(57)【要約】【課題】基材、軟磁性下地層、シード層、非磁性ＦＣＣ  ＮｉＷ合金下地層、非磁性ＨＣＰ下地層、及び磁気層を含む、垂直磁気記録媒体を提供する。【解決手段】本発明者は、Ｔａを含むシード層とＮｉＷ合金下地層との組み合わせが、薄い下部磁気記録層の高い飽和保磁力と狭いＣ軸配向分布とを達成することによって、媒体記録性能及び熱安定性を大幅に改善することを発見した。【選択図】図２
2010518536.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、
前記基材の上に形成されたＳＵＬと、
前記ＳＵＬの上に形成された、非晶質Ｔａを含むシード層と、
前記シード層の上に形成された、Ｎｉ及びＷを含む非磁性ＦＣＣ合金と、
前記非磁性ＦＣＣ合金の上に形成された非磁性ＨＣＰ下地層と、
前記非磁性ＨＣＰ下地層の上に形成された磁気層と、
を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記非磁性ＦＣＣ合金は、Ｗを６％から１５％含み残りの部分が実質的にＮｉであるＦＣＣ合金であり、前記磁気層は第１の副層及び第２の副層を含み、前記ＳＵＬ及び前記基材の間の接着層と前記磁気層の上の保護膜とをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
請求項１に記載の媒体を備えることを特徴とする磁気ディスク・ドライブ。
【請求項４】
磁気記録媒体を作るための方法であって、
基材の上にＳＵＬを形成し、
前記ＳＵＬの上に形成された非晶質Ｔａを含むシード層を形成し、
前記シード層の上に形成されたＮｉ及びＷを含む非磁性ＦＣＣ合金を形成し、
前記非磁性ＦＣＣ合金の上に形成された非磁性ＨＣＰ下地層を形成し、
前記非磁性ＨＣＰ下地層の上に形成された磁気層を形成する、
ことを特徴とする方法。
【請求項５】
前記非磁性ＦＣＣ合金は、Ｗを６％から１５％含み残りの部分が実質的にＮｉであるＦＣＣ合金であり、前記磁気層は第１の副層及び第２の副層を含み、
前記ＳＵＬと前記基材との間に接着層を形成し、
前記磁気層の上に保護膜を形成する、
ステップをさらに含むことを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録媒体、及び、垂直磁気記録媒体を製造するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は、垂直記録に用いられる従来技術の磁気記録媒体１０を示す。媒体１０は、基材１１、接着層１２、軟磁性下地層(ＳＵＬ）構造１３、Ｔａシード層１４、六方最密構造（ＨＣＰ）ＲｕＣｒ30合金層１５、ＨＣＰ  Ｒｕ層１７、下部磁気ＨＣＰ  ＣｏＣｒ17Ｐｔ18（ＳｉＯ2）2合金層１８、キャッピング磁気ＨＣＰ  ＣｏＣｒ16Ｐｔ18（ＴｉＯ2）1.5合金層１９、及びカーボン保護膜２０を含む。層１８及び１９のＨＣＰ結晶の＜０００１＞軸（Ｃ軸）は、垂直方向に選択的に配向される。層１４、１５及び１７は、層１８及び１９が堆積したときにＣ軸の垂直配向を促進して層１８及び１９の粒子分離を強め、結果として磁気層１８及び１９の飽和保磁力Ｈｃを向上させるために、設けられる。
【０００３】
層１８及び１９は、媒体が使用状態にあるときに、磁気的に記録されたデータを蓄える。層１８のＨｃは、層１９のＨｃより大きい。反応性スパッタリングの際に、層１８の非晶質酸化物の結晶粒境界が生じて層１８の磁性粒子を分離し、その結果、層１８の個々の粒子の磁性を独立に切り替えることができ、層１８によって示されるノイズが減少する。層１８の酸化物含有量は、所与のターゲットの酸化物含有量と反応性スパッタリングの程度とによって制御される。残念ながら、非特許文献１において述べられているように、非晶質酸化物の結晶粒境界の形成によって、磁化の垂直配向が低下し、層１８に広いスイッチング磁界が生じる可能性がある。層１９（この層は、酸化物がないか又は酸化物含有量が少なく、層１８より多くの粒間交換相互作用がある）は、層１８の磁気特性を調整して２重磁気層１８、１９における磁化の垂直配向を改善するために用いられる。
