(57)【要約】  回転ディスク化学気相成長反応システムにおいてウェハ上に材料層を均一に堆積するシステムおよび方法が提供され、１つ以上の基材の表面を回転軸にほぼ垂直に維持し、該回転軸に沿って上流方向に面したまま、該１つ以上の基材（１３８）が軸（１０６）を中心にキャリア（１０４）で回転される。回転時に、第１のガスが、第１のセットのガス入口（１７０）から該１つ以上の基材に向かう下流方向に放出される。第２のガスが、少なくとも１つの可動ガスインジェクタ（１０８）から該１つ以上の基材に向かう下流方向に放出され、該少なくとも１つの可動ガス入口が、回転軸に対する半径方向の運動成分によって移動される。
2010533377.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上の基材を処理する方法であって、
（ａ）基材の表面を回転軸に垂直に維持し、前記回転軸に沿って上流方向に面したまま、前記回転軸を中心に前記基材を回転させるステップと、
（ｂ）前記回転させるステップ時に、少なくとも１つの第１の可動ガス入口から前記基材に向かう下流方向の運動成分によって第１のガスを放出するステップと、
（ｃ）前記放出するステップ時に、前記回転軸に対する半径方向の運動成分によって前記少なくとも１つの第１の可動ガス入口を移動させるステップと
を含んでなる方法。
【請求項２】
少なくとも１つの固定ガス入口から前記基材に向かう下流方向の運動成分によって前記第１のガスを放出するステップであって、前記少なくとも１つの固定ガス入口から放出された前記第１のガスが前記基材の反応に加わり、前記反応の速度は不均一性を有し、前記第１の可動ガス入口の移動速度および前記第１の可動ガス入口を介する前記第１のガスの流れは、前記第１の可動ガス入口から放出された前記第１のガスが前記不均一性を打ち消すように選択されるステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の可動ガス入口の前記移動速度と前記第１の可動ガス入口を介する前記第１のガスの前記流束のうちの少なくとも１つが、前記第１の可動ガス入口の、前記軸からの半径距離によって変化する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記少なくとも１つの第１の可動ガス入口からの前記第１のガス流がパルス変調される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
少なくとも１つの固定ガス入口から前記第１のガスを放出するステップが、前記回転軸から異なる半径距離で複数の領域に配置されている複数の第１の固定ガス入口を介して前記第１のガスを放出する工程を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
第２のガスが前記第１のガスとの反応に加わるように、１セットの第２のガス入口から前記基材に向かう下流方向の運動成分によって前記第２のガスを放出するステップをさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記反応が化学気相成長反応である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第１のガスが１つ以上の有機金属化合物を含み、前記第２のガスがＶ族元素の１つ以上の水素化物を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記移動させるステップが、前記少なくとも１つの第１の可動ガス入口を線形に移動させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記線形移動が前記回転軸と半径方向に整列される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記線形移動が前記回転軸を介して延びるものである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記移動させるステップが、前記少なくとも１つの第１の可動ガス入口を第２の軸を中心にアーク状に移動させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記アークが前記回転軸と整列される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記アーク移動が前記回転軸を介して延びるものである、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記移動させるステップが、前記少なくとも１つの第１の可動ガス入口を２つの反対方向に移動させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１の可動ガス入口に隣接する別のガス入口から前記基材に向かう下流方向の運動成分によってガスを放出し、前記第１の可動ガス入口に伴って移動するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記別のガス入口が、前記少なくとも１つの第１の可動ガス入口と同軸である、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
第２の可動ガス入口から前記基材に向かう下流方向の運動成分によって第２のガスを放出し、前記回転軸に対する半径方向の運動成分によって前記第２の可動ガス入口を移動させるステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記第２の可動ガス入口が、前記少なくとも１つの第１の可動ガス入口に伴って移動する、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記第２の可動ガス入口が、前記少なくとも１つの第１の可動ガス入口の移動経路と整列された経路を移動する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
少なくとも１つの固定ガス入口から前記基材に向かう下流方向の運動成分によって前記第１のガスを放出するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
前記少なくとも１つの第１の可動ガス入口の前記第１のガス流の放出方向を変化させるステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
