(57)【要約】半導体ボディ（２）を備えており、かつミラー領域（３）を備えているオプトエレクトロニクス半導体部品を開示する。ミラー領域は、少なくとも部分的に半導体ボディの主面（２３）に隣接しており、ミラー領域（３）は、第１の材料組成の複数のドメイン（３１）であって、互いに隔てられており主面に隣接している、複数のドメインと、第２の材料組成の連続的なミラー層（３２）と、を有し、ミラー層（３２）は、ドメイン（３１）の間において少なくとも部分的に主面（２３）に隣接している。さらに、半導体ボディの上にミラー領域を作製する方法を開示する。
2015528641.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ボディ（２）と、少なくとも部分的に前記半導体ボディの主面（２３）に隣接しているミラー領域（３）とを備えているオプトエレクトロニクス半導体部品（１）であって、前記ミラー領域が、互いに隔てられており前記主面に隣接している、第１の材料組成の複数のドメインと、第２の材料組成の連続的なミラー層（３２）と、を有し、前記ミラー層が、前記ドメインの間において少なくとも部分的に前記主面に隣接している、オプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項２】
前記第１の材料組成が、白金族金属の金属を含んでいる、
請求項１に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項３】
前記第１の材料組成が、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、イリジウム、およびオスミウムからなる群の金属のうちの少なくとも１種類を含んでいる、
請求項１または請求項２に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項４】
前記ミラー領域における前記ミラー層が、少なくとも５０％の表面占有密度で前記主面に隣接している、
請求項１から請求項３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項５】
前記ミラー領域における前記ミラー層が、少なくとも８０％の表面占有密度で前記主面に隣接している、
請求項１から請求項４のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項６】
前記主面に沿った前記ドメインが、少なくとも部分的に、最大で１００ｎｍの最大範囲を有する、
請求項１から請求項５のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項７】
前記ミラー領域が、ドメイン領域（４１）およびドメイン非存在領域（４２）を有する微細構造化部（４）を前記主面に沿って有する、
請求項１から請求項６のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項８】
前記ドメイン領域および前記ドメイン非存在領域が、少なくとも部分的に周期的なパターンにおいて交互に配置されている、
請求項７に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項９】
−  前記ミラー領域が、連続的な第１の部分領域（４５）と連続的な第２の部分領域（４６）とを、前記主面に沿って有し、
−  前記第１の部分領域および前記第２の部分領域それぞれが、前記ミラー領域の少なくとも２０％を構成しており、
−  前記第１の部分領域における前記ドメイン非存在領域の表面占有密度が、前記第２の部分領域における前記ドメイン非存在領域の表面占有密度よりも少なくとも２０％大きい、
請求項７または請求項８に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項１０】
前記半導体ボディの表面中心（２５）が、前記半導体部品の平面視において前記第１の部分領域内に位置している、
請求項９に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項１１】
−  前記主面に隣接する前記半導体ボディの材料が、ｐ導電型にドープされた窒化物半導体材料系であり、
−  前記第１の材料組成が、ロジウム、イリジウム、およびオスミウムからなる群の金属のうちの少なくとも１種類を含んでおり、
−  前記主面に沿った前記ドメインが、少なくとも部分的に、最大で１００ｎｍの最大範囲を有し、
−  前記ミラー層が銀を含んでいる、
請求項１に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項１２】
半導体ボディ（２）の主面（２３）の上にミラー領域（３）を作製する方法であって、
