(57)【要約】  本発明は、ケーブルコネクタアセンブリ内で使用する、Ｔ字型メイン絶縁ブッシング（１０２）と、Ｔ字型メイン絶縁ブッシング内に配置されており、かつＴ字型メイン絶縁ブッシングと一体形成された内側の半導電性シールド層（１０５）と、Ｔ字型メイン絶縁ブッシングの外側表面上に配置されており、かつＴ字型メイン絶縁ブッシングと一体形成された外側の半導電性シールド層（１０１）とを備えるコネクタシース（１）を開示する。Ｔ字型メイン絶縁ブッシングは、一般に、誘電率が約５〜約１５の範囲内の弾性絶縁材から製造される。本発明はまた、コネクタシースを有するケーブルコネクタアセンブリも開示する。
2010539874.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケーブルコネクタアセンブリ内で使用するコネクタシースであって、
Ｔ字型メイン絶縁ブッシングと、
該Ｔ字型メイン絶縁ブッシング内に配置されており、かつ該Ｔ字型メイン絶縁ブッシングに取り付けられた内側の半導電性シールド層と、
該Ｔ字型メイン絶縁ブッシングの外側表面上に配置されており、かつ該Ｔ字型メイン絶縁ブッシングに取り付けられた外側の半導電性シールド層と、を備え、
該Ｔ字型メイン絶縁ブッシングは、誘電率が約５〜約１５の範囲内の弾性絶縁材から製造される、コネクタシース。
【請求項２】
前記弾性絶縁材の前記誘電率が約５〜約１０の範囲内である、請求項１に記載のコネクタシース。
【請求項３】
前記Ｔ字型メイン絶縁ブッシングが射出成形又はプレス成形によって形成される、請求項１に記載のコネクタシース。
【請求項４】
前記Ｔ字型メイン絶縁ブッシングがシリコンゴム又はエチレンプロピレンターポリマーから製造される、請求項１〜３のいずれか一項に記載のコネクタシース。
【請求項５】
ケーブルの挿入を容易にするために、前記コネクタシースの前記ケーブル接続チャンバの端部を内部で支持しかつ拡張するコアリールを更に備え、該コアリールが、該ケーブルの接続後に前記コネクタシースの前記ケーブル接続チャンバから引き抜かれるように構成された、請求項１〜４のいずれか一項に記載のコネクタシース。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載のコネクタシースを備え、ケーブルラグの端部に結合されたケーブルを外部電気装置に接続するケーブルコネクタアセンブリであって、
前記コネクタシースは、Ｔ字型ブッシングであり、
該Ｔ字型ブッシングの第１端部に配置された電気装置接続チャンバであって、外部電気装置接続パーツを収容する電気装置接続チャンバと、
該Ｔ字型ブッシングの第２端部に連続して配置されたケーブルラグチャンバ及びケーブル接続チャンバであって、該ケーブルラグチャンバは該ケーブルラグを収容し、該ケーブル接続チャンバはケーブルを収容する、ケーブルラグチャンバ及びケーブル接続チャンバと、
該ケーブルラグの反対側端部を該外部電気装置接続パーツに電気的に接続する接続アセンブリと、を備えるＴ字型ブッシングである、ケーブルコネクタアセンブリ。
【請求項７】
前記Ｔ字型ブッシングの前記第１端部の反対側の第３端部に配置された絶縁プラグチャンバと、
該絶縁プラグチャンバ内に収容された絶縁プラグと、を更に備える、請求項６に記載のケーブルコネクタアセンブリ。
【請求項８】
前記接続アセンブリが、
前記ケーブルラグの前記反対側端部を通過する接続ボルトであって、該接続ボルトの一端部が前記外部電気装置接続パーツに螺合される、接続ボルトと、
前記ケーブルラグを前記外部電気装置接続パーツに固定する接続ナットと、を備える、請求項６に記載のケーブルコネクタアセンブリ。
【請求項９】
前記絶縁プラグの第１端部に埋め込まれ、かつ前記接続ボルトの前記反対側端部に螺合された第１の埋め込み部材と、
前記絶縁プラグの前記第１端部と反対側の第２端部に埋め込まれた第２の埋め込み部材とを更に備える、請求項８に記載のケーブルコネクタアセンブリ。
【請求項１０】
