(57)【要約】  異なる高さの隣接シリコンフィンを製造する方法は、上に分離層が堆積されたシリコン基板を供給し、分離層をパターニングして第１及び第２の分離構造を形成し、シリコン基板をパターニングして第１の分離構造の下の第１のシリコンフィンと第２の分離構造の下の第２のシリコンフィンとを形成し、基板上に絶縁層を堆積し、絶縁層を平坦化して第１及び第２の分離構造の頂面を露出させ、マスク層を堆積し且つパターニングして第２の分離構造をマスクせずに第１の分離構造をマスクし、ウェットエッチングを適用して第２の分離構造を除去し且つ第２のシリコンフィンを露出させ、第２のシリコンフィン上にシリコン層をエピタキシャル成長させ、そして、絶縁層を後退させて第１のシリコンフィンの少なくとも一部と第２のシリコンフィンの少なくとも一部とを露出させることを有する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に第１及び第２のシリコンフィンを形成する工程であり、各シリコンフィンがその頂面に分離構造を含む、工程；
前記半導体基板上に絶縁層を堆積する工程；
前記第１のシリコンフィンをマスクするが前記第２のシリコンフィンをマスクしないマスク構造を形成する工程；
前記第２のシリコンフィンの頂部から前記分離構造を除去する工程；
前記第２のシリコンフィンの頂面にシリコン層をエピタキシャル成長させることによって、前記第２のシリコンフィンを延長する工程；及び
前記絶縁層の少なくとも一部を除去する工程；
を有する方法。
【請求項２】
前記分離構造は、窒化物及び酸窒化物からなる群から選択された材料を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記分離構造は、およそ１０ｎｍと１００ｎｍとの間の厚さを有する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記絶縁層は二酸化シリコンを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記マスク構造は窒化シリコンを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第２のシリコンフィンの頂部から前記分離構造を除去する工程は、ウェット化学エッチングを適用して前記分離構造を除去することを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記絶縁層の少なくとも一部を除去する工程に先立って、前記マスク構造を除去する工程を更に有する請求項１に記載の方法。
【請求項８】
エピタキシャル成長された前記シリコン層を平坦化して余分なシリコンを除去する工程、を更に有する請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記マスク構造を形成する工程の前に、前記分離構造の頂面を露出させるように前記絶縁層を平坦化する工程を更に有する請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
上に分離層が堆積されたシリコン基板を供給する工程；
前記分離層をパターニングして第１の分離構造及び第２の分離構造を形成する工程；
前記シリコン基板をパターニングして、前記第１の分離構造の下の第１のシリコンフィンと前記第２の分離構造の下の第２のシリコンフィンとを形成する工程；
前記半導体基板上に絶縁層を堆積する工程；
前記絶縁層を平坦化して、前記第１の分離構造の頂面と前記第２の分離構造の頂面とを露出させる工程；
前記絶縁層上にマスク層を堆積する工程；
前記マスク層をパターニングして、前記第１の分離構造をマスクするが前記第２の分離構造をマスクしないマスク構造を形成する工程；
ウェット化学エッチングを適用し、前記第２の分離構造を除去して前記第２のシリコンフィンを露出させる工程；
前記第２のシリコンフィン上にシリコン層をエピタキシャル成長させる工程；及び
前記絶縁層を後退させ、前記第１のシリコンフィンの少なくとも一部と前記第２のシリコンフィンの少なくとも一部とを露出させる工程；
を有する方法。
【請求項１１】
前記第１のシリコンフィン及び前記第２のシリコンフィンを覆う共形の誘電体層を堆積する工程；
