(57)【要約】  トレランスリング（１２２）が開示され、側壁を有する概ね円筒形の本体（３０２）を含むことができる。側壁は、第１の未形成セクション（３１０、３１２）、及び第１の未形成セクションの隙間（３１４）を含むことができる。隙間は、本体の全長に沿って延びて本体に割れ目を形成することができる。側壁はまた、第１の未形成セクションに対向する第２の未形成セクション、隙間を有する第１の未形成セクションに隣接する第１の波形バンク（３３０）、及び、隙間を有する第１の未形成セクションに隣接する第２の波形バンク（３３２）を含むことができる。波形バンクは、トレランスリングの本体の外周の周りで等間隔に離間することができ、トレランスリングの本体は、トレランスリングの中心から延びて第１の未形成セクションの隙間を二分する中心軸を中心に対称であるものとすることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
トレランスリングであって：
側壁を有する概ね円筒形の本体であって、前記側壁が：
第１の未形成セクションと；
前記第１の未形成セクション内の隙間であって、前記本体の全長に沿って延びて前記本体に割れ目を形成する、隙間と；
前記第１の未形成セクションに対向する第２の未形成セクションと；
前記隙間を有する前記第１の未形成セクションに隣接する第１の波形バンクと；
前記隙間を有する前記第１の未形成セクションに隣接する第２の波形バンクと、
を含む、概ね円筒形の本体を備える、トレランスリング。
【請求項２】
前記隙間は前記本体の外周に沿って０°に中心決めされ、前記中心軸と、前記トレランスリングの中心から延びて前記第１の波形バンクを二分する第１の波形バンク軸との間で測定した第１の波形バンク角Ａｗ１は、９０°±３°であり、前記中心軸と、前記トレランスリングの中心から延びて前記第２の波形バンクを二分する第２の波形バンク軸との間で測定した第２の波形バンク角Ａｗ２は、２７０°±３°である、請求項１に記載のトレランスリング。
【請求項３】
前記第１の波形バンクと前記第２の波形バンクとの間に周方向に位置する第３の波形バンクを更に含む、請求項２に記載のトレランスリング。
【請求項４】
Ａｗ１は６０°±３°であり、Ａｗ２は１８０°±３°であり、前記中心軸と、前記トレランスリングの中心から延びて前記第３の波形バンクを二分する第３の波形バンク軸との間で測定した第３の波形バンク角Ａｗ３は、３００°±３°である、請求項３に記載のトレランスリング。
【請求項５】
前記第３の波形バンクと前記第１の波形バンクとの間に周方向に位置する第４の波形バンクを更に含む、請求項４に記載のトレランスリング。
【請求項６】
Ａｗ１は４５°±３°であり、Ａｗ２は１３５°±３°であり、Ａｗ３は２２５°±３°であり、前記中心軸と、前記トレランスリングの中心から延びて前記第４の波形バンクを二分する第４の波形バンク軸との間で測定した第４の波形バンク角Ａｗ４は、３１５°±３°である、請求項５に記載のトレランスリング。
【請求項７】
前記第４の波形バンクと前記第１の波形バンクとの間に周方向に位置する第５の波形バンクを更に含む、請求項６に記載のトレランスリング。
【請求項８】
Ａｗ１は３６°±３°であり、Ａｗ２は１０８°±３°であり、Ａｗ３は１８０°±３°であり、Ａｗ４は２５２°±３°であり、前記中心軸と、前記トレランスリングの中心から延びて前記第５の波形バンクを二分する第５の波形バンク軸との間で測定した第５の波形バンク角Ａｗ５は、３２４°±３°である、請求項７に記載のトレランスリング。
【請求項９】
前記第５の波形バンクと前記第１の波形バンクとの間に周方向に位置する第６の波形バンクを更に含む、請求項８に記載のトレランスリング。
【請求項１０】
Ａｗ１は３０°±３°であり、Ａｗ２は９０°±３°であり、Ａｗ３は１５０°±３°であり、Ａｗ４は２１０°±３°であり、Ａｗ５は２７０°±３°であり、前記中心軸と、前記トレランスリングの中心から延びて前記第６の波形バンクを二分する第６の波形バンク軸との間で測定した第６の波形バンク角Ａｗ６は、３３０°±３°である、請求項９に記載のトレランスリング。
【請求項１１】
各波形バンクは、前記本体の長さに沿って少なくとも部分的に延びる少なくとも２つの隣り合う波形構造を含む、請求項１に記載のトレランスリング。
【請求項１２】
前記隙間と隣り合う波形構造は第１の波形部の剛性ＳＷ１を含み、未形成セクションと隣り合う波形構造は第２の波形部の剛性Ｓｗ２を含み、ＳＷ１はＳＷ２の８０％以上、例えばＳＷ２の８５％以上、ＳＷ２の８６％以上、ＳＷ２の８７％以上、ＳＷ２の８８％以上、ＳＷ２の８９％以上、又はＳＷ２の９０％以上である、請求項１１に記載のトレランスリング。
【請求項１３】
前記ＳＷ１はＳＷ２の９９％以下、例えばＳＷ２の９８％以下、ＳＷ２の９７％以下、ＳＷ２の９６％以下、又はＳＷ２の９５％以下である、請求項１２に記載のトレランスリング。
【請求項１４】
前記トレランスリングは、前記側壁の外周に沿って測定した、形成されたセクションの全長ＬＦＳＴ、及び、前記側壁の外周に沿って測定した、未形成セクションの全長ＬＵＳＴを更に含み、ＬＦＳＴは、ＬＵＳの９５％以下、例えばＬＵＳの９０％以下、ＬＵＳの８５％以下、ＬＵＳの８０％以下、ＬＵＳの７５％以下、又はＬＵＳの５０％以下である、請求項１に記載のトレランスリング。
【請求項１５】
ＬＦＳＴは、ＬＵＳの５％以上、例えばＬＵＳの１０％以上、ＬＵＳの１５％以上、又はＬＵＳの２０％以上である、請求項１４に記載のトレランスリング。
【請求項１６】
各波形構造は、前記トレランスリングの長さに沿って少なくとも部分的に前記トレランスリングに沿って長手方向に延びる単一の波形部を含む、請求項１１に記載のトレランスリング。
【請求項１７】
各波形部は、前記トレランスリングの長さに沿って中心決めされる、請求項１６に記載のトレランスリング。
【請求項１８】
各波形構造は、前記トレランスリングの長さに沿って鉛直方向に位置合わせされる複数の波形部を有する波形部の列を含む、請求項１１に記載のトレランスリング。
【請求項１９】
各波形部の列は、前記トレランスリングの上部付近の第１の波形部、及び前記トレランスリングの底部付近の第２の波形部を含む、請求項１７に記載のトレランスリング。
【請求項２０】
前記第１の波形部は、前記トレランスリングの長さの上半分内に中心決めされる、請求項１９に記載のトレランスリング。
【請求項２１】
前記第２の波形部は、前記トレランスリングの長さの下半分内に中心決めされる、請求項２０に記載のトレランスリング。
【請求項２２】
各波形部の列は、前記第１の波形部と前記第２の波形部との間の第３の波形部を更に含む、請求項２１に記載のトレランスリング。
【請求項２３】
前記第３の波形部は、前記トレランスリングの長さに沿って中心決めされる、請求項２２に記載のトレランスリング。
【請求項２４】
前記第１の波形部は前記第２の波形部と同じサイズである、請求項２３に記載のトレランスリング。
【請求項２５】
前記第１の波形部、前記第２の波形部、及び前記第３の波形部は同じサイズである、請求項２４に記載のトレランスリング。
【請求項２６】
前記第１の波形部及び前記第２の波形部は第１の長さＬ１を有し、前記第３の波形部は、前記第１の長さよりも小さい第２の長さＬ２を含む、請求項２５に記載のトレランスリング。
【請求項２７】
Ｌ２はＬ１の７５％以下、例えばＬ２はＬ１の７０％以下、Ｌ２はＬ１の６５％以下、Ｌ２はＬ１の６０％以下、Ｌ２はＬ１の５５％以下、又はＬ２はＬ１の５０％以下である、請求項２６に記載のトレランスリング。
【請求項２８】
Ｌ２はＬ１の２５％以上、例えばＬ２はＬ１の３０％以上、Ｌ２はＬ１の３５％以上、又はＬ２はＬ１の４０％以上である、請求項２７に記載のトレランスリング。
【請求項２９】
アセンブリであって：
外側構成要素であって、該外側構成要素内のボアを含む、外側構成要素と；
前記ボア内に配置される内側構成要素と；
前記内側構成要素に取り付けられるトレランスリングであって：
側壁を有する概ね円筒形の本体を含み、前記側壁は：
第１の未形成セクション；
前記第１の未形成セクションの隙間であって、前記本体の全長に沿って延びて前記本体に割れ目を形成する、隙間；
前記第１の未形成セクションに対向する第２の未形成セクション；
前記第１の未形成セクションに隣接する第１の波形バンク；及び
前記第１の未形成セクションに隣接する第２の波形バンク
を含む、トレランスリングと、
を備える、アセンブリ。
【請求項３０】
前記トレランスリングは、前記隙間を二分するとともに前記リングの中心を通る第１の方向に測定した軸方向剛性ＡＳＧ、及び、前記第１の方向に垂直な第２の方向に測定した軸方向剛性ＡＳＰＧを含み、ＡＳＧは、ＡＳＰＧの９０％以上、例えばＡＳＰＧの９１％以上、ＡＳＰＧの９２％以上、ＡＳＰＧの９３％以上、ＡＳＰＧの９４％以上、ＡＳＰＧの９５％以上、ＡＳＰＧの９６％以上、又はＡＳＰＧの９７％以上である、請求項２９に記載のアセンブリ。
