(57)【要約】  本発明は、電磁波シールド膜およびその製造方法を開示する。前記電磁波シールド膜は、支持体およびその上に形成されるフィラメントグリッドを含み、前記フィラメントグリッドが金属銀および前記金属銀上にめっきされる金属銅から形成される導電薄膜であり、前記金属銅の量が前記銀および銅の総質量の５５−９０質量％であり、前記グリッドの線幅は５−２５μｍ、開気孔率は８５％−９５％であり、かつ表面比抵抗は０を超え５Ω／□未満である。前記方法は、支持体上に銀塩含有層およびその保護層を施す工程；前記層をグリッドパターンで露光する工程；前記露光部分が金属銀部分を形成し、未露光部分が光透過部分を形成するように現像プロセスをなす工程；前記金属銀部分を厚くする工程；厚くした金属銀部分を活性化する工程；およびそれから前記活性化金属銀部分を金属でめっきし、導電金属部分を形成する工程を含む。本発明の膜は、低表面比抵抗を有し、良好なシールド効果を示し、かつ前記膜の製造方法は単純で工業製品に適する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体および前記支持体上のフィラメントグリッドからなる導電薄膜であり、前記フィラメントグリッドは金属銀および前記金属銀上にめっきされる金属銅から形成される電磁波シールド膜であって、前記金属銅の量は銀および銅の総質量の５５−９０質量％であり、前記グリッドの線幅は５−２５μｍ、開気孔率は８５％−９５％であり、かつ表面比抵抗は０を超え５Ω／□未満であることを特徴とする電磁波シールド膜。
【請求項２】
前記電磁波シールド膜の前記フィラメントグリッドは２．５−８μｍの厚さを有することを特徴とする請求項１記載の電磁波シールド膜。
【請求項３】
前記支持体はポリエチレンテレフタレート樹脂、ジアセテート樹脂、トリアセテート樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ（エーテル−ケトン）、ポリスルホン、ポリ（エーテル−スルホン）、ポリカーボネート、ポリアミド、アクリル樹脂またはセルローストリアセテートの１つまたはそれ以上から形成される単層薄膜または多層薄膜であることを特徴とする請求項１記載の電磁波シールド膜。
【請求項４】
請求項１−３のいずれか１項記載の電磁波シールド膜の製造方法であって、支持体上に銀塩含有層およびその保護層を施す工程；前記層をグリッドパターンで露光する工程；前記露光部分が金属銀部分を形成し、未露光部分が光透過部分を形成するように現像プロセスをなす工程；前記金属銀部分を厚くする工程；厚くした金属銀部分を活性化する工程；およびそれから前記活性化される金属銀部分を金属を用いてめっきし、導電金属部分を形成する工程を含む方法。
【請求項５】
金属銀部分の厚くする工程は銀または銅で行われることを特徴とする請求項４記載の電磁波シールド膜の製造方法。
【請求項６】
前記活性化は重金属イオンの水溶液を用いることによって行なことを特徴とする請求項４記載の電磁波シールド膜の製造方法。
【請求項７】
前記活性化の前記工程はパラジウムイオン、金イオンまたは銀イオンの水溶液を用いることによって行なわれることを特徴とする請求項４記載の電磁波シールド膜の製造方法。
【請求項８】
金属を用いてめっきする前記工程は、化学めっきプロセスで行われることを特徴とする請求項４記載の電磁波シールド膜の製造方法。
【請求項９】
前記化学めっきは化学銅めっきであることを特徴とする請求項８記載の電磁波シールド膜の製造方法。
【請求項１０】