【０００４】
ＳＵＬ構造１３は、薄いＲｕ層１３ｂによって分離された軟磁性層１３ａ及び１３ｃからなる。層１３ａ及び１３ｃは、Ｒｕ層１３ｂによって互いに反強磁性的に結合される。ＳＵＬ構造１３は、読み書きヘッドの書込みポールからリターン・ポールへの戻り磁路をもたらす（図示せず）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００４／０２４７９４５号明細書
【特許文献２】米国特許第７，０６７，２０６号明細書
【特許文献３】米国特許出願公開第２００６／００９３８６７号明細書
【特許文献４】米国特許第６，９０２，８３５号明細書
【特許文献５】米国特許出願公開第２００３／０１７０５００号明細書
【特許文献６】米国特許出願公開第２００４／００２３０７４号明細書
【特許文献７】米国特許出願公開第２００６／０２７５６２９号明細書
【特許文献８】米国特許第６，８５５，２３２号明細書
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】Ｈ．Ｓ．Ｊｕｎｇ ｅｔ  ａｌ．、“Ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ  ｏｆ  Ｏｘｙｇｅｎ  Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ  ｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ  ａｎｄ  Ｍｅｄｉａ  Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ  ｉｎ  ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2  Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ  Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ  Ｍｅｄｉａ”、ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  ｏｎ  Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ、  Ｖｏｌ．４３、Ｎｏ．２、ｐｐ．６１５−６２０、Ｆｅｂ．２００７．
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述のように、層１５及び層１７は、それぞれＲｕＣｒ30及びＲｕからなる。狭い結晶学的Ｃ軸配向分布と優れた結晶化度とを達成するためには、より厚いＲｕＣｒ30下地層１５が必要である。残念ながら、Ｒｕは高価であり供給量も少ない。従って、層１８及び１９の良好な垂直配向と高い飽和磁場とを依然として保ちつつ、媒体１０におけるＲｕ含有層の数を減らすことが望ましい。
【０００８】
他の垂直磁気記録媒体が、特許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４、特許文献５、特許文献６、及び特許文献７において説明されている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
磁気記録媒体は、第１の下地層、第２の下地層、及び第３の下地層と磁気記録層とを含む。磁気記録層は、典型的には１つ又はそれ以上の磁気Ｃｏ合金層を含むＨＣＰ材料である。下地層は、磁気層のＣ軸の垂直配向を促進し、粒子分離を強め、磁気層の飽和保磁力を増加させる。第１の下地層は、典型的には非晶質Ｔａ又はＴａ合金を含むシード層であり、非磁性である。
