(57)【要約】  半導体チップは、ＡＲ被覆をもつ１組のファセットと、回折格子に対して異なる相対位置を有するＨＲ被覆をもつ第２の組のエッチファセットとを備えた少なくとも２つのＤＦＢエッチファセットレーザを有する。これにより、エッチファセットのそれぞれと回折格子との間に位相の差が生成され、それが２つのレーザキャビティの動作特性を変化させ、その結果、レーザのうちの少なくとも一方が許容される性能を提供する。その結果、２つのキャビティ構成は製作されたチップの歩留りを非常に改善する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上のエピタキシャルレーザ構造と、
前記エピタキシャルレーザ構造中に形成された周期的回折格子を含む層と、
前記エピタキシャル構造中に形成された少なくとも第１および第２のレーザキャビティと
を含む半導体チップであって、
前記第１のレーザキャビティが前記回折格子により第１の位相を形成する少なくとも１つのエッチファセットを有し、
前記第２のレーザキャビティが前記回折格子により第２の位相を形成する少なくとも１つのエッチファセットを有し、前記第２の位相が前記第１の位相と異なる、半導体チップ。
【請求項２】
前記エッチファセットが高反射被覆される、請求項１に記載の半導体チップ。
【請求項３】
前記第１および第２のレーザキャビティがそれぞれ、エッチングによって形成された第２のファセットを有する、請求項１に記載の半導体チップ。
【請求項４】
前記第２のファセットが前記基板に対して約４５度の角度でエッチングされる、請求項３に記載の半導体チップ。
【請求項５】
前記第２のファセットの上の表面が反射防止被覆される、請求項４に記載の半導体チップ。
【請求項６】
前記エピタキシャルレーザ構造が半導体コンタクト層をさらに含み、前記半導体コンタクト層が前記第２のファセットの上から除去される、請求項４に記載の半導体チップ。
【請求項７】
前記半導体コンタクト層がＩｎＧａＡｓで形成される、請求項６に記載の半導体チップ。
【請求項８】
前記第２のファセットの上の表面が反射防止被覆される、請求項６に記載の半導体チップ。
【請求項９】
前記第１および第２のレーザキャビティのそれぞれの前記第２のエッチファセットが前記基板に対して垂直である、請求項３に記載の半導体チップ。
【請求項１０】
前記第２のファセットが反射防止被覆される、請求項１０に記載の半導体チップ。
【請求項１１】
前記チップがパッケージに組み込まれ、前記第１および第２のレーザキャビティのうちの少なくとも一方がワイヤボンドを通して電流を受け取る、請求項１に記載の半導体チップ。
【請求項１２】
前記パッケージ内のレンズが、ワイヤボンドを通して電流を受け取る前記少なくとも一方のレーザキャビティと位置合わせされる、請求項１１に記載の半導体チップ。
【請求項１３】
前記第１および第２のレーザキャビティがそれぞれ、１つの劈開ファセットを有する、請求項１に記載の半導体チップ。
【請求項１４】
前記劈開ファセットが反射防止被覆される、請求項１３に記載の半導体チップ。
【請求項１５】
前記エッチファセットが高反射被覆される、請求項１４に記載の半導体チップ。
【請求項１６】
前記第１および第２のレーザキャビティがそれぞれある長さを有し、前記第１のレーザキャビティの長さが前記第２のレーザキャビティの長さと異なる、請求項１に記載の半導体チップ。
【請求項１７】
基板と、
前記基板上のエピタキシャルレーザ構造と、
前記エピタキシャル構造中に形成された少なくとも第１および第２のレーザキャビティと
を含む半導体チップであって、
前記エピタキシャルレーザ構造が、その中に形成されたピッチΛの周期的回折格子を有し、
第１の長さの前記第１のレーザキャビティが少なくとも１つのエッチファセットを有し、
第２の長さの前記第２のレーザキャビティが少なくとも１つのエッチファセットを有し
前記第１および第２の長さが互いに異なる、半導体チップ。
【請求項１８】
前記第１および前記第２の長さが、０超Λ未満だけ互いに異なる、請求項１７に記載の半導体チップ。
【請求項１９】
前記第１および前記第２の長さが、Λ／４以上３Λ／４未満だけ互いに異なる、請求項１８に記載の半導体チップ。
【請求項２０】
前記チップがパッケージに組み込まれ、前記第１および第２のレーザキャビティのうちの少なくとも一方がワイヤボンドを通して電流を受け取る、請求項１７に記載の半導体チップ。
