(57)【要約】半導体基板の面上に金属コンタクトパターンを有する太陽電池の製造方法であって、この方法は、金属コンタクトパターンに一致する所定の位置で、第１レーザー手段により、半導体基板の面を局所的に平坦化する工程と、半導体基板の面にエミッタ領域を形成する工程と、半導体基板の面上に誘電体層を形成する工程と、第２レーザーの手段により、誘電体層を通る開口部を形成し、これにより、金属コンタクトパターンに対応する位置で、下層の半導体基板の面を局所的に露出させる工程と、めっきの手段により、半導体基板の面の露出した領域に、金属コンタクトを形成する工程と、を含む。
2015515747.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の面上に金属コンタクトパターンを有する太陽電池の製造方法であって、
金属コンタクトパターンに一致する所定の位置で、第１レーザー手段により、半導体基板の表面を局所的に平坦化する工程と、
半導体基板の面にエミッタ領域を形成する工程と、
半導体基板の面上に誘電体層を形成する工程と、
第２レーザーの手段により、誘電体層を通る開口部を形成し、これにより、金属コンタクトパターンに対応する位置で、下層の半導体基板の面を局所的に露出させる工程と、
めっきの手段により、半導体基板の面の露出した領域に、金属コンタクトを形成する工程と、を含む方法。
【請求項２】
更に、半導体基板の面を局所的に平坦化する前に、半導体基板の面を粗面化する工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
半導体基板は結晶シリコン基板である請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
平坦化する工程は半導体基板の面を少なくとも局所的に溶融する工程を含む請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
第１レーザーはＵＶレーザーであり、半導体基板を局所的に、少なくとも部分的に溶融するのに適したレーザーフルーエンスと、約１ｎｓと１０００ｎｓとの間の範囲のパルス持続時間を有する請求項４に記載の方法。
【請求項６】
平坦化する工程は、可視波長範囲での半導体基板の面の平均反射率を増加させる工程である請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
エミッタ領域を形成する工程は、均質なエミッタを形成する工程を含む請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
エミッタ領域を形成する工程は、選択的エミッタ、即ち金属コンタクトパターンに対応する位置に多量にドープされた領域を含み、それらの所定の位置の間により少量にドープされた領域を含むエミッタを形成する工程を含む請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
誘電体層を形成する工程は、少なくとも２つの誘電体層を含む誘電体層スタックを形成する工程を含み、誘電体層は、反射防止コーティングおよび表面パッシベーションとして使用するために適用される請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
金属コンタクトを形成する工程は、金属層スタックを形成する工程を含む請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
記載された技術は、めっきされたコンタクトを有する太陽電池の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン太陽電池のための、新しい概念と製造プロセスが、製造環境においてそれらの概念とプロセスを実行するという観点から開発されている。そのような工業生産用の開発の一例は、スクリーン印刷プロセスの代替えとしての、金属コンタクト形成のための、めっきプロセスの使用である。
【０００３】
