(57)【要約】  本発明はポリマー電界発光素子及びその製造方法に関し、該ポリマー電界発光素子は、順次に積層された陽極導電性基板、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、電子輸送層、電子注入層、および陰極を含み、該電子阻止層の材料がフッ化リチウム、炭酸リチウム、酸化リチウム、および塩化リチウムから選ばれる１種である。当該ポリマー電界発光素子は、無機電子阻止層としてリチウム化合物を製造することにより、材料が安価、且つ容易に入手でき、最も重要なことは、その仕事関数がわりに低く、２．０ｅＶの程度まで到達して、発光層との間に約１．０ｅＶの遷移のポテンシャルバリヤを形成することができ、また、電子をできるだけ発光層に制限して正孔と結合させることができる。それににより、励起子の結合確率を向上させ、ひいては、ポリマー電界発光素子の発光効率を向上させる。
2015504605.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
順次に積層された陽極導電性基板、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、電子輸送層、電子注入層、および陰極を含むポリマー電界発光素子であって、
前記電子阻止層の材料は、フッ化リチウム、炭酸リチウム、酸化リチウム、および塩化リチウムから選ばれる１種であることを特徴とするポリマー電界発光素子。
【請求項２】
前記陽極導電性基板は、酸化インジウム錫ガラス、フッ素ドープ酸化錫ガラス、アルミニウムドープ酸化亜鉛ガラス、およびインジウムドープ酸化亜鉛ガラスから選ばれる１種であることを特徴とする、請求項１に記載のポリマー電界発光素子。
【請求項３】
前記正孔注入層の材料は、酸化モリブデン、三酸化タングステンおよび五酸化二バナジウムから選ばれる１種であることを特徴とする、請求項１に記載のポリマー電界発光素子。
【請求項４】
前記正孔輸送層の材料は、１，１−ビス［４−［Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）アミノ］フェニル］シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ビフェニルジアミン、４，４’，４’’−トリ（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン、およびＮ，Ｎ’−（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ビフェニルジアミンから選ばれる１種であることを特徴とする、請求項１に記載のポリマー電界発光素子。
【請求項５】
前記電子輸送層の材料は、２−（４−ビフェニルイル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル−１，３，４−オキサジアゾール、８−トリス−ヒドロキシキノリン  アルミニウム、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、１，２，４−トリアゾール誘導体、およびＮ−アリールベンゾイミダゾールから選ばれる１種であることを特徴とする、請求項１に記載のポリマー電界発光素子。
【請求項６】
前記発光層の材料は、有機発光材料、または、ゲスト材料として前記有機発光材料を、ホスト材料にドープして組み合わせた混合材料であり、且つ、ドープされたゲスト材料の質量比が１％〜２０％であり、前記ホスト材料は、正孔輸送材料および電子輸送材料から選ばれる１種または２種であり、
その中で、有機発光材料は、４−（ジシアノメチレン）−２−ブチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル−ビニル）−４Ｈ−ピラン、８−トリス−ヒドロキシキノリン  アルミニウム、ビス（４，６−ジフルオロフェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ2 ）ピコリナトイリジウム、ビス（２−メチル−ジフェニル［ｆ，ｈ］キノキサリン）（アセチルアセトナト）イリジウム、およびトリ（２−フェニルピリジン）イリジウムから選ばれる少なくとも一種であり、
