(57)【要約】オプトエレクトロニクスコンポーネントは、第１の波長スペクトルを有する電磁放射（１５）を動作時に放出する有機層列（１）と、有機層列（１）によって放出される電磁放射（１５）のビーム経路において有機層列（１）の後ろに配置されており、第１および第２の領域（２Ａ，２Ｂ）を有する構造層（２）と、を備えている。この目的のため、第１の領域（２ａ）のそれぞれは、第１の波長スペクトルを有する電磁放射（１５）の少なくとも一部を、第２の波長スペクトルを有する電磁放射（１６）に変換するようにされている波長変換層（３）、を有する。さらに、第２の領域（２Ｂ）のそれぞれは、第２の波長スペクトルの少なくとも一部分に対応する第３の波長スペクトルを有する電磁放射を透過させないフィルタ層（４）、を有する。【選択図】図１Ａ
2010539659.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクスデバイスであって、
−  動作時、第１の波長スペクトルを有する電磁放射（１５）を放出する有機層列（１）と、
−  前記有機層列（１）によって放出される前記電磁放射（１５）のビーム経路において前記有機層列（１）の下流に配置されており、第１および第２の領域（２Ａ，２Ｂ）を有する構造層（２）と、
を備えており、
−  前記第１の領域（２Ａ）のそれぞれが、前記第１の波長スペクトルを有する電磁放射を、少なくとも部分的に、第２の波長スペクトルを有する電磁放射（１６）に変換するように設計されている波長変換層（３）、を有し、
−  前記第２の領域（２Ｂ）のそれぞれが、前記第２の波長スペクトルの少なくとも一部分に対応する第３の波長スペクトルを有する電磁放射に対して少なくとも部分的に不透明であるフィルタ層（４）、を有し、前記構造層（２）の前記第１および第２の領域（２Ａ，２Ｂ）が、前記オプトエレクトロニクスデバイスの前記ビーム経路において横方向に配置されている、
オプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項２】
前記フィルタ層（４）が、前記第１の波長スペクトルを有する前記電磁放射（１５）に対して透過性である、
請求項１に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項３】
前記第１の波長スペクトルが青色の波長範囲を含んでおり、前記第２の波長スペクトルが黄色の波長範囲を含んでいる、
請求項１または請求項２に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項４】
スイッチオフ状態において、黄色がかっていない色印象を観察者に与える、
請求項１から請求項３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項５】
前記フィルタ層（４）が、前記第３の波長スペクトルを有する前記電磁放射を、不可視波長範囲の電磁放射に変換するように設計されている、
請求項１から請求項４のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項６】
前記フィルタ層（４）が、前記第３の波長スペクトルを有する前記電磁放射を吸収するように設計されている、
請求項５に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項７】
前記有機層列（１）によって放出される前記電磁放射（１５）の前記ビーム経路において前記第１の領域（２Ａ）もしくは前記第２の領域（２Ｂ）、またはその両方の下流に配置されている第２の波長変換層（６）であって、前記第１の波長スペクトルの波長範囲（１５）より下に位置している波長範囲の電磁放射を、少なくとも部分的に、前記第１の波長スペクトルの前記波長範囲の電磁放射に変換するように設計されている、前記第２の波長変換層（６）、
を備えている、
請求項１から請求項６のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項８】
前記第２の波長変換層（６）が、紫外線の波長範囲の電磁放射を青色の波長範囲の電磁放射に変換するように設計されている、
請求項７に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項９】
前記第１の領域（２Ａ）のそれぞれが第２のフィルタ層（７）を有し、前記第２のフィルタ層（７）が、前記有機層列（１）によって放出される前記電磁放射（１５）の前記ビーム経路において前記波長変換層（３）の下流に配置されており、前記第１の波長スペクトルの少なくとも一部分に対応する第４の波長スペクトルを有する電磁放射に対して、少なくとも部分的に不透明である、
請求項１から請求項８のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１０】
前記第２のフィルタ層（７）が、前記第４の波長スペクトルを有する電磁放射を、少なくとも部分的に吸収するように設計されている、
請求項９に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１１】
前記第２のフィルタ層（７）が、前記第４の波長スペクトルを有する前記電磁放射を、少なくとも部分的に反射するように設計されている、
請求項１から請求項１０のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１２】
前記有機層列（１）によって放出される前記電磁放射（１５）の前記ビーム経路において前記構造層（２）の上流に配置されている、または下流に配置されている封止部を有する、
請求項１１に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１３】
前記封止部が薄膜封止部として具体化されている、
請求項１２に記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１４】
前記オプトエレクトロニクスデバイスによって放出されて観察者によって知覚される前記電磁放射が、前記第１の波長スペクトルを有する前記電磁放射（１５）と、前記第２の波長スペクトルを有する前記電磁放射（１６）との重ね合わせに対応する、
請求項１から請求項１３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１５】
前記構造層（２）が、縞状領域、交差縞状領域、円形領域、三角形領域、または長方形領域、またはこれらの領域の組合せを有する、
請求項１から請求項１４のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、動作時に電磁放射を放出することができ、スイッチオフ状態において所望の色印象を有するオプトエレクトロニクスデバイスに関する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００２】
