(57)【要約】  本発明は、一般構造（１）のテーラード配位子を含む有機金属配位化合物を含有する発光層を含む有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）エレクトロルミネセントデバイスの分野を対象とし、ここで、（２）は１つまたは複数の環を含むＮ含有複素環であり、（３）は少なくとも２２，２２０ｃｍ-1の三重項エネルギーを有する単位である。
2010524222.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光層における発光化合物として一般構造：
【化１】
2010524222.tif 000045
［式中、
【化２】
2010524222.tif 000046
は１つまたは複数の環を含むＮ含有複素環であり、
【化３】
2010524222.tif 000047
は、≧２２，２２０ｃｍ-1の三重項エネルギーを有する単位である］
を有する少なくとも１つのテーラード配位子を有する金属錯体を含むＯＬＥＤ。
【請求項２】
配位子（１）が、≧１６，０００ｃｍ-1の三重項結合エネルギーを有する、請求項１記載のＯＬＥＤ。
【請求項３】
配位子（１）が、≧１６，０００ｃｍ-1から１９，５００ｃｍ-1の三重項エネルギーを有する、請求項１または２記載のＯＬＥＤ。
【請求項４】
配位子が、式（２）
【化４】
2010524222.tif 000048
［式中、各基Ｒは、水素、ヒドロキシル、ハロゲン、擬ハロゲン、ホルミル、カルボキシルおよび／またはカルボニル誘導体、アルキル、長鎖アルキル、アルコキシ、長鎖アルコキシ、シクロアルキル、ハロゲンアルキル、アリール、アリーレン、ハロゲンアリール、ヘテロアリール、ヘテロアリーレン、ヘテロシクロアルキレン、ヘテロシクロアルキル、ハロゲンヘテロアリール、アルケニル、ハロゲンアルケニル、アルキニル、ハロゲンアルキニル、ケト、ケトアリール、ハロゲンケトアリール、ケトヘテロアリール、ケトアルキル、ハロゲンケトアルキル、ケトアルケニル、ハロゲンケトアルケニル、ホスホアルキル、ホスホネート、ホスフェート、ホスフィン、ホスフィンオキサイド、ホスホリル、ホスホアリール、スルホニル、スルホアルキル、スルホアレニル、スルホネート、サルフェート、スルホン、アミン、ポリエーテル、シリルアルキル、および／またはシリルアルキルオキシを含む群から独立して選択され、
各Ｘは独立してＣまたはＮであり、
【化５】
2010524222.tif 000049
は１つまたは複数の環を含むＮ含有複素環である］
に示すトリフェニレンまたは置換トリフェニレン構造をベースとする、請求項１から３のいずれか１項記載のＯＬＥＤ。
【請求項５】
Ｎ−複素環単位が、置換または非置換であってよい、ピリジル環もしくはベンゾチアジル環、またはトリアゾリル環、イソオキサゾリル環もしくはピラゾリル環である、請求項１から４のいずれか１項記載のＯＬＥＤ。
【請求項６】
金属が、好ましくはＩｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｄ、およびＰｔを含む群から選択される遷移金属である、請求項１から５のいずれか１項記載のＯＬＥＤ。
【請求項７】
ＯＬＥＤデバイスの発光層に存在するエレクトロルミネセント錯体化合物の濃度が、好ましくは＞０から≦１００％（ｗｔ％）、より好ましくは≧５から≦５０％（ｗｔ％）、より好ましくは≧１０から≦３０％（ｗｔ％）、最も好ましくは≧１１から≦２５％（ｗｔ％）である、請求項１から６のいずれか１項記載のＯＬＥＤ。
【請求項８】
家庭用途、店舗照明、住宅照明、アクセント照明、スポット照明、劇場照明、光ファイバ用途、投射系、自己照明ディスプレイ、医療用照明用途、画素化ディスプレイ、セグメント化ディスプレイ、警告標識、指示標識、自動車照明、装飾照明における請求項１から７のいずれか１項記載のＯＬＥＤの使用。
【請求項９】
一般構造
【化６】
2010524222.tif 000050
［式中、
【化７】
2010524222.tif 000051
は１つまたは複数の環を含むＮ含有複素環であり、
【化８】
2010524222.tif 000052
は、≧２２，２２０ｃｍ-1の三重項エネルギーを有する単位である］
を有する少なくとも１つのテーラード配位子を有する金属錯体の使用。
【請求項１０】
配位子が、式（２）
【化９】
2010524222.tif 000053
［式中、各基Ｒは、水素、ヒドロキシル、ハロゲン、擬ハロゲン、ホルミル、カルボキシルおよび／またはカルボニル誘導体、アルキル、長鎖アルキル、アルコキシ、長鎖アルコキシ、シクロアルキル、ハロゲンアルキル、アリール、アリーレン、ハロゲンアリール、ヘテロアリール、ヘテロアリーレン、ヘテロシクロアルキレン、ヘテロシクロアルキル、ハロゲンヘテロアリール、アルケニル、ハロゲンアルケニル、アルキニル、ハロゲンアルキニル、ケト、ケトアリール、ハロゲンケトアリール、ケトヘテロアリール、ケトアルキル、ハロゲンケトアルキル、ケトアルケニル、ハロゲンケトアルケニル、ホスホアルキル、ホスホネート、ホスフェート、ホスフィン、ホスフィンオキサイド、ホスホリル、ホスホアリール、スルホニル、スルホアルキル、スルホアレニル、スルホネート、サルフェート、スルホン、アミン、ポリエーテル、シリルアルキル、および／またはシリルアルキルオキシを含む群から独立して選択され、
各ＸはＣまたはＮから独立して選択される］
に示すトリフェニレンまたは置換トリフェニレン構造をベースとする、請求項８記載の使用。
【請求項１１】
Ｎ−複素環単位が、置換または非置換であってよい、ピリジル環もしくはベンゾチアジル環、またはトリアゾリル環、イソオキサゾリル環もしくはピラゾリル環である、請求項８から１０のいずれか１項記載の使用。
【請求項１２】
金属が、好ましくはＩｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｄ、およびＰｔを含む群から選択される遷移金属である、請求項８または９記載の使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高い三重項エネルギーを有するテーラード配位子(tailored ligand)を含む有機金属配位化合物を含有する発光層を含む有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）エレクトロルミネセントデバイスの分野を対象とする。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネセント（ＥＬ）デバイスは２０年以上にわたって知られているが、その性能は概していくつかの負の影響により制限されている。最も単純な形態において、有機ＥＬデバイスは、正孔注入のためのアノード、電子注入のためのカソード、および発光を生じる電荷再結合を支持するこれらの電極間に挟持された有機媒体からなる。これらのデバイスは、一般に有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）と称される。
【０００３】
通常の有機ＥＬデバイスでは、発光中心分子が一重項励起状態から基底状態に遷移する間に生じる蛍光を発光として用いる。しかしながら、原則として、キャリアの再結合によって生成される全励起子の２５％しか一重項励起子を含まない。したがって、一重項状態から基底状態への遷移の間に生成される蛍光を利用する場合、発光効率の得られる理論上の上限は、生成される全励起子を基準にして２５％である。
【０００４】
この上限は、リン光材料を用いることによって克服することができる。より詳細には、リン光材料の場合には、キャリアの再結合によって生成される励起子が一重項励起子および三重項励起子を１：３の比で含む。三重項励起状態からの遷移の間に生成されるリン光を利用する場合、得られる発光効率は、理論的には、蛍光材料の効率の３倍であると期待される。したがって、ＯＬＥＤデバイスにおいて発光化合物として使用するための様々なリン光材料がこれまでに報告されている。
【０００５】
しかしながら、上述のリン光を利用する有機発光材料は、発光劣化の分野においていくつかの欠点を伴っていた。
【０００６】
近年、いくつかの金属錯体材料がＯＬＥＤにおける効率的な有機発光層として作用すると報告されている。その例は、ビフェニレンのような共役配位子系を含む遷移金属錯体から、ビス（アジニル）メタンボロン化合物のようないわゆるドーパントまでに及ぶ（ＥＰ１３４１２４２Ａ２も参照のこと）。
【０００７】
これらが電荷輸送として作用するために、発光層に高濃度の金属錯体化合物を有することが望ましい。
【０００８】
しかしながら、高濃度では、金属錯体分子の二量体がより容易に形成され得るとき、またはエキシプレックスもしくはエキシマーの形成が起こるとき、発光の消光の影響がより明らかになる。このように、各金属錯体化合物について、全体の発光効率についてだけでなく、発光層の寿命についての制限因子でもある最適濃度を決定することができる。
【０００９】