【請求項２１】
前記パッケージ内のレンズが、ワイヤボンドを通して電流を受け取る前記少なくとも一方のレーザキャビティと位置合わせされる、請求項２０に記載の半導体チップ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に、エッチファセット（ｅｔｃｈｅｄ−ｆａｃｅｔ）フォトニックデバイスに関し、より詳細には、多重キャビティエッチファセットＤＦＢレーザデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザは、一般に、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）または分子線エピタキシャル法（ＭＢＥ）によって基板上に適切な層状半導体材料を成長させて基板表面と平行な活性層を有するエピタキシャル構造を形成することによってウェハ上に製作される。次に、ウェハは様々な半導体処理ツールで処理され、活性層を組み込みかつ半導体材料に取り付けられた金属コンタクトを組み込んでいるレーザ光キャビティが生成される。レーザファセットは、一般に、レーザ光学キャビティの縁部または端部を画定するように半導体材料をその結晶構造に沿って劈開することによってレーザキャビティの端部に形成され、その結果、バイアス電圧がコンタクトの両端間に印加されると、その結果生じた活性層を通る電流の流れにより、電流の流れに垂直な方向に活性層のファセット縁部から光子が放出される。半導体材料はレーザファセットを形成するように劈開されるので、ファセットの場所および向きは制限され、さらに、ウェハは劈開された後、一般に小片となり、その結果、従来のリソグラフィ技法はレーザをさらに処理するのに容易には使用することができない。
【０００３】
劈開ファセットを使用することに起因する前述の問題および他の問題が、エッチングによって半導体レーザのミラーファセットを形成するプロセスの開発につながった。このプロセスはまた、その開示が参照により本明細書に組み込まれる米国特許第４，８５１，３６８号に記載されているように、レーザを同じ基板上の他のフォトニックデバイスとモノリシック集積することを可能にする。この開発はさらに拡大されて、エッチファセットに基づいたリッジレーザプロセスがＩＥＥＥ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ、２８巻、５号、１２２７〜１２３１頁、１９９２年５月および米国特許出願第１１／３５６，２０３号に開示されており、それらの開示は参照により本明細書に組み込まれる。
【０００４】
分布帰還（ＤＦＢ）レーザは、単一の波長出力を生成するために分布回折格子を使用する。ファセットと回折格子の相対位置は、ＩＥＥＥ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ、ＱＥ−１１巻、１５４  〜１６１頁、１９７５年４月、「Ｅｆｆｅｃｔ  ｏｆ  Ｅｘｔｅｒｎａｌ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒｓ  ｏｎ  Ｌｏｎｇｉｔｕｄｉｎａｌ  Ｍｏｄｅｓ  ｏｆ  Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｆｅｅｄｂａｃｋ  Ｌａｓｅｒｓ」と題する論文でＳｔｒｅｉｆｅｒらが説明しているように、レーザの性能において極めて重要である。残念ながら、劈開ファセットは、所望の位置内においてせいぜい数ミクロンに合わせて配置することしかできず、それはファセットと回折格子との間に不規則な位相変化を引き起こし、したがって、レーザ性能および特性を予測することができない。そのため、これらのレーザは、設計によって歩留りが限定的である。
【０００５】
