(57)【要約】  本発明は、少なくとも１のオルガニルオキシシリル基を有する有機ポリマー（Ａ）と、式［Ｒ4Ｐ+］sＸs-（ここで、Ｘは、式（ＩＩ）Ｏ＝ＰＲ1n（Ｏ-）m（ＯＲ2）3-n-mの基及び／又は１以上のＰ−Ｏ−Ｐ結合を有するその縮合物、又は、式-ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ1'の基であり、かつ、残りの基及び係数は請求項１に記載の意味を有する）の化合物（Ｂ）とを含有する、縮合反応により架橋可能な材料、その製造法及びその使用に関する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１のオルガニルオキシシリル基を有する有機ポリマー（Ａ）と、式
【化１】
2010528138.tif 000021
［式中、
ｓは、１、２又は３であり、
Ｒは、同じか又は異なっていてよく、かつ、１〜４０個のＣ原子を有する置換されていてもよい炭化水素基を表し、
Ｘは、式
【化２】
2010528138.tif 000022
の基及び／又は１以上のＰ−Ｏ−Ｐ結合を有するその縮合物、又は、式
【化３】
2010528138.tif 000023
の基であり、ここで、
Ｒ1は、同じか又は異なっていてよく、かつ、酸素原子により中断されていてもよい、置換されていてもよい炭化水素基を表し、
Ｒ1'は、同じか又は異なっていてよく、かつ、酸素原子により中断されていてもよい、置換されていてもよい炭化水素基を表し、
ｎは、０、１又は２であり、
ｍは、１、２又は３であり、かつ
ｍ＋ｎは、１、２又は３であり、
Ｒ2は、同じか又は異なっていてよく、かつ、水素原子、又は、酸素原子により中断されていてもよい、置換されていてもよい炭化水素基を表す］
の化合物（Ｂ）とを含有する、縮合反応により架橋可能な材料。
【請求項２】
基Ｒが、１〜１６個の炭素原子を有する炭化水素基である、請求項１記載の架橋可能な材料。
【請求項３】
基Ｒ1が、１〜５０個の炭素原子を有する、ハロゲン原子、アミノ基、エーテル基、エステル基、エポキシ基、メルカプト基、シアノ基、（ポリ）グリコール基、以下の基：
【化４】
2010528138.tif 000024
で置換されていてもよく、かつ酸素原子により中断されていてもよい炭化水素基である、請求項１又は２記載の架橋可能な材料。
【請求項４】
基Ｒ1'が、１〜５０個の炭素原子を有する、ハロゲン原子、アミノ基、エーテル基、エステル基、エポキシ基、メルカプト基、シアノ基、（ポリ）グリコール基、以下の基：
【化５】
2010528138.tif 000025
で置換されていてもよい炭化水素基である、請求項１から３までのいずれか１項記載の架橋可能な材料。
【請求項５】
アニオンＸが、アシレート基又はホスフィネート基である、請求項１から４までのいずれか１項記載の架橋可能な材料。
【請求項６】
以下：
（Ａ）式
【化６】
2010528138.tif 000026
［式中、
Ｒ3は、同じか又は異なっていてよく、かつ、酸素原子により中断されていてもよい、置換されていてもよい炭化水素基を表し、
Ｒ4は、同じか又は異なっていてよく、かつ、水素原子、又は、置換されていてもよい炭化水素基を表し、かつ、
ａは、０、１又は２である］
の基を少なくとも１有する有機ポリマー、
（Ｂ）式（Ｉ）の化合物
場合により
（Ｃ）架橋剤
場合により
（Ｄ）可塑剤
場合により
（Ｅ）充填剤
場合により
（Ｆ）定着剤、及び
場合により
（Ｇ）添加剤
を含有する、請求項１から５までのいずれか１項記載の架橋可能な材料。
【請求項７】
ポリマー（Ａ）が、ポリマー鎖として、ポリオキシアルキレン、炭化水素ポリマー、ポリクロロプレン、ポリイソプレン、ポリウレタン、ポリエステル、ポリアミド、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ビニルポリマー及びポリカーボネートを含有する、オルガニルオキシシリル基を有する有機ポリマーである、請求項１から６までのいずれか１項記載の架橋可能な材料。
【請求項８】
成分（Ａ）が、式
【化７】
2010528138.tif 000027
［式中、
Ｒ7は、同じか又は異なっていてよく、かつ、１〜１２個の炭素原子を有する置換されていてもよい直鎖又は分枝鎖であってもよい二価の炭化水素基を表す］
の繰り返し単位を含むポリオキシアルキレン（Ａ１）である、請求項１から７までのいずれか１項記載の架橋可能な材料。
【請求項９】
成分（Ａ）が、式
【化８】
2010528138.tif 000028
［式中、
Ｒ8は、同じか又は異なっていてよく、かつ、水素原子又はメチル基を表し、かつ、
Ｒ9は、同じか又は異なっていてよく、かつ、置換されていてよい一価の炭化水素基を表す］
の繰り返し単位を含むポリアクリレート（Ａ２）である、請求項１から８までのいずれか１項記載の架橋可能な材料。
【請求項１０】
請求項１から９までのいずれか１項記載の材料の架橋により製造された成形体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リン化合物を含有する、縮合反応により架橋可能な材料、その製造法並びにその使用に関する。
【０００２】
水の排除下に貯蔵可能であり、室温で水の進入下に加硫してエラストマーとなる単一成分系封止材は公知である。前記生成物は、例えば建築工業において大量に使用されている。前記混合物のベースは、反応性置換基、例えばＯＨ基又は加水分解性基、例えばアルコキシ基を有するシリル末端基を有するポリマーである。通常、そのような材料は硬化触媒、例えばスズ化合物及びアミン及び場合によりリン含有酸；チタネート又はジルコネートを含有する。更に、亜鉛、ビスマス及びバナジウムの化合物も挙げられる。前記触媒は全て特定の欠点を有している。例えばジブチルスズ化合物の表示義務は明らかに厳しくなっており、これによりスズ化合物からの置き換えの動きが一般に高まっている。他の公知の代替物は、しばしば黄変傾向を示し、これによって無色透明な材料の製造が阻まれる。更に、他の金属を含有する材料の貯蔵安定性は、しばしば不十分である。
【０００３】
本発明の対象は、少なくとも１のオルガニルオキシシリル基を有する有機ポリマー（Ａ）と、式
【化１】
2010528138.tif 000002
［式中、
ｓは、１、２又は３であり、
Ｒは、同じか又は異なっていてよく、かつ、１〜４０個のＣ原子を有する置換されていてもよい炭化水素基を表し、
Ｘは、式
【化２】
2010528138.tif 000003
の基及び／又は１以上のＰ−Ｏ−Ｐ結合を有するその縮合物、又は、式
【化３】
2010528138.tif 000004
の基であり、ここで、
Ｒ1は、同じか又は異なっていてよく、かつ、酸素原子により中断されていてもよい、置換されていてもよい炭化水素基を表し、
Ｒ1'は、同じか又は異なっていてよく、かつ、酸素原子により中断されていてもよい、置換されていてもよい炭化水素基を表し、
ｎは、０、１又は２であり、
ｍは、１、２又は３であり、かつ
ｍ＋ｎは、１、２又は３であり、
Ｒ2は、同じか又は異なっていてよく、かつ、水素原子、又は、酸素原子により中断されていてもよい、置換されていてもよい炭化水素基を表す］
の化合物（Ｂ）とを含有する、縮合反応により架橋可能な材料である。
【０００４】
Ｒの例は、アルキル基、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソ−プロピル基、１−ｎ−ブチル基、２−ｎ−ブチル基、イソ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソ−ペンチル基、ネオ−ペンチル基、ｔ−ペンチル基；ヘキシル基、例えば、ｎ−ヘキシル基；ヘプチル基、例えば、ｎ−ヘプチル基；オクチル基、例えば、ｎ−オクチル基及びイソ−オクチル基、例えば、２，２，４−トリメチルペンチル基；ノニル基、例えば、ｎ−ノニル基；デシル基、例えば、ｎ−デシル基；ドデシル基、例えば、ｎ−ドデシル基；オクタデシル基、例えば、ｎ−オクタデシル基；シクロアルキル基、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基及びメチルシクロヘキシル基；アルケニル基、例えば、ビニル基、１−プロペニル基及び２−プロペニル基；アリール基、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基及びフェナントリル基；アルカリール基、例えば、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基；キシリル基及びエチルフェニル基；及びアラルキル基、例えば、ベンジル基、α−フェニルエチル基及びβ−フェニルエチル基である。
【０００５】
ハロゲン化基Ｒの例は、ハロゲンアルキル基、例えば、３，３，３−トリフルオロ−ｎ−プロピル基、２，２，２，２’，２’，２’−ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基及びハロゲンアリール基、例えば、ｏ−クロロフェニル基、ｍ−クロロフェニル基及びｐ−クロロフェニル基である。
【０００６】
有利に、基Ｒは、１〜２０個の炭素原子を有する置換されていてもよい炭化水素基であり、特に有利に１〜１６個の炭素原子を有する炭化水素基、特に１〜８個の炭素原子を有する炭化水素基である。
【０００７】
基Ｒ1の例は、基Ｒのために記載した炭化水素基の例であり、前記基は、ハロゲン原子、アミノ基、エーテル基、エステル基、エポキシ基、メルカプト基、シアノ基、（ポリ）グリコール基、以下の基：
【化４】
2010528138.tif 000005
で置換されていてもよく、かつ／又は、酸素原子により中断されていてもよく、その際、Ｒ’は、それぞれ同じか又は異なっていてよく、かつ、Ｒのために記載された意味を有する。
【０００８】
基Ｒ1'の例は、基Ｒのために記載した炭化水素基の例であり、前記基は、ハロゲン原子、アミノ基、エーテル基、エステル基、エポキシ基、メルカプト基、シアノ基、（ポリ）グリコール基、以下の基：
【化５】
2010528138.tif 000006
で置換されていてもよく、かつ／又は、酸素原子により中断されていてもよく、その際、Ｒ’は、それぞれ同じか又は異なっていてよく、かつ、Ｒのために記載された意味を有しており、例えば、４−カルボン酸シクロヘキシル基、シクロヘキシル−４−カーボネート基、Ｏ−エチル−シクロヘキシル−４−カーボネート基、１１−カルボン酸ウンデシル基、１１−ウンデカノエート基、Ｏ−イソオクチル−１１−ウンデカノエート基、ラウリルジエチレングリコレートメチル基、４−ノニルフェニルペンタエチレングリコレートメチル基、オレイルエーテルヘキサエチレングリコレートメチル基又は４−ｔ−ブチルフェニルエーテルオリゴエチレングリコレートメチル基である。
【０００９】
