(57)【要約】  本発明は、幼稚園で早期学習のための玩具、そして学校や大学では学習目的で使用される分子構造モデルキットという形の価電子構造モデルキットに関するものである。  分子構造モデルキットの特長は、化学的結合能力を与えられた全てのどの電子も中性ラジカル結合エレメントによって優先的に描写され、どの＋電荷も＋電荷結合エレメントによって、そしてどの−電荷も−電荷結合エレメントによって描写されている点にある。  孤立電子対は、１つの電子対描写モデルという形で２つの電子描写モデルとして描写されている。電子対と原子基体との間の結合力は、電子対描写モデルと原子基体描写モデルによって描写されている。  中性ラジカル結合エレメントは、優先順位の高い仕様形態では、Ｃ３ｎ−回転対称の中性ラジカルコネクタという構造になっている。  どのエレメントの原子描写モデルにも、電子描写モデルに関する独自の特徴的な定理と各エレメントの特徴的な化学的特性を決定づける上述の結合エレメントがある。  それによって、１つの原子または１つのエレメントをその全特性の統合として、とりわけ全ての結合方法を理解することが、初めて可能になった。ルイスの定理は、ここに描写されたエレメントと分子を直接的に認識し、描写することができる。【選択図】図２
2015501947.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子描写モデルと原子基体描写モデルを網羅する分子構造モデルキットであって、
共有結合の１つの電子が、Ｃ３ｎ−回転対称である中性ラジカル結合エレメントによって描写され、そこにあるｎは１から２０までの整数を意味し、このタイプであればどの結合エレメントも、同じタイプのどの結合エレメントと結合することができる分子構造モデルキット。
【請求項２】
請求項１記載の分子構造モデルキットであって、少なくとも１つのＣ３ｎ−回転対称の結合エレメントとオスメス型結合エレメントという形の−電荷結合エレメントで構成されている分子構造モデルキット。
【請求項３】
請求項１または２に記載の分子構造モデルキットであって、１つの共有結合の電子描写モデルがＣ３ｎ−回転対称の１つの結合エレメントで描写され、ｎは１から４までの整数を意味する分子構造モデルキット。
【請求項４】
請求項１−３のいずれか一項に記載の分子構造モデルキットであって、１つのラジカルはＣ３ｎ−中性ラジカル結合エレメントによって、１つの＋電荷は＋電荷結合エレメントによって、１つの−電荷は−電荷結合エレメント、そして１つの化学的相互作用は電子対結合エレメントと原子基体結合エレメントによって描写される。この際に、Ｃ３ｎ−中性ラジカル結合エレメントは、このタイプであれば他のどの結合エレメントとも結合することができる結合エレメントタイプであり、＋電荷結合エレメントと−電荷結合エレメントは、どちらの結合エレメントタイプも１番目のオスメス型結合エレメントコンビネーションであり、電子対結合エレメントと原子基体結合エレメントは、どちらの結合エレメントタイプも、２番目のオスメス型結合エレメントコンビネーションである分子構造モデルキット。
【請求項５】
請求項１−４のいずれか一項に記載の分子構造モデルキットであって、この際に、＋電荷結合エレメントと−電荷結合エレメントからなる結合エレメントコンビネーションは、差込みピンと凹みからなる結合エレメントコンタクト方式、球と球ホルダからなる差込み結合方式、フックと○型穴からなるマジックテープ方式、吸盤と吸着面からなる吸着方式、フックとリングの結合方式、あるいはそれ以外のオスメス型結合原則に記載のものである分子構造モデルキット。
【請求項６】
請求項１−４のいずれか一項に記載のの分子構造モデルキットであって、この際に、電子対結合エレメントと原子基体結合エレメントからなる結合エレメントコンビネーションは、差込みピンと凹みからなる結合エレメントコンタクト方式、球と球ホルダからなる差込み結合方式、Ｎ極とＳ極からなるマグネット方式、フックと○型穴からなるマジックテープ方式、吸盤と吸着面からなる吸着方式、フックとリングの結合方式、あるいはそれ以外のオスメス型結合原則に記載のものである分子構造モデルキット。
【請求項７】
請求項１−４のいずれか一項に記載のの分子構造モデルキットであって、この際に、２つのＣ３ｎ−中性ラジカル結合エレメントからなる結合エレメントコンビネーションは、もう１つの結合エレメントの差込みピンを受け入れるための凹みのある２つの結合エレメントからなる結合エレメントコンタクト、中性マジックテープの各々の両面にフックと○型のある中性マジックテープ、Ｓ極とＮ極が各々の両面にある中性マグネット結合、吸盤と吸着面が各々の両面にある中性吸着コネクタ、相互に噛み合うレールが両側に配置されたバヨネット・チューブ結合、あるいはそれ以外の中性結合原則、または固定原則に記載の分子構造モデルキット。
【請求項８】
請求項１−７のいずれか一項のいずれか一項に記載の分子構造モデルキットであって、Ｃ３ｎ−中性ラジカル結合エレメントの差込みピンの間に、差込みピンと凹みがあり、凹みが２番目の中性ラジカル結合エレメントの差込みピンを受け入れるのに役立ち、差込みピンが２つの中性ラジカル結合エレメントからなる差込結合の盾軸方向に伸びている分子構造モデルキット。
【請求項９】
請求項１−８のいずれか一項に記載の分子構造モデルキットであって、Ｃ３ｎ−中性ラジカル結合エレメントが円形プレートとその上に垂直に配置された差込みピンで構成されている分子構造モデルキット。
【請求項１０】
請求項１−９のいずれか一項に記載の分子構造モデルキットであって、原子基体描写モデルのところにあり、化学反応能力を与えられた１つの電子対描写モデルが、２つの電子描写モデルの一部であり、同じ原子基体描写モデルにくっつけられた、もしくは固定された相互に結合し合った２つのＣ３ｎ−中性ラジカル結合エレメントによって描写される分子構造モデルキット。
【請求項１１】
請求項１−１０のいずれか一項に記載のの分子構造モデルキットであって、このエレメントが持つ価電子と同じだけのＣ３ｎ−中性ラジカル結合エレメントを自由に使うことができる原子基体描写モデル分子構造モデルキット。
【請求項１２】
請求項１０記載の分子構造モデルキットであって、原子基体描写モデルのところにある相互に結合し合った２つのＣ３ｎ−中性ラジカル結合エレメントによって描写された電子対描写モデルが、＋電荷結合エレメントと−電荷結合エレメントの結合によって原子基体描写モデルに結合される分子構造モデルキット。
【請求項１３】
請求項１−１２のいずれか一項に記載の分子構造モデルキットであって、１つの−電荷結合エレメントが、１つの丸型、三角形、四角形、五角形、六角形、九角形または十二角形の色分けされた差込みピンとこの差込みピンを受け入れるための１つの丸型、三角形、四角形、五角形、六角形、九角形または十二角形の色分けされた凹みによって描写されている分子構造モデルキット。
【請求項１４】
分子構造モデルキットの構成要素としての電子描写モデルであって、１つの孤立電子が１つの中性ラジカル結合エレメントによって１つの−電荷結合エレメントと結合した状態が描写され、中性ラジカル結合エレメントは他のどの中性ラジカル結合エレメントと結合することのできる結合エレメントであり、−電荷結合エレメントは、呼応対象である結合エレメントとのみ結合するオスメス型結合エレメントであり、原子基体に結合することのできる＋電荷結合エレメントである描写モデル。
【請求項１５】
請求項１４に記載の一対の描写モデルであって、１つの電子対描写モデルは、中性ラジカル結合エレメントを通じて２番目の電子描写モデルと結合し、−電荷結合エレメントを通じて原子基体の＋電荷結合エレメントと結合している電子描写モデルを内包している描写モデル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
目次
１．０          分子構造モデルキットの概要
１．１          用語の定義
２．０          既存技術
３．０          原子基体
４．０          電子描写モデルによる共有結合の描写モデル
４．１          中性ラジカル結合エレメントの技術仕様
４．２          孤立ラジカル
５．０          電荷分離、電荷融合、アニオン、カチオン、取り出し可能な電子
６．０          孤立電子対の描写モデル
６．１          電子対結合エレメントと原子基体結合エレメントによる分子間の力の描写モデル
６．２          電子対描写モデル内の２つの中性ラジカル結合エレメントの相互結合の分離
６．３          電子対描写モデル内での電荷分離
７．０          電子対結合エレメントと原子基体結合エレメント
７．１          水素原子の水素結合
７．２          錯体の立体結合点とルイス塩とルイス基、およびイオン結合、原子基体結            合エレメントと金属原子描写モデル
７．３          イオン結合
７．４          電子対結合エレメントと原子基体接続エレメントの技術仕様
８．０          図の解説
９．０          特許請求
１０．０        まとめ
１１．０        図
１．０          分子構造モデルキットの概要
本発明は、幼稚園での早期学習用玩具として、また学校や大学で学習目的に使用する分子構造モデルキットという形での原子価電子モデルに関するものである。
【０００２】
この分子構造モデルの特長は、化学結合能力のある全ての電子を中性のラジカル化合物を用いて表現している点、また、＋電荷量を＋電荷結合エレメントで、−電荷量を−電荷結合エレメントで表現している点にある。
【０００３】
孤立電子対は、２つの電子の表示が１つの電子対という形で１対として表現されている。電子対と原子基体との結合力は、電子対結合エレメントと原子基体結合エレメントによって表現されている。
【０００４】
中性のラジカル化合物は、優先順位の高いＣ３ｎ−回転対称を用いた中性ラジカルソケットの形に作り上げられている。
【０００５】
あらゆる物質の原子構造表現は、これによって各々に特徴的な電子構造と上述の結合エレメントのパターンを表し、これが各エレメントごとに特徴的な化学的特性を決定的にしているのである。
【０００６】
ルイス構造式は、描写された原子と分子を直接、認識し描写することができる。
【０００７】
そこで、本発明に記載の分子構造モデルキットでは、５種類の結合エレメントが使用されている。
【０００８】
１．１  用語の定義
一般的に通用する化学用語：
−電荷量、＋電荷量、原子、電子、結合、孤立電子対といった一般的に通用している化学用語は、分子構造モデルキットの部品を指すものではなく、実際の電気および分子構造を描写している。
【０００９】
本発明にとって有意性のある原子およびその他の物質を表現する形：
表現と言う場合、それは直ちに分子構造キットの部分のことを言う。例えば水分子を表現する場合、酸素原子１個に水素原子が２個くっついた形をとる。
【００１０】
電子基体の描写
（第３章、図表４、５、２３−４０）は、分子構造モデルキットの中で、原子核の構成要素ならびに内殻の電子、また場合によっては化学的には有意性のない外殻の電子のすべてを網羅する原子の核のシンボルとしての役割を果たしている。
【００１１】
原子基体の描写は、優先順位の高い球と多面体を用いた形で表現されている。
【００１２】
結合エレメントは、後で分解取り外しのできる分子構造モデルキットの部品を相互に固定するための接続パーツもしくはソケットといったエレメントである。
【００１３】
これらの結合は原則的として、結合と力、および異なる原子間の相互作用を表している。
【００１４】
接続エレメントの相互接続は、差し込む、固定する、つなぐという原則に基づくものである。
【００１５】
差し込む、固定する、つなぐという原則の具体的な形態、すなわちソケットやマグネットやマジックテープ、あるいはこれに類似したものを使用することは本発明の根幹をなすものではなく、特定の接続原則を化学結合（例えば、共有結合やイオン結合）もしくは化学的相互作用（例えば、水素結合）さらには結合原則の互換性に割付している点が本発明の根幹をなしている。
【００１６】
優先的に用いられている形態では、異なる力や結合や相互作用が、異なる差込み、固定、接続の原則、もしくは異なる差込み、固定、接続の手段で表現されている。
【００１７】
＋電荷結合エレメント（第５章、５．０、５．１、図表４、５）は、原子基体の＋電荷量を表している。
【００１８】
−電荷結合結合エレメント（第５章、５．０、５．１、図表７、８）は、電子の−電荷量を表している。＋電荷結合エレメントと−電荷結合エレメントは、どちらもお互いにつなげたり、接続し合ったりすることができる。
【００１９】
＋電荷結合エレメントと−電荷結合エレメントが相互につながっているときは、電荷が中和された状態を表している。
【００２０】
＋電荷結合エレメントと−電荷結合エレメントの相互接続は、オスメス型のコネクタ、およびオスメス型接続エレメントの接続原則に基づいている。
【００２１】
これは、差込みピンと差込み孔のある（ソケットとコンセントの接合原則に記載の）差込み接合、あるいはＮ極とＳ極のあるマグネット、もしくはカギ型フックと○型穴のあるマジックテープ、さらには吸盤や接合面による吸着接合やカギ型フックと○型穴といったように、オスメス型接続原則に記載の結合原則で実現することができる。
【００２２】
優先順位が高いのは、異なる極性は引き合い、同じ極性は反発し合うことを明確に表現できるマグネット接続である。
【００２３】
＋電荷結合エレメントは、優先順位の高い仕様形態の中では、常に原子基体に固定されている。
【００２４】
−電荷結合エレメントは、常に電子の描写モデルに固定されている。
【００２５】
接続原則でメス型と定義づけられた側が、常に原子基体である場合には、その結果としてオス型と定義された側は電子を表すこととなり、（これとは逆に）オス型と定義された側が電子基体である場合には、これに伴いメス側は電子を表すこととなる。
【００２６】
優先順位の高い表現形態においてはとりわけ、＋電荷結合エレメントと−電荷結合エレメントを、分子構造モデルキットの中性ラジカル結合エレメントや原子基体結合エレメントや電子対結合エレメントに接合することはできない。ここでは、各々まったく異なる結合と（結合）力がテーマであることを明確に示そうとしているためである。
【００２７】
しかしその反面、どの原子基体であってもその＋電化結合エレメントは、どの−電荷結合エレメントとも結合することが可能である。ただし、−電荷結合エレメント同士、および＋電荷結合エレメント同士が結合することはできない。
【００２８】
原子基体結合エレメント（第７．０，７．１，７．２，７．３，７．４章、図表３１−４０）は、電子対が電子対結合エレメント上でつながり合っていることを示す原子心の配位点を表している。
【００２９】
電子対結合エレメント（第６．０章、図表２３−２４）は、電子対の描写において、電子対が原子基体結合エレメントによって結び付いているポジションを表している。
【００３０】
原子基体結合エレメントと電子対結合エレメントは、どちらも相互に並べたり、結合し合うことが可能である。
【００３１】
電子対結合エレメントと原子基体結合エレメントとの相互結合は、オスメス型結合原則に記載のものである。
【００３２】
これは、球体と球体ホルダの付いた球型カップリング、または差込みピンと差込み穴の付いたソケット型コネクタ（ソケットとコンセントの接合原則に基づく）やＮ極とＳ極のあるマグネット、もしくはカギ型フックと○型穴のあるマジックテープ、さらには吸盤や接合面による吸着接合やカギ型フックと○型穴といったようにオスメス型接続原則に記載の結合原則で実現することができる。
【００３３】
原子基体結合エレメントは、個々もしくは複数個の差込みピンに（定義づけとして）固定されているのが望ましい。
【００３４】
原子基体を表す結合エレメントの差込みピンは、可動式ジョイントの付いた反対側で原子基体に固定させることができる。
【００３５】
金属原子を表現する場合の固定は、開くことのできる電子対カップリングの６つの差込み穴を用いて、正方形の両錐型、三角の両錐型、三角多面体、正方形の平面、三角の平面（第７．１−７．４章、例えば図表３７−４０にあるように電子対カップリング差込み穴で描写）を表すことができる。
【００３６】
電子対結合エレメントは、優先順位の高い表現形態では、常に電子対描写、もしくは原子基体の原子基体結合エレメントに固定することのできる差込みピンに定されている。
【００３７】
ここでは、メス型と定義された側が原子基体であるとすれば、オス型と定義された側は電子側となり、オス型と定義された側が原子基体である場合には、メス型と定義された側が電子側を描写することになる。
【００３８】
優先順位の高い表現形態においては、原子基体結合エレメントと電子対結合エレメントを、分子構造モデルキットの中性ラジカル結合エレメントや、＋電荷結合エレメントや−電荷結合エレメントに接合することはできない。ここでは、各々がまったく異なる結合と（結合）力がテーマであることを明確に示そうとしているためである。
【００３９】
中性ラジカル結合エレメント（第４．０，４．１，４．２章、図表１，２，３，６，８，１６，１７，１８）は、
電子が相互に結合し合う点を描いたものである。
【００４０】
ここで決定的なのは、電子を描写した際のどの中性ラジカル結合エレメントも、分子構造モデルキットで別の電子を描写した際のどの任意の中性ラジカル結合エレメントとも結合が可能であるという点である。
【００４１】
中性ラジカル結合エレメントでは、２番目の中性ラジカルコネクタの差込ピンを受けることができるよう幾何学的順序で差込みピンと差込み穴を並べたコネクタの中性ラジカルコネクタ（ゼロコネクタという同意語で表記）、あるいはカギ型フックと○型穴が両側にある中性マジックテープ、すなわちカギ型フックと  ○型穴が幾何学模様に基づいて両側の表面に交互に配列されたマジックテープ、もしくはＮ極とＳ極が両面に交互に、できれば幾何学模様に基づいた配置が望ましい中性のマグネット結合、さらには両面に幾何学模様に基づいて吸盤と吸着面が交互に配列された結合や複数のレールや結合エレメントが相互に噛み合うようにしたバヨネット結合式カップリング付のホースをはじめ、これ以外にも考えられる中性的な結合および固定原則に記載の結合方法を用いる。
【００４２】
中性ラジカル結合エレメントの特徴は、どの中性ラジカル結合エレメントも、他のどの中性ラジカル結合エレメントとも結合できる点である。
【００４３】
したがって、ここではオスメス型の原則はなく、中性ラジカル結合エレメントはどれであっても、２つあれば相互に結合できるということである。
【００４４】
要するに、中性ラジカル結合エレメントは、どれであっても相互に任意に組み合わせることが可能なのである。
【００４５】
望ましい描写形態においては、中性ラジカル結合エレメントは他の中性ラジカル結合エレメントのみと結合し、分子構造モデルキットの＋電荷結合エレメントや−電荷結合エレメントや原子基体結合エレメントおよび電子対結合エレメントとは結合しない。これは、全く別の結合と（結合）力が問題になっていることを明確に示すためである。
【００４６】
Ｃ３ｎ−中性ラジカル結合エレメント（図１，２，１２，１４）は、Ｃ３ｎ−回転対称の形をした中性ラジカル結合エレメントである。ここでは、ｎには１から２０までの数字を代入することができる。ｎ＝１の場合には、その結果としてＣ３対称が生じ、例えばメルセデスのスターマークを中心軸の周りに３６０°の３分の１、つまり１２０°相当分回転させるのと同様に再び本来の形を表す。
【００４７】
Ｃ３ｎ−対称の形をしたＣ３ｎ−中性ラジカル結合エレメントを用いることによって、互いに結びつき合った原子の描写をスタッガード（ねじれ型）配座もしくはエクリプス（重なり）配座にすることが可能である。これは、有機分子とその立体化学構造を描写するのによく用いられる形態である。
【００４８】
これは、原子の三角多角体構造によるものである。これに加えて、エクリプス立体配座が分子構造モデルキットで用いられている多重結合の基礎となっている。
【００４９】
その際には、一重結合が完成したあとに、エクリプス配座ポジションにある中性  ラジカル結合エレメントが相互に結合し合い、二重結合（図１９と２１）の際には  これが平面的な分子に、そして３重結合（図２０と２２）の際には線形の分子描写となる。
【００５０】
正確にエクリプス配座になっていない場合には、二重結合がよじれた状態になることがあり、二重結合の描写の際に平面的な分子描写にならず、また３重結合の描写の際に正確な線形の分子描写を得ることができない。
【００５１】
Ｃ３ｎ−中性ラジカル結合エレメントの望ましい形態ではｎ＝２なので、Ｃ６−中性ラジカル結合エレメントは、Ｃ６−中性ラジカルコネクタを使用する（図１、２、６）。
【００５２】
これによって、スタッガードのポジションでも、エクリプスのポジションでも、交互に描写することが可能になり、一般によく用いられる有機化学の立体化学的描写も二重および三重結合の描写も可能となる。
【００５３】
Ｃ３ｎ−中性ラジカル結合エレメントで望ましいのはＣ３ｎ−中性ラジカルコネクタで、これらは電子を描写する際に（電子が）相互に結合する場所である。
【００５４】
ここで決定的なのは、電子を描写する際のどのＣ３ｎ−中性結合エレメントも、分子構造モデルキットの他の電子描写におけるすべての任意のＣ３ｎ−中性ラジカル結合エレメントと相互に結合できるという点である。
【００５５】
固定位置や差込みピンやその他の固定原則のエレメントをＣ３ｎ−中性ラジカル結合エレメント内に配置する際には、例えば固定ピンのオス型メス型エレメントの配置を冠形状の配置に相当するＣ３ｎ−形状にするのが望ましい。
【００５６】
コネクタの例（Ｃ３ｎ−中性ラジカルコネクタの例にある図１、２、１２参照）や図１４に示される三角形パターン。
【００５７】
