(57)【要約】  スルーガラスビア(TGV)を有する3次元(3D)無線周波数(RF)インダクタ-キャパシタ(LC)バンドパスフィルタ。1つのそのようなL-Cフィルタ回路は、ガラス基板と、ガラス基板の第1の面上に形成された第1のインダクタの第1の部分と、ガラス基板の第2の面上に形成された第1のインダクタの第2の部分と、第1のインダクタの第1の部分と第2の部分とを接続するように構成されたTGVの第1のセットとを含む。加えて、L-Cフィルタ回路は、第1のインダクタに類似する第2のインダクタと、第1のインダクタと第2のインダクタとの間に形成された金属-絶縁物-金属(MIM)キャパシタとを含み得、それにより、第1および第2のインダクタはMIMキャパシタを介して結合される。
2015513820.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上にL-Cフィルタ回路を形成する方法であって、
前記ガラス基板の第1の面上に第1のインダクタの第1の部分を形成するステップと、
前記ガラス基板の第2の面上に前記第1のインダクタの第2の部分を形成するステップと、
スルーガラスビア(TGV)を介して前記第1のインダクタの前記第1の部分と前記第2の部分とを接続するステップとを含む、方法。
【請求項２】
前記TGVの接続点を重複させることを可能にするために、前記第2の部分が前記第1の部分に対してある角度で形成される、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記ガラス基板の前記第1の面上に第2のインダクタの第3の部分を形成するステップと、
前記ガラス基板の前記第2の面上に前記第2のインダクタの第4の部分を形成するステップと、
TGVを介して前記第3の部分と前記第4の部分とを接続するステップと、
相互インダクタンス結合を与えるために、それらのそれぞれの磁界を整合させるように前記第1および前記第2のインダクタを位置決めするステップとをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記第1のインダクタと前記第2のインダクタとの間にMIM(金属-絶縁物-金属)キャパシタを形成するステップと、
前記MIMキャパシタを介して前記第1のインダクタと前記第2のインダクタとを結合するステップとをさらに含む、請求項3に記載の方法。
【請求項５】
前記第1のインダクタの磁気コアを形成するために、前記第1の部分と前記第2の部分との間に磁性材料を設けるステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
ガラス基板と、
前記ガラス基板の第1の面上に形成された第1のインダクタの第1の部分と、
前記ガラス基板の第2の面上に形成された前記第1のインダクタの第2の部分と、
前記第1のインダクタの前記第1の部分と前記第2の部分とを接続するように構成されたスルーガラスビア(TGV)の第1のセットとを備える、L-Cフィルタ回路。
【請求項７】
前記TGVの接続点を重複させることを可能にするために、前記第2の部分が前記第1の部分に対してある角度で形成される、請求項6に記載のL-Cフィルタ回路。
【請求項８】
前記ガラス基板の前記第1の面上に形成された第2のインダクタの第3の部分と、
前記ガラス基板の前記第2の面上に形成された前記第2のインダクタの第4の部分と、
前記第3の部分と前記第4の部分とを接続するように構成されたTGVの第2のセットとをさらに備え、前記第1および前記第2のインダクタが、それらの磁界が相互インダクタンス結合を与えるように整合されるように位置決めされる、請求項6に記載のL-Cフィルタ回路。
【請求項９】
金属-絶縁物-金属(MIM)キャパシタをさらに備え、前記MIMキャパシタは、前記第1および前記第2のインダクタが前記MIMキャパシタを介して結合されるように、前記第1のインダクタと前記第2のインダクタとの間に形成される、請求項8に記載のL-Cフィルタ回路。
【請求項１０】
磁性材料が前記第1のインダクタの磁気コアを形成するように、前記第1の部分と前記第2の部分との間に位置決めされた前記磁性材料をさらに備える、請求項6に記載のL-Cフィルタ回路。
【請求項１１】
半導体ダイ内に組み込まれる、請求項6に記載のL-Cフィルタ回路。
【請求項１２】
セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定ロケーションデータユニット、およびコンピュータからなる群から選択されるデバイスに組み込まれる、請求項6に記載のL-Cフィルタ回路。
【請求項１３】
ガラス基板上にL-Cフィルタ回路を形成する方法であって、
前記ガラス基板の第1の面上に第1のインダクタの第1の部分を形成するためのステップと、
前記ガラス基板の第2の面上に前記第1のインダクタの第2の部分を形成するためのステップと、
スルーガラスビア(TGV)を介して前記第1のインダクタの前記第1の部分と前記第2の部分とを接続するためのステップとを含む、方法。
【請求項１４】
前記TGVの接続点を重複させることを可能にするために、前記第2の部分が前記第1の部分に対してある角度で形成される、請求項13に記載の方法。
【請求項１５】
前記ガラス基板の前記第1の面上に第2のインダクタの第3の部分を形成するためのステップと、
前記ガラス基板の前記第2の面上に前記第2のインダクタの第4の部分を形成するためのステップと、
TGVを介して前記第3および前記第4の部分を接続するためのステップと、
相互インダクタンス結合を与えるために、それらのそれぞれの磁界を整合させるように前記第1および前記第2のインダクタを位置決めするためのステップとをさらに含む、請求項13に記載の方法。
【請求項１６】
前記第1のインダクタと前記第2のインダクタとの間に金属-絶縁物-金属(MIM)キャパシタを形成するためのステップと、
前記MIMキャパシタを介して前記第1のインダクタと前記第2のインダクタとを結合するためのステップとをさらに含む、請求項15に記載の方法。
【請求項１７】
前記第1のインダクタの磁気コアを形成するために、前記第1の部分と前記第2の部分との間に磁性材料を設けるためのステップをさらに含む、請求項13に記載の方法。
【請求項１８】
ガラスで形成された基板手段と、
前記基板手段の第1の面上に形成された第1のインダクタンス手段の第1の部分と、
前記基板手段の第2の面上に形成された前記第1のインダクタンス手段の第2の部分と、
前記第1のインダクタンス手段の前記第1の部分と前記第2の部分とを接続するように構成されたスルーガラスビア(TGV)の第1のセットとを備える、L-Cフィルタ回路。
【請求項１９】
高電圧源とグランドとの間に結合された第1のインダクタと第1のキャパシタとを備える第1のL-Cタンクと、
