(57)【要約】結晶を反応器容器内で成長させるための方法および装置であって、反応器容器は、反応器容器が結晶の成長に必要な圧力または温度に耐え得るように、結晶を反応器容器内で成長させるための材料を固体、液体、または気体として含むための構造要素として炭素繊維含有材料を使用する。炭素繊維含有材料は、反応器容器の少なくとも１つの構成要素を封入し、封入された構成要素からの応力は、炭素繊維含有材料に伝達される。炭素繊維含有材料は、封入された構成要素の外部と内部との間での所望の圧力差を維持するために十分であるように、１回またはそれよりも多くの回数、封入された構成要素の周りに巻着され得る。
2015517972.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶を成長させるための装置であって、前記装置は、
（ａ）前記結晶を成長させるための材料を含むための少なくとも１つの容積を含む反応器容器
を備え、
（ｂ）前記反応器容器は、前記結晶の成長に必要な圧力または温度において前記結晶を成長させるための前記材料を含むための構造要素として、炭素繊維含有材料を使用する、
装置。
【請求項２】
前記炭素繊維含有材料は、炭素繊維または炭素繊維複合材を含み、前記複合材のマトリックスは、炭素、エポキシ、ポリマー、セラミック、金属、ガラス、有機化合物または無機化合物から構成され得る、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記圧力は、約２０ａｔｍ〜約４００００ａｔｍの範囲であり、前記温度は、約５０℃〜約３０００℃の範囲である、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記炭素繊維含有材料は、前記反応器容器の少なくとも１つの構成要素を封入する、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記封入された構成要素からの応力は、前記炭素繊維含有材料に伝達される、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記炭素繊維含有材料は、前記封入された構成要素の外部と内部との間での所望の圧力差を維持するために十分であるように、１回またはそれよりも多くの回数、前記封入された構成要素の周りに巻着される、請求項４に記載の装置。
【請求項７】
前記反応器容器は、１つまたはそれよりも多くの入れ子にされた容積を含み、前記炭素繊維含有材料は、前記入れ子にされた容積のうちの少なくとも１つ内に、前記結晶を成長させるための前記材料を固体、液体、プラズマ、超臨界流体、または気体として含むための構造要素として使用される、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記炭素繊維含有材料または前記封入された構成要素をコーティングする追加材料の１つまたはそれよりも多くの層をさらに備え、前記追加材料の層は、内部材料または外部材料を備え、
（１）前記炭素繊維含有材料または前記封入された構成要素を保護するため、
（２）特定の圧力または温度を維持するための、前記炭素繊維含有材料または前記封入された構成要素の能力を改善するため、
（３）前記炭素繊維含有材料または前記封入された構成要素と接触するように置かれた任意の材料に対する耐化学性を前記炭素繊維含有材料または前記封入された構成要素にもたらすため、
（４）前記反応器容器内に存在する不純物の量を改善するため、
（５）前記反応器容器から物質を除去するため、または
（６）前記反応器容器からの質量損失を減少または改変するために
使用される、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記炭素繊維含有材料は、熱源またはヒートシンクとして使用される、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
１つまたはそれよりも多くの追加要素が、前記反応器容器において存在し、物質、荷電粒子、光子、電場、または磁場が、前記反応器容器の中に、または前記反応器容器から外に進行することを可能にする、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記１つまたはそれよりも多くの追加要素は、導電性ワイヤ、光学的透明材料、管、または磁気材料を含む、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記結晶を成長させるための前記材料は、ＩＩＩ族含有原料材料、ＩＩＩ族窒化物シードおよび窒素含有溶媒を含み、前記結晶は、ＩＩＩ族窒化物結晶を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
結晶を成長させるための方法であって、前記方法は、
（ａ）前記結晶を成長させるための材料を含むための少なくとも１つの容積を含む反応器容器において、前記結晶を成長させること
を含み、
（ｂ）前記反応器容器は、前記結晶の成長に必要な圧力または温度において前記結晶を成長させるための材料を含むための構造要素として、炭素繊維含有材料を使用する、
方法。
【請求項１４】
前記炭素繊維含有材料は、炭素繊維または炭素繊維複合材を含み、前記複合材のマトリックスは、炭素、エポキシ、ポリマー、セラミック、金属、ガラス、有機化合物または無機化合物から構成され得る、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記圧力は、約２０ａｔｍ〜約４００００ａｔｍの範囲であり、前記温度は、約５０℃〜約３０００℃の範囲である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記炭素繊維含有材料は、前記反応器容器の少なくとも１つの構成要素を封入する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
前記封入された構成要素からの応力は、前記炭素繊維含有材料に伝達される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記炭素繊維含有材料は、前記封入された構成要素の外部と内部との間での所望の圧力差を維持するために十分であるように、１回またはそれよりも多くの回数、前記封入された構成要素の周りに巻着される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記反応器容器は、１つまたはそれよりも多くの入れ子にされた容積を含み、前記炭素繊維含有材料は、前記入れ子にされた容積のうちの少なくとも１つ内に、前記結晶を成長させるための前記材料を固体、液体、プラズマ、超臨界流体、または気体として含むための構造要素として使用される、請求項１３に記載の方法。
