(57)【要約】  本発明は加熱されるロードロックチャンバーを含む。一実施形態において、加熱ロードロックチャンバーは、少なくとも部分的に設けられた複数のランプアセンブリを有するチャンバー本体を含む。各ランプアセンブリは、ランプを収容する透過性のチューブを含む。透過性のチューブはチャンバー本体内に延び出ており、ロードロックチャンバーの内部空間からランプを隔絶する圧力バリアを提供する。他の実施形態において、透過性のチューブはの開放端はチャンバー本体の側壁を通って延び出る。透過性チューブの終結端はチャンバー本体の内部空間に囲まれており、離間した位置でチャンバー本体の上部の下のところで支持されている。チューブの開放端は、チューブの内部が大気に開放されるようにチャンバー本体の側壁に気密に封止されている。
2010508650.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部空間及び少なくとも２つの基板アクセスポートを有するチャンバー本体と、
前記チャンバー本体の前記内部空間内に少なくとも部分的に延びる複数のランプアセンブリとを有し、
各ランプアセンブリはさらに、
ランプと、
前記チャンバー本体の前記内部空間へと延び、前記ランプを前記チャンバー本体の前記内部空間から隔絶する圧力バリアをもたらす透過性のチューブとを含む加熱ロードロックチャンバー。
【請求項２】
前記透過性のチューブはさらに、
前記チャンバー本体の前記内部空間内に設けられた終結端と、
前記チャンバー本体の外側の大気環境に前記ランプを露出する開放端とを含む請求項１記載の加熱ロードロックチャンバー。
【請求項３】
前記透過性チューブはさらに前記チューブの上側表面をコーティングする反射部材を含む請求項１記載の加熱ロードロックチャンバー。
【請求項４】
前記反射部材はさらに金を含む請求項３記載の加熱ロードロックチャンバー。
【請求項５】
前記透過性チューブは石英からつくられている請求項１記載の加熱ロードロックチャンバー。
【請求項６】
前記透過性のチューブは、前記チューブが真空処理環境に囲まれ、前記チューブの内部はほぼ大気圧であるときに、崩壊を防ぐように選択された形状を有している請求項１記載の加熱ロードロックチャンバー。
【請求項７】
前記ランプはさらにカーボンＩＲランプを含む請求項１記載の加熱ロードロックチャンバー。
【請求項８】
前記ランプはさらに長く引き伸ばされたＵ字型の部材を含む請求項７記載の加熱ロードロックチャンバー。
【請求項９】
前記ランプはさらに前記ランプの上側表面をコーティングする反射性部材を含む請求項１記載の加熱ロードロックチャンバー。
【請求項１０】
前記反射性部材はさらに金を含む請求項９記載の加熱ロードロックチャンバー。
【請求項１１】
前記複数のランプアセンブリはさらに、
前記チャンバー本体の第１の壁から延びる第１のグループのランプアセンブリと、
前記チャンバー本体の第２の壁から延びる第２のグループのランプアセンブリとを含み、
前記第１及び第２のグループのランプアセンブリは平行な中心線を有している請求項１記載の加熱ロードロックチャンバー。
【請求項１２】
前記ランプアセンブリの中心線は前記第１の壁の方向に対して垂直の方向に方向づけられていない請求項１１記載の加熱ロードロックチャンバー。
【請求項１３】
前記複数のランプアセンブリはさらに、
前記チャンバー本体の第１の壁から延びる第１のランプアセンブリと、
前記チャンバー本体の第２の壁から延びる第２のランプアセンブリとを含み、
前記第１及び第２のランプアセンブリは同軸の中心線を有する請求項１記載の加熱ロードロックチャンバー。
【請求項１４】
前記複数のランプアセンブリはさらに、
前記チャンバー本体の前記第１の壁から延びる第３のランプアセンブリと、
前記チャンバー本体の前第２の壁から延びる第４のランプアセンブリとを含み、
前記第３及び第４のランプアセンブリは同軸の中心線を有し、前記第１及び第２のランプアセンブリの端部と前記第３及び第４のランプアセンブリの端部とは、一直線上に整列されている請求項１３記載の加熱ロードロックチャンバー。
【請求項１５】
前記複数のランプアセンブリはさらに、
前記チャンバー本体の前記第１の壁から延びる第３のランプアセンブリと、
前記チャンバー本体の前記第２の壁から延びる第４のランプアセンブリとを含み、
前記第３及び第４のランプアセンブリは同軸の中心線を有し、前記第１及び第３のランプアセンブリの端部は前記チャンバー空間に異なる距離だけ、延び出ている請求項１３記載の加熱ロードロックチャンバー。
【請求項１６】
内部空間及び少なくとも二つの基板搬送ポートを有するチャンバー本体と、
少なくとも１つのランプアセンブリランプとを有し、
このランプアセンブリは、
ランプと、
前記ランプを収容する透過性のチューブとを含み、
前記透過性のチューブはさらに、
前記チャンバー本体の側壁を介して延び出る開放端であって、前記チューブの内部が大気に対して開放されるように前記チャンバー本体の側壁に気密に封止されている開放端と、
前記チャンバー本体の前記内部空間に囲まれ、前記チャンバー本体内へと延び入る終結端であって、前記チャンバー本体の上面に関して所定の距離離れて支持されている終結端とを含む加熱ロードロックチャンバー。
【請求項１７】
前記チューブの中心線は前記チャンバー本体の底に平行な方向性を有する請求項１６記載の加熱ロードロックチャンバー。
【請求項１８】
前記チューブの前記中心線の方向は前記チューブが延び出る前記チャンバー本体の前記壁に対し垂直ではない請求項１７記載の加熱ロードロックチャンバー。
【請求項１９】
Ａ）第１及び第２の対向する側壁の間に定義される内部空間を有するチャンバー本体と、
Ｂ）平行な位置関係に支持された、複数の第１のランプアセンブリと、
Ｃ）平行な位置関係に支持された、複数の第２のランプアセンブリとを含み、
前記第１のランプアセンブリの各々は、
ランプと、
前記ランプを収容する透過性のチューブとを有し、
前記チューブは、
前記ランプが前記チャンバー本体の第１の側壁を介して延び出るところの開放端と、
前記チャンバー本体の第２の壁の方向に、内部空間へと延びる終結端とを含み、
前記チューブは前記ランプを前記ロードロックチャンバーの前記内部空間から隔絶する圧力バリアを提供し、
前記第２のランプアセンブリの各々は、
ランプと、
前記ランプを収容する透過性のチューブとを有し、
前記チューブは、
前記ランプが前記チャンバー本体の前記第２の側壁を介して延び出るところの開放端と、
前記チャンバー本体の前記第１の壁の方向に、内部空間へと延び出る終結端とを含み、
前記チューブは前記ランプを前記ロードロックチャンバーの前記内部空間から隔絶する圧力バリアを提供する加熱ロードロックチャンバー。
【請求項２０】
前記第１のランプアセンブリの中心線は前記チャンバー本体の底に平行な方向性を有し、前記第１のランプアセンブリの１つの中心線は前記第２のランプアセンブリの１つの中心線と同軸上にある請求項１９記載の加熱ロードロックチャンバー。
【請求項２１】
