(57)【要約】  本発明は、パリレン又はポリエステルのような高分子材料などの低い水分透過性を有する誘電性材料（１０８）、及び、グラフェン等の、接触する誘電性材料の水分透過性より高い水分透過性を有する電極（１１）を含む容量性の湿度センサーの製造に関する。
2015518158.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体（１００）上に
−第１電極（１０４）、
−前記第１電極（１０４）及び第２電極（１１４）の間に配される誘電性材料の領域（１０７）を含み、
前記第２電極が、それが接触する前記誘電性材料の領域の水分透過性より高い水分透過性を有する導電性材料に基づく層によって形成される、容量性タイプの湿度センサー。
【請求項２】
前記誘電性材料の領域が、水分不透過性である、請求項１に記載の容量性タイプの湿度センサー。
【請求項３】
前記誘電性材料の領域が、非多孔質である、又は、４ｎｍの最大寸法及び／又は８％未満の最大気孔率を有する気孔を含む、請求項１又は２に記載の容量性タイプの湿度センサー。
【請求項４】
前記誘電性材料が疎水性である、請求項１から３の何れか一項に記載の容量性タイプの湿度センサー。
【請求項５】
前記第２電極がグラフェンに基づく、請求項１から４の何れか一項に記載の容量性タイプの湿度センサー。
【請求項６】
孔（１１５ａ、１１５ｂ）が、前記導電性材料に基づく層を貫通する、請求項１から５の何れか一項に記載の容量性タイプの湿度センサー。
【請求項７】
前記孔のうちの少なくとも１つの孔（１１５ａ）がまた、前記誘電性材料（１０８）の領域を貫通し、前記第１電極（１０４）を出現させる、請求項６に記載の容量性タイプの湿度センサー。
【請求項８】
前記第１電極（１０４）を出現させる孔（１１５ａ）及び前記第２電極（１１４）を出現させる孔（１１５ｂ）を交互に含む、請求項６又は７に記載の容量性タイプの湿度センサー。
【請求項９】
少なくとも１つの孔（１１５ａ）が、前記第１電極（１０４）に親水性の自己集合単分子層（１０７）を出現させる、請求項６から８の何れか一項に記載の湿度センサー。
【請求項１０】
少なくとも１つの孔（１１５ｂ）が、前記第２電極（１１４）に親水性の自己集合単分子層（１１７）を出現させる、請求項６から９の何れか一項に記載の湿度センサー。
【請求項１１】
前記第２電極（１１４）の前記所定の材料に基づく層が、穴が開けられた疎水性の保護層（１２０）で覆われる、請求項１から１０の何れか一項に記載のセンサー。
【請求項１２】
請求項１から１１の何れか一項に記載のセンサーを含む、水分を測定又は検出するデバイス。
【請求項１３】
請求項１から１２の何れか一項に記載のセンサーを含む、温度を測定又は検出するデバイス。
【請求項１４】
前記所定の材料が、金属の粒子、特にＡｇの粒子を含むグラフェンである、請求項１３に記載の温度を測定又は検出するデバイス。
【請求項１５】
−支持体（１００）上に第１電極（１０４）の少なくとも１つの導電層を形成する段階と、
−前記第１電極の導電層上に少なくとも１つの誘電性材料の領域を形成する段階と、
−前記誘電性材料の層上に、それが接触する前記誘電性材料の領域の水分透過性より高い水分透過性を有する所定の導電性材料の層を形成する段階と、
からなる段階を含む、容量性タイプの湿度センサーを製造する方法。
【請求項１６】
前記誘電性材料の領域が、水分不透過性であり、又は、弱い水分吸収特性を有する材料に基づく、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記誘電性材料の領域が、非多孔質である、又は、４ｎｍの最大寸法及び／又は８％未満の最大気孔率を有する気孔を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記誘電性材料が疎水性である、請求項１５から１７の何れか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記所定の導電性材料がグラフェンに基づく、請求項１６から１８の何れか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記誘電性材料の領域の形成後、前記所定の導電性材料の層の形成前に、
