(57)【要約】製造機器は、材料を担体上に蒸着する。該製造機器はチャンバを画定する筐体を含む。該筐体は、チャンバ内へ該材料又はその前駆体を含む蒸着組成物を導入するための入口を画定する。該筐体は、チャンバから蒸着組成物を排出するための筐体を通る出口も画定する。電極は、該筐体を通って配置され、該電極はチャン内に少なくとも部分的に配置される。受け口は外面を有し、担体を受容するためにチャンバ内の該電極に接続される。放出コーティングが、受け口を担体及びその上に蒸着される材料からの分離を促進し、担体を獲得するために受け口の外面上に配置される。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
担体上に材料を蒸着するための製造機器であって、
チャンバを画定する筐体と、
前記チャンバへ、前記材料又はその前駆体を含む蒸着組成物を導入するための、前記筐体により画定される、入口と、
前記チャンバから前記蒸着組成物を排出するための、前記筐体を通って画定される、出口と、
前記筐体を通って配置され、前記チャンバ内に少なくとも部分的に配置される電極と、
外面を有し、前記担体を受容するために前記チャンバ内の前記電極に接続される受け口と、
前記受け口を前記担体及びその上に蒸着される前記材料からの分離を促進し、前記担体を獲得するために前記受け口の前記外面に配置される放出コーティングと、を含む、製造機器。
【請求項２】
前記受け口が黒鉛を含む、請求項１に記載の製造機器。
【請求項３】
前記放出コーティングが熱分解炭素である、請求項２に記載の製造機器。
【請求項４】
前記担体上に蒸着される前記材料がシリコンである、請求項３に記載の製造機器。
【請求項５】
前記放出コーティングが、シリコン炭化物、窒化シリコン、熱分解炭素、黒鉛シリコン炭化物、二酸化シリコン、タンタル炭化物、ニオビウム炭化物、及びそれらの組み合わせの群から選択される、請求項２に記載の製造機器。
【請求項６】
前記放出コーティングが４０〜約１００マイクロメートルの厚さを有する、請求項５に記載の製造機器。
【請求項７】
前記放出コーティングが、約１〜約１００マイクロメートルの表面粗さ（ＲＡ）値を有する、前記受け口の仕上げ表面を表す、請求項６に記載の製造機器。
【請求項８】
前記電極が、シャフト及びヘッドを更に含み、前記ヘッドはカップを画定し、前記受け口は前記受け口を前記電極に接続するために前記カップ内に配置される、請求項１に記載の製造機器。
【請求項９】
前記電極が第１の電極として更に定義され、前記受け口が第１の受け口として更に定義され、前記製造機器が、チャンバ内に配置される第２の電極に接続される第２の受け口を更に含む、請求項１に記載の製造機器。
【請求項１０】
担体上に材料を蒸着する製造機器と共に使用するための受け口であって、前記製造機器は、チャンバを画定する筐体と、前記チャンバへ、前記材料又はその前駆体を含む蒸着組成物を導入するための、前記筐体を通って画定される、入口と、前記チャンバから前記蒸着組成物を排出するための、前記筐体を通って画定される、出口と、前記筐体を通って配置され、前記チャンバ内に少なくとも部分的に配置される電極とを含み、前記受け口が担体を受容するために前記チャンバ内の前記電極に接続され、前記受け口が、前記受け口を前記担体及びその上に蒸着される前記材料からの分離を促進し、前記担体を獲得するために前記受け口の前記外面に配置される放出コーティングを含む、受け口。
【請求項１１】
黒鉛を含む、請求項１０に記載の受け口。
【請求項１２】
前記放出コーティングが、約１〜約１００マイクロメートルの表面粗さ（ＲＡ）値を有する、前記受け口の仕上げ表面を表す、請求項１１に記載の受け口。
【請求項１３】
前記放出コーティングが、シリコン炭化物、窒化シリコン、熱分解炭素、黒鉛シリコン炭化物、二酸化シリコン、タンタル炭化物、ニオビウム炭化物、及びそれらの組み合わせの群から選択される、請求項１１に記載の受け口。
【請求項１４】
前記放出コーティングが熱分解炭素である、請求項１２に記載の受け口。
【請求項１５】
前記放出コーティングが４０〜約１００マイクロメートルの厚さを有する、請求項１２に記載の受け口。
【請求項１６】
