(57)【要約】  本発明は、集積回路を初期に被覆する高分子膜の除去により集積回路を露出するための方法であって、集積回路を初期に被覆する膜に対するレーザ照射とプラズマとを組み合わせた適用を特徴とする方法に関する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路を初期に被覆する高分子膜の除去により前記集積回路を露出するための方法であって、同一容器（１６）内で実行される、前記集積回路を初期に被覆する前記膜に対するレーザ照射とプラズマとを組み合わせた適用を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項1に記載される方法であって、さらに、最初にレーザ照射を適用するステップ（７２）と、次にプラズマを適用するステップ（７４）とを含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項２に記載される方法であって、前記集積回路が依然としてレーザ照射にさらされている間に、前記ステップ（７４）におけるプラズマの適用を開始することを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項２または３に記載される方法であって、前記集積回路の上に残った前記高分子膜の厚さが５０〜２００μｍとなる間まで、前記レーザ照射を適用する前記ステップ（７２）が実行されることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項２ないし４のいずれか１項に記載される方法であって、最初にレーザ照射を適用するステップと、次にプラズマを適用するステップの２つの連続する処理ステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項に記載される方法であって、前記集積回路がプラズマの適用にさらされる間に、前記レーザ照射を適用する前記ステップ（７２）が実行されることを特徴する方法。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載される方法であって、前記集積回路上にある残存粒子を離脱させられるように、前記集積回路の表面に向かう、噴霧化したガスフローを形成するステップを含むことを特徴する方法。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載される方法であって、前記プラズマが減圧プラズマであることを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載される方法であって、前記プラズマが大気圧プラズマであることを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載される方法であって、前記プラズマが酸素と炭素四フッ化物を含むことを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれか１項に記載される方法であって、容器（１６）の圧力を減少させる先行するステップを備えるとともに、前記容器（１６）がレーザ照射とプラズマの組み合わせた適用の間、減圧下に保持されることを特徴とする方法。
【請求項１２】
初期に高分子膜が被覆された集積回路の接続導体のせん断試験方法であって、
−請求項１ないし１１のいずれか１項に記載される方法により、前記集積回路と前記接続導体とを露出する最初のステップ（７２，７４）と、
−このように露出した前記導体に対し、せん断試験をするステップとを含むせん断試験方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載される試験方法において、前記プラズマの適用により、残存する前記高分子と前記接続導体上に位置する高分子を取り除くことができることを特徴とする方法。
【請求項１４】
集積回路を初期に被覆する高分子膜の除去により、前記集積回路を露出する装置であって、
−前記集積回路の表面へレーザ照射を適用するための手段（２８）と、
−前記集積回路を初期に被覆する前記膜に対して、前記レーザ照射の適用と組み合わせた、プラズマによるアタックを適用するための手段と、
−上記プロセスの期間中、前記集積回路を支持するためのプレート（１３）と、同一支持プレート上で作用させる、前記レーザ照射のための前記適用手段（２８）と、前記プラズマのための前記適用手段（４６）とを含む装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路を初期に被覆する高分子膜の除去により集積回路を露出する方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路は、側面の接続部を備えているシリコンのブロック中に、エッチングにより作られる。側面の接続部は、特に銅により構成され、内部回路から他の電子要素を備えた印刷回路へ接続可能とする。
