(57)【要約】第1の主面と第2の主面とを備えた第1のデバイス(12,102)をパッケージングする方法であって、第1のデバイスの第2の主面の上で、第1のデバイスの側の回りに第1の層(14,104)を形成し、露出した前記第1のデバイスの第1の主面を除去するステップであって、第1の層が、封入材およびポリマーからなるグループから選択されることを特徴とする、ステップと、第1のデバイスの第1の主面の上に第1の絶縁層(52,152,170)を形成するステップと、第1の絶縁層にビア(30,32,128)を形成するステップと、第1の絶縁層の一部の上で、ビア内にシード層(38,40,136)を形成するステップと、シード層にコネクタ(82,116)を物理的に接続するステップと、第1の絶縁層の一部の上で、第1のビア内で、第1の相互接続(90,92,144,164)を形成するように前記シード層の上に伝導材料をメッキするステップとを有することを特徴とする方法。【選択図】      図１３
2010510663.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面と第２の主面とを備えた第１のデバイスをパッケージングする方法であって、
前記第１のデバイスの第２の主面の上で、前記第１のデバイスの側の回りに第１の層を形成し、露出した前記第１のデバイスの第１の主面を除去するステップであって、前記第１の層が、封入材およびポリマーからなるグループから選択されることを特徴とする、ステップと、
前記第１のデバイスの第１の主面の上に第１の絶縁層を形成するステップと、
前記第１の絶縁層にビアを形成するステップと、
前記第１の絶縁層の一部の上で、前記ビア内にシード層を形成するステップと、
前記シード層にコネクタを物理的に接続するステップと、
前記第１の絶縁層の一部の上で、前記第１のビア内で、第１の相互接続を形成するように前記シード層の上に伝導材料をメッキするステップと
を有することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記第１の絶縁層を形成する前に、前記第１のデバイスの上に第２の絶縁層を形成するステップと、
前記第２の絶縁層に第２の相互接続を形成するステップであって、前記第２の相互接続が、前記第１の相互接続と接続されることを特徴とする、ステップと、
前記第２の絶縁層に第３の相互接続を形成するステップであって、前記第３の相互接続が、外部コネクタと結合されることを特徴とする、ステップと
を更に有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記外部コネクタが、はんだボールからなることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記コネクタが、組み立てコネクタからなることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記外部コネクタが、前記第１のデバイスの第１の主面の上に形成され、前記コネクタが、前記第１のデバイスの第１の主面の上に形成されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記外部コネクタが、前記第１のデバイスの第２の主面の上にあり、前記コネクタが、前記第１のデバイスの第１の主面の上に形成されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記シード層にコネクタを物理的に接続するステップが、前記第１のデバイスの第１の主面の上にコネクタを配置することを含み、前記第１のデバイスの第１の主面がコンタクトを有することを特徴とする請求項１の記載の方法。
【請求項８】
前記シード層にコネクタを物理的に接続するステップが、前記第１のデバイスの第２の主面の上にコネクタを配置することを含み、前記第１のデバイスの第１の主面がコンタクトを有することを特徴とする請求項１の記載の方法。
【請求項９】
前記シード層にコネクタを物理的に接続するステップが、
前記第１の層の上にコネクタを配置するステップを含み、
前記第１の層は、第２の部分に隣接した第１の部分を有し、
前記第１のデバイスは、前記第１の層の第１の部分に形成され、
前記コネクタは、前記第１の層の第２の部分の上に配置され、
前記コネクタは、側コンタクトを有し、
前記側コンタクトは、前記シード層に結合される、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記側コンタクトが、雌コネクタと雄コネクタとからなるグループから選択されることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
