(57)【要約】本明細書では、相互接続を含む半導体デバイスおよびアセンブリ、ならびにそのような相互接続を形成するための方法が開示される。半導体デバイスを製造する方法の一実施形態は、行および列に配列された複数のダイを有するモールドされたウェーハのモールドされた部分に、中間深度まで複数の第一の面のトレンチを形成するステップを含む。本方法は、第一の面のトレンチと一直線に合わせた領域におけるモールドされた部分の第二の面から材料を除去するステップをも含み、材料を除去するこのステップは、モールドされた部分を貫通する開口を形成する。本方法は、モールドされた部分の第二の面において、開口で複数の電気的接点を形成するステップと、第二の面の接点を、ダイ上の対応するボンド部位へと電気的に接続するステップとを、さらに含む。
2010538469.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスを製造する方法であって、前記方法は、
モールドされたウェーハの第一の面における、モールディング材料内に組み込まれた第一の半導体ダイと第二の半導体ダイとの間のレーン内の前記モールディング材料内に、少なくとも一つのトレンチを形成するステップであって、前記第一および第二のダイは、前記第一の面にボンド部位を有する、ステップと、
前記モールドされたウェーハの前記第一の面とは反対の第二の面から、前記トレンチに重なる部分のある部分の材料を除去するステップであって、前記材料を除去するステップは、前記モールドされたウェーハを貫通する複数の第一の開口を形成する、ステップと、
前記第一および第二のダイの個々のボンド部位から、前記モールドされたウェーハを貫通する対応する第一の開口を通して、前記モールドされたウェーハの前記第二の面へと伸長する電気的コネクタを形成するステップと、
前記第一および第二のダイを分断化するステップと、
を含む、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記トレンチは第一のトレンチであり、前記方法は、前記モールドされたウェーハの前記第一の面内の前記レーン内に第二のトレンチを形成するステップをさらに含み、前記第二のトレンチは、前記第一のトレンチと間隔をあけて配置され、前記第一のトレンチと概ね平行であり、
前記第二の面から材料を除去するステップは、前記モールドされたウェーハの前記第二の面内に、前記第一および第二のトレンチを概ね横切る方向へチャネルを形成するステップを含み、前記チャネルを形成するステップは、前記チャネルと前記第一のトレンチとの交点において、前記モールドされたウェーハを貫通する前記第一の開口を形成し、前記チャネルと前記第二のトレンチとの交点において、前記モールドされたウェーハを貫通する複数の第二の開口を形成する、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第一のトレンチ、前記第二のトレンチおよび前記チャネルは、各々、前記モールドされたウェーハ内への、前記モールドされたウェーハの厚さよりも小さい深度を有する、
ことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
電気的コネクタを形成するステップは、前記第一のダイの対応するボンド部位を、前記第一の開口を通して、前記第二の面へと第一のワイヤボンドを用いて結合するステップと、前記第二のダイの対応するボンド部位を、前記第二の開口を通して、前記第二の面へと第二のワイヤボンドを用いて結合するステップとを含む、
ことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記モールドされたウェーハの前記第一の面において、かつ、前記第一および第二のワイヤボンドならびに前記第一および第二のダイの少なくとも一部を覆って、誘電性材料を配置するステップをさらに含む、
ことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第一の開口は側壁部分を含み、前記第二の開口は側壁部分を含み、
前記ダイを分断化するステップは、前記第一のトレンチと第二のトレンチとの間で、前記モールドされたウェーハを切断するステップと、前記分断化された第一および第二のダイの周辺でそれぞれ前記第一および第二のワイヤボンドが露出されるように、前記第一の開口の前記側壁部分および前記第二の開口の前記側壁部分を少なくとも部分的に除去するステップと、
を含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記第一の開口および前記第二の開口を、導電性材料で少なくとも部分的に充填するステップをさらに含み、
前記第一および第二のダイの前記ボンド部位を前記モールドされたウェーハの前記第二の面へと電気的に接続するステップは、
第一のワイヤボンドの第一部分を、対応する第一の開口内の前記導電性材料内に組み込むステップと、前記第一部分とは反対の前記第一のワイヤボンドの第二部分を、前記第一の開口を通して、前記第一のダイの対応するボンド部位へと接続するステップと、
第二のワイヤボンドの第一部分を、対応する第二の開口内の前記導電性材料内に組み込むステップと、前記第一部分とは反対の前記第二のワイヤボンドの第二部分を、前記第二の開口を通して、前記第二のダイの対応するボンド部位へと接続するステップと、
を含む、
ことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項８】
前記導電性材料内に前記第一のワイヤボンドの前記第一部分を組み込むステップは、前記第一のワイヤボンドの前記第一部分を前記導電性材料に突き刺すステップを含む、
ことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記導電性材料内に前記第一のワイヤボンドの前記第一部分を組み込むステップは、ワイヤボンディングツールを前記導電性材料に突き刺すステップと、前記導電性材料内へと前記第一部分を導入するステップとを含む、
ことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記第一の開口および前記第二の開口を少なくとも部分的に充填するステップは、前記第一および第二の開口の各々の中に、個別の量の前記導電性材料を配置するステップを含む、
ことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記第一および第二の開口内の前記導電性材料は、前記第二の面と実質的に同一平面上に存在する、
ことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
電気的コネクタを形成するステップは、
前記第一のワイヤボンドの第一部分が、前記モールドされたウェーハを通って前記第二の面から突出するように、前記第一の開口のうちの一つへと第一のワイヤボンドを挿入するステップと、
前記第一のワイヤボンドの前記第一部分を変形するステップであって、前記変形された第一部分は、前記第一の開口を通って前記ワイヤボンドが引き込まれるのを少なくとも部分的に防止するステップと、
前記第一部分とは反対の前記第一のワイヤボンドの第二部分を、前記第一のダイの対応するボンド部位へと接続するステップと、
を含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項１３】
前記第一のワイヤボンドの前記第一部分を変形するステップは、電子的フレームオフで、前記第一部分にボール状部分を形成するステップを含む、
ことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ボール状部分は、前記モールドされたウェーハの前記第二の面から突出する、
ことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第一のワイヤボンドの前記第一部分を変形するステップは、前記第一部分を不変に偏向させるステップを含む、
ことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記第二の面から材料を除去するステップは、前記トレンチと一直線に合わせた個々の位置における、前記モールドされたウェーハの個々の部分を除去するステップを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記モールドされたウェーハの個々の部分を除去するステップは、レーザで前記モールドされたウェーハ中を掘削するステップを含む、
ことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
電気的コネクタを形成するステップは、
前記モールドされたウェーハの前記第二の面に近接させて前記第一の開口内に導電性材料を配置するステップと、
前記第一のダイの前記ボンド部位と対応する前記第一の開口との間にリディストリビューション構造を形成するステップと、
を含む、
ことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記リディストリビューション構造は、前記第一の開口を少なくとも部分的に充填する、
ことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記第一の開口が形成され、前記第一の開口内に前記導電性材料を配置した後に、前記トレンチが形成される、
ことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記トレンチは、前記第一の開口に配置された前記導電性材料と交差する、
ことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】
半導体デバイスを製造する方法であって、
行および列に配列された複数のダイを有するモールドされたウェーハのモールドされた部分内に、中間深度まで、第一の面の複数のトレンチを形成するステップであって、個々のダイは、複数のボンド部位を含み、前記第一の面の複数のトレンチは、前記ダイ間の前記行または前記ダイ間の前記列のうちの一つに沿ってお互いに平行する、ステップと、
前記第一の面のトレンチと一直線に合わせた領域における前記モールドされた部分の裏面から材料を除去するステップであって、前記材料を除去するステップは、前記モールドされた部分を貫通した開口を形成する、ステップと、
前記モールドされた部分の前記裏面における前記開口において、複数の電気的接点を形成するステップと、
前記裏面の接点を、前記ダイ上の対応するボンド部位へと電気的に接続するステップと、
を含む、
ことを特徴とする方法。
【請求項２３】
モールドされたウェーハ内に組み込まれた二つ以上の半導体ダイ間に、前記モールドされたウェーハの厚さを完全に貫通して伸長する一つ以上の穴部を形成する方法であって、前記方法は、
前記モールドされたウェーハの第一の面を、前記二つ以上のダイ間で第一の方向に部分的にダイシングするステップであって、前記第一の面を部分的にダイシングするステップは、前記モールドされたウェーハの前記厚さよりも小さい深度を有するトレンチを形成する、ステップと、
