(57)【要約】  本発明は、フープがＳＴＢにローディングすることを感知して第１の入力信号を発生させるステップ；及び前記第１の入力信号に基づいて、不活性ガスバルブを開放して前記ＳＴＢに窒素ガスを供給するステップを含む、半導体ウェハ製造システムにおいてＳＴＢに不活性ガスを供給する方法及びこれを利用する半導体ウェハ製造システムに関するものである。【代表図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フープがＳＴＢにローディングすることを感知して第１の入力信号を発生させるステップと、
前記第１の入力信号に基づいて不活性ガスバルブを開放して前記フープに窒素ガスを供給するステップとを含む、半導体ウェハ製造システムにおいてＳＴＢに不活性ガスを供給する方法。
【請求項２】
前記不活性ガスは、窒素ガスを含む、請求項1に記載の半導体ウェハ製造システムにおいてＳＴＢに不活性ガスを供給する方法。
【請求項３】
前記フープ内部の不活性ガスの圧力及び流量を測定し、測定した不活性ガスの圧力及び流量情報を用いて前記不活性ガス供給を制御するステップを含む、請求項１に記載の半導体ウェハ製造システムにおいてＳＴＢに不活性ガスを供給する方法。
【請求項４】
前記フープに引き込まれる不活性ガスの量と引き出される不活性ガスの量を測定し、それによって前記不活性ガス供給を制御するステップを含む、請求項１に記載の半導体ウェハ製造システムにおいてＳＴＢに不活性ガスを供給する方法。
【請求項５】
前記フープが前記ＳＴＢにローディングされると前記フープのＩＤ情報を獲得して第２の入力信号を発生させるステップをさらに含み、
前記第１の入力信号に基づいて不活性ガスバルブを開放して前記フープに窒素ガスを供給するステップは、前記第１の入力信号及び前記第２の入力信号に基づいて前記フープに窒素ガスを制御して供給するステップを含む、請求項１に記載の半導体ウェハ製造システムにおいてＳＴＢに不活性ガスを供給する方法。
【請求項６】
前記別途のＳＴＢが前記半導体ウェハ製造システムに物理的に装着すると使用者入力部にポート追加画面が表示されるステップと、
前記ポート追加画面を用いてポートをソフトウェア的に追加した後にこのポートの入出力装置を活性化するステップと、
前記使用者入力部を用いて前記追加されたポートを前記半導体ウェハ製造システムのポートに配置すれば前記追加されたポートが活性化するステップとをさらに含む請求項１に記載の半導体ウェハ製造システムにおいてＳＴＢに不活性ガスを供給する方法。
【請求項７】
前記ＳＴＢが複数個あり、前記ＳＴＢのうち一つにフープが存在しなければ、該当ポートをディスエイブルし、その入出力装置を非活性化するステップと、
ポート削除画面を通じて前記非活性化されたポートを削除すると前記ポートの入出力信号が遮断してポートの信号ケーブルを除去できるステップとを含む、請求項１に記載の半導体ウェハ製造システムにおいてＳＴＢに不活性ガスを供給する方法。
【請求項８】
フープがフープポートに装着するＳＴＢと、
前記フープが前記ＳＴＢに装着すると発生する第１の入力信号を受信すると前記第１の入力信号に基づいてＳＴＢに不活性ガスを供給する不活性ガス供給装置とを含む、半導体ウェハ製造システム。
【請求項９】
前記不活性ガスは、窒素ガスを含む、請求項８に記載の半導体ウェハ製造システム。
【請求項１０】
前記ＳＴＢは、そのフープ内部の不活性ガスの圧力を測定するガス圧力センサーを含み、
前記不活性ガス供給装置は、前記第１の入力信号により開放される不活性ガスバルブと、前記不活性ガスに対して圧力を与えるポンプと、前記ガス圧力センサーで生成された不活性ガスの圧力情報を用いて前記不活性ガス供給を制御するように前記ポンプを制御する制御部とを含む、請求項８に記載の半導体ウェハ製造システム。
【請求項１１】
前記ＳＴＢは、前記フープに引き込まれる不活性ガスの量を測定する引き込みガスセンサーと前記フープから引き出される不活性ガスの量を測定する引き出しガスセンサーとを含み、
前記不活性ガス供給装置は、前記引き込みガスセンサー及び引き出しガスセンサーより獲得する情報に基づいて前記不活性ガス供給を制御する、請求項７に記載の半導体ウェハ製造システムにおいてＳＴＢに不活性ガスを供給する方法。
