(57)【要約】  本発明は、光電子デバイスのための改良された光学特性を有するガラス基板であって、その面の一つに透明電極を含むものに関し、前記基板は、前記透明電極が付着される面とは反対の基板の面を化学的攻撃によって完全に又は部分的にテクスチャ処理され、二つの隣接パターンの頂点を分離する平均距離（Ｒｓｍ）の半分に対するパターンの平均高さ（Ｒｚ）の比率の逆正接が少なくとも３５°の角度に等しく、多くとも８０°の角度に等しい幾何学的パターンを持つ。【選択図】図１
2015527954.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電子デバイスのための改良された光学特性を有するガラス基板であって、その面の一つに透明電極を含むものにおいて、前記基板が、二つの隣接パターンの頂点を分離する平均距離（Ｒｓｍ）の半分に対するパターンの平均高さ（Ｒｚ）の比率の逆正接が少なくとも３５°の角度に等しく、多くとも８０°の角度に等しいように幾何学的パターンの組によって、前記透明電極が付着される面とは反対の基板の面を完全に又は部分的にテクスチャ処理されることを特徴とするガラス基板。
【請求項２】
少なくとも１．５に等しい値を有する屈折率を持つことを特徴とする請求項１に記載のガラス基板。
【請求項３】
幾何学的パターンが、多角形ベースを有する少なくとも一つの「階段状ピラミッド」構造を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載のガラス基板。
【請求項４】
結合パターンを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のガラス基板。
【請求項５】
透明電極が、少なくとも一つの導電性金属層（３）、好ましくは一つだけの導電性金属層、及び前記電極を通る光の透過性を改良するための特性を与える少なくとも一つの被覆（２）を含む積重ねを含み、前記被覆が、少なくとも３．０ｎｍより大きく、かつ多くとも２００ｎｍに等しいか又はそれより小さい、好ましくは１７０ｎｍに等しいか又はそれより小さい、より好ましくは１３０ｎｍに等しいか又はそれより小さい幾何学的厚さを有し、前記被覆が、光の透過性を改良するための少なくとも一つの層（２１）を含み、かつ導電性金属層（３）と、前記電極が付着される基板の面の間に位置されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のガラス基板。
【請求項６】
透明電極が、一つだけの導電性金属層（３）及び前記電極を通る光の透過性を改良するための特性を与える少なくとも一つの被覆（２）を含む積重ねを含み、前記被覆が、少なくとも３．０ｎｍより大きく、かつ多くとも２００ｎｍに等しいか又はそれより小さい、好ましくは１７０ｎｍに等しいか又はそれより小さい、より好ましくは１３０ｎｍに等しいか又はそれより小さい幾何学的厚さを有し、前記被覆が、光の透過性を改良するための少なくとも一つの層（２１）を含み、かつ導電性金属層（３）と、前記電極が付着される基板の面の間に位置され、光の透過性を改良するための特性を与える被覆（２）の光学的厚さ（ＴＤ１）と、導電性金属層（３）の幾何学的厚さ（ＴＭＥ）が以下の関係式によって関係付けられることを特徴とする請求項５に記載のガラス基板：
2015527954.tif 000013
式中、ＴＭＥ＿Ｏ，Ｂ及びＴＤ１＿Ｏは、定数であり、ＴＭＥ＿Ｏは、１０．０〜２５．０ｎｍの範囲の値を有し、Ｂは、１０．０〜１６．５の範囲の値を有し、ＴＤ１＿Ｏは、２３．９＊ｎＤ１〜２８．３＊ｎＤ１ｎｍの範囲の値を有し、ｎＤ１は、５５０ｎｍの波長における光の透過性を改良するための被覆の屈折率を表わし、ｎｓｕｂｓｔｒａｔｅは、５５０ｎｍの波長における基板を構成するガラスの屈折率を表わす。
【請求項７】
電極が、少なくとも一つの追加の結晶層（２２）を含む、光の透過性を改良するための被覆（２）を含み、前記結晶層（２２）が、前記電極が付着される基板の面に対して、前記被覆（２）を構成する積重ねの最外層であることを特徴とする請求項５または６に記載のガラス基板。
【請求項８】
透明電極の光の透過性を改良するための被覆（２）が少なくとも一つの追加のバリヤー層（２０）を含むことを特徴とする請求項５〜７のいずれかに記載のガラス基板。
【請求項９】
電極が、電極が付着される基板の面に対して、前記電極を構成する多層積重ねの頂点に位置される、表面電気特性を均一化するための薄層（５）を含むことを特徴とする請求項５〜８のいずれかに記載のガラス基板。
【請求項１０】
透明電極が、導電性層（３）と均一化するための薄層（５）の間に位置される少なくとも一つの追加の挿入層（４）を含むことを特徴とする請求項９に記載のガラス基板。
【請求項１１】
電極の導電性金属層（３）が、その面の少なくとも一つに、少なくとも一つの犠牲層（３１，３２）を含むことを特徴とする請求項５〜１０のいずれかに記載のガラス基板。
【請求項１２】
請求項５〜１１のいずれかに記載のテクスチャ処理された基板の製造方法であって、以下のように分類される三つの工程で実施されることを特徴とする方法：
−  ０〜５の範囲のｐＨを有するフッ化水素酸に基づいた水溶液を使用する酸攻撃によるガラス基板の面のテクスチャ処理、但し前記酸攻撃は少なくとも一つの段階で実施され、攻撃時間は１０秒〜３０分である、
−  化学的に予めテクスチャ処理されたガラス基板のテクスチャ処理された面とは反対の基板の面への、光の透過性を改良するための特性を与える被覆（２）の付着、
−  導電性金属層（３）の付着、及びその直後に、テクスチャ処理された面とは反対の基板の面への、光電子システムを構成する種々の機能要素の付着。
【請求項１３】
請求項１１に記載のテクスチャ処理されたガラス基板の製造方法であって、以下のように分類される三つの工程で実施されることを特徴とする方法：
−  ０〜５の範囲のｐＨを有するフッ化水素酸に基づいた水溶液を使用する酸攻撃によるガラス基板の面のテクスチャ処理、但し前記酸攻撃は少なくとも一つの段階で実施され、攻撃時間は１０秒〜３０分である、
−  化学的に予めテクスチャ処理されたガラス基板のテクスチャ処理された面とは反対の基板の面への、電極を通る光の透過性を改良するための特性を与える被覆（２）、導電性金属層（３）、犠牲層（３２）、挿入層（４）の付着、
−  均一化するための層（５）の付着、及びその直後に、テクスチャ処理された面とは反対の基板の面への、光電子システムを構成する種々の機能要素の付着。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の分野は、光電子デバイスのためのテクスチャ処理されたガラス基板の技術分野である。
【０００２】
より詳細には、本発明は、光電子デバイスのための改良された光学特性を有するテクスチャ処理されたガラス基板、及びかかるテクスチャ処理されたガラス基板の製造のための方法に関する。光電子デバイスは、光を放出又は収集することができるあらゆるタイプのデバイスを意味することが理解される。かかるデバイスは、例えば有機発光デバイス（ＯＬＥＤ）又は光収集デバイス、例えば有機光電池（太陽電池としても知られる）である。特に、本発明は、有機発光デバイス（ＯＬＥＤ）のための改良された光学特性を有するガラス基板に関する。
【０００３】
テクスチャ処理（ｔｅｘｔｕｒｅｄ）という用語は、基板がその表面の少なくとも一つのテクスチャ処理を含むことを示すことを意図される。テクスチャ処理は、ガラス基板の面の一般面に対して凹状又は凸状であるレリーフを作る複数のパターンを意味することが理解される。ガラス基板の両面がかかるパターンを示してもよい。そのテクスチャ処理によって、ガラス基板は改良された光学特性を示す。用語「改良された光学特性」は、光の改良された透過性、換言すればテクスチャ処理されたガラス基板を通って透過される光の量の増加を示すことを意図される。従って、ガラス基板が有機発光デバイスに組み込まれるとき、入射光の方向がどのようなものであっても前記有機発光デバイスによって放出される光の量の増加が観察されるが、特に、透過される色の純度及び色刺激の主波長の角度依存性の低下も観察される。
【０００４】
色の純度は、ＣＩＥ１９３１ＸＹＺ色空間において、ＣＩＥの投影面ｘｙ上の色の位置（ｘ，ｙ）と白色点（ｘＩ，ｙＩ）の間のユークリッド距離を同じ色相（ｘＰ，ｙＰ）＝ρｍａｘ（ｘ−ｘＩ，ｙ−ｙＩ）＋（ｘＩ，ｙＩ）の純粋色（同じ線における単色又は二色）についての距離（依然としてユークリッド）によって割ったものによって規定される：
2015527954.tif 000003
ρｍａｘは色度図の限界内の最大である。
【０００５】
主波長は、無彩色と混合されて等価な色印象に戻る単色波長である。
【背景技術】
【０００６】
基板の表面のテクスチャ処理が、透過される光の量の増加をもたらすことが知られている。従って、文献ＥＰ１４４９０１７Ｂ１は、面の少なくとも一つに複数のピラミッド型のパターンを示す圧延によってテクスチャ処理されたガラス板を記載する。かくして得られた表面は良好な光透過性を示す。しかしながら、これは比較的柔軟性のない処理を要求する方法である。これは、ガラスのテクスチャ処理がガラスをその変形温度で圧延することによって跡を作ることによってパターンの刻印をもたらすためである。テクスチャ処理に対するいかなる変更も作らされる跡を変更することによってのみ作られることができ、それは使用される圧延ロールの変化を伴なう。この操作は、冗長で退屈である。さらに、使用される圧延はまた、時間とともに摩耗する傾向を持ち、それは作られた跡の再現性の問題を生じる。
【０００７】
ＪＰ２００４３４２５２３は、有機系とは反対の面がフォトリソグラフィによって作られる不均一な表面を示す透明基板を持つＯＬＥＤを記載する。その粗さは、５．７°〜３１°の平均角度を特徴とし、それは、光の良好な抽出を得るには低すぎる角度、及び主波長及び有機発光デバイスによって放出される色の純度の角度依存性の良好な低下を表わす。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、特に従来技術のこれらの欠点を克服することである。
【０００９】
より詳細には、本発明の目的は、その実施形態の少なくとも一つにおいて、入射光の方向がどのようなものであっても改良された光透過特性を示す光電子デバイスのためのテクスチャ処理されたガラス基板を提供することである。特に、それは、波長範囲をカバーする多色放射について、テクスチャ処理されたガラス基板を組み込む有機発光デバイスによって透過される光の量の増加を得ることができる、テクスチャ処理されたガラス基板を提供することに関する。
【００１０】
本発明の別の目的は、その実施形態の少なくとも一つにおいて、テクスチャ処理されたガラス基板を組み込む有機発光デバイスによって放出される色の純度及び主波長の角度依存性を低減することができる、テクスチャ処理されたガラス基板を提供することである。
【００１１】
本発明は、その実施形態の少なくとも一つにおいて、透明電極を備えたテクスチャ処理されたガラス基板を提供するというさらなる目的を持つ。特に、それは、好ましくは銀から作られた少なくとも一つの金属層を含む電極を備えた、テクスチャ処理されたガラス基板を提供することに関する。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
特別な実施形態によれば、本発明は、光電子デバイスのための改良された光学特性を有するガラス基板であって、前記基板が、以下のように、幾何学的パターンの組によってその面の少なくとも一つを完全に又は部分的に化学的攻撃によってテクスチャ処理されるものに関する：
−  二つの隣接パターンの頂点を分離する平均距離（Ｒｓｍ）の半分に対するパターンの平均高さ（Ｒｚ）の比率の逆正接が少なくとも３５°の角度に等しく、
−  二つの隣接パターンの頂点を分離する平均距離（Ｒｓｍ）の半分に対するパターンの平均高さ（Ｒｚ）の比率の逆正接が多くとも８０°の角度に等しい。
【００１３】