前記第一の面とは反対の前記モールドされたウェーハの第二の面から、前記モールドされたウェーハの一部分を除去するステップと、
前記第二の面から前記トレンチを交差させるステップと、
を含む、
ことを特徴とする方法。
【請求項２４】
前記トレンチは、第一のトレンチであり、前記方法は、
第二のトレンチを形成するために、前記モールドされたウェーハの前記第一の面を、前記二つ以上のダイの間において、前記第一のトレンチと平行に、かつ前記第１のトレンチから離して部分的にダイシングするステップをさらに含み、
前記モールドされたウェーハの前記部分を除去するステップは、前記第一の方向に対して概ね横切る方向の第二方向に、前記第二の面を部分的にダイシングするステップと、前記第一および第二のトレンチと交差するチャネルを形成するステップとを含む、
ことを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記第一のトレンチは第一の深度を有し、
前記第二のトレンチは前記第一の深度を有し、
前記チャネルは第二の深度を有し、前記第一の深度と前記第二の深度との足し合わせは、最も小さくとも、前記モールドされたウェーハの前記厚さと等しい、
ことを特徴とする請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記モールドされたウェーハの一部分を前記第二の面から除去するステップは、前記第二の面の前記部分にレーザを導くステップ、前記第二の面の前記部分に流体ジェットを導くステップ、および前記第二の面の前記部分上でエッチャントを処理するステップのうちの少なくとも一つを含む、
ことを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【請求項２７】
製造途中の中間物であって、
第一の面、第二の面、モールディング材料内の第一の半導体ダイ、および前記第一のダイから間隔をあけて配置された前記モールディング材料内の第二の半導体ダイを有するウェーハへと成形された前記モールディング材料を有するモールドされたウェーハと、
前記モールドされたウェーハの前記第一の面内の、前記第一のダイと前記第二のダイとの間の第一のトレンチと、
前記第一のトレンチと一直線に合わせた、前記モールドされたウェーハの前記第二の面内の陥没部と、を含み、
前記第一のトレンチは、前記モールドされたウェーハの厚さよりも小さい深度を有し、
前記陥没部は、前記モールドされたウェーハの前記厚さよりも小さい深度を有し、前記第一のダイと第二のダイとの間の前記第一のトレンチとの交点において、前記モールドされたウェーハを貫通する第一の開口を形成する、
ことを特徴とする中間物。
【請求項２８】
前記モールドされたウェーハの前記第一の面内の、前記第一のダイと第二のダイとの間の第二のトレンチをさらに含み、前記第二のトレンチは、前記第一のトレンチと概して平行であり、前記第一のトレンチとは間隔をあけて配置され、前記第一のトレンチの前記深度とほぼ等しい深度を有し、
前記陥没部は、前記モールドされたウェーハの前記第二の面内の、前記第一および第二のトレンチを概して横切るチャネルを含み、前記チャネルは、前記第一のトレンチとの前記交点において前記第一の開口を形成し、前記チャネルは、前記第二のトレンチとの交点において第二の開口を形成する、
ことを特徴とする請求項２７に記載の中間物。
【請求項２９】
前記モールドされたウェーハの前記第二の面における、前記第一の開口内に配置された第一の接点と、
前記モールドされたウェーハの前記第二の面における、前記第二の開口内に配置された第二の接点と、
前記第一の開口を通って伸長し、前記第一のダイおよび前記第一の接点へと接続された第一のワイヤボンドと、
前記第二の開口を通って伸長し、前記第二のダイおよび前記第二の接点へと接続された第二のワイヤボンドと、
をさらに含む、
ことを特徴とする請求項２８に記載の中間物。
【請求項３０】
前記第一の接点は、前記第二の面に近接させて前記第一の開口内に配置された導電性材料を含み、前記第一のワイヤボンドは、前記第一の導電性材料内に組み込まれ、
前記第二の接点は、前記第二の面に近接させて前記第二の開口内に配置された前記導電性材料を含み、前記第二のワイヤボンドは、前記第二の導電性材料内に組み込まれる、
ことを特徴とする請求項２９に記載の中間物。
【請求項３１】
前記第一のダイに接続された第一のワイヤボンドと、
前記第二のダイに接続された第二のワイヤボンドと、
をさらに含み、
前記第一のワイヤボンドは、前記第一の開口を通って伸長し、前記モールドされたウェーハの前記第二の面に近接する前記第一のワイヤボンドの末端部分において変形され、
前記第二のワイヤボンドは、前記第二の開口を通って伸長し、前記モールドされたウェーハの前記第二の面に近接する前記第二のワイヤボンドの末端部分において変形される、
ことを特徴とする請求項２８に記載の中間物。
【請求項３２】
前記第一のワイヤボンドの前記変形された末端部分は、前記第一の開口の断面寸法よりも大きい断面寸法を有するボール状部分を含み、前記第二のワイヤボンドの前記変形された末端部分は、前記第二の開口の断面寸法よりも大きい断面寸法を有するボール状部分を含む、
ことを特徴とする請求項３１に記載の中間物。
【請求項３３】
前記第一のワイヤボンドの前記変形された末端部分は、前記モールドされたウェーハの前記第二の面に近接する前記第一のワイヤの前記末端部分を少なくとも部分的に保持するフック状部分を含み、前記第二のワイヤボンドの前記変形された末端部分は、前記モールドされたウェーハの前記第二の面に近接する前記第二のワイヤボンドの前記末端部分を少なくとも部分的に保持するフック状部分を含む、
ことを特徴とする請求項３１に記載の中間物。
【請求項３４】
前記第一の半導体、前記第一のトレンチおよび前記第一の開口は、プロセッサ、メモリデバイスおよび、入力もしくは出力デバイスのうちの少なくとも一つを含む半導体システムへと組み込まれる半導体アセンブリの一部を形成する、
ことを特徴とする請求項２７に記載の中間物。
【請求項３５】
第一の面、第二の面、およびある厚さを有するモールド材料と、
前記モールド材料内に組み込まれたダイであって、前記モールド材料の前記第一の面に、ボンド部位を有するダイと、
前記ダイから間隔をあけて配置された、前記モールド材料内のトレンチであって、前記モールド材料の前記第一の面から第一の深度を有するトレンチと、
前記モールド材料の前記第二の面から第二の深度を有する前記モールド材料内のチャネルであって、前記第一の深度と第二の深度との足し合わせは、最も小さくとも、前記モールド材料の前記厚さと等しく、前記チャネルは、前記トレンチを概ね横切り、前記トレンチと交差して、前記モールド材料を貫通する開口を形成する、チャネルと、
前記モールド材料の前記第二の面における接点であって、前記チャネル内に配置され前記開口と一直線に合わせた、接点と、
前記開口を通って伸長する電気的コネクタであって、前記ダイの前記ボンド部位へ接続された第一の末端部分と、前記接点へと接続された第二の末端部分とを有する、電気的コネクタと、
を含む、
ことを特徴とする半導体アセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスおよびアセンブリ、ならびにそのようなデバイスおよびアセンブリを製造するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体プロセッシングおよびパッケージング技術は、寸法およびコストを縮小しつつ性能を改善するという産業上の必要性を満たすために、絶えず進化している。電子製品は、比較的小さなスペースに高密度のデバイスを有するパッケージされた半導体アセンブリを必要とする。例えば、メモリデバイス、プロセッサ、ディスプレイおよび他のマイクロフィーチャデバイスが使用可能なスペースは、携帯電話、ラップトップコンピュータ、および他の多くの製品などのパーソナル電子デバイスにおいて、絶え間なく減少し続けている。したがって、性能を保持するかもしくは改善し、コストを縮小しつつ、マイクロフィーチャデバイスの全体寸法を縮小させる必要性が存在する。
【０００３】
これらのマイクロフィーチャデバイスの性能を改善し、寸法およびコストを縮小するために使用される一技術は、ウェーハレベルパッケージング（“ＷＬＰ”）を含む。ＷＬＰは、一般的に、個々のデバイスをウェーハからダイシングした後でプロセッシング、およびパッケージングするのではなく、ウェーハレベルでマイクロフィーチャデバイスをパッケージングすることを称する。ＷＬＰの一利点は、最小のフォームファクターを有するチップサイズのパッケージを生成することである。ＷＬＰは、相互接続素子などのパッケージのコンポーネントを制限して、デバイスのフットプリントもしくはファンイン（ｆａｎ−ｉｎ）領域内に収めることによって、これらの微細な寸法を達成する。これらのコンポーネントは、デバイスフットプリント内に限定される。なぜなら、デバイスが分断化（singulate）される前に、コンポーネントはウェーハレベルで形成されるからである。ＷＬＰは、パッケージの全体寸法を縮小し、相互接続の長さを比較的短縮することによって、優れた電子的および熱的性能を有するパッケージを生成するという利点をも提供する。ＷＬＰによって提供されるさらなる利点は、ウェーハレベルでプロセッシングと試験とが同時につまり並行して行われるので、作製が容易であること、およびアセンブリコストを縮小させることを含む。たとえ、ＷＬＰが上述された利点を提供することができても、ＷＬＰは、高いピンカウントもしくは高い入力／出力要件を有するデバイスにとっては適切ではないことがある。例えば、デバイスフットプリントのスペース制限は、パッケージにおける相互接続素子の数とピッチを制限する。
【０００４】
この問題を克服するために、ダイをダイシングし、このダイを包囲しモールドされたポリマーを通って伸長する相互接続を含むビルトアップパッケージ内にプレーティング（めっき）することができる。ダイのフットプリントの外側にこれらの相互接続を配置することによって、相互接続の数および／もしくはピッチが増加しうるが、それによってプロセッシングのコストおよび複雑性を著しく増加させうる。例えば、ある状況においては、充填プロセスはビア内の空気を捕捉することがあり、それによって、充填材料およびパッケージが硬化するにつれて、相互接続もしくはパッケージに亀裂を引き起こしうる。ビアにおけるこのような不均一性は、電気的に不整合な接続を提供し、相互接続のインテグリティおよびパッケージの性能に悪影響を与える。さらには、アブレーションもしくは掘削プロセスによってビアを形成するステップは、典型的には、個々のビアを逐次的な方法で形成するステップを必要とし、したがって、プロセッシング時間が増加する。エッチングプロセスによって複数のビアを同時に形成するステップは、はるかに速くなりうるが、エッチングは結果として一貫性のないビア寸法を引き起こすことがある。エッチングプロセスでビアの高密度分布を達成することもまた困難でありうる。さらには、ビア形成に続くプレーティングおよび充填プロセス・ステップは、さらなるプロセッシング時間を必要とする。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
