(57)【要約】  光学記憶媒体（１）は、基板層（２）と、前記基板層（２）上のトラック群（Ｔ１−Ｔ４）内に設けられたマーク／スペース構造を有するデータ層（３）と、カバー層（７）とを備える。１つのトラック（Ｔ１、Ｔ３）はポジティブマーク群（ＰＭ）を備えかつそれと隣り合うトラック（Ｔ２、Ｔ４）はネガティブマーク群（ＮＭ）を備える。前記トラック群は、具体的には、スパイラル（Ｓ１、Ｓ２）として設けられ、１つのスパイラルはポジティブマーク（ＮＭ）のみを有するトラックを含みかつそれに隣り合うスパイラルはネガティブマーク（ＰＭ）のみを有するトラックを含む。トラックの当該ポジティブマーク及び対応するトラックの当該ネガティブマークは、スペースによって各々離間している。当該光学記憶媒体は、特に読み取り専用光学ディスクでありかつ超解像近接場構造を有するマスク層を備え、前記データ層の前記トラック群は、２つのスパイラルとして設けられ、一方のスパイラルはポジティブマークのみから成りかつ他方のスパイラルはネガティブマークのみから成る。前記光学記憶媒体の製造のために、前記光学記憶媒体の前記データ層のポジティブ及びネガティブマーク群の各々に対応するポジティブ及びネガティブマーク群を有する表面を備えるスタンパ及びスタンパ製造のためのマスタの製造方法が提供される。
2010507182.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板層（２）と、前記基板層（２）上のトラック（Ｔ１−Ｔ４）内に設けられたマーク／スペース構造を有するデータ層（３）と、カバー層（６）とを備える光学記憶媒体であって、１つのトラック（Ｔ１、Ｔ３）はポジティブマーク（ＰＭ）を備え、隣接するトラック（Ｔ２、Ｔ４）はネガティブマーク（ＮＭ）を備えることを特徴とする光学記憶媒体（１）。
【請求項２】
請求項１に記載の光学記憶媒体において、前記光学記憶媒体は、超解像近接場構造を有するマスク層（４）を備え、前記データ層は、読み取り専用データ層（３）であることを特徴とする光学記憶媒体。
【請求項３】
請求項１または２に記載の光学記憶媒体において、前記トラック（Ｔ１−Ｔ４）は、スパイラル（Ｓ１、Ｓ２）として設けられ、全ての第２のトラックの前記マーク構造は、反転され、１つのスパイラル（Ｓ１）は、ポジティブマーク（ＰＭ）のみを特に備え、隣接するスパイラル（Ｓ２）は、ネガティブマーク（ＮＭ）のみを特に備えることを特徴とする光学記憶媒体。
【請求項４】
請求項１、２または３に記載の光学記憶媒体において、ポジティブマークはバンプに対応し（ＰＭ）、ネガティブマークはピットに対応すること（ＮＭ）を特徴とする光学記憶媒体。
【請求項５】
先行する請求項の１に記載の光学記憶媒体において、前記２つの隣接するトラック（Ｔ１、Ｔ２）のトラックピッチは、前記光学記憶媒体のデータの読み取りに使用可能な光学ピックアップの光学解像度限界未満であり、前記トラックピッチは、ブルーレイタイプピックアップとともに使用するために特に１４０−２５０ｎｍの範囲内であることを特徴とする光学記憶媒体。
【請求項６】
先行する請求項の１に記載のデータ層（３）を備える光学記憶媒体（１）を製造するスタンパであって、前記スタンパは、前記データ層（３）の生成のためのポジティブマーク及びネガティブマークを有する表面を備えることを特徴とするスタンパ。
【請求項７】
請求項６に記載のスタンパにおいて、前記スタンパの前記表面はスパイラルとして設けられたトラックを備え、１つのスパイラルはポジティブマークを備え、隣接するスパイラルはネガティブマークを備えることを特徴とするスタンパ。
【請求項８】
請求項６または７に記載のスタンパの製造のための原盤の製造方法であって、
ポジティブマーク（７）を有する第１のデータ構造（Ｓ３）を生成するために、ネガティブフォトレジスト（ＮＰ１）に覆われたポジティブフォトレジスト（ＰＰ１）に覆われた基板（１０）を備える第１のプレート（ＰＬ１ａ）の前記ネガティブフォトレジスト（ＮＰ１）を露光するステップと、
非露光領域で前記ネガティブフォトレジスト（ＮＰ１）を除去するために、前記ポジティブフォトレジスト（ＰＰ１）に作用しない第１の溶剤を塗布するステップと、
ネガティブマーク（８）を有する第２のデータ構造（Ｓ４）を生成するために、前記ポジティブフォトレジスト（ＰＰ１）を露光するステップと、
ポジティブマーク及びネガティブマーク（７、８）を有するデータ構造を有する第２のプレート（ＰＬ１ｅ）を生成するために前記ポジティブフォトレジスト（ＰＰ１）を露光領域で除去する目的で、残留する前記ネガティブフォトレジスト（ＮＰ１）の前記ポジティブマーク（７）に作用しない第２の溶剤を塗布するステップと
