(57)【要約】  本発明は圧力センサを製造する方法に関し、歪みゲージが堆積された可変薄膜と支持体を組み立てて微小機械構造体を得る、組み立て工程を含み、可変薄膜はその中心に薄化領域を有し、支持体は可変薄膜の上に配置され、支持体は上面と、可変薄膜と接触した下面とを有し、支持体は歪みゲージの上に配置された外側凹部と可変薄膜の薄化領域の上に配置された中央凹部とを更に含む。いったん組み立て工程が得られると、上記方法は、少なくとも１つの導電性物質を支持体の上面上及び支持体の外側凹部内に堆積する単一の工程を含み、導電性物質は歪みゲージと接触するために外側凹部に延在し、歪みゲージに接続する電気接点を形成する。
2015511006.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧力センサの製造方法であって、
歪みゲージが堆積された可変薄膜と支持体を組み立てて微小機械構造体を得る、組み立て工程を含み、
前記可変薄膜はその中心に薄化領域を有し、
前記支持体は前記可変薄膜の上方に配置され、
前記支持体は上面と、前記可変薄膜と接触した下面とを有し、
前記支持体は前記歪みゲージの上方に配置された外側凹部と前記可変薄膜の前記薄化領域の上方に配置された中央凹部とを更に含み、
いったん前記組み立て工程が完了すると、前記の方法は、
少なくとも１つの導電性物質を前記支持体の前記上面の上及び前記支持体の前記外側凹部内に堆積する単一の工程を含み、
前記導電性物質は前記外側凹部に延在し、前記歪みゲージと接触し、前記歪みゲージに接続する電気接点を形成する、
方法。
【請求項２】
いったん前記組み立て工程が完了し、少なくとも１つの前記導電性物質の前記の単一の堆積工程前に、少なくとも１つの拡散隔膜を堆積する工程を含み、各前記外側凹部において、前記拡散隔膜は前記の対応する歪みゲージと接触する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
３Ｄ熱ラミネート技術又は強位相の表面の粉砕によるコーティングに関連するフォトリソグラフィによって行われるいくつかの電気接点を形成する工程を含む、請求項１又は２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４】
前記導電性物質は、ウルトラドープされた多結晶シリコン、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｐｔ、ＴｉＷ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｔｉ、ＴｉＮから成る群から選択される、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記可変薄膜はシリコンから形成され、
前記支持体はガラスから形成され、前記組み立て工程は陽極封止の工程を含むか、あるいは、
前記支持体はシリコンから形成され、前記組み立て工程は中間層と共に、あるいは中間層を用いず、分子結合又は原子結合によって、あるいは鑞付けによって封止する工程を含む、
請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記可変薄膜は、例えばＳＯＩ又はＰＳＯＩといった単結晶シリコン、ＳＯＳといったサファイア、あるいはＳｉＣＯＩ又はＳｉＣといった他の物質を含む基板から形成される、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記支持体を前記導電性物質から形成された電気接点を有するケーシングに一体化する、一体化工程を含み、
前記支持体は前記支持体の上に形成されたコネクタによって前記ケーシングに一体化されている、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記支持体を前記ケーシングに一体化する、前記一体化工程は、熱圧着法により完了される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記熱圧着法は、２５０℃から５００℃、一般的には３２０℃の温度と、１０ＭＰａから２００ＭＰａ、一般的には５０ＭＰａの圧力で行われる、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ケーシングの前記電気接点は、ウルトラドープされた多結晶シリコン、