(57)【要約】  本開示の実施形態は、概して、ＴＦＴデバイス内にシリコン含有層を形成する方法を提供する。シリコンは、ＬＴＰＳ  ＴＦＴ内にアクティブチャネルを形成するために使用する、又はゲート絶縁層、パッシベーション層、又は更にはエッチストップ層内の要素として利用することができる。シリコン含有層は、気相堆積プロセスによって堆積され、これによって不活性ガス（アルゴン等）がシリコン前駆体と共に導入される。不活性ガスは、ケイ素−水素又はケイ素−ケイ素の弱いダングリングボンドを追い出すように機能し、これによってケイ素−ケイ素又はケイ素−酸素の強い結合が残り、これによって実質的に水素を含まないシリコン含有層を形成する。
2015501078.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にシリコン層を形成する方法であって、
処理チャンバ内に基板を搬送する工程と、
シリコン系ガス及び不活性ガスを有し、実質的に水素ガスを有さないガス混合物を処理チャンバ内に供給する工程であって、ガス混合物は、不活性ガスの基板の表面積当たりの体積流量が、シリコン系ガスの基板の表面積当たりの体積流量の約１．８倍〜約７９倍であるガス混合物を供給する工程と、
ガス混合物を点火してプラズマ化するためにＲＦ電力を印加する工程と、
プラズマの存在下で基板上にアモルファスシリコン層を形成する工程を含む方法。
【請求項２】
処理チャンバ内で基板を摂氏約４５０度〜摂氏約５００度の温度にインサイチューで熱処理する工程を含む請求項１記載の方法。
【請求項３】
多結晶シリコン層を形成するためにアモルファスシリコン層をレーザアニーリングする工程を含む請求項２記載の方法。
【請求項４】
レーザアニーリングする工程が、基板を摂氏約１００度〜摂氏約１５００度の温度に加熱する工程を含む請求項３記載の方法。
【請求項５】
ＲＦ電力を印加する工程が、１５００ワット未満のＲＦソース電力を供給する工程を含む請求項１記載の方法。
【請求項６】
ガス混合物を供給する工程が、処理圧力を約０．５トール〜約５トールに維持する工程を含む請求項１記載の方法。
【請求項７】
酸化ケイ素層を形成するための方法であって、
処理チャンバ内にシリコン系ガス、不活性ガス、及び酸素含有ガスを有するガス混合物を供給する工程であって、ガス混合物は、不活性ガスの基板の表面積当たりの体積流量が、シリコン系ガスの基板の表面積当たりの体積流量の約１１倍〜約８０倍であるガス混合物を供給する工程と、
ガス混合物を点火してプラズマ化するためにＲＦ電力を印加する工程と、
基板上に酸化ケイ素層を形成する工程を含む方法。
【請求項８】
シリコン系ガスはシラン又はＴＥＯＳを含み、酸素含有ガスはＯ２又はＮ２Ｏを含む請求項７記載の方法。
【請求項９】
ガス混合物は、不活性ガスの基板の表面積当たりの体積流量が、酸素含有ガスの基板の表面積当たりの体積流量の約０．６倍〜約１．７倍である請求項７記載の方法。
【請求項１０】
ガス混合物は、酸素含有ガスの基板の表面積当たりの体積流量が、酸素含有ガスの基板の表面積当たりの体積流量の約１１倍〜約８２倍である請求項７記載の方法。
【請求項１１】
ＲＦ電力を印加する工程は、１５００ワット未満のＲＦソース電力を供給する工程を含む請求項７記載の方法。
【請求項１２】
シリコン系ガスはシランを含み、酸素含有ガスはＮ２Ｏを含む請求項７記載の方法。
【請求項１３】
基板と、
基板上に配置され、実質的に水素を含まない酸化ケイ素層を含むゲート絶縁層と、
ゲート絶縁層上に配置され、ＩｎＧａＺｎＯ、ＩｎＧａＺｎＯＮ、ＺｎＯ、ＺｎＯＮ、ＺｎＳｎＯ、ＣｄＳｎＯ、ＧａＳｎＯ、ＴｉＳｎＯ、ＣｕＡｌＯ、ＳｒＣｕＯ、ＬａＣｕＯＳ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、又はＩｎＧａＡｌＮのうちの少なくとも１つを含むアクティブチャネルと、
アクティブチャネル上に配置されたソース・ドレイン電極と、
ソース・ドレイン電極層上に配置され、実質的に水素を含まない酸化ケイ素層を含むパッシベーション層を含む金属酸化物ＴＦＴデバイス。
【請求項１４】
実質的に水素を含まない酸化ケイ素層は、
処理チャンバ内にシリコン系ガス、不活性ガス、及び酸素含有ガスを有するガス混合物を供給する工程であって、ガス混合物は、不活性ガスの基板の表面積当たりの体積流量が、シリコン系ガスの基板の表面積当たりの体積流量の約１１倍〜約８０倍であるガス混合物を供給する工程と、
ガス混合物に点火してプラズマ化するＲＦ電力を印加する工程と、
基板上に実質的に水素を含まない酸化ケイ素層を形成する工程によって作られる請求項１３記載のデバイス。
【請求項１５】
基板と、
基板上のソース・ドレイン電極とゲート絶縁層の間に配置されたアクティブチャネルを含み、アクティブチャネルとゲート絶縁層との間に形成される界面は、実質的に水素を含まない誘電体表面を含む金属酸化物ＴＦＴデバイス。
【発明の詳細な説明】
【発明の背景】
【０００１】
（発明の分野）
本発明の実施形態は、概して、シリコン含有層を形成するための方法に関する。特に、本発明は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）デバイス内で使用することができるシリコン含有層を形成するための方法に関する。
【０００２】
（関連技術の説明）
プラズマディスプレイパネル及び液晶ディスプレイは、しばしばフラットパネルディスプレイ用に使用される。液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）は、一般に、液晶材料の層を間に挟んで共に接合された２枚のガラス基板を含む。ガラス基板は、半導体基板であることができ、又は、透明基板（例えば、ガラス、石英、サファイア、又は透明なプラスチックフィルム）であることができる。ＬＣＤは、背面照明用の発光ダイオードを含むこともできる。
【０００３】
