(57)【要約】  本発明は、複数の相互に平行なメサ形状半導体領域（１）を含み、メサ形状半導体領域は、半導体本体（１１）の表面の上に形成され、第一端部で第一導電性接続領域（２）に接続され、第二端部で第二導電性接続領域（３）に接続され、感知されるべき物質を含む気体又は液体が、メサ形状半導体領域（１）の間を流れることができ、感知されるべき流体は、複数のメサ形状半導体領域（１）の電気特性に影響を及ぼすことができ、半導体本体（１１）の表面で、第一接続領域が形成され且つそこに接続され、第一端部を用いて、複数のメサ形状半導体領域が形成され、次に、第二接続領域が形成され、それらの第二端部で、複数のメサ形状半導体領域に接続される、物質を感知するための半導体センサ装置を製造する方法に関する。本発明によれば、複数のメサ形状半導体領域（１）の形成後、これらの領域（１）の間の自由空間が、充填材料（４）で充填され、充填材料は複数のメサ形状半導体領域（１）の材料及び半導体センサ装置（１０）の他の境界部分に対して選択的に取り除かれることができ、引き続き、伝導層（３０）が、結果として得られる構造を覆って蒸着され、構造から第二接続領域（３）が形成され、然る後、充填材料（４）は選択的方法で取り除かれ、それによって、複数のメサ形状半導体領域（１）の間の空間が再び自由にされる。このようにして、センサ装置（１０）は、工業規模に容易に適用される方法で製造され、高い歩留まりをもたらす。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の相互に平行なメサ形状半導体領域を含み、該メサ形状半導体領域は、半導体本体の表面の上に形成され、第一端部で第一導電性接続領域に接続され、第二端部で第二導電性接続領域に接続され、感知されるべき物質を含む流体が、前記メサ形状半導体領域の間を流れることができ、感知されるべき流体は、前記複数のメサ形状半導体領域の電気特性に影響を及ぼすことができ、前記半導体本体の前記表面で、前記第一接続領域が形成され且つそこに接続され、前記第一端部を用いて、前記複数のメサ形状半導体領域が形成され、次に、第二接続領域が形成され、それらの第二端部で、前記複数のメサ形状半導体領域に接続される、物質を感知するための半導体センサ装置を製造する方法であって、
前記複数のメサ形状半導体領域の形成後、これらの領域の間の自由空間が、充填材料で充填され、該充填材料は、前記複数のメサ形状半導体領域の材料及び前記半導体センサ装置の他の境界部分に対して選択的に取り除かれることができ、引き続き、伝導層が、結果として得られる構造を覆って蒸着され、該構造から、前記第二接続領域が形成され、然る後、前記充填材料は、選択的方法で取り除かれ、それによって、前記複数のメサ形状半導体領域の間の前記空間が再び自由にされることを特徴とする、
方法。
【請求項２】
前記伝導層が蒸着される前に、前記充填材料の上方部分が、選択的エッチングによって取り除かれ、それによって、前記複数のメサ形状半導体領域の上方部分が自由にされることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記充填材料は、殆ど完全に取り除かれ、前記複数のメサ形状半導体領域の間の前記空間は、前記充填材料と異なるさらなる充填材料で充填されることを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記伝導層が蒸着される前に、前記さらなる充填材料がエッチングによって取り除かれ、それによって、前記複数のメサ形状半導体領域の上方部分が自由にされることを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記充填材料又は前記さらなる充填材料の前記材料のために、絶縁材料が選択されることを特徴とする、請求項１乃至４のうちのいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記充填材料又は前記さらなる充填材料の前記材料のために、スピンコーティングによって蒸着されるポリマが使用されることを特徴とする、請求項１乃至５のうちのいