(57)【要約】  本発明者らは、有機電子素子を製作する方法であって、前記有機電子素子の少なくとも１つの有機層と熱的接触する少なくとも１つの導電層とを備える、前記有機電子素子の物質の複数の層を有する中間段階基板（２００）を準備する工程と、前記導電物質の誘導加熱によって前記中間段階基板を加工し、前記少なくとも１つの有機層を加熱し、そうして加工された基板を製造する工程と、前記加工された基板を使用して前記有機電子素子を提供する工程とを含む方法を記載する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機電子素子を製作する方法であって、
前記有機電子素子の少なくとも１つの有機層と熱的接触する少なくとも１つの導電層を備える、前記有機電子素子の物質の複数の層を有する中間段階基板を準備する工程と、
前記導電物質の誘導加熱によって前記中間段階基板を加工し、前記少なくとも１つの有機層を加熱し、そうして加工された基板を製造する工程と、
前記加工された基板を使用して前記有機電子素子を提供する工程とを含む方法。
【請求項２】
前記加工が前記有機層をアニールする工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記有機層がポリマー層を備え、前記加工が前記ポリマー層を架橋する工程を含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記有機層の前記誘導加熱が、連続的に印加されると前記有機層を損傷する温度より高い温度への加熱を含み、前記有機層が実質的に無傷であるのに十分に高速になるように前記有機層の加熱／冷却を制御することをさらに含む、請求項１から３に記載の方法。
【請求項５】
６０秒未満で前記有機層の領域を１００℃を超える温度に誘導加熱し、次いで前記有機層の前記領域を５０℃未満に冷却させる工程を含む、請求項１から４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記誘導加熱が、ＲＦヘッドでの加熱、および前記基板および前記ＲＦヘッドの他方に対する移動または走査を含む、請求項１から５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
１ＧＨｚを超える周波数で前記ＲＦヘッドを運転する工程を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記導電層が透明導電酸化物層を備える、請求項１および７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記導電層が有機半導体層からなる、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記導電層のパターニングをさらに含み、前記加工が前記誘導加熱によって前記有機層を対応してパターニングする工程を含む、請求項１から９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記基板がプラスチック基板である、請求項１から１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
製作の前記方法が、前記中間段階基板を加工するロール・ツー・ロール法を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの有機層の前記誘導加熱後に第２の前記有機層を前記基板に堆積させる工程と、前記導電物質の誘導加熱の第２の段階で前記第２の有機層を加工する工程とをさらに含む、請求項１から１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記有機電子素子がＯＬＥＤである、請求項１から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記中間段階基板の前記準備する工程が、正孔注入層を前記基板に堆積させる工程と、ポリマー有機物質の中間層を前記正孔注入層に堆積させる工程とを含み、前記誘導加熱がポリマー有機物質の前記中間層を架橋するために使用される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記加工された基板を覆って発光ポリマーＬＥＤの第１の層を堆積させる工程と、
