(57)【要約】ＩＩＩ族窒化物の端面放射型レーザダイオードが、半極性の配向を有するＩＩＩ族窒化物基板の表面上に形成される。該ＩＩＩ族窒化物基板は、該ＩＩＩ族窒化物基板の無極性の配向と実質的に垂直な方向に沿ったへき開線を作り出すことと、該ＩＩＩ族窒化物基板の１つ以上のへき開型ファセットを作り出すために、次いで、該へき開線に沿って力を付与することとによってへき開させられる。ここで、該へき開型ファセットは、ｍ面またはα面の配向を有する。
2010518625.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半極性の配向を有するＩＩＩ族窒化物基板の表面上に形成されたＩＩＩ族窒化物半導体の光放射デバイスであって、該ＩＩＩ族窒化物基板は、該ＩＩＩ族窒化物基板の１つ以上のへき開型ファセットを作り出すために、該ＩＩＩ族窒化物基板の無極性の配向と実質的に垂直な方向に沿ってへき開させられる、ＩＩＩ族窒化物半導体の光放射デバイス
を備える、オプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項２】
前記ＩＩＩ族窒化物半導体の光放射デバイスは、端面放射型レーザダイオードである、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記ＩＩＩ族窒化物基板は、半極性ＩＩＩ族窒化物基板である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記半極性ＩＩＩ族窒化物基板は、半極性バルク窒化ガリウム基板である、請求項３に記載のデバイス。
【請求項５】
前記へき開型ファセットは、ｍ面またはａ面の配向を有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
前記ＩＩＩ族窒化物基板は、へき開させることを容易にするために薄くされる、請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
前記基板は、該基板の無極性の配向と実質的に垂直な方向に沿って、前記へき開型ファセットのためのへき開線を有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】
オプトエレクトロニクスデバイスを製作するための方法であって、該方法は、
半極性の配向を有するＩＩＩ族窒化物基板の表面上にＩＩＩ族窒化物半導体の光放射デバイスを形成することと、
該ＩＩＩ族窒化物基板の１つ以上のへき開型ファセットを作り出すために、該ＩＩＩ族窒化物基板の無極性の配向と実質的に垂直な方向に沿って該ＩＩＩ族窒化物基板をへき開させることと
を包含する、方法。
【請求項９】
前記ＩＩＩ族窒化物半導体の光放射デバイスは、端面放射型レーザダイオードである、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ＩＩＩ族窒化物基板は、半極性ＩＩＩ族窒化物基板である、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記半極性ＩＩＩ族窒化物基板は、半極性バルク窒化ガリウム基板である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記へき開型ファセットは、ｍ面またはａ面の配向を有する、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
へき開させることを容易にするために、前記ＩＩＩ族窒化物基板を薄くすることをさらに包含する、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記へき開させるステップは、
前記基板の無極性の配向と実質的に垂直な方向に沿ってへき開線を作り出すことと、
前記へき開型ファセットを作り出すために、次いで、該へき開線に沿って力を付与することと