前記第２の埋め込み部材に嵌合され、かつ前記第２の埋め込み部材を前記Ｔ字型コネクタシースの前記外側の半導電性シールド層に接続する、半導体シールドテールプラグを更に備える、請求項９に記載のケーブルコネクタアセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電源ケーブル工事で使用されるケーブルアクセサリに関し、具体的には、コネクタシース及びコネクタシースを有するケーブルコネクタアセンブリに関する。より詳細には、本発明は取り外し可能なＴ字型電源ケーブルコネクタに関する。
【背景技術】
【０００２】
電力送電系統の発達及び更なる拡張、並びに電気ケーブルシステムの一部分を地下に配置したいという要求の増加により、中電圧（即ち、約６〜約２４ｋＶの範囲内）以下で使用される電源ケーブルに関する需要が急速に高まっている。同時に、中電圧電源ケーブル関連の電源ケーブルアクセサリに関する需要も合わせて高まっている。
【０００３】
取り外し可能なＴ字型ケーブルコネクタアセンブリ（以後、単にＴ字型ケーブルコネクタアセンブリと呼ぶ）はそのような電源ケーブルアクセサリの１つである。Ｔ字型ケーブルコネクタアセンブリはＴ字型コネクタシースを備える。Ｔ字型コネクタシースは、一般に、Ｔ字型メイン絶縁ブッシングと、Ｔ字型メイン絶縁ブッシング内に配置されており、かつＴ字型メイン絶縁ブッシングと一体形成された内側の半導電性シールド層と、Ｔ字型メイン絶縁ブッシングの外側表面上に配置されており、かつＴ字型メイン絶縁ブッシングと一体形成された外側の半導電性シールド層とを備える。ケーブルのシールド端部の電界分布を制御するために、電気的ストレス制御層が内部に埋め込まれているアダプタは、ケーブルコネクタの使用中に接続されていなければならない。アダプタを有するコネクタシースの製造プロセスは複雑かつコスト高である。更に、特定のケーブル断面に対応させるためには独自の型のコネクタシースをケーブルと共に使用する必要がある。したがって、コネクタシースの多用途性は一般に悪く、ケーブルを実装するのが困難となり得る。
【０００４】
例えば、欧州特許出願公開第ＥＰ９１１９３６（Ａ１）号はＴ字型ケーブルコネクタアセンブリを開示している。当該刊行物によると、ケーブルのシールド端部の電界分布を制御するために、Ｔ字型コネクタシースのメイン絶縁ブッシングの中にストレス制御コーンが埋め込まれる。コネクタシースはケーブル断面に対応、又は一致しなければならない。コネクタシースの多用途性が悪いと、ケーブルをコネクタシース内に実装するのが困難である。
【０００５】
米国特許出願公開第２００５０２２７５２２（Ａ１）号には、Ｔ字型「常温収縮」ケーブルコネクタアセンブリが開示されている。当該刊行物は、「常温収縮」プロセスを用いてケーブルのケーブルコネクタシース内への実装の難しさを解決している。しかしながら、当該特許は外部シールド層をケーブルのシールド端部のストレス制御層として使用している。それ故、外部シールド層をテーパ形状又はフレア形状に設計しなければならず、製造プロセスが複雑となり、かつ廃棄物の割合が高くなる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
したがって、上記特許はケーブルの実装に伴う困難を少なくともある程度は解決したが、他の不具合が生じる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実装に伴う困難を解決することができ、より簡単な製造プロセス享受し、かつ様々なケーブル断面寸法と共に使用することができる新規なＴ字型ケーブルコネクタを設計することが望ましい。
【０００８】
本発明の一態様によると、ケーブルコネクタアセンブリ内で使用するコネクタシースであって、Ｔ字型メイン絶縁ブッシングと、Ｔ字型メイン絶縁ブッシング内に配置されており、かつＴ字型メイン絶縁ブッシングに取り付けられた内側の半導電性シールド層と、Ｔ字型メイン絶縁ブッシングの外側表面上に配置されており、かつＴ字型メイン絶縁ブッシングに取り付けられた外側の半導電性シールド層と、を備え、Ｔ字型メイン絶縁ブッシングは弾性絶縁材から製造され、弾性絶縁材の誘電率は約５〜約１５の範囲内である、コネクタシースが提供される。
