(57)【要約】【課題】面外の機能性を備え、サイズが小さく、低コストで、装置に簡単に組み込むことのできる、磁場センサなどの正確なフィールドセンサを提供する。【解決手段】折り畳み式基板は、第１上側表面を有する第１基板部および第２上側表面を有する第２基板部を含むように設けられている。折り畳みブリッジ部は、第１基板部と第２基板部とを結合する。折り畳みブリッジ部は、第１基板部から第２基板部に伸びた結合ストリップおよび結合ストリップの領域に対応する間隙含んでいる。間隙は、開始ウエハ基板の部材を除去することにより第１基板部と第２基板部との間に規定されている。第１および第２部は、一実施形態において、磁場センサを含み、折り畳みブリッジ部は、互いに所定の角度となる２つの部分に配置するために屈曲される。屈曲された状態にて、センサパッケージは他の制御回路と共に集積するため磁場センサアセンブリに組み込むことができる。
2015520840.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１上側表面を備える第１基板部と、
第２上側表面を備える第２基板部と、
上記第１基板部および第２基板部を結合する折り畳みブリッジ部と、を備え、
上記折り畳みブリッジ部は、
上記第１基板部から上記第２基板部まで延伸する結合ストリップと、
上記結合ストリップの一部分に対応し、上記第１基板部と第２基板部との間に規定される間隙を備えている、
ことを特徴とする折り畳み式基板。
【請求項２】
上記第１および第２基板部は、同じ１枚の半導体ウエハ基板から作成されたものである、
ことを特徴とする請求項１に記載の折り畳み式基板。
【請求項３】
上記間隙は、上記１枚の半導体ウエハ基板から切断されたものである、
ことを特徴とする請求項２に記載の折り畳み式基板。
【請求項４】
上記第１回路および第２回路の少なくとも何れかは、少なくとも１つの磁場センサを備えている、
ことを特徴とする請求項２に記載の折り畳み式基板。
【請求項５】
上記第２回路は、上記第２絶縁層の開口を通じて到達可能な少なくとも１つのコンタクトパッドを備えている、
ことを特徴とする請求項２に記載の折り畳み式基板。
【請求項６】
上記少なくとも１つの結合パッドは、はんだづけが可能に構成されている、
ことを特徴とする請求項５に記載の折り畳み式基板。
【請求項７】
上記結合ストリップは、繰り返し屈曲可能な材料からなる、
ことを特徴とする請求項１に記載の折り畳み式基板。
【請求項８】
上記第１表面上に配置された第１回路と、
上記第２表面上に配置された第２回路と、を更に備えている、
ことを特徴とする請求項１に記載の折り畳み式基板。
【請求項９】
上記折り畳みブリッジ部は、上記第１回路と上記第２回路とを電気的に接続する、
ことを特徴とする請求項８に記載の折り畳み式基板。
【請求項１０】
上記第１回路は、
第１方向に沿った磁場を検知する第１磁場センサと、
第２方向に沿った磁場を検知する第２磁場センサと、を備えている、
ことを特徴とする請求項８に記載の折り畳み式基板。
【請求項１１】
上記第１および第２磁場センサは、上記第１および第２方向が互いに直交するように、
互いに対して向き付けられている、
ことを特徴とする請求項１０に記載の折り畳み式基板。
【請求項１２】
上記第２回路は、第３方向に沿った磁場を検知する磁場センサを備えている、
ことを特徴とする請求項１０に記載の折り畳み式基板。
【請求項１３】
上記折り畳みブリッジ部は、上記第１基板部から上記第２基板部に延伸する第１絶縁層を更に備え、
上記結合ストリップは上記第１絶縁層の領域上に配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の折り畳み式基板。
【請求項１４】
上記折り畳みブリッジ部は、上記第１基板部から上記第２基板部に延伸する第２絶縁層を更に備え、
上記第２絶縁層は、上記結合ストリップの領域上に配置されている、
ことを特徴とする請求項１３に記載の折り畳み式基板。
【請求項１５】
上記第１絶縁層、上記結合ストリップ、および上記第２絶縁層は、繰り返し屈曲可能な材料からなる、
ことを特徴とする請求項１４に記載の折り畳み式基板。
【請求項１６】
上記折り畳みブリッジ部は、少なくとも１つの繰り返し屈曲可能な金属ストリップを更に備えている、
ことを特徴とする請求項１３に記載の折り畳み式基板。
【請求項１７】
上記少なくとも１つの金属ストリップは、上記第１絶縁層の一部分に配置されている、
ことを特徴とする請求項１６に記載の折り畳み式基板。
【請求項１８】
上記間隙は、上記折り畳みブリッジ部の下にある開始基板から材料を除去することにより規定され、
上記開始基板における上記間隙は、互いに平行な向かい合う壁と共に形成される、
ことを特徴とする請求項１に記載の折り畳み式基板。
【請求項１９】
上記間隙は、上記折り畳みブリッジ部の下にある開始基板から材料を除去することにより規定され、
上記開始基板における上記間隙は、互いに平行でない向かい合う壁と共に形成される、
ことを特徴とする請求項１に記載の折り畳み式基板。
【請求項２０】
ウエハ本体部、上側表面、および下側表面を有するウエハ基板を設ける工程と、
上記ウエハ基板の第１基板部および第２基板部を規定する工程と、
上記第１基板部から上記第２基板部まで延伸する折り畳みブリッジ部を設ける工程と、
上記ウエハ本体部の一部を除去し、折り畳みブリッジ部の少なくとも一部に対応する間隙を形成する工程と、を含んでいる、
ことを特徴とする折り畳み式基板の製造方法。
【請求項２１】
上記折り畳みブリッジ部を設ける工程は、上記第１基板部から上記第２基板部に延伸する少なくとも１つの繰り返し屈曲可能な金属ストリップを設ける工程を更に含んでいる、
ことを特徴とする請求項２０に記載の折り畳み式基板の製造方法。
【請求項２２】
上記ウエハ本体の一部を除去する工程は、刃による切断、レーザーによる切断、及び、マスクエッチングの少なくとも１つを含んでいる、
ことを特徴とする請求項２０に記載の折り畳み式基板の製造方法。
【請求項２３】
上記折り畳みブリッジ部を設ける工程は、上記第１基板部から上記第２基板部に延伸する第１結合ストリップを設ける工程を含んでいる、
ことを特徴とする請求項２０に記載の折り畳み式基板の製造方法。
【請求項２４】
上記折り畳みブリッジ部を設ける工程は、上記第１基板部から上記第１結合ストリップの下の上記第２基板部に延伸する上記上側表面の領域上に第１保護層を形成する工程を含んでいる、
ことを特徴とする請求項２３に記載の折り畳み式基板の製造方法。
【請求項２５】
上記ウエハ本体の一部を除去する工程は、下側表面から開始し、材料を除去し、上記結合ストリップを実質的にそのまま残す工程を含んでいる、
ことを特徴とする請求項２３に記載の折り畳み式基板の製造方法。
【請求項２６】
上記ウエハ本体の一部を除去する工程は、互いに平行な向かい合う壁を有する間隙を形成するために上記ウエハ本体の材料を除去する工程を含んでいる、
ことを特徴とする請求項２５に記載の折り畳み式基板の製造方法。
【請求項２７】
上記ウエハ本体の一部を除去する工程は、互いに平行でない向かい合う壁を有する間隙を形成するために上記ウエハ本体の材料を除去する工程を含んでいる、
ことを特徴とする請求項２５に記載の折り畳み式基板の製造方法。
【請求項２８】
