(57)【要約】【課題】回転フォイルトラップがある状態での二次汚染の恐れを軽減すること。【解決手段】デブリ防止システムが、放射源から放出されるデブリが放射源からの放射と共にリソグラフィ装置内へ、または装置の中で伝播することを防止するように構成されている。デブリ防止システムは回転軸の周りを回転可能な第１フォイルトラップ、および、第１フォイルトラップを少なくとも部分的に囲む第２フォイルトラップを含む。第２フォイルトラップは放射源を配置するための中心位置に対して光学的に開いている、かつ回転軸に垂直な方向に対して光学的に閉じている複数のフォイルを含む。【選択図】図２
2010534414.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射源から放出されるデブリが前記放射源からの放射と共にリソグラフィ装置内へ、または装置の中で伝播することを防止するように構成されたデブリ防止システムであって、
回転軸の周りを回転可能な第１フォイルトラップと、
前記第１フォイルトラップを少なくとも部分的に囲み、放射源を配置するための中心位置に対して光学的に開いており、かつ、前記回転軸に垂直な方向に対して光学的に閉じている複数のフォイルを含む、第２フォイルトラップと、
を備えるデブリ防止システム。
【請求項２】
光学システムを更に含み、
前記光学システムにより画定される光軸が前記第１フォイルトラップの前記回転軸と一致する、
請求項１に記載のデブリ防止システム。
【請求項３】
光学システムを更に含み、
前記光学システムにより画定される光軸が前記第１フォイルトラップの前記回転軸に対してほぼ横向きに向けられる、
請求項１に記載のデブリ防止システム。
【請求項４】
前記回転軸に対して０と９０°との間で増加する角度βに関して、前記第２フォイルトラップの前記フォイルは、前記角度βと共に減少する距離の間隔を有する、
請求項１に記載のデブリ防止システム。
【請求項５】
前記間隔は、前記回転軸に垂直な各線に関して、前記第２フォイルトラップの少なくとも１つのフォイル、また多くとも３つのフォイルが交差するような間隔である、
請求項４に記載のデブリ防止システム。
【請求項６】
デブリアウトレットチャネルが前記第２フォイルトラップの最下点に、またはその近くに配置される、
請求項１に記載のデブリ防止システム。
【請求項７】
前記第２フォイルトラップは回転可能であり、また、洗浄システムが前記第２フォイルトラップの回転中に洗浄作用を与えるように構成されている、
請求項１に記載のデブリ防止システム。
【請求項８】
前記洗浄システムは、機械的洗浄作用を行うように構成されたワイパを含む、
請求項７に記載のデブリ防止システム。
【請求項９】
前記洗浄システムは、化学洗浄物質を前記第２フォイルトラップに向けるように構成されたノズルを含む、
請求項７に記載のデブリ防止システム。
【請求項１０】
前記第２フォイルトラップは、約０．１Ｈｚと約１０Ｈｚとの間で変動する周波数で回転するように構成されている、
請求項７に記載のデブリ防止システム。
【請求項１１】
前記複数のフォイルは、ほぼ円錐形状である、
請求項１に記載のデブリ防止システム。
【請求項１２】
前記複数のフォイルは、ほぼ平面形状である、
請求項１に記載のデブリ防止システム。
【請求項１３】
前記複数のフォイルは、前記第１フォイルトラップの前記回転軸についてほぼ回転対称である、
請求項１に記載のデブリ防止システム。
【請求項１４】
放電生成またはレーザー生成のプラズマ源を更に含む、
請求項１に記載のデブリ防止システム。
【請求項１５】
前記放射源は、極端紫外線を発生させるためのプラズマ生成放電源を含み、
前記生成放電源は、電圧差が与えられる一対の電極と、前記電極間の中心領域にピンチプラズマを与えるために前記一対の電極間で放電を生成するためのシステムとを含む、
請求項１４に記載のデブリ防止システム。
【請求項１６】
前記プラズマ源は、スズ、リチウム、またはキセノンを含む、
請求項１５に記載のデブリ防止システム。
【請求項１７】
収集角を画定するコレクタ要素を更に含み、
前記第２フォイルトラップは前記第１フォイルトラップと前記コレクタとの間に配置される、
請求項１に記載のデブリ防止システム。
【請求項１８】
前記コレクタ要素は、円柱対称であり、同心円状に曲がった反射面を含む、
請求項１７に記載のデブリ防止システム。
【請求項１９】
前記反射面は、実質的に約２ｃｍと約７ｃｍとの間で変動する距離で積み重ねられる、
請求項１８に記載のデブリ防止システム。
【請求項２０】
前記コレクタ要素は、法線入射型である、
請求項１９に記載のデブリ防止システム。
【請求項２１】
リソグラフィ装置であって、
放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
パターニングデバイスを支持するように構成されたサポートであって、前記パターニングデバイスは前記放射ビームの断面にパターンを付与し、かつ、パターン付き放射ビームを形成するように構成されている、サポートと、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記基板のターゲット部分に前記パターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システムと、