集積回路は、接続部材(lug)を強固に保持する高分子膜により、樹脂封止され、集積回路の取扱いを可能にし、集積回路を強化する。
【０００３】
集積回路の動作の解析のため、その完全性（integrity）と動作能力を維持している間、集積回路へアクセスできることが、ある場合には必要である。
そのために、集積回路の表面を露出することができるように、高分子膜を部分的に除去することが知られている。
高分子膜を除去するために、高出力レーザビームを高分子膜に照射し、膜の劣化が生ずるように集積回路上を走査することが知られている。
この方法は、レーザの照射を正確に制御することができる特有な装置において実行される。
レーザビームの過剰な照射は、シリコンに対するアタックとなり、回路に損傷をもたらす。
そのような損傷を回避するために、レーザは適度な方法で用いられるが、集積回路のその後の観察を損なう高分子の島（islet）が、集積回路上に残る。
【０００４】
さらに、集積回路の領域の高分子膜をアタックするためにプラズマを用いることも知られている。このアタックは、回路が配置され、かつ適切に封止された容器内で実行される。この容器では、回路の上方にプラズマを生成することができる。
プラズマは、高分子膜へのアタックをもたらす。しかしながら、プラズマの作用は、非常に遅く、プラスチック膜の非常に薄い厚さのみを除去することができるだけである。
【０００５】
米国特許第４，６８９，４６７号明細書には、単一の物質から構成された製造部品を切断するための装置が記載されている。装置は、レーザとプラズマ銃を含んでいる。
しかしながら、このレーザは、マイクロエレクトロクスに使用するには、過大な出力レベルを持っている。
プラズマ銃は、より迅速に切断するために製造部品を加熱する補助的なエネルギー発生器でもある。この銃は、集積回路を露出するために使用することはできない。その理由は、この銃が、高分子膜、接続導体及び回路要素を溶かす効果を持っているからである。したがって、そのようなプラズマ銃は、未だ集積化されていない印刷回路に損傷を与えるだろう。
上記文献の第１１欄の第４０行に示されるように、コロナ放電、すなわち、電気アークは、プラズマを生成するために発生する。電気アークが集積回路を露出するとすれば、そのような電気アークは、集積回路を破壊するであろう。プラズマ銃から放電されたプラズマ流は、原子レベルでマイクロアブレージョン効果（micro-abrasion effect）がある。
したがって、上記文献に記載された切断装置は、集積回路を露出することに用いることはできない。
【０００６】
MEMSのマルチチップ  モジュール  パッケージング(Multichip  module  packaging  of  Microelectromechanical  systems)」と題する文献には、MEMSのマイクロプレートを露出する方法が記載されている。この方法によれば、マイクロプレートを被覆する誘電体からなる２つの層は、最初のレーザビームの照射と、引き続くプラズマアタックの適用により取り除かれる。
しかしながら、この文献は、レーザの照射とプラズマの適用の間、同一容器内で同一支持体により保持されるマイクロプレートについては言及していない。レーザが照射された後にマイクロプレートが動かされたとき、処理される集積回路の部分の大きさを考慮すると、もはや、選択された場所において正確にプラズマアタックを実行することは可能ではない。
プラズマの除去能力が低いことを考慮に入れ、集積回路上に形成された高分子膜の厚さを機械的または化学的に減少させることにより、試験片を用意することが知られている。
そのために、最初の実施態様によれば、集積回路の被膜の平坦研磨は、研磨装置を用いて実行される。その結果、その後のプラズマの作用により除去される被膜のほんの少しの厚さだけを残すことができる。
他の実施形態によれば、被膜の厚さの大部分は、酸、特に、硝酸または硫酸を用いた化学的アタックにより除去される。
酸のアタックは、止めることが難しく、回路または容器の電気的接続に損傷が起こるかも知れない。
したがって、これら２つの実施方法によると、プラズマを適用するための容器の外部において、試験片の用意がされ、次に、プラズマが生成される容器内に試験片が設置されると、高分子の最終的な厚さを除去するため、プラズマにより試験片を処理する次のステップがなされる。
