(57)【要約】  それぞれ少なくとも１つの実質的に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなるセラミック層を備え、そのセラミック層が少なくとも１つの表面に、実質的に酸化アルミニウムからなる中間層を有しており、及び少なくとも１つの、金属層又は金属箔から形成されたメタライゼーションを各中間層の上に備えている、ＤＣＢ基板の製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ少なくとも１つの実質的に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなるセラミック層（２）を備え、該セラミック層が少なくとも１つの表面に、好ましくは両側の表面に実質的に酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）からなる中間層（３）を有しており、及び少なくとも１つの、金属層又は金属箔から形成されたメタライゼーションを各中間層（３）の上に備え、その際にモールディング及び／又はカレンダ加工及び／又はプレス加工によってグリーンシート（２．１）が窒化アルミニウム及び焼結助剤から生成され、及び該グリーンシートから焼結によって生セラミック層（２．２）が製造され、及びその際に前記セラミック層（２）の少なくとも１つの表面の上に、好ましくは両側の表面の上に前記中間層（３）が生成され及び該中間層と前もって酸化された金属層又は金属箔とがＤＣＢボンディングによって接合される、ＤＣＢ基板の製造方法において、
少なくとも１つの中間層（３）が生成される前に、前記セラミック層（２）の該当する表面で、そこに存在する、焼結プロセスが原因で生じた、及び／又は焼結プロセスからの反応生成物を含む、表面層（６）が除去されることを特徴とする、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記表面層（６）の除去が機械的に、例えばブラッシング、研削、ラップ仕上、サンドブラスト、加圧式ブラストによって行われることを特徴とする、方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の方法であって、前記表面層（６）の除去が例えばアルカリ溶液を使って、好ましくは、ＰＨ値が１０を超える、好適にはＰＨ値が１２を超える水溶液を使用して化学処理によって行われることを特徴とする、方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって、前記表面層（６）の除去処理温度が２０℃〜１００℃の範囲で、好ましくは温度が５０℃を超えて行われることを特徴とする、方法。
【請求項５】
請求項３又は４に記載の方法であって、前記表面層（６）の除去が、苛性ソーダ、好ましくは５％の苛性ソーダを使用した処理によって、及び／又は水酸化カリウム（ＫＯＨ）及び／又は炭酸ナトリウム（Ｎａ２ＣＯ３）を使用した処理によって行われることを特徴とする、方法。
【請求項６】
請求項１から５のうちのいずれか一項に記載の方法であって、前記表面層（６）の除去が、熱により液体中で及び／又は蒸気中で、例えば圧力がかかったオートクレーブ中で最高温度３００℃で行われることを特徴とする、方法。
【請求項７】
請求項１から６のうちのいずれか一項に記載の方法であって、少なくとも１つの中間層（３）を前記セラミック層（２）の上に生成する前に、少なくとも１つの表面に銅又は酸化銅又は銅を含む少なくとも１つの別の化合物からなる薄層が配設され、及びそれに続いて少なくとも１つの中間層（３）が熱酸化によって形成されることを特徴とする、方法。
【請求項８】
請求項１から７のうちのいずれか一項に記載の方法であって、熱酸化が、少なくとも１つの中間層（３）のために層厚が０．５μｍ〜１０μｍの間に調整されるまで行われることを特徴とする、方法。
【請求項９】
請求項１から８のうちのいずれか一項に記載の方法であって、機械的及び化学的処理が、少なくとも１つの表面層（６）を除去するために、少なくとも一部が時間的に重なり合うか又は時間的に前後して実施されることを特徴とする、方法。
【請求項１０】
請求項６から８のうちのいずれか一項に記載の方法であって、銅又は酸化銅又は少なくとも１つの銅を含む化合物からなる前記薄層の配設が、銅イオンを含む水溶液、例えば０．００５〜２．０Ｍｏｌ／ｌのＣｕ＋＋イオンを含む水溶液にセラミック層を浸すことで行われることを特徴とする、方法。
【請求項１１】
請求項６から９のうちのいずれか一項に記載の方法であって、銅又は酸化銅又は銅を含む少なくとも１つの別の化合物からなる前記薄層の配設が、スパッタリング及び／又はＣＶＤ析出及び／又は化学的析出によって行われることを特徴とする、方法。
