(57)【要約】  一次放射を生成する１つ以上のオプトエレクトロニクス半導体チップ（３）と、  半導体チップ（３）の放射主面（３０）に設けられ、一次放射を少なくとも一部二次放射に変換するよう構成された変換手段プレート（４）と、  を有し、  変換手段プレート（４）は、マトリクス材料（４２）と、当該マトリクス材料中に内包された変換手段粒子（４３）とを含んでおり、  変換手段プレート（４）は、半導体チップ（３）の最も近くにある１つ以上の変換層（４１ａ、４１ｂ）を有しており、変換層中には、変換手段粒子（４３）が、単独でまたは任意選択的な拡散手段粒子（４５）とともに、５０％以上の体積分率で存在しており、  変換手段プレート（４）は、半導体チップ（３）から最も遠くにある結合層（４１ｃ）を有しており、結合中において、変換手段粒子（４３）は２．５％以下の体積分率を有しているオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１）。
2015524620.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一次放射を生成する１つ以上のオプトエレクトロニクス半導体チップ（３）と、
前記半導体チップ（３）の放射主面（３０）に設けられ、前記一次放射の少なくとも一部を二次放射に変換するよう構成された変換手段プレート（４）と、
を有するオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１）であって、
前記変換手段プレート（４）は、マトリクス材料（４２）と、当該マトリクス材料中に内包された変換手段粒子（４３）とを含んでおり、
前記変換手段プレート（４）は、前記半導体チップ（３）の最も近くにある１つ以上の変換層（４１ａ、４１ｂ）を有しており、前記変換層中には、前記変換手段粒子（４３）が、単独でまたは任意選択的な拡散手段粒子（４５）とともに、５０％以上の体積分率で存在しており、
前記変換手段プレート（４）は、前記半導体チップ（３）から最も遠くにある結合層（４１ｃ）を有しており、前記結合中において、前記変換手段粒子（４３）は２．５％以下の体積分率を有している、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１）。
【請求項２】
前記変換手段プレート（４）は、１つ以上の第１の変換層（４１ａ）、および、当該第１の変換層と前記結合との間に設けられた第２の変換層（４１ｂ）を有しており、
前記第１の変換層（４１ａ）は、長波長放射を生成する第１の変換手段粒子（４３ａ）を含んでおり、
前記第２の変換層（４１ｂ）は、短波長放射を生成する第２の変換手段粒子（４３ｂ）を含んでおり、
前記第１の変換手段粒子（４３ａ）は、前記第２の変換手段粒子（４３ｂ）より小さい平均粒径を有しており、
前記第１および第２の変換手段粒子は、単独でまたは前記拡散手段粒子とともに、それぞれ密に充填されて存在している、
請求項１記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１）。
【請求項３】
前記変換層（４１ａ、４１ｂ）および前記結合層（４１ｃ）は、マトリクス材料をそれぞれ含んでおり、前記マトリクス材料中に前記変換手段粒子（４３）が内包され、前記マトリクス材料は、シリコーン、エポキシまたはシリコーン−エポキシハイブリッド材料である、請求項１または２記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１）。
【請求項４】
前記変換手段プレート（４）は、２つ以上のまたはただ２つの変換層（４１ｂ）を含んでおり、
前記半導体チップ（３）に最も近い前記変換層（４１ａ）は、赤色光を生成する第１の変換手段粒子（４３ａ）を含んでおり、
前記第２の変換層（４１ｂ）は、緑色光を生成する第２の変換手段粒子（４３ｂ）を含んでおり、
前記第１の変換手段粒子（４３ａ）は、前記第２の変換手段粒子（４３ｂ）よりも小さい平均粒径を有しており、
前記第１の変換手段粒子（４３ａ）および前記第２の変換手段粒子（４３ｂ）は、単独でまたは任意選択的な拡散手段粒子とともに、それぞれ密に充填されて存在している、
請求項１から３のいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１）。
【請求項５】
前記変換層（４１ａ、４２ｂ）および前記結合層（４１ｃ）は、直接互いに連続しており、
前記第１の変換手段粒子（４３ａ）は０．５μｍ以上５．０μｍ以下の平均粒径を有しており、
前記第２の変換手段粒子（４３ｂ）は５μｍ以上２５μｍ以下の平均粒径を有している、
請求項４記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１）。
【請求項６】
支持面（２０）を有する支持体（２）をさらに有しており、
前記半導体チップ（３）は前記支持面（２０）に設けられており、
前記変換手段プレート（４）は、前記支持体（２）から離れている、
請求項１から５のいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１）。
【請求項７】
前記変換手段粒子（４３）は少なくとも一部互いに接触しており、前記変換手段粒子（４３）の間には場所によってマトリクス材料（４２）が存在しない、請求項１から６のいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１）。
【請求項８】
前記変換手段プレート（４）は、３０μｍ以上３００μｍ以下の厚さを有しており、
前記結合層（４１ｃ）は、前記変換手段プレート（４）の厚さの７０％以上の割合を構成している、
請求項１から７のいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１）。
【請求項９】
前記結合層（４１ｃ）と、直接隣接する前記変換層（４１ａ、４１ｂ）との間の移行領域は、前記変換層（４１ａ、４１ｂ）の変換手段粒子の平均粒径の１．５倍以下の厚さである、請求項１から８のいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１）。
【請求項１０】
２つ以上の前記変換層（４１ａ、４１ｂ）を有しており、
前記半導体チップ（３）のより近くにある前記第１の変換層（４１ａ）は、前記第２の変換層（４３ｂ）の変換手段粒子（４３ｂ）をさらに含んでおり、