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記充填材料又は前記さらなる充填材料の前記材料は、湿式エッチングによって選択的にエッチング加工されることを特徴とする、請求項１乃至６のうちのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記充填材料又は前記さらなる充填材料のエッチングの後に、後続の乾燥ステップにおける前記複数のメサ形状半導体領域の間の前記空間内の毛管力が減少されることを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
乾燥中の前記毛管力は、前記エッチングステップと前記乾燥ステップとの間に、低表面張力を備える液体を使用する洗浄ステップを導入することによって減少されることを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
乾燥中の前記毛管力は、超臨界二酸化炭素乾燥を使用することによって減少されることを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記充填材料又は前記さらなる充填材料の前記材料のために、酸素又は他の反応性成分を使用する乾式エッチングによって選択的に取り除かれる有機物質が使用されることを特徴とする、請求項１乃至６のうちのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記充填材料又は前記さらなる充填材料の前記材料のために、有機物質が使用され、前記（さらなる）充填材料は、熱処理によって選択的な方法で取り除かれることを特徴とする、請求項１乃至６のうちのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記複数のメサ形状半導体領域の形成後に、これらの領域の間の前記自由空間は、前記領域を充填材料の層で完全に埋設することを用いて、前記充填材料で充填され、次に、化学機械研磨によって、前記領域の前記上方部分が自由にされることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記複数のメサ形状半導体領域のために、ナノワイヤが選択されることを特徴とする、請求項１乃至１３のうちのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記複数のメサ形状半導体領域のために、ナノワイヤが選択されることを特徴とする、請求項１乃至１４のうちのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
前記メサ形状半導体領域は、通常オフ素子として或いは通常オフ型のトランジスタのような活性素子の一部として形成されることを特徴とする、請求項１乃至１５のうちのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
複数の相互に平行なメサ形状半導体領域を含み、該メサ形状半導体領域は、半導体本体の表面の上に形成され、第一端部で第一導電性接続領域に接続され、第二端部で第二導電性接続領域に接続され、感知されるべき物質を含む流体が、前記メサ形状半導体領域の間を流れることができ、感知されるべき流体は、前記複数のメサ形状半導体領域の電気特性に影響を及ぼすことができ、前記半導体本体の前記表面で、前記第一接続領域が形成され且つそこに接続され、前記第一端部を用いて、前記複数のメサ形状半導体領域が形成され、次に、第二接続領域が形成され、それらの第二端部で前記複数のメサ形状半導体領域に並びに前記複数のメサ形状半導体領域の側壁の一部に接続される、物質を感知するための半導体センサ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の相互に平行なメサ形状半導体領域を含む、物質を感知するための半導体センサ装置を製造する方法に関し、メサ形状半導体領域は、半導体本体の表面上に形成され、第一端部で、第一導電性接続領域に接続され、第二端部で、第二導電性接続領域に接続され、感知されるべき物質を含む流体（液体又は気体）が、メサ形状半導体領域の間を流れることができ、感知されるべき流体は、複数のメサ形状半導体領域の電気特性に影響を及ぼすことができ、半導体本体の表面で、第一接続領域が形成され且つそこに接続され、第一端部を用いて、複数のメサ形状半導体領域が形成され、次に、第二接続領域が形成され、それらの第二端部で、複数のメサ形状半導体領域に接続される。本発明は、半導体センサ装置にも関する。