前記導電物質を誘導加熱してＬＥＰの前記第１の層を架橋する工程と、
ＬＥＰのさらなる少なくとも１つの層をＬＥＰの前記架橋した第１の層を覆って堆積させる工程と、
ＬＥＰの前記さらなる少なくとも１つの層を覆ってさらなる導電層を堆積させる工程とをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記有機電子素子が有機光起電力素子である、請求項１から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記有機電子素子が有機薄膜トランジスタである、請求項１から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
ＯＬＥＤを製作するためのＯＬＥＤワークピースを加工する方法であって、前記ＯＬＥＤワークピースが、電極層、および前記電極層上に有機物質の少なくとも１つの層を有する基板を備え、前記方法が、交流を電極層に誘導結合することによって前記電極層を加熱する工程を含む方法。
【請求項２０】
有機物質の前記層がポリマー有機物質の層を備え、前記方法が、前記ＯＬＥＤワークピースの表面を覆ってＲＦ発信ヘッドを走査してポリマー有機物質の前記層を架橋する工程をさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電子素子、特にＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）、とりわけポリマーＯＬＥＤを製作するための改善された技法、およびこれらの技法によって製作された素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電子素子は、ガラスおよびプラスチックを含む様々な基板上での低コスト、低温の大規模な組み立てを含む多くの潜在的な利点を提供する。有機発光ダイオードディスプレイは、他のディスプレイ技術と比較してさらなる利点を提供し、特に明るく、色彩に富み、高速スイッチング性があり広視野角を提供する。ＯＬＥＤ素子（本明細書においては有機金属素子、および１種または複数の発光体を含む素子を含む）を、使用される材料に応じてある範囲のカラーおよびマルチカラーディスプレイのポリマーまたは低分子のいずれかを使用して組み立てることができる。一般的な背景技術情報について、例えば、国際公開第９０／１３１４８号パンフレット、国際公開第９５／０６４００号パンフレット、国際公開第９９／４８１６０号パンフレットおよび米国特許第４，５３９，５７０号明細書、ならびに、多くの材料および素子、低分子およびポリマー両方が記載されている「Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ａｎｄ  Ｄｅｖｉｃｅｓ」ｅｄｉｔｅｄ  ｂｙ  Ｚｈｉｇａｎｇ  Ｌｉ  ａｎｄ  Ｈｏｎｇ  Ｍｅｎｇ，ＣＲＣ  Ｐｒｅｓｓ（２００７），ＩＳＢＮ  １０：１−５７４４４−５７４Ｘを参照することができる。
【０００３】
米国特許出願公開第２００７／０１２２９３６号明細書は、フラットディスプレイパネルの半導体バックプレーンをアニールする技法を記載しているが、有機電子素子の組み立てを考慮に入れていない。有機電子機器素子の組み立て上の利点の幾つかを実現するためには、改善された製作技法が望ましい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第９０／１３１４８号パンフレット
【特許文献２】国際公開第９５／０６４００号パンフレット
【特許文献３】国際公開第９９／４８１６０号パンフレット
【特許文献４】米国特許第４，５３９，５７０号明細書
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ａｎｄ  Ｄｅｖｉｃｅｓ，ｅｄｉｔｅｄ  ｂｙ  Ｚｈｉｇａｎｇ  Ｌｉ  ａｎｄ  Ｈｏｎｇ  Ｍｅｎｇ，ＣＲＣ  Ｐｒｅｓｓ（２００７），ＩＳＢＮ  １０：１−５７４４４−５７４Ｘ
