℃；代替として、４０℃〜１００℃；代替として、２０℃〜８０℃；または代替として、０℃〜６０℃の範囲の温度で形成することができる。一実施形態において、遷移金属前駆体（一般的なものまたは特定のもの）は、遷移金属カルボン酸塩を形成することができる温度で溶媒に不溶性；代替として、遷移金属カルボン酸塩を形成することができる温度で溶媒に部分的に可溶性；または代替として、遷移金属カルボン酸塩を形成することができる温度で可溶性であってもよい。一実施形態において、１族または２族金属カルボン酸塩（一般的なものまたは特定のもの）は、遷移金属カルボン酸塩を形成することができる温度で溶媒に不溶性；代替として、遷移金属カルボン酸塩を形成することができる温度で溶媒に部分的に可溶性；または代替として、遷移金属カルボン酸塩を形成することができる温度で可溶性であってもよい。遷移金属前駆体、１族または２族金属カルボン酸塩および溶媒の任意の組み合わせが、接触温度および遷移金属カルボン酸塩形成温度であってもよい温度は、互いに独立している。接触温度および形成温度が異なる場合、遷移金属カルボン酸塩の形成が、接触温度または接触温度と形成温度との間の温度で始まり得ないことを暗示しないことは留意されるべきである。形成温度は、ある時点で、遷移金属カルボン酸塩の一部の形成が決められた形成温度で生じることを単に示すだけである。また、遷移金属前駆体、１族または２族金属カルボン酸塩および溶媒は、ある温度（遷移金属カルボン酸塩の形成が徐々に形成することができる温度）で接触させることができ、次いで、第２の温度で遷移金属が形成する（または代替として、遷移金属前駆体、１族または２族金属カルボン酸塩、および溶媒を含む、本質的にこれらからなる、またはこれらからなる混合物を遷移金属カルボン酸塩の形成のための第２の温度にさらす）ことに留意されるべきである。
【０２７５】
一態様において、遷移金属カルボン酸塩の形成時間（または代替として、遷移金属前駆体、１族または２族金属カルボン酸塩、および溶媒の接触時間）は、少なくとも０．１時間；代替として、少なくとも０．１５時間；代替として、少なくとも０．２時間；代替として、少なくとも０．２５時間；代替として、少なくとも０．３時間；代替として、少なくとも０．３５時間；代替として、少なくとも０．４５時間；または代替として、少なくとも０．５時間であってもよい。一実施形態において、遷移金属カルボン酸塩の最大形成時間（または代替として、遷移金属前駆体、１族または２族金属カルボン酸塩および溶媒の接触時間）は、１６８時間；代替として、１４４時間；代替として、１２０時間；代替として、９６時間；代替として、７２時間；代替として、４８時間；代替として、３６時間；代替として、２４時間；代替として、１８時間；代替として、１５時間；代替として、１２時間；代替として、９時間；代替として、８時間；または代替として、７時間であってもよい。一部の実施形態において、クロム（ＩＩＩ）ハライド錯体を形成することができる条件は、本明細書に開示される任意の最小の遷移金属カルボン酸塩形成時間（代替として、遷移金属前駆体、１族または２族金属カルボン酸塩、および溶媒の接触時間）から本明細書に記載される任意の最大遷移金属カルボン酸塩形成時間（代替として、遷移金属前駆体、１族または２族金属カルボン酸塩および溶媒の接触時間）までの範囲であってもよい、遷移金属カルボン酸塩の形成時間（または代替として、遷移金属前駆体、１族または２族金属カルボン酸塩、および溶媒の接触時間）を含むことができる。幾つかの非限定的な実施形態において、遷移金属カルボン酸塩形成時間（代替として、遷移金属前駆体、１族または２族金属カルボン酸塩および溶媒の接触時間）は、０．１時間から１６８時間；代替として、０．１時間〜１２０時間；代替として、０．２５時間〜７２時間；代替として、０．４時間〜３６時間；代替として、０．５時間〜２４時間；または代替として、０．５時間〜２４時間であってもよい。他の遷移金属カルボン酸塩形成時間（代替として、遷移金属前駆体、１族または２族金属カルボン酸塩、および溶媒の接触時間）の範囲は、本開示から容易に明らかである。
【０２７６】
一態様において、遷移金属カルボン酸塩は、遷移金属カルボン酸塩を形成することができる任意の圧力で形成することができる。一実施形態において、遷移金属カルボン酸塩を形成することができる条件は大気圧（すなわち約１４．７ｐｓｉまたは約１０１ｋＰａ）を含むことができる。一実施形態において、遷移金属カルボン酸塩を形成することができる条件は、遷移金属前駆体、１族または２族金属カルボン酸塩および溶媒を含む接触混合物を大気圧より高い圧力にさらすステップを含むことができる。一部の実施形態において、遷移金属カルボン酸塩を形成することができる条件は、少なくとも大気圧；代替として、大気圧より少なくとも２ｐｓｉ（１４ｋＰａ）高い；代替として、大気圧より少なくとも５ｐｓｉ（３４ｋＰａ）高い；代替として、大気圧より少なくとも１０ｐｓｉ（６９ｋＰａ）高い；または代替として、大気圧より少なくとも１５ｐｓｉ（１０３ｋＰａ）高い圧力を含むことができる。一部の実施形態において、遷移金属カルボン酸塩を形成することができる条件は、溶媒を液体状態に維持することができる圧力；代替として、溶媒を液体状態に維持することができる圧力より少なくとも２ｐｓｉ（１４ｋＰａ）高い；代替として、溶媒を液体状態に維持することができる圧力より少なくとも５ｐｓｉ（３４ｋＰａ）高い；代替として、溶媒を液体状態に維持することができる圧力より少なくとも１０ｐｓｉ（６９ｋＰａ）高い；または代替として、溶媒を液体状態に維持することができる圧力より少なくとも１５ｐｓｉ（１０３ｋＰａ）高い圧力を含むことができる。他の実施形態において、遷移金属カルボン酸塩を形成することができる条件は、５００ｐｓｉ（３．４ｍＰａ）；代替として、４００ｐｓｉ（２．８ｍＰａ）；代替として、２５０ｐｓｉ（１．７ｍＰａ）；代替として、２００ｐｓｉ（１．４ｍＰａ）；代替として、１５０ｐｓｉ（１．０ｍＰａ）；代替として、１００ｐｓｉ（６８９ｋＰａ）；または代替として、５０ｐｓｉ（３４５ｋＰａ）の最大圧力を含むことができる。また他の実施形態において、遷移金属カルボン酸塩を形成することができる条件は、本明細書に開示される任意の最小の遷移金属カルボン酸塩形成圧力から本明細書に記載される任意の最大の遷移金属カルボン酸塩形成圧力までの範囲になり得る圧力を含むことができる。幾つかの非限定的な実施形態において、遷移金属カルボン酸塩を形成することができる条件は、大気圧から５００ｐｓｉ（３．４ｍＰａ）までの；代替として、大気圧より少なくとも２ｐｓｉ（１４ｋＰａ）高い圧力から５００ｐｓｉ（３．４ｍＰａ）までの；溶媒を液体状態に維持することができる圧力より少なくとも５ｐｓｉ（３４ｋＰａ）高い圧力から５００ｐｓｉ（３．４ｍＰａ）までの圧力を含むことができる。遷移金属カルボン酸塩を形成することができる条件であり得る他の圧力範囲は、本開示から容易に明らかである。
【０２７７】
一実施形態において、遷移金属前駆体、１族または２族金属カルボン酸塩、および溶媒の任意の組み合わせを接触させることができ、および／または遷移金属カルボン酸塩（ｃａｒｂｏｘｙｌａｔｅｄ）を実質的に乾燥した（または代替として、乾燥した）雰囲気中で形成することができる。一実施形態において、実質的に乾燥した（または代替として、乾燥した）雰囲気は、窒素、アルゴン、ヘリウム、酸素またはその任意の組み合わせ；または代替として、窒素、アルゴン、ヘリウムまたはその任意の組み合わせを含むことができる。一部の実施形態において、実質的に乾燥した雰囲気は、実質的に乾燥した窒素、乾燥したアルゴン、実質的に乾燥したヘリウムまたは実質的に乾燥した空気；代替として、実質的に乾燥した窒素；代替として、実質的に乾燥したアルゴン；代替として、実質的に乾燥したヘリウム；または代替として、実質的に乾燥した空気であってもよい。他の実施形態において、乾燥した雰囲気は、乾燥した窒素、乾燥したアルゴン、乾燥したヘリウムまたは乾燥した空気；代替として、乾燥した窒素；代替として、乾燥したアルゴン；代替として、乾燥したヘリウム；または代替として、乾燥した空気であってもよい。一部の実施形態において、クロム前駆体、１族または２族金属カルボン酸塩、および溶媒を接触させることができ、および／または、カルボン酸（ｃａｒｂｏｘｙｌａｔｅｄ）クロムを１００ｐｐｍ以下の水；代替として、９０ｐｐｍ以下の水；代替として、８０ｐｐｍ以下の水；代替として、７０ｐｐｍ以下の水；代替として、６０ｐｐｍ以下の水；代替として、５０ｐｐｍ以下の水；代替として、４０ｐｐｍ以下の水；代替として、３０ｐｐｍ以下の水；代替として、２０ｐｐｍ以下の水；代替として、１０ｐｐｍ以下の水；代替として、９ｐｐｍ以下の水；代替として、８ｐｐｍ以下の水；代替として、７ｐｐｍ以下の水；代替として、６ｐｐｍ以下の水；代替として、５ｐｐｍ以下の水；代替として、４ｐｐｍ以下の水；代替として、３ｐｐｍ以下の水；代替として、２ｐｐｍ以下の水；または代替として、１ｐｐｍ以下の水を含有する雰囲気（本明細書に記載されるいずれか）中で形成することができる。一般に、雰囲気中に存在することができる水の量は、重量基準で与えられる。
【０２７８】
一態様において、本プロセスは、溶媒を蒸発させて遷移金属カルボン酸塩組成物を与えるステップをさらに含むことができる。別の態様において、本プロセスは、遷移金属カルボン酸塩を含む溶液から溶媒を蒸発させて、遷移金属カルボン酸塩組成物を与えるステップを含むことができる。一実施形態において、本プロセスは、遷移金属カルボン酸塩を含む溶液を濾過して、濾液を生成し、次いで濾液から溶媒を蒸発させるステップをさらに含むことができる。一実施形態において、本プロセスは、遷移金属カルボン酸塩を含む溶液を傾瀉し、溶媒を蒸発させるステップをさらに含むことができる。一般に、濾過および傾瀉は、遷移金属カルボン酸塩を含む溶液中に存在する何らかの不溶性粒子の少なくとも一部を除去するために使用することができる。溶媒の蒸発によって、遷移金属カルボン酸塩組成物を生成することができる。遷移金属カルボン酸塩組成物が本明細書に記載される任意の方法によって精製される一部の実施形態において、この第１の遷移金属カルボン酸塩は、粗の遷移金属カルボン酸塩組成物と称することができる。複数の精製または単離ステップが行われる場合、様々な遷移金属カルボン酸塩組成物は、記号（例えば第１、第２、第３など）を含む用語「遷移金属カルボン酸塩」を前置きすることにより識別することができる。
【０２７９】
一態様において、粗の遷移金属カルボン酸塩組成物は精製することができる。一部の実施形態において、粗の遷移金属カルボン酸塩組成物は、溶媒に遷移金属カルボン酸塩組成物を溶解し、溶解された遷移金属カルボン酸塩組成物を含有する溶液を濾過して濾液を得、溶媒を蒸発させることにより濾液から遷移金属カルボン酸塩組成物を単離することによって精製することができる。一実施形態において、遷移金属カルボン酸塩組成物を溶解するために使用される溶媒は、非プロトン性溶媒；代替として、非プロトン性極性溶媒；代替として、無極性溶媒；代替として、非配位性溶媒であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。別の態様において、遷移金属カルボン酸塩組成物は、遷移金属カルボン酸塩組成物内の不純物が可溶性であるが遷移金属カルボン酸塩組成物が実質的に不溶性である溶媒と、遷移金属カルボン酸塩組成物を接触させ、溶液を濾過して遷移金属カルボン酸塩組成物を回収することによって精製することができる。また他の実施形態において、遷移金属カルボン酸塩組成物は溶媒から再結晶することができる。一部の実施形態において、遷移金属カルボン酸塩組成物の精製において使用される溶媒は、非プロトン性溶媒；代替として、非プロトン性極性溶媒；代替として、非プロトン性の無極性溶媒；または代替として、非配位性溶媒であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一般に、遷移金属カルボン酸塩組成物は、本明細書に記載される遷移金属カルボン酸塩組成物の精製方法の１つまたは任意の組み合わせを使用して精製することができる。
【０２８０】
本明細書および特許請求の範囲において使用される場合、「実質的に不溶性の」という用語は、５グラムを超える物質（例えば遷移金属カルボン酸塩組成物）が、溶媒および遷移金属カルボン酸塩を接触させる温度で２００ｍＬの溶媒に溶解しないことを意味する。本明細書および特許請求の範囲において使用される場合、「可溶性」という用語は、８０グラムを超える物質が溶媒および遷移金属カルボン酸塩を接触させる温度で２００ｍＬの溶媒に溶解することを意味する。本明細書および特許請求の範囲において使用される場合、「部分的に可溶性」という用語は、５〜８０グラムの物質が２００ｍＬの溶媒に溶解することを意味する。
【０２８１】
溶媒を蒸発させる任意の実施形態において、溶媒の蒸発は、当業者に公知の何らかの方法を用いて行うことができる。一部の実施形態において、溶媒は環境温度（１５−３５℃−外部熱源は適用しない）で蒸発させることができる。他の実施形態において、溶媒は、緩やかな加熱（例えば２５℃から１００℃の範囲の温度で）用いて蒸発させることができる。さらなる実施形態において、溶媒は減圧下で環境温度で蒸発させることができる。また他の実施形態において、溶媒は緩やかな減圧加熱で蒸発させることができる。溶媒を減圧下で蒸発させることができる任意の態様または任意の実施形態において、蒸発は、６００トール未満；代替として、５００トール未満；代替として、４００トール未満；代替として、３００トール未満；代替として、２００トール未満；代替として、１５０トール未満；代替として、１００トール未満；代替として、７５トール未満；代替として、５０トール未満；代替として、２５トール未満；代替として、２０トール未満；代替として、１５トール未満；代替として、１０トール未満；代替として、５トール未満；または代替として、１トール未満の圧力で行うことができる。一実施形態において、溶媒の蒸発（それがどのように遂行されるか、または、それがプロセスのどんなステップで遂行されるかに関係なく）を利用して、少なくとも５０、６０、７０、７５、８０、８５、９０、９５、９６、９７、９８または９９重量パーセントの溶媒を除去することができる。
【０２８２】
本明細書に開示される態様および任意の実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属カルボン酸塩組成物を調製するためのプロセスは、遷移金属カルボン酸塩組成物中の１族または２族金属含有率を低減するステップを含むことができる。本明細書に記載される任意の態様または任意の実施形態において、遷移金属カルボン酸塩組成物の１族または２族金属含有率は、遷移金属カルボン酸塩組成物をヒドロカルビルシリルハライドと接触させることにより低減することができる。幾つかの態様および実施形態において、遷移金属カルボン酸塩組成物の１族または２族金属含有率は、遷移金属カルボン酸塩組成物をアルキルシリルハライドと接触させることにより低減することができる。一部の実施形態において、遷移金属カルボン酸塩組成物およびヒドロカルビルシリルハライド（またはアルキルシリルハライド）は、溶媒中で接触させることができる。一実施形態において、遷移金属カルボン酸塩組成物およびヒドロカルビルシリルハライドを接触させることができる溶媒は、非プロトン性溶媒；代替として、非プロトン性極性溶媒；代替として、無極性溶媒；または代替として、非配位性溶媒であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。溶媒は本明細書に記載され、遷移金属カルボン酸塩組成物およびヒドロカルビルシリルハライド（またはアルキルシリルハライド）の接触に関する要件を満たす好適な種類（または特定の溶媒）は、限定されずに使用することができる。遷移金属カルボン酸塩組成物およびヒドロカルビルシリルハライド（またはアルキルシリルハライド）を接触させた後、形成された溶液を濾過して、形成された１族または２族金属ハライド塩を除去することができる。１族または２族金属塩を除去した後、次いで、遷移金属カルボン酸塩組成物を単離し、場合によって精製することができる。遷移金属カルボン酸塩組成物を分離および／または精製する方法は本明細書に記載される。一般に、遷移金属カルボン酸塩組成物中の１族または２族金属含有率を低減する方法は、本明細書に記載される任意の一般的または特定の遷移金属カルボン酸塩組成物（例えばカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物）を用いて使用することができる。
【０２８３】
一実施形態において、ヒドロカルビルシリルハライドは、ヒドロカルビルシリルトリハライド、ジヒドロカルビルシリルジハライド、トリヒドロカルビルシリルハライドもしくはその任意の組み合わせ；代替として、ヒドロカルビルシリルトリハライド；代替として、ジヒドロカルビルシリルジハライド；または代替として、トリヒドロカルビルシリルハライドであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一部の実施形態において、ヒドロカルビルシリルハライドは、アルキルシリルトリハライド、ジアルキルシリルジハライド、トリアルキルシリルハライドもしくはその任意の組み合わせ；代替として、アルキルシリルトリハライド；代替として、ジアルキルシリルジハライド；または代替として、トリアルキルシリルハライドであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。ヒドロカルビル基、アルキル基およびハライドは、置換シクロアルキル基、置換芳香族基、置換アリール基および置換アラルキル基（様々な基の中でも）の置換基として、本明細書に記載されている。これらのヒドロカルビル基、アルキル基およびハライドは、本明細書に記載される任意のヒドロカルビルシリルハライドまたはアルキルシリルハライドのヒドロカルビル基、アルキル基、ハライドとして限定されずに使用することができる。非限定的な実施形態において、ヒドロカルビルシリルハライドは、トリメチルクロロシランであってよく、これを含んでよく、または本質的にこれからなってよい。
【０２８４】
遷移金属カルボン酸塩組成物を調製するためのプロセスが溶媒を使用することができる多重ステップを有する場合、各特定ステップにおいて使用される溶媒は、「溶媒」という用語（またはその用語を使用する語句）を前置きする第１、第２、第３のなどの記号を使用することにより互いに識別することができる。
【０２８５】
遷移金属カルボン酸塩組成物の特性は本明細書に記載され、本プロセスによって生成した遷移金属カルボン酸塩組成物および遷移金属カルボン酸塩組成物を調製するためのプロセスを記載するために限定されずに使用することができる。
【０２８６】
非限定的な態様において、本開示は、カルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物を調製するためのプロセスを提供する。カルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物を調製するためのプロセスは、１）クロム（ＩＩＩ）前駆体、２）１族または２族金属カルボン酸塩、および３）溶媒を接触させて、カルボン酸クロム（ＩＩＩ）を形成するステップを含むことができる。別の実施形態において、カルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物を調製するためのプロセスは、１）クロム（ＩＩＩ）前駆体、２）１族または２族金属カルボン酸塩、および３）溶媒を接触させて、カルボン酸クロム（ＩＩＩ）を含む溶液を形成するステップを含むことができる。他の実施形態において、カルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物を作製するプロセスはａ）１）クロム（ＩＩＩ）前駆体、２）１族または２族金属Ｃ３−Ｃ２５カルボン酸塩および溶媒を接触させて、クロム（ＩＩＩ）Ｃ３−Ｃ２５カルボン酸塩を形成するステップを含むことができる。一部の実施形態において、カルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物を作製するプロセスは、ａ）１）クロム（ＩＩＩ）前駆体、２）１族または２族金属Ｃ３−Ｃ２５カルボン酸塩および溶媒を接触させて、Ｃ３−Ｃ２５カルボン酸クロム（ＩＩＩ）を含む溶液を形成するステップを含むことができる。クロム（ＩＩＩ）前駆体、１族または２族金属カルボン酸塩（例えば１族または２族金属Ｃ３−Ｃ２５カルボン酸塩）、および溶媒は、カルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物を作製するプロセスの独立した要素であり、カルボン酸クロム（ＩＩＩ）を作製するプロセスは、本明細書に記載される任意の１族または２族金属カルボン酸塩、本明細書に記載されるクロム（ＩＩＩ）前駆体、本明細書に記載されるカルボン酸クロム（ＩＩＩ）、および／または本明細書に記載される溶媒も用いて記載することができる。カルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物を調製するためのプロセスは、クロム（ＩＩＩ）前駆体、本明細書に記載される１族または２族金属カルボン酸塩および／または本明細書に記載される溶媒の任意の態様または任意の実施形態の任意の組み合わせを用いて記載することができる。他の遷移金属カルボン酸塩組成物を調製するためのプロセスは、本開示に基づいて容易に明らかであり、企図される。
【０２８７】
