(57)【要約】【解決手段】リソグラフィ装置内の物体表面から汚染をクリーニングするための方法およびシステムが説明される。放射ビームと調整するように構成される照明システムと、パターニングデバイス（３０２）を保持するように構築されるサポートと、放射ビームの断面にパターンを付してパターン放射ビームを形成することのできるパターニングデバイスと、基板を保持するように構築される基板テーブルと、パターン放射ビームを基板の目標部分に投影するように構成される投影システムと、を含むリソグラフィ装置が提供される。リソグラフィ装置は、サポートまたはパターニングデバイスのいずれかの表面の粒子を除去してクリーニングするためのクリーニングシステム（５００）をさらに含む。クリーニングシステムは、サポートまたはパターニングデバイスのいずれかの表面に接触するように設計されるクリーニング面（５０２）を含む。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置内部の物体表面から粒子を除去する方法であって、
第１および第２ホルダの間でテープが引き伸ばされるようにして、クリーニング層を有する前記テープを提供することと、
前記第１および第２ホルダを第１方向に動かして引き伸ばされたテープを前記物体表面に向かって移動させることと、
前記物体表面に前記テープを接触させて前記物体上の前記粒子を前記テープに移転することと、
前記第１および第２ホルダを前記第１方向と異なる第２方向に動かして前記物体表面から移された粒子を有する前記テープを離隔することと、を備える方法。
【請求項２】
前記物体は、パターニングデバイスまたはチャックである請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記パターニングデバイスの前記表面は、前記パターニングデバイスの裏面である請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記パターニングデバイスの前記表面は、前記パターニングデバイス上のパターン面に近接した領域である請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記第１および第２ホルダを第１方向に移動させることと、前記第１および第２ホルダを前記第２方向に移動させることは、それぞれ自動化されている請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１および第２ホルダの間で前記テープを前進させ、後続のクリーニング用に粒子のない未使用のクリーニング層を露出させること、をさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記移転すること及び離隔することは、前記クリーニング層からの残留物を前記物体表面に実質的に残さない、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記物体表面を検査して表面汚染レベルを決定することと、
閾値より上または下である前記表面汚染レベルに応じて、前記移動させるステップ及び前記接触させるステップを繰り返すことと、を前記離隔することの後にさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記提供することは、前記物体表面から粒子を除去するために前記テープを支持して前記物体表面に接触させるように構成される第１サポートホルダ上に、前記テープを前記物体表面に近接させて取り付けることを備える請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
放射ビームを調整するように構成される照明システムと、
前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン放射ビームを形成することのできるパターニングデバイスを保持するように構築されるサポートと、
基板を保持するように構築される基板テーブルと、
前記パターン放射ビームを前記基板の目標部分に投影するように構成される投影システムと、
クリーニング層を有するテープを含み、前記テープが第１および第２ホルダの間で引き伸ばされるクリーニングシステムと、を備え、
前記クリーニングシステムは、
前記第１および第２ホルダを第１方向に動かして前記引き伸ばされたテープを前記サポートまたは前記パターニングデバイスの表面に向かって移動させ、
前記サポートまたは前記パターニングデバイスのいずれかの前記表面に前記テープを接触させて前記サポートまたは前記パターニングデバイスの上の粒子を前記テープに移転し、
前記第１および第２ホルダを前記第１方向と異なる第２方向に動かして前記サポートまたは前記パターニングデバイスの前記表面から移された粒子を有する前記テープを離隔するように構成される、リソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記パターニングデバイスの前記表面は、前記パターニングデバイス上のパターン面に近接した領域である、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記第１および第２ホルダの少なくとも一方に接続され、クリーニング後に前記テープを前進させて後続のクリーニング用に粒子のない未使用のクリーニング層を露出させるように構成されるモータをさらに備える、請求項１０に記載の装置。
【請求項１３】
前記クリーニング層は、前記サポートまたは前記パターニングデバイスの前記表面に残留物を残さずに前記粒子を捕らえるように構成される、請求項１０に記載の装置。
【請求項１４】
前記サポートは、静電式チャックを備える、請求項１０に記載の装置。
【請求項１５】
リソグラフィ装置内のサポートまたはパターニングデバイスの表面の粒子を捕らえて除去するように構成されるクリーニング装置であって、
クリーニング層を有するテープと、
前記テープが第１および第２ホルダの間で巻き付けられるように構築および配置される第１および第２ホルダと、
前記テープを支持するように構成されるサポートホルダであって、前記サポートホルダの上で前記テープが引き伸ばされているときに前記テープの平坦面を与えるように構成されるサポートホルダと、を備え、
前記サポートホルダはさらに、動かすことで前記サポートまたは前記パターニングデバイスの前記表面に向かって前記テープを移動させ、前記サポートまたは前記パターニングデバイスの前記表面から前記テープを離隔させるように構成されており、
前記テープの前記クリーニング層は、前記サポートまたは前記パターニングデバイスの前記表面に残留物を残さずに前記粒子を捕らえるように構成されるクリーニング装置。
【請求項１６】
前記第１および第２ホルダの少なくとも一方に接続され、前記テープを前進させて後続のクリーニング用に粒子のない未使用のクリーニング層を露出させるように構成されるモータをさらに備える、請求項１５に記載のクリーニング装置。
【請求項１７】
前記サポートホルダはさらに、前記テープ上に粒子が存在しないテープを露出させている間に前記サポートまたは前記パターニングデバイスの前記表面に沿って横方向に動いて、前記サポートまたは前記パターニングデバイスの前記表面上の粒子を前記テープのクリーニング層に移転させるように構成される、請求項１５に記載のクリーニング装置。
【請求項１８】
前記サポートホルダはさらに、前記テープを前進させて後続のクリーニング用に粒子が存在しない未使用のクリーニング層を露出させる前に、前記サポートまたは前記パターニングデバイスの前記表面から前記テープを離隔させるように構成される、請求項１５に記載のクリーニング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、２０１２年８月３１日に出願された米国仮出願第６１／６９５，９７３号、
２０１２年９月１１日に出願された米国仮出願第６１／６９９，７４５号、および、２０１２年９月１９日に出願された米国仮出願第６１／７０２，９３２号の利益を主張し、その全体が本書に援用される。
【０００２】
本発明は、リソグラフィ装置内部のレチクルまたはマスクなどのパターニングデバイスをクリーニングするための方法およびシステムに関する。
【背景技術】
【０００３】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、たいていは基板の目標部分に与える機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いられる。その場合、マスクまたはレチクルとも称されるパターニングデバイスが、ＩＣの個々の層に形成される回路パターンを生成するために使用されうる。このパターンは、基板（例えばシリコンウェーハ）上の（例えばダイの一部、１つのダイ、またはいくつかのダイを備える）目標部分に転写されることができる。パターンは典型的に、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層への結像により転写される。一般に、一枚の基板にはネットワーク状に隣接する目標部分が含まれ、これらは連続してパターン付与される。
