(57)【要約】  全プロセス完了ウエハに導電性バイアを形成する方法は、全プロセス完了ウエハの背面に少なくとも一つの溝領域を画成するステップと、その溝領域内に少なくとも一つの溝を、その溝内に形成されるバイアに対して全長にわたってシード被覆を可能にする、全体的な深さまで形成するステップと、全プロセス完了ウエハの溝内に所定の深さまでバイアを形成するステップと、バイアの全長にわたってシード層を堆積するステップと、導電性メタルでバイアを充填するためにシード層をめっきするステップとを含む。
2010507260.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
全プロセス完了ウエハに導電性バイアを形成する方法であって：
前記全プロセス完了ウエハの背面に少なくとも一つの溝領域を画成するステップと；
前記溝領域内に少なくとも一つの溝を、前記溝内に形成されるバイアに対して全長にわたってシード被覆を可能にする、全体的な深さまで、前記全プロセス完了ウエハの背面に形成するステップと；
前記全プロセス完了ウエハの前記溝内に所定の深さまで前記バイアを形成するステップであって、前記バイアの軸方向縁部における前記溝の底部表面と、前記所定の深さとの間の距離が前記全長を定義するステップと；
前記バイアの前記全長にわたってシード層を堆積するステップと；
導電性メタルで前記バイアを充填するために前記シード層をめっきするステップとを備える、
方法。
【請求項２】
前記少なくとも一つの溝を形成するステップは：
前記溝領域内で、前記全プロセス完了ウエハの背面をエッチングするステップを備える、
請求項１の方法。
【請求項３】
前記エッチングするステップがウェットエッチングプロセスを備える、
請求項２の方法。
【請求項４】
前記エッチングするステップがドライエッチングプロセスを備える、
請求項２の方法。
【請求項５】
前記少なくとも一つの溝領域は複数の溝領域のうちの一つであり、前記複数の溝領域の合計は、前記全プロセス完了ウエハの元の背面領域全面積の７５％未満である、
請求項１の方法。
【請求項６】
前記複数の溝領域の前記合計は、前記全プロセス完了ウエハの元の背面領域全面積の５０％未満である、
請求項５の方法。
【請求項７】
前記溝領域内に前記少なくとも一つの溝を形成する前記ステップが：
段差付き溝を形成するステップを備える、
請求項１の方法。
【請求項８】
前記溝内に少なくとも一つの追加バイアを形成するステップを更に備える、
請求項１の方法。
【請求項９】
前記溝内に前記少なくとも一つの追加バイアを形成する前記ステップは：
前記バイアを形成する前記ステップと同時に前記少なくとも一つの追加バイアを作成するステップを備える、
請求項８の方法。
【請求項１０】
前記溝内に前記少なくとも一つの追加バイアを形成する前記ステップは：
前記バイアを形成する前記ステップの間を除く時間に、前記少なくとも一つの追加バイアを異なる所定の深さまで作成するステップを備える、
請求項８の方法。
【請求項１１】
前記全プロセス完了ウエハは、複数のチップを備え、前記少なくとも一つの溝領域を画成する前記ステップは：
一つ以上の前記チップ全体の外側境界を超える前記少なくとも一つの溝領域の周囲を画成するステップを備える、
請求項１の方法。
【請求項１２】
前記全プロセス完了ウエハの前記背面を薄くして、前記バイア内の前記導電性メタルへのアクセスを提供するステップを更に備える、
請求項１の方法。
【請求項１３】
前記方法が：
前記薄くするステップに次いで、前記全プロセス完了ウエハからチップをソーで切断するステップを更に備える、
請求項１２の方法。
【請求項１４】
前記方法が：
前記薄くするステップに次いで、前記全プロセス完了ウエハからチップをダイシングするステップを更に備える、
請求項１２の方法。
【請求項１５】
前記全プロセス完了ウエハは、複数のチップを備え、前記少なくとも一つの溝領域を画成する前記ステップは：
前記チップのうちの一つの外周内に少なくとも一部が存在する前記少なくとも一つの溝領域の周囲を画成するステップを備える、
請求項１の方法。
【請求項１６】
前記少なくとも一つの溝を画成する前記ステップは：
前記ウエハ上に形成される個々のチップと整列し、かつ僅かに大きくなるような溝サイズおよび溝形状を画成するステップを備える、
請求項１の方法。
【請求項１７】