そのような方法は、実行するのに比較的長い時間が必要である。というのも、それらの方法は、２つの異なる除去手法の利用が必要であるからである。    
【発明の概要】
【０００７】
本発明の目的は、集積回路の表面の露出が急速に実行されるとともに、集積回路の満足な表面状態を得ることができる方法を提供することである。
そのために、本発明は、集積回路を初期に被覆する高分子膜の除去により集積回路を露出するための方法であって、同一容器内で実行される、集積回路を初期に被覆する被膜に対するレーザ照射とプラズマとを組み合わせた適用を含むことを特徴とする方法に関する。
具体的な実施形態は、従属請求項に記載される。
【０００８】
また、本発明は、初期に高分子膜で被覆された集積回路の接続導体のせん断試験方法であって、
−上記した方法により、集積回路と接続導体とを露出する最初のステップと、
−このように露出した導体に対し、せん断試験をするステップとを含むせん断試験方法に関する。
【０００９】
最後に、本発明は、集積回路を初期に被覆する高分子膜の除去により、集積回路を露出する装置であって、
−集積回路の表面へレーザ照射を適用するための手段と、
−集積回路を初期に被覆する塗膜に対して、レーザ照射の適用と組み合わせた、プラズマによるアタックを適用するための手段と、
−上記プロセスの期間中、集積回路を支持するためのプレートと、同一支持プレート上で作用させる、レーザ照射のための適用手段とプラズマのための適用手段とを含む装置に関する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明にしたがった集積回路を露出する装置の第1の実施形態の概略図である。
【図２】図１の装置のチャンバーの斜視図である。
【図３】集積回路の露出に用いる方法のフローチャートである。
【図４】方法を実施するための装置の、他の実施形態の概略正面図である。
【図５】同一の塗膜中の２つの回路からなる試験片を加工する一連のステップを示す略図である。
【００１１】
本発明は、図面を参照して、単なる例として示す以下の記載を読めば、よりよく理解できるであろう。
図１に示される装置１０は、減圧下でレーザビームとプラズマを引き続いて用いることによって、高分子膜に包まれた集積回路により形成された試験片１２の露出を確実にすることができ、 回路1２は、プレート１３により支持される。
この装置は、密封容器１６の範囲を定める真空チャンバー１４を含む。チャンバー１４は、図２に、より詳細に示されている。
【００１２】
チャンバー１４は、平らな底面１８、概ね円筒形の外側壁２０と、平坦上部２４の下部が概ね裁頭円錐形であるカバー２２を備えている。上部２４は、底部１８の中心部の垂直上部にある透明窓２６を備えており、回路を処理するときは、プレート１３は図１の底部１８に位置する。
レーザ源２８は、窓２６に面するチャンバー１４の外部に配置されており、試験片１２に向けられている。レーザは、例えば、ガルバノ・レーザ（galvano  laser）、Nd：ＹＡＧ型レーザ、またはエキシマレーザである。このレーザは、その制御のために、中央制御装置３０に接続されている。
中央制御装置３０は、例えば、入力カードと出力カードとに関連付けられたプロセッサーにより形成される。
レーザ源２８は、回路１２の平面の、相互に垂直な２方向にレーザビームを動かす手段３２に支持されている。これらの移動手段は、レーザの位置の制御が可能であって、回路１２の上表面でのレーザビームの走査を可能にする中央制御装置３０に接続されている。
【００１３】
カバーの裁頭円錐形の壁２２は、さらに、透明窓３４を備える。透明窓の背後には、容器の外部に位置し、容器内に配置された試験片１２を観察するためのモニターカメラ３６が備えられている。
カメラ３６は、集積回路の表面の露出の進展を観察することができる観察モニター３８と接続されている。
図１に示すように、カメラ３６の光軸は、回路１２に関する法線から、角度が変位している。
このように、画像を補正するための回路は、カメラ３６とモニター３８との間に置かれるのが好適である。画像補正回路は、画像を処理するためのアルゴリズムを実行することができ、得られた回路の画像の修正ができる。修正回路の画像は、最初は台形状であるが、回路に関してカメラの光軸を垂直方向として観察したかのように長方形となる。
【００１４】
変形例として、カメラと回路の間のビームを修正し、その結果、角度を補正し、画像の修正を確保するために、ミラーまたはミラーの組立体は、カメラ３６と回路１２との間の容器の内部に配置される。
【００１５】
他の実施態様によれば、異なる角度の２つのカメラは、回路を観察するために適切な位置に配置される。これら２つのカメラにより得られた画像は、回路の立体的な画像を生成できるように画像処理ユニットに伝送される。
