(57)【要約】  基板と、前記基板上に第１の方向に沿って備えられる複数個の第１のセンサー電極と、前記基板上に前記第１のセンサー電極と離隔し、前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って備えられる複数個の第２のセンサー電極と、前記複数個の第１のセンサー電極のうち、互いに隣接した第１のセンサー電極を互いに連結する第１のブリッジと、前記複数個の第２のセンサー電極のうち、互いに隣接した第２のセンサー電極を互いに連結する第２のブリッジと、前記第１のブリッジと前記第２のブリッジとの間に備えられ、前記第１のブリッジと前記第２のブリッジとを電気的に分離させる絶縁層と、前記第２のブリッジ上に備えられる反射防止層とを含み、前記絶縁層は、前記第２のブリッジよりも低い屈折率を有し、前記反射防止層は、第１の物質層と、前記第１の物質層よりも大きい屈折率を有する第２の物質層とを含むセンサーパネルを提供する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に第１の方向に沿って備えられる複数個の第１のセンサー電極と、
前記基板上に前記第１のセンサー電極と離隔し、前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って備えられる複数個の第２のセンサー電極と、
前記複数個の第１のセンサー電極のうち、互いに隣接した第１のセンサー電極を互いに連結する第１のブリッジと、
前記複数個の第２のセンサー電極のうち、互いに隣接した第２のセンサー電極を互いに連結する第２のブリッジと、
前記第１のブリッジと前記第２のブリッジとの間に備えられ、前記第１のブリッジと前記第２のブリッジとを電気的に分離させる絶縁層と、
前記第２のブリッジ上に備えられる反射防止層と、を含み、
前記絶縁層は、前記第２のブリッジよりも低い屈折率を有し、
前記反射防止層は、第１の物質層と、前記第１の物質層よりも大きい屈折率を有する第２の物質層とを含むセンサーパネル。
【請求項２】
前記第１の物質層の屈折率は、１．３以上乃至１．６未満の値を有することを特徴とする請求項１に記載のセンサーパネル。
【請求項３】
前記第１の物質層は、ＭｇＦ２、ＮａＦ、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ及びＣａＦ２からなるグループのうち選ばれた少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のセンサーパネル。
【請求項４】
前記第２の物質層の屈折率は、１．６以上乃至２．５以下の値を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のセンサーパネル。
【請求項５】
前記第２の物質層は、ＣｅＦ３、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２及びＮｂ２Ｏｘからなるグループのうち選ばれた少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のセンサーパネル。
【請求項６】
前記第２のブリッジは、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＴＯ、ＡＺＯ及びＺｎＯからなるグループのうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のセンサーパネル。
【請求項７】
前記第２のブリッジの厚みは５ｎｍ以上乃至７０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のセンサーパネル。
【請求項８】
前記第２のブリッジは、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｚｎ及びＮｉからなるグループのうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載のセンサーパネル。
【請求項９】
前記第２のブリッジの厚みは５ｎｍ以上乃至１５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項８に記載のセンサーパネル。
【請求項１０】
前記反射防止層は、前記第２のブリッジと同一のパターン状を有する請求項１〜９のいずれか一項に記載のセンサーパネル。
【請求項１１】
基板上に、第１のセンサー電極、第１のブリッジ及び第２のセンサー電極を形成する段階と、
前記第１のブリッジ上に絶縁層を形成する段階と、
前記絶縁層が形成された基板上に第２のブリッジ形成用物質を全面塗布する段階と、
前記第２のブリッジ形成用物質上に反射防止層形成用物質を全面塗布する段階と、
前記第２のブリッジ形成用物質及び反射防止層形成用物質を同時に食刻する段階と、を含むセンサーパネルの製造方法。
【請求項１２】
前記反射防止層形成用物質を全面塗布する段階は、
第１の物質層形成用物質を全面塗布する段階と、