【請求項３１】
ＡＳＧはＡＳＰＧの１００％以下、ＡＳＰＧの９９％以下、又はＡＳＰＧの９８％以下である、請求項３０に記載のアセンブリ。
【請求項３２】
前記トレランスリングは同心度Ｃを含み、Ｃは５０μｍ以下、例えば４５μｍ以下、４０μｍ以下、３５μｍ以下、３０μｍ以下、２５μｍ以下、又は２０μｍ以下である、請求項２９に記載のアセンブリ。
【請求項３３】
Ｃは１μｍ以上、Ｃは５μｍ以上、Ｃは１０μｍ以上、又はＣは１５μｍ以上である、請求項３２に記載のアセンブリ。
【請求項３４】
前記同心度は、前記内側構成要素の中心と前記外側構成要素の中心との間の距離を含む、請求項３３に記載のアセンブリ。
【請求項３５】
ハードディスクドライブであって：
ボアを有して形成されるアクチュエータアームと；
前記アクチュエータアームの前記ボア内に据え付けられるピボットアセンブリであって、支柱、及び該支柱の周りのトレランスリングを含み、該トレランスリングは：
側壁を有する概ね円筒形の本体を含み、前記側壁は：
第１の未形成セクション；
前記第１の未形成セクションの隙間であって、前記本体の全長に沿って延びて前記本体に割れ目を形成する、隙間；
前記第１の未形成セクションに対向する第２の未形成セクション；
前記第１の未形成セクションに隣接する第１の波形バンク；及び
前記第１の未形成セクションに隣接する第２の波形バンク
を含む、ピボットアセンブリと、
を備える、ハードディスクドライブ。
【請求項３６】
トレランスリングであって：
側壁を有する概ね円筒形の本体であって、前記側壁は：
第１の未形成セクションと；
前記第１の未形成セクションの隙間であって、前記本体の全長に沿って延びて前記本体に割れ目を形成する、隙間と；
前記第１の未形成セクションに対向する第２の未形成セクションと；
前記第１の未形成セクション及び前記第２の未形成セクションから離間する第３の未形成セクションと；
前記第１の未形成セクションに隣接する第１の波形バンクと；
前記第１の未形成セクションに隣接する第２の波形バンクと、を含む、概ね円筒形の本体
を備える、トレランスリング。
【請求項３７】
前記第２の未形成セクションは、１°以上、例えば２°以上、５°以上、１０°以上、１５°以上、２０°以上、２５°以上、３０°以上、又は３５°以上の角度ＡＵＯＧを含む、請求項３６に記載のトレランスリング。
【請求項３８】
ＡＵＯＧは１２０°以下、例えば９０°以下、７５°以下、６０°以下、４５°以下、又は３０°以下である、請求項３７に記載のトレランスリング。
【請求項３９】
前記第２の未形成セクションは角度ＡＵＯＧを含み、ＡＵＯＧは、９０°±３°、９０°±２°、９０°±１°、９０°±０．５°、９０°±０°、６０°±３°、６０°±２°、６０°±１°、６０°±０．５°、６０°±０°、４５°±３°、４５°±２°、４５°±１°、４５°±０．５°、４５°±０°、３０°±３°、３０°±２°、３０°±１°、３０°±０．５°、３０°±０°、２０°±３°、２０°±２°、２０°±１°、２０°±０．５°、又は２０°±０．１°である、請求項３６に記載のトレランスリング。
【請求項４０】
前記第３の未形成セクションは、１°以上、例えば２°以上、５°以上、１０°以上、１５°以上、２０°以上、２５°以上、３０°以上、又は３５°以上の角度ＡＵを含む、請求項３６に記載のトレランスリング。
【請求項４１】
ＡＵ４は１２０°以下、例えば９０°以下、７５°以下、６０°以下、４５°以下、又は３０°以下である、請求項４０に記載のトレランスリング。
【請求項４２】
前記第３の未形成セクションは角度ＡＵを含み、ＡＵは、９０°±３°、９０°±２°、９０°±１°、９０°±０．５°、９０°±０．１°、６０°±３°、６０°±２°、６０°±１°、６０°±０．５°、６０°±０．１°、４５°±３°、４５°±２°、４５°±１°、４５°±０．５°、４５°±０°、３０°±３°、３０°±２°、３０°±１°、３０°±０．５°、３０°±０．１°、２０°±３°、２０°±２°、２０°±１°、２０°±０．５°、又は２０°±０．１°である、請求項３６に記載のトレランスリング。
【請求項４３】
前記トレランスリングの前記本体の外周の周りに等間隔に離間した前記波形バンクを更に含む、請求項１、２９、３５及び３６のいずれか一項に記載のトレランスリング、アセンブリ、ハードディスクドライブ。
【請求項４４】
前記トレランスリングの前記本体が、前記トレランスリングの中心から軸方向に延びる中心軸を含む平面、及び前記第１の未形成セクションの前記隙間を二分する前記平面に対して対称である、請求項４３に記載のトレランスリング、アセンブリ、ハードディスクドライブ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、トレランスリングに関し、詳細には、ハードディスクドライブ内のアクチュエータアームのトレランスリングに関する。
【背景技術】
【０００２】
本開示は、トレランスリングアセンブリであって、トレランスリングは、アセンブリの部品間に締まり嵌めを提供し、その第１の部品は、第２の部品の円筒ボア内に位置する円筒部分を有する、トレランスリングアセンブリに関する。特に、本開示は、シャフト又は軸受及びシャフトのハウジング等の円筒構成要素間に締まり嵌めを提供するトレランスリングを有するアセンブリに関する。
【０００３】
エンジニアリング技法の改良によって、機械部品にはより高い精度が要求されるようになっており、製造コストの上昇につながっている。プーリ、フライホイール又はドライブシャフト等の用途においてトルクを伝達するために圧入、スプライン、ピン又はキー溝が使用される場合、非常に厳密な公差が必要とされる。
【０００４】
トレランスリングは、トルクを伝達するために必要な部品間に締まり嵌めを提供するために用いることができる。トレランスリングは、正確な寸法に機械加工されない可能性のある部品間に締まり嵌めを提供する低コストの手段を提供する。トレランスリングは、部品間の異なる線膨張率を相殺するといった複数の他の潜在的な利点を有し、装置の迅速な組み付け及び耐久性を可能にする。
【０００５】
トレランスリングは概して、弾性材料、例えばばね鋼等の金属のストリップを含み、ストリップの端部同士が合わせられてリングを形成する。突起の帯が、リングから径方向外方に、又はリングの中心に向かって径方向内方に延びる。通常、突起は編成されており、起伏、隆起又は波形等の規則的な編成が考えられる。
【０００６】
リングが、例えば、シャフトと、シャフトが位置するハウジング内のボアとの間の環状スペースに位置すると、突起は圧縮される。各突起は、ばねとして働き、シャフト及びボアの表面に対して径方向の力を加え、シャフトとハウジングとの間に締まり嵌めを提供する。ハウジング又はシャフトの回転は、トルクがトレランスリングによって伝達されると、シャフト又はハウジングの他方における同様の回転を生む。通常、突起の帯は、編成を有しないリングの環状領域（当該技術分野においてトレランスリングの「未形成領域」として知られている）と軸方向に隣接する。
【０００７】
トレランスリングは通常、弾性材料のストリップを含み、ストリップは、ストリップの端部同士を重ね合わせることによってリングの容易な形成を可能にするように湾曲しているが、トレランスリングは環状の帯として作製することもできる。「トレランスリング」という用語は、本明細書において以下で用いられる場合、双方のタイプのトレランスリングを含む。「シャフト」という用語は、本明細書において以下で用いられる場合、シャフト又は軸受等の円筒部分を有する任意のアセンブリの構成要素を含む。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
したがって、当業界では、依然として、トレランスリング、特にハードディスクドライブ内に据え付けられるトレランスリングの改良が必要とされている。
【０００９】
本開示は、添付の図面を参照することによってより良く理解することができ、その多くの特徴及び利点が当業者に明らかとなる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】一実施形態によるハードディスクドライブアセンブリの分解斜視図である。
【図２】一実施形態によるハードディスクドライブアセンブリの断面図である。
【図３】一実施形態によるトレランスリングの斜視図である。
【図４】図３の線４−４に沿った、一実施形態によるトレランスリングの断面図である。
【図５】別の実施形態によるトレランスリングの斜視図である。
