(57)【要約】  本発明は、ケイ素に基づく反射防止膜／ハードマスク層を除去するための組成物及び方法に関する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ化物源；  有機第四アンモニウム塩基；  及び有機溶媒、水及びこれらの混合物から選択される溶媒を含む、ストリッピング用組成物。
【請求項２】
フッ化物源が有機フッ化物塩である、請求項１の組成物。
【請求項３】
フッ化物源が、脂肪族第四アンモニウム塩、脂肪族／アリール第四アンモニウム塩、ジ第四アンモニウムジフッ化物塩、式［アリール］ｑ［アルキル］ｒＳｉ［Ｆ］ｓ（式中、ｑは１または２であり、ｒは１または２であり、そしてｓは２または３である）を有するテトラアルキルアンモニウムジフルオロトリアリール（もしくはトリアルキル、またはアリールとアルキルの混合物）ジシリケート；  次式
【化１】
2010515107.tif 000005
（式中、Ｒ1は０〜３つの置換基であり、これらの置換基は、それぞれ独立して、アルキル、アルケニル、アリール、アルカノイル、アルコキシまたはニトロであり；  そしてＲ2はアルキル基である）
を有する化合物；  ＤＡＢＣＯ（１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン）のジ第四アンモニウムフッ化物塩、ピリジニウムフッ化物塩、イミダゾリジンフッ化物塩、テトラゾリウムフッ化物塩、１−フルオロ−４−クロロメチル−１，４−ジアゾニアビシクロ［２．２．２］オクタンビス（テトラフルオロボレート）、１−フルオロ−４−ヒドロキシ−１，４−ジアゾニアビシクロ［２．２．２］オクタンビス（テトラフルオロボレート）、Ｎ，Ｎ’−ジフルオロ−２，２’−ビピリジニウムビス（テトラフルオロボレート）、‘Ｎ−Ｆ’試薬、‘［Ｎ−Ｆ］+’試薬、２，２−ジフルオロ−１，３−ジメチルイミダゾリジン、ジエチルアミノスルファートリフルオライド、ＲａＲｂＮ−ＣＦ２−Ｒｃ（Ｒaは水素またはアルキルであり、そしてＲb及びＲcはそれぞれアルキルまたはアリールから選択される）、及びパーフルオロブタンスルホニルフルオライド、これらの水和物、並びにこれらの混合物から選択される、請求項１または２の組成物。
【請求項４】
フッ化物源が、テトラ−Ｃ１−６−アルキルアンモニウムフルオライド、トリ−Ｃ１−６−アルキルＣ６−２０−アルキルアンモニウムフルオライド、ジ−Ｃ１−６−アルキルジＣ８−２０−アルキルアンモニウムフルオライド、及びこれらの混合物からなる群から選択される、脂肪族第四アンモニウムフッ化物及びこれの水和物である、請求項３の組成物。
【請求項５】
フッ化物源が、テトラ−Ｃ1-4−アルキルアンモニウムフルオライド及びこれの水和物である、請求項４の組成物。
【請求項６】
フッ化物源が、テトラブチルアンモニウムフルオライド及びこれの水和物である、請求項５の組成物。
【請求項７】
有機第四アンモニウム塩基が、置換されていないかまたは置換された脂肪族アンモニウムヒドロキシド、置換されていないかまたは置換されたアリールアンモニウムヒドロキシド、またはこれらの混合物である、請求項１〜６のいずれか一つの組成物。
【請求項８】
有機第四アンモニウム塩基が、置換されていないかまたは置換されたテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドである、請求項７の組成物。
【請求項９】
前記有機第四アンモニウム塩基が、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルエチルアンモニウムヒドロキシド、（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド、（２−ヒドロキシエチル）トリエチルアンモニウムヒドロキシド、（２−ヒドロキシエチル）トリプロピルアンモニウムヒドロキシド、（１−ヒドロキシプロピル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド、エチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ジエチルジメチルアンモニウムヒドロキシド、ジメチルジエチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、トリメチル−３−ヒドロキシプロピルアンモニウムヒドロキシド、トリメチル−３−ヒドロキシブチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチル−４−ヒドロキシブチルアンモニウムヒドロキシド、トリエチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド、トリプロピル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド、トリブチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド、ジメチルエチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド、ジメチルジ（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、モノメチルトリ（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、テトライソブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルアンモニウムヒドロキシド、モノメチル−トリエチルアンモニウムヒドロキシド、モノメチルトリプロピルアンモニウムヒドロキシド、モノメチルトリブチルアンモニウムヒドロキシド、モノエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、モノエチルトリブチルアンモニウムヒドロキシド、ジメチルジブチルアンモニウムヒドロキシド、トリエチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、デシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、及びこれらの混合物から選択される、請求項８の組成物。
【請求項１０】
有機第四アンモニウム塩基がテトラメチルアンモニウムヒドロキシドである、請求項９の組成物。
【請求項１１】
溶媒が、水、及び有機溶媒もしくは複数種の有機溶媒の混合物である、請求項１〜１０のいずれか一つの組成物。
【請求項１２】
溶媒が有機溶媒であるかまたは複数種の有機溶媒の混合物である、請求項１１の組成物。
【請求項１３】