前記放射ビームを提供するように構成され、放射源から放出されるデブリが前記放射源からの放射と共に前記リソグラフィ装置内へまたは前記装置の中で伝播することを防止するように構成されており、回転軸の周りを回転可能な第１フォイルトラップ、および、前記第１フォイルトラップを少なくとも部分的に囲み、放射源を配置するための中心位置に対して光学的に開いており、かつ、前記回転軸に垂直な方向に対して光学的に閉じている複数のフォイルを含む第２フォイルトラップを有する、
デブリ防止システムと、
を備えるリソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、デブリ防止システム、およびデブリ防止システムを含むリソグラフィ装置に関する。より具体的には、本発明は、デブリ発生フォイルトラップから到来（飛来）する汚染物質を遮断（遮蔽）するためのデブリ遮断システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するいわゆるステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射するいわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
[0003]  ＥＵＶ放射に加えて、ＥＵＶリソグラフィに使用される放射源は、光学部品およびリソグラフィプロセスが行われる作業環境に有害であり得る汚染物質を発生する。したがって、ＥＵＶリソグラフィでは、ＥＵＶ源から到来する放射ビームを調整するように構成された光学システムの汚染を制限することが望まれる。この目的を達成するために、例えば米国特許第６，８３８，６８４号に開示されるような、いわゆる回転フォイルトラップを使用することが知られている。フォイルトラップには、ＥＵＶ源によって発生された放射の方向にほぼ平行に整列される多数の密集したフォイルが使用される。微粒子、ナノ粒子、およびイオン等の汚染デブリを、回転フォイルプレートにより遮断し得る。したがって、フォイルトラップは、放射源からの汚染物質を遮断する汚染バリアとして機能する。しかし、回転フォイルトラップは、システムの二次汚染の恐れを招き得る。
【発明の概要】
【０００４】
[0004]  回転フォイルトラップがある状態での二次汚染の恐れを軽減することが望ましい。
【０００５】
[0005]  本発明の一態様によれば、放射源から放出されるデブリが放射源からの放射と共にリソグラフィ装置内へ、または装置の中で伝播することを防止するように構成されたデブリ防止システムが提供される。デブリ防止システムは、回転軸の周りを回転可能な第１フォイルトラップと、第１フォイルトラップを少なくとも部分的に囲む第２フォイルトラップを含む。第２フォイルトラップは、放射源を配置するための中心位置に対して光学的に開いている（optically open）、かつ回転軸に垂直な方向に対して光学的に閉じている（optically closed）複数のフォイルを含む。
【０００６】
[0006]  本発明の一態様によれば、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、パターニングデバイスを支持するように構成されたサポートとを含むリソグラフィ装置が提供される。パターニングデバイスは、放射ビームの断面にパターンを付与し、パターン付き放射ビームを形成するように構成されている。リソグラフィ装置は、基板を保持するように構成された基板テーブルと、基板のターゲット部分にパターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システムと、放射ビームを提供するように構成されたデブリ防止システムも含む。デブリ防止システムは、放射源から放出されるデブリを前記放射源からの放射と共に前記リソグラフィ装置内へ、または前記装置の中で伝播することを防止するように構成されている。デブリ防止システムは、回転軸の周りを回転可能な第１フォイルトラップと、第１フォイルトラップを少なくとも部分的に囲む第２フォイルトラップを含む。第２フォイルトラップは、放射源を配置するための中心位置に対して光学的に開いている、かつ回転軸に垂直な方向に対して光学的に閉じている複数のフォイルを含む。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
[0007]  本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【図１】[0008]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す。
【図２】[0009]  図２は、本発明の一実施形態によるデブリ防止システムの軸方向断面の断面図を示す。
【図３】[0010]  図３は、本発明の一実施形態によるデブリ防止システムの軸方向断面による断面図を示す。
【図４】[0011]  図４は、本発明の一実施形態によるデブリ防止システムの洗浄配置の概略図を示す。
