(57)【要約】本発明は、アルキルアミドの混合物を有する剥離用組成物を開示する。剥離用組成物が、Ｎ−メチルホルムアミド５０〜７０重量％と、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド３０  ５０重量％と、水である残部とを含む。剥離用組成物が、水と混和性であり、銅または銅合金に対して非腐蝕性であり、かつ人と環境に対して毒性が低いという利点を有する。剥離用組成物が２つの主成分を含むため、使用済みの剥離液が容易に分別蒸留によって回収され、元の配合に再組成され、製造プロセスにおいて再利用されて、コスト削減および環境保護などの利益を提供することができる。また、本発明において、剥離用組成物を使用してフォトレジストを除去するための方法も開示される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎメチルホルムアミド５０〜７０重量％と、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド３０〜５０重量％と、水である残部とを含むアルキルアミド剥離用組成物であって、パーセントが組成物の全重量を基準とする、アルキルアミド剥離用組成物。
【請求項２】
テトラエチレングリコールを本質的に含有しない、請求項１に記載のアルキルアミド剥離用組成物。
【請求項３】
Ｎメチルホルムアミドの、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドに対する重量比が１を超える、請求項１に記載のアルキルアミド剥離用組成物。
【請求項４】
Ｎ−メチルホルムアミド５５〜６５重量％と、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド３５〜４５重量％と、水５重量％未満とを含む請求項１に記載のアルキルアミド剥離用組成物であって、パーセントが前記組成物の全重量を基準とする、アルキルアミド剥離用組成物。
【請求項５】
Ｎ−メチルホルムアミド５８〜６２重量％と、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド３８〜４２重量％と、水３重量％未満とを含む請求項１に記載のアルキルアミド剥離用組成物であって、パーセントが前記組成物の全重量を基準とする、アルキルアミド剥離用組成物。
【請求項６】
電子部品の表面からフォトレジストを除去するためのフォトレジスト剥離剤である、請求項１に記載のアルキルアミド剥離用組成物。
【請求項７】
前記電子部品が、銅または銅合金からなる金属線系を有する、請求項６に記載のアルキルアミド剥離用組成物。
【請求項８】
ポリイミドからなる配向膜のための剥離剤またはクリーナーである、請求項１に記載のアルキルアミド剥離用組成物。
【請求項９】
電子部品のフォトレジストを請求項１のアルキルアミド剥離用組成物と２５〜９０℃の範囲の温度で５秒〜３０分間接触させて前記フォトレジストを除去する工程を含む、電子部品の表面からフォトレジストを除去するための方法。
【請求項１０】
前記電子部品が、銅または銅合金からなる金属線系を有する、請求項９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アルキルアミドの混合物を含有する剥離用組成物、特にフォトレジストの除去または配向膜の清浄化または除去に適用されるアルキルアミド剥離用組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
科学技術産業は絶えず発展し進歩を遂げているが、これには薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ（ＴＦＴ−ＬＣＤ）技術も含まれる。それは、容積が小さく省スペースであることや、低電力消費量、低放射、および製品の耐久性の利点と共に進化してきたことから、薄膜トランジスタ液晶ディスプレイが次第に陰極線管ディスプレイに取って代わるようになった。ディスプレイ一般の需要の増加に伴い、特に薄膜トランジスタ液晶ディスプレイの生産も次第に伸び、その結果として技術の進化を推進している。第５世代、第６世代、第７世代、そして第８世代工場までもが次々と建設され、薄膜トランジスタ液晶ディスプレイにおける投資額もまた増えている。したがって、今後の技術的進歩および規模の経済性が懸念されるであろうことが予想される。
【０００３】