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様によると、有機電子素子を製作する方法であって、前記有機電子素子の少なくとも１つの有機層と熱的接触する少なくとも１つの導電層を備える、前記有機電子素子の物質の複数の層を有する中間段階基板を準備する工程と、前記導電物質の誘導加熱によって前記中間段階基板を加工し、前記少なくとも１つの有機層を加熱し、そうして加工された基板を製造する工程と、前記加工された基板を使用して前記有機電子素子を提供する工程とを含む方法が提供される。
【０００７】
実施形態において、導電物質の近傍の層、実施形態においてはその隣接層によって有機層の誘導加熱を用いることは、特に加熱の局在性を含む幾つかの利点を提供する。その結果、製作プロセスのより正確な制御を提供し、加熱しないほうがよい素子の部分加熱のリスクを低減し、製作プロセスの電力消費を削減することもできる。それにより、例えば、プロセスの実施形態は、プラスチック基板について、そのような基板の全体加熱が望ましくない場合、特に有用である。本方法の実施形態のさらなる実質的な利益は、ポリマー架橋またはアニールプロセスの速度の１桁以上の増加を潜在的に可能にすることができることである。
【０００８】
したがって、幾つかの好ましい実施形態において、誘導加熱による加工は、有機層をアニールするためにおよび／またはポリマー層を架橋するために適用される。
【０００９】
本方法の実施形態は、有機層を非常に高速で加熱することができ、通常は、このことは、層を損傷するが、高温が短時間のみ続く場合には許容される温度を超える有機層の加熱の可能性を広げる。例えば、例えば１時間の間にわたって連続的にたった１８０℃では耐え延びることができる有機物質は、３００℃に近い温度にわずか数秒間なら耐えて、実質的に無傷のままでいることは可能である。本方法の実施形態は、正確に標的化された比較的少量のエネルギーを加熱が必要なところへ送達し、それによりそのような高速の加熱および冷却を容易にする。本方法の実施形態において、これは、非常に薄い厚さの例えば厚さ１０００ｎｍ、５００ｎｍ、２００ｎｍまたは１００ｎｍ未満の導電物質の層および／または有機物質の層によってさらに容易になる。したがって、例えば、有機層は、１００℃または１５０℃より高い温度に６０秒未満加熱することができ、また１００℃未満または５０℃未満へと同様の時間内に冷却することができる。
【００１０】
そのような標的化される加熱は、基板のすぐ上、例えば基板の上５ｍｍ未満を基板に対して移動または走査するＲＦ（高周波）発信ヘッド（コイル）の使用によって容易になる。実施形態において、例えば１ＧＨｚを超える高いＲＦ周波数の使用が好ましい。
【００１１】
誘導加熱のための渦電流が誘発される導電層は、金属層、透明導電酸化物層、または有機（半）導体層であってもよい。本技法の実施形態は、ＩＴＯ電極層の上に正孔注入層を備えるＯＬＥＤ構造に適用されるが、本技法は、ＩＴＯ電極を（有機）正孔注入層に置き換えたＩＴＯを含まない構造とも働く。そのような事例において、ＰＥＤＯＴ正孔注入層が用いられてもよい場合、これはＰＳＳなしで導電率増加のために使用することができる。
【００１２】
本方法の実施形態はまた、導電層のパターンに対応するパターンに有機層をパターニングするために用いられてもよい。すなわち、導電層のパターニング、およびその後の、上に重なるポリマーの選択的な架橋は、架橋されないポリマーがアニール後溶媒によって洗い流されることを可能にする。この技法は、比較的大面積の下方の電極と最もうまく機能するが、しかし、例えば、電極がない素子／基板の周辺領域を画定するのに有用であり得、その後の堆積を洗浄によって除去することができる。このことによって、周辺の「清浄な」領域を準備して空気／湿気に対して気密なカバーを基板に貼り付けることによって素子または基板の封入を容易にする。
【００１３】
前述したように、基板は、プラスチックまたは他の可撓性の基板であってもよい。さらに、本技法の実施形態は、ロール・ツー・ロール型製作プロセスへの適用に適している。そのような構成において、１つまたは複数のＲＦヘッドが、ロール・ツー・ロールのウェブ幅に及んでもよく、または、単一ヘッドが、ウェブを横切って前後に走査されてもよい。
【００１４】