前記第１のランプアセンブリの前記終結端は、一直線上に整列している請求項１９記載の加熱ロードロックチャンバー。
【請求項２２】
前記第１のランプアセンブリの前記終結端は、千鳥状に配列されている請求項１９記載の加熱ロードロックチャンバー。
【請求項２３】
前記第１のランプアセンブリと前記第２のランプアセンブリとは交互配置されている請求項１９記載の加熱ロードロックチャンバー。
【請求項２４】
前記第１のランプアセンブリと前記第２のランプアセンブリは、各々のランプアセンブリが延び出ている前記チャンバ本体の壁とは、非並行な方向に配置されている請求項１９記載の加熱ロードロックチャンバー。
【請求項２５】
前記第１のランプアセンブリと前記第２のランプアセンブリとは交互配置されている請求項２４記載の加熱ロードロックチャンバー。
【発明の詳細な説明】
【発明の背景】
【０００１】
（発明の分野）
本発明は主に真空処理システムのためのロードロックチャンバーに関し、特に加熱されるロードロックチャンバーに関する。
【０００２】
（関連技術の説明）
２つの急速に進化する技術分野として、薄膜トランジスタと光起電装置の分野が挙げられる。フラットパネル技術により形成される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ））は、コンピューター、テレビのモニター、携帯電話の表示部、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、及び、増えつつある他のデバイスなどのアクティブマトリックスディスプレイのために主に共通に用いられる。一般に、フラットパネルは一層の液晶材料が挟む、２つのガラス板を含む。このガラス板の少なくとも１つは電源に接続された１つの導電フィルムを含む。電源から導電フィルムへ供給される電力は液晶部材の配向性を変化させ、パターン表示をもたらす。
【０００３】
光起電装置（ＰＶ）又は太陽電池は、太陽光を直流電流（ＤＣ）電力パワーに変換するデバイスである。ＰＶ若しくは太陽電池は、一般には、パネル上に形成された１つ以上のｐ‐ｎジャンクションを有する。各ジャンクションは一方の側はP型領域とされ、他方のサイドはN型領域とされる半導体材料内の２つの異なる領域を含む。PVセルのｐ‐ｎジャンクションは太陽光（光子からのエネルギーからなる。）にさらされると、この太陽光はＰＶ効果により直接電気に変換される。一般に、高品質なシリコンベースの材料は高効率のジャンクションデバイス（即ち単位面積あたりの高電力出力）を生成するよう要望される。アモルファスシリコン（ａ‐Ｓｉ）フィルムは、従来の低温度プラズマエンハンスド化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）プロセス内で低コストで製造されうるので、ＰＶ太陽電池内のシリコンベースのパネル材料として広く使われてきた。
【０００４】
パネル技術が市場に受入れられるにつれ、及び、急騰するエネルギーコストを相殺するためのより高効率なＰＶデバイスが求められるにつれ、より大きなパネル、向上した生産効率、より低い製造コストへの需要が、フラットパネディスプレイ及びＰＶデバイスの製作者のためにより大きいサイズの基板を収容する新しいシステムを開発するよう装置製造業者を駆り立てる。現在の基板処理装置は、概ね約２ｍ2より少し大きい基板を収容するよう構成されている。より大きい基板のサイズを収容するよう構成された処理装置は近い未来に想定される。
【０００５】
そのような大きい基板を作製するための装置は製造者にかなりの投資を予期させる。従来のシステムは大きく高価なハードウェアを必要とする。この投資を相殺するために高い基板スループッドが望まれる。
【０００６】
ロードロックチャンバー内の加熱及び／又は冷却は高いシステムスループッドを達成するための重要な要素である。大きい面積の基板の均一で急速な加熱及び冷却の必要性は大変高い関心が持たれている。特に、真空にさらされる大きい表面領域に起因するたわみは、ヒーターと基板とチャンバー本体の間の均一な間隔を維持することにおいて、挑戦すべき課題である。さらに、ロードロックチャンバー内で基板を加熱するのに用いられる従来の抵抗性のヒーター及びランプのための電気的接続は真空にさらされるので、その接続はアーキングをもたらし、チャンバーハードウェアを損傷するかもしれないし、及び／又は、それから不要なコンタミネーションの元となるパーティクルを生じせしめるかもしれない。このように、均一な温度の調整を向上せしめ、ハードウェアの寿命、コンタミネーションの制御、及び、温度の高い伝達率を促進する進歩した技術が特に望まれる。
【０００７】
そこで、より大きい面積の基板に対する急速で均一な加熱及び冷却をもたらす改善されたロードロックチャンバーが必要とされる。
【発明の概要】
【０００８】
発明の実施形態は、加熱されるロードロックチャンバーを含む。一実施形態において、加熱ロードロックチャンバーは少なくとも部分的に設けられた複数のランプアセンブリを含むチャンバー本体を含む。各ランプアセンブリはランプを収容する透過性のチューブを含む。この透過性のチューブはチャンバー本体の中へと延び、ロードロックチャンバーの内部空間からランプを隔絶する圧力バリアを提供する。
【０００９】
別の実施形態において、加熱ロードロックチャンバーは少なくとも１つのランプアセンブリを有するチャンバー本体を含む。このランプアセンブリはその中にランプを収容する透過性のチューブを含む。透過性のチューブの開放端はチャンバー本体の側壁を介して大気にさらされている。透過性チューブの終結端はチャンバー本体の内部へと延び、その内部空間に囲まれている。透過性チューブの終結端はチャンバー本体により定義される内部空間の天井の下の少し離れたところで支持されている。
【００１０】
別の実施形態において、加熱ロードロックチャンバーは少なくとも第１及び第２のランプアセンブリを有するチャンバー本体を含む。各ランプアセンブリはランプを収容する透過性のチューブを含む。第１のランプアセンブリの第１の透過性チューブの開放端はチャンバー本体の第１の側壁を通って延び出る。第２のランプアセンブリの第２の透過性チューブの開放端はチャンバー本体の第２の側壁を通って延び出る。透過性チューブの終結端はそれぞれチャンバー本体の内部へと延びる。チューブはロードロックチャンバーの内部空間からランプを隔絶する圧力バリアをもたらす。
【００１１】
別の実施形態において、加熱ロードロックチャンバーは天井に設けられた単一のブラケットにより保持される対向する透過性チューブを含む。さらに別の実施形態において、加熱ロードロックチャンバーはチャンバーの長手方向に延びる長いバーにより保持される複数の対向する透過性チューブを含む。このバーの端はチャンバーの側壁のみに取り付けられ、これによりチャンバーの天井の動きにチューブは依存しなくなる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
