(57)【要約】ケイ化パラジウム（例えば、ＰｄＳｉ及び／又はＰｄ２Ｓｉ）などのパラジウム金属間化合物は、（１）ハロゲン化パラジウムを含む金属ハロゲン化物をケイ素に真空含浸させる工程と、（２）工程（１）の生成物をボールミル粉砕する工程と、を含む、２工程プロセスによって、選択的に調製できる。オルガノハロシラン類の調製方法は、式ＲＸ（式中、Ｒは、１〜１０個の炭素原子を有するヒドロカルビル基であり、Ｘは、ハロゲン原子である）を有する有機ハロゲン化物を、パラジウム金属間化合物を少なくとも２％含む接触剤と組み合わせる工程により、行うことができる。【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）ケイ素に金属ハロゲン化物を真空含浸する工程であって、該金属ハロゲン化物は、式ＰｄＸ’２（式中、それぞれのＸ’は、独立してハロゲン原子である）のハロゲン化パラジウムを含み、該真空含浸によって、ＰｄｚＳｉｗＸ’ｚｑを含む混合物（式中、ｚは、Ｐｄのモル量を表し、ｗは、Ｓｉのモル量を表し、ｚｑは、該混合物中のハロゲン原子のモル量を表す）を生成する、真空含浸する工程と、
（２）不活性雰囲気下で、該混合物をメカノケミカルに処理する工程であって、該処理によって、
（ｉ）式ＰｄｚＳｉ（ｗ−ｙ／４）Ｘ’（ｚｑ−ｙ）（式中、ｙは、工程（２）の間に該混合物から取り除かれたハロゲン原子のモル量を表し、ｙ＜ｚｑである）の金属間化合物と、
（ｉｉ）ＳｉＸ’４を含む副生成物と、
を含む、酸化還元反応生成物を生成する、メカノケミカルに処理する工程と、
を含む、プロセス。
【請求項２】
工程（１）において、０＜ｚ＜１、０＜ｗ＜１、量（ｚ＋ｗ）＝１であり、かつ、工程（２）において、量（ｚ＋（ｗ−ｙ／４））＜１である、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
ＳｉのＰｄＸ’２に対するモル比が、少なくとも１：１であるか、又は、ＳｉのＰｄＸ’２に対する該モル比が、少なくとも１．５：１であるか、又はＳｉのＰｄＸ’２に対する該モル比が１．５：１〜１０：１である、請求項１又は２に記載のプロセス。
【請求項４】
前記副生成物の全て若しくは一部を取り除く工程（３）、又は、
工程（１）の前に、前記ケイ素を活性化する工程（０）、又は、
工程（３）及び工程（０）の両方、を更に含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項５】
式ＰｄＸ’２の前記金属ハロゲン化物に加えて、前記金属ハロゲン化物が、ＣｕＸ’、ＣｕＸ’２、及びそれらの組み合わせからなる群から選択されるハロゲン化銅を更に含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載のプロセスによって調製される、金属間化合物。
【請求項７】
２５０℃〜７５０℃の温度で、式ＲＸ”（式中、Ｒは、１〜１０個の炭素原子を有するヒドロカルビル基であり、Ｘ”は、ハロゲン原子である）を有する有機ハロゲン化物を、請求項５に記載の前記金属間化合物を少なくとも２％含む接触剤と組み合わせて、オルガノハロシランを形成する工程を含む、方法。
【請求項８】
前記ヒドロカルビル基が、１〜６個の炭素原子を有し、かつＸ”が、Ｃｌである；又は、前記有機ハロゲン化物が、塩化メチル、臭化メチル、又はヨウ化メチルである、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記接触剤は、式ＰｄＳｉ、式Ｐｄ２Ｓｉ、式ＰｄｚＳｉ（ｗ−ｙ／４）Ｘ（ｚｑ−ｙ）（式中、０．０１ｚｑ＜ｙ＜０．９９ｚｑである）、式ＣｕｎＰｄｍＳｉ（ｗ−ｙ／４）Ｘ（ｚｑ−ｙ）（式中、０．０１ｚｑ＜ｙ＜０．９９ｚｑである）、及びそれらの組み合わせのうちの１種類以上の化合物を含む、金属間化合物を、少なくとも９０％含む、請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】
前記オルガノハロシランの生成の際に、前記接触剤に、ゼロ価のケイ素を、又は追加の接触剤を、補充する工程を更に含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記金属間化合物を少なくとも２％含む接触剤を活性化する工程を更に含み、前記接触剤の活性化は、３０分〜６時間の範囲の時間にわたって、２００℃〜６００℃の温度で、前記接触剤を水素に暴露することを含む手法によって行われ得る、請求項７〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
プロセスは、ケイ化パラジウムなどの金属間化合物、及びＣｕ、Ｐｄ、及びＳｉを含む金属間化合物を選択的に生成する。前記金属間化合物は、オルガノハロシラン類を調製するための触媒として使用できる。前記金属間化合物の使用方法は、有機ハロゲン化物を、接触剤と組み合わせて（combine）、オルガノハロシランを形成する工程を含み、ここで、該接触剤は、前記金属間化合物を少なくとも２％含む。
【背景技術】
【０００２】
オルガノハロシラン類の調製方法は当該技術分野において既知である。典型的には、オルガノハロシラン類は、有機ハロゲン化物を銅触媒及び様々な任意選択的な促進物質の存在下でゼロ価のケイ素に通すことを含む、ミュラー・ロショー（Ｍｕｅｌｌｅｒ−Ｒｏｃｈｏｗ）直接法により、商業的に生成される。オルガノハロシラン類（その中でも最も重要なのはジメチルジクロロシランである）の混合物は、この直接法によって生成される。
【０００３】