一実施形態において、カルボン酸クロム（ＩＩＩ）（一般的なものまたは特定のもの）を製造するプロセスで使用されるクロム（ＩＩＩ）前駆体（一般的なものまたは特定のもの）は、遷移金属前駆体（「実質的に無水」および「無水」を含む）に関して本明細書に開示される任意の水含有率、および／または遷移金属前駆体（「実質的に酸を含まない」および「酸を含まない」を含む）に関して本明細書に開示される任意の酸含有率を有することができる。別の実施形態において、カルボン酸クロム（ＩＩＩ）（一般的なものまたは特定のもの）を製造するプロセスに使用される１族または２族金属カルボン酸塩（一般的なものまたは特定のもの）は、１族または２族金属カルボン酸塩（「実質的に無水」および「無水」を含む）に関して本明細書に開示される任意の水含有率、および／または１族または２族金属カルボン酸塩（「実質的に酸を含まない」および「酸を含まない」を含む）に関して本明細書に開示される任意の酸含有率を有することができる。また別の実施形態において、カルボン酸クロム（ＩＩＩ）を製造するプロセスに使用される溶媒は、溶媒（「実質的に無水」および「無水」を含む）に関して本明細書に開示される任意の水含有率、および／または溶媒（「実質的に酸を含まない」および「酸を含まない」を含む）に関して本明細書に開示される任意の酸含有率を有することができる。一実施形態において、クロム（ＩＩＩ）前駆体（一般的なものまたは特定のもの）および１族または２族金属カルボン酸塩（一般的なものまたは特定のもの）を混ぜ合せるステップは、任意の混ぜ合わせ方法および／または条件下で起こし、遷移金属前駆体、１族または２族金属カルボン酸塩および溶媒を混ぜ合せる、本明細書に記載される任意の混合物および／または溶液を形成することができる。また他の実施形態において、カルボン酸クロム（ＩＩＩ）は、遷移金属カルボン酸塩の形成のための、本明細書に記載される任意の条件下で形成することができる。非限定的な実施形態において、クロム（ＩＩＩ）前駆体および１族または２族金属カルボン酸塩は、２．８５：１〜３．９：１；代替として、３：１〜３．７５：１；代替として、３：１〜３．６：１；代替として、３．０９：１〜３．７５：１；代替として、３．０９：１〜３．６：１；代替として、３．１５：１〜３．６：１；または代替として、３．１５：１〜３．４５：１の範囲のカルボン酸塩基とクロム（ＩＩＩ）とのモル比で接触させることができる。遷移金属カルボン酸塩を調製するためのプロセスの他の態様および実施形態は、また、カルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物を調製するためのプロセスに限定されずに適用することができる。
【０２８８】
一態様において、粗のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物は精製することができる。一部の実施形態において、粗のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物は、溶媒にカルボン酸クロム（ＩＩＩ）を溶解し、溶解したカルボン酸クロム（ＩＩＩ）を含む溶液を濾過して濾液を得、溶媒を蒸発させることにより濾液からカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物を単離することによって精製することができる。一実施形態において、カルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物を溶解するために使用される溶媒は、非プロトン性溶媒；代替として、非プロトン性極性溶媒；代替として、無極性溶媒；または代替として、非配位性溶媒であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一部の実施形態において、カルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物は、カルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物内の不純物が可溶性であるがクロム（ＩＩＩ）金属カルボン酸塩組成物が実質的に不溶性である溶媒とカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物を接触させ、溶液を濾過してカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物を回収することによって精製することができる。また他の実施形態において、カルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物は溶媒から再結晶することができる。一部の実施形態において、カルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物の精製において使用される溶媒は、非プロトン性溶媒；代替として、非プロトン性極性溶媒；代替として、無極性溶媒；または代替として、非配位性溶媒であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一般に、カルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物は、本明細書に記載されるカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物の精製方法の１つのまたは任意の組み合わせを使用して精製することができる。
【０２８９】
遷移金属カルボン酸塩組成物は触媒系において有用であり得る。特に、カルボン酸クロムは、１−ヘキセンのエチレンからの合成のための触媒系において有用であり得る。一つの広く用いられるカルボン酸クロムは、カルボン酸塩の２−エチルヘキサン酸塩を含むカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物である。本明細書において提供される参考文献に開示されるように、カルボン酸クロム（および他の遷移金属カルボン酸塩）は、複数のクロム原子を含有する１つまたは複数の構造を含むことが知られている。これらの化合物のいずれかは、エチレンから１−ヘキセンを生成するために使用される触媒系に影響を与えることができ、カルボン酸クロムを使用する他の分野において影響を有することができる。一態様（および理論に制約されずに）において、本開示によるプロセスは、相当な量の単核遷移金属カルボン酸塩（例えばトリス（カルボン酸）クロム（ＩＩＩ））を含むカルボン酸クロム組成物を与える。幾つかの非限定的な実施例において、カルボン酸クロム組成物は、式−Ｏ２ＣＲ２を有するＣ３−Ｃ２４モノカルボン酸塩であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。カルボン酸クロム組成物において使用することができる他のカルボン酸塩基は、容易に明らかであり、本開示から企図される。
【０２９０】
非限定的な一態様において、本開示は、カルボン酸塩がＣ３−Ｃ２５モノカルボン酸塩であるカルボン酸クロム組成物を提供する。他の非限定的な態様において、本開示は、カルボン酸塩が、式−Ｏ２ＣＲ２ｃ［式中、Ｒ２ｃはＣ２−Ｃ２４オルガニル基である］を有するモノカルボン酸塩であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい、カルボン酸クロム組成物を提供する。カルボン酸クロムを記載するために使用することができる他のモノカルボン酸は、本開示から容易に明らかであり、企図される。カルボン酸塩が式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するカルボン酸クロム組成物の非限定的な実施形態において、Ｒ２ｃは、Ｃ４−Ｃ１１ヒドロカルビル基またはＣ４−Ｃ１１置換ヒドロカルビル基；代替として、Ｃ４−Ｃ１１ヒドロカルビル基；代替として、Ｃ４−Ｃ１１置換ヒドロカルビル基；または代替として、Ｃ４−Ｃ１１アルキル基であってもよい。一部の実施形態において、カルボン酸クロム組成物のカルボン酸塩は、プロピオン酸塩、ｎ−酪酸塩、イソ酪酸塩、吉草酸塩（ｎ−ペンタン酸塩）、ネオペンタン酸塩、カプロン酸塩（ｎ−ヘキサン酸塩）、ｎ−へプタン酸塩、カプリル酸塩（ｎ−オクタン酸塩）、２−エチルヘキサン酸塩、ｎ−ノナン酸塩、カプリン酸塩（ｎ−デカン酸塩）、ｎ−ウンデカン酸塩、ラウリン酸塩（ｎ−ドデカン酸塩）、ステアリン酸塩（ｎ−オクタデカン酸塩）もしくはその任意の組み合わせ；代替として、吉草酸塩（ｎ−ペンタン酸塩）、ネオペンタン酸塩、カプロン酸塩（ｎ−ヘキサン酸塩）、ｎ−へプタン酸塩、カプリル酸塩（ｎ−オクタン酸塩）、２−エチルヘキサン酸塩、ｎ−ノナン酸塩、カプリン酸塩（ｎ−デカン酸塩）、ｎ−ウンデカン酸塩もしくはラウリン酸塩（ｎ−ドデカン酸塩）もしくはその任意の組み合わせ；または代替として、吉草酸塩（ｎ−ペンタン酸塩）、カプリル酸塩（ｎ−オクタン酸塩）もしくは２−エチルヘキサン酸塩であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一部の実施形態において、カルボン酸クロム組成物のカルボン酸塩は、２−エチルヘキサン酸塩であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０２９１】
別の非限定的な態様において、本開示は、式−Ｏ２ＣＲ２ｃを有するカルボン酸塩のＲ２ｃが、Ｃ６−Ｃ２４アリール基もしくは置換Ｃ６−Ｃ２４アリール基；代替として、Ｃ６−Ｃ１９アリール基もしくは置換Ｃ６−Ｃ１９アリール基；または代替として、Ｃ６−Ｃ１１アリール基もしくは置換Ｃ６−Ｃ１１アリール基であってもよいカルボン酸クロム組成物を提供する。一部の実施形態において、カルボン酸クロム組成物のカルボン酸塩は、安息香酸塩または置換安息香酸塩；代替として、ナフトエ酸塩または置換ナフトエ酸塩であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０２９２】
さらなる非限定的な態様において、本開示によるカルボン酸クロム組成物は、カルボン酸クロム（ＩＩ）組成物またはカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。またさらなる非限定的な態様において、カルボン酸クロム組成物は、カルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０２９３】
遷移金属カルボン酸塩組成物および／またはカルボン酸クロム組成物のための他の態様および実施形態は、本開示から容易に明らかであり、企図される。一態様において、遷移金属カルボン酸塩および／またはカルボン酸クロム組成物は、本明細書に記載される任意のプロセスによって生成したカルボン酸クロム組成物であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０２９４】
本開示の単離した遷移金属カルボン酸塩組成物は、市販の遷移金属カルボン酸塩組成物から単離した非晶性塊より本来より結晶性に現われ得ることを観察することができる。例えば、２−エチルヘキサン酸ナトリウムとＣｒＣｌ３（ＴＨＦ）３とのおよそ３．３のモル比を用いて単離した本開示の２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）（図１）を単離した市販の２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）（図２）と比較する。しかし、幾つかの異なる結晶化方法を試みた後でさえ、本発明の遷移金属カルボン酸塩は、従来のＸ線結晶学方法によってそれらの構造の解明を可能にする結晶を形成しない。したがって、現在の市販の遷移金属カルボン酸塩組成物から複数の他の分析技法の１つまたは組み合わせを使用して本開示の遷移金属カルボン酸塩組成物を識別する必要がある。
【０２９５】
本開示の遷移金属カルボン酸塩と他の遷移金属カルボン酸塩組成物を識別するために使用することができる一技法は、赤外分光法であってもよい。本開示の遷移金属カルボン酸塩と他の遷移金属カルボン酸塩組成物を識別するために使用することができる別の技法は、高エネルギーＸ線回折であってもよい。赤外分光法および高エネルギーＸ線回折に関連した具体的な特色は、独立して本明細書に記載され、任意の１個または複数のこれらの特色は、本開示の遷移金属カルボン酸塩を記載するために個々にまたは任意に組み合わせて用いることができる。
【０２９６】
遷移金属カルボン酸塩組成物の分光分析、特に赤外線（ＩＲ）吸収分光法は、組成物と関係する有用な特性評価情報を提供することができる。カルボン酸塩組成物のＩＲスペクトルの態様は、Ｋ．Ｎａｋａｍｏｔｏ，Ｉｎｆｒａｒｅｄ  ａｎｄ  Ｒａｍａｎ  Ｓｐｅｃｔｒａ  ｏｆ  Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  ａｎｄ  Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ，４ｔｈＥｄ．，Ｊ．Ｗｉｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎｓ，Ｎｅｗ  Ｙｏｒｋ，ｃ．１９８６，ｐｐ．２３１−２３３において提供される。加えて、ＣａｎｎｏｎおよびＷｈｉｔｅ（Ｃａｎｎｏｎ，Ｒ．Ｄ  ａｎｄ  Ｗｈｉｔｅ  Ｒ．Ｐ，Ｐｒｏｇｒｅｓｓ  ｉｎ  Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ；Ｖｏｌｕｍｅ  ３６，１９８８，ｐｐ．１９５−２９８）およびＤｅａｃｏｎおよびＰｈｉｌｌｉｐｓ（Ｇ．Ｂ．Ｄｅａｃｏｎ  ａｎｄ  Ｒ．Ｊ．Ｐｈｉｌｌｉｐｓ，Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  Ｒｅｖｉｅｗｓ，３３（１９８０），ｐｐ．２２７−２５０）は、カルボン酸塩陰イオンの遷移金属との配位および遷移金属カルボン酸塩のＩＲスペクトルに関するさらなる情報を提供する。本明細書においてＶｌａｃｈｏｓと称されるＶｌａｃｈｏｓら（Ａ．Ｖｌａｃｈｏｓ，Ｐｓｙｃｈａｒｉｓ，Ｃ．Ｐ．Ｒａｐｔｏｐｏｕｌａ，Ｎ．Ｌａｌｉｏｔｉ，Ｙ．Ｓａｎａｋｉｓ，Ｇ．Ｄｉａｍａｎｔｏｐｏｕｌｏｓ，Ｍ．Ｆａｒｄｉｓ，Ｍ．Ｋａｒａｙａｎｎｉ，Ｇ．Ｐａｐａｖａｓｓｉｌｉｏｕ，  ａｎｄ  Ａ．Ｔｅｒｚｉｓ，Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｉｍｉｃａ  Ａｃｔａ，３５７（２００４），ｐｐ．３１６２−３１７２）は、三核クロム（ＩＩＩ）オキソカルボン酸塩に関するＩＲ情報を提供する。ＣａｎｎｏｎおよびＷｈｉｔｅ、ＤｅａｃｏｎおよびＰｈｉｌｌｉｐｓならびにＶｌａｃｈｏｓａｒｅの全体が参照によって参照によりそれぞれすべての目的のために本明細書に組み込まれる。
【０２９７】
これらの記事は、理論に制約されないが、カルボン酸塩基の酸素原子が２個の遷移金属原子を架橋している遷移金属化合物についてのνａｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピーク位置が、カルボン酸塩基の酸素原子が両方とも同一の遷移金属原子と結合しているものと異なることを表している。加えて、理論に制約されないが、カルボン酸塩基の酸素原子が２個の遷移金属原子を架橋している遷移金属カルボン酸塩化合物のνａｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークおよびνｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピーク、ならびにカルボン酸塩基の酸素原子が両方とも同一の遷移金属原子と結合しているそれらの間の分離は、識別可能なように変動する。特に、カルボン酸塩基の酸素原子が同一の遷移金属原子に結合している遷移金属化合物についてのνａｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピーク位置は、カルボン酸塩基結合の酸素原子が２個の遷移金属原子に架橋している遷移金属化合物に対するνａｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピーク位置より低波数で生じる。加えて、同一の遷移金属原子へのカルボン酸塩基結合の酸素原子が生じる遷移金属化合物のνａｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークとνｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークとの間の分離は、カルボン酸塩基結合の酸素原子が２個の遷移金属原子へ橋架している遷移金属化合物のそれより小さい。
【０２９８】
これらの記事はまた、遷移金属カルボン酸塩組成物が、複数の遷移金属が単一の酸素原子に結合している種を含んでいることを指摘している。存在得る１個の種は、理論に制約されないが、ＣａｎｎｏｎおよびＷｈｉｔｅにおいて記載されるＭＯ３単位を有する三角形の架橋金属錯体であり、ＭＯ３単位（式中、Ｍは遷移金属である）は、７５０ｃｍ−１〜５００ｃｍ−１の範囲のνａｓｙｍ（ＭＯ３）ＩＲピークを有する。クロムの三角形架橋錯体に関して、νｓｙｍ（ＣｒＯ３）ＩＲピークはおよそ７５０ｃｍ−１〜６５０ｃｍ−１に現れる。
【０２９９】
図４および図６は、２種の市販の２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）組成物のＩＲスペクトルの２０００ｃｍ−１〜１０００ｃｍ−１の部分を示す。これらのＩＲスペクトルのそれぞれは、１６１６±２０ｃｍ−１および１５４９±１５ｃｍ−１でのνａｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークをそれぞれ、およびνｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークの１４２９±１５ｃｍ−１を示す。図８、図１０、図１２および図１４は、本開示の４種の２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）組成物のＩＲスペクトルの２０００ｃｍ−１〜１０００ｃｍ−１部分を示す。これらのＩＲスペクトルのそれぞれは、１５１６±１５ｃｍ−１にνａｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピーク、１４２９±１５ｃｍ−１にνｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピーク、ならびに１６１６±２０ｃｍ−１および１５４９±１５ｃｍ−１に著しく縮小したνａｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピーク（ピークが存在したとしても）の存在を示す。これらのＩＲスペクトルは、本開示の遷移金属カルボン酸塩組成物が現在市販の遷移金属カルボン酸塩組成物とは有意に異なることを示す。
【０３００】
一態様において、本明細書に記載される任意の遷移金属カルボン酸塩組成物（一般的なものまたは特定のもの）または本明細書に記載される任意のプロセスによって調製された任意の遷移金属カルボン酸塩組成物（一般的なものまたは特定のもの）は、νｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークの１１０ｃｍ−１内にνａｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークを有することができ；代替として、νｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークの１０５ｃｍ−１内にνａｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークを有することができ；代替として、νｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークの１００ｃｍ−１内にνａｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークを有することができ；代替として、νｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークの９５ｃｍ−１内にνａｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークを有することができ；または代替として、νｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークの９０ｃｍ−１内にνａｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークを有することができる。別の態様において、νｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピーク（または本明細書に開示される他の範囲内に）の１１０ｃｍ−１内のνａｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークは、遷移金属カルボン酸塩組成物のすべてのνａｓｙｍ（ＣＯ２）ピークの中で最大の吸光度ピーク高さを有することができる。
【０３０１】
他の態様において、本明細書に記載される遷移金属カルボン酸塩組成物（一般的なものまたは特定のもの）または本明細書に記載される任意のプロセスによって調製した任意の遷移金属カルボン酸塩組成物（一般的なものまたは特定のもの）は、νｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピーク（または本明細書に開示される他の範囲内の）の１１０ｃｍ−１内のνａｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークと、νｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークとの０．５：１以上；代替として、０．７５：１以上；代替として、１：１以上；代替として、１．２５：１以上；代替として、１．５：１以上；または代替として、１．７５：１以上のＩＲ吸光度ピーク高さ比を有することができる。別の態様において、本明細書に記載される遷移金属カルボン酸塩組成物（一般的なものまたは特定のもの）または本明細書に記載される任意のプロセスによって調製した任意の遷移金属カルボン酸塩組成物（一般的なものまたは特定のもの）は、νｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピーク（または本明細書に開示される他の範囲内の）の１１０ｃｍ−１内のνａｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークと、νｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークとの０．５：１〜１００：１の範囲の；代替として、８０：１〜０．７５：１以上；０．７５：１〜８０：１以上；代替として、１：１〜６０：１以上；代替として、１．２５：１〜４０：１以上；代替として、１．５：１〜３：１以上；または代替として、１．７５：１〜２０：１以上のＩＲ吸光度ピーク高さ比を有することができる。
