(57)【要約】  本発明の実施形態は、概して、半導体製造で使用する低誘電率誘電膜の誘電率を低下させる方法に関する。一実施形態で、シリコン含有誘電膜の誘電率（ｋ）を低下させる方法は、多孔性低誘電率シリコン含有誘電膜をフッ化水素酸溶液に曝露すること、その後、低誘電率シリコン含有誘電膜をシリル化剤に曝露することを含む。シリル化剤は多孔性低誘電率誘電膜内のＳｉ−ＯＨ官能基と反応し、低誘電率誘電膜内の炭素濃度を増大させる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
低誘電率シリコン含有誘電膜の誘電率（ｋ）を低下させる方法であって、
低誘電率シリコン含有誘電膜をフッ化水素酸溶液に曝露すること、及び、次いで、
前記低誘電率シリコン含有誘電膜をシリル化剤に曝露すること
を含む、方法。
【請求項２】
前記低誘電率シリコン含有誘電膜は、前記フッ化水素酸溶液に曝露する前の前記低誘電率シリコン含有誘電体の誘電率（ｋ）と比較して、前記シリル化剤に曝露した後により低い誘電率（ｋ）を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記低誘電率シリコン含有誘電膜は、３又はそれを下回る初期誘電率を有する、シリコンベースの誘電材料である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記低誘電率シリコン含有誘電膜は、炭素及び水素を含有する、酸化ケイ素である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記低誘電率シリコン含有誘電膜は、前記低誘電率シリコン含有誘電膜をフッ化水素酸溶液に曝露することよりも前に、平坦化プロセス、エッチングプロセス、ディフュージョンバリア堆積プロセス、金属堆積プロセス、及びこれらの組み合わせから選択される、集積化プロセスに曝露される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記フッ化水素酸溶液は、前記低誘電率シリコン含有誘電膜のＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合網の一部を破壊して、Ｓｉ−ＯＨ官能基を形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記シリル化剤は、前記低誘電率シリコン含有誘電膜内のＳｉ−ＯＨ官能基と反応し、前記低誘電率シリコン含有誘電膜内の炭素濃度を増大させる、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記低誘電率シリコン含有誘電膜を、紫外線硬化プロセスに曝露することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記低誘電率シリコン含有誘電膜を紫外線硬化プロセスに曝露することは、前記低誘電率シリコン含有誘電膜をシリル化剤に曝露することよりも前に、前記低誘電率シリコン含有誘電膜をシリル化剤に曝露することと同時に、前記低誘電率シリコン含有誘電膜をシリル化剤に曝露することに続いて、又はこれらの組み合わせで、実施される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記シリル化剤は、気相にあり、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、テトラメチルジシラザン（ＴＭＤＳ）、トリメチルクロロシラン（ＴＭＣＳ）、ジメチルジクロロシラン（ＤＭＤＣＳ）、メチルトリクロロシラン（ＭＴＣＳ）、トリメチルメトキシシラン（ＴＭＭＳ）（ＣＨ３−Ｏ−Ｓｉ−（ＣＨ３）３）、ジメチルジメトキシシラン（ＤＭＤＭＳ）（（ＣＨ３）２−Ｓｉ−（ＯＣＨ３）２）、メチルトリメトキシシラン（ＭＴＭＳ）（（ＣＨ３−Ｏ）３−Ｓｉ−ＣＨ３）、フェニルトリメトキシシラン（ＰＴＭＯＳ）（Ｃ６Ｈ５−Ｓｉ−（ＯＣＨ３）３）、フェニルジメチルクロロシラン（ＰＤＭＣＳ）（Ｃ６Ｈ５−Ｓｉ（Ｃｌ）−（ＣＨ３）２）、ジメチルアミノトリメチルシラン（ＤＭＡＴＭＳ）（（ＣＨ３）２−Ｎ−Ｓｉ−（ＣＨ３）３）、ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン（ＢＤＭＡＤＭＳ）、及びこれらの組み合わせからなるグループから選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記シリル化剤はＤＭＡＴＭＳである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
低誘電率シリコン含有誘電膜の誘電率（ｋ）を低下させる方法であって、
低誘電率シリコン含有誘電膜をフッ化水素酸溶液に曝露すること、
前記低誘電率シリコン含有誘電膜を気化されたシリル化剤に曝露すること、及び、
前記低誘電率シリコン含有誘電膜を、紫外線（ＵＶ）硬化プロセスに曝露することを含む、方法。
【請求項１３】
