(57)【要約】本発明は、サポート上に転送されるべき層（２）を転送するための方法であって、  −前記サポート（１２）上に前もって堆積された液体層（１０）上に、最初の基板（４）上に組み立てられた前記層を転送する段階と、  −化学的攻撃によって最初の基板（４）から前記層を解放する段階と、  −サポート（１２）への層の分子付着を可能にするために液体層（１０）を排出する段階と、を有することを特徴とする方法に関する。
2010535651.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サポート（１２）上に転送されるべき層（２）を転送するための方法であって、
−前記サポート（１２）上に前もって堆積された液体層（１０）上に、最初の基板（４）上に組み立てられた前記層を転送する段階と、
−化学的攻撃によって最初の基板（４）から前記層を解放する段階と、
−サポート（１２）への層の分子付着を可能にするために液体層（１０）を排出する段階と、を有することを特徴とする方法。
【請求項２】
転送されるべき層（２）は変形した層であって、解放ステップはこの層における変形を弛緩させることが可能であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
変形した層の厚さはその臨界厚さ小さいことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
転送されるべき層（２）の自由表面は曲率を有し、解放ステップはそれが平らになることを可能にすることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
転送されるべき層（２）は、最初の基板にエピタキシーまたは付着される層であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
最初の基板（４）上に停止層（６）が形成され、転送されるべき層（２）は、この停止層の仲介を通じて最初の基板と共に組み立てられることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
転送されるべき層は、中心からその円周を解放するためにエッチングされることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
転送されるべき層（２）は、液体層（１０）上への転送の前に親水性を付与されることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
転送されるべき層（２）の最初の基板（４）からの解放は、前記基板の化学エッチングによって得られることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
空胴（１６）が最初の基板（４）において、転送されるべき層（２）と共に組み立てられる前記基板とは反対側に前もって形成され、前記最初の基板（４）の全体への局所的な化学的攻撃を、その周囲を除いて可能にすることを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
最初の基板、および必要に応じて停止層（６）は、前もって形成された空胴（１６）の中での化学的溶解を制限することによって、化学的にエッチングされることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
転送されるべき層（２）と最終的なサポート（１２）との間に置かれた液体層（１０）の排出は、前記液体の蒸発またはポンピングによって得られることを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
サポート（１２）は変形されることを特徴とする請求項１から１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
液体層（１０）は水の層であることを特徴とする請求項１から１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
転送されるべき層（２）の材料は半導体材料、特にＩＩＩ−Ｖタイプの、例えばＧａＮから作られることを特徴とする請求項１から１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
第１の層（２）上に第２の材料の層（２００）をエピタキシーするための方法であって、
−請求項１から１５のいずれか１項に記載の転送方法に従って、最初の基板（４）上に組み立てられた前記第１の層を、サポート（１２）上に転送する段階と、
