(57)【要約】  種々様々な実施の形態において提供される、基板をコーティングする装置は、単数又は複数の基板の基板部分を、反応室の互いに向かい合って位置する外壁として配置するように構成された反応室エレメントと、基板部分の、反応室内において互いに向かい合って位置する表面をコーティングするために、反応室内に単数又は複数の材料を搬入するように構成された材料供給エレメントと、を有する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
単数又は複数の基板の基板部分を、反応室の互いに向かい合って位置する外壁として配置するように構成された反応室エレメントと、
前記基板部分の、前記反応室内において互いに向かい合って位置する表面をコーティングするために、前記反応室内に単数又は複数の材料を搬入するように構成された材料供給エレメントと、
を有することを特徴とする、基板をコーティングする装置。
【請求項２】
前記反応室エレメントは、前記基板部分を連続的に又はタイミング制御して断続的に移動させるように構成されている、請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記反応室エレメントは、少なくとも２つのローラを有していて、前記反応室は、前記２つのローラの間に配置されている、請求項１又は２記載の装置。
【請求項４】
前記反応室エレメントは少なくとも２つのローラ対を有しており、
前記反応室は、前記２つのローラ対の間に配置されている、請求項１から３までのいずれか１項記載の装置。
【請求項５】
前記材料供給エレメントは、前記反応室の側部において該反応室に沿って配置されている、請求項１から４までのいずれか１項記載の装置。
【請求項６】
前記反応室エレメントは、フレームエレメントを有していて、前記反応室は前記フレームエレメントの内部に配置されている、請求項１から５までのいずれか１項記載の装置。
【請求項７】
前記材料供給エレメントは、前記フレームエレメントの１つの側に配置されている、請求項６記載の装置。
【請求項８】
前記材料供給エレメントは、前記フレームエレメントの１つの側を形成している、請求項６記載の装置。
【請求項９】
前記反応室から単数又は複数の材料を吸い込むように構成された材料排出エレメントが、さらに設けられている、請求項１から８までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１０】
前記反応室エレメントは、前記材料供給エレメントに形成された単数又は複数のガイドエレメントを有している、請求項１から９までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１１】
前記反応室内にプラズマを発生させるように構成された単数又は複数の電極が、さらに設けられている、請求項１から１０までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１２】
前記反応室の領域において前記基板部分の間に間隔を生ぜしめるように構成されたスペーサエレメントが、さらに設けられている、請求項１から１１までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１３】
前記スペーサエレメントは、真空エレメントを有している、請求項１２記載の装置。
【請求項１４】
前記スペーサエレメントは、前記基板部分の、互いに反対に位置する側に配置された少なくとも２つの真空エレメントを有している、請求項１２記載の装置。
【請求項１５】
複数又は多数の反応室エレメントが設けられている、請求項１から１４までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１６】
複数又は多数の材料供給エレメントが設けられている、請求項１から１５までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１７】
単数又は複数の基板の基板部分を、反応室の、互いに向かい合って位置する外壁として配置するステップと、
前記反応室内において前記基板部分の、互いに向かい合って位置する表面をコーティングするために、前記反応室内に単数又は複数の材料を搬入するステップと、
を有することを特徴とする、基板をコーティングする方法。
【請求項１８】