【００１０】
第２の下地層は、非磁性であり、典型的にはＮｉＷ合金を含み、典型的にはＦＣＣ結晶構造を有する。１つの実施形態においては、第２の下地層はＮｉＷxを含み、ｘは６から１５までの間である。合金の残りの部分はＮｉを含む。別の実施形態においては、合金の残りの部分は他の添加物を含むが、他の実施形態においては、合金の残りの部分はほぼＮｉ１００％である。
【００１１】
第３の下地層は、典型的には非磁性ＨＣＰ材料であり、（Ｒｕ基合金を含む）Ｒｕ、又は、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｙ、Ｖ、Ｓｒ及びＮｉのうちの１つ又はそれ以上を含むことが可能なＣｏ基合金を含むものとすることができる。本発明者は、これらの材料を用いることによって、用いるＲｕを媒体１０より少なくしながら良好な結晶成長（例えば、磁気層のＣ軸の垂直配向において）と高い飽和保磁力とを実現できることを発見した。本発明者はまた、遷移ノイズの低減と熱安定性の改善とを達成できることも発見した。
【００１２】
１つの実施形態においては、媒体は、下地層の上に形成された２つの磁気層を含む。
【００１３】
１つの実施形態においては、媒体は、下地層の下に形成された基材及びＳＵＬを含む。ＳＵＬと磁気層との間の層の厚さは最小限にすることが望ましい。重要なことは、Ｔａを含むシード層とＮｉＷ合金を含む第２の下地層とを用いることによって、本発明の目的を達成できるということである。
【００１４】
１つの実施形態においては、ＳＵＬは、薄いＲｕ層によって分離された第１の軟磁性層及び第２の軟磁性層を含む。第１の軟磁性層及び第２の軟磁性層は、互いに反強磁性的に結合される。しかしながら、別の実施形態においては、ＳＵＬは単一の層のみを含む。
【００１５】
上述のように、優れた結晶学的Ｃ軸配向を達成すると同時に、単一の層又は下部磁気層についてＴａ及びＮｉＷを含む下地層の固有の組み合わせのために高いＨｃを達成することができ、下部磁気記録層が薄いとき、例えば７ｎｍのときでも、約７ｋＯｅの高いＨｃを達成することができる。薄い下部磁気記録層のＨｃが高いことの利点は、２重磁気記録層における遷移ノイズの低減と熱安定性の改善である。本発明者は、従来の下地層構造と比較して、媒体の信号対ノイズ比（ＳＮＲme）を０．６ｄＢから１．３ｄＢ改善した。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】従来技術に従って構成された磁気記録媒体の断面を示す。
【図２】本発明の第１の実施形態に従って構成された磁気記録媒体の断面を示す。
【図３】本発明の第２の実施形態に従って構成された磁気記録媒体の断面を示す。
【図４】種々の非磁性下地層の厚さと下部磁気記録層の飽和保磁力Ｈｃとの間の関係を示す。
【図５Ａ】種々の非磁性下地層の厚さと続けて堆積されたＲｕ合金層の結晶配向との間の関係を示す。
【図５Ｂ】種々の非磁性下地層の厚さと続けて堆積されたＣｏ合金層の結晶配向との間の関係を示す。
【図６】種々の非磁性下地層の厚さと２重磁気記録層の飽和保磁力Ｈｃとの間の関係を示す。
【図７】種々の非磁性下地層の厚さと２重磁気記録層の飽和磁界Ｈｓとの間の関係を示す。
【図８】種々の非磁性下地層の厚さと２重磁気記録層の核生成磁界Ｈｎとの間の関係を示す。
【図９】種々の非磁性下地層の厚さと２重磁気記録層の磁気書込み幅（ＮＷＷ）との間の関係を示す。
【図１０】種々の非磁性下地層の厚さと２重磁気記録層の媒体信号対ノイズ比ＳＮＲmeとの間の関係を示す。
【図１１】種々の非磁性下地層の厚さと２重磁気記録層のＤＣ消去信号対ノイズ比ＳＮＲDCとの間の関係を示す。
【図１２】種々の非磁性下地層の厚さと２重磁気記録層のリバース・オーバーライト性能ＯＷ２との間の関係を示す。