放出コーティングを有する受け口の製造方法であって、前記受け口が担体上に材料を蒸着する製造機器と共に使用するためのものであり、前記製造機器は、チャンバを画定する筐体と、前記チャンバへ、前記材料又はその前駆体を含む蒸着組成物を導入するための、前記筐体を通って画定される、入口と、前記チャンバから前記蒸着組成物を排出するための、前記筐体を通って画定される、出口と、前記筐体を通って配置され、前記チャンバ内に少なくとも部分的に配置される電極とを含み、前記受け口が担体を受容するために前記チャンバ内の前記電極に接続され、前記方法は、前記受け口を前記担体及びその上に蒸着される前記材料からの分離を促進し、前記担体を獲得するために、前記放出コーティングを前記受け口の前記外面に塗布する工程を含む、製造方法。
【請求項１７】
前記放出コーティングを塗布する前記工程が、前記放出コーティングとして、シリコン炭化物又は黒鉛シリコン炭化物混合物を前記受け口の前記外面上に蒸着するために、前記受け口を低圧力／高温度のＣＶＤ過程に供することとして、更に定義される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記放出コーティングを塗布する前記工程が、前記放出コーティングとして、窒化シリコンを前記受け口の前記外面上に蒸着するために、前記受け口を大気圧／高温度のＣＶＤ過程に供することとして、更に定義される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記放出コーティングを塗布する前記工程が、前記放出コーティングとして、熱分解炭素を前記受け口の前記外面上に蒸着するために、前記受け口を高温度のＣＶＤ過程に供することとして、更に定義される、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記放出コーティングを塗布する前記工程が、前記放出コーティングとして、タンタル炭化物又はニオビウム炭化物を前記受け口の前記外面上に蒸着するために、前記受け口をＣＶＲ過程に供することとして、更に定義される、請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】
製造機器のチャンバ内で担体上に材料を蒸着する方法であって、前記製造機器は、チャンバを画定する筐体と、前記筐体を通って画定される入口と、前記チャンバから前記蒸着組成物を排出するための、前記筐体を通って画定される、出口と、前記筐体を通って配置され、前記チャンバ内に少なくとも部分的に配置される電極と、担体を受容するために前記チャンバ内の前記電極に接続される受け口と、を含み、前記方法が、
前記受け口を前記担体及びその上に蒸着される材料からの分離を促進するために、前記受け口の外面上に放出コーティングを塗布する工程と、
前記受け口を前記チャンバ内の前記電極に接続する工程と、
前記担体をチャンバ内の前記受け口に接続する工程と、
前記チャンバを密閉する工程と、
前記材料又はその前駆体を含む蒸着組成物を前記チャンバ内に導入する工程と、
前記チャンバ内の前記担体を加熱する工程と、
前記材料を前記加熱された担体上に蒸着する工程と、
前記担体を獲得するために前記受け口を前記担体及びその上に蒸着された材料から分離する工程と、を含む、方法。
【請求項２２】
前記受け口を前記担体から分離する前記工程が、前記受け口を前記担体から解除するために前記受け口から前記材料を除去することとして、更に定義される、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記材料を蒸着する前記工程が、シリコンを前記加熱された担体上に蒸着することとして、更に定義される、請求項２１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、材料を担体上に蒸着するための製造機器に関する。より具体的には、本発明は、該製造機器内で該担体を支持する受け口に関する。
【背景技術】
【０００２】
材料を担体上に蒸着するための製造機器は、当該技術分野において既知である。従来の製造機器は、担体を従来の製造機器内の電極に連結するために担体の１つの端部に配置される受け口を含む。しかしながら、材料が担体上に蒸着される際、その材料は、受け口上にも蒸着される可能性がある。例えば、材料は、受け口上に直接蒸着され得る。代替的に、材料が担体上に蒸着される際、その材料は、受け口の一部を網羅するように成長及び拡大し得る。
【０００３】
