(57)【要約】  【課題】少なくとも１つの、特に金属製の構成部分（２）、好適にはシリンダヘッド、高圧噴射ポンプのノズル体、ディーゼルインジェクションエンジンの構成要素またはバルブディスクを、低圧浸炭窒化法により、少なくとも１つの、好適には排気可能な処理室（４）内で製造するための方法、および、少なくとも１つの前記構成部分（２）の表層内に浸透させようとする炭素濃度と窒素濃度の所定の比率の調節を可能にする開ループ制御および／または閉ループ制御装置（１１）が提案されている。  【解決手段】少なくとも１つの処理段階で、炭素を発生するガスおよび窒素を発生するガス（８）が同時に前記処理室（４）内に供給される。少なくとも１つの前記構成部分（２）の表層内に浸透させようとする炭素濃度と窒素濃度との間の所定の比率に基づいて、前記処理室内に調節しようとする温度および／または圧力のための目標値を算出し、この目標値を所定の時間だけ前記処理室内で調整する。  【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの、特に金属製の構成部分（２）、好適にはシリンダヘッド、高圧噴射ポンプのノズル体、ディーゼルインジェクションエンジンの構成要素またはバルブディスクを、低圧浸炭窒化法により、少なくとも１つの、好適には排気可能な処理室（４）内で製造するための方法において、
少なくとも１つの処理段階で、炭素を発生するガスおよび窒素を発生するガス（８）を同時に前記処理室（４）内に供給し、少なくとも１つの前記構成部分（２）の表層内に浸透させようとする炭素濃度と窒素濃度の所定の比率に基づいて、前記処理室内に調節しようとする温度および／または圧力のための目標値を算出し、この目標値を所定の時間だけ前記処理室内で調整することを特徴とする、少なくとも１つの構成部分を製造するための方法。
【請求項２】
炭素を発生するガスとして、および窒素を発生するガスとして、同じガスを前記処理室内に供給する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ガスとして、アミン化合物、好適には脂肪族モノアミンを、第１級化合物、第２級化合物として、また第３級化合物としても選択するか、または脂肪族ジアミンまたはこれら２つから成る混合物を選択することを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
炭素および窒素を発生するガスとして、炭素と窒素の比率が３より小さいか３と同じである、炭素および窒素を発生するガスを選択することを特徴とする、請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
前記処理室に供給された、炭素を発生するガスの特に容積流の量、および前記処理室に供給された、窒素を発生するガスの特に容積流の量を、前記処理室内に発生される炭素と窒素の比率が３よりも小さくなるように、選択することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記処理室（４）内の圧力および／または温度を測定し、実際値として、前記算出された目標値に更新することを特徴とする、先行請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
温度のための前記実際値を、前記処理室（４）内の加熱装置（５）の制御を介して温度のための前記目標値に更新し、この際に、温度のための前記実際値が温度のための前記目標値よりも小さいときに、前記加熱装置（５）の温度を上昇させ、温度のための前記実際値が温度のための前記目標値よりも大きいときに、前記加熱装置（５）の温度を低下させることを特徴とする、先行請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
圧力のための前記実際値を、前記処理室（４）から導出されたガス量、特に容積流の調節を介して、圧力のための目標値とし、この際に、圧力のための前記実際値が圧力のための前記目標値よりも小さいときに、導出されるガス量を減少させ、また圧力のための前記実際値が圧力のための前記目標値よりも大きいときに、導出されるガス量を増加させることを特徴とする、先行請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記処理室（４）内の温度のための前記目標値を、少なくとも１回変更することを特徴とする、先行請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記処理室（４）内における少なくとも１回の加熱段階または少なくとも１回の冷却段階の後に続いて温度安定化段階を設けることを特徴とする、先行請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記処理室（４）内における圧力のための前記目標値を、少なくとも１回変更することを特徴とする、先行請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記処理室（４）内における前記目標圧力を、１００ｍｂａｒと同じかまたはそれよりも小さく、好適には２〜３０ｍｂａｒとすることを特徴とする、先行請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
温度のための前記目標値を、６５０℃〜１０５０℃の範囲内、好適には６５０℃〜９６０℃の範囲内とすることを特徴とする、先行請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
複数の処理段階を設け、これらの処理段階をそれぞれ１つの拡散段階によって互いに分離することを特徴とする、先行請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
少なくとも１つの前記構成部分（２）の表層内に浸透させようとする炭素濃度と窒素濃度の所定の比率を、少なくとも１つの前記構成部分（２）の表層内の所定の炭素浸透プロフィールおよび窒素浸透プロフィールに基づいて、少なくとも２つの処理段階で別々に選定することを特徴とする、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
少なくとも１つの、特に金属製の構成部分（２）、好適にはシリンダヘッド、高圧噴射ポンプのノズル体、ディーゼルインジェクションエンジンの構成要素、またはバルブディスクを、低圧浸炭窒化法により、少なくとも１つの、好適には排気可能な処理室（４）内で製造するための開ループ制御および／または閉ループ制御装置において、
