(57)【要約】  システムは、個々にアドレス可能な多数のセグメントに理論上分割された変調層を含む光アドレス型空間光変調器（ＯＡＳＬＭ）を操作するように構成された駆動装置を含む。パルス発生器が１又は複数の電圧パターンを生じるように構成され、光学パターン発生器が１又は複数の光学パターンを生じるように構成されている。前記ＯＡＳＬＭのセグメント毎に、前記駆動装置は、さらに、予め決められた書き込み動作数にわたって、前記１又は複数の光学パターンに関連した予め決められた光量を書き込むように構成されている。前記駆動装置は、前記変調層のネット電荷が零となるように、前記１又は複数の電圧パターンに関連したリセットパルスを適用するように構成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の個別にアドレス指定が可能のセグメントに理論上分割された変調層を含む光アドレス型空間光変調器（ＯＡＳＬＭ）を操作すべく構成された駆動装置と、
一又は複数の電圧パターンを提供すべく構成されたパルス発生器と、
一又は複数の光学パターンを提供すべく構成されたパルス発生器とを含み、
前記駆動装置は、前記ＯＡＳＬＭのセグメント毎で、さらに、
所定数の書き込み動作にわたって、前記一又は複数の光学パターンに関連して所定の光量で書き込み、
前記変調層のネット電荷が零となるように前記一又は複数の電圧パターンに関連してリセットパルスを印加するように、構成されている、システム。
【請求項２】
各ピクセルへの前記書き込み光量は、一又は複数の書き込み動作毎で変化する、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記所定数の書き込み動作にわたって、前記リセットパルスは不変のパルス幅及び振幅に維持される、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記リセットパルスは、前記所定数の書き込み動作にわたって平均されたとき、前記変調層の全体に蓄積されたネット電荷が零になるように準備される、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記一又は複数の電圧パターンは前記変調層の前記複数のセグメントに印加され、前記書き込み動作の経過時間にわたる所定数の合計は前記ＯＡＳＬＭの全体に均一な変調を提供する、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記一又は複数の光学パターンは、前記ＯＡＳＬＭへの第１及び第２の書き込みパターンを含み、前記第２のパターンは前記第１のパターンの陰像パターンを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
複数のピクセルから成る光アドレス型空間光変調器（ＯＡＳＬＭ）に複数の像パターンを書き込むこと、
前記複数の像パターンの書き込みに同期して前記ＯＡＳＬＭに第１の電圧波形を供給すること、及び
前記ＯＡＳＬＭを既知の状態にリセットすべく該ＯＡＳＬＭに第２の電圧波形を供給することを含み、前記ピクセルのそれぞれに提供される光量は前記像パターンの強度で変化する、方法。
【請求項８】
前記第２の電圧波形は均一な振幅及びパルス幅を有するリセットパルスを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
さらに、前記複数の像パターンの書き込み中に前記ピクセルのそれぞれに供給される光の見込み量を決定すること、及び
前記ＯＡＳＬＭを既知の状態にリセットするに必要なリセットパルス数を提供することを含み、前記リセットパルス数は前記光の見込み量に対応する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記既知状態は、実質的に前記ピクセル毎でネット電荷が零である、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
さらに、前記ピクセルのそれぞれに提供される光量の制御のために前記像パターンをシフトすることを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
