(57)【要約】【課題】レーザ仕上ガラスエッジに沿う残留引張応力を低減する。【解決手段】熱エッジ仕上プロセスは、ガラス板のエッジを予備加熱する工程、熱張力形成をおこさせるためにエッジから内寄りを集束加熱する工程、エッジをレーザ仕上げする工程及びエッジを局所アニールする工程を含む。応力相殺により、レーザエッジ仕上処理によって加えられた熱エネルギーではそれほど大きな残留応力が生じない。発明のプロセスにより、処理されたエッジに沿う１ｍｍ幅内における残留応力は、３０００ｐｓｉ（２.０７×１０７Ｐａ）より低く、さらに好ましくは約１０００ｐｓｉ（６.８９×１０６Ｐａ）まで、さらに低くは６００ｐｓｉ（４.１３×１０６Ｐａ）に、低減される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのエッジを有する脆い板を仕上げるための熱エッジ仕上方法において、
前記板の少なくとも１つのエッジを、前記エッジに沿い、ただし前記エッジの内寄りを延びる材料ストリップを含めて、加熱する工程、
前記ストリップの温度を前記エッジの温度に対して高める工程、
前記エッジをサーマル熱源で処理して、前記エッジを丸めて仕上げる工程、及び
前記エッジ及び前記材料ストリップをアニールして、エッジ仕上中に発生した応力を低減する工程、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記温度を高める工程が、前記ストリップを前記エッジより高温に加熱するように向きを定められた集束熱源を提供する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記温度を高める工程が、前記ストリップ上に集束され、前記エッジから隔てられる炎を有するバーナーを含むような前記集束熱源を提供する工程を含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記温度を高める工程が、可変熱源を含むような前記バーナーを提供することを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記温度を高める工程が、前記板によって定められる平面に対してある角度をなすように前記集束熱源の向きを定める工程を含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記アニールする工程が、多重パスバーナーを含むアニール熱源を提供する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記アニールする工程が、前記バーナーの流量を制御する工程及び時間に基づいて前記板に対する前記バーナーの相対位置を制御する工程を含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記板の前記エッジに平行な方向に細長いパターンをもつレーザビームを発生するように適合された装置を提供する工程を含み、前記エッジを処理する工程が前記レーザビームを前記エッジ上に導く工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記加熱する工程、前記温度を高める工程、前記エッジを処理する工程、及び前記アニールする工程が、前記少なくとも１つのエッジに沿う応力を約３０００ｐｓｉ（２.０７×１０７Ｐａ）より低くまで低減することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
脆い板のエッジを仕上げるための熱エッジ仕上方法において、
前記エッジを予備加熱し、前記エッジから内寄りにある領域の温度を前記エッジの温度より高くすることにより、前記エッジに沿って前記板に熱張力を形成する工程、及び
前記エッジを非鋭利形状にレーザ仕上げする工程、
