(57)【要約】  基板が取り外し可能に接続されるベースと、基板の上面から材料を除去するように、その接触面が作動可能にベースに対して配置された移動ベルトと、複数のアクチュエータであって、少なくとも２つが独立して制御可能であり、移動ベルトと基板の上面との間に圧力を供給するために、対応する複数の圧力ゾーンが画成されるように、ベースおよび移動ベルトに対して配置された複数のアクチュエータとから方法および装置を構成する。
2010527807.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板が取り外し可能に接続されるベースと；
前記基板の上面から材料を除去するように、その接触面が作動可能に前記ベースに対して配置された移動ベルトと；
複数のアクチュエータであって、少なくとも２つが独立して制御可能であり、前記移動ベルトと前記基板の前記上面との間に圧力を供給するために、対応する複数の圧力ゾーンが画成されるように、前記ベースおよび前記移動ベルトに対して配置された複数のアクチュエータとを備えたことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記アクチュエータが、供給される流体の圧力に応じて、関連する前記圧力ゾーンにおいて、前記移動ベルトと前記基板の上面との間の圧力を変更するように作動可能な、少なくとも１つの流体制御アクチュエータを有することを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記少なくとも１つの流体制御アクチュエータが、プレート、および供給される流体とその第１端部において連通し、その第２端部において前記移動ベルトと前記基板の下面とのいずれか一方と連通する該プレートを通る複数のボアを有し、前記ボア内に供給される流体に応じて、前記供給される流体が、関連する前記圧力ゾーンにおいて前記移動ベルトと前記基板の上面との間の圧力を変更するように作動可能であることを特徴とする請求項２記載の装置。
【請求項４】
前記アクチュエータが、供給される電圧に応じて、関連する前記圧力ゾーンにおいて前記移動ベルトと前記基板の上面との間の圧力を変更するように作動可能な、少なくとも１つの圧電アクチュエータを有することを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項５】
少なくとも１つの前記圧力ゾーンにおいて前記基板の厚さを監視するよう作動可能な、少なくとも１つの光学検出器回路をさらに有することを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項６】
上面の反対側にある前記基板の下面が、前記ベースの上面に取り付けられてなり；
前記ベースは、該ベースの上面に延在し、少なくとも１つの前記圧力ゾーンに配置された少なくとも１つのアパーチャを有し、前記光学検出器回路が前記基板の下面により該基板の厚さを監視するように作動可能であることを特徴とする請求項５記載の装置。
【請求項７】
前記移動ベルトが、該移動ベルトの接触面上にマイクロメートルサイズのポストの微細繰り返しパターンを有することを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項８】
移動可能な研磨部材を用いて基板の上面から材料を除去し；
対応する圧力ゾーンにおいて、前記基板の前記上面に対する前記移動可能な研磨部材の圧力のそれぞれを調整することを特徴とする方法。
【請求項９】
前記基板の１またはそれ以上の厚さをさらに光学的に検出し、これに応じて前記それぞれの圧力を調整することを特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記基板から前記材料が除去される速度；前記基板から除去された材料の量；および前記基板の厚さの変化のうちの少なくとも１つから、前記１またはそれ以上の厚さをさらに演算することを特徴とする請求項９記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【関連出願の相互参照】
【０００１】
本出願は、２００７年５月３０日に出願された、米国特許出願第１１／８０７７８３号の優先権の利益を主張する。
【技術分野】
【０００２】
本発明は、化学機械研磨（ＣＭＰ）を用いて基板を研磨する方法および装置に関する。
【背景技術】
【０００３】