前記第２の変換層（４３ｂ）は、前記半導体チップ（３）のより近くにある前記第１の変換層（４１ａ）の前記変換手段粒子（４３ａ）を含んでいない、
請求項１から９のいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１）。
【請求項１１】
前記変換手段プレート（４）は、前記放射主面（３０）によって境界付けられており、水平方向において前記半導体チップ（３）を超えていない、請求項１から１０のいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１）。
【請求項１２】
前記変換手段プレート（４）は前記拡散手段粒子（４５）を含んでおり、
前記拡散手段粒子（４５）は放射透過性材料から構成されており、
前記拡散手段粒子（４５）の平均粒径は、２μｍ以上６μｍ以下であり、
前記拡散手段粒子（４５）の体積分率は、前記１つ以上の変換層（４１ａ、４１ｂ）において２．５％以下であり、前記結合層（４１ｃ）において１．０％以上２０％以下である、請求項１から１１のいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１）。
【請求項１３】
マトリクス材料（４２）と当該マトリクス材料中に内包された変換手段粒子（４３）とを含むオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１）のための変換手段プレート（４）であって、
前記変換手段プレート（４）は、１つ以上の変換層（４１ａ、４１ｂ）を有しており、前記１つ以上の変換層中には、前記変換手段粒子（４３）が、単独でまたは任意選択的な拡散手段粒子（４５）とともに、５０％以上の体積分率で存在しており、
前記変換手段プレート（４）は、結合層（４１ｃ）を有しており、当該結合中には、変換手段粒子（４３）が０．５％以下の体積分率で含まれており、
前記変換手段プレート（４）は、物理的に自立している、
ことを特徴とする変換手段プレート（４）。
【請求項１４】
前記変換手段プレート（４）は、１つ以上の第１の変換層（４１ａ）と１つの第２の変換層（４１ｂ）とを有しており、前記第２の変換層は前記第１の変換層と前記結合との間に設けられており、
前記第１の変換層（４１ａ）は、長波長放射を生成する第１の変換手段粒子（４３ａ）を含んでおり、前記第２の変換層（１４ｂ）は、短波長放射を生成する第２の変換手段粒子（４３ｂ）を含んでおり、但し、前記第１の変換手段粒子（４３ａ）は前記第２の変換手段粒子（４３ｂ）よりも小さい平均粒径を有しており、
前記第１および前記第２の変換手段粒子は、単独でまたは前記拡散手段粒子とともに、それぞれ密に充填されて存在している、
請求項１３記載の変換手段プレート（４）。
【請求項１５】
前記１つ以上の変換層（４１ａ、４１ｂ）および前記結合層（４１ｃ）は、それぞれマトリクス材料を含んでおり、前記マトリクス材料中に前記変換手段粒子（４３）が内包されており、前記マトリクス材料は、シリコーン、エポキシまたはシリコーン−エポキシハイブリッド材料である、請求項１３または１４記載の変換手段プレート（４）。
【請求項１６】
オプトエレクトロニクス半導体デバイス（１）のための変換手段プレート（４）の製造方法であって、
前記変換手段プレートは、マトリクス材料（４２）と当該マトリクス材料（４２）中に内包された変換手段粒子（４３）とを含んでおり、
前記変換手段プレート（４）は、１つ以上の変換層（４１ａ、４１ｂ）を含んでおり、前記１つ以上の変換層中には、前記変換手段粒子（４３）が、単独でまたは任意選択的な拡散手段粒子（４５）とともに、５０％以上の体積分率で存在しており、
前記変換手段プレート（４）は、結合層（４１ｃ）を含んでおり、当該結合中には、前記変換手段粒子（４３）が０．５％以下の体積分率で含まれており、
前記変換手段プレート（４）は、物理的に自立しており、
前記方法は、
一面（６０）を有する中間支持体（６）を用意するステップと、
前記一面（６０）上に変換手段粒子（４３）を被着させるステップと、
前記マトリクス材料（４２）を前記変換手段粒子（４３）上に被着させるステップと、
前記マトリクス材料（４２）を硬化させるステップと、
前記中間支持体（６）から前記変換手段プレート（４）を分離させるステップと、を含んでおり、
前記変換手段粒子（４３）を被着させるステップは電気泳動によって行われる、
ことを特徴とする方法。
【請求項１７】
前記マトリクス材料を被着させるステップは、前記変換手段粒子（４３）を被着させるステップの後に行う、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
前記中間支持体（６）には、電気絶縁されたマスク層（７）が設けられており、
前記マスク層（７）は、複数の開口（７４）を有しており、
前記変換手段粒子（４３）および前記マトリクス材料（４２）は、前記開口（７４）内に集中的に被着され、
平面図で見た前記変換手段プレート（４）の形状は、前記開口（７４）によって予め定められている、
請求項１６または１７記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はオプトエレクトロニクス半導体デバイスに関する。さらに、本発明は、オプトエレクトロニクス半導体デバイスのための変換手段プレートおよび変換手段プレートの製造方法に関する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００２】
解決課題は、効率的に製造可能な変換手段プレートを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００３】
この課題は、とりわけ、独立請求項に記載の特徴を有する、オプトエレクトロニクス半導体デバイス、変換手段プレートおよび方法によって解決される。好ましい改善が従属請求項の対象である。
【０００４】
１つ以上の実施形態では、オプトエレクトロニクス半導体デバイスは、１つ以上のオプトエレクトロニクス半導体チップを有している。半導体チップは一次放射を生成するよう構成されている、一次放射は好ましくは紫外放射、青色光または緑色光を含む。好ましくは、半導体チップは、発光ダイオードチップ（略してＬＥＤチップ）である。したがって、半導体デバイスは発光ダイオードモジュールであってよい。
【０００５】