を含むことを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はガラス板の熱エッジ仕上に関し、さらに詳しくは、エッジに沿う残留引張応力を低減するために組み合せられる前レーザ処理及び後レーザ処理、すなわちエッジのレーザ仕上に先立つガラス板のエッジの熱張力形成及びレーザ仕上処理後のエッジアニールに関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）用ガラス板のための少なくとも１つの現行仕上プロセスには、表面保護のためのコーティングを施す工程、罫書きホイールによる機械的罫書きのような機械的切断プロセス及び研削仕上のような仕上プロセスが必要である。これらのプロセスは伝統的にウエットプロセスであり、機械的罫書きプロセス中及び研削仕上プロセス中に生じるガラス屑による汚染を除去するためのガラス板の洗浄が必要である。エッジ仕上プロセス中のガラス板洗浄の必要を排除し、形成プロセス後の仕上プロセスにおける関連工程を排除することが望ましい。
【０００３】
ガラス罫書き及び分割へのレーザの使用及び／またはガラス切断へのレーザの使用によるような、ガラス板を清浄に切断するための方法は既知である。例えば、特許文献１，２，３，４，５，６及び７を参照されたい。しかし、（ガラス罫書きまたはガラス切断へのレーザビームの使用を含む）熱プロセスでは、ガラスが処理中に歪点より高温まで局所的に加熱されるから、ガラスに大きな残留応力が発生する。そのような応力は、以降の取扱い、輸送及び使用中に破壊をおこさせ得るから、望ましくない。さらに、そのような応力はさらに小さいサイズへのガラスのレーザ切断を妨げ得る。局所熱処理（アニール）プロセスにより残留応力を低減するために輻射ヒーターを用いることはできる。しかし、ガラスの光透過性のため、輻射ヒーターで得ることができる応力解放は限られている。
【０００４】
既に機械仕上法を用いて面取りされているガラス円板のエッジを、レーザを用いてファイアポリッシュすることが知られている。例えば特許文献８は表面の擦り傷の平滑化除去のためのレーザの使用を開示している。しかし、特許文献８の好ましいビームには、表面だけの仕上が要求されることから、レーザビームの透過深さを最小限に抑えるために９.２５μｍ光が用いられる。特に、特許文献８にはガラスの切断面に丸められた（面取りされた）エッジを与えるための手段としてのレーザ使用は開示されておらず、どれだけ残留応力が解放されるかあるいは残留応力が解放されるか否かは開示されていない。さらに、レーザビームはエッジに集束され、数回のレーザビームパスが用いられる。よって、連続ガラス形成プロセスとの使用には向いていない。
【０００５】
特許文献９はガラスエッジを面取りするための楕円形レーザスポットの使用を説明している。しかし、スポットは、エッジに対して直角ではなく、ある角度をなしてエッジのコーナーに当てられ、さらに、スポットのピークパワーはコーナーに直接に当てられる。したがって、レーザパスはそれぞれのエッジに沿わなければならない（すなわち、少なくとも２回のパスが必要である）。特許文献９はさらにエッジアニールのために第２のレーザビームを用い得ることを開示しているが、応力低減の大きさは報告されていない。報告されているのは、面取りによってエッジに割れは生じないことだけである。特に、この面取り方法ではエッジのコーナーが丸められるだけであり、エッジ全体に単一半円の丸みが形成されることにはならない。
【０００６】
特許文献１０はレーザ切断ガラスのエッジを丸めるためのレーザの使用を説明している。しかし、特許文献１０には残留応力を解放するための方法は全く開示されていない。さらに、エッジ全体は丸められず、代りにコーナーだけが面取りされる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】米国特許第６７１３７３０号明細書
【特許文献２】米国特許第６２０４４７２号明細書
【特許文献３】米国特許第６３２７８７５号明細書
【特許文献４】米国特許第６４０７３６０号明細書
【特許文献５】米国特許第６４２０６７８号明細書
【特許文献６】米国特許第６５４１７３０号明細書
【特許文献７】米国特許第６１１２９６７号明細書
【特許文献８】米国特許第６５２１８６２号明細書
【特許文献９】国際公開第０３０１５９７６号パンフレット