の一連のステップを備えることを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法において、前記ポジティブマーク及び前記ネガティブマークは２つのスパイラル（Ｓ３、Ｓ４）として設けられ、前記第１のスパイラル（Ｓ３）はポジティブマーク（７）及びスペースから成り、前記第２のスパイラル（Ｓ４）はネガティブマーク（８）及びスペースから成り、前記第２のプレート（ＰＬ１ｅ）は光学ディスクのスタンパの前記製造のための原盤として使用されることを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項６または７に記載のスタンパの前記製造のための原盤の製造方法であって、
ネガティブマーク（７）を有する第１のスパイラル（Ｓ１）を生成するために、ネガティブフォトレジスト（ＮＰ２）に覆われた非感光性材料（Ｍ２）の層に覆われた基板（２０）を備える第１のプレート（ＰＬ２ａ）の前記ネガティブフォトレジスト（ＮＰ２）を露光するステップと、
第１のスパイラル（Ｓ１）を備える第２のプレート（ＰＬ２ｃ）を生成するために、前記ネガティブフォトレジスト（ＮＰ２）を非露光領域で除去する目的で、前記非感光性材料（Ｍ２）に作用しない第３の溶剤を塗布するステップと、
前記第２のプレート（ＰＬ２ｃ）をポジティブフォトレジスト（ＰＰ２）でコーティングするステップと、
ネガティブマーク（８）を備える第２のスパイラル（Ｓ２）を生成するためにマスタリングマシンで前記ポジティブフォトレジスト（ＰＰ２）を露光するステップと、
前記ポジティブフォトレジスト（ＰＰ２）を露光領域で除去するために第４の溶剤を塗布するステップと、
前記材料（Ｍ２）の前記ポジティブフォトレジスト（ＰＰ２）に覆われていない部分を除去するために第５の溶剤でエッチングプロセスを行うステップと、
ポジティブマーク及びネガティブマーク（７、８）を有するデータ構造を有する第３のプレート（ＰＬ２ｇ）を生成するために、第６の溶剤を使用して前記ポジティブフォトレジスト（ＰＰ２）の残留する部分を除去するステップと
の一連のステップを備えることを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法において、前記第５の溶剤は前記ポジティブフォトレジスト（ＰＰ２）に作用せず、前記第６の溶剤は前記基板（２０）と前記材（Ｍ２）と前記ポジティブマーク（７）を有する前記スパイラル（Ｓ１）とに作用せず、前記第３のプレート（ＰＬ２ｇ）は光学ディスクのスタンパの前記製造のための原盤として使用されることを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項６または７に記載のスタンパの前記製造のための原盤を製造する方法であって、
ポジティブマーク（８）を生成するために第１のネガティブフォトレジスト（ＮＰ３）で覆われた非金属基板（３０）を備える第１のプレート（ＰＬ３ａ）の前記第１のネガティブフォトレジスト（ＮＰ３）を露光して第２のプレート（ＰＬ３ｂ）を得るステップと、
前記第１のネガティブフォトレジスト（ＮＰ３）を非露光領域で除去するために第７の溶剤を塗布して第３のプレート（ＰＬ３ｃ）を得るステップと、
前記第３のプレート（ＰＬ３ｃ）上に金属層（ＭＥ）を設けて第４のプレート（ＰＬ３ｄ）を得るステップと、
前記第４のプレート（ＰＬ３ｄ）から前記基板（３０）及び残留するネガティブフォトレジスト（ＮＰ３）を除去して金属基板（ＭＥ１）を得るステップと、
前記金属基板（ＭＥ１）を第２のネガティブフォトレジスト（ＮＰ４）で覆って第５のプレート（ＰＬ３ｅ）を得るステップと、
マスタリングマシンで前記第５のプレート（ＰＬ３ｅ）を露光してポジティブマーク（７）を生成するステップと、
前記第２のネガティブフォトレジスト（ＮＰ４）を非露光領域で除去するために第８の溶剤を使用するステップと、
スタンパ製造のために、残留する金属基板を、ポジティブマーク（７）を有するトラック及びネガティブマーク（９）を有するトラックを備える金属原盤（ＭＥ２）として使用するステップと
