(57)【要約】リソグラフィ装置で使用する基板ホルダであって、表面（１０７）を有する本体（１００）と、表面から突出する複数のバール（１０６）であって、基板を支持する端面を有する複数のバール（１０６）と、本体の表面上で電気コンポーネントを形成する薄膜スタック（２００）と、を備え、薄膜スタックは導電層（１０８）を含み、導電層は、この導電層が位置決めされるスタックの平面の全体にわたって、実質的に均一に電荷を分散させるように構成される、基板ホルダ。【選択図】図１３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置で使用するための基板ホルダであって、
表面を有する本体と、
前記表面から突出する複数のバールであって、基板を支持する端面を有する複数のバールと、
電気コンポーネントを形成する、前記本体の表面上の薄膜スタックであって、導電層を含み、前記導電層は、該導電層が位置決めされる前記スタックの平面の全体にわたって実質的に均一に電荷を分散させる、薄膜スタックと、を備える基板ホルダ。
【請求項２】
前記導電層は、平面視で、パターン形成されない、請求項１に記載の基板ホルダ。
【請求項３】
前記導電層は、平面視で、前記スタックの実質的に全領域にわたって延在する、請求項１又は２に記載の基板ホルダ。
【請求項４】
前記導電層は金属層である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の基板ホルダ。
【請求項５】
前記導電層は、前記本体の表面上に形成される平坦化層である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の基板ホルダ。
【請求項６】
前記薄膜スタックは、前記本体の表面上に形成される平坦化層を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の基板ホルダ。
【請求項７】
少なくとも前記導電層に隣接する層は絶縁層である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の基板ホルダ。
【請求項８】
前記導電層は前記本体に電気的に接続される、請求項１〜７のいずれか１項に記載の基板ホルダ。
【請求項９】
前記導電層は浮動電極である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の基板ホルダ。
【請求項１０】
前記薄膜スタックは、電極層であるさらなる導電層をさらに含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の基板ホルダ。
【請求項１１】
前記電極層及び前記導電層は絶縁層によって分離される、請求項０に記載の基板ホルダ。
【請求項１２】
前記電極は、使用中、静電クランプの電極である、請求項１１に記載の基板ホルダ。
【請求項１３】
パターニングデバイスを支持するサポート構造と、
前記パターニングデバイスによってパターン形成されたビームを基板上に投影する投影システムと、
前記基板を保持する、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の基板ホルダと、を備えるリソグラフィ装置。
【請求項１４】
リソグラフィ装置を使用したデバイス製造方法であって、
基板ホルダ内又は基板ホルダ上に基板を保持している間に、パターニングデバイスによってパターン形成されたビームを前記基板上に投影することを含み、前記基板ホルダは、
表面を有する本体と、
前記表面から突出する複数のバールであって、基板を支持する端面を有する複数のバールと、
電気コンポーネントを形成する、前記本体の表面上の薄膜スタックであって、導電層を含み、前記導電層は、該導電層が位置決めされる前記スタックの平面の全体にわたって実質的に均一に電荷を分散させる、薄膜スタックと、を備える、デバイス製造方法。
【請求項１５】
リソグラフィ装置で使用する基板ホルダであって、
表面を有する本体と、
前記表面から突出する複数のバールであって、基板を支持する端面を有する複数のバールと、
電気コンポーネントを形成する、前記本体の表面上の薄膜スタックであって、平面視で前記スタックの実質的に全領域にわたって延在する導電層を含む、薄膜スタックと、を備える基板ホルダ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［関連出願の相互参照］
[0001]  本出願は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる２０１２年４月１９日出願の米国特許仮出願第６１／６３５，７５４号の利益を主張する。
【０００２】
[0002]  本発明は、基板ホルダ、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、又は１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するいわゆるステッパ、及び、放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時にこの方向に平行又は逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射するいわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００４】
[0004]  リソグラフィ投影装置中の基板を、投影システムの最終要素と基板との間のスペースを満たすように、比較的高い屈折率を有する液体（例えば水）に浸漬することが提案されてきた。一実施形態において、液体は蒸留水であるが、別の液体が使用されてもよい。本発明の一実施形態は液体に関して説明される。しかしながら、別の流体、特に、湿潤流体、非圧縮流体及び／又は空気よりも屈折率の高い流体、望ましくは水よりも屈折率の高い流体が好適な場合もある。気体以外の流体が特に望ましい。ここで重要なのは、露光放射は、液体中でより短い波長を有するため、より小さいフィーチャを結像することができるようにすることである（システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくすること、さらに焦点深度を大きくすることもまた、液体の作用であるとみなされる）。固体粒子（例えば、石英）が懸濁した水、又は、ナノ粒子の懸濁物（例えば、最大寸法が１０ｎｍ以下の粒子）を有する液体などを含む他の液浸液も提案されてきた。懸濁粒子は、この粒子が懸濁している液体と同等又は同一の屈折率を有しても、有さなくてもよい。他の好適であり得る液体には、芳香族などの炭化水素、フッ化炭化水素及び／又は水溶液が含まれる。
【発明の概要】
【０００５】
[0005]  従来のリソグラフィ装置において、露光対象の基板は基板ホルダによって支持されてよく、基板ホルダは基板テーブルにより支持される。基板ホルダは、サイズや形状が基板に対応した平坦で剛体のディスクであることが多い（ただし、異なるサイズや形状を有してもよい）。基板ホルダは、少なくとも一面から突出したバール又はピンプルと呼ばれる突起のアレイを有する。一実施形態では、基板ホルダは二つの反対面上に突起のアレイを有する。この場合、基板ホルダが基板テーブル上に置かれると、基板ホルダの本体は基板テーブルからわずかな距離をあけた上方に保持されると同時に、基板ホルダの一面上のバールの端部が基板テーブルの表面上に配置される。同様に、基板は、基板ホルダの反対面上のバールの上端に配置されると、基板ホルダの本体から離隔される。この目的の一つは、基板テーブル上又は基板ホルダ上に存在し得る粒子（つまり、ダスト粒子などの汚染粒子）によって基板ホルダ又は基板が破壊されるのを防ぐ補助をすることである。バールの全表面積は、基板又は基板ホルダの全面積のほんのわずかな部分であるため、バール同士の間に何らかの粒子が入り、バールの存在効果がなくなるのは非常によくあることである。
【０００６】
[0006]  高スループットのリソグラフィ装置の使用時に基板が受ける大きな加速度によって、基板ホルダのバール上に基板を配置するだけでは不十分である。基板は定位置にクランプされる。基板を定位置にクランプするには、真空クランプ及び静電クランプの２通りの方法が知られている。真空クランプでは、基板ホルダと基板との間のスペース、及び任意で基板テーブルと基板ホルダとの間のスペースが部分的に真空排気されて、基板上のガス又は液体の圧力をより高くすることで基板が定位置に保持される。しかしながら、真空クランプは、基板又は基板ホルダ付近のビームパス及び／又は環境が例えば極端紫外線（ＥＵＶ）放射リソグラフィのように低い圧力又は非常に低い圧力に維持されている場合は、実現できないこともある。この場合、基板（又は基板ホルダ）全体にわたり、基板（又は基板ホルダ）をクランプするのに十分な大きさの圧力差を展開することができないことがある。従って、そのような状況（又は他の状況）では静電クランプを使用することができる。静電クランプにおいて、基板テーブル及び／又は基板ホルダ上に設けられた電極は、例えば１０〜５０００Ｖの高電位まで高められ、静電力により基板を引き付ける。従って、バールの別の目的は、静電クランプを可能にするために、基板、基板ホルダ及び基板テーブルを離隔することである。
【０００７】
[0007]  特に、液体（例えば、水）の蒸発効果による温度変動の影響を受けやすい液浸システムにおいては、基板の表面上の温度制御が重要である。液体の蒸発は、基板から熱を除去し、温度変動を引き起こす。温度変動は、基板内に熱応力を引き起こすことがあり、最終的にオーバレイエラーの一因となり得る。温度制御の精度を上げるため、温度のリアルタイム局所測定と能動的な加熱との組み合わせが望ましい。このような測定及び加熱システムは、システム内、例えば基板ホルダ（つまり、基板を直接支持する物体）内及び／又は基板テーブル（例えば、基板ステージのミラーブロックなど、基板ホルダを支持し、かつ基板ホルダを囲む上面を提供する物体）内に一体化される。薄膜スタックを使用して、そうした構造の測定及び加熱をすることができる構造であって、基板ホルダ及び／又はテーブル内への一体化の機会を提供する構造を作製することができる。
【０００８】
[0008]  例えば、１つ以上の薄膜コンポーネントなどの１つ以上の電気又は電子コンポ―ネントが形成された基板テーブル又は基板ホルダを提供することが望ましい。
【０００９】
[0009]  本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置で使用する基板ホルダが提供され、この基板ホルダは、表面を有する本体と、表面から突出する複数のバールであって、基板を支持する端面を有する複数のバールと、本体の表面上で電気コンポーネントを形成する薄膜スタックと、を備え、薄膜スタックは導電層を含み、導電層は、該導電層が位置決めされるスタックの平面の全体にわたって実質的に均一に電荷を分散させるように構成される。
