(57)【要約】  ある層がその中で複数の表面を被覆するキャビティを備えるＭＥＭＳデバイス、例えば、干渉変調器を備えるデバイス、方法およびシステム。層は、コンフォーマルまたはノンコンフォーマルである。一部の実施形態では、層は原子層堆積（ＡＬＤ）によって形成される。好ましくは、層は誘電性材料を含む。一部の実施形態では、ＭＥＭＳデバイスはまた、移動電極間の電気絶縁の改善、スティクションの低減および／または機械的特性の改善などの、特性の改善を示す。
2010524010.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
干渉変調器を形成する方法において、
干渉変調器内にキャビティを形成するステップであって、
前記キャビティは第１層と第２層によって画定され、
前記第２層は前記第１層に対して可動である、ステップと、
前記キャビティを形成した後に、前記キャビティ内に光誘電性層の少なくとも一部を形成するステップとを含む方法。
【請求項２】
前記光誘電性層の少なくとも一部を形成するステップは、原子層堆積によって光酸化物層の少なくとも一部を形成するステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記光誘電性層の少なくとも一部を形成するステップは、Ａｌ２Ｏ３およびＳｉＯ２の少なくとも一方を形成するステップを含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記光誘電性層の少なくとも一部を形成するステップは、複数のサブ層を形成するステップを含む請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記光誘電性層の少なくとも一部を形成するステップは、約３５０℃未満の温度で前記光酸化物層の少なくとも一部を形成するステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
原子層堆積によって前記光誘電性層の少なくとも一部を形成するステップは、前記キャビティ内に光酸化物材料の第１コンフォーマル層を形成するステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記キャビティを画定する前記第１層の一部分を覆って形成される前記第１コンフォーマル層の厚さは、前記キャビティを画定する前記第２層の一部分を覆って形成される前記第１コンフォーマル層の厚さに実質的に等しい請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記キャビティを画定する前記第１層の一部分を覆って形成される前記第１コンフォーマル層の厚さは約５０Å〜約４００Åである請求項７に記載の方法。
【請求項９】
原子層堆積によって前記光誘電性層の少なくとも一部を形成するステップは、前記第１層の少なくとも一部分を覆って光酸化物材料のノンコンフォーマル層を形成するステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記キャビティを形成した後に前記第２層の表面上に光誘電性材料層を形成するステップをさらに含み、前記第２層の前記表面は前記キャビティの外側にある請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記キャビティを画定する前記第１層は誘電性材料を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
原子層堆積によって誘電性層の少なくとも一部を形成するステップは、前記誘電性材料内の少なくとも１つのピンホールをシールするステップを含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記誘電性層の少なくとも一部および前記誘電性材料の２つの層を含む光誘電性システムの総合厚さは約１００ｎｍ未満である請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
原子層堆積によって誘電性層の少なくとも一部を形成するステップは、前記第１層上に配設された製造残渣を覆って光酸化物層の少なくとも一部を形成するステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記干渉変調器の周りを囲み、少なくとも１つの開口を備えるシールを形成すること、および、
背面板を前記シールに固定し、それにより、前記干渉変調器をパッケージングすること
を含む方法によって、前記光誘電性層の少なくとも一部を形成する前に、前記干渉変調器をパッケージングするステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
光誘電性層の少なくとも一部を形成した後に、前記シール内の前記少なくとも１つの開口を充填するステップをさらに含む請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
請求項１に記載の方法によって形成される干渉変調器。
【請求項１８】
部分反射体を備える第１層と、
前記第１層に対して可動な反射層と、
前記第１層および前記反射層によって画定されるキャビティと、
前記第１層および前記反射層を覆って前記キャビティ内に形成されるコンフォーマル誘電性層と
を備える干渉変調器。
【請求項１９】
前記反射層に結合した変形可能層をさらに備える請求項１８に記載の干渉変調器。
【請求項２０】
前記コンフォーマル誘電性層はＳｉＯ２およびＡｌ２Ｏ３の少なくとも一方を含む請求項１８に記載の干渉変調器。
【請求項２１】
前記コンフォーマル誘電性層の厚さは少なくとも約１０Åである請求項１８に記載の干渉変調器。
【請求項２２】
前記コンフォーマル誘電性層の厚さは約５０Å〜約４００Åである請求項２１に記載の干渉変調器。
【請求項２３】
前記第１層を覆って形成される主誘電性層をさらに備える請求項１８に記載の干渉変調器。
【請求項２４】
前記干渉変調器の周りを囲むシールと、
前記シールに固定された背面板とをさらに備える請求項１８に記載の干渉変調器のアレイを備えるディスプレイ。
【請求項２５】
請求項２４に記載の微小電気機械システムデバイスを備えるディスプレイと、
前記ディスプレイと通信するよう構成され、画像データを処理するよう構成されるプロセッサと、
前記プロセッサと通信するよう構成されるメモリデバイスとを備える装置。
【請求項２６】
少なくとも１つの信号を前記ディスプレイに送出するよう構成されるドライバ回路をさらに備える請求項２５に記載の装置。
【請求項２７】
前記画像データの少なくとも一部分を前記ドライバ回路に送出するよう構成されるコントローラをさらに備える請求項２６に記載の装置。
【請求項２８】
前記画像データを前記プロセッサに送出するよう構成される画像ソースモジュールをさらに備える請求項２５に記載の装置。
【請求項２９】
前記画像ソースモジュールは、受信機、送受信機および送信機の少なくとも１つを備える請求項２８に記載の装置。
【請求項３０】
入力データを受信し、前記入力データを前記プロセッサに通信するよう構成される入力デバイスをさらに備える請求項２５に記載の装置。
【請求項３１】
光を部分的に反射する手段と、
干渉変調器を作動させ、また、光を反射させるための可動手段と、
光を部分的に反射する前記手段および前記可動手段を覆う誘電性手段と
を備える干渉変調器。
【請求項３２】
第１面を備える基材と、
第１面および第２面を備える変形可能層と、
前記基材の前記第１面および前記変形可能層の前記第１面によって画定される対向面を備える可変サイズのキャビティと、
前記変形可能層内の複数の開口と、
前記変形可能層内の前記開口から対向する前記基材の前記第１面上の複数のロケーションと、
前記基材の前記第１面および前記変形可能層の前記第１面ならびに前記変形可能層の前記第２面の少なくとも一部分を覆って形成される前記キャビティ内の誘電性層と
を備える微小電気機械システムデバイス。
【請求項３３】
前記誘電性層は、前記変形可能層内の前記開口から対向する前記基材の前記第１面上の前記複数のロケーションに対しては、前記基材の前記第１面上の別のロケーションに対するよりも肉厚である請求項３２に記載の微小電気機械システムデバイス。
【請求項３４】
前記誘電性層は、前記キャビティ内のすべての表面にわたって実質的にコンフォーマルである請求項３２に記載の微小電気機械システムデバイス。
【請求項３５】
前記キャビティ内に配設され、前記変形可能層に固定された可動導体をさらに備え、
前記可動導体は、前記基材に近接する表面を備え、
前記誘電性層の一部分は、前記基材に近接する前記可動導体の前記表面を覆って形成される請求項３２に記載の微小電気機械システムデバイス。
【請求項３６】
微小電気機械システムデバイスを製造する方法であって、
第１電極を覆って犠牲層を形成するステップと、
前記犠牲層を覆って変形可能層を形成するステップと、
前記変形可能層内に複数の開口を形成するステップと、
前記変形可能層内の前記複数の開口の少なくともいくつかを通して前記犠牲層を除去し、それにより、前記第１電極と前記変形可能層との間にキャビティを形成するステップと、
前記犠牲層を除去した後に、原子層堆積によって前記キャビティ内に層を堆積するステップとを含む方法。
【請求項３７】
原子層堆積によって前記キャビティ内に層を堆積するステップは、Ａｌ２Ｏ３およびＳｉＯ２の少なくとも一方を含む層を堆積するステップを含む請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
原子層堆積によって前記キャビティ内に層を堆積するステップは、コンフォーマル層を堆積するステップを含む請求項３６に記載の方法。
【請求項３９】
原子層堆積によって前記キャビティ内に層を堆積するステップは、ノンコンフォーマル層を堆積するステップを含む請求項３６に記載の方法。
【請求項４０】
請求項３６に記載の方法によって製造される微小電気機械システムデバイス。
【請求項４１】
干渉変調器を製造する方法であって、
部分反射体を備える第１層を覆って犠牲層を形成するステップと、
前記犠牲層を覆って可動反射層を形成するステップと、
前記犠牲層をエッチング除去し、それにより、前記第１層および前記可動ミラーによって画定される対向面を備える光干渉キャビティを形成するステップと、
原子層堆積によって前記キャビティ内に層を堆積するステップとを含む方法。
【請求項４２】
前記犠牲層をエッチング除去するステップは、前記犠牲層をＸｅＦ２に接触させるステップを含む請求項４１に記載の方法。
【請求項４３】
犠牲層を形成するステップは、モリブデン、ゲルマニウム、アモルファスシリコンの少なくとも１つを含む層を形成するステップを含む請求項４１に記載の方法。
【請求項４４】
犠牲層を形成するステップは、複数のサブ層を備える層を形成するステップを含む請求項４１に記載の方法。
【請求項４５】
前記可動反射層の周りを囲んで前記第１層上に、少なくとも１つの開口を備えるシールを形成するステップと、
背面板を前記シールに固定するステップとをさらに含み、
シールを形成するステップと背面板を固定するステップは、前記キャビティ内に層を堆積する前に実施される請求項４１に記載の方法。
【請求項４６】
請求項４１に記載の方法によって製造される干渉変調器。
【請求項４７】
微小電気機械システムデバイス内のスティクションを低減させる方法において、
第１層と第２層との間で微小電気機械システムデバイスのキャビティを画定するステップであって、前記第２層は前記第１層に対して可動である、ステップと、
前記キャビティを画定した後に、前記キャビティ内にスティクション低減層を原子層堆積によって形成するステップとを含む方法。
【請求項４８】
スティクション低減層を原子層堆積によって形成するステップは、Ａｌ２Ｏ３およびＳｉＯ２の少なくとも一方を含むスティクション低減層を原子層堆積によって形成するステップを含む請求項４７に記載の方法。
【請求項４９】
スティクション低減層を原子層堆積によって形成するステップは、コンフォーマル層を原子層堆積によって形成するステップを含む請求項４７に記載の方法。
【請求項５０】
請求項４７に記載の方法によって形成される微小電気機械システムデバイス。
【請求項５１】
微小電気機械システムデバイスを形成する方法において、
第１層と第２層との間で微小電気機械システムデバイス用のキャビティを画定するステップであって、前記第２層は前記第１層に対して可動である、ステップと、
前記キャビティを画定した後に、前記キャビティ内に原子層堆積によって層を形成するステップとを含む方法。
【請求項５２】
前記微小電気機械システムデバイスは、微小電気機械システムデバイスのアレイの要素である請求項５１に記載の方法。
【請求項５３】
前記第２層内に複数の開口を形成するステップをさらに含む請求項５１に記載の方法。
【請求項５４】
請求項５１に記載の方法によって製造される微小電気機械システムデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、一般に、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）に関し、より詳細には、ＭＥＭＳキャビティ内での被覆および被覆を形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）は、微小機械要素、アクチュエータおよび電子部品を含む。微小機械要素は、堆積、エッチング、および／または、基材および／または堆積された材料層の複数の部分をエッチング除去するか、または、電気および電気機械デバイスを形成するために層を追加する他の微小機械加工プロセスを使用して作成することができる。１つのタイプのＭＥＭＳデバイスは、干渉変調器と呼ばれる。本明細書では、干渉変調器または干渉光変調器という用語は、光干渉の原理を使用して、光を選択的に吸収し、かつ／または、反射するデバイスを指す。ある実施形態では、干渉変調器は、一対の導電板を備えてもよく、導電板の一方または両方は、全体または一部分が透明である、かつ／または、反射性であってもよく、適切な電気信号の印加によって相対運動が可能である。特定の実施形態では、１つの板は、基材上に堆積された固定層を備えてもよく、他の板は、空気ギャップによって固定層から分離された金属膜を備えてもよい。本明細書でより詳細に述べるように、１つの板の別の板に対する位置は、干渉変調器に入射する光の光干渉を変化させる可能性がある。こうしたデバイスは、広い範囲の用途を有しており、既存の製品を改良し未だ開発されていない新しい製品を生み出すときにその特徴を活用することができるように、これらのタイプのデバイスの特性を利用しかつ／または修正することは、当技術分野で有利となりうる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許公報第２００４／００５１９２９Ａ１号
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
ある層がその中で複数の表面を被覆するキャビティを備えるＭＥＭＳデバイス、例えば、干渉変調器を備えるデバイス、方法およびシステムである。層は、コンフォーマルまたはノンコンフォーマルである。一部の実施形態では、層は原子層堆積（ＡＬＤ）によって形成される。好ましくは、層は誘電性材料を含む。一部の実施形態では、ＭＥＭＳデバイスはまた、移動電極間の電気絶縁の改善、スティクションの低減および／または機械的特性の改善などの、特性の改善を示す。
【０００５】
したがって、一部の実施形態は、干渉変調器を形成する方法および／または方法によって形成される干渉変調器を提供し、方法は、干渉変調器内にキャビティを形成すること、および、キャビティを形成した後に、キャビティ内に光誘電性層の少なくとも一部を形成することを含む。キャビティは第１層と第２層によって画定され、第２層は第１層に対して可動である。
【０００６】