前記高電圧源とグランドとの間に結合された第2のインダクタと第2のキャパシタとを備える第2のL-Cタンクと、
前記第1のL-Cタンクと前記第2のL-Cタンクとを結合するL-Cフィルタ手段とを備え、
前記第1および前記第2のインダクタが、スルーガラスビア(TGV)を使用してガラス基板の第1および第2の面上に形成された3次元ソレノイドインダクタであり、
前記第1のキャパシタが、前記ガラス基板の前記第1の面上の前記第1のインダクタと前記第2のインダクタとの間の金属-絶縁物-金属(MIM)キャパシタとして形成され、前記第2のキャパシタが、前記ガラス基板の前記第1の面上の前記第2のインダクタと前記L-Cフィルタ手段との間のMIMキャパシタとして形成される、L-Cフィルタ回路。
【請求項２０】
前記L-Cフィルタ手段が、
高電圧源とグランドとの間に結合された第3のインダクタと第3のキャパシタとを備える第3のL-Cタンクと、
前記高電圧源とグランドとの間に結合された第4のインダクタと第4のキャパシタとを備える第4のL-Cタンクとを備え、
前記第3のキャパシタが、前記ガラス基板の前記第1の面上の前記第1のインダクタと前記第3のインダクタとの間のMIMキャパシタとして形成され、前記第4のキャパシタが、前記ガラス基板の前記第1の面上の前記第4のインダクタと前記第2のインダクタとの間のMIMキャパシタとして形成される、請求項19に記載のL-Cフィルタ回路。
【請求項２１】
前記L-Cフィルタ手段が、TGVを使用して前記ガラス基板の前記第1および前記第2の面上に形成された3次元ソレノイドインダクタとして形成された第5のインダクタを備える、請求項19に記載のL-Cフィルタ回路。
【請求項２２】
前記L-Cフィルタ手段が、前記ガラス基板の前記第1の面上に前記第1のインダクタと前記第2のインダクタとの間のMIMキャパシタとして形成された第5のキャパシタを備える、請求項19に記載のL-Cフィルタ回路。
【請求項２３】
前記L-Cフィルタ手段が、
高電圧源とグランドとの間に結合された第6のインダクタと第6のキャパシタとを備える第6のL-Cタンクと、
前記第1のL-Cタンクと前記第6のL-Cタンクとを結合する第7のキャパシタと、
前記第6のL-Cタンクと前記第2のL-Cタンクとを結合する第8のキャパシタとを備え、
前記第6のインダクタが、TGVを使用してガラス基板の前記第1および前記第2の面上に形成された3次元ソレノイドインダクタであり、
前記第6、前記第7、および前記第8のキャパシタがMIMキャパシタとして形成される、請求項19に記載のL-Cフィルタ回路。
【請求項２４】
前記L-Cフィルタ手段が、
高電圧源と前記第1のL-Cタンクとの間に結合された第9のキャパシタと、
前記第2のL-Cタンクと前記高電圧源との間に結合された第10のキャパシタと、
前記第9のキャパシタと前記第10のキャパシタとに結合された第11のキャパシタとを備え、
前記第9、前記第10、および前記第11のキャパシタがMIMキャパシタとして形成される、請求項19に記載のL-Cフィルタ回路。
【請求項２５】
半導体ダイ内に組み込まれる、請求項19に記載のL-Cフィルタ回路。
【請求項２６】
セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定ロケーションデータユニット、およびコンピュータからなる群から選択されるデバイスに組み込まれる、請求項19に記載のL-Cフィルタ回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
開示する実施形態は、無線周波数(RF)フィルタに関する。より詳細には、例示的な実施形態は、スルーガラスビア(through-glass-via, TGV)を備える3次元(3D)RFインダクタ-キャパシタ(LC)バンドパスフィルタを対象とする。
【背景技術】
【０００２】
インダクタは、アナログ回路および信号処理において広範囲にわたって使用される。インダクタは、キャパシタおよび他の構成要素と連携して、特定の信号周波数を強調またはフィルタ処理除去することができる同調回路またはL-Cフィルタを形成するために使用され得る。インダクタンス(ヘンリーHで測定される)は、通電導体回りに生じる磁界に起因する効果である。インダクタのターン数、各ループ/ターンの面積、および取り巻いている材料などの要因が、インダクタンスに影響を及ぼす。インダクタのQ値(またはQ)は、それの効率の測度である。インダクタのQが高いほどより密接に、理想的な、損失のないインダクタの挙動に近づく。インダクタのQは、それのインダクタンスLに正比例し、それの内部電気抵抗Rに逆比例する。したがって、インダクタのQは、Lの増加および/またはRの減少によって増加され得る。
【０００３】
配線をらせん状に配置することで、プリント回路板上にインダクタを直接エッチングすることによって、集積回路内で使用するための小さいインダクタを設計することが、当技術分野で知られている。しかしながら、そのような平坦なインダクタは高いQを示さない。その上、平坦なインダクタは、同調回路内の他の誘導性素子との結合に向いておらず、言い換えれば、平坦なインダクタは、高い結合係数Kを示さない。
【０００４】
アナログRFおよびシステムオンチップ(SOC)の用途に対して、3次元インダクタは、コアを取り巻く銅線または他の適切な金属などの導体材料のコイルとして構築され得る。コアは空気であってよく、またはシリコン基板、ガラス、または磁性材料を含んでもよい。空気より高い透磁率を有するコア材料は、インダクタの近くに磁界を閉じ込め、それによりインダクタのインダクタンスを増加させる。当技術分野で知られている3次元インダクタは、平坦なインダクタより良好な結合係数Kを示すが、最近の技術は、これらのインダクタに対して達成可能なQ値に制限を課している。たとえば、ガラス基板上に形成されたインダクタ、またはガラス製のコアの回りにまかれたインダクタは、高い透磁率、結合係数、およびQ値を示し得る。しかしながら、ガラス基板上にインダクタを構築するために知られている技法は、ガラス基板の望ましい特性を損なうスルーシリコンビア(TSV)などのビアに依存する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
したがって、当技術分野において、高いQおよび高い結合係数Kを示すインダクタおよび付随する同調回路設計が必要である。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の例示的な実施形態は、無線周波数(RF)フィルタのためのシステムおよび方法を対象とする。より詳細には、例示的な実施形態は、スルーガラスビア(TGV)を備える3次元(3D)RFインダクタ-キャパシタ(L-C)バンドパスフィルタを対象とする。
【０００７】