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｐｔ、ＴｉＷ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｔｉ、ＴｉＮから成る群から選択された物質で形成される、請求項７から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記支持体を前記ケーシングに一体化する、前記一体化工程は、フリップチップの技術によって行われる、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか一項に従った方法によって得られた圧力センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、力学量又は物理量を測定又は検出するための微小機械構造体に関し、特に、このような微細構造体を備える圧力センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
既知の通り、圧力センサは微小機械構造体である「微小電気機械システム（ＭＥＭＳ：Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）」を含む。ＭＥＭＳは、例えば真空といった一般的な基準圧力を有する空洞によって、部分的に分離された支持体の上に組み立てられた可変薄膜（ｄｅｆｏｒｍａｂｌｅ  ｍｅｍｂｒａｎｅ）を有する。
【０００３】
薄膜によって支持された歪みゲージは、外部のエネルギー供給（例えば、薄膜に加えられた圧力Ｐ）により起こった変形で生じた歪みを測定することができる。この測定は、変形に関連する構造体の物理的及び／又は電気的特性の変化（例えば、電気抵抗又は内部歪みの変化）を観測することによって行われる。
【０００４】
この種の圧力センサは、厳しい環境下での使用を目的とし、外部から保護する必要がある。
【０００５】
このようにするため、微小機械構造体は保護ケーシング内に配置される。つまり微小機械構造体はカプセル化される（より一般的に、これは微小機械構造体の保護の観点から、微小機械構造体のカプセル化である）。いったんケーシング内に微小機械構造体が配置されると、測定圧力は、油によって一般的に構成された伝送インターフェースを用いて、ケーシングから歪みゲージへと送られる。このようなケーシングは、英語では「パッケージング」として知られている。
【０００６】
しかし、このようなパッケージングには欠点がある。
【０００７】
油の存在は、約２００度の温度におけるセンサの使用を制限する。
【０００８】
また、センサは、微小機械構造体との相互作用を有する中間要素（油及び接着剤）の存在によって精度が制限され、特に、長期的な精度及び安定性に影響を及ぼす。
【０００９】
ここ数年の間、これらの欠点を正すため、微小機械構造体の製造時に、「ウェハレベルパッケージング（Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｉｎｇ）」という、微小機械構造体のカプセル化が行われ得る。
【００１０】
しかし、既存の方法では以下のような欠点がある。
【００１１】
電気接点を規定するために用いられる材料の選択は制限され、構造体の組み立て中に歪みを引き起こす。
【００１２】
ガラスペーストが接続のためにしばしば使用されるが、温度の影響により経時的に発達する、かなりの接触抵抗を生じさせてしまう。
【００１３】
電線が用いられるが、これは構造体の脆化を招く。
【００１４】
本発明は、このような背景において、圧力センサの製造方法を提案する。
【発明の概要】
【００１５】
第１の態様に従い、本発明は、まさにその設計のため、単一相において微小機械構造体の高感度素子の製造及び保護を組み合わせるセンサの製造方法を提案する。
【００１６】
この目的のため、本発明は以下の工程を含む圧力センサの製造方法を提案する。
【００１７】
歪みゲージが配置された可変薄膜と共に支持体を組み立てる工程であり、可変薄膜はその中心に薄化領域を有し、支持体は可変薄膜上に配置され、支持体は上面を有し、下面は可変薄膜と接触し、支持体は歪みゲージ上方に配置された外側凹部（ｌａｔｅｒａｌ  ｒｅｃｅｓｓ）と薄膜の薄化領域上方に配置された中央凹部を更に含み、微小機械構造体を形成する。いったん組み立てが完了すると、方法は下記の工程を含む。
【００１８】