−前記誘電性材料の領域に犠牲マスクを形成する段階と、次いで、
−前記誘電性材料の領域を出現させる前記犠牲マスクの開口を介して前記誘電性材料の領域に少なくとも１つの金属領域を形成する段階と、
−前記犠牲マスクを除去する段階であって、前記所定の導電性材料の層が、次いで、前記金属領域を出現させる孔を有する前記金属領域の周囲に生成される段階と、
からなる段階を含む、請求項１５から１９の何れか一項に記載の方法。
【請求項２１】
前記犠牲マスクを除去する段階の後に、前記金属領域上に疎水性のＳＡＭ層を堆積する段階からなる段階をさらに含む、請求項２０に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に湿度を検出及び／又は測定するために使用される容量性の検出又は測定デバイスの分野に関する。
【０００２】
それは、低いレベルの湿度を検出又は測定するために相応しい改善された湿度センシングデバイスに関し、その構造は、高い測定周波数において測定を行うことを可能にし、また、それは、このようなセンサーを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
インピーダンス変化を測定することによる相対湿度の測定は、頻繁に使用される技術である。
【０００４】
インピーダンス変化を測定することによって相対湿度を測定するための装置の中には、周囲の水分を吸収するように設計された感受性のある誘電性材料の層を含む容量性タイプのセンサーを使用するものがある。
【０００５】
このようなセンサーにおいて、誘電性材料の層は、２つの電極間に位置し、全体でキャパシタを形成する。湿度が変化すると、前記誘電性材料の層によって吸収される水の量も変化し、それは、この層の誘電定数に対する変更をもたらし、測定されるキャパシタの容量の変化をもたらす。この変化は、約８０である水の誘電定数の高い値のために大きいものである。
【０００６】
ＪＵＨＡＳＺ  Ｌらの文献（非特許文献１）には、例えば、水分がアルミニウムの層に収容される湿度センサーが与えられている。このようなセンサーの検出周波数は、このアルミニウム層の乾燥時間によって制限される。
【０００７】
センサーの乾燥は、実際上、問題を引き起こし、近い複数の連続測定の性能を妨げる。
【０００８】
この問題は、改善された感度を有し、低レベルの湿度を検出するように設計された新規な湿度センサーを見出すことをもたらす。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】“A simple humidity sensor with thin film porous alumina and heating”, Elsevier Vol. 5, 2010
【非特許文献２】“Tunable Bandgap in Graphene by the Controlled Absorption of Water Molecules”, Wiley-VCH Verlag GmbH & Co.KGaA, Weinheim, 2010
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、改善された感度を有する容量性のセンサーを備えた、湿度を測定及び／又は検出するためのデバイスの製造に関する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
このために、本発明は、導電性材料の層の透過性よりも低い透過性を有する誘電性領域と接触する、水分透過性の所定の導電性材料に基づく少なくとも１つの層によって形成される上部電極を含む容量性タイプのセンサーを提案する。
【００１２】
そのために、本発明によれば、誘電性領域及びセンサーの電極に属する所定の導電性材料の層の間の界面に近い水分の検出が好まれる。
【００１３】
