(57)【要約】  本発明は、とりわけ自動車用のタコグラフにおいて、第１のメモリ領域と第２のメモリ領域とを有する電子回路内のデータメモリへのアクセスを制御するための方法に関している。データ保全性を高めるため、本発明では、第１のメモリ領域（２）は比較的高い安全性をもって保護されるべきデータを記憶するために設けられており、第２のメモリ領域（３）は比較的低い安全性をもって保護されるべきデータを記憶するために設けられており、供給電圧（ＵＶ）が測定され、供給電圧が予め定められた第１の電圧閾値（ＵＶＳ１）を下回っている場合には、前記第１のメモリ領域（２）へのアクセスが遮断される。本発明はまた、データストア（４）を有する電子回路（５）を備えた、上記方法を実行するための装置、とりわけ自動車用のタコグラフにも関している。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
とりわけ自動車用のタコグラフにおいて、第１のメモリ領域と第２のメモリ領域とを有する電子回路内のデータメモリへのアクセスを制御するための方法において、
前記第１のメモリ領域（２）は比較的高い安全性をもって保護されるべきデータを記憶するために設けられており、
前記第２のメモリ領域（３）は比較的低い安全性をもって保護されるべきデータを記憶するために設けられており、
供給電圧（ＵＶ）が測定され、前記供給電圧が予め定められた第１の電圧閾値（ＵＶＳ１）を下回っている場合には、前記第１のメモリ領域（２）へのアクセスが遮断されるようにする、ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記供給電圧（ＵＶ）として、前記データメモリ（４）又は前記電子回路（５）のデータ処理装置（８）の供給電圧（ＵＶ）を測定する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記供給電圧（ＵＶ）を連続的に測定する、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
前記供給電圧（ＵＶ）が前記第１の電圧閾値（ＵＶＳ１）よりも高く設定された第２の電圧閾値（ＵＶＳ２）を超えている場合には、前記第１のメモリ領域（２）と前記第２のメモリ領域（３）へのアクセスを自由にする、請求項１から３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記供給電圧（ＵＶ）が前記第１の電圧閾値（ＵＶＳ１）よりも低い値から前記第２の電圧閾値（ＵＶＳ２）を超えて上昇した場合に、ソフトウェアリセットを行う、請求項１から４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
前記供給電圧（ＵＶ）が前記第１の電圧閾値（ＵＶＳ１）よりも低く設定された第３の電圧閾値（ＵＶＳ３）を下回って低下した場合に、ハードウェアリセットを行う、請求項１から５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
前記供給電圧（ＵＶ）の測定を可変の測定速度で行う、請求項１から６のいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
前記供給電圧（ＵＶ）が前記第１の電圧閾値（ＵＶＳ１）よりも高い値から前記第１の電圧閾値（ＵＶＳ１）に向かって低下する場合には、測定速度を上げながら前記供給電圧（ＵＶ）の測定を行う、請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記供給電圧（ＵＶ）が前記第１の電圧閾値（ＵＶＳ１）を下回っている場合には、前記供給電圧（ＵＶ）が前記第２の電圧閾値（ＵＶＳ２）を超えている場合よりも低い測定速度で前記供給電圧（ＵＶ）の測定を行う、請求項７又は８記載の方法。
【請求項１０】
測定された供給電圧（ＵＶ）を複数の供給電圧測定値の平均値として求める、請求項１から９のいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
データメモリを有する電子回路を備えた、請求項１から１０のいずれか１項記載の方法を実行するための装置、とりわけ、自動車用のタコグラフにおいて、