【０００９】
本発明によるコネクタシースでは、コネクタシース内のＴ字型メイン絶縁ブッシングは弾性絶縁材で製造されるので、「常温収縮」プロセスを用いてケーブルを実装することができる。同時に、コネクタシース内のＴ字型メイン絶縁ブッシングは弾力性があるので、異なる様々な寸法の断面を有するケーブルに適合され得る。
【００１０】
本発明の別の態様は、ケーブルラグの端部に結合されたケーブルを外部電気装置に接続するケーブルコネクタアセンブリを提供する。アセンブリは、一般に、本発明の上記実施形態によるコネクタシースを備え、コネクタシースは、Ｔ字型ブッシングであり、（ａ）Ｔ字型ブッシングの第１端部に配置された電気装置接続チャンバであって、外部電気装置接続パーツを収容する、電気装置接続チャンバと、（ｂ）Ｔ字型ブッシングの第２端部に連続して配置されたケーブルラグチャンバ及びケーブル接続チャンバであって、ケーブルラグチャンバはケーブルラグを収容し、ケーブル接続チャンバはケーブルを収容する、ケーブルラグチャンバ及びケーブル接続チャンバと、（ｃ）ケーブルラグの他端を外部電気装置接続パーツに電気的に接続する接続アセンブリと、を備えるＴ字型ブッシングである。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態によるＴ字型コネクタシースの構造を示す図。
【図２】コアリールが挿入されたＴ字型コネクタシースを示す図。
【図３】Ｔ字型コネクタシースをケーブルに接続するための構造を示す図。
【図４】本発明の一実施形態によるＴ字型ケーブルコネクタアセンブリをケーブル及び外部電気装置に接続するための構造を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の好ましい実施形態は、添付の図面を参照して以下に詳細に記載され、類似の参照番号は本明細書を通じて類似の要素を示す。しかしながら、本発明は、多くの異なる形で具体化されることが可能であり、本明細書に示される例示の実施形態に限定されるように解釈されるべきでない。
【００１３】
図１は、本発明の実施形態によるＴ字型コネクタシースの構造を示す図である。Ｔ字型コネクタシース１は、外側の半導電性シールド層１０１と、Ｔ字型メイン絶縁ブッシング１０２と、絶縁プラグチャンバ１０３と、電気装置接続チャンバ１０４と、内側の半導電性シールド層１０５と、接地孔１０６と、ケーブルラグチャンバ１０７と、ケーブル接続チャンバ１０８と、を備える。図１に示されるように、絶縁プラグチャンバ１０３、電気装置接続チャンバ１０４、ケーブルラグチャンバ１０７、及びケーブル接続チャンバ１０８は、Ｔ字型コネクタシース１内部のＴ字型チャンバを構成する。
【００１４】
具体的には、図１に示されるように、Ｔ字型コネクタシースは３つの層、即ち、外側の半導電性シールド層１０１と、Ｔ字型メイン絶縁ブッシング１０２と、内側の半導電性シールド層１０５とを備える。Ｔ字型メイン絶縁ブッシング１０２は、水平延在部分（図１の左右方向）と、水平延在部分の中ほどから垂直に延在する垂直延在部分（図１の上下方向）とを備える。Ｔ字型メイン絶縁ブッシング１０２はその中にＴ字型チャンバを画定し、水平チャンバと垂直チャンバとを備える。外側の半導電性シールド層１０１はＴ字型メイン絶縁ブッシング１０２の外側表面上に配置され、かつＴ字型メイン絶縁ブッシング１０２の外側表面を完全に覆う。内側の半導電性シールド層１０５はＴ字型メイン絶縁ブッシング１０２内に配置され、かつＴ字型メイン絶縁ブッシング１０２に取り付けられる。内側の半導電性シールド層１０５は、Ｔ字型メイン絶縁ブッシング１０２の垂直チャンバの中ほどから水平チャンバの上部まで延在する。内側の半導電性シールド層１０５の長さは、Ｔ字型メイン絶縁ブッシング１０２の垂直長さより短い。
