(57)【要約】  本発明は、抗癌及び抗白血病活性を有する安定した無水結晶形ドセタキセル及びその製造方法を提供する。
2010523647.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式(Ｉ)：
【化１】
2010523647.tif 000010
［式中、
Ｐｈはフェニル；
Ａｃはアセチル；
Ｂｚはベンゾイル；及び
Ｂｏｃはｔ−ブトキシカルボニルである］
の無水結晶形ドセタキセル。
【請求項２】
０．１％以下の７−エピマーを含む、請求項１に記載の無水結晶形ドセタキセル。
【請求項３】
Ｘ線回折スペクトルが、４．８８、９．２２、９．７２、１０．３８、１１．３０、１１．８８、１３．３４、１４．５６、１５．１４、１６．６２、１７．２８、１７．６６、１９．０２、１９．６２、１９．８６、２０．８６、２１．８６、２４．５８及び２６．９８の２θ値で、１００％以上の相対ピーク強度（１００×Ｉ／Ｉ０；Ｉ：ピークの強度、Ｉ０：最大ピークの強度）を有する主要ピークを示す、請求項１に記載の無水結晶形ドセタキセル。
【請求項４】
Ｘ線回折スペクトルが、４．６２，８．２２，９．２０、１０．６４、１１．４４、１２．４２、１３．８０、１４．２０、１５．２８、１７．２８、１８．４６、２０．６２及び２１．８６の２θ値で、５５％以上の相対ピーク強度（１００×Ｉ／Ｉ０；Ｉ：ピークの強度、Ｉ０：最大ピークの強度）を有する主要ピークを示す、請求項１に記載の無水結晶形ドセタキセル。
【請求項５】
Ｘ線回折スペクトルが、４．０６、４．８２、７．５８、８．２０、９．８４、１１．４４、１２．７６、１３．６２、１４．１６、１６．９８、１９．１８、１９．６０及び１９．９０の２θ値で、５０％以上の相対ピーク強度（１００×Ｉ／Ｉ０；Ｉ：ピークの強度、Ｉ０：最大ピークの強度）を有する主要ピークを示す、請求項１に記載の無水結晶形ドセタキセル。
【請求項６】
（ｉ）ドセタキセルを有機溶媒中に溶解させる段階；
（ｉｉ）得られた溶液に貧溶媒を添加する段階；及び
（ｉｉｉ）生成された結晶を回収する段階
を含む、式(Ｉ)：
【化２】
2010523647.tif 000011
［式中、
Ｐｈはフェニル；
Ａｃはアセチル；
Ｂｚはベンゾイル；及び
Ｂｏｃはｔ−ブトキシカルボニルである］
の無水結晶形ドセタキセルの製造方法。
【請求項７】
前記段階（ｉｉｉ）が濾過により結晶を回収し、得られた結晶を２０〜８０℃範囲の温度と０．１〜１０トルの減圧下で乾燥することを含む、請求項６に記載の無水結晶形ドセタキセルの製造方法。
【請求項８】
前記段階（ｉ）で用いられた有機溶媒がエーテル、エステル、ケトン、ジクロロメタンとメタノールとの混合物、ジクロロメタンとアセトニトリルとの混合物、及びこれらの混合物からなる群から選ばれる請求項６に記載の無水結晶形ドセタキセルの製造方法。
【請求項９】
前記有機溶媒が１ｇのドセタキセルに対して５〜３０mlの量で用いられる請求項６に記載の無水結晶形ドセタキセルの製造方法。
【請求項１０】
前記貧溶媒がペンタン、ヘキサン、またはヘプタンである請求項６に記載の無水結晶形ドセタキセルの製造方法。
【請求項１１】
前記貧溶媒が前記有機溶媒の容量に対して１〜５倍の容量で用いられる請求項６に記載の無水結晶形ドセタキセルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は安定した無水結晶形ドセタキセル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ドセタキセルは、広範囲の抗腫瘍及び抗白血病活性を有する強力な抗癌化学療法剤であり、乳房癌及び卵巣癌に対する有効な治療剤として販売が承認されている。
