(57)【要約】  本発明は通信電子分野に適用し、少なくとも信号入力端子と、信号出力端子と、共通グラウンド端子とを含む少なくとも１段の減衰器回路を備え、前記信号入力端子と前記信号出力端子との間に第１のシリアル抵抗を有し、信号メイン回路を形成されており、この信号メイン回路の一端子は前記共通グラウンド端子との間に第１のパラレル抵抗を含む可変減衰器であって、前記減衰器回路は、前記第１のシリアル抵抗にパラレル接続される第１のパラレルスイッチと、前記第１のパラレル抵抗にシリアル接続される第１のシリアルスイッチをさらに含むことを特徴とするものである。本発明の実施例において、可変減衰器のシリアル抵抗の両端子部にはパラレルスイッチがパラレル接続され、パラレル抵抗の両端子部にはシリアルスイッチがシリアル接続され、パラレルスイッチをオンにするように制御してある段の減衰量を無効にすると共に、シリアルスイッチをオフにするように制御してパラレル抵抗が信号メイン回路に及ぼす影響を無くすことによって、減衰器の減衰量は安定し、精度がもっと高く、さらに周波数範囲がもっと広くなる。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも信号入力端子と、信号出力端子と、共通グラウンド端子とを含む少なくとも１段の減衰器回路を備え、前記信号入力端子と前記信号出力端子との間に第１のシリアル抵抗を有し、信号メイン回路を形成されており、この信号メイン回路の一端子は前記共通グラウンド端子との間に第１のパラレル抵抗を含む可変減衰器であって、
前記減衰器回路は
前記第１のシリアル抵抗にパラレル接続される第１のパラレルスイッチと、
前記第１のパラレル抵抗にシリアル接続される第１のシリアルスイッチをさらに
含むことを特徴とする可変減衰器。
【請求項２】
前記第１のシリアル抵抗、第１のパラレル抵抗、第１のシリアルスイッチ、第１のパラレルスイッチ、信号入力端子、信号出力端子又は共通グラウンド端子は、基板又はスイッチとして機能する絶縁物上に作成されていることを特徴とする請求項１に記載の可変減衰器。
【請求項３】
前記第１のパラレルスイッチ又は第１のシリアルスイッチは、導電シート又は基板に作成されているマイクロストリップで形成されることを特徴とする請求項１に記載の可変減衰器。
【請求項４】
前記減衰器回路はπ型の減衰器回路であり、
前記π型の減衰器回路は、
第２のパラレル抵抗と、
前記第２のパラレル抵抗にシリアル接続される第２のシリアルスイッチとをさらに含み、
前記第１のパラレル抵抗は前記信号入力端子と前記共通グラウンド端子との間に接続されており、
前記第２のパラレル抵抗は前記信号出力端子と前記共通グラウンド端子との間に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の可変減衰器。
【請求項５】
２段或いは２段以上のカスケード接続されたπ型の減衰器回路を備え、
上段のπ型の減衰器回路の信号出力端子が下段のπ型の減衰器回路の信号入力端子とされ、上段のπ型の減衰器回路における、信号出力端子と共通グラウンド端子との間に接続されている第２のパラレル抵抗が下段のπ型の減衰器回路における、信号入力端子と共通グラウンド端子との間に接続されている第１のパラレル抵抗とされることを特徴とする請求項４に記載の可変減衰器。
【請求項６】
前記第１のシリアル抵抗、第１のパラレル抵抗、第２のパラレル抵抗、第１のシリアルスイッチ、第２のシリアルスイッチ、第１のパラレルスイッチ、信号入力端子、信号出力端子又は共通グラウンド端子は、基板又はスイッチとして機能する絶縁物上に作成されていることを特徴とする請求項４又は５に記載の可変減衰器。
【請求項７】
前記第１のパラレルスイッチ、第１のシリアルスイッチ或いは第２のシリアルスイッチは、導電性シート又は媒体基板に作成されているマイクロストリップで構成していることを特徴とする請求項４又は５に記載の可変減衰器。
【請求項８】
前記π型の減衰器回路は、分布抵抗の等価構成が採用されていることを特徴とする請求項４に記載の可変減衰器。
【請求項９】
前記減衰器回路は、Ｔ型の減衰器回路であり、
前記Ｔ型の減衰器回路は、第２のシリアル抵抗をされに含み、前記の第２のシリアル抵抗の一つ端子は、前記第１のシリアル抵抗にシリアル接続され、もう一つ端子は、前記信号出力端子に接続されおり、
前記第２のシリアル抵抗の両端子にパラレル接続される第２のパラレルスイッチをさらに含み、
前記第１のパラレルスイッチは、前記第１のシリアル抵抗の両端子にパラレル接続され、
前記第１のパラレル抵抗の一つ端子は、前記第１のシリアル抵抗と前記第２のシリアル抵抗を接続しているメイン回路の接点の間に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の可変減衰器。
【請求項１０】
前記減衰器回路は、Ｔ型の減衰器回路であり、
前記Ｔ型の減衰器回路は、第２のシリアル抵抗をされに含み、前記の第２のシリアル抵抗の一つ端子は、前記第１のシリアル抵抗にシリアル接続され、もう一つ端子は、前記信号出力端子に接続されおり、
前記第１のパラレルスイッチは、前記第１のシリアル抵抗と前記第２のシリアル抵抗をシリア接続している両抵抗の両端子にパラレル接続されおり、
前記第１のパラレル抵抗の一つ端子は、前記第１のシリアル抵抗と前記第２のシリアル抵抗を接続しているメイン回路の接点の間に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の可変減衰器。
【請求項１１】
前記第１のシリアル抵抗、第２のシリアル抵抗、第１のパラレル抵抗、第１のシリアルスイッチ、第１のパラレルスイッチ、第２のパラレルスイッチ、信号入力端子、信号出力端子又は共通グラウンド端子は、基板又はスイッチとして機能する絶縁物上に作成されていることを特徴とする請求項９又は１０に記載の可変減衰器。
【請求項１２】
前記Ｔ型の減衰器回路は、分布抵抗の等価構成が採用されていることを特徴とする請求項９又は１０に記載の可変減衰器。
【請求項１３】
前記第１のパラレルスイッチと、第２のパラレルスイッチと、第１のシリアルスイッチは、導電シート又は基板に作成されているマイクロストリップで構成していることを特徴とする請求項９又は１０に記載の可変減衰器。
【請求項１４】
前記第１のシリアルスイッチは、前記第１のパラレル抵抗と前記共通グラウンド端子との間、又は前記第１のパラレル抵抗と信号メイン回路との間に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の可変減衰器。
【請求項１５】
前記減衰器回路は、一端子がマイクロストリップの端子に配置されている、或いはコンデンサー又はインダクタンスを介して接地している、或いは直接接地している第３のパラレル抵抗と、一端子が前記減衰器回路の信号入力端子、信号出力端子又は信号メイン回路上のカスケード同士間に接続され、他端子が前記第３のパラレル抵抗の他端子に接続されている回路スイッチを含む少なくとも１つの改善回路をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の可変減衰器。
【請求項１６】
前記少なくとも１段の減衰器回路は、基板又はスイッチとして機能する絶縁物上に配置されており、
前記第１のシリアル抵抗、前記第１のパラレル抵抗、前記第１のシリアルスイッチ、及び前記第１のパラレルスイッチは、前記基板の同じ層又は異なる層にあることを特徴とする請求項１に記載の可変減衰器。
【請求項１７】
前記可変減衰器は、同軸コネクタ内に直接配置されることを特徴とする請求項１に記載の可変減衰器。
【請求項１８】
前記第１のシリアル抵抗又は第１のパラレル抵抗は、チップ抵抗、薄膜抵抗、厚膜抵抗、埋め込み抵抗又はプリント抵抗のうちのいずれか１種又は複数種の組み合わせが用いられることを特徴とする請求項１に記載の可変減衰器。
【請求項１９】
少なくとも信号入力端子と、信号出力端子と、共通グラウンド端子とを含む少なくとも１段のブリッジ型の減衰器回路を備え、一つシリアル抵抗の両端に前記信号入力端子と前記信号出力端子に接続し、メイン回路を形成しており、前記のシリアル抵抗の両端に、それぞれが二つのブリッジアーム抵抗に接続されている、前記二つのブリッジアーム抵抗の他端子は、お互いに接続し、前記共通グラウンド端子との間にパラレル抵抗を有している可変減衰器であって、
前記減衰器回路は、
前記シリアル抵抗にパラレル接続されるパラレルスイッチと、
前記パラレル抵抗にシリアル接続されるシリアルスイッチと、
をさらに含むことを特徴とする可変減衰器。
【請求項２０】
前記シリアルスイッチは、前記パラレル抵抗と前記共通グラウンド端子との間に配置されていることを特徴とする請求項１９に記載の可変減衰器。
【請求項２１】
前記パラレルスイッチ又はシリアルスイッチは、導電シート又は基板に作製されているマイクロストリップで形成していることを特徴とする請求項１９に記載の可変減衰器。
【請求項２２】
前記少なくとも１段の減衰器回路は、前記基板又はスイッチとして機能する絶縁物上に配置されており、
