(57)【要約】  本発明は、１つまたはそれ以上のマイクロマシニング型のかつ／または光マイクロマシニング型の構成素子に用いられるパッケージに関する。この場合、このパッケージは、少なくとも１つのマイクロマシニング型のかつ／または光マイクロマシニング型の構成素子を備えた支持基板と、この支持基板に結合された少なくとも１つのカバー基板とを有している。この場合、支持基板とカバー基板とは、少なくとも１つの中空室を形成している。この中空室は、少なくとも１つのマイクロマシニング型のかつ／または光マイクロマシニング型の構成素子を少なくとも部分的に閉じ込めている。この場合、少なくとも１つのカバー基板の、少なくとも１つのマイクロマシニング型のかつ／または光マイクロマシニング型の構成素子に面した側の面は、少なくとも１つの光学的な窓と、少なくとも１つの機械的なストッパとを有している。さらに、本発明の対象は、このようなパッケージを製作するための方法である。この場合、この方法は、特にウェーハレベルでのパッケージングのためにも使用可能である。
2010517064.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つまたはそれ以上のマイクロマシニング型のかつ／または光マイクロマシニング型の構成素子（１２）に用いられるパッケージであって、少なくとも１つのマイクロマシニング型のかつ／または光マイクロマシニング型の構成素子（１２）を備えた支持基板（１）と、少なくとも１つのカバー基板（２，３）とが設けられており、該カバー基板（２，３）が、支持基板（１）に結合されており、該支持基板（１）と少なくとも１つのカバー基板（２）とによって、少なくとも１つの中空室（５）が形成されるようになっており、該中空室（５）が、少なくとも１つのマイクロマシニング型のかつ／または光マイクロマシニング型の構成素子（１２）を少なくとも部分的に閉じ込めている形式のものにおいて、少なくとも１つのカバー基板（２，３）の、少なくとも１つのマイクロマシニング型のかつ／または光マイクロマシニング型の構成素子（１２）に面した側の面が、光学的な窓（１３）と機械的なストッパ（８）とを有していることを特徴とする、１つまたはそれ以上のマイクロマシニング型のかつ／または光マイクロマシニング型の構成素子に用いられるパッケージ。
【請求項２】
少なくとも１つの機械的なストッパ（８）が、光学的な窓の、少なくとも１つのマイクロマシニング型のかつ／または光マイクロマシニング型の構成素子（１２）に面した側の面から突出している、請求項１記載のパッケージ。
【請求項３】
少なくとも１つのカバー基板（２，３）が、少なくとも１つの凹部（４）を有している、請求項１または２記載のパッケージ。
【請求項４】
少なくとも１つのカバー基板（２，３）に設けられた少なくとも１つの凹部（４）が、９００μｍよりも深く寸法設定されている、請求項３記載のパッケージ。
【請求項５】
少なくとも１つのマイクロマシニング型のかつ／または光マイクロマシニング型の構成素子（１２）が、可動のマイクロミラーである、請求項１から４までのいずれか１項記載のパッケージ。
【請求項６】
少なくとも１つの中空室（５）が、周辺から気密に閉鎖されている、請求項１から５までのいずれか１項記載のパッケージ。
【請求項７】
少なくとも１つの中空室（５）内の圧力が、大気の空気圧を下回っている、請求項６記載のパッケージ。
【請求項８】
少なくとも１つの中空室（５）内の圧力が、約１０−３ｍｂａｒ〜約１ｍｂａｒの間にある、請求項７記載のパッケージ。
【請求項９】
少なくとも１つの中空室（５）が、不活性ガスで充填されている、請求項６から８までのいずれか１項記載のパッケージ。
【請求項１０】
少なくとも１つの中空室（５）が、アルゴンで充填されている、請求項９記載のパッケージ。
【請求項１１】
支持基板（１）が、シリコンウェーハである、請求項１から１０までのいずれか１項記載のパッケージ。
【請求項１２】
少なくとも１つのカバー基板（２，３）が、少なくとも一部領域にガラスおよび／または別のビトロイドを含有しているかまたは少なくとも一部領域でガラスおよび／または別のビトロイドから成っている、請求項１から１１までのいずれか１項記載のパッケージ。
【請求項１３】
ガラスが、ケイ酸塩ガラスである、請求項１２記載のパッケージ。
【請求項１４】
ケイ酸塩ガラスが、ホウケイ酸ガラスである、請求項１３記載のパッケージ。
【請求項１５】
少なくとも１つの光学的な窓（１３）が、使用事例において使用される電磁的な放射線の波長の１／４よりも小さな平坦度偏差および／または面平行度偏差を有している、請求項１から１４までのいずれか１項記載のパッケージ。
【請求項１６】
少なくとも１つの光学的な窓（１３）が、１８０ｎｍ以下、有利には１１０ｎｍ以下の平坦度偏差および／または面平行度偏差を有している、請求項１５記載のパッケージ。
【請求項１７】
少なくとも１つの光学的な窓（１３）が、１５ｎｍ以下の二乗平均表面粗さを有している、請求項１から１６までのいずれか１項記載のパッケージ。
【請求項１８】
少なくとも１つの光学的な窓（１３）が、５ｎｍ以下の二乗平均表面粗さを有している、請求項１７記載のパッケージ。
【請求項１９】
少なくとも１つのカバー基板（２，３）が、少なくとも部分的に少なくとも１つの仕上げ加工層（１０）を備えている、請求項１から１８までのいずれか１項記載のパッケージ。
【請求項２０】
少なくとも１つの仕上げ加工層（１０）が、反射防止層である、請求項１９記載のパッケージ。
【請求項２１】
少なくとも１つの仕上げ加工層（１０）が、帯電防止層である、請求項１９または２０記載のパッケージ。
【請求項２２】
帯電防止層が、ＩＴＯを含有しているかまたはＩＴＯから成っている、請求項２１記載のパッケージ。
【請求項２３】
少なくとも１つの仕上げ加工層（１０）が、反射層および／または吸収層である、請求項１９、２１または２２記載のパッケージ。
【請求項２４】
請求項１から２３までのいずれか１項記載のパッケージを製作するための方法において、当該方法が、以下のステップ：すなわち、
−少なくとも１つのマイクロマシニング型のかつ／または光マイクロマシニング型の構成素子（１２）を備えた支持基板（１）を準備し、
−少なくとも１つの光学的な窓（１３）と少なくとも１つの機械的なストッパ（８）とを有する少なくとも１つのカバー基板（２，３）を準備し、
−支持基板（１）と少なくとも１つのカバー基板（２，３）とが、少なくとも１つのマイクロマシニング型のかつ／または光マイクロマシニング型の構成素子（１２）を少なくとも部分的に閉じ込める少なくとも１つの中空室（５）を形成するように、支持基板（１）と少なくとも１つのカバー基板（２，３）とを結合する：
を備えていることを特徴とする、パッケージを製作するための方法。
【請求項２５】
ガラス流動法によって構造化された１つのカバー基板（２，３）を準備する、請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
少なくとも１つのカバー基板（２，３）の構造化後、少なくとも光学的な窓（１３）に少なくとも部分的に反射防止層および／または帯電防止層および／または反射層および／または吸収層（１０）を設ける、請求項２４または２５記載の方法。
