(57)【要約】【解決手段】本発明は、全般的にはプラズマ処理に関し、より詳細にはプラズマ処理室およびその処理室内で使用される電極アセンブリに関する。本発明の一実施形態によると、電極アセンブリは、熱制御プレートと、シリコンベースのシャワーヘッド電極と、熱伝導性ガスケットと、複数のＯリングとを備え、該熱制御プレートの前側部および該シャワーヘッド電極の後側部のそれぞれの形状が協働して熱界面を規定する。該Ｏリングが、該熱伝導性ガスケットを該シャワーヘッド通路から隔離し、それによって該ガスケットが該シャワーヘッド通路から分離される状態で、該熱伝導性ガスケットおよび該Ｏリングがこの熱界面に配置される。該ガスケットは、該熱界面にわたって該シャワーヘッド電極から該熱制御プレートへの熱伝導を容易にすることができる。【選択図】図４
2010529303.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱制御プレートと、シリコンベースのシャワーヘッド電極と、熱伝導性ガスケットと、複数のＯリングとを備える電極アセンブリであって、
前記熱制御プレートが、前側部、後側部および複数のプロセスガス通路を含み、
前記シャワーヘッド電極が、前側部、後側部および複数のシャワーヘッド通路を含み、
前記熱制御プレートおよび前記シャワーヘッド電極が、前記熱制御プレートの前記前側部が前記シャワーヘッド電極の前記後側部に向かい合うように係合され、
前記熱制御プレートの前記複数のプロセスガス通路と前記シャワーヘッド電極の前記複数のシャワーヘッド通路が協働して、プロセスガスが前記電極アセンブリを通過できるようにし、
前記熱制御プレートの前記前側部および前記シャワーヘッド電極の前記後側部のそれぞれの形状が協働して熱界面を規定し、
前記熱伝導性ガスケットが、前記熱制御プレートの前記前側部と前記シャワーヘッド電極の前記後側部との間の前記熱界面に沿って配置され、
前記Ｏリングが前記熱界面に沿って配置され、前記Ｏリングが、前記ガスケットを前記シャワーヘッド通路から分離されるように前記熱伝導性ガスケットを前記シャワーヘッド通路から隔離する、電極アセンブリ。
【請求項２】
前記熱伝導性ガスケットが、前記熱制御プレートの前記前側部および前記シャワーヘッド電極の前記後側部と直接連通する、請求項１に記載の電極アセンブリ。
【請求項３】
前記熱伝導性ガスケットが、前記熱制御プレートの前記前側部および前記シャワーヘッド電極の前記後側部と直接連通することにより、低接点圧力下で前記シャワーヘッド電極の前記後側部と前記熱制御プレートの前記前側部との間の連通が促進されて、それにより前記ガスケットが、前記シャワーヘッド電極および前記熱制御プレートによって規定された前記熱界面にわたる熱伝導を容易にするように、請求項２に記載の電極アセンブリ。
【請求項４】
前記熱伝導性ガスケットが、熱伝導性および導電性を有する材料で実質的に構成される、請求項１に記載の電極アセンブリ。
【請求項５】
前記熱伝導性ガスケットが、カーボンナノチューブ充填材で構成される、請求項１に記載の電極アセンブリ。
【請求項６】
前記Ｏリングが、前記シャワーヘッド電極、前記熱制御プレートまたはその両方の動きによる前記熱伝導性ガスケットの摩耗を実質的に防止するように構成される、請求項１に記載の電極アセンブリ。
【請求項７】
前記Ｏリングが、前記熱伝導性ガスケットの前記摩耗により生じた粒子が、前記シャワーヘッド通路に入ることを実質的に防止するように構成される、請求項６に記載の電極アセンブリ。
【請求項８】
熱制御プレートと、シリコンベースのシャワーヘッド電極と、熱伝導性ガスケットと、複数のＯリングとを備える電極アセンブリであって、
前記熱制御プレートが、前側部、後側部および複数のプロセスガス通路を含み、