【請求項１２】
請求項１から１１のうちのいずれか一項に記載の方法であって、少なくとも１つの中間層（３）が熱酸化によって、すなわち前記セラミック層（２）を空気中又は酸素比率が１０％〜９０％の範囲にある酸素含有雰囲気中で８００℃〜１４５０℃の範囲の温度まで加熱することによって形成されることを特徴とする、方法。
【請求項１３】
請求項１から１２のうちのいずれか一項に記載の方法であって、以下の手順工程：
少なくとも１つの酸化された、銅又は銅合金からなる金属箔を、洗浄されたＡｌＮからなるセラミック層（２）の少なくとも１つの表面に配設し、
少なくとも１つの金属箔及び前記セラミック層（２）を４００℃〜１０８３℃の温度に加熱し、
好ましくは前記金属箔及び前記セラミック層（２）の温度が冷めてから少なくとも１つの金属箔を除去し、
８５０℃〜１４５０℃の温度で酸素含有雰囲気中で前記中間層（３）を前記セラミック層（２）の少なくとも１つの表面に生成するために前記セラミック層（２）を酸化させ、及び
前記セラミック層（２）の少なくとも１つの表面に少なくとも１つの金属箔をＤＣＢボンディングする、
ことを特徴とする、方法。
【請求項１４】
請求項１から１３のうちのいずれか一項に記載の方法であって、以下の手順工程：
洗浄された、ＡｌＮからなる前記セラミック層（２）が８００℃〜１４５０℃の温度で酸化され、
酸化された前記セラミック層（２）の少なくとも１つの表面に銅又は銅合金からなる少なくとも１つの金属箔をＤＣＢボンディングし、
少なくとも１つの金属箔を好ましくはエッチングによって除去し、
８００℃〜１４５０℃の温度で前記セラミック層（２）を再度酸化させ、及び
前記セラミック層（２）の少なくとも１つの表面に少なくとも１つの金属箔をＤＣＢボンディングする、
ことを特徴とする、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、請求項１の前段による、特に電気回路及び／又はモジュールのための回路基板の形の、ＤＣＢ基板の製造方法に関する。このような種類の方法は公知である。
【背景技術】
【０００２】
例えば金属層又は金属プレート（例えば銅板又は銅箔）を互いに、及び／又はセラミックあるいはセラミック層と接合するための方法、すなわちその表面が金属と反応ガス、好ましくは酸素との化合物からできた層又は被膜を備えた、特に銅又は銅合金から作られた金属板又は金属箔を使用した、いわゆる「ＤＣＢ法」（銅直接接合技術、Ｄｉｒｅｃｔ−Ｃｏｐｐｅｒ−Ｂｏｎｄ−Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）が公知である。例として、特許文献１又は特許文献２に記述されている方法により、この層又は被膜が境を接する金属と共に、金属（例えば銅）の融解温度より低い融解温度を備える共晶（融解層）が形成され、その結果セラミックに箔を配設し、層全体を加熱することで、すなわち実質的に融解層又は酸化被膜の範囲のみで金属ないし銅を融解することによって、これらを互いに接合させることができる。
【０００３】
このＤＣＢ法はさらに以下の手順工程を備えている：
・酸化金属層又は酸化銅層が均等に生じるように、金属箔、例えば銅箔を酸化させる；
・セラミック層への金属箔、例えば銅箔の配設；
・およそ１０２５℃〜１０８３℃の間、例えば約１０７１℃のプロセス温度へ接合部を加熱；
・室温への冷却
【０００４】
この方法（以下では「ＤＣＢボンディング」とも呼ばれる）によって作られた基板は、以下では金属層又は金属箔に使用された金属には無関係に、「ＤＣＢ基板」と呼ばれる。
【０００５】
窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなるセラミック層を使用することにより、各セラミック層の少なくとも１つの表面に、まず熱酸化によって、空気中又は酸素含有雰囲気中で酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）からなる中間層を生じさせることも公知である。その場合この中間層を介してのみ、対応するメタライゼーションを形成する金属箔、例えば銅箔がＤＣＢボンディングによってセラミックと接合されることが可能になる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許第３７４４１２０号明細書
