(57)【要約】繊維状固体炭素フォレストを生成する方法は、金属の表面で繊維状固体炭素フォレストの成長をもたらすために、所定の結晶粒径を有する触媒の存在下で炭素酸化物をガス状還元剤と反応させることを含む。繊維状固体炭素フォレストは、金属の表面に略垂直であり、したがって、「フォレスト」を作成している。繊維状固体炭素の主分布がフォレストを構成しかつ、繊維状固体炭素の副分布が主分布と絡みあっている、二峰性のフォレスト組成物が記載される。反応器は、触媒と、触媒の表面に固体炭素フォレストを形成するために炭素酸化物の還元を容易にするための手段と、金属触媒の表面から固体炭素フォレストを取り出すための手段とを含む。2015518461.tif 000013
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
繊維状固体炭素クラスタを生成する方法であって、
所定の結晶粒径を有する金属の表面で繊維状固体炭素クラスタの成長をもたらすために、前記金属の存在下で、炭素酸化物をガス状還元剤と反応させることと、
前記金属の表面から前記繊維状固体炭素クラスタを分離することと
を含み、
前記炭素酸化物および前記ガス状還元剤は、所定の時間にわたって、所定の温度で、かつ所定の圧力で、前記金属の存在下にある、前記方法。
【請求項２】
前記炭素酸化物を前記ガス状還元剤と反応させる前に、酸化物を実質的に含まない表面を提供するために前記金属を還元することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記炭素酸化物を前記ガス状還元剤と反応させる前に前記金属を還元することは、前記金属を約４５０℃〜約１，０００℃の温度で還元することを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
炭素酸化物をガス状還元剤と反応させることは、二酸化炭素をガス状還元剤と反応させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
金属の存在下で炭素酸化物をガス状還元剤と反応させることは、固定金属触媒構造体上で炭素酸化物を反応させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
イオン衝撃を行うこと、エッチングすること、酸化させること、還元すること、焼なましすること、焼入れすること、再結晶化させることのうちの少なくとも１つによって前記金属の表面を処理することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
反応ゾーンを通して前記金属を輸送することであって、前記炭素酸化物および前記ガス状還元剤の少なくとも一部分が前記反応ゾーン内に配置されることと、
前記金属の前記表面から前記繊維状固体炭素クラスタを取り出すための手段を通して前記金属を輸送することと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記金属の前記表面から前記繊維状固体炭素クラスタを分離することは、前記金属の表面を機械的に改質することおよび化学的に改質することのうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記金属の表面を機械的に改質することは、掻き取ること、振動させること、振盪すること、または高速の空気を前記繊維状固体炭素クラスタと前記金属の前記表面の間の界面に向けることのうちの少なくとも１つを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記金属の表面を化学的に改質することは、前記繊維状固体炭素クラスタを、水、アルコール、または酸のうちの少なくとも１つを含む溶媒と接触させることをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記金属を、冷間圧延すること、熱間圧延すること、焼戻すこと、焼入れすること、焼なましすること、または析出硬化することのうちの少なくとも１つによって形成することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記繊維状固体炭素クラスタを官能化するために、少なくとも１つの官能基を前記繊維状固体炭素クラスタと反応させることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
固体炭素フォレストを生成するための反応器であって、
金属触媒と、
前記金属触媒の表面に固体炭素フォレストを形成するために、前記炭素酸化物の還元を容易にするための手段と、
前記金属触媒の前記表面から前記固体炭素フォレストを取り出すための手段と
を備える、前記反応器。
【請求項１４】
前記炭素酸化物の還元を容易にするための前記手段は、前記金属触媒を、前記金属触媒の前記表面から前記固体炭素フォレストを取り出すための前記手段へと反応ゾーンを通じて連続的に輸送するように構成されたコンベアを備える、請求項１３に記載の反応器。
【請求項１５】
前記コンベアの第１の部分は、前記炭素酸化物の還元を容易にするための前記手段内に配置され、前記コンベアの第２の部分は、前記金属触媒の前記表面から前記固体炭素フォレストを取り出すための前記手段内に配置される、請求項１４に記載の反応器。
【請求項１６】
前記炭素酸化物の還元を容易にするための前記手段は、独立して動作するように構成された複数の反応器区画を備える、請求項１３に記載の反応器。
【請求項１７】
前記金属触媒の前記表面から前記固体炭素フォレストを取り出すための前記手段は、前記金属触媒を撹拌すること、前記金属触媒を振盪すること、前記金属触媒を振動させること、前記金属触媒表面を掻き取ること、前記金属触媒表面を切削すること、および前記金属触媒を溶媒と接触させることのうちの少なくとも１つのための手段を備える、請求項１３に記載の反応器。
【請求項１８】
前記金属触媒は、前記反応器を通る蛇行経路を画定するように構成されている、請求項１３に記載の反応器。
【請求項１９】
固体炭素フォレストを生成する方法であって、
反応チャンバ中に触媒表面を配置することと、
前記触媒表面を、還元雰囲気中で、所定の調整時間にわたって所定の反応温度および所定の反応圧力まで加熱することと、
反応ガス混合物を形成するために、炭素酸化物を含むガス状反応物質を前記反応チャンバの前記還元雰囲気中へ導入することと、
前記触媒表面に前記固体炭素フォレストを生成するために、所定の露出時間にわたって前記触媒表面を前記反応ガス混合物に露出させることと、
前記所定の露出時間の間、前記反応ガス混合物中の前記反応ガスの濃度を維持することと、
前記所定の露出時間の間、前記反応ガス混合物中の水蒸気の濃度を所定のレベルに制御することと、
前記反応チャンバから前記固体炭素フォレストを取り出すことと
を含む、前記方法。
【請求項２０】
前記触媒表面を還元雰囲気中で加熱することは、前記触媒表面の任意の酸化物を十分に還元するのに十分な時間にわたって前記触媒表面を還元することを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記反応チャンバから前記固体炭素フォレストを取り出すことは、
前記固体炭素フォレストを官能化するために、第１のガス混合物を前記反応チャンバ中へ導入することと、
前記反応チャンバから前記第１のガス混合物を取り出すことと、
前記反応チャンバを冷却するために、第２のガス混合物を前記反応チャンバ中へ導入することと
を含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
予め選択されたモルフォロジのカーボンナノチューブを生成する方法であって、
所望の化学組成の表面構造を得るように金属触媒を調整することと、
前記金属触媒を反応器中へ導入することと、
前記反応器の酸素をパージすることと、
還元ガスを前記反応器中へ流すことと、
前記金属触媒の表面の金属酸化物を還元しかつ前記所望の化学組成を有する実質的に酸素を含まない表面を提供するために、前記還元ガスの存在下で、前記金属触媒を加熱することと、
前記金属触媒および前記還元ガスの存在下で、ガス状炭素酸化物を反応させることと、
前記選択されたカーボンナノチューブモルフォロジを生成するように、反応器温度、反応器圧力、反応ガス組成、ならびに前記ガス状炭素酸化物および前記還元ガスに対する前記金属触媒の露出時間のうちの少なくとも１つを制御することと
を含む、前記方法。
【請求項２３】
金属触媒を調整することは、予め選択された化学および表面構造を有する鋼触媒を前記反応器中へ導入することを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記金属触媒を反応器中へ導入することは、異なる化学組成の少なくとも２つの触媒表面構造を前記反応器中へ導入することを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
前記金属触媒を反応器中へ導入することは、少なくとも１つの固体触媒表面を前記反応器に載置することを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２６】
前記反応器の酸素をパージすることは、前記反応器から実質的に全ての空気を置換することを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２７】
還元ガスを前記反応器中へ流すことは、水素およびメタンのうちの少なくとも１つを前記反応器中へ流すことを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２８】
前記還元ガスの存在下で前記金属触媒を加熱することは、前記還元ガスの流速および前記還元ガスの温度のうちの少なくとも１つを制御することによって、前記金属触媒の温度を制御することを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２９】
前記還元ガスの存在下で前記金属触媒を加熱することは、前記還元ガスの流速および前記還元ガスに対する前記金属触媒の露出時間を制御することを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項３０】
前記金属触媒の存在下でガス状炭素酸化物を反応させることは、前記金属触媒の存在下で二酸化炭素を反応させることを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項３１】
前記還元ガスの存在下で前記金属触媒を加熱する前に、所定の時間にわたって前記金属触媒の前記表面を酸化させることをさらに含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項３２】
前記ガス状炭素酸化物および前記還元ガスに対する前記金属触媒の露出時間を制御することは、前記ガス状炭素酸化物の流速を制御すること、および前記還元ガスの流速を制御することのうちの少なくとも１つを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項３３】
カーボンナノチューブを生成する方法であって、
金属触媒を含む反応器中に還元ガスを提供することと、
実質的に金属酸化物である表面を形成するために、前記還元ガスの存在下で前記金属触媒を加熱することと、
カーボンナノチューブを形成するために、前記金属触媒の存在下で炭素酸化物を反応させることと、
前記表面から前記カーボンナノチューブを取り出すことと
を含む、前記方法。
【請求項３４】
前記金属触媒をコンベア上に配置することをさらに含む、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
前記金属触媒の存在下で炭素酸化物を反応させることは、前記金属触媒の存在下で二酸化炭素を前記還元ガスと反応させることを含む、請求項３３に記載の方法。
【請求項３６】
少なくとも約５０：１のアスペクト比を有する略円筒状の繊維を含む、複数の主固体炭素繊維であって、実質的に同じ長さであり、前記主固体炭素繊維が形成されている触媒表面に垂直に配向され、かつ互いに略平行である、複数の主固体炭素繊維と、
前記主固体炭素繊維の平均直径よりも小さな平均直径を有する略円筒状の繊維を含む、複数の副固体炭素繊維であって、前記主固体炭素繊維を介して絡み合い、かつランダム配向を有する、複数の副固体炭素繊維と
を含む、組成物。
【請求項３７】
前記複数の主固体炭素繊維は、多層カーボンナノチューブを含む、請求項３６に記載の組成物。
【請求項３８】
前記複数の主固体炭素繊維は、黒鉛炭素繊維を含む、請求項３６に記載の組成物。
【請求項３９】
前記複数の副固体炭素繊維は、単層カーボンナノチューブを含む、請求項３６に記載の組成物。
【請求項４０】
前記複数の主固体炭素繊維は、二重層カーボンナノチューブを含む、請求項３６に記載の組成物。
【請求項４１】
前記複数の主固体炭素繊維は、三重層カーボンナノチューブを含む、請求項３６に記載の組成物。
【請求項４２】
前記複数の主固体炭素繊維は、多層カーボンナノチューブを含む、請求項３６に記載の組成物。
【請求項４３】
請求項３６に記載の組成物を生成する方法であって、
触媒を反応器中に配置することと、
少なくとも１種類のガス状炭素酸化物と、少なくとも１種類の還元剤と、水とを含む所定の組成を有する反応ガスストリームを前記触媒と接触させるために、前記反応器を通して前記反応ガスストリームを流すことと、
選択された組成物を形成するために、所定の時間にわたって所定の反応温度および所定の反応圧力を維持することと、
前記反応器から前記触媒および前記組成物を取り出すことと
を含む、前記方法。
【請求項４４】
固体炭素フォレストを生成する方法であって、
反応チャンバ中に触媒表面を配置することと、
前記触媒表面を、少なくとも１種類の還元剤を含む還元雰囲気中で、所定の調整時間にわたって所定の反応温度および所定の反応圧力まで加熱することと、
反応ガス混合物を形成するために、ガス状炭素酸化物反応物質を前記反応チャンバの前記還元雰囲気中へ導入することと、
前記触媒表面に固体炭素フォレストを生成するために、所定の反応時間にわたって前記触媒表面を前記反応ガス混合物に露出させることと、
前記所定の反応時間の間、前記反応ガス混合物中の前記反応ガスの濃度を維持することと、
前記所定の反応時間の間、前記反応ガス混合物中の所定の水蒸気濃度を維持することと、
前記反応チャンバから前記固体炭素フォレストを取り出すことと
を含む、前記方法。
【請求項４５】
カーボンナノチューブを生成する方法であって、
選択された化学組成の表面構造を形成するように触媒を調整することと、
前記触媒を反応器中に配置することと、
前記反応器の酸素をパージすることと、
還元剤を前記反応器に導入することと、
前記触媒の表面の金属酸化物を還元しかつ前記選択された化学組成を有する実質的に酸素を含まない表面を提供するために、前記還元剤の存在下で、前記触媒を加熱することと、
前記触媒および前記還元剤の存在下で、ガス状炭素酸化物を反応させることと、
水、および選択されたモルフォロジのカーボンナノチューブを生成するように、反応器温度、反応器圧力、反応ガス組成、ならびに前記ガス状炭素酸化物および前記還元剤に対する前記触媒の露出時間のうちの少なくとも１つを制御することと
を含む、方法。
【請求項４６】
請求項３６に記載の組成物を生成するための反応器であって、
触媒と、
前記触媒の表面に繊維状固体炭素フォレストを形成するために、還元剤による前記ガス状炭素酸化物の還元を容易にするための手段と、
前記触媒の前記表面から前記繊維状固体炭素フォレストを取り出すための手段と
を備える、前記反応器。
【請求項４７】
前記触媒は鋼を含む、請求項４３〜４６のいずれか一項に記載の方法または反応器。
【請求項４８】
前記触媒は、鉄、および、周期表の５族〜１０族から成る群から選択される少なくとも１つの他の元素を含む、請求項４３〜４６のいずれか一項に記載の方法または反応器。
【請求項４９】
前記触媒は、鉄、鋳鉄、または白鋳鉄を含む、請求項４３〜４６のいずれか一項に記載の方法または反応器。
【請求項５０】
前記触媒は、冷間圧延すること、熱間圧延すること、焼戻すこと、焼入れすること、焼なましすること、または析出硬化することのうちの少なくとも１つによって形成される物質を含む、請求項４３〜４６のいずれか一項に記載の方法または反応器。
【請求項５１】
前記触媒は、実質的に酸化物を含まない表面を提供するために還元される物質を含む、請求項４３〜４６のいずれか一項に記載の方法または反応器。
【請求項５２】
前記触媒は、約４００℃〜約１，０００℃の温度で還元される物質を含む、請求項５１に記載の方法または反応器。
【請求項５３】
前記触媒は、水素を含む還元ガス混合物中で還元される物質を含む、請求項５１に記載の方法または反応器。
【請求項５４】
前記反応器を通して前記触媒を連続的に輸送するために、ベルト炉が構成されている、請求項４３〜４６のいずれか一項に記載の方法または反応器。
【請求項５５】
前記ベルト炉のベルトは、前記触媒を含む連続するシートまたは箔である、請求項５４に記載の方法または反応器。
【請求項５６】
前記ベルト炉の前記ベルトは、前記反応器を通して連続的に送給されるように構成され、前記組成物は、前記ベルト上に置かれるように構成され、かつ前記ベルトは、前記組成物のさらなる処理のために前記炉から連続的に引き出されるように構成されている、請求項５５に記載の方法または反応器。
【請求項５７】
前記触媒は、少なくとも１つの平面を有する形態を含む、請求項４３〜４６のいずれか一項に記載の方法または反応器。
【請求項５８】
前記触媒は、シート、板、およびウエハから成る群から選択される少なくとも１つの形態を含む、請求項５７に記載の方法または反応器。
【請求項５９】
前記ガス状炭素酸化物は、主に二酸化炭素を含む、請求項４３〜４６のいずれか一項に記載の方法または反応器。
【請求項６０】
前記ガス状炭素酸化物は、主に一酸化炭素を含む、請求項４３〜４６のいずれか一項に記載の方法または反応器。
【請求項６１】
前記ガス状炭素酸化物は、一酸化炭素、二酸化炭素、またはそれらの混合物を含む、請求項４３〜４６のいずれか一項に記載の方法または反応器。
【請求項６２】
前記還元剤は、水素ガスを含む、請求項４３〜４６のいずれか一項に記載の方法または反応器。
【請求項６３】
前記還元剤は、炭化水素ガスを含む、請求項４３〜４６のいずれか一項に記載の方法または反応器。
【請求項６４】
前記還元剤は、水素ガスおよび炭化水素ガスのうちの少なくとも１つを含む、請求項４３〜４６のいずれか一項に記載の方法または反応器。
【請求項６５】
前記炭化水素は、天然ガスを含む、請求項６４に記載の方法または反応器。
【請求項６６】
前記ガス状炭素酸化物および前記還元剤は、合成ガスを含む、請求項４３〜４６のいずれか一項に記載の方法または反応器。
【請求項６７】
前記触媒の存在下で、固体炭素同素体の選択された混合物およびモルフォロジを形成するように、ガス状炭素酸化物対ガス状還元剤および水の所定の比率を選択することをさらに含む、請求項４３〜４５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６８】
前記還元剤は、任意の利用可能な炭素酸化物の還元に必要とされる化学量論的比率を大幅に超える量で提供される、請求項４３〜４６のいずれか一項に記載の方法または反応器。
【請求項６９】
前記還元剤は、任意の利用可能な炭素酸化物の還元に必要とされる化学量論的比率にほぼ等しく存在する、請求項４３〜４６のいずれか一項に記載の方法または反応器。
【請求項７０】
前記還元剤は、前記反応器中の全圧の約４０％の分圧の水素を含み、
前記炭素酸化物は、前記反応器中の全圧の約４０％の分圧の一酸化炭素を含み、かつ
前記反応器中の全圧の残りの部分は、二酸化炭素、メタン、水、および不活性ガスのうちの少なくとも１つを含む、請求項４３〜４６のいずれか一項に記載の方法または反応器。
【請求項７１】
前記反応ガス混合物中の水蒸気は、触媒の酸化を制限するように制御される、請求項４３〜４６のいずれか一項に記載の方法または反応器。
【請求項７２】
前記反応ガス混合物中の水蒸気は、露点約１０℃未満で、標準温度と標準気圧で存在する、請求項４３〜４６のいずれか一項に記載の方法または反応器。
【請求項７３】
前記所定の反応圧力は、約０Ｐａ〜約１ＧＰａの範囲内である、請求項４３または請求項４４に記載の方法または反応器。
【請求項７４】
前記所定の反応温度は、約５００℃〜６５０℃の範囲内である、請求項４３または請求項４４に記載の方法または反応器。
【請求項７５】
前記所定の反応温度は、約５５０℃〜６２０℃の範囲内である、請求項４３または請求項４４に記載の方法または反応器。
【請求項７６】
二酸化炭素をガス状還元剤と反応させることをさらに含む、請求項４３〜４５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７７】
反応ゾーンを通して前記触媒を輸送することであって、前記炭素酸化物および前記ガス状還元剤の少なくとも一部分が前記反応ゾーン内に配置されることと、
前記触媒の前記表面から炭素を取り出すための手段を通して前記触媒を輸送することと
をさらに含む、請求項４３〜４５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７８】