主要なドセタキセルの結晶形としては、ドセタキセル三水和物（ａ）；ドセタキセル半水和物（ｂ）；及びドセタキセル無水物（ｃ）の三つが報告されており、これらの粉末Ｘ線回折スペクトルを図１に示す（特許文献１及び［非特許文献１］参照）。現在、ドセタキセル三水和物の形態が市販されている。
【０００３】
特許文献１には、メチルイソブチルケトン、アセトン及び水の混合物を用いてドセタキセル三水和物を製造する方法が開示されている。しかし、同方法は遠心分配クロマトグラフィー（ｃｅｎｔｒｉｆｕｇａｌ ｐａｒｔｉｔｉｏｎ ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）という特殊な工程を用いなければならない。
【０００４】
また、特許文献２には、ドセタキセルをエタノールに溶解させ、前記溶液に水を５０℃で滴加して結晶化を誘発し、結晶化されたドセタキセル結晶を５．０７ｋＰａの圧力下、３８℃及び相対湿度８０％の下で４８時間乾燥してドセタキセル三水和物を製造する方法が開示されている。また、特許文献３には、ドセタキセルをアセトニトリルに溶解させ、前記溶液に水を６８℃で滴加して結晶化を誘発し、結晶化したドセタキセル結晶を３６℃の温度で６５０トルの減圧下で３６時間乾燥してドセタキセル三水和物を製造する方法が開示されている。
【０００５】
前記方法は、最終産物に残っている残留溶媒を除去し難く、７−エピマー（ｅｐｉｍｅｒ）、すなわち、４−アセトキシ−２α−ベンゾイルオキシ−５−β，２０−エポキシ−１，７α，１０β−トリヒドロキシ−９−オキソ−タック（tac）−１１−エン−１３−α−イル（２Ｒ，３Ｓ）−３−ｔ−ブトキシカルボニルアミノ−２’−ヒドロキシ−３−フェニルプロピオ酸の含量が０．４〜０．８％の範囲であり、７−エピマーの含量が０．５％以下という純度要件（ｐｕｒｉｔｙ ｒｅｑｕｉｒｅｍｅｎｔ）を満たすためには、さらに精製しなければならないという問題点がある。
【０００６】
従って、本発明者らは７−エピマーの含量が０．１％以下であり、非吸湿性で且つ高温高湿条件下でも安定な無水結晶形ドセタキセルの開発に努めてきた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】米国特許第５，７２３，６３５号
【特許文献２】米国特許第６，０２２，９８５号
【特許文献３】米国特許第６，８３８，５６９号
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】Ｊ．Ｐｈｙｓ．ＩＶ Ｆｒａｎｃｅ １１，Ｐｒ１０−２２１（２００１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従って、本発明の目的は、安定した無水結晶形ドセタキセル及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様によれば、下記式Ｉの無水結晶形ドセタキセルを提供する。
【化１】
2010523647.tif 000003
前記式中、
Ｐｈはフェニル；
Ａｃはアセチル；
Ｂｚはベンゾイル；及び
Ｂｏｃはｔ−ブトキシカルボニルである。
【００１１】
本発明の他の態様によれば、
（ｉ）ドセタキセルを有機溶媒中に溶解させる段階；
（ｉｉ）得られた溶液に貧溶媒（ａｎｔｉ−ｓｏｌｖｅｎｔ）を添加する段階；及び
（ｉｉｉ）生成した結晶を回収する段階
を含む、前記式Ｉの化合物の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１２】