本発明の上記に列記した構成が達成され詳細に理解されるように、上で短く要約されたような本発明の特定の説明が添付図面に説明される実施形態を参照してなされる。しかしながら、添付図面は本発明の典型的な実施形態のみを説明するものであり、その範囲を制限するものと考えられるべきではなく、本発明は他の同等に有効な実施形態をも含むことに留意すべきである。
【００１３】
【図１】本発明のロードロックチャンバーの一実施形態を有するクラスターツールを説明する平面図である。
【図２】図１の切断線２−２に沿って切断されたロードロックチャンバーの断面図である。
【図３】図１のロードロックチャンバーの部分断面図である。
【図４Ａ】図１のロードロックチャンバーの他の部分断面図である。
【図４Ｂ】ロードロックチャンバーの内部の他の実施形態の部分等角図である。
【図４Ｃ】ロードロックチャンバーの内部の他の実施形態の部分等角図である。
【図５】図１のロードロックチャンバーの他の部分断面図である。
【図６Ａ】ランプアセンブリの一実施形態を図示する図１のロードロックチャンバーの部分断面図である。
【図６Ｂ】ランプアセンブリの他の実施形態を説明する図１のロードロックチャンバーの部分断面図である。
【図６Ｃ】ランプアセンブリの他の実施形態を説明する図１のロードロックチャンバーの部分断面図である。
【図７】〜
【図８】ロードロックチャンバー内に支持されるランプアセンブリの終結端の部分断面図である。
【図９】〜
【図１１】複数のランプアセンブリが支持されるロードロックチャンバーの異なる実施形態の部分断面図である。
【００１４】
理解を容易にするために、可能な限り、図に共通な同じ要素を示すために同じ参照番号が用いられている。１つの実施形態の要素がさらに引用されること無く他の実施形態において効果的に利用可能と考えられる。
【詳細な説明】
【００１５】
大きい面積の基板に対する効果的な加熱に適したロードロックチャンバーが提供される。以下に、ロードロックチャンバーの特定的な実施形態が、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズインクから市販されているロードロックチャンバーを参照して説明されるが、この発明性ある特徴及び方法は、他の製造業者の装置を含む他のロードロックチャンバーに用いられることが考えられる。
【００１６】
図１は本発明の加熱ロードロックチャンバー１０４の一実施形態を有するクラスターツール１００を説明する平面図である。クラスターツール１００はロードロックチャンバー１０４により搬送チャンバー１０６に接続されるファクトリーインターフェース１０２を含む。このファクトリーインターフェース１０２は、主に複数の基板貯蔵カセット１１４及び大気下において動作するロボット１１２を含む。この大気下において動作するロボット１１２は、カセット１１４とロードロックチャンバー１０４との間で基板１１６の搬送を行う。複数の基板処理チャンバー１０８は搬送チャンバー１０６に接続されている。真空ロボット１１０はロードロックチャンバー１０４とプロセスチャンバー１０８との間で基板１１６の搬送を行う。真空ロボット１１０は搬送チャンバー１０６内に設けられ、ロードロックチャンバー１０４と処理チャンバー１０８との間での基板１１６の搬送を行う。
【００１７】
ロードロックチャンバー１０４は主に１つ以上の基板貯蔵スロットが設けられら環境的に隔絶可能な少なくとも１つのキャビティを含む。いくつかの実施形態において、複数の環境的に隔絶可能なキャビティが設けられ、各々はその中に少なくとも１つ以上の基板貯蔵スロットを有する。ロードロックチャンバー１０４は、常圧、若しくは、大気下の環境にあるファクトリーインターフェース１０２と、搬送チャンバー１０６内に維持された真空環境との間で基板１１６を搬送するよう動作する。
【００１８】
図１内の破断線で示されるように、複数のランプアセンブリ１２０は、ロードロックチャンバー１０２を通って、ファクトリーインターフェース１０２と搬送チャンバー１０６との間を通過する基板の搬送方向に対し、ほぼ垂直方向に延びるように、ロードロックチャンバーに設けられている。ランプアセンブリ１２０は電源１２２に接続され、ロードロックチャンバー１２０に載置された基板は選択的に加熱される。５つのランプアセンブリ１２０が図１に示される実施形態に示されているが、ロードロックチャンバー１０２は、加熱条件及び形状的制約に基づき選択される、より多い、又は、より少ないランプアセンブリ１２０を含むよう構成されるかもしれない。
【００１９】
図２は少なくとも１つのランプアセンブリ１２０を有する本発明のロードロックチャンバー１０４の一実施形態を図示する。ロードロックチャンバー１０４は、各々がその中に設けられたランプアセンブリ１２０を有する、複数の基板搬送キャビティを有するよう示されているが、ランプアセンブリ１２０は、キャビティ当たりの一枚の基板より、空間の多いロードロックチャンバーを含む、基板搬送のために用いられる少なくとも１つのキャビティを有するいかなるロードロックチャンバー内においても用いられ得る。
【００２０】
ロードロックチャンバー１０４は、ステンレススチール、アルミニウム、若しくは、他の適宜な材料などの剛体材料から形成された本体アセンブリ２０２を含む。この本体アセンブリ２０２は、リークの無い構造となるよう組立てられた部品から形成される。本発明の恩恵を受けるかもしれない１つの適宜な本体アセンブリは、２００６年１月１３日に出願された、出願番号１１／３３２，７８１の米国特許出願に記載されている。選択的には、本体アセンブリ２０２は、他の構成、及び／又は、単一の１つの部材から作成されるかもしれない。本発明の恩恵を受けるかもしれない他のロードロックチャンバーは２００６年１月１３日に出願された出願番号１１／３３２，７８１の米国特許出願、２００４年４月２６日に出願された出願番号１０／８３２，７９５の米国特許出願、２０００年９月１５日に出願された出願番号０９／６６３，８６２の米国特許出願、２００４年５月１０日に出願された出願番号１０／８４２，０７９の米国特許出願、及び、２００６年６月２日に出願された出願番号１１／４２１，７９３の米国特許出願などを含む。これらの米国特許出願は本明細書においてその全体が参照され組込まれる。
【００２１】
一実施形態において、本体アセンブリ２０２は、複数のリング形状の本体２４３を挟むトッププレート２０４とボトムプレート２０６を含む。内部プレート１９８は本体２４８の間に設けられる。プレート２０４、２０６、２９８は本体２４８のそれぞれの内側に形成される内部空間２２０を取り囲む。図２に図示された実施形態において、上側若しくは下側の内部空間２２０は基板の搬送キャビティ２０８、２１０として構成され、中間にある本体２４８に区分けられた内部空間２２０は加熱キャビティ２１２として構成される。
【００２２】
図２に図示された実施形態において、ランプアセンブリ１２０は加熱キャビティ２１２に設けられるよう示されている。しかしながら、ランプアセンブリは他の搬送キャビティ２０８、２１０のうちの１つ、若しくは、キャビティ２０８、２１０、２１２のいかなる組み合わせの１つにも選択的に設けられるかもしれない。