【特許文献１】米国特許出願第２００４０６２６９９号明細書
【特許文献２】独国特許第１０１４７０４０号明細書
【特許文献３】国際公開第００／３３３９０号パンフレット
【特許文献４】独国特許第１００３６９４０号明細書
【特許文献５】米国特許第６，６１６，８６２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
したがって、本発明の特定の実施形態の少なくとも１つの目的は、波長変換層を備えており、スイッチオフ状態における望ましくない色印象を低減または回避することのできるオプトエレクトロニクスデバイスを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
この目的は、独立請求項の特徴を備えている主題によって達成される。主題の有利な実施形態および発展形態は、従属請求項に記載されており、以下の説明および図面から明らかである。
【０００５】
本発明の一実施形態によるオプトエレクトロニクスデバイスは、具体的には、動作時、第１のスペクトルを有する電磁放射を放出する有機層列（organic layer sequence）と、有機層列によって放出される電磁放射のビーム経路において有機層列の下流に配置されており、第１の領域および第２の領域を有する構造層（structured layer）と、を備えている。この場合、第１の領域のそれぞれは、第１の波長スペクトルを有する電磁放射を、少なくとも部分的に、第２の波長スペクトルを有する電磁放射に変換するように設計されている波長変換層、を有する。さらに、第２の領域のそれぞれは、第２の波長スペクトルの少なくとも一部分に対応する第３の波長スペクトルを有する電磁放射に対して少なくとも部分的に不透明であるフィルタ層、を有する。
【０００６】
具体的には、この場合、オプトエレクトロニクスデバイスの動作時、放出される電磁放射が観察者（observer）によって知覚される。この放射は、第２の領域によって放出される、第１の波長スペクトルを有する電磁放射と、第１の領域の波長変換層によって放出される、第２の波長スペクトルを有する電磁放射との重ね合わせに実質的に対応する。
【０００７】
この場合、オプトエレクトロニクスデバイスの動作時、第１の波長スペクトルを有する電磁放射が有機層列によって放出され、構造層の第１の領域および第２の領域に侵入（impinge on）する。第１の領域においては、第１の波長スペクトルを有する電磁放射が、少なくとも部分的に、ただし別の実施形態においては完全に、第２の波長スペクトルを有する電磁放射に変換される。第２の領域における各フィルタ層は、第２の波長スペクトルの少なくとも一部分に対応する第３の波長スペクトルを有する電磁放射に対して不透明であるが、このフィルタ層は、第１の波長スペクトルを有する電磁放射に対して透過性であることが好ましい。したがって、オプトエレクトロニクスデバイスによって放出される電磁放射の全体的な印象において、第１の波長スペクトルと第２の波長スペクトルとの重ね合わせが起こる。
【０００８】
少なくとも一実施形態においては、構造層は、有機層列に、物理的もしくは化学的、または物理的かつ化学的に、固定されている。このことは、具体的には、構造層が、例えば、接着剤によって、好ましくは透明な接着剤によって、または、その屈折率に関して一致するジェルによって、有機層列に結合されている、あるいは、有機層列との化学結合（例えば共有結合）を有することを意味する。
【０００９】
本発明の複数の異なる実施形態において、構造層の構造は、縞状、交差縞状（すなわち格子状）、円形、三角形、または長方形（すなわち格子縞）の領域、またはこれら幾何形状の組合せとしての任意の望ましい幾何形状の領域を備えていることができる。さらに、構造層の構造は、不規則な領域のパターン、具体的には、第１の領域および第２の領域がさまざまな寸法および形状を有するパターン、を備えていることができる。言い換えれば、構造層のパターンは、第１の領域および第２の領域のそれぞれの固有な配置編成によって形成されている。構造層の領域は、オプトエレクトロニクスデバイスのビーム経路において横方向に、または互いに並んで配置されていることが好ましい。すなわち、これらの領域は、ビーム経路において互いに積み重なるように配置されるのではなく、一例として、互いに隣り合わせに配置されている。
【００１０】
これらの領域の寸法、例えば、構造層の領域の解像度は、１ｍｍ未満の大きさのオーダー、好ましくは１００μｍ〜数百μｍの大きさのオーダー、より好ましくは１００μｍ未満の大きさのオーダーとすることができる。特に、オプトエレクトロニクスデバイスが光学画像技術または光学画像装置と組み合わせて使用されない照明用途の場合、構造層の領域の寸法に関して中程度の要求条件で十分とすることができる。
【００１１】
本発明のさらなる実施形態においては、「波長スペクトル」、「スペクトル」、または「部分スペクトル」は、１つの波長を有する少なくとも１つのスペクトル成分、あるいは、複数の波長もしくは複数の波長範囲、またはその両方を有する複数のスペクトル成分、を有する電磁放射のスペクトル分布を意味する。以下の説明において、第１のスペクトルおよび第２のスペクトルにおいて、スペクトル成分およびその相対強度が同じであるならば、第１のスペクトルと第２のスペクトルは同じであり、この場合、第１のスペクトルの絶対強度と第２のスペクトルの絶対強度は異なっていてよい。
【００１２】
本発明の一実施形態においては、「部分的に」は、スペクトル（例えば第１のスペクトル）の部分スペクトルを意味する。具体的には、スペクトルの部分スペクトルは、そのスペクトルのスペクトル成分の一部から成ることができる。さらに、「部分的に」は、スペクトルまたは部分スペクトルの強度の一部を意味することもある。
【００１３】
本発明のさらなる実施形態においては、「変換する」は、第１のスペクトルを有する電磁放射の部分スペクトルを、波長変換層によって、第２のスペクトル（第１のスペクトルと同じではない）を有する電磁放射に少なくとも部分的に変換することを意味する。このことは、具体的には、第２のスペクトルが、第１のスペクトルを有する電磁放射の部分スペクトルのスペクトル分布とは異なるスペクトル分布を有することを意味する。
【００１４】
さらに、波長変換層は、吸収スペクトルおよび放出スペクトルを有することができ、吸収スペクトルおよび放出スペクトルは同じでないことが有利である。この場合、吸収スペクトルが、第１のスペクトルを有する電磁放射の部分スペクトルを含んでおり、放出スペクトルが第２のスペクトルを含んでいることが好ましい。具体的には、吸収スペクトルは、第１のスペクトルを有する電磁放射の部分スペクトルに含まれないさらなるスペクトル成分を、放出スペクトルは、第２のスペクトルを有する電磁放射の部分スペクトルに含まれないさらなるスペクトル成分を、含んでいることができる。
【００１５】
