(57)【要約】  基板（２）と、少なくとも１つの導体配線（３）とを有する担体プレート（１）が提示されている。導体配線（３）は、基板（２）上に直接載置されている第１層（４１）と、第１層（４１）上に配置された第２層（４２）とを有する。第２層（４２）は、リード線領域（４２１）と、はんだ領域（４２２）とを有する。さらに、この第２層（４２）は、リード線領域（４２１）とはんだ領域（４２２）との間で、完全に中断している。さらに、担体プレート（１）とこの担体プレート（１）上に配置された電気素子（７）とを有する装置、および、担体プレート（１）の製造方法が提示される。
2015533260.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（２）と、少なくとも１つの導体配線（３）とを有する担体プレート（１）であって、
・前記導体配線（３）は、前記基板（２）上に直接載置されている第１層（４１）を有し、
・前記導体配線（３）は、前記第１層（４１）上に配置された第２層（４２）を有し、
・前記第２層（４２）は、リード線領域（４２１）と、はんだ領域（４２２）とを有し、
・前記第２層（４２）は、前記リード線領域（４２１）と前記はんだ領域（４２２）との間で、完全に中断している
担体プレート（１）。
【請求項２】
前記第１層は、前記中断領域（４２３）の下方で貫通している請求項１に記載の担体プレート。
【請求項３】
前記第２層（４２）のある部分が、前記中断領域（４２３）中でレーザ（５）により切除されている上記請求項のいずれか１項に記載の担体プレート。
【請求項４】
前記導体配線（３）は、前記第１層と前記第２層（４１、４２）との間に配置されている第３層（４３）を有する上記請求項のいずれか１項に記載の担体プレート。
【請求項５】
前記第３層（４３）は、前記中断領域（４２３）の下方で貫通している請求項４に記載の担体プレート。
【請求項６】
前記第３層（４３）は、前記中断領域（４２３）の下方で中断している請求項４に記載の担体プレート。
【請求項７】
前記導体配線（３）は、前記第２層と前記第３層（４２、４３）との間に配置されている第４層（４４）を有し、前記第４層（４４）は、前記中断領域（４２３）の下方で貫通または中断している請求項５に記載の担体プレート。
【請求項８】
前記導体配線（３）は、前記第１層と前記第３層（４２、４３）との間に配置されている第４層（４４）を有し、前記第４層（４４）は、前記中断領域（４２３）の下方で中断している請求項６に記載の担体プレート。
【請求項９】
１つまたは複数の中断した層によって露出された前記導体配線（３）の層は、その上に直接層が配置されている層よりも、ぬれ性がより小さい上記請求項のいずれか１項に記載の担体プレート。
【請求項１０】
前記はんだ領域（４２２）は、少なくとも部分的にはんだ（６）により覆われている上記請求項のいずれか１項に記載の担体プレート。
【請求項１１】
前記担体プレート（１）には、はんだストップレジストがない上記請求項のいずれか１項に記載の担体プレート。
【請求項１２】
担体プレート（１）と、前記担体プレート（１）上に配置された電気素子（７）とを有する装置であって、
・前記担体プレート（１）は、基板（２）と、それぞれ前記基板（２）上に配置された複数の導体配線（３）とを有し、
・前記導体配線（３）は、それぞれ前記基板（２）上に直接載置されている第１層（４１）を有し、
・前記導体配線（３）は、それぞれ前記第１層（４１）上に配置された第２層（４２）を有し、
・前記第２層（４２）は、それぞれリード線領域（４２１）と、はんだ領域（４２２）とを有し、
・前記第２層（４２）は、前記リード線領域（４２１）と前記はんだ領域（４２２）との間で、それぞれ完全に中断していて、
・前記はんだ領域（４２２）は、前記電気素子（７）用の接続領域（８）を形成する面を規定し、
・前記電気素子（７）は、はんだ（６）により前記はんだ領域（４２２）と接続されていて、
・前記接続領域（８）外にある前記リード線領域（４２１）には、はんだ（６）がない
装置。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の担体プレート（１）の製造方法であって、以下の工程、すなわち、
・前記基板（２）と、少なくとも１つの導体配線（３）とを有する前記担体プレート（１）を準備する工程であって、前記導体配線（３）は、前記基板（２）上に直接載置された前記第１層（４１）を有し、かつ、前記第１層（４１）上に配置された第２層（４２）を有する、工程と、
