(57)【要約】  極端紫外放射ビームを供給するように構成された放射システムと、ビーム（２３）内に配置され、放射ビームの少なくとも一部を吸収するように構成されたアブソーバ（２４）とを含む、基板上にパターンを結像するための極端紫外線リソグラフィ装置（２０）である。アブソーバは、吸収ガスの流れを収容するように構成された容積を有する。この流れはビームに対して横断方向に向けられる。アブソーバは、極端紫外放射透過ビーム入射領域及び極端紫外放射透過ビーム出射領域を有する構造を含む。この装置は更に、ガスを容積内に注入するように構成されたガスインレットアクチュエータアレイ及びガスを容積から排出するように構成されたガスアウトレットアクチュエータアレイを含む。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にパターンを結像するための極端紫外線リソグラフィ装置であって、
極端紫外放射ビームを供給するように構成された放射システムと、
前記ビーム内に配置され、前記放射ビームの少なくとも一部を吸収するように構成され、前記ビームに対して横断方向に向けられた吸収ガスの流れを収容するように構成された容積を有し、かつ、極端紫外放射透過ビーム入射領域及び極端紫外放射透過ビーム出射領域を有する構造を含む、アブソーバと、
前記ガスを前記容積内に注入するように構成されたガスインレットアクチュエータアレイ及び前記ガスを前記容積から排出するように構成されたガスアウトレットアクチュエータアレイと、
を含む、極端紫外線リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記ガスアウトレットアクチュエータアレイの排気能力は、前記ガスインレットアクチュエータアレイの供給能力に少なくとも等しい、請求項１に記載の極端紫外線リソグラフィ装置。
【請求項３】
前記構造は、前記ビーム入射領域及び前記ビーム出射領域に対して開放された構造として構成される、請求項１に記載の極端紫外線リソグラフィ装置。
【請求項４】
前記放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
パターン付き放射ビームを形成すべく前記放射ビームの断面にパターンを付けるように構成されたパターニングデバイスと、
を更に含み、
前記アブソーバは、前記照明システムと前記パターニングデバイスとの間のビーム経路内に位置付けられる、請求項１に記載の極端紫外線リソグラフィ装置。
【請求項５】
前記ガスインレットアクチュエータアレイは、個別に調節可能な複数の素子を含み、前記素子は、該素子の付近におけるガス濃度を選択的に制御するように構成される、請求項１に記載の極端紫外線リソグラフィ装置。
【請求項６】
前記調節可能な素子は、前記ガスインレットアクチュエータアレイの領域の一部を選択的に塞ぐように構成されたピエゾ素子を含む、請求項５に記載の極端紫外線リソグラフィ装置。
【請求項７】
前記ガスは、クリプトン、キセノン、アルゴン、ネオン、ヘリウム、水素、酸素及び窒素からなる群から選択される、請求項１に記載の極端紫外線リソグラフィ装置。
【請求項８】
前記ガスインレットアクチュエータアレイ及び／又は前記ガスアウトレットアクチュエータアレイは、前記アブソーバの断面においてガス濃度の不均一分布を発生させるように構成され、前記分布は、前記ビーム経路に実質的に垂直な方向に延在する、請求項１に記載の極端紫外線リソグラフィ装置。
【請求項９】
前記アブソーバの前記容積の少なくとも１つの部分におけるガス濃度を測定するように構成されたセンサと、
前記センサに応答して前記ガスインレットアクチュエータアレイ又は前記ガスアウトレットアクチュエータアレイを制御するように構成されたコントローラと、
を更に含む、請求項１に記載の極端紫外線リソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記構造は、第１ポンプユニット及び第２ポンプユニットを更に含み、前記ガスインレットアクチュエータアレイ及び前記ガスアウトレットアクチュエータアレイは、前記第１ポンプユニットと前記第２ポンプユニットとの間で前記ビーム経路に沿って配置され、前記第１ポンプユニット及び前記第２ポンプユニットは、前記吸収ガスが前記リソグラフィ装置の雰囲気内へと漏れることを実質的に阻止するように構成される、請求項１に記載の極端紫外線リソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記ガスインレットアクチュエータアレイは、超音速ジェットを含む、請求項１に記載の極端紫外線リソグラフィ装置。
【請求項１２】
前記構造は、管状構造である、請求項１に記載の極端紫外線リソグラフィ装置。
【請求項１３】
前記極端紫外放射は、約５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する、請求項１二記載の極端紫外線リソグラフィ装置。
【請求項１４】
極端紫外放射ビームにパターンを付けること、
前記パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に投影すること、及び、
前記放射ビームの強度を、前記ビーム内に配置されたアブソーバによって、前記放射ビームが前記アブソーバを通過する際に前記放射ビームの少なくとも一部を吸収することによって制御すること、
を含み、前記アブソーバは、前記ビームに対して吸収ガスの横断する流れを収容する容積を有する、デバイス製造方法。
【請求項１５】
前記容積内への前記ガスの注入能力に少なくとも等しい能力で前記容積から前記ガスを排気させることを更に含む、請求項１４に記載のデバイス製造方法。
【請求項１６】
前記アブソーバは、照明モジュールとビームパターニングデバイスとの間で前記ビーム内に位置付けられる、請求項１４に記載のデバイス製造方法。
【請求項１７】
個別に調節可能な複数の素子の付近におけるガス濃度を制御することを更に含む、請求項１４に記載のデバイス製造方法。
【請求項１８】
前記ガスは、クリプトン、キセノン、アルゴン、ネオン、ヘリウム、水素、酸素、及び窒素からなる群から選択される、請求項１４に記載のデバイス製造方法。
【請求項１９】
前記アブソーバの断面において前記ガス濃度の不均一分布を、前記ビームを横断するように発生させることを更に含む、請求項１４に記載のデバイス製造方法。
【請求項２０】
前記アブソーバの前記容積の少なくとも１つの部分におけるガス濃度を測定すること、及び、
前記測定に応じてガスインレットアクチュエータアレイ及び／又はガスアウトレットアクチュエータアレイを制御すること、
を更に含む、請求項１４に記載のデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アブソーバを含む極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィ装置及びかかる装置を用いたデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。好適なパターニングデバイスの例としては次が挙げられる。
【０００３】
マスク。マスクの概念は、リソグラフィでは周知であり、バイナリ、レゼンソン型（alternating）位相シフト、及びハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスク型、並びに種種のハイブリッドマスク型を含む。このようなマスクを放射ビーム内に配置すると、マスクのパターンに応じて、マスクに衝突する放射が選択的に透過する（透過型マスクの場合）又は反射する（反射型マスクの場合）。マスクの場合は、マスクサポート構造は、通常、マスクテーブルであり、マスクテーブルは入射放射ビーム内の所望の位置にマスクを保持可能とし、また、必要に応じてビームに対して動かされることが可能である。