【図６】また別の実施形態によるトレランスリングの断面図である。
【図７】軸上の軸方向剛性を試験するハンマ試験の設定を示す図である。
【図８Ａ】軸外の剛性を試験するハンマ試験を示す図である。
【図８Ｂ】軸外の剛性を試験するハンマ試験を示す図である。
【図９Ａ】種々のトレランスリングの軸上及び軸外の軸方向剛性の試験結果を示す図である。
【図９Ｂ】種々のトレランスリングの軸上及び軸外の軸方向剛性の試験結果を示す図である。
【図１０】種々のトレランスリングの径方向剛性の試験結果を示す図である。
【図１１】種々のトレランスリングのピーク組み付け力（ＰＡＦ）、初期滑り（ＩＳ）、及びＩＳ／ＰＡＦの比の試験結果を示す図である。
【００１１】
異なる図における同じ参照符号の使用は、同様の又は同一の要素を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下の説明は、トレランスリング、詳細には、ハードディスクドライブ内の、ピボットと、アクチュエータアームに形成されるボアとの間に据え付けることができるトレランスリングに関する。１つの態様では、トレランスリングはピボットの周りに取り付けることができ、次に、このピボットリングアセンブリをボアに挿入することができる。代替的には、トレランスリングをボアに挿入することができ、ピボットをトレランスリングに挿入することができる。
【００１３】
典型的なトレランスリングでは、隙間に最も近い波形部が最も弱く、すなわち剛性が最も低くなる傾向があり、これは、その波形部が一方の側に隙間を有し、他方の側に材料を有し、トレランスリングの残りの波形部には、両側に材料が隣接するためである。この剛性の変化によって、性能、例えば共振及び位置合わせの変わりやすさが、ハードディスクドライブアセンブリの隙間の位置に大きく依存する可能性がある。１つの性能パラメータのために隙間の位置を最適化する試みは、他の性能パラメータに悪影響を及ぼす可能性がある。このことはさらに、全体的な性能を損なう可能性がある。
【００１４】
本明細書において記載される実施形態のうちの１つ又は複数によるトレランスリングは、群で配置される複数の波形部を含むことができる。これらの群は、トレランスリングの外周の周りに等間隔に離間することができ、トレランスリングは、トレランスリングの中心及びトレランスリングの隙間を通る軸を中心に対称であるものとすることができる。
【００１５】
本明細書において開示されるトレランスリングによって提供されるグループ化された波形部の構成は、トレランスリングの周りで周方向に実質的に変化しない共振周波数及び剛性を有するトレランスリングを提供することができる。したがって、トレランスリングは、ボア内で支柱を位置合わせして維持することができ、ほぼいずれもの径方向への通常の動作荷重下でのボア内における支柱のいかなる揺れも実質的に防止することができる。
【００１６】
最初に図１を参照すると、ハードディスクドライブアセンブリが示されており、全体的に１００で示されている。ハードディスクドライブアセンブリ１００は、ハードディスクドライブのアクチュエータアーム１０２及びピボットアセンブリ１０４を含むことができる。
【００１７】
図示のように、アクチュエータアーム１０２は、近位端１１０及び遠位端１１２を含むことができる。複数の読み書きヘッド１１４が、アクチュエータアーム１０２の遠位端１１２から延びることができる。その上、アクチュエータアーム１０２は、アクチュエータアーム１０２の近位端１１０付近のボア１１６を有して形成することができる。
【００１８】
図１は、ピボットアセンブリ１０４がピボット１２０及びトレランスリング１２２を含むことができることを更に示している。ピボット１２０は、内側部材１２４及び外側部材１２６を含むことができ、外側部材１２６は内側部材１２４に対して回転することができる。
【００１９】
特定の態様では、トレランスリング１２２を、ピボット１２０の周りに嵌めることができ、次に、ピボットアセンブリ１０４をボア１１６内に据え付けることができる。別の態様では、トレランスリング１２２をボア１１６内に配置することができ、ピボット１２０をトレランスリング１２２内に挿入することができる。トレランスリング１２２は、ピボット１２０の外側部材１２６とアクチュエータアーム１０２のボア１１６との間で締まり嵌めを確立することができる。したがって、アクチュエータアーム１０２は、ピボット１２０の内側部材１２４の周りでピボット１２０の外側部材１２６とともに回転することができる。
【００２０】
したがって、図２に示されているように、トレランスリング１２２は、ボア１１６内に、外側構成要素すなわちアクチュエータアーム１０２と、内側構成要素すなわちピボット１２０との間に据え付けることができる。特定の態様では、据え付けられると、ボアの上部又は底部を越えて延びるトレランスリング１２２の部分はなく、トレランスリング１２２はボア１１６内に完全に収容することができる。別の態様では、トレランスリング１２２の一部、例えば上部、底部、上部の構造、底部の構造、又はそれらの組み合わせが、ボアから延びることができる。
【００２１】
図２に示されているように、また以下でより詳細に説明するように、トレランスリング１２２は、ピボット１２０をアクチュエータアーム１０２内で締まり嵌めして維持するために、ボア１１６の内側壁及びピボット１２０の外側壁に係合するように構成することができる。トレランスリング１２２は、ピボット１２０に据え付けられるときにピボット１２０の周りで拡張し、次に据え付け中にボア１１６内で少なくとも部分的に変形する、すなわち圧縮することによって、寸法変化を考慮することができる。
【００２２】
ここで図３及び図４を参照すると、トレランスリング１２２に関する細部が示されている。図示のように、トレランスリング１２２は、概ね円筒形の側壁３０４を有する概ね円筒形の本体３０２を含むことができる。側壁３０４は上部３０６及び底部３０８を含むことができる。さらに、側壁３０４は第１の端３１０及び第２の端３１２を含むことができる。その上、側壁３０４の第１の端３１０と第２の端３１２との間に隙間３１４を形成することができる。図３に示されているように、トレランスリング１２２の本体３０２は、側壁３０４の上部３０６から延びる上側フランジ３１６、及び側壁３０４の底部３０８から延びる下側フランジ３１８を更に含むことができる。
【００２３】
トレランスリング１２２は中心軸３２０を含むことができ、図２及び図３に示されているように、特定の態様では、フランジ３１６、３１８は、トレランスリング１２２の中心軸３２０に対して外方方向に角度を付けることができる。フランジ３１６、３１８は中心軸３２０に対して内方方向に角度を付けることができることを理解されたい。いずれの場合も、フランジ３１６、３１８は、中心軸３２０に対して角度αを形成することができる。特定の態様では、αは５°以上、例えば１０°以上又は１５°以上であるものとすることができる。別の態様では、αは３０°以下、例えば２５°以下又は２０°以下であるものとすることができる。別の態様では、αは上記で開示した値のいずれかの間（それらの値を含む）の範囲内であるものとすることができる。
【００２４】
図２により明示されているように、トレランスリング１２２は、トレランスリング１２２の側壁３０４の内面と、トレランスリング１２２の側壁３０４に形成される壁構造の外面との間の距離である、全体的な肉厚ｔＯＷを含むことができる。さらに、各フランジ３１６、３１８は、トレランスリング１２２の側壁３０４の内面とフランジ３１６、３１８の外縁との間の距離である、全体的なフランジ厚ｔＯＦを有するように、側壁３０４から延びることができる。特定の態様では、ｔＯＦは、ｔＯＷの３０％以上、例えばｔＯＷの３５％以上、ｔＯＷの４０％以上、ｔＯＷの４５％以上、ｔＯＷの５０％以上、ｔＯＷの５５％以上、又はｔＯＷの６０％以上であるものとすることができる。さらに、ｔＯＦは、ｔＯＷの９８％以下、例えばｔＯＷの９５％以下、ｔＯＷの９０％以下、ｔＯＷの８５％以下、又はｔＯＷの８０％以下であるものとすることができる。別の態様では、ｔＯＦは、上記で開示したｔＯＷのパーセンテージ値のいずれかの間（それらの値を含む）の範囲内であるものとすることができる。
【００２５】
中心軸３２０に対して内方方向に延びるフランジ及び壁構造を含む特定の実施形態では、ｔＯＷは、トレランスリング１２２の側壁３０４の外面とトレランスリング１２２の側壁３０４に形成される壁構造の内面との間で測定される。さらに、そのような実施形態では、ｔＯＦは、トレランスリング１２２の側壁３０４の外面とフランジ３１６、３１８の内縁との間で測定される。
【００２６】