本発明の一般的な原理は、ガラス基板の化学的攻撃によるテクスチャ処理に基づき、このテクスチャ処理は、前記基板の少なくとも一つの面で実施されることが可能である。テクスチャ処理は、面の全部に対して又は面の一部に対して実施されることができる。化学的攻撃によるこのテクスチャ処理は、幾何学的パターンの組の形成をもたらし、それらの存在はガラス基板の光学特性を改良する。
【００１４】
従って、本発明は、ガラス基板の化学的テクスチャ処理に基づく完全に新規でかつ発明的なアプローチに基づく。ガラスのこの化学的テクスチャ処理は、変形温度にもたらされたガラスを圧延することによって跡を作ることによるパターンの刻印の段階をなくし、この操作に関連する制約から解放されることを可能にする。これは、このテクスチャ処理の形態はより柔軟性があり、より簡単に制御可能であるためである。テクスチャ処理のより柔軟な方法は、粗さパラメータＲｚ及びＲｓｍの形で測定された表面のテクスチャ処理が攻撃時間または攻撃溶液の化学組成に対するわずかな変更によって変更されることができることを意味することが理解される。テクスチャ処理のより簡単に制御可能な方法は、テクスチャ処理の制御が攻撃溶液の組成及び攻撃時間の制御にのみに関係することを意味することが理解される。この制御は、パターンの刻印を実現する圧延ロールの摩耗の制御より簡単である。
【００１５】
用語「テクスチャ処理」はさらに、ガラス基板が化学的攻撃によって表面の少なくとも一つのテクスチャ処理を含むことを意味することが理解される。このテクスチャ処理は少なくとも艶消及び／又はエッチング、好ましくは艶消を含む。
【００１６】
ガラス基板上の化学的攻撃は、酸又はアルカリの化学的攻撃によって実施されることができる。基板上のアルカリの化学的攻撃は、固体形態で又は少なくとも１０重量％のアルカリを含む濃厚溶液の形態で適用される少なくとも一種のアルカリ化学化合物（ＮａＯＨ，ＫＯＨ又はそれらの混合物）と基板の表面を接触させることによって実施される。基板は、アルカリ化合物の適用の前又は後に少なくとも３５０℃に等しい温度にもたらされる。
【００１７】
ガラス基板上の化学的攻撃は、（例えばフッ化水素酸を使用する攻撃によって）テクスチャ処理ガラスの製造に使用される酸溶液を使用して、制御された酸攻撃によって有利に実施されることができる。一般に、酸溶液は、０〜５の範囲のｐＨを有するフッ化水素酸水溶液である。かかる水溶液は、フッ化水素酸に加えて、この酸の塩、例えば塩酸、硫酸、硝酸、リン酸のような他の酸及びそれらの塩（例えば、Ｎａ２ＳＯ４，Ｋ２ＳＯ４，（ＮＨ４）２ＳＯ４，ＢａＳＯ４など）、及び少ない割合の任意の添加剤（例えば、酸／塩基緩衝剤、湿潤剤など）を含むことができる。アルカリ金属塩及びアンモニウム塩が一般的に好ましい。これらのうちでナトリウム、カリウム及びアンモニウムフッ化水素、及び／又はアンモニウムフッ化二水素が特に挙げられることができる。かかる溶液は、例えば０〜６００ｇ／ｌのフッ化水素酸、好ましくは１５０〜２５０ｇ／ｌのフッ化水素酸を含み、また０〜７００ｇ／ｌのＮＨ４ＨＦ２、好ましくは１５０〜３００ｇ／ｌのＮＨ４ＨＦ２を含む水溶液である。酸攻撃は一つ以上の段階で実施されることができる。攻撃時間は少なくとも１０秒である。好ましくは、攻撃時間は少なくとも２０秒である。攻撃時間は３０分を越えない。パターンの平均高さ（Ｒｚ）は、パターンの頂点とベースの間の平均距離を規定する。用語「頂点」は、パターンのベースに対して最も遠い点を示す。この点は、先端の場合には唯一のものであるが、頂点が水平の形で存在するときには多数存在しうる。水平の形で存在する頂点の場合には、距離Ｒｓｍは前記水平の中央点を分離する距離である。
【００１８】
前述の形態の特別な形態によれば、ガラス基板は、以下のようなものである：
−  二つの隣接パターンの頂点を分離する平均距離（Ｒｓｍ）の半分に対するパターンの平均高さ（Ｒｚ）の比率の逆正接は少なくとも３５°の角度に等しい。
−  二つの隣接パターンの頂点を分離する平均距離（Ｒｓｍ）の半分に対するパターンの平均高さ（Ｒｚ）の比率の逆正接は多くとも７０°の角度に等しい。
【００１９】
前述の形態の特別な形態によれば、ガラス基板は、以下のようなものである：
−  二つの隣接パターンの頂点を分離する平均距離（Ｒｓｍ）の半分に対するパターンの平均高さ（Ｒｚ）の比率の逆正接は少なくとも３５°の角度に等しい。
−  二つの隣接パターンの頂点を分離する平均距離（Ｒｓｍ）の半分に対するパターンの平均高さ（Ｒｚ）の比率の逆正接は多くとも６０°の角度に等しい。
【００２０】
二つの隣接パターンの頂点を分離する平均距離（Ｒｓｍ）の半分に対するパターンの平均高さ（Ｒｚ）の比率の逆正接は３５°〜８０°の範囲内の値に等しく、好ましくは３５°〜７０°の範囲内の値を有し、最も好ましくは３５°〜６０°の範囲内の値を有する。
【００２１】
前述の形態の特別な形態によれば、本発明によるガラス基板は、光電子デバイスを受容することを意図される表面とは反対の基板の表面の少なくとも一つの完全な又は部分的なテクスチャ処理を含む。前述の形態の特別な形態によれば、表面のテクスチャ処理は多角形ベースを有するピラミッドの形成を少なくとも含み、一方は前記ピラミッドのベースに平行な面と、他方は前記ピラミッドの少なくとも一つの側面の面との間に形成された最も小さい角度は少なくとも３５°である。一方は前記ピラミッドのベースに平行な面と、他方は前記ピラミッドの少なくとも一つの側面の面との間に形成された角度は多くとも８０°、好ましくは多くとも７０°、より好ましくは多くとも６０°である。一方は前記ピラミッドのベースに平行な面と、他方は前記ピラミッドの少なくとも一つの側面の面との間に形成された角度は３５°〜８０°の値の範囲内、好ましくは３５°〜７０°の値の範囲内、より好ましくは３５°〜６０°の値の範囲内である。基板の表面の部分的な又は完全なテクスチャ処理によって与えられる利点は、この基板の界面における内面反射に関する損失を減少することを可能にすることである。特別な実施形態によれば、ガラス基板は少なくとも１．５に等しい屈折率を有する。高い屈折率を有する基板の使用は、同じ光電子システム及び同じテクスチャ処理で、多量の透過光、従って大きな輝度を得ることを可能にする。
【００２２】
ガラス基板は、特にＡＧＣからのガラスＭａｔｅｌｕｘ  Ｃｌｅａｒ、ＡＧＣからのガラスＭａｔｅｌｕｘ  Ｌｉｇｈｔ、ＡＧＣからのガラスＭａｔｅｌｕｘ  Ｄｏｕｂｌｅ  Ｓｉｄｅｄ、ＡＧＣからのガラスＭａｔｅｌｕｘ  Ｃｌｅａｒｖｉｓｉｏｎ、ＡＧＣからのガラスＭａｔｅｌｕｘ  Ａｎｔｉｓｌｉｐ、ＡＧＣからのガラスＡｒｃｔｉｃ  Ｗｈｉｔｅ、ＡＧＣからのガラスＭａｔｅｌｕｘ  Ｓｔｏｐｓｏｌ  Ｓｕｐｅｒｓｉｌｖｅｒ  Ｃｌｅａｒ、ＡＧＣからのガラスＧｌａｍａｔｔ、ＡＧＣからのガラスＭａｔｏｂｅｌなどから選択されることが有利である。
【００２３】
特別な実施形態によれば、基板は、幾何学的パターンが多角形ベースを有する少なくとも一つの階段状ピラミッドタイプの構造を含むようなものである。用語「階段状ピラミッド」は、ピラミッドの少なくとも一つの面が階段構造を示すピラミッドを意味することが理解される。この階段構造は、踏み段及び蹴上げの寸法が必ずしも互いに等しくかつ一組にする必要はないようなものである。踏み段を含む面と蹴上げを含む面とによって形成された角度は必ずしも９０°に等しくない。好ましくは、ピラミッドの内側から見られる「踏み段−蹴上げ」の角度は少なくとも１００°、より好ましくは少なくとも１２０°、最も好ましくは少なくとも１４５°である。この角度は「踏み段−蹴上げ」ごとに変化することができる。
【００２４】
好ましくは、幾何学的パターンは互いにできるだけ近い。好ましい実施形態によれば、基板は結合パターンを含む。結合パターンは、それらのベースの少なくとも一部で接触する二つのパターンを規定する。結合パターンは、高いパターン密度を示す基板の表面を得ることを可能にし、それによって卓越したテクスチャ処理、従って高い光透過性を得ることを可能にする。
【００２５】
好ましい実施形態によれば、基板は、完全に結合されたパターンを含む。完全に結合されたパターンは、パターンのベースの全ての辺が別のパターンのベースの一部も形成することを意味することが理解される。
【００２６】
本発明の別の主題は、ガラス基板の面の少なくとも一つに少なくとも一つの透明電極を含むようなテクスチャ処理されたガラス基板である。本発明の基板に含まれる電極は、それが可視光の波長範囲において多くとも５０％、さらには多くとも３０％、好ましくは多くとも２０％、より好ましくは多くとも１０％の光吸収率を示すときに透明と見なされるだろう。さらに、本発明によるガラス基板に含まれる電極は、それが挿入されるデバイスのタイプに従って、陽極として、又は逆に陰極として挙動することができる。
【００２７】
好ましい実施形態によれば、本発明によるテクスチャ処理されたガラス基板は、前記基板が前記透明電極が付着される面とは反対の基板の面を完全に又は部分的にテクスチャ処理されるようなものである。透明電極上の基板の面はテクスチャ処理されてもされなくてもよく、好ましくは透明電極側上の面はテクスチャ処理されない。
【００２８】
前述の形態の特別な実施形態によれば、光電子デバイスのためのテクスチャ処理されたガラス基板は、透明電極が、スズをドープされた酸化インジウム（ＩＴＯ）、アルミニウム（ＡＺＯ）もしくはガリウム（ＧＺＯ）から選択される少なくとも一つのドーピング元素によってドープされた酸化亜鉛、またはフッ素もしくはアンチモンでドープされた酸化スズから選択されることが好ましい少なくとも一つのドープされた酸化物に基づいた導電性酸化物の少なくとも一つの層を含むようなものである。
【００２９】
別の実施形態によれば、光電子デバイスのためのテクスチャ処理されたガラス基板は、透明電極が少なくとも一つの導電性金属層、好ましくは一つだけの導電性金属層、及び前記電極を通る光の透過性を改良するための特性を与える少なくとも一つの被覆を含む積重ねを含むようなものであり、前記被覆は少なくとも３．０ｎｍより大きく、かつ多くとも２００ｎｍより小さいか又はそれに等しく、好ましくは１７０ｎｍより小さいか又はそれに等しく、より好ましくは１３０ｎｍより小さいか又はそれに等しい幾何学的厚さを有し、前記被覆は、光の透過性を改良しかつ導電性金属層と前記電極が付着される基板との間に位置される少なくとも一つの層を含む。
【００３０】
前述の形態の特別な実施形態によれば、光電子デバイスのためのテクスチャ処理されたガラス基板は、透明電極が、一つだけの導電性金属層、及び前記電極を通る光の透過性を改良するための特性を与える少なくとも一つの被覆を含む積重ねを含むようなものであり、前記被覆は少なくとも３．０ｎｍより大きく、かつ多くとも２００ｎｍより小さいか又はそれに等しく、好ましくは１７０ｎｍより小さいか又はそれに等しく、より好ましくは１３０ｎｍより小さいか又はそれに等しい幾何学的厚さを有し、前記被覆は、光の透過性を改良し、かつ導電性金属層と前記電極が付着される基板の間に位置されるための少なくとも一つの層を含み、光の透過性を改良するための特性を与える被覆の光学的厚さ（ＴＤ１）と、導電性金属層の幾何学的厚さ（ＴＭＥ）が以下の関係式によって関係付けられるようなものである：
2015527954.tif 000004
式中、ＴＭＥ＿Ｏ，Ｂ及びＴＤ１＿Ｏは、定数であり、ＴＭＥ＿Ｏは、１０．０〜２５．０ｎｍの範囲の値を有し、Ｂは、１０．０〜１６．５の範囲の値を有し、ＴＤ１＿Ｏは、２３．９＊ｎＤ１〜２８．３＊ｎＤ１ｎｍの範囲の値を有し、ｎＤ１は、５５０ｎｍの波長における光の透過性を改良するための被覆の屈折率を表わし、ｎｓｕｂｓｔｒａｔｅは、５５０ｎｍの波長における基板を構成するガラスの屈折率を表わす。好ましくは、定数ＴＭＥ＿Ｏ，Ｂ及びＴＤ１＿Ｏは、ＴＭＥ＿Ｏが１１．５〜２２．５ｎｍの範囲の値を有し、Ｂが１２〜１５の範囲の値を有し、ＴＤ１＿Ｏが２４．８＊ｎＤ１〜２７．３＊ｎＤ１ｎｍの範囲の値を有するようなものである。より好ましくは、定数ＴＭＥ＿Ｏ，Ｂ及びＴＤ１＿Ｏは、ＴＭＥ＿Ｏが１２．０〜２２．５ｎｍの範囲の値を有し、Ｂが１２〜１５の範囲の値を有し、ＴＤ１＿Ｏが２４．８＊ｎＤ１〜２７．３＊ｎＤ１ｎｍの範囲の値を有するようなものである。
【００３１】