前記触媒の表面から前記炭素を機械的に取り出すことおよび化学的に取り出すことのうちの少なくとも１つによって、前記触媒の前記表面から前記炭素を分離することをさらに含む、請求項７７に記載の方法。
【請求項７９】
掻き取ること、および、高速のガスまたは液体を前記炭素と前記触媒の前記表面の間の界面に向けることのうちの少なくとも１つによって、前記触媒の前記表面から前記炭素を分離することをさらに含む、請求項７７に記載の方法。
【請求項８０】
前記炭素を、水、アルコール、または酸のうちの少なくとも１つを含む溶媒と接触させることによって前記触媒の表面を化学的に改質することをさらに含む、請求項４３〜４５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８１】
還元剤による前記ガス状炭素酸化物の還元を容易にするための前記手段は、前記触媒を、前記触媒の前記表面から前記繊維状固体炭素フォレストを取り出すための前記手段へと反応ゾーンを通して連続的に輸送するように構成されたコンベアを備える、請求項４６に記載の反応器。
【請求項８２】
前記コンベアの第１の部分は、還元剤による前記ガス状炭素酸化物の還元を容易にするための前記手段内に配置され、かつ前記コンベアの第２の部分は、前記触媒の前記表面から前記繊維状固体炭素フォレストを取り出すための前記手段内に配置される、請求項８１に記載の反応器。
【請求項８３】
還元剤による前記ガス状炭素酸化物の還元を容易にするための前記手段は、独立して動作するように構成された複数の反応器区画を備える、請求項４６に記載の反応器。
【請求項８４】
前記触媒の前記表面から前記繊維状固体炭素フォレストを取り出すための前記手段は、前記触媒を撹拌すること、前記触媒を振盪すること、前記触媒を振動させること、前記触媒表面を掻き取ること、前記触媒表面を切削すること、および前記触媒を溶媒と接触させることのうちの少なくとも１つのための手段を備える、請求項４６に記載の反応器。
【請求項８５】
前記触媒は、前記反応器を通る蛇行経路を画定する、請求項４６に記載の反応器。
【請求項８６】
前記触媒表面を前記還元雰囲気中で加熱することは、前記触媒表面の酸化物を還元することを含む、請求項４４に記載の方法。
【請求項８７】
前記反応チャンバから前記固体炭素フォレストを取り出すことは、
前記固体炭素フォレストを官能化するために、第１のガス混合物を前記反応チャンバ中へ導入することと、
前記反応チャンバから前記第１のガス混合物を取り出すことと、
前記反応チャンバを冷却するために、第２のガス混合物を前記反応チャンバ中へ導入することと
を含む、請求項４４に記載の方法。
【請求項８８】
触媒を調整することは、予め選択された化学および表面構造を有する鋼触媒を前記反応器中へ導入することを含む、請求項４５に記載の方法。
【請求項８９】
前記触媒を反応器中に配置することは、異なる化学組成の少なくとも２つの触媒表面構造体を前記反応器中へ配置することを含む、請求項４５に記載の方法。
【請求項９０】
前記触媒を反応器中に配置することは、少なくとも１つの固体触媒表面を前記反応器の表面に載置することを含む、請求項４５に記載の方法。
【請求項９１】
前記反応器の酸素をパージすることは、前記反応器から実質的に全ての空気を置換することを含む、請求項４５に記載の方法。
【請求項９２】
前記還元剤の存在下で前記触媒を加熱することは、前記還元剤の流速および前記還元剤の温度のうちの少なくとも１つを制御することによって前記触媒の温度を制御することを含む、請求項４５に記載の方法。
【請求項９３】
前記還元剤の存在下で前記触媒を加熱することは、前記還元剤の流速および前記還元剤に対する前記触媒の露出時間を制御することを含む、請求項４５に記載の方法。
【請求項９４】
前記還元剤の存在下で前記触媒を加熱する前に、所定の時間にわたって前記触媒の前記表面を酸化させることをさらに含む、請求項４５に記載の方法。
【請求項９５】
前記ガス状炭素酸化物および前記還元ガスに対する前記触媒の露出時間を制御することは、前記ガス状炭素酸化物の流速を制御すること、および前記還元剤の流速を制御することのうちの少なくとも１つを含む、請求項４５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
優先権の主張
本出願は、２０１２年４月１６日に出願された、米国仮特許出願第６１／６２４，７５３号、名称「Ｍｅｔｈｏｄｓ  ａｎｄ  Ｒｅａｃｔｏｒｓ  ｆｏｒ  Ｐｒｏｄｕｃｉｎｇ  Ｓｏｌｉｄ  Ｃａｒｂｏｎ  Ｃｌｕｓｔｅｒｓ  ａｎｄ  Ｆｏｒｅｓｔｓ」の利益を主張するものであり、その開示は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
【０００２】
技術分野
本開示の実施形態は、炭素含有原料の固体炭素への大規模な触媒変換に関し、より具体的には、一酸化炭素、二酸化炭素、またはそれらの任意の組み合わせの混合物を変換して、カーボンナノチューブ構造を作成する方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
背景
２０１２年２月９日に公開された米国特許出願公開第２０１２／００３４１５０Ａ１号は、本明細書の背景情報を開示し、その開示は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
【０００４】
追加的な情報は、以下の文書で開示され、それぞれの開示は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
１．Ｄａｌｌａｓ  Ｂ．Ｎｏｙｅｓの名義で２０１２年４月１６日に出願された米国特許出願第６１／６２４，７０２号の利益を主張する、「Ｍｅｔｈｏｄｓ  ａｎｄ  Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ  ｆｏｒ  Ｒｅｄｕｃｉｎｇ  Ｃａｒｂｏｎ  Ｏｘｉｄｅｓ  ｗｉｔｈ  Ｎｏｎ−Ｆｅｒｒｏｕｓ  Ｃａｔａｌｙｓｔｓ」について本願と同日に出願された、国際特許出願第＿＿＿号（代理人整理番号３５２５−Ｐ１０９４５．１ＰＣ）、
２．Ｄａｌｌａｓ  Ｂ．Ｎｏｙｅｓの名義で２０１２年４月１６日に出願された米国特許出願第６１／６２４，５７３号の利益を主張する、「Ｍｅｔｈｏｄｓ  ａｎｄ  Ｓｙｓｔｅｍｓ  ｆｏｒ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｅｎｅｒｇｙ  Ｒｅｃｏｖｅｒｙ  ｆｒｏｍ  Ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｏｌｉｄ  Ｃａｒｂｏｎ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ｂｙ  Ｒｅｄｕｃｉｎｇ  Ｃａｒｂｏｎ  Ｏｘｉｄｅｓ」について本願と同日に出願された、国際特許出願第＿＿＿号（代理人整理番号３５２５−Ｐ１０９４６．１ＰＣ）、
３．Ｄａｌｌａｓ  Ｂ．Ｎｏｙｅｓの名義で２０１２年４月１６日に出願された米国特許出願第６１／６２４，７２３号の利益を主張する、「Ｍｅｔｈｏｄｓ  ｆｏｒ  Ｐｒｏｄｕｃｉｎｇ  Ｓｏｌｉｄ  Ｃａｒｂｏｎ  ｂｙ  Ｒｅｄｕｃｉｎｇ  Ｃａｒｂｏｎ  Ｄｉｏｘｉｄｅ」について本願と同日に出願された、国際特許出願第＿＿＿号（代理人整理番号３５２５−Ｐ１０９４７．１ＰＣ）、
４．Ｄａｌｌａｓ  Ｂ．Ｎｏｙｅｓの名義で２０１２年４月１６日に出願された米国特許出願第６１／６２４，５１３号の利益を主張する、「Ｍｅｔｈｏｄｓ  ｆｏｒ  Ｔｒｅａｔｉｎｇ  ａｎ  Ｏｆｆｇａｓ  Ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ  Ｃａｒｂｏｎ  Ｏｘｉｄｅｓ」について本願と同日に出願された、国際特許出願第＿＿＿号（代理人整理番号３５２５−Ｐ１１００２．１ＰＣ）、
５．Ｄａｌｌａｓ  Ｂ．Ｎｏｙｅｓの名義で２０１２年４月１６日に出願された米国特許出願第６１／６２４，８４８号の利益を主張する、「Ｍｅｔｈｏｄｓ  ｆｏｒ  Ｕｓｉｎｇ  Ｍｅｔａｌ  Ｃａｔａｌｙｓｔｓ  ｉｎ  Ｃａｒｂｏｎ  Ｏｘｉｄｅ  Ｃａｔａｌｙｔｉｃ  Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒｓ」について本願と同日に出願された、国際特許出願第＿＿＿号（代理人整理番号３５２５−Ｐ１１２４８．１ＰＣ）、
６．Ｄａｌｌａｓ  Ｂ．Ｎｏｙｅｓの名義で２０１２年４月１６日に出願された米国特許出願第６１／６２４，４６２号の利益を主張する、「Ｍｅｔｈｏｄｓ  ａｎｄ  Ｓｙｓｔｅｍｓ  ｆｏｒ  Ｃａｐｔｕｒｉｎｇ  ａｎｄ  Ｓｅｑｕｅｓｔｅｒｉｎｇ  Ｃａｒｂｏｎ  ａｎｄ  ｆｏｒ  Ｒｅｄｕｃｉｎｇ  ｔｈｅ  Ｍａｓｓ  ｏｆ  Ｃａｒｂｏｎ  Ｏｘｉｄｅｓ  ｉｎ  ａ  Ｗａｓｔｅ  Ｇａｓ  Ｓｔｒｅａｍ」について本願と同日に出願された、国際特許出願第＿＿＿号（代理人整理番号３５２５−Ｐ１１２４９．１ＰＣ）、
７．Ｄａｌｌａｓ  Ｂ．Ｎｏｙｅｓの名義で２０１２年７月１３日に出願された米国特許出願第６１／６７１，４６４号の利益を主張する、「Ｍｅｔｈｏｄｓ  ａｎｄ  Ｓｙｓｔｅｍｓ  ｆｏｒ  Ｆｏｒｍｉｎｇ  Ａｍｍｏｎｉａ  ａｎｄ  Ｓｏｌｉｄ  Ｃａｒｂｏｎ  Ｐｒｏｄｕｃｔｓ」について本願と同日に出願された、国際特許出願第＿＿＿号（代理人整理番号３５２５−Ｐ１１３６１．１ＰＣ）、および
８．Ｄａｌｌａｓ  Ｂ．Ｎｏｙｅｓの名義で２０１２年４月２３日に出願された米国特許出願第６１／６３７，２２９号の利益を主張する、「Ｃａｒｂｏｎ  Ｎａｎｏｔｕｂｅｓ  Ｈａｖｉｎｇ  ａ  Ｂｉｍｏｄａｌ  Ｓｉｚｅ  Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ」について本願と同日に出願された、国際特許出願第＿＿＿号（代理人整理番号３５２５−Ｐ１１７７１ＰＣ）。
【０００５】
固体炭素は、数多くの商業的用途を有する。これら用途は、タイヤ、インク等のフィラー材料としてのカーボンブラックおよび炭素繊維の使用等の長期間にわたる使用、種々の形態のグラファイト（例えば、遮熱剤としての熱分解グラファイト）のための使用、およびバックミンスターフラーレンおよびカーボンナノチューブのための革新的かつ新たに出現した用途を含む。種々の形態の固体炭素を製造するための従来の方法は、一般的に、好適な触媒の存在下での炭化水素の熱分解を含む。炭化水素は、歴史的に多量の入手可能性があり、比較的低価格であるため、一般的に、炭素源として使用される。固体炭素の生成における、炭素源としての炭素酸化物の使用は、殆ど未開発のままであった。
【０００６】
炭素酸化物、特に二酸化炭素は、炭化水素燃焼の排気ガス等の点状の排出源から、またはいくつかのプロセスオフガスから抽出され得る、多量のガスである。二酸化炭素はまた、空気からも抽出され得る。点状の排出源は、空気よりも著しく高い二酸化炭素濃度を有するので、該排出源は、しばしば、二酸化炭素を採取するための経済的な源である。しかしながら、空気の即時的な入手可能性は、空気中の二酸化炭素から固体炭素生成物の局所的製造を通しての輸送コストを排除することによって、コストの相殺を提供し得る。
【０００７】
二酸化炭素は、発電および化学プロセスの副産物として益々入手可能かつ安価になっており、二酸化炭素の捕捉およびその後の隔離によって（例えば、地質形成物中へ注入することによって）、二酸化炭素の大気中への排出を削減する、または排除することが、１つの課題である。例えば、二酸化炭素の捕捉および隔離は、いくつかの「グリーン」石炭燃焼発電所の基礎である。現在の実務において、二酸化炭素の捕捉および隔離は、多大なコストを必要とする。
【０００８】
種々の平衡が識別されている、炭素、酸素、および水素の関与する多種多様な反応がある。炭化水素の熱分解は、一般的に酸素が殆どまたは全く存在しない状態で、固体炭素の生成に好都合である水素と炭素との間の平衡を伴う。「一酸化炭素の不均化反応」とも称されるＢｏｕｄｏｕａｒｄ反応は、一般的に水素が殆どまたは全く存在しない状態で、固体炭素の生成に好都合である炭素と酸素との間の平衡の範囲である。ボッシュ反応は、同じく固体炭素の生成に好都合である反応条件下で、炭素、酸素、および水素の全てが存在する平衡の範囲内である。
【０００９】
炭化水素の熱分解と、Ｂｏｕｄｏｕａｒｄ反応と、ボッシュ反応との関係は、図１で示されるように、Ｃ−Ｈ−Ｏ平衡状態図に関して理解され得る。図１のＣ−Ｈ−Ｏ平衡状態図は、カーボンナノチューブ（「ＣＮＴ」）を含む、固体炭素までの種々の既知のルートを示す。炭化水素の熱分解反応は、ＨとＣを結ぶ平衡線上、および三角形の左端の近くの破線の左上側の領域で起こる。熱分解ゾーンとボッシュ反応ゾーンとの間の遷移は、反応器温度によって変化すると思われるので、２つの破線が示されている。Ｂｏｕｄｏｕａｒｄ反応または一酸化炭素の不均化反応は、ＯとＣを結ぶ平衡線（すなわち、三角形の右端）の近くで起こる。本図を横切る種々の温度に関する平衡線は、固体炭素が形成されるおよその領域を示す。各温度について、固体炭素は通常、関連する平衡線の上側の領域で形成されるが、通常、平衡線の下側の領域では形成されない。Ｂｏｕｄｏｕａｒｄ反応ゾーンは、三角形の右側に現れる。このゾーンでは、熱力学的にボッシュ反応よりもＢｏｕｄｏｕａｒｄ反応が好ましい。熱分解ゾーンとＢｏｕｄｏｕａｒｄ反応ゾーンとの間の領域、および特定の反応温度曲線の上側では、熱力学的にＢｏｕｄｏｕａｒｄ反応よりもボッシュ反応が好ましい。
【００１０】
ＣＮＴは、強度、電流容量、ならびに熱および電気伝導性を含む、その固有の材料特性のため、有益である。現在のＣＮＴのバルク用途としては、複合材の製造における樹脂への添加物としての用途が挙げられる。ＣＮＴの用途に関する研究および開発は、多種多様な使用用途で非常に活発であるか、または検討中である。ＣＮＴの広範囲にわたる使用に対する１つの障害は、製造コストであった。
【００１１】
米国特許第７，７９４，６９０号（Ａｂａｔｚｏｇｌｏｕ他）は、有機材料からの炭素の隔離のための、乾燥改質プロセスを教示する。Ａｂａｔｚｏｇｌｏｕは、任意で３Ｄ乾燥改質触媒を伴う、２Ｄ炭素隔離触媒を利用する方法を開示している。例えば、Ａｂａｔｚｏｇｌｏｕは、第１段階において３Ｄ触媒上で有機材料（例えば、メタン、エタノール）およびＣＯ２を乾燥改質して合成ガスを形成し、続いて、ＣＮＴおよびカーボンナノフィラメントを形成するために２Ｄ炭素鋼触媒上で合成ガスを炭素隔離するための、２段階プロセスを開示している。２Ｄ触媒は、非多孔性金属担体もしくはセラミック担体上の活性金属（例えば、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｃｕ−Ｎｉ、Ｓｎ−Ｎｉ）、またはモノリス担体上の鉄系触媒（例えば、鋼）であり得る。３Ｄ触媒は、類似の組成であり得るか、または類似の担体上の複合触媒（例えば、Ｎｉ／ＺｒＯ２−Ａｌ２Ｏ３）であり得る。Ａｂａｔｚｏｇｌｏｕは、鉄をそのアルファ相へと変態させるために、その共晶点を超える温度で触媒の表面に不活性ガスストリームを通過させることによる、２Ｄ触媒の事前活性化を教示している。Ａｂａｔｚｏｇｌｏｕは、２段階プロセスにおいて水を最小にすること、または乾燥改質の第１段階中に、反応ガス混合物中に低濃度（０〜１０重量％）の水を添加することを教示している。
【発明の概要】
【００１２】
開示
本開示は、全般的に、炭素酸化物を還元するための、有益な固体炭素生成物への触媒変換プロセスに関し、具体的には、触媒の存在下で還元剤（例えば、水素または炭化水素）を利用して固体炭素生成物（例えば、バックミンスターフラーレン）を生成するための、主炭素源としての炭素酸化物（例えば、一酸化炭素（ＣＯ）および／または二酸化炭素（ＣＯ２））の使用に関する。本方法は、種々のモルフォロジで固体炭素生成物を製造するために、および炭素酸化物を固体炭素および水に触媒変換するために使用され得る。形成され得るモルフォロジの１つは、単層カーボンナノチューブである。
【００１３】
いくつかの実施形態において、繊維状固体炭素クラスタを生成する方法は、所定の結晶粒径を有する金属の表面で繊維状固体炭素クラスタの成長をもたらすために、金属の存在下で、炭素酸化物をガス状還元剤と反応させることを含む。炭素酸化物およびガス状還元剤は、所定の時間にわたって、所定の温度で、かつ所定の圧力で、金属の存在下にある。繊維状固体炭素クラスタは、金属の表面から分離される。
【００１４】
固体炭素「フォレスト」を生成するための反応器は、金属触媒と、金属触媒の表面に固体炭素フォレストを形成するために炭素酸化物の還元を容易にするための手段と、金属触媒の表面から固体炭素フォレストを取り出すための手段とを含む。
【００１５】
固体炭素フォレストを生成するいくつかの方法は、反応チャンバ中に触媒表面を配置することと、触媒表面を、還元雰囲気中で、所定の調整時間にわたって所定の反応温度および所定の反応圧力まで加熱することと、反応ガス混合物を形成するために、炭素酸化物を含むガス状反応物質を反応チャンバの還元雰囲気中へ導入することとを含む。触媒表面は、触媒表面に固体炭素フォレストを生成するために、所定の露出時間にわたって反応ガス混合物に露出される。反応ガス混合物中の反応ガスの濃度は、露出時間の間、維持され、かつ反応ガス混合物中の水蒸気の濃度は、露出時間の間、所定のレベルに制御される。固体炭素フォレストは、反応チャンバから取り出される。
【００１６】
予め選択されたモルフォロジのカーボンナノチューブを生成する方法は、所望の化学組成の表面構造を得るように金属触媒を調整することを含む。金属触媒は、反応器に導入され、反応器は、酸素がパージされ、還元ガスは、反応器中へ流れ込み、そして、金属触媒は、還元ガスの存在下で加熱されて、金属触媒の表面の金属酸化物を還元し、かつ、所望の化学組成を有する実質的に無酸素の表面を提供する。ガス状炭素酸化物は、金属触媒および還元ガスの存在下で反応する。反応器温度、反応器圧力、反応ガス組成、ならびにガス状炭素酸化物および還元ガスに対する金属触媒の露出時間のうちの少なくとも１つは、選択されたカーボンナノチューブモルフォロジを生成するように制御される。
【００１７】
カーボンナノチューブを生成する別の方法は、金属触媒を含む反応器中に還元ガスを提供することと、実質的に金属酸化物である表面を形成するために、還元ガスの存在下で金属触媒を加熱することと、カーボンナノチューブを形成するために、金属触媒の存在下で炭素酸化物を反応させることとを含む。カーボンナノチューブは、表面から取り出される。
【００１８】
本明細書のある実施形態において、例えば生成される炭素生成物の構造または組成の他の態様に影響を及ぼすために、反応時の水の分圧は、水の再循環および凝縮を含む、種々の手段によって調節される。水の分圧は、ある所望の炭素同素体を得るのを支援すると思われる。
【００１９】
ある実施形態では、触媒を反応に使用する前に該触媒を活性化することを必要とすることなく、鋼系触媒を含む、広範囲の安価で容易に入手可能な触媒が説明される。鋼を含む鉄合金は、アルファ鉄（オーステナイト）、ガンマ鉄、およびデルタ鉄を含む、種々の鉄の同素体を含み得る。いくつかの実施形態において、本明細書で開示される反応は、好都合なことに、鉄系触媒を利用するが、鉄は、アルファ相にない。ある実施形態では、主にオーステナイト相にある鉄を含むステンレス鋼が、触媒として用いられる。
【００２０】
鉄系触媒（例えば、鋼、スチールウール）を含む触媒は、追加的な固体担体を必要とすることなく使用され得る。ある実施形態において、本明細書で開示される反応は、触媒のためのセラミック担体または金属担体を必要とすることなく進行する。固体担体を省略することは、反応器の装置を簡略化しかつコストを削減し得る。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
本開示の特徴および利点は、添付図面と関連してなされる以下の詳細な説明を参照することにより明らかになるであろう。
【００２２】
【図１】Ｃ−Ｈ−Ｏ平衡状態図である。
【図２】固体炭素生成物を生成するためのシステムの簡略ブロックフロー図である。
【図３】触媒物質のシートを有する反応器の簡略図である。
【図４】本明細書で開示される実施例のための実験装置の簡略図である。
【図５】実施例１で説明されるように生成された基材上の「ピロー」モルフォロジのＣＮＴ「フォレスト」成長の側面図である。
【図６】倍率７００倍で示される、図５のフォレストの上面図である。
【図７】倍率１８，０００倍で示される、図５のフォレストの上面図である。
【図８】図５〜図７で示されるＣＮＴの元素分析を示す図である。
【図９】倍率１０，０００倍の、実施例２で説明されるように生成されたＣＮＴの試料を示す図である。
【図１０】倍率１００，０００倍の、図９で表される試料を示す図である。
【図１１】実施例３で説明されるように形成されたＣＮＴフォレストをその上に有するステンレス鋼ウエハの写真である。
【図１２】倍率２，５００倍の、図１１のＣＮＴフォレストの領域の画像である。
【図１３】倍率１０，０００倍の、図１１のＣＮＴフォレストの画像である。
【図１４】実施例４で説明されるように生成されたスチールウールの写真である。