前記第１の物質層形成用物質よりも大きい屈折率を有する第２の物質層形成用物質を全面塗布する段階と、を含むことを特徴とする請求項１１に記載のセンサーパネルの製造方法。
【請求項１３】
前記第１の物質層形成用物質を全面塗布する段階及び第２の物質層形成用物質を全面塗布する段階は、各々２回乃至５回実施されることを特徴とする請求項１２に記載のセンサーパネルの製造方法。
【請求項１４】
基板上に、第１のセンサー電極、第１のブリッジ及び第２のセンサー電極を形成する段階と、
前記第１のブリッジ上に絶縁層を形成する段階と、
前記絶縁層上に第２のブリッジを形成する段階と、
前記第２のブリッジ上に反射防止層を形成する段階と、を含み、
前記第２のブリッジを形成する段階は、
前記絶縁層が形成された基板上にＦＭＭ（Ｆｉｎｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｍａｓｋ）を配置する段階と、
第２のブリッジ形成用物質を蒸着（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）またはスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）する段階と、を含み、
前記反射防止層を形成する段階は、
前記第２のブリッジが形成された基板上にＦＭＭ（Ｆｉｎｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｍａｓｋ）を配置する段階と、
第１の物質層形成用物質を蒸着（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）またはスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）する段階と、
前記第１の物質層形成用物質よりも大きい屈折率を有する第２の物質層形成用物質を蒸着（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）またはスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）する段階と、を含むことを特徴とするセンサーパネルの製造方法。
【請求項１５】
前記第１の物質層形成用物質及び第２の物質層形成用物質を蒸着（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）またはスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）する段階は、各々２回乃至５回実施されることを特徴とする請求項１４に記載のセンサーパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、タッチパネル用センサーパネルに関するものであって、特に、反射防止層を含むセンサーパネル及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
タッチパネル用センサーパネルは、スマートフォン、タブレットＰＣ、ゲーム機、学習補助装置及びカメラ等の電子装置に備えられた表示パネルの表面を手やペンを使用して押すことによって、二次元の座標データを入力する装置である。このようなタッチパネル用センサーパネルは、操作が容易で、かつ各種ディスプレイ装置に幅広く応用できるという点で広く使用されている。
【０００３】
一般的にタッチパネル用センサーパネルは、高い透過率を有する伝導性フィルムまたはガラス素材の基板上にマトリックス状に備えられた複数個のセンサー電極、前記複数個のセンサー電極を連結するためのブリッジ及び前記ブリッジの間に備えられる絶縁層を含むことができる。
【０００４】
このとき、前記ブリッジと絶縁層は、前記基板上に積層される構造を有することになるが、このように基板の上部に互いに異なる物理的、光学的特性を有する構成要素が積層される場合、各々の構成要素を通過する光の速力差による屈折が発生し、結果、タッチパネル用センサーパネルの光学的特性を低下させることになる。
【０００５】
特に、ブリッジ電極の場合、前記ブリッジ電極の上部及び下部を構成する物質が互いに異なるため、このような屈折率の差による反射率が急激に上昇したり、透過率及び視認性が低下したりするという問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
これによって、本発明では、外光による反射率を減少させ、透過率及び視認性が改善されたタッチパネル用センサーパネルを提供しようとする。また、製造工程が簡素化されたタッチパネル用センサーパネルの製造方法を提供しようとする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