ＬＣＤに対する解像度の要求が高まるにつれて、画素と呼ばれる多数の液晶セルの別々の領域を制御することが望ましくなっている。現代のディスプレイパネルでは、１００万を超える画素が存在する場合がある。少なくとも同じ数のトランジスタが、ガラス基板上に形成され、これによって各画素は、基板上に配置された他の画素に対して、通電・非通電状態間の切り替えができる。
【０００４】
シリコン含有材料は、ほとんどのＴＦＴの構成要素となっている。シリコン含有材料は、例えば、低温多結晶シリコン（ＬＴＰＳ）ＴＦＴ用の多結晶シリコンや、ＴＦＴ内にゲート誘電体層、界面層、パッシベーション層、又は更にはエッチストップ層を形成する際に使用される要素として、チャネル材料を形成するために使用されてきた。
【０００５】
したがって、シリコン含有材料を用いることによって、安定した信頼性の高い性能を有するＴＦＴを形成する方法に対するニーズが、当該技術分野にはある。
【発明の概要】
【０００６】
本開示の実施形態は、概して、ＴＦＴ、ＯＬＥＤ、ＬＥＤ、及び太陽電池デバイス内にシリコン含有層を形成する方法を提供する。シリコン含有層は、ＬＴＰＳ、金属酸化物ＴＦＴデバイス等を含むＴＦＴデバイス内にアクティブチャネルを形成するために使用する、又はゲート誘電体層、界面層、パッシベーション層、又は更にはエッチストップ層内の要素として使用することができる。シリコン含有層は、気相堆積プロセスによって堆積され、これによって不活性ガス（アルゴン等）が、シリコン含有前駆体と共に導入される。不活性ガスは、ケイ素−水素又はケイ素−ケイ素の弱いダングリングボンドを追い出すように機能し、これによってケイ素−ケイ素又はケイ素−酸素の強い結合が残る。
【０００７】
一実施形態では、基板上にシリコン層を形成する方法が開示される。本方法は、処理チャンバ内に基板を搬送する工程と、シリコン系ガス及び不活性ガスを有し、実質的に水素ガスを有さないガス混合物を処理チャンバ内に供給する工程を含む。ガス混合物は、不活性ガスの基板の表面積当たりの体積流量が、シリコン系ガスの基板の表面積当たりの体積流量の約１．８倍〜約７９倍である。本方法はまた、ガス混合物を点火してプラズマ化するためにＲＦ電力を印加する工程と、基板上にアモルファスシリコン層を形成する工程を含む。
【０００８】
別の一実施形態では、酸化ケイ素層を形成するための方法が開示される。本方法は、処理チャンバ内にシリコン系ガス、不活性ガス、及び酸素含有ガスを有するガス混合物を供給する工程を含む。ガス混合物は、不活性ガスの基板の表面積当たりの体積流量が、シリコン系ガスの基板の表面積当たりの体積流量の約１１倍〜約８０倍である。本方法は、また、ガス混合物を点火してプラズマ化するためにＲＦ電力を印加する工程と、基板上に酸化ケイ素層を形成する工程を含む。
【０００９】
更に別の一実施形態では、金属酸化物ＴＦＴデバイスは、基板と、基板上に配置され、実質的に水素を含まない酸化ケイ素層を含むゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に配置され、ＩｎＧａＺｎＯ、ＩｎＧａＺｎＯＮ、ＺｎＯ、ＺｎＯＮ、ＺｎＳｎＯ、ＣｄＳｎＯ、ＧａＳｎＯ、ＴｉＳｎＯ、ＣｕＡｌＯ、ＳｒＣｕＯ、ＬａＣｕＯＳ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、又はＩｎＧａＡｌＮのうちの少なくとも１つを含むアクティブチャネルと、アクティブチャネル上に配置されたソース・ドレイン電極と、ソース・ドレイン電極層上に配置され、実質的に水素を含まない酸化ケイ素層を含むパッシベーション層を含む。
【００１０】
更に別の一実施形態では、金属酸化物ＴＦＴデバイスは、基板と、基板上のソース・ドレイン電極とゲート絶縁層の間に配置されたアクティブチャネルを含み、アクティブチャネルとゲート絶縁層との間に形成される界面は、実質的に水素を含まない誘電体表面を含む。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
本発明の上述した構成を達成し、詳細に理解することができるように、上記に簡単に要約した本発明のより具体的な説明を、その実施形態を参照して行う。実施形態は添付図面に示されている。
【図１】薄膜トランジスタデバイス構造の断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る、アモルファスシリコン層を堆積するために使用することができる処理チャンバの断面図を示す。
【図３】アモルファスシリコン層を形成し、後にデバイス構造内で使用することができる多結晶シリコン層に形質転換される方法の一実施形態のプロセスフロー図を示す。
【図４Ａ】〜
【図４Ｄ】本発明の一実施形態に係る、アモルファスシリコン層を多結晶シリコン層に形質転換するためのシーケンスを段階的に示したアモルファスシリコン層を有するデバイス構造の一実施形態を示す。
【図５Ａ】〜
【図５Ｂ】一実施形態に係るＴＦＴデバイスの概略断面図である。
【図６】一実施形態に係るＴＦＴデバイスの概略断面図である。
【００１２】
理解を促進するために、図面に共通する同一の要素を示す際には可能な限り同一の参照番号を使用している。一実施形態の要素及び構成を更なる説明なしに他の実施形態に有益に組み込んでもよいと理解される。
【００１３】
しかしながら、添付図面は本発明の例示的な実施形態を示しているに過ぎず、したがってこの範囲を制限されていると解釈されるべきではなく、本発明は他の等しく有効な実施形態を含み得ることに留意すべきである。
【詳細な説明】
【００１４】
本開示の実施形態は、概して、ＴＦＴデバイス内にシリコン含有層を形成する方法を提供する。シリコン含有層は、ＬＴＰＳ  ＴＦＴ又は他の適当な金属酸化物ＴＦＴデバイス内にアクティブチャネルを形成するために使用する、又はゲート誘電体層、界面層、パッシベーション層、又は更にはエッチストップ層内の要素として利用することができる。シリコン含有層は、気相堆積プロセスによって堆積され、これによって不活性ガス（アルゴン等）がシリコン前駆体と共に導入される。不活性ガスは、ケイ素−水素又はケイ素−ケイ素の弱いダングリングボンドを追い出すように機能し、これによってケイ素−ケイ素又はケイ素−酸素の強い結合が残る。
