(57)【要約】【課題】本発明は、複数のガスを供給するためのガス供給部に関するものである。【解決手段】本発明の一実施形態によれば、複数のガスを供給するためのガス供給部であって、外管と、前記外管の内部に位置する少なくとも１つの内管とを含み、複数の第１のガス噴射口を介して前記内管に供給される第１の工程ガスが前記外管の外部に噴射され、複数の第２のガス噴射口を介して前記外管に供給される第２の工程ガスが前記外管の外部に噴射されることを特徴とするガス供給部を提供する。【選択図】図２
2015528054.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のガスを供給するためのガス供給部であって、
外管と、前記外管の内部に位置する少なくとも１つの内管とを含み、
複数の第１のガス噴射口を介して前記内管に供給される第１の工程ガスが前記外管の外部に噴射され、
複数の第２のガス噴射口を介して前記外管に供給される第２の工程ガスが前記外管の外部に噴射されることを特徴とする、
ガス供給部。
【請求項２】
前記内管は、前記外管の所定の部位と接し、
前記第１のガス噴射口は、前記所定の部位に前記外管と前記内管を貫通するように形成され、
前記第２のガス噴射口は、前記外管の前記所定の部位以外の部位に形成されることを特徴とする、請求項１に記載のガス供給部。
【請求項３】
前記内管には複数の第３のガス噴射口が形成され、
前記第１のガス噴射口と前記第３のガス噴射口との間には通路が介在することを特徴とする、請求項１に記載のガス供給部。
【請求項４】
前記複数の第１のガス噴射口および前記複数の第２のガス噴射口が形成された位置は、前記工程ガスによって処理される基板が置かれる位置に対応することを特徴とする、請求項２または３に記載のガス供給部。
【請求項５】
前記第１の工程ガスと前記第２の工程ガスは、互いに異なることを特徴とする、請求項２または３に記載のガス供給部。
【請求項６】
前記第１の工程ガスは、ＮＨ3ガスであり、前記第２の工程ガスは、ＨＣｌガスおよびＧａＣｌガスであることを特徴とする、請求項５に記載のガス供給部。
【請求項７】
前記第１のガス噴射口または前記第２のガス噴射口の大きさは、形成された位置に応じて大きさが変化することを特徴とする、請求項２または３に記載のガス供給部。
【請求項８】
前記第１のガス噴射口または前記第２のガス噴射口の大きさは、前記第１の工程ガスまたは前記第２の工程ガスが流れる方向に沿って大きくなることを特徴とする、請求項７に記載のガス供給部。
【請求項９】
前記外管および前記内管は、石英（ｑｕａｒｔｚ）からなることを特徴とする、請求項２または３に記載のガス供給部。
【請求項１０】
複数のガスを供給するためのガス供給部を製造する方法であって、
外管の所定の部位に少なくとも１つの内管を接合させるステップと、
前記所定の部位に前記外管と前記内管を貫通する第１のガス噴射口を形成するステップと、
前記外管の前記所定の部位以外の部位に第２のガス噴射口を形成するステップと、
前記外管および前記内管の一端に蓋を被せるステップと、
を含むことを特徴とする、ガス供給部の製造方法。
【請求項１１】
前記内管は、溶接方式を利用して前記外管の前記所定の部位に接合させることを特徴とする、請求項１０に記載のガス供給部の製造方法。
【請求項１２】
前記第１のガス噴射口および前記第２のガス噴射口は、ドリルを用いて形成することを特徴とする、請求項１０に記載のガス供給部の製造方法。
【請求項１３】
複数のガスを供給するためのガス供給部を製造する方法であって、
外管に第１のガス噴射口および第２のガス噴射口を形成するステップと、
内管に第３のガス噴射口を形成するステップと、
前記外管の内部に少なくとも１つの前記内管を位置させ、前記第１のガス噴射口と前記第３のガス噴射口との間に通路を介在させるステップと、
前記外管および前記内管の一端に蓋を被せるステップと、
を含むことを特徴とする、ガス供給部の製造方法。
【請求項１４】
前記第１のガス噴射口と前記第３のガス噴射口との間に通路を介在させるために、溶接を利用することを特徴とする、請求項１３に記載のガス供給部の製造方法。
【請求項１５】