【０３０２】
非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属カルボン酸塩組成物（一般的なものまたは特定のもの）または本明細書に記載される任意のプロセスによって調製された任意の遷移金属カルボン酸塩組成物（一般的なものまたは特定のもの）は、νｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピーク（または本明細書に開示される他の範囲内の）の１１０ｃｍ−１内のνａｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークと、非遷移金属と結合したカルボン酸塩（ＣＯ２）ＩＲピークとの５：１以上；代替として、６：１以上；代替として、７：１以上；代替として、８：１以上；代替として、９：１以上；または代替として、１０：１以上のＩＲ吸光度ピーク高さ比を有することができる。他の非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属カルボン酸塩組成物（一般的なものまたは特定のもの）または本明細書に記載される任意のプロセスによって調製された任意の遷移金属カルボン酸塩組成物（一般的なものまたは特定のもの）は、νｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピーク（または本明細書に開示される他の範囲内の）の１１０ｃｍ−１内のνａｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークと、非遷移金属と結合したカルボン酸塩（ＣＯ２）のＩＲピークとの、５：１から１００：１の範囲；代替として、６：１から９０：１の範囲；代替として、７：１から８０：１の範囲；代替として、８：１〜６０：１の範囲；代替として、９：１から５０：１の範囲；または代替として、１０：１〜４０：１の範囲のＩＲ吸光度ピーク高さ比を有することができる。
【０３０３】
非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属カルボン酸塩組成物（一般的なものまたは特定のもの）は、νｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークと非遷移金属と結合したカルボン酸塩（ＣＯ２）ＩＲピークとの、３．５：１以上；代替として、３．７５：１以上；代替として、４以上；代替として、４．２５：１以上；代替として、４．５：１以上；または代替として、４．７５：１以上のＩＲ吸光度ピーク高さ比を有することができる。他の非限定的な実施形態において、代替として、本明細書に記載される任意の遷移金属カルボン酸塩組成物（一般的なものまたは特定のもの）または本明細書に記載される任意のプロセスによって調製された任意の遷移金属カルボン酸塩組成物（一般的なものまたは特定のもの）は、νｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピーク（または本明細書に開示される他の範囲内の）と、非遷移金属と結合したカルボン酸塩（ＣＯ２）ＩＲピークとの、３．５：１〜１００：１の範囲；代替として、３．７５：１〜９０：１の範囲；代替として、４：１〜８０：１の範囲；代替として、４．２５：１〜６０：１の範囲；代替として、４．５：１〜５０：１の範囲；または代替として、４．７５：１〜４０：１の範囲のＩＲ吸光度ピーク高さ比を有することができる。
【０３０４】
非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属カルボン酸塩組成物（一般的なものまたは特定のもの）または本明細書に記載される任意のプロセスによって調製された任意の遷移金属カルボン酸塩組成物（一般的なものまたは特定のもの）は、νｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークの１５０ｃｍ−１外側に位置するνｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークと、νｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークの１１０ｃｍ−１内の（または本明細書にて開示される他の範囲内の）νａｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークのＩＲ吸光度ピーク高さとの、０．９：１以下；代替として、０．８５：１以上；代替として、０．８：１以上；代替として、０．７５：１以上；代替として、０．７：１以上；または代替として、０．６５：１以上のＩＲ吸光度ピーク高さ比を有することができる。
【０３０５】
非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属カルボン酸塩組成物（一般的なものまたは特定のもの）または本明細書に記載される任意のプロセスによって調製された任意の遷移金属カルボン酸塩組成物（一般的なものまたは特定のもの）は、νｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークの１１０ｃｍ−１内の（または本明細書に開示される他の範囲内の）νａｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークと、νａｓｙｍ（ＭＯ３）ＩＲピークとの、１．５：１以上；代替として、３：１以上；代替として、５：１以上；代替として、６：１以上；または代替として、７：１以上のＩＲ吸光度ピーク高さ比を有することができる。他の非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属カルボン酸塩組成物（一般的なものまたは特定のもの）または本明細書に記載される任意のプロセスによって調製された任意の遷移金属カルボン酸塩組成物（一般的なものまたは特定のもの）は、νｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークの１１０ｃｍ−１内の（または本明細書に開示される他の範囲内の）νａｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークと、νａｓｙｍ（ＭＯ３）ＩＲピークとの、１．５：１〜１００：１の範囲；代替として、３：１〜９０：１の範囲；代替として、５：１〜８０：１の範囲；代替として、６：１〜６０：１の範囲；または代替として、７：１〜５０：１の範囲のＩＲ吸光度ピーク高さ比を有することができる。
【０３０６】
幾つかの非限定的な実施形態において、遷移金属カルボン酸塩は、カルボン酸塩が本明細書に開示される任意のモノカルボン酸塩である、カルボン酸クロム組成物（一般的なものまたは特定のもの）；代替として、カルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物（一般的なものまたは特定のもの）；または代替として、本明細書に記載される任意のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物（一般的なものまたは特定のもの）または本明細書に記載される任意のプロセスによって調製された任意のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物（一般的なものまたは特定のもの）であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一実施形態において、本明細書に記載される任意のカルボン酸クロム組成物（一般的なものまたは特定のもの）または本明細書に記載される任意のプロセスによって調製された任意のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物（一般的なものまたは特定のもの）は、νｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークの１１０ｃｍ−１内に（または遷移金属カルボン酸塩組成物に関して本明細書に開示される他の範囲内に）νａｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークを有することができる。一部の実施形態において、本明細書に記載される任意のカルボン酸クロム組成物（一般的なものまたは特定のもの）または本明細書に記載される任意のプロセスによって調製された任意のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物（一般的なものまたは特定のもの）は、１５１６±１５ｃｍ−１にνａｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークを有することができる。本明細書に記載される任意のカルボン酸クロム組成物（一般的なものまたは特定のもの）または本明細書に記載される任意のプロセスによって調製された任意のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物（一般的なものまたは特定のもの）の態様または実施形態において、カルボン酸クロム（ＩＩＩ）に帰属可能な最大吸光度のＩＲピーク高さは、１５１６±１５ｃｍ−１のνａｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークになり得る。一部の実施形態において、本明細書に記載される任意のカルボン酸クロム組成物（一般的なものまたは特定のもの）または本明細書に記載される任意のプロセスによって調製された任意のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物（一般的なものまたは特定のもの）は、１５１６±１５ｃｍ−１のＩＲピークと１４２９±１５ｃｍ−１のＩＲピークとの、０．５：１以上；代替として、０．７５：１以上；代替として、１：１以上；代替として、１．２５：１以上；代替として、１．５：１以上；代替として、１．５５：１以上；代替として、１．６：１以上；代替として、１．６５：１以上；代替として、１．７：１以上；または代替として、１．７５：１以上のＩＲ吸光度ピーク高さ比を有することができる。他の実施形態において、本明細書に記載される任意のカルボン酸クロム組成物（一般的なものまたは特定のもの）または本明細書に記載される任意のプロセスによって調製された任意のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物（一般的なものまたは特定のもの）は、１５１６±１５ｃｍ−１のＩＲピークと１４２９±１５ｃｍ−１のＩＲピークとの、０．５：１〜１００：１の範囲の；代替として、０．７５：１〜８０：１以上；代替として、１：１〜６０：１以上；代替として、１．２５：１〜４０���１以上；代替として、１．５：１〜３：１以上；または代替として、１．７５：１〜２０：１以上のＩＲ吸光度ピーク高さ比を有することができる。
【０３０７】
非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属組成物（一般的なものまたは特定のもの）または本明細書に記載される任意のプロセスによって調製された任意のＩＩＩカルボン酸塩組成物（一般的なものまたは特定のもの）は、１５１６±１５ｃｍ−１に位置するνａｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークと、１６１６±２０ｃｍ−１に位置するνｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークとの、１：１以上；代替として、１．５：１以上；代替として、２：１以上；代替として、２．５：１以上；または代替として、３：１以上のＩＲピーク高さ比を有することができる。幾つかの非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意のカルボン酸クロム組成物（一般的なものまたは特定のもの）または本明細書に記載される任意のプロセスによって調製された任意のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物（一般的なものまたは特定のもの）は、１５１６±１５ｃｍ−１に位置するνａｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークと１６１６±２０ｃｍ−１に位置するνｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークとの、１：１〜１００：１の範囲；代替として、１．５：１〜８０：１の範囲；代替として、２：１〜６０：１の範囲；代替として、２．５：１〜５０：１の範囲；または代替として、３：１〜４０：１の範囲のＩＲピーク高さ比を有することができる。
【０３０８】
非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意のカルボン酸クロム組成物（一般的なものまたは特定のもの）または本明細書に記載される任意のプロセスによって調製された任意のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物（一般的なものまたは特定のもの）は、１５１６±１５ｃｍ−１に位置するνｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークと１６８５±２０ｃｍ−１に位置する非クロムと（ＣＯ２）結合したＩＲピークとの、５：１以上；代替として、６：１以上；代替として、７：１以上；代替として、８：１以上；代替として、９：１以上；または代替として、１０：１以上のＩＲピーク高さ比を有することができる。他の非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意のカルボン酸クロム組成物（一般的なものまたは特定のもの）または本明細書に記載される任意のプロセスによって調製された任意のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物（一般的なものまたは特定のもの）は、１５１６±１５ｃｍ−１に位置するνａｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークと１６８５±２０ｃｍ−１に位置する非クロムの（ＣＯ２）結合したＩＲピークとの、５：１から１００：１の範囲；代替として、６：１〜９０：１の範囲；代替として、７：１〜８０：１の範囲；代替として、８：１〜６０：１の範囲；代替として、９：１〜５０：１の範囲；または代替として、１０：１〜４０：１の範囲のＩＲピーク高さ比を有することができる。
【０３０９】
非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意のカルボン酸クロム組成物（一般的なものまたは特定のもの）または本明細書に記載される任意のプロセスによって調製された任意のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物（一般的なものまたは特定のもの）は、１４２９±１５ｃｍ−１に位置するνｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークと１６８５±２０ｃｍ−１に位置する非クロムの（ＣＯ２）結合したＩＲピークとの、３．５：１以上；代替として、３．７５：１以上；代替として、４：１以上；代替として、４．２５：１以上；代替として、４．５：１以上；または代替として、４．７５：１以上のＩＲピーク高さ比を有することができる。他の非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意のカルボン酸クロム組成物（一般的なものまたは特定のもの）または本明細書に記載される任意のプロセスによって調製された任意のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物（一般的なものまたは特定のもの）は、１４２９±１５ｃｍ−１に位置するνｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークと１６８５±２０ｃｍ−１に位置する非クロムの（ＣＯ２）結合したＩＲピークとの、３．５：１から１００：１の範囲；代替として、３．７５：１から９０：１の範囲；代替として、４：１から８０：１の範囲；代替として、４．２５：１〜６０：１の範囲；代替として、４．５：１〜５０：１の範囲；または代替として、４．７５：１〜４０：１の範囲のＩＲピーク高さ比を有することができる。
【０３１０】
非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意のカルボン酸クロム組成物（一般的なものまたは特定のもの）または本明細書に記載される任意のプロセスによって調製された任意のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物（一般的なものまたは特定のもの）は、１６１６±２０ｃｍ−１に位置するνｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークと１４２９±１５ｃｍ−１に位置するνａｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークのＩＲ吸光度ピーク高さとの、０．９：１以下；代替として、０．８５：１以上；代替として、０．８：１以下；代替として、０．７５：１以下；代替として、０．７：１以下；または代替として、０．６５：１以下のＩＲ吸光度ピーク高さ比を有することができる。
【０３１１】
非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属組成物（一般的なものまたは特定のもの）または本明細書に記載される任意のプロセスによって調製された任意のＩＩＩカルボン酸塩組成物（一般的なものまたは特定のもの）は、６９５±２０ｃｍ−１に位置するＩＲピークと１４２９±１５ｃｍ−１に位置するνａｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークのＩＲ吸光度ピーク高さとの、１：１以下；代替として、０．８：１以下；代替として、０．６：１以下；代替として、０．４：１以下；代替として、０．３：１以下；代替として、０．２５：１以下；代替として、０．２：１以下；代替として、０．１８：１以下；または代替として、０．１６：１以下のＩＲ吸光度ピーク高さ比を有することができる。
【０３１２】
非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意のカルボン酸クロム組成物（一般的なものまたは特定のもの）または本明細書に記載される任意のプロセスによって調製された任意のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物（一般的なものまたは特定のもの）は、６９５±２０ｃｍ−１に位置するＩＲピークと１４２９±１５ｃｍ−１に位置するνａｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークのＩＲ吸光度ピーク高さとの、１：１以下；代替として、０．８：１以下；代替として、０．６：１以下；代替として、０．４：１以下；代替として、０．３：１以下；代替として、０．２５：１以下；代替として、０．２：１以下；代替として、０．１８：１以下；または代替として、０．１６：１以下のＩＲ吸光度ピーク高さ比を有することができる。
【０３１３】
非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意のカルボン酸クロム組成物（一般的なものまたは特定のもの）または本明細書に記載される任意のプロセスによって調製された任意のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物（一般的なものまたは特定のもの）は、１５１６±１５ｃｍ−１のνａｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークと７００±５０ｃｍ−１に位置するＩＲピークとの、１．５：１以上；代替として、３：１以上；代替として、５：１以上；代替として、６：１以上；または代替として、７：１以上のＩＲピーク高さ比を有することができる。他の非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物（一般的なものまたは特定のもの）または本明細書に記載される任意のプロセスによって調製された任意のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物（一般的なものまたは特定のもの）は、１４２９±１５ｃｍ−１に位置するνｓｙｍ（ＣＯ２）ＩＲピークと７００±５０ｃｍ−１に位置する非クロムの（ＣＯ２）結合したＩＲピークとの、１．５：１〜１００：１の範囲；代替として、３：１〜９０：１の範囲；代替として、５：１〜８０：１の範囲；代替として、６：１〜６０：１の範囲；または代替として、７：１〜５０：１の範囲のＩＲピーク高さ比を有することができる。
【０３１４】
一実施形態において、ＩＲピークに関連するこれらの特色は、ＫＢｒ（ＫＢｒペレット）中に含まれるカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物（または本明細書に記載される他の遷移金属カルボン酸塩組成物）を赤外分析にかけることによって求めることができる。代替として、カルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物（または本明細書に記載される他の遷移金属カルボン酸塩組成物）がＫＢｒペレット中での分析に適していない場合、ＩＲ分析は、必要なＩＲピーク領域でＩＲが透明である溶媒または分散剤（とりわけ、例えばヌジョールなどの鉱油）に遷移金属カルボン酸塩組成物を入れることにより遂行することができる。加えて、ＩＲピーク高さ比の特色は、未加工のピーク高さまたは基準線補正したピーク高さに基づくことができる。
