(57)【要約】【課題】マイクロ波エネルギーが半導体ウェーハの急速熱処理の放射線源として利用される。１つの観点で、マイクロ波変調器材料から形成されるハイブリッド材料がウェーハを横切って均一の温度を提供しそして熱応力の発生によるウェーハの亀裂あるいは破壊を避けるために使用される。他の観点で、マイクロ波生成大気圧プラズマが直接的あるいは間接的にウェーハを加熱するために使用される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の急速熱処理のためのバイブリッドマイクロ波プロセスであって次を含む：
基板を空洞内で加熱するため配置すること；
マイクロ波変調器材料を含むハイブリッド材料であって、少なくとも基板の一部分に到達する前にマイクロ波放射線を減衰するため基板に対して位置決めされるハイブリッド材料を備えること；そして
基板を加熱するために空洞にマイクロ波放射線であって、基板に到達する前に熱を基板にもっと均一に分布して生ぜしむるハイブリッド材料によって減衰されたマイクロ波放射線の少なくとも一部分を導入すること。
【請求項２】
ハイブリッド材料が少なくとも５０％のマイクロ波エネルギーをウェーハに到達させる厚みをもつ請求項１のプロセス。
【請求項３】
ハイブリッド材料が少なくとも５０％のマイクロ波エネルギーをウェーハに到達させる形状をもつ請求項１のプロセス。
【請求項４】
ハイブリッド材料が基板の縁部に到達するマイクロ波放射線を減衰するために配置される請求項１のプロセス。
【請求項５】
ハイブリッド材料が基板の１つの表面そして縁部と熱的に伝導接触して配置される請求項１のプロセス。
【請求項６】
ハイブリッド材料が板からなる請求項１のプロセス。
【請求項７】
ハイブリッド材料が複数の棒からなる請求項１のプロセス。
【請求項８】
ハイブリッド材料が基板に合致する形状である底表面そして縁部をもつるつぼからなる請求項１のプロセス。
【請求項９】
ハイブリッド材料が基板から空間をおかれる請求項１のプロセス。
【請求項１０】
ハイブリッド材料が炭化珪素からなる請求項１のプロセス。
【請求項１１】
ハイブリッド材料が磁性フェライト材料である請求項１のプロセス。
【請求項１２】
基板とハイブリッド材料との間に、本質的にマイクロ波放射線を吸収しない材料からなる緩衝材をさらに配置することからなる請求項１のプロセス。
【請求項１３】
緩衝材料が石英からなる請求項１２のプロセス。
【請求項１４】
緩衝材が上部板そして底板からなり、基板が上部板と底板との間に挟まれる請求項１２のプロセス。
【請求項１５】
緩衝材の上部板が連続的に固体である請求項１４のプロセス。
【請求項１６】
緩衝材の上部板が孔が開けられている請求項１４のプロセス。
【請求項１７】
基板を空洞内の内部室に配置することからさらになる請求項１のプロセス。
【請求項１８】
基板が半導体ウェーハからなる請求項１のプロセス。
【請求項１９】
基板が珪素、ヒ化ガリウム、リン化ガリウム、窒化ガリウム、ゲルマニウム、リン化インジウム、酸化亜鉛、炭化珪素、セレン化カドミウム、テルル化カドミウム、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、あるいはテルル化亜鉛ウェーハ材料である請求項１のプロセス。
【請求項２０】
空洞が単一様式あるいは複数様式の空洞である請求項１のプロセス。
【請求項２１】
空洞が断熱されている請求項１のプロセス。
【請求項２２】
基板の急速熱処理のためのプラズママイクロ波プロセスであって次を含む：
熱伝導材料を含むシース内に少なくとも部分的に加熱される基板を取り囲むこと；
空洞内のシースに取り囲まれた基板を配置すること；
マイクロ波放射線に空洞内のガスを曝すによって空洞内にプラズマを形成することによって、プラズマが基板を加熱すること。
【請求項２３】
シースが少なくとも基板の縁部を取り囲む請求項２２のプロセス。
【請求項２４】
シースが上部板そして底板からなり、基板が上部板と底板との間に挟まれる請求項２２のプロセス。
【請求項２５】
シースの上部板が連続的に固体である請求項２４のプロセス。
【請求項２６】
シースの上部板が孔を開けられている請求項２４のプロセス。
【請求項２７】
