(57)【要約】伸張した側壁を備えているＰＶＤスパッタリングターゲットを製作するための方法であって、ａ）表面材料を芯材料に接合して粗形材を製作する段階と、ｂ）粗形材を成形する段階と、実施形態によっては、ｃ）少なくとも１つの機械加工工程を使用してターゲットを形成する段階、を含んでいる方法を説明している。更に、伸張した側壁を備えているＰＶＤスパッタリングターゲットを製作するための方法であって、ａ）表面材料を芯材料に接合して粗形材を製作すると同時に、同粗形材を成形する段階と、実施形態によっては、ｂ）少なくとも１つの機械加工工程を使用してターゲットを形成する段階、を含んでいる方法を説明している。これらの方法を使用して形成されたＰＶＤスパッタリングターゲットと関連装置もここで説明している。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
伸張した側壁を有するＰＶＤスパッタリングターゲットを製作するための方法において、
表面材料を芯材料に固相接合し、粗形材を製作する工程と、
前記粗形材を成形する工程であって、前記粗形材は伸張した側壁を備えている、成形する工程と、から成る方法。
【請求項２】
前記粗形材は、縦寸法「ｙ」と横寸法「ｘ」を備えている、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ｙ対ｘの比は、少なくとも約０．１２５である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ｙ対ｘの比率は、少なくとも約０．２００である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記接合する工程は、少なくとも１つの固相接合法を備えている、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも１つの固相／拡散接合法は、単軸接触型鍛造、熱間等方加圧、冷間等方加圧、摩擦接合、爆着、又はそれらの組み合わせを備えている、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記芯材料は、裏打ち板／支持部材を備えている、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記表面材料は、スパッタリング材料を備えている、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記表面材料と前記芯材料は、同じ材料を備えている、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記粗形材を成形する工程は、プレスフォーミング法、ハイドロフォーミング法、スピンフォーミング法、深絞り法、又はそれらの組み合わせを使用することを含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記接合する工程と前記成形する工程は、同時に行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記接合する工程と前記成形する工程は、段階的に行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
ＰＶＤスパッタリングターゲットを製作するための方法において、
表面材料を芯材料に接合して粗形材を製作すると同時に、前記粗形材を成形する工程と、
少なくとも１つの機械加工工程を使用して、前記ターゲットを形成する工程と、から成る方法。
【請求項１４】
請求項１に記載の方法によって製作されたＰＶＤスパッタリングターゲット。
【請求項１５】
請求項１３に記載の方法によって製作されたＰＶＤスパッタリングターゲット。
【請求項１６】
前記固相接合の界面に中間層材料を更に備えている、請求項１３に記載のＰＶＤスパッタリングターゲット。
【請求項１７】
前記スパッタリング材料を前記支持部材に結合するため、基本的に固相接合で構成されている伸張した側壁を有するＰＶＤスパッタリングターゲットアッセンブリ。
【請求項１８】
芯材料と表面材料を備えており、前記表面材料は前記芯材料に固相接合されている、ＰＶＤスパッタリングターゲット。
【請求項１９】
前記ターゲットは、縦寸法「ｙ」と横寸法「ｘ」を備えている、請求項１８に記載のＰＶＤスパッタリングターゲット。
【請求項２０】