直接法において使用されるゼロ価のケイ素を生成するための典型的なプロセスは、電気アーク炉内での、ＳｉＯ２の炭素熱還元からなっている。ＳｉＯ２を還元するには超高温が必要とされるため、このプロセスは、非常にエネルギー消費が大きい。結果として、ゼロ価のケイ素の生成により、オルガノハロシラン類の生成のための直接法のコストが上がってしまう。それ故、ゼロ価のケイ素の使用の必要がない、又はその使用を減らす、より経済的なオルガノハロシラン類の生成方法に対する需要がある。
【０００４】
オルガノハロシラン類の他の調製方法は、有機ハロゲン化物を、接触剤と組み合わせて、オルガノハロシランを形成する工程を含み、ここで、該接触剤は、金属ケイ化物を含む。国際公開第２０１１／０９４１４０号は、オルガノハロシラン類の調製方法について言及し、該方法は、式ＲＸ（Ｉ）（式中、Ｒは、１〜１０個の炭素原子を有するヒドロカルビル基であり、Ｘは、Ｂｒ、Ｃｌ、Ｆ、及びＩである）を有する有機ハロゲン化物を、式ＰｄｘＳｉｙ（ＩＩ）（式中、ｘは、１〜５の整数であり、ｙは、１〜８である）のケイ化パラジウム、又は、式ＰｔｚＳｉ（ＩＩＩ）（式中、ｚは、１又は２である）のケイ化白金を、少なくとも２％含む接触剤と、２５０〜７００℃の温度で、反応器内にて組み合わせて、オルガノハロシランを形成する工程を含んでいる。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
金属間化合物の調製プロセスは、
（１）式ＰｄＸ’２（式中、Ｘ’は、ハロゲン原子である）のハロゲン化パラジウムを含む金属ハロゲン化物を、ケイ素粒子に真空含浸する工程であって、該真空含浸によって、混合物を生成する、真空含浸する工程と、
（２）不活性雰囲気下で、該混合物をメカノケミカルに処理する工程であって、該処理によって、金属間化合物を含む反応生成物を生成する、メカノケミカルに処理する工程と、を含む。前記金属間化合物は、Ｐｄと、Ｓｉと、を含む。
【０００６】
オルガノハロシランの調製プロセスは、２５０℃〜７００℃の範囲の温度で、式ＲＸ”（式中、Ｒは、１〜１０個の炭素原子を有するヒドロカルビル基であり、Ｘ”は、ハロゲン原子である）を有する有機ハロゲン化物を、上述した方法により調製した金属間化合物を少なくとも２％含む接触剤と組み合わせて、オルガノハロシランを形成する工程を含む。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
本開示の発明の概要及び要約書は、参照により本明細書に組み入れられる。特に指示されない限り、全ての比率、百分率、及び量は、重量による。冠詞「ａ」、「ａｎ」、及び「ｔｈｅ」はそれぞれ、明細書の文脈により特に指示されない限り、１つ又はそれ以上を指す。本明細書で使用する省略表現を以下の表１に定義する。
【０００８】
【表１】
2015520015.tif 000002
【０００９】
範囲の開示には、範囲それ自体と、その中に包含される任意の数、及び端点が含まれる。例えば、２．０〜４．０の範囲の開示には、２．０〜４．０の範囲だけでなく、２．１、２．３、３．４、３．５、及び４．０の個々の数、並びにその範囲に包含される任意の他の数も含まれる。更に、例えば２．０〜４．０の範囲の開示には、例えば２．１〜３．５、２．３〜３．４、２．６〜３．７、及び３．８〜４．０の部分集合、並びにその範囲に包含される任意の他の部分集合も含まれる。同様に、マーカッシュ群の開示には、群全体と、その中に包含される任意の個々の要素及び部分集合も含まれる。例えば、マーカッシュ群Ｂｒ、Ｃｌ、Ｆ、及びＩの開示には、個別の要素であるＢｒ、部分集合Ｃｌ及びＩ、並びに、該マーカッシュ群に包含される任意の他の個別の要素及び部分集合が含まれる。
【００１０】
「接触時間」とは、反応器を通過するための、気体の滞留時間を意味する。
【００１１】
「メカノケミカル処理」とは、化学反応、及び／又は構造変化を開始するために、機械的なエネルギーを付与することを意味する。メカノケミカル処理は、例えば、ミル粉砕（milling）（例えば、ボールミル粉砕など）のような手法によって、行うことができる。粉砕は、ミキサーミル、遊星ミル、アトライター、又はボールミルなどの任意の便利なミル粉砕装置によって行われてもよい。メカノケミカル処理は、例えば、Ｃ．Ｓｕｒｙａｎａｒａｙａｎａによる「Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ａｌｌｏｙｉｎｇ  ａｎｄ  ｍｉｌｌｉｎｇ」，Ｐｒｏｇｒｅｓｓ  ｉｎ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  ４６（２０００）１−１８４に記載されている方法及び装置を使用して行ってもよい。
【００１２】
金属間化合物の製造プロセス
プロセスは、
（１）式ＰｄＸ’２（式中、Ｘ’は、上で定義したとおりである）のハロゲン化パラジウムを含むハロゲン化物を、ケイ素に真空含浸する工程であって、該真空含浸によって、ＰｄｚＳｉｗＸ’ｚｑ（式中、ｚは、Ｐｄのモル量を表し、ｗは、Ｓｉのモル量を表し、ｚｑは、混合物中のハロゲン原子の相対モル量を表す）を含む混合物を生成する、真空含浸する工程と、
（２）不活性雰囲気下で、工程（１）で調製した混合物をメカノケミカルに処理する工程であって、該処理によって、
（ｉ）式ＰｄｚＳｉ（ｗ−ｙ／４）Ｘ’（ｚｑ−ｙ）（式中、ｙ／４は、工程（２）の間に前記混合物から取り除かれたＳｉのモル量を表し、ｙは、工程（２）の間に該混合物から取り除かれたハロゲン原子のモル量を表し、ｙ＜ｚｑである）の金属間化合物、
を含む、酸化還元反応生成物を生成する、メカノケミカルに処理する工程と、を含む。