【請求項１２】
前記ＳＴＢは、前記フープがローディングされると前記フープのＩＤ情報を獲得して第２の入力信号を発生させ、
前記不活性ガス供給装置は、前記第１の入力信号及び第２の入力信号に基づいて前記フープに窒素ガスを制御して供給する請求項８に記載の半導体ウェハ製造システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製作工程において、工程移動のうち酸素やほこり等の汚染源からウェハが汚染されることを防止し、半導体製造工程の効率を高めることができる、半導体ウェハ製造システムにおいてＳＴＢに不活性ガスを供給する方法及びこれを用いた半導体ウェハ製造システムに関するものである。
【発明の背景技術】
【０００２】
一般的な半導体製作工程で製作されたウェハを次の工程を行う設備へ搬送する時には、ウェハキャリッジ（Ｆｒｏｎｔ  Ｏｐｅｎｉｎｇ  Ｕｎｉｆｉｅｄ  ＰＯＤ、以下「ＦＯＵＰ」、フープ）にウェハを貯蔵して搬送中にＳＴＢ（Ｓｉｄｅ  Ｔｒａｃｋ  Ｂｕｆｆｅｒ）という貯蔵空間を経て各工程装備に移送される。
【０００３】
前記ＳＴＢは、工場の天井にＳＴＢを案内するためのレールに設けられているため、空間活用性を高めることができるという点と、工程間の移動距離を短縮させることができるという長所がある。
【０００４】
一方、半導体製作工程において、歩留りは、経済性をはかるのに非常に大切な要素である。
ところが、半導体製作工程で歩留りが低くなる理由は、工程間の移動時に酸素やほこり等によりウェハが露出し、それによってウェハが汚染する環境に置かれる恐れがあるからである。
【０００５】
したがって、半導体製作工程の全般にわたって、ウェハが汚染環境に露出しないようにする努力が伴ってきた。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、半導体製作工程において、工程移動中に酸素やほこり等の汚染源からウェハが汚染されることを防止して半導体製造工程の効率を高めることができる、半導体ウェハ製造システムにおいてＳＴＢに不活性ガスを供給する方法、及び、これを用いた半導体ウェハ製造システムを提供するためのものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決するために、本発明の一実施例である半導体ウェハ製造システムにおいてＳＴＢに不活性ガスを供給する方法は、フープがＳＴＢにローディングすることを感知して、第１の入力信号を発生させるステップと、前記第１の入力信号に基づいて不活性ガスバルブを開放して前記フープに窒素ガスを供給するステップとを含むことができる。
【０００８】
本発明の一実施例の一態様によると、前記不活性ガスは、窒素ガスを含むことができる。
【０００９】
本発明の一実施例の一態様によると、半導体ウェハ製造システムにおいてＳＴＢに不活性ガスを供給する方法は、前記フープ内部の不活性ガスの圧力及び流量を測定して、測定した不活性ガスの圧力及び流量情報を用い、前記不活性ガス供給を制御するステップをさらに含むことができる。
【００１０】
本発明の一実施例の一態様によると、半導体ウェハ製造システムにおいてＳＴＢに不活性ガスを供給する方法は、前記フープに引き込まれる不活性ガスの量と引き出される不活性ガスの量を測定し、それによって前記不活性ガス供給を制御するステップを含むことができる。
【００１１】
本発明の一実施例の一態様によると、半導体ウェハ製造システムにおいてＳＴＢに不活性ガスを供給する方法は、前記フープがＳＴＢにローディングされると前記フープのＩＤ情報を獲得して第２の入力信号を発生させるステップをさらに含み、前記第１の入力信号に基づいて不活性ガスバルブを開放して前記フープに窒素ガスを供給するステップは、前記第１の入力信号及び第２の入力信号に基づいて前記フープに窒素ガスを供給するステップを含むことができる。
【００１２】
