(57)【要約】本発明は、半導体積層体１７と、光取り出し面１１と、光取り出し面１１とは反対側に位置する裏面１２と、側面１３と、を有する発光半導体チップ１と、側面１３を直接的かつ形状固定状態に覆っている成形体２０を有する支持体２と、を備えており、裏面１２に２つの電気接触層１４と熱接触層１５とが形成されている、発光半導体部品１００，２００，３００に関する。熱接触層１５は、電気接触層１４および半導体積層体１７から電気的に絶縁されており、支持体２は、裏面１２に、電気接触層１４に直接接触している電気接続要素２４と、熱接触層１５に直接接触している熱結合要素２５とを有し、熱結合要素２５は、少なくとも一部分が、半導体チップ１とは反対側の半導体部品１００，２００，３００のアセンブリ面２２を形成している。さらに、本発明は、半導体部品を製造する方法に関する。
2015513226.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光半導体部品（１００，２００，３００）であって、
半導体積層体（１７）と、光取り出し面（１１）と、前記光取り出し面（１１）とは反対側に位置する裏側面（１２）と、前記光取り出し面（１１）と前記裏側面（１２）とを結合している側面（１３）と、を有する少なくとも１つの発光半導体チップ（１）と、
前記半導体チップ（１）の前記側面（１３）を直接的かつ形状固定状態に覆っている成形体（２０）を有するキャリアボディ（２）と、
を備えており、
前記半導体チップ（１）の前記裏側面（１２）に、２つの電気接触層（１４）と熱接触層（１５）とが形成されており、
前記熱接触層（１５）が、前記電気接触層（１４）および前記半導体積層体（１７）から電気的に絶縁されており、
前記キャリアボディ（２）が、前記半導体チップ（１）の前記裏側面に、前記半導体チップ（１）の前記電気接触層（１４）に直接接触している電気接続要素（２４）と、前記半導体チップ（１）の前記熱接触層（１５）に直接接触している熱結合要素（２５）とを有し、
前記熱結合要素（２５）の少なくとも一部分が、前記半導体チップ（１）とは反対側の前記半導体部品（１００，２００，３００）の実装面（２２）を形成している、
発光半導体部品（１００，２００，３００）。
【請求項２】
前記成形体（２０）が前記光取り出し面（１１）を覆っていない、
請求項１に記載の発光半導体部品（１００，２００，３００）。
【請求項３】
前記成形体（２０）の上面が前記光取り出し面（１１）と同じ高さである、
請求項１または請求項２に記載の発光半導体部品（１００，２００，３００）。
【請求項４】
前記光取り出し面（１１）に波長変換要素（３）が配置されている、
請求項１から請求項３のいずれかに記載の発光半導体部品（１００，２００，３００）。
【請求項５】
前記キャリアボディ（２）が、前記電気接続要素（２４）と前記熱結合要素（２５）との間に電気的絶縁材料（２６）を有する、
請求項１から請求項４のいずれかに記載の発光半導体部品（１００，２００，３００）。
【請求項６】
前記電気接続要素（２４）が前記キャリアボディ（２）の内部に配置されている、
請求項１から請求項５のいずれかに記載の発光半導体部品（１００，２００，３００）。
【請求項７】
前記電気接続要素（２４）が、部分的に前記成形体（２０）の上に形成されている、
請求項１から請求項６のいずれかに記載の発光半導体部品（１００，２００，３００）。
【請求項８】
前記熱結合要素（２５）が、横方向において前記電気接続要素（２４）より突き出している、
請求項１から請求項７のいずれかに記載の発光半導体部品（１００，２００，３００）。
【請求項９】
前記電気接続要素（２４）および前記熱結合要素（２５）が、電気めっき法によって前記半導体チップ（１）の上に形成されている、
請求項１から請求項８のいずれかに記載の発光半導体部品（１００，２００，３００）。
【請求項１０】
前記成形体（２０）が、電気接続要素（２４）に電気的に接続されている少なくとも１つの電気ビア（２７）を有する、
請求項１から請求項９のいずれかに記載の発光半導体部品（１００，２００，３００）。
【請求項１１】
前記熱結合要素（２５）が、前記半導体部品（１００，２００，３００）の前記実装面（２２）全体を形成している、
請求項１０に記載の発光半導体部品（１００，２００，３００）。
【請求項１２】
前記半導体チップ（１）が、前記半導体積層体（１７）と前記熱接触層（１５）との間に電気的絶縁層（１８）を有する、
請求項１から請求項１１のいずれかに記載の発光半導体部品（１００，２００，３００）。
【請求項１３】
前記熱接触層（１５）が、前記半導体チップ（１）の前記裏側面（１２）において前記電気接触層（１４）よりも大きい領域を占有している、
請求項１から請求項１２のいずれかに記載の発光半導体部品（１００，２００，３００）。
【請求項１４】
前記成形体（２０）の中に、複数の発光半導体チップ（１）が横方向に互いに並んで配置されており、前記キャリアボディ（２）が連続的な前記熱結合要素（２５）を有し、前記熱結合要素（２５）に前記半導体チップ（１）の前記熱接触層（１５）が直接接触している、
請求項１から請求項１３のいずれかに記載の発光半導体部品（１００，２００，３００）。
【請求項１５】
請求項１から請求項１４のいずれかに記載の発光半導体部品（１００，２００，３００）を製造する方法であって、
Ａ）  半導体積層体（１７）を有し、光取り出し面（１１）を有し、前記光取り出し面（１１）とは反対側に位置する裏側面（１２）を有し、前記光取り出し面（１１）と前記裏側面（１２）とを結合する側面（１３）を有する、発光半導体チップ（１）、を形成するステップであって、前記半導体チップ（１）の前記裏側面（１２）に、２つの電気接触層（１４）と熱接触層（１５）とが配置され、前記熱接触層（１５）が、前記電気接触層（１４）および前記半導体積層体（１７）から電気的に絶縁される、ステップと、
Ｂ）  前記半導体チップ（１）のキャリアボディ（２）を形成するステップであって、
Ｂ１）  前記半導体チップ（１）の周囲に成形体（２０）を成形するサブステップであって、前記成形体が、前記半導体チップ（１）の前記側面（１３）を、直接的かつ形状固定状態に覆う、サブステップと、
Ｂ２）  前記半導体チップ（１）の前記電気接触層（１４）に直接接触する電気接続要素（２４）と、前記半導体チップ（１）の前記熱接触層（１５）に直接接触する熱結合要素（２５）とを、電気めっき法によって形成するサブステップであって、前記熱結合要素（２５）が、前記半導体チップ（１）とは反対側の前記半導体部品（１００，２００，３００）の実装面（２２）を形成するような厚さで形成される、サブステップと、
を含む、ステップと、
を含んでいる、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
発光半導体部品および発光半導体部品を製造する方法を開示する。
【背景技術】
【０００２】