１つ以上の実施形態では、半導体デバイスは、１つ以上の変換手段プレートを有している。変換手段プレートは、一次放射を一部または完全に吸収し、一部または完全に二次放射に変換するよう構成されている。二次放射は、とりわけ、一次放射よりも長い波長を有している。二次放射のスペクトル範囲は、一次放射のスペクトル範囲を超えてもよい。
【０００６】
１つ以上の実施形態では、変換手段プレートは、半導体チップの放射主面に直接または間接的に設けられている。これは、変換手段プレートが放射主面に接触するか、または、放射主面と変換手段プレートとの間に変換手段プレートの固定のための結合手段のみが存在していることを意味しうる。半導体チップの放射主面は、とりわけ、半導体チップが所望の用途において放射の実質的な一部を発する主面である。たとえば、放射主面は、支持体の反対側にある。放射主面は、半導体チップの放射透過性基板によって、または、エピタキシャル成長した半導体材料によって、または、半導体チップの封止層によって、構成されている。
【０００７】
１つ以上の実施形態では、変換手段プレートは、マトリクス材料を含んでいる。マトリクス材料は、好ましくは、一次放射および／または二次放射に対して透過性である。たとえば、マトリクス材料は、シリコーン、エポキシ、または、シリコーン−エポキシハイブリッド材料である。
【０００８】
１つ以上の実施形態では、変換手段プレートは、１種以上の変換手段粒子を含んでいる。変換手段粒子は、マトリクス材料中に内包されている。これは、変換手段粒子の少なくとも一部が直接にマトリクス材料中に存在していることを意味しうる。全ての変換手段粒子がマトリクス材料によって包囲されている必要は無い。
【０００９】
１つ以上の実施形態では、変換手段プレートは変換層を有している。変換層は、とりわけ、半導体チップの最も近くにある変換手段プレートの層である。変換層中には、変換手段粒子が存在する。
【００１０】
１つ以上の実施形態では、変換手段粒子は、単独でまたは任意選択的に存在する拡散手段粒子とともに、５０％以上または６０％以上の体積分率で存在する。換言すれば、変換手段粒子は変換層中に密にまたは実質的に密に充填されている。
【００１１】
１つ以上の実施形態では、変換手段プレートは、１つ以上の結合層を有している。結合層は、とりわけ、半導体チップから最も遠くにある変換手段プレートの層である。
【００１２】
１つ以上の実施形態では、結合層中の変換手段粒子の体積分率は、２．５％以下または１％以下または０．５％以下である。好ましくは、結合層は、変換手段粒子を含まない。しかし、結合層中には、拡散手段粒子が存在していてもよい。
【００１３】
１つ以上の実施形態では、結合層は、１つ以上の変換層の後に直接連続している。結合層によって、変換手段粒子の物理的結合が相互に形成される。結合層は、変換手段プレートを物理的に支持する層でありうる。
【００１４】
１つ以上の実施形態では、結合層および変換層は、それぞれマトリクス材料を含んでいる。とりわけ、結合層および変換層は、同じマトリクス材料を含んでいる。たとえば、変換手段粒子がマトリクス材料中に内包されている。
【００１５】
１つ以上の実施形態では、オプトエレクトロニクス半導体デバイスは、一次放射を生成する１つ以上のオプトエレクトロニクス半導体チップを有している。さらに、半導体デバイスは、半導体チップの放射主面に設けられ、一次放射を少なくとも一部二次放射に変換するよう構成された１つ以上の変換手段プレートを有している。変換手段プレートは、マトリクス材料と当該マトリクス材料中に内包された変換手段粒子とを含んでいる。さらに、変換手段プレートは、半導体チップの最も近くにある１つ以上の変換層を有している。１つ以上の変換層中には、変換手段粒子が存在している。変換手段粒子は、単独でまたは任意選択的に存在する拡散手段粒子とともに、変換層の５０％以上の体積分率を構成している。さらに、変換手段プレートは、半導体チップから最も遠くにある結合層を有している。結合層中には、２．５％以下の体積分率で変換手段粒子が存在している。
【００１６】
このような変換手段プレートは、電気泳動によって効率的に製造できる。さらに、このような変換手段プレートにおいては、変換手段粒子と半導体チップと間の良好な熱接触が形成可能である。
【００１７】
変換手段プレートを製造する別の可能性では、変換手段粒子をマトリクス材料中に混合し、変換層を変換手段粒子の沈殿によって形成する必要がある。しかし、このような沈殿には、使用可能な粒径に限界がある。さらに、隣りあう変換手段粒子の間には通常少なくとも僅かな割合のマトリクス材料は存在するため、変換層中の変換手段粒子の体積分率は比較的低い。
【００１８】
変換手段粒子を半導体チップ上に被着させる別の可能性では、変換手段粒子を半導体チップ上に直接、たとえば電気泳動によって堆積させる必要がある。しかし、この場合、プロセスの再現性が正確なジオメトリに依存し、さらに、半導体チップの実装の際の公差が、変換手段層の層厚さの変化によって生じる色への影響を含みうるため、デバイスの色制御が比較的困難である。
【００１９】
１つ以上の実施形態では、隣りあう変換手段粒子は直接接触する。換言すれば、変換手段粒子の少なくとも一部の間には場所によってマトリクス材料が存在しない。これにより、とりわけ大きい変換手段粒子の充填密度が実現可能である。
【００２０】
１つ以上の実施形態では、変換手段プレートは、ちょうど２つ、ちょうど３つ、または、４つ以上の変換層を有している。同様に、変換手段プレートは、ちょうど１つの変換層を有していてもよい。変換手段プレートは、複数の変換層を有しており、同じまたは異なる変換手段粒子を含んでいてよい。変換層は直接互いに連続していてもよい。
【００２１】
１つ以上の実施形態では、半導体チップの最も近くにある変換層は、第１の変換手段粒子を含んでいる。さらに、第２の変換層は、第２の変換手段粒子を含んでいる。第２の変換層は、半導体チップの最も近くにある変換層に連続している。
【００２２】
１つ以上の実施形態では、第１の変換手段粒子は、第２の変換手段粒子よりも長波長の放射を生成するよう構成されている。たとえば、第１の変換手段粒子によって青色光から赤色光が生成され、第２の変換手段粒子によって青色光から緑色光が生成される。その代わりに、第１の変換手段粒子が、第２の変換手段粒子と比べて、短波長の光を生成するよう構成されていてもよい。
【００２３】
１つ以上の実施形態では、半導体チップの最も近くにある変換層中に存在する第１の変換手段粒子は、第２の変換手段粒子よりも小さい平均粒径を有している。たとえば、平均粒径は、１．５倍以上、または、２倍以上、または、３倍以上異なっている。この代わりに、第１の変換手段粒子は、第２の変換手段粒子よりも大きい平均粒径を有していてもよい。