ＣＭＰは、例えば半導体の製造に使用される基板を平坦化する（制御された研磨）ための１つの是認された方法である。現在のＣＭＰ法は、通常、基板をキャリアまたは研磨ヘッドに取り付ける必要がある。基板の露出した表面は、標準のパッドまたは固定研磨パッドであってもよい、回転する研磨パッドに対して配置される。標準のパッドが耐久性のある粗面を有するのに対し、固定研磨パッドは収納媒体に保持された研磨粒子を有する。キャリアヘッドは、基板を研磨パッドに押しつけるために、基板に制御可能な負荷、すなわち圧力を加える。化学反応剤を有する研磨スラリー（および標準のパッドが使用される場合には研磨粒子）が、研磨パッドの表面に加えられる。
【０００４】
ＣＭＰ処理により、高い研磨速度およびこれにより得られる、小規模の粗さがないこと、および平坦さ（大規模なトポグラフィー（topography）がないこと）が得られる。研磨速度、仕上げおよび平面度は、パッドおよびスラリーの組合せ特性、基板に対するパッドの相対速度、並びにパッドに対する基板の押しつけ力により決定される。
【０００５】
現在の回転ベルトタイプのＣＭＰ処理装置２０が、その全体の開示が参照によって本明細書に組み込まれる特許文献１に示されている。矩形のプラテン１００は、プラテン１００の上面１４０上をローラにより進む研磨シート１１０を有する。キャリアヘッド８０は、研磨のために基板１０を受け取り、研磨シート１１０に対して基板１０の下方への圧力を加える。プラテン１００の上面１４０と研磨シート１１０との間には、これらの間に流体ベアリングを生成するために、流体が注入されてもよい。特許文献１に開示されている情報に加えて、キャリアヘッド８０の構造に関するさらなる詳細が、その全体の開示が参照によって本明細書に組み込まれる特許文献２に開示されている。
【０００６】
アパーチャまたはホール１５４が、プラテン１００の上面１４０に形成され、研磨シート１１０における透明ストライプ１１８と整列されることが可能である。アパーチャ１５４および透明ストライプ１１８は、プラテンの回転の一部の間において、基板１０を「見ること」ができるように配置されている。光学監視システム９０は、レーザおよび検出器９６等の光源９４を有する。光源は、基材１０の露出した表面に入射するように、アパーチャ１５４および透明ストライプ１１８を通って伝搬する光ビーム９２を発生する。装置２０は、基板１０の厚さを決定するため、基板１０から除去される材料の量を決定するため、または表面が平坦となったときを決定するために、光学監視システム９０を使用する。基板１０がアパーチャ１５４を覆ったときに光源９４を作動するため、検出器９６の測定値を格納するため、出力デバイス９８に測定値を表示するため、および研磨の終了点を検出するために、コンピュータ２８０がプログラムされてもよい。特許文献１に開示されている情報に加えて、光学監視システム９０およびコンピュータ２８０の構造に関するさらなる詳細が、その全体が参照により本明細書に組み込まれる特許文献３に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００４／０２０９５５９号明細書
【特許文献２】米国特許第６１８３３５４号明細書
【特許文献３】米国特許第５８９３７９６号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述した回転ベルトタイプのＣＭＰ処理装置の問題点の１つは、研磨されている基板と回転する研磨シートとの間において、圧力の量および質に対する適切な制御がないことである。したがって、改良された基板の仕上げが得られることとなる、ＣＭＰによって研磨を行う新たな方法および装置の技術が必要である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の１またはそれ以上の実施形態による方法および装置は、基板が取り外し可能に取り付けられるベースと；前記基板の上面から材料を除去するように、その接触面が作動可能に前記ベースに対して配置された移動研磨部材と；複数のアクチュエータであって、少なくとも２つが独立して制御可能であり、前記移動研磨部材と前記基板の前記上面との間に圧力を供給するために、対応する複数の圧力ゾーンが画成されるように、前記ベースおよび前記移動研磨部材に対して配置された複数のアクチュエータとを備えたことを特徴とするものである。
【００１０】
アクチュエータの独立した制御は、形状が適合した仕上げを可能にする。実際に、ＬＣＤ基板仕上げ等のあるアプリケーションにおいて、比較的大きい表面領域を有する基板は、例えば約２０μｍの歪み公差を有する可能性がある。（厚さがおおよそ数〜数十ｎｍ程度の）非常に薄い１または複数の材料層は、層が基板表面の２０μｍのうねりの形状に適合する仕上げが必要である可能性がある。（厳密な平坦化において発生するであろう）層全体を除去することなく、薄い層の精密な仕上げを行うために、仕上げ装置は、薄い層から材料を除去している間に、基板のうねり面を埋め合わせなければならない。
