(57)【要約】光学投影系および支持構造体系を備える光学結像装置を提供する。光学投影系は、露光工程において露光光を使用して露光光路に沿って、マスクのパターン像を基板上に転写するようになされた光学素子群を有する。支持構造体系は光学素子支持構造体と計測支持構造体とを有する。光学素子支持構造体は光学素子群を支持し、計測支持構造体は光学素子群に付随し、少なくとも１つの自由度から６つ全ての自由度において、各光学素子の位置および配向の内の少なくとも１つを表すステータス情報を捕捉するようになされた計測デバイス群を支持する。光学素子群は第１光学素子サブ群および第２光学素子サブ群を有し、計測デバイス群は第１光学素子サブ群に付随する第１計測デバイスサブ群および第２光学素子サブ群に付随する第２計測デバイスサブ群を有する。計測支持構造体は第１計測支持サブ構造体および第２計測支持サブ構造体を有し、第１計測支持サブ構造体は第１計測デバイスサブ群を支持し、第２計測支持サブ構造体は第２計測デバイスサブ群を支持する。第１計測支持サブ構造体および第２計測支持サブ構造体は支持構造体系の耐荷重構造体上に別々に支持される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学投影系と支持構造体系とを備える光学結像装置であって、
−前記光学投影系が、露光工程において露光光を使って露光光路に沿って、マスクのパターン像を基板に転写するようになされた光学素子群を有し；
−前記支持構造体系が光学素子支持構造体と計測支持構造体とを有し;
−前記光学素子支持構造体が前記光学素子群を支持し;
−計測デバイス群を支持する前記計測支持構造体が、前記光学素子群に付随し、少なくとも１つの自由度から６つ全ての自由度における、前記光学素子の各々の位置および配向の少なくとも１つを表すステータス情報を捕捉するようになされ;
−前記光学素子群が第１光学素子サブ群と第２光学素子サブ群とを有し;
−前記計測デバイス群が前記第１光学素子サブ群に付随する第１計測デバイスサブ群と前記第２光学素子サブ群に付随する第２計測デバイスサブ群とを有し；
−前記計測支持構造体が第１計測支持サブ構造体と第２計測支持サブ構造体とを有し;
−前記第１計測支持サブ構造体が前記第１計測デバイスサブ群を支持し:
−前記第２計測支持サブ構造体が前記第２計測デバイスサブ群を支持し;
−前記第１計測支持サブ構造体と前記第２計測支持サブ構造体とが前記支持構造体系の耐荷重構造体上に別々に支持される光学結像装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光学結像装置において、以下、すなわち、
−前記第１計測支持サブ構造体が第１防振デバイスを介して前記耐荷重構造体に支持される；および
−前記第２計測支持サブ構造体が第２防振デバイスを介して前記耐荷重構造体に支持される、
の内の少なくとも１つである光学結像装置。
【請求項３】
請求項２に記載の光学結像装置において、
−前記第１防振デバイスおよび前記第２防振デバイスの内の少なくとも１つが防振共振周波数範囲の防振共振周波数を有し;
−前記防振共振周波数が防振共振周波数範囲群から選択され；
−前記防振共振周波数範囲群が０．５Ｈｚ〜８．０Ｈｚの範囲、１．０Ｈｚ〜６．０Ｈｚの範囲、および２．０Ｈｚ〜５．０Ｈｚの範囲よりなる光学結像装置。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか一項に記載の光学結像装置において、
−前記第１計測支持サブ構造体が複数の第１耐荷重インターフェースデバイスを有し;
−前記第１耐荷重インターフェースデバイスが、前記第１計測支持サブ構造体を前記耐荷重構造体に支持する際、支持力を前記第１計測支持サブ構造体に導入するようになされ;
−前記第１耐荷重インターフェースデバイスが第１耐荷重インターフェース面を画定し;
−前記第１耐荷重インターフェース面が前記第１計測支持サブ構造体の質量重心の少なくとも近くに設置される光学結像装置。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか一項に記載の光学結像装置において、
−前記第２計測支持サブ構造体が複数の第２耐荷重インターフェースデバイスを有し;
−前記第２耐荷重インターフェースデバイスが、前記第２計測支持サブ構造体を前記耐荷重構造体に支持する際、支持力を前記第２計測支持サブ構造体に導入するようになされ;
−前記第２耐荷重インターフェースデバイスが第２耐荷重インターフェース面を画定し;
−前記第２耐荷重インターフェース面が前記第２計測支持サブ構造体の質量重心の少なくとも近くに配置される光学結像装置。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか一項に記載の光学結像装置において、
−前記計測デバイス群が少なくとも１つの基準計測デバイスを有し;
−前記少なくとも１つの基準計測デバイスが基準計測情報を捕捉するようになされ;
−前記基準計測情報が、少なくとも１つの自由度から６つ全ての自由度における、前記第１計測支持サブ構造体と前記第２計測支持サブ構造体との間の基準位置および基準配向の内の少なくとも１つを表す光学結像装置。
【請求項７】
請求項６に記載の光学結像装置において、
−前記少なくとも１つの基準計測デバイスが、少なくとも１つの自由度において前記基準計測情報の提供で協働するようになされた第１基準計測ユニットおよび第２基準計測ユニットを有し;
−前記第１基準計測ユニットが前記第１計測支持サブ構造体に接続され;
−前記第２基準計測ユニットが前記第２計測支持サブ構造体に接続される光学結像装置。
【請求項８】
請求項６または７に記載の光学結像装置において、
−前記少なくとも１つの基準計測デバイスが、少なくとも１つの自由度における、前記基準計測情報の提供において協働するようになされた、第１相対基準計測ユニット、第２相対基準計測ユニット、第３相対基準計測ユニットおよび第４相対基準計測ユニットを有し;
−前記第１相対基準計測ユニットが前記第１計測支持サブ構造体に接続され、前記第２相対基準計測ユニットが基準ユニットに接続され;
−前記第１相対基準計測ユニットが前記第２相対基準計測ユニットと協働して、少なくとも１つの自由度から６つ全ての自由度における、前記第１計測支持サブ構造体と前記基準ユニットとの間の第１相対基準位置および第１相対基準配向の内の少なくとも１つを表す第１相対基準計測情報を提供するようになされ;
−前記第３相対基準計測ユニットが前記第２計測支持サブ構造体に接続され、前記第４相対基準計測ユニットが前記基準ユニットに接続され;
−前記第３相対基準計測ユニットが前記第４相対基準計測ユニットと協働して、少なくとも１つの自由度から６つ全ての自由度における、前記第２計測支持サブ構造体と前記基準ユニットとの間の第２相対基準位置および第２相対基準配向の内の少なくとも１つを表す第２相対基準計測情報を提供するようになされ;
−前記少なくとも１つの基準計測デバイスが、前記第１相対基準計測情報および前記第２相対基準計測情報から、前記基準計測情報を導き出すようになされた光学結像装置。
【請求項９】
請求項８に記載の光学結像装置において、以下、すなわち、
−前記基準ユニットが、前記計測支持構造体の外部にある前記光学結像装置のコンポーネント、前記光学素子の内の１つ、前記光学素子の中で最大重量を有する前記光学素子の内の１つ、および前記光学素子の中で最大慣性を呈するように支持される前記光学素子の内の１つからなる基準ユニット群から選択される;
−前記第４相対基準計測ユニットおよび前記第２相対基準計測ユニットが、０％〜２０％、０％〜１０％および０％〜５％からなる割合の範囲群から選択される、前記基準ユニットの最大寸法の一部の割合の寸法である距離に位置する；および
−前記第４相対基準計測ユニットおよび前記第２相対基準計測ユニットが、０ｍｍ〜８０ｍｍ、０ｍｍ〜５０ｍｍおよび０ｍｍ〜２０ｍｍからなる距離群から選択される距離に位置する、
の内の少なくとも１つである光学結像装置。
【請求項１０】
請求項１〜９の何れか一項に記載の光学結像装置において、
−前記計測支持サブ構造体の内の少なくとも１つは、コア構造体および該コア構造体から突出する少なくとも１つの支持アームを有し;
−前記計測デバイス群が前記支持アームの自由端に機械的に接続される計測ユニットを有する光学結像装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の光学結像装置において、
−前記コア構造体が最大コア構造体寸法を有し；
−前記少なくとも１つの支持アームが最大アーム寸法を有し;
−前記最大アーム寸法が前記最大コア構造体寸法のほんの一部の割合の寸法であり;
−前記割合が５％〜１５０％、２０％〜１２０％および３０％〜１００％からなる割合の範囲群から選択される光学結像装置。
【請求項１２】
請求項１０または１１に記載の光学結像装置において、
−前記計測ユニットが付随する計測ユニットに付随し;
−前記付随する計測ユニットがコンポーネント群から選択された前記光学結像装置のコンポーネントに接続され;
−前記コンポーネント群が、前記光学素子、基準構造体および別のもう１つの前記計測支持サブ構造体からなる光学結像装置。
【請求項１３】
請求項１〜１２の何れか一項に記載の光学結像装置において、
−前記計測デバイス群が、具体的には前記光学素子群の第３光学素子サブ群に付随する第３計測デバイスサブ群を有し；
−前記計測支持構造体が第３計測支持サブ構造体を有し;
−前記第３計測支持サブ構造体が前記第３計測デバイスサブ群を支持し；
−少なくとも１つの基準計測デバイスが設けられ、前記第３計測支持サブ構造体が前記支持構造体系の前記耐荷重構造体に別々に支持され;
−前記少なくとも１つの基準計測デバイスが更なる基準計測情報を捕捉するようになされ、該更なる基準計測情報が、少なくとも１つの自由度から６つ全ての自由度において、前記第３計測支持サブ構造体と、前記第１計測支持サブ構造体および前記第２計測支持サブ構造体の内の１つとの間の基準位置および基準配向の内の少なくとも１つを表す更なる基準計測情報を捕捉するようになされた光学結像装置。
【請求項１４】
請求項１〜１３の何れか一項に記載の光学結像装置において、
−前記計測支持構造体が１組の３つの直交方向を画定し;
−前記計測支持構造体が、前記３つの直交方向から選択された最大寸法の方向において、前記３つの直交方向におけるその寸法の最大寸法を有し;
−前記第１計測支持サブ構造体および前記第２計測支持サブ構造体が前記最大寸法の方向において相互に隣接して位置するように前記計測支持構造体が分割され、前記第１計測支持サブ構造体および前記第２計測支持サブ構造体が形成される光学結像装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載の光学結像装置において、
−前記第１計測支持サブ構造体および前記第２計測支持サブ構造体の内の少なくとも１つが、前記最大寸法の方向において、前記３つの直交方向の内の少なくとも別の１つの方向においてその寸法のほんの一部の割合の寸法を有し;
−前記割合が２０％〜８０％、３０％〜７０％および４０％〜６０％の前記割合の範囲群から選択される光学結像装置。
【請求項１６】
請求項１４または１５に記載の光学結像装置において、
−前記計測支持構造体が高さ方向、幅方向および深さ方向を画定し;
−前記最大寸法の方向が前記高さ方向である光学結像装置。
【請求項１７】
請求項１〜１６の何れか一項に記載の光学結像装置において、
−前記計測支持サブ構造体の内の少なくとも１つが材料群より選択され、
−前記材料群が、鉄鋼、アルミニウム（Ａｌ）、チタニウム（Ｔｉ）、インバー合金、タングステン合金、セラミック材料、浸透性炭化ケイ素（ＳｉＳｉＣ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、シリコン（Ｓｉ），炭素繊維強化炭化ケイ素（Ｃ／ＣＳｉＣ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、Ｚｅｒｏｄｕｒ（登録商標）、ＵＬＥ（登録商標）ガラス、石英およびコージェライトからなる光学結像装置。
【請求項１８】
請求項１〜１７の何れか一項に記載の光学結像装置において、以下、すなわち、
−制御ユニットが提供され、該制御ユニットは、前記ステータス情報を前記光学結像装置の能動コンポーネントの制御に使用するようになされる;
−ＵＶ領域、具体的にはＥＵＶ領域の露光光波長で露光光を使用するマイクロリソグラフィで使用するようになされる；
−前記露光光波長の範囲が５ｎｍ〜２０ｎｍである；および
−前記光学素子群の前記光学素子が反射光学素子である、
の内の少なくとも１つである光学結像装置。
【請求項１９】
光学結像装置の計測システムを支持する方法であって、前記光学結像装置が、露光工程において露光光を使って露光光路に沿って、マスクのパターン像を基板に転写するようになされた光学素子群を有する光学投影系を備え、前記方法が、
−計測デバイス群を前記光学素子群とは別に支持するステップであって、前記計測デバイス群が前記光学素子群に付随し、少なくとも１つの自由度から６つ全ての自由度において、前記光学素子の各々の位置および配向の内の少なくとも１つを表すステータス情報を捕捉するようになされたステップを含み;
−前記計測デバイス群を支持するステップが、耐荷重構造体上において、前記計測デバイス群の第１計測デバイスサブ群を第１計測支持サブ構造体によって、そして前記計測デバイス群の第２計測デバイスサブ群を第２計測支持サブ構造体によって別々に支持するステップを含み;
−前記第１計測デバイスサブ群が前記光学素子群の第１光学素子サブ群に付随し、前記第２計測デバイスサブ群が前記光学素子群の第２光学素子サブ群に付随する方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の方法において、
−前記第１計測支持サブ構造体および前記第２計測支持サブ構造体の内の少なくとも１つを防振周波数で防振して前記耐荷重構造体上に支持し;