電気接続部すべてが主面に配置されており、これらの電気接続部によって半導体チップそれぞれがキャリア上に実装される発光半導体チップが公知である。このような半導体チップは、いわゆる「フリップチップ」とも称され、その利点として、電気的接続のために例えば追加の電気コンタクト（例えばボンディングワイヤの形における電気コンタクト）がもはや必要ない。
【０００３】
フリップチップは、一般にはその電気接続部のみによってキャリアの上に実装されるため、動作時に半導体チップからの熱を効率的に放散させるという問題が生じる。
【０００４】
フリップチップを例えばセラミック基板の上に実装することが知られており、この場合、電気接続部はセラミック基板の対応する導体トラックの上に配置され、そこに接続される。セラミック基板の利点は、電気的絶縁性であり、熱伝導性が高いことと、熱膨張係数を、半導体チップの熱膨張係数に近い値に選択できることである。半導体チップをセラミック基板の導体トラックに接続する目的には、さまざまな可能な方法として、例えば、はんだ付け、ゴールドオンゴールド超音波接合（gold-on-gold ultrasonic bonding）、接着接合、低温での焼結（ＬＴＳ：「低温焼結」）が適切である。しかしながら、これに対する欠点として、コストが高いこと（特に、大きな領域のセラミック基板の場合）と、実装された半導体チップとセラミック基板とが上に実装されるさらなるヒートシンク、いわゆる第２レベルヒートシンク（例えば金属コア回路基板）に熱膨張係数を適合させることが難しいことが挙げられる。
【０００５】
さらには、いわゆるＱＦＮ設計（ＱＦＮ：「クワッドフラットノーリード（quad flat no leads）」）のハウジングが公知であり、これは、プラスチックハウジング内にリードフレーム部を有し、リードフレーム上に例えばフリップチップを実装することができる。この場合、可能な接続方法として、セラミック基板の場合に説明した方法を使用できるが、ＱＦＮハウジングはセラミック基板よりも熱伝導が良好であり、費用効率もセラミック基板より高い。さらには、第２レベルヒートシンクに対する熱膨張係数の適合化が、セラミック基板の場合よりも良好である。しかしながら、ＱＦＮハウジングに関する欠点として、ハウジングの熱膨張係数が半導体チップの熱膨張係数から大きく逸脱し、このことが信頼性の問題につながりうる。さらに、ＱＦＮハウジングの場合に達成可能な最小形状サイズは、リードフレームの最小エッチング幅によって制限され、例えば２００μｍの厚さのリードフレームの場合に１００μｍ以上である。
【０００６】
ＱＦＮハウジングでは電気的絶縁性の実装面を得る目的で、例えばダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）やポリイミドから構成される誘電体層を追加的に形成しなければならず、例えばはんだ付けによってＱＦＮハウジングを実装できるようにするためには、誘電体層を、例えばさらなる金属層によって覆わなければならない。結果として、ＱＦＮハウジングの下面の電気的絶縁を達成できるが、この絶縁に適する材料はコストが高く、熱導電率が低いことも多い。
【０００７】
プロセス工学の観点における工程を増やすことで、半導体チップの側の面における適切な電気的絶縁を有するＱＦＮハウジングを実施することも可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】国際公開第２０１１／０１５４４９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特定の実施形態の少なくとも１つの目的は、発光半導体部品を開示することである。特定の実施形態の少なくとも１つのさらなる目的は、発光半導体部品を製造する方法を開示することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
これらの目的は、独立請求項による部品および方法によって達成される。本部品および本方法の有利な実施形態および発展形態は、従属請求項に記載されており、さらには以下の説明および図面からも明らかである。
【００１１】
少なくとも一実施形態によると、発光半導体部品は発光半導体チップを備えており、この発光半導体チップは、光を生成するための活性領域を有する半導体積層体を有する。特に好ましくは、半導体積層体は、エピタキシ法によって、例えば有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）または分子線エピタキシ（ＭＢＥ）によって、成長基板の上に成長させることができる。結果として、半導体積層体は、成長方向によって与えられる配置方向に沿って互いに上下に配置された複数の半導体層を有する。半導体積層体のこれらの層は、配置方向に垂直な方向に、主延在面を有する。
【００１２】
発光半導体チップは、特に、成長方向に垂直に配置された２つの主面を有する。主面のうちの一方は、光取り出し面として具体化されており、この光取り出し面によって、動作時に生成される光が放出される。さらに、半導体チップは、光取り出し面とは反対側に位置しており、かつ半導体チップの第２の主面を形成する裏側面を有する。光取り出し面と裏側面は、側面によって互いに結合されている。光取り出し面を通じて光が放出されることに加えて、動作時に活性層において生成される光は、少なくとも一部分を側面もしくは裏側面またはその両方によって放出することもできる。
【００１３】
発光半導体チップは、波長に応じてさまざまな半導体材料系をベースとする半導体積層体を有することができる。長い波長（赤外放射〜赤色放射）には、例えばＩｎｘＧａｙＡｌ１−ｘ−ｙＡｓ系の半導体積層体が適しており、赤色放射〜黄色放射には、例えばＩｎｘＧａｙＡｌ１−ｘ−ｙＰ系の半導体積層体が適しており、短い波長の可視光（すなわち特に緑色放射〜青色放射）または紫外放射には、例えばＩｎｘＧａｙＡｌ１−ｘ−ｙＮ系の半導体積層体が適しており、各場合において０≦ｘ≦１かつ０≦ｙ≦１が成り立つ。さらに、長い波長の赤外放射には、アンチモン化物（例えばＩｎＳｂ、ＧａＳｂ、ＡｌＳｂ、またはこれらの組合せ）をベースとする半導体積層体も適し得る。
【００１４】
成長基板は、絶縁体材料または半導体材料（例えば上に挙げた化合物半導体材料系）を含んでいることができる。特に、成長基板は、サファイア、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＮ、ＩｎＰ、ＳｉＣ、Ｓｉ、Ｇｅのうちの少なくとも１種類を含んでいることができる、またはこのような材料から構成することができる。
【００１５】
