(57)【要約】Ｓｉターゲット及びバッキングプレートを有するスパッターターゲットアセンブリが提供され、ここで、バッキングプレートはＳｉターゲットに接合されている。Ｓｉターゲットが、滑らかな鏡面表面を有し、そして約１．５０ｎｍ（約１５．０オングストローム）未満の表面粗さを有している。シリコンターゲット／バッキングプレートアセンブリを製造する方法が提供され、ここで、シリコンブランクはブランク表面から擦り傷を除去するために処理され、ターゲット上に鏡面表面をもたらし、そして、１．５０ｎｍ（１５．０オングストローム）以下の表面粗さをもたらす。該方法が第１及び第２の洗浄ステップを有し、第１の洗浄ステップは擦り傷除去ステップの前に実施され、第２の洗浄ステップは擦り傷除去ステップの後に実施される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉターゲット及び該Ｓｉターゲットに接合されたバッキングプレートを有するスパッターターゲットアセンブリであって、該Ｓｉターゲットが、滑らかな鏡面表面を有し、そして１．５０ｎｍ（１５．０オングストローム）未満の表面粗さを有することを特徴とするスパッターターゲットアセンブリ。
【請求項２】
バッキングプレートが、Ｍｏ又はＭｏ／Ｃｕ複合材料又はＡｌ／Ｔｉ複合材料を含むことを特徴とする請求項１に記載のスパッターターゲットアセンブリ。
【請求項３】
表面粗さが約１．３５ｎｍ（約１３．５オングストローム）であり、約０．１５ｎｍ（約１．５オングストローム）の標準偏差を有することを特徴とする請求項１に記載のスパッターターゲットアセンブリ。
【請求項４】
基板上に該Ｓｉターゲットをスパッター被覆することにより作られたＳｉ膜と組み合わされ、該基板が８時間以下のターゲット焼き付け後に５０以下の粒子数を有するＳｉを含むことを特徴とする請求項１に記載のスパッターターゲットアセンブリ。
【請求項５】
シリコンターゲット／バッキングプレートアセンブリを製造する方法であって、該方法が、Ｓｉブランクを準備するステップ、及び、該ターゲット上に鏡面表面を備え、そして該表面上に１．５０ｎｍ（１５．０オングストローム）以下の表面粗さを備えるように、該ブランクから擦り傷を除去するステップを有し、該方法がさらに、第１及び第２の洗浄ステップを有し、該第１の洗浄ステップが該擦り傷除去ステップの前に実施され、該第２の洗浄ステップが該擦り傷除去ステップの後に実施されることを特徴とする方法。
【請求項６】
第１又は第２の洗浄ステップのいずれかが、ポリマーを有する液体洗浄溶液をブランク表面に接触させることを含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
ポリマーが、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、及びヒドロキシエチル・セルロースから選択されることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この出願は、２０１１年１１月８日提出の米国仮特許出願番号６１／５５６，９２６の優先権利益を主張している。
【０００２】
本出願は、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｗ、Ｃｕ及びこれらの元素の合金から成るバッキングプレート、又はＭｏ／Ｃｕ、Ｔｉ／Ａｌ複合材料バッキングプレートに接合されたシリコンスパッターターゲットに関し、そして、そのようなスパッターターゲットの製造方法に関する。本発明の１つの特徴は、特別な表面処理を有するシリコン−バッキングプレート・スパッターターゲットアセンブリに関する。
【背景技術】
【０００３】
シリコン(Si)は、質量による宇宙内の最も一般的な元素の１つであり、そして、シリコンは、砂、塵、二酸化ケイ素（シリカ）又は、ケイ酸塩等の化合物の形で最も多く存在している。純結晶シリコンは灰色であり、本来は壊れやすい。シリコンは原子番号１４、原子量２８．０９、そして密度２．３３ｇ／ｃｍ３を有する。シリコンは、常温ではダイアモンド立方結晶構造を有し、融点は１３１０℃であり、沸点は２３５７℃である。さらに、シリコンは、温度２５．０℃で２．４９μｍ／ｍ−℃の線形熱膨張率(coefficient of thermal expansion) (CTE)を有する。