−前記防振共振周波数範囲を防振共振周波数範囲群から選択し；
−前記防振共振周波数範囲群が０．５Ｈｚ〜８．０Ｈｚの範囲、１．０Ｈｚ〜６．０Ｈｚの範囲および２．０Ｈｚ〜５．０Ｈｚの範囲からなる方法。
【請求項２１】
請求項１９または２０に記載の方法において、以下、すなわち、
−複数の第１耐荷重インターフェースデバイスを介して支持力を前記第１計測支持サブ構造体に導入し、前記第１耐荷重インターフェースデバイスが第１耐荷重インターフェース面を画定し、該第１耐荷重インターフェース面を前記第１計測支持サブ構造体の質量重心に少なくとも近づけて配置する;および
−複数の第２耐荷重インターフェースデバイスを介して支持力を前記第２計測支持サブ構造体に導入し、前記第２耐荷重インターフェースデバイスが第２耐荷重インターフェース面を画定し、該第２耐荷重インターフェース面を前記第２計測支持サブ構造体の質量重心に少なくとも近づけて配置する、
の内の少なくとも１つである方法。
【請求項２２】
請求項１９〜２１の何れか一項に記載の方法において、
−基準計測情報を前記計測デバイス群の少なくとも１つの基準計測デバイスを介して捕捉し;
−前記基準計測情報が、少なくとも１つの自由度から６つ全ての自由度における、前記第１計測支持サブ構造体と前記第２計測支持サブ構造体との間の基準位置および基準配向の内の少なくとも１つを表す方法。
【請求項２３】
請求項２２に記載の方法において、
−少なくとも１つの自由度における前記基準計測情報を、前記少なくとも１つの基準計測デバイスの第２基準計測ユニットと協働する第１基準計測ユニットを使って提供し;
−前記第１基準計測ユニットを前記第１計測支持サブ構造体に接続し;
−前記第２基準計測ユニットを前記第２計測支持サブ構造体に接続する方法。
【請求項２４】
請求項２２または２３に記載の方法において、
−少なくとも１つの自由度における前記基準計測情報を第１相対基準計測ユニット、第２相対基準計測ユニット、第３相対基準計測ユニットおよび第４相対基準計測ユニットを使用して提供し;
−前記第１相対基準計測ユニット、前記第２相対基準計測ユニットは、以下、すなわち;
−前記第１相対基準計測ユニットを前記第１計測支持サブ構造体に接続し、基準ユニットに接続する前記第２相対基準計測ユニットと協働させて、少なくとも１つの自由度から６つ全ての自由度における、前記第１計測支持サブ構造体と前記基準ユニットとの間の第１相対基準位置および第１相対基準配向の内の少なくとも１つを表す第１相対基準計測情報を提供し;
−前記第３相対基準計測ユニットを前記第２計測支持サブ構造体に接続し、前記基準ユニットに接続する前記第４相対基準計測ユニットと協働させて、少なくとも１つの自由度から６つ全ての自由度における、前記第２計測支持サブ構造体と前記基準ユニットとの間の第２相対基準位置および第２相対基準配向の内の少なくとも１つを表す第２相対基準計測情報を提供し；
−前記基準計測情報を前記第１相対基準計測情報および前記第２相対基準計測情報から導き出す方法。
【請求項２５】
請求項２４に記載の方法において、以下、すなわち、
−前記基準ユニットを基準ユニット群から選択し、該基準ユニット群が、前記計測支持構造体の外部にある前記光学結像装置のコンポーネント、前記光学素子の内の１つ、前記光学素子の中で最大質量を有する前記光学素子の内の１つ、および前記光学素子の中の最大慣性を呈するように支持される前記光学素子の内の１つからなる;
−前記第４相対基準計測ユニットおよび前記第２相対基準計測ユニットが前記基準ユニットの最大寸法の一部の割合の距離に位置し、該一部の割合を割合の範囲群から選択し、該割合の範囲群が、０％〜２０％、０％〜１０％および０％〜５％からなる；
−前記第４相対基準計測ユニットおよび前記第２相対基準計測ユニットが距離群から選択した距離に位置し、該距離群が、０ｍｍ〜８０ｍｍ、０ｍｍ〜５０ｍｍおよび０ｍｍ〜２０ｍｍからなる、
の内の少なくとも１つである方法。
【請求項２６】
請求項１９〜２５の何れか一項に記載の方法において、
−具体的に前記光学素子群の第３光学素子サブ群に付随する前記計測デバイス群の第３計測デバイスサブ群を、第３計測支持サブ構造体を介して支持し；
−前記第３計測支持サブ構造体の内の少なくとも１つを前記耐荷重構造体に別々に支持して更なる基準計測情報を捕捉し；
−前記更なる基準計測情報が、少なくとも１つの自由度から６つ全ての自由度における、前記第３計測支持サブ構造体と、前記第１計測支持サブ構造体および前記第２計測支持サブ構造体の内の１つとの間の基準位置および基準配向の内の少なくとも１つを表す方法。
【請求項２７】
光学投影系と支持構造体系とを備える光学結像装置であって、
−前記光学投影系が、露光工程において露光光を使って露光光路に沿って、マスクのパターン像を基板に転写するようになされた光学素子群を有し；
−前記支持構造体系が光学素子支持構造体と計測支持構造体とを有し;
−前記光学素子支持構造体が前記光学素子群を支持し;
−計測デバイス群を支持する前記計測支持構造体が前記光学素子群に付随し、少なくとも１つの自由度から６つ全ての自由度における、前記光学素子の各々の位置および配向の少なくとも１つを表すステータス情報を捕捉するようになされ;
−前記光学素子群が第１光学素子サブ群と第２光学素子サブ群とを有し;
−前記計測デバイス群が前記第１光学素子サブ群に付随する第１計測デバイスサブ群と前記第２光学素子サブ群に付随する第２計測デバイスサブ群とを有し；
−前記計測支持構造体が第１計測支持サブ構造体と第２計測支持サブ構造体とを有し;
−前記第１計測支持サブ構造体が耐荷重構造体上に前記第１計測デバイスサブ群を支持し;
−前記第２計測支持サブ構造体が前記耐荷重構造体上に前記第２計測デバイスサブ群を支持し;
−前記計測デバイス群が基準計測情報を捕捉するようになされた少なくとも１つの基準計測デバイスを有し;
−前記基準計測情報が、少なくとも１つの自由度から６つ全ての自由度における、前記第１計測支持サブ構造体と前記第２計測支持サブ構造体との間の基準位置および基準配向の内の少なくとも１つを表す光学結像装置。
【請求項２８】
請求項２７に記載の光学結像装置において、
−前記少なくとも１つの基準計測デバイスが、少なくとも１つの自由度における、前記基準計測情報の提供において協働するようになされた第１基準計測ユニットと第２基準計測ユニットとを有し;
−前記第１基準計測ユニットが前記第１計測支持サブ構造体に接続され;
−前記第２基準計測ユニットが前記第２計測支持サブ構造体に接続される光学結像装置。
【請求項２９】
請求項２７または２８に記載の光学結像装置において、
−前記少なくとも１つの基準計測デバイスが少なくとも１つの自由度における前記基準計測情報の提供において協働するようになされた、第１相対基準計測ユニット、第２相対基準計測ユニット、第３相対基準計測ユニットおよび第４相対基準計測ユニットを有し;
−前記第１相対基準計測ユニットが前記第１計測支持サブ構造体に接続され、前記第２相対基準計測ユニットが基準ユニットに接続され;
−前記第１相対基準計測ユニットが前記第２相対基準計測ユニットと協働して、少なくとも１つの自由度から６つ全ての自由度における、前記第１計測支持サブ構造体と前記基準ユニットとの間の第１相対基準位置および第１相対基準配向の内の少なくとも１つを表す第１相対基準計測情報を提供するようになされ;
−前記第３相対基準計測ユニットが前記第２計測支持サブ構造体に接続され、前記第４相対基準計測ユニットが前記基準ユニットに接続され;
−前記第３相対基準計測ユニットが前記第４相対基準計測ユニットと協働して、少なくとも１つの自由度から６つ全ての自由度における、前記第２計測支持サブ構造体と前記基準ユニットとの間の第２相対基準位置および第２相対基準配向の内の少なくとも１つを表す第２相対基準計測情報を提供するようになされ;
−前記少なくとも１つの基準計測デバイスが、前記第１相対基準計測情報および前記第２相対基準計測情報から、前記基準計測情報を導き出すようになされた光学結像装置。
【請求項３０】
請求項２９に記載の光学結像装置において、以下、すなわち、
−前記基準ユニットが、前記計測支持構造体の外部にある前記光学結像装置のコンポーネント、前記光学素子の内の１つ、前記光学素子の中で最大重量を有する前記光学素子の内の１つ、および前記光学素子の中で最大慣性を呈するように支持される前記光学素子の内の１つからなる基準ユニット群から選択される;
−前記第４相対基準計測ユニットおよび前記第２相対基準計測ユニットが、０％〜２０％、０％〜１０％および０％〜５％からなる割合の範囲群から選択される、前記基準ユニットの最大寸法の一部の割合である距離に位置する；および
−前記第４相対基準計測ユニットおよび前記第２相対基準計測ユニットが、０ｍｍ〜８０ｍｍ、０ｍｍ〜５０ｍｍおよび０ｍｍ〜２０ｍｍからなる距離群から選択される距離に位置する、
の内の少なくとも１つである光学結像装置。
【請求項３１】
請求項２７〜３０の何れか一項に記載の光学結像装置において、
−前記第１計測支持サブ構造体および前記第２計測支持サブ構造体が前記支持構造体系の耐荷重構造体に別々に支持され;
−前記第１計測支持サブ構造体が、具体的には、第１防振デバイスを介して前記耐荷重構造体上に支持され;
−前記第２計測支持サブ構造体が、具体的には、第２防振デバイスを介して前記耐荷重構造体に支持される光学結像装置。
【請求項３２】
請求項３１に記載の光学結像装置において、
−前記第１防振デバイスおよび前記第２防振デバイスの内の少なくとも１つが防振共振周波数範囲の防振共振周波数を有し;
−前記防振共振周波数が防振共振周波数範囲群から選択され；
−前記防振共振周波数範囲群が０．５Ｈｚ〜８．０Ｈｚの範囲、１．０Ｈｚ〜６．０Ｈｚの範囲、および２．０Ｈｚ〜５．０Ｈｚの範囲よりなる光学結像装置。
【請求項３３】
請求項２７〜３２の何れか一項に記載の光学結像装置において、
−前記第１計測支持サブ構造体が複数の第１耐荷重インターフェースデバイスを有し;
−前記第１耐荷重インターフェースデバイスが、前記第１計測支持サブ構造体を前記耐荷重構造体に支持する際、支持力を前記第１計測支持サブ構造体に導入するようになされ;
−前記第１耐荷重インターフェースデバイスが第１耐荷重インターフェース面を画定し;
−前記第１耐荷重インターフェース面が前記第１計測支持サブ構造体の質量重心の少なくとも近くに配置される光学結像装置。
【請求項３４】
請求項２７〜３３の何れか一項に記載の光学結像装置において、
−前記第２計測支持サブ構造体が複数の第２耐荷重インターフェースデバイスを有し;
−前記第２耐荷重インターフェースデバイスが、前記第２計測支持サブ構造体を前記耐荷重構造体に支持する際、支持力を前記第２計測支持サブ構造体に導入するようになされ;
−前記第２耐荷重インターフェースデバイスが第２耐荷重インターフェース面を画定し;
−前記第２耐荷重インターフェース面が前記第２計測支持サブ構造体の質量重心の少なくとも近くに配置される光学結像装置。
【請求項３５】
請求項２７〜３４の何れか一項に記載の光学結像装置において、
−前記計測支持サブ構造体の内の少なくとも１つは、コア構造体および該コア構造体から突出する少なくとも１つの支持アームを有し;
−前記計測デバイス群が前記支持アームの自由端に機械的に接続される計測ユニットを有する光学結像装置。
【請求項３６】
請求項３５に記載の光学結像装置において、
−前記コア構造体が最大コア構造体寸法を有し；
−前記少なくとも１つの支持アームが最大アーム寸法を有し;
−前記最大アーム寸法が前記最大コア構造体寸法のほんの一部の割合の寸法であり;
−前記一部の割合が５％〜１５０％、２０％〜１２０％および３０％〜１００％からなる割合の範囲群から選択される光学結像装置。
【請求項３７】
請求項３５または３６に記載の光学結像装置において、
−前記計測ユニットが付随する計測ユニットに付随し;
−前記付随する計測ユニットがコンポーネント群から選択された前記光学結像装置のコンポーネントに接続され;
−前記コンポーネント群が、前記光学素子、基準構造体および別のもう１つの前記計測支持サブ構造体からなる光学結像装置。
【請求項３８】
請求項２７〜３７の何れか一項に記載の光学結像装置において、
−前記計測デバイス群が、具体的には前記光学素子群の第３光学素子サブ群に付随する第３計測デバイスサブ群を有し；
−前記計測支持構造体が第３計測支持サブ構造体を有し;
−前記第３計測支持サブ構造体が前記第３計測デバイスサブ群を支持し；
−前記少なくとも１つの基準計測デバイスが更なる基準計測情報を捕捉するようになされ、該更なる基準計測情報が、少なくとも１つの自由度から６つ全ての自由度において、前記第３計測支持サブ構造体と、前記第１計測支持サブ構造体および前記第２計測支持サブ構造体の内の１つとの間の基準位置および基準配向の内の少なくとも１つを表す更なる基準計測情報を捕捉するようになされ；
−前記第３計測支持サブ構造体が、具体的には前記支持構造体系の前記耐荷重構造体に別々に支持される光学結像装置。
【請求項３９】
請求項２７〜３８の何れか一項に記載の光学結像装置において、
−前記計測支持構造体が１組の３つの直交方向を画定し;
−前記計測支持構造体が、前記３つの直交方向から選択された最大寸法の方向において、前記３つの直交方向におけるその寸法の最大寸法を有し;
−前記第１計測支持サブ構造体および前記第２計測支持サブ構造体が前記最大寸法の方向において相互に隣接して位置するように、前記計測支持構造体が分割されて前記第１計測支持サブ構造体および前記第２計測支持サブ構造体が形成される光学結像装置。
【請求項４０】
請求項３９に記載の光学結像装置において、
−前記第１計測支持サブ構造体および前記第２計測支持サブ構造体の内の少なくとも１つが、前記最大寸法の方向において、前記３つの直交方向の内の少なくとも別の１つの方向においてその寸法のほんの一部の割合の寸法を有し;
−前記一部の割合が２０％〜８０％、３０％〜７０％および４０％〜６０％からなる前記割合の範囲群から選択される光学結像装置。
【請求項４１】
請求項３９または４０に記載の光学結像装置において、
−前記計測支持構造体が高さ方向、幅方向および深さ方向を画定し;