本発明の一実施例の一態様によると、半導体ウェハ製造システムにおいてＳＴＢに不活性ガスを供給する方法は、前記別途のＳＴＢが前記半導体ウェハ製造システムに物理的に装着すると、使用者入力部にポート追加画面が表示されるステップと、前記ポート追加画面を用いてポートをソフトウェア的に追加した後にこのポートの入出力装置を活性化するステップと、前記使用者入力部を用いて前記追加されたポートを前記半導体ウェハ製造システムのポートに配置すれば、前記追加されたポートが活性化するステップをさらに含むことができる。
【００１３】
本発明の一実施例の一態様によると、前記ＳＴＢが複数個あり、前記半導体ウェハ製造システムにおいてＳＴＢに不活性ガスを供給する方法は、前記ＳＴＢのうち少なくとも一つにフープが存在しなければ、該当のポートをディスエイブルしてその入出力装置を非活性化するステップと、ポート削除画面を通じて前記非活性化されたポートを削除するとポートの入出力信号が遮断してポートの信号ケーブルを除去できるステップをさらに含むことができる。
【００１４】
本発明の他の実施例である、半導体ウェハ製造システムは、フープがフープポートに装着するＳＴＢと、前記フープが前記ＳＴＢに装着すると発生する第１の入力信号を受信すると、前記第１の入力信号に基づいて不活性ガスバルブを開放して前記ＳＴＢに不活性ガスを供給する不活性ガス供給装置を含むことができる。
【００１５】
本発明の他の実施例の一態様によると、前記不活性ガスは、窒素ガスを含むことができる。
【００１６】
本発明の他の実施例の一態様によると、前記ＳＴＢは、そのフープ内部の不活性ガスの圧力及び流量を測定するガスの圧力及び流量センサーを含み、前記不活性ガス供給装置は、前記第１の入力信号により開放される不活性ガスバルブと、前記不活性ガスに対する圧力を与えるポンプと、前記ガス圧力センサーで生成された不活性ガスの圧力情報を用いて前記不活性ガス供給を制御するように前記ポンプを制御する制御部とを含むことができる。
【００１７】
本発明の他の実施例の一態様によると、前記ＳＴＢは、前記フープに引き込まれる不活性ガスの量を測定する引き込みガスセンサーと、前記フープから引き出される不活性ガスの量を測定する引き出しガスセンサーを含み、前記不活性ガス供給装置は、前記引き込みガスセンサー及び引き出しガスセンサーから獲得する情報に基づいて前記不活性ガス供給を制御することができる。
【００１８】
本発明の他の実施例の一態様によると、前記ＳＴＢは、前記フープがローディングすると前記フープのＩＤ情報を獲得して第２の入力信号を発生させ、前記不活性ガス供給装置は、前記第１の入力信号及び第２の入力信号に基づいて前記フープに窒素ガスを供給することができる。
【発明の効果】
【００１９】
上述した構成を有する本発明の一実施例によると、半導体ウェハ製造システムにおいて、工程間移動時に用いられるＳＴＢに装着するフープ内に不活性ガスを適量供給することができるので、工程移動中に汚染源から半導体ウェハが接触されることを防止することができ、歩留りを高めることができる。
【００２０】
さらに、半導体製造システムにおいて、ＳＴＢを追加、または着脱する時、全体システムをダウンさせず、ソフトウェア的にＳＴＢを追加、または削除することが可能になって半導体ウェハ生産性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
図１は、本発明の一実施例である半導体ウェハ製造システムの全体的な構成を説明するためのブロック構成図。
図２は、本発明の一実施例である半導体ウェハ製造システムに用いられるＳＴＢの電子的な構成を説明するためのブロック構成図。
図３は、本発明の一実施例である半導体ウェハ製造システムに用いられる不活性ガス供給装置の電子的な構成を説明するためのブロック構成図。
図４は、本発明の一実施例である半導体ウェハ製造システムにおいてＳＴＢに不活性ガスを供給する方法を説明するためのフローチャート。
図５は、本発明の一実施例である半導体ウェハ製造システムにおいてＳＴＢに不活性ガスを供給する方法でＳＴＢを追加する方法を説明するためのフローチャート。
図６は、本発明の一実施例である半導体ウェハ製造システムにおいてＳＴＢに不活性ガスを供給する方法でＳＴＢを削除する方法を説明するためのフローチャート。
【発明を実施するための具体的な内容】
【００２２】