０．１％以下の７−エピマーの含量を有し、非吸湿性で且つ高温高湿条件下でも安定した本発明の無水結晶形ドセタキセルは、腫瘍及び白血病の治療に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明によるドセタキセル三水和物（ａ）、ドセタキセル半水和物（ｂ）及びドセタキセル無水物（ｃ）の粉末Ｘ線回折スペクトルを示す図である。
【図２】本発明による無水結晶形ドセタキセルＡの粉末Ｘ線回折スペクトルを示す図である。
【図３】本発明による無水結晶形ドセタキセルＢの粉末Ｘ線回折スペクトルを示す図である。
【図４】本発明による無水結晶形ドセタキセルＣの粉末Ｘ線回折スペクトルを示す図である。
【図５】本発明による無水結晶形ドセタキセルＤの粉末Ｘ線回折スペクトルを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の無水結晶形ドセタキセルは、ドセタキセルを有機溶媒中に溶解させ、得られた溶液に貧溶媒を添加して結晶化を誘導し、生成された結晶を濾過により回収し、ドセタキセルの結晶を減圧下で乾燥して製造することができる。
【００１５】
本発明のドセタキセルの無水結晶形は製造工程によって変わることがある。本発明によると、本発明のドセタキセルの無水結晶形は、無水結晶形ドセタキセルＡ、Ｂ、Ｃ及びＤのいずれか一つであって良い。
【００１６】
具体的に、本発明の一態様によると、無水結晶形ドセタキセルＡのＸ線回折スペクトルは、４．６４、８．０４、９．２４、１１．３４、１２．５４、１３．８６、１５．５２、１６．９２、１８．４８、１９．６４、２０．４０、２３．３６及び２４．２０の回折角（２θ±０．１）で、５６％以上の相対ピーク強度（１００×Ｉ／Ｉ０；Ｉ：ピークの強度、Ｉ０：最大ピーク強度）を有する主要ピークを示す（表１及び図２参照）。
【００１７】
本発明の他の態様によると、無水結晶形ドセタキセルＢのＸ線回折スペクトルは、４．８８、９．２２、９．７２、１０．３８、１１．３０、１１．８８、１３．３４、１４．５６、１５．１４、１６．６２、１７．２８、１７．６６、１９．０２、１９．６２、１９．８６、２０．８６、２１．８６、２４．５８及び２６．９８の回折角（２θ±０．１）で、１００％以上の相対ピーク強度（１００×Ｉ／Ｉ０；Ｉ：ピークの強度、Ｉ０：最大ピーク強度）を有する主要ピークを示す（表２及び図３参照）。
【００１８】
本発明のまた他の実施形態によると、無水結晶形ドセタキセルＣのＸ線回折スペクトルは、４．６２、８．２２、９．２０、１０．６４、１１．４４、１２．４２、１３．８０、１４．２０、１５．２８、１７．２８、１８．４６、２０．６２及び２１．８６の回折角（２θ±０．１）で、５５％以上の相対ピーク強度（１００×Ｉ／Ｉ０；Ｉ：ピークの強度、Ｉ０：最大ピーク強度）を有する主要ピークを示す（表３及び図４参照）。
【００１９】
本発明のまた別の実施形態によると、無水結晶形ドセタキセルＤのＸ線回折スペクトルは、４．０６、４．８２、７．５８、８．２０、９．８４、１１．４４、１２．７６、１３．６２、１４．１６、１６．９８、１９．１８、１９．６０及び１９．９０の回折角（２θ±０．１）で、５０％以上の相対ピーク強度（１００×Ｉ／Ｉ０；Ｉ：ピークの強度、Ｉ０：最大ピーク強度）を有する主要ピークを示す（表４及び図５参照）。
【００２０】
図２〜図５に示したような無水結晶形ドセタキセルＡ、Ｂ、Ｃ及びＤのＸ線回折パターンは、図１の（ａ）のような従来の方法によって製造された無水結晶形のパターンとは各々異なる。また、本発明の無水結晶形ドセタキセルは、非常に向上した保存安定性を示す：例えば、高温高湿の条件（温度：６０±２℃、湿度：７５±５％）下で長期間保存しても殆ど分解（ｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎ）しない。
