(57)【要約】  本発明は、シリコン層（１）を含む太陽電池、及びこのような太陽電池の裏面上にコンタクトを設ける方法に関する。この方法が、ａ）シリコン層（１）の裏面上にパッシベーション層（２）を追加する段階；ｂ）前記パッシベーション層（２）上にめっきシード層（４）を追加する段階；ｃ）前記めっきシード層（４）を第一領域（Ａ）によって第一及び第二電極領域に分離する段階；ｄ）前記めっきシード層（４）の第二領域（Ｂ）を開口する段階；ｅ）前記パッシベーション層（２）の前記第二領域（Ｂ）を開口する段階；ｆ）前記パッシベーション層（２）の前記第二領域（Ｂ）の開口部及び前記第二領域（Ｂ）を囲む前記めっきシード層（４）に、コンタクトめっき（３）を設ける段階；を含む。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池の裏面上にコンタクトを設ける方法であって、
前記方法が、
ａ）シリコン基板（１）の裏面上にパッシベーション層（２）を追加する段階；
ｂ）前記パッシベーション層（２）上にめっきシード層（４）を追加する段階；
ｃ）前記めっきシード層（４）を第一領域（Ａ）によって第一及び第二電極領域に分離する段階；
ｄ）前記めっきシード層（４）の第二領域（Ｂ）を開口する段階；
ｅ）前記パッシベーション層（２）の前記第二領域（Ｂ）を開口する段階；及び
ｆ）前記パッシベーション層（２）の前記第二領域（Ｂ）の開口部及び前記第二領域（Ｂ）を囲む前記めっきシード層（４）に、コンタクトめっき（３）を設ける段階；
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記めっきシード層（４）を第一領域（Ａ）によって第一及び第二電極領域に分離する段階ｃ）が、前記めっきシード層（４）の前記領域（Ａ）を開口する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記めっきシード層（４）を第一領域（Ａ）によって第一及び第二電極領域に分離する段階ｃ）が、前記めっきシード層上に絶縁材料を適用する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第一及び第二電極領域の両方が、同じ極性を有することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記段階ｃ）及びｄ）が、同時に実施されることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記段階ｅ）が、前記段階ｂ）の前に実施されることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記段階ｂ）が、前記段階ｅ）の後に実施されることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記段階ｅ）が、前記第二領域（Ｂ）を除く領域内における前記太陽電池にエッチ−耐性物質を適用する段階と、その後、前記第二領域（Ｂ）内において、前記パッシベーション層（２）の開口部をエッチングするためにエッチング剤を適用する段階とによって実施されることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記段階ｃ），ｄ）又はｅ）の少なくとも１つが、前記第二領域（Ｂ）に、エッチング剤を直接的に適用する段階を含むことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記段階ｃ），ｄ）又はｅ）の少なくとも１つが、レーザーアブレーションプロセスを含むことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記段階ｃ）が、前記第一領域（Ａ）を除く領域内における前記太陽電池にエッチ−耐性物質を適用する段階と、その後、前記第一領域（Ａ）内において、前記めっきシード層（４）の開口部をエッチングするためにエッチング剤を適用する段階とによって実施されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項１２】
前記段階ｃ）が、前記第一領域（Ａ）における前記太陽電池へのめっきレジスト層の堆積段階を含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項１３】