光学信号が前記基材の前記表面から反射されるように前記光学信号を前記基材の前記表面に方向づけるステップと、前記反射された光学信号を検出するステップであって、前記光学信号経路が前記少なくとも１つの第１の可動ガス入口の前記移動に伴って移動するステップと、前記基材の成長速度、前記基材の組成、前記基材の絶対反射率のうちの少なくとも１つを前記検出された反射光学信号の関数として算出するステップとをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２４】
反応チャンバと、回転軸を中心に回転可能な前記チャンバ内の基材キャリアとを有する回転ディスクガス処理反応器用のインジェクタヘッドであって、
（ａ）中心軸を有する本体であって、該中心軸が前記基材キャリアの前記回転軸と一致する、前記反応チャンバに搭載されている本体と、
（ｂ）前記キャリアに向かう下流方向の運動成分によって第１のガスを放出する少なくとも１つの第１の可動ガス入口であって、前記中心軸に対する運動成分によって前記本体に対して移動可能である少なくとも１つの第１の可動ガス入口と
を備えてなる、インジェクタヘッド。
【請求項２５】
前記本体の固定位置に搭載され、前記中心軸から異なる半径距離の複数の領域に配列された複数の第１の固定ガス入口をさらに備える、請求項２４に記載のインジェクタヘッド。
【請求項２６】
第１のガスの複数のソースをさらに備え、前記ソースの各々は、前記領域のうちの１つの前記第１の固定ガス入口に接続されており、前記ソースが独立して制御可能であり、前記第１のガスのさらなる制御可能なソースが前記第１の可動ガス入口に接続されている、請求項２５に記載のインジェクタヘッド。
【請求項２７】
前記本体の固定位置に搭載され、前記中心軸から異なる半径距離の複数の領域に配列された複数の第２の固定ガス入口をさらに備える、請求項２６に記載のインジェクタヘッド。
【請求項２８】
前記少なくとも１つの第１の可動ガス入口を移動させるドライブをさらに備える、請求項２４に記載のインジェクタヘッド。
【請求項２９】
前記キャリアに向かう下流方向の運動成分によってガスを放出する別のガス入口をさらに備え、前記第１の可動ガス入口が前記別のガス入口から放出される前記ガス内にある、請求項２４に記載のインジェクタヘッド。
【請求項３０】
前記少なくとも１つの第１の可動ガス入口が前記本体に対して線形に移動可能である、請求項２４に記載のインジェクタヘッド。
【請求項３１】
前記少なくとも１つの可動ガス入口付近にあり、前記少なくとも１つの第１の可動ガス入口に機械的に結合された、前記少なくとも１つの第１の可動ガス入口の前記移動に伴って移動する別のガス入口をさらに備える、請求項２４に記載のインジェクタヘッド。
【請求項３２】
前記別のガス入口が前記少なくとも１つの第１の可動ガス入口を取り囲んでいる、請求項２４に記載のインジェクタヘッド。
【請求項３３】
前記基材に向かう下流方向の運動成分によってガスを放出する第２の可動ガス入口をさらに備える、請求項２４に記載のインジェクタヘッド。
【請求項３４】
前記少なくとも１つの第１の可動ガス入口の第１のガス流の放出方向を変更する機構を備える、請求項２４に記載のインジェクタヘッド。
【請求項３５】
前記基材の前記表面から反射された光を方向づけるように整列された反射器と、前記反射器によって反射された前記光を検出するように整列された光学センサとをさらに備え、前記反射器が、前記少なくとも１つの第１の可動ガス入口の前記移動に伴って移動するものである、請求項２４に記載のインジェクタヘッド。
【請求項３６】
前記基材の成長速度と、前記基材の組成と、前記基材の絶対反射率とからなる群より選択されるパラメータを算出する回路であって、前記光学センサにリンクされている回路をさらに備える、請求項３５に記載のインジェクタヘッド。
【請求項３７】
１つ以上の基材を処理する回転ディスクガス反応器であって、請求項２４から請求項３６のいずれかに記載のインジェクタヘッドを備えており、
（ａ）反応チャンバと、
（ｂ）前記インジェクタヘッドの前記中心軸と一致する回転軸を中心に回転する、前記チャンバ内に搭載されたキャリアであって、１つ以上の基材を担持するキャリアと、
（ｃ）前記回転軸を中心に前記キャリアを回転させるキャリアドライブと
を備える、回転ディスクガス反応器。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
［関連出願の相互参照］
本出願は、２００７年７月１０日に出願された米国特許出願第１１／８２７，１３３号の継続出願であり、この内容を引用することにより本明細書の一部をなすものとする。
【０００２】
［発明の背景］
化学気相成長システムなどのガス処理装置が、半導体ウェハなどの基材の処理に使用されている。一般に使用されている装置の一形態は、回転ディスク反応器である。このような反応器は、１つのチャンバと、このチャンバ内に搭載されたディスク状基材キャリアとを含む。ウェハなどの基材はキャリアに配置され、このキャリアはこの軸を中心に回転される。ガス分配インジェクタまたは「インジェクタヘッド」と称されるコンポーネントが、このチャンバの固定位置に搭載されている。ガスインジェクタヘッドは典型的には多数のガス入口を含んでいる。１つ以上の反応性ガスは、これらの入口を介してチャンバに注入され、一般に、基材キャリアに対して下流方向に、そして回転基材キャリアおよびキャリアに配置された基材の表面全体を外側に流れる。キャリアガスは反応性ガスと共に注入されてもよい。
【０００３】
ガスがウェハの表面全体を通過すると、反応して、ウェハ表面に材料を堆積させる。単なる一例として、これらのプロセスは、化合物半導体、例えば、化合物半導体の種々の層を形成するために使用可能である。例えば、窒化ガリウムや窒化インジウムやガリウムヒ素やリン化インジウムやアンチモン化ガリウムなどの、ＩＩＩ−Ｖ族半導体の多数の層を基材に堆積して、ダイオードおよびトランジスタなどの電子デバイスと、発光ダイオードおよび半導体レーザーなどの光電子デバイスを形成することが可能である。ＩＩ−ＶＩ族半導体は、類似のプロセスによって堆積可能である。
【０００４】