Ｃ３ｎ−中性ラジカル結合エレメントでは、２番目の中性ラジカルコネクタの差込みピンを受け入れることができるように差込みピンと差込み穴が配置されたＣ３ｎ−中性ラジカルコネクタ（ゼロコネクタという同意語で表記）、あるいはカギ型フックと○型穴が両側にあるＣ３ｎ−中性マジックテープ、すなわちカギ型フックと○型穴がＣ３ｎ−幾何学模様に基づいて両側の表面に交互に配列されたマジックテープ、もしくはＮ極とＳ極が両面に交互に、できればＣ３ｎ−幾何学模様に基づいた配置が望ましい中性のマグネット結合、さらには両面にＣ３ｎ−幾何学模様に基づいて吸盤と吸着面が交互に配列された結合や複数のレールや結合エレメントが相互に噛み合うようにしたバヨネット結合式カップリング付のホースをはじめ、これ以外にも考えられる結合およびＣ３ｎ−固定原則やＣ３ｎ−結合方法に記載の結合方法を用いる。
【００５８】
Ｃ３ｎ−中性ラジカル結合エレメントの特徴は、どのＣ３ｎ−中性ラジカル結合エレメントも他のすべてのＣ３ｎ−中性ラジカル結合エレメントと結合できる点にある。
【００５９】
したがって、ここではオス型メス型の原則はなく、Ｃ３ｎ−中性ラジカル結合エレメントはどれであっても、２つあれば相互に結合することができるということで  ある。
【００６０】
要するに、分子構造モデルキットのＣ３ｎ−中性ラジカル結合エレメントは、どれであっても相互に組み合わせることができるということである。
【００６１】
優先順位の高い（望ましい）描写形態では、Ｃ３ｎ中性ラジカル結合エレメントは別のＣ３ｎ中性ラジカル結合エレメントとのみ繋ぎ合わすことができるのであって、分子構造モデルキットの＋電荷結合エレメントや−電荷結合エレメントや原子基体結合エレメントや電子対結合エレメントとは結合しないという形態である。これは、全く別の結合と（結合）力が問題になっていることを明確に示すためである。
【００６２】
電子の描写（第５．０，５．１章、図１，２，３，８，９，１０，２６，２７，３３）には各々１つの中性ラジカル結合エレメントがあり、それらが固定化された電子描写モデルとして原子基体の描写に固定されているものもあれば、原子基体の＋電荷結合エレメントに結合する−電荷結合エレメントを持った取り外しのできる電子描写モデルもある。
【００６３】
優先順位の高い形態では、いく種類もの固定化された電子描写モデルがある：
−中性ラジカル結合エレメントが、望ましい形で柔軟性のある接続小パイプを通じて、もしくは直接的に原子基体に固定されているという個々の電子の描写モデル
電子対の一部としての電子描写モデル。ここでは中性ラジカル結合エレメントは、ピンを使ってフレームにぶら下げられた上下首振りエレメントに固定されている。柔軟性のある接続小パイプで原子基体に固定された首振り式ジョイント部分が回転するようにである。
【００６４】
取り外すことのできる電子描写モデル、もしくは孤立電子の描写モデル（第５．０章，図８，２７，３３）は、主に分子構造モデルキットのパーツで、中性ラジカル結合エレメントと−電化結合エレメントを持っている。
【００６５】
この２つの結合エレメントは、直接的に、または結合パイプを通じて、あるいは柔軟性のある結合パイプで相互にしっかり結合することができる。
【００６６】
本発明に記載の電子の描写モデルは、１つの−電荷結合エレメントに結合した１つの中性結合エレメントで構成されている。
【００６７】
従って、本発明は分子構造モデルキットの構成要素である電子描写モデルに関するものでもある。その際には、１つの孤立電子が中性ラジカル結合エレメントによって、望ましいのは１つの中性ラジカルコネクタによって−電荷結合エレメントと、望ましいのは−電荷コネクタと結合した形で描写される。この際に中性ラジカル結合エレメント、もしくは中性ラジカルコネクタは、他のどの中性ラジカル結合エレメントとも結合できる結合エレメントであり、また−電荷結合エレメント、もしくは−電荷コネクタは、呼応する逆サイドの結合エレメントや原子基体の＋電荷結合エレメントまたは＋電荷コネクタといったようにオス型メス型結合エレメントとのみ結合する結合エレメントである。
【００６８】
別の言い方をするなら、本発明は分子構造モデルキットの構成パーツとしての電子描写モデルに関するものであると言うことができる。ここでは孤立電子は、中性ラジカル結合エレメント、望ましいのは中性ラジカルコネクタによって−電荷結合エレメント、望ましいのは−電荷コネクタと結合した形で描写される。
【００６９】
また中性ラジカル結合エレメント、または中性ラジカルコネクタは、このタイプであれば他のどの結合エレメントとも結合することのできる結合エレメントで、−電荷結合エレメント、もしくは−電荷コネクタは、呼応する原子基体の＋電荷結合エレメント、または＋電荷コネクタにのみ結合することのできるオスメス型結合エレメントである。
【００７０】
ここで「〜と結合」という言葉は、２つの結合エレメント、またはコネクタが孤立電子の描写モデルで、引き離すことができないほどしっかりと結合していることを表している。
【００７１】
中性ラジカル結合エレメント、望ましくは中性ラジカルコネクタと、−電荷結合エレメント、望ましくは−電荷コネクタとの結合は、アダプタ、できれば細長いアダプタ、さらにできれば柔軟で曲げることのできるアダプタを用いて、その向かい側の正面に２つの異なる結合エレメント、またはコネクタを置くことで行う。
【００７２】
中性ラジカル結合エレメントが、ここに描写されているＣ３−またはＣ３ｎ−対称の形であることが望ましい。アダプタとしては、とりわけ柔軟性のある、もしくは曲げることのできるパイプか棒かホースが優先される。
【００７３】
孤立電子の描写モデルでは、中性ラジカル結合エレメントもしくは中性ラジカルコネクタ上で、他の電子描写モデルの中性ラジカル結合エレメントもしくは中性ラジカルコネクタと結合することができ、また−電化結合エレメント、または−電荷コネクタ上で原子基体の＋電荷結合エレメント、または＋電荷コネクタと結合することができる。
【００７４】
本発明の望ましい形態は、分子構造モデルキットの構成パーツである電子描写モデルに関するものである。その際に、孤立電子が、柔軟で曲げることのできる  アダプタ上で中性ラジカルコネクタを通じて−電荷コネクタと結合する状況が表されている。この中性ラジカルコネクタは、このタイプであれば他のどの結合エレメントとも結合できる結合エレメントで、−電荷コネクタは、呼応する原子基体の＋電荷コネクタにのみ結合することのできるオスメス型結合エレメントである。
【００７５】
別の表現を用いるなら、本発明は分子構造モデルキットの構成パーツとしての電子描写モデルに関するものである。その際、孤立電子は中性ラジカルコネクタにより、柔軟で折り曲げ可能な中間物経由で−電荷コネクタと結合した形で描写される。ここで中性ラジカルコネクタとは、他のどの中性ラジカルコネクタとも結合できる（中性）コネクタを指し、また、−電荷コネクタとは、原子基体の呼応する＋電荷コネクタにのみ結合することのできるオスメス型コネクタを指す。
【００７６】
電子の描写モデル（第６．０章、図２２−２９）の望ましい形態は、１つの原子基体に取り外すことのできる形でくっついている２つの電子の結合状態、もしくは常時くっついている状態の描写である。
【００７７】
よって、本発明は１対の電子対の描写に関するものでもある。ここで、１対の電子対の描写モデルは、中性ラジカル結合エレメント経由でここに描写されている電子対の２番目の電子描写モデルと結合し、また−電荷結合エレメント経由で原子基体の＋電荷結合エレメントと結合している電子描写モデルを含んでいる。
【００７８】
中性ラジカルコネクタは、中性ラジカル結合エレメント（第４．０，４．１，４．２章、図１，２，３，６，８，９，１０，１６−２２）の望ましい形態である。
【００７９】
中性ラジカルコネクタ（ここではゼロコネクタという同意語で表記）は、できれば１枚のプレート上に配置された多数の差込みピン（例えば、図１，２，３，６，８，１２−１５に記した形態のように）で構成され、それらのピンの間には、他のコネクタ、もしくは２番目の中性ラジカルコネクタの差込みピンを受け入れるのに適した、ピンとほぼ同数の凹みがあるのが望ましい。
【００８０】
どの中性ラジカルコネクタも内部が差込みピンと凹みの形に細分化されていて、１ピン、２ピン、３ピン、４ピン、５ピン、６ピン、７ピン、８ピン、９ピン、１０ピン、１１ピン、１２ピン、１３ピン、１４ピン、１５ピン、１６ピン、１７ピン、１８ピン、それ以上のピンのものがある。
【００８１】
特に優先的に用いられるのは、３ピン、６ピン、９ピン、１２ピン、もしくはピン数が３の倍数のものである。
【００８２】
さらにまた、ピンはできれば円形のプレート上に王冠状に配置され、円形プレートから垂直に立ち上がった状態が望ましい。できれば、ピンの先端部が円形プレートの中心に向かって結合し合う形が望ましい（例えば、図１，２，３，６，８に記したように６ピンの仕様形態が望ましい）。
【００８３】
中性ラジカルコネクタのピンは、優先順位の高い王冠状の配列だけでなく、次のようにプレート上に配置することも可能である。つまり、コネクタの片側のピンを碁盤の黒い目に配置し、碁盤の白い目に凹みを配置する（図１５）。
【００８４】
さらに考えられる中性ラジカルコネクタのピンの配置は、ピンの配置の基本パターンとして同じ面に複数の三角形を有するというものである。そこでは、どのピンも最大で６つの三角形に関与し、互いに関連するパターンが同じ面の複数の三角形に現れる（図１４）。
【００８５】
縮尺通りの効率的な結合距離と効率的な比率の結合距離を、第４．０章および図１６と１８に記した。
【００８６】
Ｃ３ｎ−中性ラジカルコネクタ（図１，２，１２，１４）は、Ｃ３ｎ−回転対称を持つ、望ましい仕様の中性ラジカルコネクタである。
【００８７】
ここでは、ｎには１から２０までの数字を代入することができる。ｎ＝１の場合には、その結果としてＣ３回転対称が生じ、例えばメルセデスのスターマークのように中心軸の周りを３６０°の３分の１、つまり１２０°相当回転させると同じ形になる。
【００８８】
Ｃ３ｎ−回転対称の形をしたＣ３ｎ−中性ラジカル結合エレメントを用いることによって、互いに結合した原子の描写をスタッガードもしくはエクリプス立体配座にすることが可能である。これは、有機分子とその立体化学構造を描写するのによく用いられる形態である。
【００８９】
これは、原子の三角多角体構造によるものである。これに加えて、エクリプス立体配座が分子構造モデルキットで用いられている多重結合の基礎となっている。
【００９０】
その際には、一重結合が完成したあとに、エクリプス配座ポジションにある中性ラジカルコネクタが相互に結合し合い、二重結合（図１９と２１）の際にはこれが正確に並んだ平面的な分子に、そして３重結合（図２０と２２）の際には正確に並んだ線形の分子描写となる。
【００９１】
正確にエクリプス配座になっていない場合には、二重結合がよじれた状態になることがあり、二重結合の描写の際に正確な平面的な分子描写にならず、また３重結合の描写の際には正確な線形の分子描写を得ることができない。
【００９２】
Ｃ３ｎ−中性ラジカルコネクタの望ましい形態ではｎ＝２なので、よってＣ６−中性ラジカルコネクタを使用できる（図１、２、６）。
【００９３】
これによって、スタッガードのポジションでも、エクリプスのポジションでも、交互に描写することが可能になり、一般によく用いられる有機化学の立体化学的描写も二重および三重結合の描写も可能となる。
【００９４】
よって、Ｃ３ｎ−中性ラジカルコネクタは、その望ましい仕様形態においては、電子を相互に結合させる場所となる。
【００９５】
ここで決定的なことは、電子を描写する際のどのＣ３ｎ−中性ラジカルコネクタも、分子構造モデルキットの他の電子を描写する際のどの任意のＣ３ｎ−中性ラジカルコネクタとも相互に結合できる点である。
【００９６】
Ｃ３ｎ−中性ラジカルコネクタ内部の差込みピンの配置は、例えば固定ピンのオスメスエレメントの王冠状配置に相当するようなＣ３ｎ−幾何学形状にするのが望ましい。
【００９７】
コネクタの例（Ｃ３ｎ−中性ラジカルコネクタの例にある図１、２、１２参照）や図１４の三角形パターン。
【００９８】
Ｃ３ｎ−中性ラジカルコネクタは、できれば２番目のＣ３ｎ−中性ラジカルコネクタの差込みピンの受け入れができるよう、差込みピンと凹みをＣ３ｎ−幾何学的配置にするのが望ましい。
【００９９】
Ｃ３ｎ−中性ラジカルコネクタの特徴は、どのＣ３ｎ−中性ラジカルコネクタも分子構造モデルキットにある他のどのＣ３ｎ−中性ラジカルコネクタとも結合できる点にある。
【０１００】
したがって、ここではオス／メスの原則はなく、Ｃ３ｎ−中性ラジカルコネクタはどれであっても、２つあれば相互に結合できるということである。
【０１０１】
要するに、Ｃ３ｎ−中性ラジカルコネクタはどれとも相互に組み合わせが可能である。
【０１０２】
優先順位の高い望ましい描写形態では、Ｃ３ｎ中性ラジカルコネクタは、別のＣ３ｎ中性ラジカルコネクタとのみ繋ぎ合わせができるのであって、分子構造モデルキットの＋電荷結合エレメントや−電荷結合エレメントや原子基体結合エレメントや電子対結合エレメントとは結合できない。これは、全く別の結合と（結合）力が問題になっていることを明確に示すためである。
【０１０３】
−電化コネクタは、−電荷結合エレメント（５．０，５．１章、図７，８）の望ましい仕様形態で、それは電子描写モデルの柔軟性のあるエレメント上に配置された１本もしくは複数本の差込みピンで構成されている。
【０１０４】
差込みピンは、できれば幾何学形状、さらに可能なら回転対称が望ましい。回転対称は３の倍数が望ましい。最優先すべきは、ｄ６−回転対称の仕様形態である。−電荷コネクタは、球形カップリングの球の仕様でもよい。
【０１０５】
＋電化コネクタは、＋電荷結合エレメント（第５．０，５．１章、図４，５，２７，３３，３７−４０）の望ましい仕様形態であり、−電荷コネクタの差込みピンを受け入れることができるように凹みとして表されるため、−電荷コネクタと同じ回転対称の形状をとるべきである（図４、５）。
【０１０６】
これに従うと、＋電荷コネクタは−電荷コネクタの球を受け入れるための差込み用の凹みであってもよい。
【０１０７】
優先順位の高いこうした仕様形態と並んで、−電荷コネクタと＋電荷コネクタは、メス型と定義された側が原子基体である場合には、オス型と定義された側は電子描写モデルとなる。また結合の原則に基づいてオス型と定義された側が原子基体である場合には、電子描写モデルがメス型の側となる。
【０１０８】
電子対カップリングコネクタは、電子対結合エレメント（第６．０章、図２３，２４）の望ましい仕様形状であり、できれば球形カップリングの球の仕様で、電子対カップリング球と称せられる。
【０１０９】
優先順位の高いこうした仕様形態と並んで、電子対カップリングコネクタは、１本もしくは複数の差込みピンを持つ仕様であってもよい。
【０１１０】
原子基体カップリングコネクタは、原子基体結合エレメント（第７．０，７．１，７．２，７．３，７．４章、図３１−４０）という仕様形態が望ましい。球形カップリングの球仕様が望ましいため、原子基体球形カップリング凹みと称する。
【０１１１】
優先順位の高いこうした仕様形態と並んで、電子対カップリングコネクタのコネクタは、電子対カップリングコネクタにフィットするよう凹み、場合によっては差込みピンという仕様でもよい。
【０１１２】
優先順位の高い原子基体カップリングコネクタと電子対カップリングコネクタのこういった仕様形態と並んで、メス型と定義された側が原子基体である場合には、オス型と定義された側は電子対描写モデルとなる。またオス型と定義された側が原子基体である場合には、電子対描写モデルがメス型の側となる。
【背景技術】
【０１１３】
２．０  既存技術
既存技術では、複数の分子構造モデルキットが知られているが、そのどれを見ても、分子描写は具体性にかけていた。
【０１１４】
こういった原子モデルでは、原子の位置は正しく再現されていたものの、電子とその結合および引力、また核と電荷の引力は、十分に描写できていなかった。
【０１１５】
Ｃｏｃｈｒａｎｅｓ社が販売した「ミニットモデルキット」には、「有機化学」「生化学」「無機化学と結晶化学」という３つのバージョンがあり、各エレメントは通常の色分けコード化されてはいるが、学習用玩具としては化学的分子の結合関係を理解するのには不十分なものであることを露呈した。
【０１１６】
種類の異なる２つの原子の正確な結合距離を表すためには、接続用小パイプをナイフまたはハサミなどでそれに合うように切らなくてはならない。
【０１１７】
したがって、縮尺どおりに結合距離を表すためには、分子モデルを構築する前に使用者が積極的な行動を起こさなければならなくなる。
【０１１８】
もう１つの大きな問題点は、イオンと複合結合と水素結合の描写である。
【０１１９】
前述のＣｏｃｈｒａｎｅｓシステムでは、例えばホウ素の結合関係を三角平面の原子心では十分に描写しきれず、本来の結合関係を十分に再現することができない。
【０１２０】
また差込み式の結合はすべてオスメス型の仕様になっており、化学的な機能がそこに割り付けられている訳ではない。
【０１２１】
前述のミニット分子構造モデルキットと並んで、アメリカの特許ＵＳ５０３０１０３は、例えば、軸位置が固定された５角形の両錐型の基体といった簡単な分子構造描写モデル用の衰退したパーツを公開している。エクアトリアル面の原子は、両方の軸点方向にシフトする。
【０１２２】
この分子構造モデルキットを使って、単純な反応シーケンスを表すことができる。ＳＮ１もしくはＳＮ２メカニズムに記載の求核置換反応の個々のステップを表すことは可能である。
【０１２３】
これによって、単純なダイナミックなプロセスの描写は可能だが、このモデルでは２つの原子間の化学結合を説明することはできない。
【０１２４】
これと並行する形で、ここに焦点を当て化学の特殊領域をカバーする学習玩具がある。アメリカ特許ＵＳ  ４０１４１１０  Ａは結晶格子システムを公開し、ＷＯ  ２００６０８０８７１  Ａ１は電子とプロトンと中性子を描写して原子の構造を可視化している。
【０１２５】
どの分子構造モデルキットも、電子対結合、もしくはイオン結合に対する基本的な理解を、ごく表面的にしか、あるいは全く描写することができていない。
【０１２６】
前述の分子構造モデルキットはどれをとっても、学習者に孤立電子または孤立電子対と結合数や配位数との相関関係を残りの位置的配座、すなわち立体的配座で理解させることができない。
【０１２７】
したがって、本発明が担う課題は、化学結合の基本である構築原則と簡単な反応メカニズムをわかりやすく描写しながら、全ての学習年齢層に適した分子構造  モデルキットを原子価電子モデルという形で提供することにある。
【０１２８】
とりわけ、電子とその力、そして原子核とその力の相関関係、およびこれらの相互作用を描写する必要がある。
【０１２９】
特に、２つの電子同士が拘束力のあるもしくは拘束力のない電子対を形成する結合、また＋−電荷相互作用という形で個々の電子と原子核との間の結合、さらにはルイス塩基相互作用や複合結合やイオン結合、を可視化しなければならない。
【０１３０】
これらの課題は、独立した形で特許申請された技術理論によって解決される。
【０１３１】
本発明による有意義な仕様形態は、特許申請明細と詳細と図表、および例で示している。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０１３２】
詳細
本発明は、電子の描写モデルと原子基体描写モデルを含む、もしくは網羅する分子構造モデルキットに関するものである。その際に、共有結合の１つの電子が中性ラジカル結合エレメントで描写され、このタイプの結合エレメントはどれでも、同じタイプの結合エレメントであればどれとでも結合することができる。
【０１３３】
本発明に基づき、中性ラジカル結合エレメントは、プラス・マイナスもしくはオスメス型の結合原則に記載の結合エレメントではなく、１つの結合エレメントがあり、それと同じタイプの他の結合エレメントであればどれとでも結合することができる仕様になっている。
【０１３４】
本発明は、電子の描写モデルと原子基体描写モデルを含む、もしくは網羅する分子構造モデルキットに関するものである。その際に、共有結合の１つの電子がＣ３ｎ−対称の中性ラジカル結合エレメントで描写され、ｎには１から２０までの数字が代入され、このタイプの結合エレメントはどれでも、同じタイプの結合エレメントであればどれとでも結合することができる。
【０１３５】
中性ラジカル結合エレメントは、ここに公開されているように中性ラジカルコネクタが望ましい。
【０１３６】
電子描写モデルは、１つの結合エレメントもしくは中性ラジカル結合エレメント、またはＣ３ｎ−対称の中性ラジカルコネクタとオスメス型結合エレメントという形の１つの−電荷結合エレメントで構成されているのが望ましい。
【０１３７】
−電荷結合エレメントは、できればオスメス型コネクタの形の−電荷コネクタが望ましい。
【０１３８】
Ｃ３ｎ−対称のｎは、１−１５までが望ましい。できれば１−１５、さらにできれば１−８、さらに望ましいのは１−６、もっと望ましいのは１−５、さらに１−４、それより望ましいのは２、３または４、とりわけ２である。
【０１３９】
本発明は、電子の描写モデルに関するものである。そこでは、ラジカルはＣ３ｎ−中性ラジカル結合エレメントにより、＋電荷は＋電荷結合エレメントにより、−電荷は−電荷結合エレメントにより、化学的相互作用は電子対結合エレメントと原子基体結合エレメントにより描写されている。その際、Ｃ３ｎ−中性ラジカル結合エレメントは、タイプが同じであればどの結合エレメントとも結合することのできる結合エレメントである。＋電荷結合エレメントと−電荷結合エレメントは、どちらもオスメス型結合コンビネーションの１番目の結合エレメントタイプで、電子対結合エレメントと原子基体結合エレメントは、どちらもオスメス型結合コンビネーションの２番目の結合エレメントタイプである。
【０１４０】
さらに、本発明は、電子の描写モデルと原子基体描写モデルを含む、もしくは網羅する分子構造モデルキットに関するものである。そこでは、イオン結合は、＋電荷結合エレメント、できれば＋電荷コネクタが、−電荷結合エレメント、できれば−電荷コネクタと結合した形で描写されている。共有結合は、２つの中性ラジカル結合エレメント、できれば２つの中性ラジカルコネクタで描写されている。水素結合もしくは配位結合は１つの電子対結合エレメント、できれば電子対カップリングコネクタと１つの原子基体結合エレメント、できれば原子基体カップリングコネクタで描写されている。その際、イオン結合は、オスメス型結合原則によって、また配位結合または水素結合は、それとは別のオスメス型結合原則によって、そして共有結合は結合原則によって描写されている。どの中性ラジカル結合エレメント、できれば中性ラジカルコネクタも、別のどの中性ラジカル結合エレメント、できれば中性ラジカルコネクタとも結合することができる。