前記めっきレジスト層が、反射材料を含むことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記コンタクトめっき（３）が、実質的に、Ｔ字型断面形状を有することを特徴とする請求項１から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記開口された領域（Ｂ）が、非連続であり、
前記シード層（４）が、連続する導体ラインを形成することを特徴とする請求項１から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
裏面を有する太陽電池であって、
前記裏面が、コンタクトを含み、
請求項１から１４のいずれか一項に記載の方法により、前記コンタクトが、前記太陽電池の裏面上に設けられていることを特徴とする太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願との関連で、“太陽電池”という表現は、例えば、ウェハ又は薄膜のようなシリコン基板を備えた装置を示す。
【０００２】
本発明は、太陽電池の裏面にコンタクトを設ける方法に関する。また、本発明は、該方法によって設けられたコンタクトを備えた太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００３】
従来のバックコンタクト型太陽電池が、図１に図示されている。従来のプロセスでは、めっきバリア２の開口部内において、結晶シリコン１上にめっき３を設ける。通常、めっきバリア２が、表面パッシベーション及び／又は非反射性コーティング層でもある。
【０００４】
従来技術では、このようなバックコンタクト型太陽電池において必要とされる電流を流すために、めっきされたコンタクトを、比較的厚くする必要がある。めっきされた金属が、シリコンとは異なる熱膨張係数を有するため、温度変化にさらされた場合に、めっきが落ちるという問題が生じる。このコンタクトの設計が有する他の欠点は、大量生産のための十分に短い処理時間内において、必要とされるコンタクトの断面積を形成するのに十分に大きな表面にめっきプロセスを施すために、金属／Ｓｉ界面面積を、比較的大きくしなければならないことである。大きな金属／Ｓｉコンタクト面積が、表面再結合を増加させ、今度は、太陽電池の効率を減少させる。最後に、厚い層をめっきするために要求される長い時間は、大量生産のための製造装置への大きな投資の必要性を伴う。
【０００５】
導体上における小さなコンタクト面積及び大きな断面積の両方を可能にするバックコンタクトの設計が、特許文献１に開示されている。しかしながら、このような太陽電池を製造する手順は、複雑であり、従って、競争力のある価格で実現することが困難である。
【０００６】
本発明の目的は、バックコンタクト型太陽電池上に電気的コンタクトを設けるためにめっき処理を使用したコスト効率の良い方法を提供することである。さらに、この方法により、十分に大きな断面積のコンタクトと結合した小さな金属／Ｓｉコンタクト界面が、太陽電池によって生成された電流を流すことが可能になる。しかしながら、この方法が、フロント及びバックコンタクトの両方を備えた太陽電池のバックコンタクトに完全に適用可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００４／０２００５２０号明細書
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明が、特許請求の範囲の独立請求項で定義される。本発明のさらなる実施形態が、この独立請求項で定義される。
【０００９】
本発明の実施形態が、図面を参照し、以下において詳細に記載される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】従来技術によるバックコンタクト型太陽電池のめっきを図示したものである。
【図２】本発明の実施形態によるバックコンタクト型太陽電池のめっきを図示したものである。
【図３】本発明による第一実施形態の方法を図示したものである。
【図４】本発明による第二実施形態の方法を図示したものである。
【図５】本発明による第三実施形態の方法を図示したものである。
【図６】本発明による第六実施形態の方法を図示したものである。