【００２４】
１つ以上の実施形態では、第１および／または第２の変換手段粒子は、それぞれ単独でまたは任意選択的に存在する拡散手段粒子とともに、変換層中にそれぞれ密に充填されている。とりわけ、変換手段粒子によって、単独でまたは任意選択的な拡散手段粒子とともに、変換層中に多数のつながった伝熱経路が形成されうる。変換手段粒子および／または拡散手段粒子は、好ましくは、パーコレーション閾値をはるかに超える濃度を有している。
【００２５】
１つ以上の実施形態では、変換手段粒子の体積分率は、単独でまたは任意選択的な拡散手段粒子とともに、対応する粒子の最密充填の７０％以上または８０％以上または９０％以上である。変換手段粒子は、たとえば、球形であり、無視できる粒径分布しか有さず、したがって、この変換手段粒子の最密充填は最密の球充填である。最密の球充填について、体積分率は約７４％である。
【００２６】
無視できない粒径分布を有する球状粒子の場合、体積分率は、球状粒子の最密球充填についての体積分率を超えうる。
【００２７】
１つ以上の実施形態では、第１および／または第２の変換手段粒子は、０．５μｍ以上または１．０μｍ以上の平均粒径を有している。代替的にまたは付加的に、平均粒径は、５．０μｍ以下または４．０μｍ以下または３．０μｍ以下である。
【００２８】
１つ以上の実施形態では、第２の変換手段粒子および／または第１の変換手段粒子は、５μｍ以上または７．５μｍ以上または１０μｍ以上の平均粒径を有している。代替的にまたは付加的に、平均粒径は、２５μｍ以下または２０μｍ以下または１５μｍ以下である。
【００２９】
１つ以上の実施形態では、半導体デバイスは、支持面を有する支持体を有している。支持体は、好ましくは、半導体デバイスを物理的に安定化して支持する構成要素である。半導体チップは、支持面に直接または間接的に設けられている。とりわけ、支持面と半導体チップとの間には、半導体チップの固定のための結合手段のみが存在している。
【００３０】
１つ以上の実施形態では、変換手段プレートは、支持体から離れて配置されている。すなわち、変換手段プレートは支持体と接触していない。支持体と変換手段プレートとの間の間隔は、たとえば、半導体チップの厚さ以上である。
【００３１】
１つ以上の実施形態では、変換手段プレートは、３０μｍ以上または５０μｍ以上または７０μｍ以上の厚さを有している。代替的にまたは付加的に、変換手段プレートの厚さは、３００μｍ以下または２００μｍ以下である。
【００３２】
１つ以上の実施形態では、結合層は、変換手段プレートの厚さの６０％以上または７０％以上または８０％以上の割合を有している。代替的にまたは付加的に、この割合は、９５％以下または９０％以下または８５％以下である。換言すれば、変換手段プレートの厚さの大部分は結合層から構成されている。
【００３３】
１つ以上の実施形態では、結合層と、直接隣接する変換層との間の移行領域は薄い。「薄い」とは、移行領域が、この隣接する変換層の変換手段粒子の平均粒径の１．５倍以下または１．０倍以下または０．５倍以下であることを意味しうる。２つの隣接する変換層の間の移行領域にも当てはまり、この場合特に、より小さい変換手段粒子の平均粒径が用いられる。換言すれば、これらの変換層の変換手段粒子は混合されず、個々の変換層は、互いに明確に画定されている。
【００３４】
１つ以上の実施形態では、半導体チップのより近くにある第１の変換層は、さらに、１つ以上の第２の変換層の変換手段粒子を含んでいる。第２の変換層の変換手段粒子の体積分率は、たとえば、２．５体積％以上または５体積％以上、および、代替的にまたは付加的に、２０体積％以下または１５体積％以下である。とりわけ、第２の変換層の変換手段粒子は、半導体チップのより近くにある第１の変換層の変換手段粒子よりも小さい平均粒径を有している。
【００３５】
１つ以上の実施形態では、半導体チップからより遠くにある第２の変換層は、半導体チップのより近くにある第１の変換層の変換手段粒子を含まない。換言すれば、半導体チップに向かっての変換手段粒子の混合は可能であるが、半導体チップから離れる方向においては阻止され、主として各変換層中に存在する変換手段粒子にそれぞれ基づきうる。
【００３６】
１つ以上の実施形態では、変換手段プレートは、半導体チップの放射主面に境界づけられている。変換手段プレートは水平方向において放射主面を超えていないかまたは有意に超えていなくともよい。同様に、変換手段プレートおよび半導体チップは、５μｍ以下または５０μｍ以下の公差で、周囲が水平方向において面一に終端していてもよい。
【００３７】
１つ以上の実施形態では、変換手段プレートは、拡散手段粒子を含んでいる。拡散手段粒子は、好ましくは、放射透過性材料から構成されている。たとえば、拡散手段粒子は、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物またはアルミニウム窒化物から構成されている。拡散手段粒子は、球状の基本形を有していてもよい。
【００３８】
１つ以上の実施形態では、拡散手段粒子は、２μｍ以下または３μｍ以下の平均粒径を有している。代替的にまたは付加的に、拡散手段粒子の平均粒径は、８μｍ以下または６μｍ以下または５μｍ以下である。
【００３９】
１つ以上の実施形態では、拡散手段粒子を含む１つ以上の変換層または全ての変換層中の拡散手段粒子の体積分率は、２０％以下または１０％以下または５％以下または２．５％以下である。さらに、拡散手段粒子は、結合層中に、１．０％以上または２．５％以上または５％以上の体積分率で存在していてもよい。結合層中のこの体積分率は、たとえば、３０％以下または２０％以下または１５％以下である。
【００４０】
変換手段プレートについては上述している。とりわけ、変換手段プレートは、１つ以上の上述の実施形態と関連して記載されるように、オプトエレクトロニクス半導体デバイスのためのものである。したがって、変換手段プレートの特徴は、オプトエレクトロニクス半導体デバイスについても開示され、またその逆も成り立つ。
【００４１】
１つ以上の実施形態では、変換手段プレートは物理的に自立している。これは、変換手段プレートがピック＆プレースマシンを用いてハンドリング可能であることを意味する。とりわけ、変換手段プレートは、物理的につながった、通常の使用では分解されないユニットを構成する。
【００４２】