第１の主面と第２の主面とを備えた第１のデバイスをパッケージングする方法であって、
前記第１のデバイスの第１の主面の上に絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層に第１のビアを形成するステップと、
前記絶縁層に第２のビアを形成するステップと、
前記第１のビアに第１のシード層を形成するステップと、
前記第２のビアに第２のシード層を形成するステップと、
前記絶縁層の上で第１の外部コネクタの少なくとも一部を配置するステップであって、前記第１のシード層を形成するステップおよび前記第１の外部コネクタの少なくとも一部を配置するステップが、前記第１の外部コネクタを前記第１のデバイスに接続することを特徴とする、ステップと、
第１の相互接続を形成するために、前記第１のシード層をメッキするステップと、
第２の相互接続を形成するために、前記第２のシード層をメッキするステップと、
前記第２の相互接続を第２の外部コネクタに接続するステップと
を有することを特徴とする方法。
【請求項１２】
前記第１の外部コネクタおよび前記第２の外部コネクタが、異なるタイプのコネクタであることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の外部コネクタが、組み立てコネクタからなり、前記第２の外部コネクタがはんだボールからなることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の外部コネクタ及び前記第２の外部コネクタが、前記第１のデバイスの第１の主面の上に共に形成され、前記第１の主面がコンタクトを有することを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の外部コネクタが、前記第１のデバイスの第１の主面の上に形成され、前記第１の主面が、コンタクトを有し、前記第２の外部コネクタが、前記第１のデバイスの第２の主面の上に形成され、前記第２の主面が前記第１の主面と対向することを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１のシード層が、前記第１の外部コネクタの少なくとも一部を配置するステップの後に形成されることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１のシード層が、前記第１の外部コネクタの少なくとも一部を配置するステップの前に形成されることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
第１の主面と第２の主面とを備えた第１のデバイスをパッケージングする方法であって、
前記第１のデバイスの第２の主面の上で、前記第１のデバイスの側を取り囲む第１の層を形成し、露出した前記第１のデバイスの第１の主面を除去するステップであって、前記第１の層が、封止材およびポリマーからなるグループから選択されることを特徴とするステップと、
前記第１のデバイスの第１の主面の上に第１の絶縁層を形成するステップと、
少なくとも前記第１の絶縁層に組み立てコネクタを埋め込むステップであって、該コネクタがピンを含むことを特徴とするステップと、
前記コネクタのピンに対して、前記第１のデバイスの第１の主面から相互接続を形成するステップと
を有することを特徴とする方法。
【請求項１９】
前記組み立てコネクタを埋め込むステップおよび相互接続を形成するステップが、
前記第１の絶縁層にビアを形成するステップと、
前記第１の絶縁層の一部の上で、前記ビア内にシード層を形成するステップと、
前記組み立てコネクタを前記シード層に物理的に接続するステップと、
前記シード層の上に伝導材料をメッキするステップと
を有することを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１のデバイスおよび前記組み立てコネクタを単一化するために封止材を切断するステップを更に有することを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的には半導体デバイスに関し、特に、半導体デバイスと組み立てコネクタとをパッケージングすることに関する。
【背景技術】
【０００２】
典型的には、デバイスは、作動中の保護のためにパッケージングされる。これらのパッケージングされたデバイスは、他のデバイスと共にプリント回路基板（ＰＣＢ）に配置される。デバイスを伴ったＰＣＢは、コンピュータや携帯電話のような製品に使用される。コンピュータや携帯電話のような製品の寸法を小さくする要求があるので、機能を犠牲にすることなく、ＰＣＢおよびパッケージデバイスのサイズを小さくする必要がある。多くの場合では、追加の機能性が求められているが、接続性の容易さも提供する。例えば、