【０００４】
シリコンは、半導体であり、現代の世界経済において重要な役割を担っている。事実、全ての現代の半導体マイクロエレクトロニクス産業はシリコンを基盤として構築されている。シリコンは、集積回路、チップ、ロジック電子デバイス(logic electronics device)、及びメモリー電子デバイス(memory electronics device)に広く使用されている。シリコン及びその化合物は、半導体チップがその上に構築される基板を形成する為に使用されているだけでなく、集積回路(IC)及びチップ内の、シリコン電極、二酸化ケイ素誘電体層、及び窒化ケイ素マスク層のような、トランジスタ及び積層構造(stacking structure)の為の機能ユニット又は層としても使用されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、高誘電率(high-k)メタルゲート(HKMG)トランジスタ技術が開発され、画像処理、コンピュータ・ネットワーク構築、及び無線モバイルアプリケーションのような、多種多様の高性能及び低電力利用のＩＣデバイスを製造する為に、４５ｎｍ以下の領域の技術に使用されている。高誘電率(high-k)メタルゲート(HKMG)の主要課題の１つは、適切な新しい金属材料及び信頼性のある膜形成方法を見つけ出し、それにより、大電流を有し、漏れ電流の少ない通信路を制御し、そして複雑な構造の保全性を保持することである。Ｈｆ、ＴｉＡｌ、ＴｉＮ、ＴｉＡｌＮ、ＴｉＳｉＮ、ＴａＡｌＮ、ＴａＳｉＮ、及びレアアース金属がメタルゲート材料として使用されていると報告されている。近年、シリコン上に構築される半導体技術に対する自然な接続及びその独特な化学的及び物理的性質のため、メタルゲート構造材料としてシリコンを利用することが非常に注目されている。
【０００６】
ＩＣ及びチップ内の基板上のシリコン及び窒化ケイ素層は、伝統的に、化学的気相成長(chemical vapor deposition)(CVD)法によって形成されている。マイクロエレクトロニクス産業は、４５ｎｍ以下の領域の技術を利用してナノメートル寸法に向ってデバイス及び回路の小型化を進めており、膜／構造形成方法の精密度及び最小インパクトのデバイスの保全性にかつてないほど多くの差し迫った要求が寄せられている。スパッタリングは、物理的気相成長(physical vapor deposition)(PVD)法による高エネルギーイオンの衝突の結果として、材料（ターゲット）の表面から原子がはじき出されるメカニズムであり、高エネルギーイオン衝撃により原子又は分子はターゲット材料からはじき出され、それによって、はじき出された原子又は原子クラスターは基板上に薄膜として凝縮することができる。スパッタリングは、原子クラスターの移送及び気相成長のより正確な制御ができ、化学的気相成長(CVD)法よりも気相成長膜構造への熱インパクトが小さい。物理的気相成長(PVD)法によるＳｉスパッターターゲットは、画像処理、コンピュータ・ネットワーク構築、及び無線モバイルアプリケーションのように、多種多様の高性能及び低電力利用の為の通信デバイス及びマイクロエレクトロニクス集積回路内の、メタルゲート電極のようなシリコン層及び窒化ケイ素及び炭化ケイ素のようなシリコン化合物構造層により広く使用され始めている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
