(57)【要約】窒化ガリウム（ＧａＮ）ベースの半導体発光デバイス（ＬＥＤ）（１００）が提供され、このＬＥＤは、ｎ型ＧａＮベースの半導体層（ｎ型層）（１０６）と、活性層（１０８）と、ｐ型ＧａＮベースの半導体層（ｐ型層）（１１０）とを含む。ｎ型層（１０６）は、活性層（１０８）とｐ型層（１１０）とを成長させるより前に、窒素供給源としてアンモニアガス（ＮＨ３）を用いることによってエピタキシャル成長する。Ｖ族元素とＩＩＩ族元素との流量比、またはＶ／ＩＩＩ比は、初期値から最終値まで徐々に低減される。ＧａＮベースのＬＥＤ（１００）は、６０ボルト以上の逆ブレークダウン電圧を示す。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化ガリウム（ＧａＮ）ベースの半導体発光デバイス（ＬＥＤ）であって、該ＬＥＤは、
ｎ型ＧａＮベースの半導体層（ｎ型層）と、
活性層と、
ｐ型ＧａＮベースの半導体層（ｐ型層）と
を備え、
該ｎ型層は、該活性層と該ｐ型層とを成長させるより前に、窒素供給源としてアンモニアガス（ＮＨ３）を用いることによってエピタキシャル成長し、
該ｎ型層の該エピタキシャル成長の間のＶ族元素とＩＩＩ族元素との流量比、またはＶ／ＩＩＩ比は、初期値から最終値まで徐々に低減される、ＬＥＤ。
【請求項２】
前記ＧａＮベースのＬＥＤは、６０ボルト以上の逆ブレークダウン電圧を示す、請求項１に記載のＧａＮベースの半導体ＬＥＤ。
【請求項３】
前記初期Ｖ／ＩＩＩ比は、ほぼ１０００とほぼ１００００との間にあり、
前記最終Ｖ／ＩＩＩ比は、ほぼ１５０とほぼ５００との間にある、請求項１に記載のＧａＮベースの半導体ＬＥＤ。
【請求項４】
前記初期Ｖ／ＩＩＩ比は、ほぼ２０００とほぼ５０００との間にある、請求項３に記載のＧａＮベースの半導体ＬＥＤ。
【請求項５】
前記最終Ｖ／ＩＩＩ比は、ほぼ２００とほぼ３００との間にある、請求項３に記載のＧａＮベースの半導体ＬＥＤ。
【請求項６】
前記活性層は、前記最終Ｖ／ＩＩＩ比に達する前記ｎ型層の中の位置に十分に対して近い、請求項１に記載のＧａＮベースの半導体ＬＥＤ。
【請求項７】
前記活性層は、前記最終Ｖ／ＩＩＩ比に達する前記ｎ型層の中の前記位置に対して１０００オングストローム以内にある、請求項６に記載のＧａＮベースの半導体ＬＥＤ。
【請求項８】
前記Ｖ／ＩＩＩ比低減プロセスは、前記ｎ型層エピタキシャル成長が始まった後すぐに始まる、請求項１に記載のＧａＮベースの半導体ＬＥＤ。
【請求項９】
前記Ｖ／ＩＩＩ比低減プロセスは、実質的に一定の低減率を有して実質的に線形である、請求項１に記載のＧａＮベースの半導体ＬＥＤ。
【請求項１０】
前記初期Ｖ／ＩＩＩ比から前記最終Ｖ／ＩＩＩ比への前記Ｖ／ＩＩＩ比の前記低減の持続時間は、十分に長い、請求項１に記載のＧａＮベースの半導体ＬＥＤ。
【請求項１１】
前記ＧａＮベースのＬＥＤの逆ブレークダウン電圧は、１１０ボルト以上である、請求項１に記載のＧａＮベースの半導体ＬＥＤ。
【請求項１２】
前記ＧａＮベースのＬＥＤのターンオン電圧は、３ボルト以下である、請求項１に記載のＧａＮベースの半導体ＬＥＤ。
【請求項１３】
前記活性層は、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸（ＭＱＷ）層である、請求項１に記載のＧａＮベースの半導体ＬＥＤ。
【請求項１４】
窒化ガリウム（ＧａＮ）ベースの半導体発光デバイス（ＬＥＤ）を製作する方法であって、該方法は、
窒素供給源としてアンモニアガス（ＮＨ３）を用いながら、成長基板上にｎ型ＧａＮベースの半導体層（ｎ型層）をエピタキシャル成長させることであって、該Ｎ型層を成長させながら、Ｖ族元素とＩＩＩ族元素との流量比、またはＶ／ＩＩＩ比を、初期値から最終値まで徐々に低減する、ことと、
該ｎ型層上に活性層とｐ型ＧａＮベースの半導体層（ｐ型層）とをエピタキシャル成長させることと