【背景技術】
【０００２】
そのような方法は、化学物質及び／又は生化学物質を検出するためのセンサ装置を作成するのに極めて適している。後者の場合には、それは、例えば、高感度及び再現性で、抗原結合／抗体結合、生体分子、及び、その他を検出するために使用されることができ、よって、それは遺伝子分析、病気診断等において有利に使用されることができる。その上、例えば、物質によってナノワイヤ内への電荷の導入によって、揮発性又は液体中に溶解される化学物質のような、より単純な分子の検出も可能であり、このようにして、ナノワイヤの伝導性は荷電される。ここでは、ナノワイヤを用いて、１〜１００ｎｍの間の、より具体的には、１０〜５０ｎｍの間の少なくとも１つの横方向寸法を有する本体が意図される。好ましくは、ナノワイヤは、前記範囲内にある２つの横方向寸法を有する。メサ形状半導体領域のための複数のナノワイヤの使用は、極めて高い感度を備えるセンサの製造を可能にする。ここでは、半導体内で極めて小さい寸法に接触することは、半導体処理において挑戦的な技法であることがさらに付記される。しかしながら、メサ形状半導体領域は具体的にはナノワイヤを含むことが意図されるが、本発明は他の寸法を有する他のメサ形状半導体領域にも適用可能である。領域のメサ形状は、領域が半導体本体の表面上に突起を形成することを意味する。
【０００３】
冒頭段落中で述べられたような方法は、２００４年１２月１６日にＷＯ２００４／１０９８１５号の番号の下で公開されたＰＣＴ（特許協力条約）特許出願から既知である。この文献では、センサ装置を得るために、単結晶ナノワイヤを含む多数のメサ形状半導体領域が基板上に設けられている。酸化亜鉛、酸化チタン、シリコン、ＩＩＩ−Ｖ半導体材料のような様々な材料が、ナノワイヤが作成される材料として述べられている。ナノワイヤ成長の後、金のような金属が、ナノワイヤの上部表面上に選択的に蒸着される。このようにして、ショットキー接触又はオーム接触がナノワイヤの頂部表面で行われる。引き続き、ナノワイヤの金属化された上部表面は、例えば、多数の伝導性小板を含む織物で覆われる。化学センサ又は生化学センサのようなセンサ装置の構造及び用途に関するさらなる詳細については、２００５年６月１５日にＷＯ２００５／０５４８６９号の番号の下で公開されたＰＣＴ（特許協力条約）特許出願も参照されたし。図２ａでは、Ａｕ／Ｔｉオーム電極が蒸発技法によってＺｎＯナノロッドの先端部分の上に水平板を形成するよう、Ａｕ／Ｔｉオーム電極が形成され、基板上に垂直に蒸着されるＺｎＯナノロッドを含むバイオセンサを得るために、１分間約３００℃に加熱される。
【０００４】
そのような方法の欠点は、センサを含む半導体装置の大量生産に余り適していないことである。加えて、ナノワイヤは、ナノワイヤの頂部の上に伝導性小板を取り付けるときに容易に損傷される。これは歩留まりを減少する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従って、本発明の目的は、上記の欠点を回避し、且つ、複数のメサ形状半導体領域、具体的には、ナノワイヤを備えるセンサを含む半導体装置の大量生産に適し、その結果として、高い歩留まりをもたらす方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