１つの実施形態においては、無欠陥表面を有するＳｉターゲットブランク、及び、モリブデンバッキングプレート、モリブデン銅複合材料バッキングプレート、又はチタンアルミニウム複合材料バッキングプレートを有するシリコンターゲットである。ターゲットブランクは、はんだ接合、ろう付け接合、ホイル接合(foil bonded)又は他の低温接合法によって、バッキングプレートに接合される。スパッターターゲットから膜上に気相成長する粒子及び焼き付け時間を減少する為に、シリコンスパッターターゲットのほぼ無欠陥／無損傷表面を達成する為の表面処理が開発されている。表面処理は機械加工、研削、検査、ラップ仕上げ、洗浄、表面損傷除去（即ち、擦り傷除去）、洗浄、研磨、洗浄、検査、最終洗浄、及び最終検査のステップを含む。この発明はシリコンスパッターターゲットの製造方法も提供する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】比較の為のＳｉターゲット表面処理Ａの工程フローチャートを示す図である。
【図２】本発明の１つの実施形態、即ち処理ＢによるＳｉターゲット表面処理の工程フローチャートを示す図である。
【図３】比較の為の処理Ａにより作られたＳｉターゲットの表面の光学顕微鏡写真群を示す図である。擦り傷、マイクロ・クラック、へこみ、穴、及び欠け（チップ）を含む欠陥がこれらの表面上に観察されている。
【図４】比較の為の処理Ａにより作られたＳｉターゲットの表面のＳＥＭ画像群を示す図である。擦り傷、汚れ、穴、欠け（チップ）、及びマイクロ・クラックを含む欠陥がこれらの表面上に観察されている。
【図５】本発明の１つの実施形態による処理Ｂにより作られたＳｉターゲットの表面の光学顕微鏡写真群を示す図である。これらの表面は清浄であり、わずかな部分的欠陥を除いて、ほぼ無欠陥である。
【図６】比較の為の表面処理Ａにより作られたＳｉターゲットの干渉計の画像及び表面粗さ計測結果を示す図である。ターゲット中央に平行な擦り傷が検知されている。干渉計の粗さは５つの位置、ターゲット表面中央(PC)、３時位置(P3)、６時位置(P6)、９時位置(P9)、及び１２時位置(P12)で、ターゲット表面周囲から７．６２ｃｍ（３インチ）離れた位置で計測されている。計測された粗さは、ＰＣ＝２．０８４８ｎｍ（２０．８４８オングストローム）、Ｐ３＝１．６７４９ｎｍ（１６．７４９オングストローム）、Ｐ６＝１．４６８９ｎｍ（１４．６８９オングストローム）、Ｐ９＝１．６１９９ｎｍ（１６．１９９オングストローム）、Ｐ１２＝１．５４８７ｎｍ（１５．４８７オングストローム）である。平均計測粗さは１．６７９４ｎｍ（１６．７９４オングストローム）であり、標準偏差は０．２３９４ｎｍ（２．３９４オングストローム）である。
【図７】本発明の１つの実施形態による表面処理Ｂにより作られたＳｉターゲットの干渉計の画像及び表面粗さ計測結果を示す図である。明らかな欠陥は表面上に検知されていない。計測された粗さは、ＰＣ＝１．１９１１ｎｍ（１１．９１１オングストローム）、Ｐ３＝１．３８５７ｎｍ（１３．８５７オングストローム）、Ｐ６＝１．５０７９ｎｍ（１５．０７９オングストローム）、Ｐ９＝１．４６２５ｎｍ（１４．６２５オングストローム）、Ｐ１２＝１．１８８８ｎｍ（１１．８８８オングストローム）である。平均計測粗さは１．３４７２ｎｍ（１３．４７２オングストローム）であり、標準偏差は０．１５００ｎｍ（１．５００オングストローム）である。
【図８】比較の為の処理Ａにより作られたＳｉターゲットから気相成長したＳｉ膜の粒子マップ及び粒子数を示す図である。Ｓｉターゲットが２４時間以上の焼き付け／調整された後で、膜上に全部で８６９個の粒子が検知された。
【図９】本発明の１つの実施形態による処理Ｂにより作られたＳｉターゲットから気相成長したＳｉ膜の粒子マップ及び粒子数を示す図である。Ｓｉターゲットが８時間以下の焼き付け／調整された後で、膜上に２５個の粒子だけが検知された。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下の詳細な説明は添付の図面を参照としている。
【００１０】
