(57)【要約】  Ｘ線を受け入れて方向付けをする回折性Ｘ線光学系を提供する。光学系は、類似のもしくは異なる材料組成ならびに類似のもしくは異なる結晶方位をもつ少なくとも２層を含む。各層は回折効果を示し、その集合効果は、受け取ったＸ線に回折効果を提供する。１つの実施形態では、前記層はシリコンであり、シリコン・オン・インシュレータ接合技術を用いて張り合わされる。他の実施形態では、接着剤接合技術を用いても良い。光学系は、湾曲した、単色化のための光学系であっても良い。
2010510494.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線を受け入れおよび方向付けをする回折性光学系において、
類似の材料組成および異なる結晶方位を有する少なくとも２つの結晶層
を備えたことを特徴とする回折性光学系。
【請求項２】
前記層は、絶縁物上に材料を接合する技術を用いて張り合わされることを特徴とする請求項１に記載の光学系。
【請求項３】
前記層はシリコンであり、シリコン・オン・インシュレータ接合技術を用いて張り合わされることを特徴とする請求項２に記載の光学系。
【請求項４】
前記層は、接着剤技術を用いて張り合わされることを特徴とする請求項１に記載の光学系。
【請求項５】
前記光学系は、湾曲した光学系であることを特徴とする請求項１に記載の光学系。
【請求項６】
前記光学系は、湾曲した、単色化光学系であることを特徴とする請求項５に記載の光学系。
【請求項７】
各層は、その結晶方位に従ってＸ線回折性を示すことを特徴とする請求項１に記載の光学系。
【請求項８】
Ｘ線を受け入れおよび方向付けをする回折性光学系において、
類似の材料組成および類似の結晶方位を有する少なくとも２つの結晶層
を備えたことを特徴とする回折性光学系。
【請求項９】
前記層は、絶縁物上に材料を接合する技術を用いて張り合わされることを特徴とする請求項８に記載の光学系。
【請求項１０】
前記層はシリコンであり、シリコン・オン・インシュレータ接合技術を用いて張り合わされることを特徴とする請求項９に記載の光学系。
【請求項１１】
前記層は、接着剤技術を用いて張り合わされることを特徴とする請求項８に記載の光学系。
【請求項１２】
前記光学系は、湾曲した、単色化光学系であることを特徴とする請求項８に記載の光学系。
【請求項１３】
各層は、その結晶方位に従ってＸ線回折性を示すことを特徴とする請求項８に記載の光学系。
【請求項１４】
Ｘ線を受け入れおよび方向付けをする回折性光学系において、
異なる材料組成を有しならびに類似もしくは異なる結晶方位を有する少なくとも２つの結晶層
を備えたことを特徴とする回折性光学系。
【請求項１５】
前記層は、絶縁物上に材料を接合する技術を用いて張り合わされることを特徴とする請求項１４に記載の光学系。
【請求項１６】
前記層は、接着剤技術を用いて張り合わされることを特徴とする請求項１４に記載の光学系。
【請求項１７】
前記光学系は、湾曲した、単色化光学系であることを特徴とする請求項１４に記載の光学系。
【請求項１８】
各層は、その結晶方位に従ってＸ線回折性を示すことを特徴とする請求項１４に記載の光学系。
【請求項１９】
Ｘ線を受け入れおよび方向付けをする回折性光学系を形成する方法において、
絶縁物上に材料を接合する技術を用いて、それぞれが所定の結晶方位ならびに類似もしく異なる材料組成を有する少なくとも２つの層を張り合わせるステップ
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２０】
前記少なくとも２つの層を湾曲した光学系に形成するステップをさらに備えることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記湾曲した光学系は、湾曲した、単色化光学系であることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
Ｘ線を受け入れおよび方向付けをする回折性光学系を形成する方法において、
接着剤接合技術を用いて、それぞれが所定の結晶方位ならびに類似のもしくは異なる材料組成を有する少なくとも２つの材料層を張り合わせるステップ
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２３】
