(57)【要約】センサーは、複数の背面板孔を有し、導電性または半導電性材料で形成された背面板と、前記背面板と絶縁されて前記背面板に接続され、導電性または半導電性材料で形成され、可撓性部材および前記可撓性部材に対応するエアギャップを定めるダイアフラムと、前記背面板の、キャビティを囲む領域に形成されたボンドパッドと、前記ダイアフラムの、前記エアギャップを囲む領域に形成されたボンドパッドとを有し、前記可撓性部材および前記エアギャップは、前記背面板孔の下に延びる前記ダイアフラムによって定められることを特徴とする。【選択図】図１１
2010506532.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の背面板孔を有し、導電性または半導電性材料で形成された背面板と、
前記背面板と絶縁されて前記背面板に接続され、導電性または半導電性材料で形成され、可撓性部材および前記可撓性部材に対応するエアギャップを定めるダイアフラムと、
前記背面板の、キャビティを囲む領域に形成されたボンドパッドと、
前記ダイアフラムの、前記エアギャップを囲む領域に形成されたボンドパッドと
を有し、
前記可撓性部材および前記エアギャップは、前記背面板孔の下に延びる前記ダイアフラムによって定められる
ことを特徴とするセンサー。
【請求項２】
前記ダイアフラムは、酸化物層により前記背面板と絶縁される
ことを特徴とする請求項１に記載のセンサー。
【請求項３】
前記背面板は、少なくとも一の面に酸化物層が形成されたシリコンウエハーにより形成される
ことを特徴とする請求項１に記載のセンサー。
【請求項４】
前記ダイアフラムは、ヘビードープシリコン層、シリコン層および中間酸化物層を含むシリコン・オン・インシュレーター（ＳＯＩ）ウエハー、またはドープされたポリシリコンウエハーによりにより形成される
ことを特徴とする請求項１に記載のセンサー。
【請求項５】
前記ダイアフラムに対応する支持部材を有する
ことを特徴とする請求項１に記載のセンサー。
【請求項６】
前記支持部材が、前記ダイアフラムに接合されたガラスウエハーを含む
ことを特徴とする請求項３に記載のセンサー。
【請求項７】
前記背面板が、前記複数の背面板孔の上に延びるキャビティを含む
ことを特徴とする請求項１に記載のセンサー。
【請求項８】
第１の表面を定めるヘビードープシリコン層、第２の表面を定める第２のシリコン層および中間酸化物層を有する第１のウエハーを準備する工程と、
第１の表面および第２の表面を定めるヘビードープシリコンを有する第２のウエハーを準備する工程と、
前記第１のウエハーの前記第１の表面上に酸化物層を形成する工程と、
前記第２のウエハーの前記第１の表面上に酸化物層を形成する工程と、
前記第１のウエハーの前記第１の表面上の前記酸化物層を介し、前記第１のウエハーの前記ヘビードープシリコン層内にキャビティをパターニングおよびエッチングする工程と、
前記第１のウエハーの前記第１の表面上の前記酸化物層を介し、前記第１のウエハーの前記ヘビードープシリコン層内にキャビティをパターニングおよびエッチングする工程と、
前記第１のウエハーの前記第１の表面と、前記第２のウエハーの前記第１の表面とを、前記第１のウエハーの前記第１の表面に形成された前記キャビティが前記第１のウエハーと前記第２のウエハーとの間のエアギャップを定めるように接合する工程と、
前記第１のウエハーの前記第２の表面を定める前記シリコン層内にキャビティをパターニングおよびエッチングし、前記第１のウエハーのヘビードープ層からなり、前記第１のウエハーと前記第２のウエハーとの間の前記エアギャップに対応する可撓性部材を形成する工程と、
前記第２のウエハーを前記第２の表面において薄くする工程と、
前記第２のウエハーの前記第２の表面において、前記第１のウエハーと前記第２のウエハーとの間の前記エアギャップに対応する複数の孔をパターニングおよびエッチングする工程と、
前記第１のウエハーの前記ヘビードープシリコン層に少なくとも一のボンドパッドを、および前記第２のウエハーに少なくとも一のボンドパッドを形成する工程と