【図１５】倍率８００倍の、図１４で示される粉末の粒子の画像である。
【図１６】倍率約１２０，０００倍の、図１４で示される粉末の粒子の画像である。
【図１７】実施例５で説明されるように生成されたグラファイトプレートレットの表面成長を伴うステンレススチールワイヤの写真である。
【図１８】倍率７，０００倍の、図１７で示されるグラファイトプレートレットの画像である。
【図１９】倍率５０，０００倍の、図１７で示されるグラファイトプレートレットの画像である。
【図２０】実施例６で説明されるように生成されたカーボンナノチューブ「ピロー」の繊維の成長を伴うステンレス鋼ウエハの写真である。
【図２１】副構造としての「ピロー」モルフォロジを示す、倍率７７８倍の、図２０で示される遷移の成長の画像である。
【図２２】倍率１１，０００倍の、図２０で示される「ピロー」の画像である。
【図２３】倍率７０，０００倍の、図２０で示される「ピロー」の画像である。
【図２４】倍率５０，０００倍の、実施例８で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図２５】倍率５０，０００倍の、実施例８で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図２６】倍率５０，０００倍の、実施例８で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図２７】倍率５０，０００倍の、実施例８で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図２８】倍率５０，０００倍の、実施例８で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図２９】倍率５０，０００倍の、実施例８で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図３０】倍率５０，０００倍の、実施例８で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図３１】倍率５０，０００倍の、実施例９で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図３２】倍率５０，０００倍の、実施例９で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図３３】倍率５０，０００倍の、実施例９で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図３４】倍率５０，０００倍の、実施例９で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図３５】倍率５０，０００倍の、実施例９で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図３６】倍率５０，０００倍の、実施例９で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図３７】倍率５０，０００倍の、実施例９で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図３８】倍率５０，０００倍の、実施例９で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図３９】倍率５０，０００倍の、実施例１０で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図４０】倍率５０，０００倍の、実施例１０で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図４１】倍率５０，０００倍の、実施例１０で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図４２】倍率５０，０００倍の、実施例１０で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図４３】倍率５０，０００倍の、実施例１０で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図４４】倍率５０，０００倍の、実施例１０で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図４５】倍率５０，０００倍の、実施例１０で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図４６】倍率５０，０００倍の、実施例１０で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図４７】倍率５０，０００倍の、実施例１０で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図４８】倍率５０，０００倍の、実施例１１で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図４９】倍率５０，０００倍の、実施例１１で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図５０】倍率５０，０００倍の、実施例１１で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図５１】倍率５０，０００倍の、実施例１１で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図５２】倍率５０，０００倍の、実施例１１で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図５３】倍率５０，０００倍の、実施例１１で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図５４】倍率５０，０００倍の、実施例１１で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図５５】倍率５０，０００倍の、実施例１２で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図５６】倍率５０，０００倍の、実施例１２で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図５７】倍率５０，０００倍の、実施例１２で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図５８】倍率５０，０００倍の、実施例１３で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図５９】倍率５０，０００倍の、実施例１３で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図６０】倍率５０，０００倍の、実施例１３で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図６１】倍率５０，０００倍の、実施例１３で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図６２】倍率５０，０００倍の、実施例１３で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図６３】倍率５０，０００倍の、実施例１４で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図６４】倍率５０，０００倍の、実施例１４で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図６５】倍率５０，０００倍の、実施例１４で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図６６】倍率５０，０００倍の、実施例１４で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図６７】倍率５０，０００倍の、実施例１４で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図６８】倍率５０，０００倍の、実施例１４で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図６９】倍率１２，０００倍の、実施例１５で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図７０】倍率８，０００倍の、実施例１６で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図７１】倍率１０，０００倍の、実施例１７で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図７２】倍率５，０００倍の、実施例１８で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図７３】倍率８００倍の、実施例１９で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図７４】倍率１０，０００倍の、実施例１９で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図７５】倍率５，０００倍の、実施例２０で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図７６】倍率１０，０００倍の、実施例２０で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図７７】倍率２５０倍の、実施例２１で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図７８】倍率８００倍の、実施例２１で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図７９】倍率１，２００倍の、実施例２１で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図８０】倍率１，６００倍の、実施例２１で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図８１】倍率２，０００倍の、実施例２１で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図８２】倍率３，１００倍の、実施例２１で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図８３】倍率７，０００倍の、実施例２２で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【図８４】倍率５０，０００倍の、実施例２２で説明されるように生成された固体炭素の試料を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本方法は、炭素酸化物からの固体炭素粒子の形成を対象とする。例えば、異なる形状およびモルフォロジの繊維状ＣＮＴフォレストおよび固体炭素クラスタは、炭素酸化物から形成され得る。炭素酸化物は、主炭化水素の燃焼の生成物、または空気からの二酸化炭素、またはいくつかの他の供給源からの炭素酸化物であり得る。炭素酸化物および還元剤は、一般的に触媒の存在下で、予熱された反応ゾーン中へ注入される。触媒の化学組成、結晶粒境界、および結晶粒径は、一般的に、結果として生じる固体炭素生成物のモルフォロジに影響を及ぼす。
【００２４】
メタン、エタン、プロパン、エチレン、プロピレン、一酸化炭素、および二酸化炭素等の、種々の炭素源が使用され得る。炭化水素ガスは、炭素源としての、および炭素酸化物の還元剤としての双方の二重機能を果たし得る。一酸化炭素または二酸化炭素の使用は、本明細書で開示される方法がそのような温室効果ガスを、潜在的に有益な生成物である固体ＣＮＴに変換するので、好都合であり得る。したがって、本方法は、燃焼プロセスまたは二酸化炭素を生成する他のプロセスと連結され得、方法は、そのようなプロセスからのそのようなガスの排出を低減させ得る。
【００２５】
種々のモルフォロジの固体炭素生成物の効率的な工業規模の生成は、主炭素源として炭素酸化物を使用して行われ得る。固体炭素生成物のタイプ、純度、および均一性は、一般的に、反応時間、反応器の温度および圧力、反応器中の種々のガスの濃度、触媒のサイズおよび形成方法、触媒の化学組成、ならびに触媒の形態および形状によって制御される。本方法は、触媒表面に略垂直にかつ互いに略平行に成長するカーボンナノチューブの形成に特に有用である。
【００２６】
特に注目に値する固体炭素モルフォロジの１つは、カーボンナノチューブフォレストまたはクラスタである。本明細書で使用されるとき、「カーボンナノチューブフォレスト」という用語は、触媒表面に略垂直でありかつ互いに略平行な一群のカーボンナノチューブを指す。したがって、カーボンナノチューブフォレストは、互いに略平行であり、かつカーボンナノチューブが形成されている触媒表面に略垂直である、カーボンナノチューブの層で構成され得る。カーボンナノチューブフォレストはまた、実質的に一体化され得、かつ個々のナノチューブは、ナノチューブが触媒表面から突出するにつれて互いに交わり、絡まり得る。
【００２７】
反応ゾーン中の温度および圧力、反応ガスの滞留時間、ならびに触媒の結晶粒径、結晶粒境界、および化学組成を含む反応条件は、所望の特徴の固体炭素生成物を得るように制御され得る。供給ガス混合物および反応生成物は、一般的に、過剰な水を除去し、反応ガス混合物中の水蒸気の分圧を制御するために、各サイクル毎に、反応ゾーンを通って再循環され、凝縮器を通過させ得る。水の分圧は、形成される固体炭素のタイプおよび特徴（例えば、モルフォロジ）、ならびに炭素形成の速度論に影響を及ぼすと思われる、１つの要因である。
【００２８】
炭素活量（Ａｃ）は、特定の反応条件（例えば、温度、圧力、反応物質、濃度）の下で、固体炭素が形成するかどうかの指標として使用することができる。いかなる特定の理論にも束縛されるものではないが、炭素活量は、固体炭素のどの同素体が形成されるのかを決定するための主要なメトリックであると考えられる。より高い炭素活量は、ＣＮＴの形成をもたらす傾向があり、より低い炭素活量は、黒鉛型の形成をもたらす傾向がある。
【００２９】
ガス状反応物質から固体炭素を形成する反応のための炭素活量は、反応平衡定数にガス状生成物の分圧を掛けて、反応物質の分圧で割ったものとして定義することができる。例えば、Ｋの反応平衡定数を有する反応
2015518461.tif 000003
において、炭素活量Ａｃは、Ｋ・（ＰＣＯ・ＰＨ２／ＰＨ２Ｏ）として定義される。この反応の炭素活量はまた、モル分率および全圧に関しても表され得る。Ａｃ＝Ｋ・ＰＴ（ＹＣＯ・ＹＨ２／ＹＨ２Ｏ）、式中、ＰＴは、全圧であり、Ｙは、種のモル分率である。反応平衡定数が一般に温度によって変動するので、炭素活量は一般に、温度によって変動する。炭素活量はまた、消費されるモル数とは異なるモル数のガスが生成される反応の全圧によっても変動する。固体炭素の同素体の混合物およびそのモルフォロジは、反応器中の触媒および反応ガスの炭素活量を変動させることによって達成することができる。
【００３０】
本明細書の方法は、全般的に、二酸化炭素から固体炭素を形成するための二酸化炭素と水素とのボッシュ反応等の、ボッシュ反応を適用する。
ＣＯ２＋２Ｈ２←→Ｃ（S）＋２Ｈ２Ｏ  （反応式１）
【００３１】
生成される固体炭素のタイプおよび品質は、一般的に、触媒のタイプ、ガス混合物、およびプロセス変数（例えば、温度、圧力、反応物質の濃度、および保持時間）に基づいて変動する。固体炭素は、本明細書で開示される炭素酸化物還元プロセスを通して、数多くの異なるモルフォロジを形成する。固体炭素のモルフォロジのいくつかとしては、グラファイト（例えば、熱分解グラファイト）、グラフェン、カーボンブラック、繊維状炭素、バックミンスターフラーレン、単層ＣＮＴ、多層ＣＮＴ、プレートレット、またはナノダイヤモンドが挙げられる。反応は、図１で示される三角形の平衡状態図の内側領域で起こる。
【００３２】
ボッシュ反応は、炭素酸化物を固体炭素および水に還元するために、水素または別の還元剤を使用する。反応は、約６８０℃を超える等の、約６５０℃を超える温度で、非鉄触媒の存在下で進行する。固体炭素がＣＮＴの形態であるとき、反応式１は、発熱性であり（熱を生成し）、６５０℃で約２４．９ｋｃａｌ／ｍｏｌを放出する（すなわち、ΔＨ＝−２４．９ｋｃａｌ／ｍｏｌ）。反応式１は、可逆的であり、固体炭素は、水によって酸化されて二酸化炭素を形成する。固体カーボンナノチューブを生成するために、約６５０℃を超える反応温度が使用され得るが、温度が高過ぎた場合、反応式１の逆反応の速度が増加し、二酸化炭素の正味の反応速度がより低下する。本明細書で開示されるプロセスを通して、種々の供給源からの二酸化炭素は、関連する廃棄コストを伴う望ましくない廃棄物ではなく、経済的に有益な中間原料であり得る。
【００３３】
ボッシュ反応は、２ステップの反応であると考えられる。反応式１の第１のステップでは、二酸化炭素が水素と反応して、一酸化炭素および水が生じる。
ＣＯ２＋Ｈ２←→ＣＯ＋Ｈ２Ｏ  （反応式２）
反応式２は、６５０℃で僅かに吸熱性であり、約８．４７ｋｃａｌ／ｍｏｌの熱入力を必要とする（すなわち、ΔＨ＝＋８．４７ｋｃａｌ／ｍｏｌ）。反応式１で示される反応の第２のステップでは、一酸化炭素が水素と反応して、固体炭素および水を形成する。
ＣＯ＋Ｈ２←→Ｃ（S）＋Ｈ２Ｏ  （反応式３）
【００３４】
反応式３は、化学量論的量の反応物質によって、または過剰ＣＯ２もしくはＨ２によって起こり得る。反応式３は、６５０℃で発熱性であり、ＣＮＴが形成されるときに、３３．４ｋｃａｌ／ｍｏｌ（１．１６×１０４ジュール／グラムのＣ（S））を放出する（すなわち、ΔＨ＝−３３．４ｋｃａｌ／ｍｏｌ）。反応式３のΔＨの値は、その特定の炭素生成物に対する反応式１のΔＨの値と反応式２のΔＨの値との差によって、他の炭素生成物について計算することができる。
【００３５】
ボッシュ反応は、主炭素源として炭素酸化物を使用して、産業規模で種々のモルフォロジの固体炭素生成物を効率的に生成するために使用され得る。ボッシュ反応は、約４５０℃から２０００℃を超える温度で進行する。反応速度は、一般的に、触媒の存在下で増加する。
【００３６】
いくつかの用途では、天然ガス中に見られる炭化水素ガスを含む、低級炭化水素アルカン（例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、およびヘキサン）等の１つ以上の一般に入手可能な炭化水素ガスの還元ガス混合物が経済的であり得る。一実施形態において、還元ガスは、メタンを含み、触媒の存在下での発熱反応において、熱を放出する。本明細書で開示される方法は、燃焼プロセスまたは炭化水素を使用する化学プロセスと連結され得、かつプロセスの炭化水素の一部分は、還元剤ガスとして使用され得る。例えば、炭化水素の熱分解は、還元剤ガスとして提供される水素ガスを形成し得る。還元ガスとして、および炭素源としてメタンが使用されるとき、メタンは、二酸化炭素と反応して固体炭素および水を形成する。
ＣＨ４＋ＣＯ２←→２Ｃ（S）＋２Ｈ２Ｏ  （反応式４）
反応式４は、２ステップの反応であると考えられ、以下のステップを含む。
ＣＨ４＋ＣＯ２←→２ＣＯ＋２Ｈ２  （反応式５）および
ＣＯ＋Ｈ２←→Ｃ（S）＋Ｈ２Ｏ  （反応式６）
限られた酸素の存在下で、炭化水素は、反応して、一酸化炭素、二酸化炭素、および水、ならびに少量の炭化水素および水素を形成する。より高い濃度の酸素は、形成される固体炭素の量を制限し得る。したがって、固体炭素の生成を最適化するためには、反応系中に存在する酸素の量を制限することが望ましくなり得る。加えて、酸素の存在は、触媒に有害であり得、それによって、反応速度を低下させる。したがって、酸素の存在は、固体炭素生成物の生成全体を低減させ得る。反応ガス（例えば、炭素酸化物および還元剤ガス）は、完全な反応を促進するために、反応式１〜６で示されるように、ほぼ化学量論的比率で提供され得る。
【００３７】
本明細書で説明される反応は、一般的に、触媒の存在下で起こる。好適な触媒としては、周期表の５族〜１０族（例えば、ニッケル、モリブデン、クロム、コバルト、タングステン、マンガン、ルテニウム、プラチナ、イリジウム等）から等の、２族〜１５族から選択される金属、アクチニド、ランタニド、それらの合金、およびそれらの組み合わせが挙げられる。例えば、触媒としては、鉄、ニッケル、コバルト、モリブデン、タングステン、クロム、およびそれらの合金が挙げられる。周期表は、種々の族の付番方式を有し得ることに留意されたい。本明細書で使用されるとき、２族は、Ｂｅを含む族であり、３族は、Ｓｃを含む族であり、４族は、Ｔｉを含む族であり、５族は、Ｖを含む族であり、６族は、Ｃｒを含む族であり、７族は、Ｍｎを含む族であり、８族は、Ｆｅを含む族であり、９族は、Ｃｏを含む族であり、１０族は、Ｎｉを含む族であり、１１族は、Ｃｕを含む族であり、１２族は、Ｚｎを含む族であり、１３族は、Ｂを含む族であり、１４族は、Ｃを含む族であり、かつ１５族は、Ｎを含む族である。いくつかの実施形態において、市販の金属は、特別な調製を伴わずに使用される。市販形態の一般に入手可能な金属の使用は、固体炭素を生成するコスト、複雑さ、および難しさを低減させ得る。例えば、ＣＮＴフォレストは、市販グレードの鋼上で成長し得、ＣＮＴフォレストは、ＣＮＴフォレストから鋼を単離する追加的な層または表面を伴わずに、鋼上に直接形成する。ＣＮＴは、軟鋼、３０４ステンレス鋼、３１６Ｌステンレス鋼、スチールウール、および３０４ステンレススチールワイヤ上等の物質上に形成する。