【００１５】
例えば、射出成形又はプレス成形によってＴ字型コネクタシース１を製造してもよい。具体的には、本発明のＴ字型コネクタシース１は次のプロセスにより製造されてもよい。まず、内側の半導電性シールド層１０５を射出成形又はプレス成形で製造し、次に、メイン絶縁ブッシングの材料を内側の半導電性シールド層１０５の上に射出成形又はプレス成形してメイン絶縁ブッシングを製造する。最後に、外側の半導電性シールド層の材料をメイン絶縁ブッシングの上に射出成形又はプレス成形して外側の半導電性シールド層１０１を製造する。上記プロセスにおいて、外側の半導電性シールド層１０１は、別の方法として、外側の半導電性シールド層の材料をメイン絶縁ブッシングの上にコーティングして製造してもよい。
【００１６】
別の方法としては、本発明のＴ字型コネクタシースは次のように製造されてもよい。まず、内側の半導電性シールド層１０５及び外側の半導電性シールド層１０１を、それぞれ射出成形又はプレス成形により製造し、次いで、メイン絶縁ブッシングの材料を内側の半導電性シールド層と外側の半導電性シールド層との間で射出成形又はプレス成形してメイン絶縁ブッシングを形成する。
【００１７】
本発明によるＴ字型コネクタシースの製造プロセスにおいて、外側の半導電性シールド層１０１は、外側の半導電性シールド層の材料をメイン絶縁ブッシングの上にコーティングして形成してもよい。一方、米国特許出願公開第２００５０２２７５２２（Ａ１）号によるＴ字型コネクタシースの設計は、外側の半導電性シールド層をストレス制御層として用いている。この層はケーブルのシールド端部に接合されなければならず、外側の半導電性シールド層のテール部分はメイン絶縁ブッシングを超えて延在しなければならない。このため、外側の半導電性シールド層は、コーティングではなく射出成形又はプレス成形により製造される必要がある。その代わり、本発明のＴ字型コネクタシースは簡単なコーティングプロセスを用いることができる。したがって、鋳型の数を減らすことができ、Ｔ字型コネクタシースの製造プロセスを簡略化することができ、製造歩留まりを向上させることができる。
【００１８】
図１に示されるように、Ｔ字型メイン絶縁ブッシング１０２の水平チャンバの第１端部（図１の左端を参照のこと）は、外部電気装置を接続するための電気装置接続チャンバ１０４である。Ｔ字型メイン絶縁ブッシング１０２の第１端部の反対側の水平チャンバの別の端部（図１の右端を参照のこと）は、絶縁プラグを接続するための絶縁プラグチャンバ１０３である。垂直チャンバは、ケーブルラグチャンバ１０７とケーブル接続チャンバ１０８とを備える。ケーブルラグチャンバ１０７は水平チャンバに接続されてケーブルラグを収容する。ケーブル接続チャンバ１０８は、ケーブルラグチャンバ１０７の下方に配置され、ケーブルラグチャンバ１０７と接続されてケーブルを収容する。
【００１９】
Ｔ字型メイン絶縁ブッシング１０２は、誘電率が約５〜約１５の範囲内の弾性絶縁材から製造されるのが好ましい。本発明の一実施形態によると、弾性絶縁材はシリコンゴム又はエチレンプロピレンターポリマー（ＥＰＴ）を含む。しかしながら、本発明はこれら特定材料の使用に限定されない。メイン絶縁ブッシングに使用される弾性絶縁材は、好ましくは上記の誘電率の範囲を含む、その意図される用途の一連の所望の物理的性質を満たす任意の材料であることができる。例えば、Ｔ字型メイン絶縁ブッシングに上記誘電率を有する弾性絶縁材を使用することで、Ｔ字型メイン絶縁ブッシングは電力周波数耐電圧並びに部分放電特性の関連要件を満たすことができる。また、ケーブルのシールド端部の電界集中の問題にも対処することができ、Ｔ字型コネクタシースの絶縁性を確保しながら良好なストレス制御効果も示すことができる。したがって、本発明のコネクタシースに別個のアダプタ又はストレス制御層を追加的に提供する必要はない。本発明の一実施形態において、良好なストレス制御及び絶縁性を得るためのＴ字型メイン絶縁ブッシング１０２の誘電率は約５〜約１０の範囲内である。より好ましくは、Ｔ字型メイン絶縁ブッシング１０２の誘電率はおよそ７に設定される。