ＤＦＢレーザにとって重要な性能特性は、デバイスが単一縦モード（ＳＬＭ）で動作するかどうか、およびそれが高いサイドモード抑圧比（ＳＭＳＲ）を有するかどうかである。この位相変化の歩留りへの影響は、ＩＥＥＥ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ、ＱＥ−２５巻、１３２４〜１３３２頁、１９８９年６月、「Ｙｉｅｌｄ  ａｎａｌｙｓｉｓ  ｏｆ  ＳＬＭ  ＤＦＢ  ｌａｓｅｒｓ  ｗｉｔｈ  ａｎ  ａｘｉａｌｌｙ−ｆｌａｔｔｅｎｅｄ  ｉｎｔｅｒｎａｌ  ｆｉｅｌｄ」と題する論文でＫｉｎｏｓｈｉｔａらによって、およびＩＥＥＥ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ、ＱＥ−２７巻、１７１４〜１７２３頁、１９９１年６月、「Ｇａｉｎ−ｃｏｕｐｌｅｄ  ＤＦＢ  ｌａｓｅｒｓ  ｖｅｒｓｕｓ  ｉｎｄｅｘ−ｃｏｕｐｌｅｄ  ａｎｄ  ｐｈａｓｅ  ｓｈｉｆｔｅｄ  ＤＦＢ  ｌａｓｅｒｓ：  ａ  ｃｏｍｐａｒｉｓｏｎ  ｂａｓｅｄ  ｏｎ  ｓｐａｔｉａｌ  ｈｏｌｅ  ｂｕｒｎｉｎｇ  ｃｏｒｒｅｃｔｅｄ  ｙｉｅｌｄ」と題する論文でＤａｖｉｄらによって説明されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＤＦＢレーザはフォトリソグラフィによって画定されたエッチファセットと共に処理することができるが、回折格子の配置とエッチファセットとの間の角度ミスアラインメントに加えてフォトリソグラフィシステムのアライメント精度は、ファセットと回折格子との間の位相をウェハの端から端まで決定的に指定するには不十分である。高歩留りのＤＦＢレーザが非常に望ましいので、前述の問題に対処する、エッチファセット半導体ＤＦＢレーザを製作するための改善された構造および方法が必要である。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、チップ当たり少なくとも２つのＤＦＢレーザキャビティが互いに近接して形成されるエッチファセット半導体ＤＦＢレーザを製作するための改善された構造および方法を提供することによって前述の問題に対処する。第１のキャビティは回折格子により第１の位相を形成し、第２のキャビティは回折格子により第２の異なる位相を形成する。好ましい実施形態では、この位相差は、レーザキャビティのうちの一方の長さを他方のキャビティの長さよりもわずかに長くすることによって達成される。接近して配置された２つのキャビティ間のファセットの相対位置は、エッチファセットレーザでは正確に決定することができるので、２つのレーザキャビティのうちの一方のキャビティ長を少量だけ変化させることによって、ＤＦＢレーザのファセットと回折格子との間の位相は、少なくとも２つのレーザのうちの一方で所望の範囲となるか、またはそれにより近くなることになる。本発明の実際の実施において、この構成はチップ歩留りの著しい向上をもたらした。
【０００８】
好ましい実施形態では、チップを比較的容易にパッケージ化するために、最小チップサイズは、より一層小さいチップをパッケージ化することもできるが、約２５０μｍ×２５０μｍを必要とする。この面積が与えられれば、単一のＤＦＢキャビティと同じチップ占有面積、またはそれよりもわずかに大きい占有面積に２つのＤＦＢキャビティを形成することができる。
【０００９】
本発明の前述および追加の特徴および利点は、簡単に以下で説明する添付図面と共に行われる本発明の好ましい実施形態の以下の詳細な説明から当業者には明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の好ましい実施形態に従って長さに相対差があるように選択された２つのエッチファセットレーザキャビティのグラフ図である。キャビティのサイズは、本発明の概念を示すことができるようにこの図または他の図において原寸に比例して示されていない。
【図２】長さに相対差がある図１の２つのエッチファセットレーザキャビティが、レーザキャビティの光学回折格子とエッチファセットのそれぞれとの間で位相差をどのように引き起こすかを示す図である。便宜上、キャビティは、既知の製作技法の限界のために通常存在するはずの回折格子とエッチファセットとの間のいかなる角度ミスアラインメントもなしで示されている。
【図３】本発明の好ましい実施形態に従って各対の中でキャビティ長にわずかな差があるレーザの対に関して異なる多数の閾値電流で実験的に得られたサイドモード抑圧比（ＳＭＳＲ）データを示すグラフである。
【図４】本発明の概念を使用することによる結果を得るために使用された、１０個の左側アレイにおいて隣接するレーザ間でキャビティ長にわずかな差があり、１０個の右側アレイにおいて隣接するレーザ間でキャビティ長にわずかな差がある２０個のレーザを使用した、実験セットアップを示す図である。