【００３８】
３０４ステンレス鋼は、広範囲にわたる温度、圧力、およびガス組成の下で、ＣＮＴの形成に触媒作用を及ぼすと思われる。しかしながら、３０４ステンレス鋼上のＣＮＴの形成速度は、比較的低いと思われ、よって、３０４ステンレス鋼は、構造材料として使用され得、通常動作においてその表面への最小の堆積を伴う。対照的に、３１６Ｌステンレス鋼は、３０４ステンレス鋼よりもはるかに高い速度で固体炭素の形成に触媒作用を及ぼすと思われるが、炭素の種々のモルフォロジも形成し得る。したがって、３１６Ｌステンレス鋼は、高い反応速度を達成するために使用され得るが、生成物のモルフォロジを制御するために、特定の反応条件が維持され得る。触媒は、約２２重量％以下の量等のＣｒを含むように選択され得る。例えば、３１６Ｌステンレス鋼は、約１６重量％〜約１８．５重量％のＣｒを含有する。触媒はまた、約８重量％以上の量等のＮｉを含むようにも選択され得る。例えば、３１６Ｌステンレス鋼は、約１０重量％〜約１４重量％のＮｉを含有する。従来のプロセスにおいて触媒として使用されるアルファ層の鉄とは対照的に、このタイプの鋼の触媒は、オーステナイト相の鉄を有する。
【００３９】
シリーズ３００ステンレス鋼、シリーズ４００ステンレス鋼、析出硬化ステンレス鋼、二相ステンレス鋼、および軟鋼等の、種々の市販グレードの金属が、触媒として使用され得る。種々のグレードのクロム、モリブデン、コバルト、タングステン、またはニッケルを含有する合金もしくは超合金が使用され得、例えば、インコネル（登録商標）の商品名で、Ｎｅｗ  Ｈａｒｔｆｏｒｄ、Ｎｅｗ  ＹｏｒｋのＳｐｅｃｉａｌ  ＭｅｔａｌｓＣｏｒｐ．，から市販されている物質、またはハステロイ（登録商標）（例えば、ハステロイ（登録商標）Ｂ−２、ハステロイ（登録商標）Ｂ−３、ハステロイ（登録商標）Ｃ−４、ハステロイ（登録商標）Ｃ−２０００、ハステロイ（登録商標）Ｃ−２２、ハステロイ（登録商標）Ｃ−２７６、ハステロイ（登録商標）Ｇ−３０、ハステロイ（登録商標）Ｎ、またはハステロイ（登録商標）Ｗ）の商品名で、Ｋｏｋｏｍｏ、ＩｎｄｉａｎａのＨａｙｎｅｓ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ，Ｉｎｃ．，から市販されている物質である。触媒は、プレート、円筒、ペレット、（例えば、鋼ショットとして）種々の直径の球、またはそれらの組み合わせ等の、固体形態であり得る。
【００４０】
触媒は、触媒前駆体から形成し、分解して所望の触媒を形成するように選択することができる。担持触媒は、しばしば、触媒の前駆体を粒子状担体物質と組み合わせることによって調製される。好適な前駆体としては、燃焼して所望の触媒の酸化物を形成する化合物が挙げられる。例えば、鉄が所望の触媒である場合、いくつかの好適な前駆体としては、硝酸鉄（ＩＩＩ）、硫化鉄、硫酸鉄、炭酸鉄、酢酸鉄、クエン酸鉄、グルコン酸鉄、およびシュウ酸鉄が挙げられる。触媒担体への金属装填は、そのような触媒上に形成される固体カーボンナノチューブ生成物の直径を制御し得る。
【００４１】
いくつかの実施形態において、ＣＮＴは、触媒の使用を伴わずに担体を形成する。すなわち、ＣＮＴは、市販グレードの金属上に直接形成し、それによって、ＣＮＴの形成に関連する処理時間およびコストを低減させる。したがって、繊維状ＣＮＴフォレストの生成に好適な低コストの触媒が、炭素酸化物を還元し、ＣＮＴを作成するために使用され得る。
【００４２】
触媒は、固体金属触媒内で、所望の寸法の触媒ナノ粒子の形態であるか、または領域もしくは結晶粒および結晶粒境界の形態であり得る。本明細書で使用されるとき、「結晶粒径」という用語は、金属表面の平均、中間、またはモード結晶粒径または幅を指す。特定の化学組成の触媒金属が選択され得、金属の結晶粒径、例えば鋼金属中の鉄の結晶粒は、所望のカーボンナノチューブの直径に比例する特有の寸法を有する。隣接するカーボンナノチューブ間の距離は、固体金属触媒の結晶粒境界を制御することによって制御され得る。
【００４３】
上の反応式１〜反応式６で示される反応にあるように、炭素酸化物を還元してＣＮＴを形成する間、形成される各ＣＮＴは、バルク触媒物質の表面から触媒物質の粒子を立ち上がらせ得る。いかなる特定の理論にも束縛されるものではないが、触媒物質の粒子をＣＮＴの成長先端部に埋め込むため、触媒の表面は、ＣＮＴの形成によってゆっくりと消費されるように思われる。ＣＮＴが成長する物質は、伝統的な意味では触媒とみなされ得ないが、それでも、本明細書および当技術分野では、炭素が該物質と反応すると考えられていないので、「触媒」と称される。さらに、ＣＮＴは、触媒がなければ全く形成し得ない。
【００４４】
固体触媒は、選択された固体炭素モルフォロジの形成を促進するように設計または選択され得る。触媒は、多くの形状および形態をとり得る。例えば、触媒は、板、箔、円筒、ペレット、種々の直径の球（例えば、鋼ショット）、またはそれらの組み合わせの形態であり得る。いくつかの実施形態では、市販のシート金属が触媒として使用され、該シート金属は、反応器の容積あたりの触媒の表面積を最大にするために、層状にされる。固体ＣＮＴフォレストは、触媒の外形または形状に関係なく、触媒表面に略垂直に成長し得る。結果的に、ＣＮＴフォレストは、触媒金属表面の形状または形態を所望のテンプレートに変化させることによって、多くの形状および形態に形成し得る。
【００４５】
金属触媒上で成長するＣＮＴのモルフォロジは、一般的に、金属触媒の化学的性質および触媒が処理された方法に依存する。例えば、ＣＮＴのモルフォロジは、金属内の結晶粒径および結晶粒境界の形状に関連し得る。例えば、これらの特徴の特性サイズは、そのような金属触媒の存在下で形成されるＣＮＴの特性直径に影響を及ぼす。
【００４６】
触媒物質の結晶粒径は、ＣＮＴ生成物のサイズを少なくとも部分的に決定し得る。より小さい結晶粒径を有する金属は、より小さい直径のＣＮＴを生成し得る。例えば、触媒物質として使用される金属は、ナノサイズの構造を有し得る。結晶粒径は、金属触媒の化学的性質および結晶粒が形成される熱処理方法の双方の作用であり得る。例えば、冷間圧延によって形成される金属は、熱間圧延によって形成される金属とは異なる結晶粒径および結晶粒境界を有する。したがって、金属形成の方法は、触媒表面に形成される固体炭素に対する影響を有する。加えて、金属の結晶粒境界は、ＣＮＴフォレストの密度および間隔に対する影響を有する。一般に、触媒金属表面の結晶粒境界が大きいほど、さらに対応するＣＮＴはより離れて離間される。
【００４７】
一般に、金属表面の結晶粒構造は、当技術分野で知られている方法によって変化され得る。例えば、金属構造は、複数のランダムに配向された結晶粒を形成するために、金属構造を再結晶させるのに十分な温度まで加熱され得る。あるいは、金属は、結晶粒構造、結晶粒境界、および結晶粒径を変化させるために、熱処理または焼なましされ得る。例えば、金属は、該金属をその再結晶温度を超える温度まで加熱し、該温度をある期間維持し、次いで、該金属を冷却することによって焼なましされ得る。別の例として、金属の微細構造内の結晶粒が再結晶化を通して新しい結晶粒を形成することを可能にする期間にわたり該金属を加熱することによって、該金属は焼なましされ得る。
【００４８】
再結晶化は、金属が塑性的に変形、焼なまし、またはそれ以外の方法で熱処理されるプロセスである。金属が加熱されるとき、熱処理は、金属構造中の結晶粒の成長に影響を及ぼす。結晶構造のサイズは、臨界温度を超える温度およびその温度での時間によって変動する。加えて、再結晶温度からのより早い冷却速度は、一般的に、より大きい最大過冷却、およびより多い数の核生成サイトを提供し、したがって、より微細な結晶粒の金属を生成する。例えば、より微細な平均結晶粒径が所望されるとき、金属触媒は、特定の温度まで加熱され、次いで、急速に冷却され得る。一実施形態において、ＣＮＴの直径および繊維状ＣＮＴフォレストの密度は、金属の形成方法に基づいて金属触媒を選択することによって制御される。例えば、固体ＣＮＴフォレストの所望のモルフォロジに応じて、冷間圧延した金属、熱間圧延した金属、析出硬化した金属、焼なましした金属、肌焼きした金属、焼戻しした金属、または焼入れした金属が、触媒として選択され得る。
【００４９】
触媒物質の結晶粒径および結晶粒境界は、固体炭素生成物のサイズおよびモルフォロジを制御するために変化され得る。例えば、触媒物質は、約６００℃〜約１１００℃、約６５０℃〜約１０００℃、約７００℃〜約９００℃、または約７５０℃〜約８５０℃の温度範囲で焼なましされ得る。結果として生じる結晶粒径は、約０．１μｍ〜約５０μｍ、約０．２μｍ〜約２０μｍ、約０．５μｍ〜約５μｍ、または約１．０μｍ〜約２．０μｍであり得る。種々の熱処理、焼なまし、および焼入れ方法は、金属の調製、結晶粒の成長技術、および結晶粒の微細化の技術分野で知られている。触媒表面の結晶粒径および結晶粒境界を変化させて、結果として生じる固体炭素生成物のサイズおよびモルフォロジを制御するために、これらの方法のうちのいずれかが使用され得る。
【００５０】
金属のウエハ等の固体触媒を使用するときに、ＣＮＴは、一連の世代で成長すると思われる。いかなる特定の理論にも束縛されるものではないが、反応ガスは、露出した触媒の表面と相互作用し、ＣＮＴは、該表面で成長し始めると思われる。成長が継続するにつれて、隣接するＣＮＴが絡み、表面から触媒の粒子が持ち上がり、触媒物質の新しい層を反応ガスに露出させる。触媒物質の各層が表面から持ち上がるにつれて、ＣＮＴは、拡大すると「ピロー」またはオナモミに類似する凝集塊に絡まる。試料が反応ゾーン中に残っていれば、これらの層を形成し、表面から持ち上がり続け、そして、カーボンナノチューブ「ピロー」から成る種々の構造をもたらす。
【００５１】
連続流れプロセスは、分離手段としてＣＮＴの剥離を利用し得る。固体ＣＮＴフォレストは、触媒の表面から容易に取り出され得る。いかなる特定の理論にも束縛されるものではないが、炭素は、固体炭素のための核形成サイトとして作用し得る。例えば、触媒物質の成分としての炭素は、反応を促進し得る。反応が継続し、固体炭素の各層が形成されるにつれて、新しく形成された炭素が、その後の固体炭素の層のための核形成サイトとして作用する。したがって、一実施形態において、固体炭素生成物のサイズおよびモルフォロジは、触媒金属の炭素組成を選択し、制御することによって制御される。
【００５２】
反応中に触媒層が消費される触媒組成物は、大体において触媒の新しい表面を露出させており、これによって、固体炭素生成物の形成を中断されずに継続することができる。いかなる特定の理論にも束縛されるものではないが、そのような機構は、例えば、固体金属触媒として錆のある鋼が使用されたときに起こると思われる。
【００５３】
例えば図６および図２１で描写されるように、ピローのモルフォロジは、塊状に絡まるＣＮＴの存在を特徴とする。ピローは、ナノチューブの球根状または波状の集塊として現れ、積層雲の外周の外観に類似する。ピローは、種々の直径、長さ、およびタイプのカーボンナノチューブを含む。ピローは、しばしば、基材上で成長したフォレスト、パイル、および繊維の不連続な単位の形態で現れ得る。異なる組成および形態の金属は、広範囲にわたる反応ガス混合物および反応温度下で、カーボンナノチューブのピローを得る。
【００５４】
いくつかの実施形態では、穿孔または細いスリットを有するシート金属が触媒として使用される。シート金属の穿孔または切り取りスリットは、触媒の表面積を増加させ、それによって、触媒の容積あたりの反応触媒表面の表面積を増加させる。穿孔およびスリットはまた、生成されるＣＮＴフォレストの形成およびモルフォロジを成形するためにも使用され得る。図１３において、固体カーボンナノチューブの形成は、触媒の構造に似ている。いくつかの実施形態において、ＣＮＴフォレストのモルフォロジおよび形状は、触媒を層状にし、触媒の一部分をマスクし、そして触媒を選択された形状に屈曲させることによって制御される。
【００５５】
反応ゾーンに加えられる少量の物質（例えば、硫黄）は、触媒上の炭素生成物の成長を迅速化する、触媒促進剤であり得る。触媒促進剤は、促進される表面での反応のための活性化エネルギーをさらに下げることによって、反応速度を高める。そのような促進剤は、多種多様な化合物で反応器中へ導入され得る。そのような化合物は、化合物の分解温度が反応温度未満であるように選択され得る。例えば、硫黄が鉄系触媒のための促進剤として選択された場合、硫黄は、チオフェンガスとして、またはキャリアガス中のチオフェンの液滴として、反応ゾーン中へ導入され得る。硫黄含有促進剤の例としては、チオフェン、硫化水素、複素環硫化物、および無機硫化物が挙げられる。他の触媒促進剤としては、揮発性鉛（例えば、ハロゲン化鉛）、ビスマス化合物（例えば、塩化ビスマス、臭化ビスマス、ヨウ化ビスマス等の揮発性ハロゲン化ビスマス）、アンモニア、窒素、過剰な水素（すなわち、化学量論的よりも高い濃度の水素）、およびそれらの組み合わせが挙げられる。
【００５６】
不活性キャリアガス中の加熱触媒構造は、単層ＣＮＴ等の特定の構造およびモルフォロジの成長を促進し得る。例えば、ヘリウムは、ＣＮＴの様々な構造またはモルフォロジの成長を促進し得る。
【００５７】
固体炭素生成物の物性は、追加的な物質の固体炭素の表面への適用によって、大幅に改質され得る。結果として生じる固体炭素の物理的性質を改質するために、改質剤（例えば、アンモニア、チオフェン、窒素ガス、および／または過剰水素）が、反応ガスに加えられ得る。改質および官能化は、反応ゾーン中で、または固体炭素生成物が取り出された後に行われ得る。
【００５８】
例えば、金属イオン等の堆積させるべき物質を含有する水ストリームを注入することによって、いくつかの改質剤が、固体炭素の形成反応の完了間近に還元反応チャンバ中へ導入され得る。触媒改質剤は、金属クラスタのサイズを変化させかつ生成される炭素のモルフォロジを変化させる物質である。そのような物質はまた、キャリアガスの成分としても導入され得る。例えば、過剰水素は、いくつかのＣＮＴの炭素格子の水素化を生じさせると思われ、ＣＮＴに半導体特性を有させる。
【００５９】
反応温度は、触媒の組成または触媒粒子のサイズに依存する。小さい粒径を有する触媒物質は、より大きい粒径を有する同じ触媒物質よりも低い温度で反応を触媒する傾向がある。例えば、ボッシュ反応は、粒径および組成、ならびに所望の固体炭素生成物に応じて、鉄系触媒について、約４５０℃〜８００℃の範囲等の、約４００℃〜９５０℃の範囲の温度で起こり得る。一般に、グラファイトおよびアモルファス固体炭素は、より低い温度で形成し、ＣＮＴは、より高い温度で形成する。触媒が軟鋼、３０４ステンレス鋼、３１６Ｌステンレス鋼、またはスチールウールであるとき、カーボンナノチューブフォレストの成長は、約６８０℃を超える温度が望ましい。
【００６０】
概して、本明細書で説明される反応は、広範囲にわたる圧力、ほぼ真空から４．０ＭＰａ（５８０ｐｓｉ）以上の圧力で進行する。例えば、固体炭素は、約０．２８ＭＰａ（４０ｐｓｉ）〜約６．２ＭＰａ（９００ｐｓｉ）の範囲の圧力で形成する。いくつかの実施形態において、ＣＮＴは、約０．３４ＭＰａ（５０ｐｓｉ）〜約０．４１ＭＰａ（６０ｐｓｉ）の圧力、または約４．１ＭＰａ（６００ｐｓｉ）の圧力で形成する。一般的に、圧力を増加させることは、反応速度を増加させる。
【００６１】
触媒は、触媒表面を炭素酸化物と接触させる前に、還元環境にされ得る。還元環境は、触媒の表面の金属酸化物を還元することによって触媒を活性化して、非酸化触媒表面を提供し得る。いくつかの実施形態では、触媒から酸化物を還元するために、ＣＮＴを形成するために使用されるメタン等のガス状原料が使用される。触媒還元は、触媒を炭素含有原料と接触させてＣＮＴを作製する前に、またはそれと同時に起こり得る。
【００６２】
触媒は、触媒表面の化学性質を変化させるように調整され得る。本明細書で使用されるとき、「化学的性質」という用語は、触媒の金属の同一性、酸化または還元の状態、および触媒の表面構造を意味し、含む。そのような調整は、次の節で説明される。
【００６３】
結晶粒径または結晶粒境界を変化させることは、触媒表面の化学的および物理的組成に影響を及ぼし得、かつ触媒表面の形状および幾何学形状も変化させ得る。いくつかの実施形態において、触媒表面の結晶粒径および結晶粒境界は、反応前に触媒表面を還元することによって制御される。例えば、触媒の表面を還元するために（すなわち、酸化した物質と反応させるか、または該物質を取り出すために）還元ガス混合物が、選択された温度、圧力、および濃度に維持された反応器中に導入され得る。
【００６４】
触媒物質の結晶粒径および結晶粒境界は、触媒表面を加熱し、表面の任意の酸化物を還元することによって制御され得る。触媒表面を還元環境中に維持する期間がより長いほど、比較的大きい結晶粒径が得られ、還元処理が短いほど、比較的小さい結晶粒径が得られ得る。同様に、より低い還元温度は、より小さい結晶粒経をもたらし得る。
【００６５】
触媒表面の酸化およびその後の還元は、結晶粒構造および結晶粒境界を変化させる。いかなる特定の理論にも束縛されるものではないが、酸化は、酸化する領域中の金属触媒の表面を変化させると思われる。その後の還元は、触媒表面のさらなる変化をもたらし得る。したがって、触媒の結晶粒径および結晶粒境界は、触媒表面を酸化および還元することによって、ならびに触媒表面を還元ガスおよび酸化ガスに露出させる時間を制御することによって制御され得る。酸化および／または還元温度は、約５００℃〜約１２００℃、約６００℃〜約１０００℃、または約７００℃〜約９００℃の範囲であり得る。結果として生じる結晶粒径は、約０．１μｍ〜約５００μｍ、約０．２μｍ〜約１００μｍ、約０．５μｍ〜約１０μｍ、または約１．０μｍ〜約２．０μｍの範囲であり得る。いくつかの実施形態において、触媒は、固体炭素を形成する反応の前、またはその間に還元される酸化した金属（例えば、錆のある鋼）であり得る。いかなる特定の理論にも束縛されるものではないが、酸化物の除去は、触媒物質の表面に空隙または凸凹を残し、触媒物質の全表面積を増加させると考えられる。
【００６６】
結晶粒境界および触媒表面の平均結晶粒径は、例えば、スパッタリング（イオン衝撃）によって制御することができる。本明細書で使用されるとき、「スパッタリング」という用語は、イオン、中性原子、中性子、または電子の衝撃によって、表面から原子を取り出すことを指す。スパッタリングすることで、触媒の表面の表面粗さを生じさせる。
【００６７】
スパッタリングによって形成される結晶粒境界は、炭素酸化物の還元反応に有利であり得る。スパッタリングは、金属触媒の表面から原子を取り出すために使用され得る。イオンビームエネルギーは、一般的に、結果として生じる金属触媒表面の結晶粒構造を決定する。
【００６８】
例えば、合金または酸化した金属の表面において、イオンビームのエネルギーは、金属表面のどの原子を取り出すのかを決定する。スパッタリング中に印加されるエネルギーは、ある合金中の特定の原子だけを取り出すように選択され得る。したがって、スパッタリングは、低エネルギーイオンビームによって取り出される原子を伴わない表面に比較的高い表面結合エネルギーを伴う原子または粒子を有する結晶粒境界をもたらし得る。イオンビームエネルギーを増加させることで、金属表面からより高い表面結合エネルギーを有する原子および粒子を取り出す。したがって、スパッタリングは、制御された結晶粒境界、平均結晶粒径、および結晶粒パターンを有する表面を生成するために使用され得る。スパッタリングは、金属結晶表面の平均結晶粒径、結晶粒境界、または結晶粒パターンを制御することによって、固体炭素生成物のサイズおよびモルフォロジを制御するために使用され得る。
【００６９】
いくつかの実施形態において、触媒表面は、選択された平均結晶粒径および選択された結晶粒境界を有する触媒表面を形成するために、化学エッチングによって制御され得る。エッチングプロセスとしては、スワビング、浸漬、噴霧、または他の方法が挙げられる。エッチング液のタイプ、エッチング液の強さ、およびエッチング時間は、金属触媒の表面に影響を及ぼす。例えば、ニッケル含有合金または超合金等の金属をエッチングするために、代表的なエッチング液は、５ｇの塩化銅（ＩＩ）（ＣｕＣｌ２）と１００ｍｌのエタノールおよび１００ｍｌの塩酸との溶液を含む。いくつかの実施形態では、触媒にエッチングするために、種々の濃度の硝酸が使用される。金属触媒がコバルトを含む場合、触媒は、塩酸中の塩化鉄（ＩＩＩ）（ＦｅＣｌ３）の溶液中でエッチングされ得、結果として、コバルトを取り出す。したがって、そのようなエッチング液の使用は、コバルト合金からコバルトを選択的にエッチングし、他の金属を触媒の表面に残す。このようにして、表面の結晶粒境界は、選択的に制御され得、それによって、その上に形成される固体炭素生成物の特性の制御を可能にする。金属触媒が鋼であるとき、代表的なエッチング液は、２：３：１の比率の塩酸（ＨＣｌ）、グリセロール（プロパン−１，２，３−トリオール）、および硝酸（ＨＮＯ３）の溶液を含む。鉄含有金属のための他のエッチング液は、約９：１の比率で硝酸と混合されるメタノールまたはエタノールを含む。いくつかの実施形態において、エッチング液としては、エタノール、ならびにピクリン酸、塩酸、エタノール、水、および硝酸の混合物が挙げられる。