【特許文献１０】米国特許第４６８２００３号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
したがって、仕上げられたガラスエッジのエッジに沿う残留引張応力が低減される、ガラス用の清浄エッジ仕上プロセス及び方法が必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、ガラス板またはセラミック板のような脆性材料板の切断エッジの、エッジに沿う残留引張応力を低減するために組み合せられた前レーザ処理及び後レーザ処理による、清浄仕上に関する。これは、比較的少数のエッジ仕上工程を用い、エッジ仕上プロセスに変わったプロセスまたは手順を必要とせずに、達成される。本システムは、ＬＣＤ用のような、ガラス板作成のための連続プロセスに適合する反復可能かつ一様なプロセスも提供する。
【００１０】
本発明の一態様において、少なくとも１つのエッジを有する、ガラス板またはセラミック板などの、脆性材料板を仕上げるための熱エッジ仕上方法は、エッジに沿い、ただしエッジの内寄りを延びる材料ストリップを含めて、板の少なくとも１つのエッジを加熱する工程を含む。本方法はストリップの温度をエッジの温度に対して高める工程、レーザビームなどサーマル熱源でエッジを処理して、エッジを丸めて仕上げる工程、及びエッジ及び材料ストリップをアニールして、エッジ仕上中に発生した応力を低減する工程をさらに含む。
【００１１】
本発明の別の態様において、ガラス板またはセラミック板のような板のエッジを仕上げるための熱エッジ仕上方法は、エッジを予熱することによりエッジに沿って板に熱張力形成する工程を含み、エッジから内寄りにある領域の温度をエッジの温度より高くする工程も含む。本方法はエッジを非鋭利形状にレーザ仕上げする工程をさらに含む。
【００１２】
本発明のまた別の態様において、エッジを有するガラス板またはセラミック板のような板を熱仕上げするための装置は、エッジに沿い、ただしエッジの内寄りを延びる材料ストリップの加熱を含めて、板のエッジを加熱するための第１の熱源を備える。本装置はストリップの温度をエッジの温度に対して高めるための第２の熱源、エッジを丸めて仕上げるために適合されたレーザビームを発生するように構成されたレーザデバイスのようなサーマル熱源、及びサーマル熱源によるエッジ仕上中に発生した応力を低減するためにエッジ及び材料ストリップをアニールするための第３の熱源をさらに備える。
【００１３】
本発明のさらなる特徴及び利点は以下の詳細な説明に述べられ、当業者には、ある程度は、説明から容易に明らかであろうし、本明細書に説明されるように本発明を実施することによって認められるであろう。説明の目的のため、以下の議論はガラス製造に関して進められる。しかし、添付される特許請求の範囲に定められ、述べられるような本発明は、脆性材料がガラスであると特定する請求項を除き、ガラス製造に限定されないことは当然である。
【００１４】
上述の全般的説明及び以下の詳細な説明が本発明の例に過ぎず、以下で特許請求されるような本発明の本質及び特徴を理解するための概要または枠組みの提供が目的とされていることは当然である。上に挙げた本発明の態様は、また、以下で論じられ、特許請求される本発明の好ましい実施形態及びその他の実施形態も、個別にまたはいずれかの組合せ及び全ての組合せで用いることができる。
【００１５】
添付図面は本発明のさらに深い理解を提供するために含められ、本明細書に組み入れられて、本明細書の一部をなす。図面は本発明の様々な実施形態を示し、記述とともに本発明の原理及び動作の説明に役立つ。図面に示される様々な特徴が必ずしも比例尺で描かれていないことに注意すべきである。実際には、議論の明解さのため、寸法は任意に拡大または縮小されていることがある。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は熱張力形成を用いるエッジ仕上プロセスを示すプロセスフローチャートである。
【図２】図２は前加熱プロセスを示す略図であり、図２Ａは前加熱プロセス中のガラス内の熱張力形成を示し、実線はエッジ面から内向きに隔てられた場所における温度プロファイルを表す。