【図７】本発明による第七実施形態の方法を図示したものである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明による太陽電池及びその方法の実施形態が、以下において詳細に記載される。しかしながら、本発明が、これらの実施形態に制限されるものではないが、特許請求の範囲の範囲内で変更されることが可能であることに注目すべきである。また、いくつかの実施形態の要素が、他の実施形態の要素と容易に結合されることに注目すべきである。
【００１２】
（第一実施形態）
本方法の第一実施形態が、図３ａ−ｅを参照し、これから記載される。
【００１３】
第一段階（図３ａに図示される）において、パッシベーションスタック又はパッシベーション層２が、シリコンウェハ１に設けられる。パッシベーション層２が、例えば、ａ−Ｓｉ及びＳｉＮｘ又はＳｉＯｘ及び／又はＳｉＮｘ等を含むことが可能である。
【００１４】
第二段階（図３ｂに図示される）において、めっきシード層４が、パッシベーション層２の全表面上に設けられる。めっきシード層４が、例えば、銀，ニッケル，銅，ａ−Ｓｉ又はマイクロ−Ｓｉ等を備えることが可能である。
【００１５】
第三段階において、めっきシード層４が、＋及び−領域に分かれるように、即ち、めっきシード層が、Ａとして示される第一領域内で開口するように、エッチング剤が適用される。同じ処理段階で、図２においてＢとして示された領域において、また、めっきシード層４が開口する（結果が、図３ｃに図示される）。エッチング剤が、例えば、Ｓｉベースの材料に対しＫＯＨであることが可能であり、酸が、銀，ニッケル及び他の金属をエッチングするために使用されることが可能である。
【００１６】
次の段階において、パッシベーション層２が、太陽電池導体３用の空間を設けるために開口される（図３ｄに図示される）。図２において、パッシベーション層２の開口領域が、文字Ｂで示される。コンタクト開口部が、例えば、コンタクトが形成される領域Ｂを除く電池の全裏面上にエッチ−レジストを設けることにより実現されることが可能である。他の選択肢は、上記の第二段階において設けられるめっきシード層が、パッシベーション層を開口する（Ａ）ために使用されるエッチング剤に対し耐性を有する場合に、図２における開口部Ａのみにエッチレジストを設けることである。
【００１７】
その後、電池が、エッチング液体に露出され、領域Ｂのシリコン１が露出されるように、パッシベーション層が、エッチングされる。
【００１８】
その後、エッチレジストが、除去される。
【００１９】
エッチレジストは、電池の材料に付着するが、エッチングプロセスの間にエッチング剤から材料を保護する物質である。
【００２０】
Ｂにおけるパッシベーション層を除去するためのさらに他の代替策は、領域Ｂに対し、例えばインクジェットを用いて直接的にエッチング剤を適用することである。
【００２１】
図２から分かるように、領域Ａと領域Ｂとの間に、結果として、めっきシード層４が除去されていない領域Ｃが存在する。
【００２２】
次の段階（図３ｅに図示される）において、コンタクトめっき３が、開口領域Ａを除く太陽電池の全裏面に設けられる。すなわち、コンタクトめっき３が、図２における領域Ｂ及びＣを覆う。コンタクトめっきが、例えば、ニッケルシード及びバリア層、次に、主な電荷キャリアとしての銀及び／又は銅、続いて、銀、スズ又ははんだぬれ目的のための他の適当な材料を含むことが可能である。
【００２３】
図２から分かるように、コンタクトめっき３が、実質的に、Ｔ字型の断面形状を有する。
【００２４】
（第二実施形態）
第二実施形態が、図４ａ−ｄを参照して記載される。
【００２５】
第一段階（図４ａに図示される）において、パッシベーションスタック又はパッシベーション層２が、シリコンウェハ１に設けられる。パッシベーション層２が、例えば、ａ−Ｓｉ及びＳｉＮｘ又はＳｉＯｘ及び／又はＳｉＮｘ等を含むことが可能である。
【００２６】
第二段階において、パッシベーション層２が、コンタクトめっき３用の空間を設けるために開口される。第一実施形態において記載されたように、コンタクトめっき３が、太陽電池の電気的コンタクトを形成する。図２において、パッシベーション層２の開口領域が、文字Ｂで示される（図４ｂに図示される）。
【００２７】
第三段階において、めっきシード層４が、電池の全表面上に設けられる（図４ｃに図示される）。この設置が、電池の表面上に、ニッケル及び／又は銀のような金属、及び／又はａ−Ｓｉを吹き付ける、印刷する又は蒸発させることによって実施される。