各層の特性における小さな差異は、得られるデバイスの性能に大きく影響する可能性がある。性能に影響し得る特性は、厚さ、組成、ドーピングおよび不純物の濃度、結晶品質、および原子界面の断裂（Ａｂｒｕｐｔｎｅｓｓ）を含む。したがって、ウェハキャリアの表面全体の均一な堆積を促進する装置および方法の開発に多大なる労力が注がれてきた。ウェハキャリアの回転は、堆積が、キャリアの回転軸の周りで円周方向に均一になることを保証する助けとなる。軸に垂直なキャリア表面に沿った半径方向の均一性を保証するために、反応性ガスの各々を担持するガス入口は、典型的には複数の領域に分割される。例えば、特定のガスのガス入口は、回転軸と同心のリングの形態で複数の領域に分割されてもよい。各領域へのガス流は他の領域とは独立して制御されてもよい。基材キャリアの全長、ひいては処理される各基材またはウェハの全長にわたって極めて均一な分布を提供する種々の領域に対する１セットのガス流を選択することができる。
【０００５】
しかしながら、なおさらなる改良が望ましい。
【発明の概要】
【０００６】
本発明の一態様は基材処理方法を提供する。発明の本態様にかかる方法は、望ましくは、基材の表面を回転軸にほぼ垂直に維持し、該回転軸に沿って上流方向に面したまま、該回転軸を中心に該基材を回転させるステップを含む。この方法は、望ましくは、少なくとも１つの第１の可動ガス入口から該基材からに向かう下流方向の運動成分によって第１のガスを放出するステップをさらに含む。この方法は、最も好ましくは、該回転軸に対して半径方向の運動成分によって該少なくとも１つの第１の可動ガス入口を移動させるステップを含む。この方法は、該基材に向かう下流方向の運動成分によって第２のガスを放出するステップをさらに含みうる。該第１の可動ガス入口を介する第１のガスの流束および該第１の可動ガス入口の移動速度を含む多数の係数は、例えば、化学気相成長反応の堆積速度ならびに該堆積材料の組成として反応速度を制御するように制御可能である。
【０００７】
発明のさらなる態様は、回転ディスクガス処理反応器のインジェクタヘッドを提供する。該インジェクタヘッドは、望ましくは、中心軸を有する本体であって、該中心軸が該反応器の該基材キャリアの該回転軸と整列させられて、該反応器に搭載するように配置されている本体と、下流方向に面する第１のセットのガス入口を定義する構造と、下流方向に面する少なくとも１つの可動ガス入口と、該中心軸に対して半径方向の運動成分によって該少なくとも１つの可動ガス入口を移動させるように適合されたドライブとを含む。
【０００８】
発明のさらなる態様は、１つ以上の基材を処理する回転ディスクガス反応器を提供する。発明の本態様にかかる該反応器は、反応チャンバと、回転軸を中心に回転する、該チャンバ内に搭載されたキャリアとを含む。該キャリアは、１つ以上の基材、最も典型的には複数の基材を担持するように適合されている。該反応器は、望ましくは、該キャリアを該回転軸を中心に回転させるキャリアドライブと、該キャリア上の該基材に向かう該下流方向の運動成分によって第１のガスを放出する少なくとも１つの第１の可動ガス入口と、該回転軸に対する運動成分によって該少なくとも１つの第１の可動ガス入口を移動させる入口ドライブとを含む。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本発明の回転ディスクガス処理反応器の一実施形態の概略的部分斜視図である。
【図２Ａ−２Ｂ】図２Ａは、図１の反応器で使用されているインジェクタヘッドの部分断面図である。図２Ｂは、図２Ａの線２Ｂ−２Ｂに沿った部分断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、図２Ａのインジェクタヘッドの概略底面図である。
【図３】図３Ａは、図２Ａに類似し、本発明のさらなる実施形態を示す図である。図３Ｂは、図３Ａの線３Ｂ−３Ｂに沿った部分断面図である。
【図４】図４Ａは、アーク移動による本発明のさらなる実施形態の上面図である。図４Ｂは、図３Ａの線４Ｂ−４Ｂに沿った部分断面図である。
【図５】図５Ａは、単一の可動ガス入口を具備するインジェクタヘッドの実施形態の概略底面図である。図５Ｂは、２つの可動インジェクタを具備するインジェクタヘッドのさらなる実施形態の概略底面図である。図５Ｃは、単一の可動ガス入口および複数の固定ガス入口を具備するインジェクタヘッドのさらなる実施形態の概略底面図である。
【図６】図６Ａは、さらなる実施形態を示す部分断面図である。図６Ｂは、図６Ａの線６Ｂ−６Ｂに沿った部分断面図である。
【図７】図７Ａは、光学測定デバイスを具備する図１の反応器で使用されているインジェクタヘッドのさらなる実施形態の部分断面図である。図７Ｂは、図７Ａの線７Ｂ−７Ｂに沿った部分断面図である。
【図８】図８は、ガスベアリングの断面図である。
【図９】図９Ａは、可動ガス入口用の摺動式チューブカップリングを具備する実施形態の部分断面図である。図９Ｂは、図９Ａの摺動式チューブカップリングの代替的構成の部分断面図である。図９Ｃは、可動ガス入口用の摺動式チューブカップリングを具備する本発明のさらなる実施形態の部分断面図である。
【図１０】図１０は、可動ガス入口の相対位置の上面図である。
【図１１】図１１Ａは、均一性制御スキームの種々の実施形態のグラフ表示である。図１１Ｂは、均一性制御スキームの種々の実施形態のグラフ表示である。図１１Ｃは、均一性制御スキームの種々の実施形態のグラフ表示である。
【図１２】図１２Ａは、多領域均一性制御スキームの種々の実施形態のグラフ表示である。図１２Ｂは、多領域均一性制御スキームの種々の実施形態のグラフ表示である。図１２Ｃは、多領域均一性制御スキームの種々の実施形態のグラフ表示である。図１２Ｄは、多領域均一性制御スキームの種々の実施形態のグラフ表示である。
【図１３】図１３は、種々のスキームの均一性分布のグラフ表示である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明は、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長）回転ディスク反応器での使用に特に適し、本明細書で説明されるように、等しく他の回転ディスクガス処理システムにも十分に適している。ＭＯＣＶＤは、必要な化学元素を含有する有機金属および金属水素化物の表面反応からの材料、特に半導体のエピタキシャル成長方法である。例えば、リン化インジウムは、トリメチルインジウム（ＣＨ３）３ＩｎおよびホスフィンＰＨ３を導入することによって成長可能である。この堆積プロセスの代替的な名称は、有機金属気相エピタキシ（ＭＯＶＰＥ）、有機金属気相エピタキシ（ＯＭＶＰＥ）および有機金属化学気相成長（ＯＭＣＶＤ）を含む。