【特許文献２】独国特許第２３１９８５４号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の課題は、改良された品質、特に改良された機械的及び／又は電気的及び／又は熱的性質を有する、実質的に窒化アルミニウムからなる少なくとも１つのセラミック層を備えたＤＣＢ基板を製造可能な方法を提示することである。この課題を解決するために、請求項１に従った方法が作り出される。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明による方法の基本的な特徴は、使用される各セラミック層が実質的に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなり、例えば窒化アルミニウム比率が少なくとも９０％、好ましくは窒化アルミニウム比率が少なくとも９６％であり、その際にその他の成分が特に、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）のような焼結助剤、及び窒化ほう素（ＢＮ）のような剥離剤、ガーネット（Ｙ２Ｏ３^Ａｌ２Ｏ３）及び酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）のような反応生成物であり、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）からなる少なくとも１つの中間層が生成される前に、該当する表面が機械的及び／又は化学的に洗浄される、すなわち焼結プロセスの結果生じた、特に焼結プロセスからの反応プロセスを含む、そこに存在する表面層が除去される。
【０００９】
本発明の発展形態では、本方法が例として以下のように形成される；
表面層、特に酸化物セラミックを含む表面層の除去が、例えばブラッシング、研削、ラップ仕上、サンドブラスト、加圧式ブラストのように機械的に行われるように、
及び／又は
表面層の除去が、例えばアルカリ溶液を使って、好ましくはＰＨ値が１０を超える、好適にはＰＨ値が１２を超える水溶液を使用して化学処理によって行われるように、
及び／又は
表面層の除去が、処理温度が２０℃〜１００℃の範囲で、好ましくは温度が５０℃を超えて行われるように、
及び／又は
表面層の除去が、苛性ソーダ、好ましくは５％の苛性ソーダを使用した処理により、及び／又は
水酸化カリウム（ＫＯＨ）及び／又は炭酸ナトリウム（Ｎａ２ＣＯ３）を使用した処理によって行われるように、
及び／又は
表面層の除去が、熱により液体中で及び／又は蒸気中で、例えば圧力がかかったオートクレーブ中で最高温度３００℃で行われるように、
及び／又は
少なくとも１つの中間層をセラミック層の上に生成する前に、少なくとも１つの表面に、銅又は酸化銅又は銅を含む少なくとも１つの別の化合物からなる薄層が配設され、及びそれに続いて少なくとも１つの中間層が熱酸化によって形成され、
及び／又は
熱酸化が、少なくとも１つの中間層（３）のために層厚が０．５μｍ〜１０μｍの間に調整されるまで行われ、
及び／又は
機械的及び化学的処理が、少なくとも１つの表面層を除去するために、少なくとも一部が時間的に重なり合うか又は時間的に前後して実施され、
及び／又は
銅又は酸化銅又は少なくとも１つの銅を含む化合物からなる薄層の配設が、セラミック層を銅イオンを含む水溶液、例えば０．００５〜２．０Ｍｏｌ／ｌのＣｕ＋＋イオンを含む水溶液に浸すことで行われ、
及び／又は
銅又は酸化銅又は銅を含む少なくとも１つの別の化合物からなる薄層の配設が、スパッタリング及び／又はＣＶＤ析出及び／又は化学的析出によって行われ、
及び／又は
少なくとも１つの中間層が熱酸化によって、すなわちセラミック層を空気中又は酸素比率が１０％〜９０％の範囲にある酸素含有雰囲気中で８００℃〜１４５０℃の範囲の温度まで加熱することによって形成され、
及び／又は
本方法が以下の手順工程を有する：
少なくとも１つの酸化した、銅又は銅合金からなる金属箔を、生成されたＡｌＮからなるセラミック層の少なくとも１つの表面に配設し、
少なくとも１つの金属箔及びセラミック層を４００℃〜１０８３℃の温度に加熱し、
好ましくは金属箔及びセラミック層の温度が冷めてから少なくとも１つの金属箔を除去し、
８５０℃〜１４５０℃の温度で酸素含有雰囲気中でセラミック層の少なくとも１つの表面に中間層を生成するためにセラミック層を酸化させ、及び
セラミック層の少なくとも１つの表面に少なくとも１つの金属箔をＤＣＢボンディングし、
及び／又は
本方法が以下の手順工程を有する：
洗浄された、ＡｌＮからなるセラミック層が８００℃〜１４５０℃の温度で酸化され、
酸化されたセラミック層の少なくとも１つの表面に銅又は銅合金からなる少なくとも１つの金属箔をＤＣＢボンディングし、
少なくとも１つの金属箔を好ましくはエッチングによって除去し、
８００℃〜１４５０℃の温度でセラミック層（２）を再度酸化させ、及び
セラミック層の少なくとも１つの表面に少なくとも１つの金属箔をＤＣＢボンディングし、
及び／又は
本方法が以下の手順工程を有する：