前記銀塩含有層および前記保護層は、浸漬コーティング、押出しコーティング、スライドコーティング、カーテンコーティング、ロッドコーティング、エアーナイフコーティング、フォットグラビアコーティングおよびスプレイコーティングからなる群から選択されるコーティング手段によって形成できることを特徴とする請求項４記載の電磁波シールド膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シールド膜に関し、特に電磁波シールド膜およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、社会の情報化の急速な発展に伴って、情報に関連する装置は急速に発展し、かつ徐々に普及する。種々の電子装置、情報装置およびＣＲＴ，ＬＣＤ，ＥＬ，ＰＤＰ，ＦＥＤのような表示装置はテレビ、パーソナルコンピュータ、および種々の情報を提供するための駅および空港での案内表示装置に広く用いられている。したがって、前述した電子機器、電気的制御ゲーム盤（パチンコ（すなわちギャンブルピンボールマシーンの一種）および自動ギャンブルマシーンのような）ばかりではなく携帯電話のような情報装置によって発生される電子電磁障害（ＥＭＩ）はより一層重大な問題をもたらす。
【０００３】
電磁障害は、隣接する電子装置の操作の精度に影響するのみならず、人体の健康に不都合な影響を有する。それゆえ、電磁波シールド材料に対する要求はますます厳しくなる。そのような要求に対処するために、種々の透明導電膜（電磁波シールド膜）は開発されている。例えば種々の電磁波シールド膜は、日本特許公開ＪＰ９−５３０３０，ＪＰ１１−１２６０２４，ＪＰ２０００−２９４９８０，ＪＰ２０００−３５７４１４，ＪＰ２０００−３２９９３４，ＪＰ２００１−３８８４３，ＪＰ２００１−４７５４９，ＪＰ２００１−５１６１０，ＪＰ２００１−５７１１０およびＪＰ２００１−６０４１６に開示されている。しかしながら、全てのこれらシールド膜間にシールド効率の欠陥が存在する。
【０００４】
これらの電磁波シールド膜材料を調製する方法として、スパッタリング法、エッチング法および銀塩拡散転写法のような方法は一般的に採用されている。前記スパッタリング法は、銀およびインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）のような高屈折率を有する層を形成するために用いられるべき物質がガラス基板またはそれからガラス基板と組み合わされるＰＥＴ膜上に直接的に飛ばされる方法を指す。スパッタリング法によって製造される電磁波シールド膜の適用は、低透過率および比較的に高表面抵抗であるために、限定され、かつ普及しない。エッチング法は、銅箔を透明な薄いＰＥＴフィルムに積層し、次に前記箔を光リソグラフィー処理に委ね、フィラメントによって形成されるメッシュからなる銅グリッドを得る方法を指す。エッチング法のプロセスは、複雑かつコスト高である。銀塩拡散転写法はパラジウムおよびロジウムのような触媒核を透明な薄いＰＥＴフィルム上に塗布し、銀ハロゲン化エマルジョンをそこに塗布し、物理的な現像を遂行し、それから銅またはニッケルをめっきして金属フィルムを形成する方法を指す。触媒核の残留物は光を吸収するので、銀塩拡散転写法で形成されるフィルムは低透過率のような問題を有する。
【発明の概要】
【０００５】
本発明の１つの目的は、低表面比抵抗および高シールド効率を持つ電磁波シールド膜を提供する。
【０００６】
本発明の別の目的は、前述した本発明の電磁シールド膜を製造する方法を提供する。
【０００７】
前記目的を達成するために、次の技術的解決を提供する。本発明は、支持体および前記支持体上のフィラメントグリッドからなり、前記フィラメントグリッドが金属銀および前記金属銀上にめっきされた金属銅で形成される導電薄膜である電磁波シールド膜を提供し、前記電磁波シールド膜は金属銅の量が銀および銅の総質量の５５−９０質量％であり、前記グリッドの線幅が５−２５μｍであり、開気孔が８５％−９５％であり、かつ表面比抵抗が０を超え５Ω／□未満であることを特徴とする。
【０００８】
前述した電磁波シールド膜のフィラメントグリッドは２．５−８μｍの厚さを有する。
【０００９】
本発明は、また銀塩含有層およびその保護層を支持体に施す工程、前記層をグリッドパターンで露光する工程、前記層の露光部分が金属銀部分を形成し、かつ前記層の未露光部分が光透過部分を形成するように現像処理なす工程、前記金属銀部分を厚くする工程、厚い金属銀部分を活性化する工程、およびそれから前記活性化金属銀部分を金属でめっきし、導電金属部分を形成する工程を含む前記電磁波シールド膜の製造方法を提供する。前述した方法によると、金属銀部分の厚くする工程は銀または銅で行われる。