前記正孔輸送材料は、１，１−ビス［４−［Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）アミノ］フェニル］シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ビフェニルジアミン、４，４’，４’’−トリ（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン、およびＮ，Ｎ’−（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ビフェニルジアミンから選ばれる１種であり、
前記電子輸送材料は、２−（４−ビフェニルイル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル−１，３，４−オキサジアゾール、８−トリス−ヒドロキシキノリン  アルミニウム、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、１，２，４−トリアゾール誘導体、およびＮ−アリールベンゾイミダゾールから選ばれる１種であることを特徴とする、請求項１に記載のポリマー電界発光素子。
【請求項７】
前記電子注入層の材料は、炭酸セシウム、アジドセシウムおよびフッ化リチウムから選ばれる１種であることを特徴とする、請求項１に記載のポリマー電界発光素子。
【請求項８】
前記陰極の材料は、銀、アルミニウム、白金および金から選ばれる１種であることを特徴とする、請求項１に記載のポリマー電界発光素子。
【請求項９】
陽極導電性基板を提供し、それに対して表面処理を行う工程と、
前記陽極導電性基板に、順次に、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、電子輸送層、電子注入層、および陰極を真空蒸着してポリマー電界発光素子を得る工程と、
を備え、
その中、前記電子阻止層の材料は、フッ化リチウム、炭酸リチウム、酸化リチウム、および塩化リチウムから選ばれる１種であることを特徴とする、
ポリマー電界発光素子の製造方法。
【請求項１０】
陽極導電性基板に対して表面処理を行う工程は、酸素プラズマを用いて処理する工程を含み、処理時間が２〜１５分間であり、電力が１０〜５０Ｗであることを特徴とする、請求項９に記載のポリマー電界発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ポリマー電界発光素子およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
１９８７年に、米国のＥａｓｔｍａｎ  Ｋｏｄａｋ社のＣ．Ｗ．ＴａｎｇおよびＶａｎＳｌｙｋｅは、超薄膜技術を利用して高輝度、高効率のポリマー電界発光素子（ＯＬＥＤ）が作製されたことを報告した。当該ＯＬＥＤにおいて、１０Ｖで輝度が１０００ｃｄ／ｍ2 になり、その発光効率が１．５１ｌｍ／Ｗになり、使用寿命が１００時間より長い。
【０００３】
ＯＬＥＤの発光原理とは、印加される電界の作用で、電子が陰極から有機物の最低非占有分子軌道（ＬＵＭＯ）に注入され、正孔が陽極から有機物の最高被占軌道（ＨＯＭＯ）に注入されることに基づいたものである。電子と正孔とは、発光層において出会い、結合して励起子を形成し、電界の作用により励起子が移動され、エネルギーを発光材料に伝達し、且つ、電子を励起して基底状態から励起状態へ遷移させ、励起状態のエネルギーが輻射失活し、光子が発生され、光エネルギーが放出される。
【０００４】
従来の電界発光素子において、通常、電子阻止層として高いＬＵＭＯエネルギー準位の有機材料を用いる。正孔の伝送路は、陽極−正孔輸送層−発光層であるが、電子の伝送路は、陰極−電子輸送層−発光層である。正孔および電子が発光層に到達した後に、結合して励起子を形成し、発光する。しかしながら、発光層と正孔輸送層との間のＬＵＭＯエネルギー準位のポテンシャルバリアがわりに低い場合、電子が発光層から正孔輸送層に通り抜けて、電子と正孔とが効果的に結合できず、発光効率を低下させることがある。従来に用いられた電子を阻止する方法としては、発光層と正孔輸送層との間に一層の高いＬＵＭＯエネルギー準位（約３．２ｅＶ）の有機材料を蒸着することにより電子を阻止させ、電子を発光層に制限する。通常、電子阻止層と発光層との間のＬＵＭＯポテンシャルバリヤは、約０．５ｅｖの程度になると、効果的に阻止することができる。しかしながら、従来に用いられた材料のＬＵＭＯエネルギー準位は、発光層（発光層のＬＵＭＯエネルギー準位が３．５ｅＶの程度である）に比べてその差がかなり小さく、阻止の効果は顕著ではない。