例えばシリコン太陽電池の表面側のメタライゼーション用のような、めっきを用いた一般的なプロセスフローは、例えば反射防止コーティングのような誘電体層を表面全体の上に形成する工程と、次に反射防止コーティングを局所的に除去して、金属コンタクトを形成する必要のある位置において、下層のシリコン表面を露出させる工程と、を含む。これに続き、露出したシリコン領域で金属めっき工程が行われ、表面金属コンタクトを形成する。反射防止コーティングの局所的な除去は、例えば、レーザーアブレーション（laser ablation）の手段により行なえる。シリコン表面は、一般には粗面化される（textured）。それにより、下層のエミッタ領域にダメージを与えずに、反射防止コーティングを局所的に、完全に除去することが課題となる。金属コンタクトを形成する必要のある位置での反射防止コーティングの不完全な除去は、悪いコンタクト接着および／または高いコンタクト抵抗になる。下層のエミッタ領域へのダメージは、シャントおよび／または高い少数キャリア再結合損失となり、これにより悪い電池性能となる。
【０００４】
選択的エミッタ構造、即ち金属コンタクトの下の高ドープ領域と、金属コンタクトの間の低ドープ領域とを有するエミッタ構造を有する太陽電池では、更なる課題は、下層の選択的エミッタ構造の高ドープ領域と、（反射防止コーティングを局所的に除去するための）レーザーアブレーションパターンとのアライメントである。
【発明の概要】
【０００５】
特定の発明の形態は、粗面化された表面とめっき金属コンタクトを有する太陽電池の製造方法であって、金属コンタクトは、粗面化された表面上に堆積した誘電体層中に形成された開口部中に、少なくとも１つの金属をめっきすることにより形成され、開口部はレーザーアブレーションの手段により誘電体層を局所的に除去して形成され、従来技術の方法に比較して、エミッタ領域のような下層のドープされた領域にダメージを与えるリスクを低減して、誘電体層を良好で完全な局所的除去を可能にする。選択的エミッタ構造を有する１つの発明の形態では、方法は、下層のエミッタ構造の高ドープ領域に、金属コンタクトの簡易なアライメントを提供する。
【０００６】
特定の発明の形態は、粗面化された表面とめっきされたコンタクトを有し、（例えば０．１Ω・ｃｍ２より小さい）低コンタクト抵抗と、（例えば７８％より高い）良好な曲線因子を有するシリコン太陽電池に関する。
【０００７】
一の発明の形態は、半導体基板の、例えば粗面化された粗い表面上に、めっきされた金属コンタクトパターンを有する太陽電池を形成する方法に関し、この方法は、金属コンタクトパターンに一致する所定の位置で、第１レーザー手段により、半導体基板の表面を局所的に平坦にする工程と、基板表面にエミッタ領域を形成する工程と、基板表面の上に誘電体層を形成する工程と、第２レーザー手段により、誘電体層を通る開口部を形成し、これにより、金属コンタクトパターンに対応する位置で下層の基板表面を局所的に露出させる工程と、めっきの手段で、基板表面の露出した領域で、金属コンタクトを形成する工程と、を含む。
【０００８】
半導体基板は、例えば結晶シリコン基板であり、例えば、単結晶、マルチ結晶、または多結晶のシリコン基板である。しかしながら、本発明はこれらに限定されるものではなく、他の好適な半導体基板を用いても良い。
【０００９】
一の発明の形態では、粗い表面はセルの表面でも良い。これはセルの裏面でも良く、例えば両面セルの場合は粗面化された表面と粗面化された裏面とを有し、パターニングされた金属が、表面と裏面の双方に接続する。
【００１０】
粗い表面は、例えば可視光（波長範囲が３８０ｎｍから７４０ｎｍ）に対して１５％より低い平均反射率を有する。元々粗い表面から形成された平坦化された表面は、可視光（波長範囲が３８０ｎｍから７４０ｎｍ）に対して、最初の粗い面の平均反射率より高い平均反射率を有する。平坦な面は、同じ波長範囲の光に対して、２０％より高い、または２５％より高い、または３０％より高い平均反射率を有する面である。
【００１１】
表面の局所的な平坦化は、例えばパルスＵＶレーザーの手段で行われ、シリコンを局所的の溶融するためのレーザーフルエンスを有し、例えば、約１ｎｓと１０００ｎｓとの間、約５ｎｓと１００ｎｓとの間、または約５ｎｓと２０ｎｓとの間の範囲のパルス持続時間を有する。しかしながら、本発明は、これに限定されるものではなく、他のパルス保持時間を用いることもでき、例えばピコセカンド（ｐｓ）パルスを用いることもできる。ＵＶ波長を有するレーザーを使用する長所は、ＵＶ光は、表面近傍のシリコンの薄層（例えば数μｍ、例えば３μｍより薄い膜厚、または２μｍより薄い膜厚、または１μｍより薄い膜厚を有する）中で吸収され、これによりシリコンのより深いダメージが避けられることである。
【００１２】