発光半導体チップの半導体積層体は、活性領域、例えば従来のｐｎ接合部、ダブルヘテロ構造、単一量子井戸構造（ＳＱＷ構造）、または多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造）を有することができる。本出願においては、量子井戸構造という表現は、特に、閉じ込めの結果として電荷キャリアにおいてエネルギ状態の量子化が起こる任意の構造を包含する。特に、量子井戸構造という表現は、量子化の次元について何らかの指定を行うものではない。したがって、量子井戸構造には、特に、量子井戸、量子細線、および量子ドットと、これらの構造の任意の組合せとが含まれる。半導体積層体は、活性領域に加えて、さらなる機能層および機能領域、例えば、ｐ型またはｎ型にドープされた電荷キャリア輸送層、ドープされていないかｐ型またはｎ型にドープされた閉じ込め層、クラッド層、または導波層、障壁層、平坦化層、バッファ層、保護層、電極のうちの少なくとも１つ、およびこれらの層の組合せを備えていることができる。活性領域またはさらなる機能層および機能領域に関してここに記載した構造部は、特に構造および機能に関して当業者に公知であり、したがってここではこれ以上詳しく説明しない。
【００１６】
成長工程は、特に、ウェハアセンブリ（wafer assemblage）において行うことができる。言い換えれば、ウェハの形における成長基板を形成し、この上に大きな領域にわたり半導体積層体を成長させる。さらなる方法ステップにおいて、成長した半導体積層体を個々の半導体チップに個片化することができ、この場合、半導体チップの側面を個片化によって形成することができる。
【００１７】
さらに、個片化の前に、半導体積層体をキャリア基板に移載することができ、成長基板を薄くする、すなわち少なくとも部分的または完全に除去することができる。
【００１８】
少なくとも一実施形態によると、半導体チップの裏側面に、少なくとも２つの電気接触層と熱接触層とが形成されており、熱接触層は、少なくとも２つの電気接触層から電気的に絶縁されている。特に、発光半導体チップは、裏側面にのみ電気接触層および熱接触層を有し、半導体チップの他方の面（特に光取り出し面）には接触層が存在しない。
【００１９】
熱接触層は、特に、電位が存在しない状態に形成されている。言い換えれば、熱接触層は、半導体チップの半導体積層体から電気的に絶縁されている。この目的のため、半導体チップは、半導体積層体と熱接触層との間に電気的絶縁層を有することができ、この電気的絶縁層は、例えば二酸化ケイ素、ダイアモンド、またはアルミニウム酸化物を含んでおり、１００ｎｍ以上の厚さで形成されている。半導体チップの製造時、この目的のため、基板の上に半導体積層体を形成することができ、基板（特に成長基板）とは反対側に位置する半導体積層体の面に、パッシベーション層の形における電気的絶縁層を形成することができる。これに代わる形態として、半導体積層体が上に配置される基板、例えばキャリア基板（例：セラミック基板）によって、電気的絶縁層を形成することも可能である。この場合、半導体積層体とは反対側に位置する基板の面に、熱接触層が形成される。
【００２０】
電気接触層は、半導体積層体の上に例えば直接的に、すなわち半導体積層体に直接接触した状態に、配置することができる。さらには、電気的絶縁層の上に電気接触層を配置し、電気ビアによって電気接触層を半導体積層体に電気的に接続することも可能である。半導体チップが２つの電気接触層を有する場合、これらの電気接触層は半導体チップ全体に電圧を印加する役割を果たす。半導体チップが３つ以上の電気接触層を有する場合、半導体チップは、互いに個別に駆動することのできる複数の発光セグメントを有することもできる。
【００２１】
電気接触層および熱接触層は、特に、１種類または複数種類の金属または金属合金または金属積層体を含んでいる。特に好ましくは、電気接触層および熱接触層は同じに具体化されている。
【００２２】
これらの接触層は、一例として、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、あるいはこれらの混合物、合金、または層の組合せを含んでいることができる。特に好ましくは、電気接触層および熱接触層は、例えば接着促進層（例：Ｔｉ）と実装層（例：Ａｕ）を備えていることができる。さらには、これらの層の間に障壁層（例：ＰｔもしくはＰｄまたはその両方）を配置することもできる。
【００２３】
電気接触層および熱接触層は、発光半導体チップの作製時に形成することができ、キャリアボディ（後からさらに説明する）を形成する前に半導体チップの一部として設けることができる。さらには、半導体チップの周囲に成形体（molded body）を成形する工程（後からさらに説明する）の後、接続（結合）要素を形成する（後からさらに説明する）前に、これらの接触層を例えば電気めっき法によって形成することができる。
【００２４】
フリップチップの形に具体化されており、かつ電気接続層のみを有する（半導体チップからの熱も電気接続層によって同時に放散させなければならない）公知の半導体チップと比較すると、本明細書に記載されている半導体チップは、電気接続層に加えて熱接触層を有し、この熱接触層によって、大きな領域にわたり半導体チップをヒートシンクに熱結合することが可能となり、したがって、熱放散に関して電気接触層に課される要件が小さい、または無視することができる。熱接触層が電気接触層および半導体積層体から電気的に絶縁されているため、特に、熱接触層と半導体積層体との間の電気的絶縁層が電気的破壊に対して堅牢に設計されている場合、熱接触層を有する半導体チップを、任意の電位を有する任意の面の上に配置することが可能である。
【００２５】
さらなる実施形態によると、熱接触層は、半導体チップの裏側面において電気接触層よりも大きい領域を占有する。すなわち、特に、裏側面の領域の大部分、特に好ましくは、裏側面のうち電気接触層によって覆われていない部分の実質的に全体が、熱接触層によって形成されている。
【００２６】
さらなる実施形態によると、発光半導体部品はキャリアボディを備えており、このキャリアボディは発光半導体チップを担持しており、動作時に発光半導体チップにおいて発生する熱をキャリアボディによって放散させることができる。例えば、キャリアボディは、例えば金属ヒートシンク、金属コア回路基板、またはプリント基板の形におけるさらなるヒートシンク（すなわちいわゆる第２レベルヒートシンク）の上に配置されるのに適したものとすることができる。
【００２７】
さらなる実施形態によると、キャリアボディは成形体を有し、この成形体は、半導体チップの側面を、直接的に、かつ形状固定状態に（in a form-locking manner）覆っている。成形体は、特に、半導体チップに接して成形されており、横方向において、すなわち半導体チップの光取り出し面の主延在面に沿った方法において、半導体チップを囲んでいる。特に、成形体は、半導体チップの光取り出し面が覆われないように具体化することができる。半導体チップの側面は、完全に覆う、または裏側面から見て、光取り出し面の方向における特定の高さまで、したがって成形体が光取り出し面に達しない位置に上面を有するように、覆うことができる。特に好ましくは、成形体の上面と光取り出し面とが同じ高さであるように、側面を完全に覆うことができる。さらには、裏側面（すなわち特に、半導体積層体とは反対側に位置する接触層の面）も、成形体が存在しないようにすることができる。さらには、成形体が光取り出し面を覆うことなく、成形体の上面が光取り出し面よりも突き出していることもできる。結果として、キャリアボディの機械的安定性を高めることができる。さらに、結果として、光取り出し面の上に凹部を形成することができ、この凹部の中に例えば波長変換要素を配置することができる。さらには、半導体チップがキャリアボディに埋め込まれてキャリアボディによって完全に囲まれるように、成形体が光取り出し面を覆うことも可能である。成形体は、例えば適切な光学特性を有するように光取り出し面の上に形成することができる。