【発明の概要】
【０００５】
上記のことに鑑みて、電子が正孔輸送層に進入することを効果的に阻止できるポリマー電界発光素子およびその製造方法を提供する必要がある。
【０００６】
ポリマー電界発光素子であって、順次に積層された陽極導電性基板、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、電子輸送層、電子注入層、および陰極を含み、前記電子阻止層の材料は、フッ化リチウム、炭酸リチウム、酸化リチウム、および塩化リチウムから選ばれる１種である。
【０００７】
好ましい実施形態において、前記陽極導電性基板は、酸化インジウム錫ガラス、フッ素ドープ酸化錫ガラス、アルミニウムドープ酸化亜鉛ガラス、およびインジウムドープ酸化亜鉛ガラスから選ばれる１種である。
【０００８】
好ましい実施形態において、前記正孔注入層の材料は、酸化モリブデン、三酸化タングステンおよび五酸化二バナジウムからなる選ばれる１種である。
【０００９】
好ましい実施形態において、前記正孔輸送層の材料は、１，１−ビス［４−［Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）アミノ］フェニル］シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ビフェニルジアミン、４，４’，４’’−トリ（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン、およびＮ，Ｎ’−（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ビフェニルジアミンから選ばれる１種である。
【００１０】
好ましい実施形態において、前記電子輸送層の材料は、２−（４−ビフェニルイル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル−１，３，４−オキサジアゾール、８−トリス−ヒドロキシキノリン  アルミニウム、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、１，２，４−トリアゾール誘導体、およびＮ−アリールベンゾイミダゾールから選ばれる１種である。
【００１１】
好ましい実施形態において、前記発光層の材料は、有機発光材料であり、または、前記有機発光材料をゲスト材料として、ホスト材料にドープして組み合わせた混合材料であり、且つ、ドープされたゲスト材料の質量比が１％〜２０％であり、前記ホスト材料は、正孔輸送材料および電子輸送材料から選ばれる１種または２種であり、
その中で、有機発光材料は、４−（ジシアノメチレン）−２−ブチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル−ビニル）−４Ｈ−ピラン、８−トリス−ヒドロキシキノリン  アルミニウム、ビス（４，６−ジフルオロフェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ2 ）ピコリナトイリジウム（Bis(4,6-difluorophenylpyridinato-N,C2 )picolinatoiridium）、ビス（２−メチル−ジフェニル［ｆ，ｈ］キノキサリン）（アセチルアセトナト）イリジウム、およびトリ（２−フェニルピリジン）イリジウムから選ばれる少なくとも１種であり、
前記正孔輸送材料は、１，１−ビス［４−［Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）アミノ］フェニル］シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ビフェニルジアミン、４，４’，４’’−トリ（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン、およびＮ，Ｎ’−（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ビフェニルジアミンから選ばれる１種であり、