本方法の実施形態において、導電層と加熱される有機層の間に熱的接触があれば、加熱される有機層が導電層に隣接する必要はない。このことは、特に、１つの層が１つまたは複数の介在層の厚さを通して容易に加熱されるような個々の層がそれぞれ厚さわずか数十ｎｍであるＯＬＥＤなどの有機電子素子の組み立てにあてはまる。したがって、本方法の実施形態は、１つまたは複数の中間層によって分離されてもよい基板に第２の有機層を堆積させる工程と、この第２の有機層を加工する、特に導電物質の誘導加熱の第２の段階で第２のポリマー層をアニール／架橋する工程とをさらに含んでもよい。
【００１５】
幾つかの好ましい実施形態において、有機電子素子は、ポリマーまたは低分子いずれかのエレクトロルミネセンス層を使用するＯＬＥＤ素子である。本明細書において本発明者らが低分子によって意味するものは、例えば、ＬｉおよびＭｅｎｇ（同書）の第３章に記載されているようなＡｌｑ３、ＴＰＯまたはＮＢＰなどの非ポリマー物質である。そのような素子の製作において、好ましくは、本技法は、正孔注入層および／または下方のＩＴＯ電極層を誘導加熱のために使用して、素子の正孔注入層の上のポリマー有機物質の中間層を架橋するのに用いられる。誘導加熱は、その後、製作プロセスの第２の段階に用いて素子のもう１つの発光層を架橋してもよい。ＯＬＥＤ構造が複数の発光層を備える場合、このことは、この場合、その後の層が下方の発光層を溶解または攻撃しないようにその後の発光層の堆積前に第１の堆積された発光層を架橋することが望ましいので特に有用である。したがって、本方法の実施形態は、ＬＥＰの第１の層を、これを覆って第２のＬＥＰ層を堆積させる前に架橋する工程と、第３のＬＥＰ層を堆積させる前に第２のＬＥＰ層を架橋してもよい工程とをさらに含む。
【００１６】
当業者は、本発明者らが記載する技法がＯＬＥＤ素子に限定されず、例えば、有機光起電力（ＯＰＶ）素子および／またはトップゲート素子もしくは底部ゲート素子であるいずれかの有機薄膜トランジスタの組み立てにおいても用いることができることを認識するであろう。
【００１７】
関連する態様において、本発明は、電極層および前記電極層上の有機物質の少なくとも１つの層を有する基板を備えるＯＬＥＤワークピースを、ＯＬＥＤを製作するために加工する方法であって、交流を前記電極層へ誘導結合することによって前記電極層を加熱する工程を含む方法を提供する。
【００１８】
先に記載したように、本方法の幾つかの好ましい実施形態は、ＯＬＥＤワークピースの表面にわたりその表面の上短距離でＲＦ発信ヘッドを走査してポリマー有機物質の層を架橋する。
【００１９】
本発明のこれらおよび他の態様を、ここで添付の図に関して例としてのみさらに記載する。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】ＯＬＥＤ構造を通る断面図の第１の例を示す。
【図２】本発明の実施形態による、例示のＲＦ誘導加熱装置および走査装置、および手順を概略的に示す。
【図３】本発明の実施形態による方法を実施するための装置のＲＦヘッドの写真を示す。
【図４】ＯＬＥＤ構造を通る第２の例示の断面図を示す。
【図５】本発明によるロール・ツー・ロール製作方法の実施形態を概略的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図１は典型的なＯＬＥＤ素子１０を通る断面図を示す。これは、透明導電性酸化物層１４、典型的にはＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）を有する基板１２を備える。これを覆って、典型的にはＰＳＳ：ＰＥＤＯＴ（ポリスチレン−スルホナートドープしたポリエチレン−ジオキシチオフェン）などの導電ポリマーを含むさらなる正孔注入層１６を堆積させる。これは、ＩＴＯ陽極および発光ポリマーの正孔エネルギー準位と合致するのを助ける。正孔注入層に続いて、この例においては、中間ポリマー層、中間層１８がくる。これを覆って、発光ポリマー（ＬＥＰ）２０の１つまたは複数の層を堆積させてＬＥＰスタックを形成する。発光ポリマーの典型例はＰＰＶ（ポリ（ｐ−フェニレンビニレン））である。ＬＥＰスタックを覆って、例えばフッ化ナトリウム（ＮａＦ）の層、続いてアルミニウムの層を含む陰極２２を堆積させる。追加の電子輸送層をＬＥＰスタック２０と陰極２２の間に堆積させてもよい。