これを達成するために、冒頭段落に記載された種類の方法は、複数のメサ形状半導体領域の形成後、これらの領域の間の自由空間が、充填材料で充填され、充填材料は複数のメサ形状半導体領域の材料及び半導体センサ装置の他の境界部分に対して選択的に取り除かれることができ、引き続き、伝導層が、結果として得られる構造を覆って蒸着され、構造から第二接続領域が形成され、然る後、充填材料は選択的方法で取り除かれ、それによって、複数のメサ形状半導体領域の間の空間が再び自由にされる。メサ形状半導体領域は充填材料内に埋設されるので、それらは領域への接触の後続の形成の間、損傷に対して保護される。その上、接触は実質的に平坦な表面上に形成され得るので、伝導層の堆積によって接触を形成するために、例えば、蒸着、スパッタリング等によるように、多くの工業技法が使用され得る。堆積（蒸着）の開始時に、充填材料の存在のお陰で、接触材料がメサ領域の間に入る危険性はない。後の段階で、これは蒸着される伝導層の厚さ及び剛性によって防止される。よって、接触形成において小板を使用する必要はなく、如何なる金属の選択的な蒸着もない。それにも拘わらず、選択的な蒸着が望ましいならば、材料及び／又はプロセスの選択はより大きいように思われる。何故ならば、充填材料の特性は、この点においてある程度の自由をもたらすからである。最後に、充填材料は、単純な方法で、例えば、選択的なエッチングプロセスによって完全に取り除かれ得る。よって、本発明に従ったプロセスは、大規模工業生産プロセスに極めて適しており、結果としてのセンサ装置は、高い歩留まりで得られる。
【０００７】
好適実施態様は、伝導層が蒸着される前に、充填材料の上方部分が、選択的エッチングによって取り除かれ、それによって、複数のメサ形状半導体領域の上方部分が自由にされることによって特徴付けられる。このようにして、上方接触金属化が、メサ領域又はナノワイヤと嵌合され得る。これは損傷力に対するワイヤの保護に寄与する。その上、メサの上方側の接触抵抗は減少され得る。
【０００８】
好適実施態様において、充填材料は、殆ど完全に取り除かれ、複数のメサ形状半導体領域の間の空間は、充填材料と異なるさらなる充填材料で充填される。このようにして、メサ及びナノワイヤの脚は、強化層内に埋設され得る。前記層は、伝導的又は絶縁的であり得る。もしメサ又はナノワイヤが（半）導体基板上に形成され、もし伝導性媒体がセンサ装置によって検出されるべき化合物又は物質を運ぶ流体のために使用可能であるならば、後者が好ましい。さらなる充填材料は、今や、前に議論された充填材料として機能する。よって、さらなる充填材料を選択的にエッチングすることが再び可能であり、これはそれが蒸着される充填材料に対しても同様である。再び、伝導層が蒸着される前に、さらなる充填材料の上方部分がエッチングによって取り除かれ、それによって、複数のメサ形状半導体領域の上方部分が自由にされる。これは再び上方接触の嵌合構造を可能にする。
【０００９】
好ましくは、充填材料又はさらなる充填材料の材料のために、絶縁材料が選択される。前に述べられた利点は別として、これらの材料は、容易に蒸着され且つエッチングされ得る。その上、もしそれらが完全に取り除かれないならば、それらは電流経路と干渉しない。適切な材料は、（使用の順序と無関係に）二酸化ケイ素及び窒化ケイ素であり、それらは、例えば、フッ化水素及び高温燐酸のバッファ溶液によって選択的にエッチングされ得る。
【００１０】
充填材料又はさらなる充填材料の好適実施態様において、スピンコーティングによって蒸着されるポリマが使用される。これは（さらなる）充填材料が安価で速い方法で蒸着されることを意味する。
【００１１】
他の変形において、ナノワイヤは、例えば、ＣＭＰ（化学機械研磨）ステップによって後続されるＣＶＤプロセスによって、充填材料の層で完全に埋設され、それによって、ナノワイヤの上方表面が自由にされる。
【００１２】
好ましくは、充填材料又はさらなる充填材料の材料は、湿式エッチングによって選択的にエッチングされる。乾式エッチングは実現可能であるが、湿式エッチングは、メサ又はナノワイヤの「木」(“wood”)の間のエッチングが単純で容易であるという利点をもたらす。何故ならば、そのようなエッチング液は、容易にアンダーエッチング(underetch)するからである。
【００１３】
充填材料の最終的な完全な除去のために、乾式エッチングは、酸素又は他の反応性成分を使用して、充填材料としての有機物質の場合に特に使用され得る。そのような場合には、例えば、ＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸メチル）のような材料が使用されるときには、充填材料の完全な除去のために熱処理も考慮され得る。これらの変形では、ナノワイヤを損傷し得る毛管力が回避される。