前記電子輸送材料は、２−（４−ビフェニルイル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル−１，３，４−オキサジアゾール、８−トリス−ヒドロキシキノリン  アルミニウム、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、１，２，４−トリアゾール誘導体、およびＮ−アリールベンゾイミダゾールから選ばれる１種である。
【００１２】
好ましい実施形態において、前記電子注入層の材料は、炭酸セシウム、アジドセシウムおよびフッ化リチウムから選ばれる１種である。
【００１３】
好ましい実施形態において、前記陰極の材料は、銀、アルミニウム、白金および金から選ばれる１種である。
【００１４】
ポリマー電界発光素子の製造方法であって、
陽極導電性基板を提供し、それに対して表面処理を行う工程と、
前記陽極導電性基板に、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、電子輸送層、電子注入層、および陰極を順次に真空蒸着して、前記ポリマー電界発光素子を得る工程と、を備え、
前記電子阻止層の材料は、フッ化リチウム、炭酸リチウム、酸化リチウム、および塩化リチウムから選ばれる１種である。
【００１５】
好ましい実施形態において、陽極導電性基板に対して表面処理を行う工程は、酸素プラズマを用いて処理する工程を含み、処理時間が２〜１５分間であり、電力が１０〜５０Ｗである。
【００１６】
当該ポリマー電界発光素子は、無機電子阻止層としてリチウム化合物を製造することにより、材料が安価、且つ容易に入手でき、最も重要なことは、その仕事関数がわりに低く、２．０ｅＶの程度に到達して、発光層との間に約１．０ｅＶの遷移のポテンシャルバリヤを形成することができ、また、電子をできるだけ発光層に制限して正孔と結合させることができる。これにより、電子が正孔輸送層に進入することを効果的に阻止し、励起子の結合確率を向上させ、ひいては、ポリマー電界発光素子の発光効率を向上させる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】１つの実施形態にかかるポリマー電界発光素子の構造を示す模式図である。
【図２】１つの実施形態にかかるポリマー電界発光素子の製造プロセスを示す模式図である。
【図３】実施例１にかかる無機電子阻止層を含む素子のエネルギー準位を示す図である。
【図４】実施例１にかかるポリマー電界発光素子および比較例にかかるポリマー電界発光素子の輝度と発光効率との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、添付した図面および具体的な実施例を参照して、ポリマー電界発光素子およびその製造方法をさらに詳しく説明する。
【００１９】
図１に示すように、１つの実施形態にかかるポリマー電界発光素子１００は、順次に積層された陽極導電性基板１１０、正孔注入層１２０、正孔輸送層１３０、電子阻止層１４０、発光層１５０、電子輸送層１６０、電子注入層１７０、および陰極１８０を含む。
【００２０】
陽極導電性基板１１０は、酸化インジウム錫ガラス（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化錫ガラス（ＦＴＯ）、アルミニウムドープ酸化亜鉛ガラス（ＡＺＯ）、およびインジウムドープ酸化亜鉛ガラス（ＩＺＯ）から選ばれる１種であることが好ましい。
【００２１】
正孔注入層１２０の材料は、酸化モリブデン（ＭｏＯ3 ）、三酸化タングステン（ＷＯ3 ）、および五酸化二バナジウム（Ｖ2 Ｏ5 ）から選ばれる１種であることが好ましく、厚さは、２０〜８０ｎｍであることが好ましい。正孔注入層１２０の材料としてＭｏＯ3 を用い、厚さが４０ｎｍであることがさらに好ましい。
【００２２】