【００１３】
本プロセスの工程（１）には、ケイ素（Ｓｉ）粒子への金属ハロゲン化物の真空含浸が含まれる。前記金属ハロゲン化物は、式ＰｄＸ’２のハロゲン化パラジウムを含み、ここで、それぞれのＸ’は、独立してハロゲン原子である。Ｘ’は、Ｂｒ、Ｃｌ、Ｆ、又はＩから選択されてもよい。あるいは、Ｘ’は、Ｃｌ又はＦであってもよい。あるいは、Ｘ’は、Ｃｌであってもよい。真空含浸によって、次の式に従った物理的混合がもたらされる。ｚＰｄＸｑ＋ｗＳｉ→ＰｄｚＳｉｗＸ’ｚｑ（式中、下付きのｚは、混合物中に存在するパラジウム原子のモル量を表し、下付きのｗは、混合物中に存在するケイ素原子のモル量を表す。）あるいは、これらの式では、下付きのｚ及びｗは、０＜ｚ＜１、０＜ｗ＜１、かつ量（ｚ＋ｗ）＝１であるような値をとってもよい。
【００１４】
工程（１）を行うために、金属ハロゲン化物を、水又は他の極性プロトン性溶媒などの、金属ハロゲン化物を溶解して溶液を形成可能な溶媒中に溶解させてもよい。溶媒の選択は、選択した金属ハロゲン化物の、その溶媒中での溶解度などの因子によって異なるであろう。しかしながら、溶媒には、水に加えて、又は水に代えて、メタノール又はエタノールなどの第一級アルコールが含まれてもよい。使用する溶媒の量は、金属ハロゲン化物を溶解させるのに十分な量である。正確な量は、選択した金属ハロゲン化物、及び溶媒中での金属ハロゲン化物の溶解度などの様々な因子に依存する。しかしながら、この量は、金属ハロゲン化物と溶媒とを合わせた重量に対して、０．１％〜９９．９％の範囲であり、あるいは１％〜９５％の範囲である。溶液中では、単一の金属ハロゲン化物が、使用されてもよい。あるいは、溶液中では、上述したように、２種類以上の金属ハロゲン化物が、使用されてもよい。
【００１５】
任意選択で、酸、追加の金属ハロゲン化物、又はその両方などの、１種類以上の追加成分が溶液に添加されてもよい。酸は、例えば、ＨＣｌであってもよい。ＨＣｌの量は、溶液の総重量に対して０．１％〜１．０％の範囲であってもよい。
【００１６】
追加の金属ハロゲン化物は、式ＣｕＸ’のハロゲン化銅、式ＣｕＸ’２のハロゲン化銅、又はそれらの組み合わせ（式中、Ｘ’は、上述したとおりである）などのハロゲン化銅であってもよい。ハロゲン化銅は、使用した金属ハロゲン化物の総重量に対して、０．０１％〜０．９９％の範囲の量で添加してもよい。
【００１７】
ケイ素は、粒子などの任意の便利な固形形態であってもよい。粉砕したケイ素粉末を、上述した溶液と混ぜ合わせて、スラリーを形成してもよい。粒径が１００μｍ未満の粉砕したケイ素粉末を使用してもよい。粉砕したケイ素粉末は、＞９９．９％の純度を有してもよい。粉砕したケイ素粉末は、Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ，Ｉｎｃ．（Ｓｔ．Ｌｏｕｉｓ，Ｍｉｓｓｏｕｒｉ，Ｕ．Ｓ．Ａ）などの提供元から市販されている。粉砕したケイ素粉末の量は、金属ハロゲン化物の総重量に対して、０．０１％〜０．９９％の範囲であってもよく、あるいは＞９５％であってもよく、あるいは＞９０％であってもよい。
【００１８】
金属ハロゲン化物のケイ素への真空含浸は、スラリーを包含する容器での真空引きなどの、任意の便利な手段で行われてもよい。真空含浸のための圧力は、大気圧よりも低い（金属ハロゲン化物溶液が、Ｓｉ粒子の表面へと拡散する、又はＳｉ粒子の表面上の部位と相互作用するのに十分な真空）。圧力は、１０２ｋＰａ未満でもよく、あるいは３．５ｋＰａ〜１０２ｋＰａ未満でもよく、あるいは０．０１ｋＰａ〜４ｋＰａでもよい。真空含浸のための時間は、選択した圧力、及び所望の金属間生成物などの、様々な因子に依存する。
【００１９】
粉末を形成するために、前記スラリーは乾燥される。乾燥は、大気圧で又は真空下での加熱などの、任意の便利な手段で行われてもよい。乾燥は、ＲＴで、又は加熱しながら行ってもよい。乾燥は、工程（１）の後に行ってもよいし、工程（１）の間の真空含浸と同時に行ってもよいし、その両方で行ってもよい。乾燥のための時間は、選択した溶媒及び溶媒の量、真空含浸のために選択した圧力、及び真空含浸の間に取り除かれる溶媒の量などの、様々な因子に依存する。しかしながら、５０℃〜１７０℃で、あるいは１００℃〜１４０℃で、１時間〜３時間にわたって、あるいは１時間〜１２時間にわたって、あるいは１時間〜２４時間にわたって、スラリーを加熱することにより、乾燥を行ってもよい。
【００２０】
上述した方法の工程（２）は、工程（１）で調製した混合物のメカノケミカル処理を含む。工程（２）は、次の式に従った、混合物中の成分の酸化還元反応を含む。
【００２１】
【数１】
2015520015.tif 000003
【００２２】
メカノケミカル処理の間に、化学反応が起こり、この化学反応は酸化還元反応である。［Ｘ＝Ｃｌ又はＦのとき］ケイ素の一部が酸化されて、揮発性のＳｉＸ’４が形成され、Ｓｉの一部が、金属と残存するハロゲン化物と共に残存する。Ｘ＝Ｂｒ又はＩのとき。副生成物ＳｉＸ’４は、十分に揮発性ではない。この副生成物は、溶媒を使用するなどの化学的分離法によって、金属間生成物から取り除くことができる。そのため、工程（２）で生成された金属間生成物中では、金属間生成物中のＰｄとＳｉとを合わせた量は、工程（１）で形成された混合物中での量（ｚ＋ｗ）から、（ｚ＋（ｗ−ｙ／４））（量（ｚ＋ｗ）よりｙ／４だけ小さい量）へと変化する。ｙの量は、ハロゲン化物の開始時点の量の比率であり得る。ハロゲン化物の開始時点の量は、ｚｑである。この反応では、ｙ＜ｚｑである。あるいは、量（ｚ＋ｗ）は、１に等しくてもよく、金属間生成物中のＰｄとＳｉとを合わせた量は、工程（１）で形成された混合物中での量（ｚ＋ｗ）＝１から量（ｚ＋（ｗ−ｙ／４））（１よりｙ／４だけ小さい量）へと変化してもよい。