本発明による基板によって与えられる利点は、単色放射について、それを含む光電子デバイスによって放出又は変換される光の量の増加、特に有機発光デバイス（ＯＬＥＤ）の場合に放出される光の量の増加を得ることができることである。
【００３２】
用語「光の透過性を改良するための特性を与える被覆」は、電極を構成する積重ねにおける被覆の存在が基板を通って透過される光の量の増加をもたらす被覆、例えば反射防止特性を有する被覆を意味することを意図される。換言すれば、本発明による基板を含む光電子デバイスは、同じ性質を有するが本発明による基板と同一の基板上に付着された通常の電極（例えば、ＩＴＯ）を含む光電子デバイスと比較して多量の光を放出又は変化する。特に、基板が有機発光デバイス中に挿入されるとき、放出される光の量の増加は、放出される光の色がどのようなものであれ、大きな輝度値によって特徴づけられる。
【００３３】
光透過性を改良するための被覆の幾何学的厚さは、少なくとも３ｎｍより大きい、好ましくは少なくとも５ｎｍに等しい、より好ましくは少なくとも７ｎｍに等しい、最も好ましくは少なくとも１０ｎｍに等しい厚さを持たなければならない。例えば、光の透過性を改良するための被覆が酸化亜鉛、酸素が化学量論より少ない酸化亜鉛ＺｎＯｘに基づくとき（これらの酸化亜鉛はスズでドープされるか又はスズと合金化される）、少なくとも３ｎｍより大きい光の透過性を改良するための被覆の幾何学的厚さは、特に良好な導電性を示す銀から作られた導電性金属層を得ることを可能にする。光の透過性を改良するための被覆の幾何学的厚さは、２００ｎｍより小さいか又はそれに等しい、好ましくは１７０ｎｍより小さいか又はそれに等しい、より好ましくは１３０ｎｍより小さいか又はそれに等しい厚さを有することが有利であり、かかる厚さによって与えられる利点は、前記被覆の製造のための工程がより速くなることにある。
【００３４】
用語「基板」は、ガラス基板自体だけなく、ガラス基板を含み、さらに基板を構成するガラスの屈折率ｎｓｕｂｓｔｒａｔｅに近い（換言すれば、｜ｎｓｕｂｓｔｒａｔｅ−ｎｍａｔｅｒｉａｌ｜≦０．１、｜ｎｓｕｂｓｔｒａｔｅ−ｎｍａｔｅｒｉａｌ｜は屈折率間の差の絶対値を表わす）屈折率ｎｍａｔｅｒｉａｌを有する材料の少なくとも一つの層を含むいかなる構造も意味することを意図される。例えば、ソーダ石灰石英ガラスから作られたガラス基板上に付着された酸化ケイ素の層を述べることができる。
【００３５】
ガラス基板は、少なくとも０．３５ｎｍの幾何学的厚さを有することが好ましい。用語「幾何学的厚さ」は、平均幾何学的厚さを意味することが理解される。ガラスは無機又は有機である。無機ガラスが好ましい。これらのうちで、それらの本体又は表面において透明であるか又は着色されているソーダ石灰石英ガラスが好ましい。より好ましくは、これらは超透明ソーダ石灰石英ガラスである。用語「超透明」は、Ｆｅ２Ｏ３として表示される全Ｆｅをガラスの最大０．０２０重量％、好ましくは最大０．０１５重量％含むガラスを意味する。コストの理由のため、ガラスの屈折率ｎｓｕｂｓｔｒａｔｅは１．４〜１．６の値を有することが好ましい。より好ましくは、ガラスの屈折率は１．５に等しい値を有する。ｎｓｕｂｓｔｒａｔｅは、５５０ｎｍの波長における基板を構成するガラスの屈折率を表わす。
【００３６】
特別な実施形態によれば、本発明によるガラス基板は、それを構成するガラスが５５０ｎｍの波長で１．４〜１．６の屈折率を有するようなものであり、それが含む電極は、光の透過性を改良するための特性を与える被覆の光学的厚さ（ＴＤ１）と、導電性金属層の幾何学的厚さ（ＴＭＥ）が以下の関係式によって関係づけられるようなものである：
2015527954.tif 000005
式中、ＴＭＥ＿Ｏ，Ｂ及びＴＤ１＿Ｏは、定数であり、ＴＭＥ＿Ｏは、１０．０〜２５．０ｎｍ、好ましくは１０．０〜２３．０ｎｍの範囲の値を有し、Ｂは、１０．０〜１６．５の範囲の値を有し、ＴＤ１＿Ｏは、２３．９＊ｎＤ１〜２８．３＊ｎＤ１ｎｍの範囲の値を有し、ｎＤ１は、５５０ｎｍの波長における光の透過性を改良するための被覆の屈折率を表わし、ｎｓｕｂｓｔｒａｔｅは、５５０ｎｍの波長における基板を構成するガラスの屈折率を表わす。好ましくは、定数ＴＭＥ＿Ｏ，Ｂ及びＴＤ１＿Ｏは、ＴＭＥ＿Ｏが１０．０〜２３．０ｎｍ、好ましくは１０．０〜２２．５ｎｍ、最も好ましくは１１．５〜２２．５ｎｍの範囲の値を有し、Ｂが１１．５〜１５．０の範囲の値を有し、ＴＤ１＿Ｏが２４．８＊ｎＤ１〜２７．３＊ｎＤ１ｎｍの範囲の値を有するようなものである。より好ましくは、定数ＴＭＥ＿Ｏ，Ｂ及びＴＤ１＿Ｏは、ＴＭＥ＿Ｏが１０．０〜２３．０ｎｍ、好ましくは１０．０〜２２．５ｎｍ、より好ましくは、１１．５〜２２．５の範囲の値を有し、Ｂが１２．０〜１５．０の範囲の値を有し、ＴＤ１＿Ｏが２４．８＊ｎＤ１〜２７．３＊ｎＤ１ｎｍの範囲の値を有するようなものである。
【００３７】
特別な実施形態によれば、本発明によるガラス基板は、それを構成するガラスが５５０ｎｍの波長で１．５に等しい屈折率を有するようなものであり、それが含む電極は、光の透過性を改良するための特性を与える被覆の光学的厚さ（ＴＤ１）と、導電性金属層の幾何学的厚さ（ＴＭＥ）が以下の関係式によって関係づけられるようなものである：
2015527954.tif 000006
式中、ＴＭＥ＿Ｏ，Ｂ及びＴＤ１＿Ｏは、定数であり、ＴＭＥ＿Ｏは、１０．０〜２５．０ｎｍ、好ましくは１０．０〜２３．０ｎｍの範囲の値を有し、Ｂは、１０．０〜１６．５の範囲の値を有し、ＴＤ１＿Ｏは、２３．９＊ｎＤ１〜２７．３＊ｎＤ１ｎｍの範囲の値を有し、ｎＤ１は、５５０ｎｍの波長における光の透過性を改良するための被覆の屈折率を表わし、ｎｓｕｂｓｔｒａｔｅは、５５０ｎｍの波長における基板を構成するガラスの屈折率を表わす。好ましくは、定数ＴＭＥ＿Ｏ，Ｂ及びＴＤ１＿Ｏは、ＴＭＥ＿Ｏが１０．０〜２３．０ｎｍ、好ましくは１０．０〜２２．５ｎｍ、最も好ましくは１１．５〜２２．５ｎｍの範囲の値を有し、Ｂが１１．５〜１５．０の範囲の値を有し、ＴＤ１＿Ｏが２４．８＊ｎＤ１〜２７．３＊ｎＤ１ｎｍの範囲の値を有するようなものである。より好ましくは、定数ＴＭＥ＿Ｏ，Ｂ及びＴＤ１＿Ｏは、ＴＭＥ＿Ｏが１０．０〜２３．０ｎｍ、好ましくは１０．０〜２２．５ｎｍ、より好ましくは１１．５〜２２．５ｎｍの範囲の値を有し、Ｂが１２．０〜１５．０の範囲の値を有し、ＴＤ１＿Ｏが２４．８＊ｎＤ１〜２７．３＊ｎＤ１ｎｍの範囲の値を有するようなものである。
【００３８】
前述の形態の特別な実施形態によれば、本発明によるガラス基板は、導電性金属層の幾何学的厚さが少なくとも６．０ｎｍに等しく、好ましくは少なくとも８．０ｎｍに等しく、より好ましくは少なくとも１０．０ｎｍに等しく、かつ多くとも２２．０ｎｍに等しく、好ましくは多くとも２０．０ｎｍに等しく、より好ましくは多くとも１８．０ｎｍに等しく、その光の透過性を改良するための被覆の幾何学的厚さが少なくとも５０．０ｎｍに等しく、好ましくは少なくとも６０．０ｎｍに等しく、そして多くとも１３０．０ｎｍに等しく、好ましくは多くとも１１０．０ｎｍに等しく、より好ましくは多くとも９０．０ｎｍに等しいようなものである。
【００３９】
特別な実施形態によれば、本発明によるガラス基板は、それを構成するガラスが１．４〜１．６の範囲の屈折率値を有するようなものであり、導電性金属層の幾何学的厚さが少なくとも１６．０ｎｍに等しく、好ましくは少なくとも１８．０ｎｍに等しく、より好ましくは少なくとも２０．０ｎｍに等しく、そして多くとも２９．０ｎｍに等しく、好ましくは多くとも２７．０ｎｍに等しく、より好ましくは多くとも２５．０ｎｍに等しく、その光透過性を改良するための被覆の幾何学的厚さが少なくとも２０．０ｎｍに等しく、多くとも４０．０ｎｍに等しいようなものである。驚くべきことに、光の透過性を改良するための被覆の最適化された厚さと組み合わされた厚い導電性金属層の使用は、一方では高い輝度を持ち、他方では電極がΩ／□で表示される低い表面抵抗を有するガラス基板を含む光電子システム、特にＯＬＥＤデバイスを得ることを可能にする。
【００４０】
好ましい実施形態によれば、本発明によるガラス基板は、光の透過性を改良するための被覆を構成する材料の屈折率（ｎＤ１）が基板を構成するガラスの屈折率（ｎｓｕｂｓｔｒａｔｅ）より高く（ｎＤ１＞ｎｓｕｂｓｔｒａｔｅ）、好ましくはｎＤ１＞１．２＊ｎｓｕｂｓｔｒａｔｅ、より好ましくはｎＤ１＞１．３＊ｎｓｕｂｓｔｒａｔｅ、最も好ましくはｎＤ１＞１．５＊ｎｓｕｂｓｔｒａｔｅであるようなものである。被覆を形成する材料の屈折率（ｎＤ１）は５５０ｎｍの波長で１．５〜２．４の範囲、好ましくは２．０〜２．４の範囲、より好ましくは２．１〜２．４の範囲の値を有する。光の透過性を改良するための被覆が複数の層から構成されるとき、ｎＤ１は以下の方程式によって与えられる：
2015527954.tif 000007
式中、ｍは、被覆を構成する層の数を表わし、ｎｘは、基板から出発してｘ番目の層を構成する材料の屈折率を表わし、１ｘは、ｘ番目の層の幾何学的厚さを表わし、１Ｄ１は、被覆の幾何学的厚さを表わす。高い屈折率を有する材料の使用は、放出又は透過された光の高い量が得られることを可能にする。提供される利点は、光の透過性を改良するための被覆の屈折率と基板を構成するガラスの屈折率の間の差が増加するときに高まる。
【００４１】
光の透過性を改良するための被覆の少なくとも一つの層を構成する材料は少なくとも一つの誘電性化合物及び／又は少なくとも一つの導電性化合物を含む。用語「誘電性化合物」は、以下のものから選択された少なくとも一つの化合物を意味するものとして理解される：
・Ｙ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ａ１，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｂｉから選択される少なくとも一つの元素並びにそれらの少なくとも二つの混合物の酸化物；
・  ホウ素、アルミニウム、ケイ素、ゲルマニウムから選択される少なくとも一つの元素並びにそれらの混合物の窒化物；
・  酸窒化ケイ素、酸窒化アルミニウム；
・  酸炭化ケイ素。
【００４２】
もし存在するなら、誘電性化合物は酸化イットリウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素及び／又は酸炭化ケイ素を含むことが好ましい。
【００４３】
用語「導電性」は、以下のものから選択される少なくとも一つの化合物を示すことが意図される：
・  Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｚｎ，Ａ１，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｂｉから選択される少なくとも一つの元素及びそれらの少なくとも二つの混合物をドープされた酸化物及び酸素が化学量論より少ない酸化物；
・  ホウ素、アルミニウム、ケイ素、ゲルマニウム及びそれらの少なくとも二つの混合物から選択された少なくとも一つの元素をドープされた窒化物；
・  ドープされた酸炭化Ｓｉ。
【００４４】
好ましくは、ドープ剤はＡ１，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｐ，Ｓｂ及びＦから選択される少なくとも一つの元素を含む。酸窒化ケイ素の場合において、ドープ剤はＢ，Ａ１及び／又はＧａを含む。
【００４５】
好ましくは、導電性化合物は、少なくともＩＴＯ及び／又はドープされたＳｎ酸化物（ドープ剤はＦ及びＳｂから選択された少なくとも一つの元素である）、及び／又はドープされたＺｎ酸化物（ドープ剤はＡ１，Ｇａ，Ｓｎ及びＴｉから選択された少なくとも一つの元素である）を含む。好ましい実施形態によれば、無機化学化合物は少なくともＺｎＯｘ（式中、ｘ≦１）及び／又はＺｎｘＳｎｙＯｚ（式中、ｘ＋ｙ≧３及びｚ≦６）を含む。好ましくは、ＺｎｘＳｎｙＯｚは多くとも９５重量％の亜鉛を含む。亜鉛の重量百分率は、層中に存在する金属の全重量に対して表示される。
【００４６】