前記共形の誘電体層上に電極層を堆積する工程；及び
前記電極層及び前記誘電体層をパターニングして、前記第１のシリコンフィン上の第１のゲート誘電体層及び第１のゲート電極と、前記第２のシリコンフィン上の第２のゲート誘電体層及び第２のゲート電極とを形成する工程；
を更に有する請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
エピタキシャル成長された前記シリコン層を平坦化して余分なシリコンを除去する工程、を更に有する請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記分離層は窒化物層又は酸窒化物層を有する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記マスク層は窒化シリコンを有する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記共形の誘電体層はｈｉｇｈ−ｋ誘電体層を有する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記電極層はポリシリコン層又は金属層を有する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
シリコン基板；
前記シリコン基板上に形成され、第１の高さを有する第１のシリコンフィン；及び
前記シリコン基板上に形成され、前記第１の高さより大きい第２の高さを有する第２のシリコンフィン；
を有する装置。
【請求項１８】
前記第１のシリコンフィンと前記第２のシリコンフィンとの間の高さの差は、前記第２のシリコンフィン上にシリコン層をエピタキシャル成長させることによって作り出されている、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記第１のシリコンフィン及び前記第２のシリコンフィンの各々上に形成されたゲート誘電体層及びゲート電極、を更に有する請求項１７に記載の装置。
【請求項２０】
前記第１のシリコンフィンは前記第２のシリコンフィンに隣接している、請求項１７に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、隣接シリコンフィンを製造する方法及び隣接シリコンフィンを有する装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路の製造において、マルチゲートトランジスタに使用されるシリコン“フィン”としても知られる半導体ボディは、一般的に、均一な寸法で形成されている。中間的な寸法のフィンは利用可能でないため、より大きな駆動電流を生成するためには、フィン数を増加させなければならない。現在、相異なる寸法を有するシリコンフィンが望まれている。例えば、論理トランジスタとメモリトランジスタとでは制約が異なり、論理トランジスタはＩｄｓａｔ／レイアウト面積を最大化するために深いフィンを必要とするのに対し、メモリトランジスタは比較的浅いフィンを必要とする。また、スタティック・ランダム・アクセス・メモリ（ＳＲＡＭ）デバイスにおけるパストランジスタとプルダウントランジスタとでは、トランジスタ幅の差が必要である。
【０００３】
相異なる寸法の複数のフィンを作り出す従来の１つの次善策は、均一な複数のフィンを作ることによって開始される。図１Ａに示すように、基板１００上の均一なフィン１０２の周囲に、例えばシャロー・トレンチ・アイソレーション（ＳＴＩ）材料などの絶縁材料１０４が堆積される。この従来プロセスは、その後、図１Ｂに示すように、ＳＴＩ材料１０４を異なる深さにエッチングし、異なる高さだけシリコンフィン１０２を露出させる。故に、ＳＴＩ材料１０４の高さは基板１００の表面にわたって変化する。
【０００４】