ｙ対ｘの比は、少なくとも約０．１２５である、請求項１９に記載のＰＶＤスパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、細長い側壁を有するＰＶＤターゲットを作るための製造設計と加工方法及び加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品及び半導体部品が使用されている消費者向け及び業務用の電子製品、通信用製品、及びデータ交換用製品は益々数が増えている。消費者向け及び業務用の電子機器に対する需要が増えるにつれ、同製品類を更に小型化し消費者や社員にとって更に持ち運びし易いものにすることも要求されている。
【０００３】
これらの製品の寸法を小さくすれば、結果として、これらの製品を構成している部品もより小さく及び／又はより薄くせねばならない。寸法を削減又は小型化することが必要とされるこれらの部品の例を幾つか挙げると、超小型電子チップ相互接続部品、半導体チップ部品、抵抗器、コンデンサー、印刷回路又は配線盤、配線、キーボード、タッチパッド、及びチップパッケージがある。
【０００４】
電子部品及び半導体部品の寸法を小さく又は小型化すると、より大きな部品に見られる欠陥が小型化された部品で誇張される可能性がある。従って、より大きな部品に見られるか又は出てくる恐れのある欠陥を、できれば、それら部品をより小さい電子製品に合わせて小型化する前に、識別し修正する必要がある。
【０００５】
電子、半導体、及び通信用部品の欠陥を識別し修正するためには、構成部品、使用される材料、及びそれら構成部品を作るための製造方法を、細分化し分析せねばならない。電子、半導体、通信／データ交換用部品は、或る場合は、金属、合金、セラミックス、無機材料、ポリマー、又は有機金属材料、の様な材料の層で構成されている。材料の層は、薄い（約数十オングストロームより薄い厚さ）の場合が多い。材料層の質を改良するためには、層を形成する方法−金属又は他の化合物の物理的気相成長法など−を評価し、できれば改良する必要がある。
【０００６】
典型的な物理的気相成長（ＰＶＤ）法では、サンプル又はターゲットに、プラズマ、レーザー、又はイオンビームの様なエネルギー源を衝突させ、最終的に周りの雰囲気中に原子を放出させる。スパッタリングターゲットから放出された原子は、基板（一般的にはシリコンウェーハ）の表面に向かって進み、表面を覆い、材料の薄膜又は層を形成する。原子は、スパッタリングターゲット１０から放出されると、イオン／原子経路３０をウェーハ又は基板２０に向かって進み、そこに層となって堆積する。
【０００７】
先行技術の図１から図１２は、異なるターゲットの幾何学形状を示しており、様々な製造業者が、ターゲットの幾何学形状に伴う問題の解決に取り組む努力をしてきている。先行技術の図１と図２は、Applied Materials Self-lonized Plasma PlusTM（商標）ターゲット構造１０の斜視図と側断面図をそれぞれ示している。先行技術の図３と図４は、Novellus Hollow Cathode MagnetronTM（商標）ターゲット構造１２の斜視図と側断面図をそれぞれ示している。先行技術の図５と図６は、Applied Materials EnduraTM（商標）のターゲット構造１４の斜視図と側断面図をそれぞれ示している。先行技術の図７と図８は、平坦なターゲット構造１６の斜視図と側断面図をそれぞれ示している。先行技術の図９と図１０は、東京エレクトロン社（ＴＥＬ）のターゲット構造１８の上面図と側断面図をそれぞれ示している。先行技術の図１１と図１２は、ULVAC社のターゲット構造２０の上面図と側断面図を示している。
【０００８】
Applied MaterialsTM（商標）ターゲット（先行技術図２）とNovellusTM（商標）ターゲット（先行技術図４）は、その様なターゲットの形状を有する一体構造のターゲットを作製するのは難しいという点で、複雑な三次元形状を備えていると考えることができる。Applied MaterialsTM（商標）ターゲットとNovellusTM（商標）ターゲットの両者は、一対の互いに反対側の端１３と１５を有する少なくとも１つのカップ１１を備えているという幾何学的特徴を共有している。端部１５は開いており、端部１３は閉じている。カップ１１は、中が空洞１９になっている。更に、各カップ１１は、空洞１９の周囲を画定している内側（又は内）面２１と、内面に対し互いに反対の関係にある外側面２３を有している。