前記全プロセス完了ウエハからチップをソーで切断するステップを更に備える、
請求項１の方法。
【請求項１８】
前記全プロセス完了ウエハからチップをダイシングするステップを更に備える、
請求項１の方法。
【請求項１９】
前記溝領域内に少なくとも一つの溝を形成する前記ステップが：
第１の溝領域を画成する周囲境界を有する第１の溝を形成するステップと；
前記第１の溝を形成する前記ステップと同一方法で前記第１の溝領域内に第２の溝を形成するステップとを備える、
請求項１の方法。
【請求項２０】
前記溝内に前記バイアを形成する前記ステップが：
前記第２の溝の周囲境界内に前記バイアを形成するステップを備える、
請求項１９の方法。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
［関連出願の相互参照］
本願は、３５ＵＳＣ１１９（ｅ）（ｌ）を根拠とした、米国仮特許出願第６０／８２９，７７２号に基づく優先権の利益を請求するものであり、その全文を参照することで本明細書に組み込む。
【０００２】
半導体ウエハを扱う場合、プロセス中に割れることがないよう厚いウエハを扱うことが好ましい。しかし、バイアが深くなるにつれて、その中に現在の堆積技法を利用してシード層を形成するのは、特にコストの点からみて次第に困難になっている。細いバイア内で、１５０μｍを超える深さまでシード層を被覆するのは一般に困難であり、費用対効果が低下するのが普通である。従って、細い径のバイアを充填するのにめっき法を用いる場合、ほとんどの市販ウエハに共通している約５００〜７５０μｍが代表値（またはそれ以上）の厚さのウエハを最初に薄くすることなく、ウエハ上に上記特許出願のバイアを用いるのは困難である。しかしながら、このようなウエハを適切な厚さまで薄くすると、ウエハを曲げやすくすることができるが、ウエハは脆いので、取扱い中に割れる可能性が極めて高くなる。これはプロセス前のウエハでは許容できるリスクかもしれないが、コストを最小限に抑える場合、全プロセスが完了したウエハ（すなわち、少なくともフロントエンドプロセスを既に行ったもの、さらに多くの場合には、バックエンドプロセスをも行ったもの）ではコストが著しく高くなるので許容されない。
【発明の概要】
【０００３】
本発明者らは、壊れやすい厚さまでウエハを薄くすることなく、全プロセス完了ウエハで上記参照のバイアが使用できるような、上記課題を解決する方法を発明した。更に本発明者らの手法は、極端に高精度の技法や高コストの技法を使用しなくても実行できるものである。
【０００４】
本発明者らの手法では、ウエハの選択部分の厚さだけを薄くする。この方法では、薄くした領域内の厚さは、上記参照のバイア手法を用いて適切なシード層を堆積できるような厚さである。更に、その領域部分だけを薄くするので、ウエハ全体の構造的な剛性を、必要とされる取扱いができる程度に保つことができる。更に、薄くする領域はバイアが配置される領域に限定することができ、その境界自体は厳密に決定されるものではないので、必要に応じて粗いエッチング技法を用いて広めにエッチングすることができる。実際、バイア形成後の薄くする加工でその境界全体を除去する場合がある。
【０００５】
全プロセス完了ウエハに導電性バイアを形成する手法の一実施の形態は、全プロセス完了ウエハの背面に少なくとも一つの溝領域を画成するステップと、その溝領域内に少なくとも一つの溝を、その溝内に形成されるバイアに対して全長にわたってシード被覆を可能にする、全体的な深さまで形成するステップと、全プロセス完了ウエハの溝内に所定の深さまでバイアを形成するステップと、バイアの全長にわたってシード層を堆積するステップと、導電性メタルでバイアを充填するためにシード層をめっきするステップとを含む。
【０００６】
本明細書に記載された利点および特徴は、代表的な実施例から得られる多くの利点および特徴のうちの数点であり、本発明の理解を助けるためだけに示されている。これらは、発明の限定または均等物の限定にはあたらないと解されるべきものである。たとえば、これらの利点のいくつかは、単一の実施例において同時に存在できないという点で、相互に矛盾したものである。同様に、いくつかの利点は、本発明の一態様に適用できるが、他の態様に適用できるものではない。さらなる特徴および利点は、以下の記載および図により明らかになるだろう。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１Ａ】「溝」技法の一実施例の手法の略図である。