例えば、ＥＰ１１９１６１２Ａ２には、ＨＯＭＯ／ＬＵＭＯエネルギーギャップが小さくなるように、中心金属原子Ｉｒ、ＲｈまたはＰｄならびに２つ以上の窒素および／または硫黄原子を含有する少なくとも２つの環状配位子を有するルミネセンスデバイス用有機層に適した材料としての金属配位化合物が記載されており、これにより長波長発光（橙または赤）を可能にする。しかしながら、さらにより高い光ルミネセンス効果と共により高い熱安定性を有する発光化合物が望ましい。用語「ＨＯＭＯ」は、最高被占分子軌道を意味する。用語「ＬＵＭＯ」は、最低空分子軌道を意味する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
したがって、本発明の目的は、上述の欠点のいくつかを少なくとも部分的に克服することができ、良好な色純度ならびに適切な溶解性および熱安定性を示しながら発光層の効率を上げて容易な適用を促進するデバイスを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この目的は、発光層における発光化合物として一般構造：
【００１２】
【化１】
2010524222.tif 000003
［式中、
【００１３】
【化２】
2010524222.tif 000004
は１つまたは複数の環を含むＮ含有複素環であり、
【００１４】
【化３】
2010524222.tif 000005
は、≧２２，２２０ｃｍ-1の三重項エネルギーを有する単位である］
を有する少なくとも１つのテーラード配位子を有する遷移金属錯体を含むＯＬＥＤによって解決される。
【００１５】
本発明の範囲内の種々の用途について、このような錯体を用いることによって、ＯＬＥＤが良好な色純度および熱安定性などのＯＬＥＤのさらなる特徴を劣化させることなく高い効率の発光層を有し得ることが示されており−実際、本発明の範囲内の種々の用途について、これらの他の特徴をさらに改善することもできる。
【００１６】
本発明の好ましい実施形態において、ＯＬＥＤは、発光層に金属錯体を含み、前記１つのテーラード配位子は、≧１６，０００ｃｍ-1の三重項結合エネルギーを有する。より好ましくは、配位子は、≧１６，０００ｃｍ-1から≦１９，５００ｃｍ-1の三重項結合エネルギーを有する。
【００１７】
本発明の好ましい実施形態において、ＯＬＥＤは、発光層に金属錯体を含み、ここで、錯体は改善された消光挙動を有する。
【００１８】
本発明の好ましい実施形態によれば、遷移金属錯体は、一般構造：
【００１９】
【化４】
2010524222.tif 000006
［式中、
【００２０】
【化５】
2010524222.tif 000007
は１つまたは複数の環を含むＮ含有複素環であり、
【００２１】
【化６】
2010524222.tif 000008
は、≧２２，２２０ｃｍ-1の三重項エネルギーを有する単位である］
を有する少なくとも２つのテーラード配位子を含み、これにより配位子は、互いに独立して選択される。
【００２２】
本発明の好ましい実施形態によれば、遷移金属錯体は、以下の群：
【００２３】
【化７】
2010524222.tif 000009
［式中、各基Ｒは、水素、ヒドロキシル、ハロゲン、擬ハロゲン、ホルミル、カルボキシルおよび／またはカルボニル誘導体、アルキル、長鎖アルキル、アルコキシ、長鎖アルコキシ、シクロアルキル、ハロゲンアルキル、アリール、アリーレン、ハロゲンアリール、ヘテロアリール、ヘテロアリーレン、ヘテロシクロアルキレン、ヘテロシクロアルキル、ハロゲンヘテロアリール、アルケニル、ハロゲンアルケニル、アルキニル（ａｌｋｉｎｙｌ）、ハロゲンアルキニル（ａｌｋｉｎｙｌ）、ケト、ケトアリール、ハロゲンケトアリール、ケトヘテロアリール、ケトアルキル、ハロゲンケトアルキル、ケトアルケニル、ハロゲンケトアルケニル、ホスホアルキル、ホスホネート、ホスフェート、ホスフィン、ホスフィンオキサイド、ホスホリル、ホスホアリール、スルホニル、スルホアルキル、スルホアレニル、スルホネート、サルフェート、スルホン、アミン、ポリエーテル、シリルアルキル、および／またはシリルアルキルオキシを含む群から独立して選択される］；
【００２４】
【化８】
2010524222.tif 000010
［式中、各基Ｒは、水素、ヒドロキシル、ハロゲン、擬ハロゲン、ホルミル、カルボキシルおよび／またはカルボニル誘導体、アルキル、長鎖アルキル、アルコキシ、長鎖アルコキシ、シクロアルキル、ハロゲンアルキル、アリール、アリーレン、ハロゲンアリール、ヘテロアリール、ヘテロアリーレン、ヘテロシクロアルキレン、ヘテロシクロアルキル、ハロゲンヘテロアリール、アルケニル、ハロゲンアルケニル、アルキニル（ａｌｋｉｎｙｌ）、ハロゲンアルキニル、ケト、ケトアリール、ハロゲンケトアリール、ケトヘテロアリール、ケトアルキル、ハロゲンケトアルキル、ケトアルケニル、ハロゲンケトアルケニル、ホスホアルキル、ホスホネート、ホスフェート、ホスフィン、ホスフィンオキサイド、ホスホリル、ホスホアリール、スルホニル、スルホアルキル、スルホアレニル、スルホネート、サルフェート、スルホン、アミン、ポリエーテル、シリルアルキル、および／またはシリルアルキルオキシを含む群から独立して選択される］：
【００２５】
【化９】
2010524222.tif 000011
［式中、Ｒ1および／またはＲ2は、水素、ヒドロキシル、ハロゲン、擬ハロゲン、ホルミル、カルボキシルおよび／またはカルボニル誘導体、アルキル、長鎖アルキル、アルコキシ、長鎖アルコキシ、シクロアルキル、ハロゲンアルキル、アリール、アリーレン、ハロゲンアリール、ヘテロアリール、ヘテロアリーレン、ヘテロシクロアルキレン、ヘテロシクロアルキル、ハロゲンヘテロアリール、アルケニル、ハロゲンアルケニル、アルキニル、ハロゲンアルキニル、ケト、ケトアリール、ハロゲンケトアリール、ケトヘテロアリール、ケトアルキル、ハロゲンケトアルキル、ケトアルケニル、ハロゲンケトアルケニル、ホスホアルキル、ホスホネート、ホスフェート、ホスフィン、ホスフィンオキサイド、ホスホリル、ホスホアリール、スルホニル、スルホアルキル、スルホアレニル、スルホネート、サルフェート、スルホン、アミン、ポリエーテルを含む群から独立して選択され、Ｘ、ＹおよびＺは、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｓを含む群から独立して選択される］；
【００２６】
【化１０】
2010524222.tif 000012
［式中、Ｒ1および／またはＲ2は、水素、ヒドロキシル、ハロゲン、擬ハロゲン、ホルミル、カルボキシルおよび／またはカルボニル誘導体、アルキル、長鎖アルキル、アルコキシ、長鎖アルコキシ、シクロアルキル、ハロゲンアルキル、アリール、アリーレン、ハロゲンアリール、ヘテロアリール、ヘテロアリーレン、ヘテロシクロアルキレン、ヘテロシクロアルキル、ハロゲンヘテロアリール、アルケニル、ハロゲンアルケニル、アルキニル、ハロゲンアルキニル、ケト、ケトアリール、ハロゲンケトアリール、ケトヘテロアリール、ケトアルキル、ハロゲンケトアルキル、ケトアルケニル、ハロゲンケトアルケニル、ホスホアルキル、ホスホネート、ホスフェート、ホスフィン、ホスフィンオキサイド、ホスホリル、ホスホアリール、スルホニル、スルホアルキル、スルホアレニル、スルホネート、サルフェート、スルホン、アミン、ポリエーテルを含む群から独立して選択され；ＸおよびＹは、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｓを含む群から独立して選択される］；
【００２７】
【化１１】
2010524222.tif 000013
［式中、Ｒ1は、水素、ヒドロキシル、ハロゲン、擬ハロゲン、ホルミル、カルボキシ−および／またはカルボニル誘導体、アルキル、長鎖アルキル、アルコキシ、長鎖アルコキシ、シクロアルキル、ハロゲンアルキル、アリール、アリーレン、ハロゲンアリール、ヘテロアリール、ヘテロアリーレン、ヘテロシクロアルキレン、ヘテロシクロアルキル、ハロゲンヘテロアリール、アルケニル、ハロゲンアルケニル、アルキニル、ハロゲンアルキニル、ケト、ケトアリール、ハロゲンケトアリール、ケトヘテロアリール、ケトアルキル、ハロゲンケトアルキル、ケトアルケニル、ハロゲンケトアルケニル、ホスホアルキル、ホスホネート、ホスフェート、ホスフィン、ホスフィンオキサイド、ホスホリル、ホスホアリール、スルホニル、スルホアルキル、スルホアレニル、スルホネート、サルフェート、スルホン、アミン、ポリエーテルを含む群から選択され、
Ｗ、Ｘ、ＹおよびＺは、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｓを含む群から独立して選択される］；
【００２８】
【化１２】
2010524222.tif 000014
［式中、Ｒ1、Ｒ2および／またはＲ3は、水素、ヒドロキシル、ハロゲン、擬ハロゲン、ホルミル、カルボキシルおよび／またはカルボニル誘導体、アルキル、長鎖アルキル、アルコキシ、長鎖アルコキシ、シクロアルキル、ハロゲンアルキル、アリール、アリーレン、ハロゲンアリール、ヘテロアリール、ヘテロアリーレン、ヘテロシクロアルキレン、ヘテロシクロアルキル、ハロゲンヘテロアリール、アルケニル、ハロゲンアルケニル、アルキニル、ハロゲンアルキニル、ケト、ケトアリール、ハロゲンケトアリール、ケトヘテロアリール、ケトアルキル、ハロゲンケトアルキル、ケトアルケニル、ハロゲンケトアルケニル、ホスホアルキル、ホスホネート、ホスフェート、ホスフィン、ホスフィンオキサイド、ホスホリル、ホスホアリール、スルホニル、スルホアルキル、スルホアレニル、スルホネート、サルフェート、スルホン、アミン、ポリエーテルを含む群から独立して選択され、