を包含する、請求項８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の引用）
本出願は、同時係属中であり、そして同一人に譲渡された下記の米国特許出願の利益を米国特許法第１１９（ｅ）条の下に主張する。該米国特許出願とは、Ｓｈｕｊｉ  Ｎａｋａｍｕｒａ、Ｊａｍｅｓ  Ｓ．Ｓｐｅｃｋ、Ｓｔｅｖｅｎ  Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、およびＡｎｕｒａｇ  Ｔｙａｇｉによって２００７年２月１２日に出願された米国仮出願第６０／８８９，５１８号、発明の名称は「ＣＬＥＡＶＥＤ  ＦＡＣＥＴ  （Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ）Ｎ  ＥＤＧＥ−ＥＭＩＴＴＩＮＧ  ＬＡＳＥＲ  ＤＩＯＤＥＳ  ＧＲＯＷＮ  ＯＮ  ＳＥＭＩＰＯＬＡＲ  ｛１１−２ｎ｝  ＢＵＬＫ  ＧａＮ  ＳＵＢＳＴＲＡＴＥＳ」、代理人整理番号３０７９４．２２１−ＵＳ−Ｐ１（２００７−４２３−１）であり、上記出願は、参考として本明細書中に援用される。
【０００２】
（発明の分野）
本発明は、半極性基板に基づいた半導体光学デバイスに関する。
【背景技術】
【０００３】
（関連技術の説明）
（注：本出願は、丸括弧内の１つ以上の参照文献番号、例えば、（参照文献Ｘ）によって本明細書の全体にわたって示されるような、多くの様々な刊行物を参照する。これらの参照文献番号に従って指示されるこれらの様々な刊行物の一覧は、「（参照文献）」という見出しを付された段落内に見出され得る。これらの刊行物のそれぞれは、参考として本明細書中に援用される）。
【０００４】
最先端のＩＩＩ族窒化物レーザは、容易に利用可能なｃ面サファイア基板上あるいは高価なＳｉＣまたはバルクＧａＮ基板上で成長する。それらはみな、（Ｇａ，Ｉｎ，Ａｌ）Ｎ（また「ＩＩＩ族窒化物」、「ＩＩＩ族（ＩＩＩ−）窒化物」、または単に「窒化物」と呼ばれる）の極性［０００１］のｃ配向に沿って成長する。通常サファイア上で成長したレーザダイオードは、より高い損失と、従って低減された効率とをもたらすドライエッチングされたファセット（ｆａｃｅｔ）を利用する。ＳｉＣまたはバルクＧａＮ基板上で成長したデバイスは、へき開型（ｃｌｅａｖｅｄ）鏡面ファセットを有し得る。
【０００５】
しかしながら、様々な半極性の配向において成長したレーザダイオードは、極性［０００１］のｃ配向において成長したレーザダイオードに比べて非常に低い分極誘起型（ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ−ｉｎｄｕｃｅｄ）の電界を有する（参照文献１（非特許文献１））。理論的研究（参照文献２（非特許文献２））は、半極性の配向において成長したひずみ型（ｓｔｒａｉｎｅｄ）ＩｎＧａＮ／ＧａＮの多重量子井戸が、ひずみ型ｃ面ＩｎＧａＮの量子井戸よりも有意に低い正孔の有効質量（ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ  ｈｏｌｅ  ｍａｓｓ）を有すると予期されることを示している。このことは、ｃ面ＧａＮ上で製作されたレーザダイオードに比べて、半極性（Ｇａ，Ｉｎ，Ａｌ）Ｎレーザダイオードのしきい値における低減をもたらすはずである。従って、本発明の半極性｛１１−２ｎ｝ＩＩＩ族窒化物基板上で成長したへき開型ファセットの（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ）Ｎ端面放射型（ｅｄｇｅ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ）レーザダイオードは、改善された効率の保証を提供する。
【０００６】