外側表面２３は、各カップ１１の回りに伸張し、閉じている端部１３の角２５を包んでいる。ターゲット１０と１２は、それぞれ、外側表面によって画定され端部１３と１５の間を伸張している側壁２７を有している。先行技術の図２と図４のターゲット１０と１２は、更に、フランジ２９が側壁２７の周囲に伸張しているという特徴を共有している。先行技術の図４のターゲット１２と先行技術の図２のターゲット１０の相違は、ターゲット１０は、ターゲットの中心を通って下向きに伸張しているキャビティ１７を有し、このためターゲット１０のカップ１１はターゲット１２のカップに比べ狭くなっていることである。
【０００９】
上で開示されている先行技術の側断面図のそれぞれは、横寸法「ｘ」と縦寸法「ｙ」を備えている。「ｙ」対「ｘ」の比によって、ターゲットがいわゆる三次元ターゲットであるのか二次元ターゲットであるのかが決まる。具体的には、上で説明しているターゲットのそれぞれは、横寸法「ｘ」が約１５インチから約２１インチである。上記それらのターゲットの縦寸法「ｙ」は、約１インチから約１０インチの範囲にある。
【００１０】
伸張した側壁を有する従来のＰＶＤターゲットは、通常、電子ビーム溶接、即ち「Ｅビーム」溶接を使用して、スパッタリング材料を裏打ち板又は基板材料に取り付けることにより製造される。考えられるＥビーム製法工程の流れ図を、先行技術の図１３に示している。この流れ図１００では、四角形の工程は加工工程を、楕円形の工程は検査工程を、四角形／波形を組み合わせた工程は、記録が保存された工程を示している。具体的には、ターゲットの材料は、鋳造材１０５であり、純度の高いターゲットブランクを得るための準備が開始される１１０。これに、ＴＭＰ１１５、ブランクの鋸引き１２０、及び粒径測定１２５の各工程が続く。この時点でブランクに対し品質分析工程１３０を行ってもよい。次に、ブランクは、機械加工１３５、Ｅビーム溶接１４０が施され、漏れの検査が行われる１４５。その後、ブランクは、最終的な機械加工工程１５０と前洗浄工程１５５を通される。寸法が検査される１６０と、ターゲットは自動洗浄されて１６５、出荷される１７０。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
Ｅビーム法に伴う主な問題の１つは、この方法では、材料内に溶接ピット及び小さな割れ目が生じることであり、それらはスパッタリング中に粒子を発生するアーク源になる可能性がある。粒子は、機器製造業者にとって著しく不利益な歩留り問題を引き起こす恐れがある。更に、薄い側壁を備えた構成では、溶接は、結合面に機械的強度の勾配を生じさせる恐れがある。
【００１２】
より大きなウェーハ、より大型化に対応するため、そしてまた、基板上に作り出される層の結着性の改善を目指して、より大きなスパッタリングターゲットが製造されようとしている。スパッタリングターゲットが大きくなるにつれて、組み立ての機械的完全性に対する要求が大きくなる。このことが、アッセンブリの製造及び裏打ち板部材に使用する材料の選定において問題となる。
【００１３】
このため、ａ）最終製品を製作するための加工工程数を最小限にして効率的に製造することができ、ｂ）アッセンブリ内にアーク源が生じる可能性を無くすことができ、ｃ）薄い側壁を有する構成のアッセンブリの全体強度を最大化するため接合線の場所をうまく処理するための柔軟性を提供する方法によって製作される、ＰＶＤターゲット及びターゲット／ウェーハアッセンブリを製作するのが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
伸張した側壁を備えているＰＶＤスパッタリングターゲットを製作するための方法であって、ａ）表面材料を芯材料に固相接合し粗形材を製作する段階と、ｂ）粗形材を成形する段階であって、同粗形材は伸張した側壁を備えている、成形する段階、を含んでいる方法を記載している。実施形態によっては、本方法は、少なくとも１つの機械加工工程を使用してターゲットを形成する段階を更に含んでいる。
【００１５】
更に、ＰＶＤスパッタリングターゲットを製作するための方法であって、ａ）表面材料を芯材料に固相接合させて粗形材を製作すると同時に、同粗形材を成形する段階であって、同粗形材は、伸張した側壁を備えている、粗形材を同時に製作及び成形する段階を含んでいる方法をここに記載している。実施形態によっては、本方法は、少なくとも１つの機械加工工程を使用してターゲットを形成する段階を、更に含んでいる。