少なくとも１つの処理段階で、前記処理室（４）内に同時に供給された炭素を発生するガスおよび窒素を発生するガス（８）の、少なくとも１つの前記構成部分（２）の表層内に浸透させようとする炭素濃度と窒素濃度の所定の比率に基づいて、前記処理室内（４）の温度および／または圧力のための目標値を算出するための手段（２５０）が設けられており、少なくとも１つの処理段階で前記処理室（４）内に調節しようとする、温度および／または圧力のための目標値を、所定の時間だけ前記処理室（４）内で調整する、閉ループ制御するための手段（２５５，２６０，２６５）が設けられていることを特徴とする、少なくとも１つの構成部分を製造するための開ループ制御および／または閉ループ制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、独立請求項の前文に記載した、少なくとも１つの構成部分を製造するための方法、および開ループ制御および／または閉ループ制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、浸炭窒化法について記載されており、この浸炭窒化法において、窒素の拡散浸透は、全プロセス中に行われるか、または元素的窒素がドナーガスとして使用される場合、好適には最後のプロセス段階においてのみ行われる。窒素ドナーとしては、特に分子的窒素、アンモニアおよびその他の窒素含有化合物が挙げられる。炭素ドナーは特に記載されていない。
【０００３】
特許文献２には、低圧浸炭窒化法について記載されており、この低圧浸炭窒化法においては、鋼部分がまず浸炭処理され、次いで窒素ドナーガスによって窒化処理される。炭素ドナーとして、アセチレン、プロパンおよびエチレンが記載されている。窒素ドナーとして、アンモニアを含有するドナーガスが挙げられている。窒素ドナーに関するその他の記載はない。
【０００４】
特許文献３には、鋼部分を浸炭処理するための方法について記載されており、この方法においては、加熱段階中にも、また拡散段階中にも、窒素を発生するガスが供給される。窒素ドナーとして、アンモニアおよび笑気が挙げられ、炭素ドナーとして、アセチレン、プロパンおよびエチレンが挙げられている。
【０００５】
前記特許文献２および特許文献３には、パルスモードでの低圧浸炭窒化法について記載されており、この場合、窒素化合物、例えばアンモニアまたは笑気が窒素ドナーガスとして使用され、この窒素化合物が、浸炭処理間の供給段階中に、および／または装入物の加熱時におよび／または続いて行われる炭素拡散段階時に、窒素を構成部分表面内に浸透させるために、処理室内に供給される。
【０００６】
方法により制約されて交互に行われる炭素供給段階および窒素供給段階によって、連続的な炭素および窒素の浸透を保証することはできない。従ってプロセス時間が延長される。何故ならば、炭素供給段階と窒素供給段階との間で、次の供給段階において炭素若しくは窒素の浸透を加速させるために、拡散段階を考慮しなければならないからである。
【０００７】
特許文献４には、金属の構成部分を浸炭窒化するための方法について記載されており、この場合、炭素と窒素を同時に構成部分表面に浸透させるために、アミン化合物、例えばメチルアミン、ジメチルアミンおよびジブチルアミンが、炭素ドナーおよび窒素ドナーとして使用される。この方法においては、炭素および窒素の増加した雰囲気を生成するために、アミンが高温（Ｔ＝１１００℃〜１２００℃）で処理室内に供給される。このプロセスは雰囲気圧下で実行される。
【０００８】
このような浸炭窒化法においては、１１００℃〜１２００℃の高い処理温度および雰囲気圧が問題である。このような高い温度においては、気相内および構成部分表面でのアミン化合物の反応率は、内側に位置する表面を有する複雑な構造、例えば孔または密に詰め込まれた構成部分装入物が、不均一に浸炭窒化される程度に高い。さらに、１ｂａｒのプロセス圧力は、装入物内および／または内側に位置する構造部例えば盲孔内でのドナーガスの拡散を著しく困難にする。装置技術的に見て、このような温度範囲は、高いプロセス圧力と相俟って、非常に多くの整備を必要とすると評価され得る。さらに、このような温度においては、安価な金属材料は粗粒化しやすくなり、構成部分の耐疲労性に不都合な影響を及ぼし、従って、より高価な材料を使用する必要があり、および／または細粒化するための追加的な熱処理段階を実施する必要がある。
【０００９】
さらに重要な観点は、以上のすべての低圧浸炭窒化法においては、炭素浸透および窒素浸透をコントロールするための閉ループ制御手段が設けられていないということである。しかしながら、表層内に浸透した炭素と窒素の比率は、結果として得られる材料特性および構成部分特性にとって決定的に重要である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】ドイツ連邦共和国特許公開第１９９０９６９４号明細書
【特許文献２】ドイツ連邦共和国特許第１０１１８４９４号明細書
【特許文献３】ドイツ連邦共和国特許公開第１０３２２２５５号明細書
【特許文献４】ソビエト連邦特許第１６８０７９８号明細書
【発明の概要】
【発明の効果】
【００１１】
これに対して、独立請求項の特徴を有する、少なくとも１つの構成部分を製造するための本発明による方法、および本発明による開ループ制御および／または閉ループ制御装置は、少なくとも１つの処理段階で、炭素を発生するガスおよび窒素を発生するガスが同時に処理室内に供給され、少なくとも１つの構成部分の表層内に浸透させようとする炭素濃度と窒素濃度の所定の比率に基づいて、処理室内に調節しようとする温度および／または圧力のための目標値が算出され、この目標値が所定の時間だけ処理室内で調整される、という利点を有している。このような形式で、連続的な炭素浸透および窒素浸透を保証することができる。炭素および窒素は同時に、およびひいては、交互の炭素供給段階および窒素供給段階の間でプロセスガス交換若しくは拡散段階を実施することなしに、供給される。これによって、プロセス時間が短縮される。さらに、低圧浸炭窒化は、密に詰め込まれた装入物または複雑な構成部分構造、例えば孔構造においても、均一な浸炭および窒化を可能にする。温度および／または圧力を閉ループ制御することによって、表層内に浸透された炭素濃度と窒素濃度の所定の比率を調節することができ、それによって、結果として得られる材料特性および構成部分特性に影響を及ぼすことができる。
【００１２】
従属請求項に記載した手段によって、独立請求項に記載した方法の好適な実施態様および改良が可能である。
【００１３】