【請求項２７】
支持基板（１）と少なくとも１つのカバー基板（２，３）との結合を陽極ボンディングおよび／または共晶ボンディングおよび／またはガラスフリットボンディングによって行う、請求項２４から２６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２８】
支持基板（１）と少なくとも１つのカバー基板（２，３）との結合を、大気の空気圧を下回る圧力で行う、請求項２４から２７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２９】
支持基板（１）と少なくとも１つのカバー基板（２，３）との結合を約１０−３ｍｂａｒ〜１ｍｂａｒの間の圧力で行う、請求項２８記載の方法。
【請求項３０】
支持基板（１）と少なくとも１つのカバー基板（２，３）との結合を不活性ガス雰囲気で行う、請求項２４から２９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項３１】
不活性ガス雰囲気が、アルゴンを含有しているかまたはアルゴンから成っている、請求項３０記載の方法。
【請求項３２】
ウェーハレベルでの請求項２４から３１までのいずれか１項記載の方法の使用。
【請求項３３】
可動のマイクロミラーおよび／またはマイクロミラーアレイをパッケージングするための請求項１から２３までのいずれか１項記載の本発明によるパッケージの使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、１つまたはそれ以上のマイクロマシニング型のかつ／または光マイクロマシニング型の構成素子に用いられるパッケージであって、少なくとも１つのマイクロマシニング型のかつ／または光マイクロマシニング型の構成素子を備えた支持基板と、少なくとも１つのカバー基板とが設けられており、該カバー基板が、支持基板に結合されており、該支持基板と少なくとも１つのカバー基板とによって、少なくとも１つの中空室が形成されるようになっており、該中空室が、少なくとも１つのマイクロマシニング型のかつ／または光マイクロマシニング型の構成素子を少なくとも部分的に閉じ込めている形式のものに関する。
【０００２】
さらに、本発明は、このような形式のパッケージを製作するための方法に関する。
【０００３】
完全に工程処理されたマイクロマシン（ＭＥＭＳ）および光マイクロマシン（ＭＯＥＭＳ）もしくは構成素子、たとえば加速度センサ、ヨーレートセンサ、マイクロミラーは、一般的に、部分的に自由に可動な極めて敏感なマイクロ構造体（たとえば梁、格子、板）から成っている。
【０００４】
製作のために必要となる大部分の製造ステップ（たとえば層析出、フォトリソグラフィ、エッチング法）の間には、可動のマイクロ構造体もまだ不動であり、これによって、運動不能に基板（支持基板）、通常ではウェーハ（支持ウェーハ）に結合されている。いわゆる「リリース」プロセスによって初めて、このマイクロ構造体が自由に可動になる。この時点以降、可動のマイクロ構造体が特に敏感となり、これによって、不純物または機械的な過負荷が、このマイクロ構造体の破壊または機能制限ひいては構成素子の機能障害に繋がり得る。したがって、たとえば１つのウェーハの個別化時、すなわち、個々のチップへの１つのウェーハのソーイング時には、ウェーハ表面ひいてはＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳのマイクロ構造体がパーティクルおよび水に接触させられる。さらに、マイクロ構造体は１回のソーイングプロセスの間に比較的強い機械的な負荷にさらされ得る。
【０００５】
にもかかわらず、ＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳを高い歩留りで廉価に製造することができるようにするためには、「リリース」プロセスだけでなく、特に可動のマイクロ構造体を防護するための手段も、基板が個別化されるかもしくは切り分けられる前にすでに実施することが目標とされている。
【０００６】
本発明は、特にモバイル機器に使用されるマイクロマシニング型のかつ光マイクロマシニング型の構成素子をパッケージングするためのパッケージと、このようなパッケージを製作するための方法とに関する。この場合、この方法は、基板レベル、特にウェーハレベルでのＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳのパッケージング、すなわち、基板の個別化プロセス前ひいては切分け前のＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳのパッケージングのためにも適している。
【０００７】
背景技術
ＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳをパッケージングするためのパッケージと、このようなパッケージを、特にウェーハレベルで製作するための方法、いわゆる「ウェーハレベルパッケージング法」とは、半導体産業に基づき知られている。
【０００８】
たとえば米国特許第６７４３６５６号明細書に記載されているように、ＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳを備えたウェーハ（支持ウェーハ）は、規定された寸法の凹部を有する別のウェーハ（カバーウェーハ）に結合される。一般的にウェーハはシリコンウェーハであり、これによって、凹部をカバーウェーハにシリコンテクノロジの有効な方法によって簡単にかつ精密に製作することができる。その後、続く個別化プロセス、通常、ソーイングプロセスにおいて、ＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳに対する汚染危険が存在することなしに、パッケージングされた別個のチップが形成される。
【０００９】
ＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳが光学的な機能を果たすかまたはＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳの特定のパラメータまたは物理的な量が光学的に測定される、たとえば変位量が干渉計によって測定されるかまたはビデオシーケンスの評価によって測定されるような場合には、一般的に、光学的に透明なカバー基板が必要となる。
【００１０】
国際公開第２００４／１０６８６６５号パンフレットには、ＭＯＥＭＳに対するウェーハレベルパッケージング法が記載されている。このウェーハレベルパッケージング法は、ガラスから成るカバー基板を設けている。しかし、パッケージングプロセス前に、ＭＯＥＭＳを備えたウェーハが個別化される。その結果形成されたパッケージングされていない別個のチップ（ダイ）が新たな基板に配置され、組み付けられ、コンタクティングされ、次いで初めてパッケージングされる。
【００１１】