【０１４１】
「これとは別のオスメス型結合原則によって描写」という表現が意味しているのは、イオン結合はオスメス型結合の１つの原則により、配位結合または水素結合は最初のこの結合原則とは互換性のない２番目のオス型メス型結合原則によるものであるという事実である。
【０１４２】
様々なオスメス型結合原則の仕様形態はここで開示済みである。例えば差込みピンおよびその差込みピンを受け入れるために付随する凹み、あるいは球形ヘッドおよびその球形ベッドを受け入れるための球形ヘッドに付随する周辺部分などである。
【０１４３】
両者ともにオスメス型結合原則ではあるが、その間に互換性はない。つまり、球形ヘッドは差込みピン用の凹みには入らないということである。
【０１４４】
言い方を変えると、本発明は電子の描写モデルと原子基体描写モデルを含む、もしくは網羅する分子構造モデルキットに関するものである。ここで、イオン結合は＋電荷結合エレメント、できれば＋電荷コネクタが、−電荷結合エレメント、できれば−電荷コネクタと結合した形で描写されている。また共有結合は、２つの中性ラジカル結合エレメント、できれば２つの中性ラジカルコネクタで描写されている。そして水素結合もしくは配位結合は１つの電子対結合エレメント、できれば電子対カップリングコネクタと１つの原子基体結合エレメント、できれば原子基体カップリングコネクタで描写されている。その際、イオン結合は２つのオスメス型結合エレメント、できれば最初の形態のオス型メス型コネクタによって、また配位結合と水素結合は２つのオスメス型結合エレメント、できれば最初の形態とは互換性のない２番目の形態のオスメス型コネクタによって描写されている。中性ラジカル結合エレメント、できれば中性ラジカル結合エレメントは、どの中性ラジカル結合エレメント、できれば中性ラジカルコネクタとも結合することができるが、オス型メス型結合エレメント、できればオスメス型コネクタとは互換性がない。
【０１４５】
したがって、本発明に記載の分子構造モデルキットには、互換性のない３種類の結合エレメントが含まれていることになる。つまり、３種類の結合エレメントを相互につなぎ合わすことはできず、対になったパートナー（オス型とメス型、もしくは中性、つまり２つが全く同一の結合エレメントあるいは結合コネクタ）によってのみ結合が可能である。それは、結合状態の、ラジカル分離もイオン分離も共に描写できるようにするためである。その際に１つのラジカルは、結合していない個々の中性ラジカル結合エレメント、できれば中性ラジカルコネクタとして描写されており、イオン結合は、結合していない個々の＋電荷結合エレメント、できれば＋電荷用の＋電荷コネクタ、および−電荷結合エレメント、できれば−電荷用の−電荷コネクタによって描写されている。
【０１４６】
中性ラジカル結合エレメント
異なる結合エレメントのこうした組み合わせを通じて、学習者は今初めて種類の異なる結合エレメントシステムの異なる力と結合を分類したり、区別したりすることが可能になった。
【０１４７】
この特性と並んで、中性ラジカル結合エレメントは、優先順位の高い仕様形態においては、ｎ＝１，２，３．．．，２０という結合軸の数によってＣ３ｎ−回転対称になっている。
【０１４８】
ここで使用されている「Ｃ３ｎ−回転対称」という言葉が意味するのは、この結合エレメントは、描写しようとする共有結合の結合軸に沿って、３本の回転軸、もしくは３本の回転軸の倍数（ｎ）を持っているということである。ｎには、１から２０までの数字が入る。
【０１４９】
優先順位が高いのは、３および３の倍数の回転対称、例えばＣ３−，Ｃ６−，Ｃ９−，Ｃ１２−，Ｃ１５−，Ｃ１８−，Ｃ２１−，Ｃ２４−，Ｃ２７−，Ｃ３０−回転対称、もしくはこの延長線上にあるさらに大きな回転対称である。
【０１５０】
このような回転対称は、例えばＣ３ｎにｎ＝１，２，３，４，５，６，７，８，９，１０など、もしくはＣ３ｎにｎ＝１−２０、できればｎ＝１−５、さらにできればｎ＝１，２または３、特に望ましいのはｎ＝２を代入することができる。
【０１５１】
これによって本発明の優先順位の高いさらなる仕様形態は、電子の描写モデルと原子基体描写モデルを含む、もしくは網羅する分子構造モデルキットを目指すこととなる。そこでは共有結合の１つの電子は、Ｃ３ｎ−回転対称の結合エレメントで描写され、ｎ  には１から２０、できれば１から４が入り、これが意味するのはＣ３ｎ−中性ラジカル結合エレメントはどれであっても、同じタイプの結合エレメントと結合することができるということである。
【０１５２】
Ｃ３ｎ−回転対称によってのみ、原子の三角錐構造によって生じる、種類の異なる３つのスタッガード配座、またはエクリプス配座のポジション、あるいはＣ３ｎ−回転対称に記載のＣ６−回転対称による６つの全てのスタッガード配座、またはエクリプス配座のポジションが可能となる。この際、エクリプス配座ポジションは、よじれていない状態での重合結合の出発点である。
【０１５３】
本発明に記載のと、これらの中性ラジカル結合エレメントはＣ３ｎ−回転対称のいづれかである。つまり３本か６本か９本といった３の倍数の回転軸があるということである。
【０１５４】
中性ラジカルコネクタの優先順位の高い仕様形態
さらに優先順位の高い仕様形態では、中性ラジカル結合エレメントが中性ラジカルコネクタとして描写され、差込みピンの間に差込みピンと凹み（図１）がある。凹みは２番目の中性ラジカルコネクタの差込みピンの受け入れに役立ち（図３）、差込みピンは両方の中性ラジカルコネクタから縦軸方向に伸びている（図１６−１８）。
【０１５５】
さらに望ましいのは、中性ラジカルコネクタが円形プレートでその上に垂直方向に伸びる差込みピンが配置されている仕様である（図１）
さらに望ましいのは、垂直方向に伸びる差込みピンが配置された円形プレートが
２つの中性ラジカルコネクタの差込み結合の際の縦軸の回りを回転できる仕様で
ある。
【０１５６】
特に優先順位が高いのは、中性ラジカルコネクタとしての仕様形態である。
【０１５７】
とりわけ優先順位の高い仕様形態では、中性ラジカル結合エレメントは、Ｃ３ｎ−中性ラジカルコネクタ（ｎには１から２０までの数字が入る）として描写され、差込みピンの間に差込みピンと凹み（図１）がある。凹みは２番目の中性ラジカルコネクタの差込みピンの受け入れに役立ち、Ｃ３ｎ−回転対称になっており（図３）、差込みピンは両方の中性ラジカルコネクタから縦軸方向に伸びている（図１６−１８）。
【０１５８】
さらに望ましいのは、中性ラジカルコネクタが円形プレートでその上に垂直方向に伸びる差込みピンがＣ３ｎ−回転対称に配置されている仕様である（図１）
さらに望ましいのは、垂直方向に伸びる差込みピンが配置された円形プレートが２つのＣ３ｎ−中性ラジカルコネクタの差込み結合の際の縦軸の回りを回転できる仕様である。Ｃ３ｎ−回転対称の固定ポジションには、エクリプス配座とスタッガード配座ポジションを受け入れることのできる結合部がある。
【０１５９】
電子描写モデル
本発明は、さらに電子の描写モデル（図８）を網羅する分子構造モデルキットに関するものである。その際、どの電子描写モデルも、１つの−電荷結合エレメントと結合した１つの中性ラジカル結合エレメント（図２２）で構成されている。中性ラジカル結合エレメントは、このタイプの結合エレメントであれば他のどの結合エレメントとも結合することのできるタイプの結合エレメントである。
【０１６０】
また−電荷結合エレメントは、呼応する結合エレメント、すなわち＋電荷結合エレメントとのみ結合できるオス／メス結合タイプの結合エレメントである。
【０１６１】
電子を描写するパーツが入った分子構造モデルキットは、これまで知られていない。
【０１６２】
本発明に記載の分子構造モデルキットでは、中性ラジカル結合エレメントによって電子もしくはラジカルを描写し、また−電荷結合エレメントによって−電荷をシンボル化することで、初めて電子の描写を可視化することができた。
【０１６３】
これによって、電子は中性ラジカル結合エレメントを通じて、同じタイプのコネクタと組み合わせることのできる中性ラジカルコネクタという形で、また−電化結合エレメントはオス型もしくはメス型コネクタという形で、オス／メス型差込みコンビネーションとして優先順位の高い仕様形態で描写することができた。
【０１６４】
例えばＵＳＢスティック（オス型）はそれに呼応するＵＳＢ挿入口（メス型）にしか合わないように、呼応対象のコネクタとしか結合することができないコネクタは、オス／メス型差込みコンビネーション、あるいはオス型コネクタもしくはメス型コネクタと呼ばれている。
【０１６５】
できれば、中性ラジカル結合エレメントと電子描写化モデルの−電荷結合エレメントとの間に、パイプかシリンダーかホースかチェーンの形の、柔軟性があり、可動式、もしくは曲げることのできるジョイントまたはアダプタ（図１９−２２）を入れるのが望ましい。
【０１６６】
本発明に基づき、ラジカル、＋電化、−電荷、または化学的相互作用は、種類の異なるコネクタという形で種類の異なる結合エレメントを描写するのが望ましい。ラジカルを表しているコネクタだけは相互に結合できるが、他のタイプのコネクタとは結合することができない。
【０１６７】
ここでは、そういったコネクタを中性コネクタという。つまり、このタイプの  コネクタは同じタイプであれば、どのコネクタとも結合できるということである。
【０１６８】
−電荷を表しているコネクタは、＋電荷を表しているコネクタとのみ結合でき、他のタイプのコネクタとは結合できない。
【０１６９】
例えば、水素結合やルイス塩基相互作用や重合結合やイオン結合といった化学的相互作用を表しているコネクタは、オスメス型結合コネクタとしてのみ相互に結合できるが、他のタイプのコネクタとは結合することができない。
【０１７０】
これにより、ラジカルは中性ラジカル結合エレメントによって、＋電荷は＋電荷結合エレメントによって、−電荷は−電荷結合エレメントによって、そして化学的相互作用は電子対結合エレメントと原子基体結合エレメントによって描写するのが望ましい。その際に、中性ラジカル結合エレメントはこのタイプであれば他のどの結合エレメントとも結合することができるタイプの結合エレメントであり、＋電荷結合エレメントと−電荷結合エレメントは、オスメス型結合エレメントコンビネーションの１番目のタイプで、電子対結合エレメントと原子基体結合エレメントは、オスメス型結合エレメントコンビネーションの２番目のタイプである。
【０１７１】
したがって、中性ラジカル結合エレメント同士は相互に結合するが、−電荷結合エレメントや＋電荷結合エレメントや電子対結合エレメント、それに原子基体結合エレメントとは結合しない。
【０１７２】
−電荷結合エレメントは、＋電荷結合エレメントとのみ結合し、中性ラジカル結合エレメントや電子対結合エレメントや原子基体結合エレメントとは結合しない。
【０１７３】
電子対結合エレメントは、原子基体結合エレメントとのみ結合し、中性ラジカル結合エレメントや−電荷結合エレメントや＋電荷結合エレメントとは結合しない。
【０１７４】
「化学的相互作用」という言葉は、一種の結合を通じて描写することのできるあらゆる相互作用を意味するものであり、電荷分離や電荷融合、また共有結合の発生や分離を意味するものではない。
【０１７５】
優先順位の高い仕様形態では、本発明は分子構造モデルキットに関するものであり、電子描写モデルはオスメス結合エレメントという形で、ｎに１から２０までの数字を代入することのできるＣ３ｎ−回転対称のＣ３ｎ−中性ラジカル結合エレメントと−電化結合エレメントで構成されている。
【０１７６】
したがって本発明に記載のと、１つの個々の電子または１つの孤立電子は、できれば両端に例えばパイプやホースやピンやスティックや棒やこれに類する細長い接続アダプタの付いた２つの異なる結合エレメントで描写するのが望ましい。
【０１７７】
望ましいのはさらに、上記に定義された結合エレメントのためのＣ３ｎ−回転対称で、それは中性ラジカル結合エレメントを表し、それによって１つの電子のラジカル割合をシンボル化する。
【０１７８】
１つの電子の電荷割合は、オスメス型結合エレメントの形を成すさらなる結合エレメントである−電化結合エレメントによってシンボル化されている。
【０１７９】
つまりこれによって、どの電子描写モデルも優先順位の高い仕様形態では、中性ラジカル結合エレメントは、Ｃ３ｎ−回転対称を持つ結合エレメントという形で、またオス型結合エレメントという形で−電化結合エレメントを持っており、細長い接続ジョイントで相互につながり合っている。
【０１８０】
Ｃ３ｎ−回転対称の接続エレメントは、同じタイプであれば他のどの結合エレメントと結合することができるが、＋−電荷を描写するためのオスメス型結合エレメントとは結合することができない。
【０１８１】
電子描写モデルで、−電荷がオス型結合エレメントで描写されている場合には、例えば原子基体描写モデルでの＋電化をシンボル化しているメス型結合エレメントとのみ結合することができ、２番目のオス型結合エレメントとは結合する    ことができない。
【０１８２】
これと同じことは、オス型結合エレメントとのみ結合することができ、相互には結合することのできないメス型結合エレメントについても言える。
【０１８３】
ラジカルの割合をＣ３ｎ−回転対称の結合エレメントで表し、電荷の割合をオスメス型結合エレメントコンビネーションのオス型結合エレメントで表した、電子を描写する分子構造モデルキットは、既存の技術にはなかったものである。
【０１８４】
中性ラジカルコネクタを用いた電子描写モデルの優先順位の高い仕様形態
さらに優先順位の高い電子描写モデルの仕様形態では、中性ラジカル結合エレメントは、中性ラジカルコネクタとして描写され、差込みピンの間に差込みピンと凹みがある（図１）。凹みは２番目の中性ラジカルコネクタの差込みピンを受け入れる働きをし（図３）、差込みピンは２つの中性ラジカルコネクタから差込方向の縦軸方向に伸びている（図１６−１８）。
【０１８５】
優先順位の高いこの仕様形態では、−電荷結合エレメントは、任意のオスメス型結合エレメントシステムに依拠する。
【０１８６】
さらに望ましいのは、中性ラジカルコネクタが、垂直に差込みピンが配置された円形プレートの形状であることである（図１）。
【０１８７】
さらに望ましいのは、垂直方向に差込みピンが配置された円形プレートが、２つの中性ラジカルコネクタの差込み結合の際の縦軸の回りを回転できる仕様である。
【０１８８】
とりわけ優先順位の高いＣ３ｎ−中性ラジカルコネクタを用いた電子描写モデルの仕様形態
とりわけ優先順位の高い電子描写モデルの仕様形態では、中性ラジカル結合エレメントはＣ３ｎ−中性ラジカルコネクタとして描写され、差込みピンの間に差込みピンと凹みがある（図１）。凹みはＣ３ｎ−回転対称の２番目の中性ラジカルコネクタの差込みピンを受け入れる働きをし（図３）、差込みピンは２つの中性ラジカルコネクタから差込み結合の縦軸方向に伸びている（図１６−１８）。
【０１８９】
中性ラジカルコネクタは、垂直に差込みピンが配置されたＣ３ｎ−回転対称の円形プレートの形状であることがさらに望ましい（図１）。
【０１９０】
さらに望ましいのは、差込みピンが垂直方向に配置された円形プレートが、２つのＣ３ｎ−中性ラジカルコネクタの差込み結合の際の縦軸の回りを回転できる仕様である。Ｃ３ｎ−回転対称の固定ポジションには、エクリプス配座とスタッガード配座ポジションを受け入れることのできる結合部がある。
【０１９１】
３つの異なる力のための３種類の異なる結合エレメントシステム
＋電荷結合エレメントと−電荷結合エレメントで構成される結合エレメントコンビネーションは、１本の差込みピンと１個の凹みからなる差込式、Ｎ極とＳ極  からなるマグネット式、フックと○型穴のマジックテープ式、吸盤と吸着面方式、フックと○型受穴式、プラスマイナス差込式、あるいはその他のオスメス型結合原則に記載のものになっているのが望ましい。
【０１９２】
オスメス型結合原則では、相互に結合し合える２種類の結合エレメントが必ず必要である（例えば、オス型のコネクタとメス型のコンセントが１対になったアンテナケーブルとアンテナコンセント）。
【０１９３】
電子対結合エレメントと原子基体結合エレメントで構成される結合エレメントコンビネーションは、差込みピンと凹みからなる差込式、球と球受けからなる差込式、Ｎ極とＳ極からなるマグネット式、フックと○型穴のマジックテープ式、吸盤と吸着面方式、フックと○型受穴式、プラスマイナス差込式、あるいはその他のオスメス型結合原則に記載のものになっているのが望ましい。
【０１９４】
中性ラジカル結合エレメントだけは、オスメス型結合原則ではなく、中性結合原則に記載のものである。つまり、１つのタイプの結合エレメントしかなく（中性ラジカル結合エレメント、またはゼロ結合エレメントと呼ばれている）、このタイプであれば他のどの結合エレメントとも結合できるということである（つまり、どの中性ラジカル結合エレメントとも、ゼロ結合エレメントとも）結合できるということである。
【０１９５】
優先順位の高い仕様形態では、中性ラジカル結合エレメント、またはゼロ結合  エレメントは、中性ラジカルコネクタとなっており、このコネクタはコネクタ同士が相互に噛み合うことができるよう特定の形状になっている。
【０１９６】
２つの中性ラジカル結合エレメントで構成される結合エレメントコンビネーションは、反対側のコネクタの差込みピンを受け入れるための凹みと差込みピンに  よる差込式結合、フックと○型穴の付いた中性マジックテープによる結合、Ｎ極とＳ極からなるマグネット結合、吸盤と吸着面との結合、相互に噛み合うレールによるバヨネット結合、あるいはその他の結合または固定原則に記載のもので  ある。
【０１９７】
中性ラジカル結合エレメントは、反対側の中性ラジカルコネクタの差込みピンを受け入れることができるよう差込みピンと凹みが幾何学的に配置された中性ラジカルコネクタであったり、両者が相互に面で結合するマジックテープ、つまり両方の結合面にフックと○型穴が配置されたテープであったり、両者が相互に引き合うＮ極とＳ極からなるマグネットがついていたり、両者が相互に面で結合するよう吸盤と吸着面が並ぶ吸着結合であったり、相互に噛み合うレールによるバヨネット結合であったり、相互が結合し合うカップリング結合であったり、あるいはそれ以外に考えられる他の結合または固定原則に記載のものである。
【０１９８】
プラスマイナス固定原則、またはプラスマイナス差込原則は、オスメス型結合原則と同じ内容を表している。つまり、同じ結合エレメント同士が結合するのではなく、互いに異なる２種類の結合エレメントが結合し合うということである。
【０１９９】
３つの異なる力に対する３種類の異なる結合エレメントシステム
優先順位の高い仕様形態では、結合エレメントシステムとして３種類の差込みタイプが異なる化学的結合と相互作用の描写のために用いられている。つまり、
優先順位の高い仕様形態では、ちなみにＣ３ｎ−回転対称（ｎ＝１−２０）の中性ラジカルコネクタとタイプＩ型オスメス型コネクタ（＋電荷結合エレメントと−電荷結合エレメントとして）、それにタイプＩＩ型オスメス型コネクタ（電子対結合エレメントと原子基体結合エレメントとして）が使用されている。同じ１種類のタイプのコネクタ同士だけが相互に結合し合うことができる。Ｉ型とＩＩ型タイプは、オス型とメス型しか結合することができない。
【０２００】
二重結合の描写モデル
本発明に記載の分子構造モデルキットを使って、共有結合の長さ（一重結合、二重結合および三重結合）と化学的相互作用の距離を縮尺に忠実に描写した（図１６−１８，１９−２２）。
【０２０１】
孤立電子対の描写モデル
原子基体描写モデルの中にある化学反応能力を持つ電子対描写モデルは、できれば２つの電子対描写モデルの構成要素であり同じ原子基体描写モデルに結合、もしくは固定している相互に結合した状態の２つの中性ラジカル結合エレメントで描写するのが望ましい。
【０２０２】
さらにまた、ある１つのエレメントの原子描写モデルには、そのエレメントが持っている価電子と同じだけの中性ラジカル結合エレメントがあるのが望ましい（図４１）。
【０２０３】
原子基体にある相互に結合した状態の２つの中性ラジカル結合エレメントで表された電子対描写モデルが、＋電荷結合エレメントと−電荷結合エレメントとからなる結合を用いて原子基体描写モデルに結合されていたら、これもまた望ましいことである（図２９）。
【０２０４】
−電荷結合エレメントの優先順位の高い仕様形態
−電荷結合エレメントは、できれば−電荷コネクタとして、色の付いた円形、三角形、四角形、五角形、六角形、九角形、または十二角形の差込みピン（図８下と２９上）により、また＋電荷結合エレメントは、できれば差込みピンを受け入れるために色の付いた円形、三角形、四角形、五角形、六角形、九角形、または十二角形の凹み（図４）で表すのが望ましい。
【０２０５】
色によって電荷の存在を直接的に認識することができ、＋電荷コネクタと−電荷コネクタを結合すると＋電荷と−電荷は視界から消える。
【０２０６】
柔軟性のある結合小パイプ、二重結合の短縮
さらに望ましいのは、中性ラジカル結合エレメントが柔軟性のある接続ジョイント（図１９−２２）経由で原子基体描写モデルと結合している状態、もしくは中性ラジカル結合エレメントが柔軟性のある接続ジョイント経由で−電荷結合エレメントと結合している状態である（図８）。
【０２０７】
柔軟性のある接続ジョイント、またはアダプタとしては、柔軟性と可動性があり、曲げることのできる小パイプ、あるいは柔軟性と可動性があり、曲げることのできる棒やパイプやロープや巻線やスパイラルやチェーンを使用する。
【０２０８】
２つの原子描写モデル間の二重結合描写モデル（図１９、２１）を作る際には、１つの原子描写モデルの２つの中性ラジカル結合エレメントをもう１つの原子描写モデルの２つの中性ラジカル結合エレメントと結合させる。この際に、両方を結合するために、中性ラジカル結合エレメントを柔軟性のある接続ジョイントを使って曲げることができる。
【０２０９】