【００２１】
本発明において出発物質として用いられるドセタキセルは、反応スキーム（Ｉ）で示された工程によって製造することができ、この工程は：
（ｉ）式（２）の（２Ｒ，３Ｓ）−Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−４−フェニルイソセリンメチルエステルを有機溶媒中において酸触媒の存在下で１−ジメトキシメチルナフタレンと反応させて、式（３）のオキサゾリジンメチルエステル誘導体を収得し、式（３）の化合物を塩基の存在下で加水分解して式（４）のオキサゾリジン酸誘導体を製造する段階；
（ｉｉ）前記式（４）の化合物を溶媒中において縮合剤の存在下で式（５）の保護された１０−デアセチルバッカチンとカップリング反応させて、式（６）のオキサゾリジン側鎖含有タキサンを製造する段階；
（ｉｉｉ）前記式（６）の化合物を有機溶媒中において酸の存在下で反応させて、保護された７−及び１０−ヒドロキシ基を有する式（７）のドセタキセルを製造する段階；及び
（ｉｖ）前記段階（ｉｉｉ）で得られた化合物から７−及び１０−ヒドロキシ基を除去する段階を含む。
【化２】
2010523647.tif 000004
【００２２】
本発明の方法によって製造されたドセタキセルの無水結晶形は、当該反応に用いられた溶媒によって変わることがある。また、本発明の無水結晶形ドセタキセルは、７−エピマー不純物を０．１％以下の量で含み、９８％以上の高純度を有する。
【００２３】
ドセタキセルを溶解させるのに用いられる有機溶媒としては、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、またはテトラヒドロフランのようなエーテル；酢酸エチルまたは酢酸メチルのようなエステル；メチルエチルケトンのようなケトン；ジクロロメタンとメタノールとの混合物；ジクロロメタンとアセトニトリルとの混合物であっても良い。本発明の反応で用いられた有機溶媒の量は、１ｇのドセタキセルに対して５〜３０mlの範囲が好ましい。
【００２４】
本発明によれば、無水結晶形ドセタキセルの結晶は、前記有機溶媒にドセタキセルを溶解して製造された溶液に貧溶媒（ａｎｔｉ−ｓｏｌｖｅｎｔ）を添加することで製造され、前記貧溶媒はペンタン、ヘキサンまたはヘプタンのようなＣ５−７アルカンであっても良い。前記貧溶媒は前記有機溶媒の容量に対して１〜５倍の容量で用いることが好ましい。
【００２５】
得られた無水結晶形ドセタキセルは、濾過により結晶を収得し、得られた結晶を２０〜８０℃の温度範囲、０．１〜１０トルの減圧下で乾燥させることによって製造することができる。得られた無水結晶形ドセタキセルは、残留溶媒の量を厳しく制限するＩＣＨ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｈａｒｍｏｎｉｚａｔｉｏｎ）の基準によって定められた純度要件を満たしている。
【００２６】
本発明の無水結晶形ドセタキセルは、長期間、すなわち、４０℃で７日間、相対湿度２５％〜５０％の条件下で保存する間、安定でほとんど分解しないのに比べて、ドセタキセル三水和物は同等の条件下で５０％以上の脱水が起こる。
【００２７】
本発明の方法により、７−エピマーの含量が低く且つ貯蔵安定性に優れた高純度のドセタキセルが初めて提供される。
【００２８】
以下、本発明を下記実施例により更に詳細に説明する。但し、下記実施例は本発明を例示するためのものであって、本発明の範囲がこれらに限定されるものではない。
【実施例】
【００２９】
実施例１：無水結晶形ドセタキセルＡの製造（１）