図２及び図３を更に参照すると、トレランスリング１２２は、本体３０２の側壁３０４に形成される複数の波形部３２２を含むことができる。図示のように、１つの態様では、波形部３２２は、中心軸３２０に対して外方方向に延びることができる。しかし、別の態様では、波形部３２２は、中心軸３２０に対して内方方向に延びることができる。
【００２７】
波形部３２２は、本体３０２の側壁３０４に形成するか又は別様に配置することができるため、トレランスリング１２２は、本体３０２の側壁３０４の外周に沿って位置する第１の波形バンク３３０、本体３０２の側壁３０４の外周に沿って位置する第２の波形バンク３３２、本体３０２の側壁３０４の外周に沿って位置する第３の波形バンク３３４、及び、本体３０２の側壁３０４の外周に沿って位置する第４の波形バンク３３６を含む。
【００２８】
側壁３０４はまた、第１の波形バンク３３０と第２の波形バンク３３２との間に周方向に位置する第１の未形成セクション３４０を含むことができる。側壁３０４は、第２の波形バンク３３２と第３の波形バンク３３４との間に周方向に位置する第２の未形成セクション３４２を含むことができる。側壁３０４はまた、第３の波形バンク３３４と第４の波形バンク３３６との間に周方向に位置する第３の未形成セクション３４４を含むことができる。さらに、側壁３０４は、第４の波形バンク３３６と第１の波形バンク３３０との間に周方向に位置する第４の未形成セクション３４６を含むことができる。
【００２９】
各未形成セクション３４０、３４２、３４４、３４６は、隣り合う波形バンク３３０、３３２、３３４、３３６間に延びるとともに何らかの波形部又は他の構造を有して形成されない側壁３０４のセクションを含む。各未形成セクション３４０、３４２、３４４、３４６はまた、フランジ３１６、３１８間に形成される何らかの付加的な構造又は特徴を有することなく、本体３０２の上側フランジ３１６と下側フランジ３１８との間に延びることができる。任意の未形成セクション３４０、３４２、３４４、３４６は、３４０に関しては第１の未形成セクション角ＡＵ１、３４２に関しては第２の未形成セクション角ＡＵ２、３４４に関しては第３の未形成セクション角ＡＵ３、及び３４６に関しては第４の未形成セクション角ＡＵ４にわたる。ＡＵ１〜ＡＵ４は、同じ角度又は異なる任意の角度を有することができ、ＡＵ１〜ＡＵ４は、１°以上、例えば２°以上、５°以上、１０°以上、１５°以上、２０°以上、２５°以上、３０°以上、又は３５°以上であるものとすることができる。任意の角度であるＡＵ１〜ＡＵ４は、１２０°以下、例えば９０°以下、７５°以下、６０°以下、４５°以下、又は３０°以下であるものとすることができる。実施形態では、任意の角度であるＡＵ１〜ＡＵ４は、９０°±３°、９０°±２°、９０°±１°、９０°±０．５°、９０°±０．１°、６０°±３°、６０°±２°、６０°±１°、６０°±０．５°、６０°±０．１°、４５°±３°、４５°±２°、４５°±１°、４５°±０．５°、４５°±０．１°、３０°±３°、３０°±２°、３０°±１°、３０°±０．５°、３０°±０．１°、２０°±３°、２０°±２°、２０°±１°、２０°±０．５°、又は２０°±０．１°であるものとすることができる。一実施形態では、任意の角度であるＡＵ１〜ＡＵ４は、１°〜９０°、例えば１５°〜９０°、３０°〜７５°、又は４５°〜６０°の範囲であるものとすることができる。
【００３０】
図４に示されているように、波形バンク３３０、３３２、３３４、３３６及び未形成セクション３４０、３４２、３４４、３４６は、側壁３０４の外周の周りで交互になっている。その上、特定の態様では、波形バンク３３０、３３２、３３４、３３６は、側壁３０４の未形成セクション３４０、３４２、３４４、３４６によって側壁３０４の外周の周りで等間隔に離間している。
【００３１】
別の態様では、各波形バンク３３０、３３２、３３４、３３６は、側壁３０４に沿う形成されたセクションを含むことができる。形成されたセクションは、波形部の列、細長い波形部、波形部又はそれらの組み合わせ等の波形構造を含むことができる。さらに、各波形バンク内には、隣り合う波形構造間に周方向及び鉛直方向に未形成セクションが存在することができる。しかし、特定の実施形態では、波形構造同士は十分に近いものとすることができ、それらの間の未形成セクションは、図４に示されているように実質的に排除することができる。
【００３２】
各波形バンク３３０、３３２、３３４、３３６は、波形バンク３３０、３３２、３３４、３３６の始点から波形バンク３３０、３３２、３３４、３３６の終点まで、側壁３０４の外周に沿って測定した形成されたセクションの長さＬＦＳを含むことができる。特定の波形バンク３３０、３３２、３３４、３３６が波形バンク３３０、３３２、３３４、３３６内に任意の未形成セクションを含む場合、波形バンク３３０内の未形成セクションの長さは、ＬＦＳから差し引くことができる。
【００３３】
トレランスリング１２２の本体３０２の側壁３０４の各未形成セクション３４０、３４２、３４４、３４６は、未形成セクション３４０、３４２、３４４、３４６の始点から未形成セクション３４０、３４２、３４４、３４６の終点まで、側壁３０４の外周に沿って測定した未形成セクションの長さＬＵＳを含むことができる。トレランスリング１２２は、各波形バンク３３０、３３２、３３４、３３６のＬＦＳを含む、形成されたセクションの全長ＬＦＳＴ、並びに、各未形成セクション３４０、３４２、３４４、３４６のＬｕｓ、及び、各波形バンク３３０、３３２、３３４、３３６内の任意の未形成セクションの長さを含む、未形成セクションの全長ＬＵＳＴを含むことができる。特定の態様では、ＬＦＳＴはＬｕｓ以下であるものとすることができる。例えば、ＬＦＳＴは、Ｌｕｓの９５％以下、例えばＬｕｓの９０％以下、Ｌｕｓの８５％以下、Ｌｕｓの８０％以下、Ｌｕｓの７５％以下、又はＬｕｓの５０％以下であるものとすることができる。別の態様では、ＬＦＳＴは、Ｌｕｓの５％以上、例えばＬｕｓの１０％以上、Ｌｕｓの１５％以上、又はＬｕｓの２０％以上であるものとすることができる。その上、ＬＦＳＴは、本明細書において記載されるＬｕｓ値のパーセンテージのいずれかの間（それらの値を含む）の範囲内であるものとすることができる。
【００３４】
特定の態様では、各波形バンク３３０、３３２、３３４、３３６は、一緒にグループ化された、すなわち側壁３０４の外周に沿って近接して離間するとともに本体の長さに沿って少なくとも部分的に延びる、少なくとも２つの波形構造３５０を含むことができる。本明細書において記載される各実施形態では、２つの波形構造は常に、周方向に残りの波形構造よりも隙間３１４のより近くに位置する。隙間３１４に隣り合う２つの波形構造、すなわち隙間３１４に最も近い２つの波形構造は、第１の波形部の剛性ＳＷ１を含むことができる。未形成セクションに隣り合う他の波形構造は、第２の波形部の剛性ＳＷ２を含むことができる。ＳＷ１は、ＳＷ２の８０％以上、例えばＳＷ２の８５％以上、ＳＷ２の８６％以上、ＳＷ２の８７％以上、ＳＷ２の８８％以上、ＳＷ２の８９％以上、又はＳＷ２の９０％以上であるものとすることができる。さらに、ＳＷ１は、ＳＷ２の９９％以下、例えばＳＷ２の９８％以下、ＳＷ２の９７％以下、ＳＷ２の９６％以下、又はＳＷ２の９５％以下であるものとすることができる。特に、ＳＷ１は、上述したＳＷ２のパーセンテージ値のいずれかの間（それらの値を含む）の範囲内であるものとすることができる。
【００３５】
隙間３１４は、トレランスリング１２２の本体３０２の側壁３０４の外周に沿って測定した第１の幅Ｗ１を含むことができ、各未形成セクション３４０、３４２、３４４、３４６は、トレランスリング１２２の本体３０２の側壁３０４の外周に沿って測定した第２の幅Ｗ２を含む。特定の態様では、Ｗ１はＷ２の１％以上、例えばＷ２の５％以上、Ｗ２の１０％以上、又はＷ２の１５％以上であるものとすることができる。その上、Ｗ１はＷ２の４０％以下、例えばＷ１はＷ２の３５％以下、又はＷ１はＷ２の３０％以下であるものとすることができる。別の態様では、Ｗ１は、上記で開示したＷ２値のパーセンテージのいずれかの間（それらの値を含む）の範囲内であるものとすることができる。
【００３６】
各波形構造３５０は、トレランスリング１２２の本体３０２の側壁３０４に沿って、例えばトレランスリング１２２の長さに沿って互いに鉛直に位置合わせされる少なくとも２つの波形部３２２を含む波形部の列３５２を含むことができる。
【００３７】
図３に示されているように、特定の態様では、トレランスリング１２２の各波形部の列３５２は、トレランスリング１２２の本体３０２の側壁３０４の上部３０６付近の第１の波形部３５４、及びトレランスリング１２２の本体３０２の側壁３０４の底部３０８付近の第２の波形部３５６であるものとすることができる。特定の態様では、第１の波形部３５４は、トレランスリング１２２の長さの上半分内に中心決めすることができる。その上、第２の波形部３５６は、トレランスリング１２２の長さの下半分内に中心決めすることができる。各波形部の列３５２は、第１の波形部３５４と第２の波形部３５６との間の第３の波形部３５８も含むことができる。第３の波形部３５８は、トレランスリング１２２の長さに沿って中心決めすることができる。