前記少なくとも２つの層を湾曲した光学系に形成するステップをさらに備えることを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記湾曲した光学系は、湾曲した、単色化光学系であることを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的に、Ｘ線光学系に関する。具体的には、それぞれの層が所定の結晶方位を持つ多層を有するＸ線集束結晶光学系の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｘ線解析システムでは、高いＸ線ビーム強度および小さいビームのスポット・サイズが、試料の露光時間の短縮と空間分解能を向上させおよびその結果として信号対背景雑音比とＸ線解析測定の全体の品質の改善させるために、重要である。過去においては、回転陽極Ｘ線管またはシンクロトロンのような高価で強力なＸ線源だけが、高強度Ｘ線ビームを発生させるために利用可能な選択肢であった。最近のＸ線光学系装置の発展によって、Ｘ線源から発散するＸ線を集束させることによって集めることが可能になった。Ｘ線集束光学系と、小さな低パワーのＸ線源との組み合わせは、より高価な装置を用いて達成されるのと同等の強度を持つＸ線ビームを作り出すことができる。その結果、小さく廉価なＸ線源、励起光学系および集光系の組み合わせに基づくシステムは、例えば、小さな研究室または現場におけるＸ線解析装置の入手可能性と能力を大幅に拡大してきた。
【０００３】
励起および／または検出経路におけるＸ線ビームの単色化も、上述のように有用である。既存の１つのＸ線単色化技術は、例えば、ゲルマニウム（Ｇｅ）またはシリコン（Ｓｉ）結晶のような光学結晶上でのＸ線の回折に基づくものである。湾曲した結晶は、対象物へ到達するフォトンの単色化を実現すると同時に、Ｘ線源から発散する輻射を対象物上へ偏向させることができる。２つのよく用いられる型の湾曲した結晶は、一重に湾曲した結晶と二重に湾曲した結晶（ＤＣＣ）として知られている。この分野においてローランド円形配置として知られる配置を用いると、一重に湾曲した結晶は、二次元での集束を実現し、第３の面または直交する面内ではＸ線輻射は集束されないまま残る。二重に湾曲した結晶は、線源からのＸ線を全三次元の中の１点の対象物への集束を実現する。この三次元集束は、この分野では、「点対点（point-to-point）」集束と呼ばれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第６２８５５０６号明細書
【特許文献２】米国特許第７０３５３７４  Ｂ１号明細書
【特許文献３】米国特許第６２８５５０６  Ｂｌ号明細書
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】セラー（Ｃｅｌｌｅｒ）ら、「シリコン・オン・インシュレータ技術の最先端（Ｆｒｏｎｔｉｅｒ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎ−ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）」、ジャーナル・オブ・アップライド・フィジックス（Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ）、９３巻、９号、２００３年５月１日
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本明細書と共通の譲受人に譲渡された特許文献１および２は、Ｘ線の集束と単色化のための湾曲したＸ線光学系の様々な構成を開示している。一般には、これらの文献は、湾曲した光学系素子に形成した（例えば、Ｓｉのような）材料のフレキシブル層を開示している。光学系の単色化機能と伝達効率は、光学系の結晶構造によって決定される。本発明は、湾曲した結晶光学系の形成に関するある種の改良を提供し、動作特性上の重要な利点を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