前記基板部分を連続的に又はタイミング制御して断続的に移動させるステップを、さらに有する、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
前記反応室から前記単数又は複数の材料を吸い込むステップを、さらに有する、請求項１７又は１８記載の方法。
【請求項２０】
前記反応室内においてプラズマを発生させるステップを、さらに有する、請求項１７から１９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２１】
前記反応室の領域において前記基板部分の間に間隔を生ぜしめるステップを、さらに有する、請求項１７から２０までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２２】
前記基板部分の加熱、露光、振動、ラミネート及びパターニングから成るグループから選択された単数又は複数のプロセスを、さらに有する、請求項１７から２１までのいずれか１項記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板、特にフレキシブルな基板を、例えば原子層堆積法（ＡＬＤ：atomic layer deposition）又は分子層堆積法（ＭＬＤ：molecular layer deposition）によるプロセスを用いて、コーティングする装置及び方法に関する。
【０００２】
ＡＬＤ／ＭＬＤ現象において使用されるコンセプトは、いわゆる直交流反応器もしくは進行波反応器に基づいている。このとき、反応器を通して、ひいては反応器の内部に取り付けられた基板の表面の上を、例えば相前後して、第１の出発製品（プレカーサ）が、典型的には不活性のキャリアガス内において導かれ、次いで不活性のキャリアガスだけが、次に第２のプレカーサが、次いで再び純粋な不活性のキャリアガスが導かれる。このようなサイクルにおいて、所望の形成された分子又は原子ユニオンの単層が基板に、しかしながら反応器壁にも堆積される。このシーケンスは、基板上に所望の数の原子層又は分子層が得られるまで繰り返される。このようなＡＬＤは、一般に、「シーケンシャルＡＬＤ」と呼ばれる。
【０００３】
択一的なコンセプトは、「空間的ＡＬＤ」である。空間的ＡＬＤシステムの構造は、通常、単数又は複数の大面積のコーティングヘッドを有しており、「シーケンシャルＡＬＤ」に比べて比較的高価である。このようなシステムにおける特別な試練は、基板とコーティングヘッドとの接触を確実に回避することにある。
【０００４】
本発明の課題は、基板をコーティングする新規な装置及び新規な方法を提供することである。
【０００５】
種々様々な実施の形態によれば、反応室エレメントと材料供給エレメントとを備えた、基板をコーティングする装置が提案される。
【０００６】
種々様々な実施の形態において提案された、基板をコーティングする装置は、
単数又は複数の基板の基板部分を、反応室の互いに向かい合って位置する外壁として配置するように構成された反応室エレメントと、
基板部分の、反応室内において互いに向かい合って位置する表面をコーティングするために、反応室内に単数又は複数の材料を搬入するように構成された材料供給エレメントと、を有する。
【０００７】
１つの態様では、反応室エレメントは、基板部分を連続的に又はタイミング制御して断続的に移動させるように構成されていてよい。
【０００８】
１つの態様では、反応室エレメントは、少なくとも２つのローラを有していて、反応室は、２つのローラの間に配置されていてよい。
【０００９】
１つの態様では、反応室エレメントは少なくとも２つのローラ対を有しており、反応室は、２つのローラ対の間に配置されていてよい。
【００１０】
１つの態様では、材料供給エレメントは、反応室の側部において該反応室に沿って配置されていてよい。
【００１１】
１つの態様では、反応室エレメントは、フレームエレメントを有していて、反応室はフレームエレメントの内部に配置されていてよい。
【００１２】
１つの態様では、材料供給エレメントは、フレームエレメントの１つの側に配置されていてよい。
【００１３】
１つの態様では、材料供給エレメントは、フレームエレメントの１つの側を形成していてよい。
【００１４】
１つの態様では、当該装置は、反応室から単数又は複数の材料を吸い込むように構成された材料排出エレメントを有していてよい。
【００１５】
