(57)【要約】  本発明の一実施例によると，基板処理モジュールは，上部が開放され，一側に基板が出入する通路が形成される下部チャンバと，前記下部チャンバの内部に設置されて予め設定された中心を基準に周縁に固定配置され，工程進行の際に上部に前記基板がそれぞれ載置される複数のサセプタと，前記中心に設置されて前記中心を基準に回転可能な回転部材と，前記回転部材にそれぞれ連結されて前記回転部材と共に回転し，前記基板がそれぞれ載置される一つ以上の固定面をそれぞれ有する複数のホルダと，前記回転部材に連結され，前記回転部材を駆動して前記ホルダのうちいずれか一つを前記通路に対応する伝達位置に移動させる駆動モジュールと，を含む。【選択図】図２
2015511399.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部が開放され，一側に基板が出入する通路が形成される下部チャンバと，
前記下部チャンバの内部に設置されて予め設定された中心を基準に周縁に固定配置され，工程進行の際に上部に前記基板がそれぞれ載置される複数のサセプタと，
前記中心に設置されて前記中心を基準に回転可能な回転部材と，
前記回転部材にそれぞれ連結されて前記回転部材と共に回転し，前記基板がそれぞれ載置される一つ以上の固定面をそれぞれ有する複数のホルダと，
前記回転部材に連結され，前記回転部材を駆動して前記ホルダのうちいずれか一つを前記通路に対応する伝達位置に移動させる駆動モジュールと，を含むことを特徴とする基板処理モジュール。
【請求項２】
前記駆動モジュールは前記回転部材を昇降して前記ホルダを収容高さ及びロード高さに移動し，
前記ホルダは，
前記収容高さで前記サセプタより高く位置し，
前記ロード高さでそれぞれの前記固定面が前記サセプタの上部面より低く位置することを特徴とする請求項１記載の基板処理モジュール。
【請求項３】
前記ホルダは前記収容高さに置かれた状態で前記伝達位置に移動することを特徴とする請求項２記載の基板処理モジュール。
【請求項４】
前記ホルダは，
前記下部チャンバの外側に向かって開放され，中心角が１８０度以上である円弧状のフォークと，
前記フォークに連結されて前記フォークの内側に向かって突出され，前記固定面を提供する一つ以上の支持チップと，を具備し，
前記サセプタは上部に位置した前記ホルダが前記ロード高さに移動される際に前記支持チップが挿入される一つ以上の挿入溝を有することを特徴とする請求項２記載の基板処理モジュール。
【請求項５】
前記サセプタは，
ヒーティングプレートと，
前記ヒーティングプレートの上部に位置し，前記基板が載置される支持面を有するカバーと，を具備し，
前記挿入溝は前記支持面の縁に形成されることを特徴とする請求項４記載の基板処理モジュール。
【請求項６】
前記サセプタ及び前記ホルダは前記中心を基準に等角度を成すように配置され，
前記サセプタの個数は前記ホルダの個数と同じであることを特徴とする請求項１記載の基板処理モジュール。
【請求項７】
前記サセプタのうちいずれか一つは前記通路に対応するように位置することを特徴とする請求項６記載の基板処理モジュール。
【請求項８】
前記下部チャンバは下部壁の縁に沿って形成された複数の排気ポートを有し，
前記排気ポートは前記サセプタの外側にそれぞれ配置されることを特徴とする請求項１記載の基板処理モジュール。
【請求項９】
前記基板処理モジュールは，
前記下部チャンバの上部に連結され，前記中心に対応する開口を有する上部チャンバと，
下部が開放された形状であり，前記下部が前記上部チャンバの前記開口に連結されるシリンダと，
前記シリンダに連結され，外部から供給されたプロセスガスを前記シリンダの内部に供給するガス供給ポートと，
前記シリンダを囲み，前記シリンダの内部に電界を形成するアンテナと，を更に含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理モジュール。
【請求項１０】
前記下部チャンバは前記サセプタにそれぞれ対応する複数の開口を有し，
前記基板処理モジュールは，
それぞれの前記開口の上に設置され，上部面から陥没したバッファ空間及び前記バッファ空間に連結される複数の噴射孔をそれぞれ有するシャワーヘッドと，