【図１３】非磁性ＮｉＷ10層の厚さと２重磁気記録層の残留飽和保磁力の温度係数ｄＨｃｒ／ｄＴとの間の関係を示す。
【図１４Ａ】Ｔａシード層及び非磁性ＮｉＷ10層の厚さによる、堆積されたＲｕ合金。
【図１４Ｂ】Ｔａシード層及び非磁性ＮｉＷ10層の厚さによる、堆積されたＣｏ合金層の結晶学的Ｃ軸配向への影響を示す。
【図１５Ａ】ＮｉＷ10合金層の厚さとＴａシード層の有無における磁気記録媒体のＳＮＲmeとの間の関係を示す。
【図１５Ｂ】ＮｉＴｉ10合金層の厚さとＴａシード層の有無における磁気記録媒体のＳＮＲmeとの間の関係を示す。
【図１６】本発明による磁気ディスクを含む磁気ディスク・ドライブの断面を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
図２を参照すると、磁気記録媒体１００は、基材１０２、接着層１０４、ＳＵＬ１０６、シード層１０８、非磁性層１１０、ＨＣＰ非磁性層１１２、下部磁気記録層１１４、キャッピング磁気記録層１１６及びカーボン保護膜１１８を含む。保護膜１１８の上面に、パーフルオロポリエーテルのような薄い潤滑剤層（図示せず）を塗布することができる。図２は、基材１０２の片側における種々の層のみを示しているが、典型的には、これらの層は、基材１０２の両側に形成される。
【００１８】
基材１０２は、ガラス、ガラス・セラミック、ＮｉＰめっきされたアルミニウム合金基材（例えば、ＡＩＭｇ基材）、又は、他の適切な材料とすることができる。基材１０２は、テクスチャ処理されたものとすることも、テクスチャ処理されていないものとすることもできる。
【００１９】
接着層１０４は、Ｃｒ、ＣｒＴｉ、Ｔｉ、又は他の材料とすることができる。１つの実施形態においては、層１０４は、厚さ５ｎｍののＴｉであるが、他の厚さを用いることもできる。代替的に、接着層１０４を省くことができる。
【００２０】
ＳＵＬ１０６は、軟磁性Ｃｏ基材料、例えば、Ｃｏと、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｆｅ及びＢのうちの１つ又はそれ以上との合金を含むことができる。代替的に、ＳＵＬ１０６は、酸化物と、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｆｅ及びＢのうちの１つ又はそれ以上とを含有する、軟磁性Ｃｏ基材料を含むことができる。別の実施形態においては、ＳＵＬ１０６は、薄いＲｕ中間層１０６ｂによって分離された第１の軟磁性層１０６ａ及び第２の軟磁性層１０６ｃを含むことができる（図３を参照されたい）。こうした１つの実施形態においては、層１０６ａは４０ｎｍの厚さのＣｏＴａ5Ｚｒ5合金であり、層１０６ｂは６オングストロームから９オングストロームの間の厚さ（例えば、８オングストローム）のＲｕであり、層１０６ｃは４０ｎｍの厚さのＣｏＴａ5Ｚｒ5である。図３の実施形態においては、層１０６ａと１０６ｃは、Ｒｕ層１０６ｂが存在することによって反強磁性的に結合される。
【００２１】
シード層１０８は、厚さ３ｎｍの非晶質Ｔａである。しかしながら、他の実施形態においては、層１０８は、他の厚さ、例えば２ｎｍから１５ｎｍの間の厚さを有するものとすることができる。また、他の実施形態においては、層１０８は、例えば９０％からほぼ１００％のＴａを含むＴａ合金である。
【００２２】
層１１０は、ＮｉＷ10などの非磁性ＦＣＣ  ＮｉＷ合金であり、１ｎｍから１５ｎｍの間の厚さとすることができるが、２ｎｍから６ｎｍの間の厚さであることが好ましい。
【００２３】
層１１２は厚さ１５ｎｍのＨＣＰ  Ｒｕである。しかしながら、他の実施形態においては、層１１２は、他の厚さ、例えば１０ｎｍから３０ｎｍの間の厚さを有するものとすることができ、Ｒｕ基合金、又は、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｙ、Ｖ、Ｓｒ若しくはＮｉのうちの１つ若しくはそれ以上を含むＣｏ基合金といった別のＨＣＰ材料とすることもできる。