一部の実施形態では、光誘電性層の少なくとも一部を形成することは、原子層堆積によって光酸化物層の少なくとも一部を形成することを含む。一部の実施形態では、光誘電性層の少なくとも一部を形成することは、Ａｌ２Ｏ３およびＳｉＯ２の少なくとも一方を形成することを含む。一部の実施形態では、光誘電性層の少なくとも一部を形成することは、複数のサブ層を形成することを含む。一部の実施形態では、光誘電性層の少なくとも一部を形成することは、約３５０℃未満の温度で光酸化物層の少なくとも一部を形成することを含む。一部の実施形態では、原子層堆積によって光誘電性層の少なくとも一部を形成することは、キャビティ内に光酸化物材料の第１コンフォーマル層を形成することを含む。一部の実施形態では、キャビティを画定する第１層の一部分を覆って形成される第１コンフォーマル層の厚さは、キャビティを画定する第２層の一部分を覆って形成される第１コンフォーマル層の厚さに実質的に等しい。一部の実施形態では、キャビティを画定する第１層の一部分を覆って形成される第１コンフォーマル層の厚さは約５０Å〜約４００Åである。一部の実施形態では、原子層堆積によって光誘電性層の少なくとも一部を形成することは、第１層の少なくとも一部分を覆って光酸化物材料のノンコンフォーマル層を形成することを含む。
【０００７】
一部の実施形態は、さらに、キャビティを形成した後に第２層の表面上に光誘電性材料層を形成することを含み、第２層の表面はキャビティの外側にある。
【０００８】
一部の実施形態では、キャビティを画定する第１層は誘電性材料を含む。一部の実施形態では、原子層堆積によって誘電性層の少なくとも一部を形成することは、誘電性材料内の少なくとも１つのピンホールをシールすることを含む。一部の実施形態では、誘電性層の少なくとも一部および誘電性材料の２つの層を含む光誘電性システムの総合厚さは約１００ｎｍ未満である。
【０００９】
一部の実施形態では、原子層堆積によって誘電性層の少なくとも一部を形成することは、第１層上に配設された製造残渣を覆って光酸化物層の少なくとも一部を形成することを含む。
【００１０】
一部の実施形態は、さらに、干渉変調器の周りを囲み、少なくとも１つの開口を備えるシールを形成すること、および、背面板をシールに固定し、それにより、干渉変調器をパッケージングすることを含む方法によって、光誘電性層の少なくとも一部を形成する前に、干渉変調器をパッケージングすることを含む。一部の実施形態は、さらに、光誘電性層の少なくとも一部を形成した後に、シール内の少なくとも１つの開口を充填することを含む。
【００１１】
他の実施形態は、干渉変調器を提供し、干渉変調器は、部分反射体を備える第１層と、第１層に対して可動な反射層と、第１層および反射層によって画定されるキャビティと、第１層および反射層を覆ってキャビティ内に形成されるコンフォーマル誘電性層とを備える。
【００１２】
一部の実施形態は、さらに、反射層に結合した変形可能層を備える。
【００１３】
一部の実施形態では、コンフォーマル誘電性層はＳｉＯ２およびＡｌ２Ｏ３の少なくとも一方を含む。一部の実施形態では、コンフォーマル誘電性層の厚さは少なくとも約１０Åである。一部の実施形態では、コンフォーマル誘電性層の厚さは約５０Å〜約４００Åである。
【００１４】
一部の実施形態は、さらに、第１層を覆って形成される主誘電性層を備える。
【００１５】
他の実施形態は、部分反射体を備える第１層と、第１層に対して可動な反射層と、第１層および反射層によって画定されるキャビティと、第１層および反射層を覆ってキャビティ内に形成されるコンフォーマル誘電性層とを備える干渉変調器のアレイを備えるディスプレイを提供し、ディスプレイは、さらに、干渉変調器の周りを囲むシールと、シールに固定された背面板とを備える。
【００１６】
他の実施形態は、装置を提供し、装置は、部分反射体を備える第１層、第１層に対して可動な反射層、第１層および反射層によって画定されるキャビティおよび第１層および反射層を覆ってキャビティ内に形成されるコンフォーマル誘電性層を備える干渉変調器のアレイを備えるディスプレイを備え、ディスプレイは、さらに、干渉変調器の周りを囲むシールおよびシールに固定された背面板を備え、ディスプレイと通信するよう構成され、画像データを処理するよう構成されるプロセッサと、プロセッサと通信するよう構成されるメモリデバイスとを備える。
【００１７】
一部の実施形態は、さらに、少なくとも１つの信号をディスプレイに送出するよう構成されるドライバ回路を備える。一部の実施形態は、さらに、画像データの少なくとも一部分をドライバ回路に送出するよう構成されるコントローラを備える。一部の実施形態は、さらに、前記画像データを前記プロセッサに送出するよう構成される画像ソースモジュールを備える。一部の実施形態では、画像ソースモジュールは、受信機、送受信機および送信機の少なくとも１つを備える。一部の実施形態は、さらに、入力データを受信し、前記入力データを前記プロセッサに通信するよう構成される入力デバイス備える。
【００１８】
他の実施形態は、干渉変調器を提供し、干渉変調器は、光を部分的に反射する手段と、干渉変調器を作動させ、また、光を反射させるための可動手段と、光を部分的に反射する手段および可動手段を覆う誘電性手段とを備える。
【００１９】
他の実施形態は、微小電気機械システムデバイスを提供し、微小電気機械システムデバイスは、第１面を備える基材と、第１面および第２面を備える変形可能層と、基材の第１面および変形可能層の第１面によって画定される対向面を備える可変サイズのキャビティと、変形可能層内の複数の開口と、変形可能層内の開口から対向する基材の第１面上の複数のロケーション（location；場所）と、基材の第１面および変形可能層の第１面ならびに変形可能層の第２面の少なくとも一部分を覆って形成されるキャビティ内の誘電性層とを備える。
【００２０】
一部の実施形態では、誘電性層は、変形可能層内の開口から対向する基材の第１面上の複数のロケーションに対しては、基材の第１面上の別のロケーションに対するよりも肉厚である。一部の実施形態では、誘電性層は、キャビティ内のすべての表面にわたって実質的にコンフォーマルである。
【００２１】
一部の実施形態は、さらに、キャビティ内に配設され、変形可能層に固定された可動導体を備え、可動導体は、基材に近接する表面を備え、誘電性層の一部分は、基材に近接する可動導体の表面を覆って形成される。
【００２２】
他の実施形態は、微小電気機械システムデバイスを製造する方法および／またはその方法によって製造される微小電気機械システムデバイスを提供し、方法は、第１電極を覆って犠牲層を形成すること、犠牲層を覆って変形可能層を形成すること、変形可能層内に複数の開口を形成すること、変形可能層内の前記複数の開口の少なくともいくつかを通して犠牲層を除去し、それにより、第１電極と変形可能層との間にキャビティを形成すること、および、犠牲層を除去した後に、原子層堆積によってキャビティ内に層を堆積することとを含む。
【００２３】
一部の実施形態では、原子層堆積によってキャビティ内に層を堆積することは、Ａｌ２Ｏ３およびＳｉＯ２の少なくとも一方を含む層を堆積することを含む。一部の実施形態では、原子層堆積によってキャビティ内に層を堆積することは、コンフォーマル層を堆積することを含む。一部の実施形態では、原子層堆積によってキャビティ内に層を堆積することは、ノンコンフォーマル層を堆積することを含む。
【００２４】
他の実施形態は、微小電気機械システムデバイスを製造する方法および／またはその方法によって製造される微小電気機械システムデバイスを提供し、方法は、部分反射体を備える第１層を覆って犠牲層を形成すること、犠牲層を覆って可動反射層を形成すること、犠牲層をエッチング除去し、それにより、第１層および可動ミラーによって画定される対向面を備える光干渉キャビティを形成すること、および、原子層堆積によってキャビティ内に層を堆積することを含む。
【００２５】
一部の実施形態では、犠牲層をエッチング除去することは、犠牲層をＸｅＦ２に接触させることを含む。
【００２６】
一部の実施形態では、犠牲層を形成することは、モリブデン、ゲルマニウム、アモルファスシリコンの少なくとも１つを含む層を形成することを含む。一部の実施形態では、犠牲層を形成することは、複数のサブ層を備える層を形成することを含む。
【００２７】
一部の実施形態は、さらに、可動反射層の周りを囲む第１層上に少なくとも１つの開口を備えるシールを形成すること、および、背面板をシールに固定することを含み、シールを形成することおよび背面板を固定することは、キャビティ内に層を堆積する前に実施される。
【００２８】
他の実施形態は、微小電気機械システムデバイス内のスティクション（貼り付き、または静止摩擦）を低減させる方法およびその方法によって製造される微小電気機械システムデバイスを提供し、方法は、第１層と第２層との間で微小電気機械システムデバイスのキャビティを画定することを含み、第２層は第１層に対して可動であり、キャビティを画定した後に、キャビティ内にスティクション低減層を原子層堆積によって形成することを含む。
【００２９】
他の実施形態は、スティクション低減層を原子層堆積によって形成することを提供し、スティクション低減層を原子層堆積によって形成することは、Ａｌ２Ｏ３およびＳｉＯ２の少なくとも一方を含むスティクション低減層を原子層堆積によって形成することを含む。他の実施形態は、スティクション低減層を原子層堆積によって形成することを提供し、スティクション低減層を原子層堆積によって形成することは、コンフォーマル層を原子層堆積によって形成することを含む。
【００３０】
他の実施形態は、微小電気機械システムデバイス内のスティクションを低減させる方法およびその方法によって製造される微小電気機械システムデバイスを提供し、方法は、第１層と第２層との間で微小電気機械システムデバイス用のキャビティを画定することを含み、第２層は第１層に対して可動であり、キャビティを画定した後に、キャビティ内に原子層堆積によって層を形成することを含む。
【００３１】
一部の実施形態では、微小電気機械システムデバイスは、微小電気機械システムデバイスのアレイの要素である。
【００３２】
一部の実施形態は、さらに、第２層内に複数の開口を形成することを含む。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】第１干渉変調器の可動反射層が弛緩位置にあり、第２干渉変調器の可動反射層が作動位置にある、干渉変調器ディスプレイの一実施形態の一部分を示す等角図である。
【図２】３×３干渉変調器ディスプレイを組込む電子デバイスの一実施形態を示すシステムブロック図である。
【図３】図１の干渉変調器の１つの例示的な実施形態についての、可動ミラー位置対印加電圧の図である。
【図４】干渉変調器ディスプレイを駆動するのに使用されてもよい行電圧および列電圧のセットの図である。
【図５Ａ】図２の３×３干渉変調器ディスプレイ内の表示データの１つの例示的なフレームを示す図である。
【図５Ｂ】図５Ａのフレームに書込むのに使用されてもよい行信号および列信号についての、１つの例示的なタイミング図である。
【図６Ａ】複数の干渉変調器を備える視覚ディスプレイデバイスの実施形態を示すシステムブロック図である。
【図６Ｂ】複数の干渉変調器を備える視覚ディスプレイデバイスの実施形態を示すシステムブロック図である。
【図７Ａ】図１のデバイスの断面図である。
【図７Ｂ】干渉変調器の代替の実施形態の断面図である。
【図７Ｃ】干渉変調器の別の代替の実施形態の断面図である。
【図７Ｄ】干渉変調器のなお別の代替の実施形態の断面図である。
【図７Ｅ】干渉変調器のさらなる代替の実施形態の断面図である。
【図８Ａ】干渉変調器のキャビティ内でかつ移動電極を覆って形成されたコンフォーマル誘電性層を備える干渉変調器の実施形態の断面図である。
【図８Ｂ】図８Ａに示す干渉変調器を製造する方法の実施形態の中間構造の断面図である。
【図８Ｃ】図８Ａに示す干渉変調器を製造する方法の実施形態の中間構造の断面図である。
【図８Ｄ】図８Ａに示す干渉変調器を製造する方法の実施形態の中間構造の断面図である。
【図８Ｅ】図８Ａに示す干渉変調器を製造する方法の実施形態の中間構造の断面図である。
【図９】干渉変調器のキャビティ内に形成されたコンフォーマル誘電性層を備える干渉変調器の別の実施形態の断面図である。
【図１０Ａ】干渉変調器のキャビティ内に形成されたノンコンフォーマル誘電性層を備える干渉変調器の実施形態の平面図である。
【図１０Ｂ】図１０Ａに示す干渉変調器の断面図である。
【図１０Ｃ】作動位置にある、図１０Ａおよび１０Ｂに示す干渉変調器の断面図である。
【図１０Ｄ】作動位置にある、図１０Ａおよび１０Ｂに示す干渉変調器の断面図である。
【図１１】図８Ａ、９および１０Ａに示す干渉変調器の実施形態を製造する方法の実施形態を示すフローチャートである。
【図１２Ａ】パッケージングされた干渉変調器の実施形態の断面図である。
【図１２Ｂ】背面板を除去した状態の、パッケージングされた干渉変調器の実施形態の平面図である。
【図１２Ｃ】シール内に開口がある状態の、パッケージングされた干渉変調器の実施形態の平面図である。
【図１２Ｄ】シール内の開口が充填されている、図１２Ｃのパッケージングされた干渉変調器の実施形態の平面図である。
【図１２Ｅ】シール内の開口が充填されている、図１２Ｃのパッケージングされた干渉変調器の実施形態の平面図である。
【図１２Ｆ】シール内の開口が充填されている、図１２Ｃのパッケージングされた干渉変調器の実施形態の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下の詳細な説明は、本発明のある特定の実施形態を対象とする。しかし、本発明は、複数の異なる方法で具現化されうる。本説明では、同じ部品が全体を通して同じ数字で指定される図面に対して参照が行われる。以下の説明から明らかになるように、実施形態は、動いていようと（例えば、ビデオ）、静止していようと（例えば、静止画像）、また、テキストであろうと、絵であろうと、画像を表示するよう構成されている任意のデバイスにおいて実施されてもよい。より詳細には、実施形態は、限定はしないが、移動体電話、無線デバイス、携帯情報端末（ＰＤＡ）、手持ち式または可搬型コンピュータ、ＧＰＳ受信機／ナビゲータ、カメラ、ＭＰ３プレーヤ、カムコーダ、ゲームコンソール、腕時計、クロック、計算機、テレビモニタ、フラットパネルディスプレイ、コンピュータモニタ、自動車ディスプレイ（例えば、オドメータディスプレイなど）、コックピットコントロールおよび／またはディスプレイ、カメラビューのディスプレイ（例えば、車両のリアビューカメラのディスプレイ）、電子写真、電子ビルボードまたはサイン、投影器、建築構造、パッケージングおよび美的構造（例えば、一個の宝石上への画像の表示）などの種々の電子デバイス内で、または、それに関連して実施されてもよいことが企図されている。本明細書で述べる構造と類似の構造のＭＥＭＳデバイスはまた、電子スイッチングデバイスなどの非ディスプレイ用途で使用されうる。
【００３５】
本明細書で述べる実施形態は、犠牲材料の除去後に、原子層堆積（ＡＬＤ）によってＭＥＭＳキャビティをライニングする方法を含む。堆積される材料は、すべてのキャビティ表面をコンフォーマルに被覆し、光誘電性層として役立つか、または、前に形成された誘電体内のピンホールをシールする補助誘電体として役立ち、いずれの場合も、所与の絶縁品質のための薄い誘電体をもたらす。材料は、相対的に移動する電極間のスティクションの低減、表面電荷蓄積の低減、機械特性の改善、および／または、電気特性の改善の組合せを示すように選択されうる。別の実施形態では、ＡＬＤ条件は、キャビティに入る開口に近接する領域内にノンコンフォーマル層を優先的に堆積するように選択され、それにより、ＭＥＭＳ電極がキャビティを押し潰すように作動するときに、接触面積、そのため、スティクションが低減される。犠牲材料およびその後のＡＬＤ被覆の除去は、背面板によってＭＥＭＳ基材を組立てる前または組立てた後に実施されうる。
【００３６】