【００１１】
本発明の１またはそれ以上の実施形態による方法および装置は、基板が取り外し可能に取り付けられるベースと；前記基板の上面から材料を除去するように、その接触面が作動可能に前記ベースに対して配置された移動ベルトと；複数のアクチュエータであって、少なくとも２つが独立して制御可能であり、前記移動ベルトと前記基板の前記上面との間に圧力を供給するために、対応する複数の圧力ゾーンが画成されるように、前記ベースおよび前記移動ベルトに対して配置された複数のアクチュエータとを備えたことを特徴とするものである。
【００１２】
前記アクチュエータは、供給される流体の圧力に応じて、関連する圧力ゾーンにおいて、前記移動ベルトと前記基板の上面との間の圧力を変更するように作動可能な、少なくとも１つの流体制御アクチュエータを有するものであってもよい。
【００１３】
前記流体制御アクチュエータは、少なくとも１つのチャンバ、並びに該チャンバ、および前記移動ベルトと前記基板の下面とのいずれか一方と流体連通状態となる少なくとも１つのパッドを有し、前記チャンバに供給される流体に応じて、関連する圧力ゾーンにおいて前記パッドが前記移動ベルトと前記基板の上面との間の圧力を変更するように作動可能なようになっていてもよい。
【００１４】
前記流体制御アクチュエータは、プレート、および供給される流体とその第１端部において連通し、その第２端部において前記移動ベルトと前記基板の下面とのいずれか一方と連通する該プレートを通る複数のボアを代わりに有し、前記ボア内に供給される流体に応じて、前記供給される流体が、関連する圧力ゾーンにおいて前記移動ベルトと前記基板の上面との間の圧力を変更するように作動可能なようになっていてもよい。
【００１５】
前記アクチュエータは、供給される電圧に応じて、関連する圧力ゾーンにおいて前記移動ベルトと前記基板の上面との間の圧力を変更するように作動可能な、少なくとも１つの圧電アクチュエータを代わりに有するものであってもよい。
【００１６】
本発明の方法および装置は、少なくとも１つの前記圧力ゾーンにおいて前記基板の厚さを監視するように作動可能な、少なくとも１つの光学検出器回路をさらに有するものであってもよい。上面の反対側にある前記基板の下面は、前記ベースの上面に取り付けられてもよく；前記ベースは、該ベースの上面に延在し、少なくとも１つの前記圧力ゾーンに配置された少なくとも１つのアパーチャを有し、前記光学検出器回路が前記基板の下面により該基板の厚さを監視するように作動可能なようになっていてもよい。
【００１７】
前記ベースは、該ベースの上面に延在し、前記各圧力ゾーンに少なくとも１つが配置される複数のそのようなアパーチャを有していてもよい。前記光学検出回路は複数の検出器を有し、該複数の検出器のうちの少なくとも１つが、それぞれの前記圧力ゾーンにおいてそれぞれのアパーチャを介して、前記基板の下面により該基板の厚さを監視するように作動可能ものであってもよい。前記光学検出回路は、それぞれの前記圧力ゾーンにおいて、前記基板の下面により該基板の厚さを監視するために、それぞれのアパーチャと位置合わせされて移動するように作動可能なものであってもよい。
【００１８】
本発明の方法および装置は、プログラムの制御下にて作動し、前記光学検出器回路により提供される基板厚さ情報に応じて、少なくとも第１および第２の信号を生成し、該第１および第２の信号が、前記複数のアクチュエータのそれぞれにより提供されるそれぞれの圧力を制御するように作動する処理装置を備えるものであってもよい。処理装置は、前記移動ベルトにより前記基板から除去される材料の速度；前記移動ベルトにより前記基板から除去された材料の量、および前記基板の厚さの変化の少なくとも１つの厚さ情報から演算を行うように作動可能なものであってもよい。
【００１９】
本発明の他の態様、特徴および利点は、添付図面とともに明細書の詳細な説明から当業者に明らかであろう。
【００２０】
説明のために、現時点で好ましい形態を図面に示すが、図示される構成および手段に限定されないことが理解されよう。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の１またはそれ以上の実施形態による基板研磨装置の側面断面図
【図２】図１に示す装置の使用に適した閉ループ制御回路のブロック図
【図３Ａ】基板に圧力を加えるために、図１に示す装置において使用されるアクチュエータの他の実施形態を示す図