【００１４】
メサ又はナノワイヤの損傷の保護の観点から、本発明に従った方法は、好ましくは、充填材料又はさらなる充填材料の湿式エッチングの後に、後続の乾燥ステップにおいて複数のメサ形状半導体領域の間の空間内の毛管力が減少されるように遂行される。乾燥中の毛管力は、エッチングステップと乾燥ステップとの間に、低表面張力を備える液体を使用する洗浄ステップを導入することによって減少され得る。そのような液体は、例えば、アルコール基であり得る。他の魅力的な変形において、乾燥中の毛管力は、超臨界二酸化炭素乾燥を使用することによって減少される。
【００１５】
好ましくは、複数のメサ形状半導体領域のために、ナノワイヤが選択される。そのようなナノワイヤは、例えば、比較的小さい面積上に極めて多数を備えるＶＬＳ（蒸気液体固体）成長技法によって容易に形成され得る。隣接するナノワイヤの間の距離は、典型的には、０．１〜１０μｍの間から選択され、好ましくは、約１μｍであるのに対し、それらの長さは、例えば、１〜１０μｍの間である。このようにして、例えば、１ｍｍ×１ｍｍの正方形接触面積上に約１０６ナノワイヤを備えるセンサが得ることができ、１つの単一ナノワイヤを含むセンサに比べて、感度が同一の因数によって増大されることを暗示する。
【００１６】
ナノワイヤ、好ましくは、検出されるべき物質を運ぶ媒体がナノワイヤの木を通じて曲折しなければならないよう配置される。前記木の長さ方向は、幅よりも小さいよう選択され得る。このようにして、センサを通過する媒体は、より低い流動抵抗に面し得る。好ましくは、ナノワイヤは、通常オフ型であり、或いは、ＦＥＴ（電界効果トランジスタ）のような、そのような特性を備える装置の一部を形成する。検出されるべき基板は、例えば、それらがそれらの表面上に吸収された後のナノワイヤ内への電荷の導入によって、伝導性を荷電する。ナノワイヤの大きな表面積対体積比の故に、このようにして、極めて高い信号対雑音比を得ることができる。しかしながら、検出の他の方法も可能であり、例えば、検出されるべき基板は、（半）絶縁性、半導性、又は、伝導性層であるナノワイヤの表面上に形成し得る。
【００１７】
本発明は、本発明に従って得られる半導体センサ装置を含む。後者の装置は、（構造化された）さらなる基板上に形成され或いは取り付けられ得る。後者又は組み合わせ装置は、検出されるべき物質／化合物を備える媒体／流体を運ぶ管が、装置に容易に接続され得るような構造である。そのような構造の製造は、本発明に従った方法と比較的容易に統合され得る。
【００１８】
最後に、本発明は、複数の相互に平行なメサ形状半導体領域を含み、メサ形状半導体領域は、半導体本体の表面の上に形成され、第一端部で第一導電性接続領域に接続され、第二端部で第二導電性接続領域に接続され、感知されるべき物質を含む流体が、メサ形状半導体領域の間を流れることができ、感知されるべき流体は、複数のメサ形状半導体領域の電気特性に影響を及ぼすことができ、半導体本体の前記表面で、第一接続領域が形成され且つそこに接続され、第一端部を用いて、複数のメサ形状半導体領域が形成され、次に、第二接続領域が形成され、それらの第二端部で複数のメサ形状半導体領域に並びに複数のメサ形状半導体領域の側壁の一部に接続される、物質を感知するための半導体センサ装置を含む。第二接続領域が、複数のメサ形状半導体領域の側壁の一部と電気接触すると、接触面積は、第二頂端部のみが接触されるときよりもずっと大きい。より大きな接触面積は、（接触面積に反比例する）接触抵抗をより低くするのに有益であり、接触抵抗の広がりを減少する。バイオセンサは極めて高感度でなければならないので、接触抵抗値の極めて小さい広がりを伴う接触の良好なオーム挙動を有することが極めて重要である。より大きな接触面積は、複数のメサ形状半導体領域の器械的安定性を向上する。
【００１９】
本発明のこれらの及び他の特徴は、図面と共に読まれるべき、以下に記載される実施態様を参照して、明瞭に解明されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明に従った方法を用いたその製造における様々な段階での半導体センサ装置を示す断面図である。