【００２２】
図１に説明する素子は底部放射素子である。すなわち、ＬＥＰスタックにおいて発生した光は、透明ＩＴＯ陽極層経由で基板を通り素子の外で結合される。また、例えば厚さおよそ１００ｎｍ未満の薄い陰極層を使用して、トップ放射素子を組み立てることも可能である。図１の構造はＬＥＰスタックを示すが、同一の基本構造が低分子（およびデンドリマー）素子に用いられてもよい。
【００２３】
おおまかに言えば、本発明者らは、上記ＯＬＥＤなどの素子構造の有機層をアニールする、とりわけ架橋するための技法を記載する。これらの技法において、エネルギーは電力の誘導結合によって構造中の１つまたは複数の導電層に伝達されて、局部加熱を発生させる。上に示したような構造において、ＩＴＯ層は電気エネルギーを集める導電層として使用される。さらに、おおまかに言えば、ＩＴＯの上の区域のみが架橋され、したがって、本技法の実施形態は、関係のある有機層、図１の構造において、例えば中間層１８をパターニングするためにも用いることができる。これに加えて、この手順はロール・ツー・ロール加工および可撓性基板と適合する。より詳しくは、例えば、図１の構造の中間層１８を架橋するためには、この構造を焼成するのに、オーブン中で１時間程度の時間が従来必要であり得るが、本発明者らが記載する技法の様々な実施形態はわずか数秒で架橋を達成することができる。これは、とりわけより短いタクトタイム（ＴＡＣ  ｔｉｍｅ）によるコストの大幅な低減を提供する。
【００２４】
ここで図２を参照すると、これは、本発明の実施形態による有機電子素子を製作するための装置およびプロセスを概略的に説明する。そこで、基板２００は非導電支持体（図２に示さず）に搭載され、ガントリ（これも示さず）は、基板２００の表面にわたりＸ−Ｙ方向に走査することができるようにＲＦ発信ヘッド２１０を搭載している。ヘッドは、基板から５ｍｍ未満、例えばおよそ１ｍｍの距離を維持する（それにより、本技法の実施形態は、ＲＦヘッドの近傍電界を導電層に結合することができる）。ＲＦヘッド２１０は、ヘッドを駆動するＲＦ電力の供給源２２０に連結されている。一実施形態において、ＲＦ供給源２２０は、およそ２０ＭＨｚの周波数スパンを有するおよそ２．１ＧＨｚで最大１００ワットのＲＦ電力を提供することができる。実施形態において、この設備は高速電気焼結（ＲＥＳ）に用いられるものと同様であり、適切な設備は、例えば、ＶＴＴフィンランド技術研究センター、エスポー・フィンランドから得ることができる。動作中、ガントリーは、基板２００にわたり１ｍｍ／ｓから２５ｍｍ／ｓの間の速度でヘッドを掃引するように構成することができる。
【００２５】
図３は、図２において概略的に説明した装置および方法の動作中の写真を示す。
【００２６】
最初は、本技法を調査するために、スピンコーティングを使用して中間層をガラス基板にスピンし、中間層を架橋するために電気アニールプロセスを用いた。中間層の架橋の幾つかの例示試験において、１００ワットの電力に対して、掃引速度が５ｍｍ／ｓを超える場合、架橋は得られなかった。しかし１ｍｍ／ｓで走査すると、４０ｎｍの厚さの層の架橋が成功した。厚さ２０ｎｍおよび１００ｎｍの層のアニールは、２ｍｍ／ｓの速度で達成され、この速度で、ヘッドより下の試料の全体時間は３０秒未満であった。対照的に、ホットプレートでは２００℃で６０分が必要であった。所望の場合、加工速度は、ＲＦ電力を高めることによりさらに高めることができる。
【００２７】
当業者は、ＯＬＥＤ構造、ＲＦ電力およびヘッド走査速度／距離が所与であれば、最適条件を求めることは型通りの実験の問題であることを理解するであろう。
【００２８】
ＩＴＯの上のみの選択的な架橋も実証された。ヘッドの一例の実施形態において、ＲＦのＩＴＯへの誘導結合は、電極と結合するヘッド結合電極経由で達成された（これは印刷回路基板上に組み立てられてもよい）。そのような構成の場合、電極と結合する小型の焼結ヘッドを使用し、作動距離を短くしてもよく、可能性として高分解能の架橋パターニングを達成することができる。
【００２９】
前述したように、可能性として、本技法の実施形態は、局所的な加熱領域の非常に高速の温度の上昇と低下を容易にし、それにより、アニールは、実質的に連続的に印加される高温が、一般に物質にとっての損傷閾値である温度を超えることにより、可能性として、通常予想されるよりはるかに速く実施することができる。