たとえば、例示的な実施形態は、ガラス基板の第1の面上に第1のインダクタの第1の部分を形成するステップと、ガラス基板の第2の面上に第1のインダクタの第2の部分を形成するステップと、スルーガラスビア(TGV)を介して第1のインダクタの第1の部分と第2の部分とを接続するステップとを含む、ガラス基板上にL-Cフィルタ回路を形成する方法を対象とする。
【０００８】
別の例示的な実施形態は、ガラス基板と、ガラス基板の第1の面上に形成された第1のインダクタの第1の部分と、ガラス基板の第2の面上に形成された第1のインダクタの第2の部分と、第1のインダクタの第1の部分と第2の部分とを接続するように構成されたスルーガラスビア(TGV)の第1のセットとを含むL-Cフィルタ回路を対象とする。
【０００９】
別の例示的な実施形態は、ガラス基板の第1の面上に第1のインダクタの第1の部分を形成するためのステップと、ガラス基板の第2の面上に第1のインダクタの第2の部分を形成するためのステップと、スルーガラスビア(TGV)を介して第1のインダクタの第1の部分と第2の部分とを接続するためのステップとを含む、ガラス基板上にL-Cフィルタ回路を形成する方法を対象とする。
【００１０】
さらに別の例示的な実施形態は、ガラスで形成された基板手段と、基板手段の第1の面上に形成された第1のインダクタンス手段の第1の部分と、基板手段の第2の面上に形成された第1のインダクタンス手段の第2の部分と、第1のインダクタンス手段の第1の部分と第2の部分とを接続するように構成されたスルーガラスビア(TGV)の第1のセットとを備えるL-Cフィルタ回路を対象とする。
【００１１】
さらに別の例示的な実施形態は、高電圧源とグランドとの間に結合された第1のインダクタおよび第1のキャパシタを備える第1のL-Cタンクと、高電圧源とグランドとの間に結合された第2のインダクタおよび第2のキャパシタを備える第2のL-Cタンクと、第1のL-Cタンクと第2のL-Cタンクとを結合するL-Cフィルタ手段とを含み、第1および第2のインダクタはスルーガラスビア(TGV)を使用してガラス基板の第1および第2の面上に形成された3次元ソレノイドインダクタであり、第1のキャパシタは、ガラス基板の第1の面上に第1のインダクタと第2のインダクタとの間の金属-絶縁物-金属(MIM)キャパシタとして形成され、第2のキャパシタは、ガラス基板の第1の面上に第2のインダクタとL-Cフィルタ手段との間のMIMキャパシタとして形成される、L-Cフィルタ回路を対象とする。
【００１２】
添付の図面は、本発明の実施形態の説明を助けるために提示され、実施形態の限定ではなく、実施形態の例示のためのみに提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１Ａ】TGVを使用してガラス基板上に形成された例示的なインダクタを示す図である。
【図１Ｂ】TGVを使用してガラス基板上に形成され、さらに磁気コアを含む、例示的なインダクタを示す図である。
【図２】整合された磁界を有する2つの例示的なインダクタを示す図である。
【図３Ａ】TGVを使用するインダクタおよびキャパシタを用いて設計された例示的なL-C BPFを示す図である。
【図３Ｂ】図3AのL-C BPFの対応する回路レベルの概略図である。
【図３Ｃ】図3Aおよび図3BのL-C BPFの周波数応答特性を示す図である。
【図４Ａ】TGVを使用するインダクタおよびキャパシタを用いて設計された別の例示的なL-C BPFを示す図である。
【図４Ｂ】図4AのL-C BPFの対応する回路レベルの概略図である。
【図４Ｃ】図4Aおよび図4BのL-C BPFの周波数応答特性を示す図である。
【図５Ａ】TGVを使用するインダクタおよびキャパシタを用いて設計されたさらに別の例示的なL-C BPFを示す図である。
【図５Ｂ】図5AのL-C BPFの対応する回路レベルの概略図である。
【図５Ｃ】図5Aおよび図5BのL-C BPFの周波数応答特性を示す図である。
【図６Ａ】TGVを使用するインダクタおよびキャパシタを用いて設計されたさらに別の例示的なL-C BPFを示す図である。
【図６Ｂ】図6AのL-C BPFの周波数応答特性を示す図である。
【図７Ａ】TGVを使用するインダクタおよびキャパシタを用いて設計されたさらに別の例示的なL-C BPFを示す図である。
【図７Ｂ】図7AのL-C BPFの周波数応答特性を示す図である。
【図８】例示的な実施形態による、TGVを使用してガラス基板上にインダクタを形成する方法のフローチャート表現である。
【図９】本開示の実施形態が有利に採用され得る例示的なワイヤレス通信システム900を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の特定の実施形態を対象とする以下の説明および関連する図面で、本発明の態様が開示される。本発明の範囲から逸脱することなく、代替の実施形態が考案され得る。さらに、本発明の関連する詳細を不明瞭にしないように、本発明のよく知られている要素は詳細に説明されないか、または省略される。
【００１５】
「例示的な」という言葉は、「例、実例、または例示として機能すること」を意味するために本明細書で使用される。「例示的な」として本明細書で説明される任意の実施形態は、必ずしも他の実施形態よりも好ましいか、または有利であると解釈されるべきではない。同様に、「本発明の実施形態」という用語は、本発明のすべての実施形態が、論じられた特徴、利点または動作モードを含むことを必要としない。
【００１６】
本明細書で使用される用語は、特定の実施形態の説明のみを目的とするものであり、本発明の実施形態を限定するものではない。本明細書で使用される場合、単数形「a」、「an」、および「the」は、文脈が別段に明確に示すのでなければ、複数形をも含むものとする。さらに、本明細書で使用される場合、「備える(comprises)」、「備えている(comprising)」、「含む(includes)」、および/または「含んでいる(including)」という用語は、述べられた特徴、整数、ステップ、動作、要素、および/または構成要素の存在を明示するが、1つまたは複数の他の特徴、整数、ステップ、動作、要素、構成要素、および/またはそれらのグループの存在または追加を排除しないことを理解されたい。
【００１７】