前記第１のガス噴射口、前記第２のガス噴射口および前記第３のガス噴射口は、ドリルを用いて形成することを特徴とする、請求項１３に記載のガス供給部の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のガスを供給するためのガス供給部およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ；ＬＥＤ）は、電流を光に変換させる半導体発光素子であって、情報通信機器を含む電子装置の表示画像用光源として広く用いられてきた。特に、白熱灯、蛍光灯などの従来型照明とは異なり、電気エネルギーを光エネルギーに転換する効率が高く、最高９０％までエネルギーを節減できるという事実が知られるにつれ、蛍光灯や白熱電球を代替できる素子として広く脚光を浴びている。
【０００３】
このようなＬＥＤ素子の製造工程は、大きく、エピ工程、チップ工程、パッケージ工程に分類できる。エピ工程は、基板上に化合物半導体をエピタキシャル成長（ｅｐｉｔａｘｉａｌ  ｇｒｏｗｔｈ）させる工程をいい、チップ工程は、エピタキシャル成長した基板の各部分に電極を形成してエピチップを製造する工程をいい、パッケージ工程は、前記製造されたエピチップにリード（Ｌｅａｄ）を連結し、光が最大限外部に放出されるようにパッケージングする工程をいう。
【０００４】
これら工程の中でも、エピ工程は、ＬＥＤ素子の発光効率を決定する最も核心的な工程といえる。これは、基板上に化合物半導体がエピタキシャル成長しない場合、結晶の内部に欠陥が発生し、このような欠陥は非発光センター（ｎｏｎｒａｄｉａｔｉｖｅ  ｃｅｎｔｅｒ）として作用し、ＬＥＤ素子の発光効率を低下させるからである。
【０００５】
このようなエピ工程、すなわち、基板上に蒸着膜を形成させる工程には、ＬＰＥ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ）、ＶＰＥ（Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ）、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方法などが利用されているが、なかでも特に、有機金属化学気相蒸着法（Ｍｅｔａｌ−Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＭＯＣＶＤ）またはハイドライド気相エピタキシ法（Ｈｙｄｒｉｄｅ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ；ＨＶＰＥ）が主に利用されている。
【０００６】
従来のＭＯＣＶＤ方法およびＨＶＰＥ方法を利用して複数の基板上に蒸着膜を形成させる場合、通常、反応チャンバの下部または一側面から工程ガスが供給されている。しかし、この場合、複数の基板上に一定に工程ガスが供給されないため、複数の基板上に均一な蒸着膜が形成できない問題があった。これにより、同じ品質を有する高効率のＬＥＤ素子を大量に生産することができず、工程の生産性と効率性が低下する問題があった。
また、このような工程のためには、複数のソースを供給するためのノズルが用いられるが、ノズルの詰まりといった問題を解決することが不可欠である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記の従来技術の諸問題を解決するためになされたものであって、複数の基板上に均一に蒸着膜を形成できると共に、ガスを供給する部分が詰まる問題を解決するガス供給部およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するために、本発明の一実施形態によれば、複数のガスを供給するためのガス供給部であって、外管と、前記外管の内部に位置する少なくとも１つの内管とを含み、複数の第１のガス噴射口を介して前記内管に供給される第１の工程ガスが前記外管の外部に噴射され、複数の第２のガス噴射口を介して前記外管に供給される第２の工程ガスが前記外管の外部に噴射されることを特徴とするガス供給部を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、複数の基板上に均一に蒸着膜を形成させることができるガス供給部およびその製造方法が提供される。
【００１０】