干渉ＭＥＭＳディスプレイ要素を備える１つの干渉変調器ディスプレイの実施形態は、図１に示される。これらのデバイスでは、画素は、明るい状態または暗い状態にある。明るい（「オン」または「オープン」）状態では、ディスプレイ要素は、入射可視光の大部分をユーザに反射する。暗い（「オフ」または「クローズ」）状態にあるとき、ディスプレイ要素は、入射可視光をユーザにほとんど反射しない。実施形態に応じて、「オン」状態の光反射特性と「オフ」状態の光反射特性が逆になってもよい。ＭＥＭＳ画素は、主として選択されたカラーで反射するように構成することができ、白黒に加えてカラー表示が可能になる。
【００３７】
図１は、各画素がＭＥＭＳ干渉変調器を備える視覚ディスプレイの一連の画素内の２つの隣接画素を示す等角図である。一部の実施形態では、干渉変調器ディスプレイは、これらの干渉変調器の行／列アレイを備える。各干渉変調器は、少なくとも１つの可変寸法を有する共振光ギャップを形成するために、互いに可変かつ制御可能な距離で配置された一対の反射層を含む。一実施形態では、反射層の一方は、２つの位置の間で移動してもよい。本明細書で弛緩位置と呼ばれる第１位置では、可動反射層は、固定された部分反射層から比較的遠い距離に配置される。本明細書で作動位置と呼ばれる第２位置では、可動反射層は、部分反射層に密接に隣接して配置される。２つの層から反射する入射光は、可動反射層の位置に応じて強め合う、または弱め合うように干渉し、各画素について全体的な反射状態または非反射状態を生成する。
【００３８】
図１の画素アレイの示す部分は、２つの隣接する干渉変調器１２ａおよび１２ｂを含む。左の干渉変調器１２ａでは、可動反射層１４ａは、部分反射層を含む光スタック１６ａから所定距離の弛緩位置にある状態で示される。右の干渉変調器１２ｂでは、可動反射層１４ｂは、光スタック１６ｂに隣接する作動位置にある状態で示される。
【００３９】
本明細書では、（まとめて光スタック１６と呼ばれる）光スタック１６ａおよび１６ｂは、通常、いくつかの溶融層を備え、溶融層は、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）などの電極層、クロムなどの部分反射層および透明誘電体を含みうる。そのため、光スタック１６は、導電性があり、部分的に透明であり、部分的に反射性があり、例えば上記層の１つまたは複数を透明基材２０上に堆積することによって作製されてもよい。部分反射層は、種々の金属、半導体および誘電体などの部分的に反射性がある種々の材料から形成されうる。部分反射層は、１つまたは複数の材料層で形成され、層はそれぞれ、単一材料または材料の組合せで形成されうる。
【００４０】
一部の実施形態では、光スタック１６の層は、平行ストリップにパターニングされ、以下でさらに述べるように、ディスプレイデバイス内に行電極を形成してもよい。可動反射層１４ａ、１４ｂは、ポスト１８の上部およびポスト１８間に堆積される介在する犠牲材料上に堆積される（１６ａ、１６ｂの行電極に垂直な）１つまたは複数の堆積金属層の一連の平行ストリップとして形成されてもよい。犠牲材料がエッチング除去されると、可動反射層１４ａ、１４ｂは、画定されたギャップ１９によって光スタック１６ａ、１６ｂから分離される。アルミニウムなどの導電性が高くかつ反射が強い材料が、反射層１４のために使用され、これらのストリップは、ディスプレイデバイスの列電極を形成してもよい。
【００４１】
電圧が印加されない場合、ギャップ１９は、可動反射層１４ａと光スタック１６ａとの間にあるままであり、そのとき、可動反射層１４ａは、図１の画素１２ａで示すように、機械的に弛緩状態にある。しかし、選択された行および列に電位差が印加されると、対応する画素の行電極と列電極の交差部に形成されたキャパシタが充電され、静電力が電極を引寄せる。電圧が十分に高い場合、可動反射層１４は、変形し、光スタック１６に押し付けられる。光スタック１６内の誘電性層（図１では図示せず）は、短絡を防止し、図１の右の画素１２ｂで示すように、層１４と１６との間の分離距離を制御することができる。挙動は、印加される電位差の極性によらず同じである。こうして、非反射画素状態に対して反射画素状態を制御しうる行／列作動は、従来のＬＣＤおよび他のディスプレイ技術で使用されるものに多くの点で類似する。
【００４２】
図２〜５Ｂは、ディスプレイ用途において干渉変調器のアレイを使用する１つの例示的なプロセスおよびシステムを示す。
【００４３】
図２は、本発明の態様を組込んでもよい電子デバイスの一実施形態を示すシステムブロック図である。例示的な実施形態では、電子デバイスは、プロセッサ２１を含み、プロセッサ２１は、ＡＲＭ、Ｐｅｎｔｉｕｍ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ  ＩＩ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ  ＩＩＩ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ  ＩＶ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ  Ｐｒｏ（登録商標）、８０５１、ＭＩＰＳ（登録商標）、Ｐｏｗｅｒ  ＰＣ（登録商標）、ＡＬＰＨＡ（登録商標）などの任意の汎用シングルチップまたはマルチチップマイクロプロセッサ、あるいは、デジタル信号プロセッサ、マイクロコントローラまたはプログラマブルゲートアレイなどの任意の専用マイクロプロセッサであってよい。当技術分野で慣例であるように、プロセッサ２１は、１つまたは複数のソフトウェアモジュールを実行するよう構成されてもよい。オペレーティングシステムを実行することに加えて、プロセッサは、ウェブブラウザ、電話アプリケーション、ｅｍａｉｌプログラムまたは任意の他のソフトウェアアプリケーションを含む１つまたは複数のソフトウェアアプリケーションを実行するよう構成されてもよい。
【００４４】
一実施形態では、プロセッサ２１はまた、アレイドライバ２２と通信するよう構成される。一実施形態では、アレイドライバ２２は、ディスプレイアレイまたはパネル３０に信号を供給する行ドライバ回路２４および列ドライバ回路２６を含む。図１に示すアレイの断面は、図２のライン１−１によって示される。ＭＥＭＳ干渉変調器の場合、行／列作動プロトコルは、図３に示すこれらのデバイスのヒステリシス特性を利用してもよい。行／列作動プロトコルは、可動層が弛緩状態から作動状態に変形するようにさせるために、例えば１０ボルト電位差を必要とする可能性がある。しかし、電圧がその値から減少すると、電圧が１０ボルト未満に低下するため、可動層は、その状態を維持する。図３の例示的な実施形態では、可動層は、電圧が２ボルト未満に低下するまで、完全には弛緩しない。そのため、図３に示す例には、約３〜７Ｖの印加電圧の窓が存在し、その窓内で、デバイスは、弛緩状態または作動状態において安定である。これは、本明細書では、「ヒステリシス窓（ｈｙｓｔｅｒｅｓｉｓ  ｗｉｎｄｏｗ）」または「安定性窓（ｓｔａｂｉｌｉｔｙ  ｗｉｎｄｏｗ）」と呼ばれる。図３のヒステリシス特性を有するディスプレイアレイの場合、行／列作動プロトコルは、行ストローブ中に、作動されるはずのストローブされた行の画素は、約１０ボルトの電圧差にさらされ、弛緩されるはずの画素は、ゼロボルトに近い電圧差にさらされるように、設計されうる。ストローブ後、行ストローブが画素をどの状態に置こうとも画素がその状態ままとなるように、画素は、約５ボルトの定常状態電圧差にさらされる。書込まれた後、各画素は、この例では、３〜７ボルトの「安定性窓」内の電位差に遭遇する。この機構は、同じ印加電圧条件下で、図１に示す画素設計を、前から存在する作動または弛緩状態で安定にさせる。干渉変調器の各画素が、作動状態であれ、弛緩状態であれ、本質的に固定反射層と移動反射層によって形成されるキャパシタであるため、この安定状態は、電力消費がほとんどない状態で、ヒステリシス窓内の電圧で保持されうる。本質的に、印加電位が固定される場合、電流は画素内に流れない。
【００４５】
通常の用途では、ディスプレイフレームは、第１行内の作動画素の所望のセットに従って列電極のセットをアサートすることによって作られてもよい。行パルスが、次に、行１電極に印加され、アサートされた列線に相当する画素を作動する。列電極のアサートされたセットは、次に、第２行内の作動画素の所望のセットに対応するように変更される。パルスは、次に、行２電極に印加され、アサートされた列電極に従って行２の適切な画素を作動する。行１画素は、行２パルスによって影響を受けず、行１パルス中にセットされた状態のままとなる。これは、フレームを生成するために、逐次方式で一連の行全体について繰返されてもよい。一般に、フレームは、１秒についてある所望のフレーム数でこのプロセスを連続して繰返すことによって、リフレッシュされ、かつ／または、新しいディスプレイデータによって更新される。ディスプレイフレームを生成するための、画素アレイの行および列電極を駆動するいろいろなプロトコルはまた、よく知られており、本発明と共に使用されてもよい。
【００４６】
図４、５Ａおよび５Ｂは、図２の３×３アレイに関するディスプレイフレームを作るための１つの考えられる作動プロトコルを示す。図４は、図３のヒステリシス曲線を示す画素について使用されてもよい列および行電圧レベルの考えられるセットを示す。図４の実施形態では、画素を作動させることは、適切な列を−Ｖｂｉａｓに、適切な行を＋ΔＶにセットすることを含み、両者は、それぞれ、−５ボルトおよび＋５ボルトに相当してもよい。画素を弛緩させることは、適切な列を＋Ｖｂｉａｓに、適切な行を同じ＋ΔＶにセットすることによって達成され、画素にわたるゼロボルト電位差を生成する。行電圧がゼロボルトに保持されるこれらの行では、列が＋Ｖｂｉａｓであるか、または、−Ｖｂｉａｓであるかによらず、画素は、画素が元々どの状態にあってもその状態で安定である。図４に同様に示すように、上述した電圧と逆極性の電圧が使用されうることが理解されるであろう。例えば、画素を作動させることは、適切な列を＋Ｖｂｉａｓに、適切な行を−ΔＶにセットすることを含みうる。この実施形態では、画素を解除することは、適切な列を−Ｖｂｉａｓに、適切な行を同じ−ΔＶにセットし、画素にわたってゼロボルト電位差を生成することによって達成される。
【００４７】
図５Ｂは、作動画素が非反射性である図５Ａに示すディスプレイ配置構成をもたらすことになる図２の３×３アレイに印加される一連の行および列信号を示すタイミング図である。図５Ａに示すフレームを書込む前に、画素は、任意の状態でありうる。この例では、すべての行が０ボルトであり、すべての列が＋５ボルトである。これらの印加電圧によって、すべての画素が、既存の作動状態または弛緩状態で安定である。
【００４８】
図５Ａのフレームでは、画素（１，１）（１，２）（２，２）（３，２）および（３，３）が作動される。これを達成するために、行１用の「線時間（ｌｉｎｅ  ｔｉｍｅ）」中に、列１および２が−５Ｖにセットされ、列３が＋５ボルトにセットされる。これは、すべての画素が３〜７ボルト安定性窓内にあるままとなるため、いずれの画素の状態も変更しない。行１は、次に、０から５ボルトまで上がり、再びゼロに下がるパルスでストローブされる。これは、（１，１）および（１，２）画素を作動し、（１，３）画素を弛緩させる。アレイ内の他の画素は影響を受けない。行２を所望の状態にセットするために、列２が−５Ｖにセットされ、列１および３が＋５ボルトにセットされる。次に、列２に印加される同じストローブが、画素（２，２）を作動し、画素（２，１）および画素（２，３）を弛緩させることになる。やはり、アレイの他の画素は影響を受けない。行３は、列２および３を−５Ｖにセットし、列１が＋５ボルトにセットすることによって同様にセットされる。行３ストローブは、図５Ａに示すように行３の画素をセットする。フレームを書込んだ後、行電位はゼロであり、列電位は＋５ボルトまたは−５ボルトにあるままとなることができ、ディスプレイは、そのため、図５Ａの配置構成において安定である。同じ手順が、何十または何百もの行および列のアレイについて使用されうることが理解されるであろう。行および列作動を実施するのに使用されるタイミング、シーケンスおよび電圧レベルは、先に概説した一般的な原理内で幅広く変わる可能性があり、上記例は例示に過ぎず、本明細書で述べるシステムおよび方法に関して任意の作動電圧法が使用されうることも理解されるであろう。
【００４９】
図６Ａおよび６Ｂは、ディスプレイデバイス４０の実施形態を示すシステムブロック図である。ディスプレイデバイス４０は、例えば、携帯電話または移動体電話でありうる。しかし、ディスプレイデバイス４０の同じコンポーネントまたはそのわずかの変形もまた、テレビおよび可搬型メディアプレーヤなどの種々のタイプのディスプレイデバイスを示す。
【００５０】
ディスプレイデバイス４０は、ハウジング４１、ディスプレイ３０、アンテナ４３、スピーカ４５、入力デバイス４８およびマイクロフォン４６を含む。ハウジング４１は、一般に、射出成形および真空成形を含む、当業者によく知られている種々の製造プロセスの任意のプロセスから形成される。さらに、ハウジング４１は、限定はしないが、プラスチック、金属、ガラス、ゴムおよびセラミックまたはその組合せを含む種々の材料の任意の材料から作られてもよい。一実施形態では、ハウジング４１は、異なるカラーの他の取外し可能部分と交換されてもよい、または、異なるロゴ、絵またはシンボルを含む取外し可能部分（図示せず）を含む。
【００５１】
例示的なディスプレイデバイス４０のディプレイ３０は、本明細書で述べるように、双安定ディスプレイを含む種々のディスプレイの任意のディスプレイであってよい。他の実施形態では、ディプレイ３０は、上述したように、プラズマ、ＥＬ、ＯＬＥＤ、ＳＴＮ、ＬＣＤまたはＴＦＴ  ＬＣＤなどのフラットパネルディスプレイあるいは当業者によく知られているように、ＣＲＴまたは他の真空管デバイスなどの非フラットパネルディスプレイを含む。しかし、本実施形態を述べる目的で、ディプレイ３０は、本明細書で述べるように、干渉変調器ディスプレイを含む。
【００５２】
例示的なディスプレイデバイス４０の一実施形態のコンポーネントは、図６Ｂに概略的に示される。示す例示的なディスプレイデバイス４０は、ハウジング４１を含み、ハウジング４１内に少なくとも部分的に閉囲されるさらなるコンポーネントを含みうる。例えば、一実施形態では、例示的なディスプレイデバイス４０は、送受信機４７に結合するアンテナ４３を含むネットワークインターフェース２７を含む。送受信機４７は、コンディショニングハードウェア５２に接続されるプロセッサ２１に接続される。コンディショニングハードウェア５２は、信号を調節する（例えば、信号をフィルタリングする）よう構成されてもよい。コンディショニングハードウェア５２は、スピーカ４５およびマイクロフォン４６に接続される。プロセッサ２１はまた、入力デバイス４８およびドライバコントローラ２９に接続される。ドライバコントローラ２９は、フレームバッファ２８およびアレイドライバ２２に結合され、アレイドライバ２２はディスプレイアレイ３０に結合される。電源５０は、特定の例示的なディスプレイデバイス４０の設計による要求に応じてすべてのコンポーネントに電力を供給する。
【００５３】
ネットワークインターフェース２７は、アンテナ４３および送受信機４７を含むため、例示的なディスプレイデバイス４０は、ネットワークを通じて１つまたは複数のデバイスと通信しうる。一実施形態では、ネットワークインターフェース２７はまた、プロセッサ２１の要求を軽減するためのある処理能力を有してもよい。アンテナ４３は、信号を送受信するための、当業者に知られている任意のアンテナである。一実施形態では、アンテナは、ＩＥＥＥ  ８０２．１１（ａ）、（ｂ）または（ｇ）を含むＩＥＥＥ  ８０２．１１規格に従ってＲＦ信号を送受信する。別の実施形態では、アンテナは、ＢＬＵＥＴＯＯＴＨ規格に従ってＲＦ信号を送受信する。携帯電話の場合、アンテナは、ＣＤＭＡ、ＧＳＭ、ＡＭＰＳまたは無線携帯電話ネットワーク内で通信するのに使用される他の知られている信号を受信するよう設計される。送受信機４７は、アンテナ４３から受信される信号が、プロセッサ２１によって受信されるか、または、プロセッサ２１によってさらに操作されるように、信号を前処理する。送受信機４７はまた、プロセッサ２１から受信される信号が、アンテナ４３を介して例示的なディスプレイデバイス４０から送信されるように信号を処理する。