この従来のやり方に伴う問題は、後にゲート電極を形成するために使用されるポリシリコンに起こることに関係する。ポリシリコン層の堆積及び平坦化の後、ポリシリコンはゲート電極１０６を形成するようにパターニングされなければならない。これは、ポリシリコンをＳＴＩ材料１０４の表面までエッチングすることを必要とする。ＳＴＩ材料１０４の高さは基板にわたって変化しているので、図１Ｂに示すように、一部のポリシリコンゲート１０６のパターニングはそれらの末端部分まで到達する一方で、他のポリシリコンゲート１０６は依然としてエッチングされる。最初に末端部分まで達したポリシリコンゲートは、残りのポリシリコンゲートがエッチングされるとき、より短いフィンでの短チャネル効果につながるオーバーエッチング及びノッチングに悩まされる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
故に、様々な高さのシリコンフィンを形成するための改善されたプロセスが望まれる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一態様に従って、半導体基板上に第１及び第２のシリコンフィンを形成する工程であり、各シリコンフィンがその頂面に分離構造を含む、工程と、半導体基板上に絶縁層を堆積する工程と、第１のシリコンフィンをマスクするが第２のシリコンフィンをマスクしないマスク構造を形成する工程と、第２のシリコンフィンの頂部から分離構造を除去する工程と、第２のシリコンフィンの頂面にシリコン層をエピタキシャル成長させることによって第２のシリコンフィンを延長する工程と、絶縁層の少なくとも一部を除去する工程とを有する方法が提供される。
【０００７】
他の一態様に従って、シリコン基板と、シリコン基板上に形成され、第１の高さを有する第１のシリコンフィンと、シリコン基板上に形成され、第１の高さより大きい第２の高さを有する第２のシリコンフィンとを有する装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１Ａ】異なる高さの複数のシリコンフィンを形成する従来の方法に伴う問題を示す図である。
【図１Ｂ】異なる高さの複数のシリコンフィンを形成する従来の方法に伴う問題を示す図である。
【図２】本発明の一実施形態に従った、異なる高さを有する複数のシリコンフィンを製造する方法を示す図である。
【図３Ａ】図２の方法で形成される構造を示す図である。
【図３Ｂ】図２の方法で形成される構造を示す図である。
【図３Ｃ】図２の方法で形成される構造を示す図である。
【図３Ｄ】図２の方法で形成される構造を示す図である。
【図３Ｅ】図２の方法で形成される構造を示す図である。
【図３Ｆ】図２の方法で形成される構造を示す図である。
【図３Ｇ】図２の方法で形成される構造を示す図である。
【図３Ｈ】図２の方法で形成される構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
ここでは、異なる高さの複数のシリコンフィンを製造するシステム及び方法を説明する。以下の説明においては、例示的な実施形態の様々な態様を、当業者が自身の取り組み内容を他の当業者に伝えるのに広く使用する用語を用いて説明する。しかしながら、当業者に明らかなように、本発明は、説明する態様のうちの一部のみを用いても実施され得るものである。例示的な実施形態の完全な理解をもたらすため、説明の目的で、具体的な数、材料及び構成を説明する。しかしながら、当業者に明らかなように、本発明はそれらの具体的詳細事項を用いずして実施されてもよい。また、例示の実施形態を不明瞭にしないよう、周知の事項は省略あるいは簡略化する。
【００１０】
様々な処理を、本発明を理解する上で助けとなるように、順々に複数の別個の処理として説明する。しかしながら、説明の順序は、それらの処理が必ず順序依存であることを意味すると解釈されるべきでない。特に、それらの処理は提示順に実行される必要はない。
【００１１】
本発明の実施形態は、例えば比較的短いシリコンフィンに隣接する比較的長いシリコンフィン等、異なる寸法を有する隣接シリコンフィンを製造する方法を提供する。これは、相異なる幅の半導体ボディを有する複数のトランジスタを互いに隣接して形成することを可能にする。ここで提供される実施形態は、例えばポリシリコンゲート電極のその後のオーバーエッチング又はノッチング等の従来の問題を伴わずに、シリコンフィンを形成することができる。
【００１２】
図２は、上述のポリシリコンの劣化問題を伴わずに同一基板上に比較的短いシリコンフィンと比較的長いシリコンフィンとを製造する本発明の一実施形態に従った方法２００である。図３Ａ−３Ｈは、図２の方法が実行されるときに形成される構造を例示するものである。