また、本発明によれば、工程ガスを供給する部分が詰まる問題を解決するガス供給部およびその製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態にかかる蒸着膜形成装置の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかる複数のガスを供給するためのガス供給部の製造方法を示す図である。
【図３】本発明の一実施形態にかかる複数のガスを供給するためのガス供給部の構成を示す断面図である。
【図４】本発明の他の実施形態にかかる複数のガスを供給するためのガス供給部の製造方法を示す図である。
【図５】本発明の他の実施形態にかかる複数のガスを供給するためのガス供給部の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
後述する本発明に関する詳細な説明は、本発明が実施できる特定の実施形態を例として示す添付図面を参照する。これらの実施形態は、当業者が本発明を実施できるように十分に詳細に説明される。本発明の多様な実施形態は互いに異なるが、相互排他的である必要はないことが理解されなければならない。例えば、ここに記載されている特定の形状、構造および特性は一実施形態に関連し、本発明の精神および範囲を逸脱しない範囲内で他の実施形態で実現可能である。また、各々の開示された実施形態における個別構成要素の位置または配置は、本発明の精神および範囲を逸脱しない範囲内で変更可能であることが理解されなければならない。したがって、後述する詳細な説明は限定的な意味として受け入れようとするものではなく、本発明の範囲は、適切に説明された場合、それら請求項が主張するのと均等なすべての範囲と共に添付した請求項によってのみ限定される。図面において、類似の参照符号は、様々な側面にわたって同一または類似の機能を指し示す。
【００１３】
以下、添付した図面を参照して、本発明の構成を詳細に説明する。
【００１４】
図１は、本発明の一実施形態にかかる蒸着膜形成装置の構成を示す断面図である。
まず、蒸着膜形成装置１００にローディングされる基板（図示せず）の材質は特に制限されず、ガラス、プラスチック、ポリマー、シリコンウエハ、ステンレススチール、サファイアなど、多様な材質の基板がローディングできる。以下、発光ダイオード分野で用いられる円形のサファイア基板を想定して説明する。
【００１５】
本発明の一実施形態にかかる蒸着膜形成装置１００は、チャンバ１１０を含んで構成できる。チャンバ１１０は、工程が行われている間、実質的に内部空間が密閉されるように構成され、複数の基板上に蒸着膜が形成されるための空間を提供する機能を果たすことができる。このようなチャンバ１１０は、最適な工程条件を保持するように構成され、形態は四角形または円形の形態で製造できる。チャンバ１１０の材質は、石英（ｑｕａｒｔｚ）ガラスからなることが好ましいが、必ずしもこれに限定されるものではない。
【００１６】
一般的に、基板上に蒸着膜を形成するための工程は、蒸着物質をチャンバ１１０の内部に供給し、チャンバ１１０の内部を約８００℃から１２００℃の温度まで加熱することにより行われる。前記供給された蒸着物質は基板に供給され、蒸着膜の形成に関与するようになる。
【００１７】
本発明の一実施形態にかかる蒸着膜形成装置１００は、ヒータ（図示せず）を含んで構成できる。ヒータは、チャンバ１１０の外部に設けられ、複数の基板に蒸着工程で必要な熱を印加する機能を果たすことができる。基板上で円滑な蒸着膜の成長が行われるために、ヒータは、基板を約１，２００℃以上の温度まで加熱することができる。基板を加熱するために、ハロゲンランプを用いた加熱方式または誘導加熱方式を利用することもできるが、好ましくは、抵抗加熱方式を利用することができる。抵抗加熱（ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ  ｈｅａｔｉｎｇ）方式とは、電気抵抗を利用して加熱する方式であって、金属抵抗または炭化ケイ素のような非金属抵抗に電流を流して熱を発生させる方式を指す。
【００１８】