基板と、前記基板上に第１の方向に沿って備えられる複数個の第１のセンサー電極と、前記基板上に前記第１のセンサー電極と離隔し、前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って備えられる複数個の第２のセンサー電極と、前記複数個の第１のセンサー電極のうち、互いに隣接した第１のセンサー電極を互いに連結する第１のブリッジと、前記複数個の第２のセンサー電極のうち、互いに隣接した第２のセンサー電極を互いに連結する第２のブリッジと、前記第１のブリッジと前記第２のブリッジとの間に備えられ、前記第１のブリッジと前記第２のブリッジとを電気的に分離させる絶縁層と、前記第２のブリッジ上に備えられる反射防止層とを含み、前記絶縁層は、前記第２のブリッジよりも低い屈折率を有し、前記反射防止層は、第１の物質層と、前記第１の物質層よりも大きい屈折率を有する第２の物質層とを含むセンサーパネルを提供する。
【０００８】
前記第１の物質層の屈折率は、１．３以上乃至１．６未満の値を有することができる。
【０００９】
前記第１の物質層は、ＭｇＦ２、ＮａＦ、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ及びＣａＦ２からなるグループのうち選ばれた少なくとも一つを含むことができる。
【００１０】
前記第２の物質層の屈折率は、１．６以上乃至２．５以下の値を有することができる。
【００１１】
前記第２の物質層は、ＣｅＦ３、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２及びＮｂ２Ｏｘからなるグループのうち選ばれた少なくとも一つを含むことができる。
【００１２】
前記第２のブリッジは、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＴＯ、ＡＺＯ及びＺｎＯからなるグループのうち少なくとも一つを含むことができる。
【００１３】
前記第２のブリッジが前記ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＴＯ、ＡＺＯ及びＺｎＯからなるグループのうち少なくとも一つを含んで形成される場合、前記第２のブリッジの厚みは５ｎｍ以上乃至７０ｎｍ以下で形成されることができる。
【００１４】
前記第２のブリッジは、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｚｎ及びＮｉからなるグループのうち少なくとも一つを含むことができる。
【００１５】
前記第２のブリッジが前記Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｚｎ及びＮｉからなるグループのうち少なくとも一つを含んで形成される場合、前記第２のブリッジの厚みは５ｎｍ以上乃至１５ｎｍ以下で形成されることができる
前記反射防止層は、前記第２のブリッジと同一のパターン状を有することができる。
【００１６】
基板上に、第１のセンサー電極、第１のブリッジ及び第２のセンサー電極を形成する段階と、前記第１のブリッジ上に絶縁層を形成する段階と、前記絶縁層が形成された基板上に第２のブリッジ形成用物質を全面塗布する段階と、前記第２のブリッジ形成用物質上に反射防止層形成用物質を全面塗布する段階と、前記第２のブリッジ形成用物質及び反射防止層形成用物質を同時に食刻する段階とを含むセンサーパネルの製造方法を提供する。
【００１７】
前記反射防止層形成用物質を全面塗布する段階は、第１の物質層を全面塗布する段階と、前記第１の物質層よりも大きい屈折率を有する第２の物質層を全面塗布する段階とを含むことができる。
【００１８】
前記第１の物質層を全面塗布する段階及び第２の物質層を全面塗布する段階は、各々２回乃至５回実施されることができる。
【００１９】
基板上に、第１のセンサー電極、第１のブリッジ及び第２のセンサー電極を形成する段階と、前記第１のブリッジ上に絶縁層を形成する段階と、前記絶縁層上に第２のブリッジを形成する段階と、前記第２のブリッジ上に反射防止層を形成する段階とを含み、前記第２のブリッジを形成する段階は、前記絶縁層が形成された基板上にＦＭＭ（Ｆｉｎｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｍａｓｋ）を配置する段階と第２のブリッジ形成用物質を蒸着（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）またはスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）する段階とを含み、前記反射防止層を形成する段階は、前記第２のブリッジが形成された基板上にＦＭＭ（Ｆｉｎｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｍａｓｋ）を配置する段階と、第１の物質層を蒸着（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）またはスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）する段階と、前記第１の物質層よりも大きい屈折率を有する第２の物質層を蒸着（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）またはスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）する段階とを含むことができる。