ａ）  第１の材料組成のドメイン（３１）が前記主面の上に形成されるように、前記第１の材料組成を、最大で５ｎｍの厚さで、前記主面の上に堆積させるステップと、
ｂ）  連続的なミラー層（３２）を形成する目的で、第２の材料組成を前記主面の上に堆積させるステップであって、前記ミラー層（３２）が、前記ドメインの間において少なくとも部分的に前記主面に隣接する、ステップと、
を含んでいる、方法。
【請求項１３】
前記主面に沿った前記ドメインの平均範囲が減少するように、ステップｂ）の前に、前記第１の材料組成に熱処理ステップが行われる、
請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の材料組成が、マスクされていない領域のみにおいて前記主面の上に堆積されるように、ステップａ）の前に、前記主面が部分的にマスク（８）によって覆われ、ステップｂ）の前に、前記マスクが除去される、
請求項１２または請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
請求項１から請求項１１のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品が製造される、
請求項１２から請求項１４のいずれかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、半導体ボディおよびミラー領域を備えたオプトエレクトロニクス半導体部品と、半導体ボディの上にミラー領域を作製する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば発光ダイオードなどの放射放出半導体部品は、半導体ボディにおいて生成される放射を反射する目的で設けられるミラー層を備えていることができる。しかしながら、可視スペクトル領域における比較的高い反射率を特徴とする材料（例えば銀など）は、半導体材料への接着性が低いことがしばしばある。この結果として、このようなミラー層が剥離することがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
１つの目的は、高い反射率とともにミラー層の高い信頼性での接着を得ることのできる半導体部品を開示することである。さらなる目的は、このようなミラー層を作製することのできる方法を開示することである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
この目的は、独立特許請求項によるオプトエレクトロニクス半導体部品によってと、独立特許請求項による方法によって達成される。従属特許請求項は、構造形態および発展形態に関する。
【０００５】
一実施形態によると、オプトエレクトロニクス半導体部品は、半導体ボディおよびミラー領域を備えている。ミラー領域は、少なくとも部分的に半導体ボディの主面に隣接している。ミラー領域は、第１の材料組成の複数のドメイン（domain）であって、互いに隔てられており主面に隣接している、複数のドメインと、第２の材料組成の連続的なミラー層と、を有する。ミラー層は、ドメインの間において少なくとも部分的に主面に隣接している。
【０００６】
第１の材料組成のドメインによって、半導体ボディへのミラー層の接着を改善することができる。したがって、ドメインは、接着促進体としての役割を果たす。したがって、領域全体にわたり半導体ボディに直接堆積されたときには比較的低い接着性しか示さない材料も、ミラー層に使用することができる。
【０００７】
連続的なミラー層とは、特に、ミラー層がドメインの間において主面に隣接しているミラー層の少なくとも一部の領域が、互いに連続的に結合されていることを意味するものと理解されたい。言い換えれば、これらの領域の間には、領域が互いに導電接続されるミラー層内の経路が存在する。しかしながら、連続的なミラー層は半導体ボディの主面を完全に覆っている必要はなく、例えば部分的に省くことができる。
【０００８】
材料組成という用語は、ドメインもしくはミラー層またはその両方それぞれが２種類以上の材料を含んでいることを必ずしも意味しない。そうではなく、ドメインもしくはミラー層またはその両方それぞれは、１種類のみの材料からなることができる。しかしながら、ドメインもしくはミラー層またはその両方が、２種類以上の材料を含んでいることもできる。一例として、２種類の材料を、例えば金属合金の形で互いに混合することができ、または、２種類の材料を層状に互いに重ねて具体化することができる。
【０００９】
第１の材料組成と第２の材料組成は、互いに異なる。主面に隣接するドメインの材料は、半導体ボディへの高い接着性に基づいて選択し、ミラー層は、受け取る放射または放出される放射に対する高い反射率に基づいて選択することが好ましい。
【００１０】