センサーの層のスタックにおいて、検出される水分は、従来技術によるセンサーにおけるよりもセンサーの外側に近い標準に位置し、それは、良好な乾燥を実現することを可能にし、従って、多孔性の誘電体を有する容量性センサーを用いたものよりも所定の時間で多くの測定を行うことを可能にする。
【００１４】
誘電性領域は、有利には低い水分透過性を有する。
【００１５】
誘電性領域は、有利には、非多孔質である、又は、非常に低い多孔性、すなわち８％未満の最大多孔率を有し得る。
【００１６】
誘電性領域は、特に、直径として考えて４ｎｍ未満の最大寸法を有する孔が備えられ得る。
【００１７】
誘電性領域はまた、水分子との低い親和性を有する材料に基づくものであり得る。
【００１８】
誘電性領域は、有利には、疎水性であり得る。
【００１９】
誘電性領域は、センサーの下部電極に載っている。
【００２０】
上部電極の材料は、有利には、グラフェンであり得る。グラフェンによる水分子の吸収は、その間隙を修正する。
【００２１】
グラフェンは、導電性であり、湿度に対して感度を有し、グラフェン中の水分子の存在は、その間隙を増加することによってそれを半導体にし得る。
【００２２】
上部電極は、いくつかの積層された原子の副層で形成されるグラフェンの層を含み得る。
【００２３】
グラフェンのこの層は、例えば１００ｎｍから５μｍの厚さを有し得る。
【００２４】
水分子は、原子の副層間に挿入され易く、従って、上部電極の材料の間隙を修正する。
【００２５】
上部電極を形成する層を貫通する孔は、有利には、その水分透過性を改善するために提供され得る。
【００２６】
これらの層はまた、乾燥を改善し得る。
【００２７】
前記孔のうちの少なくとも１つの孔はまた、誘電性材料の領域を貫通し、下部電極を出現させ得る。
【００２８】
センサーは、上部電極を出現させる孔及び下部電極を出現させる孔を交互に含み得る。
【００２９】
検出感度を改善するために、所謂“自己集合”親水性単層は、前記誘電性領域に載っており、前記所定の導電性材料の層に形成される孔によって出現させられる上部電極の、特に金属である領域に提供され得る。
【００３０】
検出感度を改善するために、所謂“自己集合”親水性単層はまた、前記誘電性領域を貫通する、前記所定の導電性材料の層に形成された孔によって明らかにされる下部電極の、特に金属である領域に提供され得る。
【００３１】
センサーの実施の１つの可能性によれば、上部電極は、穴が開けられた疎水性の保護層で覆われ得る。
【００３２】
センサーの電極は、例えば高分子材料に基づくフレキシブル支持体に配され得る。
【００３３】
本発明はまた、以上に定義されたようなセンサーを備える温度測定又は検出デバイスに関する。
【００３４】
他の側面によれば、本発明は、
−支持体上に第１電極の少なくとも１つの導電層を形成する段階と、
−前記第１電極の前記導電層上に少なくとも１つの誘電性材料の領域を形成する段階と、
−前記誘電性材料の層上に、それが接触する前記誘電性材料の領域の水分透過性より高い水分透過性を有する所定の導電性材料の層を形成する段階と、
からなる段階を含む、容量性タイプの湿度センサーを製造する方法に関する。
【００３５】
所定の材料は、有利にはグラフェンであり得る。
【００３６】
本発明は、
前記誘電性材料の領域の形成後、前記所定の導電性材料の層の形成前に、
−前記誘電性材料の領域に犠牲マスクを形成する段階と、次いで、
−前記誘電性材料の領域を出現させる前記犠牲マスクの開口を介して前記誘電性材料の領域に少なくとも１つの金属領域を形成する段階と、
−前記犠牲マスクを除去する段階であって、前記所定の導電性材料の層が、次いで、前記金属領域を出現させる孔を有する前記金属領域の周囲に生成される段階と、
からなる段階を含み得る。
【００３７】
犠牲マスクを除去する段階の後に、金属領域に親水性ＳＡＭ層を堆積する段階が提供され得る。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】図１は、水分を透過しない又は水分をほんの僅かだけ透過する誘電性領域に位置する水分透過性の少なくとも１つの上部電極を有する容量性タイプの湿度センサーの構成の第１実施例を示す。