お互いの方向に曲げることによって、描写されている二重結合の結合距離が短縮され、一重結合と比較した際の縮尺に忠実な距離になる。
【０２１０】
三重結合（図２０、２２）も、これと同じ要領で２つの中性ラジカル結合エレメントを柔軟性のあるジョイントを介して互いの方向に曲げることによって描写することができる
これによって、描写されている三重結合の結合距離が短縮され、二重結合と比較した際の縮尺に忠実な距離になる。
【０２１１】
電子対と電子の描写モデル
本発明に基づき、結合状態の電子描写モデルと原子基体を持つ原子描写モデルや、取り外し可能な電子描写モデルをも網羅する分子構造モデルキットの課題が解明された。
【０２１２】
ここではまた、３種類の異なる引力と結合もしくは相互作用、つまり共有結合や＋電荷と−電荷の統合や電子対の引力が、原子心によって、さらには３種類の異なる結合システムによって解明された。
【０２１３】
共有結合は、中性結合エレメントによって描写される。＋電荷と−電荷の統合は、−電荷結合エレメントと＋電荷結合エレメントによって明確にされている。
【０２１４】
電子対を持つ原子心の相互作用は、電子対結合エレメントと原子基体結合エレメントによって描写される。
【０２１５】
１つの孤立電子は、１つの−電荷結合エレメントと１つの中性ラジカル結合エレメントからなる電子描写モデルによって描写される。
【０２１６】
したがって、−電荷結合エレメントと＋電荷結合エレメントのコンビネーションで描写されている１つの孤立電子は、本発明に記載の分子構造モデルキットの構成要素である。
【０２１７】
電子描写モデル（つまり、孤立電子の描写モデル）を−電荷結合エレメントにより、１つの原子基体と結合させることができ、一方でまた共有性の化学結合を描写するために、中性ラジカル結合エレメントを介して２番目の電子描写モデルと統合することもできる。
【０２１８】
中性ラジカルコネクタ
孤立ラジカルと孤立電子対は、中性ラジカル結合エレメント、例えば中性ラジカルコネクタにより、また共有結合は２つの中性ラジカル結合エレメント、例えば互いに結合された２つの中性ラジカルコネクタの結合によって描写される。
【０２１９】
中性ラジカル結合エレメントの特徴は、どの中性ラジカル結合エレメントも、他のどの中性ラジカル結合エレメントと結合できる点である。
【０２２０】
優先順位の高い仕様形態では、そういった結合は技術的に、例えば中性ラジカルコネクタを使って実現させる。その際に、どの中性ラジカルコネクタも他のどの中性ラジカルコネクタとでも結合できる仕様になっている。
【０２２１】
中性ラジカルコネクタとしては、相互に噛み合う差込みピン、もしくはそれに  類するものが望ましい。２つの中性ラジカルコネクタもしくは中性ラジカル結合エレメントを相互に結合させるのに、さらなる結合部品は必要ない。
【０２２２】
電荷分離
＋電荷と−電荷の電荷分離、もしくは電荷融合は、＋電荷結合エレメントと−電荷結合エレメントによって描写される。その際、結合エレメントはオスメス型結合となる。つまり＋電荷結合エレメントは−電荷結合エレメントのみ結合することができ、２つの＋電荷結合エレメント同士、または２つの−電荷結合エレメント同士は結合することができないということである。
【０２２３】
電子描写モデルは常に同じ
反応メカニズムの描写にとって決定的と言えるのは、中性ラジカル結合エレメントと−電荷結合エレメントの両方を持った、取り外し可能な電子描写モデルがあるということで、これは一体であると認識できるものである。
【０２２４】
分子構造モデルキットの取り外し可能な全ての電子描写モデルは、優先順位の高い仕様形態では、普遍的でどこでも同じもので、同時にまた分子構造モデルキットの中でどこでも別の使い方ができるものである。
【０２２５】
１つの−電荷結合エレメントが１つの＋電荷結合エレメントから分離することによって、認識可能な１つの−電荷と認識可能な１つの＋電荷が生じる。
【０２２６】
全ての電子殻の描写モデル
化学的結合、できれば共有結合に用いられる１つの原子の各電子は、本発明に基づき、中性ラジカル結合エレメントによって描写される。
【０２２７】
原子描写モデルの全ての孤立した電子対描写モデルは、その結合エレメントを用いて、あらゆる原子描写モデルの原子基体のもとで描写される。
【０２２８】
これにより、あらゆる電子描写モデルと電子対描写モデルは、明確に１つの原子基体に割り付けられ、個々の原子描写モデルは一体化したモデルキットであることが認識できる。
【０２２９】
これにより、どの原子描写モデルも全ての電子相互作用を描写するために、結合エレメントを用いた電子描写モデルを持ち、また原子基体は原子相互作用を描写するために全ての結合エレメントを持つことになった。
【０２３０】
３．０  原子基体
本発明に記載の分子構造モデルキットを用いて、分子をできる限り現実に近い形で描写するため、出発点として原子心からプロトンとニュートロン、そして内部電子殻の結合しないエレクトロン、もしくは化学的には有意性のない金属の電子を表す原子基体を選んだ。
【０２３１】
こういった原子基体の基本形は、例えば球型、四面体またはそれ以外の多面体である可能性がある。
【０２３２】
この基体の表面上には、優先順位の高い仕様形態では、差込みピンによって中性ラジカルコネクタとして描かれている中性ラジカル結合エレメント（第４．０章）があり、できれば柔軟性のあるエレメント上で四面体の形でグループ化されて原子基体に結合している。これは、結合能力を持った電子を表している。
【０２３３】
優先順位の高い仕様形態では、同様に（基体の）表面上に＋電荷結合エレメント（第５．０章）が描かれており、そこに中性の基本状態で各々のエレメントが電子描写モデルとして−電荷結合エレメント（第５．０章）と結合した状態となっている。
【０２３４】
優先順位の高い仕様形態では、同様に非金属原子描写モデルのいくつかの原子基体の表面上に、孤立電子対を表す電子対描写モデルが装着されている（第６．０章）。
【０２３５】
これらの電子対は、いくつかの場合には共有結合の２つの結合描写モデルを構築する可能性を持っていたり、もしくは電子対結合エレメントを通じて原子基体結合エレメントへの結合を可能にしたり、もしくは電荷が分解する際に電子対モデルを開き、それに続いて新たな結合エレメント描写モデルを構築する中でもう１つの＋電荷結合エレメントへの結合を可能にしたりする（図３０）。
【０２３６】
優先順位の高い仕様形態では、同様に金属原子描写モデルのいくつかの原子基体の表面上に、非金属原子描写モデルの電子対描写モデルへの結合に役立つ（図２３、２４）原子基体結合エレメント（第７．０章）が描写されている（図３８−４０）。
【０２３７】
第１ピリオド（図４１（ＨとＨｅ））の原子描写モデルの原子基体には、優先順位の高い仕様形態では、結合エレメントをつけられるポジションが最大で２つしかない。
【０２３８】
これは、このエレメントの軌道物理学的条件に相当するもので、本発明に記載の分子構造モデルキットで初めて描写されることになった。
【０２３９】
ヘリウム原子描写モデルの場合は、片方だけが電子対描写モデルで、水素原子描写モデルの場合は、原子基体の片方に＋電荷結合エレメントがあり、中性の状態で１つの電子描写モデルがこれに結合し、もう片方には常に固定されている原子基体結合エレメントがある。
【０２４０】
より数の大きいピリオド、例えば、２、３、４、５ピリオドにおけるエレメントの原子描写モデルでは、結合エレメントは、優先順位の高い仕様形態では、原子基体の表面上で四面体ポジション上に、もしくは必要であれば、四角形の双角錐の角のポジション上に分散される。
【０２４１】
その際のエレメントは、＋電荷結合エレメントとそれに付随する電子描写モデル、中性ラジカル結合エレメント、原子基体結合エレメント、もしくは電子対描写モデルである可能性がある。
【０２４２】
原子基体の１つのポジションは、あるいは空のままで、エレメントがない状態かもしれない。
【０２４３】
原子基体は、できれば原子基体用に色訳でコード化するのが望ましい。その際には、１つの色に対して特定のエレメント、またはエレメント群を割り振っておく。
【０２４４】
相応の色を付けられた原子基体は、木や金属やセラミックやガラスやボール紙や合成樹脂、できればプラスチックで作り、多彩な三次元基本形を持つようにするのが望ましい。
【０２４５】
４．０  電子描写モデルによる共有結合の描写モデル
化学の世界で生じる様々な結合の種類をできる限り正確に描写することができるよう、上に述べた本発明の根幹をなす電子描写コンセプトを導入した。
【０２４６】
本発明に記載の分子構造モデルキットにより、様々な種類の原子結合を実際に近い形で描写することができる。
【０２４７】
共有結合は、この分子構造モデルキットでは、しっかりと固定された２つの電子描写モデルを中性ラジカル結合エレメントを介して相互に結合させることによって描写している（図３，１６−１８）。
【０２４８】
二重結合または三重結合は、しっかりと固定された２つまたは３つが１対と    なった電子描写モデルを中性ラジカル結合エレメントを介して相互に結合させることによって描写することができる（図１９−２２）。
【０２４９】
その際には、２つの同じ、または異なる原子基体から出発して、２つ（二重結合の場合）または３つ（三重結合の場合）のしっかりと固定された電子描写モデルを相互に結合させる。
【０２５０】
この際に、柔軟性のある接続小パイプを軽く曲げると、その結果として描写されている二重または三重結合の結合長、すなわち多重結合を描写する際の２つの原子基体の中心点の距離は自動的に短縮され、縮尺に忠実な結合長を再現することができる。
【０２５１】
これによって、例えば１重の有機分子であるエチレンの描写では、４つの水素原子描写モデルが自動的に同じ１つのレベルに並べられる。
【０２５２】
アセチレンの描写では、両方の水素元素描写モデルは、三重結合の描写が１本の直線配置に収まるように空間的な位置決めが行われる。
【０２５３】
これにより、わかりやすい形でｓｐ−，ｓｐ２−およびｓｐ３−ハイブリダイゼーション結合、非炭素原子間の結合も描写することができる。
【０２５４】
柔軟性のある接続小パイプの長さは、その都度縮尺に忠実な結合距離を描写することができる長さを選択する。
【０２５５】
つまりそれは、例えば、炭素と窒素との結合や炭素と酸素との結合を描写する際に、結合距離が炭素と炭素との結合より短くなることを示せるということである（例えば、図１６−１８に示されているように）。
【０２５６】
例えば、炭素と窒素との二重結合は、縮尺に忠実に描写すると、結合距離が炭素と炭素との二重結合より短くなることを示せるということでもある（例えば、図１９−２２に示されているように）。
【０２５７】
１つの接続小パイプと１つの中性ラジカル結合エレメントで構成され、原子基体にしっかりと固定された状態の電子描写モデルは、どれも一定の長さを持って  いる。
【０２５８】
例えば、炭素と窒素の原子基体が同じ大きさだとしたら、固定状態の炭素の電子描写モデルは、固定状態の窒素の電子描写モデルとは異なる長さを持つことになる。
【０２５９】
これによって、長さの異なる結合、例えば炭素と炭素との結合、または炭素と  窒素との結合が縮尺に忠実な長さで描写されることが保証されるのである。
【０２６０】
実効結合距離（例えば図１６−１８に記されているように）は、２つの実効比率結合距離の追加距離となる。
【０２６１】
優先順位の高い仕様形態では、中性ラジカル結合エレメントの原子基体の中心点からの距離は、縮尺に忠実な実効比率結合距離が各々の原子描写モデルに相当  するようにする。例えば：
Ｈ            ２．０ｃｍ３２ｐｍ
Ｃ            ４．８ｃｍ                ７７ｐｍ
Ｎ            ４．４ｃｍ７０ｐｍ
Ｏ            ４．０ｃｍ６４ｐｍ  
異なるエレメントの原子基体の大きさが異なり、また固定状態の電子描写モデルが縮尺に忠実な相応の長さである場合にもまた、中性ラジカル結合エレメントの縮尺に忠実な実効距離が明確になる。
【０２６２】
これにより、実効結合距離はまた、該当するエレメントの電気陰性度を知る手掛かりを与えてくれる。
【０２６３】
実効結合距離が短いほど、そのエレメントは電気的により陰性度が高くなる。
【０２６４】
分子構造モデルキットの優先順位の高い仕様形態では、２つの炭素原子の描写モデルの二重および三重結合を描写する際に、また炭素原子描写モデルと非炭素原子描写モデルとの間の二重結合に彎曲が生じ、三重結合の場合はさらに大きな彎曲が生じるのと同様に、両方の原子基体中心点同士の結合距離が一重結合の時より短縮される。
【０２６５】
長さの異なる結合の割合が相互に影響しあうことによって、原子描写モデルの多重結合描写の際に、実際の化学的多重結合に対する縮尺に忠実な結合距離の短縮が生じる（例えば、図１９−２２に記したように）。
【０２６６】
中性ラジカル結合エレメントによる個々の結合電子の描写は、本発明の根幹をなすものである。
【０２６７】
ここで使用されている「中性ラジカル結合エレメント」という概念は、例えば片方がオス型でもう片方がメス型といった２つの異なる結合エレメントからなっているのではなく、オス型は常にメス型としか結合することができず、例えばソケットとコンセントの場合のように、２つのオス型同士、または２つのメス型同士の結合は不可能といった結合エレメントのことを指している。
【０２６８】
本発明に記載の様々な原子描写モデルの中性ラジカル結合エレメントは、相互に結合することが可能である。
【０２６９】
２つの異なる原子の２つの結合電子を組み合わせることによって、１つの共有結合が生じるため、種類の異なる２つの原子描写モデルの２つの任意の中性ラジカル結合エレメントを相互に結合させることでこれを描写している。
【０２７０】
これは、どの原子描写モデルの中性ラジカル結合エレメントも、他のどの任意の原子描写モデルの中性ラジカル結合エレメントとも結合できることを意味するものである。
【０２７１】
これにより、本発明に基づいて、共有結合の描写モデルは、２つの中性ラジカル結合エレメントを相互に結合することで完成する（例えば、図１６−１８の優先順位の高い仕様形態で中性ラジカルコネクタを用いて描写したように）。
【０２７２】
これは、本発明に記載の分子構造モデルキットの大きなメリットである。というのも、１つの原子描写モデルの中性ラジカル結合エレメントの個数が価電子の個数を象徴しているため、ユーザーは原子描写モデルごとの中性ラジカル結合エレメントの個数に基づいて、描写されている各々の原子から生じる化学的な共有結合で最大個数を導き出すことができるからである。
【０２７３】
４．１  中性ラジカル結合エレメントの技術仕様
中性ラジカル結合エレメントにとって望ましいのは、中性ラジカル結合エレメンを原子基体の表面に直接的に固定するのではなく、柔軟性のある接続ジョイントの先端、例えば小ホースやパイプ、あるいは差込ピンの上、さらに望ましいのは柔軟性のあるホースやパイプ、または原子基体側面の中心点に位置する差込みピンの先端部分に固定し、中性ラジカル結合エレメントと共にしっかりと固定された電子描写モデルを構築する手法である。
【０２７４】
こうした柔軟性のある接続ジョイントは、柔軟性のあるプラスチックがゴムからなるのが望ましい。
【０２７５】
優先順位の高い仕様形態では、中性ラジカル結合エレメントは、できればプラスチックか硬質ゴム、可能ならば木やボール紙や金属あるいはそれ以外の素材でできた差込みピンの付いた中性ラジカルコネクタであることが望ましい。
【０２７６】
２つの同じ原子がしっかりと固定された状態の電子描写モデルによって相互に結合している場合、例えば２つの炭素原子描写モデルのような場合、中性ラジカル差込み式結合は、両方の原子基体の中心点間の中央に位置するのが望ましい。
【０２７７】
中性ラジカル結合エレメント概要
＋電荷と−電荷の電荷分離、もしくは電荷融合は、オスメス型結合原則に対応するこれとは別の独自の種類の＋電荷結合エレメントと−電荷結合エレメントで描写する。
【０２７８】
イオン結合と配位化合結合と水素結合は、それに応じて異なるオスメス型結合原則に対応した原子基体結合エレメントと電子対結合エレメントで描写する。
【０２７９】
オスメス型結合原則では、メス型結合エレメントはオス型結合エレメントとのみ結合することができ、２つのオス型同士、あるいは２つのメス型同士は結合することができない。
【０２８０】
本発明の根幹をなすのは、本段落で挙げた３つの結合タイプと力のタイプを３種類の異なる結合原則で描写したことで、これによって観察者は３種類の異なる結合タイプを区別できるようになった。
【０２８１】
今描写した共有結合のバリエーションを、柔軟性のある小パイプと中性ラジカルコネクタの助けを借りて描写することは望ましい。
【０２８２】
２つの原子間の共有結合を描写するもう１つの方法は、差込みピンと差込み穴によって中性ラジカルコネクタを差込み結合する代わりに、例えばこれとは別の形のオスメス型結合原則、とりわけ、例えばＮ極とＳ極のあるマグネットやフックと○型穴のるマジックテープや吸盤と吸着面のある吸着結合といったように＋−方式や固定方式や差込み方式といった別の結合原則で２つのコネクタを結合する方法である。
【０２８３】
この仕様形態では、１つの結合を描写するために使用できる接触面は、Ｎ極とＳ極、オス型とメス型のポジションが交互に配置されたパターンになっており、この種のコネクタならどれでも、この種の他のどのコネクタとも組み合わせ可能で、結合できるように作られている。
【０２８４】
オス型とメス型のポジションを配置したパターンは、中性ラジカルコネクタにとって有意義なパターンに合うようになっている。
【０２８５】
つまり、中性ラジカルコネクタの結合面は円形プレートが望ましく、その上には差込みピンの代わりに、マグネットエレメントまたは別のオスメス型結合原則に記載のエレメントが配置され、どの面上にもオス型とメス型のエレメントが存在するという意味である。
【０２８６】
これによって中性を保ったままのコネクタが出来上がる。どのコネクタもオス型エレメントとメス型エレメントを持っており、これによってもう片方のコネクタのメス型およびオス型エレメントと相互に結合できるようになっているためである。
【０２８７】
接触面上のオス型とメス型ポジションのジオメトリーは、図１，２，３，６，８と図１２と１３の差込ピンのように王冠状に配置することができるし、また図１４、１５のパターンのように接触面上に配置することもできる。
【０２８８】
使用できる接触面上のオス型とメス型ポジションの数は変化させることが可能である。望ましいものとして、総数が１，２，３，４，５，６，７，８，９，１０，１１，１２，１３，１４，１５，１６，１７，１８，１９，２０もしくはそれ以上のオス型とメス型ポジションが考えられる。
【０２８９】
中性ラジカル結合エレメントの配置パターン
中性ラジカルコネクタの差込みピンは、優先順位の高い王冠状の仕様の他に、コネクタの片方の面に差込みピンを碁盤パターンの黒い目の通りに配置し、コネクタのもう片方の面に碁盤パターンの白い目の通りに凹みを配置することもできる（図１５）。
【０２９０】
これに応じて、反対側の中性ラジカルコネクタの差込みピンも同一の構造にすることによって、最初の中性ラジカルコネクタの凹みにはめることができるのである。
【０２９１】
この構造によって、相互に結合した際に結合軸の中心ではなく、結合軸の中心から１本の差込みピンの半分の約幅だけずれたポイントで結合する中性ラジカルコネクタができあがったのである。
【０２９２】
こういった配置では、差込みピンの基本形状は丸型もしくは正方形が望ましい。
【０２９３】
図１５のパターン以外の別のパターンも可能で、１本もしくは複数本の差込みピンを削減または追加したパターンを図１５から導き出すことができる。
【０２９４】
さらに考えられる中性ラジカルコネクタの差込みピンのもう１つの配置は、同じ面に差込みピンを基本形である三角形状に並べ、どのピンも最大で６つの三角形の一部になるように配置し、同じ面の三角形に互いに関連するパターンができるようにする（図１４）
これによって、６０°ずらしたポジションを取ることができるようになる。
【０２９５】
結合軸の中心からずれているため、角度はスタッガードやエクリプス配座とぴったり一致するのではなく、ほぼそれに近いものとなる。
【０２９６】
２つの中性ラジカルコネクタを相互に差込接合する際に、全く同じ形状で向かい合う中性ラジカルコネクタを結合するためには様々なポジションが考えられる。
【０２９７】
考えられる別の差込みポジションは空いたままの状態である。
【０２９８】
この構造によって、相互に結合した際に結合軸の中心ではなく、結合軸の中心から１本の差込みピンの約半分の幅だけずれたポイントで結合する中性ラジカルコネクタができあがったのである。
【０２９９】
こういった配置では、差込みピンの基本形状は丸型もしくは六角形の面に対する六面体が望ましい。
【０３００】
図１４のパターン以外の別のパターンも可能で、１本もしくは複数本の差込みピンを削減または追加したパターンを図１４から導き出すことができる。
【０３０１】
図１４と１５に記された中性ラジカルコネクタの場合は、差込みピンを３本から４０本、またはそれ以上使用している。４本から１８本までが望ましい。
【０３０２】
中性ラジカルコネクタ、または中性ラジカル結合エレメントの一般的な結合原則に関して、差込みピンの正しいパターンを選択することによって、全ての中性ラジカルコネクタ、もしくは全ての中性ラジカル結合エレメントは、各々が相互に結合できるようになった。
【０３０３】
化学の文献では、分子内で隣り合う２つの炭素原子がスタッガードもしくはエクリプス配座として描写されている描写モデルが頻繁に用いられているため、優先順位の高い仕様形態では、中性ラジカルコネクタ、または中性ラジカル結合エレメントの相互の組み合わせの可能性に加えて、共有結合の描写のためにコネクタ同士を結合する際に、スタッガードもしくはエクリプス配座に相当する角度を正確に設定することが望まれている。
【０３０４】
中性ラジカル結合エレメントの回転性
したがって、例えばスタッガードやエクリプス配座といったような様々な立体配座を描写することができるように、使用している差込みピンのパターンに左右されることなく結合軸の周りに原子描写モデルを回転させることができるよう、中性ラジカルコネクタには回転するヘッドを取り付けることが望ましい（図１１参照）。