半導体積層体は、例えば、放射を生成する目的で、または放射を受け取る目的で設けられている活性領域を有することができる。ミラー層は、動作時に活性領域によって検出される放射、または活性領域によって放出される放射に対して高い反射率、特に、少なくとも７０％の反射率を有することが好ましい。可視スペクトル領域および紫外スペクトル領域において、例えば銀は、高い反射率を特徴とする。
【００１１】
好ましい一構造形態においては、第１の材料組成は、白金を含んでいない。白金は、半導体材料への良好な接着特性を特徴とするが、白金は、反射率が比較的低く、さらには導電率が比較的低い。しかしながら、原理的には、白金も第１の材料組成に適している。ドメインが表面の一部のみを占有している結果として、全領域が白金層である場合と比較して反射率を高めることができる。
【００１２】
さらなる好ましい構造形態においては、第１の材料組成は、白金族金属（ＰＧＭ）からの金属、好ましくは白金を除く白金族金属からの金属の少なくとも１種類を含んでいる。白金族金属は、白金以外には、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、イリジウム、およびオスミウムを含んでいる。これらの材料は、半導体材料への高い接着性を特徴とすることが判明した。ロジウムは、可視スペクトル領域および紫外スペクトル領域における６５％以上の高い反射率のため、特に適している。
【００１３】
好ましい一構造形態においては、ミラー領域におけるミラー層は、少なくとも５０％、特に好ましくは少なくとも８０％の表面占有密度で主面に隣接している。ミラー領域におけるミラー層の表面占有密度が大きいほど、ミラー領域全体にわたり平均した反射率が、ミラー層の反射率に近づく。
【００１４】
ミラー領域全体において、すべての位置においてドメインの材料またはミラー層の材料のいずれかが主面に直接隣接していることが好ましい。したがって、ミラー層の表面占有密度が高ければドメインの表面占有密度が低くなり、逆も同様である。
【００１５】
さらには、ミラー領域におけるミラー層の表面占有密度は、最大で９５％、特に好ましくは最大で９０％である。言い換えれば、ドメインの表面占有密度は、少なくとも５％、特に好ましくは少なくとも１０％である。こうして、主面へのミラー層の高い信頼性の接着性が確保される。
【００１６】
さらなる好ましい構造形態においては、横方向における（すなわち主面に沿っての）ドメインは、少なくとも部分的に、最大で１００ｎｍ、特に好ましくは最大で２０ｎｍの最大範囲（maximum extent）を有する。ドメインの少なくとも５０％の最大範囲は、１ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内（両端値を含む）であることが好ましい。ドメインが、上記の範囲内の範囲（extent）を有する結果として、良好な接着性と高い反射率とを特に良好に両立させることができることが判明した。
【００１７】
ドメインは、ミラー領域全体にわたり主面に沿って分布させることができる。これに代えて、ミラー領域が、ドメイン領域とドメイン非存在領域とを含む微細構造化部を、主面に沿って有することができる。すなわち、ドメインは、ドメイン領域のみに形成されている。これに対して、ドメイン非存在領域にはドメインが存在しない。すなわち、ミラー層は、ミラー領域のドメイン非存在領域において、特に、ミラー領域のドメイン非存在領域のすべての位置において、主面に隣接している。
【００１８】
ドメイン領域の平均最大横方向範囲は、ドメインの平均最大範囲よりも少なくとも１０倍大きいことが好ましい。したがって、ドメイン領域内に多数のドメインを形成することができる。
【００１９】
ドメイン領域とドメイン非存在領域は、少なくとも部分的に、周期的なパターンにおいて交互に配置することができる。特に、ミラー領域全体が、周期的なパターンを有する微細構造化部を有することができる。したがって、ドメイン領域は、ミラー領域全体にわたり均一に分布している。
【００２０】
これに代えて、ミラー領域は、特に連続的な第１の部分領域と、特に連続的な第２の部分領域とを、主面に沿って有することができる。第１の部分領域および第２の部分領域それぞれは、ミラー領域の少なくとも２０％を構成していることが好ましい。第１の部分領域におけるドメイン非存在領域の表面占有密度は、第２の部分領域におけるドメイン非存在領域の表面占有密度よりも少なくとも２０％大きい。特に、第１の部分領域は、ドメイン領域がまったく存在しないようにすることができる。
【００２１】
半導体ボディの表面中心（surface centroid）は、半導体部品の平面視において第１の部分領域内に位置させることができる。言い換えれば、半導体ボディの主面の中央領域には、主面の縁部領域と比較してドメイン領域の数が少ない、またはドメイン領域がまったく存在しない。第１の部分領域において、ミラー領域は特に高い反射率を特徴とすることができる。