単一ステップにおいて、少なくとも１つの導電性物質を支持体の上面上及び支持体の外側凹部内に堆積する工程において、導電性物質は凹部に延在し、歪みゲージと接触して歪みゲージに接続する電気接点を形成する。
【００１９】
本発明は、単一の、あるいは技術的に可能な組み合わせによる、以下の特性によって有利に完成する。
【００２０】
いったん組み立て工程が完了し、少なくとも１つの導電性物質の単一の堆積工程前に、本発明は、少なくとも１つの拡散隔膜を堆積する工程を含み、各外側凹部において、拡散隔膜は対応する歪みゲージと接触する。
【００２１】
本発明は、３Ｄ熱ラミネート技術又は強位相（ｓｔｒｏｎｇ  ｔｏｐｏｌｏｇｙ）の表面の粉砕によるコーティングに関連するフォトリソグラフィによって行われるいくつかの電気接点を形成する工程を含む。
【００２２】
導電性物質は、ウルトラドープされた（ｕｌｔｒａｄｏｐｅｄ）多結晶シリコン、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、チタン−タングステン（ＴｉＷ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、錫（ＴｉＮ）から成る群から選択される。
【００２３】
薄膜はシリコンから形成される。支持体はガラスから形成され、組み立て工程は陽極封止を含む。あるいは、支持体はシリコンから形成され、組み立て工程は中間層と共に、又は中間層を用いず、分子結合又は原子結合による封止、あるいは鑞付けによる封止を含む。
【００２４】
本発明は、導電性物質から形成された電気接点を有するケーシングに支持体を一体化する、一体化工程を含む。支持体は支持体上に形成されたコネクタによってケーシングに一体化される。
【００２５】
支持体をケーシングに一体化する、一体化工程は熱圧着法で行われる。
【００２６】
熱圧着法は２５０℃から５００℃、一般的には３２０℃の温度と、１０ＭＰａから２００ＭＰａ、一般的には５０ＭＰａの圧力によって行われる。
【００２７】
ケーシングの電気接点は、ウルトラドープされた多結晶シリコン、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｐｔ、ＴｉＷ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｔｉ、ＴｉＮから成る群から選択された物質から形成される。
【００２８】
支持体をケーシングに一体化する一体化工程は、フリップチップ（ｆｌｉｐ  ｃｈｉｐ）の技術によって行われる。
【００２９】
薄膜は、例えばＳＯＩ又はＰＳＯＩといった単結晶シリコン、ＳＯＳといったサファイア、あるいはＳｉＣＯＩ又はＳｉＣといった他の材料を含む基板から形成される。
【００３０】
本発明は、本発明に従った方法により作られた圧力センサにも関する。
【００３１】
第２の態様に従って、本発明は本発明の第１の態様に従った方法によって作られた圧力センサを提案する。
【００３２】
本発明は多くの利点を有する。
【００３３】
可変薄膜と支持体を組み立てる工程は、少なくとも１つの導電性物質を堆積し、続く電気接点を作り出す工程の前に完了するので、物質の選択は従来技術における物質選択よりも優れる。
【００３４】
本発明は追加的な要素の使用を防ぎ、歪みゲージのレベルにおける接続を作り出す。導電性物質の堆積は単一の工程で行われ、電気接点の形成につながる。
【００３５】
また、一方で電気接点を向上させ、他方で接続するケーシングに支持体を簡単に一体化するための組み立て工程の後、本発明の方法では、いくつかの連続的な導電性物質を堆積する。
【００３６】
方法では、支持体と可変薄膜との間の組み立て工程の後、歪みゲージ内で電気接点として機能する物質の拡散を防ぐ拡散隔膜も堆積する。
【００３７】
また、本発明の方法で、２つの構成要素の表面品質が、この場合、組み立て工程の下流で行われるエッチング工程によって変化しないため、可変薄膜と支持体を組み立てる工程の質が高まる。
【００３８】
また、封止温度は導電性物質の選択によって制限されない。
【００３９】
他の利点において、直接的な金属接触による電気接続は、その測定に関するごくわずかな接触抵抗を表し、温度変化に影響されない。
【００４０】
また、単一の工程において、「フリップチップ」として知られる技術による一体化では、製造方法における制限及び／又は熱圧着による一体化に起因した物質間の機械的歪みを作り出す恐れがある他の物質は必要ない。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
