(57)【要約】多層基板の信号ビア対とグランドビアにより形成されたビア構造のより小形のサイズを提供し、さらに、ビア構造における信号ビア対の絶縁を増加すること。さらに、本発明による他の目的は、広い周波数帯域でビア構造に対するインピーダンス制御を改善することと、差動モードとコモン・モードの間の変換を低減することである。  多層基板が提供される。多層基板は高絶縁ビア集合体を有し、高絶縁ビア集合体は、２つの信号ビア対と、グランドビアとグランドビアに接続されたグランド線から成り、２つの信号ビア対の周囲にあって、複数の混合モードの間の変換と２つの信号ビア対からの漏洩を減少させるために２つのビア対に対して対称的に形成されたシールド構造と、信号ビア対を多層基板の他の導電性の対から分離し、高絶縁ビア集合体の広帯域動作を提供するために、所定の寸法を有するクリアランスホールと、２つの信号ビア対の間のクロストークを減少させ、コモンモードを減少させるために、前記複数の信号ビア対の間に対称的に配置された分離線、とを有する。
2010506380.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビア集合体を有する多層基板であって、
前記ビア集合体は、
２つの信号ビア対と、
該２つの信号ビア対の周囲を囲み、グランドビアと該グランドビアを接続するグランド
線とからなり、各々の信号ビア対に対して対称である、シールド構造と、
前記２つの信号ビア対の間に対称的に設けられた分離線と、
前記２つの信号ビア対を前記シールド構造から分離し、前記分離線の領域を除いて非導
電材料で満たされ、前記２つの信号ビア対の信号ビアの外側の導体境界を接線方向に接続
する仮想輪郭により結合した領域よりも大きい横断方向の大きさを有する、クリアランス
ホールとを有する、多層基板。
【請求項２】
前記分離線は、金属又は電界・磁界を吸収する材料から成る、請求項１に記載の多層基
板。
【請求項３】
前記シールド構造は、グランドビアと、グランドビアを接続するグランド線と、前記ビ
ア集合体のうち最も近い信号ビア対に関して対称的に設けられ前記グランド線により周囲
を囲まれた電源ビアとから成る、請求項１に記載の多層基板。
【請求項４】
前記クリアランスホールは、前記ビア集合体の広帯域伝送を提供する所定の寸法を有す
る、請求項１に記載の多層基板。
【請求項５】
前記信号ビア対のビアの直径、前記信号ビア対のビア間の距離、前記信号ビア対と前記
シールド構造との距離及び前記分離線の横断方向の大きさを調整することにより、前記ビ
ア集合体の１つの信号ビア対と該信号ビア対に接合された相互配線回路とのインピーダン
ス整合が達成される、請求項１に記載の多層基板。
【請求項６】
ビア集合体を有する多層基板であって、
前記ビア集合体は、
前記信号ビアの中心を貫通する閉じた仮想輪郭が同じ側にあるように信号ビアが設けら
れ、前記閉じた仮想輪郭の対角線上に設けられ交差差動信号方式を提供する前記信号ビア
により、前記２つの信号ビア対の各々の信号ビア対が形成された、２つの信号ビア対と、
該２つの信号ビア対の周囲を囲み、グランドビアと該グランドビアを接続するグランド
線とからなり、前記２つの信号ビア対に対して対称である、シールド構造と、
前記２つの信号ビア対を前記シールド構造から分離し、非導電材料で満たされ、前記２
つの信号ビア対の信号ビアの外側の導体境界を接線方向に接続する仮想輪郭により結合し
た領域よりも大きい横断方向の大きさを有する、クリアランスホールとを有する、多層基
板。
【請求項７】
前記閉じた仮想輪郭は、前記信号ビアの中心を貫通し同じ側にあり正方形を形成し、
前記閉じた正方形仮想輪郭の対角線上に設けられ交差差動信号方式を提供する前記信号
ビアにより、前記２つの信号ビア対の各々の信号ビア対が形成される、請求項６に記載の
多層基板。
【請求項８】
前記閉じた仮想輪郭は、前記信号ビアの中心を貫通し同じ側にあり菱形を形成し、
前記閉じた菱形仮想輪郭の対角線上に設けられ交差差動信号方式を提供する前記信号ビ