【請求項２０】
前記炭素繊維含有材料または前記封入された構成要素をコーティングする追加材料の１つまたはそれよりも多くの層をさらに備え、前記追加材料の層は、内部材料または外部材料を備え、
（１）前記炭素繊維含有材料または前記封入された構成要素を保護するため、
（２）特定の圧力または温度を維持するための、前記炭素繊維含有材料または前記封入された構成要素の能力を改善するため、
（３）前記炭素繊維含有材料または前記封入された構成要素と接触するように置かれた任意の材料に対する耐化学性を前記炭素繊維含有材料または前記封入された構成要素にもたらすため、
（４）前記反応器容器内に存在する不純物の量を改善するため、
（５）前記反応器容器から物質を除去するため、または
（６）前記反応器容器からの質量損失を減少または改変するために
使用される、請求項１３に記載の方法。
【請求項２１】
前記炭素繊維含有材料は、熱源またはヒートシンクとして使用される、請求項１３に記載の方法。
【請求項２２】
１つまたはそれよりも多くの追加要素が、前記反応器容器において存在し、物質、荷電粒子、光子、電場、または磁場が、前記反応器容器の中に、または前記反応器容器から外に進行することを可能にする、請求項１３に記載の方法。
【請求項２３】
前記１つまたはそれよりも多くの追加要素は、導電性ワイヤ、光学的透明材料、管、または磁気材料を含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記結晶を成長させるための前記材料は、ＩＩＩ族含有原料材料、ＩＩＩ族窒化物シードおよび窒素含有溶媒を含み、前記結晶は、ＩＩＩ族窒化物結晶を含む、請求項１３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願への相互参照
本出願は、Ｓｉｄｄｈａ  Ｐｉｍｐｕｔｋａｒ、Ｐａｕｌ  Ｖｏｎ  Ｄｏｌｌｅｎ、Ｓｈｕｊｉ  Ｎａｋａｍｕｒａ、および  Ｊａｍｅｓ  Ｓ．  Ｓｐｅｃｋによって２０１２年４月１０日に出願され、「ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ  ＵＳＥＤ  ＦＯＲ  ＴＨＥ  ＧＲＯＷＴＨ  ＯＦ  ＧＲＯＵＰ−ＩＩＩ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＣＲＹＳＴＡＬＳ  ＵＴＩＩＬＩＺＩＮＧ  ＣＡＲＢＯＮ  ＦＩＢＥＲ  ＣＯＮＴＡＩＮＩＮＧ  ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ  ＡＮＤ  ＧＲＯＵＰ−ＩＩＩ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＧＲＯＷＮ  ＴＨＥＲＥＷＩＴＨ」と題される米国仮特許出願第６１／６２２，２３２号（代理人整理番号３０７９４．４５１−ＵＳ−Ｐ１  （２０１２−６５４−１））の３５  Ｕ．Ｓ．Ｃ．  第１１９条（ｅ）の下での利益を主張し、その出願は、本明細書で参照によって援用される。
【０００２】
本出願は、下記の共同出願中の出願および譲受人に譲渡された出願に関連する。
【０００３】
２００５年７月８日に出願されているＫｅｎｊｉ  Ｆｕｊｉｔｏ、Ｔａｄａｏ  ＨａｓｈｉｍｏｔｏおよびＳｈｕｊｉ  Ｎａｋａｍｕｒａによる「ＭＥＴＨＯＤ  ＦＯＲ  ＧＲＯＷＩＮＧ  ＧＲＯＵＰ−ＩＩＩ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＣＲＹＳＴＡＬＳ  ＩＮ  ＳＵＰＥＲＣＲＩＴＩＣＡＬ  ＡＭＭＯＮＩＡ  ＵＳＩＮＧ  ＡＮ  ＡＵＴＯＣＬＡＶＥ」と題されるＰ．Ｃ．Ｔ．国際特許出願番号ＵＳ２００５／０２４２３９（代理人整理番号３０７９４．１２９−ＷＯ−０１  （２００５−３３９−１））の３５  Ｕ．Ｓ．Ｃ．  第３６５条（ｃ）の下での利益を主張する、２００７年１１月３０日に出願されているＫｅｎｊｉ  Ｆｕｊｉｔｏ、Ｔａｄａｏ  ＨａｓｈｉｍｏｔｏおよびＳｈｕｊｉ  Ｎａｋａｍｕｒａによる「ＭＥＴＨＯＤ  ＦＯＲ  ＧＲＯＷＩＮＧ  ＧＲＯＵＰ−ＩＩＩ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＣＲＹＳＴＡＬＳ  ＩＮ  ＳＵＰＥＲＣＲＩＴＩＣＡＬ  ＡＭＭＯＮＩＡ  ＵＳＩＮＧ  ＡＮ  ＡＵＴＯＣＬＡＶＥ」と題される米国特許出願第１１／９２１，３９６号（代理人整理番号３０７９４．１２９−ＵＳ−ＷＯ  （２００５−３３９−２））；
【０００４】
２００７年９月１９日に出願されているＴａｄａｏ  ＨａｓｈｉｍｏｔｏおよびＳｈｕｊｉ  Ｎａｋａｍｕｒａによる「ＧＡＬＬＩＵＭ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＢＵＬＫ  ＣＲＹＳＴＡＬＳ  ＡＮＤ  ＴＨＥＩＲ  ＧＲＯＷＴＨ  ＭＥＴＨＯＤ」と題される米国仮特許出願第６０／９７３，６６２号（代理人整理番号３０７９４．２４４−ＵＳ−Ｐ１  （２００７−８０９−１））の３５  Ｕ．Ｓ．Ｃ．  第１１９条（ｅ）の下での利益を主張する、２００８年９月１９日に出願されているＴａｄａｏ  ＨａｓｈｉｍｏｔｏおよびＳｈｕｊｉ  Ｎａｋａｍｕｒａによる「ＧＡＬＬＩＵＭ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＢＵＬＫ  ＣＲＹＳＴＡＬＳ  ＡＮＤ  ＴＨＥＩＲ  ＧＲＯＷＴＨ  ＭＥＴＨＯＤ」と題される米国特許出願第１２／２３４，２４４号（代理人整理番号３０７９４．２４４−ＵＳ−Ｕ１  （２００７−８０９−２））；
【０００５】
２００６年１０月２５日に出願されているＴａｄａｏ  Ｈａｓｈｉｍｏｔｏによる「ＭＥＴＨＯＤ  ＦＯＲ  ＧＲＯＷＩＮＧ  ＧＲＯＵＰ−ＩＩＩ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＣＲＹＳＴＡＬＳ  ＩＮ  ＭＩＸＴＵＲＥ  ＯＦ  ＳＵＰＥＲＣＲＩＴＩＣＡＬ  ＡＭＭＯＮＩＡ  ＡＮＤ  ＮＩＴＲＯＧＥＮ  ＡＮＤ  ＧＲＯＵＰ−ＩＩＩ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＣＲＹＳＴＡＬＳ」と題される米国仮特許出願第６０／８５４，５６７号（代理人整理番号３０７９４．２５３−ＵＳ−Ｐ１  （２００７−７７４））の３５  Ｕ．Ｓ．Ｃ．  第１１９条（ｅ）の下での利益を主張する、２００７年１０月２５日に出願されているＴａｄａｏ  Ｈａｓｈｉｍｏｔｏによる「ＭＥＴＨＯＤ  ＦＯＲ  ＧＲＯＷＩＮＧ  ＧＲＯＵＰ−ＩＩＩ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＣＲＹＳＴＡＬＳ  ＩＮ  Ａ  ＭＩＸＴＵＲＥ  ＯＦ  ＳＵＰＥＲＣＲＩＴＩＣＡＬ  ＡＭＭＯＮＩＡ  ＡＮＤ  ＮＩＴＲＯＧＥＮ  ＡＮＤ  ＧＲＯＵＰ−ＩＩＩ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＣＲＹＳＴＡＬＳ  ＧＲＯＷＮ  ＴＨＥＲＥＢＹ」と題される米国特許出願第１１／９７７，６６１号（代理人整理番号３０７９４．２５３−ＵＳ−Ｕ１  （２００７−７７４−２））；