【図３Ｂ】基板に圧力を加えるために、図１に示す装置において使用されるアクチュエータの他の実施形態を示す図
【図４】基板に圧力を加えるために、図１に示す装置において使用されるアクチュエータの他の実施形態を示す図
【図５】基板に圧力を加えるために、図１に示す装置において使用されるアクチュエータの他の実施形態を示す図
【図６】図１に示す装置の使用に適した研磨部材の側面図
【発明を実施するための形態】
【００２２】
同様の参照番号が同様の部材を示す図面を参照すると、図１は本発明の１またはそれ以上の実施形態によるＣＭＰ装置１００の側面断面図である。ＣＭＰ装置１００は、例えば研磨により、きわめて均一な研磨面を実現するように制御された方式により、基板１０から材料を除去するように作動可能である。
【００２３】
基板は、ガラス、ガラスセラミックス、半導体、および絶縁体上半導体（ＳＯＩ）構造等のこれらの組合せ等、任意の材料であってもよい。半導体材料の場合、そのような材料は、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウムドープシリコン（ＳｉＧｅ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、ＧａＰおよびＩｎＰからなる群から選択されたものであってもよい。
【００２４】
ＣＭＰ装置１００は、ベース１０２およびベースに接続された上部構造１０４を備える。上部構造１０４は、基板１０の上面から材料を除去するように作動可能な研磨接触面を有する移動部材を備える。図示の実施形態において、移動研磨部材は、制御された速度および圧力により、基板１０の上面上を案内される移動ベルト１０６である。第１のローラ１０８Ａ，１０８Ｂおよび第２のローラ１１０Ａ，１１０Ｂ等の複数のローラが、基板１０の上面を横断して移動ベルトを駆動および案内するために使用される。上部構造１０４は、基板１０に対する移動ベルト１０６の適切な間隔および接触を実現するように、ローラ１０９，１１０、したがって移動ベルト１０６を位置決めするフレームまたはシャーシも備える。移動ベルト１０６は、後述するように、並進移動のみならず、回転移動（例えばローラ１０８，１１０により）をも行うものであってもよい。
【００２５】
上部構造１０４は、移動ベルト１０６と基板１０の上面との間に適切な量の圧力を生じさせるために、基板１０の上面に対して移動ベルト１０６を押しつけるように作動する複数のアクチュエータ１２０を備える。少なくとも２つ、好ましくはすべてのアクチュエータ１２０が、圧力ゾーン１２２Ａ，１２２Ｂ，１２２Ｃ・・・のそれぞれが基板１０の上面において画成されるように、独立して制御可能である。したがって、各アクチュエータ１２０の独立した制御によって、それぞれの圧力ゾーン１２２において同一のまたは異なる圧力を生じさせることができ、これにより、そのような圧力の位置が変更可能となるのみならず、移動ベルト１０６と基板１０との間に加えられる圧力が変更可能となる。
【００２６】
ベース１０２は、ベース１０２の上面に延在する複数のアパーチャ１３０Ａ，１３０Ｂ，１３０Ｃ・・・を備えるものであってもよい。少なくとも１つのアパーチャ１３０が、基板１０の底表面をそのようなアパーチャ１３０を通して見ることができるように、各圧力ゾーン１２２に位置している。ＣＭＰ装置１００は、少なくとも１つの圧力ゾーン１２２において、関連するアパーチャ１３０を通じて基板１０の厚さを監視するように作動可能な、少なくとも１つの光学検出回路１３２（図２）も有する。光学検出回路１３２は、複数の光学検出器１３４Ａ，１３４Ｂ，１３４・・・Ｃを備えるものであってもよく、少なくとも１つ（好ましくはそれぞれの）光学検出器１３４は、それぞれのアパーチャ１３０を通じて、基板１０の底面により基板１０の厚さを監視するように作動可能である。すなわち、光学検出器１３４は、基板１０の下面の下方から基板１０通して光を導光することにより、基板１０の厚さを検出するように作動可能である。光学検出器１３４は、既知の干渉計技術を用いて実装されてもよい。光学検出器１３４は、レーザ等の光源および検出器を備えるものであってもよい。光源は、アパーチャ１３０を通って基板１０の露出された底面に入射するように伝搬する光ビームを発生する。
【００２７】
他の実施形態において、光学検出器回路は、各圧力ゾーン１２２において基板１０の厚さを監視するために、アパーチャ１３０Ａ，１３０Ｂ，１３０Ｃ・・・のそれぞれと位置合わせされた状態で移動するように作動可能な、単一の光学検出器１３４を備えるものであってもよい。光学検出回路１３２の特定の実装とは関係なく、複数のアクチュエータおよび光学検出器の組合せにより、基板１０からの材料の除去の対応する監視のみならず、圧力ゾーン１２２のそれぞれにおいて、高精度に調整された圧力の制御がなされることとなる。