複数のセグメントから成る光アドレス型空間光変調器（ＯＡＳＬＭ）に第１のパターンを書き込むための手段と、
前記複数のセグメントの全体に均一な電荷を生成すべく前記ＯＡＳＬＭに第２のパターンを書き込むための手段と、
前記均一な電荷を除去すべく単一のリセットパルスを適用する手段とを含む、装置。
【請求項１３】
前記第２のパターンは前記第１のパターンの逆である、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記第１のパターン及び第２のパターンの両方は同様に帯電したピクセルから成る、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記リセットパルスは、前記第１及び第２のパターンに対し反対の極性を帯びている、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記リセットパルスは、前記複数のセグメントの全体に零のネット直流電圧を提供する、請求項１２に記載の装置。
【請求項１７】
コンピュータが読み取り可能な媒体であって、記憶された命令を有し該命令が少なくとも１台の装置で実行されるとき、前記命令は、
複数のセグメントから成る光アドレス型空間光変調器（ＯＡＳＬＭ）に第１のパターンを書き込むこと、
前記複数のセグメント全体に均一な電荷を生成すべく前記ＯＡＳＬＭに第２のパターンを書き込むこと、及び
前記複数のセグメントを既知の状態に戻すべく単一のリセットパルスを適用することを可能とする、コンピュータが読み込み可能な媒体。
【請求項１８】
前記第２のパターンは前記第１のパターンの反転像である、請求項１７に記載の媒体。
【請求項１９】
前記第１のパターン及び前記第２のパターンの両方は同様に帯電したピクセルから成る、請求項１７に記載の媒体。
【請求項２０】
前記リセットパルスは、前記第１及び第２のパターンに対し反対の極性を帯びている、請求項１７に記載の媒体。
【請求項２１】
前記既知状態はネット電荷が零に一致する、請求項１７に記載の媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
空間光変調器の変調層の劣化を防止すべく光アドレス型空間光変調器を制御するためのシステムである。
【背景技術】
【０００２】
ＬＣ装置の液晶（ＬＣ）層に印加される駆動信号は、前記ＬＣ層の全体での電荷の蓄積を防止するために、慎重に制御する必要がある。そのような電荷の蓄積が許されると、液晶材料が影響を受け、短期で像の固着が生じ、また長期ではＬＣ材料自体の電気化学的劣化が生じる。
【０００３】
光アドレス型空間光変調器（ＯＡＳＬＭ）は、電気駆動信号によってだけでなく、光強度パターンによっても制御できる光デバイスである。活性変調層全体で零のネット電荷を保証する手段は、それだけ複雑である。
【０００４】
光アドレス型空間光変調器（ＯＡＳＬＭ）は、適切な駆動電圧の存在下にある場合、該装置の平面の全域で、二次元（２Ｄ）光強度分布を２Ｄ変調パターンに変換する光デバイスである。前記装置は、機能的には、光導電体と、光変調器とから成る。前記光導電体は、該光導電体への入射光によって活性化される。この活性化が起こると、前記光導電体は、電気抵抗を低減させ、前記光変調器に当たる光が何らかの方法で変化されるように、該変調器に掛かる電圧を切り換える。
【０００５】
前記光導電体及び光変調器の双方は、適切な制御信号によって活性化されたそれらの面積だけがその制御信号に反応するという点で、選択的である。したがって、光導電体に入射する照射パターンは、前記光の強度に従って２Ｄパターンで光導電体に抵抗の変化を生じさせる結果となる。駆動されるとき、これは光導電体の低抵抗部分を通して変調器に印加される電圧を結果として生じ、該電圧が印加される領域でのみ、元の２Ｄの照射パターンに整合して再び作用する。前記変調層上へのどのような入射光であっても、それに応じて調整される。前記光導電体を活性化するために使われる光源は、前記光変調器を照射するために使われる光源と別である。前記光導電体に向けられる光源は書き込みビーム又は書き込み光と呼ばれ、他方、前記変調器を照射する光源が読み出しビーム又は読み出し光と呼ぶことができる。