前記シリアル抵抗、前記パラレル抵抗、前記シリアルスイッチ、及び前記パラレルスイッチは、前記基板の同じ層又は異なる層にあることを特徴とする請求項１９に記載の可変減衰器。
【請求項２３】
前記シリアル抵抗又はパラレル抵抗は、チップ抵抗、薄膜抵抗、厚膜抵抗、埋め込み抵抗又はプリント抵抗のうちのいずれか１種又は複数種の組み合わせが用いられることを特徴とする請求項１９に記載の可変減衰器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０１】本発明は通信電子分野に適用し、特に可変減衰器に関する。
【背景技術】
【０２】電子部品ファミリーにおいて、可変減衰器は回路及びシステムによく用いられている基本的部品の１つである。可変減衰器の存在により、回路の作成とシステムのデバッグはより融通が利き、さらに便利になる。数百ＭＨｚ以下の回路及びシステムには、可変減衰器が広く使われている。【０３】一般に、可変減衰器は一定範囲内の連続した減衰器の値を与えるが、実際には、ユーザーは連続した減衰器の値のうちのいくつかの固定値を使用するだけでいい場合もある。従来技術では、段階式可変減衰器は、可変減衰器に１個又は複数個のパッシブ固定減衰器がカスケード接続されて構成されており、各減衰器が並んで配置されている箇所に信号線が１つあり、減衰器と該信号線との間はスイッチにより切り替えが行われ、信号が該信号線を通る時、即ち該減衰器を経ない時、減衰量はゼロであり、これに反してステッピング減衰量を生じる。この方法は、信号メイン回路を切り替えることで減衰量を変化させる。しかし、切り替えの際に、特に機械或は手動で切り替えを行う際に、信号メイン回路には強い反射（急変）が発生する可能性があり、この反射により前段のパワートランジスターを破壊することもある。もう１つの方法としては、導電性シート或は電気制御スイッチにより１個又は複数個のパッシブ固定減衰器を、段階的に無効にし、可変減衰器を段階的に定量的に調整することを可能にする。しかし、この方法では完全に減衰器を信号メイン回路から分離させておらず、減衰量をうまく変化させることができない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０４】本発明の実施例は、既存の段階式可変減衰器により減衰量を調整する際の信号メイン回路切り替え時に、信号メイン回路に反射が発生し、及び完全に減衰器を信号メイン回路から分離させることができず、減衰量をうまく変化させることができないという問題を解決する可変減衰器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０５】本発明の可変減衰器の解決手段として、少なくとも信号入力端子と、信号出力端子と、共通グラウンド端子とを含む少なくとも１段の減衰器回路を備え、前記信号入力端子と前記信号出力端子との間に第１のシリアル抵抗を有し、信号メイン回路を形成されており、この信号メイン回路の一端子は前記共通グラウンド端子との間に第１のパラレル抵抗を含む可変減衰器であって、【０６】前記減衰器回路は【０７】前記第１のシリアル抵抗にパラレル接続される第１のパラレルスイッチと、【０８】前記第１のパラレル抵抗にシリアル接続される第１のシリアルスイッチをさらに【０９】含むことを特徴とするものである。【１０】本発明の可変減衰器のもう一つ解決手段として、【１１】少なくとも信号入力端子と、信号出力端子と、共通グラウンド端子とを含む少なくとも１段のブリッジ型の減衰器回路を備え、一つシリアル抵抗の両端に前記信号入力端子と前記信号出力端子に接続し、メイン回路を形成しており、前記のシリアル抵抗の両端に、それぞれが二つのブリッジアーム抵抗に接続されている、前記二つのブリッジアーム抵抗の他端子は、お互いに接続し、前記共通グラウンド端子との間にパラレル抵抗を有している可変減衰器であって、【１２】前記減衰器回路は、【１３】前記シリアル抵抗にパラレル接続されるパラレルスイッチと、【１４】前記パラレル抵抗にシリアル接続されるシリアルスイッチと、【１５】をさらに含むことを特徴とするものである。【１６】本発明の実施例において、可変減衰器のシリアル抵抗の両端子部にはパラレルスイッチがパラレル接続され、パラレル抵抗の両端子部にはシリアルスイッチがシリアル接続され、パラレルスイッチをオンにするように制御してある段の減衰量を無効にすると共に、シリアルスイッチをオフにするように制御してパラレル抵抗が信号メイン回路に及ぼす影響を無くす手段によって、減衰器の減衰量は安定し、精度がもっと高く、さらに周波数範囲がもっと広くなる。本発明によれば、信号メイン回路を切り替える必要はなく、つまり信号がずっと信号メイン回路上に伝送され、信号メイン回路が強い反射信号（急変パルス）を生ずることもできず、前段の回路を壊すこともない。
【図面の簡単な説明】図１は、本発明の第１の実施例に係る可変減衰器の基本回路を示す説明図である。
図２は、本発明の第１の実施例に係る可変減衰器の基板の表面層の回路構成を示す説明図である。
図３は、本発明の第１の実施例に係る可変減衰器の基板の底面層の回路構成を示す説明図である。
図４は、本発明の第１の実施例に係る可変減衰器のスイッチ構造を示す説明図である。
図５は、図４と可変減衰器の基板とを組み合わせた構造を示す説明図である。
図６は、本発明の第２の実施例に係る可変減衰器の基本的回路を示す説明図である。
図７は、本発明の第２の実施例に係る可変減衰器の第１の基板の表面層の回路構成を示す説明図である。
図８は、本発明の第２の実施例に係る可変減衰器の第１のスイッチの表面層の構成を示す説明図である。
図９は、本発明の第２の実施例に係る可変減衰器の第１のスイッチの底面層の構成を示しており、図８の上面から見る説明図である。
図１０は、図８及び図９と本発明の第２の実施例に係る可変減衰器の第１の基板の表面層とを組み合せた第１の組み合せ状態の構成を示す説明図である。
図１１は、図８及び図９と本発明の第２の実施例に係る可変減衰器の第１の基板の表面層とを組み合せた第２の組み合せ状態の構成を示す説明図である。
図１２は、本発明の第２の実施例に係る可変減衰器の第２の基板の表面層の回路構成を示す説明図である。
図１３は、本発明の第２の実施例に係る可変減衰器の第２のスイッチの表面層の構成を示す説明図である。
図１４は、本発明の第２の実施例に係る可変減衰器の第２のスイッチの底面層の構成を示しており、図１３の上面図である。
図１５は、図１３及び図１４と可変減衰器の第２の基板の表面層とを組み合せた第１の組み合せ状態の構成を示す説明図である。
図１６は、図１３及び図１４と本発明の第２の実施例に係る可変減衰器の第２の基板の表面層とを組み合せた第２の組み合せ状態の構成を示す説明図である。
図１７は、本発明の第３の実施例に係る可変減衰器の基本的回路図を示す説明図である。
図１８は、改善回路の等価回路説明図である。
図１９は、本発明の第４の実施例に係る可変減衰器の基本的回路を示す説明図である。
図２０は、本発明の第４の実施例に係る可変減衰器の基板の表面層の回路構成を示す説明図である。
図２１は、本発明の第４の実施例に係る可変減衰器の基板の底面層の回路構成を示す説明図である。
図２２は、本発明の第４の実施例に係る可変減衰器のスイッチ構造を示す説明図である。
図２３は、図２２と可変減衰器の基板とを組み合わせた構造を示す説明図である。
図２４は、本発明の第５の実施例に係る可変減衰器の基本的回路を示す説明図である。
図２５は、本発明の第６の実施例に係る可変減衰器の基本的回路を示す説明図である。
図２６は、本発明の第６の実施例に係る可変減衰器の基板の表面層の回路構成を示す説明図である。
図２７は、本発明の第６の実施例に係る可変減衰器のスイッチ構造を示す説明図である。
図２８は、図２７と可変減衰器の基板とを組み合わせた構造を示す説明図である。
図２９は、本発明の第７の実施例に係る可変減衰器の基板の表面層の回路構成を示す説明図である。
図３０は、本発明の第７の実施例に係る可変減衰器の基板の底面層の回路構成を示す説明図である。
図３１は、本発明の第７の実施例に係る可変減衰器のスイッチ構造を示す説明図である。
図３２は、図３１と可変減衰器の基板とを組み合せた構成を示す説明図である。
図３３は、本発明の第８の実施例に係る可変減衰器の基板の表面層の回路構成を示す説明図である。
図３４は、本発明の第８の実施例に係る可変減衰器の基板の底面層の回路構成を示す説明図である。
図３５は、本発明の第８の実施例に係る可変減衰器のスイッチ構造を示す説明図である。
図３６は、図３５と可変減衰器の基板とを組み合せた構成を示す説明図である。
図３７は、本発明の実施例に係る可変減衰器の掻き式スイッチの金属ケースの同軸コネクタを示す外観構成図である。
図３８は、図３７の内部構成を示す説明図である。