【図２】図２は、水分をほんの僅かだけ透過する又は水分を透過しない誘電性領域に位置する水分透過性の少なくとも１つの上部電極を有する、本発明による容量性タイプの湿度センサーの構成の第２実施例を示す。
【図３】図３は、水分をほんの僅かだけ透過する又は水分を透過しない誘電性領域に位置する水分透過性の少なくとも１つの上部電極を有する、本発明による容量性タイプの湿度センサーの構成の第３実施例を示す。
【図４】図４は、水分をほんの僅かだけ透過する又は水分を透過しない誘電性領域に位置する水分透過性の少なくとも１つの上部電極を有する、本発明による容量性タイプの湿度センサーの構成の第４実施例を示す。
【図５】図５は、本発明によって実施されるような湿度センサーを用いて行われた測定の結果を示す。
【図６】図６は、本発明によって実施されるような湿度センサーを用いて行われた測定の結果を示す。
【図７】図７Ａから図７Ｄは、本発明による容量性タイプの湿度センサーを製造する方法の第１実施例を示す。
【図８】図８Ａから図８Ｇは、本発明による湿度センサーを製造する方法の他の実施例を示す。
【図９】図９は、温度変化に感受性のある本発明による容量性タイプの湿度センサーを製造するための処理の一例を示す。
【図１０】図１０は、グラフェンからなる材料にＡｇ粒子を添加したときにおけるそのＴＣＲ係数の影響を示す。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
本発明は、添付の図面を参照して、限定的ではなく、単に示すことによって与えられる実施形態の詳細な説明を読むことによって、より理解されるであろう。
【００４０】
種々の図面において同一の、同様の又は等価の部品は、互いに移行し易くするために同一の参照符号を付す。
【００４１】
図面に示される種々の部品は、図面をより理解し易くするために、必ずしも均等目盛りで示されない。
【００４２】
本発明に従って使用される容量性の湿度センサーの実施例は、図１に与えられる。
【００４３】
この湿度センサーは、支持体１００又はプレート１００に形成され、それは、その組成及び厚さのためにフレキシブルであり得る。支持体１００は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）又はＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）又はＰＩ（ポリイミド）等の高分子材料に基づくものであり得る。
【００４４】
支持体１００はまた、例えば２５μｍから２００μｍの厚さを有し得る。
【００４５】
センサーは、支持体１００上に載っている、“下部電極”とも称される第１電極１０４を含み、それは、例えば金又は白金又は銀又は銅などの金属に基づく導電層１０２の形態であり得る。この導電層１０２は、例えば３０から３００ナノメートルの厚さを有し得る（その厚さは、図１から図３に定義される直交座標系［Ｏ；ｉベクトル；ｊベクトル；ｋベクトル］のｋベクトルに平行な方向に測定される寸法である。）。
【００４６】
他の可能性によれば、導電層１０２は、グラフェンに基づくものであり得る。
【００４７】
誘電性材料に配されるグラフェンの層１０２は、グラフェン／誘電性材料の界面において水分の存在を検出することを可能にすることができ、グラフェンは、この界面において、Ｈ２Ｏ分子と接触する半導体であり得る。
【００４８】
誘電性材料１０８の領域は、第１電極１０４に載っている。この誘電性材料１０８は、僅かに吸収性の、又は、僅かに透過性の、又は、水分不透過性でさえある材料であり得る。
【００４９】
誘電性材料１０８は、Ｈ２Ｏ分子に親和性を有しないように選択され得、任意には疎水性であり得る。
【００５０】
誘電性材料１０８は、水分に対して弱い親和性を有し得、このために、例えば４ｎｍ程度の最大径又は最大直径を有する気孔を有し得る。
【００５１】
誘電性材料１０８は、例えば、パリレン又はポリエステル、又は、ポリカーボネート、又はεｒ＝２．２のような低い比誘電率εｒを有する、名称Ｃｙｔｏｐ（登録商標）によって知られるポリ（ペルフルオロブテニルビニルエーテル）タイプのフッ素重合体であり得る。