【００２３】
トッププレート及びボトムプレート２０４、２０６及び本体２４８のうちの少なくとも１つの間で相対的な動きを許容するように、トッププレート及びボトムプレート２０４、２０６は、複数のファスナーによって本体２４８に気密に接続されている。例えば、トッププレート及びボトムプレート２０４、２０６の少なくとも１つは溶接を行うことなく本体２４８に結合されている。プレート２０４、２０６から側壁に加えられる力がそれほど問題ではない実施形態において、トッププレート及びボトムプレート２０４、２０６及び本体２４８は溶接により結合されるかもしれない。
【００２４】
図３に示される本体アセンブリ２０２の部分断面図を追加的に参照すると、少なくとも１つのスペーサー３１６がトッププレート２０４の下側の表面３０２と本体２４８の上側表面３０４との間に設けられている。スペーサー３１６はトッププレート２０４及びチャンバー本体２４８を離し、ギャップ３０６がその間にもたらされる。一実施形態において、スペーサー３１６はチャンバー本体２４８の上側の表面３０４の平面領域よりずっと小さい平面領域を有する部材である。例えば、複数のスペーサー３１６がチャンバー本体２４８の一方の側に沿って上側の表面３０４の上に設けられるかもしれない。
【００２５】
スペーサー３１６の厚さは、ガスケット若しくはオーリング３８６がプレートと本体の間に真空密封を維持するよう適宜に圧縮されるとともに、トッププレート２０４が、真空若しくは他のストレス状態のもとにあるチャンバー本体２４８に接触しないように、選択される。同様に、１つ以上のスペーサー３１６がその間にギャップ３０６を維持するようにボトムプレート２０６とチャンバー本体２４８との間に設けられる。
【００２６】
図３に図示された実施形態において、第１のスペーサー３１２及び第２のスペーサー３１４は、トッププレート２０４とチャンバー本体２４８との間に設けられる。スペーサー３１２、３１４は、スペーサーとチャンバー本体２４８及び／又はトッププレート２０４との間の摩擦係数より、それらの間の（すなわち、スペーサー３１２からスペーサー３１４に対する）摩擦係数が低い材料から造られる。このように、チャンバー本体２４８及びトッププレート２０４が、真空によって、熱的に、若しくは、他の力により、相互に相対的に動くにつれ、トッププレート２０４及び第１のスペーサー３１２は、第２のスペーサー３１４（及び本体２４８）に対し、横方向に自由に動くと共に、トッププレート２０４及び本体２４８が接触することを防ぐ。
【００２７】
一実施形態において、スペーサー３１２、３１４はディスクである。このディスクは、組立ての容易さのために、本体アセンブリ２０２を固着するのに用いられるボルト２８２の周りに設けられたワッシャーであるかもしれない。スライディング部材（例えば、スペーサー３１２、３１４）は本体２４８の上側表面３０４に対して、より少ない接触領域を有するので、動きを開始するに必要な力は低減される。さらに、スペーサー３１２、３１４の接触表面は、ガスケットの外側にあるので、スペーサー３１２、３１４のスライディングの間に生成されるパーティクルがロードロックチャンバー１０４の内部空間２２０に入ることから効果的に防ぐことができる。スペーサー３１６はリブ又は他の特徴の形であって、プレート及び本体との間に延びて、その間のギャップを維持するようなものでもよいと考えられる。また、スペーサーはプレート若しくは本体のどちらかに組込まれることも考えられる。スペーサー３１６はギャップを維持するためにプレート及び本体との間に延びるリブ若しくは他の特徴の形状であるかもしれない。また、スペーサーはプレート若しくは本体のどちらかに組込まれるかもしれない（即ち、単一の構造であるかもしれない）。
【００２８】
図３に示された実施形態において、へこみ部分３０８が第２のスペーサー３１４の位置決めをするために本体２４８の上側表面３０４に形成される。追加的に、１つのへこみ部分（図示せず）が第１のスペーサー３１２の位置決めをするためにトッププレート２０４の中に形成されるかもしれない。へこみ部分(図示せず)３０８は選択された深さを有しており、スペーサー３１４は、第１のスペーサー３１２が本体２４８に対して横方向に自由にスライドすることを確実ならしめるために、上側表面３０４を超えて延び出ている。
【００２９】
ロードロックチャンバー１０４のトッププレート２０４にかかる力の影響をさらに最小化するために、少なくとも１つのスロット３１８がその中に形成される。このスロット３１２によりトッププレート２０４の中央領域は動き、へこみ、及び／又は、膨らみ、トッププレートの端の動きの影響を最小化する。密封アセンブリ３２０がロードロックチャンバー１０４の内部空間の漏れを防ぐためにスロット３１８内に設けられる。図３に示された実施形態において、密封アセンブリ３２０はクランプブロック３２４によりトッププレート２０４に締結されたガスケット若しくはベローズ３２２を含む。同様に、ボトムプレート２０６は、上述したように、密封アセンブリ３２０により密封される少なくとも１つのスロット３３０を含む。ベローズ３２２が割れたガラスや他の破片により破損しないように、ベローズ３２２はカバー（図示せず）により保護されるかもしれない。  
【００３０】
図２に戻ると、２つの基板アクセスポート２１６は基板搬送キャビティ２０８、２１０の内部空間２２０からの基板の出し入れを可能とするために、本体２４８の対向する側壁に形成される。ポート２１６の１つのみが図２に示されている。加熱キャビティ２１２は、搬送チャンバー１０６に接続される、本体２４８のサイドに設けられた、少なくとも１つの基板アクセスポート２１６を含み、搬送キャビティ２１２の内部空間２２０は真空ロボット１１０（図１に図示）によりアクセスされうる。基板アクセスポート２１６はスリットバルブドアにより選択的に密封され、それはこの技術分野において周知の技術である。本発明の恩恵を受けるような１つのスリットバルブドアは２００４年６月１４日によりタナセらにより出願された「湾曲したスリットバルブドア」と題する、出願番号１０／８６７，１００の米国特許出願に記載されており、その全体が本明細書において参照され組込まれる。
【００３１】
加熱キャビティ２１２は、選択的に第２の基板アクセスポート（図２に図示せず）を有するかもしれない。基板アクセスポートは、主にキャビティのメンテナンスのために用いられるので、第２の基板アクセスポートはスリットバルブドアにより選択的に密封されるか、若しくは、ブランクプレートにより択一的に密封される。
【００３２】
一実施形態において、プレート２０４、２０６、２９８のうち少なくとも１つは、温度を制御するプレートのようなもので構成される。１つ以上の通路２２４がプレート２０４、２０６、２９８内に形成され、液体源２２８に結合される。液体源２２８は、プレート２０４、２０６、２９８の温度、最終的には基板１１６の温度を調整（すなわち加熱及び／又は冷却）するために通路１４２を介して巡回される熱伝導液体を提供する。プレート２０４、２０６、２９８を冷却することによって、処理から戻ってきた熱い基板は、キャビティ２０８、２１０内に設けられた別個の従来の冷却プレートを用いること無く、効果的に冷却され得る。