を有する、センサーの製造方法。
【請求項９】
前記第１のウエハーの前記第２の表面を定める前記シリコン層内に前記キャビティがパターニングおよびエッチングされた後のいずれかの段階で、前記第１のウエハーの前記第２の表面に支持部材を接合する工程
を有する請求項８に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記第２のウエハーの前記第２の表面において前記複数の孔をパターニングおよびエッチングする工程の前に、前記第２のウエハーの第２の表面においてキャビティをパターニングおよびエッチングする工程
を有する請求項８に記載の製造方法。
【請求項１１】
プリント基板（ＰＣＢ）と、
前記プリント基板と対応する、請求項１−７のいずれかの項に記載のセンサーと
を有し、
前記プリント基板が開口部を有し、
前記開口部を通った信号が直接前記センサーの前記可撓性部材に伝達されるように前記センサーが前記開口部の上に配置される
ことを特徴とする装置。
【請求項１２】
前記信号が、音響信号である
ことを特徴とする請求項１１に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、センサー、特に、極低圧力センサーおよびその製造方法に関する。特に、本発明は、音響用途（例えば、シリコンマイク）に用いられる極低圧力センサーおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
容量性のマイクロフォンは、典型的には、柔軟性のある部材に設けられた電極と、別の電極に取り付けられたその部材に平行なバックプレートを有するダイアフラムを有する。背面板は相対的に堅く、典型的には、背面板と可撓性部材の間で空気を移動させるための複数の孔を有する。背面板と可撓性部材とは、平行平板コンデンサを形成する。音波の圧力は、ダイアフラムを屈折させ、コンデンサの容量を変化させる。容量変化は電子回路で処理され、その変化に応じた電気信号が供給される。
【０００３】
小型のマイクロフォンを含むＭＥＭＳ（Microelectronic mechanical devices）は、集積回路の作製に用いられている技術を用いて製造される。ＭＥＭＳマイクロフォンの潜在的な用途としては、聴力補助のためのマイクロフォン、携帯電話機、車両の圧力センサーがある。
【０００４】
現在利用可能なＭＥＭＳマイクロフォンは、多くのマスキングおよびエッチング過程を含む複雑な製造プロセスにより製造される。製造プロセスが複雑なため、試験工程に失敗し、装置が使用不能となってしまうリスクが増大している。
【０００５】
出願人は、シリコンマイクロフォンのような圧力センサーの製造方法を多数提案してきた。例えば、ＷＯ２００４／１０５４２８号国際公開パンフレットには、開口部上に延びた、柔軟性のあるダイアフラムを含むシリコンマイクロフォンが記載されている。背面板は、マイクロフォンの平行平板コンデンサを形成するため、可撓性部材と組み合わせられている。しかし、この先行技術文献や他の先行技術文献は、いわゆる「トップサイド」用途のセンサーを例示している。すなわち、使用時にセンサーは装置（例えば携帯電話機）内にパッケージされ、音響信号が装置の孔を介して伝達され、センサーにより間接的に受信されるようになっている。この配置については後述する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、センサーの使用時に信号の経路（例えば音波の信号経路）を短くし、センサーのボトムサイド用途を容易にする配置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態において、複数の背面板孔を有し、導電性または半導電性材料で形成された背面板と、前記背面板と絶縁されて前記背面板に接続され、導電性または半導電性材料で形成され、可撓性部材および前記可撓性部材に対応するエアギャップを定めるダイアフラムと、前記背面板の、キャビティを囲む領域に形成されたボンドパッドと、前記ダイアフラムの、前記エアギャップを囲む領域に形成されたボンドパッドとを有し前記可撓性部材および前記エアギャップは、前記背面板孔の下に延びる前記ダイアフラムによって定められることを特徴とするセンサーが提供される。