さらに、オプトエレクトロニクス半導体デバイスのために使用される変換手段プレートの製造方法が記載されている。したがって、方法の特徴は、変換手段プレートについても、ならびに、オプトエレクトロニクス半導体デバイスについても開示され、またその逆も成り立つ。
【００４３】
１つ以上の実施形態では、本方法は、以下の、または、少なくとも以下のステップ、すなわち、
一面を有する中間支持体を用意するステップ、
該一面上に変換手段粒子を被着させるステップ、
変換手段粒子上にマトリクス材料を被着させるステップ、
マトリクス材料を硬化させるステップ、
変換手段粒子を中間支持体から分離するステップ、
を含んでいる。
【００４４】
１つ以上の実施形態では、変換手段粒子を被着させるステップは、電気泳動によって行われる。マトリクス材料は好ましくは液相プロセスによって、たとえば、吐出またはプリントによって被着される。
【００４５】
方法の１つ以上の実施形態では、マトリクス材料を被着するステップは、変換手段粒子を被着させるステップの後に行われる。換言すれば、全ての変換手段粒子は、マトリクス材料が用いられる前に被着されうる。
【００４６】
１つ以上の実施形態では、本方法は中間支持体を用いて行われる。中間支持体は支持面を有している。中間支持体には電気絶縁性マスク層が設けられており、中間支持体の一面にそのようなマスク層が被着されている。マスク層は、好ましくは、複数の開口を有している。開口は、変換手段粒子が電気泳動によって開口内に集中して堆積されるように構成されている。
【００４７】
１つ以上の実施形態では、開口内には電気伝導性材料が存在している。電気伝導性材料は露出していてよく、中間支持体の一面を構成している。その代わりに、電気伝導性層が、マスク層よりも薄い、別の絶縁層によって覆われていてもよい。
【００４８】
方法の１つ以上の実施形態では、とりわけ平面図で見た変換手段プレートの形状は、開口によって予め定められている。開口はマトリクス材料に対して一種の成形金型として機能しうる。特に、変換手段プレートの分離は、中間支持体の分離後、行われなくともよい。
【００４９】
以下、本明細書中に記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス、本明細書中に記載の変換手段プレートおよび本明細書中に記載の方法を、図面を参照して、実施形態に基づいてより詳細に説明する。各図面において、同一の参照符号は、同一の要素を示す。しかし、図面は寸法を示すものではなく、むしろ、わかりやすくするために各要素を誇張して大きく示している。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本明細書中に記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイスの実施形態の概略的断面図である。
【図２】本明細書中に記載の実施形態の概略的断面図である。
【図３】本明細書中に記載の実施形態の概略的断面図である。
【図４】本明細書中に記載の実施形態の概略的断面図である。
【図５】本明細書中に記載の実施形態の概略的断面図である。
【図６】本明細書中に記載の変換手段プレートの本明細書中に記載の製造方法の概略図である。
【図７】本明細書中に記載の変換手段プレートの本明細書中に記載の製造方法の概略図である。
【図８】本明細書中に記載の変換手段プレートの本明細書中に記載の製造方法の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００５１】
図１はオプトエレクトロニクス半導体デバイスの実施例の断面図を示す。半導体デバイスは、支持面２０を有する支持体２を有している。好ましくは、支持体２は、オプトエレクトロニクス半導体チップ３との接続のための、図示しない導体路および電気接触構造を有している。さらに、支持体２は、図示しないヒートシンクを有している。
【００５２】
半導体チップ３は、好ましくは発光ダイオードチップであり、支持面２０に設けられている。半導体チップ３の放射主面３０は、支持体２の反対側にある。たとえば、半導体チップ３は、動作時に青色光を発する。
【００５３】
さらに、半導体デバイス１は、変換手段プレート４を有している。変換手段プレート４は、結合手段５によって、放射主面３０に被着されている。結合手段５の厚さは、好ましくは、６μｍ以下または４μｍ以下である。
【００５４】
変換手段プレート４は、変換層４１ａおよび結合層４１ｃを有している。２つの層４１ａ、４１ｃは、互いに直接連続しており、物理的に固定結合されている。図面中、変換手段プレート４の層４１ａ、４１ｃは、象徴的に、それぞれ破線によって相互に分けられている。
【００５５】
変換層４１ａ中には、変換手段粒子４３が密に充填されている。変換層４１ａにおける変換手段粒子４３の体積分率は、たとえば、約７５％である。変換手段粒子４３は、ほぼ球形に形成されている。変換手段粒子４３は、たとえば、希土類ドープされたガーネット、ケイ酸塩、窒化物、オルトケイ酸塩または酸窒化物に基づいている、たとえば、変換手段粒子４３は緑色光を生成するよう構成されている。
【００５６】
結合層４１ｃは、変換手段粒子４３を含まず、実質的にマトリクス材料４２からなる。マトリクス材料４２を介して、変換手段粒子４３は物理的に相互に結合されている。マトリクス材料４２によって、変換手段プレート４の物理的一体性が実現される。マトリクス材料４２はたとえば、メチルシロキサンまたはフェニルシロキサンである。結合層４１ｃの厚さは、好ましくは、変換層４１ａの厚さより大きい。
【００５７】
結合層４１ｃは、変換層４１ａとは反対側の面を有しており、当該面が、変換手段プレート４のプレート面４０を構成する。とりわけ、プレート面４０は変換手段プレート４の露出面である。すなわち、変換手段プレートの空間的拡がりは、プレート面４０によって画定される。
【００５８】
図２には、変換手段プレート４の別の実施形態が示されている。図４によれば、変換手段プレート４は、第１および第２の変換層４１ａ、４１ｂを有している。第２の変換層４１ｂは、第１の変換層４１ａと結合層４１ｃとの間に設けられている。第１の変換層４１ａ中の第１の変換手段粒子４３ａは、第２の変換層４１ｂ中の第２の変換手段粒子４３ｂよりも小さい粒径を有している。２つの変換層４１ａ、４１ｂは、ただ１つの薄い移行領域を含んでおり、第１および第２の変換手段粒子４３ａ、４３ｂは、互いに分離されており、混合されておらずまたは実質的に混合されていない。とりわけ、第１の変換層４１ａは、第２の変換層４１ｂよりも高い変換手段粒子の濃度を有している。すなわち、第１の変換層４１ａは、第２の変換層４１ｂよりも大きい変換手段粒子の体積分率を有している。たとえば、変換手段プレート４は、変換手段粒子の体積分率に関する勾配を有しており、第１の変換層４１ａの変換手段粒子の体積分率は、第２の変換層４１ｂの上、結合層４１ｃに向かって減少している。