本発明によるガラス基板の一部を構成する電極の導電性金属層は、主に前記電極の導電性を与える。それは、金属又は金属の混合物を含む少なくとも一つの層を含む。一般的な用語「金属の混合物」は、少なくとも一つの金属の少なくとも一つの他の金属によるドーピングの形又は合金の形の少なくとも二つの金属の組み合わせを意味し、金属及び／又は金属の混合物は、Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ及びＡ１から選択される少なくとも一つの元素を含む。好ましくは、金属及び／又は金属の混合物は、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ及びＡ１から選択される少なくとも一つの元素を含む。より好ましくは、導電性金属層は純粋な形のＡｇ又は他の金属と合金されたＡｇを少なくとも含む。好ましくは、他の金属は、Ａｕ，Ｐｄ，Ａ１，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｇ，Ｍｎ，ＣＯ及びＳｎから選択される少なくとも一つの元素を含む。より好ましくは，他の金属は少なくともＰｄ及び／又はＡｕを含み、好ましくはＰｄを含む。
【００４７】
特別な実施形態によれば、本発明による基板の一部を構成する電極の光の透過性を改良するための被覆は少なくとも一つの追加の結晶層を含み、前記結晶層は、基板に対して、前記被覆を構成する積重ねの最外層である。この層は、導電性金属層を構成する金属層（例えば銀層）の優先的な生長を可能にし、この理由のため導電性金属層の良好な電気的及び光学的特性を得ることを可能にする。それは少なくとも一つの無機化学化合物を含む。結晶層を構成する無機化学化合物は必ずしも高い屈折率を持たない。無機化学化合物は少なくともＺｎＯｘ（式中、ｘ≦１）及び／又はＺｎｘＳｎｙＯｚ（式中、ｘ＋ｙ≧３及びｚ≦６）を含む。好ましくは、ＺｎｘＳｎｙＯｚは多くとも９５重量％の亜鉛を含み、亜鉛の重量百分率は、層中に存在する金属の全重量に対して表示される。好ましくは、結晶層はＺｎＯから作られる。光の透過性を改良するための特性を与える層は、導電性多層被覆（例えば低放射タイプの被覆）の分野で通常遭遇されるものより一般に大きい厚さを有するので、結晶層の厚さは、良好な導電性及び極めて低い吸収性を持つ導電性金属層を与えるために調整又は増大されなければならない。
【００４８】
特別な実施形態によれば、結晶層の幾何学的厚さは、光の透過性を改良するための被覆の全幾何学的厚さの７％、好ましくは１１％、より好ましくは１４％に少なくとも等しい。例えば、光の透過性を改良するための層及び結晶層を含む光の透過性を改良するための被覆の場合において、光の透過性を改良するための層の幾何学的厚さは、もし結晶層の幾何学的厚さが導電性金属層の幾何学的厚さと光の透過性を改良するための被覆の光学的厚さの間の関係に従うように増加されるなら減少されなければならない。
【００４９】
特別な実施形態によれば、結晶層は光の透過性を改良するための被覆を構成する光の透過性を改良するための少なくとも一つの層と合併される。
【００５０】
特別な実施形態によれば、透明電極の光の透過性を改良するための被覆は少なくとも一つの追加のバリヤー層を含み、前記バリヤー層は、電極が付着される基板の面に対して、前記被覆を構成する積重ねの最内層である。この層は特に、例えばソーダ石灰石英ガラスから作られたガラス基板から来るアルカリ金属の移行によるいかなる混入に対しても電極を保護することを可能にし、従って電極の耐用寿命を延ばすことができる。バリヤー層は、以下のものから選択される少なくとも一つの化合物を含む：
・  酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化イットリウム、及びそれらの少なくとも二つの混合物。
・  亜鉛／スズ、亜鉛／アルミニウム、亜鉛／チタン、亜鉛／インジウム、スズ／インジウムの混合酸化物；
・  窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸炭化ケイ素、酸炭窒化ケイ素、窒化アルミニウム、酸窒化アルミニウム、及びそれらの少なくとも二つの混合物；
このバリヤー層は、任意選択的にスズをドープされるか又はスズと合金化される。
【００５１】
特別な実施形態によれば、バリヤー層は、光の透過性を改良するための被覆を構成する光の透過性を改良するための少なくとも一つの層と合併される。
【００５２】
バリヤー及び結晶層の好ましい実施形態によれば、これらの二つの追加の層の少なくとも一つは、光の透過性を改良するための被覆の光の透過性を改良するための少なくとも一つの層と合併される。
【００５３】
特別な実施形態では、本発明によるガラス基板は、電極が、電極が付着される基板の面に対して、前記電極を構成する多層積重ねの頂部に位置される表面電気特性を均一化するための薄層を含むようなものである。表面電気特性を均一化するための薄層は、電荷の均一な移動が電極の全表面にわたって得られることを可能にする主要な役割を持つ。この均一な移動は、表面のあらゆる点で等しい放出または変換された光束によって反射される。それはまた、光電子デバイスの耐用寿命を増加することができる。なぜならばこの移動は各点で同じであり、従っていかなる可能なホットスポットも除去できるからである。均一化層は少なくとも０．５ｎｍ、好ましくは少なくとも１．０ｎｍの幾何学的厚さを有する。均一化層は多くとも６．０ｎｍ、好ましくは多くとも２．５ｎｍ、最も好ましくは多くとも２．０ｎｍの幾何学的厚さを有する。より好ましくは、均一化層は１．５ｎｍに等しい。均一化層は、金属、窒化物、酸化物、炭化物、酸窒化物、酸炭化物、炭窒化物、酸炭窒化物から選択される少なくとも一つの無機材料を含む少なくとも一つの層を含む。
【００５４】
前述の形態の第一の特別な実施形態によれば、均一化層の無機材料は単一金属又は金属の混合物を含む。一般的な表現「金属の混合物」は、少なくとも一つの金属の少なくとも一つの他の金属によるドーピングの形又は合金の形の少なくとも二つの金属の組み合わせを意味する。均一化層は、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｂａ，Ｓｃ，Ｙ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｃｅ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｒｕ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｂ，Ａ１，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔ１，Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ及びＰｂから選択される少なくとも一つの元素を含む。金属及び／又は金属の混合物は、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ａ１，Ｓｉ及びＣから選択される少なくとも一つの元素を含む。好ましくは，金属又は金属の混合物は、Ｃ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａ１及びＺｎから選択される少なくとも一つの元素を含む。金属の混合物はＮｉ−Ｃｒ及び／又はＡ１をドープされたＺｎを含むことが好ましい。この特別な実施形態によって提供される利点は，一方で表面電気特性を均一化するための層の効果から生じる電気特性と、他方で改良のための被覆によって得られる光学特性との間で最良の可能な妥協を得ることができることである。最も小さい可能な厚さを有する均一化層の使用は基本的な条件である。これは、光電子デバイスによって放出又は変換された光の量に対するこの層の影響は、その厚さが小さいときに少なくなるからである。この均一化層は、金属から作られるとき、その小さい厚さによって導電性層とは区別される。なぜならばこの厚さは導電性を与えるために不十分であるからである。従って、均一化層は、金属から作られるとき、即ち、単一金属又は金属の混合物から構成されるとき、多くとも５．０ｎｍの幾何学的厚さを有することが好ましい。
【００５５】
第二の特別な実施形態によれば、均一化層の無機材料は、炭化物、炭窒化物、酸窒化物、酸炭化物、酸炭窒化物及びそれらの少なくとも二つの混合物から選択される少なくとも一つの化学化合物の形で存在する。均一化層の酸窒化物、酸炭化物、酸炭窒化物は化学量論的でない形であってもよく、好ましくは酸素に対して化学量論より少ない形であってもよい。炭化物は、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｂａ，Ｓｃ，Ｙ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｃｅ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｂ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ及びＰｂから選択される少なくとも一つの元素、好ましくはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ａｌ及びＳｉから選択される少なくとも一つの元素、より好ましくはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｚｎ及びＡｌから選択される少なくとも一つの元素の炭化物である。炭窒化物は、Ｂｅ，Ｓｃ，Ｙ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ｂ，Ａｌ及びＳｉから選択される少なくとも一つの元素、好ましくはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ａｌ及びＳｉから選択される少なくとも一つの元素、より好ましくはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｚｎ及びＡｌから選択される少なくとも一つの元素の炭窒化物である。酸窒化物は、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｓｃ，Ｙ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｉ及びＧｅから選択される少なくとも一つの元素、好ましくはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｚｎ，Ａｌ及びＳｉから選択される少なくとも一つの元素、より好ましくはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｚｎ及びＡｌから選択される少なくとも一つの元素の酸窒化物である。酸炭化物は、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｓｃ，Ｙ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｓｉ及びＧｅから選択される少なくとも一つの元素、好ましくはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ａｌ及びＳｉから選択される少なくとも一つの元素、より好ましくはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｚｎ及びＡｌから選択される少なくとも一つの元素の酸炭化物である。酸炭窒化物は、Ｂｅ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ｂ，Ａｌ，Ｓｉ及びＧｅから選択される少なくとも一つの元素、好ましくはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ａｌ及びＳｎから選択される少なくとも一つの元素、より好ましくはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｚｎ及びＡｌから選択される少なくとも一つの元素の酸炭窒化物である。表面電気特性を均一化するための層の炭化物、炭窒化物、酸窒化物、酸炭化物、酸炭窒化物は、任意選択的に少なくとも一つのドーピング元素を含む。好ましい実施形態では、薄い均一化層は、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｚｎ，Ａｌ及びＳｉから選択される少なくとも一つの元素を含む少なくとも一つの酸窒化物を含む。より好ましくは、表面電気特性を均一化するための薄層は、Ｔｉ酸窒化物、Ｚｒ酸窒化物、Ｎｉ酸窒化物及びＮｉＣｒ酸窒化物から選択される少なくとも一つの酸窒化物を含む。