平坦化された表面は、このように当初から粗面化されたセルの表面を少なくとも部分的に溶融した表面に対応する。平坦化された表面は、当初の表面（例えば粗面化された表面）から形成された、または処理により得られた表面であり、当初の表面の粗さより小さい粗さを有する。平坦化された表面はまた、当初の表面（例えば粗面化された表面）から形成された、または処理により得られた表面であり、例えば所定の波長や波長範囲に対して、当初の表面より高い平均反射率を有する。そのような所定の波長範囲は、例えば可視波長範囲であり、例えば３８０ｎｍと７４０ｎｍとの間である。当初から粗面化されたセルの表面を少なくとも部分的に溶融した表面が、平坦化された表面として使用される本発明の具体例の長所は、金属めっきプロセス（これによるめっきされた金属コンタクト）の品質（接着、コンタクト抵抗）が改良されることである。
【００１３】
エミッタ領域を形成する工程は、均質（homogeneous）のエミッタ、即ち基板表面全体で同じドーピングプロファイルを有するエミッタを形成する工程を含む。代わりに、エミッタ領域を形成する工程は、選択的エミッタを形成する工程、即ち金属コンタクトパターンに対応する位置に多量にドープした領域を含み、それらの所定の位置の間により少なくドープした領域を含むエミッタを形成する工程を含んでも良い。エミッタ領域は、液体または固体のソースからの拡散やイオン注入のような、当業者に知られた方法により形成される。
【００１４】
誘電体層を形成する工程は、単層の誘電体層を形成する工程、または少なくとも２つの誘電体層を含む誘電体層スタックを形成する工程を含む。好適な具体例では、誘電体層は反射防止コーティングの機能を有し、表面のパッシベーションを提供する。誘電体層は例えばシリコン窒化物層またはチタン窒化物層である。誘電体層は、例えばシリコン酸化物層および／またはシリコン窒化物層および／またはアルミニウム酸化物層および／またはチタン酸化物層を含む層のスタックであり、例えばシリコン酸化物／シリコン窒化物スタック、または例えばアルミニウム酸化物／シリコン窒化物スタックである。しかしながら、当業者に知られた他の好適な層や層のスタックを、表面パッシベーションを提供するために、および反射防止コーティングを形成するために使用しても良い。
【００１５】
金属コンタクトを形成する工程は、金属層スタックを提供する工程を含んでも良い。例えば、最初に、Ｎｉ、Ｔｉ、またはＡｇを含む層のようなシード層が、例えばスパッタ、スクリーン印刷、無電解めっき、または光誘起めっきにより形成されても良い。シード層の上に、Ｃｕ層やＡｇ層のようなコンタクト層がめっきにより形成される。任意的に、例えばＳｎ、Ａｇ、またはＣｕを含むキャップ層を、コンタクト層の上にめっきしても良い。
【００１６】
一の発明の形態にかかる方法の長所は、誘電体層を通る開口部を形成する工程は、平坦化された表面を有する領域で行われ、これにより、下層のエミッタ領域にダメージを与えることなく誘電体層の良好で完全な除去が可能となる。平坦化された表面を有するそのような領域に金属コンタクトが形成され、これにより低いコンタクト抵抗と良好な接着特性を有するコンタクトを形成でことは、長所である。
【００１７】
表面を局所的に平坦化する工程が、可視波長範囲で、粗い（平坦化されていない）領域の平均反射率より実質的に高い反射率を有する平坦化された表面を有する領域を形成することは、一の発明の形態にかかる方法の長所である。これは、反射率の測定に基づいて、（金属コンタクトパターンに対応する位置で）誘電体層を通って、平坦化された表面を有する領域に至る開口部のパターンの良好なアライメントを可能にする。選択的エミッタ構造を有する具体例では、金属コンタクトと、選択的エミッタ構造の多量にドープされた領域との間での良好アライメントを可能にする。
【００１８】
いくつかの発明の形態の所定の目的および長所は、上述の通りである。もちろん、本発明のいずれかの特定の具体例で、それらの目的および長所の全てが達成される必要は無いことが理解されるであろう。このように、例えば、ここで教示または示唆されたように他の目的または長所が達成される必要なく、ここで示された１つの長所や複数の長所を達成または最適化する手段で、本発明が具体化または実施されることを当業者は理解するであろう。更に、この概要は単に一例であり、請求の範囲のように本発明の範囲を限定することを意図しない。機構と操作方法の双方についての本発明は、その特徴および長所と共に、添付した図面とともに読んだ場合に、以下の詳細な記載を参照して良く理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】一の具体例にかかる太陽電池の製造方法を示す。
【図２】一の具体例にかかる太陽電池の製造方法を示す。