有利に、基Ｒ1は、１〜５０個の炭素原子を有する、ハロゲン原子、アミノ基、エーテル基、エステル基、エポキシ基、メルカプト基、シアノ基、（ポリ）グリコール基、以下の基：
【化６】
2010528138.tif 000007
で置換されていてもよく、かつ酸素原子により中断されていてもよい炭化水素基であり、特に有利に、１〜３０個の炭素原子を有する炭化水素基であり、特に、１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基であり、その際、Ｒ’は、それぞれ同じか又は異なっていてよく、かつ、Ｒのために記載された意味を有する。
【００１０】
有利に、基Ｒ1'は、１〜５０個の炭素原子を有する、ハロゲン原子、アミノ基、エーテル基、エステル基、エポキシ基、メルカプト基、シアノ基、（ポリ）グリコール基、以下の基：
【化７】
2010528138.tif 000008
で置換されていてもよく、かつ酸素原子により中断されていてもよい炭化水素基であり、特に有利に、酸素原子により中断されていてもよく、かつ／又は基−Ｃ（Ｏ）ＯＲ’、−Ｃ（Ｏ）Ｏ-又は−Ｃ（Ｏ）ＯＨで置換されていてもよい３〜５０個の炭素原子を有する炭化水素基であり、特に、酸素原子により中断されていてもよく、かつ／又は基−Ｃ（Ｏ）ＯＲ’、−Ｃ（Ｏ）Ｏ-又は−Ｃ（Ｏ）ＯＨで置換されていてもよい３〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基であり、その際、Ｒ’は、それぞれ同じか又は異なっていてよく、かつ、Ｒのために記載された意味を有する。
【００１１】
基Ｒ2の例は、Ｒのために記載された例、並びに、ラウリルジエチレングリコレートエチル基、４−ノニルフェニルペンタエチレングリコレートエチル基、オレイルエーテルヘキサエチレングリコレートエチル基、又は、４−ｔ−ブチルフェニルエーテルオリゴエチレングリコレートエチル基である。
【００１２】
有利に、基Ｒ2は、水素原子、及び、酸素原子により中断されていてもよい、１〜５０個の炭素原子を有する置換されていてもよい炭化水素基であり、特に有利に、水素原子、酸素原子により中断されていてもよい２〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基、又は、酸素原子により中断されていてもよい１〜４０個の炭素原子を有する炭化水素基であり、特に、水素原子、又は、４〜１６個の炭素原子を有する炭化水素基である。
【００１３】
有利に、ｓは１又は２であり、特に有利にｓは１である。
【００１４】
有利に、アニオンＸは、４〜３１個の炭素原子を有するアシレート基、４〜３０個の炭素原子を有するホスフェート基、２〜１５個の炭素原子を有するリン酸水素塩基、２〜１５個の炭素原子を有するホスホネート基、２〜１５個の炭素原子を有するホスホン酸水素塩基、又は、４〜３０個の炭素原子を有するホスフィネート基である。
【００１５】
特に有利に、アニオンＸは、６〜２５個の炭素原子を有するアシレート基、６〜２０個の炭素原子を有するホスフェート基、４〜１０個の炭素原子を有するリン酸水素塩基、２〜１２個の炭素原子を有するホスホネート基、２〜１２個の炭素原子を有するホスホン酸水素塩基、及び、６〜２４個の炭素原子を有するホスフィネート基である。
【００１６】
特に、アニオンＸは、６〜２５個の炭素原子を有するアシレート基、２〜１０個の炭素原子を有するホスホネート基、２〜１０個の炭素原子を有するホスホン酸水素塩基、又は、８〜２０個の炭素原子を有するホスフィネート基である。
【００１７】
極めて特に有利に、アニオンＸは、アシレート基又はホスフィネート基である。
【００１８】
化合物（Ｂ）の例は、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムビス（２，４，４−トリメチルペンチル）−ホスフィネート、
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムビス（２，４，４−トリメチルペンチル）−ホスフィネート、
トリ−ｎ−ヘキシルテトラデシルホスホニウムビス（２，４，４−トリメチルペンチル）ホスフィネート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムオクチルハイドロジェンホスホネート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）オクチルホスホネート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムビニルハイドロジェンホスホネート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）ビニルホスホネート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムラウリルハイドロジェンホスホネート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）ラウリルホスホネート、
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムオクチルハイドロジェンホスホネート、
ビス（トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウム）オクチルホスホネート、
トリ−ｎ−ヘキシル−ｎ−テトラデシルホスホニウムオクチルハイドロジェンホスホネート、
ビス（トリ−ｎ−ヘキシル−ｎ−テトラデシルホスホニウム）オクチルホスホネート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムビス（２−エチルヘキシル）−ホスフェート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムジオクチルホスフェート、
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムジブチルホスフェート、
トリエチルメチルホスホニウムジブチルホスフェート、
テトラフェニルホスホニウムジブチルホスフェート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムジ（エチルエトキシレート−ラウリルエ−テル）ホスフェート、
ジ−ｎ−ブチルジメチルホスホニウムジメチルホスフェート、
ジシクロヘキシルジメチルホスホニウムジメチルホスフェート、
ジイソブチルジメチルホスホニウムジメチルホスフェート、
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムビス（２−エチルヘキシル）−ホスフェート、
トリ−ｎ−ヘキシル−ｎ−テトラデシルホスホニウムジオクチルホスフェート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムオクチルハイドロジェンホスフェート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）オクチルホスフェート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム（２−エチルヘキシル）−ハイドロジェンホスフェート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）２−エチルヘキシルホスフェート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムブチルハイドロジェンホスフェート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）ブチルホスフェート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムラウリルハイドロジェンホスフェート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）ラウリルホスフェート、
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムオクチルハイドロジェンホスフェート、
ビス（トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウム）オクチルホスフェート、
トリ−ｎ−ヘキシルテトラデシルホスホニウムオクチルハイドロジェンホスフェート、
ビス（トリ−ｎ−ヘキシルテトラデシルホスホニウム）オクチルホスフェート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムｎ−オクトエート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム２−エチル−ヘキサノエート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムネオデカノエート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムモノメチル−アジペート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムモノイソブチル−スクシネート、
トリフェニルビニルホスホニウムネオデカノエート、
テトラフェニルホスホニウムネオデカノエート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムアセテート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムグリコレート−エトキシレート−ラウリルエーテル、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）シクロヘキシルジカーボネート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムシクロヘキシルハイドロジェンカーボネート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）ドデカンジオネート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムハイドロジェンドデカノエート、
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムｎ−オクトエート、
テトラメチルホスホニウムｎ−オクトエート、
トリエチルメチルホスホニウムｎ−オクトエート、
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムｎ−オクトエート、
トリ−ｎ−ヘキシル−ｎ−テトラデシルホスホニウムｎ−オクトエート、及び
トリ−ｎ−ヘキシル−ｎ−テトラデシルホスホニウムデカノエート
である。
【００１９】