シースが金属からなる請求項２２のプロセス。
【請求項２８】
シースがオーステナイト系ニッケルベースの超合金あるいはステンレス鋼からなる請求項２２のプロセス。
【請求項２９】
プラズマを創始し、変調し、そして維持するために空洞内にプラズマ触媒を備えることからさらになる請求項２２のプロセス。
【請求項３０】
プラズマが大気圧で形成される請求項２２のプロセス。
【請求項３１】
基板を空洞内の内部室に配置することからさらになる請求項２２のプロセス。
【請求項３２】
基板が半導体ウェーハからなる請求項２２のプロセス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［関連する申請への参照文献］
この申請はアメリカ合衆国の暫定特許申請６０／８９７，４５０号で２００７年１月２５日に申請した３５  Ｕ．Ｓ．Ｃ．§１１９（ｅ）に基づく優先権を特許請求し、この開示はここに参照により組み込まれる。
【０００２】
合衆国アカデミーの連邦助成研究あるいは助成開発に関連する陳述。
【背景技術】
【０００３】
毎分数百度のオーダーの加熱速度を採用する急速熱処理（ＲＴＰ）は低い熱経費が望まれる半導体産業で使用される。例えば、低い熱経費はドーパントの再分布を防ぐために超小型ＩＣ製造処理において期待されている。同様に、電子工業において、ＲＴＰは超大規模集積回路（ＶＬＳＩ）処理において応用を見いだしており、そこでは超薄ゲート酸化物の成長そしてイオン注入種の焼鈍活性化が一般的にＲＴＰによってなされている。光起電力（ＰＶ）産業においては、ＲＴＰはＳｉウェーハのりん（Ｐ）注入、表面の不動態酸化物の成長、トンネル酸化物、金属被覆等のような多くの異なる処理に有用である。
【０００４】
ＲＴＰは従来の石英管炉のような加熱手順を使用して実施できない急速熱サイクルが可能である。従来の加熱炉を使用すると、数百度／分のオーダーの速い加熱速度は達成できない。通常、ＲＴＰ装置の処理時間は加熱、温度維持、冷却期間を含めて１０−８から１０１秒の間の範囲である。速い加熱速度を達成するために、典型的に、ＲＴＰ装置はレーザ、赤外線、あるいは電子／イオンビーム源、あるいはタングステンハロゲンランプのような放射線源を使用する。もし、一方向性の放射線源が加熱のために使用されるならば、厚さ‘ｄ’のウェーハの中心の温度は次式によって表される。
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ここで、Ｔ０はウェーハの表面で測定された温度、Ｄｔｈはシリコンの熱拡散係数、そしてｔは熱応答時間である。
【０００５】
［本発明の概要］
マイクロ波エネルギーは半導体ウェーハおよび他のマイクロ波を吸収する基板の急速熱処理のための放射線源として使用される。
【０００６】
一つの観点で、マイクロ波変調器材料から形成されるハイブリッド材料はウェーハを横切って均一温度を提供しそして熱応力の発生によるウェーハの亀裂を防ぐために使用される。ハイブリッド材料はまた縁部に沿ったマイクロ波の回折による縁部の過熱を避けるために使用される。
【０００７】
方法の一つの実施態様において、加熱される基板は空洞に配置される。マイクロ波変調器材料からなるハイブリッド材料はマイクロ波放射線を少なくとも基板の部分に到着する前に減衰するために基板に対して位置決めされる。マイクロ波放射線は基板を加熱するために空洞に導入される。少なくとも、マイクロ波放射線の部分は、ハイブリッド材料が基板にさらに熱を均一に分布するように、基板に到着する前にハイブリッド材料によって減衰される。
【０００８】
他の観点で、マイクロ波生成大気圧プラズマはウェーハを直接かあるいは間接に加熱するために使用される。例えば、金属材料のシースがプラズマと、特に縁部において、ウェーハをプラズマとの接触から保護する。
【０００９】
方法の一つの実施態様において、加熱される基板は熱伝導材料からなるシースに少なくとも部分的に取り囲まれる。シースに取り囲まれる基板は空洞内に配置される。基板は、基板を加熱するプラズマを生成するマイクロ波放射線へ空洞内のガスを曝すことにより空洞内にプラズマを形成することによって加熱される。
【００１０】