特定の波長を有する電磁放射が、外側から、または半導体層列の活性領域から、波長変換層に入射し、吸収スペクトルが、波長変換層によって吸収できるスペクトル成分として、その特定の波長を有するスペクトル成分を有するならば、その特定の波長を有する電磁放射は、その特定の波長とは異なり、かつ放出スペクトルに含まれている１つまたは複数の別の波長を有する電磁放射として、再び放出される、すなわち再放出される。言い換えれば、波長変換層においては、第１の波長スペクトルを有する電磁放射から、第２の波長スペクトルを有する電磁放射が生成される。結果として、特に、放射が外側からオプトエレクトロニクスデバイスに入射する場合にも、オプトエレクトロニクスデバイスのスイッチオフ状態の場合において、放射が外側からオプトエレクトロニクスデバイスに入射し、波長変換層の吸収スペクトルおよび放出スペクトルに従って、説明した吸収および再放出のプロセスによって反射または放出される結果として、波長変換層によって、本質的に望ましくない色印象を観察者が受けるということが起こり得る。この色印象は、例えば、オプトエレクトロニクスデバイスの動作時に放出される電磁放射の色印象とは異なりうるため、望ましくないことがある。
【００１６】
フィルタ層は、外側からオプトエレクトロニクスデバイスに入射する放射のうち、第２の波長スペクトルの波長範囲に実質的に対応する部分に対して不透明であるならば、特に有利であり得る。入射する電磁放射の残りの部分（フィルタ層を通過することができる）は、例えば、フィルタ層によって、または有機層列もしくは有機層列における電極によって、反射されて、フィルタ層もしくは波長変換層、またはその両方を通って外側に向かって放出される。フィルタ層を透過できる電磁放射の後者の部分は、第１の波長スペクトルの波長範囲を有する電磁放射に対応していることが好ましい。したがって、スイッチオフ状態においても、第１の波長スペクトルの波長範囲を有する電磁放射と、第２の波長スペクトルの波長範囲を有する電磁放射との重ね合わせが起こり、結果として、望ましい、好ましくは黄色がかっていない色印象が確立される。
【００１７】
本発明の別の実施形態においては、フィルタ層は、第３の波長スペクトルを有する電磁放射を、不可視波長範囲の電磁放射に変換するように設計されている。一例として、フィルタ層においては、黄色の波長範囲の電磁放射が、赤外波長範囲の電磁放射に変換される。この場合、フィルタ層は、第１の波長スペクトルを有する電磁放射に対して透過性であることが好ましい。
【００１８】
言い換えれば、フィルタ層は、第３の波長スペクトルを有する電磁放射を熱放射に変換し、その一方で、第１の波長スペクトルを有する電磁放射は、好ましくはできる限り妨げられずにフィルタ層を通過することができる。このことは、具体的には、動作時に有機層列によって放出される電磁放射が、フィルタ層によって実質的に影響されないままであることを意味する。
【００１９】
したがって、フィルタ層は、例えば、第３の波長スペクトルを有する電磁放射を吸収するように設計されている。この目的のため、複数の異なる例示的な実施形態において、フィルタ層は分子フィルタを有することができる。したがって、複数の異なる例示的な実施形態において、フィルタ層は、第３の波長スペクトルを有する電磁放射の吸収層として理解することもできる。
【００２０】
具体的には、このような実施形態は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備えている発光デバイスが、例えば、カメラ付き携帯電話の用途におけるフラッシュライトとして使用される用途において、有利であり得る。このような発光デバイスは、一例として、青色ＯＬＥＤおよび蛍光体変換物質（phosphor conversion substance）を有することができる。このような発光デバイスが動作していないとき、透明なカバーまたはレンズを通して蛍光体変換物質が外側から可視である場合があり、このことは、例えば美観的な理由において望ましくない色印象につながりうる。このような望ましくない色印象は、フレネル光学素子またはマイクロレンズアレイによって低減することができるが、望ましくない色印象が依然として維持されうる。
【００２１】
これに代えて、またはこれに加えて、例えば、第１のスペクトルが緑色の波長範囲も有し、第２のスペクトルが赤色の波長範囲を有することができ、結果として、オプトエレクトロニクスデバイスは、動作時に観察者に対する白色の発光印象を同様に可能にすることができる。具体的には、第１のスペクトルと、第２のスペクトルと、外側からオプトエレクトロニクスデバイスに入射する放射のうちフィルタ層によって除去されずに反射される部分は、オプトエレクトロニクスデバイスの動作時およびスイッチオフ状態における何らかの別の望ましい色印象に従って、各場合において選択することもできる。
【００２２】
少なくとも一実施形態によると、波長変換層は、有機色素、無機色素、ペリレン、クマリン、蛍光色素のうち少なくとも１つの色素を備えている。
【００２３】
さらに、有機層列は、具体的には、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）として具体化することができる。この場合、ＯＬＥＤは、動作時に電磁放射を放出することのできる活性領域を有する有機層、または少なくとも１つのそのような有機層を備えている有機層列、を有することができる。さらに、ＯＬＥＤは、第１の電極および第２の電極を有することができ、活性領域を有する有機層、または少なくとも１つのそのような有機層を備えている有機層列を、第１の電極と第２の電極の間に配置することができる。この場合、第１の電極および第２の電極は、それぞれ、「ホール」および電子を活性領域に注入するのに適したものとすることができ、「ホール」および電子が活性領域において再結合して電磁放射を放出することができる。
【００２４】
さらに、第１の電極を基板上に配置することができる。有機材料から成る１つまたは複数の機能層を備えている有機層または有機層列を、第１の電極の上に形成することができる。機能層（活性領域を備えていることができる）は、この場合、例えば、電子輸送層、エレクトロルミネッセンス層、ホール輸送層のうちの少なくとも１層を有することができる。第２の電極は、機能層の上、または少なくとも１つの有機層の上に形成することができる。
【００２５】
基板は、一例として、ガラス、石英、プラスチックフィルム、金属、金属膜、シリコンウェハ、またはその他の任意の好適な基板材料を備えていることができる。基板は、一例として、複数の層を備えている層列または積層体として具体化することもできる。半導体層列をいわゆる「ボトムエミッタ（bottom emitter）」（すなわち、活性領域において発生する電磁放射を基板を通じて放出できる）として具体化する場合、その基板は、電磁放射の少なくとも一部分に対する透過性を有することが有利である。この場合、波長変換層およびフィルタ層は、基板のうち半導体層列とは反対の側に配置することができる。