前記シャワーヘッド電極が、前側部、後側部および複数のシャワーヘッド通路を含み、
前記熱制御プレートおよび前記シャワーヘッド電極が、前記熱制御プレートの前記前側部が前記シャワーヘッド電極の前記後側部に向かい合うように係合され、
前記熱制御プレートの前記複数のプロセスガス通路と前記シャワーヘッド電極の前記複数のシャワーヘッド通路が協働して、前記電極アセンブリをプロセスガスが通過できるようにし、
前記熱制御プレートの前記前側部および前記シャワーヘッド電極の前記後側部のそれぞれの形状が協働して熱界面を規定し、
前記熱伝導性ガスケットが、前記熱制御プレートの前記前側部と前記シャワーヘッド電極の前記後側部との間の前記熱界面に沿って配置され、かつ、前記熱制御プレートの前記前側部および前記シャワーヘッド電極の前記後側部と直接連通し、
前記Ｏリングが、前記熱界面に沿って配置され、前記Ｏリングが、前記熱伝導性ガスケットを前記シャワーヘッド通路から離隔し、それにより前記ガスケットが前記シャワーヘッド通路から分離され、
前記Ｏリングが、前記シャワーヘッド電極、前記熱制御プレートまたはその両方の動きによる前記熱伝導性ガスケットの摩耗を実質的に防止するように構成される、電極アセンブリ。
【請求項９】
前記熱伝導性ガスケットが、前記熱制御プレートの前記前側部および前記シャワーヘッド電極の前記後側部と直接連通することにより、低接点圧力下で前記シャワーヘッド電極の前記後側と前記熱制御プレートの前記前側部との間の連通が促進されて、それにより前記ガスケットが、前記シャワーヘッド電極および前記熱制御プレートによって規定された前記熱界面にわたる熱伝導を容易にするように、請求項８に記載の電極アセンブリ。
【請求項１０】
前記熱伝導性ガスケットが、熱伝導性および導電性を有する材料で実質的に構成される、請求項８に記載の電極アセンブリ。
【請求項１１】
前記熱伝導性ガスケットが、カーボンナノチューブ充填材で構成される、請求項８に記載の電極アセンブリ。
【請求項１２】
前記Ｏリングが、前記熱伝導性ガスケットの前記摩耗により生じた粒子が、前記シャワーヘッド通路に入ることを実質的に防止するように構成される、請求項８に記載の電極アセンブリ。
【請求項１３】
真空源と、プロセスガス供給部と、プラズマ電力供給部と、基板支持部と、上部電極アセンブリとを備えるプラズマ処理室であって、
前記真空源が、前記プラズマ処理室を少なくとも部分的に排気するように構成され、
前記基板支持部が、前記プラズマ処理室の非排気部分内に配置され、前記上部電極アセンブリから離隔された基板電極を含み、
前記基板電極および前記上部電極アセンブリが、プラズマ電力供給部に動作可能に結合され、
前記上部電極アセンブリが、熱制御プレート、シリコンベースのシャワーヘッド電極、熱伝導性ガスケットおよび複数のＯリングを含み、
前記熱制御プレートが、前側部、後側部および複数のプロセスガス通路を含み、
前記シャワーヘッド電極が、前側部、後側部、複数のシャワーヘッド通路を含み、
前記熱制御プレートおよび前記シャワーヘッド電極が、前記熱制御プレートの前記前側部が前記シャワーヘッド電極の前記後側部に向かい合うように係合され、
前記熱制御プレートの前記複数のプロセスガス通路と前記シャワーヘッド電極の前記複数のシャワーヘッド通路が協働して、前記電極アセンブリをプロセスガスが通過できるようにし、
前記熱制御プレートの前記前側部および前記シャワーヘッド電極の前記後側部のそれぞれの形状が協働して熱界面を規定し、
前記熱伝導性ガスケットが、前記熱制御プレートの前記前側部と前記シャワーヘッド電極の前記後側部との間の前記熱界面に沿って配置され、