上記第１結合ストリップと実質的に同一平面上に、上記第１基板部から上記第２基板部まで延伸する少なくとも１つの金属ストリップを形成する工程を更に含んでいる、
ことを特徴とする請求項２３に記載の折り畳み式基板の製造方法。
【請求項２９】
第１上側表面および第１下側表面を有する第１基板部と、
第２上側表面および第２下側表面を有する第２基板部と、
上記第１基板部および上記第２基板部を結合する折り畳み部と、を備え、
上記折り畳み部は、上記第１および第２下側表面に取り付けられたフレキシブル部材を備えている、
ことを特徴とする折り畳み式基板。
【請求項３０】
上記フレキシブル部材は、フレキシブルフィルムおよび金属の何れかである、
ことを特徴とする請求項２９に記載の折り畳み式基板。
【請求項３１】
上記第１上側表面上に配置された第１回路、および、上記第２上側表面上に配置された第２回路の少なくとも何れかを更に備えている、
ことを特徴とする請求項２９に記載の折り畳み式基板。
【請求項３２】
上記第１基板部上に設けられた第１方向に沿った磁場を検知する第１磁場センサと、
上記第２基板部上に設けられた第２方向に沿った磁場を検知する第２磁場センサと、を備えている、
ことを特徴とする請求項２９に記載の折り畳み式基板。
【請求項３３】
上記第１および第２磁場センサは、上記第１および第２方向が互いに直交するように、
互いに対して向き付けられている、
ことを特徴とする請求項３２に記載の折り畳み式基板。
【請求項３４】
上記第１および第２基板部は、上記折り畳み部に対応する開始基板に間隙を形成するために上記開始基板から材料を除去することにより規定される、
ことを特徴とする請求項２９に記載の折り畳み式基板。
【請求項３５】
上記開始基板における上記間隙は、互いに平行に向かい合う壁と共に形成される、
ことを特徴とする請求項３４に記載の折り畳み式基板。
【請求項３６】
上記開始基板における上記間隙は、互いに平行でない向かい合う壁と共に形成される、
ことを特徴とする請求項３４に記載の折り畳み式基板。
【請求項３７】
本体部、上側表面、および下側表面を有するウエハを設ける工程と、
上側表面から上記ウエハ本体部を通って下側表面へと向かう方向に、少なくとも１つの回路のない領域を規定する工程と、
少なくとも１つの規定された回路のない領域の各々の少なくとも下のウエハの下側表面に繰り返し屈曲可能な材料を取り付ける工程と、
上記繰り返し屈曲可能な材料を除去せずに、上記ウエハの上面から上記繰り返し屈曲可能な部材まで規定された回路のない領域に対応する上記ウエハ本体部の一部を除去する工程と、を含んでいる、
ことを特徴とする折り畳み式基板の製造方法。
【請求項３８】
上記各回路のない領域を除去する工程は、刃による切断、レーザによる切断、および、マスクエッチングの少なくとも何れかを含んでいる、
ことを特徴とする請求項３７に記載の折り畳み式基板の製造方法。
【請求項３９】
上記繰り返し屈曲可能な材料は、フィルムおよび金属の何れかである、
ことを特徴とする請求項３７に記載の折り畳み式基板の製造方法。
【請求項４０】
回路のない領域が規定されていない、ウエハの上側表面上に１つ以上の装置を設ける工程を更に備えている、
ことを特徴とする請求項３７に記載の折り畳み式基板の製造方法。
【請求項４１】
規定された回路のない領域の各々を除去する工程は、対応するウエハ本体部の全体未満を除去する工程を更に備えている
ことを特徴とする請求項３７に記載の折り畳み式基板の製造方法。
【請求項４２】
第１基板部であって、互いに直交する第１および第２方向に沿った磁場を検知するために当該第１基板部上に配置された第１および第２磁場センサを有する第１基板部と、
第２基板部であって、第３方向に沿った磁場を検知するために当該第２基板部上に配置された第３磁場センサを有する第２基板部と、
上記第１基板部および上記第２基板部を結合する折り畳みブリッジ部と、を備え、
上記折り畳みブリッジ部は、
第１絶縁層と、
上記第１基板部から上記第２基板部まで伸びており、上記第１絶縁層の領域上に配置された結合ストリップと、
上記結合ストリップの領域上に配置された第２絶縁層と、
上記第１基板部と上記第２基板部との間に規定される間隙と、を備えている、
ことを特徴とする３軸磁気探知器。
【請求項４３】
上記第１および第２基板部は、半導体部材を備えている、
ことを特徴とする請求項４２に記載の３軸磁気探知器。
【請求項４４】
上記折り畳みブリッジ部は、少なくとも１つの繰り返し屈曲可能な金属ストリップを更に備えている、
ことを特徴とする請求項４２に記載の３軸磁気探知器。
【請求項４５】
上記少なくとも１つの金属ストリップは、上記第１絶縁層の領域上に配置されている、
ことを特徴とする請求項４４に記載の３軸磁気探知器。
【請求項４６】
上記第２基板部は、上記第２絶縁層の開口を通じて到達可能な少なくとも１つの結合パッドを備えている、
ことを特徴とする請求項４４に記載の３軸磁気探知器。
【請求項４７】
上記第１基板部を通って伸び、上記少なくとも１つの結合パッドと結合される、少なくとも１つのビアを更に備えている、
ことを特徴とする請求項４６に記載の３軸磁気探知器。
【請求項４８】
上記少なくとも１つの結合パッドは、はんだづけが可能に構成されている、
ことを特徴とする請求項４６に記載の３軸磁気探知器。
【請求項４９】
上記間隙は、開始半導体基板から材料を除去することにより形成される、
ことを特徴とする請求項４２に記載の３軸磁気探知器。
【請求項５０】
上記開始基板における上記間隙は、互いに平行な向かい合う壁と共に形成される、
ことを特徴とする請求項４９に記載の３軸磁気探知器。
【請求項５１】
上記開始基板における上記間隙は、互いに平行でない向かい合う壁と共に形成される、
ことを特徴とする請求項４９に記載の３軸磁気探知器。
【請求項５２】
上記第１絶縁層、上記結合ストリップ、および上記第２絶縁層の各々は、上記第１基板部から上記第２基板部に伸びている、
ことを特徴とする請求項４２に記載の３軸磁気探知器。
【請求項５３】
上記第１絶縁層、上記結合ストリップ、および上記第２絶縁層の各々は、繰り返し屈曲可能な材料により構成されている、
ことを特徴とする請求項４２に記載の３軸磁気探知器。
【請求項５４】
上記第１基板部の第１下側表面および上記第２基板部の第２下側表面に取り付けられたフレキシブル部材を更に備え、
上記フレキシブル部材は、上記第１基板部と第２基板部の間に規定される上記間隙と交差する、
ことを特徴とする請求項１に記載の折り畳み式基板。
【請求項５５】
上記第１基板部の第１下側表面から上記第２基板部の第２下側表面まで伸びている上記間隙と交差するフレキシブル部材設ける工程を更に含んでいる、
ことを特徴とする請求項２０に記載の折り畳み式基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
例えば携帯電話、パーソナルナビゲーション装置などの多くの装置において、面外の機能軸に沿った検出検知が、集積型パッケージにおいて必要とされている。しかしながら、これらの装置は半導体プロセスを用いて製造されるが、半導体プロセスの二次元の性質のため面外構造を生成することは極めて困難である。そのため、多くの場合、MEMS又は非伝統的な組立プロセスが用いられている。しかしながら、そのような方法を使用することにより、装置がより高価になると共により長い開発周期が必要になってしまう。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００２】