さらに、多くの実施形態が、たとえばコンピューティングデバイスの要素によって実行されるべき、一連の動作に関して説明される。本明細書で説明される様々な動作は、特定の回路(たとえば、特定用途向け集積回路(ASIC))によって、1つまたは複数のプロセッサによって実行されるプログラム命令によって、あるいは両方の組合せによって実行され得ることを認識されよう。加えて、本明細書で説明されるこれらの一連の動作は、実行時に、関連するプロセッサに本明細書で説明される機能を実行させるコンピュータ命令の対応するセットを記憶した、任意の形式のコンピュータ可読記憶媒体内で全体として具現化されるものと見なされ得る。したがって、本発明の様々な態様は、請求する主題の範囲内にすべて入ることが企図されているいくつかの異なる形式で具現化され得る。さらに、本明細書で説明される実施形態ごとに、任意のそのような実施形態の対応する形式は、本明細書では、たとえば、説明されるアクションを実行する「ように構成された論理」として説明されることがある。
【００１８】
例示的な実施形態は、ガラス基板上に形成され得る誘導性および容量性素子を使用するL-Cバンドパスフィルタ(BPF)などの同調回路を対象とする。その上、実施形態は、3D BPFを形成するためにガラス基板の第1の面と第2の面との間に接続を形成するためのスルーガラスビア(TGV)を含み得る。このようにして、実施形態は、3D BPFの磁界をガラス基板に閉じ込めて、それ故それらの性能を向上させ、それらの対応する周波数応答特性における変動を低減するように構成され得る。前述のTGVを使用する実施形態はまた、周波数応答のパスバンド中の望ましくないスプリアス変動を取り除くために、L-Cタンク間のインダクタ結合を含む、3D L-C BPFに対する特定の回路トポロジーを対象とすることがある。
【００１９】
ここで図1Aを参照すると、全体的に100で示され、例示的な実施形態によって構成された3Dソレノイドインダクタが示されている。インダクタ100は、ガラス基板であってよい基板108上に形成され得る。ガラス基板は、低い誘電体損を助長し、渦電流損を実質的に除去することができる。インダクタ100において、第1の部分102が、網掛け部分に示される。第1の部分102は、金属などの伝導材料で形成され、基板108の上面などの第1の面上に配設され得る。ゴースト線で示される第2の部分106は、同様に、伝導材料で形成され、基板108の底面などの第2の面上に配設され得る。第1の部分102および第2の部分106は、基板108を貫通するTGV 104(暗い網掛けで示す)によって接続され得る。図示のように、第2の部分106は、TGV 104の接続点を重複させることを可能にするために、第1の部分102に対してある角度で形成され得る。
【００２０】
以前から知られている技術によって形成されるビアとは対照的に、(ガラスで形成され得る)基板108を通して第1の部分102と第2の部分106とを接続するために例示的な実施形態においてTGVを使用することで、インダクタ100のインダクタンスLにおいてより小さい損失がもたらされる。さらに、ガラス基板上に第1の部分102および第2の部分106を形成するために、より太い金属線が使用され得る。その上、TGVは、ビアに対して以前から知られている技術より太い厚さで形成され得る。したがって、より太い金属線およびビアが、インダクタ100のターンを通る、より低い抵抗Rをもたらす。後で分かるように、より低い抵抗Rとともに、より高いインダクタンスLが、インダクタ100のより高いQ値に寄与する。さらに、ガラス基板108上のインダクタ100の3D構成もまた、磁界をガラス基板に閉じ込め、したがって、より一層、品質を改善し、損失を低減することが、当業者には認識されよう。
【００２１】
いくつかの実施形態では、磁気コアなどのコアが、例示的なインダクタのインダクタンスをさらに改善するために設けられ得る。たとえば、図1Bを参照すると、コア110が示されている。コア110は、磁性材料で作製され、基板108内に設けられてよく、それによりコアの透磁率が増加する。CoFe、CoFeB、NiFeなどの知られている磁性材料が、基板108内にコア110を形成するために使用され得る。コア110を含めることは随意であり、磁気コアがなくても、ガラスで形成された基板108の透磁率は、エアコアの透磁率に類似し得ることが理解されよう。
【００２２】
ここで図2を参照すると、別の実施形態が示され、第2の3Dソレノイドインダクタ200が設けられている。インダクタ200が、上記で説明したインダクタ100に極めて近接して、それらのそれぞれの磁界を整合させるような様態で位置決めされる。このようにして磁界を整合させることで、インダクタ100とインダクタ200との間の正の相互インダクタンス結合が可能になり、それによりインダクタ100および200のそれぞれのインダクタンスおよびQ値が向上する。インダクタ200は、インダクタ100の基板108と異なる第2の基板208上に形成される様に示されているが、いくつかの実施形態では、基板208および基板108は、単一の基板になるように併合されてもよい。インダクタ100と同様に、インダクタ200は、基板208の上面など、第1の面上に形成された第3の部分202と、基板208の底面など、第2の面上に形成された第4の部分206と、第3の部分202と第4の部分206とを接続するTGV 204とを備える。基板208もまた、ガラスで形成され得る。
【００２３】
その上、図2を参照すると、インダクタ100が4ターンを含むように示され、一方、インダクタ200が3ターンを含むように示されている。一般性を喪失することなく、インダクタのインダクタンスは、そのインダクタのターン数の二乗に正比例することに留意しながら、任意の適切な数のターンが、いずれのインダクタに対しても選択されてよい。追加または代替として、インダクタ100と200の一方または両方は、それらのインダクタンス値をさらに改善するために設けられた図1Bのコア110などの磁気コアを有し得る。さらに、前に論じたように、インダクタ100および200の3次元的性質が与えられれば、インダクタ100と200との間の結合係数Kは、平坦なインダクタによって達成され得る結合係数Kより高くなり得る。
【００２４】
ここで図3Aを参照すると、300で示され、例示的な実施形態によって形成された第1の3D L-C BPFトポロジーが示されている。図3Aは、基板308上に形成された4つのインダクタL1、L2、L3およびL4を示す。インダクタL1は、単一のターンを有し、インダクタ100と同様に形成され、基板308の第1の面上に第1の部分302を、第2の面上に第2の部分306を有するように示され、第1の部分302および第2の部分306は、TGV 304によって接続され得る。残りのインダクタL2〜L4は、同様に形成され得、4つのインダクタL1〜L4のすべては、それらのそれぞれの磁界を整合させ、正の相互インダクタンス結合をもたらすために、図示のように結合され得る。
【００２５】