前記Ｏリングが前記熱界面に沿って配置され、前記Ｏリングが、前記ガスケットを前記シャワーヘッド通路から分離するように前記熱伝導性ガスケットを前記シャワーヘッド通路から隔離する、電極アセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、全般的にはプラズマ処理に関し、より詳細にはプラズマ処理室およびその処理室内で使用される電極アセンブリに関する。エッチング、物理気相成長法、化学気相成長法、イオン注入法、レジスト除去等を含むが、それらに限定的されない様々な技術によって基板を処理するために、プラズマ処理装置を使用することができる。たとえば、限定するためではないが、１つのタイプのプラズマ処理室は、一般的にはシャワーヘッド電極と呼ばれる上部電極および底部電極を含む。プロセスガスをプラズマ状態に励起させて反応室内の基板を処理するために、電界が電極間に確立される。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００２】
本発明の一実施形態によると、電極アセンブリは、熱制御プレートと、シリコンベースのシャワーヘッド電極と、熱伝導性ガスケットと、複数のＯリングとを備える。熱制御プレートは、前側部、後側部および複数のプロセスガス通路を含み、シャワーヘッド電極は、前側部、後側部および複数のシャワーヘッド通路を含む。熱制御プレートおよびシャワーヘッド電極は、熱制御プレートの前側部がシャワーヘッド電極の後側部に向かい合うように係合され、一方、熱制御プレートの複数のプロセスガス通路とシャワーヘッド電極の複数のシャワーヘッド通路が協働して、プロセスガスが電極アセンブリを通過できるようにする。熱制御プレートの前側部およびシャワーヘッド電極の後側部のそれぞれの形状が協働して熱界面を規定する。Ｏリングが、熱伝導性ガスケットをシャワーヘッド通路から隔離し、それによってガスケットがシャワーヘッド通路から分離される状態で、熱伝導性ガスケットおよびＯリングがこの熱界面に沿って配置される。
【０００３】
本発明の別の実施形態によると、プラズマ処理室が提供され、それは、本発明の態様のうち１つまたは複数を容易に組み込むために製造された、真空源と、プロセスガス供給部と、プラズマ電力供給部と、基板支持部と、上部電極アセンブリとを備える。
【０００４】
本発明の具体的な諸実施形態に関する以下の詳細な説明は、以下の図面とともに読むと最もよく理解することができ、同様の構造は同様の参照番号で示される。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
【図１】本発明のいくつかの実施形態の具体的な態様を組み込んだプラズマ処理室の概略図である。
【図２】本発明の一実施形態によるシャワーヘッド電極の後側部の平面図である。
【図３】本発明の一実施形態によるシャワーヘッド電極の後側部および厚み寸法の等角図である。
【図４】本発明の一実施形態による電極アセンブリの断面図である。
【図５】図４に示された電極アセンブリの拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【０００６】
図面に示された諸実施形態は、本質的には例示的なものであり、特許請求の範囲によって規定される発明を限定することを意図するものではない。さらに、図面および発明の個々の態様は、この詳細な説明を考慮すると、より完全に明らかになり、かつ理解されるであろう。
【０００７】
本発明の様々な態様は、プラズマ処理室１０について示すことができるが、このプラズマ処理室１０は、本発明の概念を本発明の主題と統合できない具体的なプラズマ処理構成、またはコンポーネントに限定しないように図１に単に概略的に示す。図１に全体的に示されるように、このプラズマ処理室１０は、真空源２０と、プロセスガス供給部３０と、プラズマ電力供給部４０と、下部電極アセンブリ５５を含む基板支持部５０と、上部電極アセンブリ６０と、を備える。
【０００８】