そのため、例えば、面外の機能性を備え、サイズが小さく、低コストで、装置に簡単に組み込むことのできる、磁場センサなどの正確なフィールドセンサが必要とされる。
【課題を解決するための手段】
【０００３】
本発明の一実施形態は、第１上側表面を備える第１基板部と、第２上側表面を備える第２基板部を備えている折り畳み式基板に関する。折り畳みブリッジ部は、上記第１基板部および第２基板部を結合し、上記折り畳みブリッジ部は、上記第１基板部から上記第２基板部まで延伸する結合ストリップと、上記結合ストリップの一部分に対応し、間隙は、上記第１基板部と第２基板部との間に規定される。
【０００４】
折り畳み式基板の製造方法は、ウエハ本体部、上側表面、および下側表面を有するウエハ基板を設ける工程と、上記ウエハ基板の第１基板部および第２基板部を規定する工程と、を含んでいる。折り畳みブリッジ部は、上記第１基板部から上記第２基板部まで延伸するよう設けられ、上記ウエハ本体部の一部は、折り畳みブリッジ部の少なくとも一部に対応する間隙を形成するため除去される。
【０００５】
さらに、折り畳み式基板は、第１上側表面および第１下側表面を有する第１基板部と、第２上側表面および第２下側表面を有する第２基板部と、を備えている。折り畳み部は、上記第１基板部および上記第２基板部を結合し、上記第１および第２下側表面に取り付けられたフレキシブル部材を備えている。
【０００６】
折り畳み式基板の製造方法は、本体部、上側表面、および下側表面を有するウエハを設ける工程と、上記ウエハの上側表面上に１つ以上の装置を設ける工程と、を含んでいる。各装置は、上側表面から上記ウエハ本体部を通って下へと向かう方向に、少なくとも１つの回路のない領域を備えている。フレキシブル部材は、少なくとも下の各装置のウエハの下側表面に取り付けられ、各回路のない領域は、フレキシブル部材を除去せずに、ウエハの上面から上記ウエハ本体部まで除去される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本発明の実施形態は、図面と併せて以下の説明を参照することにより、より理解されるであろう。
【図１Ａ−１Ｂ】ウエハ上の装置の模式図、及び、ウエハ上の装置のうちの１つを拡大した模式図である。
【図２】本発明の一実施形態における方法を示す図である。
【図３Ａ−３Ｅ】本発明の一実施形態における装置の製造の各段階における模式図である。
【図４】図３Ａ−３Ｅの装置の上面図である。
【図５Ａ−５Ｃ】図３Ａ−３Ｅの磁場センサに組み込まれている磁場センサアセンブリの製造の各段階における模式図である。
【図６】組み立てられた図３Ａ−３Ｅの磁場センサアセンブリの斜視図である。
【図７Ａ−７Ｅ】本発明の一実施形態における装置の製造の段階の模式図である。
【図８】図７Ａ−７Ｅの装置を上面から見た概略図である。
【図９Ａ−９Ｄ】図７Ａ−７Ｃの磁場センサに組み込まれている磁場センサアセンブリの製造の各段階における模式図である。
【図１０】組み立てられた図７Ａ−７Ｅの磁場センサアセンブリの斜視図である。
【図１１Ａ−１１Ｂ】図３Ａ−３Ｅ及び図７Ａ−７Ｅに示す実施形態の上面概略図である。
【図１２Ａ−１２Ｂ】図５Ａ−５Ｃに示す本発明の実施形態のバリエーションの模式図である。
【図１３】面外に向き付けられたセンサを提供する、本発明の他の実施形態の模式図である。
【図１４Ａ−１４Ｂ】基板に取り付けられた、図１３に示す本発明の実施形態の模式図である。
【図１５Ａ−１５Ｂ】シリコン間のビアを含む、図３Ｄ及び３Ｅに示す本発明の実施形態のバリエーションの模式図である。
【図１６】アセンブリに組み込まれた、図１５Ｂの装置の模式図である。
【図１７Ａ−１７Ｂ】シリコン間のビアを含む、図７Ｄ及び７Ｅに示す本発明の実施形態のバリエーションの模式図である。
【図１８】アセンブリに組み込まれた、図１７Ｂの装置の模式図である。
【図１９】図１８のアセンブリの斜視図である。
【図２０Ａ−２０Ｂ】本発明の他の実施形態における、ウエハ上の装置の模式図、及び、ウエハ上の装置のうちの１つを拡大した模式図である。
【図２１】本発明の他の実施形態における方法を示す図である。
【図２２Ａ−２２Ｃ】本発明の一実施形態における、装置の側面図である。
【図２３】アセンブリに組み込まれた、図２２Ａ−２２Ｃの装置の模式図である。
【図２４Ａ−２４Ｃ】アセンブリに組み込まれた、図２２Ａ−２２Ｃの装置の模式図である。
【図２５】直角に配置された図２４Ａ−２４Ｃの装置の模式図である。
【図２６】本発明の一実施形態の模式図である。
【図２７】直角に配置された図２６の装置の模式図である。
【０００８】
単純化及び明確化のため、図面に示された各要素は、正確にまたは正しいスケールにて描画されているとは限らない。例えば、明確化のため、いくつかの要素の寸法が他の要素に比べて誇張され得る。また、いくつかの物理的要素が一つの機能ブロックや要素に含まれ得る。更に、適切であると考えられる限りにおいて、参照符号は、対応するまたは類似の要素を示すために図面間で繰り返し用いられる。また、図面に示されたいくつかのブロックは、単一の機能へと結合され得る。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下の詳細な説明において、本発明の実施形態への理解を提供するよう多数の具体的詳細が記載されている。これらの具体的な詳細なしでも、当業者であれば、本発明の実施形態を実施可能であることが理解されよう。他の例として、本発明の実施形態を曖昧にすることがないよう、良く知られた方法、手続き、要素、及び構造については、詳細な説明を省略することがある。
【００１０】
本発明の実施形態は、ＡＭＲ（anisotropic magnetoresistive：異方性磁気抵抗）技術に基づく磁場センサを含んでいる。知られているように、ＡＭＲ装置において、薄膜パーマロイ材料は、パーマロイ抵抗を生成ために強力な磁場が印加されている間にシリコンウエハ上に形成（deposite）される。それらのパーマロイ抵抗の磁区は、磁化ベクトルによって印加された磁場と同じ方向に整列され、磁化ベクトルを確立する。次なるリトグラフィック（lithographic）及びエッジングステップは、ＡＭＲ抵抗の配置を規定する。
【００１１】
詳細な本発明の少なくとも１つの実施形態の説明に先立って、本発明は、以下の説明及び図面における各要素の詳細な製造及び配置への適用に限定されるものではないことが理解される。本発明は、他の実施形態へも適用可能であるし、様々な方法によって実現できるものである。また、本明細書において採用される用語は、単に説明のためのものであり、限定的に解釈されるべきものではないことが理解される。また、本発明は、磁気センサまたはその他のいかなる特殊な装置に限定されるものではない。
【００１２】
明確化のため分離した実施形態の文脈において説明される本発明のいくつかの特徴は、単一の実施形態として結合的に提供されてもよい。また、その反対に、明確化のため単一の実施形態の文脈において説明される本発明のいくつかの特徴は、分離した実施形態または適切なサブコンビネーションとして分離して提供されてもよい。
【００１３】