この発明に含まれるシリコンスパッターターゲットはどんな適切な形状を有することもできる。本発明は、擦り傷除去表面処理及び優れた粒子性能及び焼き付け性能を有するシリコンターゲットの製造方法を含むものである。シリコンターゲットはドーパントを除いて少なくとも９９．９９９％の純度を有し、そして好ましくは、９９．９９９９％の純度を有している。シリコンターゲットブランクは５５０ｍｍまでの直径を有し、本質的にｐ型ドープ又はｎ型ドープされている。シリコンブランクは、多結晶構造、単結晶構造、又は半単結晶構造を有している。Ｓｉの他の構造を使用することもできるが、この特許においては単結晶構造が好ましい。シリコン原材料及びそのドーパント元素は、好ましくはチョクラルスキー結晶成長法又は鋳造法を通して、溶融液からシリコンインゴットを成長させる為に溶融される。結果として得られるインゴットはどのような寸法も有することができ、そして、円形、正方形及び長方形を含むどんな適切な形状も有することができる。その後、シリコンインゴットは検査され、様々な部品を作成する為に様々な所望の厚さのインゴットスライスにワイヤーで切断される。シリコンインゴットスライスは、所望の寸法及び表面状態を達成する為に、表面処理を行われる。表面処理には、所望の表面状態及び特性及び形状寸法を有するＳｉターゲットブランクを形成する為の、機械加工、研削、ラップ仕上げ、研磨、表面損傷除去（即ち、擦り傷除去）、エッチング加工、洗浄、及び検査等の製造作業が含まれるが限定はされておらず、好ましくは、これらの作業のどれか２つの作業の間に追加の洗浄ステップが実施される。仕上げられたＳｉブランクは、その後、はんだ接合又は他の低温接合法によって、バッキングプレートに接合され、シリコンターゲットブランク−バッキングプレートアセンブリが得られる。はんだは限定されないがインジウム、錫−銀であり、ナノホイル(nanofoil)を使用することもできる。バッキングプレート材料の選択肢はたくさんあり、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｗ、Ｃｕ及びこれらの元素の合金又はＭｏ／Ｃｕ及びＴｉ／Ａｌ等の複合材料バッキングプレートを含むが、限定はされていない。バッキングプレート材料は、シリコンの熱膨張率と密接に適合するように選択された熱膨張率(CTE)を有する。接合されたターゲットアセンブリは、２００ｍｍ、３００ｍｍ及びそれ以上の直径を有することもでき、様々なＯＥＭデザインのターゲット構成に作ることができる。
【００１１】
超微細表面を有する模範的なシリコンターゲットが上記の工程にしたがって製造された。９９．９９９９％又はより高い純度のＳｉ原材料が、Ｓｉインゴット、好ましくはチョクラルスキー結晶成長法を使用して３００ｍｍ〜８００ｍｍの直径、さらに好ましくは４５０ｍｍより大きな直径を有する無転位単結晶Ｓｉインゴットを成長させるために使用される。ＧＤＭＳ法により計測された得られたインゴットの組成が表１に記載されている。
【表１】
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【００１２】
全ての元素に対して重量濃度単位はｐｐｍであり、金属不純物の総含有量は１ｐｐｍよりも少ない。インゴットは所望の厚さのインゴットスライスに切断される。インゴットスライスは、その後、仕上げ表面及び寸法を達成する為に処理Ａを行われる。ここで参照する比較の為の処理Ａは、機械加工、研削、ラップ仕上げ、研磨、洗浄、及び最終検査の製造作業ステップから成る。本発明の１つの特徴による処理Ｂは、機械加工、研削、検査、ラップ仕上げ、洗浄、表面損傷除去、洗浄、研磨、洗浄、検査、最終洗浄、及び最終検査の製造作業ステップから成る。洗浄剤は脱イオン水及び／又は酸を含むが、限定はされていない。更なる洗浄剤及び洗浄器は、ここで参考に組み込まれている米国特許８，２２７，３９４号(Zhu他)から選択することができる。米国特許８，２２７，３９４号に記載されているように、緩衝材及び１つ以上のポリマーを含むガス又は液体のような洗浄流体を準備することができる。ポリマーは洗浄流体内に溶解され、そして、約１０，０００ｇ／ｍｏｌを超える分子量を有する。例えば、ポリマーはポリアクリル酸(PAA)、ポリアクリルアミド(PAM)、ヒドロキシエチル・セルロース(HEC)から選択することができる。ＰＡＡ及びＰＡＭのコポリマーも例として記載されている。洗浄流体内のポリマーの重量％は約０．００１〜１０重量％である。
【００１３】
水に加えて、イソプロピル・アルコール(IPA)、ジメチル・スルホキシド(DMSO)、及びジメチル・ホルムアミド(DMF)等の他の極性溶媒にも言及することができる。クエン酸及びアンモニア(NH4OH)等の弱酸及び弱塩基を緩衝材の例として言及することができる。