特に好適には、炭素を発生するガスとして、および窒素を発生するガスとして、同じガスが処理室内に供給される。これによって、方法が著しく簡略化される。何故ならば、１種類のガスだけを処理室内に供給すればよいからである。
【００１４】
好適な形式で、ガスとして、アミン化合物、好適には脂肪族モノアミンが、第１級化合物、第２級化合物として、また第３級化合物としても選択されるか、または脂肪族ジアミンまたはこれら２つから成る混合物が選択される。
【００１５】
この場合、炭素および窒素を発生するガスとして、炭素と窒素の比率が３より小さいか３と同じである、炭素および窒素を発生するガスが選択される。このような形式で、炭素プロフィールおよび窒素プロフィールにおける所望の比率が調節されると共に、炉装置内でのカーボン形成が減少される。
【００１６】
処理室内で炭素および窒素を発生させるための様々なガスを使用する場合、処理室に供給された、炭素を発生するガスの特に容積流の量、および処理室に供給された窒素を発生するガスの特に容積流の量が、前記処理室内に発生される炭素と窒素の比率が３よりも小さくなるように選択されても、同じ利点が得られる。
【００１７】
処理室内の圧力および／または温度が測定され、実際値として、算出された目標値に更新されるようになっていれば、閉ループ制御のために好適である。これによって、少なくとも１つの構成部分の表層内に浸透された炭素濃度と窒素濃度の所定の比率を、特に簡単かつ確実に閉ループ制御することができる。
【００１８】
温度のための実際値が、処理室内の加熱装置の制御を介して温度のための目標値に更新され、この際に、温度のための実際値が温度のための目標値よりも小さいときに、加熱装置の温度が上昇され、温度のための実際値が温度のための目標値よりも大きいときに、加熱装置の温度が低下されることによっても、閉ループ制御は、特に簡単かつ楽に構成される。
【００１９】
また、圧力のための実際値が、処理室から導出されたガス量、特に容積流の調節を介して、圧力のための目標値に更新され、この際に、圧力のための実際値が圧力のための目標値よりも小さいときに、導出されるガス量が減少され、また圧力ための実際値が圧力のための目標値よりも大きいときに、導出されるガス量が増加されることによって、閉ループ制御は簡単かつ楽に構成される。
【００２０】
処理室内の温度ための目標値が、少なくとも１回変更されるようになっていれば、好適である。これによって、表層内の様々な深さ領域内に浸透された炭素濃度と窒素濃度の様々な比率を調節することができる。
【００２１】
処理室内における少なくとも１回の加熱段階または少なくとも１回の冷却段階の後に続いて温度安定化段階が設けられていれば、別の利点が得られる。このような形式で、温度のための目標値を、１回の装入内ですべての構成部分のためにできるだけ精確に調整することができる。
【００２２】
処理室内における圧力のための目標値が、少なくとも１回変更されるようになっていれば、好適である。これによって、表層内の様々な深さ領域内に浸透された炭素濃度と窒素濃度の様々な比率を調節することができる。
【００２３】
処理室内における目標圧力が、１００ｍｂａｒと同じかまたはそれよりも小さく、好適には２〜３０ｍｂａｒであれば、別の利点が得られる。このような形式で、１回の装入内での、または内側に位置する構造部例えば袋孔内への、相応のガスの拡散過程が著しく軽減される。
【００２４】
さらに好適には、温度のための目標値は、６５０℃〜１０５０℃の範囲内、好適には６５０℃〜９６０℃の範囲内にある。このような形式で、密に詰め込まれた構成部分装入物の均一な浸炭窒化、または内側に位置する表面例えば孔構造を有する複雑な構造の均一な浸炭窒化が確実に得られる。
【００２５】
連続的なプロセス実施において、温度並びに発生した炭素浸透プロフィールおよび窒素浸透プロフィールに基づいて、少なくとも１つの構成部分の表層内に、カーバイド、窒化物および炭窒化物等の不都合かつ制御不能な析出が形成され得る。従って、本発明の方法において、複数の処理段階が設けられており、これらの処理段階がそれぞれ１つの拡散段階によって互いに分離されるようになっていれば、特に有利である。このような形式で、少なくとも１つの構成部分の表層内に、カーバイド、窒化物および炭窒化物等の不都合な析出が形成されることは避けられ、しかも、所望の若しくは所定の炭素浸透プロフィールおよび窒素浸透プロフィールが少なくとも１つの構成部分の表層内に調節される。
【００２６】
このような炭素浸透プロフィールおよび窒素浸透プロフィールは、少なくとも１つの構成部分の表層内に浸透させようとする炭素濃度と窒素濃度の所定の比率が、少なくとも１つの構成部分の表層内の所定の炭素浸透プロフィールおよび窒素浸透プロフィールに基づいて、少なくとも２つの処理段階で別々に選定されることによって、特に簡単に製造される。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】少なくとも１つの構成部分を低圧浸炭窒化するための装置の概略図である。
【図２】構成部分の表層内に調節された炭素と窒素の比率への温度の影響を示す線図である。
【図３】閉ループ制御された温度による低圧浸炭窒化のプロセスガイドの概略図である。
【図４】図３に示したプロセスガイドによって得られた、処理された構成部分表層構造を示す概略図である。
【図５】プロセスガイドのために使用された開ループ制御および／または閉ループ制御装置のブロック制御回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
本発明の実施例が図面に示されていて、以下に詳しく説明されている。
【００２９】
図１は、単数または複数の構成部分２を低圧浸炭窒化するための装置１の概略図を示す。図１には例えば５つの構成部分２が示されている。これらの構成部分２は、処理室４内で載設部３上に配置されている。構成部分２は、図面の下側に示された加熱装置５によって加熱される。所属の流量制御弁７を備えた取り入れ口６により、炭素および窒素ドナーガス８の供給が可能である。温度センサ９および圧力センサ１０は、図面で処理室４の上部領域に配置されている。その上に配置された開ループ制御および／または閉ループ制御装置１１は、温度センサ９および圧力センサ１０からから送られる信号を受信する。処理室４の取り出し口１２は、ポンプ１３の入口に通じており、このポンプ１３は、例えば真空ポンプとして構成されていてよい。ポンプ１３の上流に、特に圧力調整のためのスロットルバルブ１４が配置されている。
【００３０】