【図３】図３はレーザエッジ仕上処理の直前にエッジの集束熱張力形成をおこさせるための集束前加熱プロセスを示す略図であり、図３Ａはレーザエッジ仕上処理の直前にガラス内におこる熱張力形成を示し、実線はエッジ面から内向きに隔てられた場所における温度プロファイルを表す。
【図４】図４、４Ａおよび４Ｂは、それぞれ、ガラス板のエッジ並びにエッジ仕上に用いられるようなレーザビームの形状及びサインの斜視図、端面図および断面図である。
【図５】図５は局所熱処理のためのヒーター及びバーナーの構成を示す略図であり、図５Ａはエッジ面から内向きに隔てられた場所において得られる局所熱処理温度プロファイルを示す。
【図６】図６は本発明のプロセス及び装置を用いて仕上げられたガラス板のエッジの上面図であり、図６Ａは本発明のプロセス及び装置を用いて仕上げられたガラス板のエッジの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下の詳細な説明においては、限定ではなく説明の目的のため、特定の詳細を開示する例示実施形態が本発明の完全な理解を提供するために述べられる。しかし、本開示の恩恵を有している当業者には、本発明が本明細書に開示される特定の詳細に拘束されない別の実施形態で実施できることが明らかであろう。さらに、周知のデバイス、方法及び材料の説明は本発明の説明を曖昧にしないために省略されることがある。
【００１８】
熱エッジ仕上のための図示されるプロセス（図１）は、前加熱（工程２０）、ガラスエッジに沿う熱張力形成（工程２１）、レーザエッジ仕上（工程２２）及び後レーザ局所加熱／アニール（工程２３）の、４つの主要工程を含む。ガラスエッジの内寄りのガラスの温度を高めることにより、エッジに沿うガラス材料に熱的に張力が形成される。この結果、以下に論じられるように、レーザエッジ仕上処理によって加えられる熱エネルギーにより生じる、仕上げられたガラス板のエッジに沿う残留応力がそれほど大きくなることはない。これは、ガラス板の形状及び光学特性のような属性を維持したままガラス板に施すことができるアニールの強さには限度があるから、重要である。エッジに沿う熱張力形成をともなう本プロセスを用いることにより、最終ガラス板は、処理されたエッジに沿う１ｍｍ幅内で１０００ｐｓｉ（６.８９×１０６Ｐａ）より低い残留応力のような、本応力低減プロセスを用いずに処理されたエッジに沿う１ｍｍ幅内の約８０００ｐｓｉ（５.５２×１０７Ｐａ）の残留応力と比較して、低いエッジ応力を有する。したがって、処理中及び処理後の望ましくないエッジ割れが低減または排除される。また低エッジ応力により、後にガラス板を、エッジ割れ、欠け並びに望ましくないガラスのクラック及び破壊のリスクが軽減された態様で、さらに切断できる能力も維持される。低エッジ応力は、例えば購入者の組立プロセスにおいて重要であり得る、面内歪も最小限に抑える。
【００１９】
図２に示されるように、前加熱工程２０では、エッジ２６近傍でガラス板２５の温度を高めて、冷却されたガラス板のエッジに沿う残留応力を低減する所望の伸張及び圧縮の過渡パターンを形成するために、対向輻射ヒーター２４（図２）が用いられる。ヒーター２４はガラス及びエッジに対して同等の位置にある必要はないことに注意されたい。熱張力形成工程２１は、エッジ２６から内方向に隔てられた材料ストリップ２８に熱を印加し、よってレーザビーム２９の印加直前にストリップ２８をエッジ２６より高温にして、エッジに沿う材料の熱張力形成をおこさせるために、斜向バーナー２７（図３）（または輻射ヒーター）を集束させる工程を含む。レーザエッジ仕上工程２２（図４）はエッジ２６を丸めて（図６）仕上げるためにエッジ２６にレーザビーム２９を当てる工程を含む。後レーザ熱処理／アニール工程２３（図５）は、ガラス板２５内の残留応力を低減するために輻射ヒーター３０を使用し、局所熱処理のためのエッジ２６及びストリップ２８に局所的に向けられた可変バーナー３１も使用する工程を含む。図示される工程２３は、レーザ処理されたエッジ２６を局所処理領域に移動させる第１の工程２３Ａ（図１），エッジに沿う材料のアニール点より高温にエッジ温度を維持する第２の工程２３Ｂ及びアニール点より高温から歪点より低温までの冷却を制御する第３の工程２３Ｃを含む。