【００５２】
誘電性領域１０８は、例えば１００ｎｍから２μｍの厚さを有し得る。
【００５３】
誘電性材料１０８の領域は、“上部電極”１１４とも称される第２電極１１４に覆われる。第２電極１１４は、導電性材料１１２の層で形成され、その水分透過性は、誘電性材料１０８の水分透過性より高い。
【００５４】
導電性材料１１２は、有利にはグラフェンである。導電性のグラフェンは、局所的に、それがＨ２Ｏ分子と接触すると、小さな間隙と共に半導体の特性を有し得る。このような特性は、例えば、Ｙａｖａｒｉらによる文献（非特許文献２）に記載されている。
【００５５】
導電性材料１１２の層は、例えば、１００ｎｍから５μｍ、例えば１μｍ程度の厚さを有し得る。
【００５６】
第１電極１０４、誘電性領域１０８及び第２電極１１４は、水分に応じて可変である容量を形成する。
【００５７】
第２電極１１４の吸湿特性及び誘電性材料１０８の弱い吸湿性又は非吸収特性のために、このようなセンサーによって検出されることができる容量の変化は、第２電極１１４及び誘電性領域１０８の界面に近い水分の変化に依存する。
【００５８】
第２電極１１４は、水分が入るための開口１２５を含む、穴が開けられた疎水性保護誘電層１２０で覆われ得る。
【００５９】
疎水性保護絶縁層１２０は、浮遊容量の形成を避けるために、１μｍから１５μｍの厚さ、好ましくは５μｍを超える厚さを備える。
【００６０】
図２において、本発明による容量性の湿度センサーの他の実施例は、与えられる。
【００６１】
この実施例において、疎水性保護誘電層１２０を貫通する開口１２５に沿って、孔１１５ａが、誘電性領域１０８と同様に、第２電極１１４の導電性材料１１２の層を通過して備えられる。
【００６２】
これらの孔１１５ａは、水分を捕える機能を果たし、それらが貫通するセンサーの層１１２、１０８の還流によって乾燥することができる。
【００６３】
湿度センサーの感度を最適化するために、親水性のＳＡＭ層（ＳＡＭは、“自己集合単分子層”を表す）はまた、第１電極１０４上に孔１１５ａの下部に備えられ得る。
【００６４】
親水性のＳＡＭ層１０７は、例えば、２，２’−（エチレンジオキシ）ジエタンチオール、又は、ヘキサ（エチレングリコール）ジチオール、又は、テトラ（エチレングリコール）ジチオール、又は、（１１−メカプトウンデルシル）テトラ（エチレングリコール）、又は、（１１−メカプトウンデルシル）ヘキサ（エチレングリコール）、トリエチレングリコールモノ−１１−メルカプトウンデルシルエーテルに基づくものであり得る。
【００６５】
開口１２５、及び開口１２５に沿った孔１１５ａは、限界寸法Ｄｃ（図１から図４に定義される直交座標系（［Ｏ；ｉベクトル；ｊベクトル；ｋベクトル］の［Ｏ；ｉベクトル；ｊベクトル］平面に平行な方向に沿って測定される）を有し、それは、５０μｍから２００μｍ、例えば約１００μｍであり得る。
【００６６】
“限界寸法”とは、その厚さは別として、薄層に生成される孔又は開口などのパターンの最小寸法を意味する。
【００６７】
センサーの他の実施例は、図３に与えられる。
【００６８】
この実施形態において、疎水性の誘電層１２０を貫通する開口１２５に沿って、疎水性ＳＡＭ層１１７によって形成される領域を出現させる孔１１５ｂが提供され、疎水性のＳＡＭ層１１７は、第２電極１１４の金属領域１１６に載っており、それ自体は、キャパシタの誘電性領域１０８に配される。これらの孔１１５ｂは、水分を捕えるために使用される。金属領域１１６は、誘電性領域１０８に載っている第２電極の領域を形成する。親水性のＳＡＭ層１１７は、センサーの感度を改善する。孔１１５ｂはまた、導電性材料の層の還流によって乾燥することを可能にする。
【００６９】
センサーの他の実施例は、図４に与えられる。
【００７０】
この実施例において、センサーは、第２電極１１４の導電性材料１１２の層及び誘電性領域１０８を貫通する孔１１５ａ、及び、第２電極１１４の導電性材料１１２の層を貫通するだけの他の孔１１５ｂを含む。