【０００６】
２００８年１１月７日に出願されているＳｉｄｄｈａ  Ｐｉｍｐｕｔｋａｒ、Ｄｅｒｒｉｃｋ  Ｓ．  Ｋａｍｂｅｒ、Ｊａｍｅｓ  Ｓ．  ＳｐｅｃｋおよびＳｈｕｊｉ  Ｎａｋａｍｕｒａによる「ＲＥＡＣＴＯＲ  ＤＥＳＩＧＮＳ  ＦＯＲ  ＵＳＥ  ＩＮ  ＡＭＭＯＮＯＴＨＥＲＭＡＬ  ＧＲＯＷＴＨ  ＯＦ  ＧＲＯＵＰ−ＩＩＩ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＣＲＹＳＴＡＬＳ」と題される米国仮特許出願第６１／１１２，５６０号（代理人整理番号３０７９４．２９６−ＵＳ−Ｐ１  （２００９−２８３−１））の３５  Ｕ．Ｓ．Ｃ．  第１１９条（ｅ）の下での利益を主張する、２００９年１１月４日に出願されているＳｉｄｄｈａ  Ｐｉｍｐｕｔｋａｒ、Ｄｅｒｒｉｃｋ  Ｓ．  Ｋａｍｂｅｒ、Ｊａｍｅｓ  Ｓ．  ＳｐｅｃｋおよびＳｈｕｊｉ  Ｎａｋａｍｕｒａによる「ＲＥＡＣＴＯＲ  ＤＥＳＩＧＮＳ  ＦＯＲ  ＵＳＥ  ＩＮ  ＡＭＭＯＮＯＴＨＥＲＭＡＬ  ＧＲＯＷＴＨ  ＯＦ  ＧＲＯＵＰ−ＩＩＩ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＣＲＹＳＴＡＬＳ」と題されるＰ．Ｃ．Ｔ．国際特許出願番号ＰＣＴ／ＵＳ０９／０６３２３９（代理人整理番号３０７９４．２９６−ＷＯ−Ｕ１  （２００９−２８３−２）の３５  Ｕ．Ｓ．Ｃ．  第３６５条（ｃ）の下での利益を主張する、２０１１年５月６日に出願されているＳｉｄｄｈａ  Ｐｉｍｐｕｔｋａｒ、Ｄｅｒｒｉｃｋ  Ｓ．  Ｋａｍｂｅｒ、Ｊａｍｅｓ  Ｓ．  ＳｐｅｃｋおよびＳｈｕｊｉ  Ｎａｋａｍｕｒａによる「ＲＥＡＣＴＯＲ  ＤＥＳＩＧＮＳ  ＦＯＲ  ＵＳＥ  ＩＮ  ＡＭＭＯＮＯＴＨＥＲＭＡＬ  ＧＲＯＷＴＨ  ＯＦ  ＧＲＯＵＰ−ＩＩＩ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＣＲＹＳＴＡＬＳ」と題される米国特許出願第１３／１２８，０８３号（代理人整理番号３０７９４．２９６−ＵＳ−ＷＯ  （２００９−２８３−２））；
【０００７】
２００８年１１月７日に出願されているＳｉｄｄｈａ  Ｐｉｍｐｕｔｋａｒ、Ｄｅｒｒｉｃｋ  Ｓ．  Ｋａｍｂｅｒ、Ｊａｍｅｓ  Ｓ．  ＳｐｅｃｋおよびＳｈｕｊｉ  Ｎａｋａｍｕｒａによる「ＮＯＶＥＬ  ＶＥＳＳＥＬ  ＤＥＳＩＧＮＳ  ＡＮＤ  ＲＥＬＡＴＩＶＥ  ＰＬＡＣＥＭＥＮＴＳ  ＯＦ  ＴＨＥ  ＳＯＵＲＣＥ  ＭＡＴＥＲＩＡＬ  ＡＮＤ  ＳＥＥＤ  ＣＲＹＳＴＡＬＳ  ＷＩＴＨ  ＲＥＳＰＥＣＴ  ＴＯ  ＴＨＥ  ＶＥＳＳＥＬ  ＦＯＲ  ＴＨＥ  ＡＭＭＯＮＯＴＨＥＲＭＡＬ  ＧＲＯＷＴＨ  ＯＦ  ＧＲＯＵＰ−ＩＩＩ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＣＲＹＳＴＡＬＳ」と題される米国仮特許出願第６１／１１２，５５２号（代理人整理番号３０７９４．２９７−ＵＳ−Ｐ１  （２００９−２８４−１））の３５  Ｕ．Ｓ．Ｃ．  第１１９条（ｅ）の下での利益を主張する、２００９年１１月４日に出願されているＳｉｄｄｈａ  Ｐｉｍｐｕｔｋａｒ、Ｄｅｒｒｉｃｋ  Ｓ．  Ｋａｍｂｅｒ、Ｊａｍｅｓ  Ｓ．  ＳｐｅｃｋおよびＳｈｕｊｉ  Ｎａｋａｍｕｒａによる「ＮＯＶＥＬ  ＶＥＳＳＥＬ  ＤＥＳＩＧＮＳ  ＡＮＤ  ＲＥＬＡＴＩＶＥ  ＰＬＡＣＥＭＥＮＴＳ  ＯＦ  ＴＨＥ  ＳＯＵＲＣＥ  ＭＡＴＥＲＩＡＬ  ＡＮＤ  ＳＥＥＤ  ＣＲＹＳＴＡＬＳ  ＷＩＴＨ  ＲＥＳＰＥＣＴ  ＴＯ  ＴＨＥ  ＶＥＳＳＥＬ  ＦＯＲ  ＴＨＥ  ＡＭＭＯＮＯＴＨＥＲＭＡＬ  ＧＲＯＷＴＨ  ＯＦ  ＧＲＯＵＰ−ＩＩＩ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＣＲＹＳＴＡＬＳ」と題されるＰ．Ｃ．Ｔ．国際特許出願番号ＰＣＴ／ＵＳ０９／０６３２３８（代理人整理番号３０７９４．２９７−ＷＯ−Ｕ１  （２００９−２８４−２））の３５  Ｕ．Ｓ．Ｃ．  第３６５条（ｃ）の下での利益を主張する、２０１１年５月６日に出願されているＳｉｄｄｈａ  Ｐｉｍｐｕｔｋａｒ、Ｄｅｒｒｉｃｋ  Ｓ．  Ｋａｍｂｅｒ、Ｊａｍｅｓ  Ｓ．  ＳｐｅｃｋおよびＳｈｕｊｉ  Ｎａｋａｍｕｒａによる「ＮＯＶＥＬ  ＶＥＳＳＥＬ  ＤＥＳＩＧＮＳ  ＡＮＤ  ＲＥＬＡＴＩＶＥ  ＰＬＡＣＥＭＥＮＴＳ  ＯＦ  ＴＨＥ  ＳＯＵＲＣＥ  ＭＡＴＥＲＩＡＬ  ＡＮＤ  ＳＥＥＤ  ＣＲＹＳＴＡＬＳ  ＷＩＴＨ  ＲＥＳＰＥＣＴ  ＴＯ  ＴＨＥ  ＶＥＳＳＥＬ  ＦＯＲ  ＴＨＥ  ＡＭＭＯＮＯＴＨＥＲＭＡＬ  ＧＲＯＷＴＨ  ＯＦ  ＧＲＯＵＰ−ＩＩＩ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＣＲＹＳＴＡＬＳ」と題される米国特許出願第１３／１２８，０８８号（代理人整理番号３０７９４．２９７−ＵＳ−ＷＯ  （２００９−２８４−２））；
【０００８】