【００７０】
上で説明される金属は、炭素酸化物の還元を触媒するために使用され得る。一実施形態において、固定触媒構造体は、反応器中に配置され、該反応器中では、反応ガスが触媒に接触して炭素酸化物を還元し、ＣＮＴフォレストを作成する。種々の反応器の設計が、所望の固体炭素生成物の形成および収集を容易にする。
【００７１】
いくつかの実施形態において、触媒物質は、市販のシート金属または箔であり、これらは、反応器の単位容積あたりの反応に利用可能な表面積を最大にするように、非常に薄いものであり得る。反応器は、触媒の層を保持するように構成され得る。シート金属または箔触媒は、０．０５０８ｍｍ程度の薄さであり得る。例えば、ステンレス鋼のシート金属は、約０．２５４ｍｍ〜約１９．０５ｍｍ以上の範囲の厚さを有し得る。ステンレス鋼箔は、０．０５０８ｍｍ程度の薄さであり得る。触媒の厚さは、反応器の構成に基づいて決定され得る。
【００７２】
反応器は、反応ガスに露出される触媒表面積を最適化するように構成され得、それによって、反応器の効率、炭素酸化物の還元、および固体炭素生成物の形成を増大させる。そのような反応器は、連続的に、半連続的に、またはバッチモードで動作され得る。バッチ反応器において、触媒は、固定固体表面であるか、または固定固体表面に載置される（例えば、不活性基材上に堆積させた触媒ナノ粒子）。触媒およびその上で成長する固体炭素は、反応器から定期的に取り出される。
【００７３】
反応器は、反応器の温度を制御するために、加熱および冷却機構と連結され得る。例えば、反応器は、生成物および過剰反応物質を、冷却機構を通して再循環させて、水蒸気を凝縮させるように構成され得る。次いで、生成物および／または過剰反応物質は、再加熱され、反応器を通して再循環され得る。再循環ガス中の水蒸気の一部を取り出すことによって、形成される固体炭素のモルフォロジが制御され得る。水蒸気の分圧を変化させることは、混合物の炭素活量を変化させる。反応器はまた、炭素生成物から水および未反応の反応物質が分離される炭素収集器にも連結され得る。分離された炭素生成物は、システムから収集され、取り出される。
【００７４】
反応器は、触媒と反応物質との間の接触時間を最適化するために、反応物質流が層流を特徴とするように動作され得る。そのような構成では、比較的短い期間または比較的小さい領域の乱流が、触媒表面からの固体炭素生成物の取り出しを支援し得る。
【００７５】
反応器は、反応器の単位容積あたりの露出触媒表面積を増加させるようにサイズ決定され、構成され得る。例えば、触媒が薄いシートまたは箔である場合、箔は、螺旋状に巻かれ得る。反応ガスは、反応器を通る流れを方向付けるために、ヘッダまたはノズルを通して分布され得る。反応ガスの流速は、反応ガスが層流型で反応器を通過するように選択され得る。触媒が螺旋状形成体である場合、ガスは、触媒螺旋の中心で反応器に進入し、反応器の外壁で反応器から出得、よって、触媒表面のほぼ全体が、反応ガスに露出される。
【００７６】
いくつかの実施形態において、プロセス全体が半連続であるように、２つ以上の反応器がともに動作する。そのような実施形態において、固体触媒物質は、各反応器中に配置され、固定される。各反応器は、もう一方の反応器がプロセス中である間に、プロセスから選択的に単離されるように構成される。例えば、各反応器は、ガス供給ライン、パージライン、反応器の排出ラインとともに構成され得、かつ圧縮機に接続され得る。除去に値する十分な固体炭素生成物が１つの反応器中で形成したとき、その反応器は、システムから単離され、オフラインにされ得る一方で、別の反応器の動作が開始される。第１の反応器から固体炭素生成物が取り出される一方で、別の反応器中で固体炭素生成物が形成される。第１の反応器から固体炭素生成物が取り出された後に、第１の反応器は、再度固体炭素生成物を形成するように準備される。十分な固体炭素生成物が第２の反応器中で形成されたとき、第２の反応器は、単離され、オフラインにされる。第２の反応器から固体炭素生成物が取り出され、収集されている間に、第３の反応器が動作され得る。いくつかの実施形態において、第２の反応器をオフラインにする準備ができているときに第１の反応器の反応の準備ができている場合は、第１の反応器がオンラインに戻され得る。このようにして、プロセスは、半連続様式で動作し、少なくとも１つの反応器が炭素酸化物を還元する一方で、少なくとも別の反応器が触媒表面の炭素酸化物を還元するための準備を行っている。
【００７７】
図２は、半連続反応システム２００の簡略ブロックフロー図を示す。第１の反応ガス２１０は、混合弁２２０で第２の反応ガス２１５と混合される。反応ガス２１０、２１５は、それぞれ、ガス状炭素酸化物および還元剤を含む。混合弁２２０を通過した後、反応ガス２１０、２１５は、入口弁２３２を通って第１の反応器２３０に進入する。反応ガス２１０、２１５は、出口弁２３４を通って出る前に、第１の反応器２３０内で少なくとも部分的に反応する。
【００７８】
しばらくして、入口弁２３２および出口弁２３４が閉じられ、反応ガス２１０、２１５の流れは、代わりに、入口弁２４２を介して第２の反応器２４０を通る。反応ガス２１０、２１５は、出口弁２４４を通って出る前に、第２の反応器２４０内で少なくとも部分的に反応する。第２の反応器２４０中で反応が進行するにつれて、第１の反応器２３０中の触媒が、反応のその後のサイクルのために準備され得る。
【００７９】
しばらくして、入口弁２４２および出口弁２４４が閉じられ、反応ガス２１０、２１５の流れは、代わりに、入口弁２５２を介して第３の反応器２５０を通る。反応ガス２１０、２１５は、出口弁２５４を通って出る前に、第３の反応器２５０内で少なくとも部分的に反応する。第３の反応器２５０中で反応が進行するにつれて、第１の反応器２３０および／または第２の反応器２４０中の触媒が、反応のその後のサイクルのために準備される。
【００８０】
各サイクルが進行するにつれて、生成物（例えば、ガス）は、凝縮器２６０に進入し、その中では、水蒸気が凝縮され、取り出され得る。圧縮機２７０は、残留する生成物および／または未反応の反応物質を圧縮し、それらを混合弁２２０に、または反応器２３０、２４０、もしくは２５０のいずれかに戻して再循環させる。真空ポンプ２８０は、システム２００をパージするか、またはシステム２００の圧力を低減させる。
【００８１】
反応器はまた、連続的に動作するようにも構成され得る。反応器が連続的に動作する場合、固体炭素生成物は、反応を連続させながら触媒表面から取り出され得る。ＣＮＴが表面で成長しながら反応ガスが触媒の露出表面と反応するので、本明細書で開示されるいくつかの反応は、反応器が連続的に動作することに寄与すると思われる。成長が継続するにつれて、一群の隣接するカーボンナノチューブが絡まり、層中の触媒表面からＣＮＴを持ち上げ、新しい触媒表面を反応ガスに露出させて、反応を継続する。
【００８２】
いくつかの実施形態において、反応器は、触媒金属の連続シート、ベルト、またはリボンが、反応器を通して連続的に輸送されるように構成される。シートが反応器に進入すると、金属表面は、炭素酸化物の還元における触媒として作用する。ＣＮＴ（または固体炭素の別の形態）は、シートが反応器を通して運搬されるときに金属の表面に形成する。反応器を通過した後に、固体炭素生成物は、反応器を通るシートの別の経路を準備するために、触媒表面から取り出され得る。
【００８３】
いくつかの実施形態において、触媒（例えば、固体ブロック、シート金属等の形態）は、コンベアベルト上に配置または載置される。コンベアベルトは、反応チャンバを通過し、その後に、触媒の表面から固体炭素生成物を取り出す手段を通過する。コンベアベルトが移動し続けると、触媒が再度反応チャンバに進入し、プロセスを繰り返す。
【００８４】
いくつかの実施形態では、可撓性シート金属または金属箔が、コンベアベルトの長さ全体にわたって内張りされ得る。したがって、触媒物質は、反応チャンバに連続的に加えられ得、固体炭素生成物は、別の場所で触媒から連続的に取り出され得る。反応器は、炭素酸化物が存在しない還元チャンバ、ならびに炭素酸化物および還元剤の双方が存在する触媒チャンバ等の、異なるチャンバまたは区画に分離され得る。
【００８５】
図３は、触媒物質３１０の複数の層またはシートを有する反応器３００を示す。反応器３００は、反応ガスが入口３２０を通って反応器３００の頂部に進入し、出口３３０を通って反応器３００の底部またはその近くから出るように構成される。触媒物質３１０は、反応ガスが入口３２０および反応器３００を通って流れるときに、反応ガスが触媒物質３１０の各表面に接触するように、反応器３００中に構成され得る。図３で示されるように、入口３２０が、反応器３００の頂部にある場合、反応ガスは、触媒物質３１０の頂部シートに接触し、蛇行経路で反応器３００を通って流れ落ちる。反応ガスが蛇行経路をたどるとき、反応ガスは、反応器３００中の触媒３１０の各表面に接触する。触媒物質３１０の層またはシートは、反応ガスが、反応器３００の頂部の第１の層を横断して流れ、反応器３００の壁で第１の層を通り過ぎ、反応器３００中の触媒物質３１０の全ての層またはシートの頂部および底部を通り過ぎるように、反応器３００中に構成され得る。
【００８６】
固体炭素生成物は、反応器３００の底部で収集される。触媒物質３１０の表面からの固体炭素生成物の除去は、反応ガスの下方への流れによって、および重力によって補助され得る。
【００８７】
他の実施形態において、反応器は、触媒物質（例えば、軟鋼）の１つ以上の管を含有し、反応ガスは、反応器の頂部から流れる。反応ガスは、反応ガスが反応器の出口に向かって下方へ流れるときに、管の内面および外面に接触する。
【００８８】
触媒がシート金属または金属箔である場合、表面全体は、炭素で被覆する必要はない。固体表面の炭素堆積領域は、任意で、固体表面の選択された部分だけでの固体炭素の形成を促進するために、マスキングによって１つ以上の領域に制限され得る。したがって、マスキングは、作成されるナノチューブフォレストの形状およびモルフォロジを変化させるために使用され得る。
【００８９】
触媒物質は、反応器から取り出され得、表面から固体炭素生成物を取り出すために、振盪または振動され得る。触媒物質が緊密に巻回された薄い金属シートまたは箔である場合、シートまたは箔は、反応器から取り出され、巻回が解かれ得、それによって、炭素生成物が剥がれ落ち、触媒表面から分離する。あるいは、反応器は、その場で触媒を振動させ、それによって、触媒表面から固体炭素生成物を取り出すように構成され得る。
【００９０】
固体炭素生成物はまた、触媒表面から機械的に掻き取られ得る。例えば、触媒は、触媒だけが通過し、固体炭素生成物が触媒表面から掻き取られる程度の隙間を伴って設計される、スクレーパーを通過し得る。あるいは、触媒は、固体炭素生成物が触媒表面からブラッシングされるように、ブラシを通過し得る。触媒および固体炭素生成物は、触媒表面がスクレーパー、ブレード、またはブラシの下を通過してそれらによって取り出されるように構成された、スクレーパー、ブレード、またはブラシを通過し得る。したがって、固体炭素生成物は、触媒表面から掻き取ることによって、またはそれ以外の方法で切削することによって取り出され得る。
【００９１】
別の実施例において、固体炭素生成物は、高速の空気またはガスを触媒表面と固体炭素生成物の間の界面に向けることによって、触媒表面から取り出され得る。例えば、固体炭素生成物は、急速かつ強力な波動の高速空気を触媒表面に分布させて触媒表面から固体炭素生成物を吹き飛ばすように構成された反応器区間に触媒を通過させることによって、触媒表面から取り出され得る。
【００９２】
いくつかの実施形態において、固体炭素生成物は、好適な溶媒によって触媒表面から洗い流され得る。例えば、固体炭素生成物は、溶媒または酸を固体炭素生成物と接触させて、触媒の表面から固体炭素生成物を取り出すように構成された反応器区間にコンベアを通過させることによって、取り出され得る。いくつかの実施形態において、固体炭素生成物は、触媒物質をエタノール等の溶媒中に浸漬することによって、触媒表面から化学的に取り出され得る。いくつかの固体炭素形成体は、より大きい凝集体を形成し得る。例えば、ＣＮＴの試料をエタノール中で緩やかに撹拌するか、または振盪すると、ＣＮＴが凝集し、噛み合わさる。凝集体は、個々のピロー形成体よりも大きくかつ強くなり得る。ＣＮＴのモルフォロジは、種々のタイプのカーボンナノチューブの紙、フェルト、電極等を形成するのに特に好適であり得る。
【００９３】
触媒表面からの固体炭素生成物の除去は、ガスまたは液体ストリームからの固体の分離および収集の手段と連結され得る。そのような収集の手段は、エルトリエーション、遠心分離、電気集塵、および濾過が挙げられ得るが、それらに限定されない。
【００９４】
固体炭素生成物への組み込みを通して、または固体炭素生成物への表面堆積によって、所望の固体炭素生成物の物理的性質を改質するために、１つ以上の物質が反応ゾーン中へ導入され得る。固体炭素物質の物理的性質は、追加的な物質の固体炭素の表面への適用によって、大幅に改質され得る。結果として生じる固体炭素の数多くの異なる改質および官能化が可能である。
【００９５】
一実施形態において、固体カーボンナノチューブを形成した後、反応ガス混合物は、反応器から取り出され、結果として生じる固体炭素生成物を改質または官能化するためのガス混合物と置き換えられる。炭素酸化物および還元剤は、反応器から取り出され、官能化ガス混合物が反応器に導入される。官能化ガス混合物としては、アルキル基、カルボニル基、芳香族化合物、非芳香族環、ペプチド、アミノ基、水酸基、硫酸基、またはリン酸基等の、官能基が挙げられる。反応温度および圧力は、カーボンナノチューブの官能化を生じさせるのに好適な条件に維持される。別の実施形態において、固体炭素生成物が形成された後に、反応器は、不活性ガス、空気、または他のガスもしくは官能基で冷却される。
【００９６】
本明細書で説明される還元プロセスは、通常、少なくとも１種類の固体炭素生成物および水の形成をもたらす。水は、その後に、凝縮され得る。水の潜熱は、加熱の目的で、または低圧動力抽出サイクルの一部として抽出され得る。水は、別のプロセスに使用される有用な副産物であり得る。
【００９７】
本明細書で開示される方法は、主炭化水素燃料源の燃焼が熱の主供給源である、発電、化学プロセス、および製造プロセスに組み込まれ得る。そのようなプロセスからの結果として生じる燃焼ガスは、所望の固体炭素生成物を製造するための炭素の供給源として作用し得る、炭素酸化物を含有する。本方法は、数多くの異なる生成能力に拡張可能であり、よって、例えば、本方法を念頭に置いて設計される工場は、大型の石炭燃焼発電設備の燃焼プロセスからの、または内燃エンジンからの炭素酸化物の放出物を取り扱うようにサイズ決定され得る。例えば、本方法は、大気、燃焼ガス、プロセスのオフガス、ポートランドセメントの製造からの排気ガス、および坑井ガスからの、またはそれらの分離された画分からの二酸化炭素を還元するために使用され得る。
【００９８】
別の実施形態では、供給源ガス混合物からの炭素酸化物が、供給源混合物から分離され、濃縮されて、還元プロセスのための炭素酸化物原料を形成する。供給源ガス中の炭素酸化物は、当技術分野で知られている種々の手段（例えば、アミン吸収および再生）を通して濃縮され得る。さらに別の実施形態において、多段階動力抽出プロセスでは、触媒変換プロセスが中間ステップとして用いられ得、該多段階動力抽出プロセスでは、所望の固体炭素生成物の形成のために、第１段階で燃焼ガスを還元プロセスの反応温度まで冷却する。次いで、冷却された燃焼ガスは、所望の還元反応の温度で、還元プロセスを通過させられ得、その後に、追加的な動力抽出ステージを通過させられ得る。
【００９９】
本方法を発電のための炭化水素燃焼プロセスと連結することは、反応プロセスに必要とされる水素が、オフピークの電力を使用した水の電気分解によって形成され得るという点で、追加的な利点を有する。電気分解プロセスで形成される酸素
【０１００】
いくつかの場合では、（例えば、反応ガスがアルゴン、窒素、またはヘリウム等の不活性パージガスによって置換されるパージチャンバを通して、反応器から固体炭素生成物を取り出すことによって）冷却前に、反応ガス混合物から固体炭素生成物を取り出すことが有益であり得る。冷却前にパージすることは、冷却プロセス中に、所望の固体炭素生成物上の望ましくないモルフォロジの堆積または成長を低減させるのを補助する。
【実施例】
【０１０１】
以下の実施例は、説明されるプロセスを例示する。各実施例は、以下のサブセクションでさらに詳細に説明され、実施例のそれぞれの生成物の走査電子顕微鏡画像が含まれる。
【０１０２】
（表１）実施例１〜実施例７の条件
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【０１０３】
実施例１〜実施例７の実験装置は、図４で例示される。試験は、バッチモードで行った。実験装置は、直列に接続される２つの管状炉１、２を含む。各炉は、外部石英シェルを含む。２つの炉の配設は、異なる反応温度で、異なる触媒を伴うが、同じ反応ガス混合物および圧力を伴う、管状炉１、２のそれぞれにおける別個の並列試験を可能にする。触媒試料（すなわち、金属管）は、管炉１、２の内部に配置した。管状炉１、２は、約１〜２時間にわたって加熱し、反応後に、試料を取り出すことができるように４〜６時間にわたって冷却した。管状炉１、２はまた、適切な配管および弁によって、単独でも動作し得る。図４で例示される構成要素は、関連する配管、計装、および付属物とともに、以下の実施例の説明において、集合的に「実験装置」と称される。
【０１０４】
本実施例において種々の組み合わせで使用されるガスは、ＰｒａｘＡｉｒから入手可能な研究グレードの二酸化炭素（ＣＯ２）、ＰｒａｘＡｉｒから入手可能な研究グレードのメタン（ＣＨ４）、ＰｒａｘＡｉｒから入手可能な標準グレードの窒素（Ｎ２）、Ａｉｒ  Ｌｉｑｕｉｄｅから入手可能な研究グレードのヘリウム（Ｈｅ）、およびＰｒａｘＡｉｒから入手可能な研究グレードの水素（Ｈ２）であった。
【０１０５】
図４で描写されるように、ガス供給源６に貯蔵されているガスは、混合弁７を通過させた。混合弁７は、ガスを混合し、管状炉１、２へのガスの流れを制御した。管状炉１および２を通って凝縮器４へ流れるガスは、概して、水を除去するために、約３℃に維持した。乾燥したガスは、圧縮器３を通過させて管状炉１中へ戻した。特定の実験で、管状炉１、２を不活性ガスでパージする必要がある場合は、真空ポンプ５を断続的に使用して、管状炉１、２を排気した。
【０１０６】
第１の管状炉１の温度は、第１の管状炉１のほぼ中心線で、外部石英シェルの内側に配置した、タイプＫ熱電対によって測定した。第２の管状炉２の温度は、第２の管状炉２のほぼ中心線で、管状炉２のセラミック絶縁体に穿設した孔の中に配置した、タイプＫ熱電対によって測定した。温度は、これらの熱電対に示されるように報告される。
【０１０７】
再循環流速を測定または制御するためのいかなる試みも行わず、生成物の品質および反応速度は、流速（例えば、大容量圧縮機を使用したか、または低容量ポンプを使用したか）とは無関係であると思われた。いかなる特定の理論にも束縛されるものではないが、流速は、全て臨界閾値を超えた場合があった。流速は、生産施設の設計および動作にとって重要であり得るが、実験装置の体積は、触媒および結果として生じる固体炭素生成物の体積よりもかなり大きいので、本明細書で報告される試験においてはそれほど重要ではない。当業者には、特定の生産設計のための最適な流速を決定するための適切な試験が容易に見出されるであろう。
【０１０８】
実験中に、実験装置中のガスの圧力は、温度が高くなるにつれて急速に低下し始める。圧力が低下し始めた温度は、触媒およびガス混合物によって変動した。この圧力の低下は、固体炭素生成物の形成開始の徴候であり得る。圧力が低下したときには、圧力を維持するために、混合弁７を介して、追加的な反応ガスを実験装置に加えた。間もなくして、圧力が上昇し始め、その時点で混合弁７を閉じた。圧力低下の大きさおよび期間は、ＣＮＴの成長開始の徴候および／または成長の速度であると思われる。
【０１０９】
始動手順は、次の２つの方法のうちの１つに従った。すなわち、実験装置を不活性ガス（ヘリウムまたは窒素）中で加熱するか、または実験装置を空気中で加熱するか、である。不活性ガス中で加熱する場合、実験装置は、約５分間にわたって、真空ポンプ５によって排気し、パージし、その後に、真空ポンプ５をオフにし、切り離した。実験装置は、不活性ガスによって大気圧にした。次いで、不活性ガスをオフにし、そして、管状炉１、２の加熱要素をオンにして、加熱サイクルを開始した。空気の場合、管状炉１、２は、始動時にパージせず、単に運転温度にした。
【０１１０】