アにより、前記２つの信号ビア対の各々の信号ビア対が形成される、請求項６に記載の多
層基板。
【請求項９】
前記シールド構造は、グランドビアと、グランドビアを接続するグランド線と、前記２
つの信号ビア対に関して対称的に設けられ前記グランド線により周囲を囲まれた電源ビア
とから成る、請求項６に記載の多層基板。
【請求項１０】
前記クリアランスホールは、前記ビア集合体の広帯域伝送を提供する所定の寸法を有す
る、請求項６に記載の多層基板。
【請求項１１】
前記信号ビア対のビアの直径、前記信号ビア対のビア間の距離及び前記信号ビア対と前
記シールド構造との距離を調整することにより、前記ビア集合体の１つの信号ビア対と該
信号ビア対に接合された相互配線回路とのインピーダンス整合が達成される、請求項６に
記載の多層基板。
【請求項１２】
高絶縁ビア集合体を有する多層基板であって、
前記高絶縁ビア集合体は、
前記信号ビアの中心を貫通する閉じた仮想輪郭が同じ側にあるように信号ビアが設けら
れ、前記閉じた仮想輪郭の対角線上に設けられ交差差動信号方式を提供する前記信号ビア
により、前記２つの信号ビア対の各々の信号ビア対が形成された、２つの信号ビア対と、
該２つの信号ビア対の周囲を囲み、グランドビアと該グランドビアを接続するグランド
線とからなり、前記２つの信号ビア対に対して対称である、シールド構造と、
前記２つの信号ビア対の間に対称的に設けられた分離線クロスと、
前記２つの信号ビア対を前記シールド構造から分離し、前記分離線クロスの領域を除いて
非導電材料で満たされ、前記２つの信号ビア対の信号ビアの外側の導体境界を接線方向に
接続する仮想輪郭により結合した領域よりも大きい横断方向の大きさを有する、クリアラ
ンスホールとを有する、多層基板。
【請求項１３】
前記閉じた仮想輪郭は、前記信号ビアの中心を貫通し同じ側にあり正方形を形成し、
前記閉じた正方形仮想輪郭の対角線上に設けられ交差差動信号方式を提供する前記信号
ビアにより、前記２つの信号ビア対が形成される、請求項１２に記載の多層基板。
【請求項１４】
前記閉じた仮想輪郭は、前記信号ビアの中心を貫通し同じ側にあり菱形を形成し、
前記閉じた菱形仮想輪郭の対角線上に設けられ交差差動信号方式を提供する前記信号ビ
アにより、前記２つの信号ビア対が形成される、請求項１２に記載の多層基板。
【請求項１５】
前記分離線クロスは、電界・磁界を吸収する材料から成る、請求項１２に記載の多層基
板。
【請求項１６】
前記シールド構造は、グランドビアと、グランドビアを接続するグランド線と、前記２
つの信号ビア対に関して対称的に設けられ前記グランド線により周囲を囲まれた電源ビア
とから成る、請求項１２に記載の多層基板。
【請求項１７】
前記クリアランスホールは、前記ビア集合体の広帯域伝送を提供する所定の寸法を有す
る、請求項１２に記載の多層基板。
【請求項１８】
前記信号ビア対のビアの直径、前記信号ビア対のビア間の距離、前記信号ビア対と前記
シールド構造との距離及び前記分離線クロスの横断方向の大きさを調整することにより、
前記ビア集合体の１つの信号ビア対と該信号ビア対に接合された相互配線回路とのインピ
ーダンス整合が達成される、請求項１２に記載の多層基板。
【請求項１９】
ビア集合体の設計方法であって、
前記ビア集合体は、
前記信号ビアの中心を貫通する閉じた仮想輪郭が同じ側にあるように信号ビアが設けら
れ、前記閉じた仮想輪郭の対角線上に設けられ交差差動信号方式を提供する前記信号ビア
により、前記２つの信号ビア対が形成された、２つの信号ビア対と、
該２つの信号ビア対の周囲を囲み、グランドビアと該グランドビアを接続するグランド
線とからなり、前記２つの信号ビア対に対して対称である、シールド構造と、
前記２つの信号ビア対を前記シールド構造から分離し、非導電材料で満たされた、クリ
アランスホールとを有する、設計方法。
【請求項２０】
前記シールド構造は、グランドビアと、グランドビアを接続するグランド線と、前記ビ
ア集合体の前記２つの信号ビア対に関して対称的に設けられ前記グランド線により周囲を