【０００４】
リソグラフィはＩＣや他のデバイス及び／または構造の製造における主要な工程のひとつとして広く認知されている。しかしながら、リソグラフィを使用して作成されるフィーチャの寸法が小さくなるにつれて、リソグラフィは小型のＩＣや他のデバイス及び／または構造を製造可能とするためのよりクリティカルな要因となってきている。
【０００５】
パターン印刷の限界の理論推定値は、分解能に関するレイリー基準によって以下に示される式（１）で与えられる。
【数１】
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ここでλは使用される放射の波長であり、ＮＡはパターン印刷に使用される投影システムの開口数であり、ｋ１はプロセスに依存する調整係数でありレイリー定数とも呼ばれ、ＣＤは印刷されるフィーチャのフィーチャサイズ（または限界寸法）である。式（１）から導かれるのは、印刷可能なフィーチャサイズの最小値を小さくすることができる３つの方法があるということである。すなわち、露光波長λを短くすることによって、または開口数ＮＡを大きくすることによって、またはｋ１の値を小さくすることによってである。
【０００６】
露光波長を短くしそれによって印刷可能な最小サイズを小さくするために、極端紫外（ＥＵＶ）放射源を使用することが提案されている。ＥＵＶ放射は、５ｎｍから２０ｎｍの範囲内、例えば１３ｎｍから１４ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射である。さらに波長１０ｎｍ未満、例えば６．７ｎｍまたは６．８ｎｍなど５ｎｍから１０ｎｍの範囲内のＥＵＶ放射も使用可能でありうることが提案されている。そのような放射は極端紫外放射または軟Ｘ線放射と呼ばれる。実現可能なソースは例えばレーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、または電子蓄積リングから供給されるシンクロトロン放射に基づくソースを含む。
【０００７】
ＥＵＶ放射は、プラズマを用いて生成されてもよい。ＥＵＶ放射を生成するための放射システムは、プラズマを供給する燃料を励起するためのレーザと、プラズマを収容するためのソースコレクタモジュールとを含んでもよい。プラズマは例えば、適切な燃料材料（例えばスズであり、これは現時点で最も有望であり、したがってＥＵＶ放射源用に好ましい選択であると考えられる）の液滴、または、適切な気体または蒸気（例えばＸｅガスやＬｉ蒸気など）の流れ等の燃料にレーザビームを向けることにより生成されてもよい。結果として生じるプラズマは、例えばＥＵＶ放射などの出力放射を放出し、その出力放射は放射コレクタを用いて集められる。放射コレクタは、放射を受けてその放射をビームに集中させる鏡面垂直入射放射コレクタであってもよい。ソースコレクタモジュールは、プラズマを保持するための真空環境を提供するよう構成された包囲構造またはチャンバを含んでもよい。そのような放射システムは、典型的にレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と呼ばれる。レーザの使用を採用しうる別のシステムでは、放電を用いて形成されるプラズマ（放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源）により放射が生成されてもよい。
【０００８】
リソグラフィ装置にて走査ステージ上のパターニングレチクルを保持するために用いられる静電式チャック（ＥＳＣ）は、汚染される可能性がある。この汚染は、レチクルからＥＳＣに移される可能性があり、その逆も同様である。汚染は、リソグラフィチャンバそれ自身にも由来する可能性がある。汚染は、オーバーレイエラーを生じさせ、その結果、機能しないコンピュータチップを生じさせる。さらに、この汚染は、パターニングデバイスそれ自身のパターン面にも発見されうる。汚染は、リソグラフィ装置内でパターニングデバイスを輸送するために用いるＰＯＤからパターニングデバイスへと移るかもしれない。
【０００９】
典型的に、ＥＳＣは手作業でクリーニングされる。しかしながら、現状のクリーニングは、非常に細かい粒子からなる残留物を残す。手作業のクリーニングは、典型的に直径が約３μｍより大きい粒子のみを除去する。手作業のクリーニングは、装置が大気圧にベントされ、部分的に分解されることを必要とし、生産性の損失を生じさせる。
【００１０】
リソグラフィ機器のその場でＥＳＣをクリーニングするための最新技術は、特別な微粒子の少ないワイパを用いて手作業により溶剤で拭くことである。ＥＳＣは電気的かつ機械的に一体的な機械構成要素であるため、外での昔ながらのウェットクリーニングのためにＥＳＣを取り外すことは不可能である。
【００１１】
半導体の微小なリソグラフィにおいて、レチクルが反射型または透過型であって表面に固定されうるシステムがある。典型的に、反射型レチクルはパターンフィーチャを含む面と反対の裏面でクランプされる一方、透過型レチクルはパターンフィーチャを有する面の外縁の周りでクランプされる。これらのクランプ面は、チップ製造における合理的な歩留まりを得るためにクリーンでなければならない。したがって、ユーザは、クランプおよび／またはパターニングデバイスのいずれかが汚染されている場合、これらをクリーンにできることを求める。
【発明の概要】
【００１２】
本書もしくはそれ以外で識別されるかにかかわらず、問題の少なくとも一つを取り除くか軽減すること、もしくは、既存の装置または方法に代替手段を提供することが望まれる。
【００１３】
本発明の第１の態様によれば、リソグラフィ装置内の物体表面から粒子を除去するための方法であって、物体表面にクリーニング面を接触させることを含む方法が提供される。この方法は、物体上の粒子をクリーニング面に移転することと、物体表面からクリーニング面を離隔することと、を含み、粒子はクリーニング面に付着する。
【００１４】
本発明の第２の態様によれば、放射ビームを調整するように構成される照明システムと、パターニングデバイスを保持するように構築されるサポートと、放射ビームの断面にパターンを付してパターン放射ビームを形成することができるパターニングデバイスと、基板を保持するように構築される基板テーブルと、基板の目標部分にパターン放射ビームを投影するように構成される投影システムと、を含むリソグラフィ装置が提供される。このリソグラフィ装置はさらに、サポートまたはパターニングデバイスのいずれかの表面の粒子を除去してクリーニングするためのクリーニングシステムを含む。このクリーニングシステムは、サポートまたはパターニングデバイスのいずれかの表面に接触するように設計されるクリーニング面を含む。
【００１５】
本発明のさらなる特徴および利点は、様々な実施の形態の構造および動作とともに添付の図面を参照して以下に詳述される。本書に説明される特定の実施の形態に本発明は限定されないことに留意される。こうした実施の形態は説明の目的で本書に提示されるにすぎない。追加の実施の形態は、本書に含まれる教示に基づき当業者に明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
本書に含まれ明細書の一部を形成する添付の図面は、本記載とともに本発明を説明し、さらに本発明の本質を説明するために役立つとともに、当業者が本発明を実施または使用することを可能にする。
【００１７】
【図１】本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置を示す図である。
【００１８】
【図２】ある実施の形態に係るＬＰＰソースコレクタモジュール源を含む、図１の装置のより詳細を示す図である。
【００１９】
【図３】本発明の別の実施の形態に係るリソグラフィ装置を示す図である。
【００２０】
【図４】ある実施の形態に係る構造に支持されるパターニングデバイスを示す側面図である。
【００２１】
【図５】図５Ａおよび５Ｂは、ある実施の形態に係る粒子に汚染されたパターニングデバイスを示す上面図および側面図である。
【００２２】
【図６】ある実施の形態に係るクリーニングシステムを示す図である。
【００２３】
【図７】ある実施の形態に係るクリーニングシステムの動作を示す図である。
【００２４】
【図８】別の実施の形態に係るクリーニングシステムを示す図である。
【００２５】
【図９】別の実施の形態に係るクリーニングシステムを示す図である。
【００２６】
【図１０】ある実施の形態に係る例示的な方法を示す図である。
【００２７】