【００１０】
前述した方法によると、活性化の工程は重金属イオンの水溶液を用いることによって行なわれる。
【００１１】
前述した方法によると、活性化の工程はパラジウムイオン、金イオンまたは銀イオンの水溶液を用いることによって行なわれる。
【００１２】
前述した本発明によると、金属を用いてめっきする工程は化学めっき法によって行われる。
【００１３】
本発明で適用可能な支持体は、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ジアセテート樹脂、トリアセテート樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ（エーテル−ケトン）、ポリスルホン、ポリ（エーテルスルホン）、ポリカーボネート、ポリアミド、アクリル樹脂、セルローストリアセテート等からなる群から選ばれる１つ以上の物質から単層または多層薄膜を形成できる。光透過率、耐熱および価格のような全ての要因を考慮すると、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）膜が前記支持体（“基板”と呼ぶ）の形成のために用いることが最も好ましい。
【００１４】
本発明に役に立つハロゲン化銀エマルジョンは感光性写真材料の分野でのハロゲン化銀エマルジョンの製造方法の幾つかに従って調製できる。一般的に、ハロゲン化銀エマルジョンは、ゲルの存在で硝酸銀の水溶液を塩化ナトリウムまたは臭化カリウムのようなハロゲン化物の水溶液と混合し、かつ乳化することによって調製される。
【００１５】
本発明に適用可能なハロゲン化銀の化合物として、塩化銀が好ましい、すなわち前記化合物は５０パーセント以上の塩化物イオンを含んでもよく、ヨウ化物イオンおよび臭化物イオンもまた含んでもよい。ハロゲン化銀の粒子寸法は、０．１−１０００ｎｍであることが好ましく、１−２００ｎｍであることがより好ましい。ハロゲン化銀結晶の形状は、特に限定されず、立方体、八面体、球形であることができ、または平坦粒形；またはハロゲン化銀はフレーク形を有する双晶である。
【００１６】
より高いコントラストを得るために、金属イオン、特にロジウムおよびイリジウムのような遷移金属イオンはハロゲン化銀エマルジョンにドープするために必要である。ロジウムおよびイリジウムのイオンは異なる配位子で配位化合物を形成でき、異なる配位子はシアン化物イオン、ハロゲン化物イオン、チオシアン酸塩イオン、ニトロシルイオン、水および水酸化イオン含む。金属イオンの含有量は、銀のモルあたり１０-10−１０-2モルであることが好ましく、銀のモルあたり１０-9−１０-3モルであることがより好ましい。
【００１７】
本発明において、銀塩含有層および保護層は浸漬コーティング、押出しコーティング、スライドコーティング、カーテンコーティング、ロッドコーティング、エアーナイフコーティング、ローラーコーティング、フォットグラビアコーティングまたはスプレイコーティング、その他のようなコーティング手段によって形成できる。本発明において、連続的かつ均一なコーティングは前述のコーティング手段の使用によって得られることが好ましい。
【００１８】
本発明に適用可能な露光用光源はＵＶランプまたは高圧水銀ランプ、その他であることができる。グリッドパターンは、光源によってハロゲン化銀膜上に転写してもよく、またはグリッドパターンはレーザスキャニング法によってハロゲン化銀膜上に転写してもよい。
【００１９】
本発明において、ハロゲン化銀エマルジョンの層は露光後に現像することが必要である。伝統的な写真材料に用いられる普通の現像技術が使用できる。現像剤は、特に限定されないが、市販のＤ−１９，Ｄ−７２，Ｄ−１１，Ｄ−８およびＧ−４８のような高コントラストを有する現像剤が好ましい。露光、現像後に、金属銀部分および光透過部分が形成される。
【００２０】