【００３０】
次に図４に移ると、これは、本方法の実施形態を適用することができるＯＬＥＤ構造のさらなる例を示す。図４の構造は、白色ＯＬＥＤ用であり、緑色２０ａ、赤色２０ｂおよび青色２０ｃの発光ポリマー層を備える（赤色層は三重の拡散防止層としても機能する）。変形の白色ＯＬＥＤ構造は、わずか２つの発光層を有し、１種または複数の発光体を含む。どちらの事例においても、この後の層が先の層を溶解しないように次の発光層をスピンコーティングする前に下側の発光層、例えば緑色層２０ａを架橋することが望ましい。
【００３１】
図４に説明した型の白色ＯＬＥＤ素子を製作する一例の方法において、最初に、典型的には厚さおよそ４０ｎｍの（パターニングされてもよい）ＩＴＯ電極層１４を有する基板１２が準備される。これを覆って、例えば厚さがおよそ３０ｎｍから可能性としておよそ１５０ｎｍまでのＰＥＤＯＴの正孔注入層１６を堆積させる。次いで、この層を乾燥する。ＰＥＤＯＴは正孔の注入に対するエネルギー障壁の形成を妨害する仕事関数を有し、また結晶性であり粗くなり得るＩＴＯを平坦化するのを助けることができる。同様の層は、有機光起電力素子において、正孔の引き出しを容易にするために一般に存在する。市販の正孔注入物質は、とりわけＰｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社から入手可能である。
【００３２】
次に、通常２０ｎｍから６０ｎｍの範囲の厚さを有する中間層１８は、正孔注入層を覆って堆積され、上記のような手順によって高速で架橋される。中間層を組み立てることができる一例の物質は、ポリフルオレン−トリアリールアミン（または同様）のコポリマーである。好ましい中間層は、例えばランダムコポリマー、またはＡＢコポリマーとして１個または複数のアミン繰り返し単位と組み合わせた１個または複数のフルオレン繰り返し単位を含む。３０％〜６０％のコポリマー：４０％〜７０％のフルオレン：アミン単位、例えば３０〜６０％ジオクチルフルオレンおよび７０〜４０％アミンが好ましい。一般に、コポリマーはまた他の繰り返し単位、特に架橋単位を有する。アミン繰り返し単位の例は、ＴＦＢおよびＰＦＢを含む。架橋単位の例は、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）である（ただし当業者は、多くの他の種類の架橋単位を用いることができることを理解している）。したがって、中間層の実施形態は、Ｆ８ポリフルオレン（すなわち９，９ジオクチルフルオレン繰り返し単位）およびＴＦＢまたはＰＦＢ、例えば以下のいずれかのランダムまたはＡＢコポリマーを含む（Ｆ８、ＰＦＢおよびＴＦＢをそれぞれ示す）。
【化１】
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【００３３】
したがって、例えば、中間層は、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−ｃｏ−Ｎ−（４−ブチルフェニル）ジフェニルアミン）および／またはポリ（９，９’−ジオクチルフルオレン−ｃｏ−ビス−Ｎ，Ｎ’−（４，ブチルフェニル）−ビス−Ｎ，Ｎ’−フェニル−１，４−フェニレンジアミン）を含んでもよい（これらに限定されない）。これらおよび他の適切な物質のさらなる例は、Ｂｒａｄｌｅｙ  ｅｔ  ａｌ．ｉｎ  Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．ｖｏｌ  １１，ｐ２４１−２４６（１９９９）ならびにＬｉおよびＭｅｎｇ（同書）の第２章に記載されている。
【００３４】
このステップの後で、発光ポリマーの第１の層２０ａを堆積させ、複数のＬＥＰ層がある図４のもののような例においては、先に記載したプロセスによってこの最初の層をもう一度架橋する。また、上に堆積させる追加のＬＥＰ層がある場合、連続して各ＬＥＰ層２０ｂ、ｃも架橋する。所望の数のＬＥＰ層を組み立てた後、フッ化ナトリウムの第１の層、続いてアルミニウムのその後の層を含む実施形態において陰極層２２を堆積させる。図４には示さないが、この構造はまた、陰極層堆積前に電子伝達層を備えてもよい。