【００１４】
処理Ｂの１つの特徴によると、擦り傷除去ステップは、１．５０ｎｍ（１５．０オングストローム）以下の平均計測粗さを有する基板が得られる研磨を含む。
【００１５】
仕上げられたＳｉターゲットブランクは、インジウムはんだ接合又は低温接合法によって、バッキングプレートに接合され、シリコンターゲットブランク−バッキングプレートアセンブリが得られる。バッキングプレート材料の選択肢はたくさんあり、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｗ、Ｃｕ及びこれらの元素の合金又はトーソーが特許を有するＭｏ／Ｃｕ及びＴｉ／Ａｌ等の複合材料バッキングプレートを含むが、限定はされていない。バッキングプレート材料はシリコンの熱膨張率とほぼ適合する熱膨張率(CTE)を有する。結合されたターゲットアセンブリは、様々のＯＥＭデザインを有する様々の２００ｍｍ、３００ｍｍ及びそれより上のターゲット形状を有することができる。この場合、バッキングプレート材料はＭｏ／Ｃｕ複合材料であり、寸法は３００ｍｍ型のターゲットである。
【００１６】
表面処理Ａ及びＢを行なったシリコンターゲットに対して表面微細構造試験が実施された。図３に図示されているように、光学顕微鏡画像には、比較の為の表面処理Ａを行なったＳｉターゲットが擦り傷、マイクロ・クラック、へこみ、穴、及び欠け（チップ）を含むかなりの量の表面欠陥を有することが示されている。図４に図示されているように、走査電子顕微鏡(SEM)は、擦り傷、汚れ、穴、欠け（チップ）、及びマイクロ・クラックが、処理Ａを行なったシリコンターゲットの表面に存在することを確認している。対照的に、図５に示されているように、表面処理Ｂを行なったシリコンターゲットの表面は清浄であり、ほぼ無欠陥である。
【００１７】
表面処理Ａ及びＢを行なったシリコンターゲットの表面粗さを計測する為に、非破壊干渉計表面粗さ計測が実施された。図６は、処理Ａを行なったＳｉターゲットの表面の干渉計の画像及び粗さ計測データである。粗さは５つの位置、ターゲット表面中央(PC)、３時位置(P3)、６時位置(P6)、９時位置(P9)、及び１２時位置(P12)で、ターゲット表面周囲から７．６２ｃｍ（３インチ）離れた位置で計測されている。平均計測粗さは１．６７９ｎｍ（１６．７９オングストローム）であり、標準偏差は０．２３９４ｎｍ（２．３９４オングストローム）であることを計測は示している。平行型擦り傷が検知されている。図７は、処理Ｂを行なったＳｉターゲットの表面の干渉計の画像及び粗さ計測データである。ターゲット表面上に欠陥は検知されていない。計測された粗さは、ＰＣ＝１．１９１１ｎｍ（１１．９１１オングストローム）、Ｐ３＝１．３８５７ｎｍ（１３．８５７オングストローム）、Ｐ６＝１．５０７９ｎｍ（１５．０７９オングストローム）、Ｐ９＝１．４６２５ｎｍ（１４．６２５オングストローム）、Ｐ１２＝１．１８８８ｎｍ（１１．８８８オングストローム）である。平均計測粗さは１．３４７２ｎｍ（１３．４７２オングストローム）であり、標準偏差は０．１５００ｎｍ（１．５００オングストローム）である。処理Ｂを行なったＳｉターゲット表面は、処理Ａを行なったＳｉターゲット表面に比べて、より少ない表面欠陥を有し、そしてより低い粗さを有している。
【００１８】
処理Ａ及びＢにより作られたこれらの２つの３００ｍｍＳｉターゲットにスパッタリング試験が実施された。スパッタリング工程パラメーターは同一である。ターゲットは所望の低粒子数を達成する為に調整又は焼き付けされた。処理Ａを行なったＳｉターゲットにおいては、初期粒子数は２０００を超え、図８に示されているように、２４時間の焼き付け後、まだ８００を超える粒子が膜上に検知された。対照的に、処理Ｂを行なったターゲットから気相成長した膜においては、初期粒子数は少なく、図９に示されているように、８時間より少ない焼き付けで、粒子数レベルは５０粒子以下にまで下げられた。場合によっては、処理Ｂを行なったＳｉターゲットから気相成長した膜上に検知された粒子数は５未満であった。これは、様々な材料のスパッターターゲットから気相成長した膜において今までに達成された最も低い粒子数の１つである。処理Ｂを行なったＳｉターゲットは、処理Ａを行なったＳｉターゲットに比べて、飛躍的により少ない粒子数を有し、そしてより少ない焼き付け時間を有している。