【００７１】
孔１１５ａは、第１電極１０４の導電層１０２に載っている親水性のＳＡＭ層１０７を出現させる。
【００７２】
それらの部分において他の孔１１５ｂは、第２電極１１４の金属領域上に載っている親水性のＳＡＭ層１１７を出現させる。
【００７３】
図５は、曲線Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５によって、グラフェンベースの電極を含む湿度センサーによって得られた測定結果を示す。この実施例において、グラフェン誘電体の界面における水分の検出は、特に低周波数において発生する。検出デバイスは、最大感度を有するように非常に低い周波数で機能するように設計される。
【００７４】
図６は、約１００Ｈｚの動作周波数を有する本発明に従って使用されるセンサーおいて時間の関数としての容量変化曲線の実施例を示す。
【００７５】
本発明による容量性タイプの湿度センサーを製造する方法の実施例は、図７Ａから図７Ｄに関連して以下に与えられる。
【００７６】
この方法のための開始材料は、例えばＰＥＮ又はＰＥＴ又はＰＩに基づく高分子材料に基づく基板の形態の支持体１００であり得る。支持体１００はまた、例えば２５μｍから２００μｍの間の厚さを備え得、フレキシブルであり得る。
【００７７】
次に、導電層１０２は、支持体１００の一面に形成される。この導電層１０２は、例えば金又は白金又はニッケル又は銅又は銀又はアルミニウムに基づく金属材料に基づくものであり得、例えば３０ｎｍから３００ｎｍの厚さ、又は堆積される導電層１１２がパターンを含む場合、数マイクロメートルの厚さを有する。
【００７８】
導電層１０２は、ＰＶＤ（物理気相堆積）によって又はスクリーン印刷又はインクジェットによって形成され得る（図７Ａ）。
【００７９】
次いで、電極パターン１０４を生成するために導電層１０２をエッチングした後に、誘電性材料１０８の層は、形成される（図７Ｂ）。
【００８０】
この誘電性材料は、この材料の非誘電率εｒが２から３であるように、例えば低い誘電定数を有し得る。
【００８１】
誘電性材料１０８は、それを水分に対して若干透過性にするために、好ましくは非多孔性の材料、又は、４ｎｍ未満の直径又は最大寸法を有する孔が備えられたものである。
【００８２】
誘電性材料１０８の層は、例えば、ポリスチレン又はパリレン又はポリエステル又はポリカーボネート又は例えば約２の低誘電定数εｒを有するポリ（ペルフルオロブテニルビニルエーテル）タイプのフッ素集合体でさえあり得る。誘電性材料１０８の層は、例えばＣＶＤ（化学気相堆積）によって、又はインクジェットによって、又はスクリーン印刷によって形成され得、続いて任意に例えば約１００℃において例えば約１０分間の焼鈍しが続いて行われる。
【００８３】
次いで、他の導電層１１２は、水分透過性の導電層１１２の堆積によって誘電性領域１０８に形成され、その禁制帯がその湿度によって変化することができる材料に基づくものである。この導電性材料は、有利にはグラフェンであり得る。導電層１１２は、センサーの第２電極１１４を形成するものである。
【００８４】
導電層１１２はまた、例えば１００ｎｍから５μｍｍの厚さを有し得る。導電層１１２は、堆積又はスクリーン印刷又はインクジェットによって形成され得る（図７Ｃ）。
【００８５】
次いで、疎水性の保護層１２０は、例えばスクリーン印刷によって又はインクジェットによって第２電極１１４に形成される。
【００８６】
この保護層１２０は、疎水性の有機高分子材料に基づくものであり得る。疎水性の保護層１２０は、例えば、浮遊容量の形成を避けるために十分な１μｍから１５μｍの厚さを有し得る。
【００８７】
開口１２５は、第２電極１１４へのアクセスを可能にするために層１２０に生成される（図７Ｄ）。
【００８８】
以上に記載の方法の実施例の変形例は、ここに与えられる。
【００８９】
この変形例において、第１電極を形成する導電層１０２を出現させる孔１１５は、誘電性材料１０８の層に作られる（図８Ａ）。
【００９０】