囲まれた電源ビアとから成る、請求項１９に記載の設計方法。
【請求項２１】
信号ビアを有する２つの信号ビア対と、
前記２つの信号ビア対の周囲に設けられた複数のグランドビアと、
前記複数のグランドビアを接続するグランド線と、
前記信号ビア対の間に設けられ、前記信号ビア対を分離する分離構造が設けられた、配
線基板。
【請求項２２】
前記分離構造が前記信号ビア対の間に設けられ、前記グランドビアに接続される配線で
ある、請求項２１に記載の配線基板。
【請求項２３】
前記分離構造が前記信号ビア対の間に設けられた誘電体である、請求項２１に記載の配
線基板。
【請求項２４】
前記分離構造が前記信号ビア対の間に設けられた磁性体である、請求項２１に記載の配
線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の複数の平面導体層の間の垂直信号経路が、２つの信号ビア対と、信号
ビア対の周囲のシールド構造と、信号ビア対を多層基板の他の導電性の部分から分離する
クリアランスホールと、複数の信号ビア対の間のクロストーク効果及び垂直信号経路区域
におけるコモンモードを減らすために働く複数の信号ビア対の間の分離線と、から成る高
分離ビア集合体として形成される差動信号方式に使用される多層基板に関する。
【０００２】
さらに、本発明は、信号ビア対の周囲のグランドビアのシールド構造の使用と、交差差
動信号方式を提供するグランドビアのシールド構造の中に配置された信号ビアの適切な配
列との、両方の手段により、クロストーク効果を低減させる構造を提供する。
【背景技術】
【０００３】
多層基板技術は、高速で高密度の相互配線回路を設計するための費用効率の高い方法で
ある。多層基板は、絶縁材料により分離され、信号、グランド、および電源回路の分配の
作用をする多数の平面導体層を有する。平面導体層における差動信号相互配線を含む信号
の相互配線は、マイクロストリップ線路、ストリップ線路、コプレーナー線路、スロット
線路等のような平面伝送線路の基礎の上に展開できる。多層基板の複数の平面導体層の間
の垂直の接続は、例としてスルーホールビア、ブラインドビア、および埋込ビアのような
、異なる形式のビア構造により提供できる。
【０００４】
差動信号方式は、高速の相互配線された回路の電気的および電磁的な干渉（ＥＭＩ）性
能を改善するための有効な方法の１つである。差動信号方式は、導体対内を伝搬する反対
の極性の２つのパルスにより形成される。多層基板内の差動信号方式の使用は、以下の利
点につながる。１）グランドシステムから雑音を除去する。２）コモンモードに対して差
動受信器の耐性をもたらす。３）輻射エミッションを減少させる。
【０００５】
多層基板内の差動平面伝送線路は、シールドの改善と平面伝送線路のインピーダンス制
御性を与えるグランドプレートと結合して、信号線対により通常形成される。
【０００６】
多層基板にもとづく高密度構造における差動垂直相互配線は、２つの信号ビアにより通
常提供される。信号ビアの周囲の接地は、グランドビアにより形成できる。
【０００７】
しかし、この場合には、信号ビアの周囲のグランドビアの適切な配置のためのスペース
が不足する問題は、高密度構造で満たされる。さらに、複数の信号ビア対の間のクロスト
ーク効果の問題と、差動モードとコモンモードの間の変換の問題が生ずる。
【０００８】
さらに、多層基板内の垂直相互配線の広帯域動作の提供は、高速の設計で解決されるべ
き別の問題である。
【０００９】
信号ビアの周囲のグランドビアは、多層基板内の垂直相互配線を提供するために使用さ
れる（特許文献１参照）。しかし、各信号ビアの周囲のグランドビアの使用は、高密度の
構成にさらにスペースを必要とし、実用上の構造の多くの場合に問題となるコストの増加
を招く恐れがある。
【００１０】
信号ビアは、多層基板内でクリアランスホールの部分に設けられる（特許文献２参照）
。しかし、この文献においては、信号ビアの周囲には、シールドと付加的な特性インピー