Ｘ、ＹおよびＺは、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｓを含む群から独立して選択される］
から選択される少なくとも１つのさらなる配位子を含む。
【００２９】
結合
【００３０】
【化１３】
2010524222.tif 000015
は、全ての可能性のあるシス／トランス異性体が上記構造によって対象とされることを示すものとすることに注目すべきである。
【００３１】
Ｒについての表示および／または表記方法は、いずれの上記構造においても、各々の芳香環において唯一の置換残基が存在することを意味または意図しているのではないことに注意すべきである。むしろ、式は、全ての可能性のある置換（モノ−、ジ−からテトラまで、および／または５置換）がこの表記によって意味されるかのように理解するべきである。このことは、本出願において言及される全てのさらなる構造にも適用される。
【００３２】
本発明の他の実施形態において、金属錯体化合物は、式（２）
【００３３】
【化１４】
2010524222.tif 000016
［式中、各基Ｒは、水素、ヒドロキシル、ハロゲン、擬ハロゲン、ホルミル、カルボキシルおよび／またはカルボニル誘導体、アルキル、長鎖アルキル、アルコキシ、長鎖アルコキシ、シクロアルキル、ハロゲンアルキル、アリール、アリーレン、ハロゲンアリール、ヘテロアリール、ヘテロアリーレン、ヘテロシクロアルキレン、ヘテロシクロアルキル、ハロゲンヘテロアリール、アルケニル、ハロゲンアルケニル、アルキニル、ハロゲンアルキニル、ケト、ケトアリール、ハロゲンケトアリール、ケトヘテロアリール、ケトアルキル、ハロゲンケトアルキル、ケトアルケニル、ハロゲンケトアルケニル、ホスホアルキル、ホスホネート、ホスフェート、ホスフィン、ホスフィンオキサイド、ホスホリル、ホスホアリール、スルホニル、スルホアルキル、スルホアレニル、スルホネート、サルフェート、スルホン、アミン、ポリエーテル、シリルアルキル、および／またはシリルアルキルオキシを含む群から独立して選択され、
各Ｘは、独立してＣまたはＮであり、ここで、
【００３４】
【化１５】
2010524222.tif 000017
は、１つまたは複数の環を含むＮ含有複素環である］
に示すような、トリフェニレンまたは置換トリフェニレン構造をベースとするテーラード配位子を含む。
【００３５】
Ｒについての表示および／または表記方法は、いずれの上記構造においても、各々の芳香環において唯一の置換残基が存在することを意味または意図しているのではないことに注意するべきである；むしろ、式は、全ての可能性のある置換（モノ−、ジ−からテトラまで、および／または５置換）がこの表記によって意味されるかのように理解するべきである。このことは、本出願において言及される全てのさらなる構造にも適用される。
【００３６】
特に好ましい配位子の例を以下のスキームに示し、式中、トリフェニレン環系が同様にさらに置換されていてよく、および／または、トリフェニレン（ｔｒｉｐｅｈｎｙｌｅｎｅ）構造のＣＨ基の１つもしくは複数がＮ原子によって置換されていてよい：
【００３７】
【化１６】
2010524222.tif 000018
【００３８】
本発明のさらなる実施形態において、金属錯体化合物は、構造
【００３９】
【化１７】
2010524222.tif 000019
［式中、
【００４０】
【化１８】
2010524222.tif 000020
は、≧２２，２２０ｃｍ-1の三重項エネルギーを有する単位であり、
各基Ｒは、水素、ヒドロキシル、ハロゲン、擬ハロゲン、ホルミル、カルボキシルおよび／またはカルボニル誘導体、アルキル、長鎖アルキル、アルコキシ、長鎖アルコキシ、シクロアルキル、ハロゲンアルキル、アリール、アリーレン、ハロゲンアリール、ヘテロアリール、ヘテロアリーレン、ヘテロシクロアルキレン、ヘテロシクロアルキル、ハロゲンヘテロアリール、アルケニル、ハロゲンアルケニル、アルキニル、ハロゲンアルキニル、ケト、ケトアリール、ハロゲンケトアリール、ケトヘテロアリール、ケトアルキル、ハロゲンケトアルキル、ケトアルケニル、ハロゲンケトアルケニル、ホスホアルキル、ホスホネート、ホスフェート、ホスフィン、ホスフィンオキサイド、ホスホリル、ホスホアリール、スルホニル、スルホアルキル、スルホアレニル、スルホネート、サルフェート、スルホン、アミン、ポリエーテル、シリルアルキル、および／またはシリルアルキルオキシを含む群から独立して選択され、
各Ｘは、独立してＣまたはＮである］
をベースとするテーラード配位子を含む。
【００４１】
この実施形態の好ましいＸ−、−Ｎ−複素環の例は、概して１、２、３、または４個のＮ原子、特に好ましくは１、２、または３個のＮ原子、最も特に好ましくは１または２個のＮ原子を有する。
【００４２】
本発明のさらなる実施形態によれば、金属錯体化合物は、構造
【００４３】
【化１９】
2010524222.tif 000021
［式中、
【００４４】
【化２０】
2010524222.tif 000022
は、≧２２，２２０ｃｍ-1の三重項エネルギーを有する単位であり、
各基Ｒは、水素、ヒドロキシル、ハロゲン、擬ハロゲン、ホルミル、カルボキシルおよび／またはカルボニル誘導体、アルキル、長鎖アルキル、アルコキシ、長鎖アルコキシ、シクロアルキル、ハロゲンアルキル、アリール、アリーレン、ハロゲンアリール、ヘテロアリール、ヘテロアリーレン、ヘテロシクロアルキレン、ヘテロシクロアルキル、ハロゲンヘテロアリール、アルケニル、ハロゲンアルケニル、アルキニル、ハロゲンアルキニル、ケト、ケトアリール、ハロゲンケトアリール、ケトヘテロアリール、ケトアルキル、ハロゲンケトアルキル、ケトアルケニル、ハロゲンケトアルケニル、ホスホアルキル、ホスホネート、ホスフェート、ホスフィン、ホスフィンオキサイド、ホスホリル、ホスホアリール、スルホニル、スルホアルキル、スルホアレニル、スルホネート、サルフェート、スルホン、アミン、ポリエーテル、シリルアルキル、および／またはシリルアルキルオキシを含む群から独立して選択され、各Ｘは、独立してＣまたはＮ、Ｏおよび／またはＳである］
をベースとするテーラード配位子を含む。
【００４５】
特に好ましいＸ−、Ｎ−複素環単位は、置換または非置換であってよい、ピリジル環もしくはベンゾチアジル環、またはトリアゾリル環、イソオキサゾリル環もしくはピラゾリル環である。
【００４６】
この実施形態の好ましいＸ−、−Ｎ−複素環の例は、概して１、２、３、または４個のＮ原子、特に好ましくは１、２、または３個のＮ原子、最も特に好ましくは１または２個のＮ原子を有する。
【００４７】
このような５員複素環の例として、以下の構造（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、および（ｄ）：
【００４８】
【化２１】
2010524222.tif 000023
［式中、Ｑは任意のＣＲaまたはＮであってよい］が挙げられる。
【００４９】
特に好ましい例は
【００５０】
【化２２】
2010524222.tif 000024
［式中、Ｒ’、Ｒ’’、Ｒ’’’およびＲ’’’’は、基Ｒについて上記される通りである］である。
【００５１】
有利なことに、発光層において≧１６，０００ｃｍ-1の三重項エネルギーを有する少なくとも１つのテーラード配位子を含む金属錯体化合物を含む本発明のＯＬＥＤは、より高濃度の発光化合物が発光層に包含され得るため、改善された光ルミネセンス効率を示す。励起状態の消光は、二量体形成を抑制することによって低減される。この目標は、配位子のサイズが大きいことにより金属錯体分子の距離が遠くなることに基づいて達成することができる。さらに、本発明の金属化合物の配位子はより剛性であり、結果として高い光ルミネセンス効率ももたらす。また、本ＯＬＥＤの発光化合物は、高い三重項エネルギーを有すると同時に高度の共役を有する。したがって、発光波長が非可視スペクトル域にシフトすることなく電荷移動を改善することができる。
【００５２】
本発明の錯体においてコア金属として使用することができる金属は、例えば、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、アルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属、例えばＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｒｅ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｈｇ、Ｃｄ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔａである。概して、本発明の発光錯体化合物の金属は、好ましくは任意の遷移金属であり得る。より好ましくは、発光化合物の遷移金属は、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｄ、およびＰｔを含む群から選択される。