【００５４】
代替の実施形態では、送受信機４７は受信機で置換えられうる。なお別の代替の実施形態では、ネットワークインターフェース２７は、プロセッサ２１に送出される画像データを格納する、または生成しうる画像ソースで置換えられうる。例えば、画像ソースは、画像データを収容するデジタルビデオディスク（ＤＶＤ）またはハードディスクドライブあるいは画像データを生成するソフトウェアモジュールでありうる。
【００５５】
プロセッサ２１は、一般に、例示的なディスプレイデバイス４０の全体の動作を制御する。プロセッサ２１は、ネットワークインターフェース２７または画像ソースから圧縮画像データなどのデータを受信し、データを処理して、未処理画像データに、または、未処理画像データになるように容易に処理されるフォーマットにする。プロセッサ２１は、次に、処理されたデータを、格納のためにドライバコントローラ２９またはフレームバッファ２８に送出する。未処理データは、通常、画像内の各ロケーションにおいて画像特性を識別する情報を指す。例えば、こうした画像特性は、カラー、飽和度およびグレースケールレベルを含みうる。
【００５６】
一実施形態では、プロセッサ２１は、例示的なディスプレイデバイス４０の動作を制御するために、マイクロコントローラ、ＣＰＵまたはロジックユニットを含む。コンディショニングハードウェア５２は、一般に、スピーカ４５に信号を送信し、マイクロフォン４６から信号を受信するための増幅器およびフィルタを含む。コンディショニングハードウェア５２は、例示的なディスプレイデバイス４０内のディスクリートコンポーネントであってよく、または、プロセッサ２１または他のコンポーネント内に組込まれてもよい。
【００５７】
ドライバコントローラ２９は、プロセッサ２１によって生成された未処理画像データを、プロセッサ２１から直接、または、フレームバッファ２８から取得し、未処理画像データを、アレイドライバ２２への高速通信のために適切にリフォ−マットする。具体的には、未処理画像データが、ディスプレイアレイ３０にわたって走査するのに適した時間順序を有するように、ドライバコントローラ２９は、未処理画像データをラスタ様のフォーマットを有するデータフローにリフォーマットする。次に、ドライバコントローラ２９は、フォーマットされた情報をアレイドライバ２２に送出する。ＬＣＤコントローラなどのドライバコントローラ２９は、しばしば、独立型集積回路（ＩＣ）としてシステムプロセッサ２１に連結されるが、こうしたコントローラは、多くの方法で実施されてもよい。コントローラは、ハードウェアとしてプロセッサ２１内に埋めこまれてもよく、ソフトウェアとしてプロセッサ２１内に埋めこまれてもよく、または、ハードウェアでアレイドライバ２２と完全に一体化されてもよい。
【００５８】
通常、アレイドライバ２２は、フォーマットされた情報をドライバコントローラ２９から受信し、ビデオデータをリフォーマットして、ディスプレイの画素のｘ−ｙマトリクスから出てくる何百もの、時として何千ものリード線に対して、１秒当たり多数回印加される波形の並列なセットにする。
【００５９】
一実施形態では、ドライバコントローラ２９、アレイドライバ２２およびディスプレイアレイ３０は、本明細書で述べるタイプのディスプレイの任意のディスプレイにとって適切である。例えば、一実施形態では、ドライバコントローラ２９は、従来のディスプレイコントローラまたは双安定ディスプレイコントローラ（例えば、干渉変調器コントローラ）である。別の実施形態では、アレイドライバ２２は、従来のディスプレイドライバまたは双安定ディスプレイドライバ（例えば、干渉変調器ディスプレイ）である。一実施形態では、ドライバコントローラ２９は、アレイドライバ２２と一体化される。こうした実施形態は、携帯電話、時計および他の小面積ディスプレイなどの高集積システムにおいて一般的である。なお別の実施形態では、ディスプレイアレイ３０は、通常のディスプレイアレイまたは双安定ディスプレイアレイ（例えば、干渉変調器のアレイを含むディスプレイ）である。
【００６０】
入力デバイス４８は、ユーザが例示的なディスプレイデバイス４０の動作を制御することを可能にする。一実施形態では、入力デバイス４８は、ＱＷＥＲＴＹキーボードまたは電話キーパッド、ボタン、スイッチ、タッチ感応スクリーンあるいは圧力感応膜または熱感応膜などのキーパッドを含む。一実施形態では、マイクロフォン４６は、例示的なディスプレイデバイス４０用の入力デバイスである。マイクロフォン４６が、デバイスへの入力データとして使用されるとき、例示的なディスプレイデバイス４０の動作を制御するための音声コマンドが、ユーザによって提供されてもよい。
【００６１】
電源５０は、当技術分野でよく知られているように、種々のエネルギー貯蔵デバイスを含みうる。例えば、一実施形態では、電源５０は、ニッケルカドミウム電池またはリチウムイオン電池などの充電式電池である。別の実施形態では、電源５０は、再生可能なエネルギー源、キャパシタ、または、プラスチック太陽電池および太陽電池ペイントを含む太陽電池である。別の実施形態では、電源５０は、壁コンセントから電力を受取るよう構成される。
【００６２】
一部の実施形態では、上述したように、制御のプログラム可能性は、電子ディスプレイシステム内のいくつかの場所に位置しうるドライバコントローラ内に存在する。一部の実施形態では、制御のプログラム可能性はアレイドライバ２２内に存在する。上述した最適化は、任意の数のハードウェアおよび／またはソフトウェアコンポーネントにおいて、また、種々の構成で実施されてもよいことを当業者は理解するであろう。
【００６３】
上述した原理に従って動作する干渉変調器の構造の詳細は幅広く変わってもよい。例えば、図７Ａ〜７Ｅは、可動反射層１４およびその支持構造の５つの異なる実施形態を示す。図７Ａは、図１の実施形態の断面であり、金属材料のストリップ１４が、垂直に延在する支持体１８上に堆積される。図７Ｂでは、可動反射層１４が、テザー３２上で、角だけで支持体に取付けられる。図７Ｃでは、可動反射層１４が、可撓性金属を含んでもよい変形可能層３４から懸垂保持される。変形可能層３４は、変形可能層３４の外周の周りで直接的にまたは間接的に基材２０に接続される。これらの接続は、連続する壁および／または個々のポストの形態をとりうる。例えば、平行レールは、変形可能層３４の材料の交差する行を支持でき、そのため、レール間のトレンチおよび／またはキャビティ内に画素の列を画定する。各キャビティ内のさらなる支持ポストは、変形可能層３４を強化し、弛緩位置におけるサギングを防止するのに役立つ可能性がある。
【００６４】
図７Ｄに示す実施形態は、変形可能層３４がその上に載置される支持ポストプラグ４２を有する。可動反射層１４は、図７Ａ〜７Ｃの場合と同様に、ギャップを覆って懸垂保持されたままであるが、変形可能層３４は、変形可能層３４と光スタック１６との間の穴を充填することによって支持ポストを形成しない。むしろ、支持ポストは、支持ポストプラグ４２を形成するのに使用される平坦化材料で形成される。図７Ｅに示す実施形態は、図７Ｄに示す実施形態に基づくが、図７Ａ〜７Ｃに示す実施形態のうちの任意の実施形態ならびに示されないさらなる実施形態と共に働くようになっていてもよい。図７Ｅに示す実施形態では、金属または他の導電性材料の追加の層が、バス構造４４を形成するのに使用された。これは、干渉変調器の背面に沿う信号の経路指定を可能にし、普通なら基材２０上に形成されなければならないいくつかの電極をなくす。
【００６５】
図７Ａ〜７Ｅに示すような実施形態では、干渉変調器は、直視デバイスとして機能し、直視デバイスでは、画像が、透明基材２０の前側から観察され、その対向する側には変調器が配列される。これらの実施形態では、反射層１４は、変形可能層３４を含む、基材２０と反対の反射層の側で干渉変調器の複数の部分を光学的に遮蔽する。これは、遮蔽されるエリアが、画質に悪い影響を与えることなく、構成され、動作することを可能にする。こうした遮蔽は、図７Ｅのバス構造４４を可能にし、アドレス指定およびアドレス指定から生じる運動などの、変調器の電気機械特性から変調器の光学特性を分離する能力を提供する。この分離可能な変調器アーキテクチャは、変調器の電気機械的態様および光学的態様のために使用される構造設計および材料が、互いに独立に選択され機能することを可能にする。さらに、図７Ｃ〜７Ｅに示す実施形態は、変形可能層３４によって実施される、反射層１４の機械特性からの反射層１４の光学特性のデカップリングから引出されるさらなる利益を有する。これは、反射層１４のために使用される構造設計および材料が光学特性に関して最適化され、変形可能層３４のために使用される構造設計および材料が所望の機械特性に関して最適化されることを可能にする。
【００６６】
図８Ａは、図７Ｄに示す実施形態と同様の、干渉変調器８００の実施形態の側断面図を示す。示す実施形態を参照して述べるいくつかの特徴はまた、図７Ａ〜７Ｃおよび７Ｅに示す実施形態を含む干渉変調器の他の実施形態ならびに他のタイプのＭＥＭＳデバイスにおいて有用であることを当業者は理解するであろう。
【００６７】
干渉変調器８００は、光スタック８１６の一部分を形成する導電性層８１６ａおよび部分反射層または吸収体８１６ｂがその上に形成される基材８２０を備える。示す実施形態では、画像は、基材８２０を通して観察され、その結果、基材８２０は、好ましくは、示す光デバイスおよび向きについて透明である。変形可能層８３４は、光スタック８１６から離間し、両者の間にギャップまたはキャビティ８１９を画定する。ギャップ８１９を維持する支持構造は、示す実施形態では、基材８２０と変形可能層８３４との間に延在する複数の支持ポストプラグ８４２を備えるが、他の配置構成では、レール、リベットまたは他の構造が、ＭＥＭＳ電極を離して配置するための支持体として役立つであろう。可動反射層またはミラー８１４は、キャビティ８１９内に配設され、変形可能層８３４に固定される。示す実施形態では、可動反射層８１４は、導電性材料を含み、変形可能層に電気結合する。他のＭＥＭＳの実施形態では、可動電極は、反射性がある必要がなく、変形可能層によって形成されてもよいことが理解されるであろう。
【００６８】
第１コンフォーマル層８６０は、キャビティ８１９内で、キャビティ８１９を画定するコンポーネント、例えば、部分反射層８１６ｂ、支持ポストプラグ８４２、可動反射層８１４および変形可能層の内側表面８３４ａを覆って形成される。一部の好ましい実施形態では、第１コンフォーマル層８６０の厚さは実質的に均一である。
【００６９】
第２コンフォーマル層８６２は、変形可能層の外側表面８３４ｂ上に堆積される。示す実施形態では、第１コンフォーマル層８６０および第２コンフォーマル層８６２の厚さは実質的に同じであり、同じ組成を有する。示す実施形態では、第１コンフォーマル層８６０および第２コンフォーマル層８６２は、一緒になって変形可能層８３４および可動反射層８１４をカプセル化する。以下でより詳細に説明されるように、好ましくは、第１コンフォーマル層８６０および第２コンフォーマル層８６２は同時に形成される。
【００７０】
一部の好ましい実施形態では、第１コンフォーマル層８６０は、少なくとも１つの誘電性材料を含む誘電性層である。第２コンフォーマル層８６２は同じ材料を含む。誘電性材料は、当技術分野で知られている任意の適した材料である。デバイス８００が干渉変調器である場合、誘電性材料は、好ましくは、関連する光の波長に対して実質的に透明である。一部の好ましい実施形態では、誘電性材料は、原子層堆積（ＡＬＤ）を使用して堆積可能である材料、例えば、酸化物、窒化物およびその組合せを含む。一部の実施形態では、第１コンフォーマル層８６０は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２、シリカ）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）またはＳｉＯ２とＡｌ２Ｏ３の組合せを含む。一部の実施形態では、第１コンフォーマル層８６０は複数の材料を含む。例えば、一部の実施形態では、第１コンフォーマル層８６０は、誘電性材料の複数のサブ層、例えば、積層構造を備える。サブ層間の界面は急峻である、または段階的である。第１コンフォーマル層８６０および第２コンフォーマル層８６２を形成し、特定の機能について材料を設計製作する方法は、以下でより詳細に説明される。
【００７１】
これらの実施形態では、部分反射層８１６ｂを覆って形成される第１コンフォーマル層の部分８６０ａおよび可動反射層８１４の下側表面８１４ａ上に形成される第１コンフォーマル層の部分８６０ｂは、一緒になって光スタック８１６の誘電性構造を形成し、作動位置において、固定電極８１６ａ／８１６ｂから移動電極８１４を絶縁する。部分８６０ａの厚さおよび部分８６０ｂの厚さが実質的に同じである実施形態では、得られる誘電性構造は、「対称（ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ）」例えば「対称酸化物構造（ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  ｏｘｉｄｅ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）」と呼ばれる。したがって、一部の実施形態では、第１コンフォーマル層８６０の厚さは、同様の単一層誘電性層、例えば、図７Ｄに示す光スタック１６の誘電性層の厚さの約２分の１である。第１コンフォーマル層８６０の厚さは、第１コンフォーマル層８６０の組成、干渉変調器８００によって変調される光の波長、第１コンフォーマル層８６０の所望の機械的特性などを含む因子に依存することを当業者は理解するであろう。一部の実施形態では、第１コンフォーマル層８６０の厚さは、大きくて約１００ｎｍ（約１０００Å）、好ましくは約５０Å〜４００Å、より好ましくは約１００Å〜２５０Åである。
【００７２】
誘電性の第１コンフォーマル層８６０の実施形態は、例えば図７Ｄに示す実施形態の光スタック１６内に単一誘電性層を備える同様のデバイスと比較して、それぞれ光スタック８１６および可動層８１４を覆って形成される第１コンフォーマル層の部分８６０ａと８６０ｂとの間に低減された界面付着またはスティクションを与える。
【００７３】
一般にＭＥＭＳデバイス、特に干渉変調器の性能は、「スティクション（ｓｔｉｃｔｉｏｎ）」として当技術分野で知られる状態によって悪い影響を受ける可能性がある。図１に示すデバイスを参照すると、スティクションによって、可動層１４ｂを弛緩位置に戻すと予想される回復力の存在下で、作動された可動層１４ｂが、光スタック１６ｂに接触したままになる可能性がある。スティクションは、デバイスを作動位置にバイアスさせる付着力の和が、デバイスを弛緩位置に向かってバイアスさせる回復力より大きいときに起こる。回復力は、作動された可動層１４ｂの機械的引張力を含む。表面または界面力は、デバイス寸法が減少するのに伴って相対的に強くなり、回復力は、デバイス寸法が減少するのに伴って相対的に弱くなるため、スティクションは、例えば干渉変調器を含むＭＥＭＳデバイスにおいて、デバイスサイズが減少するのに伴って問題をより大きくする。
【００７４】
付着力は、例えば、毛管力、ファンデルワース相互作用、化学結合および捕捉電荷を含むいくつかのソースから生じると思われる。これらのメカニズムのすべてにおいて、付着力は、相対的に可動なコンポーネント間、例えば、可動層１４ｂと光スタック１６ｂとの間の接触面積が増加するのに伴って増加し、作動位置において、相対的に可動なコンポーネント間の分離が増加するのに伴って減少する。
【００７５】