・前記第２層（４２）のある領域を切除する工程であって、その結果、前記第２層（４２）は、前記リード線領域（４２１）と前記はんだ領域（４２２）との間で完全に中断している、工程
とを含む方法。
【請求項１４】
前記切除工程が、レーザ切除により行われる請求項１３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
担体プレートを提示する。さらに、担体プレートと、担体プレート上に配置された電気素子とを備えた装置、および、担体プレートの製造方法を提示する。
【背景技術】
【０００２】
複数のコンタクト部、いわゆる入力および出力（「ＩＯ」）を備えた半導体チップを基板と接続する場合には、全ての入力ないし出力を接続するためには、いわゆる「ファンアウト」または「ファンイン」が必要とされるが、なぜならば、貫通孔いわゆるヴィアが、基板中で、半導体チップ上の入力ないし出力のような密度ではほぼ実現可能ではないからである。「ファンアウト」または「ファンイン」においては、導体配線列を互いに広げまたは寄せ合うが、これは「再配線」とも称される。
【０００３】
通常各「ファンイン」または「ファンアウト」は、いわゆるはんだストップレジスト（「ｓｏｌｄｅｒ  ｓｔｏｐ」）を必要とするが、この理由は、これがない場合には、はんだの再溶融（「リフローはんだ付け（ｒｅｆｌｏｗ  ｓｏｌｄｅｒｉｎｇ）」）時に、はんだが限定されず導体配線を超えて流れ去るであろうからである。フリップ・チップ・ボンディングの場合には、これにより、はんだボール（「はんだバンプ（ｓｏｌｄｅｒ  ｂｕｍｐ）」）が侵入することになり、これは、専門用語では「コラプス（ｃｏｌｌａｐｓｉｎｇ）」とも称される。はんだストップレジストとしては、例えばぬれ性が劣悪なポリマーからなる層が用いられ、このポリマーを超えてはんだが流れ出ない。精確性が必要であるので、ポリマー層は光構造化されねばならない。通常はんだストップレジストを採用する場合には、いわゆるＳＭＤシステム（ＳＭＤ：「ソルダマスク定義（ｓｏｌｄｅｒ  ｍａｓｋ  ｄｅｆｉｎｅｄ）」）も、いわゆるＮＳＭＤシステム（「非ソルダマスク定義（ｎｏｎ−ｓｏｌｄｅｒ  ｍａｓｋ  ｄｅｆｉｎｅｄ）」）も使用されるが、ＳＭＤシステムでは、はんだ領域は、はんだストップマスク（「ｓｏｌｄｅｒ  ｍａｓｋ」）により予め与えられていて、逆に、ＮＳＭＤシステムでは、はんだ領域は、導体配線列により自身で決められる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
少なくともいくつかの実施形態の達成すべき目的は、公知の担体プレートと比較して改良された特性を有し、かつさらに割安で製造可能である担体プレートを提供することである。少なくともいくつかの実施形態のさらなる目的は、担体プレートと、担体プレート上に配置された電気素子とを備えた装置、および、担体プレートの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
これらの目的は、独立請求項に記載の対象物および方法により達成される。さらに、対象物ないし方法の有利な実施形態およびさらなる構成は、従属請求項、以下の説明および図面から明らかである。
【０００６】
少なくとも１つの実施形態による担体プレートは、基板と、少なくとも１つの導体配線とを有する。基板は、好ましくは有機またはセラミック材料を有する。例えば、基板は導体プレート（例えば、ＦＲ４導体プレートなど）でありえる。さらに、基板は、ＬＴＣＣ、ＨＴＣＣ、またはＭＬＶセラミックを有し、または、これらからなることも可能である。この場合、ＬＴＣＣは、「ｌｏｗ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｃｏｆｉｒｅｄ  ｃｅｒａｍｉｃｓ（低温同時焼成セラミックス）」の略であり、すなわち、通常１０００℃未満の温度で焼成されるセラミックである。ＨＴＣＣは、「ｈｉｇｈ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｃｏｆｉｒｅｄ  ｃｅｒａｍｉｃｓ（高温同時焼成セラミックス）」の略であり、すなわち、通常１０００℃を上回る温度で焼成されるセラミックである。ＭＬＶは、「ｍｕｌｔｉ−ｌａｙｅｒ  ｖａｒｉｓｔｏｒ」（多層バリスタ）の略である。少なくとも１つの導体配線は、基板の表面上に載置されている。