【００２３】
メカノケミカル処理は、上述したように行うことができる。メカノケミカル処理のパラメータ（温度、時間、使用するミルの種類、及びボールの種類など）は、混合物中の金属ハロゲン化物及びＳｉが反応するように選択される。一般的な実験室の設備では、メカノケミカル処理のための温度は、ＲＴ〜４０℃の範囲でよい。上述したように、従来の装置及び手法が使用されてもよい。例えば、ボールミル粉砕を、ステンレス鋼製の容器内にて、工程（１）の生成物及び金属ボール（ステンレス鋼製又はタングステン製のボール）を加え、０．１５時間〜２４時間、あるいは０．１５時間〜１時間、あるいは２時間〜８時間、あるいは１時間〜２４時間の範囲の時間にわたってミル粉砕することにより、行ってもよい。鋼製ボールの、工程（１）により得られる粉末化した混合物に対する重量比は、５〜５０、あるいは５〜２０、あるいは１０〜１５、あるいは３０〜５０の範囲であってもよい。ボールミル粉砕に使用するボールの量及びサイズは、混合物の量及びボールミル粉砕が行われる容器のサイズなどの様々な因子に依存する。しかしながら、ボールは、６ｍｍ〜１２ｍｍ、あるいは６．５ｍｍ〜９．５ｍｍ、あるいは９．５ｍｍ〜１２ｍｍの範囲の直径を有していてもよい。
【００２４】
上述した方法は、１つ以上の追加の工程を任意に含んでもよい。例えば、本方法は、工程（１）の前にケイ素を活性化する工程を更に含んでもよい。例えば、イオン性の金属塩化合物（ＣｓＦなど）を溶媒に溶解させ、得られた溶液を上述したようにケイ素と組み合わせ、工程（１）に対して上述したような条件の下で、真空含浸させることによって、ケイ素の活性化が行われてもよい。あるいは、イオン性の金属塩は、ＫＦ、ＫＣｌ、ＬｉＦ、及びＫＯＨからなる群から選択されてもよい。得られた活性化済みケイ素は、上述したように任意選択的に乾燥させてから、工程（１）での出発物質として使用してもよい。本方法は任意選択的に全ての又は一部の副産物を取り除く工程（３）を更に含んでもよい。副生成物ＳｉＸ’４は揮発性であり、加熱によって、又は空気流若しくは不活性ガス（窒素など）流に暴露することによって、金属間化合物から取り除くことができる。
【００２５】
上述した方法によって調製した生成物は、酸化還元反応生成物である。この生成物は、金属間化合物と、式ＳｉＸ’４（式中、Ｘ’は、上述したとおりである。）の四ハロゲン化ケイ素を含む副生成物と、を含む。前記金属間化合物は、式ＰｄｚＳｉ（ｗ−ｙ／４）Ｘ’（ｚｑ−ｙ）（式中、量（ｚ＋（ｗ−ｙ／４））は、混合物中に残存しているケイ素原子のモル量を表し、ｙは、工程（２）の間に混合物から取り除かれたハロゲン原子のモル量を表し、ｙ＜ｚｑである）を有する。工程（２）の後、ケイ素とハロゲン化物の一部が副生成物ＳｉＸ’４を形成するため、金属間化合物中のＳｉ及びＸ’のモル量は、工程（１）にて混合物中に存在するＳｉ及びＸ’のモル量より小さくなる（即ち、量（ｚｑ−ｙ）＜ｚｑ）。あるいは、量（ｚ＋（ｗ−ｙ／４））の値は、＜１であってもよい。
【００２６】
金属間化合物は、ケイ化パラジウムを含んでもよい。あるいは、金属間化合物は、ＰｄＳｉ、Ｐｄ２Ｓｉ、ＰｄｚＳｉ（ｗ−ｙ／４）Ｘ’（ｚｑ−ｙ）（式中、０．０１ｚｑ＜ｙ＜０．９９ｚｑ）からなる群から選択される化学種を含んでいてもよい。あるいは、金属間化合物は、２種類以上の金属を有していてもよい。例えば、金属間化合物は、ＣｕｎＰｄｍＳｉ（ｗ−ｙ／４）Ｘ’（ｚｑ−ｙ）（式中、ｎは、Ｃｕのモル量を表し、ｍは、Ｐｄのモル量を表し、０．０１ｚｑ＜ｙ＜０．９９ｚｑである）を含んでもよい。あるいは、下付きのｎ、ｍ、ｗ、及びｚは、量（ｍ＋ｎ）＝ｚ、（ｚ＋ｗ）＜１、０＜ｚ＜１、かつ０＜ｗ＜１となるような値であってもよい。
【００２７】
上述した金属間化合物は、オルガノハロシランを調製するための触媒として有用である。オルガノハロシランの調製方法は、２５０℃〜７００℃の範囲の温度で、式ＲＸ”（式中、Ｒは、１〜１０個の炭素原子を有するヒドロカルビル基であり、Ｘ”は、ハロゲン原子である）を有する有機ハロゲン化物を、上述した金属間化合物を少なくとも２％含む接触剤と組み合わせて、オルガノハロシランを形成する工程を含む。
【００２８】
式ＲＸ”においてＲによって表されるヒドロカルビル基は、１〜１０個の炭素原子、あるいは１〜６個の炭素原子、あるいは１〜４個の炭素原子を有してもよい。少なくとも３個の炭素原子を含有する非環式のヒドロカルビル基は、分枝状構造を有しても、非分枝状構造を有してもよい。ヒドロカルビル基の例としては、アルキル、例えば、メチル、エチル、プロピル、１−メチルエチル、ブチル、１−メチルプロピル、２−メチルプロピル、１，１−ジメチルエチル、ペンチル、１−メチルブチル、１−エチルプロピル、２−メチルブチル、３−メチルブチル、１，２−ジメチルプロピル、２，２−ジメチルプロピル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、及びデシル；シクロアルキル、例えば、シクロペンチル、シクロヘキシル、及びメチルシクロヘキシル；アリール、例えば、フェニル及びナフチル；アルカリル、例えば、トリル及びキシリル；アラルキル、例えば、ベンジル及びフェニルエチル；アルケニル、例えば、ビニル、アリル、及びプロペニル；アラルケニル、例えば、スチリル及びシンナミル；並びにアルキニル、例えば、エチニル及びプロピニルが挙げられるが、これらに限定されない。式中のＸ”に対するハロゲン原子は、金属間化合物中のＸ’に対する上述したハロゲン原子と同じでもよいし、異なっていてもよい。あるいは、式ＲＸ”中のＸ”に対するハロゲン原子は、金属間化合物中のＸ’に対する上述したハロゲン原子と同じでもよい。