図３９は、本発明の実施例の係る可変減衰器の同軸コネクタ一体化を示す外観構成図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【１７】以下、本発明の目的、技術案及び利点を明らかにさせるために、図面を参照して実施例を結び付けながら、本発明をさらに詳述する。なお、ここに記載の具体的実施例は本発明を解釈するものに過ぎず、本発明を限定するものではない。【１８】本発明の実施例において、可変減衰器の各段の減衰器回路におけるシリアル抵抗の両端子部にはパラレルスイッチがパラレル接続され、パラレル抵抗の端子部のいずれかにはシリアルスイッチがシリアル接続され、パラレルスイッチを閉じるように制御してある段の減衰量を無効にすると共に、シリアルスイッチをオフにするように制御してパラレル抵抗が信号メイン回路に及ぼす影響を無くす。【１９】本発明の実施例において、減衰器回路は、例えばπ型の減衰器回路や、Ｔ型の減衰器回路や、ブリッジ型の減衰器回路などの、既存の代表的な減衰器回路のいずれかであってもよい。【２０】図１には、本発明の第１の実施例に係る可変減衰器の基本回路を示す。【２１】代表的なπ型の減衰器回路は、第１のシリアル抵抗１０１の両端子１０６ａ、１０６ｂ間に第１のパラレルスイッチ１０４がパラレル接続される。理解の便利のために、本発明の実施例において、減衰器の信号入力端子と信号出力端子に接続される信号メイン回路上の抵抗はシリアル抵抗と称され、一端子が信号メイン回路に直接或は他の素子を介して接続され、他端子が共通グラント端子に接続される抵抗はパラレル抵抗と称され、シリアル抵抗とパラレル抵抗は、いずれもＳＭＤ抵抗（Ｃｈｉｐ  Ｆｉｘｅｄ  Ｒｅｓｉｓｔｏｒ）、厚膜又は薄膜抵抗、嵌め込み抵抗及びプリント抵抗のうちの１種又は複数種の組合せを用いることができる。第１のパラレル抵抗１０２と共通グラウンド端子との間に第１のシリアルスイッチ１０５ａがシリアル接続され、第２のパラレル抵抗１０３と共通グラウンド端子１１０との間に第２のシリアルスイッチ１０５ｂがシリアル接続される。第１のパラレルスイッチ１０４をオフ（ＯＦＦ）にし、第１のシリアルスイッチ１０５ａと第２のシリアルスイッチ１０５ｂをオン（ＯＮ）にする場合には、該可変減衰器はπ型の減衰器回路であり、減衰器の設計要求に応じて、希望の減衰量が得られる。第１のパラレルスイッチ１０４をオン（ＯＮ）にし、第１のシリアルスイッチ１０５ａと第２のシリアルスイッチ１０５ｂをオフ（ＯＦＦ）にする場合には、該可変減衰器の減衰量は０ｄＢであり、これにより減衰量を変化可能にする。減衰量が０ｄＢの時、第１のパラレル抵抗１０２と第２のパラレル抵抗１０３は入力出力回路（信号メイン回路）にハングアップされていると言えるが、無線周波数回路は高インピーダンス状態を呈し、一般に信号メイン回路に及ぼす影響が無視されてもよい。いくつかの特殊な場合は、そのような影響に注意すべきであり、他の実施例でその解決方法について説明され、解決案を提供する。【２２】図２には、本発明の第１の実施例に係る可変減衰器の基板の表面層の回路構成を示す。説明の便利のために、本発明の実施例に関連する部分のみが示されている。【２３】基板１１は、無線周波数ＰＣＢ板であるが、他の誘電率の材料であってもよい。例えば、セラミックス基板等の材料で基板を作ることができ、セラミックス基板は放��、耐熱性能に優れている。調整の便利を図り、配線しやすく、且つ無線周波数信号を伝送しやすいために、本発明の実施例において、４層のＰＣＢ板が基板１１とされるが、具体的に応用する際、場合によって基板１１を１層、２層又は多層にすることもできる。基板１１の第１の層は、信号入力端子１０８、信号出力端子１０９、信号マイクロストリップ１１１、第１のシリアル抵抗１０１の両端子１０６ａ、１０６ｂ、第１のパラレル抵抗１０２の端子１０７ａ、第２のパラレル抵抗１０３の端子１０７ｂ、及び共通グラウンド端子１１０が配置されている表面層である。中間の２層は、接地ビアホール１１２を介して表面層と底面層の共通グラウンド端子１１０に接続される金属グラウンド層である。信号入力端子１０８が信号マイクロストリップ１１１を介して端子１０６ａに接続されており、該端子１０６ａが信号ビアホール１１３を介して底面層の端子１０６ａに接続されている。信号出力端子１０９が信号マイクロストリップ１１１を介して端子１０６ｂに接続されており、該端子１０６ｂが信号ビアホール１１３を介して底面層の端子１０６ｂに接続されている。端子１０７ａ、１０７ｂは、それぞれの信号ビアホール１１３を介して底面層のそれぞれの端子１０７ａ、１０７ｂに接続されている。中間の金属グラウンド層には信号ビアホール１１３が接続されていない。底面層には、第１のシリアル抵抗、第１のパラレル抵抗及び第２のパラレル抵抗がマウントされている。【２４】図３には、本発明の第１の実施例に係る可変減衰器の基板の底面層の回路構成を示す。説明の便利のために、本発明の実施例に関連する部分のみが示されている。【２５】本発明の実施例において、基板１１の中の各層を示す図は表面層から下向きに見た上面図である。基板１１の底面層には、両端子がそれぞれ底面層の端子１０６ａと１０６ｂに接続されている第１のシリアル抵抗１０１が設けられている。さらに、基板１１の底面層には、２つの第１のパラレル抵抗１０２、１０３が設けられており、第１のパラレル抵抗１０２は、一端子が端子１０６ａに接続され、他端子が端子１０７ａに接続されており、第２のパラレル抵抗１０３は、一端子が端子１０６ｂに接続され、他端子が端子１０７ｂに接続されている。なお、自動溶接の時、半田或いはフラックスが信号ビアホール１１３又は接地ビアホール１１２に染み透って表面層の端子に段差が発生することを防止するように、半田レジストで底面層のビアホールをわざわざ塞いだ。【２６】図４には、本発明の第１の実施例に係る可変減衰器のスイッチ構造を示す。【２７】コストダウンを図ると共に、第１のパラレルスイッチ、第１のシリアルスイッチ及び第２のシリアルスイッチを切り替える際、信号メイン回路への第１のパラレル抵抗、第２のパラレル抵抗及び第１のシリアル抵抗の接続をよりスムーズにするために、本発明の実施例において、可変減衰器のスイッチは、１つの導電シートでなす掻き式スイッチを採用し、最適な減衰量が得られるように、導電シートの幅をできるだけ信号マイクロストリップ幅と同一にする。具体的に応用する際、導電シートでなす回転式スイッチが用いられてもよい。また、例えばリード線等の他の材料で導電シートを形成��てもよい。第１のパラレルスイッチ、第１のシリアルスイッチ及び第２のシリアルスイッチの動作が同時に終わるように、同じ絶縁物１２上に導電シートが配置されているが、異なる絶縁物上には各スイッチそれぞれが配置されてもいいのは当然のことである。本例では、絶縁物１２は１層のＰＣＢ板であるが、ＰＣＢに限られず、プラスチックや、セラミックス等であってもよい。絶縁物１２には導電シートが三つあり、導電シート１１４は第１のパラレル抵抗１０１のスイッチとして機能を有し、導電シート１１５ａ、１１５ｂはそれぞれ第１のパラレル抵抗１０２と第２のパラレル抵抗１０３のスイッチとして機能を持っている。変位用ホール１１６は、該ＰＣＢ板を移動させる際に用いられるものである。【２８】図５には、図４と可変減衰器の基板とを組み合わせた構造を示す。【２９】ＰＣＢ板における第１のパラレルスイッチ、第１のシリアルスイッチ及び第２のシリアルスイッチと基板の底面層における第１のパラレル抵抗、第２のパラレル抵抗及び第１のシリアル抵抗とは、同一の層に配置されてもよいし、異なる層に配置されてもよい。本発明の実施例において、容易に作業するために、異なる層にはＰＣＢ板における第１のパラレルスイッチ、第１のシリアルスイッチ及び第２のシリアルスイッチと基板の底面層における第１のパラレル抵抗、第２のパラレル抵抗及び第１のシリアル抵抗とが配置されている。図１と図５を組み合わせてみると、図５には、点線で示す部分が基板１１上に図４のＰＣＢ板が配置されている組合模式図である。ＰＣＢ板の金属導電シートが設けられている面が基板１１の表面層に接触し、即ち図中の点線は図４が１８０°反転した図を表す。同図に示す状態としては、導電シート１１４により第１のシリアル抵抗１０１がショートされた状態であり、即ち、図１では第１のシリアル抵抗１０１にパラレル接続される第１のパラレルスイッチ１０４をオン（ＯＮ）にした状態に相当し、この場合、端子１０７ａ、１０７ｂに導電シート１１５ａ、１１５ｂが接触せず、それぞれ第１のパラレル抵抗１０２と第２のパラレル抵抗１０３にシリアル接続される第１のシリアルスイッチ１０５ａ、第２のシリアルスイッチ１０５ｂをオフ（ＯＦＦ）にした状態であり、この時、該可変減衰器の減衰量は０ｄＢである。該ＰＣＢ板１２を移動し、導電シート１１４を第１のシリアル抵抗の端子１０６ａから分離させ、第１のシリアル抵抗１０１にパラレル接続される第１のパラレルスイッチ１０４をオフ（ＯＦＦ）にした状態であり、その同時に、導電シート１１５ａにより端子１０７ａが共通グラウンド端子１１０に接続されるようにし、第１のパラレル抵抗１０２にシリアル接続される第１のシリアルスイッチ１０５ａをオン（ＯＮ）にした状態であり、その同時に、導電シート１１５ｂにより端子１０７ｂが共通グラウンド端子１１０に接続され、第２のパラレル抵抗１０３にシリアル接続される第２のシリアルスイッチ１０５ａをオン（ＯＮ）にした状態であり、この場合、該可変減衰器の減衰量は予め設定されている値になり、つまり減衰量の零から有りまでの変化を実現し、且つ該変化は逆にできる。