前記データメモリ（４）は比較的高い安全性をもって保護されるべきデータを記憶するための第１のメモリ領域（２）と、比較的低い安全性をもって保護されるべきデータを記憶するための第２のメモリ領域（３）とを有しており、供給電圧（ＵＶ）を測定するための電圧測定装置（６）が設けられており、該電圧測定装置（６）によって測定された供給電圧（ＵＶ）が予め定められた第１の電圧閾値（ＵＶＳ１）を下回っている場合に、前記第１のメモリ領域（２）へのアクセスが遮断される、ことを特徴とする装置。
【請求項１２】
前記電圧測定装置（６）は、前記データメモリ（４）又は前記電子回路（５）のデータ処理装置（８）の供給電圧（ＵＶ）を測定するための電圧測定装置（６）である、請求項１１記載の装置。
【請求項１３】
前記電圧測定装置（６）によって測定された供給電圧（ＵＶ）が予め定められた前記第１の電圧閾値（ＵＶＳ１）を下回っている場合に前記第１のメモリ領域（２）へのアクセスを遮断する遮断装置（７）が設けられている、請求項１１又は１２記載の装置。
【請求項１４】
前記電圧測定装置（６）はＡＤ変換器（１１）又は供給電圧（ＵＶ）を測定するハードウェアコンパレータを有している、請求項１１から１３のいずれか１項記載の装置。
【請求項１５】
前記電子回路（５）は、前記データメモリ（４）と必要に応じてさらに前記遮断装置（７）とを有するデータ収集評価装置（１０）を制御するために、マイクロプロセッサ（９）又はマイクロコントローラを有する中央データ処理装置（８）を有している、請求項１１から１４のいずれか１項記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、とりわけ自動車用のタコグラフにおいて、第１のメモリ領域と第２のメモリ領域とを有する電子回路内のデータメモリへのアクセスを制御するための方法に関する。さらに、本発明は上記方法をデータメモリを有する電子回路によって実行する装置、とりわけ自動車用のタコグラフ、にも関する。
【０００２】
上記方法及び上記装置は、例えば、中央ユニットとしてマイクロプロセッサを有し、データメモリとして主メモリを有し、さらに入／出力ユニットを有するマイクロコンピュータから公知である。マイクロプロセッサは実行部と制御部とを有しており、制御部は動作サイクル中に主メモリから命令を読み出す。命令はプログラムによって与えられたものであり、命令の実行はマイクロプロセッサの実行部が行う。主メモリはデータを記憶するために様々なメモリ領域を有していてよい。主メモリ内には、命令がデータの形で格納され、読み出されるだけでなく、他の任意のデータも、例えばマイクロコンピュータの動作状態及び／又は入／出力ユニットを介して手動でマイクロコンピュータに入力される例えば個人に関するデータも格納されていてよい。一般に、プロセッサはコンピュータの計算ユニットであり、この計算ユニットがソフトウェアを用いてコンピュータの他の構成要素を制御する。
【０００３】
さらに、自動車、特に商用車の場合、ディジタルタコグラフが公知である。ディジタルタコグラフは、とりわけ、運転者カードを受け入れるチップカードリーダ、例えばバッテリバックアップ式ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）などの大容量メモリとして形成されたデータメモリ、及びプロセッサによって制御される電子回路を含む。上記した大容量メモリには、例えばセンサによって及び／又は手動入力によって捕捉されたデータが運転者及び車両と関連させて記憶される。電圧供給が停止した場合、大容量メモリに格納されたデータは少なくとも不所望なものとなるか、さもなければ、全く許容外の損失及び／又は相応の破損が生じる危険性がある。
【０００４】
本発明の課題は、冒頭に述べた形式の方法において、データ安全性を高めることである。本発明はさらに、データ安全性を高めることができ、上記方法の実行に適した冒頭に述べた形式の装置を提供することも課題としている。
【０００５】