本発明の金属銀部分は、それから厚くするプロセス（thickening process）および活性化処理に委ねられ、それから金属でめっきして導電金属部分を形成する。導電金属部分を形成する金属粒子は、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、金、コバルト、パラジウム、その他の粒子であることができる。しかしながら、導電性およびコストの総合的考慮で、導電金属部分は銅で形成されることが好ましい。
【００２１】
本発明で適用される厚くするプロセスは、銀シックニングプロセス（silver thickening process）または銅シックニングプロセス（copper thickening process）であることができる。銀シックニングプロセスは、可溶性銀塩の溶液中の金属銀イオンが還元剤で金属銀に還元され、銀の微細粒子が得られ、そうこうするうちに得られた金属銀が適切場場所にゆっくりと堆積するプロセスである。そのような金属銀の堆積速度は、非銀透明部分でよりも金属部分でより高くなり、かつ基本的に、ある場所で堆積される銀の量は前記場所で既に存在される銀の量に比例する。それゆえ、銀シックニングプロセスにおいて、金属銀は支持体の透明部分で本質的に堆積されず、銀フィラメントパターン部分でめっきできるか、または堆積できる。銅シックニングプロセスの目的は、銀フィラメントパターン部分を厚くする、銀シックニングプロセスのそれと同様である。銅シックニングプロセスに用いられるシックニング溶液は２価の銅イオン（Ｃｕ2+）；硫酸塩イオン、硝酸塩イオン、アセテイトイオン、その他のような酸ラジカル；塩素イオン、臭素イオンヨウ素イオンのようなハロゲンイオンを含む。銀シックニングプロセスまたは銅シックニングプロセスは一般的に室温で１０秒間〜３０分間、好ましくは１分間〜２０分間行なわれる。
【００２２】
活性化プロセスの目的は、化学銅めっきの速度を促進するために透明支持体上のパターン銀フィラメントの表面で化学銅めっきに対して好適な活性点を発生するためである。活性化プロセスは、増感活性化の２段階処理方法およびコロイダルパラジウム活性化の方法のような従来よく知られている方法で遂行してもよい。増感活性化の２段階処理方法は、次の２つの段階：まず塩化第一錫の水溶液が増感処理をなすために用いられ、それから塩化パラジウム、塩化金または硝酸銀の水溶液が活性化処理のために用いられる、を含む方法である。本発明において、金属銀部分は銀シックニングまたは銅シックニングのプロセスに先立って既に厚くなっているので、活性化プロセスは重金属イオンで、すなわち塩化パラジウム、塩化金または硝酸銀の水溶液で直接行うことができる。
【００２３】
本発明において、化学めっきは導電金属部分を形成するように金属を堆積するために採用される。印刷配線板に対する化学めっき技術のような典型的な化学めっき技術が使用できる。最も好ましくは、化学めっきは銅めっき浴に透明支持体を入れることおよびめっきを行なうことのプロセスである、化学銅めっきであり、前記透明支持体はパターン銀フィラメント上に十分に活性化される点を有し、なぜならば銀フィラメントは前述した次の処理に委ねられている。化学銅めっきのための銅めっき浴は、通常、銅塩、錯化剤、還元剤および他の添加物を含む。銅塩は、堆積すべき銅イオンを供給し、そのために硫酸銅、酢酸銅または塩化銅のような可溶性銅塩が使用できる。還元剤は、めっき浴の可溶性銅イオンを金属銅に還元し、それにより金属銅は透明支持体上の銀フィラメントパターンに堆積され、かつ金属銅めっきを形成する。ホルムアルデヒド、水素化硼素ナトリウム、次亜リン酸ナトリウムのような物質は還元剤として用いることができる。錯化剤は、アルカリ条件下で水酸化銅の発生および析出を防ぐために銅を錯イオンの状態に変化させるために用いられる。錯イオンの形成は、金属粒子を再微細化すために好都合であり、溶液の安定性および化学めっきの性能を改良するのみならず堆積速度を増大する。一般に用いられる錯化剤は、酒石酸、ＥＤＴＡ、クエン酸、トリエタノールアミン、シクロヘキサンジアミンテトラ酢酸およびエチレンジアミン、その他を含む。単一種の錯化剤が一般的に用いられるが、錯化剤の混合物が同程度に用いることができる。化学銅めっき浴の主な不利益さは、その不安定性であり、その結果、α，α’−バイピリジン、トリピリジン、チオ尿素またはメルカプトベンゼチアゾールのような安定化剤が通常そこに導入される。非イオン界面活性剤またはアニオン界面活性剤（ポリエチレングリコール（Ｍ＝１０００），ポリオキシエチレンアルキルフェノールエーテルのような）もまためっきの性能を改良するために添加できる。