【００１０】
[0010]  本発明の一態様では、リソグラフィ装置を使用したデバイス製造方法が提供され、このデバイス製造方法は、基板ホルダ内又は基板ホルダ上に基板を保持している間に、パターニングデバイスによってパターン形成されたビームを基板上に投影することを含み、基板ホルダは、表面を有する本体と、表面から突出する複数のバールであって、基板を支持する端面を有する複数のバールと、本体の表面上で電気コンポーネントを形成する薄膜スタックと、を備え、薄膜スタックは導電層を含み、導電層は、該導電層が位置決めされるスタックの平面の全体にわたって実質的に均一に電荷を分散させるように構成される。
【００１１】
[0011]  本発明の一態様では、リソグラフィ装置で使用する基板ホルダが提供され、この基板ホルダは、表面を有する本体と、表面から突出する複数のバールであって、基板を支持する端面を有する複数のバールと、本体の表面上で電気コンポーネントを形成する薄膜スタックと、を備え、薄膜スタックは、平面視でスタックの実質的に全領域にわたって延在する導電層を含む、基板ホルダが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
[0012]  本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【００１３】
【図１】[0013]  図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を示す。
【図２】[0014]  図２は、リソグラフィ投影装置で使用するための液体供給システムを示す。
【図３】[0014]  図３は、リソグラフィ投影装置で使用するための液体供給システムを示す。
【図４】[0015]  図４は、リソグラフィ投影システムで使用するための別の液体供給システムを示す。
【図５】[0016]  図５は、本発明の一実施形態において液浸液供給システムとして使用可能なバリア部材を断面図で示す。
【図６】[0017]  図６は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を示す。
【図７】[0018]  図７は、装置４１００のより詳細な図である。
【図８】[0019]  図８は、図６及び７の装置の放射源コレクタ装置ＳＯのより詳細な図である。
【図９】[0020]  図９は、本発明の一実施形態に係る基板テーブル及び基板ホルダを断面図で示す。
【図１０】[0021]  図１０は、本発明の実施形態に係る薄膜スタックを示す。
【図１１】[0021]  図１１は、本発明の実施形態に係る薄膜スタックを示す。
【図１２】[0021]  図１２は、本発明の実施形態に係る薄膜スタックを示す。
【図１３】[0021]  図１３は、本発明の実施形態に係る薄膜スタックを示す。
【図１４】[0021]  図１４は、本発明の実施形態に係る薄膜スタックを示す。
【図１５】[0021]  図１５は、本発明の実施形態に係る薄膜スタックを示す。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
[0022]  図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、
[0023]  放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射、ＤＵＶ放射、又はＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
[0024]  パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構築され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されたサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
[0025]  基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、
[0026]  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳと、を備える。
【００１５】
[0027]  照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、又は制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００１６】
[0028]  サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスを保持する。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、及び、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式又はその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造ＭＴは、例えば、必要に応じて固定式又は可動式にすることができるフレーム又はテーブルであってもよい。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」又は「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。 
【００１７】
[0029]  本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用することができるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。
【００１８】
[0030]  パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型（alternating）位相シフト、及びハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスク型、並びに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜させられたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００１９】
[0031]  本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用又は真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、及び静電型光学系、又はそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
【００２０】
[0032]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、上述のプログラマブルミラーアレイを採用しているもの、又は反射型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００２１】
[0033]  リソグラフィ装置は、２つ以上の基板サポート構造（基板ステージ又は基板テーブルなど）及び／又は２つ以上のパターニングデバイス用サポート構造を有する型のものであってもよい。そのような複数の基板ステージを有する装置では、全ての基板ステージは、同等かつ交換可能であり得る。一実施形態において、複数の基板ステージのうちの少なくとも１つは特に露光工程に適応し、複数の基板ステージのうち少なくとも１つは特に測定又は準備工程に適応する。本発明の一実施形態では、複数の基板ステージのうちの１つ以上は測定ステージと置き換えられる。測定ステージは、センサディテクタなどの１つ以上のセンサシステム及び／又はこのセンサシステムのターゲットを少なくとも部分的に含むが、基板は支持しない。測定ステージは、基板ステージ又はパターニングデバイス用サポート構造の代わりに投影ビーム内に位置決め可能である。このような装置において、追加のステージは並行して使うことができ、又は予備工程を１つ以上のステージ上で実行しつつ、別の１つ以上のステージを露光用に使うこともできる。
【００２２】
[0034]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００２３】
[0035]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するように構成されたアジャスタＡＭを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（通常、それぞれσ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性及び強度分布をもたせることができる。放射源ＳＯと同様に、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとみなされる場合もあり、あるいは一部を形成しているとみなされない場合もある。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一体部分であってもよく、あるいはリソグラフィ装置とは別個の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータＩＬを取り付けることができるように構成され得る。任意で、イルミネータＩＬは取り外し可能であり、（例えば、リソグラフィ装置の製造者や別の納品業者により）別個に設けられてもよい。
【００２４】
[0036]  放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。基板Ｗは、以降でさらに詳細に説明される本発明の一実施形態に係る基板ホルダによって基板テーブルＷＴ上に保持される。第２ポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図１には明示的に示されていない）を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後又はスキャン中に、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。通常、サポート構造ＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、サポート構造ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、又は固定されてもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１及びＭ２と、基板アライメントマークＰ１及びＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがパターニングデバイスＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。 