有利に、化合物（Ｂ）は、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムビス（２，４，４−トリメチルペンチル）−ホスフィネート、
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムビス（２，４，４−トリメチルペンチル）−ホスフィネート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムオクチルハイドロジェンホスホネート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）オクチルホスホネート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムビニルハイドロジェンホスホネート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）ビニルホスホネート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムラウリルハイドロジェンホスホネート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）ラウリルホスホネート、
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムオクチルハイドロジェンホスホネート、
ビス（トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウム）オクチルホスホネート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムビス（２−エチルヘキシル）−ホスフェート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムジオクチルホスフェート、
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムジブチルホスフェート、
トリエチルメチルホスホニウムジブチルホスフェート、
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムビス（２−エチルヘキシル）−ホスフェート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムオクチルハイドロジェンホスフェート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）オクチルホスフェート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム（２−エチルヘキシル）−ハイドロジェンホスフェート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）２−エチルヘキシルホスフェート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムブチルハイドロジェンホスフェート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）ブチルホスフェート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムラウリルハイドロジェンホスフェート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）ラウリルホスフェート、
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムオクチルハイドロジェンホスフェート、
ビス（トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウム）オクチルホスフェート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムｎ−オクトエート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム２−エチル−ヘキサノエート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムネオデカノエート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムモノメチル−アジペート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムモノイソブチル−スクシネート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムグリコレート−エトキシレート−ラウリルエーテル、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）シクロヘキシルジカーボネート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムシクロヘキシルハイドロジェンカーボネート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）ドデカンジオネート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムハイドロジェンドデカノエート、
トリ−ｎブチルメチルホスホニウムｎ−オクトエート、
テトラメチルホスホニウムｎ−オクトエート、
トリエチルメチルホスホニウムｎ−オクトエート、及び
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムｎ−オクトエート、
特に有利に、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムビス（２，４，４−トリメチルペンチル）−ホスフィネート、
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムビス（２，４，４−トリメチルペンチル）−ホスフィネート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムオクチルハイドロジェンホスホネート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）オクチルホスホネート、
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムオクチルハイドロジェンホスホネート、
ビス（トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウム）オクチルホスホネート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムビス（２−エチルヘキシル）−ホスフェート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムジオクチルホスフェート、
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムジブチルホスフェート、
トリエチルメチルホスホニウムジブチルホスフェート、
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムビス（２−エチルヘキシル）−ホスフェート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムオクチルハイドロジェンホスフェート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）オクチルホスフェート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム（２−エチルヘキシル）−ハイドロジェンホスフェート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）２−エチルヘキシルホスフェート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムブチルハイドロジェンホスフェート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）ブチルホスフェート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムラウリルハイドロジェンホスフェート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）ラウリルホスフェート、
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムオクチルハイドロジェンホスフェート、
ビス（トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウム）オクチルホスフェート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムｎ−オクトエート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム２−エチル−ヘキサノエート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムネオデカノエート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムグリコレート−エトキシレート−ラウリルエーテル、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）シクロヘキシルジカーボネート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムシクロヘキシルハイドロジェンカーボネート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）ドデカンジオネート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムハイドロジェンドデカノエート、
トリ−ｎブチルメチルホスホニウムｎ−オクトエート、
テトラメチルホスホニウムｎ−オクトエート、
トリエチルメチルホスホニウムｎ−オクトエート、及び
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムｎ−オクトエート、
特に、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムビス（２，４，４−トリメチルペンチル）−ホスフィネート、