【００１３】
方法２００は、半導体基板を供給すること（２０２）によって開始される。本発明に係る様々な実施形態において、半導体基板は、バルクシリコン又はシリコン・オン・インシュレータの基礎構造を用いて形成され得る結晶基板である。他の実施形態において、半導体基板は、シリコンと組み合わされるか否かに拘わらず、以下に限られないがゲルマニウム、アンチモン化インジウム、テルル化鉛、ヒ化インジウム、リン化インジウム、ガリウム砒素又はアンチモン化ガリウムを含む別の材料を用いて形成されてもよい。ここでは基板を形成し得る材料の数例のみを記載するが、半導体デバイスを構築する基礎として作用し得る如何なる材料も、本発明の主旨及び範囲に属する。
【００１４】
半導体基板の表面に、実質的に同一の高さを有する２つ以上のシリコンフィンが製造される（２０４）。本発明の一実施形態によれば、複数のシリコンフィンを製造するための１つのプロセスは、基板上に分離層を堆積することによって開始される。分離層は、例えば窒化物（ナイトライド）又は酸窒化物（オキシナイトライド）などの材料を用いて形成されてもよく、およそ１０ｎｍと１００ｎｍとの間の厚さを有し得る。本発明の実施形態において、分離層は、シリコンフィンを形成する際に使用される従来の分離層の厚さより相対的に大きい厚さを有する。後述するように、分離層の厚さは、比較的短いシリコンフィンと比較的長いシリコンフィンとの間の高低差に対応する。
【００１５】
そして、従来からのリソグラフィプロセスを用いて分離層をパターニングし、シリコンフィンを画成するマスクとして機能する分離構造を形成する。シリコンエッチングプロセスが続き、分離構造を介して基板をエッチングしてシリコンフィンを作り出す。本発明の実施形態に従って、分離構造は基板エッチングプロセス後もシリコンフィン上に残される。本発明の一部の実施形態においては、分離構造に代えて、フォトレジスト材料を用いてシリコンフィンを直接的にパターニングしてもよい。
【００１６】
ここでの説明ではフィンを“シリコン”フィンと称するが、当業者に認識されるように、フィンは一般的に基板と同一の材料で形成される。基板は典型的にバルクシリコンからなるので、フィンは典型的にシリコンフィンである。代替的な実施形態において、フィンは基板とは異なる材料で形成されてもよい。例えば、純シリコン以外の材料で形成された基板上に、シリコンフィンがエピタキシャル成長されてもよい。フィンはシリコン以外の材料で形成されてもよいが、ここでの説明のため、ここではフィンを“シリコンフィン”として参照する。
【００１７】
シリコンフィン間のトレンチ内も含め、基板上に絶縁層が堆積される（２０６）。一部の実施形態において、絶縁層は、以下に限られないが二酸化シリコンを含む従来のシャロー・トレンチ・アイソレーションプロセスにて使用される材料からなり得る。一部の実施形態において、絶縁層は層間誘電体材料からなっていてもよく、以下に限られないが、二酸化シリコン、炭素ドープされた酸化物、窒化シリコン、例えばペルフルオロシクロブタンやポリテトラフルオロエチレン等の有機ポリマー、フルオロケイ酸塩ガラス、例えばシルセスキオキサンやシロキサン等の有機シリケート、又は有機ケイ酸塩ガラスを含み得る。
【００１８】
図３Ａは、互いに隣接する一対のシリコンフィン３０２を有する基板３００を示している。後述するように、一方のシリコンフィン３０２Ａは、比較的短いシリコンフィンを形成するために使用され、他方のシリコンフィン３０２Ｂは、比較的長いシリコンフィンを形成するために使用されることになる。各シリコンフィン３０２の頂面に分離構造３０４が配置されている。上述のように、分離構造３０４の厚さは、後に形成される比較的短いシリコンフィン３０２Ａと比較的長いシリコンフィン３０２Ｂとの間に作り出されることになる高低差に相当する。例えば二酸化シリコン等の材料で形成された絶縁層３０６が、構造全体上に堆積され、シリコンフィン３０２間のトレンチを充填している。
【００１９】