ダンス制御の両方をもたらすグランドビアがない。さらに、複数のビアの間の結合（クロ
ストーク効果）は、提案された構造では十分に高い可能性がある。
【００１１】
多層プリント回路基板（ＰＣＢ）の他の導電性の部分から、クリアランスホールにより
分離された差動ビア対が提案されている（特許文献３参照）。しかし、この文献において
は、信号ビア対の周囲のグランドビアは使用されていない。しかし、グランドビア効果は
、シールドのみではなく、差動ビア対内の特性インピーダンス制御に対しても付加的な自
由度をもたらすから、グランドビア効果は非常に重要であることに注目すべきである。
【００１２】
図面によれば、ビア構造を含む多層基板が、図１Ａ、１Ｂ、１Ｃおよび１Ｄに示されて
いる。ビア構造は、２つの差動ビア対により形成されている。多層基板は、絶縁材料によ
り分離された多数の平面導体層から成ることが可能である。これらの平面導体層は、接地
と電力供給を行う信号トレースパターンを形成するために、役立つことができる。多層基
板の提案された例において、平面導体層の機能の構成は下記のようになる。層１Ｌ２、１
Ｌ４、１Ｌ７、１Ｌ９、１Ｌ１１および１Ｌ１３は、グランド平面１０６の作用をする。
層１Ｌ５および１Ｌ６は、電源１０７用である。層１Ｌ１、１Ｌ３、１Ｌ８、１Ｌ１０、
１Ｌ１２および１Ｌｌ４は、信号経路１０８を形成する。さらにこの場合には、信号ビア
１０１および１０２により１つのビア対が形成され、また他のビア対は信号ビア１０３お
よび１０４から成る。各信号ビアは、外径drのメタライズド・スルーホールと、直径dpad のパッドを有する（図１Ｃおよび１Ｄ参照）。信号ビアは、直径dcle の円形のクリアランスホール１０５により、多層基板の他の導電性の部分から分離されている。
【００１３】
ここで、図１Ｃおよび１Ｄに示す多層基板内のビア構造の電気的性能は、以下の寸法に
対して推定される。dr＝０．２５ｍｍ。dpad ＝０．５ｍｍ。dcle ＝０．７ｍｍ。複数の信号ビアの中心の間の距離（図１Ｃに「l1」の記号がつけられている。）は、両方の差動ビア対において、１．０ｍｍであり、２つの信号ビア対の間の距離l2は１．０ｍｍであり、すなわち、l ＝ l1 ＝ l2 であることに注目されたい。この例における多層基板は、シミュレーションで仮定されたように、εr ＝４．２の比誘電率を有するＦＲ４材料により絶縁された１４枚の銅の平面導体層から成る多層ＰＣＢの形式である。平面導体層の間の間隔は、（図１Ｄ参照）H1 ＝０．２ｍｍ、H2 ＝０．３８５ｍｍ、H3 ＝０．２ｍｍ、H4 ＝０．５２ｍｍおよびH5 ＝０．１５ｍｍであり、ＰＣＢ内に埋め込まれた導体平面の厚さは、０．０３５ｍｍであり、導体平面の最上面と最下面の厚さは、０．０５５ｍｍである。
【００１４】
図１Ｃおよび１Ｄに示すビア構造の電気的性能を推定するために、２つのストリップ線
路対が、それぞれ第３の層と第１２の層で、差動ビア対に接続される。図１Ｅに、ストリ
ップ線路対と差動ビア対の接続を含む第３の導体層におけるビア構造の断面図を示す。第
１２の導体層における多層基板に対しても、類似の断面図となる。この場合に、ストリッ
プ線路対の差動特性インピーダンスは約１００オームであり、下記の寸法のストリップ
線路対により提供される。ｗ ＝０．０９ｍｍおよびｓ＝０．２ｍｍ。
【００１５】
考慮しているビア構造に対する差動モードの漏れ損は、下記の数式にしたがって、Ｓ−
パラメタにより推定することができる。
【００１６】
【数１】
2010506380.tif 000003
【００１７】
ここで、Pinc は入射電力であり、Pleakは漏洩電力であり、｜S11DD｜は反射減衰量で
あり、｜S21DD｜は挿入損失である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１８】
【特許文献１】特開２００３−２２９５１１号公報
【特許文献２】特開２００３−３１９４５号公報
【特許文献３】米国特許出願公開第２００２／００７０８２６Ａ１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