本発明は付帯する図面と結びつけた以下の説明からより完全に理解される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】ハイブリッドマイクロ波急速熱処理設備の概要図である
【図２】マイクロ波減衰の概要図である
【図３】図１に示されるような設備を使用してウェーハのハイブリッドマイクロ波加熱に対する時間−温度サイクルのグラフである
【図４】マイクロ波生成プラズマ急速熱処理施設の概要図である
【図５】図４に示されるような設備を使用してウェーハのマイクロ波発生プラズマ加熱の時間−温度サイクルのグラフである
【図６Ａ】図４の設備を使用するための連続上側面をもつシースの平面図である
【図６Ｂ】図４の設備を使用するためのいくつかの開口をともなう上側面をもつシースの平面図である
【図６Ｃ】図４の設備を使用するための単一の大きな開口をともなう上側面をもつシースの平面図である。
【００１２】
［本発明の詳細説明］
本発明の一つの観点で、ウェーハ、例えば、Ｓｉウェーハを加熱するハイブリッドマイクロ波急速熱処理（ＲＴＰ）方法は図１を参照して通常記述される。加熱されるウェーハ１２はウェーハを加熱するためマイクロ波放射線源（例えば、２．４５ＧＨｚ）で備えられるマイクロ波空洞内に位置決めされる。ウェーハはまたＳｉＣのような適当なマイクロ波変調器材料から形成されるハイブリッド材料１８と熱的伝達をしている。ハイブリッド材料はウェーハへ均一に熱を分布し、加熱および冷却の間、ウェーハの亀裂あるいは破壊を起こす熱的衝撃を防ぐ。緩衝層あるいは断熱層２０は、もしウェーハそして／あるいは台座へのハイブリッド材料の拡散を防ぐことが必要であれば、ハイブリッド材料そしてウェーハあるいは下方に置かれる支持台座の間に配置される。例えば、ＳｉＣはハイブリッド材料からＳｉウェーハ内にＣ種を拡散する。石英はマイクロ波あるいは熱エネルギーを吸収せず、それで熱処理に影響しないので、適当な緩衝層を形成する。
【００１３】
上記したように、ハイブリッド材料はウェーハ１２を内部熱応力発生による亀裂あるいは破壊を防ぐためウェーハに亘って均一に熱を分布する。ハイブリッド変調器材料はウェーハに比較して変調器マイクロ波吸収性質をもつ好ましくは室温第２次マイクロ波感受体である。ハイブリッド材料はウェーハに到達するマイクロ波放射線２２を減衰しそしてまた伝導によりウェーハへ熱を移動する。さらに、ウェーハの縁部からのマイクロ波回折現象は縁部の望ましくない過熱に導く。かくして、変調器材料は縁部で過剰な加熱を最小とするかあるいは除去するためウェーハの縁部周辺に好ましくは延びる。多孔な、部分的に焼結した２０から３０％の空孔率をもつＳｉＣは亀裂あるいは破壊なく多数回加熱そして冷却できるので適当な変調器材料である。いくつかの磁性フェライトはまた使用される。
【００１４】
さらに特に、平坦な厚みの試料に対するマイクロ波吸収は侵入深さＤＰの変数によって特徴づけられる。均質なセラミック材料のマイクロ波に対する侵入深さは次式によって与えられる。
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２．４５ＧＨｚの周波数で、自由空間波長λＯ＝１２２．４μｍである。ｔａｎδおよびεｒはそれぞれ考慮しているハイブリッド材料のタンジェントロス係数と誘電率値で、技術文献から得られる。室温感受体が変調器として使用される配置では、上記の式は変調器内のマイクロ波減衰を計算するために使用される。変調器材料内の減衰の概念は図２に概要的に図示され、試料作業片２６に到達する前に変調器材料２４を通って伝達されるマイクロ波放射線２２を図示する。
【００１５】
例えば、ＳｉＣはＳｉウェーハの周囲に置かれるとき適当な変調器材料である。上記の式を使用するＤＰの計算は、室温でマイクロ波は各側面から約１０ｍｍの深さへＳｉＣに侵入することを示す。このように、２０ｍｍ厚さのＳｉＣ片は与えられた側面でウェーハに到達するマイクロ波を完全に遮断する。５００℃で、ＳｉＣ内の侵入深さ値は約５ｍｍに減りそしてこの温度でＳｉＣ材料の１０ｍｍ全体片はウェーハに到達するマイクロ波を遮断することができる。もしマイクロ波がウェーハから完全に遮断されるならば、ウェーハの加熱は顕著にＳｉＣ板からの単純な熱伝達機構によるものである。他方、１ｍｍ以下のＳｉＣ厚さはウェーハに到達する過剰なマイクロ波エネルギーとなり、“回折効果”による縁部加熱となる。それ故、変調器の厚さは少なくともマイクロ波エネルギーの５０％がウェーハに到達するように、５０％より少ない変調器減衰を保持するように望ましくは選択される。同様に変調器材料はウェーハを完全に取り囲むべきではなくあるいは非常に少ないマイクロ波エネルギーがウェーハに到達すべきである。例えば、変調器材料はウェーハの上部表面をマイクロ波に曝露させるために上部表面を覆う必要は一般的でない。