を包含し、
該ｎ型層と該活性層と該ｐ型層とは、該ＧａＮベースのＬＥＤの構造物を形成する、方法。
【請求項１５】
前記ＧａＮベースのＬＥＤは、６０ボルト以上の逆ブレークダウン電圧を示す、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記初期Ｖ／ＩＩＩ比は、ほぼ１０００とほぼ１００００との間にあり、
前記最終Ｖ／ＩＩＩ比は、ほぼ１５０とほぼ５００との間にある、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記初期Ｖ／ＩＩＩ比は、ほぼ２０００とほぼ５０００との間にある、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記最終Ｖ／ＩＩＩ比は、ほぼ２００とほぼ３００との間にある、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記活性層は、前記最終Ｖ／ＩＩＩ比に達する前記ｎ型層の中の位置に十分に近い、請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
前記活性層は、前記最終Ｖ／ＩＩＩ比に達する前記ｎ型層の中の前記位置に対して１０００オングストローム以内にある、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記方法は、前記ｎ型層エピタキシャル成長が始まった後すぐに、前記Ｖ／ＩＩＩ比低減プロセスを始めることをさらに包含する、請求項１４に記載の方法。
【請求項２２】
前記Ｖ／ＩＩＩ比を徐々に低減することは、前記初期Ｖ／ＩＩＩ比から前記最終Ｖ／ＩＩＩ比まで、該Ｖ／ＩＩＩ比を実質的に線形に低減することを包含する、請求項１４に記載の方法。
【請求項２３】
前記初期Ｖ／ＩＩＩ比から前記最終Ｖ／ＩＩＩ比まで、前記Ｖ／ＩＩＩ比を徐々に低減する持続時間は、十分に長い、請求項１４に記載の方法。
【請求項２４】
前記ＧａＮベースのＬＥＤの逆ブレークダウン電圧は、１１０ボルト以上である、請求項１４に記載の方法。
【請求項２５】
前記ＧａＮベースのＬＥＤのターンオン電圧は、３ボルト以下である、請求項１４に記載の方法。
【請求項２６】
前記活性層は、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸（ＭＱＷ）層である、請求項１４に記載の方法。
【請求項２７】
窒化ガリウム（ＧａＮ）ベースの半導体発光デバイス（ＬＥＤ）を製作するシステムであって、該システムは、
窒素供給源としてアンモニアガス（ＮＨ３）を用いながら、成長基板上にｎ型ＧａＮベースの半導体層（ｎ型層）をエピタキシャル成長させるように構成されている堆積機構を備え、
該堆積機構は、Ｖ族元素とＩＩＩ族元素との流量比、またはＶ／ＩＩＩ比を、初期値から最終値まで徐々に低減するように構成され、
該堆積機構は、該ｎ型層上に活性層とｐ型ＧａＮベースの半導体層（ｐ型層）とをエピタキシャル成長させるように構成され、
該ｎ型層と該活性層と該ｐ型層とは、該ＧａＮベースのＬＥＤの構造物を形成し、
該ＧａＮベースのＬＥＤは、６０ボルト以上の逆ブレークダウン電圧を示す、システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（発明の分野）
本発明は、窒化ガリウム（ＧａＮ）半導体発光デバイスの設計および製作に関する。より具体的には、本発明は、超高逆ブレークダウン電圧を有するＧａＮベースの半導体発光デバイスを製作する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
（関連技術）