【図５】キャビティ長に相対差がある２つのエッチファセットＤＦＢレーザと、レーザのそれぞれに電流を選択的に供給するための電気コンタクトとを含む、好ましい実施形態によって構築された半導体チップを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明をＤＦＢ半導体レーザ構造に適用してそれの製造中の歩留りを改善することができる。発明概念の詳細が、本発明で使用することが好ましい既知のレーザ構造および製作技法の説明の後に本明細書で提供される。通常通り、固体リッジレーザの製作では、基板は、例えば、適切にドープすることができるＩＩＩ−Ｖ族化合物またはその合金で形成することができる。基板は上部表面を含み、その上に、活性領域を含む光キャビティを形成する一連の層が、例えば有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）のようなエピタキシャル堆積によって堆積される。典型的には、回折格子層は活性領域の近くに（上または下に）あることになり、電子ビームリソグラフィ、ホログラフィックリソグラフィ、またはナノインプリント技術とその後のエッチングによって周期構造でパターン化が行われ、回折格子層中に回折格子が形成されることになる。
【００１２】
堆積システムを使用して、回折格子層中の回折格子の上にレーザ構造の残りの部分を成長させ、ＤＦＢレーザ構造中に分布帰還を設ける。ＤＦＢ半導体レーザ構造には、活性領域に隣接し、活性領域よりも低い屈折率のＩｎＰなどの半導体材料で形成された上部クラッド領域および下部クラッド領域が含まれる。活性領域は、ＩｎＡｌＧａＡｓベースの量子井戸およびバリアで形成することができる。ＩｎＧａＡｓＰの遷移層は上部クラッド層の上部表面上に形成することができる。ＩｎＧａＡｓコンタクト層はＩｎＧａＡｓＰ遷移層の上で使用することができる。回折格子層は、一般に、レーザのレーザ発振波長よりも長い波長に対応するバンドギャップをもつｌｎＧａＡｓＰ上に形成される。
【００１３】
例えば、ＤＦＢレーザはリッジ型または埋め込みヘテロ構造型のものとすることができ、両構造とも本明細書の中で説明される本発明により歩留りが向上することになる。様々な型のＤＦＢレーザの設計および製作の詳細は、例えば、１９９７年にＡｒｔｅｃｈ  Ｈｏｕｓｅ，  Ｉｎｃ．によって発行されたＭｏｒｔｈｉｅｒらによる「Ｈａｎｄｂｏｏｋ  ｏｆ  Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｆｅｅｄｂａｃｋ  Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｏｄｅｓ」と題する書籍で見いだすことができる。
【００１４】
最も一般的なＤＦＢ構造の１つは、実屈折率を周期的に変調する簡単な回折格子を有するものである。しかし、これらのレーザが両ファセット上に完全な反射防止（ＡＲ）被覆を有することになった場合、それらはブラッグ周波数に対して対称な２つのモードへの縮退を有することになり、ＳＭＳＲは非常に低いことになる。これは、Ｋｏｇｅｌｎｉｋらによる「Ｃｏｕｐｌｅｄ−ｗａｖｅ  ｔｈｅｏｒｙ  ｏｆ  ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  ｆｅｅｄｂａｃｋ  ｌａｓｅｒｓ」、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ、４３巻、５号、２３２７〜２３３５頁、１９７２年に説明されている。この縮退を克服する方法の１つは、ファセットの一方を高反射率（ＨＲ）被覆し、他方をＡＲ被覆することである。しかし、劈開ファセットは数ミクロンの位置精度でしか位置決めすることができないので、回折格子と劈開ファセットとの間の位相の不確実性が歩留り問題を引き起こす。これは、Ｊ．Ｂｕｕｓによる「Ｍｏｄｅ  ｓｅｌｅｃｔｉｖｉｔｙ  ｉｎ  ＤＦＢ  ｌａｓｅｒｓ  ｗｉｔｈ  ｃｌｅａｖｅｄ  ｆａｃｅｔｓ」、Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｌｅｔｔｅｒｓ、２１巻、１７９〜１８０頁、１９８５年に説明されている。
【００１５】