【００２０】
ここで特定の例を説明する。図示されるガラス板２５はほぼ０.６５ｍｍ厚である（ガラス板はいかなる厚さもとることができると考えられる。とはいえ、本プロセスは、厚さが例えば約０.０３ｍｍ〜２.０ｍｍのガラス板のような、薄いガラスへの使用に非常に良く適している）。ガラス板２５は比較的鋭利なコーナー（すなわち「エッジ端」）２６ａ及び２６ｂ（図２Ａ）をもつ少なくとも１つの切断エッジ２６を有する。本図面は、処理中に静止して保持されているかのように示されている一枚板のガラスを示しているが、ガラス板が実際上既知の位置に保持されている限り、ガラス板は処理中に移動させることができると考えられる。あるいは、本プロセスは連続ガラス板形成プロセスと組み合せて、両端の切り口に沿うかまたはガラス板の先端（または後端）の切り口に沿うように、用いることができると考えられる。例えば、連続プロセスは約１００ｍｍ/秒の線速度で実施できるであろう。
【００２１】
工程２０において、ＬＣＤガラス板２５（図２及び２Ａ）は、ガラス板２５のエッジ２６に沿ってガラス板の両側に配置された対向輻射ヒーター２４の間で加熱される。エッジ２６及びストリップ２８の温度が上昇するにつれて、図２Ａの温度線に沿い、Ａ１に一般に過渡引張応力が生じ、内寄りの位置Ａ２に一般に過渡圧縮応力が生じる。特に、引張応力及び圧縮応力は、ガラスの熱力学特性及び物理特性に依存しまた特定のプロセスパラメータに依存して、エッジ２６に沿ってまたストリップ２８に沿って、変化し得る。輻射ヒーター２４はエッジ２６においてまたストリップ２８に沿って、ガラス板２５の温度を上昇させる。図２Ａにおいて、（エッジ面２６上の）位置Ａ１の温度Ｔ１は温度Ｔ４より高い約４００℃〜４４０℃であり、（エッジ２６からガラス板上で内寄りにやや、例えば約１０ｍｍ離れたストリップ２８の中心またはその近傍にある）位置Ａ２の温度Ｔ２は温度Ｔ１よりやや（例えば２５℃〜４０℃）高い。（位置Ａ２よりさらに、例えば約１０ｍｍ、内寄りにあり、内部残留応力がストリップ２８の内寄り側で釣り合う場所にある）位置Ａ３の温度Ｔ３は温度Ｔ１に近いがＴ１よりやや低い。（ストリップ２８のさらに内寄りにあり、位置Ａ３より内寄りにある）位置Ａ４の温度がＴ４である。図示されるように、輻射ヒーター２４は、Ｔ４からＴ２まで比較的滑らかに、ただし急激な増加率で上昇する温度勾配を位置Ａ４とＡ２の間に生じさせる。しかし温度は位置Ａ２でピークに達し、以降位置Ａ２から位置Ａ１にかけて（すなわち温度Ｔ２からエッジ２６における温度Ｔ１まで）やや低下する。
【００２２】
Ｔ１とＴ４の間の差は約４００℃が最適であるが、この最適温度差は材料特性及びプロセスパラメータに依存してかなり変わり得ることに注意されたい。Ｔ１とＴ２の間の温度差は変わり得るが、本例では約２５℃〜約４０℃と推定される。（図２Ａの灰色領域で表される）残留応力は、内寄り位置Ａ４において圧縮応力であり、（ストリップ２８の内寄り側の）位置Ａ３にかけて減少して、位置Ａ３において実質的にゼロになる、すなわち「釣り合う」。位置Ａ３において内部残留応力は反転して、ストリップ２８の中心の位置Ａ２においては引張応力になる。エッジ２６の位置Ａ１において残留応力は再び実質的にゼロになる、すなわち釣り合う。特に、位置Ａ４は、ガラス板にある程度の座屈があるであろうから、圧縮応力を受けないことがある。本発明の肝要な特徴は、過渡加熱中にエッジの内寄りでの熱圧縮によってエッジに沿う熱張力が発生することである。その他の過渡応力はガラスの寸法及び形状に基づいて発生する「釣合い」応力に過ぎない。
【００２３】
工程２１において、エッジ２６の内寄りのストリップ２８は、バーナー２７のような、集束第２熱源を用いることによって加熱されて、エッジ２６に沿う熱張力形成がさらに強められる。バーナー２７はエッジ仕上直前にエッジの内寄りにさらに大きな温度勾配を生じさせる。この温度勾配はエッジの温度をエッジのすぐ内寄りの狭い領域における温度より低くするであろう。バーナー２７はガラスに対してある入射角をもって適用される。この入射角はバーナーとガラスの間の距離とともに、エッジに沿ってつくられる局所ホットスポットの面積及び温度のいずれをも変化させるために、変えられる。このプロセスにより、エッジはその内寄りのホットスポットに対して過渡的に伸張させられる。（バーナー制御による）温度及び位置の制御も、ガラス板を平面に維持するに役立つことによるように、レーザビームの印加中のガラス板配置の維持に役立つ。