初めに述べた課題は、冒頭に述べた形式の方法において、比較的高い安全性をもって保護されるべきデータを記憶する第１のメモリ領域と、比較的低い安全性をもって保護されるべきデータを記憶する第２のメモリ領域とを設け、供給電圧を測定し、供給電圧が予め定められた第１の電圧閾値を下回った場合に、第１のメモリ領域へのアクセスを遮断するようにすることで解決される。
【０００６】
なお、供給電圧として、前記データメモリ又は電子回路のデータ処理装置の供給電圧を測定することが好ましい。有利には、第１のメモリ領域はデータ安全性が保証されたメモリ領域とし、第２のメモリ領域はデータ安全性のないメモリ領域としてよい。これは例えば自動車用のタコグラフの場合に有利である。この場合、保護されるべきタコグラフデータは第１のメモリ領域に、保護しなくてよいタコグラフデータは第２のメモリ領域に格納される。特に有利なことに、本発明の方法では、測定した供給電圧に応じて第１のメモリ領域の遮断が行われる。このために、有利にはデータメモリ又はデータ処理装置の、とりわけ電子回路のデータ処理装置のマイクロプロセッサもしくはマイクロコントローラの、測定された供給電圧が第１の電圧閾値と比較され、この比較に応じて場合によっては第１のメモリ領域へのアクセスが遮断される。したがって、第１のメモリ領域内のデータは供給電圧が停止及び／又は許容外に大きく低下した場合に破損及び破壊から確実に保護される。第１のメモリ領域は、特に破損及び／又は破壊及び／又は制御不能な変更に対して、第２のメモリ領域よりも強い保護を必要とする。第１の電圧閾値が予め定められているということは、測定された供給電圧を第１の電圧閾値の値と比較する時点には第１の電圧閾値が決定されているということを意味する。しかし、第１の電圧閾値は基本的に変更可能、すなわち可変であってもよい、例えば、測定前又は本発明の方法の開始前に調整可能であってもよい。本発明の方法では、電子回路は例えばプロセッサによって又はロジックアレイもしくはゲートによって制御されるものであってよい。データメモリの供給電圧の測定は有利には無限ループで行われ、第１のメモリ領域へのアクセスが遮断されたときでも中断されない。第１のメモリ領域へのアクセスが遮断されている間、本発明の方法は有利には停止モードと呼びうる状態に留まる。
【０００７】
本発明の方法は、データを収集及び評価する電子記録装置であり、中央処理ユニットと、大容量メモリとして、とりわけ、有利にはバッテリバックアップ式のＲＡＭとして形成されたデータメモリとを有するディジタルタコグラフにとって、特に有利である。大容量メモリ内に記憶されたデータの少なくとも一部は特に保護されるべきものであり、長期間にわたって収集及び保持されなければならない。しかし、自動車内でのタコグラフの通常の設置場所は、電圧停止とクリティカルな低電圧領域でのタコグラフ動作時に生じうる障害と対して強い保護を要求する。このような場合に本発明が助けとなる。とりわけ、本発明は、データ領域の上書きにつながり兼ねない、最悪の場合にはタコグラフを使用不能ｊにさえしてしまい兼ねない大容量メモリのデータ線及びアドレス線上の未定義の状態を防ぐことができる。本発明の方法を用いれば、第１の電圧閾値によって定まる供給電圧の、有利にはデータメモリ又はデータ処理装置の供給電圧の、クリティカルな電圧領域において、最重要の記憶データが格納されている特に保護されるべき第１のメモリ領域へのアクセスは遮断される。その場合、アクセス機能は停止され、タコグラフを制御するプログラムは上記の停止モードに従ってループ内に留まる。その場合には、保護しなくてよい、又は少なくとも保護価値の低いメモリ領域、すなわち第２のメモリ領域へのアクセスしか可能でない。
【０００８】
本発明の有利な実施形態によれば、供給電圧は連続的に測定される。それゆえ、電圧停止及び／又は電圧低下に非常に素速く反応することができ、特に高いデータ安全性が保証される。供給電圧の連続的な測定とは基本的には中断のない測定を意味する。しかし、特に有利には、本発明において連続的な測定とは、供給電圧を、とりわけデータメモリ又はデータ処理装置の供給電圧を、定期的、周期的に測定するものである。こうして、電圧測定は一定の時間間隔で、場合によっては可変の時間間隔で定期的に行われる。
【０００９】