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムビス（２，４，４−トリメチルペンチル）−ホスフィネート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムｎ−オクトエート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム２−エチル−ヘキサノエート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムネオデカノエート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムグリコレート−エトキシレート−ラウリルエーテル、
トリ−ｎブチルメチルホスホニウムｎ−オクトエート、
テトラメチルホスホニウムｎ−オクトエート、
トリエチルメチルホスホニウムｎ−オクトエート、及び
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムｎ−オクトエート
である。
【００２０】
本発明により使用される成分（Ｂ）は、市販品であるか、もしくは化学的に慣用の方法により製造可能である。
【００２１】
本発明の範囲内での有機ポリマー（Ａ）とは、主鎖中の全結合のうち少なくとも５０％、有利に少なくとも７０％、特に有利に少なくとも９０％が炭素−炭素結合、炭素−窒素結合又は炭素−酸素結合である全てのポリマーであると解釈されてよい。
【００２２】
本発明による材料は、成分（Ｂ）を、成分（Ａ）１００質量部に対してそれぞれ有利に０．００５〜５質量部、特に有利に０．０１〜３質量部、特に０．０５〜２質量部の量で含有する。
【００２３】
成分（Ａ）及び（Ｂ）の他に更に、本発明による材料は、従来も縮合反応により架橋可能である材料において使用されていた全ての材料を含有することができる。
【００２４】
有利に、本発明による材料は、以下：
（Ａ）式
【化８】
2010528138.tif 000009
［式中、
Ｒ3は、同じか又は異なっていてよく、かつ、酸素原子により中断されていてもよい、置換されていてもよい炭化水素基を表し、
Ｒ4は、同じか又は異なっていてよく、かつ、水素原子、又は、置換されていてもよい炭化水素基を表し、かつ、
ａは、０、１又は２である］
の基を少なくとも１有する有機ポリマー、
（Ｂ）式（Ｉ）の化合物
場合により
（Ｃ）架橋剤
場合により
（Ｄ）可塑剤
場合により
（Ｅ）充填剤
場合により
（Ｆ）定着剤、及び
場合により
（Ｇ）添加剤
を含有する。
【００２５】
有利に、基Ｒ3は、ハロゲン原子、アミノ基、エーテル基、エステル基、エポキシ基、メルカプト基、シアノ基又は（ポリ）グリコール基（その際、（ポリ）グリコール基は、オキシエチレン及び／又はオキシプロピレン単位から構成されている）で置換されていてもよい、１〜１８個の炭素原子を有する一価の炭化水素基であり、特に有利に、１〜１２個の炭素原子を有するアルキル基、特にメチル基である。しかしながら、基Ｒ3は、例えば２つのシリル基を相互に結合する二価の基であってもよい。
【００２６】
基Ｒ3の例は、基Ｒのために記載した例である。
【００２７】
基Ｒ4の例は、基Ｒのために記載した例である。
【００２８】
基Ｒ4は、水素原子、又は、１〜１２個の炭素原子を有するアルキル基、特に有利に、水素原子、又は１〜４個の炭素原子を有するアルキル基、特に、水素原子、又は、メチル基及びエチル基である。
【００２９】
成分（Ａ）の例は、オルガニルオキシシリル基を有する有機ポリマー、例えば、ポリアクリレート、ビニルポリマー、ポリウレタン及びポリグリコールであり、前記ポリマーは直鎖又は分枝鎖であってよい。前記ポリマーの製造は公知の方法、例えば、付加反応、例えば、ヒドロシリル化、マイケル付加、Ｄｉｅｌｓ−Ａｌｄｅｒ付加、イソシアネートと、活性水素を有する反応性基、例えば、アミン、アミド、ヒドロキシル基又はメルカプト基との付加、並びに、エポキシドとアミンとの付加、又は、ビニルシランと有機二重結合を有するモノマーとの共重合、ないしは、ビニルポリマーへのビニルシランのグラフトにより行うことができる。該製造法を場合により相互に組み合わせることができる。
【００３０】
しかしながら、例えばＥＰ−Ｂ１１３７０６０２（該文献を本発明の開示内容に含むものとする）に記載されているように、成分（Ａ）として、シロキサンブロックと有機ポリマーとからのコポリマーを使用することもできる。
【００３１】
本発明により使用可能なポリマー（Ａ）は、ホモポリマー及びコポリマーであってよく、これらはそれぞれ直鎖又は分枝鎖であってよい。
【００３２】
有利に、成分（Ａ）は、式（ＩＶ）の基を少なくとも２有する。成分（Ａ）は、ポリマー中の任意の箇所、例えば、鎖中及び／又は末端にオルガニルオキシ基を有することができる。更に、オルガニルシロキシ基は１以上のジオルガノシロキシ基を介して有機ポリマーに結合していてもよい。
【００３３】
成分（Ａ）は、有利に、オルガニルオキシシリル基を有する有機ポリマーであり、前記ポリマーは、ポリマー鎖として、ポリオキシアルキレン、例えば、ポリオキシエチレン、ポリオキシプロピレン、ポリオキシブチレン、ポリオキシテトラメチレン、ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレン−コポリマー、及び、ポリオキシプロピレン−ポリオキシブチレン−コポリマー；炭化水素ポリマー、例えば、ポリイソブチレン、及び、ポリイソブチレンとイソプレンとのコポリマー；ポリクロロプレン；ポリイソプレン；ポリウレタン；ポリエステル；ポリアミド；ポリアクリレート；ポリメタクリレート；ビニルポリマー及びポリカーボネートを含有する。
【００３４】
特に有利に、成分（Ａ）は、ポリオキシアルキレン及びポリアクリレート、特に、ポリオキシアルキレンである。
【００３５】
本発明により使用される成分（Ａ）がポリオキシアルキレン（Ａ１）である場合、これは有利に式
【化９】
2010528138.tif 000010
［式中、
Ｒ7は、同じか又は異なっていてよく、かつ、１〜１２個の炭素原子を有する置換されていてもよい直鎖又は分枝鎖であってもよい二価の炭化水素基を表す］
の繰り返し単位を含む。
【００３６】
本発明により使用されるポリオキシアルキレン（Ａ１）は、式（Ｖ）の繰り返し単位を、繰り返し単位の全数に対してそれぞれ有利に少なくとも５０％、特に有利に少なくとも７０％含む。
【００３７】
式（Ｖ）の繰り返し単位に対して付加的に、本発明により使用されるポリオキシアルキレン（Ａ１）は、更に他の単位、例えば、アミド単位、尿素単位、ウレタン単位、チオウレタン単位、アルキレン単位、アリーレン単位、エステル単位、カーボネート単位、イミド単位又はイミン単位を含有することができる。
【００３８】
有利に、基Ｒ7は、１〜４個の炭素原子を有する置換されていてもよい二価の炭化水素基、特に有利に１〜４個の炭素原子を有する二価の炭化水素基、特にプロピレン基である。
【００３９】
基Ｒ7の例は、−ＣＨ2−、−ＣＨ2−ＣＨ2−、−ＣＨ2−ＣＨ（ＣＨ3）−、−ＣＨ2−ＣＨ2−ＣＨ2−、−ＣＨ2−ＣＨ（−ＣＨ2−ＣＨ3）−、−ＣＨ（ＣＨ3）−ＣＨ（ＣＨ3）−、−ＣＨ2−ＣＨ2−ＣＨ2−ＣＨ2−及び−ＣＨ2−Ｃ（ＣＨ3）2−であり、その際、−ＣＨ2−ＣＨ2−及び−ＣＨ2−ＣＨ（ＣＨ3）−が有利であり、−ＣＨ2−ＣＨ（ＣＨ3）−が特に有利である。
【００４０】
本発明により使用される有機ポリマー（Ａ）がポリアクリレート（Ａ２）である場合、これは有利に、式
【化１０】
2010528138.tif 000011
［式中、
Ｒ8は、同じか又は異なっていてよく、かつ、水素原子又はメチル基を表し、かつ、
Ｒ9は、同じか又は異なっていてよく、かつ、置換されていてよい一価の炭化水素基を表す］
の繰り返し単位を含む。
【００４１】
本発明により使用されるポリアクリレート（Ａ２）は、式（ＶＩ）の繰り返し単位を、繰り返し単位の全数に対してそれぞれ有利に少なくとも５０％、特に有利に少なくとも７０％含む。
【００４２】
式（ＶＩ）の繰り返し単位に対して付加的に、本発明により使用されるポリアクリレート（Ａ２）は、更に他の基、例えば、スチレン−、ペルフルオロエチレン−、マレイン酸−又はそのモノ−又はジエステル−又はその誘導体、例えば、マレイミド、フマル酸−又はそのモノ−又はジエステル−、ニトリル−、ビニルエステル−、例えば、ビニルアセテート−又はビニルラウレート−、アルケン−、例えば、エチレン−、プロピレン−又はオクチレン−、共役ジエン−、例えば、ブタジエン−又はイソプレン−、ビニルクロリド−、ビニレンクロリド−、アリルクロリド−又はアリルアルコール単位を含有することができる。ポリマー化学における慣用表現に従い、前記単位は部分的に重合法において使用されるモノマーから命名されたものであり、これは当業者に公知である。
【００４３】
有利に、基Ｒ9は、１〜３０個の炭素原子、特に有利に１〜２０個の炭素原子を有する置換されていてもよい炭化水素基である。
【００４４】
式（ＶＩ）による繰り返し単位の例は、以下の通りである：
【化１１】
2010528138.tif 000012
【００４５】
以下の繰り返し単位：
【化１２】
2010528138.tif 000013
は特に有利である。
【００４６】
有利に、本発明により使用されるポリマー（Ａ）、特に有利にポリオキシアルキレン（Ａ１）は、式
【化１３】
2010528138.tif 000014
［式中、
Ｒ10は、同じか又は異なっていてよく、かつ、置換されていてもよい一価の炭化水素基を表す］
の単位を有する。
【００４７】
有利に、基Ｒ10は、水素原子、又は、１〜１２個の炭素原子を有する置換されていてもよい炭化水素基、特に有利に、水素原子、又は、１〜６個の炭素原子を有する炭化水素基である。
【００４８】
成分（Ａ）は、２５℃でそれぞれ、有利に１００〜１００００００ｍＰａｓ、特に有利に１０００〜３５００００ｍＰａｓの粘度を有する。
【００４９】
有機ポリマー（Ａ）は、市販品であるか、もしくは化学的に慣用の方法により製造可能である。
【００５０】
本発明による材料において場合により使用される架橋剤（Ｃ）は、少なくとも２の縮合可能な基を有する従来公知である任意の架橋剤、例えば少なくとも２のオルガニルオキシ基を有するシラン又はシロキサンであってよい。
【００５１】
本発明による材料において場合により使用される架橋剤（Ｃ）は、有利に、式
【化１４】
2010528138.tif 000015
［式中、
Ｒ5は、同じか又は異なっていてよく、かつ、水素原子、又は、置換されていてもよい一価の炭化水素基を表し、
Ｒ6は、同じか又は異なっていてよく、かつ、酸素原子により中断されていてもよい、置換されていてもよい一価の炭化水素基を表し、かつ、
ｂは、２、３又は４である］
の有機ケイ素化合物並びにその部分加水分解物である。
【００５２】