【００５６】
第三の特別な実施形態によれば、均一化層の無機材料は、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｓｃ，Ｙ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｇｅ及びＳｎから選択される少なくとも一つの元素の少なくとも一つの金属窒化物の形で存在する。好ましくは、均一化層は、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ａｌ及びＳｉから選択される元素の少なくとも一つの窒化物を含む。より好ましくは、窒化物は、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ及びＺｎから選択される少なくとも一つ元素を含む。より好ましくは、表面電気特性を均一化するための薄層は少なくともＴｉ窒化物、Ｚｒ窒化物、Ｎｉ窒化物またはＮｉＣｒ窒化物を含む。
【００５７】
第四の特別な実施形態によれば、均一化層の無機材料は、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｓｃ，Ｙ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ及びＰｂから選択される少なくとも一つの元素の少なくとも一つの金属酸化物の形で存在する。好ましくは、均一化層は、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｉ及びＳｎから選択される元素の少なくとも一つの酸化物を含む。より好ましくは、酸化物は、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｎ及びＺｎから選択される少なくとも一つの元素を含む。均一化層の酸化物は、酸素が化学量論より少ない酸化物であることができる。酸化物は、任意選択的に少なくとも一つのドーピング元素を含む。好ましくは、ドーピング元素は、Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｆ及びＡｇから選択される少なくとも一つの元素から選択される。より好ましくは、表面電気特性を均一化するための薄層は少なくともドープされたＴｉ酸化物及び／又はＺｒ酸化物及び／又はＮｉ酸化物及び／又はＮｉＣｒ酸化物及び／又はＩＴＯ及び／又はＣｕ酸化物（ドーピング剤はＡｇである）及び／又はドープされたＳｎ酸化物（ドーピング剤はＦ及びＳｂから選択される少なくとも一つの元素である）及び／又はドープされたＺｎ酸化物（ドーピング剤はＡｌ，Ｇａ，Ｓｎ及びＴｉから選択される少なくとも一つの元素である）を含む。
【００５８】
特別な実施形態によれば、本発明によるガラス基板は、電極が導電性金属層と薄い均一化層の間に位置される少なくとも一つの追加の挿入層を含むようなものである。導電性金属層と均一化層の間に挿入される層は、少なくとも一つの誘電性化合物及び／又は少なくとも一つの導電性化合物を含む少なくとも一つの層を含む。好ましくは、挿入層は、少なくとも一つの導電性化合物を含む少なくとも一つの層を含む。この挿入層の役割は、導電性金属層が透明になることができる光キャビティの一部を構成することである。用語「誘電性化合物」は、以下のものから選択された少なくとも一つの化合物を意味するものとして理解される：
・  Ｙ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｓｂ及びＢｉから選択される少なくとも一つの元素並びにそれらの少なくとも二つの混合物の酸化物；
・  ホウ素、アルミニウム、ケイ素及びゲルマニウムから選択される少なくとも一つの元素並びにそれらの混合物の窒化物；
・  酸窒化ケイ素、酸窒化アルミニウム；
・  酸炭化ケイ素。
【００５９】
もし存在するなら、誘電性化合物は酸化イットリウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素及び／又は酸炭化ケイ素を含むことが好ましい。
【００６０】
用語「導電性」は、以下のものから選択される少なくとも一つの化合物を意味することを意図される：
・  Ｙ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｓｂ及びＢｉから選択される少なくとも一つの元素並びにそれらの少なくとも二つの混合物をドープされた酸化物及び酸素が化学量論より少ない酸化物；
・  ホウ素、アルミニウム、ケイ素、ゲルマニウムから選択される少なくとも一つの元素及びそれらの混合物をドープされた窒化物；
・  ドープされた酸炭化Ｓｉ。
【００６１】
好ましくは、ドープ剤はＡｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｐ，Ｓｂ及びＦから選択される少なくとも一つの元素を含む。酸窒化ケイ素の場合において、ドープ剤はＢ，Ａｌ及び／又はＧａを含む。
【００６２】
好ましくは、導電性化合物は少なくともＩＴＯ及び／又はドープされたＳｎ酸化物（ドープ剤はＦ及びＳｂから選択された少なくとも一つの元素である）、及び／又はドープされたＺｎ酸化物（ドープ剤はＡｌ，Ｇａ，Ｓｎ及びＴｉから選択された少なくとも一つの元素である）を含む。好ましい実施形態によれば、無機化学化合物は少なくともＺｎＯｘ（式中、ｘ≦１）及び／又はＺｎｘＳｎｙＯｚ（式中、ｘ＋ｙ≧３及びｚ≦６）を含む。好ましくは、ＺｎｘＳｎｙＯｚは多くとも９５重量％の亜鉛を含み、亜鉛の重量百分率は層中に存在する金属の全重量に対して表示される。
【００６３】
前述の形態の特別な実施形態では、本発明による透明基板は、挿入層の幾何学的厚さ（Ｅｉｎ）がそのオーム厚さが多くとも１０１２オームに等しく、好ましくは多くとも１０７オームに等しく、より好ましくは多くとも１０４オームに等しいようなものであり、オーム厚さが、挿入層を構成する材料の抵抗（ρ）とこの同じ層の幾何学的厚さ（ｌ）との比に等しく、挿入層の幾何学的厚さが有機発光デバイスの第一有機層の幾何学的厚さ（Ｅｏｒｇ）に関係づけられ、用語「第一有機層」は、関係式Ｅｏｒｇ＝Ｅｉｎ−Ａ（式中、Ａは５．０〜７５．０ｎｍ、好ましくは２０．０〜６０．０ｎｍ、より好ましくは３０．０〜４５．０ｎｍの範囲の値を有する定数である）によって挿入層と有機発光層の間に含まれる有機層の全てを示す。
【００６４】
本発明者は、驚くべきことに、関係式Ｅｏｒｇ＝Ｅｉｎ−Ａが、有機発光デバイスの第一有機層の幾何学的厚さを使用して挿入層の光学的パラメータ（幾何学的厚さ及び屈折率）を最適化し、従って第一輝度最大に対して高い開始電圧を回避できる電気特性と適合しうる挿入層の厚さを保持しながら透過される光の量を最適化することができることを見出した。
【００６５】
別の特別な実施形態では、本発明によるガラス基板は、挿入層の幾何学的厚さ（Ｅｉｎ）が、そのオーム厚さが多くとも１０１２オームに等しく、好ましくは多くとも１０７オームに等しく、より好ましくは多くとも１０４オームに等しいようなものであり、オーム厚さが、挿入層を構成する材料の抵抗（ρ）とこの同じ層の幾何学的厚さ（ｌ）との比に等しく、挿入層の幾何学的厚さが有機発光デバイスの第一有機層の幾何学的厚さ（Ｅｏｒｇ）に関係づけられ、用語「第一有機層」は、関係式Ｅｏｒｇ＝Ｅｉｎ−Ｃ（式中、Ｃは１５０．０〜２５０．０ｎｍ、好ましくは１６０．０〜２２５．０ｎｍ、より好ましくは７５．０〜２０５．０ｎｍの範囲の値を有する定数である）によって挿入層と有機発光層の間に含まれる有機層の全てを示す。本発明者は、驚くべきことに、関係式Ｅｏｒｇ＝Ｅｉｎ−Ｃが、有機発光デバイスの第一有機層の幾何学的厚さを使用して挿入層の光学的パラメータ（幾何学的厚さ及び屈折率）を最適化し、従って第二輝度最大に対して高い開始電圧を回避できる電気特性と適合しうる挿入層の厚さを保持しながら透過される光の量を最適化することができることを見出した。
【００６６】
本発明によるガラス基板の別の特別な実施形態では、電極の導電性金属層は、その面の少なくとも一つの上に少なくとも一つの犠牲層を含む。犠牲層は、完全に又は部分的に酸化又は窒化されることができる層を意味するものとして理解される。この層は、特に酸化又は窒化による導電性金属層の劣化を防止することを可能にする。さらに、それは導電性金属層と結晶層の間に位置されることができるが、この犠牲層の存在は結晶層の作用と適合しうる。もし存在するなら、犠牲層は、金属、窒化物、酸化物、酸素が化学量論より少ない金属酸化物から選択される少なくとも一つの化合物を含む。好ましくは、金属、窒化物、酸化物、酸素が化学量論より少ない金属酸化物は、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ及びＡｌから選択される少なくとも一つの元素を含む。好ましくは、犠牲層はＴｉ，Ｚｒ，Ｎｉ，ＺｎまたはＡｌを含む。最も好ましくは、犠牲層は少なくともＴｉ，ＴｉＯｘ（式中、ｘ≦２），ＮｉＣｒ，ＮｉＣｒＯｘ，ＴｉＺｒＯｘ（ＴｉＺｒＯｘは５０重量％の酸化ジルコニウムを含む酸化チタン層を示す）またはＺｎＡｌＯｘ（ＺｎＡｌＯｘは２〜５重量％の酸化アルミニウムを含む酸化亜鉛の層を示す）を含む。前述のものに従った特別な実施形態によれば、犠牲層の厚さは少なくとも０．５ｎｍの幾何学的厚さを持つ。犠牲層の厚さは多くとも６．０ｎｍである。より好ましくは、厚さは２．５ｎｍに等しい。好ましい実施形態によれば、犠牲層は、基板に対して最も遠い導電性金属層の面上に付着される。
【００６７】
別の実施形態によれば、本発明によるガラス基板は、それが少なくとも一つの散乱層を含むようなものである。前記散乱層は、透明電極と基板の間に位置される。かかる層は、公開文献ＷＯ２００９／０１７０３５，ＷＯ２００９／１１６５３１，ＷＯ２０１０／０８４９２２，ＷＯ２０１０／０８４９２５，ＷＯ２０１１／０４６１５６，ＷＯ２０１１／０４６１９０及び出願ＰＣＴ／ＪＰ２０１１／０７４３５８に記載され、全てが参考としてここに組み入れられる。一般的に、この散乱層は、５μｍより大きい厚さを示し、コヒーレント光学システムとして見なされない。
【００６８】
別の特別な実施形態によれば、本発明によるガラス基板は、それが少なくとも一つの機能性被覆を含むようなものである。好ましくは、前記機能性被覆は、電極が付着される面とは反対の面に位置される。この被覆は、反射防止層又は多層積重ね、散乱層、くもり防止又は汚れ反発層、光学フィルター、特に酸化チタン及び選択的吸収層から選択された少なくとも一つの被覆を含む。
【００６９】
好ましい実施形態では、本発明によるテクスチャ処理されたガラス基板は、以下の構造を本質的に持つ：
−  二つの隣接パターンの頂点を分離する平均距離（Ｒｓｍ）の半分に対するパターンの平均高さ（Ｒｚ）の比率の逆正接が３５°〜８０°の範囲内の値に等しく、好ましくは３５°〜７０°の範囲の値を有し、最も好ましくは３５°〜６０°の範囲の値を有するように幾何学的パターンの組によって、ガラスの面の少なくとも一つを完全に又は部分的に化学的攻撃によってテクスチャ処理された透明又は超透明ガラス板；
−  以下のものを含む、光の透過性を改良するための被覆：
・  （バリヤー層と合併される）ＴｉＯ２から作られた光の透過性を改良するための層；
・  ＺｎＯ又はＺｎｘＳｎｙＯｚ（式中、ｘ＋ｙ≧３及びｚ≦６）から作られた結晶層；
−  Ａｇから作られた導電性金属層、但し光の透過性を改良するための特性を与える被覆の幾何学的厚さと導電性金属層の幾何学的厚さは、以下の関係式によって関係づけられている：
2015527954.tif 000008