第１の電圧閾値を超えれば、直ちに第１のメモリ領域に対しても、第２のメモリ領域に対しても、アクセス自由になると思われるかもしれない。しかし、データ安全性をさらに高めるには、本発明の別の実施形態に従って、供給電圧が第１の電圧閾値よりも高い予め定められた第２の電圧閾値を超えたときに、第１のメモリ領域と第２のメモリ領域へのアクセスが自由になるようにすると、特に有利である。第１の電圧閾値と第２の電圧閾値とが異なっていることによって、供給電圧低下時には、供給電圧上昇時よりも低い閾値が、つまり、第１の電圧閾値に相当する閾値が存在し、供給電圧上昇時には閾値が第２の電圧閾値に相当するようにすることが可能となる（ヒステリシス）。したがって、特に、供給電圧が、とりわけデータメモリ又はデータ処理装置の供給電圧が、第１の電圧閾値の回りで振動する場合に、第１のメモリ領域へのアクセスが絶え間なく遮断及び遮断解除されるのを防ぐことができる。第２の電圧閾値も、第１の電圧閾値に関して上で説明したように、変更可能、例えば調整可能であってよい。
【００１０】
本発明の別の有利な実施形態によれば、供給電圧が第１の電圧閾値よりも低い値から第２の電圧閾値を超えて上昇した場合に、ソフトウェアリセットが実行される。このソフトウェアリセットはプログラムリセット又はプログラム側リセットとも言ってよい。
【００１１】
供給電圧が非常に低い、又は短時間のあいだ完全停止した場合には、本発明の別の実施形態に従い、供給電圧が第１の電圧閾値よりも低い予め定められた第３の電圧閾値を下回ったときに、ハードウェアリセットを実行すると特に有利である。このハードウェアリセットは装置リセット又は装置側リセットとも言ってよい。第３の電圧閾値も、第１の電圧閾値に関して上で説明したように、変更可能、例えば調整可能であってよい。しかし、有利には、ハードウェアによって予め定められている。
【００１２】
データ安全性をさらに高めることは、本発明の別の有利な実施形態に従い、供給電圧の測定を可変の測定速度で行うことで達成することができる。このように、供給電圧の、とりわけデータメモリ又はデータ処理装置の供給電圧の許容外の低下を前もって計算に入れておかなければならない場合には、例えば意図的に、測定速度を、つまり、測定周波数を上げるようにしてよい。一方、供給電圧が第１の電圧閾値を著しく超えており、供給電圧の側からはデータ安全性に対する直接的な危険が存在しない場合には、測定速度を低くし、本発明の方法を単純に維持するようにしてよい。
本発明の実施形態に従い、供給電圧が第１の電圧閾値よりも高い値から第１の電圧閾値に向かって低下する場合には、測定速度を上げながら供給電圧の測定を行うようにすると、特に有利である。それゆえ、測定速度の引き上げは、有利には、測定された供給電圧が第１の電圧閾値よりも高い値から第１の電圧閾値へ向かって低下し、第１の電圧閾値に近づくときに行われる。また、測定速度の引き上げが自動的に行われるようにすることも好ましい。
【００１３】
とりわけ、供給電圧が低い場合に、まだ使用可能な電気エネルギーを安全のために記憶したデータのためにできるだけ効率的に使用することができるように、本発明の別の有利な実施形態では、供給電圧の測定は、供給電圧が第１の電圧閾値よりも低い場合には、供給電圧が第２の電圧閾値よりも高い場合よりも低い測定速度で、つまり、長いサイクル時間で行われる。つまり、供給電圧が第２の電圧閾値を超えている場合には、サイクル時間はより短くなる。
【００１４】
本発明の有利な実施形態によれば、本発明の方法の正確度をさらに高めるために、測定された供給電圧は複数の供給電圧測定値の平均値として求められる。
上記した２つめの課題は、本発明に従い、冒頭に述べた形式の装置において、データメモリが比較的高い安全性をもって保護されるべきデータを記憶するための第１のメモリ領域と比較的低い安全性をもって保護されるべきデータを記憶するための第２のメモリ領域とを有し、供給電圧を測定する電圧測定装置が、この電圧測定装置によって測定された供給電圧が予め定められた第１の電圧閾値を下回ったときに第１のメモリ領域へのアクセスを遮断するようにすることで解決される。
【００１５】