米国特許第６１４６９１７号明細書には、ＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳに対するウェーハレベルパッケージング法が記載されている。このウェーハレベルパッケージング法では、シリコンまたはガラスから成る、凹部を備えたカバーウェーハが、溶融ボンディングまたは陽極ボンディングによって支持ウェーハに結合される。この結果、気密なパッケージが形成される。シリコンから成るカバーウェーハへの５０〜１５０μｍの深さの所要の凹部の製作は、ＫＯＨ溶液を用いた湿式化学的なエッチングによって行うことができ、ガラスウェーハにも転用可能である。
【００１２】
米国特許第２００５／０１８４３０４号明細書には、表面マイクロマシニング技術により製造されたマイクロミラーアレイをパッケージングするためのウェーハレベルパッケージング法が紹介されている。ガラスから成るカバーウェーハが凹部を有している。この凹部は光学的な窓として働き、相応のコーティング層を有していてもよい。カバーウェーハに設けられた凹部は、１００μｍを上回る深さを有していてよい。
【００１３】
米国特許第５５９１６７９号明細書に基づき、表面マイクロマシニング技術により製造されたＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳだけでなく、バルクマイクロマシニング技術により製造されたＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳにも用いられる気密なパッケージを製作するための方法が公知である。これによれば、表面マイクロマシニング型のＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳの事例では、ガラスから成る、凹部を備えた１つのカバーウェーハで十分である。このカバーウェーハは、シリコンから成る支持ウェーハに陽極ボンディングされる。バルクマイクロマシニング技術により製作されたＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳでは、支持ウェーハの第１の面に設けられた第１のカバーウェーハのほかに、支持ウェーハの、この支持ウェーハの第１の面と反対の側に位置する第２の面に対する第２のカバーウェーハが設けられる。支持ウェーハと第２のカバーウェーハとの間の規定された間隔の調整によって、第２のカバーウェーハが、機械的な過負荷に対する機械的なストッパとして働くことができる。
【００１４】
説明
本発明の課題は、公知先行技術の欠点を克服し、特に光学的な使用事例のために適していて、機械的な過負荷防護手段を有していて、基板レベルもしくはウェーハレベルで製作することができるパッケージを提供することである。
【００１５】
この課題を解決するために本発明のパッケージでは、少なくとも１つのカバー基板の、少なくとも１つのマイクロマシニング型のかつ／または光マイクロマシニング型の構成素子に面した側の面が、光学的な窓と機械的なストッパとを有しているようにした。
【００１６】
本発明のパッケージの有利な構成によれば、少なくとも１つの機械的なストッパが、光学的な窓の、少なくとも１つのマイクロマシニング型のかつ／または光マイクロマシニング型の構成素子に面した側の面から突出している。
【００１７】
本発明のパッケージの有利な構成によれば、少なくとも１つのカバー基板が、少なくとも１つの凹部を有している。
【００１８】
本発明のパッケージの有利な構成によれば、少なくとも１つのカバー基板に設けられた少なくとも１つの凹部が、９００μｍよりも深く寸法設定されている。
【００１９】
本発明のパッケージの有利な構成によれば、少なくとも１つのマイクロマシニング型のかつ／または光マイクロマシニング型の構成素子が、可動のマイクロミラーである。
【００２０】
本発明のパッケージの有利な構成によれば、少なくとも１つの中空室が、周辺から気密に閉鎖されている。
【００２１】
本発明のパッケージの有利な構成によれば、少なくとも１つの中空室内の圧力が、大気の空気圧を下回っている。
【００２２】
本発明のパッケージの有利な構成によれば、少なくとも１つの中空室内の圧力が、約１０−３ｍｂａｒ〜約１ｍｂａｒの間にある。
【００２３】
本発明のパッケージの有利な構成によれば、少なくとも１つの中空室が、不活性ガスで充填されている。
【００２４】
本発明のパッケージの有利な構成によれば、少なくとも１つの中空室が、アルゴンで充填されている。
【００２５】
本発明のパッケージの有利な構成によれば、支持基板が、シリコンウェーハである。
【００２６】
本発明のパッケージの有利な構成によれば、少なくとも１つのカバー基板が、少なくとも一部領域にガラスおよび／または別のビトロイドを含有しているかまたは少なくとも一部領域でガラスおよび／または別のビトロイドから成っている。
【００２７】
本発明のパッケージの有利な構成によれば、ガラスが、ケイ酸塩ガラスである。
【００２８】
本発明のパッケージの有利な構成によれば、ケイ酸塩ガラスが、ホウケイ酸ガラスである。
【００２９】
本発明のパッケージの有利な構成によれば、少なくとも１つの光学的な窓が、使用事例において使用される電磁的な放射線の波長の１／４よりも小さな平坦度偏差および／または面平行度偏差を有している。
【００３０】
本発明のパッケージの有利な構成によれば、少なくとも１つの光学的な窓が、１８０ｎｍ以下、有利には１１０ｎｍ以下の平坦度偏差および／または面平行度偏差を有している。
【００３１】
本発明のパッケージの有利な構成によれば、少なくとも１つの光学的な窓が、１５ｎｍ以下の二乗平均表面粗さを有している。
【００３２】
本発明のパッケージの有利な構成によれば、少なくとも１つの光学的な窓が、５ｎｍ以下の二乗平均表面粗さを有している。
【００３３】
本発明のパッケージの有利な構成によれば、少なくとも１つのカバー基板が、少なくとも部分的に少なくとも１つの仕上げ加工層を備えている。
【００３４】
本発明のパッケージの有利な構成によれば、少なくとも１つの仕上げ加工層が、反射防止層である。
【００３５】
本発明のパッケージの有利な構成によれば、少なくとも１つの仕上げ加工層が、帯電防止層である。
【００３６】
本発明のパッケージの有利な構成によれば、帯電防止層が、ＩＴＯを含有しているかまたはＩＴＯから成っている。
【００３７】
本発明のパッケージの有利な構成によれば、少なくとも１つの仕上げ加工層が、反射層および／または吸収層である。
【００３８】
さらに、前記課題を解決するために本発明の方法では、
−少なくとも１つのマイクロマシニング型のかつ／または光マイクロマシニング型の構成素子を備えた支持基板を準備し、
−少なくとも１つの光学的な窓と少なくとも１つの機械的なストッパとを有する少なくとも１つのカバー基板を準備し、
−支持基板と少なくとも１つのカバー基板とが、少なくとも１つのマイクロマシニング型のかつ／または光マイクロマシニング型の構成素子を少なくとも部分的に閉じ込める少なくとも１つの中空室を形成するように、支持基板と少なくとも１つのカバー基板とを結合する
ようにした。
【００３９】
本発明の方法の有利な実施態様によれば、ガラス流動法によって構造化された１つのカバー基板を準備する。
【００４０】
本発明の方法の有利な実施態様によれば、少なくとも１つのカバー基板の構造化後、少なくとも光学的な窓に少なくとも部分的に反射防止層および／または帯電防止層および／または反射層および／または吸収層を設ける。