【図２】本発明に従った方法を用いたその製造における様々な段階での半導体センサ装置を示す断面図である。
【図３】本発明に従った方法を用いたその製造における様々な段階での半導体センサ装置を示す断面図である。
【図４】本発明に従った方法を用いたその製造における様々な段階での半導体センサ装置を示す断面図である。
【図５】本発明に従った多の方法を用いたその製造における関連段階での他の半導体センサ装置を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図面は概略的であり原寸通りではなく、より大きな明瞭性のために、厚さ方向の寸法は特に誇張されている。様々な図面において、対応する部分は、概ね同じ参照番号及び同じ断面線が付与されている。
【実施例１】
【００２２】
図１乃至４は、本発明に従った方法を用いたその方法における様々な段階での半導体センサ装置の断面図である。製造されるべき半導体センサ装置１０は、望ましい限りにおいて、図１に先行する段階で、様々な素子又は構成部品を既に含み得る。そのような素子又は構成部品は、図面中に示されていない。
【００２３】
装置１０の製造の第一関連ステップにおいて（図１を参照）、シリコン半導体本体１１を形成するシリコン基板２が、メサ形状半導体領域１、ここでは、シリコンを含むナノワイヤ１を備える。領域１は、弱くｐドープされるのに対し、上方部分及び下方部分はｎ型ドープされる。領域１の表面は、例えば、酸化物によって形成された、薄い酸化物層によって覆われ得る。このようにして、領域１は、通常オフ型ｎｐｎＦＥＴとして機能し得るのに対し、検出されるべき物質は、領域１の表面上に吸収された後に、伝導性ｎ型チャネルを領域１に導入し得る。ワイヤ１は、例えば、均一に蒸着された層のフォトリソグラフィ又はエッチングによって形成され得るが、Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，ｖｏｌ．４，ｎｏ．５，１  Ｍａｒｃｈ  １９６４、ｐｐ８９−９０において公表されたＲ．Ｓ．Ｗａｇｎｅｒ及びＷ．Ｃ．Ｅｌｌｉｓによる“Ｖａｐｏｒ−ｌｉｑｕｉｄ−ｓｏｌｉｄ  ｍｅｃｈａｎｉｓｍ  ｏｆ  ｓｉｎｇｌｅ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｇｒｏｕｔｈ”中に記載されるような選択的蒸着技法によっても形成され得る。この実施例において、柱１の高さは約５００ｎｍであり、その直径は約５０ｎｍである。
【００２４】
引き続き（図２を参照）、比較的厚い層４が、絶縁材料を含む。層４は、スピンコーティングによって蒸着されるポリマ（例えば、（フォト）レジスト）又はＣＶＤ（化学蒸着）及びＴＥＯＳ（テトラエチルオルソシリケート）を源材料として使用してコンフォーマル（絶縁保護）蒸着され得るシリコンのような材料を含み得る。また、ＨＤＰ（高密度プラズマ）蒸着プロセスを使用したシリコンダイオードの非コンフォーマル蒸着も可能である。この実施例では、スピンコーティングを使用してレジスト層４が蒸着されている。次に、前記層４の上方部分４Ａが、エッチング段階によって取り除かれる。変形において、ナノワイヤ１は、充填材料によって完全に埋設され得るし、充填材料の上方領域４Aが取り除かれ且つナノワイヤ１の上方部分が自由にされる、例えば、１０〜２０ｎｍの高さを備える自由部分を形成するエッチングステップの前に、ＣＭＰ（化学機械研磨）が使用される。エッチングは、既知のエッチング速度を使用して定時ベースに行われ得る。
【００２５】
引き続き（図３を参照）、金属のような伝導性材料の６０ｎｍの厚さの層３が、構造を覆って蒸着される。これは、例えば、蒸着技術として蒸着又はスパッタリングを使用して行われる。伝導層３は、このようにして、ナノワイヤ１の上方部分も取り囲み、よって、それらの取付け及び構造の剛性を向上する。蒸着は、２つの隣接するナノワイヤ１の間の全ての空洞が完全に取り除かれるように継続され得るが、後者は図面中に示されていない。金属３は、ナノワイヤの半導体材料への良好なオーム接触を形成するよう選択され得る。所望であれば或いは所要であれば、もし充填材料が熱安定的であればこの段階で、それでないのであれば後の段階で、接触を形成し或いは向上するために、加熱ステップが使用され得る。