【図３】一の具体例にかかる太陽電池の製造方法を示す。
【図４】一の具体例にかかる太陽電池の製造方法を示す。
【図５】一の具体例にかかる太陽電池の製造方法を示す。
【図６】一の具体例にかかる太陽電池の製造方法を示す。
【図７】本発明の他の具体例を示す。
【００２０】
異なる図面において、同一の参照符号は、同一または類似の要素を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下の詳細な説明において、本発明の全体の理解およびそれが特別な具体例でどのように実施されるかを提供するために、多くの特別な細部が記載される。しかしながら、本発明は、それらの特別な細部無しに実施できることを理解すべきである。別の例では、公知の方法、手続き、および技術は、本発明を不明瞭にしないために、詳細には記載されない。本発明は所定の図面を参照しながら特定の具体例について記載するが、本発明はこれに限定されるものではない。ここに含まれて記載された図面は模式的で、本発明の範囲を限定するものではない。なお、図面において、図示目的でいくつかの要素の大きさは誇張され、それゆえに縮尺通りではない。
【００２２】
更に、記載や請求の範囲中の、第１、第２、第３等の用語は、類似の要素の間で区別するために使用され、時間的、空間的に、順位付けや他の方法での順位を記載する必要はない。そのように使用される用語は、適当な状況下で入替え可能であり、ここに記載された発明の具体例は、ここに記載や図示されたものと異なる順序によっても操作できることを理解すべきである。
【００２３】
また、記載や請求の範囲中の、上、下、上に、下に等の用語は、記載目的のために使用され、相対的な位置を示すものではない。そのように使用される用語は、適当な状況下で入替え可能であり、ここに記載された発明の具体例は、ここに記載や図示されたものと異なる位置でも操作できることを理解すべきである。
【００２４】
なお、請求の範囲で使用される「含む（comprising）」の用語は、それ以降に示される要素に限定して解釈されるべきではなく、他の要素や工程を排除しない。このように、言及された特徴、数字、工程、または成分の存在は、その通りに解釈され、１またはそれ以上の他の特徴、数字、工程、または成分、またはこれらの組み合わせの存在または追加を排除してはならない。このように、「手段ＡおよびＢを含むデバイス」の表現の範囲は、構成要素ＡとＢのみを含むデバイスに限定されるべきではない。
【００２５】
本発明の文脈において、太陽電池の表面または表側は、光源に向かって配置され、それゆえに光を受けるための面または側である。両面太陽電池の場合、双方の面が入射光を受ける。そのような場合、表面または表側は、光や照明のより多くの割合を受ける面または側である。太陽電池の背面、背側、裏面または裏側は、表面に対向する面または側である。基板の表面は、太陽電池の表側に対応する基板の側であり、一方、基板の裏面または背面は、太陽電池の裏側に対応する。
【００２６】
一の具体例にかかる半導体基板の、例えば粗面化されたような粗い表面の上に、めっきされた金属コンタクトパターンを有する太陽電池の製造方法は、金属コンタクトパターンに一致する所定の位置で、レーザーの手段により、半導体基板の表面を局所的に平坦化する工程と、基板表面にエミッタ領域を形成する工程と、基板表面の上に誘電体層を形成する工程と、レーザーの手段により、誘電体層を通る開口部を形成し、金属コンタクトパターンに対応する位置で、下層の基板表面を局所的に露出させる工程と、めっきの手段で基板表面の露出した領域に金属コンタクトを形成する工程と、を含む。
【００２７】
この方法は、更に半導体がシリコン基板の具体例について、即ち、結晶シリコン太陽電池の製造について記載される。しかしながら、この方法は、それに限定されるものではない。これは、例えば粗面化されたような粗い表面とめっきされた金属コンタクトパターンを有するいずれの太陽電池にも使用できる。
【００２８】
方法とデバイスは、更に、粗面化された面が太陽電池の表面であり、めっきされた金属コンタクトが太陽電池の表側コンタクトである具体例のために記載される。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。方法はまた、例えば、セルの裏側で、めっきされたコンタクトを形成するために使用でき、例えば粗面化された表面と裏面とを有し、セルの表側と裏側の両方にパターニングされた金属コンタクトを有する両面セルのために使用できる。
【００２９】
エミッタ領域は、均質のエミッタ領域または選択的エミッタ領域である。