【００４１】
本発明の方法の有利な実施態様によれば、支持基板と少なくとも１つのカバー基板との結合を陽極ボンディングおよび／または共晶ボンディングおよび／またはガラスフリットボンディングによって行う。
【００４２】
本発明の方法の有利な実施態様によれば、支持基板と少なくとも１つのカバー基板との結合を、大気の空気圧を下回る圧力で行う。
【００４３】
本発明の方法の有利な実施態様によれば、支持基板と少なくとも１つのカバー基板との結合を約１０−３ｍｂａｒ〜１ｍｂａｒの間の圧力で行う。
【００４４】
本発明の方法の有利な実施態様によれば、支持基板と少なくとも１つのカバー基板との結合を不活性ガス雰囲気で行う。
【００４５】
本発明の方法の有利な実施態様によれば、不活性ガス雰囲気が、アルゴンを含有しているかまたはアルゴンから成っている。
【００４６】
ウェーハレベルでの本発明による方法の使用。
【００４７】
可動のマイクロミラーおよび／またはマイクロミラーアレイをパッケージングするための本発明によるパッケージの使用。
【００４８】
本発明によるパッケージは、１つまたはそれ以上のマイクロマシニング型のかつ／または光マイクロマシニング型の構成素子をパッケージングするために働き、少なくとも１つのマイクロマシニング型のかつ／または光マイクロマシニング型の構成素子を備えた支持基板と、少なくとも１つのカバー基板とを有している。支持基板とカバー基板とは互いに、有利には材料接続的に結合されていて、１つまたはそれ以上の中空室を形成している。この中空室は、少なくとも１つのマイクロマシニング型のかつ／または光マイクロマシニング型の構成素子を少なくとも部分的に閉じ込めている。カバー基板の、少なくとも１つのマイクロマシニング型のかつ／または光マイクロマシニング型の構成素子に面した側の面は、少なくとも１つの光学的な窓と少なくとも１つの機械的なストッパとを有している。
【００４９】
ＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳ、特に可動のＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳをパッケージングするためのパッケージは、一般的に、不純物に対する少なくとも１つの防護手段を提供すると同時にＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳの機械的なかつ／または光学的な機能性を損なわないようになっている。パッケージとして、たとえば、支持基板に結合されるカバー基板が機能することができる。ＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳの機能性を支持基板レベルでの運動もしくは支持基板レベルに対して平行な運動に制限するだけでなく、支持基板レベルに対して垂直な運動も行わせたい場合には、パッケージがＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳに相応の運動自由度を保証しなければならない。
【００５０】
したがって、カバー基板が、たとえば凹部を有していてよい。この凹部は支持基板に相俟って、ＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳを取り囲む中空室を形成しており、これによって、ＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳの機能性が制限されない。
【００５１】
軟性の懸架と低い共振周波数とを伴った、振動および衝撃に対して極めて敏感なＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳを高い歩留りで製造することもできるようにするためには、ストッパが必要となる。このストッパはＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳを、たとえばモバイル使用事例（たとえば携帯電話）において生ぜしめられ得るような機械的な過負荷（たとえば衝撃、振動等）に対して防護する。
【００５２】
基板レベルに作用する横方向の力に対しては、横方向のストッパをＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳデザインに設けかつ相応に実現することができるのに対して、基板レベルから鉛直に作用する力に対しては、付加的な鉛直方向のストッパが必要となる。
【００５３】
本発明によるパッケージは、組み込まれた１つまたはそれ以上の機械的なストッパを有している。このストッパは、有利には任意の箇所でカバー基板からＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳの方向に突出している。
【００５４】
特に光学的な窓の、ＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳに面した側の面からのストッパの突出によって、ＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳの領域が最大の変位振幅ひいては、たとえば回動運動の場合に最高の速度でカバー基板に突き当たることを阻止することができる。
【００５５】
ストッパの位置の自由な選択に相俟って、ストッパとの接触のためのＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳの領域が設けられている可能性が存在する。この接触領域は、たとえば鉛直方向の最大の速度が別の領域に比べて僅かであり、接触領域が能動的な機能を果たさないかもしくは能動的な領域を成しておらず、かつ／または接触領域が機械的に特に安定して設計されているので最良に適している。
【００５６】
これによって、機械的な過負荷時のマイクロ構造体ひいてはＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳの損傷のリスクを減少させることができる。
【００５７】
原理的には、機械的なストッパはＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳの機能性もしくは所望の作業領域を制限しないことが望ましい。この場合、機械的なストッパと、ＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳの、ストッパとの接触のために設けられた領域との間隔は、有利には可能な限り僅かであることが望ましい。
【００５８】
数多くの使用事例では、パッケージが光学的な機能も果たさなければならない。本発明によるパッケージは、突出したストッパによって、機械的な過負荷時にＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳとストッパとの接触しか生ぜしめられないという利点を提供する。カバー基板の別の領域はＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳに接触させられない。これによって、カバー基板の、たとえば光学的な窓として機能する別の領域が全く損なわれないかまたは機能性において損なわれない。