この場合、部分加水分解物は、部分単独加水分解物、即ち、１種の式（ＶＩＩＩ）の有機ケイ素化合物の部分加水分解物、及び、部分共加水分解物、即ち、少なくとも２の異なる種の式（ＶＩＩＩ）の有機ケイ素化合物の部分加水分解物であってよい。
【００５３】
本発明による材料において場合により使用される架橋剤（Ｃ）が式（ＶＩＩＩ）の有機ケイ素化合物の部分加水分解物である場合、ケイ素原子６個までを有するものが有利である。
【００５４】
基Ｒ5の例は、基Ｒ4のための上記の例である。
【００５５】
実地においてしばしば不可避である、式（ＶＩＩＩ）の有機ケイ素化合物の製造及び貯蔵の間の空中湿分との接触によって、シラノール基が生じることがあり、その場合には、Ｒ5は水素原子である。このシラノール基は、大抵は意図的に製造されるものではないが、実地では一般に検出され得る。
【００５６】
有利に、基Ｒ5は、１〜１２個の炭素原子を有するアルキル基、特に有利に１〜４個の炭素原子を有するアルキル基、特にメチル基及びエチル基である。
【００５７】
基Ｒ6の例は、基Ｒ3のための上記の一価の例であり、その際、１〜１２個の炭素原子を有する置換されていてもよい炭化水素基が有利であり、かつ、メチル基、Ｎ−シクロヘキシルアミノメチル基、Ｏ−メチル−Ｎ−カルバマトメチル基及びビニル基が特に有利である。
【００５８】
特に有利に、本発明による材料において場合により使用される架橋剤（Ｃ）は、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、３−シアノプロピルトリメトキシシラン、３−シアノプロピルトリエトキシシラン、３−（グリシドキシ）プロピルトリエトキシシラン、１，２−ビス（トリメトキシシリル）エタン、１，２−ビス（トリエトキシシリル）エタン、（Ｎ−シクロヘキシルアミノメチル）メチルジエトキシシラン、（Ｎ−シクロヘキシルアミノメチル）トリエトキシシラン、（Ｎ−フェニルアミノメチル）メチルジメトキシシラン、（メタクリルオキシメチル）メチルジメトキシシラン、（メタクリルオキシメチル）メチルジエトキシシラン、Ｎ−（トリメトキシシリルメチル）−Ｏ−メチルカルバメート、メチルトリス（メチルエチルケトキシモ）シラン、ビニルトリス（メチルエチルケトキシモ）シラン、テトラキス−（メチルエチルケトキシモ）シラン、並びに、上記有機ケイ素化合物の部分加水分解物、例えば、ヘキサメトキシジシロキサン、オクタメトキシトリシロキサン、又は、ヘキサエトキシジシロキサンである。
【００５９】
本発明による材料において場合により使用される架橋剤（Ｃ）は、市販品であるか、もしくはケイ素化学において公知の方法により製造可能である。
【００６０】
本発明による材料が架橋剤（Ｃ）を含有する場合、その量は、成分（Ａ）１００質量部に対してそれぞれ有利に０．０１〜２０質量部、特に有利に０．５〜１０質量部、特に１．０〜５．０質量部である。
【００６１】
（Ｄ）可塑剤の例は、室温で液状で、トリメチルシロキシ基で末端封鎖されたジメチルポリシロキサンであって、特に２５℃での粘度が５０〜１０００ｍＰａｓであるもの、並びに高沸点の炭化水素、例えばパラフィン油、ジアルキルベンゼン、ジアルキルナフタリン又はナフテン系とパラフィン系の単位からなる鉱油、ポリグリコール、特にポリプロピレングリコールであって、置換されていてよいもの、ジカルボン酸の高沸点のエステル、例えばフタレート、クエン酸エステル又はジエステル、液状のポリエステル、ポリアクリレート又はポリメタクリレート並びにアルキルスルホン酸エステルである。
【００６２】
本発明による材料は、可塑剤（Ｄ）を、成分（Ａ）１００質量部に対してそれぞれ有利に０〜３００質量部、特に有利に１０〜２００質量部、特に２０〜１００質量部の量で含有する。
【００６３】
充填剤（Ｅ）の例は、非強化充填剤、即ち、５０ｍ2／ｇまでのＢＥＴ表面積を有する充填剤、例えば、石英、珪藻土、ケイ酸カルシウム、ケイ酸ジルコニウム、ゼオライト、金属酸化物粉末、例えば酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化鉄又は酸化亜鉛もしくはこれらの混合酸化物、硫酸バリウム、炭酸カルシウム、石膏、窒化ケイ素、炭化ケイ素、窒化ホウ素、ガラス粉末及びプラスチック粉末、例えばポリアクリロニトリル粉末；強化充填剤、即ち、５０ｍ2／ｇを上回るＢＥＴ表面積を有する充填剤、例えば熱分解により製造されたシリカ、沈降シリカ、沈降白亜、カーボンブラック、例えばファーネスブラック及びアセチレンブラック、及びより大きいＢＥＴ表面積のケイ素−アルミニウム混合酸化物；繊維状充填剤、例えばアスベスト並びにプラスチック繊維である。前記の充填剤は、例えばオルガノシランあるいはオルガノシロキサンでの又はステアリン酸での処理によって又はヒドロキシル基のアルコキシ基へのエーテル化によって疎水化されていてよい。充填剤（Ｅ）を使用する場合には、これは有利に疎水性の熱分解法シリカ及び沈降炭酸カルシウム又は粉砕炭酸カルシウムである。
【００６４】
本発明による材料は、充填剤（Ｅ）を、成分（Ａ）１００質量部に対してそれぞれ有利に０〜３００質量部、特に有利に１〜２００質量部、特に５〜２００質量部の量で含有する。
【００６５】
本発明による材料において使用される定着剤（Ｆ）の例は、官能基、例えばグリシドキシプロピル基、アミノプロピル基又はメタクリルオキシプロピル基を有するシラン及びオルガノポリシロキサン、並びに、アルコキシ基を有していてよいテトラアルコキシシラン及びＴ基又はＱ基を有するシロキサンである。しかしながら、既に他の成分、例えば成分（Ａ）又は架橋剤（Ｃ）が前記の官能基を有する場合には、定着剤の添加を省くことができる。
【００６６】
本発明による材料は、定着剤（Ｆ）を、成分（Ａ）１００質量部に対してそれぞれ有利に０〜５０質量部、特に有利に１〜２０質量部、特に１〜１０質量部の量で含有する。
【００６７】
添加剤（Ｇ）の例は、顔料、着色剤、付香物質、酸化防止剤、例えば立体障害フェノール、例えば、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール（ＢＨＴ）、スイス在のＣｉｂａ社から商品名Ｉｒｇａｎｏｘ（Ｒ）１０７６、Ｉｒｇａｎｏｘ（Ｒ）１０１０、Ｉｒｇａｎｏｘ（Ｒ）２４５又はＩｒｇａｎｏｘ（Ｒ）１１３５で入手可能な製品、又は、ビタミンＥ、殺真菌剤、例えば、イソチアゾリノン、特に、ｎ−２−オクチル−２Ｈ−イソチゾリン−３−オン、ｎ−ブチル−１，２−ベンゾイソチアゾリン−３−オン、又は、４，５−ジクロロ−２−オクチル−３（２Ｈ）−イソチアゾリン−３−オン、３−ヨード−２−プロピニルブチルカルバメート、チアベンダゾール、カルベンダジム、３−ベンゾ［ｂ］チエン−２−イル−５，６−ジヒドロ−１，４，２−オキサチアジン４−オキシド、ベンゾチオフェン−２−シクロヘキシルカルボキサミド−Ｓ，Ｓ−ジオキシド、２−チアゾール−４−イル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール、銀含有担体物質又はナノ銀、トリアゾール誘導体、例えばテブコナゾール又は２種類もしくは３種類の作用物質の組み合わせ、電気的な特性に影響を与えるための添加剤、例えば導電性カーボンブラック、防炎剤、光保護剤、例えばＵＶ吸収剤、例えばベンゾトリアゾール誘導体（スイス在のＣｉｂａ社から商品名Ｔｉｎｕｖｉｎ（Ｒ）Ｐ、Ｔｉｎｕｖｉｎ（Ｒ）２１３、Ｔｉｎｕｖｉｎ（Ｒ）２３４、Ｔｉｎｕｖｉｎ（Ｒ）３２７、Ｔｉｎｕｖｉｎ（Ｒ）３２８又はＴｉｎｕｖｉｎ（Ｒ）５７１で入手可能な製品、又は、ドイツ在、ＢＡＳＦ  ＡＧ社から商品名Ｕｖｉｎｕｌ（Ｒ）３０２６、Ｕｖｉｎｕｌ（Ｒ）３０２７、Ｕｖｉｎｕｌ（Ｒ）３０２８、Ｕｖｉｎｕｌ（Ｒ）３０２９、Ｕｖｉｎｕｌ（Ｒ）３０３３Ｐ又はＵｖｉｎｕｌ（Ｒ）３０３４で入手可能な製品）、例えばチタン又は亜鉛のナノ金属酸化物、シアノアクリレート、例えば、ドイツ在、ＢＡＳＦ  ＡＧ社のＵｖｉｎｕｌ（Ｒ）３０３０、Ｕｖｉｎｕｌ（Ｒ）３０３５又はＵｖｉｎｕｌ（Ｒ）３０３９、ベンゾフェノン、例えば、Ｕｖｉｎｕｌ（Ｒ）３００８、例えば、ラジカル捕捉剤、例えば立体障害アミン（ＨＡＬＳ、例えば、スイス在、Ｃｉｂａ社のＴｉｎｕｖｉｎ（Ｒ）６２２、Ｔｉｎｕｖｉｎ（Ｒ）７６５、Ｔｉｎｕｖｉｎ（Ｒ）７７０又はＴｉｎｕｖｉｎ（Ｒ）１２３、又は、ドイツ在、ＢＡＳＦ  ＡＧ社のＵｖｉｎｕｌ（Ｒ）４０５０Ｈ、Ｕｖｉｎｕｌ（Ｒ）４０７７Ｈ、Ｕｖｉｎｕｌ（Ｒ）４０９２Ｈ、Ｕｖｉｎｕｌ（Ｒ）５０５０Ｈ又はＵｖｉｎｕｌ（Ｒ）５０６２Ｈ）、皮膜形成時間を延長するための添加剤、例えばＳｉＣ結合メルカプトアルキル基を有するシラン、発泡剤、例えばアゾジカルボンアミド、熱安定性、スカベンジャー、例えばＳｉ−Ｎ含有シラザン又はシリルアミド、助触媒、例えばルイス酸及びブレンステッド酸、例えばスルホン酸、有機酸、リン酸、ホスホン酸及びホスホン酸モノエステル及びチキソトロープ剤、例えばアミドロウ、水添ヒマシ油又はポリグリコール及び有機溶剤、例えば、アルキル芳香族化合物、ｎ−メチルピロリドン、ジプロピレングリコールジメチルエーテル又はトリエチルホスフェートである。
【００６８】
本発明による材料は、添加剤（Ｇ）を、成分（Ａ）１００質量部に対してそれぞれ有利に０．０１〜１００質量部、特に有利に０．０５〜３０質量部、特に０．１〜１０質量部の量で含有する。
【００６９】
特に有利に、本発明による材料は、以下：
（Ａ）式（ＩＶ）の単位を少なくとも１有する有機ポリマー、
（Ｂ）式（Ｉ）の化合物
場合により
（Ｃ）式（ＶＩＩＩ）の架橋剤
場合により
（Ｄ）可塑剤
場合により
（Ｅ）充填剤
場合により
（Ｆ）定着剤
（Ｇ）酸化防止剤、ＵＶ吸収剤、立体障害アミン及び助触媒からなる群から選択された添加剤
の使用により製造可能である。
【００７０】
特に、本発明による材料は、成分（Ａ）〜（Ｇ）の以外の成分を含まない。
【００７１】
本発明による材料は、有利に粘性からペースト状の材料である。
【００７２】
本発明による材料の調製のために、全ての成分を相互に任意の順序で混合することができる。この混合は、室温及び周囲大気の圧力、即ち約９００〜１１００ｈＰａで実施してよい。所望の場合には、この混合を、より高めた温度で行ってもよく、例えば３５〜１３５℃の範囲内の温度で行ってもよい。更に、暫時又は常時、減圧下で混合すること、例えば３０〜５００ｈＰａ絶対圧力で、揮発性化合物又は空気を除去すべく混合することも可能である。
【００７３】
本発明による材料の個々の成分は、それぞれ、この成分の１種類でもよく、この成分の少なくとも２種の異なる種類からの混合物であってもよい。
【００７４】
本発明にかかる材料の架橋のためには、空気の通常の含水量で十分である。この本発明による材料の架橋は、好ましくは室温で実施する。この架橋は、所望により、室温より高い温度又は低い温度、例えば−５〜１５℃で又は３０〜５０℃で、かつ／又は例えば空気の通常の含水量を上回る水濃度を用いて実施することもできる。
【００７５】