前記シャワーヘッドの上部にそれぞれ設置されて前記バッファ空間を外部から遮断し，外部から供給されたプロセスガスを前記バッファ空間に供給するガス供給ポートと，をそれぞれ有する上部チャンバと，を更に含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理モジュール。
【請求項１１】
外部から移送された基板が置かれ，内部が真空状態及び大気圧状態に調圧されるロードロックチャンバと，
前記基板に対する処理が行われる基板処理モジュールと，
前記ロードロックチャンバと前記基板処理モジュールとの間に配置され，前記ロードロックチャンバと前記基板処理モジュールとの間で前記基板を移送する基板移送ロボットを具備する基板移送モジュールと，を含み，
前記基板処理モジュールは，
上部が開放され，一側に基板が出入する通路が形成される下部チャンバと，
前記下部チャンバの内部に設置されて予め設定された中心を基準に周縁に固定配置され，工程進行の際に上部に前記基板がそれぞれ載置される複数のサセプタと，
前記中心に設置されて前記中心を基準に回転可能な回転部材と，
前記回転部材にそれぞれ連結されて前記回転部材と共に回転し，前記基板がそれぞれ載置される一つ以上の固定面をそれぞれ有する複数のホルダと，
前記回転部材に連結され，前記回転部材を駆動して前記ホルダのうちいずれか一つを前記通路に対応する伝達位置に移動させる駆動モジュールと，を含むことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板処理モジュール及びそれを含む基板処理装置に関するものであり,より詳しくは，複数のサセプタを含む基板処理モジュール及びそれを含む基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置はシリコン基板の上に多くの層（layers）を有しており，そのような層は蒸着工程を介して基板の上に蒸着される。
【０００３】
基板は処理チャンバ内に設置されたサセプタの上にロードされ，蒸着工程は処理チャンバ内で行われる。この際，処理チャンバ内にロードされた基板の数に応じて枚葉式又は配置式に区分される。枚葉式（single wafer type）とは一つの基板を処理チャンバ内にロードした後，一つの基板に対して蒸着工程が行われることをいう。一方，配置式とは複数の基板を処理チャンバ内にロードした後，複数の基板に対して同時に蒸着工程が行われることをいう。
【０００４】
発明を実施するための形態
発明が解決しようとする課題
本発明の目的は，複数の基板に対する工程を同時に行うことができる基板処理モジュール及びそれを含む基盤処理装置を提供することにある。
【０００５】
本発明の他の目的は，複数の基板をチャンバ内に効率的にロード及び取り出すことができる基板処理モジュール及びそれを含む基盤処理装置を提供することにある。
【０００６】
本発明の更に他の目的は，後述する詳細な説明と添付した図面からより明確になるはずである。
【０００７】
課題を解決するための手段
本発明の一実施例によると，基板処理モジュールは，上部が開放され，一側に基板が出入する通路が形成される下部チャンバと，前記下部チャンバの内部に設置されて予め設定された中心を基準に周縁に固定配置され，工程進行の際に上部に前記基板がそれぞれ載置される複数のサセプタと，前記中心に設置されて前記中心を基準に回転可能な回転部材と，前記回転部材にそれぞれ連結されて前記回転部材と共に回転し，前記基板がそれぞれ載置される一つ以上の固定面をそれぞれ有する複数のホルダと，前記回転部材に連結され，前記回転部材を駆動して前記ホルダのうちいずれか一つを前記通路に対応する伝達位置に移動させる駆動モジュールと，を含む。
【０００８】
前記駆動モジュールは前記回転部材を昇降して前記ホルダを収容高さ及びロード高さに移動し，前記ホルダは前記収容高さで前記サセプタより高く位置し，前記ロード高さでそれぞれの前記固定面が前記サセプタの上部面より低く位置する。
【０００９】
前記ホルダは前記収容高さに置かれた状態で前記伝達位置に移動する。
【００１０】
前記ホルダは前記下部チャンバの外側に向かって開放され，中心角が１８０度以上である円弧状のフォークと，前記フォークに連結されて前記フォークの内側に向かって突出され，前記固定面を提供する一つ以上の支持チップと，を具備し，前記サセプタは上部に位置した前記ホルダが前記ロード高さに移動される際に前記支持チップが挿入される一つ以上の挿入溝を有する。