【００３３】
概ね、加熱キャビティ２１２は、基板１１６を加熱するために選択的に用いられる内部空間２２０に設けられた１つ以上のランプアセンブリ１２０を含む。図２に示された断面図において、１つのランプアセンブリ１２０が本体アセンブリ２０２の側壁の間に伸びるよう示されている。各ランプアセンブリ１２０は、電源１２２に結合され、内部空間１２０内に設けられた各ランプアセンブリは独立に制御されるので、例えば、均一に加熱したり、および／または、基板のある領域を別の領域より速く加熱することにより、所望の基板１１６の温度プロファイルを得ることができる。一実施形態において、ランプアセンブリ１２０は、基板２１６の中央が基板の周辺部とは異なる割合で加熱されるように、調整され、及び／又は、制御される。加熱の割合は、周辺に対して中央の方がより大きい、若しくは、その逆かもしれない。
【００３４】
図２及び図４Ａを参照すると、複数の基板支持構造２１８が搬送キャビティ２０８、２１０の内部空間２２０内に設けられている。概ねは、基板支持構造２１８は、各々が一枚の基板を支持するように構成されている。支持構造２１８の高さは、選択的に制御され、冷却プレート（若しくはランプアセンブリ１２０）への基板の接近度は選択的に調整される。また、支持構造２１８の高さは、ポート２１６を介して基板の交換ができるよう制御される。一実施形態において、各基板支持体２１８は１つ以上のアクチエーター２９４に接続されて、各キャビティ内のそれぞれの支持体２１８の高さが独立に制御される。他の基板支持構造が選択的に用いられることも考えられる。
【００３５】
一実施形態において、基板支持構造２１８は、アクチュエーター２９４に結合された、１枚のプレート若しくは複数のバー２９６を含む。このバー２９６は、アクチュエーター２９４へのバーの結合を可能ならしめるために、支持される基板の下側面を超えて延出するように構成されている。
【００３６】
複数のピン２２６は、その上の基板１１６を支持するために、バー２９６から伸びる。基板１１６を支持するピン２２６の端は、丸まっているか、及び／又は、基板１１６の底の表面とピン２２６との間の動的な摩擦を低減し、基板のスクラッチングを防ぐためのボールを含む。図２に図示された実施形態において、ボールは各ピン２２６の先端に設けられる。ボールによりもたらされる低減された摩擦により、基板は、容易に拡張又は収縮しうると共に、基板を傷つけることなくピン２２６の上で支持されうる。他の適宜な基板支持体は、２００３年３月５日に出願された米国特許６，５２８，７６７、２００１年１０月２７日に出願された出願番号０９／９８２，４０６の米国特許出願、２００３年２月２７日に出願された出願番号６０／３７６，８５７の米国特許出願に記載されており、それらの全ては、その全体が本明細書内において参照され、組み込まれる。概ね、ピン２２６は、ロボットによるエンドフェクターによる基板の交換が可能なように配置されている。更に、ピン２２６は、基板をその中に支持するために加熱キャビティ２１２の床を形成する内部プレート２９８に接続されている。
【００３７】
基板とチャンバー本体２４８との間での熱伝導を高めるために、基板支持体２１８は、搬送キャビティ２０８、２１０の床（若しくは、天井）の近傍で、その上に支持された基板を動かす。基板と搬送キャビティの床／天井との間の距離は、基板の温度に基づいて調整されるかもしれない。例えば、処理プロセスから戻ってきた熱い基板は２４０℃を超える温度を有しているかもしれない。形状変化をもたらす凝固、及び／又は、熱応力を防ぐために、熱い基板は搬送キャビティの床／天井から大きく離して維持されるかもしれない。熱い基板が十分に、例えば、約１４０℃までに冷却されると、冷却された基板は、熱伝導の効率を高めるために搬送キャビティの床／天井のより近くを動きし、これにより、冷却された基板の温度は、より早い割合で低い温度に到達し、基板のスループットを向上せしめる。
【００３８】
基板と搬送キャビティ２０８、２１０の床／天井との間の熱伝導をさらに高めるために、基板支持体２１８は、搬送キャビティの床、及び／又は、天井に、はまり込むように構成されるかもしれない。これにより、基板とチャンバー本体のアセンブリ２０２との間の距離は最小化され得、いくつかの実施形態において、通路２２４を通る熱伝導液体との間の熱交換を最も有効に活用するために、チャンバー本体のアセンブリ２０２に基板を接触させることができる。
【００３９】
図５は、基板支持体２１８に、はまり込むよう構成された内部プレート２９８の一実施形態の断面図を図示する。プレート２９８は基板支持体２１８のバー２９６がその中を移動することが出来るよう構成されたスロット５０２（１つが図５に図示されている）を含む。一実施形態において、スロット５０２の深さは、バー２９６がスロット５０２の底へと動くにつれ、基板がプレート２９８によりピン２２６からリフトされることが出来るよう選択されるかもしれない。選択的に、スロット５０２若しくはバー２９６の動きは、基板が効率的に通路２２４を巡回する液体に効率的に冷却されるように、プレートの近傍で、ピン２２６上に支持された基板１１６を維持するよう構成されるかもしれない。第２の搬送キャビティ２１０も同様に、境界となる内部プレート２９８の下側の部分において形成されたスロット５０２を伴って構成される。
【００４０】
図４Ｂは、ロードロックチャンバーの内部の他の実施形態の部分等角図である。図４Ｂに図示された実施形態において、下側の基板支持体４４４の高さを制御するアクチュエーター４０４は、上側の基板支持体４４２内に形成された機構４４０を通過し、これによりアクチュエーター４０２、４０６が並ぶことが可能となる。これにより、基板支持体４４２、４４４は、ロードロックチャンバーの内部空間内で同じ展開表面領域（例えば、設置面積）を有するよう構成され得、ロードロックチャンバー本体の壁が基板支持体４４２、４４４のより近くに設けられることが可能となり、ロードロックチャンバーの内部空間を少なくすることができ、より低いポンピング時間及び排気時間が実現できる。図４Ｂに図示された実施形態において、機構４４０は上側の基板支持体４４２を通って形成された穴である。機構４４０は、選択的には、上側の基板支持体４４２が妨害することなく、下側の基板支持プレート４４４に下側の基板支持プレート４４４の高さが結合されるよう制御することをアクチュエーター４４０に可能ならしめる、上側及び下側の基板支持プレート４４２、４４４との間の、ノッチ、溝、スロット、切り欠き、若しくは他の形状的な異形形状であってもよい。また、アクチュエーター４０２、４０４の一対は、図４Ｃに示されるように、上側アクチュエーター４０２のロッド４６２及び上側基板支持体４４２の機構４４０を通って延伸可能な、下側アクチュエーターのアクチュエーションロッド４６４と同軸に配列されてもよい。
【００４１】