【００２８】
成形体は、特に、プラスチック材料、好ましくはシリコーン、エポキシド、エポキシド−シリコーンハイブリッド材料、ポリエステル、または低い融点を有するガラスまたは低い融点を有するガラスセラミックを含んでいることができる。本明細書において、「低い融点を有する」という表現は、半導体チップが損傷しない温度で成形工程において加工することのできるガラスおよびガラスセラミックを意味する。特に、成形体は、キャリアボディの安定性を実質的にもたらす機械的安定化要素を形成することができる。成形体によって、半導体チップは特にキャリアボディに埋め込まれる。
【００２９】
成形体は、特に、成形工程において、例えば、射出成形、鋳造、加圧成形、膜の積層化などによって、実施することができる。特に好ましくは、成形体は、トランスファ成形工程によって、例えば、箔支援型のトランスファ成形工程（foil-assisted transfer molding process）によって形成することができる。発光半導体部品が複数の発光半導体チップを備えている場合、複数の発光半導体チップを共通のキャリアボディに埋め込むことができ、したがって、共通の成形体を１回の方法ステップで複数の発光半導体チップの周囲に成形することができる。
【００３０】
本明細書に記載されている成形体の製造方法は、例えば特許文献１に記載されており、これに関してこの文書の開示内容はその全体が参照によって本明細書に組み込まれている。
【００３１】
さらなる実施形態によると、成形体は、光学的に反射性であるように具体化されている。このことは、例えば、光学的に反射性の粒子を成形体のマトリックス材料（特に、成形体の材料として上に挙げた材料のうちの１種類）の中に導入することによって達成することができる。この場合、発光半導体チップの側面において放出される光を成形体によって反射することができる。さらには、成形体を光透過性として具体化することが可能である。これは、特に、大きな比率の光が側面を通じて放出される発光半導体チップの場合に有利であり得る。生成される光が実質的に、または完全に光取り出し面によって放出される発光半導体チップの場合、または、光が側面を通じて放出される結果としての損失が容認される場合、成形体は、例えば光吸収性として具体化することもでき、例えば黒色のエポキシ樹脂（白色のエポキシ樹脂と比較して高い機械的安定性を有する）を備えていることができる。
【００３２】
さらなる実施形態によると、キャリアボディは、半導体チップの裏側面における電気接続要素および熱結合要素を有する。この場合、電気接続要素は、半導体チップの電気接触層に直接接触している。キャリアボディの熱結合要素は、半導体チップの熱接触層に直接接触している。「直接接触している」とは、接続（結合）要素と接触層との間にさらなる中間層やさらなる結合材料が存在することなく、接続（結合）要素が接触層に接触していることを意味する。この場合、接続（結合）要素は、特に、その一部または全体が、結合層や結合材料（例えばはんだ、導電性接着剤など）によって形成されていない。さらには、熱結合要素は、少なくとも一部分が、半導体チップとは反対側の半導体部品の実装面を形成している。
【００３３】
さらなる実施形態によると、電気接続要素および熱結合要素は、電気めっきによって半導体チップの上に形成されている。この目的のため、電気接続要素および熱結合要素は、成形体が形成された後、半導体チップの裏側面における半導体チップのそれぞれの接触層の上に電気めっきすることによって、形成される。結果として、５０μｍの大きさのオーダーの小さい形状サイズが可能であり、したがって、発光半導体部品をコンパクトな寸法で製造することができる。さらに、電気めっき法においては、電気接続要素および熱結合要素の形状および寸法を自由に選択することができ、したがって、電気接続要素および熱結合要素を例えば顧客の所望の仕様に一致させることができる。
【００３４】
さらに、電気接続要素を部分的に成形体の上に形成することもでき、したがって横方向において電気接触層から突き出すようにすることができる。
【００３５】
さらなる実施形態によると、電気接続要素および熱結合要素は、銅もしくはニッケルまたはその両方を含んでいる。これらの接続（結合）要素は銅によって形成されていることが好ましく、銅は、プロセス工学の観点において簡単に電気めっき法によって成膜することができる。
【００３６】
キャリアボディにおける電気接続要素との電気的接触を形成するため、キャリアボディは、電気接続要素に電気的に接続されている少なくとも１つの電気ビアを有することができる。電気ビアは、例えば成形体を貫くように成形体の中に形成することができる。この場合、半導体チップの周囲に成形体を成形する工程において、電気ビアを成形体の中に組み込むことができる。さらには、半導体チップの周囲に成形体を成形した後に、成形体の中に電気ビアを形成することも可能である。成形体は、例えば電気接続要素ごとに電気ビアを有することができ、したがって、電気接続要素と、したがって半導体チップの電気接触層との接触を、成形体の上面から、すなわち発光半導体チップの光取り出し面の横から形成することができる。これに代わる形態として、例えば、半導体部品の実装面まで電気ビアを形成することも可能である。この目的のため、例えば、電気ビアが中を貫通する開口部を熱結合要素が有することもできる。
【００３７】
さらには、電気接続要素ごとに、実装面まで延びている電気ビアがキャリアボディ内に存在することが可能であり、したがって、発光半導体部品との電気的接触を実装面によって形成することができる。さらに、１つの電気接続要素との接触を、成形体またはキャリアボディの上面から電気ビアによって形成することができ、その一方で、さらなる電気接続要素との接触をキャリアボディの実装面から形成することも可能である。
【００３８】
さらなる実施形態によると、電気接続要素は、キャリアボディの内部に配置されている。すなわち特に、電気接続要素がキャリアボディに埋め込まれており、電気接続要素との接触は、直接的ではなく、電気ビアによってのみ外部から形成することができる。
【００３９】
発光半導体部品との電気的接触をキャリアボディの上面から形成できる場合、熱結合要素が半導体部品の実装面全体を形成していることが好ましい。言い換えれば、キャリアボディの下面は、熱結合要素のみによって形成されている。
【００４０】