１ｇのドセタキセル（ＨＰＬＣ純度：９９．７％）を室温で２０mlの酢酸エチルに溶解させた後、これに３０mlのｎ−ヘキサンを滴加した。前記混合液を室温で１２時間攪拌した後、得られた沈殿物を濾過した。次いで、６０℃において０．１トルの圧力下で２４時間乾燥させて無水結晶形ドセタキセル０．９５ｇを得た（収率：９５％）。
ＨＰＬＣ純度：９９．８％
７−エピマーの含量：０．０３％
標題化合物の含量：９９．８％
融点：１９６−２０３℃
残留溶媒：酢酸エチル（６３ｐｐｍ）、ｎ−ヘキサン（５ｐｐｍ以下）
【００３０】
前記無水結晶形ドセタキセルの粉末Ｘ線回折スペクトルは、図２及び下記表１に示されているように、２０％以上の相対ピーク強度（１００×Ｉ／Ｉ０；Ｉ：ピークの強度、Ｉ０：最大ピーク強度）を有する主要ピークを示し、本発明者らは、これを“無水結晶形ドセタキセルＡ”と命名した。
表１
【表１】
2010523647.tif 000005
【００３１】
実施例２：無水結晶形ドセタキセルＡの製造（２）
１ｇのドセタキセル（ＨＰＬＣ純度：９９．７％）を室温で２０mlの酢酸メチルに溶解させた後、これに３０mlのｎ−ヘキサンを滴加した。前記混合液を室温で１２時間攪拌した後、得られた沈殿物を濾過した。次いで、６０℃において０．１トルの圧力下で２４時間乾燥させて標題化合物０．９４ｇを得た（収率：９４％）。
ＨＰＬＣ純度：９９．８％
７−エピマーの含量：０．０４％
標題化合物の含量：９９．７％
融点：１９４−２００℃
残留溶媒：酢酸エチル（２０ｐｐｍ以下）、ｎ−ヘキサン（５ｐｐｍ以下）
【００３２】
実施例３：無水結晶形ドセタキセルＡの製造（３）
１ｇのドセタキセル（ＨＰＬＣ純度：９９．７％）を室温で２０mlの炭酸ジメチルに溶解させた後、これに３０mlのｎ−ヘキサンを滴加した。前記混合液を室温で１２時間攪拌した後、得られた沈殿物を濾過した。次いで、６０℃において０．１トルの圧力下で２４時間乾燥させて標題化合物０．９０ｇを得た（収率：９０％）。
ＨＰＬＣ純度：９９．８％
７−エピマーの含量：０．０２％
標題化合物の含量：９９．９％
融点：１９５−２０３℃
残留溶媒：炭酸ジメチル（１８５ｐｐｍ）、ｎ−ヘキサン（５ｐｐｍ以下）
【００３３】
実施例４：無水結晶形ドセタキセルＢの製造
１ｇのドセタキセル（ＨＰＬＣ純度：９９．７％）を室温で１０mlのジクロロメタンと１mlのメタノールとの混合物に溶解させた後、これに３０mlのｎ−ヘキサンを滴加した。前記混合液を室温で１２時間攪拌した後、得られた沈殿物を濾過した。次いで、６０℃において０．１トルの圧力下で２４時間乾燥させて別の無水結晶形ドセタキセル０．９８ｇを得た（収率：９８％）。
ＨＰＬＣ純度：９９．８％
７−エピマーの含量：０．０２％
標題化合物の含量：９９．９％
融点：２０２−２０９℃
残留溶媒：炭酸ジメチル（１８５ｐｐｍ）、ｎ−ヘキサン（５ｐｐｍ以下）
【００３４】
前記無水結晶形ドセタキセルの粉末Ｘ線回折スペクトルは、図３及び下記表２に示されているように、２０％以上の相対ピーク強度（１００×Ｉ／Ｉ０）を有する主要ピークを示し、本発明者らは、これを“無水結晶形ドセタキセルＢ”と命名した。
表２
【表２】
2010523647.tif 000006
【００３５】
実施例５：無水結晶形ドセタキセルＣの製造
１ｇのドセタキセル（ＨＰＬＣ純度：９９．７％）を室温で１０mlのジクロロメタンと１mlのアセトニトリルとの混合物に溶解させた後、これに３０mlのｎ−ヘキサンを滴加した。前記混合液を室温で１２時間攪拌した後、得られた沈殿物を濾過した。次いで、６０℃において０．１トルの圧力下で２４時間乾燥させてさらに別の無水結晶形ドセタキセル０．９８ｇを得た（収率：９８％）。
ＨＰＬＣ純度：９９．８％
７−エピマーの含量：０．０３％
標題化合物の含量：９９．９％