一度所望の量の材料が担体上に蒸着されると、担体は、従来の製造機器からそれを除去することにより獲得される。その後、受け口を担体から分離しなければならず、より具体的には、受け口を担体上に蒸着された材料から分離しなければならない。典型的に受け口は、蒸着された材料を、受け口の周辺、又は受け口自体に、蒸着された材料を破砕するように、叩くことにより、担体及び蒸着された材料から分離する。それを除去するために蒸着された材料を叩く過程は、非常に時間及び費用がかかることである。加えて、破砕の後でさえも、蒸着された材料は、受け口上にある程度残る。受け口上の蒸着された材料は、蒸着された材料及び受け口を分離するために、より強引な過程に供される。残念ながら、その強引な過程は、受け口から分離する蒸着された材料の純度を低下させ、それによって、受け口上の蒸着された材料の価値を低下させてしまう。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
そのため、蒸着された材料の価値を保持するために、蒸着された材料の純度を低下させることなく、受け口から蒸着された材料を分離する必要性が依然として存在する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
製造機器は、材料を担体上に蒸着する。該製造機器は、チャンバを画定する筐体を含む。該筐体は、チャンバ内へ該材料又はその前駆体を含む蒸着組成物を導入するための入口を画定する。該筐体は、チャンバから蒸着組成物を排出するための該筐体を通る出口も画定する。電極は、該筐体を通って配置され、該電極はチャンバ内に少なくとも部分的に配置される。受け口は、外面を有し、担体を受容するためにチャンバ内の該電極に接続される。放出コーティングは、担体及びその上に蒸着される材料からの受け口の分離を促進し、担体を獲得するために受け口の外面上に配置される。したがって、受け口上に直接蒸着され得る材料は、蒸着された材料を受け口から分離し、それによって材料の純度を保持するための追加の分離過程に供される必要がない。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
本発明の他の利点は、下記の詳細な説明を添付の図面と併せて考慮し参照することによって本発明がより良く理解されると共に、容易に理解される。
【図１】電極を含み、容器及び底板を含み、材料を担体上に蒸着するための製造機器の断面図である。
【図２】容器が底板に隣接することを示す、製造機器の一部の拡大図である。
【図３】製造機器に使用する電極の斜視図である。
【図４】図３の線４−４に沿って眺め、電極に受け口が連結される、電極の一部の断面図である。
【図５】受け口が担体に接続される別の実施形態の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
様々な図面に亘って同一の数字が同一の、又は対応する部品を示す図面を参照すると、材料１２を担体１４の上に蒸着するための製造機器１０が示される。言い換えると、製造機器１０の作動中、材料１２が担体１４の上に蒸着される。例えば、製造装置１０は、高純度多結晶シリコンを生成するように、シリコンを担体１４の上に蒸着するための、シーメンス（Siemens）タイプの化学蒸着反応器などの、化学蒸着反応器であってもよい。シーメンス法で知られているように、担体１４は、図１に示すように、実質的にＵ字型構成を有し得る。しかしながら、担体１４がＵ字型構成以外の構成を有してもよいことを理解するべきである。更に、蒸着される材料１２がシリコンの場合、担体１４は、典型的に高純度シリコンを含むシリコンの細棒である。高純度の多結晶シリコンを生産するために、シリコンをシリコンの細棒上に蒸着する。
【０００８】
図１を参照すると、製造機器１０は、筐体１６を備える。筐体１６は、容器１８及び底板２０を含む。容器１８は、筐体１６の形成のために底板２０に連結される。筐体１６の容器１８は、少なくとも１つの壁２２を有し、壁２２は、典型的には筐体１６の円筒状の外形を示す。しかしながら、筐体１６の容器１８が円筒状以外の、例えば立方体の外形などの外形を有してもよいことを理解するべきである。筐体１６は、チャンバ２４を画定する。より具体的には、筐体１６の容器１８は、容器１８の壁２２がチャンバ２４を画定するような、中空の内部を有する。容器１８は、チャンバ２４へのアクセスを可能にするために開口している端部２６を有する。底板２０は、容器１８の端部２６を被覆し、チャンバ２４を密閉するために開口している容器１８の端部２６に連結される。