次に、犠牲層マスク１０９は、誘電性材料１０８の層に形成され、誘電性材料１０８を出現させる孔１１９を含む（図８Ｂ）。犠牲マスク１０９は、例えばスクリーン印刷によって又はインクジェットによって堆積される感光性樹脂又は誘電性材料に基づくものであり得る。
【００９１】
次に、例えば３０ｎｍから数百ナノメートルであり得る厚さを有する、例えばＡｕ又はＰｔ又はＡｇ又はＴｉに基づく金属層１１６の堆積が実行される。金属層１１６は、誘電層１０８に生成される孔１１５の下部と同様に犠牲マスク層１０９を貫通する孔１１９の下部に形成され、それらの部分において犠牲マスク１０９によって保護される誘電層１０８の領域は、この金属層１１６によって覆われない（図８Ｃ）。
【００９２】
次に、犠牲マスク層１０９は、除去される（図８Ｄ）。
【００９３】
犠牲層が樹脂に基づくものである場合にこの除去を達成するために、それは、例えばアセトンに基づく溶媒に溶解され得る。この犠牲マスク層はまた、任意に適切なプラズマによって除去され得る。
【００９４】
次に、第２電極１１４は、例えばスクリーン印刷によるグラフェンの導電層１１２の堆積によって誘電性領域１０８に形成される。
【００９５】
この導電層１１２は、任意に孔を有して形成され得る。導電層１１２は、誘電層１０８に形成される金属領域１０７を出現させる孔１１５ｂと同様に、グラフェン層を貫通し、誘電層１０８に形成される孔と並んで位置するする孔１１５ａが備えられ得る（図８Ｅ）。
【００９６】
次いで、第２電極１１４を覆う疎水性保護層１２０は、形成される。
【００９７】
この保護層１２０は、グラフェン層を貫通する孔１１５ｂに並んで配置される開口１２５、並びに、グラフェン層及び誘電性材料１０８の層を貫通する孔１１５ａを含む（図８Ｆ）。
【００９８】
次に、疎水性の極性のＳＡＭ層１０７は、第１電極を出現させる孔の下部及び誘電層１０７に載っている金属層１１６を出現させる孔に形成される（図８Ｇ）。親水性の極性のＳＡＭ層は、ディッピング又は蒸発によって形成され得る。
【００９９】
本発明によって実施されるような湿度センサーはまた、容量の変化を測定することによって温度測定を行うために温度測定装置に提供され得る。
【０１００】
温度の変化に対してより感度のあるセンサーを形成するために、金属材料２１２は、センサーの上部電極１１４を形成する導電性材料１１２の層に堆積され得る。この金属材料１１２は、導電性材料１１２内に拡散されるようなものであり得る。
【０１０１】
上部電極１１４を形成する導電性材料１１２がグラフェンである場合、金属材料２１２は、保護層１２０の開口１２５を通って、例えばインクジェットによって、例えば滴の形態で堆積される銀であり得る（図９）。グラフェンに銀粒子などの金属粒子を加えることは、そのＴＣＲ係数（抵抗率温度係数）を増加させ、それは、温度の程度に対する抵抗率変化要因に相当する。
【０１０２】
図１０において、曲線Ｃ２０、Ｃ３０は、グラフェンからなる要素並びにグラフェン及び約２５重量％のＡｇの粒子からなる材料に基づく要素のそれぞれのＴＣＲ係数の変化を示す。
【符号の説明】
【０１０３】
１００  支持体
１０２  導電層
１０４  第１電極
１０７  誘電性材料の領域
１０８  誘電性材料の領域
１０９  犠牲マスク
１１２  導電性材料の層
１１４  第２電極
１１５  孔
１１５ａ  孔
１１５ｂ  孔
１１６  金属領域
１１７  親水性自己集合単層
１１９  孔
１２０  疎水性保護層
１２５  開口
２１２  金属材料
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図８Ｅ】
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【図８Ｆ】
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【図８Ｇ】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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