【００２４】
ホルムアルデヒドは化学銅めっきの前プロセスに還元剤として一般に用いられるが、それは毒性で揮発性であり、環境汚染の原因になり、人の健康に有害である。
【００２５】
ホルムアルデヒドおよび次亜リン酸ナトリウムの両方は、本発明に用いられる還元剤として検討されている。結果は、次亜リン酸ナトリウムの酸化反応は触媒表面で単に起こるに過ぎず、その反応は堆積銅によって触媒作用に影響されないこと示し、それゆえ自動触媒として少量のニッケルイオンは自動触媒反応が続くようにめっき浴に添加すべきことが必要である。
【００２６】
本発明において、現像プロセス後の金属部分およびめっき処理後の導電金属部分はさらに酸化処理を進めることが必要である。酸化処理は、例えば透明部分が殆ど１００％の透過率を有することができるように透明部分に堆積された少量の金属を取り除くことの効果を有する。
【００２７】
導電金属部分のコントラストを助長し、かつ同時に変色を防ぐために、銅表面は黒化プロセスに委ねることが必要である。黒化プロセスは印刷配線板の分野で使用される有益な方法を獲得できる。例えば、銅表面は９５℃、２分間、水溶液に処理することができ、ここで水溶液は塩化ナトリウム（３１ｇ／Ｌ），水酸化ナトリウム（１５ｇ／Ｌ）およびリン酸三ナトリウム（１２ｇ／Ｌ）を含む。
【００２８】
前述した方法により製造される電磁波シールド膜において、フィラメントパターンのフィラメント幅が減少し、かつ開気孔率が増加すると、光透過率が増加し、同時に導電性が減少する；これに対し、フィラメント幅が増大すると、光透過率が減少し、同時に導電性が増加する。それゆえ、フィラメント幅は５−２５μｍであることが好ましく、かつフィラメントはグリッドパターンで配置することが好ましく、フィラメントは互いに水平および垂直に交差している。
【００２９】
めっき後の導電金属部分は、主に金属銅および金属銀で構成され、少量の金属パラジウムおよび／または金属ニッケルである残部を持つ。金属銅の含有量は、金属の総量の５０−９０質量％の割合を占める。
【００３０】
めっきにおいて、フィラメントパターンの厚さは望まれる特性に従って調節できるが、２．５−８．０μｍであることが好ましい。厚さが２．５より小さいと、時々所望の表面抵抗が得られなくなり、かつ厚さが８．０μｍより大きいと、容認できるが、めっきプロセスの効率が低下してさえも低表面抵抗の効果を得ることが困難になる。
【００３１】
また、本発明に係る電磁波シールド膜において、３０ＭＨｚ−１０００ＭＨｚの広い範囲で３０ｄＢ以上のシールド効果が得ることができ、または１０００ＭＨｚ以上の範囲の周波数帯で優れたシールド効果を得ることができる。
【００３２】
技術効果
本発明に係る電磁波シールド膜の利点は、低表面比抵抗、優れたシールド効果を含む。電磁波シールド膜の製造方法は、単純かつ産業製品に好適である。
【００３３】
本発明を遂行する例
本発明は、その具体的で明確な例を参照して以下により明確に説明する。しかしながら、本発明の範囲は次の例として解釈されることに限らない。
【００３４】
例１
１．ハロゲン化銀エマルジョンの調製
ハロゲン化銀エマルジョンは、感光性写真材料の分野で採用される方法に従って調製される。ハロゲン化銀エマルジョンは、臭化ヨウ化銀を含み、ここで臭化銀の含有量は９８モル％およびヨウ化銀のそれは２モル％である。エマルジョンの平均粒子寸法は０．０９μｍであり、かつエマルジョンはＫ2ＩｒＣｌ6およびＫ3ＲｈＢｒ6でドープされている。エマルジョンの金−硫黄増感はテトラクロロ金酸ナトリウムおよびチオ硫酸ナトリウムでさらに行われる。それからエマルジョンは４．０ｇ／ｍ2の銀の塗布量でＰＥＴフィルム上に塗布され、それから乾燥される。