正孔輸送層１３０の材料は、１，１−ビス［４−［Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）アミノ］フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ビフェニルジアミン（ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリ（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、およびＮ，Ｎ’−（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ビフェニルジアミン（ＮＰＢ）から選ばれる１種であることが好ましく、厚さは、２０〜６０ｎｍであることが好ましい。正孔輸送層１３０の材料としてＮＰＢを用い、厚さが４０ｎｍであることがさらに好ましい。
【００２３】
電子阻止層１４０の材料は、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、炭酸リチウム（Ｌｉ2 ＣＯ3 ）、酸化リチウム（Ｌｉ2 Ｏ）、および塩化リチウム（ＬｉＣｌ）から選ばれる１種であることが好ましく、厚さは、０．７〜５ｎｍであることが好ましい。
【００２４】
発光層１５０の材料は、有機発光材料、または、ゲスト材料として有機発光材料をホスト材料にドープして組み合わせた混合材料であり、且つ、ドープされたゲスト材料の質量比が１％〜２０％である。ホスト材料は、正孔輸送材料および電子輸送材料から選ばれる１種または２種であり、発光層１５０の厚さは、２〜５０ｎｍであることが好ましい。
【００２５】
その中で、有機発光材料は、４−（ジシアノメチレン）−２−ブチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル−ビニル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＪＴＢ）、８−トリス−ヒドロキシキノリン  アルミニウム（Ａｌｑ3 ）、ビス（４，６−ジフルオロフェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ2 ）ピコリナトイリジウム（ＦＩｒｐｉｃ）、ビス（２−メチル−ジフェニル［ｆ，ｈ］キノキサリン）（アセチルアセトナト）イリジウム（Ｉｒ（ＭＤＱ）2 （ａｃａｃ））、およびトリ（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）3 ）から選ばれる少なくとも一種であり、正孔輸送材料は、１，１−ビス［４−［Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）アミノ］フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ビフェニルジアミン（ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリ（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、およびＮ，Ｎ’−（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ビフェニルジアミン（ＮＰＢ）から選ばれる１種であり、電子輸送材料は、２−（４−ビフェニルイル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、８−トリス−ヒドロキシキノリン  アルミニウム（Ａｌｑ3 ）、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（Ｂｐｈｅｎ）、１，２，４−トリアゾール誘導体（例えば、ＴＡＺ）、またはＮ−アリールベンゾイミダゾール（ＴＰＢＩ）からなる選ばれる１種である。
【００２６】
発光層１５０の材料としてＡｌｑ3 を用い、厚さが３０ｎｍであることがさらに好ましい。
【００２７】
電子輸送層１６０の材料は、２−（４−ビフェニルイル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル−１，３，４−オキサジアゾール、８−トリス−ヒドロキシキノリン  アルミニウム、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、１，２，４−トリアゾール誘導体、およびＮ−アリールベンゾイミダゾールから選ばれる１種であることが好ましく、厚さは、４０〜８０ｎｍであることが好ましい。電子輸送層１６０の材料としてＢｐｈｅｎを用い、厚さが６０ｎｍであることがさらに好ましい。