【図５】[0012]  図５は、バリア長の関数として光透過率とフォイルの数を示すグラフを示す。
【詳細な説明】
【０００８】
[0013]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射またはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置付けるように構成された第１ポジショナＰＭに連結されたサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けるように構成された第２ポジショナＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。
【０００９】
[0014]  照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどの様々なタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００１０】
[0015]  サポート構造は、パターニングデバイスを支持する。すなわち、パターニングデバイスの重量を支える。サポート構造は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式、またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
【００１１】
[0016]  本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付与されたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。
【００１２】
[0017]  パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レゼンソン型（alternating）位相シフト、およびハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００１３】
[0018]  本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射に、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因に適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
【００１４】
[0019]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００１５】
[0020]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
【００１６】
[0021]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合においては、放射源はリソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００１７】
[0022]  ある場合には、本発明の実施形態では、放射源は放電生成またはレーザー生成のプラズマ源を含み得る。特に、放射源は極端紫外線を発生させるための放電源を含んでよい。ある場合には、放電源は、電圧差が与えられる一対の電極および一対の電極間で放電を生成するためのシステムを含み得る。すなわち、回路を設けて電極間の中心領域にピンチプラズマを与えるための放電を発生させる。これら実施形態では、プラズマ源はスズ、リチウム、またはキセノンを含み得る。
【００１８】
[0023]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを含み得る。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。更に、イルミネータＩＬは、インテグレータおよびコレクタといった様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせ得る。
【００１９】
[0024]  放射ビームＢは、サポート構造（例えばマスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後、またはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２と、基板アライメントマークＰ１、Ｐ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００２０】
[0025]  例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
【００２１】
[0026]  １．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
【００２２】
[0027]  ２．スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
【００２３】