【図１Ｂ】「溝」技法の一実施例の手法の略図である。
【図１Ｃ】「溝」技法の一実施例の手法の略図である。
【図１Ｄ】「溝」技法の一実施例の手法の略図である。
【図１Ｅ】「溝」技法の一実施例の手法の略図である。
【図１Ｆ】「溝」技法の一実施例の手法の略図である。
【図１Ｇ】「溝」技法の一実施例の手法の略図である。
【図１Ｈ】「溝」技法の一実施例の手法の略図である。
【０００８】
【図２Ａ】本明細書で説明する一実施例の手法を用いるウエハの略図である。
【図２Ｂ】本明細書で説明する一実施例の手法を用いるウエハの略図である。
【０００９】
【図３Ａ】二以上の「スタックした」溝を含む上記手法の変形を示す図である。
【図３Ｂ】二以上の「スタックした」溝を含む上記手法の変形を示す図である。
【図３Ｃ】二以上の「スタックした」溝を含む上記手法の変形を示す図である。
【図３Ｄ】二以上の「スタックした」溝を含む上記手法の変形を示す図である。
【図３Ｅ】二以上の「スタックした」溝を含む上記手法の変形を示す図である。
【図３Ｆ】二以上の「スタックした」溝を含む上記手法の変形を示す図である。
【図３Ｇ】二以上の「スタックした」溝を含む上記手法の変形を示す図である。
【図３Ｈ】二以上の「スタックした」溝を含む上記手法の変形を示す図である。
【図３Ｉ】二以上の「スタックした」溝を含む上記手法の変形を示す図である。
【図３Ｊ】二以上の「スタックした」溝を含む上記手法の変形を示す図である。
【図３Ｋ】二以上の「スタックした」溝を含む上記手法の変形を示す図である。
【図３Ｌ】二以上の「スタックした」溝を含む上記手法の変形を示す図である。
【００１０】
【図４】本明細書で説明する手法の内の一つを用いて作成したウエハの一部を示す写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
米国特許出願第１１／３２９，４８１号、第１１／３２９，５０６号、第１１／３２９，５３９号、第１１／３２９，５４０号、第１１／３２９，５５６号、第１１／３２９，５５７号、第１１／３２９，５５８号、第１１／３２９，５７４号、第１１／３２９，５７５号、第１１／３２９，５７６号、第１１／３２９，８７３号、第１１／３２９，８７４号、第１１／３２９，８７５号、第１１／３２９，８８３号、第１１／３２９，８８５号、第１１／３２９，８８６号、第１１／３２９，８８７号、第１１／３２９，９５２号、第１１／３２９，９５３号、第１１／３２９，９５５号、第１１／３３０，０１１号、および第１１／４２２，５５１号には、半導体ウエハに小径、かつ深いバイアを形成するための各種の技法が記載されている。これらの出願の内容は、参照することにより全内容が本明細書に記述されているかのように組み込まれる。
【００１２】
これらの出願に記載された本発明者らの技法により、従来は到達できなかったバイアの密度および配置が可能になり、しかもチップ、ダイまたはウエハスケールで実行することができる。場合により、既にデバイスを形成したウエハ、バックエンドプロセス（すなわち、デバイス間接続、メタライズ層間接続の形成）を完了させたウエハ、または事前に薄くしていないウエハに本技法を実行することが望ましい。典型的な半導体ウエハは、厚さが約５００μｍ〜７５０μｍまたはそれ以上である。
【００１３】
しかしながら、上記のように、この厚さのウエハでは、デバイス接点または一つ以上のバックエンドメタライズ層まで達することができ、かつメタル化できるようにシード被覆が可能な、多数の、かつ小径の高密度バイアを作成するのは極めて困難である。上記参照の特許出願に記載されている手法は、ウエハスケールの手法を使用する場合の、バイア形成前にウエハを事前に薄くすることによって起こる問題にあまり触れていない。しかし、上記のように特定量を超えてウエハ全体を薄くすると、ルーチン的なウエハプロセス手法を用いる取扱いに対して壊れやすくなりすぎる。
【００１４】
本発明者らの手法は「溝」技法であり、この技法には完全に形成済みのウエハの背面の第１エッチング領域が含まれる。これらの領域においてウエハを薄くするものである。これらの領域は、適切なシード層堆積が可能な、深いバイアの形成のために、薄くすることが必要となる。その一方で、ウエハの大部分は、全厚さのままであるか、あるいは事前に薄くした厚さであって、そのあとのウエハのルーチン的取扱いが可能な厚さおよび全体剛性を維持するような、厚さのままである。