【００２５】
[0037]  例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用することができる。
【００２６】
[0038]  １．ステップモードにおいては、サポート構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘ及び／又はＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
【００２７】
[0039]  ２．スキャンモードにおいては、サポート構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率及び像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
【００２８】
[0040]  ３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、又はスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、又はスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２９】
[0041]  上述の使用モードの組合せ及び／又はバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００３０】
[0042]  多くのリソグラフィ装置において、投影システムの最終要素の間には、液体供給システムＩＨを使用して流体、特に液体が提供され、より小さいフィーチャの結像を可能にし、及び／又は、装置の有効ＮＡを大きくする。本発明の一実施形態をこのような液浸装置に関連して以下に詳細に説明するが、非液浸装置においても同様に具体化することができる。投影システムの最終要素と基板との間に液体を提供する構成は、少なくとも２つの一般的なカテゴリに分類することができる。これらのカテゴリは、浴式構成、及び、いわゆる局所液浸システムである。浴式構成では、実質的に基板全体と、任意で基板テーブルの一部とが液体浴の中に浸される。局所液浸システムは、基板の局所領域のみに液体が供給される液体供給システムを使用する。後者のカテゴリにおいて、液体により満たされるスペースは、平面視で基板の上面よりも小さく、液体により満たされる領域は、基板がこの領域の下を移動する間、投影システムに対して実質的に静止したまま維持される。本発明の一実施形態の対象である別の構成は、液体を閉じ込めないオールウェットソルーションである。この構成では、実質的に基板の上面全体と、基板テーブルの全体又は一部とが液浸液により覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深さは小さい。液体は、基板上の液体薄膜のような膜であり得る。
【００３１】
[0043]  図２〜図５には、４つの異なるタイプの局所液体供給システムが示されている。図２〜図５の液体供給システムのいずれも、非閉じ込めシステムで使用することができるが、封止フィーチャが存在しないか、作動していないか、通常ほどは効率的でなく、そうでなければ液体を局所領域のみに封入するには有効ではない。
【００３２】
[0044]  局所液浸システム用に提案される構成の１つに、基板上の局所領域上、及び、投影システムの最終要素と基板との間のみに液体閉じ込めシステムを使用して液体を提供する液体供給システムがある（基板は、通常、投影システムの最終要素よりも大きい表面積を有する）。これを構成するために提案された１つの方法が、ＰＣＴ特許出願公開第ＷＯ９９／４９５０４号に開示されている。図２及び図３に例示されるように、液体は、少なくとも１つのインレットにより、望ましくは最終要素に対する基板の移動方向に沿って、基板上へ供給され、投影システムの下を通過した後、少なくとも１つのアウトレットにより除去される。つまり、基板が要素の下で−Ｘ方向にスキャンされる時、液体は要素の＋Ｘ側に供給され、要素の−Ｘ側から吸収される。
【００３３】
[0045]  図２は、液体がインレットから供給され、低圧力源に接続されたアウトレットにより要素の他方側から吸収される構成を概略的に示す。基板Ｗ上方の矢印は、液体の流れの方向を示し、基板Ｗ下方の矢印は、基板テーブルの移動方向を示す。図２の説明図において、液体は、最終要素に対して、基板の移動方向に沿って供給されるが、必ずしもこれに限られない。最終要素の周囲に位置決めされるインレット及びアウトレットの多様な向き及び数が可能である。図３はその一例を示し、図中、４組のインレットと、その両側のアウトレットとが、最終要素の周囲に規則的なパターンが設けられている。液体供給デバイス及び液体回収デバイスの矢印は液体の流れの方向を示している。
【００３４】
[0046]  図４には、局所液体供給システムを有する別の液浸リソグラフィソリューションが示されている。液体は、投影システムＰＳの両側の２つの溝状インレットから供給され、インレットの半径方向外方に配置された複数の離散したアウトレットによって除去される。インレット及びアウトレットは、投影される投影ビームが通る孔を中央に有するプレート内に配置される。液体は、投影システムＰＳ一方側の１つの溝状インレットによって供給され、投影システムＰＳの他方側の複数の離散したアウトレットにより除去され、これにより投影システムＰＳと基板Ｗとの間に液体の薄膜の流れを生じさせる。インレットとアウトレットとのいずれの組み合わせを使用するかといった選択は、基板Ｗの移動方向に応じて変化する（他方のインレット及びアウトレットの組み合わせは動作停止状態になる）。図４の断面図において、矢印は、インレットに入り、アウトレットから出る液体の流れを示している。
【００３５】
[0047]  提案される別の構成は、投影システムの最終要素と基板テーブルとの間のスペースの境界の少なくとも一部に沿って延在する液体閉じ込め部材を有する液体供給システムを提供する。このような構成は図５に示されている。液体閉じ込め部材は、ＸＹ平面内で投影システムに対して実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸の方向）にはいくらかの相対移動があり得る。液体閉じ込め部材と基板表面との間にシールが形成される。一実施形態では、シールは、液体閉じ込め部材と基板表面との間に形成され、ガスシールのように非接触のシールでもよい。このようなシステムは米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号に開示されている。
【００３６】
[0048]  流体ハンドリング構造１２は、液体閉じ込め部材を備え、かつ、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間のスペースに少なくとも部分的に液体を収容する。基板Ｗに非接触のシール１６は、液体が基板Ｗの表面と投影システムＰＳの最終要素との間のスペース内に閉じ込められるように、投影システムのイメージフィールドの周囲に形成され得る。このスペースは、投影システムＰＳの最終要素の下方に位置決めされ、かつ最終要素を囲む流体ハンドリング構造２１によって少なくとも部分的に形成される。液体は、液体インレット１３によって、投影システムの下方であって流体ハンドリング構造１２内のスペース内へ供給される。液体は、液体アウトレット１３によって除去され得る。流体ハンドリング構造１２は、投影システムの最終要素よりもわずかに上方に延在し得る。液体のバッファが提供されるように、液体面は最終要素よりも高くなる。一実施形態において、流体ハンドリング構造１２は、上端が投影システム又はその最終要素の形状と厳密に適合し、例えば円形であり得る内周面を有する。内周面は、底部がイメージフィールドの形状と厳密に適合し、例えば長方形であるが、必ずしもこれに限られない。
【００３７】
[0049]  一実施形態において、液体は、使用中、流体ハンドリング構造１２の底部と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６によってスペース１１内に収容される。ガスシールは、例えば、空気、合成空気、Ｎ２もしくは別の不活性ガスなどのガスにより形成される。ガスシール中のガスは、圧力下で、流体ハンドリング構造１２と基板Ｗとの間の間隙にインレット１５を介して提供される。ガスは、アウトレット１４を介して抽出される。ガスインレット１５への過圧力、アウトレット１４の真空レベル、及び間隙の幾何形状は、液体を閉じ込める内向きの高速ガス流１６が存在するように構成される。流体ハンドリング構造１２と基板Ｗとの間の液体に加わるガスの力は、ガスをスペース１１内に収容する。インレット／アウトレットは、スペース１１を囲む環状溝であり得る。環状溝は、連続的でも断続的でもよい。ガスの流れ１６は、液体をスペース１１内に収容するのに効果的である。このようなシステムは米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号に開示されている。
【００３８】
[0050]  図５の例は、どの時点においても、基板Ｗの上面の局所領域のみに液体が供給される局所領域構成である。例えば米国特許出願公開第２００６−００３８９６８号に開示されるような単相抽出器又は二相抽出器を利用した流体ハンドリングシステムなどの他の構成も可能である。
【００３９】
[0051]  別の可能な構成は、気体抵抗の原理（gas drag principle）で作用する構成である。いわゆる気体抵抗の原理は、例えば、米国特許出願公開第２００８−０２１２０４６号明細書、米国特許出願公開第２００９−０２７９０６０号明細書、及び米国特許出願公開第２００９−０２７９０６２号明細書に記載されている。このシステムでは、抽出孔が、望ましくは角を有する形状に構成される。この角は、ステップ方向又はスキャン方向に位置合わせされ得る。これにより、ステップ又はスキャン方向における所与の速度に対して、流体ハンドリング構造の表面中の２つの開口部間のメニスカスに加わる力が、スキャンの方向に垂直に位置合わせされる２つの開口部を有する流体ハンドリング構造と比較して、小さくなる。
【００４０】
[0052]  また、米国特許出願公開第２００８−０２１２０４６号明細書には、主要な液体取り出し機能の半径方向外側に位置決めされたガスナイフが開示される。ガスナイフは、主要な液体取り出し機能を通過したあらゆる液体を補足する。このようなガスナイフは、（米国特許出願公開第２００８−０２１２０４６号明細書に開示されるような）いわゆる気体抵抗原理構成、（米国特許出願公開第２００９−０２６２３１８号明細書に開示されるような）単相又は二相抽出器構成、又は任意の他の構成において存在してもよい。