最近、［０００１］ｃ配向のバルクＧａＮ基板上で製作された、｛１０−１０｝ｍ面のへき開型ファセットを有する（Ｇａ，Ｉｎ，Ａｌ）Ｎ端面放射型レーザダイオードが報告されている（参照文献３（非特許文献３））。しかしながら、半極性｛１１−２ｎ｝（ここで、ｎは任意の値、例えば２、−２を仮定し得る）上で成長した（Ｇａ，Ｉｎ，Ａｌ）Ｎレーザダイオード、または半極性｛１０−１ｌ｝（ここで、ｌは、１、−１、３、−３などのような値を仮定し得る）バルクＧａＮ基板は明示されていない。
【０００７】
基板（例えば、ａ面サファイア、６Ｈ−ＳｉＣ、（１１１）尖晶石など）上でヘテロエピタキシャルに成長したへき開型ファセットの（Ｇａ，Ｉｎ，Ａｌ）Ｎ端面放射型レーザダイオード（参照文献４〜参照文献６（非特許文献４〜非特許文献６））もまた、以前に報告されている。しかしながら、異質の（ｆｏｒｅｉｇｎ）基板（例えば、ａ面サファイア、６Ｈ−ＳｉＣ、（１１１）尖晶石など）上でヘテロエピタキシャルに成長したそのようなレーザダイオードは、バルクＧａＮ基板上でホモエピタキシャルに成長したレーザダイオードに比べて劣った性能を示す。それは、エピタキシャル層と異質の基板との間の大きな格子不整合によりもたらされる高い欠陥密度に起因している。
【０００８】
（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ）Ｎベースの電子デバイスおよびオプトエレクトロニクスデバイスは、主としてウルツ鉱型結晶構造を有するＧａＮ上で成長する。ウルツ鉱型結晶構造に対しては、（１−１００）ｍ面は、結晶面の｛１１−２ｎ｝群に垂直であり、自然にへき開する面である。このことは、本発明が半極性｛１１−２ｎ｝ＩＩＩ族窒化物基板（例えば、バルクＧａＮ基板）上で端面放射型レーザダイオードを成長させることを可能にし、その端面放射型レーザダイオードは、高い反射率を有する原子的に平滑なへき開型（１−１００）ｍ面の鏡面ファセットを利用する。
【０００９】
従来技術において、（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ）Ｎベースの端面放射型レーザダイオードは、通常ドライエッチングしたファセットを利用し、そのファセットは本来的にきめが粗い。さらに、ドライエッチング技術を用いて、完全に垂直なファセットを達成することは困難である。このことは、散乱損失をもたらし、その結果、ファセットにおける反射率を低減させて、劣ったデバイス性能をもたらす。
【００１０】
本発明は、半極性の配向（ＩｎＧａＮ／ＧａＮの量子井戸（ＱＷ）内の低い分極誘起型電界、理論上予測された低い正孔の有効質量の圧縮ひずみ型（ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｖｅｌｙ  ｓｔｒａｉｎｅｄ）ＩｎｘＧａ１−ｘＮの量子井戸など）上に（Ｉｎ，Ｇａ，Ａｌ）Ｎデバイスを成長させる利点を、へき開型の鏡面ファセットによって達成される低損失キャビティと組み合わせることにより、高性能デバイスの製作を可能にする。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【００１１】
【非特許文献１】Ａ．Ｅ．Ｒｏｍａｎｏｖ、Ｔ．Ｊ．Ｂａｋｅｒ、Ｓ．Ｎａｋａｍｕｒａ、およびＪ．Ｓ．Ｓｐｅｃｋ、「Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．１００（２００６）０２５３５２２」
【非特許文献２】Ｓ．Ｈ．Ｐａｒｋ、「Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．」、９１、（２００２）９９０４
【非特許文献３】Ｔ．Ｍ．Ｓｍｅｅｔｏｎ、Ｖ．Ｂｏｕｓｑｕｅｔ、Ｓ．Ｅ．Ｈｏｏｐｅｒ、Ｍ．Ｋａｕｅｒ、およびＪ．Ｈｅｆｆｅｒｎａｎ、「Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．」、８８（２００６）０４１９１０