【００１１】
回転ディスクガス処理反応器は、高温に耐え得るチャンバであり、使用中の化学物質とは反応しない内部を有する。チャンバは、回転サセプタ（基材キャリア）と、ガス注入モジュールと、温度制御システムとを含む。反応器の過熱を防止するために、インジェクタヘッドおよび反応器の壁は、水冷却用のチャネルを含む。ウェハまたは基材は、制御された温度を維持するサセプタに載置されている。エピタキシャル層の形成は、熱によってウェハ表面上の化学成分にもたらされる変化（熱分解）によって生じ、レーザーダイオード、太陽電池、ＬＥＤおよび他の半導体デバイスを製造するための主要プロセスである。
【００１２】
回転ディスクガス処理反応器のチャンバ内の圧力は、サセプタの回転速度にしたがって制御される。窒素（Ｎ２）や水素（Ｈ２）などのキャリアガスは有機金属液体によって気泡化され、キャリアガスは、反応チャンバに移送される有機金属蒸気を取り上げる。有機金属液体およびキャリアガスの温度ならびに流量は、移送される有機金属蒸気量に影響する。回転ディスクガス処理反応器のチャンバの排出ガスは、無駄な生成物を最小化するために回収および処理される。
【００１３】
本発明の一実施形態にかかる回転ディスクガス処理反応器１００（図１）は、反応チャンバ１９０と、この中に配置されている略ディスク状基材キャリア１０４とを含む。基材キャリア１０４は、ウェハ１３８などの複数の基材が配置されている複数の基材コンパートメント１３６を含む。基材キャリア１０４は加熱要素１４０によって加熱される。基材キャリア１０４は、回転軸１０６を有するスピンドル１０２に載置されている。処理されるウェハ１３８の表面は、図１の図面の上部に向かう上流方向Ｕに面する。反応器１００はさらに、排出口１４２と、速度（β）で回転軸１０６を中心に配置されたスピンドル１０２および基材キャリア１０４を回転させるドライブモータ１４４とを含む。回転速度βは、典型的には、約５０ＲＰＭから約２０００ＲＰＭである。
【００１４】
インジェクタヘッド１８０が、この上流端部でチャンバ１９０に搭載されている。さらに後述されるように、インジェクタヘッド１８０は、基材１３８上で実行される堆積プロセスのために、１つ以上の反応ガス１４６、１４８を反応チャンバ１９０に提供する。インジェクタヘッド１８０は、反応器１００のチャンバ１９０に搭載するように適合されている本体１８２を含んでいるため、中心軸１８４が回転軸１０６と一致し、本体の下流表面１８６が基材キャリア１０４に向かう下流方向Ｄに面する。図２Ｃで最もよく分かるように、インジェクタヘッド１８０は、本体１８２の固定位置に搭載されている第１の固定ガス入口１７０および第２の固定ガス入口１７２を含む。固定ガス入口１７０および１７２は、本体１８２の下流表面１８６に対して開口している。示されている特定の実施形態では、第１の固定ガス入口１７０は、中心軸１８４に対してほぼ半径方向に延びる列状に配列されるのに対して、第２の固定ガス入口１７２はこれらの列との間の範囲に配置される。第１の固定ガス入口１７０は、中心軸１８４から異なる半径距離にある複数の領域１７０ａ、１７０ｂ、１７０ｃに分割されてもよいのに対して、第２の固定ガス入口１７２は、中心軸１８４から異なる半径位置にある複数の領域１７２ａ、１７２ｂ、１７２ｃに分割されてもよい。インジェクタヘッド１８０は、望ましくは、各半径領域の入口に接続された個別通路（図示せず）を含んでいるため、各半径領域の入口は、第１または第２のガスの個別に制御可能なソースに接続されてもよい。固定入口１７０および１７２を担持するインジェクタヘッドのこれらの範囲は、共に譲渡された米国特許第６，１９７，１２１号、および米国特許公開第ＵＳ２００６００２１５７４Ａ１号に示されているように一般的に構成されてもよく、これらの開示内容を引用することにより本明細書の一部をなすものとする。
【００１５】
図２Ａから図２Ｃに示されているように、インジェクタヘッド本体１８２は、中心軸１８４に対して半径方向に延びるスロット１６０を定義する。スロットは、本体１８２の下流表面１８６に対して開口している。インジェクタヘッドアセンブリ１８０は、スロット１６０内に位置決めされた第１の可動ガス入口（インジェクタ）１０８をさらに含む。可動ガス入口１０８は、下流方向Ｄに面する開口を有する。可動ガス入口１０８は、入口１１３を有する第１のガス供給チューブ１１２に搭載される。第１のガス供給チューブ１１２はスロット１６０内に配置される。入口１１３は、第１のガスの制御可能なソース１５８に接続される。本体１８２に位置決めされた線形真空シール１１０によって供給チューブ１１２は、この中で摺動可能に移動することができる。供給チューブ１１２は、ドライブプレート１２０に固定される。制御可能な速度の線形ドライブ１１６が、制御された速度で線形シャフト１１８を前後に移動させるように適合されている。線形シャフト１１８がドライブプレート１２０に結合されているため、線形ドライブ１１６は、供給チューブ１１２および可動ガス入口１０８をスロット１６０に沿って前後に移動させることができる。
【００１６】
プッシュ流入口（プッシュ流インジェクタ）１１４がスロット１６０内に配置される。プッシュ流入口１１４は、可動ガス入口１０８の上流、つまり下流表面１８６から離れて配置される。プッシュ流入口１１４は、プッシュ流供給チューブ１２２を介してプッシュガスソース１５６と流体連通している。
【００１７】
発明の実施形態にかかる方法では、図１から図２Ｃの反応器は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を基材１３８上に堆積するために、有機金属化学気相成長プロセス（ＭＯＣＶＤ）を基材１３８上で実行するのに使用される。ドライブモータ１４４は、回転軸１０６を中心にスピンドル１０２および基材キャリア１０４を回転させるために起動される。加熱要素１４０は、キャリア１０４および基材１３８を高温、最も一般的には約３５０℃から約１６００℃にする。キャリア１０４および基材１３８がこの高温に維持され、回転状態に維持されている間、第１のガスは第１の固定ガス入口１７０を介して供給され、第２のガスは第２の固定ガス入口１７２を介して供給される。この堆積プロセスでは、第１のガスは、１つ以上の有機金属化合物、最も一般的には、窒素または水素などのキャリアガスと混合した、ガリウム、インジウムおよびアルキルアルミニウムからなる群より選択されるアルキル金属を含む。第２のガスは、アンモニアまたはヒ素などのＶ族元素の１つ以上の水素化物を含んでおり、これはまたは１つ以上のキャリアガスを含みうる。第１および第２のガスは、一般に、インジェクタヘッド１８０からキャリア１０４への下流方向Ｄに流れる。ガスは、基材１３８およびキャリア１０４の表面全体を通過し、ガス出口１４２へと下流に流れる。ガスが基材１３８を通過すると、これらは反応して、基材の曝露表面上に所望のＩＩＩ−Ｖ族半導体を形成する。第１および第２のガスの一方または両方は、半導体に組み込まれている１つ以上のドーパントも含みうる。