【０００７】
さらなる実施形態では、導体配線は、基板上に直接載置されている第１層を有する。この第１層は、本箇所および以下で、「基礎金属部」または「基礎金属部層」と称することができる。例えば、この第１層は、銅または銀もしくはこれらからなる組み合わせを有することができ、もしくは、これらの材料のうちの１つからなりうる。導体配線は、さらに第１層上に配置された第２層を有する。好ましくは、この第２層は、最も上にある、担体プレートの基板から最も離れた導体配線の層である。第２層は、本箇所および以下で、「最終金属部」とも、「最終金属部層」とも、または、「仕上げ金属部」とも称されうる。
【０００８】
例えば、第２層は、第１層上に直接載置されていることができる。さらに、第１層と第２層との間に、１つまたは複数のさらなる層が配置されていることが可能である。好ましくは、第２層は、第１層とは異なる材料を有する。第２層は、例えば金を有することができ、または金からなりうる。例えば、この場合、これは、いわゆる「フラッシュ金」でありえ、すなわち、薄く、例えば最大で１２０ｎｍの厚さの、一般的には迅速に塗布される金表面であり、とりわけはんだ付けに使用され、例えば、いわゆる「直接浸漬金（ｄｉｒｅｃｔ  ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  ｇｏｌｄ）」（ＤＩＧ）である。
【０００９】
さらなる実施形態では、第２層は、リード線領域とはんだ領域とを有し、この第２層は、リード線領域とはんだ領域との間で、完全に中断している。これは、とりわけ、リード線領域とはんだ領域との間に配置された中断領域中に第２層が存在しないことを意味する。好ましくは、第２層は中断領域中で除去されている。はんだ領域は、とりわけ、はんだ、例えばはんだボールの形態でのはんだを塗布するために設けられていることができ、このはんだを用いて、例えば半導体チップのコンタクト部が、コンタクト接続可能であり、一方では、リード線領域は、いわゆる「ファンイン」または「ファンアウト」もしくは、このうちの少なくともある部分を形成することができる。
【００１０】
好ましくは、第１層は中断領域の下方で貫通している。例えば、第２層は中断領域中で除去されていることができるが、この下に置かれた第１層は、この領域中で全く中断していない。
【００１１】
ここで説明している担体プレートでは、第２層の中断領域を用いて、導体配線のこの領域中で、導体配線のぬれ性を低減させることができ、その結果、中断領域がはんだストップとして作用するので有利でありうる。例えばＮｉ／Ｐｄ／ＡｕまたはＮｉ／Ａｕの連続層を備えた金属部では、最も上にある、すなわち、第２層中に含有される金ないしフラッシュ金が、まさに高いぬれ性に責任を持つ。従って、中断領域中で、少なくとも第２層、すなわち最も上にある例えば金を含有する層のある領域を除去することにより、上述のはんだボールの侵入を導きうる導体配線の高いぬれ性を低減させることができる。
【００１２】
これにより、ここで説明した担体プレートは割安に製造することができるが、これは、様々な要件を満たさねばならない高価なはんだストップレジストを省くことができるからである。例えば、この種のはんだストップレジストは、基板上にも金属部上にも十分な固着耐性を有さねばならない。さらに、はんだストップレジストは、非常に薄くなければならないので、フリップチップはアンダーフィルされる可能性があり、場合によっては追加的に電気めっき浴に耐えるべきである。
【００１３】
その上、ここで説明した担体プレートでは、追加的なコスト高の光プロセス（このプロセスでは、とりわけ基板と金属部との反射が異なるので、露光において非常に狭いプロセスウィンドウが存在する）を省くことができる。
【００１４】
さらなる実施形態では、第２層のある部分が、中断領域中でレーザにより切除されている。例えば、この切除のために、ＣＯ２レーザまたはＵＶレーザを用いることができる。レーザを採用する場合、波長を選択することにより、様々な材料中ないし様々な層中への吸収を非常に選択的に制御することができるので有利である。これにより、完全に目的を定めて、その下にある層および／または基板に負担をかけずに、選択した層を切除することができる。
【００１５】