【００１５】
一実施形態では、後に多結晶シリコン層に形質転換することができるアモルファスシリコン層を形成する方法が開示される。アモルファスシリコン層は、チャネル材料としてＬＴＰＳ  ＴＦＴデバイス内で使用することができる。あるいはまた、アモルファスシリコン層、酸化ケイ素層、窒化ケイ素層、酸窒化ケイ素層、又は本明細書に記載の方法により形成される他の適切なシリコン含有層も、適切なＴＦＴデバイス（例えば、金属酸化物ＴＦＴデバイス）内で使用することができる。アモルファスシリコン層、酸化ケイ素層、窒化ケイ素層、酸窒化ケイ素層、又は他の適切なシリコン含有層等はまた、フォトダイオード、半導体ダイオード、発光ダイオード（ＬＥＤ）、又は有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、又は他のディスプレイアプリケーション内でも使用することができる。アモルファスシリコン層、酸化ケイ素層、窒化ケイ素層、酸窒化ケイ素層は、最小の水素含有量により、高い膜品質及び安定性と低い膜の漏れを提供し、これによってトランジスタデバイスの電気的性能を効率的に向上させる。なお、アモルファスシリコン層は、上記の用途に加えて、他の適切なデバイス内で使用可能であることに留意すべきである。
【００１６】
ＬＴＰＳ  ＴＦＴデバイス１５０の例示的な一実施形態が図１に示されている。ＬＴＰＳ  ＴＦＴデバイスは、ソース領域１０９ａ、チャネル領域１０９ｃ、及びドレイン領域１０９ｂが光学的に透明な基板１０２上に形成され、その上に配置された任意選択の誘電体層１０４を伴って又は伴わないで作られたＭＯＳデバイスである。ソース領域１０９ａ、チャネル領域１０９ｃ、及びドレイン領域１０９ｂは、一般に、最初に堆積されたアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層から形成され、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層は後に多結晶シリコン層を形成するために熱処理（例えば、アニーリング）される。ソース、チャネル及びドレイン領域１０９ａ、１０９ｃ、１０９ｂは、光学的に透明な基板１０２上の領域をパターニングし、堆積された初期のａ−Ｓｉ層にイオンドーピングを行うことによって形成することができ、初期のａ−Ｓｉ層は、後に多結晶シリコン層を形成するために熱処理される。その後、ゲート誘電体層１０６が、堆積された多結晶シリコン層の最上部の上に堆積され、これによってチャネル領域１０９ｃ、ソース領域１０９ａ、及びドレイン領域１０９ｂからゲート電極１１４を分離する。ゲート電極１１４は、ゲート誘電体層１０６の最上部の上に形成される。その後、絶縁層１１２及びデバイス接続部１１０ａ、１１０ｂが、絶縁層１１２を貫通して作られ、これによってＴＦＴデバイス１５０の制御を可能にする。
【００１７】
ＬＴＰＳ  ＴＦＴデバイス１５０の性能は、ＭＯＳ構造を形成するように堆積される膜の品質に依存する。ＭＯＳデバイスの主要な性能要素は、多結晶シリコンチャネル層１０８、ゲート誘電体層１０６、及び多結晶シリコンチャネル層／ゲート誘電体層界面の品質である。多結晶シリコンチャネル層１０８の品質は、近年多くの注目を浴びている。上述したように、多結晶シリコンチャネル層１０８は、最初にアモルファスシリコン層として形成され、次いで、摂氏約４５０度まで又はそれ以上に加熱され、これによってアモルファスシリコン層から水素を除去する脱水素化処理を行う。脱水素化処理の後、レーザアニーリング処理が実行され、これによってアモルファスシリコン層を多結晶シリコン層に形質転換することができる。続いて、ゲート絶縁層又は他の適切な層がその上に形成され、これによってデバイス構造を完了することができる。
【００１８】
アモルファスシリコン層中の水素元素の過剰量（例えば、過度に高濃度の水素含有量）は、多結晶シリコンチャネル層１０８を形成する前に、隣接するゲート誘電体層１０６又は他の隣接する層の中に浸透し、これによって電流のリーク又は他のタイプのデバイス故障をもたらす可能性がある。アモルファスシリコン層は、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）などの適切な蒸着プロセスによって形成することができる。
【００１９】
図２は、アモルファスシリコン層又は他のシリコン含有層（例えば、酸化ケイ素）を形成することができるＰＥＣＶＤチャンバ２００の一実施形態の概略断面図である。１つの適切なＰＥＣＶＤチャンバは、カリフォルニア州サンタクララにあるアプライドマテリアルズ社（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，  Ｉｎｃ．）から入手可能である。なお、他の製造業者からのものを含む他の堆積チャンバが本発明を実施するために利用可能であることが理解される。
【００２０】
チャンバ２００は、一般的に、壁部２０２、底部２０４、及び蓋２１２を含む。ガス分配プレート２１０と基板支持アセンブリ２３０は、処理容積２０６を画定する。処理容積２０６は、壁部２０２を貫通して形成された開口部２０８を介してアクセスされ、これによって基板１０２をチャンバ２００の内外へ搬送することができる。
【００２１】
基板支持アセンブリ２３０は、基板１０２を上で支持するための基板受け面２３２を含む。基板受け面２３２は、一般的に、基板１０２と同じサイズであるか、又は基板１０２よりもわずかに大きい。ステム２３４は、基板搬送位置と基板処理位置との間で基板支持アセンブリ２３０を昇降させるリフトシステム２３６に基板支持アセンブリ２３０を結合する。基板１０２の縁部上への堆積を防止するように処理する場合、シャドウフレーム２３３をオプションで基板１０２の周縁部の上方に配置することができる。リフトピン２３８は、基板支持アセンブリ２３０を貫通して可動に配置され、基板１０２の挿入及び除去中に、基板受け面２３２から基板１０２を離間させるように用いられる。基板支持アセンブリ２３０はまた、基板支持アセンブリ２３０を所望の温度に維持するために利用される加熱及び／又は冷却要素２３９を含むことができる。基板支持アセンブリ２３０は、また、基板支持アセンブリ２３０の周囲に、ＲＦリターンパスを短縮するためにＲＦリターンストラップ２３１を含むことができる。