【００１８】
上述のステップ時に、窒素または水素などの１つ以上のキャリアガスがプッシュガス流としてソース１５６からプッシュガス入口１１４を介して供給されるため、プッシュガス流はスロット１６０から流出する。同時に、ソース１５８は、第１の可動ガス入口１０８を介して第１のガス流を供給するように操作され、線形ドライブ１１６は、スロット１６０に沿って、回転軸１０６に対して略半径方向に可動ガス入口１０８を移動させるように操作される。例えば、可動ガス入口１０８は、静止状態から毎秒約９インチ、最も典型的には静止状態から毎秒３インチまたは毎秒４インチに及ぶ線速度で内外方向に動作してもよい。
【００１９】
入口１１４からのプッシュガス流は、供給チューブ１１２を中心に、そして可動ガス入口１０８の外側周辺を通過する。したがって、図２Ｂに概略的に示されているように、第１のガス流１６２は、プッシュガス流１６４によって包囲される。このプッシュガス流は、スロット１６０に隣接して配置されている第２の固定ガス出口１７２（図２Ｃ）から流出する第２のガスから第１のガスを分離する傾向がある。このような分離は、第１および第２のガスの不完全な反応および可動ガス入口１０８への不要な堆積を抑制する傾向がある。
【００２０】
可動ガス入口１０８を介して供給された第１のガスは、キャリア１０４および基材１３８へのプッシュガス流に伴って下流へ通過するため、この追加の第１のガスは反応に加わり、半導体を形成する。任意の所与の時間に、可動ガス入口１０８から流出する第１のガス流は、第１のガス入口の半径位置に集中される。この流れの第１のガスが半導体形成に寄与する速度は、可動ガス入口１０８の位置に依存する。例えば、共鳴曲線と称される曲線２００は、図２Ａに実線で表された位置に配置されているガス入口１０８から流出する第１のガスが、キャリア１０４上の種々の半径位置で反応に加わる速度のプロットを表している。この位置の可動ガス入口１０８によって、可動ガス入口１０８の半径位置に対応する半径位置１２６でピークつまり最大寄与が生じる。寄与の度合いは、（軸１０２に近い）位置１２６の内側で、かつ位置１２６の外側の半径位置において実質的に低い。可動ガス入口１０８の位置が変化すると、共鳴曲線２００も変化する。例えば、破線で示されている共鳴曲線２００’は、破線で示されている位置１２６’に配置された入口１０８から流出する第１のガスが反応に加わる速度を示している。
【００２１】
可動出口１０８を介して流れる固定量の第１のガスに対するプッシュガスの量を変更することによって、共鳴曲線２００のプロファイルは、注入される第１のガスの流束を変化させずに変更可能である。また、位置ごとの共鳴曲線の高さは、可動出口を介する第１のガスの流束に伴って直接変化する。また、可動ガス入口１０８の移動速度を変更することによって、共鳴曲線２００が変化する速度は調整可能である。これらの係数のいずれかまたはすべては、種々の半径位置において経時的に総反応速度を制御するために使用可能である。
【００２２】
典型的には、固定ガス入口１７０、１７２を介する流れは、基材キャリアの半径全長にわたって実行可能なものとほぼ等しい反応速度を提供するように選択される。しかしながら、固定ガス入口１７０、１７２の限定数の領域のみがあるため、典型的には幾分かのわずかな不均一がある。さらに後述するように、可動ガス入口１０８に適用された条件は、これらの不均一を打ち消すために使用可能である。
【００２３】
さらなる実施形態（図示せず）において、可動ガス入口１０８のスロット１６０および移動経路は、中心軸１８４全体、ひいては回転軸１０６全体に延びる。別の実施形態では、可動ガス入口１０８の移動経路もまた、移動経路が、回転軸１０６に対して半径方向の運動成分を有するが、移動経路が回転軸１０６に対して半径方向とはならないように、整列可能である。
【００２４】
図３Ａおよび図３Ｂに示されているようなさらなる実施形態では、個別流入口１３０が可動ガス入口と同軸である。図２Ａ、図２Ｂおよび図２Ｃに示された実施形態と類似のコンポーネントには同一の番号が付されている。個別流入口１３０は、可動ガス入口１０８を包囲するように位置決めされる。個別流入口１３０は、可動ガス入口１０８が移動すると、移動する。個別流入口１３０は、個別流供給チューブ１２８を介して、窒素、水素またはこれらの組み合わせなどの個別流ガスソース１５４と流体連通している。個別流ガスは、個別流入口１３０によって、下流方向への運動成分を供給される。個別流ガスは、可動ガス入口１０８から放出された第１のガスを、スロット１６０に隣接して配置された第２の固定ガス出口１７２から流出する第２のガスから分離する傾向がある。このような分離は、第１および第２のガスの不完全な反応および可動ガス入口１０８への不要な堆積を抑制する傾向があるため、寄生堆積を削減し、効率を増大させ、かつ反復性を向上させることができる。個別流入口１３０は円形として示され、可動ガス入口１０８は個別流入口内に同軸に位置決めされているが、種々の幾何学的構成および形状が用いられてもよい。
【００２５】
インジェクタヘッド本体１８２に位置決めされた線形真空シール１１０によって、同軸に位置決めされた個別流供給チューブ１２８および第１のガス供給チューブ１１２は、摺動可能に移動することができる。個別流供給チューブ１２８はドライブプレート１２０に固定される。
【００２６】
図４Ａおよび図４Ｂに示されているようなさらなる実施形態では、可動ガス入口１０８は、基材キャリア１０４上方にアーク移動で移動される。図２Ａ、図２Ｂおよび図２Ｃに示されている実施形態と類似のコンポーネントには同一の番号が付されている。
【００２７】
可動ガス入口１０８は、第１のガスソース１５８と流体連通している第１のガス供給チューブ１１２に結合される。回転真空シール１５９が反応器の上部フランジ１２４に搭載される。制御可能な速度の回転ドライブ（図示せず）は、回転真空シール１５９を通過する第１のガス供給チューブ１１２を回転させるように適合されている。したがって、これは、可動ガス入口１０８をスイープ経路２１０に沿って前後にアーク移動で移動させる。典型的には、移動速度は、静止状態から毎秒約９インチに及ぶ。