好ましくは、電圧測定装置は電子回路のデータメモリ又はデータ処理装置の供給電圧を測定する電圧測定装置であってよい。有利には、電圧測定装置によって測定された供給電圧が予め定められた第１の電圧閾値を下回っている場合に第１のメモリ領域へのアクセスを遮断するための遮断装置が設けられていてよい。本発明による装置において、電圧測定装置を遮断装置と組み合わせると、特に有利である。ただし、前記遮断装置は、電圧測定装置によって測定された供給電圧、とりわけデータメモリの供給電圧、又はとりわけデータ処理装置のマイクロプロセッサもしくはマイクロコントローラの供給電圧に応じて、格納されたデータを特別に保護する第１のメモリ領域を遮断するものである。遮断装置のおかげで、第１のメモリ領域の遮断に加えて、第１及び第２のメモリ領域の解放の制御も行うことができる。その場合、遮断装置は、より一般的にデータメモリに対するアクセス装置を成す。有利には、第１のメモリ領域はデータ安全性が保証されたメモリ領域とし、第２のメモリ領域はデータ安全性のないメモリ領域としてよい。
【００１６】
有利には、本発明による装置は、本発明の実施形態に従って電圧測定装置がＡＤ変換器（アナログ変換器）又は供給電圧を測定するハードウェアコンパレータを有していれば、特に単純でフェールセーフな構造有するものとなる。
【００１７】
電子回路を制御するためにロジックアレイ又はゲートを設けることも考えられる。しかしながら、本発明の有利な実施形態に従い、データメモリと必要に応じてさらに遮断装置とを有するデータ収集評価装置を制御するために、電子回路がマイクロプロセッサ又はマイクロコントローラを有する中央データ処理装置を有していれば、電子回路の構造を、ひいては本発明による装置の構造を、全体的により単純でコストのかからないものにすることができる。
【００１８】
以下では、本発明の実施例を添付図面を基に詳しく説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１Ａ】データメモリへのアクセスを制御する方法を実行するための装置を示す。
【図１Ｂ】データメモリへのアクセスを制御する方法を実行する別の装置を示す。
【図２】データメモリへのアクセスを制御する方法のフローチャートを示す。
【図３】図１Ａ，１Ｂのデータメモリ又はデータ処理装置の供給電圧を時間的な推移を示す。
【００２０】
同一の要素にはすべての図において同じ記号が付されている。図１Ａには、例として、電子回路５内の第１のメモリ領域２と第２のメモリ領域３とを有するデータメモリ４へのアクセスを制御する方法を実行する、自動車用のタコグラフ１として形成された装置が示されている。ここで、データメモリ４と電子回路５は上記装置の構成要素である。データメモリ４の第１のメモリ領域２は比較的高い安全性をもって保護されるべきデータを記憶を記憶するために、第２のメモリ領域３は比較的低い安全性をもって保護されるべきデータを記憶するために設けられている。
【００２１】
さらに、前記装置はデータメモリ４の供給電圧を測定する電圧測定装置６を有しており、電圧測定装置６は例えばＡＤ変換器１１又はハードウェアコンパレータを有している。
【００２２】
さらに、この例では、電圧測定装置６によって測定された供給電圧が予め定められた第１の電圧閾値を下回ったときに第１のメモリ領域２へのアクセスを遮断する遮断装置７が設けられている。
【００２３】
電子回路５は例えばマイクロプロセッサ９又はマイクロコントローラを備えた中央データ処理装置８を有している。中央データ処理装置８はとりわけデータメモリ４と遮断装置７とを有するデータ収集評価装置１０の制御に使用される。
【００２４】
図１Ｂによる装置は、データ処理装置８の供給電圧を、それもこの実施例では特にデータ処理装置８のマイクロプロセッサの供給電圧を測定する電圧測定装置６が設けられているという点を除けば、図１Ａによる装置と同じである。
【００２５】
図２は、例えば図１Ａ、１Ｂの装置に、とりわけタコグラフに適した、第１のメモリ領域と第２のメモリ領域とを有する電子回路内のデータメモリへのアクセスを制御する方法を、フローチャートによって具体的に示したものである。このフローチャートでは、方法の開始を表す端位置Ａ（開始）の後に、供給電圧の測定、とりわけデータメモリ又はデータ処理装置の供給電圧の測定を含む動作Ｂ（供給電圧の測定）が続く。次に、分岐Ｃ（測定された供給電圧は第１の電圧閾値（下方停止モード閾値）よりも低いか？）において、測定された供給電圧が予め定められた第１の電圧閾値よりも低いか否かが判定される。測定された供給電圧が第１の電圧閾値よりも低くなければ、脇へ出る流れ線ｎに従って戻るジャンプが行われ、直前の動作Ｂが改めて実行される。