【図１１】ある実施の形態に係る例示的な方法を示す図である。
【００２８】
本発明の特徴および利点は、対応する構成要素に一貫して同様の符号が示される図面とともに後述される詳細な記載を参照したときより明らかになるであろう。図面において、同様の符号は一般に、同一の、機能的に同様のおよび／または構造的に同様の構成要素を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
この明細書は、本発明の特徴を含む一以上の実施の形態を開示する。開示される実施の形態は、本発明を例示のみする。本発明の範囲は、開示される実施の形態に限定されない。本発明は、本書に添付される請求項によって定義される。
【００３０】
本明細書における「一つの実施の形態」、「ある実施の形態」、「ある例示的な実施の形態」などといった言及は、その説明される実施の形態がある特定の特徴、構造、又は性質を含んでもよいことを表すが、その特定の特徴、構造、又は性質がどの実施の形態にも必ず含まれうることを表すものではない。また、こうした言い回しは同一の実施の形態に言及するものでは必ずしもない。さらに、ある特定の特徴、構造、又は性質がある実施の形態と結びつけて説明されるとき、そうした特徴、構造、又は性質を他の実施の形態と結びつけてもたらすことはそれが明示的に説明されているか否かにかかわらず当業者の知識の範囲内にあるものと提示される。
【００３１】
本発明の実施の形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、または、これらの任意の組み合わせにより実施されうる。本発明の実施の形態は、機械的により取り可能な媒体に記憶され、一以上のプロセッサにより読み込まれて実行される命令として実施されうる。機械的に読み取り可能な媒体は、機械（例えば、コンピュータデバイス）により読み取り可能な形態の情報を記憶または送信するためのいかなるメカニズムを含みうる。例えば、機械的に読み取り可能な媒体は、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスク記憶媒体、光学記憶媒体、フラッシュメモリ装置、電気的、光学的、音響的もしくは他の形態の伝搬信号（例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号など）およびその他を含んでよい。さらに、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令は、特定の動作を実行するものとして本書に記載されうる。しかしながら、このような記載は単に便宜上のものであり、このような動作は、実際上、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令などを実行するコンピュータデバイス、プロセッサ、制御器または他のデバイスに起因するものであることは理解されよう。
【００３２】
しかしながら、このような実施の形態の詳細を記載する前に、本発明の実施の形態が実施されうる例示的な環境を示すことが有益である。
【００３３】
図１は、本発明のある実施の形態に係るソースコレクタモジュールＳＯを含むリソグラフィ装置１００を模式的に示す図である。本装置は、放射ビームＢ（例えばＥＵＶ放射）を調整するよう構成される照明システム（イルミネータ）ＩＬと；パターニングデバイス（例えばマスクまたはレチクル）ＭＡを支持するよう構築され、パターニングデバイスを正確に位置決めするよう構成される第１位置決め部ＰＭに接続されるサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと；基板（例えば、レジストで覆われたウエハ）Ｗを保持するよう構築され、基板を正確に位置決めする第２位置決め部ＰＷに接続される基板テーブル（例えばウエハテーブル）ＷＴと；パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されるパターンを基板Ｗの（例えば１以上のダイを備える）目標部分Ｃに投影する投影システム（例えば反射投影システム）ＰＳと、を備える。
【００３４】
照明システムは、放射を方向付け、成形し、又は制御するための屈折型、反射型、磁気型、電磁気型、静電型、あるいは他の種類の光学素子といった各種光学素子、またはこれらの任意の組合せを含んでもよい。
【００３５】
サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置のデザイン、及び、パターニングデバイスが真空環境で保持されるか否かといった他の条件に応じた方式でパターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはパターニングデバイスを保持する他の固定技術を用いてもよい。サポート構造は、フレームまたはテーブルであってもよく、例えば、これらは固定されていてもよいし必要に応じて移動可能であってもよい。サポート構造は、例えば投影システムに対して所望の位置にパターニングデバイスを位置決めすることを保証してもよい。
【００３６】
「パターニングデバイス」なる用語は、例えば基板の目標部分にパターンを生成するために放射ビームの断面にパターンを付与するのに使用可能な何らかのデバイスを指し示すものと広義に解釈されるであろう。放射ビームに付与されるパターンは、目標部分に生成される集積回路等のデバイスにおける特定の機能層に対応してもよい。
【００３７】
パターニングデバイスは透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスには例えば、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、バイナリマスクやレベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク、さらに各種のハイブリッド型マスクが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例は、マトリックス状に配列される小型のミラーを採用し、各ミラーは入射する放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜できる。傾斜されるミラーは、ミラーマトリックスにより反射される放射ビームにパターンを付与する。
【００３８】
投影システムは、照明システムと同様、使用される露光放射に応じて、または真空の使用といった他の要因に応じて適切である限り、屈折型、反射型、磁気型、電磁気型、静電型あるいは他の種類の光学素子といった各種光学素子、またはこれらの任意の組合せを含みうる。ガスは放射を吸収しすぎるかもしれないので、ＥＵＶ放射については真空を使用することが望ましい。したがって、真空壁および真空ポンプの助けによりビーム経路の全体に真空環境が与えられてもよい。
【００３９】
図示されるように、本装置は、（例えば反射型マスクを採用する）反射型の形式である。
【００４０】
リソグラフィ装置は二つ（デュアルステージ）またはそれより多数の基板テーブル（および／または二以上のマスクテーブル）を有する形式であってもよい。このような「多重ステージ」型の装置においては、追加的なテーブルが並行して使用されてもよく、あるいは一以上のテーブルが露光に使用されている間に一以上の他のテーブルで準備工程が実行されてもよい。
【００４１】
図１を参照すると、イルミネータＩＬはソースコレクタモジュールＳＯから極端紫外線（ＥＵＶ）放射ビームを受ける。ＥＵＶ放射を生成する方法は、必ずしもそれに限定されるわけではないが、ＥＵＶ範囲に一以上の輝線を有する例えばキセノン、リチウム、又はスズなどの少なくとも一つの元素を有する物質をプラズマ状態に変換することを含む。こうした一つの方法（これは多くの場合レーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と称される）においては、要求される輝線を放出する元素を有する物質の液滴、流れ、又はクラスタなどの燃料にレーザビームを照射することによって、要求されるプラズマを生成することができる。ソースコレクタモジュールＳＯは、燃料を励起するレーザビームを提供するためのレーザ（図１に図示せず）を含むＥＵＶ放射システムの一部であってもよい。結果として得られるプラズマは出力放射、例えばＥＵＶ放射を放出する。この出力放射は、ソースコレクタモジュール内に設けられる放射コレクタを使用して集められる。例えば燃料励起のためのレーザビームを提供するのにＣＯ２レーザが使用される場合には、レーザとソースコレクタモジュールとは別体であってもよい。
【００４２】