たとえあるとしても製造において最小限を要求する半導体デバイスに接続を提供することを要求する。それゆえ、半導体パッケージの少なくとも他の利点を備える一方で、接続の容易さを提供する方法に関するニーズが存在する。
【図面の簡単な説明】
【０００３】
【図１】本発明のある実施形態による処理におけるステージでの半導体デバイスを備えたワークピースの断面図である。
【図２】引き続きの処理におけるステージでの図１のワークピースの断面図である。
【図３】引き続きの処理におけるステージでの図２のワークピースの断面図である。
【図４】引き続きの処理におけるステージでの図３のワークピースの断面図である。
【図５】引き続きの処理におけるステージでの図４のワークピースの断面図である。
【図６】引き続きの処理におけるステージでの図５のワークピースの断面図である。
【図７】引き続きの処理におけるステージでの図６のワークピースの断面図である。
【図８】引き続きの処理におけるステージでの図７のワークピースの断面図である。
【図９】引き続きの処理におけるステージでの図８のワークピースの断面図である。
【図１０】引き続きの処理におけるステージでの図９のワークピースの断面図である。
【図１１】引き続きの処理におけるステージでの図１０のワークピースの断面図である。
【図１２】引き続きの処理におけるステージでの図１１のワークピースの断面図である。
【図１３】引き続きの処理におけるステージでの図１２のワークピースの断面図である。
【図１４】本発明の他の実施形態による処理におけるステージでの半導体デバイスを備えたワークピースの断面図である。
【図１５】引き続きの処理におけるステージでの図１４のワークピースの断面図である。
【図１６】引き続きの処理におけるステージでの図１５のワークピースの断面図である。
【図１７】引き続きの処理におけるステージでの図１６のワークピースの断面図である。
【図１８】引き続きの処理におけるステージでの図１７のワークピースの断面図である。
【図１９】引き続きの処理におけるステージでの図１８のワークピースの断面図である。
【図２０】引き続きの処理におけるステージでの図１９のワークピースの断面図である。
【図２１】引き続きの処理におけるステージでの図２０のワークピースの断面図である。
【図２２】引き続きの処理におけるステージでの図２１のワークピースの断面図である。
【図２３】引き続きの処理におけるステージでの図１５のワークピースの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００４】
ある態様では、半導体デバイス及び組み立てコネクタは、単一のパッケージで一緒に形成される。組み立てコネクタのピンは、シード層の近位に配置され、引き続いてのメッキステップによって、メッキが、ピンを物理的及び電気的に接続させる。メッキはまた、半導体デバイスとピンとの間を電気的に接続させるように、半導体デバイスと電気的に接続される。絶縁層の引き続いての堆積は、コネクタと半導体デバイスを一緒に保持する物理支持を提供する。
【０００５】
上部を除いて絶縁層１４によって取り囲まれた半導体デバイス１２を有するワークピース１０を図１に示す。点線１６によって示したように、単一の領域を画定する単一境界も示す。これは、ワークピース１０が、ワークピース１０と同じか又は異なる他のワークピースから分離されていることを示す。図１０の全体的な構造は、コンテナに配置された複数の単一化されたダイからパッケージを作り上げるプロセスに関するものである。コンタクトを備えた側は、コンタクトを保護するためにテーピングされている。コンタクトダウン構成では、複数のダイにわたって材料が流される。材料が硬化した後、材料によって一緒に保持されたユニットとして複数のダイは、コンテナから除去され、テープは除去される。絶縁層及び伝導層の堆積の引き続いてのステップは、パッケージされた集積回路を形成する。絶縁層１４を形成するために流された材料は、図１ではポリマーであるのがこのましいが、エポキシのような他の材料を用いてもよい。それを貫通するビア（via）が形成されるので、このケースではポリマーが好ましい。ビアが貫通して形成されないのであれば、費用対効果から鑑みてエポキシが好ましいであろう。このタイプのパッケージは、ビアを備えた絶縁層に関してはポリマーが一般的には好ましく、ビアを備えない絶縁層に関しては一般的にはエポキシが好ましい。ビアを備えた層は、典型的には約２０ミクロンである。厚さは、その量よりも大きくても、小さくてもよく、特に望むのであれば、著しく大きなものも作ることができ得る。半導体デバイス１２は、一方の主面（頂部表面）に露出されたコンタクト１８，２０，２２および２４を有する。他の主面（底部表面）は、それをカバーする絶縁層１４を備える。絶縁層１４は、他の側を取り囲む。