【００３０】
誘電体層は、単層または少なくとも２層を含むスタックでも良い。太陽電池デバイスにおいて、それは、表面パッシベーション層および／または反射防止コーティングの機能を有することができる。
【００３１】
一の具体例にかかる方法が、図１〜図６に模式的に示される。
【００３２】
図１に示される例では、最初に、結晶シリコンウエハまたは基板１０の表面１１が粗面化され、基板１０の裏面１２が研磨される。粗面化と研磨は、技術的に知られたいずれかの好適な方法で行われる。粗面化された表面１１は、例えばランダムなピラミッドを含み、または、例えば逆ピラミッドのような通常のピラミッドを含む。当業者が好適と思われる他の粗面化プロセスまたは粗面化された表面を用いても良い。
【００３３】
次に、図２に示す断面図に示すように、表面１１はレーザーの手段（ＬＡＭＰ：Laser Assisted Melting Process）により局所的に溶融され、これにより所定の位置または領域２０で平坦化され、この所定の位置または領域２０は、製造プロセスの後のステージで形成される金属コンタクトパターンと一致する。好適には、ｎｓパルスを有するパルスレーザー、例えばパルス持続時間が約１ｎｓと１０００ｎｓとの間、約５ｎｓと１００ｎｓとの間、または約５ｎｓと２０ｎｓの間のパルスレーザーが使用される。しかしながら、本発明は、これに限定されるものではなく、他のパルス持続時間を用いても良く、例えばｐｓパルスが用いられる。レーザーの波長は、好適にはＵＶ範囲（例えば２００ｎｍから４００ｎｍの範囲、より好適には２６０ｎｍと３８０ｎｍの範囲、例えば約３５５ｎｍの波長）が用いられる。これは、表面に近いシリコンの薄層（約数マイクロメーター）中での吸収を許容し、シリコンの深いダメージを避ける。レーザーフルーエンスは、好適にはシリコンを溶融させるように選択されまたは適用されるが、シリコンの切断は避けられる。好適なレーザーフルーエンスは、レーザー波長および使用されるパルス持続時間に依存し、例えば経験的に決定される。換言すれば、適切なレーザーフルーエンスのためのパラメータは、特定の製造プロセスまたは応用のために決定されても良い。例えば、６ｎｓのパルス持続時間の３５５ｎｍ波長のレーザーに対して、約５０ｍＪ／ｃｍ２のレーザーフルーエンスを用いて、良好な結果が得られる。この工程は、表面近傍のシリコンを局所的に溶融し、粗面化された表面の局所的な平坦化に繋がる。レーザーで処理された領域２０では、レーザー処理がされない領域に比較して、表面粗さは大きく低減される。表面粗さの違いは、また、反射率の違いにもなる。レーザーで処理された領域２０において、３６０ｎｍと７４０ｎｍの間の波長域での平均反射率は、約３０％のオーダーであり、一方、未処理の（粗面化された）領域では、同じ波長域における平均反射率は、約１２％のオーダーである。レーザーアニール工程を行った後、例えばＨＦ：ＨＮＯ３溶液中でのエッチングによりレーザーダメージが除去される。アニールにより除去されても良い。
【００３４】
次の工程では、エミッタ領域２１が、基板の表側に形成され、その後、パッシベーション層および／または反射防止コーティングが表面上に形成される。エミッタ領域２１は、例えば液体または固体のソースからの拡散により、またはイオン注入により形成される。反射防止コーティングは、例えばシリコン窒化物層である。結果の構造が、図３に示される。図３において、パッシベーション層および反射防止コーティングは、単一の誘電体層２２として示される。しかしながら、パッシベーション層と反射防止層は、別々の層でも良く、および／または層のスタックを含んでも良い。例えば、シリコン酸化物層またはアルミニウム酸化物層が、表面パッシベーション層として形成され、表面パッシベーション層は、反射防止層として機能するシリコン窒化物層で覆われても良い。
【００３５】
表面に１１に反射防止コーティングを堆積した後に、パッシベーション層２３またはパッシベーションスタックと、金属コンタクト２４が、裏面１２に形成される。局所的な裏面コンタクトを有する具体例について、図４にこれが模式的に記載される。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、当業者に知られた他の形状も、セルの裏側で使用しても良い。セルの裏側にパッシベーション層と金属コンタクトとを形成する工程は、表側で誘電体層のレーザーアブレーションを行った後、または例えば表側のメタライゼーションの後のような、プロセスフローの他のステージで行っても良い。
【００３６】