低誘電率シリコン含有誘電膜を、気化されたシリル化剤に曝露すること、及び、低誘電率シリコン含有誘電膜を、紫外線硬化プロセスに曝露することは、同じ処理チャンバ内で実施される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ＵＶ硬化プロセスは、摂氏約１００度から摂氏約８００度までのＵＶ硬化温度で実施される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
ＵＶ照射波長をシミュレートするために、遠隔プラズマ源により形成されるプラズマを使用することをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、概して、半導体製造で使用する低誘電率誘電膜の誘電率を低下させる方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造における誘電膜の誘電率（ｋ）は、デバイスのスケーリングが続くにつれて継続的に減少している。低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）膜への集積化損傷を最小限に抑えることは、特徴サイズの継続的な減少を可能にするために重要である。しかしながら、特徴サイズが縮小するにつれ、抵抗容量及び誘電膜の信頼性向上が深刻な課題となる。
【０００３】
例えば、炭素がドープされた酸化物（ＣＤＯ）などを含む多孔性低誘電率誘電膜は、限定しないが例えば、研磨、エッチング、アッシング、及び洗浄などの集積化ステップに曝露される（ｅｘｐｏｓｅｄ）ときに、その結合構造に損傷を受ける。高いｋ値を有する誘電膜ほど、後続する積層化ステップに対する耐性が高まるが、特徴サイズが縮小するにつれ、最終的な膜においては典型的にはより低いｋ値が望ましい。例えば、ダマシンプロセスで、パターン加工された低誘電率誘電膜が典型的には銅で充填され、次いで、化学的平坦化（ＣＭＰ）プロセスによって銅膜が平坦化される。より高いｋ値を有する誘電膜であるほど、機械的には堅牢であり大きな損傷なくＣＭＰプロセスに耐えることができる。一方、低い誘電率を有する誘電膜ほど機械的には堅牢でなく、ＣＭＰプロセスによってかなり損傷を受けるであろう。
【０００４】
したがって、効率を高め且つデバイスをより小さくできるよう、誘電膜のｋ値を低下させる方法が必要とされる。
【発明の概要】
【０００５】
本発明の実施形態は、概して、半導体製造で使用する低誘電率誘電膜の誘電率を低下させる方法に関する。一実施形態で、シリコン含有誘電膜の誘電率（ｋ）を低下させる方法は、多孔性低誘電率シリコン含有誘電膜をフッ化水素酸溶液に曝露すること、その後、低誘電率シリコン含有誘電膜をシリル化剤に曝露することを含む。
【０００６】
別の実施形態では、低誘電率シリコン含有誘電膜の誘電率（ｋ）を低下させる方法が提供される。方法は、多孔性低誘電率シリコン含有誘電膜をフッ化水素酸溶液に曝露すること、低誘電率シリコン含有誘電膜を気化されたシリル化剤に曝露すること、及び、低誘電率誘電膜を紫外線（ＵＶ）硬化プロセスに曝露することを含む。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本発明の上述のような特徴が詳細に理解されるように、上記で簡単に概説した本発明のより具体的な記載が、実施形態を参照することによって得られ、これら実施形態の幾つかは添付の図面で示されている。しかしながら、本発明は他の等しく有効な他の実施形態も許容し得るため、添付の図面は本発明の典型的な実施形態のみを示しており、したがって本発明の範囲を限定すると見なすべきでないことに留意されたい。
【０００８】
【図１Ａ】本明細書に記載の実施形態による、あるプロセス段階中の誘電膜を示す。
【図１Ｂ】本明細書に記載の実施形態による、別のプロセス段階中の誘電膜を示す。
【図１Ｃ】本明細書に記載の実施形態による、さらなるプロセス段階中の誘電膜を示す。
【図１Ｄ】本明細書に記載の実施形態による、さらなるプロセス段階中の誘電膜を示す。
【図２】本明細書に記載の実施形態による、低誘電率誘電膜のｋ値を低下させるための一方法を示すプロセスフロー図である。
【図３】本明細書に記載の実施形態を実施するために使用され得る、例示的なプロセスチャンバの断面図である。
【０００９】
理解を容易にするため、可能な限り、複数の図に共通する同一の要素を示すのに同一の参照番号を使用した。一実施形態の要素及び／又はステップは、さらなる記述がなくとも、他の実施形態に有益に組み込むことができるように企図される。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の実施形態は、概して、半導体製造で使用される低誘電率誘電膜の誘電率を低下させるための方法に関する。ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩでは、低い誘電率を備えるバックエンド誘電体の使用が、より一層要求される。本明細書に記載の実施形態の潜在的な応用の１つは、高誘電率（すなわちより少ない炭素）を備える誘電膜が、特定の集積化ステップに耐え、次いで、増大した炭素濃度（すなわちより低いｋ値）を有するよう処理されるようにできることである。多孔性低誘電率誘電膜の炭素含有を精密に調節することが、もう１つの潜在的な応用である。