【００２６】
少なくとも一実施形態によると、少なくとも一方の電極は、透明な導電性酸化物、金属、または導電性の有機材料を備えている、またはこれらから成る。
【００２７】
ボトムエミッタ構造においては、第１の電極は、電磁放射の少なくとも一部分に対して透過性であることが有利である。透明な第１の電極（陽極として具体化することができ、したがって正の電荷または「ホール」を注入する材料としての役割を果たすことができる）は、透明導電性酸化物を備えている、または透明導電性酸化物から成ることができる。透明導電性酸化物（略して「ＴＣＯ」）は、透明な導電性材料であり、一般的には金属酸化物、例えば、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化カドミウム、酸化チタン、酸化インジウム、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）などである。金属−酸素の二元化合物（例えば、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３）以外に、金属−酸素の三元化合物（例えば、Ｚｎ２ＳｎＯ４、ＣｄＳｎＯ３、ＺｎＳｎＯ３、ＭｇＩｎ２Ｏ４、ＧａＩｎＯ３、Ｚｎ２Ｉｎ２Ｏ５、またはＩｎ４Ｓｎ３Ｏ１２）、あるいは異なる透明導電性酸化物の混合物も、ＴＣＯの群に属する。さらに、ＴＣＯは、必ずしも化学量論的組成に対応している必要はなく、ｐ型にドープする、またはｎ型にドープすることもできる。これに代えて、またはこれに加えて、第１の電極は、金属（例えば銀）を備えていることもできる。
【００２８】
少なくとも１つの有機層を備えている半導体層列は、ポリマー、オリゴマー、モノマー、小さな有機分子、またはその他の非高分子有機化合物、もしくはこれらの組合せを備えていることができる。具体的には、ホールをエレクトロルミネッセンス層またはエレクトロルミネッセンス領域内に効率的に注入することを可能にする目的で、層列の機能層をホール輸送層として具体化するならば、有利であり得る。特に、材料、構成、機能、および構造について、活性領域、またはさらなる機能層および機能領域に関するこのような構造は、当業者には公知であり、したがって、ここではこれ以上詳しく説明しない。
【００２９】
第２の電極は、陰極として具体化することができ、したがって、電子注入材料（electron-inducting material）としての役割を果たすことができる。特に、具体的には、アルミニウム、バリウム、インジウム、銀、金、マグネシウム、カルシウム、またはリチウムと、これらの化合物、組合せ、および合金は、陰極材料として有利であることが証明され得る。これに加えて、またはこれに代えて、第２の電極を透明電極として具体化することもできる。このことは、特に、ＯＬＥＤを「トップエミッタ（top emitter）」として具体化することもできることを意味し、すなわち、活性領域において発生する電磁放射を、基板とは反対側の、半導体層列の側から放出することができる。この場合、波長変換層およびフィルタ層を、半導体層列の上、特に、第２の電極の上に配置することができる。
【００３０】
金属層を備えている、または金属層から成る電極が、有機積層体によって放出される光に対して透過性であるように具体化する意図である場合、金属層が十分に薄くされているならば有利であり得る。このような半透明の金属層の厚さは、１ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内（両端を含む）であることが好ましい。
【００３１】
さらに、第１の電極を陰極として具体化し、第２の電極を陽極として具体化することができ、この場合、半導体層列をボトムエミッタまたはトップエミッタとして具体化することができる。さらには、半導体層列を、トップエミッタおよびボトムエミッタとして同時に具体化することができる。
【００３２】
半導体層列は、活性領域として、例えば、従来のｐｎ接合、ダブルヘテロ構造、単一量子井戸構造（ＳＱＷ構造）、または多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造）を有することができる。活性領域に加えて、半導体層列は、さらなる機能層およびさらなる機能領域として、例えば、ｐ型またはｎ型にドープされた電荷担体輸送層（すなわち、電子輸送層またはホール輸送層）、ｐ型またはｎ型にドープされた閉じ込め層またはクラッド層、バッファ層、バッファ電極のうちの１つ以上、またはこれらの組合せ、を備えていることができる。特に、構成、機能、および構造について、活性領域、またはさらなる機能層および機能領域に関するこのような構造は、当業者には公知であり、したがって、ここではこれ以上詳しく説明しない。
【００３３】
さらなる実施形態においては、波長変換層は、少なくとも１つの波長変換物質を備えている。この場合、波長変換物質は、例えば、セリウムをドープしたガーネットの群、この場合には特に、セリウムをドープしたイットリウムアルミニウムガーネット（Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、ＹＡＧ：Ｃｅ）、セリウムをドープしたテルビウムアルミニウムガーネット（ＴＡＧ：Ｃｅ）、セリウムをドープしたテルビウム−イットリウムアルミニウムガーネット（ＴｂＹＡＧ：Ｃｅ）、セリウムをドープしたガドリニウム−イットリウムアルミニウムガーネット（ＧｄＹＡＧ：Ｃｅ）、およびセリウムをドープしたガドリニウム−テルビウム−イットリウムアルミニウムガーネット（ＧｄＴｂＹＡＧ：Ｃｅ）の粒子を備えていることができる。さらなる可能な波長変換物質としては、例えば以下が挙げられる。
−  例えば、特許文献１に記載されている、希土類金属およびアルカリ土類金属のガーネット。これに関するこの文書の開示内容は、参照によって本開示に組み込まれている。
−  例えば、特許文献２に記載されている、窒化物、シリコンオキシナイトライド、およびサイアロン。これに関するこの文書の開示内容は、参照によって本開示に組み込まれている。
−  例えば、特許文献３に記載されている、オルトケイ酸塩、硫化物、およびバナジウム酸塩。これに関するこの文書の開示内容は、参照によって本開示に組み込まれている。
−  例えば、特許文献４に記載されている、塩化ケイ酸塩。これに関するこの文書の開示内容は、参照によって本開示に組み込まれている。
−  例えば、特許文献５に記載されている、アルミン酸塩、酸化物、およびハロゲン化リン酸塩。これに関するこの文書の開示内容は、参照によって本開示に組み込まれている。
【００３４】
さらに、波長変換層は、上記の波長変換物質の適切な混合物および組合せを備えていることもできる。
【００３５】