−前記最大寸法の方向が前記高さ方向である光学結像装置。
【請求項４２】
請求項２７〜４１の何れか一項に記載の光学結像装置において、
−前記計測支持サブ構造体の内の少なくとも１つが材料群より選択され、
−前記材料群が、鉄鋼、アルミニウム（Ａｌ）、チタニウム（Ｔｉ）、インバー合金、タングステン合金、セラミック材料、浸透性炭化ケイ素（ＳｉＳｉＣ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、シリコン（Ｓｉ），炭素繊維強化炭化ケイ素（Ｃ／ＣＳｉＣ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、Ｚｅｒｏｄｕｒ（登録商標）、ＵＬＥ（登録商標）ガラス、石英およびコージェライトからなる光学結像装置。
【請求項４３】
請求項２７〜４２の何れか一項に記載の光学結像装置において、以下、すなわち、
−制御ユニットが提供され、該制御ユニットは、前記ステータス情報を前記光学結像装置の能動コンポーネントの制御に使用するようになされる;
−ＵＶ領域、具体的にはＥＵＶ領域の露光光波長で露光光を使用するマイクロリソグラフィで使用するようになされる；
−前記露光光波長の範囲が５ｎｍ〜２０ｎｍである；および
−前記光学素子群の前記光学素子が反射光学素子である、
の内の少なくとも１つである光学結像装置。
【請求項４４】
計測システムを使用して光学結像装置の光学素子群のステータス情報を決定する方法であって、前記光学結像装置が、露光工程において露光光を使って露光光路に沿って、マスクのパターン像を基板に転写するようになされた光学素子群を有する光学投影系を備え、前記方法が、
−計測デバイス群を前記光学素子群とは別に支持するステップであって、前記計測デバイス群が前記光学素子群に付随し、少なくとも１つの自由度から６つ全ての自由度において、前記光学素子の各々の位置および配向の内の少なくとも１つを表すステータス情報を捕捉するようになされたステップを含み;
−前記計測デバイス群を支持するステップが、耐荷重構造体上において、前記計測デバイス群の第１計測デバイスサブ群を第１計測支持サブ構造体によって、そして前記計測デバイス群の第２計測デバイスサブ群を第２計測支持サブ構造体によって支持するステップを含み;
−前記第１計測デバイスサブ群が前記光学素子群の第１光学素子サブ群に付随し、前記第２計測デバイスサブ群が前記光学素子群の第２光学素子サブ群に付随し；
前記方法は更に、
−前記計測デバイス群の少なくとも１つの基準計測デバイスを介して基準計測情報を捕捉するステップであって、前記基準計測情報が、少なくとも１つの自由度から６つ全ての自由度において、前記第１計測支持サブ構造体と前記第２計測支持サブ構造体との間の基準位置および基準配向の内の少なくとも１つを表すステップと;
−前記基準計測情報および前記計測デバイス群によって提供される更なる計測情報を使って前記ステータス情報を決定するステップとを含む、方法。
【請求項４５】
請求項４４に記載の方法において、
−少なくとも１つの自由度における前記基準計測情報を、前記少なくとも１つの基準計測デバイスの第２基準計測ユニットと協働する第１基準計測ユニットを使って提供し;
−前記第１基準計測ユニットを前記第１計測支持サブ構造体に接続し;
−前記第２基準計測ユニットを前記第２計測支持サブ構造体に接続する方法。
【請求項４６】
請求項４４または４５に記載の方法において、
−少なくとも１つの自由度における前記基準計測情報を第１相対基準計測ユニット、第２相対基準計測ユニット、第３相対基準計測ユニットおよび第４相対基準計測ユニットを使用して提供し;
−前記第１相対基準計測ユニット、前記第２相対基準計測ユニットは、以下、すなわち;
−前記第１相対基準計測ユニットを前記第１計測支持サブ構造体に接続し、基準ユニットに接続する前記第２相対基準計測ユニットと協働させて、少なくとも１つの自由度から６つ全ての自由度における、前記第１計測支持サブ構造体と前記基準ユニットとの間の第１相対基準位置および第１相対基準配向の内の少なくとも１つを表す第１相対基準計測情報を提供し;
−前記第３相対基準計測ユニットを前記第２計測支持サブ構造体に接続し、前記基準ユニットに接続する前記第４相対基準計測ユニットと協働させて、少なくとも１つの自由度から６つ全ての自由度における、前記第２計測支持サブ構造体と前記基準ユニットとの間の第２相対基準位置および第２相対基準配向の内の少なくとも１つを表す第２相対基準計測情報を提供し；
−前記基準計測情報を前記第１相対基準計測情報および前記第２相対基準計測情報から導き出す方法。
【請求項４７】
請求項４６に記載の方法において、以下、すなわち、
−前記基準ユニットを基準ユニット群から選択し、該基準ユニット群が、前記計測支持構造体の外部の前記光学結像装置のコンポーネント、前記光学素子の内の１つ、前記光学素子の中で最大質量を有する前記光学素子の内の１つ、および前記光学素子の中の最大慣性を呈するように支持される前記光学素子の内の１つからなる;
−前記第４相対基準計測ユニットおよび前記第２相対基準計測ユニットが前記基準ユニットの最大寸法の一部の割合の距離に位置し、該一部の割合を割合の範囲群から選択し、該割合の範囲群が、０％〜２０％、０％〜１０％および０％〜５％からなる；
−前記第４相対基準計測ユニットおよび前記第２相対基準計測ユニットが距離群から選択した距離に位置し、該距離群が、０ｍｍ〜８０ｍｍ、０ｍｍ〜５０ｍｍおよび０ｍｍ〜２０ｍｍからなる；および
−前記計測デバイス群を支持するステップが、耐荷重構造体上において、前記計測デバイス群の第１計測デバイスサブ群を第１計測支持サブ構造体によって、そして前記計測デバイス群の第２計測デバイスサブ群を第２計測支持サブ構造体によって別々に支持するステップを含む、
の内の少なくとも１つである方法。
【請求項４８】
請求項４７に記載の方法において、
−前記第１計測支持サブ構造体および前記第２計測支持サブ構造体の内の少なくとも１つを、防振周波数で防振して前記耐荷重構造体上に支持し;
−前記防振共振周波数範囲を防振共振周波数範囲群から選択し；
−前記防振共振周波数範囲群が０．５Ｈｚ〜８．０Ｈｚの範囲、１．０Ｈｚ〜６．０Ｈｚの範囲および２．０Ｈｚ〜５．０Ｈｚの範囲からなる方法。
【請求項４９】
請求項１９または２０に記載の方法において、以下、すなわち、
−複数の第１耐荷重インターフェースデバイスを介して支持力を前記第１計測支持サブ構造体に導入し、前記第１耐荷重インターフェースデバイスが第１耐荷重インターフェース面を画定し、該第１耐荷重インターフェース面を前記第１計測支持サブ構造体の質量重心に少なくとも近づけて配置する;および
−複数の第２耐荷重インターフェースデバイスを介して支持力を前記第２計測支持サブ構造体に導入し、前記第２耐荷重インターフェースデバイスが第２耐荷重インターフェース面を画定し、該第２耐荷重インターフェース面を前記第２計測支持サブ構造体の質量重心に少なくとも近づけて配置する、
の内の少なくとも１つである方法。
【請求項５０】
請求項１９〜２５の何れか一項に記載の方法において、
−具体的に前記光学素子群の第３光学素子サブ群に付随する前記計測デバイス群の第３計測デバイスサブ群を第３計測支持サブ構造体を介して支持し；
−前記第３計測支持サブ構造体の内の少なくとも１つを前記耐荷重構造体に別々に支持して更なる基準計測情報を捕捉し；
−前記更なる基準計測情報が、少なくとも１つの自由度から６つ全ての自由度における、前記第３計測支持サブ構造体と、前記第１計測支持サブ構造体および前記第２計測支持サブ構造体の内の１つとの間の基準位置および基準配向の内の少なくとも１つを表し;
−前記更なる基準計測情報を使って前記ステータス情報を決定する方法。
【請求項５１】
光学結像方法であって、
−光学素子群を有する光学結像装置を使用し、露光工程において露光光を使用して露光光路に沿って、マスクのパターン像を基板上に転写するステップを含み、
−前記露光工程中、前記光学結像装置の能動コンポーネントを、請求項４４〜５０の何れか一項に記載の方法を用い、前記光学素子群のステータス情報を使って制御する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光工程で使用される光学結像装置、具体的にはマイクロリソグラフィシステムの光学結像装置に関する。本発明は更に、光学投影ユニットのコンポーネントを支持する方法に関する。本発明は、マイクロ電子デバイス、具体的には半導体デバイスを製造するフォトリソグラフィ工程、またはこのようなフォトリソグラフィ工程で使用されるマスクやレチクルなどのデバイスの製造において使用することができる。
【背景技術】
【０００２】
典型的に、半導体デバイスなどのマイクロ電子デバイスの製造において使用される光学系は、光学系の光路内に配置されるレンズやミラーなどの光学素子を含んだ複数の光学素子を備えている。これらの光学素子は通常露光工程において協働して、マスク、レチクルなどに形成されたパターン像をウエハなどの基板に転写する。このような光学素子は通常、１つまたは複数の機能的に異なる光学素子群に組み込まれる。これらの別個の光学素子群は別個の光学露光ユニットによって保持することができる。具体的には、主に屈折系において、このような光学露光ユニットは、通常１つまたは複数の光学素子を保持する多くの光学素子モジュールから構成される。通常これらの光学素子モジュールは、各々が光学素子を保持する１つまたは複数の光学素子ホルダを支持する、外部にある略リング状の支持デバイスを備えている。
【０００３】
レンズなどの、少なくとも主に屈折光学素子を有する光学素子群は、通常光軸と称される、光学素子の直線の左右対称軸を有する。更に、このような光学素子群を保持する光学露光ユニットは通常細長く、ほぼ管状に設計されているため、典型的には鏡筒とも称される。
【０００４】
半導体デバイスの微細化が進んでいるため、これらの半導体デバイスの製造に使用される光学系の分解能を高める必要性が常にある。分解能を高めるこのような必要性により、光学系の開口数（ＮＡ）や結像精度を増大させる必要性が明らかに高まる。
【０００５】
分解能の向上を実現させる手法として、露光工程で使用される光の波長の短縮がある。近年、５ｎｍ〜２０ｎｍ、典型的には約１３ｎｍの波長を使用する、極端紫外線（ＥＵＶ）領域の光を使用する手法がとられてきた。このＥＵＶ領域においては、一般の屈折光学をもはや使用することはできない。これは、このＥＵＶ領域において、屈折光学素子に一般に使用される材料が、高品質の露光結果を得るには高すぎる吸収度を示すという事実によるものである。よってＥＵＶ領域では、マスクに形成されたパターン像を基板、例えばウエハに転写するために、ミラーなどの反射素子を有する反射系が露光工程において使用される。
【０００６】
ＥＵＶ領域での高開口数（例えばＮＡ＞０．４〜０．５）反射系の使用への移行は、光学結像装置の設計に関するかなりの課題をもたらす。
【０００７】
極めて重要な精度要求の１つに、基板上における像の位置精度があり、これは視線（ＬｏＳ）精度とも称される。視線精度は典型的に開口数の略逆数に比例する。従って視線精度は、開口数ＮＡ＝０．３３の光学結像装置よりも開口数ＮＡ＝０．４５の光学結像装置の方が１．４倍小さい。典型的に、視線精度範囲は開口数ＮＡ＝０．４５の場合、０．５ｎｍ未満である。露光工程においてダブルパターニングも可能な場合、典型的に、精度を更に１．４倍下げなくてはならないだろう。よってこの場合、視線精度は０．３ｎｍを下回りさえもするだろう。
【０００８】
特に上述のことによって露光工程に関わるコンポーネント間の相対位置に関する要件が非常に厳しくなる。更に、高品質の半導体デバイスを確実に得るには、結像精度の高い光学系を設けさえすればいいというわけではなく、このような高い精度を露光工程全体およびシステムの寿命にわたって維持する必要がある。そのためには、光学結像装置のコンポーネント、すなわち露光工程において協働する、例えばマスク、光学素子およびウエハを明確に規定された方法で支持し、これらの光学結像装置のコンポーネント間の所定の空間関係を維持して、高品質の露光工程を提供しなければならない。
【０００９】
特に装置を支持する接地構造体、および／または加速質量など（例えば移動するコンポーネント、乱れた流体の流れなど）、振動外乱の内部線源を介して導入される振動の影響下、ならびに熱的に誘発される位置変化の影響下においても、光学結像装置のコンポーネント間の所定の空間関係を露光工程全体にわたって維持するには、光学結像装置の特定のコンポーネント間の空間関係を少なくとも断続的に捕捉し、この捕捉工程の結果に応じて光学結像装置におけるコンポーネントの内の少なくとも１つの位置を調整する必要がある。
【００１０】
従来のシステムにおいて、露光工程において協働するコンポーネント間の空間関係を捕捉するこの工程は、能動的に調整される結像装置の部品をすぐに同期化できるように、光学投影系の中心支持構造体および基板システムを共通の基準として使用する計測システムを介して行われる。
【００１１】
一方で開口数の増大は、典型的に、光学素子の光学設置面積とも称される、使用される光学素子のサイズの増大をもたらす。使用される光学素子の光学設置面積の増大は、それらの動力学的特性および上述の調整を実現するために使用される制御系に悪影響を及ぼす。更に光学設置面積の増大は、典型的に、光線入射角の増大をもたらす。しかしながら、そのように増大した大きな光線入射角においては、光学素子の反射面の生成に典型的に使用される多層コーティングの透過率が大きく低下し、光パワーの望ましくない損失と、吸収による光学素子の加熱の増大がもたらされるのは明らかである。その結果、商業的に許容可能なスケールでこのような結像を可能とするために、更に大きな光学素子を使用しなければならなくなる。
【００１２】