【００２２】
ガス分配プレート２１０は、サスペンション２１４によって、その周辺で、チャンバ２００の蓋２１２又は壁部２０２に結合される。ガス分配プレート２１０はまた、１以上の中央支持体２１６によって蓋２１２に結合され、これによってガス分配板２１０の垂下を防止し、及び／又はガス分配板２１０の真直度／曲率を制御するのを助けることができる。一実施形態では、ガス分配プレート２１０は、異なる寸法の異なる構成を有する。例示的な一実施形態では、ガス分配プレート２１０は、四辺形の下流面２５０を有する。下流面２５０は、基板支持アセンブリ２３０上に配置された基板１０２の上面２１８に対向して、複数の開口部２１１が内部に形成されている。開口部２１１は、ガス分配プレート２１０全域に亘って、異なる形状、数、密度、寸法、及び分布を有することができる。
【００２３】
ガス源２２０は蓋２１２に結合され、これによって蓋２１２を通って、次いで、ガス分配プレート２１０内に形成された開口部２１１を通って、処理容積２０６へとガスを供給する。真空ポンプ２０９はチャンバ２００に結合され、これによって所望の圧力で処理容積２０６内のガスを維持する。
【００２４】
ＲＦ電源２２２は、蓋２１２及び／又はガス分配プレート２１０に結合され、これによってガス分配プレート２１０と基板支持アセンブリ２３０との間に電界を作るＲＦ電力を供給し、これによってガス分配プレート２１０と基板支持アセンブリ２３０との間でガスからプラズマを生成することができる。ＲＦ電力は、１以上のＲＦ周波数で印加することができる。例えば、ＲＦ電力は、約０．３ＭＨｚ〜約２００ＭＨｚの周波数で印加することができる。一実施形態では、ＲＦ電力は、１３．５６ＭＨｚの周波数で供給される。
【００２５】
リモートプラズマ源２２４（例えば、誘導結合リモートプラズマ源）もまた、ガス源とバッキングプレートとの間に結合することができる。基板を処理する間に、洗浄ガスをリモートプラズマ源２２４内で通電し、これによってチャンバコンポーネントを洗浄するために利用されるプラズマを遠隔で供給することができる。洗浄ガスは、ＲＦ電源２２２によってガス分配プレート２１０に供給されるＲＦ電力によって更に励起してもよい。適切な洗浄ガスとしては、ＮＦ３、Ｆ２、及びＳＦ６を含むが、これらに限定されない。
【００２６】
一実施形態では、チャンバ２００内で処理することができる基板１０２は、１００００ｃｍ２以上（例えば、４００００ｃｍ２以上（例えば、約５５０００ｃｍ２以上））の表面積を有することができる。処理後に、基板は、より小さなデバイスを形成するために切断することができることが理解される。
【００２７】
一実施形態では、加熱要素及び／又は冷却要素２３９は、堆積中に約４００℃以下（例えば、約１００℃〜約４００℃又は約１５０℃〜約３００℃（例えば、約２００℃））の基板支持アセンブリの温度を提供するように設定することができる。
【００２８】
基板受け面２３２上に配置された基板１０２の上面２１８とガス分配プレート２１０との間の堆積中の間隔は、一般的に、４００ミル〜約１２００ミル（例えば、４００ミル〜約８００ミル）に、又は所望の堆積結果を提供するように選択された基板１０２とガス分配プレート２１０との間の他の距離に変えることができる。凹面下流面ガス分配プレート２１０が利用される例示的な一実施形態では、プレート２１０の縁部の中央部と基板受け面２３２との間の間隔は、約４００ミル〜約１４００ミルとの間であり、プレート２１０の角部と基板受け面２３２との間の間隔は、約３００ミル〜約１２００ミルの間である。
【００２９】
図３は、図２に示されるようなチャンバ２００又は他の適切な処理チャンバ内で実施することができる堆積プロセス３００の一実施形態のフロー図を示す。プロセス３００は、アモルファスシリコン層や、ＴＦＴデバイス又はダイオードデバイス内で使用することができる他の適切なシリコン含有層を堆積する方法を示す。一実施形態では、シリコン含有層は、単独で、又は任意の他の適切な膜と組み合わせて使用し、これによってＴＦＴ又はダイオードデバイス内の電気的特性及び性能を改善することができる。特定の一実施形態では、説明したようなシリコン含有層は、アモルファスシリコン層であり、後に多結晶シリコン層を形成するように熱処理することができる。
【００３０】
図４Ａに示されるように、プロセス３００は、基板１０２を処理チャンバ（例えば、図２に示されるＰＥＣＶＤチャンバ２００）内へ搬送することによってステップ３０２で始まる。基板１０２は、オプションの誘電体層１０４を上部に配置してもよい。なお、基板１０２は、以前に上に形成された膜、構造、又は層とは異なる組み合わせを有し、これによって基板１０２上に異なるデバイス構造を形成することを促進してもよいことに留意すべきである。誘電体層１０４が存在しない実施形態では、アモルファスシリコン層は、直接基板１０２上に形成することができる。
【００３１】
一実施形態では、基板１０２は、ガラス基板、プラスチック基板、ポリマー基板、金属基板、単一化された基板、ロールツーロール基板、又は上に薄膜トランジスタを形成するのに好適な他の適切な透明基板のうちのいずれであってもよい。
【００３２】