【０００９】
筐体１６は、チャンバ２４内へ、蒸着される材料１２又はその前駆体を含む蒸着組成物を導入するための入口２８を画定する。同様に、筐体１６は、蒸着組成物、又はその反応副生成物の、チャンバ２４からの排出を可能にするための出口３０を画定し得る。入口２８及び／又は出口３０は、筐体１６の容器１８又は底板２０のいずれかによって画定され得るということを理解するべきである。典型的に、入口管３２は、蒸着組成物をチャンバ２４に送達するために入口２８に接続され、排出管３４は、蒸着組成物、又はその反応副生成物を、チャンバ２４から除去するために出口３０に接続される。
【００１０】
図２を参照すると、筐体１６は、筐体１６の壁２２から延在するフランジ３６を備え得る。より具体的には、フランジ３６は、筐体１６の壁２２から横断方向に延在する。典型的には、底板２０が筐体１６と連結されるとき、フランジ３６は、底板２０と平行である。例えば、ボルトなどの締め具３８が、筐体１６のフランジ３６を底板２０に固定するために使用可能である。
【００１１】
底板２０は、溝４０を画定し得る。溝４０は、底板２０の周辺の周りに画定される。加えて、筐体１６のフランジ３６は、底板２０の溝４０を係合するためのフランジ３６から延在するフィンガー４２を有してもよい。フランジ３６のフィンガー４２の底板２０の溝４０との係合は、筐体１６を底板２０に連結するとき、底板２０と筐体１６とが適正に整列することを確実にする。一般に、フランジ３６と底板２０との間の機械的な相互作用は、蒸着組成物がチャンバ２４から漏れ出るのを防止するには不十分である。加えて、フランジ３６と底板２０との間の機械的な相互作用は、例えば、チャンバ２４の外側の周囲大気中の不純物などのチャンバ２４の外の不純物が、チャンバ２４に入るのを防止するには、典型的には不十分である。したがって、製造機器１０は、チャンバ２４を容器１８と底板２０との間に密閉するために、底板２０と容器１８との間に配置される、ガスケット４４を更に備え得る。加えて、フランジ３６のフィンガー４２の間の、底板２０の溝４０との機械的な相互作用は、チャンバ２４内で圧力が増加するにつれて容器１８が横方向に移動するのを防止する。
【００１２】
図１を再度参照すると、製造機器１０は、筐体１６を通って配置される電極４６を含む。電極４６は、チャンバ２４内に少なくとも部分的に配置される。例えば、電極４６は、電極４６の一部がチャンバ２４内の担体１４を支持する状態で、底板２０を通って典型的に配置される。図３に示す一実施形態において、電極４６は、シャフト４８及びシャフト４８の端部に配置されるヘッド５０を含む。そのような実施形態において、ヘッド５０は、担体１４を支持するために、チャンバ２４内に配置される。
【００１３】
図１及び図４を参照すると、受け口５２は、担体１４を受容するために、チャンバ２４内の電極４６に接続される。言い換えると、受け口５２は、担体１４を電極４６から分離させる。受け口５２は、当業者によって、チャック又はポリチャックとしても呼ばれ得ることを理解するべきである。図４に最も良く示される通り、電極４６、及び特に電極４６のヘッド５０は、受け口５２を受容するためのカップ５４を画定し得る。したがって、受け口５２は、受け口５２を電極４６に接続するように、カップ５４内に少なくとも部分的に配置され得る。
【００１４】
典型的に、電極４６は、例えば、銅、銀、ニッケル、インコネル、金、及びそれらの組み合わせなどの、導電性の材料１２を含む。電極４６は、電流を電極４６に通すことによって、チャンバ２４内で加熱される。黒鉛は、担体１４を電極４６にしっかりと取り付けるのに十分硬質であり、電流を電極４６から担体１４内に伝導するために導電性であるため、典型的に、受け口５２は、黒鉛を含む。
【００１５】
電極４６から担体１４に受け口５２を介して電流を通す結果、担体１４は、ジュール加熱として知られる過程によって、蒸着温度まで加熱される。担体４６を蒸着温度まで加熱することは、蒸着組成物の熱分解を一般に促す。上記が示唆する通り、蒸着組成物は、担体１４上に蒸着される材料１２又はその前駆体を含む。したがって、蒸着組成物の熱分解は、加熱された担体１４上への材料１２の蒸着をもたらす。例えば、蒸着される材料１２がシリコンであるとき、蒸着組成物は、例えばクロロシラン又はブロモシランなどの、ハロシランを含み得る。しかしながら、蒸着組成物は、他の前駆体、特にシラン、シリコンテトラクロリド、トリブロモシラン、及びトリクロロシランなどのシリコン含有分子を含んでもよいことを理解するべきである。製造機器１０は、シリコン以外の材料１２を担体１４上に蒸着するために使用可能であることも理解するべきである。