【０００６】
半導体デバイス１２の頂部表面の上に絶縁層２６を堆積させ、コンタクト１８，２０，２２および２４をそれぞれ露出させるように、絶縁層を貫通するビア２８，３０，３２および３４を形成させた後のワークピース１０を図２に示す。
【０００７】
図３では、ビア２８，３０，３２および３４において、絶縁層２６の上にシード層３６，３８，４０および４２をそれぞれ形成し、コンタクト１８，２０，２２および２４とそれぞれ接触させた後のワークピース１０を示す。シード層３６，３８，４０および４２は、薄い金属層を堆積させ、在来のマスク及びエッチング技術を使用して選択的にエッチングすることによる在来のシード層の仕方で形成される。ビアは、約１００ミクロンであってよいが、それから著しく変化してもよい。
【０００８】
図４では、シード層３６，３８，４０および４２がそれぞれ存在する場所に、伝導層４４，４６，４８および５０を形成させるメッキによる金属堆積を実行した後のワークピース１０を示す。
【０００９】
図５では、半導体デバイス１２の頂部表面の上に絶縁層５２を形成、好ましくは堆積させた後のワークピース１０を示す。絶縁層５２は、単一領域、絶縁層２６、および伝導層４４，４６，４８および５０の全体にわたって延びる。絶縁層５２を堆積した後、ワークピース１０は、ひっくり返され、半導体デバイス１２の底部表面の方に向かって探すように、伝導層４４および５０それぞれを露出させるために、絶縁層１４および１６を貫通してビア５４および５６が形成される。
【００１０】
図６では、ビア５４および５６において、絶縁層１４にシード層５８および６０を形成し、伝導層４４および５０とそれぞれ接触させた後のワークピース１０を示す。
【００１１】
図７では、シード層５８および６０が存在する場所に伝導層６２および６４を形成させ、絶縁層１４および伝導層６２および６４の上の単一領域全体に絶縁層６６を形成させ、伝導層６２および６４それぞれを露出させるように、絶縁層６６を貫通したビア６８および７０を形成させた後のワークピース１０を示す。ビア６８および７０の形態は、後のプロセスまで遅らせる。
【００１２】
図８は、引き続きのプロセス中に、伝導層６２および６４を保護するために、絶縁層６６およびビア６８および７０の上にテープ７２を適用した後のワークピース１０を示す。ワークピース１０は、ついで、半導体デバイス１２の頂部表面の上を処理するためにひっくり返される。
【００１３】
図９は、伝導層４６および４８それぞれを露出させるためのビア７４および７６を形成し、ビア７４および７６それぞれにおいて絶縁層５２の上にシード層７８および８０を形成し、伝導層４６および４８と接触させた後のワークピース１０を示す。
【００１４】
図１０は、シード層７８および８０それぞれと接触して配置されたピン８４および８６を備えた組み立てコンテナ８２を備えたワークピース１０を示す。この例では、シード層７８および８０が、伝導層８４および８６条に配置されることを確実にするために、ピン８４および８６に関してビア７４および７６から十分に延びている。ピン８４および８６がそれらの位置の十分な確実性を備えることが保証されるのであれば、別の実施形態では、ビア７４および７６は、ピン８４および８６ｊを受けるのに著しく大きく作られうる。このコンテキストでは、組み立てコンテナとは、少なくとも一方の側が、別のコネクタと摩擦、圧力、又は他の容易に反転できる手段によって電気的接触を維持するように物理的支持を提供することができるコネクタの２つの側の間に電気的接続を提供することができるユニットであることを意味する。かくして、コネクタ接続に対してコネクタを維持するのに、例えば半田を使用するようなボンディング技術は必要ではない。図１０に示したように、保護キャップ８８が、電気的接続を維持するための物理的支持をも備えたコネクタ８２の領域の電気テク接続をカバーする。
【００１５】
図１１は、シード層７８および８０のそれぞれおよびピン８４および８６のそれぞれの回りに伝導層９０および９２を形成するために、シード層７８および８０およびピン８４および８６に金属を堆積させる効果を有するメッキステップを実行した後のワークピース１０を示す。別の実施形態では、コネクタ８２のボディ部分に隣接したピン８４および８６の一部が、絶縁体で被覆され、その結果、メッキはコネクタのボディまで延びなくてもよい。コネクタに依存して、コネクタのボディからメッキの空間に対して信頼性のある理由に関して利点がある。
【００１６】
図１２は、絶縁層５２の上の単一領域、および伝導層９０および９２ならびにコネクタ８２の側に沿って絶縁層９４を堆積した後のワークピース１０を示す。これは、伝導層９０および９２を保護し、適所にコネクタ８２を保持するための物理的支持を提供する。