【０００８】
センサーを機能させるため、前記ダイアフラムは、酸化物層により前記背面板と絶縁されてもよい。これは、いかなる手段で行われてもよい。好ましい態様において、ダイアフラムは、酸化物層により背面板から絶縁される。
【０００９】
背面板およびダイアフラムを形成する材料は、当業者に知られたものが用いられる。すなわち、背面板およびダイアフラムを形成する材料は、ハイドープ材料、例えばいかなるｐ＋またはｎ＋材料であってもよい。好ましい態様において、背面板は、少なくとも一の面に酸化物層が形成されたシリコンウエハーにより形成され、ダイアフラムは、ヘビードープシリコン層、シリコン層および中間酸化物層を含むシリコン・オン・インシュレーター（ＳＯＩ）ウエハー、またはドープされたポリシリコンウエハーによりにより形成される。
【００１０】
センサーは、前記ダイアフラムに対応する支持部材を有してもよい。この場合、前記支持部材が、前記ダイアフラムに接合されたガラスウエハーを含んでもよい。ガラスウエハーは、Ｓｃｈｏｔｔ社のＢｏｒｏｆｌｏａｔ（登録商標）、またはＣｏｒｎｉｎｇ社のＰｙｒｅｘ（登録商標）のようなホウケイ酸塩ガラスであってもよい。
【００１１】
好ましい態様において、前記背面板が、前記複数の背面板孔の上に延びるキャビティを含んでもよい。この構造は、複数の孔の開口部からエアギャップまでの距離（すなわちダイアフラムの可撓性部材までの距離）を最小化する効果がある。
【００１２】
本発明の別の実施形態において、第１の表面を定めるヘビードープシリコン層、第２の表面を定める第２のシリコン層および中間酸化物層を有する第１のウエハーを準備する工程と、第１の表面および第２の表面を定めるヘビードープシリコンを有する第２のウエハーを準備する工程と、前記第１のウエハーの前記第１の表面上に酸化物層を形成する工程と、前記第２のウエハーの前記第１の表面上に酸化物層を形成する工程と、前記第１のウエハーの前記第１の表面上の前記酸化物層を介し、前記第１のウエハーの前記ヘビードープシリコン層内にキャビティをパターニングおよびエッチングする工程と、前記第１のウエハーの前記第１の表面上の前記酸化物層を介し、前記第１のウエハーの前記ヘビードープシリコン層内にキャビティをパターニングおよびエッチングする工程と、前記第１のウエハーの前記第１の表面と、前記第２のウエハーの前記第１の表面とを、前記第１のウエハーの前記第１の表面に形成された前記キャビティが前記第１のウエハーと前記第２のウエハーとの間のエアギャップを定めるように接合する工程と、前記第１のウエハーの前記第２の表面を定める前記シリコン層内にキャビティをパターニングおよびエッチングし、前記第１のウエハーのヘビードープ層からなり、前記第１のウエハーと前記第２のウエハーとの間の前記エアギャップに対応する可撓性部材を形成する工程と、前記第２のウエハーを前記第２の表面において薄くする工程と、前記第２のウエハーの前記第２の表面において、前記第１のウエハーと前記第２のウエハーとの間の前記エアギャップに対応する複数の孔をパターニングおよびエッチングする工程と、前記第１のウエハーの前記ヘビードープシリコン層に少なくとも一のボンドパッドを、および前記第２のウエハーに少なくとも一のボンドパッドを形成する工程とを有する、センサーの製造方法が提供される。
【００１３】
上述の各工程は、記載された順序で行われる必要はない。当業者であれば、同じ結果を得るために工程の順序を変更することができる。そのような変更は本発明の範囲に含まれる。
【００１４】