【００１１】
多孔性低誘電率誘電膜（例えばＣＤＯ）又は多孔性低誘電率誘電膜の層を包含する基板は、フッ化水素（ＨＦ）溶液に浸される。フッ化水素酸は多孔性低誘電率誘電膜と反応し、低誘電率誘電膜内に、ＨＦに曝露する前の低誘電率誘電膜よりも高濃度のＳｉ−ＯＨ官能基が得られる。次いで、基板はリンス溶媒／溶液でリンスされ、その後乾燥される。ＨＦに曝露した後、次いで基板は、気相又は液相のシリル化剤に曝露される。シリル化剤は多孔性低誘電率誘電膜内のＳｉ−ＯＨ官能基と反応し、低誘電率誘電膜内の炭素濃度を増大させる。基板は必要に応じてリンスされ乾燥され得る。基板は、シリル化剤とＵＶ光との双方に同時に曝露されてもよい。基板は、シリル化剤に曝露された後にＵＶ光に曝露されてもよい。増大した炭素濃度により、多孔性低誘電率誘電膜の誘電率は、ＨＦに曝露する前よりも低くなる。本明細書における濃度は、体積あたりの分子数を意味する。ＨＦに曝露するプロセスは、Ｓｉ−ＯＨ官能基の量を制御するために時間指定されてもよい。この制御が、最終的な炭素濃度を、したがって結果として誘電率を決定づけることとなる。
【００１２】
図１Ａは、構造体１０１上に堆積する誘電膜１００を示す。構造体１０１は、例えばシリコンウエハなどの基板、又は、例えばメタライズ層もしくは相互接続層などの予め形成された層であり得る。低誘電率誘電膜１００は、約３又はこれより低いｋ値を有する、任意の従来型の多孔性、低誘電率の、シリコンベースの誘電材料であり得る。例示的な低誘電率誘電膜は、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＯＣ、ＳｉＯＮ、ＳｉＣＯＨ、ＳｉＯＣＮ、及び他の関連する膜を含む。一実施形態で、低誘電率誘電材料は、有機ケイ酸塩ガラス（ＳｉＣＯＨとしても知られるＯＳＧ）であり、これは炭素と水素原子とを包含する酸化ケイ素である。ＳｉＣＯＨは約２から３の間のｋ値を有し、カリフォルニア州サンタクララのＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ社からＢｌａｃｋ  Ｄｉａｍｏｎｄ  ＩＩ（商標）で入手可能である。低誘電率誘電膜１００は、膜に形成されたポア１０２を有し得る。ポアは、ナノポアであり得る。ナノポアは、約０．５ｎｍ〜約２０ｎｍの範囲内の直径を有し得る。低誘電率誘電膜は、化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）プロセス又は任意の他の適切な堆積技術により堆積され得る。低誘電率誘電膜１００は、多孔性の炭素ドープ酸化物（ＣＤＯ）膜であり得る。低誘電率誘電膜１００は、処理前の誘電膜のｋ値を上回るｋ値を有し得る。
【００１３】
図１Ｂは、低誘電率誘電膜１００内に特徴１０４を形成するために、平坦化されエッチングされた後の低誘電率誘電膜１００を示す。低誘電率誘電膜１００は、例えば化学機械平坦化（ＣＭＰ）プロセスによって平坦化され得る。低誘電率誘電膜１００は、低誘電率誘電膜１００の部分をマスキングすること、低誘電率誘電膜１００のマスキングされない部分をフッ化水素酸（ＨＦ）蒸気から形成されるプラズマでコンタクトすること、及び、例えば酸素（Ｏ２）ガスもしくはＣＯ２ガスからのプラズマを使用してマスクをアッシングで除去することによって、エッチングされ得る。本明細書に記載の実施形態を使用した処理ステップのうち任意のものを経ると、低誘電率誘電膜１００のｋ値は低下し得る。
【００１４】
図１Ｃは、ディフュージョンバリア１０６が低誘電率誘電膜１００の特徴１０４内に堆積された後の、及び、例えば銅もしくは銅合金などの金属材料１０７が特徴１０４内に堆積された後の、低誘電率誘電膜１００を示す。図１Ｄに示すように、金属材料１０７を平坦化し、且つ平坦化中に形成された任意の酸化物を取り除くことが必要かもしれない。通常の金属酸化物除去技術は、水素プラズマ又はアンモニアプラズマの使用を含む。平坦化プロセス及び／又は金属酸化物除去プロセスは、低誘電率誘電膜１００がより低いｋ値を有する場合には、低誘電率誘電膜１００の表面を損傷し得る。結果として、様々な処理ステップが実施された後の誘電膜１００のｋ値よりも高いｋ値を、処理前及び処理中に、低誘電率誘電膜１００が有することが望ましくなる。本明細書に記載のｋ値低下プロセスを使用した上述の処理ステップのうち任意のものを経た後、低誘電率誘電膜１００のｋ値は低下し得る。
【００１５】
図２は、本明細書に記載の実施形態による、低誘電率誘電膜のｋ値を低下させるための一方法２００を示すプロセスフロー図である。ブロック２１０で、低誘電率誘電膜を堆積した基板が、処理チャンバ内に置かれる。この基板及び低誘電率誘電膜は、図１Ａ〜１Ｄに示す低誘電率誘電膜１００及び構造体１０１と同様であり得る。低誘電率誘電膜は、典型的には、方法２００の実施後の膜の最終的なｋ値よりも高い初期ｋ値を有する。処理チャンバは、図３に示す処理チャンバと同様であり得る。
【００１６】