の一連のステップを備えることを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載に記載の方法において、前記残留する第１のネガティブフォトレジスト（ＮＰ３）及び前記基板（３０）は、前記金属基板（ＭＥ１）から除去された後かつ前記第２のネガティブフォトレジスト（ＮＰ４）が塗布される前に、前記金属基板（ＭＥ１）を層でコーティングするステップであって、前記第２のネガティブフォトレジスト（ＮＰ４）の付着を向上し、前記金属基板（ＭＥ１）と前記第２のネガティブフォトレジスト（ＮＰ４）との間の化学反応を減少させるステップをさらに有することを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１２または１３に記載の方法において、前記金属基板（ＭＥ１）は、ニッケルまたはニッケル合金から成り、前記非金属基板（３０）は、ガラス、ＳｉまたはＳｉＯ2から成り、前記第１のネガティブフォトレジスト（ＮＰ３）及び前記第２のネガティブフォトレジスト（ＮＰ４）は、同一のフォトレジストであることを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学記憶媒体に関し、この光学記憶媒体は、基板層、基板層上のトラック群内に設けられたマーク／スペース構造を有する読み取り専用データ層及びカバー層を備える。また本発明は、この光学記憶媒体の夫々の製造に関する。この光学記憶媒体は、高いデータ密度を有するデータの記憶のために超解像近接場構造を有するマスク層も特に備える。
【背景技術】
【０００２】
光学記憶媒体は、光学的に読み取り可能な態様で、例えば、光学記憶媒体に照射するレーザー及びデータを読む際にレーザービームの反射された光を検出する光検出器を備えるピックアップを用いてデータが記憶される媒体である。その一方で、非常に多様な光学記憶媒体が利用可能であり、これらは異なったレーザー波長で動作し、１ギガバイト未満から５０ギガバイト（ＧＢ）までの記憶容量を提供するための異なったサイズを有する。フォーマットには、オーディオＣＤ及びビデオＤＶＤの様な読み取り専用フォーマット（ＲＯＭ）、ライトワンス（追記型）光学媒体並びにリライタブル（書き換え可能）フォーマットを含む。デジタルデータは、媒体の１または複数の層内のトラック群に沿ってこれらの媒体上に記憶される。
【０００３】
最も大きいデータ容量を有する記憶媒体は、現在はブルーレイディスク（ＢＤ）であり、これはデュアルレイヤーディスク上に５０ＧＢを記憶することを許容する。利用可能なフォーマットは現在、例えば読み取り専用のＢＤ−ＲＯＭ、リライタブルのＢＤ−ＲＥ及びライトワンスのＢＤ−Ｒディスクである。ブルーレイディスクの読み取り及び書き込みのために、４０５ｎｍのレーザー波長を有する光学ピックアップが使用される。
【０００４】
ブルーレイディスクにおいて、３２０ｎｍのトラックピッチ及び２Ｔから８Ｔ、最大９Ｔのマーク長が使用される。ここにおいてＴは、チャネルビット長であり、これは６９−８０ｎｍの長さに対応する。ブルーレイディスクシステムに関するさらなる情報は、例えば、ブルーレイディスクグループからインターネットを介して（非特許文献１）入手可能である。
【０００５】
超解像近接場構造（Ｓｕｐｅｒ−ＲＥＮＳ）を有する新しい光学記憶媒体は、ブルーレイディスクと比較して、１つのディメンション内の光学記憶媒体のデータ密度を３倍から４倍増加させる可能性を示している。このことは、いわゆるＳｕｐｅｒ−ＲＥＮＳ構造または層を利用することで可能であり、これらは光学記憶媒体のデータ層上に設けられ、光学記憶媒体から読み取りまたはそれに書き込むために使用される光スポットの有効サイズを著しく減少させる。超解像層は、データ層上に設けられる故にマスク層とも呼ばれ、特定の材料を使用することによって、レーザービームの高強度の中央部分のみがマスク層を貫通することができる。
【０００６】
Ｓｕｐｅｒ−ＲＥＮＳ効果は、光学ディスクのマーク群内に記憶されるデータの記録及び読み取りを許容し、これはディスク上のデータの読み取りまたは書き込みに使用されるレーザービームの解像度限界未満のサイズを有する。知られているように、レーザービームの解像度の回折限界は、アッベに従って約ラムダ／（２＊ＮＡ）である。ここで、ラムダは波長でありかつＮＡは光学ピックアップの対物レンズの開口数である。
【０００７】
データの記憶のための金属酸化物または高分子化合物から形成された超解像近接場構造及びデータの再生のためのＧｅＳｂＴｅまたはＡｇＩｎＳｂＴｅベースの構造から形成された位相変化層を備えるＳｕｐｅｒ−ＲＥＮＳ光学ディスクは、特許文献１及び特許文献２から公知である。超解像光学媒体のさらなる例は、特許文献３及び非特許文献２に記載されている。
【０００８】
Ｓｕｐｅｒ  ＲＥＮＳ効果は、光学ディスク上のマーク群の読み取りのための光学ピックアップのトラック方向における解像度を増加させるが、トラックピッチを減少させない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】国際公開第ＷＯ２００５／０８１２４２号パンフレット