インダクタL1〜L4に加えて、図3Aはまた、インダクタL1〜L4に結合された4つのキャパシタC1〜C4を示す。4つのキャパシタC1〜C4のそれぞれは、金属-絶縁物-金属(MIM)キャパシタとして形成され得る。たとえば、キャパシタC3を参照すると、部分312は金属電極であってよく、容量性結合(capacitive junction)が絶縁物314によって形成され得る。キャパシタは、図示のTGVによって形成される接合部においてインダクタに結合され得る。また、L-C BPF 300の入力/出力パッドおよびグランド接続「GND」であってよい、2つのポート/端子316および318が示されている。
【００２６】
ここで図3Bを参照すると、L-C BPF 300の対応する回路レベルの概略図が示されている。図3Aと図3Bとを組み合わせて参照すると、インダクタL1〜L4およびキャパシタC1〜C4の間の様々な結合が、TGVを使用することによって効率的かつ無損失に行われる。Q値に関するインダクタの性能およびより高い結合係数によって向上したインダクタンスが、相応に改善され、それによりL-C BPF 300の周波数特性が改善される。
【００２７】
たとえば、ここで図3Cを参照すると、図3Aおよび図3Bによって形成されるL-C BPFの周波数応答が示されている。図3Bに示すように、L1-C1で形成されるインダクタ-キャパシタ(L-C)ペアならびにL4-C4で形成されるL-Cペアは、グランドに分路するように示され、一方、L-Cペア(またはタンク)L2-C2およびL3-C3は、2つのポート/端子316および318の間で直列に置かれているように示される。分路を形成するL-CタンクL1-C1およびL4-C4は、図3Cの周波数応答におけるパスバンドに貢献し、一方、直列L-CペアL2-C2およびL3-C3は、セロに貢献する。L-C接続に対する適切な変形が、例示的な実施形態におけるL-C BPFの周波数応答において、より滑らかなパスバンドを提供し得る。以下の実施形態において、上記で説明したL-C BPF 300のL1-C1およびL4-C4などのL-Cタンクを概して保持し、L-CペアL2-C2およびL3-C3をキャパシタおよびインダクタなどの様々なL-Cフィルタ手段で置き換えながら、代替の3D L-C BPFトポロジーが説明される。
【００２８】
たとえば、図4Aを参照すると、全体的に400で示される第2の3D L-C BPFトポロジーが示されている。L-C BPF 400は、多くの側面においてL-C BPF 300に類似し、理解しやすいように、参照番号は、実質的に、図3Aから引き継いでいる。図3Aと図4Aとを組み合わせて参照すると、L-C BPF 400は、特に、キャパシタC2およびC3がL-C BPF 400において除去されている点で、L-C BPF 300と異なる。その結果、L-C BPF 300のL-Cフィルタ手段、インダクタL2およびL3は、L-C BPF 400において、直列として現れ(appear in series)、組み合わされてより大きいインダクタL2-3を表す。
【００２９】
図4Bは、L-C BPF 400の対応する回路レベルの概略図を示す。図4Bに示すように、L-CタンクL1-C1およびL4-C4は、分路として現れ(appear as shunts)、それらは、組み合わされたインダクタL2-3によって結合される。L-C BPF 400の回路トポロジーは、パスバンドにおいて、スプリアス変動のない改善された周波数応答特性をもたらすことが観察される。たとえば、図4Cを参照すると、L-C BPF 400の周波数応答が示されている。図3Cと比較すると、極が取り除かれ、より広くて滑らかなパスバンドが観察されることが、図4Cから分かる。改善されたパスバンドに対する1つの理由は、組み合わされたインダクタL2-3が、L-CペアL1-C1とL4-C4との間により良好な結合を助長することである。その上、TGVを使用して形成され、L-CタンクL1-C1とL4-C4とを結合するインダクタL2-3を備えるL-C BPF 400のインダクタ結合3Dトポロジーが、パスバンドにおいて広い周波数範囲を与え得る。一例では、最小-39dBの除去を有し、スプリアス変動のない、10GHzまでの周波数範囲が、L-C BPF 400における高Q結合インダクタによって実現され得る。
【００３０】
いくつかの実施形態では、TGVを使用するガラス基板上の例示的な3Dインダクタおよびキャパシタを使用してこれらの従来のL-C BPFを構成することによって、改善された周波数応答特性が、従来のL-C BPFトポロジーにおいて実現され得る。たとえば、図5A〜図5Cを参照すると、全体的に500で示される、さらに別の3D L-C BPFトポロジーが示されている。図5Aは、従来のものであってよいが、例示的な実施形態によるTGVを使用するガラス基板上の3Dインダクタおよびキャパシタを使用して構成されるL-C回路トポロジーを示す。対応する回路レベルの概略図が、図5Bに提示される。図4Bと比較すると、図5BのL-Cフィルタ手段、キャパシタC5が、図4BのインダクタL2-3と置き換わっていることが分かる。図5Cに示すL-C BPF 500の周波数応答を参照すると、構成要素のインダクタおよびキャパシタが、TGVを使用してガラス基板上に例示的な実施形態によって構成されるとき、L-CタンクL1-C1とL4-C4とを接続するキャパシタC5を有するL-C BPF 500のキャパシタ結合構成は、これらのL-C構成要素の従来的実装によって達成可能な周波数応答特性より、滑らかで広いパスバンドをもたらすことが分かる。
【００３１】
図6Aを参照すると、回路トポロジーは従来型であってよいが、その中のL-C構成要素が例示的な実施形態によって形成され得る、さらに別のL-C BPF構成が示されている。図6AのL-C BPF 600の構成に到達するために、直列のキャパシタで結合された、さらに別のL-Cタンクを備えるL-Cフィルタ手段が、図5AのL-C BPF 500のL-CタンクL1-C1とL4-C4との間に追加され得る。したがって、L-C BPF 600は、キャパシタC7およびC8を介してL-CタンクL1-C1とL4-C4とに結合されたL-CタンクC6-L6をさらに含む。図5Bに示す周波数応答と比較すると、追加の構成要素、キャパシタC6、C7、C8およびインダクタL6によって向上した結合が、図6Bに示す周波数応答をもたらす。
【００３２】
回路トポロジーは従来型であってよいが、その中のL-C構成要素が例示的な実施形態によって形成され得る、さらに別のL-C BPF構成が、図7Aに示されている。もう一度図5BのL-C BPF 500からスタートすると、図7AのL-C BPF 700は、L-C BPF 500からキャパシタC5を除去し、図示のL-Cフィルタ手段、キャパシタC9、C10およびC11を追加することによって到達され得る。L-CキャパシタタンクL1-C1とL4-C4との間の変更された結合が、図7Bで示すように、周波数応答特性における変化をもたらす。
【００３３】