装置１の運転中、様々なプロセス段階で流量制御弁７により、炭素および窒素ドナーガス８が同時に、処理室４内に供給される。開ループ制御および／または閉ループ制御装置１１は、特に温度センサ９および圧力センサ１０によって、プロセス若しくは個別のプロセス段階を監視し、かつ開ループ制御または閉ループ制御する。特に、温度センサ９によって検出された、以下では処理温度とも称呼される温度が重要である。処理温度は、以下に図２および図３を用いてさらに説明されているように、処理室４の雰囲気内で得られる。ポンプ１３は、スロットルバルブ１４と協働して取り出し口１２において弁のように作用する。処理室４内に必要な処理圧力を調節し、処理室４を部分的に排気させ、または処理室４内に存在するガスを排出または交換するために、スロットルバルブ１４の開放角度が、開ループ制御および／または閉ループ制御装置１１によって、プロセスに基づいて、特に圧力センサ１０によって検出された、以下では処理圧力とも称呼される圧力に基づいて、閉ループ制御される。加熱装置５は、開ループ制御および／または閉ループ制御装置１１によって、特に温度センサ９によって検出された処理温度に基づいて閉ループ制御される。流量制御弁７は、プロセスに基づいてプロセスガスの流量を閉ループ制御するために、開ループ制御および／または閉ループ制御装置１１によって制御される。
【００３１】
炭素を発生するガスとも称呼される炭素ドナーガスと、窒素を発生するガスとも称呼される窒素ドナーガスとは、互いに異なっていてよい。この場合、異なるガスは、流量制御弁７の上流で図示されていない混合室内において、またはそれぞれ個別の流量制御弁によって、所望の混合比で処理室４に供給される。この場合、公知のガスが選択されてよい。炭素ドナーガスとしては、例えばアセチレン、プロパンまたはエチレンが挙げられる。窒素ドナーガスとしては、例えばアンモニアまたは笑気が挙げられる。処理室４のためのプロセスガス組成は、炭素を発生するガスおよび窒素を発生するガスのガス量を介して調節される。
【００３２】
炭素ドナーガスおよび窒素ドナーガスのために、同じガス、例えばアミン化合物、好適には脂肪族モノアミンが、第１級化合物としても、第２級化合物としても、また第３級化合物としても選択されるか、または脂肪族ジアミンまたはこれら２つから成る混合物が選択されていれば、特に好適であることが分かった。これによってプロセスガイドが著しく軽減される。この場合、流量制御弁７の上流の混合室、または追加的な流量制御弁は必要ない。
【００３３】
閉ループ制御若しくは開ループ制御は、以上記載したように、温度および圧力に基づいて行う代わりに、選択的に、温度だけまたは圧力だけに基づいて行ってもよいので、２つのセンサのうちの１つが必要なだけである。温度の閉ループ制御においては、温度センサだけが必要であり、また、圧力の閉ループ制御においては圧力センサだけが必要である。
【００３４】
図２は、ドナーガスとしてのジメチルアミン（Ｃ２Ｈ６ＮＨ）の調節された処理圧力１０ｍｂａｒで２０分間だけ浸炭窒化処理した後での、構成部分表面から５０μｍの間隔を保つ、構成部分２の表層領域における、供給された炭素および窒素に関する処理温度の影響を示す。この場合、図２には、２つの温度８００℃および８５０℃のための、構成部分２の表層領域に調節された炭素濃度と窒素濃度の比率に関する実験的に算出された処理温度の影響が１例を挙げて示されている。２つの温度は、浸透された炭素量と窒素量の比率の変化を明らかにするために、選択されている。８００℃では、浸透された窒素量が上回っており、これに対して、同じプロセス時間および８５０℃の温度では、より多くの炭素が浸透する。一般的に、処理温度が上昇すると、浸透された炭素量と窒素量の比率が、より増加した炭素浸透量に移行する。浸透された炭素量と窒素量の比率に関する温度の影響を知ることによって、閉ループ制御式の温度管理を行うことができる。この閉ループ制御式の温度管理は、構成部分２の表層内に浸透させようとする炭素濃度および窒素濃度間の所定の比率に応じて、一定に閉ループ制御された温度および／または処理温度の低下若しくは上昇を必要とする。
【００３５】
さらに、処理圧力を高めることによって、炭素と窒素の比率は、炭素が優勢となるように変えられることが、実験的に証明された。
【００３６】
図３には、低圧浸炭窒化時における、処理温度および、プロセスガス圧力とも称呼される処理圧力の実験的な時間経過が示されている。具体的に説明するために、例えば図１に示された装置１において用いられる、閉ループ制御された温度を有する低圧浸炭窒化のプロセスガイドが概略的に示されている。線図の横座標にプロセス継続時間ｔが示されていて、左側の縦座標に温度Ｔ、右側の縦座標に処理室４内の雰囲気の圧力ｐが示されている。低圧浸炭窒化は、加熱段階Ａ、２つの温度安定化段階Ｂ１，Ｂ２、２つの浸炭窒化段階Ｃ１，Ｃ２、２つの拡散段階Ｄ１，Ｄ２、温度切り替え段階Ｅおよび冷却段階Ｆを有している。横座標の中断は、図示のプロセス段階がそれぞれ示された継続時間を有していなくてもよく、図３の表示とは異なっていてよい、ということを示している。
【００３７】
図３は、加熱段階Ａの間に、温度がほぼ一定の加熱率で連続的に約９５０℃の処理温度まで、加熱装置５によって上昇されることを示している。このために、加熱装置５は開ループ制御および／または閉ループ制御装置１１によって相応に制御され、加熱率ΔＴ／Δｔが調節される。
【００３８】
加熱段階Ａに続く温度安定化段階Ｂ１において、処理温度は、開ループ制御および／または閉ループ制御装置１１によって、温度センサ９で測定された温度を９５０℃の温度である第１の目標値と比較し、加熱装置５を相応に制御することによって、約９５０℃の温度である第１の目標値に一定に調整される。加熱段階Ａおよび第１の温度安定化段階Ｂの間中、炭素または窒素を発生するガスは処理室４に供給されない。
【００３９】
第１の温度安定化段階Ｂ１に続く、第１の浸炭窒化段階Ｃ１とも称呼される第１の処理段階において、処理温度はさらにその第１の目標値に調整される。さらに、炭素および窒素ドナーガスとも称呼される、炭素および窒素を発生するガス、例えばメチルアミンは、流量制御弁７を介して処理室４に供給される。この場合、プロセス圧力またはドナーガス圧力またはドナーガスの分圧とも称呼される処理圧力は、開ループ制御および／または閉ループ制御装置１１によって、圧力センサ１０で測定された圧力を１５ｍｂａｒの圧力である第１の目標値と比較して、スロットルバルブ１４の開度を相応に制御することによって、約１５ｍｂａｒの圧力である第１の目標値に一定に調整される。
【００４０】