本発明の他の特性、目的及び利点は、純粋に説明的かつ非制限的であり、添付の図面と関連して考慮されるべき以下の記載から生じる。各図に関する説明は、以下の通りである。
【図１ａ】本発明の一実施形態に従った、可変薄膜と支持体の組み立てを示す図である。
【図１ｂ】本発明の一実施形態に従った、可変薄膜と支持体の組み立てを示す図である。
【図１ｃ】本発明の一実施形態に従った、可変薄膜と支持体の組み立てを示す図である。
【図１ｄ】本発明の第２の実施形態に従った、拡散隔膜の堆積を示す図である。
【図２ａ】本発明の第１の実施形態における方法に従った、１つ以上の導電性物質の堆積を示す図である。
【図２ｂ】本発明の第１の実施形態における方法に従った、１つ以上の導電性物質の堆積を示す図である。
【図２ｃ】本発明の第２の実施形態における方法に従った、１つ以上の導電性物質の堆積を示す図である。
【図２ｄ】本発明の第２の実施形態における方法に従った、１つ以上の導電性物質の堆積を示す図である。
【図３】本発明の第１及び第２の実施形態における方法にそれぞれ従った、パッケージングを示す図である。
【図４】本発明の第１及び第２の実施形態における方法にそれぞれ従った、パッケージングを示す図である。
【図５】本発明の一実施形態における方法の工程を示す図である。  全ての図において、同様の要素には同一の参照番号を使用する。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
圧力センサは、特に支持体１０、可変薄膜２０、歪みゲージ３０及び支持体１０と可変薄膜２０との間の組み立て支持体４０を含む。
【００４３】
圧力の測定は、絶対圧又は差圧でよい。
【００４４】
可変薄膜２０及び歪みゲージ３０によって形成された微小機械構造体は、従って支持体１０によって保護される。
【００４５】
微小機械構造体は電気接点６１を備える支持体１０によってケーシング８０に電気的に接続され、ケーシング８０は内部に配置された電気接点８１を更に備える。
【００４６】
可変薄膜２０は上面２０１及び下面２０２、圧力に敏感なダイアフラム／又はフリースペース上方に懸下した（ｓｕｓｐｅｎｄｅｄ）薄い部分２０ｂ、そして薄い部分２０ｂの支持体を形成する厚い部分２０ａを有利に備える。
【００４７】
このような可変薄膜２０は、例えばＳＯＩ又はＰＳＯＩといった単結晶シリコン、ＳＯＳといったサファイア、あるいはＳｉＣＯＩ又はＳｉＣといった他の物質を含む基板から一般的に形成される。
【００４８】
（可変薄膜２０の薄い部分２０ｂのレベルにおける）フリースペースは、微細加工によって有利に形成される。
【００４９】
このようなフリースペースを形成するために採用された微細加工技術は、例えば決められた温度でのＫＯＨエッチングといった化学エッチング及び／又は平坦な基板表面における深掘り反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ：Ｄｅｅｐ  Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈ）でよい。
【００５０】
このような可変薄膜２０の厚さは、数十マイクロンであり、厚い部分２０ａでは１００μｍから１０００μｍ、一般には５００μｍで、薄い部分２０ｂでは１０μｍから２００μｍである。
【００５１】
可変薄膜２０はその上部に歪みゲージ３０を備える。歪みゲージ３０は可変薄膜２０の上面２０１に位置する単結晶シリコンから作られた微細構造体を備える（図１ａ参照）。一般に、これらの微細構造体は、フォトリソグラフィや、化学エッチング又はプラズマエッチングによってエッチングされた、シリコンの初期層から通常、形成される。
【００５２】
歪みゲージ３０は可変薄膜２０の最大の機械的な歪み領域に配置されることが好ましい。
【００５３】
可変薄膜２０はその上面２０１上に、可変薄膜２０の厚い部分２０ａの端部に堆積された組み立て支持体４０も備える。
【００５４】
可変薄膜２０の上面２０１に、ＳｉＯ２の層といった電気絶縁層（図示しない）を設けることも可能である。その場合、歪みゲージ３０及び組み立て支持体４０は、電気絶縁層上に堆積される。
【００５５】
支持体１０は可変薄膜２０の外形断面と同一の外形断面を有する。本明細書の以下に説明する方法において、支持体１０は上面１０１及び下面１０２を含む。下面１０２は可変薄膜２０の上面２０１と接触するように設計される。