【００２８】
可動ガス入口１０８は、中心軸１８４に近づく移動経路２１０として示されているが、種々の他の実施形態の移動経路２１０は、中心軸１８４を介して、回転ディスク反応器１００の反対側に向かって延びることが可能である。さらなる実施形態では、可動ガス入口１０８は、回転軸１０６に対する運動成分を有するように整列可能であるが、中心軸１８４と交差する移動経路２１０を有してはいない。
【００２９】
種々の実施形態は、種々の構成の、固定でも可動であってもよい１つ以上の第１のガス入口を含んでいる。単一の第１の可動ガス入口１０８を具備する実施形態は、図５Ａに示されているインジェクタヘッドアセンブリの下流表面に面する底面図に見られる。本実施形態では、第１のガスは単一の第１の可動ガス入口１０８のみを介して供給される。したがって、堆積成長速度は比較的遅い。これを克服するために、複数の第１の可動ガス入口１０８が図５Ｂに示されているように使用可能であり、または、第１の可動ガス入口１０８および第１の固定ガス入口１７０の組み合わせが図５Ｃに示されているように使用可能である。第１の可動ガス入口１０８および第１の固定ガス入口１７０（図２Ｃ）の種々の他の構成および形状も使用可能である。
【００３０】
さらなる変形例において、反応器１００の動作中、複数の可動ガス入口１０８の組み合わせを用いることが可能であり、異なるまたは同一のガスを放出してもよい。例えば、化学気相成長（ＣＶＤ）プロセスにおいて、インジェクタヘッドは、可動ガス入口１０８のうちの１つからのアルキル、可動ガス入口１０８のうちの別の１つからの水素化物、および可動ガス入口１０８のうちのさらに別の１つからのドーパントなどの第１のガスを供給するように構成可能である。
【００３１】
図５Ｃおよび図２Ｃに示された複数の第１の固定ガス入口の例示的な実施形態が、図６Ａおよび６Ｂに示されている。先行実施形態と類似のコンポーネントには同一の番号が付されている。
【００３２】
インジェクタヘッドアセンブリは、下流方向Ｄに面する開口を具備しており、第１の固定ガス供給チューブ１１７に結合された第１の固定ガス入口１７０を有する。入口１７０は、ガス供給チューブ１１７から下流に突出するチューブとして図６Ａに示されている。さらなる変形例では、入口１７０は、下流に面するチューブの側にあるチューブ１１７の壁を経て延びるホールとして提供されてもよい。第１のガスソース１５８は、第１の固定ガス供給チューブを介して第１の固定ガス入口１７０と流体連通している。第１の固定ガス入口１７０からの第１のガス流は、下流方向Ｄの運動成分を有する。
【００３３】
プッシュ流入口１１４は、プッシュガスが流れるプッシュ流供給チューブ１２２と流体連通している。第１の固定ガス入口１７０からの第１のガス流はプッシュガス流によって包囲される。このプッシュガス流は、第２の固定ガス入口から流出する第２のガスから第１のガスを分離する傾向があり、これはまた、第１および第２のガスの不完全な反応および固定ガス入口１７０への不要な堆積を抑制する傾向がある。図６Ａの配列では、第１の固定ガス入口は、回転基材キャリアの周辺と整列されているインジェクタヘッドの範囲において、チューブ１１７に沿ってより緊密な間隔になっている。このより近接した間隔は、基材キャリアと基材キャリアの周辺に隣接する基材のより大きな表面積を補償する。
【００３４】
光学測定デバイスを具備する本発明の実施形態は、図７Ａおよび図７Ｂに示されている。図２Ａ、図２Ｂおよび図２Ｃに示されている実施形態と類似のコンポーネントには同一の番号が付されている。
【００３５】
本実施形態は、ヘッドに対して可動的なミラー３１０と、このミラーを介して基材を観察するように配列された光学測定デバイス３２０とを有する。図７Ａの実施形態において、ミラー３１０は第１の可動ガス供給チューブ１１２に搭載されているため、ミラーは第１の可動ガスインジェクタ１０８に沿って移動する。また、この配列において、ミラー３１０はチューブ１１２内に配置され、チューブ１１２の内部を介して測定デバイス３２０と光学的に連通している。ミラー３１０は、インジェクタ１０８の開口を介して基材と光学的に連通している。光線が非接触光学測定デバイス３２０によって供給され、チューブ１１２内の光学経路３３０に沿って、反射器３１０および基材の表面に方向づけられている。光線は、基材表面から、光学経路３３０に沿って、非接触光学測定デバイス３２０に内蔵された検出器に反射される。反射器３１０は、反射器３１０、ひいては基材表面で反射された光線が第１の可動ガス入口１０８の移動に伴って移動するように構成および位置決めされる。
【００３６】
検出器は、基材成長速度、基材組成、および基材の絶対反射率を算出するために使用される信号を提供する。任意の時間ｔにおける光学経路３３０の半径位置ｒおよび絶対反射率Ｒを判定することによって、絶対反射率関数Ｒ（ｒ、ｔ）が判定可能であり、基材成長速度および基材組成が半径位置ｒの関数として算出される。
【００３７】
光学測定デバイスの例が、「Ｍｅｔｈｏｄ  Ａｎｄ  Ａｐｐａｒａｔｕｓ  Ｆｏｒ  Ｍｅａｓｕｒｉｎｇ  Ｔｈｅ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｏｆ  Ｏｂｊｅｃｔｓ  Ｏｎ  Ａ  Ｆａｓｔ  Ｍｏｖｉｎｇ  Ｈｏｌｄｅｒ」と題される米国特許第６，３４９，２７０号、および「Ａｐｐａｒａｔｕｓ  Ａｎｄ  Ｍｅｔｈｏｄ  Ｆｏｒ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｉｎｇ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ  Ｏｆ  Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ」と題される米国特許第６，４９２，６２５号に開示され、これらの開示内容を引用することにより本明細書の一部をなすものとする。
【００３８】
第１の可動ガス入口と併用するガスベアリングアセンブリが図８に示されている。ガスベアリング４００は、シャフトまたはチューブ４０２の線形運動ならびに回転運動と併用可能である。
【００３９】