【００２４】
層１１４はＣｏＣｒ17Ｐｔ18（ＳｉＯ2）2とすることができ、層１１６はＣｏＣｒ16Ｐｔ18（ＴｉＯ2）1.5とすることができる。層１１４及び層１１６の各々は厚さ７ｎｍであるが、他の実施形態においては、層１１４及び層１１６は、他の組成及び厚さを有するものとすることができる。層１１４に酸化物ＳｉＯ2を添加し、層１１６に酸化物ＴｉＯ2を添加することによって、磁性粒子間の粒間交換結合が低減する。
【００２５】
カーボン保護膜１１８は、イオンビーム堆積によって堆積された、カーボンのフラッシュ層によって覆われたダイヤモンド状の水素化カーボン層を含むことができる。適切な構造の例が、引用により本明細書に組み入れられる、Ｌａｉｒｓｏｎらに付与されＫｏｍａｇ，Ｉｎｃ．に譲渡された特許文献８に述べられている。 層１１８は、２．５ｎｍの厚さとすることができる。しかしながら、カーボンの代わりに、他の材料、例えばＺｒＯ2を用いることもできる。
【００２６】
本発明による磁気ディスクは、例えば、スパッタリング、堆積、又は他の技術などの真空堆積プロセスによって、基材１０２上に層１０４、１０６、１０８、１１０、１１２、１１４、１１６及び１１８を続けて堆積させることにより、製造することができる。上述のように、層１１８は、カーボンベースの２つの副層、すなわち、イオンビーム堆積によって堆積される第１の副層と、スパッタリングによって堆積される第２の副層とを含むことができる。
【００２７】
本発明者は、媒体１００の優位性を実証する実験を行った。図４は、（層１１０が非磁性ＦＣＣ  ＮｉＷ10であり、層１０８が厚さ３ｎｍの非晶質Ｔａである場合の）層１１０の厚さと下部磁気記録層１１４のＨｃとの間の関係（曲線１２０を参照されたい）を、ＮｉＷ10の代わりにＰｄ、ＮｉＴｉ10及びＲｕＣｒ30が用いられた媒体（曲線１２１、１２２及び１２３を参照されたい）と比較して示している。図に示されるように、ＮｉＷ10を含むディスクは、層１０８が２．５ｎｍから５ｎｍの間の厚さの場合でも、非常に優れたＨｃを示した。ＮｉＷ10は、下部磁気記録層１１４がわずか７ｎｍの厚さであっても、厚さ２．５ｎｍにおける６ｋＯｅから厚さ５．０ｎｍにおける約７ｋＯｅまで著しく増加する。
【００２８】
本発明者はまた、本発明による層１１０のＦＣＣ非磁性ＮｉＷ合金と層１０８の非晶質Ｔａとの組み合わせが、層１１２、１１４及び１１６における優れたＣ軸結晶配向をもたらすことを実証した。具体的には、図５Ａ及び図５Ｂは、性能指数Δθ50と層１１０の厚さとの間の関係と、層１０８がＴａを含むときにそれに対応するＰｄ、ＮｉＴｉ10及びＲｕＣｒ30についての関係とを示す。Δθ50は、Ｃ軸の配向の変動の大きさを角度で測定したものであり、Ｘ線回析ロッキング曲線における（０００２）ピークの半値全幅によって求められる。図から分かるように、ＮｉＷ10を用いるＲｕ及びＣｏの場合には、Ｐｄ（曲線１２５及び１２９）、ＮｉＴｉ10（曲線１２６及び１３０）、及びＲｕＣｒ30（曲線１２７及び１３１）と比べて、（０００２）面のΔθ50をより低くすることができる。このことは、層１１０について本発明によるＮｉＷ10合金を用いると、Ｒｕ及びＣｏの磁気層におけるＣ軸の配列の変動がほとんど存在しないという利点があることを意味する。
【００２９】
図６は、層１１０がＮｉＷ10の場合における層１１０の厚さと２重磁気記録層１１４、１１６のＨｃとの間の関係（曲線１３４を参照されたい）と、それに対応する、ＮｉＷ10の代わりにＰｄ、ＮｉＴｉ10及びＲｕＣｒ30が用いられた場合の関係（曲線１３５、１３６、１３７を参照されたい）を示す。厚さ２．５ｎｍのＮｉＷ10層によって約５ｋＯｅのＨｃが得られ、これは、厚さ１０ｎｍのＲｕＣｒ30層に相当する（曲線１３４と１３７とを比較されたい）。（先の場合と同様に、図６及び図７−１３のデータについては層１０８として厚さ３ｎｍの非晶質Ｔａが用いられた。）