【００２８】
第四段階において、図２においてＡとして示された領域を除き、太陽電池の全裏面に対しエッチレジストが設けられ、続いて、太陽電池をエッチング剤に露出させることによって、めっきシード層４が開口される。これにより、領域Ａからめっきシード層４を除去され、従って、めっきシード層４が、＋及び−領域に分離される。
【００２９】
第五段階において、コンタクトめっき３が、開口領域Ａを除く、太陽電池の全裏面に設けられる。すなわち、コンタクトめっき３が、図２の領域Ｂ及びＣを覆う。コンタクトめっきが、例えば、パラジウム及び／又はニッケルシード及びバリア層，次に、銅及び／又は銀等を含むことが可能である（第四及び第五段階が、図４ｄに図示される）。
【００３０】
（第三実施形態）
第三実施形態が、図５ａ−ｄを参照して記載される。
【００３１】
第三実施形態において、第二実施形態において記載されたように、領域Ｂの開口の後に、めっきシード層４が設けられるが、これが、全表面を覆うことなくパターン化方法で設けられ、例えば、めっきシード層４が、領域Ａ上を除く、領域Ｃ及びＢにのみ設けられる（図５ｃに図示される）。このようなめっきシード層の適用が、例えば、パラジウム，銀又はニッケルを含むインクを使用し、例えば、めっきシード層４を所定のパターンにインク−ジェット印刷することによって実現されることが可能である。
【００３２】
その後、第二実施形態において記載されたものと同じ方法で、コンタクトめっき３が、設けられる（図５ｄに図示される）。
【００３３】
（第四実施形態）
第四実施形態において、パッシベーション層２及び／又はめっきシード層の開口のためのエッチング剤が、例えばインク−ジェット法によって、選択された領域にのみ適用される。この結果、エッチングプロセスの前に、ある領域を保護するためのエッチレジストを設ける必要がなくなる。
【００３４】
（第五実施形態）
第五実施形態において、めっきシード層４及び／又はパッシベーション層２内に開口部を設けるために、レーザーが使用される。この方法では、層２及び４用に選択された材料が、レーザーで除去することが可能なタイプのものであることが要求される。
【００３５】
（第六実施形態）
第六実施形態（図６ａ−ｆに図示される）において、めっきシード層４が、例えば、実施形態１において記載されたようなａ−Ｓｉから構成される。開口部Ｂが、例えば、レーザーアブレーションによって設けられる。次に、めっきレジスト層７が、例えば、インクジェットによって領域Ａ上に堆積される。次に、例えば、ニッケル，ニッケル−リン又はタングステンである金属バリア層８が、領域Ｂ及びＣ上にめっき法によって堆積される（図６ｅに概略的に図示される）。次に、領域Ａ内のめっきレジスト層７が、エッチング剤を用いて除去され、このエッチング剤が、領域Ａ内のめっきシード層４も除去する。次の段階において、コンタクトめっき３を設けるために、領域Ｂ及びＣ内のめっきバリア層の上端上に、例えば銅または銀の厚い金属層がめっき法によって堆積される。あるいは、めっきレジスト層７が、コンタクトめっき３を設けた後に除去されることも可能である。
【００３６】
（第七実施形態）
第七実施形態（図７ａ−ｅに図示される）において、めっきシード層４が、例えば、実施形態１に記載されたようなａ−Ｓｉから構成される。次に、パッシベーション層及びめっきシード層が領域Ｂ内に開口される。あるいは、実施形態３において記載されたように、領域Ｂ内におけるパッシベーションスタックの開口の後に、めっきシード層が、堆積されることが可能である。次に、図７ｄに図示されたように、例えば、インクジェット又はディスペンシングによって、領域Ａ上に、めっきレジスト層７が堆積される。めっきレジストが、好ましくは、反射層であるべきであり、例えば、ポリアミド，スルホ−ポリエステル，ポリケトン，ポリエステル，及びアクリル樹脂の材料１つ以上から形成されることが可能であり、サブ−マイクロメーターの二酸化チタン粒子のような白色顔料にこれらを充填することによって、この材料が、反射型となる。
【００３７】
次に、例えば、ニッケル又はニッケル−リンである金属シード及びバリア層が、領域Ｂ及びＣ上に、めっき法によって堆積される（図７ｅに概略的に図示される）。次の段階において、コンタクト３内に所望の厚さの金属を形成するために、領域Ｂ及びＣ内のめっきシード及びバリア層の上端上に、めっき法によって、例えば銅または銀の厚い金属層が、堆積される。