【００１５】
特定の実施の形態に応じて、薄くする領域は：ｉ）ダイシングしたあとに得られる個々のチップの領域と同等またはそれ以上の領域を対象とするか；ｉｉ）バイアのグループが形成される狭い領域を対象とするか；またはｉｉｉ）個々のバイアが形成される個々の領域だけを対象とすることができる。
【００１６】
用語統一のために、この薄くした領域を本明細書では、「溝」と称するが、言うまでもなく、この用語に、何れかの、特定形状、アスペクト比（すなわち、幅に対する深さの比）関係、または他の幾何構成を含ませる意図はない。
【００１７】
更に、これらの溝は、詳細に後述する後続ステップで役立つように作成することができる。
【００１８】
上記三つの手法のどれを用いたとしても、溝の全面積はウエハ全面積に対する割合で、普通は７５％未満、典型的には５０％以下として、ウエハの構造的完全性および従来の方法による取扱い方が確実に維持されるようにする。
【００１９】
有利な点は、この溝がバイアを形成するために用いるのと同一のエッチングプロセスで形成できるということにある。代替として、溝をウェットエッチングプロセスのような低精度のプロセスを用いて形成してもよい。
【００２０】
更に、溝の深さは、バイアの直径と深さに応じて深くても浅くてもよい。注意点として、必要な溝の深さは、溝の範囲内でウエハに形成されるバイアに対して、全深さまでシード層被覆可能となるような深さであることである。例えば、全厚さが７５０μｍのウエハに直径５０μｍのバイアを作成するとしたら、要求される領域内のウエハ厚さが４００μｍとなる溝があればよく、あるいは直径１０μｍのバイアを作製するとしたらウエハ厚さが１５０μｍとなる溝があればよい。先に注記したように、溝の範囲内でウエハが薄くなるほど、残すべき領域であるウエハに残存する領域が増加するが、より深い溝（すなわち、より薄いウエハの領域）を提供することもできる。
【００２１】
場合によっては、最も細いバイアでの場合が典型的であるが、二以上の「スタックされた溝」が使用される多段手法が、全体の構造的完全性を保ったまま必要な厚さまでウエハを薄くするために用いられ得る。
【００２２】
最後に、上記参照の、同一出願人による特許出願に記載されているようなバイアについて本手法を図解したが、同一の手法は、類似の課題をもつ他のバイア形成技法と併せて用いることも可能である。
【００２３】
図に戻って、図１Ａ〜図１Ｇに「溝」技法の一実施例の手法を略図で示す。
【００２４】
図１Ａに半導体ウエハ１００の一部を略図で示す。図示のように、半導体は、全厚さのままであり、ダイシングのための準備が済んでおり、フロントエンドプロセスおよびバックエンドプロセスが完了した状態である。但し、本実施例で本発明者らが想定しているのは、ウエハに、背面下から、バックエンドプロセスの一部として配置されたメタライズ層のうちの一層の一部にバイアを追加するというものである。
【００２５】
プロセスは、以下のように進行する。
【００２６】
最初に図１Ｂに示すように、深いメタル充填バイアが予定される領域に渡って溝１０２を形成するが、ウエハが厚すぎて、要求される深さまでのエッチング、シード堆積、またはその両方が不可能である。溝領域１０４は、例えば、従来のドライエッチングまたはウェットエッチング技法を用いて、バイア形成およびメタル化ポイント１１０までのシード堆積に必要な基準を満たすように、また（この例での）接続されるメタル化ポイント１１０から十分な深さである、深さ１０６まで、画成および形成され、新規の外表面１０８を画成する。
【００２７】
注目すべきは、溝１０２の表面形状はそれを画成する能力だけで決まるという点である。従って、特定の用途に応じて、単純な四角形や円形から極めて複雑な幾何形状まで、任意の形状を用いることができる。
【００２８】
次に、所望の方法でバイアを形成する。図１Ｃ〜図１Ｇに示すように、説明のために、上記参照の特許出願に記載されているような環状バイアの手法を用いる。
【００２９】
簡明な説明のために、溝１０２内の二つのバイア１１０、１１２を示す。理解を容易にするために、左側のバイア１１０はメタライズ層内の中間点１１１まで延び、一方、右側のバイア１１２は最初のメタライズ層１１６までしか延びていない。言うまでもないが、バイア１１０、１１２は深さが異なるので、同時には形成されないが、バイアの深さが共通し直径が同一なら同時に作成される。更に言うまでもなく、図示の環状バイア１１０、１１２は正しい縮尺ではなく、大幅に誇張してあるので尺度は実情を反映していない。