有機溶媒が、ケトン類、Ｃ1〜Ｃ10脂肪族アルコール類、芳香族基含有アルコール類、環状カーボネート類、脂肪族もしくは芳香族炭化水素、環状エーテル類、エチレングリコール、プロピレングリコール、ヘキシレングリコール、エーテルアルコール類、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類、２−メトキシエチルエーテル、メトキシブタノール、エトキシブタノール、メトキシプロパノール、及びエトキシプロパノール、エステル類、置換されていないかもしくは置換されたピロリジノン類、置換されていないかもしくは置換されたテトラヒドロチオフェン−１，１−ジオキシド類、ジメチルスルホキシド、二塩基性エステル類、及びガンマ−ブチロラクトン、ケトンエーテル誘導体、ケトンアルコール誘導体、ラクトン類、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、アニソール、及びこれらの混合物から選択される、請求項１２の組成物。
【請求項１４】
溶媒が、１−メチル−２−ピロリジノン、プロピレングリコール、水、及びこれらの混合物から選択される、請求項１３の組成物。
【請求項１５】
溶媒が、１−メチル−２−ピロリジノン、プロピレングリコール及びこれらの混合物から選択される、請求項１４の組成物。
【請求項１６】
フッ化物源及び有機第四アンモニウム塩基が、約１０：１〜約０．１：１のフッ化物源：有機第四アンモニウム塩基の比（重量／重量）で存在する、請求項１〜１５のいずれか一つの組成物。
【請求項１７】
フッ化物源及び有機第四アンモニウム塩基が、約７：１〜約０．５：１のフッ化物源：有機第四アンモニウム塩基の比（重量／重量）で存在する、請求項１６の組成物。
【請求項１８】
フッ化物源及び有機第四アンモニウム塩基が、約５：１〜約０．７５：１のフッ化物源：有機第四アンモニウム塩基の比（重量／重量）で存在する、請求項１２の組成物。
【請求項１９】
テトラ−Ｃ１−６−アルキルアンモニウムフルオライド、トリ−Ｃ１−６−アルキル−Ｃ６−２０アルキルアンモニウムフルオライド、ジ−Ｃ１−６−アルキル−ジ−Ｃ８−２０−アルキルアンモニウムフルオライド、これらの水和物、及びこれらの混合物の群から選択される有機フッ化物源；  置換されていないかもしくは置換された脂肪族アンモニウムヒドロキシド及びこれらの混合物から選択される有機第四アンモニウム塩基；  及びプロピレングリコール、置換されていないかもしくは置換されたピロリジノン類、水及びこれらの混合物から選択される溶媒から本質的になる、請求項１〜１８のいずれか一つのストリッピング用組成物。
【請求項２０】
被膜を請求項１〜１９のいずれか一つの組成物と接触することを含む、基材から被膜をストリッピングする方法。
【請求項２１】
上記被膜がケイ素含有底面反射防止膜である、請求項２０の方法。
【請求項２２】
基材からの被膜のストリッピングのための、請求項１〜１９のいずれか一つの組成物の使用。
【請求項２３】
被膜が、ケイ素含有底面反射防止膜またはハードマスク層、炭素に基づく反射防止膜、フォトレジスト膜、炭素に基づくハードマスク材料、反応もしくは硬化容器からのポリマー、ペイントまたはワニスである、請求項２２の使用。
【請求項２４】
被膜がケイ素含有反射防止膜である、請求項２３の使用。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
マイクロエレクトロニクス産業においては、構造物形状の大きさを小さくする傾向にある。有効なフォトレジストを使用するマイクロリソグラフィは、実行可能な技術を提供する。しかし、形状の微細化は続いており、応じてフォトレジストの厚さを薄くすることに対する要望がある。幾つかのリソグラフィ像形成プロセスでは、先端のマイクロリソグラフィに使用される薄いフォトレジストは、高い忠実度で基材へのパターンの転写を達成するためには、エッチングの間のための十分なマスキングをもはや供することができない。
【０００２】
この問題に対する一つの解決策は、反射防止膜として機能するだけではなく、十分なエッチング選択性をも供する層を、フォトレジストの下に使用することである。この増強されたエッチング選択性は、この被膜を、像転写介在物として使用することを可能にする。現在の技術水準の技術発展においては、この目的を満足させるために、ケイ素含有底面反射防止膜が、例えば現在半導体工業によって開発されている三層スキームに使用されている。
【０００３】
硬化されたケイ素含有底面反射防止膜／ハードマスク材料は、プラズマを用いたドライエッチングによって除去できるにもかかわらず、これらが、基材またはＩＣデバイスを損傷することなく、ストリッピングまたはウェットエッチングによって除去できることが非常に望ましい。現在、ストリッパ技術は、有機材料を除去するために使用される。例えば、米国特許第4,744,834号明細書（特許文献１）、同第4,395,479号明細書（特許文献２）、同第4,401,748号明細書（特許文献３）、同第4,428,871号明細書（特許文献４）は、基材からフォトレジストを除去するのに有用な、２−ピロリドンに基づくストリッピング用組成物を開示している。米国特許第4,776,892号明細書（特許文献５）及び同第4,239,661号明細書（特許文献６）は、有機第四アンモニウム塩基を含む水性ストリッピング用組成物を開示している。米国特許第3,673,099号明細書（特許文献７）及び欧州特許第0531292号明細書（特許文献８）は、置換された２−ピロリドンと有機第四アンモニウム塩基との混合物を含むストリッピング用組成物に関する。
【０００４】
硬化されたケイ素−酸素含有材料は、有機材料とは異なって挙動する。なぜならば、これらの方が、無機シリケート構造体と類似しているからである。ケイ素底面反射防止膜材料は、ＨＦを含む組成物によって除去できることが示されている（Proceedings of SPIE 2005, vol. 5753, pp. 449-458（非特許文献１））。国際公開第2004/113417 A1号パンフレットは、高いＨＦエッチング速度を有するケイ素含有底面反射防止膜材料を開示している。しかし、ＨＦは極めて毒性が高く、ＨＦ含有ストリッパの廃棄も問題である。
【０００５】
本発明者らは、ケイ素含有底面反射防止膜材料は、ＨＦ含有ストリッパによっては除去できないことを見出した。それ故、ケイ素−酸素含有底面反射防止膜／ハードマスク材料の除去のためのストリッパを開発することに対しての要望がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許第4,744,834号明細書
【特許文献２】米国特許第4,395,479号明細書
【特許文献３】米国特許第4,401,748号明細書
【特許文献４】米国特許第4,428,871号明細書
【特許文献５】米国特許第4,776,892号明細書
【特許文献６】米国特許第4,239,661号明細書
【特許文献７】米国特許第3,673,099号明細書
【特許文献８】欧州特許第0531292号明細書
【特許文献９】米国特許第6,414,173号明細書