したがって、L-C BPF回路の性能および周波数応答特性は、例示的な実施形態によるTGVを使用してガラス基板上にインダクタおよびキャパシタなど、構成要素L-Cフィルタ手段を用いてL-C BPFを構成することによって改善され得ることが分かる。
【００３４】
実施形態は、本明細書で開示するプロセス、機能および/またはアルゴリズムを実行するための様々な方法を含むことが諒解されよう。たとえば、図8に示すように、実施形態は、ガラス基板の第1の面上に第1のインダクタ(たとえば、図1の100)の第1の部分(たとえば、図1の102)を形成するステップ-ブロック802と、ガラス基板の第2の面上に第1のインダクタの第2の部分(106)を形成するステップ-ブロック804と、スルーガラスビア(TGV)(たとえば、図1の104)を介して第1のインダクタの第1の部分と第2の部分とを接続するステップ-ブロック806とを含む、ガラス基板(たとえば、図1の108)上のL-Cフィルタ回路を形成する方法を含み得る。
【００３５】
情報および信号は、多種多様な技術および技法のいずれかを使用して表され得ることを当業者は諒解されよう。たとえば、上記の説明全体にわたって言及され得るデータ、命令、コマンド、情報、信号、ビット、シンボル、およびチップは、電圧、電流、電磁波、磁界または磁性粒子、光場または光学粒子、あるいはそれらの任意の組合せによって表され得る。
【００３６】
さらに、本明細書で開示した実施形態に関連して説明した様々な例示的な論理ブロック、モジュール、回路、およびアルゴリズムステップは、電子ハードウェア、コンピュータソフトウェア、または両方の組合せとして実装できることを、当業者は諒解されよう。ハードウェアとソフトウェアのこの互換性を明確に示すために、様々な例示的な構成要素、ブロック、モジュール、回路、およびステップを、上記では概してそれらの機能に関して説明した。そのような機能をハードウェアとして実装するか、ソフトウェアとして実装するかは、特定の適用例および全体的なシステムに課される設計制約に依存する。当業者は、説明した機能を特定の適用例ごとに様々な方法で実装し得るが、そのような実装の決定は、本発明の範囲からの逸脱を生じるものと解釈すべきではない。
【００３７】
本明細書で開示された実施形態と関連して説明された方法、シーケンス、および/またはアルゴリズムは、ハードウェアで、プロセッサによって実行されるソフトウェアモジュールで、またはその2つの組合せで直接具現化され得る。ソフトウェアモジュールは、RAMメモリ、フラッシュメモリ、ROMメモリ、EPROMメモリ、EEPROMメモリ、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、CD-ROM、または当技術分野で知られている任意の他の形態の記憶媒体中に常駐し得る。例示的な記憶媒体は、プロセッサが記憶媒体から情報を読み取り、記憶媒体に情報を書き込むことができるように、プロセッサに結合される。代替として、記憶媒体はプロセッサと一体であり得る。
【００３８】
したがって、本発明の一実施形態は、TGVを使用するガラス基板上のL-C回路に対する方法を具現化するコンピュータ可読媒体を含んでもよい。したがって、本発明は図示の例に限定されず、本明細書で説明した機能を実行するためのいかなる手段も、本発明の実施形態中に含まれる。本開示の一部分を形成し、その全体が本明細書に明示的に組み込まれる、添付の付録Aに、追加の態様が開示される。
【００３９】
図9は、本開示の実施形態が有利に採用され得る例示的なワイヤレス通信システム900を示している。説明のために、図9は、3つの遠隔ユニット920、930、950および2つの基地局940を示す。図9では、ワイヤレスローカルループシステムにおいて、遠隔ユニット920は携帯電話として示され、遠隔ユニット930はポータブルコンピュータとして示され、遠隔ユニット950は定位置遠隔ユニットとして示されている。たとえば、遠隔ユニットは、携帯電話、手持ち式パーソナル通信システム(PCS)ユニット、携帯情報端末のような携帯用データユニット、GPS対応デバイス、ナビゲーションデバイス、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、メータ読取り機器などの固定位置データユニット、またはデータもしくはコンピュータ命令の記憶もしくは取り出しを行う任意の他のデバイス、またはそれらの任意の組合せであってもよい。図9は、本開示における教示による遠隔ユニットを示しているが、本開示は、これらの例示的な示されたユニットに限定されない。本開示の実施形態は、試験および特性評価のための、メモリおよびオンチップ回路を含む能動的な集積回路を含む、任意のデバイスにおいて適切に採用され得る。
【００４０】
前述の開示されたデバイスおよび方法は、通常、コンピュータ可読記憶媒体に保存されるGDSIIおよびGERBERコンピュータファイルとなるように、設計され構成される。次いでこれらのファイルは、これらのファイルに基づいてデバイスを製造する製造担当者に与えられる。得られる製品は半導体ウェハであり、このウェハは次いで、半導体ダイに切断され、半導体チップにパッケージングされる。そして、このチップが、上で説明されたデバイスで採用される。
【００４１】
上記の開示は本発明の例示的な実施形態を示すが、添付の特許請求の範囲によって規定される本発明の範囲から逸脱することなく、本明細書において様々な変更および修正を行えることに留意されたい。本明細書で説明された本発明の実施形態による方法クレームの機能、ステップおよび/または動作は、特定の順序で実行されなくてもよい。さらに、本発明の要素は、単数形で説明または請求されていることがあるが、単数形に限定することが明示的に述べられていない限り、複数形が企図される。
【符号の説明】
【００４２】
100  第1の3Dソレノイドインダクタ
102  第1の部分
104  スルーガラスビア(TGV)
106  第2の部分
108  基板
110  磁気コア
200  第2の3Dソレノイドインダクタ
202  第3の部分
204  TGV
206  第4の部分
208  基板
300  第1の3次元L-Cバンドパスフィルタ(3D L-C BPF)トポロジー
302  第1の部分
304  TGV
306  第2の部分
308  基板
312  部分
314  絶縁物
316  ポート/端子
318  ポート/端子
400  第2の3D L-C BPFトポロジー
500  別の3D L-C BPFトポロジー
600  別の3D L-C BPFトポロジー
700  別の3D L-C BPFトポロジー
900  ワイヤレス通信システム
920  遠隔ユニット
930  遠隔ユニット
940  基地局
950  遠隔ユニット
【図１Ａ】
2015513820.tif 000003
【図１Ｂ】