窒化ガリウムベースの発光デバイス（ＬＥＤ）およびレーザーの開発における最近の成功は、発光スペクトルを緑、青および紫外領域に拡張するだけでなく、高い発光効率を達成し得る。このことは、ＧａＮ材料が、これらのスペクトルにおいて光子放出を可能にする大きな直接禁制帯幅（ｄｉｒｅｃｔ−ｂａｎｄ−ｇａｐ）を有することに起因する。それらの高エネルギー効率、高輝度および長寿命に起因して、ＧａＮベースの半導体ＬＥＤは、フルカラー大型スクリーンディスプレイ、交通信号灯、バックライト源および固相発光を含む用途において、広く用いられている。
【０００３】
ＧａＮベースのＬＥＤは、典型的にはｐ−ｎ接合構造物を含む。ＧａＮ−ＬＥＤはまた、ＧａＮベースのｎ型半導体層、多重量子井戸（ＭＱＷ）活性領域およびＧａＮベースのｐ型半導体層を含み得る。発光の間に、ｐ−ｎ接合またはＭＱＷ領域は、電流がｐ型層から活性層を通ってｎ型層に流れることをもたらす電圧において順方向バイアスを掛けられる。しかしながら、ＬＥＤは、時として、多くの理由（例えば、静電破壊（ＥＳＤ）を受けること、または偶然に逆電圧源に接続されること）に起因して、逆方向バイアスを掛けられ得る。さらに、ＬＥＤは、交流電圧が用いられてＬＥＤを駆動するとき、逆方向バイアスを掛けられる。
【０００４】
ＬＥＤが逆方向バイアスを掛けられるとき、逆電圧がＧａＮベースのＬＥＤの逆ブレークダウン電圧のレベルに達するまで、わずかな電流（「逆電流」と呼ばれる）が、ｐ−ｎ接合を通って流れる。バイアス電圧がブレークダウン電圧を、瞬間的にでも超えるとき、逆電流が有意に増加し、このことがＬＥＤへの永続的な損傷につながり得る。ＥＳＤに起因する逆方向バイアスは、ＥＳＤ電圧がＬＥＤの典型的な逆ブレークダウン電圧よりもはるかに高くなり得るので、特に有害であり得、ＥＳＤの発生は、しばしば予測不可能であることに留意されたい。従来のＧａＮベースのＬＥＤは、典型的には低逆ブレークダウン電圧を示し、結果として、これらの逆ブレークダウンのリスクにさらされやすい。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＬＥＤの信頼性を高めるために、高逆ブレークダウン電圧を有するＧａＮベースのＬＥＤを製作することが、一般的に望ましい。しかしながら、実際には、高逆ブレークダウン電圧を達成することは困難である。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態は、窒化ガリウム（ＧａＮ）ベースの半導体発光デバイス（ＬＥＤ）を提供し、このＬＥＤは、ｎ型ＧａＮベースの半導体層（ｎ型層）と、活性層と、ｐ型ＧａＮベースの半導体層（ｐ型層）とを含む。ｎ型層は、活性層とｐ型層とを成長させるより前に、窒素供給源としてアンモニアガス（ＮＨ３）を用いることによってエピタキシャル成長する。ｎ型層のエピタキシャル成長の間のＶ族元素とＩＩＩ族元素との流量比、またはＶ／ＩＩＩ比は、初期値から最終値まで徐々に低減される。
【０００７】
この実施形態の一変化形において、ＧａＮベースのＬＥＤは、６０ボルト以上の逆ブレークダウン電圧を示す。
【０００８】
この実施形態の一変化形において、初期Ｖ／ＩＩＩ比は、ほぼ１０００とほぼ１００００との間にあり、最終Ｖ／ＩＩＩ比は、ほぼ１５０とほぼ５００との間にある。
【０００９】
さらなる変化形において、初期Ｖ／ＩＩＩ比は、ほぼ２０００とほぼ５０００との間にある。
【００１０】
さらなる変化形において、最終Ｖ／ＩＩＩ比は、ほぼ２００とほぼ３００との間にある。
【００１１】
この実施形態の一変化形において、活性層は、最終Ｖ／ＩＩＩ比に達するｎ型層の中の位置に対して十分に近い。
【００１２】
この実施形態のさらなる変化形において、活性層は、最終Ｖ／ＩＩＩ比に達するｎ型層の中の位置に対して１０００オングストローム以内にある。
【００１３】
この実施形態の一変化形において、Ｖ／ＩＩＩ比低減プロセスは、ｎ型層エピタキシャル成長が始まった後すぐに始まる。
【００１４】
この実施形態の一変化形において、Ｖ／ＩＩＩ比低減プロセスは、実質的に一定の低減率を有し、実質的に線形である。