【０３０５】
全般的に見ると、中性ラジカル結合エレメントには回転ヘッドが付いているのが望ましい。これによって原子の描写モデルは、結合原則として中性ラジカル結合エレメントに配置されているパターンに左右されることなく、例えばスタッガードやエクリプス配座といったような様々な立体配座を描写できるように回転させることができるのである（図１１参照）。
【０３０６】
固定ポジションで確認ができ回転可能な電子描写モデルにおける分子構造モデルキットが、とりわけ優先順位の高い仕様形態で、スタッガードおよびエクリプスという立体配座を正確に描写することができるよう、特定のポジションに固定された王冠状に構築されたＣ３ｎ−中性ラジカル結合エレメントが存在するのである。
【０３０７】
優先順位の高いこの仕様形態における固定ポジションは、どれもそれに付随するＣ３ｎ−中性ラジカル結合エレメントと同じＣ３ｎ−回転対称になっている。
【０３０８】
Ｃ３ｎ−中性ラジカル結合エレメント
優先順位の高い仕様形態では、Ｃ３ｎ−回転対称の中性ラジカル結合エレメントが  描写されており、ｎは１から２０、できれば１から４、そしてこのタイプのどのＣ３ｎ−中性ラジカル結合エレメントも、このタイプのどのＣ３ｎ−中性ラジカル結合エレメントとも結合することができる。
【０３０９】
Ｃ３ｎ−回転対称のＣ３ｎ−中性ラジカル結合エレメントによってのみ、３種類の異なるスタッガード、または異なる全てのエクリプス配座ポジションを生み出すことができるのである。
【０３１０】
本発明に記載のと、中性ラジカル結合エレメントはＣ３ｎ−回転対称のもの、すなわち３本、６本、９本、それ以上の回転軸を持つもので、とりわけ優先されるのは、ｎ＝２の仕様、つまりＣ６−の中性ラジカル結合エレメントで、どのＣ６−中性ラジカルコネクタも、同じタイプのＣ６−中性ラジカルコネクタと結合することができる。
【０３１１】
原子の三角錐構造によって生じる６種類の異なるスタッガードとエクリプス配座ポジションすべてを描写することができるのである。
【０３１２】
中性ラジカルコネクタ
本発明に記載の分子構造モデルキットでは、中性ラジカル結合エレメントとして中性ラジカルコネクタ（例えば、図１，２，３，６，８，１２，１３に優先順位の高い仕様形態として記されている）が優先的に使用される。
【０３１３】
優先順位の高い中性ラジカルコネクタの仕様形態では、どの中性ラジカルコネクタも１枚のプレート上に配置された複数の差込みピンで構成され（例えば、図１，２，３，６，８，１２，１３，１４，１５に記されているように）、そして差込みピンの間にある凹みの個数はピンの本数とほぼ同じで、別の中性ラジカルコネクタのピンを受け入れられるようになっている。
【０３１４】
どの中性ラジカルコネクタも、差込みピンと凹みという形でさらに細分化された構造になっており、ピンの数は、１本、２本、３本、４本、５本、６本、７本、８本、９本、１０本、１１本、１２本、１３本、１４本、１５本、１６本、１７本、１８本、もしくはそれ以上である。
【０３１５】
特に優先されるのは、３本、６本、９本、１２本、もしくは３の倍数の本数である。
【０３１６】
さらにまた、差込みピンは円形プレート上に王冠状に配置するのが望ましい。
【０３１７】
これによって、差込みピンの先端ができれば円形プレート、もしくは結合軸の中心に向かって（望ましいのは、図１，２，３，６，８に記されているように６本ピンの仕様形態）結合する。
【０３１８】
差込みピンは円形プレート上で垂直に立ち上がり、対称の形に配置されている。
【０３１９】
ピンの間には、ピンの形状と大きさと同じ凹みがある。この凹みが２番目の中性ラジカルコネクタの差込みピンを受け入れるのに役立っているためである。
【０３２０】
差込みピンのついた円形プレートは、小さなスティックやパイプやシリンダー、またはこれに類似する物でできた距離を保つためのスペーサーの先端部に固定されるが、できればスティックやパイプやシリンダー、またはこれに類似する物の回りを回転することができるよう縦軸方向に付けるのが望ましい。
【０３２１】
特に望ましいのは、ピンの数が、３本、６本という３の倍数で、これによってピンの数が、３本、６本という３の倍数であるＣ３ｎ−回転対称の２番目の中性ラジカルコネクタを３個、６個という３の倍数の凹みで受け入れて結合することができるのである。
【０３２２】
優先順位の高いこの仕様形態は（図１，２，３，６，８）に記されている。ホースまたはパイプの先端部に６つに分かれた、つまり６本の差込みピンがあるのが認識できる。
【０３２３】
図１と６は、優先順位の高い中性ラジカルコネクタを上から見た図で、凹みとそこに向かう差込みピンがあるのが分かる。
【０３２４】
図３と１６−１８は、２つの中性ラジカルコネクタで共有結合を描写したものである。
【０３２５】
Ｃ３ｎ−中性ラジカルコネクタは、優先順位の高い仕様形態では差込みピンと凹みに細分化され、この凹みに２番目のＣ３ｎ−中性ラジカルコネクタのピンが噛み合うようになっている。中性ラジカルコネクタには、１本以上、３０本以下のピンがあることが望ましい、さらに望ましいのは２本以上、２０本以下、特に望ましいのは３本、６本、９本、または１２本で、これが共有結合を描写するために２番目のＣ３ｎ−中性ラジカルコネクタに噛み合うようになっている。
【０３２６】
特に望ましいのは６本のピンである。これによって２つのＣ６−中性ラジカルコネクタを６０°ずつ６回ひねった接続が可能になるためである。例えば、スタッガードやエクリプス配座、また６つのリングで桶の形やソファの形ができ、砂糖分子の二重結合や三重結合の描写には好都合である（例えば、図１１も参照）。
【０３２７】
共有結合は、優先順位の高い仕様形態では、相互に噛み合う２つの中性ラジカルコネクタで描写され、２つの中性ラジカルコネクタは同じ本数からなる王冠状に配置されたピンで細分化されている。
【０３２８】
これによって、極端な場合には結合軸の周りを自由に回転させることのできる中性ラジカルコネクタが完成し、中性ラジカルコネクタに付いている差込みピンの本数を変えることによって３６０°を段階分けし、コネクタを任意にずらして接続することができる。
【０３２９】
したがって、差込みピンが３本の中性ラジカルコネクタを使った中性ラジカル結合では、相互に１２０°ずつずらした３つのポジションが得られ、差込みピンが１２本の中性ラジカルコネクタを使った中性ラジカル結合では、相互に３０°ずつずらした１２のポジションポンが得られる。
【０３３０】
中性ラジカル結合エレメントのキラル構造
回転することができず、しっかりと接続された、もしくは回転することができ、固定ポジションで確認することができる電子描写モデルにおける分子構造モデルキットが、とりわけ優先順位の高い仕様形態でスタッガードおよびエクリプス型の立体配座を正確に描写することができるよう、特定のポジションに固定された王冠状に構築されたＣ３ｎ−中性ラジカルコネクタ、または一般的には、差込みピンポジションの角度を半分ひねった形で接続、または固定された王冠状に構築されたＣ３ｎ−中性ラジカル結合エレメントが不可欠であるが存在するのである。
【０３３１】
この優先順位の高い仕様形態における固定ポジションは、それぞれ付随するＣ３ｎ−中性ラジカル結合エレメントと同様にＣ３ｎ−回転対称になっている。
【０３３２】
３本か６本あるいは３の倍数本の差込みピンが王冠状に配置されているＣ３ｎ−中性ラジカルコネクタの優先順位の高いこういった仕様形態では、Ｃ３ｎ−中性ラジカルコネクタは次のように原子基体に結合している。６本の差込みピンの３本の中心位置、または３の倍数でそれぞれ他の３つの三角錐ポジションに向かって（図１２、９、１０）ではなく、側面にそれぞれ３本づつの差込みピンが中性ラジカルコネクタの上で他の３つの三角錐ポジションの真ん中にくるようになっている。
【０３３３】
これは、しっかりと固定された６本ピンバージョンの中性ラジカルコネクタの場合には、コネクタを３６０°の半分を１２で割り算した、すなわち３６０°を２４で割り算した１５°分だけずらさなければならないことを意味している。
【０３３４】
これによって、中性ラジカルコネクタはキラル状態になる。
【０３３５】
これによって、図９に記されている炭素原子描写モデル全部がキラル状態となる。
【０３３６】
これは（図１０）、こういう位置決めとなった２つの中性ラジカルコネクタＵａとＶａが鏡軸Ｍを中心とした鏡像になっていないことを意味している。
【０３３７】
２つの右手で比較してみると、２つを上下に重ねてずらしていくとどこかで重なり合うが、鏡像が重なり合うことはない。
【０３３８】
スタッガードとエクリプス配座の厳密な描写モデルを完成させるためには、これが決定的要因となる。王冠状の構造に対しては、このキラル構造によってのみ、図１１に記された６種類の考えられうる正確なスタッガードとエクリプス配座を得ることができる。
【０３３９】
その際に重要なのは、描写に使用した全てのコネクタを同じ方向に適切な角度だけ回さなければならないということである。
【０３４０】
化学的分子と比較した際に言われているのは、全ては右回転、もしくは左回転であるはずであるということである。
【０３４１】
キラルではない王冠状のコネクタでは、コネクタを結合した際にエクリプス配座にはなり得ず、好ましくない角度のずれが必ず生じ、正確なスタッガードとエクリプス配座にすることはできない。
【０３４２】
（図１２）に記したピンが３本付いた中性ラジカルコネクタを使用した原子基体  断片も同様に優先順位の高い仕様形態では、キラル状態である。
【０３４３】
３本ピンバージョンのため、コネクタを３６０°の半分を６で割り算した、すなわち３６０°を１２で割り算した３０°分だけ一方向にずらさなければならない。
【０３４４】
これと同じことは、しっかりと固定された状態の電子描写モデルのＣ３ｎ−中性ラジカル結合エレメントについても言える。このエレメントは、別の固定原則もしくは結合原則に記載のものである。
【０３４５】
Ｃ３ｎ−中性ラジカル結合エレメントが、これに応じて王冠状でキラルに構築されていれば、スタッガードとエクリプス配座の立体配座を得ることができる。
【０３４６】
例えば、優先順位の高い仕様形態では、Ｃ３ｎ−中性ラジカル結合エレメントが王冠状に交互に並んだ６つのＮ極とＳ極を持つことができよう。
【０３４７】
これもまた、キラル状態でスタッガードとエクリプスの立体配座を得ることができるよう、ピンが６本と凹みが６個あるＣ３ｎ−中性ラジカルコネクタの構造に応じて結合軸の周りを１５°一方向に回す必要がある。
【０３４８】
本発明に記載の優先順位の高い仕様形態では、中性ラジカル結合エレメントと−電荷結合エレメントの回転自由度が、取り外しのできる電子描写モデルの両面で、中性ラジカル結合エレメントの構造とは無関係に相互に連携するようにするのが望ましい。
【０３４９】
例えば、ピンが６本で凹みが６個のｄ６−回転対称の中性ラジカル結合エレメントを選んだ場合には、電子描写を行う際にｄ６回転対称の六方晶形差込みピンを原子基体内のこれに呼応する六方晶形の＋電荷凹みに挿入することができる。
【０３５０】
優先順位の高い仕様形態と並行して、中性ラジカル結合エレメントを描写するもう１つの方法は、水用ホースのカップリングと同じバヨネットマウントである。
【０３５１】
そういったバヨネットマウントでは、相互に噛み合うレールと凹みの数が異なるものがあることが考えられる。望ましいのは、レールと凹みの総数が１，２，３，４，５，６，７，８，９，１０，１１，１２またはそれ以上のものである。
【０３５２】
優先順位の高い仕様形態と並行して、中性ラジカル結合エレメントを描写するもう１つの方法は、向かい合う中性ラジカル結合エレメントの接合面全体にフックと○型穴を配置したマジックテープである。
【０３５３】
４．２  孤立ラジカル
全ての中性ラジカル結合エレメントが別の中性ラジカル結合エレメントと結合するという訳ではない、つまり結合していない中性ラジカル結合エレメントを確認することができる分子描写モデル、原子描写モデル、またはイオン描写モデルは孤立ラジカルを描写している。例えば、図３１と３２の水素ラジカル、または図４１（ＣＬ）の塩素ラジカルがそうである。
【０３５４】
結合していない中性ラジカル結合エレメントに加えて、＋電荷結合エレメントを原子基体、または分子中の原子基体の一部で確認できた場合には、これはラジカルカチオンの描写となり、中性ラジカル結合エレメントと並んで−電荷結合エレメントが確認できた場合には、これはラジカルアニオンの描写となる。
【０３５５】
本発明に記載の分子構造モデルキットで、ラジカルとラジカルアニオンをラジカルカチオンとして初めて描写することが可能になった。
【０３５６】
またそのラジカルを分子構造モデルキット、および必要に応じては電荷との組み合わせで、正確に描写することも初めて可能となった。
【０３５７】
したがって、個々の全ての電子やラジカル、あるいは電子対が正しい順序と空間的拡張へとシフトしていくことを確認できるラジカルの反応メカニズムも初めて完全に再現できるようになった。
【０３５８】
５．０  電荷分離、電荷融合、アニオン、カチオン、取り出し可能な電子
優先順位の高い仕様形態では、取り出し可能な電子の描写モデルは、電子基体の＋電荷結合エレメントに結合する−電荷結合エレメントが末端部分に、またその反対側の先端には中性ラジカル結合エレメントが付いている柔軟性のあるエレメントで構成されている。
【０３５９】
−電荷結合エレメントは、優先順位の高い仕様形態では、−電荷コネクタ差込みピンとして描写されており、−電荷を表している。
【０３６０】
優先順位の高い仕様形態では原子基体内の＋電荷凹み（穴）として描写されている＋電荷結合エレメントは＋電荷を表している。
【０３６１】
＋電荷結合エレメントは、優先順位の高い仕様形態では向かい側にある結合パーツにおいて−電荷結合エレメントと同じ回転対称の形をしている（例えば、図６，７，８，３７−４０に記したように）。
【０３６２】
優先順位の高い仕様形態では、―電荷結合エレメントの対称形は、中性ラジカル結合エレメントと同じ回転対称、中でもｄ６−回転対称を優先した形が選択されている。
【０３６３】
優先順位の高い仕様形態では−電荷結合エレメントは、優先順位の高い仕様で黒になっているように、常にこれと同じ色をしている。
【０３６４】
＋電荷結合エレメントは、優先順位の高い仕様で赤になっているように、常にこれと同じ色になっていることが望ましい。これによって、観察者はカラーコードによって電荷を識別することができるのである。
【０３６５】
２つを相互に結合した場合には、両者の色は隠れてしまい観察者には見えなくなり、これによって相互に結合された電荷結合エレメントは中性であることを表している。
【０３６６】
−電荷結合エレメントと＋電荷結合エレメントが分離されると、必然的に電荷した、イオンフラグメントが生じる。
【０３６７】
これとは逆に２つの中性ラジカル結合エレメントが分離されると、ラジカルフラグメントが生じる。
【０３６８】
−電荷結合エレメントの優先順位の高い仕様形態は−電荷コネクタで、これは合成樹脂やセラミックやガラスや木や金属、あるいはそれ以外のマテリアルでできた１つまたは複数の差込みピンで構成されており、電子描写モデルの柔軟性のあるエレメントに結合される。
【０３６９】
差込ピンは、できれば３の倍数の幾何学形状と回転対称であるのが望ましい。
【０３７０】
とりわけ優先されるのは、ｄ６−回転対称の仕様である。
【０３７１】
優先順位の高い仕様形態と並んで、−電荷コネクタを電子描写モデルの凹み、そして＋電荷コネクタをこれに対応する原子基体の差込みピンとして描写する  ことも可能である。
【０３７２】
−電荷コネクタと＋電荷コネクタとしての優先順位の高い仕様形態と並んで、その他すべてのオス型およびメス型の差込ミーティング式、固定式の結合システムを使用することが可能である。例えば、マグネットのＮ極とＳ極、フックと○型穴のマジックテープ、吸盤を使った吸着システムといったように。
【０３７３】
取り出し可能な電子描写モデルは、化学的に見て電子の放出によってカチオンが形成されるというエレメントの原子描写モデルにしか使用されない。
【０３７４】
この際に原子基体にある＋電荷結合エレメントの量は、それに応じたエレメントが化学反応で一度に吸収できる量の＋電荷しかない。
【０３７５】
前述の＋電荷および−電荷結合エレメントは、本発明に基づき、イオン結合、例えばＮａ＋Ｃｌ−またはＣＦ３ＣＯＯ−ＮＨ４＋にも使用される。
【０３７６】
本発明に記載の分子構造モデルキットの描写モデルは、すべての電子が基本形に結合した場合には、電荷が常に中性であるのが望ましい。
【０３７７】
６．０    孤立電子対の描写モデル
本発明に記載の分子構造モデルキットのもう１つの特長は、電子対描写モデルによる孤立電子対の描写モデルである（例えば、図２３−３０，３６の優先順位の高い仕様形態に記されているように）。第１．１章電子対描写モデルの用語定義も、同様に参照。
【０３７８】
電子対描写モデルは、取り出すことができる形で原子基体と結合した、もしくは常時固定された２つの電子描写モデルの結合を描写したものである。
【０３７９】
一般的な仕様形態では、取り出し可能な電子描写モデルには、中性ラジカル結合エレメントと−電荷結合エレメントが付いている。
【０３８０】
本発明に記載の分子構造モデルキットを使用することで、電子対とその反応をわかりやすく描写することが初めて可能になった。
【０３８１】
いわゆる孤立電子対は、結合することは十分にありえるものの、対にはなっていない反応性の外殻電子ではない、また別の種類の電子である。
【０３８２】
孤立電子対は１つの原子に完全に属するものではあるが、これとは別の反応タイプに属するものである。
【０３８３】
−            ２分子分の力を発生、例えば水素結合（例えば、図３６に記したように）錯体やイオン結合
−            二重結合を構成、例えば酸素原子に対して、または塩素原子に対する２つの一重結合
−            電荷分離による電子対描写モデルの分離、例えばヒドロキソニウムイオンまたは窒化。
【０３８４】
優先順位の高い仕様形態では、電子対結合エレメントの原子基体結合エレメントへの結合、および＋電荷の凹みはそのままの状態の電荷分離による一重結合の描写、つまり原子基体の＋電荷結合エレメントの描写を通じて、電子対描写モデルは少なくとも３種類の異なる形状の結合描写と二重結合描写と２つの一重結合描写と錯体を描写することができる。
【０３８５】
優先順位の高い仕様形態では、電子対描写モデルになることのできる結合タイプのどの描写モデルも（図１６−１８、１９−２２、３６に記したように）縮尺に忠実な結合距離を表している。
【０３８６】
結合を描写する能力のない電子対描写モデルは、クローズタイプの電子対描写モデル（例えば、優先順位の高い仕様形態で図２４，２５と（Ｎｅ）ネオンに記したたように）で示されている。
【０３８７】
各々の原子の孤立電子対が水素結合や錯体やルイス塩基ベース反応を起こすかどうかによって、優先順位の高い仕様形態では、電子対描写モデルに電子対結合エレメントがあったりなかったりする。
【０３８８】
６．１  電子対結合エレメントと原子基体結合エレメントによる分子間の力の描写モデル
電子対描写モデルが、水素描写モデルまたは金属原子描写モデルの原子基体の結合エレメントに結合することができるよう、１つの電子対結合エレメントを持っている。
【０３８９】
優先順位の高い仕様形態では、この電子対結合エレメントは外側に結合される（図２３と２４にある球形カップリングコネクタの球として記されているように）。
【０３９０】
電子対結合エレメントと原子基体結合エレメントの結合は、オスメス型結合原則に記載のものである。
【０３９１】
優先順位の高い仕様形態では、電子対結合エレメントは、１つの電子対カップリングコネクタと原子基体結合エレメントによって、原子基体カップリングコネクタとして描写されている。
【０３９２】
この際に、優先順位の高い仕様形態では電子対カップリングコネクタは、球形カップリングの球の形状になっており、これに付随する原子基体カップリングコネクタは球形の受け入れ部の形状になっている。
【０３９３】
電子対描写モデルの原子基体への結合には、これとは別のありとあらゆるオスメス型結合原則が考えられる。
【０３９４】
球と球形ホルダーからなる球形カップリングや差込みピンと凹みからなる差込み方式やＮ極とＳ極からなるマグネットやフックと○型穴からなるマジックテープや吸盤と吸着面からなる吸着式といったオスメス型結合原則に記載のものであればよい（第１．１章電子対結合エレメントの定義を参照）。
【０３９５】
優先順位の高い仕様形態では、電子対結合エレメントと原子基体結合エレメントの対が区別されている。これもまたオスメス型結合原則なのだが、根本的には−電荷結合エレメントと＋電荷結合エレメントとの対であり、化学的に無意味ではない結合、例えば１つの−電荷結合エレメントの１つの原子基体結合エレメントへの結合、あるいはこれとは逆に化学的に無意味ではない１つの電子対結合エレメントの１つの＋電荷結合エレメントへの結合も可能である。
【０３９６】
種類の異なる力は、特性の異なる結合エレメントで描写されている。
【０３９７】
従って、優先順位の高い仕様形態では、上述した４つの結合エレメントは、どれも中性ラジカル結合エレメントに結合させることはできない。
【０３９８】
優先順位の高い仕様形態では、＋結合エレメントと−結合エレメントの電荷分離または電荷融合は、自前のオスメス型結合原則、差込原則あるいは固定原則によるものである。
【０３９９】
電子対の原子基体への原子基体都合も、これと同様に自前のオスメス型結合原則によるものである。さらにまた、中性ラジカル結合エレメントも自前の中性結合原則によるものである。
【０４００】
優先順位の高い仕様形態では、どの原子描写モデルも、結合エレメントの特定の組み合わせに分類することができ、これによって原子描写モデルは、１つのユニット、もしくはモデルキットであることを確認することができる。
【０４０１】
優先順位の高い仕様形態では、この結合エレメントは異物エレメントではない。例えば、分子構造モデルキットにバーやピンやホース、またはそれ以外のエレメントを追加する場合のように。
【０４０２】