【０００４】
プログラマブルミラーアレイ。このようなデバイスの一例としては、粘弾性制御層及び反射面を有するマトリックスアドレス指定可能面がある。このような装置の背後にある基本原理は、（例えば）反射面のアドレス指定された領域が入射光を回折光として反射する一方で、アドレス指定されていない領域が入射光を非回折光として反射するということである。適切なフィルタを用いることで、非回折光を反射ビームから除去して回折光のみを残すことができる。このようにして、マトリックスアドレス指定可能面のアドレス指定パターンに応じてビームにパターンが付けられる。マトリックスアドレス指定は、好適な電子デバイスを用いて行うことができる。ミラーアレイの好適な例は、例えば、本明細書に参照として組み込まれる米国特許第５，２９６，８９１号から公知である。プログラマブルミラーアレイは、例えば、必要に応じて固定式又は可動式にすることができるフレーム又はテーブルであってよい。
【０００５】
プログラマブルＬＣＤアレイ。このような構成の一例は、本明細書に参照として組み込まれる米国特許第５，２２９，８７２号に記載される。上述したように、この場合のサポート構造は、例えば、必要に応じて固定式又は可動式にすることができるフレーム又はテーブルであってよい。
【０００６】
好適なパターンを、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、又は１以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般的には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するいわゆるステッパ、及び放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行又は逆方向に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射するいわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【発明の概要】
【０００７】
ビーム強度プロファイルの好適な変調を与えるように構成されたＥＵＶリソグラフィ装置を提供することが望ましい。
【０００８】
本発明の一態様では、基板上にパターンを結像するための極端紫外線リソグラフィ装置が提供される。この装置は、極端紫外放射ビームを供給するように構成された放射システムと、ビーム内に配置され、放射ビームの少なくとも一部を吸収するように構成されたアブソーバとを含む。アブソーバは、吸収ガスの流れを収容するように構成された容積を有する。この流れはビームに対して横断方向に向けられる。アブソーバは、極端紫外放射透過ビーム入射領域及び極端紫外放射透過ビーム出射領域を有する構造を含む。この装置は更に、ガスを容積内に注入するように構成されたガスインレットアクチュエータアレイ及びガスを容積から排出するように構成されたガスアウトレットアクチュエータアレイを含む。
【０００９】
本発明の更なる態様では、極端紫外放射ビームにパターンを付けることと、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に投影することと、放射ビームの強度を、ビーム内に配置されたアブソーバによって、放射ビームがアブソーバを通過する際に放射ビームの少なくとも一部を吸収することによって制御することとを含むデバイス製造方法が提供される。アブソーバは、ビームに対して吸収ガスの横断する流れを収容する容積を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
本発明の幾つかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【００１１】
【図１】図１は本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す。
【図２】図２はアブソーバが設けられた図１のリソグラフィ装置の一実施形態を示す。
【図３】図３は図２に示すアブソーバの断面を概略的に示す。
【図４】図４は図２に示すアブソーバのガス供給スキームを示す。
【図５】図５はアクチュエータアレイの一実施形態及びアブソーバの容積内の吸収ガスの結果として得られる分布を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、例えば、ＥＵＶ放射である放射ビームＢを調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置付けるように構成された第１ポジショナＰＭに連結されたサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けるように構成された第２ポジショナＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。
【００１３】
照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、又は制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、若しくはその他のタイプの光コンポーネント、又はそれらのあらゆる組合せなどの様々なタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００１４】
サポート構造は、パターニングデバイスを支持する、すなわち、パターニングデバイスの重量を支える。サポート構造は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、及び、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式又はその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定式若しくは可動式にすることができるフレーム又はテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」又は「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
【００１５】
本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けられたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。
【００１６】
パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。上述したように、マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レゼンソン型(alternating)位相シフト、及びハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、並びに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００１７】
本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射に、若しくは液浸液の使用又は真空の使用といった他の要因に適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、及び静電型光学系、又はそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