そして、この絶縁層が分離構造の頂部までエッチングあるいは平坦化される（２０８）。絶縁層を平坦化あるいはエッチングするための従来プロセスを使用し得る。この平坦化プロセス又はエッチングプロセスの終点は、分離構造の頂面が露出されるときに生ずる。図３Ｂは、分離構造３０４の頂面まで研磨された後の絶縁層３０６を示している。
【００２０】
次に、絶縁層上にマスク層が堆積され、比較的短いシリコンフィンを形成するために使用されることになるシリコンフィンを覆うマスク構造を形成するようにマスク層がパターニングされる（２１０）。マスク層は窒化シリコン又はその他の従来からのマスク材料で形成され得る。パターニング後のマスク構造は、比較的長いシリコンフィンを形成するために使用されることになるシリコンフィンをマスクせず、それに対応する分離構造を露出させる。図３Ｃは、比較的短いシリコンフィン３０２Ａはマスクするが比較的長いシリコンフィンを形成するために使用されることになるシリコンフィン３０２Ｂはマスクしないマスク構造３０８を示している。
【００２１】
所定位置のマスク構造を用い、適当なウェット化学エッチングを適用することによって、露出された分離構造がエッチング除去される（２１２）。本発明の一部の実施形態において、窒化物層を除去するための技術的に知られたウェット又はドライのエッチングプロセス、例えば熱リン酸など、が用いられ得る。このエッチングプロセスは、分離構造が除去されて下地のシリコンフィンが露出されるまで続けられる。本発明の実施形態において、分離構造は実質的に除去されるか、あるいは完全に除去されるかする。図３Ｃは、露出された分離構造３０４をシリコンフィン３０２Ｂの頂部から除去し、それによりシリコンフィン３０２Ｂ上にトレンチを形成することを示している。
【００２２】
その後、エピタキシャル成長プロセスが行われ、露出されたシリコンフィン上のトレンチ内にシリコンが成長され、それによって比較的長いシリコンフィンを形成するように該シリコンフィンが延長される（２１４）。露出されたシリコンフィン上にシリコン層を堆積するために、従来からのエピタキシャル成長プロセスを用い得る。例えば、露出されたシリコンフィン上に、ＳｉＨ４又はジクロロシランに基づく従来からの低圧化学的気相エピタキシャル成長プロセスを用いて、シリコン層が堆積される。トレンチが充填された後、平坦化プロセスが行われ、絶縁層の表面から余分なシリコンが除去される（２１６）。技術的に知られた従来からの平坦化プロセスを用い得る。一部の実施形態において、この平坦化プロセスはマスク構造をも除去する。代替的に、余分なシリコンを除去するためにエッチングプロセスを用いてもよい。
【００２３】
露出されたシリコンフィン上でのシリコン成長及びそれに続く平坦化は結果として、露出されたシリコンフィンの高さを、トレンチの高さに実質的に等しい量だけ増大させる。そして、トレンチの高さは当初の分離層の厚さによって制御される。故に、比較的長いシリコンフィンの高さは分離層によって制御され得る。
【００２４】
図３Ｄは、シリコンフィン３０２Ｂがその頂面にシリコンをエピタキシャル成長させることによってどのように延長されたかを示している。この段階で、比較的短いシリコンフィン３０２Ａに隣接する比較的長いシリコンフィン３０２Ｂが製造されたことになる。図示のように、余分なシリコンは絶縁層３０６の表面上に堆積される傾向にある。図３Ｅは、平坦化プロセスを用いてこの余分なシリコンが除去された後の長いシリコンフィン３０２Ｂを示している。
【００２５】
比較的長いシリコンフィンの形成が完了した後、絶縁層が後退させられる（２１８）。絶縁層は、比較的短いシリコンフィンの少なくとも一部が露出されるまで後退される。比較的長いシリコンフィンの一部は、比較的短いシリコンフィンが露出された状態になる時点までに、既に露出されていることになる。選択した絶縁層に関する従来からのエッチングプロセス、例えばフッ酸ウェットエッチング又はドライ酸化物エッチング等、を使用し得る。一部の実施形態において、比較的短いシリコンフィン上の分離構造はこの段階で除去されてもよい。他の実施形態において、この分離構造は比較的短いシリコンフィン上に残されてもよい。図３Ｆは、後退させられた絶縁層３０６を示している。図示の実施形態において、分離構造３０４は短いシリコンフィン３０２Ａ上に残されている。
【００２６】