【００１１】
前記サセプタは，ヒーティングプレートと，前記ヒーティングプレートの上部に位置し，前記基板が載置される支持面を有するカバーと，を具備し，前記挿入溝は前記支持面の縁に形成される。
【００１２】
前記サセプタ及び前記ホルダは前記中心を基準に等角度を成すように配置され，前記サセプタの個数は前記ホルダの個数と同じである。
【００１３】
前記サセプタのうちいずれか一つは前記流路に対応するように位置する。
【００１４】
前記下部チャンバは下部壁の縁に沿って形成された複数の排気ポートを有し，前記排気ポートは前記サセプタの外側にそれぞれ配置される。
【００１５】
前記基板処理モジュールは，前記下部チャンバの上部に連結され，前記中心に対応する開口を有する上部チャンバと，下部が開放された形状であり，前記下部が前記上部チャンバの前記開口に連結されるシリンダと，前記シリンダに連結され，外部から供給されたプロセスガスを前記シリンダの内部に供給するガス供給ポートと，前記シリンダを囲み，前記シリンダの内部に電界を形成するアンテナと，を更に含む。
【００１６】
前記下部チャンバは前記サセプタにそれぞれ対応する複数の開口を有し，前記基板処理モジュールは，それぞれの前記開口の上に設置され，上部面から陥没したバッファ空間及び前記バッファ空間に連結される複数の噴射孔をそれぞれ有するシャワーヘッドと，前記シャワーヘッドの上部にそれぞれ設置されて前記バッファ空間を外部から遮断し，外部から供給されたプロセスガスを前記バッファ空間に供給するガス供給ポートと，をそれぞれ有する上部チャンバと，を更に含む。
【００１７】
本発明の一実施例によると，基板処理装置は，外部から移送された基板が置かれ，内部が真空状態及び大気圧状態に調圧されるロードロックチャンバと，前記基板に対する処理が行われる基板処理モジュールと，前記ロードロックチャンバと前記基板処理モジュールとの間に配置され，前記ロードロックチャンバと前記基板処理モジュールとの間で前記基板を移送する基板移送ロボットを具備する基板移送モジュールと，を含むが，前記基板処理モジュールは，上部が開放され，一側に基板が出入する通路が形成される下部チャンバと，前記下部チャンバの内部に設置されて予め設定された中心を基準に周縁に固定配置され，工程進行の際に上部に前記基板がそれぞれ載置される複数のサセプタと，前記中心に設置されて前記中心を基準に回転可能な回転部材と，前記回転部材にそれぞれ連結されて前記回転部材と共に回転し，前記基板がそれぞれ載置される一つ以上の固定面をそれぞれ有する複数のホルダと，前記回転部材に連結され，前記回転部材を駆動して前記ホルダのうちいずれか一つを前記通路に対応する伝達位置に移動させる駆動モジュールと，を含む。
【００１８】
発明の効果
本発明の一実施例によると，複数の基板をチャンバ内に効率的にロード及び取り出すことができる。また，複数の基板に対する工程を同時に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一実施例による基板処理装置を概略的に示す図である。
【図２】図１に示した基板処理モジュールを概略的に示す図である。
【図３】図２に示した下部チャンバの内部を示す図である。
【図４】図２に示したカバーを示す図である。
【図５】図２に示したホルダを示す図である。
【図６】図２に示したホルダの動作を示す図である。
【図７】図２に示したホルダの動作を示す図である。
【図８】図２に示した基板処理モジュールの他の実施例を概略的に示す図である。
【図９】図２に示した基板処理モジュールのまた他の実施例を概略的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下，本発明の好ましい実施例を添付した図１乃至図７を参照してより詳細に説明する。本発明の実施例は様々な形に変形されてもよく，本発明の範囲が後述する実施例に限られると解釈されてはならない。本実施例は，該当発明の属する技術分野における通常の知識を有する者に本発明をより詳細に説明するために提供されるものである。よって，図面に示した各要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張されている可能性がある。