【００３０】
図に戻ると、図１Ｃに示すように、環状リング形のバイア溝１１８が形成される。図１Ｄに示すように、バイア溝１１８は、絶縁体１２０で充填される。図１Ｅに示すように、絶縁体１２０内部の半導体材料の内側アイランド１２２は除去される。図１Ｆに示すように、シード層１２４が堆積されて、バイアは、この例では、電気めっきプロセスを用いてメタル１２６で充填される。そのあと、本プロセスの理解には無関係なデバイスパッドの形成やその他の所望の追加プロセスのステップが実行される。
【００３１】
最後に、図１Ｇ、図１Ｈに示すように、使用される溝の量に応じて（すなわち、溝がチップの境界を超える単一の溝であったかどうか）、ウエハを、ソー切断もしくは（前の例での）ダイシングのいずれかで単に加工するか、またはメタル充填バイアにより形成される接点１２８、１３０にアクセスできるよう薄く加工してから、ダイシングもしくはソー切断することができる。どちらの場合も、薄くする手法に応じて、いくつかの実施の形態の変形形態では、新規形成バイアがポスト１３２、１３４として用いられ、他の実施の形態の変形形態では、バイアは取り付けられた接点パッド１２８、１３０を備えることができる。
【００３２】
注意すべきは、本手法を一対のバイアとして説明したが、本手法は、単一バイアでも多数バイア（二つから文字通り数百以上まで）でも同一であり、唯一、使用する溝のサイズまたは形状が異なるだけである。
【００３３】
図２に本明細書で説明するような一実施例の手法を用いるウエハ２００を、溝のある面と（図２Ａ）、Ａ−Ａに沿った断面（図２Ｂ）の両方の略図で示す。本手法では、溝２０２は、ウエハ２００上に形成される個々のチップ２０４と整列し、かつ僅かに大きくなるようなサイズおよび形状としている。
【００３４】
図３Ａ〜図３Ｌに、例えば、厚いウエハに極端に細いバイアまたは特定の接点形成要件に適合する、二以上の「スタックされた」溝を含む上記手法の変形を示す。
【００３５】
上記手法と同様に、本手法は、完全に形成済みのウエハ３００で開始する。図３Ａに簡略化した部分を示す。
【００３６】
図３Ｂに示すように、溝３０２は、ウエハ３００の背面３０４に規定の深さ３０６まで、上記と同様に、例えば、ウェットエッチングまたはドライエッチング手法を用いて形成される。
【００３７】
次に、図３Ｃに示すように、第１の溝３０２の形成と同一方法で、一対の小さな溝３０８、３１０が第１の溝３０２の底面３１２に形成される。誤解されないように注意しておくと、「同一方法」の意味は、第１の溝３０２の下面３１２が開始面として（すなわち、第１の溝３０２が形成される前のウエハ３００の元の面３１４のように）扱われるということである。第１の溝を形成するために用いたのと同一の手法を必ずしも使用する必要はなく、同一手法でも異なる手法でもよい。
【００３８】
第２の深さの溝３０８、３１０を形成後、第２の溝３０８、３１０の底面３１６と、所望する接続点３１８、３２０との間の距離は、意図するバイアサイズでのシード堆積が可能となるのに必要な範囲内になる。
【００３９】
これで、実際のバイア形成プロセスを開始でき、簡明な例示のために、基本的な環状バイアの手法を用いる（上記したように寸法は正しい縮尺ではないことに留意）。従って、図３Ｄに示すように、環状バイア３２２、３２４は、第２の溝３０８、３１０の底面３１６から、さらにメタライズ層のそれぞれのポイントである、それぞれ所望する接続点３１８、３２０まで延びるように作成される。
【００４０】
ここで、注目すべきは、二つの異なる溝３０２、３０８を用いて適切な深さをウエハ基盤上に構築するが、大部分のウエハの厚さが、接続点３１８までの厚さＮのままで元の面３１４に残るということである。更にウエハ３００の広い部分がＮ−Ｚの厚さで残り、ウエハの狭い部分だけがＮ−（Ｙ＋Ｚ）の厚さとなる。更に、この多重深さ（または多段）の手法を用いると、ウエハが弱くなるという重大なリスクを招くことなく、深さＹとＺを選択する自由度が得られる。
【００４１】
図３Ｅに溝側からみたウエハ３００の部分図を示す。従って、図３Ｅは、面「ａ」、「ｂ」、「ｃ」および環状溝「ｄ」の別の図を示す。
【００４２】