【００２８】
電子注入層１７０の材料は、炭酸セシウム（Ｃｓ2 ＣＯ3 ）、アジドセシウム（ＣｓＮ３）、およびフッ化リチウム（ＬｉＦ）から選ばれる１種であり、厚さが０．５〜１０ｎｍであることが好ましい。電子注入層１７０の材料としてＣｓＮ3 を用い、厚さが５ｎｍであることがさらに好ましい。
【００２９】
陰極１８０の材料は、銀（Ａｇ）、アルミ（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、および金（Ａｕ）から選ばれる１種であり、厚さは、８０〜２５０ｎｍであることが好ましい。陰極１８０の材料としてＡｇを用い、厚さが１００ｎｍであることがさらに好ましい。
【００３０】
当該ポリマー電界発光素子は、無機電子阻止層としてリチウム化合物を製造することにより、材料が安価、且つ容易に入手でき、最も重要なことは、その仕事関数がわりに低く、２．０ｅＶの程度に到達して、発光層との間に約１．０ｅＶの遷移のポテンシャルバリヤを形成することができ、また、電子をできるだけ発光層に制限して正孔と結合させることができる。それにより、励起子の結合確率を向上させ、ひいては、発光効率を向上させ、素子の製造効率を大幅に向上させることができる。
【００３１】
本実施形態では、図２に示すように、下記の工程を備えるポリマー電界発光素子の製造方法をさらに提供する。
工程Ｓ１：陽極導電性基板を提供し、それに対して表面処理を行う。
好ましくは、先ず、提供された陽極導電性基板に対して、基板の表面の不浄物を除去するように、順次に、洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、およびイソプロパノールを用いて、それぞれ、一定時間で超音波処理を行い、次に、洗浄した後の陽極導電性基板に対してさらに表面処理を行い、例えば、酸素プラズマ処理などを用いてもよく、酸素プラズマ処理の時間は、２〜１５分間にしてもよく、電力は、１０〜５０Ｗである。電力が３５Ｗである酸素プラズマを用いて、陽極導電性基板に対して５分間処理を行うことが好ましい。
【００３２】
工程Ｓ２：陽極導電性基板に、順次に、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、電子輸送層、電子注入層、および陰極を真空蒸着させて、前記ポリマー電界発光素子を得る。その中、電子阻止層の材料は、フッ化リチウム、炭酸リチウム、酸化リチウム、および塩化リチウムからなる選ばれる１種である。
【００３３】
当該製造プロセスの原理は簡単であり、原料が入手しやすく、製造効率が高いので、幅広く用いられる。
【００３４】
以下、具体的な実施例について説明する。
以下の各実施例で用いられた設備は、下記の通りである。高真空蒸着設備（瀋陽科学儀器研制中心有限公司、圧力＜１×１０-3Ｐａ）、電流−電圧測定器（米国Ｋｅｉｔｈｌｙ社、型番：２６０２）、電界発光分光測定計（米国ｐｈｏｔｏ  ｒｅｓｅａｒｃｈ社、型番：ＰＲ６５０）、およびスクリーン輝度計（北京師範大学、型番：ＳＴ−８６ＬＡ）。
【００３５】
実施例１：ＩＴＯ／ＭｏＯ3 ／ＮＰＢ／ＬｉＦ／Ａｌｑ3 ／Ｂｐｈｅｎ／ＣｓＮ3 ／Ａｇ
ＩＴＯガラス基板を提供し、適宜な形状に切断した後、順次に洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、イソプロパノールを使用してそれぞれ１５分間超音波処理を行って、基板表面の不浄物を除去し、よく洗浄した後、それに対して酸素プラズマ処理を５分間行い、電力は３５Ｗである。
【００３６】
真空蒸着によって正孔注入層を製造し、材料はＭｏＯ3 を用い、厚さは４０ｎｍである。
真空蒸着によって正孔輸送層を製造し、材料はＮＰＢを用い、厚さは４０ｎｍである。
真空蒸着によって電子阻止層を製造し、材料はＬｉＦであり、厚さは１．５ｎｍである。
真空蒸着によって発光層を製造し、材料はＡｌｑ3 を用い、厚さは３０ｎｍである。
真空蒸着によって電子輸送層を製造し、材料はＢｐｈｅｎを用い、厚さは６０ｎｍである。