【００２２】
主面に隣接している半導体ボディの材料は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料系であることが好ましい。特に、この半導体材料は、窒化物化合物半導体材料系、例えばｐ導電型にドープされた窒化物半導体材料系とすることができる。窒化物化合物半導体材料は、Ｖ族元素としての窒素を含む半導体材料と考えられる。特に、この半導体材料は、ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）を含んでいることができる。
【００２３】
ｐ導電型にドープされた窒化物半導体材料の場合、ドメインが、白金族金属のチタン以外の金属、特に、ロジウム、イリジウム、オスミウムを含んでおり、ミラー層が銀を含んでいる構造が、特に適していることが判明した。
【００２４】
一実施形態による、半導体ボディの主面の上にミラー領域を作製する方法においては、第１の材料組成のドメインが主面の上に形成されるように、第１の材料組成を、好ましくは最大で５ｎｍの厚さで、特に好ましくは最大で１ｎｍの厚さで、主面の上に堆積させる。その後、第２の材料組成を主面の上に堆積させて連続的なミラー層を形成し、ミラー層は、ドメインの間において少なくとも部分的に主面に隣接する。
【００２５】
好ましい一形態においては、ミラー層を堆積させる前に、主面に沿ったドメインの平均範囲が減少するように、第１の材料組成に熱処理ステップを行う。
【００２６】
熱処理ステップは、好ましくは５０℃〜５００℃の範囲内（両端値を含む）の温度、特に好ましくは５０℃〜３００℃の範囲内（両端値を含む）の温度において行う。
【００２７】
熱処理ステップの持続時間は、好ましくは１０分〜５時間の範囲内（両端値を含む）、特に好ましくは１時間〜２時間の範囲内（両端値を含む）である。
【００２８】
構造上の１つのバリエーションにおいては、第１の材料組成を堆積させる前に、主面を部分的にマスクによって覆い、したがって第１の材料組成は、マスクされていない領域のみにおいて主面の上に堆積する。第２の材料組成を堆積させる前にマスクを除去することが好ましく、したがって、ミラー層がドメインの上に連続的に形成され、前にマスクによって覆われていた領域において少なくとも部分的に主面に隣接する。
【００２９】
説明した方法は、前述した半導体部品を製造するのに特に適している。したがって、半導体部品に関連して説明した特徴は、本方法にもあてはまり、逆も同様である。
【００３０】
さらなる特徴、構造形態、および利点は、図面を参照しながらの例示的な実施形態の以下の説明から明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１Ａ】半導体部品の例示的な一実施形態を概略断面図として示している。
【図１Ｂ】半導体部品の例示的な一実施形態の部分領域の拡大図を示している。
【図１Ｃ】半導体部品の例示的な一実施形態の部分領域を平面図として概略的に示している。
【図２】さらなる例示的な実施形態による、ミラー領域の一部分を概略断面図として示している。
【図３Ａ】ミラー領域のさらなる例示的な実施形態を概略平面図として示している。
【図３Ｂ】ミラー領域のさらなる例示的な実施形態を概略平面図として示している。
【図４Ａ】ミラー領域を作製する方法の例示的な一実施形態を断面図として概略的に示した中間ステップに基づいて示している。
【図４Ｂ】ミラー領域を作製する方法の例示的な一実施形態を断面図として概略的に示した中間ステップに基づいて示している。
【図４Ｃ】ミラー領域を作製する方法の例示的な一実施形態を断面図として概略的に示した中間ステップに基づいて示している。
【図４Ｄ】ミラー領域を作製する方法の例示的な一実施形態を断面図として概略的に示した中間ステップに基づいて示している。
【図５】さまざまな材料の、波長λの関数としての反射率Ｒの図を示している。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
同じ要素、同じタイプの要素、または同じ機能の要素には、図面において同じ参照数字を付してある。
【００３３】
図面と、図面に示した要素の互いのサイズの関係は、正しい縮尺ではないものとみなされたい。むしろ、図を見やすくする、または本発明を深く理解できるようにする目的で、個々の要素および特に層の厚さを誇張した大きさで示してあることがある。
【００３４】
図１Ａは、半導体部品１の例示的な一実施形態を示している。この半導体部品は、半導体ボディを形成する半導体積層体２を有する半導体ボディを備えている。半導体積層体は、放射を生成する、または放射を受け取る目的で設けられている活性領域２０を備えており、この活性領域は、第１の導電型の第１の半導体層２１と第２の導電型の第２の半導体層２２との間に配置されている。一例として、第１の半導体層をｐ導電型に具体化し、第２の半導体層をｎ導電型に具体化する、またはこの逆に具体化することができる。