以下、本発明と係わる半導体ウェハ製造システムにおいてＳＴＢに不活性ガスを供給する方法、及び、これを用いた半導体ウェハ製造システムについて図面を参照し、より詳細に説明する。
以下の説明で説明される構成要素に対する接尾語「モジュール」及び「部」は、明細書作成において容易性のみ考慮され付与されるか混用されるのであって、それ自体で互いに区別される意味または役割があるわけではない。
【００２３】
図１は、本発明の一実施例である半導体ウェハ製造システムの全体的な構成を説明するためのブロック構成図である。
図１に示されたように、本発明の一実施例である半導体ウェハ製造システムは、ＳＴＢ（１００）、不活性ガス供給装置（２００）及びメイン制御装置（３００）を含むことができる。
【００２４】
ＳＴＢ（１００）は、半導体ウェハを収容する多数個のフープ（１０１）を半導体製造工程間へ移動させるための構成要素である。
この時、ＳＴＢ（１００）には、不活性ガス供給管が設けられ、フープ（１０１）内に不活性ガスを供給するようになる。
これについての説明は、図２でより詳細に説明する。
【００２５】
不活性ガス供給装置（２００）は、ＳＴＢ（１００）に設置されるフープポート（１１０）に設置されたフープ（１０１）内に不活性ガスを供給するための構成要素である。
ここで使われる不活性ガスとして窒素ガスやアルゴンガス等を用いることができる。
これについては、図３でより、詳細に説明する。
【００２６】
メイン制御装置（３００）は、本発明の一実施例である半導体ウェハ製造システムの全体工程を制御する構成要素であって、ＳＴＢ（１００）にフープ（１０１）を安着させ、不活性供給装置（２００）及びＳＴＢ（１００）から現在の状態情報を確認し、これらをそれぞれ制御するメインコントローラである。
【００２７】
図２は、本発明の一実施例である半導体ウェハ製造システムに用いられるＳＴＢの電子的な構成を説明するためのブロック構成図である。
図２に示されたように、本発明の一実施例である半導体ウェハ製造システムに使われるＳＴＢ（１００）は、フープポート（１１０）、引き込みガスセンサー（１２０）、引き出しガスセンサー（１３０）、ガス圧力センサー（またはガス流量センサー、またはこれらの組み合せ）（１４０）、通信モジュール（１５０）及びＳＴＢ制御部（１６０）を含む。
【００２８】
フープポート（１１０）は、フープ（１０１）がＳＴＢ（１００）に安着するための構成要素である。
フープ（１０１）がＳＴＢ（１００）に安着すると、第１の入力信号が発生するようになり、それによって、ＳＴＢ制御部（１６０）は、通信モジュール（１５０）を通じてこれを不活性ガス供給装置（２００）に知らせ、それによって不活性ガス供給装置（２００）は、バルブ（２１０）をオンさせてフープ（１０１）内に不活性ガスを供給するようになる。
一方、前記フープポート（１１０）にフープ（１０１）が安着すると、メイン制御装置（３００）またはフープ（１０１）にあるＩＤ情報を獲得するようになり、適切な不活性ガスがフープ（１０１）内に供給されるようになる。
【００２９】
引き込みガスセンサー（１２０）と引き出しガスセンサー（１３０）は、フープ（１０１）内へ引き込まれる不活性ガス及び外部に流出する不活性ガスの量を測定するための構成要素である。
前記引き込みガスセンサー及び引き出しガスセンサーより獲得する情報に基づき、前記不活性ガス供給を制御することで、最適の不活性ガスをフープ（１０１）内に提供するようになる。
【００３０】
ガス圧力センサーまたは流量センサー（１４０）は、フープ（１０１）内の不活性ガスが引き込まれることによって発生する内部圧力を測定するための構成要素である。
このガス圧力センサー（１４０）により獲得された情報は、通信モジュール（１５０）を通じて不活性ガス供給装置（２００）に提供され、それによって、ポンプ（２２０）が動作するようになってフープ（１０１）内の最適の不活性ガスが存在するようにする。
【００３１】
以下では、本発明の一実施例である半導体ウェハ製造システムに用いられる不活性ガス供給装置について説明する。
【００３２】
図３は、本発明の一実施例である半導体ウェハ製造システムに使われる不活性ガス供給装置の電子的な構成を説明するためのブロック構成図である。