【特許文献１０】米国特許6,203,721号明細書
【特許文献１１】米国特許第4,559,213号明細書
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】Proceedings of SPIE 2005, vol. 5753, pp. 449-458
【発明の概要】
【０００８】
本発明は、フッ化物源；  有機第四アンモニウム塩基；  及び有機溶媒、水及びこれらの混合物から選択される溶媒を含むかまたはこれらから本質的になるストリッピング用組成物に関する。前記フッ化物源は、例えば有機フッ化物塩であることができる。前記有機第四アンモニウム塩基は、例えば脂肪族アンモニウム塩基であることができる。前記フッ化物源及び有機第四アンモニウム塩基は、約１０：１〜約０．１：１、更には約７：１〜約０．５：１、更には約５：１〜約０．７５：１のフッ化物源：有機アンモニウム塩基の比（重量／重量）で存在することができる。基材からの被膜層のストリッピング方法も提供される。本発明の更に別の面では、基材から被膜を除去するための、上記のストリッピング用組成物の使用も提供される。
［本発明の詳細な説明］
本発明は、フッ化物源；  有機第四アンモニウム塩基；  及び有機溶媒、水及びこれらの混合物から選択される溶媒を含むか、またはこれらから本質的になるストリッピング用組成物に関する。前記フッ化物源は、例えば有機フッ化物塩であることができる。前記有機第四アンモニウム塩基は、例えば脂肪族アンモニウム塩基であることができる。前記フッ化物源及び有機第四アンモニウム塩基は、約１０：１〜約０．１：１、更に約７：１〜約０．５：１、更に約５：１〜約０．７５：１のフッ化物源：有機第四アンモニウム塩基の比（重量／重量）で存在することができる。基材から被膜層をストリッピングする方法も提供される。
【０００９】
該組成物の一成分はフッ化物源である。フッ化物源の例としては、有機系のフッ化物源、例えば第四アンモニウム塩（例えばテトラ−Ｃ1-6−アルキルアンモニウムフッ化物、例えばテトラメチルアンモニウムフルオライド、テトラエチルアンモニウムフルオライド、テトラプロピルアンモニウムフルオライド、及びテトラブチルアンモニウムフルオライド、トリ−Ｃ1-6−アルキル−Ｃ6-20−アルキルアンモニウムフルオライド、例えばトリメチルラウリルアンモニウムフルオライド、トリメチルラウリルアンモニウムフルオライド、及びセチルトリメチルアンモニウムフルオライド、及びジ−Ｃ1-6−アルキル−ジ−Ｃ8-20−アルキルアンモニウムフルオライド、例えばジメチルジラウリルアンモニウムフルオライド、及びジエチルジラウリルアンモニウムフルオライド）、脂肪族／アリール第四アンモニウム塩（例えば、ベンジル−トリ−Ｃ１−１６−アルキルアンモニウムフルオライド）、及びこれらの水和物などが挙げられる。これらの塩の更に別の例には、ジメチルジエチルアンモニウムフルオライド、ベンジルトリメチルアンモニウムフルオライド、ベンジルトリブチルアンモニウムフルオライド、セチルトリメチルアンモニウムフルオライド、イソプロピルトリメチルアンモニウムフルオライド、ｓｅｃ−ブチルトリメチルアンモニウムフルオライド、ペンチルトリエチルアンモニウムフルオライド、メチルトリオクチルアンモニウムフルオライド、並びにこれらの混合物及びこれらの水和物などが挙げられる。
【００１０】
適当なフッ化物源の他の例は、ジ第四アンモニウムジフッ化物塩、例えば式［（Ｒ'）３Ｎ＋（Ｚ）ｍＮ＋（Ｒ'）３］（Ｆ￣）２（式中、Ｒ'は、独立して、炭素原子数１〜２０のアルキル、炭素原子数１〜２０のヘテロアルキル、アリール、ヘテロアリール、炭素原子数３〜６のシクロアルキル、炭素原子数３〜６のシクロへテロアルキル、またはこれらの組み合わせであり；  Ｎは、四配座元素の窒素であるか、または脂肪環式、ヘテロ脂肪環式もしくはヘテロ芳香族構造中のヘテロ原子である窒素であり；  Ｚは、炭素原子数１〜２０のアルキル、炭素原子数２〜２０のアルケニル、アリール、炭素原子数１〜２０のヘテロアルキル、炭素原子数２〜２０のヘテロアルケニル、及びヘテロアリールからなる群から選択される橋掛け員であり；  そしてｍは１〜２０である）を有する化合物である。これらの化合物の例には、［（ＣＨ３）３Ｎ＋（ＣＨ２）６Ｎ＋（ＣＨ３）３］（Ｆ￣）２、［（Ｃ３Ｈ７）３Ｎ＋（ＣＨ２）６Ｎ＋（Ｃ３Ｈ７）３］（Ｆ￣）２、［（ＣＨ３）３Ｎ＋（Ｃ２Ｈ４）６Ｎ＋（ＣＨ３）３］（Ｆ￣）２、［（Ｃ６Ｈ５）３Ｎ＋（ＣＨ２）６Ｎ＋（ＣＨ３）３］（Ｆ￣）２、［（Ｃ６Ｈ５）３Ｎ＋（Ｃ２Ｈ４）２Ｎ＋（ＣＨ３）３］（Ｆ￣）２、及びこれらの類似物などが挙げられる。ジ第四アンモニウムフッ化物塩の他の例は、Ｎ，Ｎ’−ジフルオロ−２，２’−ビピリジニウム（ビステトラフルオロボレート）（ＭＥＣ−３１として知られる）である。更に別の他の例は、テトラキス（ジメチルアミノ）エテン（ＴＤＡＥ）／ＣＦ３錯体である。
【００１１】
フッ化物源の他の例には、式［アリール］ｑ［アルキル］ｒＳｉ［Ｆ］ｓ（式中、ｑは１または２であり、ｒは１または２であり、そしてｓは２または３である）を有するテトラアルキルアンモニウムジフルオロトリアリール（またはトリアルキルもしくはアリールとアルキルとの混合物）ジシリケートなどが挙げられる。
【００１２】
一つの例は、次式を有する化合物である。
【００１３】
【化１】
2010515107.tif 000002
【００１４】
前記式中、Ｒ1は、０〜３つの置換基であり、これらは、それぞれ独立して、アルキル、アルケニル、アリール、アルカノイル、アルコキシ、またはニトロであり、そしてＲ2はアルキル基である。これらの化合物の一例は、テトラブチルアンモニウムジフルオロトリフェニルシリケートである。アルキルは、好ましくはＣ１−Ｃ２０−アルキルであり、そしてアリールは好ましくはＣ６−Ｃ１０−アリール、特にフェニルである。
【００１５】
他の例は、次の式を有する化合物である。
【００１６】
【化２】
2010515107.tif 000003
【００１７】
前記式中、Ｒ1及びＲ2は上に定義した通りである。
【００１８】
これらのタイプの塩は、米国特許第6,414,173号明細書（特許文献９）及び同第6,203,721号明細書（特許文献１０）により詳しく記載されている。これらの文献の内容は本明細書に掲載されたものとする。
【００１９】
また、追加のジ第四アンモニウムフッ化物塩として、次式によって示されるＤＡＢＣＯ（１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン）のジ第四アンモニウムフッ化物塩も挙げられる。
【００２０】
【化３】
2010515107.tif 000004
【００２１】
前記式中、ｎは１〜１０である。これらの塩は、米国特許第4,559,213号明細書（特許文献１１）により詳しく記載されている。この文献の内容は本明細書に掲載されたものとする。
【００２２】