一般に、当業者に知られているように、図１Ａに示すウエハ１０２は、例えば磁場センサ１０４−ｎなど、いくつかの装置を配置するベースとして提供される。通常、ウエハ１０２は、例えばシリコンなどの半導体材料を原料とするが、本発明の実施形態はそれに限定されず、当業者によく知られた他のベース材料を用いることができる。以下により詳細に説明するように、本発明の一実施形態において、各磁場センサ１０４は、第１部分１０６及び第２部分１０８を含んでいる。
【００１４】
図１Ｂを参照すると、第１部分１０６は、Ｘ軸及びＹ軸の各々に沿った磁場を検知するために互いに対して向き付けられたＸ軸磁気探知器１１０及びＹ軸磁気探知器１１２を備えている。第２部分１０８は、Ｚ軸磁気探知器１１４を含んでいる。Ｚ軸磁気探知器１１４は、第２部分１０８が仮想のヒンジ１１６に沿って第１部分１０６に対して垂直に向き付けられたときに、磁気探知器１０４−ｎが、Ｘ、Ｙ及びＺの３軸の全てにおける磁場を検知することができるよう向き付けられている。
【００１５】
概要として、図２に示す方法２００は、磁気探知器又は磁場センサを支える回路部品であって例えばＡＭＲ技術に基づく回路部品がウエハ１０２上に組み立てられるステップＳ２０４から開始する。当業者に知られているように、ウエハ１０２のサイズに応じて、複数のそのような装置１０４が設けられてもよい。例えばリトグラフィー（lithography）及び薄膜パーマロイ材料の形成のようによく知られた処理が、それらの装置の製造に用いられてもよい。続いて、ステップＳ２０８において、第１部分１０６から第２部分１０８への信号経路は、ヒンジ領域又は断面（以下により詳細に説明する）により互いに結合されている。これは、ウエハＲＤＬ（redistribution layer：再配線層）技術を用いることにより形成されてもよい。
【００１６】
ＲＤＬ技術は、一般に、ワイヤ接着パッドを移動させる際に用いられることが当業者によく理解されている。しかしながら、本発明においては、接続パッドは、必ずしも移動される必要がなく、同じＲＤＬ技術を第１及び第２部分を結合するために活用することができる。
【００１７】
磁場センサの一実施形態において以下により詳細に説明するように、各装置１０４−ｎは、ステップ２１２において、ウエハ１０２の一部及び他の材料を底部から除去することによって、ヒンジ領域を備えている。最終的な処理として、ステップ２１６において、装置１０４−ｎは、磁気のＸ，Ｙ，Ｚ軸の方向を規定するために、第１部分１０６及び第２部分１０８が直交するように、つまり互いに垂直となるように設けられる。もちろん、第１及び第２部分は必ずしも直交する必要はなく、どのような角度に設けられてもよい。
【００１８】
これにより、基板は、１枚の平面部材から製造され、２つの部分をその後互いに対して望ましい角度に配置することを可能にするためのブリッジ又はヒンジ領域を備えることになる。従って、製造された装置は、曲げることができる。
【００１９】
図３Ａに示すように、下側表面３０２、及び上側表面３０４を有するウエハ１０２が、各々上側表面３０２上に置かれる第１、第２及び第３結合パッド３０５、３０６及び３０７を含む磁場センサを生成するために必要な回路を生成する従来のウエハプロセシング技術に従って処理される。これらの結合パッド３０５、３０６及び３０７は、例えば銅、金、銀など、多くの導電性の金属のうちの何れかを原料とする。その後、図３Ｂに示すように、上側表面３０４上に保護層３０８が形成される。しかしながら、保護層３０８は、結合パッド３０５、３０６及び３０７の大部分が露出するように設けられる。次に、下側絶縁層３１０が、保護層３０８の形成と同様に結合パッド３０５、３０６及び３０７が露出するように、保護層３０８を覆うように形成される。なお、形成層（deposited layer）がどのような特定領域をも覆わないようにする多くの従来技術が知られている。それらの処理には、例えば、フォトマスキング又はエッチングなどが含まれる。
【００２０】
結合ストリップ３１２は、結合パッド３０５と結合パッド３０６とを互いに結合するよう設けられている。これにより、図３Ｃに示すように、２つの結合パッド３０５及び３０６は、結合ストリップ３１２により互いに電気的に結合される。
【００２１】
図３Ｄに示すように、上側絶縁層３１４は、下側絶縁層３１０の露出した領域及び結合ストリップ３１２を覆うように形成される。しかしながら、上側絶縁層３１４は、第３結合パッド３０７を覆わないように形成され、それは、第３結合パッド３０７は、実効的に露出された状態となる。
【００２２】
ウエハ処理が完了すると、すなわち、装置の製造において全ての層又はストリップの形成が完了し、ウエハ１０２が他の処理ステップを経ると、装置１０４−ｎはウエハ１０２自身から切断される。しかし、図３Ｅに示すように、本発明の一実施形態によれば、個々の装置１０４−ｎがウエハ１０２から切断される前に、各装置１０４−ｎの一部が間隙３２０を形成するために切り取られる。
【００２３】
間隙３２０は、第１結合パッド３０５と第２結合パッド３０６との間の結合ストリップ３１２の下またはそれに対応するウエハ１０２の当該一部に位置する。間隙３２０は、刃による切断、レーザによる切断、又は、マスキングに適したエッチング作業により、各装置１０４−ｎのウエハ１０２に形成することができる。いずれの方法においても、ウエハ１０２は、背面３０２からウエハ１０２及び保護層３０８を通って切断され、下側絶縁層３１０、結合ストリップ３１２及び上側絶縁層３１４は触れられずに残る。加えて、更に下側絶縁層３１０又はその一部も、間隙３２０を形成するために除去されてもよい。その結果、上述した各装置１０４−ｎは、折り畳みブリッジ部３２４を規定するための、下側絶縁層３１０の残りの部分、結合ストリップ３１２、及び上側絶縁層３１４により第２部分１０８に結合された第１部分１０６を有する。この場合、結合ストリップ３１２は、第１結合パッド３０５と第２結合パッド３０６とを電気的に結合する。それにより、これらの各結合パッドと結合された何れの回路も、結合ストリップ３１２を通じて結合される。
【００２４】
図３Ａ−３Ｅは上述の装置の側面図を示しており、多くの他の結合パッド３０５−ｎ及び３０６−ｎもまた、第１部分１０６から第２部分１０８に接続されていてもよい。それにより、装置の上面図の図４に示すように、第３結合パッド３０７と同様に多くの結合パッド３０７−ｎは、上側絶縁層３１４を通じて露出しており、また、上側絶縁層より下の多くの結合ストリップ３１２−ｎは、第１部分１０６上の結合パッド３０５ｎと第２部分１０８上の他の結合パッド３０６−ｎとを間隙３２０を横切るように結合している。これにより、当業者は、複数の結合ストリップ３１２−ｎは、積み上げられた回路層において互いに同じ階層であることを理解する。
【００２５】
装置３００は、折り畳みブリッジ部３２４の操作により折り曲げが可能であるので、折り畳みブリッジ部３２４における層又はストリップは、折れることなく曲げることが容易な厚み及び／又は材料である。そのような材料は、金属、半導体、及び絶縁体などを含むが、これに限定されるものではない。ここで説明した機能性を備えるために、折り畳みブリッジ部３２４に導電性の又は非導電性のさまざまな金属を用いることができることを、当業者であれば十分理解するであろう。
【００２６】