こうした場合、レーザはリソグラフィ装置の一部を形成するとはみなされず、レーザビームはレーザからビーム搬送系を介してソースコレクタモジュールへと通過していく。ビーム搬送系は例えば適切な方向変更用ミラー及び／またはビームエキスパンダを含む。別のケース、例えば、ソースがしばしばＤＰＰソースと呼ばれる放電生成プラズマＥＵＶ生成器である場合には、ソースがソースコレクタモジュールの一体的な部分であってもよい。
【００４３】
イルミネータＩＬは放射ビームの角強度分布を調整するアジャスタを備えてもよい。一般には、イルミネータの瞳面における照度分布の少なくとも外側半径範囲および／または内側半径範囲（通常それぞれσアウタ、σインナと呼ばれる）が調整されうる。加えてイルミネータＩＬは、ファセットフィールドおよび瞳ミラーデバイスなどの様々な他の要素を備えてもよい。イルミネータはビーム断面における所望の均一性及び照度分布を得るべく放射ビームを調整するために用いられてもよい。
【００４４】
放射ビームＢは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されるパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射して、当該パターニングデバイスによりパターンが付与される。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過する。投影システムＰＳはビームを基板Ｗの目標部分Ｃに合焦させる。第２位置決め部ＰＷと位置センサＰＳ２（例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなど）とにより基板テーブルＷＴは、例えば放射ビームＢの経路に異なる複数の目標部分Ｃをそれぞれ位置決めするように、正確に移動されることができる。同様に、第１位置決め部ＰＭと別の位置センサＰＳ１を使用して、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを正確に位置決めできる。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡおよび基板Ｗは、マスクアラインメントマークＭ１、Ｍ２および基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせされてもよい。
【００４５】
図示の装置は以下のモードのうち少なくとも一つで使用することができる。
１．ステップモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンの全体が１回の照射で一つの目標部分Ｃに投影される間、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは実質的に静止状態とされる（すなわち１回の静的な露光）。そして基板テーブルＷＴがＸ方向及び／またはＹ方向に移動されて、異なる目標部分Ｃが露光される。
２．スキャンモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期して走査される（すなわち１回の動的な露光）。サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）特性及び像反転特性により定められてもよい。
３．別のモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とされ、基板テーブルＷＴは移動または走査される。このモードでは一般にパルス放射源が用いられ、プログラマブルパターニングデバイスは走査中に基板テーブルＷＴが移動するたびに、または連続する放射パルスと放射パルスの間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述のタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用可能である。
【００４６】
上記の使用モードを組み合わせて動作させてもよいし、使用モードに変更を加えて動作させてもよく、さらに全く別の使用モードを用いてもよい。
【００４７】
図２は、ソースコレクタモジュールＳＯ、照明システムＩＬ、投影システムＰＳを含む、リソグラフィ装置ＬＡＰをより詳細に示す。ソースコレクタモジュールＳＯは、ソースコレクタモジュールの包囲構造２に真空環境が維持されるように構築および配置される。
【００４８】
レーザ４は、燃料供給源８（燃料流生成器と称することがある）から与えられるキセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）またはリチウム（Ｌｉ）などの燃料にレーザビーム６を介してレーザエネルギを与えるように構成される。スズ、もしくは別の溶融金属または金属間化合物（液滴の形状が最適である）は、現時点において最も有望であり、したがって、ＥＵＶ放射源用の燃料の選択として好ましいと考えられる。燃料へのレーザエネルギの蓄積は、プラズマ形成位置１２において、数十ｅＶの電子温度を有する高度にイオン化されたプラズマ１０を生成する。これらイオンの脱励起および再結合の間に生成される強力な放射は、プラズマ１０から放出され、近法線入射放射コレクタ１４によって集められ集束される。レーザ４および燃料供給源８（および／またはコレクタ１４）は、放射源、特にＥＵＶ放射源を一緒に構成すると考えられてもよい。このＥＵＶ放射源は、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）放射源と称されうる。
【００４９】
第２レーザ（不図示）が提供されてもよく、第２レーザは、レーザビーム６が入射する前の燃料を予熱するように構成されてもよい。このアプローチを使用するＬＰＰソースは、デュアルレーザパルス（ＤＬＰ）ソースと称されうる。
【００５０】
図示していないが、燃料流生成器は、プラズマ形成位置１２に向かう軌道に沿って燃料の液滴の流れを向かわせるように構成されるノズルを備える、もしくは、そのノズルと接続されるであろう。
【００５１】
放射コレクタ１４によって反射された放射Ｂは仮想ソース点１６に集束される。仮想ソース点１６は多くの場合中間フォーカスと称され、ソースコレクタモジュールＳＯは、中間フォーカス１６が包囲構造２の開口１８またはその近くに配置されるように構成される。仮想ソース点１６は放射放出プラズマ１０の像である。
【００５２】
つづいて、放射Ｂは照明システムＩＬを通過する。照明システムＩＬはファセットフィールドミラーデバイス２０とファセット瞳ミラーデバイス２２とを含んでもよい。それらのミラーデバイスは、パターニングデバイスＭＡにおいて放射ビームＢに所望の角度分布を提供し、かつ、パターニングデバイスＭＡにおいて所望の放射強度の一様性を提供するよう構成される。サポート構造ＭＴによって保持されるパターニングデバイスＭＡにおいて放射ビームが反射されると、パターンが付与されたビーム２４が形成され、そのパターンが付与されたビーム２４は、投影システムＰＳによって反射性要素２６、２８を介して、ウエハステージまたは基板テーブルＷＴにより保持される基板Ｗ上に結像される。
【００５３】
照明システムＩＬおよび投影システムＰＳには、示されているよりも多くの要素が一般に存在してもよい。また、図示されるよりも多くのミラーが存在してもよく、例えば、投影システムＰＳには、図２に示されるよりも１〜６個の追加の反射性要素が存在してもよい。
【００５４】
図３は、本発明の別の実施の形態に係るソースコレクタモジュールＳＯを含むリソグラフィ装置ＬＡＰを概略的に示す。この装置は、放射ビームＢ（例えばＥＵＶ放射）を調整するように構成される照明システム（イルミネータ）ＩＬと；パターニングデバイス（例えばマスクまたはレチクル）ＭＡを支持するよう構築されるとともに、パターニングデバイスを正確に位置決めするよう構成された第１位置決め装置ＰＭに接続されるサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと；基板（例えばレジストコートされたウェハ）Ｗを保持するよう構築されるとともに、基板を正確に位置決めするよう構成された第２位置決め装置ＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェハテーブル）ＷＴと；パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されるパターンを基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば一以上のダイを備える）に投影するよう構成された投影システム（例えば反射型投影システム）ＰＳとを含む。
【００５５】
照明システムは、放射の向きや形状を整え、あるいは放射を制御するために、屈折型、反射型、磁気的、電磁気的、静電的、あるいは他の種類の光学要素といった各種の光学要素、またはこれらの組合せを含んでもよい。
【００５６】