【００２４】
詳しくは、熱張力形成は、対向輻射ヒーター２４の間でＬＣＤガラス板２５のエッジ２６及びストリップ２６の加熱を続けながら（図３及び３Ａ）、斜向／集束バーナー２７でストリップ２８上の特定の位置Ａ２を加熱することによって達成される。図示されるように、集束バーナー２７は位置Ａ２の周囲のガラス板２５の温度を高めてピーク（すなわち位置Ａ２）における温度がさらに約２５℃〜８５℃高くなるようにコントローラで可変制御される。したがって、エッジ位置Ａ１とストリップ位置Ａ２の間の図示される温度差はエッジに沿う熱張力を実質的に高める約５０℃〜約１２５℃であり、好ましくは約１００℃である。位置Ａ２はガラス板のエッジ２６からやや内寄りに、例えば約１０ｍｍ離れた、ストリップ２８の中心近くにある。この範囲の温度差により、レーザ処理の前に最適な熱張力が形成される。（位置Ａ２より例えばさらに１０ｍｍ内寄りにあり、ストリップ２８の内寄り側で内部応力が釣り合う場所にある）位置Ａ３の温度Ｔ３は温度Ｔ１に近いが、Ｔ１よりやや低い。特に、図３Ａに示されるような温度Ｔ３は、ガラス板２５がヒーター２４の間を移動し、バーナー２７を通過して、レーザ処理所に進む間の、ガラス板２５内及び周囲の熱力学効果及び熱伝達によって、図２Ａに示される温度よりやや高くなり得る。過渡応力（図３Ａを見よ）は図２Ａに示される過渡応力と同様であるが、位置Ａ２において強められている。
【００２５】
工程２２（図４，４Ａ及び４Ｂ）は、「帽子形」ビームプロファイルを有する楕円形レーザビーム２９を用いてガラス板２５のエッジ２６を仕上げる工程を含む。特に、ビームの「帽子」はガラス板２５の厚さよりやや大きく、ビーム２９の相対位置がある程度変動しても、ビーム２９がガラス板２５のエッジ２６のコーナー２６ａ及び２６ｂを見失うことはないようになっている。エッジ２６は切断エッジであり、比較的鋭利な上端コーナー２６ａ及び下端コーナー２６ｂを有する。ビーム２９は細長く、ガラス板のエッジに直交方向に位置決めされる。楕円形のビームは、プロセス速度を高めることから好ましい。このビーム形状は、II-IV companyまたはLaser Research Optics companyから入手できるような市販の反射及び屈折光学系によって得られる。"Ｄ"モードプロファイルが改変されて、シルクハット構造（図４）が与えられる。このプロファイルではビーム幅にわたってほぼ一定のピークパワーが用いられ、よってガラス対ビーム位置合せの関数としてのエッジ丸めの変動を低減する。この結果、一様なエッジ丸めが得られ、移動中の破壊が低減される。
【００２６】
ガラス板はレーザビームの下に移動されて、十分な光束がエッジに与えられると丸いエッジが形成される。ガラス板の面からのガラスの「傘状はみ出し」は最小（すなわち０.５μｍ未満）である。曲率半径は印加レーザパワー及びレーザ滞留時間のようなプロセスパラメータを変えることによって調節することができる。レーザエッジ仕上処理使用の結果、ガラスエッジに沿う１ｍｍ幅内に（例えば８０００ｐｓｉ（５.５２×１０７Ｐａ）より大きな）高局所応力が生じ得る。これは、プロセス中またはプロセス後に割れを生じさせ得るし、また所望の大きさへのガラス板の切断も妨げ得るから、望ましくない。しかし、本熱張力形成を用いることでこのエッジ応力は、以下に論じるように、約１０００ｐｓｉ（６.８９×１０６Ｐａ）まで低減することができる。印加レーザパワー及びレーザ滞留時間のようなレーザプロセスパラメータを変えることによって曲率半径を調節できることに注意されたい。
【００２７】