【０３１５】
一般に、Ｘ線結晶学は、十分明確な結晶を形成する材料を特性評価するために使用することができる。しかし、幾つかの事例において、当業者が十分明確な結晶を形成すると考える材料は、従来のＸ線結晶学に適した結晶を形成しない。例えば、市販の２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）は、従来のＸ線結晶学に適していない非晶性の塊を形成する（図２を参照）。同様に、本明細書に記載される方法を用いて調製した２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）は、非晶性の塊を形成し得る（図１を参照）；生成した２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）は緑色の粘着性固体であり、結晶性の証拠を示さず、従来のＸ線結晶学に適していなかった。これらの事例の幾つかにおいて、高エネルギーＸ線回折が材料についての構造的情報を得るために使用することができる。これらの材料の高エネルギーＸ線回折データは、材料の構造および／または材料が他の既知材料に類似しているか否かを決定するために、他の材料の高エネルギーＸ線回折データまたは材料の理論モデルの算定高エネルギー回折データと比較することができる。
【０３１６】
一部の実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属カルボン酸塩組成物（一般的なものまたは特定のもの）または本明細書に記載される任意のプロセスによって調製された任意の遷移金属カルボン酸塩組成物（一般的なものまたは特定のもの）は、遷移金属カルボン酸塩組成物中に存在する遷移金属カルボン酸塩分子の構造を決定するために高エネルギーＸ線回折によって分析し、および／または、遷移金属カルボン酸塩組成物中に存在すると考えられる材料の理論モデルの算定高エネルギー回折データと比較することができる。例えば、“Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓａｎｄ  ｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ  ｓｔｕｄｉｅｓ  ｏｆ  ｍｅｔａｌ（Ｃｒ，Ｚｎ  ａｎｄ  Ｂｉ）ｃａｒｂｏｘｙｌａｔｅ  ｌｉｑｕｉｄｓ”Ｒ．Ｔ．Ｈａｒｔ  Ｊｒ．，Ｎ．Ａ．Ｅｃｋｅｒｔ，Ｊ．Ｋ．Ｎｇａｌａ，Ａ．Ｆ．Ｐｏｌｌｅｙ，Ｃ．Ｊ．Ｂｅｎｍｏｒｅ，Ａ．Ｃｌａｒｋ，Ｓ．Ｍａｃｈａ，Ｐｒｅｓｅｎｔａｔｉｏｎ  ＣＡＴＬ  ２０，Ｔｈｅ  ２３７ｔｈ  ＡＣＳ  Ｎａｔｉｏｎａｌ  Ｍｅｅｔｉｎｇ，Ｓａｌｔ  Ｌａｋｅ  Ｃｉｔｙ，ＵＴ，Ｍａｒｃｈ  ２３，２００９は、水性メタセシスプロセスおよび置換プロセスで生成したカルボン酸クロム（ＩＩＩ）の高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点をＭ．Ｅｓｈｅｌ，ｅｔ  ａｌ．，Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，２０００，３９，ｐｐ１３７６，ａｎｄ  Ｍ．Ｅｓｈｅｌ，ｅｔ  ａｌ．，Ｉｎｏｒｇ  Ｃｈｉｍ．Ａｃｔａ，２００２，３２９，ｐｐ４５．において提示されたデータから構築されたＣｒ３Ｏ（Ｏ２ＣＣＨ３）６，Ｃｒ８（ＯＨ）８（Ｏ２ＣＣＨ３）１２およびＣｒ１２Ｏ（Ｏ２ＣＣＨ３）６のモデルの理論的高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点と比較した。Ｈａｒｔ  Ｊｒ．らおよびＭ．Ｅｓｈｅｌらの全体は、参照によって参照により本明細書に組み込まれる。
【０３１７】
理論に制約されないが、本明細書に記載される、または本明細書に開示される任意のプロセスに従って調製された遷移金属カルボン酸塩組成物は、実体のある量の単核遷移金属カルボン酸塩を含むことができると考えられる。この仮説を試験するために、本明細書に記載される任意の遷移金属カルボン酸塩組成物または本明細書に開示される任意のプロセスに従って調製された任意の遷移金属カルボン酸塩組成物についての高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点を、標準の単核遷移金属カルボン酸塩についての高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点と比較することができる。多くの事例において、単核遷移金属カルボン酸塩の純粋なおよび／または標準の試料は入手可能でない。これらの事例において、本明細書に記載される任意の遷移金属カルボン酸塩組成物または本明細書に開示される任意のプロセスに従って調製された任意の遷移金属カルボン酸塩組成物についての高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点は、単核遷移金属カルボン酸塩の理論モデルの算定高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点と比較することができる。単核遷移金属カルボン酸塩のモデルは、当業者に入手可能な幾つかの方法を使用して作ることができる。一例において、単核カルボン酸クロム（ＩＩＩ）のモデルは、配座の探索を含めたＰＭ３幾何構造の最適化により初期の幾何構造を得ることによって、四重項基底スピン状態を有する高スピンＣｒ（ＩＩＩ）中心を仮定する最適化、および、Ｃｒ上の有効な内核ポテンシャルおよびＨ、Ｃ、Ｏ上の６−３１ｇ＊＊を含めたＬＡＣＶＰ基底系を有するＤＦＴ  Ｂ３ＬＹＰを使用したさらなる幾何構造の最適化を含むＳｐａｒｔａｎ  ０８を用いることにより得ることができる。別の例において、単核遷移金属カルボン酸塩のモデルは、カルボン酸クロム（ＩＩＩ）について本明細書に記載される方法に類似した試行錯誤によって問題を解く方法を用いて得ることができる。単核遷移金属カルボン酸塩モデルについて算定される高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点は、当業者に入手可能な方法および／またはプログラムを用いて算定することができ（例えばＰＤＦｇｕｉ−ｖｅｒｓｉｏｎ  １．０−Ｃ．Ｌ．Ｆａｒｒｏｗ，Ｐ．Ｊｕｈａｓ，Ｊ．Ｗ．Ｌｉｕ，Ｄ．Ｂｒｙｎｄｉｎ，Ｅ．Ｓ．Ｂｏｚｉｎ，Ｊ．Ｂｌｏｃｈ，Ｔｈ．Ｐｒｏｆｆｅｎ  ａｎｄ  Ｓ．Ｊ．Ｌ．Ｂｉｌｌｉｎｇｅ，ＰＤＦｆｉｔ２  ａｎｄ  ＰＤＦｇｕｉに実施されるような関数およびルーチンのＰＤＦＦｉｔライブラリ：結晶中のナノ構造を検討するためのコンピュータプログラムＪ．Ｐｈｙｓ．：Ｃｏｎｄｅｎｓ．Ｍａｔｔｅｒ  １９，３３５２１９（２００７））、単核カルボン酸クロムモデルについての高エネルギーＸ線回折ｄ（ｒ）データ点を算定するために使用することができ、次いで、これを高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点に変換することができる。
【０３１８】
本明細書に記載される、または本明細書に開示されるプロセスに従って調製された遷移金属カルボン酸塩組成物についての高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点の、標準の単核遷移金属カルボン酸塩についての高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点、または単核遷移金属カルボン酸塩の理論モデルの算定高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点との比較は、当業者に公知であり使用されている技法を用いて行うことができる。本明細書に記載される、または本明細書に開示されるプロセスに従って調製された遷移金属カルボン酸塩組成物についての高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点を、標準の単核遷移金属カルボン酸塩についての高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点、または単核遷移金属カルボン酸塩の理論モデルの算定高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点と比較する一方法は、適合度検定を遂行することであってもよい。適合度検定の検定値Ｒ２が１に近いほど、遷移金属カルボン酸塩組成物は、相当な量の単核遷移金属カルボン酸塩を含んでいる可能性が高い。
【０３１９】
単核遷移金属カルボン酸塩の理論モデルの算定高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点を用いて比較がなされる場合、その比較が単核遷移金属カルボン酸塩の理論モデルに対してなされ、それゆえ単核遷移金属カルボン酸塩の実際の構造ではないので、必ずしも１に非常に近い適合度Ｒ２の検定値は期待されないことに留意されるべきである。理論に束縛されることは欲しないが、本明細書に記載される遷移金属カルボン酸塩組成物のいずれか、または任意のプロセスによって製造された遷移金属カルボン酸塩組成物のいずれかが純粋な単核遷移金属カルボン酸塩であってとしても、単核遷移金属カルボン酸塩の理論モデルおよび実際の純粋な単核遷移カルボン酸塩の構造間の差がありそうであるため、適合度Ｒ２検定値は１になりそうにないと考えられる。これらの構造間の差は、測定された高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点と算定高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点の差をもたらし得る。したがって、適合度検定値Ｒ２は、１と予想されない。しかし、適合度検定値Ｒ２はなお価値があるが、その理由は、相当な量の単核遷移金属カルボン酸塩を有する遷移金属カルボン酸塩組成物についての高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点が、相当な量の二核、三核またはそれ以上の多核性遷移金属カルボン酸塩種を有する遷移金属カルボン酸塩組成物より１に近い適合度検定値Ｒ２を有するからである。
【０３２０】
遷移金属カルボン酸塩のカルボン酸塩中の炭素原子の数に応じて、単核遷移金属カルボン酸塩の理論モデルを用意するのは非実用的または困難である場合がある。単核遷移金属カルボン酸塩の理論的構造の論評によると、遷移金属原子、遷移金属とキレート化しているカルボン酸塩基の２個の酸素原子、カルボン酸塩基の炭素および酸素原子、ならびにカルボン酸塩基に結合した炭素原子が、他の原子からの距離を変化させ得るどの結合についても自由回転をしていないので空間に比較的固定し得ることを明らかにすることができる。したがって、遷移金属カルボン酸塩のカルボン酸塩の関数として、これらの原子間の各結合距離および結合角において大きな変動があり得るとは予想することができない。追加の置換基がないと、これらの原子は、遷移金属酢酸塩を形成することができる。したがって、一実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属カルボン酸塩組成物または本明細書に記載される任意のプロセスに従って製造された任意の遷移金属カルボン酸塩組成物は、単核遷移金属酢酸塩と比較することができる。本明細書に記載される任意の遷移金属カルボン酸塩組成物または本明細書に記載される任意のプロセスによって製造された任意の遷移金属カルボン酸塩組成物が相当な量の単核遷移金属カルボン酸塩を含む場合、単核遷移金属カルボン酸塩組成物の高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点は、標準の遷移金属酢酸塩の高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点または単核遷移金属酢酸塩の理論モデルの算定高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点と比較することができると予想することができる。理論に制約されるものではないが、本明細書に記載される任意の遷移金属カルボン酸塩組成物または本明細書に記載される任意のプロセスに従って製造された任意の遷移金属カルボン酸塩組成物間の比較は、標準の遷移金属酢酸塩の高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点または単核遷移金属酢酸塩の理論モデルの算定高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点に相当に類似すると予想することができる。特に、この比較は、分子間相互作用からの寄与、およびカルボン酸塩（Ｃ＝Ｏ）炭素原子に結合した炭素原子を越えるカルボン酸塩基の非水素原子の寄与は、小さいと予想することができる場合、４Åのｒ値まで妥当であると予想することができる。
【０３２１】
適合度検定値Ｒ２に関して、適合度検定値は式Ｒ２＝１−（ＳＳｅｒｒ／ＳＳｔｏｔ）を用いて計算することができる。式Ｒ２＝１−（ＳＳｅｒｒ／ＳＳｔｏｔ）内で、ＳＳｅｒｒは、遷移金属カルボン酸塩組成物の高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点と、ａ）実際の単核遷移金属カルボン酸塩についての高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点またはｂ）単核遷移金属カルボン酸塩の理論モデルについての算定高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点いずれかとの間の差異の平方の合計である。式Ｒ２＝１−（ＳＳｅｒｒ／ＳＳｔｏｔ）内で、ＳＳｔｏｔは、遷移金属カルボン酸塩組成物の高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点と遷移金属カルボン酸塩組成物の高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点の平均値の間の差の平方の合計である。適合度検定値が妥当な意味を持つためには、検定は、妥当な数の高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点を用いて行われるべきである。本明細書において、適合度検定値は、適合度検定値を計算すべきｒ値の範囲にわたって０．０１オングストロームで区切った高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点を用いることで計算することができる。通常、高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点は、正確には百分の数オングストロームのｒ値である場合がある。しかし、高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点は、０．０１オングストロームのｒ値で区切ったｇ（ｒ）データ点の任意の一組に基づくことができる。加えて、適合度検定値に対して最良の根拠を得るには（かつ、ｇ（ｒ）データ点の内挿を避けるためには）、遷移金属カルボン酸塩組成物の高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点と、実際の単核遷移金属カルボン酸塩についての高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点、または単核遷移金属カルボン酸塩の理論モデルについての算定高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データは、同一のｒ値に位置するべきである。
【０３２２】
一実施形態において、適合度検定値は、遷移金属カルボン酸塩組成物の高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点および実際の単核遷移金属カルボン酸塩についての高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点または単核遷移金属カルボン酸塩の理論モデルについての算定高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点のｒ値の範囲にわたる適合度検定の適用に基づくことができる。一部の実施形態において、遷移金属カルボン酸塩組成物の高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点と実際の単核遷移金属カルボン酸塩についての高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点または単核遷移金属カルボン酸塩の理論モデルについての算定高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点の比較のための適合度検定値の数値範囲についての最小ｒ値は、１．２オングストローム；代替として、１．２５オングストローム；代替として、１．３オングストローム；代替として、１．３５オングストローム；または代替として、１．４オングストロームであってもよい。一部の実施形態において、遷移金属カルボン酸塩組成物の高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点と実際の単核遷移金属カルボン酸塩についての高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点、または単核遷移金属カルボン酸塩の理論モデルについての算定高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点の比較のための適合度検定値の数値範囲についての最大ｒ値は、４オングストローム；代替として、３．９オングストローム；代替として、３．８オングストローム；代替として、３．７オングストローム；または代替として、３．６オングストローム；代替として、３．５オングストローム；代替として、３．４オングストローム；代替として、３．３オングストローム；代替として、３．２オングストローム；代替として、３．１オングストローム；または代替として、３．０オングストロームであってもよい。一実施形態において、適合度検定値は、本明細書に記載される任意の最小ｒ値から本明細書に記載される任意の最大ｒ値までの範囲のｒ値範囲にわたる、遷移金属カルボン酸塩組成物の高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点および実際の単核遷移金属カルボン酸塩についての高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点または単核遷移金属カルボン酸塩の理論モデルについての算定高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点の比較のための適合度検定の適用に基づくことができる。幾つかの非限定的な実施形態において、適合度検定値は、遷移金属カルボン酸塩組成物の高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点および実際の単核遷移金属カルボン酸塩についての高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点または単核遷移金属カルボン酸塩の理論モデルについての算定高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点の１．３オングストローム〜４オングストロームのｒ値範囲にわたる比較のための適合度検定の適用に基づくことができ、；または代替として、適合度検定値は、１．３オングストローム〜３．２オングストローム；代替として、１．３オングストローム〜３．３オングストローム；代替として、１．３オングストローム〜３．４オングストローム；代替として、１．３オングストローム〜３．５オングストローム；代替として、１．３オングストローム〜３．６オングストローム；代替として、１．３オングストローム〜３．７オングストローム；代替として、１．３オングストローム〜３．８オングストローム；代替として、１．３オングストローム〜３．９オングストローム；代替として、１．３オングストローム〜４．０オングストロームのｒ値範囲にわたる適合度検定の適用に基づく。
【０３２３】
これらの範囲のｒ値は恣意的に見える可能性がある。しかし、範囲の最大ｒ値の選択は、理論に制約されないが、分子間寄与およびカルボン酸塩（Ｃ＝Ｏ）炭素原子に結合した炭素原子を越える結合回転の影響を、遷移金属カルボン酸塩理論モデルの算定高エネルギーＸ線回折を用いた場合、正確に説明することができないという推定に基づくことができる。このようにして、特性をモデル化するのに困難なより長いｒ値を排除するように選択することができる。これらの範囲のｒ値の下限は、理論に制約されないが、より重要および／またはより意味のある原子−原子の距離は、少なくとも１．２〜１．３オングストロームの平均原子−原子距離を有することができるという推定に基づくことができる。加えて、次に、１．２オングストロームより短い唯一の結合距離は、炭素−水素結合であり、これは散乱強度に１パーセント未満寄与し、一般にデータ処理およびモデリングにおいて考慮に入れられない。このようにより短いｒ値の下限は、最短の重要なおよび／または意味のある原子−原子距離の寄与を包含するように選択することができる。
【０３２４】