本発明の一実施形態にかかる蒸着膜形成装置１００は、基板支持部１３０を含んで構成できる。基板支持部１３０は複数の基板支持板１３１で構成され、基板支持板１３１は層で配設されることが好ましい。このように、基板支持部１３０が複数の基板支持板１３１で構成される場合、複数の基板支持板１３１は、間隔保持部材１３５によって互いに一定の間隔を有するように配列されて固定できる。基板支持板１３１の個数は、本発明が利用される目的に応じて多様に変更可能である。基板支持板１３１および間隔保持部材１３５は、石英ガラスからなることが好ましいが、必ずしもこれに限定されるものではない。
【００１９】
本発明の一実施形態にかかる蒸着膜形成装置１００は、ガス供給部１４０を含んで構成できる。ガス供給部１４０は、蒸着膜形成のために必要な工程ガスをチャンバ１１０の内部に供給する機能を果たすことができる。ガス供給部１４０は、石英（ｑｕａｒｔｚ）で形成できる。
【００２０】
従来の蒸着膜形成装置において、ガス供給部は、チャンバ１１０の下部または一側面から工程ガスを供給するため、ガス供給部に近く位置した基板と遠く位置した基板との間には、供給される工程ガスの量の差が発生するしかなかった。この差は、結果的に蒸着膜の厚さなどの差につながるため、複数の基板上に同じ品質および規格を有する蒸着膜を形成できなくなる原因となった。
【００２１】
このような問題を解決するために、本発明では、ガス供給部１４０が基板支持板１３１の中央を貫通するように配置されることを構成上の特徴とする。つまり、ガス供給部１４０が基板支持板１３１の中央に形成された中央貫通ホール（図示せず）を貫通し、基板支持板１３１の中心部から、基板支持板１３１によって支持されている複数の基板に向けて工程ガスを供給することを構成上の特徴とする。このような構成を採用することにより、本発明では、複数の基板上に均一に工程ガスを供給できるようになるため、複数の基板上に同じ品質および規格を有する蒸着膜を形成することができる。ガス供給部１４０の具体的な構成とその製造方法に関しては後述する。
【００２２】
本発明の一実施形態にかかる蒸着膜形成装置１００は、バッフル部１５０を含んで構成できる。バッフル部１５０は、基板支持部１３０の下部に位置し、チャンバ１１０内で発生した熱が外部に流出するのを遮断することができ、特に、下部支持台１６０を介して熱が外部に流出するのを遮断することができる。
【００２３】
本発明の一実施形態にかかる蒸着膜形成装置１００は、下部支持台１６０を含んで構成できる。下部支持台１６０は、チャンバ１１０の下部に設けられ、蒸着工程が行われている間、基板支持部１３０とバッフル部１５０を支持する機能を果たすことができる。下部支持台１６０の中央には、ガス供給部１４０が貫通するようにするための貫通ホール（図示せず）が形成できる。下部支持台１６０上の互いに向き合う両側には、工程ガスを外部に排気するための排気口（図示せず）が形成できる。
【００２４】
下部支持台１６０の下には、回転部１２０が位置するように構成できる。回転部１２０は、基板支持部１３０および／またはガス供給部１４０の回転を可能にすることができる。回転部１２０が基板支持部１３０および／またはガス供給部１４０を回転させることにより、工程ガスが基板支持板１３１上に位置する基板に均一に供給されるようにすることができる。
【００２５】
下部支持台１６０の下の一側には、回転動力供給手段１７０が位置するように構成できる。回転動力供給手段１７０は、モータであり得、回転動力供給手段１７０は、ベルトのような動力伝達手段（図示せず）を介して回転部１２０に連結され、回転部１２０を回転させることができる。
【００２６】
本発明の一実施形態にかかる蒸着膜形成装置１００は、サーモカップル１８０を含んで構成できる。サーモカップル１８０は、下部支持台１６０の一側に挿入できる。サーモカップル１８０は、温度制御部（図示せず）に連結され、チャンバ１１０の内部の温度を測定し、基板の温度を制御することができる。
【００２７】
以下、本発明の一実施形態にかかるガス供給部１４０およびその製造方法に関して詳細に説明する。
【００２８】
図２は、本発明の一実施形態にかかる複数のガスを供給するためのガス供給部１４０の製造方法を示す図であり、図３は、本発明の一実施形態にかかる複数のガスを供給するためのガス供給部１４０の構成を示す断面図である。
【００２９】