【００２１】
一方，以下では蒸着工程を例に挙げて説明するが，本発明は蒸着工程を含む多様な工程に応用されることができる。
【００２２】
図１は，本発明の一実施例による基板処理装置を概略的に示す図である。基板処理装置１は工程設備２，設備前方端部モジュール（Equipment Front End Module：EFEM）３，境界壁（interface wall）４を含む。設備前方端部モジュール３は工程設備２の前方に装着され，基板が収容された容器（図示せず）と工程設備２との間に基板を移送する。
【００２３】
設備前方端部モジュール３は複数のロードポート（loadports）６０とフレーム（frame）５０を有する。フレーム５０はロードポート６０と工程設備２との間に位置する。基板を収容する容器はオーバーヘッドトランスファー（overhead transfer），オーバーヘッドコンベヤー（overhead conveyor）又は自動案内車両（automatic guided vehicle）のような移送手段（図示せず）によってロードポート６０の上に載置される。
【００２４】
容器は前面開放一体式ポッド（Front Open Unified Pod：FOUD）のような密閉容器が使用される。フレーム５０内にはロードポート６０に置かれた容器と工程設備２との間に基板を移送するフレームロボット７０が設置される。フレーム５０内には容器のドアを自動的に開閉するドアオープナー（図示せず）が設置される。また，フレーム５０には清浄な空気がフレーム５０内で上部から下部に流れるように清浄な空気をフレーム５０内に供給するファンフィルターユニット（Fan Filter Unit：FFU）（図示せず）が提供される。
【００２５】
基板は工程設備２内で所定の処理が行われる。工程設備２は，基板移送モジュール（transfer module）１０２及びロードロックチャンバ（loadlock chamber）１０６，基板処理モジュール１１０を含む。基板移送モジュール１０２は上部から見ると大よそ多角状を有し，ロードロックチャンバ１０６及び基板処理モジュール１１０は基板移送モジュール１０２の側面に設置される。
【００２６】
ロードロックチャンバ１０６は基板移送モジュール１０２の側部のうち設備前方端部モジュール３と隣接した側部に位置する。基板はロードロックチャンバ１０６内に一時的に留まってから工程設備２にロードされて処理が行われ，処理が完了した後，基板は工程設備２からアンロードされてロードロックチャンバ１０６内に一時的に留まる。基板移送モジュール１０２及び基板処理モジュール１１０の内部は真空に維持され，ロードロックチャンバ１０６は真空又は大気圧に調圧される。ロードロックチャンバ１０６は外部の汚染物質が基板移送モジュール１０２及び基板処理モジュール１１０の内部に流入されることを防止する。また，基板が移送される間には基板が大気に露出されないため，基板の上で酸化膜が成長することを防止する。
【００２７】
ロードロックチャンバ１０６と基板移送モジュール１０２との間，そしてロードロックチャンバ１０６と設備前方端部モジュール３との間にはゲートバルブ（図示せず）が設置される。設備前方端部モジュール３とロードロックチャンバ１０６との間に基板が移動すればロードロックチャンバ１０６と基板移送モジュール１０２との間に提供されたゲートバルブが閉まり，ロードロックチャンバ１０６と基板移送モジュール１０２との間に基板が移動すればロードロックチャンバ１０６と設備前方端部モジュール３との間に提供されるゲートバルブが閉まる。
【００２８】
基板移送モジュール１０２は基板移送ロボット１０４を具備する。基板移送ロボット１０４はロードロックチャンバ１０６と基板処理モジュール１１０との間で基板を移送する。基板移送モジュール１０２は基板が移動する際に真空を維持するように密封される。真空を維持することは，基板が汚染物質（例えばＯ2，粒子状物質など）に露出されることを防止するためである。
【００２９】
基板制御モジュール１１０は基板の上に薄膜を蒸着するために提供される。図１は２つの基板処理モジュール１１０を図示しているが，３つ以上の基板処理モジュール１１０が提供されてもよい。 また，他の工程（例えば，洗浄やエッチングなど）を行うモジュールが基板移送モジュール１０２の側面に設置されてもよい。