熱結合要素は、特に、半導体チップの裏側面から実装面への方向における厚さとして、電気接続要素の厚さよりも大きい厚さを有することができ、したがって、熱結合要素は電気接続要素よりも突き出している。特に好ましくは、熱結合要素は、横方向にも電気接続要素より突き出しており、したがって、熱結合要素の断面は、半導体チップから実装面への方向に広がっている。結果として、熱伝導率の増大または熱抵抗の減少を達成することが可能であり、この結果として、半導体チップからの熱の効率的な放散を可能にすることができる。
【００４１】
さらなる実施形態によると、電気接続要素と熱結合要素との間に電気的絶縁材料が配置されている。電気的絶縁材料は、例えば、有機材料、特にポリマー材料によって形成することができる。電気的絶縁材料は、一例として、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）系の材料によって形成することができる。
【００４２】
さらなる実施形態によると、発光半導体チップの光取り出し面に波長変換要素が配置されている。この場合、半導体チップの周囲に成形体を成形する工程の前または後に、光取り出し面に波長変換要素を配置することができ、波長変換要素は、特に、１種類または複数種類の波長変換物質を含む層によって形成することができる。キャリアボディ内に複数の発光半導体チップが存在する場合、これら半導体チップの下流に共通の波長変換要素を配置することができ、またはこれに代わる形態として、半導体チップそれぞれの下流に、特別に割り当てられる波長変換要素を配置することができる。
【００４３】
波長変換要素は、特に、発光半導体チップまたは複数の発光半導体チップによって放出される光の少なくとも一部分を、異なる波長を有する光に変換するのに適する少なくとも１種類または複数種類の波長変換物質を含んでおり、したがって、本発光半導体部品は、半導体チップによって主として放出される光と、変換された二次光とを含んだ混合光を放出することができる。一例として、発光半導体チップは青色光を放出することができ、この青色光の少なくとも一部分が、波長変換要素によって緑色光もしくは黄色光またはその両方に変換され、したがって、本半導体部品は動作時に白色光を放出することができる。例えば、波長変換要素は、例えばプラスチック（例：シリコーン）またはセラミックなどのマトリックス材料に埋め込まれた粒子の形で形成することができる。さらには、波長変換要素を、波長変換物質を含んでいる、またはセラミック波長変換物質からなるセラミック薄層として具体化することも可能である。波長変換要素は、特に、光取り出し面に直接形成することができる。
【００４４】
さらなる実施形態によると、成形体の中に複数の発光半導体チップが横方向に互いに並んで配置されている。すなわち特に、本発光半導体部品は、半導体チップの光取り出し面と、成形体またはキャリアボディの上面の平面視において、互いに並んだ複数の半導体チップを有する。これらの発光半導体チップは、特に、成形体の中の電気接続要素によって互いに相互接続することができる。さらに、特に好ましくは、キャリアボディは連続的な熱結合要素を有することができ、この熱結合要素に半導体チップの熱接触層が直接接触しており、したがって、動作時に半導体チップにおいて発生する熱を共通の熱結合要素によって実装面に放散させることができる。
【００４５】
さらなる実施形態によると、発光半導体部品を製造する方法は、以下のステップ、すなわち、
Ａ）  半導体積層体を有し、光取り出し面を有し、光取り出し面とは反対側に位置する裏側面を有し、光取り出し面と裏側面とを結合する側面を有する、発光半導体チップ、を形成するステップであって、半導体チップの裏側面に、２つの電気接触層と熱接触層とが配置され、熱接触層が、電気接触層および半導体積層体から電気的に絶縁される、ステップと、
Ｂ）  半導体チップのキャリアボディを形成するステップであって、
Ｂ１）  半導体チップの周囲に成形体を成形するサブステップであって、成形体が、半導体チップの側面を、直接的かつ形状固定状態に覆う、サブステップと、
Ｂ２）  半導体チップの電気接触層に直接接触する電気接続要素と、半導体チップの熱接触層に直接接触する熱結合要素とを、電気めっき法によって形成するサブステップであって、熱結合要素が、半導体チップとは反対側の半導体部品の実装面を形成するような厚さで形成される、サブステップと、
を含む、ステップと、
を含んでいる。
【００４６】
本発光半導体部品に関連して説明されている特徴および実施形態は、本発光半導体部品を製造する方法にも等しくあてはまり、逆も同様である。
【００４７】
本明細書に記載されている発光半導体部品およびそれを製造する方法の場合、発光半導体チップの熱接触層に直接接触している、キャリアボディの熱結合要素によって、半導体チップからの熱の良好な放散を達成することができる。本明細書に記載されている方法は、特に、本明細書に記載されているキャリアボディが例えばセラミックキャリアボディよりも費用効率が高いことと、キャリアボディにおける熱結合要素の結果として、キャリアボディと、したがって発光半導体部品の熱膨張係数を、いわゆる第２レベルヒートシンクに適合させることが、例えばセラミック基板の場合よりも良好に可能であることとを特徴とする。電気接続要素および熱結合要素を電気めっき法によって作製するため、例えばＱＦＮハウジングの場合よりも小さい形状サイズが可能であり、したがって、本明細書に記載されている発光半導体部品は、より小さい寸法を有することができる。複数の発光半導体チップが存在する場合、これらの半導体チップを、電気めっき法によって、プロセス工学の観点において簡単に相互接続することができる。
【００４８】
さらなる利点、有利な実施形態、および発展形態は、以下に図面を参照しながら説明する例示的な実施形態から明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１Ａ】例示的な一実施形態による発光半導体部品の概略図を示している。
【図１Ｂ】例示的な一実施形態による発光半導体部品の概略図を示している。
【図２Ａ】さらなる例示的な実施形態による発光半導体チップの概略図を示している。
【図２Ｂ】さらなる例示的な実施形態による発光半導体チップの概略図を示している。
【図３】さらなる例示的な実施形態による発光半導体部品の概略図を示している。
【図４】さらなる例示的な実施形態による発光半導体部品の概略図を示している。
【発明を実施するための形態】
【００５０】
例示的な実施形態および図面において、同じ要素、同じタイプの要素、または同じ機能の要素には、それぞれ同じ参照数字を付してある。図示した要素と、それらの互いの大きさの関係は、正しい縮尺ではないものとみなされたい。むしろ、便宜上、または深く理解できるようにする目的で、個々の要素（例えば、層、構造部、部品、領域）を、誇張した大きさで示してあることがある。
【００５１】