【特許文献２】米国特許出願公開第２００４／０２５７９６８号明細書
【特許文献３】国際公開第ＷＯ２００４／０３２１２３号パンフレット
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】ｗｗｗ．ｂｌｕ−ｒａｙｄｉｓｃ．ｃｏｍ
【非特許文献２】トミナガ他、「アプライド・フィジックス・レターズ誌」、第７３巻、第１５号、１９９８年１０月１２日
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【００１１】
光学記憶媒体は、基板層、カバー層及びトラック群内に設けられたマーク／スペース構造を有するデータ層を備える。１つのトラックはポジティブマーク群を備え、隣接するトラックはネガティブマーク群を備える。トラック群は、スパイラル（渦巻き）状に特に設けられ、そこにおいて１つのスパイラルはポジティブマーク群のみを有するトラックを含み、隣接するスパイラルはネガティブマーク群のみを有するトラックを含む。トラックのポジティブマーク群及び対応するトラックのネガティブマーク群は、スペースによって各々分離されている。
【００１２】
ポジティブマークは、例えばバンプ（ｂｕｍｐ）に対応し、ネガティブマークはピット（ｐｉｔ）に対応する。従って、隣接するトラック間のマーク構造は交互であり、それによってトラックピッチの有効周期は２倍になる。データの読み取りに光学ピックアップを使用する場合、ピックアップは、ポジティブマーク群を有するトラック群またはネガティブマーク群を有するトラック群のどちらかに焦点を合わせることができる。従って、夫々のピックアップに対する約２つの要素によって、ピックアップのデザインを変更することなく、光学記憶媒体のトラックピッチを、減少させることができる。ブルーレイタイプのピックアップを使用する場合、２つの隣接するトラック間のトラックピッチを、その光学解像度限界の２８０ｎｍよりも下、例えば１５０−２５０ｎｍの範囲内の値に減少させることができる。
【００１３】
本発明のさらなる態様において、光学記憶媒体は、読み取り専用光学ディスクであり、超解像近接場構造を有するマスク層を備え、データ層のトラック群は２つのスパイラルとして設けられ、一方のスパイラルはポジティブマーク群のみからなり、他方のスパイラルはネガティブマーク群のみからなり、一方のスパイラルから他方のスパイラルまでの距離は対応するピックアップユニットの光学解像度限界未満である。
【００１４】
この光学記憶媒体の製造のために、スタンパが提供される。スタンパは、ポジティブ及びネガティブマーク群を有する表面を備え、これらは光学記憶媒体のデータ層のポジティブ及びネガティブマーク群の夫々に対応する。データ構造を有する光学ディスクの製造のために、トラック群が２つのスパイラル内に設けられ、一方のスパイラルはポジティブマーク群のみから成り、他方のスパイラルはネガティブマーク群のみから成り、スタンパは光学ディスクの製造のために２つの其々のスパイラルを有する対応する表面を有する。
【００１５】
このようなスタンパを、最初にガラスの原盤またはシリコンの原盤を製造し、上層内にポジティブマーク群を有する第１のトラック群を形成し、さらなるステップにおいてネガティブマーク群を有するトラック群を下層内に形成することによって有利に製造することができる。スタンパ製造のための金属原盤を、金属基板内にネガティブマーク群を設け、並びにこの金属基板上の層内にポジティブマーク群を設けることによって製造することができる。このようなガラス原盤または金属原盤とともに、スタンパを従来の方法で製造することができ、２つのスパイラル間で、特に１５０−２５０ｎｍの範囲内のトラックピッチを有する。
【００１６】
本発明の好ましい実施形態がこれより、一例として概略図を参照して、以下さらに詳しく説明される。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】基板、データ層及び超解像近接場構造を有する層を備える層構造を示す横断面における光学記憶媒体の一部を示す図である。
【図２】ポジティブ及びネガティブマーク群を有するマーク／スペース構造を有する図１のデータ層を示す図である。
【図３】スタンパ製造のための第１の非金属原盤の第１の製造方法を示す図である。
【図４】スタンパ製造のための第２の非金属原盤の第２の製造方法を示す図である。