実施形態において、支持部材を含んでもよい。前記第１のウエハーの前記第２の表面を定める前記シリコン層内に前記キャビティがパターニングおよびエッチングされた後のいずれかの段階で、前記第１のウエハーの前記第２の表面に支持部材を接合する工程を有してもよい。支持部材は、前述のとおりいかなる材料で形成されてもよい。
【００１５】
第２のウエハーの第２の表面に形成された複数の孔の開口部と可撓性部材との間の伝達距離を最小化するため、すでに強調したように、前記第２のウエハーの前記第２の表面において前記複数の孔をパターニングおよびエッチングする工程の前に、前記第２のウエハーの第２の表面においてキャビティをパターニングおよびエッチングする工程を有してもよい。
【００１６】
本発明のさらに別の実施形態において、プリント基板（ＰＣＢ）と、前記プリント基板と対応する、前述のセンサーとを有し、前記プリント基板が開口部を有し、前記開口部を通った信号が直接前記センサーの前記可撓性部材に伝達されるように前記センサーが前記開口部の上に配置されることを特徴とする装置が提供される。
【００１７】
既に述べたように、音響センサーは、本発明に係るセンサーの用途のひとつである。したがって、前記信号が、音響信号であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】第１のウエハーおよび第２のウエハーの製造前の状態を示す断面図である。
【図２】酸化物堆積後の第１のウエハーおよび第２のウエハーを示す断面図である。
【図３】キャビティをパターニングおよびエッチングした後の第１のウエハーを示す断面図である。
【図４】コンタクトキャビティをパターニングおよびエッチングした後の第１のウエハーを示す断面図である。
【図４Ａ】酸化物層をパターニングおよびエッチングした後の第１のウエハーを示す断面図である。
【図５】第１のウエハーと第２のウエハーとが接合された状態を示す断面図である。
【図６】可撓性部材を形成するためにパターニングおよびエッチングされた後の、接合ウエハーを示す断面図である。
【図６Ａ】第１のウエハーの第２の表面が薄くされた後の、接合ウエハーを示す断面図である。
【図６Ｂ】支持部材が接合された後の、接合ウエハーを示す断面図である。
【図７】第２のウエハーの第２の表面が薄くされた後の、接合ウエハーを示す断面図である。
【図７Ａ】第２のウエハー内にキャビティをパターニングおよびエッチングした後の、接合ウエハーを示す断面図である。
【図８】第２のウエハーに孔をパターニングおよびエッチングした後の、接合ウエハーを示す断面図である。
【図９】第２のウエハーの孔を全体エッチングした後の、接合ウエハーを示す断面図である。
【図１０】第１のウエハーおよび第２のウエハーにボンドパッドを形成する様子を示す断面図である。
【図１１】極低圧力センサーの断面図である。
【図１２】先行技術に係るセンサーおよびパッケージング方法を用いた装置を示す図である。
【図１３】先行技術に係るセンサーおよびパッケージング方法を用いた装置を示す図である。
【図１４】本発明に係るセンサーを用いた装置を示す図である。
【図１５】開口部をまたぐように配置された本発明に係るセンサーを用いた装置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
センサーおよびそのセンサーを製造する方法は、特定の実施形態を用いて説明される。以下の説明においては本発明を限定する意図は無い。また、図面においてスケールは正確ではなく、説明のためだけに用いられる。
【００２０】
図１は、センサーの製造に用いられる第１のウエハー１０および第２のウエハー１１の側面図である。第１のウエハー１０は、高ドープシリコンの第１の層１２と、シリコン基板の第２の層１３と、中間酸化物層１４とを有する。第１の層１２はｐ＋＋ドープシリコンを含んでもよく、第２の層１３はｎ型基板を含んでもよい。あるいは、第１の層１２はｎ＋＋シリコンを含んでもよく、第２の層１３はｐ型基板を含んでもよい。
【００２１】