【００５３】
総称的な基の定義：
説明および特許請求の範囲を通して、総称的な基、例えばアルキル、アルコキシ、アリールを用いた。別途特定しない限り、以下は、本明細書で開示される化合物に見られる総称的な基に適用されてよい好ましい基である：
アルキル：直鎖および分枝Ｃ１〜Ｃ８−アルキル、
長鎖アルキル：直鎖および分枝Ｃ５〜Ｃ２０アルキル
アルケニル：Ｃ２〜Ｃ６−アルケニル、
シクロアルキル：Ｃ３〜Ｃ８−シクロアルキル、
アルコキシ：Ｃ１〜Ｃ６−アルコキシ、
長鎖アルコキシ：直鎖および分枝Ｃ５〜Ｃ２０アルコキシ、
アルキレン：メチレン、１，１−エチレン、１，２−エチレン、１，１−プロピリデン、１，２−プロピレン、１，３−プロピレン、２，２−プロピリデン、ブタン−２−オール−１，４−ジイル、プロパン−２−オール−１，３−ジイル、１，４−ブチレン、シクロヘキサン−１，１−ジイル、シクロヘキサン−１，２−ジイル；シクロヘキサン−１，３−ジイル、シクロヘキサン−１，４−ジイル、シクロペンタン−１，１−ジイル、シクロペンタン−１，２−ジイル、およびシクロペンタン−１，３−ジイルからなる群から選択される、
アリール：３００未満の分子量を有するホモ芳香族化合物から選択される、
アリーレン：１，２−フェニレン、１，３−フェニレン、１，４−フェニレン、１，２−ナフタレニレン、１，３−ナフタレニレン、１，４−ナフタレニレン、２，３−ナフタレニレン、１−ヒドロキシ−２，３−フェニレン、１−ヒドロキシ−２，４−フェニレン、１−ヒドロキシ−２，５−フェニレン、および１−ヒドロキシ−２，６−フェニレンからなる群から選択される、
ヘテロアリール：ピリジニル、ピリミジニル、ピラジニル、トリアゾリル、ピリダジニル、１，３，５−トリアジニル、キノリニル、イソキノリニル、キノキサリニル、イミダゾリル、ピラゾリル、ベンズイミダゾリル、チアゾリル、ベンゾチアジル、オキサゾリジニル、イソオキサゾリル、ピロリル、カルバゾリル、インドリル、およびイソインドリルからなる群から選択され、ここで、ヘテロアリールは、選択されたヘテロアリールの環の任意の原子を介して化合物に結合されていてよい、
ヘテロアリーレン：ピリジンジイル、キノリンジイル、ピラゾジイル、ピラゾールジイル、トリアゾールジイル、ピラジンジイル、およびイミダゾールジイルからなる群から選択され、ここで、ヘテロアリーレンは、選択されたヘテロアリーレンの環の任意の原子を介して化合物における橋梁として作用しており、より詳細には、好ましくは、ピリジン−２，３−ジイル、ピリジン−２，４−ジイル、ピリジン−２，５−ジイル、ピリジン−２，６−ジイル、ピリジン−３，４−ジイル、ピリジン−３，５−ジイル、キノリン−２，３−ジイル、キノリン−２，４−ジイル、キノリン−２，８−ジイル、イソキノリン−１，３−ジイル、イソキノリン−１，４−ジイル、ピラゾール−１，３−ジイル、ピラゾール−３，５−ジイル、トリアゾール−３，５−ジイル、トリアゾール−１，３−ジイル、ピラジン−２，５−ジイル、およびイミダゾール−２，４−ジイル、−Ｃ１〜Ｃ６−ヘテロシクロアルキルであり、ここで、−Ｃ１〜Ｃ６−ヘテロシクロアルキルのヘテロシクロアルキルは：ピペリジニル、ピペリジン、１，４−ピペラジン、テトラヒドロチオフェン、テトラヒドロフラン、１，４，７−トリアザシクロノナン、１，４，８，１１−テトラアザシクロテトラデカン、１，４，７，１０，１３−ペンタアザシクロペンタデカン、１，４−ジアザ−７−チア−シクロノナン、１，４−ジアザ−７−オキサ−シクロノナン、１，４，７，１０−テトラアザシクロドデカン、１，４−ジオキサン、１，４，７−トリチア−シクロノナン、ピロリジン、およびテトラヒドロピランからなる群から選択され、ここで、ヘテロシクロアルキルは、選択されたヘテロシクロアルキルの環の任意の原子を介して−Ｃ１〜Ｃ６−アルキルに結合されていてよい、
ヘテロシクロアルキレン：ピペリジン−１，２−イレン、ピペリジン−２，６−イレン、ピペリジン−４，４−イリデン、１，４−ピペラジン−１，４−イレン、１，４−ピペラジン−２，３−イレン、１，４−ピペラジン−２，５−イレン、１，４−ピペラジン−２，６−イレン、１，４−ピペラジン−１，２−イレン、１，４−ピペラジン−１，３−イレン、１，４−ピペラジン−１，４−イレン、テトラヒドロチオフェン−２，５−イレン、テトラヒドロチオフェン−３，４−イレン、テトラヒドロチオフェン−２，３−イレン、テトラヒドロフラン−２，５−イレン、テトラヒドロフラン−３，４−イレン、テトラヒドロフラン−２，３−イレン、ピロリジン−２，５−イレン、ピロリジン−３，４−イレン、ピロリジン−２，３−イレン、ピロリジン−１，２−イレン、ピロリジン−１，３−イレン、ピロリジン−２，２−イリデン、１，４，７−トリアザシクロノン−１，４−イレン、１，４，７−トリアザシクロノン−２，３−イレン、１，４，７−トリアザシクロノン−２，９−イレン、１，４，７−トリアザシクロノン−３，８−イレン、１，４，７−トリアザシクロノン−２，２−イリデン、１，４，８，１１−テトラアザシクロテトラデス−１，４−イレン、１，４，８，１１−テトラアザシクロテトラデス−１，８−イレン、１，４，８，１１−テトラアザシクロテトラデス−２，３−イレン、１，４，８，１１−テトラアザシクロテトラデス−２，５−イレン、１，４，８，１１−テトラアザシクロテトラデス−１，２−イレン、１，４，８，１１−テトラアザシクロテトラデス−２，２−イリデン、１，４，７，１０−テトラアザシクロドデス−１，４−イレン、１，４，７，１０−テトラアザシクロドデス−１，７−イレン、１，４，７，１０−テトラアザシクロドデス−１，２−イレン、１，４，７，１０−テトラアザシクロドデス−２，３−イレン、１，４，７，１０−テトラアザシクロドデス−２，２−イリデン、１，４，７，１０，１３ペンタアザシクロペンタデス−１，４−イレン、１，４，７，１０，１３−ペンタアザシクロペンタデス−１，７−イレン、１，４，７，１０，１３−ペンタアザシクロペンタデス−２，３−イレン、１，４，７，１０，１３−ペンタアザシクロペンタデス−１，２−イレン、１，４，７，１０，１３−ペンタアザシクロペンタデス−２，２−イリデン、１，４−ジアザ−７−チア−シクロノン−１，４−イレン、１，４−ジアザ−７−チア−シクロノン−１，２−イレン、１，４−ジアザ−７チア−シクロノン−２，３−イレン、１，４−ジアザ−７−チア−シクロノン−６，８−イレン、１，４−ジアザ−７−チア−シクロノン−２，２−イリデン、１，４−ジアザ−７−オキサシクロノン−１，４−イレン、１，４−ジアザ−７−オキサ−シクロノン−１，２−イレン、１，４ジアザ−７−オキサ−シクロノン−２，３−イレン、１，４−ジアザ−７−オキサ−シクロノン−６，８−イレン、１，４−ジアザ−７−オキサ−シクロノン−２，２−イリデン、１，４−ジオキサン−２，３−イレン、１，４−ジオキサン−２，６−イレン、１，４−ジオキサン−２，２−イリデン、テトラヒドロピラン−２，３−イレン、テトラヒドロピラン−２，６−イレン、テトラヒドロピラン−２，５−イレン、テトラヒドロピラン−２，２−イリデン、１，４，７−トリチア−シクロノン−２，３−イレン、１，４，７−トリチア−シクロノン−２，９−イレン、および１，４，７−トリチア−シクロノン−２，２−イリデンからなる群から選択される、
ヘテロシクロアルキル：ピロリニル、ピロリジニル、モルホリニル、ピペリジニル、ピペラジニル、ヘキサメチレンイミン、１，４−ピペラジニル、テトラヒドロチオフェニル、テトラヒドロフラニル、１，４，７−トリアザシクロノナニル、１，４，８，１１−テトラアザシクロテトラデカニル、１，４，７，１０，１３−ペンタアザシクロペンタデカニル、１，４−ジアザ−７−チアシクロノナニル、１，４−ジアザ−７−オキサ−シクロノナニル、１，４，７，１０−テトラアザシクロドデカニル、１，４−ジオキサニル、１，４，７−トリチアシクロノナニル、テトラヒドロピラニル、およびオキサゾリジニルからなる群から選択され、ここで、ヘテロシクロアルキルは、選択されたヘテロシクロアルキルの環の任意の原子を介して化合物に結合されていてよい、
アミン：基−Ｎ（Ｒ）２、式中、各Ｒは、水素；Ｃ１〜Ｃ６−アルキル；Ｃ１〜Ｃ６−アルキル−Ｃ６Ｈ５、およびフェニルから独立して選択され、また、両方のＲがＣ１〜Ｃ６−アルキルであるとき両方のＲは一緒になって、複素環へのアルキル置換基を形成する任意の残存アルキル鎖を含む−ＮＣ３〜−ＮＣ５複素環を形成することができる、
ハロゲン：Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群から選択される、
ハロゲンアルキル：モノ、ジ、トリ−、ポリおよび過ハロゲン化直鎖および分枝Ｃ１〜Ｃ８−アルキルからなる群から選択される、
擬ハロゲン：−ＣＮ、−ＳＣＮ、−ＯＣＮ、Ｎ３、−ＣＮＯ、−ＳｅＣＮからなる群から選択される、
スルホネート：基−Ｓ（Ｏ）２ＯＲ、式中、Ｒは、水素、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、フェニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル−Ｃ６Ｈ５、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ、Ｍｇ、およびＣａから選択される、