【図１Ａ】従来の半導体ウェーハの等角図である。
【図１Ｂ】本発明の一実施形態に従って構成されるモールドされたウェーハの等角図である。
【図２Ａ】本発明の一実施形態に従って構成される半導体アセンブリの側面断面図である。
【図２Ｂ】本発明の一実施形態に従って構成される半導体アセンブリを製造する方法における一段階を示す側面断面図である。
【図２Ｃ】本発明の一実施形態に従って構成される半導体アセンブリを製造する方法における一段階を示す側面断面図である。
【図２Ｄ】本発明の一実施形態に従って構成される半導体アセンブリを製造する方法における一段階を示す俯瞰図である。
【図２Ｅ】本発明の一実施形態に従って構成される半導体アセンブリを製造する方法における一段階を示す側面断面図である。
【図２Ｆ】本発明の一実施形態に従って構成される半導体アセンブリを製造する方法における一段階を示す側面断面図である。
【図２Ｇ】本発明の一実施形態に従って構成される半導体アセンブリを製造する方法における一段階を示す側面断面図である。
【図２Ｈ】本発明の一実施形態に従って構成される半導体アセンブリを製造する方法における一段階を示す側面断面図である。
【図２Ｉ】本発明の一実施形態に従って構成される半導体アセンブリを製造する方法における一段階を示す側面断面図である。
【図２Ｊ】本発明の一実施形態に従って構成される半導体アセンブリを製造する方法における一段階を示す俯瞰図である。
【図３Ａ】本発明の一実施形態に従って構成される半導体アセンブリの側面断面図である。
【図３Ｂ】本発明の一実施形態に従って構成される半導体アセンブリを製造する方法における一段階を示す側面断面図である。
【図３Ｃ】本発明の一実施形態に従って構成される半導体アセンブリを製造する方法における一段階を示す側面断面図である。
【図４Ａ】本発明の別の実施形態に従って構成される半導体アセンブリの側面断面図である。
【図４Ｂ】本発明の一実施形態に従って構成される半導体アセンブリを製造する方法における一段階を示す俯瞰図である。
【図４Ｃ】本発明の一実施形態に従って構成される半導体アセンブリを製造する方法における一段階を示す側面断面図である。
【図４Ｄ】本発明の一実施形態に従って構成される積層化された半導体アセンブリの等角図である。
【図５】本発明のさらに別の実施形態に従って構成される半導体アセンブリを製造するプロセスのフロー図である。
【図６】本発明のさらなる実施形態に従って構成される半導体アセンブリを組み込むシステムの概要図である。
【発明を実施するための形態】
【０００６】
本開示の幾つかの実施形態は、パッケージされた半導体デバイス、アセンブリならびにそのようなデバイスおよびアセンブリを形成する方法に関するものである。本開示の詳細のうちの多くは、特定の構造ならびにデバイスおよびアセンブリを形成する特定の方法に関して以下に説明される。“半導体デバイス”および“半導体アセンブリ”という用語は、徹頭徹尾、以下を含む種々の品目の製品を含むものとして使用される。それは、例えば、能動的コンポーネント、個々の集積回路ダイ、パッケージされたダイ、および積層された構造における半導体デバイスもしくはアセンブリを有する半導体ウェーハを含む。特定の実施形態の具体的詳細の多くを、図１Ａ−図６および以下の文書で説明して、これらの実施形態の完全な理解を提供する。類似する参照番号は、図１Ａ−図６中の類似するコンポーネントを指し、したがって、これらのコンポーネントのうちの多くの記述は、図面に関連して繰り返されることはない。他の幾つかの実施形態は、この節内で説明されるものとは異なる構成、コンポーネントもしくはプロセスを有しうる。したがって、当業者には、さらなる実施形態が存在してもよいこと、または、説明される実施形態は以下に記述される詳細のうちの幾つかをなしに実施されてもよいことを理解するであろう。
【０００７】
図１Ａは、第一の面１０２、第二の面１０４および複数の半導体デバイスもしくはダイ１０６を有する従来の半導体ウェーハ１００の等角図である。ダイ１０６は、例えば、ダイナミックもしくはスタティックランダムアクセスメモリ、フラッシュメモリ、マイクロプロセッサ、イメージャまたは別のタイプの特定用途向け集積回路を含みうる。個々のダイ１０６は、第一の面１０２に複数のボンド部位１０８を含むことができ、これにより、ダイ１０６を他のコンポーネントと電気的に接続する。以下に説明されるように、ボンド部位１０８は、ダイ１０６の第一の面１０２において、交互に配列された構成を含みうる。ダイ１０６は、境界線１０７によって線引きされる。ダイ１０６を、ウェーハ１００上で加工および構築した後、境界線１０７に沿ってダイシングして分断化する。
【０００８】
ウェーハ１００からダイ１０６を分断化した後、ダイ１０６は、図１Ｂに示されるようにウェーハ形状に構成されたモールド材料内に組み込まれうる。さらに詳細には、図１Ｂは、第一の面１１２および第二の面１１４を含むモールドされたウェーハ１１０の等角図である。モールドされたウェーハ１１０は、例えば、熱硬化性物質、熱可塑性物質、熱硬化性物質および熱可塑性物質の混成種、もしくは他の適切なモールド材料を含みうる、モールド材料１１６によって構成される。モールドされたウェーハ１１０は、分断化されたダイ１０６（各々、第一のダイ１０６ａ、第二のダイ１０６ｂなどとして識別される）をも含む。示される実施形態においては、ボンド部位１０８はモールドされたウェーハ１１０の第一の面１１２に存在し、ダイ１０６は、格子状のパターンに配置され、モールド材料１１６内のレーンによってお互いに間隔をあけて配置される。図１Ｂに示されるように、例えば、ダイ間のレーンは、行１１８ａ（ダイ１０６間の第一の方向に通る）および列１１８ｂ（ダイ１０６間の第二の方向に通り、概ね行１１８ａを横切る）を含みうる。当業者であれば、ダイ間のレーンもしくはスペースを“行”および“列”として記述することは、例示の目的のためのものであって、必ずしも行および列の横方向もしくは縦方向の構成を必要とするものではないことを理解するであろう。モールド材料１１６内の行１１８ａおよび列１１８ｂにより、相互接続構造もしくは他のコンポーネントが形成されるようにダイ１０６周囲にさらなるスペースが提供される。これらの相互接続構造は、ウェーハ１００材料のコスト制限により、（図１Ａに示される）ウェーハ１００レベルではダイ１０６間に通常は形成されない。したがって、以下に記述されるアセンブリおよび方法は、図１Ｂに示されるモールドされたウェーハ１１０構造を使用して、ダイ１０６に関連する相互接続構造を形成する。
【０００９】
図２Ａは、加工が行われ、モールドされたウェーハ１１０から分断化された半導体アセンブリ２００の一実施形態を示す。さらに詳細には、図２Ａは、モールド材料１１６内に組み込まれたダイ１０６のうちの一つを含む半導体アセンブリ２００の側面断面図である。アセンブリ２００は、アセンブリ２００の第一の面２０２から第二の面２０４へと伸長する相互接続構造もしくは電気的コネクタ２４８（各々、第一の電気的コネクタ２４８ａおよび第二の電気的コネクタ２４８ｂとして識別される）を含む。本実施形態においては、電気的コネクタ２４８は、モールド材料１１６内の陥没もしくは開口２２４を通って伸長するワイヤボンド２５０を有しうる。
【００１０】
個々のワイヤボンド２５０は、ニッケル、銅、金、銀、プラチナ、これらの金属の合金などの導電性材料、および／または、ワイヤボンディングもしくはそれに類似する技術に適した他のあらゆる導電性材料から構成されうる。ワイヤボンド２５０の特性は、特定デバイスに向けたプロセッサもしくは性能ニーズに基づいて選択されうる。例えば、ワイヤボンド２５０は、性能および集積化の必要条件を満足するよう選択された直径、幾何形状（例えば、球形断面、もしくは平坦断面）および／もしくは弾性係数を有しうる。ワイヤボンド２５０は、第一の面２０２における対応する個々のボンド部位１０８（ボンド部位１０８ａおよび破線で示された第二のボンド部位１０８ｂとして各々識別される）を、第二の面２０４における対応する接点２３０へと接続する。図２Ａに示される第二のボンド部位１０８ｂは、図２Ａの平面外に存在するが、例示の目的のために破線で示されている。図２Ｄおよび図２Ｊに示されるように、ある実施形態においては、ボンド部位１０８は、交互に配列することができ、あるいは、お互いに一列にすることができる。
【００１１】
接点２３０は、第二の面２０４に近接する開口２２４内に配置される導電性材料２３２（例えば、はんだ）を含みうる。ある実施形態においては、接点２３０は、図２Ａに示されるように第二の面２０４と概ね同一平面上でありうる。しかしながら、他の実施形態においては、接点２３０を第二の面２０４から陥没または突出させ、アセンブリの積層を容易にするためのバンプを形成することができる。接点２３０は、第一の面２０２内に形成されたトレンチ２１０と、第二の面２０４内に形成されたチャネル２２０（チャネルのうち１つのみを図２Ａに示す）との間の交点において配置されうる。図２Ａに示される実施形態においては、トレンチ２１０は、図２Ａの平面に対して概して垂直に通り、チャネル２２０は、図２Ａの平面に対して概して平行に通る。ワイヤボンド２５０の第一部分２５２は、接点２３０に取り付けられるかまたはその中に組み込まれ、ワイヤボンド２５０の第二部分２５４は、対応するボンド部位１０８へと取り付けられる。アセンブリ２００は、アセンブリ２００の第一の面２０２を覆って配置された誘電性封入剤２５８をさらに含み、それは、ワイヤボンド２５０およびボンド部位１０８を少なくとも部分的に被覆する。誘電性材料２５８は、コネクタ２４８を電気的に分離することができ、ワイヤボンド２５０を支持しうる。
【００１２】
以下に詳細に説明されるように、アセンブリ２００は、ＷＬＰおよび再構成されたモールドされたウェーハ１１０のプロセッシングの利点を組み入れるが、それでもなお、比較的簡易化されたプロセッシングステップで形成されうる高品質の相互接続を提供する。例えば、個々のビアをアブレーション、エッチングもしくは掘削するのではなく、モールド材料１１６を通る開口２２４を、第一の面のトレンチ２１０と対応する第二の面のチャネル２２０との交点に形成する。さらには、図２Ａに示される実施形態においては、電気的コネクタ２４８は、間断ないワイヤボンド２５０を含み、これは、従来の相互接続に関連するビアの形成、プレーティング、および充填などの複雑なプロセスを必要とすることなく、アセンブリ２００を通しての均一な電気的接続を提供する。
【００１３】