【００３８】
１つの態様では、第１の波形部３５４は、第２の波形部３５６と同じサイズ、例えば長さ、幅、高さ（側壁３０４の外面から測定した）であるものとすることができる。別の態様では、第１の波形部３５４、第２の波形部３５６及び第３の波形部３５８は同じサイズ、例えば長さ、幅、高さ（側壁３０４の外面から測定した）である。特に、第１の波形部３５４及び第２の波形部３５６は第１の長さＬ１を有することができ、第３の波形部３５８は第２の長さＬ２を含み、Ｌ２≦Ｌ１である。詳細には、Ｌ２はＬ１の７５％以下、例えばＬ２はＬ１の７０％以下、Ｌ２はＬ１の６５％以下、Ｌ２はＬ１の６０％以下、Ｌ２はＬ１の５５％以下、又はＬ２はＬ１の５０％以下であるものとすることができる。別の態様では、Ｌ２はＬ１の２５％以上、例えばＬ２はＬ１の３０％以上、Ｌ２はＬ１の３５％以上、又はＬ２はＬ１の４０％以上であるものとすることができる。別の態様では、Ｌ２は、上記で開示したＬ１のパーセンテージ値のいずれかの間（それらの値を含む）の範囲内であるものとすることができる。
【００３９】
特定の態様では、ピボットアセンブリ１０４がアクチュエータアームのボア１１６内に、トレランスリング１２２が間に配置された状態で据え付けられると、ピボット１２０及びボア１１６は、トレランスリング１２２の中心軸３２０に沿って又はほぼ沿って延びる中心軸を含むことができる。トレランスリング１２２は、ボア１１６及びアクチュエータアーム１０２に対するピボット１２０の揺動に実質的に抵抗することができる軸方向剛性を提供することができ、ピボット１２０の中心軸は、中心軸３２０に対して、中心軸（長手方向軸）に垂直な軸を中心に回転する。
【００４０】
拘束されないままである場合、そのような揺動によって読み書きヘッド１１４がハードディスクに接触する可能性がある。この接触は望ましくなく、ハードディスクドライブを故障させる可能性がある。特定の態様では、トレランスリング１２２の軸方向剛性は、トレランスリング１２２の周りの周方向の種々の位置で測定したときに大きくは変化しない。
【００４１】
例えば、隙間３１４を通るトレランスリング１２２の軸方向剛性ＡＳＧは、トレランスリング１２２の隙間３１４及び中心３６０を通る第１の方向に測定することができる。隙間３１４に垂直なトレランスリング１２２の軸方向剛性ＡＳＰＧは、第１の方向に垂直な第２の方向に測定することができる。ＡＳＧは、ＡＳＰＧの９０％以上、例えばＡＳＰＧの９１％以上、ＡＳＰＧの９２％以上、ＡＳＰＧの９３％以上、ＡＳＰＧの９４％以上、ＡＳＰＧの９５％以上、ＡＳＰＧの９６％以上、又はＡＳＰＧの９７％以上であるものとすることができる。さらに、ＡＳＧは、ＡＳＰＧの１００％以下、ＡＳＰＧの９９％以下、又はＡＳＰＧの９８％以下であるものとすることができる。その上、ＡＳＧは、上記で開示したＡＳＰＧのパーセンテージ値のいずれかの間（それらの値を含む）の範囲内であるものとすることができる。
【００４２】
さらに、トレランスリング１２２の共振周波数は、トレランスリング１２２が据え付けられるアセンブリの周方向の種々の位置で測定したときに大きくは変化しない。例えば、隙間３１４を通るトレランスリング１２２の共振周波数ＲＦＧは、トレランスリング１２２の隙間３１４及び中心３６０を通る第１の方向に測定することができる。隙間３１４に垂直なトレランスリング１２２の共振周波数ＲＦＰＧは、第１の方向に垂直な第２の方向に測定することができる。ＲＦＧは、ＲＦＰＧの９０％以上、例えばＲＦＰＧの９１％以上、ＲＦＰＧの９２％以上、ＲＦＰＧの９３％以上、ＲＦＰＧの９４％以上、又はＲＦＰＧの９５％以上であるものとすることができる。さらに、ＲＦＧは、ＲＦＰＧの１００％以下、ＲＦＰＧの９９％以下、ＲＦＰＧの９８％以下、ＲＦＰＧの９７％以下、又はＲＦＰＧの９６％以下であるものとすることができる。その上、ＲＦＧは、上記で開示したＲＦＰＧのパーセンテージ値のいずれかの間（それらの値を含む）の範囲内であるものとすることができる。
【００４３】
図２及び図３は、トレランスリング１２２が４つの波形バンク３３０、３３２、３３４、３３６及び４つの未形成セクション３４０、３４２、３４４、３４６を含むことができることを示している。他の態様では、トレランスリング１２２は、２つの波形バンク及び２つの未形成セクション、３つの波形バンク及び３つの未形成セクション、５つの波形バンク及び５つの未形成セクション、６つの波形バンク及び６つの未形成セクション等を含むことができる。さらに、各波形バンク３３０、３３２、３３４、３３６は３つの波形構造を含むが、他の態様では、各波形バンク３３０、３３２、３３４、３３６は、１つの波形構造、２つの波形構造、４つの波形構造、５つの波形構造、６つの波形構造等を含むことができる。
【００４４】
図５を簡潔に参照すると、別の態様では、各波形構造は、上側フランジ５０８と下側フランジ５１０との間でトレランスリング５０６の長さに沿って少なくとも部分的にトレランスリング５０６の本体５０４の側壁５０２に沿って長手方向に延びる単一の細長い波形部５００を含むことができる。この態様では、各細長い波形部５００は、トレランスリング５０６の長さに沿って中心決めすることができる。その上、トレランスリング５０６のこの態様は、本明細書において開示される他のトレランスリングに関して本明細書において記載される特徴又は特性のうちの１つ又は複数を含むことができる。
【００４５】
ここで図６を参照すると、トレランスリングの別の実施形態が示されており、全体的に６００で示されている。図６は、トレランスリング６００が側壁６０４を有する本体６０２を含むことを示している。側壁６０４は、第１の未形成セクション６１２、及び第１の未形成セクション６１２に対向する第２の未形成セクション６１４を含むことができる。図６に示されているように、隙間６１６を第１の未形成セクション６１２に位置付けることができる。隙間６１６は、トレランスリング６００に割れ目を形成するためにトレランスリング６００の全長に沿って延びることができる。隙間に対向する第２の未形成セクション６１４は、１°以上、例えば２°以上、５°以上、１０°以上、１５°以上、２０°以上、２５°以上、３０°以上、又は３５°以上の未形成セクション角ＡＵＯＧを含むことができる。ＡＵＯＧは、１２０°以下、例えば９０°以下、７５°以下、６０°以下、４５°以下、又は３０°以下であるものとすることができる。実施形態では、ＡＵＯＧは、９０°±３°、９０°±２°、９０°±１°、９０°±０．５°、９０°±０．１°、６０°±３°、６０°±２°、６０°±１°、６０°±０．５°、６０°±０．１°、４５°±３°、４５°±２°、４５°±１°、４５°±０．５°、４５°±０．１°、３０°±３°、３０°±２°、３０°±１°、３０°±０．５°、３０°±０．１°、２０°±３°、２０°±２°、２０°±１°、２０°±０．５°、又は２０°±０．１°であるものとすることができる。一実施形態では、ＡＵＯＧは、１°〜１２０°、例えば１５°〜１２０°、３０°〜１２０°、又は４５°〜９０°の範囲であるものとすることができる。
【００４６】
図６に示されているように、トレランスリング６００の本体６０２の側壁６０４は、側壁６０４に形成される第１の波形バンク６２２を含むことができる。第１の波形バンク６２２は、隙間６１６を有する第１の未形成セクション６１２、及び第２の未形成セクション６１４に隣接することができる。第２の波形バンク６２４も、隙間６１６を有する第１の未形成セクション６１２、及び第２の未形成セクション６１４に隣接することができる。第２の波形バンク６２４は、第１の波形バンク６２２と対向して位置付けることができる。図示のように、第１の未形成セクション６１２は、第１の波形バンク６２２と第２の波形バンク６２４との間に周方向に位置する。その上、第２の未形成セクション６１４は、第１の波形バンク６２２と第２の波形バンク６２４との間に周方向に位置する。特定の態様では、波形バンク６２２、６２４は、トレランスリング６００の本体６０２の側壁６０４の外周の周りで等間隔に離間し、トレランスリング６００の本体６０２は、トレランスリング６００の中心６３２から延びて第１の未形成セクション６１２の隙間６１６を二分する中心軸６３０を中心に対称である。
【００４７】