【００３５】
半導体部品１は、特に半導体チップの形における、例えばルミネセンスダイオード（例えば発光ダイオード）として、または放射受光器（例えばフォトダイオードまたはフォトトランジスタ）として、具体化することができる。
【００３６】
縦方向には、すなわち半導体ボディ２の半導体積層体の半導体層の主延在面に垂直に延びる方向には、半導体ボディは、主面２３とさらなる主面２４との間に延在している。主面２３の上にミラー領域３が配置されている。ミラー領域は、主面に直接隣接している。
【００３７】
半導体積層体２を有する半導体ボディは、結合層６によってキャリア５に固定されている。
【００３８】
本半導体部品の動作時、さらなる主面２４の上の第１のコンタクト７１と、半導体ボディ２とは反対側のキャリア５の面に配置されている第２のコンタクト７２とを介して、活性領域２０に両側から電荷キャリアを注入することができ、電荷キャリアは活性領域２０において再結合して放射を放出することができる。放射受光器の場合、互いに反対の方向からコンタクトを介して電荷キャリアを運び去ることができる。半導体ボディ２との電気的接触は、ミラー領域３を通じて形成することができる。
【００３９】
図示した例示的な実施形態においては、半導体ボディ２の半導体積層体のための成長基板が除去されている。このような半導体チップは、薄膜半導体チップとも称される。キャリア５が、半導体積層体を機械的に安定化させる役割を果たしているため、この目的のために成長基板はもはや必要ない。
【００４０】
説明した例示的な実施形態の変形形態においては、ミラー領域３は半導体ボディ２の主面全体を覆っている必要はない。
【００４１】
さらには、以下に説明するミラー領域３は、原理的には、動作時に受け取る放射または放出される放射が反射されるように意図されているあらゆるタイプの半導体部品に適している。一例として、半導体ボディ２は、主面２３から第１の半導体層２１および活性領域２０を貫いて第２の半導体層の中まで達して第２の半導体層２２との電気的接触を形成する目的で設けられる１つまたは複数の切取り部を有することもできる。この場合、さらなる主面２４の上の電気コンタクトを省くことができる。
【００４２】
さらには、本半導体部品を例えばフリップチップとして具体化することもでき、この場合、電気的接触は成長基板によって形成されるキャリアを通じて形成されるのではなく、キャリアとは反対側の半導体ボディの面における２つのコンタクトを通じて形成される。したがって、この場合、ミラー領域３が第１のコンタクト７１の一部または第２のコンタクト７２の一部を形成することができる。
【００４３】
図１Ｂは、図１Ａに示したミラー領域の一部分９を断面図として概略的に示している。ミラー領域３は、第１の材料組成のドメイン３１と第２の材料組成のミラー層３２とを有する。ドメインの間の領域において、ミラー層３２は主面３１に隣接している。ドメイン３１は、少なくとも部分的に、互いに連続的ではなく、したがって、これらのドメイン３１は、特に、横方向における電流輸送を目的に設けられていない。
【００４４】
好ましくは、ミラー領域３におけるミラー層３２は、少なくとも５０％の表面占有密度で、特に好ましくは少なくとも８０％の表面占有密度で、主面２３に隣接している。
【００４５】
横方向における（すなわち主面に沿っての）ドメイン３１の範囲は、少なくともいくつかのドメインにおいて、好ましくは最大で１００ｎｍ、特に好ましくは最大で２０ｎｍである。主面に垂直に延びる縦方向においては、ドメインの厚さは、好ましくは最大で２０ｎｍ、特に好ましくは最大で１０ｎｍである。
【００４６】
主面２３に隣接している半導体材料がｐ導電型にドープされた窒化物半導体材料系である場合、ドメイン３１にはロジウムが特に適しており、ミラー層３２には銀が特に適していることが判明した。しかしながら、これに代えて、またはこれに加えて、ドメインは、別の材料、例えばイリジウムやオスミウム、あるいは白金族金属の別の金属を含んでいることもできる。
【００４７】
これに代えて、またはこれに加えて、ミラー層も、別の材料、例えばアルミニウムやニッケル、パラジウム、またはこれらの材料の少なくとも１種類を含む金属合金を含んでいることができる。
【００４８】
ミラー領域３全体において、ドメインまたはミラー層のいずれかが、すべての位置において主面２３に直接隣接している。図１Ｃは、ドメイン３１と連続的なミラー層３２とを有するミラー領域３を平面図として概略的に示している。
【００４９】