２０１１年７月１３日に出願されているＳｉｄｄｈａ  ＰｉｍｐｕｔｋａｒおよびＳｈｕｊｉ  Ｎａｋａｍｕｒａによる「ＵＳＥ  ＯＦ  ＧＲＯＵＰ−ＩＩＩ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＣＲＹＳＴＡＬＳ  ＧＲＯＷＮ  ＵＳＩＮＧ  Ａ  ＦＬＵＸ  ＭＥＴＨＯＤ  ＡＳ  ＳＥＥＤＳ  ＦＯＲ  ＡＭＭＯＮＯＴＨＥＲＭＡＬ  ＧＲＯＷＴＨ  ＯＦ  Ａ  ＧＲＯＵＰ−ＩＩＩ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＣＲＹＳＴＡＬ」と題される米国仮特許出願第６１／５０７，１７０号（代理人整理番号３０７９４．４１９−ＵＳ−Ｐ１  （２０１２−０２０−１））と、２０１１年７月１３日に出願されているＳｉｄｄｈａ  ＰｉｍｐｕｔｋａｒおよびＪａｍｅｓ  Ｓ．  Ｓｐｅｃｋによる「ＭＥＴＨＯＤ  ＯＦ  ＧＲＯＷＩＮＧ  Ａ  ＢＵＬＫ  ＧＲＯＵＰ−ＩＩＩ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＣＲＹＳＴＡＬ  ＵＳＩＮＧ  Ａ  ＦＬＵＸ  ＢＡＳＥＤ  ＭＥＴＨＯＤ  ＴＨＲＯＵＧＨ  ＰＲＥＰＡＲＩＮＧ  ＴＨＥ  ＦＬＵＸ  ＰＲＩＯＲ  ＴＯ  ＢＲＩＮＧＩＮＧ  ＩＴ  ＩＮ  ＣＯＮＴＡＣＴ  ＷＩＴＨ  ＴＨＥ  ＧＲＯＷＩＮＧ  ＣＲＹＳＴＡＬ」と題される米国仮特許出願第６１／５０７，１８７号（代理人整理番号３０７９４．４２１−ＵＳ−Ｐ１  （２０１２−０２２））との３５  Ｕ．Ｓ．Ｃ．  第１１９条（ｅ）の下での利益を主張する、２０１２年７月１３日に出願されているＳｉｄｄｈａ  Ｐｉｍｐｕｔｋａｒ、Ｓｈｕｊｉ  ＮａｋａｍｕｒａおよびＪａｍｅｓ  Ｓ．  Ｓｐｅｃｋによる「ＵＳＥ  ＯＦ  ＧＲＯＵＰ−ＩＩＩ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＣＲＹＳＴＡＬＳ  ＧＲＯＷＮ  ＵＳＩＮＧ  Ａ  ＦＬＵＸ  ＭＥＴＨＯＤ  ＡＳ  ＳＥＥＤＳ  ＦＯＲ  ＡＭＭＯＮＯＴＨＥＲＭＡＬ  ＧＲＯＷＴＨ  ＯＦ  Ａ  ＧＲＯＵＰ−ＩＩＩ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＣＲＹＳＴＡＬ」と題されるＰ．Ｃ．Ｔ．国際特許出願番号ＰＣＴ／ＵＳ１２／０４６７５（代理人整理番号３０７９４．４１９−ＷＯ−Ｕ１  （２０１２−０２０−２））；
【０００９】
２０１１年７月１３日に出願されているＳｉｄｄｈａ  ＰｉｍｐｕｔｋａｒおよびＳｈｕｊｉ  Ｎａｋａｍｕｒａによる「ＨＩＧＨＥＲ  ＰＵＲＩＴＹ  ＧＲＯＷＴＨ  ＥＮＶＩＲＯＮＭＥＮＴ  ＦＯＲ  ＴＨＥ  ＡＭＭＯＮＯＴＨＥＲＭＡＬ  ＧＲＯＷＴＨ  ＯＦ  ＧＲＯＵＰ−ＩＩＩ  ＮＩＴＲＩＤＥＳ」と題される米国仮特許出願第６１／５０７，２１２号（代理人整理番号３０７９４．４２２−ＵＳ−Ｐ１  （２０１２−０２３−１））と、２０１１年１０月２６日に出願されているＳｉｄｄｈａ  Ｐｉｍｐｕｔｋａｒ、Ｓｈｕｊｉ  Ｎａｋａｍｕｒａ、およびＪａｍｅｓ  Ｓ．  Ｓｐｅｃｋによる「ＵＳＥ  ＯＦ  ＢＯＲＯＮ  ＴＯ  ＩＭＰＲＯＶＥ  ＴＨＥ  ＴＲＡＮＳＰＡＲＥＮＣＹ  ＯＦ  ＡＭＭＯＮＯＴＨＥＲＭＡＬＬＹ  ＧＲＯＷＮ  ＧＲＯＵＰ−ＩＩＩ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＣＲＹＳＴＡＬＳ」と題される米国仮特許出願第６１／５５１，８３５号（代理人整理番号３０７９４．４３８−ＵＳ−Ｐ１  （２０１２−２４８−１））と、２０１１年１０月２７日に出願されているＳｉｄｄｈａ  Ｐｉｍｐｕｔｋａｒ、Ｓｈｕｊｉ  Ｎａｋａｍｕｒａ、およびＪａｍｅｓ  Ｓ．  Ｓｐｅｃｋによる「ＵＳＥ  ＯＦ  ＳＥＭＩＰＯＬＡＲ  ＳＥＥＤ  ＣＲＹＳＴＡＬ  ＧＲＯＷＴＨ  ＳＵＲＦＡＣＥ  ＴＯ  ＩＭＰＲＯＶＥ  ＴＨＥ  ＱＵＡＬＩＴＹ  ＯＦ  ＡＮ  ＡＭＭＯＮＯＴＨＥＲＭＡＬＬＹ  ＧＲＯＷＮ  ＧＲＯＵＰ−ＩＩＩ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＣＲＹＳＴＡＬ」と題される米国仮特許出願第６１／５５２，２７６号（代理人整理番号３０７９４．４３９−ＵＳ−Ｐ１  （２０１２−２４９−１））との３５  Ｕ．Ｓ．Ｃ．  第１１９条（ｅ）の下での利益を主張する、２０１２年７月１３日に出願されているＳｉｄｄｈａ  Ｐｉｍｐｕｔｋａｒ、Ｓｈｕｊｉ  ＮａｋａｍｕｒａおよびＪａｍｅｓ  Ｓ．  Ｓｐｅｃｋによる「ＭＥＴＨＯＤ  ＦＯＲ  ＩＭＰＲＯＶＩＮＧ  ＴＨＥ  ＴＲＡＮＳＰＡＲＥＮＣＹ  ＡＮＤ  ＱＵＡＬＩＴＹ  ＯＦ  ＧＲＯＵＰ−ＩＩＩ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＣＲＹＳＴＡＬＳ  ＡＭＭＯＮＯＴＨＥＲＭＡＬＬＹ  ＧＲＯＷＮ  ＩＮ  Ａ  ＨＩＧＨ  ＰＵＲＩＴＹ  ＧＲＯＷＴＨ  ＥＮＶＩＲＯＮＭＥＮＴ」と題されるＰ．Ｃ．Ｔ．国際特許出願番号ＰＣＴ／ＵＳ１２／０４６７６（代理人整理番号３０７９４．４２２−ＷＯ−Ｕ１  （２０１２−０２３−２））；
【００１０】
２０１２年１月１８日に出願されているＰａｕｌ  Ｖｏｎ  Ｄｏｌｌｅｎ、Ｊａｍｅｓ  Ｓ．  Ｓｐｅｃｋ、およびＳｉｄｄｈａ  Ｐｉｍｐｕｔｋａｒによる「ＣＲＹＳＴＡＬ  ＧＲＯＷＴＨ  ＵＳＩＮＧ  ＮＯＮ−ＴＨＥＲＭＡＬ  ＡＴＭＯＳＰＨＥＲＩＣ  ＰＲＥＳＳＵＲＥ  ＰＬＡＳＭＡＳ」と題される米国仮特許出願第６１／５８８，０２８号（代理人整理番号３０７９４．４４４−ＵＳ−Ｐ１  （２０１２−４５６−１））の３５  Ｕ．Ｓ．Ｃ．  第１１９条（ｅ）の下での利益を主張する、２０１３年１月１８日に出願されているＰａｕｌ  Ｖｏｎ  Ｄｏｌｌｅｎ、Ｊａｍｅｓ  Ｓ．  Ｓｐｅｃｋ、およびＳｉｄｄｈａ  Ｐｉｍｐｕｔｋａｒによる「ＣＲＹＳＴＡＬ  ＧＲＯＷＴＨ  ＵＳＩＮＧ  ＮＯＮ−ＴＨＥＲＭＡＬ  ＡＴＭＯＳＰＨＥＲＩＣ  ＰＲＥＳＳＵＲＥ  ＰＬＡＳＭＡＳ」と題される米国特許出願第１３／７４４，８５４号（代理人整理番号３０７９４．４４４−ＵＳ−Ｕ１  （２０１２−４５６−２））；および
【００１１】
２０１２年２月２４日に出願されているＰａｕｌ  ｖｏｎ  Ｄｏｌｌｅｎによる「ＥＬＥＣＴＲＯＭＡＧＮＥＴＩＣ  ＭＩＸＩＮＧ  ＦＯＲ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＣＲＹＳＴＡＬ  ＧＲＯＷＴＨ」と題される米国仮特許出願第６１／６０３，１４３号（代理人整理番号３０７９４．４４７−ＵＳ−Ｐ１  （２０１２−５０６−１））の３５  Ｕ．Ｓ．Ｃ．  第１１９条（ｅ）の下での利益を主張する、２０１３年２月２５日に出願されているＰａｕｌ  ｖｏｎ  Ｄｏｌｌｅｎによる「ＥＬＥＣＴＲＯＭＡＧＮＥＴＩＣ  ＭＩＸＩＮＧ  ＦＯＲ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＣＲＹＳＴＡＬ  ＧＲＯＷＴＨ」と題される米国特許出願第１３／７７６，３５３号（代理人整理番号３０７９４．４４７−ＵＳ−Ｕ１  （２０１２−５０６−２））；
これらの出願の全ては、参照によって本明細書で援用される。
【００１２】
連邦政府によって支援された研究開発に関する声明
本発明は、国立科学財団（ＮＳＦ）によって授与された助成金番号ＤＭＲ−０９０９２０３の下で政府の支援を用いて行われた。政府は、本発明において一定の権利を有する。
【００１３】
１．本発明の分野
本発明は、ＩＩＩ族窒化物結晶の成長のための装置に関し、この装置は、炭素繊維含有材料を利用する。