【００１６】
これらの方法を使用して形成されるＰＶＤスパッタリングターゲット及び関連装置もここに記載している。更に、これらのＰＶＤスパッタリングターゲットの使用法もここに記載している。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】Applied Materials Self-lonized Plasma PlusTM（商標）ターゲット構造１０の斜視図を示している。
【図２】Applied Materials Self-lonized Plasma PlusTM（商標）ターゲット構造１０の側断面図を示している。
【図３】Novellus Hollow Cathode MagnetronTM（商標）ターゲット構造１２の斜視図を示している。
【図４】Novellus Hollow Cathode MagnetronTM（商標）ターゲット構造１２の側断面図を示している。
【図５】Applied Materials Endura TM（商標）ターゲット構造１４の斜視図を示している。
【図６】Applied Materials Endura TM（商標）ターゲット構造１４の側断面図を示している。
【図７】平坦なターゲット構造１６の斜視図を示している。
【図８】平坦なターゲット構造１６の側断面図を示している。
【図９】東京エレクトロン社（ＴＥＬ）のターゲット構造１８の上面図を示している。
【図１０】東京エレクトロン社（ＴＥＬ）のターゲット構造１８の側断面図を示している。
【図１１】ULVAC社のターゲット構造２０の上面図を示している。
【図１２】ULVAC社のターゲット構造２０の側断面図を示している。
【図１３】従来のＥビーム法の流れ図を示している。
【図１４】単軸接触型鍛造を使用した、考えている製法を示している。
【図１５】プレスフォーミング（ハイドロフォーミング）を使用した、考えている製法を示している。
【図１６】拡散接合とプレスフォーミングの組合せを使用した、考えている製法を示している。
【図１７】考えている拡散接合法の流れ図を示している。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
ａ）スパッタリング材料と支持部材の界面のピットと割れ目を無くし、ｂ）アッセンブリの機械強度を最大化するため接合線の場所に柔軟性を提供し、ｃ）最終製品を製作するための加工工程数を最小限にして効率的に製造される、ＰＶＤターゲットアッセンブリを製作した。この開示と以下の特許請求の範囲を解釈することを目的とし、ターゲットは、縦寸法「ｙ」対横寸法「ｘ」の比が少なくとも約０．１２５であれば、伸張した側壁を有していると見なす。幾つかの実施形態では、縦寸法対横部分の比は少なくとも約０．２００である。他の実施形態では、縦寸法対横部分の比は、少なくとも約０．２２５である。更に別の実施形態では、縦寸法対横部分の比は、少なくとも約０．２７５である。
【００１９】
ここに記載している製造作業の向上を達成するに当たり、Ｅビーム溶接法は、以下の固相接合及び成形法、即ち、ａ）芯材料２２０と表面材料２３０の間の拡散接合工程２１０、及び次の、最終的な機械加工工程２４０を経てターゲッ２５０トを製作する方法を示している単軸接触型鍛造法（図１４）、ｂ）熱間等方加圧加工（ＨＩＰ）、ｃ）芯材料３２０と表面材料３３０の間での拡散接合工程３１０後に、プレスフォーミング又はハイドロフォーミング３４０を施し、最終ターゲット３５０を形成する方法（図１５）、又はｄ）上金型４１５と下金型４３５を使用して芯材料４２０と表面材料４３０をプレス成形することにより、接合とスピンフォーミング／プレスフォーミングを同時に行い４１０、これによって最終ターゲット４５０が形成される方法、の内の少なくとも１つに置き換えた。これらの製法工程は、単独か、又は組み合わせて使用され、その後に、機械加工工程が続く。これらの製法工程のそれぞれは−単独でも又は互いに組み合わせ（図１７）てもよいが−Ｅビーム溶接法に勝る有意な改善をもたらし、特に、典型的な平面的３００ｍｍＰＶＤターゲットより大きい３００ｍｍ ＵＬＶＡＣ Entron ＥＸ ＰＶＤターゲットの様な大型のターゲットを製作する場合はそうである。図１７は、拡散接合をＥ-ビーム溶接に代えて使用した、考えている或る製法工程の流れ図を示している。