サポート構造は、パターニングデバイスを支持し、言いかえれば、パターニングデバイスの重さに耐える。サポート構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、及び例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されるか否か等のその他の条件に応じた方式で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械式、真空式、静電式、またはその他の固定技術を用いることができる。サポート構造は、例えばフレームまたはテーブルであってよく、これらは固定されていてもよいし必要に応じて移動可能であってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムに対して所望の位置にあることを保証してもよい。本書における「レチクル」または「マスク」の用語のいかなる使用は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義とみなされうる。
【００５７】
本書において用いられる「パターニングデバイス」の用語は、基板の目標部分にパターンを生成するために放射ビーム断面にパターンを与えるために用いることのできる、いかなるデバイスをも表すと広義に解釈されるであろう。放射ビームに与えられるパターンは、基板の目標部分において所望のパターンと厳密に一致している必要はないことが留意されよう。例えば、パターンが位相シフトフィーチャまたはアシストフィーチャと言われるものを含む場合である。たいていの場合、放射ビームに付与されるパターンは、目標部分に生成される集積回路等のデバイスにおける特定の機能層に一致するであろう。
【００５８】
パターニングデバイスは、透過型であってもよいし、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例には、マスクや、プログラマブルミラーアレイ、プログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィにおいて周知であり、バイナリマスク、レベンソン型位相シフトマスク、減衰型位相シフトマスク、さらには多様なハイブリッド型マスクなどのマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイは例えば、小型ミラーのマトリックス配列を採用し、各ミラーは入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個別に傾けることが可能である。傾けられたミラーは、ミラーマトリックスにより反射された放射ビームにパターンを付与する。
【００５９】
本書において用いられる「投影システム」の用語は、用いられる露光放射や、液浸液の使用または真空環境の使用などの他の要素に応じて、屈折型、反射型、磁気型、電磁気型、静電型の光学系またはこれらのいかなる組合せを含む、いかなる種類の投影システムを包含するものとして広く解釈されよう。本書における「投影レンズ」の用語のいかなる使用は、より一般的な用語である「投影システム」と同義とみなされうる。
【００６０】
上述したように、装置は透過型の装置である（例えば透過型マスクを用いる）。代替的に、装置は反射型の装置であってもよい（例えば、上述したような種類のプログラマブルミラーアレイまたは反射マスクを用いる）。
【００６１】
リソグラフィ装置は、二つ（デュアルステージ）またはそれ以上の基板テーブル（および／または、二以上のマスクテーブル）を有する種類の装置であってもよい。このような「多重ステージ」の機械において、追加のテーブルが並行して使用されてもよいし、あるいは一以上のテーブルが露光のために使用されている間に一以上の他のテーブルで準備工程が実行されるようにしてもよい。
【００６２】
リソグラフィ装置は、基板の少なくとも一部が比較的高い屈折率を有する液体、例えば水により覆われて、投影システムと基板の間のスペースが充填される形式の装置であってもよい。液浸液は、リソグラフィ装置における別のスペースに適用されてもよく、例えば、マスクと投影システムの間に適用されてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増大させるための技術として周知である。本書にて用いられる「液浸」の語は、基板などの構造が液中に水没しなければならないことを意味するのではなく、むしろ、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在すればよいことを意味する。
【００６３】
図３に示されるように、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯからの放射ビームを受け取る。放射源およびリソグラフィ装置は、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、分離して存在してもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の部分を形成するものではないとみなされ、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤの助けにより、ビーム放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと通過する。その他の場合、例えば放射源が水銀ランプである場合、放射源はリソグラフィ装置の一体化された部分であってもよい。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと称されうる。
【００６４】
イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタＡＤを備えてもよい。たいていの場合、イルミネータの瞳面における強度分布の外側半径範囲および／または内側半径範囲（それぞれσアウタおよびσインナと通常呼ばれる）の少なくとも一方を調整できる。さらにイルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどの様々な他の要素を備えてもよい。イルミネータは、放射ビームを調整し、ビーム断面において所望の均一性および強度分布を有するように用いられてもよい。
【００６５】
放射ビームＢは、サポート構造（例えばマスクテーブルＭＴ）に保持されるパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによりパターンが付与される。マスクＭＡを通過して、放射ビームＢは基板Ｗの目標部分Ｃにビームを集束させる投影システムＰＳを通過する。第２位置決め装置ＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなど）の助けを借りて、例えば放射ビームＢの経路上に異なる目標部分Ｃを位置させるように、基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、第１位置決め装置ＰＭおよび別の位置センサ（図３に図示せず）を用いて、例えばマスクライブラリの機械検索後やスキャン中において、放射ビームの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、マスクテーブルＭＴの移動は、第１位置決め装置ＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現されてもよい。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２位置決め装置ＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを用いて実現されてもよい。（スキャナと対照的に）ステッパを用いる場合、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに接続されてもよく、もしくは、固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いて位置合わせされてもよい。基板アライメントマークは、図示されるように専用の目標部分を占めているが、目標部分の間のスペースに位置していてもよい（これは、スクライブラインアライメントマークとして知られている）。同様に、マスクＭＡに一以上のダイが設けられる場合には、マスクアライメントマークはダイの間に位置してもよい。
【００６６】
図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも一つで使用することができる。
【００６７】