しかしながら、絶え間ない技術の進化に伴い、薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ用のガラス基板もまた年々大型化し、様々な化学物質の消費も同様に絶えず増加している。多額の資金と大量の資源を費やすことに加えて、薄膜トランジスタ液晶ディスプレイの製造プロセスで生成される化学物質は環境への大きな負荷となり、環境保護の精神に反する。したがって、製造プロセス中に反応後の化学物質を回収することは、製造費を削減することができるだけでなく、市場競争力を高め、さらには環境保護に大いに貢献することができる。
【０００４】
薄膜トランジスタ液晶ディスプレイの製造プロセス中に使用される剥離剤（ｓｔｒｉｐｐｅｒ）の量は、かなりの量である。したがって、もし剥離剤を回収し再利用することができれば、それは経済的利益および環境保護の両方の点で大いに役立つであろう。フォトレジストの除去工程中に発生する化学物質は主に、水、残存している剥離剤、およびフォトレジストその他の反応後に発生する物質などである。しかしながら、剥離剤を回収するために、既存の薄膜トランジスタ液晶ディスプレイの工場で使用される回収システムは、様々な物質をそれらの異なる沸点の特性を考慮して蒸留技術を用いて回収することを必要とし、前記剥離剤はまた、回収後にその元のパーセンテージに従って再び結合される必要がある。
【０００５】
しかしながら、剥離剤の公知の組成はかなり複雑であり、それは４〜６種の化学物質からなる場合もあり、したがって回収することが非常に難しく、かつ回収後の剥離剤は、それを再び結合させる前に非常に複雑な還元プロセスにかけられることが必要とされる。したがって、実際の適用において公知の剥離剤の回収によって妥当な経済的利益を得ることは難しく、したがって工場が剥離剤回収システムを使用する目的も十分に達せられない。このような点で、コストを削減する機会が失われるだけではなく、それは環境に相当な負荷をかけるという結果にもなるであろう。
【０００６】
さらに、多くの公知の剥離剤の成分は揮発性が高く、過度の蒸発速度をもたらす可能性があり、したがってこれらの剥離剤の浴寿命を制限する。つまりこれらの剥離剤の保管および使用時には、人と環境の安全のための特別な予防措置を講ずることが必要である。
【０００７】
しかしながら、現時点で使用できる剥離剤の単純な組成のために、それらは様々な基板からフォトレジストを完全に除去することができない。それは通常、除去される前に非常に長い滞留時間を必要とするかまたは繰り返してコーティングすることを必要とする。
【０００８】
したがって、フォトレジストの完全な除去が可能で、腐蝕性がなく、蒸発速度が緩やかで低粘度であり、かつ水と混和性であり、それにより前記剥離剤を除去するのに他の付加的な溶剤を必要とせず、人体に毒性でなく環境にも優しく、回収するのが容易である高性能の剥離剤への期待が高まっている。
【０００９】
ＫＲ２０１００３３６５３号明細書には、Ｎ−メチルホルムアルデヒド（ＮＭＦ）とＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ）との混合物７０〜９９重量％と０．１〜１０重量％のテトラエチレングリコールとを含む無水剥離剤が開示されている。Ｎ−メチルホルムアルデヒドの、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドに対する重量比は１：１〜２（すなわち１以下）である。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、アルキルアミドの混合物を含有する剥離剤であり、そこでＮ−メチルホルムアルデヒド（ＮＭＦ）と、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ）と、水とが混合されてフォトレジスト剥離剤、配向膜クリーナー、または配向膜剥離剤としての機能を果たす。
【００１１】
本発明において、アルキルアミド剥離剤が提供される。アルキルアミド剥離剤は、２つの主成分としてＮ−メチルホルムアルデヒドとＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドとによって製造されているため、これはフォトレジストの下に露出される銅膜または銅合金膜を損傷することなくフォトレジストを容易に剥がすことができ、したがって、アルキルアミドは、銅の製造プロセスに適用できるという利点がある。
【００１２】
本発明において、アルキルアミドの混合物を含有する剥離剤が提供され、アルキルアミド剥離剤は３０℃を超える大気圧下で沸点に差がある２つの主成分のみからなるので、それを分別蒸留の技術によって容易に回収することができ、かつ回収されたアルキルアミド剥離剤を再び結合して還元し、再利用できるため、製造費の削減および環境保護の効果が得られる。