アニール工程２３（図５及び５Ａ）は、燃料として天然ガスまたは水素が供給されるバーナー３１を使用する工程を含む。酸素及び／または空気が局所熱処理プロセスにおける酸化源として用いられる。バーナー３１は、エッジ２６の温度がガラスのアニール点より高くなるようにエッジ２６に適用される。バーナー３１は、炎前面にかけて温度変動を最小限に抑えるため、またこの熱処理プロセス中にガラス板２５に昇温及び冷却（弛緩）の機会を与えるためにも、この適用中にガラス板２５の長さに沿って移動される。ガラス板２５の温度は、バーナー３１がエッジ２６を変身させるバーナー３１のパス回数を制御することによって、及び時間の関数として燃料ガス及び空気の質量流量を制御することによって、アニール点より高温に維持される。バーナー３１は加熱を局所化し、炎前面への浮力駆動流効果を排除するために、ある入射角でガラス板２５に適用される。バーナー３１はガラス板２５の移動方向に沿って、また移動方向に直角にも、調節可能な態様で移動される。また、燃料ガス及び空気の流入量も、出力エネルギー／ガラス温度を調節可能な態様で制御するために変えられる。このプロセスによって、StrainOptics IncからのDIAS-1600ユニットのような市販の装置を用い、標準操作手順を用いた測定値に基づけば、残留引張応力が３０００ｐｓｉ（２.０７×１０７Ｐａ）より低く、さらに好ましくは１０００ｐｓｉ（６.８９×１０６Ｐａ）より低く、６００ｐｓｉ（４.１３×１０６Ｐａ）までも低くなる、エッジを得ることが可能になる。特に、エッジ衝撃試験及びエッジに沿う曲げ試験では、低エッジ残留応力の上記測定値に矛盾しない、改善された結果が得られた。３０００ｐｓｉ（２.０７×１０７Ｐａ）より低いエッジ残留応力は、許容できない欠陥及びガラス損傷を形成しない以降のガラスの切断及び処理が可能になるから、重要であり得ることに注意されたい。
【００２８】
図６及び６Ａに示されるように、（本熱張力形成プロセスを用いて仕上げられたままの）ガラス板のエッジは清浄に丸められたエッジを有する。ガラス板の前縁面から後縁面まで延びる（図示されるような）連続弧（半円柱面）形状を有するようにエッジを作成できることに注意されたい。しかし、（本熱張力形成プロセスを用いて仕上げられたままの）ガラス板のエッジは平面で接続された２つの弧状コーナーを有するようにも作成できると考えられる。この場合、レーザビームはコーナーを処理するために用いられ、コーナー間は未処理のまま（または軽く処理して）平面にしておかれる。また、エッジは、非対称形、放物面形またはその他の形状になるように処理することができるとも考えられる。
【００２９】
本手順の熱張力形成プロセスの結果が「応力相殺」であることに注意されたい。術語「応力相殺」が本開示において詳細に定義される必要はないが、当業者の本エッジ仕上プロセスの動力学の理解を補助するためにここに注記される。
【００３０】
本発明を本発明の特定の例示実施形態に関して説明したが、上記説明に照らせば当業者には多くの別形、改変及び変形が明らかであろうことは明白である。したがって、本発明は、添付される特許請求の範囲の精神及び広い範囲内に入るような別形、改変及び変形の全てを包含するとされる。
【符号の説明】
【００３１】
２４，３０    輻射ヒーター
２５    ガラス板
２６    エッジ
２７，３１    バーナー
２８    材料ストリップ
２９    レーザビーム
【図１】
2010501456.tif 000003
【図２】
2010501456.tif 000004
【図２Ａ】
2010501456.tif 000005
【図３】
2010501456.tif 000006
【図３Ａ】
2010501456.tif 000007
【図４】
2010501456.tif 000008
【図４Ａ】
2010501456.tif 000009
【図４Ｂ】
2010501456.tif 000010
【図５】
2010501456.tif 000011
【図５Ａ】
2010501456.tif 000012
【図６】
2010501456.tif 000013
【図６Ａ】
2010501456.tif 000014
【国際調査報告】
2010501456.tif 000015
2010501456.tif 000016