【００５９】
より平均粒径の小さい変換手段粒子４３ａは、たとえば、赤色光を生成する変換手段である。より平均粒径の大きい変換手段粒子４３ｂは、とりわけ、緑色光を生成するように構成されている。より小さい変換手段粒子４３ａが半導体デバイス１の図示しない半導体チップにより近くにあることにより、図示しない半導体チップに向かってより良好な冷却が可能となる。さらに、この構成において、変換手段粒子４３ｂによって生成される緑色光の再吸収が低減可能である。
【００６０】
特に赤色を発する変換手段粒子はより高温で反応性が高く、さらに、放射スペクトルのより強い温度依存性を示すため、とりわけ下方の変換層４１ａの良好な冷却によって、より高い温度安定性およびより長い寿命が実現可能である。
【００６１】
代替的に又は付加的に、より強く光散乱作用する変換手段粒子が図示しない半導体チップとは反対側のプレート面４０に対してより近くにあってもよい。
【００６２】
これとは異なり、変換手段粒子４３ａ、４３ｂが一定濃度でプレート面４０に向かって存在しておらず、濃度勾配が設定されていてもよい。変換手段粒子４３ａ、４３ｂの体積分率がプレート面４０に向かう方向で減少していてもよい。プレート面４０に向かって、拡散手段粒子４５の体積分率が一定であるかまたは増大してもよい。プレート面４０に向かう方向の勾配が、体積分率に関してだけでなく、代替的に又は付加的に、変換手段粒子の粒径分布に関して存在してもよい。
【００６３】
図２に示されるものとは異なり、複数の異なる変換手段粒子４３ａ、４３ｂを用い、これらが、比較的広い移行領域において集中して混合されて被着されてもよい。
【００６４】
図３の変換手段プレート４の別の実施形態では、図２と比べるとり、変換手段粒子４３ａ、４３ｂの粒径に関して層が逆になっている。より小径の変換手段粒子４３ａがより大径の変換手段粒子４３ｂを含む変換層４１ａ中に一部達している。
【００６５】
これとは異なり、全ての他の実施形態においてもそうであるが、変換手段プレート４は３つ以上の変換層４１ａ、４１ｂを有していてもよい。たとえば、緑色光を生成する付加的な変換層が存在してもよい。
【００６６】
図４の実施形態では、変換手段プレート４は、付加的に拡散手段粒子４５（斜線でハッチングされている）を含んでいる。たとえばシリコン酸化物粒子から構成される拡散手段粒子４５が変換層４１ａ中および結合層４１ｃ中に存在しているか、または、これらの層４１ａ、４１ｃ中にのみ存在していてよい。拡散手段粒子４５の体積分率は、変換層４１ａ中において、結合層４１ｃの体積分率と異なっていてよく、または、同じであってもよい。このような拡散手段粒子４５は全ての他の実施形態において存在していてもよい。
【００６７】
図４によれば、半導体デバイス１中の半導体チップの反対側にあるプレート面４０は、湾曲して示されている。たとえば、プレート面４０は、凸レンズの形態で形成されている。この代わりに、プレート面４０は、また別の非平面状の形状、たとえば光結合向上のための構造または他のレンズ形状を有してよい。プレート面４０の一方は変換手段プレート４の反対側の下面であり、好ましくは、平坦で平面状に形成されている。
【００６８】
図５によれば、変換手段プレート４は、第１および第２の結合層４１ｃ、４１ｄ、ならびに、２つの結合層４１ｃ、４１ｄの間に存在する１つの散乱層４１ｅを有している。したがって、散乱層４１ｅは、変換層４１ａから離れている。プレート面４０により近い第１の結合層４１ｃは、示したものとは異なり、他方の第２の結合４１ｄよりも厚くてもよい。
【００６９】
図６には、変換手段プレート４の製造方法の実施形態が示されている。図６Ａによれば、中間支持体６が用意される。中間支持体６は、基板６１と、連続した導電性層６２とを有しており、導電性層６２は、たとえば透過性酸化物たとえばＩＴＯまたはアルミニウムドープ亜鉛酸化物からなる。同様に、導電性層６２は金属導体からなっていてもよい。
【００７０】
支持面６０には、開口７４を有するマスク層７が被着されている。マスク層７は、マトリクス材料に対して比較的低い接着性を有する材料、たとえば、ポリテトラフルオロエチレンからなっている。図の簡略化のため、図６中、マスク層７には１つの開口７４のみ示している。
【００７１】
図６Ｂによれば、変換手段粒子４３が開口７４内の導電性層６２上に堆積される。導電性層６２には、電気泳動のために電圧が印加される。粒子４３は密に充填されて堆積される。
【００７２】
とりわけ図２〜５と関連して記載しているように、変換材料および／または粒径分布に関して互いに異なっていてもよい異なる変換手段粒子、あるいは、付加的な、拡散材料または粒径分布の異なる拡散手段粒子が、異なる時点で電気泳動によって１つ以上の層中に堆積される。
【００７３】
図６Ｃの方法ステップにおいて、変換手段粒子４３上にマトリクス材料４２が被着される。図６Ｃによれば、開口７４は完全に満たされる。これとは異なり、マトリクス材料は、開口７４を越えてもよく、または、開口７４が完全に満たされなくともよい。
【００７４】
マトリクス材料４２は、好ましくは、変換手段粒子４３上に低粘度状態で被着され、液状のマトリクス材料４２が変換手段粒子４３の間の空隙を完全にまたは部分的に満たし、硬化後、物理的につながった変換手段プレート４が得られる。
【００７５】
図６Ｄによれば、実装用支持体８が被着され、これに対して、図６Ｅでは、変換手段プレート４はマスク層７とともに中間支持体６から分離されている。
【００７６】
変換手段プレート４の製造についての別の可能性が図７に示されている。図７では、導電性層６２が構造化されており、ビア６４によって基板６１に設けられた電極６３に接続されている。この製造ステップは図６の製造方法と同様にして実施可能である。
【００７７】
図８には、中間支持体６およびマスク層７の透視図が示されており、図８Ａには、全体図が示されている。図８Ｂおよび８Ｃには、詳細図が示されている。中間支持体６はここでは、複数の開口７４を有している。
【００７８】