【００１６】
上記の通り、受け口５２は、電流の通過によって加熱され、蒸着温度まで加熱され得る。したがって、材料１２はまた、受け口５２上に直接蒸着され得る。代替的に、材料１２が担体１４上に蒸着され、寸法が成長するにつれて、材料１２は、受け口５２上に遊走し得る。一度十分な量の材料１２が担体１４上に蒸着されると、担体１４を製造機器１０から除去することによって、担体１４は製造機器１０から獲得される。典型的に、受け口５２及び／又は担体１４上への材料１２の蒸着は、受け口５２の担体１４への材料１２による接着をもたらす。言い換えると、受け口５２に直接蒸着される材料１２、及び／又は担体１４から受け口５２上に成長する材料１２は、受け口５２が担体１４から分離されるのを防止する。受け口５２は、材料１２を獲得するために担体１４及び／又は材料１２から分離されなければならない。加えて、受け口５２上に直接蒸着される材料１２はまた、受け口５２から分離されなければならない。
【００１７】
一般に、受け口５２は、第１の端部５６と第２の端部５８との間に外面６０がある、第１の端部５６及び第２の端部５８を有する。一般に、第１の端部５６は、電極４６に接続され、第２の端部５８は、担体１４を受容した。必要ではないが、典型的に、受け口５２の端部５６、５８は、担体１４が製造機器１０から獲得される時点で、担体１４及びその上に蒸着される材料１２の、受け口５２からの分離を促すために、先細りしている。受け口５２はまた、電流を担体１４内に集中させるために先細りしている。
【００１８】
直接、受け口５２自体の上の材料１２又は担体１４のいずれかからの受け口５２の分離を促すために、放出コーティング６２が受け口５２の外面６０上に配置される。放出コーティング６２は、材料１２からの受け口５２の分離を促進する。言い換えると、放出コーティング６２は、受け口５２自体の上に直接、又は受け口５２の周辺の担体１４上に蒸着される材料１２の放出を促進する。したがって、放出コーティング６２は、担体１４の獲得を可能にするために、担体１４及びその上に蒸着される材料１２からの、受け口５２の分離を促進する。したがって、放出コーティング６２は、担体１４からの受け口５２の放出を促進するため、受け口５２は、材料１２の担体１４上の蒸着の後、担体１４から容易に分離可能である。したがって、担体１４及び／又は受け口５２上に蒸着される材料１２は、材料１２を汚染し得る追加の分離過程を経る必要がない。材料１２の汚染の防止は、材料１２の高い純度を保持する。材料１２の高い純度の保持は、特に材料１２がシリコンであるとき、材料１２が端部２６の使用者に対してより販売価値があるということを意味する。
【００１９】
一般に、材料１２は、材料１２を破砕することによって受け口５２から分離される。破砕は、受け口５２から塊状で取り除くために材料１２を物理的に叩くことによって起こり得る。放出コーティング６２は、受け口５２上の放出コーティング６２の初期結晶成長構造に基づき選択されて弱点部を作り出し、それによって、受け口５２からの材料１２の容易な分離を可能にする。放出コーティング６２は、放出コーティング６２の初期結晶成長が、担体１４上に蒸着される材料１２の結晶成長構造と異なるように選択される。異なる結晶成長構造は、蒸着された材料１２が放出コーティング６２から分離され得る弱点部を作り出す。典型的に、放出コーティング６２は、シリコン炭化物、窒化シリコン、熱分解炭素、黒鉛シリコン炭化物、二酸化シリコン、タンタル炭化物、ニオビウム炭化物、及びそれらの組み合わせの群から選択される。より典型的には、放出コーティング６２は、熱分解炭素である。
【００２０】