【００５９】
光学的な窓とは、本発明によれば、赤外線の周波数範囲、可視（光）の周波数範囲および紫外線の周波数範囲からの電磁的な放射線、特にパッケージングしたいＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳによって処理したい放射線ひいては使用事例に使用される放射線の任意の波長および／または波長範囲に対して透過性であり、特に透明であり、さらに、通常、特に表面粗さ、平坦度および面平行度に課せられる高い品質要求を満たすパッケージ領域を意味している。さらに、この領域は、有利には均質の材料組織を有していることが望ましい。
【００６０】
典型的な光マイクロマシニング型の構成素子はマイクロミラーである。このマイクロミラーは、たとえばビデオ・レーザ・プロジェクションにスキャンミラーとして使用することができ、これによって、入射したレーザビームが逸らされる。この場合、このレーザビームはパッケージによって可能な限り少なく散乱させられ、変形させられるようになっている。
【００６１】
支持基板とカバー基板との間に中空室を形成するためには、たとえばカバー基板に凹部が設けられ、これによって、支持基板とカバー基板とがその結合後にＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳを一般的に完全に取り囲んでいる。たいていの使用事例では、凹部に対して約５０μｍ〜９００μｍの間の深さで十分である。より大きなＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳにも十分に変位自由度を保証することができるようにするためには、カバー基板に設けられた凹部が９００μｍよりも深く寸法設定されていると有利である。
【００６２】
このような凹部は、たとえば可動に懸架された比較的大きなマイクロミラーに対して有利である。このマイクロミラーは１０ｍｍの直径を有していてよい。このように寸法設定されたマイクロミラーがその中心軸線を中心として１０°だけ傾倒することによって、基板レベルから調整された約８７０μｍの最大の変位が生ぜしめられる。
【００６３】
パッケージがＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳを気密に周辺から閉鎖していると特に有利であり、これによって、パッケージ内に特定の雰囲気が調整可能となる。これによって、不純物に対する特に良好な防護が付与されている。これによって、パッケージングされたＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳの機能障害の危険が最小限に抑えられる。さらに、中空室内に、周辺と無関係の雰囲気を調整することができる。
【００６４】
表面マイクロマシニング技術により製造されたＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳでは、気密なパッケージングをすでに、支持基板と１つのカバー基板とから成る複合体によって達成することができるのに対して、バルクマイクロマシニング技術により製造された、部分的に十分に支持基板を貫いてエッチングされたマイクロ構造体を有するＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳでは、支持基板の、第１のカバー基板に結合される第１の面と反対の側に位置する第２の面に結合される少なくとも１つの第２のカバー基板が必要となり、これによって、支持基板が両面にカバー基板を備えている。
【００６５】
多数の使用事例では、大気の空気圧を下回るパッケージ内圧が有利になる。ＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳに対して、約１０−３ｍｂａｒ〜約１ｍｂａｒのパッケージ内圧が特に有利である。これによって、たとえば特に共振で運転されるシステムにおける減衰を減少させることができ、これによって、より高いＱ値と、より大きな変位振幅とを得ることができる。
【００６６】
別の使用事例では、中空室がガスで充填されていると有利であり、これによって、ＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳの特定の特性に意図的に影響が与えられる。この場合、乾燥していて、非導電性であり、パッケージおよびＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳのために使用される材料と化学的に反応せず、必要となる透明度を有するガスが考慮される。例として、不活性ガス、たとえば希ガス、窒素またはＳＦ６が挙げられる。
【００６７】
したがって、たとえば熱を可能な限り迅速にパッケージと周辺とに導出したい使用事例では、アルゴンがパッケージ雰囲気ガスとして使用される。なぜならば、アルゴンは非導電性であるものの、にもかかわらず、比較的高い熱伝導性を有しているからである。さらに、アルゴンの拡散傾向は、パッケージ内の長期安定性の圧力状況が可能となるほど僅かである。
【００６８】
支持基板として、有利にはシリコンウェーハが使用される。なぜならば、シリコンテクノロジのプロセスが完成させられていて、良好に制御されるからである。
【００６９】
特に光学的な使用事例において使用される可動のＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳに対して、パッケージが必要となる。このパッケージは、少なくとも一部領域で、光学的な窓に課せられる上述した要求に相当していて、パッケージングされたＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳの機械的な機能性のほかに、光学的な機能性も可能な限り損なわないかもしくは可能な限り僅かに損なう。
【００７０】
したがって、支持基板とカバー基板との熱膨張係数が可能な限り僅かに異なっているかまたは両基板の間に、互いに異なる膨張係数を補償することができる層が配置されていると有利である。
【００７１】
これによって、支持基板とカバー基板との間の、熱的に生ぜしめられる機械的な応力を最小限に抑えることができ、パッケージと、パッケージングされたＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳとにおける損傷の危険を減少させることができる。
【００７２】
カバー基板は、有利にはガラスおよび／またはガラスに類似の材料を含有しているかまたはガラスおよび／またはガラスに類似の材料から成っている。ガラスに類似の材料とは、本発明によれば、その熱力学的な特性（アモルファス構造、ガラス転移温度）のため、その化学的な組成がケイ酸塩ガラスの化学的な組成と異なるにもかかわらず、ガラスに類似している物質を意味している。例として、ここでは、化学的に知られている人造ガラスまたは有機質のビトロイド、たとえばポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネートおよびポリスチロールが挙げられる。
【００７３】