【０００６】
典型的なＯＡＳＬＭは、横断面では、次のとおり、機能的な層になっている。初めに書き込み側で見ると、一面が透明な導電層である第１の電極で覆われた第１の透明基板がある。第１の電極の隣に光導電体層がある。該光導電体層上に、書き込み側の照射光が前記読み出し側に達すること又はその逆を防止する光遮断層がある。反対側である読み出し側から前記装置に入る光が後ろへ反射されるように、また、この積層の表面に鏡がある。前記光導電体層、光遮断層及び鏡層の上に、光変調層が第２の透明基板の下に形成される。前記光変調層は、ＬＣ層であるかもしれない。
【０００７】
前記第２の透明基板は、「内側」表面に透明な電極被覆を有する。液晶変調効果が用いられている場合、液晶層は、前記光導電体と前記第２の基板との間の薄いギャップを含む。この空隙の両内側面は、液晶モノマーを整列するために処理され、前記空隙は所望の液晶物質で満たされる。前記装置構造は、電圧が前記２つの透明電極を経て前記装置の全体に印加されるように、配置される。前記光導電体層上に光が全く入射しない場合、前記装置の全体に適用される如何なる電圧も、主に高抵抗の前記光導電体層に掛かり、前記光変調層は活性化されない。
【０００８】
前記ＯＡＳＬＭの前記光導電体の側に、書き込みビームによってもたらされる光強度パターンが投影されると、十分に照明されたそれらの領域は、その下の前記光導電体を活性化し、該光導電体の抵抗が低減し、これにより前記ＬＣ全体の電圧が降下する。十分な感光電圧を与えられると、これは、前記ＬＣ層の全体に電荷を置くことにより、前記ＬＣ層を活性化する効果がある。前記ＬＣ層のこのような活性化により、前記読み出し光のような如何なる入射光も前記ＬＣ層を通過するときに変調され、鏡付きの前記光遮断層から反射される。したがって、書き込み側で投影された像は、読み出し側に対応した変調パターンを作り出す。これは光書き込み動作と称される。
【０００９】
前記ＯＡＳＬＭが書き込まれる前に、前記変調層は既知の状態にあるべきである。初期リセットパルスすなわち電圧パルスの印加は、前記光導電体層に光が無い状態で、該光導電体層を通して前記ＬＣ変調層に影響を及ぼすために行われる。前記リセットパルスが前記ＯＡＳＬＭの電極領域の全体に印加されるが、該ＯＡＳＬＭの全体への書き込み操作の間の光分布が均一でないので、これは前記変調層全体の電荷に不均衡を生じる結果を招く。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】米国特許第6,437,919号明細書
【特許文献２】米国特許第6,930,693号明細書
【図面の簡単な説明】
【００１１】
種々の具体例が、以下の図面を参照して、一例を示すに過ぎないが、説明されるであろう。
【図１】横断面で示された光アドレス型空間光変調器（ＯＡＳＬＭ）を図示し、
【図２】ＯＡＳＬＭを駆動するシステムで生成される波形を簡素化した形態で図示し、
【図３】書き込み及び消去サイクル中の種々の段階でＬＣ装置上に現れる電荷を図示し、
【図４】ＯＡＳＬＭの駆動時に該ＯＡＳＬＭのピクセルに現れる電荷を図示し、
【図５】書き込み及び消去サイクル中の種々の段階でＬＣ装置上に現れる電荷を図示し、
【図６】ＯＡＳＬＭを駆動するシステムで生成される典型的な波形を簡素化した形態で図示し、
【図７】ＯＡＳＬＭを駆動する方法を図示する。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１は、横断面で示された光アドレス型空間光変調器（ＯＡＳＬＭ）を図示する。ＯＡＳＬＭ１０の層は、一定の縮尺率を示していない。基板１及び８は、前記装置の主構造支持を提供する。これらの上に電極２及び７が塗られている。変調層６は、図示しない配向層に両側が接する強誘電性液晶（ＦＬＣ）材料から成る。前記ＯＡＳＬＭは、強誘電性ＬＣ層（ＦＬＣ）又は一般的なＬＣ材料のような電荷が平衡した他のタイプの変調層を有することができる。
【００１３】