装置１０４−ｎが一旦ウエハから分離されると、磁場センサアセンブリを形成するために、例えばＡＳＩＣ装置などのように磁場センサの出力を処理する追加の回路に接続される。図５Ａに示すように、プリント回路基板（printed circuit board：ＰＣＢ）５０４が設けられ、随意的にスペーサ５０８がダイ接着剤プロセシング（die attach processing）５１２を用いてＰＣＢ５０４の上側表面に取り付けられている。ベース装置５１６は、同様にダイ接着剤プロセシング５１２によりスペーサ５０８に取り付けられている。ベース装置５１６は、上側表面上に複数の装置接続部５１８−ｎを有している。
【００２７】
磁場センサ装置１０４−ｎは、装置１０４の第２部分１０８が第１部分１０６と垂直になるように、スペーサ５０８及びベース装置５１６に隣接して配置される。図５Ｂに示すように、磁場センサ装置１０４は、例えば、「ピックアンドプレイス」装置により、つまみ上げられ、又は、ダイボンドにより直接的に位置決めされたうえで、図５Ｂに示すようにベース装置５１６に接触させる際に第２部分１０８が変位するように、ＰＣＢ５０４上に配置されてもよい。折り畳みブリッジ部３２４の柔軟性は、第２部分１０８を第１部分１０６に対して曲げることを可能にする。
【００２８】
その後、第１部分１０６及び第２部分１０８は、図５Ｃに示すように、第１部分１０６と第２部分１０８との間の直交性を維持するためにエポキシ樹脂又はアンダーフィル５２６を用いることによってＰＣＢ５０４及び／又はベース装置５１６に取り付けられる。
【００２９】
ボンドワイヤ５２８−ｎは、結合パッド３０６−ｎをベース装置コンタクトパッド（contact pad）５１８−ｎに取り付けるために用いられる。ボンドワイヤ５３０−ｎの他のセットは、ベース装置５１６のコンタクトパッド５１９−ｎとＰＣＢ５０４のＰＣＢコンタクト５２４とを結合するために用いられる。図６に示すように、ＰＣＢ５０４、ベース装置５１６、及び、磁場センサ１０４を備える装置全体は、例えば携帯電話などに実装するための１つの装置を設けるために、封入され、及び／又は、形作られる。
【００３０】
一方、第１部分１０６と第２部分１０８との直交性は、例えば図１２Ａ及び１２Ｂに示すように、ＡＳＩＣ装置を使用することなく達成することができる。ここでは、ＰＣＢ５０４は、例えばダイ接着剤プロセシングによりＰＣＢ５１２の上側表面に取り付けられたガイドスペーサ１２０２を有する。装置１０４は、当該装置１０４がＰＣＢ５０４に向かって運ばれてきたときに第２部分１０８がガイドスペーサ１２０２と接触するように、持ち上げられ、そしてＰＣＢ５１２上に配置される。ガイドスペーサ１２０２との当該接触により、第２部分１０８が第１部分１０６に対して直角に方向づけられる。これは、ガイドスペーサ１２０２の高さ及び第１部分１０６に対する位置のためである。例えば、エポキシ樹脂のようなダイ接着剤プロセシング５１２により、第１部分１０６と第２部分１０８との間の関係が維持される。当該関係には、全ての接続及びテストが終了した後のポッティング材が含まれていてもよい。更に、上述の実施形態と同様に、ボンドワイヤ（不図示）が必要に応じて取り付けられていてもよい。
【００３１】
第１部分と第２部分との間の角度がちょうど９０°ではなく、任意の所望の角度に設定できるようガイドスペーサ１２０２が構成されてもよいことを、当業者であれば十分理解するであろう。
【００３２】
図３Ｄ及び３Ｅに示す実施形態の変形例を、図１５Ａ及び１５Ｂを参照して以下に説明する。具体的には、装置１５００は、第１、第２及び第３結合パッド３０５−３０７の各々が第１、第２、及び第３ビア１５０５−１５０７に結合されていることを除き、概ね装置３００と同様である。第１、第２、及び第３ビア１５０５−１５０７の各々は、第１、第２、及び第３ビアパッド１５１５−１５１７の各々において終端を有している。第１、第２、及び第３ビア１５０５−１５０７は、「シリコン貫通電極（through silicon vias）」と呼ばれることもある。図１５Ｂに示すように、間隙３２０が形成され、ビアは必要に応じて第１及び第２部分上の回路にアクセスすることを可能にしている。結合パッドの全てが対応するビアを有する必要はなく、そのため、全てがアクセスされる必要もないことを、当業者であれば十分理解するであろう。
【００３３】
図１６に示すように、装置１５００は、例えば、ガイド１５５４が配置されたＰＣＢなどにより基板１５５２上にて向き付けられる。ガイド１５５４は、ガイド１５５４上に配置されたガイドパッド１５５８を備えている。基板１５５２の上側表面には、第１及び第２ガイドパッド１５６２、１５６６が設けられている。基板１５５２に向かって下向きにガイド１５５４に近接して設置されるとき、装置１５００は、第１及び第２部分が互いに対して好ましい角度で向き付けられることを可能にする。第１、第２及び第３ビアパッド１５１５−１５１７は、ガイドパッド１５５８並びに第１及び第２基板コンタクトパッド１５６２、１５６６に対向して配置され、また、ウェーブはんだ付け（wave soldering）、ボールグリッドアレイ（ball grid array）などを含む従来の多くの方法のうちの１つにより接続することができるが、特に限定されるものではない。それにより、装置上の回路から基板１５５２又はガイド１５５４の何れかへの電気的な接続を可能にすることができる。
【００３４】
加えて、ガイド１５５４と装置１５００との間の電気的な接続を形成するために必要に応じてバンププロセス（bump processing）と共に、異方性導電性フィルム（anisotropic conductive film：ＡＣＦ）又は異方性導電性ペースト（anisotropic conductive paste：ＡＣＰ）の何れかがガイド１５５４と装置１５００との間に配置されてもよいことを、当業者であれば十分理解するであろう。
【００３５】
本発明の第２実施形態は、上述した第１実施形態と同様に、図７Ａに示すように、ウエハ１０２は上側表面３０４及び背面３０２を有している。第１、第２及び第３結合パッド７０５、７０６及び７０７は、多くの従来技術のうちの１つにより上側表面３０４上に形成される。その後、結合パッド７０５、７０６及び７０７を露出させつつ、保護層７０８が上側表面３０４上に形成される。同様に、結合パッド７０５、７０６及び７０７を露出させつつ、下側絶縁層７１０が保護層７０８を覆うように形成される。
【００３６】
図７Ｂに示すように、第２結合パッド７０６と第３結合パッド７０７とを電気的に接続するために、結合ストリップ７１２が、下側絶縁層７１０の一部を覆うように形成される。
【００３７】
上側絶縁層７１４は、下側絶縁層７１０及び結合ストリップ７１２を覆うように形成される。しなしながら、図７Ｃに示すように、上側絶縁層７１４は、第２結合パッド７０６に結合された結合ストリップ７１２の一部、及び第１結合パッド７０５が露出するようにマスクされる。
【００３８】
第１導電性バンプ（conductive bump）７１６は、図７Ｄに示すように、第１結合パッド７０５に対応する上側絶縁層７１４の開口に形成される。第２導電性バンプ７１７は、第２結合パッド７０６に対応する結合ストリップ７１２の露出部分と結合するように、上側絶縁層７１４に形成される。
【００３９】