さらなる実施形態では、中断領域の下方で、第１層の少なくともある部分領域が酸化されている。これは、例えば、第１層にまで、すなわち基礎金属部にまで、完全にレーザが通ることにより達成されうるが、すなわち、第１層が、第２層の中断を作るために用いられるレーザにより、少なくとも表面的には影響を受けるが、完全に切り離されないことにより達成されうる。レーザの作用により、少なくとも第１層の表面のある部分領域中で酸化部が形成されうる。例えば銅を含有する基礎金属部の酸化された部分領域により、この部分が、追加的にはんだストップ（Ｓｏｌｄｅｒ−Ｓｔｏｐ）として作用するという利点が生じるが、この理由は、はんだが、酸化された部分領域をあまりぬらすことができないからである。さらに、第１層を化学的に酸化させ、またはこれ以外の方法で化学的に処理し、その結果、第１層があまりぬれないようにすることも可能である。
【００１６】
さらなる実施形態では、導体配線は第３層を有し、この第３層は、第１層と第２層との間に配置されている。この第３層は、好ましくは導体配線の第１層と直接境界を接する。さらに、第３層は、導体配線の第２層と直接境界を接することができる。その上、１つまたは複数のさらなる層が、第３層と第２層との間に配置されていることも可能である。第３層は、例えばニッケルを有し、またはニッケルからなる。ニッケルが拡散障壁として作用し、基礎金属部が、はんだ、例えば、鉛無しの錫はんだ、銀はんだまたは銅はんだにより溶解されること（いわゆる「白化」または「合金化」）が妨げられうるので有利である。
【００１７】
さらなる実施形態では、第３層が中断領域の下方で貫通している。例えばレーザの適切な波長を選択することにより、目的を定めて、中断領域中で、第２層の下にある第３層を除去することなく、第２層のある部分を除去することができる。
【００１８】
さらなる実施形態では、第３層が中断領域の下方で中断している。従って、例えば、レーザを用いて目的を定めて中断領域中で第２層のある部分を除去し、かつこの中断領域の下方で第３層のある部分も除去することが可能であり、この際に、この下にある第１層は、例えば損傷を受けず、またはこれに代えて上述したように酸化されている。
【００１９】
さらなる実施形態では、導体配線は、第２層と第３層との間に配置されている第４層を有する。好ましくはこの場合に、第４層は、導体配線の第２層とも第３層とも境界を接する。第４層は、例えばパラジウムを有し、またはパラジウムからなりうる。好ましくは、この第４層は第２層の中断領域の下方で中断している。例えば第２層は中断領域中で、かつ第４層は中断領域の下方で、レーザにより除去されていることができ、この場合に、第３層は中断領域の下方で貫通している、または、同様に中断していることができる。ある代替実施形態では、第４層は、中断領域の下方で貫通していて、この下にある第３層も貫通している。この配置関係は、例えば、第２層のみが中断領域中で除去されていることにより達成されうる。
【００２０】
さらなる実施形態では、１つまたは複数の中断した層によって露出された導体配線の層は、その上に直接層が配置されている層よりも、ぬれ性が小さい。例えば、レーザを用いて、完全に目的を定めて、高いぬれ性を有する層を、中断領域中またはその下方で除去することができる。これにより、高価なはんだストップレジストを採用せずとも、効率的なはんだストップを達成することができる。
【００２１】
さらなる実施形態では、はんだ領域は、少なくとも部分的にはんだで覆われている。例えば、はんだ領域は、少なくともある部分が、はんだ領域上に配置されたはんだボール（「ｓｏｌｄｅｒ  ｂｕｍｐ（はんだバンプ）」）により覆われていることができる。導体配線の１つまたは複数の層の中断領域を用いて、はんだ領域上に塗布されたはんだが流れ出すことが防がれうる。
【００２２】
さらなる実施形態では、導体配線は、このはんだ領域とは逆方向に置かれたリード線領域の端部に、さらなるはんだ領域を有する。好ましくは、リード線領域は、ここでも中断領域によりさらなるはんだ領域から切り離されている。この場合、さらなるはんだ領域は、好ましくは同様に少なくとも部分的にはんだにより覆われている。
【００２３】
さらなる実施形態では、担体プレートにははんだストップレジストがない。上で詳述したように、ここで説明した担体プレートでは、はんだストップレジストの塗布を省くことができ、これにより、担体プレートの製造時に生じるコストを低減することができるので有利である。
【００２４】