【００２９】
有機ハロゲン化物の例としては、塩化メチル、臭化メチル、ヨウ化メチル、塩化エチル、臭化エチル、ヨウ化エチル、クロロベンゼン、ブロモベンゼン、ヨードベンゼン、塩化ビニル、臭化ビニル、ヨウ化ビニル、塩化アリル、臭化アリル、及びヨウ化アリルが挙げられるが、これらに限定されない。有機ハロゲン化物の調製方法は、当該技術分野において既知であり、これらの化合物の多くが市販されている。
【００３０】
前記接触剤は、接触剤の総重量に対して、少なくとも２％、あるいは少なくとも２５％、あるいは少なくとも５０％、あるいは少なくとも７５％、あるいは少なくとも９０％、あるいは少なくとも９５％、あるいは約１００％の上述したように調製した金属間化合物を含む。金属間化合物は、ケイ化パラジウムを含んでもよい。ケイ化パラジウムの例としては、ＰｄＳｉ、Ｐｄ２Ｓｉ、Ｐｄ３Ｓｉ、Ｐｄ５Ｓｉ、及びＰｄ２Ｓｉ８が挙げられるが、これらに限定されない。ケイ化パラジウムは、単一種のケイ化パラジウムであってもよいし、２種類以上のケイ化パラジウムの混合物であってもよい。あるいは、金属間化合物は、Ｃｕ、Ｐｄ、及びＳｉを含んでいてもよい。
【００３１】
接触剤は、接触剤の総重量に対して、最大９８％、あるいは最大７５％、あるいは最大５０％、あるいは最大２５％、あるいは最大１０％、あるいは最大５％のゼロ価のケイ素を、更に含んでもよい。他の実施形態では、接触剤は、本質的にゼロ価のケイ素を含まない。本明細書で使用するとき、「本質的にゼロ価のケイ素がない」とは、不純物のレベル以外で、ゼロ価のケイ素が存在しない、ということを意味するよう意図されている。例えば、本質的にゼロ価のケイ素がないとは、接触剤の総重量に対して０〜１％、あるいは０〜０．５％、あるいは０％のゼロ価のケイ素が存在するということを意味する。
【００３２】
典型的には、ゼロ価のケイ素は、化学薬品級又は冶金級のケイ素であるが、異なる等級のケイ素（ソーラー級又は電子級のケイ素など）を使用してもよい。化学薬品級及び冶金級のケイ素は、当該技術分野で既知であり、ケイ素の含有量によって定義することができる。例えば、化学薬品級及び冶金級のケイ素は、典型的には、少なくとも９８．５％のケイ素を含む。また、化学薬品級及び冶金級のケイ素は、以下に接触剤に関して説明するように、追加の元素を含有していてもよい。ゼロ価のケイ素の製造方法は、当該技術分野で既知である。これらの等級のケイ素は市販されている。
【００３３】
接触剤は、Ｆｅ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、及びＣｄ、並びにそれらの化合物などの他の元素を含んでいてもよい。これらの元素のそれぞれは、接触剤の総重量に対して、０．０００５％〜０．６％の範囲の量で存在してもよい。
【００３４】
接触剤の形態、形状、及びサイズは様々であってもよいが（直径は最大で数センチメートル）、典型的には、接触剤は超微粒子状である。本明細書で使用するとき、超微粒子状であるとは、接触剤が、粉末の形態であることを意味するように意図されている。
【００３５】
接触剤は、ケイ素インゴットなどのバルク状のケイ素から粒子状ケイ素を生成するための標準的な方法によって生成されてもよい。例えば、アトリション法、衝撃法、破砕法、粉砕（grinding）法、摩砕（abrasion）法、ミル粉砕法、又は化学法を使用してもよい。粉砕法が典型的である。接触剤は、例えば、篩にかけたり、回転分級機等の機械式空気力学的分級機を使用したりすることによって、粒径分布よって更に分級されてもよい。
【００３６】
接触剤が、２種類以上の金属間化合物を含む場合（例えば、接触剤が、少なくとも２種類の金属間化合物、又は金属間化合物とゼロ価のケイ素とを含む場合）は、これらの成分を混合してもよい。混合は、固体粒子を混合するための、当該技術分野で既知の標準的な手法によって達成することができる。例えば、混合は撹拌又は振とうによって達成することができる。更に、混合は、上で説明し、かつ例示したような、接触剤の粒径質量分布を生じさせる処理において達成されてもよい。例えば、混合は、粉砕処理において達成されてもよい。更に、混合は、ケイ化パラジウムなどの金属間化合物の生成の間に達成されてもよい。
【００３７】
本発明の方法は、直接法を行うための好適な反応器において実行することができる。例えば、封管、開管、固定床、撹拌床、又は流動床反応器を用いてもよい。
【００３８】
有機ハロゲン化物と接触剤は、反応器に接触剤を充填した後に、気体状の有機ハロゲン化物を接触剤に通すことによって組み合わせることができる。あるいは、初めに反応器を有機ハロゲン化物で充填した後で、接触剤を導入してもよい。
【００３９】
接触剤に対する有機ハロゲン化物の添加速度は、重要ではないものの、流動床を使用しているときは、床を流動化するのに十分な速度ではあるが、床を完全に巻き込んでしまう速度よりは遅い速度で、有機ハロゲン化物を反応器床へと導入する。速度は、床の粒子の粒径質量分布及び流動床反応器の寸法に依存する。当業者であれば、床から接触剤を完全に巻き込んでしまわないようにしながら、床を流動化するような、十分な有機ハロゲン化物の添加速度を、どのように決定するのかを知っているであろう。流動床を使用していないときは、床に有機ハロゲン化物を添加する速度は、典型的には、接触剤の反応性を最適化するように選択される。
【００４０】