構成部分２の表層領域内に浸透された炭素量と窒素量の第１の所定の比率を維持するために、処理温度のための第１の目標値および処理圧力のための第１の目標値が、開ループ制御および／または閉ループ制御装置１１で、以上記載した実験的に算出された関係に応じて、相応にメモリーされた特性マップによって算出される。第１の浸炭窒化段階Ｃ１の選択された第１の処理継続時間Δｔ１によって、構成部分２内に供給された炭素および窒素の量若しくは浸透深さは、第１の所定の比率に従って決定される。これに関連して、第１の処理継続時間特性マップが開ループ制御および／または閉ループ制御装置１１に記憶され、この第１の処理継続時間特性マップは、処理温度の選択された目標値、および処理圧力のための選択された目標値、並びに構成部分２の材料組成のための、処理継続時間と、構成部分２内に浸透した炭素量および／または窒素量若しくは表層内への炭素および窒素の浸入深さとの間の、実験的または計算により算出された関係を記述する。この場合、処理室内で処理されたすべての構成部分２は、同じ材料組成を有しているべきであり、それによって、供給しようとする炭素濃度および窒素濃度に関する所望の結果が得られる。
【００４１】
図示の実施例では、第１の浸炭窒化段階Ｃ１に続いて、追加的に第１の拡散段階Ｄ１が行われ、この第１の拡散段階Ｄ１において、開ループ制御および／または閉ループ制御装置１１によりスロットルバルブ１４および流量制御弁７を相応に制御することによって、処理室４が流量制御弁７の閉鎖時にポンプ１３を介して排気されるか、または不活性ガス、例えば窒素またはアルゴンによって洗浄され、次いでこの不活性ガスは炭素および窒素ドナーガスの代わりに流量制御弁７を介して処理室４に供給され、ポンプ１３によって再び排出される。
【００４２】
次いで、構成部分２の表層内に閉じ込められた、この実施例では炭素と窒素の比率を調節するために、加熱装置５を相応に制御して処理温度を約８５０℃の第２の目標値に切り替えるための温度切り替え段階Ｅが行われる。
【００４３】
温度切り替え段階Ｅに続く第２の温度安定化段階Ｂ２において、処理温度は、開ループ制御および／または閉ループ制御装置１１によって、温度センサ９で測定された温度を８５０℃である第２の目標値と比較して、加熱装置５を相応に制御することによって、約８５０℃の温度である第２の目標値に一定に調整される。温度切り替え段階Ｅおよび第２の温度安定化段階Ｂ２の間中、炭素または窒素を発生するガスは処理室４に供給されない。
【００４４】
第２の温度安定化段階Ｂ２に続く、第２の浸炭窒化段階Ｃ２とも称呼される第２の処理段階において、処理温度はさらにその第２の目標値に調整される。追加的に、炭素および窒素を発生するガス、例えばメチルアミンが、流量制御弁７を介して処理室４に供給される。この場合、処理圧力は、開ループ制御および／または閉ループ制御装置１１によって、圧力センサ１０で測定された圧力を１０ｍｂａｒの圧力である第２の目標値と比較して、流量制御弁７を相応に制御することで、約１０ｍｂａｒの圧力である第２の目標値に一定に調整される。
【００４５】
表層領域内の、構成部分２のための炭素量と窒素量の第２の所定の比率を得るために、処理温度のための第２の目標値および処理圧力のための第２の目標値が、開ループ制御および／または閉ループ制御装置１１内で、前記実験的に算出された関係に基づいて、記憶された相応の特性マップを用いて算出される。第２の浸炭窒化段階Ｃ２の選択された第２の処理継続時間Δｔ２によって、構成部分２内に浸透された炭素および窒素の量若しくは浸透深さが、第２の所定の比率に従って決定される。これに関連して、開ループ制御および／または閉ループ制御装置１１内に記憶された第２の処理継続時間特性マップが使用され、この第２の処理継続時間特性マップは、処理温度の選択された目標値および処理圧力並びに構成部分２の材料組成のための選択された目標値に基づいて、実験的または計算により算出された、構成部分２内に追加的に供給された炭素量および／または窒素量と処理継続時間との関係、若しくは第１の浸炭窒化段階Ｃ１において得られた浸透深さを前提として実現可能な、表層内への炭素および窒素の浸透深さを記述する。第２の浸炭窒化段階の処理圧力および処理温度が、第１の浸炭窒化段階に応じて選択されている場合、第２の処理継続時間特性マップの代わりに、第１の処理継続時間特性マップを使用してもよい。
【００４６】
図示の実施例では、第１の浸炭窒化段階Ｃ１と比較して低下された、第２の浸炭窒化段階Ｃ２における処理温度のための第２の目標値によって、処理室は、構成部分２内に浸透された窒素比率がより大きく、構成部分２内に浸透された炭素比率がより小さい温度に調整される。
【００４７】
図示の実施例において、第１の浸炭窒化段階Ｃ１と比較して第２の浸炭窒化段階Ｃ２における処理圧力がより低いことによって、低下された処理温度によるのと同様に、構成部分２内に浸透された炭素量と窒素量の比率は、窒素量が優勢となるように変えられる。
【００４８】
第２の浸炭窒化段階Ｃ２は、選択的に、第２の温度安定化段階Ｂ２なしに、温度切り替え段階Ｅに直接続いていてもよい。
【００４９】
第１の浸炭窒化段階Ｃ１で浸透された炭素量および窒素量は、第２の浸炭窒化段階Ｃ２中に浸透された炭素量および窒素量の位置よりも、さらに構成部分２の表面からの距離が大きい、表層１２５の第２の領域１１０内に位置しており、第２の浸炭窒化段階Ｃ２中に浸透された炭素量および窒素量は、図４に示されているように、一方側が第２の領域１１０に隣接し、かつ他方側が各構成部分２の表面１００によって閉鎖されている、表層１２５の第１の領域１０５内に位置している。
【００５０】
これによって、構成部分２の表層１２５内に浸透された炭素濃度および窒素濃度の相応の浸透プロフィールが生じる。この実施例では、第２の処理継続時間Δｔ２は、第１の処理継続時間Δｔ１よりも短く選択されている。従って、構成部分２の表層１２５内の第２の領域１１０は、第１の領域１０５よりも厚く構成されている。この場合、第１の領域１０５は、第２の領域１１０の第２の厚さｄ２よりも小さい第１の厚さｄ１を有している。次いで第１の領域１０５とは反対側で、第２の領域１１０に、各構成部分のコア１１５が続いており、このコア１１５内には、処理によって炭素または窒素は浸透されていない。この場合、２つの領域１０５、１１０間の移行は、図４に理想的な形式で飛躍的な形で記載されているが、実際には、隣接し合う領域間の対応する炭素濃度および窒素濃度の比率の移行は、滑らかな形に調節される。
【００５１】
続いて別の拡散段階Ｄ２が行われ、この拡散段階において、処理室４は排気されるか、または不活性ガス、例えば窒素またはアルゴンにより洗浄される。次いで、冷却段階Ｆが行われる。
【００５２】
このような形式で浸炭窒化を行うための多くの方法が可能であり、本発明は、２つの温度安定化段階Ｂ１，Ｂ２、２つの浸炭窒化段階Ｃ１，Ｃ２、２つの拡散段階Ｄ１，Ｄ２、１つの温度切り替え段階Ｅ並びに冷却段階Ｆの前記連続および数に限定されないことは、明らかである。