有利には、この架橋は１００〜１１００ｈＰａの圧力で、特に周囲大気の圧力で、即ち約９００〜１１００ｈＰａの圧力で実施される。
【００７６】
本発明の更なる対象は、本発明による材料の架橋により製造された成形体である。
【００７７】
本発明による材料は、水の排除下に貯蔵可能であり、室温で水の進入下にエラストマーへと架橋する材料を使用することができる全ての適用目的のために使用することができる。
【００７８】
従って本発明による材料は、例えば、継ぎ目（垂直方向に延びる継ぎ目を含む）及び類似の空隙、例えば１０〜４０ｍｍの内径の空隙、例えば、建築物、陸上用車両、船舶及び航空機の継ぎ目及び類似の空隙のための封止材として、又は接着剤又はパテ材として、例えば窓構造物において又は棚の製造の際の接着剤又はパテ材として、並びに、例えば保護被覆物又は防滑被覆又はゴム弾性成形体の製造に、並びに、電気又は電子機器の絶縁化のために極めて好適である。
【００７９】
本発明による材料は、容易に製造可能であるという利点を有する。
【００８０】
本発明による縮合架橋可能な材料は、該材料が、重金属含有化合物を含有しないか、又は極めて僅かな量含有しているに過ぎないため、有害でなく、かつ毒物学的に懸念がないという利点を有する。
【００８１】
更に、本発明による材料は、貯蔵の際及び硬化した状態で黄変しないため、高価値の透明な生成物を製造することもできるという利点を有する。
【００８２】
本発明による架橋可能な材料は、該材料が、極めて高い貯蔵安定性及び高い架橋速度により特徴付けられるという利点を有する。
【００８３】
以下の実施例においては、全ての粘度の表示は２５℃の温度に対するものである。特に記載がない限り、以下の実施例は、周囲大気での圧力で、即ち約１０００ｈＰａで、かつ室温で、即ち約２３℃で、もしくはこの反応物を室温で付加的な加熱又は冷却を行わずに混合した際に生ずる温度で、並びに約５０％の相対空気湿分で実施する。更に、部及び％の全ての表示は、他に記載がない限り、質量に対するものである。
【実施例】
【００８４】
硬化特性の評価
試験１：
硬化特性の評価のために、実施例において得られた架橋可能な材料を、厚さ２ｍｍの層でＰＥシート上に施与し、標準雰囲気（２３℃及び５０％の相対空気湿度）で貯蔵する。硬化の間、５分おきに皮膜形成を試験する。そのために、乾燥した指を慎重に試料の表面に載せ、そして上に引き上げる。試料が指に貼り付いたままであれば、まだ皮膜は形成されていない。試料が指にもはや貼り付いたままにならなければ、皮膜は形成されており、その時間を記録する。標準雰囲気（２３℃及び５０％の相対空気湿度）で２４時間硬化させた後、表面の粘着性を試験する。評価のために、乾燥したハンドボールを表面に押し当て、そして上に引き上げる。値１は、表面が粘着性でないか又はほとんど粘着性でない（試料はそのまま残る）ことを表し、２は、表面がわずかに粘着性である（試料はやや上へ引き上げられる）ことを表し、３は、表面が粘着性である（試料は上へ引き上げられ、かつ粘着性を保ったままである）ことを表す。
【００８５】
実施例１−７
ＴＢＰ溶液と呼称されるテトラブチルホスホニウムヒドロキシドの４０％水溶液（ドイツ在、Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社から市販されている）と、同モル量の第１表に示す酸とを撹拌し、７０〜８０℃で１５〜２０ミリバールの圧力まで水を留去する。引き続き、冷却し、かつ生成物を移し換える。そのようにして得られた生成物の水含分をカール・フィッシャー滴定により測定したところ、それぞれ１．０％未満であった。製造されたリン化合物を第１表にまとめる。
【００８６】
【表１】
2010528138.tif 000016
【００８７】
両末端にジメトキシメチルシリル基を有する直鎖ポリプロピレングリコール（ドイツ在、Ｗａｃｋｅｒ  Ｃｈｅｍｉｅ  ＡＧ社から商品名ＧＥＮＩＯＳＩＬ（Ｒ）ＳＴＰ−Ｅ３０で市販されている）４４４ｇ、ラジカル捕捉剤として主にビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）セバケート及びメチル−１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジルセバケートからなる立体障害アミン約５０％、主に２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−４−メチル−６−ドデシルフェノールからなるベンゾトリアゾール型のＵＶ吸収剤約３５％、及び、酸化防止剤として主にＣ7〜Ｃ9−分枝鎖状アルキル−［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）］プロピオネートからなる立体障害フェノール約１５％からなる液状の安定剤混合物（ドイツ在、Ｂｏｄｏ  Ｍｏｅｌｌｅｒ  Ｃｈｅｍｉｅ  ＧｍｂＨ社で商品名Ｔｉｎｕｖｉｎ（Ｒ）Ｂ７５で市販されている）６．０ｇ、５０℃で２４０ｍＰａ・ｓの粘度を有し、かつカール・フィッシャー滴定により測定された水含分１２０ｐｐｍを有するポリプロピレングリコール−モノヒドロキシ−モノブチルエーテル１５０ｇ、及び、Ｎ−（トリメトキシシリルメチル）−Ｏ−メチルカルバメート（ドイツ在、Ｗａｃｋｅｒ  Ｃｈｅｍｉｅ  ＡＧ社から商品名ＧＥＮＩＯＳＩＬ（Ｒ）ＸＬ６３で市販されている）２４ｇを、遊星型混合機中で互いに混合し、そして５分間撹拌する。引き続き、そのバッチを、比表面積２００ｍ2／ｇを有する熱分解法シリカ（ドイツ在、Ｗａｃｋｅｒ  Ｃｈｅｍｉｅ  ＡＧ社から商品名ＨＤＫ（Ｒ）Ｈ１８として市販されている）８０ｇと、５０℃で２４０ｍＰａ・ｓの粘度を有し、かつカール・フィッシャー滴定により測定された水含分１２０ｐｐｍを有するポリプロピレングリコール−モノヒドロキシ−モノブチルエーテル１５０ｇとを均質に混加することによって完全なものとする。最後に、該混合物を約１００ミリバールの絶対圧力で５分間撹拌し、そして気密的に詰め替えて、貯蔵する。
【００８８】
そのようにして得られた材料それぞれ５０ｇを、第２表に示す量のリン化合物と３５００ｒｐｍで１分間、ドイツ在、Ｈａｕｓｃｈｉｌｄ社製混合機中で混合する。引き続き、試験１を実施する。結果を第２表に示す。
【００８９】
【表２】
2010528138.tif 000017
【００９０】
比較例１−３（Ｖ１−Ｖ３）
ＴＢＰ溶液と呼称されるテトラブチルホスホニウムヒドロキシドの４０％水溶液（ドイツ在、Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社から市販されている）と、同モル量の第３表に示す酸とを撹拌し、７０〜８０℃で１５〜２０ミリバールの圧力まで水を留去する。引き続き、冷却し、かつ生成物を移し換える。そのようにして得られた生成物の水含分をカール・フィッシャー滴定により測定したところ、それぞれ１．０％未満であった。製造されたリン化合物を第３表にまとめる。
【００９１】
【表３】
2010528138.tif 000018
【００９２】
実施例１−７に記載した作業様式を繰り返したが、但し、リン化合物（Ｐ１）〜（Ｐ７）の代わりに、化合物（Ｐ８）、（Ｐ９）ないしテトラブチルホスホニウムクロリドを使用するという変更を加えた。
【００９３】
結果を第２表に示す。
【００９４】
第２表の結果は、ホスホニウム化合物（Ｐ１）〜（Ｐ７）が硬化触媒として極めて良好に作用することを示す。得られた加硫物は無色透明であり、かつ、キセノンＵＶランプ下で１４日間貯蔵した後であっても不変である。
【００９５】
実施例８−１１
両末端にトリメトキシメチルシリル基を有する直鎖ポリプロピレングリコール（ドイツ在、Ｗａｃｋｅｒ  Ｃｈｅｍｉｅ  ＡＧ社から商品名ＧＥＮＩＯＳＩＬ（Ｒ）ＳＴＰ−Ｅ３５で市販されている）３００ｇ、ラジカル捕捉剤として主にビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）セバケート及びメチル−１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジルセバケートからなる立体障害アミン約５０％、主に２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−４−メチル−６−ドデシルフェノールからなるベンゾトリアゾール型のＵＶ吸収剤約３５％、及び、酸化防止剤として主にＣ7〜Ｃ9−分枝鎖状アルキル−［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）］プロピオネートからなる立体障害フェノール約１５％からなる液状の安定剤混合物（ドイツ在、Ｂｏｄｏ  Ｍｏｅｌｌｅｒ  Ｃｈｅｍｉｅ  ＧｍｂＨ社で商品名Ｔｉｎｕｖｉｎ（Ｒ）Ｂ７５で市販されている）５．０ｇ、５０℃で２４０ｍＰａ・ｓの粘度を有し、かつカール・フィッシャー滴定により測定された水含分１２０ｐｐｍを有するポリプロピレングリコール−モノヒドロキシ−モノブチルエーテル１００ｇ、（Ｎ−アミノエチル−アミノプロピル）トリエトキシシラン（ドイツ在、Ｗａｃｋｅｒ  Ｃｈｅｍｉｅ  ＡＧ社から商品名ＧＥＮＩＯＳＩＬ（Ｒ）ＧＦ９４で市販されている）１０ｇ、Ｎ−（ジメトキシメチルシリルメチル）−Ｏ−メチルカルバメート（ドイツ在、Ｗａｃｋｅｒ  Ｃｈｅｍｉｅ  ＡＧ社から商品名ＧＥＮＩＯＳＩＬ（Ｒ）ＸＬ６５で市販されている）１５ｇ、及び、（３−グリシドキシプロピル）トリメトキシシラン（ドイツ在、Ｗａｃｋｅｒ  Ｃｈｅｍｉｅ  ＡＧ社から商品名ＧＥＮＩＯＳＩＬ（Ｒ）ＧＦ８０で市販されている）１０ｇを、遊星型混合機中で互いに混合し、そして５分間撹拌する。引き続き、そのバッチを、比表面積２００ｍ2／ｇを有する熱分解法シリカ（ドイツ在、Ｗａｃｋｅｒ  Ｃｈｅｍｉｅ ＡＧ社から商品名ＨＤＫ（Ｒ）Ｈ１８として市販されている）３０ｇと、平均粒子直径（Ｄ５０％）５μｍ、カーボネート含分９８％、表面積１．０ｍ2／ｇ及び吸油量１６ｇ／１００ｇ（ＩＳＯ７８７／５）の大理石の粉末５３０ｇとを均質に混加することによって完全なものとする。最後に、該混合物を約１００ミリバールの絶対圧力で５分間撹拌し、そして気密的に詰め替えて、貯蔵する。
【００９６】
そのようにして得られた材料それぞれ７０ｇを、第４表に示す量のリン化合物と３５００ｒｐｍで１分間、ドイツ在、Ｈａｕｓｃｈｉｌｄ社製混合機中で混合する。引き続き、試験１を実施する。結果を第４表に示す。
【００９７】
【表４】
2010528138.tif 000019
【００９８】
第４表の結果は、ホスホニウム化合物（Ｐ１）、（Ｐ３）、（Ｐ４）及び（Ｐ７）が硬化触媒として極めて良好に作用することを示す。
【００９９】
実施例１２
両末端にトリメトキシメチルシリル基を有する直鎖ポリプロピレングリコール（ポリマー１２）（ドイツ在、Ｗａｃｋｅｒ  Ｃｈｅｍｉｅ  ＡＧ社から商品名ＧＥＮＩＯＳＩＬ（Ｒ）ＳＴＰ−Ｅ３５で市販されている）３０ｇ及びリン化合物（Ｐ７）０．１５ｇを、３５００ｒｐｍで１分間、ドイツ在、Ｈａｕｓｃｈｉｌｄ社製混合機中で混合する。引き続き、試験１を実施する。結果を第５表に示す。