１つの態様では、反応室エレメントは、材料供給エレメントに形成された単数又は複数のガイドエレメントを有していてよい。
【００１６】
１つの態様では、当該装置は、反応室内にプラズマを発生させるように構成された単数又は複数の電極を有していてよい。
【００１７】
１つの態様では、当該装置は、反応室の領域において基板部分の間に間隔を生ぜしめるように構成されたスペーサエレメントを備えていてよい。
【００１８】
１つの態様では、スペーサエレメントは、真空エレメントを有していてよい。
【００１９】
１つの態様では、スペーサエレメントは、基板部分の、互いに反対に位置する側に配置された少なくとも２つの真空エレメントを有していてよい。
【００２０】
１つの態様では、当該装置は、複数又は多数の反応室エレメントを有していてよい。
【００２１】
１つの態様では、当該装置は、複数又は多数の材料供給エレメントを有していてよい。
【００２２】
種々様々な実施の形態において提案された、基板をコーティングする方法は、
単数又は複数の基板の基板部分を、反応室の、互いに向かい合って位置する外壁として配置するステップと、
反応室内において基板部分の、互いに向かい合って位置する表面をコーティングするために、反応室内に単数又は複数の材料を搬入するステップと、を有する。
【００２３】
１つの態様では、当該方法は、基板部分を連続的に又はタイミング制御して断続的に移動させるステップを有してよい。
【００２４】
１つの態様では、当該方法は、反応室から単数又は複数の材料を吸い込むステップを有してよい。
【００２５】
１つの態様では、当該方法は、反応室内においてプラズマを発生させるステップを有してよい。
【００２６】
１つの態様では、当該方法は、反応室の領域において基板部分の間に間隔を生ぜしめるステップを有してよい。
【００２７】
１つの態様では、当該方法は、基板部分の加熱、露光、振動、ラミネート及びパターニングから成るグループから選択された単数又は複数のプロセスを、有してよい。
【００２８】
少なくとも幾つかの実施の形態は、ＡＬＤプロセス又はＭＬＤプロセスを用いた、例えばフレキシブルな基板に薄膜を形成する安価な方法が、高い材料利用率でかつ短いプロセス時間で可能になることを、好適に保証することができる。
【００２９】
次に図面を参照しながら、本発明の複数の実施の形態を詳説する。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】基板をコーティングする装置の１つの実施の形態を概略的に示す斜視図である。
【図２】基板をコーティングする装置の別の実施の形態を概略的に示す斜視図である。
【図３】基板をコーティングする装置の別の実施の形態を概略的に示す斜視図である。
【図４】基板をコーティングする装置の別の実施の形態を概略的に示す斜視図である。
【図５】基板をコーティングする装置の別の実施の形態を概略的に示す側面図である。
【図６】基板をコーティングする装置の別の実施の形態を概略的に示す斜視図である。
【図７】基板をコーティングする方法の１つの実施の形態を示すフローチャートである。
【００３１】
基板をコーティングする装置の１つの実施の形態では、反応室はほぼ完全に、処理される基板によって、例えばローラから繰り出されたフィルム部分によって形成することができる。これらのフィルム部分は、例えばそれぞれのローラ対によって、反応室の、互いに向かい合って位置する側において互いに押し合わされるので、そこには各１つのシールが得られる。しかしながらまたシールは、他の形態によって行うことも可能であり、例えば反応室の、互いに向かい合って位置する側における個別の各ローラを用いて、又はフィルムの間におけるフレームによって、行うことも可能である。
【００３２】
１つの実施の形態では、（例えば１つのスリットを備えた又は複数の個別の開口を備えた）ノズルを、フィルム部分の間において画定された反応室の１つの側に配置することができ、このノズルを通して、種々様々なプロセスガスを流入させることができる。この流入用のノズルとは反対の側に、吸い込むための同様なノズルを追加的に設置することが可能である。
【００３３】
反応室は、フィルムの間における間隔が例えばたったの数１０μｍであることに基づいて、実施の形態において好適に小さく保つことができる。フィルムは、幾つかの実施の形態では、例えばガスインパルスがいわば「ローラ状に」フィルム部分／基板の間において貫流する場合に、プロセス経過中に時々互いに接触することもある。