典型的には、第１の層１２は４ミクロン程度の厚さを有し、酸化物層１４は２ミクロン程度の厚さを有する。これらの層の厚さは、センサーに要求される特性に応じて決められる。第２の層１３は、第１の層１２および酸化物層１４よりも厚くてもよい。例えば、第２の層１３は４００−６００ミクロンの厚さであってもよい。
【００２２】
第２のウエハー１１はシリコンで形成されている。第２のウエハー１１は、ヘビードープであり、ｐ型またはｎ型のどちらでもよい。一実施形態において、第２のウエハー１１は、＜１００＞シリコンである。他の実施形態において、他の面または他の結晶構造のものが用いられてもよい。
【００２３】
第１のウエハー１０は、第１の層１２のヘビードープシリコンで形成された第１の表面１５と、第２の層１３のシリコンで形成された第２の表面１６とを含む。同様に、第２のウエハー１１は、第２のウエハー１１のヘビードープシリコンで形成された表面１７および表面１８を含む。
【００２４】
センサーの製造において、第１のウエハー１０および第２のウエハー１１は、接合されてさらなる処理をされるまでは別々に処理される。
【００２５】
図２は、ウエハー１０および１１の表面１５−１７上に酸化物層１９が形成された後の第１のウエハー１０と第２のウエハー１１を示す図である。酸化物層１９は、典型的には、ウエハー１０および１１の表面１５−１７上に熱成長プロセスまたは堆積プロセスを用いて形成される。第１のウエハー１０および第２のウエハー１１上の表面１５−１６および１７−１８上に酸化物層１９を形成すると、ウエハーの歪み（各ウエハーの片面にしか酸化物層を形成しないと、ウエハーがひずむ可能性がある）を減少させられる。別の実施形態において、酸化物層１９は、第１のウエハーの第１の表面１５および第２のウエハーの第２の表面１７にのみ形成されてもよい。酸化物層１９の厚さは、第１のウエハー１０および第２のウエハー１１の厚さよりも薄い。
【００２６】
酸化物層１９の代わりに、他の誘電性または絶縁性の材料、例えば、窒化シリコンが用いられてもよい。
【００２７】
図３は、キャビティ２０がパターニングされ、エッチングされた第１のウエハー１０を示す。特に、キャビティ２０はパターニングされ、第１のウエハー１０の、第１の層１２の第１の表面１５上に形成された酸化物層１９を介して、第１のウエハー１０の第１の層１２内部までエッチングされる。このステップにおいて、第１の層１２を形成するヘビードープシリコンの一部は、第１の層１２のヘビードープシリコンの薄い部分２１を形成するため、エッチングにより削り取られる。
【００２８】
薄い部分２１の厚さは、センサー（以下の図面において示されるように、ハイドープシリコンの薄い部分２１が、センサーのダイヤフラムの可撓性部材を形成する）の特性を決定する。
【００２９】
このステップにおいては、ウェットエッチングまたはドライエッチングが用いられてもよい。一実施形態において、キャビティ２０の形成には反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etch、ＲＩＥ）が用いられる。一般的に、エッチングは時間に依存している。したがって、薄い部分２１（およびダイアフラムの可撓性部材）の最終的な厚さは、エッチング時間に依存している。さらに、キャビティの形は、センサーに要求される特性に応じて設計される。
【００３０】
第１のウエハー１０の第１の層１２内にキャビティ２０をエッチングした後、図４に示されるコンタクトキャビティ２２がパターニングされ、酸化物層１９を通って第１のウエハー１０の第１の層１２内までエッチングされる。キャビティ２２は、第１の層１２を通って第１のウエハー１０の酸化物層１４まで達している。なお、キャビティ２２の形成には、他のいかなるエッチングプロセスが用いられてもよい。
【００３１】
図４Ａを参照する。この段階において、第１のウエハー１０の第１の層１２の第１の表面１５上に形成された酸化物層１９にパターニングおよびエッチングすることにより、ボンドパッドキャビティ２３が形成されてもよい。
【００３２】