【００２８】
図２は、ＣＭＰ装置との組合せの使用に適した閉ループ制御システム２００のブロック図である。制御システム２００は、複数のアクチュエータ１２０、光学検出回路１３２、エネルギー源回路１４０およびプロセッサ回路１５０を備える。上述したように、アクチュエータ１２０は、圧力ゾーン１２２のそれぞれにおいて、基板１０の上面に対して移動ベルト１０６を押しつけるように作動可能である。アクチュエータ１２０は、各アクチュエータ１２０Ａ，１２０Ｂ，１２０Ｃ・・・が独立した動作およびその結果による圧力を得ることができるように、エネルギー源回路１４０から入力を受信する。光学検出回路１３２は、圧力ゾーン１２２のそれぞれにおいて基板１０の厚さを監視し、そのような厚さ情報をプロセッサ回路１５０に入力する。プロセッサ回路１５０は、基板厚さ情報を受信し、エネルギー源回路１４０に制御された信号を提供するために基板厚さ情報を利用する。プロセッサ回路１５０は、ソフトウェアプログラムの制御下において作動する公知の任意のマイクロプロセッサチップセットの使用を実装するものであってもよい。
【００２９】
例えば、プロセッサ回路１５０は、基板１０から材料が除去される速度、基板１０から除去された材料の総量、およびゾーン間おける基板１０の厚さの変化量等を演算するために、基板厚さ情報を利用してもよい。プロセッサ回路１５０は、圧力ゾーン１２２のそれぞれにおいて所望とする圧力を実現するために、アクチュエータ１２０にエネルギーの変化量が入力されるように、エネルギー源回路１４０への１またはそれ以上の制御信号を生成するように、基板厚さ情報および／または基板厚さ情報の演算結果を利用する。このようにして、基板１０の上面からの材料の除去の高精度に調整された制御が実現されてもよい。
【００３０】
図１に示すように、上部構造１０４は、移動ベルト１０６の方向に対して垂直に移動（または摺動）するように作動可能である。図示の実施形態において、上部構造１０４は、スライド１１４により、図面に対して垂直移動に対応する移動方向に移動するように作動可能である。スライド１１４による上部構造１０４の摺動動作は、そうでなければ移動ベルト１０６から発生するであろう方向マーク（directional marking）を防止する。例えば、ローラ１０８，１１０およびスライドの速度および移動特性は、基板に対するベルト１０６の所望とする移動が実現されるように制御されてもよい。移動パターンは、円パターン、正弦パターン等の単純または複雑なパターンであってもよい。
【００３１】
図３〜５は、アクチュエータ１２０の実装に適した各種実施形態の概略側面図である。図３Ａは流体制御されてもよいアクチュエータ１２０を示す図であり、供給される流体圧が増大することにより、関連する圧力ゾーン１２２において、基板１０に対する移動ベルト１０６の圧力が増大することとなる。各アクチュエータ１２０は、少なくとも１つの移動可能なパッド１７２を備え、アクチュエータ１２０内の流体圧の増加により、移動ベルト１０６の内面（接触面の反対側）に向かってパッド１７２がバイアスされるようになる。パッド１７２および移動ベルト１０６内面の摩擦を減少させるために、これらの間に潤滑流体が供給されてもよい。
【００３２】
図３Ｂは、アクチュエータ１２０が、自己補償流体静力学パッド（簡素化するために１つのアクチュエータのみ示す）を用いて実装された他の実施形態を示す図である。アクチュエータ１２０は、圧力ゾーンＰ１およびＰ２の間に位置する可動部材１７０を有する。圧力ゾーンＰ１，Ｐ２の圧力を等しくするように作用するオリフィスが、圧力ゾーンＰ１，Ｐ２の間に延在する。圧力ゾーンＰ２における加圧された流体は、基板１０に対してベルト１０６にバイアスをかけるための、流体静力学のパッド１７２として機能する。プログラムされた圧力を流体静力学のパッド１７２において確実に実現するために、流体はギャップＧを通って漏れるが、自己調整される。とくに、ギャップＧが大きすぎる場合（過度の漏れを生じることとなる）、圧力はＰ２からＰ１より低くなる。この圧力不均衡によって、可動部材１７０がベルト１０６に向かって進み、これによりギャップＧを閉じ、圧力Ｐ１，Ｐ２を等しくする。
【００３３】
図４は、それを通る複数のボア１８２を有するプレート１８０により実装されるアクチュエータ１２０の他の実施形態を示す図であり、ボアの各群は圧力ゾーン１２２のそれぞれに位置している。ボア１８２の第１端部は流体供給源と連通し、ボア１８２の第２端部は移動ベルト１０６の内面と連通する。したがって、ボア１８２を通って供給された流体の圧力の増加または減少により、圧力ゾーン１２２において移動ベルト１０６の圧力が対応して増加または減少することとなる。