ステップ３０４では、ガス混合物が、ガス分配プレート２１０を介して処理チャンバ内へ供給され、これによって図４Ｂに示されるように、基板１０２上にアモルファスシリコン層４０２を堆積する。ガス混合物を処理チャンバ内へ供給し、これによってアモルファスシリコン層４０２を堆積する場合、ガス混合物は、シリコン系ガス、不活性ガスを含み、実質的に水素ガス（Ｈ２）を含まないことができる。用語「実質的に水素ガスを含まない」は、ガス混合物を形成するために水素ガスの直接的な供給源を利用しないことを意味することを意図している。微量の水素ガスが不活性ガス及び／又はシリコン系ガスの供給源内に存在してもよい。適切なシリコン系ガスとしては、シラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、四フッ化ケイ素（ＳｉＦ４）、テトラオルトシロキサン（ＴＥＯＳ）、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）、及びこれらの組み合わせが挙げられるが、これらに限定されない。不活性ガスの適切な例としては、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ、Ｋｒ等が挙げられる。一実施形態では、本明細書に記載のシリコン系ガスはシラン（ＳｉＨ４）ガスであり、不活性ガスはアルゴンである。
【００３３】
シリコン系ガス及び不活性ガスは、所定のガス流量比で供給される。不活性ガスのシリコン系ガスに対する所定のガス流量比は、膜内に含まれる水素原子の最小数を有するアモルファスシリコン層の堆積を助長する。一実施形態では、シリコン系ガス及び不活性ガスは、処理チャンバ内へ所定の比で（例えば、１：２０を超えて）供給される。一実施形態では、不活性ガス（例えば、アルゴンガス）のシリコン系ガス（例えば、シラン）に対する比率（Ｒ）は、約２０（Ａｒ／ＳｉＨ４）を超えるように、例えば、５０を超えるように、例えば、約６０〜約２００、別の一例では、約７０〜１００（例えば、約７５）となるように制御される。あるいはまた、処理チャンバ内に供給されるシリコン系ガス及び不活性ガスは、基板表面積（又はおおよそ等価として、基板支持面）当たりの体積流量によって供給することができる。一実施形態では、ＳｉＨ４ガスは、処理チャンバ内へ約０．０４２ｓｃｃｍ／ｃｍ２〜約０．３１ｓｃｃｍ／ｃｍ２で供給することができ、一方、不活性ガスは、処理チャンバ内へ約０．５５ｓｃｃｍ／ｃｍ２〜約３．２９ｓｃｃｍ／ｃｍ２の流量で供給することができる。従って、シリコン系ガスに対する不活性ガスの基板表面積当たりの体積流量の比は、約１．８：１〜約７９：１の間である。換言すれば、ガス混合物は、シリコン系ガスの基板の表面積当たりの体積流量の約１．８倍〜約７９倍の不活性ガスの基板の表面積当たりの体積流量を有する。一実施形態では、シリコン系ガスはシランであり、不活性ガスはアルゴンである。
【００３４】
ガス混合物に供給される不活性ガス（例えば、アルゴン）は、シリコン系ガス（例えば、シランガス）内で供給されるケイ素及び水素原子よりも相対的に高い分子量を有すると考えられる。処理中にガス混合物を供給する場合、混合ガス中のアルゴン原子は、シリコン層内のケイ素−水素及び／又は弱いケイ素−ケイ素結合の弱いダングリングボンドを追い出すのを助長し、これによってシリコン層内のケイ素原子が、シランガスからのケイ素−水素結合ではなく、強いケイ素−ケイ素結合を形成するのを可能にする。上述のように、強いケイ素−ケイ素結合は、膜の純度及び高いシリコン結合エネルギーを高め、これによってアモルファスシリコン層４０２内に形成された膜の品質及び純度を増加させる。更に、Ａｒ原子は、強く頑強なシリコン結合の形成を助長し、不純物を追い出すので、シリコン層内の欠陥が低減されるだけでなく、アモルファスシリコン層内で良好な均一性を得ることができ、これによって望ましくないランダムな粒界及び粒界の欠陥を低減することができる。また、従来の水素希釈の代わりにアルゴン希釈を用いることによって、堆積プロセス中における水素原子の供給が最小化又は排除され、これによって結果として得られるアモルファスシリコン層４０２内に水素元素を形成する可能性を低減させることができる。アルゴン希釈堆積プロセスはまた、良好な（例えば、毎分３００Åより大きい）堆積速度を提供し、これによって製造のスループットを向上させることができるとも考えられている。
【００３５】
いくつかのプロセスパラメータは、堆積プロセス中に制御することができる。ＲＦソース電力は、堆積中、プラズマを維持するために印加することができる。一実施形態では、ＲＦソース電力密度は、約１０ミリワット／ｃｍ２〜約２００ミリワット／ｃｍ２で供給することができる。あるいはまた、ＶＨＦ電力を利用して、これによって約２７ＭＨｚ〜約２００ＭＨｚまでの周波数を提供することができる。処理圧力は、約０．１トール〜約１０トール（例えば、約０．５トール〜約５トール（例えば、約０．８トール〜約２トール））に維持される。ガス分配プレートアセンブリに対する基板の間隔は、基板寸法に応じて制御することができる。一実施形態では、１平方メートルより大きな基板の処理間隔は、約４００ミル〜約１２００ミル（例えば、約４００ミル〜約８５０ミル（例えば、５８０ミル））に制御される。基板温度は、摂氏約１５０度〜摂氏約５００度（例えば、摂氏約３７０度）に制御することができる。
【００３６】
一実施形態では、比較的低い（例えば、１５００ワット未満又は１００ミリワット／ｃｍ２未満の）ＲＦ電力を利用することができる。堆積中に利用されるより低いＲＦ電力は、良好な均一性制御を有するアモルファスシリコン層４０２の形成を助長することができると考えられる。使用されるような比較的低いＲＦ電力は、不活性ガスによって生成される可能性のあるスパッタリング効果を低減し、これによって比較的穏やかなプラズマ環境内でアモルファスシリコン層４０２を堆積するのを助長し、これによって良好な均一性及び表面粗さ制御を有するアモルファスシリコン層４０２を形成することができると考えられる。
【００３７】