【０１００】
実施例１３
両末端にメトキシシリル基を有する直鎖ポリウレタン（ポリマー１３）（ドイツ在、ｈａｎｓｅ  ｃｈｅｍｉｅ  ＡＧ社から商品名"Ｐｏｌｙｍｅｒ  ＳＴ  ６１"で市販されている）３０ｇ及びリン化合物（Ｐ７）０．１５ｇを、３５００ｒｐｍで１分間、ドイツ在、Ｈａｕｓｃｈｉｌｄ社製混合機中で混合する。引き続き、試験１を実施する。結果を第５表に示す。
【０１０１】
実施例１４
メトキシシリル基を有するポリウレタン（ポリマー１４）（ドイツ在、ｈａｎｓｅ  ｃｈｅｍｉｅ  ＡＧ社から商品名"Ｐｏｌｙｍｅｒ  ＸＰ  ＳＴ  ７５"で市販されている）３０ｇ及びリン化合物（Ｐ７）０．１５ｇを、３５００ｒｐｍで１分間、ドイツ在、Ｈａｕｓｃｈｉｌｄ社製混合機中で混合する。引き続き、試験１を実施する。結果を第５表に示す。
【０１０２】
【表５】
2010528138.tif 000020
【０１０３】
第５表の結果は、ホスホニウム化合物（Ｐ７）が、種々のシリル化有機ポリマーにおいて硬化触媒として極めて良好に作用することを示す。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月18日(2009.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
化合物（Ｂ）の例は、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムビス（２，４，４−トリメチルペンチル）−ホスフィネート、
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムビス（２，４，４−トリメチルペンチル）−ホスフィネート、
トリ−ｎ−ヘキシルテトラデシルホスホニウムビス（２，４，４−トリメチルペンチル）ホスフィネート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムオクチルハイドロジェンホスホネート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）オクチルホスホネート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムビニルハイドロジェンホスホネート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）ビニルホスホネート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムラウリルハイドロジェンホスホネート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）ラウリルホスホネート、
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムオクチルハイドロジェンホスホネート、
ビス（トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウム）オクチルホスホネート、
トリ−ｎ−ヘキシル−ｎ−テトラデシルホスホニウムオクチルハイドロジェンホスホネート、
ビス（トリ−ｎ−ヘキシル−ｎ−テトラデシルホスホニウム）オクチルホスホネート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムビス（２−エチルヘキシル）−ホスフェート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムジオクチルホスフェート、
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムジブチルホスフェート、
トリエチルメチルホスホニウムジブチルホスフェート、
テトラフェニルホスホニウムジブチルホスフェート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムジ（エチルエトキシレート−ラウリルエ−テル）ホスフェート、
ジ−ｎ−ブチルジメチルホスホニウムジメチルホスフェート、
ジシクロヘキシルジメチルホスホニウムジメチルホスフェート、
ジイソブチルジメチルホスホニウムジメチルホスフェート、
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムビス（２−エチルヘキシル）−ホスフェート、
トリ−ｎ−ヘキシル−ｎ−テトラデシルホスホニウムジオクチルホスフェート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムオクチルハイドロジェンホスフェート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）オクチルホスフェート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム（２−エチルヘキシル）−ハイドロジェンホスフェート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）２−エチルヘキシルホスフェート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムブチルハイドロジェンホスフェート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）ブチルホスフェート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムラウリルハイドロジェンホスフェート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）ラウリルホスフェート、
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムオクチルハイドロジェンホスフェート、
ビス（トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウム）オクチルホスフェート、
トリ−ｎ−ヘキシルテトラデシルホスホニウムオクチルハイドロジェンホスフェート、
ビス（トリ−ｎ−ヘキシルテトラデシルホスホニウム）オクチルホスフェート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムｎ−オクトエート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム２−エチル−ヘキサノエート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムネオデカノエート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムモノメチル−アジペート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムモノイソブチル−スクシネート、
トリフェニルビニルホスホニウムネオデカノエート、
テトラフェニルホスホニウムネオデカノエート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムアセテート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムグリコレート−エトキシレート−ラウリルエーテル、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）シクロヘキシルジカーボネート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムシクロヘキシルハイドロジェンカーボネート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）ドデカンジオエート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムハイドロジェンドデカノエート、
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムｎ−オクトエート、
テトラメチルホスホニウムｎ−オクトエート、
トリエチルメチルホスホニウムｎ−オクトエート、
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムｎ−オクトエート、
トリ−ｎ−ヘキシル−ｎ−テトラデシルホスホニウムｎ−オクトエート、及び
トリ−ｎ−ヘキシル−ｎ−テトラデシルホスホニウムデカノエート
である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
有利に、化合物（Ｂ）は、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムビス（２，４，４−トリメチルペンチル）−ホスフィネート、
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムビス（２，４，４−トリメチルペンチル）−ホスフィネート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムオクチルハイドロジェンホスホネート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）オクチルホスホネート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムビニルハイドロジェンホスホネート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）ビニルホスホネート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムラウリルハイドロジェンホスホネート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）ラウリルホスホネート、
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムオクチルハイドロジェンホスホネート、
ビス（トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウム）オクチルホスホネート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムビス（２−エチルヘキシル）−ホスフェート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムジオクチルホスフェート、