【００４１】
[0053]  他の多くのタイプの液体供給システムが可能である。本発明は、いずれの特定タイプの液体供給システムにも、液浸リソグラフィにも、限定されるものではない。本発明は、あらゆるリソグラフィに対して等しく適用されることが可能である。ＥＵＶリソグラフィ装置では、ビームパスは実質的に真空排気され、上記のような液浸構成は使用されない。
【００４２】
[0054]  図６は、放射源コレクタ装置ＳＯを備えるＥＵＶリソグラフィ装置４１００を概略的に示す。このリソグラフィ装置は、
放射ビームＢ（例えば、ＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＥＩＬと、
パターニングデバイス（例えば、マスク又はレチクル）ＭＡを支持するように構築され、かつパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されたサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、かつ基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、
パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳと、を備える。
【００４３】
[0055]  ＥＵＶリソグラフィ装置の基本的なコンポーネントは、機能の点で、図１のリソグラフィ装置の対応するコンポーネントと同様である。以下の説明は、主に異なる領域に言及し、同一のコンポーネントの態様に関する重複的な説明は省略する。
【００４４】
[0056]  ＥＵＶリソグラフィ装置では、ガスが放射を吸収しすぎるため、真空又は低圧環境を使用するのが望ましい。従って、真空璧及び１つ以上の真空ポンプを使用してビームパス全体に真空環境が提供され得る。
【００４５】
[0057]  図６を参照すると、ＥＵＶイルミネータＥＩＬは、放射源コレクタ装置ＳＯから極端紫外線を受ける。ＥＵＶ放射を生成する方法には、少なくとも１つ元素（例えば、キセノン、リチウム、又はスズ）を有し、ＥＵＶ範囲内の１つ以上の輝線を有する材料をプラズマ状態に変換することを含むが、これに限定されない。しばしばレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）と呼ばれるこのような方法において、プラズマは、所望の輝線を放出する元素を有する材料の液滴、流れ又はクラスタなどの燃料をレーザビームにより照射することによって生成することができる。放射源コレクタ装置ＳＯは、燃料を励起するレーザビームを提供するためのレーザ（図６には図示なし）を備えるＥＵＶ放射システムの一部であり得る。結果として生成されるプラズマは、例えばＥＵＶ放射などの出力放射を放出し、この出力放射は、放射源コレクタ装置内に配置される放射コレクタを使用して集光される。レーザ及び放射源コレクタ装置は、例えばＣＯ２レーザを使用して燃料励起用のレーザビームを提供する場合、別個の構成要素であってもよい。
【００４６】
[0058]  そのような場合、レーザは、リソグラフィ装置の一部を形成するとはみなされず、放射ビームは、例えば好適な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使用して放射源コレクタ装置へと通過される。その他の場合、例えば放射源が、しばしばＤＤＰ源と呼ばれる放電生成プラズマＥＵＶジェネレータである場合は、放射源は放射源コレクタ装置の一部であってよい。
【００４７】
[0059]  ＥＵＶイルミネータＥＩＬは、放射ビームＥＢの角強度分布を調節するようにアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（通常、それぞれσ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、ＥＵＶイルミネータＥＩＬは、ファセットフィールド及び瞳ミラーデバイスいったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。ＥＵＶイルミネータＥＩＬを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性及び強度分布をもたせることができる。
【００４８】
[0060]  放射ビームＥＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＥＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭ及び別の位置センサＰＳ１を使い、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを放射ビームＥＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１及びＭ２と、基板アライメントマークＰ１及びＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。
【００４９】
[0061]  図示された装置は、図の装置と同一のモードで使用されることが可能である。
【００５０】
[0062]  図７は、放射源コレクタ装置ＳＯ、ＥＵＶ照明システムＥＩＬ及び投影システムＰＳを含むＥＵＶ装置４１００をより詳細に示している。放射源コレクタ装置ＳＯは、放射源コレクタ装置ＳＯの閉鎖構造４２２０内に真空環境を維持することができるように構築及び配置されている。ＥＵＶ放射放出プラズマ４２１０は、放電生成プラズマ源により形成することができる。ＥＵＶ放射は、例えばＸｅガス、Ｌｉ蒸気又はＳｎ蒸気などのガス又は蒸気により生成され得る。この蒸気又はガス内で、プラズマ４２１０が作り出され、電磁スペクトルのＥＵＶ範囲の放射を放出する。プラズマ４２１０は、例えば、少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを引き起こす放電によって作り出される。放射を効率的に生成するには、Ｘｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気又は他の好適なガスもしくは蒸気の、例えば１０Ｐａの分圧が必要となり得る。一実施形態では、ＥＵＶ放射を生成するために励起されたスズ（Ｓｎ）のプラズマが提供される。
【００５１】
[0063]  プラズマ４２１０により放出される放射は、放射源チャンバ４２１１から、放射源チャンバ４２１１の開口部内又はこの開口部の後方に位置決めされた任意のガスバリア又は汚染物質トラップ４２３０（場合によっては汚染物質バリア又はフォイルトラップとも呼ばれる）を介して、コレクタチャンバ４２１２内へと通過する。汚染物質トラップ４２３０はチャネル構造を備え得る。汚染トラップ４２３０は、ガスバリア、又は、ガスバリアとチャネル構造との組み合わせを備えてもよい。本明細書においてさらに示される汚染物質トラップ又は汚染物質バリア４２３０は、当技術分野で公知のように、少なくともチャネル構造を備える
【００５２】
[0064]  コレクタチャンバ４２１２は、いわゆる斜入射型コレクタであり得る放射コレクタＣＯを備えてもよい。放射コレクタＣＯは、上流放射コレクタ面４２５１及び下流放射コレクタ面４２５２を有する。コレクタＣＯを横断する放射は、格子スペクトルフィルタ４２４０で反射され、仮想放射源点ＩＦに合焦され得る。仮想放射源点ＩＦは、通常、中間焦点と呼ばれ、放射源コレクタ装置は、この中間焦点ＩＦが閉鎖構造４２２０の開口部４２２１内又は該開口部４２２１付近に位置するように配置される。仮想放射源点ＩＦは放射放出プラズマ４２１０の像である。
【００５３】
[0065]  続いて、放射は照明システムＩＬを横断する。照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム４２１に所望の角度分布を提供し、かつパターニングデバイスＭＡにおいて放射強度に所望の均一性を提供するように配置されたファセットフィールドミラーデバイス４２２及びファセット瞳ミラーデバイス４２４を含んでもよい。放射ビーム４２１が、サポート構造ＭＴに保持されたパターニングデバイスＭＡで反射されると、パターン付きビーム４２６が形成され、このパターン付きビーム４２６は、反射要素４２８、４３０を介して、基板ステージ又は基板テーブルＷＴに保持された基板Ｗ上に投影システムＰＳにより結像される。
【００５４】
[0066]  一般に、照明光学系ユニットＩＬ及び投影システムＰＳ内には、図示されるよりも多い要素が存在し得る。リソグラフィ装置のタイプに応じて、格子スペクトルフィルタ４２４０を任意で存在させてもよい。さらに、図示されるよりも多いミラーが存在してもよく、例えば、図７に示されるよりも１〜６個多い追加の反射要素が投影システムＰＳ内に存在してもよい。
【００５５】
[0067]  図７に例示されるようなコレクタ光学系ＣＯは、単にコレクタ（又はコレクタミラー）の一例として、斜入射リフレクタ４２５３、４２５４及び４２５５を有する入れ子型コレクタ（nested collector）として示されている。斜入射リフレクタ４２５３、４２５４及び４２５５は、光軸Ｏを中心に軸対称に配置され、このタイプのコレクタ光学系ＣＯは、しばしばＤＰＰ源と呼ばれる放電生成プラズマ源と組み合わせて使用される。
【００５６】
[0068]  あるいは、放射源コレクタ装置ＳＯは、図８に示すようなＬＰＰ放射システムの一部であってもよい。レーザＬＡは、キセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）又はリチウム（Ｌｉ）などの燃料にレーザエネルギを付与するように配置され、数十ｅＶの電子温度を有する高度にイオン化されたプラズマ４２１０を作り出す。これらイオンの再励起及び再結合中に生成されたエネルギ放射は、プラズマから放出され、近法線入射コレクタ光学系ＣＯによって集光され、閉鎖構造４２２０の開口部４２２１上に合焦される。
【００５７】
[0069]  図９は、本発明の一実施形態に係る基板ホルダを示す。基板ホルダは、基板テーブルＷＴの凹所内に保持されてよく、基板Ｗを支持する。基板ホルダ１００の本体は、例えば基板Ｗの形状及びサイズに実質的に対応したディスクなどの平坦なプレートの形態を有する。基板ホルダは、少なくとも上面（一実施形態では、両面）において、通常バールと呼ばれる突起１０６を有する。一実施形態では、基板ホルダは、基板テーブルの一体部分であり、下面上にはバールがない。図９において、バールは縮尺通りに表示されていない。
【００５８】