構築した本発明の実践的実施形態では、接近して配置された少なくとも２つの分布帰還（ＤＦＢ）半導体レーザキャビティ１０および１２が、図１および２に図解的に示されたように、ＤＦＢエピタキシャル材料を用いたエッチファセット処理を使用して基板上に製作された。前面ファセット１４および１６は同じ相対位置にあるように示されており、ＡＲ被覆されている。第１のレーザ１０はＬのキャビティ長を有し、第２のレーザ１２はＬ−ΔＬのキャビティ長を有する。その結果、背面ファセット１８および２０は互いに異なる相対位置にある。これは、図２に示すように、背面ファセット１８および２０のそれぞれと回折格子構造２４の回折格子２２との間に位相の差を引き起こす。
【００１６】
使用されたリソグラフィシステムの解像度は３６５ｎｍであり、オーバレイ精度は７０ｎｍ以内である。しかし、接近して離間した２つのレーザキャビティ１０および１２の、回折格子構造２４を基準とした２つの前面ファセット１４および１６の相対配置は、設計によっておよび高解像度フォトリソグラフィマスクによって２０ｎｍよりも良好に制御することができる。回折格子２２とエッチファセット１４、１６、１８、および２０との間の角度ミスアラインメントは、エッチファセットの相対配置を良好に制御するためにレーザキャビティ１０および１２がどの程度接近する必要があるかの限界を定める。
【００１７】
この技法を使用して、Ｌ＝２５０、３００、および３５０μｍならびにΔＬ＝０．１μｍの多数の接近して離間した２重キャビティエッチファセットＤＦＢレーザを構築した。キャビティ長のこの差は、約１３１０ｎｍの波長および約３．２のレーザの実効屈折率の場合の２つのレーザの、ファセットと回折格子との間の１７６°位相変化の公称値に対応する。回折格子ピッチΛはΛ／（２ｎｅｆｆ）に等しく、ここで、Λは自由空間での波長であり、ｎｅｆｆは実効屈折率である。位相変化は２π（ΔＬ／Λ）を使用して計算される。２つのレーザ導波路の中心間の間隔Ｓは２０μｍであったが、回折格子パターンとファセットとの間の角度ミスアラインメントは公称値からの位相変化への寄与を減少させることも増加させることもある。より大きい間隔またはより小さな間隔を使用できることが理解されよう。図１に示したように、前面ファセット１４および１６はＡＲ被覆ファセットであり、同じ相対位置にあるように示されており、一方、背面ファセット１８および２０は位置に相対差があるＨＲ被覆ファセットである。相対位置におけるこの差はファセットと回折格子との間に異なる位相をもたらし、図２では９０°位相差で示されている。
【００１８】
２４対のＤＦＢキャビティが製作されたが、対のうちの一方はＬのキャビティ長を有し、対のうちの他方はＬ−ΔＬのキャビティ長を有する。対１〜８はＬ＝２５０μｍを有し、対９〜１６はＬ＝３００μｍを有し、対１７〜２４はＬ＝３５０μｍを有し、ΔＬ＝０．１μｍを有していた。例えば、対１において、左側のレーザ１ａは２５０．０μｍの公称キャビティ長を有していたが、一方、右側のレーザ１ｂは２４９．９μｍの公称キャビティ長を有していた。
【００１９】
これらの４８個のＤＦＢレーザが試験され、その結果が図３に示されている。ＳＭＳＲは、レーザ閾値電流Ｉｔｈの２から５倍のレーザへの印加電流で測定された。３０ｄＢを超えるＳＭＳＲは良好であると見なされる。このデータから、デバイス対中の２つのデバイスのうちの少なくとも一方は３０ｄＢを超えるＳＭＳＲで動作することが分かる。例えば、対１では、ＤＦＢレーザ１ａは良好であったが、１ｂは不良であったことを示している。図３において、不良なＳＭＳＲのデバイスはすべて矢印で示されている。
【００２０】
別の実験では、多数のキャビティが図４に示されるように形成された。ここで、ΔＬ’は、実験の左側の１０個のデバイスまたは実験の右側の１０個のデバイスについて互いに隣接した２つのキャビティ間の差である。ΔＬ’は、回折格子と隣接ファセットとの間の３５．２°の公称位相差に対応して２０ｎｍに設定された。興味深いことには、左側と右側を比較することによって、エッチファセットと回折格子との間の角度ミスアラインメントを決定することができる。実験結果は、隣接するデバイス間のＳＭＳＲがかなり大きい差であるためには、少なくとも３０°の位相差が必要であり、好ましくはこの値は約９０°であることを示している。
【００２１】
実験によれば、図１のもののような２重ＤＦＢレーザキャビティ構造のチップ歩留りは単一のＤＦＢレーザキャビティのチップ歩留りよりも高いことが実証されている。これは、対における２つのキャビティのうちの一方がＳＭＳＲ要件を満たす確率が高いからである。