【３０】図６には、本発明の第２の実施例に係る可変減衰器の基本的回路を示す。【３１】図１と同じでないのは、第１のパラレル抵抗２０２の第１シリアルスイッチ２０５ａ及び第２のパラレル抵抗２０３の第２シリアルスイッチ２０５ｂが、パラレル抵抗と共通グラウンド端子２１０との端子間に設置することではない、変わりに、第１のパラレル抵抗２０２と第２のパラレル抵抗２０３の他端子に、それぞれ第１のシリアルスイッチ２０５ａ及び第２のシリアルスイッチ２０５ｂが設けられているという点である。同様に減衰器の減衰量を変化することが可能である。【３２】図７には、本発明の第２の実施例に係る可変減衰器の第１の基板の表面層の回路構成を示す。説明の便利のために、本発明の実施例に関連する部分のみが示されている。【３３】本発明の実施例において、減衰器は、基板２１上及びスイッチとして機能する絶縁物上に形成されている。基板２１では、無線周波数特性も耐熱性も優れていると共に、その上にフィルム状の抵抗（厚膜又は薄膜抵抗）が形成されやすいセラミックス基板を用いることができ、具体的に応用する際、他の種類の基板を用いても良い。基板２１には、両端子がそれぞれ信号入力端子２１２及び信号出力端子２１３に接続されている第１のシリアル抵抗２１１が配置されている。さらに、基板２１に共通グラウンド端子２１４が配置されている。該第１のシリアル抵抗の厚さは、信号マイクロストリップよりやや薄くしてすむ。もちろん、第１例の基板の製造方法に照らして基板２１の底面層に第１のシリアル抵抗２１１を形成してもよい。【３４】図８には、本発明の第２の実施例に係る可変減衰器の第１のスイッチの表面層の構成を示す。説明の便利のために、本発明の実施例に関連する部分のみが示されている。【３５】減衰器の精度を向上させ、且つ第１のパラレル抵抗及び第２のパラレル抵抗が信号メイン回路に及ぼす影響を最小化させるように、同一の絶縁物２２上には第１のパラレル抵抗及び第２のパラレル抵抗が導電シートと共に配置されている。絶縁物２２は、放熱性がＰＣＢ板よりもかなり優れた２層のセラミックス基板である。ただし、絶縁物２２はセラミックス基板に限られず、プラスチックや、ＰＣＢ板などであってもよい。該セラミックス基板の表面層は、その上に焼結により形成された第１のパラレル抵抗２１７及び第２のパラレル抵抗２１８を含み、第１のパラレル抵抗２１７の一端子には第１のシリアルスイッチとしての導電シート２１５が接続され、第２のパラレル抵抗２１８の一端子には第２のシリアルスイッチとしての導電シート２１６が接続されている。第１のパラレル抵抗２１７の他端子及び第２のパラレル抵抗２１８の他端子は、共通グラウンド端子２１９に接続されている。【３６】図９は、本発明の第２の実施例に係る可変減衰器の第１のスイッチの底面層の構成を示しており、図８の上面から見る図である。【３７】該セラミックス基板の底面層は、第１のシリアル抵抗２１１をショートするための導電シート２２１、ビアホールによって接続される導電シート２１５、２１６及びセラミックス基板の変位用ホール２２０を含む。【３８】図１０には、図８及び図９と本発明の第２の実施例に係る可変減衰器の第１の基板の表面層とを組み合せた第１の組み合せ状態の構成を示す。【３９】セラミックス基板の底面層は図７に示す基板２１の表面層と接触し、第１の組み合せ状態において、導電シート２２１は第１のシリアル抵抗２１１をショートし、第１のパラレル抵抗２１７及び第２のパラレル抵抗２１８に対応する第１のシリアルスイッチ２１５及び第２のシリアルスイッチ２１６と一緒に信号メイン回路から完全に離れる。この状態で、可変減衰器の減衰量は０ｄＢである。【４０】図１１には、図８及び図９と本発明の第２の実施例に係る可変減衰器の第１の基板の表面層とを組み合せた第２の組み合せ状態の構成を示す。【４１】第２の組み合せ状態において、変位用ホール２２０によって第１の組み合せ状態でのセラミックス基板を変位させることで、導電シート２２１が第１のシリアル抵抗２１１から離れると共に、導電シート２１５の一端子は基板２１の信号マイクロストリップ２２２（ｂ）に接続されることによって、第１のシリアル抵抗２１１の一端子に接続される。また、導電シート２１６の一端子は、基板２１の信号マイクロストリップ２２２（ａ）に接続されることによって、第１のシリアル抵抗２１１の他端子に接続される。これにより、代表的なπ型の減衰器回路が形成される。【４２】図１２には、本発明の第２の実施例に係る可変減衰器の第２の基板の表面層の回路構成を示す。説明の便利のために、本発明の実施例に関連する部分のみが示されている。【４３】本発明の実施例において、減衰器は、基板２３とスイッチとして機能する絶縁物上に形成されている。基板２３としては、無線周波数特性が優れていると共に、その上にフィルム状の抵抗（厚膜又は薄膜抵抗）が形成されやすいセラミックス基板を用いることができ、具体的に応用する際、他の種類の基板を用いても良い。基板２３には、信号入力端子２２３及び信号出力端子２２４が配置されている。さらに、基板２３には共通グラウンド端子２２５が配置されている。【４４】図１３には、本発明の第２の実施例に係る可変減衰器の第２のスイッチの表面層の構成を示す。説明の便利のために、本発明の実施例に関連する部分のみが示されている。【４５】同一の絶縁物２４上には第１のパラレル抵抗、第２のパラレル抵抗、第１のシリアル抵抗及び導電性シートが配置されている。絶縁物２４は、２層のセラミックス基板又は２層のＰＣＢ板であるが、セラミックス基板又は２層のＰＣＢ板に限られず、プラスチックであってもよい。該絶縁物２４の表面層は、その上に焼結により形成された第１のシリアル抵抗２２９、第１のパラレル抵抗２３０及び第２のパラレル抵抗２３１を含み、第１のパラレル抵抗２３０の一端子には導電シート２２６が接続され、第２のパラレル抵抗２３１の一端子には導電シート２２７が接続されている。第１のパラレル抵抗２３０の他端子及び第２のパラレル抵抗２３１の他端子は、共通グラウンド端子２３２に接続されている。導電シート２２６と導電シート２２７にそれぞれ第１のシリアル抵抗２２９の両端子が接続されている。【４６】図１４は、本発明の第２の実施例に係る可変減衰器の第２のスイッチの底面層の構成を示しており、図１３の上面図である。【４７】該絶縁物２４の底面層は、第１のシリアル抵抗２２９をショートするための導電シート２３３、ビアホールによ���て接続される導電シート２２６、２２７及びセラミックス基板の変位用ホール２３４を含む。【４８】図１５には、図１３及び図１４と可変減衰器の第２の基板の表面層とを組み合せた第１の組み合せ状態の構成を示す。【４９】絶縁物２４の底面層は図１２に示す基板２３の表面層と接触し、第１の組み合せ状態において、導電シート２３３は第１のシリアル抵抗２２９をショートし、第１のシリアル抵抗２２９、第１のパラレル抵抗２３０及び第２のパラレル抵抗２３１は対応する第１のシリアルスイッチ２２６及び第２のシリアルスイッチ２２７と一緒に信号メイン回路から完全に離れる。【５０】図１６には、図１３及び図１４と本発明の第２の実施例に係る可変減衰器の第２の基板の表面層とを組み合せた第２の組み合せ状態の構成を示す。【５１】第２の組み合せ状態において、変位用ホール２３４によって第１の組み合せ状態での絶縁物２４を変位させることで、導電シート２３３が信号メイン回路から離れると同時に、導電シート２２６の一端子が基板２３の信号マイクロストリップ２３５に接続され、導電シート２２７の一端子が基板２３の信号マイクロストリップ２３４に接続されることによって、信号メイン回路へ第１のシリアル抵抗２１１が導入され、且つ信号メイン回路には第１のパラレル抵抗２３０及び第２のパラレル抵抗２３１が取り入れられる。これにより、代表的なπ型の減衰器回路が形成される。また、減衰器の減衰量を変化させる際、信号の突然の中断が発生することも、突然強い信号反射が発生することも、前段の回路が壊れることもないため、本発明の実施例においては、導電性シート２３３が信号マイクロストリップ２３４と２３５から離れる前に、導電性シート２２６が信号マイクロストリップ２３５に接続され、導電性シート２２７が信号マイクロストリップ２３４に接続されるようにする。【５２】本発明の第１の実施例と第２の実施例を比べると、同じ基板材料の基礎上で、構造上について言えば、第１の実施例は放熱特性により優れており、無線周波数特性と減衰特性は第２の実施例には及ばない。実際の要求に応じて抵抗の位置及び基板の材料を選択することができる。なお、より良い放熱を達成するために、減衰器の信号入力出力端子近傍或いは信号メイン回路とグラウンド端子との間には熱伝導樹脂が添加されることによって、放熱の効果を奏し、無線周波数特性に顕著な影響を与えることもない。【５３】上述した複数のπ型の減衰器回路がシリアル接続されて複数段のπ型の減衰器回路が得られる。各段のステッピング量は、自由に設定することができる。