他のフッ化物源としては、ピリジニウム塩、例えばベンジル−３−ヒドロキシピリジニウムフルオライド、イミダゾリジン塩、例えば１，３−ジデシル−２−メチルイミダゾリウムフルオライド、テトラゾリウム塩、例えば２，３，５−トリフェニル−テトラゾリウムフルオライド、及びこれらの類似物などが挙げられる。更に別のフッ化物源には、熱の作用下に脱離反応によってフッ化物を放出し得るフッ素化有機化合物が挙げられる。
【００２３】
他のフッ化物源には、１−フルオロ−４−クロロメチル−１，４−ジアゾニアビシクロ［２．２．２］オクタンビス（テトラフルオロボレート）（商標Ｓｅｌｅｃｔｆｌｕｏｒ（登録商標））、１−フルオロ−４−ヒドロキシ−１，４−ジアゾニアビシクロ  ［２．２．２］オクタンビス（テトラフルオロボレート）（商標Ａｃｃｕｆｌｕｏｒ（登録商標））、Ｎ，Ｎ’−ジフルオロ−２，２’−ビピリジニウムビス（テトラフルオロボレート）、‘Ｎ−Ｆ’試薬（例えば、Ｒ２Ｎ−Ｆ）、‘［Ｎ−Ｆ］＋’試薬（例えば、Ｒ３Ｎ＋−Ｆ）、２，２−ジフルオロ−１，３−ジメチルイミダゾリジン、ジエチルアミノスルファートリフルオライド、ＲａＲｂＮ−ＣＦ２−Ｒｃ（式中、Ｒａは水素またはアルキルであり、そしてＲb及びＲｃは、それぞれ、アルキルまたはアリールから選択される）（商標Ｆｌｕｏｒｉｎｏｘ（登録商標））、パーフルオロブタンスルホニルフルオライド、及びこれらの類似物などの材料が挙げられる。他のフッ化物源には、アルカリ金属塩（例えばＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦなど）及びアルカリ土類金属塩（例えば、ＣａＦ２、ＭｇＦ２など）が挙げられる。
【００２４】
他のフッ化物源には、フッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）、アルキルフッ化水素（ＮＲＨ３Ｆ）、ジアルキルアンモニウムフッ化水素（ＮＲ２Ｈ２Ｆ）、トリアルキルアンモニウムフッ化水素（ＮＲ３ＨＦ）、トリアルキルアンモニウム三フッ化水素（ＮＲ３（３ＨＦ））（式中、Ｒはアルキルまたはアリール、好ましくはＣ１−Ｃ２０−アルキルまたはＣ６−Ｃ１０−アリールである）などが挙げられる。
【００２５】
上記物質の水和物及び混合物も、本発明において意図される。
【００２６】
本発明の組成物中の他の成分は、有機第四アンモニウム塩基である。これの例には、脂肪族、アリール及び混合脂肪族／アリール第四アンモニウムヒドロキシド及びこれらの混合物が挙げられ、ここで前記脂肪族及びアリール基は置換されていないかまたは置換されている。更なる例には、限定はされないが、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルエチルアンモニウムヒドロキシド、（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド、（２−ヒドロキシエチル）トリエチルアンモニウムヒドロキシド、（２−ヒドロキシエチル）トリプロピルアンモニウムヒドロキシド、（１−ヒドロキシプロピル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド、エチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ジエチルジメチルアンモニウムヒドロキシド、ジメチルジエチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチル−３−ヒドロキシプロピルアンモニウムヒドロキシド、トリメチル−３−ヒドロキシブチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチル−４−ヒドロキシブチルアンモニウムヒドロキシド、トリエチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド、トリプロピル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド、トリブチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド、ジメチルエチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド、ジメチル−ジ−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド、モノメチル−トリ−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルアンモニウムヒドロキシド、モノメチル−トリエチルアンモニウムヒドロキシド、モノメチルトリプロピルアンモニウムヒドロキシド、モノメチルトリブチルアンモニウムヒドロキシド、モノエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、モノエチルトリブチルアンモニウムヒドロキシド、ジメチルジブチルアンモニウムヒドロキシド、トリエチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド、ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、デシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、及びテトラフェニルアンモニウムヒドロキシドなどが挙げられる。
【００２７】
本発明の組成物中の他の成分は溶媒である。適当な溶媒には、例えば、ケトン類、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン、メチルイソアミルケトン、２−ヘプタノン４−ヒドロキシ、及び４−メチル２−ペンタノン；  Ｃ１〜Ｃ１０脂肪族アルコール類、例えばメタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、及びこれらの類似物；  芳香族基含有アルコール類、例えばベンジルアルコール；  フェノール、環状カーボネート類、例えばエチレンカーボネート及びプロピレンカーボネート；  脂肪族もしくは芳香族炭化水素（例えば、ヘキサン、トルエン、キシレンなど及びこれらの類似物）；  環状エーテル類、例えばジオキサン及びテトラヒドロフラン；  エチレングリコール；  プロピレングリコール；  ヘキシレングリコール；  