少なくとも１つのさらなる実施形態では、装置は、担体プレートと、担体プレート上に配置された電気素子とを有する。この電気素子は、とりわけ半導体素子、例えば表面上にマウント可能な素子またはフリップチップの形態での半導体チップでありえる。さらに、この電気素子は、いわゆる「アンダー・バンプ・メタル」（ＵＢＭ）により、例えば、１つまたは複数の導体配線と直接接続されていて、担体上に固定されている素子でありうる。
【００２５】
この装置は、上述のおよびさらなる実施形態の１つまたは複数の特徴を備えた担体プレートを含みうる。
【００２６】
ある実施形態によれば、担体プレートは、１つの基板と複数の導体配線とを有する。好ましくは、導体配線はそれぞれ基板上に載置されている。好ましくは、複数の導体配線はそれぞれ、基板上に直接載置されている第１層と、第１層上にそれぞれ配置されている第２層とを有する。とりわけ上述の実施形態による各導体配線が、少なくとも１つの導体配線用に形成されていることができる。
【００２７】
さらなる実施形態では、複数の導体配線の第２層は、とりわけそれぞれリード線領域とはんだ領域とを有し、この第２層は、それぞれリード線領域とはんだ領域との間で完全に中断している。
【００２８】
さらなる実施形態では、複数の導体配線のはんだ領域は、電気素子用の接続領域を形成する面を規定する。例えば複数のはんだ領域は、所望の形状（例えば、正方形または長方形）の面を規定し、電気素子がこの面上に配置され、かつ固定されることができる。
【００２９】
さらなる実施形態では、電気素子ははんだによりはんだ領域と接続されている。これにより、電気素子は、機械的に担体プレート上に固定されていることができ、電気的にも担体プレート上の導体配線と接続されていることができる。好ましくは、接続領域外にあるリード線領域には、はんだがない。
【００３０】
少なくとも１つのさらなる実施形態では、ある方法で担体プレートが製造される。担体プレートは、上述の実施形態の１つまたは複数の特徴を有しうる。とりわけ、上述のおよび以下に説明する実施形態は、担体プレートについても、担体プレートの製造方法についても一様に該当する。
【００３１】
さらなる実施形態では、基板と少なくとも１つの導体配線とを有する担体プレートが準備される。導体配線は、好ましくは、基板上に直接載置されている第１層と、第１層上に配置された第２層とを有する。
【００３２】
さらなる方法工程では、第２層のある領域が切除され、その結果、第２層がリード線領域とはんだ領域との間で完全に中断している。さらに、第１層と第２層との間に配置された、第３層および／または第４層が、中断領域中で切除されることが可能である。
【００３３】
さらなる実施形態では、この切除は、レーザ切除により行われる。好ましくは、この際に、すでに上述したように、適切な性能および波長を備えたレーザを用いる。この際、例えばＣＯ２レーザまたはＵＶレーザを採用することができる。
【００３４】
レーザを用いれば、下にある層および／または基板に負担をかけることなく、非常に目的を定めて選択した層を切除することができるので有利である。さらに、ここで説明した方法の利点は、配線を基板中の内部層状部中に埋め込むことなく、基板上で直接行うことができるという点である、すなわち、はんだ箇所を、基板の表面上で導体部列と接続することが可能である。これにより、担体プレート内の場所を節約することができ、集積度を高めることができる。
【００３５】
好ましくはここで説明した方法は、とりわけ、高分解能で構造化された導体配線を備えた表面が必要である担体プレートにおいて採用されうる。
【００３６】
担体プレートおよびこの担体プレートを含む装置のさらなる利点および有利な実施形態は、以下に図１〜６と関連付けて説明を行う実施形態から明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】担体プレートのある実施例の概略平面図である。
【図２】導体配線を備えた担体プレートのさらなる実施例の概略断面図である。
【図３】担体プレートの導体配線のさらなる実施例の概略平面図の１部分である。
【図４】担体プレートとその上に配置された電気素子とを備えた装置のさらなる実施例の平面図である。
【図５】担体プレートの製造方法のさらなる実施例の概略図である。
【図６】担体プレートの製造方法のさらなる実施例の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