【００１３】
上述の効果を得るために、本発明は全重量の５０〜７０％を占めるＮ−メチルホルムアルデヒドと、全重量の３０〜５０％を占めるＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドと、全重量の残部となる水とを含むアルキルアミド剥離剤を提供する。
【００１４】
本発明の実施によって、少なくとも以下の効果が得られる。
【００１５】
Ｉ．アルキルアミド剥離剤は銅または銅合金に対して腐蝕性がないので、それは銅の製造プロセスによく適している。
【００１６】
ＩＩ．アルキルアミド剥離剤は組成が簡単であるので、蒸発速度が緩やかで低粘度であり、水と混和性であるので前記剥離剤を除去するのに他の付加的な溶剤を必要とせず、したがって、使用済みのアルキルアミド剥離剤を容易に回収することができ、製造費の削減および環境保護の効果が得られる。
【００１７】
当分野のいかなる当業者も本発明の技術内容を理解でき、かつそれをしかるべく実行できるように、本明細書で開示される内容、特許請求の範囲、および添付の図面を好ましい実施形態において説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明のアルキルアミド剥離剤を適用してフォトレジストを除去する流れ工程を図示する、実施例の概略図である。
【図２】本発明のアルキルアミド剥離剤を適用してフォトレジストを除去する流れ工程を図示する、実施例の概略図である。
【図３】本発明のアルキルアミド剥離剤を適用してフォトレジストを除去する流れ工程を図示する、実施例の概略図である。
【図４Ａ】実施例１の光学顕微鏡図である。
【図４Ｂ】実施例１の光学顕微鏡図である。
【図５Ａ】実施例１の走査型電子顕微鏡図である。
【図５Ｂ】実施例１の走査型電子顕微鏡図である。
【００１９】
図面中の主な構成要素の符号は以下の通りである。１０は基板、２０は銅金属膜、３０はフォトレジストを示す。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明の剥離剤は、Ｎ−メチルホルムアルデヒドと、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドと、水とを含むアルキルアミド剥離剤であり、本発明の実施例におけるアルキルアミド剥離剤は、以下の式：
【００２１】
【化１】
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【００２２】
を用いて示すことができる。
上式中、Ｒ’’がメチルであり、ＲとＲ’が同じで、水素またはメチルである。ＲとＲ’が両方とも水素であるとき、それはＮ−ジメチルホルムアルデヒド（ＣＡＳ  Ｎｏ．：１２３−３９−７）であるのに対し、ＲとＲ’が両方ともメチルであるとき、それはＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＣＡＳ  Ｎｏ．：１２７−１９−５）である。さらに、本発明のアルキルアミド剥離剤の化学式は、Ｃ２Ｈ５ＮＯ（ＨＣ（＝Ｏ）ＮＨＣＨ３、Ｎ−メチルホルムアルデヒド）およびＣ４Ｈ９ＮＯ（ＣＨ３Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（ＣＨ３）２、Ｎ，Ｎ-ジメチルアセトアミド）としてそれぞれ示すこともできる。
【００２３】
本発明の特定の実施例は、本発明のアルキルアミド剥離剤がテトラエチレングリコールを含有しないことである。本発明の別の特定の実施例は、本発明のアルキルアミド剥離剤が、全重量の５０〜７０％を占めるＮ−メチルホルムアルデヒドと、全重量の３０〜５０％を占めるＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドと、全重量の残部となる水とを主に含むことである。
【００２４】
一般的に言えば、本発明のアルキルアミド剥離剤中のＮ−メチルホルムアルデヒドは、全重量の５０〜７０％、好ましくは５５〜６５％、より好ましくは５８〜６２％を占める。そして本発明のアルキルアミド剥離剤中のＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドは全重量の３０〜５０％、好ましくは３５〜４５％、より好ましくは３８〜４２％を占める。本発明のアルキルアミド剥離剤中の水は、全重量の残部となり、通常５％未満、好ましくは３％未満、より好ましくは１％未満、最も好ましくは０．１％未満を占める。