【００３０】
図２は図１に示した基板処理モジュールを概略的に示す図であり，図３は図２に示した下部チャンバの内部を示す図である。図２に示したように，基板処理モジュール１１０は下部チャンバ１０及び上部チャンバ１２，シリンダ１４を含む。下部チャンバ１０及び上部チャンバ１２は工程空間を提供し，基板Ｗに対する工程は工程空間内で行われる。シリンダ１４は生成空間を提供し，プラズマは生性空間内に供給されたプロセスガスから生成される。
【００３１】
下部チャンバ１０は上部が開放された形状であり，上部チャンバ１２は下部チャンバ１０の上部に連結される。上部チャンバ１２は外側に向かって下方に傾斜した形状であり，中央に形成された開口１２ａを有する。シリンダ１４は開口１２ａの上に設置される。シリンダ１４は開口１２ａを閉鎖し，上部チャンバ１２はシリンダ１４と共に下部チャンバ１０の開放された上部を閉鎖する。
【００３２】
ガス供給ポート１６はシリンダ１４の上部に連結され，プロセスガスはガス供給ポート１６を介してシリンダ１４の内部に供給される。プロセスガスは基板Ｗの表面に薄膜を蒸着するためのものであり，薄膜に応じて多様なガスが使用される。アンテナ１８はコイル状であり，シリンダ１４の外側を囲むように設置される。アンテナ１８は高周波電源（RF generator，図示せず）に連結され，整合器（RF matcher，図示せず）がアンテナ１８と高周波電源との間に提供される。高周波電流がアンテナ１８に流れるとシリンダ１４内部に磁場が形成され，プロセスガスがシリンダ１４の内部に供給されることでプラズマが生成される。生成されたプラズマはサセプタに置かれた基板Ｗの表面に移動して薄膜を形成する。
【００３３】
下部チャンバ１０は一側に形成された通路１１を有し，基板Ｗは通路１１を介して下部チャンバ１０の内部に出入する。ゲートバルブ１３は通路１１の外側に設置され，通路１１はゲートバルブ１３によって開放されるか閉鎖される。上述したように，基板移送ロボット１０４は基板Ｗと共に通路１１を介して下部チャンバ１０の内部に移動し，基板Ｗを後述するフォーク２８の上に載せた後，通路１１を介して下部チャンバ１０の外部に移動する。この際，通路１１はゲートバルブ１３によって開放される。
【００３４】
図２に示したように，サセプタは下部チャンバ１０の内部に設置される。後述するように，サセプタはヒーティングプレート３２及びカバー３８を含む。基板Ｗは基板移送ロボット１０４を介して下部チャンバ１０の内部に移動し，工程進行の際に基板Ｗはサセプタの上部に載置される。サセプタは支持軸３４によって支持され，支持軸３４はブラケット３６を介して下部チャンバ１０の下部に固定される。
【００３５】
図３に示したように，サセプタは下部チャンバ１０の予め設定された中心を基準に周縁に固定配置され，等角度（例えば７２度）を成すように配置される。サセプタのうちいずれか一つは通路１１の前方（通路１１を介して下部チャンバ１０の内部に移動する基板Ｗの方向を意味する）に位置する。工程は全てのサセプタの上に一つの基板Ｗがそれぞれ置かれた状態で開示され，それぞれの基板Ｗに対する工程は同時に進行される。よって，一度に５枚の基板Ｗに対する工程を完了することができ，それを介して生産性を確保することができる。
【００３６】
一方，上述したように基板Ｗは基板移送ロボット１０４を介して下部チャンバ１０の内部に移動し，基板移動ロボット１０４はフォーク２８の上に基板Ｗを載置する。
【００３７】
回転部材は回転軸２２及び回転板２３を含む。図２及び図３に示したように，５つのフォーク２８はアーム（ａｒｍｓ）２７を介してそれぞれ回転板２３に連結され，回転板２３の中心（又は下部チャンバ１０の予め設定された中心）を基準に等角度（例えば７２度）を成すように配置される。回転板２３は回転軸２２に連結される。回転軸２２は下部チャンバ１０の下部壁を貫通し，下部チャンバ１０の予め設定された中心の上に設置されて予め設定された中心を基準に回転する。回転軸２２は駆動モジュール２６に連結され，回転軸２２は駆動モジュール２６によって昇降及び回転する。回転板２３は回転軸２２と共に昇降及び回転し，フォーク２８は回転板２３と共に昇降及び回転する。駆動モジュール２６は下部チャンバ１０の下部壁に固定設置された支持板２４に固定される。