[0028]  ３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクテーブルＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを移動する、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、更にプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２４】
[0029]  上述の使用モードの組合せおよび／もしくはバリエーション、または完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００２５】
[0030]  図２を参照すると、図１で放射源ＳＯとして全体が示される放射システムを含むデブリ防止システム１をより詳細に示している。このシステム１には、第１フォイルトラップ２が設けられる。フォイルトラップは、回転軸３ａを画定する回転可能シャフト３を含み、シャフト３に対して半径方向に、複数のフォイル、通常数十のフォイルがシャフト３を超えて延在する、カップを形成するような形状で設けられ、放射源７の放出角度２ａをカバーする。放射源は、例えば図１の記載で例示される放電源である。
【００２６】
[0031]  更に、回転フォイルトラップ２は、参照することにより本明細書に組み込む米国特許第６，８３８，６８４号に開示されるような従来型であってもよい。放射源７から更に離れて、コレクタ１１が概略的に示される。コレクタ１１は放射源７から放射される極端紫外線を受ける。コレクタは、例えば、かすめ入射型または法線入射型など従来型であってよい。実施形態の一態様では、第２フォイルトラップ４が、回転フォイルトラップ２とコレクタ１１との間の光路に配置される。第２フォイルトラップ４またはバリアは、複数の静止フォイル６により画定され、静止フォイルは放射源１の中心放射源位置７に対してほぼ半径方向に整列することが好ましい。
【００２７】
[0032]  ここで、「ほぼ」半径方向の、とは、放射源位置により形成される幾何学的中心から、フォイル面が任意の半径方向線と一致していることを意味する。しかし、「ほぼ半径方向」とは、例えばかすめ入射型フォイルトラップを提供するために、フォイルを非常に小さな角度のもと配置する配列とも理解し得る。この後者の実施形態は、極端紫外線を集めるという利点を与え得る。
【００２８】
[0033]  遮断がない場合、回転フォイルトラップ２により捕捉されたパーティクルが、これらのパーティクルに対する遠心力作用により、再び放出されコレクタ１１を汚染し得る。本発明による第２フォイルトラップ４は、回転フォイルトラップ２から放出されるデブリを遮断するように機能し、コレクタ１１（または微粒子がない状態に保たれるべきあらゆる他のコンポーネント）が、放射源により接近して配置され、回転フォイルトラップにより放出されるパーティクルからなお保護されることを可能にする。
【００２９】
[0034]  図２では、コレクタの領域は、斜線領域１１として概略的に示される。第２フォイルトラップ４またはバリアは、中心放射源位置７からみて、中心フォイルトラップ２の寸法を画定する外半径ｒ１から離れた方向に存在する空間に設けられ、半径サイズｒ２を有する。第２フォイルトラップ４は、次のように構成することができる。好適には、第２フォイルトラップ４のフォイル６による追加の不明瞭さ（オブスキュレーション；obscuring）を最小限にするために、最小量のフォイルを使用しつつ、システムを回転軸３ａに垂直にみた方向で光学的に閉じた状態に保つ。つまり、回転軸に対して０°と９０°との間で増加する角度について、好ましくは、フォイルの数は間隔を空けて置かれ、その距離はフォイルトラップ２の回転軸３ａに対する角度βと共に減少する。実際に、放射源７に対して放射状に整列するフォイルに関して、フォイルトラップ２の回転軸３ａに垂直な線を引き、また、少なくともまたは好適には多くても１つのフォイルが確実に交差するようにすることにより、数を最小に保つことができる。好適には、１つのフォイルだけが、また好ましくは多くても３つのフォイルが、回転軸３ａに対して垂直な線と交差するように構成され得る。
【００３０】
[0035]  第２フォイルトラップ４の構造を次のように記載することができる。コレクタ１１の最外点から、フォイルトラップ２の回転軸３ａに垂直に線（図２におけるＬ１）を引く。回転フォイルトラップ２とのこの線の交差点が第１フォイル６ａの始点を示す。このフォイル６ａは、中心ピンチ位置７と整列し、空間の許す限り遠くまで亘る。このフォイル６ａの終点から、回転軸３ａに垂直に別の線（Ｌ２）を引き、この線が第２フォイル６ｂの始点を示す。この手順は、フォイル６がフォイルトラップ２より回転軸３ａの更に下へ延在するまで続けられる。第２フォイルトラップ４は、好ましくは軸３に関して回転対称である。
【００３１】
[0036]  図３は、本発明の一実施形態によるデブリ防止システムを示す。この実施形態には、別の回転フォイルトラップ２０が示され、これは「ルーレット盤（wheel of fortune）」型フォイルトラップと見なすことができる。この型のフォイルトラップは、放射源の前ではなく、放射源の周囲を回転して囲むように構成されている。これにより、回転サイクルのわずかな間、放射熱からフォイルを保護することが可能になる。それにより、フォイルへの熱負荷を減少し、図示する実施形態における放射源７の放出角度の外側の領域を冷却する追加の可能性を与え得る。