【００２０】
本発明によると、別個のストレス制御層又はアダプタを提供する必要がないので、Ｔ字型コネクタシースの製造プロセス、並びにＴ字型コネクタシース及びケーブルコネクタアセンブリの他の部品の組み立てを簡略化することができる。製造コスト及び生産効率も向上させることができる。
【００２１】
本発明のコネクタシース１をシリコンゴム又はエチレンプロピレンターポリマー（ＥＰＴ）などの弾性材料で製造する場合、コネクタシース１とケーブルとの接続に「常温収縮」プロセスを用いることができる。簡単に説明すると、そのような「常温収縮」プロセスは、本質的に以下のように用いることができる。ケーブルに接続する前にあらかじめＴ字型コネクタシースをコアリールの中で拡張する。次に、ケーブルを実装する際、ケーブルをコアリールのケーブル挿入チャンバの中に挿入することができ、その後コアリールをコネクタシースからから引き出してケーブルをコネクタシースの中にクランプさせることができる。コアリールが引き出された後、コネクタシースはその弾性により自動的に収縮するので、コネクタシースは継続的な半径方向の押圧力でケーブル上にクランプし、その結果ケーブルとコネクタシースとの接続を完了することができる。
【００２２】
図２は、Ｔ字型コネクタシース１と、コネクタシース１の中に差し込まれたコアリール２０１で構成されるアセンブリ２の構造を示す概略図である。コアリール２０１は所定の剛性を有する中空構造を有する。図２に示されるように、ケーブル接続チャンバ１０８より大きな長さを有するコアリール２０１は、Ｔ字型コネクタシース１のケーブル接続チャンバ１０８の中に挿入される。したがって、コアリール２０１はケーブル接続チャンバ１０８から突き出ている。コアリール２０１は、ケーブルを挿入しやすくするためにケーブルの外径より大きい内径を有するケーブル挿入チャンバ２０２を画定している。コアリール２０１の一方の端部にはコアリール引張端部２０３が形成され、コアリール引張端部２０３は、ケーブルが拡張されたコネクタシースの中に実装された後に、技師がコアリール引張端部２０３を容易に把握してＴ字型コネクタシース１からコアリール２０１を引き抜くことができるのに十分な長さを有する。
【００２３】
図３は、Ｔ字型コネクタシース１、及びケーブルラグ３０１に結合されたケーブルで構成されるアセンブリ３を示す構造図である。ケーブルラグ３０１はケーブルラグチャンバ１０７の中に受容され、その長さは内側の半導電性シールド層１０５より短い。ケーブルラグ３０１はその中にケーブル伝導体３０２を受容するための深穴を有する。ケーブル伝導体３０２の長さはケーブルラグ３０１の内部の穴の深さより長い。したがって、実装後、ケーブル伝導体３０２の一部分はケーブルラグ３０１の外部に露出する。ケーブルラグ３０１をケーブル伝導体３０２上に容易に実装可能なように、ケーブル伝導体３０２の外径はケーブルラグ３０１の内部の穴の直径より小さい。ケーブルは、内層から外層に向かって、ケーブル伝導体３０２と、ケーブル絶縁層３０３と、ケーブルの外部シールド層３０４と、ケーブルの銅シールド層３０７とを備える。ケーブル絶縁層３０３の外径は、非拡張状態におけるＴ字型コネクタシースのケーブル接続チャンバ１０８の内径より大きいので、コネクタシースはケーブルを接続した後にケーブルと密着し続けることができる。
【００２４】