【００１９】
Ｓｉターゲットの焼き付け時間及び粒子性能は、ターゲット表面状態又は処理と相関性があることを発見した。表面除去、即ち擦り傷除去及び複数の洗浄製造作業を含む表面処理（処理Ｂ）を行なったＳｉターゲットは、ターゲット表面損傷除去及び中間洗浄製造作業を含まない表面処理（処理Ａ）を行なったＳｉターゲットに比べて、より少ない表面欠陥を有し、そしてより低い表面粗さを有することを発見した。処理ＢはＳｉターゲット表面副層損傷及び潜在的汚染を除去し、それにより、より清浄なターゲット表面及びより少ない表面欠陥をもたらし、そして、より少ない膜粒子数及びより短い焼き付け時間をもたらす。
【００２０】
また、シリコンスパッターターゲットを製造する為にこの方法が開示されていることは明らかである。１つの実施形態においては、シリコンスパッターターゲットは、モリブデン又はモリブデン銅複合材料を含むバッキングプレートと接合して提供されている。シリコンターゲットの直径は約８００ｍｍ以下の範囲である。
【００２１】
シリコンブランクは優れたスパッター性能を達成する為に高い表面仕上げを有し、そして、切断、機械加工、研削、ラップ仕上げ、研磨、表面損傷除去（即ち、擦り傷除去）、エッチング加工、洗浄、及び検査等の製造作業を行なったシリコンインゴットから作られる。好ましい実施形態においては、所望の表面状態を有するシリコンターゲット表面を形成する為に、これらの作業のどれか２つの間に追加の洗浄及びエッチング加工ステップが実施される。得られたシリコンターゲットは視覚的に鏡面反射面を有し、そしてほぼ無損傷／無欠陥の表面を有し、表面粗さは５０ｎｍ（５００オングストローム）未満であり、好ましくは１０ｎｍ（１００オングストローム）未満である。
【００２２】
本発明によるシリコンターゲットは短い焼き付け時間を有し、そして、得られたＳｉターゲットから気相成長した膜は低い粒子数を有する。
【００２３】
例えば、シリコンターゲットはドーパントを除いて少なくとも約９９．９９９％の純度を有することができる。シリコンターゲットブランクは５００ｍｍまでの直径を有し、本質的にｐ型ドープ又はｎ型ドープされている。シリコンブランクは、多結晶構造、単結晶構造、又は半単結晶構造を有している。
【００２４】
バッキングプレートは、２Ｎ５以上の純度を有する純モリブデンであり、又は他の実施形態においては、モリブデン銅複合材料バッキングプレートを使用することもできる。本発明のさらに他の特徴においては、バッキングプレート構造にチタンアルミニウム複合材料を使用することもできる。
【００２５】
ターゲットブランクは、インジウム、錫−銀、及びナノホイル等を使用したはんだ接合によって、バッキングプレートに接合される。他の実施形態においては、バッキングプレート材料は、シリコンターゲット材料の熱膨張率に密接に適合するように選択された熱膨張率を有する。そのようなバッキングプレート材料は、Ｎｏ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｗ、Ｃｕ及びこれらの元素の合金、特にＭｏ／Ｃｕ及びＴｉ／Ａｌ複合材料バッキングプレート、を含むが、限定はされていない。
【００２６】
本発明はその好ましい実施形態に関連して開示されているが、本発明は、この手段が本発明の効果を発揮する好ましい構造を有するので記載された、特定の実施形態に限定されるものではないと理解されるべきであり、他の実施形態も以下の特許請求の範囲に規定されている発明の範囲内に入るものである。
【符号の説明】
【００２７】
ＰＣ  ターゲット表面中央
Ｐ３  ３時位置
Ｐ６  ６時位置
Ｐ９  ９時位置
Ｐ１２  １２時位置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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