ステップ３０６では、図４Ｃに示されるように、アモルファスシリコン層４０２を基板１０２上に形成した後、脱水素化ポストベークプロセスを実行して、これによってアモルファスシリコン層４０２から水素を除去することができる。脱水素化ポストベークプロセスの後、アモルファスシリコン層４０２に含まれる水素含有量は、図４Ｃに示されるように、大部分が追い出され、これによって脱水素化されたアモルファスシリコン層４０４を形成することができる。上述のように、脱水素化されたアモルファスシリコン層４０４は、水素ガスの代わりに希釈ガスとして不活性ガス（例えば、アルゴンガス）を用いた実質的に水素を含まないガス混合物によって形成されるので、脱水素化ポストベークプロセスは、比較的短い時間フレームの間（例えば、５分未満）実行することができ、又は必要に応じて省略してもよい。
【００３８】
一実施形態では、脱水素化ポストベークプロセスは、アモルファスシリコン層４０２を堆積させた処理チャンバ内で、インサイチューで処理を行ってもよい。脱水素化ポストベークプロセスは、摂氏４００度を超える（例えば、摂氏約４５０度〜摂氏約５５０度の間の）温度まで基板１０２を加熱し、これによって水素元素を蒸発させて脱水素化されたアモルファスシリコン層４０４を形成するのを助長することができる。
【００３９】
アモルファスシリコン層４０２内で水素含有量が高くない実施形態では、ステップ３０６で実行されるポストベーク脱水素化プロセスは、必要に応じて省略してもよい。
【００４０】
ステップ３０８では、図４Ｄに示すように、ポストベーク脱水素化プロセスの後、レーザアニーリングプロセスが実行され、これによって脱水素化されたアモルファスシリコン層４０４を多結晶シリコン層４０６に形質転換する。レーザプロセスは、脱水素化されたアモルファスシリコン層４０４を結晶化させて多結晶シリコン層４０６にするのを助長する。レーザアニーリングプロセスの間に提供された熱エネルギーは、多結晶シリコン層４０６からの粒子を成長させて大きなサイズにして、多結晶シリコン層４０６を形成する結晶化された粒子にするのを助長する。一実施形態では、アモルファスシリコン層４０２を結晶化させるのに使用されるようなレーザアニーリングプロセスは、エキシマレーザアニーリングプロセスである。レーザアニーリングプロセスは、摂氏約１００度〜摂氏約１５００度の間の温度に基板を熱的に処理することができる。
【００４１】
レーザアニーリングプロセスの後、脱水素化されたアモルファスシリコン層４０４は、主に（１１１）面の結晶方位を有し、部分的に（２２０）面を有する多結晶シリコン層４０６に形質転換される。多結晶シリコン層４０６の所望の結晶が形成されるので、高い光／暗伝導度比を得ることができ、多結晶シリコン層４０６全体の電気的特性を向上させることができる。
【００４２】
図１を参照して図示及び上記したように、脱水素化されたアモルファスシリコン層４０４が多結晶シリコン層４０６になった後で、パターニングプロセス、イオン注入又は他の堆積プロセスが実行され、これによってソース・ドレイン領域、ゲート誘電体層、及びソース・ドレイン電極層を形成することができ、これによってＴＦＴデバイス構造が完成する。
【００４３】
上述したように、シリコン含有層は、ＴＦＴデバイス中に他の層を製造する際に利用することができる。図５Ａは、本発明の別の一実施形態に係るＴＦＴデバイス５００の別の一実施形態の概略断面図である。ＴＦＴデバイス５００は、ゲート電極層５０４が上に形成された基板５０２を含む。基板５０２は、ガラスを含むことができるが、他の基板材料（例えば、ポリマー系の基板及びフレキシブル基板）も考えられる。一実施形態では、ゲート電極層５０４は、任意の適切な金属材料（例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、インジウム錫亜鉛酸化物（ＩＴＺＯ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、それらの合金、又はそれらの組み合わせから製造することができる。
【００４４】
基板５０２及びゲート電極層５０４の上に、ゲート絶縁層５０６が形成されている。ゲート絶縁層５０６に適した材料は、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、又はそれらの組み合わせ等であることができる。ゲート絶縁層５０６は、必要に応じて、単層、複合層、二重層、複数の層、又はそれらの他の組み合わせの形態であることができる。一実施形態では、ゲート絶縁層５０６は、点線５２０で示されるように、酸化ケイ素上に配置された窒化ケイ素層又はその逆を有し、これによって基板５２０上に二重層として形成される。あるいはまた、ゲート絶縁層５０６は、必要に応じて、酸化ケイ素単層又は窒化ケイ素単層であってもよい。酸化ケイ素層及び窒化ケイ素層（又は酸窒化ケイ素層）は、上述のようにプロセス３００から製造することができる。酸化ケイ素及び／又は窒化ケイ素層は、シリコン系ガスと不活性ガス（例えば、アルゴン）を有し、水素ガスを有さないガス混合物を供給することによって製造することができる。
【００４５】
酸化ケイ素層が形成されるように構成される実施形態では、ガス混合物は、シリコン系ガス、酸素含有ガス、及び不活性ガスを含む。シリコン系ガスの適切な例としては、シラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、テトラオルトシロキサン（ＴＥＯＳ）、四フッ化ケイ素（ＳｉＦ４）、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）、及びこれらの組み合わせが挙げられるが、これらに限定されない。酸素含有ガスの適切な例としては、Ｏ２、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、Ｈ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２、Ｏ３等が挙げられる。不活性ガスの適切な例としては、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ、Ｋｒ等が挙げられる。特定の一実施形態では、ここで形成される酸化ケイ素層を形成するためのガス混合物は、ＳｉＨ４、Ｏ２、及びＡｒガスか、又はＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ又はＮＯ２、及びＡｒガスを含む。しかしながら、もしもＴＥＯＳがシリコン系前駆体として使用されるならば、チャンバ内の全酸素含有量が高くなるので、Ｏ２を使用しないのが好ましいことに留意すべきである。