【図５】スタンパ製造のための第３の金属原盤の第３の製造方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図１において、読み取り専用光学記憶媒体１が、単純化された方法の断面図で示される。基板２上に読み取り専用データ層３が設けられ、データ層３は例えばアルミニウム層等の反射金属層を備え、データ層３は基本的に平行なトラック群上に設けられたマーク群及びスペース群から成るデータ構造を有する。データ層３上に第１の誘電層５が設けられ、超解像近接場効果（Ｓｕｐｅｒ−ＲＥＮＳ）を備えるために誘電層５上にマスク層４が設けられる。光学記憶媒体１は、特に、例えばＤＶＤまたはＣＤと同様のサイズを有する光学ディスクである。
【００１９】
マスク層４上に第２の誘電層５が設けられる。さらなる層として、カバー層６が保護層として第２の誘電層５上に設けられる。データ層３のデータを読み込むために、レーザービームが記憶媒体１の頂部から当てられ、最初にカバー層６を貫通する。第１及び第２の誘電層５は、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2材を含む。ＤＶＤ及びＣＤから知られる様に、基板２及びカバー層６はプラスチック材から成ってもよい。他の実施形態において、超解像近接場構造が使用された場合、反射金属層を、省略することができる。このことは加熱効果故の透過率の向上を提供しないが、別のＳｕｐｅｒ−ＲＥＮＳ効果を伴って作用する。
【００２０】
Ｓｕｐｅｒ−ＲＥＮＳ効果によって、光学ピックアップの解像度は、トラック方向においてかなりの量、例えば３倍または４倍増加し得る。このことは、光学ディスク上のトラック群のマーク群及びスペース群のサイズのトラック方向における減少を許容する。しかし、Ｓｕｐｅｒ−ＲＥＮＳ効果自体は、トラックピッチをピックアップユニットの光学解像度限界未満に減少させることを許容しない。プッシュプル効果が光学ピックアップユニットのトラッキング調整のために使用される場合、トラックピッチの減少は、１次の反射ビームが対物レンズによって収集されるべきであることにより制限される。さもなければ、プッシュプル信号は存在しない。なぜならばこの信号は、０次のビームと光学記憶媒体から反射された１次のビームの干渉によって生成されるからである。ブルーレイピックアップに関して、このことは約２８０ｎｍのトラックピッチにおいて発生する。ブルーレイディスクの標準トラックピッチは３２０ｎｍである。
【００２１】
この問題を克服するために、図２に示したように、データ層３のピット構造が全ての第２のトラックに対して反転させられる。トラック群Ｔ１−Ｔ４は、ポジティブ及びネガティブマーク群を備え、これらはあるトラックとその次のトラックで交互であり、第１のトラックＴ１は、バンプ群であるかまたはバンプ群の様なポジティブマーク群ＰＭを備え、隣接する第２のトラックＴ２は、ピット群であるネガティブマーク群ＮＭを備える。ポジティブマーク群及びネガティブマーク群は、常時、トラック群Ｔ１−Ｔ４のデータ構造の論理「１」を表し、マーク群間のスペース群は、常時、トラック群Ｔ１−Ｔ４のデータ構造の論理「０」を表す。
【００２２】
全ての隣接するトラックに対して反転されたピット群を有するこの様なデータ構造を使用することによってトラックピッチの有効周期が２倍にされ、従って、隣り合う２つのトラック間のトラックピッチが従来のブルーレイＲＯＭディスクに対して半分に減少した場合でさえ、プッシュプル信号を検出することができる。従来のブルーレイＲＯＭディスクは、ピット群のようなポジティブマーク群またはバンプ群のようなネガティブマーク群のどちらかを有することができるが、マーク群に関してバンプ群及びピット群の両方の混合を有することはできなかった。従って、解像度限界が２８０ｎｍから１４０ｎｍにまで減少させられるため、ブルーレイタイプのディスクに対して、トラックピッチを約１６０ｎｍまで減少させることができる。
【００２３】
光学記憶媒体１の小さいセクションのみを示す図１及び図２に示される光学記憶媒体のトラック群Ｔ１−Ｔ４は、好ましい実施形態では、特に２つのスパイラルＳ１、Ｓ２として構成され、１つのスパイラルＳ１はポジティブマーク群ＰＭ及びスペース群のみから構成され、隣り合うスパイラルＳ２は、ネガティブマーク群ＮＭ及びスペース群のみから構成されている。
【００２４】
図２に関連して説明されたトラック構造を有するＲＯＭ光学記憶媒体、特にディスクを製造するために、対応する交互の反転／非反転ピット構造を有するトラック群も備えるスタンパが必要とされる。しかし、ピット群及びバンプ群は、製造されるべきＲＯＭ記憶媒体のマーク／スペース構造に対して反転されている。ＲＯＭディスクの各々の位置にピットを形成するために、スタンパの表面は、夫々の位置に関して同一のサイズの夫々のバンプを有さなければならない。