【００１８】
本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）である。或いは、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００１９】
リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、すなわち予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うことができる。
【００２０】
図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００２１】
イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（通常、それぞれσ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータ及びコンデンサといった様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性及び強度分布をもたせることができる。
【００２２】
放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）を使って、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭ及び別の位置センサＩＦ１を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後又はスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、又は固定されてもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２と、基板アライメントマークＰ１、Ｐ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００２３】
例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
【００２４】
１．ステップモードでは、マスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘ及び／又はＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
【００２５】
２．スキャンモードでは、マスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率及び像反転特性によって決めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
【００２６】
３．別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクテーブルＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、又はスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードでは、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、又はスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２７】
上述の使用モードの組合せ及び／若しくはバリエーション、又は完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００２８】
図２は、アブソーバ２４が設けられたリソグラフィ装置２０の一実施形態を示す。リソグラフィ装置２０は、ＥＵＶ放射ビームを発生するように構成された放射源２１を含む。放射源２１は、例えば、レーザ生成プラズマ源又は放電プラズマ源を含んでよい。放射源２１から放出されるＥＵＶ放射ビームは、照明システム２２によって調整され、その後、ビーム２３は、流動アブソーバガス２９を含むアブソーバ２４を横断する。ビーム２３は、次に、パターニングデバイス２５を用いてパターンが付けられる。パターニングデバイスは、上述したようにマスクやＬＣＤアレイ上の制御可能なミラーアレイを含んでよい。パターン付きビーム２６は、アブソーバ２４を横断し、その後、ビーム２６は、基板２８のターゲット部分上にパターン付きビームを投影するように構成された投影システム２７に入射する。アブソーバ２４は、ＥＵＶ透過ビーム入射領域及びＥＵＶ透過ビーム出射領域を含む。ＥＵＶ透過領域とは、少なくとも５０％の透過率を意図していることを理解すべきである。アブソーバ２４は、その内部容積を実質的に密閉するように構成された薄膜を含んでよい。或いは、アブソーバ２４は、ビーム経路に対して開放された構造として構成されてもよい。アブソーバ２４は、アブソーバの容積内で吸収ガス２９の所望の濃度プロファイルを生成するように構成されている。ＥＵＶ放射を吸収する任意のガスが、吸収ガス２９として使用するのに適している。例えば、ガスは、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、若しくはＸｅといった任意の希ガスを含んでもよく、又は、ガス状炭化水素、ＣＨ４、Ｎ２、Ｏ２、若しくはＨ２を含んでよい。吸収ガスは、ビームに対して実質的に横断するように配置される。横断するようにという用語は、０度より大きい任意の傾斜を含む。このために、アブソーバ２４は、ガスインレットアクチュエータアレイ及びガスアウトレットアクチュエータアレイと協働し、これらは、図３を参照してより詳細に説明する。アブソーバ２４は管状構造を含んでよく、管状構造は、ガスインレットアレイの個々の素子が、ガスアウトレットアレイの個々の素子と実質的に等距離に配置されることを可能にする。アブソーバ２４の容積内には不均一な濃度分布が生成され、不均一な濃度分布は、様々な動作パラメータを補償する。例えば、ビーム２３の強度が不均一であることがある。アブソーバ２４は、ビーム２３の任意の望ましくない強度プロファイルを補償すべく構成されてよい。次に、パターニングデバイス２５が不均一な特性を有していることがある。例えば、パターニングデバイスにマスクが選択される場合、外形や材料の反射又は透過特性が不均一であることがある。アブソーバ２４は、そのような不均一性を補償するよう構成されてよい。マスクの不均一性が経験的に知られていることもある。或いは、パターニングデバイスがミラーアレイを含む場合、そのアレイを構成する個々のミラーの制御可能性が不均一であることがある。ガスインレットアクチュエータアレイ及び／又はガスアウトレットアクチュエータアレイは、そのような不均一性を補償すべく構成されてよい。更に、基板２８が、プライミング、レジストコーティング、及びソフトベーキングといった基板処理工程によって不均一であることがある。アブソーバ２４は、基板２８の非均質性を補償すべく構成されてよい。ビーム２６は、投影システム２７によって適切に処理された後、パターンを基板２８上に結像すべく用いられる。
【００２９】