[0070]  基板ホルダ表面は、例えば、ＳｉＣ、ＳｉＳｉＣ、ゼロデュアアルミノケイ酸リチウムガラスセラミック、菫青石、石英、又は他の好適なセラミックもしくはガラスセラミック材料から形成することができる。基板ホルダ１００は、関連する材料の固体ディスクから、突出バールを残すように選択的に材料を除去することにより製造することができる。材料を除去するのに好適な技術には、放電加工（ＥＤＭ）、エッチング、及び／又はレーザアブレーションが含まれる。この技術は、例えば、数ミクロン程度の粗さ値Ｒａを有する粗面を残し得る。これらの除去技術により実現可能な最小粗さは、材料の特性から導き出すことができる。例えば、ＳｉＳｉＣのような二相材料の場合、実現可能な最小粗さは、二相材料の粒度によって決定される。このような残存部の粗さにより、表面上に電気コンポーネント、特に薄膜コンポーネントを形成することが困難になり、そのようなコンポーネントの信頼性を悪化させる。この粗さは、電子部品を形成するべく基板ホルダ上にコーティングされ、又は基板ホルダ上で成長した薄い層内に一つ以上の間隙及び／又はクラックを生じさせるため、これらの問題が起こることがあると考えられている。薄膜コンポーネントは、約２ｎｍ〜５０μｍの範囲の層厚さを有し、かつ化学蒸着、物理蒸着（例えば、スパッタリング）、ディップコーティング、スピンコーティング、及び／又はスプレーコーティングを含むプロセスにより形成され得る。
【００５９】
[0071]  実用上の実施形態では、例えば２００ｍｍ、３００ｍｍ、又は４５０ｍｍの幅（例えば、直径）を有する基板ホルダの全体にわたって分布した何万ものバール（例えば、１０，０００以上又は４０，０００以上といった）が存在し得る。バールの先端の面積は小さく、例えば、１ｍｍ２未満である。従って、基板ホルダ１００の一面上の全バールの合計面積は、基板ホルダの全表面積の合計面積のうちの約１０％未満（例えば、１〜３％）である。このバール構成により、基板、基板ホルダ、又は基板テーブルの表面上に存在し得るあらゆる粒子は、バール同士の間に落下し、基板又は基板ホルダの変形を引き起こす可能性が高い。
【００６０】
[0072]  バール構成は、パターンを形成してもよく、及び／又は、周期的な構成を有してもよい。バール構成は、規則的であってもよく、あるいは基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴ上に加わる力の適切な分散を提供するために要望に応じて変動し得る。バールは、平面視で任意の形状を有し得るが、通常は平面視で円形である。バールは、高さ方向にわたり同一の形状及び寸法を有してもよいが、通常はテーパが付けられている。基板ホルダ１００の本体１００ａの残りの表面からバールが突出する距離は、基板ホルダ１００の本体１００ａの残りの面から約１μｍ〜約５ｍｍ、望ましくは約５μｍ〜約２５０μｍである。基板ホルダ１００の本体１００ａの厚さは、約１ｍｍ〜約５０ｍｍの範囲、望ましくは約５ｍｍ〜２０ｍｍの範囲、典型的には１０ｍｍである。
【００６１】
[0073]  図１０は、図９の基板ホルダ１００の一部の拡大図であり、上面１０７及びいくつかのバール１０６を断面で示している。平坦化層１０８は、バール１０６とバール１０６との間の少なくとも一部の領域内の上面１０７に設けられる。一実施形態において、平坦化層１０８は、電子コンポーネントが形成されるところのみか、又は、基板ホルダ１００の実質的に上面全体にわたって設けられ得る。平坦化層１０８は、上面１０７の粗さを埋め、表面１０７よりも実質的に平滑な上面１０８ａを提供する。一実施形態において、平坦化層１０８の表面粗さＲａは、約１．５μｍ未満、望ましくは約１μｍ未満、又は約０．５μｍ未満である。一実施形態では、平坦化層１０８の表面の粗さＲａは、硬化後にバール間の平坦化層１０８を研磨することにより、０．２μｍ未満にすることができる。
【００６２】
[0074]  一実施形態では、平坦化層１０８は、コーティング材料又は前駆体材料の複数の層（例えば２層）を塗布することにより形成される。一実施形態において、平坦化層１０８は、コーティング材料又は前駆体材料の単層を塗布することにより形成されてもよい。平坦化層の材料に応じて、形成されたコーティングの検査から、平坦化層が複数の副層を形成することにより塗布されたことを特定できる場合がある。一実施形態において、平坦化層１０８の複数の副層は、同一材料から形成される。一実施形態では、平坦化層１０８の複数の副層は、異なる材料から形成される。好適な材料は、以下で説明する。
【００６３】
[0075]  一実施形態において、平坦化層１０８は、官能基が各Ｓｉ原子に結合した酸化ケイ素系又は窒化ケイ素系の化合物から形成される。官能基は、水素、メチル、フルオロ、ビニル等などから成る群から選択される少なくとも１つであり得る。一実施形態において、平坦化層１０８は、Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏｘから形成される。一実施形態では、平坦化層は、例えばＳ１０２などのＳｉＯｘから形成される。一実施形態では、平坦化層は、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）から形成される。一実施形態では、平坦化層は、ポリイミドコーティング材料から形成される。このような材料を塗布する方法は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる米国特許第７，５２４，７３５号明細書に記載されている。一実施形態では、平坦化層１０８は、Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｎ及びＳｉ（ＣＨ３）２Ｏ主鎖からなるポリマー鎖から形成される。
【００６４】
[0076]  平坦化層１０８は、約０．２μｍ〜約２００μｍの範囲、望ましくは約２μｍ〜約３０μｍの厚さを有し得る。平坦化層１０８は、基板ホルダの表面粗さの大半又は全てを埋めるのに十分な厚さを有することが望ましい。平坦化層１０８が厚すぎると、硬化中にクラックが生じる可能性が高くなる。例えば、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる２０１１年４月１９日出願の米国特許出願第６１／４７７，０５６号明細書に記載されるように、平坦化層１０８を複数の別々のコーティングにより塗布することで、そのようなクラッキングの可能性を低くし、最終層の表面粗さを小さくすることができる。
【００６５】
[0077]  一実施形態において、平坦化層１０８は、ポリシラザン溶液で基板ホルダ１００をコーティングすることにより塗布される。ポリシラザン溶液は、その後硬化され、ケイ素ベースの平坦化層を形成する。これに伴う反応は、米国特許出願第６１／４７７，０５６号明細書に示されている。一実施形態において、ポリシラザン溶液は、スプレー技術により塗布される。これに加えて、又はこの代わりに、堆積及び／又はスピンコーティングなどの１つ以上の他の技術を使用してもよい。一実施形態において、水性媒体のみを介して進行する反応を使用することができる。一実施形態では、熱の存在下で、水性媒体内で進行する反応を使用することができる。それぞれの反応において、米国特許出願第６１／４７７，０５６号明細書に記載されるように、水素、メチル、及び／又はフルオロから選択される１つ以上の官能基が存在し得る。
【００６６】
[0078]  平坦化層は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる、２０１１年１０月１４日に出願の米国特許出願第６１／５４７，６００号明細書に開示されるように形成され得る。
【００６７】
[0079]  平坦化層１０８は、薄膜コンポーネントを形成するために金属層又は他の層を確実に形成するのに十分な平滑さを有する表面を提供する。特に、基板ホルダを形成するのに使用される材料によっては必要になり得るガラスボンディングステップを不要にすることができる。
【００６８】
[0080]  図１０の基板ホルダにおいて、薄膜スタック２００は、基板ホルダの本体１００の表面１０７上に形成される。薄膜スタック２００は、平坦化層１０８と、第１絶縁層２０１と、電極層２０２と、第２絶縁層２０３と、を含む。電圧源５００は、例えば１０〜５０００Ｖの範囲の電位を電極層２０２に印加する。本体１００は、バール１０６及び基板と同様に接地される。電極層２０２に印加された電位により生成された電界は、基板Ｗを基板ホルダにクランプするための静電力を生じさせる。
【００６９】
[0081]  一実施形態において、電極層２０２は、２つ（又はそれ以上）の電気的に分離された部分に分割され得る。電圧源は、電極層２０２の２つの部分間に、例えば１０〜５０００Ｖの範囲の電位差を印加する。電極層２０２の一方の部分は接地される。結果として生じた電界は、同様の態様で静電クランプ力を生成する。
【００７０】
[0082]  参照によりその全体が本明細書に組み込まれる２０１１年１２月１６日出願の米国特許出願第６１／５７６，６２７号明細書に記載されるように、１つ以上のセンサと、関連付けられた任意のバールとが、電磁干渉のピックアップを最小限に抑えるように配置されることが望ましい。
【００７１】
[0083]  平坦化層１０８を含む薄膜スタックを使用する際に困難なことは、薄膜に欠陥が生じ得ることである。本体１００の粗面１０７内の突出した突起は、薄膜スタック内に突出し得る。突出した突起のエッジを平坦化層１０８で完全に湿らせることは難しい。これにより、粗面の突出した突起の上方の絶縁層２０１が他の領域と比較して相対的に薄くなることがある。結果として、電極２０１に電荷が加えられると、特に、静電クランプ用途のように大きい電荷が加えられると、粗面の突出した突起を囲む領域では、高電荷集中中心が生成され得る。これは、本体１００の材料が導電性の場合に困難な点である。このような高電荷集中中心は、絶縁層２０１の全体にわたりおよそ数μＡ以上のリーク電流を引き起こし得る。このリーク電流が、絶縁層２０１を損傷させることがある。
【００７２】
[0084]  研磨は、全ての突出した突起を除去するには効果的でない場合がある。
【００７３】
[0085]  一実施形態において、上述した困難な点について、薄膜スタック２００内に導電層を設けることによって対処する。導電層は、この導電層が位置決めされるスタックの平面全体にわたり実質的に均一に電荷を分散するように構成される。
【００７４】
[0086]  図１０〜図１３は、導電層が組み込まれた薄膜スタックの実施形態を断面図で示す。導電層は、大きい領域、望ましくは導電層の平面全体にわたり、電荷を分散させることにより機能する。電荷は、分散されない場合、粗面の突出した突起の位置に集中することになる。
【００７５】
[0087]  一実施形態において、導電層は、平面視で、パターン形成されていない。本体１００の突出した突起がどこにできるのか、予測することは不可能なことがある。従って、導電層にパターン形成をせず、潜在的に問題となる突出した突起の全てが導電層によって覆われる可能性を高めることが望ましい。一実施形態では、導電層は、平面視でスタック２００の実質的に全領域にわたり延在する。
【００７６】