真空蒸着によって電子注入層を製造し、材料はＣｓＮ3 を用い、厚さは５ｎｍである。
真空蒸着によって陰極を製造し、材料はＡｇを用い、厚さは１００ｎｍであり、前記ポリマー電界発光素子を得た。
【００３７】
図３は、本実施例に係る電子阻止層を含む素子のエネルギー準位を示す図である。実線は、従来の有機材料を用いて製造された電子阻止層のエネルギー準位の構造を示すものである。点線は、本実施例のＬｉＦ電子阻止層を加えた後、ＬＵＭＯエネルギー準位が向上された結果を示すものである（エネルギー準位は、下から上へ向かうにつれて数値が小さくなる）。エネルギー準位が向上された後、電子が阻止層に通り抜けるポテンシャルバリヤは大きくなり、これにより、電子を発光層に制限して正孔と結合させて発光させ、発光効率を向上させる。
【００３８】
実施例２：ＩＺＯ／ＷＯ3 ／ＴＰＤ／Ｌｉ2ＣＯ3 ／ＤＣＪＴＢ／ＰＢＤ／Ｃｓ2 ＣＯ3 ／Ａｌ
ＩＺＯガラス基板を提供し、適宜な形状に切断した後、順次に洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、イソプロパノールを使用してそれぞれ１５分間超音波処理を行って、基板表面の不浄物を除去し、よく洗浄した後、それに対して酸素プラズマ処理を２分間行い、電力は５０Ｗである。
【００３９】
真空蒸着によって正孔注入層を製造し、材料はＷＯ3 を用い、厚さは２０ｎｍである。
真空蒸着によって正孔輸送層を製造し、材料はＴＰＤを用い、厚さは５０ｎｍである。
真空蒸着によって電子阻止層を製造し、材料はＬｉ2 ＣＯ3 であり、厚さは５ｎｍである。
真空蒸着によって発光層を製造し、材料はＤＣＪＴＢを用い、厚さは５０ｎｍである。
真空蒸着によって電子輸送層を製造し、材料はＰＢＤを用い、厚さは８０ｎｍである。
真空蒸着によって電子注入層を製造し、材料はＣｓ2 ＣＯ3 を用い、厚さは１０ｎｍである。
真空蒸着によって陰極を製造し、材料はＡｌを用い、厚さは２５０ｎｍであり、前記ポリマー電界発光素子を得た。
【００４０】
実施例３：ＡＺＯ／Ｖ2 Ｏ5 ／ＴＡＰＣ／Ｌｉ2 Ｏ／ＴＰＢＩ：Ｉｒ（ｐｐｙ）3 ／ＴＡＺ／ＣｓＮ3 ／Ａｕ
ＡＺＯガラス基板を提供し、適宜な形状に切断した後、順次に洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、イソプロパノールを使用してそれぞれ１５分間超音波処理を行って、基板表面の不浄物を除去し、よく洗浄した後、それに対して酸素プラズマ処理を１５分間行い、電力は１０Ｗである。
【００４１】
真空蒸着によって正孔注入層を製造し、材料はＶ2 Ｏ5 を用い、厚さは６０ｎｍである。
真空蒸着によって正孔輸送層を製造し、材料はＴＡＰＣを用い、厚さは６０ｎｍである。
真空蒸着によって電子阻止層を製造し、材料はＬｉ2 Ｏであり、厚さは２ｎｍである。
真空蒸着によって発光層を製造し、材料はＴＰＢＩ：Ｉｒ（ｐｐｙ）3 を用い、厚さは１０ｎｍであり、その中で、Ｉｒ（ｐｐｙ）3 が発光層にドープされた質量百分率は１５％である。
真空蒸着によって電子輸送層を製造し、材料はＴＡＺを用い、厚さは４０ｎｍである。
真空蒸着によって電子注入層を製造し、材料はＣｓＮ3 を用い、厚さは５ｎｍである。
真空蒸着によって陰極を製造し、材料はＡｕを用い、厚さは８０ｎｍであり、前記ポリマー電界発光素子を得た。
【００４２】
実施例４：ＦＴＯ／Ｖ2 Ｏ5 ／ＴＡＰＣ／ＬｉＦ／ＴＰＢＩ：Ｉｒ（ＭＤＱ）2 （ａｃａｃ）／ＴＰＢＩ／Ｃｓ2 ＣＯ3 ／Ａｕ
ＦＴＯガラス基板を提供し、適宜な形状に切断した後、順次に洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、イソプロパノールを使用してそれぞれ１５分間超音波処理を行って、基板表面の不浄物を除去し、よく洗浄した後、それに対して酸素プラズマ処理を１０分間行い、電力は３０Ｗである。
【００４３】
真空蒸着によって正孔注入層を製造し、材料はＶ2 Ｏ5を用い、厚さは４０ｎｍである。
真空蒸着によって正孔輸送層を製造し、材料はＴＡＰＣを用い、厚さは６０ｎｍである。
真空蒸着によって電子阻止層を製造し、材料はＬｉＦであり、厚さは０．５ｎｍである。