アブソーバ２４は、ビーム２３がアブソーバ２４を１回だけ且つビームパターニングデバイス２５と相互作用する前に横断するようにイルミネータモジュール２２とパターニングデバイス２５との間のビーム経路内に配置されてよい。アブソーバ２４のこの配置は、パターニングデバイス２５によって調整されるビームがアブソーバ２４によって影響を受けないようにすることができる。アブソーバ２４内で使用される好適なガスは、クリプトン、キセノン、アルゴン、ネオン、ヘリウム、水素、酸素、窒素、ガス状炭化水素、ＣＨ４、希ガスなどである。クリプトンは、０．０１ｍｂａｒの圧力において９０％に対して８０ｍｍの相互作用長を有する。キセノンは、１．７ｍｍの相互作用長を有し、又は、９０％の透過率は０．１ｍｂａｒの圧力において１．７ｍｍであり、又は、０．０１ｍｂａｒの圧力において１７ｍｍである。アブソーバ２４の容積と、約０．１ｍｂａｒであるリソグラフィ装置の周囲圧力とを比較する際に高い圧力傾度が用いられてよい。アブソーバ２４内では、クリプトン及びキセノンよりも相当に低い吸収率を有するので、例えば、水素ガスを用いてもよい。
【００３０】
図３は、図２に示すアブソーバの断面を概略的に示す。図３は、アブソーバ３３及びパターニングデバイス３５を含むリソグラフィ装置３０の一部を概略的に示す。この構成では、ビーム３１、３８はアブソーバ３３を２回通過するが、アブソーバ３３は、ビーム３１がアブソーバ３３の容積を１回だけ通過し、パターン付きビーム３８が投影モジュール（図示せず）まで自由に伝播するようにイルミネータモジュール（図示せず）とパターニングデバイス３５との間のビーム経路内に配置されてもよいことは理解されよう。アブソーバ３３は、ガスインレットアクチュエータアレイ３４ａ及びガスアウトレットアクチュエータアレイ３４ｂを含み、前者は、好適なガス３９（クリプトン、キセノン、水素など）をアブソーバ３３の容積内に、アブソーバ３３内のビーム経路３１、３８の方向に対して実質的に横断するように注入するよう構成される。ガスアウトレットアクチュエータアレイ３４ｂは、好適には、ガスインレットアクチュエータアレイ３４ａによって与えられるアブソーバの方向Ｈに沿った強度プロファイルが変更されないように、アブソーバ３３の容積からガスを排出するように構成される。このために、ガスアウトレットアクチュエータアレイ３４ｂのガス排出力は、ガスインレットアクチュエータアレイのガス供給力以上であるように選択されてよい。ガス３９は、アブソーバ３３の容積内に閉じ込められてよい。このために、アブソーバ３３は、第１ポンプ構成３２ａ、３２ｂと、第２ポンプ構成３６ａ、３６ｂを含んでよく、ガス３９を含むアブソーバの容積は、第1ポンプ構成３２ａ、３２ｂと第２ポンプ構成３６ａ、３６ｂとの間に配置される。第１ポンプ構成及び第２ポンプ構成は、ガスを排出するように構成され、それにより、アブソーバ３３の容積に真空密閉を実質的に与える。第１ポンプ構成及び第２ポンプ構成は、領域３７ａ、３７ｂ、３７ｄ、３７ｅにおけるガスが第１ポンプ構成及び第２ポンプ構成によって運ばれるように、リソグラフィ装置の周囲圧力より低い圧力を生成するように構成されてよい。これにより、アブソーバ３３のガスによってリソグラフィ装置３０の周囲雰囲気が汚染されることを防ぎ、それによりリソグラフィ装置の作業特性が向上する。
【００３１】
図４は、図２に示すアブソーバのガス供給スキームを示す。構成４０は、横断面図に示すアブソーバ４１を含み、入射放射ビームは、アイテム４５によって概略的に示す。アブソーバ４１は、妨げられないビーム入射領域及びビーム出射領域を与える開放された構造を含む。横断するガス流４７ａ、…、４７ｎが、ガスインレットアクチュエータアレイ４３ａ、…、４３ｎと、アウトレットポンプを含んでよいガスアウトレットアクチュエータアレイ４４ａ、…、４４ｎとを有するアブソーバ４１の容積内に生成される。ガスインレットアクチュエータアレイは、超音速ジェットを含んでいてもよい。ガスインレットアクチュエータアレイは、インレット制御ユニット（コントローラ）４８によって制御され、ガスアウトレットアクチュエータアレイは、アウトレット制御ユニット（コントローラ）４９によって制御される。インレット制御ユニット４８及びアウトレット制御ユニット４９は、アブソーバの方向Ｒに沿った所望の均質又は不均質のプロファイルが得られるように、好適にはインレットジェット４２ａ、…、４２ｎ及びアウトレットポンプ４４ａ、…、４４ｎを個別に制御するように構成される。アブソーバの容積の少なくとも１つの部分におけるガス濃度を測定するセンサＳを設けてもよく、インレット制御ユニット４８及び／又はアウトレット制御ユニット４９は、センサＳに応答して、ガスインレットアクチュエータアレイ４３ａ、…、４３ｎ又はガスアウトレットアクチュエータアレイ４４ａ、…、４４ｎを適宜制御するように構成されてよい。
【００３２】
図５は、アクチュエータアレイの一実施形態と、アブソーバの容積中の吸収ガスの結果として得られる分布を示す。構成５０は、ピエゾ素子５２ａ、…、５２ｎといった複数の移動可能な素子を含むガスインレットアクチュエータアレイの正面図を表す。素子５２ａ、…、５２ｎは、好適な囲い５１内に配置される。各素子は、矢印Ｌにより示す方向に移動可能である。最大のガス供給は、素子が引っ込められて最大の隙間５４を有する場合に与えられる。かかる素子からのガス供給を低減するには、該素子を、アイテム５２ｘによって示すような位置に完全に引き出すことができる。全ての個々に移動可能な素子５２ａ、…、５２ｎを制御することによって、方向Ｒ（図４）に沿って所望の透過プロファイル５５が得られる。ガス供給が増加されている領域では、結果として生じる透過率は減少し（領域５７参照）、一方で、ガス供給が減少されている領域については、結果として生じる透過率は増加される（領域５９参照）。
【００３３】
本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターン及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」又は「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」又は「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、及び／又はインスペクションツールで処理されてよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツール及びその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００３４】
本明細書で使用される「放射」及び「ビーム」という用語は、極端紫外（ＥＵＶ）放射（例えば、約５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、及びイオンビーム又は電子ビームなどの微粒子ビームを包含している。
【００３５】
「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、及び静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つ又はこれらの組合せを指すことができる。
【００３６】
以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を記述する１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、又はこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスク又は光ディスク）の形態であってもよい。
【００３７】
上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【図１】