図７Ｅに示すように、第１のはんだ付け可能部７１８は、第１結合バンプ７１６に結合され、第２のはんだ付け可能部７１９は、第２導電性バンプ７１７に結合される。同様に、ウエハ１０２から装置を取り除くことに関して上述したように、間隙７２０は、図７Ｅに示すように、（一例として、背面３０２からアクセスし、ウエハ本体１０２及び保護層７０８を貫通するように）ウエハ１０２を貫通するように切断される。それにより、絶縁層７１０、結合ストリップ７１２及び上側絶縁層７１４は、第１部分８０２と第２部分８０３との間の折り畳みブリッジ部８０１を形成する。
【００４０】
装置７００は折り畳みブリッジ部８０１の操作により折り曲げが可能であり、折り畳みブリッジ部８０１の層又はストリップは、折れることなく曲げることが容易な厚み及び／又は材料である。そのような材料は、金属、半導体、及び絶縁体などを含むが、これに限定されるものではない。ここで説明した機能性を備えるために、折り畳みブリッジ部３２４に導電性の又は非導電性のさまざまな金属を用いることができることを、当業者であれば十分理解するであろう。図８の装置の上面図に示すように、第１はんだ可能部７１８−ｎ及び第２はんだ可能部７１９−ｎはアクセス可能（すなわち、上側絶縁層７１４から延伸している）であることが分かる。第２はんだ可能部７１９−ｎは、対応する第３結合パッド７０７−ｎと電気的に接続される。これにより、複数の結合ストリップ７１２−ｎが互いに同じ階層になることを、当業者であれば十分理解するであろう。
【００４１】
上述の第１実施形態と同様に、磁場センサ８００はベース装置に集積される。それにより、図９Ａに示すように、ＰＣＢ９０４は、ＰＣＢ９０４の上面に取り付けられた（９１２）ベース装置９０８を備えている。上述のように、ＰＣＢ９０４に対するベース装置９０８のアタッチメント９１２は、既知の多くの接着技術のうちの１つにより実現することができる。ベース装置９０８の上面は、第１、第２及び第３ベース装置コンタクトパッド９１６、９１８及び９２０の各々を含んでいる。ＰＣＢ９０４はまた、少なくとも１つのＰＣＢコンタクトパッド９０６を含んでいる。
【００４２】
接着処理において、磁場センサ８００は、図９Ｂに示すように、はんだ可能部７１９がベース装置コンタクトパッド９１６と位置合わせされ、はんだ可能部７１８が第２ベース装置コンタクトパッド９１８と位置合わせされるよう、反転して向き付けられる。センサ８００が一旦位置づけられると、第２部分８０３は、第１部分８０１に対して垂直に位置づけられるように、折り畳みブリッジ部８０１に関して折り曲げられる。装置８００は、例えばエポキシ樹脂９１７を利用することにより、その位置を維持する。ボンドワイヤ９２２は、図９Ｃに示すように、第３ベース装置コンタクトパッド９２０をＰＣＢコンタクトパッド９０６に取り付けるように設けられる。
【００４３】
一方、図９Ｄに示すように、既知のバンププロセス技術の何れかにより、第１バンプ９３０は第１ベース装置コンタクトパッド９１６上に配置されてもよく、第２バンプ９３４は第２ベース装置コンタクトパッド９１８上に配置されてもよい。異方性導電性フィルム（ＡＣＦ）又は異方性導電性ペースト（ＡＣＰ）の何れかは、ベース装置９０８とセンサ８００との間に配置されてもよい。ＡＣＦ又はＡＣＰの何れかがセンサ８００とベース装置９０８との間の結合を実現するために設けられ、配置されることは、当業者であれば十分理解するであろう。
【００４４】
図１０に示す装置の斜視図のように、複数のボンドワイヤ９２０−ｎは、ベース装置９０８からＰＣＢ９０４への複数の信号を結合するために設けられる。第１実施形態と同様に、ＰＣＢ９０４のアセンブリ、ベース装置９０８、及び、取り付けられたセンサ８００は、例えばＧＰＳを有する電話などの装置に後から実装できるよう、単一の装置となるようエポキシ樹脂又は他のパッケージ技術により覆われている。
【００４５】
本発明の他の実施形態において、１つ以上の金属ストリップは、折り畳み部を補強するために設けられている。図１１Ａに示すように、図４に示す装置と同様の装置１１００は、第１部分１０６から第２部分１０８に延伸する複数の金属ストリップ１１０４−ｎを含んでいる。これらの金属ストリップ１１０４−ｎは、結合ストリップ３１２−ｎと同じ階層に設けられているが、金属ストリップ１１０４−ｎは第１部分１０６上の回路と第２部分１０８上の回路とを結合しない。金属ストリップ１１０４−ｎは、折り畳みブリッジ部３２４を跨ぐ追加の補強として設けられる。
【００４６】
図１１Ｂに示すように、図８に示す装置と同様の装置１１１０は、第１部分１０６から第２部分１０８に延伸する複数の金属ストリップ１１１４−ｎを含んでいる。これらの金属ストリップ１１１４−ｎは、結合ストリップ７１２−ｎと同じ階層に設けられているが、金属ストリップ１１１４−ｎは第１部分８０２上の回路と第２部分８０３上の回路とを結合しない。金属ストリップ１１１４−ｎは、折り畳みブリッジ部８０１を跨ぐ追加の補強として設けられる。
【００４７】
図７Ｄ及び図７Ｅに示す本実施形態の変形例を、図１７Ａ，図１７Ｂ、及び図１８を参照して以下に説明する。具体的には、装置１６００は、第１、第２、及び第３ビア１６０５−１６０７に各々結合されている第１、第２、及び第３結合パッド７０５−７０７を除いて、装置７００と同様である。第１、第２、及び第３ビア１６０５−１６０７の各々は、第１、第２、及び第３ビアコンタクトパッド１６１５−１６１７が終点になる。第１、第２、及び第３ビア１６０５−１６０７は、「シリコン貫通電極」として呼ばれることもある。図１７Ｂに示すように、間隙７２０が形成され、ビアは必要に応じて第１及び第２部分上の回路へのアクセスを可能にしている。全ての結合パッドがビアに対応していなくてもよく、それ故、全てが必ずしも結合されている必要もないことを、当業者であれば容易に理解するであろう。
【００４８】
図１８に示すように、装置１６００は、上述の説明と同様に、ベース装置９０８上に向き付けられていてもよい。有利なことに、第１、第２、及び第３コンタクトパッド１６１５−１６１７は結合のために「外部的に」利用可能である。図１９に示すように、第１、第２、及び第３ビアコンタクトパッド１６１５−１６１７は、例えばボンドワイヤはんだ付けなどにより結合されるために複数の位置に存在してもよい。
【００４９】
加えて、ベース装置９０８と装置１６００との間の電気的な接続を形成するために必要に応じてバンププロセス（bump processing）と共に、異方性導電性フィルム（ＡＣＦ）又は異方性導電性ペースト（ＡＣＰ）の何れかが、ベース装置９０８と装置１６００との間に配置されてもよいことを、当業者であれば十分理解するであろう。
【００５０】
本発明の他の実施形態において、１つの間隙と共に２つの部分を有する装置ではなく、２つの間隙と共に３つの部分を有する装置が規定される。有利なことに、３次元（３Ｄ）センサアプリケーションの場合、装置は２つの角度の部分を有するように曲げることができる。
【００５１】
図１３に示すように、装置１３００は、第１部分１３０４、第２部分１３０８、第３部分１３１２、第１部分１３０４と第２部分１３０８との間の第１間隙１３１６、及び第２部分１３０８と第３部分１３１２との間の第２間隙１３２０を含んでいる。第１折り畳みブリッジ部１３２４は第１間隙１３１６を横切って延伸しており、第２折り畳みブリッジ部１３２８は第２間隙１３２０を横切って延伸している。折り畳みブリッジ部及び間隙は、上述した層およびストリップの形成、並びに基板材料の除去と同様の方法により形成される。