【００５３】
所望の材料および構成部分特性、例えば耐摩耗性および耐熱性、および構成部分２のための使用された鉄材料に応じて、炭素および窒素の最大表層濃度は、合計１．５質量パーセントに維持されるべきである。望ましい形式で、表層窒素濃度が０．２〜０．７質量パーセントである場合に、表層炭素濃度は０．５〜０．８質量パーセントである。
【００５４】
カーバイド、窒化物および炭窒化物の不都合な析出を避けるために、および／または前述のように構成部分２の表層内に所定の炭素浸透プロフィールおよび窒素浸透プロフィールを生ぜしめるために、個別の浸炭窒化段階の間に、追加的に単数または複数の拡散段階が挿入されてよい。この場合、所定の炭素浸透プロフィールおよび窒素浸透プロフィールは、構成部分の表層内に浸透させようとする炭素濃度および窒素濃度をどの位の比率で、構成部分の表層内で構成部分の表面からどの位の距離を保って配置させるべきかを定める。次いで、炭素濃度および窒素濃度の個別に与えられた比率を有する、表層のこれらの各領域のために、相応の浸炭窒化段階が前述のように行われる。
【００５５】
構成部分２の表層内の所望の炭素濃度分布および窒素濃度分布は、低圧浸炭窒化中において閉ループ制御された温度管理および／またはドナーガス圧力の閉ループ制御によって、および浸炭窒化段階の処理継続時間および時点を適当に選択することによって、調節される。このために、処理室４に炭素ドナーガスおよび窒素ドナーガスが供給される浸炭窒化段階において、構成部分の処理温度は、好適には＋／−１５℃の最大偏差内で、望ましくは＋／−８℃の最大偏差内で閉ループ制御される。
【００５６】
さらに、本発明による方法の利点は、このプロセスが、１００ｍｂａｒと同じかまたはこれよりも小さい、好適には２ｍｂａｒ〜３０ｍｂａｒの低い圧力で実施され、従って、炭素および窒素を受容するための細孔構造のアクセス可能性が増大する、という点にある。このために、炭素ドナーガスおよび窒素ドナーガスのプロセスガス圧力は、好適には＋／−８ｍｂａｒの偏差内、さらに好適には＋／−３ｍｂａｒの偏差内で閉ループ制御される。１０５０℃より小さいかまたはこれと同じ、好適には９６０℃より小さいかまたはこれと同じであり、また６５０℃より大きいかまたはこれと同じである低い温度によって、密な構成部分装入物の均一な浸炭窒化、または複雑な構造例えば細孔構造を有する構成部分の均一な浸炭窒化を実施することができる。
【００５７】
以上記載した特性マップは、時間、温度、圧力および材料組成に依存して窒素および炭素の拡散を演算するシミュレーションモデルから開発されている。
【００５８】
図５は、流量制御弁７の制御、スロットルバルブ１４の開度の制御および浸炭窒化段階を調節するための加熱装置５の制御のために設けられた構成要素を有する開ループ制御および／または閉ループ制御装置１１のブロック制御回路図を示す。この場合、浸炭窒化段階中に、真空ポンプ１３の作動時におけるスロットルバルブ１４の開度が、開ループ制御および／または閉ループ制御装置１１によって調節されるので、処理室４内の処理圧力はその都度の目標値に調整される。処理圧力の調整は、スロットルバルブ１４の開度を相応に調節することによって、ポンプ１３の上流で処理室４からのガス出口において行われる。圧力センサ１０によって測定された処理圧力の実際値が、処理圧力のための所定の目標値を上回ると、スロットルバルブ１４は、開ループ制御および／または閉ループ制御装置１１の側から相応に制御することによってさらに開放され、それによってポンプ１３は、処理室４からより多量の容積流を取り出すことができ、処理圧力のための実際値は低下される。圧力センサ１０によって測定された処理圧力の実際値が、処理圧力のための所定の目標値を下回ると、スロットルバルブ１４は、開ループ制御および／または閉ループ制御装置１１の側から相応に制御することによってさらに閉鎖され、それによって、ポンプ１３が処理室４から取り出す容積流が減少され、処理室４内の処理圧力のための実際値の上昇が得られる。
【００５９】
開ループ制御および／または閉ループ制御装置１１のその他の構成要素、例えば加熱段階Ａまたは拡散段階Ｄ１，Ｄ２を調節するために必要とされる構成要素は、図面を見易くするために図示されていないが、当業者に公知の形式で構成され得る。
【００６０】
使用者は、処理室４内において構成部分２を所望に処理するための複数のパラメータを、開ループ制御および／または閉ループ制御装置１１の入力ユニット２００に入力することができる。従って使用者は、構成部分２の表層１２５内に浸透させようとする炭素濃度と窒素濃度との間の単数または複数の比率を相応の入力によって設定することができる。このような形式で設定された第１の比率は、図５に第１の比率データレコード２０５として示されており、ｎ個の設定された比率において、ｎは１よりも大きいかまたは１と同じに選定されていてよく、ｎ個の設定された比率は、ｎ個の比率データレコード２１５として示されている。ｎ＝１であれば、これは、第１の比率データレコード２０５に相当する所定の比率のための１つの比率データレコードだけを提供する。１つの比率よりも多い比率が設定されると、相応する数の比率データレコードが提供される。設定されたすべての比率データレコードの全体は符号２２０で示されている。この場合、表層１２５内の所定の比率を実行するには、各比率データレコードのために、それぞれ１つの割り当てられた浸炭窒化段階が調節されなければならない。１つの比率データレコードだけを設定する場合、表層１２５の１つの領域にだけ、相応に設定された比率が与えられ、複数の比率データレコードにおいては、各比率データレコードのためにそれぞれ１つの浸炭窒化段階の入力若しくは番号設定の時間的な連続が調節される。この場合、各比率データレコードのために、およびひいては各浸炭窒化段階のために、表層１２５内の炭素濃度と窒素濃度の相応の比率を有する領域が形成され、その際に、複数の領域が、割り当てられた所定の比率の入力の時間的な連続に従って、およびひいては番号設定の連続で、各構成部分２の表面１００に向かって形成される。この場合、第１の比率データレコードは、各構成部分２の表面１００に対して最大の距離を保って炭素濃度および窒素濃度を調節し、最後に使用されたデータレコードは表面に最も近い炭素濃度および窒素濃度を調節する。２つのこのような領域、およびひいてはこのように設定された２つの比率を有する実施例が、図４を用いて記載されている。この場合、厚さｄ２を有する第２の領域１１０が、第１の比率データレコードによって構成部分２の表層に調節され、厚さｄ１を有する第１の領域１０５が第２の比率データレコードによって調節される。