【００１７】
図１３は、テープ７２を除去し、伝導層６２および６４のそれぞれと接触するはんだボール９６および９８を形成し、単一化を実行し、保護キャップ８８を除去した後のワークピース１０を示す。ワークピース１０は、次いで、電気製品に取り付けられる準備をする。保護キャップは、コネクタ８２上に残しておいてもよい。めっきの際に、シード及びめっきの両方に関して、好ましい金属は、銅である。はんだボールを形成する場合には、はんだボール９６および９８のようなはんだボールを形成する前に、銅に犠牲保護コーティングまたはニッケル−金（ＮｉＡｕ）のような介在層を設けるのが好ましい。
【００１８】
図１４は、絶縁層１０４によって頂部側を除いて全ての側を取り囲まれた半導体デバイス１０２と、半導体デバイス１０２と単一化ライン１１４との間にある絶縁層１０４の一部の上に載せられたコネクタ１１６とを有するワークピース１０を示す。コネクタ１１６は、例えば、絶縁層１０４にテープによって接着して保持される。単一領域を画定する単一化境界を点線１１４によって示す。半導体デバイスは、頂部表面に露出したコンタクト１０６，１０８，１１０および１１２を備える。コネクタ１１６は、絶縁層１０４の上に、そのボディから横に延びたピン１１８および１２０を有する。ピン１２０は、ピン１１８よりも絶縁層１０４の頂部表面からより高い。保護カバー１２２は、電気的接触を支持するための物理的支持を備えたコネクタ１１６の上の側で電気的コンタクトをカバーする。
【００１９】
図１５は、絶縁層１０４の上でコネクタの回りに、半導体デバイス１０２の頂部表面の上に絶縁層１２４を堆積した後のワークピース１００を示す。絶縁層１２４は、コネクタ１１６に関する物理的支持を提供する。絶縁層１２４は、絶縁層１０４の上のピン１１８とおおよそ同じ厚さである。堆積プロセスにおいて、絶縁層１２４の薄い層が、ピン１１８の上に同様に堆積される。この点では、ピン１１８の上にある絶縁層の一部を除去するのに、マスク無しで、等方性エッチングを実行するのが好ましいであろう。これは、絶縁層１２４の厚さを低減しうるが、絶縁層１２４の最初の厚さが、エッチングバックを考慮して選択されることになる。
【００２０】
図１６は、コンタクト１０６、１０８、１１０および１１２を露出させるように絶縁層１２４を貫通したビア１２８、１３０、１３２および１３４を形成した後のワークピース１００を示す。また、ビアを形成中に、絶縁層１２４がピン１１８の側から除去され、その結果、ピン１１８に対する電気的接触がなされることを保証するように、ピン１１８の側が露出される。この例では、ピン１２０は、ピン１１８の上の絶縁層１２４を除去するのを困難とさせるように、ピン１１８と整列させられている。垂直にオフセットされているピンを備えたコネクタは、ピン１２４の頂部側から絶縁層１２４の都合のよい除去を可能にする。ピン１２４の側が露出されることを保証するために、絶縁層１２４内へのエッチングによって、ピン１１８の側に隣接したホール１２６を生じさせる。このホールは、絶縁層１０４に向かって延びるが、絶縁層１０４には届かない。
【００２１】
図１７は、ビア１２８、１３０、１３２および１３４において、コンタクト１０６、１０８、１１０および１１２のそれぞれと接触して、絶縁層１２４の上にシード層１３６、１３８、１４０および１４２を形成した後のワークピース１００を示す。シード層１３６は、その側を含むピン１１８に向かって延びる。
【００２２】
図１８は、シード層１３６、１３８、１４０および１４２のそれぞれが存在する伝導層１４４、１４６、１４８および１５０を形成するためのメッキをした後のワークピース１００を示す。これは、伝導層１４４がピン１１８と接触していることを示す。
【００２３】
図１９は、絶縁層１２４の上で、コネクタ１１６の回りで、伝導層１４４、１４６、１４８および１５０の上に絶縁層１５２を形成した後のワークピース１００を示す。絶縁層１５２は、コネクタ１１６に関する支持を提供する。
【００２４】
図２０は、伝導層１４６，１４８および１５０のそれぞれと接触する伝導層１５４、１５６および１５８を形成した後のワークピース１００を示す。これは、続くめっきによってビア及びシード層を形成することによって以前に記載したように、達成される。この例では、シード層の一部の選択的な除去のためにマスクを露出するリソグラフィ中に、ピン１２０からのシャドーイングの為に、ピン１２０の下で伝導層１６０が形成されるのとも同様である。伝導層１６０は、絶縁体によって取り囲まれ、電気的な性能として逆のインパクトを有するべきではない。図２０はまた、伝導層１５４、１５６および１５８の上で、コネクタ１１６を取り囲み、絶縁層１５２の上に絶縁層１６２を形成した後のワークピース１００を示す。絶縁層１６２は、コネクタ１６２に関する物理的な支持を提供する。これは、ピン１２０の上に絶縁層１６２の一部も示す。ピン１１８に関して、絶縁層１６２のこの部分は、等方性エッチングによって除去されうる。