融点：１９８−２０６℃
残留溶媒：アセトニトリル（５０ｐｐｍ）、ｎ−ヘキサン（５ｐｐｍ以下）
【００３６】
前記無水結晶形ドセタキセルの粉末Ｘ線回折スペクトルは、図４及び下記表３に示されているように、２０％以上の相対ピーク強度（１００×Ｉ／Ｉ０）を有する主要ピークを示し、本発明者らは、これを“無水結晶形ドセタキセルＣ”と命名した。
表３
【表３】
2010523647.tif 000007
【００３７】
実施例６：無水結晶形ドセタキセルＤの製造
実施例１で得られた１ｇの無水結晶形ドセタキセルＡ（ＨＰＬＣ純度：９９．７％）を３０mlのジエチルエーテル中に溶解させてから１２時間攪拌した後、これに２０mlのｎ−ヘキサンを滴加した。前記混合液を室温で１２時間攪拌した後、得られた沈殿物を濾過した。次いで、６０℃において０．１トルの圧力下で２４時間乾燥させて、さらなる無水結晶形ドセタキセル０．８８ｇを得た（収率：８８％）。
ＨＰＬＣ純度：９９．８％
７−エピマーの含量：０．０４％
標題化合物の含量：９９．７％
融点：１９２−２００℃
残留溶媒：ジエチルエーテル（１８０ｐｐｍ）、ｎ−ヘキサン（５ｐｐｍ以下）
【００３８】
前記無水結晶形ドセタキセルの粉末Ｘ線回折スペクトルは、図５及び下記表４に示されているように、２０％以上の相対ピーク強度（１００×Ｉ／Ｉ０）を有する主要ピークを示し、本発明者らは、これを“無水結晶形ドセタキセルＤ”と命名した。
表４
【表４】
2010523647.tif 000008
【００３９】
試験例１：高温／高湿条件下での安定性
前記実施例１，４，５及び６で製造されたそれぞれの無水結晶形ドセタキセルと、米国特許第６，０２２，９８５の方法によって製造されたドセタキセル三水和物との長期間保存安定性を、高温高湿条件（６０±２℃、７５±５％湿度）下でそれらの試料をねかせることにより比較した。１、２、４及び８週後に各試料におけるオリジナル化合物の量を高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）で測定した。各試料の純度を下記表５に表した。
表５
【表５】
2010523647.tif 000009
【００４０】
前記表５で示されているように、本発明の無水結晶形ドセタキセルは、高温高湿条件下で８週間安定であったのに対し、同一の条件下でドセタキセル三水和物は急速に分解された。前記結果は、本発明の無水結晶形ドセタキセルが従来の方法により製造されたドセタキセル三水和物よりも一層安定であることを示す。
【００４１】
以上、本発明を上記の特定の実施例により説明したが、以下の特許請求の範囲に記載の本発明の範囲内おいて、多様な改変および変形もまた可能であることが認識されるべきである。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
０．１％以下の７−エピマーの含量を有し、非吸湿性で且つ高温高湿条件下でも高い安定性を有する本発明の無水結晶形ドセタキセルは、腫瘍及び白血病の治療に有用である。
【図１】
2010523647.tif 000012
【図２】
2010523647.tif 000013
【図３】
2010523647.tif 000014
【図４】
2010523647.tif 000015
【図５】
2010523647.tif 000016
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月10日(2009.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線回折スペクトルが、４．８８、９．２２、９．７２、１０．３８、１１．３０、１１．８８、１３．３４、１４．５６、１５．１４、１６．６２、１７．２８、１７．６６、１９．０２、１９．６２、１９．８６、２０．８６、２１．８６、２４．５８及び２６．９８の２θ値で主要ピークを示し、０．１％以下の７−エピマーを含む、式(Ｉ)：