【００１６】
大きな生産システムでは、処理はもっと容量的な現象となり、そして変調器およびウェーハ配置は多くの形状をもつ。例えば、このような配置の一つでは、変調器材料はウェーハから離れた距離にする。この配置は条件による部分的加熱なしで放射線伝達機構によって殆どの熱を供給する。また、変調器材料は板あるいは多数の薄い棒のような種々の形状をとることができる。るつぼ形の変調器は、円形ウェーハのための円筒形るつぼのようなウェーハの形に合致する形状である。もしウェーハが正方形あるいは長方形ならば、るつぼはそれに応じて形取られる。変調器がどのような配置をとっても、上記の変調器そしてウェーハ間の力の均衡は考慮される。
【００１７】
マグネトロン、クライストロン、あるいは如何なる他のマイクロ波エネルギー源のようどのような適当な放射線源１６も利用される。マイクロ波放射源は空洞１４に１つあるいはそれ以上の導波管２８を通ってマイクロ波放射線を向けるかあるいはマイクロ波放射源は直接空洞に接続され導波管を省く。空洞１４は単一様式であるかあるいは複数様式である。大規模産業応用において、複数様式マイクロ波空洞が寸法を制約する単一様式空洞よりもより適している。ウェーハの温度を測定するための高温計１２は空洞の壁の観察孔３４を通して備えられる。最適のマイクロ波吸収のために、ウェーハは空洞の中央に好ましくは支持される。台座３６はマイクロ波放射線あるいは熱エネルギーを吸収しない繊維状アルミナのような材料である。マイクロ波放射線源そして他の構成要素と連携する適当な制御装置（示されない）が処理を制御するために使用される。
【００１８】
ウェーハはまた、例えば、ウェーハの汚染を避けあるいは導入されるガスを含むため空洞内の内部室３８内に置かれる。室はウェーハの観察を邪魔をせずそしてマイクロ波あるいは熱エネルギーを吸収しない石英で適当に形成される。空洞１４は高い加熱速度を達成するために断熱される。処理は一度に多数のウェーハのための寸法とされる。また、処理はバッチ処理として記述されているけれども、連続処理することが適している。
【００１９】
実験実施態様において、加熱されるウェーハ１２は緩衝材２０を構成する２つの綺麗な石英板の間に挟まれる。上部板は固体かあるいはその厚さを通して孔を開いている。上部板はウェーハと大気との間の直接の接触を防ぐかあるいは最小にして、対流熱損失を最小とするかあるいは避け、ウェーハ加熱速度を高く保つことを助ける。この配置は変調器材料を作る円筒型るつぼ内に置かれる。るつぼの高さは石英そしてウェーハの挟まれた配置と丁度等しいかあるいは僅かに高い。このような配置は大型ウェーハを急速に均一に加熱するために使用される。
【００２０】
実験はＳｉＣ変調器材料のるつぼそして石英緩衝材をもつ図１に示されるような配置を使用して複数様式のマイクロ波空洞にＳｉウェーハのマイクロ波加熱を試験するために実施された。１０００℃の温度への急速加熱そしてこれに続き室温への急速冷却はウェーハの破壊なく、ここに記載するハイブリッドマイクロ波手順で達成された。図３はＳｉウェーハが図１に示される配置を使用して加熱された時間−温度サイクルを示す。時間−温度サイクルは既存のＲＴＰ法と同等でそして低い熱経費（ｔ−Ｔ曲線の下側箇所）が可能であることを示している。縁部加熱の強度を示す変調器のあるなしの両方のマイクロ波環境で加熱されたＳｉウェーハの比較は変調器材料が存在するとき相当減少される。
【００２１】
この処理は加熱処理がウェーハ上でのみ起きるため動力節減に有利である。例えば、実施された実験で、マイクロ波入力動力は小型の試料を加熱するために８００Ｗを越えなかった。
【００２２】