図４および図５を参照して、本発明の上部電極アセンブリ６０の諸実施形態が、示される。一般的には、電極アセンブリ６０は、熱制御プレート７０と、シリコンベースのシャワーヘッド電極８０と、熱伝導性ガスケット９０と、複数のＯリング１００とを備える。熱制御プレート７０は、前側部７２と、後側部７４と、複数のプロセスガス通路７６とを備える。これらのプロセスガス通路７６は、典型的には、後側部７４から熱制御プレート７０の前側部７２を通って延びる。本発明は、具体的な熱制御プレート材料またはプロセスガス通路構成に限定されるものではないが、好適な熱制御プレート材料は、アルミニウム、アルミニウム合金または同様の熱伝導体を含むことに留意されたい。さらに、様々な教示は、米国特許出願公開公報第２００５／０１３３１６０号を含むが、それに限定されない熱制御プレートの設計に依拠し得ることを理解されたい。
【０００９】
図２〜図５に示されるシリコンベースのシャワーヘッド電極８０は、後側部８２と、前側部８４と、複数のシャワーヘッド通路８６とを備える。これらのシャワーヘッド通路８６は、典型的には、後側部８２からシャワーヘッド電極８０の前側部８４を通って延びる。本発明は、具体的なシリコンベースのシャワーヘッド電極材料またはシャワーヘッド通路構成に限定されるものではないが、好適なシャワーヘッド電極材料は、限定的ではなく、単結晶シリコン、多結晶シリコン、窒化シリコン、炭化シリコン、炭化ホウ素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、またはそれらの組合せ（ただし、これらに限定されない）を含むことに留意されたい。さらに、シリコンベースのシャワーヘッド電極８０を、本発明の範囲から逸脱することなく、様々な構成において提供することができることが企図される。これらの構成は、単一ピースの環状シャワーヘッド構成、あるいは環状の中央電極および中央電極の周囲に配置された１つまたは複数の周辺電極を備える複数コンポーネントの環状シャワーヘッド構成を含むが、これらに限定されるものではない。
【００１０】
図４および図５に示すように、熱制御プレート７０およびシャワーヘッド電極８０は、熱制御プレート７０の前側部７２がシャワーヘッド電極８０の後側部８２に向かい合うように係合される。さらに、熱制御プレート７０の複数のプロセスガス通路７６とシャワーヘッド電極８０の複数のシャワーヘッド通路８６は協働して、プロセスガスが電極アセンブリ６０を通過できるようにする。
【００１１】
図４および図５に示される一実施形態によると、電極アセンブリ６０は、熱制御プレート７０の前側部７２およびシャワーヘッド電極８０の後側部８２のそれぞれの形状が協働して、熱界面１１０を規定するように構成される。この実施形態によると、熱伝導性ガスケット９０は、熱制御プレートの前側部７２とシャワーヘッド電極８０の後側部８２との間の熱界面１１０に沿って位置決めされる。複数の熱伝導性ガスケット９０を熱界面１１０に沿って位置決めすることができるが、一般的には、単一のガスケット９０のみが熱界面１１０に沿って位置決めされることが企図される。
【００１２】
熱伝導性ガスケット９０を熱制御プレート７０の前側部７２とシャワーヘッド電極８０の後側部８２との間の熱界面１１０に沿って配置することにより、一般的には低接点圧力条件で、熱界面１１０をわたってシャワーヘッド電極８０から熱制御プレート７０まで熱を容易に伝導できるようになる。一般的には、プラズマ処理の間、シリコンベースのシャワーヘッド電極８０の温度は、プラズマからのイオン衝撃に起因して上昇する。シャワーヘッド電極８０の温度をよりよく制御するために、熱伝導性ガスケット９０は、シャワーヘッド電極８０から熱制御プレート７０への熱伝導を容易にする。使用されていないときにシャワーヘッド電極８０を特定の温度に保つために、熱伝導性ガスケット９０により、一般的には低接点圧力条件で、熱界面にわたって熱制御プレート７０からシャワーヘッド電極８０へ熱が容易に伝達できるようになることが、さらに想定される。