炉がほぼ実験設定点温度に到達したときに、５分間にわたって、実験装置を排気し、反応ガス混合物（一般的に、二酸化炭素および還元ガスの理論混合物）でパージした。次いで、反応ガスおよび温度が上昇し続ける間、および実験装置のゲージ温度が選択した試験温度になるまで、実験装置を大気圧にした。
【０１１１】
実施例では、管状炉１、２を一定の時間（一般的に、１時間）にわたって動作させ、その後、管状炉１、２をオフにした。管状炉１、２をオフにした後、真空ポンプ５をオンにし、約５分間にわたって、反応ガスを排気し、不活性ガス（ヘリウムまたは窒素のいずれか）で実験装置をパージした。次いで、真空ポンプ５をオフにし、実験装置を不活性パージガスによって大気圧にし、冷却させた。
【０１１２】
実験中に、パージおよび冷却に使用した不活性ガスに基づいて生成したＣＮＴの品質には、いかなる違いも観察されなかった。当業者には、本明細書の実施例に基づく連続流通反応器の実現形態が容易に見出されるであろう。
【０１１３】
実施例１
多数の赤錆斑点を有する軟鋼ウエハの試料を触媒として使用した。軟鋼ウエハは、管状炉１のほぼ中心線に配置した。真空ポンプ５を始動し、５分間にわたって、ヘリウムを使用して実験装置をパージした。５分後に、真空ポンプ５をオフにし、圧縮機３をオンにし、冷凍凝縮器４をオンにし、そして、圧力が９０．６ｋＰａ（６８０トール）に到達するまでヘリウムガスを流し続け、到達した時点で、ガス流を遮断した。次いで、管状炉１の加熱要素をオンにした。
【０１１４】
炉１が６８０℃の温度に到達したときに、真空ポンプ５をオンにし、そして、（混合弁７によってガス供給源６から送達される）二酸化炭素および水素の化学量論的混合物中の反応ガスを使用して、５分間にわたって、実験装置をパージした。５分後に、真空ポンプ５をオフにした。実験装置が１０１．３ｋＰａ（７６０トール）の圧力に到達したときに、混合弁７を閉じて、管状炉１中への反応ガスの流れを止めた。圧縮機３および冷凍凝縮器４は、管状炉１、２を通して反応ガスを循環させるように動作させた。実験装置のゲージ圧力を８５．３ｋＰａ（６４０トール）〜１０１．５ｋＰａ（７６０トール）に保つために、混合弁７を定期的に開くことによって、追加的な反応ガスを加えた。反応ガスは、１時間にわたって管状炉１、２を通して循環させ、その後、炉１の加熱要素を遮断し、真空ポンプ５を始動し、そして、５分間にわたって、混合弁７によって制御されるガス供給源６からのヘリウムで実験装置をパージした。次いで、真空ポンプ５を遮断し、そして、実験装置のゲージ圧力が９８．７ｋＰａ（７４０トール）になるまで、ヘリウムのパージガスを流し続けた。次いで、炉１を冷却した。
【０１１５】
鋼試料は、炉１を冷却した後に取り出した。図５は、基材上の「フォレスト」タイプの成長を含む、鋼試料が取り出された後の、該鋼試料の写真を示す。このフォレストは、ＣＮＴの「ピロー」から成る。図６は、倍率７００倍の、同じ試料のＳＥＭ（走査電子顕微鏡）画像を示す。図７は、上面図であり、倍率１８，０００倍の、図６の同じ試料を示し、代表的なピローの詳細を示す。ＣＮＴのサイズ（直径数十〜数百ナノメートル）は、ＣＮＴがおそらくは多層ＣＮＴであることを示す。図７はまた、明るい斑点での各ＣＮＴの成長先端部の端部における触媒も示す。成長先端部の平均直径は、関連するカーボンナノチューブの直径の約１．２〜１．３倍であると思われる。図８は、図７のＣＮＴの元素分析を示し、ＣＮＴが、主に炭素であり、おそらくはＣＮＴの成長先端部に埋め込まれた触媒粒子のため、僅かな鉄および酸素成分を伴うことを示す。
【０１１６】
実施例２
３０４ステンレス鋼のウエハ上に石英円板を横にして配置し、これを触媒として使用した。ウエハは、炉１のほぼ中心線に配置した。実験装置は、実施例１のようにヘリウムでパージし、加熱した。実施例１のように、１時間にわたって６８０℃の温度および８５．３ｋＰａ（６４０トール）〜１０１．３ｋＰａ（７６０トール）の圧力で反応ガスを加え、再循環させた。
【０１１７】
ステンレス鋼試料は、炉１を冷却した後に、炉１から取り出した。ＣＮＴのマットが、石英とステンレス鋼ウエハとの間で成長した。ＣＮＴマットの一部分が、石英およびステンレス鋼双方の表面に付着した。図９は、倍率１０，０００倍の試料を示し、図１０は、倍率１００，０００の試料を示す。ＣＮＴのサイズ（直径数十〜数百ナノメートル）は、ＣＮＴがおそらくは多層ＣＮＴであることを示す。
【０１１８】
実施例３
３１６Ｌステンレス鋼のウエハを触媒として使用した。３１６Ｌステンレス鋼ウエハは、炉１のほぼ中心線に配置した。実験装置は、実施例１のようにヘリウムでパージし、加熱した。実施例１のように、反応ガスを１時間にわたって加え、再循環させたが、７００℃の温度および９３．３ｋＰａ（７００トール）〜９７．３ｋＰａ（７３０トール）の圧力とした。
【０１１９】
ステンレス鋼ウエハは、炉１を冷却した後に、炉１から取り出した。図１１は、ステンレス鋼ウエハの写真である。カーボンナノチューブは、ウエハの一部分上でだけ成長した。その理由は、不明である。図１２は、倍率２，５００倍の、ウエハ上のＣＮＴフォレストの領域の画像を示し、図１３は、倍率１０，０００倍の、同じＣＮＴフォレストの領域の画像を示す。チューブの直径は、該チューブがおそらくは多層ＣＮＴであることを示す。
【０１２０】
実施例４
軟スチールウールの試料を触媒として使用した。スチールウールは、炉１の中心線の近くに配置し、空気中で加熱した。圧縮機３、冷凍凝縮器４、および管状炉１の加熱元素をオンにし、実験装置を通して空気を循環させた。炉１の温度が６４５℃に到達したときに、真空ポンプ５を始動し、二酸化炭素および水素の化学量論的混合物を、５分間にわたって、ガス供給源６から（混合弁７を介して）管状炉１中へ流した。炉１の温度は、７００℃の設定点まで上昇させ続けた。５分後に、真空ポンプ５を遮断し、実験装置のゲージ圧力が７０．６ｋＰａ（５３０トール）になるまでガスを流し続け、その時点で、６６．６ｋＰａ（５００トール）〜７０．６ｋＰａ（５３０トール）に圧力を保つのに十分なより低い流速まで、反応ガスの流速を低減させた。反応ガスは、１時間にわたって管状炉１、２を通して循環させ、その後、炉１の加熱要素を遮断し、真空ポンプ５を始動し、そして、５分間にわたって、ヘリウムで実験装置をパージした。次いで、真空ポンプ５を遮断し、そして、実験装置のゲージ圧力が９３．３ｋＰａ（７００トール）になるまで、ヘリウムパージガスを流し続けた。次いで、炉１を冷却した。
【０１２１】
固体炭素生成物を有するスチールウール試料は、炉１を冷却した後に取り出した。図１４は、スチールウール試料の写真である。固体炭素生成物の粉末状の黒色帯を試料採取し、ＳＥＭの下で調査し、図１５において、倍率８００倍の粉末の粒子の画像で示す。描写される粒子は、粉末状の黒色帯を含む多数の「ピロー」のうちの単一のピローである。図１６は、倍率約１２０，０００倍の同じピローの画像を示す。直径は、ＣＮＴがおそらくは多層であることを示す。
【０１２２】
実施例５
３１６ステンレススチールワイヤの試料を触媒として使用した。ワイヤは、炉１の中の、炉１の出口の近くに配置した。炉１の加熱要素、冷凍凝縮器４、および真空ポンプ５をオンにした。二酸化炭素および水素の化学量論的混合物中の反応ガス（混合弁７によってガス供給源６から送達される）を使用して、５分間にわたって、実験装置をパージした。５分後に、真空ポンプ５をオフにし、圧縮機３をオンにし、そして、実験装置のゲージ圧力が７８．５ｋＰａ（５８９トール）になるまで反応ガス混合物を流し続け、その時点で、反応ガス流を遮断した。反応ガスは、２時間にわたって５７５℃で管状炉１、２を通して循環させ、その後、炉１の加熱要素を遮断し、真空ポンプ５を始動し、そして、５分間にわたってヘリウムで実験装置をパージした。次いで、真空ポンプ５を遮断し、そして、実験装置のゲージ圧力が９３．３ｋＰａ（７００トール）になるまで、ヘリウムを流し続けた。次いで、炉１を冷却した。
【０１２３】
スチールワイヤは、炉１を冷却した後に、炉１から取り出した。図１７は、固体炭素生成物の表面成長を伴うスチールワイヤ試料の写真であり、本実施例では、グラファイトプレートレットを含む。グラファイトプレートレットの試料は、ＳＥＭを使用して撮像し、倍率７，０００倍で図１８に示し、倍率５０，０００倍で図１９に示す。
【０１２４】
実施例６
３０４ステンレス鋼のウエハを、触媒として使用した。ステンレス鋼ウエハの上面に石英円板を配置した。ステンレス鋼ウエハおよび石英円板は、炉１のほぼ中心線に配置した。実験装置は、実施例１のようにヘリウムでパージし、加熱した。実施例１のように、６５０℃の温度および８５．３ｋＰａ（６４０トール）〜１０１．３ｋＰａ（７６０トール）の圧力で、反応ガスを加え、再循環させた。
【０１２５】
ステンレス鋼ウエハおよび石英円板は、炉１を冷却した後に取り出した。図２０は、表面にグラファイトプレートレットを有する試料の写真である。グラファイトプレートレットの試料は、ＳＥＭを使用して撮像し、倍率７７８倍で図２１に示す。図２１は、繊維を含むピローを示す。図２２は、カーボンナノチューブの絡まった構造を含む、倍率１１，０００倍のピローの１つを示す。図２３は、倍率７０，０００倍の、図２２で示されるピローと同じピローのカーボンナノチューブのいくつかの詳細を示す。
【０１２６】
周期表の５族〜１０族（例えば、ニッケル、モリブデン、クロム、コバルト、タングステン、マンガン、ルテニウム、プラチナ、イリジウム等）、アクチニド、およびランタニドから成る触媒で先の実施例の触媒を置き換えると、ほぼ同じ結果がもたらされ得る。したがって、クロム、モリブデン、コバルト、タングステン、またはニッケルを含有する合金または超合金で触媒を置き換えると、ほぼ同じ結果がもたらされ得、ナノチューブ生成物のサイズおよびモルフォロジは、触媒物質の結晶粒径に依存する。好適な触媒はまた、そのような金属の混合物も含む。本明細書で説明される反応条件に類似する反応条件が、そのような触媒ともに使用され得る。例えば、反応温度は、約５００℃〜約１２００℃、約６００℃〜約１０００℃、または約７００℃〜約９００℃の範囲であり得る。いくつかの実施形態において、温度は、選択された固体炭素生成物を生成するために、少なくとも６８０℃等の、少なくとも６５０℃であり得る。固体炭素生成物（例えば、ＣＮＴ）のサイズおよびモルフォロジは、非鉄触媒の結晶粒径に依存し得る。
【０１２７】
実施例７
長さ約１５ｃｍおよび内径約５ｃｍを有する軟鋼管を、炉１のほぼ中心線に配置した。反応ガス流は、反応器の頂部から下方へ方向付け、固体炭素生成物の収集を支援した。炉１が設定点の６５０℃到達したとき、炭素の堆積速度は、鋼管上で約８．０ｇ／時間であった。堆積速度は、炭素が鋼管の表面に堆積する温度範囲において、温度と強い相関があるように思われなかった。炭素の形成速度は、約７．６１×１０−３ｍｏｌ／ｍ２／ｓに等しかったが、これは、パイプの質量移動の速度に類似する。
【０１２８】
下の実施例８〜１４については、炭素鋼クーポンを、厚さ約１．３ｍｍの鋼のシートから切り取った。各クーポンは、幅約１３ｍｍ、および長さ約１８ｍｍ〜２２ｍｍであった。クーポンは、長さ約８．５ｃｍおよび幅１．５ｃｍの石英ボート中に離して配置し、ボートは、内径約２．５４ｃｍおよび長さ約１．２ｍの石英管中に端と端を接して挿入した。次いで、石英管を、管状炉中に配置した。石英管は、管状炉が動作条件まで加熱される前に、水素ガスによってパージして、クーポンの表面を還元した。管状炉が動作条件に到達した後、各クーポンの上面および下面の双方が反応ガスに露出するように、反応ガスを石英管中へ導入した（すなわち、石英管を通して連続的に流した）。温度、圧力、およびガス組成は、クーポン毎に測定した。試験後に、クーポンを、石英管から取り出した。重量の変化および炭素の形成に注目した。
【０１２９】
実施例８
１２個の鋼クーポンを、上で説明されるように、石英管中に配置した。約２５％のＨ２、２５％のＣＯ、２５％のＣＯ２、および２５％のＣＨ４を含有する反応ガスを、約４．０ＭＰａで、石英管中へ導入した。ガスは、約４時間にわたって２０００ｓｃｃｍ（立方センチメートル毎分）でクーポン上に流した。固体炭素は、下の表２で示されるように、約６５０℃〜約８７０℃の温度で、１２個のクーポンのうちの８個に形成した。試験後、固体炭素は、クーポンのいくつかから物理的に取り出し、表２で示されるように、ＢＥＴ比表面積について試験を行った。固体炭素の試料は、ＳＥＭを使用して撮像し、倍率５０，０００倍で図２４〜図３０に示す。試験中に、ガスから約４１．２グラムの水が収集された。
【０１３０】
（表２）２５％のＨ２、２５％のＣＯ、２５％のＣＯ２、および２５％のＣＨ４からの固体炭素形成
2015518461.tif 000005
【０１３１】
実施例９
１２個の鋼クーポンを、上で説明されるように、石英管中に配置した。約５０％のＣＯおよび５０％のＣＯ２を含有する反応ガスを、約４．０ＭＰａで、石英管中へ導入した。ガスは、約３時間にわたって、２０００ｓｃｃｍでクーポン上に流した。固体炭素は、下の表３で示されるように、約５９０℃〜約９００℃の温度で、１２個のクーポンのうちの１０個に形成した。試験後、固体炭素は、クーポンのいくつかから物理的に取り出し、表３で示されるように、ＢＥＴ比表面積について試験を行った。固体炭素の試料は、ＳＥＭを使用して撮像し、倍率５０，０００倍で図３１〜図３８に示す。試験中に、ガスからいかなる水も収集されなかった。
【０１３２】
（表３）５０％のＣＯおよび５０％のＣＯ２からの固体炭素形成
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【０１３３】
実施例１０
１２個の鋼クーポンを、上で説明されるように、石英管中に配置した。約９０％のＣＯおよび１０％のＣＯ２を含有する反応ガスを、約４．０ＭＰａで、石英管中へ導入した。ガスは、約２時間にわたって２０００ｓｃｃｍでクーポン上に流した。固体炭素は、下の表４で示されるように、約５９０℃〜約９００℃の温度で、１２個のクーポンのうちの１０個に形成した。試験後、固体炭素は、クーポンのいくつかから物理的に取り出し、表４で示されるように、ＢＥＴ比表面積について試験を行った。固体炭素の試料は、ＳＥＭを使用して撮像し、倍率５０，０００倍で図３９〜図４７に示す。試験中に、ガスからいかなる水も収集されなかった。
【０１３４】
（表４）９０％のＣＯおよび１０％のＣＯ２からの固体炭素形成
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【０１３５】
実施例１１
１２個の鋼クーポンを、上で説明されるように、石英管中に配置した。約９０％のＣＯおよび１０％のＣＯ２を含有する反応ガスを、約１．５ＭＰａで、石英管中へ導入した。ガスは、約３時間にわたって２０００ｓｃｃｍでクーポン上に流した。固体炭素は、下の表５で示されるように、約５３６℃〜約８９０℃の温度で、１２個のクーポンのうちの１０個に形成した。試験後、固体炭素は、クーポンのいくつかから物理的に取り出し、表５で示されるように、ＢＥＴ比表面積について試験を行った。固体炭素の試料は、ＳＥＭを使用して撮像し、倍率５０，０００倍で図４８〜図５４に示す。試験中に、ガスからいかなる水も収集されなかった。
【０１３６】
（表５）９０％のＣＯおよび１０％のＣＯ２からの固体炭素形成
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【０１３７】
実施例１２
１２個の鋼クーポンを、上で説明されるように、石英管中に配置した。約１３．０％のＨ２、１５．２％のＣＯ、１０．９％のＣＯ２、５７．８％のＣＨ４、および３．０％のＡｒを含有する反応ガスを、約４１２ｋＰａで、石英管中へ導入した。ガスは、約６時間にわたって２０００ｓｃｃｍでクーポン上に流した。固体炭素は、下の表６で示されるように、約４６４℃〜約７００℃の温度で、１２個のクーポンのうちの７個に形成した。試験後、固体炭素は、クーポンのいくつかから物理的に取り出し、表６で示されるように、ＢＥＴ比表面積について試験を行った。固体炭素の試料は、ＳＥＭを使用して撮像し、倍率５０，０００倍で図５５〜図５７に示す。試験中に、ガスから約７．９５グラムの水が収集された。
【０１３８】
（表６）１３．０％のＨ２、１５．２％のＣＯ、１０．９％のＣＯ２、５７．８％のＣＨ４、および３．０％のＡｒからの固体炭素形成
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【０１３９】
実施例１３
１２個の鋼クーポンを、上で説明されるように、石英管中に配置した。約１３．０％のＨ２、１５．２％のＣＯ、１３．０％のＣＯ２、５５．８％のＣＨ４、および２．９３％のＡｒを含有する反応ガスを、約４１２ｋＰａで、石英管中へ導入した。ガスは、約６時間にわたって２０００ｓｃｃｍでクーポン上に流した。固体炭素は、下の表７で示されるように、約５３６℃〜約７９４℃の温度で、１２個のクーポンのうちの７個に形成した。試験後、固体炭素は、クーポンのいくつかから物理的に取り出し、表７で示されるように、ＢＥＴ比表面積について試験を行った。固体炭素の試料は、ＳＥＭを使用して撮像し、倍率５０，０００倍で図５８〜図６２に示す。試験中に、ガスから約７．３８グラムの水が収集された。
【０１４０】
（表７）１３．０％のＨ２、１５．２％のＣＯ、１３．０％のＣＯ２、５５．８％のＣＨ４、および２．９３％のＡｒからの固体炭素形成
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【０１４１】
実施例１４
１２個の鋼クーポンを、上で説明されるように、石英管中に配置した。約１５．２％のＨ２、１３．０％のＣＯ、８．７％のＣＯ２、５９．９％のＣＨ４、および３．１５％のＡｒを含有する反応ガスを、約４１２ｋＰａで、石英管中へ導入した。ガスは、約６時間にわたって２０００ｓｃｃｍでクーポン上に流した。固体炭素は、下の表８で示されるように、約５２３℃〜約７８９℃の温度で、１２個のクーポンのうちの１０個に形成した。試験後、固体炭素は、クーポンのいくつかから物理的に取り出し、表８で示されるように、ＢＥＴ比表面積について試験を行った。固体炭素の試料は、ＳＥＭを使用して撮像し、倍率５０，０００倍で図６３〜図６８に示す。試験中に、ガスから約９．５９グラムの水が収集された。
【０１４２】
（表８）１５．２％のＨ２、１３．０％のＣＯ、８．７％のＣＯ２、５９．９％のＣＨ４および３．１５％のＡｒからの固体炭素形成
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【０１４３】
実施例１５
１つの鋼クーポンを、上で説明されるように、石英管中に配置した。約１３％のＨ２、１５％のＣＯ、１５％のＣＯ２、５４％のＣＨ４、および３％のＡｒを含有する反応ガスを、約４００ｋＰａで、石英管中へ導入した。ガスは、約６時間にわたって２０００ｓｃｃｍでクーポン上に流し、クーポンは、約６００℃に維持した。固体炭素の試料は、ＳＥＭを使用して撮像し、倍率１２，０００倍で図６９に示す。
【０１４４】
実施例１６
１つの鋼クーポンを、上で説明されるように、石英管中に配置した。約１２％のＨ２、１４％のＣＯ、５６％のＣＯ２、９．５％のＣＨ４、０．５％のＡｒ、および８％のＨ２Ｏを含有する反応ガスを、約４００ｋＰａで、石英管中へ導入した。ガスは、約６時間にわたって２０００ｓｃｃｍでクーポン上に流し、クーポンは、約６８０℃に維持した。固体炭素の試料は、ＳＥＭを使用して撮像し、倍率８，０００倍で図７０に示す。
【０１４５】
実施例１７
１つの鋼クーポンを、上で説明されるように、石英管中に配置した。約１３％のＨ２、１７％のＣＯ、１５．５％のＣＯ２、５２％のＣＨ４、および２．５％のＡｒを含有する反応ガスを、約４００ｋＰａで、石英管中へ導入した。ガスは、約６時間にわたって２０００ｓｃｃｍでクーポン上に流し、クーポンは、約６６０℃に維持した。固体炭素の試料は、ＳＥＭを使用して撮像し、倍率１０，０００倍で図７１に示す。
【０１４６】
実施例１８
１つの鋼クーポンを、上で説明されるように、石英管中に配置した。約１３％のＨ２、１７％のＣＯ、１５．５％のＣＯ２、５２％のＣＨ４、および２．５％のＡｒを含有する反応ガスを、約１７０ｋＰａで、石英管中へ導入した。ガスは、約４時間にわたって２０００ｓｃｃｍでクーポン上に流し、クーポンは、約６３０℃に維持した。固体炭素の試料は、ＳＥＭを使用して撮像し、倍率５，０００倍で図７２に示す。
【０１４７】
実施例１９
１つの鋼クーポンを、上で説明されるように、石英管中に配置した。約１５．２２％のＨ２、１３．０４％のＣＯ、８．７％のＣＯ２、５９．８９％のＣＨ４、および２３．１５％のＡｒを含有する反応ガスを、約４００ｋＰａで、石英管中へ導入した。ガスは、約４時間にわたって２０００ｓｃｃｍでクーポン上に流し、クーポンは、約６００℃に維持した。固体炭素の試料は、ＳＥＭを使用して撮像し、倍率８００倍で図７３に示し、倍率１０，０００倍で図７４に示す。
【０１４８】
実施例２０
１つの鋼クーポンを、上で説明されるように、石英管中に配置した。約４８％のＨ２、１３％のＣＯ、２１％のＣＯ２、および１８％のＣＨ４を含有する反応ガスを、約１７０ｋＰａで、石英管中へ導入した。ガスは、約２時間にわたって２０００ｓｃｃｍでクーポン上に流し、クーポンは、約６２５℃に維持した。固体炭素の試料は、ＳＥＭを使用して撮像し、倍率５，０００倍で図７５に示し、倍率１０，０００倍で図７６に示す。
【０１４９】