【００２５】
本発明の別の特定の実施例は、本発明のアルキルアミド剥離剤が基本的には水を含有しないことである。
【００２６】
本発明の別の特定の実施例は、Ｎ-メチルホルムアルデヒドの、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドに対する重量比が１を超えることである。
【００２７】
本発明の剥離剤は、様々な成分を室温で混合することによって容易に調製することができる。
【００２８】
図１〜図３に示す通り、銅の製造プロセスにおいて本発明のアルキルアミド剥離剤を適用して残留フォトレジスト３０を剥離する特定の流れ工程を説明する。
【００２９】
図１に示す通り、銅の製造プロセスにおいて、銅膜または銅合金膜などの銅金属膜２０を基板１０上に製膜し、銅金属膜２０をフォトレジスト３０でコートし、フォトレジスト３０が遮蔽材として使用されるようにフォトレジスト３０をパターン化する。次に図２に示す通り、フォトレジスト３０で被覆されない銅金属膜２０をエッチングプロセスによってエッチして除去し、このように銅回路を形成する。
【００３０】
最後に図３に示すように、銅金属膜２０上の残留フォトレジスト３０を本発明のアルキルアミド剥離剤を使用して除去することができ、本発明のアルキルアミド剥離剤が、フォトレジスト３０のためのフォトレジスト剥離剤としての機能を果たすことができるようにし、また、アルキルアミド剥離剤は銅または銅合金に対して腐蝕性がないので、それは残留フォトレジスト３０が除去される際に銅回路の損傷を防ぐことができ、したがって電子部品の抵抗・容量遅延（ＲＣ−Ｄｅｌａｙ）効果を軽減する。
【００３１】
本発明の剥離剤を使用して、銅または銅合金を回路材料として有する電子部品を製造することができる。ここでは、銅を主成分とする銅合金は、質量で９０％以上を含有する銅合金、およびＳｎ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｍｏ、ＳｉまたはＡｌなどの他の元素を含有する銅合金を指す。
【００３２】
本発明の特定の実施例は、本発明のアルキルアミド剥離剤であり、それは電子部品の表面上のフォトレジストを除去するためのフォトレジスト剥離剤である。前記電子部品の金属回路は上述した通り、銅または銅合金からなる。
【００３３】
本発明のアルキルアミド剥離剤の実施により、フォトレジストおよび／または側壁ポリマー（ＳＷＰ）を本発明の剥離剤と接触させる。温度、時間などの実際の状態は、除去されるフォトレジスト材料および／または側壁ポリマーの性質および厚さ、また当業者によく知られているその他の要因によって決められる。一般的に言えば、フォトレジストの剥離は、２５〜９０℃の範囲の温度で、表面にフォトレジストを有する電子部品が、特定の時間（５〜３０分間）本発明の剥離用組成物と接触し（噴霧および浸漬手段などによる）、水で洗浄され、上述の電子部品が不活性ガスで乾燥されるプロセスである。
【００３４】
実施例中のフォトレジスト材料は、電子ビームフォトレジスト、Ｘ線フォトレジスト、イオンビームフォトレジストなどの有機ポリマー材料である。特殊有機ポリマー材料の実際の例には、フェノールホルムアルデヒド樹脂またはポリ（ｐ−ビニルフェノール）を含有するｎ−フォトレジスト、ポリメチルメタクリレートを含有するフォトレジストなどが挙げられる。
【００３５】
エッチング、イオンビーム衝撃またはプラズマ処理後の残留物（側壁ポリマー）の例には具体的に、金属有機化合物および／または無機塩、酸化物、水酸化物または単独でフォトレジストの有機ポリマー樹脂と組み合わせられて膜または組成物を形成し得る残留物が挙げられる。当業者によく知られている従来の基板には、限定はされないが、シリコン、二酸化シリコン、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金などがあり、本発明の剥離剤を使用してフォトレジスト材料および／または側壁ポリマーを前記基板から除去することができる。
【００３６】
さらに本発明において、電子部品の表面からフォトレジストを除去するための方法が提供される。前記方法は以下の工程からなる。２５〜９０℃の範囲の温度で、表面にフォトレジストを有する電子部品が５〜３０分間本発明のアルキルアミド剥離剤と接触し、前記フォトレジストを除去する。上述の方法では、前記電子部品の金属回路は銅または銅合金からなる。
【００３７】