サルフェート：基−ＯＳ（Ｏ）２ＯＲ、式中、Ｒは、水素；Ｃ１〜Ｃ６−アルキル；フェニル；Ｃ１〜Ｃ６−アルキル−Ｃ６Ｈ５；Ｌｉ；Ｎａ；Ｋ；Ｃｓ；Ｍｇ；およびＣａから選択される、
スルホン：基−Ｓ（Ｏ）２Ｒ、式中、Ｒは、水素、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、フェニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル−Ｃ６Ｈ５、および基−ＮＲ’２（式中、各Ｒ’は：水素、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１Ｃ６−アルキル−Ｃ６Ｈ５、およびフェニルから独立して選択され、両方のＲ’がＣ１〜Ｃ６−アルキルであるとき両方のＲ’は一緒になって、複素環へのアルキル置換基を形成する任意の残存アルキル鎖を含む−ＮＣ３〜−ＮＣＳ複素環を形成することができる）から選択されるアミン（スルホンアミドを与える）から選択される、
カルボキシレート誘導体：基−Ｃ（Ｏ）ＯＲ、式中、Ｒは、水素、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、フェニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル−Ｃ６Ｈ５、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ、Ｍｇ、およびＣａから選択される。
カルボニル誘導体：基−Ｃ（Ｏ）Ｒ、式中、Ｒは、水素、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、フェニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル−Ｃ６Ｈ５、および基−ＮＲ’２（式中、各Ｒ’は、水素、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル−Ｃ６Ｈ５、およびフェニルから独立して選択され、両方のＲ’がＣ１〜Ｃ６−アルキルであるとき両方のＲ’は一緒になって、複素環へのアルキル置換基を形成する任意の残存アルキル鎖を含む−ＮＣ３〜−ＮＣ５複素環を形成することができる）から選択されるアミン（アミドを与える）から選択される、
ホスホネート：基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ）２、式中、各Ｒは、水素、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、フェニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル−Ｃ６Ｈ５、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ、Ｍｇ、およびＣａから独立して選択される、
ホスフェート：基−ＯＰ（Ｏ）（ＯＲ）２、式中、各Ｒは、水素、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、フェニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル−Ｃ6Ｈ5、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ、Ｍｇ、およびＣａから独立して選択される、
ホスフィン：基−Ｐ（Ｒ）２、式中、各Ｒは、水素、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、フェニル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル−Ｃ６Ｈ５から独立して選択される、
ホスフィンオキサイド：基−Ｐ（Ｏ）Ｒ２、式中、Ｒは、水素、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、フェニル、およびＣ１〜Ｃ６−アルキル−Ｃ６Ｈ５、ならびに基−ＮＲ’２（式中、各Ｒ’は、水素、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル−Ｃ６Ｈ５、およびフェニルから独立して選択され、両方のＲ’がＣ１〜Ｃ６−アルキルであるとき両方のＲ’は一緒になって、複素環へのアルキル置換基を形成する任意の残存アルキル鎖を含む−ＮＣ３〜−ＮＣ５複素環を形成することができる）から独立して選択されるアミン（ホスホンアミデートを与える）から選択される。
ポリエーテル：−（Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ（Ｒ））ｎ−ＯＨおよび−（Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ（Ｒ））ｎ−Ｈを含む群から選択され、これにより、Ｒは、水素、アルキル、アリール、ハロゲンから独立して選択され、ｎは１〜２５０である、
シリルアルキル：基−ＳｉＲ３、これにより、各Ｒは、水素、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル−Ｃ６Ｈ５、およびフェニルから独立して選択され、ここで、両方のＲがＣ１〜Ｃ６−アルキルであるとき両方のＲは一緒になって、複素環へのアルキル置換基を形成する任意の残存アルキル鎖を含む−ＮＣ３〜−ＮＣ５複素環を形成することができる、
シリルアルキルオキシ：基−ＯＳｉＲ３、これにより、各Ｒは、水素、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル−Ｃ６Ｈ５、およびフェニルから独立して選択され、ここで、両方のＲがＣ１〜Ｃ６−アルキルであるとき両方のＲは一緒になって、複素環へのアルキル置換基を形成する任意の残存アルキル鎖を含む−ＮＣ３〜−ＮＣ５複素環を形成することができる。
【００５４】
別途特定しない限り、以下は、本明細書に開示される化合物内に見られる基に適用することができるより好ましい基の制約である：
アルキル：直鎖および分枝Ｃ１〜Ｃ６−アルキル
長鎖アルキル：直鎖および分枝Ｃ５〜Ｃ１０アルキル、好ましくは直鎖Ｃ６〜Ｃ８アルキル
アルケニル：Ｃ３〜Ｃ６−アルケニル
シクロアルキル：Ｃ６〜Ｃ８−シクロアルキル
アルコキシ：Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシ
長鎖アルコキシ：直鎖および分枝Ｃ５〜Ｃ１０アルコキシ、好ましくは直鎖Ｃ６〜Ｃ８アルコキシ
アルキレン：メチレン、１，２−エチレン、１，３−プロピレン、ブタン−２−オール−１，４−ジイル、１，４−ブチレン、シクロヘキサン−１，１−ジイル、シクロヘキサン−１，２−ジイル、シクロヘキサン−１，４−ジイル、シクロペンタン−１，１−ジイル、およびシクロペンタン−１，２−ジイルからなる群から選択される、
アリール：フェニル、ビフェニル、ナフタレニル、アントラセニル、およびフェナントレニルからなる群から選択される、
アリーレン：１，２−フェニレン、１，３−フェニレン、１，４−フェニレン、１，２−ナフタレニレン、１，４−ナフタレニレン、２，３−ナフタレニレンおよび１−ヒドロキシ−２，６−フェニレンからなる群から選択される、
ヘテロアリール：ピリジニル、ピリミジニル、キノリニル、ピラゾリル、トリアゾリル、イソキノリニル、イミダゾリル、ベンゾチアジル、イソオキサゾリル、およびオキサゾリジニルからなる群から選択され、式中、ヘテロアリールは、選択されたヘテロアリールの環の任意の原子を介して化合物に結合されていてよい；ヘテロアリーレン：ピリジン２，３−ジイル、ピリジン−２，４−ジイル、ピリジン−２，６−ジイル、ピリジン−３，５−ジイル、キノリン−２，３−ジイル、キノリン−２，４−ジイル、イソキノリン−１，３−ジイル、イソキノリン−１，４−ジイル、ピラゾール−３，５−ジイル、およびイミダゾール−２，４−ジイルからなる群から選択される、