図５に示されるように、第１のウエハー１０および第２のウエハー１１は接合される。互いの酸化物層１９を介して接合される表面は、第１のウエハー１０においては第１の表面１５であり、第２のウエハー１１においては第１の表面１７である。一実施形態において、ウエハー１０および１１は、溶解接合を用いて酸化物層１９を介して接合される。
【００３３】
図６を参照する。ウエハー１０および１１の接合の後、キャビティ２５がパターニングされ、第１のウエハー１０の第２の表面１６上に形成された酸化物層１９が、第２の層１３のシリコンおよび第１のウエハー１０の中間の酸化物層１４を介してエッチングされる。キャビティはエアギャップ２４に対応する位置に形成される。こうして、先に形成された薄い部分２１は、キャビティ２５に露出する。
【００３４】
ガラスウエハーのような支持部材が要求されるときは、図６Ａおよび６Ｂに示されるように用いられる。この実施形態において、酸化物層１９は第１のウエハー１０の第２の表面１６上に形成される。第２の表面１６の一部は、第２の層１３を薄くするために研磨される。これにより、第１のウエハー１０上にグランド表面２６が形成される。しかし、酸化物層１９を除去し、第２の層１３を薄くする他のいかなる方法が用いられてもよい。
【００３５】
第２の層１３を薄くした後、事前に準備されたガラスウエハー２７が、グランド表面２６に接合される。ガラスウエハー２７は、既に形成されているキャビティ２５と協働する中央開口部２８を含む。このような場合、ガラスウエハー２７上にクロムのマスク層が堆積され、例えばフッ酸（ＨＦ）を用いたウェットエッチングまたはドライエッチングにより開口部２８が形成される。
【００３６】
図７に示されるように、第１のウエハー１０の第２の層１３におけるキャビティ２５のエッチングの後（および、ガラスウエハー２７を用いる場合はガラスウエハー２７を第２のウエハー１３に接合した後）、第２のウエハー１１の第２の表面１８およびその上に形成された酸化物層１９が、研磨される。これは、第２のウエハー１１のグランド表面２６を露出したままにする。第２のウエハー１１のグランド表面２９をパターニングおよびエッチングすることにより、第２のウエハー１１内にキャビティ３０が形成されてもよい。なお、第２のウエハー１１の第２の表面１８およびその上に形成された酸化物層１９の研磨は、キャビティ２５のエッチングの前に行われてもよい。
【００３７】
次に、第２のウエハー１１のハイドープシリコンの、エアギャップ２４と対応する領域（すなわち薄い部分２１と対応する領域）に、複数の孔３１がパターニングされエッチングされる。さらに小さいキャビティ３２が、第２のウエハー１１においてエッチングされる。図５に示されるように第１のウエハー１０と第２のウエハー１１とが接合された場合、キャビティ３２は、ボンドパッドキャビティ２３（図４Ａ参照）により形成されるエアギャップ３３と対応している。孔３１とキャビティ３２が形成されると、孔３１がエアギャップ２４に貫通し、キャビティ３２がエアギャップ３３に貫通するように、全体エッチングが行われる。その結果、第２のウエハー１１とエアギャップ２４を貫通するチャンネル３４と、キャビティ３５とが形成される。
【００３８】
図１０を参照する。全体エッチングによりチャンネル３４が形成された後、第２のウエハー１１の上にシャドウマスク３６が置かれ、ボンドパッド３７および３８が堆積される（例えば、アルミニウムの堆積による）。第１のボンドパッド３７は、第１のウエハー１０上のキャビティ３５に露出している領域に堆積される。第２のボンドパッド３８は、第２のウエハー１１上の領域に形成される。
【００３９】
製造が終了すると、図１１に示されるセンサー４０が得られる。これは、複数のチャンネル３４を有する第２のウエハー１１から形成された背面板３９を含む。複数のチャンネル３４は、第１のウエハー１０により定められるエアギャップ２４まで貫通している。薄い部分２１は、エアギャップ２４に対応し、ダイアフラム４１の可撓性部材を形成している。ボンドパッド３７および３８の組は、それぞれ、第１のウエハー１０および第２のウエハー１１に対応している。図１１からわかるように、センサーは、背面板３９が、薄い部分２１で定められる可撓性部材の上に位置するように（すなわち、チャンネル３４が可撓性部材の上に位置するように）形成される。これにより、図１２に示されるような、いわゆる「ボトムサイド」用途のセンサーが製造される。