【００６１】
所定の各比率のために、所望の量または浸透深さ、言い換えれば割り当てられた領域の所属の厚さも、選択可能でなければならない。これに対応して、図５には、第１の所定の厚さデータレコードが符号２２５で示され、ｎ個の所定の厚さデータレコードが符号２３５で示されている。厚さデータレコードの全体は符号２４０で示されている。時間的な入力の連続に従って、それぞれ必要な浸炭窒化段階のために、相応の比率データレコードが温度圧力特性マップ２５０に入力値として供給され、所属の厚さデータレコードが処理継続時間特性マップ２５５に入力値として供給される。この場合、温度圧力特性マップは、実験的に算出され、それぞれその入力部において設定された、構成部分２の表層１２５内に浸透させようとする炭素濃度と窒素濃度の比率のために、所属の処理温度の目標値ＳＴおよび所属の処理圧力の目標値ＳＤを、その出力部において提供する。図２により、例えば、処理温度および処理圧力のための、このような実験的な評価の結果が示されている。処理温度のための目標値ＳＴ、および処理圧力のための目標値ＳＤが、入力値として、同様に処理継続時間特性マップ２５５に供給される。さらに、処理温度のための目標値ＳＴは、入力値として第１の比較器２６５に供給される。さらに、処理圧力のための目標値ＳＤは、入力値として第２の比較器２６０に供給される。
【００６２】
入力ユニット２００においてさらに、構成部分２の材料組成の特性を成す、提案された量より成る材料組成、例えば肌焼鋼２０ＭｎＣｒ５が選択される。この場合、材料組成データレコード２４５が生成され、この材料組成データレコード２４５はやはり、入力値として処理継続時間特性マップ２５５に供給される。この場合、処理継続時間特性マップ２５５は、やはり実験的に算出されており、処理温度のための所定の目標値ＳＴおよび処理圧力のための所定の目標値ＳＤで選択された材料組成の構成部分において、それぞれの構成部分２の表層１２５内に、炭素濃度と窒素濃度の所定の比率に従って浸透された炭素および窒素を有する所定の厚さの領域を形成するために、どの程度の継続時間が必要であるかを選択する。このように算出された処理継続時間が処理継続時間特性マップ２５５の出力部において、相応の開放信号が流量制御弁７に送信され、それによって流量制御弁７は、所属の浸炭窒化段階のための算出された処理継続時間中、開放されている。算出された処理継続時間外では流量制御弁７は閉鎖されているか、若しくは不活性ガス例えば窒素またはアルゴンによる洗浄のために、場合によっては設けられている拡散段階の間だけ、当業者に公知の形式で開放される。
【００６３】
その他の入力値として、第１の比較器２６５に、温度センサ９によって算出された、処理温度のための実際値ＩＴが供給される。調整差を最小にし、処理温度の実際値ＩＴを処理温度の目標値ＳＴに更新するために、第１の比較器２６５は、処理温度の目標値ＳＴを処理温度の実際値ＩＴと比較し、処理温度の目標値ＳＴと処理温度の実際値ＩＴとの間の差に基づいて制御信号を加熱装置５に供給する。
【００６４】
別の入力値として、圧力センサ１０によって算出される、処理圧力のための実際値ＩＤが第２の比較器２６０に供給される。調整差を最小にし、処理圧力の実際値ＩＤを処理圧力の目標値ＳＤに更新するために、第２の比較器２６０は、処理圧力の目標値ＳＤを処理圧力の実際値ＩＤと比較し、処理圧力の目標値ＳＤと処理圧力の実際値ＩＤとの間の差に基づいて制御信号をスロットルバルブ１４に提供する。
【００６５】
このような形式で、算出された処理継続時間のために、対応する領域内での所望の厚さ内における、それぞれの構成部分２の表層１２５内の炭素濃度と窒素濃度のそれぞれ所定の比率が調節される。複数のこのような比率を設定する際に、割り当てられ、かつ追加的にそれぞれの拡散段階によって互いに分離された複数の浸炭窒化段階によって、比率データレコード２０５，…，２１５および厚さデータレコード２２５，…，２３５によって設定された、表層１２５内の所定の窒素浸透プロフィールおよび炭素浸透プロフィールが調節される。
【符号の説明】
【００６６】
１  低圧浸炭窒化するための装置
２  構成部分
３  載設部
４  処理室
５  加熱装置
６  取り入れ口
７  流量制御弁
８  炭素および窒素ドナーガス
９  温度センサ
１０  圧力センサ
１１  開ループ制御および／または閉ループ制御装置
１２  取り出し口
１３  ポンプ
１４  スロットルバルブ
１００  表面
１０５  第１の領域
１１０  第２の領域
１１５  コア
１２５  表層
２００  入力ユニット
２０５  第１の比率データレコード
２１５  ｎ個の比率データレコード
２２０  すべての比率データレコード
２２５  第１の所定の厚さデータレコード
２３５  ｎ個の所定の厚さデータレコード
２４０  厚さデータレコードの全体
２４５  材料組成データレコード
２５０  温度圧力特性マップ
２５５  処理継続時間特性マップ
２６０  第２の比較器
２６５  第１の比較器
Ａ  加熱段階
Ｂ１，Ｂ２  温度安定化段階
Ｃ１，Ｃ２  浸炭窒化段階
ｄ１  第１の厚さ
ｄ２  第２の厚さ
Ｄ１，Ｄ２  拡散段階
Ｅ  温度切り替え段階
Ｆ  冷却段階
ＳＤ  処理圧力の目標値
ＳＴ  処理温度の目標値
Ｔ  温度
ｔ  プロセス継続時間
Δｔ１  第１の処理継続時間
Δｔ２  第２の処理継続時間
ｐ  雰囲気の圧力
【図１】
2015528061.tif 000003
【図２】
2015528061.tif 000004
【図３】
2015528061.tif 000005
【図４】
2015528061.tif 000006
【図５】
2015528061.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月20日(2015.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの構成部分（２）を、低圧浸炭窒化法により、少なくとも１つの処理室（４）内で製造するための方法において、
少なくとも１つの処理段階で、炭素を発生するガスおよび窒素を発生するガス（８）を同時に前記処理室（４）内に供給し、少なくとも１つの前記構成部分（２）の表層内に浸透させようとする炭素濃度と窒素濃度の所定の比率に基づいて、前記処理室内に調節しようとする温度および／または圧力のための目標値を算出し、この目標値を所定の時間だけ前記処理室内で調整することを特徴とする、少なくとも１つの構成部分を製造するための方法。
【請求項２】