図２を再び参照すると、圧力制御システム２５０はロードロックチャンバー１０４に結合され、本体アセンブリ２０２の内部空間２２０内の圧力を制御する。概ね、圧力制御システム２５０は、ガス源２５２及び排気システム２５４を含む。ガス源２５２は、チャンバーの本体アセンブリ２０２内に形成された少なくとも１つの入口ポート２６０に結合されている。ガス源２５２はチャンバーの本体アセンブリ２０２の内部空間２２０内の圧力を上昇、及び／又は、調整するのに用いられるベントガスを提供する。例えば、ガス源２５２は、搬送キャビティ２０８、２１０の内部空間２２０内にベントガスを流し、真空環境から周囲環境への基板１１６の搬送を可能とする。一実施形態において、ベントガスは窒素、ヘリウム、空気若しくは他の適宜なガスのうちの少なくとも１つを含む。選択的に、一実施形態においては、加熱キャビティ２１２は入力ポートを含まないかもしれないし、キャビティ２１２は動作真空圧力で一定に保たれるかもしれない。
【００４２】
入力制御バルブ２５６は、ガス源２５２と入力ポート２６０との間に設けられ、本体アセンブリ２０２の内部空間２２０内へのベントガスの流れを選択的に制御する。入力制御バルブ２５６は真空状況下で、実質的にもれのない密閉状態を提供することができる。一実施形態において、ガス源２５２はベントガスの流量、温度、及び／又は、湿度などのベントガスの属性を制御するよう構成される。
【００４３】
図２に示される実施形態において、入力ポート２６０はベント通路２３８により、１つ以上のディフューザー２４０に結合されている。ディフューザー２４０は上面プレート２０４（若しくは、他のプレート）内側に形成され、内部空間２２０に流れ込むガスが基板１１６の上側方向へと向けられるようにする。この配置により、基板１１６を冷却することを手助けすると共に、基板１１６の処理の後、ロードロックチャンバー１０４を排気することができる。
【００４４】
一実施形態において、ディフューザー２４０は、プレート２０４、２９８の底表面内のへこみ２３２に形成される。キャップ２４４は、へこみ２３２を覆い、プレート内にプレナム２４２を形成する。接続孔２３６はプレナム２４２をベント通路２３８に流動可能に結合する。複数の穴２７６がキャップ２４４に設けられ、矢印２３４により図示されるように、ベントガスがガス源２５２からプレナム２４２を介して内部空間２２０内へと流れるようにする。ディフューザー２４０は、主に、ベントガスをロードロックチャンバー１０４へと方向づけるためのものであるが、ディフューザー２４０はチャンバー１０４の内部空間２２０を排気するのにも用いられるかもしれない。
【００４５】
概ね、排気システム２５４は、チャンバーの本体アセンブリ２０２に形成された少なくとも１つの排気ポート２６２に接続されている。排気システム２５４はロードロックチャンバー１０４の内部空間２２０からガスを取り除くよう構成されている。排気システム２５４は１つ以上の真空ポンプ(図示せず)を含み、最終的には施設内の排気システム（図示せず）に接続されるかもしれない。例えば、排気システム２５４は内部空間２２０からガスを排気し、周囲環境から真空環境への基板１１６の搬送を可能とする。
【００４６】
排気制御バルブ２５８は、排気システム２５４と排気ポート２６２との間に設けられ、本体アセンブリ２０２の内部空間２２０から排出されるガスの流れを選択的に制御する。排気制御バルブ２５８は、典型的には入力制御バルブ２５６に類似のものであり、真空状況下において実質的に漏れのない、堅固な密閉状態を提供することができる。
【００４７】
コントローラー２８０はロードロックチャンバー１０４に接続されて、その動作を制御する。コントローラー２８０は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）２８０、サポート回路２８６、メモリ２８４を含む。ＣＰＵ２８２は様々なチャンバー及びサブプロセッサを制御するための工業的な用途に用いられうる、いかなる形態のコンピュータープロセッサのうちのひとつであってもよい。サポート回路２８６は、ＣＰＵ２８２に接続され、周知の方法でプロセッサをサポートする。これらの回路はキャッシュ、電源、クロック回路、入力／出力回路サブシステムなどを含む。メモリ２８４はＣＰＵ１１２に接続されている。メモリ２８４、若しくは、コンピューターにより読取可能なメディアは、局所的に設けられているものであってもよいし、遠隔地に設けられているものであってもよいし、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、リードオンリーメモリ（ＲＯＭ）、フロッピー（商標名）ディスク、ハードディスク、若しくは他のいかなる形態のデジタルストレージなどの市販されているメモリのうちの１つ以上のものであってよい。
【００４８】
図６Ａは、ランプアセンブリ１２０の一実施形態を説明するロードロックチャンバー１０４の部分断面図である。概ね、ランプアセンブリ１２０はランプ１０４を収容するチューブ６０２を含む。ランプ１０４は、内部空間２２０内に設けられた基板を光で加熱するためのカーボンＩＲランプ若しくは他のランプであってもよい。
【００４９】
ランプ６０４、及び／又は、チューブ６０２の上側表面は反射材料によりコーティングされており、ランプ６０４により生成されたエネルギーは加熱効率を増すために基板へと下の方向へ向けられる。一実施形態においてコーティングは金を含む。
【００５０】
チューブ６０２は概ね透過性の材料から形成されており、ランプ６０４により生成された放射熱が本体アセンブリ２０２の内部空間２２０内に設けられた基板１１６を効率的に加熱することができる。一実施形態において、チューブ６０２は石英から造られている。概ね、チューブ６０２の直径及び厚さは、チューブ６０２が真空環境により囲まれたときに圧力差を経験することによって崩壊しないよう選択される。
【００５１】
概ね、チューブ６０２は、開放端６０６及び終結端６０８を含む。チューブ６０２は本体２４８の側壁６１４に形成された孔６１２を介して設けられる。チューブ６０２は開放端６０６のところに設けられたフレアードフランジ６１０を含む。概ね、終結端６０８は本体アセンブリ２０２内に設けられた内部空間２２０内へと延びる。
【００５２】
チューブ６０２はマウントアセンブリ６１６により本体アセンブリ２０２に結合されている。概ね、マウントアセンブリ６１８はマウントブロック６１８、リテーナー６２０、及びキャップ６２２を含む。概ね、マウントアセンブリ６１６は、孔６３２を含み、それを介してチューブ６０２の終結端６０８が延びる。
【００５３】
概ね、リテーナー６２０は円筒形の形状であり、複数の締結部６２４によりマウントブロック６１８に結合されている。リテーナー６２０の内側の直径は概ねチューブ６２０のフランジ６１０の外側の直径より小さい。これによりチューブ６０２の開放端６０６が孔６３２を通って本体アセンブリ２０２の内部空間２２０内へと入り込むのを防ぐ。
【００５４】