【００１５】
この実施形態の一変化形において、初期Ｖ／ＩＩＩ比から最終Ｖ／ＩＩＩ比までのＶ／ＩＩＩ比の低減の持続時間は、十分に長い。
【００１６】
この実施形態の一変化形において、ＧａＮベースのＬＥＤの逆ブレークダウン電圧は、１１０ボルト以上である。
【００１７】
この実施形態の一変化形において、ＧａＮベースのＬＥＤのターンオン（ｔｕｒｎ−ｏｎ）電圧は、３ボルト以下である。
【００１８】
この実施形態の一変化形において、活性層は、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸（ＭＱＷ）層である。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、ＧａＮベースのＬＥＤ構造物の断面図を図示する。
【図２】図２は、本発明の一実施形態に従って、ＮＨ３流量を変えながらｎ型ＧａＮ層を成長させるプロセスを図示するフローチャートを提示する。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
（詳細な説明）
以下の説明は、任意の当業者が本発明を構成し、用いることを可能にするように提示され、特定の用途およびその要件との関連で提供される。開示される実施形態へのさまざまな修正は、当業者に容易に明白になり、本明細書で規定される一般的な原則は、本発明の範囲から逸脱することなしに、他の実施形態および用途に適用され得る。結果として、本発明は、示される実施形態に制限されないが、特許請求の範囲と矛盾しない最も広い範囲を与えられるべきである。
【００２１】
（概観）
本発明の実施形態は、超高逆ブレークダウン電圧を有するＧａＮベースのＬＥＤを製作することを促進する。特に、そのようなＧａＮベースのＬＥＤの構造物は、ｎ型層を成長させることによって製作され、このことの後に活性層およびｐ型層をエピタキシャル成長させることが続く。ｎ型層を堆積させている間、アンモニアガス（ＮＨ３）が窒素供給源として用いられる。一定のＮＨ３流量を用いる代わりに、Ｖ族元素とＩＩＩ族元素とのＮＨ３流量比（Ｖ／ＩＩＩ比と呼ばれる）が、初期値から、初期値よりもかなり低い最終値に徐々に低減されるように調整される。Ｖ／ＩＩＩ比低減のプロセスは、変化率が漸減し、低減プロセスの持続時間が十分に長くなるように制御される。ＧａＮベースのＬＥＤの最終構造物において、活性層は、最終のＶ／ＩＩＩ比が到達されるｎ型層における位置に十分に近い。
（ＧａＮベースのＬＥＤ構造物）
図１は、本発明の一実施形態に従ったＧａＮベースのＬＥＤ構造物１００の断面図を図示する。図１に示されるように、ＧａＮベースのＬＥＤ構造物１００は、基板１０２上に製作される。基板１０２は、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）基板、炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）基板および／またはケイ素（Ｓｉ）基板を含み得るが、これらに制限されない。
【００２２】
ＧａＮベースのＬＥＤ構造物１００は、ｎ型層１０６、活性層１０８およびｐ型層１１０を備えていることに留意されたい。これらの三層は、ＬＥＤデバイスの基礎的構造物を形成する。より具体的には、一実施形態において、ｎ型層１０６は、最初に基板１０２上でエピタキシャル成長し、その後に活性層１０８とｐ型層１１０との成長が続く。本発明の一実施形態において、活性層１０８は、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ  ＭＱＷ構造物を備えている。ＭＱＷ構造物は、より高い担体密度を促進し、その結果として担体の再結合率の増加を促進し、このことは、発光効率を向上させ得る。
【００２３】