図８に示す実施形態に戻ると、二酸化ケイ素および／またはアルミナなどの親水性材料の大きな接触面積は、通常、スティクションを減少させるのではなく、増加させると思われている。いかなる理論にも束縛されることなく、干渉変調器の一部の実施形態のスティクションは、キャビティ内に残った製造プロセスの残渣によって少なくとも部分的に引き起こされると思われる。例えば、犠牲材料のリリースエッチを使用してキャビティを形成するとき、エッチングプロセスの不揮発性生成物が、キャビティ内に製造残渣として後に残される。例えば、ＸｅＦ２を使用してモリブデン犠牲層をエッチングするとき、不揮発性生成物は、不揮発性モリブデン含有生成物（例えば、モリブデン酸化物またはモリブデンフッ化物）、不揮発性モリブデン無含有生成物（例えば、犠牲層内の不純物からの）などを含みうる。製造残渣の他のソースは、エッチャントと非犠牲材料との反応、リリースエッチによって露出した非犠牲材料の反応、隣接層の堆積および／またはエッチングにおいて形成される副産物および隣接層間の反応生成物を含む。
【００７６】
ＡＬＤの実施形態は、下地層の輪郭に忠実に追従する層を形成する。したがって、ＡＬＤによって第１コンフォーマル層８６０を形成するとき、ＡＬＤは、露出した基材だけでなく、基材上に堆積した任意の製造残渣も成長させ、それにより、キャビティの露出表面を均等にブランケッティングする（くるむ）。キャビティをブランケッティングするとき、第１コンフォーマル層８６０は、これらの製造残渣を覆い、それにより、製造残渣によるスティクションへの寄与をなくす。一部の実施形態では、第１コンフォーマル層８６０の組成は、デバイス８００が作動位置にあるときに接触する、第１コンフォーマル層８６０の（光スタック８１６を覆って形成された）部分８６０ａと（可動反射体８１４を覆って形成された）部分８６０ｂとの間の粘着によるスティクションへの寄与を減少させるように選択される。
【００７７】
一部の実施形態はまた、単一誘電性層を備える同様なデバイス、例えば、図７Ｄに示す実施形態と比較して、光スタック８１６における表面電荷蓄積の減少を示す。表面電荷は、誘電性層のトラップにおいて、特に、誘電性層の表面でまたは表面の近くで蓄積すると思われる。これらのトラップの一部は、内在性であり、例えば、誘電性層の堆積中に形成される。誘電性層における内在性トラップの集中は、堆積法および堆積される特定の誘電性材料を含む複数の因子に依存する。他のトラップは、外在性であり、例えば、誘電性層に対する損傷によって形成されるか、または、製造残渣である。
【００７８】
デバイス８００の実施形態は、内在性トラップおよび／または外在性トラップから生じる表面電荷蓄積を減少させると思われる。例えば、一部の実施形態では、内在性トラップの数は、以下でより詳細に説明されるように、原子層堆積（ＡＬＤ）によって第１コンフォーマル層８６０を形成することによって減少し、良好な絶縁特性を有する高品質誘電性フィルムを提供する。ＡＬＤ用の適した誘電性材料の例は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２およびその組合せを含む。先に説明したように、一部の実施形態では、第１コンフォーマル層８６０は、干渉変調器８００を製造するときの最後のステップの１つであるリリースエッチ後に形成される。これらの実施形態では、第１コンフォーマル層８６０が製造プロセスの最後の近くで形成されるため、第１コンフォーマル層８６０に対する損傷が減少し、それにより、外在性トラップの数が減少する。
【００７９】
さらに、先に説明したように、一部の実施形態では、第１コンフォーマル層８６０および第２コンフォーマル層８６２は、変形可能層８３４をカプセル化する。一部の実施形態では、変形可能層８３４の機械的特性および／または電気的特性は、カプセル化する第１コンフォーマル層８６０および第２コンフォーマル層８６２によって修正される。例えば、一部の実施形態では、特に第１コンフォーマル層８６０および第２コンフォーマル層８６２が比較的肉厚である、例えば、少なくとも約５０Åか、少なくとも約１００Åか、少なくとも約１５０Åまたは少なくとも約２００Åであるとき、変形可能層８３４の構造的完全性が改善される。これらの実施形態の一部における改善された機械的完全性は、変形可能層８３４の改善された電気的完全性を提供する。一部の実施形態はさらに、広い温度範囲にわたる動作性を示す。例えば、誘電性材料を含む第１コンフォーマル層８６０および第２コンフォーマル層８６２によってカプセル化される金属変形可能層８３４を備える実施形態では、カプセル化される変形可能層８３４の実効熱膨張係数は、同様のカプセル化されない変形可能層より低い。この低い熱膨張係数は、広い温度範囲にわたるＭＥＭＳ８００の安定な動作を可能にする。
【００８０】
干渉変調器９００の別の実施形態は、図９の側断面図に示される。干渉変調器９００は、図８Ａに示す実施形態８００ならびに図７Ｄに示す実施形態と同様である。特徴の一部はまた、例えば、図７Ａ〜７Ｃおよび７Ｅに示す実施形態と同様の構造を有する他の実施形態において有用であることを当業者は理解するであろう。示す実施形態では、デバイス９００は基材９２０を備え、基材９２０上に、導電性層９１６ａ、部分反射層９１６ｂおよび主誘電性層９１６ｃを備える光スタック９１６が形成される。図８Ａの実施形態の場合と同様に、光スタック９１６は、ＭＥＭＳデバイスの下側固定電極を表す。複数の支持ポストプラグ９４２を備えるものとして示される支持構造は、光スタック９１６から延在し、変形可能層９３４を支持する。光スタック９１６および変形可能層９３４は、キャビティ９１９を画定し、キャビティ９１９内に、変形可能層９３４に固定される、ＭＥＭＳデバイス用の可動電極を表す可動反射層９１４が配設される。
【００８１】
第１コンフォーマル層９６０は、キャビティ９１９内で、誘電性層９１６ｃ、支持ポストプラグ９４２、変形可能層９３４の内側表面および可動反射層９１４のアクセス可能表面を含む、キャビティを画定する表面を覆って形成される。第２コンフォーマル層９６２は、変形可能層９３４の外側表面を覆って形成される。一部の実施形態では、第１コンフォーマル層９６０および第２コンフォーマル層９６２は、図８Ａに示す実施形態の第１コンフォーマル層８６０および第２コンフォーマル層８６２と同じ材料を含む。一部の好ましい実施形態では、第１コンフォーマル層９６０の厚さは実質的に均一である。一部の実施形態では、第２コンフォーマル層９６２の厚さは、第１コンフォーマル層９６０の厚さと実質的に同じである。第１コンフォーマル層９６０および第２コンフォーマル層９６２がＡＬＤによって形成される実施形態では、層の厚さは、ＡＬＤによって堆積される少なくとも単層膜のおよその厚さ（約３〜５Å）である。より好ましくは、第１コンフォーマル層９６０の厚さは、少なくとも約１０Åまたは少なくとも約８０Åである。この実施形態における光誘電性システムは、誘電性層９１６ｃならびに第１コンフォーマル層９６０の２つの層を備えるため、これらの層の厚さは、所望の光学特性を提供するように選択される。望ましくは、以下で述べるプロセスによって形成される層の品質は、光誘電性システムの総合厚さが、動作中に電極を絶縁するために依然として機能しながら、約１００ｎｍ（１０００Å）未満であることを可能にする。
【００８２】
第１コンフォーマル層９６０が誘電性材料を含む実施形態では、主誘電性層９１６ｃを覆って形成される第１コンフォーマル層の部分９６０ａ、可動反射層９１４の下側表面を覆って形成される第１コンフォーマル層の部分９６０ｂおよび誘電性層９１６ｃは、一緒になって誘電性システムを形成する。図８Ａに示すデバイス８００の実施形態について先に説明したように、一部の実施形態では、誘電性システムの総合厚さは、第１コンフォーマル層９６０および誘電性層９１６ｃの組成、干渉変調器９００によって変調される光の波長、第１コンフォーマル層９６０および誘電性層９１６ｃの所望の機械的特性などに依存する。一部の実施形態では、第１コンフォーマル層９６０は、比較的薄く、誘電性システムの光学特性に実質的に影響を及ぼさない。これらの実施形態では、誘電性システムの光学特性は、誘電性層９１６ｃによって支配される。
【００８３】
一部の好ましい実施形態では、第１コンフォーマル層９６０は、先に説明したように、例えば、製造残渣を覆う、またはシールすることによって、スティクション低減層として働く。一部の実施形態では、第１コンフォーマル層、特に、部分９６０ａは、誘電性層９１６ｃ内の欠陥をキャップする、充填する、覆う、かつ／または、シールすることによって誘電性層９１６ｃを補修する、または、強化する。欠陥は、通常の堆積技法（ＣＶＤ、ＰＶＤ）を使用してデバイス９００を作製するときに誘電性層９１６ｃ内に形成されることが多く、例えば、ピンホール、割れ、ディボット（くぼみ）などを含む。一部の実施形態では、欠陥は、例えば、リリースエッチにおける、かつ／または、熱サイクリングによる機械的応力に誘電性層９１６ｃをさらすプロセスにおいて形成される。例えば、下地層の望ましくないエッチングから生じるこうした欠陥は、デバイス９００の電気的特性および／または機械的特性に影響を及ぼす可能性がある。場合によっては、欠陥は、デバイス故障をもたらす可能性がある。第１コンフォーマル層９６０は、ピンホールをシールし、それにより、ピンホールをより生じやすいより薄い誘電性層９１６ｃの使用を可能にする。先に説明したように、一部の実施形態では、第１コンフォーマル層９６０は比較的薄い。
【００８４】
図１０Ａは、図７Ｄに示す実施形態と同様の干渉変調器１０００のアレイの部分平面図を示す。干渉変調器１０００は、変形可能層１０３４、可動反射層１０１４および支持ポストプラグ１０４２を備える。同様に、図１０Ａには、変形可能層１０３４内に形成された複数のエッチホール１０７０が示される。一部の実施形態では、エッチホール１０７０は、以下でより詳細に説明されるように、干渉変調器１０００の製造時に気相エッチャントと犠牲材料との接触を可能にする。図８Ａおよび９の実施形態はまた、変形可能層内に同様のエッチホールを有するＭＥＭＳデバイスのアレイの一部を形成することが理解されるであろう。エッチホールは図８Ａおよび９では見えない。それは、断面が、例えば図１０ＡのセクションＡ−Ａに類似の、いずれのエッチホールにも交差しないセクションに沿って切取られるからである。
【００８５】
図１０Ｂは、干渉変調器１０００の図１０ＡのセクションＢ−Ｂに沿って切取った側断面を示す。上述した変形可能層１０３４、可動反射層１０１４およびエッチホール１０７０が示される。干渉変調器１０００はまた、両方とも先により詳細に述べられている基材１０２０および基材１０２０上に形成された光スタック１０１６を備える。キャビティ１０１９は、光スタック１０１６および変形可能層１０３４によって画定される。
【００８６】
同様に、エッチホール１０７０から正反対にあるキャビティ１０１９内の基材または光スタック上のロケーション１０７２が示される。これらのロケーション１０７２は、干渉変調器の外側の環境に直接さらされる。それぞれの各ロケーション１０７２の中心にはバンプ１０６０があり、バンプ１０６０は、外側環境により多くさらされる（例えば、エッチホール１０７０に近い）領域では厚く、外側環境により少なくさらされる（例えば、エッチホール１０７０からより遠い）領域では薄い。示す実施形態では、バンプ１０６０は、互いに分離され、不連続なノンコンフォーマル層を形成する。他の実施形態では、バンプ１０６０は、一体化し、光スタック１０１６上で不均一厚さの実質的に連続なノンコンフォーマル層を形成する。他の実施形態では、ノンコンフォーマル層１０６０は、連続フィーチャと分離フィーチャの両方を備える。得られるキャビティ１０１９内で、ノンコンフォーマル層１０６０および誘電性層１０１６ｃの任意の露出領域によって画定される底面は、可動反射層１０１４の下側表面１０１４ａと平行でない。
【００８７】
示す実施形態では、変形可能層１０３４および可動反射層１０１４の露出部分はまた、アイランド１０６０の材料の層１０６２を備える。一部の実施形態では、バンプの材料はまた、デバイス１０００の他の部分、例えば、可動反射層の下側表面１０１４ａおよび／または変形可能層１０３４と可動反射層１０１４との間のエリアを覆って、部分的にまたは完全に配設される。
【００８８】
図１１は、図８Ａに示す実施形態を参照して干渉変調器を作製する方法１１００の実施形態を示すフローチャートである。方法１１００は、他の設計の干渉変調器およびＭＥＭＳデバイス、例えば、図９、１０Ａおよび１０Ｂに示す実施形態を作製するのに適することを当業者は理解するであろう。以下で述べる実施形態は、例えば、米国特許公報第２００４／００５１９２９Ａ１号に記載されるように、図７Ａ〜７Ｅに示す実施形態の製造において使用される方法と同様である。以下で述べる説明は、いくつかの詳細、例えば、当技術分野でよく知られているマスキングステップ、パターニングステップ、エッチングステップなどを省略することを当業者は理解するであろう。さらなる構造、例えば、エッチストップ、リフトオフ層などもまた、当業者に明らかになるように、一部の実施形態で使用される。
【００８９】
ステップ１１１０にて、未リリースの干渉変調器が製造される。図８Ａに示すように干渉変調器を製造する一部の実施形態では、第１ステップにて、導電性層８１６ａ、部分反射層８１６ｂ、第１犠牲層８８０および反射層８１４が、基材８２０上に連続して堆積されて、図８Ｂに示す構造が設けられる。次に、反射層８１４が、マスクされエッチングされて、可動反射層８１４が設けられ、第２犠牲層８８２が可動反射層８１４を覆って形成され、得られる構造が、マスクされエッチングされて、図８Ｃに示す構造が設けられる。エッチングは、示す実施形態において、基材８２０まで延在する開口８４２ａ、および、可動反射層８１４まで延在する開口８８４を生成する。開口８４２ａは、充填されて、支持プラグポスト８４２が形成され、変形可能層８３４が、支持プラグポスト８４２、第２犠牲層８８２および開口８８４によって露出した可動反射層８１４の部分を覆って堆積されて、図８Ｄに示す構造が設けられる。
【００９０】
図９に示す実施形態の作製では、従来のパラグラフで挙げたプロセスに加えて、第１犠牲層を堆積する前に、誘電性層９１６ｃが、部分反射層９１６ｂを覆って形成される。
【００９１】
ステップ１１２０にて、第１犠牲層８８０および第２犠牲層８８２が、１つまたは複数のエッチ化学物質を使用してエッチング除去され、キャビティ８１９を形成し、それにより、可動反射層８１４および変形可能層８３４をリリースして、図８Ｅに示す構造が設けられる。ステップ１１２０における犠牲層のエッチングは、本明細書では「リリースエッチ（ｒｅｌｅａｓｅ  ｅｔｃｈ）」とも呼ばれる。
【００９２】
好ましい実施形態では、エッチャントは、気相エッチャントであり、エッチング生成物もまた気相状態である。例えば、一部の好ましい実施形態では、エッチャントはＸｅＦ２であり、ＸｅＦ２は、大気温度においてかなりの蒸気圧（２５℃で約３．８ｔｏｒｒ、０．５ｋＰａ）を有する固体である。気相エッチャントは、例えば１０７０として図１０Ａおよび１０Ｂに示すように、エッチホールを通して犠牲層に接触する。
【００９３】
犠牲層を構成する材料は、犠牲材料（複数可）が構造材料を覆って選択的にエッチングされるように、デバイス８００の構造材料および／または非犠牲材料と共に選択されることを当業者は理解するであろう。リリースエッチにおいてエッチャントとしてＸｅＦ２を使用する実施形態では、犠牲材料は、シリコン、ゲルマニウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、タンタル、ニオビウム、モリブデン、タングステン、ならびに、その混合物、その合金およびその組合せの少なくとも１つ、好ましくは、モリブデン、タングステン、シリコン、ゲルマニウムまたはシリコン／モリブデンを含む。一部の実施形態では、犠牲層は、有機化合物、例えば、フォトレジストなどのポリマーを含む。一部の実施形態では、犠牲層は単一層を備える。他の実施形態では、犠牲層は複数の層を備える。適した構造材料は当技術分野で知られている。エッチャントがＸｅＦ２を含む場合、適した構造材料は、ＸｅＦ２によるエッチングに抗し、例えば、シリカ、アルミナ、酸化物、窒化物、ポリマー、アルミニウム、ニッケルなどを含む。図８Ａに示す実施形態では、部分反射層８１６ａは、リリースエッチにおいてエッチングの程度がかなり低い材料、例えば、エッチャントがＸｅＦ２である場合、クロムを含む。