アセンブリ２００および電気的コネクタ２４８は、図２Ａに示された実施形態において完全に形成されている。以下に記述される図２Ｂ−図２Ｊは、図２Ａのアセンブリ２００を形成する方法における種々の技術および段階を示す。図２Ｂは、図１Ｂの直線Ａ−Ａに沿ったアセンブリ２００の断面図であり、第一および第二のダイ１０６ａ−ｂ周囲のモールド材料１１６のプロセッシングの一段階を示す。本段階においては、モールド材料１１６の一部を除去して、第一のダイ１０６ａと第二のダイ１０６ｂとの間の行１１８ａ内に、一つ以上のトレンチ２１０（各々、第一のトレンチ２１０ａおよび第二のトレンチ２１０ｂとして識別される）を形成する。トレンチ２１０は、第一の面２０２に形成され、モールド材料内の中間深度まで伸長する。さらに詳細には、モールド材料１１６は、第一の厚さＴ１を有し、第一および第二のダイ１０６ａ−ｂは、各々、第一の厚さＴ１よりも小さい第二の厚さＴ２を有する。第一および第二のトレンチ２１０ａ−ｂは、各々、モールド材料１１６の第一の厚さＴ１よりも小さく、ダイ１０６の第二の厚さＴ２と等しいかもしくはそれよりも大きい、モールド材料１１６内の第一の深度Ｄ１を有する。したがって、個々のトレンチ２１０は、アセンブリ２００の第二の面２０４へと伸長する（突き抜ける）ことなく、個々のダイ１０６よりもモールド材料１１６内へとより深く伸長しうる。
【００１４】
ある実施形態においては、トレンチ２１０を形成するステップは、ウェーハソー、ブレード、レーザ、流体ジェット、エッチャントもしくは、モールド材料１１６のコントロールした部分を除去するために適切な他のツールなどの切断デバイス（図示せず）でモールド材料１１６を部分的にダイシングするステップを含みうる。例えば、第一および第二のトレンチ２１０ａ−ｂを形成するために、離隔させた二つの切断デバイスは、行１１８ａ内の一度の通過で、対応するモールド材料１１６を除去しうる。他の実施形態においては、単一の切断デバイスを複数回通過させ、切断デバイスおよび／もしくはウェーハの位置を通過の間に動かすことによって、モールド材料１１６を除去しうる。ある実施形態においては、第一のトレンチ２１０ａの外壁と第二のトレンチ２１０ｂの外壁との間の幅と概して同一の幅を有する（図２Ｂにおける破線で示される）単一のトレンチ２１０（第一および第二のトレンチ２１０ａ−ｂではない）が、行１１８ａ内に形成されうる。さらには、図２Ｂに示されるトレンチ２１０は、概して直線的な断面を有するが、当業者には、トレンチ２１０は、湾曲した側壁、またはトレンチ２１０の側壁間の平滑な遷移部分を含む他の構成を含みうるが、そのいずれにも限定はされないことを理解するであろう。
【００１５】
図２Ｃは、第一の面２０２内にトレンチ２１０を形成した後の一段階を示し、その中で、モールド材料１１６が、第二の面２０４から選択的に除去されて、トレンチ２１０との交点に開口２２４が形成されている。さらに詳細には、図２Ｃは、図１Ｂの直線Ｂ−Ｂに沿った、アセンブリ２００の断面図である。例示の目的のために、図２Ｃに示されたアセンブリ２００は反転され、第二の面２０４を上向きにしている。さらには、ダイ１０６およびボンド部位１０８は、図２Ｃの平面外に存在し、参照のために、破線で示される。本構成においては、複数の第二の面のチャネル２２０は、上述されたトレンチ２１０（図２Ｃには、第一のトレンチ２１０ａのみが示される）に対して概ね横切る方向に形成される。チャネル２２０は、トレンチ２１０に関して上述されたのと概ね類似した方法で形成されうる。ある実施形態においては、チャネル２２０は、トレンチ２１０と概ね類似させることができ、これら二つを明確に区別する目的のために、トレンチではなくチャネルと称する。
【００１６】
図２Ｃに示される実施形態においては、チャネル２２０は、第一ダイ１０６ａと第二のダイ１０６ｂとの間の列１１８ｂ内に形成されず、個々のダイ１０６のフットプリント内の予め選択されたピッチで形成される。他の実施形態においては、チャネル２２０は、第二の面２０４において予め選択されたあらゆる位置に形成されうる。チャネル２２０は、ダイ１０６とは交差しない、第二の面２０４からモールド材料１１６内への第二の深度Ｄ２を有する。しかしながら、トレンチ２１０の第一の深度Ｄ１とチャネル２２０の第二の深度Ｄ２との足し合わせは、モールド材料１１６の第一の厚さＴ１と等しいか、またはそれよりも大きい。したがって、第一の面のトレンチ２１０と第二の面のチャネル２２０との交差により、開口２２４が形成され、モールド材料１１６を貫通するアクセスが提供される。
【００１７】
図２Ｄは、個々のダイ１０６に関する、トレンチ２１０および交差チャネル２２０の構成を示す、モールドされたウェーハ１１０の俯瞰図である。本プロセッシングにおけるこの段階においては、開口２２４が、ダイ１０６間の行１１８ａ内に形成される。図２Ｄに示される実施形態においては、第一の面のトレンチ２１０は、ダイ１０６間の行１１８ａにおいて、お互いに対して平行に、かつお互いに間隔をあけて通る。（破線で示される）第二の面のチャネル２２０は、トレンチ２１０に対して概して垂直に、かつ、個々のダイ１０６のフットプリント内を通る。したがって、トレンチ２１０とチャネル２２０との交点は、行１１８ａ内に開口２２４を形成する。しかしながら、他の実施形態においては、チャネル２２０とトレンチ２１０は、それらの間の行１１８ａ内のみならず、個々のダイ１０６の周辺に開口２２４を形成するよう構成されうる。
【００１８】
上述された開口の構成およびその形成方法は、比較的迅速でかつ費用効率の高い、モールド材料１１６を通る開口２２４の形成方法を提供する。例えば、第一の面のトレンチ２１０を形成した後で、第二の面の単一のチャネル２２０を切断するステップは、モールド材料１１６中の１度の通過のみで交点において複数の開口２２４を生成する。さらには、トレンチ２１０およびチャネル２２０を用いてモールド材料１１６を除去するステップは、現存する方法を使用し、従来のビア技術に関連する問題点のうちの幾つかを回避する。例えば、レーザで掘削するステップは、出口直径よりも大きい入口直径を有する不均一のビアを生成しうる。ビアを掘削するステップに関連する別の問題点には、ビアの入り口側に残存しうる溶融および再凝固される不要なモールド材料が含まれる。さらには、掘削技術によって形成された小アスペクト比を有するビアを適切にプレーティングし、充填するステップは、顕著な問題点を提供しうる。
【００１９】
図２Ｅおよび図２Ｆは、トレンチ２１０およびチャネル２２０を形成した後に、アセンブリ２００の第二の面２０４において接点２３０が形成される段階を示す。より詳細には、図２Ｅは、図１Ｂの直線Ｂ−Ｂに沿ったアセンブリ２００の側面断面図であり、図２Ｆは、図１Ｂの直線Ａ−Ａに沿ったアセンブリ２００の側面断面図である。図２Ｅおよび図２Ｆ双方に関して、接点２３０は、対応する開口２２４と一直線に合わせたチャネル２２０内に、導電性材料２３２を配置することによって形成される。
【００２０】
例示の目的のために、図２Ｅは、同一のアセンブリ２００内に導電性材料２３２を配置する互いに異なる方法を示す。ある実施形態においては、例えば、導電性材料２３２は、プリンティング、導電インクジェット（conductive inkjet）での処理、スパッタリングもしくは他の方法によって、開口２２４内に堆積されうるか、または埋め込まれうる。図２Ｅの左部に示されるように、プリンティングアセンブリ２３６により、導電性材料２３２がチャネル２２０内に堆積する。プリンティングアセンブリ２３６は、スクイージーブレード（squeegee blade）２３８、ならびにチャネル２２０および対応する開口２２４と一直線に合わせた穴部２４２を有するステンシル２４０を含みうる。スクイージーブレード２３８がステンシル２４０の上を通過するにつれて、個別の量の導電性材料２３２が、ステンシル２４０内の対応する穴部２４２を通って配置され、接点２３０を形成する。他の実施形態においては、図２Ｅの右部に示されるように、導電インクジェット２３４が、個別の量の導電性材料２３２を開口２２４内に埋め込んで、接点２３０を形成することができる。
【００２１】
図２Ｆに示されるように、導電性材料２３２は、チャネル２２０（チャネルの一つが図２Ｆには示されている）の全体を充填せず、接点２３０は、対応する開口２２４と概して一直線に合わせられる。このように、さらなるプロセッシングのために、第一の面２０２からトレンチ２１０を介して接点２３０にアクセスすることが可能である。接点２３０を形成する導電性材料２３２は、はんだペーストもしくは他の導電性材料を含むことがあり、これは、開口２２４における個々の位置に通常は残存するように構成されうる。例えば、導電性材料２３２がトレンチ２１０もしくはチャネル２２０内へと入り込む、または塗布されることを防ぐために、導電性材料２３２の冶金法を改変することができる。さらには、バンプ下メタライゼーション（under bump metallization）（図示されていない）をチャネル２２０内のモールド材料１１６の側壁へと適用して、導電性材料２３２がモールド材料１１６およびアセンブリ２００に関連する他のメタライゼーションに接着することを保証することができる。
【００２２】
図２Ｅおよび図２Ｆに示される実施形態においては、接点２３０は、第二の面２０４と概して同一平面上にあり、したがって、アセンブリ２００への外部電気的アクセスを提供しうる。例えば、ある実施形態においては、（図示されていない）はんだボールなどの導電性部分を、接点２３０に対して取り付けることができる。しかしながら、他の実施形態においては、接点２３０は第二の面２０４内に陥没しうるか、または第二の面２０４から突出しうる。例えば、接点２３２は、第二の面２０４から突出するバンプもしくは隆起した接点であり、他のデバイスもしくはアセンブリとアセンブリ２００とを積層することを容易にする。
【００２３】
接点２３０を第二の面２０４に近接して形成した後、電気的コネクタ２４８のプロセッシングは、図２Ｇおよび図２Ｈに示されるように続いていく。図２Ｇおよび図２Ｈは、より詳細には、図１Ｂの直線Ａ−Ａに沿ったアセンブリ２００の側面断面図であり、第一の面２０２と第二の面２０４との間でワイヤボンド２５０を接続するプロセスを示す。図２Ｇの右側に示される第二のダイ１０６ｂに関連して、ワイヤボンド２５０は、接点２３０へと取り付けられ、開口２２４および第二のトレンチ２１０ｂを通って伸長して、ボンド部位１０８へと接続される。図２Ｇの左側に示されるように、ワイヤボンディングツール２５６がこの接続をなすプロセスには存在する。例えば、ツール２５６の首部分２５８を、第一のトレンチ２１０ａ内に挿入させ開口２２４を通して、直接ワイヤボンド２５０を接点２３０へ取り付けることができる。ある実施形態においては、ツール２５６は、接点２３０内にワイヤボンド２５０の第一部分２５２を組み入れうる。例えば、ツール２５６は、ワイヤボンド２５０の第一部分２５２を導電性材料２３２に突き刺しうる。しかしながら、他の実施形態においては、ボンディングツール２５６自体が導電性材料２３２に突き刺さり、その後、接点２３０内にワイヤボンド２５０の第一部分２５２を導入しうる。ツール２５６は、その後、ワイヤボンド２５０を巻き戻し、ワイヤボンド２５０の第二部分２５４をダイ１０６ａのボンド部位１０８へと取り付ける。
【００２４】