実施例２１〜２３について、実験装置は、実施例１〜７について上で説明され、図４で示されるように使用した。
【０１５０】
（表９）実施例２１および実施例２２の条件
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【０１５１】
実施例２１
長さ約１２０ｃｍおよび内径約５ｃｍの軟鋼管を、炉１のほぼ中心線に配置した。反応ガス流は、反応器の頂部から下方へ方向付け、固体炭素生成物の収集を支援した。反応器パイプは、炉を冷却した後に炉１から取り出した。固体炭素生成物は、反応器の壁から掻き取り、試料は、ＳＥＭによって試験を行った。図７７〜図８２は、段階的に大きい倍率、２５０倍、８００倍、１，２００倍、１，６００倍、２，０００倍、および３，１００倍でのＳＥＭ画像を示す。これらの倍率で、物質のフォレスト成長モルフォロジを観察することができる。
【０１５２】
実施例２２
長さ約１２０ｃｍおよび内径約５ｃｍのステンレス鋼管を、炉１のほぼ中心線に配置した。反応ガス流は、反応器の頂部から下方へ方向付け、固体炭素生成物の収集を支援した。反応器パイプは、炉を冷却した後に炉１から取り出した。固体炭素生成物は、反応器の壁から掻き取り、試料は、ＳＥＭによって試験を行った。図８３および図８４は、それぞれ、倍率７，０００倍および５０，０００倍でのＳＥＭ画像を示す。これらの倍率で、物質のフォレスト成長モルフォロジを観察することができる。
【０１５３】
上の実施例では、実施例と類似する性質の固体炭素生成物を形成するために、種々の市販の触媒で置換され得る。したがって、触媒は、インコネル（登録商標）、ハステロイ（登録商標）、軟鋼、種々のグレードのステンレス鋼等から成り得る。固体カーボンナノチューブ生成物のサイズおよびモルフォロジは、金属触媒の結晶粒径を制御することによって、制御され得る。
【０１５４】
上の説明は、具体的な説明を含むが、それらは、本発明の範囲を限定するものとしてではなく、単にある実施形態を提供するものとして解釈されるべきである。同様に、本発明の他の実施形態が、本発明の範囲から逸脱することなく考案され得る。例えば、一実施形態を参照して本明細書で説明される特徴はまた、本明細書で説明される他の実施形態でも提供され得る。したがって、本発明の範囲は、上の説明によってではなく、添付の特許請求の範囲およびそれらの法的等価物によってだけ示され、限定される。本明細書で開示される本発明に対する、特許請求の範囲の意味および範囲に入る全ての追加、削除、および修正は、本発明によって包含される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
2015518461.tif 000046
【図３４】
2015518461.tif 000047
【図３５】
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【図３６】
2015518461.tif 000049
【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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【図５９】
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【図６０】
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【図６１】
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【図６２】
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【図６３】
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【図６４】
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【図６５】
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【図６６】
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【図６７】
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【図６８】
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【図６９】
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【図７０】
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【図７１】
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【図７２】
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【図７３】
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【図７４】
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【図７５】
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【図７６】
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【図７７】
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【図７８】
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【図７９】
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【図８０】
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【図８１】
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【図８２】
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【図８３】
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【図８４】
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【手続補正書】
【提出日】平成27年2月23日(2015.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体炭素フォレストを生成する方法であって、
反応チャンバ中に触媒表面を配置することと、
前記触媒表面を、還元雰囲気中で、所定の調整時間にわたって所定の反応温度および所定の反応圧力まで加熱することと、
反応ガス混合物を形成するために、炭素酸化物を含むガス状反応物質を前記反応チャンバの前記還元雰囲気中へ導入することと、
前記触媒表面に前記固体炭素フォレストを生成するために、所定の露出時間にわたって前記触媒表面を前記反応ガス混合物に露出させることと、
前記所定の露出時間の間、前記反応ガス混合物中の前記反応ガスの濃度を維持することと、
前記所定の露出時間の間、前記反応ガス混合物中の水蒸気の濃度を所定のレベルに制御することと、
前記固体炭素フォレストを官能化するために、第１のガス混合物を前記反応チャンバ中へ導入することと、
前記反応チャンバから前記第１のガス混合物を取り出すことと、
前記反応チャンバを冷却するために、第２のガス混合物を前記反応チャンバ中へ導入することと
を含む、前記方法。
【請求項２】
前記触媒表面を還元雰囲気中で加熱することは、前記触媒表面の任意の酸化物を十分に還元するのに十分な時間にわたって前記触媒表面を還元することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記触媒表面に前記固体炭素フォレストを生成するために、所定の露出時間にわたって前記触媒表面を前記反応ガス混合物に露出させることは、二酸化炭素を還元雰囲気のガスと反応させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
イオン衝撃を行うこと、エッチングすること、酸化させること、還元すること、焼なましすること、焼入れすること、再結晶化させることのうちの少なくとも１つによって前記触媒表面を処理することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記固体炭素フォレストを、水、アルコール、または酸のうちの少なくとも１つを含む溶媒と接触させることによって、前記触媒表面を化学的に改質することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
固体炭素フォレストを生成するための反応器であって、
金属触媒と、
前記金属触媒の表面に固体炭素フォレストを形成するために、炭素酸化物の還元を容易にするための手段であって、独立して動作するように構成された複数の反応器区画を備える、手段と、
前記金属触媒の前記表面から前記固体炭素フォレストを取り出すための手段と
を備える、前記反応器。
【請求項７】
前記炭素酸化物の還元を容易にするための前記手段は、前記金属触媒を、前記金属触媒の前記表面から前記固体炭素フォレストを取り出すための前記手段へと反応ゾーンを通じて連続的に輸送するように構成されたコンベアをさらに備える、請求項６に記載の反応器。
【請求項８】
前記コンベアの第１の部分は、前記炭素酸化物の還元を容易にするための前記手段内に配置され、前記コンベアの第２の部分は、前記金属触媒の前記表面から前記固体炭素フォレストを取り出すための前記手段内に配置される、請求項７に記載の反応器。
【請求項９】
前記金属触媒の前記表面から前記固体炭素フォレストを取り出すための前記手段は、前記金属触媒を撹拌すること、前記金属触媒を振盪すること、前記金属触媒を振動させること、前記金属触媒表面を掻き取ること、前記金属触媒表面を切削すること、および前記金属触媒を溶媒と接触させることのうちの少なくとも１つのための手段を備える、請求項６に記載の反応器。
【請求項１０】
前記金属触媒は、前記反応器を通る蛇行経路を画定するように構成されている、請求項６に記載の反応器。
【請求項１１】
カーボンナノチューブを生成する方法であって、
選択された化学組成の表面構造を形成するように触媒を調整することと、
前記触媒を反応器中に配置することと、
前記反応器の酸素をパージすることと、
還元剤を前記反応器に導入することと、
前記触媒の表面の金属酸化物を還元しかつ前記選択された化学組成を有する実質的に酸素を含まない表面を提供するために、前記還元剤の存在下で、前記触媒を加熱することと、
前記触媒および前記還元剤の存在下で、ガス状炭素酸化物を反応させることと、
水、および選択されたモルフォロジのカーボンナノチューブを生成するように、反応器温度、反応器圧力、反応ガス組成、ならびに前記ガス状炭素酸化物および前記還元剤に対する前記触媒の露出時間のうちの少なくとも１つを制御することと
前記カーボンナノチューブを、水、アルコール、および酸のうちの少なくとも１つを含む溶媒と接触させることによって前記触媒の表面を化学的に改質することと
を含む、方法。
【請求項１２】
前記触媒および前記還元剤の存在下で、ガス状炭素酸化物を反応させることが、二酸化炭素をガス状還元剤と反応させることをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
反応ゾーンを通して前記触媒を輸送することであって、前記ガス状炭素酸化物および前記還元剤の少なくとも一部分が前記反応ゾーン内に配置されることと、
前記触媒の前記表面から炭素を取り出すための手段を通して前記触媒を輸送することと
をさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記カーボンナノチューブを官能化するために、第１のガス混合物を前記反応器中へ導入することと、
前記反応器から前記第１のガス混合物を取り出すことと、
前記反応器を冷却するために、第２のガス混合物を前記反応器中へ導入することと
をさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
触媒を調整することは、予め選択された化学および表面構造を有する鋼触媒を前記反応器中へ導入することを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記触媒を反応器中に配置することは、異なる化学組成の少なくとも２つの触媒表面構造体を前記反応器中へ配置することを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
前記触媒を反応器中に配置することは、少なくとも１つの固体触媒表面を前記反応器の表面に載置することを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
前記反応器の酸素をパージすることは、前記反応器から実質的に全ての空気を置換することを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１９】
前記還元剤の存在下で前記触媒を加熱することは、前記還元剤の流速および前記還元剤の温度のうちの少なくとも１つを制御することによって前記触媒の温度を制御することを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項２０】
前記還元剤の存在下で前記触媒を加熱する前に、所定の時間にわたって前記触媒の前記表面を酸化させることをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
追加的な情報は、以下の文書で開示され、それぞれの開示は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
１．Ｄａｌｌａｓ  Ｂ．Ｎｏｙｅｓの名義で２０１２年４月１６日に出願された米国特許出願第６１／６２４，７０２号の利益を主張する、「Ｍｅｔｈｏｄｓ  ａｎｄ  Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ  ｆｏｒ  Ｒｅｄｕｃｉｎｇ  Ｃａｒｂｏｎ  Ｏｘｉｄｅｓ  ｗｉｔｈ  Ｎｏｎ−Ｆｅｒｒｏｕｓ  Ｃａｔａｌｙｓｔｓ」について本願と同日に出願された、国際特許出願第ＰＣＴ／ＵＳ２０１３／００００７２号（代理人整理番号３５２５−Ｐ１０９４５．１ＰＣ）、
２．Ｄａｌｌａｓ  Ｂ．Ｎｏｙｅｓの名義で２０１２年４月１６日に出願された米国特許出願第６１／６２４，５７３号の利益を主張する、「Ｍｅｔｈｏｄｓ  ａｎｄ  Ｓｙｓｔｅｍｓ  ｆｏｒ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｅｎｅｒｇｙ  Ｒｅｃｏｖｅｒｙ  ｆｒｏｍ  Ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｏｌｉｄ  Ｃａｒｂｏｎ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ｂｙ  Ｒｅｄｕｃｉｎｇ  Ｃａｒｂｏｎ  Ｏｘｉｄｅｓ」について本願と同日に出願された、国際特許出願第ＰＣＴ／ＵＳ２０１３／００００７６号（代理人整理番号３５２５−Ｐ１０９４６．１ＰＣ）、
３．Ｄａｌｌａｓ  Ｂ．Ｎｏｙｅｓの名義で２０１２年４月１６日に出願された米国特許出願第６１／６２４，７２３号の利益を主張する、「Ｍｅｔｈｏｄｓ  ｆｏｒ  Ｐｒｏｄｕｃｉｎｇ  Ｓｏｌｉｄ  Ｃａｒｂｏｎ  ｂｙ  Ｒｅｄｕｃｉｎｇ  Ｃａｒｂｏｎ  Ｄｉｏｘｉｄｅ」について本願と同日に出願された、国際特許出願第ＰＣＴ／ＵＳ２０１３／００００７７号（代理人整理番号３５２５−Ｐ１０９４７．１ＰＣ）、
４．Ｄａｌｌａｓ  Ｂ．Ｎｏｙｅｓの名義で２０１２年４月１６日に出願された米国特許出願第６１／６２４，５１３号の利益を主張する、「Ｍｅｔｈｏｄｓ  ｆｏｒ  Ｔｒｅａｔｉｎｇ  ａｎ  Ｏｆｆｇａｓ  Ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ  Ｃａｒｂｏｎ  Ｏｘｉｄｅｓ」について本願と同日に出願された、国際特許出願第ＰＣＴ／ＵＳ２０１３／００００７５号（代理人整理番号３５２５−Ｐ１１００２．１ＰＣ）、
５．Ｄａｌｌａｓ  Ｂ．Ｎｏｙｅｓの名義で２０１２年４月１６日に出願された米国特許出願第６１／６２４，８４８号の利益を主張する、「Ｍｅｔｈｏｄｓ  ｆｏｒ  Ｕｓｉｎｇ  Ｍｅｔａｌ  Ｃａｔａｌｙｓｔｓ  ｉｎ  Ｃａｒｂｏｎ  Ｏｘｉｄｅ  Ｃａｔａｌｙｔｉｃ  Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒｓ」について本願と同日に出願された、国際特許出願第ＰＣＴ／ＵＳ２０１３／００００７１号（代理人整理番号３５２５−Ｐ１１２４８．１ＰＣ）、
６．Ｄａｌｌａｓ  Ｂ．Ｎｏｙｅｓの名義で２０１２年４月１６日に出願された米国特許出願第６１／６２４，４６２号の利益を主張する、「Ｍｅｔｈｏｄｓ  ａｎｄ  Ｓｙｓｔｅｍｓ  ｆｏｒ  Ｃａｐｔｕｒｉｎｇ  ａｎｄ  Ｓｅｑｕｅｓｔｅｒｉｎｇ  Ｃａｒｂｏｎ  ａｎｄ  ｆｏｒ  Ｒｅｄｕｃｉｎｇ  ｔｈｅ  Ｍａｓｓ  ｏｆ  Ｃａｒｂｏｎ  Ｏｘｉｄｅｓ  ｉｎ  ａ  Ｗａｓｔｅ  Ｇａｓ  Ｓｔｒｅａｍ」について本願と同日に出願された、国際特許出願第ＰＣＴ／ＵＳ２０１３／００００８１号（代理人整理番号３５２５−Ｐ１１２４９．１ＰＣ）、
７．Ｄａｌｌａｓ  Ｂ．Ｎｏｙｅｓの名義で２０１２年７月１３日に出願された米国特許出願第６１／６７１，４６４号の利益を主張する、「Ｍｅｔｈｏｄｓ  ａｎｄ  Ｓｙｓｔｅｍｓ  ｆｏｒ  Ｆｏｒｍｉｎｇ  Ａｍｍｏｎｉａ  ａｎｄ  Ｓｏｌｉｄ  Ｃａｒｂｏｎ  Ｐｒｏｄｕｃｔｓ」について本願と同日に出願された、国際特許出願第ＰＣＴ／ＵＳ２０１３／００００７８号（代理人整理番号３５２５−Ｐ１１３６１．１ＰＣ）、および
８．Ｄａｌｌａｓ  Ｂ．Ｎｏｙｅｓの名義で２０１２年４月２３日に出願された米国特許出願第６１／６３７，２２９号の利益を主張する、「Ｃａｒｂｏｎ  Ｎａｎｏｔｕｂｅｓ  Ｈａｖｉｎｇ  ａ  Ｂｉｍｏｄａｌ  Ｓｉｚｅ  Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ」について本願と同日に出願された、国際特許出願第ＰＣＴ／ＵＳ２０１３／００００７９号（代理人整理番号３５２５−Ｐ１１７７１ＰＣ）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
鉄系触媒（例えば、鋼、スチールウール）を含む触媒は、追加的な固体担体を必要とすることなく使用され得る。ある実施形態において、本明細書で開示される反応は、触媒のためのセラミック担体または金属担体を必要とすることなく進行する。固体担体を省略することは、反応器の装置を簡略化しかつコストを削減し得る。
[本発明1001]
繊維状固体炭素クラスタを生成する方法であって、
所定の結晶粒径を有する金属の表面で繊維状固体炭素クラスタの成長をもたらすために、前記金属の存在下で、炭素酸化物をガス状還元剤と反応させることと、
前記金属の表面から前記繊維状固体炭素クラスタを分離することと
を含み、
前記炭素酸化物および前記ガス状還元剤は、所定の時間にわたって、所定の温度で、かつ所定の圧力で、前記金属の存在下にある、前記方法。
[本発明1002]
前記炭素酸化物を前記ガス状還元剤と反応させる前に、酸化物を実質的に含まない表面を提供するために前記金属を還元することをさらに含む、本発明1001の方法。
[本発明1003]
前記炭素酸化物を前記ガス状還元剤と反応させる前に前記金属を還元することは、前記金属を約450℃〜約1，000℃の温度で還元することを含む、本発明1002の方法。
[本発明1004]
炭素酸化物をガス状還元剤と反応させることは、二酸化炭素をガス状還元剤と反応させることを含む、本発明1001の方法。
[本発明1005]
金属の存在下で炭素酸化物をガス状還元剤と反応させることは、固定金属触媒構造体上で炭素酸化物を反応させることを含む、本発明1001の方法。
[本発明1006]
イオン衝撃を行うこと、エッチングすること、酸化させること、還元すること、焼なましすること、焼入れすること、再結晶化させることのうちの少なくとも1つによって前記金属の表面を処理することをさらに含む、本発明1001の方法。
[本発明1007]
反応ゾーンを通して前記金属を輸送することであって、前記炭素酸化物および前記ガス状還元剤の少なくとも一部分が前記反応ゾーン内に配置されることと、
前記金属の前記表面から前記繊維状固体炭素クラスタを取り出すための手段を通して前記金属を輸送することと
をさらに含む、本発明1001の方法。
[本発明1008]
前記金属の前記表面から前記繊維状固体炭素クラスタを分離することは、前記金属の表面を機械的に改質することおよび化学的に改質することのうちの少なくとも1つを含む、本発明1001の方法。