特に適切なガラスはケイ酸塩ガラス、特にホウケイ酸ガラスである。なぜならば、このホウケイ酸ガラスは極めて化学的耐久性であると共に耐熱性であるからである。急激な温度変動に対するホウケイ酸ガラスの耐熱性および不感度は、その僅かな熱膨張係数の結果である。さらに、透過度は、特に可視の範囲で９０％を上回り極めて高い。
【００７４】
光学的な品質要求に即応するためには、パッケージの光学的な窓が、使用事例において使用される電磁的な放射線の波長の１／４よりも小さな平坦度偏差および／または面平行度偏差を有していることが望ましい。この場合、通常では、紫外線ないし赤外線の波長範囲（約２００ｎｍ〜約１５μｍの間）の波長が使用される。したがって、７２０ｎｍを下回る波長を備えた長波の光の場合には、平坦度偏差および／または面平行度偏差に対して１８０ｎｍよりも小さい値が有利となる。４４０ｎｍを下回る波長を備えた短波の光の使用時には、光学的な窓に課せられる要求が高まり、これによって、平坦度偏差および／または面平行度偏差に対して１１０ｎｍよりも小さい値が有利になる。
【００７５】
これらの要求を満たす光学的な窓は、光学的なビーム経過のより僅かな偏差とより僅かなビーム拡幅とを生ぜしめる。このことは、光学的な信号のより僅かな悪化に繋がる。
【００７６】
さらに、光学的な窓の二乗平均表面粗さが可能な限り僅かであり、有利には１５ｎｍよりも小さく、特に有利には５ｎｍよりも小さいことが望ましい。これによって、特にカバー基板により生ぜしめられる散乱を減少させることができる。
【００７７】
平坦度偏差および／または面平行度偏差に対する値ならびに二乗平均表面粗さに対する値は、干渉計を用いた測定法によって測定される。測定のためには、Ａｔｏｓ社の白色光・位相干渉計ＭｉｃｒｏＭａｐ５１２が使用される。
【００７８】
光学的な窓の特性を付加的に最適化するためには、この領域に少なくとも部分的に仕上げ加工層を設けることが有利である。
【００７９】
特に頻繁に使用される仕上げ加工層は、たとえば反射防止層である。この反射防止層は光学的な窓での反射ひいては放射線損失を減少させる。このような反射防止層は、たとえばフッ化マグネシウムおよび酸化チタンまたは二酸化ケイ素および二酸化チタンから成る層システムによって実現することができる。
【００８０】
さらに、カバー基板の帯電を最小限に抑える帯電防止層がしばしば使用される。光学的な使用事例における帯電防止層のために特に適した材料はＩＴＯ（酸化インジウムスズ）である。なぜならば、このＩＴＯは、ドーピングされて高い導電性を有していて、広域の周波数範囲にわたって高い透明度を有しているからである。
【００８１】
さらに、反射層、たとえば金属層が被着されてよい。この反射層は、構造化後、局所的に反射性の領域を形成し、これによって、たとえば入射する光線が空間的に制限される（絞り機能）かまたは光学的な窓に隣接して静的な変向ミラーが形成される。
【００８２】
さらに、有利に使用される仕上げ加工層は吸収層である。この吸収層は、規定された波長または全波長範囲の電磁的な放射線を吸収する。
【００８３】
マイクロマシニング型のかつ／または光マイクロマシニング型の構成素子をパッケージングするためのパッケージを製作するための本発明による方法は、以下のステップ：すなわち、
−少なくとも１つのマイクロマシニング型のかつ／または光マイクロマシニング型の構成素子を備えた支持基板を準備し、
−少なくとも１つの光学的な窓と少なくとも１つの機械的なストッパとを有する少なくとも１つのカバー基板を準備し、
−支持基板と少なくとも１つのカバー基板とが、少なくとも１つのマイクロマシニング型のかつ／または光マイクロマシニング型の構成素子を少なくとも部分的に閉じ込める少なくとも１つの中空室を形成するように、支持基板と少なくとも１つのカバー基板とを結合する：
を有している。
【００８４】
本発明による方法は、ＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳをパッケージングするために使用される。このＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳは、通常、支持基板に被着されているかまたは配置されている。通常、支持基板としてシリコンウェーハが使用される。このシリコンウェーハには、表面マイクロマシニングプロセスまたはバルクマイクロマシニングプロセスによって、パッケージングしたいＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳが形成される。
【００８５】
さらに、パッケージングのためには、カバー基板が必要となる。このカバー基板は、通常、光学的な窓と機械的なストッパとの形成前にすでに少なくとも一部領域で、一般的な事例では、その全体で、使用事例において使用される電磁的な放射線に対して透過性である。しかし、たいていの光学的な使用事例では、この使用事例において使用される電磁的な放射線に対して透過性のこの領域の可能な限り高い透明度が要求される。これによって、たとえばレーザビームが可能な限り影響されずにＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳに到達する。
【００８６】
これらの要求に即応するためにも、カバー基板が、通常、構造化される。この場合、中空室に対する凹部と、光学的な窓と、機械的なストッパとが形成される。
【００８７】
カバー基板として、前述したように、種々異なるガラスと、ガラスに類似の特定のプラスチックとが適している。シリコンテクノロジにおいて使用される種々異なる構造化法は、ガラス基板に対しても使用することができる。したがって、たとえば凹部をＨＦ溶液でエッチングすることもできる。しかし、ガラス基板の湿式化学的な構造化エッチングは、一般的に、エッチングされた面の内部のエッチング深さに関する著しい非均質性（面の不十分な面平行度）ひいては強く粗面化された表面に繋がり、しかも、強ければ強いほど、ますます深くエッチングされる。一般的には、このように構造化されたカバー基板は光学的な使用目的のために不適切である。
【００８８】
質的に高価値の光学的な表面を得るためには、カバー基板の構造化に対して、たとえばガラス流動法が適している。このガラス流動法では、成形基板の構造が、たとえばガラス基板に成形される。この場合、ガラス基板の表面品質は、主として、成形基板の表面品質によって規定される。
【００８９】
有利な態様では、カバー基板の構造化後、特に光学的な窓に少なくとも部分的に反射防止層および／または帯電防止層および／または反射層および／または吸収層が設けられる。これによって、パッケージの光学的な機能性を改善することができる。
【００９０】
後続の方法ステップでは、支持基板と少なくとも１つのカバー基板とが互いに結合され、これによって、支持基板と少なくとも１つのカバー基板とが少なくとも１つの中空室を形成する。この中空室はＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳを少なくとも部分的に閉じ込めている。
【００９１】
このためには、一般的に有利な全ての結合技術、たとえば接着、ろう接またはボンディングが使用可能である。