2010529675.tif 000003
【図２】
2010529675.tif 000004
【図３】
2010529675.tif 000005
【図４】
2010529675.tif 000006
【図５】
2010529675.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月22日(2010.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［0001］  本発明は、アブソーバを含む極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィ装置及びかかる装置を用いたデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
［0002］  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。好適なパターニングデバイスの例としては次が挙げられる。
【０００３】
［0003］  マスク。マスクの概念は、リソグラフィでは周知であり、バイナリ、レゼンソン型（alternating）位相シフト、及びハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスク型、並びに種種のハイブリッドマスク型を含む。このようなマスクを放射ビーム内に配置すると、マスクのパターンに応じて、マスクに衝突する放射が選択的に透過する（透過型マスクの場合）又は反射する（反射型マスクの場合）。マスクの場合は、マスクサポート構造は、通常、マスクテーブルであり、マスクテーブルは入射放射ビーム内の所望の位置にマスクを保持可能とし、また、必要に応じてビームに対して動かされることが可能である。
【０００４】
［0004］  プログラマブルミラーアレイ。このようなデバイスの一例としては、粘弾性制御層及び反射面を有するマトリックスアドレス指定可能面がある。このような装置の背後にある基本原理は、（例えば）反射面のアドレス指定された領域が入射光を回折光として反射する一方で、アドレス指定されていない領域が入射光を非回折光として反射するということである。適切なフィルタを用いることで、非回折光を反射ビームから除去して回折光のみを残すことができる。このようにして、マトリックスアドレス指定可能面のアドレス指定パターンに応じてビームにパターンが付けられる。マトリックスアドレス指定は、好適な電子デバイスを用いて行うことができる。ミラーアレイの好適な例は、例えば、本明細書に参照として組み込まれる米国特許第５，２９６，８９１号から公知である。プログラマブルミラーアレイは、例えば、必要に応じて固定式又は可動式にすることができるフレーム又はテーブルであってよい。
【０００５】
［0005］  プログラマブルＬＣＤアレイ。このような構成の一例は、本明細書に参照として組み込まれる米国特許第５，２２９，８７２号に記載される。上述したように、この場合のサポート構造は、例えば、必要に応じて固定式又は可動式にすることができるフレーム又はテーブルであってよい。
【０００６】
［0006］  好適なパターンを、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、又は１以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般的には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するいわゆるステッパ、及び放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行又は逆方向に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射するいわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【発明の概要】
【０００７】
［0007］  ビーム強度プロファイルの好適な変調を与えるように構成されたＥＵＶリソグラフィ装置を提供することが望ましい。
【０００８】
［0008］  本発明の一態様では、基板上にパターンを結像するための極端紫外線リソグラフィ装置が提供される。この装置は、例えば約５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する極端紫外放射ビームを供給するように構成された放射システムと、ビーム内に配置され、放射ビームの少なくとも一部を吸収するように構成されたアブソーバとを含む。アブソーバは、吸収ガスの流れを収容するように構成された容積を有する。この流れはビームに対して横断方向に向けられる。アブソーバは、極端紫外放射透過ビーム入射領域及び極端紫外放射透過ビーム出射領域を有する構造（例えば管状構造）を含む。この装置は更に、ガスを容積内に注入するように構成されたガスインレットアクチュエータアレイ及びガスを容積から排出するように構成されたガスアウトレットアクチュエータアレイを含む。
［0009］  ガスは、クリプトン、キセノン、アルゴン、ネオン、ヘリウム、水素、酸素及び窒素からなる群から選択されてもよい。ガスインレットアクチュエータアレイは超音速ジェットを含んでもよい。
【０００９】
［0010］  本発明の更なる態様では、極端紫外放射ビームにパターンを付けることと、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に投影することと、放射ビームの強度を、ビーム内に配置されたアブソーバによって、放射ビームがアブソーバを通過する際に放射ビームの少なくとも一部を吸収することによって制御することとを含むデバイス製造方法が提供される。アブソーバは、ビームに対して吸収ガスの横断する流れを収容する容積を有する。ガスは、クリプトン、キセノン、アルゴン、ネオン、ヘリウム、水素、酸素及び窒素からなる群から選択されてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
［0011］  本発明の幾つかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【００１１】
【図１】［0012］図１は本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す。
【図２】［0013］図２はアブソーバが設けられた図１のリソグラフィ装置の一実施形態を示す。
【図３】［0014］図３は図２に示すアブソーバの断面を概略的に示す。
【図４】［0015］図４は図２に示すアブソーバのガス供給スキームを示す。
【図５】［0016］図５はアクチュエータアレイの一実施形態及びアブソーバの容積内の吸収ガスの結果として得られる分布を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
［0017］図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、例えば、ＥＵＶ放射である放射ビームＢを調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置付けるように構成された第１ポジショナＰＭに連結されたサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けるように構成された第２ポジショナＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。
【００１３】