【００３８】
図７ｅにおいて、隣接するコンタクト用のコンタクトめっき３が、設けられていることが示されている。
【００３９】
（共通の特徴）
図２では、シリコン層１のような太陽光発電吸収体材料層を含む太陽電池が図示されている。この太陽電池が、上表面として図示されている太陽電池の裏面、及び下表面として図示されている太陽電池の前面をさらに備える。少なくとも１つのコンタクト３が（図２では２つのコンタクトが図示されている）、裏面上に設けられる。この少なくとも１つのコンタクト３が、以下の段階によって、太陽電池の裏面上に設けられる。
ａ）シリコン層１の裏面上にパッシベーション層又はパッシベーション層２のスタックを追加する段階；
ｂ）パッシベーション層２上にめっきシード層４を追加する段階；
ｃ）めっきシード層４を第一領域Ａによって第一及び第二電極領域に分離する段階；
ｄ）めっきシード層４の第二領域Ｂを開口する段階；
ｅ）パッシベーション層２の第二領域Ｂを開口する段階；及び
ｆ）パッシベーション層２の第二領域Ｂの開口部及び第二領域Ｂを囲むめっきシード層４に、コンタクトめっき３を設ける段階。
【００４０】
ある態様において、めっきシード層４を第一領域Ａによって第一及び第二電極領域に分離する段階である段階ｃ）が、めっきシード層４の前記領域Ａを開口する段階を含んでよい。さらに詳細には、段階ｃ）が、第一領域Ａを除く領域内における太陽電池にエッチ−耐性物質を第一に適用する段階と、その後、第一領域Ａ内において、めっきシード層４の開口部をエッチングするためにエッチング剤を適用する段階によって実施されて良い。
【００４１】
他の態様において、段階ｃ）が、めっきシード層上に絶縁材料を適用する段階を含む。さらに詳細には、この態様において、段階ｃ）が、第一領域Ａ内における太陽電池にめっきレジスト層を堆積する段階を含んでよく、あるいは、反射型めっきレジストが、パッシベーション層上に堆積される。
【００４２】
上記の２つの態様のいずれにおいても、段階ｃ）及びｄ）が、同時に実施されて良い。
【００４３】
ある態様において、段階ｅ）が、段階ｂ）の前に実施されて良い。あるいは、段階ｂ）が、段階ｅ）の後に実施されて良い。
【００４４】
ある態様において、段階ｅ）が、第二領域Ｂを除く領域内における太陽電池にエッチ−耐性物質を第一に適用する段階と、その後、第二領域Ｂ内において、パッシベーション層２の開口部をエッチングするためにエッチング剤を適用する段階によって実施されて良い。
【００４５】
ある態様において、段階ｃ），ｄ）又はｅ）の少なくとも１つが、第二領域Ｂに、エッチング剤を直接的に適用する段階を含んでよい。他の態様において、段階ｃ），ｄ）又はｅ）の少なくとも１つが、レーザーアブレーションプロセスを含んでよい。
【００４６】
コンタクトめっき３が、実質的にＴ字型の断面形状を有してよい。全実施形態において、コンタクトめっき３が、隣接するコンタクト用に設けられてもよいが、これは、第七実施形態（図７ｅ）に対しての実施例のみによって、具体的に図示されている。
【００４７】
上記の実施形態によると、太陽電池上に導体をめっきするための増加した領域を有する太陽電池が提供される。この増加した領域が、コンタクト領域Ｂ（シリコン層１が、コンタクトめっき３と接触する領域を示す）、さらに、めっき領域Ｃ×２（コンタクトめっき３が、めっきシード層２に取り付けられる、領域Ｂの各側面上の領域Ｃを示す）によって構成される。
【００４８】
さらに、めっき領域（２×Ｃ）が、コンタクト領域Ｂよりも大きくてよく、これによって、めっき厚さＨが減少する。
【００４９】
太陽電池内でトラッピングされる光を増やすために、めっきシード層４が、反射材料を含むことが可能であることに注目すべきである。
【００５０】
太陽電池の所望の電気的性能が、抵抗接点が金属コンタクトと基板材料（シリコン）との間に形成されることに左右される。抵抗接点が、例えば、ケイ素化合物又は共晶相（ｅｕｔｅｃｔｉｃ  ｐｈａｓｅ）をいずれか形成するための熱処理によって形成されることが可能である。この熱処理が、第一金属コンタクト及びバリア層の堆積の後、又は全体の金属スタックの堆積の後のいずれかにおいて実施されることが可能である。この熱処理が、例えば、コンベヤー型オーブン（ｃｏｎｖｅｙｏｒｉｚｅｄ  ｏｖｅｎ）システム内で、又は、レーザーでコンタクト領域（Ｂ）を局部的に加熱することによって、実施されることが可能である。