ヘテロシクロアルキル：ピロリジニル、モルホリニル、ピペリジニル、ピペリジニル、１，４ピペラジニル、テトラヒドロフラニル、１，４，７−トリアザシクロノナニル、１，４，８，１１−テトラアザシクロテトラデカニル、１，４，７，１０，１３−ペンタアザシクロペンタデカニル、１，４，７，１０−テトラアザシクロドデカニル、およびピペラジニルからなる群から選択され、ここで、ヘテロシクロアルキルは、選択されたヘテロシクロアルキルの環の任意の原子を介して化合物に結合されていてよい；ヘテロシクロアルキレン：ピペリジン−２，６−イレン、ピペリジン−４，４−イリデン、１，４−ピペラジン−１，４−イレン、１，４−ピペラジン−２，３−イレン、１，４−ピペラジン−２，６−イレン、テトラヒドロチオフェン−２，５−イレン、テトラヒドロチオフェン−３，４−イレン、テトラヒドロフラン−２，５−イレン、テトラヒドロフラン−３，４−イレン、ピロリジン−２，５−イレン、ピロリジン−２，２−イリデン、１，４，７−トリアザシクロノン−１，４−イレン、１，４，７−トリアザシクロノン−２，３−イレン、１，４，７−トリアザシクロノン−２，２−イリデン、１，４，８，１１−テトラアザシクロテトラデス−１，４−イレン、１，４，８，１１−テトラアザシクロテトラデス−１，８−イレン、１，４，８，１１−テトラアザシクロテトラデス−２，３−イレン、１，４，８，１１−テトラアザシクロテトラデス−２，２−イリデン、１，４，７，１０−テトラアザシクロドデス−１，４−イレン、１，４，７，１０−テトラアザシクロドデス−１，７−イレン、１，４，７，１０−テトラアザシクロドデス−２，３−イレン、１，４，７，１０−テトラアザシクロドデス−２，２−イリデン、１，４，７，１０，１３−ペンタアザシクロペンタデス−１，４−イレン、１，４，７，１０，１３−ペンタアザシクロペンタデス−１，７−イレン、１，４−ジアザ−７−チア−シクロノン−１，４イレン、１，４−ジアザ−７−チア−シクロノン−２，３−イレン、１，４−ジアザ−７−チアシクロノン−２，２−イリデン、１，４−ジアザ−７−オキサ−シクロノン−１，４−イレン、１，４ジアザ−７−オキサ−シクロノン−２，３−イレン、１，４−ジアザ−７−オキサ−シクロノン−２，２−イリデン、１，４−ジオキサン−２，６−イレン、１，４−ジオキサン−２，２−イリデン、テトラヒドロピラン−２，６−イレン、テトラヒドロピラン−２，５−イレン、およびテトラヒドロピラン−２，２−イリデン、および−Ｃ１−Ｃ６−アルキル−ヘテロシクロアルキルからなる群から選択され、ここで、−Ｃ１〜Ｃ６−ヘテロシクロアルキルのヘテロシクロアルキルは、ピペリジニル、１，４−ピペラジニル、テトラヒドロフラニル、１，４，７−トリアザシクロノナニル、１，４，８，１１−テトラアザシクロテトラデカニル、１，４，７，１０，１３−ペンタアザシクロペンタデカニル、１，４，７，１０−テトラアザシクロドデカニル、およびピロリジニルからなる群から選択され、ヘテロシクロアルキルは、選択されたヘテロシクロアルキルの環の任意の原子を介して−Ｃ１〜Ｃ６−アルキルに結合されていてよい、
アミン：基−Ｎ（Ｒ）２、式中、各Ｒは、水素；Ｃ１〜Ｃ６−アルキル；およびベンジルから独立して選択される、
ハロゲン：ＦおよびＣｌからなる群から選択される、
スルホネート：基−Ｓ（Ｏ）２ＯＲ、式中、Ｒは、水素、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、およびＣａから選択される、
サルフェート：基−ＯＳ（Ｏ）２ＯＲ、式中、Ｒは、水素、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、およびＣａから選択される、
スルホン：基−Ｓ（Ｏ）２Ｒ、式中、Ｒは、水素、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、ベンジル、および基−ＮＲ’２（式中、各Ｒ’は：水素、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、およびベンジルから独立して選択される）から選択されるアミンから選択される、
カルボキシレート誘導体：基−Ｃ（Ｏ）ＯＲ、式中、Ｒは、水素、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、およびベンジルから選択される、
カルボニル誘導体：基−Ｃ（Ｏ）Ｒ、式中、Ｒは、水素、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、ベンジル、および基−ＮＲ’２（式中、各Ｒ’は、水素、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、およびベンジルから独立して選択される）から選択されるアミンから選択される、
ホスホネート：基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ）２、式中、各Ｒは、水素、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、ベンジル、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、およびＣａから独立して選択される、
ホスフェート：基−ＯＰ（Ｏ）（ＯＲ）２、式中、各Ｒは、水素、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、ベンジル、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、およびＣａから独立して選択される、
ホスフィン：基−Ｐ（Ｒ）２、式中、各Ｒは、水素、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、およびベンジルから独立して選択される、
ホスフィンオキサイド：基−Ｐ（Ｏ）Ｒ２、式中、Ｒは、水素、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、ベンジル、および基−ＮＲ’２（式中、各Ｒ’は、水素、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、およびベンジルから独立して選択される）から選択されるアミンから独立して選択される。
ポリエーテル：−（Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ（Ｒ））ｎ−ＯＨおよび−（Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ（Ｒ））ｎ−Ｈを含む群から選択され、これにより、Ｒは、水素、メチル、ハロゲンから独立して選択され、ｎは５〜５０、好ましくは１０〜２５である。
【００５５】
式２で示す一般構造の配位子は、いくつかの方法で合成することができる。例えば、そのような配位子は、以下のスキーム１によって生成することができる：
【００５６】
【化２３】
2010524222.tif 000025
【００５７】
あるいは、一般構造（２）をベースにしたテーラード配位子は、以下スキームに従って合成することもできる：
【００５８】
【化２４】
2010524222.tif 000026
当該スキームは単に１つの特定の例を示しているに過ぎず、また、本発明の配位子に限定していない。
【００５９】
本発明による配位子を合成する別の方法を、以下のスキーム３、４、および５に示す：
【００６０】
【化２５】
2010524222.tif 000027
【００６１】
示した反応に適した条件は、一般に、類似の反応に関する文献から公知である。スキーム３に言及した工程の各工程に関する適切な文献を以下に列挙する。特に好ましい反応条件は、以下の実施例の節にも言及されている。
ａ）およびｂ）ジヒドロピレンに関する類似の公報：Ｄ．Ｍ．Ｃｏｎｎｏｒ、Ｓ．Ｄ．Ｓｃｏｔｔ、Ｄ．Ｍ．Ｃｏｌｌａｒｄ、Ｃｈｒ．Ｌ．Ｌｉｏｔｔａ、Ｄ．Ａ．Ｓｃｈｉｒａｌｄｉ、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．１９９９、６４、６８８８〜６８９０。
ｃ）３−メチル−４−ニトロ安息香酸に関する類似の公報：Ｄ．Ｊ．Ｓａｌｌ、Ａ．Ｅ．Ａｒｆｅｓｔｅｎ、Ｊ．Ａ．Ｂａｓｔｉａｎ、Ｍ．Ｌ．Ｄｅｎｎｅｙ、Ｃ．Ｓ．Ｈａｒｍｓ、Ｊ．Ｍｅｄ．Ｃｈｅｍ．１９９７、４０、２８４３〜２８５７。
ｄ）３−（１−メチル−１，２，４−トリアゾール−３−イル）−アザビシクロ［２．２．２］オクタンに関する類似の公報：Ｈ．Ｊ．Ｗａｄｓｗｏｒｔｈ、Ｓ．Ｍ．Ｊｅｎｋｉｎｓ、Ｂ．Ｓ．Ｏｒｌｅｋ、Ｆ．Ｃａｓｓｉｄｙ、Ｍ．Ｓ．Ｇ．Ｃｌａｒｋ、Ｆ．Ｂｒｏｗｎ、Ｇ．Ｊ．Ｒｉｌｅｙ、Ｄ．Ｇｒａｖｅｓ、Ｊ．Ｈａｗｋｉｎｓ、Ｃｈｒ．Ｂ．Ｎａｙｌｏｒ、Ｊ．Ｍｅｄ．Ｃｈｅｍ．１９９２、３５、１２８０〜１２９０。
ｅ）およびｆ）ヨード安息香酸（Ｉｏｄｂｅｎｚｉｃ  ａｃｉｄ）に関する類似の公報：Ｓ．Ｅ．Ｇｉｂｓｏｎら、Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．２００５、１１、６９〜８０。
ｇ）ベンズアルデヒドオキシム（Ｂｅｎｚａｌｄｅｈｙｄ  Ｏｘｉｍ）に関する類似の公報：Ｐ．Ａｓｃｈｗａｎｄｅｎら、Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．２００５、７、５７４１〜５７４２。
ｈ）３置換イソオキサゾールに関する類似の公報：Ａ．Ｂａｒａｎｓｋｉ、Ｐｏｌ．Ｊ．Ｃｈｅｍ．１９８２、５６、１５８５〜１５８９  ｂｚｗ．Ｒ．Ｇ．Ｍｉｃｅｔｉｃｈ、Ｃａｎ．Ｊ．Ｃｈｅｍ  １９７０、４８、４６７〜４７６  ｂｚｗ．Ｓ．−Ｒ．Ｓｈｅｎｇ、Ｘ．−Ｌ．Ｌｉｕ、Ｑ．Ｘｕ、Ｃ．−Ｓ．Ｓｏｎｇ、Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ  ２００６、１４、２２９３〜２２９６。
【００６２】
スキーム３は単なる例である。トリフェニレン構造は、さらに置換基を有していてよく、またはトリフェニレン構造のＣ原子のいくつかは、Ｎ原子によって置換されていてよい。
【００６３】
トリフェニレン構造から出発する本発明配位子の例の別の合成方法は、スキーム４に示す経路を介して導くことができる。
【００６４】
【化２６】