これに対して、測定された供給電圧が第１の電圧閾値よりも低ければ、下に向かう流れ線ｊに従って、さらに別の動作Ｄ（第１のメモリ領域へのアクセスの遮断）が続く。動作Ｄはデータメモリの第１のメモリ領域へのアクセスを遮断するものであるが、例えば、装置の、とりわけタコグラフの、必ずしも必要ではない電気的負荷のスイッチオフも含んでいてよい。続く動作Ｅ（供給電圧の測定）は再び供給電圧の測定を、とりわけデータメモリ又はデータ処理装置の供給電圧の測定を含む。これに続いて、分岐Ｆ（測定された供給電圧は第２の電圧閾値（上方停止モード閾値）を超えているか？）では、今測定された供給電圧が第１の電圧閾値よりも高い予め定められた第２の電圧閾値を超えているか否かが判定される。
測定された供給電圧が第２の電圧閾値よりも高くなければ、脇へ出る流れ線ｎ’に従って戻るジャンプが行われ、直前の動作Ｅが改めて実行される。これに対して、上記分岐Ｆの条件が満たされていない場合には、下に向かう流れ線ｊ’に従って、ソフトウェアリセットを含む次の動作Ｇ（ソフトウェアリセット）が続く。続く端位置Ｈ（終了）は方法の終了を表す。
【００２６】
図３には、データメモリ４又はデータ処理装置８のマイクロプロセッサ９（図１Ａ，１Ｂを参照のこと）の供給電圧ＵＶの時間ｔ上での推移Ｖの例が示されている。さらに、図３の下側領域には、例えばデータメモリへのアクセスを制御する上記の方法の、所定の時点における供給電圧ＵＶに対応する動作状態ＢＺＳが示されている。水平線は、第１の電圧閾値ＵＶＳ１の位置、第１の電圧閾値ＵＶＳ１よりも高い第２の電圧閾値ＵＶＳ２の位置、及び第１の電圧閾値ＵＶＳ１よりも低い第３の電圧閾値ＵＶＳ３の位置を示している。
供給電圧ＵＶが第１の電圧閾値ＵＶＳ１よりも低いときには、第１のメモリ領域２（図１Ａ，１Ｂを参照のこと）へのアクセスは遮断されている。したがって、第１のメモリ領域へのアクセスの遮断は供給電圧が第１の電圧閾値ＵＶＳ１よりも低くなったときに行われる。図３の実施例では、２つの時点ｔｕ１，ｔｕ２がこれに当たる。
【００２７】
さらに、供給電圧ＵＶが第２の電圧閾値ＵＶＳ２よりも高いときには、第１のメモリ領域２と第２のメモリ領域３へのアクセスは自由である。供給電圧ＵＶが第１の電圧閾値ＵＶＳ１よりも低い値から第２の電圧閾値ＵＶＳ２を超えて上昇した場合には、ソフトウェアリセットが実行される。図３の実施例では、２つの時点ｔＳＲ１，ｔＳＲ２がこれに当たる。ここで、これらの時点ｔＳＲ１，ｔＳＲ２のうち、第１の時点ｔＳＲ１は、第１のメモリ領域の遮断が行われる第１の時点ｔｕ１よりも後、かつ、第１のメモリ領域の遮断が再び行われる第２の時点ｔｕ２よりも前に位置する。ソフトウェアリセットが実行される第２の時点ｔＳＲ２は上で最後に述べた時点tu2よりも後に位置している。
【００２８】
供給電圧ＵＶが第１の電圧閾値ＵＶＳ１よりも低い第３の電圧閾値ＵＶＳ３を−今の例では、第１のメモリ領域の遮断が行われる第２の時点ｔｕ２よりも後に位置する時点ｔＨＲＡにおいて−下回ると、供給電圧ＵＶが、ここではソフトウェアリセットの実行される第２の時点ｔＳＲ２よりも後の時点ｔＨＲＥにおいて、第３の電圧閾値ＵＶＳ３を再び超えるまで、ハードウェアリセットが実行される。
【００２９】
第１の電圧閾値ＵＶＳ１は例えば６．６Ｖの範囲内に、第２の電圧閾値ＵＶＳ２は例えば７．２Ｖの範囲内に、第３の電圧閾値ＵＶＳ３は例えば５．８Ｖの範囲内にあるものにしてよい。
【００３０】
図３に具体的に示されているように、供給電圧は、とりわけデータメモリ又はデータ処理装置の供給電圧は、通常の動作状態に相当するクリティカルでない領域Iと、警戒すべき領域IIと、データメモリの動作が安全でなくなるクリティカルな領域IIIとに区分することができる。供給電圧UVは、第２の電圧閾値UVS2より上にある限界電圧UVGよりも高ければ、クリティカルでない領域の中にある。供給電圧UVは、低下しつつある電圧推移において限界電圧よりは低く、第１の電圧閾値ＵＶＳ１よりは高い場合、ならびに、上昇しつつある電圧推移において第２の電圧閾値ＵＶＳ２よりは高く、限界電圧ＵＶＧよりは低い場合に、警戒すべき領域IIの中にある。供給電圧の推移に従って、その下にはクリティカルな領域IIIがある。