複数段のπ型の減衰器回路における各段のスイッチは、お互いに独立したものであってもよいし、少なくとも１つの絶縁物（例えばＰＣＢ板）に配置されてもよい。ただし、各段において、シリアル抵抗にパラレル接続されるスイッチとパラレル抵抗にシリアル接続されるスイッチは同一の絶縁物に配置されることが好ましい。３段のπ型の減衰器回路を例とし、図１７には、本発明の第３の実施例に係る可変減衰器の基本的回路図を示す。【５４】三つの同じπ型の減衰器回路Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩがシリアル接続され、第１段の第１のシリアル抵抗２０１（Ｉ）、第２段の第１のシリアル抵抗２０１（ＩＩ）及���第３段の第１のシリアル抵抗２０１（ＩＩＩ）と、第１段の第１のシリアル抵抗２０１（Ｉ）の両端子２０６ａ（Ｉ）と２０６ｂ（Ｉ）の間にパラレル接続される第１のパラレルスイッチ２０４（Ｉ）、第２段の第１のシリアル抵抗２０１（ＩＩ）の両端子２０６ａ（ＩＩ）と２０６ｂ（ＩＩ）の間にパラレル接続される第１のパラレルスイッチ２０４（ＩＩ）、及び第３段の第１のシリアル抵抗２０１（ＩＩＩ）の両端子２０６ａ（ＩＩＩ）と２０６ｂ（ＩＩＩ）の間にパラレル接続される第１のパラレルスイッチ２０４（ＩＩＩ）と、第１段の第１のパラレル抵抗２０２（Ｉ）と第２のパラレル抵抗２０３（Ｉ）、第２段の第１のパラレル抵抗２０２（ＩＩ）と第２のパラレル抵抗２０３（ＩＩ）、及び第３段の第１のパラレル抵抗２０２（ＩＩＩ）と第２のパラレル抵抗２０３（ＩＩＩ）と、それぞれ第１段の第１のパラレル抵抗２０２（Ｉ）及び第２のパラレル抵抗２０３（Ｉ）と共通グラウンド端子２１０との間にシリアル接続される第１のシリアルスイッチ２０７ａ（Ｉ）及び第２のシリアルスイッチ２０７ｂ（Ｉ）、それぞれ第２段の第１のパラレル抵抗２０２（ＩＩ）及び第２のパラレル抵抗２０３（ＩＩ）と共通グラウンド端子２１０との間にシリアル接続される第１のシリアルスイッチ２０７ａ（ＩＩ）及び第２のシリアルスイッチ２０７ｂ（ＩＩ）、並びにそれぞれ第３段の第１のパラレル抵抗２０２（ＩＩＩ）及び第２のパラレル抵抗２０３（ＩＩＩ）と共通グラウンド端子２１０との間にシリアル接続される第１のシリアルスイッチ２０７ａ（ＩＩＩ）及び第２のシリアルスイッチ２０７ｂ（ＩＩＩ）とを含む可変減衰器（３段）の基本的回路図が描画される。各段の回路原理は第１の実施例と同じで、その説明を省略する。本発明の実施例において、各段はお互いに独立したものであることができ、その減衰量は自由に設定することができ、同一の一定のステッピング量に基づいて設計することもできる。また、スイッチのすべては同一の絶縁物（例えばＰＣＢ板）に配置されてもよいが、異なる絶縁物に各段のスイッチが配置されてもよいのは当然のことである。【５５】システムのパワー調整には可変減衰器がよく用いられるため、０ｄＢはシステムへ大きな影響を及ぼすかもしれない。特に、上述した可変減衰器の先端子、後端子或いは各段の間には固定減衰器が加えられることができる。【５６】本発明の実施例において、絶縁物に第１のパラレル抵抗、第２のパラレル抵抗、第１のシリアルスイッチ、第２のシリアルスイッチ及び第１のパラレルスイッチが共に配置され、基板に第１のシリアル抵抗が配置されることもできる。その組み合せ原理は本発明の第１の実施例と同じで、その説明を省略する。【５７】また、図１７に示す可変減衰器に関して、例えば０〜６０ｄＢである減衰量が大きい減衰器について言えば、その無線周波数特性が４ＧＨｚ以下の場合に、その減衰量は安定を保つが、その一方で４ＧＨｚを上回る場合に、その減衰量は減少する。図１８には、減衰量の減少を改善するため、図１７に減衰量改善回路が加えられた模式図を示す。説明の便利のために、本発明の実施例に関連する部分のみが示されている。なお、具体的に実施する際、他の可変減衰器には該減衰量���善回路が加えられても良い。【５８】少なくとも１段の減衰器（本実施例の場合、３段）の一端子又は両端子に改善回路が加えられ、本発明の実施例において、改善回路は第３のパラレル抵抗Ｒｘと回路スイッチＫｘとで構成されている。該第３のパラレル抵抗Ｒｘは、一端子が回路スイッチＫｘにシリアル接続され、他端子が他の回路に接続されていない１つのマイクロストリップ端子に接続される、或いは直接接地する。サイズの異なる該マイクロストリップ端子は無線周波数上においてコンデンサー又はインダクタンスと等価である。減衰器の信号入力端子、信号出力端子又は信号メイン回路における各段の減衰器のカスケード同士に該回路スイッチＫｘの他端子が接続されており、該回路スイッチＫｘのオンとオフは該接続される減衰器のシリアルスイッチと共に動作する。なお、具体的に実施する際、該改善回路は第３のパラレル抵抗Ｒｘと回路スイッチＫｘとコンデンサー（又はインダクタンス）とで構成されてもよい。該改善回路は、その一端子が回路スイッチＫｘを介して信号入力端子、信号出力端子又は信号メイン回路における各段の減衰器のカスケード同士に接続され、その他端子がグラウンド端子にコンデンサー（又はインダクタンス）を介して接続される。回路スイッチＫｘとコンデンサー（又はインダクタンス）の間には第３のパラレル抵抗Ｒｘが接続されており、該回路スイッチＫｘのオンとオフ（ＯＮ／ＯＦＦ）は該接続される減衰器のシリアルスイッチと共に動作する。例えば、該改善回路は、絶縁物（例えばＰＣＢ板の回路）に配置されており、他端子が１つのマイクロストリップ端子（例えばＰＣＢ板でのマイクロストリップ）に接続されており、絶縁物と共に移動する。具体的な実施のとき、その他端子が他の回路に接続され、或いは直接接地してもよいのは当然のことである。該段の減衰器のパラレルスイッチがオフ（ＯＦＦ）にされるとき、該改善回路の回路スイッチＫｘが信号メイン回路に接続され、それに接続されているマイクロストリップ端子が他の回路に接続されない。無線周波数回路の観点から見て該マイクロストリップ端子は１つの無線周波数コンデンサー又はインダクタンスに相当する。該改善回路は、減衰器の周波数特性を改善し、減衰量を増大させることができ、これにより全体の減衰量を改善する。減衰器が双方向対称型回路であることを考慮して、一般には、該改善回路を該段階式可変減衰器中のある段の減衰器の両端子に接続する。図１８に示す改善回路は回路スイッチＫｘと第３のパラレル抵抗Ｒｘとコンデンサーとで構成されており、図１８は等価回路図である。【５９】図１９には、本発明の第４の実施例に係る可変減衰器の基本的回路を示す。【６０】抵抗からなる代表的なＴ型の減衰器回路において、第１のシリアル抵抗４０１（ａ）の両端子４０６（ａ）と４０６（ｂ）に第１のパラレルスイッチ４０３（ａ）がパラレル接続され、第２のシリアル抵抗４０１（ｂ）の両端子４０６（ｂ）と４０６（ｃ）に第２のパラレルスイッチ４０３（ｂ）がパラレル接続され、第１のパラレル抵抗４０２の端子４０５と共通グラウンド端子４０９の間に第１のシリアルスイッチ４０４がシリアル接続される回路を示している。第１のシリアルスイッチ４０４���、第１のパラレル抵抗４０２の他端子にシリアル接続されることもできる。【６１】図２０には、本発明の第４の実施例に係る可変減衰器の基板の表面層の回路構成を示す。【６２】基板４１は、無線周波数の４層のＰＣＢ板であるが、４層に限られず、１層、２層又は多層にすることもできる。また、基板４１は、例えばセラミックス基板等の他の誘電率の材料であってもよい。該４層のＰＣＢ板の第１の層は、端子４０６（ａ）に信号マイクロストリップ４１６を介して接続されている信号入力端子４０７と、端子４０６（ｃ）に信号マイクロストリップ４１６を介して接続されている信号出力端子４０８と、第１のシリアル抵抗４０１（ａ）の両端子４０６（ａ）、４０６（ｂ）、第２のシリアル抵抗４０１（ｂ）の両端子４０６（ｂ）、４０６（ｃ）と、第１のパラレル抵抗４０２の端子４０５と、共通グラウンド端子４０９とを有する表面層である。端子４０６（ａ）、４０６（ｂ）、４０６（ｃ）、４０５はそれぞれの信号ビアホール４１０を介して底面層におけるそれぞれの端子に接続されており、共通グラウンド端子４０９は接地ビアホール４１１を介して底面層における共通グラウンド端子及び中間の２層の金属グラウンド層に接続されている。【６３】図２１には、本発明の第４の実施例に係る可変減衰器の基板の底面層の回路構成を示す。【６４】該基板４１の底面層には第１のシリアル抵抗４０１（ａ）と第２のシリアル抵抗４０１（ｂ）がある。第１のシリアル抵抗４０１（ａ）は、一端子が端子４０６（ａ）に接続され、他端子が４０６（ｂ）に接続されており、第２のシリアル抵抗４０１（ｂ）は、一端子が端子４０６（ｂ）に接続され、他端子が端子４０６（ｃ）に接続されており、第１のパラレル抵抗４０２は、一端子が端子４０６（ｂ）に接続され、他端子が端子４０５に接続されている。底面層には、共通グラウンド端子４０９がさらにある。【６５】図２２には、本発明の第４の実施例に係る可変減衰器のスイッチ構造を示す。