反応器の壁４０６とガスベアリング本体のハウジング４０８との間のシールは、Ｏリング４０４によって提供される。他のタイプのシールを用いてもよい。ドライブモータ（線形ドライブ、回転ドライブ、または線形／回転の組み合わせドライブ）４２０が、フランジ４３０によってガスベアリング本体４０８に搭載される。代わりに、ドライブモータ４２０は、フランジ４３０によって、真空の気密ドライブエンクロージャ４１８に搭載可能である。パージチャネル４１０によって、反応器からの任意の反応性ガスの損失（漏洩）がパージアクセスポート４２４を介して抽出可能になる。真空溝４１２が、アクセスポート４２６を介して真空ポンプと流体連通している。ガス供給入口ポート４２８は、ガスに対して多孔性の材料から成るガスベアリング本体４１４と流体連通している。シャフトまたはチューブ４０２と、ガス供給入口４２８から真空溝４１２への供給ガスの流量を制限するガスベアリング本体４１４との間に小さな間隙があるため、シャフトまたはチューブ４０２は、ガスベアリング本体４１４内を線形および／または回転運動で移動可能である。ガスベアリング本体のハウジング４０８と真空の気密エンクロージャ４１２との間のシールが、Ｏリング４１６によって提供される。他のタイプのシールを用いてもよい。ドライブ４２０を収容する真空の気密エンクロージャ４１８は、圧力逃がしバルブ４３２に接続される。Ｎ２、Ｈ２またはこれらの組み合わせなどの適合可能な供給ガスが、ガス供給入口４２８に供給される。
【００４０】
ガス供給チューブへの摺動可能な接続部が図９Ａおよび図９Ｂに示されている。可動ガス入口５０２が、インジェクタヘッドの本体５８２内のスロット５６０に配置されている。本体５８２の一部のみが図９Ａおよび図９Ｂに示されている。上述のように、スロット５６０は、インジェクタヘッドの下流面に対して開口している。入口５０２が可動ガス供給入口チューブ５０４に取り付けられている。可動ガス供給入口チューブ５０４は、第１のガスベアリング５２０を通過して、ドライブプレート５２８に取り付けられたガス接続部５０６に接続されている。ガス接続部５０６は、第２のガスベアリング５２１を通過する摺動式ガス供給チューブ５０８に接続される。供給チューブ５０８は、本体５８２のボア５１２で受け止められる。ボア５０９がスロット５６０と平行に延びる。しかしながら、ボア５１２は、インジェクタヘッドの下流面に対して開口していない。チューブ５０８は、ボア５１２に配置された開放端を有する。ガス入口ポート５１０は、ボア５１２を介して、摺動式ガス供給チューブ５０８、ガス接続部５０６、可動ガス供給チューブ５０４に至る可動ガス入口５０２と流体連通している。
【００４１】
ゴム状、プラスチック、金属または他の適切な可撓性材料でありうる可撓性ベローズ５２４が摺動式ガス供給チューブ５０８および可動ガス供給入口チューブ５０４をカバーする。線形ドライブ５２６が、制御された速度でドライブシャフト５３０を移動させる。ドライブシャフト５３０は、ドライブプレート５２８に接続されているため、ドライブシャフト５３０が移動されると、ドライブプレート５２８、可動ガス供給入口チューブ５０４および摺動式ガス供給チューブ５０８が移動する。
【００４２】
ドライブシャフト５３０および可動ガス供給チューブ５０４が一列になっている可動接続部の実施形態が図９Ｂに示されている。図９Ａの実施形態に類似するコンポーネントには同一の番号が付されている。
【００４３】
直線チューブ構成の可動接続部のさらなる実施形態が図９Ｃに示されている。
【００４４】
可動ガス入口５０２は、本体５８２の可動ガス入口摺動チャネルまたはスロット５３６に沿って移動する。入口５０２は、第１のガスベアリング５２０を通る可動ガス供給入口チューブ５０４に接続され、本体５８２の延長部５８３においてボア５１２に延びる。チューブ５０４は、第２のガスベアリング５２１を通って延びる。ドライブ５２６が可動ガス供給チューブ５０４に接続される。チューブ５０４は、ベアリング５２０および５２１の間に、ボア５１２内に配置されたポート５０９を有する。ガス供給は、ボア５１２と連通するガス入口ポート５１０を介して可動ガス入口と流体連通しているため、ポート５０９を介して可動ガス供給チューブ５０４と連通する。
【００４５】
直線チューブ構成および他の構成によって、ドライブ５２６は、可動ガス供給チューブ５０４を回転および線形移動させることができるため、可動ガス入口５０２を、所望により軸を中心に回転させることができる。可動ガス入口５０２の回転によって、可動ガス入口５０２からのガス流の放出方向は、可動入口が中心軸５８４に対して前後にスイープする場合に動的に変更可能になる。角度は、移動経路全体について所定の量、または異なるスイープについて異なる量で設定されてもよく、または経路に沿った単一運動時に変更されてもよい。
【００４６】
位置Ａに一致する回転軸１０６を有する回転基材キャリア１０４に対する可動ガス入口の位置が図１０に概略的に示されている。位置Ａは、ポイントＢと、ポイントＡおよびＢの間で移動するインジェクタの主要経路とは反対側の軸１０６に配置されている点に留意する。また、ポイントＢは、基材キャリア１０４の縁部から半径方向外側に配置されている。図１０は、図１１Ａ、図１１Ｂおよび図１１Ｃと、図１２Ａ、図１２Ｂ、図１２Ｃおよび１２Ｄで識別されている位置の基準として使用されることになる。
【００４７】
可動ガス入口を使用する堆積均一性制御のためのスキームのグラフ表示が図１１Ａに示されている。堆積均一性制御のためのこの特定のスキームによって、可動ガス入口の線速度は、開始および停止位置を除いて位置Ａおよび位置Ｂの間で一定に保たれるのに対して、可動ガス入口からの第１のガスの流束は内部位置Ａから外部位置Ｂに向かって増大される。このスキームでは、流束の増大は、回転キャリアの周辺における表面積の増大を補償する。
【００４８】
可動ガス入口を使用する堆積均一性制御のための別のスキームの別のグラフ表示が図１１Ｂに示されている。堆積均一性制御のためのこの特定のスキームによって、可動ガス入口からの第１のガスの流束は位置Ａおよび位置Ｂの間で一定に保たれるのに対して、開始後の可動ガス入口の線速度は位置Ａから位置Ｂに向かって低下される。この配列において、移動する入口のより遅い径速度は、基材キャリアの周辺の表面積の増加を補償する。
【００４９】
堆積均一性制御のためのさらに別のスキームのグラフ表示が図１１Ｃに示されている。堆積均一性制御のためのこの特定のスキームによって、可動ガス入口からの第１のガスの流束は、内部位置Ａから外部位置Ｂに向かって増大されるのに対して、開始後の可動ガス入口の線速度は、位置Ａから位置Ｂに向かって低下される。速度および流束の両方が、基材キャリアの周辺の表面積の増加を補償する傾向がある。