[0088]  図１０の実施形態は、平坦化層１０８と、平坦化層１０８上の第１絶縁層２０１と、第１電極２０２と、第１電極２０２を覆う第２絶縁層２０３と、を含む薄膜スタック２００を示している。第２絶縁層は第１絶縁層２０２の側端を含む。導電層１０８及び電極２０２は、絶縁層、つまり第１絶縁層２０１によって分離されている。
【００７７】
[0089]  一実施形態において、電極２０２は、平面視でパターン形成されている。電極２０２は、他で記載されるように、静電クランプの電極を形成し、及び／若しくは、ヒータ又はセンサの一部を形成し得る。図１０〜図１３の実施形態は、１層の電極２０２のみを示しているが、図１４に示すように２層以上の電極を設けてもよい。
【００７８】
[0090]  平坦化層１０８は、導電性の平坦化層である。従って、導電性でなければ、本体１００から第１絶縁層２０１まで突出する突起によって生じ得る電荷集中は、平面視で平坦化層１０８全体にわたり分散することができる。
【００７９】
[0091]  平坦化層１０８は、導電性であること以外は、上述したような平坦化層１０８であってよい。これは、例えば、銀粒子のような導電性の添加物を添加することにより実現することができる。例えば、平坦化層のエマルジョンを形成した後、本体１００の表面にスプレーすればよい。平坦化層１０８は、本体１００と接触しているため、接地に接続された本体１００と電気的に接続される。
【００８０】
[0092]  図１０に示すように、基板ホルダ１００のＳｉＳｉＣ表面上でバール１０６間に、薄膜スタック２００を形成する各種層を堆積することは可能である。これらの層は、一般的な順序に従う。つまり、１）平坦化層１０８、２）第１絶縁層２０１（必要な場合のみ）、３）電極層２０２（例えば、金属線の形態）、そして４）第２（上部）絶縁層２０３の順である。薄膜層スタックは、（上述したような）１つ以上の他の材料から形成される基板ホルダ上、又は、１つ以上の同様の材料から形成される基板テーブル上に形成され得る。
【００８１】
[0093]  平坦化層１０８は、一般的には上述した通りであるが、他の形態の層及び層形成方法を使用してもよい。一実施形態における平坦化層は、１０μｍを超える厚さを有する。ＳｉＳｉＣ基板ホルダは、バール間に（およそ４μｍの高いＲａを有し、かつ頂部から谷部までがおよそ４３μｍである）粗面を有する。このような粗さでは、薄い（例えば、２０〜２００ｎｍの厚さ）金属電極線のパターン形成ができない場合がある。粗さを小さくするためには、ポリマーを溶解させた好適な溶媒をＳｉＳｉＣ粗面上にスプレーする。液体層は、ＥＤＭ仕上げのＳｉＳｉＣ粗面上のバール間に存在する谷部を埋める。液体を硬化して溶媒を蒸発させ、平滑なポリマー層又は平坦化層１０８を形成する。金属電極線は、このような平坦化表面上にパターン形成され得る。平坦化層が十分に厚く、ＳｉＳｉＣの鋭い頂部の全てを覆う場合、この平坦化層は、ＳｉＳｉＣとパターン形成された金属電極線との間にも電気絶縁を提供し得る。平坦化層は、全てを一度にスプレーしてもよく、あるいは薄膜をスプレーし、硬化し、次の層をスプレーし、というようなサイクルを所望の層厚さに達するまで繰り返すことによって、スタックに作り上げてもよい。平坦化層は、ＢＣＢ（１，３，５−トリメチルベンゼン内に４０％のビス‐ベンゾシクロブテンが溶解されている）のスプレー層のみ、又は、該スプレー層とＮＮ１２０（ジブチルエーテル内に２０％のペルヒドロポリシラザンを含む）のスプレー層の組み合わせから構成されてよい。
【００８２】
[0094]  平坦化層１０８は、金属電極のパターン形成を容易にするのに好適であるが、ＳｉＳｉＣ頂部の全てを覆わない場合もある。必要であれば、ＰＥＣＶＤ（プラズマ促進化学蒸着）ＳｉＯｘの薄膜（絶縁層）を平坦化層の上面に堆積し、ＳｉＳｉＣ頂部と金属電極線との間に電気絶縁を提供してもよい。絶縁層により提供される電気絶縁が十分でない場合は、平坦化層を２つの絶縁層の間に挟持し、このスタックは、第１絶縁層（ＰＥＣＶＤ  ＳｉＯｘ）、平坦化層、及び第２絶縁層（ＰＥＣＶＤ  ＳｉＯｘ）の順序に従う。絶縁層２０１は、０．１μｍを超える厚さを有することが望ましい。絶縁層は、１０μｍ未満の厚さを有することが望ましい。一実施形態において、絶縁層は５μｍの厚さを有する。
【００８３】
[0095]  絶縁層の上面には、１つ以上の金属線２０２がフォトリソグラフィ又は金属堆積とハードマスクを介したエッチングとによって堆積されてもよい。金属線２０２は、２０μｍを超える幅を有することが望ましい。金属線の最大幅は、その機能と利用可能なスペースとによって決定される。金属線を形成する他の方法も使用することができる。ヒータ及び／又はセンサの場合、１つ以上の太い金属線（例えば、約１５００μｍ）を加熱要素として使用することができ、細い金属線（例えば、約１００μｍ）をセンサ要素として使用することができる。静電クランプの場合、互いからおよそ５００μｍ離れて二等分された連続的な金属膜（ただし、バール頂部からは絶縁される）を堆積させ、静電クランプの正の要素及び負の要素を形成することができる。金属線２０２は、望ましくは約２０ｎｍを超える層厚さ、望ましくは約４０ｎｍを超える層厚さを有する。金属線２０２は、望ましくは約１μｍ以下の層厚さ、望ましくは約５００ｎｍ未満、望ましくは約２００ｎｍ未満の層厚さを有する。
【００８４】
[0096]  ヒータ及び／又はセンサの場合、パターン形成された金属線２０２は、例えばチタニウム（Ｔｉ）及びプラチナ（Ｐｔ）などの複数の金属層を有し得る。一実施形態において、１０ｎｍの厚さのチタン層は、およそ２５０の厚さのプラチナ線に対して改善した付着を提供する。複数層のパターン形成は、フォトレジスト堆積と、金属膜堆積用のＰＶＤと、リフトオフプロセスとの組み合わせを利用して実現することができる。ヒータの場合、太いクロム線（〜１５００μｍ）をＣｒ膜堆積（ＰＶＤ）と、マスクを使用した選択的なＣｒエッチングによって堆積することができる。静電クランプの場合、電極は、アルミニウム、クロム、又は任意の他の導電性材料から構成されてよい。電極は、ＰＶＤ又はスパッタリングで形成され得る。これらの金属の任意の好適な組み合わせによる合金を使用してもよい。
【００８５】
[0097]  堆積後の金属線を上記から電気的に絶縁し、粒子の堆積、スクラッチ及び、酸化から保護ずることが望ましい。従って、上部の又は最も外側の絶縁層は、金属線２０２上に堆積させられる。ヒータ又はセンサの場合、絶縁層は、ＢＣＢ（１，３，５−トリメチルベンゼン中に４０％のビス−ベンゾシクロブテンを溶解したもの）もしくはＮＮ１２０（ジブチルエーテル中に２０％のペルヒドロポリシラザンを含むもの）のスプレーコーティング、又は前述したＳｉＯｘ、又はスプレーされた層とＳｉＯｘとの組み合わせによって、堆積させられ得る。静電クランプの場合、上部絶縁層は、クランプ圧、及び、層スタックと基板との間の間隙を所望の値に調整することができるような誘電強度も提供する。一実施形態において、静電クランプの上部絶縁層は、ＢＣＢとＮＮ１２０（又はこれらの２つのスプレー材料の組み合わせ）をスプレーコーティングされたポリマー層、ＳｉＯｘ単体、１つ以上のスプレーコーティングされたポリマー層とＳｉＯｘとの組み合わせ、又は、ポリシラン（ＣＶＤ）単体を有する、あるいはこれらから構成される。上部絶縁層２０３は、望ましくは約０．１μｍを超える層厚さ、望ましくは約１μｍを超える層厚さを有する。ヒータ又はセンサの場合、上部絶縁層２０３は、望ましくは約１０μｍ未満の層厚さ、望ましくは約３μｍ未満の層厚さを有する。静電クランプの場合、上部絶縁層は、望ましくは約１００μｍ未満の層厚さ、望ましくは約２０μｍ未満の層厚さを有する。一実施形態において、厚さは、約１０〜約６０μｍの範囲である。
【００８６】
[0098]  表１は、薄膜スタックを構築するために好適な材料の例を層ごとに示す。各層は、列挙された材料のうちの１つ、又は２つ以上の材料の組み合わせにより形成され得る。括弧内には、塗布方法を示す。
【表１】
2015518659.tif 000003
【００８７】
[0099]  表２は、各用途について、層ごとに特有の機能及び要件の例を示す。
【表２】
2015518659.tif 000004
【００８８】
[00100]  薄膜テクノロジーは、オーバレイの改善、並びに、ヒータ及び／又はセンサの開発に対して費用効率の高い解決策を提供する。金属パターンの設計は、（マスクの設計を変更することで）容易に変更することができる。プラチナ（Ｐｔ）金属層が使用される場合、チタン付着層を最初に塗布してＰｔ層の付着性を改善することができる。静電クランプの場合、抵抗の低い任意の好適な金属を使用することができる。
【００８９】
[00101]  スプレーコーティング、スピンコーティング、及び／又はＰＥＣＶＤ技術によって、１つ以上の誘電体層が堆積され得る。スプレーコーティングは、ＢＣＢ及び／又はＮＮ１２０の層などの（有機溶媒に溶解した）ポリマー系の層を堆積させるのに特に好適である。しかし、最初にスプレーされた層は、堆積した層が厚すぎると、（例えば、局所的な不純物による）ピンホール及び／又は（たいていの場合、層内に誘発された応力による）クラックなどの表面欠陥を被ることがある。異なる堆積プロセスを組み合わせることにより、表面の不完性の作用を低減することができる。一実施形態において、層は、インクジェット印刷又はバブルジェット（登録商標）印刷技術によって塗布することができる。これにより、層厚さの局所的な制御が可能になり、基板ホルダの表面輪郭又は表面粗さの局所的なばらつきを補正するのに役立ち得る。これらの技術は、導電性インクを使用した導電層のパターン形成も可能にする。異なる材料及び／又は層形成技術を組み合わせることは、一層内の欠陥を別の層によって修正することができるため、望ましいと言える。
【００９０】
[00102]  絶縁層２０１、２０３は、上述したように、例えば１つ以上の層から形成され得る。一実施形態において、第１絶縁層２０１は、５μｍのＳ１０２、２０μｍのＢＣＢ層、及び５μｍのＳ１０２層を含む。一実施形態では、Ｓ２０１は、ＰＥＣＶＤによって塗布される。一実施形態において、第２（上部）絶縁層２０３は、例えばＳ１０２又はＢＣＢを含み得る。一実施形態では、例えば、平坦化層１０８は、１０μｍの厚さを有し、ＢＣＢを含む。
【００９１】