【００３１】
クリティカルでない領域Iでは、例えば、突然の電圧変化に迅速に対応できるように、AD変換器（図１A，１Ｂ参照のこと）が比較的低い測定速度で動作するようにし、警戒すべき領域IIに達すると、測定速度が格段に上げられるようにしてよい。警戒すべき領域IIに達すると、例えば照明や電動部などの、装置の電流集約的な構成部材は、内部に蓄積された電気エネルギーを節約するためにスイッチオフされる。クリティカルな領域IIIに達すると、装置を制御するプログラムは停止モードに従ってループに入る。この場合、クリティカルな領域IIIへの閾値は、ループに入るのにまだ十分な内部エネルギー留保が存在よう選ばれている。その一方で、電子回路の長期間動作を保証するために、閾値はできるだけ低くすべきである。ループ内では、供給電圧がクリティカルな領域IIIから警戒すべき領域IIへの閾値を超えているか否かだけが検査される。このために必要なメモリ領域は、保護すべきメモリ領域内に、つまり、とりわけバッテリバックアップ式の大容量メモリの第１のメモリ領域内にあってはならない。また、すべての割り込みも遮断される。供給電圧の評価のために割り込みが必要な場合には、引き続き割り込みを実行してよい。この場合にも、大容量メモリの保護しなくてよいメモリ領域しか使用してはならないという制限が該当する。電圧測定の正確度は必要に応じて複数の供給電圧測定値の平均値を求めることで改善することができる。その際、考慮しなければならないことは、短い測定時間は現動作状態において大きな意味を持たないということである。ループが終了するのは、供給電圧がさらに低下して、電気部品が、とりわけ電子回路のデータメモリ及び／又はデータ処理装置が動作不能になり、不足電圧時のハードウェアリセットがトリガされることによってか、又は、供給電圧が再び上昇し、クリティカルな領域IIIへ入るときの閾値よりも僅かに高い閾値を超えることによってである。この場合、装置の規定されたスタートアップを電子回路により強制的に行わせるために、ソフトウェアリセットが実行される。ソフトウェアリセット後の初期化段階では、有利にはまず供給電圧が再度測定され、供給電圧がクリティカルならば、停止モードに相当するループに入る。このようにして、最低供給電圧が、とりわけデータメモリ又はデータ処理装置の最低供給電圧が定められる。電圧測定の測定速度が可変の場合、初期か段階は高い測定速度で開始される。
【００３２】
図３の下側部分では、ハードウェアリセットの期間に対して、相応する動作状態ＨＷＲがクロス斜線面として記入されている。第１のメモリ領域へのアクセスが遮断されている期間に対しては、動作状態ＨＭが単斜線面として記入されている。
【００３３】
ソフトウェアリセットは上記装置を制御するプログラムに関するものであり、データ処理装置８自体によって（図１Ａ，１Ｂを参照のこと）、とりわけマイクロプロセッサ９によって行われる。一方、ハードウェアリセットの場合には、データ処理装置８自体が、とりわけマイクロプロセッサ９がリセットされる。このリセットは、例えば、外部の電圧制御器が不足電圧ＵＶを検出し、データ処理装置８をリセットする相応の信号を送出することによって、生じさせることができる。有利には、供給電圧が完全に停止した後の、とりわけデータメモリ又はデータ処理装置の供給電圧が完全に停止した後の、装置のスタートアップ時には、電圧測定装置６（図１Ａ，１Ｂを参照のこと）を、とりわけＡＤ変換器１１を、まず長いサイクル時間で動作させ、その後、供給電圧がクリティカルな領域内に入った場合には、第１のメモリ領域へのアクセスを遮断する動作状態に入らせてよい。この動作状態では、プログラムは停止モードに相当するループ内に留まり、このループ内では供給電圧が測定され、電圧閾値と比較される。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【国際調査報告】
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