【００２６】
次に（図４を参照）、充填材料の層４は、選択的エッチングを用いて取り除かれる。もし充填材料のためにレジストが使用されるならば、商業的に入手可能な剥離剤が使用され得る。無機充填材料のために湿式エッチングも使用され得る。引き続き、装置１０は、流体２０をセンサ装置内に導入するための手段を備え、流体２０は、センサ装置１０によって検出されるべき物質又は化合物を含む。しかしながら、そのような手段は図面中に示されていない。装置１０は、そのような手段を含む構造中にも組み込まれ得るし、或いは、その製造は装置１０の製造と一体化され得る。ナノワイヤ１と接触する２つの接触領域３，２は、電流測定装置に接続され得る接触ワイヤ３０又はこの機能を遂行する導体のパターンを備え得るが、後者は図面中に示されていない。好ましくは、そのような電流測定装置は、半導体技術を使用して半導体本体１１内に事前に形成され得る小さい回路である。
【００２７】
充填材料４のエッチングの後、アルコールのような低表面張力液体を使用して洗浄ステップが行われる。しかしながら、好ましくは、構造は超臨界ＣＯ２乾燥を使用して乾燥される。これは、例えば、Ｂａｌ−Ｔｅｃ  ＣＰＤ  Ｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｐｏｉｎｔ  Ｄｒｙｅｒのような装置によって行われ得る。
【実施例２】
【００２８】
図５は、本発明に従った多の方法を用いたその製造中の関連段階での他の半導体装置の断面図である。センサの構造及びその製造は、ここで参照される第一実施例において上述されたのと大部分は同じである。相違は、半導体基板２の上及び隣接するナノワイヤ１の脚の間の絶縁層１４の存在である。そのような層４は、二酸化ケイ素を含み得るし、そのような材料のために上記に示されたように蒸着され得る。その上には、例えば、レジストを含む（さらなる）充填材料が、前の実施例におけるようなスピンコーティングによって再び蒸着される。そのようなレジストは、絶縁層１４に対しても選択的に容易に取り除かれ得る。層１４は、基板２に対するナノワイヤ１のより堅固な取付けを形成するのみならず、導電性流体、特に、検出されるべき物質／化合物を運ぶ導電性液体２０の場合には、上方接点及び下方接点２，３の間の短絡も防止する。
【００２９】
本発明がここに記載された実施例に限定されないこと、並びに、本発明の範囲内で多くの変更及び修正が当業者に可能であることが明らかであろう。
【００３０】
例えば、本発明は、多数のナノワイヤを含むセンサの製造に適しているのみならず、少数のそのようなワイヤを含むセンサの製造に適しており、最大で１つの単一ナノワイヤまでさえも実現可能な選択肢である。各ナノワイヤ領域は単一の装置（の一部）の一部であり得るが、単一装置の一部又は装置の単一領域の一部を形成する複数のナノワイヤを使用することも可能である。よって、例えば、半導性ナノワイヤの形成の前及びその後に、（例えばｎ型の）伝導性半導体層が均一に形成され得る。このようにして、所望であれば、ナノワイヤの成長中のドーピングステップが回避され得る。
【００３１】
さらに、個々のステップに関して様々な修正が可能であることが付記される。例えば、実施例中に使用されるもの以外の他の蒸着技法が選択され得る。同じことが選択される材料にも当て嵌まる。よって、（さらなる）充填材料は、例えば、窒化ケイ素又は他の誘電体で作成され得る。
【図１】
2010501848.tif 000003
【図２】
2010501848.tif 000004
【図３】
2010501848.tif 000005
【図４】
2010501848.tif 000006
【図５】
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【国際調査報告】
2010501848.tif 000008
2010501848.tif 000009