１．ステップモードでは、放射ビームに付与されたパターンの全体が１回の照射で一つの目標部分Ｃに投影される間、マスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは実質的に静止状態とされる（すなわち単一静的露光）。そして、基板テーブルＷＴはＸ方向および／またはＹ方向に移動され、異なる目標部分Ｃが露光される。ステップモードにおいて、露光フィールドの最大サイズは、単一静的露光にて結像される目標部分Ｃのサイズを制限する。
【００６８】
２．スキャンモードでは、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、マスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期してスキャンされる（すなわち単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）率および像反転特性により定められる。スキャンモードにおいて、スキャン動作の長さがターゲット部分の高さ（スキャン方向）を決定する一方で、露光フィールドの最大サイズは、単一動的露光におけるターゲット部分の幅（非スキャン方向）を制限する。
【００６９】
３．別のモードでは、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、マスクテーブルＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とされ、基板テーブルＷＴは移動またはスキャンされる。このモードにおいて、一般的にパルス放射源が用いられ、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴが移動するたびに、または連続する放射パルスの間に必要に応じてスキャン中に更新される。この動作モードは、上記のプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用できる。
【００７０】
上記のモードを組み合わせて動作させてもよいし、モードに変更を加えて動作させてもよく、さらに全く別のモードを用いてもよい。
【００７１】
図４は、構造３０４の上に支持されたパターニングデバイス３０２の例を示す。この構造は、リソグラフィ装置内でパターニングデバイス３０２を輸送するための当業者に知られているＰＯＤであってもよい。構造３０４自身は、アーム３１０を介して輸送される。
【００７２】
一つの例において、パターニングデバイス３０２は反射型レチクルなどのレチクルであり、パターン要素のアレイを有する。パターン要素は、パターニングデバイス３０２のパターン面３０８に設けられうる。別の例において、パターン面３０８は、接触型または投影型リソグラフィに用いられる光学マスクのエッチングされた形状を表す。
【００７３】
パターニングデバイス３０２は、リソグラフィ装置内または保管時の装置外のいずれかにおける様々な構造にその縁もしくは縁の周辺が接触しうることが理解されよう。例えば、パターニングデバイス３０２は、露光に用いられないとき、カセット構造またはケースに保持されうる。パターニングデバイス３０２の裏面またはパターン面３０８のいずれかに接触しうる任意の様々な構造は、接触がなされる表面もしくはその近傍を汚染しうる。
【００７４】
ある実施の形態において、パターニングデバイス３０２は、構造３０４に関連した突起形状３０６の上に載せられる。これは、パターニングデバイス３０２の輸送中にパターン面３０８を保護するためのものでありうる。この接触に起因して、突起形状３０６との接触点を介してパターニングデバイス３０２のパターン面３０８に汚染が移るかもしれない。この汚染は、粒子の形態でパターニングデバイス３０２の上に後で残るかもしれない。この汚染は、レチクルの変形および像の異常につながるかもしれない。パターニングデバイス３０２は任意の角度または面で支持されるかもしれず、図３に示されるサポート機構に限定されないものであることが理解されるべきである。例えば、パターニングデバイス３０２は両面からもしくはその角の上で支持されるかもしれず、汚染はこれら様々な接触点で移るかもしれない。
【００７５】
図５Ａは、ある実施の形態に係る図示される様々な接触点４０２ａ−ｄを有するパターニングデバイス３０２の上面を示す。接触点４０２ａ−ｄは、構造３０４の突起形状３０６と物理的に接触する領域を示す。別の例では、パターニングデバイス３０２に汚染を移しうる任意の他の物体と接触する領域を接触点４０２ａ−ｄが表す。接触点４０２ａ−ｄの図示される位置は限定を意図するものではなく、パターニングデバイス３０２の表面の任意の場所で接触が生じうることが理解されるべきである。
【００７６】
図５Ｂは、ある実施の形態に係る一つの接触点４０２ａと表面上に存在する汚染物質４０４を示すパターニングデバイス３０２の側面を示す。汚染物質４０４は、接触点４０２ａにおける別の構造との接触を通じて移された粒子の形態でありうる。
【００７７】
図６は、ある実施の形態に係るクリーニングシステム５００を示す。クリーニングシステム５００は、テープ５０２の層と、少なくとも二つのロール５０４ａおよび５０４ｂと、一以上のサポートロール５０６ａおよび５０６ｂを含む。しかしながら、クリーニングシステム５００が二以上のロール５０４および任意の数のサポートロール５０６を含んでもよいことは理解されるべきである。
【００７８】
ある実施の形態において、テープ５０２の層は、パターニングデバイス３０２の表面に存在する粒子を捕らえるように設計される粘着性のテープを含んでもよい。テープ５０２の層は、ロール５０４ａおよび５０４ｂの間で引き伸ばされ、例えば、カセットテープと同様に設計される。
【００７９】
ロール５０４ａおよび５０４ｂは、同じサイズまたは異なるサイズでもよい。ある実施の形態において、ロール５０４ａはテープ５０２の層のソースとして用いられる一方、ロール５０４ｂは、表面に接触して任意に存在する汚染物質を除去した後の「使用済」のテープを収集してもよい。ある実施の形態において、テープ５０２の層はロール５０４ａおよび５０４ｂのそれぞれの周りに巻き取られている。
【００８０】
クリーニングシステム５００は、様々な交換可能な要素を含んでもよい。例えば、ロール５０４ａは、巻かれた新しいテープ層を含む新しいロールと簡単に交換されうる。同様に、ロール５０４ｂは、新しいテープ層を収集するためのブランクロールと交換されうる。一つの例において、ロール５０４ａおよび５０４ｂは一つのカセット構造に結合されて一緒に除去され、新しいロール５０４ａおよび５０４ｂを含む新しいカセットと交換される。別の例において、ロール５０４ａおよび５０４ｂは、クリーニングシステム５００内で変わらず残される一方、さらなる使用のために新しいテープ層がいずれかのロールに供給される。
【００８１】
サポートロール５０６ａおよび５０６ｂは、テープ５０２の層を支持し、テープ５０２の層の平坦部を生成するために含まれてもよい。この平坦部は、ある実施の形態に係るパターニングデバイス３０２の汚染された面に接触する状態となる。二つのサポートロールが示されているが、任意の数のサポートロールがクリーニングシステム５００内に含まれてよいことは理解されるべきである。
【００８２】
クリーニングシステム５００は、接触点が設けられるパターニングデバイス３０２の周囲の各位置に含まれてもよい。別の例では、一つのクリーニングシステム５００がリソグラフィ装置に含まれてもよく、一つのシステムが様々な表面をクリーニングするために動き回ってもよい。しかしながら、別の例では、一以上のクリーニングシステムが静止する一方、パターニングデバイス３０２がその上で動いてパターニングデバイス３０２の表面をクリーニングしてもよい。異なる実施の形態によれば、パターニングデバイス３０２がテープ５０２の層に接触させられるか、テープ５０２の層がパターニングデバイス３０２の表面に接触させられるかのいずれかである。接触時において、存在する粒子はテープ５０２の層に移される。クリーニングシステム５００とパターニングデバイス３０２を離した後、粒子はテープ５０２の層に捕らえられたままとなるであろう。一つの例において、テープ５０２の層は、クリーニングシステム５００がパターニングデバイス３０２の表面を横切って移動する間に前進してもよい。このようにして、表面に対してテープの未使用の領域をいつでも露出させることができる。ある実施の形態において、テープ５０２の層は、パターニングデバイス３０２の表面に残留物を後に残さない。テープ５０２の層は、例えば、残留物を後に残さないカプトン（ＫＡＰＴＯＮ；登録商標）またはポリイミドテープなどの粘着性テープであってもよい。別の実施の形態において、テープ層は、静電的な相互作用を通じて粒子の汚染を引きつける帯電された絶縁材料であってもよい。
【００８３】