【００４６】
窒化ケイ素層が形成された実施形態において、ガス混合物は、シリコン系ガス、窒素含有ガス、及び不活性ガスを含む。シリコン系ガス及び不活性ガスの種類は、上記のものを使用することができる。窒素含有ガスの適切な例としては、Ｎ２、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、ＮＯ、又はＮＨ３等が挙げられる。特定の一実施形態では、ここで形成される酸化ケイ素層を形成するためのガス混合物は、ＳｉＨ４、Ｎ２又はＮＨ３、及びＡｒガスを含む。
【００４７】
不活性ガスが使用されているので、不活性ガスを使用しない場合と比較して、必要とされるＲＦパワーがより少ない。具体的には、ＲＦ電力の約２０％が低減可能である。不活性ガス原子は重く、したがって処理中にイオン衝撃を増強するため、ＲＦ電力の低減が可能である。印加することができる適切なＲＦ電力は、約１２００ｍＷ／ｃｍ２〜約１３００ｍＷ／ｃｍ２である。更に、シリコン系ガスと不活性ガスを特定の比率でチャンバに送出するときに、必要なＲＦ電力量が減少するだけでなく、成膜厚さの均一性が増加する。このように、不活性ガスの添加は、再現性があり、信頼性が高く、高品質の酸化ケイ素層をもたらす。一実施形態では、不活性ガス（例えば、アルゴン）の基板表面積当たりの体積流量は、約１．０５ｓｃｃｍ／ｃｍ２〜約１．８２８ｓｃｃｍ／ｃｍ２（例えば、１．６５ｓｃｃｍ／ｃｍ２）であることができる。シリコン含有前駆体は、約０．０９５ｓｃｃｍ／ｃｍ２〜約０．０２３ｓｃｃｍ／ｃｍ２（例えば、約０．０２５ｓｃｃｍ／ｃｍ２）の基板面積当たりの体積流量で送出することができる。酸素含有前駆体は、約１．０５ｓｃｃｍ／ｃｍ２〜約１．６６  ｓｃｃｍ／ｃｍ２（例えば、約１．１６ｓｃｃｍ／ｃｍ２）の基板面積当たりの体積流量で送出することができる。このように、不活性ガスの量は、送出されるシリコン系前駆体の量よりも約１１〜約８０倍多い。不活性ガスの量は、送出される酸素系ガスの量よりも約０．６〜約１．７０倍多い。酸素系ガスの量は、送出されるシリコン系前駆体の量よりもよりも約１１〜約７２倍多い。
【００４８】
更に、プロセスパラメータは必要に応じて、プロセス３００を参照してステップ３０４を参照して上述したアモルファスシリコン層を形成するために制御されたプロセスパラメータから同様に制御することができることに留意すべきである。
【００４９】
続いて、アクティブチャネル５０８をゲート絶縁層５０６上に配置することができる。アクティブチャネル５０８は、図３を参照して上述したプロセスによって製造された低温多結晶シリコン層（ＬＴＰＳ）であることができる。適切なドーパント（例えば、ｎ型又はｐ型ドーパント）は、必要に応じて低温多結晶シリコン層（ＬＴＰＳ）内に配置して、これによってアクティブチャネル５０８を形成することができる。アクティブチャネル５０８の上にオプションのエッチストップ５１４を形成し、これによってソース・ドレイン電極５１０、５１２の形成時に、アクティブチャネル５０８を保護することができる。エッチストップ５１４用に利用することができる適切な材料は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、及び酸窒化ケイ素を含む。エッチストップ５１４は、上述したように、ゲート絶縁層５０６を形成するために利用されるプロセスと同様のプロセスによって形成することができる。いくつかの実施形態では、ソース・ドレイン電極５１０、５１２の前に、別の活性層５１１、５１３を形成することができる。活性層５１１、５１３は、ｐ型活性層又はｎ型活性層（例えば、ｎ型シリコン含有層又はｐ型シリコン含有層）であることができる。
【００５０】
ソース・ドレイン電極５１０、５１２、及び（存在するならば）オプションのエッチストップ５１４の上に、パッシベーション層５１８を形成することができる。パッシベーション層５１８のために利用することができる適切な材料は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、及び酸窒化ケイ素を含む。一実施形態では、上述のゲート絶縁層５０６と同様に、パッシベーション層５１８は、必要に応じて、単層、複合層、二重層、複数の層、又はこれらの他の組み合わせの形態であることができる。一実施形態では、パッシベーション層５１８は、点線５１６で示されるように、酸化ケイ素上に配置された窒化ケイ素層又はその逆を有し、これによってソース・ドレイン電極５１０、５１２上に二重層として形成される。酸化ケイ素層及び窒化ケイ素層（又は酸窒化ケイ素層）は、上記のようにプロセス３００から製造することができ、又は酸化ケイ素層及び窒化ケイ素層は、ゲート絶縁層５０６を形成するために利用される上述のプロセスから形成することもできる。酸化ケイ素及び／又は窒化ケイ素層は、シリコン系ガスと不活性ガス（例えば、アルゴン）を有し水素ガスを含まないガス混合物を供給することによって製造することができる。あるいはまた、パッシベーション層は、酸化ケイ素単層又は窒化ケイ素単層であってもよい。
【００５１】