加えて、放出コーティング６２は、受け口５２の外面６０より滑らかな仕上げ表面６４を提供する。より滑らかな表面を提供することによって、受け口５２上に接着するための材料１２の表面積はより狭くなり、それが受け口５２からの材料１２の放出を促進する。放出コーティング６２の仕上げ表面６４は、典型的には約１〜約１００、より典型的には約２５〜約５０、よりいっそう典型的には約３０〜４０マイクロメートルの表面粗さ（ＲＡ）値を有する。受け口５２の表面積は、受け口５２の外面６０より滑らかな仕上げ表面６４を提供すること以外の他の手段で縮小され得ることを理解するべきである。例えば、図５に示す通り、表面積を縮小するように受け口５２の直径を減少しながら、受け口５２の長さは増加され得る。加えて、受け口５２の直径を増加しながら、受け口の長さは減少され得る。受け口５２の表面積を縮小するために受け口５２の長さ及び／又は直径を変化させる行為は、放出コーティング６２と組み合わせて用いられ得ることもまた理解するべきである。
【００２１】
放出コーティング６２が材料１２からの受け口５２の分離を促進する一方、放出コーティング６２は、担体１４を適切に加熱するのに十分な熱伝導性を、依然として提供しなければならない。したがって、放出コーティング６２は、典型的には約８０〜１３０、より典型的には約９０〜１２５、よりいっそう典型的には約１００〜１２０Ｗ／ｍ  Ｋの熱伝導性を有する。
【００２２】
放出コーティング６２の厚さは、放出コーティング６２に対して選択される材料１２によって決まる。例えば、放出コーティング６２がシリコン炭化物であるとき、放出コーティング６２は、約１００マイクロメートル未満の厚さを有する。放出コーティング６２が窒化シリコン、タンタル炭化物、又はニオビウム炭化物であるとき、放出コーティング６２は、約７５マイクロメートル未満の厚さを有する。放出コーティング６２が熱分解炭素であるとき、放出コーティング６２は、約５０マイクロメートル未満の厚さを有する。放出コーティング６２が黒鉛シリコン炭化物であるとき、放出コーティング６２は、約４０マイクロメートル未満の厚さを有する。
【００２３】
製造機器１０は、複数の担体、又はＵ字型担体１４の場合は担体１４の複数の端部を支持するための、複数の電極４６及び受け口５２を含み得ることを理解するべきである。例えば、製造機器１０は、第１の電極４６Ａに接続された第１の受け口５２Ａを有する第１の電極４６Ａと、第２の電極４６Ｂに接続された第２の受け口５２Ｂを有する第２の電極４６Ｂとを含み得る。第１及び第２の電極４６Ａ、４６Ｂは、互いの鏡像であり、上述の電極４６に類似している。同様に、第１及び第２の受け口５２Ａ、５２Ｂは、互いの鏡像であり、上述の受け口５２に類似している。
【００２４】
材料１２を担体１４上に蒸着する方法を以下に記載する。材料１２が担体１４上に蒸着された後、担体１４及びその上に蒸着される材料１２の、受け口５２からの放出を促進するために、放出コーティング６２を受け口５２の外面６０に塗布する工程を含む、方法。放出コーティング６２を塗布する工程は、例えば、ＣＶＤ及びＣＶＲ過程などによる、様々な方法で達成され得る。選択される過程は、放出コーティング６２として使用される材料１２によって決まる。例えば、放出コーティング６２を塗布する工程は、放出コーティング６２として、シリコン炭化物又は黒鉛シリコン炭化物混合物を受け口５２の外面６０上に蒸着するために、受け口５２を低圧力／高温度のＣＶＤ工程に供することとして、更に定義され得る。加えて、放出コーティング６２を塗布する工程は、放出コーティング６２として、窒化シリコンを受け口５２の外面６０上に蒸着するために、受け口５２を大気圧／高温度のＣＶＤ過程に供することとして、更に定義され得る。更に、放出コーティング６２を塗布する工程は、放出コーティング６２として、熱分解炭素を受け口５２の外面６０上に蒸着するために、受け口５２を高温度のＣＶＤ過程に供することとして、更に定義され得る。代替的に、放出コーティング６２を塗布する工程は、放出コーティング６２として、タンタル炭化物又はニオビウム炭化物を受け口５２の外面６０上に蒸着するために、受け口５２をＣＶＲ過程に供することとして、更に定義され得る。
【００２５】
材料１２を担体１４上に蒸着する方法はまた、受け口５２をチャンバ２４内の電極４６に接続する工程と、担体１４をチャンバ２４内の受け口５２に接続する工程とを含む。チャンバ２４は密閉され、蒸着組成物はチャンバ２４内に導入される。担体１４は、チャンバ２４内で加熱され、加熱された担体１４上に蒸着される、例えば、シリコンなどの材料１２上に生じる。一度材料１２が担体１４上に蒸着されると、担体１４はチャンバ２４から獲得される。担体１４を獲得する工程は、担体１４及びその上に蒸着される材料１２から、受け口５２を分離することとして、更に定義され得ることを理解するべきである。例えば、材料１２は、受け口５２を担体１４から解除するために、受け口５２から除去される。受け口５２を担体１４から分離する工程は、担体１４が除去されるとき、受け口５２がチャンバ２４内に残るように、チャンバ２４内で起こり得る。代替的に、受け口５２を担体１４から分離する工程は、受け口５２が担体１４と共にチャンバ２４から除去されるように、担体１４がチャンバ２４から除去された時点で起こり得る。