本発明の方法の特定の実施例は、全重量の５０〜７０％を占めるＮ−メチルホルムアルデヒドと、全重量の３０〜５０％を占めるＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドと、全重量の残部となる水とからなるアルキルアミド剥離剤が、フォトレジストを含有する電子部品と５０〜９０℃の範囲の温度で５〜３０分間接触し、このようにしてフォトレジストを除去する。
【００３８】
本発明の方法の別の特定の実施例は、全重量の５５〜６５％を占めるＮ−メチルホルムアルデヒドと、全重量の３５〜４５％を占めるＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドと、全重量の残部となる水とからなるアルキルアミド剥離剤が、フォトレジストを含有する電子部品と５５〜８５℃の範囲の温度で５〜３０分間接触し、同様にこのようにしてフォトレジストを除去する。
【００３９】
本発明の方法のさらに別の特定の実施例は、全重量の５８〜６２％を占めるＮ−メチルホルムアルデヒドと、全重量の３８〜４２％を占めるＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドと、全重量の残部となる水とからなるアルキルアミド剥離剤が、フォトレジストを含有する電子部品と６０〜８０℃の範囲の温度で５〜３０分間接触し、同様にこのようにしてフォトレジストを除去する。
【００４０】
本発明のアルキルアミド剥離剤は、電子部品用のフォトレジスト剥離剤としての機能を果たすだけでなく、ポリイミドを主成分とする配向膜の剥離または清浄化にも適用できる。
【００４１】
本発明の特定の実施例は、配向膜剥離剤または配向膜クリーナーとしての機能を果たす本発明のアルキルアミド剥離剤であり、前記配向膜はポリイミドからなる。
【００４２】
本発明のアルキルアミド剥離剤は、ＬＣＤまたは半導体部品の製造プロセスに適用できるだけでなく、アルキルアミド剥離剤は銅または銅合金に対して腐蝕性がないので、それは特に、フォトレジストを除去する銅の製造プロセスあるいは配向膜の剥離または清浄化にも適用できる。
【００４３】
さらに、アルキルアミド剥離剤は、３０℃を超える大気圧下でそれらの沸点に差がある２つの主成分であるＮ−メチルホルムアルデヒドおよびＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドのみからなるので、したがって、製造プロセスが完了したときにアルキルアミド剥離剤を反応後の液体廃棄物から容易に分離し、分別蒸留の技術によって回収することができ、また、前記アルキルアミド剥離剤は、回収後に元のパーセンテージに従って容易に再び結合され、還元されて、回収されたアルキルアミド剥離剤を再利用することができ、したがって製造費の削減および環境保護の効果が得られる。
【００４４】
本発明のアルキルアミド剥離剤は、以下に記載するような複数の理由から、特に有用かつ有利である。本発明の剥離剤は水と混和性であり、腐蝕性がなく、基本的に人体および環境に無害である。その蒸発速度が公知の剥離剤よりも緩やかであるので、それを何度も再利用することができ、複雑な安全対策をとる必要もない。同時に、剥離された塗膜の廃棄物をいつでも除去することができるので、それは採取および処理のために便利である。同じ作業温度で、本発明の剥離剤はより良好な剥離効果を有する。さらに、本発明の剥離剤は、組成が簡単で調製が容易であり、人と環境のために一切の特別な安全対策をとる必要がなく、その主成分を室温で混合するだけでよい。
【００４５】
以下は、実施例による本発明のさらに詳細な説明であり、それらは本発明の適用を限定する意図は全くない。
【実施例】
【００４６】
Ａ．銅箔上の剥離性および腐蝕性試験
一枚の銅箔を適切な大きさ（約６ｃｍ×２６ｃｍ、約２．２ｇ）に切り分け、銅箔の表面をマイクロエッチング剤を用いて清浄にして表面の酸化物を除去する。それを脱イオン水できれいに洗浄し、加熱乾燥した後、銅箔の重量（初期重量）を正確に測定する。銅箔を４００ｇの剥離剤（成分を表１に列挙する）が入ったフラスコに入れ、銅に対するその腐蝕性を試験するために、それを８０℃で８時間加熱した後、銅箔の重量を正確に測定する。銅箔の損失重量を測定し、およびその腐蝕率を算出する（表２を参照）。
【００４７】
【表１】
2015503839.tif 000004
【００４８】
【表２】
2015503839.tif 000005
【００４９】
Ｂ．膜剥離効果の試験
銅箔基板はＬＣＤパネルの標準規格であり、フォトレジストの幅は約３μｍ、および厚さは１〜１．５μｍである。異なった配合成分の剥離剤を８０℃まで加熱し、試験される基板を５秒間剥離剤中に入れ、取出し、次にそれを３秒間水に浸してから、空気乾燥器を用いて水ぬれを乾燥させる。図４および図５に示すように、剥離前および剥離後のフォトレジストの残留物を光学顕微鏡および走査型電子顕微鏡を用いて観察し、評価の結果を表３に記載する。