【００２０】
前記第１の物質層及び第２の物質層を蒸着（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）またはスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）する段階は、各々２回乃至５回実施されることができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の一例によるタッチパネル用センサーパネルは、外光による反射を防止し、視認性を改善させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の一例によるタッチパネル用センサーパネルの正面図である。
【図２】図１に図示されたタッチパネル用センサーパネルの一部を拡大した図である。
【図３】図２でＩ−ＩＩに沿って切断した断面図である。
【図４】図２でＩＩＩ−ＩＶに沿って切断した断面図である。
【図５】本発明の他の一例によるタッチパネル用センサーパネルの断面図である。
【図６ａ】本発明の一例によるタッチパネル用センサーパネルの製造方法を示す図である。
【図６ｂ】本発明の一例によるタッチパネル用センサーパネルの製造方法を示す図である。
【図６ｃ】本発明の一例によるタッチパネル用センサーパネルの製造方法を示す図である。
【図６ｄ】本発明の一例によるタッチパネル用センサーパネルの製造方法を示す図である。
【図６ｅ】本発明の一例によるタッチパネル用センサーパネルの製造方法を示す図である。
【図７ａ】本発明の他の一例によるタッチパネル用センサーパネルの製造方法を示す図である。
【図７ｂ】本発明の他の一例によるタッチパネル用センサーパネルの製造方法を示す図である。
【図７ｃ】本発明の他の一例によるタッチパネル用センサーパネルの製造方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、具体的な図面を参照し、本発明の一例をより詳しく説明する。本発明の範囲が下記説明する一例や図面に限定されるわけではなく、以下で説明される一例から多様な均等物や変形例等も本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されなければならない。
【００２４】
本明細書で使用される用語は、本発明の一例を表現するために使用された用語であって、これは使用者の意図または本発明が属する分野の慣例等に応じて変わり得る。従って、本用語に対する定義は、本明細書全般にわたった内容に基づいて付けされなければならない。
【００２５】
参考までに、前記図面では、理解を助けるために各構成要素とその形状等が簡略に描かれるか、または誇張されて描かれることもある。図面上で同一の符号で表示された要素は同一の要素を意味する。
【００２６】
また、ある層や構成要素が他の層や構成要素の「上」にあると記載される場合には、前記ある層や構成要素が前記他の層や構成要素と直接接触して配置された場合だけでなく、その間に第３の層が介在して配置された場合まで全て含む意味である。
【００２７】
図１は、本発明の一例によるタッチパネル用センサーパネル１００の正面図である。
【００２８】
図１を参照すると、前記センサーパネル１００は、基板１１０と、前記基板上に第１の方向に沿って備えられる複数個の第１のセンサー電極２１１と、前記基板上に前記第１のセンサー電極２１１と離隔し、前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って備えられる複数個の第２のセンサー電極２２１と、前記複数個の第１のセンサー電極のうち、互いに隣接した第１のセンサー電極を互いに連結する第１のブリッジ２１２と、前記複数個の第２のセンサー電極のうち、互いに隣接した第２のセンサー電極を互いに連結する第２のブリッジ２２２と、前記第１のブリッジと前記第２のブリッジとの間に備えられ、前記第１のブリッジと前記第２のブリッジを電気的に分離させる絶縁層３００と、前記第２のブリッジ上に備えられる反射防止層４００とを含む。
【００２９】
以下で、説明の便宜上、前記第１のセンサー電極２１１及び前記第１のブリッジ２１２を通称し、第１の電極パターン２１０といい、前記第２のセンサー電極２２１及び前記第２のブリッジ２２２を通称し、第２の電極パターン２２０という。
【００３０】
また、前記図１に開示された本発明の一例で、前記第１の方向は図面の左側から右側に向かう方向に定め、第２の方向は図面の上から下に向かう方向に定めた。前記図１に図示された方向は例示的な方向であり、前記第１の方向及び第２の方向は、前記図１に図示された本発明の一例と異なる方向に決定されることもあることは勿論である。
【００３１】