【００５６】
可変薄膜２０及び支持体１０が組み立てられるとき、支持体１０は、歪みゲージ３０と対向して形成された外側凹部１１と、可変薄膜２０の薄い部分２０ｂと対向して形成された中央凹部５０とを備える。支持体１０は少なくとも４つの外側凹部１１を備えることが好ましい。外側凹部１１は円形の断面を有利に有する。
【００５７】
外側凹部１１及び中央凹部５０は、例えば決められた温度でＫＯＨエッチングといった微細加工技術によって、かつ／あるいは平坦な基板表面における深掘り反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）によって、基板から形成される。
【００５８】
支持体１０はガラス、シリコンクォーツ、Ｐｙｒｅｘ（登録商標）、サファイア、アルミナ、Ｓｉ、ＳｉＣに基づく物質でよい。
【００５９】
支持体１０は、例えば５０μｍから１０００μｍの厚さを有する。
【００６０】
圧力センサの製造方法において、支持体１０を歪みゲージ３０及び組み立て支持体４０があらかじめ堆積された可変薄膜２０上に組み立てられる（工程Ｅ１）。
【００６１】
組み立て工程Ｅ１は、陽極封止によって、あるいは中間層と共に、又は中間層を用いずに分子結合又は原子結合によって、あるいは鑞付けによって行われる。
【００６２】
もちろん、可変薄膜２０と支持体１０を組み立てることの他の可能性も実行可能であり、専門家に知られている可能性については、ここでは説明しない。
【００６３】
組み立て工程Ｅ１の後、少なくとも１つの導電性物質６０が支持体１０の外側凹部１１内及び支持体１０の上面１０１上に堆積される（工程Ｅ２）。そのため、導電性物質６０は外側凹部１１に延在し、歪みゲージ３０と接触し、続いて歪みゲージ３０に接続される電気接点６１を形成する。
【００６４】
このような堆積工程Ｅ２では、支持体１０の上面１０１（可変薄膜２０と接触する支持体１０の下面１０２と対向）の上に導電性物質の膜を特に堆積させる工程を含む。
【００６５】
導電性物質６０は、ウルトラドープされた多結晶シリコンで金属上に配置された膜、単なる金属堆積の膜、あるいはいくつかの金属層組成による膜でよい。
【００６６】
より一般的に、導電性物質６０は、ウルトラドープされた多結晶シリコン、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｐｔ、ＴｉＷ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｔｉ、ＴｉＮから成る群から選択される。
【００６７】
少なくとも１つの導電性物質６０の堆積は、低圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ：Ｌｏｗ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）技術によって行われることが好ましいが、蒸着（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、電着（ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）又は粉砕によって行うこともできる。
【００６８】
また、温度が低く、圧力が高くても、膜は堆積されるときはいつも多結晶であり、均一な特性を有する。
【００６９】
このような堆積工程Ｅ２は、導電性物質６０の厚い膜を堆積することが出来るという利点を有する。導電性物質６０は、特に、支持体１０を微細加工して外側凹部１１を形成することによって作り出された、支持体１０の深い空洞において、最大数十マイクロメートルの厚みを有する。つまり、導電性物質６０は外側凹部１１の壁面の全ての空洞を埋める。
【００７０】
このように、導電性物質又は導電性物質６０は、支持体１０の上面１０１全体及び外側凹部１１内に堆積される（図２を参照）。
【００７１】
次に、製造方法は電気接点６１を形成する、工程Ｅ３を含む。このような工程Ｅ３は３Ｄ熱ラミネート技術又は感光性材料の粉砕によるコーティングである「スプレーコーティング」に関連したフォトリソグラフィによって行われる。このような方法で、電気接点６１の有益な領域は正確に制限される。
【００７２】