ブロック２２０で、低誘電率誘電膜内にビア／トレンチなどの特徴を任意適切なドライエッチングもしくは湿式エッチングプロセスを使用して形成するために、基板は、任意選択的に、その場で処理されてもよく又は別個の処理チャンバで処理されてもよい。基板上に残された、エッチングプロセスからの任意のマスキング材料及び／又は残留物は、その場でもしくは専用のチャンバ内で、アッシングプロセスもしくは任意の他の適切な技術を使用して、剥離／除去され得る。特徴を形成するために使用され得る他の集積化プロセスは、平坦化プロセス、ディフュージョンバリア堆積プロセス、金属堆積プロセス、及びこれらの組み合わせを含む。
【００１７】
ブロック２３０で、低誘電率誘電膜はフッ化水素酸（ＨＦ）溶液に曝露される。フッ化水素酸溶液は、液相又は気相であり得る。フッ化水素酸溶液は、希フッ化水素（ＤＨＦ）酸溶液であり得る。フッ化水素酸は、バッファされたバッファードフッ化水素酸（ＢＨＦ）であってもよく、又はバッファされていなくてもよい。ＨＦのバッファのための例示的なバッファ剤は、フッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）を含む。フッ化水素酸溶液は、低誘電率誘電膜内のＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合網の一部分を破壊してＳｉ−ＯＨ結合を形成するとされているので、フッ化水素酸溶液が選択される。低誘電率誘電膜内のＳｉ−ＯＨ結合により、低誘電率誘電膜内に追加の炭素を挿入することが可能となり、結果として低誘電率誘電膜のｋ値が低減できる。希フッ化水素酸溶液の濃度及び低誘電率誘電膜を希ＨＦに曝露する時間期間などの因子は、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ網の破壊量に影響するであろう。
【００１８】
低誘電率誘電膜は、例えば３０秒間〜８００秒間などのある時間、希酸溶液に浸され得る。特定の実施形態では、希酸溶液は低誘電率誘電膜上にスプレーされ得る。任意選択的に、低誘電率誘電膜をフッ化水素酸溶液に曝露した後、基板表面を洗浄するために、例えば脱イオン水を使用した、曝露後リンス（ｐｏｓｔ−ｅｘｐｏｓｕｒｅ  ｒｉｎｓｅ）プロセスが使用され得る。任意選択的な洗浄プロセスの後、当技術分野で公知の乾燥プロセスを使用した任意選択的な乾燥プロセスが行われてもよい。
【００１９】
フッ化水素酸溶液は、フッ化水素酸（ＨＦ）を脱イオン水で希釈した溶液であり得る。フッ化水素酸溶液は、フッ化水素酸体積比約０．１％〜約１００％であり得る。フッ化水素酸溶液は、フッ化水素酸体積比約１％〜約７０％であり得る。フッ化水素酸溶液は、体積比約０．１％〜約５％、例えば体積比約０．５％〜約１％の濃度のフッ化水素酸を含み得る。フッ化水素酸への浸漬は、室温（例えば約２０℃）で実施され得る。浸漬時間は、フッ化水素酸濃度、及び、所望のＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合破壊の量に応じて変動し得る。
【００２０】
ブロック２４０で、低誘電率誘電膜はシリル化剤に曝露される。一実施形態では、シリル化プロセスは、図３に関して説明される処理チャンバ３００などのＵＶを基にした処理チャンバ内で実施され得る。シリル化プロセスは、ブロック２２０中に発生した低誘電率誘電膜に対する損傷のうちの少なくとも幾分かを復元又は修復するために、及び、低誘電率誘電膜内へ追加の炭素を挿入させるために、使用され得、結果として低誘電率誘電膜のｋ値がさらに低減される。多孔性低誘電率誘電膜１００をシリル化剤に曝露することにより、誘電膜１００内のＳｉ−ＯＨ基が、例えばＳｉ−Ｏ−Ｓｉ（ＣＨ３）３基などの疎水性基へと変換され得る。疎水性基は、誘電膜１００の損傷したポア１０３から水を追い出すことを助ける。
【００２１】
低誘電率誘電膜１００をシリル化剤に曝露することは、気相又は液相において行われ得る。気相シリル化プロセスは、上述のように低誘電率誘電膜１００内にＳｉ−Ｏ−Ｓｉ（ＣＨ３）３基を作製するために、低誘電率誘電膜１００を気化されたシリル化剤にコンタクトさせることを含む。シリル化剤の気化により、シリル化剤が低誘電率誘電膜１００内に深く浸透することができる。例示的なシリル化剤は、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、テトラメチルジシラザン（ＴＭＤＳ）、トリメチルクロロシラン（ＴＭＣＳ）、ジメチルジクロロシラン（ＤＭＤＣＳ）、メチルトリクロロシラン（ＭＴＣＳ）、トリメチルメトキシシラン（ＴＭＭＳ）（ＣＨ３−Ｏ−Ｓｉ−（ＣＨ３）３）、ジメチルジメトキシシラン（ＤＭＤＭＳ）（（ＣＨ３）２−Ｓｉ−（ＯＣＨ３）２）、メチルトリメトキシシラン（ＭＴＭＳ）（（ＣＨ３−Ｏ）３−Ｓｉ−ＣＨ３）、フェニルトリメトキシシラン（ＰＴＭＯＳ）（Ｃ６Ｈ５−Ｓｉ−（ＯＣＨ３）３）、フェニルジメチルクロロシラン（ＰＤＭＣＳ）（Ｃ６Ｈ５−Ｓｉ（Ｃｌ）−（ＣＨ３）２）、ジメチルアミノトリメチルシラン（ＤＭＡＴＭＳ）（（ＣＨ３）２−Ｎ−Ｓｉ−（ＣＨ３）３）、ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン（ＢＤＭＡＤＭＳ）、又は、Ｓｉ、Ｈ、及びＣを含有する他の化合物を含む。シリル化剤は、ガス又は気化された液体蒸気の形態をとり得る。