【００２６】
明らかに本発明の多くの修正及び変更が上記教示から可能である。前述の発明は、関連する法的基準により記載されており、したがって説明は、事実上制限ではなく、むしろ例示である。開示された実施形態への変更及び修正は、当業者には明らかとなる場合があり、明らかに本発明の範囲内に含まれる。したがって、本発明に付与される法的な保護の範囲は、下記の特許請求の範囲を検討することによってのみ決定される場合がある。
【図１】
2015527490.tif 000003
【図２】
2015527490.tif 000004
【図３】
2015527490.tif 000005
【図４】
2015527490.tif 000006
【図５】
2015527490.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月17日(2015.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
担体上に材料を蒸着するための製造機器であって、
チャンバを画定する筐体と、
前記チャンバへ、前記材料又はその前駆体を含む蒸着組成物を導入するための、前記筐体により画定される、入口と、
前記チャンバから前記蒸着組成物を排出するための、前記筐体を通って画定される、出口と、
前記筐体を通って配置され、前記チャンバ内に少なくとも部分的に配置される電極と、
外面を有し、前記担体を受容するために前記チャンバ内の前記電極に接続される受け口と、
前記受け口を前記担体及びその上に蒸着される前記材料からの分離を促進し、前記担体を獲得するために前記受け口の前記外面に配置される放出コーティングと、を含む、製造機器。
【請求項２】
前記受け口が黒鉛を含む、請求項１に記載の製造機器。
【請求項３】
前記担体上に蒸着される前記材料がシリコンである、請求項１又は２のいずれかに記載の製造機器。
【請求項４】
前記放出コーティングが、シリコン炭化物、窒化シリコン、熱分解炭素、黒鉛シリコン炭化物、二酸化シリコン、タンタル炭化物、ニオビウム炭化物、及びそれらの組み合わせの群から選択される、請求項１〜３のいずれかに記載の製造機器。
【請求項５】
前記放出コーティングが約４０〜約１００マイクロメートルの厚さを有する、請求項１〜４のいずれかに記載の製造機器。
【請求項６】
前記放出コーティングが、約１〜約１００マイクロメートルの表面粗さ（ＲＡ）値を有する、前記受け口の仕上げ表面を表す、請求項１〜５のいずれかに記載の製造機器。
【請求項７】
前記電極が、シャフト及びヘッドを更に含み、前記ヘッドはカップを画定し、前記受け口は前記受け口を前記電極に接続するために前記カップ内に配置される、請求項１〜６のいずれかに記載の製造機器。
【請求項８】
前記電極が第１の電極として更に定義され、前記受け口が第１の受け口として更に定義され、前記製造機器が、チャンバ内に配置される第２の電極に接続される第２の受け口を更に含む、請求項１〜７のいずれかに記載の製造機器。
【請求項９】
担体上に材料を蒸着する製造機器と共に使用するための受け口であって、前記製造機器は、チャンバを画定する筐体と、前記チャンバへ、前記材料又はその前駆体を含む蒸着組成物を導入するための、前記筐体を通って画定される、入口と、前記チャンバから前記蒸着組成物を排出するための、前記筐体を通って画定される、出口と、前記筐体を通って配置され、前記チャンバ内に少なくとも部分的に配置される電極とを含み、前記受け口が担体を受容するために前記チャンバ内の前記電極に接続され、前記受け口が、前記担体及びその上に蒸着される前記材料からの前記受け口の分離を促進し、前記担体を獲得するために前記受け口の外面に配置される放出コーティングを含む、受け口。
【請求項１０】
前記受け口が黒鉛を含む、請求項９に記載の受け口。
【請求項１１】
前記放出コーティングが、約１〜約１００マイクロメートルの表面粗さ（ＲＡ）値を有する、前記受け口の仕上げ表面を表す、請求項９又は１０に記載の受け口。