【００３５】
２．露光、現像
塗布および乾燥後に、試料はそれから２８５μｍ／１５μｍの線幅／スペースを有するグリッドモールドを用いて紫外線で露光される。次いで、写真現像剤がひきつづく現像に用いられ、Ｆ−５定着剤がさらに定着に用いられる。定着後の試料は脱イオン化水でリンスされ、かつ銀グリッド像が１５μｍ／２８５μｍの線幅／スペースで得られる。
【００３６】
現像溶液の組成
無水硫酸ナトリウム        １００ｇ
ヒドロキノン              ３０．０ｇ
フェニドン                １．５ｇ
水酸化ナトリウム          ２５．０ｇ
臭化カリウム              ３．５ｇ
ベンゾトリゾール          １．０ｇ
水                        １．０Ｌの総体積を添加
３．シックニング処理
第１原液：
硝酸銀                    ９１．５ｇ
水                        １．０Ｌの総体積を添加
第２原液：
チオシアン酸アンモニウム  １６０．０ｇ
チオ硫酸ナトリウム        １６０．０ｇ
水                        １．０Ｌの総体積を添加
１００ｍＬの第１原液は撹拌した状態で１００ｍＬの第２原液にゆっくり添加される。それから、５−１０％の亜硫酸ナトリウムを含む２５ｍＬの１０％ピロガロールおよび５０ｍＬの１０％アンモニアは、得られた溶液にシックニング用溶液を得るために添加される。前述した露光および現像のプロセス後に得られた試料は、シックニング溶液に５分間浸漬され、かつ水でリンスされる。
【００３７】
４．活性化処理
厚くした後、試料は塩化パラジウムの０．５％水溶液で０．５分間活性化され、それから化学銅めっきに委ねるために水でリンスされる。
【００３８】
５．化学銅めっき
活性化後、試料は下記組成のめっき浴、水酸化ナトリウムにより１２．５に調節されるｐＨで化学銅めっきに委ねられる。めっきは、２５℃、５分間なされ、水で洗浄され、それから乾燥され、本発明の係るシールド膜の試料がそれによって得られる。結果は表１に示す。
【表１】
2010512653.tif 000002
【００３９】
例２
１．ハロゲン化銀エマルジョンの調製
ハロゲン化銀エマルジョンは、感光性写真材料の分野で採用される方法に従って調製される。ハロゲン化銀エマルジョンは、塩化臭化銀を含み、ここで塩化銀の含有量は７０モル％および臭化銀のそれは３０モル％である。エマルジョンの平均粒子寸法は０．２３μｍであり、かつエマルジョンはＫ2ＩｒＣｌ6およびＫ3ＲｈＢｒ6でドープされている。エマルジョンの金−硫黄増感はテトラクロロ金酸ナトリウムおよびチオ硫酸ナトリウムでさらに行われる。それからエマルジョンは３．０ｇ／ｍ2の銀の塗布量でＰＥＴフィルム上に塗布され、それから乾燥される。
【００４０】
２．露光、現像
塗布および乾燥後に、試料はそれから２００μｍ／１２μｍの線幅／スペースを有するグリッドモールドを用いて紫外光で露光される。次の写真現像剤がひきつづく現像に用いられ、Ｆ−５定着剤がさらに定着に用いられる。定着後の試料は脱イオン化水でリンスされ、かつ銀グリッド像が１２μｍ／２００μｍの線幅／スペースで得られる。
【００４１】
現像溶液の組成
無水硫酸ナトリウム        １００ｇ
ヒドロキノン              １２．０ｇ
メトール                  ２．０ｇ
炭酸ナトリウム            ７５ｇ
臭化カリウム              ４．０ｇ
ヨウ化カリウム            ０．０２ｇ
水                        １．０Ｌの総体積を添加
３．シックニング処理
（１）                硫酸銅                ４５ｇ
塩化ナトリウム        １０ｇ
水                    １．０Ｌ