一実施形態において、適合度検定は、本明細書に記載される任意の遷移金属カルボン酸塩組成物、および／または本明細書に記載される任意のプロセスに従って調製された任意の遷移金属カルボン酸塩組成物についての高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点と、標準の単核遷移金属カルボン酸塩についての高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点との間で遂行することができる。別の実施形態において、適合度検定は、本明細書に記載される任意の遷移金属カルボン酸塩組成物および／または、本明細書に記載される任意のプロセスに従って調製された任意の遷移金属カルボン酸塩組成物についての高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点と、単核遷移金属カルボン酸塩の理論モデルについての高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点との間で遂行することができる。一実施形態において、適合度検定値Ｒ２は、本明細書に開示されるｒの任意の範囲にわたる高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点に基づくことができる。一実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属カルボン酸塩組成物および／または本明細書に記載される任意のプロセスに従って調製された任意の遷移金属カルボン酸塩組成物についての高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点と、標準の単核遷移金属カルボン酸塩または単核遷移金属カルボン酸塩の理論モデルの算定高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）についての高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点との間の（本明細書に開示されるｒの任意の範囲にわたる）適合度検定に対するＲ２は、少なくとも０．５５；代替として、少なくとも０．６０；代替として、少なくとも０．６２５；代替として、少なくとも０．６５；代替として、少なくとも０．６７５；代替として、少なくとも０．７０；代替として、少なくとも０．７２５；代替として、少なくとも０．７５；代替として、少なくとも０．７７５；代替として、少なくとも０．８０；代替として、少なくとも０．８２５；代替として、少なくとも０．８５；代替として、少なくとも０．８７５；または代替として、少なくとも０．９０であってもよい。別の実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属カルボン酸塩組成物および／または本明細書に記載される任意のプロセスに従って調製された任意の遷移金属カルボン酸塩組成物についての高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点と、標準の単核遷移金属カルボン酸塩または単核遷移金属カルボン酸塩の理論モデルの算定高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）についての高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点との間の（本明細書に開示されるｒの任意の範囲にわたる）適合度検定に対するＲ２は、０．５５〜１の範囲；代替として、０．６０〜１の範囲；代替として、０．６２５〜１の範囲；代替として、０．６５〜１の範囲；代替として、０．６７５〜１の範囲；代替として、０．７０〜１の範囲；代替として、０．７２５〜１の範囲；代替として、０．７５〜１の範囲；代替として、０．７７５〜１の範囲；代替として、０．８０〜１の範囲；代替として、０．８２５〜１の範囲；代替として、０．８５〜１の範囲；代替として、０．８７５〜１の範囲；または代替として、０．９０〜１の範囲であってもよい。
【０３２５】
一実施形態において、一実施形態において、適合度検定は、本明細書に記載される任意の遷移金属カルボン酸塩組成物および／または、本明細書に記載される任意のプロセスに従って調製された任意の遷移金属カルボン酸塩組成物についての高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点と、標準の単核遷移金属酢酸塩についての高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点との間で遂行することができる。別の実施形態において、適合度検定は、本明細書に記載される任意の遷移金属カルボン酸塩組成物および／または、本明細書に記載される任意のプロセスに従って調製された任意の遷移金属カルボン酸塩組成物についての高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点と、単核遷移金属酢酸塩の理論モデルの算定高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点との間で遂行することができる。一実施形態において、適合度検定値Ｒ２は、本明細書に開示されるｒの任意の範囲にわたる高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点に基づくことができる。一実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属カルボン酸塩組成物および／または本明細書に開示される任意のプロセスに従って調製された任意の遷移金属カルボン酸塩組成物についての高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点と、標準の単核遷移金属酢酸塩についての高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点または単核遷移金属酢酸塩の理論モデルの算定高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）の間の適合度検定（本明細書に開示されるｒの任意の範囲にわたる）に対するＲ２は、少なくとも０．５５；代替として、少なくとも０．６０；代替として、少なくとも０．６２５；代替として、少なくとも０．６５；代替として、少なくとも０．６７５；代替として、少なくとも０．７０；代替として、少なくとも０．７２５；代替として、少なくとも０．７５；代替として、少なくとも０．７７５；代替として、少なくとも０．８０；代替として、少なくとも０．８２５；代替として、少なくとも０．８５；代替として、少なくとも０．８７５；または代替として、少なくとも０．９０であってもよい。一実施形態において、本明細書に記載される任意の遷移金属カルボン酸塩組成物および／または本明細書に開示される任意のプロセスに従って調製された任意の遷移金属カルボン酸塩組成物についての高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点と、標準の単核遷移金属酢酸塩についての高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点または単核遷移金属酢酸塩の理論モデルの算定高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）の間の適合度検定（本明細書に開示されるｒの任意の範囲にわたる）に対するＲ２は、０．５５〜１の範囲；代替として、０．６０〜１の範囲；代替として、０．６２５〜１の範囲；代替として、０．６５〜１の範囲；代替として、０．６７５〜１の範囲；代替として、０．７０〜１の範囲；代替として、０．７２５〜１の範囲；代替として、０．７５〜１の範囲；代替として、０．７７５〜１の範囲；代替として、０．８０〜１の範囲；代替として、０．８２５〜１の範囲；代替として、０．８５〜１の範囲；代替として、０．８７５〜１の範囲；または代替として、０．９０〜１の範囲であってもよい。
【０３２６】
非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物または本明細書に記載される任意のプロセスに従って調製された任意のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物についての高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点は、適合度検定を用いて、標準の単核カルボン酸クロム（ＩＩＩ）の高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点と比較することができる。別の非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物または本明細書に記載される任意のプロセスに従って調製された任意のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物についての高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点は、適合度検定を用いて、単核カルボン酸クロム（ＩＩＩ）の理論モデルの算定高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点と比較することができる。他の非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物または本明細書に記載される任意のプロセスに従って調製された任意のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物についての高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点は、適合度検定を用いて、標準の単核酢酸クロム（ＩＩＩ）の高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点と比較することができる。別の非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物または本明細書に記載される任意のプロセスに従って調製された任意のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物についての高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点は、適合度検定を用いて、単核酢酸クロム（ＩＩＩ）の理論モデルの算定高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点と比較することができる。本明細書に記載される任意の実施形態または態様において、本明細書に記載される任意のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物および／または本明細書に開示される任意のプロセスに従って調製された任意のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物の高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点と、標準の単核カルボン酸クロム（ＩＩＩ）についての高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点、標準の単核酢酸クロム（ＩＩＩ）についての高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点、単核カルボン酸クロム（ＩＩＩ）の理論モデルの算定高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）、または単核酢酸クロム（ＩＩＩ）の理論モデルの算定高いエネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）の間の適合度検定（本明細書に開示されるｒの任意の範囲にわたる）についての適合度検定値Ｒ２は、少なくとも０．５５；代替として、少なくとも０．６０；代替として、少なくとも０．６２５；代替として、少なくとも０．６５；代替として、少なくとも０．６７５；代替として、少なくとも０．７０；代替として、少なくとも０．７２５；代替として、少なくとも０．７５；代替として、少なくとも０．７７５；代替として、少なくとも０．８０；代替として、少なくとも０．８２５；代替として、少なくとも０．８５；代替として、少なくとも０．８７５；または代替として、少なくとも０．９０であってもよい。本明細書に記載される任意の実施形態または態様において、本明細書に記載される任意のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物および／または本明細書に開示される任意のプロセスに従って調製された任意のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物の高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点と、標準の単核カルボン酸クロム（ＩＩＩ）についての高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点、標準の単核酢酸クロム（ＩＩＩ）についての高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点、単核カルボン酸クロム（ＩＩＩ）の理論モデルの算定高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）、または単核酢酸クロム（ＩＩＩ）の理論モデルの算定高いエネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）の間の適合度検定（本明細書に開示されるｒの任意の範囲にわたる）についての適合度検定値Ｒ２は、０．５５〜１の範囲；代替として、０．６０〜１の範囲；代替として、０．６２５〜１の範囲；代替として、０．６５〜１の範囲；代替として、０．６７５〜１の範囲；代替として、０．７０〜１の範囲；代替として、０．７２５〜１の範囲；代替として、０．７５〜１の範囲；代替として、０．７７５〜１の範囲；代替として、０．８０〜１の範囲；代替として、０．８２５〜１の範囲；代替として、０．８５〜１の範囲；代替として、０．８７５〜１の範囲；または代替として、０．９０〜１の範囲であってもよい。
【０３２７】
幾つかの非限定的な実施形態において、本明細書に記載される任意のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物、または本明細書に記載される任意のプロセスによって製造された任意のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物は、とりわけ、例えば本明細書に開示される赤外線ピークの有無、本明細書に開示される任意の赤外線ピーク高さの特色、本明細書に記載される任意の赤外線ピーク波長分離、本明細書に開示される任意の赤外線ピーク高さ比、本明細書に記載される任意の高エネルギーＸ線回折ピークの有無、および／または、本明細書に開示される任意の適合度Ｒ２検定値を単独にまたは任意の組み合わせで、特性評価することができる。これらの特徴がある要素のそれぞれは本明細書に開示され、本開示のカルボン酸クロム（ＩＩＩ）組成物を記載するために限定されずに使用することができる。
【０３２８】
本明細書に記載される様々な態様および実施形態は、とりわけハロゲン（またはハロ、ハライド）、ヒドロカルビル、ヒドロカルボキシ、アルキル、および／またはアルコキシ置換基などの非水素置換基を指す。置換基を必要とする任意の態様または任意の実施形態の非水素置換基は、Ｃ１−Ｃ１０ヒドロカルビル基もしくはＣ１−Ｃ１０ヒドロカルボキシ基；代替として、ハライドもしくはＣ１−Ｃ１０ヒドロカルビル基；代替として、ハライドもしくはＣ１−Ｃ１０ヒドロカルボキシ基；代替として、Ｃ１−Ｃ１０ヒドロカルビル基もしくはＣ１−Ｃ１０ヒドロカルボキシ基；代替として、ハライド；代替として、Ｃ１−Ｃ１０ヒドロカルビル基；または代替として、Ｃ１−Ｃ１０ヒドロカルボキシ基であってもよい。他の実施形態において、置換基を必要とする任意の態様または任意の実施形態の非水素置換基は、ハライド、Ｃ１−Ｃ５ヒドロカルビル基もしくはＣ１−Ｃ５ヒドロカルボキシ基；代替として、ハライドもしくはＣ１−Ｃ５ヒドロカルビル基；代替として、ハライドもしくはＣ１−Ｃ５ヒドロカルボキシ基；代替として、Ｃ１−Ｃ５ヒドロカルビル基もしくはＣ１−Ｃ５ヒドロカルボキシ基；代替として、ハライド；代替として、Ｃ１−Ｃ５ヒドロカルビル基；または代替として、Ｃ１−Ｃ５ヒドロカルボキシ基であってもよい。
【０３２９】
一実施形態において、置換基を必要とする任意の態様または任意の実施形態の任意のハライド置換基は、フルオリド、クロリド、ブロミドまたはヨージド；代替として、フルオリドまたはクロリドであってもよい。一部の実施形態において、置換基を必要とする任意の態様または任意の実施形態の任意のハライド置換基は、フルオリド；代替として、クロリド；代替として、ブロミド；または代替として、ヨージドであってもよい。
【０３３０】
一実施形態において、任意のヒドロカルビル置換基は、アルキル基、アリール基もしくはアラルキル基；代替として、アルキル基；代替として、アリール基；または代替として、アラルキル基であってもよい。一般に、アルキル置換基、アリール置換基および／またはアラルキル置換基は、本明細書に開示されるヒドロカルビル置換基と同数の炭素原子を有することができる。一実施形態において、置換基を必要とする任意の態様または任意の実施形態の任意のアルキル置換基は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、２−ペンチル基、３−ペンチル基、２−メチル−１−ブチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、３−メチル−１−ブチル基、３−メチル−２−ブチル基もしくはネオペンチル基；代替として、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基もしくはネオペンチル基；代替として、メチル基；代替として、エチル基；代替として、イソプロピル基；代替として、ｔｅｒｔ−ブチル基；または代替として、ネオペンチル基であってもよい。一実施形態において、置換基を必要とする任意の態様または任意の実施形態の任意のアリール置換基は、フェニル基、トリル基、キシリル基もしくは２，４，６−トリメチルフェニル基；代替として、フェニル基；代替として、トリル基；代替として、キシリル基；または代替として、２，４，６−トリメチルフェニル基であってもよい。一実施形態において、置換基を必要とする任意の態様または任意の実施形態の任意のアラルキル置換基は、ベンジル基もしくはエチルフェニル基（２−フェニルエタ−１−イルまたは１−フェニルエタ−１−イル）；代替として、ベンジル基；代替として、エチルフェニル基；代替として、２−フェニルエタ−１−イル基；または代替として、１−フェニルエタ−１−イル基であってもよい。
【０３３１】
一実施形態において、置換基を必要とする任意の態様または任意の実施形態の任意のヒドロカルボキシ置換基は、アルコキシ基、アリールオキシ基またはアラルコキシ基；代替として、アルコキシ基；代替として、アリールオキシ基またはアラルコキシ基であってもよい。一般に、アルコキシ置換基、アロキシ置換基および／またはアラルコキシ置換基は、本明細書に開示されるヒドロカルボキシ置換基と同数の炭素原子を有することができる。一実施形態において、置換基を必要とする任意の態様または任意の実施形態の任意のアルコキシ置換基は、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基、２−ペントキシ基、３−ペントキシ基、２−メチル−１−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ペントキシ基、３−メチル−１−ブトキシ基、３−メチル−２−ブトキシ基もしくはネオペントキシ基；代替として、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基もしくはネオペントキシ基；代替として、メトキシ基；代替として、エトキシ基；代替として、イソプロポキシ基；代替として、ｔｅｒｔ−ブトキシ基；または代替として、ネオペントキシ基であってもよい。一実施形態において、置換基を必要とする任意の態様または任意の実施形態の任意のアリールオキシ置換基は、フェノキシ基、トロキシ基、キシロキシ基もしくは２，４，６−トリメチルフェノキシ基；代替として、フェノキシ基；代替として、トロキシ基；代替として、キシロキシ基；または代替として、２，４，６−トリメチルフェノキシ基であってもよい。一実施形態において、置換基を必要とする任意の態様または任意の実施形態の任意のアラルコキシ置換基は、ベンゾキシ基であってもよい。
【０３３２】