さらに、前記図１に開示された本発明の一例では、前記第１の方向に６つの第１のセンサー電極２１１が並んで備えられ、前記第２の方向に７つの第２のセンサー電極２２１が並んで備えられたマトリックス状に図示されているが、必ずこれに限定されるわけではなく、前記第１のセンサー電極２１１及び前記第２のセンサー電極２２１の個数及び配置は、前記センサーパネル１００の解像度及び前記センサーパネル１００が適用されるディスプレイの種類と大きさ等に応じて変わり得る。
【００３２】
また、前記図１に開示された本発明の一例で、前記第１のセンサー電極２１１及び前記第２のセンサー電極２２１の形状は菱形状に図示されているが、必ずこれに限定されるわけではなく、三角形、正方形、長方形及び円形のように多様な形態で形成されることができる。
【００３３】
さらに、前記図１では図示されていないが、前記第１のセンサー電極２１１及び前記第２のセンサー電極２２１の各末端には、ディスプレイ駆動部（図示せず）と連結するための配線がさらに含まれることができる。
【００３４】
前記基板１１０は、高分子フィルム、プラスチック及びガラスの何れか一つで備えられることができる。本発明の一例で、前記基板１１０はＰＥＴのような高分子フィルムで備えられることができる。
【００３５】
前記基板１１０の同一層上には、前記第１のセンサー電極２１１、前記第１のブリッジ２１２及び前記第２のセンサー電極２２１が備えられることができる。前記第１のセンサー電極２１１、前記第１のブリッジ２１２及び前記第２のセンサー電極２２１は、透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）のように導電性を有する透明な材料で備えられることができる。本発明の一例で使用されることができる透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）としては、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（Ａｎｔｉｍｏｎｙ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（Ａｎｔｉｍｏｎｙ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）及びＺｎＯのうち少なくとも一つを含むことができる。
【００３６】
前記第１のセンサー電極２１１、前記第１のブリッジ２１２及び前記第２のセンサー電極２２１の各々は、同一の材料で備えられることもあり、互いに異なる材料で備えられることもある。製造上の便宜性を考慮したとき、前記第１のセンサー電極２１１、前記第１のブリッジ２１２及び前記第２のセンサー電極２２１は、同一の材料で備えられることが好ましい。
【００３７】
図２は、図１に図示された本発明の一例によるセンサーパネル１００の一部領域（Ａ）を拡大した図である。
【００３８】
図２を参照すると、前記絶縁層３００は、前記第１のブリッジ２１２上に備えられることができ、前記第１のブリッジ２１２及び後述する第２のブリッジ２２２を電気的に絶縁させる役割をする。
【００３９】
また、本発明の一例によるセンサーパネル１００で、前記絶縁層３００は後述する第２のブリッジ２２２との屈折率の差による反射防止機能をすることができる。即ち、前記絶縁層３００を低屈折物質で備え、前記第２のブリッジ２２２を高屈折物質で備えることによって、前記絶縁層３００及び前記第２のブリッジ２２２そのもので反射防止機能をすることができるようにする。
【００４０】
本発明の一例によるセンサーパネル１００で、前記絶縁層３００は、屈折率が１．３以上乃至１．６未満の値を有する低屈折物質で備えられることができる。このような低屈折物質としては、酸化物系列のＳｉＯｘ及び窒化物系列のＳｉＮｘのうち少なくとも一つを含むことができる。また、前記絶縁層３００の厚みは１μｍ以上１０μｍ以下で備えられることができる。
【００４１】
前記絶縁層３００上には第２のブリッジ２２２が形成されることができる。前記第２のブリッジ２２２は、前記第２のセンサー電極２２１を電気的に連結させることができる。前記第２のブリッジ２２２は、前記絶縁層３００によって前記第１のブリッジ２１２と電気的に分離されなければならないため、前記第２のブリッジ２２２の幅（ｗｉｄｔｈ）は前記絶縁層３００の幅よりも小さくなければならず、前記第２のブリッジ２２２の長さ（ｌｅｎｇｔｈ）は前記絶縁層３００の長さよりも大きくなければならない。
【００４２】
本発明の一例によるセンサーパネル１００で、前記第２のブリッジ２２２は、屈折率が１．６以上乃至２．５以下の値を有する高屈折物質で備えられることができる。
【００４３】
本発明の一例によるセンサーパネル１００で、前記第２のブリッジ２２２は、透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）のように導電性を有する透明な材料または金属性材料のうち何れか一つで備えられることができる。
【００４４】