エーテルアルコール類、例えば１−ブトキシエトキシ−２−プロパノール、３−メチル−３−メトキシブタノール、エチレングリコールｎ−ブチルエーテル、エチレングリコールフェニルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールプロピルエーテル、ジエチレングリコールヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールエチルエーテル、プロピレングリコールイソブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールｎ−プロピルエーテル、プロピレングリコールフェニルエーテル、プロピレングリコール−ｔ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、トリエチレングリコールエチルエーテル、トリエチレングリコールメチルエーテル、トリエチレングリコールｎ−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテル、トリプロピレングリコールｎ−ブチルエーテル；  エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類、例えばメチルセロソルブアセテート及びエチルセロソルブアセテート；  プロピレングリコールアルキルエーテルアセテート類、例えばプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、及びプロピレングリコールブチルエーテルアセテート；  プロピレングリコールアルキルエーテルプロピオネート類、例えばプロピレングリコールメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールエチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールプロピルエーテルプロピオネート、及びプロピレングリコールブチルエーテルプロピオネート；  ２−メトキシエチルエーテル（ジグリム）；  エーテル及びヒドロキシ部分の両方を有する溶媒、例えばメトキシブタノール、エトキシブタノール、メトキシプロパノール、及び��トキシプロパノール；  エステル類、例えばメチルアセテート、エチルアセテート、プロピルアセテート、及びブチルアセテートメチル−ピルベート、エチルピルベート；  エチル２−ヒドロキシプロピオネート、メチル２−ヒドロキシ２−メチルプロピオネート、エチル２−ヒドロキシ２−メチルプロピオネート、メチルヒドロキシアセテート、エチルヒドロキシアセテート、ブチルヒドロキシアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、メチル３−ヒドロキシプロピオネート、エチル３−ヒドロキシプロピオネート、プロピル３−ヒドロキシプロピオネート、ブチル３−ヒドロキシプロピオネート、メチル２−ヒドロキシ３−メチル酪酸、メチルメトキシアセテート、エチルメトキシアセテート、プロピルメトキシアセテート、ブチルメトキシアセテート、メチルエトキシアセテート、エチルエトキシアセテート、プロピルエトキシアセテート、ブチルエトキシアセテート、メチルプロポキシアセテート、エチルプロポキシアセテート、プロピルプロポキシアセテート、ブチルプロポキシアセテート、メチルブトキシアセテート、エチルブトキシアセテート、プロピルブトキシアセテート、ブチルブトキシアセテート、メチル２−メトキシプロピオネート、エチル２−メトキシプロピオネート、プロピル２−メトキシプロピオネート、ブチル２−メトキシプロピオネート、メチル２−エトキシプロピオネート、エチル２−エトキシプロピオネート、プロピル２−エトキシプロピオネート、ブチル２−エトキシプロピオネート、メチル２−ブトキシプロピオネート、エチル２−ブトキシプロピオネート、プロピル２−ブトキシプロピオネート、ブチル２−ブトキシプロピオネート、メチル３−メトキシプロピオネート、エチル３−メトキシプロピオネート、プロピル３−メトキシプロピオネート、ブチル３−メトキシプロピオネート、メチル３−エトキシプロピオネート、エチル３−エトキシプロピオネート、プロピル３−エトキシプロピオネート、ブチル３−エトキシプロピオネート、メチル３−プロポキシプロピオネート、エチル３−プロポキシプロピオネート、プロピル３−プロポキシプロピオネート、ブチル３−プロポキシプロピオネート、メチル３−ブトキシプロピオネート、エチル３−ブトキシプロピオネート、プロピル３−ブトキシプロピオネート、及びブチル３−ブトキシプロピオネート；  オキシイソ酪酸エステル類、例えばメチル−２−ヒドロキシイソブチレート、メチルα−メトキシイソブチレート、エチルメトキシイソブチレート、メチルα−エトキシイソブチレート、エチルα−エトキシイソブチレート、メチルβ−メトキシイソブチレート、エチルβ−メトキシイソブチレート、メチルβ−エトキシイソブチレート、エチルβ−エトキシイソブチレート、メチルβ−イソプロポキシイソブチレート、エチルβ−イソプロポキシイソブチレート、イソプロピルβ−イソプロポキシイソブチレート、ブチルβ−イソプロポキシイソブチレート、メチルβ−ブトキシイソブチレート、エチルβ−ブトキシイソブチレート、ブチルβ−ブトキシイソブチレート、メチルα−ヒドロキシイソブチレート、エチルα−ヒドロキシイソブチレート、イソプロピルα−ヒドロキシイソブチレート、及びブチル��−ヒドロキシイソブチレート；  置換されていないかもしくは置換されたピロリジノン類、例えば２−ピロリジノン、１−メチル−２−ピロリジノン、１−エチル−２−ピロリジノン、１−プロピル−２−ピロリジノン、１−ヒドロキシメチル−２−ピロリジノン、１−ヒドロキシエチル−２−ピロリジノン、１−ヒドロキシプロピル−２−ピロリジノン、置換されていないかもしくは置換されたテトラヒドロチオフェン−１，１−ジオキシド類、例えばテトラヒドロチオフェン−１，１−ジオキシド、メチルテトラヒドロチオフェン−１，１−ジオキシド及びエチルテトラヒドロチオフェン−１，１−ジオキシド及び他の溶媒、例えばジメチルスルホキシド、二塩基性エステル類、及びガンマ−ブチロラクトン；  ケトンエーテル誘導体、例えばジアセトンアルコールメチルエーテル；  ケトンアルコール誘導体、例えばアセトールもしくはジアセトンアルコール；  ラクトン類、例えばブチロラクトン；  アミド誘導体、例えばジメチルアセトアミドもしくはジメチルホルムアミド、アニソール、及びこれらの混合物などを挙げることができる。当業者は過度の実験を要することなく簡単に決定できると理解するものであるが、上記溶媒または溶媒混合物はフッ化物源を可溶化するべきである。
【００２８】
本発明の好ましい態様の一つでは、該ストリッピング用組成物は、テトラ−Ｃ１−６−アルキルアンモニウムフルオライド、トリ−Ｃ１−６−アルキル−Ｃ６−２０  アルキルアンモニウムフルオライド、ジ−Ｃ１−６−アルキル−ジ−Ｃ８−２０−アルキルアンモニウムフルオライド、これらの水和物、及びこれらの混合物から選択された有機フッ化物源；  置換されていないかもしくは置換された脂肪族アンモニウムヒドロキシド及びこれらの混合物から選択された有機第四アンモニウム塩基；  及びプロピレングリコール、置換されていないかもしくは置換されたピロリジノン類、水及びこれらの混合物から選択された溶媒から本質的になる。
【００２９】