【００２２】
気相シリル化プロセスは、低誘電率誘電膜１００を処理チャンバ内に置くこと、シリル化剤を気化すること、及び、気化されたシリル化剤を処理チャンバ内に流入させることによって遂行され得る。代替的に、シリル化剤は処理チャンバ内で気化されてもよい。シリル化剤は、処理チャンバの上部に配置されるシャワーヘッドを通って処理チャンバ内に導入され得る。シリル化剤が処理チャンバ内へと流入するのを援助するために、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎ２、Ｈ２、及びこれらの組み合わせなどのキャリアガスが使用され得る。さらに、例えば水などの触媒が気相シリル化プロセス中に付加され得る。気相シリル化プロセスは、約５０ｍＴｏｒｒ〜約５００Ｔｏｒｒの、例えば約２００ｍＴｏｒｒ〜約６Ｔｏｒｒの処理チャンバ圧力で遂行され得る。シリル化プロセス中、誘電膜は、約１００℃〜約４００℃の、例えば、約２００℃〜約３９０℃へ加熱され得る。シリル化剤の流量は、１ｓｃｃｍと１０，０００ｓｃｃｍとの間、例えば、約１００ｓｃｃｍ〜約２，０００ｓｃｃｍであり得る。シリル化剤の流量は、４００ｓｃｃｍと２，０００ｓｃｃｍとの間であり得る。シリル化剤の流量は、１ｍｇｍと１０，０００ｍｇｍとの間、例えば、約１００ｍｇｍ〜約２，０００ｍｇｍであり得る。シリル化剤の流量は、１，０００ｓｃｃｍと２，０００ｓｃｃｍとの間であり得る。任意選択的なキャリアガスの流量は、１ｓｃｃｍと１０，０００ｓｃｃｍとの間、例えば、約２，０００ｓｃｃｍ〜約３，０００ｓｃｃｍであり得る。任意選択的なキャリアガスの流量は、４００ｓｃｃｍと２，０００ｓｃｃｍとの間であり得る。気相シリル化の処理時間は、約１分間〜約１０分間であり得る。処理チャンバ内の圧力は、気相シリル化プロセス中に変動され得る。例えば、圧力は５０Ｔｏｒｒと５００Ｔｏｒｒとの間で変動され得る。
【００２３】
低誘電率誘電膜のうち損傷した膜を気化されたシリル化剤に曝露することにより、損傷した膜を炭素で補充し、且つ低誘電率誘電膜に追加の炭素を付加することができる。例えば、メチル又はフェニルを含有するシリル化剤は、低誘電率誘電膜内のＳｉ−ＯＨ基と反応して、親水性のＳｉ-ＯＨ基を疎水性のＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合（例えば、Ｓｉ-Ｏ-Ｓｉ（ＣＨ３）３基又はＳｉ-Ｏ-Ｓｉ（ＣＨ３）２-Ｏ−Ｓｉ基）へと変換することができる。疎水性膜は親水性膜に比べ湿気を保持しにくく、処理される低誘電率誘電膜の属性に、湿気が影響を与えにくい。したがって、低誘電率誘電膜のｋ値は回復される（すなわち、減少する）。
【００２４】
ブロック２５０で、低誘電率誘電膜は任意選択的に、ＵＶ硬化プロセスに曝露される。低誘電率誘電膜は、ブロック２４０で実施された誘電率回復プロセスと同じ処理チャンバ内で、ＵＶ透過ガス分配シャワーヘッド及びＵＶ透過ウィンドウ上に配置されたＵＶユニットからのＵＶエネルギーを使用して、処理され得る。ブロック２５０のＵＶ硬化プロセスは、ブロック２４０のプロセスよりも前に、ブロック２４０のプロセスと同時に、ブロック２４０のプロセスに後続して、又は上述のシーケンスの任意の組み合わせで、実施され得る。ＵＶ硬化プロセスは、低誘電率誘電膜１００を処理チャンバ内に置くこと、及び、低誘電率誘電膜１００がＵＶ照射とコンタクトするようにＵＶ照射源を係合させることにより、遂行され得る。ＵＶ照射源は、例えばＵＶランプであり得る。ＵＶ照射源は処理チャンバの外側に配置されてもよく、処理チャンバは、ＵＶ照射が通過するための石英ウィンドウを有してもよい。低誘電率誘電膜１００は、例えばＨｅ又はＡｒなどの不活性ガス環境内に配置され得る。処理チャンバは、低誘電率誘電膜１００をＵＶ照射に曝露する前又はそれと同時に低誘電率誘電膜１００を加熱するための、マイクロ波源も含み得る。ＵＶ硬化プロセスは、ＵＶ照射の波長をシミュレートするプラズマを使用して遂行されてもよい。プラズマは、ＲＦ電力をＨｅ、Ａｒ、Ｏ２、Ｎ２、又はこれらの組み合わせなどの処理ガスと結合させることによって形成され得る。プラズマは、遠隔プラズマ源（ＲＰＳ）によって形成されて処理チャンバに送達されてもよい。
【００２５】
ＵＶ硬化プロセスは、１Ｔｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒの間、例えば６Ｔｏｒｒなどの処理チャンバ圧力、２０℃〜４００℃の間、例えば３８５℃などの誘電膜温度、８，０００ｓｃｃｍ〜２４，０００ｓｃｃｍの間、例えば１６，０００ｓｃｃｍなどの環境ガス流量、２，０００ｓｃｃｍ〜２０，０００ｓｃｃｍの間、例えば１２，０００ｓｃｃｍの処理ガス流量、５０Ｗ〜１，０００Ｗの間、例えば５００ＷなどのＲＦ電力、１３．５６ＭＨｚのＲＦ電力周波数、１０秒〜１８０秒の間、例えば６０秒の処理時間、１００Ｗ／ｍ２〜２，０００Ｗ／ｍ２の間、例えば１，５００Ｗ／ｍ２などのＵＶ照射強度、及び、１００ｎｍ〜４００ｎｍの間のＵＶ波長で、遂行され得る。上述のＵＶ硬化プロセスは、特徴１０４の側壁における損傷したポア１０３を有利に修復する。