図８Ｂにおいて、開口７４は、方形の基本形を有しており、角の１つには、凹部４４が存在している。凹部４４によって、変換手段プレート４中に半導体チップ接続用のボンディングワイヤのためのノッチが実現可能である。
【００７９】
図８Ｃによれば、２つの凹部４４が２つの反対側の側面に設けられており、これらによって、２つのボンディングワイヤ用のノッチが実現可能である。図８Ｂおよび８Ｃの図と異なって、対応する凹部４４は開口７４の中央に被着されてよく、または、図示とは異なる数で設けられていてもよい。
【００８０】
本明細書に記載される発明は実施形態に基づく記載によって限定されない。むしろ、この特徴またはこの組み合わせを請求項または実施形態において明確に記載されていなくとも、本発明は、各特徴および特徴の各組み合わせとりわけ請求項に記載の特徴の組み合わせを含む組み合わせを含む。
【００８１】
本願は、ドイツ連邦共和国特許出願１０  ２０１２  １０７２９０．６号の優先権を主張するものであり、その開示は本明細書に参照により含まれる。
【図１】
2015524620.tif 000003
【図２】
2015524620.tif 000004
【図３】
2015524620.tif 000005
【図４】
2015524620.tif 000006
【図５】
2015524620.tif 000007
【図６Ａ）】
2015524620.tif 000008
【図６Ｂ）】
2015524620.tif 000009
【図６Ｃ）】
2015524620.tif 000010
【図６Ｄ）】
2015524620.tif 000011
【図６Ｅ）】
2015524620.tif 000012
【図７】
2015524620.tif 000013
【図８Ａ）】
2015524620.tif 000014
【図８Ｂ）】
2015524620.tif 000015
【図８Ｃ）】
2015524620.tif 000016
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月4日(2015.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一次放射を生成する１つ以上のオプトエレクトロニクス半導体チップ（３）と、
前記半導体チップ（３）の放射主面（３０）に設けられ、前記一次放射の少なくとも一部を二次放射に変換するよう構成された変換手段プレート（４）と、
を有するオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１）であって、
前記変換手段プレート（４）は、マトリクス材料（４２）と、当該マトリクス材料中に内包された変換手段粒子（４３）とを含んでおり、
前記変換手段プレート（４）は、前記半導体チップ（３）の最も近くにある第１の変換層（４１ａ）を有しており、前記第１の変換層（４１ａ）中には、前記変換手段粒子（４３）が、単独でまたは任意選択的な拡散手段粒子（４５）とともに、５０％以上の体積分率で存在しており、
前記変換手段プレート（４）は、前記半導体チップ（３）から最も遠くにある結合層（４１ｃ）を有しており、前記結合層（４１ｃ）中において、前記変換手段粒子（４３）は２．５％以下の体積分率を有しており、
前記変換手段プレート（４）は、前記第１の変換層（４１ａ）と前記結合層（４１ｃ）との間に設けられた第２の変換層（４１ｂ）を有しており、
前記第１の変換層（４１ａ）は、長波長放射を生成する第１の変換手段粒子（４３ａ）を含んでおり、
前記第２の変換層（４１ｂ）は、短波長放射を生成する第２の変換手段粒子（４３ｂ）を含んでおり、
前記第１の変換手段粒子（４３ａ）は、前記第２の変換手段粒子（４３ｂ）より小さい平均粒径を有しており、
前記第１の変換層（４１ａ）は、前記第２の変換層（４１ｂ）よりも高い変換手段粒子濃度を有している、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１）。
【請求項２】
前記第１および第２の変換手段粒子は、単独でまたは前記拡散手段粒子とともに、それぞれ密に充填されて存在している、
請求項１記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１）。
【請求項３】
前記変換層（４１ａ、４１ｂ）および前記結合層（４１ｃ）は、マトリクス材料をそれぞれ含んでおり、前記マトリクス材料中に前記変換手段粒子（４３）が内包され、前記マトリクス材料は、シリコーン、エポキシまたはシリコーン−エポキシハイブリッド材料である、請求項１または２記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１）。
【請求項４】
前記変換手段プレート（４）は、２つ以上のまたはただ２つの変換層（４１ａ、４１ｂ）を含んでおり、
前記第１の変換層（４１ａ）は、赤色光を生成する前記第１の変換手段粒子（４３ａ）を含んでおり、
前記第２の変換層（４１ｂ）は、緑色光を生成する前記第２の変換手段粒子（４３ｂ）を含んでいる、
請求項１から３のいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１）。
【請求項５】
前記変換層（４１ａ、４１ｂ）および前記結合層（４１ｃ）は、直接互いに連続しており、
前記第１の変換手段粒子（４３ａ）は０．５μｍ以上５．０μｍ以下の平均粒径を有しており、
前記第２の変換手段粒子（４３ｂ）は５μｍ以上２５μｍ以下の平均粒径を有している、
請求項１から４のいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１）。
【請求項６】
支持面（２０）を有する支持体（２）をさらに有しており、
前記半導体チップ（３）は前記支持面（２０）に設けられており、
前記変換手段プレート（４）は、前記支持体（２）から離れている、
請求項１から５のいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１）。
【請求項７】
前記変換手段粒子（４３）は少なくとも一部互いに接触しており、前記変換手段粒子（４３）の間には場所によってマトリクス材料（４２）が存在しない、請求項１から６のいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１）。
【請求項８】
前記変換手段プレート（４）は、３０μｍ以上３００μｍ以下の厚さを有しており、
前記結合層（４１ｃ）は、前記変換手段プレート（４）の厚さの７０％以上の割合を構成している、