図４を参照して通常記載されるマイクロ波を基本とする急速熱処理の他の観点で、マイクロ波エネルギーはウェーハ表面上に大気圧プラズマを創るために最初に使用され、そして次にプラズマが急速にウェーハを加熱する。プラズマのマイクロ波生成は通常知られている。例えば、ＵＳ公開特許申請Ｎｏ．２００５−０２３３０９１を参照し、その開示は参照としてここに取り入れられる。
【００２３】
加熱されるウェーハ４２は適当な方法で一緒に固定される上部板および底板４６、４８で形成される金属シース４４内に、一対のねじ５６で板間に挟まれたウェーハと共に取り囲まれる。シース内のウェーハはウェーハを加熱するためのプラズマ５４を生成するためマイクロ波放射線源５２を備えられるマイクロ波空洞５０内に置かれる。シース４４は、ウェーハをある場合にはウェーハと反応するかあるいは融解するプラズマ５４と接触することを防ぐ一方ウェーハに熱を伝達する。
【００２４】
一つの実施態様において、金属シース４４の上部板４６は連続しており（図６Ａ参照）、ウェーハになお熱を伝導する一方、ウェーハとプラズマの折触を防ぐため全ウェーハ表面を覆う。ねじ５６用の穴５８は縁近くに備えられる。この場合、プラズマからの加熱は放射孔熱源として間接的である。ある場合には、プラズマのウェーハとのいくらかの接触はイオン種の衝突による加熱を増加するため受け入れられる。しかしながら、非常に多くのプラズマ容量は、これは高い加熱速度を提供するにもかかわらずスパッタリングによって表面のりんを食刻するので直接表面に接触されるべきでない。この場合、孔の開いた上部板が使用される。しかしながら、シースはウェーハ縁部で過剰な加熱を防止するためウェーハの周辺を覆うべきである。孔の開いたシース上部板の２つの実施態様が図６Ｂおよび６Ｃに示される。図６Ｂはそこにいくつかの開口６２をもつ上部板４６’を示す。図６Ｃは単一のより大きい開口６４をもつ上部板４６”を示す。開口の寸法および数は表面の食刻を防止することに関して加熱の必要性に基づき選択される。
【００２５】
特定の金属がウェーハに急速に熱を伝達できそして比較的高価でないため適当な金属である。金属は、例えば、空洞内で融解しないような１０００℃よりも十分高い融点をもつ。シースの表面はウェーハと良好な接触のため研磨した仕上げをもつ。適当な金属はＩＮＣＯＮＥＬ（登録商標）、そしてステンレス鋼のようなオーステナイト系のニッケルベースの超合金を含む。
【００２６】
マグネトロン、クライストロン、あるいは他のマイクロ波エネルギー源のようなどのような適当なマイクロ波放射線源５２もマイクロ波を生成するために使用される。マイクロ波放射線源は空洞に１つあるいはそれ以上の導波管６６を通してマイクロ波放射線を向けるか、あるいは空洞に直接接続され導波管を省略する。空洞は単一様式かあるいは複数様式である。大規模産業応用に対して、複数様式マイクロ波空洞は寸法を規制された単一様式よりも適している。適当な断熱は空洞に対して加熱速度を増加するために備えられる。ウェーハの温度を測定するための高温計６８は空洞の壁の観察孔を通して備えられる。最適の加熱のために、ウェーハは空洞内に好ましくは中央に支持される。マイクロ波放射線あるいは熱エネルギーを吸収しない繊維状アルミナのような材料の台座７４が適当である。
【００２７】
ウェーハはプラズマ５４を含むために内部室あるいは容器７６内に置かれる。
空洞あるいは容器は配管および制御弁（示されない）によって１つあるいはそれ以上のガス源（アルゴン、窒素、水素、キセノン、クリプトン等）に接続される。空洞あるいは容器に入るマイクロ波放射線７８は内部でプラズマを点火する。任意の静的あるいは動的プラズマ触媒がプラズマを創始し、変調しそして維持するために添加される。
【００２８】
マイクロ波放射線源、ガス源、そして他の構成要素と接続する適当な制御器（示されない）は処理を制御するために使用される。処理はプラズマが適当に閉じこめられる長さで、一度に多数のウェーハのための寸法とされる。また、処理はバッチ処理として記述されたけれども、プラズマが適当に閉じこめられる同様な長さで連続処理に適用される。
【００２９】