−次に第１の層の上に第２の層をエピタキシャル成長させる段階と、
を有することを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体材料上に層を転送する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
今日、マイクロ電子工学的および光電子工学的構成部品は、エピタキシー技術を使って製造した単結晶材料の組合せから作られる。近代的なエピタキシー技術は、それらの理想的で理論的な性能に近い特性を持つ非常に高い純度の材料を準備および構成することを可能にする。
【０００３】
しかしながら、ある特定数の技術的な困難が残っており、これらの技術の十分な発展を妨げている。実際に、光電子工学的適用に関しては、半導体合金は組成の非常に広い範囲をカバーし、従って関連付けられた波長および適用の非常に広い範囲をカバーする。しかしながら、基板の単結晶特性とエピタキシー技術の使用は、同一または非常に類似した格子定数を持った材料をただ構成するだけのことが推測的に可能ではないであろうから、本質的な限定的制限につながる。事実、利用可能な基板の機能として、ただ組成の狭い範囲のみが利用されうる。
【０００４】
ヘテロエピタキシーによって標準的な基板上に格子不整合を持つ合金を成長させる、という試みがなされた。次に前記合金は変形させられる。臨界であると知られる厚さ（数ｎｍ）を超えて、変形エネルギーはエピタキシーされた層の塑性緩和を起こす。これは
大規模な構造上の欠陥（低い不適合）またはアイランド成長（高い不適合）の現出をもたらす。この弛緩のモードは表面を荒くし、また材料の光学および電気的特性の劣化につながる。
【０００５】
非特許文献１は格子定数に不適合な層の形成を提案する。それは、欠陥を生成するのを避けるように弾性的に緩和された、臨界塑性弛緩厚さより小さい厚さの変形した層を包含する。次に、エピタキシーの適合された格子定数の回復が、大きな厚さにわたって、欠陥を生成することなく、この緩和層上で実行されうる。この概念は、標準的な基板上に使われた構成と異なった構成の層を得ることを可能にする。
【０００６】
この取り組みは、基板上に変形した層をエピタキシーし、次に前記層を弛緩させて構造上の欠陥を生成させることなくエピタキシーの回復を可能にすることにある。この弛緩は
エピタキシーの回復の前、またはその間に行なわれうる。
【０００７】
この弛緩は、粘着性の材料のまたはサブエッチングの使用ような、様々な方法によって得ることができる。
【０００８】
この取り組みは、ガラス（ＢＰＳＧ）の使用による非特許文献２によって、さらにワックスの使用による非特許文献３によって適用されてきた。この技術においては構造は粘着性の材料に転送される。変形された層は、上部にエピタキシーされる基板から解放されると、一般的にその粘度を増やすために粘着性の材料を加熱することによってサポート基板の粘性のお陰で弛緩される。
【０００９】
しかしながら、これらの技術において、層の粘性は、良好な弛緩を得るのには十分高くない。実際これは、表面波動の形成を通じて起こり、主要な不利点を持ちうる。それは、波動の振幅と波長の関数として、材料の表面上に生成する非均一な変形場の理由からエピタキシャル層の表面を荒くすることにつながりうる。粘着性の材料上への転送を使用する技術はこのように限定される。
【００１０】
サブエッチング技術は、非特許文献４によって適用され、アームによって保持されたほぼ自由な変形された層を形成することにある。この層は、停止層のサブエッチングによってそのサポートから解放される。この層は、次に、最初の基板上に付着される前に自由に弛緩する。しかしながら、アームによる保持は弛緩を制限し、停止層に対する変形された層の選択性は、緩和された薄膜の寸法を制限する。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【００１１】
【非特許文献１】Y. H. Lo et al., Appl. Phys. Lett. 59, 2311, 1991
【非特許文献２】Yin H. Yin et al., J. Appl. Phys. 91, 9716, 2002
【非特許文献３】M. Kostrzewa et al., J. Cryst. Growth. 275, 157, 2005
【非特許文献４】Damlencourt et al., Appl. Phys. Lett., 75, 3638, 1999