図３に示されたように、不活性ガス供給装置（２００）は、バルブ（２１０）、ポンプ（２２０）、表示部（２３０）、入力部（２４０）、通信部（２５０）、データ貯蔵部（２６０）、ＳＴＢ入力制御モジュール（２７０）、不活性ガス供給制御部（２８０）を含むことができる。
【００３３】
バルブ（２１０）は、ＳＴＢ（１００）に設置された不活性ガス供給管に設けられ、フープ（１０１）がＳＴＢ（１００）にローディングされることで発生する第１の入力信号に基づいて開放されて、フープ（１０１）内へ不活性ガスを供給するように機能する。
【００３４】
ポンプ（２２０）は、不活性ガスがフープ（１０１）内へ供給される圧力を提供する構成要素であって、上述するフープ（１０１）がローディングされることで獲得するフープ（１０１）のＩＤ信号、引き込みガスセンサー（１２０）、引き出しガスセンサー（１３０）、ガス圧力センサー（１４０）から獲得する情報等によりフープ（１０１）へ供給される不活性ガスの量を制御する機能をする。
【００３５】
表示部（２３０）は、不活性ガス供給装置（２００）の動作状態を視覚的に表示するための構成要素である。
また、後述するＳＴＢ（１００）の追加または削除をする時利用される、ＵＩ（Ｕｓｅｒ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）を示すための構成要素である。
このような表示部としてタッチ・スクリーンを利用することができ、この場合、表示部は入力部として利用することができる。
【００３６】
使用者入力部（２４０）は、不活性ガス供給装置（２００）の動作及び制御命令を入力するための構成要素であり、後述するＳＴＢ（１００）の追加または削除するための命令語を入力するための構成要素である。
【００３７】
通信部（２５０）は、上述したＳＴＢ（１００）で感知される各種信号を受信するための構成要素である。
【００３８】
データ貯蔵部（２６０）は、エラー情報、フープＩＤ情報等を貯蔵するための構成要素である。
【００３９】
ＳＴＢ入力制御モジュール（２７０）は、ＳＴＢ入力装置を活動化または非活性化するための構成要素であって、これは、ＳＴＢ（１００）を既存のウェハ製造システムに追加、または削除する時に利用され、これについては、図５及び図６で説明する。
【００４０】
不活性ガス供給制御部（２８０）は、通信部（２５０）を通じて獲得するフープ（１０１）の圧力情報、ガス引き込み及び引き出し情報を受信し、これに基づいてバルブ（２１０）及びポンプ（２２０）を動作させて適切な不活性ガスをフープ（１０１）に供給する機能をする。
【００４１】
以下では、上述した構成を有する半導体ウェハ製造システムでＳＴＢに不活性ガスを供給する方法を、図４を通じてより詳しく説明する。
【００４２】
図４は、本発明の一実施例である半導体ウェハ製造システムにおいてＳＴＢに不活性ガスを供給する方法を説明するためのフローチャートである。
図４に示されたように、まず、ＳＴＢ（１００）のフープポート（１１０）にフープ（１０１）がローディングするとフープ（１０１）を認識してフープＩＤ情報を獲得するようになる（Ｓ１１、Ｓ１２）。
その次に、フープローディングによる第１の入力信号及びフープＩＤ情報による第２の入力信号が不活性ガス供給装置（２００）に伝送されると、不活性ガス供給装置（２００）は、バルブ（２１０）を開放する（Ｓ１３、Ｓ２１）。
それによって、窒素ガス（不活性ガス）がフープ（１０１）内へ供給される（Ｓ２２）。
このように窒素ガスが供給されると、ＳＴＢ（１００）は、フープ（１０１）内のガスの圧力情報を獲得し（Ｓ１４）、このガスの圧力情報を受信した不活性ガス供給装置（２００）は、ポンプ（２２０）を制御してフープ（１０１）内へ引き込まれる不活性ガスの量を制御するようになる（Ｓ１５、Ｓ２４）。
そして、このようなフープ（１０１）内の状態や不活性ガス供給量などの情報は、メイン制御装置（３００）へ提供されるようになる（Ｓ２３）。
また、フープ（１０１）内へのガス引き込み情報及びガス引き出し情報が獲得され、これが不活性ガス供給装置（２００）へ伝送されると、不活性ガス供給装置（２００）は、これらを利用してポンプ（２２０）を制御し、フープ（１０１）内へ引き込まれる不活性ガスの量を制御するようになる（Ｓ１６、Ｓ１７、Ｓ２６）。