【００３４】
基板をコーティングする装置１００の、図１に示した実施の形態は、例えば２つのローラ対１０２ａ，１０２ｂとして形成された反応室エレメントと、例えばノズル１０４として形成された材料供給エレメントとを有している。ノズル１０４は、互いに向かい合って位置する基板部分１０８，１１０の間における反応室１０６内に向けられたスリットを有している。種々様々な供給管路、例えば１１２ａ〜１１２ｅが、ノズル１０４に連結されており、これによって単数又は複数の材料、例えば単数又は複数のプレカーサ及び単数又は複数のキャリアガスを、基板をコーティングするために反応室１０６内に搬入することができる。
【００３５】
ローラ対１０２ａ，１０２ｂによって基板部分１０８，１１０を、反応室１０６の互いに向かい合って位置する外壁として配置することができる。モータ駆動されるローラ１２２ａ〜１２２ｄは、フィルム１２４，１２６をそれぞれ、角度を成してローラ対１０２ａ，１０２ｂに向かってもしくは該ローラ対から案内する。ローラ対１０２ａ，１０２ｂは、反応室１０６をシールするために、フィルム１２４，１２６を好適に互いに圧着させることができる。
【００３６】
本実施の形態では、装置１００は、例えば第２のノズル１１４として形成された材料排出エレメントを有することができる。第２ノズル１１４は、材料を吸い込むために、反応室１０６に向けられたスリット１１５を有している。そのために真空ポンプ（図示せず）に通じる真空管路１１６が、第２のノズル１１４に連結されている。
【００３７】
装置１００は、本実施の形態ではさらに、単数又は複数の真空エレメントとして形成されたスペーサエレメントを、ここでは基板部分１０８，１１０の互いに反対に位置する側に配置された２つの真空エレメント１１８，１２０を有している。両真空エレメント１１８，１２０はそれぞれ、基板部分１０８，１１０に連結されており、これによって、反応室１０６の領域において基板部分１０８，１１０の間に選択された間隔を生ぜしめることができる。
【００３８】
反応室エレメントはまた、本実施の形態ではノズル１０４及び／又は第２のノズル１１４に形成されたガイドエレメントを有しており、このガイドエレメントは、例えば、基板部分１０８，１１０のための縁部又は斜面１２８として形成されている。これらの縁部又は斜面１２８は追加的に、反応室１０６をシールするように構成されていてよい。
【００３９】
他の実施の形態では、ただ１つの真空エレメントだけを、例えば真空エレメント１１８だけを使用することができる。このような実施の形態では、上側の基板部分１０８における１つの真空エレメントだけで、上側の基板部分１０８のたるみを十分に補整することができるので、上側の基板部分１０８と下側の基板部分１１０とが互いに接触することを阻止することができる。これによってこのような実施の形態では、装置の下側は、例えばＩＲヒータのような他のエレメントのために空けておくことができる。
【００４０】
基板をコーティングする装置２００の、図２に示した実施の形態は、例えば２つのローラ対２０２ａ，２０２ｂとして形成された反応室エレメントと、例えばノズル２０４として形成された材料供給エレメントとを有している。ノズル２０４は、互いに向かい合って位置する基板部分２０８，２１０の間における反応室２０６に通じる複数の個別の管路、例えば管路２０５を有している。種々様々な源（図示せず）が、管路、例えば管路２０５に連結されていて、このときそれぞれがすべての管路２０５に連結されているか、又はそれぞれが１つの又は複数の選択された管路２０５に連結されており、これによって単数又は複数の材料、例えば単数又は複数のプレカーサ及び単数又は複数のキャリアガスを、基板をコーティングするために反応室２０６内に搬入することができる。
【００４１】
ローラ対２０２ａ，２０２ｂによって基板部分２０８，２１０を、反応室２０６の互いに向かい合って位置する外壁として配置することができる。モータ駆動されるローラ２２２ａ〜２２２ｄは、フィルム２２４，２２６をそれぞれ、角度を成してローラ対２０２ａ，２０２ｂに向かってもしくは該ローラ対から案内する。ローラ対２０２ａ，２０２ｂは、反応室２０６をシールするために、フィルム２２４，２２６を好適に互いに圧着させることができる。
【００４２】