【００９４】
ステップ１１３０にて、図８Ａに示す実施形態では、第１コンフォーマル層８６０がキャビティ８１９内に形成される。好ましい実施形態では、第１コンフォーマル層８６０は、原子層堆積（ＡＬＤ）によって形成される。ＡＬＤは、デバイス８００のすべての露出表面上にフィルムを堆積させる。したがって、第１コンフォーマル層８６０と第２コンフォーマル層８６２は共に、同じプロセスで形成されて、図８Ａに示す構造が設けられる。ＡＬＤの実施形態は、光学的品質および／または電気的品質の高いフィルムの堆積を可能にする。
【００９５】
簡潔に言えば、ＡＬＤによって堆積される、または、成長する材料の層またはフィルムは、表面と、少なくとも第１前駆体ガスおよび第２反応性ガスのパルスとの間の逐次反応によって、１回につきその材料の１つの分子層が形成される。第１前駆体ガスは、ＡＬＤにより堆積した材料の第１要素のソースであり、また、第２反応性ガスは、ＡＬＤにより堆積した材料の第２要素のソースであるか、または、さらなる反応のために、表面が直前のパルスによって残されるように調製しうる。通常のプロセスでは、第１前駆体ガスのパルスは、第１前駆体ガスがそれと反応する（例えば、化学吸着する）官能基を含む表面に接触し、それにより、第１要素を含む第１表面層を形成する。第１表面層は、第１前駆体ガスに自己不動態化する。その結果、過剰の第１前駆体ガスは、第１表面層と反応せず（例えば、化学吸着層は、単層膜を超えたさらなる化学吸着を防止するリガンドを含む）、したがって、反応は自己制限的である。過剰の第１前駆体ガスは、その後、通常パージされる。第１表面層は、次に、第２反応性ガスのパルスに接触し、第２反応性ガスのパルスと反応して、第２反応性ガスとそれ以上反応しない第２表面層が形成される。その結果、このステップもまた自己制限的である。過剰の第２反応性ガスは、次に、通常パージされる。しかし、第２表面層は第１前駆体ガスに関して反応性がある。その結果、表面を第１前駆体ガスおよび第２反応性ガスと逐次接触させることは、ユーザが、所望の厚さの層を堆積させることを可能にする。堆積の自己制限を、１サイクルにつき１つ未満の単層膜に保つために、反応体は、一時的なパルス印加およびパージング、または、パルスとパルスとの間における過剰の反応体および副産物（複数可）の他の除去によって分離されたままにされる。
【００９６】
ＡＬＤの実施形態は、層が、各堆積サイクルにおいて堆積材料の分子層以下の厚さだけ成長するため、堆積層の厚さの精密な制御を可能にする。例えば、Ａｌ２Ｏ３の単層膜は、約３〜５Å厚であり、一部の実施形態では、各堆積サイクルにおいて約１Å厚のサブ単層膜として成長する。ＡＬＤの実施形態は、堆積エリアにわたって厚さの均一性、例えば、多くて約１％の変動を示す。一部の実施形態は、表面フィーチャの１００％ステップカバレッジ（ＳＣ）を示す。堆積層の組成は、異なる反応体の定期的な置換または添加によって制御可能であり、ラミネート層および／または複合層の製造を可能にする。ＡＬＤの実施形態は、低温で、例えば、約８０〜５００℃で、より通常約１００〜４００℃で、しばしば約３５０℃未満で実施される。
【００９７】
先に説明したように、デバイス８００が干渉変調器である実施形態では、第１コンフォーマル層の誘電性層８６０ａおよび８６０ｂは、光スタックの誘電性構造を形成する。その結果、これらの実施形態では、第１コンフォーマル層８６０は、適した光学特性、例えば、かなりの透明性を有する材料を含む。誘電性材料の一部の好ましい実施形態が、酸化物、例えば、二酸化ケイ素および／または酸化アルミニウムであるため、光スタックの誘電体は、「光酸化物（ｏｐｔｉｃａｌ  ｏｘｉｄｅ）」とも呼ばれる。ＡＬＤによって形成できる、適した光酸化物、例えば、酸化物および／または窒化物、好ましくは、二酸化ケイ素、酸化アルミニウムまたはその組合せは、当技術分野で知られている。
【００９８】
ＡＬＤによって酸化アルミニウムを堆積するための適した条件は、当技術分野で知られており、表面を、アルミニウムソースガスのパルスに接触させ、それに続いて、酸素ソースガスのパルスに接触させることを含む。一部の実施形態では、酸化アルミニウムは、前駆体ガスとしてトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を、また、反応性ガスとして水（Ｈ２Ｏ）およびオゾン（Ｏ３）の少なくとも一方を使用するＡＬＤによって堆積される。他の適したソースガスが当技術分野で知られている。
【００９９】
二酸化ケイ素のＡＬＤでは、表面は、シリコンソースガスのパルスに接触させられ、それに続いて、酸素ソースガスに接触させられる。ソースガスの適した組合せは、トリメチルシランおよびＯ３／Ｏ２、ＳｉＨ２Ｃｌ２およびＯ３、ＳｉＣｌ４およびＨ２Ｏ２ならびにＣＨ３ＯＳｉ（ＮＣＯ）３およびＨ２Ｏ２を含む。当技術分野で知られているＡＬＤによってＳｉＯ２を堆積するための他の条件は、他の実施形態で使用される。
【０１００】
一部の実施形態では、光酸化物は、当技術分野で知られている、適したアルミニウムソースガスおよびシリコンソースガス、例えば、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）およびトリス（ｔ−ブトキシ）シラノールを使用する、例えば触媒ＡＬＤによって堆積されるコンフォーマルＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３をラミネート構造または多層構造含む。
【０１０１】
デバイスが、光変調器でない、例えば、電気機械スイッチタイプのＭＥＭＳデバイスまたは他の容量性ＭＥＭＳデバイスである実施形態では、第１コンフォーマル層は透明である必要はない。したがって、第１コンフォーマル層の組成は、当技術分野で知られている他の特性、例えば、界面付着性、誘電率（例えば、高ｋまたは低ｋ材料）、堆積の容易性などに基づいて選択されうる。
【０１０２】
先に説明したように、図８Ａに示す実施形態は、電極８１６（光スタック）および８１４（可動反射層）上に同じ厚さの誘電性層８６０ａおよび８６０ｂを有する対称酸化物構造を備える。対称酸化物構造を備えるデバイスの実施形態は、対称酸化物構造を備えない同様のデバイス、例えば、誘電性層が、光スタック１６上に形成される単一層である図７Ｄに示す実施形態と比べて、小さなオフセット電圧を示す。「オフセット電圧（ｏｆｆｓｅｔ  ｖｏｌｔａｇｅ）」は、例えば図３に示すように、デバイスについてのヒステリシス曲線の実際の中心と、理想的なデバイスについてのヒステリシス曲線の中心である０Ｖとの差（すなわち「オフセット」）である。一部の実施形態では、ドライバ（２２、図２）は、アレイ内の干渉変調器のオフセットを補償する。しかし場合によっては、アレイ内の干渉変調器のすべての間での補償が可能でない可能性がある。対称酸化物構造を備える干渉変調器８００のアレイの実施形態は、オフセット電圧の変動の減少を示し、それにより、補償の必要性を簡素化するまたは減少させる。一部の好ましい例では、オフセット電圧は約０Ｖであり、容量性ＭＥＭＳデバイスにおいて有利である。
【０１０３】
デバイス８００が光変調器である一部の実施形態では、可動反射層８１４の反射率は、可動反射層８１４を覆って形成されるコンフォーマル層の部分８６０ｂによって約５％だけ減少し、その値は、多くの用途で許容可能である。
【０１０４】
さらに、図８Ａ〜８Ｅについての示すプロセスフローは、光スタック１６内に誘電性層１６ｃを備える図７Ｄに示す干渉変調器を作製する同様のプロセスより効率的であり、パターニングされない誘電体８６０だけが形成されるため、少なくとも１つのマスキングステップが節約される。
【０１０５】
先に説明したように、図９に示すデバイス９００の実施形態では、第１コンフォーマル層９６０は、図８に示すデバイスの第１コンフォーマル層８６０より薄い。図８のデバイスでは、第１コンフォーマル層８６０は、唯一の光誘電体として役立つ。図９のデバイスの一部の実施形態では、第１コンフォーマル層９６０は、光誘電性システム内のコンポーネントとして誘電性層９１６ｃを補助する。
【０１０６】
他の実施形態では、ステップ１１３０にて形成される層は、コンフォーマル層ではなく、例えば、図１０Ｂに示すバンプまたはノンコンフォーマル層１０６０である。一部の好ましい実施形態では、アイランドまたは層１０６０はＡＬＤによって形成される。一部の実施形態では、ＡＬＤパルス印加は、例えば、デバイス１０００と第１前駆体ガスおよび／または第２反応性ガスとの接触を制限することによって、コンフォーマリティ（飽和）が達成される前に中断され、それにより、枯渇効果を利用することによってノンコンフォーマル層１０６０が形成される。例えば、バンプまたは層１０６０がＡｌ２Ｏ３である一部の実施形態では、デバイス１０００は、アルミニウムソースガスと接触し、それにより、外側表面上でエッチホール１０７０の近くのデバイス１０００の表面１０７２上にアルミニウムソースガスの単層膜が形成される。過剰のアルミニウムソースガスが除去された後、デバイスは、酸素ソースガスと接触する。酸素ソースガスは、最初に、ガスが最もアクセスしやすい表面において、例えば、変形可能層１０３４および可動反射層１０１４の露出表面上でアルミニウムソースガス単層膜と反応し、それにより、Ａｌ２Ｏ３層１０６２が形成される。エッチホール１０７０に近接する基材または光スタック上のロケーション１０７２はまた、比較的アクセスしやすく、その結果、酸素ソースガスとアルミニウムソースガス単層膜との反応がノンコンフォーマルＡｌ２Ｏ３層またはバンプ１０６０を形成する。酸素ソースガスは、キャビティ１０１９の他のエリア内のアルミニウムソースガス単層膜またはサブ単層膜との反応が、例えば、パージングによって、かつ／または、排気によって、減少する、かつ／または、無視できるように制御される。他の実施形態では、アルミニウムソースガスが制限するものである。
【０１０７】
一部の実施形態では、ＡＬＤ反応が「ソフト飽和（ｓｏｆｔ  ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ）」を示し、それにより、層１０６０の所望の幾何形状が提供される「非理想的」ＡＬＤが実施される。例えば、一部の実施形態では、アルミニウムソースガスは、表面上で「ソフト飽和」を示す。ソフト飽和は、表面上に形成される単層膜が、最初は均一ではないが、時間と共に均一になることを意味する。したがって、一部の実施形態では、アルミニウムソースガス単層膜は、アルミニウムソースガス単層膜が均一に達する前に酸素ソースガスに接触する。非理想的ＡＬＤは、他のタイプの層を堆積するのに使用されうることを当業者は理解するであろう。例えば、シリコンソースガスはまた、場合によっては、ソフト飽和を示す。非理想的ＡＬＤは、異なる構造および／または幾何形状を有するデバイスに適用可能であることも当業者は理解するであろう。
【０１０８】
図８Ａに示す実施形態では、第２コンフォーマル層８６２は、変形可能層８３４を覆う。変形可能層８３４はまた、示す実施形態では電気信号を運ぶため、変形可能層８３４上に電気接触パッドが設けられ、電気接触パッドはまた、おそらくステップ１１３０にて第２コンフォーマル層によって覆われる。一部の実施形態では、接触パッドは、ステップ１１３０にて、ＡＬＤの前にマスクされる。接触パッドは、次に、例えばパッドを保護するマスクのリフトオフによって、接触パッドに電気結合するために露出される。適したマスク、例えば、フォトレジストが、当技術分野で知られている。一部の実施形態では、変形可能層８３４全体がマスクされ、第２コンフォーマル層８６２全体が除去される。
【０１０９】
一部の実施形態では、第２コンフォーマル層８６２（図８Ａ）、層１０６２（図１０Ｂ）および特に層９６２（図９）は、非常に薄いため、従来のボンディングプロセス、例えば、ワイヤボンディングまたははんだ接合は、接触パッドとリード線との間の電気結合を可能にするのに十分に層を貫通する。
【０１１０】
一部の実施形態では、接触パッドを覆って配設される第２コンフォーマル層８６２の少なくとも一部分は、任意の適したエッチングプロセスを使用してエッチングされる。ＳｉＯ２とＡｌ２Ｏ３の両方について適したエッチャントは、ドライ（蒸気）またはウェット（水性）のＨＦである。他の適したエッチングプロセスは、ドライエッチング、例えば、プラズマエッチングを含む。第２コンフォーマル層８６２は、マスクされるか、またはマスクされない。好ましい実施形態では、エッチャントが、液体組成物として、接触パッド上の第２コンフォーマル層８６２に直接適用され、それにより、第２コンフォーマル層８６２の所望の部分だけがエッチングされる。一部の実施形態では、液体エッチング組成物が、ディッピングまたはワイピングによって第２コンフォーマル層８６２に適用される。一部の実施形態では、デバイス８００がパッケージングされた後にエッチャントが適用され、ＭＥＭＳデバイスのアレイが、シールされた背面板によってエッチャントから保護され、一方、接触パッドがシールの外側で露出する。
【０１１１】
ステップ１１４０にて、干渉変調器は、通常干渉変調器のアレイ内の要素としてパッケージングされる。図１２Ａの断面に示すパッケージングされたデバイス１２００の実施形態は、基材１２２０上に形成された干渉変調器１２１２のアレイ１２０２を備える。背面板１２０４は、アレイ１２０２の上に配置される。アレイ１２０２の周りを囲むシール１２０６は、基材１２２０と背面板１２０４との間に延在し、基材１２２０と背面板１２０４は、一緒になって、内部にアレイ１２０２を閉囲する容積（空間）１２０８を画定する。一部の実施形態では、デシカント１２９０が、容積１２０８内に配設される。図１２Ｂは、背面板が除去された状態のパッケージングされたデバイス１２００の平面図であり、基材１２２０、干渉変調器１２１２のアレイ１２０２およびシール１２０６の例示的な配置構成を示す。パッケージングの実施形態は、アレイ１２０２を物理的損傷から保護する。一部の実施形態では、パッケージングは、未知の物質または物体、例えば、埃、水および／または水蒸気の侵入を防止する密閉または半密閉を形成する。
【０１１２】
背面板１２０４の実施形態は、部分的にまたは全体が不透明か、半透明か、かつ／または、透明である。好ましい実施形態では、背面板１２０４は、揮発性化合物を生成または放出しない材料を含む。好ましくは、背面板１２０４は、液体および水蒸気に対して実質的に不透過性である。一部の実施形態では、背面板１２０４は、空気および／または他のガスに対して実質的に不透過性である。背面板１２０４用の適した材料は、例えば、金属、鋼、ステンレス鋼、真鍮、チタン、マグネシウム、アルミニウム、ポリマー樹脂、エポキシ、ポリアミド、ポリアルケン、ポリエステル、ポリスルフォン、ポリエーテル、ポリカーボネート、ポリエーテルアミド、ポリスチレン、ポリウレタン、ポリアクリレート、パリレン、セラミック、ガラス、シリカ、アルミナ、ならびに、その混合物、そのコポリマー、その合金、その複合物および／またはその組合せを含む。適した複合材料の例は、Ｖｉｔｅｘ  Ｓｙｓｔｅｍｓ（カルフォルニア州、サンホセ（Ｓａｎ  Ｊｏｓｅ、ＣＡ））から入手可能な複合フィルムを含む。一部の実施形態では、背面板１２０４は、さらに、強化材、例えば繊維および／または織物、例えば、ガラス、金属、炭素、ボロン、カーボンナノチューブなどを含む。
【０１１３】
一部の実施形態では、背面板１２０４は、実質的に剛性または可撓性であり、例えば、箔またはフィルムである。一部の実施形態では、背面板１２０４は、ステップ１１４０にて、パッケージ構造の組立前にかつ／または組立中に所定の構成に変形される。背面板１２０４の厚さは、材料（複数可）の特性およびその形状を含む因子に依存することになることを当業者は理解するであろう。一部の実施形態では、背面板の厚さは、約０．１ｍｍ〜約５ｍｍ、好ましくは約０．２ｍｍ〜約２ｍｍである。
【０１１４】