既存技術の分子構造モデルキットでは、個々の原子を構成要素と認識することなく、原則として球と個々のホースが分子を構成していた。
【０４０３】
優先順位の高い仕様形態では、この電子対結合エレメントは種類の異なる全ての原子基体のありとあらゆる原子基体結合エレメントに合うようになっている。
【０４０４】
これは、例えば酸素原子描写モデルや塩素原子描写モデル、あるいは窒素原子描写モデルの電子対結合エレメントの全てが、水素原子描写モデル（図３４−３６）の原子基体結合エレメントに合うようになっており、これによって水素結合の描写モデルが構築され、また全ての金属原子描写モデル（３８−４０）の原子基体結合  エレメントにも合うようになっており、これによって錯体を表すことができ、ルイス塩基結合を描写システム、これによってイオン格子またはイオン結合で格子本ガイドライン形成されるよう、さらにまたアルミニウム原子描写モデルとマグネシウム原子描写モデル、またはその他の金属原子描写モデルの原子基体結合エレメントにも合うようになっていることを意味している。
【０４０５】
６．２  電子対描写モデル内の２つの中性ラジカル結合エレメントの相互結合の分離
優先順位の高い仕様形態では、電子対の描写モデルは、２つの電子描写モデルによって描写されている、例えば、図２３，２６−２８にある中性ラジカルコネクタ付の優先順位の高い仕様形態のように）。
【０４０６】
電子の描写モデルは、両方が原子基体にしっかりと固定されているか、電子描写モデルの１つが電荷分離によって原子基体から取り外されている（図２３，２６−２８に記したように）。
【０４０７】
電子対描写モデルが、結合の２つの描写モデルを形成することができるよう、２つの中性ラジカル結合エレメントの結合を分離しなければならない（図２８）。
【０４０８】
そうすれば、両方の中性ラジカル結合エレメントを異物の原子描写モデルに結合させることができる。
【０４０９】
そうすれば、硫黄原子の描写モデルの両方の電子対描写モデルが、酸素原子描写モデルと共に共有結合の描写モデルを構築しながら、二重結合の描写モデルを形成することのできる分子、例えばＳＯ３を描写することができる。
【０４１０】
６．３    電子対描写モデル内での電荷分離
電子対描写モデルの優先順位の高い仕様形態では、電子対の描写モデルを内包されている取り出し可能な電子描写モデルは結合状態では中性ラジカル結合エレメント（第６．２章で述べられているように）の位置ではなく、電荷分離の際に−電荷結合エレメントと＋電荷結合エレメントの位置で分離することが可能である。
【０４１１】
そして、原子基体には、＋電荷を表す結合していない＋電荷結合エレメントが残ったままである。
【０４１２】
そして−電荷結合エレメントは、−電荷結合エレメントという形でオープン状態になった電子対描写モデル（例えば図２９で分かるように）の反対側の先端に位置し、電荷融合の下で１つの＋電荷結合エレメントと結合することができる（例えば図３０に記したように）。
【０４１３】
ヒドロキソニウムイオンの描写モデルも、これと同様である。例えば、図３６に記したように、ここでも水素イオン描写モデルは電子対融合の下で電荷分離によってオープン状態になった電子対描写モデルと結合するためである（図４１（Ｏ）酸素を参照）。
【０４１４】
それまでは孤立状態であった電子対描写モデルが、Ｈ＋イオン描写モデル（図２９，３０と３３も参照）との電荷融合の下で、共有結合の描写モデルへと変遷し、その結果として酸素の原子基体に＋電荷結合エレメントが生じたと描写することが可能である。
【０４１５】
電子対の描写モデル内での電荷分離によって、初めて分子構造モデルキットを用いて、オクテット則が内部分子の電荷分離によって生じる窒化、もしくはこれに類似した結合内部の結合関係を描写することができるようになった。
【０４１６】
電子対の描写モデルが、機械的に第６．２と６．３章に述べられている結合エレメントの分離を実行することができるよう、中性ラジカル結合エレメントがねじることのできるエレメントに固定され（図２３，２７−３０に記されているように）、これによって多彩な状態と多彩な方向を示すことできるという優先順位の高い仕様形態は技術的に有意義なソリューションである（第７．４章参照）。
【０４１７】
７．０  電子対結合エレメントと原子基体結合エレメント
化学では、２つの原子の相互結合と並んで、孤立電子対と原子核との結合が中心的意味を持っている。
【０４１８】
本発明に記載の分子構造モデルキットでは、原子基体と孤立電子対の描写モデルとの間のこの相互作用が初めて描写されている。
【０４１９】
この相互作用から、錯体や水素結合やルイス塩基の立体構造結合点やイオン結合、および一律の結合エレメントシステムを描写する。
【０４２０】
７．１  水素原子の水素結合
水素原子描写モデルは、原子基体に＋電荷結合エレメントと並んで、水素原子描写モデルを電子対描写モデルと結合させることのできる原子基体結合エレメントがあり、これによって水素結合を描写することができる（例えば、図３６に記された優先順位の高い仕様形態のように）。
【０４２１】
優先順位の高い仕様形態では、原子基体結合エレメントは、２種類の状態にすることができる。その１つの状態では、原子基体結合エレメントは電子対結合エレメントが結合できる構造になっている（例えば、図３４−３６に記された優先順位の高い仕様形態のように）。
【０４２２】
もう１つの状態では、原子基体結合エレメントは、電子対結合エレメントが電子対結合エレメントが結合できない構造になっている（例えば、図３１−３３に記された優先順位の高い仕様形態のように）。これは、描写モデルにメタンがある場合の状態である。
【０４２３】
この２つの状態の変遷は、技術的に大きく異なるソリューションに記載のものである。
【０４２４】
優先順位の高い仕様形態では、原子基体の結合エレメントは、１本もしくは複数本の差込みピンに固定されており、この差込みピンがさらにまたその反対側でひねり継手に原子基体で結合されており、これによって原子基体への結合が可能になった（図３１−３６に記されているように）。
【０４２５】
原子基体結合コネクタとしての望ましい描写モデルを用いたこの例で確認できるのは、原子基体結合エレメントはオープン状態の時にのみ、電子対結合エレメントと結合することができるということである。これは、オープン状態の時にしか、電子対カップリングコネクタの球が原子基体コネクタの球形カップリングホルダーに挿入することができないためである。クローズ状態の時は、開口部に入ることができない。
【０４２６】
この際に優先されるのは、原子基体結合エレメントが、原子基体カップリング  凹みによって描写されることである。
【０４２７】
優先順位の高い仕様形態と並んで、原子基体結合エレメントはまた、第７．４章と第１．１章と第６．１章で述べているように異なる構造でもよい。
【０４２８】
水素結合の描写モデルによって、分子構造モデルキットを用いて親油性と親水性の違いを初めて説明することができるようになった。
【０４２９】
７．２  錯体の立体結合点とルイス塩とルイス基、およびイオン結合、原子基体結合エレメントと金属原子描写モデル
より大きな殻の金属では、イオンは、１つの孤立電子対だけでなく、原則的には６つまでの複数の孤立電子対を結合させることができる。例えば、Ｂ（ＯＨ）４−，Ａｌ（ＯＨ）４−またはＡｌ（ＯＨ）６３−といった結合が可能である。
【０４３０】
アルミニウムの場合は、例えば、Ｈ２Ｏ，Ｃｌ−またはＯＨのように原子心が錯体配位体とこのように結合することをルイス塩基反応と呼んでいる。
【０４３１】
典型元素の金属（例えば、鉄、Ｆｅ）は、６つまでの配位体をもつ錯体を構成することがよくある。錯体では、配位体の電子対も金属イオンに結合している。
【０４３２】
本発明に記載の分子構造モデルキットでは、そういった立体結合点を錯体の原子基体結合エレメント、およびルイス塩基の結合として、初めてわかりやすく描写することができた。（例えば図３７−４０に記された様々な空間的組み合わせにおける原子基体カップリングの凹みのある優先順位の高い仕様形態にあるように）
原子基体の章で叙述されているように、金属原子描写モデルの原子基体は、エレメントによって大きさが異なり、そのエレメントごとに特有の個数の＋結合エレメントを持っている。
【０４３３】
本発明の根幹をなしているのは、原子基体への孤立電子対の結合すべてが、水素結合の描写モデルも含めた原子基体結合エレメントによって、同じ結合原則、固定原則、または差込み原則で行われている点で、これ（第７．４章、第６．１章、第１．１章に叙述されているように）は、優先順位の高い球形カップリング結合以外にも、技術的に別な方法で解決することも可能である。
【０４３４】
優先順位の高い仕様形態では、どの金属原子描写モデルの原子基体にも６つの原子基体結合エレメント（例えば、図３７−４０で、原子基体カップリングの凹みのある優先順位の高い仕様形態として記されているように）があり、化学で大きな役割を果たす全ての金属原子描写モデルに同様に構築されている根本的な幾何学形状（下に記したように）を持つことができる。
【０４３５】
原子基体結合エレメントは、個々の、もしくは複数の差込みピンで固定されるのが望ましい。
【０４３６】
原子基体結合エレメントを支えるこれらの差込みピンは、向かい側に、ねじることのできる関節ジョイントを用いて原子基体に固定するのが望ましい。
【０４３７】
固定の形状は、６つの開くことのできる原子基体結合エレメントを用いて、最も重要な立体構造である、三角晶双錐形、三角錐、三角晶の平面を描写できるようにする（例えば、図３７−４０に優先順位の高い仕様形態として原子基体のカップリング凹みとして記されているように）。
【０４３８】
優先順位の高い仕様形態にある立体構造の構築は、ねじることのできる原子基体結合エレメント４つが原子基体のエクアトリアル周囲にカップリング位置され、これが完全に開いた状態でエクあとリアル面上の４つ全ての方向に向かうようになることで技術的に解決することができる。
【０４３９】
さらに２つの原子基体結合エレメントは、原子基体の極部に結合させる。オープン状態で、例えば四角形の双錐の形状（例えば、図４０に優先順位の高い仕様形態として原子基体のカップリング凹みとして記されているように）が生じる。
【０４４０】
メタリック状態を描写する際には、原子基体結合エレメントは全てクローズ状態になっており、電子対結合エレメントの結合はできない状態である。
【０４４１】
四角形の双錐形の形状から出発して（例えば、図３９に優先順位の高い仕様形態として原子基体のカップリング凹みとして記されているように）Ｎ極とＳ極という２つの原子基体結合エレメントを閉じることによって、四角形の平面形状を得ることができる。
【０４４２】
四角形の平面形状（３９）から出発して（例えば、図３８に優先順位の高い仕様形態として原子基体のカップリング凹みとして記されているように）三角錐の形状を得ることができる。
【０４４３】
エクアトリアル周りの４つの原子基体結合エレメントを半分閉めることによって。
【０４４４】
エクアトリアル周りの４つの原子基体結合エレメントの２つを交互に、原子基体のＳ極とＮ極に動かす。
【０４４５】
この構造によって、考えられる全ての立体構造（錯体）を原子基体にある６つの原子基体結合エレメントによって描写することが可能になった。
【０４４６】
これによって、ナトリウムの場合は、例えば水和反応を正しいコーディネートで描写することができる。アルミニウムの場合は、両性四角双錐形状でも両性三角錐形状でも描写することが可能である。同様に、通常の遷移元素の錯体と金属は、異なる形状を用いて描写することができる。
【０４４７】
したがって本発明は、原子基体の描写モデルに関するものである。この際に、原子基体の描写モデルは、＋電荷結合エレメントの個数に応じた個数の価電子と外側に向かって開く原子基体結合エレメントを１から６個持っている。
【０４４８】
原子基体の描写モデルは、球形が望ましい。＋電荷結合エレメントは、できれば＋電荷コネクタ、さらにできればオスメス型差込接続という形で、−コネクタを受け入れるための凹みがあるのが望ましい。
【０４４９】
外側に向かって開く原子基体カップリングコネクタは、電子対カップリングコネクタの結合点の役割を果たしており、様々なポジションを外側に向かって開く  ことができ、三角晶双錐形や三角形双錐形や三角錐や四角形平面や三角形平面といった立体構造を描写することができる。
【０４５０】
原子基体カップリングコネクタと電子対カップリングコネクタは、タイプの異なる他のコネクタ、例えば＋電荷コネクタや−電荷コネクタや中性コネクタ（ゼロコネクタ）とは結合することができない一種のオスメス型コネクタを形作っている。
【０４５１】
７．３  イオン結合
イオン結合もまた、本発明に記載の分子構造モデルキットで、これまで叙述してきた電子対結合エレメントと原子基体結合エレメントを用いて描写することが可能である。
【０４５２】
塩の結晶、もしくは一般的に使われているイオン結晶では、相互に結合してイオン結晶を描写するために、先ほどと同じ電子対結合エレメントと原子基体結合エレメントを使用することができる。
【０４５３】
イオン結晶の場合には、−電荷結合エレメントと−電荷結合エレメントとの電荷融合には至らない。例えば、塩化ナトリウム：ナトリウムイオン描写モデルと塩素イオン描写モデルは、この際に電子対結合エレメントと原子基体結合エレメントを通じて、電荷融合に到達することなく結合することができる。
【０４５４】
ナトリウムイオンの描写モデルでも＋電荷結合エレメントを確認することができ、また塩素イオンの描写モデルでも−電荷結合エレメントを確認することができる。
【０４５５】
イオンは、この際に電子対結合エレメントと原子基体結合エレメントを通じて
塩化ナトリウム格子の中でも一定の形に並ぶことができる。
【０４５６】
７．４  電子対結合エレメントと原子基体接続エレメントの技術仕様
優先順位の高い仕様形態では、電子対の描写モデルの原子基体への結合は全て、同じ結合・固定・差込み原則に基づいている。
【０４５７】
電子対結合エレメントと原子基体結合エレメントとの相互結合には、オスメス型の結合・固定・差込み原則が用いられている。本発明に記載の分子構造モデルキットでは、球形カップリングとしての描写が優先されている。
【０４５８】
この際に、電子対描写モデルの側は球を優先し、原子基体の側は球固定ホルダーを優先している。
【０４５９】
上述のように、電子対カップリングに対する電子対の描写モデルには、球形カップリング関節の球という形で電子対カップリング球が付いている。
【０４６０】
完全に中身が詰まった物体は、様々なマテリアルで作ることができるが、それでもプラスチックや硬質ゴムや金属が優先される。
【０４６１】
電子描写モデルの端にある上部の球形カップリング関節は、図２３，２７，２９に記された回転ひねりコネクタのところで確認できる。回転ひねりコネクタの反対側には、中性ラジカル結合エレメントがあり、真ん中にはピンでクレードルが吊るされている。
【０４６２】
この際、球はクローズドタイプの電子対描写モデルの外側の端に置かれている。
【０４６３】
優先順位の高い仕様形態では、間隔は原子基体カップリングの凹みと電子対関節コネクタとを差込結合した際に、水素結合やルイス塩結合や錯体、またはイオン結晶の縮尺に忠実な結合距離になるように設定されている。
【０４６４】
例えば、Ｏ−−−−Ｈ水素結合描写モデルは、ここで選択したサンプル縮尺は１３ｃｍで、これは２０８ｐｍに相当する。
【０４６５】
優先順位の高い仕様形態では、配位化合物や水素結合やルイス塩基の描写モデルで生じる結合距離が、各エレメントの電子対結合エレメントと原子描写モデルと原子基体結合エレメントのインディビジュアル実効部分距離と合算され、縮尺に忠実な結合距離となるように構築されている。
【０４６６】
電子対接合エレメントと原子基体結合エレメントのインディビジュアルな実効部分間隔は、異なるエレメントの異なる電子描写同士で変化する。
【０４６７】
電子対描写モデルと原子基体との相互結合は、できれば球形カップリングで描写するのが望ましい。この結合原則は、配位子を回転と結合角度に関して任意に変化させながら結合できるようにするためには、適切である。
【０４６８】
原子基体カップリングの凹みは、できれば球に近い形状の凹みのある１つのゴムブロックまたはプラスチックでできており、この凹みが電子対描写モデルの電子対カップリング球を受け入れることができる。
【０４６９】
凹みは上に行くほど狭くなっていて、球はゴムやプラスチックの膨張によってのみ中に入ることができ、これによってしっかりとホールドされるようになっている。
【０４７０】
この際には、凹みの大きさは、球がしっかりとはさまり、ここにもたらされた原子描写モデルの角度設定と膨張の度合いが一定になるように決められる。
【０４７１】
これに代わるものとして、原子基体カップリングの凹みは、電子対カップリング球を挿入することができ、これをホールドすることのできる凹みのある柔軟な合成樹脂でもよい。
【０４７２】
電子対カップリングの代用マテリアルは、金属でも木でも。あるいはそれ以外のマテリアルでもよい。
【０４７３】
球が電子対と原子心にある差込みピンの上の凹みにもたらされるという優先順位の高い構造と並んで、メス型の凹みを電子対と原子基体カップリングコネクタと入れ替え、その結果としてカップリング球によって描写することも可能である。
【０４７４】
優先順位の高いもう１つの仕様形態は、電子対結合エレメントと原子基体結合エレメントの描写モデルをＮ極とＳ極のあるマグネットで行う仕様である。
【０４７５】
この際に、電子対結合エレメントは常に同じ極性を持ち、原子基体結合エレメントは常にそれとは逆の極性を持つ。
【０４７６】
同様に優先順位の高い仕様形態と並んで、これとは別のオスメス型結合・差込・固定原理も考えられる。例えば、片側にフック、もう片側には○型穴を配置したマジックテープや結合面に吸盤と吸着面を配置した吸着方式である。
【０４７７】
優先順位の高い開閉式エレメントによる仕様形態と並んで、様々な、少なくとも状態を描写するこれ以外の技術的ソリューションがあるはずである。
【０４７８】
優先順位の高いもう１つの技術的ソリューションでは、原子基体結合エレメントが、原子基体の中の１つの凹み内部で前後左右にずらすことのできる１本のピンに固定されている。
【０４７９】
できれば、ピンを完全に抜いたり、取り外すことなく２つ、もしくはいくつかのポジションにずらすことができる仕様が望ましい。
【０４８０】
ある状態では、ピンが原子基体に押し込まれ、この状態の下では原子基体結合エレメントは結合能力を持たない。
【０４８１】
また別の状態では、ピンが原子基体から希望通りの距離に引き抜くことができ、原子基体結合エレメントは結合能力を有する。
【０４８２】
８．０          図の解説
【図面の簡単な説明】
【０４８３】
【図１】図１は、中性ラジカル結合エレメントを優先順位の高い中性ラジカルコネクタの仕様形態を上から見た形で示したものである。等間隔で王冠状の円形に並べられた６本のピンが付いた優先順位の高い細分化が確認できる。ピンの間の凹みは、ピンそのものとほぼ同じ大きさである。ピンは、先端が結合軸の中心を向いている。
【図２】図２は、中性ラジカルコネクタの斜視図である。６本のピンが付いた中性ラジカルコネクタの優先順位の高い細分化が確認できる。３０°ずつずらした６つのポジションで２つの中性ラジカルコネクタを挿入することができる。
【図３】図３は、典型的な共有化学結合の描写モデルを示したものである。ここでは、２つの中性ラジカルコネクタは相互にかみ合い、これによって結合した電子対が描写されている。この仕様では、中性ラジカルコネクタを相互に接続するのにそれぞれ６通りの方法があるため、相互に結合した状態の原子を６０°ピッチで設定することができ、例えばスタッガードやエクリプス配座や桶やソファの形を描写することができる。
【図４】図４（鳥瞰図）と図５（側面図）は、優先順位の高い仕様形態で＋電荷を表す１つの凹みの中にある＋電荷結合エレメントを持った１つの原子基体の描写モデルを示したもので、原子基体描写モデルは図７と８にあるような六角形の差込みピン１本のついた電子描写モデルの−電荷コネクタとして描写されている。
【０４８４】
−電荷コネクタを回転させて６０°ピッチのポジションにい列ことができるよう、凹みの下部は狭い六角形の形状になっている。これによりはめ込まれた電子は、他のコーディネーションポイントと図４と５にある結合の結合方法に関しても、３本の小ホースが暗示しているように全部で６種類ある接続方法のどれかに合わせることができる。
【図５】図４（鳥瞰図）と図５（側面図）は、優先順位の高い仕様形態で＋電荷を表す１つの凹みの中にある＋電荷結合エレメントを持った１つの原子基体の描写モデルを示したもので、原子基体描写モデルは図７と８にあるような六角形の差込みピン１本のついた電子描写モデルの−電荷コネクタとして描写されている。
【０４８５】
−電荷コネクタを回転させて６０°ピッチのポジションにい列ことができるよう、凹みの下部は狭い六角形の形状になっている。これによりはめ込まれた電子は、他のコーディネーションポイントと図４と５にある結合の結合方法に関しても、３本の小ホースが暗示しているように全部で６種類ある接続方法のどれかに合わせることができる。
【図６】図６、７、８は、中性ラジカル結合エレメントとしての中性ラジカルコネクタと−電荷結合エレメントとしての−電荷コネクタの付いた電子描写モデルの優先順位の高い仕様形態を示したものである。
【０４８６】
図６は、取り外しのできる電子描写モデルである６本のピンの付いた中性ラジカルコネクタを上からみた図である。
【図７】図６、７、８は、中性ラジカル結合エレメントとしての中性ラジカルコネクタと−電荷結合エレメントとしての−電荷コネクタの付いた電子描写モデルの優先順位の高い仕様形態を示したものである。
【０４８７】
図７は、電子描写モデルの−電荷コネクタをしたから見たもので、ピンの下部は六角形状になっている。
【図８】図６、７、８は、中性ラジカル結合エレメントとしての中性ラジカルコネクタと−電荷結合エレメントとしての−電荷コネクタの付いた電子描写モデルの優先順位の高い仕様形態を示したものである。
【０４８８】
図８は、１つの中性ラジカルコネクタと１つの柔軟性のある結合エレメントと１つの−電荷コネクタからなる電子描写モデルを横から見た図である。中性ラジカルコネクタも−電荷コネクタもｄ６−回転対称である。