前記装置は、さらに、鏡５、光遮断層４及び光導電体３を含む。光が光導電体３に当たり、前記ＦＬＣ材料を横切る電極の間で電圧が切り換わると、静電荷は変調層６の全体に置かれる。ここに説明された種々の具体例で防止されるのは、この静電荷の増大である。
【００１４】
図２は、ＯＡＳＬＭを駆動するシステムに生成される簡素化された波形を示し、また前記ＯＡＳＬＭに書き込むときに使用される信号のタイミングを示す。最初のリセットパルスＲ0に続き、書き込み光パターンＷ１及び前記ＯＡＳＬＭ電圧Ｖ1の両方がスイッチオンされ、前記装置の変調層にまで転送されるパターンを結果として生じる。前記変調パターンは、次にユーザ又はカメラへの表示などの前記装置を使用している前記システムの次のステージのために利用可能である。この表示期間が終わった後に、前記変調層を既知のリセット状態に戻し、次の書き込み作業の準備のために、さらなるリセットパルスＲnが前記装置に送られる。リセットパルスＲ0、Ｒ1は書き込み電圧パルスＷ1より大きくすることができる。変調器全体の電荷を取り除くために、リセットパルスは、高インピーダンスにある光導体層（それが、書き込み光により照明される段階ではないので）を通り抜ける。
【００１５】
図３は書き込み及び消去サイクルの中の種々の段階でＬＣ装置上へに現れる電荷を図示する。複数の正(+)の記号から成る十字として示されたパターン２０がＯＡＳＬＭに書き込まれるとき、電荷は前記ＬＣ層６上に置かれる。各正記号は正電荷Ｐの量を表し、負記号(-)は負電荷Ｎの量を表している。図における空白は、中性電荷を表している。図３ａは、残留電荷がなかったＯＡＳＬＭにパターン２０を書いた後の電荷を示す。図３ｂでは、前記パターン２０の正電荷Ｐを完全に消すに充分に大きくはなかった消去パルスが生成された。電荷が中性であった領域は、リセットパルスから、現在、小さな負電荷Ｎを帯びている。より大きなリセットパルスが、完全に正電荷を消すために図３ｃに例示するように印加されると、前に中性であった領域で、負電荷Ｎのより大きな残留物が蓄積する。
【００１６】
図４は、駆動されているときにＯＡＳＬＭのピクセルに現れる電荷を図示する。上部のグラフは、前記ＯＡＳＬＭの単一ピクセルに入射する書き込み光からの照明を示す。書き込み電圧パルスは示されておらず、該電圧パルスは、書き込み光に時間的に同期した不変の振幅のパルスとすることができる。前記ピクセルへの照明は、前記装置に書き込まれるパターンの性質によって、書き込み動作毎でその強度は異なるかもしれない。これらの異なる強度は、問題のピクセルに関して、各書き込み動作の間に、異なる量の電荷が前記装置上に置き去りにされることを意味している。他方、前記消去パルス（中間部のグラフ）は、それらが前記装置全体に適用されると同様に、振幅が同様であることを示されている。種々の実施例では、前記消去パルスの強度は、各ピクセルに合うようには調整されない。
【００１７】
図４の下部グラフは前記ピクセルに関する電荷の蓄積を示す。一連の書き込み動作が書き込みパルスＷ１ないしＷ６として示されているのに対し、一連の消去動作が消去パルスＲ１ないしＲ６として示されている。パルス列のほとんどで、電荷は非零（図示の例では、そのほとんどが正）であるが、ｎ回の書き込み動作及びリセット動作が完遂された後、そのピクセルの上のネット電荷（net charge）は零である。そのピクセルに書き込まれたデータは、ｎ回の書き込み動作にわたってピクセルに既知量の光を提供するように、制約されるかもしれないが、さもなければ、前記装置全体に書き込まれるパターンの結果として制約されるかもしれない。ある程度の残留電荷は、ｎフレームのサイクル中に堆積するかもしれない。
【００１８】
計算機ホログラムを作るために回折縞を表示する場合などのように、表示されるデータがピクセルによって大いに変わる適用では、回折縞は一般的に密接に間隔をおいて配置された「黒及び白」の両ラインの連続から成っている。これらの黒白の両ラインは、変調および非変調の領域に一致している。前記装置に書き込まれるパターン全体での単一画素シフトは、ｎ回の書き込み動作の全体の間に１つのピクセルへの書き込み光強度を制御するのに使うことができる。
【００１９】