[00103]  図１１の実施形態は、以下で説明すること以外は図１０の実施形態と同様である。平坦化層１０８は、導電性であっても導電性でなくてもよい。導電層３００は、平坦化層１０８より上方で、かつ第１絶縁層２０１より下方に設けられる。導電層３００は、例えばクロム、アルミニウム、プラチナ、及び／又はこれらの金属の２つ以上から成る合金などの金属であり得る。一実施形態において、平坦化層１０８は、例えば１０μｍの厚さの非導電性ポリマー層（例えばＢＣＢ）であり、導電層は、薄い金属層（例えば、２００ｎｍのクロム）である。薄い金属層は、図１２のように、本体１００と共に接地に接続されても、接続されなくてもよい。一実施形態において、導電層の厚さは、２０ｎｍ〜１μｍである。このような厚さの導電層は、薄膜技術を使用して比較的容易に堆積され（電極２０２とほぼ同じ厚さ範囲である）、電荷を均一に分散させるのに十分な厚さである。一実施形態において、平坦化層１０８が非導電性である場合、導電層３００は、いずれとも電気的に接続されず、浮動電極（floating electrode）である。浮動電極は、層全体にわたって電荷を実質的に均一に分散させ、絶縁層２０１を通した電荷の集中が無いことから、電荷の伝搬を回避することになる。当然ながら、突出する突起が存在する場合は、浮動電極は、正に帯電した電極２０２と接地された本体１００との間に中間電圧として正電荷を分散させることになる。導電層３００の浮動電極は、スタック内のどこかに位置決めされ得る。一実施形態では、図１３を参照して説明するように、導電層３００の形態の２つ以上の浮動電極が存在する。例えば、１つ以上の浮動電極は、第１絶縁層２０１を含む複数の層間に位置決めされ得る。
【００９２】
[00104]  図１２は、以下で説明すること以外は図１１の実施形態と同様の実施形態を示す。導電層３００は、本体１００に電気的に接続される。従って、導電層３００は、接地と接続され、図１０に示す導電性の平坦化層１０８と同様に動作する。
【００９３】
[00105]  図１３は、図１０〜図１２の実施形態の組み合わせである実施形態を示している。あらゆる組み合わせの特徴が存在してもよい。図１３に示すように、導電性の平坦化層１０８及び接地された導電層３００を含むすべての特徴が存在している。一実施形態において、平坦化層１０８は、１０μｍのＢＣＢである。第１絶縁層２０１は、３つの絶縁層２０１１、２０１２、２０１３を含み、例えば、第１層２０１１は５μｍのＳｉＯ２、第２層２０１２は２０μｍのＢＣＢ、第３層２０１３は５μｍのＢＣＢである。第１層２０１１と第２層２０１２との間には、第１浮動電極３１０が設けられる。浮動電極３１０は、図１１の浮動電極３００と同一である。第２浮動電極３２０は、第１絶縁層２０１の第２層２０１２と第３層２０１３との間に設けられる。一実施形態において、浮動電極３１０、３２０は、これらに隣接する層２０１１、２０１２、２０１３の間に封入される。本発明の実施形態は、導電性の平坦化層１０８、導電層３００、第１浮動電極３１０、及び／又は第２浮動電極３０２の特徴のうちのいずれか１つ以上が存在すれば機能する。一実施形態において、接地された導電層３００は存在しない。一実施形態では、本体１００上にはバール１０６が堆積され、本体１００は、バール１０６の材料とは異なる材料のものであり得る。この実施形態では、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる、２０１２年４月９日出願の米国特許出願第６１／６２１，６４８号明細書に開示されるように、本体１００は、平坦化層１０８を必要としない程度に十分に平滑であり得る。しかし、少なくとも１つの浮動電極３１０、３２０及び／又は接地又は非接地の導電層３００は依然必要となる可能性はある。
【００９４】
[00106]  図１４に示す薄膜スタック１１０ｂは、以下で説明すること以外は図１０の薄膜スタックと同様である。スタック１１０ｂは、基層１００から上方へ順に、第１絶縁層２０１と、第１金属層（例えば、金属線）２０２と、第２絶縁層２０３と、第２金属層（例えば、金属線）２０４と、第３絶縁層２０５と、を含む。これら層のそれぞれは、本明細書に記載した好適な方法により形成することができる。１つ以上のさらなる金属層及び１つ以上のさらなる絶縁層が設けられてもよい。本実施形態において、２つ以上のスタック金属層を使用すると、２つ以上のスタックコンポーネント（例えば、センサ）を形成することが可能になる。スタックセンサは、改善されたノイズ遮断を提供することができる。一実施形態において、１つ以上の金属層は、別の層における１つ以上の信号線のシールドとして作用し得る。
【００９５】
[00107]  図１５に示す薄膜スタック１１０ｃは、以下で説明すること以外は図１０の薄膜スタックと同様である。スタック１１０ｃは、第１絶縁層２０１及び第２絶縁層２０３を、電子又は電気コンポーネント２０６、２０７の両側に備える。つまり、これらのコンポーネントが第１絶縁層と第２絶縁層との間に挟持される。基板上の単層内に複数のコンポーネントを形成することができる。一実施形態において、コンポーネント２０６、２０７のそれぞれは、複数の層から形成される。例えば、コンポーネントの連続層は、金属−非晶質シリコン−金属であってよい。このような実施形態において、１つ以上のコンポーネント２０６、２０７は、トランジスタ又は他の論理デバイスを形成する。このような論理デバイスを使用して、基板ホルダの表面全体にわたって配置されるヒータのアレイを、各ヒータへの個別の接続を要さずに、制御することができる。複数のトランジスタは、ワードラインとビットラインとの交点上に配置され、それぞれが、関連するヒータに接続されてアクティブマトリックスを形成する。
【００９６】
[00108]  静電クランプを有する一実施形態において、薄膜静電クランプと基板との間の分離は十分に制御され、かつ一定であるため、静電クランプによって付与されるクランプ力が（静電クランプと基板との間の分離があまり制御されていない場合に付与される力と比較して）より一定になる。これは、基板に付与されるクランプ力が不均一になることを回避できるため、有益である。クランプ力の不均一性は、基板に破損を引き起こし得る。
【００９７】
[00109]  ディスロケーションとして知られる薄膜内の結晶構造中の断絶などのいわゆるピンホール又はクラックは、薄膜層内、例えば静電クランプの絶縁層内に生じ得る。このような障害は、薄膜スタック内のコンポーネントの性能低下又は故障（例えば、低絶縁など）を引き起こし得る。一実施形態において、このような障害は、いくつかの積層された薄膜として絶縁層を設け、特定の絶縁層内のピンホール又はクラックが、次の絶縁層が堆積させられる時に少なくとも部分的に埋められるようにすることによって、有益に回避することができる。１つの層内の障害と、別の層内の障害とが重なる可能性は低い。
【００９８】
[00110]  基板テーブル上に形成される電子又は電気コンポーネントには、例えば、電極、抵抗ヒータ、及び／又は、歪センサ、磁気センサ、圧力センサ、容量センサ、もしくは温度センサなど（これらに限定されない）のセンサを含まれ得る。ヒータ及びセンサを使用して、基板ホルダ又は基板内の望ましくない温度変動及び応力を低減するように、あるいは望ましい温度変動及び応力を誘発するように、基板ホルダ及び／又は基板の温度を局所的に制御及び／又は監視することができる。ヒータ及びセンサは、互いに同一の領域上、同一の領域周辺、及び／又は同一の領域にわたって形成されることが望ましい。基板の局所的な膨張又は収縮によるオーバレイエラーなどの結像エラーを減少又は除去するために、基板の温度及び／又は応力を制御することが望ましい。例えば、液浸リソグラフィ装置において、基板上に残留した液浸液（例えば、水）の蒸発は、局所的な冷却を引き起こし、液体が存在する表面に熱負荷が加わり、それにより基板の収縮が起こり得る。反対に、露光中に投影ビームによって加えられたエネルギは、著しい加熱を引き起こし、それにより基板の膨張が起こり得る。
【００９９】
[00111]  一実施形態において、形成されるコンポーネントは、静電クランプ用の電極である。静電クランプにおいて、基板テーブル及び／又は基板ホルダ上に設けられた電極は、例えば１０〜５０００Ｖの高電位まで高められる。基板は、接地されていても、浮動していてもよい。電極により生成された電解内の静電力は、基板を基板テーブル及び／又は基板ホルダに引きつけ、クランプ力を提供する。これについて、以下に詳細に説明する。
【０１００】
[00112]  １つ以上の電気接続を設け、基板ホルダ上の電気又は電子コンポーネントを電圧源へと接続することができる（便宜上図示を省略している）。コンポーネントが静電クランプである場合、基板上の電極は、電圧源との電気接続を有する。コンポーネントは、基板サポートの上面にあり得る。少なくとも電気接続の一部は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる２０１１年１１月３に出願の米国特許出願第６１／５５５，３５９号明細書に記載されるように、基板サポートの本体を通過し得る。
【０１０１】
[00113]  一実施形態において、１つ以上の局所ヒータ１０１は、コントローラに制御され、基板ホルダ１００及び基板Ｗに所望量の熱を提供して基板Ｗの温度を制御する。１つ以上の温度センサ１０２は、基板ホルダ１００及び／又は基板Ｗの温度を監視するコントローラに接続される。１つ以上のヒータと温度センサとを使用して、基板の温度を局所的に制御する構成は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる、同時継続出願中の米国特許出願公開第２０１２−００１３８６５号明細書に記載される。この明細書に記載される構成は、本明細書に記載の抵抗ヒータ及び温度センサを利用するべく改良されることが可能である。
【０１０２】
[00114]  １つ以上のバール、センサ、ヒータ、及び／又は静電クランプを形成するために使用され得る特定の方法について説明してきたが、多層構造としてのユニット形態においては、任意の他の好適な方法を使用してもよい。本発明の一実施形態において、薄膜スタックは、基板ホルダの一面上のみに設けられる。一実施形態では、薄膜スタックは、基板ホルダの両面上に設けられる。一実施形態では、基板ホルダの両面上にバールが設けられる。基板ホルダのうち薄膜スタックが無い面にバールが設けられる場合、この面にバールを形成するあらゆる便利な方法を使用することができる。そのような方法には、上述した方法のうちの任意の１つ以上、及び、本体からの材料の除去を伴う機械加工など、１つ以上の他の方法が含まれる。１つ以上の層の堆積は、プラズマ促進化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）、化学蒸着（ＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）及び／又はスパッタリングによって実現することができる。堆積に使用される方法は、堆積される材料応じて変化する。堆積により生じる厚さのばらつきは、５％未満であり得る。
【０１０３】
[00115]  従来の（ＤＵＶ）リソグラフィ装置（例えば、液浸リソグラフィ装置）で使用される基板ホルダは、１つ以上の薄膜温度センサ及び／又は薄膜ヒータを備えることが望ましい。
【０１０４】
[00116]  ＥＵＶリソグラフィ装置で使用される基板ホルダは、薄膜静電クランプと、任意で１つ以上の薄膜温度センサ及び／又は薄膜ヒータと、を備えることが望ましい。
【０１０５】