【非特許文献４】Ａ．Ｃ．Ａｂａｒｅ、Ｍ．Ｐ．Ｍａｃｋ、Ｍ．Ｈａｎｓｅｎ、Ｒ．Ｋ．Ｓｉｎｋ、Ｐ．Ｋｏｚｏｄｏｙ、Ｓ．Ｋｅｌｌｅｒ、Ｊ．Ｓ．Ｓｐｅｃｋ、Ｊ．Ｅ．Ｂｏｗｅｒｓ、Ｕ．Ｋ．Ｍｉｓｈｒａ、Ｌ．Ａ．ＣｏｌｄｒｅｎおよびＳ．Ｐ．Ｄｅｎｂａａｒｓ、「ＩＥＥＥ  Ｊ．Ｓｅｌ．Ｔｏｐ．Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．」、４（１９９８）５０５
【非特許文献５】Ｔ．Ｓｃｈｏｅｄｌ、Ｕ．Ｔ．Ｓｃｗａｒｚ、Ｖ．Ｋｕｍｍｌｅｒ、Ｍ．Ｆｕｒｉｓｃｈ、Ａ．Ｌｅｂｅｒ、Ａ．Ｍｉｌｅｒ、Ａ．Ｌｅｌｌ、およびＶ．Ｈａｒｌｅ、「Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．」、９７、（２００５）１２３１０２
【非特許文献６】Ｍ．Ａ．Ｋｈａｎ、Ｃ．Ｊ．Ｓｕｎ、Ｊ．Ｗ．Ｙａｎｇ、Ｑ．Ｃｈｅｎ、Ｂ．Ｗ．Ｌｉｍ、Ｍ．Ｚ．Ａｎｗａｒ、Ａ．ＯｓｉｎｓｋｙおよびＨ．Ｔｅｍｋｉｎ、「Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．」、６９（１９９６）２４２０
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【００１２】
（発明の概要）
本発明は、上記された従来技術の限界を克服し、本明細書を読み、そして理解する際に明らかとなる他の限界を克服するために、オプトエレクトロニクスデバイスを開示する。該オプトエレクトロニクスデバイスは、半極性の配向を有するＩＩＩ族窒化物基板の表面上に形成されるＩＩＩ族窒化物の端面放射型レーザダイオードを備える。ここで、ＩＩＩ族窒化物基板は、該ＩＩＩ族窒化物基板の無極性の配向に対して実質的に垂直な方向に沿ったへき開線（ｃｌｅａｖａｇｅ  ｌｉｎｅ）を作り出すことと、該ＩＩＩ族窒化物基板の１つ以上のへき開型ファセットを作り出すために、次いで、該へき開線に沿って力を付与することとによってへき開させられる。ここで、該へき開型ファセットは、ｍ面またはａ面の配向を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、断面が（１０−１０）ｍ面に平行な鏡面ファセットに沿った、本発明の図である。
【図２】図２は、ＧａＮウルツ鉱型セル（ｃｅｌｌ）に関する｛１１−２２｝または｛１１−２−２｝面の図である。
【図３】図３は、本発明のデバイスに対する製作プロセスの一実施形態を例示するフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
同様な参照番号が、対応する部分を全体にわたって表す図面をここで参照する。
【００１５】
（発明の詳細な説明）
以下の好適な実施形態の説明において、その一部分を形成する添付の図面に対する参照がなされ、図面において、好適な実施形態が、本発明が実施され得る特定の実施形態の例示のために示される。他の実施形態が利用され得、構造的な変更が、本発明の範囲から逸脱することなくなされ得ることは理解されるべきである。
【００１６】
本発明は、半極性の配向を有するＩＩＩ族窒化物基板の表面上に形成されたＩＩＩ族窒化物半導体の光放射デバイス、例えば、端面放射型レーザダイオードを開示する。該光放射デバイスは、ガリウム含有、インジウム含有、および／またはアルミニウム含有の窒化物層などの半導体材料の合金（Ｇａ，Ｉｎ，Ａｌ）Ｎ、すなわちＩＩＩ族窒化物層（ＩＩＩ−窒化物層としても公知）を備えている。デバイスは、確立された半導体デバイスのプロセス技術を用いて製作される。
【００１７】