【００２６】
一実施形態で、ＵＶ硬化温度は、約１００℃〜約８００℃の間、例えば約４００℃であり得る。ＵＶ硬化時間は、約１０秒間〜約６００秒間であり得る。ＵＶ硬化ガスは、ＵＶ透過ガス分配シャワーヘッドを通って処理チャンバへと流入し得る。一実施形態で、ヘリウム及びアルゴンなどの不活性硬化ガスは、約１，０００ｓｃｃｍ〜約２７，０００ｓｃｃｍの流量で処理チャンバへ流入し得る。
【００２７】
別の実施形態では、ブロック２４０のシリル化プロセス及びブロック２５０のＵＶ硬化は、同時に実行されることができる。そのような場合、ＵＶユニットはシリル化プロセスと同時にオン／オフされる。さらに別の実施形態で、ブロック２５０のＵＶ硬化はブロック２４０のシリル化プロセスよりも前に実施され得る。さらに別の実施形態では、ブロック２４０のシリル化プロセス及びブロック２５０のＵＶ硬化は、交互に実行されることができる。例えば、ＵＶ硬化は、表面／側壁から幾らかの水を除去するために実施され得る。次いで、表面の疎水性を回復するためにシリル化が実施される。次いで、低誘電率膜の損傷をさらに修復するためにＵＶ硬化が実施される。そのような場合、シリル化及びＵＶ硬化は、それぞれ、約１５秒間〜約３０秒間実施され得る。シリル化剤の流量、時間、ＵＶ出力、基板温度、シリル化及びＵＶ硬化プロセスのチャンバ圧力は、応用に応じて変動することが意図され得る。所望であれば、ＵＶ硬化は、シリル化プロセスのための処理チャンバとは別個の処理チャンバ内で実施され得る。
【００２８】
様々なガスパージ及び排気プロセスが、方法２００中で実施され得る。例えば、低誘電率誘電膜を処理チャンバ内へ挿入した後、ブロック２４０のシリル化プロセスの前に、チャンバを排気することが有益であるかもしれない。処理チャンバは真空ポンプを使用して排気され得る。
【００２９】
方法２００の実施後、低誘電率誘電膜を堆積した基板は、処理チャンバから取り除かれ、リンス溶媒／溶液に曝露され、任意選択的に乾燥プロセスが後続する。
【００３０】
図３は、本明細書に記載の実施形態を実施するために使用され得る、例示的なプロセスチャンバの断面図である。図３は、Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃによって現在製造されているＰＲＯＤＵＣＥＲ（登録商標）チャンバの特徴に基づく。ＰＲＯＤＵＣＥＲ  ＣＶＤチャンバ（２００ｍｍ又は３００ｍｍ）は、炭素がドープされた酸化ケイ素及び他の材料を堆積させるために使用され得る、２つの分離された処理領域を有する。
【００３１】
図３は、ＵＶ硬化用に構成されるタンデム処理チャンバ３００を示す。タンデム処理チャンバ３００は、本体３０１と本体３０１にヒンジ留めされ得る蓋３０３とを含む。２つのハウジング３０５が蓋３０３に連結され、これらハウジングの各々は、ハウジング３０５の内部を経由して冷却用空気を通すため、吸入口と排出口とに連結される。冷却用空気は、室温又は摂氏約２０度であることができる。中央の加圧空気源（図示せず）は、任意のＵＶランプバルブ及び／又はタンデム処理チャンバ３００に関連付けられるバルブ用電源３１３の正確な動作を保証するために、十分な流量の空気を吸入口に供給する。
【００３２】
図３は、ＵＶ硬化用に構成され、蓋３０３、ハウジング３０５、及び電源３１３を備える、タンデム処理チャンバ３００の部分断面図を示す。本体３０１内に画定される２つの処理領域３２０の上部にそれぞれ配置される、２つのＵＶランプバルブ３０２のそれぞれを、ハウジング３０５の各々が覆う。処理領域３２０の各々は、処理領域３２０内で基板３０８を支持するための加熱ペデスタル３０６を含む。ペデスタル３０６は、セラミック又はアルミニウムなどの金属で作製することができる。好ましくは、ペデスタル３０６は、本体の底部を通って伸びるステム３１０に連結され、ステム３１０は、ドライブシステム３１２によって動作され、ペデスタル３０６を処理領域３２０内でＵＶランプバルブの方に及びＵＶランプバルブから離れるように運動させる。ドライブシステム３１２はまた、基板照明の均一性を高めるために、硬化中にペデスタル３０６を回転及び／又は並進させることができる。ペデスタル３０６の調整可能な配置により、硬化における揮発性副生成物、パージ及び洗浄ガスの流量パターン、並びに、レジデンス時間の制御、さらには、焦点距離などの光送達システム設計における考慮事項の性質に応じた、基板３０８上の入射ＵＶの照射レベルの潜在的な精密な調節の制御が可能となる。
【００３３】