本実施の形態では、装置２００は、例えば第２のノズル２１４として形成された材料排出エレメントを有することができる。第２ノズル２１４は、材料を吸い込むために、複数の個別の管路、例えば管路２１５を有している。材料排出エレメントが、様々な実施の形態において材料供給エレメントと同じに構成されていることによって、材料排出エレメントを材料供給エレメントとして、又は逆に材料供給エレメントを材料排出エレメントとして好適に使用することができる。すなわち、反応室を常に同じ側から満たすもしくは吸い出すことが必要ではなく、同じことを例えば交互に一方の側から他方の側に向かって、又は同時に両方の側から行うことができる。これによって、例えばコーティングの均一性における利点を得ることができる（例えばグラデーションの回避）。さらに幾つかの実施の形態では、両方のエレメントが同時に最初は供給エレメントであり、次いで排出エレメントであるようなプロセスを実施することができる。すなわちまずは両側から充填し、次いで両側から抜き取る等ができる。
【００４３】
装置２００は、本実施の形態ではさらに、基板部分２０８，２１０の互いに反対に位置する側に配置された２つの真空エレメント２１８，２２０として形成されたスペーサエレメントを有することができる。両真空エレメント２１８，２２０は、それぞれ基板部分２０８，２１０に連結されており、これによって、反応室２０６の領域において基板部分２０８，２１０の間に選択された間隔を生ぜしめることができる。
【００４４】
反応室エレメントはまた、本実施の形態ではノズル２０４及び／又は第２のノズル２１４に形成されたガイドエレメントを有することができ、このガイドエレメントは、例えば、基板部分２０８，２１０のための縁部又は斜面２２８として形成されている。これらの縁部又は斜面２２８は追加的に、反応室２０６をシールするように構成されていてよい。
【００４５】
基板をコーティングする装置３００の、図３に示した実施の形態は、例えば、互いに向かい合って位置する２つの基板部分３０８，３１０の間に配置されたフレーム３０２として形成された反応室エレメントを有している。例えばノズル３０４として形成された材料供給エレメントが、フレーム３０２の１つの側を形成している。
【００４６】
フレーム３０２によって基板部分３０８，３１０を、反応室３０６の互いに向かい合って位置する外壁として配置することができる。モータ駆動されるローラ３２２ａ〜３２２ｄは、フィルム３２４，３２６をそれぞれ、角度を成してローラ対３２３ａ，３２３ｂに向かってもしくは該ローラ対から案内する。ローラ対３２３ａ，３２３ｂは、反応室３０６をシールするために、フィルム３２４，３２６を好適にフレーム３０２に圧着させることができる。
【００４７】
反応室３０６は、フレーム３０２の内部において、かつ互いに向かい合って位置する基板部分３０８，３１０の間に形成されている。ノズル３０４は、反応室３０６内に向けられたスリットを有している。種々様々な供給管路、例えば３１２ａ〜３１２ｅが、ノズル３０４に連結されており、これによって単数又は複数の材料、例えば単数又は複数のプレカーサ及び単数又は複数のキャリアガスを、基板をコーティングするために反応室３０６内に搬入することができる。
【００４８】
本実施の形態では、装置３００は、例えば第２のノズル３１４として形成された材料排出エレメントを有することができる。第２ノズル３１４は、材料を吸い込むために、反応室３０６に向けられたスリット３１５を有している。そのために真空ポンプ（図示せず）に通じる真空管路３１６が、第２のノズル３１４に連結されている。
【００４９】
装置３００は、本実施の形態ではさらに、基板部分３０８，３１０の互いに反対に位置する側に配置された２つの真空エレメント３１８，３２０として形成されたスペーサエレメントを有することができる。両真空エレメント３１８，３２０はそれぞれ、基板部分３０８，３１０に連結されており、これによって、反応室３０６の領域において基板部分３０８，３１０の間に選択された間隔を生ぜしめることができる。
【００５０】
反応室エレメントはまた、本実施の形態ではノズル３０４及び／又は第２のノズル３１４に形成されたガイドエレメントを有することができ、このガイドエレメントは、例えば、基板部分３０８，３１０のための縁部又は斜面３２８として形成されている。これらの縁部又は斜面３２８は追加的に、反応室３０６をシールするように構成されていてよい。
【００５１】