特定の態様では、隙間６１６は、約０°、例えば０°±３°、０°±２°、０°±１°、０°±０．５°、又は０°±０．１°で本体６０２の外周に沿って中心決めすることができる。中心軸６３０と、トレランスリング６００の中心６３２から延びて第１の波形バンク６２２を二分する第１の波形バンク軸６４０との間で測定した第１の波形バンク角Ａｗ１は、約９０°、例えば９０°±３°、９０°±２°、９０°±１°、９０°±０．５°、又は９０°±０．１°であるものとすることができる。中心軸６３０と、トレランスリング６００の中心６３２から延びて第２の波形バンク６２４を二分する第２の波形バンク軸６４２との間で測定した第２の波形バンク角Ａｗ２は、約２７０°、例えば２７０°±３°、２７０°±２°、２７０°±１°、２７０°±０．５°、又は２７０°±０．５°であるものとすることができる。
【００４８】
他の実施形態では、付加的な波形バンクがトレランスリングに加えられるため、各付加的な波形バンクは、隙間を有する第１の未形成セクションに隣接するように加えることができる。例えば、第３の波形バンクを、第２の波形バンクと第１の波形バンクとの間に周方向に位置付けることができる。第３の波形バンクは、第１の波形バンクに対向して隙間を有する第１の未形成セクションに隣接することができ、第３の未形成セクションを、第２の波形バンクと第３の波形バンクとの間に位置付けることができる。次に、第４の波形バンクを、第３の波形バンクと第１の波形バンクとの間に周方向に位置付けることができる。第４の波形バンクは、第１の波形バンクに対向して隙間を有する第１の未形成セクションに隣接することができる。第５の波形バンクを、第４の波形バンクと第１の波形バンクとの間に周方向に位置付けることができる。第５の波形バンクは、第１の波形バンクに対向して隙間を有する第１の未形成セクションに隣接することができる。第６の波形バンクを、第５の波形バンクと第１の波形バンクとの間に周方向に位置付けることができる。第６の波形バンクは、第１の波形バンクに対向して隙間を有する第１の未形成セクションに隣接することができる。このパターンは、第７の波形バンク、第８の波形バンク、第９の波形バンク、第１０の波形バンク等に関して繰り返すことができる。
【００４９】
本体の外周の周りに等間隔に離間し、中心軸を中心に対称である３つの波形バンクを有する一実施形態では、Ａｗ１は、約６０°、例えば６０°±３°、６０°±２°、６０°±１°、６０°±０．５°、又は６０°±０．１°であるものとすることができ；Ａｗ２は、約１８０°、例えば１８０°±３°、１８０°±２°、１８０°±１°、１８０°±０．５°、又は１８０°±０．１°であるものとすることができ；中心軸と、トレランスリングの中心から延びて第３の波形バンクを二分する第３の波形バンク軸との間で測定した第３の波形バンク角Ａｗ３は、約３００°、例えば３００°±３°、３００°±２°、３００°±１°、３００°±０．５°、又は３００°±０°であるものとすることができる。
【００５０】
本体の外周の周りに等間隔に離間し、中心軸を中心に対称である４つの波形バンクを有する別の実施形態では、Ａｗ１は、約４５°、例えば４５°±３°、４５°±２°、４５°±１°、４５°±０．５°、又は４５°±０．１°であるものとすることができ；Ａｗ２は、約１３５°、例えば１３５°±３°、１３５°±２°、１３５°±１°、１３５°±０．５°、又は１３５°±０．１°であるものとすることができ；Ａｗ３は、約２２５°、例えば２２５°±３°、２２５°±２°、２２５°±１°、２２５°±０．５°、又は２２５°±０．１°であるものとすることができ；中心軸と、トレランスリングの中心から延びて第４の波形バンクを二分する第４の波形バンク軸との間で測定した第４の波形バンク角Ａｗ４は、約３１５°、例えば３１５°±３°、３１５°±２°、３１５°±１°、３１５°±０．５°、又は３１５°±０．１°であるものとすることができる。
【００５１】
本体の外周の周りに等間隔に離間し、中心軸を中心に対称である５つの波形バンクを有するまた別の実施形態では、Ａｗ１は、約３６°、例えば３６°±３°、３６°±２°、３６°±１°、３６°±０．５°、又は３６°±０．１°であるものとすることができ；Ａｗ２は、約１０８°、例えば１０８°±３°、１０８°±２°、１０８°±１°、１０８°±０．５°、又は１０８°±０．１°であるものとすることができ；Ａｗ３は、約１８０°、例えば１８０°±３°、１８０°±２°、１８０°±１°、１８０°±０．５°、又は１８０°±０．１°であるものとすることができ；Ａｗ４は、約２５２°、例えば２５２°±３°、２５２°±２°、２５２°±１°、２５２°±０．５°、又は２５２°±０．１°であるものとすることができ；中心軸と、トレランスリングの中心から延びて第５の波形バンクを二分する第５の波形バンク軸との間で測定した第５の波形バンク角Ａｗ５は、３２４°、例えば３２４°±３°、３２４°±２°、３２４°±１°、３２４°±０．５°、又は３２４°±０．１°であるものとすることができる。
【００５２】
本体の外周の周りに等間隔に離間し、中心軸を中心に対称である６つの波形バンクを有する別の実施形態では、Ａｗ１は、約３０°、例えば３０°±３°、３０°±２°、３０°±１°、３０°±０．５°、又は３０°±０．１°であるものとすることができ；Ａｗ２は、約９０°以下、例えば９０°±３°、９０°±２°、９０°±１°、９０°±０．５°、又は９０°±０．１°であるものとすることができ；Ａｗ３は、約１５０°、例えば１５０°±３°、１５０°±２°、１５０°±１°、１５０°±０．５°、又は１５０°±０．１°であるものとすることができ；Ａｗ４は、約２１０°、例えば２１０°±３°、２１０°±２°、２１０°±１°、２１０°±０．５°、又は２１０°±０．１°であるものとすることができ；Ａｗ５は、約２７０°、例えば２７０°±３°、２７０°±２°、２７０°±１°、２７０°±０．５°、又は２７０°±０．１°であるものとすることができ、中心軸と、トレランスリングの中心から延びて第６の波形バンクを二分する第６の波形バンク軸との間で測定した第６の波形バンク角Ａｗ６は、約３３０°、例えば３３０°±３°、３３０°±２°、３３０°±１°、３３０°±０．５°、又は３３０°±０．１°であるものとすることができる。
【００５３】
特定の態様では、例えば本明細書において開示されるトレランスリングのいずれかであるトレランスリングは、本明細書において記載されるような組み付け後に、内側構成要素の中心と外側構成要素の中心との間の距離として測定される同心度、Ｃを提供することができる。Ｃは、５０μｍ以下、例えば４５μｍ以下、４０μｍ以下、３５μｍ以下、３０μｍ以下、２５μｍ以下、又は２０μｍ以下であるものとすることができる。その上、Ｃは、１μｍ以上、例えばＣは５μｍ以上、Ｃは１０μｍ以上、又はＣは１５μｍ以上であるものとすることができる。さらに、Ｃは、本明細書において記載されるＣの値のいずれかの間（それらの値を含む）の範囲内であるものとすることができる。
【００５４】
特定の態様では、本明細書において記載される態様のいずれかに従ったトレランスリングは、金属、金属合金又はそれらの組み合わせから作ることができる。金属は鉄系金属を含むことができる。さらに、金属は鋼を含むことができる。鋼は、オーステナイト系ステンレス鋼等のステンレス鋼を含むことができる。その上、鋼は、クロム、ニッケル、又はそれらの組み合わせを含むステンレス鋼を含むことができる。例えば、鋼はＸ１０ＣｒＮｉｌ８−８ステンレス鋼であるものとすることができる。さらに、トレランスリングは、３５０以上、例えば３７５以上、４００以上、４２５以上、又は４５０以上であるものとすることができるビッカースピラミッド硬さ、ＶＰＮを含むことができる。ＶＰＮはまた、５００以下、４７５以下、又は４５０以下であるものとすることができる。ＶＰＮはまた、本明細書において記載されるＶＰＮ値のいずれかの間（それらの値を含む）の範囲内であるものとすることができる。別の態様では、トレランスリングを、その耐食性を高めるように処理することができる。特に、トレランスリングを不動態化処理することができる。例えば、トレランスリングは、ＡＳＴＭ規格Ａ９６７に従って不動態化処理することができる。
【００５５】
別の態様では、トレランスリングを形成することができるストック材料は、厚さｔを有することができ、ｔは、０．０８５ｍｍ以上、例えば０．０８７ｍｍ以上、０．０９０ｍｍ以上、０．０９５ｍｍ以上、又は０．１００ｍｍ以上であるものとすることができる。別の態様では、ｔは０．１１５ｍｍ以下、０．１１３ｍｍ以下、０．１１０ｍｍ以下、又は０．１０５ｍｍ以下であるものとすることができる。その上、ｔは、上記で開示したｔの値のいずれかの間（それらの値を含む）の範囲内であるものとすることができる。
【００５６】