図１は、本発明のデバイスの一実施形態の詳細な図であるけれども、代替の実施形態がその後のセクションで提案される。デバイス構造１０は、標準的な半導体リソグラフィー、エッチングおよび堆積プロセスを用いて、半極性｛１１−２２｝または｛１１−２−２｝バルクＧａＮ基板などの半極性ＩＩＩ族窒化物基板１２上にホモエピタキシャルに成長したＩＩＩ族窒化物、端面放射型、リッジ（ｒｉｄｇｅ）（屈折率導波型（ｉｎｄｅｘ−ｇｕｉｄｅｄ））レーザ構造を備えている。デバイス構造１０は、Ｔｉ／Ａｌ／Ｎｉ／Ａｕ接触１４と、ｎ型ＧａＮ（ｎ−ＧａＮ）接触層１６と、ｎ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ（ｎ−ＡｌＧａＮ／ＧａＮ）ひずみ超格子（ｓｔｒａｉｎｅｄ  ｌａｙｅｒ  ｓｕｐｅｒｌａｔｔｉｃｅ；ＳＬＳ）クラッド層１８と、ｎ−ＧａＮ導波路（ｗａｖｅｇｕｉｄｉｎｇ）層２０と、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸（ＭＱＷ）活性層２２と、ｐ型ＧａＮ（ｐ−ＧａＮ）導波路層２４と、ＳｉＯ２パッシベーション層２６と、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ（ｐ−ＡｌＧａＮ／ＧａＮ）ＳＬＳクラッド層２８と、ｐ−ＧａＮ接触層３０と、Ｎｉ／Ａｕ接触３２とを含んでいる。図１に例示された詳細なエピタキシャル構造１０は、従来の有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ）プロセスを用いて作り出されるけれども、他のプロセスもまた用いられ得る。さらに、層１２〜層３２によって表されるレーザストライプ（ｓｔｒｉｐｅ）は、矢印３４によって示されるように、［１０−１０］ｍ方向などの無極性の方向に配向される。
【００１８】
デバイス１０の製作の後、基板１２は、へき開させられることを容易にするために薄くされ得る。へき開させることは、基板１２の無極性の配向と実質的に垂直な方向（例えば、［１０−１０］ｍ方向）に沿ってへき開線（図示されない）を作り出すために、基板１２に線をけがくことによって実行される。基板１２に線をけがくのではなく、フォーカス型イオンビーム（ＦＩＢ）エッチングが、へき開線を作り出すために用いられ得る（参照文献５（非特許文献５））。その後、基板１２上の１つ以上のへき開型ファセット３６を作り出すために、力が、へき開線に沿って均等に付与される。該へき開型ファセット３６は、ｍ面またはａ面配向のいずれかであり得る無極性の配向を有する。へき開型ファセット３６は、他の技術を用いて作り出されたファセットよりも平滑であり、従って、レーザデバイス構造１０用のファブリーペロー型キャビティを形成する鏡面として役立ち得る。
【００１９】
図２は、ＧａＮウルツ鉱型セル４０に関する半極性の成長面（１１−２２）または｛１１−２−２｝３８の図を示す。（１０−１０）ｍ面４２は、半極性の成長面（１１−２２）または｛１１−２−２｝３８と垂直であることが理解できる。上記されたように、ドライエッチング技術によって形成されたファセットは、本来的にきめが粗く、（エピ表面に関して）完全に垂直ではない。このことは、鏡面ファセットからのより高い散乱損失をもたらし、その結果、レーザのしきい値の電流密度を増大させる。（１０−１０）ｍ面へき開型鏡面ファセット３８を端面放射型レーザダイオード１０内に組み込むことによって、鏡面損失が有意に低減され得、デバイス効率が向上され得る。
【００２０】
図３は、ＩＩＩ族窒化物半導体の光放射デバイス１０を製作するためのプロセスの一実施形態を例示するフローチャートであり、光放射デバイス１０は、半極性の配向を有するＩＩＩ族窒化物基板１２の表面上に形成されたＩＩＩ族窒化物層を備える。デバイス１０の製作は、リソグラフィー、エッチングおよび堆積プロセスを含む、確立された半導体デバイスのプロセス技術を用い得る。
【００２１】
ブロック４４は、半極性｛１１−２２｝または｛１１−２−２｝バルクＧａＮ基板１２などの半極性ＩＩＩ族窒化物基板１２を提供するステップを表している。
【００２２】
ブロック４６は、基板１２上にデバイス構造１０をホモエピタキシャルに形成するステップを表している。該ステップは、Ｔｉ／Ａｌ／Ｎｉ／Ａｕ接触１４と、ｎ−ＧａＮ接触層１６と、ｎ−ＡｌＧａＮ／ＧａＮ  ＳＬＳクラッド層１８と、ｎ−ＧａＮ導波路層２０と、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ  ＭＱＷ活性層２２と、ｐ−ＧａＮ導波路層２４と、ＳｉＯ２パッシベーション層２６と、ｐ−ＡｌＧａＮ／ＧａＮ  ＳＬＳクラッド層２８と、ｐ−ＧａＮ接触層３０と、Ｎｉ／Ａｕ接触３２とを製作することを含む。