【００３４】
図５は、圧電アクチュエータを用いて実装されたアクチュエータ１２０の他の実施形態を示す図である。圧電アクチュエータ１９０のそれぞれに供給される電圧の変化により、基板１０に対する移動ベルト１０６の圧力が対応して変化することとなる。本明細書における実施形態に関して使用に適した圧電アクチュエータ１９０は、マイアミ州オーバーン（Auburn）にあるサイキックインスツルメントＬ．Ｐ．（Physik Instrumente L.P.）から得ればよい。
【００３５】
図示の実施形態において、移動ベルト１０６に圧力を供給するために、アクチュエータ１２０は移動ベルト１０６の内面と接触するように配置されることに注目されたい。他の実施形態において、アクチュエータ１２０は基板を移動ベルト１０６に押しつけるように配置されてもよい。しかしながら、そのような実施形態においては、光学検出器回路１３２をアクチュエータ１２０の反対側に移動させる必要があり、移動ベルト１０６を通じて基板１０の厚さを光学的に検出できるように提供される手段が必要となるであろう。
【００３６】
図６に示すように、移動ベルト１０６の少なくとも一部は、移動ベルトの接触面上のマイクロメートルサイズのポスト１６０の微小繰り返しパターンである固定研磨構造を備える。ポスト１６０は、樹脂のようなマトリクスにおける研磨材料を含む。固定された研磨材料は、ミネソタ州セントポール（St. Paul）の３Ｍ社から得ればよい。このような実施形態は、ガラス上シリコン（ＳｉＯＧ）基板を研磨する際に有利であると考えられている。従来の研磨技術を使用することにより、研磨粒子は処理中に基板の露出する表面に到達し、研磨材料の高い側および下方の双方の領域において材料の除去が発生する。マイクロメートルサイズのポスト１６０の微小繰り返しパターンを使用する固定された研磨の場合、研磨粒子はパッドの高い側のポスト１６０と結合される。したがって、材料の除去は、主として露出されたポスト１６０の高い側の領域において発生する。よって、基板１０の地形的に低い領域に対する高い領域の間の除去速度として表される材料除去速度は、スラリーベースのＣＭＰ等の従来の技術の場合よりも、かなり大きくなる。
【００３７】
本発明の１またはそれ以上の実施形態の利点は、サブ・アパーチャ仕上げおよびフル・アパーチャ仕上げのアプリケーションを有する。サブ・アパーチャ仕上げは、研磨部材の利用可能な仕上げ面が対象物（例えば基板）よりも小さい場合として定義できる。したがって、サブ・アパーチャ仕上げにおいては、基板の所望とする表面領域を仕上げるように、基板上において、利用可能な仕上げ面の多少の動き（例えばラスタパターン）がなければならない。フル・アパーチャ仕上げは、研磨部材の利用可能な仕上げ面が、仕上げられる基板よりも大きい場合として定義できる。独立して制御可能なアクチュエータおよびその結果生じる独立した制御ゾーンにより、（平坦化も実現されてもよいが）厳密な平坦化とは反対に、形状が適合した仕上げが可能となる。さらに、非常に正確な仕上げとなるように、温度および構造上の変形による仕上げ装置の許容誤差における補償が実現されてもよい。
【００３８】
特定の実施形態を参照して本明細書において発明を説明したが、これらの実施形態は本発明の原理およびアプリケーションの単なる例示に過ぎないことが理解されよう。したがって、添付の特許請求の範囲により画成される本発明の精神および範囲を逸脱しない範囲において、図示の実施形態を種々変更してもよく、他の変更を行ってもよい。
【符号の説明】
【００３９】
１００    ＣＭＰ装置
１０２    ベース
１０４    上部構造
１０６    移動ベルト
１０８，１１０    ローラ
１１４    スライド
１２０    アクチュエータ
１２２    圧力ゾーン
【図１】
2010527807.tif 000003
【図２】
2010527807.tif 000004
【図３Ａ】
2010527807.tif 000005
【図３Ｂ】
2010527807.tif 000006
【図４】
2010527807.tif 000007
【図５】
2010527807.tif 000008
【図６】
2010527807.tif 000009
【国際調査報告】
2010527807.tif 000010
2010527807.tif 000011
2010527807.tif 000012
2010527807.tif 000013
2010527807.tif 000014