ある実施形態においては、図２Ｈに示されるように、ワイヤボンド２５０を対応する接点２３０とボンド部位１０８との間で取り付けた後、接点２３０は、リフローされうる。接点２３０をリフローするステップは、接点２３０と、ワイヤボンド２５０の挿入されたもしくは組み込まれた第一部分２５２との適切な取付けを保証するのに役立ちうる。電気的コネクタ２４８を形成した後、誘電性カプセル化材２５８を、図２Ｈに示されるように第一の面２０２に配置することができる。カプセル化材２５８は、ダイ１０６を、（例えば、湿気、粒子などによる）汚染から保護しうる。さらに、カプセル化材２５８は、第一の面２０２におけるワイヤボンド２５０および他の導電性フィーチャを安定化させ、電気的に分離させうる。ある実施形態においては、カプセル化材は、誘電性材料から構成され、モールディングプロセスにおいて、アセンブリ２００上に配置されうる。
【００２５】
続いて、図２Ｉおよび図２Ｊを参照すると、対応するダイ１０６およびコンポーネントを有する個々のアセンブリ２００は、モールドされたウェーハ１１０から分断化される。より詳細には、図２Ｉは、図１Ｂの直線Ａ−Ａに沿った、分断化されたアセンブリ２００の側面断面図であり、図２Ｊは、分断化されたアセンブリ２００の俯瞰図である。しかしながら、例示の目的のために、図２Ｊでは、個々の電気的コネクタ２４８をより分かりやすく示すために、第一の面２０２におけるカプセル化材２５８を示していない。図２Ｉおよび図２Ｊともに関連して、アセンブリ２００を、電気的コネクタ２４８が包囲されるか、またはアセンブリ２００の周辺において露出されるように分断化することができる。アセンブリ２００は、例えば、個々のダイ１０６間の行１１８ａおよび列１１８ｂに沿って図１Ｂのモールドされたウェーハ１１０を切断することによって分断化されうる。ある実施形態においては、行１１８ａは、対応するトレンチ２１０間で概して二等分される。しかしながら、他の実施形態においては、個々のダイ１０６を、行１１８ａ（もしくは列１１８ｂ）に沿って分断化して、個々のダイ１０６および電気的コネクタ２４８の周辺に、予め決められた量のモールディング材料１１６を残す。図２Ｉおよび図２Ｊの左側に示されるように、例えば、分断化されたアセンブリ２００は、第一の面２０２と第二の面２０４との間のモールド材料１１６内に、ワイヤボンド２５０を包囲する側壁部分２５８を含む。しかしながら、他の実施形態においては、コネクタがモールド材料１１６に包囲されずに、アセンブリ２００の周辺において露出されるようにアセンブリ２００を分断化することができる。例えば、例示的な目的のために、図２Ｉおよび図２Ｊの右側の同一のアセンブリ２００上に示されるように、モールディング材料１１６が分断化プロセスの間に除去された後で、電気的コネクタ２４８が露出される。アセンブリ２００の側面において、電気的コネクタ２４８を露出することによって、プロセッシングのその後の段階において、電気的に接続するためのもう１つの位置という利点を提供する。
【００２６】
図３Ａは、別の実施形態に従って構成されるアセンブリ３００の側面断面図である。アセンブリ３００は、図１Ａ−図２Ｊに関連して上述されたアセンブリ２００に概ね類似している。しかしながら、本実施形態においては、アセンブリ３００は、第二の面２０４において接点３３０を形成する変形された対応第一部分３５２を有するワイヤボンド３５０を含む電気的コネクタ３４８（各々、第一の電気的コネクタ３４８ａおよび第二の電気的コネクタ３４８ｂとして識別される）を有する。開口２２４内に導電性材料２３２を堆積することによって上述された接点２３０が形成されるのとは異なり、図３Ａに示された接点３３０は、ワイヤボンド３５０の第一部分３５２で形成される。したがって、電気的コネクタ３４８は、第一の面２０２を第二の面２０４へと接続する、連続的、かつ不断のワイヤボンド３５０を含む。
【００２７】
例示の目的のために、第一の電気的コネクタ３４８ａは、図３Ａの右側に示され、第二の電気的コネクタ３４８ｂは同一のアセンブリ３００上で図３Ａの左側に示される。第一の電気的コネクタ３４８ａは、アセンブリ３００を通って伸長するとともに第一部分３５２を有するワイヤボンド３５０を含む。第一部分３５２は、概して湾曲したまたは不変に偏向された構成を有するフック状部分３５８へと概ね変形される。ワイヤボンド３５０は、トレンチ２１０とチャネル２２０との交点における開口２２４を通って伸長し、ワイヤボンド３５０の第二部分３５４は、対応するボンド部位１０８ａに取り付けられる。ワイヤボンド３５０の第一部分３５２は、実際のフックを形成する必要はない。しかしながら、第一部分３５２は、これが、第二の面２０４に近接させられてワイヤボンド３５０を少なくとも部分的に保持するように変形させて構成することができる。このように、ワイヤボンド３５０の変形された第一部分３５２は、第二の面２０４における接点３３０を形成し、アセンブリ３００に対する外部電気的アクセスを提供する。
【００２８】
図３Ａの左側に示された第二の電気的コネクタ３４８ｂは、ワイヤボンド３５０の第一部分３５２がボール状部分３５６を概ね含むよう変形されることを除いては、第一の電気的コネクタ３４８ａと概ね類似している。ボール状部分３５６は、ワイヤボンド３５０の第一部分３５２から形成され、開口２２４の断面寸法以上の断面寸法を有する。したがって、第二の面２０４に近接させてワイヤボンド３５０の第一部分３５２を少なくとも部分的に保持して接点３３０を形成するために、ボール状部分２５６を構成することができる。
【００２９】
図３Ａに示され、上述された実施形態においては、接点３３０は、第二の面２０４と実質的に同一平面上に存在しうるか、または第二の面２０４から突出しうる。例えば、フック状部分３５８は、第二の面２０４と概して同一平面上に存在するように形成することができ、ボール状部分３５６は、第二の面２０４から突出するように形成することができる。しかしながら、他の実施形態においては、フック状もしくはボール状部分３５８、３５６を含めワイヤボンド３５０の第一部分３５２を、アセンブリ３００の第二の面２０４内へと少なくとも部分的に陥没する接点３３０を形成するように構成することができる。
【００３０】
図３Ｂおよび図３Ｃに関連して、以下により詳細に説明され、記述されるように、電気的コネクタ３４８は、費用効率の高い方法で生産されうる高品質の相互接続を、アセンブリ３００を貫通させ、またアセンブリ３００の内部に提供しうる。例えば、電気的コネクタ３４８は、既存の半導体プロセッシングおよびワイヤボンディング技術で形成されうる。さらには、電気的コネクタ３４８を第一の面２０２から第二の面２０４へと伸長させて形成するために、電気的コネクタ３４８は、（第一部分３５２において接点３３０を含む）連続的で固体のワイヤボンド３５０を含んでいる。
【００３１】
図３Ｂは、ワイヤボンド３５０の第一部分３５２が偏向されるか、または、ワイヤボンド３５０の第一部分３５２においてフック状部分３５８へと変形される、一プロセッシング段階を示す。図１Ａ−図２Ｊに関連して上述されたように、開口２２４が、第一の面のトレンチ２１０と第二の面のチャネル２２０との交点において形成される。したがって、ワイヤボンディングツール２５６を、開口２２４に近接させてトレンチ２１０内に配置することができ、ワイヤボンディングツール２５６は、第二の面２０４から突出するようにワイヤボンド３５０の第一部分３５２を伸長させることができる。偏向化部材３７０は、第一部分３５２を不変に偏向させて、第二の面２０４において接点３３０を形成することができる。例えば、偏向化部材３７０は、矢印３７２によって示される方向へと第二の面２０４で移動して、ワイヤボンド３５０の第一部分３５２を屈曲させることができる。他の実施形態においては、偏向化部材３７０は、他の方向へと移動して、第一部分３５２のフック状部分３５８を形成することができる。第一部分３５２を変形した後、ワイヤボンド３５０の第二部分３５４が、第一の面２０２における対応するボンド部位１０８へと取り付けられる。
【００３２】
図３Ｃは、ボール状部分３５６がワイヤボンド３５０の第一部分３５２に形成される、電気的コネクタ３４８の一プロセッシング段階を示す。本実施形態においては、電子的フレームオフ（“ＥＦＯ（electronic flame off）”）ツール３６０が、第二の面２０４から突出するワイヤボンド３５０の第一部分３５２に近接して配置される。ＥＦＯツール３６２は、第一部分３５２に近接して、スパーク３６２もしくは他の熱源を放射し、第一部分３５２において、フリーエアボールもしくはボール状部分３５６を形成する。続いて、ワイヤボンディングツール２５６は、ワイヤボンド３５０の第二部分３５４を、第一の面２０２における対応するボンド部位１０８へと取り付ける。したがって、ボール状部分３５６は、第二の面２０４において接点３３０を形成する。
【００３３】
アセンブリ３００のプロセッシングは、図１Ａ−図２Ｊに関連して上述された技術および実施形態に類似した方法で継続することができる。例えば、カプセル化材２５８は、アセンブリ３００の第一の面２０２に配置することができ、個々のアセンブリは、上述された技術を使用して、（図１Ｂに示される）モールドされたウェーハ１１０から分断化されうる。
【００３４】
図４Ａは、別の実施形態に従って構成されるアセンブリ４００の断面図である。図４Ａに示されるアセンブリ４００のある態様は、上述されたアセンブリと概して類似している。しかしながら、本実施形態においては、アセンブリ４００は、ワイヤボンド２５０を有するのではなく、第一の面２０２を第二の面２０４へと電気的に接続する、リディストリビューション（redistribution）構造４５０を含む電気的コネクタ４４８を有する。さらに詳細には、各々のリディストリビューション構造４５０は、第一の面のトレンチ４１０を通って第二の面の接点４３０へと電気的に接続される導電性層４５２を含みうる。ある実施形態においては、第一の面のトレンチ４１０の側壁部分は、導電性層４５２と接点４３０との間の電気的接続を容易にするように導電性プレーティング４５４を含むことができる。しかしながら、他の実施形態においては、導電性層４５２は、接点４３０と一直線に合わせられた各トレンチ４１０の一部を少なくとも部分的に充填して、接点４３０へと直接接続することができる。上述された実施形態と類似して、アセンブリ４００は、第一の面２０２に近接したリディストリビューション構造４５０の上に配置されるカプセル化材２５８をも含みうる。
【００３５】
図４Ａに示されたアセンブリ４００に関連するプロセッシングステップは、上述されたプロセッシングステップに概ね類似しうる。しかしながら、本実施形態においては、モールド材料１１６を貫通させて開口４２４を形成するステップが異なりうる。例えば、代表的なプロセッシング段階を示す図４Ｂ−図４Ｄに関連して以下に説明されるように、第一および第二の平行したトレンチ２１０ａ−ｂではなく、単一のトレンチ４１０を、第一の面２０２内において個々のダイ１０６間に形成することができる。さらには、第二の面のチャネル２２０ではなく個々の穴部４２０を、トレンチ４１０と交差するとともに開口４２４を形成するように第二の面２０４内に形成する。
【００３６】