図２及び図３を用いて、コネクタシース１とケーブルを接続するプロセスを説明することができる。工場で製造する場合、図２に示されるようなＴ字型コネクタシース１及びコアリール２０１で構成されるアセンブリ２を形成するために、射出成形又はプレス成形で形成されたＴ字型コネクタシース１をコアリール２０１上で拡張する。ケーブルを接続する際は、まず、ケーブル３０８の構成層を順番に剥離することができ、ケーブル伝導体３０２、ケーブル絶縁層３０３、ケーブルの外部シールド層３０４、及び銅シールド層３０７をそれぞれ図３に示されるように露出させる。次に、ケーブル伝導体３０２をケーブルラグ３０１の内部の深穴の中に挿入してケーブルラグ３０１と共に押圧する。その後、図２に示されるように、ケーブル３０８のアセンブリ及びケーブルラグ３０１をコアリール２０１のケーブル挿入チャンバ２０２の中に挿入する。続いて、ケーブルを固着した後、コアリール引張端部２０３を引っ張ってコアリール２０１をＴ字型コネクタシース１から引き出す。このとき、コネクタシース１はその弾性により自動的に収縮し、継続的な押圧力でケーブルを圧迫する。加えて、単一仕様の１種類のコネクタシースで、断面寸法の異なる数種類のケーブルを網羅することができる。
【００２５】
図３に示されるように、Ｔ字型コネクタシース１とケーブルとの接続後、ケーブルの外部シールド層３０４とケーブル絶縁層３０３との間の境界は、Ｔ字型ケーブルコネクタシース１のケーブル接続チャンバ１０８の中央部近く又はほぼ中央部に位置しなければならない。図３に示されるように、ねじ接続型アセンブリ３０５は、接地線３０６と外側の半導電性シールド層１０１とが接続され得るように、接地孔１０６と接地線３０６とを接続する。
【００２６】
図４は、本発明のＴ字型ケーブルコネクタアセンブリをケーブル及び外部電気装置に接続して形成されたアセンブリ４の構造を示す図である。図４に示されるように、本発明のケーブルコネクタアセンブリは、図１に示されるようなＴ字型コネクタシース１を備える。ケーブルコネクタアセンブリは、接続ボルト４０１及び接続ナット４０３によって構成されるねじ接続型アセンブリを更に備えてもよい。ケーブルコネクタアセンブリはまた、絶縁プラグ４０４と、絶縁プラグ４０４の中に埋め込まれた第１の埋め込み部材４０７及び第２の埋め込み部材４０８と、半導体シールドテールプラグ４０５とを備えてもよい。
【００２７】
図４に示されるように、電気装置接続パーツ４０６及び絶縁プラグ４０４は共に、ボルト接続チャンバ４０２を画定している。接続ボルト４０１及び接続ナット４０３は、ボルト接続チャンバ４０２内に配置されて、ケーブルラグ３０１の一端部を外部電気装置接続パーツ４０６に接続する。本発明はこの構成に限定されない。ケーブルラグと外部電気装置接続パーツとを接続するのに他の接続手段を用いてもよい。ケーブルラグ３０１の他端はケーブル３０８と接続される。第１の埋め込み部材４０７及び第２の埋め込み部材４０８を絶縁プラグ４０４の内部に設けてもよい。電気装置接続パーツ４０６は、Ｔ字型メイン絶縁ブッシング１の電気装置接続チャンバ１０４の中に嵌合される。絶縁プラグ４０４は、Ｔ字型メイン絶縁ブッシング１の絶縁プラグチャンバ１０３の中に嵌合される。
【００２８】
図４を参照して、ケーブルコネクタアセンブリを外部電気装置に接続するプロセスを説明することができる。
【００２９】
Ｔ字型ケーブルコネクタアセンブリ１のアセンブリ３及びケーブルを電気装置と接続する際、まず、接続ボルト４０１及び接続スクリュー４０３で構成されるねじ接続型アセンブリによりケーブルラグ３０１を電気装置接続パーツ４０６に固定する。具体的には、まず、接続ボルト４０１を、ケーブルラグ３０１のケーブルに接続された端部の反対側の端部に通過させる。次に、ケーブルラグ３０１を通過した接続ボルト４０１の端部を（ねじによって）電気装置接続パーツ４０６に接続する。続いて、接続ボルト４０１の他端を接続ナット４０３に接続してケーブルラグ３０１を外部電気装置接続パーツ４０６上に固定する。
【００３０】
ねじ接続型アセンブリによってケーブルラグ３０１を外部電気装置接続パーツ４０６に固定した後、絶縁プラグ４０４と接続ボルト４０１を第１の埋め込み部材４０７によって接続する。絶縁プラグ４０４の第１端部（図４の左端）の中に第２の埋め込み部材４０８が埋め込まれ、第１の埋め込み部材４０７はその中に、接続ボルト４０１の他端を係合するためのねじ穴を有する。このようにして、絶縁プラグ４０４と接続ボルト４０１とを共に接続することができる。第２の埋め込み部材４０８が絶縁プラグ４０４の第２端部（図４の右端）に埋め込まれて、絶縁プラグ４０４を嵌合するときの操作部材に用いられる。即ち、技師は、第２の埋め込み部材４０８を螺合して絶縁プラグ４０４をＴ字型メイン絶縁ブッシング１の絶縁プラグチャンバ１０３の中に嵌合させる。