図５は、書き込み及び消去サイクルの種々の段階でＬＣ装置上に現れる電荷を図示する。図５ａは、パターンすなわち陽像３０が前記装置に書き込まれた後の該装置の変調層６上の電荷を示す。陽像３０を消去し、次の陽像を書き込むことに代えて、この特定の実施例は、陽像の図５ｂに示されているような陰像１１を前記装置に書き込み、それから、リセットパルスを提供する。このように、既知量の均一な帯電はフレーム毎に構築され、リセットパルスはこの電荷の全体を取り去る。前記パターンの如何なる劣化も最小化される。
【００２０】
図6は、ＯＡＳＬＭを駆動するシステムで生成される典型的な波形及び書き込み動作と消去動作のタイミングを単純化した形で図示する。図４の書き込み光のグラフが単一ピクセルでの光強度を示したのに対して、図６の上部のグラフの書き込み光の動作は、前記装置の全体への全面的な書き込み動作を示す。
【００２１】
t=0に始まり、前記ＯＡＳＬＭ変調層６から全ての残留電荷を取り去る最初の消去すなわちリセットパルスＲ0が提供される。これに続いて、表示される像６１、すなわち真の像が前記装置に書き込まれ、表示期間６５の間、そこに保持される。この期間はアプリケーションによって変わる。これに続いて、陰すなわち前記真像６１の反転像６２が前記装置に書き込まれる。結果として、変調層６の全体は、既知の均一な電荷を提供される。したがって、消去すなわちリセットパルスＲｎの振幅及び期間は、前記既知の電荷を取り除くように整えることができる。
【００２２】
ここに記載された前記ＯＡＳＬＭは、Active-Tiling（登録商標）計算機ホログラム表示システムに実装されている。Active-Tilingは、さらに米国特許第6,437,919号に記載されており、その明細書は引用によって本書に含まれている。前記ＣＧＨを生成するために使われるコンピュータシステムは、独立型ユニットとし、又はネットワークによって接続された遠隔操作可能の要素を有することができる。
【００２３】
前記Active-Tilingシステムは、ホログラフィックなアニメーションの種々のフレームを高速で再生することにより、ホログラフィックな動きのある像を作り出すように構成することができる。前記Active-Tilingシステムは、第１の空間光変調器（ＳＬＭ）手段に光源から光を導き、第２の空間的に複雑なＳＬＭ上に前記第１の高速ＳＬＭ手段からの変調された光の複数のＳＬＭサブフレームを中継するためのシステムを含むことができる。前記ＣＧＨは、この第２のＳＬＭから投影することができる。
【００２４】
完全なＣＧＨパターンは、前記第１のＳＬＭの複雑さに対応するピクセル数のサブフレームに分割することができる。これらのフレームは、前記第１のＳＬＭに時系列的に表示され、また各フレームは、前記第２のＳＬＭの異なる部分に投影される。前記完全な像は、このように、時間の経過に伴い、前記第２のＳＬＭ上に確立される。前記第１のＳＬＭは、前記第２のＳＬＭ上の各領域にわたって個々にタイル張りされるサブフレームから成る前記第１のＳＬＭアレイを含むことができる。一実施例では、前記第１のＳＬＭの変調パターンは、前記第２のＳＬＭのそれに比較して迅速に変更することができる。それ故、その更新フレームレートは、前記第２のＳＬＭの読み出しフレームレートより大きい。そのようなシステムの前記第２のＳＬＭはＯＡＳＬＭであっても良い。
【００２５】
前記第１のＳＬＭアレイのそれよりずっと低速でアドレス指定を受けるかもしれない前記第２のＳＬＭで作り出される像は、前記第１のＳＬＭの動作によって効果的に制御される。前記ＳＬＭアレイで使用される高速フレームレートで入手可能な時間的な情報と、前記第２のＳＬＭとして現光学的アドレス指定のＳＬＭを用いて達成できる高い空間分解能との間での妥協を可能とする。このように、高い空間分解能像は、低解像度像のシーケンスを使うＳＬＭに高速で書き込むことができる。
【００２６】
図７は、ＯＡＳＬＭを駆動する方法を示す。前記ＯＡＳＬＭは、光導電体層、変調層及び電極層を含むことができ、１つの動作サイクルの間に、前記変調層が零のネット電荷を供給される。
【００２７】