【６６】コストダウンを図ると共に、第１のパラレルスイッチ、第２のパラレルスイッチ及び第１のシリアルスイッチを切り替える際、信号メイン回路への第１のパラレル抵抗、第１のシリアル抵抗及び第２のシリアル抵抗の接続をよりスムーズにするために、本発明の実施例において、可変減衰器のスイッチは、１つの導電シートでなす掻き式スイッチを採用し、最適な減衰量が得られるように、導電シートの幅をできるだけ帯域幅と同一にする。具体的に応用する際、導電シートでなす回転式スイッチが用いられてもよい。また、例えばリード線等の他の材料で導電性シートを形成してもよい。第１のシリアル抵抗及び第２のシリアル抵抗のスイッチと第１のパラレル抵抗のスイッチの動作が同時に終わるように、同一の絶縁物１２に導電シートが配置されているが、異なる絶縁物に各スイッチそれぞれが配置されてもいいのは当然のことである。本実施例の絶縁物４２は１層のＰＣＢ板であるが、ＰＣＢに限られず、プラスチックや、金属シート、セラミックス基板等であってもよい。当該１層のＰＣＢには導電シートが三つあり、導電シート４１３は第１のシリアル抵抗４０１（ａ）の第１のパラレルスイッチとして機能し、導電性シート４１２は第２���シリアル抵抗４０１（ｂ）の第２のパラレルスイッチとして機能し、導電性シート４１４は第１のパラレル抵抗４０２の第１のシリアルスイッチとして機能している。変位用ホール４１５は、該ＰＣＢ板を移動させる際に用いられるものである。導電性シート４１２、４１３は、できるだけその幅が信号マイクロストリップの幅と同じように設定されることが好ましく、その長さがそれぞれの第１のシリアル抵抗及び第２のシリアル抵抗をショートさせることができる長さである。【６７】図２３には、図２２と可変減衰器の基板とを組み合わせた構造を示す。【６８】ＰＣＢ板における第１のパラレルスイッチ、第２のパラレルスイッチ及び第１のシリアルスイッチと基板の底面層における第１のパラレル抵抗、第１のシリアル抵抗及び第２のシリアル抵抗とは、同一の層に配置されてもよいし、異なる層に配置されてもよい。本発明の実施例において、容易に作業するために、異なる層には、ＰＣＢ板における第１のパラレルスイッチ、第２のパラレルスイッチ及び第１のシリアルスイッチと基板の底面層における第１のパラレル抵抗、第１のシリアル抵抗及び第２のシリアル抵抗とが配置されている。図２３には、点線で示す部分が基板４１上に図２２のＰＣＢ板が配置されている組み合せ図である。ＰＣＢ板の金属導電シートが設けられている面が基板４１の表面層に接触し、即ち図中の点線は図２２が１８０°反転した図を表す。同図に示す状態としては、導電性シート４１３により端子４０６（ａ）と４０６（ｂ）がショートされ、すなわち、第１のシリアル抵抗４０１（ａ）のパラレル接続用スイッチをオン（ＯＮ）にした状態に相当し、導電性シート４１２により端子４０６（ｂ）と４０６（ｃ）がショートされ、すなわち、第２のシリアル抵抗４０１（ｂ）のパラレル接続用スイッチをオン（ＯＮ）にした状態に相当し、この場合、端子４０５に導電シート４１４が接触せず、第１のパラレル抵抗４０２のシリアル接続用スイッチ４０４をオフ（ＯＦＦ）にした状態であり、この時、該可変減衰器の減衰量は０ｄＢである。該ＰＣＢ板を掻き、導電性シート４１３を端子４０６（ａ）から分離させ、導電性シート４１２を端子４０６（ｂ）から分離させ、第１のシリアル抵抗４０１（ａ）と第２のシリアル抵抗４０１（ｂ）それぞれのスイッチをオフ（ＯＦＦ）にした状態であり、このとき、導電性シート４１４は端子４０５に接触し、第１のパラレル抵抗４０２のシリアル接続用スイッチをオン（ＯＮ）にした状態であり、この場合、該可変減衰器の減衰量は零から有まで変化し、Ｔ型の減衰器の設計要求に応じて所望のステッピング量の減衰器を設計することができる。これにより、０ｄＢの減衰量から所望の減衰量までの変化を実現した。また、該変化は逆にできる。【６９】上述した複数のＴ型の減衰器回路がシリアル接続されて複数段の可変減衰器（可変減衰器）が得られる。各段間のスイッチは、お互いに独立したものであってもよいし、スイッチのすべてが少なくとも１つの絶縁物（ＰＣＢ板）に配置されてもよい。その方法は第２の実施例と同じである。【７０】また、本発明の実施例において、絶縁物上に第１のパラレル抵抗、第１のシリアルスイッチ、第１のパラレルスイッチ及び第２のパ��レルスイッチが共に配置され、基板に第１のシリアル抵抗及び第２のシリアル抵抗が配置されることもできる。その組み合せ原理は本発明の第１の実施例と同じで、その説明を省略する。【７１】図２４には、本発明の第５の実施例に係る可変減衰器の基本的回路を示す。【７２】抵抗からなる代表的なＴ型の減衰器回路において、第１のシリアル抵抗５０１ａと第２のシリアル抵抗５０１ｂがシリアル接続された両端子（入力端子と出力端子）には第１のパラレルスイッチ５０３がパラレル接続されて構成されている。実質的には第１のパラレルスイッチ５０３は図１９に示すスイッチ４１３及び４１２の同時動作と作用が同じである。第１のパラレル抵抗５０２の端子５０９と端子５０８の間には第１のシリアルスイッチ５０４がシリアル接続される。スイッチ５０４は、第１のパラレル抵抗５０２の他端子にシリアル接続されてもよい。【７３】上述した複数のＴ型の減衰器がシリアル接続されて複数段の可変減衰器が得られる。各段の減衰量は、自由に設定することができる。各段間のスイッチは、お互いに独立したものであってもよいし、少なくとも１つの絶縁物（例えばＰＣＢ板）に配置されてもよい。【７４】また、本発明の実施例において、絶縁物に第１のパラレル抵抗、第１のシリアルスイッチ及び第１のパラレルスイッチが共に配置され、基板に第１のシリアル抵抗及び第２のシリアル抵抗が配置されることもできる。その組み合せ原理は本発明の第１の実施例と同じで、その説明を省略する。【７５】図２５には、本発明の第６の実施例に係る可変減衰器の基本的回路を示す。【７６】代表的なブリッジ型の減衰器回路は、シリアル抵抗６０９の両端子６０１と６０２の間にはパラレルスイッチ６１８がパラレル接続される。シリアル抵抗６０９の端子６０１にブリッジアーム抵抗６０５が、シリアル抵抗６０９の端子６０２にブリッジアーム抵抗６０７が、ブリッジアーム抵抗６０５とブリッジアーム抵抗６０７の他端子にノードが接続されている。ノードはシリアルスイッチ６１７の一端子のクローズコンタクト６０８に、シリアルスイッチ６１７の他端子はパラレル抵抗６０９に、パラレル抵抗６０９の他端子は共通グラウンド端子６１２に接続されている。具体的に応用する際、シリアルスイッチ６１７はパラレル抵抗６０９と共通グラウンド端子６１２の間に配置されてもよい。【７７】図２６には、本発明の第６の実施例に係る可変減衰器の基板の表面層の回路構成を示す。【７８】基板６１は両面ＰＣＢ板であるが、両面ＰＣＢ板に限られない。また、基板６１は、セラミックス基板等の他の誘電率の材料であってもよい。該両面ＰＣＢ板の表面には信号入力端子６０３、信号出力端子６０４及び１つのシリアル抵抗６０６が配置されている。シリアル抵抗６０６の両端子は、それぞれ信号マイクロストリップを介して信号入力端子６０３と信号出力端子６０４に接続されている。１つの５０Ωの抵抗６０５は、一端子が入力端子６０３に接続され、他端子が６１１端子に接続されている。もう１つの５０Ωの抵抗６０７は、一端子が出力端子６０４に接続され、他端子が６１１端子に接続されている。１つのパラレル抵抗６０９は、一端子６０８が１つのスイッチにシリアル接続されてから６���１端子へ接続され、他端子が共通グラウンド端子に接続されている。スイッチは、パラレル抵抗６０９の他端子、すなわちパラレル抵抗６０９と共通グラウンド端子６１２の間に接続されることができる。或いは、パラレル抵抗６０９にシリアル接続されるスイッチの代わりに、それぞれ２つの５０Ωの抵抗に１つのスイッチが接続される。シリアル抵抗６０６の両端子間に１つのスイッチがパラレル接続される。この回路は、代表的なブリッジ型の減衰器回路の基礎上で、シリアル抵抗間にスイッチがパラレル接続され、パラレル抵抗にスイッチがシリアル接続されて構成されている回路である。共通グラウンド端子６１２は、接地ビアホール６１０を介して基板の底面における金属底板に接続されている。本図中では、シリアル抵抗６０６の両端子は６０１と６０２である。言うまでもなく、第１又は第２の実施例を参照して、抵抗のすべてを基板の底面層に配置してもよいし、抵抗の一部を基板の底面層に配置すると共に、残りの抵抗を絶縁物の表面層に配置してもよい。【７９】図２７には、本発明の第６の実施例に係る可変減衰器のスイッチ構造を示す。【８０】本発明の実施例において、パラレルスイッチ及びシリアルスイッチは導電シート又は媒体基板に配置されているマイクロストリップでなされる。コストダウンを図ると共に、パラレルスイッチとシリアルスイッチを切り替える際、信号メイン回路へのパラレル抵抗とシリアル抵抗の接続をよりスムーズにするために、本発明の実施例において、可変減衰器のスイッチは、１つの導電シートでなす掻き式スイッチを採用し、最適な減衰量が得られるように、導電シートの幅をできるだけ帯域幅と同一にする。具体的に応用する際、導電性シートでなす回転式スイッチが用いられてもよい。