請求項１から７のいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１）。
【請求項９】
前記結合層（４１ｃ）と、直接隣接する前記変換層（４１ａ、４１ｂ）との間の移行領域は、前記変換層（４１ａ、４１ｂ）の変換手段粒子の平均粒径の１．５倍以下の厚さである、請求項１から８のいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１）。
【請求項１０】
前記半導体チップ（３）のより近くにある前記第１の変換層（４１ａ）は、前記第２の変換層（４１ｂ）の変換手段粒子（４３ｂ）をさらに含んでおり、
前記第２の変換層（４１ｂ）は、前記半導体チップ（３）のより近くにある前記第１の変換層（４１ａ）の前記変換手段粒子（４３ａ）を含んでいない、
請求項１から９のいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１）。
【請求項１１】
前記変換手段プレート（４）は、前記放射主面（３０）によって境界付けられており、水平方向において前記半導体チップ（３）を超えていない、請求項１から１０のいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１）。
【請求項１２】
前記変換手段プレート（４）は前記拡散手段粒子（４５）を含んでおり、
前記拡散手段粒子（４５）は放射透過性材料から構成されており、
前記拡散手段粒子（４５）の平均粒径は、２μｍ以上６μｍ以下であり、
前記拡散手段粒子（４５）の体積分率は、前記１つ以上の変換層（４１ａ、４１ｂ）において２．５％以下であり、前記結合層（４１ｃ）において１．０％以上２０％以下である、請求項１から１１のいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１）。
【請求項１３】
マトリクス材料（４２）と当該マトリクス材料中に内包された変換手段粒子（４３）とを含むオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１）のための変換手段プレート（４）であって、
前記変換手段プレート（４）は、第１の変換層（４１ａ）を有しており、前記第１の変換層（４１ａ）中には、前記変換手段粒子（４３）が、単独でまたは任意選択的な拡散手段粒子（４５）とともに、５０％以上の体積分率で存在しており、
前記変換手段プレート（４）は、結合層（４１ｃ）を有しており、当該結合層（４１ｃ）中には、変換手段粒子（４３）が０．５％以下の体積分率で含まれており、
前記変換手段プレート（４）は、第２の変換層（４１ｂ）を有しており、前記第２の変換層（４１ｂ）は前記第１の変換層（４１ａ）と前記結合層（４１ｃ）との間に設けられており、
前記第１の変換層（４１ａ）は、長波長放射を生成する第１の変換手段粒子（４３ａ）を含んでおり、
前記第２の変換層（４１ｂ）は、短波長放射を生成する第２の変換手段粒子（４３ｂ）を含んでおり、
前記第１の変換手段粒子（４３ａ）は前記第２の変換手段粒子（４３ｂ）よりも小さい平均粒径を有しており、
前記第１の変換層（４１ａ）は、前記第２の変換層（４１ｂ）よりも高い変換手段粒子濃度を有しており、
前記変換手段プレート（４）は、物理的に自立している、
ことを特徴とする変換手段プレート（４）。
【請求項１４】
赤色光を生成する前記第１の変換手段粒子（４３ａ）が設けられており、緑色光を生成する前記第２の変換手段粒子（４３ｂ）が設けられている、請求項１３記載の変換手段プレート（４）。
【請求項１５】
前記第１および前記第２の変換手段粒子は、単独でまたは前記拡散手段粒子とともに、それぞれ密に充填されて存在している、
請求項１３または１４記載の変換手段プレート（４）。
【請求項１６】
前記変換層（４１ａ、４１ｂ）および前記結合層（４１ｃ）は、それぞれマトリクス材料を含んでおり、前記マトリクス材料中に前記変換手段粒子（４３）が内包されており、前記マトリクス材料は、シリコーン、エポキシまたはシリコーン−エポキシハイブリッド材料である、請求項１３から１５のいずれか１項記載の変換手段プレート（４）。
【請求項１７】
オプトエレクトロニクス半導体デバイス（１）のための変換手段プレート（４）の製造方法であって、
前記変換手段プレートは、マトリクス材料（４２）と当該マトリクス材料（４２）中に内包された変換手段粒子（４３）とを含んでおり、
前記変換手段プレート（４）は、１つ以上の変換層（４１ａ、４１ｂ）を含んでおり、前記１つ以上の変換層中には、前記変換手段粒子（４３）が、単独でまたは任意選択的な拡散手段粒子（４５）とともに、５０％以上の体積分率で存在しており、
前記変換手段プレート（４）は、結合層（４１ｃ）を含んでおり、当該結合層（４１ｃ）中には、前記変換手段粒子（４３）が０．５％以下の体積分率で含まれており、
前記変換手段プレート（４）は、物理的に自立しており、
前記方法は、
一面（６０）を有する中間支持体（６）を用意するステップと、
前記一面（６０）上に変換手段粒子（４３）を被着させるステップと、
前記マトリクス材料（４２）を前記変換手段粒子（４３）上に被着させるステップと、
前記マトリクス材料（４２）を硬化させるステップと、
前記中間支持体（６）から前記変換手段プレート（４）を分離させるステップと、を含んでおり、
前記変換手段粒子（４３）を被着させるステップは電気泳動によって行われる、
ことを特徴とする方法。
【請求項１８】
前記マトリクス材料を被着させるステップは、前記変換手段粒子（４３）を被着させるステップの後に行う、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
前記中間支持体（６）には、電気絶縁されたマスク層（７）が設けられており、
前記マスク層（７）は、複数の開口（７４）を有しており、
前記変換手段粒子（４３）および前記マトリクス材料（４２）は、前記開口（７４）内に集中的に被着され、
平面図で見た前記変換手段プレート（４）の形状は、前記開口（７４）によって予め定められている、
請求項１７または１８記載の方法。
【国際調査報告】
2015524620.tif 000017
2015524620.tif 000018
2015524620.tif 000019
2015524620.tif 000020
2015524620.tif 000021
2015524620.tif 000022