【００５２】
装置１３００は、表面上に形成されたセンサ構造を含んでいてもよい。このように、３Ｄセンサアプリケーションの場合、各部分１３０４、１３０８及び１３１２は、それぞれ表面上に形成されたセンサ構造Ｐ、Ｄ、Ｓを有していてもよい。一例として、以下に説明するように、第２部分１３０８及び第３部分１３１２上のセンサＤ、Ｓは、それぞれ矢印Ｄ、Ｓにより示される第１方向に向き付けられ、第１部分１３０４上のセンサＰは矢印Ｐにより示される第２方向に向き付けられる。
【００５３】
図１４Ａに示すように、装置１３００を用いて面外検知を行うために、例えばプリント回路基板（ＰＣＢ）などの基板１４０４が、例えばエポキシ１４１６又は他の既知のメカニズムの何れかなどにより、基板１４０４の上側表面に取り付けられた第１スペーサ１４０８及び第２スペーサ１４１２と共に設けられる。装置１３００は、第１部分１３０４及び第３部分１３１２の各々が面外となり、第２部分１３０８に関して同じ角度Ｘとなるよう、基板１４０４上に位置する。
【００５４】
一方、図１４Ｂに示すように、面外構造を実現するためにＰＣＢ１４０４を形成することに代えて、バンプ１４２０、１４２２がそれぞれ第１部分１３０４及び第３部分１３１２の底に配置される。バンプ１４２０、１４２２は、２つの部分１３０４、１３１２を所望の角度に保持することのできるサイズである。
【００５５】
それにより、第１部分１３０４及び第３部分１３１２が同じ傾斜角Ｘである場合、各センサＰ、Ｓは、同じ面外センサ部品を有することになる。その結果、第１センサＰの出力をＳＰとし、第３センサＳの出力をＳＳとすると、それらの和ＳＰ＋ＳＳは面外検知信号ＳＯＰとなり、それらの差ＳＰ−ＳＳは面内検知信号ＳＩＰとなる。
【００５６】
第２部分１３０８は、例えばＡＳＩＣ装置などのようなシステムにおける他の装置とのインターフェースとして機能するために、ボンドワイヤのための相互接続及びランディングスペース（landing space）として制御されてもよい。さらに、第２部分１３０８上のセンサは、任意であってもよいが、追加の面内センサとして機能させることはできない。
【００５７】
ピックアンドプレイス装置は基板１４０４上に装置１３００を配置するために用いることができる。ピックアンドプレイス装置が装置１３００を押し下げるにつれて、それらのスペーサ１４０８、１４１２により所望の角度Ｘを形作るよう、第１部分１３０４及び第３部分１３１２は上方に屈折される。この角度Ｘは、０°と９０°との間で何れにすることも可能である。１つの実施形態において、最適値として、例えば３０°などを選択することができる。
【００５８】
一方、装置１３００は、ＡＳＩＣのように装置の上に位置してもよく、このとき、ＡＳＩＣは、最終パッケージとして、例えばＰＣＢなど他の基板に取り付けられる。ボンドワイヤは、電気的な相互接続又は他の目的のために必要に応じて取り付けられてもよい。
【００５９】
装置１３００の変形例において、第１部分１３０４及び第３部分１３１２の何れかは、サイズ及びコストの低減のために除外することができる。この場合には、面外検知信号ＳＯＰは、上述のように、もはや有効ではない。面外機能は、面内センサＳＤと面外センサＳＰ又はＳＳの残りの何れかとの出力の比較により決定されればよい。そして、ＳＯＰの余剰エラーは、コンパスにおける方位エラー（heading error）を生成し得るが、適切な補正アルゴリズムの適用によりこのようなエラーは低減される。
【００６０】
本発明の他の実施形態において、多面装置（multi-plane device）は、フレキシブル部品を組み込むことにより、例えばウエハなどの１面基板から製造される。
【００６１】
一般に、当業者に知られているように、図２０Ａに示すウエハ１０２は、複数の装置１９００−ｎが設けられるベースとして用いられる。通常、ウエハ１０２は、例えばシリコンなどの半導体材料を原料とするが、本発明の実施形態はそれに限定されず、当業者によく知られた他のベース材料を用いることができる。以下により詳細に説明するように、本発明の本実施形態において、各装置１９００−ｎは、第１部分１９０４、第２部分１９０８、第３部分１９１２、第１部分１９０４と第２部分１９０８との間の第１除去領域（clear zone）１９１６、及び、第１部分１９０４と第３部分１９１２との間の第２除去領域１９２０を含んでいる。
【００６２】
図２０Ｂに示すように、第１部分１９０４、第２部分１９０８、及び第３部分１９１２は、多くの既知の方法の１つにより、望まれ、配置され、又は組み立てられたであろうどんなタイプの回路又は所望の部品も含むことができる。しかしながら、これには、回路又は機能的な装置が除去領域１９１６、１９２０の何れにも配置されていないことが必要である。
【００６３】
製造方法の概要である方法２０００は、図２に示すように、ウエハ１０２上に複数の装置を組み立てるステップ２００４から開始される。当業者に知られているように、ウエハ１０２のサイズに応じて、複数のそのような装置１９００が設けられてもよい。例えばリトグラフィー及び薄膜材料の形成のようによく知られた処理は、それらの装置の製造に用いられてもよい。加えて、ステップ２００８において、各装置が、装置１９００の少なくとも２つの部分に互いに分離する除去領域を少なくとも１つ有するように配置される。
【００６４】
次に、ステップ２０１２において、フレキシブルフィルムが、少なくとも各装置１９００の下のウエハの底面に取り付けられる。あるいは、接着用テープ又はメッキされた金属が、フレキシブルフィルムの代わりに用いられる。次に、ステップ２０１６において、各装置の上面からフレキシブルフィルムに向けてウエハにおける各除去領域が除去される。回路の無い領域が除去されると、ステップ２０２０において各個別の装置はウエハから切断され、その後、必要に応じて追加の処理が行われる。
【００６５】
図２２Ａに示す装置１９００の断面のように、基板１０２は、底面に取り付けられた例えばフィルム２１０２などの材料のフレキシブル部品を含んでいる。単に説明を目的として、第１部分１９０４は、上側表面に露出された２つの結合パッド２１０８、２１１２を有している場合を示している。これらの結合パッドは、上述と同様の方法により形成してもよい。もちろん、露出される代わりにカバーされている複数の結合パッド及び／又はパッドであってもよいことは、当業者であれば十分理解するであろう。第２部分１９０８は、結合パッド２１０４を含み、第３部分は結合パッド２１１６を含んでいる。第１除去領域１９１６及び第２除去領域１９２０の各々は、隣接した部分の何れの部品からも遊離している。
【００６６】
上述した方法２０００におけるステップ２０１６のように、回路のない領域１９１６、１９２０の各々の材料は、フレキシブルフィルム部分２１０２まで除去される。基板１０２上の何れの上側形成層の材料も、レーザによる切断、又は、マスキングに適したエッチング作業により、或いは、これらの組み合わせにより、除去することができる。図２２Ｂに示す装置１９００は、回路のない領域１９１６、１９２０の除去の結果である。なお、いくつかの材料は残されたとしてもフィルム部分２１０２の柔軟性の妨げとならないので、ウエハ材料の全てを除去する必要はない。
【００６７】