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムジブチルホスフェート、
トリエチルメチルホスホニウムジブチルホスフェート、
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムビス（２−エチルヘキシル）−ホスフェート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムオクチルハイドロジェンホスフェート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）オクチルホスフェート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム（２−エチルヘキシル）−ハイドロジェンホスフェート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）２−エチルヘキシルホスフェート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムブチルハイドロジェンホスフェート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）ブチルホスフェート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムラウリルハイドロジェンホスフェート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）ラウリルホスフェート、
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムオクチルハイドロジェンホスフェート、
ビス（トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウム）オクチルホスフェート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムｎ−オクトエート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム２−エチル−ヘキサノエート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムネオデカノエート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムモノメチル−アジペート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムモノイソブチル−スクシネート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムグリコレート−エトキシレート−ラウリルエーテル、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）シクロヘキシルジカーボネート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムシクロヘキシルハイドロジェンカーボネート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）ドデカンジオエート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムハイドロジェンドデカノエート、
トリ−ｎブチルメチルホスホニウムｎ−オクトエート、
テトラメチルホスホニウムｎ−オクトエート、
トリエチルメチルホスホニウムｎ−オクトエート、及び
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムｎ−オクトエート、
特に有利に、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムビス（２，４，４−トリメチルペンチル）−ホスフィネート、
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムビス（２，４，４−トリメチルペンチル）−ホスフィネート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムオクチルハイドロジェンホスホネート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）オクチルホスホネート、
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムオクチルハイドロジェンホスホネート、
ビス（トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウム）オクチルホスホネート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムビス（２−エチルヘキシル）−ホスフェート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムジオクチルホスフェート、
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムジブチルホスフェート、
トリエチルメチルホスホニウムジブチルホスフェート、
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムビス（２−エチルヘキシル）−ホスフェート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムオクチルハイドロジェンホスフェート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）オクチルホスフェート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム（２−エチルヘキシル）−ハイドロジェンホスフェート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）２−エチルヘキシルホスフェート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムブチルハイドロジェンホスフェート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）ブチルホスフェート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムラウリルハイドロジェンホスフェート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）ラウリルホスフェート、
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムオクチルハイドロジェンホスフェート、
ビス（トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウム）オクチルホスフェート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムｎ−オクトエート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム２−エチル−ヘキサノエート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムネオデカノエート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムグリコレート−エトキシレート−ラウリルエーテル、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）シクロヘキシルジカーボネート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムシクロヘキシルハイドロジェンカーボネート、
ビス（テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム）ドデカンジオエート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムハイドロジェンドデカノエート、
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムｎ−オクトエート、
テトラメチルホスホニウムｎ−オクトエート、
トリエチルメチルホスホニウムｎ−オクトエート、及び
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムｎ−オクトエート、
特に、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムビス（２，４，４−トリメチルペンチル）−ホスフィネート、
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムビス（２，４，４−トリメチルペンチル）−ホスフィネート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムｎ−オクトエート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム２−エチル−ヘキサノエート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムネオデカノエート、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムグリコレート−エトキシレート−ラウリルエーテル、
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムｎ−オクトエート、
テトラメチルホスホニウムｎ−オクトエート、
トリエチルメチルホスホニウムｎ−オクトエート、及び
トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムｎ−オクトエート
である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
有利に、成分（Ａ）は、式（ＩＶ）の基を少なくとも２有する。成分（Ａ）は、ポリマー中の任意の箇所、例えば、鎖中及び／又は末端にオルガニルオキシシリル基を有することができる。更に、オルガニルオキシシリル基は１以上のジオルガノシロキシ基を介して有機ポリマーに結合していてもよい。
【国際調査報告】
2010528138.tif 000029
2010528138.tif 000030
2010528138.tif 000031
2010528138.tif 000032
2010528138.tif 000033
2010528138.tif 000034