【００３２】
[0037]  この実施形態では、コレクタ１１の光軸５が、フォイルトラップ２０から放出されるデブリの遠心方向に平行な面に通常配置される。
【００３３】
[0038]  従って、フォイルトラップ２０から再放出されるデブリが、システムを下流方向で汚染し得る。
【００３４】
[0039]  他の型の遮断配置が提供され得るが、通常、本発明の一実施形態では、ここでは放射源の中心位置７に対して半径方向に整列するほぼ静止した第２フォイルトラップも提供され得る。特に、この第２フォイルトラップ４０も複数のフォイル６０を含む。フォイルの向きは図２の実施形態とほぼ同じでよく、中心位置からみて半径方向にフォイルがほぼ整列される。
【００３５】
[0040]  一実施形態では、図２および図３のフォイルトラップは、光源に頂点を有し、且つ回転可能フォイルトラップ２、２０の回転軸に沿って並んだ対称軸を有する円錐形に従って形作られる。
【００３６】
[0041]  従って、第１フォイルトラップ２０の回転軸３０はコレクタシステム１１の光軸５に対してほぼ横方向に向けられる点において、図３の実施形態は図２の実施形態と異なる。通常、非垂直方向も可能であることは当然であるが、この実施形態では、光軸５がこの回転軸３０に垂直に画定される。またこの実施形態では、単一フォイル６のみが回転軸に垂直に引かれる線１２を遮断し得る。この実施形態の回転可能フォイルトラップ２０は、シャフト３０、および、シャフト３０に対して放射状に配置されるフォイルを含む。フォイルは放射源７が配置され得る中心領域を囲む。このフォイルトラップ４０は、光軸５から角度α内の放射が、図２の実施形態におけるように収集（集束）されるように構成されている。また、この実施形態は、回転可能フォイルトラップ２０の回転軸に垂直な方向で光学的に閉じている一方で、極端紫外線源７から半径方向にみて光学的に開いている。この点において、光学的に開いた状態とは、極端紫外線に関して実質的に透過である（透過性を有する）と見なすことができ、つまり、フォイルは光学的な遮断を与えるのではなく、放射源から放出される放射に対して整列するかまたはかすめ入射を提供することを意味する。図３の実施形態の一態様では、放射源から到来するデブリ粒子の進行路が第２フォイルトラップ４０のフォイル６と整列しているため、光軸近くの中心領域１３は回転フォイルトラップ２０から放出されるデブリから保護されない。この中心領域１３は異なる方法でデブリから保護することができる、または、極端紫外線を収集（集束）するために使用されない。
【００３７】
[0042]  図４は、図２および図３のフォイルトラップ４、４０に関連する洗浄システム９の一実施形態、特にフォイルトラップ４、４０のフォイル６、６０を洗浄するための洗浄システムを示す。通常、第２フォイルトラップ４、４０はそれぞれ、ピンチプラズマ源７の中心位置と一致する頂点を有する円錐形状に構成される。回転対称であるため、（円錐形）フォイル６は、第１フォイルトラップ２、２０の回転軸と整列する対称軸を有して同心状に積み重ねられることが好ましく、その対称軸の周りを回転して洗浄システム９が化学的または機械的洗浄作用によりフォイル６を洗浄できるようにする。図４の実施形態は、フォイル６からのスズデブリなどのデブリ除去を特に示す。これは加熱によっても、または、ハロゲン、水素、または水素ラジカルとの反応によっても行うことができる。コレクタへのＳｎデブリ再堆積を防止するために、放射源は停止され、第２フォイルトラップ４はオフラインで洗浄される。
【００３８】
[0043]  例えば、コレクタは、洗浄中、フォイルトラップ２から分離壁により物理的に分離させられ得る。洗浄システム９は、重力方向で第２フォイルトラップの最下点近くに配置されるアウトレットチャネル８を含むことが好ましい。このようにして、使用中、集められたデブリが最下点へ流れて、フォイルトラップからアウトレット８の中へ漏出する。洗浄システムは上記のハロゲン、水素または水素ラジカルの様な洗浄物質を向けるように構成されたワイパ１０またはノズルを含むことができる。回転周波数は、例えば約０．１Ｈｚと約１０Ｈｚとの間の範囲内など比較的低く保たれることが好ましい。
【００３９】
[0044]  図５は、収集（集束）半角α、回転フォイルトラップ外半径ｒ１、バリア長ｒ２、およびフォイル厚ｔに依存するフォイルトラップ２の光学透過率のグラフを示す。図５は、増加するバリア長ｒ２に対して、透過率が約０．７５から約１へ増加することを示す。加えて、フォイルの数は約１００から約１０へと減少する。透過率は回転フォイルトラップ２の距離ｒ１（図２参照）とほとんど無関係であることに注意されたい。つまり、距離ｒ１が増加するにつれ、より多くのフォイルが、回転軸に垂直で、光学的に閉じられた方向に使用されるが、距離が増加するため、更に小さい立体角が各フォイルによりブロックされる。
【００４０】