図４Ｂは、さらに詳細には、（破線で示される）個々のダイ１０６に関して（破線で示される）トレンチ４１０および交差穴部４２０の構成を示す、モールドされたウェーハ１１０の底部の図である。本プロセッシングのこの段階においては、単一のトレンチ４１０が、第一の面２０２において行１１８ａ内に形成される。トレンチ４１０を形成した後、穴部４２０を、予め選択されたピッチでトレンチ４１０と交差するように第二の面２０４内に形成する。ある実施形態においては、穴部４２０は、ドリル、レーザ、エッチャント、流体ジェットもしくは他の適切な技術で形成される。穴部４２０は、トレンチ４１０を概ね横切る方向に楕円形状を有しうる。上述された実施形態と類似して、トレンチ４１０と穴部４２０とを足し合わせた（図示されていない）深度を、モールド材料１１６の厚さより大きいか、またはそれと等しくして、開口４２４を形成することができる。
【００３７】
図４Ｃは、開口４２４を形成した後の、リディストリビューション構造４５０を第一の面２０２に近接して形成する段階を示す。ある実施形態においては、導電性層４５２は、対応するボンド部位１０８およびトレンチ４１０の側壁部分における（破線で示される）導電性プレーティング４５４へと直接結合される。しかしながら、他の実施形態においては、導電性層４５２を、開口４２４と（破線で示されるように）一直線に合わせられたトレンチ４１０の一部に少なくとも部分的に充填して、第二の面２０４における（図４Ｃでは図示されていない）接点４３０と直接接続させることができる。（図４Ｃでは図示されていない）誘電性カプセル化材２５８を、導電性層４５２が堆積された後で第一の面２０２に配置して、ダイ１０６を保護するとともに、リディストリビューション構造４５０の導電性層４５２などのアセンブリのコンポーネントを電気的に分離することができる。
【００３８】
リディストリビューション構造４５０が第一の面２０２に近接して配置された後、個々の接点４３０を、第二の面２０４で組み込ませて、アセンブリ４００を通る電気的コネクタ４４８を完成させることができる。接点４３０を形成するために、第二の面２０４から（図４Ａに示される）導電性材料４３２の個々の部分を個々の穴部４２０内に配置し、開口４２４と一直線に合わせることができる。導電性材料４３２は、図２Ｅに関連して上述されたのと類似した材料を含むことができ、図２Ｅに関連して上述されたものと概ね類似した方法で配置されうる。
【００３９】
図４Ｄは、積層された構造における、分断化されたアセンブリ４００（各々、第一のアセンブリ４００ａおよび第二のアセンブリ４００ｂとして識別される）の等角図である。示される実施形態においては、第二のアセンブリ４００ｂの第一表面２０２ｂは、第一のアセンブリ４００ａの第二表面２０４ａ上に積層されうる。第一および第二のアセンブリ４００ａ−ｂは、上述された方法を使用して分断化されうる。ある実施形態においては、ダイ１０６をモールドされたウェーハ１１０から分断化するステップ（例えば、図４Ｂ参照）は、トレンチ４１０および穴部４２０を行１１８ａに沿って概ね二等分するステップを含みうる。したがって、アセンブリ４００を分断化した後、電気的コネクタ４４８をアセンブリ４００の側面部分で露出して、他のコンポーネント、デバイスおよびアセンブリへと電気的に接続させることができる。
【００４０】
ある実施形態においては、図４Ｂ−図４Ｄに関連して上述されたプロセッシングステップは、異なる順序でも実施されうる。例えば、穴部４２０は、トレンチ４１０が第一の面２０２に形成される前に第二の面２０４内に形成されてもよい。したがって、穴部４２０を、第二の面２０４から中間深度まで掘削し、続いて、導電性材料４３２で充填して、接点４３０を形成することができる。穴部４２０を充填した後、トレンチ４１０を、組み込まれた接点４３０と交差するように第一の面２０２内に形成することができる。リディストリビューション構造４５０を、その後、第一の面２０２に配置し、第一の面２０２と第二の面２０４との間の電気的コネクタ４４８を完成させることができる。
【００４１】
図４Ａ−図４Ｄに示された電気的コネクタ４４８は、ＷＬＰの利点をも組み入れ、ダイ１０６周辺のスペースを利用して、比較的簡易なプロセッシングステップで、信頼性が高く、高品質の相互接続を提供する。例えば、アセンブリ全体を貫通して掘削もしくはエッチングするのではなく、開口４２４をトレンチ４１０と穴部４２０との交点に形成する。さらには、トレンチ４１０を穴部４２０と交差させる（もしくはその反対の）ステップは、これらの個々のフィーチャの深度およびアスペクト比を減少させ、このことは、その後のプロセッシングステップの複雑性を軽減しうる。したがって、示された実施形態は、簡易化されたプロセスを使用して電気的コネクタ４４８の製造可能性および信頼性を改善しうる。
【００４２】
図５は、半導体アセンブリを形成するための方法もしくはプロセス５００の一実施形態のフロー図である。本実施形態においては、プロセス５００は、行および列に配列された複数のダイを有するモールドされたウェーハのモールドされた部分内に、中間深度まで第一の面の複数のトレンチを形成するステップを含む（ブロック５０５）。ある実施形態においては、本ステップは、ダイ間の各行もしくは各列に、単一のトレンチを形成するステップを含みうる。しかしながら、他の実施形態においては、本ステップは、ダイ間の各行もしくは各列に、二つ以上の平行し、間隔のあいたトレンチを形成するステップを含みうる。
【００４３】
本プロセスは、第一の面のトレンチと一直線に合わせた領域におけるモールドされた部分の第二の面から材料を除去するステップをさらに含む（ブロック５１０）。第二の面から材料を除去するステップは、モールドされたウェーハのモールドされた部分を貫通する開口を形成する。ある実施形態においては、本ステップは、第二の面のトレンチもしくはチャネルを中間深度まで形成するステップを含みうる。第二の面のチャネルは、第一の面のトレンチを概ね横断しうる。しかしながら、他の実施形態においては、本ステップは、第一の面のトレンチと一直線に合わせた個々の位置のモールド材料内に、第二の面から中間深度まで穴部を形成するステップを含みうる。モールド材料を貫通する開口を形成するために、第一の面のトレンチの深度と第二の面のチャネル（もしくは第二の面の穴部）の深度とを足し合わせた深度は、モールドされたウェーハのモールド材料の厚さよりも大きくなっている。
【００４４】
本プロセスは、開口において、モールドされた部分の第二の面に複数の電気的接点を形成するステップをさらに含む（ブロック５１５）。ある実施形態においては、本ステップは、第二の面から開口内に、個別の量の導電性材料（例えば、はんだ）を配置するステップを含みうる。しかしながら、他の実施形態においては、このステップは、開口を通してワイヤボンドの一部を挿入するステップと、第二の面におけるワイヤボンドの一部を変形するステップを含みうる。本プロセスは、ダイ上の対応するボンド部位へ、第二の面の接点を電気的に接続するステップをさらに含む（ブロック５２０）。ある実施形態においては、本ステップは、ワイヤボンドを、第二の面における接点、ならびに第一の面における対応するボンド部位へと取り付けるステップを含みうる。第二の面におけるワイヤボンドの変形部分を含む実施形態においては、このステップは、ワイヤボンドのうち変形部分から離れた部分を、第一の面における対応するボンド部位へ取り付けるステップを含みうる。さらに別の実施形態においては、このステップは、第一の面においてリディストリビューション構造を配置するステップを含みうる。
【００４５】
図５に示されるプロセスは、比較的短時間で達成されうる。なぜなら、アセンブリの第一の面と第二の面との電気的接続を作成するために、個別のビアの形成、プレーティング、充填を行わなくてもよいからである。その代わりに、トレンチとチャネルとを交差させることにより、モールド材料を貫通する複数の開口を迅速に作成することができる。例えば、第一の面の複数のトレンチを形成した後、第二の面の単一のチャネルを形成するステップは、単一の経路における交点に複数の開口を生成する。
【００４６】
図１Ａ−図５に関連して上述された電気的接続を有するアセンブリのうちのいずれも、あらゆる多種多様な、より大きいおよび／もしくはより複雑なシステムへと組み込まれうる。そのシステムの代表的な例が、図６に概略的に示されるシステム６００である。システム６００は、プロセッサ６０２、メモリ６０４（例えば、ＳＲＡM、ＤＲＡＭ、フラッシュおよび／もしくは他のメモリデバイス）、入力／出力デバイス６０６ならびに／または他のサブシステムもしくはコンポーネント６０８を含みうる。図１Ａ−図５に関連して上述された電気的コネクタを有するアセンブリは、図６に示されるコンポーネントのうちのいずれにも含まれうる。結果として生じるシステム６００は、種々のコンピューティング、プロセッシング、ストレージ、センシング、イメージングおよび／もしくは他の機能のうちのいずれをも実施しうる。したがって、代表的システム６００は、コンピュータおよび／もしくは他のデータプロセッサ、例えば、デスクトップコンピュータ、ラップトップコンピュータ、インターネット機器、ハンドヘルドデバイス（例えば、パームトップコンピュータ、ウェアラブルコンピュータ、携帯電話、携帯情報端末、音楽プレーヤーなど）、マルチプロセッサシステム、プロセッサベースもしくはプログラマブル家電製品、ネットワークコンピュータ、ミニコンピュータを含むが、そのいずれにも限定はされない。他の代表的システム６００は、単一のユニットに格納されるか、または（例えば、通信ネットワークを介して）複数の相互接続されたユニットに分散されてもよい。システム６００のコンポーネントは、したがって、ローカルおよび／もしくはリモートメモリストレージデバイス、ならびに種々のあらゆるコンピュータで読み出し可能なメディアを含みうる。
【００４７】
例示の目的のために特定の実施形態が本明細書においては説明されてきたが、本発明から逸脱することなく種々の改変がなされてもよいことを前述したことから理解されたい。例えば、積層されたアセンブリを形成するために、一つ以上の追加のアセンブリが上述された実施形態のいずれのアセンブリ上に積まれてもよい。文脈から許容される限り、単数形もしくは複数形の用語は、各々、複数形もしくは単数形の用語をも含んでもよい。さらには、“ｏｒ”という用語が、リストもしくは二つ以上の項目に関連する他の項目からの排他的なただ１つの用語のみを意味すると明確に限定されない限り、そのようなリストにおける“ｏｒ”の使用は、（ａ）リスト内のあらゆる単一の項目（ｂ）リスト内の項目のうちの全て、もしくは（ｃ）リスト内の項目のうちのあらゆる組み合わせを含むものとして解釈されるべきである。さらには、“ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ”という用語は、少なくとも言及された（１つまたは複数の）特性を含むことを意味するように徹頭徹尾使用され、したがって、より多数の同一の特性、もしくは追加のタイプの特性でも排除されることはない。
【００４８】
種々の改変が、本明細書において開示された実施形態から逸脱することなくなされてもよい。例えば、特定の実施形態の文脈内に記述された特性は、他の実施形態において、組み合わせられてもよいし、または排除されてもよい。さらには、ある実施形態に関連する利点は、それらの実施形態の文脈内に記述されているが、他の実施形態もまた、このような利点を示してもよいし、本発明の範囲に納まるためには、全ての実施形態が必ずしもこのような利点を示す必要はない。例えば、様々な幅および深度のトレンチもしくはチャネルがモールド材料内に形成されうる。したがって、本発明は、添付の請求項以外によって限定されることはない。