【００９２】
有利な態様では、支持基板と少なくとも１つのカバー基板とが、陽極ボンディングおよび／または共晶ボンディングおよび／またはガラスフリットボンディングによって互いに結合される。特に半導体産業では、これらのボンディング法が、特に構成素子の気密なパッケージングのために頻繁に使用される結合技術である。
【００９３】
共晶ボンディングは、ＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳによって吸収されたエネルギ、たとえば放射線エネルギをカバー基板に導出したい場合に特に有利である。
【００９４】
どのような環境で一方のもしくは両方のカバー基板のボンディングプロセスが実施されるのかに応じて、完全に規定された雰囲気、たとえば大気の空気圧を下回る圧力、特に有利には約１０−３ｍｂａｒ〜約１ｍｂａｒの間の圧力および／または、たとえばアルゴンによる不活性ガス充填を気密なパッケージ内に発生させることができる。したがって、有利には、パッケージ内の安定した雰囲気を保証することができる結合技術が選択される。
【００９５】
本発明による方法は、特に有利にはウェーハレベルでウェーハレベルパッケージング法として使用可能である。これによって、複数のＭＥＭＳ／ＭＯＥＭＳを同時にパッケージングすることができ、ひいては、時間節約的なかつ効果的なパッケージング法が付与されている。
【００９６】
有利には、当該方法は、可動のマイクロミラーおよび／またはマイクロミラーアレイをパッケージングするために使用される。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】透明な２つのカバーウェーハによってパッケージングされた、バルクマイクロマシニング技術により製造された、ねじりばねに懸架されたマイクロミラーを示す図である。
【図２】透明な１つのカバーウェーハと、透明でない扁平な１つのカバーウェーハとによってパッケージングされた、バルクマイクロマシニング技術により製造された、ねじりばねに懸架されたマイクロミラーを示す図である。
【図３】透明な１つのカバーウェーハと、凹部を備えた透明でない１つのカバーウェーハとによってパッケージングされた、バルクマイクロマシニング技術により製造された、ねじりばねに懸架されたマイクロミラーを示す図である。
【図４】ガラス流動法によって１つのカバーウェーハを製作するためのステップ順序を示す図である。
【００９８】
例
一般性の限定なしに、本発明を概略図および１つの実施例につき以下に詳しく説明する。
【００９９】
図１には、透明な２つのカバーウェーハ２，３によってパッケージングされた、バルクマイクロマシニング技術により製造されたマイクロミラー１２が示してある。このマイクロミラー１２はねじりばね１１に懸架されている。
【０１００】
図２には、透明な１つのカバーウェーハ２と、透明でない扁平な１つのカバーウェーハ３とによってパッケージングされた、バルクマイクロマシニング技術により製造されたマイクロミラー１２が示してある。このマイクロミラー１２はねじりばね１１に懸架されている。
【０１０１】
図３には、透明な１つのカバーウェーハ２と、凹部を備えた透明でない１つのカバーウェーハ３とによってパッケージングされた、バルクマイクロマシニング技術により製造されたマイクロミラー１２が示してある。このマイクロミラー１２はねじりばね１１に懸架されている。
【０１０２】
図４には、ガラス流動法によって１つのカバーウェーハ２を製作するためのステップ順序が示してある。
【０１０３】
図１には、ホウケイ酸ガラスから成る透明な２つのカバーウェーハ（支持ウェーハの表面に設けられたトップカバーウェーハ２および支持ウェーハの裏面に設けられたボトムカバーウェーハ３）によってパッケージングされた、バルクマイクロマシニング技術により製造された、ねじりばね１１に懸架されたシリコン製のマイクロミラー１２が横断面図で示してある。この場合、貫通孔が、シリコンから成る支持ウェーハ１を貫いている。気密なパッケージを保証することができるようにするためには、支持ウェーハ１が両面で陽極ボンディングプロセスによってカバーウェーハ２，３に接合されている。
【０１０４】
さらに、支持ウェーハ１は、カバーウェーハ２，３との接合のために、枠状に閉じられた、マイクロミラー１２を取り囲む平らな接触領域７を有している。相応に寸法設定された枠状に閉じられた平らな接触領域７は、カバーウェーハにおいて対応接触面として設けられている。
【０１０５】
トップカバーウェーハ２は凹部４を有している。この凹部４は、支持ウェーハ１に相俟って、マイクロミラーの運動のために必要となる中空室５を形成している。
【０１０６】
ねじりばね１１に懸架されたマイクロミラー１２は、たとえば１０ｍｍの直径を有していてよい。このような形式のマイクロミラー１２の１０゜の最大の傾倒時には、８７０μｍを上回る凹部４がトップカバーウェーハ２に必要となり、これによって、最深の凹部４が、接触領域７から凹部４の底部まで測定して、約９００μｍに寸法設定されている。最深の凹部４の底部は、光学的な窓１３として機能する領域を同時に形成している。
【０１０７】
機械的なストッパ８に対して、凹部４の深さは、ストッパが、変位させられていないねじりばね１１に対して１μｍ〜５０μｍの間の鉛直な間隔を有しているように寸法設定されている。ストッパ８は光学的な機能を有していない。ストッパ８は、トップカバーウェーハ２の、機械的に防護的な機能性しか保証していない。したがって、図１に示した実施形態では、トップカバーウェーハ２が、光学的な窓１３と、ストッパ８と、接触領域７とを提供するための３つの異なる構造高さを有している。
【０１０８】
トップカバーウェーハ２の光学的な窓１３と、マイクロミラー１２と反対の側の平らな面とは、フッ化マグネシウムと二酸化チタンとから形成された層システムから成る反射防止層１０を備えている。
【０１０９】
ボトムカバーウェーハ３は構造化されずに形成されていて、マイクロミラー１２を取り囲む中空室５を気密に閉鎖している。この側でも光学的な機能性を可能にするためには、ボトムカバーウェーハ３にも両面に反射防止層１０が設けられる。これは、たとえば、マイクロミラー１２の裏面にも光線照射しかつ反射された光線をミラー位置の測定のために使用する可能性を提供する。
【０１１０】
機械的なストッパ８はボトムカバーウェーハ３に存在していないものの、別の構成では設けられてよく、これによって、支持ウェーハレベルに対して垂直に両方向に過負荷防護が保証される。
【０１１１】
図２および図３に示したように、ボトムカバーウェーハ３が光学的な機能性を満たす必要がない場合には、市販のシリコンウェーハが使用されてよい。
【０１１２】
図３に同じく示したように、別の構成では、ボトムカバーウェーハ３に凹部１６が設けられ、これによって、マイクロミラー１２を取り囲む中空室５が拡大される。これは、マイクロミラー１２が、ここに図示した構成のように、静的なかつ動的な変形を減少させるための補強構造体１５および／または、たとえば鉛直な駆動に対するかつ／またはウェーハ厚さにおける駆動構造体１５を有している場合に必要となる。付加的には、ボトムカバーウェーハ３に設けられた凹部１６は、中空室５の内部の真空の長期の維持のために働くゲッタ材料１４（たとえばジルコン合金、チタン）をそこに蒸着するために使用される。