[0045]  半角α＝８５°、フォイルトラップ半径ｒ１＝６０ｍｍ、第２フォイルトラップ４の半径＝２０ｍｍ、またフォイル６の厚さ＝０．１ｍｍという典型的な構造に関しては、８本近くのフォイルが使用されるが、光学透過性にはほとんど影響を及ぼさない。
【００４１】
[0046]  図２の実施形態と比較すると、図３の「ルーレット盤（wheel of fortune）」の実施形態は、追加のフォイルを使用して放射源に対する放出角度を光学的に閉じ得る。放出半角８５°、フォイルトラップ半径６０ｍｍ、およびバリア半径２０ｍｍを有する典型的な構造に関して、等しい厚さ０．１ｍｍを有する２８本のフォイルが使用されることが好ましく、光学透過率は約９６％になる。ここで、光軸周囲の領域はデブリに対して透過である（デブリを通過させる）ので、この領域は約２°の角度で閉じられ、収集（集束）可能な立体角全体の２％未満をブロックすることが好ましい。
【００４２】
[0047]  図２および図３の実施形態では断面図のみが示されるが、どちらの実施形態も円錐形状のフォイルトラップ４、４０を含み得る。円錐の頂点は中心位置７と一致し、フォイル６、６０により形成される円錐の軸は通常回転軸と一致するが、他の方向も可能である。原則としては、フォイルトラップ４の回転対称により、フォイルは、通常、放射源に対する半径方向に加えて、フォイルトラップ４、４０により画定される対称軸に対する接線方向に整列する。つまり、好適にはフォイルはほぼ円錐形であるが、例えば多角形状など平面形状も可能である。この様な平面フォイルは、例えば円形ではなく８角形といった多角形の横断面を有する。これらの型のフォイルは、製造がより容易であるが、性能は円錐形状フォイルより多少低下し、洗浄面で多少困難になり得る。別の実施形態では、フォイル４０は第１フォイルトラップ２０の周り全体に延在していないが（これは洗浄目的には好適であり得るが）、少なくとも放射が収集（集束）される角度をカバーする。この場合には、フォイルは回転対称ではないが依然として回転軸３ａと一致する中心軸の周りに構成されている。他の実施形態、特にフォイルを変更し、図４のチャネル８の上方の位置上を除いてＳｎの落下を防止する実施形態が可能である。フォイルは湿潤防止コーティング、または、小さいエッジが与えられ得る。
【００４３】
[0048]  光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述の通り具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
【００４４】
[0049]  更に、本発明は別個の実施形態としての放射システムに関して主に説明してきたが、放射システムはリソグラフィ装置に一体化してもよい。さらにリソグラフィ装置は、通常および好ましくは、本明細書で上記される、放射システムから発生する極端紫外線を受け、収集（集束）するためのコレクタ要素を含む。従って、このコレクタ要素が収集（集束）角を定めることになる。本発明によるデブリ遮断システムは、通常回転フォイルトラップとコレクタ要素との間に配置される。更に、通常コレクタ要素は円柱対称であって、同心円状に曲がった複数の反射面を備え、反射面は極端紫外線に対してかすめ入射反射を提供し得る。コレクタ要素が当技術分野において周知の法線入射型であり得る代替実施形態では、これら反射面は実質的に約２センチメートルと約７センチメートルとの間で変動する距離で積み重ねられ得る。
【００４５】
[0050]  更に、本発明によるデブリ防止システムは独立したシステムとして使用できることを示してきたが、リソグラフィ装置の一要素としても使用することができる。従って、リソグラフィ装置が放射ビームを調整するように構成された照明システムを備えることが説明されてきた。
【００４６】
[0051]  サポートがパターニングデバイスを支持するように構成され、パターニングデバイスは放射ビームの断面にパターンを付与し、パターン付き放射ビームを形成することができる。加えて、基板テーブルが基板を保持するように構成され、投影システムがパターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成され得る。このリソグラフィ装置では、好ましくは、上記記載の実施形態によるデブリ防止システムが提供される。
【００４７】
[0052]  本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長、またはおよそこれらの値の波長を有する）、および極端紫外線（ＥＵＶ）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。
【００４８】
[0053]  「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
【００４９】
[0054]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。
【００５０】
[0055]  上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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