図１Ａおよび図１Ｂは、例示的な一実施形態による発光半導体部品１００を示している。図１Ｂは、図１Ａに示した半導体部品１００を、図１Ａに示した断面Ａ−Ａに沿って切断したときの断面図を示している。図１Ｂにおいて、点線は、半導体チップ１の真下の電気接続要素２４および熱結合要素２５の断面を示している。
【００５２】
発光半導体部品１００は、キャリアボディ２によって担持されている発光半導体チップ１を備えている。
【００５３】
発光半導体チップ１は、半導体チップの動作時に光を放出する少なくとも１層の活性層を備えた半導体積層体を有する。さらに、発光半導体チップ１は、上に半導体積層体が配置されている成長基板またはキャリア基板の形における基板を有することができる。図を明確にする目的で、半導体チップ１の半導体積層体および基板は図１Ａには示していない。発光半導体チップ１の例示的な実施形態は、図２Ａおよび図２Ｂに関連して示してあり、後からさらに説明する。
【００５４】
動作時に生成される光は、光取り出し面１１によって放出される。半導体チップ１は、光取り出し面１１とは反対側に裏側面１２を有する。光取り出し面１１と裏側面１２は、側面１３によって互いに結合されている。動作時に生成される光は、光取り出し面１１に加えて、側面を通じて、もしくは裏側面１２の一部を通じて、またはその両方を通じて放出させることができる。半導体チップ１は、裏側面１２に２つの電気接触層１４を有し、これらの電気接触層１４によって、半導体チップ１、特に半導体チップ１の半導体積層体との電気的接触を形成することができる。さらに、半導体チップ１は熱接触層１５を有し、熱接触層１５は、電気接触層１４および半導体チップ１の半導体積層体から電気的に絶縁されている。したがって、熱接触層１５は、半導体チップ１において電位が存在しない状態に具体化されている。
【００５５】
図１Ｂから明らかであるように、熱接触層１５は、半導体チップの裏側面１２の大部分を形成していることが好ましく、したがって、半導体チップの大きな領域の熱結合が可能である。特に、熱接触層１５は、電気接触層１４と、熱接触層１５を電気接触層１４から電気的に絶縁するための隙間とを除いて、半導体チップの裏側面１２全体を形成するように、具体化されている。
【００５６】
キャリアボディ２は成形体２０を有し、成形体２０は、半導体チップ１の側面１３を直接的かつ形状固定状態に覆っている。この場合、成形体２０は、図１Ａに示したように、半導体チップ１の側面１３を完全に覆うように具体化することができる。これに代わる形態として、半導体チップ１の側面１３の一部のみが成形体２０によって覆われることも可能であり、したがって、成形体２０は半導体チップ１よりも小さい高さを有することができる。特に好ましくは、図１Ａに示したように、成形体２０は半導体チップ１の光取り出し面１１を覆わず、光取り出し面１１と同じ高さの上面２１を有する。
【００５７】
さらに、成形体が光取り出し面１１を覆うことなく、成形体２０の上面２１が光取り出し面１１よりも突き出していることができる。結果として、キャリアボディ２の機械的安定性を高めることができる。さらには、結果として、光取り出し面１１の上に凹部を形成することができ、この凹部の中に、例えば波長変換要素３を配置することができる。
【００５８】
図示した例示的な実施形態の代替形態として、成形体２０が光取り出し面１１を覆うこともでき、したがって、半導体チップ１がキャリアボディ２の中に入り、すべての面においてキャリアボディ２によって囲まれる。所望の光学特性（例えば所望の光の集中または散乱）を得る目的で、光取り出し面１１の上の成形体２０は、例えば、目的の形状に成形する、または材料に固有な形状に具体化することができ、例えば、レンズ形状に具体化する、または充填材を設けることができる。
【００５９】
成形体２０は、半導体チップ１に接して成形され、成形工程において加工可能な材料（例えば、エポキシド、シリコーン、シリコーン−エポキシドハイブリッド材料、またはポリエステル）を含んでいる、またはこのような材料からなる。成形体２０は、半導体チップ１の発光特性に応じて、透明体として、光吸収性として、光反射性として、または光散乱性として具体化することができ、上に挙げた材料の中に対応する粒子もしくは充填材またはその両方を含んでいることができる。
【００６０】
半導体チップの光取り出し面１１と、キャリアボディ２または成形体２０の上面２１には、波長変換要素３を形成することができ、波長変換要素３は、発光半導体チップ１によって生成される光の少なくとも一部を、それとは異なる光に変換することができる。
【００６１】
発光半導体部品１００を製造する目的で、半導体チップ１を形成する。
【００６２】
この点において、図２Ａおよび図２Ｂは、発光半導体チップ１の例示的な実施形態を示しており、このチップ１は、それぞれ発光半導体部品１００用に形成することができ、それぞれ、活性領域を有する半導体積層体１７が上に配置されている基板１６を有する。
【００６３】
図２Ａは、基板１６が、半導体積層体１７を作製するための成長基板によって形成されている発光半導体チップ１を示している。半導体積層体１７を構造化することによって、半導体積層体１７の同じ面に電気接触層１４を配置することができる。
【００６４】
さらに、半導体チップ１は、半導体積層体１７の上に熱接触層１５を有し、この熱接触層は、パッシベーション層１９によって形成されている電気的絶縁層１８によって、半導体積層体１７から電気的に絶縁されている。パッシベーション層は、二酸化ケイ素、ダイアモンド、またはアルミニウム酸化物を含んでいることが好ましく、１００ｎｍ以上の厚さを有する。
【００６５】
これとは異なり、図２Ｂにおける発光半導体チップ１は、基板１６として、キャリア基板として具体化されているセラミック基板を有し、半導体積層体１７を成長基板の上に成長させた後、半導体積層体１７がこのセラミック基板に移載されている。半導体積層体１７とは反対側の基板１６の面に電気接触層１４が形成されており、電気ビア１４１によって半導体積層体１７に接触接続されている。参照符号１４２は、基板１６とは反対の半導体積層体１７の側との接触を形成するための一方のビア１４１の電気的絶縁を示す。
【００６６】
さらに、半導体積層体１７とは反対側の基板１６の面に熱接触層１５が形成されており、この場合、熱接触層１５を半導体積層体１７から電気的に絶縁する目的で、基板１６が電気的絶縁層１８を形成している。
【００６７】
発光半導体チップ１を形成した後、キャリアボディ２を作製する。この目的のため、最初のサブステップにおいて、半導体チップ１の側面１３を、成形体２０の材料によって直接的かつ形状固定状態に覆う。これは、成形工程において、特に、図示した例示的な実施形態においてはトランスファ成形工程によって、半導体チップの周囲に成形体２０を成形することによって行う。
【００６８】
キャリアボディ２を作製するためのさらなる方法ステップにおいては、接続（結合）要素２４，２５を半導体チップの接触層１４，１５に直接接触した状態で形成する。この目的のため、電気接続要素２４と、熱結合要素２５の一部とを、電気接触層１４および熱接触層１５の上に電気めっき法によって形成する。図１Ａから明らかであるように、電気接続要素２４は、その一部を、半導体チップ１よりも突き出した状態に成形体２０の上に形成することもできる。