本明細書に記載される方法は１種または複数の溶媒を使用することができる。本開示の態様および／または実施形態において使用することができる溶媒の非限定的な例は、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、エーテル、チオエーテル、ニトリル、アミン、ホスフィン、亜リン酸塩、炭酸塩、エステル、ケトン、アルデヒド、アルコールまたはその任意の組み合わせ；代替として、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、エーテル、チオエーテル、ニトリル、アミン、ホスフィン、亜リン酸塩またはその任意の組み合わせを含むがこれらに限定されない。幾つかの態様および／または実施形態において、方法は、極性溶媒；または代替として、無極性溶媒を必要とし得る。使用することができる極性溶剤は、エーテル、チオエーテル、ニトリル、アミン、ホスフィン、亜リン酸塩、炭酸塩、エステル、ケトン、アルデヒド、アルコールもしくはその任意の組み合わせ；代替として、エーテル、チオエーテル、ニトリル、アミン、ホスフィン、ホスファイトもしくはその任意の組み合わせ、代替として、エーテル；代替として、チオエーテル；代替として、ニトリル；代替として、アミン；代替として、ホスフィン；または代替として、およびホスファイトを含むがこれらに限定されない。幾つかの態様および実施形態において、方法は無極性溶媒を必要とし得る。無極性溶媒は、炭化水素、ハロゲン化炭化水素もしくはその任意の組み合わせ；代替として、炭化水素；または代替として、ハロゲン化炭化水素を含むがこれらに限定されない。他の態様および／または実施形態において、遷移金属カルボン酸塩組成物を作製するプロセスにおける様々なプロセスステップ、単離ステップ、および／または精製ステップは、非プロトン性溶媒を使用することができる。本開示の様々な態様および／または実施形態において使用することができる非プロトン性溶媒は、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、エーテル、チオエーテル、エステル、ケトン、アルデヒド、ニトリルおよびその任意の組み合わせ；代替として、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、エーテル、チオエーテル、ニトリルおよびその任意の組み合わせ；代替として、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、その任意の組み合わせ；代替として、エーテル、エステル、ケトン、アルデヒド、ニトリルおよびその任意の組み合わせ；代替として、エーテル、ニトリルおよびその任意の組み合わせ；代替として、炭化水素；代替として、ハロゲン化炭化水素；代替として、エーテル；代替として、エステル；代替として、チオエーテル、代替として、ケトン；代替として、アルデヒド；または代替として、ニトリルを含むことができる。幾つかの態様および／または実施形態において、遷移金属カルボン酸塩組成物を作製するプロセスにおける様々なプロセスステップ、単離ステップ、および／または精製ステップは、非プロトン性極性溶媒を使用することができる。使用することができる非プロトン性極性溶媒は、エーテル、チオエーテル、エステル、ケトン、アルデヒド、ニトリルおよびその任意の組み合わせ；代替として、エーテル、チオエーテル、ニトリルおよびその任意の組み合わせ；代替として、エステル、ケトン、アルデヒドおよびその混合物；代替として、エーテル；代替として、チオエーテル、代替として、エステル；代替として、ケトン；代替として、アルデヒド；または代替として、ニトリルを含む。幾つかの態様において、非プロトン性極性溶媒は、本明細書に開示される任意の中性配位子（または中性配位子の組み合わせ）であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。幾つかの態様および／または実施形態において、遷移金属カルボン酸塩組成物を作製するプロセスにおける様々なプロセスステップ、単離ステップ、および／または精製ステップは、無極性溶媒を使用することができる。本開示の様々な態様および／または実施形態において使用することができる無極性溶媒は、炭化水素、ハロゲン化炭化水素もしくはその任意の組み合わせ；代替として、炭化水素；または代替として、ハロゲン化炭化水素を含むことができる。他の態様および／または実施形態において、遷移金属カルボン酸塩組成物を作製するプロセスにおける様々なプロセスステップ、単離ステップ、および／または精製ステップは、配位性溶媒を使用することができる。本開示の様々な態様および／または実施形態において使用することができる配位性溶媒は、エーテル、エステル、ケトン、アルデヒド、ニトリルもしくはその混合物；代替として、エーテル、ニトリルもしくはその混合物；代替として、エーテル；代替として、エステル；代替として、ケトン；代替として、アルデヒド；または代替として、ニトリルを含むことができる。幾つかの態様において、配位性溶媒は、本明細書に開示される任意の中性配位子（または中性配位子の組み合わせ）であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。他の態様および／または実施形態において、遷移金属カルボン酸塩組成物を作製するプロセスにおける様々なプロセスステップ、単離ステップ、および／または精製ステップは、非配位性溶媒を使用することができる。本開示の様々な態様および／または実施形態において使用することができる非配位性溶媒は、炭化水素、ハロゲン化炭化水素またはその混合物；代替として、炭化水素；代替として、ハロゲン化炭化水素を含むことができる。
【０３３３】
エーテル、チオエーテル、ニトリル、アミン、ホスフィンおよびホスファイトが本明細書に記載される。これらのエーテル、ニトリル、アミン、ホスフィンおよびホスファイトは、本明細書に記載される特定の溶媒の種類の成員として限定されずに使用することができる。
【０３３４】
炭化水素およびハロゲン化炭化水素は、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、石油蒸留物、ハロゲン化脂肪族炭化水素、ハロゲン化芳香族炭化水素もしくはその組み合わせ；または代替として、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、ハロゲン化脂肪族炭化水素、ハロゲン化芳香族炭化水素およびその組み合わせを含むことができる。一部の実施形態において、炭化水素およびハロゲン化炭化水素は、脂肪族炭化水素；代替として、芳香族炭化水素；代替として、ハロゲン化脂肪族炭化水素；または代替として、ハロゲン化芳香族炭化水素を含むことができる。
【０３３５】
一般的な溶媒、無極性溶媒および／または非配位性溶媒として有用であり得る脂肪族炭化水素は、Ｃ４−Ｃ２０脂肪族炭化水素；代替として、Ｃ４−Ｃ１５脂肪族炭化水素；または代替として、Ｃ５−Ｃ１０脂肪族炭化水素を含む。脂肪族炭化水素は、別段の定めがない限り、環式もしくは非環式および／または直鎖状もしくは分岐状であってもよい。一般的な溶媒、無極性溶媒および／または非配位性溶媒として使用することができる適切な非環式の脂肪族炭化水素溶剤の非限定的な例は、イソブタン、ｎ−ブタン、ブタン（ｎ−ブタンまたは直鎖および分岐Ｃ４非環式脂肪族炭化水素の混合物）、ペンタン（ｎ‐ペンタンまたは直鎖および分岐Ｃ５非環式脂肪族炭化水素の混合物）、ヘキサン（ｎ−ヘキサンまたは直鎖および分岐Ｃ６非環式脂肪族炭化水素の混合物）、ヘプタン（ｎ−ヘプタンまたは直鎖および分岐Ｃ７非環式脂肪族炭化水素の混合物）、オクタン（ｎ‐オクタンまたは直鎖および分岐Ｃ８非環式脂肪族炭化水素の混合物）、およびその任意の組み合わせ；代替として、イソブタン、ｎ−ブタン、ブタン（ｎ−ブタンまたは直鎖および分岐Ｃ４非環式の脂肪族炭化水素の混合物）、ペンタン（ｎ‐ペンタンまたは直鎖および分岐Ｃ５非環式脂肪族炭化水素の混合物）、ヘキサン（ｎ−ヘキサンまたは直鎖および分岐Ｃ６非環式脂肪族炭化水素の混合物）、ヘプタン（ｎ−ヘプタンまたは直鎖および分岐Ｃ７非環式脂肪族炭化水素の混合物）、オクタン（ｎ‐オクタンまたは直鎖および分岐Ｃ８非環式脂肪族炭化水素の混合物）、およびその任意の組み合わせ；代替として、イソブタン、ｎ−ブタン、ブタン（ｎ−ブタンまたは直鎖および分岐Ｃ４非環式脂肪族炭化水素の混合物）、ペンタン（ｎ‐ペンタンまたは直鎖および分岐Ｃ５非環式脂肪族炭化水素の混合物）、ヘプタン（ｎ−ヘプタンまたは直鎖および分岐Ｃ７非環式脂肪族炭化水素の混合物）、オクタン（ｎ‐オクタンまたは直鎖および分岐Ｃ８非環式脂肪族炭化水素の混合物）、およびその任意の組み合わせ；代替として、イソブタン；代替として、ｎ−ブタン；代替として、ブタン（ｎ−ブタンまたは直鎖および分岐Ｃ４非環式脂肪族炭化水素の混合物）；代替として、ペンタン（ｎ‐ペンタンまたは直鎖および分岐Ｃ５非環式脂肪族炭化水素の混合物）；代替として、ヘキサン（ｎ−ヘキサンまたは直鎖および分岐Ｃ６非環式脂肪族炭化水素の混合物）；代替として、ヘプタン（ｎ−ヘプタンまたは直鎖および分岐Ｃ７非環式脂肪族炭化水素の混合物）；または代替として、オクタン（ｎ‐オクタンまたは直鎖および分岐Ｃ８非環式脂肪族炭化水素の混合物）を含む。非配位性溶媒として使用することができる適切な環式の脂肪族炭化水素溶媒の非限定的な例は、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンおよびその任意の組み合わせ；代替として、シクロヘキサン；または代替として、メチルシクロヘキサンを含む。
【０３３６】
一般的な溶媒、無極性溶媒および／または非配位性溶媒として有用であり得る芳香族炭化水素は、Ｃ６−Ｃ２０芳香族炭化水素；または代替として、Ｃ６−Ｃ１０芳香族炭化水素を含む。一般的な溶媒、無極性溶媒および／または非配位性溶媒として使用することができる適切な芳香族炭化水素の非限定的な例は、ベンゼン、トルエン、キシレン（オルト−キシレン、メタ−キシレン、パラ−キシレンまたはその混合物を含む）、エチルベンゼンもしくはその任意の組み合わせ；代替として、ベンゼン；代替として、トルエン；代替として、キシレン（オルト−キシレン、メタ−キシレン、パラ−キシレンまたはその混合物を含む）；または代替として、エチルベンゼンを含む。
【０３３７】
一般的な溶媒、無極性溶媒および／または非配位性溶媒として使用することができるハロゲン化脂肪族炭化水素は、ハロゲン化Ｃ１−Ｃ１５脂肪族炭化水素；代替として、ハロゲン化Ｃ１−Ｃ１０脂肪族炭化水素；または代替として、ハロゲン化Ｃ１−Ｃ５脂肪族炭化水素を含むことができる。ハロゲン化脂肪族炭化水素は、別段の定めがない限り、環式または非環式であってもよく、および／または直鎖状または分岐状であってもよい。一般的な溶媒、無極性溶媒および／または非配位性溶媒として使用することができる適切なハロゲン化脂肪族炭化水素の非限定的な例は、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロエタン、トリクロロエタンもしくはその任意の組み合わせ；代替として、塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン、トリクロロエタンもしくはその任意の組み合わせ；代替として、塩化メチレン；代替として、クロロホルム；代替として、四塩化炭素；代替として、ジクロロエタン；または代替として、トリクロロエタンを含むことができる。一般的な溶媒、無極性溶媒および／または非配位性溶媒として使用することができるハロゲン化芳香族炭化水素は、Ｃ６−Ｃ２０ハロゲン化芳香族炭化水素；または代替として、Ｃ６−Ｃ１０ハロゲン化芳香族炭化水素を含むことができる。一般的な溶媒、無極性溶媒および／または非配位性溶媒として使用することができる適切なハロゲン化芳香族炭化水素の非限定的な例は、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンもしくはその任意の組み合わせ；代替として、クロロベンゼン；または代替として、ジクロロベンゼンを含むことができる。
【０３３８】
溶媒として有用であり得るエーテル、チオエーテル、カルボナート、エステル、ケトン、アルデヒドまたはアルコールは、Ｃ２−Ｃ２０エーテル、Ｃ２−Ｃ２０チオエーテル、Ｃ２−Ｃ２０カルボナート、Ｃ２−Ｃ２０エステル、Ｃ２−Ｃ２０ケトン、Ｃ２−Ｃ２０アルデヒド、またはＣ２−Ｃ２０アルコール；代替として、Ｃ２−Ｃ２０エーテル、Ｃ２−Ｃ２０チオエーテルまたはＣ２−Ｃ２０カルボナート；代替として、Ｃ２−Ｃ２０エーテル；代替として、Ｃ２−Ｃ２０チオエーテル；代替として、Ｃ２−Ｃ２０カルボナート；代替として、Ｃ２−Ｃ２０エステル；代替として、Ｃ２−Ｃ２０ケトン；代替として、Ｃ２−Ｃ２０アルデヒド；または代替として、Ｃ２−Ｃ２０アルコールであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一部の実施形態において、有用な溶媒は、Ｃ２−Ｃ１０エーテル、Ｃ２−Ｃ１０チオエーテル、Ｃ２−Ｃ１０カルボナート、Ｃ２−Ｃ１０エステル、Ｃ２−Ｃ１０ケトン、Ｃ２−Ｃ１０アルデヒドもしくはＣ２−Ｃ１０アルコール；代替として、Ｃ２−Ｃ１０エーテル、Ｃ２−Ｃ１０チオエーテルもしくはＣ２−Ｃ１０カルボナート；代替として、Ｃ２−Ｃ２０エーテル；代替として、Ｃ２−Ｃ１０チオエーテル；代替として、Ｃ２−Ｃ２０カルボナート；代替として、Ｃ２−Ｃ２０エステル；代替として、Ｃ２−Ｃ２０ケトン；代替として、Ｃ２−Ｃ２０アルデヒド；または代替として、Ｃ２−Ｃ２０アルコールであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。適切なエーテル溶媒は環式または非環式であってもよい。溶媒として有用であり得る適切なエーテルの非限定的な例は、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチルエチルエーテル、グリコールのモノエーテルもしくはジエーテル（例えば、ジメチルグリコールエーテル）、フラン、置換フラン、ジヒドロフラン、置換ジヒドロフラン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、置換テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、置換テトラヒドロピラン、１，３−ジオキサン、置換１，３−ジオキサン、１，４−ジオキサン、置換１，４−ジオキサンもしくはその混合物；代替として、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチルエチルエーテル、グリコールのモノエーテルもしくはジエーテル（例えば、ジメチルグリコールエーテル）、もしくはその混合物；代替として、フラン、置換フラン、ジヒドロフラン、置換ジヒドロフラン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、置換テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、置換テトラヒドロピラン、１，３−ジオキサン、置換１，３−ジオキサン、１，４−ジオキサン、置換１，４−ジオキサンもしくはその混合物；代替として、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチルエチルエーテル、もしくはその混合物；代替として、グリコールのモノエーテルもしくはジエーテル（例えば、ジメチルグリコールエーテル）；代替として、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、置換テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、置換テトラヒドロピラン、１，３−ジオキサン、置換１，３−ジオキサン、１，４−ジオキサン、置換１，４−ジオキサンもしくはその混合物；代替として、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン、１，３−ジオキサン、１，４−ジオキサンもしくはその混合物；または代替として、テトラヒドロフランを含む。一実施形態において、置換フラン、置換ジヒドロフラン、置換テトラヒドロフラン、置換テトラヒドロピラン、置換１，３−ジオキサン、または置換１，４−ジオキサンの各置換基は、Ｃ１−Ｃ５アルキル基であってもよい。Ｃ１−Ｃ５アルキル置換基は本明細書に開示され、極性非プロトン性溶媒として使用することができる置換テトラヒドロフラン、置換ジヒドロフラン、置換フラン、置換１，３−ジオキサンまたは置換１，４ジオキサンをさらに記載するために限定されずに使用することができる。溶媒として使用することができる適切なカルボナートの非限定的な例は、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、炭酸ジエチル、炭酸ジエチル、炭酸グリセリンおよびその組み合わせを含む。溶媒として使用することができる適切なエステルの非限定的な例は、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、イソ酪酸イソブチルおよびその組み合わせを含む。溶媒として使用することができる適切なケトンの非限定的な例は、アセトン、エチルメチルケトン、メチルイソブチルケトンおよびその組み合わせを含む。溶媒として使用することができる適切なアルコールの非限定的な例は、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、イソブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、ベンジルアルコール、フェノール、シクロヘキサノールなど、またはその組み合わせを含む。
【０３３９】
溶媒として使用することができるニトリルは、Ｃ２−Ｃ１２ニトリル；代替として、Ｃ２−Ｃ１０ニトリル；または代替として、Ｃ２−Ｃ８ニトリルを含む。一般に、溶媒として使用することができるニトリルは、環式もしくは非環式、直鎖状もしくは分岐状、および／または脂肪族もしくは芳香族であってもよい。溶媒として使用することができるニトリルの非限定的な例は、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、ベンゾニトリルまたはその任意の組み合わせ；代替として、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリルまたはその任意の組み合わせを含むがこれらに限定されない。一部の実施形態において、溶媒は、アセトニトリルであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０３４０】
一態様において、遷移金属前駆体および１族または２族カルボン酸塩を接触させる溶媒は、使用する場合、本明細書に記載される任意の中性配位子であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。遷移金属前駆体が中性配位子を含む一部の実施形態において、遷移金属前駆体および１族または２族カルボン酸塩を接触させる溶媒は、使用する場合、遷移金属前駆体中に存在する任意の中性配位子であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。遷移金属前駆体が中性配位子を含む他の実施形態において、遷移金属前駆体および１族または２族カルボン酸塩を接触させる溶媒は、使用する場合、遷移金属前駆体中に存在する任意の中性配位子と異なっていてもよい。中性配位子は本明細書に記載され、これらの中性配位子は、遷移金属前駆体および１族または２族カルボン酸塩を接触させるための溶媒（使用する場合）として限定されずに使用することができる。
【０３４１】
非限定的な実施形態において、極性非プロトン性溶媒は、グリコールのモノエーテルもしくはジエーテル（例えば、ジメチルグリコールエーテル）、フラン、置換フラン、ジヒドロフラン、置換ジヒドロフラン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、置換テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、置換テトラヒドロピラン、１，３ジオキサン、置換１，３−ジオキサン、１，４−ジオキサン、置換１，４−ジオキサンまたはその混合物であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一実施形態において、置換フラン、置換ジヒドロフラン、置換テトラヒドロフラン、置換テトラヒドロピラン、置換、１，３−ジオキサンまたは置換１，４−ジオキサンの各置換基は、Ｃ１−Ｃ５アルキル基であってもよい。Ｃ１−Ｃ５アルキル置換基は本明細書に開示され、極性非プロトン性溶媒として使用することができる、置換テトラヒドロフラン、置換ジヒドロフラン、置換フラン、置換１，３−ジオキサンまたは置換１，４ジオキサンをさらに記載するために限定されずに使用することができる。一実施形態において、極性非プロトン性溶媒は、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、フラン、２−メチルテトラヒドロフラン、３−メチルテトラヒドロフラン、ジヒドロフラン、ピラン、テトラヒドロピラン、２，３−ジヒドロピラン、１，３−ジオキサン、１，４−ジオキサン、モルホリン、Ｎ−メチルモルホリン、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチルエチルエーテル、メチルフェニルエーテル、メチルｔ−ブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジｎ−ブチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテルまたはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一部の実施形態において、極性非プロトン性溶媒は、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、フラン、２−メチルテトラヒドロフラン、３−メチルテトラヒドロフラン、ジヒドロフラン、ピラン、テトラヒドロピラン、２，３−ジヒドロピラン、１，３−ジオキサン、１，４−ジオキサン、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチルエチルエーテル、メチルフェニルエーテル、メチルｔ−ブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジｎ−ブチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチルエーテルまたはその任意の組み合わせ；代替として、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、フラン、２−メチルテトラヒドロフラン、３−メチルテトラヒドロフラン、ジヒドロフラン、ピラン、テトラヒドロピラン、２，３−ジヒドロピラン、１，３−ジオキサン、１，４−ジオキサンまたはその任意の組み合わせ；代替として、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチルエチルエーテル、メチル、フェニルエーテル、メチルｔ−ブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジｎ−ブチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテルまたはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。他の実施形態において、極性非プロトン性溶媒は、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、２−メチルテトラヒドロフラン、３−メチルテトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１，３−ジオキサン、１，４−ジオキサンまたはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。他の実施形態において、極性の非プロトン性溶媒は、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）であっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０３４２】