【０１１３】
本発明による別の構成は、図１〜図３によれば、別の凹部６をトップカバーウェーハ２において、マイクロミラー１２を閉じ込める中空室５の外部に設けている。凹部６は、支持ウェーハ１とトップカバーウェーハ２との結合後、各チップの接続範囲（パッド）９を取り囲んでいる。支持ウェーハ１の適切な層構造によって、支持ウェーハ１とトップカバーウェーハ２との間の接触領域７の下方に設けられた埋設された導体路を、マイクロミラー１２を取り囲む中空室５から接続範囲９に対して横方向に導出することができる。支持ウェーハ１とカバーウェーハ２，３とから成る完全なウェーハ複合体ではなく、トップカバーウェーハ２だけを接続範囲９の領域でソーイングする１回のソーイングステップによって、マイクロミラー１２を閉じ込める中空室５内の雰囲気を損なうことなく、接続範囲９に接近することができる。これは、まだ個別化ステップの前に、たとえば完全にパッケージングされたマイクロミラー１２における機能テストまたは測定を実施することができるという利点を有している。
【０１１４】
パッケージングしたいマイクロミラー１２を備えたシリコン製の支持ウェーハ１の準備後、たとえばホウケイ酸ガラスから成る２つのガラスウェーハが準備される。両ガラスウェーハは、トップカバーウェーハ２およびボトムカバーウェーハ３として働く。ホウケイ酸ガラスから成るガラスウェーハは、特に要求される安定性に相俟って、たとえば０．５ｍｍ〜３ｍｍの間の厚さを有している。
【０１１５】
図４には、トップカバーウェーハ２をガラス流動法によって構造化するためのステップ順序が示してある。この場合、成形ウェーハ２１の構造がトップカバーウェーハ２に成形されるかもしくは転写される。
【０１１６】
片面でポリッシングされたシリコンウェーハが、成形ウェーハ２１に対するベースを成している。この成形ウェーハ２１は、光学的な窓１３が成形される領域で不変のままであり、これによって、ポリッシングされたシリコンウェーハ２１の当初の表面品質が維持されたままとなる。トップカバーウェーハ２の接触領域７が製作される領域では、均一に深い溝２３が成形ウェーハ２１にエッチングされる。この溝２３のエッチング深さは、ほぼ中空室５の深さを規定している。
【０１１７】
このためには、種々異なるエッチング法が考慮される。極めて均質に成形ウェーハ２１全体にわたって、これは、たとえばタイムコントロールされて、水酸化カリウム（ＫＯＨ）またはＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）での湿式化学的なエッチング法によって得ることができる。しかし、プラズマアシストされた乾式エッチング法も、このような溝２３を高い精度で形成することができる。ただし、一般的には、溝２３の幅が至るところで一貫しているという前提条件下である。
【０１１８】
溝深さの最大の均質性と同時に溝底部（２７）の最小の粗さとを得るためには、成形ウェーハ２１に対して、標準シリコンウェーハの代わりに、相応の厚さのＳＯＩウェーハ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｗａｆｅｒ）が使用されてよい。この場合、溝２３が、埋設された酸化物層にまでエッチングされる。
【０１１９】
光学的な窓１３の内部に機械的なストッパ８を形成するためには、より僅かなエッチング深さのエッチングしたい別の溝２４が必要となる。完全に構造化された成形ウェーハ２１は、図４ａに示してある。
【０１２０】
後続のステップでは、図４ｂに示したように、成形ウェーハ２１にトップカバーウェーハ２が陽極ボンディングされる。成形ウェーハ２１の構造体を完全に成形することができるようにするためには、一般的に、このボンディングプロセスを真空内で実施することが必要となる。
【０１２１】
次いで、成形ウェーハ２１とトップカバーウェーハ２とから成る複合体が炉内で６００〜８００℃に加熱される。この場合、トップカバーウェーハ２が溶融し始め、成形ウェーハ２１の溝２３，２４内の真空と、炉内のより高い周辺圧との間の圧力差の結果、成形ウェーハ２１の溝２３，２４が完全にトップカバーウェーハ２のホウケイ酸ガラスで充填されるまで、トップカバーウェーハ２が成形ウェーハ２１の溝２３，２４内に押し込まれる。こうして、成形ウェーハ２１の構造が完全にトップカバーウェーハ２に成形される。
【０１２２】
ガラス流れに起因して、トップカバーウェーハ２の、成形ウェーハ２１と反対の側の面は、冷却後もはや平らではなく（図４ｃ参照）、したがって、最終的に再び光学的な品質が得られるまで、１回の精密な研削・ポリッシングプロセスで平坦化され、平滑化されなければならない。このステップの結果は図４ｄに示してある。
【０１２３】
後続のステップでは、成形ウェーハ２１が湿式化学的にエッチング除去されることによって、ポリッシングされたトップカバーウェーハ２が成形ウェーハ２１から解放される。
【０１２４】
ボトムカバーウェーハ３が両面で平らに形成されるかまたは支持ウェーハに面した側に凹部１６を備えて形成される。
【０１２５】
当該方法の有利な実施形態では、カバーウェーハ２，３の、ボンディングプロセス後に支持ウェーハレベルに対して平行な、光学的な機能を有する面に、フッ化マグネシウムおよび酸化チタンから形成された層システムから成る反射防止層１０が蒸着される。次いで、この反射防止層１０が接触領域７から再び取り除かれなければならない（図４ｅ参照）。なぜならば、反射防止層１０がボンディングプロセスを妨害する恐れがあるからである。
【０１２６】
取除きは、接触領域７にだけ作用し、凹部４，１６に設けられた反射防止層１０には作用しないポリッシング材によって行われる。
【０１２７】
次いで、カバーウェーハ２，３が支持ウェーハ１にボンディングされる。
【符号の説明】
【０１２８】
１  支持ウェーハ
２  トップカバーウェーハ
３  ボトムカバーウェーハ
４  凹部
５  中空室
６  凹部
７  接触領域
８  ストッパ
９  接続範囲
１０  反射防止層
１１  ねじりばね
１２  マイクロミラー
１３  窓
１４  ゲッタ材料
１５  補強構造体および／または駆動構造体
１６  凹部
２１  成形ウェーハ
２２  ポリッシングされた表面
２３  溝
２４  溝
２５  裏面
２６  接触領域
２７  溝底部
【図１】
2010517064.tif 000003
【図２】
2010517064.tif 000004
【図３】
2010517064.tif 000005
【図４ａ】
2010517064.tif 000006
【図４ｂ】
2010517064.tif 000007
【図４ｃ】
2010517064.tif 000008
【図４ｄ】
2010517064.tif 000009
【図４ｅ】
2010517064.tif 000010
【国際調査報告】
2010517064.tif 000011
2010517064.tif 000012
2010517064.tif 000013
2010517064.tif 000014
2010517064.tif 000015
2010517064.tif 000016