また、例えばリード線等の他の材料で導電性シートを形成してもよい。シリアル抵抗のスイッチ及びパラレル抵抗のスイッチの動作が同時に終わるように、同一の絶縁物６２に導電性シートが配置されているが、異なる絶縁物には各スイッチそれぞれが配置されてもいいのは当然のことである。絶縁物６２としては、ＰＣＢ板が用いられる。シリアル抵抗６０６のパラレルスイッチとしての導電シート６１３は、できるだけその幅が信号マイクロストリップの幅と同じように設定されたほうがよく、その長さが端子６０１と６０２をショートさせることができる長さである。導電シート６１５はパラレル抵抗６０９のシリアルスイッチとして機能している。導電シートが配置された面は基板６１の表面と接触し、導電性シートが移動する際、この片面ＰＣＢ板がシリアル抵抗６０６及び５０Ωの抵抗とぶつからないように、該片面ＰＣＢ板には溝６１４があけられた。さらに、該片面ＰＣＢ板には変位用ホール６１６がある。【８１】図２８には、図２７と可変減衰器の基板とを組み合わせた構造を示す。【８２】図２８には、点線で示す部分が基板６１上に図２７のＰＣＢ板６２が配置されている組み合せ図である。図中の点線は図２７が１８０°反転した図を表す。同図からわかるように、導電シート６１３によりシリアル抵抗６０６がショートされ（ＯＮ）、信号メイン回路にパラレル抵抗６０９が接続されず（ＯＦＦ）、つまり信号は入力端子から出力端子まで直通し���この場合に、該可変減衰器の減衰量は０ｄＢである。ＰＣＢ板６２を左向きに掻くことで、導電シート６１３がシリアル抵抗６０６の端子６０２から分離する（ＯＦＦ）と共に、導電シート６１５によりパラレル抵抗６０９の端子６１１がオン（ＯＮ）にされ、この状態での回路は代表的なブリッジ型の減衰器回路となる。ブリッジ型の減衰器の設計パラメーターを基に、所望の減衰量の可変減衰器を設計することができる。例えば、シリアル抵抗６０６の抵抗値を２１Ωにし、パラレル抵抗６０９の抵抗値を１２１Ωにすると、０ｄＢから３ｄＢまで変化する可変減衰器となる。該変化は逆にできる。【８３】上述した複数の減衰器がシリアル接続されて複数段の可変減衰器が得られる。各段の減衰量は、自由に設定することができる。各段のスイッチは、お互いに独立したものであってもよいし、少なくとも１つの絶縁物（例えばＰＣＢ板）に配置されてもよい。【８４】ここで強調したいのは、複数段の減衰器がシリアル接続される際、同じ類型の減衰器に限られず、異なる類型の減衰器でもシリアル接続可能であるということである。例えば、π型の減衰器回路とＴ型の減衰器とのシリアル接続や、Ｔ型の減衰器とπ型の減衰器回路とのシリアル接続等が挙げられる。【８５】なお、本発明の実施例において、絶縁物にパラレル抵抗、シリアルスイッチ及びパラレルスイッチが共に配置され、基板にシリアル抵抗が配置されることもできる。その組み合せ原理は本発明の第１の実施例と同じで、その説明を省略する。【８６】図２９には、本発明の第７の実施例に係る可変減衰器の基板の表面層の回路構成を示す。【８７】基板７１は、無線周波数の２層のセラミックス基板であるが、２層に限られない。また、基板７１は、例えばＰＣＢ板等の他の誘電率の材料であってもよい。当該表面層には、それぞれの信号ビアホール７０５を介して底面層におけるそれぞれの端子に接続されている四つの端子７０１、７０２、７０３、７０４が配置されている。該表面層には、さらに接地ビアホール７０６を介して底面層のグラウンド端子に接続されている共通グラウンド端子７０７がある。【８８】図３０には、本発明の第７の実施例に係る可変減衰器の基板の底面層の回路構成を示す。【８９】該基板７１には、信号入力端子７０８、信号出力端子７０９、（フィルム状の）第１のシリアル抵抗７１２、（フィルム状の）第１のパラレル抵抗７１０、（フィルム状の）第２のパラレル抵抗７１１、共通グラウンド端子７０７が配置されている。本発明の実施例において、フィルム状の抵抗とは、厚膜プロセス又は薄膜プロセスによって形成された抵抗を指す。保護層を塗布する前に、該フィルム抵抗は原則として四つの辺が電気的に接続可能である。端子７０３に信号マイクロストリップ７１３を介して信号入力端子７０８が接続され、フィルム抵抗で構成されている減衰器の（フィルム状の）第１のシリアル抵抗７１２の辺（左の辺）ＦＬに端子７０３が接続され、端子７０４に該第１のシリアル抵抗７１２のもう１つの辺（右の辺）ＦＲが接続され、出力端子７０９に信号マイクロストリップ７１３を介して端子７０４が接続されている。第１のパラレル抵抗７１０の一端子に第１のシリアル抵抗７１２の上の辺が、端子７��１に当該パラレル抵抗７１０の他端子ＦＴ（上の端子）が接続されている。第２のパラレル抵抗７１１の一端子に該第１のシリアル抵抗７１２の底辺が接続され、端子７０２に該第２のパラレル抵抗７１１の他端子ＦＢ（下の端子）が接続されている。説明及び理解の便利のために、信号入力出力端子に接続されている両端子を第１のシリアル抵抗７１２の両端子と称する。実際にはフィルム状の減衰器を製造する際、上記第１のシリアル抵抗７１２、第１のパラレル抵抗７１０、第２のパラレル抵抗７１１を一体とすることができ、フィルム状減衰器の抵抗値の設計要求に応じて一体形成し、別のものとして製造する必要はない。【９０】図３１には、本発明の第７の実施例に係る可変減衰器のスイッチ構造を示す。【９１】コストダウンを図ると共に、第１のパラレルスイッチ、第１のシリアルスイッチ及び第２のシリアルスイッチを切り替える際、信号メイン回路への第１のパラレル抵抗、第２のパラレル抵抗及び第１のシリアル抵抗の接続をよりスムーズにするために、本発明の実施例において、可変減衰器のスイッチは、１つの導電性シートでなす掻き式スイッチを採用し、最適な減衰量が得られるように、導電性シートの幅をできるだけ帯域幅と同一にする。具体的に応用する際、導電性シートでなす回転式スイッチが用いられてもよい。また、例えばリード線等の他の材料で導電性シートを形成してもよい。第１のシリアル抵抗のスイッチ及び第１のパラレル抵抗と第２のパラレル抵抗のスイッチの動作が同時に終わるように、同一の絶縁物７２に導電性シートが配置されているが、異なる絶縁物に各スイッチそれぞれが配置されてもいいのは当然のことである。絶縁物７２はＰＣＢ板である。端子７０３と７０４を繋ぐための導電性シート７１５は第１のシリアル抵抗７１２のパラレル接続用スイッチとして機能し、端子７０１と共通グラウンド端子７０７を繋ぐ導電性シート７１４は第１のパラレル抵抗７０１と共通グラウンド端子７０７をシリアル接続するためのスイッチとして機能し、端子７０２と共通グラウンド端子７０７を繋ぐ導電性シート７１６は第２のパラレル抵抗７０２と共通グラウンド端子７０７をシリアル接続するためのスイッチとして機能している。変位用ホール７０７は、該ＰＣＢ板を移動させる際に用いられるものである。【９２】図３２には、図３１と可変減衰器の基板とを組み合せた構成を示す。【９３】図３２には、点線で示す部分が基板７１の表面層に図３１のＰＣＢ板が配置されている組み合せ図である。ＰＣＢ板の導電性シートが設けられている面が該基板の表面層に接触し、即ち図３１が１８０°反転したことを表す。導電性シート７１４により第１のパラレル抵抗７１０の端子７０１と共通グラウンド端子７０７とが接続され、即ち第１のパラレル抵抗７１０のシリアル接続用スイッチをオン（ＯＮ）にし、導電性シート７１６により第２のパラレル抵抗７１１の端子７０２と共通グラウンド端子７０９とが接続され、即ち第２のパラレル抵抗７１１のシリアル接続用スイッチをオン（ＯＮ）にし、この場合、第１のシリアル抵抗７１２のパラレル接続用スイッチをオフ（ＯＦＦ）にする状態で該可変減衰器は代表的なフィルム状の減衰器をなす。その減衰量は、フィルム状の減衰器の設計要求に応じて設計することができる。該ＰＣＢ板を右から左へ掻くとき、導電性シート７１５によりシリアル抵抗の両端子７０３と７０４（ＦＬとＦＲ端子）がショートされ、第１のシリアル抵抗７１２のパラレル接続用スイッチをオン（ＯＮ）にした状態であり、この場合、導電性シート７１４が端子７０１から分離し、即ち第１のパラレル抵抗７１０のシリアル接続用スイッチをオフ（ＯＦＦ）にし、導電性シート７１６が端子７０２から分離し、即ち第２のパラレル抵抗７１１のシリアル接続用スイッチをオフ（ＯＦＦ）にし、このとき、該可変減衰器の減衰量は０ｄＢになる。これにより、減衰量が変化可能となり、つまり減衰量はステッピング量から０ｄＢへ変化した。【９４】上述した複数の減衰器がシリアル接続されて複数段の可変減衰器が得られる。各段の減衰量は、自由に設定することができる。各段間のスイッチは、お互いに独立したものであってもよいし、少なくとも１つの絶縁物（ＰＣＢ板）に配置されてもよい。また、実際のフィルム状の減衰器の製造において、第１のシリアル抵抗７１２、第１のパラレル抵抗７１０及び第２のパラレル抵抗７１１は一体形成されるフィルム状の抵抗である。設計上、フィルム状の減衰器の設計原理によりフィルム状の抵抗の値を設計する。