図３Ｆに、環状バイア３２２、３２４が絶縁体３２６により充填されたあとのウエハ３００を示す。図３Ｇに、環状絶縁体３２６内部の半導体材料のアイランド３２８を、所望のメタル接続点３１８、３２０まで除去したあとのウエハ３００を示す。図３Ｈに、ボイドにシード加工３２２してメタル３２４で充填したあとのウエハ３００を示す。
【００４３】
この時点で、本手法により、二つの新規オプションが利用可能になる。一つのオプションでは、図３Ｉに示すように、ウエハ３００をダイシングして、そのチップを薄くして新規に形成される接点３２６、３２８を露出させるか、またはウエハ３００を薄くしてからダイシングすることができる。どちらの場合でもその後、要望または必要があれば、例えば、接点パッド３３０、３３２を作成する（図３Ｊ）。他のオプションでは、例えば、全体的なバイアのピッチや第２の溝が適切なサイズと空間であるのとは対照的に、非常に細いバイアを必要とする理由が接続されるポイントに関係している場合、ウエハまたは（ダイシングされている場合は）チップは、第２バイアまで簡単に薄くすることができる（図３Ｋ）。その後、図３Ｌに示すように、接点パッド形成プロセスの前に、またはそのプロセスの一部として、第２バイアを絶縁体３３４で充填することができる。この方法で、ウエハまたはチップをより厚く維持することができる。
【００４４】
図４は、上記手法の内の一つを用いて作成されたウエハの一部の写真である。写真から分かるように、図４の手法の場合、多数の溝が単一チップの境界内で用いられている。この例では、個々のバイアを基準として用いられている。
【００４５】
最後に、注目に値するのは、幾つかの変形形態で、他の目的に役立てるための溝も形成できるということである。例えば、多様な実施の形態においては、環状溝内のチャネル絶縁体に役立てるか、または経路変更配線となるメタル、でなければ経路変更配線を形成するメタルを閉じ込めるように、溝を設計できる。このように、特定の実施の形態および構成に応じて、上記説明のバイア深さの問題に対処するだけでなく多目的の溝として役立てることができる。
【００４６】
このように、ここでの記載（図含む）は、説明に役立つ代表的な実施例にすぎないと解されるべきである。読み手の便宜のため、上記記載は、あらゆる可能な実施例のうちの代表的な例に専心したものである。例は、本発明の原理を教授する。上記記載は、包括的にあらゆる可能な変形例を列挙しているわけではない。このような代替の実施例は、本発明の特定の部分のためには提示されていないかもしれない、もしくは、さらに不記載の代替の実施例が、（本発明の特定の）部分のためには有用であるかもしれないが、これらの代替の実施例についての権利の放棄とみなされるものではない。当業者は、こうした不記載の実施例の多くが、本発明および他の均等物の原理と同一の原理を包含していることを認識するであろう。
【図１Ａ】
2010507260.tif 000003
【図１Ｂ】
2010507260.tif 000004
【図１Ｃ】
2010507260.tif 000005
【図１Ｄ】
2010507260.tif 000006
【図１Ｅ】
2010507260.tif 000007
【図１Ｆ】
2010507260.tif 000008
【図１Ｇ】
2010507260.tif 000009
【図１Ｈ】
2010507260.tif 000010
【図２Ａ）】
2010507260.tif 000011
【図２Ｂ）】
2010507260.tif 000012
【図３Ａ】
2010507260.tif 000013
【図３Ｂ】
2010507260.tif 000014
【図３Ｃ】
2010507260.tif 000015
【図３Ｄ】
2010507260.tif 000016
【図３Ｅ】
2010507260.tif 000017
【図３Ｆ】
2010507260.tif 000018
【図３Ｇ】
2010507260.tif 000019
【図３Ｈ】
2010507260.tif 000020
【図３Ｉ】
2010507260.tif 000021
【図３Ｊ】
2010507260.tif 000022
【図３Ｋ】
2010507260.tif 000023
【図３Ｌ】
2010507260.tif 000024
【図４】
2010507260.tif 000025
【国際調査報告】
2010507260.tif 000026