そして、このようなフープ（１０１）内の引き込みガス情報及び引き出しガス情報は、メイン制御装置（３００）へ提供される（Ｓ２５）。
【００４３】
一方、発明の一実施例である半導体ウェハ製造システムにおいてＳＴＢに不活性ガスを供給する方法でＳＴＢを追加する方法について、図５を参照して説明する。
【００４４】
図５は、本発明の一実施例である半導体ウェハ製造システムにおいてＳＴＢに不活性ガスを供給する方法でＳＴＢを追加する方法を説明するためのフローチャートである。
図５に示されたように、ＳＴＢ（１００）を追加する場合、半導体ウェハ装置にＳＴＢポートを設置する（Ｓ４１）。
ＳＴＢポートに設置されたＳＴＢ（１００）にフープ（１０１）が安着すると（Ｓ４３）、表示部にポート追加画面が表示される（Ｓ４５）。
このポート追加画面を通じてポートが追加されると、ポート入力装置が活性化し、その次、前記使用者入力部を利用して、前記追加されたポートを前記半導体ウェハ製造システムのポートに配置すると、前記追加されたポートが活性化する（Ｓ４７、Ｓ４９、Ｓ５１）。
【００４５】
以下では、発明の一実施例である半導体ウェハ製造システムにおいてＳＴＢに不活性ガスを供給する方法でＳＴＢを除去または削除する方法について、図６を参照して説明する。
【００４６】
図６は、本発明の一実施例である半導体ウェハ製造システムにおいてＳＴＢに不活性ガスを供給する方法でＳＴＢを削除する方法を説明するためのフローチャートである。
図６に示されたように、まず、半導体ウェハ製造システムで既に設置されたＳＴＢ（１００）のうち一つを除去する場合、除去しようとするＳＴＢ（１００）のＳＴＢポートをディスエイブルさせる（Ｓ６１）。
それによって、ＳＴＢの入出力装置が非活性化し、表示部にはポート削除画面が表示される（Ｓ６３、Ｓ６５）。
このポート削除画面を通じて前記非活性化するポートを削除すると、ポート信号が遮断し、ポートの信号ケーブルを除去できるようになる（Ｓ６７、Ｓ６９、Ｓ７１）。
【００４７】
上述した構成を有する本発明の一実施例によると、半導体ウェハ製造システムにおいて、工程間移動時に利用されるＳＴＢに装着するフープ内に不活性ガスを適量供給することができるので、工程移動中、汚染源から半導体ウェハが接触されることを防止でき、歩留りを高めることができる。
【００４８】
さらに、半導体製造システムにおいて、ＳＴＢを追加、または着脱する時、全体システムをダウンさせず、ソフトウェア的にＳＴＢを追加、または削除することが可能になって半導体ウェハ生産性を高めることができる。
【００４９】
前記のように説明された半導体ウェハ製造システムにおいてＳＴＢに不活性ガスを供給する方法、及び、これを用いた半導体ウェハ製造システムは、前記説明された実施例の構成と方法に限らず、前記実施例は、多様な変形が成されるように各実施例の全部または一部を選択的に組み合せて構成することもできる。
【符号の説明】
【００５０】
１００：ＳＴＢ
２００：不活性ガス供給装置
３００：メイン制御装置
１０１：フープ（ＦＯＵＰ）
１１０：フープポート
１２０：引き込みガスセンサー
１３０：引き出しガスセンサー
１４０：ガス圧力センサー
１５０：通信モジュール
１６０：ＳＴＢ制御部
２１０：バルブ
２２０：ポンプ
２３０：表示部（タッチ・スクリーン）
２４０：入力部
２５０：通信部
２６０：データ貯蔵部
２７０：ＳＴＢ入力制御モジュール
２８０：不活性ガス供給制御部
【図１】
2015535394.tif 000003
【図２】
2015535394.tif 000004
【図３】
2015535394.tif 000005
【図４】
2015535394.tif 000006
【図５】
2015535394.tif 000007
【図６】
2015535394.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月6日(2014.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（補正）
半導体ウェハ製造システムにおいてＳＴＢに不活性ガスを供給する方法であって、