2010524222.tif 000028
【００６５】
示した反応に適した条件は、一般に、類似の反応についての文献から公知である。スキーム３に言及した工程の各工程に関する適切な文献を以下に列挙する。特に好ましい反応条件は、以下の実施例の節にも言及されている。
ａ）Ｒ．Ｂｒｅｓｌｏｗ、Ｒｏｎａｌｄ、Ｂ．Ｊａｕｎ、Ｂｅｒｎｈａｒｄ、Ｒ．Ｑ．Ｋｌｕｔｔｚ、Ｃ．−ｚ．Ｘｉａ、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  １９８２、３８、８６３〜８６７の類似の公報。
ｂ）フェニルピラゾールに関する類似の公報：Ｊ．Ｃ．Ａｎｔｉｌｌａ、Ｊ．Ｍ．Ｂａｓｋｉｎ、Ｔ．Ｅ．Ｂａｒｄｅｒ、Ｓ．Ｌ．Ｂｕｃｈｗａｌｄ、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．２００４、６９、５５７８〜５５８７。
ｃ１）ジブロモクロロベンゾール（Ｄｉｂｒｏｍｃｈｌｏｒｂｅｎｚｏｌ）に関する類似の公報：Ｋ．Ｍｅｎｚｅｌ、Ｌ．Ｄｉｍｉｃｈｅｌｅ、Ｐ．Ｍｉｌｌｓ、Ｄ．Ｅ．Ｆｒａｎｔｚ、Ｔ．Ｄ．Ｎｅｌｓｏｎ、Ｍ．Ｈ．Ｋｒｅｓｓ、Ｓｙｎ．Ｌｅｔｔ．２００６、１２、１９４８〜１９５２。
ｃ２）テトラブロモアリーレート（Ｔｅｔｒａｂｒｏｍａｒｙｌａｔｅ）に関する類似の公報：Ｇ．Ｄｏｒｍａｎ、Ｊ．Ｄ．Ｏｌｓｚｅｗｓｋｉ、Ｇ．Ｄ．Ｐｒｅｓｔｗｉｃｈ、Ｙ．Ｈｏｎｇ、Ｄ．Ｇ．Ａｈｅｒｎ、Ｄａｖｉｄ  Ｇ、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．１９９５、６０、２２９２〜２２９７。
ｃ３）アリールの脱臭化に関する類似の公報：Ｓ．Ａｒａｉ、Ｍ．Ｏｋｕ、Ｔ．Ｉｓｈｉｄａ、Ｔ．Ｓｈｉｏｉｒｉ；Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  Ｌｅｔｔ．１９９９、４０、６７８５〜６７９０。
【００６６】
スキーム４は単なる例である。トリフェニレン構造は、さらに置換基を有していてよく、またはトリフェニレン構造のＣ原子のいくつかは、Ｎ原子によって置換されていてよい。
【００６７】
さらに、本発明のトリフェニレン誘導体は、アリン（Ａｒｉｎ）カップリングによって合成することができる。一般スキーム５を以下に示す。
【００６８】
【化２７】
2010524222.tif 000029
【００６９】
【化２８】
2010524222.tif 000030
【００７０】
適切な反応条件は、例えば、記載のＺ．Ｌｉｕ、Ｒ．Ｌａｒｏｃｋ、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．２００７、７２、２２３〜２３２のような、メチルトリフェニレンの生成に類似する。
【００７１】
特に好ましい反応条件は、以下の実施例に言及されている。
【００７２】
本発明によるＯＬＥＤの発光層における発光成分として使用することができる金属錯体化合物の適切な例は、以下の式（３）、（４）、（５）、（６）、（７）、および（８）に示される：
【００７３】
【化２９】
2010524222.tif 000031
【００７４】
【化３０】
2010524222.tif 000032
【００７５】
【化３１】
2010524222.tif 000033
【００７６】
【化３２】
2010524222.tif 000034
【００７７】
【化３３】
2010524222.tif 000035
【００７８】
【化３４】
2010524222.tif 000036
【００７９】
このようなエレクトロルミネセントデバイスの良好なビルドアップのためには、エレクトロルミネセント化合物が電気的に中性であることが好ましい。このことは、例えば、荷電配位子を用いて金属イオン電荷を補うという点において達成することができる。非荷電エレクトロルミネセント化合物を用いることにより、エレクトロルミネセント化合物を蒸着により堆積させることができる。
【００８０】
好ましくは、少なくとも１つのエレクトロルミネセント化合物層の厚さは、＞０から≦１０００Å、より好ましくは≧５から≦７００Å、より好ましくは≧２０から≦５００Å、より好ましくは≧５０から≦２５０Å、最も好ましくは≧１００から≦１５０Åである。
【００８１】
ＯＬＥＤデバイスの発光層に存在するエレクトロルミネセント錯体化合物の濃度は、好ましくは＞０から≦１００％（ｗｔ％）、より好ましくは≧５から≦５０％（ｗｔ％）、より好ましくは≧１０から≦３０％（ｗｔ％）、最も好ましくは≧１１から≦２５％（ｗｔ％）である。
【００８２】
本発明による好ましいＯＬＥＤデバイスは、順に、少なくとも１つの第１電極、上述の少なくとも１つのエレクトロルミネセント化合物層および少なくとも１つの第２電極を含む。第１および第２電極として、当技術分野で公知の全ての電極を用いることができる。
【００８３】
当技術分野で公知の多層構造に基づいた典型的なＯＬＥＤ配置を用いることができる。ガラス基材上に通常ＩＴＯからできているアノード層、続いて正孔輸送層および発光層が配置されている。発光層は、同様に正孔および電子について優れた輸送効率を有するマトリクスに組み込まれた本発明の金属錯体化合物を含む。正孔を注入するのが困難である正孔遮断層が発光層に続く。この層の上部に電子輸送層が存在し、その厚さを測定して以下の金属カソードによって発光の消光を最小限にする。
【００８４】
本発明による好ましい照明ユニットは上記のＯＬＥＤデバイスを含み、家庭用途、店舗照明、住宅照明、アクセント照明、スポット照明、劇場照明、光ファイバ用途、投射系、自己照明ディスプレイ、医療用照明用途、画素化ディスプレイ、セグメント化ディスプレイ、警告標識、指示標識、自動車照明、装飾照明などに用いることができる。
【００８５】
本発明は、さらに、一般構造
【００８６】
【化３５】
2010524222.tif 000037
［式中、
【００８７】
【化３６】
2010524222.tif 000038
は１つまたは複数の環を含むＮ含有複素環であり、
【００８８】
【化３７】
2010524222.tif 000039
は、≧２２，２２０ｃｍ-1の三重項エネルギーを有する単位である］
を有する少なくとも１つのテーラード配位子を有する金属遷移金属錯体の、エレクトロルミネセント化合物、特にＯＬＥＤへの使用に関する。
【００８９】
本発明の好ましい実施形態によれば、配位子は、式（２）
【００９０】
【化３８】
2010524222.tif 000040
［式中、各基Ｒは、水素、ヒドロキシル、ハロゲン、擬ハロゲン、ホルミル、カルボキシルおよび／またはカルボニル誘導体、アルキル、長鎖アルキル、アルコキシ、長鎖アルコキシ、シクロアルキル、ハロゲンアルキル、アリール、アリーレン、ハロゲンアリール、ヘテロアリール、ヘテロアリーレン、ヘテロシクロアルキレン、ヘテロシクロアルキル、ハロゲンヘテロアリール、アルケニル、ハロゲンアルケニル、アルキニル、ハロゲンアルキニル、ケト、ケトアリール、ハロゲンケトアリール、ケトヘテロアリール、ケトアルキル、ハロゲンケトアルキル、ケトアルケニル、ハロゲンケトアルケニル、ホスホアルキル、ホスホネート、ホスフェート、ホスフィン、ホスフィンオキサイド、ホスホリル、ホスホアリール、スルホニル、スルホアルキル、スルホアレニル、スルホネート、サルフェート、スルホン、アミン、ポリエーテル、シリルアルキル、および／またはシリルアルキルオキシを含む群から独立して選択され、
各Ｘは、独立してＣおよびＮから選択される］
に示すようにトリフェニレンまたは置換トリフェニレン構造をベースとする。
【００９１】
本発明の好ましい実施形態によれば、金属は遷移金属であり、好ましくはＩｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｄ、およびＰｔを含む群から選択される。
【００９２】
上記成分ならびに特許請求の範囲に記載の構成要素および記載の実施形態において本発明によって使用される構成要素は、関連分野で公知の選択基準を制限なく適用することができるように、その大きさ、形状、材料の選択および技術概念に関していずれの特例にも制約されない。
【００９３】
本発明の目的のさらなる詳細、特徴、特性および利点を下位請求項、図面、ならびに各図面および実施例の以下の説明に開示するが、これらは、例示的に、本発明によるデバイスのいくつかの好ましい実施形態を示す。
【００９４】
本発明の目的のさらなる詳細、特徴、特性および利点を下位請求項、図面、ならびに各図面および実施例の以下の説明に開示するが、これらは、例示的に、本発明によるデバイスならびにＯＬＥＤのいくつかの好ましい実施形態を示す。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】以下の表１に記載の実施例１によるＯＬＥＤの電流対電圧の図である。
【図２】実施例１によるＯＬＥＤデバイスの電流効率［Ｃｄ／Ａ］対輝度［Ｃｄ／ｍ2］の図である。
【図３】実施例１によるＯＬＥＤデバイスの出力効率［ｌｍ／Ｗ］対輝度［Ｃｄ／ｍ2］の図である。
【図４】実施例１によるＯＬＥＤデバイス（以下の表１を参照）のエレクトロルミネセンススペクトルを示す図である。
【図５】以下の表２に記載の実施例２によるＯＬＥＤデバイスの電流対電圧の図である。