さらに、波長変換層は、透明なマトリックス材料を備えていることができ、この場合、波長変換物質をマトリックス材料の中に埋め込む、またはマトリックス材料に化学的に結合することができる。透明なマトリックス材料は、例えば、透明なプラスチック、例えばシリコン、エポキシド、アクリレート、イミド、炭酸塩、オレフィン、またはこれらの誘導体を備えていることができる。この場合、波長変換層は、フィルムとして具体化することができる。さらには、波長変換層は、例えばガラスまたは透明なプラスチックを備えている基板の上に形成することもできる。
【００３６】
オプトエレクトロニクスデバイスの少なくとも一実施形態によると、波長変換層は、ガーネットの群からの少なくとも１つの波長変換物質を備えている。
【００３７】
オプトエレクトロニクスデバイスの少なくとも一実施形態によると、波長変換物質がマトリックス材料に埋め込まれており、マトリックス材料が透明なプラスチックを備えている。
【００３８】
オプトエレクトロニクスデバイスの少なくとも一実施形態によると、波長変換層がフィルムとして具体化されている。
【００３９】
オプトエレクトロニクスデバイスの少なくとも一実施形態によると、第２の領域のそれぞれが拡散層を有する。
【００４０】
オプトエレクトロニクスデバイスの少なくとも一実施形態によると、拡散層は、有機層列によって放出される電磁放射のビーム経路においてフィルタ層の下流に配置されている。
【００４１】
オプトエレクトロニクスデバイスの少なくとも一実施形態によると、フィルタ層は、有機層列によって放出される電磁放射のビーム経路において拡散層の下流に配置されている。
【００４２】
オプトエレクトロニクスデバイスの少なくとも一実施形態によると、フィルタ層および拡散層は、第２の領域において互いに結合されている。
【００４３】
オプトエレクトロニクスデバイスの少なくとも一実施形態によると、有機層列によって放出される電磁放射のビーム経路において構造層の下流に配置されている拡散層、が設けられている。
【００４４】
オプトエレクトロニクスデバイスの少なくとも一実施形態によると、拡散層は粗化面を有する。
【００４５】
オプトエレクトロニクスデバイスの少なくとも一実施形態によると、拡散層は反射性粒子を備えている。
【００４６】
オプトエレクトロニクスデバイスの少なくとも一実施形態によると、拡散層は、反射性粒子として、石英ガラス、酸化チタン、酸化アルミニウムのうちの少なくとも１つを備えている。
【００４７】
本発明のさらなる実施形態においては、第２の領域のそれぞれは、指向性波として層に侵入する電磁放射、特に光を、無指向性波として（すなわちさまざまな方向に）通過させる、または放出するように設計されている拡散層を有する。
【００４８】
有機層列は、通常、電磁放射を指向性波として放出し、すなわち、有機層列によって放出される電磁放射は、主として単一の方向を有し、この方向は、有機層列の層編成に実質的に垂直である。複数の異なる例示的な実施形態において、波長変換層によって放出される電磁放射を、無指向性として、または等方性波として放射させることができる。有機層列によって放出される、第１のスペクトルを有する電磁放射も、拡散層によって無指向性波として放出される。したがって、第２のスペクトルを有する、等方性波として放出される電磁放射と、拡散層によって拡散される、第１のスペクトルを有する電磁放射とが重なり合う場合、各場合において、無指向性の電磁放射の重ね合わせが起こる。これにより、オプトエレクトロニクスデバイスの光の印象が均一になり、これは有利である。
【００４９】
拡散層は、有機層列によって放出される電磁放射のビーム経路においてフィルタ層の下流に配置することができる。これに代えて、フィルタ層を、有機層列によって放出される電磁放射のビーム経路において拡散層の下流に配置することもできる。さらなる代替形態として、フィルタ層および拡散層を、第２の領域において互いに結合することができる。
【００５０】
さらなる例示的な実施形態においては、波長変換層によって指向性の電磁放射を放出することもできる。この場合、特に、有機層列によって放出される電磁放射のビーム経路において構造層の下流、すなわち、第１の領域および第２の領域の下流に配置されている拡散層を設けることは、好都合であり得る。この場合も、拡散層は、第１の領域および第２の領域からの指向性の光または指向性の電磁放射を、無指向性の放射に変換する。これにより、例えば、観察者にとってより良好な色印象とすることができる。
【００５１】
複数の異なる例示的な実施形態において、拡散は、拡散層が粗化面を有することによって達成することができる。別の例示的な実施形態においては、拡散層は、拡散を目的とする反射性粒子を備えていることができ、この粒子は、例えば、それぞれ異なる放出角度に入射光を反射する。この場合、反射性粒子は、例えば、石英ガラスによって、二酸化チタンによって、酸化アルミニウムまたは類似する透明な粒子によって、形成することができる。この場合、粒子は、約１００ｎｍ〜数μｍの範囲内の粒子サイズを有することが好ましい。この場合、粒子は、マトリックス（例えば、フィルムマトリックスまたはシリコンマトリックス）に埋め込まれていることが好ましい。これに代えて、反射性粒子の担体材料として、他の透明なプラスチックを使用することもできる。
【００５２】
本発明のさらなる実施形態においては、オプトエレクトロニクスデバイスは、第２の波長変換層を有し、この層は、有機層列によって放出される電磁放射のビーム経路において第１の領域もしくは第２の領域、またはその両方の下流に配置されている。この場合、第２の波長変換層は、第１のスペクトルの波長範囲より下に位置している波長範囲の電磁放射を、少なくとも部分的に、第１のスペクトルの波長範囲の電磁放射に変換するように設計されている。第１のスペクトルの波長範囲より下に位置している波長範囲の（したがって通常では不可視波長範囲内の）電磁放射を、第１のスペクトルの波長範囲に変換することによって達成できることは、電磁放射が外側からオプトエレクトロニクスデバイスに入射する場合に、第１のスペクトルの波長範囲内の電磁放射の強度が、相応に増幅されることである。この場合、第２の波長変換層によって変換される光は、選択される実施形態に応じて、第２の領域によって反射して外側に放出する、もしくは、第１の領域において第１の波長変換層によって第２の波長スペクトルに対応する波長範囲を有する電磁放射に変換する、またはその両方を行うことができる。第２の波長変換層は、紫外線（ＵＶ）の波長範囲の電磁放射を、青色の波長範囲の電磁放射に変換するように設計されていることが好ましい。
【００５３】
したがって、実施形態の１つによるオプトエレクトロニクスデバイスの場合においては、日光によって照らされた場合に、日光のＵＶ部分を最初に青色の波長範囲の電磁放射に変換することができ、この変換のみによって、または、黄色の波長範囲に変換される次の電磁放射との両方によって、オプトエレクトロニクスデバイスの発光印象の強度が増す。
【００５４】