式中、ＴＭＥ＿ｏ，Ｂ及びＴＤ１＿ｏは、定数であり、ＴＭＥ＿ｏは、１０．０〜２５．０ｎｍ、好ましくは１０．０〜２３．０ｎｍの範囲の値を有し、Ｂは、１０．０〜１６．５の範囲の値を有し、ＴＤ１＿ｏは、２３．９＊ｎＤ１〜２８．３＊ｎＤ１ｎｍの範囲の値を有し、ｎＤ１は、５５０ｎｍの波長における光の透過性を改良するための被覆の屈折率を表わし、ｎｓｕｂｓｔｒａｔｅは、５５０ｎｍの波長における基板を構成するガラスの屈折率を表わす。好ましくは、定数ＴＭＥ＿ｏ，Ｂ及びＴＤ１＿ｏは、ＴＭＥ＿ｏが１０．０〜２３．０ｎｍ、好ましくは１０．０〜２２．５ｎｍ、最も好ましくは１１．５〜２２．５ｎｍの範囲を有し、Ｂが１１．５〜１５．０の範囲の値を有し、ＴＤ１＿ｏが２４．８＊ｎＤ１〜２７．３＊ｎＤ１ｎｍの範囲の値を有するようなものである。より好ましくは、定数ＴＭＥ＿ｏ，Ｂ及びＴＤ１＿ｏは、ＴＭＥ＿ｏが１０．０〜２３．０ｎｍ、好ましくは１０．０〜２２．５ｎｍ、最も好ましくは１１．５〜２２．５ｎｍの範囲の値を有し、Ｂが１２．０〜１５．０の範囲の値を有し、ＴＤ１＿ｏが２４．８＊ｎＤ１〜２７．３＊ｎＤ１ｎｍの範囲の値を有するようなものである。
−  犠牲層：Ｔｉから作られた幾何学的厚さ１．０〜３．０ｎｍ；
−  挿入層：ＺｎｘＳｎｙＯｚ（式中、ｘ＋ｙ≧３及びｚ≦６）から作られた幾何学的厚さ３．０〜２０．０ｎｍ；
−  均一化層：Ｘ，Ｘ窒化物、Ｘ酸窒化物（Ｘ：Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｚｎ，Ｎｉ／Ｃｒ又はＡｌをドープされたＺｎ）から作られた幾何学的厚さ０．５〜３．０ｎｍ。
【００７０】
好ましい実施形態では、本発明によるテクスチャ処理されたガラス基板は、以下の構造を本質的に持つ：
−  二つの隣接パターンの頂点を分離する平均距離（Ｒｓｍ）の半分に対するパターンの平均高さ（Ｒｚ）の比率の逆正接が１５°〜８０°の範囲内の値に等しく、好ましくは２５°〜７０°の範囲の値を有し、最も好ましくは３５°〜６０°の範囲の値を有するように幾何学的パターンの組によって、ガラスの面の少なくとも一つを完全に又は部分的に化学的攻撃によってテクスチャ処理された透明又は超透明ガラス板；
−  以下のものを含む、光の透過性を改良するための被覆：
・  （バリヤー層と合併される）ＴｉＯ２から作られた光の透過性を改良するための層；
・  ＺｎＯ又はＺｎｘＳｎｙＯｚ（式中、ｘ＋ｙ≧３及びｚ≦６）から作られた結晶層；
光の透過性を改良するための被覆の幾何学的厚さは、少なくとも５０．０ｎｍに等しく、好ましくは少なくとも６０．０ｎｍに等しく、より好ましくは少なくとも７０．０ｎｍに等しく、多くとも１００ｎｍに等しく、好ましくは多くとも９０．０ｎｍに等しく、より好ましくは多くとも８０．０ｎｍに等しい；
−  Ａｇから作られた導電性金属層、但し導電性金属層の幾何学的厚さは、少なくとも６．０ｎｍに等しく、好ましくは少なくとも８．０ｎｍに等しく、より好ましくは少なくとも１０．０ｎｍに等しく、多くとも２２．０ｎｍに等しく、好ましくは多くとも２０．０ｎｍに等しく、より好ましくは多くとも１８．０ｎｍに等しい；
−  犠牲層：Ｔｉから作られた幾何学的厚さ１．０〜３．０ｎｍ；
−  挿入層：ＺｎｘＳｎｙＯｚ（式中、ｘ＋ｙ≧３及びｚ≦６）から作られた幾何学的厚さ３．０〜２０．０ｎｍ；
−  均一化層：Ｘ，Ｘ窒化物、Ｘ酸窒化物（Ｘ：Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｚｎ，Ｎｉ−Ｃｒ又はＡｌをドープされたＺｎ）から作られた幾何学的厚さ０．５〜３．０ｎｍ。
【００７１】
好ましい実施形態では、本発明によるテクスチャ処理されたガラス基板は、以下の構造を本質的に持つ：
−  二つの隣接パターンの頂点を分離する平均距離（Ｒｓｍ）の半分に対するパターンの平均高さ（Ｒｚ）の比率の逆正接が３５°〜８０°の範囲内の値に等しく、好ましくは３５°〜７０°の範囲の値を有し、最も好ましくは３５°〜６０°の範囲の値を有するように幾何学的パターンの組によって、ガラスの面の少なくとも一つに完全に又は部分的に化学的攻撃によってテクスチャ処理された透明又は超透明ガラス板；
−  光の透過性を改良するための被覆：
・  （バリヤー層と合併される）ＴｉＯ２から作られた光の透過性を改良するための層；
・  ＺｎＯ又はＺｎｘＳｎｙＯｚ（式中、ｘ＋ｙ≧３及びｚ≦６）から作られた結晶層；
光の透過性を改良するための被覆の幾何学的厚さは、少なくとも２０．０ｎｍに等しく、多くとも４０．０ｎｍに等しい。
−  Ａｇから作られた導電性金属層、但し導電性金属層の幾何学的厚さは、少なくとも１６．０ｎｍに等しく、好ましくは少なくとも１８．０ｎｍに等しく、より好ましくは少なくとも２０．０ｎｍに等しく、多くとも２９．０ｎｍに等しく、好ましくは多くとも２７．０ｎｍに等しく、最も好ましくは多くとも２５．０ｎｍに等しい；
−  犠牲層：Ｔｉから作られた幾何学的厚さ１．０〜３．０ｎｍ；
−  挿入層：ＺｎｘＳｎｙＯｚ（式中、ｘ＋ｙ≧３及びｚ≦６）から作られた幾何学的厚さ３．０〜２０．０ｎｍ；
−  均一化層：Ｘ，Ｘ窒化物、Ｘ酸窒化物（Ｘ：Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｚｎ，Ｎｉ−Ｃｒ又はＡｌをドープされたＺｎ）から作られた幾何学的厚さ０．５〜３．０ｎｍ。
【００７２】
テクスチャ処理されたガラス基板の実施形態は、上で述べた実施形態に限定されず、それらの二つ以上を組み合わせから得ることができる。
【００７３】
本発明の別の主題は、透明電極を含むテクスチャ処理されたガラス基板の製造方法に関する。本発明によるテクスチャ処理された基板の製造方法は、均一化層及び／又は電極を作り上げる層の組が化学的に予めテクスチャ処理されたガラス基板上に付着される方法である。かかる方法の例は、任意選択的に磁界によって補助された陰極スパッタリング技術、プラズマを使用する付着技術、ＣＶＤ（化学蒸着）及び／又はＰＶＤ（物理蒸着）タイプの付着技術である。好ましくは、付着法は真空下で行われる。用語「真空下」は、１．２Ｐａより低いか又はそれに等しい圧力を意味する。より好ましくは、真空下の方法は磁気スパッタリング技術である。テクスチャ処理されたガラス基板の製造方法は連続法を含み、そこでは電極を構成するあらゆる層が多層積重ねにおいてそれの下の存在する層の直後に付着される（例えば、前進しているストリップである基板上に本発明による電極を構成する積重ねの付着、又はパネルである基板上への積重ねの付着）。製造方法はまた、（例えば貯蔵の形の）時間間隔が電極を構成する積重ねにおいてある層とそれの下に存在する層の付着を分離するバッチ法を含む。
【００７４】
好ましい実施形態によれば、本発明によるテクスチャ処理された基板の製造方法は、それが以下のように三段階で実施されるようなものである：
−  ０〜５の範囲のｐＨを有するフッ化水素酸に基づいた水溶液を使用する酸攻撃によるガラス基板の面のテクスチャ処理、但し前記酸攻撃は少なくとも一段階で実施され、攻撃時間は１０秒〜３０分である、
−  化学的に予めテクスチャ処理されたガラス基板のテクスチャ処理された面とは反対の基板の面への、光の透過性を改良するための特性を与える被覆の付着、
−  導電性金属層の付着、及びその直後に、テクスチャ処理された面とは反対の基板の面への、光電子システムを構成する種々の機能要素の付着。
【００７５】
別の好ましい実施形態によれば、本発明によるテクスチャ処理された基板の製造方法は、それが以下のように三段階で実施されるようなものである：
−  ０〜５の範囲のｐＨを有するフッ化水素酸に基づいた水溶液を使用する酸攻撃によるガラス基板の面のテクスチャ処理、但し前記酸攻撃は少なくとも一段階で実施され、攻撃時間は１０秒〜３０分である、
−  化学的に予めテクスチャ処理されたガラス基板のテクスチャ処理された面とは反対の基板の面への、電極を通る光の透過性を改良するための特性を与える被覆、導電性金属層、犠牲層、挿入層の付着、
−  均一化するための層の付着、及びその直後に、テクスチャ処理された面とは反対の基板の面への、光電子システムを構成する種々の機能要素の付着。
【００７６】
均一化層又は導電性金属層が続いて付着されるとき、光電子デバイスの有機部分は、均一化層又は導電性金属層の付着直後に付着される（即ち、均一化層又は導電性金属層は光電子デバイスの有機部分の付着前に空気に露出されない）。これらの方法によって提供される利点は、導電性層及び均一化層の酸化がこれらが金属から構成されるときに回避できることである。前述の形態の特別な形態によれば、バリヤー層はガラスストリップ上に（例えばＣＶＤによって）付着される。均一化層あり又はなしの積重ねの続く層は、前記ストリップ上又は前記ストリップから切り出されたガラスパネル上に真空下に付着される。切断後に得られるバリヤー層をカバーされたパネルが任意選択的に保管される。
【００７７】
特別な実施形態によれば、酸化物及び／又は酸窒化物に基づく表面電気特性を均一化するための層は、直接付着によって得られることができる。代替形態によれば、酸化物及び／又は酸窒化物に基づく均一化層は、対応する金属及び／又は窒化物の酸化によって得られることができる（例えば、Ｔｉは酸化されてＴｉ酸化物になり、Ｔｉ窒化物は酸化されてＴｉ酸窒化物になる）。この酸化は均一化層の付着の直後又は長時間後に行われることができる。酸化は自然であることができ（例えば、製造工程時又は光電子デバイスの完全な製造前の電極の保管時に存在する酸化化合物との相互作用によるもの）、又は後処理操作から生じることができる（例えば、紫外線下のオゾンでの処理）。
【００７８】
代替的な実施形態によれば、製造方法は、電極の表面を構築する追加工程を含む。電極の表面の構築は基板のテクスチャ処理とは異なる。この追加の工程は、電極の表面を造形すること及び／又は電極の表面を装飾することを実施する。電極の表面を造形する方法は少なくともレーザ又は化学攻撃によるエッチングを含む。電極の表面を装飾する方法は少なくともマスキングを含む。マスキングは、電極の表面の少なくとも一部が後処理工程（例えば被覆されていない部分の化学攻撃）の目的のための保護被覆で覆われる操作である。
【００７９】
本発明の別の主題によれば、本発明によるガラス基板は、光を放出するか又は光を収集する光電子デバイス中に組み込まれる。好ましい実施形態によれば、光電子デバイスは、上記の本発明による少なくとも一つのテクスチャ処理されたガラス基板を含む有機発光デバイスである。
【００８０】
上述の実施形態の代替形態によれば、有機発光デバイスは、準白色光を放出するために与えられるＯＬＥＤシステムを本発明による基板の上に含む。幾つかの方法は、光を散乱するためのシステムと組み合わせて、赤、緑及び青色光を放出する化合物を一つだけの有機層内で混合することによって、赤、緑及び青色光の放出部分にそれぞれ対応する三つの有機層の構造又は二つの有機層の構造（黄及び青色光の放出）を積層することによって、または三つ（赤、緑、青色光の放出）又は二つ（黄及び青色光の放出）の有機層の構造を並置することによって準白色光を生成することができる。
【００８１】
用語「準白色光」は、基板の表面に対して垂直な放射により、０°の色座標が八つの色度四辺形の一つに含まれる（但し、四辺形の輪郭は含まれる）光を意味することを意図される。これらの四辺形は標準規格ＡＮＳＩ＿ＮＥＭＡ＿ＡＮＳＬＧ  Ｃ７８．３７７−２００８の第１０〜１２頁に規定される。これらの四辺形は、「Ｇｒａｐｈｉｃａｌ  ｒｅｐｒｅｓｅｎｔａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｔｈｅ  ｃｈｒｏｍａｔｉｃｉｔｙ  ｓｐｅｃｉｆｉｃａｔｉｏｎ  ｏｆ  ＳＳＬ  ｐｒｏｄｕｃｔｓ  ｉｎ  Ｔａｂｌｅ  １，ｏｎ  ｔｈｅ  ＣＩＥ（ｘ，ｙ）ｃｈｒｏｍａｔｉｃｉｔｙ  ｄｉａｇｒａｍ」という名称のパート１の図Ａ１に表わされている。
【００８２】
特別な実施形態によれば、有機発光デバイスは板ガラス、二重板ガラス又は積層板ガラス中に組み込まれる。また、複数の有機発光デバイス、好ましくは多数の有機発光デバイスを組み込むこともできる。
【００８３】