オプションで、緩衝層１０４が、ｎ型層１０２を成長させるより前に、基板１０２上に形成され得る。このことは、格子定数および／または熱膨張係数を適合させる目的に対して有益である。図１に示されていないが、ＧａＮベースのＬＥＤ構造物１００はまた、ｎ型電極とｐ型電極とを含み得、ｎ型電極とｐ型電極とは、ｎ型層１０６とｐ型層１１０とにそれぞれ電気的に結合される。これらの電極は、任意の電極製作技術を用いることによって任意の構成で製作され得ることに留意されたい。そのような技術は、物理蒸着法および／または化学蒸着法を含む。
【００２４】
ＧａＮベースのＬＥＤ構造物１００をエピタキシャル成長させる技術は、有機金属化学気相蒸着法（ＭＯＣＶＤ）、分子線エピタキシー（ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  ｂｅａｍ  ｅｐｉｔａｘｉａｌ：ＭＢＥ）、ハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ）および／または有機金属気相エピタキシー（ＭＯＶＰＥ）を含み得るが、これらに制限されない。
【００２５】
基板１０２上のｎ型ＧａＮ層１０６のエピタキシャル成長は、Ｇａ供給源とＮ供給源との両方を必要とすることに留意されたい。特に、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）とアンモニア（ＮＨ３）とは、Ｇａ（ＩＩＩ族）供給源およびＮ（Ｖ族）供給源としてそれぞれ用いられ得る。ｎ型層の製作中に、ＴＭＧａとＮＨ３との両方は気相にあり、これらの気体は、所定の流量で堆積チャンバーの中に導入される。
【００２６】
典型的には、特定のＶ／ＩＩＩ比が、ｎ型層の製作プロセス中に維持される。典型的なｎ型層製作プロセスにおいて、Ｖ／ＩＩＩ比は、ほぼ１０００とほぼ１００００との間に保たれ、好適には２０００と５０００との間に保たれる。
【００２７】
（ＮＨ３流量を変えることによって超高逆ブレークダウン電圧を達成すること）
本発明の実施形態は、ｎ型層の間に堆積中にＮＨ３流量を変えることによってＧａＮ  ＬＥＤの超高逆ブレークダウン電圧を達成する方法を提供し、その結果、Ｖ／ＩＩＩ比は、従来値から、従来値よりも小さい最終値まで低減される。図２は、本発明の一実施形態に従って、ＮＨ３流量を変えている間にｎ型層を成長させるプロセスを図示するフローチャートを提示する。
【００２８】
上記プロセスは、初期Ｖ／ＩＩＩ比に対応する初期ＮＨ３流量を用いた、ｎ型層の堆積から始まる（動作２０２）。本発明の一実施形態において、初期流量は、典型的にはｎ型層のエピタキシャル成長に用いられる一定の流量であり得、初期Ｖ／ＩＩＩ比は、１０００と１００００との間であり得る。ＴＭＧａの流量もまた、通常値に設定され得、通常値は、典型的にはμｍｏｌ／分として表現されることに留意されたい。実際には、ＴＭＧａ流量に対するＮＨ３流量の比は、ほぼ２０００〜５０００であり得る。
【００２９】
ｎ型ＧａＮ堆積が始まった後に、上記プロセスは、ＮＨ３流量を初期流量から最終流量まで低減し、その結果として最終Ｖ／ＩＩＩ比がもたらされる（動作２０４）。一実施形態において、ＮＨ３流量の低減は、エピタキシャル成長が始まった後すぐに始まり得る。さらなる実施形態において、ＮＨ３流量は、初期流量におけるエピタキシャル成長が所定の期間にわたって進められた後で、減少し始め得る。最終流量は初期流量よりもかなり小さいことに留意されたい。本発明の一実施形態において、最終Ｖ／ＩＩＩ比は、初期Ｖ／ＩＩＩ比のほぼ１０％とほぼ３０％との間にある。例えば、初期Ｖ／ＩＩＩ比が２２００である場合には、最終Ｖ／ＩＩＩ比は、ほぼ２５０であり得る。供給源の気体の実際の流れがさまざまな堆積の条件（例えば、堆積チャンバーの大きさおよび成長効率）に依存しているので、実際の流量は変わり得る。
【００３０】