2015513820.tif 000004
【図３Ａ】
2015513820.tif 000005
【図３Ｂ】
2015513820.tif 000006
【図３Ｃ】
2015513820.tif 000007
【図４Ａ】
2015513820.tif 000008
【図４Ｂ】
2015513820.tif 000009
【図４Ｃ】
2015513820.tif 000010
【図５Ａ】
2015513820.tif 000011
【図５Ｂ】
2015513820.tif 000012
【図５Ｃ】
2015513820.tif 000013
【図６Ａ】
2015513820.tif 000014
【図６Ｂ】
2015513820.tif 000015
【図７Ａ】
2015513820.tif 000016
【図７Ｂ】
2015513820.tif 000017
【図８】
2015513820.tif 000018
【図９】
2015513820.tif 000019
【図２】
2015513820.tif 000020
【手続補正書】
【提出日】平成26年5月14日(2014.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上にL-Cフィルタ回路を形成する方法であって、
前記ガラス基板の第1の面上に第1のインダクタの第1の部分を含む第1のL-Cタンクを形成するステップと、
前記ガラス基板の第2の面上に前記第1のインダクタの第2の部分を形成するステップであって、前記第1の部分と前記第2の部分との接続点を重複させることを可能にするために、前記第2の部分が前記第1の部分に対してある角度で形成される、形成するステップと、
スルーガラスビア(TGV)の第1のセットを介して前記第1のインダクタの前記第1の部分と前記第2の部分とを結合するステップと、
前記ガラス基板の前記第1の面上に第2のインダクタの第1の部分を含む第2のL-Cタンクを形成するステップと、
前記ガラス基板の前記第2の面上に前記第2のインダクタの第2の部分を形成するステップと、
TGVの第2のセットを介して前記第2のインダクタの前記第1の部分と前記第2のインダクタの前記第2の部分とを結合するステップと、
TGVの第3のセットを使用して前記ガラス基板の前記第1および前記第2の面上に形成された3次元ソレノイドインダクタとして第3のインダクタを形成するステップとを含み、前記第3のインダクタが、前記第1のL-Cタンクを前記第2のL-Cタンクに電気的に結合するように構成される、方法。
【請求項２】
前記第1のインダクタが、第1のインダクタの磁界を前記ガラス基板に閉じ込めるように構成される、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
相互インダクタンス結合を与えるために、それらのそれぞれの磁界を整合させるように前記第1および前記第2のインダクタを位置決めするステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記第1のインダクタと前記第2のインダクタとの間にMIM(金属-絶縁物-金属)キャパシタを形成するステップと、
前記MIMキャパシタを介して前記第1のインダクタと前記第2のインダクタとを結合するステップとをさらに含む、請求項3に記載の方法。
【請求項５】
前記第1のインダクタの磁気コアを形成するために、前記第1のインダクタの前記第1の部分と前記第1のインダクタの前記第2の部分との間に磁性材料を設けるステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
ガラス基板と、
前記ガラス基板の第1の面上に形成された第1のインダクタの第1の部分と、前記ガラス基板の第2の面上に形成された前記第1のインダクタの第2の部分とを含む第1のL-Cタンクであって、前記第1の部分と前記第2の部分との接続点を重複させることを可能にするために、前記第2の部分が前記第1の部分に対してある角度で形成され、スルーガラスビア(TGV)の第1のセットが前記第1のインダクタの前記第1の部分と前記第2の部分とを結合するように構成される、第1のL-Cタンクと、
前記ガラス基板の前記第1の面上の第2のインダクタの第1の部分と、前記ガラス基板の前記第2の面上の前記第2のインダクタの第2の部分と、第3の部分と第4の部分とを結合するように構成されたTGVの第2のセットとを含む第2のL-Cタンクと、
3次元ソレノイドインダクタであって、TGVの第3のセットを使用して前記ガラス基板の前記第1および前記第2の面上に形成される第3のインダクタとを備え、前記第3のインダクタが、前記第1のL-Cタンクを前記第2のL-Cタンクに電気的に結合するように構成される、L-Cフィルタ回路。
【請求項７】
前記第1のインダクタが、第1のインダクタの磁界を前記ガラス基板に閉じ込めるように構成される、請求項6に記載のL-Cフィルタ回路。
【請求項８】
前記第1および前記第2のインダクタが、それらの磁界が相互インダクタンス結合を与えるように整合されるように位置決めされる、請求項6に記載のL-Cフィルタ回路。
【請求項９】
金属-絶縁物-金属(MIM)キャパシタをさらに備え、前記MIMキャパシタは、前記第1および前記第2のインダクタが前記MIMキャパシタを介して結合されるように、前記第1のインダクタと前記第2のインダクタとの間に形成される、請求項8に記載のL-Cフィルタ回路。
【請求項１０】
磁性材料が前記第1のインダクタの磁気コアを形成するように、前記第1のインダクタの前記第1の部分と前記第1のインダクタの前記第2の部分との間に位置決めされた前記磁性材料をさらに備える、請求項6に記載のL-Cフィルタ回路。
【請求項１１】
前記第1のL-Cタンクが、半導体ダイ上に組み込まれる、請求項6に記載のL-Cフィルタ回路。
【請求項１２】
前記第1のL-Cタンクが、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定ロケーションデータユニット、およびコンピュータからなる群から選択されるデバイスに組み込まれる、請求項6に記載のL-Cフィルタ回路。
【請求項１３】
ガラス基板上にL-Cフィルタ回路を形成する方法であって、
前記ガラス基板の第1の面上に第1のインダクタの第1の部分を含む第1のL-Cタンクを形成するためのステップと、
前記ガラス基板の第2の面上に前記第1のインダクタの第2の部分を形成するためのステップと、
スルーガラスビア(TGV)の第1のセットを介して前記第1のインダクタの前記第1の部分と前記第2の部分とを結合するためのステップと、
前記ガラス基板の前記第1の面上に第2のインダクタの第1の部分を含む第2のL-Cタンクを形成するためのステップと、
前記ガラス基板の前記第2の面上に前記第2のインダクタの第2の部分を形成するためのステップと、