半導体ボディ２（特に、活性領域２０）も、別の半導体材料、例えばヒ化物化合物半導体材料（例：ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＡｓ）またはリン化物化合物半導体材料（例：ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＰ）（いずれの場合も０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）を含んでいることができる。
【００５０】
図２は、ミラー領域３のさらなる例示的な実施形態を示している。図１Ｂを参照しながら説明した例示的な実施形態とは異なり、ドメイン３１それぞれが第１の層３１１および第２の層３１２を有する。この場合、第２の層が、殻状に第１の層を囲んでいる。２種類の材料によるドメインの層状構造の代わりに、２種類の材料を合金の形で一緒に堆積させることもできる。
【００５１】
ドメイン３１は、ミラー領域３全体にわたり主面２３に沿って分布させることができる。こうして、接着促進体としてのドメインによるミラー層の良好な接着が、領域全体にわたり確保される。
【００５２】
これに代えて、図３Ａおよび図３Ｂに示したように、ドメインを部分的にのみ存在させることもできる。
【００５３】
図３Ａに平面図として示した例示的な実施形態の場合、ミラー領域３は、ドメイン領域４１およびドメイン非存在領域４２を有する微細構造化部４を、主面２３に沿って有する。図示した例示的な実施形態においては、ドメイン領域およびドメイン非存在領域は、周期的に交互に並んだ格子縞状に形成されている。しかしながら、構造化のパターンは、幅広い範囲内で自由に選択することができる。一例として、ドメイン領域４１は、円、楕円、または少なくとも一部分が曲線である基本形状を有する、あるいは多角形、特に四角形（例えば長方形や正方形）の基本形状を有することができる。
【００５４】
微細構造化部のドメイン領域４１の横方向範囲は、好ましくは少なくとも１０μｍ、特に好ましくは少なくとも５０μｍである。各ドメイン領域４１に、多数のドメイン、好ましくは少なくとも１００個のドメインを形成することができる。
【００５５】
ドメイン３１それぞれは、ドメイン領域４１にのみ形成されている。ドメイン領域４１内では、ドメインの間においてミラー層３２が主面２３に隣接している。これに対して、ドメイン非存在領域４２においては、ミラー領域３のすべての位置においてミラー層３２が主面２３に隣接している。主面２３におけるミラー層の表面占有密度を、微細構造化部４によってより大幅に高めることができる。したがって、ミラー領域３全体にわたり平均した反射率が高まる。
【００５６】
微細構造化部４は、図３Ａに示したように、ミラー領域３全体にわたり均一に形成することができる。特に、図示した例示的な実施形態における微細構造化部４は、半導体積層体から作製される半導体部品の幾何学形状とはまったく独立して形成することができる。したがって、微細構造化部は、個片化の結果として半導体部品が作製されるウェハ全体にわたり均一に形成することができる。
【００５７】
これに代えて、図３Ｂに示したように、微細構造化部は、異なる微細構造化を有する相互に異なる部分領域を有することができる。
【００５８】
一例として、微細構造化部は、第１の連続的な部分領域４５を有することができ、この領域４５にはドメイン領域４１が存在しない、または少なくとも、第２の部分領域４６におけるよりもドメイン領域による占有密度が低い。
【００５９】
図示した例示的な実施形態においては、第１の部分領域４５は、半導体部品１の平面視において中央に配置されており、したがって半導体部品の領域中心２５が第１の部分領域内に位置している。したがって、中央に位置する中央領域においては、ミラー領域３は、ミラー層の反射率のみによって決まる特に高い反射率を有することができる。第２の部分領域４６は、この例示的な実施形態においては、第１の部分領域の周囲に枠状に延在している。このようにすることで、半導体部品１の縁部に沿ったミラー領域が、高い密度のドメイン領域を有することができる。主面２３からミラー層３２が剥離する危険性は、必ず縁部において起こることが判明している。相異なる部分領域の結果として、ミラー領域３の高い平均反射率と良好な接着性とを特に効果的に組み合わせることができる。
【００６０】
説明した例示的な実施形態の変形形態においては、必ずしも第１の部分領域４５にドメイン領域４１がまったく存在しないようにする必要はない。しかしながら、第１の部分領域におけるドメイン非存在領域の表面占有密度は、第２の部分領域におけるドメイン非存在領域の表面占有密度よりも少なくとも２０％大きいことが好ましい。
【００６１】
この場合、第１の部分領域４５および第２の部分領域４６それぞれは、これらの部分領域がミラー領域３の少なくとも２０％を構成するような大きさである。
【００６２】