【００６９】
その後、電気的絶縁材料２６を塗布し、電気的絶縁材料２６は、電気接続要素２４と、熱結合要素２５のすでに形成されている部分とを覆う。熱結合要素２５のすでに形成されている部分の上の電気的絶縁材料２６を再び除去し、したがって、熱結合要素２５を、電気めっき法を継続することによってさらに補強することができる。特に、これにより、電機接続要素２４を電気的絶縁材料２６およびキャリアボディ２に埋め込んで、大きな幅を有する熱結合要素２５を作製することが可能である。したがって、熱結合要素２５を、電気接続要素２４より厚く、かつ垂直方向に加えて横方向にも電気接続要素２４より突き出すように、形成することができる。電気的絶縁材料２６は、特に、例えばフォトパターニング可能なレジスト（例：ＢＣＢ系ポリマー）など、フォトパターニング可能な材料によって形成する。
【００７０】
電気接続要素２４および熱結合要素２５は、特に、銅もしくはニッケルまたはその両方を含んでいる。好ましくは、接続要素２４および結合要素２５は銅によって形成され、銅は、プロセス工学の観点において簡単に電気めっき法によって成膜することができる。
【００７１】
接続要素２４および結合要素２５が、プロセス工学の観点から簡単に接触要素１４，１５に結合され、かつ約５０μｍの大きさのオーダーの小さい形状サイズが可能であるのは、電気めっき法によって達成される。薄い接続（結合）要素２４，２５の場合、半導体チップ１において、例えば熱ひずみに起因する低応力負荷を達成することが可能である一方で、電気接続要素２４と比較して大幅に厚い熱結合要素２５では、良好な熱伝導率が可能になる。熱接触層１５が、電位のない状態で、すなわち電気的に絶縁された状態で、半導体チップ１の半導体積層体１７の上に形成されているため、熱結合要素２５も同様に半導体チップ１の半導体積層体１７から電気的に絶縁されており、したがって、熱結合要素２５を電気的に絶縁する追加ステップが必要ない。
【００７２】
電気接続要素２４との電気的接触は、図示した例示的な実施形態のように、成形体２０における電気ビア２７によって外部から形成することができる。これらのビアは、必要なとき、例えば個別の要素として発光半導体チップ１と一緒に形成され、これらの周囲に成形体２０が成形される。さらには、電気ビアを形成する目的で、成形体２０に開口部を設ける、または形成し、この開口部の少なくとも一部または全体に導電性材料を満たすことも可能である。電気ビア２７によって、発光半導体チップ１と、したがって発光半導体部品１００との接触を、キャリアボディ２の上面２１から形成することが可能になり、したがって、熱結合要素２５が、上面２１とは反対側に位置する実装面２２全体を形成することが好ましい。
【００７３】
特に好ましくは、発光半導体部品１００は、さらなる半導体部品を有するアセンブリにおいて製造することができる。この目的のため、複数の発光半導体チップ１の周囲に共通の成形体２０を成形することができる。電気接続要素２４および熱結合要素２５と、電気ビア２７（適切な場合）とを形成した後、したがってキャリアボディアセンブリが完成した後、キャリアボディアセンブリを個々の半導体部品１００に分割することができる。この個片化によってキャリアボディ２の側面が形成され、側面は、個片化によって生じる例えばソーイング溝や研削跡の形での、材料を除去した痕跡を有することがある。
【００７４】
図３は、さらなる例示的な実施形態による発光半導体部品２００を示しており、この発光半導体部品２００では、発光半導体部品１００と比較して、電気的接触を実装面２２から形成することができる。この目的のため、熱結合要素２５は、中に電気ビア２７が配置されている開口部を有し、電気ビア２７は、電気的絶縁材料２６によって熱結合要素２５から絶縁されている。
【００７５】
さらには、上面２１と、下面または実装面２２の両方にビア２７の形における電気接続部を形成することも可能である。
【００７６】
電気めっき法によって電気接続要素２４および熱結合要素２５を形成する結果として、および、成形体２０もしくは熱結合要素２５またはその両方の中に電気ビア２７を配置する結果として、熱結合および電気接続の可能な方式に関して所望の様式で実装面２２を構成することができる。
【００７７】
図４は、発光半導体部品３００のさらなる例示的な実施形態の一部を示しており、この実施形態は、前の例示的な実施形態と比較して、複数の半導体チップ１を備えており、これらの半導体チップ１の周囲に共通の成形体２０が成形されている。
【００７８】
半導体チップ１は、キャリアボディ２における電気接続要素２４によって互いに相互接続されている。さらに、発光半導体部品３００は、半導体チップ１の熱接触層１５に直接隣接している熱結合要素２５を備えており、したがって、熱結合要素２５を、動作時に半導体チップ１によって発生する熱を放散させることのできる連続的な熱結合要素として具体化することができる。
【００７９】
図面に記載されている例示的な実施形態および特徴は、互いに組み合わせることもできる。例示的な実施形態に示した特徴に加えて、または特徴に代えて、発光半導体部品１００，２００，３００は、発明の概要のセクションにおける説明によるさらなる特徴を備えていることもできる。
【００８０】
ここまで、本発明について例示的な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明はこれらの例示的な実施形態に限定されない。本発明は、任意の新規の特徴および特徴の任意の組合せを包含しており、特に、請求項における特徴の任意の組合せを含んでいる。これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が請求項あるいは例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。
【００８１】
関連出願
本特許出願は、独国特許出願第１０２０１２１０２８４７．８号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照によって本明細書に組み込まれている。
【図１Ａ】
2015513226.tif 000003
【図１Ｂ】
2015513226.tif 000004
【図２Ａ】
2015513226.tif 000005
【図２Ｂ】
2015513226.tif 000006
【図３】
2015513226.tif 000007
【図４】
2015513226.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月30日(2014.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光半導体部品（１００，２００，３００）であって、