従来技術の欠点を克服し、さらなる利点が提供される本発明は、１つの側面においては、Ｘ線を受け入れおよび方向付けする光学系であって、この光学系は、類似のまたは異なる材料組成と、類似のまたは異なる結晶方位とを有する少なくとも２つの層を備えたことを特徴とする。これらの層のそれぞれは、回折効果を示し、その集合としての効果は、受け取ったＸ線に回折効果を与える。１つの実施形態では、これらの層はシリコンであり、シリコン・オン・インシュレータ接合技術を用いて張り合わされる。他の実施形態では、接着剤接合技術を用いても良い。この光学系は、湾曲した、単色化光学系であっても良い。
【０００８】
本発明の他の側面においては、本発明は、少なくとも２つの層のそれぞれが、所定の結晶方位を持つ少なくとも２つの材料層を張り合わせるために、絶縁物上に材料を接合する技術を用いたＸ線光学系を形成する方法である。１つの実施形態では、これら２つの層は、湾曲した、単色化光学系に形成されても良い。
【０００９】
さらに別の特徴および利点は、本発明の技術を通して実現される。本発明の他の実施形態と側面も、ここに詳しく記述され請求項に記載された本発明の一部分であると考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１Ａ】本発明による処理ステップの積層光学系構造形成過程を描いた図である。
【図１Ｂ】本発明による処理ステップの積層光学系構造形成過程を描いた図である。
【図１Ｃ】本発明による処理ステップの積層光学系構造形成過程を描いた図である。
【図１Ｄ】本発明による処理ステップの積層光学系構造形成過程を描いた図である。
【図１Ｅ】本発明による処理ステップの積層光学系構造形成過程を描いた図である。
【図１Ｆ】本発明による処理ステップの積層光学系構造形成過程を描いた図である。
【図１Ｇ】本発明による処理ステップの積層光学系構造形成過程を描いた図である。
【図１Ｈ】本発明による処理ステップの積層光学系構造形成過程を描いた図である。
【図１Ｉ】本発明による処理ステップの積層光学系構造形成過程を描いた図である。
【図２】本発明による、完成した４層光学系構造を示した図である。
【図３】上記の積層構造を用いた、点集束のおよび二重に湾曲した単色化光学系の１つの実施形態を示した図である。
【図３Ａ】図３の光学系の線Ａ−Ａに沿って撮った断面、立面図である。
【図４】上記した積層構造の多くの例を用いた、集束させる、湾曲した単色化光学系の他の可能な実施形態を示した図である（ローランド円配置を示す）。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１Ａ〜図１Ｉを参照しながら、Ｘ線光学系の構造とこれを形成するための典型的な技術が開示される。（これら図における寸法は例示的な目的のみであり、誇張されていて、必ずしも比例しない。）以下にさらに説明するように、本発明によって形成される光学系は、各層が、異なる所定の結晶方位を有する、例えば、シリコンの多層であって、シリコン・オン・インシュレータ接合技術を用いて張り合わされている多層を含む。
【００１２】
シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）接合技術は、この分野では公知であり、非特許文献１に記載されている。この文献の全ては、参照することによってここに取り込まれているものとする。一般には、ＳＯＩ技術は、例えば、ファンデアワールス力のような原子／分子レベルでの分子的接着と、多分、化学的に支援された接着を含む。「絶縁物上の材料」という用語は、ここでは広く用いられ、材料をシリコンに制限することなく、この技術のファミリーを含む。本発明は、１つの実施形態では、それぞれが異なる結晶方位を持つ可能性のある層の多層構造を有する、湾曲した単色化Ｘ線光学系を作製するために、ＳＯＩプロセス技術の成熟度に依拠している。
【００１３】
（たとえば、シリコンまたはゲルマニウムのような）第１の基板１０が、（ハッチングパターンの方向で表される）第１の結晶方位をもって備えられる。熱的成長のような既知のプロセス（非特許文献１を参照）を用いて、酸化物層２０が基板１０上に形成される。第２の結晶方位を持つ（例えば、シリコンのような）第２の層３０が、上述のＳＯＩ接合技術を用いて層１０に接着される。次に、（例えば、化学機械的研磨のような標準的平坦研磨工程を用いて）第２の層が研磨され１００、層３０´を残す。１つの実施形態では、残留層の厚さは、シリコン層が１−５μｍであり、介在する酸化物層は約０．１−０．５μｍである。