別の特別な実施形態によれば、有機発光デバイスは、ガラス及び／又はプラスチックから作られた少なくとも一つの封入材料中に封入される。有機発光デバイスの種々の実施形態を組み合わせることができる。
【００８４】
最後に、様々な有機発光デバイスは広範な用途を持つ。本発明は、特に一つ以上の発光表面の生成においてこれらの有機発光デバイスの可能な使用に関する。用語「発光表面」は、例えば照明タイル、発光パネル、発光パーティション、工作物の表面、温室、懐中電灯、画面の背景、引き出し底、発光屋根、タッチスクリーン、ランプ、写真フラッシュ、発光ディスプレイの背景、安全信号、棚を含む。
【００８５】
本発明によるテクスチャ処理されたガラス基板は、以下の図を使用して示されるだろう。図は、限定されない方法で、基板の構造、特に本発明による基板に含まれる電極を構成する層の積重ねの構造の数を示す。これらの図は、純粋に例示であり、構造の縮尺の提示を構成しない。さらに、本発明によるテクスチャ処理されたガラス基板を含む有機発光デバイスの性能は図の形で与えられるだろう。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】図１は、テクスチャ処理の構造の概略図を示す。
【００８７】
【図２】図２は、２５，５０及び７５μｍのピラミッドベース幅について、逆正接（Ｒｚ／（Ｒｓｍ／２））の関数としての透過光／放出光の比率の変化を示す。
【００８８】
【図３】図３は、階段状ピラミッドの形態のテクスチャ処理パターンの例を示す。
【００８９】
【図４】図４は、階段状ピラミッドの形態のテクスチャ処理パターンの例を示す。
【００９０】
【図５】図５は、階段状ピラミッドの形態のテクスチャ処理パターンの例を示す。
【００９１】
【図６】図６は、階段状ピラミッドの形態のテクスチャ処理パターンの例を示す。
【００９２】
【図７】図７は、本発明によるテクスチャ処理されたガラス基板の電子顕微鏡写真を示す。
【００９３】
【図８】図８は、観察の角度の関数として、エレクトロルミネセンス、主波長及び色純度の変化を決定することができる実験装置の概略図を示す。
【００９４】
【図９】図９は、観察の角度の関数として、主波長及び色純度の変化を示す。
【００９５】
【図１０】図１０は、好ましい実施形態による本発明によるテクスチャ処理されたガラス基板の断面を示す。
【００９６】
【図１１】図１１は、透明電極に最小数の層を含むテクスチャ処理されたガラス基板の断面を示す。
【００９７】
【図１２】図１２は、第二実施形態による本発明によるテクスチャ処理されたガラス基板の断面を示す。
【００９８】
【図１３】図１３は、透明電極に、異なる効果を有する最小数の層を含むテクスチャ処理されたガラス基板の断面を示す。
【００９９】
【図１４】図１４は、５５０ｎｍの波長で２．３の屈折率を有する、光の透過性を改良するための被覆の幾何学的厚さ、及びＡｇから作られた導電性金属層の幾何学的厚さの関数として、５５０ｎｍに等しい波長で１．４の屈折率を有する支持体を含み、かつ準白色光を放出する有機発光デバイスの輝度の変化を示す。
【０１００】
【図１５】図１５は、５５０ｎｍの波長で２．３の屈折率を有する、光の透過性を改良するための被覆の幾何学的厚さ、及びＡｇから作られた導電性金属層の幾何学的厚さの関数として、５５０ｎｍに等しい波長で１．５の屈折率を有する支持体を含み、かつ準白色光を放出する有機発光デバイスの輝度の変化を示す。
【０１０１】
【図１６】図１６は、５５０ｎｍの波長で２．３の屈折率を有する、光の透過性を改良するための被覆の幾何学的厚さ、及びＡｇから作られた導電性金属層の幾何学的厚さの関数として、５５０ｎｍに等しい波長で１．６の屈折率を有する支持体を含み、かつ準白色光を放出する有機発光デバイスの輝度の変化を示す。
【０１０２】
【図１７】図１７は、５５０ｎｍの波長で２．３の屈折率を有する、光の透過性を改良するための被覆の幾何学的厚さ、及びＡｇから作られた導電性金属層の幾何学的厚さの関数として、５５０ｎｍに等しい波長で１．８の屈折率を有する支持体を含み、かつ準白色光を放出する有機発光デバイスの輝度の変化を示す。
【０１０３】
【図１８】図１８は、５５０ｎｍの波長で２．３の屈折率を有する、光の透過性を改良するための被覆の幾何学的厚さ、及び厚さの関数として、５５０ｎｍに等しい波長で２．０に等しい屈折率を有する支持体を含み、かつ準白色光を放出する有機発光デバイスの輝度の変化を示す。
【発明を実施するための形態】
【０１０４】
図１は、光電子デバイスのための改良された特性を有するガラス基板のテクスチャ処理の構造を概略的に表わす。ガラス基板のテクスチャ処理は、パラメーターＲｚ，Ｒｓｍ及びθによって規定される。Ｒｚはパターンの平均高さを表わし、Ｒｓｍは二つの隣接パターンの頂点を分離する平均距離である。角度θは、以下の関係式によって規定される。
2015527954.tif 000009
【０１０５】
図２は、１ｍＡの電流が付与されるときに有機発光デバイスによって放出される光に対して本発明による表面のテクスチャ処理を含むこのデバイスから前方に（基板の表面の平均平面に対して垂直に）放出する緑色光（λ：５５０ｎｍ）の百分率割合の変化を表わす。驚くべきことに、これらの計算は、透過光の量が角度θの関数であることを示す。表面がテクスチャ処理を欠くとき、放出光／透過光の比率は１２．５％である。角度θが１５°〜８０°であるとき、放出光／透過光の比率が２５％の最小値であり、それは有機発光デバイスの前方から見ると２倍の輝度の増加に相当することが観察される。角度θが２５°〜７０°であるとき、放出光／透過光の比率が３０％の最小値であり、それは有機発光デバイスの前方から見ると２．４倍の輝度の増加に相当する。最後に、角度θが３５°〜６０°であるとき、放出光／透過光の比率が３４％の最小値であり、それは有機発光デバイスの前方から見ると２．７倍の輝度の増加に相当する。従って、シミュレーションは、表面の適切なテクスチャ処理が透過光の量の増加、従って前方の輝度（換言すれば光源の光パワー）の増加を得ることを可能にすることを示す。適切なテクスチャ処理は１５°〜８０°、好ましくは２５°〜７０°、より好ましくは３５°〜６０°の角度θの値を意味することが理解される。これらのシミュレーションは、正方形ベースを持つピラミッドタイプの幾何学的パターンに基づくテクスチャ処理を考慮することによって実施された。シミュレーションは、Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ  Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓからの「Ｌｉｇｈｔ  Ｔｏｏｌ  ｖｅｒｓｉｏｎ６」プログラムを使用して計算された。これらのシミュレーションは、１ｍＡで放出する放射体が有機発光デバイスの有機部分の中央に導入されているモデルを考慮することによって計算された。放出光は、多色放射線であり、その主波長は緑色光の領域である。考慮されるモデルの構造は以下の通りである：
−  本発明によるテクスチャ処理された透明ガラスから作られた基板；
−  ＩＴＯを含む透明電極；
−  Ｎ，Ｎ′−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ′ジフェニル−１，１′−ビフェニル
−  ４，４′−ジアミン（α−ＮＰＤと略す）から作られた層；
−  トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（ＩＩＩ）から作られた層；
−  ＬｉＦから作られた層；
−  Ａｌから作られた上部反射電極。
【０１０６】
実施されるシミュレーションによれば、ピラミッドのベースのサイズの影響は全く観察されなかった。角度θのみが有意な影響を持っていた。さらに、シミュレーションは、結合されたピラミッドが好ましいことを示した。これは、ピラミッドが互いに大きく離れるほど、透過光の量に対するテクスチャ処理の効果が弱くなるためである。従って、幾何学的パターンは互いにできるだけ近くなければならない。これらのパターンは結合パターンであることが好ましく、完全に結合されたパターンが最も好ましい。結合パターンという用語は、それらのベースの少なくとも一部で接触する二つのパターンを規定する。完全に結合されたパターンは、パターンのベースの全ての辺が別のパターンのベースの一部も形成することを意味することが理解される。
【０１０７】
本発明者は、（Ｒｚ／（Ｒｓｍ／２））の逆正接が１５°〜８０°、好ましくは２５°〜７０°、より好ましくは３５°〜６０°の角度θの値に相当するような幾何学的パターンを得ることを可能にする表面テクスチャ処理が化学的攻撃によって生成されることができることを見出した。化学的攻撃は、濃厚なアルカリ溶液又は酸溶液を使用して実施されることができる。アルカリ溶液は高濃度で使用され、少なくとも３５０℃の温度を有するか又は少なくともこの温度に付与後にもたらされるガラス基板に付与される。
【０１０８】
基板に対する化学的攻撃は、テクスチャ処理されたガラスの製造で一般的に使用される酸溶液を使用して、制御された酸攻撃によって（例えばフッ化水素酸を使用する攻撃によって）有利に実施されることができる。一般的に、酸溶液は０〜５の範囲のｐＨを有するフッ化水素酸水溶液である。かかる水溶液は、フッ化水素酸に加えて、この酸の塩、例えば塩酸、硫酸、硝酸、燐酸のような他の酸及びそれらの塩（例えばＮａ２Ｏ４，Ｋ２ＳＯ４，（ＮＨ４）２ＳＯ４，ＢａＳＯ４など）、及び少ない割合の任意の添加剤（例えば、酸／塩基緩衝剤、湿潤剤など）を含むことができる。アルカリ金属塩及びアンモニウム塩が一般的に好ましい。これらのうち、特にナトリウム、カリウム及びアンモニウムフッ化水素、及び／又はアンモニウムフッ化二水素が特に述べられる。かかる溶液は、例えば０〜６００ｇ／ｌのフッ化水素酸、好ましくは１５０〜２５０ｇ／ｌのフッ化水素酸を含み、また０〜７００ｇ／ｌのＮＨ４ＨＦ２、好ましくは１５０〜３００ｇ／ｌのＮＨ４ＨＦ２を含む水溶液である。酸攻撃は一つ以上の段階で実施されることができる。攻撃時間は少なくとも１０秒である。好ましくは、攻撃時間は少なくとも２０秒である。攻撃時間は３０分を越えない。この化学的攻撃は、幾何学的パターンが多角形ベースを有する階段状ピラミッドの少なくとも一つの構造を含むような基板を得ることを可能にする。用語「階段状ピラミッド」は、ピラミッドの少なくとも一つの面が階段構造を示すピラミッドを意味することが理解される。この階段構造を示すピラミッドを意味することが理解される。この階段構造は、踏み段及び蹴上げの寸法が必ずしも互いに等しくかつ一組にする必要はないようなものである。踏み段を含む面と蹴上げを含む面とによって形成された角度は必ずしも９０°に等しくない。好ましくは、ピラミッドの内側から見られる「踏み段−蹴上げ」の角度は少なくとも１００°、より好ましくは少なくとも１２０°である。この角度は「踏み段−蹴上げ」ごとに変化することができる。かかるタイプの構造は図３，４，５及び６に与えられる。図７は、酸テクスチャ処理を使用して得られた本発明による基板の電子顕微鏡写真を示し、その幾何学的パターンは、「階段状ピラミッド」タイプのパターンであり、そのテクスチャ処理は、粗さ測定に関して記載するとＲｚ：１４μｍである。図８は、干渉計測顕微鏡によって得られる３Ｄ像を示す。プロファイル間の平均距離（ＲｍＳ）を決定するために（プロファイルの頂点を必ずしも通過しない）試料の３Ｄ像からランダムにとられた二つの直線プロファイル（一つはＸに沿って、一つはＹに沿っている）が図９に表わされる。２００ミクロンの距離にわたって、水平方向（Ｘに沿う）及び垂直方向に（Ｙに沿う）の両方で六つと七つのプロファイル間で容易に数えることができる。従って、２８ミクロン（七つのプロファイル）と３４ミクロン（六つのプロファイル）の間の値としてＲｍＳを決定することが可能である。従って、プロファイルの平均角度は３９〜４５°である。
【０１０９】
粗さ測定は、Ｖｅｅｃｏ  ３Ｄ干渉計測装置を使用して実施された。試料は、以下のパラメータを使用して測定された：
サイズ：２０３６×２０３６
サンプリング：９８．２１ｎｍ
モード：ＶＳＩ
除去される条件：Ｔｉｌｔ
フィルタリング：なし