この流れ図５００で、四角形の工程は加工工程を、楕円形の工程は検査工程を、四角形／波形を組み合わせた工程は、記録が保存された工程を示している。具体的には、ターゲットの材料は、鋳造材５０５であり、純度の高いターゲットブランクを得るための準備が開始される５１０。これに、ＴＭＰ５１５、ブランクの鋸引き５２０、及び粒径測定５２５の各工程が続く。この時点でブランクに対し品質分析工程５３０を行ってもよい。次に、ブランクは、機械加工され５３５、拡散接合され５４０、検査される５４５。次いで、ブランクは、最終的な機械加工５５０を経て、寸法検査５５５を受ける。その後、ターゲットは自動洗浄され５６５、出荷される５７０。
【００２０】
ＰＶＤスパッタリングターゲットを製作するための方法は、ａ）表面材料を芯材料に接合し、粗形材を製作する段階と、ｂ）粗形材を成形する段階と、実施例によっては随意に、ｃ）少なくとも１つの機械加工工程を使用してターゲットを形成する段階、を含んでいる。更に、ＰＶＤスパッタリングターゲットを製作するための方法は、ａ）表面材料を芯材料に接合して粗形材を製作すると同時に、同粗形材を成形する段階と、実施形態によっては随意に、ｂ）少なくとも１つの機械加工工程を使用してターゲットを形成する段階と、含んでいる。
【００２１】
これらのＰＶＤターゲットを製作するための１つの考えている方法では、固相／拡散接合させた粗形材を製造し、同粗形材にスピンフォーミング又はプレスフォーミングの様な成形方法を使用して成形し、次に、スピン成形又はプレス成形した加工体（例えば、粗形ブランク）に、少なくとも１つの機械加工工程を実施する。実施形態によっては、これらの方法及び製法工程を組み合わせるか、又は同時に行い、更に効率的で経済的な方法を編み出すこともできる。例えば、図１６では、拡散接合（クラッド鍛造）とプレスフォーミングを組み合わせて同時に実施している。
【００２２】
粗形材を拡散接合する段階は、単軸接触型鍛造、爆着、摩擦接合、又は熱間等方加圧（ＨＩＰ）の様な任意の適切な固相接合方法で、スパッタリング材料を裏打ち板に接合する段階を含んでいる。粗いブランクは、次に、粗い機械加工ではなくスピン成形又はプレス成形され、ターゲットの裏面（裏打ち板）が形状を整えられ成形される。最後に、粗いターゲットに少なくとも１つの機械加工工程が施され、最終ターゲットが製作される。得られたターゲットは、従来のＥビーム溶接で作られたものより、欠陥（例えば溶接ピット）が少なく、より少ない加工工程で作っている。
【００２３】
ここに述べた方法及び装置は、３００ｍｍ ＵＬＶＡＣ Entron ＥＸ ＰＶＤターゲットや、大型ＬＣＤ及びプラズマディスプレイの製造に使用するために製作されている新しいターゲットの様な、従来にはない固有の大きさを有するターゲットを製作するのに特に有用である。
【００２４】
ここで考え製作したスパッタリングターゲットとスパッタリングターゲットアッセンブリは、用途とＰＶＤ製法に使用される器具次第で、どの様な適した形状と寸法を備えていてもよい。ここで考え製作されたスパッタリングターゲットは、表面材料と芯材料（裏打ち板を含む）を備えている。表面材料と芯材料は、概ね、同じ元素構造又は化学組成／成分を備えていてもよいし、又は表面材料の元素構造と化学組成は、芯材料とは異なるように変更又は改質してもよい。しかしながら、ターゲットの有用寿命が終了したことを検出することが重要な実施形態、或いは、複数の材料の混合層を堆積させることが重要な実施形態では、表面材料と芯材料は、異なる元素構造又は化学組成を備えるように特注仕様にしてもよい。
【００２５】
表面材料は、ターゲットの、ＰＶＤを介して堆積させ表面被膜／薄膜を形成する原子及び／分子を発生させることを目的としている部分である。
ここで考えているスパッタリングターゲットは、一般に、ａ）スパッタリングターゲットに成形し易く、ｂ）エネルギー源を衝突させるとターゲットからスパッタリングが起こり、ｃ）ウェーハ又は表面上に最終的な又は前駆体の層を形成するのに適している、どの様な材料を備えていてもよい。適したスパッタリングターゲットを作るために考えている材料は、金属、合金、導電性ポリマー、導電性複合材料、誘電性材料、ハードマスク材料、及びその他適したスパッタリング材料である。ここで使用する「金属」という用語は、元素の周期表のｄブロックとｆブロックに属する元素、並びに、ケイ素及びゲルマニウムの様な金属に似た特性を有する元素を意味する。