【００３０】
図７は、層１１０の厚さと２重磁気記録層１１４、１１６の飽和磁界Ｈｓとの間の関係と、それに対応するＰｄ、ＮｉＴｉ10、及びＲｕＣｒ30の場合の関係を示す。ここでも同様に、２．５ｎｍから５ｎｍの厚さのＮｉＷ10層によって、Ｐｄ、ＮｉＴｉ10、及びＲｕＣｒ30と比較して（曲線１３９、１４０及び１４１を参照されたい）、２重磁気層のＨｓが大幅に増大する（曲線１３８を参照されたい）。遷移ノイズを低減するためには、下部磁気層１１４においてより高いＨｃ及びＨｓをもたらすより高い磁気異方性定数Ｋｕが重要であるが、これは、媒体の書き込み性能を制限する。Ｈｓの値は、媒体書き込み性能に大きな影響を与える。上部磁気記録層１１６の役割は、粒間交換相互作用を調整することによって、高いＫｕを有するよく分離された下部磁気記録層１１４の副作用を最小限にするのを助けることである。Ｈｃ及びＨｓの増大は、ＮｉＷ10を用いることによって生じるが、記録性能をさらに向上させるために上部磁気記録層１１６の組成及び厚さの両方を制御するためのより多くの余裕をもたらす。
【００３１】
図８は、層１１０の厚さと２重磁気記録層１１４、１１６の核生成磁界Ｈｎとの間の関係（曲線１４２）と、それに対応するＰｄ、ＮｉＴｉ10、及びＲｕＣｒ30の場合の関係（曲線１４３、１４４及び１４５）を示す。Ｈｎは、隣接トラック消去（ＡＴＥ）に関連し、Ｈｃ及び粒間交換相互作用に大きく依存する。より高いＨｎの値は、より優れたＡＴＥをもたらすが、Ｈｎの増大が主に粒間交換相互作用を強めることによって引き起こされる場合には遷移ノイズの増加によりＳＮＲを制限する。使用状態の媒体は、典型的には、−２．０ｋＯｅより高いＨｎ値を有するべきである。図８において、主にＨｃが大きく増大することによって、２．５ｎｍより厚いＮｉＷ10の厚さにおいて−２．０ｋＯｅより大きいＨｎの値が維持される。
【００３２】
図９は、層１１０の厚さと２重磁気記録層１１４、１１６の相対磁気書込み幅(ＭＷＷ)との間の関係（曲線１５０）と、それに対応するＰｄ、ＮｉＴｉ10、及びＲｕＣｒ30の場合の関係（曲線１５１、１５２及び１５３）を示す。（相対ＭＷＷは、所与の読み書きヘッド及び所与の標準的な磁気ディスクを用いて、磁気媒体の書込み幅を比較することによって得られる。）  より高い線記録密度をサポートするためには、より狭いＭＷＷが極めて望ましい。下部磁気記録層１１４の高いＨｃの寄与により、２．５ｎｍから５ｎｍの厚さのＮｉＷ10層であっても、より小さいＭＷＷが得られる。
【００３３】
図１０は、層１１０の厚さと２重磁気記録層１１４、１１６についての媒体信号対ノイズ比（ＳＮＲme）との間の関係（曲線１６０）と、それに対応するＰｄ、ＮｉＴｉ10、及びＲｕＣｒ30の場合の関係（曲線１６１、１６２及び１６３）を示す。下部磁気記録層１１４の高いＨｃによって生じる狭いＭＷＷの寄与により、２．５ｎｍから５ｎｍの厚さのＮｉＷ10であっても優れたＳＮＲmeが達成される。
【００３４】
図１１は、層１１０の厚さと２重磁気記録層１１４、１１６についてのＤＣ消去信号対ノイズ比（ＳＮＲDC）との間の関係（曲線１６５）と、それに対応するＰｄ、ＮｉＴｉ10、及びＲｕＣｒ30の場合の関係（曲線１６６、１６７及び１６８）を示す。ＳＮＲDCは、厚さ２．５ｎｍのＮｉＷ10において維持されている。これは、図に示されている他の媒体と比較してこの媒体が相対的に高いＨｃ及びＨｓを有しているためであることをよく示している。
【００３５】