【背景技術】
【００１４】
２．関連技術の説明
用語「（Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ」、または「ＩＩＩ族窒化物」、または「ＩＩＩ窒化物」、または「窒化物」は、本明細書で使用される場合、化学式ＢｘＡｌｙＧａ（１−ｘ−ｙ−ｚ）ＩｎｚＮ（式中、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、およびｘ＋ｙ＋ｚ≦１）を有する半導体の任意の合金組成物の均等物であり、かつそのようなものを指す。さらに、これらの用語の使用は、単一の種、Ｉｎ、Ａｌ、およびＧａのそれぞれの窒化物、ならびに、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＮ、およびＩｎＡｌＧａＮの組成物を含むがそれらに限定されないそのようなＩＩＩ族金属種の二元、三元、および四元組成物を含むように、広く解釈されることが意図される。さらに、本発明の範囲内の材料は、ある程度の量のドーパント、または他の不純物、または他の含有材料をさらに含み得る。
【００１５】
バルクＩＩＩ族窒化物結晶成長は、アモノサーマル法、ならびに高窒素圧力溶液成長およびナトリウムフラックス法等の種々のフラックスベースの方法を含む種々の方法を使用して実証されている。全てのこれらの方法の特性の１つは、全方法が、高圧条件および高温条件の両方の下で動作する場合に優れた結果をもたらすと考えられることである。したがって、一般に、高温（５０℃〜３０００℃）および高圧（２０ａｔｍ〜４００００ａｔｍ）の両方に耐えることができる大型の反応器を設計しようとする強固な動機付けが存在する。
【００１６】
このタスクは、現在、鋼鉄系合金またはニッケルクロム（Ｎｉ−Ｃｒ）系合金を使用して行なわれるが、高圧および高温の両方の観点において利用可能となり得るパラメータ空間は、その限界（（Ｎｉ−Ｃｒ超合金の場合、＜４０００ａｔｍかつ＜６００℃）または（鋼鉄系反応器の場合、＜１００ａｔｍかつ＜８００℃））に到達しつつあり、さらなる改良が、所望される。加えて、オートクレーブとして使用するために十分に高い質を有して作り出されることができるインゴットサイズのサイズ限界のため、反応器設計のために行なわれることができる拡大または縮小（ｓｃａｌｉｎｇ）の絶対量に関しても、限界が存在する。さらに、関与する金属のクリープ強度のため、動作温度および動作圧力にも絶対限界が存在する。これらの限界は、現在の技術において到達されている。
【００１７】
したがって、当技術分野において、そのような成長方法において使用可能である新しい材料の必要性が存在する。本発明は、その必要性を充足する。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記で説明されている先行技術における制限を克服し、かつ本発明を読み取って理解することで明らかになる他の制限を克服するために、本発明は、結晶を成長させるための方法および装置を開示し、それは、結晶を成長させるための材料を含むための少なくとも１つの容積を含む反応器容器を備え、反応器容器は、反応器容器が結晶の成長に必要な圧力または温度に耐え得るように、材料を固体、液体、または気体として容積内に含むための構造要素として、炭素繊維含有材料を使用し、圧力は、約２０ａｔｍ〜約４０，０００ａｔｍの範囲であり、温度が、約５０℃〜約３０００℃の範囲である。炭素繊維含有材料は、炭素繊維または炭素繊維複合材を含み、炭素繊維複合材のマトリックスは、炭素、エポキシ、ポリマー、セラミック、金属、ガラス、有機化合物または無機化合物から構成され得る。
【００１９】
炭素繊維含有材料は、反応器容器の少なくとも１つの構成要素を封入し、封入された構成要素からの応力は、炭素繊維含有材料に伝達される。特定すると、炭素繊維含有材料は、封入された構成要素の外部と内部との間での所望の圧力差を維持するために十分であるように、１回またはそれよりも多くの回数、封入された構成要素の周りに巻着され得る。反応器容器は、１つまたはそれよりも多くの入れ子にされた容積を含み得、炭素繊維含有材料は入れ子にされた容積の各々内に材料を固体、液体、または気体として含む構造要素として使用される。
【００２０】
炭素繊維含有材料または封入された構成要素をコーティングする追加材料の１つまたはそれよりも多くの層も存在し得、追加材料の層は、内部ライナ材料または外部ライナ材料を備え得、（１）炭素繊維含有材料または封入された構成要素を保護するため、（２）特定の圧力または温度を維持するための、炭素繊維含有材料または封入された構成要素の能力を改善するため、（３）炭素繊維含有材料または封入された構成要素と接触するように置かれた任意の材料に対する耐化学性を炭素繊維含有材料または封入された構成要素にもたらすため、（４）反応器容器内に存在する不純物の量を改善するため、（５）反応器容器から物質を除去するため、または（６）反応器容器からの質量損失を減少または改変するために、使用される。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
次に、同様の参照番号が全体を通して対応する部分を表す図面を参照する。
【図１】図１は、一般的な工業材料についての強度  対  温度のグラフである。
【図２】図２は、単一の炭素繊維の比較強度特性を示す引張強度  対  弾性率のグラフである。
【図３】図３は、本発明の一実施形態による装置の概略である。
【図４】図４は、図３の装置を使用して、ＩＩＩ族窒化物結晶等の化合物結晶を成長させるための方法を図示する流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
発明の詳しい説明
好ましい実施形態の下記の説明では、本明細書の一部を形成して本発明が実践され得る特定の実施形態の例として示される添付の図面が、参照される。他の実施形態が利用され得ることと、構造的変化が本発明の範囲から逸脱することなくなされ得ることとが、理解されるべきである。
【００２３】
概要
ＩＩＩ族窒化物結晶の成長は、典型的に、気圧より高い圧力の窒素含有気体を必要とする。これらの結晶の成長のために使用されている従来のチャンバは、鋼鉄またはＮｉ−Ｃｒ超合金を利用する。これらの反応器設計の現在の適用は、これらの材料が効果的に動作し得る限界に達している。ＩＩＩ族窒化物結晶の成長をさらに改善するために、高い動作温度でさらにより高い圧力を得ることが望ましい。炭素繊維の使用は、反応器容器が超高強度材料の使用をとおして構築され得る設計空間をさらに拡張するための手段を提供する。炭素繊維は、鋼鉄またはＮｉ−Ｃｒより強いだけではなく、適切に利用される場合、容易に拡大または縮小されることができ、かつ２０００℃を超える温度で動作することができる。本発明は、有意により低いコスト、より高い処理量、より高い成長率、より高い質、より高い純度および透明度において、バルクＩＩＩ族窒化物の生産をもたらす。