【００１４】
このステップは、他の酸化物層４０と(再度、それ自身の、所望の方位を持った)他の層５０を用いて繰り返される。そこで、層５０は、研磨され１００、層５０´を残す。
【００１５】
他の酸化物層６０と(再度、それ自身の、所望の方位を持った)他の層７０を用いて、このステップは再び繰り返される。そこで、層７０は研磨され１００、層７０´を残す。
【００１６】
図２は、４つの出来上がった層を持ち、それぞれがそれ自身の予め定められた結晶方位をもって出来上がった薄い（約２０―５０μｍの）積層構造１１０を示す。この例では４層が示されているが、本発明は、設計パラメータに依存して任意の複数の層に拡げることができる。しかも、全ての方位が異なる必要はない。各層の結晶方位を前もって決めることによって、構造全体の回折特性を最適化できる。
【００１７】
本発明によれば、個々の結晶層のそれぞれは、個々の回折効果を備える。これらの回折効果は個別にモデル化でき、そこで、出来上がった光学系におけるその集合としての効果を予想することができ、最終の設計条件に従って実装される。これは、公知の「多層」光学系と対比すべきものである。「多層」光学系では、オングストローム／ナノメートル厚さの多層を持ち、それぞれは個々の回折効果を持つことはなく、層内での相互作用が全体としての回折効果を生じることになる。
【００１８】
本発明の他の側面では、同じ光学系において、層間で同じ、または異なる結晶方位（またはその混合）を持ち、材料組成が異なる層を用いることができる。また、層間で同じ、または異なる結晶方位（またはその混合）を持ち、材料組成が類似の（または同じ）層を用いることもできる。本発明のこれらの任意の側面では、とくに、上記した絶縁物上に材料を接着する方法が不適当である場合には、絶縁物上に材料を接合する技術に関して上述した一連のステップにおいて隣接する結晶層を接着するため、（例えば、エポキシのような）接着剤の層を用いることもできる。
【００１９】
次に、構造１１０は、二重に湾曲した結晶（ＤＣＣ）の光学系を含む、湾曲した、単色化光学系に形成することができる。そのような二重に湾曲した光学系装置の１実施形態は、図３および３Ａに描かれているが、詳しくは特許文献３に記述されている。特許文献３の全体は、参照することによってここに取り込まれているものとする。
【００２０】
図３の実施形態では、二重に湾曲した光学系装置は、フレキシブル層１１０と、厚いエポキシ層１１２と、および支持板１１４とを含む。装置の構造は、図３Ａにおける断面立面図に更に示されている。
【００２１】
この装置において、エポキシ層１１２は、フレキシブル層１１０を、曲率を持った選択された形状に保持し拘束する。エポキシ層の厚さは、２０μｍより大きく、フレキシブル層の厚さは、５μｍより大きいのが好適である。さらに、典型的には、エポキシ層の厚さは、フレキシブル層の厚さより厚い。フレキシブル層は、雲母、Ｓｉ、Ｇｅ、石英、プラスチック、ガラスなどを含む多くの種類の材料の中の１つであって良い。エポキシ層１１２は、粘性度が１０3〜１０4ポアズの程度で、ポットライフ（可使用時間：pot life）は３０〜６０分である糊状のものであって良い。支持板１１４は、エポキシとよく接着する固形物であって良い。支持板の表面１１８は、平坦であっても（図３Ａ）または湾曲していても良く、その正確な形状と表面仕上げは、フレキシブル層の形状と表面仕上げに比べて決定的ではない。図３および図３Ａの装置では、特別仕上げの支持板は必要ではない。
【００２２】
フレキシブル層を取り囲んで薄いプラスチックのような保護材料１１６の薄いシートがあり、これは、フレキシブル層の端部の周りに用いられる（図３Ａを参照)。この保護材料は、鋳型が再利用できるように製造鋳型を保護し、フレキシブル層とサイズがぴったりか小さめの鋳型のときは、または犠牲鋳型の時には必要ないであろう。
【００２３】