４５ｇの硫酸銅および１０ｇの塩化ナトリウムは１．０Ｌの水に添加され、その混合物はシックニング用溶液を得るために撹拌される。前述した露光および現像のプロセス後に得られた銀グリッド試料はシックニング用溶液に３．０分間浸漬され、かつ水でリンスされる。
【００４２】
（２）次の溶液はそれらが混合される後直ちに使用されるべきである。
【００４３】
溶液Ａ：
塩化第一錫            ２８ｇ
水                    ２５０ｍＬ
溶液Ｂ：
水酸化ナトリウム      ２２ｇ
水                    ７５０ｍＬ
溶液Ｂは溶液Ａに使用直前に添加され、かつ銅溶液での前述した処理後に得られる試料は溶液Ａと溶液Ｂの混合物に３．０分間浸漬し、かつ水でリンスされる。
【００４４】
４．活性化処理
厚くした後、試料は硝酸銀の２％水溶液で２分間活性化され、それから化学銅めっきに委ねるために水でリンスされる。
【００４５】
５．化学銅めっき
このプロセスは、例１と同様な手法で行なわれる。結果は表１に示す。
【００４６】
例３
１．ハロゲン化銀エマルジョンの調製
調製プロセスは、例２と同様な手法に従って行われる。
【００４７】
２．露光、現像
乾燥後、前に調製される試料は３２０μｍ／２５μｍの線幅／スペースを有するグリッドモールドを用いて紫外光で露光される。例１で述べられる現像剤はひきつづいて起こる現像のために用いられ、Ｆ−５定着剤がさらに定着に用いられる。定着後の試料は脱イオン化水でリンスされ、かつ銀グリッド像が２５μｍ／３２０μｍの線幅／スペースで得られる。
【００４８】
３．シックニング処理
シックニングプロセスは、例２と同様な手法に従って行われる。
【００４９】
４．活性化処理
厚くした後、試料は塩化パラジウムの０．１％水溶液で３分間活性化され、それから化学銅めっきに委ねるために水でリンスされる。
【００５０】
５．化学銅めっき
活性化された後、試料は下記に示す組成を有するめっき浴で化学銅めっきに委ねられる。めっき浴のｐＨは水酸化ナトリウムで９．０に調節される。めっきは、３５℃、３０分間なされ、水でリンスされ、それから乾燥され、本発明の最終試料がそれによって得られる。結果は、表１に示される。
【表２】
2010512653.tif 000003
【００５１】
例４
１．ハロゲン化銀エマルジョンの調製
調製プロセスは、例２と同様な手法に従って行われる。
【００５２】
２．露光、現像
塗布および乾燥後、試料はそれから２００μｍ／５μｍの線幅／スペースを有するグリッドモールドを用いて紫外光で露光される。例１で述べられる現像剤はそれに続く現像のために用いられ、Ｆ−５定着剤がさらに定着に用いられる。定着後の試料は脱イオン化水でリンスされ、かつ銀グリッド像が５μｍ／２００μｍの線幅／スペースで得られる。
【００５３】
３．シックニング処理
シックニングプロセスは、例１と同様な手法に従って行われる。
【００５４】
４．活性化処理
厚くした後、試料は硝酸銀の１％水溶液で３分間活性化され、水でリンスされ、それから化学銅めっきに委ねられる。
【００５５】
５．化学銅めっき
活性化後に、試料は下記組成を有するめっき浴、水酸化ナトリウムで９．５に調節されるｐＨで化学銅めっきに委ねられる。めっきは、４０℃、３０分間なされ、水でリンスされ、それから乾燥され、本発明の試料膜はそれによって得られる。結果は表１に示す。
【表３】
2010512653.tif 000004
【表４】
2010512653.tif 000005
【００５６】
性能試験方法：
１．表面比抵抗は抵抗試験機で測定される。
【００５７】
２．試料の導電金属グリッドの線幅は、光学顕微鏡および走査電子顕微鏡で測定され、それから開気孔率はそれに応じて計算される。
【国際調査報告】
2010512653.tif 000006
2010512653.tif 000007
2010512653.tif 000008
2010512653.tif 000009
2010512653.tif 000010
2010512653.tif 000011