フープがＳＴＢにローディングすることを感知して第１の入力信号を発生させるステップと、
前記第１の入力信号に基づいて不活性ガスバルブを開放して前記フープに窒素ガスを供給するステップと、
別途のＳＴＢが前記半導体ウェハ製造システムに物理的に装着すると使用者入力部にポート追加画面が表示されるステップと、
前記ポート追加画面を用いてポートをソフトウェア的に追加した後にこのポートの入出力装置を活性化するステップと、
前記使用者入力部を用いて前記追加されたポートを半導体ウェハ製造システムのポートに配置すれば、前記追加されたポートが活性化して半導体ウェハ製造システムをダウンさせることなく前記別途のＳＴＢを装着使用するステップとを含む、半導体ウェハ製造システムにおいてＳＴＢに不活性ガスを供給する方法。
【請求項２】
前記不活性ガスは、窒素ガスを含む、請求項１に記載の半導体ウェハ製造システムにおいてＳＴＢに不活性ガスを供給する方法。
【請求項３】
前記フープ内部の不活性ガスの圧力及び流量を測定し、測定した不活性ガスの圧力及び流量情報を用い、前記不活性ガス供給を制御するステップを含む、請求項１に記載の半導体ウェハ製造システムにおいてＳＴＢに不活性ガスを供給する方法。
【請求項４】
前記フープに引き込まれる不活性ガスの量と引き出される不活性ガスの量を測定し、それによって前記不活性ガス供給を制御するステップを含む、請求項１に記載の半導体ウェハ製造システムにおいてＳＴＢに不活性ガスを供給する方法。
【請求項５】
前記フープが前記ＳＴＢにローディングされると前記フープのＩＤ情報を獲得して第２の入力信号を発生させるステップをさらに含み、
前記第１の入力信号に基づいて不活性ガスバルブを開放して前記フープに窒素ガスを供給するステップは、
前記第１の入力信号及び第２の入力信号に基づいて前記フープに窒素ガスを制御して供給するステップを含む、請求項１に記載の半導体ウェハ製造システムにおいてＳＴＢに不活性ガスを供給する方法。
【請求項６】
（削除）
【請求項７】
前記ＳＴＢが複数個あり、
前記ＳＴＢのうち一つにフープが存在しなければ、該当ポートをディスエイブルし、その入出力装置を非活性化するステップと、
ポート削除画面を通じて前記非活性化されたポートを削除すると前記ポートの入出力信号が遮断してポートの信号ケーブルを除去できるステップとを含む、請求項１に記載の半導体ウェハ製造システムにおいてＳＴＢに不活性ガスを供給する方法。
【請求項８】
（補正）
フープがフープポートに装着するＳＴＢと、前記フープが前記ＳＴＢに装着すると発生する第１の入力信号を受信すると前記第１の入力信号に基づいて前記ＳＴＢに不活性ガスを供給する不活性ガス供給装置とを含み、
前記ＳＴＢは、前記フープに引き込まれる不活性ガスの量を測定するガス引き込みセンサーと前記フープから引き出される不活性ガスの量を測定するガス引き出しセンサーとを含み、
前記不活性ガス供給装置は、前記ガス引き込みセンサー及びガス引き出しセンサーより獲得する情報に基づいて前記不活性ガス供給を制御する、半導体ウェハ製造システム。
【請求項９】
前記不活性ガスは、窒素ガスを含む、請求項８に記載の半導体ウェハ製造システム。
【請求項１０】
前記ＳＴＢは、そのフープ内部の不活性ガスの圧力を測定するガス圧力センサーを含み、
前記不活性ガス供給装置は、前記第１の入力信号により開放される不活性ガスバルブと、前記不活性ガスに対して圧力を与えるポンプと、前記ガス圧力センサーで生成された不活性ガスの圧力情報を用いて前記不活性ガス供給を制御するように前記ポンプを制御する制御部とを含む、請求項８に記載の半導体ウェハ製造システム。
【請求項１１】
（削除）
【請求項１２】
前記ＳＴＢは、前記フープがローディングされると前記フープのＩＤ情報を獲得して第２の入力信号を発生させ、
前記不活性ガス供給装置は、前記第１の入力信号及び第２の入力信号に基づいて前記フープに窒素ガスを制御して供給する、請求項８に記載の半導体ウェハ製造システム。
【国際調査報告】
2015535394.tif 000009
2015535394.tif 000010
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