【図１Ａ】
2010538469.tif 000003
【図１Ｂ】
2010538469.tif 000004
【図２Ａ】
2010538469.tif 000005
【図２Ｂ】
2010538469.tif 000006
【図２Ｃ】
2010538469.tif 000007
【図２Ｄ】
2010538469.tif 000008
【図２Ｅ】
2010538469.tif 000009
【図２Ｆ】
2010538469.tif 000010
【図２Ｇ】
2010538469.tif 000011
【図２Ｈ】
2010538469.tif 000012
【図２Ｉ】
2010538469.tif 000013
【図２Ｊ】
2010538469.tif 000014
【図３Ａ】
2010538469.tif 000015
【図３Ｂ】
2010538469.tif 000016
【図３Ｃ】
2010538469.tif 000017
【図４Ａ】
2010538469.tif 000018
【図４Ｂ】
2010538469.tif 000019
【図４Ｃ】
2010538469.tif 000020
【図４Ｄ】
2010538469.tif 000021
【図５】
2010538469.tif 000022
【図６】
2010538469.tif 000023
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月19日(2010.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスを製造する方法であって、前記方法は、
モールドされたウェーハの第一の面における、モールディング材料内に組み込まれた第一の半導体ダイと第二の半導体ダイとの間のレーン内の前記モールディング材料内に、少なくとも一つのトレンチを形成するステップであって、前記第一および第二のダイは、前記第一の面にボンド部位を有する、ステップと、
前記モールドされたウェーハの前記第一の面とは反対の第二の面から、前記トレンチに重なる部分のある部分の材料を除去するステップであって、前記材料を除去するステップは、前記モールドされたウェーハを貫通する複数の第一の開口を形成する、ステップと、
前記第一および第二のダイの個々のボンド部位から、前記モールドされたウェーハを貫通する対応する第一の開口を通して、前記モールドされたウェーハの前記第二の面へと伸長する電気的コネクタを形成するステップと、
前記第一および第二のダイを分断化するステップと、
を含む、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記トレンチは第一のトレンチであり、前記方法は、前記モールドされたウェーハの前記第一の面内の前記レーン内に第二のトレンチを形成するステップをさらに含み、前記第二のトレンチは、前記第一のトレンチと間隔をあけて配置され、前記第一のトレンチと概ね平行であり、
前記第二の面から材料を除去するステップは、前記モールドされたウェーハの前記第二の面内に、前記第一および第二のトレンチを概ね横切る方向へチャネルを形成するステップを含み、前記チャネルを形成するステップは、前記チャネルと前記第一のトレンチとの交点において、前記モールドされたウェーハを貫通する前記第一の開口を形成し、前記チャネルと前記第二のトレンチとの交点において、前記モールドされたウェーハを貫通する複数の第二の開口を形成する、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第一のトレンチ、前記第二のトレンチおよび前記チャネルは、各々、前記モールドされたウェーハ内への、前記モールドされたウェーハの厚さよりも小さい深度を有する、
ことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
電気的コネクタを形成するステップは、前記第一のダイの対応するボンド部位を、前記第一の開口を通して、前記第二の面へと第一のワイヤボンドを用いて結合するステップと、前記第二のダイの対応するボンド部位を、前記第二の開口を通して、前記第二の面へと第二のワイヤボンドを用いて結合するステップとを含む、
ことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記モールドされたウェーハの前記第一の面において、かつ、前記第一および第二のワイヤボンドならびに前記第一および第二のダイの少なくとも一部を覆って、誘電性材料を配置するステップをさらに含む、
ことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第一の開口は側壁部分を含み、前記第二の開口は側壁部分を含み、
前記ダイを分断化するステップは、前記第一のトレンチと第二のトレンチとの間で、前記モールドされたウェーハを切断するステップと、前記分断化された第一および第二のダイの周辺でそれぞれ前記第一および第二のワイヤボンドが露出されるように、前記第一の開口の前記側壁部分および前記第二の開口の前記側壁部分を少なくとも部分的に除去するステップと、
を含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記第一の開口および前記第二の開口を、導電性材料で少なくとも部分的に充填するステップをさらに含み、
前記第一および第二のダイの前記ボンド部位を前記モールドされたウェーハの前記第二の面へと電気的に接続するステップは、
第一のワイヤボンドの第一部分を、対応する第一の開口内の前記導電性材料内に組み込むステップと、前記第一部分とは反対の前記第一のワイヤボンドの第二部分を、前記第一の開口を通して、前記第一のダイの対応するボンド部位へと接続するステップと、
第二のワイヤボンドの第一部分を、対応する第二の開口内の前記導電性材料内に組み込むステップと、前記第一部分とは反対の前記第二のワイヤボンドの第二部分を、前記第二の開口を通して、前記第二のダイの対応するボンド部位へと接続するステップと、
を含む、
ことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項８】
前記導電性材料内に前記第一のワイヤボンドの前記第一部分を組み込むステップは、前記第一のワイヤボンドの前記第一部分を前記導電性材料に突き刺すステップを含む、
ことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記導電性材料内に前記第一のワイヤボンドの前記第一部分を組み込むステップは、ワイヤボンディングツールを前記導電性材料に突き刺すステップと、前記導電性材料内へと前記第一部分を導入するステップとを含む、
ことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記第一の開口および前記第二の開口を少なくとも部分的に充填するステップは、前記第一および第二の開口の各々の中に、個別の量の前記導電性材料を配置するステップを含む、
ことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記第一および第二の開口内の前記導電性材料は、前記第二の面と実質的に同一平面上に存在する、
ことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
電気的コネクタを形成するステップは、
前記第一のワイヤボンドの第一部分が、前記モールドされたウェーハを通って前記第二の面から突出するように、前記第一の開口のうちの一つへと第一のワイヤボンドを挿入するステップと、
前記第一のワイヤボンドの前記第一部分を変形するステップであって、前記変形された第一部分は、前記第一の開口を通って前記ワイヤボンドが引き込まれるのを少なくとも部分的に防止するステップと、
前記第一部分とは反対の前記第一のワイヤボンドの第二部分を、前記第一のダイの対応するボンド部位へと接続するステップと、
を含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項１３】
前記第一のワイヤボンドの前記第一部分を変形するステップは、電子的フレームオフで、前記第一部分にボール状部分を形成するステップを含む、
ことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ボール状部分は、前記モールドされたウェーハの前記第二の面から突出する、
ことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第一のワイヤボンドの前記第一部分を変形するステップは、前記第一部分を不変に偏向させるステップを含む、
ことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記第二の面から材料を除去するステップは、前記トレンチと一直線に合わせた個々の位置における、前記モールドされたウェーハの個々の部分を除去するステップを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記モールドされたウェーハの個々の部分を除去するステップは、レーザで前記モールドされたウェーハ中を掘削するステップを含む、
ことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
電気的コネクタを形成するステップは、
前記モールドされたウェーハの前記第二の面に近接させて前記第一の開口内に導電性材料を配置するステップと、
前記第一のダイの前記ボンド部位と対応する前記第一の開口との間にリディストリビューション構造を形成するステップと、
を含む、
ことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記リディストリビューション構造は、前記第一の開口を少なくとも部分的に充填する、
ことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記第一の開口が形成され、前記第一の開口内に前記導電性材料を配置した後に、前記トレンチが形成される、
ことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記トレンチは、前記第一の開口に配置された前記導電性材料と交差する、
ことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】
半導体デバイスを製造する方法であって、
行および列に配列された複数のダイを有するモールドされたウェーハのモールドされた部分内に、中間深度まで、第一の面の複数のトレンチを形成するステップであって、個々のダイは、複数のボンド部位を含み、前記第一の面の複数のトレンチは、前記ダイ間の前記行または前記ダイ間の前記列のうちの一つに沿ってお互いに平行する、ステップと、