示す実施形態では、シール１２０６は、背面板１２０４を基材１２２０に固定する。一部の実施形態では、シール１２０６は、揮発性化合物、例えば、炭化水素、酸、アミンなどを生成または放出しない。一部の実施形態では、シール１２０６は、液体および／または水蒸気に対して部分的にまたは実質的に不透過性であり、密閉または半密閉を形成する。好ましい実施形態では、シール１２０６は、基材１２２０および背面板１２０４に適合する１つまたは複数の接着剤を含む。１つまたは複数の接着剤は、任意の適した方法で適用され硬化される当技術分野で知られている任意の適したタイプである。一部の実施形態では、接着剤の１つまたは複数は、圧力感応性がある。
【０１１５】
シール１２０６は、任意の適した材料、例えば、ポリマー樹脂、エポキシ、ポリアミド、ポリアルケン、ポリエステル、ポリスルフォン、ポリスチレン、ポリウレタン、ポリアクリレート、シアノアクリレート、アクリルエポキシ、シリコーン、ゴム、ポリイソブチレン、ネオプレン、ポリイソプレン、スチレン−ブタジエン、パリレン、ＵＶ硬化性接着剤、放射硬化性接着剤、フォトレジスト、ならびに、その混合物、そのコポリマー、その合金および／またはその複合物を含む。
【０１１６】
一部の実施形態では、シールは、約５０μｍ厚より薄い、例えば約１０μｍ〜約３０μｍ厚である。一部の実施形態では、シールは、約０．５ｍｍ〜約５ｍｍ厚、例えば、約１ｍｍ〜約２ｍｍ厚である。
【０１１７】
一部の実施形態では、ステップ１１４０のパッケージングは、図１１に示すように、ステップ１１３０にて第１コンフォーマル層８６０または９６０を形成した後に実施される。他の実施形態では、パッケージングステップは、ステップ１１２０のリリースエッチの前で、かつ、ＡＬＤ層を形成する前に実施される。パッケージング後にＡＬＤ層を形成するとき、層は、パッケージングプロセス中に形成された残渣、例えば、接着性シールを硬化させるときに形成される残渣を覆って形成され、それにより、これらの残渣に起因するスティクションの成分が低減されると思われる。
【０１１８】
これらの実施形態の一部では、シール１２０６は２つのステージで形成される。第１ステージは、図１２Ｃに示すように、１つまたは複数の開口１２０６ａを備えるシール１２０６を形成することを含む。開口１２０６ａは、ガスまたは蒸気がパッケージ１２００に入り、それにより、干渉変調器１２１２に接触することを可能にすると共に、ガスまたは蒸気がパッケージ１２００を出ることを可能にする。一部の実施形態では、開口１２０６ａはまた、圧力が、パッケージの内部と外部との間で等しくなることを可能にする。一部の実施形態では、例えば、図８Ｄに示すように、未リリース干渉変調器を備えるアレイ１２０２は、ステップ１１４０にてパッケージングされ、その後、ステップ１１２０にて、リリースエッチが実施され、気相エッチャントが干渉変調器１２１２に接触し、気相エッチング生成物が、開口１２０６ａを通して除去される。同様に、ステップ１１３０にて、プロセスガスが、開口１２０６ａを通してリリースされた光変調器にアクセスし、任意の気相側生成物が、開口１２０６ａを通して除去される。一部の実施形態で、アレイ１２０２は、例えば図１２Ｃに示す構成を使用して、ステップ１１２０のリリースエッチ後でかつステップ１１３０にて第１コンフォーマル層を形成する前に、ステップ１１４０にてパッケージングされることを当業者は理解するであろう。
【０１１９】
開口１２０６ａは、当技術分野で知られている任意の手段によって形成される。例えば、一部の実施形態では、シール１２０６は、基材１２２０および／または背面板１２０４上に形成され、その後、シール１２０６の１つまたは複数の部分が、例えば、物理的に（例えば、機械加工、グラインディング、アブレーディング、ブラスティング、カッティング、ドリリング、ボアリング、メルティング、アブレーティングなど）かつ／または化学的に（例えば、エッチング、溶解、バーニングオフ）除去される。他の実施形態では、開口１２０６ａおよびシール１２０６は、例えばパターニングによって、基材１２２０および／または背面板１２０４上に同時に形成される。他の実施形態では、シール１２０６は、基材１２２０および／または背面板１２０４に固定される予備成形コンポーネントを備え、それにより、開口１２０６ａが形成される。
【０１２０】
これらの実施形態の一部では、開口１２０６ａは、干渉変調器１２１２の作製が終了した後、例えば、リリースエッチおよびＡＬＤ被覆後に第２ステージで、シール１２０６と同じまたは異なる材料を使用して充填される。一部の実施形態では、充填材１２０６ｂは、実質的に開口１２０６ａ内に配設されて、図１２Ｄに示す構造が設けられる。他の実施形態では、充填材１２０６ｂは、例えば図１２Ｅに示すように、開口１２０６ａをシールするが、開口１２０６ａを充填せず、充填材１２０６ｂは、シール１２０６の外周の少なくとも一部分の周りに配設される。他の実施形態では、充填材１２０６ｂは、例えば図１２Ｆに示すように、シール１２０６の外周の少なくとも一部分の周りに配設されると共に、開口１２０６ａを少なくとも部分的に充填する。
【０１２１】
充填材１２０６ｂは、任意の適した方法で適用される。一部の実施形態では、充填材１２０６ｂは、未硬化状態で適用され、例えば照射、熱硬化、化学的硬化、ＵＶ照射、電子ビーム照射、その組合せおよび同様なものによって所定場所で硬化される。例えば、一部の好ましい実施形態では、充填材１２０６ｂは未硬化ポリマーを含む。好ましくは、未硬化ポリマーは、流体状態で、例えば、液体、ゲル、ペーストなどとして適用される。他の実施形態では、充填材１２０６ｂは硬化しない。例えば、一部の実施形態では、充填材は、熱収縮性材料、例えば、サーモプラスチック、ポリオレフィン、フルオロポリマー、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ネオプレン、シリコーンエラストマ、フルオロポリマーエラストマ（例えば、Ｖｉｔｏｎ（登録商標））などを含む。
【０１２２】
いかなる理論にも束縛されることなく、ＭＥＭＳデバイスの実施形態、例えば、干渉変調器で観測されるスティクションの少なくとも一部分は、製造プロセスで形成されるか、または後に残った、残渣または他の汚染物質、例えば、エッチング残渣から生じると思われる。これらの残渣は、可動部分間の界面付着を増加させると思われる。例えば、図７Ｄに示す実施形態では、リリースエッチは、キャビティ１９内に、特に、可動反射層１４と光スタック１６との間にエッチング残渣を残し、それにより、これらのコンポーネント間でのスティクションがもたらされると思われる。対照的に、図８Ａ〜８Ｅに示す実施形態では、リリースエッチ１１２０は、図８Ｅに示すリリースされたデバイス８００を提供する。スティクション誘発残渣は、おそらく、可動反射層の下側表面８１４ａおよび／または部分反射層８１６ｂ上に残される。ステップ１１３０にて、任意のエッチング残渣を含むキャビティ８１９全体が、第１コンフォーマル層８６０によって覆われ、それにより、スティクションに対するエッチング残渣の寄与がなくなる。
【０１２３】
図９に示すデバイスは、同様のメカニズムによってスティクションの低減を提供すると思われる。同様のメカニズムはまた、実質的に連続なノンコンフォーマル層１０６０を備える図１０Ｂに示すデバイスにおいてうまく働くと思われる。
【０１２４】
図１０Ｂに示すデバイス１０００においてうまく働くと思われる別のメカニズムは、ノンコンフォーマル層および／またはバンプ１０６０が、誘電性層１０１６ｃと可動反射層１０１４との間の接触面積を減少させ、それにより、スティクションが低減されるというものである。凹凸のあるまたは非平行な表面がスティクションの低減を示すと思われる。図１０Ｃは、可動反射層の縁部１０１４ｂがノンコンフォーマル層１０６０に接触し、可動反射層１０１４が、誘電性層１０１６ｃに実質的に接触しない、作動位置におけるデバイス１０００を示す。得られるキャビティ１０１９は、図１０Ｂに示す実施形態のキャビティ１０１９と比較して小さい。図１０Ｄに示す実施形態では、可動反射層１０１４は、縁部１０１４ｂでノンコンフォーマル層および／またはバンプ１０６０に接触する。示す実施形態では、可動反射層１０１４は撓み、それにより、可動反射層の中心部分１０１４ｃを誘電性層１０１６ｃに接触させる。示す位置では、可動反射層１０１４は、張力下の板ばねと同様である。したがって、回復力は、例えば図１０Ｃに示すように、その平面構成に戻るように可動反射層１０１４を付勢する傾向があり、それにより、可動反射層の中心部分１０１４ｃと誘電性層１０１６ｃとの間の付着を妨げる。
【０１２５】
上述した装置および製造プロセスの変更、例えば、コンポーネントおよび／またはステップを追加することおよび／または取り除くこと、あるいは／または、その順序を変更することが可能であることを当業者は理解するであろう。さらに、本明細書で述べる方法、構造およびシステムは、他のタイプのＭＥＭＳデバイス、例えば、他のタイプの光変調器を含む、他の電子デバイスを作製するのに有用である。
【０１２６】
さらに、先に詳述した説明は、種々の実施形態に適用されるものとして本発明の新規の特徴を示し、述べ、指摘してきたが、示すデバイスまたはプロセスの形態および詳細における種々の省略、置換および変更が、本発明の精神から逸脱することなく、当業者によって行われてもよいことが理解されるであろう。認識されるように、本発明は、一部の特徴が他の特徴と別々に使用または実施されてもよいため、本明細書で述べる特徴および利益のすべてを提供するわけではない形態内で具現化されてもよい。
【符号の説明】
【０１２７】
１２ａ、１２ｂ、８００、９００、１０００、１２１２  干渉変調器
１４、１４ａ、１４ｂ、８１４、９１４、１０１４  可動反射層（金属材料のストリップ）
１６、１６ａ、１６ｂ、８１６、９１６、１０１６  光スタック
１８  ポスト（支持体）
１９、８１９、９１９、１０１９  キャビティ（ギャップ）
２０、８２０、９２０、１０２０  透明基材
２１  プロセッサ
２２  アレイドライバ
２４  行ドライバ回路
２６  列ドライバ回路
２７  ネットワークインターフェース
２８  フレームバッファ
２９  ドライバコントローラ
３０  ディスプレイアレイ
３２  テザー
３４  変形可能層
４０  ディスプレイデバイス
４１  ハウジング
４２、８４２、９４２、１０４２  支持ポストプラグ
４３  アンテナ
４４  バス構造
４５  スピーカ
４６  マイクロフォン
４７  送受信機
４８  入力デバイス
５０  電源
５２  コンディショニングハードウェア
８１６ａ、９１６ａ  導電性層
８１６ｂ、９１６ｂ  部分反射層
８３４、９３４、１０３４  変形可能層
８６０、９６０  第１コンフォーマル層
８６２、９６２  第２コンフォーマル層
８３４ａ  変形可能層８３４の内側表面
８３４ｂ  変形可能層の外側表面
８６０ａ、８６０ｂ、９６０ａ、９６０ｂ  第１コンフォーマル層の部分
９１６ｃ  主誘電性層
１０１４ａ  可動反射層の下側表面
１０６０  バンプ
１０７０  エッチホール
１０７２  光スタック上のロケーション
１２００  パッケージ
１２０２  未リリース干渉変調器を備えるアレイ
１２０４  背面板
１２０６  シール
１２０６ａ  シールの開口
１２０６ｂ  充填材
１２２０  基材
【図１】
2010524010.tif 000003
【図２】
2010524010.tif 000004
【図３】
2010524010.tif 000005
【図４】
2010524010.tif 000006
【図５Ａ】
2010524010.tif 000007
【図５Ｂ】
2010524010.tif 000008
【図６Ａ】
2010524010.tif 000009
【図６Ｂ】
2010524010.tif 000010
【図７Ａ】
2010524010.tif 000011
【図７Ｂ】
2010524010.tif 000012
【図７Ｃ】
2010524010.tif 000013
【図７Ｄ】
2010524010.tif 000014
【図７Ｅ】
2010524010.tif 000015
【図８Ａ】
2010524010.tif 000016
【図８Ｂ】
2010524010.tif 000017
【図８Ｃ】
2010524010.tif 000018
【図８Ｄ】
2010524010.tif 000019
【図８Ｅ】
2010524010.tif 000020
【図９】
2010524010.tif 000021
【図１０Ａ】
2010524010.tif 000022
【図１０Ｂ】
2010524010.tif 000023
【図１０Ｃ】
2010524010.tif 000024
【図１０Ｄ】
2010524010.tif 000025
【図１１】
2010524010.tif 000026
【図１２Ａ】
2010524010.tif 000027
【図１２Ｂ】
2010524010.tif 000028
【図１２Ｃ】
2010524010.tif 000029
【図１２Ｄ】
2010524010.tif 000030
【図１２Ｅ】
2010524010.tif 000031
【図１２Ｆ】
2010524010.tif 000032
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月21日(2009.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光干渉変調器を形成する方法において、
光干渉変調器内にキャビティを形成するステップであって、
前記キャビティは主誘電性層と第２層によって画定され、
前記第２層は、反射性があり、前記主誘電性層に対して可動である、ステップと、
前記キャビティを形成した後に、原子層堆積（ＡＬＤ）によって前記キャビティ内に光誘電性層の一部として補助誘電性層を形成するステップであって、前記補助誘電性層は、前記キャビティ内で、前記主誘電性層および前記第２層のそれぞれを覆って少なくとも約１０Åの厚さを有し、かつ、所望の光学特性を提供するように選択され、前記光誘電性層の総合厚さは、前記補助誘電性層および前記主誘電性層の厚さに依存する、ステップとを含む方法。
【請求項２】
前記補助誘電性層を形成するステップは、光酸化物層の少なくとも一部を形成するステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記補助誘電性層を形成するステップは、Ａｌ２Ｏ３およびＳｉＯ２の少なくとも一方を形成するステップを含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記補助誘電性層を形成するステップは、複数のサブ層を形成するステップを含む請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記補助誘電性層を形成するステップは、約３５０℃未満の温度で前記光酸化物層の少なくとも一部を形成するステップを含む請求項２に記載の方法。
【請求項６】
ＡＬＤによって前記補助誘電性層を形成するステップは、前記キャビティ内に光酸化物材料の第１コンフォーマル層を形成するステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記キャビティを画定する前記主誘電性層の一部分を覆って形成される前記第１コンフォーマル層の厚さは、前記キャビティを画定する前記第２層の一部分を覆って形成される前記第１コンフォーマル層の厚さに実質的に等しい請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記キャビティを画定する前記主誘電性層の一部分を覆って形成される前記第１コンフォーマル層の厚さは約５０Å〜約４００Åである請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記キャビティを形成した後に前記第２層の表面上に光誘電性材料層を形成するステップをさらに含み、前記第２層の前記表面は前記キャビティの外側にある請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