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
従って、上述のような制限なしで、特に大きな寸法の層の緩和を可能にする新規な技術を発展させることが必要である。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明による方法は、
−サポート上に前もって堆積された液体層、例えば水の層上に、最初の基板によって保持された層を転送する段階と、
−最初の基板から前記層を解放する段階と、
−サポートによる層の分子接着を可能にするために液体層を排出する段階と、を有する。
【００１４】
本発明は、このサポートと転送されるべき層との間に、好ましくは低い粘度の仲介の液体層と共にサポートの使用を適用する。前記液体層は最終的に排出され、そのことは、例えば局所的な化学的薄肉化または局所的な化学的攻撃による最初の基板の除去の後に、サポートへの分子接着につながる。
【００１５】
化学的攻撃の局所化は、転送されるべき層と共に組み立てられる前記基板の側とは反対側における、前もって最初の基板に形成された空胴によって得ることができる。前記空胴は、最初の基板に形成された１つ以上の壁または１つ以上の仕切りによって限定されうる。
【００１６】
転送されるべき層が変形された層である場合、解放ステップは前記層における変形を弛緩することを可能にし、その厚さは、その臨界厚さよりも小さいかまたは大きくありうる。
【００１７】
さらに他の例によれば、転送されるべき層は曲率を有しうる。そして解放ステップはそれが平らになることを可能にする。
【００１８】
転送されるべき層は、最初の基板、あるいは前記最初の基板上に形成された停止層にエピタキシーまたは付着される層でありうる。
【００１９】
転送されるべき層は、中心からその円周を解放するためにエッチングされうる。この層はまた、分子接着によってその組み立てを視野に入れて親水性を付与される。
【００２０】
上に層が転送されるべきサポートは、それ自身が変形させられうる。
【００２１】
本発明はまた、第１の層上に第２の材料の層をエピタキシーするための方法であって、
−本発明による転送方法に従って、最初の基板上に組み立てられた前記第１の層を、サポート上に転送する段階と、
−次に第１の層の上に第２の層をエピタキシャル成長させる段階と、
を有することを特徴とする方法にも関連する。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１Ａ】本発明による方法の一実施形態を示す。
【図１Ｂ】本発明による方法の一実施形態を示す。
【図１Ｃ】本発明による方法の一実施形態を示す。
【図１Ｄ】本発明による方法の一実施形態を示す。
【図１Ｅ】本発明による方法の一実施形態を示す。
【図２Ａ】本発明による方法の他の実施形態を示す。
【図２Ｂ】本発明による方法の他の実施形態を示す。
【図２Ｃ】本発明による方法の他の実施形態を示す。
【図２Ｄ】本発明による方法の他の実施形態を示す。
【図２Ｅ】本発明による方法の他の実施形態を示す。
【図２Ｆ】本発明による方法の他の実施形態を示す。
【図３】本発明による方法が適用可能な他の形態を示す。
【図４】本発明による方法が適用可能な他の形態を示す。
【図５】本発明による方法が適用可能な他の形態を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明の一実施形態を、まず、図１Ａ〜１Ｅを参照しながら説明する。
【００２４】
図１Ａは、層２が形成または堆積または付着される最初の基板４として知られる基板を表す。この層２は例えばエピタキシーされた層である。
【００２５】
層２は、好都合に、中心からその円周を解放するためにエッチングされる（図１Ｂ）。エッチング区域は参照符号５によって示される。これらの区域は、図１Ｃ〜１Ｅにおいては示されないが、エッチング区域５を持ったこの実施形態はこれらの図および説明から推論される。
【００２６】
この層２と最初の基板との間には、停止層６が堆積または形成されうる、そしてそれは、層２の将来の解放を制御する助けとなる。この層６は、材料４の化学エッチングを視野に入れて停止層を形成する。そして、好ましくは少なくとも１０に等しい特定の選択性が、これらの２つの材料の間に必要とされる（選択性は層４の材料と層６の材料の間の化学エッチングの比である）。好ましくは、例えば少なくとも１０と等しくもある特定の選択性は、層６の除去の動作を視野に入れて、層６と層２との間に必要ともされる。
【００２７】