図１２は、Ｐｄ、ＮｉＴｉ10、及びＲｕＣｒ30（曲線１７１、１７２及び１７３）と比較した、層１１０の厚さと磁気記録層１１４、１１６についての相対リバース・オーバーライトとの間の関係（曲線１７０）を示す。リバース・オーバーライト（ＯＷ２）は、Ｔをドライブ動作における最低反転間隔（minimum transition spacing）とすると、短波長パターン（２Ｔ）が長波長パターン（１５Ｔ）によって上書きされる手続きによって測定される。図１２を得るために用いられたドライブの場合には、１Ｔは、９６６ｋＦＣＩ（９６６  ｔｈｏｕｓａｎｄ  ｆｌｕｘ  ｒｅｖｅｒｓａｌｓ  ｐｅｒ  ｉｎｃｈ）に等しい。図から分かるように、厚さ２．５ｎｍのＮｉＷ10のＯＷ２は、Ｐｄ、ＮｉＴｉ10、及びＲｕＣｒ30より低くなるが、Ｈｃ及びＨｓが高いことを考慮すれば、この値はそれほど悪い結果ではない。
【００３６】
図１３は、層１１０の厚さによる残留保磁力の温度係数（ｄＨｃｒ／ｄＴ）への影響を示す。当該技術分野で知られているように、温度によって変化しない安定した残留保磁力Ｈｃｒを有することが望ましい。現在の磁気記録用途については、ｄＨｃｒ／ｄＴの値は−１５Ｏｅ／℃より低いことが極めて望ましい。図１３は、より厚い層１１０によって、０ｎｍにおける−１６Ｏｅ／℃から２．５ｎｍにおける−１４Ｏｅ／℃及び１５ｎｍにおける−１０Ｏｅ／℃まで、Ｈｃｒの温度感度が著しく低減されることを示す。
【００３７】
図１４は、Ｔａシード層１０８の存在による層１１２の結晶配向への影響（図１４Ａ）と、Ｔａシード層１０８の存在による層１１４、１１６の結晶配向への影響（図１４Ｂ）とを示す。図から分かるように、Ｔａ層１０８が存在するとき（曲線１８０、１８２）には、Ｒｕ層及びＣｏ層のΔθ50はより低くなり、Ｔａ層１０８が存在しないとき（曲線１８１、１８３）と比べてより安定した垂直配列を示している。Ｔａシード層１０８を用いることによって、Ｒｕ及びＣｏのより狭いＣ軸配向が達成され、媒体性能がさらに改善する。
【００３８】
Ｔａシード層１０８は、層１１０のΔθ50も改善する。Ｔａシード層１０８が存在するときにはＮｉＷ層１１０のΔθ50は２．３であり、Ｔａシード層１０８が存在しないときにはＮｉＷ層１１０のΔθ50は３．０であることが分かった。
【００３９】
図１５Ａは、Ｔａシード層１０８が存在する場合と存在しない場合（それぞれ、曲線１９０及び１９１）における層１１０の厚さとＳＮＲmeとの間の関係を示す。図から分かるように、Ｔａは媒体のＳＮＲmeを改善する。図１５Ｂは、シード層１０８が存在する場合と存在しない場合（それぞれ、曲線１９２及び１９３）の両方において、ＮｉＷ10の代わりにＮｉＴｉ10が用いられたときの媒体のＳＮＲmeの関係を示す。
【００４０】
本発明による磁気媒体は、典型的には、ディスク・ドライブ２００（図１６）のような磁気ディスク・ドライブに組み込まれる。ドライブ２００は、モータ２０２によって回転する媒体１００を含む。一対の読み書きヘッド２０４ａ、２０４ｂが、アーム２０６ａ、２０６ｂを介して、媒体１００の選択されたトラック上に順番にヘッド２０４ａ、２０４ｂを位置決めするアクチュエータ２０８に接続される。ヘッド２０４ａ、２０４ｂは、媒体１００にデータを書き込み、媒体１００からデータを読み出す。図１６は、ドライブ２００内に１つの媒体のみを示しているが、ドライブ２００は、２つ以上の媒体と２対以上の読み書きヘッドとを含むものとすることができる。
【００４１】
本発明が特定の実施形態について説明されたが、当業者であれば、本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく、形態及び細部の変更が可能であることが分かるであろう。例えば、シード層１０８は非晶質とし、本質的にＴａからなるか又は大部分がＴａの非晶質合金からなるものとすることができ、例えば、合金内のいずれかの添加物は、その合金の特性に大きな影響を及ぼさない。１つの実施形態においては、層１０８はＴａが９０％から１００％である。（しかしながら、本明細書において用いられる場合には、Ｔａ１００％からなる層は、市販のＴａスパッタリング・ターゲット、例えば純度９９．９％のターゲット又はそれより高い純度のターゲットからスパッタリングによって形成される層に通常見られるこれらの不純物を排除するものではない。）