基板をコーティングする装置４００の、図４に示した実施の形態は、例えば、２つのローラ４０２ａ，４０２ｂとして形成された反応室エレメントと、例えばノズル４０４として形成された材料供給エレメントとを有している。ノズル４０４は、互いに向かい合って位置する基板部分４０８，４１０の間における反応室４０６内に向けられている。種々様々な供給管路、例えば４１２ａ〜４１２ｅが、ノズル４０４に連結されており、これによって単数又は複数の材料、例えば単数又は複数のプレカーサ及び単数又は複数のキャリアガスを、基板をコーティングするために反応室４０６内に搬入することができる。
【００５２】
ローラ４０２ａ，４０２ｂによって、複数の基板の基板部分４０８，４１０を、反応室４０６の互いに向かい合って位置する外壁として配置することができる。モータ駆動されるローラ４２２ａ〜４２２ｄは、フィルム４２４，４２６をそれぞれ、角度を成してローラ４０２ａ，４０２ｂに向かってもしくは該ローラから案内する。フィルム４２４，４２６は、反応室４０６をシールするために、ローラ４０２ａ，４０２ｂ上において好適に互いに圧着させられることができる。
【００５３】
本実施の形態では、装置４００は、第２ノズル４１４として形成された材料排出エレメントを有することができる。第２のノズル４１４は、材料を吸い込むために、反応室４０６に向けられたスリット４１５を有している。そのために真空ポンプ（図示せず）に通じる真空管路４１６が、第２のノズル４１４に連結されている。
【００５４】
装置４００は、本実施の形態ではさらに、基板部分４０８，４１０の互いに反対に位置する側に配置された２つの真空エレメント４１８，４２０として形成されたスペーサエレメントを有することができる。真空エレメント４１８，４２０はそれぞれ、基板部分４０８，４１０に連結されており、これによって、反応室４０６の領域において基板部分４０８，４１０の間に選択された間隔を生ぜしめることができる。
【００５５】
反応室エレメントはまた、本実施の形態ではノズル４０４及び／又は第２のノズル４１４に形成されたガイドエレメントを有することができ、このガイドエレメントは、例えば、基板部分４０８，４１０のための縁部又は斜面４２８として形成されている。これらの縁部又は斜面４２８は追加的に、反応室４０６をシールするように構成されていてよい。
【００５６】
基板をコーティングする装置５００の、図５に示した実施の形態は、例えば、互いに向かい合って位置する２つの基板部分５０８，５１０の間に配置されたフレーム５０２として形成された反応室エレメントを有している。例えば流入ノズル５０４として形成された材料供給エレメントが、フレーム５０２の１つの側を形成している。
【００５７】
フレーム５０２によって、基板部分５０８，５１０は、反応室５０６の互いに向かい合って位置する外壁として配置することができる。モータ駆動されるローラ５２２ａ，ｂは、フィルム５２４をそれぞれ、角度を成してローラ対５２３ａに向かってもしくは該ローラ対５２３ａから案内する。別のローラ対５２３ｂが、フレーム５０２の他方の端部に配置されている。ローラ対５２３ａ，５２３ｂは、反応室５０６をシールするために、フィルム５２４を好適にフレーム５０２に押圧することができる。
【００５８】
本実施の形態において装置５００は、例えば、フレーム５０２の、流入ノズル５０４とは反対の側に流出ノズルとして形成された材料排出エレメントを有することができる。
【００５９】
変向ローラ５２６が、フィルム５２４をフレーム５０２の片側において変向する。
【００６０】
基板をコーティングする装置６００の、図６に示した実施の形態は、例えば、２つのローラ対６０２ａ，６０２ｂとして形成された反応室エレメントと、例えばノズル６０４として形成された材料供給エレメントとを有している。ノズル６０４は、互いに向かい合って位置する基板部分６０８，６１０の間における反応室６０６内に向けられたスリットを有している。種々様々な供給管路、例えば６１２ａ〜６１２ｅが、ノズル６０４に連結されており、これによって単数又は複数の材料、例えば単数又は複数のプレカーサ及び単数又は複数のキャリアガスを、基板をコーティングするために反応室６０６内に搬入することができる。
【００６１】
ローラ対６０２ａ，６０２ｂによって、基板部分６０８，６１０は、反応室６０６の互いに向かい合って位置する外壁として配置することができる。モータ駆動されるローラ（図示せず）は、フィルム６２４，６２６をそれぞれ、角度を成してローラ対６０２ａ，６０２ｂに向かってもしくは該ローラ対から案内する。ローラ対６０２ａ，６０２ｂは、反応室６０６をシールするために、フィルム６２４，６２６を好適に互いに圧着させることができる。