図５に示すように、例えばＳｉＮ層のような誘電体層２２は、続いて、例えばピコセカンド（ｐｓ）パルスを用いたＵＶレーザーを用いたレーザーアブレーションにより局所的に除去されて、これにより、誘電体層２２を通る開口部を形成し、表面金属コンタクトを形成する必要のある位置の下層の基板表面を露出させる。誘電体層２２を通る開口部は、平坦化された領域２０にアライメントされる。平坦化された領域２０の間の粗面化された領域に比較して、それらの領域の反射率は高いため、それらの領域２０に対して、（誘電体層２２の中に開口部を形成するために）レーザーアブレーションプロセスは良好なアライメントとなるという長所を有する。反射率の違いに基づいて、パターンを検出するためにカメラシステムが使用されてアライメントが行われる。領域２０のシリコン表面の平坦性のために、下層のエミッタ領域２１にダメージを与えることなく、誘電体層２２の良好な除去が可能となるという追加の利点もある。
【００３７】
誘電体層２２を局所的に除去した後、表面金属コンタクト２５が、金属めっきプロセスを用いて形成される（図６）。好適な具体例では、最初に、Ｎｉ、Ｔｉ、またはＡｇを含む層のようなシード層が、例えばスパッタ、スクリーン印刷、無電解めっき、または光誘起めっきにより形成される。例えばＮｉシード層の堆積のようなシード層の堆積後に、シリサイド化工程が行われても良い。シード層の上に、Ｃｕ層またはＡｇ層のようなコンタクト層がめっきされ、任意的に、例えばＳｎ、ＡｇまたはＣｕを含むキャップ層が、コンタクト層の上にめっきされても良い。金属コンタクトが平坦化された粗い表面の（即ち、粗さが少ない）領域２０に形成され、低いコンタクト抵抗を有し、良好な接着性を有する良好なコンタクトを得ることができることは、一の具体例にかかる方法の長所である。
【００３８】
コンタクトパターンの幅（例えば、フィンガー幅、バスバー幅）は、スクリーン印刷されたコンタクトパターンに比較してより小さくなり、これにより遮蔽損失（shadowing loss）が低減できることは、めっきにより表側のコンタクトを形成することによる長所である。
【００３９】
一の具体例にかかる方法は、選択的エミッタ構造を有する太陽電池を形成するために有利に使用される。そのような具体例では、基板の表側にエミッタ領域２１を形成した後、金属コンタクトパターンに対応する位置に、多量にドープされた領域２１１を有する選択的エミッタ（図７）が、例えばレーザードーピングの方法または当業者に知られたいずれかの好適な他のプロセスにより、行われる。例えば、拡散プロセスによりエミッタ領域２１が形成された場合、それにより形成されたドープされたガラス層が局所的に、例えば、平坦化された領域２０で、準連続ＵＶレーザーのようなレーザーが局所的に照射され、これにより、それらの領域２０に、より多量にドープされたエミッタ領域２１１を形成する。これに続いて、ドープされたガラス層が除去される。代わりに、ドープされたガラス層が最初に除去され、ドーパントを含む層が表面上に形成されても良い。平坦化された領域２０でのレーザーの局所的な照射は、それらの領域２０に多量にドープされたエミッタ領域を形成する。反射率の違いにより、多量にドープされた領域をコンタクト領域に良好にアライアントできることが、長所である。
【００４０】
先の記載は、本発明の所定の具体例を詳しく述べる。しかしながら、テキスト中で先の表現がいかに詳細に述べられても、当然のことながら、本発明は多くの方法で実施できるであろう。なお、本発明の所定の特性や形態を記載する場合の、特別な文言の使用は、その文言が関連する本発明の特性や形態の特定の特徴を含むようにここで再定義されることを暗示するものではない。
【００４１】
上記のような詳細な記載は、様々な具体例に適用された本発明の新規な特徴を示し、記載し、そして指摘するが、記載されたデバイスまたはプロセスの形態および細部において、様々な省略、代替え、および変更が、この技術の当業者により行われても良いことが理解されるであろう。
【図１】
2015515747.tif 000003
【図２】
2015515747.tif 000004
【図３】
2015515747.tif 000005
【図４】
2015515747.tif 000006
【図５】
2015515747.tif 000007
【図６】
2015515747.tif 000008
【図７】
2015515747.tif 000009
【国際調査報告】
2015515747.tif 000010
2015515747.tif 000011