［0018］照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、又は制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、若しくはその他のタイプの光コンポーネント、又はそれらのあらゆる組合せなどの様々なタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００１４】
［0019］サポート構造は、パターニングデバイスを支持する、すなわち、パターニングデバイスの重量を支える。サポート構造は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、及び、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式又はその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定式若しくは可動式にすることができるフレーム又はテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」又は「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
【００１５】
［0020］本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けられたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。
【００１６】
［0021］パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。上述したように、マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レゼンソン型(alternating)位相シフト、及びハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、並びに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００１７】
［0022］本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射に、若しくは液浸液の使用又は真空の使用といった他の要因に適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、及び静電型光学系、又はそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
【００１８】
［0023］本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）である。或いは、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００１９】
［0024］リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、すなわち予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うことができる。
【００２０】
［0025］図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００２１】
［0026］イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（通常、それぞれσ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータ及びコンデンサといった様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性及び強度分布をもたせることができる。
【００２２】
［0027］放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）を使って、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭ及び別の位置センサＩＦ１を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後又はスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、又は固定されてもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２と、基板アライメントマークＰ１、Ｐ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００２３】
［0028］例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
【００２４】
［0029］１．ステップモードでは、マスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘ及び／又はＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
【００２５】
［0030］２．スキャンモードでは、マスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率及び像反転特性によって決めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
【００２６】
［0031］３．別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクテーブルＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、又はスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードでは、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、又はスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２７】
［0032］上述の使用モードの組合せ及び／若しくはバリエーション、又は完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００２８】