モールディング及び／又はカレンダ加工及び／又はプレス加工によって窒化アルミニウムからグリーンシート及び焼結助剤を生成し、これから焼結によって生セラミック層が作られ、セラミック層の少なくとも１つの表面に中間層が生成され及びこれとあらかじめ酸化された金属層又は金属箔とがＤＣＢボンディングによって接合され、
少なくとも１つの中間層が生成される前にセラミック層の該当する表面で、そこに存在する、焼結プロセスが原因で生じた表面層が除去され、及びそれに続いて中間層が生成され、
その際に上述の特徴がそれぞれ個別で又は任意の組合せで使用されてよい。
【００１０】
用語「実質的に」又は「約」は、本発明ではそれぞれ正確な値からの差が＋／−１０％、好ましくは＋／−５％を意味し及び／又は機能にとって意味のない変更という形の差を意味する。
【００１１】
本発明の発展形態、利点及び適用可能性は以下の実施例及び図による説明でも開示される。その際に記述された、及び／又は図によって示されたすべての特徴は、それ自体又は任意の組み合わせにおいて、請求項中又はその関連の要約とは無関係に基本的に本発明の主題である。請求項の内容も、記述の構成要素とされる。
【００１２】
本発明は図を使用して実施例において詳しく説明される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなる絶縁層又はセラミック層を備えたＤＣＢ基板の断面図である。
【図２】図１のＤＣＢ基板を作成するための各手順工程の項目ａ）〜ｆ）である。
【図３】図２の方法において、実質的に酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）からなる中間層をその上に有する、窒化アルミニウム製セラミック層の拡大図である。
【図４】本発明の別の一実施形態における、図１のＤＣＢ基板を作成するための各手順工程の項目ａ）〜ｆ）である。
【図５】図４の方法において、実質的に酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）からなる中間層をその上に有する、窒化アルミニウム製セラミック層の拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
図１では、１は金属セラミック基板又はＤＣＢ基板であり、これは実質的に、保護層又は中間層３からなるセラミック層２からできており、これらはセラミック層２の各表面にあり、及びメタライゼーション４及び５からなり、このメタライゼーションはそれぞれ中間層３の上に配設され、及びそこからメタライゼーション３が金属エリア３．１を形成するために例えば回線経路、接触面、取付け面などの形で、構造化される。
【００１５】
詳細には、セラミック層２がそのような、例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）の比率が少なくとも９０重量％、好ましくは窒化アルミニウム（ＡｌＮ）の比率が約９６重量％である窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなり、その際に残りはその他の添加物又は実質的にその他の添加物であり、特に、例えば酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化バリウム（Ｂ２Ｏ３）、窒化バリウム（ＢＮ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）などのような焼結助剤である。
【００１６】
中間層３は同様にセラミック層であり、及び酸化アルミニウム（Ａｌ３Ｏ２）とわずかな比率のその他の成分からなり、特に焼結助剤、例えばわずかな比率の酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、窒化バリウム（ＢＮ）、酸化バリウム（Ｂ２Ｏ３）、酸化カルシウム（ＣａＯ）を含む。メタライゼーション４及び５は、銅から、銅合金から、及びアルミニウム又はアルミニウム合金からなる層又は箔である。
【００１７】
基板１を作成するための基本となっている手順工程は、図２の項目ａ）〜ｆ）に示されている。
【００１８】
項目ａ）に従い、まず窒化アルミニウムからなるセラミック層２が、つまりモールディング及び／又はカレンダ加工及び／又はプレス加工により焼結助剤を含む窒化アルミニウム（ＡｌＮ）のグリーンシート２．１が準備され、及び続いて各グリーンシート２．１が、別のグリーンシートと共に積層の形でも、必要な焼結温度で、例えば１６００℃〜１９００℃の温度範囲で焼結される焼結後、生セラミック層２．２（セラミック層、アズファイアード）が項目ｂ）により得られる。積層での焼結の際、窒化ホウ素（ＢＮ）のような剥離剤が使用される。この生セラミック層２．２は特に焼結プロセスで生じた表面層６を有し、この表面層は例えば厚さが０．０５ｍｍ〜０．３ｍｍの範囲にある。この表面層６は実質的に不純物、焼結助剤及び剥離剤の成分又は化合物、例えば酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）、窒化ホウ素（ＢＮ）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、ガーネット（Ｙ２Ｏ３^Ａｌ２Ｏ３）、酸化カルシウム（ＣａＯ）などからなる。