[本発明1009]
前記金属の表面を機械的に改質することは、掻き取ること、振動させること、振盪すること、または高速の空気を前記繊維状固体炭素クラスタと前記金属の前記表面の間の界面に向けることのうちの少なくとも1つを含む、本発明1008の方法。
[本発明1010]
前記金属の表面を化学的に改質することは、前記繊維状固体炭素クラスタを、水、アルコール、または酸のうちの少なくとも1つを含む溶媒と接触させることをさらに含む、本発明1008の方法。
[本発明1011]
前記金属を、冷間圧延すること、熱間圧延すること、焼戻すこと、焼入れすること、焼なましすること、または析出硬化することのうちの少なくとも1つによって形成することをさらに含む、本発明1001の方法。
[本発明1012]
前記繊維状固体炭素クラスタを官能化するために、少なくとも1つの官能基を前記繊維状固体炭素クラスタと反応させることをさらに含む、本発明1001の方法。
[本発明1013]
固体炭素フォレストを生成するための反応器であって、
金属触媒と、
前記金属触媒の表面に固体炭素フォレストを形成するために、前記炭素酸化物の還元を容易にするための手段と、
前記金属触媒の前記表面から前記固体炭素フォレストを取り出すための手段と
を備える、前記反応器。
[本発明1014]
前記炭素酸化物の還元を容易にするための前記手段は、前記金属触媒を、前記金属触媒の前記表面から前記固体炭素フォレストを取り出すための前記手段へと反応ゾーンを通じて連続的に輸送するように構成されたコンベアを備える、本発明1013の反応器。
[本発明1015]
前記コンベアの第1の部分は、前記炭素酸化物の還元を容易にするための前記手段内に配置され、前記コンベアの第2の部分は、前記金属触媒の前記表面から前記固体炭素フォレストを取り出すための前記手段内に配置される、本発明1014の反応器。
[本発明1016]
前記炭素酸化物の還元を容易にするための前記手段は、独立して動作するように構成された複数の反応器区画を備える、本発明1013の反応器。
[本発明1017]
前記金属触媒の前記表面から前記固体炭素フォレストを取り出すための前記手段は、前記金属触媒を撹拌すること、前記金属触媒を振盪すること、前記金属触媒を振動させること、前記金属触媒表面を掻き取ること、前記金属触媒表面を切削すること、および前記金属触媒を溶媒と接触させることのうちの少なくとも1つのための手段を備える、本発明1013の反応器。
[本発明1018]
前記金属触媒は、前記反応器を通る蛇行経路を画定するように構成されている、本発明1013の反応器。
[本発明1019]
固体炭素フォレストを生成する方法であって、
反応チャンバ中に触媒表面を配置することと、
前記触媒表面を、還元雰囲気中で、所定の調整時間にわたって所定の反応温度および所定の反応圧力まで加熱することと、
反応ガス混合物を形成するために、炭素酸化物を含むガス状反応物質を前記反応チャンバの前記還元雰囲気中へ導入することと、
前記触媒表面に前記固体炭素フォレストを生成するために、所定の露出時間にわたって前記触媒表面を前記反応ガス混合物に露出させることと、
前記所定の露出時間の間、前記反応ガス混合物中の前記反応ガスの濃度を維持することと、
前記所定の露出時間の間、前記反応ガス混合物中の水蒸気の濃度を所定のレベルに制御することと、
前記反応チャンバから前記固体炭素フォレストを取り出すことと
を含む、前記方法。
[本発明1020]
前記触媒表面を還元雰囲気中で加熱することは、前記触媒表面の任意の酸化物を十分に還元するのに十分な時間にわたって前記触媒表面を還元することを含む、本発明1019の方法。
[本発明1021]
前記反応チャンバから前記固体炭素フォレストを取り出すことは、
前記固体炭素フォレストを官能化するために、第1のガス混合物を前記反応チャンバ中へ導入することと、
前記反応チャンバから前記第1のガス混合物を取り出すことと、
前記反応チャンバを冷却するために、第2のガス混合物を前記反応チャンバ中へ導入することと
を含む、本発明1019の方法。
[本発明1022]
予め選択されたモルフォロジのカーボンナノチューブを生成する方法であって、
所望の化学組成の表面構造を得るように金属触媒を調整することと、
前記金属触媒を反応器中へ導入することと、
前記反応器の酸素をパージすることと、
還元ガスを前記反応器中へ流すことと、
前記金属触媒の表面の金属酸化物を還元しかつ前記所望の化学組成を有する実質的に酸素を含まない表面を提供するために、前記還元ガスの存在下で、前記金属触媒を加熱することと、
前記金属触媒および前記還元ガスの存在下で、ガス状炭素酸化物を反応させることと、
前記選択されたカーボンナノチューブモルフォロジを生成するように、反応器温度、反応器圧力、反応ガス組成、ならびに前記ガス状炭素酸化物および前記還元ガスに対する前記金属触媒の露出時間のうちの少なくとも1つを制御することと
を含む、前記方法。
[本発明1023]
金属触媒を調整することは、予め選択された化学および表面構造を有する鋼触媒を前記反応器中へ導入することを含む、本発明1022の方法。
[本発明1024]
前記金属触媒を反応器中へ導入することは、異なる化学組成の少なくとも2つの触媒表面構造を前記反応器中へ導入することを含む、本発明1022の方法。
[本発明1025]
前記金属触媒を反応器中へ導入することは、少なくとも1つの固体触媒表面を前記反応器に載置することを含む、本発明1022の方法。
[本発明1026]
前記反応器の酸素をパージすることは、前記反応器から実質的に全ての空気を置換することを含む、本発明1022の方法。
[本発明1027]
還元ガスを前記反応器中へ流すことは、水素およびメタンのうちの少なくとも1つを前記反応器中へ流すことを含む、本発明1022の方法。
[本発明1028]
前記還元ガスの存在下で前記金属触媒を加熱することは、前記還元ガスの流速および前記還元ガスの温度のうちの少なくとも1つを制御することによって、前記金属触媒の温度を制御することを含む、本発明1022の方法。
[本発明1029]
前記還元ガスの存在下で前記金属触媒を加熱することは、前記還元ガスの流速および前記還元ガスに対する前記金属触媒の露出時間を制御することを含む、本発明1022の方法。
[本発明1030]
前記金属触媒の存在下でガス状炭素酸化物を反応させることは、前記金属触媒の存在下で二酸化炭素を反応させることを含む、本発明1022の方法。
[本発明1031]
前記還元ガスの存在下で前記金属触媒を加熱する前に、所定の時間にわたって前記金属触媒の前記表面を酸化させることをさらに含む、本発明1022の方法。
[本発明1032]
前記ガス状炭素酸化物および前記還元ガスに対する前記金属触媒の露出時間を制御することは、前記ガス状炭素酸化物の流速を制御すること、および前記還元ガスの流速を制御することのうちの少なくとも1つを含む、本発明1022の方法。
[本発明1033]
カーボンナノチューブを生成する方法であって、
金属触媒を含む反応器中に還元ガスを提供することと、
実質的に金属酸化物である表面を形成するために、前記還元ガスの存在下で前記金属触媒を加熱することと、
カーボンナノチューブを形成するために、前記金属触媒の存在下で炭素酸化物を反応させることと、
前記表面から前記カーボンナノチューブを取り出すことと
を含む、前記方法。
[本発明1034]
前記金属触媒をコンベア上に配置することをさらに含む、本発明1033の方法。
[本発明1035]
前記金属触媒の存在下で炭素酸化物を反応させることは、前記金属触媒の存在下で二酸化炭素を前記還元ガスと反応させることを含む、本発明1033の方法。
[本発明1036]
少なくとも約50：1のアスペクト比を有する略円筒状の繊維を含む、複数の主固体炭素繊維であって、実質的に同じ長さであり、前記主固体炭素繊維が形成されている触媒表面に垂直に配向され、かつ互いに略平行である、複数の主固体炭素繊維と、
前記主固体炭素繊維の平均直径よりも小さな平均直径を有する略円筒状の繊維を含む、複数の副固体炭素繊維であって、前記主固体炭素繊維を介して絡み合い、かつランダム配向を有する、複数の副固体炭素繊維と
を含む、組成物。
[本発明1037]
前記複数の主固体炭素繊維は、多層カーボンナノチューブを含む、本発明1036の組成物。
[本発明1038]
前記複数の主固体炭素繊維は、黒鉛炭素繊維を含む、本発明1036の組成物。
[本発明1039]
前記複数の副固体炭素繊維は、単層カーボンナノチューブを含む、本発明1036の組成物。
[本発明1040]
前記複数の主固体炭素繊維は、二重層カーボンナノチューブを含む、本発明1036の組成物。
[本発明1041]
前記複数の主固体炭素繊維は、三重層カーボンナノチューブを含む、本発明1036の組成物。
[本発明1042]
前記複数の主固体炭素繊維は、多層カーボンナノチューブを含む、本発明1036の組成物。
[本発明1043]
本発明1036の組成物を生成する方法であって、
触媒を反応器中に配置することと、
少なくとも1種類のガス状炭素酸化物と、少なくとも1種類の還元剤と、水とを含む所定の組成を有する反応ガスストリームを前記触媒と接触させるために、前記反応器を通して前記反応ガスストリームを流すことと、
選択された組成物を形成するために、所定の時間にわたって所定の反応温度および所定の反応圧力を維持することと、
前記反応器から前記触媒および前記組成物を取り出すことと
を含む、前記方法。
[本発明1044]
固体炭素フォレストを生成する方法であって、
反応チャンバ中に触媒表面を配置することと、
前記触媒表面を、少なくとも1種類の還元剤を含む還元雰囲気中で、所定の調整時間にわたって所定の反応温度および所定の反応圧力まで加熱することと、
反応ガス混合物を形成するために、ガス状炭素酸化物反応物質を前記反応チャンバの前記還元雰囲気中へ導入することと、
前記触媒表面に固体炭素フォレストを生成するために、所定の反応時間にわたって前記触媒表面を前記反応ガス混合物に露出させることと、
前記所定の反応時間の間、前記反応ガス混合物中の前記反応ガスの濃度を維持することと、
前記所定の反応時間の間、前記反応ガス混合物中の所定の水蒸気濃度を維持することと、
前記反応チャンバから前記固体炭素フォレストを取り出すことと
を含む、前記方法。
[本発明1045]
カーボンナノチューブを生成する方法であって、
選択された化学組成の表面構造を形成するように触媒を調整することと、
前記触媒を反応器中に配置することと、
前記反応器の酸素をパージすることと、
還元剤を前記反応器に導入することと、
前記触媒の表面の金属酸化物を還元しかつ前記選択された化学組成を有する実質的に酸素を含まない表面を提供するために、前記還元剤の存在下で、前記触媒を加熱することと、
前記触媒および前記還元剤の存在下で、ガス状炭素酸化物を反応させることと、
水、および選択されたモルフォロジのカーボンナノチューブを生成するように、反応器温度、反応器圧力、反応ガス組成、ならびに前記ガス状炭素酸化物および前記還元剤に対する前記触媒の露出時間のうちの少なくとも1つを制御することと
を含む、方法。
[本発明1046]
本発明1036の組成物を生成するための反応器であって、
触媒と、
前記触媒の表面に繊維状固体炭素フォレストを形成するために、還元剤による前記ガス状炭素酸化物の還元を容易にするための手段と、
前記触媒の前記表面から前記繊維状固体炭素フォレストを取り出すための手段と
を備える、前記反応器。
[本発明1047]
前記触媒は鋼を含む、本発明1043〜1046のいずれかの方法または反応器。
[本発明1048]
前記触媒は、鉄、および、周期表の5族〜10族から成る群から選択される少なくとも1つの他の元素を含む、本発明1043〜1046のいずれかの方法または反応器。
[本発明1049]
前記触媒は、鉄、鋳鉄、または白鋳鉄を含む、本発明1043〜1046のいずれかの方法または反応器。
[本発明1050]
前記触媒は、冷間圧延すること、熱間圧延すること、焼戻すこと、焼入れすること、焼なましすること、または析出硬化することのうちの少なくとも1つによって形成される物質を含む、本発明1043〜1046のいずれかの方法または反応器。
[本発明1051]
前記触媒は、実質的に酸化物を含まない表面を提供するために還元される物質を含む、本発明1043〜1046のいずれかの方法または反応器。
[本発明1052]
前記触媒は、約400℃〜約1，000℃の温度で還元される物質を含む、本発明1051の方法または反応器。
[本発明1053]
前記触媒は、水素を含む還元ガス混合物中で還元される物質を含む、本発明1051の方法または反応器。
[本発明1054]
前記反応器を通して前記触媒を連続的に輸送するために、ベルト炉が構成されている、本発明1043〜1046のいずれかの方法または反応器。
[本発明1055]
前記ベルト炉のベルトは、前記触媒を含む連続するシートまたは箔である、本発明1054の方法または反応器。
[本発明1056]
前記ベルト炉の前記ベルトは、前記反応器を通して連続的に送給されるように構成され、前記組成物は、前記ベルト上に置かれるように構成され、かつ前記ベルトは、前記組成物のさらなる処理のために前記炉から連続的に引き出されるように構成されている、本発明1055の方法または反応器。
[本発明1057]
前記触媒は、少なくとも1つの平面を有する形態を含む、本発明1043〜1046のいずれかの方法または反応器。
[本発明1058]
前記触媒は、シート、板、およびウエハから成る群から選択される少なくとも1つの形態を含む、本発明1057の方法または反応器。
[本発明1059]
前記ガス状炭素酸化物は、主に二酸化炭素を含む、本発明1043〜1046のいずれかの方法または反応器。
[本発明1060]
前記ガス状炭素酸化物は、主に一酸化炭素を含む、本発明1043〜1046のいずれかの方法または反応器。
[本発明1061]
前記ガス状炭素酸化物は、一酸化炭素、二酸化炭素、またはそれらの混合物を含む、本発明1043〜1046のいずれかの方法または反応器。
[本発明1062]
前記還元剤は、水素ガスを含む、本発明1043〜1046のいずれかの方法または反応器。
[本発明1063]
前記還元剤は、炭化水素ガスを含む、本発明1043〜1046のいずれかの方法または反応器。
[本発明1064]
前記還元剤は、水素ガスおよび炭化水素ガスのうちの少なくとも1つを含む、本発明1043〜1046のいずれかの方法または反応器。
[本発明1065]
前記炭化水素は、天然ガスを含む、本発明1064の方法または反応器。
[本発明1066]
前記ガス状炭素酸化物および前記還元剤は、合成ガスを含む、本発明1043〜1046のいずれかの方法または反応器。
[本発明1067]
前記触媒の存在下で、固体炭素同素体の選択された混合物およびモルフォロジを形成するように、ガス状炭素酸化物対ガス状還元剤および水の所定の比率を選択することをさらに含む、本発明1043〜1045のいずれかの方法。
[本発明1068]
前記還元剤は、任意の利用可能な炭素酸化物の還元に必要とされる化学量論的比率を大幅に超える量で提供される、本発明1043〜1046のいずれかの方法または反応器。
[本発明1069]
前記還元剤は、任意の利用可能な炭素酸化物の還元に必要とされる化学量論的比率にほぼ等しく存在する、本発明1043〜1046のいずれかの方法または反応器。
[本発明1070]
前記還元剤は、前記反応器中の全圧の約40％の分圧の水素を含み、
前記炭素酸化物は、前記反応器中の全圧の約40％の分圧の一酸化炭素を含み、かつ
前記反応器中の全圧の残りの部分は、二酸化炭素、メタン、水、および不活性ガスのうちの少なくとも1つを含む、本発明1043〜1046のいずれかの方法または反応器。
[本発明1071]
前記反応ガス混合物中の水蒸気は、触媒の酸化を制限するように制御される、本発明1043〜1046のいずれかの方法または反応器。
[本発明1072]
前記反応ガス混合物中の水蒸気は、露点約10℃未満で、標準温度と標準気圧で存在する、本発明1043〜1046のいずれかの方法または反応器。
[本発明1073]
前記所定の反応圧力は、約0Ｐａ〜約1ＧＰａの範囲内である、本発明1043または本発明1044の方法または反応器。
[本発明1074]
前記所定の反応温度は、約500℃〜650℃の範囲内である、本発明1043または本発明1044の方法または反応器。
[本発明1075]
前記所定の反応温度は、約550℃〜620℃の範囲内である、本発明1043または本発明1044の方法または反応器。
[本発明1076]
二酸化炭素をガス状還元剤と反応させることをさらに含む、本発明1043〜1045のいずれかの方法。
[本発明1077]
反応ゾーンを通して前記触媒を輸送することであって、前記炭素酸化物および前記ガス状還元剤の少なくとも一部分が前記反応ゾーン内に配置されることと、
前記触媒の前記表面から炭素を取り出すための手段を通して前記触媒を輸送することと
をさらに含む、本発明1043〜1045のいずれかの方法。
[本発明1078]
前記触媒の表面から前記炭素を機械的に取り出すことおよび化学的に取り出すことのうちの少なくとも1つによって、前記触媒の前記表面から前記炭素を分離することをさらに含む、本発明1077の方法。
[本発明1079]
掻き取ること、および、高速のガスまたは液体を前記炭素と前記触媒の前記表面の間の界面に向けることのうちの少なくとも1つによって、前記触媒の前記表面から前記炭素を分離することをさらに含む、本発明1077の方法。
[本発明1080]
前記炭素を、水、アルコール、または酸のうちの少なくとも1つを含む溶媒と接触させることによって前記触媒の表面を化学的に改質することをさらに含む、本発明1043〜1045のいずれかの方法。
[本発明1081]
還元剤による前記ガス状炭素酸化物の還元を容易にするための前記手段は、前記触媒を、前記触媒の前記表面から前記繊維状固体炭素フォレストを取り出すための前記手段へと反応ゾーンを通して連続的に輸送するように構成されたコンベアを備える、本発明1046の反応器。
[本発明1082]
前記コンベアの第1の部分は、還元剤による前記ガス状炭素酸化物の還元を容易にするための前記手段内に配置され、かつ前記コンベアの第2の部分は、前記触媒の前記表面から前記繊維状固体炭素フォレストを取り出すための前記手段内に配置される、本発明1081の反応器。
[本発明1083]
還元剤による前記ガス状炭素酸化物の還元を容易にするための前記手段は、独立して動作するように構成された複数の反応器区画を備える、本発明1046の反応器。
[本発明1084]
前記触媒の前記表面から前記繊維状固体炭素フォレストを取り出すための前記手段は、前記触媒を撹拌すること、前記触媒を振盪すること、前記触媒を振動させること、前記触媒表面を掻き取ること、前記触媒表面を切削すること、および前記触媒を溶媒と接触させることのうちの少なくとも1つのための手段を備える、本発明1046の反応器。
[本発明1085]
前記触媒は、前記反応器を通る蛇行経路を画定する、本発明1046の反応器。
[本発明1086]
前記触媒表面を前記還元雰囲気中で加熱することは、前記触媒表面の酸化物を還元することを含む、本発明1044の方法。
[本発明1087]
前記反応チャンバから前記固体炭素フォレストを取り出すことは、
前記固体炭素フォレストを官能化するために、第1のガス混合物を前記反応チャンバ中へ導入することと、
前記反応チャンバから前記第1のガス混合物を取り出すことと、
前記反応チャンバを冷却するために、第2のガス混合物を前記反応チャンバ中へ導入することと
を含む、本発明1044の方法。
[本発明1088]
触媒を調整することは、予め選択された化学および表面構造を有する鋼触媒を前記反応器中へ導入することを含む、本発明1045の方法。
[本発明1089]
前記触媒を反応器中に配置することは、異なる化学組成の少なくとも2つの触媒表面構造体を前記反応器中へ配置することを含む、本発明1045の方法。
[本発明1090]
前記触媒を反応器中に配置することは、少なくとも1つの固体触媒表面を前記反応器の表面に載置することを含む、本発明1045の方法。
[本発明1091]
前記反応器の酸素をパージすることは、前記反応器から実質的に全ての空気を置換することを含む、本発明1045の方法。
[本発明1092]
前記還元剤の存在下で前記触媒を加熱することは、前記還元剤の流速および前記還元剤の温度のうちの少なくとも1つを制御することによって前記触媒の温度を制御することを含む、本発明1045の方法。
[本発明1093]
前記還元剤の存在下で前記触媒を加熱することは、前記還元剤の流速および前記還元剤に対する前記触媒の露出時間を制御することを含む、本発明1045の方法。
[本発明1094]
前記還元剤の存在下で前記触媒を加熱する前に、所定の時間にわたって前記触媒の前記表面を酸化させることをさらに含む、本発明1045の方法。
[本発明1095]
前記ガス状炭素酸化物および前記還元ガスに対する前記触媒の露出時間を制御することは、前記ガス状炭素酸化物の流速を制御すること、および前記還元剤の流速を制御することのうちの少なくとも1つを含む、本発明1045の方法。
【国際調査報告】
2015518461.tif 000099
2015518461.tif 000100
2015518461.tif 000101
2015518461.tif 000102