図４Ａ〜図４Ｄは、ミラー領域を作製する方法の例示的な一実施形態を、それぞれ断面図として示した中間ステップに基づいて概略的に示しており、図３Ａおよび図３Ｂを参照しながら説明したように微細構造化部を有するミラー領域を作製する方法について説明する。
【００６３】
微細構造化部４を作製する目的で、図４Ａに示したように、半導体ボディ２の主面２３の上にマスク８を配置する。マスク８は、例えば主面の上に配置する、または主面の上の構造化されたフォトレジスト層の形で具体化することができる。
【００６４】
図４Ｂに示したように、第１の材料組成の堆積時、ドメイン３１は、主面２３のうちマスクされていない領域にのみ形成される。ドメインはランダムに形成され、したがって、ドメインの大きさおよび局所的な占有密度は変化する。
【００６５】
第１の材料組成を堆積させた後、ドメインを形成する目的で、熱処理ステップを行うことができる。熱処理ステップは、真空下で、または保護ガス雰囲気下で、行うことができる。熱処理ステップは、例えば、５０℃〜５００℃の範囲内（両端値を含む）の温度、特に５０℃〜３００℃の範囲内（両端値を含む）の温度において、例えば１〜２時間の持続時間にわたり行うことができる。
【００６６】
図４Ｂにおいては、ドメインの範囲を誇張した大きさで示してある。第１の材料組成の層厚さは、好ましくは最大で１０ｎｍ、特に好ましくは５ｎｍ、最も好ましくは最大で１ｎｍである。
【００６７】
ミラー層を堆積させる前に、図４Ｃに示したようにマスク８を除去し、したがって、ミラー層を連続的に、特に、ミラー領域において領域全体にわたり形成することができる（図４Ｄ）。
【００６８】
ドメインを形成するための材料の堆積とミラー層の堆積は、蒸着法によって行うことが好ましい。これに代えて、ＰＶＤ（物理的気相成長）法（例えばスパッタリング）を採用することもできる。
【００６９】
図５は、銀（曲線９１）、白金（曲線９２）、ロジウム（曲線９３）、およびイリジウム（曲線９４）の場合の、波長に依存する金属の反射率を示している。このグラフの取得元はhttp://webmineral.com/AtoZ/である。このグラフが示すように、紫外スペクトル領域および可視スペクトル領域においては、上記の金属のうち、銀が最高の反射率を有する。さらに、ロジウムおよびイリジウムは、白金よりも高い反射率を特徴とし、したがって、白金よりも適している。しかしながら、接着促進体としてのドメインの材料として白金を使用した場合でも、領域全体が白金層である場合と比較して、ミラー領域３の平均反射率は高まる。
【００７０】
したがって、銀から構成されるミラー層とともに、ロジウム、イリジウム、または白金族金属の別の金属から構成されるドメインを有するミラー領域３の説明した構造形態では、ミラー領域３の特に高い反射率と同時に、ミラー層の良好な接着性を得ることが可能になる。
【００７１】
ここまで、本発明について例示的な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明はこれらの例示的な実施形態に限定されない。本発明は、任意の新規の特徴および特徴の任意の組合せを包含している。これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が特許請求項あるいは例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。
【００７２】
関連出願
本特許出願は、独国特許出願第１０２０１２１０７３８４．８号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照によって本明細書に組み込まれている。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図５】
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【手続補正書】
【提出日】平成27年4月9日(2015.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ボディ（２）と、少なくとも部分的に前記半導体ボディの主面（２３）に隣接しているミラー領域（３）とを備えているオプトエレクトロニクス半導体部品（１）であって、前記ミラー領域が、互いに隔てられており前記主面に隣接している、第１の材料組成の複数のドメインと、第２の材料組成の連続的なミラー層（３２）と、を有し、前記ミラー層が、前記ドメインの間において少なくとも部分的に前記主面に隣接しており、前記主面に沿った方向における前記ドメインの最大範囲が、少なくとも幾つかのドメインでは最大で１００ｎｍである、オプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項２】
前記第１の材料組成が、白金族金属の金属を含んでいる、