【００１９】
項目ｃ）により、次の手順工程では表面層６が除去され、その結果セラミック層２が洗浄された、又は清浄な表面を得る。
【００２０】
次の手順工程では、項目ｄ）により、中間層３が例えば熱酸化によって配設される。これに関してセラミック層２は空気中又は酸素含有雰囲気中で、例えば、窒素、アルゴン等の不活性ガスと１０％〜９０％の酸素が含まれる雰囲気中で、８００℃〜１１４５０℃の温度範囲で加熱される。中間層３は、同様に成分（３．１）又は焼結助剤の反応生成物、例えばＹ２Ｏ３、ＢＮ、Ｂ２Ｏ３等を含んでいる（図３及び図５）。
【００２１】
別の手順工程では、項目ｅ）により、メタライゼーション４及び５を形成する、銅から、銅合金から、及びアルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属層又は金属箔のＤＣＢボンディング又は面接合が行われる。これに関して、あらかじめ酸化された金属層又は金属箔が中間層３の上に配設され、続いてＤＣＢボンディングによって中間層３と、及びそれを介してセラミック層２と接合される。ＤＣＢボンディングは、金属箔又は金属層から、及び中間層３を備えたセラミック層２から形成された構造を１０２５℃〜１０８３℃の範囲のＤＣＢ温度まで、酸素量の少ない保護ガス雰囲気又は不活性ガス雰囲気中で加熱し、及び続いて周囲温度まで冷却されることで行われる。これに関して、それぞれ酸化銅又は酸化アルミニウムは、隣接する銅又はアルミニウムと共晶融液を形成し、この共晶融液によって、ＤＣＢ温度の低下後に、各メタライゼーション４又は５を形成する金属層又は金属箔が、隣接する中間層３と、これを介してセラミック層２とも、接合される。中間層３により、この接合に必要なセラミックの湿潤が液状の共晶によって達成され、それによってメタライゼーション４及び５又はこのメタライゼーションを形成している金属層又は金属箔のＤＣＢボンディングが初めて可能になる。
【００２２】
別の手順工程で、項目ｆ）により、まずメタライゼーション４が互いに電気的に分離された金属エリア４．１を形成するために、すなわち適切な、及び公知のマスキング法及びエッチング技術を使用して構造化が行われる。この構造化は、メタライゼーション４及び５が、及びその際特にメタライゼーション４が、すでに事前に構造化された中間層３に備えられたセラミック層２の上にＤＣＢボンディングによって配設されている場合は、省略してもよい。
【００２３】
表面層６を除去するため、さまざまな方法が可能であり、特に機械的及び／又は材料除去処理によって及び／又は化学的処理によって、例えば適切な水溶液又はアルカリ液を使用した化学的処理によって、好ましくはＰＨ値が１０より大きい又は好適には１２より大きいアルカリ性水溶液を使用して、例えば生セラミック層２．２をこの水溶液又はアルカリ液に浸すことによって可能である。
【００２４】
ここでは処理溶液として、苛性ソーダ（ＮａＯＨ）が、及び特に５％の苛性ソーダが特に適切である。この処理のためには、例えばＫＯＨ、Ｎａ２ＣＯ３のような他のアルカリ処理溶液も適している。ここではこの処理は好ましくは２０℃〜１００℃の温度範囲で、好適には５０℃を超える温度範囲で行われる。別の可能性として、上述の溶液を使ってオートクレーブ内で圧力をかけた状態で最大３００℃で処理する方法がある。これにより、処理時間は大幅に低減される。
【００２５】
さらに、化学的処理に加えて、又は化学的処理の代わりに、表面層６の材料を除去する機械的処理、例えば表面層６のブラッシング、研削、ラップ仕上、サンドブラスト、加圧式ブラストなども可能である。
【００２６】
本発明の一実施形態では、機械的処理は化学的処理の前に、又は化学的処理に続いて行われる。本発明の好ましい一実施形態では、機械的処理と化学的処理は少なくとも一部が時間的に重なり合って実施される。
【００２７】
さらに、本発明による方法により、メタライゼーション４及び５とセラミックの接合の特に機械的強度又は品質に関して及び電気特性に関して、中間層３内に銅又は酸化銅又は銅イオンがはめ込まれている場合特に優れた結果が得られることが示される。すなわち、中間層３に銅又は酸化銅又は銅イオンがはめ込まれていないと不連続部７が形成され、この不連続部で各中間層３が不完全にしか形成されないか又は破断することが示される。