【００３８】
フォーク２８は回転によって通路１１の前方に位置（「伝達位置」）する。基板移送ロボット１０４は伝達位置に置かれたフォーク２８の上に基板Ｗを置き，基板Ｗは後述する支持チップ２９の上部面に載置される。基板Ｗを伝達されたフォーク２８は回転によって伝達位置から離脱し，基板Ｗを伝達されていない次のフォーク２８が回転によって伝達位置に移動する。同じく，基板移送ロボット１０４は伝達位置に置かれたフォーク２８の上に基板Ｗを載置する。フォーク２８は回転板２３の回転によって順次に伝達位置に移動し，基板Ｗは順次にフォーク２８の上部に載置される。このような方法で複数の基板Ｗはフォーク２８の上部に載置される。
【００３９】
また，基板Ｗはフォーク２８の昇降によってサセプタに載置されるかサセプタから離隔される。フォーク２８の昇降に対する具体的な説明は後述する。
【００４０】
図２及び図３に示したように，下部チャンバ１０は底面の縁に形成された排気ポート１５を有し，排気ポート１５はサセプタの外側にそれぞれ配置される。排気ポート１５の個数はサセプタの個数と同じである。工程進行の際に反応副産物及び未反応ガスは排気ポート１５を介して下部チャンバ１０の外部に排出される。上部バッフル４２及び下部バッフル４４はサセプタの周縁にそれぞれ設置され，支持台４６，４８は上部バッフル４２及び下部バッフル４４を支持する。上部バッフル４２及び下部バッフル４４はそれぞれ貫通孔４２ａ，４４ａ（図７及び図８を参照）を有し，反応副産物及び未反応ガスは貫通孔４２ａ，４４ａを介して排気ポート１５に移動する。
【００４１】
サセプタはヒーティングプレート３２及びカバー３８を含む。ヒーティングプレート３２は基板Ｗの形状に対応する円形のディスク状であり，ヒーティングプレート３２は工程進行の際に上部に置かれた基板Ｗを工程温度に加熱する。カバー３８はヒーティングプレート３２の上部に載置される。但し，本実施例とは異なりヒーティングプレート３２とカバー３８は一体に形成されてもよい。
【００４２】
図４は，図２に示したカバーを示す図である。カバー２８は支持面５２を有し，支持面５２は基板Ｗの形状と略一致する。挿入溝５４は支持面５２から陥没して形成され，後述するようにホルダが下降する際に支持チップ２９は挿入溝５２内に挿入される。同じく，収容溝５６は支持面５２より低く陥没して形成され，ホルダが下降する際にフォーク２８は収容溝５６内に収容される。挿入溝５４は支持チップ２９と略同じ大きさ及び形状を有し，収容溝５６はフォーク２８と略同じ大きさ及び形状を有する。
【００４３】
図５は，図２に示したホルダを示す図である。ホルダはフォーク２８及び支持チップ２９を具備する。フォーク２８は基板Ｗの直径より大きい内径を有する円弧状であり，フォーク２８は１８０度以上の中心角を有する円弧状である。支持チップ２９はフォーク２８に連結されてフォーク２８の内側に向かって突出される。支持チップ２９はフォーク２８の中央及び両端に連結される。ホルダに置かれた基板Ｗはフォーク２８の内側に位置し，支持チップ２９の上部面（又は固定面）に載置される。基板Ｗは３つの支持チップ２９を介して安定的に支持される。一方，ホルダは本実施例とは異なる形状を有してもよい。
【００４４】
図６及び図７は，図２に示したホルダの動作を示す図である。以下，図６及び図７を参照して基板Ｗをサセプタの上に乗せる方法について説明する。以下では一つのホルダ及びサセプタについてのみ説明し，以下の説明は他のホルダ及びサセプタに同じく適用される。
【００４５】
上述したように，５つのホルダの上にそれぞれ一つの基板Ｗが載置されると各基板Ｗはホルダによってサセプタに置かれ，その後各基板Ｗに対する工程が同時に行われる。
【００４６】
フォーク２８及び支持チップ２９は駆動モジュール２６によって回転板２３と共に昇降する。図６に示したように，フォーク２８が上昇する際に基板Ｗは支持チップ２９の上に載置される。この際，フォーク２８及び支持チップ２９はサセプタより高く位置（「収容高さ」）する。フォーク２８及び支持チップ２９が収容高さに位置した状態で，基板Ｗは基板移送ロボット１０４によって下部チャンバ１０の内部に移動して支持チップ２９の上部に置かれ，支持チップ２９の上に置かれた基板Ｗは基板移送ロボット１０４によって下部チャンバ１０の外部に移動する。基板移送ロボット１０４は基板Ｗを支持チップ２９より高く持ち上げた状態で支持チップ２９の上部に基板Ｗを移送した後，基板Ｗを下に下ろして基板Ｗを支持チップ２９の上に載置する。また，上述したようにフォーク２８が収容高さに位置した状態でフォーク２８は回転によって伝達位置に移動する。