【００２５】
図２に関連して説明された構造化されたデータ層を有するＲＯＭ光学記憶媒体の製造のためのスタンパ製造のための第１の非金属原盤を、例えば、図３に関して説明されたような第１の方法を使用することによって製造することができる。図３ａにおいて、プレートＰＬ１ａの一部が断面図で示され、非金属基板１０を備えており、非金属基板１０は、ポジティブフォトレジストＰＰ１によって覆われ、ポジティブフォトレジストＰＰ１は、ネガティブフォトレジストＮＰ１によって覆われる。基板１０は、例えばガラス基板、シリコン（Ｓｉ）またはＳｉＯ2基板である。フォトレジストＰＰ１及びＮＰ１は、以下の特性を有するべきである。第１に、レジストＮＰ１を除去するのに使用可能な液体溶剤は、レジストＰＰ１に作用すべきではなく、そして第２に、レジストＰＰ１を除去するのに使用可能な液体溶剤は、フォトレジストＮＰ１に作用すべきではない。
【００２６】
図３ｂの第１のステップにおいて、ネガティブフォトレジストＮＰ１は、ポジティブマーク群７を形成するためにマスタリングマシンで露光される。ポジティブマーク群７は、特に、図２に示されたようなバンプ群ＰＭと似ている。露光後、ネガティブフォトレジストＮＰ１は、図３ｂのプレートＰＬ１ｂで示されたような第１のスパイラルＳ３のためのデータ構造を備える。次のステップにおいて、第１の溶剤がプレートＰＬ１ｂに塗布され、非露光領域でネガティブフォトレジストＮＰ１を除去する。結果として、図３ｃに示されたようなバンプ群７及びスペース群を有するポジティブマーク群から成る第１のスパイラルＳ３を備えるプレートＰＬ１ｃが得られる。
【００２７】
図３ｄのさらなるステップにおいて、ポジティブフォトレジストＰＰ１がマスタリングマシンによって露光され、特に、図２に示されたような第２のスパイラルＳ４のためのピット群ＮＭのようなネガティブマーク群が形成される。結果として、図３ｄにおいて単純化された方法で示したプレートＰＬ１ｄの様に、ポジティブフォトレジストＰＰ１を有する層がデータ構造を備える。次のステップにおいて、第２の溶剤が塗布され、露光領域でポジティブフォトレジストＰＰ１を除去する。結果として、図３ｅに示されたような夫々がピットであるネガティブマーク群８を有する第２のスパイラルＳ４を備えるプレートＰＬ１ｅが得られる。現在、プレートＰＬ１ｅは、公知の方法でのＲＯＭディスクの製造のための２つのスパイラルＳ３、Ｓ４を含むデータ構造を備える。知られているように、プレートＰＬ１ｅを、例えばスタンパとしてまたはスタンパの製造のために使用することができる。
【００２８】
図２に従うデータ構造を備えるＲＯＭ光学記憶媒体の製造のためのスタンパ製造のための第２の非金属原盤製造の第２の方法は、これから図４に関連して説明される。図４ａにおいて、基板２０を備えるプレートＰＬ２ａが示されており、基板２０は、感光性はないが第５の溶剤と呼ぶ液体溶剤に溶解可能な材料Ｍ２によって覆われる。例えば、基板２０は、ガラス基板またはシリコン（Ｓｉ）、またはＳｉＯ2基板である。材料Ｍ２は、ネガティブフォトレジストＮＰ２によって覆われている。第１のステップにおいて、図４ｂに示すように、ネガティブフォトレジストＮＰ２を有するプレートＰＬ２ａが、ポジティブマーク群７の形成のためにマスタリングマシンを用いて露光される。露光後、第３の溶剤が塗布され、非露光領域でネガティブフォトレジストＮＰ２を除去する。結果は図４ｃに示される。第３の溶剤は、材料Ｍ２に作用すべきでなく、従って材料Ｍ２はガラス基板２０をまだ完全に覆っている。
【００２９】
さらなるステップにおいて、図４ｃに示されたようなポジティブマーク７を有するプレートＰＬ２ｃが、ポジティブフォトレジストＰＰ２でコーティングされ、プレートＰＬ２ｄを得る。その後、フォトレジストＰＰ２を有するプレートＰＬ２ｄがマスタリングマシンによって露光され、図４ｄに示される様に、ポジティブマーク群７を有するトラック群の間にネガティブマーク群８を有するトラック群を形成する。その後、第４の溶剤が塗布され、露光領域でポジティブフォトレジストＰＰ２を除去する。結果のプレートＰＬ２ｅは図４ｅに示される。
【００３０】