層２の表面３は、最終的なサポート１２上で獲得することが望まれる分子付着を視野に入れて、好ましくは親水性であるか、または、例えば化学研磨処置、または酸化物あるいは窒化物タイプ層の付加によって親水性を付与される（図１Ｅ）。前記サポートの表面にもついても同じである。
【００２８】
層２は、最初の基板４と共に液体の材料１０の層に接触して堆積され、それ自身、基板１２上に位置する（図１Ｃ）。この液体層の厚さは、液体１０と層２との間の付着力だけが毛管力であるように選択されうる。この厚さは、実質的に、（親水性分子付着と異なって）ファンデルワールス付着が、層２を基板１２に接続することにもはや関与しないことを可能にする。この厚さは例えば約１０ｎｍである。好ましくは、このステップの間に、層２はサポート１２との何らの直接的接触をも持たない。
【００２９】
次に、最初の層２を基板４から解放することが意図される。好都合に、この解放は、後者（基板４）の化学エッチングによって得られる。化学エッチングによって乱されないように、液体材料の層１０、あるいはより一般的には、層２とその基板４の周りの環境、例えば隣接する部材または隣接する構造、空胴１６を規定するパターンまたは壁１５は、周囲を除いて基板４と層６全体への局所的な化学的攻撃を可能にするために、最初の基板４に前もって形成されうる（図１Ｃ）。
【００３０】
最初の基板４におけるこれらのパターン１５は、その厚さの部分にわたった中心４’における機械的薄肉化によって得ることができ、それによって空胴１６を形成する（図１Ｃ）。
【００３１】
基板４はまた、層２が液体１０との接触下に置かれる前に部分的に除去されうる。そして次に、層２が液体１０との接触下に置かれた後に、実際の解放ステップが化学エッチングによって行なわれる。このように最初の基板４の残り、および必要に応じて停止層６は、例えば空胴１６内に化学溶液を閉じ込めることによって化学的にエッチングされる（図１Ｄ）。
【００３２】
液体層１０は好都合に水の分子を含んだ層であり、そして次に、分子付着が、前記液体層の排出の後に自然な方法でサポート１２と層２との間に得られる。この時、分子付着は親水性タイプの付着である。
【００３３】
層２とサポート１２との間に位置する液体層の排出は、、例えば真空下、または加熱、あるいはその代わりにポンピングにより、前記液体の蒸発によって好都合に得られる（図１Ｅ）。
【００３４】
液体層の除去により、層２を、毛管力によってサポート１２上に平らに位置させることができる。もしサポート１２が変形して曲率を持つならば、前記力は、層２を前記変形されたサポートと接触下に置くことが可能になる。表面が変形して曲率を有する層２を、平らなサポート１２との接触下に置くことも可能になる、ということが後ほどわかるであろう。
【００３５】
次に、最初の基板のパターンまたは残りの壁１５および変形された層は、機械的または化学的に除去されうる（図１Ｅ）。次に、層２が残り、その最終的なサポート１２と共に分子接着によって組み立てられる。
【００３６】
上述の技術によれば、最初の基板４によって、また必要に応じて停止層６によってまず保持された層２は、サポート１２上に形成された液体層１０上に移される。次に、層２は、サポート１２との何らの直接的接触なしに液体層１０上において浮遊状態にある。次に、最初の基板は薄肉化されうる（図１Ｃおよび１Ｄ）。例えば既に上述したような技術の１つによって液体層１０を放出した後、層２はサポート１２との分子接着状態にある（図１Ｅ）。
【００３７】
さて、変形された層２、例えばエピタキシーされる材料とは異なった格子定数の最初の基板４上にエピタキシーされた層のケースに対する本発明の他の実施形態の例を、説明することにする。このように本発明は、変形された状態にない均一エピタキシーを通じて成長することができない何らかの材料に適用されうる。しかし、図１Ａ〜１Ｅを参照して既に上述したように、本発明はいかなるタイプの層にも、従って変形された状態にない層のケースにも適用される。
【００３８】
この例（図２Ａ）において、変形された層２の厚さｅ２は、その臨界厚さ（その厚さから変形が塑性変形によって次第に除去されるような厚さ）より小さくありうる。それは前記臨界厚さより大きくもありうる。
【００３９】
図１Ｂを参照して既に上述したように、層２は、好都合に、中心からその円周を解放するためにエッチングされる（図２Ｂおよび２Ｃ）。エッチング領域は参照符号５によって示される。このエッチングは、エッジと比べ層２の弛緩される領域を解放することを可能にする。参照符号１５と１６は前の図と同じ表示を持つ。
【００４０】
再度、停止層６は、層４の２つの材料と層６との間の化学エッチングに対する、好ましくは少なくとも１０と等しい特定の選択性を好ましくは備えて、前の例と同じ役割を果たす。