前記第２のブリッジ２２２が透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）で備えられる場合、前記第２のブリッジ２２２の厚みは５ｎｍ以上乃至７０ｎｍ以下で備えられることができる。また、前記第２のブリッジ２２２の透過率（Ｔｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅ）は、好ましくは１００％の値を有することができるが、実質的には８５％以上乃至９８％以下の値を有することができる。さらに、前記第２のブリッジ２２２のビスター値（ｂ＊）は好ましくは０であり得るが、実質的には０．１以上乃至５．０以下の値を有することができる。また、前記第２のブリッジ２２２のヘイズ（Ｈａｚｅ）値は好ましくは０であり得るが、実質的には０．１以上乃至３．０以下の値を有することができる。
【００４５】
前記透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（Ａｎｔｉｍｏｎｙ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（Ａｎｔｉｍｏｎｙ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）及びＺｎＯのうち少なくとも一つを含むことができる。
【００４６】
前記第２のブリッジ２２２が金属性材料で備えられる場合、前記第２のブリッジ２２２の厚みは５ｎｍ以上乃至１０ｎｍ以下で備えられることができる。前記金属性材料には、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）及び銅（Ｃｕ）のうち少なくとも一つを含むことができる。
【００４７】
図３は、図２でＩ−ＩＩに沿って切断した断面図であり、図４は、図２でＩＩＩ−ＩＶに沿って切断した断面図である。
【００４８】
図３及び図４を参照すると、前記第２のブリッジ２２２上には反射防止層４００が備えられることができる。前記反射防止層４００は、第１の物質層４１０及び前記第１の物質層４１０よりも大きい屈折率を有する第２の物質層４２０を含むことができる。前記反射防止層４００は、少なくとも一つ以上の第１の物質層４１０及び第２の物質層４２０が互いに交互に積層されて備えられることができる。即ち、前記反射防止層４００は、屈折率が互いに異なる少なくとも二層以上の薄膜で備えられることができる。前記反射防止層４００の各薄膜の境界面で反射される光は、互いに相殺干渉されて消滅する。
【００４９】
前記第１の物質層４１０は、屈折率が１．３以上乃至１．６未満の値を有することができ、前記第１の物質層４１０は、ＭｇＦ２（ｎ＝１．３８）、ＮａＦ（ｎ＝１．３３）、ＳｉＯ２（ｎ＝１．４６）及びＣａＦ２（ｎ＝１．４４）のうち少なくとも一つを含むことができる。
【００５０】
前記第２の物質層４２０は、屈折率が１．６以上乃至２．５以下の値を有することができ、前記第２の物質層４２０は、ＣｅＦ３（ｎ＝１．６５）、Ａｌ２Ｏ３（ｎ＝１．７６）、ＺｒＯ２（ｎ＝２．１０）、ＴｉＯ２（ｎ＝２．５０）及びＮｂ２Ｏｘ（ｎ＝２．３０）のうち少なくとも一つを含むことができる。
【００５１】
前記第１の物質層４１０及び前記第２の物質層４２０の間の屈折率の差が大きいほど前記反射防止層４００の反射率が低くなることができる。また、前記第１の物質層４１０及び前記第２の物質層４２０は、互いに交互に繰り返して積層されることができ、このように交互に積層される層の個数が多いほど前記反射防止層４００の反射率が低くなることができる。
【００５２】
図５は、本発明の他の一例によるタッチパネル用センサーパネルの断面図である。
【００５３】
前記図１乃至図４で、前記反射防止層４００は前記第２のブリッジ２２２上にのみ備えられるものと図示されているが、前記反射防止層４００は図５に図示されたように、前記第２のブリッジ２２２が形成された基板１１０の全面に備えられることもできる。
【００５４】
図６ａ乃至図６ｅは、本発明の一例によるタッチパネル用センサーパネルの製造方法を示す図である。
【００５５】
本発明の一例によるセンサーパネルは、基板上に第１のセンサー電極、第１のブリッジ及び第２のセンサー電極を形成する段階（図６ａ参照）と、前記第１のブリッジ上に絶縁層を形成する段階（図６ｂ参照）と、前記絶縁層が形成された基板上に第２のブリッジ形成用物質を全面塗布する段階（図６ｃ参照）と、前記第２のブリッジ形成用物質上に反射防止層形成用物質を全面塗布する段階（図６ｄ参照）と、前記第２のブリッジ形成用物質及び反射防止層形成用物質を同時に食刻する段階（図６ｅ参照）とを含むことができる。
【００５６】
図６ａを参照すると、前記第１のセンサー電極（図示せず）、第１のブリッジ２１２及び第２のセンサー電極２２１を形成する段階では、前記基板１１０上に前記第１のセンサー電極（図示せず）、第１のブリッジ２１２及び第２のセンサー電極２２１形成用物質を塗布した後、パターニングして形成することができる。
【００５７】