Ｖ／ＩＩＩ比の初期値から最終値までの低減（このことは、一実施形態においてＮＨ３流量を低減することによって達成される）は、さまざまな式に従い得、さまざまな式は、さまざまな関数によって近似され得ることに留意されたい。これらの関数は、一定の低減率を有する線形低減、または可変の低減率を有する曲線に基づく非線形低減を含み得るが、これらに制限されない。さらに、流量低減プロセスは、平滑で連続的な変化の代わりに、一連の不連続な小さなステップに基づき得る。さらなる実施形態において、動作２０４は、上記の低減技術の組み合わせを含み得る。例えば、流量低減プロセスは、中間流量が到達されるまで線形低減から始まり得、最終流量に向かって非線形低減に従い続け得る。
【００３１】
ＮＨ３流量変化が漸進的であり、全体の流量変化が有意であるので、初期流量から最終流量まで流量低減の持続時間は、理想的には十分に長い。本発明の一実施形態において、このプロセスの持続時間は、ｎ型層のエピタキシャル成長時間全体の５０％以上である。
【００３２】
次に、最終流量Ｖ／ＩＩＩ比に達した場合には、上記プロセスは、ＮＨ３流量の漸進的な低減を中断する（２０６）。最終流量に達するｎ型層内の位置は、理想的には、ｎ型層と活性層との間の界面に十分に近いことに留意されたい。本発明の一実施形態において、活性層は、最終流量に達するｎ型層内の位置からほぼ１０００オングストローム以内にある。さらなる実施形態において、活性層とｎ型層との間の界面は、最終流量に達するところである。ｎ型層のエピタキシャル成長の完了前に、最終流量に達し得ることに留意されたい。この場合、システムは、ｎ型層堆積プロセスの最後まで最終流量でＮＨ３を提供し続け得る。
【００３３】
本発明の一実施形態において、ＴＭＧａ流量は、ｎ型層堆積のプロセスにわたって定数として保たれ得る。さらなる実施形態において、ＴＭＧａの流れは、Ｖ／ＩＩＩ比の低減を補助するように変えられ得る。例えば、ＴＭＧａの流れは、ＮＨ３の流れが低減される間に増加され得る。
【００３４】
ｎ型層堆積を完了させたとき、活性層堆積とｐ型層堆積とは、通常のエピタキシャル成長条件の下で実行される。
【００３５】
（製作された場合のＧａＮベースのＬＥＤデバイスの特性）
本明細書で教示されたプロセスを用いて製作されたＧａＮベースのＬＥＤは、超高逆ブレークダウン電圧を示すことが観察される。この技術を用いて得られた典型的な逆ブレークダウン電圧は、６０ボルト以上であり得る。１１０ボルト以上の逆ブレークダウン電圧もまた、得られている。典型的にはほぼ２０ボルトの逆ブレークダウン電圧を有する従来のＬＥＤに比べて、提供される技術を用いて製作されたＧａＮ  ＬＥＤは、有意に改善された信頼性を示す。
【００３６】
さらに、本発明の技術を用いて製作されたＧａＮベースのＬＥＤのターンオン電圧は、３ボルト以下であり得ることが観察され、このことは、従来のプロセスを用いて製作されたＧａＮ  ＬＥＤのターンオン電圧と実質的に同じである。
【００３７】
本発明はＧａＮ  ＬＥＤに関連して説明されているが、提案されている技術はまた、高逆ブレークダウン電圧を達成するＧａＮベースの半導体レーザーを製作することにも適用可能である。
【００３８】
本発明の実施形態の上記の説明は、例示および説明のためにのみ提示されている。それらは、網羅的であったり、または本発明を開示された形式に制限したりするようには意図されていない。したがって、多くの修正および変化形が当業者に明白である。加えて、上記の開示は、本発明を制限するようには意図されていない。本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲によって規定される。
【図１】
2010537435.tif 000003
【図２】
2010537435.tif 000004
【国際調査報告】
2010537435.tif 000005
2010537435.tif 000006
2010537435.tif 000007
2010537435.tif 000008