【００４１】
層２の表面３は、最終的なサポート１２上で獲得することが望まれる分子付着を視野に入れて、好ましくは親水性であるか、または、親水性を付与される（図１Ｆ）。後者（サポート）の表面にもついても同じである。
【００４２】
最初の基板上にエピタキシーされた層２は、液体材料１０上に堆積される（図２Ｂ）。そしてそれは液体層に接触する。この液体層の厚さは、液体１０と層２との間の付着力だけが毛管力であるようなものである。換言すれば、このステップの間で、層２は、サポート１２との何らの接触をも持たない。液体層の厚さに関して既に上述されたものと同様に参照符号が付される。
【００４３】
次に、変形された層２は液体材料上で自由に弛緩し（図２Ｄ）、後者（液体材料）は前記変形された層とサポート１２との間に閉じ込められる。波動の消失がある時に完全な弛緩が達成される。これを確実にするために、好ましくは、液体層は低い粘度を持つ。換言すれば、粘着性層は層２のすべりによって弛緩を妨げない。選択すべき粘度は層２の材料の特性、その初期変形、および弛緩させられるサンプルの大きさに依存する。
【００４４】
変形された層２のサポートは、曲げ効果を通じて垂直な平面に変形することを避ける毛管力によって確実にされる。
【００４５】
次に、変形された層は緩和層２０になる。
【００４６】
緩和層２０とサポート１２との間に置かれた液体層１０の排出は、図１Ｄおよび１Ｅを参照して既に上述したような技術の１つによって得られる。
【００４７】
液体層を除去することによって、緩和層２０を、毛管力によってサポート１２上に平らに置くことを可能にする。ここで再び、前記力は、緩和層２０を、曲率を有する変形されたサポート１２との接触下に置くことを可能にする。好都合に、水を排出し、そしてサポート１２へ付着の後に付着させるように付勢することが可能である。
【００４８】
液体層の排出の後、緩和層２０とサポート１２との間に分子付着が得られる（図２Ｆ）。
【００４９】
液体層１０は、好都合に水の分子を含んだ層であり、分子付着は、サポート１２と緩和層２０との間の前記液体層の排出の後に、自然な方法で次に得られる。その時の分子付着は親水性タイプ付着である。次に、最初の基板の残りの壁１５と変形された層は機械的または化学的に排除される（図２Ｆ）。
【００５０】
サポート１２上に好都合に転送された、例えば（シリコンまたはＩｎＰなどから作られた）半導体タイプまたはその他のタイプの緩和層２０はそれによって得られる。
【００５１】
本発明は、転送基板に接触して置かれる表面が特定の曲率を有するような、転送されるべき層２のケースにも適用される。
【００５２】
例えば、図３および５は、共に、その表面３が曲面である（図３および４では凸状曲面の表面３で、図５では凹状曲面の表面３）基板または層２を表し、従ってそれは、図１Ｃおよび２Ｂの基板１２のような平坦な面を持った基板上に直接付着され得ない。これらの図で示された曲率は明確さの理由から誇張されている。この層２は、前の例のように、最初の基板４と組み立てられ、または付着され、それはまた、必要に応じて図２Ａ〜２Ｆを参照して上述したような変形を有する、この基板上へのエピタキシーからもたらされうる。図３〜５の基板４において、空胴１６は、前と同じ理由でその周りのパターン１５と共にエッチングされた。図３には表されておらず、区域５が層２においてエッチングされうるのだが、前の図のように、層２と基板４との間に停止層６（前に示されたのと同じ機能および特性を有する）が存在しうる。
【００５３】
層２は、サポート１２上に液体層１０と接触して置かれる（図４）。次に、第一に基板４の、次に必要に応じて層２の薄肉化が、前の例を参照して説明したように実行され、その際に表面３０は次第に平らになり、そして液体１０表面により近くなり、もしあれば層２の変形が弛緩して行く。従って、参照符号２０’で示される薄肉化された基板の仲介の状態、および最初の表面３０よりも小さい曲面のその表面３０’が、破線で示された図４に表されている。
【００５４】
薄肉化が続けられる時、層２の表面３は、完全にまたはほぼ完全に液体層１０に接触する。既に上述されたように、これは次に排出され、そして２つの親水性表面（表面３とサポート１２の表面）は、分子接着による付着によって組み立てられる。
【００５５】
図５のケースでは、層または基板２は、図３の基板２の表面３の曲率に比較して反転されたその表面３０の曲率を持つ。
【００５６】