前記第１のセンサー電極（図示せず）、前記第１のブリッジ２１２及び前記第２のセンサー電極２２１は、透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）のように導電性を有する透明な材料で備えられることができる。本発明の一例で使用され得る透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）としては、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（Ａｎｔｉｍｏｎｙ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（Ａｎｔｉｍｏｎｙ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）及びＺｎＯ等がある。
【００５８】
図６ｂを参照すると、前記絶縁層３００は、前記第１のセンサー電極（図示せず）、前記第１のブリッジ２１２及び前記第２のセンサー電極２２１が形成された基板１１０上に絶縁層形成用物質を塗布した後、パターニングして形成することができる。
【００５９】
前記絶縁層３００は、屈折率が１．３以上乃至１．６未満の値を有する低屈折物質で備えられることができる。このような低屈折物質としては、酸化物系列のＳｉＯｘ及び窒化物系列のＳｉＮｘのうち少なくとも一つを含むことができる。また、前記絶縁層３００の厚みは、１μｍ以上乃至１０μｍ以下で備えられることができる。
【００６０】
図６ｃ及び図６ｄを参照すると、前記絶縁層３００が形成された基板１１０上に第２のブリッジ形成用物質を全面塗布した後、前記反射防止層形成用物質を全面塗布することができる。
【００６１】
前記第２のブリッジ形成用物質は、透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）のように導電性を有する透明な材料または金属性材料の何れか一つで備えられることができ、前記反射防止層形成用物質は、少なくとも一つ以上の第１の物質層形成用物質及び前記第１の物質層よりも大きい屈折率を有する第２の物質層形成用物質を含むことができる。
【００６２】
前記第１の物質層４１０は、屈折率が１．３以上乃至１．６未満の値を有することができ、前記第１の物質層４１０は、ＭｇＦ２（ｎ＝１．３８）、ＮａＦ（ｎ＝１．３３）、ＳｉＯ２（ｎ＝１．４６）及びＣａＦ２（ｎ＝１．４４）のうち少なくとも一つを含むことができる。
【００６３】
前記第２の物質層４２０は、屈折率が１．６以上乃至２．５以下の値を有することができ、前記第２の物質層４２０は、ＣｅＦ３（ｎ＝１．６５）、Ａｌ２Ｏ３（ｎ＝１．７６）、ＺｒＯ２（ｎ＝２．１０）、ＴｉＯ２（ｎ＝２．５０）及びＮｂ２Ｏｘ（ｎ＝２．３０）のうち少なくとも一つを含むことができる。
【００６４】
前記反射防止層形成用物質を全面塗布する段階は、図６ｄに図示されたように、第１の物質層形成用物質を全面塗布する段階及び第２の物質層形成用物質を全面塗布する段階を含むことができる。前記第１の物質層形成用物質を全面塗布する段階及び前記第２の物質層形成用物質を全面塗布する段階は、各々２回乃至５回実施されることができる。
【００６５】
図６ｅを参照すると、前記第２のブリッジ形成用物質及び反射防止層形成用物質を同時に食刻し、第２のブリッジ２２２及び反射防止層４００を形成することができる。このように、前記第２のブリッジ形成用物質及び反射防止層形成用物質を同時に一括食刻することによって、製造工程を簡素化することができる。
【００６６】
図７ａ乃至図７ｃは、本発明の他の一例によるタッチパネル用センサーパネルの製造方法を示す図である。以下で、本発明の一例によるタッチパネル用センサーパネルの製造方法と重複する内容に対する説明は省略することとする。
【００６７】
本発明の他の一例によるタッチパネル用センサーパネルは、基板上に第１のセンサー電極、第１のブリッジ及び第２のセンサー電極を形成する段階（図６ａ参照）と、前記第１のブリッジ上に絶縁層を形成する段階（図６ｂ参照）と、前記絶縁層上に第２のブリッジを形成する段階（図７ａ参照）と、前記第２のブリッジ上に反射防止層を形成する段階とを含むことができる。前記反射防止層を形成する段階は、第１の物質層を形成する段階（図７ｂ参照）及び前記第１の物質層よりも大きい屈折率を有する第２の物質層を形成する段階（図７ｃ参照）を含むことができる。
【００６８】
図７ａを参照すると、前記第２のブリッジを形成する段階は、前記絶縁層が形成された基板上にＦＭＭ（Ｆｉｎｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｍａｓｋ）を配置する段階及び第２のブリッジ形成用物質を蒸着（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）またはスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）する段階を含むことができる。
【００６９】
即ち、前記絶縁層３００が形成された基板１１０を反転（ｆｌｉｐｆｌｏｐ）させて真空チャンバー５００内に配置させた後、前記基板１１０に隣接するようにＦＭＭ（Ｆｉｎｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｍａｓｋ）６００を配置させた状態で、第２のブリッジ形成用物質を蒸着したりスパッタリングしたりすることができる。