本発明のさらなる例示的な実施形態においては、第１の領域のそれぞれは第２のフィルタ層を有し、この第２のフィルタ層は、有機層列によって放出される電磁放射のビーム経路において第１の領域における第１の波長変換層の下流に配置されている。この場合、第２のフィルタ層は、第１の波長スペクトルの少なくとも一部分に対応する第４の波長スペクトルを有する電磁放射に対して、少なくとも部分的に不透明である。第２のフィルタ層によって有利に達成できることは、第１の波長変換層において第２の波長スペクトルを有する電磁放射に変換される、第１の波長変換層の吸収スペクトルに対応する波長範囲の電磁放射が少ない、または存在しないことである。したがって、波長変換層によって放出される、第２の波長スペクトルを有する電磁放射の強度を低減させることができる。これによって、オプトエレクトロニクスデバイスの黄色がかった色印象を低減することができる。
【００５５】
複数の異なる実施形態において、第２のフィルタ層は、第４のスペクトルを有する電磁放射を少なくとも部分的に吸収するように設計することができる。これに代えて、またはこれに加えて、第２のフィルタ層を、第４のスペクトルを有する電磁放射を少なくとも部分的に反射するように設計することもできる。
【００５６】
有機層列がトップエミッタ構造として具体化されている複数の異なる例示的な実施形態においては、オプトエレクトロニクスデバイスは、有機層列によって放出される電磁放射のビーム経路において構造層の上流または下流に配置されている封止部を有することができる。言い換えれば、構造層を、有機層列と一緒に封止する、あるいはこれに代えて、有機層列の封止部の外側に配置することができる。各場合において、封止部は、薄膜封止部として具体化することができる。
【００５７】
第２の波長変換層は、第１の波長変換層に類似する構造を有することができる。具体的には、第２の波長変換層に、対応する変換物質を設けることが可能であり、ただし、この変換物質は、その配置、組成、濃度のうちの少なくとも１つに関して、第２の波長変換層における所望の吸収スペクトルおよび放出スペクトルに適合するものである。
【００５８】
フィルタ層は、対応する変換層として具体化することもでき、この場合、それぞれ除去するべき電磁放射の部分が、各場合において、不可視波長範囲、好ましくは赤外線の波長範囲の電磁放射に変換されることが好ましい。これに代えて、フィルタ層を、フィルタリングのための対応する着色顔料を備えている顔料ベースのフィルタとして具体化することもできる。
【００５９】
本発明による主題のさらなる利点と、有利な実施形態および発展形態は、図面を参照しながら例示的な実施形態の以下の説明を検討することによって明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１Ａ】例示的な一実施形態によるオプトエレクトロニクスデバイスの、動作時およびスイッチオフ状態における概略図を示している。
【図１Ｂ】例示的な一実施形態によるオプトエレクトロニクスデバイスの、動作時およびスイッチオフ状態における概略図を示している。
【図２】第１の例示的なスペクトル図を示している。
【図３】構造層のさまざまな実施形態を示している。
【図４Ａ】さらなる例示的な実施形態によるオプトエレクトロニクスデバイスの概略図を示している。
【図４Ｂ】さらなる例示的な実施形態によるオプトエレクトロニクスデバイスの概略図を示している。
【図４Ｃ】さらなる例示的な実施形態によるオプトエレクトロニクスデバイスの概略図を示している。
【図５】さらなる例示的な実施形態によるオプトエレクトロニクスデバイスの概略図を示している。
【図６】さらなる例示的な実施形態によるオプトエレクトロニクスデバイスの概略図を示している。
【図７】さらなる例示的な実施形態によるオプトエレクトロニクスデバイスの概略図を示している。
【図８】第２の例示的なスペクトル図を示している。
【発明を実施するための形態】
【００６１】
例示的な実施形態および図面において、同一または機能が同じである構成部分には、各場合において、同じ参照記号を付してある。図示した要素と、要素間の大きさの関係は、原則として正しい縮尺ではないものとみなされたい。個々の要素（例えば層など）は、図面を見やすくする、もしくは深く理解できるようにする、またはその両方を目的として、厚さを誇張して描いてある。
【００６２】
図１Ａおよび図１Ｂは、オプトエレクトロニクスデバイスの例示的な実施形態を示している。この場合、動作時のオプトエレクトロニクスデバイスについて図１Ａを参照しながら説明するが、図１Ｂはスイッチオフ状態にあるオプトエレクトロニクスデバイスを示している。以下の説明は、図１Ａおよび図１Ｂに等しく関連する。
【００６３】
オプトエレクトロニクスデバイスは、有機層列１と、電極１０と、活性領域１１とを有する。この場合、［発明の概要］において説明したように、有機層列１は、機能層または機能層列を有することができ、例えば、ＯＬＥＤとして具体化されている。具体的には、有機層列１の活性領域１１は、第１の波長スペクトルを有する電磁放射１５を放出するうえで適したものである。
【００６４】
第１の領域２Ａおよび第２の領域２Ｂを備えている構造層は、第１の波長スペクトルを有する電磁放射１５のビーム経路に配置されている。第１の領域２Ａは、波長変換物質３２を備えている波長変換層３を有する。この例示的な実施形態に示したように、波長変換物質３２は、例えばマトリックス材料３１に埋め込むことができる。第２の領域２Ｂは、第４の層４を有する。
【００６５】
この場合、波長変換物質３２は、第１の波長スペクトルを有する電磁放射１５の部分スペクトルを、少なくとも部分的に、第２の波長スペクトルを有する電磁放射１６に変換するうえで適したものである。この場合、波長変換物質３２に適している材料は、その吸収スペクトルが、特に、第１の波長スペクトルに含まれている少なくとも１つのスペクトル成分、具体的には、１つの波長範囲を含んでいる材料とすることができる。吸収される電磁放射を、第１の波長スペクトルを有する電磁放射１５とは異なる波長において再放出できることが好ましい。
【００６６】
フィルタ層４は、第２の波長スペクトルの少なくとも一部分に対応する第３の波長スペクトルを有する電磁放射に対して不透明である。この例示的な実施形態においては、第１の波長スペクトルを有する電磁放射１５は、妨げられることなく、そのスペクトル成分が実質的に何ら変化することなく、フィルタ層４を通過することができる。言い換えれば、フィルタ層４は、第１の波長スペクトルを有する電磁放射１５に対して透過性である。
【００６７】
一例として、外側からオプトエレクトロニクスデバイスに入射する電磁放射１７のスペクトル成分のうち、第３の波長スペクトルに対応するスペクトル成分は、不可視波長範囲の電磁放射に変換され、この電磁放射は、明瞭さを理由としてこの図には示していない。電磁放射１７のスペクトル成分の残りの部分は、電磁放射１８として、フィルタ層４によって反射される、またはフィルタ層４を透過して有機層列１に達し、後者の場合、電磁放射１８が電極１０において反射されてフィルタ層４を通って戻される。一例として、電磁放射１８の波長範囲は、有機層列によって放出される電磁放射１５の第１の波長スペクトルの波長範囲に対応する。この場合、電磁放射１５もしくは電磁放射１８、またはその両方は、青色の波長範囲を備えていることができる。