請求項１に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項３】
前記第１の材料組成が、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、イリジウム、およびオスミウムからなる群の金属のうちの少なくとも１種類を含んでいる、
請求項１または請求項２に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項４】
前記ミラー領域における前記ミラー層が、少なくとも５０％の表面占有密度で前記主面に隣接している、
請求項１から請求項３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項５】
前記ミラー領域における前記ミラー層が、少なくとも８０％の表面占有密度で前記主面に隣接している、
請求項１から請求項４のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項６】
前記主面に沿った前記ドメインが、少なくとも部分的に、最大で２０ｎｍの最大範囲を有する、
請求項１から請求項５のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項７】
前記ミラー領域が、ドメイン領域（４１）およびドメイン非存在領域（４２）を有する微細構造化部（４）を前記主面に沿って有する、
請求項１から請求項６のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項８】
前記ドメイン領域および前記ドメイン非存在領域が、少なくとも部分的に周期的なパターンにおいて交互に配置されている、
請求項７に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項９】
−  前記ミラー領域が、連続的な第１の部分領域（４５）と連続的な第２の部分領域（４６）とを、前記主面に沿って有し、
−  前記第１の部分領域および前記第２の部分領域それぞれが、前記ミラー領域の少なくとも２０％を構成しており、
−  前記第１の部分領域における前記ドメイン非存在領域の表面占有密度が、前記第２の部分領域における前記ドメイン非存在領域の表面占有密度よりも少なくとも２０％大きい、
請求項７または請求項８に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項１０】
前記半導体ボディの表面中心（２５）が、前記半導体部品の平面視において前記第１の部分領域内に位置している、
請求項９に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項１１】
−  前記主面に隣接する前記半導体ボディの材料が、ｐ導電型にドープされた窒化物半導体材料系であり、
−  前記第１の材料組成が、ロジウム、イリジウム、およびオスミウムからなる群の金属のうちの少なくとも１種類を含んでおり、
−  前記主面に沿った前記ドメインが、少なくとも部分的に、最大で２０ｎｍの最大範囲を有し、
−  前記ミラー層が銀を含んでいる、
請求項１に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項１２】
半導体ボディ（２）の主面（２３）の上にミラー領域（３）を作製する方法であって、
ａ）  第１の材料組成のドメイン（３１）が前記主面の上に形成されるように、前記第１の材料組成を、最大で５ｎｍの厚さで、前記主面の上に堆積させるステップと、
ｂ）  連続的なミラー層（３２）を形成する目的で、第２の材料組成を前記主面の上に堆積させるステップであって、前記ミラー層（３２）が、前記ドメインの間において少なくとも部分的に前記主面に隣接する、ステップと、
を含んでいる、方法。
【請求項１３】
前記主面に沿った前記ドメインの平均範囲が減少するように、ステップｂ）の前に、前記第１の材料組成に熱処理ステップが行われる、
請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の材料組成が、マスクされていない領域のみにおいて前記主面の上に堆積されるように、ステップａ）の前に、前記主面が部分的にマスク（８）によって覆われ、ステップｂ）の前に、前記マスクが除去される、
請求項１２または請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
請求項１から請求項１１のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品が製造される、
請求項１２から請求項１４のいずれかに記載の方法。
【国際調査報告】
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