本発明の一実施形態にかかる複数のガスを供給するためのガス供給部１４０は、外管１４１と、外管１４１の内部に位置する少なくとも１つの内管１４２とからなる二重管形状であり得る。内管１４２は、外管１４１の所定の部位に接するように位置することができる。外管１４１および内管１４２は、いずれも石英（ｑｕａｒｔｚ）からなる管形状であり得る。内管１４２および外管１４１には、それぞれ第１の工程ガスおよび第２の工程ガスが流れることができる。例えば、外管１４１は、ＧａＣｌガスとＨＣｌガス（第２の工程ガス）が通る通路であり、内管１４２は、ＮＨ3ガス（第１の工程ガス）が通る通路であり得る。ＮＨ3ガスとＧａＣｌガス、ＮＨ3ガスとＨＣｌガスとの間には反応が起こりやすいが、本実施形態によれば、工程ガスが噴射される直前まで反応が起こりやすい第１および第２の工程ガスを、内管１４２と外管１４１とで互いに分離した状態に保持することができる。したがって、ガス供給部１４０内で工程ガスによる反応が起こらなくなり、反応物によって工程ガスが噴射される部分の詰まる問題が発生しない。
【００３０】
ガス供給部１４０には、複数の第１のガス噴射口１４３および複数の第２のガス噴射口１４４が形成できる。第１のガス噴射口１４３は、内管１４２を介して供給される第１の工程ガスを噴射し、第２のガス噴射口１４４は、外管１４１を介して供給される第２の工程ガスを噴射することができる。第１のガス噴射口１４３および第２のガス噴射口１４４が形成された位置は、複数の基板支持板１３１それぞれの位置に対応することができる。また、形成された位置に応じて、第１のガス噴射口１４３および第２のガス噴射口１４４の大きさが変化可能である。好ましくは、第１のガス噴射口１４３および第２のガス噴射口１４４の形成された位置が供給ガス供給源から遠くなるほど−すなわち、第１および第２の工程ガスが流れる方向に沿って−第１のガス噴射口１４３および第２のガス噴射口１４４の大きさが大きくなり得る。それにより、基板支持板１３１のそれぞれに位置する基板１０に均一に工程ガスを供給することができる。以下、本発明の一実施形態にかかるガス供給部１４０を製造する方法を説明する。
【００３１】
図２（ａ）に示すように、外管１４１が用意される。そして、図２（ｂ）に示すように、外管１４１内の所定の部位に必要な個数だけの内管１４２を接合することができる。本実施形態では、内管１４２の個数が４個であることを例として示しているが、これに限定されるものではない。外管１４１内に内管１４２を様々な方式で接合することができ、例えば、溶接により接合することができる。
【００３２】
そして、図２（ｃ）に示すように、外管１４１内の内管１４２が接合された部分に内管１４２と外部との間を疏通する第１のガス噴射口１４３を形成することができる。したがって、第１のガス噴射口１４３を介して内管１４２に流れるガスが外部に噴射できる。第１のガス噴射口１４３の個数は特に限定されず、本発明が利用される目的に応じて多様に変更可能である。そして、図２（ｄ）に示すように、外管１４１の内管１４２が接しない部位（前述した所定の部位以外の部位）に外管１４１と外部との間を疏通する第２のガス噴射口１４４を形成することができる。したがって、第２のガス噴射口１４４を介して外管１４１に流れるガスが外部に噴射できる。第１のガス噴射口１４３および第２のガス噴射口１４４を形成するために、ドリルを用いるなどの様々な方式が利用可能である。
【００３３】
そして、ガス供給部１４０の内部を流れる工程ガスが第１のガス噴射口１４３および第２のガス噴射口１４４以外の他の部分に排出されないようにするために、図２（ｅ）に示すように、外管１４１および内管１４２の一端を封じるための蓋１４５を被せることができる。そして、図２（ｆ）に示すように、必要に応じて、蓋１４５上に半球状のキャップ１４６を被せることができる。
【００３４】
図４は、本発明の他の実施形態にかかる複数のガスを供給するためのガス供給部２４０の製造方法を示す図であり、図５は、本発明の他の実施形態にかかる複数のガスを供給するためのガス供給部２４０の構成を示す断面図である。
【００３５】