【００２４】
装置説明
本発明は、化合物結晶のための反応器容器の構築において、炭素繊維複合材等の炭素繊維系または炭素繊維含有材料を利用する。これらの材料を使用して、ＩＩＩ族窒化物結晶の成長のために必要な高圧（２０ａｔｍ〜４００００ａｔｍ）および高温（５０℃〜３０００℃）の両方に耐えることができる大規模反応器容器を設計することが可能である。
【００２５】
これは、部分的に、炭素繊維の方向における非常に高い結合強度のためである。概して、一般的グレードの鋼鉄は、約６００℃を下回る温度において、５００〜１０００ＭＰａの引張強度を有し、超高強度鋼鉄は、室温において、最大３５００ＭＰａの引張強度を有する一方、炭素繊維は、少なくとも２０００℃までの温度において、約６０００ＭＰａの引張強度を有する。炭素繊維複合材は、実際には、温度が増加するにつれて、より強固になる。
【００２６】
これは、炭素−炭素複合材と比較した場合の、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）を含む一般的工業材料についての強度（ＭＰａ）  対  温度（Ｃ）のグラフである図１と、Ｎｉ−Ｃｒ超合金、低温におけるマルエージング鋼または超高強度鋼鉄、ならびに市販のポリアクリロニトリル（ＰＡＮ）系およびメソフェーズピッチ系炭素繊維の比較強度特性を示す引張強度（ＧＰａ）  対  弾性率（ＧＰａ）のグラフである図２とにおいて反映されている。
【００２７】
炭素繊維の構造特性は、高度に方向性があり、ゆえに異方性であるが、適切な織り込みパターンに繊維を配置し、任意の所望の方向に沿って、いかなる印加応力をも吸収するようによく加工された製品を得ることが可能である。さらなる加工はまた、封入している金属の熱拡張係数よりも小さい熱拡張係数を有する材料を作り出すことを可能にする。これは、炭素繊維系材料が金属系合金の周りに巻着されている場合に応力の全部ではないが有意な量が金属系合金から炭素繊維複合材に伝達され得るので、高温適用に多大な影響を有し得、そのことによって、反応器が安全に動作し得る圧力範囲および温度範囲をさらに拡張させ得る。
【００２８】
しかしながら、本発明は、化合物結晶の成長のための反応器容器の設計において、最小限の、任意の炭素繊維含有材料の使用を主張する。炭素繊維含有材料、中でも最も注目すべき炭素繊維複合材（炭素繊維−炭素、炭素繊維−エポキシ、炭素繊維−ポリマー、炭素繊維−セラミック、および炭素繊維−金属の複合材等）が、閉鎖空間内に超高圧容積を含みかつ発生させるために使用され、それは、次に、少なくとも部分的に、かつプロセスの一部において、化合物結晶を発生させるために使用される。
【００２９】
図３は、本発明の一実施形態による結晶を成長させるための装置の概略図であり、その装置は、結晶を成長させるための材料を含むための少なくとも１つの容積を含む反応器容器を備え、反応器容器は、反応器容器が化合物結晶の成長のために必要な圧力または温度に耐え得るように、材料を固体、液体、または気体として容積内に含む構造要素として炭素繊維含有材料を使用し、例えば、圧力は、約２０ａｔｍ〜約４００００ａｔｍの範囲であり、温度は、約５０℃〜約３０００℃の範囲である。
【００３０】
特定すると、反応器３００は、内側容積３０２および外側容積３０２として標識されている１つまたはそれよりも多くの入れ子にされた容器を含み、それらの一方または両方は、密閉または開放され得る。内側容積３０２は、管、シリンダ、スリーブ、またはカプセルであり得、同様に管、シリンダ、スリーブ、またはカプセルであり得る外側容積３０４内に完全に含まれる。
【００３１】
容器の一方または両方は、ＩＩＩ族含有原料材料、ＩＩＩ族窒化物シード、および窒素含有溶媒を使用して成長させられるＩＩＩ族窒化物結晶等の化合物結晶の成長のためのるつぼと見なされ得る。概して、内側容積３０２および外側容積３０４はともに、ＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる１つまたはそれよりも多くの方法を行なうために使用され、それらの方法は、ナトリウムフラックスベースの方法を含むフラックスベースの方法、高窒素圧力溶液成長ベースの方法、またはアモノサーマル法を含み得る。
【００３２】
好ましくは、容器の一方または両方は、前述の広範な圧力範囲および温度範囲で動作し得る。内側容積３０２および外側容積３０４の両方または一方は、金属、セラミック、ポリマー、炭素繊維系複合材等の炭素繊維、またはそれらの任意の組み合わせ等の、超高圧および超高温に耐えることが可能な１つまたはそれよりも多くの材料から構成され得る。
【００３３】
外側容積３０４の構造は、高強度の上部および底部のプレート３０６と、気密材料の管３０８と、気密高圧シール３１０とによって画定され、プレート３０６は、超高強度ボルト３１２によって一緒に連結される。黒鉛繊維含有材料３１４等の耐荷重性炭素繊維含有材料３１４が、管３０８の側壁の外側に位置付けられ、第１のエアギャップ３１６が、外部ヒータ３１８から炭素繊維材料３１４を分離する。断熱材３２０は、外部ヒータ３１８の外側に位置付けられ、第２のエアギャップ３１６が、ボルト３１２から断熱材３２０を分離する。
【００３４】
特定すると、外側容積３０４は、金属で作製され得る気密材料からなる管３０８を、同様に金属、セラミック、炭素繊維含有材料、またはそれらの任意の組み合わせで作製され得る２つのプレート３０６の間に差し挟むことによって作り出される。管３０８の中心線に沿った圧縮は、ボルト３１２を２つのプレート３０６の周囲で締め付けることによって達成される。加工を通して、管３０８と管３０８の両端における２つのプレート３０６との間の気密シール３１０を提供することが可能である。これは、有効に、任意の気体、液体、または固体が置かれ得る気密的に密閉された外側容積３０４を提供する。
【００３５】
管３０８は、炭素繊維含有材料３１４によって外側が巻着される。その結果、炭素繊維含有材料３１４は、反応器容器３００の少なくとも１つの構成要素を封入し、封入された構成要素からの応力は、炭素繊維含有材料３１４に伝達される。さらに、炭素繊維含有材料３１４は、封入された構成要素の外部と内部との間の所望の圧力差を維持するために（例えば、管３０８の外部と管３０８の内部との間での圧力差を維持するために）十分であるように、１回またはそれよりも多い回数、封入された構成要素の周りに巻着され得る。その最も基本的形態では、本発明は、高圧および高温において、外側容積３０４および内側容積３０２の閉鎖空間に固体、液体、気体、および／または超臨界流体を含む炭素繊維含有複合材料３１４の適用を含む。