工程１１０では、複数の像パターンが複数のピクセルから成る光学アドレス型空間光変調器（ＯＡＳＬＭ）に書き込まれる。前記ピクセルのそれぞれに提供される光量は、像パターンの強度によって変化する。工程１２０では、第１の電圧波形が、前記ＯＡＳＬＭに供給され、前記複数の像パターンの書き込みと同期的に進行する。工程１３０では、第２の電圧波形が前記ＯＡＳＬＭに供給される。工程１４０では、前記ＯＡＳＬＭは、既知の状態にリセットされる。一実施例では、前記既知の状態は、零のネット直流電圧である。
【００２８】
一実施例では、ＯＡＳＬＭを駆動する装置は、電気パルスを生成する手段と、光パターンを生成するための手段とを含む。前記ＯＡＳＬＭは、光導体層、変調層及び電極層を含む。前記ＯＡＳＬＭのピクセル毎で、前記駆動装置は、所定数の書き込み動作にわたって同様な光量を書き込むために準備される。各書き込み動作の間で、リセットパルスは電極全体に適用される。
【００２９】
前記光は、所定数の書き込み動作の後の既知のレベルの各ピクセルに書き込まれる。それ故、各ピクセルに書き込まれる光量は連続した書き込み動作間で変えることができる。リセットパルスは、電極の全体に適用されるので、電荷を個々のピクセルから取り除くようには調整されない。前記リセットパルスの後で、前記ピクセルは、該ピクセルに書き込まれた光のレベルに応じて正又は負のネット電荷をまだ帯びているかもしれない。しかしながら、所定の数の書き込み動作の後で、所定のピクセルに書き込まれた光量が分かる。そのピクセルへの所定数の書き込み動作及びリセットパルス動作の後、平均して、そのピクセルの上のネット電荷が零であるように、前記リセットパルスを整えることができる。
【００３０】
一実施例では、前記ＯＡＳＬＭ装置は物理的にピクセル化されていないので、そのようなＯＡＳＬＭに関連して、ここでのピクセルという語の使用は、独立して変調を受けることが可能な最も小さな領域のことをいう。
【００３１】
リセットパルスが起こる平均のフレーム数、ｎは、前記平均化の工程の間に蓄積される電荷が前記ＬＣに劣化をもたらすに程に大きくならように、十分に少ない。この基準は、全てのピクセルへの光が均一となるフレーム数の有効な上限を提供する。前記数は、異なる実施例毎及び異なる適用毎で変わるかもしれない。
【００３２】
前記装置の実質的に全てのピクセルが一組のｎ回の書き込み動作にわたってほぼ同じ光量を受けるかもしれないが、どのような２ピクセルに関しても、ｎ回の書き込み動作は互いに同期する必要はない。ピクセルｐ１は1からｎ回の書き込み動作にわたって既知量の光を受け、他方、ピクセルp２は書き込み動作２から（ｎ＋１）回の書き込み作業にわたって既知量の光を受け取る。
【００３３】
前記ＯＡＳＬＭに書き込まれるデータの特定のタイプには、予測できるフレーム数にわたって、前記ＯＡＳＬＭの各ピクセルが他のピクセルと実質的に同様な量の光を受けるかもしれないという既知の見込みを提供する統計性がある。その確率が、ある閾値より大きく、またフレーム数が前記上限内であれば、前記ＯＡＳＬＭの全体に光の分布を均一にするためにさらなる処置がとられる必要はない。あるピクセルレベルで均一な確率分布を有するデータは、これが生じることを保証するであろう。それ故、既知のレベル及び期間のリセットパルスは、これらの書き込み動作によって適用されたネット電荷を取り除くために、使用できる。
【００３４】
前記ＯＡＳＬＭへの書き込みに用いられる光データを操作することにより、フレームの既知数にわたって時間平均されるとき、ピクセルの十分なパーセンテージに既知の均一な光レベルが送られるようにデータを準備することができる。データの適用及び形態に依存して、データを操作する種々の方法が存在する。それは、すべてのピクセルがフレームの既知数にわたって同様な量の光を受け取ることを保証するように、データが処理されることは必要でない。既知量の光でＯＡＳＬＭを完全には覆うことができないことに起因する像への小さな劣化であっても、特定の応用には許容できる。
【００３５】