その後、短いシリコンフィン及び長いシリコンフィンを覆うようにゲート誘電体層及びゲート電極層が堆積される（２２０）。ゲート誘電体層は、例えば高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）誘電体材料などの従来からのゲート誘電体材料を用いて形成され得る。ゲート電極層は、例えばポリシリコン、又は金属ゲート電極に一般的に使用される金属などの従来からのゲート電極材料を用いて形成され得る。図３Ｇはシリコンフィン３０２上のゲート電極層３１０を示している。図３Ｇにおいては明瞭性のため、ゲート誘電体層は示していない。
【００２７】
最後に、ゲート電極層及びゲート誘電体層がエッチングされ、２つのシリコンフィンの各々に対して、個々のゲート誘電体層及びゲート電極が形成される（２２２）。これは図３Ｈに示されている。ゲート誘電体層及びゲート電極層のエッチングは、双方の層が堆積された後に続くプロセスにて行われてもよい。代替的に、ゲート電極層がエッチングされた後に、ゲート電極層が堆積されてもよい。
【００２８】
図３Ｈに示すように、後退された絶縁層３０６は同じ高さの表面を有しているため、双方のシリコンフィン３０２において、ゲート電極層のエッチングはその末端部分に同時に到達する。これは、長いフィン上でのポリシリコンエッチングが完了する前に短いフィン上でのポリシリコンエッチングがその末端部分に到達する図１に示した上述の従来プロセスと対照的である。上述のように、従来プロセスにおいては、短いフィン上のポリシリコンは、長いフィン上でのポリシリコンエッチングがその末端部分に達するのを待つ間にオーバーエッチング及びノッチングの問題を被る。ここで説明した実施形態によれば、ゲート電極エッチングが双方のフィン上で同時に終了するので、何れのシリコンフィンもオーバーエッチング又はノッチングの問題を被らない。
【００２９】
一部の実施形態において、短いフィン上の分離構造はプロセスのこの時点で除去されてもよい。更なる実施形態において、この分離構造の除去はプロセスの後の時点で行われてもよい。より更なる実施形態において、エピタキシャル成長が分離構造の下のシリコンフィンを拡幅し、ゲート電極とのコンタクトをとることが依然として可能であるので、この分離構造は比較的短いシリコンフィン上に残されてもよい。
【００３０】
当業者に認識されるように、上述のプロセスは、３つ以上の高さを有する隣接シリコンフィンを製造するように変更されてもよい。例えば、シリコンがトレンチを完全に充填する前にエピタキシャル成長プロセスを停止することにより、中間高さのシリコンフィンが形成されてもよい。トレンチの残部は分離構造又は犠牲層で充填され、この中間シリコンフィンは、別のシリコンフィンが一層大きい高さまで延長される間マスクされてもよい。
【００３１】
本発明の例示的な実施形態の上述の説明は、要約に記載された事項を含め、網羅的なものでも、本発明を開示した通りの形態に限定するものでもない。ここでは例示のために本発明の具体的な実施形態及び例を説明したが、当業者に認識されるように、本発明の範囲内で様々な均等な変更が可能である。
【００３２】
それらの変更は、上述の詳細な説明を踏まえて本発明に対して為されるものである。以下の請求項中で使用される用語は、本発明を明細書及び特許請求の範囲にて開示される具体的な実施形態に限定するように解釈されるべきでない。むしろ、本発明の範囲は専ら、確立された請求項解釈の原則に従って解釈されるべき以下の請求項によって決定されるものである。
【図１Ａ】
2010537433.tif 000003
【図１Ｂ】
2010537433.tif 000004
【図２】
2010537433.tif 000005
【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
2010537433.tif 000008
【図３Ｄ】
2010537433.tif 000009
【図３Ｅ】
2010537433.tif 000010
【図３Ｆ】
2010537433.tif 000011
【図３Ｇ】
2010537433.tif 000012
【図３Ｈ】
2010537433.tif 000013
【国際調査報告】
2010537433.tif 000014
2010537433.tif 000015