上述の記載はパターニングデバイスの汚染を除去してクリーニングするためのものであるが、この発明がそのような方法に限定されるべきではないことが理解されるべきである。例えば、クリーニングシステム５００は、パターニングデバイス３０２を保持するために用いられるチャックまたはサポートの汚染を除去してクリーニングするために用いられてもよい。チャックは、固定のためにパターニングデバイス３０２に印加される電圧を用いる静電式チャックであってもよい。リソグラフィ装置内の他の構造の表面が同様にクリーニングされてもよいことは、本書の記載が与えられる当業者であれば理解されよう。さらにクリーニングシステム５００は、レチクルのパターン面または裏面のいずれかをクリーニングするために用いられてもよい。パターン面をクリーニングするとき、クリーニングシステム５００は、パターン形状を含む中心部ではないパターニングデバイス３０２の縁に近いクリーニング領域に限定されてもよい。さらにパターン面の縁に近い領域は、真空チャックを介してパターン面から固定される一部のレチクルデザイン（例えば、ＥＵＶではないレチクル）のために汚染されうる。裏面のクリーニングは、裏面からチャックに固定されるＥＵＶレチクルにとって特に有用でありうる。また、ＥＵＶレチクルとＥＵＶではないレチクルの双方において、その裏面またはパターン面のそれぞれに存在する汚染に基づいてアライメントが影響されうる。
【００８４】
図７は、ある実施の形態に係るクリーニングシステム５００の動作例を示す。限定をせずに説明を容易にするため、図４−６に示される符号が構成要素に付される。ある実施の形態において、テープ５０２の層が汚染物質４０４を捕らえるとともにクリーニングシステム５００がもはや他のいかなる表面にも接触しなくなった後、ロール５０４ｂはテープ５０２の層を回転および前進させて未使用の表面６０２を露出するように作動してもよい。ロール５０４ｂは、モータ（不図示）を介して作動してもよい。別の例では、ロール５０４ａおよび５０４ｂの双方が一以上のモータを介して作動し、テープ５０２の層を前進させてもよい。このようにして、表面から汚染をクリーニングするため、テープ５０２の層が表面に接触するごとにテープ６０２の未使用層が露出されてもよい。
【００８５】
一つの例において、表面にテープ５０２の層を接触させ、領域から離隔し、テープ６０２の未使用層まで前進させ、その領域に未使用のテープ層を再接触させることにより、同じ領域が繰り返しクリーニングされてもよい。この工程は、表面の汚染を十分にクリーニングするのに必要な回数だけ繰り返されてもよい。
【００８６】
図８は、クリーニングシステム７００の別の実施の形態を示す。この例において、クリーニングシステム７００は、ロール５０４ａおよび５０４ｂの間に設けられる一つのサポートロール５０６のみを含む。テープ５０２の層は、ロール５０４ａおよび５０４ｂの間に巻き付けられ、サポートロール５０６の上で引き伸ばされる。前の実施の形態と同様、クリーニングシステム７００は、パターニングデバイス３０２の表面に向かって引き上げられ、もしくは、引き下げられて表面の粒子を除去してクリーニングする。あるいは、パターニングデバイス３０２がテープ５０２の層に接するように引き上げられ、もしくは、引き下げられる一方、クリーニングシステム７００は静止したままでもよい。
【００８７】
テープ５０２の層は、パターニングデバイス３０２の平面に近接して一つのサポートロール５０６に取り付けられ、一つのサポートロール５０６は、パターニングデバイス３０２の表面から粒子を除去するためにテープ５０２の層を支持してその表面に接触させるように構成されうる。その表面は、反射型レチクルのようなパターニングデバイス３０２の裏面であってもよく、真空クランプにより固定されるパターニングデバイス３０２（例えば、透過型レチクル）のパターン面上の領域であってもよい。
【００８８】
一つのサポートロール５０６は、図７の破線構造として示す一つのサポートロール５０６の二つの位置によって示されるように、パターニングデバイス３０２の表面に近接して水平方向または垂直方向に動くように構成されうる。
【００８９】
ある実施の形態において、一つのサポートロール５０６は、テープ５０２の未使用層の上に粒子が存在しないテープ層５０２の未使用層を露出させながらパターニングデバイス３０２の表面に沿って動いてもよい。このようにして、パターニングデバイス３０２の表面上に存在する粒子はテープ５０２の粘着性の層に移される。一つの例において、一つのサポートロール５０６は、テープ５０２の層を前進させて未使用層を露出させる前に、パターニングデバイス３０２の表面から離隔するようにテープ５０２の層を動かしてもよい。
【００９０】
一つのサポートロール５０６のみを使用することは、クリーニングされる表面のより微細な制御を提供するような特定の状況において有利であるかもしれない。さらに、一つのサポートロール５０６を用いることにより与えられるより小さい接触領域は、テープ５０２の層とパターニングデバイス３０２の表面との間に加わる圧力を大きくし、より良いクリーニング性能につながりうる。
【００９１】
図９は、少なくともクリーニング層８０２を含む別の実施の形態のクリーニングシステム８００を示す。クリーニングシステム８００は、クリーニング層８０２のためのサポート構造などの他の構成要素および／またはクリーニングシステム５００を動かすための作動システムを含んでもよい。一つの例において、クリーニングシステム８００は、ＥＵＶレチクルの裏面をクリーニングするために用いられうる。
【００９２】
ある実施の形態に係るパターニングデバイス３０２は、構造３０４の突起形状３０６により支持され、アーム３１０を介してリソグラフィ装置内で移動可能となるように示される。したがって、パターン面３０８と反対のパターニングデバイス３０２の裏面は、クリーニング層８０２と接触するように持ち上げられうる。クリーニング層８０２は、例えば、パターニングデバイス３０２の裏面に存在する粒子を捕らえるように設計される粘着性の表面でありうる。あるいは、パターン面３０８がクリーニング層８０２と接触してパターン面３０８の粒子を除去してクリーニングされるようにパターン面３０８が配置されてもよい。
【００９３】
クリーニング層８０２は、パターニングデバイス３０２の裏面またはパターン面３０８のいずれかの全表面積を実質的に覆うように伸びる柔軟なコーティングであってもよい。一つの例において、クリーニング層８０２がパターニングデバイス３０２と接触するようにされる一方、別の例ではパターニングデバイス３０２がクリーニング層８０２と接触されるようにされる。クリーニング層８０２の相対的な大きさは、一回の接触ステップの間にパターニングデバイス３０２の表面全体を実質的に覆うように接触がなされることを可能にする。クリーニング層８０２は、カプトン（登録商標）テープなどのテープ５０２の層と同様の材料を含んでもよい。ある実施の形態において、クリーニング層８０２は、接触後にパターニングデバイス３０２の表面上に残留物を残さない。
【００９４】
パターニングデバイス３０２およびクリーニング層８０２は、パターニングデバイス３０２の表面を適切にクリーニングするために接触と離隔が繰り返されてもよい。一つの例において、パターニングデバイス３０２とクリーニング層８０２の間の接触領域における任意のポテンシャルの不規則性を考慮して、パターニングデバイス３０２またはクリーニング層８０２のいずれか一方の位置が各接触のステップ間においてわずかにずれてもよい。クリーニング層８０２は、簡単に使い捨てることができ、粒子の捕捉性において元の層が有効でなくなると未使用の層と交換されてもよい。
【００９５】
パターニングデバイス３０２は、リソグラフィ装置内に装着された後に「初期クリーニング」のためにクリーニング層８０２と接触されうる。別の例において、パターニングデバイス３０２は、リソグラフィ装置内のクランプ構造から除去され、クリーニング層８０２と接触され、クランプ構造に再固定されてもよい。予期される例では、リソグラフィ装置内の真空環境からパターニングデバイス３０２を除去することなく、パターニングデバイス３０２の様々な表面がクリーンニングされうる。
【００９６】
図１０は、ある実施の形態に係るパターニングデバイス（例えば、レチクル）の検査およびクリーニングのための方法９００を表すフローチャートである。方法９００はステップ９０２にてレチクルをリソグラフィ装置内に装着することにより開始してもよく、または、方法９００はステップ９０４にて既にリソグラフィ装置内にあるレチクルをクランプから取り外すことにより開始してもよい。
【００９７】
ステップ９０６にて、レチクル表面は検査されて表面上に存在する粒子汚染のレベルが決定される。レチクルの裏面、パターン面、またはその両面が検査されてもよい。検査は、様々なイメージング技術を介して実行されてもよい。例えば、さらなる処理のためにＣＣＤカメラやビデオカメラが表面画像を取得してもよい。他の例において、散乱法（scatterometry）および／または干渉法（interferometry）システムを用いて任意に存在する粒子により生じる表面の不規則性を検出してもよい。本発明の範囲および意図がいずれか一つの検査技術に限定されるべきでないことは理解されよう。