【００３６】
炭素繊維含有材料３１４における炭素繊維は、長くても短くても、連続であっても不連続であってもよい。炭素繊維は、マトリックスに埋め込まれ得る。さらに、炭素繊維は、炭素繊維含有材料３１４にさらなる強度をもたらすために、多数のストランドが他のストランドに対して１つまたはそれよりも多くの角度で通され得るような方式で、編み込まれるか、または別様に配置され得る。
【００３７】
一例では、炭素繊維含有材料３１４は、炭素繊維−炭素、炭素繊維−エポキシ、炭素繊維−ポリマー、炭素繊維−セラミック、および炭素繊維−金属の複合材からなる群から選択される炭素繊維複合材を含む。
【００３８】
炭素繊維含有材料３１４は、炭素繊維含有材料、金属含有材料、セラミック含有材料、またはそれらの任意の組み合わせ等の別の材料の周りに巻着され得る。
【００３９】
追加材料の１つまたはそれよりも多くの層が、炭素繊維含有材料３１４、または封入された構成要素をコーティングし得る。例えば、内側容積３０２および外側容積３０４の一方または両方の外部および／または内部が追加材料の１つまたはそれよりも多くの層でコーティングされ得ることが、可能性として考えられる。加えて、管３０８は、特定の物理特性または化学特性へと調整するために、単一の管または互いの中に入れ子にされた複数の管から構成され得る。
【００４０】
特定すると、追加材料のこれらの層は、種々の構成要素（すなわち、炭素繊維含有材料３１４、管３０８の外部、外側容積３０４の内部、ならびに内側容積３０２の内部および外部の両方）を保護するために使用される内部ライナ材料または外部ライナ材料を備え得る。追加材料の層は、（１）炭素繊維含有材料３１４または封入された構成要素を保護するため、（２）特定の圧力または温度を維持するように、炭素繊維含有材料３１４または封入された構成要素の能力を改善するため、（３）炭素繊維含有材料３１４または封入された構成要素と接触して置かれる任意の材料への耐化学性を炭素繊維含有材料３１４または封入された構成要素にもたせるため、（４）反応器容器３００内に存在する不純物の量を改善する（例えば、汚染物質が内側容積３０２または外側容積３０４の中に混入することを防止する）ため、（５）反応器容器３００から物質を除去する（例えば、酸素と反応し二酸化チタンを形成するチタンコーティングを使用して、内側容積３０２または外側容積３０４から酸素を除去する）ため、または（６）動作条件下、低水素透過性を有する少なくとも１つの材料を利用することによって、内側容積３０２および／または外側容積３０４からの水素拡散を減少させるために、使用され得る。追加材料の層の例は、金、銀、白金、イリジウム、パラジウム等の貴金属を用いたコーティングを含み得るが、セラミックまたはガラス等の非金属を含む他の材料もまた、使用され得る。
【００４１】
１つまたはそれよりも多くの追加要素が、反応器容器３００に存在し得、物質、荷電粒子、光子、電場、または磁場が、反応器容器３００から外に、またはその反応器容器の中に進行することを可能にし得る。例えば、追加要素は、導電性ワイヤ、光学的透明材料、管、または磁気材料を含み得る。
【００４２】
管３０８を炭素繊維含有材料３１４で巻着した後、ヒータ３１８が、次いで、炭素繊維含有材料３１４の外側に置かれる。これらのヒータ３１８は、炭素繊維含有材料３１４に触れる必要がなく、必ずしも触れなくてはならないわけでもなく、ヒータ３１８と炭素繊維含有材料３１４との間にエアギャップ３１６が、存在し得る。ヒータ３１８は、次いで、外側容積３０４および内側容積３０２を加熱するために使用されることによって、圧力を増加させ、ＧａＮ等のＩＩＩ族窒化物結晶の成長に好適な環境を作り出すことができる。
【００４３】
外部ヒータ３１８は、炭素繊維含有材料３１４の外部の別個のユニットとして存在し得るが、少なくとも部分的または完全に、炭素繊維含有材料３１４自体の中に組み込まれても、炭素繊維含有材料３１４自体をヒータとして使用してもよい。この組み合わせは、炭素繊維含有材料３１４が、加熱源としてさらに作用することを可能にすることによって、別個のヒータ３１８の必要性を排除する。さらに、炭素繊維含有材料３１４は、ヒートシンクおよび熱源として使用され得る。
【００４４】
外側容積３０４が気密的に密閉されると、超高強度ボルト３１２が、管３０８に被さる２つのプレート３０６にかかる圧力によってもたらされる力を安全に保持することができるので、相当な温度において相当な圧力を達成することが、可能である。ヒータ３１８とボルト３１２との間に断熱材料３２０を置くことができることを考慮すると、ボルト３１２の温度は、ボルト３１２が任意の相当な強度を喪失することによりクリープに至るような温度を優に下回るほど非常に低くなり得る。フープ応力は、管３０８からその管を覆う炭素繊維含有材料３１４に伝達されることができる。炭素繊維含有材料３１４の剛性および強度を考慮すると、繊維は、管３０８のいかなる拡張をも防止するため、および管３０８のクリープおよび最終的故障を防止するために必要な強度を提供する。炭素繊維は、上昇した温度においても強度を喪失しない（それどころか、温度が上昇するにつれてより強固となる）ため、炭素繊維含有材料３１４は、クリープを引き起こさず、ゆえに、管３０８の壊滅的な故障および破裂を生じさせない。
【００４５】
本明細書に説明されるこの実施形態は、複数の入れ子にされた容器（すなわち、内側容積３０２および外側容積３０４）を使用し、内側容積３０２は、より大きくサイズを定められた外側容積３０４によって完全に囲繞されるか、またはその中に入れ子にされるが、他の実施形態は、２つよりも多くの入れ子にされた容器または単一の容器のみを使用し得る。さらに、本明細書に説明される実施形態は、高圧によって発生された有意な応力を保持するための、炭素繊維系材料３１４の１つの構造の使用のみを説明するが、複数のそのような構造が、同様に使用され得、例えば、容積３０２、３０４の各々が、そのような炭素繊維含有材料３１４を使用し得る。
【００４６】
この例は、いかようにも限定として見なされるべきではなく、ＧａＮのアモノサーマル成長を対象とする本発明の可能な適用の１つを実証するために提供されることに、留意されたい。
【００４７】