本発明の他の実施形態にかかる複数のガスを供給するためのガス供給部２４０は、前の実施形態と同様に、外管２４１と、内管２４２とからなり得る。ただし、前の実施形態とは異なり、本実施形態にかかるガス供給部２４０では、外管２４１に内管２４２を直接接合する方式によらないことがある。本実施形態においても、外管２４１および内管２４２は、いずれも石英からなり得る。内管２４２は、第１の工程ガス（ＮＨ3ガス）が通る通路であり、外管１４１は、第２の工程ガス（ＧａＣｌガスとＨＣｌガス）が通る通路であり得る。したがって、前の実施形態と同様に、ガス供給部２４０内で工程ガスによる反応が起こらなくなり、工程ガスが噴射される部分の詰まる問題が発生しない。
【００３６】
また、ガス供給部２４０には、複数の第１のガス噴射口２４４’と複数の第２のガス噴射口２４４とが形成できる。第１のガス噴射口２４４’は、内管２４２を介して供給される第１の工程ガスを噴射し、第２のガス噴射口２４４は、外管２４１を介して供給される第２の工程ガスを噴射することができる。ただし、本実施形態では、内管２４２を介して供給される第１の工程ガスが第３のガス噴射口２４３に噴射され、噴射された第１の工程ガスが通路２４５を介して第１のガス噴射口２４４’に噴射される点で前の実施形態とは異なる。それ以外の第１および第２のガス噴射口２４４’、２４４が形成された位置と第１および第２のガス噴射口２４４’、２４４の大きさに関する点は前の実施形態と同じであり得る。以下、ガス供給部２４０を製造する方法を説明する。
【００３７】
図４（ａ）に示すように、外管２４１および内管２４２が用意される。そして、図４（ｂ）に示すように、外管２４１には第１および第２のガス噴射口２４４’、２４４を形成し、内管２４２には第３のガス噴射口２４３を形成することができる。外管２４１には所定の高さごとに同一間隔で周方向に第１および第２のガス噴射口２４４’、２４４が形成され得、内管２４２には所定の高さごとに一列に第３のガス噴射口２４３が形成され得る。外管２４１の第１のガス噴射口２４４’と内管２４２の第３のガス噴射口２４３とは後述のように互いに連結されるため、第１のガス噴射口２４４’と第３のガス噴射口２４３が形成される高さは互いに同じであることが好ましい。
【００３８】
外管２４１に第１および第２のガス噴射口２４４’、２４４が形成され、内管２４２に第３のガス噴射口２４３が形成されると、図４（ｃ）に示すように、外管２４１に形成された第１のガス噴射口２４４’と、内管２４２に形成された第３のガス噴射口２４３との間に通路２４５を形成することができる。図４（ｄ）は、すべての内管２４２が外管２４１の内部に位置し、内管２４２の第３のガス噴射口２４３が外管２４１の第１のガス噴射口２４４’に連結された状態を示す。
【００３９】
第１のガス噴射口２４４’と第３のガス噴射口２４３がいずれも通路２４５によって連結されると、ガス供給部２４０の内部を流れる工程ガスが第１のガス噴射口２４４’および第２のガス噴射口２４４以外の他の部分に排出されないようにするために、図４（ｅ）に示すように、外管２４１および内管２４２の一端を封じるための蓋２４６を被せることができる。そして、図４（ｆ）に示すように、必要に応じて、蓋２４６上に半球状のキャップ２４７を被せることができる。
【００４０】
本発明は、上述のような好ましい実施形態を挙げて図示および説明したが、上記の実施形態に限定されず、本発明の精神を逸脱しない範囲内で当該発明の属する技術分野における通常の知識を有する者によって多様な変形と変更が可能である。そのような変形例および変更例は、本発明と添付した特許請求の範囲の範囲内に属すると見なすべきである。
【符号の説明】
【００４１】
１４０、２４０    ガス供給部
１４１、２４１    外管
１４２、２４２    内管
１４３、２４４’    第１のガス噴射口
１４４、２４４    第２のガス噴射口
２４３    第３のガス噴射口
２４５    通路
【図１】
2015528054.tif 000003
【図２】
2015528054.tif 000004
【図３】
2015528054.tif 000005
【図４】
2015528054.tif 000006
【図５】
2015528054.tif 000007
【国際調査報告】
2015528054.tif 000008
2015528054.tif 000009
2015528054.tif 000010
2015528054.tif 000011