このような状況によって、相互の間隔が６０ｍｍ未満という非常に近接して配置される、光学設置面積１ｍ×１ｍ以下の比較的大きな光学素子を有する光学結像装置がもたらされる。典型的には、極めて低い歪みを要求する高開口数ＮＡを有するこのようなシステムにおいて、光路長が２ｍ以上に達し、物体像シフトが５０ｃｍ以上に達する。これらのコア形状によって、光学素子の光学素子支持構造体および計測システムの計測支持構造体などの支持構造体の全体的なサイズが基本的に決定される。典型的に、支持構造体の全体的な寸法はおよそ２ｍ×１．２ｍ×１．５ｍに達する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
上述の状況から発生する問題として、このように大きな構造体の剛性が一般的に低いことがある。このように剛性の低い支持構造体は調整制御性能を更に制限する一因となるだけでなく、残留低周波振動外乱によって生じるそれぞれの構造体の準静的変形による残差誤差の一因ともなる。このような残留低周波振動外乱は、それぞれの支持構造体が防振して支持されても尚存在することがある。従って振動外乱による悪影響が一層際立つ。
【００１４】
単純と思われる解決策として、それぞれの支持構造体の剛性および、従って共振周波数を増大させることがある。しかしながらこのような手法には明らかな実用的制限がある。極めて重大な制限は、このように高精度な結像装置においては、適切な動力学的および熱的特性を実現するために必要とされる適切な材料からこのように大きな構造体を製造する方法が簡単に利用できないことである。
【００１５】
このような残留低周波振動外乱を能動的に処理する能力における更なる制限は、ドリフトやノイズの悪影響をそれぞれ回避した十分な精度でこのような残留低周波加速を実際に得ることが困難なことである。
【００１６】
そこで本発明の目的は、上述の欠点を少なくともある程度克服し、露光工程で使用される光学結像装置の良好かつ長期にわたって確実な結像特性を提供することである。
【００１７】
本発明の更なる目的は、光学結像装置に必要な作業を減らしつつ、露光工程で使用される光学結像装置の結像精度を少なくとも維持することである。
【００１８】
本発明の更なる目的は、光学結像装置の光学系に導入される残留低周波振動外乱の結像品質への悪影響を低減することである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
これらの目的は本発明によって実現される。本発明は、一態様によれば、低周波振動外乱の存在下であっても、計測支持構造体が結像系で使用される計測デバイスのサブ群を支持する複数のより小さな個々のサブ構造体に分割されるのであれば、光学結像装置に必要な作業の全体的な削減が、光学結像装置の結像精度を少なくとも維持しながら実現できるという技術的教示に基づくものである。このような別個のより小さなサブ構造体への分割は、これらのサブ構造体が、そのサイズの低減によって、剛性、従って共振周波数の増大されたコンポーネントとしてより簡単に設計できるという大きな利点がある。このような剛性および共振周波数の増大により、これらの支持構造体は低周波振動外乱の影響を受けることが少なくなり、それぞれの支持構造体の準静的変形が大幅に低減され、最終的には結像精度が上がる。
【００２０】
なお、多くの場合、実行される特定の結像工程において、結像品質に関連する空間の全ての自由度（ＤＯＦ）（すなわち、少なくとも１つまたは複数の自由度、典型的には全部で６つの自由度）において、それぞれの計測支持サブ構造体によって支持される計測デバイスサブ群間の空間関係を決定するいくつかの追加の計測装置を提供することが必要であろう。しかしながらこの追加の計測装置に関する作業よりも、それぞれの支持サブ構造体の大幅に低減された準静的変形によって実現される利点および結像精度に関するその明らかな利点、ならびにそれぞれのサブ構造体の最終的な防振支持に関する要件の緩和の方が大きな価値がある。
【００２１】
よって本発明の第１の態様によれば、光学投影系および支持構造体系を備える光学結像装置を提供する。この光学投影系は、露光工程において露光光を使って露光光路に沿って、マスクのパターン像を基板に転写するようになされた光学素子群を有する。支持構造体系は光学素子支持構造体および計測支持構造体を有する。光学素子支持構造体は光学素子群を支持し、計測支持構造体は光学素子群に付随し、少なくとも１つの自由度から６つ全ての自由度における、各光学素子の位置および配向の内の少なくとも１つを表すステータス情報を捕捉するようになされた計測デバイス群を支持する。光学素子群は第１光学素子サブ群および第２光学素子サブ群を有し、計測デバイス群は第１光学素子サブ群に付随する第１計測デバイスサブ群および第２光学素子サブ群に付随する第２計測デバイスサブ群を有する。計測支持構造体は第１計測支持サブ構造体および第２計測支持サブ構造体を有し、第１計測支持サブ構造体は第１計測デバイスサブ群を支持し、第２計測支持サブ構造体は第２計測デバイスサブ群を支持する。第１計測支持サブ構造体および第２計測支持構造体は支持構造体系の耐荷重構造体に別々に支持される。
【００２２】
本発明の第２の態様によれば、光学結像装置の計測システムを支持する方法を提供し、光学結像装置は、露光工程において露光光を使って露光光路に沿って、マスクのパターン像を基板に転写するようになされた光学素子群を有する光学投影系を備える。この方法は、計測デバイス群を光学素子群とは別々に支持するステップを含み、計測デバイス群は光学素子群に付随し、少なくとも１つの自由度から６つ全ての自由度における、各光学素子の位置および配向の内の少なくとも１つを表すステータス情報を捕捉するようになされる。計測デバイス群を支持するステップは、耐荷重構造体上に、計測デバイス群の第１計測デバイスサブ群を第１計測支持サブ構造体によって、そして計測デバイス群の第２計測デバイスサブ群を第２計測支持サブ構造体によって別々に支持するステップを含む。第１計測デバイスサブ群は光学素子群の第１光学素子サブ群に付随し、第２計測デバイスサブ群は光学素子群の第２光学素子サブ群に付随する。
【００２３】
本発明の第３の態様によれば、光学投影系および支持構造体系を備える光学結像装置を提供する。光学投影系は、露光工程において露光光を使って露光光路に沿って、マスクのパターン像を基板に転写するようになされた光学素子群を有する。支持構造体系は光学素子支持構造体および計測支持構造体を有する。光学素子支持構造体は光学素子群を支持し、計測支持構造体は光学素子群に付随し、少なくとも１つの自由度から６つ全ての自由度における、各光学素子の位置および配向の内の少なくとも１つを表すステータス情報を捕捉するようになされた計測デバイス群を支持する。光学素子群は第１光学素子サブ群および第２光学素子サブ群を有する。計測デバイス群は第１光学素子サブ群に付随する第１計測デバイスサブ群と、第２光学素子サブ群に付随する第２計測デバイスサブ群とを備える。計測支持構造体は第１計測支持サブ構造体および第２計測支持サブ構造体を有し、第１計測支持サブ構造体は耐荷重構造体上で第１計測デバイスサブ群を支持し、第２計測支持サブ構造体は耐荷重構造体で第２計測デバイスサブ群を支持する。計測デバイス群は基準計測情報を捕捉するようになされた少なくとも１つの基準計測デバイスを備え、この基準計測情報は、少なくとも１つの自由度から６つ全ての自由度における、第１計測支持サブ構造体と第２計測支持サブ構造体との間の基準位置および基準配向の内の少なくとも１つを表すものである。
【００２４】
本発明の第４の態様によれば、計測システムを使って光学結像装置の光学素子群のステータス情報を決定する方法を提供し、この光学結像装置は、露光工程において露光光を使って露光光路に沿って、マスクのパターン像を基板に転写するようになされた光学素子群を有する光学投影系を備える。本方法は光学素子群とは別に計測デバイス群を支持するステップを含み、計測デバイス群は光学素子群に付随し、少なくとも１つの自由度から６つ全ての自由度における、各光学素子の位置および配向の内の少なくとも１つを表すステータス情報を捕捉するようになされる。計測デバイス群を支持するステップは、耐荷重構造体上に、計測デバイス群の第１計測デバイスサブ群を第１計測支持サブ構造体で、そして計測デバイス群の第２計測デバイスサブ群を第２計測支持サブ構造体で支持するステップを含む。第１計測デバイスサブ群は光学素子群の第１光学素子サブ群に付随し、第２計測デバイスサブ群は光学素子群の第２光学素子サブ群に付随する。本方法は、計測デバイス群の少なくとも１つの基準計測デバイスを介して基準計測情報を捕捉するステップを更に含み、基準計測情報は、少なくとも１つの自由度から６つ全ての自由度における、第１計測支持サブ構造体と第２計測支持サブ構造体との間の基準位置および基準配向の内の少なくとも１つを表す。本方法は、基準計測情報、および更に計測デバイス群によって提供される更なる計測情報を使用してステータス情報を決定するステップを更に含む。
【００２５】
本発明の第５の態様によれば、光学素子群を有する光学結像装置を使用して、露光工程において露光光を使って露光光路に沿って、マスクのパターン像を基板に転写するステップを含む光学結像方法を提供する。露光工程中、光学結像装置の能動コンポーネントを、本発明による光学素子群のステータス情報を決定する方法を用い、光学素子群のステータス情報を使って制御する。
【００２６】
本発明の更なる態様および実施形態は、以下の従属請求項および添付の図面に関する好適な実施形態の説明から明らかとなる。開示される特徴の全ての組み合わせは、それが請求項に明示的に記載されているいないに関わらず、本発明の範囲内である。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明による方法の好適な実施形態を実行することのできる、本発明による光学結像装置の好適な実施形態の概略図である。
【図２】図１の光学結像装置の一部の概略図である。
【図３】図２の光学結像装置の一部の機械的ブロック図である。
【図４】組み立て前テスト状態の、図２に示す光学結像装置の一部の概略図である。
【図５】図１の光学結像装置で実施することのできる、本発明による計測システムを支持する方法の好適な実施形態を含む、本発明による光学素子群のステータス情報を決定する方法の好適な実施形態のブロック図である。
【図６】本発明による更なる好適な実施形態を実施することのできる、本発明による光学結像装置の更なる好適な実施形態の一部の概略図である。
【図７】図６の光学結像装置の一部の機械的ブロック図である。
【図８】本発明による光学結像装置の更なる好適な実施形態の一部の機械的ブロック図である。
【図９】本発明による光学結像装置の更なる好適な実施形態の一部の機械的ブロック図である。
【発明を実施するための形】
【００２８】
第１の実施形態
【００２９】
本発明による方法の好適な実施形態を実行することのできる、本発明による光学結像装置１０１の好適な第１の実施形態を、図１〜図５を参照して以下に説明する。以下の説明の理解を容易にするために、図にｘｙｚ座標系を導入し、ｚ方向は垂直方向（すなわち重力方向）を示す。
【００３０】
図１は、ＥＵＶ領域において１３ｎｍの波長で作動する光学露光装置１０１の形態における光学結像装置の、高度に簡略化されたノンスケール図である。光学露光装置１０１は、マスク１０３．１（マスクユニット１０３のマスクテーブル１０３．２に位置する）上に形成されたパターンの像を基板１０４．１（基板ユニット１０４の基板テーブル１０４．２上に位置する）に転写するようになされた光学投影ユニット１０２を備える。このために、光学露光装置１０１は、適切な導光系（図示せず）を介して反射マスク１０３．１を照明する照明系１０５を有する。光学投影ユニット１０２はマスク１０３．１から反射された光（主光線１０５．１で表示）を受け、マスク１０３．１上に形成されたパターン像を基板、例えばウエハなどに投影する。
【００３１】
このために、光学投影ユニット１０２は、光学素子ユニット１０６．１〜１０６．６の光学素子ユニット群１０６を保持する。この光学素子ユニット群１０６は光学素子支持構造体１０２．１内に保持される。光学素子支持構造体１０２．１は光学投影ユニット１０２の筐体構造の形態をとることができ、光学投影ユニット１０２は、以下において、投影光学ボックス構造体（ＰＯＢ）１０２．１とも称される。しかしながら、この光学素子支持構造体は必ずしも光学素子ユニット群１０６の完全な、またはタイト（tight）な容器の形態である必要はないと理解されよう。むしろ本例のように、部分的に開放構造を形成してもよい。
【００３２】
本発明の意味において、光学素子ユニットをただミラーなどの光学素子だけで構成することができることを理解されよう。しかしながら、このような光学素子ユニットは、このような光学素子を保持するホルダなどのコンポーネントを更に備えることができる。
【００３３】
投影光学ボックス構造体１０２．１は耐荷重構造体１０７に防振して支持され、そして、接地またはベース構造体１１１に支持される。耐荷重構造体１０７は、０．０５Ｈｚ〜８．０Ｈｚ、好適には０．１Ｈｚ〜１．０Ｈｚ、より好適には０．２Ｈｚ〜０．６Ｈｚの防振共振周波数で防振して接地またはベース構造体１１１に支持される。更に、典型的に、減衰比は５％〜６０％、好適には１０％〜３０％、より好適には２０％〜２５％の範囲で選択される。本例において、耐荷重構造体１０７の防振支持のために、１５％〜３５％の減衰比で０．２５Ｈｚ〜２Ｈｚの防振共振周波数が選択される。
【００３４】
また、（防振された）接地またはベース構造体１１１は、マスクテーブル支持デバイス１０３．３を介してマスクテーブル１０３．２を、そして基板テーブル支持デバイス１０４．３を介して基板テーブル１０４．２を支持する。しかしながら本発明の他の実施形態において、耐荷重構造体１０７はマスクテーブル１０３．２および基板テーブル１０４．２を（好適には防振して）支持することもできると理解されよう。
【００３５】
投影光学ボックス構造体１０２．１は、良好な防振を実現するために、複数の防振デバイスおよび少なくとも１つの中間支持構造体ユニットを介してカスケード的に支持されると理解されよう。一般に、これらの防振デバイスは、幅広い周波数領域にわたって良好な防振を実現するために異なる防振周波数を有することもできる。