【００１６】
有利な実施形態によれば、先行する３つのアプローチは、組み合わされる。このようにして、第3のカメラが、回路の修正された長方形画像を得るために一組のミラーまたは、画像処理ユニットと関連付けられている間、例えば、２つのカメラは、回路の立体的な画像を得るために使用される。
【００１７】
クリーニングガスを吹き込むためのノズル４０は、裁頭円錐形の壁２２を通して設置されている。このノズルは、集積回路１２の方向を向いている。ノズル４０には、加圧されたクリーニングガスの供給源４２からガスが供給される。供給源３２に含まれるガスのノズル４０への供給は、バブル４４を制御する中央制御ユニット３０により制御される。
ノズル４０から噴射される供給源４２に含まれるガスは、例えば、プラズマにより除去されない物質を噴霧化(atomising)できる二酸化炭素から構成される。
【００１８】
容器は、さらに、集積回路１２の露出される表面においてプラズマを生成するための手段４６を含む。これらの手段４６は、イオン化可能なガスを吹き込むリング４８を含む。リングは、チャンバーの内部の窓２６の近くで、チャンバーの中心軸に沿って配置される。リング４８は、その周辺部に配置され、回路１２に向けられている小孔の集合体を含む。
リング４８には、チャンバーの外側に配置されたイオン化ガスソース５０からガスが供給される。リングは、中央制御装置３０により制御されるバルブ５２を介してソース５０に接続される。
ソース５０に収容されたガスは、例えば、酸素と炭素四フッ化物の混合物から構成される。
【００１９】
プラズマを生成する手段４６は、さらに、試験片を支持するプレート１３に接続された無線周波発生器５４を含む。発生器５４は、チャンバーに含まれるガスのイオン化を行える強度の電磁界を発生することができる。
発生器５４は、制御のために中央制御装置３０に接続されている。
吸入開口５６は、試験片１２の周辺の底部１８に設置されている。これらの開口は、中央制御装置３０に制御された真空ポンプ５８に接続されている。開口５６は、チャンバーに含まれるガスや、レーザ照射やプラズマの作用による被膜の変位の間に生成された破片を吸い込むことができる。
【００２０】
図２に示すように、試験片１３を支持するプレートは、チャンバー１４に対してスライドして動くように搭載されている。チャンバー１４は、縦方向の壁２０に、吸気口６０を備えている。そして、吸気口を通して、試験片１２を支持するプレート１３がスライドできるように支持されている。プレート１３は、チャンバー１４に固定して結合された２つの横方向のスライド６４に可動に搭載されているスライド部材６２に、固定して結合される。部材６２は、プレートがチャンバー１４の実質的に外部に位置する、回路を配置する位置と、プレート１３と特に試験片が、下方で窓２６に対して垂直方向に位置する、回路を処理する位置との間で可動である。
プレートが試験片を処理する位置にある時、チャンバー１６のシールが保証されるように、プレート１３と部材６２とにより、封止ジョイントが提供される。プレートは、集積回路１２を位置決めするアングル６６を含む。
最後に、保護マスク６８は、回路上に提供され、プレート１３により運ばれる。このマスクは、露出されるべき集積回路の部分の垂直方向に関して、アパーチャ７０によりレーザビームとプラズマの通過帯域に対する範囲を定める。
【００２１】
集積回路を露出するために、回路は、最初マスク６８の下のプレート１３に置かれる。その後、プレートは、チャンバーに導入される。その後、真空状態とするために、ポンプ５８を用いてチャンバー内の圧力を減少する。露出されるべき集積回路の表面は、図３のステップ７２の、ソース２８からのレーザ照射にさらされる。使用するレーザビームは、１〜５０ワットの出力レベルが望ましい。例えば、５〜３０秒の間、照射する。レーザビームは、回路の被膜の厚さの大部分が除去できるように照射される。その結果、５０μｍ〜２００μｍ、望ましくは、１００μｍの厚さのみが残る。
レーザビームによる処理の間、回路の変化は、カメラ３６を通して観察される。被膜からはがれた破片は、開口５６に受け入れられる。
【００２２】
高分子膜のみが残った後、容器１６から回路を取り出すことなく、依然として減圧状態である間に、ステップ７４において、回路１２の近傍にプラズマが生成される。このプラズマは、リング４８から吹き込まれたガスと、発生器５４により形成された磁界により発生する。
プラズマは、望ましくは、存在する樹脂の変位を保証するのに適した特性を持つ。温度、作動圧力レベル、使用されるガスの種類は、樹脂の種類や厚さに応じて選択される。
プラズマは、３０分〜２４０分の間適用される。