キャップ６２２は複数の締結具６２６によりマウントブロック６１８に結合されている。キャップ６２２はリテーナー６２０に対してチューブ６０２のフランジ６１０を捕捉する。第１のシール６２８はキャップ６２２とマウントブロック６１８との間に設けられている。第２のシール６３０はキャップ６２２とチューブ６０２のフランジ６１０との間に設けれている。第３のシール６４０はマウントブロック６１８と本体２４８との間に設けられている。締結具６２６はキャップ６２２をマウントブロック６１８に押し付け、マウントブロック６１８を本体２４８に押し付けるので、シール６２８、６３０、６４０は圧縮されて、真空密閉状態をもたらし、これにより、内部空間２２０を本体アセンブリ２０２の外部から隔絶する。さらに、チューブ６０２とマウントアセンブリ６１６との間に設けられた第２のシール６３０は本体アセンブリ２０２の内部空間からチューブ６０２の内部を流体的に隔絶する。  
【００５５】
ランプアセンブリ１２０は上部若しくは下部より小さい面積を有する本体アセンブリ２０２の壁から主に支持されているので、圧力の変化、及び／又は、本体のたわみに起因するランプアセンブリ１２０の動きは最小化される。さらに、基板とランプアセンブリ１２０との間の間隔は実質的に均一な距離に維持される。
【００５６】
チューブ６０２の開放端６０６はチャンバー本体２０２の外側の大気側に露出されており、これにより、ロードロックチャンバーの内部空間２２０を外部周囲環境に曝すことなく、ランプ２０４を挿入し、および／または、チューブ６０２から取り出すことができる。さらに、ランプ６０４は、内部空間２２０の外側（例えば、周囲圧力下）で、コネクター６３６及びワイヤー６４２により結合されうるリード６３４を含み、これにより、アーキングおよび関連するパーティクルの生成の可能性をなくすことができる。さらに、ランプ、若しくは、ランプの電気接続に関連するパーティクルは、基板から流体的に隔絶され、これにより、これらの汚染源からのパーティクルコンタミの機会をなくすことができる。
【００５７】
ワイヤー６４２はチャンバー本体２０２の外側に設けられた、ケース６３８、若しくは、他のワイヤーの導管を介して張り巡らされるかもしれない。ケース６３８により、複数のランプアセンブリ１２０が単一の場所からサービスできるように内部空間２２０内へと延伸することができる。
【００５８】
図６Ｂはランプアセンブリの６６０の他の実施形態を説明するロードロックチャンバー１０４の部分断面図である。概ね、ランプアセンブリ６６０はランプ６０４を収容するチューブ６６２を含む。概ね、チューブ６６２は開放端６６６と終結端６６８を含む。概ね、終結端６６８は本体アセンブリ２０２内に設けられる内部空間２２０内へと延びる。チューブ６６２は本体２４８の側壁６１４に形成された孔６１８を通して設けられる。
【００５９】
チューブ６６２はマウントアセンブリ６７０により本体アセンブリ２０２に結合される。概ね、マウントアセンブリ６７０はマウントブロック６８０とシールリテーナー６８２を含む。概ね、マウントアセンブリ６７０はチューブ６６２の終結端６６８が延び出る孔６７８を含む。
【００６０】
概ね、マウントブロック６８０は円筒形の形状であり、複数の締結具６８４により壁に結合されている。マウントブロック６８０の内側の直径は概ねチューブ６６２の外側の直径より大きい。
【００６１】
シールリテーナー６８２は複数の締結具６８６によりマウントブロック６８０に結合されている。シールリテーナー６８２はチューブ６６２とマウントブロック６８０との間で第１のシール６９０を捕捉する。第１のシール６９０によりマウントアセンブリ６７０とチューブ６６２との間の漏れを防ぐことができる。
【００６２】
第２のシール６３０はマウントブロック６８０と本体２４８との間に設けられる。締結具６８４が本体２４８に対してマウントブロック押さえつけるので、シール６８４は真空密閉状態をもたらすよう大圧され、これにより、内部空間２２０は本体アセンブリ２０２の外部から隔絶される。
【００６３】
チューブ６６２の開放端６６６はチャンバー本体２０２の外側の大気に曝される。こうして、ロードロックチャンバーの内部空間２２０が外側環境に曝されることなく、ランプ２０４は挿入され、チューブ６６２から取り出されうる。
【００６４】
図６Ｃはランプアセンブリ６５０の他の実施形態を説明するロードロックチャンバー１０４の部分断面図である。概ね、ランプアセンブリ６５０は１つ以上のランプ６５２を収容するチューブ６５４を含む。概ね、チューブ６５４はチャンバーの外側に開放されるよう設けられた２つの開放端６５６を含む。概ね、チューブ６５６の中間部分は本体アセンブリ２０２内に設けられた内部空間２２０を通って延伸する。チューブ６６２は本体２４８の側壁６１４に形成された孔を通して設けられる。チューブ６６２の開放端６５６の各々は、上述のようにマウントアセンブリ６７０により本体２４８の各々の側壁６１４に対し、気密に封止される。
【００６５】
チューブ６６２は、それを通って延伸する１つのランプ６５２を収容し、若しくは、その中に複数のランプ６５２を収容するかもしれない。ランプ６５２はチューブ６５４の開放端６５６のいずれかからもアクセスされうる。
【００６６】
図７〜８はチャンバー本体２０２内に支持されたランプアセンブリ１２０の終結端６０８の部分断面図である。図７〜８において示された実施形態において、複数対のランプアセンブリ１２０は列に並んでいる。一対を形成する各ランプアセンブリ１２０は、ロードロックチャンバー１０４の対向する側壁６１４に形成された孔（６１２）を通って延びる。ランプアセンブリ１２０の各対は、ガイド７００により支持される、終結端６０８を有する。図８の破線で示されるように、ガイド７００はチャンバーの長さに亘り延びる単一のバー８００の形状であるかもしれない。その単一のバー８００の端８４０は、天井の動きがランプアセンブリ１２０から分離されるように、本体２４８の側壁の対向する側壁にのみ結合されるかもしれない。これにより、ランプアセンブリと基板との間は、ほぼ一定の間隔が保たれる。チャンバー本体の内部空間に亘り、延びる対向するランプアセンブリの構成は、チューブ６０２の中で用いられる、ショータランプ６０４である。ショータランプ６０４（すなわち、チャンバーの内部の幅より小さいランプ）であるので、ランプ交換のとき、より少ない空間のみを必要とする。この短いランプという特徴は、図１に示されるように、ロードロックチャンバー１０４の側壁がプロセスチャンバー１０８の直ぐ近くにあるので、非常に有用である。
【００６７】
図７に示される実施形態において、チューブ６０２の終結端６０８はガイド７００により支持される。ガイド７００はチューブ６０２の終結端６０８を受容する孔７０２を含む。各孔７０２は、チューブ６０２が傷つかないように、及び、設置のときにガイドとして機能するように、面取り、および、放射形状の部分を有する。専用のガイドが、各チューブ６０２に対して、若しくは、図７〜８に示されるように、２つのチューブ６０２に対して、用いられるかもしれないし、あるいは、図８において破線により示されるように、複数の対向するチューブのペアに対して、用いられるかもしれない。一実施形態において、孔７０２は、チューブ６０２との間に十分な隙間があるので、ランプアセンブリ１２０は、  片持ち梁される壁側方向から確実に支持され、これにより、ランプと基板の距離の均一性を高めることができる。