【０１１０】
使用される有機発光デバイス（１）は、発光表面から出発して以下の積重ねから構成される：
−  ４ｍｍの厚さを有する透明ガラス；
−  以下のものを含む透明電極：
○  ６０ｎｍのＴｉＯ２から作られた光学最適化層及びＺｎｘＳｎｙＯｚ（式中、ｘ＋ｙ≧３及びｚ≦６）から形成された結晶層（９．０ｎｍの厚さを有するバリヤー層と合体される）を含む光学最適化被覆；
○  Ａｇから作られた導電性層：幾何学的厚さ１４．６ｎｍ；
○  Ｔｉから作られた犠牲層：幾何学的厚さ６．０ｎｍ；
○  挿入層：ＺｎｘＳｎｙＯｚ（式中、ｘ＋ｙ≧３及びｚ≦６）：幾何学的厚さ９．０ｎｍ；
○  １．５ｎｍの幾何学的厚さを有するＴｉＮから作られた均一化層；
○  Ｎａｔｕｒｅ，ｖｏｌ．４５９，ｐｐ．２３４−２３８，２００９で公開されたＳ．Ｒｅｉｎｅｋｅらによる論文の「Ｍｅｔｈｏｄｓ  Ｓｕｍｍａｒｙ」という標題の部分に記載される銀から作られた対向電極及び有機層の組。
【０１１１】
図１０は、本発明によるテクスチャ処理されたガラス基板の一例を表わし、この基板は透明電極を含む。本発明によるガラス基板の一般的な構造は以下の通りである：
−  二つの隣接パターンの頂点を分離する平均距離（Ｒｓｍ）の半分に対するパターンの平均高さ（Ｒｚ）の比率の逆正接が３５°〜８０°の範囲内の値、好ましくは３５°〜７０°の範囲内の値、最も好ましくは３５°〜６０°の範囲内の値に等しいように幾何学的パターンの組によって少なくとも一つの面を完全に又は部分的に化学的攻撃によってテクスチャ処理された透明又は超透明ガラス板（１）；
−  光学最適化層（２０）を含む光学最適化被覆（２）；
−  導電性金属層（３）。
【０１１２】
図１１は、本発明によるガラス基板の代替例を表わし、この基板は透明電極を含む。本発明によるガラス基板の一般的な構造は以下の通りである：
−  二つの隣接パターンの頂点を分離する平均距離（Ｒｓｍ）の半分に対するパターンの平均高さ（Ｒｚ）の比率の逆正接が３５°〜８０°の範囲内の値、好ましくは３５°〜７０°の範囲内の値、最も好ましくは３５°〜６０°の範囲内の値に等しいように幾何学的パターンの組によって少なくとも一つの面を完全に又は部分的に化学的攻撃によってテクスチャ処理された透明又は超透明ガラス板（１）；
−  光学最適化層（２１）を含む光学最適化被覆（２）；
−  導電性層（３）；
−  挿入層（４）；
−  均一化層（５）。
【０１１３】
図１２は、本発明によるガラス基板の別の代替例を表わし、この基板は透明電極を含む。本発明によるガラス基板の一般的な構造は以下の通りである：
−  二つの隣接パターンの頂点を分離する平均距離（Ｒｓｍ）の半分に対するパターンの平均高さ（Ｒｚ）の比率の逆正接が３５°〜８０°の範囲内の値、好ましくは３５°〜７０°の範囲内の値、最も好ましくは３５°〜６０°の範囲内の値に等しいように幾何学的パターンの組によって少なくとも一つの面に完全に又は部分的に化学的攻撃によってテクスチャ処理された透明又は超透明ガラス板（１）；
−  以下のものを含む光学最適化被覆（２）：
○  バリヤー層（２０）；
○  光学最適化層（２１）；
○  結晶層（２２）；
−  犠牲層（３１）；
−  導電性層（３）；
−  犠牲層（３２）；
−  挿入層（４）；
−  均一化層（５）。
【０１１４】
図１３は、本発明によるガラス基板の別の代替例を表わし、この基板は透明電極を含む。積重ねの一般的な構造は、本発明による基板（１）から出発して以下の通りである：
−  光学最適化層（２１）を含む光学最適化被覆（２）；
−  導電性層（３）；
−  犠牲層（３２）；
−  挿入層（４）；
−  均一化層（５）。
【０１１５】
図１４，１５，１６，１７及び１８は、５５０ｎｍに等しい波長で１．４，１．５，１．６，１．８及び２．０に等しい屈折率をそれぞれ有する支持体を含み、かつＡｇから作られた導電性金属層の幾何学的厚さと、５５０ｎｍの波長で２．３の屈折率（ｎＤ１）を有する、光の透過性を改良するための被覆の幾何学的厚さ（Ｄ１）の関数として、準白色光を放出する有機発光デバイスの輝度の変化を示す。有機発光デバイスの構造は以下の積重ねを含む：
−  １０００．０ｎｍに等しい幾何学的厚さを有するテクスチャ処理されていない透明ガラス板；
−  電極：
○  光の透過性を改良するための被覆；
○  Ａｇから作られた導電性金属層；
−  有機発光デバイスの有機部分は、それが以下の構造を有するようなものである：
○  ２５．０ｎｍに等しい幾何学的厚さを有する正孔輸送層（ＨＴＬ）；
○  １０．０ｎｍに等しい幾何学的厚さを有する電子ブロッキング層（ＥＢＬ）；
○  光源Ａに対応する白色光のガウススペクトルを放出しかつ１６．０ｎｍに等しい幾何学的厚さを有する放出層；
○  １０．０ｎｍに等しい幾何学的厚さを有する正孔ブロッキング層（ＨＢＬ）；
○  ４３．０ｎｍに等しい幾何学的厚さを有する電子輸送層（ＥＴＬ）；
−  １００．０ｎｍに等しい厚さを有するＡｌから作られた対向電極。
【０１１６】
驚くべきことに、これらの計算は、光の透過性を改良するための特性を与える被覆（１１０）の光学的厚さ（ＴＤ１）と導電性金属層（１１２）の幾何学的厚さ（ＴＭＥ）が以下の関係式によって関係づけられるような透明基板に対して最大輝度が得られることを示す：
2015527954.tif 000010
式中、ＴＭＥ＿ｏ，Ｂ及びＴＤ１＿ｏは、定数であり、ＴＭＥ＿ｏは、１０．０〜２５．０ｎｍの範囲の値を有し、Ｂは、１０．０〜１６．５の範囲の値を有し、ＴＤ１＿ｏは、２３．９＊ｎＤ１〜２８．３＊ｎＤ１ｎｍの範囲の値を有し、ｎＤ１は、５５０ｎｍの波長における光の透過性を改良するための被覆の屈折率を表わし、ｎｓｕｂｓｔｒａｔｅは、５５０ｎｍの波長における基板を構成するガラスの屈折率を表わす。輝度は、ＦｌｕｘｉｍからのプログラムＳＥＴＦＯＳ，ｖｅｒｓｉｏｎ３（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  Ｅｍｉｓｓｉｖｅ  Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｏｐｔｉｃｓ  Ｓｉｍｕｌａｔｏｒ）を使用して計算された。この輝度は任意単位で表示される。太い線の形で表われる正弦曲線は、方程式：ＴＭＥ＝ＴＭＥ＿０＋［Ｂ＊ｓｉｎ（Π＊ＴＤ１／ＴＤ１＿０）］／（ｎｓｕｂｓｔｒａｔｅ）３によって選択される範囲の極値を示す。本発明者は、驚くべきことに、選択される範囲が準白色光を放出する有機発光デバイスに対してだけでなく、放出されたいかなるタイプの色（例えば赤、緑、青色）に対しても有効であることを見出した。本発明者は、同じ透明基板構造では、高い屈折率を有するガラス基板の使用が光電子システムによって透過される光の量を増加できることを見出した。高い屈折率は、少なくとも１．４に等しい、好ましくは少なくとも１．５に等しい、より好ましくは少なくとも１．６に等しい、最も好ましくは少なくとも１．７に等しい屈折率を意味するものとして理解される。特に、図５及び９の比較によって示されるように、同じ透明基板構造では、２．０に等しい屈折率を有する支持体が１．４に等しい屈折率を有する支持体の代わりに使用される（ガラスの屈折率は５５０ｎｍの波長での屈折率である）ときにＯＬＥＤデバイスの輝度の１８０％のオーダの増加が観察される。さらに、本発明者は、驚くべきことに、光の透過性を改良するための特性を与える被覆（２）の光学的厚さ（ＴＤ１）と導電性金属層（３）の幾何学的厚さ（ＴＭＥ）の間の関係式が本発明によるテクスチャ処理されたガラス基板にも適用されることを見出した。
【０１１７】
光抽出効率又は外結合係数効率（ｏｕｔ−ｃｏｕｐｌｉｎｇ  ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ（ＯＣＥ））に対する支持体の粗さの影響は表１に与えられる。
【表１】
2015527954.tif 000011
【０１１８】
ＯＣＥは、基準と比較して抽出されることができる光の量を規定する因子である。使用される基準は、同一構造（陽極、ＯＬＥＤの有機部分及び陰極）のＯＬＥＤデバイスであるが、そのガラス基板はテクスチャ処理されていない。ＯＣＥは、以下の構造を有するＯＬＥＤデバイスで測定される：
−  ４ｍｍに等しい幾何学的厚さを有するテクスチャ処理された超透明ガラス板；
−  以下のものを含む透明電極：
○  ６０ｎｍのＴｉＯ２から作られた光学最適化層及びＺｎｘＳｎｙＯｚ（式中、ｘ＋ｙ≧３及びｚ≦６）から形成された結晶層（９．０ｎｍの厚さを有するバリヤー層と合体される）を含む光学最適化被覆；
○  Ａｇから作られた導電性層：幾何学的厚さ１４．６ｎｍ；
○  Ｔｉから作られた犠牲層：幾何学的厚さ６．０ｎｍ；
○  挿入層：ＺｎｘＳｎｙＯｚ（式中、ｘ＋ｙ≧３及びｚ≦６）：幾何学的厚さ９．０ｎｍ；
○  １．５ｎｍの幾何学的厚さを有するＴｉＮから作られた均一化層；
○  Ｎａｔｕｒｅ，ｖｏｌ．４５９，ｐｐ．２３４−２３８，２００９で公開されたＳ．Ｒｅｉｎｅｋｅらによる論文の「Ｍｅｔｈｏｄｓ  Ｓｕｍｍａｒｙ」という標題の部分に記載されるアルミニウムから作られた対向電極及び有機層の組。
【０１１９】
ＯＣＥ値は以下の方法で得られた：
−  Ｌａｂｓｐｈｅｒｅ  ＬＭＳ-２００積分球での光束の絶対測定。各試料に適用される電圧は、４ｍＡの電流強さを得るために要求されるものである。
−  ＯＣＥは、得られる光束の値を、基準に対して測定された光束の値で割ることによって得られる。
【０１２０】
基準ＯＬＥＤデバイスに対するＣＩＥ（ｘ，ｙ）図における色座標の角度依存性が表２に与えられ、前記基準試料は、表１に与えられたＯＣＥ値を決定するために使用されるものと同一であり、同一構造（陽極、ＯＬＥＤの有機部分及び陰極）のデバイスであり、そのガラス板は１４μｍの粗さＲｚ及び２８〜３４μｍのＲｓｍを示す。色座標の低下した角度依存性がテクスチャ処理されたガラス板で得られることが観察される。Δｘ０°−８０°は、０°〜８０°で測定されるｘの最高値と０°〜８０°で測定されるｘの最低値の間の差を表わす。同様に、Δｙ０°−８０°は、０°〜８０°で測定されるｙの最高値と０°〜８０°で測定されるｙの最低値の間の差を表わす。
【表２】
2015527954.tif 000012
【０１２１】
光学的測定は、Ｈａｍａｍａｔｕ  Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ  Ｋ．Ｋ．によって販売される商品名Ｃ１００２７を有するマルチチャンネルスペクトロスコープを使用して実施された。測定角度は、一方ではガラス板に対する垂線と、他方ではスペクトロスコープの測定表面に対して垂直な直線との間で形成される角度によって規定される。
【図１】
2015527954.tif 000014
【図２】
2015527954.tif 000015
【図３】
2015527954.tif 000016
【図４】
2015527954.tif 000017
【図５】
2015527954.tif 000018
【図６】
2015527954.tif 000019
【図１０】
2015527954.tif 000020
【図１１】
2015527954.tif 000021
【図１２】
2015527954.tif 000022
【図１３】
2015527954.tif 000023
【図７】
2015527954.tif 000024
【図８】
2015527954.tif 000025
【図９】
2015527954.tif 000026
【図１４】
2015527954.tif 000027
【図１５】
2015527954.tif 000028
【図１６】
2015527954.tif 000029
【図１７】
2015527954.tif 000030
【図１８】
2015527954.tif 000031
【国際調査報告】
2015527954.tif 000032
2015527954.tif 000033
2015527954.tif 000034
2015527954.tif 000035
2015527954.tif 000036
2015527954.tif 000037