実施例および図中では、同じまたは同じ作用を行う構成部分には、それぞれ同じ参照符号が付けられている可能性がある。図示された部材およびそれらの互いに対するサイズの割合は、基本的には縮尺に忠実であると見なされるべきではない。むしろ、個々の部材、例えば層、部品および領域は、より良く提示するために、および／または、より良い理解のために、誇張して分厚くまたは大きなサイズで提示されている可能性がある。
【００３９】
図１に、担体プレート１のある実施例を示す。この担体プレート１は、ＬＴＣＣセラミック製の基板２と、基板２上に配置されている複数の導体配線３とを有する。あるいは、この基板２は、ＨＴＣＣまたはＭＬＶセラミック、または、導体プレート、例えばＦＲ４導体プレートでもありえる。個々の導体配線３は、それぞれ１つのはんだ領域４２２と、中断領域４２３と、リード線領域４２１とを有するが、この点は、以下の実施例に関連付けて説明する通りである。さらに、担体プレート１は、複数の金属部１０およびヴィア９を有し、これらは電気部品の接続のために機能しうる。
【００４０】
導体配線のはんだ領域４２２は、電気素子用の接続領域を形成する面を形成し、一方では、リード線領域は再配線を形成する。導体配線３および図示した担体プレート１のさらなる構成要素の数、形状、配置および経路は、単に例示的なものであって、限定的なものとして理解されるべきではない。
【００４１】
図２には、担体プレート１のさらなる実施例を示すが、これは、例えば、図１で示した導体配線３に沿った、図１の担体プレート１のある部分領域の断面図でありうる。基板２上に配置された導体配線３は、第１層４１を有し、この第１層は、基板２上に直接載置されている。第１層４１は、この図示した実施例では銅を含有する。あるいは、この第１層４１は銀も含有しうる。例えば第１層の層厚は、１５μｍ〜２０μｍでありうる。さらに、導体配線３は、金を含有する第２層４２を有し、この層は第１層４１上に配置されていて、導体配線３の最も上にある層を形成する。この金を含有する第２層４２は、例えばいわゆる「直接浸漬金（ｄｉｒｅｃｔ  ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  ｇｏｌｄ）（ＤＩＧ）」からなる層でありえる。第２層４２の層厚は、例えば、約５０ｎｍでありえる。
【００４２】
第２層４２は、リード線領域４２１と、はんだ領域４２２とを有し、この第２層４２は、リード線領域４２１とはんだ領域４２２との間で、中断領域４２３中で中断している。導体配線３の第１層４１は、中断領域４２３の下方で貫通している。はんだ領域４２２上には、はんだボールの形態でのはんだ６が配置されていて、これが、電気素子のコンタクト接続のために機能する。さらに、担体プレート１はヴィア９を有し、これが導電性材料で充填されていて、導体配線３と導電接続されている。ヴィアの代わりに、はんだ領域４２２とは逆側の、リード線領域４２１の端部にさらなるはんだ領域が続くことができ、好ましくはリード線領域４２１とさらなるはんだ領域との間に中断領域が存在する。
【００４３】
さらに、導体配線３は、第３層４３（これは、第１層４１と第２層４２との間に配置されている）を、および任意選択的に第４層４４（これは、第２層４２と第３層４３との間に配置されている）も有することも可能である。第１層４１上に、すなわち、基礎金属部上に、第３層および第２層４３、４２からなる、または、第３層、第４層および第２層４３、４４、４２からなる金属部が載置されている場合には、これは、例えばＮｉ／Ａｕ（無電解ニッケル／浸漬金、ＥＮＩＧ）または無電流Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ（無電解ニッケル／無電解パラジウム／浸漬金、ＥＮＥＰＩＧ）でありえる。第３層４３の層厚は、例えば２μｍと４μｍとの間でありえ、第４層４４の層厚は、例えば、０．３μｍと０．５μｍとの間でありえる。
【００４４】
図３は、基板２上の導体配線３のさらなる実施例の１部分を示すが、この実施例は、例えば図１の担体プレート１の導体配線３でありうる。導体配線３は、はんだ領域４２２とリード線領域４２１との間に配置されている中断領域４２３を有する。
【００４５】
この図で示す担体プレート１では、第２層４２すなわち金を含有し高いぬれ性に責任を持つ層の中断領域４２３により、導体配線３のこの領域中でのぬれ性を低減し、その結果、中断領域４２３は、はんだストップとして作用するので有利である。これにより、ここで説明した担体プレートは割安に製造することができるが、これは、高額なはんだストップレジストを省くことができるからである。