【００９８】
ステップ９０８にて、検査したレチクル表面のクリーニングを必要とするか否かの決定がなされる。この決定は、検査した表面の清浄度を閾値と比較することに基づいてもよい。例えば、検査した表面の特定の割合が粒子を含むと決定され、この割合がある閾値よりも大きい場合、表面のクリーニングが必要であることが示されうる。別の例では、検査した表面の特定の割合がクリーンであると決定され、この割合がある閾値より小さい場合、表面のクリーニングが必要であることが示されうる。クリーニングをすべきか否かを決定するための他の比較技術は、本書の記載が与えられた当業者であれば容易に分かるであろう。閾値は、例えば、リソグラフィ装置に関連するメモリに記憶され、決定を実行するための処理装置に接続されてもよい。
【００９９】
レチクル表面が十分にクリーンであると決定される場合、ある実施の形態に係るステップ９１０において、例えば、静電式クランプ（ＥＳＣ）などのクランプにレチクルが装着される。いったんレチクルが固定されると、固定前にレチクル表面が検査に通過しているため、汚染に関して当面の懸念がないレチクルを用いて露光が実行されうる。
【０１００】
レチクル表面が汚染されていると決定される場合、ある実施の形態に係るステップ９１２において、本書に記載される様々なクリーニングシステムの実施の形態のいずれかを用いて表面がクリーニングされる。クリーニングがいったん完了すると、方法９００は、ステップ９０６を繰り返してレチクル表面を再検査する。
【０１０１】
方法９００は、示される工程の全てを含まなくてもよいし、示される順序でこれらの工程を実行しなくてもよいことは理解されよう。例えば、方法９００は、レチクル表面の検査を含まなくてもよいが、その代わりに、表面の汚染を有する可能性があるか否かによらず、レチクルがチャックに装着される前ごとに表面をクリーニングする工程を含んでもよい。
【０１０２】
図１１は、ある実施の形態に係るリソグラフィ装置内の物体表面から粒子を除去する方法１０００を表すフローチャートを示す。図５、７および８に示されるクリーニングシステム５００、７００または８００の実施の形態は、方法１０００に用いられ、テープ５０２の層またはクリーニング層８０２といったクリーニング面に物体表面からの粒子を移してもよい。方法１０００は、示される工程の全てを含まなくてもよいし、示される順序でこれらの工程を実行しなくてもよいことは理解されよう。
【０１０３】
方法１０００は、物体表面がクリーニング面に接触するステップ１００２にて開始する。クリーニング面は、粘着性の表面であってもよいし、または、物体表面上の粒子を静電的に引きつけるために帯電されてもよい。物体は、例えば、パターニングデバイスまたはパターニングデバイスを保持するよう設計されたチャックであってもよい。物体は、シリコンウェハなどの基板を保持するように設計されるチャックであってもよい。物体をクリーニング面に持っていくことにより接触がなされてもよいし、または、その逆であってもよい。
【０１０４】
ステップ１００４にて、物体表面上の粒子はクリーニング面に移転される。この移転は、物体表面とクリーニング面との間の物理的な接触に起因して生じてもよいし、または、粒子とクリーニング面との間の静電的な相互作用に起因して生じてもよい。
【０１０５】
ステップ１００６にて、物体表面からクリーニング面が離隔される。離隔後に、物体表面上に存在していた粒子は、クリーニング面上に捕らえられる。
【０１０６】
本書ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用を例として説明しているが、本書に説明したリソグラフィ装置は他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。他の用途としては、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどがある。当業者であればこれらの他の適用に際して、本明細書における「ウェーハ」あるいは「ダイ」という用語がそれぞれ「基板」あるいは「目標部分」という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。本書に言及された基板は露光前または露光後において、例えばトラック（典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置）、メトロロジツール、及び／またはインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示はこれらのまたは他の基板処理装置にも適用され得る。また、基板は例えば多層ＩＣを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本明細書における基板という用語は既に処理されている多数の処理層を含む基板をも意味しうる。
【０１０７】
上記では、光学リソグラフィに照らして本発明の実施の形態の使用に特に言及しているが、本発明はインプリントリソグラフィなどの他の用途においても使用可能であり、文脈上許されれば光学リソグラフィに限定されないことが理解されよう。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスの微細構造によって基板上に生成されるパターンが画定される。パターニングデバイスの微細構造を基板に設けられたレジスト層に押しつけ、その後、電磁放射、熱、圧力またはその組合せによりレジストを硬化する。レジストを硬化した後、パターニングデバイスがレジストから除去されパターンが残される。
【０１０８】
本書で用いられる「放射」および「ビーム」の用語は、いかなる種類の電磁的な放射を包含し、紫外（ＵＶ）放射（例えば、約３６５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍ）および極端紫外（ＥＵＶ）放射（例えば、５−２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むとともに、イオンビームや電子ビームといった粒子ビームをも含む。
【０１０９】
「レンズ」という用語は、文脈上許されれば、屈折性、反射性、磁気的、電磁気的および静電的な光学要素を含む、様々なタイプの光学要素のいずれか、またはその組合せを指してもよい。
【０１１０】
本発明の特定の実施の形態が上述されたが、説明したもの以外の態様で本発明が実施されてもよいことが理解されよう。上述の説明は、例示を意図しており、限定を意図しない。したがって、以下の請求項の範囲から逸脱することなく上述の本発明に変更がなされうることは当業者にとって明らかであろう。
【０１１１】
「発明の概要」および「要約」の欄ではなく、「発明を実施するための形態」の欄が請求項の解釈に用いられることが意図されると理解されるべきである。「発明の概要」および「要約」の欄は、本発明者によって予期される一以上の、しかしながら全てではない本発明の例示的な実施の形態を説明しうるものであり、したがって、本発明および添付の請求項を限定することを決して意図しない。
【０１１２】
本発明は、特定の機能および関係性の実装を説明する機能構成ブロックの助けを用いて上述された。これら機能構成ブロックの境界は、説明を分かりやすくするために本書において恣意的に定義されている。特定の機能および関係性が適切に実行される限りにおいて、代わりの境界を定義することができる。
【０１１３】
特定の実施の形態に係る上述の記載は、公知技術の範囲内での知識を適用することにより、過度の実験をすることなく、本発明の一般概念から逸脱することなく、特定の実施の形態を様々な用途に合わせて他者が簡単に改良および／または変化させることのできる本発明の概略的な特質を十分に明らかにするであろう。したがって、本書に示される教示および助言に基づくこのような改良および変更は、本開示の実施の形態の意義およびこれらと同等のものの範囲内にあることが意図される。本書における表現および学術用語は、説明を目的とし、限定を目的とするものではなく、本明細書の表現または学術用語は、教示および助言の観点から当業者によって解釈されるべきであることが理解されよう。
【０１１４】
本発明の幅ないし範囲は、いかなる上述の例示的な実施の形態によっても限定されるべきではなく、以下の請求項およびそれと同等のものに従ってのみ定義されるべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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