図５Ｂは、本発明の一実施形態に従って利用することができる金属酸化物ＴＦＴデバイス５５０の一実施形態を示す。金属酸化物ＴＦＴデバイス５５０は、アクティブチャネル５０８の材質が異なる点を除いて、図５Ａを参照して上述したＬＴＰＳ  ＴＦＴデバイス５００と類似の構造を有することができる。金属酸化物ＴＦＴデバイス５５０は、金属含有層から製造されるアクティブチャネル５３０が含む。金属酸化物ＴＦＴデバイス５５０内に形成されたアクティブチャネル５３０の適切な例は、とりわけＩｎＧａＺｎＯ、ＩｎＧａＺｎＯＮ、ＺｎＯ、ＺｎＯＮ、ＺｎＳｎＯ、ＣｄＳｎＯ、ＧａＳｎＯ、ＴｉＳｎＯ、ＣｕＡｌＯ、ＳｒＣｕＯ、ＬａＣｕＯＳ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、又はＩｎＧａＡｌＮを含む。特定の一実施形態では、アクティブチャネル５３０は、ＩｎＧａＺｎＯ（ＩＧＺＯ）層である。同様に、ゲート絶縁層５０６及びパッシベーション層５１８は、必要に応じて、単層、複合層、二重層、複数の層、又はこれらの他の組み合わせの形態であることができる。一例では、パッシベーション層５１８及びゲート絶縁層５０６は、酸化ケイ素上に配置された窒化ケイ素層を有する二重層であることができる。
【００５２】
アルゴン希釈ガスから製造された実質的に水素を含まない酸化ケイ素層が、金属酸化物ＴＦＴデバイスに使用される場合、金属酸化物ＴＦＴデバイスは、電気的特性を向上させることができる。例えば、Ｖｏｎ（電源オン時の電圧）及びＳ値（サブスレッショルド電圧振幅）の両方が顕著に低減される。一例では、Ｖｏｎは、約−５．５  Ｖから約−０．２５Ｖへ低減する。Ｓ値は、０．７Ｖ／ｄｅｃａｄｅから０．４  Ｖ／ｄｅｃａｄｅへ低減する。Ｉｏｎ（オン電流）は、３．３Ｅ−０４から１．４Ｅ−０４Ａへ低減する。Ｉｏｆｆ（オフ電流）は、４．８Ｅ−１２から１．４Ｅ−１３Ａへ低減する。移動度（ＭＯ）は、約９．８ｃｍ２／（Ｖ・ｓ）から約９．９ｃｍ２／（Ｖ・ｓ）へ増加する。
【００５３】
図６は、本発明の一実施形態に従って利用することができる金属酸化物ＴＦＴデバイス６００の一実施形態を示す。金属酸化物ＴＦＴデバイス６００は、図５Ｂを参照して上述した金属酸化物ＴＦＴデバイス５５０と類似の構造を有することができる。金属酸化物ＴＦＴデバイス６００はまた、金属含有層から製造されたアクティブチャネル５３０も含む。金属酸化物ＴＦＴデバイス６００内に形成されるアクティブチャネル５３０の適当な例は、とりわけＩｎＧａＺｎＯ、ＩｎＧａＺｎＯＮ、ＺｎＯ、ＺｎＯＮ、ＺｎＳｎＯ、ＣｄＳｎＯ、ＧａＳｎＯ、ＴｉＳｎＯ、ＣｕＡｌＯ、ＳｒＣｕＯ、ＬａＣｕＯＳ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、又はＩｎＧａＡｌＮを含む。更に、アクティブチャネル５３０と接触している上部界面５４０及び下部界面５４２は、実質的に水素なしの膜特性を有するように構成される。上部界面５４０及び下部界面５４２は、水素を含まない材料から作られる。例えば、下部界面５４２は、アクティブチャネル５３０とゲート絶縁層５０６との間に形成される。この場合、ゲート絶縁層５０６は、図５Ａ〜図５Ｂに記載のＴＦＴデバイスを参照して上述したように、実質的に水素を含まない酸化ケイ素層から形成するように選択することができる。ゲート絶縁層５０６が二層となるように構成される実施形態では、ゲート絶縁層５０６は、基板５０２上に配置された窒化ケイ素層と、アクティブチャネル５３０と接触している窒化ケイ素層上に配置された実質的に水素を含まない酸化ケイ素層を有することができる。同様に、上部界面５４０は、アクティブチャネル５３０と、ソース・ドレインチャネル５３２の開口部によって画定されるパッシベーション層５１８との間に形成される。図５Ａ〜図５Ｂに記載のＴＦＴデバイスを参照して上述したように、上部界面５４０もまた、実質的に水素を含まない酸化ケイ素層から形成するように選択することができる。パッシベーション層５１８が二層となるように構成される実施形態では、パッシベーション層５１８は、アクティブチャネル５３０と接触してアクティブチャネル５３０上に配置された水素を含まない酸化ケイ素層と、水素を含まない酸化ケイ素層上に配置された窒化ケイ素層を有することができる。
【００５４】
あるいはまた、追加の層を界面保護層として界面５４２、５４０に形成することもできる。一実施形態では、エッチストップ層を界面５４２、５４０に形成される界面保護層として使用し、これによって実質的に水素を含まない界面を維持することもできる。同様に、一実施例では、界面保護層は、図５Ａ〜図５Ｂに記載のＴＦＴデバイスを参照して上記したように、実質的に水素を含まない酸化ケイ素層である。別の一実施例では、界面保護層は、金属含有誘電体層（例えば、ＴａＮ、ＴｉＮ、ＷＮ、ＣｕＮ、及び水素を実質的に含まない任意の他の適切な材料（例えば、最小の水素含有量を有する））である。
【００５５】
なお、実質的に水素を含まない界面５４０、５４２のアクティブチャネル５３０との接触を維持することにより、アクティブチャネルへの水素攻撃の可能性を低減し、これによって高品質の界面を得て、金属酸化物ＴＦＴデバイス６００の電子性能を改善することができると考えられる。
【００５６】
なお、本出願において使用される窒化ケイ素層はまた、当該技術分野で利用可能な任意の他の適切なプロセス又は技術によって得ることができることに留意すべきである。
【００５７】
このように、本明細書に記載の方法は、有利なことに、シリコン含有層の水素含有量を最小化することによって、電気的デバイスの電子移動度、安定性、及び均一性を改善し、これによってデバイス性能を向上させる。
【００５８】
上記は本発明の実施形態を対象としているが、本発明の他の及び更なる実施形態は本発明の基本的範囲を逸脱することなく創作することができ、その範囲は以下の特許請求の範囲に基づいて定められる。
【図１】
2015501078.tif 000003
【図２】
2015501078.tif 000004
【図３】
2015501078.tif 000005
【図４Ａ】
2015501078.tif 000006
【図４Ｂ】
2015501078.tif 000007
【図４Ｃ】
2015501078.tif 000008
【図４Ｄ】
2015501078.tif 000009
【図５Ａ】
2015501078.tif 000010
【図５Ｂ】
2015501078.tif 000011
【図６】
2015501078.tif 000012
【国際調査報告】
2015501078.tif 000013
2015501078.tif 000014