[00117]  当然のことながら、上述した特徴のいずれも、任意の他の特徴と共に使用することができ、その組み合わせは、本出願において明記された組み合わせに限られない。例えば、図１４及び図１５に示され、かつ上述された構造は、図１１〜図１３のいずれかの平坦化層１０８及び／又は導電層３００及び／又は第１絶縁層２０１の上に配置されてもよい。
【０１０６】
[00118]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターン及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった、ミクロンスケール又はナノスケールのフィーチャを有するコンポーネントの製造における他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」又は「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」又は「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、及び／又はインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツール及びその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【０１０７】
[00119]  本明細書で使用される「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、又は１２６ｎｍの波長、又はおよそこれらの値の波長を有する）を含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。
【０１０８】
[00120]  「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折及び反射型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つ又はこれらの組合せを指すことができる。
【０１０９】
[00121]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、少なくとも上述した装置の動作方法の形態において、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明の実施形態は、少なくとも装置の動作方法の形態において、上述した装置の動作方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含む１つ以上のコンピュータプログラムの形態、又はこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスク又は光ディスク）の形態であってもよい。さらに、機械読取可能命令は、２つ以上のコンピュータプログラムにおいて具体化されてもよい。２つ以上のコンピュータプログラムは、１つ以上の異なるメモリ及び／又はデータ記憶媒体に記憶され得る。
【０１１０】
[00122]  本明細書に記載コントローラは、１つ以上のコンピュータプログラムが、リソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネント内に配置された１つ以上のコンピュータプロセッサによって読み取られる際、個別に又は協働して動作可能である。コントローラは、個別に又は協働して、信号を受信、処理、及び送信するための任意の好適な構成を有する。１つ以上のマルチプロセッサは、コントローラの少なくとも１つと通信するように構成される。例えば、各コントローラは、上述した装置の動作方法に関する機械読取可能命令を含むコンピュータプログラムを実行するための１つ以上のプロセッサを含み得る。コントローラは、そのようなコンピュータプログラムを記憶するためのデータ記憶媒体及び／又はそのような媒体を受けるハードウェアを含み得る。従って、コントローラは、１つ以上のコンピュータプログラムの機械読取可能命令に従って動作し得る。
【０１１１】
[00123]  本発明の一実施形態は、３００ｍｍ又は４５０ｍｍ又は任意の他のサイズの幅（例えば、直径）を有する基板に適用することができる。
【０１１２】
[00124]  本発明の１つ以上の実施形態は、液浸液が、浴式で提供されるか、基板の局所的な表面領域のみに提供されるか、基板及び／又は基板テーブル上において非閉じ込め式であるかは問わず、あらゆる液浸リソグラフィ装置、特に、上述したようなタイプ（これに限定されない）の液浸リソグラフィ装置に適用することができる。非閉じ込め構成では、液浸液は、基板テーブル及び／又は基板の覆われない表面の実質的に全体が濡れるように、基板及び／又は基板テーブルの表面上を流れ得る。このような非閉じ込め式の液浸システムにおいて、液体供給システムは、液浸液を閉じ込めないこともあり、あるいは、ある割合の液浸液は閉じ込めるが、実質的に全ての液浸液は閉じ込めないこともある。
【０１１３】
[00125]  本明細書で意図される液体供給システムは、広く解釈されるべきである。所定の実施形態において、液体供給システムは、投影システムと基板及び／又は基板テーブルとの間のスペースに液体を提供する機構又は構造の組み合わせであり得る。液体供給システムは、１つ以上の構造、１つ以上の液体インレット、１つ以上のガスインレット、１つ以上のガスアウトレット、及び／又は液体を空間に提供する１つ以上の液体アウトレットの組み合わせを備え得る。一実施形態において、スペースの表面は、基板及び／又は基板テーブルの一部分であってもよく、あるいはスペースの表面は、基板及び／又は基板テーブルの表面を完全に覆ってもよく、あるいはスペースは、基板及び／又は基板テーブルを囲んでもよい。液体供給システムは、任意で、液体の位置、量、品質、形状、流量、若しくは任意の他の特徴を制御する１つ以上の要素をさらに備えてもよい。
【０１１４】
[00126]  本発明の第一態様では、リソグラフィ装置で使用される基板ホルダが提供される。基板ホルダは、本体と、複数のバールと、薄膜スタックと。を備える。本体は表面を有する。複数のバールは、表面から突出し、かつ基板を支持する端面を有する。薄膜スタックは、本体の表面上にあり、電気コンポーネントを形成する。薄膜スタックは、導電層を含み、導電層は、この導電層が位置決めされるスタックの平面全体にわたり電荷を実質的に均一に分散させるように構成される。
【０１１５】
[00127]  導電層は、平面視で、パターン形成されなくてもよい。導電層は、平面視で、実質的にスタックの全領域上に延在し得る。導電層は、金属層であり得る。金属は、Ｃｒ、Ａｌ、Ｐｔ及び／又はこれらの金属の２つ以上から構成された合金から選択される少なくとも１つの金属であり得る。導電層は、２０ｎｍ〜１μｍの厚さであり得る。
【０１１６】
[00128]  導電層は、本体表面上に形成される平坦化層であり得る。平坦化層は、導電性の添加物を含み得る。薄膜スタックは、本体表面上に形成された平坦化層を含み得る。平坦化層は、約１．５μｍ未満、約１．０μｍ未満、又は約０．５μｍ未満の表面粗さＲａを有し得る。平坦化層は、ケイ素系の材料から形成され得る。平坦化層は、酸化ケイ素又は窒化ケイ素系の材料から形成することができる。平坦化層は、水素、メチル、フルオロ、ビニルなどから成る群から選択される少なくとも１つの官能基を含み得る。平坦化層は、ベンゾシクロブテン、ペルヒドロポリシラザン、Ｓ１０２、パリレン、ポリイミド、及び／又はこれらの２つ以上の組み合わせから構成された群から選択される少なくとも１つの材料を含み得る。
【０１１７】
[00129]  少なくとも導電層に隣接する層は絶縁層であってよい。導電層は、本体に電気的に接続され得る。導電層は浮動電極であってよい。薄膜スタックは、電極層である別の導電層をさらに含み得る。電極層は、平面視で、パターン形成されてもよい。電極層及び導電層は絶縁層によって分離され得る。スタックは、さらに、電極層上に設けられた上部絶縁層を含み得る。絶縁層は、約０．１μｍ〜約１００μｍの範囲の厚さを有し得る。絶縁層は、約０．１μｍ〜約１０μｍの範囲、望ましくは約１μｍ〜約３μｍの厚さを有し得る。絶縁層は、ベンゾシクロブテン、ペルヒドロポリシラザン、ＳｉＯｘ、パリレン、ポリイミド、及び／又はこれらの２つ以上の組み合わせから成る群から選択される少なくとも１つの材料から形成され得る。絶縁層は、約２０μｍ〜約１００μｍの範囲、望ましくは約４０μｍ〜約６０μｍの厚さを有し得る。電極は、使用中、静電クランプの電極であり得る。
【０１１８】
[00130]  本体は、ＳｉＣ（炭化ケイ素）、ＳｉＳｉＣ（シリコン浸透型炭化ケイ素）Ｓｉ３Ｎ４（亜硝酸ケイ素）石英、及び／又はゼロデュア（商標）から構成された群から選択される少なくとも１つの材料から形成され得る。
【０１１９】
[00131]  本発明の第２実施形態では、サポート構造と、投影システムと、基板ホルダと、を備えるリソグラフィ装置が提供される。サポート構造は、パターニングデバイスを支持するように構成される。投影システムは、パターニングデバイスによってパターン形成されたビームを基板上に投影するように構成される。基板ホルダは、基板を保持するように構成され、本発明の第１態様に係る基板ホルダである。
【０１２０】
[00132]  リソグラフィ装置は、基板テーブルをさらに備えてもよく、基板ホルダは、基板テーブル内に一体化される。リソグラフィ装置は、ＥＵＶリソグラフィ装置であってよい。
【０１２１】
[00133]  本発明の第３態様では、リソグラフィ装置を使用したデバイス製造方法が提供される。この方法は、基板を基板ホルダ内又は基板ホルダ上に保持する間に、パターニングデバイスによってパターン形成されたビームを基板上に投影することを含み、基板ホルダは、表面を有する本体と、表面から突出し、かつ基板を支持する端面を有する複数のバールと、本体の表面上で電気コンポーネントを形成する薄膜スタックと、を備え、薄膜スタックは、導電層を含み、導電層は、この導電層が位置決めされるスタックの平面全体にわたって、電荷を実質的に均一に分散させるように構成される。
【０１２２】
[00134]  本発明の第４態様では、リソグラフィ装置で使用するための基板ホルダが提供される。この基板ホルダは、表面を有する本体と、表面から突出する複数のバールであって、基板を支持する端面を有する複数のバールと、本体の表面上で電気コンポーネントを形成する薄膜スタックとを備え、薄膜スタックは、平面視でスタックの実質的に全領域にわたって延在する導電層を含む。
【０１２３】
[00135]  上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。従って、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【国際調査報告】
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