［0033］図２は、アブソーバ２４が設けられたリソグラフィ装置２０の一実施形態を示す。リソグラフィ装置２０は、ＥＵＶ放射ビームを発生するように構成された放射源２１を含む。放射源２１は、例えば、レーザ生成プラズマ源又は放電プラズマ源を含んでよい。放射源２１から放出されるＥＵＶ放射ビームは、照明システム２２によって調整され、その後、ビーム２３は、流動アブソーバガス２９を含むアブソーバ２４を横断する。ビーム２３は、次に、パターニングデバイス２５を用いてパターンが付けられる。パターニングデバイスは、上述したようにマスクやＬＣＤアレイ上の制御可能なミラーアレイを含んでよい。パターン付きビーム２６は、アブソーバ２４を横断し、その後、ビーム２６は、基板２８のターゲット部分上にパターン付きビームを投影するように構成された投影システム２７に入射する。アブソーバ２４は、ＥＵＶ透過ビーム入射領域及びＥＵＶ透過ビーム出射領域を含む。ＥＵＶ透過領域とは、少なくとも５０％の透過率を意図していることを理解すべきである。アブソーバ２４は、その内部容積を実質的に密閉するように構成された薄膜を含んでよい。或いは、アブソーバ２４は、ビーム経路に対して開放された構造として構成されてもよい。アブソーバ２４は、アブソーバの容積内で吸収ガス２９の所望の濃度プロファイルを生成するように構成されている。ＥＵＶ放射を吸収する任意のガスが、吸収ガス２９として使用するのに適している。例えば、ガスは、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、若しくはＸｅといった任意の希ガスを含んでもよく、又は、ガス状炭化水素、ＣＨ４、Ｎ２、Ｏ２、若しくはＨ２を含んでよい。吸収ガスは、ビームに対して実質的に横断するように配置される。横断するようにという用語は、０度より大きい任意の傾斜を含む。このために、アブソーバ２４は、ガスインレットアクチュエータアレイ及びガスアウトレットアクチュエータアレイと協働し、これらは、図３を参照してより詳細に説明する。アブソーバ２４は管状構造を含んでよく、管状構造は、ガスインレットアレイの個々の素子が、ガスアウトレットアレイの個々の素子と実質的に等距離に配置されることを可能にする。アブソーバ２４の容積内には不均一な濃度分布が生成され、不均一な濃度分布は、様々な動作パラメータを補償する。例えば、ビーム２３の強度が不均一であることがある。アブソーバ２４は、ビーム２３の任意の望ましくない強度プロファイルを補償すべく構成されてよい。次に、パターニングデバイス２５が不均一な特性を有していることがある。例えば、パターニングデバイスにマスクが選択される場合、外形や材料の反射又は透過特性が不均一であることがある。アブソーバ２４は、そのような不均一性を補償するよう構成されてよい。マスクの不均一性が経験的に知られていることもある。或いは、パターニングデバイスがミラーアレイを含む場合、そのアレイを構成する個々のミラーの制御可能性が不均一であることがある。ガスインレットアクチュエータアレイ及び／又はガスアウトレットアクチュエータアレイは、そのような不均一性を補償すべく構成されてよい。更に、基板２８が、プライミング、レジストコーティング、及びソフトベーキングといった基板処理工��によって不均一であることがある。アブソーバ２４は、基板２８の非均質性を補償すべく構成されてよい。ビーム２６は、投影システム２７によって適切に処理された後、パターンを基板２８上に結像すべく用いられる。
【００２９】
［0034］アブソーバ２４は、ビーム２３がアブソーバ２４を１回だけ且つビームパターニングデバイス２５と相互作用する前に横断するようにイルミネータモジュール２２とパターニングデバイス２５との間のビーム経路内に配置されてよい。アブソーバ２４のこの配置は、パターニングデバイス２５によって調整されるビームがアブソーバ２４によって影響を受けないようにすることができる。アブソーバ２４内で使用される好適なガスは、クリプトン、キセノン、アルゴン、ネオン、ヘリウム、水素、酸素、窒素、ガス状炭化水素、ＣＨ４、希ガスなどである。クリプトンは、０．０１ｍｂａｒの圧力において９０％に対して８０ｍｍの相互作用長を有する。キセノンは、１．７ｍｍの相互作用長を有し、又は、９０％の透過率は０．１ｍｂａｒの圧力において１．７ｍｍであり、又は、０．０１ｍｂａｒの圧力において１７ｍｍである。アブソーバ２４の容積と、約０．１ｍｂａｒであるリソグラフィ装置の周囲圧力とを比較する際に高い圧力傾度が用いられてよい。アブソーバ２４内では、クリプトン及びキセノンよりも相当に低い吸収率を有するので、例えば、水素ガスを用いてもよい。
【００３０】
［0035］図３は、図２に示すアブソーバの断面を概略的に示す。図３は、アブソーバ３３及びパターニングデバイス３５を含むリソグラフィ装置３０の一部を概略的に示す。この構成では、ビーム３１、３８はアブソーバ３３を２回通過するが、アブソーバ３３は、ビーム３１がアブソーバ３３の容積を１回だけ通過し、パターン付きビーム３８が投影モジュール（図示せず）まで自由に伝播するようにイルミネータモジュール（図示せず）とパターニングデバイス３５との間のビーム経路内に配置されてもよいことは理解されよう。アブソーバ３３は、ガスインレットアクチュエータアレイ３４ａ及びガスアウトレットアクチュエータアレイ３４ｂを含み、前者は、好適なガス３９（クリプトン、キセノン、水素など）をアブソーバ３３の容積内に、アブソーバ３３内のビーム経路３１、３８の方向に対して実質的に横断するように注入するよう構成される。ガスアウトレットアクチュエータアレイ３４ｂは、好適には、ガスインレットアクチュエータアレイ３４ａによって与えられるアブソーバの方向Ｈに沿った強度プロファイルが変更されないように、アブソーバ３３の容積からガスを排出するように構成される。このために、ガスアウトレットアクチュエータアレイ３４ｂのガス排出力は、ガスインレットアクチュエータアレイのガス供給力以上であるように選択されてよい。ガス３９は、アブソーバ３３の容積内に閉じ込められてよい。このために、アブソーバ３３は、第１ポンプ構成３２ａ、３２ｂと、第２ポンプ構成３６ａ、３６ｂを含んでよく、ガス３９を含むアブソーバの容積は、第1ポンプ構成３２ａ、３２ｂと第２ポンプ構成３６ａ、３６ｂとの間に配置される。第１ポンプ構成及び第２ポンプ構成は、ガスを排出するように構成され、それにより、アブソーバ３３の容積に真空密閉を実質的に与える。第１ポンプ構成及び第２ポンプ構成は、領域３７ａ、３７ｂ、３７ｄ、３７ｅにおけるガスが第１ポンプ構成及び第２ポンプ構成によって運ばれるように、リソグラフィ装置の周囲圧力より低い圧力を生成するように構成されてよい。これにより、アブソーバ３３のガスによってリソグラフィ装置３０の周囲雰囲気が汚染されることを防ぎ、それによりリソグラフィ装置の作業特性が向上する。
【００３１】
［0036］図４は、図２に示すアブソーバのガス供給スキームを示す。構成４０は、横断面図に示すアブソーバ４１を含み、入射放射ビームは、アイテム４５によって概略的に示す。アブソーバ４１は、妨げられないビーム入射領域及びビーム出射領域を与える開放された構造を含む。横断するガス流４７ａ、…、４７ｎが、ガスインレットアクチュエータアレイ４３ａ、…、４３ｎと、アウトレットポンプを含んでよいガスアウトレットアクチュエータアレイ４４ａ、…、４４ｎとを有するアブソーバ４１の容積内に生成される。ガスインレットアクチュエータアレイは、超音速ジェットを含んでいてもよい。ガスインレットアクチュエータアレイは、インレット制御ユニット（コントローラ）４８によって制御され、ガスアウトレットアクチュエータアレイは、アウトレット制御ユニット（コントローラ）４９によって制御される。インレット制御ユニット４８及びアウトレット制御ユニット４９は、アブソーバの方向Ｒに沿った所望の均質又は不均質のプロファイルが得られるように、好適にはインレットジェット４２ａ、…、４２ｎ及びアウトレットポンプ４４ａ、…、４４ｎを個別に制御するように構成される。アブソーバの容積の少なくとも１つの部分におけるガス濃度を測定するセンサＳを設けてもよく、インレット制御ユニット４８及び／又はアウトレット制御ユニット４９は、センサＳに応答して、ガスインレットアクチュエータアレイ４３ａ、…、４３ｎ又はガスアウトレットアクチュエータアレイ４４ａ、…、４４ｎを適宜制御するように構成されてよい。
【００３２】