【００３５】
当業者は、本発明者らが記載したそのような技法を用いることができる文脈中に有機電子素子組み立てプロセスの多くの変形があることを理解するであろう。例えば、ＩＴＯ層は省略し、代わりに陽極層として正孔注入層１６が使用されてもよい。これは、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）またはポリカルボナートなどの可撓性基板について潜在的に有利である。この場合、ジメチルスルホキシドまたはエチレングリコール（ＰＳＳの有無に関わらず）などの導電率増強剤を含むＰＥＤＯＴを用いることは有益であり得る。適切な物質がヘレウス社（ドイツ）からＣｌｅｖｉｏｓ（商標）の名で市販されている。さらにまたは代替として、正孔注入層１６の電気伝導率は、下方の金属グリッドに支援されてもよい。（微細グリッド線および／または薄い金属を使用することにより透明であってもよい）。そのような手法は、例えば、大面積の被覆および縁部での連結を有する、ＯＬＥＤ照明タイルに用いられてもよい。
【００３６】
次に図５を参照すると、これは、ロール・ツー・ロールプロセスを使用して、有機電子素子を製作する例示の方法および装置５００を示す。この例において、例えばＰＥＴ膜の可撓性基板またはウェブ５１０は、ウェブ幅にわたって延在するＲＦヘッド５３０の下でロール５２０によって輸送される。前と同じく、ＲＦヘッドはＲＦ電力供給源５４０によって駆動される。様々な金属酸化物および／またはＰＥＤＯＴと同様に、導電層は（前の例のように）また、金、銀または銅などの貴金属の薄い層から組み立てられる。有機層（複数可）は、スピンコーティング、インクジェット印刷、シルクスクリーン印刷、スロットダイコーティング、グラビア印刷およびフレキソ印刷を含むがこれらに限定されない範囲の技法を使用して堆積させることができる。ヘッド５３０は、単一の大きいヘッドまたは複数のより小さいヘッド、またはウェブにわたって前後に走査する１個または複数のヘッドを含んでもよい。ＲＦ電力は、製作条件、ヘッドのウェブからの距離、導電層の導電率、架橋温度などに応じ、型通りの実験によって調節することができる。
【００３７】
図５のロール・ツー・ロールプロセスは、そのような技法が達成することができる比較的大面積、高い製造速度であり、したがって、本技法の実施形態は、可能性として、そのようなプロセスにとってとりわけ有益である。
【００３８】
本発明者らが記載した技法は、低コスト（高い処理能力、低い資本コストおよび低いエネルギー使用）、ロール・ツー・ロール加工との適合性、有機層をパターニングする能力（実施形態において、導電層の上の領域のみがアニールされるような）、および加工温度が低いプラスチック基板との適合性（加熱が局所的にのみ供給されるので）を含むがこれらに限定されない多くの利点を有する。
【００３９】
当業者は、上記の技法の多くの変形が可能であることを認識している。例えば、ＲＦ（高周波）ヘッドのより低い周波数および／または異なる構成を使用して、例えば２００ＭＨｚ未満または２０ＭＨｚ未満の周波数で運転することができる。同様に、本発明者らは、アニール中間層およびＬＥＰ層を記載したが、例えば、ＯＬＥＤまたは他のプラスチック電子素子中の正孔注入層または他の有機層をアニールするために同様の手順が用いられてもよいことは理解されよう。当業者は、本発明者らが記載した技法を、少なくとも１つの電気導電層を組み込む、事実上いかなる種類の有機電子素子の製作に用いられてもよいことを認識している。
【００４０】
先に記載したように、本技法の実施形態はまた、有機層を選択的に加熱し架橋するために１つまたは複数の電気伝導層を使用することによって１つまたは複数の有機層をパターニングするために用いられてもよい。
【００４１】
他の多くの効果的な代替が当業者の頭に浮かぶことは疑いがない。本発明が、記載された実施形態に限定されず、本明細書に添付された特許請求の範囲の趣旨および範囲内に存在する技術分野の当業者には明白である修正を包含することが理解されるであろう。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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