【００３６】
光学素子ユニット群１０６は全部で６つの光学素子ユニット、すなわち第１光学素子ユニット１０６．１、第２光学素子ユニット１０６．２、第３光学素子ユニット１０６．３、第４光学素子ユニット１０６．４、第５光学素子ユニット１０６．５および第６光学素子ユニット１０６．６を有する。本実施形態において、光学素子ユニット１０６．１〜１０６．６の各々は以下においてミラーＭ１〜Ｍ６とも称する、ミラーの形態の光学素子より構成される。
【００３７】
本実施形態において、ミラー１０６．２（Ｍ２）、ミラー１０６．３（Ｍ３）およびミラー １０６．４（Ｍ４）は、本発明の意味において第１光学素子サブ群１０６．７を形成し、ミラー１０６．１（Ｍ１）、ミラー１０６．５（Ｍ５）およびミラー１０６．６（Ｍ６）は第２光学素子サブ群１０６．８を形成する。
【００３８】
しかしながら、本発明の他の実施形態では、（上述の様に）光学素子ユニットはそれぞれ、例えば、光学素子を保持して光学素子ユニットを支持構造体に接続させる支持ユニットのインターフェースを最終的に形成する開口絞り、ホルダまたはリテーナなどの更なるコンポーネントを（光学素子自身以外に）有することができると理解されよう。
【００３９】
更に、本発明の他の実施形態では、別の数の光学素子ユニットを使用することできると更に理解されよう。好適には４〜８ケの光学素子ユニットを設けることができる。
【００４０】
ミラー１０６．１（Ｍ１）〜１０６．６（Ｍ６）の各々は、付随する支持デバイス１０８．１〜１０８．６によって、投影光学ボックス構造体１０２．１によって形成される支持構造体上に支持される。支持デバイス１０８．１〜１０８．６の各々は、ミラー１０６．１〜１０６．６の各々が規定の制御帯域幅で能動的に支持されるように、能動デバイスとして形成される。
【００４１】
本例において、光学素子ユニット１０６．６は、光学素子ユニット群１０６の第１光学素子ユニットを形成する大きくて重いコンポーネントであり、その他の光学素子ユニット１０６．１〜１０６．５は、光学素子ユニット群１０６の複数の第２光学素子ユニットを形成する。第１光学素子ユニット１０６．６は低い第１制御帯域幅で能動的に支持され、第２光学素子ユニット１０６．１〜１０６．５は、２０１２年３月３日に出願された国際特許出願ＰＣＴ／ＥＰ２０１２／０５３７４３（この開示全体を本明細書に参照として援用する）に開示されるように、第２制御帯域幅で能動的に支持され、各第２光学素子ユニット１０６．１〜１０６．５の第１光学素子ユニット１０６．６に対する一定の空間関係が実質的に維持される。
【００４２】
本例において、マスクテーブル支持デバイス１０３．３および基板テーブル支持デバイス１０４．３に対して同様の能動的な支持コンセプトが選択され、これらのデバイスはどちらもそれぞれ第３および第４制御帯域幅で能動的に支持され、マスクテーブル１０３．２および基板テーブル１０４．２の、第１光学素子ユニット１０６．６に対するそれぞれの一定の空間関係が実質的に維持される。しかしながら本発明のその他の実施形態では、マスクテーブルおよび／または基板テーブルに対して別の支持コンセプトを選択してもよい。
【００４３】
更なる詳細を以下に示すように、能動支持デバイス１０８．１〜１０８．６、１０３．３および１０４．３の制御は計測装置１１０の信号に応じて、制御ユニット１０９によって行われる。結像工程に関わるコンポーネントの調整制御は以下の様に行われる。
【００４４】
第１光学素子ユニット１０６．６の能動的な低帯域幅支持を実現するために、第１光学素子ユニット１０６．６の第１支持デバイス１０８．６は、第１光学素子ユニット１０６．６の計測装置１１０のコンポーネントに対する調整を、５Ｈｚ〜１００Ｈｚ、好適には４０Ｈｚ〜１００Ｈｚの第１調整制御帯域幅で行うようになされ、制御される。
【００４５】
更に、第２光学素子ユニット１０６．１〜１０６．５、マスクテーブル１０３．２および基板テーブル１０４．２の能動支持をそれぞれ実現するために、第２光学素子ユニット１０６．１〜１０６．５の各第２支持デバイス１０８．１〜 １０８．５、ならびにマスクテーブル支持デバイス１０３．３および基板テーブル支持デバイス１０４．３は、それぞれ関連する光学素子ユニット１０６．１〜１０６．５、マスクテーブル１０３．２および基板テーブル１０４．２の調整が、５Ｈｚ〜４００Ｈｚ，好適には２００Ｈｚ〜３００Ｈｚの範囲の第２、第３および第４調整制御帯域幅においてそれぞれ行われるようになされ、制御される。本発明の特定の実施形態においては、第２制御帯域幅が第２支持デバイス１０８．１〜１０８．５のうちで異なることがあると理解されよう。
【００４６】
従来の設計と比較すると、本実施形態は修正された支持戦略に従っており、この戦略によれば、ＥＵＶマイクロリソグラフィにおいて典型的に要求される高い制御帯域幅の到達に関して最も深刻な問題をもたらす、大きくて重い第１光学素子ユニット１０６．６は、低帯域幅（この帯域幅では、この光学素子ユニット１０６．６の制御をすぐに実現することができる）で制御され、能動的に支持され、一方で、露光工程に関わるその他のコンポーネント、すなわち、第２光学素子ユニット１０６．１〜１０６．５、マスクテーブル１０３．２および基板テーブル１０４．２は、第１光学素子ユニット１０６．６に対する、すなわち相互間の十分に安定した正確な空間関係が維持されるように制御される。
【００４７】
よって、本例において、結像工程に関わる全てのコンポーネント（すなわち、ミラー１０６．１〜１０６．６、マスク１０３．１および基板１０４．１）が能動的に制御されているという事実にもかかわらず、第１光学素子ユニット１０６．６の調整制御帯域幅における大幅に緩和された要件は、個々のコンポーネントの能動的支持のために増大する費用よりも価値あるものである。具体的には、第６ミラー１０６．６（光学設置面積１．５ｍ×１．５ｍ以下、質量３５０ｋｇ以下）のような大型光学設置面積コンポーネントの調整制御は、典型的に２００Ｈｚ〜３００Ｈｚの調整制御帯域幅（低共振周波数のため、このような大型光学設置面積コンポーネントには到達が困難な制御帯域幅）が使用される、または必要であると考えられる従来のシステムよりも大幅に簡易化される。
【００４８】
通常、マスク１０３．１に形成されるパターン像は縮小されて、基板１０４．１のいくつかの対象領域に転写される。マスク１０３．１に形成されたパターン像は、光学露光装置１０１の設計に応じた２つの異なる方法で、基板１０４．１上のそれぞれの対象領域に転写することができる。光学露光装置１０１がいわゆるウエハステッパ装置として設計されている場合、パターンの全体像は、マスク１０３．１上に形成された全体像を照射する１つのステップにおいて、基板１０４．１上のそれぞれの対象領域に転写される。光学露光装置１０１がいわゆるステップ＆スキャン装置として設計されている場合、パターン像は、基板テーブル１０４．２および、従って、基板１０４．１の対応するスキャン動作を同時に行いながら、マスクテーブル１０３．２および、よって、マスク１０３．１に形成されたパターンを投影光線の下で徐々にスキャンすることによって、基板１０４．１上のそれぞれの対象領域に転写される。
【００４９】
どちらの場合も、高品質の結像結果を得るためには、露光工程に関わるコンポーネント間の所定の空間関係（すなわち光学素子ユニット群１０６の光学素子間の空間関係、すなわちミラー１０６．１〜１０６．６の相互間ならびにそれらのマスク１０３．１および基板１０４．１に対する空間関係）を所定の制限内に維持しなければならない。
【００５０】
光学露光装置１０１の作動中、ミラー１０６．１〜１０６．６の相互間ならびにそれらのマスク１０３．１および基板１０４．１に対する相対位置は、システム内に導入される内因性および外因性の外乱による変化の影響を受ける。このような外乱は、システムそれ自身において発生する力だけでなく、例えば耐荷重構造体１０７（それ自身が接地構造体１１１上に支持されている）などのシステムの周囲のものを介して導入される力による振動の形態の、機械的な外乱である場合もある。これは熱誘発外乱、例えばシステムの部品の熱膨張による位置の変化である場合もある。
【００５１】
ミラー１０６．１〜１０６．６の相互間ならびにそれらのマスク１０３．１および基板１０４．１に対する空間関係に関する上述の所定の制限を維持するために、ミラー１０６．１〜１０６．６の各々は、それらの各支持デバイス１０８．１〜１０８．６を介して空間に能動的に位置決めされる。同様に、マスクテーブル１０３．２および基板テーブル１０４．２は、それぞれ支持デバイス１０３．３および１０４．３を介して空間に能動的に位置決めされる。
【００５２】
以下において、結像工程に関わるコンポーネント１０６．１〜１０６．６、１０３．１および１０４．１の空間的調整の制御コンセプトを、図１および図２を参照して説明する。上述の様に、コンポーネント１０６．１〜１０６．６、１０３．１および１０４．１の、６つ全ての自由度における調整の制御は、接続され、上記に概略を説明する特定の調整制御帯域幅で、支持デバイス１０８．１〜１０８．６、１０３．３および１０４．３（図１において、制御ユニット１０９およびそれぞれの支持デバイスに実線および点線で表示）の各々に対応する制御信号を提供する制御ユニット１０９を使用して行われる。
【００５３】
しかしながら、本発明の他の実施形態において、結像工程に関わる特定のコンポーネントまたは全てのコンポーネントに、６つ全ての自由度において能動的な調整制御を提供する必要はないと理解されよう。例えば、特定の自由度においてのみ（結像工程に関わる個々のコンポーネントまたは全てのコンポーネントの）変化に対する感受性を有する結像誤差挙動を持つ特定の結像装置の設計の場合、必要であれば、これらの特定の自由度に関連するコンポーネントの制御調整のみを考慮すれば十分であり、他の自由度に関しては、それらは結像品質に対して影響を与えないので、無視してもよい。
【００５４】
本例において、制御ユニット１０９はその制御信号を、６つ全ての自由度（図１および２において点線で表示）におけるコンポーネント１０６．１〜１０６．６、１０３．１および１０４．１の各々の位置および配向を表す情報を本発明の意味においてステータス情報として捕捉する計測装置１１０の計測信号に応じて生成する。
【００５５】
上述の様に、計測装置１１０は、光学設置面積の大きな第６ミラー１０６．６を、結像工程に関わる全ての他のコンポーネント１０６．１〜１０６．５、１０３．１および１０４．１の基準となる慣性基準（すなわち基準光学素子ユニット）として使用する。図１を見るとわかるように、第６ミラー１０６．６は光路において、マスク１０３．１に形成されたパターン像を基板１０４．１に転写する際、露光光１０５．１が最後にぶつかる最後のミラーユニットである。
【００５６】
このために、計測装置１１０は、耐荷重構造体１０７によって支持される投影系計測支持構造体１１２に機械的に接続される計測デバイス群１１０．１〜１１０．６と、マスクテーブル１０３．２および基板テーブル１０４．２にそれぞれそのまま（高度に概略的に）付随する更なる計測デバイス１１３および１１４とを備える。
【００５７】
本実施形態において、各計測デバイス１１０．１〜１１０．６は、投影系計測支持構造体１１２と機械的に接続され、それぞれのミラー１０６．１〜１０６．６に機械的に直接接続された付随する基準素子１１５．２と協働する、複数のセンサヘッド１１５．１を有する。同様の事は計測デバイス１１３および１１４にもそれぞれ当てはまる。
【００５８】
「機械的に直接接続された」という用語は、本発明において、片方の部分の位置をもう片方の部分の位置を測定することによって確実に決定することを可能とする、部分間の短い距離（もしあれば）を含む、２つの部品間の直接的な接続であると理解されよう。具体的に、この用語は、例えば熱的効果又は振動効果による、位置決定に不確実さをもたらす部品が他に介在しないことを意味する。本発明の特定の実施形態において、基準素子１１５．２はミラーに接続される別個のコンポーネントではなく、例えば、ミラーの製造時に別の工程において形成される、例えば回折格子などの、ミラーの表面に直接的または一体的に形成されるコンポーネントであると理解されよう。
【００５９】
本実施形態において、計測デバイス１１０．１〜１１０．６、１１３および１１４はエンコーダの原理に従って作動する、すなわち、センサヘッドは構造面に向けてセンサ光線を放出し、基準素子の構造面から反射された読み取り光線を検出する。構造面は、例えば、一連の平行線（一次元回折格子）または相互に傾斜した格子線（２次元回折格子）などを含む回折格子とすることができる。位置の変化は、基本的に、読み取り光線を介して実現された信号から得られたセンサビームが通過した線を数えることによって捕捉される。
【００６０】
しかしながら本発明の他の実施形態において、エンコーダの原理は別として、任意の他のタイプの非接触測定原理（例えば、干渉計測原理、容量測定原理、誘導測定原理など）を単独で、または任意に組み合わせて使用することができると理解されよう。しかしながら本発明の他の実施形態においては、任意の適切な接触ベースの計測装置も使用することもできると理解されよう。接触ベースの動作原理として、例えば、磁歪または電歪動作原理などを使用してもよい。具体的に、動作原理の選択は精度要件に応じて行うこともできる。
【００６１】
第６ミラー１０６．６（Ｍ６）に付随する計測デバイス１１０．６は、６つ全ての自由度において、投影系計測支持構造体１１２と慣性基準を形成する第６ミラー１０６．６（Ｍ６）との間の第１空間関係を捕捉する。更に、結像工程に関わる他のコンポーネント１０６．１〜１０６．５、１０３．１および１０４．１に付随する計測デバイス１１０．１〜１１０．５、１１３および１１４は（６つ全ての自由度において）投影系計測支持構造体１１２．１と、付随するコンポーネント１０６．１〜１０６．５、１０３．１および１０４．１との間の第２空間関係を捕捉する。
【００６２】