任意選択で、本方法は、有機ハロゲン化物と接触剤とを、不活性ガスの存在下で組み合わせる工程を更に含んでもよい。例えば、不活性ガスを、有機ハロゲン化物と共に接触剤へと添加してもよい。有機ハロゲン化物と共に導入されてもよい不活性ガスの例としては、窒素、ヘリウム、アルゴン、及びそれらの混合物から選択される気体が挙げられる。上述したように、本方法は、有機ハロゲン化物と接触剤とを組み合わせる前に、かつ／又はその間に、接触剤を活性化する工程を任意に更に含んでもよい。３０分〜６時間、あるいは３０分〜４時間の範囲の時間にわたって、２００℃〜６００℃の範囲の温度にて、接触剤を水素ガス、又は不活性ガスと水素ガスを組み合わせたものに暴露することにより、接触剤の活性化を行ってもよい。
【００４１】
本方法は、反応物質の撹拌によって、行うことができる。気体と固体との間の触媒反応に関する当該技術分野で既知の方法によって、撹拌を達成することができる。例えば、反応のための撹拌は、流動床反応器内で、撹拌床反応器、振動床反応器などにおいて達成することができる。しかしながら、本方法は、例えば、金属間化合物を含む充填床の上を気体である有機ハロゲン化物を流すことなどによって、反応物を撹拌せずに行うことができる。
【００４２】
本方法は、大気圧条件、又は大気圧よりやや高い圧力条件で行うことができ、高圧条件が用いられてもよい。
【００４３】
接触剤及び有機ハロゲン化物が組み合わされる温度は、２５０℃〜７５０℃、あるいは２８０℃〜７００℃、あるいは３００℃〜７００℃、あるいは４００℃〜７００℃の範囲であってもよい。接触剤と有機ハロゲン化物とを組み合わせる温度は、オルガノハロシラン生成物中でのモノオルガノハロシラン又はジオルガノハロシランの生成方法の選択性に影響を及ぼし得る。また、金属間化合物の組成も、モノオルガノハロシラン又はジオルガノハロシランの生成方法の選択性に影響を及ぼし得る。理論に束縛されるものではないが、式ＰｄＳｉのケイ化パラジウムの含有量が比較的高い金属間化合物は、ジオルガノジハロシランを含むオルガノハロシランを選択的に生成することができ、式Ｐｄ２Ｓｉのケイ化パラジウムの含有量が比較的高い金属間化合物は、モノオルガノトリハロシランを含むオルガノハロシランを選択的に生成することができると考えられる。選択性は、ガスクロマトグラフィーにより、又は他の好適な分析手法によって決定することができる。
【００４４】
接触剤及び有機ハロゲン化物は、典型的には、金属間化合物と有機ハロゲン化物との反応からオルガノハロシランを形成するのに十分な時間にわたって組み合わされる。例えば、バッチ式の反応器では、接触剤及び有機ハロゲン化物は、３００℃〜７００℃の範囲の温度にて、５分〜２４時間、あるいは１時間〜７時間、あるいは４時間〜７時間の範囲の接触時間にわたって、組み合わせてもよい。追加の接触剤が反応器に添加されてもよく、かつ有機ハロゲン化物ガスが接触剤を連続的に通過する、連続的な又は半連続的な処理では、接触時間は、一瞬〜最大３０秒の範囲であってもよく、あるいは０．０１秒〜１５秒、あるいは０．０５秒〜５秒であってもよい。
【００４５】
有機ハロゲン化物が、液体又は固体のときは、本方法は、有機ハロゲン化物を反応器に導入する前に、有機ハロゲン化物を予熱し、気化させておく工程を任意に更に含んでもよい。
【００４６】
本方法は、有機ハロゲン化物と接触させる前に、接触剤を、不活性雰囲気中にて、かつ最大７００℃、あるいは最大４００℃、あるいは２８０℃〜５２５℃の温度にて、予熱する工程を任意に更に含んでもよい。
【００４７】
本方法は、追加の接触剤又はゼロ価のケイ素を反応器に導入して、有機ハロゲン化物と反応したケイ素を置換してオルガノハロシラン類を形成する工程を任意に更に含んでもよい。
【００４８】
本方法は、生成したオルガノハロシランを回収する工程を任意に更に含んでもよい。オルガノハロシランは、例えば、反応器から気体オルガノハロシランを取り除いてから、凝縮させることにより、回収してもよい。オルガノハロシランは回収することができ、オルガノハロシラン類の混合物は、蒸留により分離される。
【００４９】
本発明の方法に従って調製したオルガノハロシラン類は、典型的には、式Ｒ’ｑＳｉＸ”４−ｑ（式中、それぞれのＲ’は、独立してＨ、又は式ＲＸ”の有機ハロゲン化物におけるＲに対して上で述べかつ例示したとおりであり、Ｘ”は、有機ハロゲン化物に対して上で述べかつ例示したとおりであり、下付きの「ｑ」は、０〜３、あるいは１〜３の整数値である）を有する。
【００５０】
本発明の方法に従って調製したオルガノハロシラン類の例としては、ジメチルジクロロシラン（即ち、（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ２）、ジメチルジブロモシラン、ジエチルジクロロシラン、ジエチルジブロモシラン、トリメチルクロロシラン（即ち、（ＣＨ３）３ＳｉＣｌ）、メチルトリクロロシラン（即ち、（ＣＨ３）ＳｉＣｌ３）、フェニルトリクロロシラン、ジフェニルジクロロシラン、トリフェニルクロロシラン、及びメチルヒドロジクロロシラン（即ち、（ＣＨ３）ＨＳｉＣｌ２）が挙げられるが、これらに限定されない。また、本方法では、少量のトリクロロシラン、テトラクロロシラン、及びテトラメチルシランなどのハロシラン生成物及びオルガノシラン生成物も生成される場合がある。
【００５１】
上述した方法によって、ゼロ価のケイ素以外のケイ素源からオルガノハロシラン類を生成することができ、かつ、商業的に望ましいオルガノハロシラン類を良好な収率で、かつより望ましくないシラン類に対して良好な割合で生成することができる。
【００５２】