その等価回路は分布パラメータ別に複数のπ型のネットワークのシリアル接続に等価し、最終的に１つのπ型のネットワーク（π型の減衰器回路）と等価することができる。【９５】なお、本発明の実施例において、絶縁物上に第１のパラレル抵抗、第２のパラレル抵抗、第１のシリアルスイッチ、第２のシリアルスイッチ及び第１のパラレルスイッチが共に配置され、基板に第１のシリアル抵抗が配置されることもできる。その組み合せ原理は本発明の第１の実施例と同じで、その説明を省略する。【９６】図３３には、本発明の第８の実施例に係る可変減衰器の基板の表面層の回路構成を示す。【９７】基板８１は、無線周波数の２層のセラミックス基板であるが、ＰＣＢ板等の他の誘電率の材料であってもよい。当該表面層には、それぞれの信号ビアホール８０６を介して底面層におけるそれぞれの端子に接続されている三つの端子８０１、８０２、８０３が配置されている。さらに該表面層には、接地ビアホール８０４を介して底面層のグラウンド端子に接続されている共通グラウンド端子８０５がある。【９８】図３４には、本発明の第８の実施例に係る可変減衰器の基板の底面層の回路構成を示す。【９９】基板８１には、信号入力端子８０７、信号出力端子８０８、（フィルム状の）第１のシリアル抵抗８０９、（フィルム状の）第１のパラレル抵抗８１１、及び共通グラウンド端子８０５が配置されている。本発明の実施例において、フィルム状の抵抗とは、厚膜プロセス又は薄膜プロセスによって形成された抵抗を指す。保護層を塗布する前に、該フィルム抵抗は原則として四つの辺が電気的に接続可能である。端子８０１に信号マイクロストリップ８１０を介して信号入力端子８０７が接続され、フィルム状の抵抗で構成されている減衰器の（フィルム状の）第１のシリアル抵抗８０９の辺（左の辺）に端子８０１が接続され、端子８０２に第１のシリアル抵抗８０９のもう１つの辺（右の辺）が接続され、出力端子８０８に信号マイクロストリップ８０１を介して端子８０２が接続されている。第１のパラレル抵抗８１１の一端子に第１のシリアル抵抗８０９の底辺が接続され、端子８０３に第１のパラレル抵抗８１１の他端子（下の端子）が接続されている。説明及び理解の便利のために、信号入力出力端子に接続されている両端子を第１のシリアル抵抗８０９の両端子と称する。実際にはフィルム状の減衰器を製造する際、上記第１のシリアル抵抗８０９と第１のパラレル抵抗８１１を一体とすることができ、減衰器の抵抗値の設計要求に応じて一体形成し、別のものとして製造する必要はない。【１００】図３５には、本発明の第８の実施例に係る可変減衰器のスイッチ構造を示す。【１０１】コストダウンを図ると共に、第１のパラレルスイッチ及び第１のシリアルスイッチを切り替える際、信号メイン回路への第１のパラレル抵抗と第１のシリアル抵抗の接続をよりスムーズにするために、本発明の実施例において、可変減衰器のスイッチは、１つの導電性シートでなす掻き式スイッチを採用し、最適な減衰量が得られるように、導電性シートの幅をできるだけ帯域幅と同一にする。具体的に応用する際、導電性シートでなす回転式スイッチが用いられてもよい。また、例えばリード線等の他の材料で導電性シートを形成してもよい。第１のシリアル抵抗のスイッチ及び第１のパラレル抵抗のスイッチの動作が同時に終わるように、同一の絶縁物８２に導電性シートが配置されているが、異なる絶縁物に各スイッチそれぞれが配置されてもいいのは当然のことである。絶縁物８２はＰＣＢ板であり、ＰＣＢ板に導電性シートが配置されることができる。端子８０１と８０２を繋ぐための導電性シート８１２は第１のシリアル抵抗８０９のパラレル接続用スイッチとして機能し、端子８０３と共通グラウンド端子８０５を繋ぐ導電性シート８１３は第１のパラレル抵抗８１１と共通グラウンド端子８０５をシリアル接続するためのスイッチとして機能している。変位用ホール８１４は、該ＰＣＢ板を移動させる際に用いられるものである。【１０２】図３６には、図３５と可変減衰器の基板とを組み合せた構成を示す。【１０３】図３６は、点線で示す部分が基板８１の表面層に図３５のＰＣＢ板が配置されている組み合せ図である。ＰＣＢ板の導電性シートが設けられている面が該基板の表面層に接触し、即ち図３５が１８０°反転したことを表す。導電性シート８１３により第１のパラレル抵抗８１１の端子８０３と共通グラウンド端子８０５とが接続され、即ち第１のパラレル抵抗８１１のシリアル接続用スイッチをオン（ＯＮ）にし、この場合、第１のシリアル抵抗８０９のパラレル接続用スイッチをオフ（ＯＦＦ）にする状態で該可変減衰器は代表的なフィルム状の減衰器をなす。その減衰量は、フィルム状の減衰器の設計要求に応じて設計することができる。該ＰＣＢ板を右から左へ掻くと、導電性シート８１２により第１のシリアル抵抗８０９の両端子８０１と８０２がショートされ、第１のシリアル抵抗８０９のパラレル接続用スイッチをオン（ＯＮ）にした状態であり、この場合、導電性シート８１３が端子８０３から分離し、即ち第１のパラレル抵抗８１１のシリアル接続用スイッチをオフ���ＯＦＦ）にした。このとき、該可変減衰器の減衰量は０ｄＢになる。この過程は逆にできる。このように、減衰量は変化可能となる【１０４】上述した複数の減衰器がシリアル接続されて複数段の可変減衰器が得られる。各段の減衰量は、自由に設定することができる。各段間のスイッチは、お互いに独立したものであってもよいし、少なくとも１つの絶縁物（ＰＣＢ板）に配置されてもよい。また、実際のフィルム状の減衰器の製造において、第１のシリアル抵抗８０９と第１のパラレル抵抗８１１は一体形成されるフィルム状の抵抗である。設計上、フィルム状の減衰器の設計原理によりフィルム状の抵抗の値を設計する。その等価回路は分布パラメータ別に複数のＴ型の減衰器のシリアル接続に等価し、最終的に１つのＴ型の減衰器と等価することができる。【１０５】なお、本発明の実施例において、絶縁物に第１のパラレル抵抗、第１のシリアルスイッチ及び第１のパラレルスイッチが共に配置され、基板に第１のシリアル抵抗が配置されることもできる。その組み合せ原理は本発明の第１の実施例と同じで、その説明を省略する。【１０６】本発明の可変減衰器について、そのケースパッケージングとしては、金属ケースの同軸コネクタのパッケージング、同軸コネクタのパッケージング、又はプラスチックＳＭＤパッケージングが用いられることができる。その調整方式としては、掻き式スイッチ又はステッピング回転式スイッチが用いられることができる。同軸コネクタはＳＭＡ型や、Ｎ型などの同軸コネクタが用いられることができる。【１０７】図３７は、本発明の実施例に係る可変減衰器の掻き式スイッチの金属ケースの同軸コネクタを示す外観構成図である。【１０８】この可変減衰器のケースは、両端子がＳＭＡ同軸ケーブルヘッドである金属ケース９１である。金属ケース９１の表面に、減衰量を変化させる四つの掻き式スイッチＫ１、Ｋ２、Ｋ３及びＫ４がある。【１０９】図３８には、図３７の内部構成を示す。【１１０】金属ケース９１内に基板９２があり、基板９２の上に、スイッチが設けられている絶縁物９３があり、絶縁物９３の上に掻き柱９３１があり、掻き柱９３１の両端子に、絶縁物９３と基板の表面層とを密着させるためのシリカゲルリングが設けられており、最上部に設けられているのはボルトによってシリカゲルリングをぴったりと押圧する金属蓋９４である。【１１１】図３９は、本発明の実施例の係る可変減衰器の同軸コネクタ一体化を示す外観構成図である。【１１２】金属ケースの代わりに、改造した同軸コネクタ９１を使用し、その内部構造は図３８に示す構造と同じである。同軸コネクタとしては、ＳＭＡ型や、Ｎ型などの同軸コネクタ９１が用いられることができる。このように製造すれば、使い勝手を向上させ、構造がコンパクトで、大量生産する際のコストが安くなる。【１１３】本発明の実施例において、可変減衰器のシリアル抵抗の両端子部にはパラレルスイッチがパラレル接続され、パラレル抵抗の両端子部にはシリアルスイッチがシリアル接続され、パラレルスイッチをオンにするように制御してある段の減衰量を無効にすると共に、シリアルスイッチをオフにするように制御してパラレル抵抗が信号メイン回路に及ぼす影響を無くすことによっ���、減衰器の減衰量は安定し、精度がもっと高く、さらに周波数範囲がもっと広くなる。本発明によれば、信号メイン回路を切り替える必要はなく、つまり信号がずっと信号メイン回路上に伝送され、信号メイン回路が強い反射信号（急変パルス）を生ずることも、前段の回路を壊すこともない。【１１４】以上、図面を結合して本発明の実施例について詳しく説明したが、以上に記述された実施形態は本発明を説明するために用いただけであり、本発明の限定を構成していないことが分かるはずである。当業者にとって、本発明の本質と範囲を背離していない範囲で前記実施形態に対して各種の修正及び変更を行うことができる。そのため、本発明の範囲は添付のクレーム及びこれと同等の含意のみにより限定される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【国際調査報告】
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