その後、エッチングプロセスが適用されて、第５の溶剤を使用して材料Ｍ２の覆われていない部分を除去する。第５のエッチング溶剤は、ポジティブフォトレジストＰＰ２に作用しないように選択される。結果として、ピット群８が材料Ｍ２内に得られ、図４ｆで示すようなプレートＰＬ２ｆが与えられる。最終ステップにおいて、第６の溶剤が使用されて、ポジティブフォトレジストＰＰ２の残留する部分を除去し、結果として図４ｇに示されたようなガラス原盤ＰＬ２ｇが得られる。これから、図２に従う読み取り専用光学記憶媒体の製造のためのスタンパを製造することができる。
【００３１】
プレートＰＬ２ｇのポジティブマーク群７及び対応するネガティブマーク群８は、約３００ｎｍ−５００ｎｍの広いトラックピッチを有し、このことは特に、ブルーレイシステム光学を備えるピックアップユニットを使用することによる夫々の光学記憶媒体に対するトラッキング調整を許容する。そして、ネガティブピット群７を有するトラック群とポジティブピット群８を有するトラック群との間のトラックピッチは、ブルーレイピックアップの光学解像度限界未満の１５０ｎｍ−２５０ｎｍの範囲内である。従って、この方法によって製造されたスタンパを使用することによって、半径寸法において約２倍の増大したデータ密度を備えるＲＯＭディスクを製造することができる。
【００３２】
フォトレジストＮＰ２、ＰＰ２及び材料Ｍ２は、以下の特性を有さなければならない。すなわち、フォトレジストＮＰ２を除去するために使用された第３の溶剤は、材料Ｍ２に作用すべきではない。フォトレジストＰＰ２の露光された部分を除去するために使用された第４の溶剤は、材料Ｍ２を部分的に溶解する可能性がある。材料Ｍ２をエッチングするために使用された第５の溶剤は、フォトレジストＰＰ２に作用すべきではない。フォトレジストＰＰ２の非露光部分を除去するために使用される第６の溶剤は、基板２０、材料Ｍ２及びフォトレジストＮＰ２のポジティブマーク群７に作用すべきではない。
【００３３】
図３に関連して説明されたような方法と比較した際のこの方法の利点は、異なったフォトレジスト及び異なった材料Ｍ２の使用に関してさらなる自由が得られることである。特に、材料Ｍ２が感光性であることは必須ではない。材料Ｍ２及び基板２０に対して、例えばガラス、ＳｉＯ2またはＳｉを使用することができる。さらに、材料Ｍ２を除外することが、原理上可能である。この場合、ピット群８は基板２０内部に直接エッチングされる。
【００３４】
図２に従うデータ構造を備えるＲＯＭ光学記憶媒体の製造のためのスタンパ製造のための金属原盤を製造する方法は、図５に関連して説明される。この方法によって、ポジティブピット群を備えるスパイラル及びネガティブピット群を備える隣接するスパイラルもいくつかの連続的なステップにおいて形成される。原盤の製造は、ネガティブフォトレジストＮＰ３によって覆われ、例えばガラス基板またはシリコン（Ｓｉ）またはＳｉＯ2基板である非金属基板３０を備えるプレートＰＬ３ａから開始される。第１のステップにおいて、プレートＰＬ３ａのフォトレジストＮＰ３は、マスタリングマシンによって露光されて、図５ｂに示されるような、ポジティブマーク群８を形成する。露光後、第７の溶剤が塗布され、図５ｃに示されたように、バンプ群の様なマーク群８を形成するために、非露光領域でフォトレジストＮＰ３を除去する。ポジティブマーク群８の間のトラックピッチは、例えば３００ｎｍ−５００ｎｍの範囲内である。
【００３５】
その後、スパッタリング及び電気メッキ法を使用して、図５ｄに示されたプレートＰＬ３ｄのように、プレートＰＬ３ｃを金属ＭＥで覆うことによって、金属原盤、例えばニッケル原盤が作られる。その後、次のステップにおいて、従来のマスタリングにおける原理と同一の原理を使用して、マーク群８の残留するフォトレジストＮＰ３を伴う基板３０が除去される。その後、予め記録された情報を備え、プレートＰＬ３ｃのポジティブマーク群８に対応するネガティブマーク群９すなわちピット群９の夫々を含む金属基板ＭＥ１が得られる。
【００３６】
その後、金属基板ＭＥ１は、金属原盤の製造のための基板として使用される。次のステップにおいて、金属基板ＭＥ１は、例えば１−５ｎｍの非常に薄い層によって覆われ、フォトレジストの付着を向上し、金属基板ＭＥ１とフォトレジストとの間の化学反応を減少させる。その後、金属原盤ＭＥ１は、フォトレジストＮＰ３と同様のネガティブフォトレジストＮＰ４に覆われ、図５ｅのプレートＰＬ３ｅを得る。さらなるステップにおいて、プレートＰＬ３ｅのフォトレジストＮＰ４が、マスタリングマシンによって露光され、図５ｆに示されたようにポジティブマーク群７を有するトラック群を形成する。さらなるステップにおいて、第８の溶剤が塗布され、非露光領域でネガティブフォトレジストＮＰ４を除去し、図５ｇに示されているように、夫々バンプであるポジティブマーク群７を有するトラック群を得る。