二重に湾曲した結晶（ＤＣＣ）光学系のような二重に湾曲した光学系装置は、現在は、材料解析の分野で、大きな立体角からのＸ線を集めて集束させ、Ｘ線源からの利用可能な線束を増加させるために用いられている。特性Ｘ線の三次元的な集束は、小さなＸ線源のときに使われるドーナツ型の結晶からの回折によって実現可能である。この点から点へのジョアン（Ｊｏｈａｎ）幾何形状が、図４に示されている。各結晶光学素子２００の回折面は、結晶表面に平行にすることができる。点線源および焦点を含む焦点円２１０が半径Ｒ0を持つときには、結晶表面は、例えば、焦点円の面内で２Ｒ0の曲率半径Ｒを持ち、垂直な面内ではｒ＝２Ｒ0ｓｉｎ2θBragの曲率半径を持ち、その半径は線源と焦点間を結ぶ線分上に中心を持つ。線源から発散し、結晶のロッキング・カーブ内の角度で結晶表面に入射するＸ線は、焦点すなわち像点へ効率よく反射される。ＤＣＣベースのシステムに対する焦点での単色線束密度は、より強力な線源と同程度の線源−対象間距離を持つ従来のシステムのものよりも数桁大きい。この増大は、（ここに記述したように）Ｘ線の蛍光と回折を含む多くの異なる応用分野で用いられるときに非常に高感度を実現する。
【００２４】
さらなる増強手段として、図４が示しているように、光学系装置が、ローランド（Ｒｏｗｌａｎｄ）円の周りに格子パターン状に配置された、多数の二重に湾曲した結晶光学素子２００であって、各素子は、（素子間で、類似のまたは異なる層構造を持つ)上記したようなフレキシブルな構造１１０から形成されているような結晶光学素子２００を備えても良い。このような構造は、ブラッグ回折によって発散する輻射の捕捉と方向付けを最適化するために構成されても良い。１つの側面では、いろいろな原子的回折面方位を持つ複数の光学結晶は、発散するＸ線を捕捉して焦点へ集束させるために用いることができる。他の側面では、結晶の二次元または三次元行列をＸ線源に対して配置して、発散するＸ線を三次元的に捕捉して集束させることができる。このような構造のさらなる詳細は、上に取り込まれた特許文献３に発表されている。
【００２５】
本発明の積層光学系構造は、以下の利点を提供する。
【００２６】
光学系のモザイク度およびロッキング・カーブが、層方位の設計によって制御される。
【００２７】
光学系の効率が増大する。（それ自身の所望の方位をもつ）各層はそれ自身の視野を持つ。その結果、効率を増大させ、および光学系がより大きな線源のスポット・サイズを収容（accommodate）可能とする複合の視野を持つ。そして、より大きな線源のスポット・サイズを収容する（accommodate）ことにより、システムの設置が容易になる。
【００２８】
光学系の帯域（すなわち、単色化）を制御することができ、ある種の単色化の応用においては、帯域を増大させることができて有利である。
【００２９】
ここで描かれたステップ群は、一例に過ぎず、本発明の精神から逸脱することなしに、ここに記述したこれらの図またはステップ（または操作）には多くの変形があり得る。例えば、これらのステップ群は、異なる順番で行ってもよく、あるいはステップを付け加えたり取り除いたり、または変形したりしても良い。これらの変形の全ては、本発明の請求項の一部分と考えられる。
【００３０】
好適な実施形態がここでは詳しく描かれおよび記述されたが、本発明の精神から逸脱することなしに、さまざまな改良、追加、置換などをすることができること、およびそれらは以下の請求項で規定される本発明の範囲内であると考えられることは、当業者には明らかであろう。
【図１Ａ】
2010510494.tif 000003
【図１Ｂ】
2010510494.tif 000004
【図１Ｃ】
2010510494.tif 000005
【図１Ｄ】
2010510494.tif 000006
【図１Ｅ】
2010510494.tif 000007
【図１Ｆ】
2010510494.tif 000008
【図１Ｇ】
2010510494.tif 000009
【図１Ｈ】
2010510494.tif 000010
【図１Ｉ】
2010510494.tif 000011
【図２】
2010510494.tif 000012
【図３】
2010510494.tif 000013
【図３Ａ】
2010510494.tif 000014
【図４】
2010510494.tif 000015
【国際調査報告】
2010510494.tif 000016
2010510494.tif 000017