実験はウェーハを取り囲むＩＮＣＯＮＥＬ（登録商標）金属シースで図４に示す配置を使用して複数様式マイクロ波空洞内でＳｉウェーハのプラズママイクロ波加熱を試験するために実施された。９００℃の温度への急速加熱そしてそれに続く室温への急速冷却はウェーハの破壊なしにこの処理で達成された。この実験で得られた時間−温度サイクルは図５に示される。時間−温度サイクルは既存のＲＴＰ法と同等でそして低い熱経費がプラズママイクロ波加熱処理で可能であることを示している。
【００３０】
ウェーハシート抵抗は４端子抵抗手法を使用して測定された。ハイブリッドマイクロ波そしてプラズママイクロ波ＲＴＰ処理試料の両方で測定された値は既存のＲＴＰ手法を使用して処理された試料の値と同等であり、ハイブリッドそしてプラズママイクロ波処理の両方で深いｐ−ｎ接合に対し浅い形成を示した。
【００３１】
記述したハイブリッドそしてプラズママイクロ波ＲＴＰ処理は現行のＲＴＰ装置そして処理に関して種々の利点を提供する。多くの現行のＲＴＰ機械は単一ウェーハ反応器として利用できる。ハイブリッドそしてプラズママイクロ波ＲＴＰ装置はより高い処理量をもつ広い範囲で開発される。
【００３２】
エネルギー源としてタングステンハロゲンランプを使用する現行のＲＴＰ機械においては、エネルギー伝達機構は２段階の処理を起こす。第１に、ハロゲンランプのタングステン線条は、ウェーハが光エネルギーの吸収を始める前に２０００から３０００Ｋに電気的に加熱しなければならない。ランプの加熱は従来の炉処理（ＣＦＰ）に比べて効率的なエネルギーであるけれども、効率は記述したマイクロ波加熱技術よりはなお高くない。
【００３３】
ランプ加熱は底表面に比べてウェーハの曝露表面に指向性でそしてさらに効率的である。しかしながら、種々なランプ源に加えて金めっきの反射電極が効果的な容量的加熱のために要求される。対照的に、マイクロ波加熱は本質的に容量的加熱処理である。
【００３４】
光吸収は厚さ依存性であり、そして非均一な加熱は大きい表面のウェーハで通常問題である。本ハイブリッドそしてプラズママイクロ波加熱は大きい表面のウェーハのさらなる均一加熱を提供する。
【００３５】
処理はＳｉウェーハと関連させて記述されてきた。ＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）、ＧａＰ（リン化ガリウム）、ＧａＮ（窒化ガリウム）、Ｇｅ（ゲルマニウム）、ＩｎＰ（リン化インジウム）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、ＳｉＣ（炭化珪素）、ＣｄＳｅ（セレン化カドミウム）、ＣｄＴｅ（テルル化カドミウム）、ＺｎＳ（硫化亜鉛）、ＺｎＳｅ（セレン化亜鉛）、そしてＺｎＴｅ（テルル化亜鉛）ウェーハ、そして当業者に周知の他の材料のような他のウェーハ材料がこの処理で加熱される。
【００３６】
本発明は付帯する特許請求項によって示されるほか、特に示されそして記述された事柄に制約されない。
【符号の説明】
【００３７】
１２    ウェーハ、高温計
１４    空洞
１６    放射線源
１８    ハイブリッド材料
２０    緩衝層、断熱層、緩衝材
２２、７８    マイクロ波放射線
２４    変調器材料
２６    試料作業片
２８、６６    導波管
３４    観察孔
３６、７４    台座
３８    内部室
４２    ウェーハ
４４    シース
４６、４６’、４６’’、４８    上部板および底板
５６    ねじ
５４    プラズマ
５０    マイクロ波空洞
５２    マイクロ波放射線源
５４    プラズマ
５８    穴
６２、６４    開口
６８    高温計
７６    内部室あるいは容器
【図１】
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【図２】
2010517294.tif 000006
【図３】
2010517294.tif 000007
【図４】
2010517294.tif 000008
【図５】
2010517294.tif 000009
【図６Ａ】
2010517294.tif 000010
【図６Ｂ】
2010517294.tif 000011
【図６Ｃ】
2010517294.tif 000012
【国際調査報告】
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