【００２３】
ブロック４８は、へき開させることを容易にするために、デバイス１０の製作の後、基板１２を薄くする随意のステップを表している。
【００２４】
ブロック５０〜ブロック５２は、実行されるへき開させることを表している。ブロック５０は、基板１２の無極性の配向と実質的に垂直な方向（例えば、［１０−１０］ｍ方向）に沿ってへき開線を作り出すために、基板１２に線をけがくステップを表しており、そしてブロック５２は、基板１２上の１つ以上のへき開型ファセット３６を作り出すために、力がへき開線に沿って均等に付与されるステップを表している。該へき開型ファセット３６は、ｍ面またはａ面配向のいずれかであり得る無極性の配向を有する。
【００２５】
これらのステップの最終結果は、図１に示された構造などのデバイス構造１０である。
【００２６】
（実施可能な修正および変形）
本発明の数多くの実施可能な修正および変形が存在する。
【００２７】
ＧａＮ以外の基板材料（例えば、ＡｌＮ、ＩｎＮ）が、本発明を実施することにおいて用いられ得る。｛１０−１ｌ｝（ここで、ｌは、−３、−１、１、３などであり得る）を含む、他の半極性の配向を有する基板が用いられ得るけれども、これに限定はされない。これらの基板上で成長した（Ｇａ，Ｉｎ，Ａｌ）Ｎ端面放射型レーザダイオード用のへき開型ファセットは、（１１−２０）ａ面に沿っている。基板はまた、場合によって薄くされ、かつ／または研摩され得る。
【００２８】
（Ｇａ，Ｉｎ，Ａｌ）Ｎの量子井戸における変形およびヘテロ構造の設計が、本発明の範囲を逸脱することなく実施可能である。利得導波型（ｇａｉｎ−ｇｕｉｄｅｄ）および屈折率導波型レーザダイオード構造の様々なタイプが製作され得る。さらに、層の特定の厚さおよび組成、成長した量子井戸の数、および電子ブロッキング層の包接（ｉｎｃｌｕｓｉｏｎ）または省略は、特定のデバイス設計に固有の変数であり、本発明の代替の実施形態において用いられ得る。
【００２９】
クラッド層は、図１に描かれているように、ｎ型、ｐ型、意図的ではないドーピング型（ｕｎｉｎｔｅｎｔｉｏｎａｌｌｙ  ｄｏｐｅｄ；ＵＩＤ）、同時ドーピング型（ｃｏ−ｄｏｐｅｄ）、または半絶縁であり得、そして任意の（Ｇａ，Ｉｎ，Ａｌ）Ｎ合金、および望ましい特性を有する他の材料から構成され得る。
【００３０】
接触（ｐ型とｎ型との両方の接触）は、他の材料（例えば、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、ＺｎＯなど）を用い得る。
【００３１】
上記された、へき開型ファセットは、レーザダイオードのほかに他の半導体デバイス（例えば、端面放射型発光ダイオード（ＬＥＤ））に対して用いられ得る。
【００３２】
ファセットはまた、反射率を変更するために、様々な被覆（例えば、高反射率（ＨＲ）被覆または反射防止（ａｎｔｉ−ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ；ＡＲ）被覆、分布型ブラッグリフレクタ（ＤＢＲ）鏡面など）を適用され得る。
【００３３】
デバイスの好適な実施形態において、シングルラテラル（ｓｉｎｇｌｅ  ｌａｔｅｒａｌ）ｎ型接触（ｎ−接触）が作成される。ダブルラテラル接触、フリップチップ接触および背面（ｂａｃｋ−ｓｉｄｅ）接触（基板へのｎ−接触、従って、縦型（ｖｅｒｔｉｃａｌ）のデバイス構造を形成する）を含む、様々な接触スキームが、本発明の代替の実施形態において利用され得るけれども、これらに限定はされない。
【００３４】
記載された構造は、電気的にポンピングされたデバイスである。光学的にポンピングされたデバイスもまた想起され得る。
【００３５】
（既存の業務上の利点および改良点）