【００３１】
絶縁プラグ４０４の嵌合後、絶縁プラグ４０４の第２の埋め込み部材４０８がＴ字型コネクタシース１の外側の半導電性シールド層１０１に接続されるように、半導体シールドテールプラグ４０５を絶縁プラグ４０４の第２の埋め込み部材４０８上に実装する。こうして、本発明のケーブルコネクタアセンブリと電気装置の組み立てが完了する。
【００３２】
本発明によるＴ字型ケーブルコネクタアセンブリのＴ字型コネクタシースは、「常温収縮」プロセスを用いてもよい。Ｔ字型コネクタシースのメイン絶縁ブッシングは弾性材料から、射出成形又はプレス成形によって内側の半導電性シールド層の上に形成されてもよい。具体的には、絶縁弾性材料の誘電率は約５〜約１５の範囲内であることができ、これにより、６〜２４ｋＶケーブルの端部の電界集中に関する問題、及び、既存のＴ字型コネクタシースはメイン絶縁ブッシングの内部にストレス制御層を必要とするという問題に効果的に対処することができる。また、本発明のＴ字型ケーブルコネクタアセンブリは、Ｔ字型コネクタシースの外部シールド層を複雑なテーパ形状又はフレア形状に作製しなければならないという問題も解決することができる。
【実施例】
【００３３】
以下の表は、本発明のいくつかの実施形態による、異なる誘電率を有するＴ字型メイン絶縁ブッシングの電力周波数耐電圧試験及び部分放電特性試験の結果を示している。
【００３４】
試験１：
誘電率が約５であるシリコンゴムを厚さ約１２ｍｍのＴ字型メイン絶縁ブッシングに使用したＴ字型コネクタシース。Ｔ字型コネクタシースを、架橋ポリエチレンから製造され、電圧階級が８．７／１５ｋＶである断面積が約１８５ｍｍ２のケーブルに実装した。試験のバックグラウンド（周囲干渉）は＜１ｐＣであった。試料の試験結果は表１の通りである。
【００３５】
【表１】
2010539874.tif 000003
【００３６】
試験２：
誘電率が約７であるシリコンゴムを厚さ約１２ｍｍのＴ字型メイン絶縁ブッシングに使用した、Ｔ字型コネクタシース。Ｔ字型コネクタシースを、架橋ポリエチレンから製造され、電圧階級が８．７／１５ｋＶである断面積が約１８５ｍｍ２のケーブルに実装した。試験のバックグラウンド（周囲干渉）は＜１ｐＣであった。試料の試験結果は表２の通りである。
【００３７】
【表２】
2010539874.tif 000004
【００３８】
試験３：
誘電率が約１５であるシリコンゴムを厚さ約１２ｍｍのＴ字型メイン絶縁ブッシングに使用した、Ｔ字型コネクタシース。Ｔ字型コネクタシースを、架橋ポリエチレンから製造され、電圧階級が１２／２０ｋＶである断面積が約１８５ｍｍ２のケーブルに実装した。試験のバックグラウンド（周囲干渉）は＜１ｐＣであった。試料の試験結果は表３の通りである。
【００３９】
【表３】
2010539874.tif 000005
【００４０】
上記実施例から、例示のＴ字型コネクタシースの全てが電力周波数耐電圧及び部分放電特性の関連要件を満たしたことがわかる。
【００４１】
いくつかの好ましい実施形態が示され、記述されてきたが、本発明の範囲は請求項及びそれらの同等物において定義され、本発明の範囲、本発明の原理及び趣旨から逸脱することなく、これらの実施形態に変更がなされてもよいということは、当業者によって十分理解されるであろう。
【図１】
2010539874.tif 000006
【図２】
2010539874.tif 000007
【図３】
2010539874.tif 000008
【図４】
2010539874.tif 000009
【国際調査報告】
2010539874.tif 000010
2010539874.tif 000011
2010539874.tif 000012