有利なことに、フレキシブル部分２１０２により、第１部分９１０４、第２部分１９０８、及び第３部分１９１２が図２２Ｃに示すように面外的に向き付けされる。それにより、面外キャリアは、面内製造処理により形成される。
【００６８】
その結果、図２３に示すような、装置１９００の面外配置が可能となる。ここで、例えばＰＣＢなどの基板２２０２は、基板２２０２の上側表面上に備えられたガイド又は支持材２２０４を含んでいる。装置１９００は、上述した方法と同様にして、第１部分１９０４及び第３部分１９１２が互いに所定の角度になるよう、支持材２２０４上に配置される。装置１９００は、例えばエポキシ樹脂又は既知のメカニズムの何れかなどにより取り付けられる。なお、この例における装置１９００には第２部分がないが、もちろんあってもよい。単に説明の簡単化のため２つの部分のみが示されているに過ぎない。基板２２０２は、第３部分１９１２の結合パッド２１１６と結合するための基板コンタクトパッド２２１２を含んでいてもよい。状況に応じて、基板コンタクトパッド２１１６は、ボンドワイヤ２２１６により基板コンタクトパッド２２１２と結合するために、バンプ処理により設けられたバンプ２２０８を含んでいてもよい。そのような結合部を設けるための方法が多く知られていることは、当業者であれば十分に理解するであろう。
【００６９】
図２４に示すように、本発明の一実施形態は、図３Ｄに示す装置３００と同様に製造され、代わりの種類の間隙を含む装置２４００を含んでいる。ここで、間隙は、上述の実施形態において示した真っ直ぐな壁ではなく角度を有する壁が形成されているため、それにより、他の部分に対するある部分の様々な位置決めを可能にする。装置２４００を製造するため、最初に、第１くさび型間隙２４０４が、例えばＶ形状の刃による切断などにより、基板材料１０２に形成される。もちろん、第１くさび端間隙を形成するために他の方法又は道具を用いることができることを、当業者であれば十分に理解するであろう。しかしながら、刃による切断は、上側絶縁層３１４に沿った下側絶縁層３１０及び結合ストリップ３１２の下部の保護層３０８にダメージを与えることなく折り畳み部を形成することに適合される。従って、刃は、保護層３０８の下から間隔Ｗより接近しないように材料を除去するために設定される。第１くさび型間隙２４０４は、材料、刃の鋭さ、及び、考慮すべき他のデザインに応じて選択される最初の角度Ｖを有していてもよい。
【００７０】
次に、図２４Ｂに示すように、第１くさび型間隙２４０４は、拡張されたくさび型間隙２４０６を形成するよう変更され得る。拡張されたくさび型間隙２４０６は、例えば、多くの既知のリゾグラフィー処理などの１つによる基板材料１０２のエッチングにより形成されてもよい。もちろん、拡張されたくさび端間隙を形成するために他の方法又は道具を用いることができることを、当業者であれば十分に理解するであろう。その結果、拡張されたくさび型間隙２４０６は、示されているように、幅Ｔを有する「平坦」部分を有する。
【００７１】
ダイ接着フィルム（die attach film）２４０８は、図２４Ｃに示すように、基板１０２の底の全体に配置され、それにより、拡張されたくさび型間隙２４０６を覆う。ダイ接着フィルム２４０８は、フレキシブルであり、若干の粘性を有しており、そのようなダイ接着フィルムは例えば日立化成株式会社（Hitachi Chemical Company）などから入手することができる。
【００７２】
拡張されたくさび型間隙２４０６及びダイ接着フィルム２４０８の提供は、第１部分２４１２及び第２部分２４１６を、互いに所定の角度となるように配置することを可能にする。それにより、第１部分２４１２は、折り畳み部を操作することによって、第２部分１４１６に応じて動かすことができ、その配置の結果を図２５に示している。示されているように、拡張されたくさび型間隙２４０６は、第２部分２４１６に応じて第１部分２４１２を動かすことにより、縮められる。ダイ接着フィルム２４０８は、フレキシブルフィルムであり、くさび型間隙２４０６内に巻き上げられるという傾向がある。幅Ｔは、フィルム１４０８の厚みの概ね２倍程度である。
【００７３】
ダイ接着フィルム２４０８の粘性のため、装置２４００は、次のアセンブリにおいて装置２４００の導入を容易にすることのできる向き付けが維持されることになる。
【００７４】
図２６に示すように、本発明の他の実施形態において、装置２６００は、図１３に示す装置１３００の変形として、多数の拡張されたくさび型間隙２４０６−１、２４０６−２を設けることができる。ダイ接着フィルム２４０８は、図２７に示すように、装置２６００をＵ字型に曲げることを可能にする。
【００７５】
なお、ここに説明したパッケージは、例えば電子コンパスなどの磁気センサに適用することができる。さらに、パッケージは、ウエハ又は同様の平面基板上の配置に影響を受けやすい回路に加えて、加速度計センサ、ジャイロスコープセンサ、及び、磁場センサにも適用することができる。
【００７６】
さらに、装置は、異なる構造の基板を提供するため、例えば上面に一方、底面に他方など、多数の折り畳み部を有していてもよい。
【００７７】
本発明の少なくとも１つの実施形態において以上のように説明したいくつかの特徴を有することにより、様々な変更、加工、及び改良は、それらの当業者がすぐに思いつき、理解されるであろう。そのような変更、加工、及び改良は、この公開の一部を示すものであり、本発明の範囲内のものを示している。従って、上述の説明、及び、図面は、単に方法の例を示すものであり、本発明は添付の請求項に適した構成及びそれらと同等の構成により決定されるべきである。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１６】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０Ａ】
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【図２０Ｂ】
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【図２１】
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【図２２Ａ】
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【図２２Ｂ】
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【図２２Ｃ】
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【図２３】
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【図２４Ａ】
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【図２４Ｂ】
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【図２４Ｃ】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【国際調査報告】
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