本発明の方法により生成したオルガノハロシラン類は、シリコーン業界における、ほとんどの製品の前駆物質である。例えば、ジメチルジクロロシランを加水分解して、鎖状及び環状のポリジメチルシロキサン類を生成することができる。また、本方法によって生成された他のオルガノハロシラン類（メチルトリクロロシランなど）を使用して、シリコーン樹脂などの他のケイ素含有材料を製造することができ、又は様々な業種及び用途で販売することができる。
【実施例】
【００５３】
これらの実施例は、本発明のいくつかの実施形態を例示することを意図したものであり、特許請求の範囲に記載した本発明の範囲を限定するものとして解釈すべきではない。
【００５４】
実施例Ａ−金属間化合物の調製及び分析
ある量の金属塩化物を０．３ｍＬの蒸留水に溶解した。粉砕した、１００μｍ未満の粒径のケイ素粉末を添加し、得られた組成物を、２３℃の室温及び４ｋＰａの圧力にて、１時間、真空含浸すると、スラリーが形成された。
【００５５】
このスラリーを１２０℃で２時間にわたって乾燥させると、細かな黒色粉末が得られた。ＳＰＥＸ８０００ミキサー／ミルを使用し、ステンレス鋼製の容器内にて、直径１２ｍｍのステンレス鋼製のボールを用いて、窒素雰囲気下で、この粉末をボールミル粉砕した。ボールミル粉砕の後、得られた固体を回収し、ＸＲＤ及びＳＥＭ／ＥＤＳによって分析した。
【００５６】
（実施例１〜５）
実施例Ａの方法に従って、試料の調製及び分析を行った。選択した金属塩化物、金属塩化物及び粉砕したケイ素の量、ケイ素の金属塩化物に対するモル比、ボールミル粉砕した粉末の量、粉末をボールミル粉砕した時間、及び鋼製ボールの粉末に対する重量比を、以下の表２に示し、また、結果を表３に示す。
【００５７】
【表２】
2015520015.tif 000004
【００５８】
【表３】
2015520015.tif 000005
【００５９】
（実施例６）
実施例Ａの方法に従って、試料を調製した。ボールミル粉砕処理が完了した後、試料の入った鋼製のバイアル瓶の蓋を開け、ｐＨ紙を一片、瓶中に入れると赤色に変わった。回収した固体についてのＩＣＰ分析から、揮発性の化学種（ＳｉＣｌ４）としての、塩化物の減少（９２ｍｏｌ％）及びＳｉの減少（４２ｍｏｌ％）が示された。元素分析に基づくと、この固形組成物は、Ｐｄ１Ｓｉ０．６７Ｃｌ０．１３６に相当する化学量論組成を有していた。ＸＲＤの結果から、Ｐｄ２Ｓｉが存在することが示された。
【００６０】
【表４】
2015520015.tif 000006
【００６１】
実施例Ｂ−２工程の試料調製及び分析
ＣｓＦ（０．３ｇ）を０．３ｍＬの蒸留水に溶解して、粉砕した、１００μｍ未満の粒径のケイ素粉末を０．５７ｇ添加した。得られた組成物を、２３℃の室温及び４ｋＰａの圧力にて、１時間にわたって、真空含浸すると、スラリー状混合物が形成された。このスラリー状混合物を１２０℃で２時間にわたって乾燥させると、活性化したケイ素が得られた。
【００６２】
ＰｄＣｌ２とＣｕＣｌ２を０．３ｍＬの蒸留水に溶解し、得られた溶液を０．９ｇの活性化したケイ素に添加した。得られた混合物を、２３℃の室温及び４ｋＰａの圧力にて１時間にわたって、真空含浸した後、１２０℃で２時間にわたって乾燥させた。
【００６３】
ＳＰＥＸ  ８０００ミキサー／ミルを使用し、ステンレス鋼製の容器内にて、直径１２ｍｍのステンレス鋼製のボールを用いて、窒素雰囲気下で、得られた粉末をボールミル粉砕した。ボールミル粉砕の後、得られた固形混合物を回収し、ＸＲＤ及びＳＥＭ／ＥＤＳによって分析した。
【００６４】
（実施例７及び８）
実施例Ｂの方法に従って、試料を調製した。ＰｄＣｌ２及びＣｕＣｌ２の量、ボールミル粉砕した粉末の量、粉末をボールミル粉砕した時間、及び鋼製ボールの粉末に対する重量比、並びに結果を、以下の表５に示す。
【００６５】
【表５】
2015520015.tif 000007
【００６６】
実施例９−クロロシランの生成
実施例５にて上述した方法を使用して金属間化合物を調製し、０．５ｇを石英管フロー型反応器に仕込んだ。この反応器は予めアルゴンで１時間にわたってパージされていた。試料を、Ｈ２（２０ｓｃｃｍ）を用いて、５００℃で２時間にわたって処理した後、反応器の温度を３００℃にまで下げた。Ｈ２流を止めてから、アルゴンでパージした。次に、ＭｅＣｌ（１ｓｃｃｍ）を試料床に通し、揮発性物質の放出を、ＧＣとＧＣ−ＭＳとの組み合わせにより分析した。３００℃において、Ｍｅ２ＳｉＣｌ２への高い選択性（７６ｍｏｌ％）が観察され、残部はＭｅＳｉＣｌ３（２４ｍｏｌ％）であった。反応を継続するにつれて、該反応のＭｅ２ＳｉＣｌ２生成への選択性は低下し、３５０℃にて１時間後、１：１の比率でＭｅ２ＳｉＣｌ２／ＭｅＳｉＣｌ３が観察された。４００℃にて１時間にわたって反応を継続することにより、Ｍｅ２ＳｉＣｌ２の選択性は有意に低下し、生成物の組成には、Ｍｅ２ＳｉＣｌ２（１０ｍｏｌ％）と、ＭｅＳｉＣｌ３（７７ｍｏｌ％）と、ＳｉＣｌ４（１３ｍｏｌ％）とが含有されていた。
【００６７】
実施例１０−クロロシランの生成
実施例８にて上述した方法によって金属間化合物を調製し、０．５ｇを石英管フロー型反応器に仕込んだ。この反応器は予めアルゴンで１時間にわたってパージされていた。試料を、Ｈ２（２０ｓｃｃｍ）を用いて、５００℃で２時間にわたって処理した後、反応器の温度を３００℃にまで下げた。水素流を止めてから、アルゴンでパージした。次に、ＭｅＣｌ（１ｓｃｃｍ）を試料床に通し、揮発性物質の放出を、ＧＣとＧＣ−ＭＳとの組み合わせにより分析した。３００℃において、ＭｅＳｉＣｌ３（１１ｍｏｌ％）及びＭｅ３ＳｉＣｌ（６ｍｏｌ％）と共に、Ｍｅ２ＳｉＣｌ２（８３ｍｏｌ％）が観察された。３００℃にて反応を継続するにつれて、該反応のＭｅ２ＳｉＣｌ２生成への選択性は低下し、１時間後には、この選択性は、Ｍｅ２ＳｉＣｌ２が１３ｍｏｌ％となるまで減少し、残部はＭｅＳｉＣｌ３（８２ｍｏｌ％）及びＳｉＣｌ４（５ｍｏｌ％）であった。３５０℃以上においては、Ｍｅ２ＳｉＣｌ２の生成は止まった。４００℃では、生成物の組成には、ＭｅＳｉＣｌ３（８３ｍｏｌ％）と、ＳｉＣｌ４（１７ｍｏｌ％）とが含有されていた。