プラズマの存在は、イオン化した粒子の作用のため、回路のアンダーカットされた部分や銅結合部の下からさえも、残った高分子層を完全に取り除くことを可能にする。
プラズマを適用している間、二酸化炭素の周期的な噴霧化(atomisation)によって、生成された残渣を除去することができる。
【００２３】
変形例によれば、集積回路がプラズマにさらされている間、レーザ照射を用いる最初のステップ７２が実行される。
例えば、回路を覆う残った高分子層の厚さの不均一により、必要とされる場合、レーザとプラズマを連続適用するステップ７２とステップ７４が、レーザとプラズマによる先行する作用の後に、最も厚く残存する層のレーザビームによる除去を可能とするために、繰り返えされる。レーザ照射の２回目の適用の後、プラズマによる最後の処理ステップが適用される。
【００２４】
他の実施形態によると、チャンバー１６で生成されたプラズマは、発生器５４により発生された磁界ではなく、適切な電力レベルのレーザ照射にさらされることにより、維持される。その電力レベルは、チャンバー内のガスのイオン化には適切であるが、高分子膜のアタックそれ自体には不十分である。
そのような方法により、プラズマの最後の作用により、非常に正確に回路を露出できることは、よく理解されるだろう。
【００２５】
同一容器内におけるレーザ照射とプラズマとを組み合わせた使用は、工程を減少させ、また、非常に早くかつ簡単に実施できる露出方法を可能にする。２つの工程間で、減圧を維持することは、回路または回路の接続部を構成する金属が周辺の空気により酸化されないことを可能にする。
【００２６】
最初にレーザを作用させ、第２のステップでプラズマを作用させる組み合わせは、集積回路自体と、ケーシングから突き出した側面の接続ラグとを接続する接続ワイヤの非常に満足できる露出を可能にする。レーザの作用は、これら接続ワイヤの上側表面が露出されることを可能にする。一方、接続ワイヤが損傷を受けることなく、接続ワイヤの下に位置する高分子がプラズマの作用により取り除かれる。
【００２７】
引張試験で得られる結果は、高分子を取り除くために用いられるアタック作用によって変化を受けないので、接続ワイヤのそのような露出は、接続ワイヤのせん断試験の次のステップにとって、特に、好都合である。
【００２８】
図４は、集積回路を露出する他の実施形態を示す。図４において、図１と同じものまたは対応する要素は、同一の参照番号で参照される。
この実施形態では、減圧即ち真空状態でのプラズマは、大気圧プラズマに置き換えられる。このように、チャンバー１４は、不要である。プレート１３に支持された試験片１２は、上記のように、レーザ源２８及び、クリーニングガスを噴出すための手段４０，４２，４４とに向かい合うように配置される。
大気圧レーザを生成する手段は、酸素または、酸素と炭素四フッ化物の混合物を含んだガスソース１０２と接続したプラズマガスを放電させるためのノズル１００を含む。レーザは、プラズマガスのイオン化を引き起こすため、吹き込こまれたガスを励起するためのソースとして用いる。
この装置での実施方法は、 回路１２が、最初はレーザ照射にさらされ、次にプラズマによるアタックにさらされる、図１の装置に使われるものと同一である。
【００２９】
図５は、高分子で形成された同一ケーシング内の２つの集積回路の表面を露出する一連のステップを図示している。
現在、同一の高分子１０２の中に複数の集積回路１００A,１００Bを結合させることが知られており、それによって、小型の電子カードと同等なものの提供が可能である。そのような回路は、一般に、「システム・イン・パッケージ」（ＳＩＰ）、「マルチ・チップ・モジュール」（ＭＣＭ）と呼ばれる。そのようなケーシングに収容された集積回路は、特に、集積回路が異なる厚さであるときは、異なるレベルに位置する上表面を持っている。
【００３０】
本発明によれば、ケーシングは、最初に、ステップ１０４において、被覆層の厚さの大部分を取り除くことを意図したレーザ照射にさらされる。取り除かれる部分は、１０５で示される。この除去は、レーザ照射により実行される複数回の通過により実行され、回路の上部の表面が最も深い部分において、通過回数はより多い。このようにして、残された高分子層１０２が、それぞれの回路上で実質的に同じ厚さとなるようにレーザが照射される。
その次に、ステップ１０６に図示されるように、集積回路１００A,１００Bは、さまざまな回路上に残っている残存高分子層を同時に除去するプラズマにさらされる。
【００３１】
装置の実施態様がどのようであっても、本発明の特に有利な実施態様によれば、保護マスク６８は、最初、高分子または金属から形成された固体板である。アパーチャ７０は、レーザ２８からのレーザ放射により直接的に処理される。このようにして、アパーチャは、非常に正確に位置決めされ、下に配置する回路の処理のために完全に満足できる形状を持っている。そのような調整は、処理前のマスクの手動による機械的な位置合わせで実行することは困難である。