【００６２】
本実施の形態では、装置６００は、例えば第２のノズル６１４として形成された材料排出エレメントを有することができる。第２のノズル６１４は、材料を吸い込むために、反応室６０６に向けられたスリット６１５を有している。そのために真空ポンプ（図示せず）に通じる真空管路６１６が、第２のノズル６１４に連結されている。
【００６３】
反応室エレメントはまた、本実施の形態ではノズル６０４及び／又は第２のノズル６１４に形成されたガイドエレメントを有しており、このガイドエレメントは、例えば、基板部分６０８，６１０のための縁部又は斜面６２８として形成されている。これらの縁部又は斜面６２８は追加的に、反応室６０６をシールするように構成されていてよい。
【００６４】
装置６００は、本実施の形態ではさらに、基板部分６０８の上に部材６１８を有することができる。この部材６１８は、例えば、露光ユニット（例えばレフレクタ、管形電球及び／又は発光ダイオード（ＬＥＤ）アレー）、ヒータ（例えばセラミック放射器（例えばＥｌｓｔｅｉｎ社）、赤外線（ＩＲ）ランプ及びレフレクタ、加熱マット）、超音波発生器を連結されたプレート、反応室６０６内において（誘電体によって阻止された）放電を発生させるための電極、例えばプラズマ、及びパターニング（Struktuierung）のためのレーザから成るグループの中の単数又は複数のエレメントとして形成されていてよい。
【００６５】
装置６００は、本実施の形態ではさらに、基板部分６１０の下に、ここではレーザ６２０として形成された部材を有することができる。基板部分６１０の下におけるこの部材は、別の実施の形態では、例えば、露光ユニット（例えばレフレクタ、管形電球及び／又は発光ダイオード（ＬＥＤ）アレー）、ヒータ（例えばセラミック放射器（例えばＥｌｓｅｉｎ社）、赤外線（ＩＲ）ランプ及びレフレクタ、加熱マット）、超音波発生器を連結されたプレート、反応室６０６内において（誘電体によって阻止された）放電を発生させるための電極、例えばプラズマ、及びパターニングのためのレーザから成るグループの中の単数又は複数のエレメントとして形成されていてよい。
【００６６】
上に述べた実施の形態において基板は、追加的な促進プロセスのために好ましくは接近可能であり、このような促進プロセスは、例えば（例えば赤外線（ＩＲ）照射による）加熱、（例えば紫外線（ＵＶ）照射による）露光、（例えば超音波を用いた）振動又は（例えばレーザを用いた）パターニングである。
【００６７】
反応室の外部において、また電極が基板に取り付けられていてもよく、これによって反応室内においてプラズマを発生させることができる。択一的に、流入ノズル及び流出ノズルを電極として使用することも可能であり、もしくは反応室内に進入する電極が取り付けられていてもよい。
【００６８】
これらのオプションによって、種々様々な実施の形態において、熱的な、及び光の作用に感応した、並びにプラズマの作用に感応したＡＬＤ／ＭＬＤプロセスを好適に実施することができる。
【００６９】
上に述べた実施の形態では、例えばフィルムとして形成された基板は、連続的に又はタイミング制御して断続的に移動させることができるので、ロール・トゥー・ロール（roll-to-roll(Ｒ２Ｒ)）運転が好適に容易に可能である。
【００７０】
さらに、上に述べた実施の形態における構造は、確定された運転時間経過後における保守（例えば反応室のクリーニング）を大幅に簡単化できることを可能にする。また単に、ノズル及び、場合によっては設けられている側部のシールエレメントをクリーニングすることだけ、もしくは他のノズル及びシールエレメントと交換することだけが必要であり、好適である。例えば吸込みノズルが省かれると、単に流入ノズルをクリーニングすること、もしくは他の流入ノズルと交換することしか必要ない。これによって、製造停止時間を短くすること、もしくは事実上０にすることができ、有利である。
【００７１】
上に述べた実施の形態では、スペーサエレメントの使用時に、さらに、周囲圧を下回る圧力においてＡＬＤ／ＭＬＤプロセスを実施することができる。
【００７２】
別の実施の形態では、例えば保護フィルムを備えたカプセル化された光電素子を製造するために、本発明に係る構造を、後続のラミネート装置と組み合わせることが可能である。