ＡＬＤによって前記補助誘電性層を形成するステップは、前記主誘電性層内の少なくとも１つのピンホールをシールするステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記補助誘電性層および前記主誘電性層の２つの層を含む前記光誘電性層の総合厚さは約１００ｎｍ未満である請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
ＡＬＤによって前記補助誘電性層を形成するステップは、前記主誘電性層上に配設された製造残渣を覆って光酸化物層の少なくとも一部を形成するステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記干渉変調器の周りを囲み、少なくとも１つの開口を備えるシールを形成すること、および、
背面板を前記シールに固定し、それにより、前記光干渉変調器をパッケージングすること
を含む方法によって、前記う誘電性層を形成する前に、前記光干渉変調器をパッケージングするステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記光誘電性層の少なくとも一部を形成した後に、前記シール内の前記少なくとも１つの開口を充填するステップをさらに含む請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
請求項１に記載の方法によって形成される光干渉変調器。
【請求項１６】
前記光干渉変調器は、微小電気機械システムデバイスのアレイの要素である請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記第２層内に複数の開口を形成するステップをさらに含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
請求項１６に記載の方法によって製造される微小電気機械システムデバイス。
【請求項１９】
主誘電性層と、
前記主誘電性層に対して可動な反射層と、
前記主誘電性層および前記反射層によって画定されるキャビティと、
前記キャビティ内の光誘電性層の一部としての補助誘電性層であって、前記キャビティ内で、前記主誘電性層および前記反射層のそれぞれを覆って少なくとも約１０Åの厚さを有し、前記光誘電性層の総合厚さは、前記補助誘電性層および前記主誘電性層の厚さに依存する、補助誘電性層と
を備える干渉変調器。
【請求項２０】
前記反射層に結合した変形可能層をさらに備える請求項１９に記載の干渉変調器。
【請求項２１】
前記補助誘電性層の少なくとも一部はＳｉＯ２およびＡｌ２Ｏ３の少なくとも一方を含む請求項１９に記載の干渉変調器。
【請求項２２】
前記補助誘電性層の厚さは約５０Å〜約４００Åである請求項１９に記載の干渉変調器。
【請求項２３】
前記干渉変調器の周りを囲むシールと、
前記シールに固定された背面板とをさらに備える請求項１９に記載の干渉変調器のアレイを備えるディスプレイ。
【請求項２４】
うを備えるディスプレイと、
前記ディスプレイと通信するよう構成され、画像データを処理するよう構成されるプロセッサと、
前記プロセッサと通信するよう構成されるメモリデバイスとを備える装置。
【請求項２５】
少なくとも１つの信号を前記ディスプレイに送出するよう構成されるドライバ回路をさらに備える請求項２４に記載の装置。
【請求項２６】
前記画像データの少なくとも一部分を前記ドライバ回路に送出するよう構成されるコントローラをさらに備える請求項２５に記載の装置。
【請求項２７】
前記画像データを前記プロセッサに送出するよう構成される画像ソースモジュールをさらに備える請求項２４に記載の装置。
【請求項２８】
前記画像ソースモジュールは、受信機、送受信機および送信機の少なくとも１つを備える請求項２７に記載の装置。
【請求項２９】
入力データを受信し、前記入力データを前記プロセッサに通信するよう構成される入力デバイスをさらに備える請求項２４に記載の装置。
【請求項３０】
第１面を備える基材と、
第１面および第２面を備える変形可能層と、
前記基材の前記第１面および前記変形可能層の前記第１面によって画定される対向面を備える可変サイズのキャビティと、
前記変形可能層内の複数の開口と、
前記変形可能層内の前記開口から対向する前記基材の前記第１面上の複数のロケーションと、
前記基材の前記第１面ならびに前記変形可能層の前記第１面および前記第２面の少なくとも一部分を覆って形成される前記キャビティ内の不均一誘電性層であって、前記変形可能層内の前記開口から対向する前記基材の前記第１面上の前記複数のロケーションに対しては、前記基材の前記第１面上の別のロケーションに対するよりも肉厚である不均一誘電性層と
を備える微小電気機械システムデバイス。
【請求項３１】
前記キャビティ内に配設され、前記変形可能層に固定された可動導体をさらに備え、
前記可動導体は、前記基材に近接する表面を備え、
前記誘電性層の一部分は、前記基材に近接する前記可動導体の前記表面を覆って形成される請求項３０に記載の微小電気機械システムデバイス。
【請求項３２】
干渉変調器を製造する方法であって、
部分反射体を備える第１層を覆って犠牲層を形成するステップと、
前記犠牲層を覆って可動反射層を形成するステップと、
前記犠牲層をエッチング除去し、それにより、前記第１層および前記可動反射層によって画定される対向面を備える光干渉キャビティを形成するステップと、
原子層堆積によって前記キャビティ内に光誘電性層を堆積するステップであって、前記光誘電性層は、前記部分反射体および前記可動反射層の少なくとも一部に直接接触する、ステップとを含む方法。
【請求項３３】
前記犠牲層をエッチング除去するステップは、前記犠牲層をＸｅＦ２に接触させるステップを含む請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
犠牲層を形成するステップは、モリブデン、ゲルマニウム、アモルファスシリコンの少なくとも１つを含む層を形成するステップを含む請求項３２に記載の方法。
【請求項３５】
犠牲層を形成するステップは、複数のサブ層を備える層を形成するステップを含む請求項３２に記載の方法。
【請求項３６】
前記可動反射層の周りを囲んで前記第１層上に、少なくとも１つの開口を備えるシールを形成するステップと、
背面板を前記シールに固定するステップとをさらに含み、
前記シールを形成するステップと前記背面板を固定するステップは、前記キャビティ内に前記光誘導性層を堆積する前に実施される請求項３２に記載の方法。
【請求項３７】
請求項３２に記載の方法によって製造される干渉変調器。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月16日(2009.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光干渉変調器を形成する方法において、
光干渉変調器内にキャビティを形成するステップであって、
前記キャビティは主誘電性層と第２層によって画定され、
前記第２層は、反射性があり、前記主誘電性層に対して可動である、ステップと、
前記キャビティを形成した後に、原子層堆積（ＡＬＤ）によって前記キャビティ内に光誘電性層の一部として補助誘電性層を形成するステップであって、前記補助誘電性層は、前記キャビティ内で、前記主誘電性層および前記第２層のそれぞれを覆って少なくとも約１０Åの厚さを有し、前記光誘電性層の総合厚さは、前記補助誘電性層および前記主誘電性層の厚さに依存する、ステップとを含む方法。
【請求項２】
前記補助誘電性層を形成するステップは、光酸化物層の少なくとも一部を形成するステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記補助誘電性層を形成するステップは、Ａｌ２Ｏ３およびＳｉＯ２の少なくとも一方を形成するステップを含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記補助誘電性層を形成するステップは、複数のサブ層を形成するステップを含む請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記補助誘電性層を形成するステップは、約３５０℃未満の温度で前記光酸化物層の少なくとも一部を形成するステップを含む請求項２に記載の方法。
【請求項６】
ＡＬＤによって前記補助誘電性層を形成するステップは、前記キャビティ内に光酸化物材料の第１コンフォーマル層を形成するステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記キャビティを画定する前記主誘電性層の一部分を覆って形成される前記第１コンフォーマル層の厚さは、前記キャビティを画定する前記第２層の一部分を覆って形成される前記第１コンフォーマル層の厚さに実質的に等しい請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記キャビティを画定する前記主誘電性層の一部分を覆って形成される前記第１コンフォーマル層の厚さは約５０Å〜約４００Åである請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記キャビティを形成した後に前記第２層の表面上に光誘電性材料層を形成するステップをさらに含み、前記第２層の前記表面は前記キャビティの外側にある請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
ＡＬＤによって前記補助誘電性層を形成するステップは、前記主誘電性層内の少なくとも１つのピンホールをシールするステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記補助誘電性層および前記主誘電性層を含む前記光誘電性層の総合厚さは約１００ｎｍ未満である請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
ＡＬＤによって前記補助誘電性層を形成するステップは、前記主誘電性層上に配設された製造残渣を覆って光酸化物層の少なくとも一部を形成するステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記干渉変調器の周りを囲み、少なくとも１つの開口を備えるシールを形成すること、および、
背面板を前記シールに固定し、それにより、前記干渉変調器をパッケージングすること
を含む方法によって、前記補助誘電性層を形成する前に、前記光干渉変調器をパッケージングするステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記補助誘電性層を形成した後に、前記シール内の前記少なくとも１つの開口を充填するステップをさらに含む請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
請求項１に記載の方法によって形成される光干渉変調器。
【請求項１６】
前記光干渉変調器は、微小電気機械システムデバイスのアレイの要素である請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記第２層内に複数の開口を形成するステップをさらに含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
請求項１６に記載の方法によって製造される微小電気機械システムデバイス。
【請求項１９】
主誘電性層と、
前記主誘電性層に対して可動な反射層と、
前記主誘電性層および前記反射層によって画定されるキャビティと、
前記キャビティ内の光誘電性層の一部としての補助誘電性層であって、前記キャビティ内で、前記主誘電性層および前記反射層のそれぞれを覆って少なくとも約１０Åの厚さを有し、前記光誘電性層の総合厚さは、前記補助誘電性層および前記主誘電性層の厚さに依存する、補助誘電性層と
を備える干渉変調器。
【請求項２０】
前記反射層に結合した変形可能層をさらに備える請求項１９に記載の干渉変調器。
【請求項２１】
前記補助誘電性層の少なくとも一部はＳｉＯ２およびＡｌ２Ｏ３の少なくとも一方を含む請求項１９に記載の干渉変調器。
【請求項２２】
前記補助誘電性層の厚さは約５０Å〜約４００Åである請求項１９に記載の干渉変調器。
【請求項２３】
前記干渉変調器の周りを囲むシールと、
前記シールに固定された背面板とをさらに備える請求項１９に記載の干渉変調器のアレイを備えるディスプレイ。
【請求項２４】
請求項２３に記載の干渉変調器のアレイを備えるディスプレイと、
前記ディスプレイと通信するよう構成され、画像データを処理するよう構成されるプロセッサと、
前記プロセッサと通信するよう構成されるメモリデバイスとを備える装置。
【請求項２５】
少なくとも１つの信号を前記ディスプレイに送出するよう構成されるドライバ回路をさらに備える請求項２４に記載の装置。
【請求項２６】
前記画像データの少なくとも一部分を前記ドライバ回路に送出するよう構成されるコントローラをさらに備える請求項２５に記載の装置。
【請求項２７】
前記画像データを前記プロセッサに送出するよう構成される画像ソースモジュールをさらに備える請求項２４に記載の装置。
【請求項２８】
前記画像ソースモジュールは、受信機、送受信機および送信機の少なくとも１つを備える請求項２７に記載の装置。
【請求項２９】
入力データを受信し、前記入力データを前記プロセッサに通信するよう構成される入力デバイスをさらに備える請求項２４に記載の装置。
【請求項３０】
第１面を備える基材と、
第１面および第２面を備える変形可能層と、
前記基材の前記第１面および前記変形可能層の前記第１面によって画定される対向面を備える可変サイズのキャビティと、
前記変形可能層内の複数の開口と、
前記変形可能層内の前記開口から対向する前記基材の前記第１面上の複数のロケーションと、
前記基材の前記第１面ならびに前記変形可能層の前記第１面および前記第２面の少なくとも一部分を覆って形成される前記キャビティ内の不均一誘電性層であって、前記変形可能層内の前記開口から対向する前記基材の前記第１面上の前記複数のロケーションに対しては、前記基材の前記第１面上の別のロケーションに対するよりも肉厚である不均一誘電性層と
を備える微小電気機械システムデバイス。
【請求項３１】
前記キャビティ内に配設され、前記変形可能層に固定された可動導体をさらに備え、
前記可動導体は、前記基材に近接する表面を備え、
前記誘電性層の一部分は、前記基材に近接する前記可動導体の前記表面を覆って形成される請求項３０に記載の微小電気機械システムデバイス。
【請求項３２】
干渉変調器を製造する方法であって、
部分反射体を備える第１層を覆って犠牲層を形成するステップと、
前記犠牲層を覆って可動反射層を形成するステップと、
前記犠牲層をエッチング除去し、それにより、前記第１層および前記可動反射層によって画定される対向面を備える光干渉キャビティを形成するステップと、
原子層堆積によって前記キャビティ内に誘電性層を堆積するステップであって、前記誘電性層は、前記部分反射体および前記可動反射層の少なくとも一部に直接接触する、ステップとを含む方法。
【請求項３３】
前記犠牲層をエッチング除去するステップは、前記犠牲層をＸｅＦ２に接触させるステップを含む請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
犠牲層を形成するステップは、モリブデン、ゲルマニウム、アモルファスシリコンの少なくとも１つを含む層を形成するステップを含む請求項３２に記載の方法。
【請求項３５】
犠牲層を形成するステップは、複数のサブ層を備える層を形成するステップを含む請求項３２に記載の方法。
【請求項３６】
前記可動反射層の周りを囲んで前記第１層上に、少なくとも１つの開口を備えるシールを形成するステップと、
背面板を前記シールに固定するステップとをさらに含み、
前記シールを形成するステップと前記背面板を固定するステップは、前記キャビティ内に前記誘導性層を堆積する前に実施される請求項３２に記載の方法。
【請求項３７】
請求項３２に記載の方法によって製造される干渉変調器。
【国際調査報告】
2010524010.tif 000033
2010524010.tif 000034
2010524010.tif 000035