TGVの第2のセットを介して前記第2のインダクタの前記第1の部分と前記第2のインダクタの前記第2の部分とを結合するためのステップと、
TGVの第3のセットを使用して前記ガラス基板の前記第1および前記第2の面上に形成された3次元ソレノイドインダクタとして第3のインダクタを形成するためのステップとを含み、前記第3のインダクタが、前記第1のL-Cタンクを前記第2のL-Cタンクに電気的に結合するように構成される、方法。
【請求項１４】
前記第1のインダクタが、第1のインダクタの磁界を前記ガラス基板に閉じ込めるように構成される、請求項13に記載の方法。
【請求項１５】
相互インダクタンス結合を与えるために、それらのそれぞれの磁界を整合させるように前記第1および前記第2のインダクタを位置決めするためのステップをさらに含む、請求項13に記載の方法。
【請求項１６】
前記第1のインダクタと前記第2のインダクタとの間に金属-絶縁物-金属(MIM)キャパシタを形成するためのステップと、
前記MIMキャパシタを介して前記第1のインダクタと前記第2のインダクタとを結合するためのステップとをさらに含む、請求項15に記載の方法。
【請求項１７】
前記第1のインダクタの磁気コアを形成するために、前記第1のインダクタの前記第1の部分と前記第1のインダクタの前記第2の部分との間に磁性材料を設けるためのステップをさらに含む、請求項13に記載の方法。
【請求項１８】
ガラスで形成された基板手段と、
前記基板手段の第1の面上に形成された第1のインダクタンス手段の第1の部分と、前記基板手段の第2の面上に形成された前記第1のインダクタンス手段の第2の部分とを含む第1のL-Cタンクであって、前記第1の部分と前記第2の部分との接続点を重複させることを可能にするために、前記第2の部分が前記第1の部分に対してある角度で形成され、スルーガラスビア(TGV)の第1のセットが前記第1のインダクタンス手段の前記第1の部分と前記第2の部分とを接続するように構成される、第1のL-Cタンクと、
前記基板手段の前記第1の面上の第2のインダクタンス手段の第1の部分と、前記基板手段の前記第2の面上の前記第2のインダクタンス手段の第2の部分と、前記第2のインダクタの第1の部分と前記第2のインダクタの第2の部分とを接続するように構成されたTGVの第2のセットとを含む第2のL-Cタンクと、
3次元ソレノイドインダクタンス手段であって、TGVの第3のセットを使用して前記基板手段の前記第1および前記第2の面上に形成される第3のインダクタンス手段とを含み、前記第3のインダクタンス手段が、前記第1のL-Cタンクを前記第2のL-Cタンクに電気的に結合するように構成される、L-Cフィルタ回路。
【請求項１９】
高電圧源とグランドとの間に結合された第1のインダクタと第1のキャパシタとを備える第1のL-Cタンクと、
前記高電圧源とグランドとの間に結合された第2のインダクタと第2のキャパシタとを備える第2のL-Cタンクと、
前記第1のL-Cタンクを前記第2のL-Cタンクに結合するL-Cフィルタ手段とを備え、前記L-Cフィルタ手段が、スルーガラスビア(TGV)の第1のセットを使用して前記ガラス基板の前記第1および前記第2の面上に形成された3次元ソレノイドインダクタとして形成され、前記第1のL-Cタンクを前記第2のL-Cタンクに電気的に結合するように構成された、第3のインダクタを備え、前記第1および前記第2のインダクタが、TGVの第2および第3のセットのそれぞれを使用してガラス基板の第1および第2の面上に形成された3次元ソレノイドインダクタであり、前記第1のキャパシタが、前記ガラス基板の前記第1の面上で前記第1のインダクタおよび前記第2のインダクタに並列に金属-絶縁物-金属(MIM)キャパシタとして形成され、前記第2のキャパシタが、前記ガラス基板の前記第1の面上で前記第2のインダクタおよび前記L-Cフィルタ手段に並列にMIMキャパシタとして形成される、L-Cフィルタ回路。
【請求項２０】
前記L-Cフィルタ手段が、
前記高電圧源とグランドとの間に結合された第4のインダクタと第3のキャパシタとを備える第3のL-Cタンクと、
前記高電圧源とグランドとの間に結合された第5のインダクタと第4のキャパシタとを備える第4のL-Cタンクとを備え、
前記第3のキャパシタが、前記ガラス基板の前記第1の面上の前記第1のインダクタと前記第3のインダクタとの間のMIMキャパシタとして形成され、前記第4のキャパシタが、前記ガラス基板の前記第1の面上の前記第5のインダクタと前記第2のインダクタとの間のMIMキャパシタとして形成される、請求項19に記載のL-Cフィルタ回路。
【請求項２１】
前記第1のインダクタが、第1のインダクタの磁界を前記ガラス基板に閉じ込めるように構成される、請求項19に記載のL-Cフィルタ回路。
【請求項２２】
前記L-Cフィルタ手段が、前記ガラス基板の前記第1の面上に前記第1のインダクタと前記第2のインダクタとの間のMIMキャパシタとして形成された第3のキャパシタを備える、請求項19に記載のL-Cフィルタ回路。
【請求項２３】
前記L-Cフィルタ手段が、
前記高電圧源とグランドとの間に結合された第4のインダクタと第3のキャパシタとを備える第3のL-Cタンクと、
前記第1のL-Cタンクと前記第3のL-Cタンクとを結合する第4のキャパシタと、
前記第3のL-Cタンクと前記第2のL-Cタンクとを結合する第5のキャパシタとを備え、
前記第4のインダクタが、TGVの第4のセットを使用して前記ガラス基板の前記第1および前記第2の面上に形成された3次元ソレノイドインダクタであり、前記第3、前記第4、および前記第5のキャパシタがMIMキャパシタとして形成される、請求項19に記載のL-Cフィルタ回路。
【請求項２４】
前記L-Cフィルタ手段が、
前記高電圧源と前記第1のL-Cタンクとの間に結合された第3のキャパシタと、
前記第2のL-Cタンクと前記高電圧源との間に結合された第4のキャパシタと、
前記第3のキャパシタと前記第4のキャパシタとに結合された第5のキャパシタとを備え、
前記第3、前記第4、および前記第5のキャパシタがMIMキャパシタとして形成される、請求項19に記載のL-Cフィルタ回路。
【請求項２５】
前記第1のL-Cタンクが、半導体ダイ上に組み込まれる、請求項19に記載のL-Cフィルタ回路。
【請求項２６】
前記第1のL-Cタンクが、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定ロケーションデータユニット、およびコンピュータからなる群から選択されるデバイスに組み込まれる、請求項19に記載のL-Cフィルタ回路。
【国際調査報告】
2015513820.tif 000021
2015513820.tif 000022
2015513820.tif 000023