【００４６】
図４は、装置１０の平面図であるが、この装置は、担体プレート１と、この担体プレート１の上に配置された電気素子７とを含む。電気素子７は、下にある構造を提示することができるように、単に示唆されているだけである。
【００４７】
担体プレート１は、基板２と、基板２上にそれぞれ載置されている複数の導体配線３とを有する。導体配線３は、それぞれ基板２上に直接載置されている１つの第１層４１と、第１層４１上に配置された第２層４２とを有する。ここで、第２層４２は、それぞれリード線領域４２１と、はんだ領域４２２とを有する。第２層４２は、リード線領域４２１とはんだ領域４２２との間で、中断領域４２３により完全に中断している。はんだ領域４２２は、電気素子７用の接続領域８を形成する面を規定している。電気素子７は、はんだ６により、はんだ領域４２２と接続されていて、これにより、電気素子は担体プレート１上に固定されている。例えば電気素子７は、１つまたは複数の接触面を有し、この接触面により、電気素子７が、はんだ６によりはんだ領域４２２と導電接続している。接続領域８外のリード線領域４２１には、はんだ６がなく、再配線を形成する。導体配線３の第１層４１の中断領域４２３により、はんだ領域４２２上に塗布されたはんだ６用のはんだストップを生成することができる。電気素子７は、例えば半導体素子であり、例えば、表面上にマウント可能な素子またはフリップチップの形態での半導体チップでありえる。
【００４８】
図５は、例えば先の実施例中で示した担体プレート１の製造方法の概略図である。この際、第１の方法工程１０１では、基板２と、基板２上に載置された少なくとも１つの導体配線３を有する担体プレート１を準備する。導体配線３は、基板上に直接載置された第１層４１と、第１層４１上に配置されていて導体配線３の最も上にある層を形成する第２層４２を有する。さらなる方法工程１０２では、第２層４２のある領域が切除され、その結果、第２層４２が、リード線領域４２１とはんだ領域４２２との間で完全に中断している。好ましくは第２層４２のこの領域の切除は、レーザ切除を用いて行われる。さらに、レーザを用いて、第２層４２の中断領域４２３の下方にあるさらなる層４３、４４の領域を除去することも可能である。その上、第１層４１にまでレーザを通すことも可能で、その結果、この層の少なくともある部分領域も酸化され、ぬれ特性が結果として劣悪になることにより、この部分領域もはんだストップとして作用する。
【００４９】
図６は、方法工程１０２を概略図示するが、この工程では、第２層４２、第３層４３、第４層４４の領域を、レーザ光線５により切除する。あるいは、第２層４２のある領域４２３のみを切除することも可能で、または、第２層４２のある領域４２３と、その下にある第４層４４のある領域のみを切除することも可能である。
【００５０】
実施した実験により、レーザ切除により、非常に選択的に、はんだぬれに責任を持つ１つまたは複数の層を、中断領域４２３中で除去可能であることを示すことができた。
【００５１】
図示した実施例で説明した特徴は、さらなる実施例と組み合わせることも可能で、これは、この種の組み合わせが、図面中で明示的に示されていない場合にも可能である。代替的にまたは追加的に、図面中で示した実施例は、一般的に説明した実施形態によるさらなる特徴を有することができる。
【００５２】
本発明は、実施例に基づく説明により、これらの実施例に限定されるのではなく、各新規の特徴および特徴の各組み合わせを含む。これは、とりわけ、特許請求項中の特徴の各組み合わせを含むが、これは、この特徴またはこの組み合わせ自体が、明示的に特許請求項中または、実施例中に提示されていない場合にも該当する。
【符号の説明】
【００５３】
１  担体プレート
２  基板
３  導体配線
４１  第１層
４２  第２層
４２１  リード線領域
４２２  はんだ領域
４２３  中断領域
４３  第３層
４４  第４層
５  レーザ光線
６  はんだ
７  電気素子
８  接続領域
９  ヴィア
１０  金属部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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