【００３２】
回路の処理の間、回路の他の区域は、詳しく観察されなければならず、そして、保護マスク６８に覆われているように見えるならば、他の作業区域を形成するためのレーザ２８からのレーザ照射の作用に対する保護マスク６８の中に、さらに補完的なアパーチャが、配置される。
同様に、変形実施形態においては、最初のアパーチャ７０は、レーザの作用により、拡大される。
【００３３】
ステップ７４の間に実行されるプラズマアタックは、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）である。プラズマは、圧力が通常１．３３３Ｐａ（１０ｍTorr）〜１３３．３Ｐａ（１０００ｍTorr）のガス中で磁界を発生することで生成される。これは、いわゆる、低圧プラズマである。
【００３４】
磁界は、低圧の酸素と炭素四フッ化物の混合物の雰囲気中の容器１６の中に配置され、電極に接続された無線周波発生器５４により生成される。磁界は、分子から電子をはぎ取ってプラズマを生成して、ガス混合物の分子をイオン化する。
集積回路１２は、磁界により加速された自由電子を吸収して、負に帯電する。逆に、プラズマは、自由電子と比較して正のイオンが高濃度であるために、正に帯電する。この重要な電位の違いのために、正イオンは、回路１２の方向へ動き、そこで、正イオンは残存する高分子と、接続導体の下に位置する高分子とに衝突し、高分子は化学的にアタックされる。イオンは、残存する高分子と化学的に反応し、イオンの運動エネルギーを受け渡して、高分子の一部を放出する。
集積回路１２が同一支持プレートに保持され、支持プレートが動かされない間に、プラズマアタックは、レーザ照射中または照射後に実行される。
【００３５】
変形実施形態においては、レーザ照射の適用は、残存する高分子層の厚さが集積回路上で２００μｍ〜０μｍとなるまで実行される。
使用されるレーザの出力は、概ね０．５W／ｃｍ２である。
【００３６】
本発明の１つの実施形態によれば、集積回路の表面を露出する方法は、以下に記載するステップに従って実行される。
【００３７】
試験片は、大きさが概ね数ｃｍ２の電子部品である。この部品は高分子ベースの樹脂（外見上黒色プラスチックの物質）で被覆されている。この部品は、集積回路を露出するために開けなければならない。この集積回路の製造中、集積回路は、一般的に、その上に外部接続のピン(またはラグ)が配置され、金属の補強部材に搭載される。集積回路とピンとの接続は、一方から他方へ溶接された接続導体によってもたらされる。
【００３８】
組立品は、接続ピンの端部のみが露出されて、高分子ベースの樹脂に被覆される。被覆方法において、集積回路は、正確には中心に位置合わせされず、部品の被膜の表面と完全に平行である平面にもそれほど正確には位置合わせされない。
したがって、集積回路の表面を露出するために取り除かれる高分子の厚さは、この表面上で均一ではない。
【００３９】
望ましい態様において、集積回路の大きさを測定するために、部品のX線像が作られる。Ｘ線像と、較正光学カメラにより得られる部品の尺度での像とを相関させることにより、集積回路の位置は、（上面から）測定することができ、部品自体に応じてレーザとプラズマの適応区域を正しい位置に戻すことができる。
この場合、集積回路は、２００μｍ×２００μｍの寸法である。
電子部品は、本発明による装置に導入されるために、プレート上に置かれる。
アパーチャは、試験片の外部ピンを保護することに役立つ。保護マスク６８のアパーチャ７０は、概ね１ｍｍ２の寸法を持つ。このアパーチャの中で、レーザとプラズマの組み合わせた適用は、集積回路の所定の区域の上で実行される。
【００４０】
適用区域の位置決め測定は、このようにして、支持プレート１３の上に配置された部品と位置合わせされる。この位置決めは、プレートを参照した寸法の測定が可能である計測システムを用いる、または、較正光学カメラまたはモータ駆動レーザポインターを用いる、様々な方法により実行することができる。同様に、深さは、計測システム（モータ駆動センサー）、干渉分光法システム、または、深さ較正カメラを用いたシステムにより、計測できる。
最初の部品について、樹脂の厚さは、正確には測定できない。したがって、レーザ及び／又はプラズマを適用する、回路より広い区域を定義するのが好適である。
【００４１】