前記ピクセルのあるパーセンテージが既知数のフレームを超えて既知量の光レベルを受け取り、このレベルを受け取る領域が無作為に分布していると、フレームの次の量は、統計的に、第１回目で見落とされた領域の同様なパーセンテージが第２回目では釣り合いが取れるであろうことを保証する可能性がある。一実施例では、同様な量の光を受けているピクセルの閾値パーセンテージは、８０％以上である。他の実施例では、例えば、閾値は９０％又は９５％である。
【００３６】
一連のフレームにわたって時間平均するときに、既知の光レベルを各ピクセルに提供するように、データを組織化する方法は、米国特許第6,930,693号にさらに説明されており、その明細書は参照によりここに含まれる。
【００３７】
種々の実施例では、前記ＯＡＳＬＭ装置は、該装置の異なる部分を個別に電気的にアドレス指定を可能とするように、電極のいずれか一方又は双方に、アドレス指定が可能なセグメントを有する。装置すなわちＯＡＳＬＭに電気的に書き込むことは、そのような個別にアドレス指定が可能なセグメントの少なくとも１つに書き込むことを意味すると理解されよう。
【００３８】
他の実施例によれば、ＯＡＳＬＭを駆動するためのシステムは、電気パルス生成手段と、光学パターンを生成するための手段とを含む。前記ＯＡＳＬＭは光導電体層、変調層及び電極層を含むことができる。前記駆動装置は、前記光導電体に複数の光パターンを書き込むために準備される。電圧は、パターン毎に、該パターンに従って前記変調層の適切な部分を切り換えるために、前記電極に印加される。前記光パターンの経過時間にわたる所定数の合計で、前記ＯＡＳＬＭの平面の全体に均一な変調が与えられる。リセット波形は、既知の状態に前記変調層を置くために準備されている。
【００３９】
一実施例では、前記光導電体に書き込まれる第２のパターンは、第１のパターンの陰像である。前記第１のパターンを有するそのような第２のパターンの合計は、前記変調層を既知の、均一で、調整された状態に置き、そうして、所定の電圧波形が、変調層を既知のリセット状態にリセットするために、電極に印加されることを可能にする。そのような第２のパターンが提供されると、変調層の上の均一な変調パターンを生成するためにそれ以上の光パターンは、必要ではなくなる。種々の実施例では、３つ以上のパターンが、一緒に合計される。
【００４０】
一実施例では、前記変調層から前記電荷を除去するリセット波形は、前記変調が均一にアドレス指定されている光学書き込みサイクル中の点で供給される。前記リセット波形は、より小さなリセット波形を光学書き込み動作に点在させることによってサイクルの全体に分布することができる。
【００４１】
上に説明された前記システムは、前記工程のいくつか又は全てを実行する専用のプロセッサシステム、マイクロコントローラ、プログラム可能な論理デバイス、又はマイクロプロセッサを使うことができる。上で説明された工程のいくつかがソフトウェアで実装されるかもしれず、他の工程はハードウェアで実装されるかもしれない。
【００４２】
便宜上、前記工程は、種々の相互接続された機能ブロック又は別個のソフトウェアモジュールで記載されている。しかしながら、これは必要でなく、これらの機能ブロック又はモジュールが、不明瞭な境界で、1つの論理デバイス、プログラム又は工程中に等しく集められる場合があるかもしれない。いずれにしても、前記機能ブロック、ソフトウェアモジュール又は柔軟なインタフェースの特性は、単独で、あるいはハードウェア又はソフトウェアのいずれかと、他の動作との組み合わせで実現することができる。
【００４３】
それの好適な実施例で原理を説明し図示したが、実施例は、そのような原理から逸脱することなく配置や詳細を変形できることは明らかである。我々は、以下の特許請求の範囲の精神及び範囲内のすべての修正や変更を権利として要求する。
【符号の説明】
【００４４】
１、８  基板
２、７  電極
３  光導電体
４  遮光層
５  鏡
６  変調層（強誘電性ＬＣ層、ＦＬＣ）
１０  光アドレス型空間光変調器（ＯＡＳＬＭ）
１１  陰像
３０  陽像
６１  真像
６２  反転像
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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