本明細書において記載される態様のいずれかに従ったトレランスリングは、全体的な外径ＯＤを有することができ、ＯＤは５ｍｍ以上、例えば６ｍｍ以上、７ｍｍ以上、８ｍｍ以上、９ｍｍ以上、又は１０ｍｍ以上であるものとすることができる。ＯＤは、２０ｍｍ以下、例えば１５ｍｍ以下、１４ｍｍ以下、１３ｍｍ以下、１２ｍｍ以下、又は１０ｍｍ以下であるものとすることができる。さらに、ＯＤは、本明細書において記載されるＯＤの値のいずれかの間（それらの値を含む）の範囲内であるものとすることができる。
【００５７】
別の態様では、トレランスリングは全長Ｌを有することができ、Ｌは、２０ｍｍ以下、例えば１７ｍｍ以下、１５ｍｍ以下、１４ｍｍ以下、又は１３ｍｍ以下であるものとすることができる。Ｌは５ｍｍ以上、６ｍｍ以上、７ｍｍ以上、８ｍｍ以上、９ｍｍ以上、又は１０ｍｍ以上であるものとすることができる。その上、Ｌは、上述したＬの値のいずれかの間（それらの値を含む）の範囲内であるものとすることができる。
【００５８】
さらに、本明細書において記載されるトレランスリングのいずれかを形成するのに用いられるストック材料を切断し、スタンプし、ロール成形してトレランスリングを形成した後で、結果として生じるトレランスリングには実質的にいかなるバリもない。詳細には、１０倍の倍率下でトレランスリングを目視検査することでは切断縁のいずれに沿ってもバリは見えない。
【実施例】
【００５９】
トレランスリングを、Ｘ１０ＣｒＮｉｌ８−８ステンレス鋼ストックから製造する。ステンレス鋼ストックは、０．１ｍｍ±０．０１３の厚さを有する。さらに、ステンレス鋼ストックは４００〜４５０のＶＰＮを有し、ＡＳＴＭ規格Ａ９６７に従って不動態化処理する。形成されたトレランスリングは４つの波形バンクを含む。各波形バンクは２つの波形部の列を含み、各波形部の列は、鉛直方向に位置合わせされる３つの波形部を含む。上側波形部及び下側波形部はおよそ１．６６ｍｍの幅及び３．０ｍｍの高さである。中間の波形部はおよそ１．６６ｍｍの幅及び１．５ｍｍの高さである。
【００６０】
トレランスリングは、据え付け後に約０．３ｍｍの全体的な肉厚を有する。さらに、トレランスリングは、全体的な自由状態の１１．５ｍｍの直径及び１２．５ｍｍの全長を有する。
【００６１】
図７は、軸上の軸方向剛性試験のハンマ試験設定を示している。トレランスリングを、１１．１３５ｍｍの外径を有する支柱７０２の周りに据え付け、このアセンブリを、およそ１１．７２２ｍｍのボアを有するリング７０４内に据え付ける。このアセンブリを、釣り糸７０６を用いて吊り下げ、２つのレーザを、リング７０８の同じ側にリングの平坦な面に垂直に配置する。レーザを、互いから１８０度に配置する。一方のレーザを基準レーザとして用い、他方のレーザを測定用レーザとして用いる。支柱を、Ｈと表記される矢印によって示されているように、レーザとは反対の側から軸上で叩く。レーザ、及びハンマの力変換器をマイクロプロセッサに結合し、マイクロプロセッサへの入力を提供する。
【００６２】
図８Ａは、軸外の軸方向剛性試験のハンマ試験設定を示している。トレランスリングを、図７に示されているようにリングを有するとともにリング内の支柱の周りに据え付け、釣り糸を用いて吊り下げる。図７におけるように、２つのレーザを、リングの同じ側にリングの平坦な面に垂直に配置する。レーザを、互いから１８０度に配置する。一方のレーザを基準レーザＲとして用い、他方のレーザを測定用レーザＭとして用いる。リングを、力変換器が組み込まれているハンマを用いて、Ｈと表記される矢印によって示されているように、測定レーザ下から軸外で叩く。レーザ、及びハンマの力変換器をマイクロプロセッサに結合し、マイクロプロセッサへの入力を提供する。図８Ｂは、入力を処理して、軸外をたたくことによって誘発される揺動モードＲＭ及び軸方向モードＡＭを相殺する方法を示している。
【００６３】
図９Ａ及び図９Ｂは、種々のトレランスリングに関する軸上及び軸外の軸方向剛性の試験結果を示している。図９Ａ及び図９Ｂにおいて、縦列は以下の意味を有する。ＦＲは、リングの平均共振周波数（ｋＨｚ）を提供し；Δはリングの周りで求められた平均パーセント差である。
【００６４】
【表１】
2015519522.tif 000003
【００６５】
リング１は、３個の帯を有する１３個の波形部のハードディスクドライブのトレランスリングである比較リングである。リング２は４個の群の８個の波形部のリングである。リング３は、４個の群の１２個の波形部のトレランスリングである。リング４はリング１と同様であるが、二重の帯を含む。リング５は、ピッチが補正された６個の波形部を有する。ピッチが補正されたリングは、等しい角度間隔でアセンブリの周りに分散される波形部を有する。リング６及び７は、それぞれ、７個の波形部及び８個の波形部のピッチが補正された構成を有する。リング８は、１３個の波形部の３個の帯構成を有する新たなアセンブリバッチから作られる第２の比較リングである。リング９は、隙間に対向する未形成の（「プラニッシュ」）領域を有する。リング１０は、隙間に対向する中心決めされた波形部を有する。リング１１は、波形部間に位置するスリットを有する１２個の波形部のピッチが補正されたリングである。スリットは、実質的に波形部の列の長さにわたる長さを有する。
【００６６】
ダミーアセンブリにおけるリングの径方向剛性を、２つの位置；すなわち隙間、及び隙間に対して９０度においてハンマ試験を用いて測定する。％差を、各位置における５回の打撃を用いて試験される５個のリングの平均の間で計算する。試験は同じダミー質量を用いて行ったため、計算を容易にするために、剛性よりも共振周波数を報告する（式１）。
【００６７】
ダミーアセンブリにおけるリングの径方向剛性を、２つの位置；すなわち隙間、及び隙間に対して９０度においてハンマ試験を用いて測定する。％差を、各位置における５回の打撃を用いて試験される５個のリングの平均の間で計算する。試験は同じダミー質量を用いて行ったため、計算、式１を容易にするために剛性よりも共振周波数を報告する。
【００６８】
【数１】
2015519522.tif 000004
式中、ｆは共振周波数であり、ｍは有効質量であり、ｋは試験片の剛性である。
【００６９】
図１０は、種々のトレランスリングに関する径方向剛性試験の試験結果を示している。図１０において、縦列は図９Ａ及び図９Ｂにおけるものと同じであり、また以下で開示されるような意味を有する。ＦＲは、リングの平均共振周波数（ｋＨｚ）を提供し；Δはリングの周りで求められた平均パーセント差である。
【００７０】
【表２】
2015519522.tif 000005
【００７１】
リング２Ａは、４０ｌｂｆの残りの組み付け力を有する。リング３Ｂは、３０ｌｂｆの残りの組み付け力を有する。リング１２は、波形部の列間に穴、より詳細には２つの波形部間に２つの穴を有する１２個の波形部のピッチが補正されたリングである。リング１３は１１個の波形部のピッチが補正されたリングである。リング１４は収容が可変であるリングであり、すなわち、リングを強く押して中央ボアに一致させることができる。リング１５は、閉じている、収容が可変であるリングであり、すなわち、リングはそのボアよりも直径が小さく、ボアに一致するように伸ばすことができる。
【００７２】
ピーク組み付け及び初期滑り試験に関して、最初にピボットのトルクを試験する。ピボットを次に、関連するトレランスリングを用いてアーム内に組み付け、ピーク組み付け力（ＰＡＦ）を記録する。次に、アセンブリのトルクを試験し、組み付けられていないトルクと組み付けられたトルクとの差、すなわち「トルクシフト」を記録する。次に、アセンブリを分解し、初期滑りを記録し、最後に、ピボットのトルクを再び測定する。ピボットは、組み付け後のトルクが高いとみなされるか、又は５回まで、どちらが先に生じるかにかかわらず再使用する。アームを５回再使用する。これらの再使用の方針は、以前の研究の結果であり、いかなる問題も引き起こすはずはないが、ピボット及びアームが毎回未使用ではないことを留意するべきである。
【００７３】
図１１は、種々のトレランスリングに関するＰＡＦ、ＩＳ及びＩＳ／ＰＡＦ試験の試験結果を示している。図１１において、縦列は図９Ａ、図９Ｂ及び図１０におけるものと同じ意味を有する。ＰＡＦ及びＩＳはｌｂｆであり、ＩＳ／ＰＡＦは％である。
【００７４】
マイクロプロセッサは、ハンマ及びレーザによって提供される入力からの共振周波数を計算するソフトウェアを含む。共振周波数は、トレランスリングの軸方向剛性に直接関連する。隙間を二分するとともにアセンブリの中心を通る軸に沿って測定した共振周波数は約６．６５ｋＨｚである。第１の軸に垂直な軸に沿って測定した共振周波数は、約２．２％の差である約６．８ｋＨｚである。したがって、隙間を通る軸方向剛性ＡＳＧは、隙間に垂直な軸方向剛性ＡＳＰＧの約９７．８％である。
【００７５】