最初のレーザによる除去は、２００μｍ×２００μｍの大きさの集積回路の区域の範囲を含むように２２０μｍ×２２０μｍの大きさの区域全体を覆って開始される。数分後、取り除いた樹脂の深さを確認するために、操作が中止される。深さは、望ましくは、容器の中の支持プレート１３を元の位置に戻す際のいかなる誤差の可能性も排除するために、容器１６中で測定される。1ミクロンの10分のいくらかの範囲で機械要素を正確な位置に戻すことは非常に難しい。そのような再配置によると、部品の開口形成の成功を損なう誤差の可能性が生ずるであろう。そして、そのために必要なステップは、開口を形成するための全体の継続期間を過剰に延長するであろう。
【００４２】
測定は、例えば、カメラ３６で、深さ測定のために調整された焦点調節において、実行される。
この測定は、レーザアブレーション速度の向上を可能とする。
この試料では、樹脂の厚さは１．５ｍｍである。
段差Ｍ１を保持するために、２２０μｍ×２１０μｍで多少小さな他の区域が形成される。段差Ｍ１の深さは、レーザアブレーション速度をより正確に測定するために継続的に測定されるであろう。
電子部品の位置は維持されているので、レーザアブレーションが、プレートを再調整することなく、直ちに開始される。アブレーション時間は、樹脂を７００μｍ残すように計算されている。
【００４３】
再び、操作は停止し、計測が、エッチング速度をよりよく調整するように実行され、そして、段差M２が残る。
その時、電子部品は依然として容器１６から取り出されることなく、プラズマエッチングが始まる。リアクティブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ）タイプの物理的化学的プラズマでは、典型的エッチング速度は、毎時２７μｍである。したがって、最初の通過は、段差M３の樹脂のエッチング速度を調整するために、２１０μｍ×２１０μｍの大きさの区域内で実行される。
レーザアブレーションは、やや小さい２００μｍ×２１０μｍの大きさの区域に対して、例えば、樹脂が２００μｍ残るように再び開始される。
【００４４】
操作が停止されたとき、回路の端部がすでに見えていることは明らかである。レーザアブレーションは、予想よりも多少長めに継続された。この試料では、回路の（垂直方向の）傾斜位を含んでいると解される。
したがって、回路の残部を露出するためにアブレーション区域を再び形成することを決定する。アブレーション区域は、未だ露出されていない３つの隅部を通過する、三角形状をしている。
深さに関して、勾配は、露出された隅部と向かい合っている正反対の隅部でより深くなるように選択される。
アブレーションは、問題となる傾斜の傾きの推測を差し引いて、最も深いところで２０μｍ取り去るために、新しい三角形の区域で再開される。
したがって、回路により近づけて移動するように、多少広めの区域において、プラズマステップが開始され、回路が露出される。
必要ならば、レーザアブレーションが再度用いられる。回路が完全に露出されるまで、プラズマアブレーションは、同様に続いて用いられる。
【００４５】
同じ型の第２の部品の開口を形成するために、エッチング速度は、例えば、段差M1,M2及びM3の詳細測定により調整できる。同様に、被膜の表面と集積回路の正確な深さは最初の回路で計測でき、次の回路の参照として使用できる。
【００４６】
回路の表面全体に亘って概ね２００μｍ残すようにアブレーションを開始できる。しかしながら、回路の１つの要素から次の要素の位置が変動することに関連して、維持される信頼性を踏まえて、プラズマをより早く操作するために、例えば、マージン（２００μｍの代わりに２５０μｍ）を可能とすること、又は反対に、低い値（２００μｍの代わりに５０μｍ）を目指すことができる。
【００４７】
使用されるプラズマは、エッチングプラズマである。望ましくは、これらの２つのプラズマの間のＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エッチング）タイプのプラズマが用いられる。しかしながら、誘導的なＩＣＰ（誘導結合プラズマ）型プラズマは、非常によい性能レベルを発揮するであろう。これら２つのプラズマの間の相違は、外部チャンバーで実行されるプラズマの用意の差である。プラズマは、その後、管を通して、試験片が位置するチャンバーに伝送される。２つのチャンバーの分離された距離は、典型的には、１０ｃｍである。
【００４８】
いずれの場合にも、エッチングプラズマは、1時間当たり１２０μｍより遅いエッチング速度を持つ。典型的には、ＲＩＥ型のプラズマを用いた時、エッチング速度は、毎時２７μｍである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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