本発明の目的は、様々な商業用途、工業用途または科学技術用途のための光源として用いるためである。例えば、半極性（Ｇａ，Ｉｎ，Ａｌ）Ｎ端面放射型レーザダイオードは、ＤＶＤプレーヤ用に効率的、かつ単純な光ヘッドを提供し得る。（Ｇａ，Ｉｎ，Ａｌ）Ｎ半極性レーザによって提供される、より短い波長（青紫色のレーザに対して）と、より小さなスポットサイズからもたらされる別の用途は、高解像度印刷である。半極性レーザダイオードは、より低いしきい値の可能性を提供し、可視スペクトルのより長い波長領域で放射するレーザダイオード（例えば、緑色の（Ｇａ，Ｉｎ，Ａｌ）Ｎレーザ）を作り出すことが可能でさえあり得る。これらのデバイスは、投射型ディスプレイおよび医療用イメージングにおいて用途を見出し、また効率的な固体型照明、高輝度照明ディスプレイ用の強力な候補であり、ＬＥＤによって達成され得るよりも高い電力変換効率（ｗａｌｌ−ｐｌｕｇ  ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）を提供し得る。
【００３６】
（参照文献）
以下の参照文献は、参考として本明細書中に援用される。
１．  Ａ．Ｅ．Ｒｏｍａｎｏｖ、Ｔ．Ｊ．Ｂａｋｅｒ、Ｓ．Ｎａｋａｍｕｒａ、およびＪ．Ｓ．Ｓｐｅｃｋ、「Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．１００（２００６）０２５３５２２」
２．  Ｓ．Ｈ．Ｐａｒｋ、「Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．」、９１、（２００２）９９０４
３．  Ｔ．Ｍ．Ｓｍｅｅｔｏｎ、Ｖ．Ｂｏｕｓｑｕｅｔ、Ｓ．Ｅ．Ｈｏｏｐｅｒ、Ｍ．Ｋａｕｅｒ、およびＪ．Ｈｅｆｆｅｒｎａｎ、「Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．」、８８（２００６）０４１９１０
４．  Ａ．Ｃ．Ａｂａｒｅ、Ｍ．Ｐ．Ｍａｃｋ、Ｍ．Ｈａｎｓｅｎ、Ｒ．Ｋ．Ｓｉｎｋ、Ｐ．Ｋｏｚｏｄｏｙ、Ｓ．Ｋｅｌｌｅｒ、Ｊ．Ｓ．Ｓｐｅｃｋ、Ｊ．Ｅ．Ｂｏｗｅｒｓ、Ｕ．Ｋ．Ｍｉｓｈｒａ、Ｌ．Ａ．ＣｏｌｄｒｅｎおよびＳ．Ｐ．Ｄｅｎｂａａｒｓ、「ＩＥＥＥ  Ｊ．Ｓｅｌ．Ｔｏｐ．Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．」、４（１９９８）５０５
５．  Ｔ．Ｓｃｈｏｅｄｌ、Ｕ．Ｔ．Ｓｃｗａｒｚ、Ｖ．Ｋｕｍｍｌｅｒ、Ｍ．Ｆｕｒｉｓｃｈ、Ａ．Ｌｅｂｅｒ、Ａ．Ｍｉｌｅｒ、Ａ．Ｌｅｌｌ、およびＶ．Ｈａｒｌｅ、「Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．」、９７、（２００５）１２３１０２
６．  Ｍ．Ａ．Ｋｈａｎ、Ｃ．Ｊ．Ｓｕｎ、Ｊ．Ｗ．Ｙａｎｇ、Ｑ．Ｃｈｅｎ、Ｂ．Ｗ．Ｌｉｍ、Ｍ．Ｚ．Ａｎｗａｒ、Ａ．ＯｓｉｎｓｋｙおよびＨ．Ｔｅｍｋｉｎ、「Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．」、６９（１９９６）２４２０。
【００３７】
（結び）
ここでは、本発明の好適な実施形態の説明を締めくくる。本発明の１つ以上の実施形態の上記の説明は、例示および説明の目的のために提示されてきた。それは、網羅的であることを意図せず、または開示されたまさにその形態に発明を制限することを意図していない。多くの修正および変形が、本発明の本質から根本的に逸脱することなく、上記の教示を考慮すれば可能である。本発明の範囲は、この詳細な説明によってではなく、添付された特許請求の範囲によって制限されることが意図されている。
【図１】
2010518625.tif 000003
【図２】
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【図３】
2010518625.tif 000005
【国際調査報告】
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