【００４２】
層１１０はＮｉＷxとすることができ、ｘは６から１５であるが、好ましくは６から１２である。層１１０の残りの部分は、Ｎｉであるか又は本質的にＮｉからなるものとすることができる。Ｎｉに対するＷの固溶限は１２％である。１５％を超える濃度では、ＷはＮｉＷの結晶化度を低下させ、最後に非結晶質になるが、層１１０についてはＦＣＣ材料を用いることが望ましい。１つの実施形態においては、ＮｉＷの格子間隔を大きくして磁気層の格子間隔と合うようにＷの濃度が与えられる。いくつかの実施形態において、濃度が６％より低い場合には、層１１０の格子間隔に対するＷの効果は不十分な場合がある。１つの実施形態においては、層１１０は本質的にＮｉ及びＷからなり、別の実施形態においては、層１１０はＮｉ及びＷからなる（しかしながら、本明細書において用いられる場合には、例えばＮｉ及びＷといった材料からなる層は、市販のスパッタリング・ターゲット、例えば純度約９９．９％のターゲット又はそれより高い純度のターゲットからスパッタされる層に一般的にみられる不純物を排除するものではない。）
【００４３】
もう１つの方法として、層１１０は、ＮｉＣｕＷxとすることができ、この場合ｘは１から１５であり、又は、ＮｉＣｏＷxとすることもでき、この場合ｘは６から１５である。Ｎｉ、Ｃｕ及びＷを含む合金の場合には、Ｃｕ含有量は０からＮｉ含有量と等しい量までとすることができる。（これは、こうした組成は層１１０のＦＣＣ結晶構造に悪影響を与えないためである。）Ｎｉ、Ｃｏ及びＷを含む合金の場合には、Ｃｏ含有量は０から３０％までとすることができる。他の実施形態においては、Ｃｕ及び／又はＣｏ以外の（又は、これらに加えて）添加物が層１１０のＮｉＷ合金層に存在してもよい。いくつかの実施形態においては、Ｎｉは、その合金における主成分である。先の場合と同様に、こうした実施形態はＦＣＣ非磁性合金である。
【００４４】
層１１２は、Ｒｕ、Ｒｕ基合金、又は、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｙ、Ｖ、Ｓｒ及びＮｉのうちの１つ又はそれ以上を含むＣｏ基合金とすることができる。本発明によるディスクは、本明細書において説明された層に加えて、（他の磁気層を含む）他の層を含むものとすることができる。また、異なる厚さを有する層を用いることもできる。例えば、いくつかの実施形態においては、磁気記録層の全体の厚さは、１０ｎｍから１８ｎｍまでの厚さとすることができ、例えば１４ｎｍから１６ｎｍまでの間の厚さとすることができる。従って、こうした全ての変更が本発明に含まれる。
【符号の説明】
【００４５】
１００：磁気記録媒体
１０２：基材
１０４：接着層
１０６：ＳＵＬ
１０６ａ：第１のＳＵＬ
１０６ｂ：Ｒｕ層
１０６ｃ：第２のＳＵＬ
１０８：シード層
１１０：非磁性層
１１２：ＨＣＰ非磁性層
１１４：下部磁気記録層
１１６：キャッピング磁気記録層
１１８：カーボン保護膜
２００：ディスク・ドライブ
２０２：モータ
２０４ａ、２０４ｂ：読み書きヘッド
２０６ａ、２０６ｂ：アーム
２０８：アクチュエータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１６】
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【国際調査報告】
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