［0037］図５は、アクチュエータアレイの一実施形態と、アブソーバの容積中の吸収ガスの結果として得られる分布を示す。構成５０は、ピエゾ素子５２ａ、…、５２ｎといった複数の移動可能な素子を含むガスインレットアクチュエータアレイの正面図を表す。素子５２ａ、…、５２ｎは、好適な囲い５１内に配置される。各素子は、矢印Ｌにより示す方向に移動可能である。最大のガス供給は、素子が引っ込められて最大の隙間５４を有する場合に与えられる。かかる素子からのガス供給を低減するには、該素子を、アイテム５２ｘによって示すような位置に完全に引き出すことができる。全ての個々に移動可能な素子５２ａ、…、５２ｎを制御することによって、方向Ｒ（図４）に沿って所望の透過プロファイル５５が得られる。ガス供給が増加されている領域では、結果として生じる透過率は減少し（領域５７参照）、一方で、ガス供給が減少されている領域については、結果として生じる透過率は増加される（領域５９参照）。
【００３３】
［0038］本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターン及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」又は「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」又は「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、及び／又はインスペクションツールで処理されてよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツール及びその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００３４】
［0039］本明細書で使用される「放射」及び「ビーム」という用語は、極端紫外（ＥＵＶ）放射（例えば、約５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、及びイオンビーム又は電子ビームなどの微粒子ビームを包含している。
【００３５】
［0040］「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、及び静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つ又はこれらの組合せを指すことができる。
【００３６】
［0041］以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を記述する１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、又はこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスク又は光ディスク）の形態であってもよい。
【００３７】
［0042］上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にパターンを結像するための極端紫外線リソグラフィ装置であって、
極端紫外放射ビームを供給するように構成された放射システムと、
前記ビーム内に配置され、前記放射ビームの少なくとも一部を吸収するように構成され、前記ビームに対して横断方向に向けられた吸収ガスの流れを収容するように構成された容積を有し、かつ、極端紫外放射透過ビーム入射領域及び極端紫外放射透過ビーム出射領域を有する構造を含む、アブソーバと、
前記ガスを前記容積内に注入するように構成されたガスインレットアクチュエータアレイ及び前記ガスを前記容積から排出するように構成されたガスアウトレットアクチュエータアレイと、
を含む、極端紫外線リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記ガスアウトレットアクチュエータアレイの排気能力は、前記ガスインレットアクチュエータアレイの供給能力に少なくとも等しい、請求項１に記載の極端紫外線リソグラフィ装置。
【請求項３】
前記構造は、前記ビーム入射領域及び前記ビーム出射領域に対して開放された構造として構成される、請求項１に記載の極端紫外線リソグラフィ装置。
【請求項４】
前記放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
パターン付き放射ビームを形成すべく前記放射ビームの断面にパターンを付けるように構成されたパターニングデバイスと、
を更に含み、
前記アブソーバは、前記照明システムと前記パターニングデバイスとの間のビーム経路内に位置付けられる、請求項１に記載の極端紫外線リソグラフィ装置。
【請求項５】
前記ガスインレットアクチュエータアレイは、個別に調節可能な複数の素子を含み、前記素子は、該素子の付近におけるガス濃度を選択的に制御するように構成される、請求項１に記載の極端紫外線リソグラフィ装置。
【請求項６】
前記調節可能な素子は、前記ガスインレットアクチュエータアレイの領域の一部を選択的に塞ぐように構成されたピエゾ素子を含む、請求項５に記載の極端紫外線リソグラフィ装置。
【請求項７】
前記ガスインレットアクチュエータアレイ及び／又は前記ガスアウトレットアクチュエータアレイは、前記アブソーバの断面においてガス濃度の不均一分布を発生させるように構成され、前記分布は、前記ビーム経路に実質的に垂直な方向に延在する、請求項１に記載の極端紫外線リソグラフィ装置。
【請求項８】
前記アブソーバの前記容積の少なくとも１つの部分におけるガス濃度を測定するように構成されたセンサと、
前記センサに応答して前記ガスインレットアクチュエータアレイ又は前記ガスアウトレットアクチュエータアレイを制御するように構成されたコントローラと、
を更に含む、請求項１に記載の極端紫外線リソグラフィ装置。
【請求項９】
前記構造は、第１ポンプユニット及び第２ポンプユニットを更に含み、前記ガスインレットアクチュエータアレイ及び前記ガスアウトレットアクチュエータアレイは、前記第１ポンプユニットと前記第２ポンプユニットとの間で前記ビーム経路に沿って配置され、前記第１ポンプユニット及び前記第２ポンプユニットは、前記吸収ガスが前記リソグラフィ装置の雰囲気内へと漏れることを実質的に阻止するように構成される、請求項１に記載の極端紫外線リソグラフィ装置。
【請求項１０】
極端紫外放射ビームにパターンを付けること、
前記パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に投影すること、及び、
前記放射ビームの強度を、前記ビーム内に配置されたアブソーバによって、前記放射ビームが前記アブソーバを通過する際に前記放射ビームの少なくとも一部を吸収することによって制御すること、
を含み、前記アブソーバは、前記ビームに対して吸収ガスの横断する流れを収容する容積を有する、デバイス製造方法。
【請求項１１】
前記容積内への前記ガスの注入能力に少なくとも等しい能力で前記容積から前記ガスを排気させることを更に含む、請求項１０に記載のデバイス製造方法。
【請求項１２】
前記アブソーバは、照明モジュールとビームパターニングデバイスとの間で前記ビーム内に位置付けられる、請求項１０に記載のデバイス製造方法。
【請求項１３】
個別に調節可能な複数の素子の付近におけるガス濃度を制御することを更に含む、請求項１０に記載のデバイス製造方法。
【請求項１４】
前記アブソーバの断面において前記ガス濃度の不均一分布を、前記ビームを横断するように発生させることを更に含む、請求項１０に記載のデバイス製造方法。
【請求項１５】
前記アブソーバの前記容積の少なくとも１つの部分におけるガス濃度を測定すること、及び、
前記測定に応じてガスインレットアクチュエータアレイ及び／又はガスアウトレットアクチュエータアレイを制御すること、
を更に含む、請求項１０に記載のデバイス製造方法。
【国際調査報告】
2010529675.tif 000008
2010529675.tif 000009