上記の好ましいストリッピング用組成物の好ましい態様の一つでは、有機フッ化物源は、テトラ−Ｃ1-6−アルキルアンモニウムフルオライド、これの水和物、及びこれの混合物である。
【００３０】
上記の好ましいストリッピング用組成物の更に別の好ましい態様の一つでは、有機フッ化物源は、テトラメチルアンモニウムフルオライド、テトラエチルアンモニウムフルオライド、テトラプロピルアンモニウムフルオライド、テトラブチルアンモニウムフルオライド、イソプロピルトリメチルアンモニウムフルオライド、ｓｅｃ−ブチルトリメチルアンモニウムフルオライド、及びジメチルジエチルアンモニウムフルオライド、これらの水和物、及びこれらの混合物から選択される。
【００３１】
上記の好ましいストリッピング用組成物の更に別の好ましい態様の一つでは、前記有機第四アンモニウム塩基は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルエチルアンモニウムヒドロキシド、（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド、（２−ヒドロキシエチル）トリエチルアンモニウムヒドロキシド、（２−ヒドロキシエチル）トリプロピルアンモニウムヒドロキシド、（１−ヒドロキシプロピル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド、エチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ジエチルジメチルアンモニウムヒドロキシド、ジメチルジエチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、トリメチル−３−ヒドロキシプロピルアンモニウムヒドロキシド、トリメチル−３−ヒドロキシブチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチル−４−ヒドロキシブチルアンモニウムヒドロキシド、トリエチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド、トリプロピル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド、トリブチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド、ジメチルエチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド、ジメチルジ（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、モノメチルトリ（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、テトライソブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルアンモニウムヒドロキシド、モノメチル−トリエチルアンモニウムヒドロキシド、モノメチルトリプロピルアンモニウムヒドロキシド、モノメチルトリブチルアンモニウムヒドロキシド、モノエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、モノエチルトリブチルアンモニウムヒドロキシド、ジメチルジブチルアンモニウムヒドロキシド、トリエチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、及びデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、及びこれらの混合物から選択される。
【００３２】
上記の好ましいストリッピング用組成物の更に別の好ましい態様の一つでは、溶媒は、プロピレングリコール、１−メチル−２−ピロリジノン及び水の混合物、好ましくはプロピレングリコールと１−メチル−２−ピロリジノンとの混合物である。
【００３３】
上記の好ましいストリッピング用組成物の更に別の好ましい態様の一つでは、前記のフッ化物源及び有機第四アンモニウム塩基は、約１０：１〜約０．１：１のフッ化物源：有機第四アンモニウム塩基の比（重量／重量）、好ましくは約７：１〜約０．５：１のフッ化物源：有機第四アンモニウム塩基の比（重量／重量）、特に約５：１〜約０．７５：１のフッ化物源：有機第四アンモニウム塩基の比（重量／重量）で存在する。
【００３４】
上記の成分に加えて、任意付加的な材料、例えば界面活性剤及びこれの類似物を本発明の組成物に加えることができる。界面活性剤の例には、好ましくは低発泡性であり、環境に対して安全であり、好ましくは生分解性で、化学的に安定しており、そして水溶液中に可溶であるものが挙げられる。これは、特にストリッパ溶液が加熱され得る場合に該当する。ノニオン性界面活性剤が特に有用であるが、アニオン性及びカチオン性界面活性剤も使用し得る。例えば、線状もしくは分枝状アルコキシレート、エチレンオキシド／プロピレンオキシドポリマー、アセチレン性アルコール、ポリエチレングリコールモノフェニルエーテルなどであるノニオン性界面活性剤が挙げられる。界面活性剤の具体的な例には、限定はされないが、線状アルコールアルコキシレート、トリデシルアルコキシレート、ポリ（エチレンオキシド−ｃｏ−プロピレンオキシド）及びポリエチレンオキシドなどが挙げられる。本発明のストリッパは、これらの界面活性剤を単独でまたは混合物として含むことができる。
【００３５】
他の任意付加的添加剤には、消泡剤、腐食防止剤、湿潤剤、及びこれらの類似物などが挙げられる。
【００３６】
本発明のストリッピング用組成物は、ケイ素に基づく反射防止膜／ハードマスクのためのストリッピング剤として使用できる。すなわち、基材上の反射防止膜／ハードマスク層を、様々な手段、例えばストリッピング浴中に浸漬するか、またはケイ素に基づく反射防止膜／ハードマスク層上に該ストリッピング用組成物を噴霧することによって、該ストリッピング組成物と接触させることによって使用できる。典型的には、ストリッピング時間は約１〜６０分間、好ましくは１〜３０分間、より好ましくは１〜１５分間の範囲であることができ、ストリッピング温度は、約２０℃〜約１５０℃、好ましくは２０℃〜１００℃の範囲であることができる。正確な加工条件の詳細は、装置、除去すべき材料、及び加工環境によって決定される。それ故、本発明の一面では、被膜を本発明の組成物またはそれの好ましい態様のいずれかと接触させることを含む、基材から層をストリッピングする方法、好ましくはケイ素含有底面反射防止膜をストリッピングする方法が提供される。
【００３７】
基材から反射防止膜／ハードマスク層をストリッピングするための上記組成物の使用のみを例示したが、本発明のストリッピング用組成物は、当業者には明らかな他の用途、例えばフォトレジスト膜、炭素に基づく反射防止膜、炭素に基づくハードマスク材料、反応容器もしくは硬化容器からのポリマー残渣及びこれらの類似物のストリッピングに、あるいは表面からの塗膜のストリッピング、例えばペイント及びワニス並びにこれらの類似物のストリッピングにも適当であることは当然に理解される。