ここで使用する「ｄブロック」という語句は、元素の核を取り囲んでいる３ｄ、４ｄ、５ｄ、及び６ｄ軌道を満たす電子を有する元素のことである。ここで使用する「ｆブロック」という語句は、元素の核を取り囲んでいる４ｆ及び５ｆ軌道を満たす電子を有する元素を意味し、ランタニドとアクチニドを含んでいる。好適な金属には、チタン、ケイ素、コバルト、銅、ニッケル、鉄、亜鉛、バナジウム、ジルコニウム、アルミニウム及びアルミニウムを主原料とする材料、タンタル、ニオブ、スズ、クロム、白金、パラジウム、金、銀、タングステン、モリブデン、セリウム、プロメチウム、トリウム、ルテニウム、又は、それらの組み合わせが含まれる。より好適な金属には、銅、アルミニウム、タングステン、チタン、コバルト、タンタル、マグネシウム、リチウム、ケイ素、マンガン、鉄、又は、それらの組み合わせが含まれる。最も好適な金属には、銅、アルミニウム及びアルミニウムを主原料とする材料、タングステン、チタン、ジルコニウム、コバルト、タンタル、ニオブ、ルテニウム、又はそれらの組み合わせが含まれる。考えている好適な材料の例としては、超微粒子状のアルミニウム及び銅のスパッタリングターゲットの場合はアルミニウムと銅；２００ｍｍ及び３００ｍｍのスパッタリングターゲット並びに他のｍｍ寸法を有するターゲットに使用する場合はアルミニウム、銅、コバルト、タンタル、ジルコニウム、及びチタニウム；そして、アルミニウム表面層の、薄くて共形性が高い「シード」層又は「ブランケット」層を堆積させるアルミニウムスパッタリングターゲットで使用する場合はアルミニウム、が挙げられる。「及びそれらの組み合わせ」という語句は、ここでは、クロムとアルミニウムの不純物が混ざった銅スパッタリングターゲットの様に、幾つかのスパッタリングターゲットには金属不純物が入っている可能性があること、或いは、合金、ホウ化物、炭化物、フッ化物、窒化物、ケイ化物、酸化物、その他を含んでいるターゲットの様に、スパッタリングターゲットを構成する金属及び他の材料を意図的に組み合わせていること、を意味するのに使用していると理解して頂きたい。
【００２６】
更に、「金属」という用語は、合金、金属／金属複合材、金属セラミック複合材、金属ポリマー複合材、並びに他の金属複合材を含んでいる。ここで考えている合金には、金、アンチモン、ヒ素、ホウ素、銅、ゲルマニウム、ニッケル、インジウム、パラジウム、リン、ケイ素、コバルト、バナジウム、鉄、ハフニウム、チタン、イリジウム、ジルコニウム、タングステン、銀、白金、ルテニウム、タンタル、スズ、亜鉛、リチウム、マンガン、レニウム、及び／又はロジウムが含まれる。特定の合金には、金アンチモン、金ヒ素、金ホウ素、金銅、金ゲルマニウム、金ニッケル、金ニッケルインジウム、金パラジウム、金リン、金ケイ素、金銀白金、金タンタル、金スズ、金亜鉛、パラジウムリチウム、パラジウムマンガン、パラジウムニッケル、白金パラジウム、パラジウムリチウム、白金ロジウム、銀ヒ素、銀銅、銀ガリウム、銀金、銀パラジウム、銀チタン、チタンジルコニウム、アルミニウム銅、アルミニウムケイ素、アルミニウムケイ素銅、アルミニウムチタン、クロム銅、クロムマンガンパラジウム、クロムマンガン白金、クロムモリブデン、クロムルテニウム、コバルト白金、コバルトジルコニウムニオブ、コバルトジルコニウムロジウム、コバルトジルコニウムタンタル、銅ニッケル、鉄アルミニウム、鉄ロジウム、鉄タンタル、クロム酸化ケイ素、クロムバナジウム、コバルトクロム、コバルトクロムニッケル、コバルトクロム白金、コバルトクロムタンタル、コバルトクロムタンタル白金、コバルト鉄、コバルト鉄ホウ素、コバルト鉄クロム、コバルト鉄ジルコニウム、コバルトニッケル、コバルトニッケルクロム、コバルトニッケル鉄、コバルトニッケルハフニウム、コバルトニオブハフニウム、コバルトニオブ鉄、コバルトニオブチタン、鉄タンタルクロム、マンガンイリジウム、マンガンパラジウム白金、マンガン白金、マンガンロジウム、マンガンルテニウム、ニッケルクロム、ニッケルクロムケイ素、ニッケルコバルト鉄、ニッケル鉄、ニッケル鉄クロム、ニッケル鉄ロジウム、ニッケル鉄ジルコニウム、ニッケルマンガン、ニッケルバナジウム、タングステンチタン、及び／又はそれらの組み合わせが含まれる。
【００２７】