実際、熱ラミネート技術又は感光性材料の粉砕によるコーティングに関連した３Ｄフォトリソグラフィ技術は、強位相を有する表面において堆積する領域と堆積しない領域とを画定する。この技術は、たとえ傾いた表面又は空洞の底部においても、堆積の均一性を制御する。例として、この技術は約５００μｍの深さと、約１００μｍの幅を有する外側凹部１１の底部で約十から数十マイクロンの構造体を規定する。
【００７３】
単一の工程において、少なくとも１つの導電性物質６０を堆積する工程Ｅ２の後、３Ｄフォトリソグラフィは、支持体１０と可変薄膜２０との間における組み立て工程Ｅ１の後に堆積された材料の機械加工を可能にする。従って、例えば外側凹部１１の内部などの、数百μｍの高さの変化を表す複雑に構造化された形状を実現することができる（工程Ｅ３）。
【００７４】
電気接点の形成を行う、工程Ｅ３の完了において、電気接点６１は歪みゲージ３０に接続され（図２ｂを参照）、支持体１０の上面１０１から延在する。
【００７５】
代替的に、あるいは相補的に、いったん組み立て工程Ｅ１が完了すると、少なくとも１つの導電性物質６０を堆積する単一の工程Ｅ２の前に、製造方法は、対応する歪みゲージ３０と接触する拡散隔膜３１を各外側凹部１１に堆積する工程Ｅ１０を含む（図１ｄを参照）。
【００７６】
拡散隔膜３１はＴｉＷ、ＴｉＮ、Ｐｔ、Ｔａなどといった金属を含む。より一般的には、拡散隔膜３１は歪みゲージ３０における他の原子種の拡散を防ぐことを可能にする特性を有する物質を含む。
【００７７】
次に、前述のように、電気接点が形成される（工程Ｅ３）。
【００７８】
拡散隔膜３１は、電気接点を形成するように機能する物質などの導電性物質から作られる。従って、明らかなように、本実施形態において、各外側凹部１１では、電気接点６１は拡散隔膜３１と接触し、拡散隔膜３１自体は対応する歪みゲージ３０と接触する。拡散隔膜３１は各外側凹部１１に形成された電気接点６１を共有する。電気接点６１が形成された後、可変薄膜２０を有する、構造体の支持体１０は、電気接点８１を有するケーシング８０に一体化される（工程Ｅ４）。
【００７９】
ケーシング８０の電気接点８１は、ウルトラドープされた多結晶シリコン、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｐｔ、ＴｉＷ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｔｉ、ＴｉＮから成る群から選択された物質によって形成される。
【００８０】
ケーシング８０はガラス、セラミック又は金属、あるいはこれら３つ全ての混合物に基づく異なる物質を有し、さまざまな形態を取ることができる。
【００８１】
ケーシング８０の電気接点８１は、支持体１０の電気接点６１に対向するように配置される。電気接点６１と電気接点８１との間の電気的接続は、無線ケーブル技術である「ワイヤボンディング（ｗｉｒｅ  ｂｏｎｄｉｎｇ）」（圧力センサに古典的に使用される技術）、あるいは直接的な接触技術によって形成される。
【００８２】
ケーシング８０の電気接点８１は、ケーシング８０の外部に延在し、圧力Ｐの測定中に生成された電気信号の取得を可能にする。
【００８３】
「フリップチップ」として知られるような別の技術が、構造体の支持体１０／可変薄膜２０をケーシング８０に一体化する（工程Ｅ４）ように実行され得る。
【００８４】
熱圧着法は、特に２００℃から５００℃の温度及び１０ＭＰａから２５０ＭＰａの圧力で行われ、電気接点を一緒に接続することができる。
【図１ａ−１ｃ】
2015511006.tif 000003
【図１ｄ】
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【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図２ｃ】
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【図２ｄ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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2015511006.tif 000013
2015511006.tif 000014
2015511006.tif 000015
2015511006.tif 000016
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