【００５０】
可動ガス入口の線速度および第１のガスの流束が変更されたり一定に保たれたりする、図１１Ａ、図１１Ｂおよび図１１Ｃに図示されている堆積均一性制御のための種々のスキームに加えて、第１のガス流は、変調および復調（パルス）可能であり、半径全体に個別流の注入を提供する。このパルスされた変調は、可動ガス入口からの第１のガス流を遮断する速動式バルブを使用して提供可能である。半径方向の移動経路に対する可動ガス入口の線速度の制御に加えて、速度、ひいては移動方向は、ＡとＢとの間の種々の位置で反転可能であるため、放射経路の所望の部分で可動ガス入口の走行をループすることができる。堆積均一性制御のための種々のスキームは、相互に排除しあうものではなく、種々の組み合わせおよび置換により使用されてもよい。
【００５１】
本発明の可動ガス入口の多領域堆積均一性制御のためのスキームのグラフ表示が図１２Ａに示されている。この特定のスキームによって、可動ガス入口の線速度は、開始および停止位置を除いて位置Ａおよび位置Ｂの間で一定に保たれるのに対して、可動ガス入口からの第１のガスの流束は、内部位置Ａから外部位置Ｂに向かって所定の段階的増分で増大される。
【００５２】
本発明の可動ガス入口の多領域堆積均一性制御のための別のスキームのグラフ表示が図１２Ｂに示されている。この特定のスキームによって、可動ガス入口の線速度は、開始および停止位置を除いて位置Ａおよび位置Ｂの間で段階的に低下するのに対して、可動ガス入口からの第１のガスの流束は、内部位置Ａと外部位置Ｂの間で一定である。
【００５３】
本発明の可動ガス入口の多領域堆積均一性制御のためのさらに別のスキームのグラフ表示が図１２Ｃに示されている。この特定のスキームによって、可動ガス入口からの第１のガスの流束は、（回転軸１０６の反対側の）位置Ａ１と、半径位置Ａの間で急激に増大され、内部位置Ａおよび外部位置Ｂの間で一定に保たれ、そして位置Ｂから位置Ｂ１に向かって急激に減少する。可動ガス入口の線速度は、内部位置Ａ１および外部位置Ｂの間で増大される。
【００５４】
本発明の可動ガス入口の多領域堆積均一性制御のためのさらなるスキームのグラフ表示が図１２Ｄに示されている。この特定のスキームによって、可動ガス入口の線速度および可動ガス入口からの第１のガスの流束は、可動ガス入口が所定の半径位置Ｒ１に達するまで、最小またはゼロである。この時点で、外側への移動は段階的に遅くなり、第１のガスの流束は段階的に増大する。基本的に、可動ガス入口は、第１のガス流束ゼロで急速に移動し、そして、可動ガス入口が所定の半径位置Ｒ１に達すると、この線速度はかなり低速になり、第１のガスのインパルス様バーストが、可動ガス入口が所定のバーストエンドの半径位置Ｒ２に達するまで、段階的な流束増大によって生じる。この位置において、第１のガスのバーストは、第１のガスの流束がゼロになることによって終了し、可動ガス入口の線速度は、段階的に増大する。このシーケンスは、異なる半径位置に反復して示され、同一の期間で、異なるまたは類似の流束速度であってもよい。バーストの期間は、特定の用途に応じて、より狭くても（瞬間パルスに近づく）、広くてもよい。
【００５５】
本明細書に説明されている堆積均一性制御のための種々のスキームに加えて、可動ガス入口からのガス流の放出方向は、移動経路で変更可能である。
【００５６】
堆積された材料の厚さに関する均一性分布のグラフ表示が図１３に示され、ここでは、縦軸は、基材上に堆積された材料の厚さを表し、横軸は、キャリアの縁部に向かう回転軸からの対応する半径位置を表している。第１の固定ガス入口の３つの半径オフセット領域を使用し、均一な移動速度および第１の可動ガス出口からの流束による反応器の動作は、第１の反復曲線６０２によって表された堆積材料の厚さをもたらし、堆積材料の平均厚さは線６０８によって表されている。「理想的な」堆積は、線６０８によって表された厚さを有する。第１の反復曲線６０２の、平均厚さ６０８からの最大偏差は、位置Ｌ１およびＬ４に見られる。第１の可動ガス入口から放出された第１のガスの流束を減少させ、および／または位置Ｌ１およびＬ２付近の第１の可動ガス入口の線速度を増大させることによって、また第１の可動ガス入口から放出された第１のガスの流束を増大させ、および／または後部位置Ｌ３で第１の可動ガス入口の線速度を低下させることによって、堆積材料の厚さ均一性に関する新たな分布が得られ、第２の反復曲線６０４によって表される。平均厚さ６０８からのより小さい偏差が見られ、これはまた半径位置でシフトされる。可動ガス入口のさらなるチューニングおよび調整は、堆積材料の厚さ均一性に関する新たな分布が得られるという結果をもたらし、これは、適所にシフトされる平均厚さ６０８からの偏差がなおいっそう小さい第３の反復曲線６０６によって表される。
【００５７】
先行する実施形態において、ガス処理プロセスは、有機金属化学気相成長を伴う。上述のプロセスおよび装置は、上述のＩＩＩ−Ｖ族半導体以外の化合物半導体を堆積するために使用可能である。例えば、上述のプロセスおよび装置は、例えば酸化物半導体などのＩＩ−ＶＩ族半導体を堆積するために使用可能である。さらに、ここで論じられている特徴は、他の化学気相成長プロセス、ガスエッチングなどのガス処理プロセスに適用可能である。
【００５８】
また、上述の実施形態では、可動インジェクタは、基材キャリアの回転軸に垂直な平面で移動する。しかしながら、これは本質的なことではなく、可動インジェクタは、回転軸に対して傾斜された経路も移動可能である。
【００５９】
本発明は特定の実施形態に対して説明されてきたが、これらの実施形態は本発明の原理および用途の例示的なものにすぎない点を理解すべきである。したがって、多数の修正が例示的な実施形態に対してなされてもよく、添付の請求項によって規定されているような本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく他の配置が案出されてもよい点が理解されるべきである。
【図１】
2010533377.tif 000003
【図２Ａ−２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【国際調査報告】
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