ここにスパッタリングターゲットとして考えている他の材料に関する限り、以下の組み合わせ、即ち、ホウ化クロム、ホウ化ランタン、ホウ化モリブデン、ホウ化ニオブ、ホウ化タンタル、ホウ化チタン、ホウ化タングステン、ホウ化バナジウム、ホウ化ジルコニウム、炭化ホウ素、炭化クロム、炭化モリブデン、炭化ニオブ、炭化ケイ素、炭化タンタル、炭化チタン、炭化タングステン、炭化バナジウム、炭化ジルコニウム、フッ化アルミニウム、フッ化バリウム、フッ化カルシウム、フッ化セリウム、クリオリット、フッ化リチウム、フッ化マグネシウム、フッ化カリウム、フッ化希土類、フッ化ナトリウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ニオブ、窒化ケイ素、窒化タンタル、窒化チタン、窒化バナジウム、窒化ジルコニウム、ケイ化クロム、ケイ化モリブデン、ケイ化ニオブ、ケイ化タンタル、ケイ化チタン、ケイ化タングステン、ケイ化バナジウム、ケイ化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化アンチモン、酸化バリウム、チタン酸バリウム、酸化ビスマス、チタン酸ビスマス、チタン酸バリウムストロンチウム、酸化クロム、酸化銅、酸化ハフニウム、酸化マグネシウム、酸化モリブデン、五酸化ニオブ、酸化希土類、二酸化ケイ素、一酸化ケイ素、酸化ストロンチウム、チタン酸ストロンチウム、五酸化タンタル、酸化スズ、酸化インジウム、酸化インジウムスズ、アルミン酸ランタン、酸化ランタン、チタン酸鉛、ジルコン酸鉛、ジルコン酸チタン酸鉛、アルニム化チタン、アルミニウム化チタン、ニオブ酸リチウム、酸化チタン、酸化タングステン、酸化イットリウム、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、テルル化ビスマス、セレン化カドミウム、テルル化カドミウム、セレン化鉛、硫化鉛、テルル化鉛、セレン化モリブデン、硫化モリブデン、セレン化亜鉛、硫化亜鉛、テルル化亜鉛、及び／又はそれらの組み合わせが、（網羅的なリストではないが）考えているスパッタリングターゲットの代表例と考えられる。
【００２８】
以上、ＰＶＤターゲットを製造する方法及び関連装置の具体的な実施形態と適用を開示してきた。しかしながら、当業者には、ここに述べた本発明の概念から逸脱すること無く、既に説明したものに加え、更に多くの修正が可能であることが自明であろう。従って、本発明の主題は、ここに開示しているもの及び特許請求の範囲の精神以外において限定されるものではない。更に、開示及び特許請求の範囲を解釈する際に、全ての用語は、文脈と矛盾しない範囲で、最大限広範囲に解釈されるべきである。具体的に、「備える」及び「備えている」という用語は、元素、成分、又は工程を非排他的に指していると解釈されるべきであり、従って、言及している要素、構成要素、又は工程は、明示的に言及していない他の要素、構成要素、又は工程と共に、存在し、使用され、組み合わせることができる、ということを表している。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【手続補正書】
【提出日】平成21年4月17日(2009.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
伸張した側壁を有するＰＶＤスパッタリングターゲットを製作するための方法において、
表面材料を芯材料に固相接合し、粗形材を製作する工程と、
前記粗形材を成形する工程であって、前記粗形材は伸張した側壁を備えている、成形する工程と、から成る方法。
【請求項２】
前記粗形材は、縦寸法「ｙ」と横寸法「ｘ」を備えており、ｙ対ｘの比は、少なくとも約０．１２５であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ＰＶＤスパッタリングターゲットを製作するための方法において、
表面材料を芯材料に接合して粗形材を製作すると同時に、前記粗形材を成形する工程と、
少なくとも１つの機械加工工程を使用して、前記ターゲットを形成する工程と、から成る方法。
【請求項４】
芯材料と表面材料を備えており、前記表面材料は前記芯材料に固相接合されている、ＰＶＤスパッタリングターゲット。
【請求項５】
前記スパッタリング材料を前記支持部材に結合するため、基本的に固相接合で構成されている伸張した側壁を有するＰＶＤスパッタリングターゲットアッセンブリ。
【国際調査報告】
2010501045.tif 000020
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