本発明の実施形態は、概して、水銀マイクロ波アークランプ、パルスキセノンフラッシュランプ、又は高効率ＵＶライト発光ダイオードアレイなどの任意のＵＶ源を考慮している。ＵＶランプバルブ３０２は、電源３１３によって励起されるためにキセノン（Ｘｅ）又は水銀（Ｈｇ）などの一又は複数のガスで充填され封入されたプラズマバルブである。好ましくは、電源３１３は、一又は複数のマグネトロンを含み得るマイクロ波発振器（図示せず）、及び、マグネトロンのフィラメントに通電する一又は複数のトランス（図示せず）である。キロワットマイクロ波（ＭＷ）電源を有する一実施形態で、ハウジング３０５の各々は、電源３１３から約６，０００Ｗまでのマイクロ波電力を受けるための、電源３１３に隣接した開口３１５を含み、この電力を受けた後バルブ３０２の各々から約１００ＷまでのＵＶ光が生成される。別の実施形態で、ＵＶランプバルブ３０２は内部に電極又はフィラメントを含むことができ、これにより、電源３１３が、電極に対し、直流（ＤＣ）又はパルスＤＣなどの回路及び／又は給電部となる。
【００３４】
幾つかの実施形態において、電源３１３は、ＵＶランプバルブ３０２内のガスを励起することができる無線周波数（ＲＦ）エネルギー源を含み得る。バルブ内のＲＦ励起の構成は、容量性であっても誘導性であってもよい。誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）バルブは、容量結合放電によるよりも高密度のプラズマを生成することによって、バルブの輝度を効率的に増大させるために使用されることができる。さらに、ＩＣＰランプは、電極の劣化に起因するＵＶ出力の低下を解消し、結果としてバルブは長寿命となりシステムの生産性が向上する。電源３１３がＲＦエネルギー源であることにより、効率性の向上という利点も含まれる。
【００３５】
好ましくは、バルブ３０２は、１７０ｎｍ〜４００ｎｍの波長の広帯域に亘る光を発する。バルブ３０２内で使用されるために選択されるガスは、放射される波長を決定することができる。より短い波長は、酸素が存在する場合にオゾンを発生する傾向にあるので、バルブ３０２によって放射されるＵＶ光は、大部分は２００ｎｍを上回る広帯域ＵＶ光を発生させるように調節されて、硬化プロセス中のオゾン発生を防止することができる。
【００３６】
ＵＶランプバルブ３０２から放射されるＵＶ光は、蓋３０３の開口に設けられたウィンドウ３１４を通過することによって、処理領域３２０に入る。ウィンドウ３１４は、好ましくは、ＯＨを含まない合成石英ガラスから作製され、クラックすることなく真空を維持するよう十分な厚さを有する。さらに、ウィンドウ３１４は、好ましくは、約１５０ｎｍまでのＵＶ光を透過する溶融シリカである。蓋３０３が本体３０１を密閉し、ウィンドウ３１４は蓋３０３に密閉されるので、処理領域３２０は、約１Ｔｏｒｒ〜約６５０Ｔｏｒｒの圧力を維持することのできる体積をもたらす。処理ガス又は洗浄ガス３１７は、２つの吸入口通路３１６のそれぞれを介して処理領域３２０に入る。処理ガス又は洗浄ガス３１７は、次いで、共通の排出口ポート３１８を経由して処理領域３２０を出る。さらに、ハウジング３０５の内部に供給される冷却用空気がバルブ３０２を通って循環するが、冷却用空気は、ウィンドウ３１４によって処理領域からは分離される。
【実施例】
【００３７】
本明細書に記載の実施形態の目的及び利点は、下記の実施例によりさらに説明される。これらの実施例に記載される、具体的な材料及びその量並びに他の条件及び詳細は、本明細書に記載の実施形態を限定するために使用されるべきでない。
【００３８】
サンプル１及びサンプル２に関し、ウエハは、真空を破壊することなく処理チャンバ間で移送された。サンプル１及びサンプル２で実施された修復プロセスでは、２つのプロセスステップが存在した。第１のプロセスではＵＶが加えられなかった。ＵＶは第２のプロセスで加えられた。サンプル１及び２は別個のチャンバ内で実施されたが、化学的処理及びＵＶ曝露を同時に行う単一のチャンバが使用されてもよい。
【００３９】
サンプル１：
Ｂｌａｃｋ  Ｄｉａｍｏｎｄ  ＩＩ（商標）低誘電率誘電膜は、低誘電率誘電膜内に損傷を誘発するために、エッチャント溶液（フッ化水素酸：水は１：１００）に１分間浸された。損傷した低誘電率誘電膜は、余分なフッ化水素酸を除去するために脱イオン水でリンスされ、乾燥された。損傷した低誘電率誘電膜は、ＰＲＯＤＵＣＥＲ  ＣＶＤ処理チャンバ内に配置された。低誘電率誘電膜は約３８５℃まで加熱された。処理チャンバ内の圧力は約６Ｔｏｒｒに調整された。ジメチルアミノトリメチルシラン（ＤＭＡＴＭＳ）と共にヘリウムキャリアガスが、処理チャンバ内に流入された。ＤＭＡＴＭＳ及びヘリウムキャリアガスの流量は、それぞれ、約１，０００ｍｇｍ及び２，０００ｓｃｃｍであった。気相シリル化の処理時間は約３分間であった。
【００４０】
このシリル化プロセスの後、低誘電率誘電膜は、ＵＶ曝露のため第２の処理チャンバに移送された。低誘電率誘電膜は約３８５℃まで加熱された。処理チャンバ内の圧力は約６Ｔｏｒｒに調整された。ヘリウムガス及びアルゴンガスが処理チャンバ内に流入された。ヘリウムガス及びアルゴンガスの流量は、それぞれ、約１６，０００ｓｃｃｍ及び１６，０００ｓｃｃｍであった。ＵＶ曝露時間は約３０秒であり、ＵＶ出力は約９５％であり、ＵＶ波長は約１００ｎｍ〜約４００ｎｍであった。
【００４１】
サンプル２：