【００１３】
より具体的には、図４および図５に示すように、熱伝導性ガスケット９０は、熱制御プレート７０の前側部７２およびシャワーヘッド電極８０の後側部８２と直接連通する。熱伝導性ガスケット９０が熱制御プレート７０の前側部７２およびシャワーヘッド電極８０の後側部８２とこのように直接連通することにより、低接点圧力下でのシャワーヘッド電極８０の後側部８２と熱制御プレート７０の前側部７２との間の連通が促進されて、それによりガスケット９０がシャワーヘッド電極８０および熱制御プレート７０によって規定された熱界面１１０にわたる熱伝導を容易にする。
【００１４】
熱界面１１０にわたって効率的に熱を伝導するために、ガスケット９０は、一般的には、熱伝導性材料で実質的に構成される。たとえば、一実施形態では、ガスケットは、熱伝導性および導電性を有するゴムで被覆されたアルミニウム箔のコンポジットとすることができる。このようなコンポジットの一例は、Ｂｅｒｇｑｕｉｓｔ  ＣｏｍｐａｎｙのＱ−Ｐａｄ  ＩＩである。このように、熱伝導性材料が、導電性も有し得ることが想定される。一実施形態によると、熱伝導性ガスケット９０は、カーボンナノチューブ充填材で構成される。しかしながら、数多くのその他の熱伝導性および導電性を有するガスケットを本発明の諸実施形態で利用して、熱界面１１０にわたって効率的に熱を伝導することが想定される。
【００１５】
また、図４および図５に示すように、電極アセンブリ６０は、一般的には、複数のＯリング１００をさらに備える。また、Ｏリング１００は、熱界面１１０に沿って配置され、かつ、ガスケット９０をシャワーヘッド通路８６から、したがってそこを通過し得るプロセスガスからも分離するようにシャワーヘッド通路８６からガスケット９０を隔離する。本明細書で使用される場合、用語「分離された」とは、熱伝導性ガスケット９０がシャワーヘッド通路およびそこを通過し得るプロセスガスから物理的に分離されることおよび少なくとも実質的に空圧的に封止されることの両方を意味する。
【００１６】
さらに、Ｏリング１００は、シャワーヘッド電極８０、熱制御プレート７０またはその両方の動きによるガスケット９０の摩耗を実質的に防止するように、かつ、ガスケット９０の摩耗により生じた粒子がシャワーヘッド通路８６に入ることを実質的に防止するように構成される。たとえば、プラズマ処理としばしば関連付けられる電極アセンブリ内の劇的な温度変化は、シャワーヘッド電極８０、熱制御プレート７０またはその両方の動きを引き起こすことがある。より具体的には、温度の変化によって引き起こされたシャワーヘッド電極８０、熱制御プレート７０またはその両方の分子の拡張および収縮は、シャワーヘッド電極８０と熱制御プレート７０との間の熱界面１１０に配置されたガスケット９０を摩耗させ、潜在的には、ガスケット９０の微粒子物を脱落させることがある。Ｏリング１００は、ガスケット９０のこの摩耗を防止し、ガスケット９０の任意の脱落粒子が抜け落ちてシャワーヘッド通路８６に入り、電極アセンブリ６０および／またはプラズマ処理室１０の動作と干渉するのを防ぐのに役立つ。
【００１７】
図１を再び参照すると、本発明の別の実施形態にしたがって、プラズマ処理室１０は、真空源２０と、プロセスガス供給部３０と、プラズマ電力供給部４０と、基板支持部５０と、上部電極アセンブリ６０とを備える。真空源２０は、プラズマ処理室１０を少なくとも部分的に排気するように構成される。一方、基板支持部５０は、プラズマ処理室１０の非排気部分１５に配置され、上部電極アセンブリ６０から離隔された基板電極を備える。基板電極および上部電極アセンブリ６０は、プラズマ電力供給部４０に動作可能に結合される。プラズマ処理室１０で利用される上部電極アセンブリ６０は、本出願の詳細な説明および特許請求の範囲において明らかな電極アセンブリ６０の任意の実施形態の１つとすることができる。たとえば、一実施形態において、プラズマ処理室１０は電極アセンブリを備え、この電極アセンブリは、熱界面１１０を規定し、熱伝導性ガスケットを電極アセンブリ６０のシャワーヘッド通路８６から隔離する熱界面１１０に沿って配置されるＯリング１００を備える。