【０４８９】
これによって、取り外しができる電子描写モデルをｄ６−回転対称で、６０°ピッチの異なる６つ全てのポジションで＋電荷の凹みに差し込むことができ、中性ラジカルコネクタのピンのところで常に同じ決まった空間的角度指針を持つことになる。
【図９】図９は、４つの同じ等価を持つ電子描写モデルＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄを示したものである。
【０４９０】
Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの異なる電子描写モデルを見て分かるように４つの異なる上面図では、４つ全ての中性ラジカルコネクタＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄは、中性ラジカルコネクタが、他の３つの電子と相関性のある６本のピンが、常に同じ角度のなるように配置されている。この際に、ピンの側面のヘリが他の３つの外部電子の中心を向いていることが分かる。
【図１０】図１０は、４つの中性ラジカルコネクタを用いた２つの同じ炭素原子描写モデルＶとＵを示したものである。
【０４９１】
中性ラジカルコネクタは、柔軟性のある接続ジョイントを通じて、中性ラジカルコネクタのピンがその中心点で他の３つの独自の電子描写モデルの方向を示すのではなく、１５°ずれた側面のヘリで、他の３つの独自の電子描写モデルの中心を示すように炭素につながっている。
【０４９２】
これにより種類の異なる２つの炭素原子は、互いに左右対称ではなくなり、鏡映によって対称面Ｍで重なり合うことはなく、右手の像が２つ並ぶ化学でキラルと呼ばれる状態になる。
【０４９３】
２つの炭素原子描写モデルを図１０のように同じ形に整えると、原子基体にしっかりと結合した状態の中性ラジカルコネクタも、同様に全てキラル状態になる。
【０４９４】
炭素原子描写モデルＶとＵでは、中性ラジカルコネクタＶａとＵａは、全く同じキラル状態のため、左右対称ではない。キラル構造によってのみ、図１１に記した舟型をスタッガードとエクリプス配座で構築することができるのである。
【０４９５】
中性ラジカルコネクタ相互の簡単な結合を可能にするため、中性ラジカルコネクタ同士を噛み合わせる差込みピンの付いた回転式の円形プレートを中性ラジカルコネクタのヘッド部分に配置した。
【図１１】図１１は、２つの炭素元素（ここでは原子基体フラグメントとして暗示しながら）の異なる相互結合によって、３種類の異なるそれぞれの置換基（Ａ，Ｂ，Ｃ）と（Ｘ，Ｙ，Ｚ）を用いて、中性ラジカルコネクタのポジションで６種類の異なる立体舟形構造をどのように構築することができるのかを示したものである。そのうちの３つ（１１（Ａ），１１（Ｃ），１１（Ｅ））はスタッガード状で、あとの３つ（１１（Ｂ），１１（Ｄ），１１（Ｆ））はエクリプス配座である。
【図１２】図１２と図１３は、中性ラジカルコネクタの差込形状として考えられる形状を示したもので、ここでは差込みピンは王冠状に円形プレート上に配置されている。
【０４９６】
残りの原子描写モデルは、フラグメントして暗示しただけである。図１２は、中性ラジカル形状の差込ピンが３本付いた中性ラジカルコネクタを示したもので、図１３は差込ピンが２本だけの中性ラジカルコネクタを示している。
【図１３】図１２と図１３は、中性ラジカルコネクタの差込形状として考えられる形状を示したもので、ここでは差込みピンは王冠状に円形プレート上に配置されている。
【０４９７】
残りの原子描写モデルは、フラグメントして暗示しただけである。図１２は、中性ラジカル形状の差込ピンが３本付いた中性ラジカルコネクタを示したもので、図１３は差込ピンが２本だけの中性ラジカルコネクタを示している。
【図１４】図１４は、差込ピンが差し込まれ相互結合している状態の２つの中性ラジカルコネクタの差込接触面を真ん中で切った断面図のパターンを示したものである。黒い点は、片側の中性ラジカルコネクタの差込みピンを表しており、円形の点は反対側の中性ラジカルコネクタの差込ピンを表している。
【０４９８】
差込みピンは、同じ側に三角形のパターンで配置されている。この配置では、１本の差込みピンには、常に反対側に位置する３本の差込みピンが絡みつく形になっている。基本面の３番目のポジションは、結合状態でも空の状態になっている。描写モデルで分かるように、そのポジションには、黒い点も円を描いた（白い）点もない。
【図１５】図１５は、差込ピンが差し込まれ相互結合している状態の２つの中性ラジカルコネクタの差込接触面を真ん中で切った断面図のパターンを示したものである。黒い点は、片側の中性ラジカルコネクタの差込みピンを表しており、円形の点は反対側の中性ラジカルコネクタの差込ピンを表している。
【０４９９】
差込みピンは、同じ側に碁盤のパターンに相当する四角形のパターンで配置されており、黒い点には差込みピンがあり、白い点は差し込むコネクタの差込みピンを受け入れるよう空きの状態になっている。この配置では、１本の差込みピンには、常に反対側に位置する４本の差込みピンが絡みつく形になっている。
【図１６】図１６−１８は、実効比率接続ジョイントを用いて２つの中性ラジカルコネクタを結合したことによって、どのようにして縮尺に忠実な実効結合距離が生じるのかを示したものである。ここで注意しなければならないのは、図から分かるように、実効比率接続ジョイントの結合距離が、中性ラジカル結合エレメントの差込み  ピンの中心までしかないということである。
【０５００】
図１６では、炭素（Ｃ）の４．８ｃｍ（７７ｐｍに相当）に、窒素（Ｎ）の４．４ｃｍ（７０ｐｍに相当）を足して、合わせて９．２ｃｍ（１４７ｐｍに相当）となる。
【図１７】図１６−１８は、実効比率接続ジョイントを用いて２つの中性ラジカルコネクタを結合したことによって、どのようにして縮尺に忠実な実効結合距離が生じるのかを示したものである。ここで注意しなければならないのは、図から分かるように、実効比率接続ジョイントの結合距離が、中性ラジカル結合エレメントの差込みピンの中心までしかないということである。
【０５０１】
図１７では、酸素（Ｏ）の４．１５ｃｍ（６６ｐｍに相当）に、水素（Ｈ）の２．０ｃｍ（３２ｐｍに相当）を足して、合わせて６．１５ｃｍ（９８ｐｍに相当）となる。
【図１８】図１６−１８は、実効比率接続ジョイントを用いて２つの中性ラジカルコネクタを結合したことによって、どのようにして縮尺に忠実な実効結合距離が生じるのかを示したものである。ここで注意しなければならないのは、図から分かるように、実効比率接続ジョイントの結合距離が、中性ラジカル結合エレメントの差込みピンの中心までしかないということである。
【０５０２】
図１８では、炭素の４．８ｃｍ（７７ｐｍに相当）に、もう１つの炭素の４．８ｃｍ（７７ｐｍに相当）を足して、合わせて９．６ｃｍ（１５４ｐｍに相当）となる。
【図１９】図１９−２２は、２つの同じ原子描写モデル（ＣＣ）図１９と２０の間に、もしくは異なる原子描写モデル（ＣＮ）の間に多重結合を形成することによって、どのようにして曲げることのできる接続ジョイントを２つの原子基体の中心点の間に入れた結果としてえることのできた縮尺に忠実な結合距離に到達できるのか（図２１と２４）を示したものである。
【０５０３】
図１９にあるＣＣ二重結合では、ＣＣ一重結合描写モデルの距離は図１８に記されているように９．６ｃｍから８．４ｃｍになった。
【０５０４】
これは、１３３ｐｍというＣＣ二重結合の実際の結合距離の縮尺に忠実に相当する。
【０５０５】
二重結合描写モデルに関与していない４つの突出した電子描写モデル（スティックで暗示しているように）全て正確に同じ面に位置している。
【図２０】図１９−２２は、２つの同じ原子描写モデル（ＣＣ）図１９と２０の間に、もしくは異なる原子描写モデル（ＣＮ）の間に多重結合を形成することによって、どのようにして曲げることのできる接続ジョイントを２つの原子基体の中心点の間に入れた結果としてえることのできた縮尺に忠実な結合距離に到達できるのか（図２１と２４）を示したものである。
【０５０６】
図２０にあるＣＣ三重結合では、ＣＣ一重結合描写モデルの距離は図１８に記されているように９．６ｃｍから７．５ｃｍになった。これは、１２０ｐｍというＣＣ三重結合の実際の結合距離の縮尺に忠実に相当する。三重結合描写モデルに関与していない２つの突出した電子描写モデル（スティックで暗示しているように）全て正確に同じラインに位置している。
【図２１】図１９−２２は、２つの同じ原子描写モデル（ＣＣ）図１９と２０の間に、もしくは異なる原子描写モデル（ＣＮ）の間に多重結合を形成することによって、どのようにして曲げることのできる接続ジョイントを２つの原子基体の中心点の間に入れた結果としてえることのできた縮尺に忠実な結合距離に到達できるのか（図２１と２４）を示したものである。
【０５０７】
図２１にあるＣＮ二重結合では、ＣＮ一重結合描写モデルの距離は図１６に記されているように９．２ｃｍから８．１ｃｍになった。これは、１２９ｐｍというＣＮ二重結合の実際の結合距離の縮尺に忠実に相当する。二重結合描写モデルに関与していない４つの突出した電子描写モデル（スティックで暗示しているように）全て正確に同じ面に位置している。
【図２２】図１９−２２は、２つの同じ原子描写モデル（ＣＣ）図１９と２０の間に、もしくは異なる原子描写モデル（ＣＮ）の間に多重結合を形成することによって、どのようにして曲げることのできる接続ジョイントを２つの原子基体の中心点の間に入れた結果としてえることのできた縮尺に忠実な結合距離に到達できるのか（図２１と２４）を示したものである。
【０５０８】
図２２にあるＣＮＣ三重結合では、ＣＣ一重結合描写モデルの距離は図１６に記されているように９．２ｃｍから７．１ｃｍになった。これは、１１５ｐｍというＣＣ三重結合の実際の結合距離の縮尺に忠実に相当する。三重結合描写モデルに関与していない２つの突出した電子描写モデル（スティックで暗示しているように）全て正確に同じラインに位置している。
【図２３】図２３−３０に示された電子対描写モデルは、優先順位の高い仕様形態の結合エレメントを用いて表したものである。電子対結合エレメントは、球の付いた電子対カップリングコネクタ、中性ラジカル結合エレメントはｄ６−回転対称の中性ラジカルコネクタ、そして−電荷結合エレメントはｄ６−回転対称の−電荷コネクタ。
【０５０９】
図２３、２７−２９には、原子基体のところにある電子対描写モデルが示されており、これは取り外すことのできる電子描写モデルでできており、この電子描写モデルは図２３と２８では＋電荷凹みに差し込まれた状態になっており、原子基体にしっかりと固定された状態で、ねじることのできるコネクタが付いた電子描写モデルからなり、これには中性ラジカル結合エレメントとして中性ラジカルコネクタが片方に付いており、もう片方には電子対結合エレメントとして電子対カップリング球が付いている。
【０５１０】
ひねりコネクタは、周り継手の役割を果たす回転ボルトで固定クレードルに吊るされている。固定クレードルは、柔軟性のある接続パイプ上で原子基体に固定されている。
【０５１１】
図２３は、クロ−ズドタイプの電子対描写モデルである。中性ラジカルコネクタは相互に結合した状態で、−電荷コネクタも＋電荷コネクタの凹みに挿入された状態である。電子対カップリングコネクタの球は、外側を向いており、必要に応じて原子基体カップリングコネクタの適切な凹みに結合することができる（図３６）
【図２４】図２３−３０に示された電子対描写モデルは、優先順位の高い仕様形態の結合エレメントを用いて表したものである。電子対結合エレメントは、球の付いた電子対カップリングコネクタ、中性ラジカル結合エレメントはｄ６−回転対称の中性ラジカルコネクタ、そして−電荷結合エレメントはｄ６−回転対称の−電荷コネクタ。
【０５１２】
図２４は、中性ラジカルコネクタがあり、そこで開くことができ、さらに分離することのできる−電荷コネクタと＋電荷コネクタもあるクローズドタイプの電子対描写モデルである。
【０５１３】
電子対カップリングコネクタの球だけがあり、機能性がある。こういった電子対描写モデルは、例えば優先順位の高い塩素原子の描写モデルに見られる。原子基体に固定されている原子基体カップリングコネクタを用いた結合のみを可能にするもので、イオン結合や共有結合の描写モデルには適していない。
【図２５】図２３−３０に示された電子対描写モデルは、優先順位の高い仕様形態の結合エレメントを用いて表したものである。電子対結合エレメントは、球の付いた電子対カップリングコネクタ、中性ラジカル結合エレメントはｄ６−回転対称の中性ラジカルコネクタ、そして−電荷結合エレメントはｄ６−回転対称の−電荷コネクタ。
【０５１４】
図２５は、中性ラジカルコネクタがなく、そこで開くことはできるが、分離することのできる−電荷コネクタと＋電荷コネクタはないクローズドタイプの電子対描写モデルである。
【０５１５】
電子対カップリングコネクタの球もない。こういった電子対描写モデルは、例えばネオンのような不活性ガスに見られる。こういった孤立電子対は、化学反応能力がない。
【図２６】図２３−３０に示された電子対描写モデルは、優先順位の高い仕様形態の結合エレメントを用いて表したものである。電子対結合エレメントは、球の付いた電子対カップリングコネクタ、中性ラジカル結合エレメントはｄ６−回転対称の中性ラジカルコネクタ、そして−電荷結合エレメントはｄ６−回転対称の−電荷コネクタ。
【０５１６】
図２６は、クローズドタイプの電子対描写モデルである。中性ラジカルコネクタは相互に結合した状態で、−電荷コネクタも＋電荷コネクタの凹みに差し込まれた状態である。電子対カップリングコネクタの球はない。
【０５１７】
こういった電子対の描写モデルは、例えばアルゴンやクリプトンの優先順位の高い描写モデルで見られる。こういった電子対描写モデルは、他の原子基体の原子基体カップリングコネクタの凹みと結合することはできない。この２つの中性ラジカルコネクタは分離することができ、酸素原子描写モデルのこの２つの中性ラジカルコネクタと共に二重結合することができる。
【図２７】図２３−３０に示された電子対描写モデルは、優先順位の高い仕様形態の結合エレメントを用いて表したものである。電子対結合エレメントは、球の付いた電子対カップリングコネクタ、中性ラジカル結合エレメントはｄ６−回転対称の中性ラジカルコネクタ、そして−電荷結合エレメントはｄ６−回転対称の−電荷コネクタ。
【０５１８】
図２３、２７−２９には、原子基体のところにある電子対描写モデルが示されており、これは取り外すことのできる電子描写モデルでできており、この電子描写モデルは図２３と２８では＋電荷凹みに差し込まれた状態になっており、原子基体にしっかりと固定された状態で、ねじることのできるコネクタが付いた電子描写モデルからなり、これには中性ラジカル結合エレメントとして中性ラジカルコネクタが片方に付いており、もう片方には電子対結合エレメントとして電子対カップリング球が付いている。
【０５１９】
ひねりコネクタは、周り継手の役割を果たす回転ボルトで固定クレードルに吊るされている。固定クレードルは、柔軟性のある接続パイプ上で原子基体に固定されている。
【０５２０】
図２７では、電子の描写モデルは取り外され、中性ラジカルコネクタの付いた回転ひねりコネクタは上向きにねじられている。原子基体のところに、＋電荷を表す＋電荷コネクタの凹みがあるのが分かる。結合していない状態の中性ラジカルコネクタは、ここでは孤立ラジカルを表している。これは、１つのラジカルカチオンと１つの電子の組み合わせである。
【図２８】図２３−３０に示された電子対描写モデルは、優先順位の高い仕様形態の結合エレメントを用いて表したものである。電子対結合エレメントは、球の付いた電子対カップリングコネクタ、中性ラジカル結合エレメントはｄ６−回転対称の中性ラジカルコネクタ、そして−電荷結合エレメントはｄ６−回転対称の−電荷コネクタ。
【０５２１】
図２３、２７−２９には、原子基体のところにある電子対描写モデルが示されており、これは取り外すことのできる電子描写モデルでできており、この電子描写モデルは図２３と２８では＋電荷凹みに差し込まれた状態になっており、原子基体にしっかりと固定された状態で、ねじることのできるコネクタが付いた電子描写モデルからなり、これには中性ラジカル結合エレメントとして中性ラジカルコネクタが片方に付いており、もう片方には電子対結合エレメントとして電子対カップリング球が付いている。
【０５２２】
ひねりコネクタは、周り継手の役割を果たす回転ボルトで固定クレードルに吊るされている。固定クレードルは、柔軟性のある接続パイプ上で原子基体に固定されている。
【０５２３】
図２８では、電子対描写モデルは、中性ラジカルコネクタのポジションで分離されている。個々の電子は、ここでは−電荷コネクタで＋電荷コネクタの凹みに差し込まれている。両方の中性ラジカルコネクタは、例えば酸素原子描写モデルの中性ラジカルコネクタと共に二重結合することができる。
【図２９】図２３−３０に示された電子対描写モデルは、優先順位の高い仕様形態の結合エレメントを用いて表したものである。電子対結合エレメントは、球の付いた電子対カップリングコネクタ、中性ラジカル結合エレメントはｄ６−回転対称の中性ラジカルコネクタ、そして−電荷結合エレメントはｄ６−回転対称の−電荷コネクタ。
【０５２４】
図２３、２７−２９には、原子基体のところにある電子対描写モデルが示されており、これは取り外すことのできる電子描写モデルでできており、この電子描写モデルは図２３と２８では＋電荷凹みに差し込まれた状態になっており、原子基体にしっかりと固定された状態で、ねじることのできるコネクタが付いた電子描写モデルからなり、これには中性ラジカル結合エレメントとして中性ラジカルコネクタが片方に付いており、もう片方には電子対結合エレメントとして電子対カップリング球が付いている。
【０５２５】
ひねりコネクタは、周り継手の役割を果たす回転ボルトで固定クレードルに吊るされている。固定クレードルは、柔軟性のある接続パイプ上で原子基体に固定されている。
【０５２６】
図２９は、中性ラジカルコネクタに結合し、−電荷コネクタと＋電荷コネクタのところで分離している電子対描写モデルである。回転ひねりコネクタは、外側に向かって開いた状態で、ここに接続された電子対描写モデルは、−電荷コネクタと共に外側を向いている。
【図３０】図２３−３０に示された電子対描写モデルは、優先順位の高い仕様形態の結合エレメントを用いて表したものである。電子対結合エレメントは、球の付いた電子対カップリングコネクタ、中性ラジカル結合エレメントはｄ６−回転対称の中性ラジカルコネクタ、そして−電荷結合エレメントはｄ６−回転対称の−電荷コネクタ。
【０５２７】
図３０は、図２９に記載の描写モデルである。外側に向かって開いた状態の電子描写モデルの−電荷コネクタのところで、＋電荷コネクタの凹みを用いて水素カチオンの描写モデルをさらに上乗せした。
【０５２８】
原子基体には＋電荷が残る。これは原子基体の＋電荷コネクタの凹みで描写。
【０５２９】
これと似た状況は、水素カチオン描写モデルが、アンモニアック分子描写モデルの電子対描写モデル、もしくは水素分子描写モデルと結合する際に、例えばアンモニウムイオンやヒドロオキソニウムイオンの描写モデルで見られる。＋電荷は、分子描写モデルの中心原子の原子基体のところに位置する形で描写される。
【図３１】図３１−３３は、＋電荷結合エレメントとして＋電荷の凹みと原子基体結合エレメントとして原子基体球形カップリングの凹みを用いた優先順位の高い形の水素原子描写モデルを示したものである。
【０５３０】
図３１（前面図）と３２（側面図）は、それぞれ水素原子を表しており、閉じた状態の原子基体カップリングコネクタが付いた１つの原子基体と差し込まれた状態の取り外しができる電子描写モデルで構成されている。中性ラジカルコネクタは、縮尺に忠実な距離で前に突出している。
【図３２】図３１−３３は、＋電荷結合エレメントとして＋電荷の凹みと原子基体結合エレメントとして原子基体球形カップリングの凹みを用いた優先順位の高い形の水素原子描写モデルを示したものである。
【０５３１】
図３１（前面図）と３２（側面図）は、それぞれ水素原子を表しており、閉じた状態の原子基体カップリングコネクタが付いた１つの原子基体と差し込まれた状態の取り外しができる電子描写モデルで構成されている。中性ラジカルコネクタは、縮尺に忠実な距離で前に突出している。
【図３３】図３１−３３は、＋電荷結合エレメントとして＋電荷の凹みと原子基体結合エレメントとして原子基体球形カップリングの凹みを用いた優先順位の高い形の水素原子描写モデルを示したものである。
【０５３２】
図３３は、＋電荷を表す＋電荷コネクタの凹みのある水素原子描写モデルの球状の原子基体を示したものである（これとは異なり、原子基体カップリングコネクタを開くことのできる図３４と３５参照）。
【０５３３】
原子基体カップリングコネクタは、原子基体内に折りたたまれている。これに付随する取り外し可能な水素原子を描写するための電子描写モデル（図８参照）は、水素原子描写モデルの原子基体の下側で取り外されている。
【図３４】図３４（前面図）と３５（側面図）は、本来付随している電子描写モデル（図３２と３１のように）がなく、＋電荷を表す＋電荷コネクタ下側の円形の凹みがある水素原子描写モデルの球形の原子基体を示したものである。水素原子描写モデルのこういった＋電荷原子基体は、Ｈ＋−イオンに相当する。
【０５３４】
図８にも記したような電子描写モデルは、ほぼ完璧に＋電荷コネクタの凹みに差し込むことができ、それによって中性ラジカルコネクタだけが下側に見える（図３１と３２にある原子基体結合エレメントが折りたたまれたものと比較）。
【０５３５】
水素原子描写モデルのこの構造は、必然的なものである。水素原子は、結合距離比率が他の元素より短いためである。
【０５３６】
開いた状態の原子基体結合エレメントが、電子対描写モデルの電子対カップリングコネクタの球への結合に適した凹みのある原子基体カップリングコネクタの優先順位の高い仕様形態を上部に見ることができる（水素描写モデルの場合には、開いた状態の原子基体結合エレメントは、水素結合の一部として描写されている）。
【０５３７】