半導体積層体（１７）と、光取り出し面（１１）と、前記光取り出し面（１１）とは反対側に位置する裏側面（１２）と、前記光取り出し面（１１）と前記裏側面（１２）とを結合している側面（１３）と、を有する少なくとも１つの発光半導体チップ（１）と、
前記半導体チップ（１）の前記側面（１３）を直接的かつ形状固定状態に覆っている成形体（２０）を有するキャリアボディ（２）と、
を備えており、
前記半導体チップ（１）の前記裏側面（１２）に、２つの電気接触層（１４）と熱接触層（１５）とが形成されており、
前記熱接触層（１５）が、前記電気接触層（１４）および前記半導体積層体（１７）から電気的に絶縁されており、
前記キャリアボディ（２）が、前記半導体チップ（１）の前記裏側面（１２）に、前記半導体チップ（１）の前記電気接触層（１４）に直接接触している電気接続要素（２４）と、前記半導体チップ（１）の前記熱接触層（１５）に直接接触している熱結合要素（２５）とを有し、
前記熱結合要素（２５）の少なくとも一部分が、前記半導体チップ（１）とは反対側の前記半導体部品（１００，２００，３００）の実装面（２２）を形成している、
発光半導体部品（１００，２００，３００）。
【請求項２】
前記成形体（２０）が前記光取り出し面（１１）を覆っていない、
請求項１に記載の発光半導体部品（１００，２００，３００）。
【請求項３】
前記成形体（２０）の上面が前記光取り出し面（１１）と同じ高さである、
請求項１または請求項２に記載の発光半導体部品（１００，２００，３００）。
【請求項４】
前記成形体（２０）がシリコーン、エポキシド、エポキシド−シリコーンハイブリッド材料、ポリエステル、低い融点を有するガラス、または低い融点を有するガラスセラミックを含んでいる、
請求項１から請求項３のいずれかに記載の発光半導体部品（１００，２００，３００）。
【請求項５】
前記光取り出し面（１１）に波長変換要素（３）が配置されている、
請求項１から請求項４のいずれかに記載の発光半導体部品（１００，２００，３００）。
【請求項６】
前記キャリアボディ（２）が、前記電気接続要素（２４）と前記熱結合要素（２５）との間に電気的絶縁材料（２６）を有する、
請求項１から請求項５のいずれかに記載の発光半導体部品（１００，２００，３００）。
【請求項７】
前記電気接続要素（２４）が前記キャリアボディ（２）の内部に配置されている、
請求項１から請求項６のいずれかに記載の発光半導体部品（１００，２００，３００）。
【請求項８】
前記電気接続要素（２４）が、部分的に前記成形体（２０）の上に形成されている、
請求項１から請求項７のいずれかに記載の発光半導体部品（１００，２００，３００）。
【請求項９】
前記熱結合要素（２５）が、横方向において前記電気接続要素（２４）より突き出している、
請求項１から請求項８のいずれかに記載の発光半導体部品（１００，２００，３００）。
【請求項１０】
前記電気接続要素（２４）および前記熱結合要素（２５）が、電気めっき法によって前記半導体チップ（１）の上に形成されている、
請求項１から請求項９のいずれかに記載の発光半導体部品（１００，２００，３００）。
【請求項１１】
前記電気接続要素（２４）および前記熱結合要素（２５）が、銅もしくはニッケルまたはその両方を含んでいる、
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の発光半導体部品（１００，２００，３００）。
【請求項１２】
前記成形体（２０）が、前記電気接続要素（２４）に電気的に接続されている少なくとも１つの電気ビア（２７）を有する、
請求項１から請求項１１のいずれかに記載の発光半導体部品（１００，２００，３００）。
【請求項１３】
前記熱結合要素（２５）が、前記半導体部品（１００，２００，３００）の前記実装面（２２）全体を形成している、
請求項１２に記載の発光半導体部品（１００，２００，３００）。
【請求項１４】
前記半導体チップ（１）が、前記半導体積層体（１７）と前記熱接触層（１５）との間に電気的絶縁層（１８）を有する、
請求項１から請求項１３のいずれかに記載の発光半導体部品（１００，２００，３００）。
【請求項１５】
前記電気的絶縁層（１８）が二酸化ケイ素、ダイアモンド、またはアルミニウム酸化物を含んでおり、１００ｎｍ以上の厚さを有する、
請求項１４に記載の発光半導体部品（１００，２００，３００）。
【請求項１６】
前記熱接触層（１５）が、前記半導体チップ（１）の前記裏側面（１２）において前記電気接触層（１４）よりも大きい領域を占有している、
請求項１から請求項１５のいずれかに記載の発光半導体部品（１００，２００，３００）。
【請求項１７】
前記成形体（２０）の中に、複数の発光半導体チップ（１）が横方向に互いに並んで配置されており、前記キャリアボディ（２）が連続的な前記熱結合要素（２５）を有し、前記熱結合要素（２５）に前記半導体チップ（１）の前記熱接触層（１５）が直接接触している、
請求項１から請求項１６のいずれかに記載の発光半導体部品（１００，２００，３００）。
【請求項１８】
請求項１から請求項１７のいずれかに記載の発光半導体部品（１００，２００，３００）を製造する方法であって、
Ａ）  半導体積層体（１７）を有し、光取り出し面（１１）を有し、前記光取り出し面（１１）とは反対側に位置する裏側面（１２）を有し、前記光取り出し面（１１）と前記裏側面（１２）とを結合する側面（１３）を有する、発光半導体チップ（１）、を形成するステップであって、前記半導体チップ（１）の前記裏側面（１２）に、２つの電気接触層（１４）と熱接触層（１５）とが配置され、前記熱接触層（１５）が、前記電気接触層（１４）および前記半導体積層体（１７）から電気的に絶縁される、ステップと、
Ｂ）  前記半導体チップ（１）のキャリアボディ（２）を形成するステップであって、
Ｂ１）  前記半導体チップ（１）の周囲に成形体（２０）を成形するサブステップであって、前記成形体が、前記半導体チップ（１）の前記側面（１３）を、直接的かつ形状固定状態に覆う、サブステップと、
Ｂ２）  前記半導体チップ（１）の前記電気接触層（１４）に直接接触する電気接続要素（２４）と、前記半導体チップ（１）の前記熱接触層（１５）に直接接触する熱結合要素（２５）とを、電気めっき法によって形成するサブステップであって、前記熱結合要素（２５）が、前記半導体チップ（１）とは反対側の前記半導体部品（１００，２００，３００）の実装面（２２）を形成するような厚さで形成される、サブステップと、
を含む、ステップと、
を含んでいる、方法。
【請求項１９】
前記成形体（２０）が、射出成形、鋳造、加圧成形、膜の積層化、トランスファ成形工程および箔支援型のトランスファ成形工程、から選択された成形工程において、形成される、
請求項１８に記載の方法。
【国際調査報告】
2015513226.tif 000009
2015513226.tif 000010
2015513226.tif 000011
2015513226.tif 000012
2015513226.tif 000013
2015513226.tif 000014