【００１８】
プラズマ処理室１０内の上部電極アセンブリ６０は、一般的には、プラズマ処理室１０の非排気部分１５内の気体および反応種がプラズマ隔壁板６５を超えて透過しないように、かつ電極アセンブリ６０および／またはプラズマ処理室１０の動作と干渉しないように、気密に封止されたプラズマ隔壁板６５を規定する。プラズマ隔壁板６５が規定される具体的な方法は、熱制御プレート７０およびシャワーヘッド電極８０のそれぞれの構成に応じて変化する。ほとんどの場合において、熱制御プレート７０およびシャワーヘッド電極８０を形成するそれぞれの材料が、隔壁板６５の大部分を規定することが想定される。さらに、様々な封止部材を使用して、隔壁板６５を、具体的には、熱制御プレート７０およびシャワーヘッド電極８０が互いに、またプラズマ処理室１０のその他のコンポーネントと接続する隔壁板を強化することができることが想定される。
【００１９】
さらに、図４を参照すると、電極アセンブリ６０は、一般的に、固定用ハードウェア１２０も含む。より具体的には、熱制御プレート７０は固定用ハードウェア通路７８を含むことができ、固定用ハードウェア通路７８は、固定用ハードウェア１２０がシリコンベースのシャワーヘッド電極８０の後側部８２に沿った部分的凹部８９内に配置されたる後側挿入部８８にアクセスできるように構成される。固定用ハードウェア１２０および後側挿入部８８を使用して、熱制御プレート７０とシリコンベースのシャワーヘッド電極８０を係合させることができる。係合状態では、固定用ハードウェア通路７８は、シャワーヘッド電極８０の後側部８２に沿った部分的凹部８９内に配置された後側挿入部８８と位置合わせされる。その結果、固定用ハードウェア１２０は、熱制御プレート７０内の固定用ハードウェア通路７８を通って延び、シャワーヘッド電極８０の後側部８２に沿った部分的凹部８９に配置された後側挿入部８８に係合することができる。
【００２０】
固定用ハードウェア１２０および後側挿入部８８は、熱制御プレート７０とシリコンベースのシャワーヘッド電極８０の係合を維持し、熱制御プレート７０とシャワーヘッド電極８０を反復して破壊せずに係合させたり非係合させたりすることができるように構成される。図４に示される一実施形態によると、後側挿入部８８を、熱制御プレート７０内の固定用ハードウェア通路７８の１つに延びるように構成される後側延長部８８Ａを備えるスタッドとして構成することができる。この場合、固定用ハードウェア１２０は、たとえば、ネジ係合を介して、固定用ハードウェア通路７８内の後側挿入部８８の後側延長部８８Ａにアクセスするように構成される。別の実施形態によると、後側挿入部８８を、シャワーヘッド電極８０の後側部８２に形成された部分的凹部８９内のアンカーとして構成することができる。挿入部８８を定位置に置くと、たとえばネジまたはボルトを備えることができる固定用ハードウェア１２０は、後側挿入部８８に係合して、シャワーヘッド電極８０を熱制御プレート７０に固定する。
【００２１】
１つまたは複数の後側挿入部８８を利用する本明細書に開示される諸実施形態のいずれかにおいて、熱負荷の間、固定用ハードウェア１２０および後側挿入部８８を係合状態にして、凹部８９から脱落させることなく、後側挿入部８８が固定用ハードウェア１２０とともに部分的凹部８９に移動することができるように、固定用ハードウェア１２０、後側挿入部８８および部分的凹部８９を確実に構成することが、しばしば有利である。