【００３７】
結果として、金属原盤ＭＥ２すなわちプレートＰＬ３ｇが得られ、これから「父」−「母」及び「子」スタンパに関するマスタスタンパ複製において行われるのと同一の方法でスタンパを、製造することができる。最終的なスタンパは、有利に、ポジティブマーク群７とネガティブマーク９群との間に、例えば１５０ｎｍ−２５０ｎｍの小さなトラックピッチを有する。金属ＭＥとして、特にニッケルを使用することができるが、他の金属または合金も使用することができる。ポジティブマーク群７及びネガティブマーク群９を有するトラック群は、特に、２つのスパイラルとして設けられ、第１のスパイラルはポジティブマーク群７のみを備えかつ第２のスパイラルはネガティブマーク群９のみを備える。
【００３８】
プレートＰＬ１ｂ、ＰＬ２ｂまたはＰＬ３ｄの製造後、ＰＬ１ｂ、ＰＬ２ｂ、ＰＬ３ｄをマスタリングマシンから取り出してプレートＰＬ１ｂ、ＰＬ２ｂまたは金属基板ＭＥ１得る必要がある可能性がある。プレートＰＬ１ｂ、ＰＬ２ｂまたは金属基板ＭＥ１がマスタリングマシンに戻される際、プレートＰＬ１ｂ、ＰＬ２ｂまたは金属基板ＭＥ１が正確に再アラインメントされることが不可欠である。これは、プレートＰＬ１ｂもしくはＰＬ２ｂ上のピット群７または金属基板ＭＥ１内に生成されたピット群９を使用することで達成することができる。すなわち、図５に示された方法のために、既存のピット群が、プッシュプル信号を生成し、プッシュプル信号を使用して、存在するピット群８の中間にある夫々バンプである新しいマーク群７を形成するマスタリングビームを正確にアラインメントできるようにする。さらに、ピット群９のデータ信号に基づいたＰＬＬを使用して、新しいマーク群７のマスタリング中の直線速度を一定にすることができる。これにより、ピット長変化及びそれに関連したジッタ寄与を減少させることができることとなる。
【００３９】
ｓｕｐｅｒ−ＲＥＮＳ  ＲＯＭディスクに関して、夫々がピット群及びバンプ群であるポジティブマーク群及びネガティブマーク群に対して最適な形状が異なる可能性があることに言及すべきである。このことは、ｓｕｐｅｒ−ＲＥＮＳ効果を生成する精密な物理現象に依存する。このような条件のもとで、厚さの違うフォトレジストまたは材料を使用することによって、ポジティブマーク群及びネガティブマーク群の深さ、高さ及び形状を個別に最適化することが有益である可能性がある。すなわち、図３で見られるＮＰ１及びＰＰ１、図４で見られるＮＰ２及びＭ２、図５で見られるＮＰ３及びＮＰ４ならびに／またはマスタリング中の異なった書き込み方法の使用である。さらに、いくつかの場合において、ポジティブマーク群及びネガティブマーク群のマスタリングに異なった波長を使用することが有利な場合がある。
【００４０】
図５に関連して説明されたような方法は、ネガティブフォトレジストＮＰ３、ＮＰ４のみが使用されるべきであるという利点を有する。原理的に同一のフォトレジストを、フォトレジストＮＰ３及びＮＰ４に対して使用することができる。ＮＰ３及びＮＰ４の２つのフォトレジストに対して、第１及び第２の方法において使用された溶剤に関して必要であったような、第７及び第８の溶剤への溶解性に関する特別な制限は必要とされない。第７、第８の溶剤夫々に対する限定は、基板３０及び金属基板ＭＥ１に作用すべきでないことのみである。さらに、Ｎｉの代わりに他の金属または合金も、使用することができる。
【００４１】
本発明の他の実施形態も、本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく当業者によって行われ得る。特に、本発明は、本実施形態において説明されたような読み取り専用（ＲＯＭ）光学記憶媒体だけではなく、書き込み可能及び再書き込み可能な光学記憶媒体にも使用することができる。前に述べられたような方法は、特に、図１に関連して説明された様なＳｕｐｅｒ−ＲＥＮＳ光学ティスクの製造に使用可能であるが、例えばブルーレイタイプのディスクの製造にも使用することができる。従って、本発明は本明細書の後に添付された特許請求の範囲内に属する。
【図１】
2010507182.tif 000003
【図２】
2010507182.tif 000004
【図３】
2010507182.tif 000005
【図４】
2010507182.tif 000006
【図５】
2010507182.tif 000007
【国際調査報告】
2010507182.tif 000008
2010507182.tif 000009
2010507182.tif 000010