同様に、極性非プロトン性溶媒として使用することができる適切なニトリルの例は、Ｃ２−Ｃ２０アルキルニトリル、またはＣ７−Ｃ２０アリールニトリルまたはその任意の組み合わせを含むがこれらに限定されない。この態様および任意の実施形態においてさらに、配位性の第１の溶媒として使用することができる適切なニトリルは、Ｃ２−Ｃ１２ニトリル；代替として、Ｃ２−Ｃ１０ニトリル；または代替として、Ｃ２−Ｃ８ニトリルを含む。配位性の第１の溶媒として使用することができる適切なニトリル溶媒は、環式または非環式、直鎖状または分岐状、脂肪族または芳香族であってもよい。極性、非プロトン性の第１の溶媒として、有用であり得る適切なニトリルの非限定的な例は、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、ベンゾニトリルまたはその任意の組み合わせ；代替として、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリルまたはその任意の組み合わせを含むがこれらに限定されない。一部の実施形態において、溶媒は、アセトニトリルであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０３４３】
さらなる態様において、溶媒として使用することができるチオエーテルは、Ｃ２−Ｃ２０ジアルキルチオエーテル、Ｃ２−Ｃ２０ジアルキルチオエーテル、Ｃ４−Ｃ５環式チオエーテルまたはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。一部の実施形態において、溶媒として使用することができるチオエーテルは、チオフェン、２−メチルチオフェン、３−メチルチオフェン、テトラヒドロチオフェンまたはその任意の組み合わせであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよい。
【０３４４】
本願からの米国国内段階出願の目的に対して、本開示の方法に関連して使用され得る刊行物において記載されている構成および方法論を記載し開示する目的で、本開示において言及される刊行物および特許はすべて、参照によって参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。上記本文、およびその本文の全体にわたって論じられた刊行物および特許はいずれも、本願の出願日以前にそれらの開示が提供されたものである。本発明者には、先の発明によるそのような開示に先行する資格がないという承認として、本明細書が解釈されるべきではない。
【０３４５】
任意の種類の範囲、例えば、モル比、温度などのある範囲が開示または請求される場合、他に示されない限り、そのような範囲が、そこに包含されるいずれの小領域をも包含して、道理にかなって包含し得る可能な各数を個々に開示または主張するように意図される。モル比などのある範囲の大きさを記載する場合、そのような範囲が道理にかなって包含することができるあらゆる数字は、例えば、範囲の終点に存在するより１つの有効数字を含む範囲の内側の値を指す。この例では、１．０３：１〜１．１２：１の間のモル比は、個々に１．０３：１、１．０４：１、１．０５：１、１．０６：１、１．０７：１、１．０８：１、１．０９：１、１．１０：１、１．１１：１および１．１２：１のモル比を含む。本出願人らの意図は、範囲を記載するこれらの２つの方法が交換可能であるということである。さらに、本出願人らが、そのような範囲が道理にかなって包含し得る可能な各数を個々に反映するように意図する範囲の値が開示または主張される場合、本出願人らはまた、すべてのあらゆる小領域およびそこに包含される小領域の組み合わせをも開示して、範囲の開示を反映し、また交換可能であることを意図する。範囲の終点が異なる数の有効数字、例えば、１：１〜１．２：１のモル比を有する範囲を記載する場合、そのような範囲が道理にかなって包含し得る、可能なあらゆる数字は、例えば、有効数字の最大数、この場合１．２：１を有する範囲の終点に存在するより１つの有効数字を含む範囲の内側の値を指す。この例では、１：１〜１．２：１のモル比は、すべて１に対して、１．０１、１．０２、１．０３、１．０４、１．０５、１．０６、１．０７、１．０８、１．０９、１．１０、１．１１、１．１２、１．１３、１．１４、１．１５、１．１６、１．１７、１．１８、１．１９、および１．２０のモル比、ならびに、そこに包含されるすべてのあらゆる小領域および小領域の組み合わせを個々に含む。したがって、何らかの理由で、例えば、本出願人らが本願の申請時に気付かない参照を、説明するべき開示の完全性に足りずに、本出願人らが請求することを選択した場合、本出願人らは、任意の小領域または群内の小領域の組み合わせを含む、そのような群の任意の個々の成員を条件外とするまたは除外する権利を留保する。
【０３４６】
米国特許商標庁への出願において、本願の要約は、３７Ｃ．Ｆ．Ｒ．§１．７２の要件を満たす目的、および３７Ｃ．Ｆ．Ｒ．§１．７２（ｂ）に述べられた目的「米国特許商標庁および公衆が概観することにより、技術的開示の性質及び趣旨を速やかに決定できること」で提供される。したがって、本願の要約は、特許請求の範囲を解釈する、または本明細書に開示される主題の範囲を限定するために用いられるようには意図されない。さらに本明細書に使用することができる任意の見出しもまた、特許請求の範囲を解釈する、または本明細書に開示される主題の範囲を限定するために用いられるようには意図されない。建設的または予告的として他の場合に示された例を、過去時制を用いて記載しても、建設的または予告的な例が実際に行われたことを反映するようには意図されない。
【０３４７】
本明細書に開示される任意の特定の化合物に関して、提示される一般構造はまた、特に断りのない限り、特定の置換基の一組から生じ得る全ての配座異性体および立体異性体を包含するものとする。したがって、一般構造は、文脈が許す、または必要とする場合、特に断りのない限り、すべての構造異性体（例えば、ｎ−プロピルおよびイソプロピルを含むプロピル基への言及、または例えば、１，２−ジアゾールおよび１，３−ジアゾールを含むジアゾールへの言及）、全ての鏡像異性体、ジアステレオマー、および鏡像異性形であれラセミ形であれ、他の光学異性体、ならびに立体異性体の混合物を包含する。提示される特定の式に関しては、提示されるいずれの一般式もまた、特定の置換基の組から生じ得る全ての配座異性体、位置異性体、および立体異性体を包含する。さらに別段の定めがない限り、複数の位置異性体を包含することができる一般的な化合物または構造の開示は、そのような一般的開示内の可能なあらゆる位置異性体を包含するように意図される。例えば、ジアゼピンであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよいというＬの開示によって、Ｌが、１，２−ジアゼピン、１，３−ジアゼピンまたは１，４−ジアゼピンであっても、これらを含んでも、または本質的にこれらからなってもよいということを反映するように意図される。
【０３４８】
本開示は、以下の実施例によってさらに説明されるが、その範囲に限定を置くようには決して解釈すべきではない。一方、本明細書の記載の読了後、本発明の趣旨または添付の特許請求の範囲から離れることなく、当業者に示唆し得る、様々な他の態様、実施形態、修飾、および等価物に対する手段が含まれ得ることは、明瞭に理解されるべきである。
【０３４９】
以下の例に提供されるデータおよび記載は、開示される化合物、触媒系、ならびにオレフィンオリゴマー化および／またはオレフィン重合法の特定の態様および実施形態を示し、多くの実施およびその利点を示すために与えられる。実施例は、本明細書に記載される態様および実施形態の幾つかのより詳細な実証として与えられ、開示または特許請求の範囲を限定するようには決して意図されない。
【０３５０】
実施例
一般的な実験手順および出発材料
特段の断りのない限り、反応はすべて、不活性で少なくとも実質的に乾燥した雰囲気中で行った。ガラス器具はすべて、オーブン中で４時間１００℃で乾燥し、温めながら不活性で少なくとも実質的に乾燥した雰囲気のグローブボックス（ドライボックス）に入れた。
【０３５１】
出発材料ＣｒＣｌ３（ＴＨＦ）３は、Ａｌｄｒｉｃｈ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｍｐａｎｙから購入し下記のようにさらに乾燥した。２−エチルヘキサン酸はＡｌｄｒｉｃｈから購入し、さらなる精製なしで用いた。溶媒はすべて無水等級としてＡｌｄｒｉｃｈから購入し、新たに活性化した５Åモレキュラーシーブ上で保存した。
実施例１
【０３５２】
丸底フラスコ（２５０ｍＬ）に、環境条件下で撹拌棒、水酸化ナトリウム（１３．８７ｇ、０．３４７ｍｏｌ）およびメタノール（２００ｍＬ）を装填した。２−エチルヘキサン酸（５０．００ｇ、０．３４７ｍｏｌ）を３０分にわたり撹拌した溶液に滴下添加した。次いで、溶媒は回転式蒸発によって除去し、白色の粘着性固体が得られた。次いで、この白色の固体を１８５℃および２５トール未満の圧力で１８時間加熱し、固い白色の固体（９７％の収率で単離）として無水２−エチルヘキサン酸ナトリウムが得られた。無水の２−エチルヘキサン酸ナトリウムは、非常に吸湿性であり、不活性で実質的に乾燥した雰囲気中で扱った。
実施例２
【０３５３】
Ａｌｄｒｉｃｈから得られた市販のＣｒＣｌ３（ＴＨＦ）３は著しい量の水を含んでいた。そのため、無水のＣｒＣｌ３（ＴＨＦ）３を得るためにさらなる乾燥を以下のように行った。丸底フラスコ（５０ｍＬ）に、撹拌棒、ＣｒＣｌ３（ＴＨＦ）３（８ｇ）およびＴＨＦ（２５ｍＬ）を装填した。トリメチルシリルクロリド（８ｍＬ）を激しく撹拌している溶液に滴下添加した。その混合物を終夜撹拌した。紫色の固体を濾過によって収集し、ペンタン（５０ｍＬ）で１回洗浄してダイナミックバキュームポンプで乾燥して生成物（９３％の収率）が得られた。無水のＣｒＣｌ３（ＴＨＦ）３は、微細な、ピンク−紫色の粉末であったが、湿った物質はより黒っぽい紫色の塊状の固体であった。
実施例３
【０３５４】
丸底フラスコ（１Ｌ）に、ＣｒＣｌ３（ＴＨＦ）３（２１．０１ｇ、０．０５６１ｍｏｌ）、無水２−エチルヘキサン酸ナトリウム（２７．９９ｇ、０．１６８ｍｏｌ）およびＴＨＦ（２５０ｍＬ）を装填した。反応物を２３℃で９６時間撹拌し、溶媒を除去して緑色のタール状物質が得られた。この固体を２時間真空中で３０℃で加熱し、次いで、ペンタン（６００ｍＬ）に抽出し、Ｃｅｌｉｔｅ（登録商標）濾過助剤に通して濾過した。この溶液は非常に粘性で濾過するのが困難であった。大量の緑色固体が濾過後溶解しないままであった。溶媒を除去すると緑色のフィルム（５．１ｇ）を生成した。図７は、２−エチルヘキサン酸ナトリウムとＣｒＣｌ３（ＴＨＦ）３とのモル比およそ３を使用して生成した２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）のＩＲスペクトルを示す。図８は、２−エチルヘキサン酸ナトリウムとＣｒＣｌ３（ＴＨＦ）３とのモル比およそ３を使用して生成した２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）のＩＲスペクトルの拡大部、２０００ｃｍ−１から１０００ｃｍ−１を示す。赤外線ピーク高さおよび様々な赤外線ピーク高さ比を表１に示す。
実施例４
【０３５５】
丸底部フラスコ（５００ｍＬ）は、ＣｒＣｌ３（ＴＨＦ）３（７．２７ｇ、０．０１９４ｍｏｌ）およびＴＨＦ（１００ｍＬ）を用いて装填した。無水２−エチルヘキサン酸ナトリウム（１０．００ｇ、０．０６０２ｍｏｌ）のＴＨＦ（６０ｍＬ）中の溶液を、撹拌しながら不均一なＣｒＣｌ３（ＴＨＦ）３溶液に添加した。反応混合物を２５℃で２４時間撹拌し、その後、溶媒は除去して緑色の粘着性固体が得られた。次いで、この緑色の固体を真空中で３５℃で２時間加熱し、その後、生成物をシクロヘキサン（４００ｍＬ）へ抽出し、Ｃｅｌｉｔｅ（登録商標）濾過助剤に通して濾過した。溶媒は真空中で濾液から除去し、緑色の粘着性固体（７．１ｇ）を生成した。図９は、２−エチルヘキサン酸ナトリウムとＣｒＣｌ３（ＴＨＦ）３とのモル比およそ３．１を使用して製造した２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）のＩＲスペクトルを示す。図１０は、２−エチルヘキサン酸ナトリウムとＣｒＣｌ３（ＴＨＦ）３とのモル比およそ３．１を使用して製造した２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）のＩＲスペクトルの拡大部、２０００ｃｍ−１から１０００ｃｍ−１を示す。赤外線ピーク高さおよび様々な赤外線ピーク高さ比を表１に示す。
実施例５
【０３５６】
丸底フラスコ（５００ｍＬ）にＣｒＣｌ３（ＴＨＦ）３（２０．１０ｇ、０．０５３７ｍｏｌ）を装填した。無水２−エチルヘキサン酸ナトリウム（２９．４２ｇ、０．１７７ｍｏｌ）のＴＨＦ（２５０ｍＬ）中の溶液を、撹拌しながら固体のＣｒＣｌ３（ＴＨＦ）３に添加した。反応混合物を２３℃で７２時間撹拌し、その後、溶媒を除去して緑色の粘着性固体が得られた。この緑色の固体を真空中で３０℃で２時間加熱し、その後、生成物をペンタン（５００ｍＬ）へ抽出し、Ｃｅｌｉｔｅ（登録商標）に通して濾過した。溶媒を真空中濾液から除去し、緑色の粘着性固体（２４．５ｇ）が得られた。図１１は、２−エチルヘキサン酸ナトリウムとＣｒＣｌ３（ＴＨＦ）３とのモル比およそ３．３を使用して製造した２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）のＩＲスペクトルを示す。図１２は、２−エチルヘキサン酸ナトリウムとＣｒＣｌ３（ＴＨＦ）３とのモル比およそ３．３を使用して製造した２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）のＩＲスペクトルの拡大部、２０００ｃｍ−１〜１０００ｃｍ−１を示す。赤外線ピーク高さおよび様々な赤外線ピーク高さ比は表１に示す。
実施例６−ナトリウムの除去
【０３５７】
方法Ａ−Ｍｅ３ＳｉＣｌ法２０ｍＬのバイアルに、実施例５の生成物（０．３７３ｇ、約０．６８ｍｍｏｌ）およびシクロヘキサン１０ｍＬを装填した。次いで、バイアルを激しく振盪してクロム錯体を溶解し粘性のある溶液が得られた。次いで、Ｍｅ３ＳｉＣｌ（０．０３０ｇ、０．２８ｍｍｏｌ）は溶液に添加して直ちに白色の沈殿物が形成された。反応混合物を終夜静置し、その間に緑色のゲルが沈降し形成されていて、非常に淡緑色の溶液が後に残った。
【０３５８】
方法Ｂ）−２−エチルヘキサン酸法２０ｍＬのバイアルに、ＣｒＣｌ３（ＴＨＦ）３（１．００ｇ、２．６７ｍｍｏｌ）、２−エチルヘキサン酸ナトリウム（１．３４０ｇ、８．０６ｍｍｏｌ）、２−エチルヘキサン酸（０．１１６ｇ、０．８０ｍｍｏｌ）およびＴＨＦ（１５ｍＬ）を装填した。この混合物は３日間撹拌し、その間に赤いスミレ色の溶液および白色の固体が形成された。溶媒は真空中で除去し、生成物をシクロヘキサンで抽出し、Ｃｅｌｉｔｅ（登録商標）濾過助剤に通して濾過し、真空中で乾燥して青緑色の油が得られた。ＩＣＰ−ＯＥＳ：Ｃｒ、１１．８５重量％；Ｎａ、０．０２重量％。
【０３５９】
図１３は、２−エチルヘキサン酸ナトリウムとＣｒＣｌ３（ＴＨＦ）３とのモル比およそ３．３を使用して生成した２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）（実施例５）に方法Ａを用いて製造した、ナトリウムを含まない２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）のＩＲスペクトルを示す。図１４は、２−エチルヘキサン酸ナトリウムとＣｒＣｌ３（ＴＨＦ）３とのモル比およそ３．３を使用して製造した、ナトリウムを含まない２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）（実施例５）のＩＲスペクトルの拡大部、２０００ｃｍ−１〜１０００ｃｍ−１を示す。赤外線ピーク高さおよび様々な赤外線ピーク高さ比を表１に示す。
実施例７
【０３６０】
丸底フラスコ（５００ｍＬ）に、ＣｒＣｌ３（ＴＨＦ）３（１９．００ｇ、０．０５０７ｍｏｌ）を装填した。ＴＨＦ（２００ｍＬ）中の無水２−エチルヘキサン酸ナトリウム（３４．００ｇ、０．２０５ｍｏｌ）の溶液を、撹拌しながら固体ＣｒＣｌ３（ＴＨＦ）３に添加した。この反応混合物を２３℃で６０時間撹拌し、その後、溶媒は除去して緑色の泡状の固体が得られた。この固体を真空中で２時間３０℃で加熱し、ペンタン（２００ｍＬ）へ抽出し、２度Ｃｅｌｉｔｅ（登録商標）濾過助剤に通して濾過した。溶媒は真空中で濾液から除去して緑色のフィルム（２７．９ｇ）が得られた。図１５は、２−エチルヘキサン酸ナトリウムとＣｒＣｌ３（ＴＨＦ）３とのモル比およそ４を使用して製造した、この２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）のＩＲスペクトルを示す。図１６は、２−エチルヘキサン酸ナトリウムとＣｒＣｌ３（ＴＨＦ）３とのモル比およそ４を使用して製造したこの２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）のＩＲスペクトルの拡大部、２０００ｃｍ−１〜１０００ｃｍ−１を示す。赤外線ピーク高さおよび様々な赤外線ピーク高さ比を表１に示す。
赤外分析
【０３６１】
２つの市販の２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）試料、および実施例３−７において製造した４つの２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）試料を赤外分析法を用いて分析した。第１の市販の２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）試料および４つの２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）試料を、以下の手順を用いてＩＲ分析用に調製した。ドライボックス中で、５ｍｇの試料および５００ｍｇの無水ＫＢｒを、乳鉢および乳棒によって一緒に広範囲に粉砕した。次いで、広範囲に粉砕した試料１００ｍｇをＳｐｅｃｔｒａ−Ｔｅｃｈ  Ｅｃｏｎｏ−Ｐｒｅｓｓ  Ｋｉｔに入れることにより１０ｍｍのＫＢｒ試料ペレットを形成した。次いで、試料は気密容器によってＩＲに移動した。次いで、窒素パージ下でＩＲスペクトルが得られた。純粋なＫＢｒペレット剤を用いるバックグラウンドスペクトルは、所望のスペクトルを収集する前に収集した。
【０３６２】
第２の市販の２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）試料は希釈剤として鉱油を用いて製作した。次いで、第２の市販の２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）試料の２，３滴を、２枚のＫＢｒ塩プレートの間に入れ、気密容器によってＩＲに移動させた。次いで、窒素パージ下でＩＲスペクトルが得られた。
【０３６３】
ＩＲスペクトルは、クラス２の１ｍＷＨｅＮｅレーザー光源、ＫＢｒビームスプリッターおよびＤＴＧＳ検出器を備えたＮｉｃｏｌｅｔＲＭａｇｎａ−ＩＲ５６０フーリエ変換赤外分光スペクトロメーターを用いて得られた。。典型的な実験には、試料スキャンの後収集したバックグラウンドスキャンを含む６４スキャン（分解能１−４ｃｍ−１）を包含した。スペクトルは、Ｔｈｅｒｍｏ  Ｆｉｓｈｅｒ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ  Ｉｎｃ．からのＯＭＮＩＣ（登録商標）７．４ソフトウェアを用いて解析した。
【表１】
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【表２】
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【表３】
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【表４】
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【０３６４】