【００６８】
第１の領域２Ａまたは変換層３においては、第１の波長スペクトルの波長範囲、または波長変換層３の吸収スペクトルに対応する電磁放射１７のスペクトル成分が、波長変換物質３２によって、第２の波長スペクトルを有する電磁放射１６に変換される。
【００６９】
したがって、図１Ａに示した例示的な実施形態によると、デバイスの動作時、オプトエレクトロニクスデバイスによって放出される電磁放射は、第１の波長スペクトルを有する電磁放射の部分１５と、電磁放射１５の変換によって生じる、第２の波長スペクトルを有する電磁放射の部分１６と、フィルタ層４によってフィルタリングされる電磁放射の部分１８と、入射する電磁放射１７の変換によって生じる電磁放射の部分１６Ａと、を含んでいる。結果として、黄色の波長範囲の電磁放射が青色の波長範囲の電磁放射と混合し、これにより望ましい（例えばほぼ白色の）放出特性につながり、これは有利である。
【００７０】
オプトエレクトロニクスデバイスのスイッチオフ状態においては、図１Ｂの例示的な実施形態に示したように、この場合にも外側から電磁放射１７がデバイスに入射する。上述したように、波長変換層３においては、電磁放射１７は電磁放射１６Ａに変換され、フィルタ層４においては、入力する電磁放射１７はフィルタリングされ、フィルタリングされた電磁放射１８が生じる。したがって、この場合にも、電磁放射の黄色がかった部分１６Ａと、電磁放射の青色がかった部分１８とが混合することによって、スイッチオフ状態においてオプトエレクトロニクスデバイスの観察者にとって、黄色がかっていない、好ましくはほぼ白色の色印象が生じる。
【００７１】
図２は、波長λの関数としてのさまざまな透過特性および放出特性をプロットした例示的なスペクトル図を示している。放出特性または放出スペクトルＥＳは、例えば、有機層列１によって放出される電磁放射１５のスペクトルプロファイルを表している。この場合、放出スペクトルＥＳは、青色の波長範囲を含んでいる。変換スペクトルＣＳは、一例として、波長変換層３によって放出される、電磁放射１６，１６Ａの基本的な波長スペクトルを表している。したがって、変換スペクトルＣＳは、黄色の波長範囲と、赤色〜緑色の波長範囲とを含んでいる。ＴＳ１によって表されている曲線は、フィルタ層４の透過スペクトルを示している。したがって、フィルタ層４は、青色の光、したがって、有機層列１によって放出される電磁放射１５に対して透過性であるのに対して、黄色の波長範囲と、赤色および緑色の波長範囲を有する電磁放射に対して不透明である。したがって、フィルタ層４が、例えば日光（可視波長範囲全体におけるスペクトル成分を有する）によって照らされる場合、黄色がかった部分と、赤色および緑色がかった部分は除去される。したがって、オプトエレクトロニクスデバイスの黄色がかった色印象を低減または回避することができる。
【００７２】
図３は、第１の領域２Ａおよび第２の領域２Ｂの配置編成のさまざまな例示的な実施形態を示している。最初のパターンＰ１においては、第１の領域２Ａおよび第２の領域２Ｂが縞状に配置されており、各縞の幅によってオプトエレクトロニクスデバイスの色印象を制御することができる。２番目のパターンＰ２においては、第１の領域２Ａおよび第２の領域２Ｂが交差縞状または格子形状に配置されている。３番目のパターンＰ３においては、第１の領域が第２の領域２Ｂ内に円形状に配置されている。さらなる例示的なパターンＰ４においては、第１の領域２Ａおよび第２の領域２Ｂが正方形状を有し、したがって、例えば格子縞パターンとなっている。ここに図示した例示的なパターン以外に、第１の領域２Ａおよび第２の領域２Ｂは、その他の形状に、あるいは、これらの形状およびその他の形状の組合せとして、設けることができる。
【００７３】
図４Ａ、図４Ｂ、および図４Ｃは、オプトエレクトロニクスデバイスのさらなる例示的な実施形態を示しており、これらの実施形態の基本的な動作・機能は、図１Ａおよび図１Ｂによる例示的な実施形態における動作・機能に一致している。この場合、第２の領域のそれぞれが拡散層５を有し、この拡散層５は、図４Ａにおいては電磁放射１５のビーム経路においてフィルタ層４の下流に配置されており、図４Ｂにおいてはフィルタ層４の上流に配置されており、図４Ｃにおいてはフィルタ層４と結合されている。以下の説明は、図４Ａ、図４Ｂ、および図４Ｃに等しく関連する。
【００７４】
有機層列１によって放出される電磁放射１５は、通常では指向性放射として放出される。電磁放射１５が波長変換層３における波長変換物質３２に衝突すると、放射が吸収され、第２のスペクトルを有する電磁放射１６として再放出される。この場合、再放出は無指向性として生じ、すなわち、放出される放射１６の放出方向は、例えば等方性として生じる。しかしながら、電磁放射１５は、フィルタ層４を方向が変わることなく通過する。指向性の電磁放射と無指向性の電磁放射の混合を回避する目的で、拡散層５は例えば拡散粒子５１を有し、この拡散粒子５１は、電磁放射１５が無指向性の電磁放射１５ａ、１５ｂとして放出されるように、電磁放射１５の方向を変化させる。したがって、このオプトエレクトロニクスデバイスの場合、より一様、より均一な色印象を達成することができる。拡散層５は例えば、反射性粒子５１が中に埋め込まれているマトリックス材料を備えている。これらの粒子は、任意の望ましい透明な拡散材料（例えば、酸化アルミニウム、二酸化チタン、石英ガラスなど）から形成することができる。
【００７５】
拡散層５の拡散効果は、入射する電磁放射１７（図示していない）と、反射した電磁放射１８、およびフィルタリングされた電磁放射１８にもあてはまる。拡散層は、波長変換層３と同じ放出特性を有することが好ましい。
【００７６】
図５は、オプトエレクトロニクスデバイスのさらなる例示的な実施形態を示しており、この実施形態においては、拡散層５が、波長変換層３の上とフィルタ層４の上の両方に設けられている。この例示的な実施形態においては、一例として、波長変換層３は、第２のスペクトルを有する電磁放射１６を指向性波として放出するように設計されている。この場合、波長変換層３からとフィルタ層４から、指向性波としての電磁放射が現れる。この電磁放射のビーム経路における拡散層５は、放射１５，１６を無指向性の放射１５Ａ，１５Ｂ，１６Ａ，１６Ｂに拡散させる。これにより、オプトエレクトロニクスデバイスの一様な色印象につながる。
【００７７】
この例示的な実施形態においても、拡散層は反射性粒子５１を有し、この粒子５１は、その構造および機能に関して、図４Ａ、図４Ｂ、および図４Ｃに示した例示的な実施形態における粒子５１に対応している。
【００７８】