【００４７】
図７に示したように，フォーク２８が下降する際に基板Ｗはサセプタ（又はカバー３８）の上に載置される。この際，支持チップ２９の上部面（又は固定面）はカバー３８の支持面５２より低く位置（「ロード位置」）し，支持チップ２９は挿入溝５４の上に挿入され，フォーク２８は収容溝５６の上に収容される。
【００４８】
上述によると，基板移送ロボット１０４は複数の基板Ｗを各ホルダに順次に伝達し，ホルダがロード高さに移動することで基板Ｗは同時にそれぞれのサセプタの上に載置される。次に，各基板Ｗに対する工程が同時に行われる。工程が完了されると，ホルダは収容高さに移動し基板移送ロボット１０４は各ホルダに置かれた基板Ｗを順次に排出する。この際，ホルダは上述した方法と同じく順次に伝達位置に移動する。
【００４９】
本発明を好ましい実施例を介して詳細に説明したが，それとは異なる実施例も可能である。よって，以下に記載された請求項の技術的思想と範囲は好ましい実施例に限られない。
【００５０】
発明を実施するための形態
以下，本発明の実施例を添付した図８及び図９を参照してより詳細に説明する。本発明の実施例は様々な形に変形されてもよく，本発明の範囲が後述する実施例に限られると解釈されてはならない。本実施例は，該当発明の属する技術分野における通常の知識を有する者に本発明をより詳細に説明するために提供されるものである。よって，図面に示した各要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張される可能性がある。以下では上述した実施例とは異なる内容に対してのみ説明し，以下で省略した説明は上述した内容により代替可能である。
【００５１】
一方，以下では蒸着装置を例に挙げて説明したが，本発明は蒸着工程を含む多様な工程に応用可能である。
【００５２】
図８は，図２に示した基板処理モジュールの他の実施例を概略的に示す図である。図２とは異なり上部チャンバ１２は平板状であってもよく，下部バッフル４４は除去されてもよい。以下で省略された説明は上述した内容に代替可能である。
【００５３】
図９は，図２に示した基板処理モジュールのまた他の実施例を概略的に示す図である。下部チャンバ１０は複数の開口１２ａを有し，開口１２ａはサセプタの上部に形成される。開口１２ａの個数はサセプタの個数と同じである。
【００５４】
シャワーヘッド６０はそれぞれの開口１２ａの上に設置され，上部面から陥没したバッファ空間６４及びバッファ空間６４に連結された複数の噴射孔６２を有する。上部チャンバ１２はそれぞれシャワーヘッド６０の上部に設置されてバッファ空間６４を外部から遮断する。上部チャンバ１２はガス供給ポート１６を有し，プロセスガスはガス供給ポート１６を介してバッファ空間６４に供給される。プロセスガスは基板Ｗの方面に薄膜を蒸着するためのものであり，薄膜に応じて多様なガスが使用される。ブロックプレート７０はバッファ空間６４に設置され，複数の拡散孔を有する。
【００５５】
プロセスガスはガス供給ポート１６を介してバッファ空間６４に供給され，ブロックプレート７０を介して拡散されてからシャワーヘッド６０の拡散孔６２を介してサセプタの上部に供給される。プロセスガスはそれぞれのサセプタに置かれた基板Ｗの上部に移動して基板Ｗの表面で薄膜を形成する。
【００５６】
本発明を実施例を介して詳細に説明したが，それとは異なる形態の実施例も可能である。よって，以下に記載された請求項の技術的思想と範囲は実施例に限られない。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明は多様な形態の半導体製造設備及び製造方法に応用される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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