【００４０】
図示されるように、センサー４０はＰＣＢ４２上に、開口部４３をまたぐように取り付けられる。その結果、開口部４３を通る信号はすべて、センサー４０のダイアフラム４１の薄い部分２１で定められる可撓性部材に直接伝達される。ボンドパッド３７および３８にはワイヤが接続され、装置の他の部品４５に接続される。装置のキャップ４６により、背面の空間４７が確保される。
【００４１】
図１３−１４を参照する。いくつかのパッケージが図示されている。図１３では、先行技術に係る「トップサイド」用途のセンサー４０’がＰＣＢ４２上に取り付けられる配置が図示されている。開口部４８により、信号（例えば音響信号。図１３−１５において矢印で示されている）が、キャップ４６を介してセンサー４０’に伝達される。
【００４２】
図１４は別の先行技術を示している。ここで、センサー４０”がＰＣＢ４２に取り付けられている。この配置では、開口部４３が、キャップ４６ではなくＰＣＢ４２に形成されている。しかし、センサー４０”は「トップサイド」用途のセンサーであるから、開口部４３をまたぐように配置することはできず、開口部４３から離れた位置に取り付けられる必要がある。
【００４３】
既に説明したように、本発明に係るセンサー４０は、図１５に示されるように開口部４３をまたぐようにして配置できるという利点がある。したがって、図中矢印で示される信号は、センサー４０（特に、可撓性部材）に直接伝達される。
【００４４】
本発明に係るセンサーによれば、数々の利益がもたらされる。特に、ＰＣＢ上のセンサーの位置は、パッケージ内に侵入する湿度の問題を緩和する。より重要なことは、このセンサーによれば、背面の空間を広くとることができる。音響用途に関しては、背面の空間は、感度に影響するので音響特性上重要である。「ボトムサイド」用途の方法は、装置全体の大きさがほぼ背面の空間の大きさとなるので、感度を改善できる。また、「ボトムサイド」用途では、孔は装置正面（例えば、携帯電話機前面のキーパッドの部分）に開けられ、ＰＣＢに開けられた孔によって、音は直接センサーに伝達される。信号の経路が短くなることによって、孔の下にエアチャンネルが必要なくなるので装置の外形を小さくすることができる。
【００４５】
以上の説明は、本発明の好適な実施形態を含む。当業者に自明の変形や改良は、特許請求の範囲で定義される技術範囲に含まれる。
【図１】
2010506532.tif 000003
【図２】
2010506532.tif 000004
【図３】
2010506532.tif 000005
【図４】
2010506532.tif 000006
【図４Ａ】
2010506532.tif 000007
【図５】
2010506532.tif 000008
【図６】
2010506532.tif 000009
【図６Ａ】
2010506532.tif 000010
【図６Ｂ】
2010506532.tif 000011
【図７】
2010506532.tif 000012
【図７Ａ】
2010506532.tif 000013
【図８】
2010506532.tif 000014
【図９】
2010506532.tif 000015
【図１０】
2010506532.tif 000016
【図１１】
2010506532.tif 000017
【図１２】
2010506532.tif 000018
【図１３】
2010506532.tif 000019
【図１４】
2010506532.tif 000020
【図１５】
2010506532.tif 000021
【国際調査報告】
2010506532.tif 000022
2010506532.tif 000023
2010506532.tif 000024