【００５０】
フォトレジストの剥離効果
◎：極めてわずかなフォトレジスト残留物、また非常にわずかなフォトレジストの再付着（ｂａｃｋ  ｓｔａｉｎ）もあり。
○：少量のフォトレジスト残留物、また少量のフォトレジストの再付着もあり。
●：若干のフォトレジスト回路パターンの残像、および若干のフォトレジストの再付着あり。
【００５１】
【表３】
2015503839.tif 000006
【００５２】
比較例１（高純度ＮＭＦ）および比較例２（高純度ＤＭＡＣ）は、若干のフォトレジスト回路パターンの残像、および若干のフォトレジストの再付着があるので、膜剥離効果の点では最も悪く、比較例４は、少量のフォトレジスト残留物、および少量のフォトレジストの再付着もあるので、比較例１および比較例２よりも若干良好であり、他の配合成分は全て有効にフォトレジストを剥離することができ、およびフォトレジストの再付着が非常にわずかであることが、光学顕微鏡の写真で観察できる。
【００５３】
全てのフォトレジスト回路パターンが可視的でなく、フォトレジストが剥離されていることを示すのに対して、比較例１および比較例２の写真では可視的な少量のフォトレジスト残留物がまだあり、それは他の配合成分では見られず、これらの配合成分は全て膜を剥離する能力が十分にあることを示していることが、走査型電子顕微鏡で撮られた写真で観察できる。
【００５４】
表３に記載された結果は、単一のアルキルアミド成分（比較例１および比較例２）に比べ、本発明の剥離剤による２種のアルキルアミドの組み合わせが、より良好な相乗的剥離効果を提供することを示す。
【００５５】
Ｃ．剥離剤の損失試験
比較例３（ＤＭＡＣ６０％＋ＮＭＦ４０％）および実施例２（ＤＭＡＣ４０％＋ＮＭＦ６０％）の剥離剤を、各々５０ｇずつ、１００ｍＬのフラスコに入れ、８０℃まで加熱し、加熱を続けてその全重量の変化を追った。
【００５６】
【表４】
2015503839.tif 000007
【００５７】
表４に記載したデータの分析および比較は、ＤＭＡＣの高い揮発性のために、加熱中に剥離剤の比較的大きい重量損失があり、１０時間の加熱の後、比較例３では残存している剥離剤は最初の重量の６３．２％であるのに対し、実施例２では残存している剥離剤は最初の重量の７５．８％であり、前者の損失が１２．６％大きいことを示す。剥離剤は主に、加熱された状態（５０℃〜９０℃）で使用されるので、加熱プロセスにおいて剥離剤の損失を低減させることは、環境保護および作業時間の拡大の両方のために役立つ。
【００５８】
本発明の剥離剤を使用すると、高めのＮＭＦ含有量（全重量の５０〜７０重量％を占める）のため、全体的な蒸気損失速度は比較的緩やかであり、その結果、前記剥離剤はさらに長い連続的な作業時間を有し、廃水および蒸気の形態の廃ガスに入る剥離剤は少なくなる。
【００５９】
Ｄ．引火点試験
剥離剤は、必要とされる剥離効果を得る前に、特定の温度範囲内（６０℃〜９０℃）に加熱される必要がある。しかしながらこの作業温度では、安全性が重大な問題点になる。ＤＭＡＣの引火点は６３℃であり、それに対してＮＭＦの引火点は１１９℃である。引火点をクローズドカップ法ＡＳＴＭ  Ｄ９３を用いて試験した。比較例３の引火点は８０．５℃であり、それに対して実施例２の引火点は８８．５℃である。本発明の剥離剤の引火点は、公知の剥離剤（比較例３）の引火点よりも高く、これは工場での作業の安全性を高めるのに役立つ。
【００６０】
上述の実施例は、本発明の特許請求の範囲の適用範囲を限定するのではなく、当業者が本発明の内容を理解し、かつそれに従って実施するのに役立てることを目的として本発明の特性を説明するためのものであり、したがって、本発明において開示される精神から逸脱することなく行われた全ての他の均等の修正形態または変更形態もさらに、添付の特許請求の範囲に含まれるものとする。
【図１】
2015503839.tif 000008
【図２】
2015503839.tif 000009
【図３】
2015503839.tif 000010
【図４Ａ】
2015503839.tif 000011
【図４Ｂ】
2015503839.tif 000012
【図５Ａ】
2015503839.tif 000013
【図５Ｂ】
2015503839.tif 000014
【国際調査報告】
2015503839.tif 000015
2015503839.tif 000016
2015503839.tif 000017