液体層１０上に基板２を配置することは、終端２０１、２０２の基板１２上への直接の付着または接着を避けることを可能にする。そのような直接の付着は、層２のいかなる緩和をも妨げることになる。前記層を次第に薄肉化することによって、表面３は、完全またはほぼ完全に液体層１０との接触下に次第に至ることになり、前記接触はここで再び毛管力によって確実にされる。次に、層１０は排出され、そして２つの親水性表面は分子接着による付着によって組み立てられる。
【００５７】
上に与えられた例のすべてにおいて、層２の材料は、例えば半導体材料、特にＩＩＩ−Ｖタイプのものである。このような材料の例はＧａＮである。
【００５８】
上述のケースにおいて、次に、層２上でエピタキシーの回復が実行されうる。換言すれば、第１の層２または２０のサポート１２上への転送の後に、上述の技術の１つに従って、この第１の層上への第２の材料の層のエピタキシャル成長を実行することが可能である。このように、図２Ｆの層２００は、層２０上へのエピタキシャル成長によって形成される。実際に、このエピタキシーの回復は、材料の熱膨張係数の相違によって多かれ少なかれ容易である。
【００５９】
適用の一例によれば、変形された層２は、０．８％に変形されたＩｎ０．６５Ｇａ０．３５Ａｓから構成される。この層はＭＢＥ（分子線エピタキシー）により、ＩｎＰ基板上にＩｎ０．５３Ｇａ０．４７ＡｓおよびＩｎＰ停止層６によってエピタキシーされる。パターン５はフォトリソグラフィによって変形された層に形成される。
【００６０】
基板４の上部は、その順でＨＣｌ:Ｈ２Ｏ（３：１）溶液によって化学的に薄肉化され、一方でエッジ１５は樹指によって保護され、それらはエッチング溶液によって攻撃されない。変形された層２は、１０分間Ｏ３存在下のＵＶに晒されることによって親水性を付与される。
【００６１】
ホスト基板１２はＳｉその他の基板であって、必要に応じ、約４００ｎｍ厚さのＳｉＯ２の表面層が基板１２をカバーする。後者はＯ２プラズマへの露出によって親水性を付与される。
【００６２】
次に、水の薄膜１０が、基板１２上を湿った布で拭くことによって堆積される。
【００６３】
この構造はシリコン基板上に堆積される。ＩｎＰおよびＩｎＧａＡｓの層４、６は、ＨＣｌ:Ｈ２Ｏ（３：１）とＨ２ＳＯ４:Ｈ２Ｏ２:Ｈ２Ｏ（１:１:１０）溶液によってそれぞれエッチングされる。次に、変形された層２０は、水の薄膜１０上に自由に弾性的に弛緩する。
【００６４】
次に後者（水の薄膜）は、構造を周囲の空気に放置することによって蒸発させられ、緩和層２０を、表面が前もって親水性を付与されたシリコン基板１２との接触に至らしめることを可能にする。付着は分子付着によって起こる。付着強化アニーリングが２００℃で２時間実行される。
【００６５】
構造のエッジは前述した溶液によって化学的に除去される。
【００６６】
次に、エピタキシーの回復が層２上で実行されうる。
【００６７】
他の適用例によれば、本発明は、０．２から０．７マイクロリットルの水１０の体積で、５ｍｍ×５ｍｍと１０ｍｍ×３ｍｍのチップ上で成功裏に実行された。このような水の体積はさらに、その付着の前に、基板１２上にチップそれ自身を置くことを可能にする。
【００６８】
図１Ａ〜１Ｅを参照して上述したように、本発明は、変形された層２への適用だけではない。これは何らかの層を転送するための技術として適用されうる。
【符号の説明】
【００６９】
２  層
３  表面
４  基板
４’  中心
５  エッチング区域
６  停止層
１０  液体層
１２  サポート
１５  エッジ
１６  空胴
２０  緩和層
３０  表面
２００  層
２０１  終端
２０２  終端
【図１Ａ】
2010535651.tif 000003
【図１Ｂ】
2010535651.tif 000004
【図１Ｃ】
2010535651.tif 000005
【図１Ｄ】
2010535651.tif 000006
【図１Ｅ】
2010535651.tif 000007
【図２Ａ】
2010535651.tif 000008
【図２Ｂ】
2010535651.tif 000009
【図２Ｃ】
2010535651.tif 000010
【図２Ｄ】
2010535651.tif 000011
【図２Ｅ】
2010535651.tif 000012
【図２Ｆ】
2010535651.tif 000013
【図３】
2010535651.tif 000014
【図４】
2010535651.tif 000015
【図５】
2010535651.tif 000016