最後に、計測装置１１０は、第１空間関係および第２空間関係を使って、第６ミラー１０６．６と、それぞれの更なるコンポーネント１０６．１〜１０６．５、１０３．１および１０４．１との間の空間関係を決定する。その後対応する計測信号が制御ユニット１０９に提供され、制御ユニット１０９はこれらの計測信号に応じて、それぞれの支持デバイス１０８．１〜１０８．６、１０３．３および１０４．３に対応する制御信号を生成する。
【００６３】
本発明の別の実施形態において、中心基準素子（例えば第６ミラーＭ６）と、結像工程に関わるそれぞれの更なるコンポーネント（例えばミラー１０６．１〜１０６．５、マスク１０３．１および基板１０４．１）の内の任意の１つとの間の空間関係の直接的な測定も提供されると理解されよう。空間的な境界条件に応じて、このような直接的および間接的測定の任意の組み合わせも使用することができる。
【００６４】
記載する実施形態において、計測構造体と第６ミラー１０６．６との間の第１空間関係を表す計測信号に応じて、制御ユニット１０９は第６ミラー１０６．６（すなわち本発明の意味において基準素子）の支持デバイス１０８．６に対応する制御信号を生成し、計測装置１１０の投影系計測支持構造体１１２に対して上述の第１調整制御帯域幅（５Ｈｚ〜１００Ｈｚ、好適には４０Ｈｚ〜１００Ｈｚの範囲）で第６ミラー１０６．６を調整する。
【００６５】
重要な第１光学素子ユニット１０６．６のこの低帯域幅制御により、計測支持構造体１１２に対する第１光学素子ユニット１０６．６の低帯域幅ドリフト制御が提供される。換言すれば、これにより、第１光学素子ユニット１０６．６は、第１光学素子ユニット１０６．６と投影系計測支持構造体１１２との間の空間関係を捕捉する計測デバイス１０６の計測支持構造体１１２の対応する低周波数動作に追従することが可能となる。この手段により、計測ユニット１１０．１の捕捉デバイスの捕捉範囲を超える、第１光学素子ユニット１０６．６と計測ユニット１１０．１の投影系計測支持構造体１１２．１との間の過度の相対運動、換言すればセンサ範囲の問題を、非常に有益な方法で回避することができる。
【００６６】
基板テーブル１０４．２と基板１０４．１との間の空間関係は、例えば露光工程の直前の測定操作によって既知であると理解されよう。同様のことがマスクテーブル１０３．２とマスク１０３．１との間の空間関係にも言える。よって、マスクテーブル１０３．２および基板テーブル１０４．２にそれぞれ接続される基準素子により、基準ミラー１０６．６とマスク１０３．１および基板１０４．１との間におけるそれぞれの空間関係の捕捉も可能になる。
【００６７】
その結果、典型的に、露光工程に関わる全てのコンポーネントがここで能動的に制御されなければならないという事実にかかわらず、最も重要な第１光学素子ユニット１０６．６の制御帯域幅に対する要件は、高度に有益な方法で緩和される。この肯定的な効果は、一般に、全てのコンポーネントの能動的な支持のために増加する費用よりも価値のあるものである。
【００６８】
従って、例えば、それぞれの光学素子ユニットに典型的に２００Ｈｚ〜３００Ｈｚの調整制御帯域幅を使用する、またそれが必要であると考える従来のシステムと比較すると、本発明では、大幅に低い調整制御帯域幅、例えば５Ｈｚ〜１００Ｈｚ，好適には４０Ｈｚ〜１００Ｈｚを重要な第１光学素子ユニット１０６．６に使用し、結像工程に関わる他の全てのコンポーネント（すなわち、光学素子ユニット１０６．１〜１０６．５、マスクユニット１０３．１および基板ユニット１０４．１）を、例えば２００Ｈｚ〜４００Ｈｚの従来所望されてきた高い調整制御帯域幅で容易に制御し、第１光学素子ユニット１０６．６によって形成された慣性基準に対する適切なアライメントを提供することができる。
【００６９】
上述の（間接的な）測定コンセプトには、計測ユニット１１０．１の投影系計測支持構造体における瞬時的な剛体の位置および配向、具体的には、計測ユニット１１０．１の計測構造体に導入される振動外乱は、投影系計測支持構造体１１２．１が計測支持構造体１１２．１の変形を大幅に回避できるほど十分に高い剛性を持つ限り、本質的には無関係であるという利点があることを更に理解されよう。具体的には、投影系計測支持構造体１１２の空間における位置および／または配向を安定させる作業が少なくてすむ。典型的には、しかしながらそれでも、本実施形態の様に、投影系計測支持構造体１１２を防振して支持することもできる。
【００７０】
本発明によれば、システム１０１の光学的性能は、各々が計測デバイス１１０．１〜１１０．６のサブ群を支持し、計測デバイス１１０．１〜１１０．６の各サブ群がミラー１０６．１〜１０６．６のサブ群に付随する、複数の個々の計測支持サブ構造体１１２．１および１１２．２に投影系計測支持構造体１１２を分割して、投影系計測支持構造体１１２の準静的変形をもたらす低周波数振動の影響を更に低減させる、またはこの影響を大幅に取り除くことにより、更に改善される。
【００７１】
より詳細には、図２（本文脈に関連する投影系１０２の部分のみを示す）を見るとわかるように、本例において、第１計測デバイスサブ群１１０．７（計測デバイス１１０．２、１１０．３および１１０．４を有する）は、第１光学素子サブ群１０６．７（ミラー１０６．２、１０６．３および１０６．４を有する）に付随し、第１計測支持サブ構造体１１２．１によって支持される。第２計測デバイスサブ群１１０．８（計測デバイス１１０．１、１１０．５および１１０．６を含む）は、第２光学素子サブ群１０６．８（ミラー１０６．１、１０６．５および１０６．６を有する）に付随し、第２計測支持サブ構造体１１２．２によって支持される。
【００７２】
この投影系計測支持構造体１１２の、より小さな個々のサブ構造体１１２．１および１１２．２への分割は、これらのサブ構造体１１２．１および１１２．２が、その低減されたサイズにより、剛性の増大したコンポーネントとしてより簡易に設計でき、これにより、共振周波数を増大させるという大きな利点がある。サブ構造体１１２．１および１１２．２このように増大した剛性および共振周波数は、投影系計測支持構造体の従来の一体型の剛性構造設計（例えば、支持構造体１１２がモノリシックコンポーネントより構成される、または複数の剛結合されたコンポーネントより構成される）と比較すると、これらの支持サブ構造体１１２．１および１１２．２の低周波振動外乱への露出が著しく低減される。
【００７３】
従って、サブ構造体１１２．１および１１２．２のそれぞれの低周波数振動によって誘発される準静的変形は、従来の一体型の剛性計測支持構造体と比べて大幅に低減される。このことにより、このような準静的変形による投影系計測支持構造体１１２の計測デバイス１１０．１〜１１０．６の位置および／または配向の変化による測定誤差が低減され、計測デバイス１１０．１〜１１０．６によって実現される測定精度が改善される。これによって制御工程の精度が最終的に有益な方法で改善され、結像装置１０１の全体的な結像精度が改善される。
【００７４】
第１計測支持サブ構造体１１２．１および第２計測支持構造体１１２．２は、本例において、個々に防振されて耐荷重構造体１０７にそれぞれ支持される。このために、第１計測支持サブ構造体１１２．１は第１防振デバイス１１６．１を介して耐荷重構造体１０７に支持され、第２計測支持サブ構造体１１２．２は第２防振デバイス１１６．２を介して耐荷重構造体１０７に支持される。
【００７５】
第１防振デバイス１１６．１および第２防振デバイス１１６．２はそれぞれ、０．５Ｈｚ〜８．０Ｈｚの防振共振周波数範囲の防振共振周波数を有する。好適には、それぞれの防振共振周波数の範囲は１．０Ｈｚ〜６．０Ｈｚ、より好適には２．０Ｈｚ〜５．０Ｈｚである。更に、典型的に、減衰比は５％〜６０％、好適には１０％〜３０％、より好適には２０％〜２５％の範囲で選択される。本例において、減衰比１５％〜３５％における防振共振周波数２．０Ｈｚ〜６．０Ｈｚが、第１防振デバイス１１６．１および第２防振デバイス１１６．２に対して選択される。これらの周波数範囲と減衰比により、計測支持サブ構造体１１２．１および１１２．２のそれぞれにおいて特に良好な低周波数防振が実現され、低周波数振動の影響を更に有益に低減させることができる。
【００７６】
計測支持サブ構造体１１２．１および１１２．２に、そのそれぞれの質量重心１１２．３および１１２．４にできる限り近づけて支持力を導入することは特に有利である。このような支持は、典型的に、低周波数振動振幅の低減をもたらす。
【００７７】
従って、計測支持サブ構造体１１２．１および１１２．２それぞれの特に良好な低周波数振動挙動を実現するため、本例において、第１計測支持サブ構造体１１２．１は、第１防振デバイス１１６．１と接触し、よって第１計測支持サブ構造体１１２．１が耐荷重構造体１０７に支持される際に支持力を第１計測支持サブ構造体１１２．１に導入する働きをする、複数の第１耐荷重インターフェースデバイス１１２．５を有する。
【００７８】
更に、第２計測支持サブ構造体１１２．２は、第２防振デバイス１１６．２と接触し、よって第２計測支持サブ構造体１１２．２が耐荷重構造体１０７に支持される際に支持力を第２計測支持サブ構造体１１２．２に導入する働きをする、複数の第２耐荷重インターフェースデバイス１１２．６を有する。
【００７９】
上記に概要を示す有益な支持を実現するために、第１耐荷重インターフェースデバイス１１２．５は、それらが第１計測支持サブ構造体１１２．１の質量重心１１２．３とほぼ一致するように位置する、第１耐荷重インターフェース平面Ｐ１を画定するように配置される。同様に、第２耐荷重インターフェースデバイス１１２．６は、それらが第２計測支持サブ構造体１１２．２の質量重心１１２．４とほぼ一致するように位置する、第２耐荷重インターフェース平面Ｐ２を画定するように配置される。
【００８０】
尚、計測支持サブ構造体１１２．１および１１２．２の別個の（好適には防振された）支持は、光学結像装置１０１の動作中、典型的に、別個の計測支持サブ構造体１１２．１と１１２．２との間、従ってこれらの支持サブ構造体に、１つまたは複数の自由度において支持されるそれぞれの計測デバイスサブ群１１０．７と１１０．８との間にドリフトを生じさせ、これは光学結像装置１０１の結像エラーに関係する。
【００８１】
その結果、多くの場合、（少なくとも１つまたは複数の自由度、典型的には６つ全ての自由度における）結像装置１０１で行われる特定の結像工程における結像品質に関係する、空間の全ての自由度（ＤＯＦ）において、それぞれの計測支持サブ構造体によって支持される計測デバイスサブ群間の空間関係を決定する、いくつかの付加的な計測装置を提供することが必要となるだろう。
【００８２】
しかしながら、上述の様に、計測システムのためのこの付加的な作業よりも、それぞれの支持サブ構造体１１２．１および１１２．２の大幅に低減された準静的変形によって実現される利益、および結像精度と、それぞれのサブ構造体の最終的な防振支持に関する要件の緩和に関する明らかな利益の方が大きな価値がある。
【００８３】
よって図２および図３を見るとわかるように、本実施形態において、６つ全ての自由度における、第１計測支持サブ構造体１１２．１と第２計測支持サブ構造体１１２．２との間の相対位置（基準位置とも称する）および相対配向（基準配向とも称する）を表す基準計測情報を捕捉するようになされた基準計測デバイス１１０．９を提供する。
【００８４】
この基準計測情報を使用して、制御ユニット１０９（第１および第２計測支持サブ構造体１１２．１および１１２．２が無限に剛性を持つと仮定して）は、６つ全ての自由度における、計測デバイス１１０．１〜１１０．６の全ての実際の相対位置および相対配向を計算することができる。
【００８５】
図２を見るとわかるように、基準計測デバイス１１０．９はこの基準計測情報の提供において協働するようになされた、第１基準計測ユニット１１７．１および第２基準計測ユニット1１７．２を有する。より詳細には、第１基準計測ユニットは、第１計測支持サブ構造体１１２．１に機械的に接続された複数のセンサヘッド１１７．１を有し、各センサヘッドは第２計測支持サブ構造体１１２．２に機械的に直接接続された第２基準計測ユニットの付随する基準素子１１７．２と協働する。
【００８６】
センサヘッド１１７．１および付随する基準素子１１７．２は同様に設計され、上述のセンサヘッド１１５．１および基準素子１１５．２と同じ機能を提供する。よって繰り返しを避けるために、これらのコンポーネント１１５．１および１１５．２に関する上述の説明を参照されたい。
【００８７】
ここでも、本発明の別の実施形態においては、エンコーダの原理は別として、任意の他のタイプの非接触測定原理（例えば、干渉計測原理、容量測定原理、誘導測定原理など）を単独で、または任意に組み合わせて使用することができると理解されよう。しかしながら、本発明のその他の実施形態においても、任意の適切な接触ベースの計測装置を使用することができると理解されよう。接触ベースの動作原理として、例えば、磁歪または電歪動作原理を使用してもよい。具体的に、動作原理の選択は精度要件に応じて行うこともできる。
【００８８】
図２を見ると更にわかるように、投影系計測支持構造体１１２の分割設計は、従来の一体型の剛体の設計と比較すると、比較的軽量の設計が可能であり、この場合、第１、第２計測支持サブ構造体１１２．１および１１２．２はそれぞれコア構造体およびコア構造体から突出する複数の支持アームのみを有する。
【００８９】
より詳細には、第１計測支持サブ構造体１１２．１は第１コア構造体１１２．７を有し、第２計測支持サブ構造体１１２．２は第２コア構造体１１２．８を有する。第１コア構造体１１２．７は複数の第１支持アーム１１２．９を有し、第２コア構造体１１２．８は複数の第２支持アーム１１２．１０を有する。
【００９０】
各第１支持アーム１１２．９は、その自由端の領域において、第１計測デバイスサブ群１１０．７の１つまたは複数のセンサヘッド１１５．１を有する。良好な動的挙動、従って、センサヘッド１１５．１の高度に安定した支持を提供するために、各第１支持アーム１１２．９は比較的短い、剛性のあるコンポーネントとして設計されている。
【００９１】