【請求項１２】
前記放出コーティングが、シリコン炭化物、窒化シリコン、熱分解炭素、黒鉛シリコン炭化物、二酸化シリコン、タンタル炭化物、ニオビウム炭化物、及びそれらの組み合わせの群から選択される、請求項９〜１１のいずれかに記載の受け口。
【請求項１３】
前記放出コーティングが約４０〜約１００マイクロメートルの厚さを有する、請求項９〜１２のいずれかに記載の受け口。
【請求項１４】
放出コーティングを有する受け口の製造方法であって、前記受け口が担体上に材料を蒸着する製造機器と共に使用するためのものであり、前記製造機器は、チャンバを画定する筐体と、前記チャンバへ、前記材料又はその前駆体を含む蒸着組成物を導入するための、前記筐体を通って画定される、入口と、前記チャンバから前記蒸着組成物を排出するための、前記筐体を通って画定される、出口と、前記筐体を通って配置され、前記チャンバ内に少なくとも部分的に配置される電極とを含み、前記受け口が担体を受容するために前記チャンバ内の前記電極に接続され、前記方法は、前記担体及びその上に蒸着される前記材料からの前記受け口の分離を促進し、前記担体を獲得するために、前記放出コーティングを前記受け口の外面に塗布する工程を含む、製造方法。
【請求項１５】
前記放出コーティングを塗布する前記工程が、前記放出コーティングとして、シリコン炭化物又は黒鉛シリコン炭化物混合物を前記受け口の前記外面上に蒸着するために、前記受け口を低圧力／高温度のＣＶＤ過程に供することとして、更に定義される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記放出コーティングを塗布する前記工程が、前記放出コーティングとして、窒化シリコンを前記受け口の前記外面上に蒸着するために、前記受け口を大気圧／高温度のＣＶＤ過程に供することとして、更に定義される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記放出コーティングを塗布する前記工程が、前記放出コーティングとして、熱分解炭素を前記受け口の前記外面上に蒸着するために、前記受け口を高温度のＣＶＤ過程に供することとして、更に定義される、請求項１４〜１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
前記放出コーティングを塗布する前記工程が、前記放出コーティングとして、タンタル炭化物又はニオビウム炭化物を前記受け口の前記外面上に蒸着するために、前記受け口をＣＶＲ過程に供することとして、更に定義される、請求項１４〜１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１９】
製造機器のチャンバ内で担体上に材料を蒸着する方法であって、前記製造機器は、チャンバを画定する筐体と、前記筐体を通って画定される入口と、前記チャンバから蒸着組成物を排出するための、前記筐体を通って画定される、出口と、前記筐体を通って配置され、前記チャンバ内に少なくとも部分的に配置される電極と、担体を受容するために前記チャンバ内の前記電極に接続される受け口と、を含み、前記方法が、
前記受け口を前記担体及びその上に蒸着される材料からの分離を促進するために、前記受け口の外面上に放出コーティングを塗布する工程と、
前記受け口を前記チャンバ内の前記電極に接続する工程と、
前記担体を前記チャンバ内の前記受け口に接続する工程と、
前記チャンバを密閉する工程と、
前記材料又はその前駆体を含む蒸着組成物を前記チャンバ内に導入する工程と、
前記チャンバ内の前記担体を加熱する工程と、
前記材料を前記加熱された担体上に蒸着する工程と、
前記担体を獲得するために前記受け口を前記担体及びその上に蒸着された材料から分離する工程と、を含む、方法。
【請求項２０】
前記受け口を前記担体から分離する前記工程が、前記受け口を前記担体から解除するために前記受け口から前記材料を除去することとして、更に定義される、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記材料を蒸着する前記工程が、シリコンを前記加熱された担体上に蒸着することとして、更に定義される、請求項１９又は２０に記載の方法。
【国際調査報告】
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