【００２２】
図５は、本発明の好ましい実施形態に従って構成された半導体チップ５０を示す。チップ５０は基板５２を含み、その上に２重キャビティＤＦＢレーザ構造５４が形成される。レーザ構造５４は、図１におけるように構成された第１および第２のレーザキャビティ５６および５８を含む。したがって、キャビティ５６および５８は前面端部のＡＲ被覆されたエッチファセット６０および６２と、背面端部のＨＲ被覆されたエッチファセット６４および６６とを含む。
【００２３】
製作中に、電気コンタクト層はレーザ構造５４（キャビティ５６、５８および図２からの回折格子２４を含む）の上に形成される。次に、コンタクト層の大部分は除去されて第１および第２のコンタクトパッド６８および７０が形成され、それらはそれぞれ第１および第２のレーザキャビティ５６および５８に電流を供給するために使用される。
【００２４】
図５のチップ５０、または背面エッチファセット間に異なる相対位相をもつ少なくとも２つのレーザキャビティを有する他のチップは、例えばＴＯ型缶内にパッケージ化することができ、少なくとも２つのレーザのうちの一方は、そのレーザに電流を供給するためにパッケージ内部で選択的にワイヤボンドすることができる。一般に、ＴＯ型パッケージはレンズを有することになり、レンズはレーザに位置合わせすることができる。ここで、レンズは、ワイヤボンドを受け取ったレーザに位置合わせすることができる。
【００２５】
前面またはＡＲ被覆された２つのファセット１４および１６は図１に示されているように同じ相対位置であることが必須ではないが、２つの背面またはＨＲ被覆されたファセット１８と２０との間に相対位置差を有することが重要である。上述の構造の代替として、２つの前面ファセットは同じ相対位置とすることができるので、それらは劈開を使用して形成することができ、一方、背面ファセットはエッチングによって形成することができる。
【００２６】
新しい型の面発光半導体レーザを製作することもできる。このレーザは水平キャビティ面発光レーザ（ＨＣＳＥＬ（商標））として知られており、２００４年１０月５日に出願された米国特許出願第１０／９５８，０６９号および２００４年１０月１４日に出願された米国特許出願第１０／９６３，７３９号に開示されており、それらの開示は参照により本明細書に組み込まれる。これらの出願で詳述されているように、ＨＣＳＥＬは基板に対して４５°でまたは約４５°でエッチングされたファセットを有する。キャビティの一方の端部を画定する反射面はこのエッチファセット上にあり、コンタクト層を除去して吸収を低減させることができる。二重キャビティＤＦＢ  ＨＣＳＥＬは前述したＤＦＢ端面発光レーザに取って代わることができ、チップ歩留りの向上によってさらに利益を得る。
【００２７】
エッチファセットのパターニングおよびエッチファセットの実際の位置を、例えば１３１０ｎｍＤＦＢレーザに対して正確に場所決めすることができると仮定すると、３６５ｎｍよりもはるかに良好な解像度をもつリソグラフィシステムが回折格子のパターニングを行うことができ、ミラーまたはファセットの位相が数度以内であると確信されるような十分な精度でエッチファセットを場所決めできるようにすることが期待される。これにより、高い歩留りのＤＦＢレーザをさらにもたらすことができる。しかし、リソグラフィシステムがそのような能力を有していない場合、本発明は、チップ上のレーザの背面エッチファセットと回折格子との間で相対位相が異なる、チップ当たり２つ以上のＤＦＢキャビティを使用してチップ歩留りの著しい向上を可能にすることになる。
【００２８】
本発明が好ましい実施形態およびその変形に関して説明されたが、添付の特許請求の範囲に記載させるような本発明の範囲から逸脱することなく他の変形および変更を行うことができることが理解されよう。
【図１】
2010539711.tif 000003
【図５】
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【図２】
2010539711.tif 000005
【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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