【００５１】
代替のプロセスにおいて、パラジウムの、ナノメートル−サイズの核（ｎｕｃｌｅｉｓ）、又は薄層が、シード及びバリア層の無電解析出の前に、ウェハ上に堆積される。パラジウムが、無電解めっき化学のための核生成を増進し、さらにコンフォーマルな金属コーティングが生じる。さらに、シリコン上に抵抗接点を形成するために一般的に使用される遷移金属ケイ素化合物の多くと比較して、ケイ素化合物を形成するためのサーマルバジェットが、パラジウムに対して低い。
【００５２】
バックコンタクト型太陽電池が、温度サイクルに対してさらに強固なものとなることが可能であり、従って、従来のめっきされた電気コンタクトにおけるものよりも、電気コンタクトあたり高い電流を備えた電池設計が可能となることは、有用な結果である。高い電流に対するこの増加した性能が、例えば、従来技術の設計よりも長いフィンガー（ｆｉｎｇｅｒｓ）を供えたバックコンタクト型電池（大きな基板上）を可能にするために使用されることが可能である。さらに、導体に対し所定の断面積を形成する時間が短くなるので、めっき処理時間を短くすることが可能である。
【００５３】
さらに、バックコンタクト型太陽電池が、小さな金属−シリコン界面面積で形成されることが可能であり、金属／Ｓｉ界面での再結合がより少ないため、電池効率の増加に役立つ。
【００５４】
さらに、上記実施形態における生産過程が、めっきバックコンタクト型太陽電池の生産コストを減少させる可能性を有する。
【００５５】
図面は、説明図であって、そのスケールは、必ずしも正確ではないことに注意すべきである。いくつかの実施形態では、パッシベーション層２が、例えば、わずか、約５０−１００ｎｍであり、一方、領域Ａ及びＢ上のめっきされたコンタクトの厚さが、マイクロメートル領域であってよい。これらの値が、本出願を制限することを意味するものではなく、これらの値から大きく離れた値で本発明を達成することが可能であることに注意すべきである。
【００５６】
さらに、めっきシード層の上端上に形成されたＴ字型コンタクトの上部分が、連続する電流導体を形成する必要があり、一方、開口領域Ｂの上端上に形成された底部が、非−連続であることが可能である。例えば、点線のように、領域Ｂを互いに多数のドットとして開口することにより、局所的コンタクトの周知の利点を得ることが可能である。
【符号の説明】
【００５７】
１  シリコンウェハ
２  パッシベーション層
３  コンタクトめっき
４  めっきシード層
７  めっきレジスト層
８  金属バリア層
Ａ，Ｂ，Ｃ  領域
Ｈ  めっき厚さ
【図１】
2010535415.tif 000003
【図２】
2010535415.tif 000004
【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図３ｃ】
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【図３ｄ】
2010535415.tif 000008
【図３ｅ】
2010535415.tif 000009
【図４ａ】
2010535415.tif 000010
【図４ｂ】
2010535415.tif 000011
【図４ｃ】
2010535415.tif 000012
【図４ｄ】
2010535415.tif 000013
【図５ａ】
2010535415.tif 000014
【図５ｂ】
2010535415.tif 000015
【図５ｃ】
2010535415.tif 000016
【図５ｄ】
2010535415.tif 000017
【図６ａ】
2010535415.tif 000018
【図６ｂ】
2010535415.tif 000019
【図６ｃ】
2010535415.tif 000020
【図６ｄ】
2010535415.tif 000021
【図６ｅ】
2010535415.tif 000022
【図６ｆ】
2010535415.tif 000023
【図７ａ】
2010535415.tif 000024
【図７ｂ】
2010535415.tif 000025
【図７ｃ】
2010535415.tif 000026
【図７ｄ】
2010535415.tif 000027
【図７ｅ】
2010535415.tif 000028
【国際調査報告】
2010535415.tif 000029
2010535415.tif 000030