さらなる例示的な実施形態においては、粗化面を有する層として拡散層５を実現することもでき、この場合、電磁放射１５，１６の拡散は、拡散層５の粗化面によって生じる。この場合、粒子５１を設けることは絶対的には必要でない。
【００７９】
図６は、オプトエレクトロニクスデバイスのさらなる例示的な実施形態を示しており、この実施形態においては、第２の波長変換層６が有機層列１および構造層２の下流に配置されている。この場合、第２の波長変換層６は、第１のスペクトルの波長範囲より下に位置する波長範囲の電磁放射を、少なくとも部分的に、第１のスペクトルの波長範囲の電磁放射に変換するように設計されている。一例として、第２の波長変換層６によって、紫外線の波長範囲の電磁放射を第１のスペクトルの青色の波長範囲に変換することができる。
【００８０】
この場合、第２の変換層６は、原理的には、第１の波長変換層３に類似する構造または類似する組成を有するが、第１の波長変換層３と第２の波長変換層６の吸収スペクトルおよび放出スペクトルは、互いに異なる。したがって、第２の波長変換層６は、例えば、紫外線の波長範囲の吸収スペクトルと、青色の波長範囲の放出スペクトルを有する。
【００８１】
一例として、オプトエレクトロニクスデバイスの動作時、またはスイッチオフ状態において、電磁放射１７（例えば日光）が、デバイスの第２の波長変換層６を照らす。したがって、電磁放射１７の紫外線の波長範囲のスペクトル部分（第２の波長変換層６の吸収スペクトルに対応する）が、第２の波長変換層６の放出スペクトルに従って電磁放射１９に変換される。第２の波長変換層６の吸収スペクトルに対応しない、電磁放射１７の残りのスペクトル部分は、例えば、実質的に変化することなく層６を通過することができる（明瞭さを理由として図６には示していない）。
【００８２】
波長変換層６の放出スペクトルは、第１の波長変換層３の吸収スペクトルに実質的に対応しているため、第１の波長変換層３において、電磁放射１９が第２のスペクトルを有する電磁放射１６に変換されて放出される。フィルタ層４においては、電磁放射１９を反射させることができる。これに代えて、またはこれに加えて、電磁放射１９を、同じまたは変化した波長スペクトルを有する電磁放射１９Ａとして、有機層列１に透過させることもでき、電磁放射１９Ａは、有機層列１において一例として電極１０によって外側に向かって反射される。変換後の、黄色の波長範囲の電磁放射１６と、変換後の、青色の波長範囲の電磁放射１９もしくは電磁放射１９Ａ、またはその両方とが一緒に放出されるため、この場合にも、スイッチオフ状態およびスイッチオン状態の両方において、これらの放射部分の結果として、オプトエレクトロニクスデバイスのほぼ白色の色印象が生じる。
【００８３】
さらなる例示的な実施形態においては、第２の波長変換層６を、第１の領域２Ａの上のみ、または第２の領域２Ｂの上のみに配置することもできる。
【００８４】
図７におけるさらなる例示的な実施形態においては、第２のフィルタ層が、有機層列によって放出される電磁放射１５のビーム経路において第１の波長変換層３の下流に配置されている。この場合、第２のフィルタ層７は、第１の波長スペクトルの少なくとも一部分に対応する第４の波長スペクトルを有する電磁放射に対して不透明である。これにより、第１の波長変換層３の吸収スペクトルのスペクトル部分を有する電磁放射が、オプトエレクトロニクスデバイスの外側から波長変換層３に侵入するという状況を防止することができ、これは有利である。したがって、このスペクトル部分は、第２の波長スペクトルを有する電磁放射に変換され得ない。結果として、黄色がかった波長範囲の電磁放射の放出が低減する。
【００８５】
第２のフィルタ層７は、第４のスペクトルを有する電磁放射を、例えば反射することができる。これに代えて、またはこれに加えて、第２のフィルタ層７は、第４のスペクトルを有する電磁放射を吸収することもできる。一例として、第２のフィルタ層７は、第１のフィルタ層４に対して補完的なスペクトル特性を有する。
【００８６】
図７における例示的な実施形態において、有機層列によって放出される電磁放射１５は、波長変換層３において第２のスペクトルを有する電磁放射１６に変換される。第２のフィルタ層７に入射する電磁放射１７は、変化することなく、一例として、反射される、または、残りのスペクトルを有する電磁放射２０が第１の波長変換層３に侵入するように、透過する。しかしながら、電磁放射２０は、波長変換層３の吸収スペクトルのスペクトル部分を実質的にまったく含んでいないため、変換された電磁放射が再放出されることはない。
【００８７】
図８は、透過スペクトルおよび放出スペクトルをプロットしたさらなる例示的なスペクトル図を示している。この場合、有機層列１の放出スペクトルＥＳと、第１の波長変換層３の変換スペクトルＣＳは、例えば、図２に示したスペクトルプロファイルに対応している。透過スペクトルＴＳ２は、第２のフィルタ層７の例示的なスペクトルプロファイルを表している。したがって、第２のフィルタ層は、波長変換層３の吸収スペクトルに実質的に対応する、有機層列の放出スペクトルを有する電磁放射に対して不透明である。
【００８８】
説明した例示的な実施形態の１つによるオプトエレクトロニクスデバイスは、例えば、カメラ付き携帯電話の用途におけるフラッシュライトのためのコンポーネントとして好適であり得る。さらに、このようなオプトエレクトロニクスデバイスは、照明装置用にも好適であり得る。
【００８９】
本発明は、有機層列を備えているオプトエレクトロニクスデバイスに制限されない。本発明は、放射を発生させる有機層列の代わりに、無機層列を備えているオプトエレクトロニクスデバイスの場合にも使用することができる。具体的には、本発明は、無機発光ダイオードの場合において使用することもできる。
【００９０】
本発明について、例示的な実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらの例示的な実施形態に制限されない。本発明は、任意の新規の特徴、および特徴の任意の組合せ（特に、特許請求項における特徴の任意の組合せを含む）を包含し、このことは、その特徴自体、またはその組合せ自体が、特許請求項または例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合にも該当する。具体的には、拡散層、第２の波長変換層、および第２のフィルタ層のそれぞれのさまざまな実施形態を、オプトエレクトロニクスデバイスの場合に任意の望ましい方式において、互いに結合することができる。
【００９１】
本特許出願は、独国特許出願第１０２００７０４４５９７．２号の優先権を主張し、この文書は、参照によって本出願に組み込まれるものとする。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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