真空蒸着によって発光層を製造し、材料はＴＰＢＩ：Ｉｒ（ＭＤＱ）2 （ａｃａｃ）を用い、厚さは２ｎｍであり、その中で、Ｉｒ（ＭＤＱ）2 （ａｃａｃ）が発光層にドープされた質量百分率は１％である。
真空蒸着によって電子輸送層を製造し、材料はＴＰＢＩを用い、厚さは５０ｎｍである。
真空蒸着によって電子注入層を製造し、材料はＣｓ2 ＣＯ3 を用い、厚さは０．５ｎｍである。
真空蒸着によって陰極を製造し、材料はＡｕを用い、厚さは８０ｎｍであり、前記ポリマー電界発光素子を得た。
【００４４】
実施例５：ＩＴＯ／ＭｏＯ3 ／ＴＣＴＡ／ＬｉＣｌ／ＴＰＢＩ：Ｆｉｒｐｉｃ／Ａｌｑ3 ／ＣｓＮ3 ／Ｐｔ
ＩＴＯガラス基板を提供し、適宜な形状に切断した後、順次に洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、イソプロパノールを使用してそれぞれ１５分間超音波処理を行って、基板表面の不浄物を除去し、よく洗浄した後、それに対して酸素プラズマ処理を８分間行い、電力は４０Ｗである。
【００４５】
真空蒸着によって正孔注入層を製造し、材料はＭｏＯ3 を用い、厚さは８０ｎｍである。
真空蒸着によって正孔輸送層を製造し、材料はＴＣＴＡを用い、厚さは３０ｎｍである。
真空蒸着によって電子阻止層を製造し、材料はＬｉＣｌであり、厚さは４ｎｍである。
真空蒸着によって発光層を製造し、材料はＴＰＢＩ：Ｆｉｒｐｉｃを用い、厚さは２５ｎｍであり、その中で、Ｆｉｒｐｉｃが発光層にドープされた質量百分率は２０％である。
真空蒸着によって電子輸送層を製造し、材料はＡｌｑ3 を用い、厚さは３５ｎｍである。
真空蒸着によって電子注入層を製造し、材料はＣｓＮ3 を用い、厚さは７ｎｍである。
真空蒸着によって陰極を製造し、材料はＰｔ用い、厚さは８０ｎｍであり、前記ポリマー電界発光素子を得た。
【００４６】
比較例  ＩＴＯ／ＭｏＯ3 ／ＮＰＢ／Ａｌｑ3 ／Ｂｐｈｅｎ／ＣｓＮ3 ／Ａｇ
ＩＴＯガラス基板を提供し、適宜な形状に切断した後、順次に洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、イソプロパノールを使用してそれぞれ１５分間超音波処理を行って、基板表面の不浄物を除去し、よく洗浄した後、それに対して酸素プラズマ処理を５分間行い、電力は３５Ｗである。
【００４７】
真空蒸着によって正孔注入層を製造し、材料はＭｏＯ3 を用い、厚さは４０ｎｍである。
真空蒸着によって正孔輸送層を製造し、材料はＮＰＢを用い、厚さは４０ｎｍである。
真空蒸着によって発光層を製造し、材料はＡｌｑ3 を用い、厚さは３０ｎｍである。
真空蒸着によって電子輸送層を製造し、材料はＢｐｈｅｎを用い、厚さは６０ｎｍである。
真空蒸着によって電子注入層を製造し、材料はＣｓＮ3 を用い、厚さは５ｎｍである。
真空蒸着によって陰極を製造し、材料はＡｇを用い、厚さは１００ｎｍであり、前記ポリマー電界発光素子を得た。
【００４８】
図４は、輝度と発光効率との関係を示すグラフである。その中で、曲線１は、実施例１で製造された素子の輝度と発光効率との関係を示すグラフであり、曲線２は、比較例で製造された素子の輝度と発光効率との関係を示すグラフである。図４から分かるように、異なる輝度において、実施例１の発光効率それぞれは、比較例に比べて大きく、最大の発光効率は、１３．７ｌｍ／Ｗである。これに対して、比較例は、１０．３ｌｍ／Ｗのみである。これは、無機電子阻止層を用いる場合、電子をできるだけ発光層に制限して正孔と結合させて、それにより、励起子の結合確率を向上させ、ひいては発光効率を向上させ、発光効率の向上に寄与することを明らかにした。
【００４９】
以上の実施例は、本発明のいくつかの実施形態のみについてより具体的、詳しく説明したが、本発明の特許請求の範囲は、これらの実施形態により限定されるものではない。当業者にとって、本発明の要旨を逸脱しない範囲内においてさまざまな変更および改善を行い得る。かかる変更及び改善はすべて本発明の保護範囲に属することは、自明なことである。従って、本発明の特許請求の保護範囲は、添付する請求項を基準とする。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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