【００７３】
さらに別の実施の形態では、上に述べた実施の形態に記載の複数のユニットを組み合わせること、例えば互いに上下に又は相前後して配置することができる。１つの実施の形態では、１つの共通の材料供給エレメント（及び追加的に１つの共通の材料排出エレメント）を備えた複数の反応室エレメントを使用することができる。別の実施の形態では、複数の材料供給エレメント（及び追加的に複数の材料排出エレメント）を使用することができ、このように構成されていると、基板をコーティングするために複数の材料をそれぞれの反応室内に搬入することができる。
【００７４】
図７には、基板をコーティングする方法の１つの実施の形態のフローチャート７００が示されている。Ｓ７０２において、単数又は複数の基板の互いに向かい合って位置する基板部分が、反応室の各外壁として配置される。Ｓ７０４において、単数又は複数の材料が基板をコーティングするために反応室内にもたらされる。
【００７５】
上に述べた実施の形態は、以下に記載の効果のうちの１つ又は複数を有することができ、有利である。
・反応室は、実質的に、基板の互いに向かい合って位置する２つの基板部分の間においてしか形成されない；
・高い材料利用率と短いプロセス時間での、ＡＬＤ又はＭＬＤプロセスを用いた、例えばフレキシブルな基板における薄膜形成のための安価な方法／安価な装置；
・単純な構造；
・確定されたインターバルで必要なクリーニングを、汎用のシステムに比べて僅かな費用もしくは手間で実施することができる；
・当該方法／装置は、ロール・トゥー・ロール(Ｒ２Ｒ)製造のために適している；
・基板表面から反応室をほぼ完全に形成することによる、高い材料利用率（他の箇所における不所望のコーティングがほぼない）；
・小さなプロセス容積と容易に見積もり可能な調量による僅かなガス及びプレカーサの消費（プレカーサの不必要に高い過剰調量を好適に回避することができる）；
・小さな容積と好適な流動特性（迅速なガス交換）による短いサイクル時間が、高い成長率を可能にする：例えば約５０ｍｓ／部分ステップ、つまり約２００ｍｓ／サイクル（４部分ステップ）、すなわち約３００サイクル／ｍｉｎ。このとき約０.１ｎｍ／サイクルの膜成長時に、約３０ｎｍ／ｍｉｎの成長率が生ぜしめられる；
・Ｒ２Ｒ大量生産のために適している：例えば約３０ｃｍ幅の基板及び約５０ｃｍ長さの基板部分のために、各基板部分の面積、０.３ｍ×０.５ｍ＝０.１５ｍ2、つまり０.１５ｍ2×２（上下）＝０.３ｍ2の全面積が生ぜしめられるので、毎分０.３ｍ2を約３０ｎｍでコーティングすることができる（約１８ｍ2／ｈに相当）；
・基板への接近可能性によって、プロセス促進手段もしくは誘導手段としての加熱、露光等が、簡単に実現可能である。例えばレーザを用いたパターニングも可能である；
・特にＲ２Ｒ空間的ＡＬＤ（R2R Spatial ALD）に比べて単純かつ安価な構造、簡単な保守；
・空間的ＡＬＤに比べて単純で、追加的な材料系（例えば三元化合物、任意に変わる層シーケンス等）に拡大可能。基板とコーティングヘッドとの接触に関する、空間的ＡＬＤ変化態様の問題は、発生せず、有利である。
・基板のうちの少なくとも１つに、先行するステップによって既に、電子素子構造（例えば光電スタック）を設けておくことができ、この電子素子構造は、カプセル化層（水及び酸素に対するバリア）を備えていて、次いで、保護体としての追加的なバリアフィルムと一緒にラミネートされることが望ましい。このことは、種々様々な実施の形態による構造においても複雑ではない。それというのは、両方の基板（スタックを備えた基板、スタックを有しない基板）を互いに上下させて供給することができるからである；
・互いに上下に配置された多数のユニットにおける小さな所要スペース。
【００７６】
本発明は、上に説明した実施の形態に関する記載によって、当該実施の形態に制限されるものではない。むしろ本発明は、新たな各特徴及びこれらの特徴の各組合せを含み、これは、特に、特許請求の範囲における特徴又はこれらの特徴の組合せ自体が、特許請求の範囲又は実施の形態に明示的に記載されていなくても、特許請求の範囲における特徴のそれぞれの組合せを含む。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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