【００２８】
この不連続部７、つまり特に孔及び破断部により、不連続部７の範囲でセラミックと各メタライゼーション４又は５の間にＤＣＢ接合が実現しない、つまり各メタライゼーション４及び５の下に気泡又は空洞が形成されてしまう。これらの気泡又は空洞により、特に、メタライゼーション４及び５とセラミックの間の接合の機械的強度だけでなく、特に基板１のメタライゼーション４及び５の間の耐電圧性が大きく損なわれる。銅又は酸化銅又は銅イオンが中間層３内にはめ込まれることで、不連続部７及びそれに伴う欠点が効果的に防止される（図５）。
【００２９】
銅、酸化銅又は銅イオンのはめ込みは、異なった方法で実施され得る。図４では、項目ａ〜ｆに基本的な工程で方法が示されている。この方法ではグリーンセラミック２．１（項目ａ）を準備した後、生セラミック２．２の焼結及び洗浄後に（項目ｂ及びｃ）、洗浄された両側の表面に、つまり表面層６を取り除かれたセラミック層２に、それぞれ銅又は銅を含む化合物からなる薄層８が配設され、このことは図４の項目ｃ）に続く項目ｃ）’に示されている。その後で、再び項目ｄ）に従い、熱酸化によって酸素含有雰囲気中で２つの中間層３が所望の厚さに生成される。この方法においても、中間層３は約０．５μｍ〜１０μｍの間の層厚に調整される。
【００３０】
さらなる手順工程（項目ｅ）及びｆ））は、図２に記述された方法と同じである。層８の配設は、例えば厚さが１．５ｘ１０−４μｍ及び１２００ｘ１０−４μｍの範囲で行われるこの層８は、例えば洗浄したセラミック層２を銅イオンを含む水溶液、例えば０．００５〜２．０Ｍｏｌ／ｌのＣｕ＋＋イオン含有の水溶液に浸すことで及び／又はスパッタリングにより及び／又はＣＶＤ析出により及び／又は化学的析出により配設され得る。この層８は、表面層６を機械的に除去する際に、銅を含むホウ素でブラッシングすることでも作られ得る。
【００３１】
熱酸化の際にＡｌ２Ｏ３中間層３に銅をドーピングする別の方法は、以下の手順工程により行うことができる：
セラミック又はセラミック層２を上述の方法で洗浄し、酸化した銅箔をセラミック層２上に配設し、
セラミック層２と銅箔をＤＣＢ法の雰囲気中で４００℃〜１０８３℃の温度まで加熱し、
セラミック層２と銅箔を室温まで冷却し、
中間層３を作るためにセラミック層２を上述の方法に従って８５０℃〜１４５０℃の温度で酸化させ、その際に好ましくは使用された銅箔がこの酸化の前に取り除かれる。
【００３２】
Ａｌ２Ｏ３を中間層３に銅をドーピングする別の方法は、以下の手順工程により行うことができる：
セラミック又はセラミック層２を上述の方法で洗浄し、セラミック層２を銅ドーピングなしで、８００℃〜１４５０℃の温度でまだ欠損している箇所７が生じているＡｌ２Ｏ３中間層３生成するために酸化し、酸化された銅箔を中間層３の上にＤＣＢボンディングし、
銅箔を、例えば化学的エッチングによって除去し、
中間層３生成するためにセラミック層２を８００℃〜１４５０°の温度で再度酸化させる。
【００３３】
上述の２つの方法を使って、同様に銅／酸化銅がＡｌ２Ｏ３中間層３にはめ込まれる。
【００３４】
銅／酸化銅のはめ込み９により、図５に示されたような、欠損箇所と破断部のない、連続した中間層３ができる。
【００３５】
本発明は実施例に基づいて上述された。本発明の基礎を成している発明の概念から離れることなく、多数の変更及び変形が可能であることは明かである。
【符号の説明】
【００３６】
１  基材
２  セラミック層
２．１  セラミック塊からなるグリーンシート
２．２  焼かれた生セラミック
３  中間層
４  メタライゼーション
４．１  金属エリア
５  メタライゼーション
６  表面層
７  欠損箇所又は破断部
８  銅、酸化銅又は銅イオンからなる層
９  銅を含んだはめ込み部
【図１】
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【図２ａ】
2015503500.tif 000004
【図２ｂ】
2015503500.tif 000005
【図２ｃ】
2015503500.tif 000006
【図２ｄ】
2015503500.tif 000007
【図２ｅ】
2015503500.tif 000008
【図２ｆ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2015503500.tif 000012
【国際調査報告】
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2015503500.tif 000014
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