炭素を発生するガスとして、および窒素を発生するガスとして、同じガスを前記処理室内に供給する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ガスとして、アミン化合物、好適には脂肪族モノアミンを、第１級化合物、第２級化合物として、また第３級化合物としても選択するか、または脂肪族ジアミンまたはこれら２つから成る混合物を選択することを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
炭素および窒素を発生するガスとして、炭素と窒素の比率が３より小さいかまたは３と同じである、炭素および窒素を発生するガスを選択することを特徴とする、請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
前記処理室に供給された、炭素を発生するガスの容積流の量、および前記処理室に供給された、窒素を発生するガスの容積流の量を、前記処理室内に発生される炭素と窒素の比率が３よりも小さくなるように、選択することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記処理室（４）内の圧力および／または温度を測定し、実際値として、前記算出された目標値に更新することを特徴とする、請求項１から５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
温度のための前記実際値を、前記処理室（４）内の加熱装置（５）の制御を介して温度のための前記目標値に更新し、この際に、温度のための前記実際値が温度のための前記目標値よりも小さいときに、前記加熱装置（５）の温度を上昇させ、温度のための前記実際値が温度のための前記目標値よりも大きいときに、前記加熱装置（５）の温度を低下させることを特徴とする、請求項１から６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
圧力のための前記実際値を、前記処理室（４）から導出されたガスの容積流の量の調節を介して、圧力のための目標値に更新し、この際に、圧力のための前記実際値が圧力のための前記目標値よりも小さいときに、導出されるガス量を減少させ、また圧力のための前記実際値が圧力のための前記目標値よりも大きいときに、導出されるガス量を増加させることを特徴とする、請求項１から７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記処理室（４）内の温度のための前記目標値を、少なくとも１回変更することを特徴とする、請求項１から８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記処理室（４）内における少なくとも１回の加熱段階または少なくとも１回の冷却段階の後に続いて温度安定化段階を設けることを特徴とする、請求項１から９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記処理室（４）内における圧力のための前記目標値を、少なくとも１回変更することを特徴とする、請求項１から１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記処理室（４）内における前記目標圧力を、１００ｍｂａｒと同じかまたはそれよりも小さく、好適には２〜３０ｍｂａｒとすることを特徴とする、請求項１から１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
温度のための前記目標値を、６５０℃〜１０５０℃の範囲内、好適には６５０℃〜９６０℃の範囲内とすることを特徴とする、請求項１から１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
複数の処理段階を設け、これらの処理段階をそれぞれ１つの拡散段階によって互いに分離することを特徴とする、請求項１から１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
少なくとも１つの前記構成部分（２）の表層内に浸透させようとする炭素濃度と窒素濃度の所定の比率を、少なくとも１つの前記構成部分（２）の表層内の所定の炭素浸透プロフィールおよび窒素浸透プロフィールに基づいて、少なくとも２つの処理段階で別々に選定することを特徴とする、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
少なくとも１つ前記構成部分（２）は、シリンダヘッド、高圧噴射ポンプのノズル体、ディーゼルインジェクションエンジンの構成要素、またはバルブディスクであることを特徴とする、請求項１から１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
少なくとも１つの前記処理室（４）は、排気可能な処理室であることを特徴とする請求項１から１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
少なくとも１つの構成部分（２）を、低圧浸炭窒化法により、少なくとも１つの処理室（４）内で製造するための開ループ制御および／または閉ループ制御装置において、
少なくとも１つの処理段階で、前記処理室（４）内に同時に供給された炭素を発生するガスおよび窒素を発生するガス（８）の、少なくとも１つの前記構成部分（２）の表層内に浸透させようとする炭素濃度と窒素濃度の所定の比率に基づいて、前記処理室内（４）の温度および／または圧力のための目標値を算出するための手段（２５０）が設けられており、少なくとも１つの処理段階で前記処理室（４）内に調節しようとする、温度および／または圧力のための目標値を、所定の時間だけ前記処理室（４）内で調整する、閉ループ制御するための手段（２５５，２６０，２６５）が設けられていることを特徴とする、少なくとも１つの構成部分を製造するための開ループ制御および／または閉ループ制御装置。
【請求項１９】
少なくとも１つ前記構成部分（２）は、シリンダヘッド、高圧噴射ポンプのノズル体、ディーゼルインジェクションエンジンの構成要素、またはバルブディスクであることを特徴とする、請求項１８に記載の開ループ制御および／または閉ループ制御装置。
【請求項２０】
少なくとも１つの前記処理室（４）は、排気可能な処理室であることを特徴とする請求項１８または１９に記載の開ループ制御および／または閉ループ制御装置。
【国際調査報告】
2015528061.tif 000008
2015528061.tif 000009
2015528061.tif 000010
2015528061.tif 000011
2015528061.tif 000012
2015528061.tif 000013