【００３８】
それ故、本発明の更に別の面では、基材から被膜をストリッピングするための本発明の組成物またはそれのいずれかの好ましい態様の使用が提供される。この際、前記被膜は、好ましくは、ケイ素を含む底面反射防止膜、またはハードマスク層、炭素に基づく反射防止膜、フォトレジスト膜、炭素に基づくハードマスク材料、反応容器もしくは硬化容器からのポリマー残渣、ペイントもしくはワニスである。特に、該被膜は、ケイ素を含む底面反射防止膜またはハードマスク材料である。
【実施例】
【００３９】
以下の例は、本発明の組成物及び被膜層のストリッピングのための方法の効果を実証するものである。例１及び２は、本発明のストリッピング用組成物、ストリッピング手順、及びケイ素ウェハ上のケイ素底面反射防止膜のストリッピング結果を示す。例４及び５は、本発明のストリッピング用組成物、ストリッピング手順、及び二酸化ケイ素または窒化ケイ素基材上のケイ素底面反射防止膜のストリッピング結果を示す。例３は、本発明のストリッピング用組成物、ストリッピング手順、及びケイ素ウェハ上のアンダーレイヤー／ケイ素底面反射防止膜／フォトレジストのストリッピング結果を示す。比較例１及び２は、ＨＦを含む緩衝した酸化物エッチャント（ＢＯＥ；５０：１）を用いたストリッピング手順、及びそのストリッピング結果を示す。比較例３及び４は、Ｎ−メチルピロリジノン及び／またはテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを含む市販のストリッパを用いたストリッピング手順及びその結果を示す。
【００４０】
例１
ケイ素含有底面反射防止膜用調合物ＡＺ（登録商標）ＥＸＰ  ＡｒＦ−Ｓ０５（ＡＺエレクトロニックマテリアルズから入手可能）を、４インチケイ素ウェハ上に１４００ｒｐｍでスピンコートした。この被覆されたウェハをホットプレートで２２５℃で９０秒間ベーク処理した。膜厚は、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ  Ｃｏ． Ｉｎｃ．によって販売されているＶＡＳＥ（角度可変分光エリプソメータ）エリプソメータを用いて９８．７ｎｍと測定された。
【００４１】
２Ｌのガラスビーカー中に、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）６ｇ、Ｎ−メチルピロリジノン（ＮＭＰ）１０８ｇ、プロピレングリコール３９ｇ、脱イオン水１４７ｇ、及びテトラブチルアンモニウムフルオライド三水和物３０ｇを仕込んだ。この混合物を攪拌して全ての材料を混合し、次いで７５℃に加熱し、この温度に維持した。前記の被覆されたウェハを、この混合物中に浸漬し、そして窒素ガスを穏やかにこの溶液中に送入した。五分後、このウェハを取り出し、そして脱イオン水及びアセトンですすぎ、そして乾燥した。裸眼で視覚検査したところ、ケイ素底面反射防止膜が完全に除去されたことが分かった。これは、更に、ニコン顕微鏡下及びＳＥＭ（走査電子顕微鏡）での検査によって確認された。
【００４２】
例２
ケイ素含有底面反射防止膜用調合物ＡＺ（登録商標）ＥＸＰ  ＡｒＦ−Ｓ１０（ＡＺエレクトロニックマテリアルズから入手可能）を４インチケイ素ウェハ上に１４００ｒｐｍでスピンコートした。この被覆されたウェハをホットプレートで２５０℃で９０秒間ベーク処理した。膜厚は、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ Ｃｏ．Ｉｎｃ．によって販売されるＶＡＳＥエリプソメータを用いて１２７．７ｎｍと測定された。
【００４３】
２Ｌガラスビーカー中に、ＴＭＡＨ ６ｇ、ＮＭＰ １０８ｇ、プロピレングリコール３９ｇ、脱イオン水１４７ｇ、及びテトラブチルアンモニウムフルオライド三水和物３０ｇを仕込んだ。この混合物を攪拌して全ての材料を混合し、次いで７５℃に加熱しそしてこの温度に維持した。上記の被覆されたウェハをこの混合物中に浸漬し、そしてこの溶液中に窒素ガスを穏やかに送入した。５分後、このウェハを取り出し、脱イオン水及びアセトンですすぎ、そして乾燥した。裸眼による視覚検査によって、ケイ素底面反射防止膜が完全に除去されたことがわかった。これは、更に、ニコン電子顕微鏡下及びＳＥＭによる検査によって確認された。
【００４４】
例３
ＡＺ（登録商標）ＡｒＦ−１Ｃ５Ｄ（ＡＺエレクトロニックマテリアルズから入手可能）の層を、８インチケイ素ウェハ上にスピンコートし、そして２００℃で６０秒間ベーク処理した（ＦＴ＝３７ｎｍ）。次いで、ケイ素含有底面反射防止膜用調合物ＡＺ（登録商標）ＥＸＰ  ＡｒＦ−Ｓ０５（ＡＺエレクトロニックマテリアルズから入手可能）を上記のアンダーレイヤーの上に１２７０ｒｐｍでスピンコートした。この被覆されたウェハをホットプレート上で２２５℃で９０秒間ベーク処理して、１１０ｎｍのケイ素底面反射防止膜厚を達成した。次いで、ＡＺ（登録商標）ＡＸ２１２０フォトレジスト（ＡＺエレクトロニックマテリアルズから入手可能）の層を、上記の硬化した層の上にスピンコートした。露光及び現像後に、ケイ素ウェハの表面上のケイ素底面反射防止膜／アンダーレイヤー上にパターン化されたフォトレジストが得られた。このウェハを割り、そしてパターンを有する断片をストリッピング試験用に採取した。
【００４５】
１Ｌのガラスビーカー中に、ＮＭＰ ７２ｇ、プロピレングリコール ９６ｇ、ＴＭＡＨ １７ｇ、及びテトラブチルアンモニウムフルオライド三水和物 １５ｇを仕込んだ。この混合物を攪拌して全ての材料を混合し、次いで、８０℃に加熱しそしてこの温度に維持した。前記の被覆されたウェハ断片をこの混合物中に浸漬し、そしてこの溶液中に窒素ガスを穏やかに送入した。１０分後、このウェハを取り出し、脱イオン水及びアセトンですすぎ、そして乾燥した。裸眼による視覚検査により、ケイ素底面反射防止膜が完全に除去されたことが分かった。更にこれは、ニコン顕微鏡下及びＳＥＭによる検査によっても確認された。
【００４６】
例４
ＳｉＯ２の層（厚さ４６９ｎｍ）を４インチのケイ素ウェハ上に堆積した。次いで、ケイ素含有底面反射防止膜用調合物ＡＺ（登録商標）ＥＸＰ  ＡｒＦ−Ｓ１４（ＡＺエレクトロニックマテリアルズから入手可能）を、前記ＳｉＯ2層上に１２４０ｒｐｍでスピンコートした。この被覆されたウェハをホットプレート上で２４０℃で６０秒間ベーク処理した。このケイ素含有底面反射防止膜用調合物の膜厚は、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ Ｃｏ．Ｉｎｃ．によって販売されるＶＡＳＥエリプソメータを用いて１００ｎｍと測定された。
【００４７】