【００６８】
比較例１及び２−ボールミル粉砕工程を省略
実施例１及び７において調製したスラリー状混合物を乾燥させることによって得られた細かな黒色粉末の試料を、ボールミル粉砕の前にＸＲＤ及びＳＥＭ／ＥＤＳによって分析した。各比較例では、分析データから、Ｓｉ及び金属塩化物類の存在が示唆され、二元／三元ケイ化物が形成されていないことが示された。ＰｄＣｌ２／Ｓｉの試料（Ｃ１）を生成した実施例１のスラリーに対しては、その試料におけるＥＤＳによる元素マッピングから、Ｐｄ４．９Ｓｉ６６．７Ｃｌ１１．２を含有する組成が示され、Ｐｄ１Ｓｉ１３．６Ｃｌ２．２８に相当する化学量論組成であった。ＰｄＣｌ２−ＣｕＣｌ２／Ｓｉの試料（Ｃ２）を生成した実施例７のスラリーに対しては、その試料におけるＥＤＳによる元素マッピングから、Ｐｄ３Ｃｕ０．５Ｓｉ５０．３Ｃｌ７を含有する組成が示され、Ｐｄ１Ｃｕ０．２９Ｓｉ７．２９Ｃｌ１．１３に相当する化学量論組成であった。
【００６９】
本明細書に記載した金属間化合物はオルガノハロシラン類を調製するための触媒として有用である。ＰｄＳｉは、ジオルガノジハロシラン類を形成するための選択的な触媒として有用である。本明細書に記載した方法によって形成したＰｄＳｉを含む金属間化合物は、国際公開第２０１１／０９４１４０号及び国際公開第２０１１／１４９５８８号（共に本明細書に参照により援用する）で言及されたジオルガノジハロシラン類の調製方法において、使用することができる。Ｐｄ２Ｓｉを含む金属間化合物は、モノオルガノトリハロシラン類の形成のための選択的な触媒として有用である。
【００７０】
本明細書に記載したプロセスを使用することで、生成した金属間化合物の化学量論組成を選択的に制御することができる。理論に束縛されるものではないが、Ｐｄ２Ｓｉを超過したＰｄＳｉの形成は、本明細書に記載したプロセスの工程（１）で使用されるハロゲン化パラジウムとケイ素のモル比を制御することによって最適化することができると考えられ、例えば、Ｓｉ：ＰｄＸ’２のモル比は、２：１より大きくてもよく、あるいは２：１〜１．５：１であってもよい。理論に束縛されるものではないが、超高温を必要とする場合のある電気化学的な方法又は高温アーク溶解処理と比較すると、上述した方法の工程（２）でのメカノケミカル処理は、超高温を必要としないという利点を提供するものであると考えられる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月4日(2014.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）ケイ素に金属ハロゲン化物を真空含浸する工程であって、該金属ハロゲン化物は、式ＰｄＸ’２（式中、それぞれのＸ’は、独立してハロゲン原子である）のハロゲン化パラジウムを含み、該真空含浸によって、ＰｄｚＳｉｗＸ’ｚｑを含む混合物（式中、ｚは、Ｐｄのモル量を表し、ｗは、Ｓｉのモル量を表し、ｚｑは、該混合物中のハロゲン原子のモル量を表す）を生成する、真空含浸する工程と、
（２）不活性雰囲気下で、該混合物をメカノケミカルに処理する工程であって、該処理によって、
（ｉ）式ＰｄｚＳｉ（ｗ−ｙ／４）Ｘ’（ｚｑ−ｙ）（式中、ｙは、工程（２）の間に該混合物から取り除かれたハロゲン原子のモル量を表し、ｙ＜ｚｑである）の金属間化合物と、
（ｉｉ）ＳｉＸ’４を含む副生成物と、
を含む、酸化還元反応生成物を生成する、メカノケミカルに処理する工程と、
を含む、プロセス。
【請求項２】
前記副生成物の全て若しくは一部を取り除く工程（３）、又は、
工程（１）の前に、前記ケイ素を活性化する工程（０）、又は、
工程（３）及び工程（０）の両方、を更に含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
式ＰｄＸ’２の前記金属ハロゲン化物に加えて、前記金属ハロゲン化物が、ＣｕＸ’、ＣｕＸ’２、及びそれらの組み合わせからなる群から選択されるハロゲン化銅を更に含む、請求項１又は２に記載のプロセス。
【請求項４】
金属間化合物が、ＣｕｎＰｄｍＳｉ（ｗ−ｙ／４）Ｘ’（ｚｑ−ｙ）（式中、ｎは、Ｃｕのモル量を表し、ｍは、Ｐｄのモル量を表し、ｚｑは、工程（１）で形成された前記混合物中でのハロゲン原子の相対モル量を表し、ｙは、工程（２）の間に前記混合物から取り除かれたハロゲン原子のモル量を表し、ｙ／４は、工程（２）の間に前記混合物から取り除かれたＳｉのモル量を表し、０．０１ｚｑ＜ｙ＜０．９９ｚｑかつ０＜ｗ＜１である）を含む、請求項３に記載のプロセスによって調製される、金属間化合物。
【請求項５】
２５０℃〜７５０℃の温度で、式ＲＸ”（式中、Ｒは、１〜１０個の炭素原子を有するヒドロカルビル基であり、Ｘ”は、ハロゲン原子である）を有する有機ハロゲン化物を、請求項４に記載の前記金属間化合物を少なくとも２％含む接触剤と組み合わせて、オルガノハロシランを形成する工程を含む、方法。
【国際調査報告】
2015520015.tif 000008
2015520015.tif 000009
2015520015.tif 000010
2015520015.tif 000011