第１の市販の２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）組成物、実施例５の手順を用いて製造した２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）組成物、およびＲ．Ｔ．Ｈａｒｔ  Ｊｒ．，Ｎ．Ａ．Ｅｃｋｅｒｔ，Ｊ．Ｋ．Ｎｇａｌａ，Ａ．Ｆ．Ｐｏｌｌｅｙ，Ｃ．Ｊ．Ｂｅｎｍｏｒｅ，Ａ．Ｃｌａｒｋ，Ｓ．Ｍａｃｈａ，Ｐｒｅｓｅｎｔａｔｉｏｎ  ＣＡＴＬ  ２０，Ｔｈｅ  ２３７ｔｈ  ＡＣＳ  Ｎａｔｉｏｎａｌ  Ｍｅｅｔｉｎｇ，Ｓａｌｔ  Ｌａｋｅ  Ｃｉｔｙ，ＵＴ，Ｍａｒｃｈ  ２３，２００９に従って製造した２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）組成物（以下、「Ｈａｒｔの２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）組成物」）を高エネルギーＸ線回折を用いて分析した。アメリカ国立アルゴンヌ研究所Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｐｈｏｔｏｎ  Ｓｏｕｒｃｅのステーション１１−ＩＤ−Ｃで、１５μｍの長軸および１．５μｍの短軸を有する楕円形のビームプロフィールを有する、１１５ｋｅＶの単色Ｘ線ビームを、検出器からおよそ１１３０ｍｍの３ｍｍ厚の試料に照射して高エネルギーＸ線回折データを収集した。この特定の事例において、３ｍｍの路長を得るのに十分な量の試料（０．１ｍｇ〜１００ｍｇ）を、１ｍｍ厚の壁を有する外径５ｍｍのパイレックス（登録商標）管に入れた。試料をパイレックス（登録商標）管に入れたら、次いでパイレックス（登録商標）管を排気し、Ｎ２で埋め戻し、次いで火炎で密封した。次いで、パイレックス（登録商標）管に含まれる試料の高エネルギーＸ線回折パターンは、２９８°Ｋの温度で試料に１１５ｋｅＶの単色Ｘ線ビーム（１５μｍの長軸および１．５μｍの短軸を有する楕円形のビームプロフィールを有する）を衝突させることによって得られた。結果として得られた回折パターンは、試料からおよそ１１３０ミリメートルのＭＡＲ３４５画像プレート（３４５ｍｍ直径の画像プレート）上に収集した。Ｘ線光源および画像プレートの間の角度は１８０度であり、遮光器を、試料と画像プレートとの間の画像プレート中央に並置した。典型的には画像プレートを０．５秒間露光した。一般に、露光時間は、シグナルノイズ比（より長い露光時間はシグナルノイズ比を改善する）および画像プレートの飽和（より短い露光時間は画像プレート検出器の飽和を低下させる）との間の釣り合いが得られるように調節することができる。試料と検出器の距離、ビームエネルギーおよび検出器の方向付けは、ＣｅＯ２粉末の外部基準走査を用いて決定した。同一の空のパイレックス（登録商標）管および空気のバックグラウンド回折も、ＭＡＲ３４５画像プレートで収集して試料分析について、それぞれ環境およびバックグラウンド補正をした。高エネルギーＸ線回折画像の操作およびデータ分析は、ＦＩＴ２Ｄ（Ｈａｍｍｅｒｓｌｅｙ，Ａ．Ｐ．；Ｓｖｅｎｓｓｏｎ，Ｓ．Ｏ．；Ｈａｎｆｌａｎｄ，Ｍ．；Ｆｉｔｃｈ，Ａ．Ｎ．；Ｈａｕｓｅｒｍａｎｎ，Ｄ．Ｈｉｇｈ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｒｅｓ．１９９６，１４，２３５−２４８）ｖｅｒｓｉｏｎ  １２．０７７（Ａｐｒｉｌ  ５，２００５−Ｉｎｔｅｒｎａｌ  Ｒｅｐｏｒｔ（１９９８），ＥＳＲＦ９８ＨＡ０１Ｔ，ＦＩＴ２Ｄ  Ｖ９．１２９  Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ  Ｍａｎｕａｌ  Ｖ３．１；Ａ．Ｐ．Ｈａｍｍｅｒｓｌｅｙ）およびＰＤ��ｇｅｔＸ２（Ｑｉｕ，Ｘ．；Ｔｈｏｍｐｓｏｎ，Ｊ．Ｗ．；Ｂｉｌｌｉｎｇｅ，Ｓ．Ｊ．Ｌ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｃｒｙｓｔａｌｌｏｇｒ．２００４，３７，６７８）を使用して遂行した。
【０３６５】
未加工の試料画像（パイレックス（登録商標）管に含まれる試料）、環境画像（空のパイレックス（登録商標）管）、およびバックグラウンド画像（空気）を、Ｆｉｔ２Ｄを用いて、アライメント、方向付けおよび試料と検出器の距離の補正をし、次いで、補正データ画像を半径方向に合計することによって運動量空間強度ヒストグラムＩ（Ｑ）に変換した（Ｂ  Ｔｏｍｂｅｒｌｉ，Ｃ  Ｊ  Ｂｅｎｍｏｒｅ，Ｐ  Ａ  Ｅｇｅｌｓｔａｆｆ，Ｊ  Ｎｅｕｅｆｅｉｎｄ  ａｎｄ  Ｖ  Ｈｏｎｋｉｍａｋｉ．２０００  Ｊ．Ｐｈｙｓ．：Ｃｏｎｄｅｎｓ．Ｍａｔｔｅｒ，１２，２５９７に示されるように多重散乱の標準補正、およびＰＤＦｇｅｔＸ２（版１）を用いるＸ線偏光を用いて）。次いで、環境およびバックグラウンドの運動量空間強度ヒストグラムを、ＰＤＦｇｅｔＸ２内の未加工試料の運動量空間強度ヒストグラムから減じて純粋な試料の運動量空間強度ヒストグラムを得た。次いで、純粋な試料の運動量空間強度ヒストグラムＩ（Ｑ）を構造関数Ｓ（Ｑ）に変換し、次いで、これをＰＤＦｇｅｔＸ２内のＱｍａｘ＝２５Å−１までの構造関数
【数１】
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（式中、Ｑ＝４πｓｉｎ（θ）／λ、ρ（ｒ）は局部密度であり、ρ０は平均密度である）のフーリエ変換によって対分布関数Ｇ（ｒ）に変換した。次いで、対分布関数Ｇ（ｒ）は規格化して還元対分布関数ｇ（ｒ）（式中、ｇ（ｒ）＝Ｇ（ｒ）／ρ０）を得た。データ点（ｒ、ｇ（ｒ））は、本明細書において高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点と称する。表５は、実施例５の手順に従って調製した２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）組成物、Ｈａｒｔの２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）組成物、および第１の市販の２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）組成物の高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点（１オングストローム〜６オングストロームまで）を示す。図１７は、実施例５の手順に従って調製した２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）組成物および第１の市販の２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）組成物のｇ（ｒ）対ｒのプロット（１オングストローム〜６オングストローム）を示す。図１８は、実施例５の手順に従って調製した２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）組成物およびＨａｒｔの２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）組成物のｇ（ｒ）対ｒのプロット（１オングストローム〜６オングストローム）を示す。実施例５の手順に従って調製した２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）組成物は、第１の市販の２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）組成物およびＨａｒｔの２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）組成物とは著しく異なることを明白に知ることができる。
【表５−１】
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【表５−２】
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【表５−３】
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【表５−４】
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【表５−５】
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【表５−６】
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【表５−７】
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【表５−８】
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【表５−９】
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【表５−１０】
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【表５−１１】
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【表５−１２】
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【表５−１３】
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【表５−１４】
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【表５−１５】
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【表５−１６】
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【表５−１７】
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【表５−１８】
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【表５−１９】
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【表５−２０】
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【表５−２１】
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【表５−２２】
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【表５−２３】
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【表５−２４】
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【表５−２５】
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【０３６６】
実施例５に従って製造した２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）の実験での動径分布関数における強力な相関性に基づいて、真空相の単核酢酸クロム（ＩＩＩ）モデルを試行錯誤的に構築した。初期の単核酢酸クロム（ＩＩＩ）構造を、実施例５の方法によって製造した２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）試料の高エネルギーＸ線回折から得られた妥当なクロム−酸素結合距離、およびＮａｔｕｒｅ  ２０５，６９４−６９５（１３  Ｆｅｂｒｕａｒｙ  １９６５）に発表された酢酸塩陰イオンの炭素−酸素、炭素−炭素および炭素−水素結合距離を用いて構築した。高エネルギーＸ線回折で分析した３種の２−エチルヘキサン酸クロム（ＩＩＩ）組成物がすべて、ほぼ同一のクロム−酸素結合距離（０．０５オングストローム以内）を示すことは留意されるべきである。したがって、理論に制約されないが、これが、気相単核酢酸クロム（ＩＩＩ）モデルを構築するには、クロム−酸素結合距離の良好な初期の出発点であると考えられた。次いで、初期のモデルは、ＳｅｍｉＣｈｅｍ／ＧａｕｓｓＶｉｅｗ（版３．０）を用いて１０個の中心原子にＤ３ｈ対称性を課しつつ、クロム−酸素結合距離および酸素−クロム−酸素−炭素二面角を変えることによって最適化した。表６は、ＳｅｍｉＣｈｅｍ／ＧａｕｓｓＶｉｅｗから得られる最適化した酢酸クロム（ＩＩＩ）モデルの原子の座標を示す。
【表６】
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【０３６７】
次いで、ＰＤＦｇｕｉで実施するＰＤＦＦｉｔを、次に、最適化した単核のクロム（ＩＩＩ）モデルの対分布関数を算定するために用いた（Ｐｒｏｆｆｅｎ，Ｔ．；Ｂｉｌｌｉｎｇｅ，Ｓ．Ｊ．Ｌ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｃｒｙｓｔａｌｌｏｇｒ．１９９９，３２，５７２−５７５）。表７は、最適化した酢酸クロム（ＩＩＩ）モデルの算定高エネルギーＸ線回折ｄ（ｒ）データ点を示す。使用した手順から動径分布関数ｄ（ｒ）が得られ、表７に提示されるのはｄ（ｒ）データ点であることが留意されるべきである。最適化した単核酢酸クロム（ＩＩＩ）モデルの算定高エネルギーＸ線回折ｄ（ｒ）データをカルボン酸クロム試料の高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データと比較するためには、ｄ（ｒ）データ点をｇ（ｒ）データに変換しなければならない。ＰＤＦｇｕｉによって得られた高エネルギーＸ線回折ｄ（ｒ）データと高エネルギーＸ線回折ｇ（ｒ）データ点との間の関係は、ｇ（ｒ）＝（ｄ（ｒ）／（４π×ｒ×ρ０））＋１である。
【表７−１】
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【表７−２】
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【表７−３】
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【表７−４】
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【表７−５】
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【表７−６】
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【表７−７】
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【表７−８】
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【表７−９】
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【表７−１０】
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【表７−１１】
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【表７−１２】
2015505854.tif 00〰ㄵ⼼㹡⼼䥄㹖ਊ戼㹲㰊䥄㹖胣ꢡ볯銈볯鎼胣㲑䐯噉ਾ䐼噉㰾⁡牨晥∽〲㔱〵㠵㐵琮晩㸢〲㔱〵㠵㐵琮晩ꃂ〰〰㈵⼼㹡⼼䥄㹖ਊ戼㹲㰊䥄㹖胣ꢡ볯銈볯钼胣㲑䐯噉ਾ䐼噉㰾⁡牨晥∽〲㔱〵㠵㐵琮晩㸢〲㔱〵㠵㐵琮晩ꃂ〰〰㌵⼼㹡⼼䥄㹖ਊ戼㹲㰊䥄㹖胣ꢡ볯銈볯閼胣㲑䐯噉ਾ䐼噉㰾⁡牨晥∽〲㔱〵㠵㐵琮晩㸢〲㔱〵㠵㐵琮晩ꃂ〰〰㐵⼼㹡⼼䥄㹖ਊ戼㹲㰊䥄㹖胣ꢡ볯銈볯隼胣㲑䐯噉ਾ䐼噉㰾⁡牨晥∽〲㔱〵㠵㐵琮晩㸢〲㔱〵㠵㐵琮晩ꃂ〰〰㔵⼼㹡⼼䥄㹖ਊ戼㹲㰊䥄㹖胣ꢡ볯銈볯鞼胣㲑䐯噉ਾ䐼噉㰾⁡牨晥∽〲㔱〵㠵㐵琮晩㸢〲㔱〵㠵㐵琮晩ꃂ〰〰㘵⼼㹡⼼䥄㹖ਊ㰊䐯噉ਾ䐼噉㰾䥄㹖胣邼볯隼볯醀⼼䥄㹖龮雦设볯꺁触蚠臣鎾臣ꚁꫨ붣臣龁볯銈苣膃菣颃苣떂菣뢅苣궃菣袼볯ꦼ볯覼뗧邈觧꺁ꯩꢂ菣ꮃ苣벃볯骷鯥颊뷯袼뷯覼菣벃苣릂胣ꢼ뷯銽뷯꺁볯銈苣膃菣颃苣떂菣뢅苣궃菣袼볯ꦼ볯覼뗧邈觧膀臣袂臣견볯꺁룥ꦲ臣銼裢ꢂ菣ꮃ菣궂苣뎃藩꾂菣ꂃ볯ꦼ볯ꦼ볯蒵裦ꦉ苣膀臣貂苣꺁볯銈苣膃菣颃苣떂菣뢅苣궃菣袼볯ꦼ볯覼뗧邈觧貁臣貂臣ꦁ臣뺁臣颍ꃦꊅ藩꾂菣ꂃ볯ꦼ볯ꦼ볯꺁菣螃菣ꮁ苣讂跥뢠볯銈苣膃菣颃苣떂菣뢅苣궃菣袼볯ꦼ볯覼臣뺯뿥馁苣讁裥궖臣讂臣膂臣膀跥뢠藩뢅苣궃菣袼볯ꦼ볯覼菣螃菣꺁껧骮ꯩꢂ菣ꮃ苣벃볯骷鯥颊菣벃苣릂臣钯볨鞁臣芀臣꺁꿦莼臣膀뷯ꒀ臣肉鳦꺁꿧늛臣辂臣誂郥銼裢ꢂ菣ꮃ菣궂苣뎃藩꾂菣ꂃ볯ꦼ볯ꦼ볯蒵裦ꦉ臣ꊅ藩꾂菣ꂃ볯ꦼ볯ꦼ볯ꊃ菣ꮃ臣꺁雩꺁臩袐胦銂裥薀臣肜臩隌臣膀鳦躘듧뢛臣風볨閁苣讂뷯꺁郥颁꿧늛臣ꒁ臣ꚁ볥늼猼灵砠汭獮樺㵰栢瑴㩰⼯睷⹷灪⹯潧樮≰銼⼼畳㹰볯醼볯뎼볯㲳畳⁢浸湬㩳灪∽瑨灴⼺眯睷樮潰朮⹯灪㸢뷯銽뷯㲒猯扵込볯뎼猼扵砠汭獮樺㵰栢瑴㩰⼯睷⹷灪⹯潧樮≰钽뷯钽⼼畳㹢볯ꮁ苣ꎁ臣ꦁ郥ꚺꓦ骮胥늼猼灵砠汭獮樺㵰栢瑴㩰⼯睷⹷灪⹯潧樮≰銼⼼畳㹰苣鞮껥馁苣鎁臣ꮁ苣ꎁ臣芁ꇨ鞁臣芀㰊䐯噉ਾ䐼噉㰾䥄㹖胣邼볯隼볯醀⼼䥄㹖醼볯颍ꃦꊅ藩꾂菣ꂃ볯ꦼ볯ꦼ볯ꊃ菣ꮃ臣鞮껥颫苣趃菣꺂菣뢼럧麛諦蒽볯銽볯螃菣뾂苧銂跥뢠藩뢅苣궃菣袼볯ꦼ볯覼菣螃菣꺁껧骮ꯩꢂ菣ꮃ苣벃볯骷鯥颊뷯袼뷯覼菣벃苣릂臣覤迦鞁胣込뷯袼뷯覼볯袼볯袼볯蒽볯銽볯込볯钼胏韃뷯쎒쾗㲁畳⁢浸湬㩳灪∽瑨灴⼺眯睷樮潰朮⹯灪㸢볯㲐猯扵覼볯讼볯覼韃뷯膽뷯覼볯ꎼ볯銂铧蒁臣銼裢ꢂ菣ꮃ菣궂苣뎃藩꾂菣ꂃ볯ꦼ볯ꦼ볯蒵裦ꦉ臣颫苣趃菣꺂菣뢼럧麛諦螃菣뾂苧ꮁ껧骮ꯩꢂ菣ꮃ苣벃볯骷鯥颊뷯袼뷯覼菣벃苣릂苣릂苣벃菣뎃苣鞁胣銼볯銽볯醼볯鞼볯ꪂ菣낂苣袃菣벃菣ꞁ苣놂菣ꪃ菣낂臣袂臣肜臩隌臣龁胣颍ꃦꊅ藩꾂菣ꂃ볯ꦼ볯ꦼ볯ꊃ菣ꮃ臣螽볯銽볯螃菣뾂苧꺁껧骮ꯩꢂ菣ꮃ苣벃볯骷鯥颊뷯袼뷯覼菣벃苣릂臣邼臣覭臣蒁臣蒁臣뚈듧ꆝ믤꺁룤ꞁ胣릂苣벃菣뎃苣誁苣뎁鳦ꦁ賥꺁ꓥ낕臣鞁臣궃菣袼臏볯膀뷯膽뷯膀臣袂臣ꎼ苣ꢔ臣ꚁ跥뢠藩뢅苣궃菣袼볯ꦼ볯覼菣螃菣꺁껧骮ꯩꢂ菣ꮃ苣벃볯骷鯥颊뷯袼뷯覼菣벃苣릂臣膀볯銈苣膃菣颃苣떂菣뢅苣궃菣袼볯ꦼ볯覼뗧邈觧꺁ꯩꢂ菣ꮃ苣벃볯骷鯥颊뷯袼뷯覼菣벃苣릂臣꺁雩꺁럥꺁맥릖臣貒苣떥냥隌臣讂臣ꢁ臣袂臣ꚁ胣鶁苣麁苣꺁臩袐胦꺁鳦ꦁ賥銂臩財臣龁胣鎁臣讉ꃩ꺁룤ꞁ胣螽볯銽볯鶼볯蒽볯銽볯込볯钼胏韃뷯쎒쾗㲁畳⁢浸湬㩳灪∽瑨灴⼺眯睷樮潰朮⹯灪㸢볯㲐猯扵覼볯꾁胣ꢡ볯ꮁ迦몤臣龁鳦ꦁ賥鞁臣颍ꃦꊅ藩꾂菣ꂃ볯ꦼ볯ꦼ볯ꊃ菣ꮃ臣開뻥蚈룥蒽볯銽볯螃菣뾂苧銂胣ꚩ꣩鞁臣銼裢ꢂ菣ꮃ菣궂苣뎃藩꾂菣ꂃ볯ꦼ볯ꦼ볯蒵裦ꦉ臣龮꣩ꮁ苣ꎁ臣鞾苣貂臣颫苣趃菣꺂菣뢼럧麛諦螽볯銽볯螃菣뾂苧ꢁ꿦莼臣讂臣ꢁ臣ꞁ臣讂뷯袼뷯覼菣벃苣릂臣覤迦鞁胣蚽뷯莽臣袂臣ꎼ臣膀跥뢠藩뢅苣궃菣袼볯ꦼ볯覼菣螃菣꺁껧骮ꯩꢂ菣ꮃ苣벃볯骷鯥颊菣벃苣릂臣銼裢ꢂ菣ꮃ菣궂苣뎃藩꾂菣ꂃ볯ꦼ볯ꦼ볯蒵裦ꦉ臣颫苣趃菣꺂菣뢼럧麛諦螃菣뾂苧ꢁ臣鎖臣肜臩꺁臩袐苣꾏菨ꮁ臣讂꣨낕胩鮸軧ꞁ臣讂胣肜臩隌볦鞮臣麃苣꾂菣붂菣袃볯뮙賩蚕꣦覼苣꾂苣ꮃꇨ袨껧鞃菣낂菣ꂃ蛥꺁苣ꮃ菣벃雩낕苣ꢔ臣ꚁ臩財臣龁臣膀臣讁臣膀뷯鶼볯躼볯馼苣뎃苣릂菣궃菣ꂃ臣颍ꃦꊅ藩꾂菣ꂃ볯ꦼ볯ꦼ볯ꊃ菣ꮃ뷯袼뷯覼菣벃苣릂볯릂苣벃菣뎃苣钼껧讁苣鞾苣貂臣覼臣邼臣覭臣蒁臣蒁臣뚈듧ꆝ믤꺁룤ꮁ苣놂菣ꪃ菣낂雩낕臣覤闦ꢁ臣ꚁ臏猼扵砠汭獮樺㵰栢瑴㩰⼯睷⹷灪⹯潧樮≰邼⼼畳㹢胣蚽뷯莽臣袂臣ꎼ苣ꢔ臣ꚁ胣꺷臣뎹雦꺁鳦辰鋥銂꟨辁臣ꢁ臣ꞁ臣讂믤꺁菣궃苣ꦃ菣銂铧蒁臣节臩財臣讂臣ꢁ臣ꞁ臣讂胣ં⼼䥄㹖㰊䥄㹖䐼噉邀볯鎼볯邼胣㲑䐯噉ਾ†믤许臣讉ꃩ꾁胣醼볯鎼胣钼볯邼臣銽胥蒯鯥ꮁ苣龁苣膀껥붖뻤閼臣銼裢ꢂ菣ꮃ菣궂苣뎃藩꾂菣ꂃ볯ꦼ볯ꦼ볯蒵裦ꦉ臣颫苣趃菣꺂菣뢼럧麛諦螽볯銽볯螃菣뾂苧ꢁ胣ꊅ藩꾂菣ꂃ볯ꦼ볯ꦼ볯ꊃ菣ꮃ臣鞮껥颫苣趃菣꺂菣뢼럧麛諦蒽볯銽볯螃菣뾂苧ꢁ臣鎖臣ꦁ郥꺁鳦ꦁ賥銂臣讂胣麃苣꾂菣붂菣袃볯뮙賩蚕꣦覼苣꾂苣ꮃ菣벃苣랂菣袃苣鲽苣龁苣ꮁ뷤ꢔ臣龁苣蚃菣鞃苣몤臣芀駧馴臣麃苣꾂菣붂菣袃볯뮙賩蚕꣦覼苣꾂苣ꮃ菣벃苣랂菣袃蛥ꞁ胣㲁牢ਾ볯躼볯躼볯醼雩钚臣몌裥ꎁ臣醼볯邼볯鲀볯躼볯邼臣銽臣ꒀ苣膀飦蚠臣뮂菣ꆼ볯邼裢ꆼ볯醼볯ꮁ藥貂臣芀戼㹲銼볯ꢡ볯讁苣꺁藩뢅苣궃菣袼볯ꦼ볯覼菣螃菣꺁껧骮ꯩꢂ菣ꮃ苣벃볯骷鯥颊뷯袼뷯覼菣벃苣릂臣蒐뷯ꒀ臣뺯뿥馁苣蒽볯銽볯꺁胥銂苣ꮃ볯醼볯銈볯閼볯邼臣ꖅ苣龁胣㲂牢ਾ볯躼껥붖뻤閼臣銼裢ꢂ菣ꮃ菣궂苣뎃藩꾂菣ꂃꧨ首臣颫苣趃菣꺂菣뢼럧麛諦螽볯銽볯螃菣뾂苧꺁郥銽胥ꮁ꿥鲿臣讂뷯袼뷯覼臣ꒀ苣뮂菣ꎼ볯邼裢ꎼ볯醼볯궸臣ꖅ苣龁胣㲂牢ਾ볯躼臏猼扵砠汭獮樺㵰栢瑴㩰⼯睷⹷灪⹯潧樮≰邼⼼畳㹢臣ꒁ臣ꚁ臣邼臣ꪁ臣鶈鳦꺁軦辇胣肜臩隌껥낕뷯膽뷯ꮁ臣蒁臣꺁볯ꞁ臣蒁裥龜臣ꢎ蟩膀臣袂臣肜臩隌껥낕볯ꮁ臣蒁臣꺁裥龜臣ꢎ蟩銂臣貂臣貂苣ꮃ볯钼胣꒼볯誁苣뎁볯隼臣ꖅ苣龁胣㲂牢ਾ볯躼볥鶼볯袼볯蒼볯醼볯込볯钼韃볯ꦼ볯覼韃볯ꆼ볯邼韃볯꒼볯钼볯覼볯醼볯쎉蒼볯蒼볯覼볯蒼볯蒼볯銂苣ꮃ볯醼볯ꮁ藥貂胣ꆬ臣膀苣ꮃ볯醼볯銈볯閼볯邼臣芏藧鞁臣뎂菣벃臣龁胣袼臣ꪁ苣ꆁ胣芏藧鞁臣뎂菣벃臣讂ꃥ袐胣꒼볯醼볯궸臣込臣鶼볯袼볯蒼볯閼볯邼볯袼볯쎔낼볯袼볯쎉蒼볯閼볯邼韃볯꒼볯钼볯覼볯醼볯쎉蒼볯蒼볯覼볯蒼볯蒼볯ꞁ臣ꎁ臣覼胣㲂牢ਾ볯躼볥鶼볯떼볯袼볯醼볯骼볯閼볯邼볯銂苣ꮃ볯颼臣ꖅ苣龁胣㲂牢ਾ볯躼볥鶼볯ꎼ볯邼裢꒼볯邼볯뺼볯銂苣ꮃ볯钼볯궸臣ꖅ苣膀苣ꮃ볯钼볯銈볯鎼볯邼臣芏藧鞁臣뎂菣벃臣袼臣ꪁ苣ꆁ胣芏藧鞁臣뎂菣벃臣讂ꃥ袐胣ꖼ볯醼볯꺁볥꾁볯袼볯鎼볯邼裢꒼볯醼볯覼볯銼臣芁臣龁볯膀苣ꮃ볯醼볯銈볯鎼볯誁苣뎁볯鎼볯醼裢ꖼ볯醼볯貁ꧧ붙臣芁苣鎁臣銂ꋧ讁苣龁胣㲂牢ਾ볯躼껥붖뻤閼臣銼裢ꢂ菣ꮃ菣궂苣뎃藩꾂菣ꂃ볯ꦼ볯ꦼ볯蒵裦ꦉ臣颫苣趃菣꺂菣뢼럧麛諦螽볯銽볯螃菣뾂苧ꢁ藩뢅苣궃菣袼볯ꦼ볯覼菣螃菣꺁껧骮ꯩꢂ菣ꮃ苣벃볯骷鯥颊뷯袼뷯覼菣벃苣릂臣꺁雩꺁鳦ꦁ賥꾁胣ꆬ臣ꖻ룤ꮁ苣ꎁ臣芁ꇨ鞁臣芀戼㹲膽볯麃苣꾂菣붂菣袃볯뮙賩蚕꣦覼苣꾂苣ꮃ룤꺁苣ꮃ菣벃菣벃菣뎃苣讖臣鮼戼㹲芽볯貀鯧蒚苣ꮃ꣨骮胣ꢁ菣馃菣颻臣鞁臣붂菣邃菣ꮃ菣膃菣鲃菣꾂苣ꮁ볯颼苣ꖅ諥馁苣鮼戼㹲莽볯肜냥ꒀ臣覭臣蒁鯧蒚苣ꮃ苣뢁諦馁苣鮼戼㹲蒽볯뮂菣꒼볯膀볯閼臣袂臣꒼볯袼볯꒼볯钼볯蒼볯蒼볯覼苣貀苣ꮃ苣覤賥閁臣讂臣ꢁ臣袂苣趀臣ꦃ菣ꮃ믤醁臣龁苣ꮃ菣벃菣벃菣뎃菣莃苣릂臣ꖅ諥馁苣鮼戼㹲薽볯뮂菣蒼볯蒼볯馼볯邼臣貀裥蒴鷦뚻臣뺯뇨趀臣ꦃ菣ꮃ믤醁臣龁苣ꮃ菣벃菣벃菣뎃菣莃苣릂臣뚈듧ꆝ믤銂藥鮊臣讂胣鮼戼㹲蚽볯붂菣隃볯鎽뷯貽뷯薽볯鲃菣꾂苣銂苣ꪃ菣꾂臣膀곦蒁臣膀苣ꮃ菣벃菣벃菣뎃臣邈諥ꆣ臣ꎧ臣躏鷦鞁臣覂볯ꮼ菣뾂菣銂苣ꪃ菣꾂臣讂볯ꎧ뛧膌菣뢂苣鲃苣뎃苣뢁諦鞁臣鎁臣銂ꋧ趪臣ꒁ臣覼胣㲂牢ਾ臣貂苣꺁苣蚃菣鞃臣膀菣벃苣릂苣ꮐ苣꾃菣꾂苣벃菣銂뷤邈臣膀믤꺁뷯ꒀ꿧늛臣辂臣誂胣龮雦设볯꺁볯銈苣膃菣颃苣떂菣뢅苣궃菣袼볯ꦼ볯覼뗧邈觧꺁ꯩꢂ菣ꮃ苣벃볯骷鯥颊뷯袼뷯覼菣벃苣릂臣膀藩뢅苣궃菣袼볯ꦼ볯覼菣螃菣꺁껧骮ꯩꢂ菣ꮃ苣벃볯骷鯥颊뷯袼뷯覼菣벃苣릂臣꺁雩꺁臩袐臣肜臩隌臣꾃菣꾂苣벃菣貁臩鲿臣鮁苣鎁臣銂迥붃臣馁苣鎁臣貁臣趁苣肸裨込胣ꊖ뿤込臣袂臣讉ꃩ銂뷤ꢔ臣讂臣ꢁ臣馕蓦閁苣讂臣趁臣芁苣芀㰊䐯噉ਾ䐼噉㰾䥄㹖胣邼볯鞼볯醀⼼䥄㹖 龮雦设볯꺁볯銈苣膃菣颃苣떂菣뢅苣궃菣袼볯ꦼ볯覼뗧邈觧꺁ꯩꢂ菣ꮃ苣벃볯骷鯥颊뷯袼뷯覼菣벃苣릂臣ꊅ藩꾂菣ꂃ볯ꦼ볯ꦼ볯ꊃ菣ꮃ臣鞮껥颫苣趃菣꺂菣뢼럧麛諦蒽볯銽볯螃菣뾂苧ꢁ臣鎖臣ꦁ郥銂鳦ꦁ賥馁苣讉ꃩ銂臩財臣쾗㲁畳⁢浸湬㩳灪∽瑨灴⼺眯睷樮潰朮⹯灪㸢볯㲐猯扵鶼볯躼볯膀뷯膽뷯鶼볯躼볯誁苣뎁볯鶼볯꺁裥龜胥銂뷤ꢔ臣讂臣膀苣ꮃ菣벃菣벃菣뎃臣膀臏猼扵砠汭獮樺㵰栢瑴㩰⼯睷⹷灪⹯潧樮≰邼⼼畳㹢볯邼볯邼볯邼볯膀뷯膽뷯鶼볯躼볯钼볯邼胣誁苣뎁볯鶼볯躼볯銼볯隼볯辰闦릂믤许볯膡臣뢸苣ꚁ볯膀臣袂臣颍ꃦꊅ藩꾂菣ꂃ볯ꦼ볯ꦼ볯ꊃ菣ꮃ臣鞮껥颫苣趃菣꺂菣뢼럧麛諦螽볯銽볯螃菣뾂苧ꢁ胣龮雦设볯꺁볯銈苣膃菣颃苣떂菣뢅苣궃菣袼볯ꦼ볯覼뗧邈觧꺁ꯩꢂ菣ꮃ苣벃볯骷鯥颊뷯袼뷯覼菣벃苣릂臣꺁雩꺁럥꺁맥릖臣膀볯鎼볯躼볯钼볯鞼볯辰闦릂믤许볯膡臣뢸苣ꚁ볯ꮁ귧鞁臣떥냥貒苣覜臣讂꟨ꮁ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