Ｂｌａｃｋ  Ｄｉａｍｏｎｄ  ＩＩ（商標）低誘電率誘電膜は、低誘電率誘電膜内に損傷を誘発するために、エッチャント溶液（フッ化水素酸：水は１：１００、又は希釈されたＨＦすなわちＤＨＦ）に５分間浸された。損傷した低誘電率誘電膜は、余分なフッ化水素酸を除去するために脱イオン水でリンスされ、乾燥された。損傷した低誘電率誘電膜は、ＰＲＯＤＵＣＥＲ  ＣＶＤ処理チャンバ内に配置された。低誘電率誘電膜は約３８５℃まで加熱された。処理チャンバ内の圧力は約６Ｔｏｒｒに調整された。ジメチルアミノトリメチルシラン（ＤＭＡＴＭＳ）と共にヘリウムキャリアガスが、処理チャンバ内に流入された。ＤＭＡＴＭＳ及びヘリウムキャリアガスの流量は、それぞれ、約１，０００ｍｇｍ及び２，０００ｓｃｃｍであった。気相シリル化の処理時間は約３分間であった。
【００４２】
このシリル化プロセスの後、低誘電率誘電膜は、ＵＶ曝露のため第２の処理チャンバに移送された。低誘電率誘電膜は約３８５℃まで加熱された。処理チャンバ内の圧力は約６Ｔｏｒｒに調整された。ヘリウムガス及びアルゴンガスが処理チャンバ内に流入された。ヘリウムガス及びアルゴンガスの流量は、それぞれ、約１６，０００ｓｃｃｍ及び１６，０００ｓｃｃｍであった。ＵＶ曝露時間は約３０秒であり、ＵＶ出力は約９５％であり、ＵＶ波長は約１００ｎｍ〜約４００ｎｍであった。
【００４３】
サンプル３：
Ｂｌａｃｋ  Ｄｉａｍｏｎｄ  ＩＩ（商標）低誘電率誘電膜は、低誘電率誘電膜内に損傷を誘発するために、エッチャント溶液（フッ化水素酸：水は１：１００、又は希釈されたＨＦすなわちＤＨＦ）に１０分間浸された。損傷した低誘電率誘電膜は、余分なフッ化水素酸を除去するために脱イオン水でリンスされ、乾燥された。損傷した低誘電率誘電膜は、ＰＲＯＤＵＣＥＲ  ＣＶＤ処理チャンバ内に配置された。低誘電率誘電膜は約３８５℃まで加熱された。処理チャンバ内の圧力は約６Ｔｏｒｒに調整された。ジメチルアミノトリメチルシラン（ＤＭＡＴＭＳ）と共にヘリウムキャリアガスが、処理チャンバ内に流入された。ＤＭＡＴＭＳ及びヘリウムキャリアガスの流量は、それぞれ、約１，０００ｍｇｍ及び２，０００ｓｃｃｍであった。気相シリル化の処理時間は約３分間であった。
【００４４】
サンプル３は、エッチャント溶液に曝露する間に膜が破損したので、ＵＶに曝露されなかった。
【００４５】
結果：
2015529011.tif 000003
【００４６】
表１に示すように、サンプル２（ＤＨＦへの曝露５分間）は、ＨＦへの曝露後、サンプル１（ＤＨＦへの曝露１分間）よりも高いｋ値を有した。したがって、ＤＨＦへの曝露時間は、ＤＨＦ後のｋ値と同傾向にあった。理論的に限定するわけではないが、サンプル２のＤＨＦへの曝露時間の増大により、より大きな損傷（例えば、Ｓｉ−ＯＨ）が得られたと見なされる。サンプル２の増大した損傷により、サンプル２は、シリル化後により低い誘電率を有した。
【００４７】
損傷後及び修復後の膜に、シングルビーム測定が実施された。一方のシングルビームスペクトルを他方のシングルビームスペクトルから減算すると、様々な波数における強度の利得と損失を示す差分スペクトルが得られる。ＦＴＩＲ差分スペクトル（修復後マイナス損傷後）を比較すると、サンプル２では、シリル化中に炭素とＳｉ−Ｏ−Ｓｉがより大きく増加しＳｉ−ＯＨが減少したことが示された。これら成果のすべては、ＤＨＦへの曝露後により多くのＳｉＯＨを有した結果である（ＳｉＯＨ＋ＤＭＡＴＭＳ→Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ−Ｍｅ３＋ＤＭＡ）。ＦＴＩＲ解析は反応数の測定であり、Ｓｉ−ＯＨの存在が多いほど反応も多いことを示す。ジメチルアミン（ＤＭＡ）は、ＤＭＡＴＭＳのＳｉ−ＯＨとの反応の副生成物である。
【００４８】
本明細書に記載の特定の実施形態を使用して、低誘電率誘電膜の誘電率は、２．５４のｋ値を有する低誘電率誘電膜から２．２４のｋ値を有する低誘電率誘電膜にまで低減された。低誘電率膜の誘電率を低減させるためには、さらに損傷させなければならない（ＤＨＦへの曝露とシリル化剤への曝露との間の中間ｋ値は、より高くなければならない）。したがって、ＤＨＦプロセスが成果を制御する。しかしながら、ＤＨＦへの曝露時間が長すぎる場合、１０分間曝露されたサンプル３に示すように、低誘電率誘電膜は破損し得る。時間に加えて温度及び濃度などの他の因子も、プロセスが実行可能であるかどうか、及び、最終的な膜の誘電率がどれくらい低いかを決定づけるであろう。
【００４９】
上記は本発明の実施形態を対象とするが、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく、本発明の他のさらなる実施形態を考案することもでき、本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。
【図１Ａ】
2015529011.tif 000004
【図１Ｂ】
2015529011.tif 000005
【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
2015529011.tif 000007
【図２】
2015529011.tif 000008
【図３】
2015529011.tif 000009
【国際調査報告】
2015529011.tif 000010
2015529011.tif 000011