ナトリウムフラックス法に適用されるような１つの代替実施形態は、有意な圧力を保持するように、炭素繊維含有材料を使用して設計されるより大きい外側容器を含む。この大きい外側容器内には、断熱材料と、ヒータと、炭素繊維含有材料を使用することにより有意な圧力を保持するように同様に設計されるより小さい内側容器とが置かれる。断熱材料は、ヒータをより大きい外側容器の炭素繊維系要素から断熱し、特定の臨界温度を超えないことを確実にするために使用されることができる。ヒータは、次に、より小さい内側容器を加熱するために設計される。ＩＩＩ族窒化物結晶が、次いで、より小さい内側容器内で成長させられ、より小さい内側容器は、より大きい外側容器によって保持される圧力と同じ圧力であっても、そうでなくてもよい。この設計の利点は、（ｉ）より大きい外側容器のみが使用された場合に可能となる圧力より有意に高い圧力で、より小さい内側容器内に絶対圧力を得ることを可能にし、（ｉｉ）圧力を含んでいる材料を温度に暴露されている材料から分断することとを可能にすることである。
【００４８】
内部加熱を使用し、かつ炭素繊維含有材料が経験する温度を低下させる方法を使用する１つの動機付けは、より低い温度適用に好適な炭素繊維複合材が使用され得ることである。１つのそのような複合材は、室温において水素貯蔵タンクのために現在使用されている炭素繊維−ポリマーマトリックス（例えば、炭素繊維−エポキシ複合材）の使用を含む。
【００４９】
前の段落で説明されているように、内部加熱を利用することが可能である一方で、炭素繊維含有材料の長所の１つが極端な温度においてその強度を保持することであるので、これは、必要ではない。これは、炭素繊維封入容積を外部から加熱することと、所望されるように、チャンバ内に任意の数の要素を配置することとにより、ＩＩＩ族窒化物結晶の最良の可能な成長を達成する可能性につながる。成長のための好適な環境は、アンモニア、窒素、および水素を含有する環境を含み得る。１つまたはそれよりも多くの容器またはコンテナが、炭素繊維封入容積内に存在し、溶融金属等の液体を保持し得る。
【００５０】
プロセス説明
図４は、本発明の一実施形態により、図３の装置を使用して、ＩＩＩ族窒化物結晶等の化合物結晶を成長させるための方法を図示する流れ図である。
【００５１】
ブロック４００は、１つまたはそれよりも多くのＩＩＩ族窒化物シード結晶、１つまたはそれよりも多くのＩＩＩ族含有原料材料、および窒素含有溶媒を反応器３００内に置くことを表し、シード結晶が内側容積３０２内に置かれ得、原料材料が外側容積３０４内に置かれ得、窒素含有溶媒が外側容積３０４と内側容積３０２との間で輸送される。（代替として、シード結晶が外側容積３０４内に置かれ得、原料材料が内側容積３０２内に置かれ得、窒素含有溶媒が内側容積３０２と外側容積３０４との間で輸送され得る。）一実施形態では、シード結晶は、ＩＩＩ族含有結晶を含み、原料材料は、ＩＩＩ族含有化合物、純粋元素形態におけるＩＩＩ族元素、またはそれらの混合物（すなわち、ＩＩＩ族窒化物単結晶、ＩＩＩ族窒化物多結晶、ＩＩＩ族窒化物粉末、ＩＩＩ族窒化物顆粒、または他のＩＩＩ族含有化合物）を含み、窒素含有溶媒は、超臨界アンモニアまたはその誘導体のうちの１種またはそれよりも多くである。さらに、追加の材料または元素が、反応器容器３００内に存在し得る。
【００５２】
ブロック４０２は、溶媒中に溶解された原料材料を使用して、シード結晶の１つまたはそれよりも多くの表面にＩＩＩ族窒化物結晶を成長させることを表し、成長のための条件は、１つのゾーン（内側容積３０２または外側容積３０４のいずれか）では、溶媒中に原料材料のより高い溶解度を生じさせ、別のゾーン（外側容積３０４または内側容積３０２のいずれか）では、溶媒中に原料材料の（より高い溶解度と比較して）より低い溶解度を生じさせるシード結晶と原料材料との間の温度勾配を形成することを含む。特定すると、ＩＩＩ族窒化物結晶をシード結晶の１つまたはそれよりも多くの表面に成長させることは、溶媒中に原料材料の溶解度の差をもたらす溶媒中の温度勾配を内側容積３０２と外側容積３０４との間に生じさせることによって起こる。例えば、温度勾配は、０℃〜１０００℃の範囲であり得る。
【００５３】
ブロック４０４は、プロセスによって作り出されて得られた生成物、すなわち、シード結晶上で成長させられた１つまたはそれよりも多くのＩＩＩ族窒化物結晶を含む。ＩＩＩ族窒化物結晶は、ＡｌｘＢｙＧａｚＩｎ（１−ｘ−ｙ−ｚ）Ｎとして特徴付けられ、式中、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、およびｘ＋ｙ＋ｚ≦１である。例えば、ＩＩＩ族窒化物結晶は、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＩｎＧａＮ等であり得る。ＩＩＩ族窒化物基板が、ＩＩＩ族窒化物結晶から作り出され得、デバイスが、ＩＩＩ族窒化物基板を使用して作り出され得る。
【００５４】
参考文献
下記の参考文献は、参照によって本明細書で援用される。
［１］２００２年１月３１日に出願されて２００３年７月３１日に公開されているＤ’Ｅｖｅｌｙｎらによる「ＰＲＥＳＳＵＲＥ  ＶＥＳＳＥＬ」と題される米国特許出願公開第２００３／０１４０８４５号
［２］２００８年６月５日に出願されて２００９年１２月１０日に公開されているＤ’Ｅｖｅｌｙｎらによる「ＨＩＧＨ  ＰＲＥＳＳＵＲＥ  ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ  ＡＮＤ  ＭＥＴＨＯＤ  ＦＯＲ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＣＲＹＳＴＡＬ  ＧＲＯＷＴＨ」と題される米国特許出願公開第２００９／０３０１３８７号
［３］２０１１年１月２５日に出願されて２０１１年７月２８日に公開されているＤ’Ｅｖｅｌｙｎらによる「ＨＩＧＨ  ＰＲＥＳＳＵＲＥ  ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ  ＡＮＤ  ＭＥＴＨＯＤ  ＦＯＲ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＣＲＹＳＴＡＬ  ＧＲＯＷＴＨ」と題される米国特許出願公開第２０１１／０１８３４９８号
【００５５】
結論
これは、本発明の好ましい実施形態の説明を結論付ける。本発明の１つまたはそれよりも多くの実施形態の上述の説明は、例示および説明の目的のために提示されている。網羅的であること、または本発明を開示されている正確な形態に限定することを意図するものではない。多くの改変例および変形例が、上述の教示に照らして可能である。本発明の範囲は、この詳細な説明によってではなく、本明細書に添付の特許請求の範囲によって制限されることが意図される。
【図１】
2015517972.tif 000003
【図２】
2015517972.tif 000004
【図３】
2015517972.tif 000005
【図４】
2015517972.tif 000006
【国際調査報告】
2015517972.tif 000007