前記第一の面のトレンチと一直線に合わせた領域における前記モールドされた部分の裏面から材料を除去するステップであって、前記材料を除去するステップは、前記モールドされた部分を貫通した開口を形成する、ステップと、
前記モールドされた部分の前記裏面における前記開口において、複数の電気的接点を形成するステップと、
前記裏面の接点を、前記ダイ上の対応するボンド部位へと電気的に接続するステップと、
を含む、
ことを特徴とする方法。
【請求項２３】
モールドされたウェーハ内に組み込まれた二つ以上の半導体ダイ間に、前記モールドされたウェーハの厚さを完全に貫通して伸長する一つ以上の穴部を形成する方法であって、前記方法は、
前記モールドされたウェーハの第一の面を、前記二つ以上のダイ間で第一の方向に部分的にダイシングするステップであって、前記第一の面を部分的にダイシングするステップは、前記モールドされたウェーハの前記厚さよりも小さい深度を有するトレンチを形成する、ステップと、
前記第一の面とは反対の前記モールドされたウェーハの第二の面から、前記モールドされたウェーハの一部分を除去するステップと、
前記第二の面から前記トレンチを交差させるステップと、
を含む、
ことを特徴とする方法。
【請求項２４】
前記トレンチは、第一のトレンチであり、前記方法は、
第二のトレンチを形成するために、前記モールドされたウェーハの前記第一の面を、前記二つ以上のダイの間において、前記第一のトレンチと平行に、かつ前記第１のトレンチから離して部分的にダイシングするステップをさらに含み、
前記モールドされたウェーハの前記部分を除去するステップは、前記第一の方向に対して概ね横切る方向の第二方向に、前記第二の面を部分的にダイシングするステップと、前記第一および第二のトレンチと交差するチャネルを形成するステップとを含む、
ことを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記第一のトレンチは第一の深度を有し、
前記第二のトレンチは前記第一の深度を有し、
前記チャネルは第二の深度を有し、前記第一の深度と前記第二の深度との足し合わせは、最も小さくとも、前記モールドされたウェーハの前記厚さと等しい、
ことを特徴とする請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記モールドされたウェーハの一部分を前記第二の面から除去するステップは、前記第二の面の前記部分にレーザを導くステップ、前記第二の面の前記部分に流体ジェットを導くステップ、および前記第二の面の前記部分上でエッチャントを処理するステップのうちの少なくとも一つを含む、
ことを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【請求項２７】
製造途中の中間物であって、
第一の面、第二の面、モールディング材料内の第一の半導体ダイ、および前記第一のダイから間隔をあけて配置された前記モールディング材料内の第二の半導体ダイを有するウェーハへと成形された前記モールディング材料を有するモールドされたウェーハと、
前記モールドされたウェーハの前記第一の面内の、前記第一のダイと前記第二のダイとの間の第一のトレンチと、
前記第一のトレンチと一直線に合わせた、前記モールドされたウェーハの前記第二の面内の陥没部と、を含み、
前記第一のトレンチは、前記モールドされたウェーハの厚さよりも小さい深度を有し、
前記陥没部は、前記モールドされたウェーハの前記厚さよりも小さい深度を有し、前記第一のダイと第二のダイとの間の前記第一のトレンチとの交点において、前記モールドされたウェーハを貫通する第一の開口を形成する、
ことを特徴とする中間物。
【請求項２８】
前記モールドされたウェーハの前記第一の面内の、前記第一のダイと第二のダイとの間の第二のトレンチをさらに含み、前記第二のトレンチは、前記第一のトレンチと概して平行であり、前記第一のトレンチとは間隔をあけて配置され、前記第一のトレンチの前記深度とほぼ等しい深度を有し、
前記陥没部は、前記モールドされたウェーハの前記第二の面内の、前記第一および第二のトレンチを概して横切るチャネルを含み、前記チャネルは、前記第一のトレンチとの前記交点において前記第一の開口を形成し、前記チャネルは、前記第二のトレンチとの交点において第二の開口を形成する、
ことを特徴とする請求項２７に記載の中間物。
【請求項２９】
前記モールドされたウェーハの前記第二の面における、前記第一の開口内に配置された第一の接点と、
前記モールドされたウェーハの前記第二の面における、前記第二の開口内に配置された第二の接点と、
前記第一の開口を通って伸長し、前記第一のダイおよび前記第一の接点へと接続された第一のワイヤボンドと、
前記第二の開口を通って伸長し、前記第二のダイおよび前記第二の接点へと接続された第二のワイヤボンドと、
をさらに含む、
ことを特徴とする請求項２８に記載の中間物。
【請求項３０】
前記第一の接点は、前記第二の面に近接させて前記第一の開口内に配置された導電性材料を含み、前記第一のワイヤボンドは、前記第一の導電性材料内に組み込まれ、
前記第二の接点は、前記第二の面に近接させて前記第二の開口内に配置された前記導電性材料を含み、前記第二のワイヤボンドは、前記第二の導電性材料内に組み込まれる、
ことを特徴とする請求項２９に記載の中間物。
【請求項３１】
前記第一のダイに接続された第一のワイヤボンドと、
前記第二のダイに接続された第二のワイヤボンドと、
をさらに含み、
前記第一のワイヤボンドは、前記第一の開口を通って伸長し、前記モールドされたウェーハの前記第二の面に近接する前記第一のワイヤボンドの末端部分において変形され、
前記第二のワイヤボンドは、前記第二の開口を通って伸長し、前記モールドされたウェーハの前記第二の面に近接する前記第二のワイヤボンドの末端部分において変形される、
ことを特徴とする請求項２８に記載の中間物。
【請求項３２】
前記第一のワイヤボンドの前記変形された末端部分は、前記第一の開口の断面寸法よりも大きい断面寸法を有するボール状部分を含み、前記第二のワイヤボンドの前記変形された末端部分は、前記第二の開口の断面寸法よりも大きい断面寸法を有するボール状部分を含む、
ことを特徴とする請求項３１に記載の中間物。
【請求項３３】
前記第一のワイヤボンドの前記変形された末端部分は、前記モールドされたウェーハの前記第二の面に近接する前記第一のワイヤボンドの前記末端部分を少なくとも部分的に保持するフック状部分を含み、前記第二のワイヤボンドの前記変形された末端部分は、前記モールドされたウェーハの前記第二の面に近接する前記第二のワイヤボンドの前記末端部分を少なくとも部分的に保持するフック状部分を含む、
ことを特徴とする請求項３１に記載の中間物。
【請求項３４】
前記第一の半導体、前記第一のトレンチおよび前記第一の開口は、プロセッサ、メモリデバイスおよび、入力もしくは出力デバイスのうちの少なくとも一つを含む半導体システムへと組み込まれる半導体アセンブリの一部を形成する、
ことを特徴とする請求項２７に記載の中間物。
【請求項３５】
第一の面、第二の面、およびある厚さを有するモールド材料と、
前記モールド材料内に組み込まれたダイであって、前記モールド材料の前記第一の面に、ボンド部位を有するダイと、
前記ダイから間隔をあけて配置された、前記モールド材料内のトレンチであって、前記モールド材料の前記第一の面から第一の深度を有するトレンチと、
前記モールド材料の前記第二の面から第二の深度を有する前記モールド材料内のチャネルであって、前記第一の深度と第二の深度との足し合わせは、最も小さくとも、前記モールド材料の前記厚さと等しく、前記チャネルは、前記トレンチを概ね横切り、前記トレンチと交差して、前記モールド材料を貫通する開口を形成する、チャネルと、
前記モールド材料の前記第二の面における接点であって、前記チャネル内に配置され前記開口と一直線に合わせた、接点と、
前記開口を通って伸長する電気的コネクタであって、前記ダイの前記ボンド部位へ接続された第一の末端部分と、前記接点へと接続された第二の末端部分とを有する、電気的コネクタと、
を含む、
ことを特徴とする半導体アセンブリ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
個々のワイヤボンド２５０は、ニッケル、銅、金、銀、プラチナ、これらの金属の合金などの導電性材料、および／または、ワイヤボンディングもしくはそれに類似する技術に適した他のあらゆる導電性材料から構成されうる。ワイヤボンド２５０の特性は、特定デバイスに向けたプロセッサもしくは性能ニーズに基づいて選択されうる。例えば、ワイヤボンド２５０は、性能および集積化の必要条件を満足するよう選択された直径、幾何形状（例えば、球形断面、もしくは平坦断面）および／もしくは弾性係数を有しうる。ワイヤボンド２５０は、第一の面２０２における対応する個々のボンド部位１０８（第一のボンド部位１０８ａおよび破線で示された第二のボンド部位１０８ｂとして各々識別される）を、第二の面２０４における対応する接点２３０へと接続する。図２Ａに示される第二のボンド部位１０８ｂは、図２Ａの平面外に存在するが、例示の目的のために破線で示されている。図２Ｄおよび図２Ｊに示されるように、ある実施形態においては、ボンド部位１０８は、交互に配列することができ、あるいは、お互いに一列にすることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図２Ｅおよび図２Ｆに示される実施形態においては、接点２３０は、第二の面２０４と概して同一平面上にあり、したがって、アセンブリ２００への外部電気的アクセスを提供しうる。例えば、ある実施形態においては、（図示されていない）はんだボールなどの導電性部分を、接点２３０に対して取り付けることができる。しかしながら、他の実施形態においては、接点２３０は第二の面２０４内に陥没しうるか、または第二の面２０４から突出しうる。例えば、接点２３０は、第二の面２０４から突出するバンプもしくは隆起した接点であり、他のデバイスもしくはアセンブリとアセンブリ２００とを積層することを容易にする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
図３Ｃは、ボール状部分３５６がワイヤボンド３５０の第一部分３５２に形成される、電気的コネクタ３４８の一プロセッシング段階を示す。本実施形態においては、電子的フレームオフ（“ＥＦＯ（electronic flame off）”）ツール３６０が、第二の面２０４から突出するワイヤボンド３５０の第一部分３５２に近接して配置される。ＥＦＯツール３６０は、第一部分３５２に近接して、スパーク３６２もしくは他の熱源を放射し、第一部分３５２において、フリーエアボールもしくはボール状部分３５６を形成する。続いて、ワイヤボンディングツール２５６は、ワイヤボンド３５０の第二部分３５４を、第一の面２０２における対応するボンド部位１０８へと取り付ける。したがって、ボール状部分３５６は、第二の面２０４において接点３３０を形成する。
【国際調査報告】
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