このために、各第１支持アーム１１２．９は、第１コア構造体１１２．７の第１の最大コア構造体寸法の５％〜１５０％の第１最大アーム寸法を有する。好適には、第１最大アーム寸法は第１最大コア構造体寸法の２０％〜１２０％、より好適には第１最大コア構造体寸法の３０％〜１００％である。
【００９２】
同様のことがそれぞれの第２支持アーム１１２．１０にもいえる。従って、好適には、各第２支持アーム１１２．１０は第２最大アーム寸法を有し、これは第２コア構造体１１２．８の第２最大コア構造体寸法の５％〜１５０％である。好適には、第２最大アーム寸法は第２最大コア構造体寸法の２０％〜１２０％であり、より好適には、第２最大コア構造体寸法の３０％〜１００％である。
【００９３】
従来の設計と比較して、計測支持構造体１１２のこの分割設計、具体的には２つの計測サブ構造体１１２．１および１１２．２が中心領域において相互に隣接して位置する分割設計は、明らかにかなりの量の構成コンポーネントまたは材料を省くことができる。コア構造体１１２．７および１１２．８にそれぞれ計測支持サブ構造体１１２．１および１１２．２の基本的な構造上の安定性を提供する必要があるだけで、比較的細くて軽量だが高度に剛性のある支持アーム１１２．９および１１２．１０は別として、構造的素子またはコンポーネントを更に設ける必要はない。よって、従来の一体設計と比較して、大幅に軽量で、最終的により剛性の高い構造を実現することができる。
【００９４】
図２を見ると更に明らかであるように、投影系計測支持構造体１１２は１組の３つの直交方向、すなわち、幅方向（ｘ軸）、深さ方向（ｙ軸）および高さ方向（ｚ軸）を画定する。投影系計測支持構造体１１２の高さ寸法は明らかにこれら３つの直行方向の１つにおける投影系計測支持構造体１１２の最大寸法である。従って本発明の意味において、高さ方向は最大寸法方向を表す。
【００９５】
本発明によれば、好適に、そして本例の様に、計測支持サブ構造体１１２．１と１１２．２との間の分割線は、第１計測支持サブ構造体１１２．１および第２計測支持サブ構造体１１２．２がこの最大寸法方向において相互に隣接して位置するように選択される。従って、本例において、第１計測支持サブ構造体１１２．１は高さ方向において第２計測支持サブ構造体の上に位置する。
【００９６】
しかしながら本発明の別の実施形態においては、計測支持サブ構造体間に別の分割線を選択することもできると理解されよう。例えば、計測支持構造体の最も長い寸法が幅方向（すなわちｘ軸が最大寸法方向である）および／または深さ方向（すなわちｙ軸が最大寸法方向である）である場合、好適には、第１および第２計測支持サブ構造体が同じ高さレベルで隣り合って位置するように分割される。
【００９７】
図２を見るとわかるように、第１計測支持サブ構造体１１２．１および第２計測支持サブ構造体１１２．２はそれぞれ高さ方向（すなわちｚ軸が最大寸法方向である）の寸法は、他の２つの直交方向（すなわちｘ軸およびｙ軸の方向）におけるその寸法のほんの一部の割合の寸法である。 好適には、この割合は２０％〜８０％、より好適には３０％〜７０％、更に好適には４０％〜６０％であり、これによって構造的な安定と軽量設計との間に良好な折衷案が実現される。
【００９８】
任意の所望の適切な材料をそれぞれの支持構造体、特に投影系計測支持構造体１１２のために選択することができると理解されよう。例えば、アルミニウムのような金属を、それぞれの支持構造体、具体的には比較的低重量で比較的高い剛性を必要とする支持構造体に使用することができる。支持構造体の材料は、好適には、支持構造体のタイプまたは機能に応じて選択されると理解されよう。
【００９９】
具体的には、投影光学ボックス構造体１０２．１には、鉄鋼、アルミニウム（Ａｌ）、チタニウム（Ｔｉ）、いわゆるインバー合金（すなわちＮｉが３３％〜３６％の鉄−ニッケル合金、例えばＦｅ６４Ｎｉ３６）および適切なタングステン合金（例えば、ＤＥＮＳＩＭＥＴ（登録商標）およびＩＮＥＲＭＥＴ（登録商標）の複合材料、すなわち、タングステンの含有率が９０％以上の重金属およびＮｉＦｅまたはＮｉＣｕの結合相）が好適に使用される。
【０１００】
更に、投影系計測支持構造体１１２には、浸透性炭化ケイ素（ＳｉＳｉＣ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、シリコン（Ｓｉ）、炭素繊維強化炭化ケイ素（Ｃ／ＣＳｉＣ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、Ｚｅｒｏｄｕｒ（登録商標）（アルミノケイ酸リチウムガラスセミックス）、ＵＬＥ（登録商標）ガラス（チタニア−シリカガラス）、石英、コージェライト（マグネシウム−鉄−アルミニウムサイクロケイ酸塩鉱物）などの材料、または熱膨張率が低く弾性係数の高い他のセラミック材料も有益に使用することができる。
【０１０１】
本例において、投影光学ボックス構造体１０２．１は、第１剛性を有する第１材料としての鉄鋼より製造される。この手段により、例えばアルミニウムから作られる従来の支持構造体と比較して重量が３倍増え、これは典型的には従来のシステムにとって好ましくない。しかしながら、非従来の支持戦略に従う本例において、投影光学ボックス構造体１０２．１の重量の増大は振動挙動において有益である。
【０１０２】
更に、投影計測支持構造体１１２は、投影光学ボックス構造体１０２．１の鋼鉄材料の第１剛性よりも高い第２剛性を持つ第２材料から作られる。投影計測支持構造体１１２．１のこのように高い剛性は上記に概要を示す様に有益である。
【０１０３】
本実施形態のマイクロリソグラフィ装置１０１において、典型的にｘ方向およびｙ方向において、全ての関係する自由度における１００ｐｍ以下の視線精度を得ることができると理解されよう。
【０１０４】
図４から明らかとなる様に、本発明による投影系計測支持構造体１１２の分割設計において、第１、第２計測支持サブ構造体１１２．１および１１２．２にそれぞれ取り付けられる第１、第２計測デバイスサブ群１０６．７および１０６．８の予備テストルーチンを実施することが可能である。
【０１０５】
これは、すでに基準素子１１５．２を全て含む第１光学素子群１０６．７のミラー１０６．２、１０６．３および１０６．４が投影光学ボックス構造体１０２．１の対応する部分と同一であるテスト支持構造体（図示せず）に取り付けられた、第１テストアセンブリ１１７において行うことができる。第１計測デバイスサブ群１１０．７の全てのコンポーネントを含む、完全に予め組み立てられた第１計測支持サブ構造体１１２．１は、その後、耐荷重構造体１０７と同一のテスト耐荷重構造体１１９上に支持される。
【０１０６】
同様の事は、全ての基準素子１１５．２をすでに含む第２光学素子群１０６．８のミラー１０６．１、１０６．５および１０６．６が投影光学ボックス構造体１０２．１の対応する部分と同一であるテスト支持構造体（図示せず）に取り付けられた、第２テストアセンブリ１２０にも言える。第２計測デバイスサブ群１１０．８の全てのコンポーネントを含む、完全に予め組み立てられた第２計測支持サブ構造体１１２．２は、その後、耐荷重構造体１０７と同一のテスト耐荷重構造体１２１上に支持される。
【０１０７】
テスト過程において、テストルーチンは実際の動作条件の下、第１および第２計測デバイスサブ群１０６．７および１０６．８で行われる。投影系計測支持構造体１１２の分割設計により、計測支持構造体の従来の一体設計ではアクセスの難しかった、中心に位置する計測デバイス、具体的には第３ミラー１０６．３（Ｍ３）および第６ミラー１０６．６（Ｍ６）などに簡単にアクセスすることが可能となる。これにより、計測デバイスサブ群１０６．７および１０６．８の調整および校正が大幅に簡易化される。
【０１０８】
図１および図２の光学結像装置１０１により、図１〜図５を参照して以下に説明する、本発明による計測システムを支持する方法および光学投影系の光学素子のステータス情報を決定する方法の好適な実施形態を使用して、パターン像を基板に転写する方法を実行することができる。
【０１０９】
本方法の転写ステップにおいて、マスク１０３．１に形成されるパターン像を光学結像装置１０１の光学投影ユニット１０２を使って基板１０４，１に転写する。
【０１１０】
このために、上述の転写ステップの捕捉ステップＳ３において、結像工程に関わるコンポーネント１０６．１〜１０６．６、１０３．１および１０４．１の間の空間関係を、上記に概要を示すように、ステータス情報として使用する光学素子ユニットと基準ユニットとの間の空間関係を捕捉する方法を使って捕捉する。この捕捉ステップＳ３の間、計測デバイス１１０．１〜１１０．６は、上記に概要を示す発明による方法を使って支持する。
【０１１１】
転写ステップの制御ステップＳ４において、基板テーブル１０４．２、マスクテーブル１０３．２および他のミラー１０６．１〜１０６．５の第６ミラー１０６．６に対する位置および／または配向ならびに第６ミラー１０６．６の計測ユニット１１０．１の計測構造体に対する位置および／または配向を、上記に概要を示す様に、捕捉ステップＳ３において事前に捕捉された空間関係に応じて制御する。露光ステップにおいて、制御ステップＳ４の直後または最終的にはＳ４と重複して、光学結像装置1を使用して、マスク１０３．１に形成されるパターン像を基板１０４．１に露光する。
【０１１２】
制御ステップＳ４の一部のステップにおいて、事前に設けられたマスク１０３．１を有するマスクユニット１０３および基板１０４．１を有する基板ユニット１０４を空間において調整する。マスク１０３．１および基板１０４．１は、実際の位置捕捉ステップの前の遅い時点において、または露光ステップの前の更に遅い時点において、マスクユニット１０３および基板ユニット１０４にそれぞれ挿入することができると理解されよう。
【０１１３】
本発明による光学投影ユニットのコンポーネントを支持する方法の好適な実施形態によれば、上記に概要を示すように、ステップＳ１において、先ず光学投影ユニット１０２のコンポーネントを設け、次にステップ２において支持する。このために、ステップＳ２において、光学投影ユニット１０２のミラー１０６．１〜１０６．６を光学投影ユニット１０２の投影光学ボックス構造体１０２．１内に支持し、設置する。次にステップＳ４において、ミラー１０６．１〜１０６．６を投影光学ボックス構造体１０２．１においてそれぞれの制御帯域幅で能動的に支持し、図１および図２に関して上記に説明した様な構成を提供する。
【０１１４】
捕捉ステップＳ３において、（図１〜図４に関して上記に説明した様な構成において事前に提供される）計測装置１１０を使用する。基準素子１１５．２は、それらが位置するそれぞれのミラー １０６．１〜１０６．６と共に、より早い時点においてすでに設けられていることを理解されよう。しかしながら本発明の別の実施形態において、基準素子１１５．２は実際の位置捕捉ステップの前の遅い時点で計測装置１１０の他のコンポーネントと共に設けることができる。
【０１１５】
捕捉ステップＳ３において、光学結像装置１０１の中心慣性基準としての第６ミラー１０６．６と、基板テーブル１０４．２、マスクテーブル１０３．２および他のミラー１０６．１〜１０６．５との間の実際の空間関係を上記に概要を示すように捕捉する。
【０１１６】
第６ミラー１０６．６と、基板テーブル１０４．２、マスクテーブル１０３．２およびその他のミラー１０６．１〜１０６．５との間の実際の空間的関係、ならびに計測支持構造体１１２に対する第６ミラー１０６．６の実際の空間的関係および計測支持サブ構造体１１２．１と１１２．２との間の実際の空間的関係は、露光工程全体において継続的に捕捉することができると理解されよう。制御ステップＳ４において、この継続して行う捕捉工程の最新の結果を検索して使用する。
【０１１７】
上述の様に、制御ステップＳ４において、基板テーブル１０４．２、マスクテーブル１０３．２およびミラー１０６．１〜１０６．６の位置を、露光ステップにおいてマスク１０３．１上に形成されるパターン像を基板１０４．１に曝す前に、事前に捕捉したこの空間関係に応じて制御する。
【０１１８】
第２の実施形態
【０１１９】
以下において、本発明による方法の好適な実施形態を実行することのできる、本発明による結像装置２０１の第２の好適な実施形態を、図６および図７を参照して説明する。光学結像装置２０１はその基本設計において光学結像装置１０１に機能的に大きく対応しているので、ここでは主に違いを述べる。具体的には、同一のコンポーネントには同一の参照番号を付し、類似のコンポーネントには同じ参照番号に１００を加えたものを表示する。明示的に逸脱する記載を以下に示す場合を除き、これらのコンポーネントに関する第１の実施形態において前述した説明を参照されたい。
【０１２０】
光学結像装置２０１と光学結像装置１０１との間の唯一の違いは、計測装置２１０の基準計測デバイス２１０．９を使用する逸脱したコンセプトである。計測装置２１０は光学結像装置１０１の計測装置１１０と単純に入れ替えることができると理解されよう。
【０１２１】
図６および図７を見るとわかるように、（第１計測支持サブ構造体１１２．１に接続されたセンサヘッド１１７．１を有する基準計測ユニットおよび第２計測支持サブ構造体１１２．２に接続された付随する基準素子１１７．２を使って）第１計測支持サブ構造体１１２．１と第２計測支持サブ構造体１１２．２との間の相対位置および相対配向を直接捕捉する代わりに、６つ全ての自由度における第１計測支持サブ構造体１１２．１と第２計測支持サブ構造体１１２．２との間の相対位置および相対配向の決定が間接的に行われる。
【０１２２】
このために、基準計測デバイス２１０．９は複数のセンサヘッド２２２．１によって形成される第１相対基準計測ユニット、複数の付随する基準素子２２２．２によって形成される第２相対基準計測ユニット、第６計測デバイス１１０．６のセンサヘッド１１５．１によって形成される第３相対基準計測ユニット、および第６計測デバイス１１０．６の付随する基準素子１１５．２によって形成される第４相対基準計測ユニットを有する。
【０１２３】