【００６８】
概ね、ガイド７００は、内部空間２２０のシーリング７０４に結合されている。ガイド７００は、シーリング７０４と少し離れてランプアセンブリ１２０を保持する。図７に示された実施形態において、シーリング７０４は内部プレート２９８の下側である。他の実施形態において、ガイドは、トッププレート２０４、ボトムプレート２０４、若しくは、本体アセンブリ２０２の他の部分の底に結合されているかもしれない。
【００６９】
図９〜１１は複数のランプアセンブリが支持されているロードロックチャンバーの異なる実施形態の部分断面図である。概ね、図９〜１１の実施形態は基板の温度の均一性を向上するようランプアセンブリが配置されている。
【００７０】
図９に示される実施形態において、第１の側壁９０４からチャンバー空間９０６へと延びる第１の複数のランプアセンブリ９０２と、第２の対向する側壁９１０からチャンバー空間９０６へと延びる第２の複数のランプアセンブリ９０８を有するロードロックチャンバー９００の部分断面図が示される。ランプアセンブリ９０２、９０８は概ね上述されたように構成されている。
【００７１】
対向するランプアセンブリ９０２、９０８のそれぞれのペアは、概ね、ほぼ同軸に配置されている。第１の側壁９０４からチャンバー空間９０６へと延びる第１のランプアセンブリ９０２の長さは、第１のランプアセンブリ９０２の端９１２が交互に変化するように、例えば、チャンバー空間９０６内に異なる距離だけ延びるように選択されている。同様に、第２の側壁９１０からチャンバー空間９０６へと延びる隣接する第２のランプアセンブリ９０８の長さも、第２のランプアセンブリ９０８の端９１４がチャンバー空間９０６に突き出る距離が異なるように、交互に変化し、その結果、対向する終端９１２、９１４の各ペアは、隣接する対向ペアの端９１２、９１４とは、第１の側壁９０４から異なる距離の所で対峙するように選択されることとなる。このようなランプアセンブリ９０２、９０８の対向端９１２、９１４の対峙位置を交互に変化させる構成にすることにより、広い線形の低温領域が、ランプアセンブリ９０２、９０６の端９１２、９１４の下の基板上に  基板の中心線に沿って直線状に形成されることを防ぐことができる。
【００７２】
図１０に示された実施形態において、第１の側壁１００４からチャンバー空間１００６へと延びる第１の複数のランプアセンブリ１００２と、第２の対向する側壁１０１０からチャンバー空間１００６へと延びる第２の複数のランプアセンブリ１００８を有するロードロックチャンバー１０００の部分断面図が示されている。概ね、ランプアセンブリ１００２、１００８は上述に記載されてように構成されている。
【００７３】
概ね、対向するランプアセンブリ１００２、１００８の各対は軸心がずれた位置に配列されている。第１のランプアセンブリ１００２は、チャンバー空間１００６の半分の距離より長い距離だけ、第１の側壁１００４から延び出ている。また、第２のランプアセンブリ１００８は、チャンバー空間１００６の半分の距離より長い距離だけ、第２の側壁１０１０から延び出ている。長さは、隣接するランプアセンブリ１００２の端１０１２、１０１４が重なり合うように、例えば、隣接するランプアセンブリ１００２、１００８の端部１０１２、１０１４が相互に延びだすように、選択される。このような、千鳥状の補間しあうような配置によれば、隣接するランプアセンブリ１００２、１００８の端部１０１２、１０１４の間の低い熱伝導の領域は、千鳥状となり、ランプアセンブリ１００２、１００８により加熱されている基板の温度の均一性は向上する。
【００７４】
上述のさまざまな実施形態において、ランプアセンブリは、概ね、それらが底から延び出るロードロックチャンバーの壁と垂直の関係に方向づけられっている。しかしながら、ランプアセンブリは、それらは延び出るところのロードロックチャンバーの側壁に対して鋭角に方向づけられているかもしれない。例えば、図１１に示される実施形態において、ロードロックチャンバー１１００の対向する側壁１１０６、１１０８から延びる、角度がついたランプアセンブリ１１０２、１１０４は、一定の角度１１２０に設けられているかもしれない。この角度１１２０は、ランプアセンブリ１１０２の中心線１１２２と壁１１０６に垂直な方向を有する想像線１１２４との間で定義されうるかもしれない。一実施形態において、このアングル１１２０は１〜約３０度であり、約１〜約１０度若しくは約１〜５度であるかもしれない。ランプアセンブリ１１０４の中心線は、ランプアセンブリ１１０２の中心線１１２２に平行であるかもしれない。ランプアセンブリ１１０２、１１０４は、図１１に示されるように、千鳥状に配置され、相互補間するものであり、別の配置においては、図９において示されるように、同軸上に千鳥配置されている。角度のついたランプアセンブリは、さらにランプアセンブリの端での低い熱出力と融合して、加熱された基板は温度の均一性が向上されうる。
【００７５】
このように、加熱ロードロックチャンバーが提供される。端部により支持されるランプアセンブリは、真空状況下において、チャンバー本体の上面にもたらされる、ゆがみから、ランプの位置を分離する。これにより、吸気及び排気のサイクルの中で、ランプと基板との間の距離における変化を最小化する。さらに、ランプの電気的接続は真空環境の外側に位置するので、真空環境内でのアーキングがなくなる。さらに、対向するチューブという設計によって、ロードロックチャンバーの非常に近くに隣接するチャンバーが設けられていても、真空を破ることなくランプの取り換えが可能となる。
【００７６】
以上は、本発明のより好ましい実施形態に基づいてなされてきたが、本発明の他の及び更なる実施形態は本発明の基本範囲を逸脱することなく創作できる。本発明の範囲は以下の特許請求の範囲に基づいて定められる。
【図１】
2010508650.tif 000003
【図２】
2010508650.tif 000004
【図３】
2010508650.tif 000005
【図４Ａ】
2010508650.tif 000006
【図４Ｂ】
2010508650.tif 000007
【図４Ｃ】
2010508650.tif 000008
【図５】
2010508650.tif 000009
【図６Ａ】
2010508650.tif 000010
【図６Ｂ】
2010508650.tif 000011
【図６Ｃ】
2010508650.tif 000012
【図７】
2010508650.tif 000013
【図８】
2010508650.tif 000014
【図９】
2010508650.tif 000015
【図１０】
2010508650.tif 000016
【図１１】
2010508650.tif 000017
【国際調査報告】
2010508650.tif 000018