凹みがあり、開くこともできる原子基体カップリングコネクタは、優先順位の高い仕様形態では、電子対カップリングコネクタの球を受け入れてホールドすることのできる球形の凹みのある柔軟性のある１つのゴムブロックでできている。
【０５３８】
ゴムブロックには２本の差込みピンが配置され、ボルト上の両面の反対側の先端にひねり継手が差し込まれる。
【０５３９】
ひねり継手の役割を担うボルトは、原子基体にある曲がった形のホルダーにはめられ、その後原子基体の両面に配置される。
【図３５】図３４（前面図）と３５（側面図）は、本来付随している電子描写モデル（図３２と３１のように）がなく、＋電荷を表す＋電荷コネクタ下側の円形の凹みがある水素原子描写モデルの球形の原子基体を示したものである。水素原子描写モデルのこういった＋電荷原子基体は、Ｈ＋−イオンに相当する。
【０５４０】
図８にも記したような電子描写モデルは、ほぼ完璧に＋電荷コネクタの凹みに差し込むことができ、それによって中性ラジカルコネクタだけが下側に見える（図３１と３２にある原子基体結合エレメントが折りたたまれたものと比較）。
【０５４１】
水素原子描写モデルのこの構造は、必然的なものである。水素原子は、結合距離比率が他の元素より短いためである。
【０５４２】
開いた状態の原子基体結合エレメントが、電子対描写モデルの電子対カップリングコネクタの球への結合に適した凹みのある原子基体カップリングコネクタの優先順位の高い仕様形態を上部に見ることができる（水素描写モデルの場合には、開いた状態の原子基体結合エレメントは、水素結合の一部として描写されている）。
【０５４３】
凹みがあり、開くこともできる原子基体カップリングコネクタは、優先順位の高い仕様形態では、電子対カップリングコネクタの球を受け入れてホールドすることのできる球形の凹みのある柔軟性のある１つのゴムブロックでできている。
【０５４４】
ゴムブロックには２本の差込みピンが配置され、ボルト上の両面の反対側の先端にひねり継手が差し込まれる。
【０５４５】
ひねり継手の役割を担うボルトは、原子基体にある曲がった形のホルダーにはめられ、その後原子基体の両面に配置される。
【図３６】図３６は、球の付いた電子対カップリングコネクタを用いた電子対描写モデル（図２３参照）、および凹みと電子を持たない＋電荷コネクタ（図３４と３５と比較できる）の凹みのある開いた状態の原子基体カップリングコネクタを用いた水素原子基体からなる水素結合の描写モデルを示したものである。
【０５４６】
水素結合の描写モデルは、この２つの元素の球形カップリングによって図示されている。
【０５４７】
これを総括すると、この例では原子基体中間点同士の距離は１３ｃｍとなり、選択した尺度２０６ｐｍは、実際の水素結合の結合距離に相当する。
【図３７】図３７−４０では、典例として３倍の＋電荷を持つアルミニウムイオン描写モデルが３つの＋電荷結合エレメントを使って優先順位の高い仕様形態で、久保見のある＋電荷コネクタとして、そして６つの＋電荷結合エレメントを使って優先順位の高い仕様形態で、球形の原子基体に記載の凹みのある原子基体カップリング  コネクタとして描写されている。
【０５４８】
３つの＋電荷凹みは、ポジションＦ（前），Ａ（後ろ），Ｅ（右）にある。ポジションＷ（左），Ｎ（北）とＳ（南）に、＋電荷凹みはない。
【０５４９】
この＋電荷凹みは、取り外しができる電子描写モデルの−電荷コネクタとの電荷融合能力を与えられる。いくつかのケースでは、アルミニウム原子（または一般的には金属）は、こういった電子を用いて他の金属、または非金属との共有結合することができる。
【０５５０】
電荷融合の下で３つの電子描写モデルを差し込むことによってアルミニウムイオン描写モデルから生じるアルミニウム原子描写モデルの場合には、結合距離比率が７．８ｃｍのアルミニウムイオン描写モデルの今日が生じ、この値はアルミニウムの共有結合ラジウスの模範縮尺１２５ｐｍに相当する。
【０５５１】
６つの全てのポジションＦ（前），Ａ（後ろ），Ｅ（右），Ｗ（左），Ｎ（北）とＳ（南）には、各々電子対描写モデルの電子対カップリングコネクタ内にある球を受け入れるための凹みのある開くことのできる原子基体カップリングコネクタがある。
【０５５２】
金属原子描写モデルの原子基体カップリングコネクタのくぼみは、優先順位の高い仕様形態では、水素原子描写モデルと同様の構造になっている。合成樹脂またはゴムブロックには、電子対描写モデルの電子対カップリングコネクタの球の受け入れに適した球形の空洞な凹みがあり、差込後はしっかりとホールドし、はめ込み状況によって確定する様々な方向に設定できる。
【０５５３】
凹みのあるゴムまたは樹脂ブロックには、２面に２本の差込みピンがしっかりと固定配置されている。反対側には、ひねり継手の役割を果たすボルトを用いて２本の差込みピンが原子基体と結合されており、原子基体カップリングの凹みが様々な方向に向かって開くことができるようになっている。
【０５５４】
図３７に記した原子基体に向かって開いたポジションでは、原子基体カップリングの凹みは、電子対カップリング球と結合することはできない。
【０５５５】
原子基体に向かって開いたポジション以外にも、原子基体カップリングの凹みは様々な位置決めができるように開くことができ、これによって空間的に多彩な形状の描写本ガイドライン可能になる（図３８−４０）。
【０５５６】
図３７（前面図Ｆと北面図Ｎという２つの視点で描写）では、全ての原子基体カップリングコネクタが、原子基体に開いた状態で結合している。
【０５５７】
この形状では、原子基体カップリングコネクタの凹みは、電子対描写モデルを受け入れることができない。金属の場合、例えば気相またはメタリック状態の場合が、これに相当する。この例は、６つの原子基体カップリングコネクタを一般的な金属原子描写モデルの配位結合点の配列の例として示している。
【図３８】図３７−４０では、典例として３倍の＋電荷を持つアルミニウムイオン描写モデルが３つの＋電荷結合エレメントを使って優先順位の高い仕様形態で、久保見のある＋電荷コネクタとして、そして６つの＋電荷結合エレメントを使って優先順位の高い仕様形態で、球形の原子基体に記載の凹みのある原子基体カップリング  コネクタとして描写されている。
【０５５８】
３つの＋電荷凹みは、ポジションＦ（前），Ａ（後ろ），Ｅ（右）にある。ポジションＷ（左），Ｎ（北）とＳ（南）に、＋電荷凹みはない。
【０５５９】
この＋電荷凹みは、取り外しができる電子描写モデルの−電荷コネクタとの電荷融合能力を与えられる。いくつかのケースでは、アルミニウム原子（または一般的には金属）は、こういった電子を用いて他の金属、または非金属との共有結合することができる。
【０５６０】
電荷融合の下で３つの電子描写モデルを差し込むことによってアルミニウムイオン描写モデルから生じるアルミニウム原子描写モデルの場合には、結合距離比率が７．８ｃｍのアルミニウムイオン描写モデルの今日が生じ、この値はアルミニウムの共有結合ラジウスの模範縮尺１２５ｐｍに相当する。
【０５６１】
６つの全てのポジションＦ（前），Ａ（後ろ），Ｅ（右），Ｗ（左），Ｎ（北）とＳ（南）には、各々電子対描写モデルの電子対カップリングコネクタ内にある球を受け入れるための凹みのある開くことのできる原子基体カップリングコネクタがある。
【０５６２】
金属原子描写モデルの原子基体カップリングコネクタのくぼみは、優先順位の高い仕様形態では、水素原子描写モデルと同様の構造になっている。合成樹脂またはゴムブロックには、電子対描写モデルの電子対カップリングコネクタの球の受け入れに適した球形の空洞な凹みがあり、差込後はしっかりとホールドし、はめ込み状況によって確定する様々な方向に設定できる。
【０５６３】
凹みのあるゴムまたは樹脂ブロックには、２面に２本の差込みピンがしっかりと固定配置されている。反対側には、ひねり継手の役割を果たすボルトを用いて２本の差込みピンが原子基体と結合されており、原子基体カップリングの凹みが様々な方向に向かって開くことができるようになっている。
【０５６４】
図３８（前面図Ｆと北面図Ｎという２つの視点で描写）では、電子対描写モデルを４つの開いた原子基体描写モデルの凹みにつなごうとした際に、図Ｈ１と同じ原子基体カップリングの描写モデルを原子基体カップリングの４つの凹みＦ（前），    Ａ（後ろ），Ｅ（右），Ｗ（左）を用いて、１つの三角錐の立体配置が生じるように開いた
２つの電子対カップリングの凹みは、原子基体に向かって開かれた状態（Ｎ（北）  と  Ｓ（南））で、リガンドの描写モデルの結合に使用することはできない。
【図３９】図３７−４０では、典例として３倍の＋電荷を持つアルミニウムイオン描写モデルが３つの＋電荷結合エレメントを使って優先順位の高い仕様形態で、久保見のある＋電荷コネクタとして、そして６つの＋電荷結合エレメントを使って優先順位の高い仕様形態で、球形の原子基体に記載の凹みのある原子基体カップリング  コネクタとして描写されている。
【０５６５】
３つの＋電荷凹みは、ポジションＦ（前），Ａ（後ろ），Ｅ（右）にある。ポジションＷ（左），Ｎ（北）とＳ（南）に、＋電荷凹みはない。
【０５６６】
この＋電荷凹みは、取り外しができる電子描写モデルの−電荷コネクタとの電荷融合能力を与えられる。いくつかのケースでは、アルミニウム原子（または一般的には金属）は、こういった電子を用いて他の金属、または非金属との共有結合することができる。
【０５６７】
電荷融合の下で３つの電子描写モデルを差し込むことによってアルミニウムイオン描写モデルから生じるアルミニウム原子描写モデルの場合には、結合距離比率が７．８ｃｍのアルミニウムイオン描写モデルの今日が生じ、この値はアルミニウムの共有結合ラジウスの模範縮尺１２５ｐｍに相当する。
【０５６８】
６つの全てのポジションＦ（前），Ａ（後ろ），Ｅ（右），Ｗ（左），Ｎ（北）とＳ（南）には、各々電子対描写モデルの電子対カップリングコネクタ内にある球を受け入れるための凹みのある開くことのできる原子基体カップリングコネクタがある。
【０５６９】
金属原子描写モデルの原子基体カップリングコネクタのくぼみは、優先順位の高い仕様形態では、水素原子描写モデルと同様の構造になっている。合成樹脂またはゴムブロックには、電子対描写モデルの電子対カップリングコネクタの球の受け入れに適した球形の空洞な凹みがあり、差込後はしっかりとホールドし、はめ込み状況によって確定する様々な方向に設定できる。
【０５７０】
凹みのあるゴムまたは樹脂ブロックには、２面に２本の差込みピンがしっかりと固定配置されている。反対側には、ひねり継手の役割を果たすボルトを用いて２本の差込みピンが原子基体と結合されており、原子基体カップリングの凹みが様々な方向に向かって開くことができるようになっている。
【０５７１】
図３９（前面図Ｆと北面図Ｎという２つの視点で描写）では、電子対描写モデルを４つの原子基体カップリングコネクタにつなごうとした際に、図３７と同じ原子基体カップリングの描写モデルを原子基体カップリングの４つの凹みＦ（前），    Ａ（後ろ），Ｅ（右），Ｗ（左）を用いて、１つの正方晶の平らな立体配置が生じるように開いた。２つの原子基体カップリングコネクタは、原子基体に向かって開かれた状態（Ｎ（北）  と  Ｓ（南））で、この描写モデルでは、リガンドの描写モデルの結合に  使用することはできない。
【図４０】図３７−４０では、典例として３倍の＋電荷を持つアルミニウムイオン描写モデルが３つの＋電荷結合エレメントを使って優先順位の高い仕様形態で、久保見のある＋電荷コネクタとして、そして６つの＋電荷結合エレメントを使って優先順位の高い仕様形態で、球形の原子基体に記載の凹みのある原子基体カップリング  コネクタとして描写されている。
【０５７２】
３つの＋電荷凹みは、ポジションＦ（前），Ａ（後ろ），Ｅ（右）にある。ポジションＷ（左），Ｎ（北）とＳ（南）に、＋電荷凹みはない。
【０５７３】
この＋電荷凹みは、取り外しができる電子描写モデルの−電荷コネクタとの電荷融合能力を与えられる。いくつかのケースでは、アルミニウム原子（または一般的には金属）は、こういった電子を用いて他の金属、または非金属との共有結合することができる。
【０５７４】
電荷融合の下で３つの電子描写モデルを差し込むことによってアルミニウムイオン描写モデルから生じるアルミニウム原子描写モデルの場合には、結合距離比率が７．８ｃｍのアルミニウムイオン描写モデルの今日が生じ、この値はアルミニウムの共有結合ラジウスの模範縮尺１２５ｐｍに相当する。
【０５７５】
６つの全てのポジションＦ（前），Ａ（後ろ），Ｅ（右），Ｗ（左），Ｎ（北）とＳ（南）には、各々電子対描写モデルの電子対カップリングコネクタ内にある球を受け入れるための凹みのある開くことのできる原子基体カップリングコネクタがある。
【０５７６】
金属原子描写モデルの原子基体カップリングコネクタのくぼみは、優先順位の高い仕様形態では、水素原子描写モデルと同様の構造になっている。合成樹脂またはゴムブロックには、電子対描写モデルの電子対カップリングコネクタの球の受け入れに適した球形の空洞な凹みがあり、差込後はしっかりとホールドし、はめ込み状況によって確定する様々な方向に設定できる。
【０５７７】
凹みのあるゴムまたは樹脂ブロックには、２面に２本の差込みピンがしっかりと固定配置されている。反対側には、ひねり継手の役割を果たすボルトを用いて２本の差込みピンが原子基体と結合されており、原子基体カップリングの凹みが様々な方向に向かって開くことができるようになっている。
【０５７８】
図４０（前面図Ｆと北面図Ｎという２つの視点で描写）では、図３７と同じアルミニウムイオン描写モデルを原子基体カップリングの６つの凹みＦ（前），Ａ（後ろ），  Ｅ（右），Ｗ（左），Ｎ（北）とＳ（南）を用いて、１つの四角形の双錐体の立体配置が生じるように開いた。
【図４１】図４１は、優先順位の高い仕様形態では、基体としての三角錐と三角錐ポジションでしっかりと固定された電子描写モデルと取り外しのできる電子描写モデルと中性ラジカルコネクタと優先順位の高いｄ６回転対称になった−電荷コネクタと球の付いた電子対カップリングコネクタを表す電子対結合エレメントの付いた電子対描写モデルと凹みのある原子基体カップリングコネクタを表す電子対結合エレメントが付いた第１、第２、第３周期の原子基体描写モデルの典例を示したものである。
【０５７９】
図４１（Ｈ）：図４１の左上は、水素原子描写モデルを示したものである（さらなる水素原子描写モデルは、図３１−３６にある）。三角錐の原子基体には、凹みを表す＋電荷コネクタがあり、これに電子描写モデルが差し込まれている。電子描写モデルなしで、＊電荷を表す凹み（穴）の付いた球形または三角錐の原子基体を作ることができる。電子描写モデルは、中性ラジカルコネクタとして三角錐の原子基体から縮尺に忠実な長さで外にせり出している。
【０５８０】
凹みの向かい側には、１本または複数本の差込みピンにパイプまたはホースが固定された形で、水素結合を表す凹みの付いた原子基体カップリングコネクタが描写されている。
【０５８１】
原子基体カップリングの凹みそのものは、ゴムまたは合成樹脂ブロックの中の空洞の球の形をした凹みである。原子基体カップリングの凹みには、側面に２本の差込みピンが固定されており、その差込みピンはさらに原子基体にも固定されている。
【０５８２】
優先順位の高い仕様形態では、差込みピンは蝶番を用いて、原子基体の球形カップリングの凹みと共に三角錐の原子基体にくっつけることができる（図３１−３５を参照）。
【０５８３】
図４１（Ｃ）：炭素原子描写モデルは、三角錐の原子基体を用いて描写されているが、四角錐のポジションからしっかりと固定された状態のそれぞれの電子描写モデルが伸びていおり、電子描写モデルの反対側の端にはそれぞれ１つずつの中性ラジカルコネクタが付いている。１つの炭素原子描写モデルは４つの共有結合を描写できるということをユーザーは直接見てとることができる。
【０５８４】
図４１（Ｎ）：窒素の描写モデルは、三角錐の原子基体を用いて描写されており、四角錐ポジションの３つにしっかりと固定されている電子描写モデルがある。
【０５８５】
これに加えて電子対描写モデルが窒素原子描写モデルのところに残った場合には、窒素描写モデルは３つの共有結合を描写できるということをユーザーは直接見てとることができる。
【０５８６】
結合した３つの原子描写モデルが三角形の平面ではなく、ピラッド形状に配置  されていることも、さらに見てとることができる。
【０５８７】
さらに明確なことは、電子対描写モデルの電荷分離の際に、窒素の描写モデルが４つの共有結合を描写できることである（図２９と３０に相当）。
【０５８８】
これに加えてユーザーが最終的に分かるのは、相互に接続された状態の際に、電子描写モデルの電子対カップリングコネクタの球の上に原子基体カップリングコネクタの凹みを配置できるということで、金属電子の描写モデルの際には、金属との錯体を表すことができる。
【０５８９】
窒素の例は、ユーザーがどれだけの情報を分子構造モデルキットの１つのパーツから得ることができるかを明確に表している。
【０５９０】
図４１（Ｏ）：６つの外殻電子の２つは、しっかり固定された状態で中性ラジカルコネクタを持つ電子描写モデルで再現され、６つの外殻電子の４つは電子対の描写モデルで描写される。
【０５９１】
電子対描写モデルの１つは、図２４のタイプに相当する構造になっており、そのため共有結合の描写には適していない。他の電子対描写モデルは、図２３，２７−２９のタイプの構造になっている。したがって、Ｈ２Ｏ−分子やＨ３Ｏ＋−イオンを構築することができるが、Ｈ６Ｏ−分子はできない。
【０５９２】
図４１（Ｎｅ）：ネオンは典例として三角錐形状の原子基体によって描写される。８つの外殻電子は根本的に化学的共有結合の描写には適していないため、中性ラジカルコネクタによって描写されることはなく、図２５のタイプの電子対結合エレメントを持たず、中性ラジカルコネクタを開くこともできず、電荷分離もできない電子対描写モデルによって描写される。
【０５９３】
ネオン原子描写モデルは、これによりどれもほぼ三角錐ポジション上の中心に位置し、化学的な共有結合またはその他の相互作用には使用することのできない
図２５のタイプの４つの電子対描写モデルを示している。これによって、観察者はいくつかの不活性ガスが化学的に完全に不活性状態であることを認識できる。
【０５９４】
図４１（Ａｌ）：（図３７から４０までの解説付きのアルミニウムイオン描写モデル参照）
アルミニウムの描写モデルは、原子基体のそれぞれの三角錐ポジションの中心点にある凹みの付いた３つの＋電荷コネクタ付の球形または三角錐の原子基体で構成されるのが望ましい。
【０５９５】
＋電荷コネクタのこの凹みに、取り外すことのできる３つの電子描写モデルの−電荷コネクタが挿入されている（図８の電子描写モデルに相当）。
【０５９６】
電子描写モデルを取り除くと、原子基体には凹みの付いた３つの＋電荷コネクタが残り、これによって１つのＡｌ３＋イオンが得られる。もう１つの三角錐ポジションには、凹み付きの＋電荷コネクタは接続されていない。
【０５９７】
図４０に相当する三角形の双錐の６つのポジションには、凹み付きの原子基体カップリングコネクタがそれぞれ、ありとあらゆる空間的な立体配位、とりわけ三角錐の立体配位を構成できるねじり継手に接続される（図３７−４０に記したように）。
【０５９８】
図４１（Ｓ）：硫黄の場合には、６つの外殻電子の２つは、しっかり固定された状態で中性ラジカルコネクタを持つ電子描写モデルで再現され、残り４つの外殻電子は図２３，２７−２９のタイプに相当する２つの電子対描写モデルで描写される。
【０５９９】
中性ラジカルコネクタが相互に結合された状態のままの場合には、例えばＳＦ２に見られるように、硫黄描写モデルには２通りの化学結合方法しかない。
【０６００】
１つの電子対ミーティングの中性ラジカル差込結合が開いた場合には、４通りの化学結合方法を持つ硫黄電子描写モデルと例えばＳＦ４に見られるようなコローズドタイプの電子対描写モデルが表れる。
【０６０１】
これとは逆に２つの電子対描写モデルの両方の中性ラジカル差込結合が開いた場合には、例えばＳＦ６またはＳＯ３に見られるような６通りの結合方法を持つ硫黄描写モデルが表れる。
【０６０２】
これに加えて硫黄は、電子対描写モデルの電子対カップリングコネクタの球によって、原子基体カップリングコネクタの凹みに入ることができ、これによって水素結合や錯体やルイス塩基結合を描写することができる。
【０６０３】
図４１（Ｃｌ）：第３周期の元素描写モデルは、根本的に第２周期と類似した構造になっている。
【０６０４】
７つの外殻電子の１つは、１つの中性ラジカルコネクタを内包するしっかりと固定された状態の電子描写モデルによって再現され、７つの外殻電子の６つは電子対描写モデルによって再現される。
【０６０５】
３つの電子対描写モデルは、図２３，２７−２９のタイプに相当する構造になっている。
【０６０６】
これにより、ＨＣｌ分子またはＨ２Ｃｌ＋イオンを構築することができるが、中性ラジカルコネクタのところの３つの電子対描写モデルを開くことによりＦ７Ｃｌ分子も構築することができる。
【図１−８】
2015501947.tif 000003
【図９ｕｎｄ１０】
2015501947.tif 000004
【図１１】
2015501947.tif 000005
【図１３−１５】
2015501947.tif 000006
【図１６−１８】
2015501947.tif 000007
【図１９−２２】
2015501947.tif 000008
【図２３−２６】
2015501947.tif 000009
【図２７−３０】
2015501947.tif 000010
【図３１−３６】
2015501947.tif 000011
【図３７ｕｎｄ３８】
2015501947.tif 000012
【図３９Ａ】
2015501947.tif 000013
【図３９Ｂ】
2015501947.tif 000014
【図４０Ａ】
2015501947.tif 000015
【図４０Ｂ】
2015501947.tif 000016
【図４１】
2015501947.tif 000017
【国際調査報告】
2015501947.tif 000018
2015501947.tif 000019
2015501947.tif 000020
2015501947.tif 000021
2015501947.tif 000022
2015501947.tif 000023