第１相対基準計測ユニットのセンサヘッド２２２．１は第１計測支持サブ構造体１１２．１に接続され、第２相対基準計測ユニットの付随する基準素子２２２．２は、本発明の意味において基準ユニットを形成する第６ミラー１０６．６（Ｍ６）に接続される。センサヘッド２２２．１および付随する基準素子２２２．２は、上記により詳しく示す様に、センサヘッド１１５．１および付随する基準素子１１５．２と同じ様に協働する。従って、この点において、第１の実施形態に関する上記の説明を参照されたい。
【０１２４】
よって、第１相対基準計測ユニットのセンサヘッド２２２．１および第２相対基準計測ユニットの付随する基準素子２２２．２は協働して、６つ全ての自由度における、第１計測支持サブ構造体１１２．１と第６ミラー１０６．６（Ｍ６）との間の第１相対位置（第１相対基準位置とも称する）および第１相対配向（第１相対基準配向とも称する）を表す第１相対基準計測情報を提供する。
【０１２５】
第６計測デバイス１１０．６は第１の実施形態において記載した様に動作する。従って、第６計測デバイス１１０．６のセンサヘッド１１５．１によって形成される第３相対基準計測ユニットおよび第６計測デバイス１１０．６の付随する基準素子１１５．２によって形成される第４相対基準計測ユニットも協働して、６つ全ての自由度における、第２計測支持サブ構造体１１２．２と第６ミラー１０６．６（Ｍ６）との間の第２相対位置（第２相対基準位置とも称する）および第２相対配向（第２相対基準配向とも称する）を表す第２相対基準計測情報を提供する。
【０１２６】
次に制御ユニット１０９は、前述の第１相対基準計測情報および第２相対基準計測情報から、（６つ全ての自由度における、第１および第２計測支持サブ構造体１１２．１および１１２．２の相対位置および相対配向を表す）基準計測情報を導き出す。
【０１２７】
本発明の別の実施形態において、基準ユニットは必ずしも最も大きく最も不活発な光学系の光学素子ではないことを理解されよう。むしろ、結像装置の任意のその他の適切な、好適には動的に十分に安定したコンポーネントを使用することができる。好適には、基準ユニットは計測支持構造体１１２の外部にある、任意のこのように適切なコンポーネントによって形成される。例えば、上述の様に、これは光学投影系の光学素子の中の１つであってもよい。この代替形態に加え、好適には、基準ユニットは光学素子の中で最大の慣性を呈するように支持される（従って動的に最も安定したコンポーネントとなる傾向にある）光学投影系の光学素子である。
【０１２８】
好適には、基準ユニットは結像装置のコンポーネントによって形成され、この結果、６つ全ての自由度における、光学投影系の全ての光学素子の間の相対位置および相対配向を決定するために必要な、（光学投影系全体の）計測システムまたはセンサのカスケード接続が最小平均となる。
【０１２９】
計測システム２１０の残りの配置は第１の実施形態の計測システム１１０と同一であると理解されよう。よって、第１計測支持サブ構造体１１２．１は、第１光学素子サブ群１０６．７に付随する第１計測デバイスサブ群１１０．７を更に有する。第２計測支持サブ構造体１１２．２は、（光学素子１０６．６によって形成された）中心基準ユニットに付随する計測デバイス１１０．６によって形成された第２相対基準計測ユニット、および第２光学素子サブ群１０６．８の残りの光学素子サブ群２０６．９に付随する（第２計測デバイスサブ群１１０．８の）計測デバイスサブ群２１０.１０を有する。
【０１３０】
第６ミラー１０６．６（Ｍ６）によって形成される基準ユニットの変形に対する計測システム１１０の感度をできるだけ低く維持するために、（センサヘッド１１５．１によって形成される）第４相対基準計測ユニットおよび（センサヘッド２２２．１によって形成される）空間的に付随する第２相対基準計測ユニットは、できるだけ近くに設置される。好適には、これらは基準ユニット１０６．６の最大寸法の０％〜２０％の範囲の距離に設置される。好適には、この距離の範囲は基準ユニット１０６．６の最大寸法の０％〜１０％、より好適には０％〜５％である。
【０１３１】
いずれの場合も、絶対距離範囲は好適には０ｍｍ〜８０ｍｍ、より好適には０ｍｍ〜５０ｍｍ、更に好適には０ｍｍ〜２０ｍｍである。
【０１３２】
本発明の特定の実施形態では、特定の自由度において、本実施形態に関連して記載した相対位置および／または相対配向の情報の間接的な決定も、第１の実施形態に関連して記載した直接的な決定と組み合わせることができると理解されよう。このために、センサヘッド１１７．１および付随する基準素子１１７．２を、図６に鎖線で示す特定の自由度において使用することができる。
【０１３３】
本実施形態のマイクロリソグラフィ装置２０１において、１００ｐｍ以下の視線精度を全ての関連自由度、典型的にはｘ方向およびｙ方向で得ることができることを更に理解されよう。
【０１３４】
この場合も図５に関連して上記に述べた本発明による方法をマイクロリソグラフィ装置２０１において実行することができると更に理解されよう。
【０１３５】
第３の実施形態
【０１３６】
本発明による方法の好適な実施形態を実行することのできる、本発明による光学結像装置３０１の第３の好適な実施形態を、図８を参照して以下に説明する。光学結像装置３０１は基本設計および機能において光学結像装置２０１に大部分が対応するため、ここでは主に違いを述べる。具体的には、同一のコンポーネントには同一の参照番号を付し、類似のコンポーネントには同じ参照番号に１００を加えたものを表示する。明示的に逸脱する記載を以下に示す場合を除き、これらのコンポーネントに関する第２の実施形態において前述した説明を参照されたい。
【０１３７】
光学結像装置２０１と光学結像装置３０１との間の主な違いは、投影系計測支持構造体３１２の逸脱した分割設計である。図８を見るとわかるように、投影系計測支持構造体３１２は３つのサブ構造体、すなわち第１計測支持サブ構造体３１２．１、第２計測支持サブ構造体３１２．２および第３計測支持サブ構造体３１２．１１に分割される。
【０１３８】
第２実施形態のように、第１計測支持サブ構造体３１２．２は、第１光学素子サブ群３０６．７に付随する第１計測デバイスサブ群３１０．７と、第２光学素子群３０６．８の光学素子３０６．６によって形成される、中心基準ユニットに付随する第１相対基準計測ユニット３１０．９とを有する。
【０１３９】
また第２実施形態と同様に、第２計測支持サブ構造体３１２．２は光学素子３０６．６によって形成された中心基準ユニットに付随する第２相対基準計測ユニット３１０．６と、第２光学素子サブ群３０６．８の残りの光学素子３０６．９に付随する第２計測デバイスサブ群３１０．１０とを有する。
【０１４０】
更に第１の実施形態と同様に、第２計測支持サブ構造体は、（基準計測ユニット１１０．９に関して第１の実施形態に関して上記に述べた事と同様に）６つ全ての自由度における、第２計測支持サブ構造体３１２．２と第３計測支持サブ構造体３１２．１１との間の相対位置および相対配向を決定する更なる基準計測ユニット３１０．１１を有する。
【０１４１】
最後に、第３計測支持サブ構造体は、第３光学素子サブ群３０６．１０に付随し、６つ全ての自由度における、第３計測支持サブ構造体３１２．１１と第３光学素子サブ群３０６．１０の光学素子との間の相対位置および相対配向を決定する第３計測デバイスサブ群３１０．１２を有する。
【０１４２】
代替形態として、図８に破線輪郭３１０．１３で示す様に、基準計測ユニット３１０．１１を削除し、第３計測支持サブ構造体が（第２実施形態に関して上記に記載した基準計測ユニット２１０．９と同様に）、６つ全ての自由度において、第３計測支持サブ構造体３１２．１１と、光学素子３０６．６によって形成される中心基準ユニットとの間の相対位置および相対配向を決定する更なる基準計測ユニット３１０．１３を有することができる。
【０１４３】
最後に、更なる代替形態として、図８に破線輪郭３１０．１３で示す様に、基準計測ユニット３１０．１を削除し、第１計測支持サブ構造体３１２．１（または第３計測支持サブ構造体３１２．１１）が（第１実施形態における基準計測ユニット１１０．９に関する上記の記載と同様に）、６つ全ての自由度において、第３計測支持サブ構造体３１２．１１と、第１計測支持サブ構造体３１２．２との間の相対位置および相対配向を決定する更なる基準計測ユニット３１０．１３を有することができる。
【０１４４】
その他の全ての実施形態と同様に、第３計測支持サブ構造体３１２．１１は、第１、第２計測支持サブ構造体３１２．１および３１２．２から離れて、耐荷重構造体（図示せず）上に防振して支持される。
【０１４５】
任意の所望の数の光学素子を使用することができると理解されよう。例えば、本実施形態において、８つの光学素子を有する光学素子群３０６を設けることができる。更に本実施形態において、図８に高度に略的に示す様に、第１計測支持サブ構造体３１２．１と第２計測支持サブ構造体３１２．２との間の分割は、それらが高さ方向（ｚ軸）に上下に位置するようになされ、第２計測支持サブ構造体３１２．２と第３計測支持サブ構造体３１２．１１との間の分割は、それらが水平面（ｘｙ面）において（ほぼ同じ高さに）相互に隣接して位置するようになされる。更に、本発明の別の実施形態では、任意の所望する数の計測支持サブ構造体への任意の他の分割を選択することができると理解されよう。
【０１４６】
本実施形態のマイクロリソグラフィ装置３０１において、１ｎｍ以下の視線精度を全ての関連する自由度、典型的にはｘ方向およびｙ方向において得ることができると更に理解されよう。
【０１４７】
第４の実施形態
【０１４８】
本発明による方法の好適な実施形態を実行することのできる、本発明による光学結像装置４０１の第４の好適な実施形態を、図９を参照して以下に説明する。光学結像装置４０１は基本設計および機能において光学結像装置１０１に大部分が対応しているため、ここでは主に違いを述べる。具体的には、同一のコンポーネントには同一の参照番号を付し、類似のコンポーネントには同じ参照番号に３００を加えたものを表示する。明示的に逸脱する記載を以下に示す場合を除き、これらのコンポーネントに関して第２の実施形態において前述した説明を参照されたい。
【０１４９】
光学結像装置４０１と光学結像装置１０１との間の主な違いは、第１、第２光学素子サブ群４０６．７および４０６．８の僅かに異なる配置の結果選択される、投影系計測支持構造体４１２の分割設計である。より詳細には、第１光学素子サブ群４０６．７のミラーＭ３は上方向（ｚ方向）に移動させてミラーＭ３およびＭ４に（例えば図２に示す第１の実施形態よりも）かなり近づけて位置させ、ミラーＭ１およびＭ６は下方向（ｚ方向）に移動させてミラーＭ５に（例えば図２に示す第１の実施形態よりも）かなり近づけて位置させる。従って、第１、第２光学素子サブ群４０６．７と４０６．８との間には大きな本質的に空洞の領域が生成される。
【０１５０】
図９を見ればわかるように、投影系計測支持構造体４１２は３つのサブ構造体、すなわち第１計測支持サブ構造体４１２．１、第２計測支持サブ構造体４１２．２および第３計測支持サブ構造体４１２．１１に分割される。第３計測支持サブ構造体４１２．１１は第１計測支持サブ構造体４１２．１と第２計測支持サブ構造体４１２．２との間に位置し、それらの間の間隙すなわち空洞の領域を埋める。
【０１５１】
従って、第１の実施形態の様に、第１計測支持サブ構造体４１２．１は、第１光学素子サブ群４０６．７に付随する第１計測デバイスサブ群４１０．７と、（第１の実施形態の基準計測ユニット１１０．９に関して上記に記載したものと同じ様に）６つ全ての自由度における、第１計測支持サブ構造体４１２．１と第３計測支持サブ構造体４１２．１１との間の相対位置および相対配向を決定する第１基準計測デバイス４１０．９とを有する。
【０１５２】
更に、第１の実施形態と同様に、第３計測支持サブ構造体４１２．１１は、（第１の実施形態の基準計測ユニット１１０．９に関して上記に記載したものと同じ様に）６つ全ての自由度における、第２計測支持サブ構造体４１２．２と第３計測支持サブ構造体４１２．１１との間の相対位置および相対配向を決定する更なる基準計測デバイス４１０．１４を有する。代替形態として、第２計測支持サブ構造体４１２．２は更なる基準計測デバイス４１０．１４を有することができる。
【０１５３】
最後に、第１の実施形態と同様に、第２計測支持サブ構造体４１２．２は第２光学素子サブ群４０６．８に付随する第２計測デバイスサブ群４１０．１０を有する。
【０１５４】
従って、第３計測支持サブ構造体３１２．１１は、任意の光学素子に付随する計測デバイスサブ群を持たず、第１計測支持サブ構造体４１２．１と第２計測支持サブ構造体４１２．２との間の間隙すなわち空洞領域を埋める、軽量かつ高度に剛性のある架橋ユニットとして働くのみである。
【０１５５】
本実施形態においても任意の所望する数の光学素子を使用することができると理解されよう。例えば、本実施形態において、８つの光学素子を有する光学素子群を提供することもできる。更に、本発明の別の実施形態では、任意の所望する数の計測支持サブ構造体への任意の他の分割を選ぶことができると理解されよう。
【０１５６】
本実施形態のマイクロリソグラフィ装置４０１において、１ｎｍ以下の視線精度を全ての関連する自由度、典型的にはｘ方向およびｙ方向で得ることができると更に理解されよう。
【０１５７】
光学素子が反射素子のみである発明の実施形態を先に述べたが、本発明の別の実施形態では、反射、屈折または回折素子、もしくはそれらの任意の組み合わせを光学素子ユニットの光学素子に使用することができると理解されよう。
【０１５８】
更に上記において、本発明を主にマイクロリソグラフィに関して述べたが、任意の他のタイプの光学結像工程、典型的には比較的高いレベルの結像精度を必要とする任意の他のタイプの光学結像工程でも使用することができると理解されよう。具体的には、本発明は異なる波長で動作する任意の他のタイプの光学結像工程において使用することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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