本明細書において記載されるトレランスリングは、隙間に対して等間隔に離間したグループ化された波形部の構成を提供する。グループ化された波形部の構成、比較的大きい未形成セクション、又はそれらの組み合わせは、トレランスリングの周りで周方向に実質的に変化しない共振周波数及び剛性を提供する。したがって、トレランスリングは、ボア内で支柱を位置合わせして維持することができ、ほぼいずれもの径方向への通常の動作荷重下でのボア内における支柱のいかなる揺れも実質的に防止することができる。
【００７６】
当業者は、本明細書において記載される特徴のうちの１つ又は複数を有するトレランスリングを使用することができる他の用途があり得ることを理解できる。
【００７７】
上記で開示した主題は、例示的であるものとみなされ、限定的であるものとみなされるべきではなく、添付の特許請求の範囲は、本発明の真の範囲内に入る全てのそのような変更形態、改良形態及び他の実施形態を包含することが意図される。したがって、本発明の範囲は、法が許す可能な限りまで、以下の特許請求の範囲及びそれらの均等物の最も広範な許容される解釈によって決まり、上述の詳細な説明によっては制限又は限定されないものとする。
【００７８】
加えて、上述の詳細な説明において、種々の特徴はまとめてグループ分けされるか、又は本開示を簡素化するために単一の実施形態において記載することができる。本開示は、特許請求の範囲に記載の実施形態が各請求項において明示的に記載されるよりも多くの特徴を必要とするという意図を反映するものとして解釈されるべきではない。むしろ、以下の特許請求の範囲が反映するように、本発明の主題は、開示される実施形態のいずれかの全てではない特徴に関するものとすることができる。したがって、以下の特許請求の範囲は、詳細な説明に組み込まれ、各請求項は、特許請求される主題を別個に規定するものとして独立的である。
【図１】
2015519522.tif 000006
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2015519522.tif 000010
【図６】
2015519522.tif 000011
【図７】
2015519522.tif 000012
【図８Ａ】
2015519522.tif 000013
【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０】
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【図１１】
2015519522.tif 000018
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月21日(2014.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トレランスリングであって：
側壁を有する概ね円筒形の本体であって、前記側壁が：
第１の未形成セクションと；
前記第１の未形成セクション内の隙間であって、前記本体の全長に沿って延びて前記本体に割れ目を形成する、隙間と；
前記第１の未形成セクションに対向する第２の未形成セクションと；
前記隙間を有する前記第１の未形成セクションに隣接する第１の波形バンクと；
前記隙間を有する前記第１の未形成セクションに隣接する第２の波形バンクと；
前記第１の波形バンクと前記第２の波形バンクとの間に周方向に位置付けられる第３の波形バンクと；
前記第１の波形バンクと前記第３の波形バンクとの間の第３の未形成セクションと
を含む、概ね円筒形の本体
を備える、トレランスリング。
【請求項２】
前記中心軸と、前記トレランスリングの中心から延びて前記第１の波形バンクを二分する第１の波形バンク軸との間で測定したＡｗ１は６０°±３°であり、前記中心軸と、前記トレランスリングの中心から延びて前記第２の波形バンクを二分する第２の波形バンク軸との間で測定したＡｗ２は１８０°±３°であり、前記中心軸と、前記トレランスリングの中心から延びて前記第３の波形バンクを二分する第３の波形バンク軸との間で測定した第３の波形バンク軸Ａｗ３は３００°±３°である、請求項１に記載のトレランスリング。
【請求項３】
前記第３の波形バンクと前記第１の波形バンクとの間に周方向に位置付けられる第４の波形バンクを更に含む、請求項１に記載のトレランスリング。
【請求項４】
Ａｗ１は４５°±３°であり、Ａｗ２は１３５°±３°であり、Ａｗ３は２２５°±３°であり、前記中心軸と、前記トレランスリングの中心から延びて前記第４の波形バンクを二分する第４の波形バンク軸との間で測定した第４の波形バンク角Ａｗ４は、３１５°±３°である、請求項３に記載のトレランスリング。
【請求項５】
前記第４の波形バンクと前記第１の波形バンクとの間に周方向に位置付けられる第５の波形バンクを更に含む、請求項１に記載のトレランスリング。
【請求項６】
Ａｗ１は３６°±３°であり、Ａｗ２は１０８°±３°であり、Ａｗ３は１８０°±３°であり、Ａｗ４は２５２°±３°であり、前記中心軸と、前記トレランスリングの中心から延びて前記第５の波形バンクを二分する第５の波形バンク軸との間で測定した第５の波形バンク角Ａｗ５は、３２４°±３°である、請求項５に記載のトレランスリング。
【請求項７】
前記第５の波形バンクと前記第１の波形バンクとの間に周方向に位置付けられる第６の波形バンクを更に含む、請求項１に記載のトレランスリング。
【請求項８】
Ａｗ１は３０°±３°であり、Ａｗ２は９０°±３°であり、Ａｗ３は１５０°±３°であり、Ａｗ４は２１０°±３°であり、Ａｗ５は２７０°±３°であり、前記中心軸と、前記トレランスリングの中心から延びて前記第６の波形バンクを二分する第６の波形バンク軸との間で測定した第６の波形バンク角Ａｗ６は、３３０°±３°である、請求項７に記載のトレランスリング。
【請求項９】
アセンブリであって：
外側構成要素であって、該外側構成要素内のボアを含む、外側構成要素と；
前記ボア内に配置される内側構成要素と；
前記内側構成要素に取り付けられるトレランスリングであって：
側壁を有する概ね円筒形の本体を含み、前記側壁は：
第１の未形成セクション；
前記第１の未形成セクションの隙間であって、前記本体の全長に沿って延びて前記本体に割れ目を形成する、隙間；
前記第１の未形成セクションに対向する第２の未形成セクション；
前記第１の未形成セクションに隣接する第１の波形バンク；
前記第１の未形成セクションに隣接する第２の波形バンク；及び
前記第１の波形バンクと前記第２の波形バンクとの間に周方向に位置付けられる第３の波形バンク
を含む、トレランスリングと、
を備える、アセンブリ。
【請求項１０】
前記トレランスリングは、前記隙間を二分するとともに前記リングの中心を通る第１の方向に測定した軸方向剛性ＡＳＧ、及び、前記第１の方向に垂直な第２の方向に測定した軸方向剛性ＡＳＰＧを含み、ＡＳＧは、ＡＳＰＧの９０％以上、例えばＡＳＰＧの９１％以上、ＡＳＰＧの９２％以上、ＡＳＰＧの９３％以上、ＡＳＰＧの９４％以上、ＡＳＰＧの９５％以上、ＡＳＰＧの９６％以上、又はＡＳＰＧの９７％以上である、請求項９に記載のアセンブリ。
【請求項１１】
ＡＳＧはＡＳＰＧの１００％以下、ＡＳＰＧの９９％以下、又はＡＳＰＧの９８％以下である、請求項１０に記載のアセンブリ。
【請求項１２】
ハードディスクドライブを備える、請求項９に記載のアセンブリ。
【請求項１３】
トレランスリングであって：
側壁を有する概ね円筒形の本体であって、前記側壁は：
第１の未形成セクション；
前記第１の未形成セクションの隙間であって、前記本体の全長に沿って延びて前記本体に割れ目を確立する、隙間；
前記第１の未形成セクションに対向する第２の未形成セクション；
前記第１の未形成セクション及び前記第２の未形成セクションから離間した第３の未形成セクション；
前記第１の未形成セクションに隣接する第１の波形バンク；
前記第１の未形成セクションに隣接する第２の波形バンク
を含む、概ね円筒形の本体
を備える、トレランスリング。
【請求項１４】
前記第２の未形成セクションが、１°以上、例えば２°以上、５°以上、１０°以上、１５°以上、２０°以上、２５°以上、３０°以上、又は３５°以上の角度ＡＵＯＧを含み、
ＡＵＯＧが１２０°以下、例えば９０°以下、７５°以下、６０°以下、４５°以下、又は３０°以下である、請求項１３に記載のトレランスリング。
【請求項１５】
前記トレランスリングの前記本体の外周の周りに等間隔に離間した前記波形バンクを更に含む、請求項１、９又は１３のいずれか一項に記載のトレランスリング、アセンブリ、ハードディスクドライブ。 
【国際調査報告】
2015519522.tif 000019
2015519522.tif 000020