【００２２】
したがって、他の実施形態において、バネを提供することより、挿入部８８をバネ負荷状態で凹部８９に固定することができ、挿入部８８は、バネ負荷状態での部分的凹部８９内の挿入部８８の動きを可能にするように構成される。その結果、プラズマ処理中に通常存在する熱負荷の間、後側挿入部８８は、固定用ハードウェア１２０とともに、固定用ハードウェア１２０および挿入部８８の係合を劣化させることなく部分的凹部８９内で移動することができる。
【００２３】
固定用ハードウェア１２０の任意の傾向を低減させて、プラズマ処理中に誘起される熱負荷の結果として誘起されるストレスの結果として非係合状態にするために、様々なバネ負荷構成を利用することができる。たとえば、熱制御プレート７０とシャワーヘッド電極８０のバネ負荷係合を提供するための１つの構成において、後側挿入部８８は、シャワーヘッド電極８０の後側部８２に形成された部分的凹部８９の１つの中のアンカーとして構成され、固定用ハードウェア１２０は、固定用ハードウェア１２０が後側挿入部８８にアクセスするときに提供される係合力に対抗するように構成されたバネ荷重のワッシャの形態のバネ要素を備える。別の構成において、後側挿入部８８は、電極材料のテーパ状の孔との直接ネジ結合の利点により、省略することができる。代替的には、バネ要素を、固定用ハードウェア通路７８の固定用ハードウェア１２０の縦伸びの周りに構成されたコイルバネとして提供することができる。
【００２４】
具体的な性質または機能を具体的な方法で実施するために「構成される」本発明のコンポーネントに関する本明細書の記述は、意図された使用の記述に対する構造的な記述であることに留意されたい。より具体的には、コンポーネントが「構成される」方法に関する本明細書の参照は、コンポーネントの既存の物理的状態を示し、したがって、コンポーネントの構造的な特徴の具体的な記述として解釈されるべきである。
【００２５】
「一般的には」および「典型的には」などの用語は、本明細書で使用される場合、特許請求された発明の範囲を制限するために、あるいは、ある特定の特徴が致命的、本質的、さらにあるいは特許請求された発明の構造もしくは機能に重要であることを想起させるために利用されるものではないことを留意されたい。むしろ、これらの用語は、本発明の一実施形態の具体的な態様を示したり、本発明の具体的な実施形態で利用可能または不可能な代替的または追加のフィーチャを強調したりすることを意図するに過ぎない。
【００２６】
本発明をその特定の諸実施形態を参照して詳細に記載したので、添付の特許請求の範囲に定義される本発明の範囲から逸脱することなく、修正形態およびバリエーションが可能であることは明らかである。より具体的には、本発明のいくつかの態様が、好ましいまたは特に有利なものとして本明細書には記載されるが、これらの発明は、必ずしも本発明のこれらの好ましい態様に制限されるものではないことが想定される。
【００２７】
添付の請求項うち１つまたは複数は、移行句として「であって」という表現を利用する。本発明を規定するために、この表現は、制限のない移行句として請求項に導入され、構造の一連の特徴の記述を導入するために使用され、制限のないプリアンブルの用語「備える」と同様に解釈されるべきであることに留意されたい。
【図１】
2010529303.tif 000003
【図２】
2010529303.tif 000004
【図３】
2010529303.tif 000005
【図４】
2010529303.tif 000006
【図５】
2010529303.tif 000007
【国際調査報告】
2010529303.tif 000008
2010529303.tif 000009