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月17日(2009.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サポート（１２）上に転送されるべき層（２）を転送するための方法であって、
−前記サポート（１２）上に前もって堆積された液体層（１０）上に、最初の基板（４）上に組み立てられた前記層を転送する段階であって、前記液体層の厚さは、液体と前記層との間の付着力だけが毛管力であるようなものであり、かつ転送されるべき層は、前記液体層上において浮遊状態にある段階と、
−化学的攻撃によって最初の基板（４）から前記層を解放する段階と、
−サポート（１２）への層の分子付着を可能にするために液体層（１０）を排出する段階と、を有することを特徴とする方法。
【請求項２】
転送されるべき層（２）は変形した層であって、解放ステップはこの層における変形を弛緩させることが可能であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
変形した層の厚さはその臨界厚さ小さいことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
転送されるべき層（２）の自由表面は曲率を有し、解放ステップはそれが平らになることを可能にすることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
転送されるべき層（２）は、最初の基板にエピタキシーまたは付着される層であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
最初の基板（４）上に停止層（６）が形成され、転送されるべき層（２）は、この停止層の仲介を通じて最初の基板と共に組み立てられることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
転送されるべき層は、中心からその円周を解放するためにエッチングされることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
転送されるべき層（２）は、液体層（１０）上への転送の前に親水性を付与されることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
転送されるべき層（２）の最初の基板（４）からの解放は、前記基板の化学エッチングによって得られることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
空胴（１６）が最初の基板（４）において、転送されるべき層（２）と共に組み立てられる前記基板とは反対側に前もって形成され、前記最初の基板（４）の全体への局所的な化学的攻撃を、その周囲を除いて可能にすることを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
最初の基板、および必要に応じて停止層（６）は、前もって形成された空胴（１６）の中での化学的溶解を制限することによって、化学的にエッチングされることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
転送されるべき層（２）と最終的なサポート（１２）との間に置かれた液体層（１０）の排出は、前記液体の蒸発またはポンピングによって得られることを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
サポート（１２）は変形されることを特徴とする請求項１から１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
液体層（１０）は水の層であることを特徴とする請求項１から１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
転送されるべき層（２）の材料は半導体材料、特にＩＩＩ−Ｖタイプの、例えばＧａＮから作られることを特徴とする請求項１から１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
第１の層（２）上に第２の材料の層（２００）をエピタキシーするための方法であって、
−請求項１から１５のいずれか１項に記載の転送方法に従って、最初の基板（４）上に組み立てられた前記第１の層を、サポート（１２）上に転送する段階と、
−次に第１の層の上に第２の層をエピタキシャル成長させる段階と、
を有することを特徴とする方法。
【国際調査報告】
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