【図６】実施例２によるＯＬＥＤデバイスの電流効率［Ｃｄ／Ａ］対輝度［Ｃｄ／ｍ2］の図である。
【図７】実施例２によるＯＬＥＤデバイスの出力効率［ｌｍ／Ｗ］対輝度［Ｃｄ／ｍ2］の図である。
【図８】実施例２によるＯＬＥＤデバイス（以下の表２を参照）のエレクトロルミネセンススペクトルを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００９６】
（実施例１）
エミッタＩｒ（２ｔ−ｐｐｙ）をｎ−ＭＴＤＡＴＡからなるマトリクスにドープする。ＯＬＥＤデバイスの詳細構造を以下の表に示す。Ｉｒ（２ｔ−ｐｐｙ）の三重項エネルギーは１８６００ｃｍ-1である。
【００９７】
表1:実施例1による層構造のOLEDデバイス
2010524222.tif 000041
ITO=インジウムスズ酸化物
n-MTDATA=4,4',4''-トリス(N-(1-ナフチル)-N-フェニル-アミノ)-トリフェニルアミン
TPBI=1,3,5-トリス-(1-フェニル-1H-ベンズイミダゾール-2-イル)-ベンゼン
NHT1、NDP2、NET5、NDN1はNovaled GmbH Dresdenの製品である。
NHT1:NDP2を用いて正孔の注入を強化し、NET5:NDN1を用いてOLEDデバイスへの電子の注入を強化する。
【００９８】
【化３９】
2010524222.tif 000042
式４：実施例１に用いるエミッタの構造
【００９９】
実施例１によるＯＬＥＤデバイスは、１０００Ｃｄ／ｍ2において２７．２Ｃｄ／Ａの電流効率を有し、出力効率は３２．１ｌｍ／Ｗである。
【０１００】
（実施例２）
エミッタＩｒ（２ｔ−ｔｉａｚ）をｎ−ＭＴＤＡＴＡからなるマトリクスにドープする。詳細構造を以下の表に示す。Ｉｒ（２ｔ−ｔｉａｚ）の三重項エネルギーは１７０００ｃｍ-1である。
【０１０１】
表2:実施例2によるOLED構造
2010524222.tif 000043
ITO=インジウムスズ酸化物
n-MTDATA=4,4',4''-トリス(N-(1-ナフチル)-N-フェニル-アミノ)-トリフェニルアミン
TPBI=1,3,5-トリス-(1-フェニル-1H-ベンズイミダゾール-2-イル)-ベンゼン
NHT1、NDP2、NET5、NDN1はNovaled GmbH Dresdenの製品である。
NHT1:NDP2を用いて正孔の注入を強化し、NET5:NDN1を用いてOLEDデバイスへの電子の注入を強化する。
【０１０２】
【化４０】
2010524222.tif 000044
式３：実施例２に用いるエミッタの構造
【０１０３】
実施例２によるＯＬＥＤデバイスは、１０００Ｃｄ／ｍ2において１１．１Ｃｄ／Ａの電流効率を有し、出力効率は１１．９ｌｍ／Ｗである。
【０１０４】
（実施例３）
スキーム３による式（ＩＩｂ）の本発明のトリフェニレン誘導体の製造：
２−トリフェニレン炭酸の合成
工程ａ）
トリフェニレン（１当量）を０℃でＣＨ２Ｃｌ２中２．１当量のＡｌＣｌ３および２１．０当量のＣＨ３ＣＯＣｌと反応させる。室温で３時間撹拌した後、生成物（アセチルトリフェニレン）を９７％の収率で得、さらに工程ｂ）で反応させる。
工程ｂ）
工程ａ）の生成物を室温でピリジン（Ｐｙｒｉｄｉｎ）溶媒中（アセチルトリフェニレンの粗収率を基準にして）２．２当量のＩ２と反応させる。次いで、混合物を還流下４５分間維持し、その後、もう１部のＩ２（１．０当量）を添加する。さらに１時間還流後、ＮａＯＨ、ＥｔＯＨおよび水を添加し反応混合物を２時間加熱還流する。２−トリフェニレン炭酸を７６％の収率で得る（アセチルトリフェニレンの粗収率を基準にして、また、トリフェニレンを基準にして７４％の収率）。
【０１０５】
式ＩＩｄによるトリフェニレン誘導体の製造
工程ｃ）
工程ｂ）の１当量の２−トリフェニレン炭酸をキシロール中ＰＣｌ５（２．１当量）および１．２当量のｐ−トルオールスルホン酸アミド（ａｍｉｄ）と反応させ、ここで、反応温度を１７時間の間１２０℃に維持する。１９０℃で溶媒および試薬を蒸留により除去する。５℃に冷却後、ピリジン（Ｐｙｒｉｄｉｎ）を添加し、水による処理を行う。生成物を５２％の収率で得、さらに工程ｄ）で反応させる。
工程ｄ）
工程ｄ）の生成物（１当量）をエタノール中０℃で気体ＨＣｌと反応させる。混合物を室温で２４時間撹拌する。溶媒をほぼ完全に除去する。その後、溶媒としてのエタノール、１．３当量のＭｅＮＨＮＨ２および２．５当量のＮＥｔ３を添加する。混合物を室温で２４時間撹拌する。０℃で混合物を１／４まで減らす。ＨＣＯ２Ｈを添加しＥｔＯＨを全て除去する。その後、室温でＨＣＯ２Ｈをさらに添加し２時間還流した後、式ＩＩｄのトリフェニレン誘導体を得る。
【０１０６】
式ＩＩｅによるトリフェニレン誘導体の製造
工程ｅ）
工程ｂ）の１当量の２−トリフェニレン炭酸を室温でＴＨＦ中２．０当量のＢＨ３．ＴＨＦとともに１６時間撹拌する。反応生成物を工程ｆ）の水による処理の後さらに反応させる。
工程ｆ）
工程ｅ）の反応生成物を溶媒としてのＣＨＣｌ３中ＭｎＯ２（２５．０当量、２−トリフェニレン炭酸基準）と還流下で３日間反応させる。工程ｇ）においてセライトで濾過後、反応生成物をさらに反応させる。
工程ｇ）
工程ｆ）の反応生成物を、ＥｔＯＨ中（２−トリフェニレン炭酸を基準にして）３．３当量のＨ２ＮＯＨ．ＨＣｌおよび９．０当量のＮａＯＨと室温で１時間、および還流下で３０分間撹拌する。反応生成物を８０〜９０％の収率（２−トリフェニレンアルドキシム）で得、さらに水による処理後に工程ｈ）において反応させる。
工程ｈ）
工程ｇ）の反応生成物を、ＣＨＣｌ３中（２−トリフェニレンアルドキシムを基準にして）１．０当量のＮＣＳと３０分間撹拌する。次いで、臭化ビニル（１．０当量、２−トリフェニレンアルドキシム基準）を添加し、ＮＥｔ３（１．１当量）を滴加し、ここで、室温で１２時間の撹拌および水による処理の後、式ＩＩｅのトリフェニレン誘導体を得る。臭化ビニルの代わりに、酢酸ビニルまたはフェニルビニルセレニドを用いることができ、ここで、酢酸ビニル使用時には、処理前にさらなる還流工程を実施する一方で、ビニルセレニドの使用時には、処理前に０℃で３０％Ｈ２Ｏ２を添加することが推奨される（この場合、還流工程を省略する）。
【０１０７】
（実施例４）
スキーム４による式（ＩＩａ）の本発明のトリフェニレン誘導体の製造
工程ａ）
トリフェニレン（１当量）を、触媒量の鉄の存在下、ニトロベンゼン中８当量のＢｒ２と反応させ、ここで、８０％の臭化トリフェニレン誘導体が得られる。
工程ｂ）
次いで、臭化トリフェニレン誘導体（１当量）をトルオール中５〜１０ｍｏｌ％のＣｕＩ、２０ｍｏｌ％のアミン（Ｎ，Ｎ−ジメチルシクロヘキサン−１，２−ジアミン（ｄｉａｍｉｎ）またはフェナントロリン）、１．０当量のピラゾールおよび２．１当量の塩基（Ｋ２ＣＯ３、ＣｓＣＯ３またはＮａＯｔＢｕ）とともに１１０℃で２４時間撹拌する。
工程ｃ）
次いで、工程ｂ）の反応生成物を、工程ｃ１）、工程ｃ２）または工程ｃ３）のいずれかで反応させ、式ＩＩｆのトリフェニレン誘導体を得る：
ｃ１）ｉＰｒＭｇＣｌ・ＬｉＣｌ；ＨＣｌ；ｃ２）Ｈ２、ＮＥｔ３、Ｐｄ（ＯＨ）２／Ｃ；ｃ３）ＨＣＯ２Ｈ、ＮＥｔ３、Ｐ（ｏＴｏｌ）３、Ｐｄ（ＯＡｃ）２、ＤＭＦ、５０℃で２４時間。
【０１０８】
スキーム５ａによる式（ＩＩａ）の本発明のトリフェニレン誘導体の製造
１−トリフルオロメタンスルホナト−２−トリメチルシリルベンゼン（３当量）を、トルオール／アセトニトリル中、５ｍｏｌ％のＰｄ（ＯＡｃ）２、５ｍｏｌ％のｄｐｐｆおよび４当量のＣｓＦの存在下、１当量の対応するヨウ素アリレート（Ｉｏｄｉｎｅ  ａｒｙａｌｔｅ）（スキーム５ａを参照）と反応させ、ここで、式ＩＩｄ）、ＩＩｅ）またはＩＩｆ）の対応する配位子を得る。
【０１０９】
上記の詳細な実施形態における要素および特徴の特定の組合せは単に例示である；本明細書におけるこれらの教示と参照により組み込まれる特許／出願における他の教示の互換および置換も明らかに考慮される。当業者が認識するように、本明細書の記載物の変形、変更および他の実施は、当業者であれば特許請求の範囲に記載される本発明の精神および範囲から逸脱することなく思いつくことができる。したがって、上記の説明は単に例示であって、限定を意図していない。本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される。また、説明および特許請求の範囲において用いられる参照符号は特許請求の範囲に記載の本発明の範囲を限定しない。
【図１】
2010524222.tif 000054
【図２】
2010524222.tif 000055
【図３】
2010524222.tif 000056
【図４】
2010524222.tif 000057
【図５】
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【図６】
2010524222.tif 000059
【図７】
2010524222.tif 000060
【図８】
2010524222.tif 000061
【国際調査報告】
2010524222.tif 000062
2010524222.tif 000063
2010524222.tif 000064