【００２５】
図２１は、ピン１１８と接触している伝導層１４４に類似したピン１２０と接触する伝導層１６４を形成した後のワークピース１００を示す。伝導層１５６および１５８のそれぞれと接触した伝導層１６６および１６８も示す。
【００２６】
図２２は、絶縁層１６２の上で、コネクタ１６６を取り囲み、伝導層１６４、１６６および１６８の上に絶縁層１７０を形成した後のワークピース１００を示す。伝導層１６６および１６８を露出するために開口したビアも示される。
【００２７】
図２３は、伝導層１６６および１６８のそれぞれと接触したはんだボール１７２および１７４を形成し、ライン１１４で単一化し、保護キャップ１２２を除去した後のワークピース１００を示す。このケースでは、伝導層１６６および１６８は、はんだ付け可能なコンタクトと考えられ、コネクトと同様の側の上に、露出された部分を備える。伝導層は、図１乃至１３に示したのと同様の仕方で実装され、その結果、コネクタ１１６として結果として生じるパッケージされた集積回路に埋め込まれたコネクタを備えた、はんだ付け可能なコンタクトが、コネクタから反対側になされる。同様に、図１３のワークピース１００は、図１４乃至２３に示したのと同様の仕方で形成されたコネクタと同じ側の上にはんだ付け可能なコンタクトを有しうる。コネクタ及びはんだ付け可能なコンタクトはまた、その視点からひっくり返されうる。かくして、１１６または８２のいずれのコネクタも、示したような頂部側の代わりに、ダイの底部側になされうる。
【００２８】
かくして、組み立てコネクタには、コネクタが半導体デバイスと電気的に接続されたパッケージ化された集積回路が結果として埋め込まれ、ワークピースの外部に利用可能なはんだ付け可能なコンタクトが、半導体デバイスに接続される。
【００２９】
上述の発明の詳細では、特定の実施形態を参照して本発明を記載してきた。しかしながら、以下の特許請求の範囲に記載された本発明の範囲を逸脱することなく、当業者は種々の修正及び変更をすることができるのは明らかである。例えば、コネクタは、直線のエッジを備えたように示してあるが、コネクタは、のこぎり状のエッジ又は、さもなければ、絶縁層によって更なるアンカーを提供する側方拡張を有してもよい。別の実施形態では、事前に組み立てられたマルチコンタクトポリマーコネクタであってもよい。従って、明細書及び図面は、限定的な意味ではなく単なる例示であり、かかる全ての修正は、本発明の範囲内に含まれるものである。
【００３０】
本明細書で用いられる用語「複数の」とは、２以上のものを意味する。また用語「接続された」とは、連結されたという意味も含み、直接である必要はなく、また、機械的である必要はない。更に、明細書及び特許請求の範囲における用語「前」、「後ろ」、「頂部」、「底部」、「上」、「下」、「側」などは、記載上の便宜的な目的で使用されており、永続的に相対的な位置を意味するものではない。例示の実施形態に沿って、適切な状況で用語を変化させて理解する必要があろう。
【図１】
2010510663.tif 000003
【図２】
2010510663.tif 000004
【図３】
2010510663.tif 000005
【図４】
2010510663.tif 000006
【図５】
2010510663.tif 000007
【図６】
2010510663.tif 000008
【図７】
2010510663.tif 000009
【図８】
2010510663.tif 000010
【図９】
2010510663.tif 000011
【図１０】
2010510663.tif 000012
【図１１】
2010510663.tif 000013
【図１２】
2010510663.tif 000014
【図１３】
2010510663.tif 000015
【図１４】
2010510663.tif 000016
【図１５】
2010510663.tif 000017
【図１６】
2010510663.tif 000018
【図１７】
2010510663.tif 000019
【図１８】
2010510663.tif 000020
【図１９】
2010510663.tif 000021
【図２０】
2010510663.tif 000022
【図２１】
2010510663.tif 000023
【図２２】
2010510663.tif 000024
【図２３】
2010510663.tif 000025
【国際調査報告】
2010510663.tif 000026