【００７０】
前記ＦＭＭ（Ｆｉｎｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｍａｓｋ）を用いた蒸着方式は、真空チャンバー５００内で薄膜の金属マスクを基板に配置した後に蒸発材料を加熱して蒸発させることによって、所望の領域にのみ蒸着できるようにする方式である。このようなＦＭＭ（Ｆｉｎｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｍａｓｋ）蒸着方式は、主に低分子材料の蒸着に使用されることができ、２０μｍ範囲内の精密度を有することができる。
【００７１】
前記ＦＭＭ（Ｆｉｎｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｍａｓｋ）６００は、所望の領域にのみ第２のブリッジ２２２を形成するためのマスク領域６１０及び開口領域６２０を含むことができ、前記ＦＭＭ（Ｆｉｎｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｍａｓｋ）６００の厚みは、１０μｍ以上乃至１００μｍ以下の値を有することができる。また、前記ＦＭＭ（Ｆｉｎｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｍａｓｋ）６００と前記基板１１０との間の距離は、０．１ｍｍ以上乃至１．０ｍｍ以下の値を有することができる。
【００７２】
図７ｂ及び図７ｃを参照すると、前記反射防止層を形成する段階は、前記第２のブリッジが形成された基板上にＦＭＭ（Ｆｉｎｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｍａｓｋ）を配置する段階と、第１の物質層形成用物質を蒸着（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）またはスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）する段階と、第２の物質層形成用物質を蒸着（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）またはスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）する段階とを含むことができる。
【００７３】
前記第１の物質層形成用物質及び第２の物質層形成用物質を蒸着（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）またはスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）する段階は、各々２回乃至５回実施されることができる。
【００７４】
このように同一のＦＭＭ（Ｆｉｎｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｍａｓｋ）６００を使用しながら、蒸発材料のみ取り替え、前記第２のブリッジ２２２、第１の物質層４１０及び第２の物質層４２０を形成することができる。即ち、同一のＦＭＭ（Ｆｉｎｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｍａｓｋ）を使用するため、製造工程が簡素化されることができる。
【００７５】
以上で説明されたセンサーパネルの一例は、例示的なものに過ぎず、本発明の保護範囲は、本発明の技術分野における通常の知識を有する者であれば、これから変形可能な変形例及び均等例を含むことができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６ａ】
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【図６ｂ】
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【図６ｃ】
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【図６ｄ】
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【図６ｅ】
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【図７ａ】
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【図７ｂ】
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【図７ｃ】
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【国際調査報告】
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