２Ｌのガラスビーカー中に、ＴＭＡＨ ６ｇ、ＮＭＰ １０８ｇ、プロピレングリコール３９ｇ、脱イオン水１４７ｇ、及びテトラブチルアンモニウムフルオライド三水和物 ３０ｇを仕込んだ。この混合物を攪拌して全ての材料を混合し、次いで７５℃に加熱しそしてこの温度に維持した。前記の被覆されたウェハをこの混合物中に浸漬し、そしてこの溶液中に窒素ガスを穏やかに送入した。５分後、このウェハを取り出し、脱イオン水ですすぎそして乾燥した。裸眼での視覚検査によって、ケイ素底面反射防止膜が完全に除去され、しかもＳｉＯ2層に損傷が無かったことが分かった。更にこれは、ニコン顕微鏡下及びＳＥＭによる検査によっても確認された。
【００４８】
例５
窒化ケイ素の層（厚さ２００ｎｍ）を、８インチケイ素ウェハ上に堆積した。次いで、ケイ素含有底面反射防止膜用調合物ＡＺ（登録商標）ＥＸＰ  ＡｒＦ−Ｓ１４（ＡＺエレクトロニックマテリアルズから入手可能）を、前記窒化ケイ素層上に１２４０ｒｐｍでスピンコートした。この被覆されたウェハをホットプレートで２４０℃で６０秒間ベーク処理した。このケイ素含有底面反射防止膜用調合物の膜厚は１００ｎｍであった。
【００４９】
２Ｌガラスビーカー中に、ＴＭＡＨ ６ｇ、ＮＭＰ １０８ｇ、プロピレングリコール ３９ｇ、脱イオン水１４７ｇ及びテトラブチルアンモニウムフルオライド三水和物 ３０ｇを仕込んだ。この混合物を攪拌して全ての材料を混合し、次いで７５℃に加熱しそしてこの温度に維持した。前記の被覆されたウェハをこの混合物中に浸漬し、そしてこの溶液に窒素ガスを穏やかに送入した。５分後、このウェハを取り出し、脱イオン水ですすぎそして乾燥した。裸眼による視覚検査によって、ケイ素底面反射防止膜が完全に除去され、しかも窒化ケイ素層に損傷が無かったことが分かった。更にこれは、ニコン顕微鏡下での検査によっても確認された。
【００５０】
比較例１
ケイ素含有底面反射防止膜用調合物ＡＺ（登録商標）ＥＸＰ  ＡｒＦ−Ｓ０５  （ＡＺエレクトロニックマテリアルズから入手可能）を４インチケイ素ウェハ上に１４００ｒｐｍでスピンコートした。この被覆されたウェハをホットプレートで２２５℃で９０秒間ベーク処理した。その膜厚は、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ Ｃｏ．Ｉｎｃ．によって販売されるＶＡＳＥエリプソメータを用いて９７．１ｎｍと測定された。
【００５１】
１ＬのＨＤＰＥビーカー中に、ＮＨ4Ｆ及びＨＦを水溶液の状態で含む緩衝された酸化物エッチャント（Ｊ．Ｔ．Ｂａｋｅｒから入手できるＢＯＥ５０：１） ２００ｍＬを入れる。（平坦な縁を有する）前記の被覆されたウェハの下半分を前記の緩衝された酸化物エッチャント中に浸漬し、ウェハの上半分は液体の表面の上に出るようにした。１分後、このウェハを取り出し、脱イオン水及びアセトンですすぎそして乾燥した。ウェハの下半分を裸眼で視覚検査すると、ケイ素底面反射防止膜は除去されていなかった。更にこれは、ニコン顕微鏡下及びＳＥＭによる検査によっても確認された。
【００５２】
比較例２
ケイ素含有底面反射防止膜用調合物ＡＺ（登録商標）ＥＸＰ  ＡｒＦ−Ｓ１０  （ＡＺエレクトロニックマテリアルズから入手可能）を、４インチケイ素ウェハ上に１４００ｒｐｍでスピンコートした。この被覆されたウェハをホットプレート上で２５０℃で９０秒間ベーク処理した。その膜厚は、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ Ｃｏ．Ｉｎｃ．によって販売されるＶＡＳＥエリプソメータを用いて１２２．１ｎｍと測定された。
【００５３】
１ＬのＨＤＰＥビーカー中に、ＮＨ4Ｆ及びＨＦを水溶液の状態で含む緩衝された酸化物エッチャント（Ｊ．Ｔ．Ｂａｋｅｒから入手可能なＢＯＥ５０：１）２００ｍＬを入れた。（平坦な縁を有する）前記の被覆されたウェハの下半分を、この市販のリムーバ調合物中に浸漬し、このウェハの上半分は液体の上から出るようにした。１分後、このウェハを取り出し、脱イオン水及びアセトンですすぎ、そして乾燥した。裸眼による前記ウェハの下半分の視覚検査により、ケイ素底面反射防止膜が完全に除去されていたことがわかった。しかし、残渣が観察され、これはニコン顕微鏡下及びＳＥＭによる検査によって確認された。
【００５４】
比較例３
ケイ素含有底面反射防止膜用調合物ＡＺ（登録商標）ＥＸＰ  ＡｒＦ−Ｓ１０  （ＡＺエレクトロニックマテリアルズから入手可能）をケイ素ウェハ上に１４００ｒｐｍでスピンコートした。この被覆されたウェハをホットプレート上で２５０℃で９０秒間ベーク処理した。その膜厚は、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ Ｃｏ． Ｉｎｃ．によって販売されるＶＡＳＥエリプソメータを用いて１３０．２ｎｍと測定された。
【００５５】
２Ｌガラスビーカー中に、７５℃に加熱しそしてこの温度に維持したＡＺ（登録商標）４００Ｔフォトレジストストリッパ（ＡＺエレクトロニックマテリアルズから入手可能）３００ｇを入れた。前記の被覆されたウェハをこのストリッパ溶液中に浸漬し、そしてこの溶液中に窒素ガスを穏やかに送入した。２０分後、このウェハを取り出し、そして脱イオン水及びアセトンですすぎ、そして乾燥した。裸眼による視覚検査によって、ケイ素底面反射防止膜が部分的にのみ除去されたことがわかった。更にこれは、ニコン顕微鏡下及びＳＥＭによる検査によっても確認された。
【００５６】
比較例４
ケイ素含有底面反射防止膜用調合物ＡＺ（登録商標）ＥＸＰ  ＡｒＦ−Ｓ１０  （ＡＺエレクトロニックマテリアルズから入手可能）を、ケイ素ウェハ上に１４００ｒｐｍでスピンコートした。この被覆されたウェハをホットプレート上で２５０℃で９０秒間ベーク処理した。膜厚は、Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ Ｃｏ．Ｉｎｃ．によって販売されるＶＡＳＥエリプソメータを用いて１１６．３ｎｍと測定された。
【００５７】
２Ｌガラスビーカー中に、ＡＺ（登録商標）４００Ｔフォトレジストストリッパ（ＡＺエレクトロニックマテリアルズから入手可能）２００ｍＬ及びＡＺ（登録商標）３００  ＭＩＦ現像剤（ＡＺエレクトロニックマテリアルズから入手可能）２００ｍＬを入れ、そして一緒に混合し、７５℃に加熱しそしてこの温度で維持した。上記の被覆されたウェハをこのストリッパ溶液中に浸漬し、そしてこの溶液に窒素ガスを穏やかに送入した。５分後、ウェハを取り出し、脱イオン水及びアセトンですすぎ、そして乾燥した。裸眼による視覚検査によって、ケイ素底面反射防止膜が部分的にのみ除去されていたことが分かった。これは更に、ニコン顕微鏡下及びＳＥＭによる検査によっても確認された。
【００５８】
本発明をそれの好ましい態様に関連して説明したが、本明細書に接した当業者には、これの様々な変更は自明である。それ故、本明細書に開示される発明は、添付の特許請求の範囲に含まれる限りこのような変更も包含することを意図したものである。
【国際調査報告】
2010515107.tif 000006
2010515107.tif 000007