【化１】
2010523647.tif 000017
［式中、
Ｐｈはフェニル；
Ａｃはアセチル；
Ｂｚはベンゾイル；及び
Ｂｏｃはｔ−ブトキシカルボニルである］
の無水結晶形ドセタキセル。
【請求項２】
Ｘ線回折スペクトルが、４．６２、８．２２、９．２０、１０．６４、１１．４４、１２．４２、１３．８０、１４．２０、１５．２８、１７．２８、１８．４６、２０．６２及び２１．８６の２θ値で主要ピークを示し、０．１％以下の７−エピマーを含む、式(Ｉ)：
【化２】
2010523647.tif 000018
［式中、
Ｐｈはフェニル；
Ａｃはアセチル；
Ｂｚはベンゾイル；及び
Ｂｏｃはｔ−ブトキシカルボニルである］
の無水結晶形ドセタキセル。
【請求項３】
Ｘ線回折スペクトルが、４．０６、４．８２、７．５８、８．２０、９．８４、１１．４４、１２．７６、１３．６２、１４．１６、１６．９８、１９．１８、１９．６０及び１９．９０の２θ値で主要ピークを示し、０．１％以下の７−エピマーを含む、式(Ｉ)：
【化３】
2010523647.tif 000019
［式中、
Ｐｈはフェニル；
Ａｃはアセチル；
Ｂｚはベンゾイル；及び
Ｂｏｃはｔ−ブトキシカルボニルである］
の無水結晶形ドセタキセル。
【請求項４】
請求項１に記載の無水結晶形ドセタキセルを製造する方法であって、
（ｉ）ドセタキセルを有機溶媒としてのジクロロメタンとメタンノールとの混合液に溶解させる段階；
（ｉｉ）得られた溶液にヘキサンを添加する段階；及び
（ｉｉｉ）生成された結晶を回収する段階
を含む、無水結晶形ドセタキセルの製造方法。
【請求項５】
請求項２に記載の無水結晶形ドセタキセルを製造する方法であって、
（ｉ）ドセタキセルを有機溶媒としてのジクロロメタンとアセトニトリルとの混合液に溶解させる段階；
（ｉｉ）得られた溶液にヘキサンを添加する段階；及び
（ｉｉｉ）生成された結晶を回収する段階
を含む、無水結晶形ドセタキセルの製造方法。
【請求項６】
請求項３に記載の無水結晶形ドセタキセルを製造する方法であって、
（ｉ）Ｘ線回折スペクトルが、４．６４、８．０４、９．２４、１１．３４、１２．５４、１３．８６、１５．５２、１６．９２、１８．４８、１９．６４、２０．４０、２３．３６及び２４．２０の２θ値で主要ピークを示す式(Ｉ)：
【化４】
2010523647.tif 000020
［式中、
Ｐｈはフェニル；
Ａｃはアセチル；
Ｂｚはベンゾイル；及び
Ｂｏｃはｔ−ブトキシカルボニルである］
の無水結晶形ドセタキセルを有機溶媒としてのジエチルエーテルに溶解させる段階；
（ｉｉ）得られた溶液にヘキサンを添加する段階；及び
（ｉｉｉ）生成された結晶を回収する段階
を含む、無水結晶形ドセタキセルの製造方法。
【請求項７】
前記段階（ｉｉｉ）が、濾過により結晶を回収し、得られた結晶を２０〜８０℃範囲の温度で０．１〜１０トルの減圧下で乾燥することを含む請求項４〜６のいずれか１項に記載の無水結晶形ドセタキセルの製造方法。
【請求項８】
前記有機溶媒がドセタキセル１ｇに対して５〜３０mlの量で用いられる請求項４〜６のいずれか１項に記載の無水結晶形ドセタキセルの製造方法。
【請求項９】
前記ヘキサンが前記有機溶媒の容量に対して１〜５倍の容量で用いられる請求項４〜６のいずれか１項に記載の無水結晶形ドセタキセルの製造方法。
【国際調査報告】
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