Ｓ−パラメタを計算するために、世界的な慣例で最も正確な数値的技術の１つとして検
証されている有限差分時間領域法が使用される。図２に、数式１によって計算された漏
洩損失が、最高２０ＧＨｚ迄の周波数帯域で示されている。この図から判るように、高い
周波数で漏洩損失は著しく増加する可能性がある。この効果は、差動モードからコモンモ
ードへの変換と、多層ＰＣＢからの輻射、およびクロストークが、高い周波数で増加する
ことを意味する。漏洩損失を防止するために、信号ビアあるいは信号ビア対の周囲のグラ
ンドビア・シールドが使用できる。しかし、各信号ビアあるいは信号ビア対の周囲にシー
ルドを使用すれば、大多数の高密度構造において重要な問題であるレイアウトのスペース
の増加を招く恐れがあり、さらに、製造コストの増加を招く恐れがある。
【００２０】
本発明の目的は、多層基板内の信号ビア対とグランドビアにより形成されたより小形の
サイズのビア構造を提供することであり、さらに、ビア構造内の信号ビア対の絶縁を増加
することである。別の目的は、広い周波数帯域でビア構造に対するインピーダンス制御の
改善である。さらに、提案した発明のさらに別の目的は、複数の信号ビア対の間のクロス
トーク効果、ならびに、差動モードとコモンモードの間の変換を減少させることであり、
また、ビア構造内のコモンモードの抑制を増加させることである。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明の一側面によれば、ビア集合体を有する多層基板が提案される。
【００２２】
本発明の多層基板は、ビア集合体を有する多層基板であって、ビア集合体は、２つの信
号ビア対と、２つの信号ビア対の周囲を囲み、グランドビアとグランドビアを接続するグ
ランド線とからなり、各々の信号ビア対に対して対称である、シールド構造と、２つの信
号ビア対の間に対称的に設けられた分離線と、２つの信号ビア対をシールド構造から分離
し、分離線の領域を除いて非導電材料で満たされ、２つの信号ビア対の信号ビアの外側の
導体境界を接線方向に接続する仮想輪郭により結合した領域よりも大きい横断方向の大き
さを有する、クリアランスホールとを有する。
【００２３】
多層基板は、分離線が、金属又は電界・磁界を吸収する材料から成るように、構成して
もよい。
【００２４】
多層基板は、シールド構造が、グランドビアと、グランドビアを接続するグランド線と
、前記ビア集合体のうち最も近い信号ビア対に関して対称的に設けられグランド線により
周囲を囲まれた電源ビアとから成るように、構成してもよい。
【００２５】
多層基板は、クリアランスホールが、ビア集合体の広帯域伝送を提供する所定の寸法を
有するように、構成してもよい。
【００２６】
多層基板は、信号ビア対のビアの直径、信号ビア対のビア間の距離、信号ビア対とシー
ルド構造との距離及び分離線の横断方向の大きさを調整することにより、ビア集合体の１
つの信号ビア対と信号ビア対に接合された相互配線回路とのインピーダンス整合が達成さ
れるように、構成してもよい。
【００２７】
本発明の多層基板は、ビア集合体を有する多層基板であって、ビア集合体は、信号ビア
の中心を貫通する閉じた仮想輪郭が同じ側にあるように信号ビアが設けられ、閉じた仮想
輪郭の対角線上に設けられ交差差動信号方式を提供する信号ビアにより、２つの信号ビア
対の各々の信号ビア対が形成された、２つの信号ビア対と、２つの信号ビア対の周囲を囲
み、グランドビアとグランドビアを接続するグランド線とからなり、２つの信号ビア対に
対して対称である、シールド構造と、２つの信号ビア対をシールド構造から分離し、非導
電材料で満たされ、２つの信号ビア対の信号ビアの外側の導体境界を接線方向に接続する
仮想輪郭により結合した領域よりも大きい横断方向の大きさを有する、クリアランスホー
ルとを有する。
【００２８】
多層基板は、閉じた仮想輪郭が、信号ビアの中心を貫通し同じ側にあり正方形を形成し
、閉じた正方形仮想輪郭の対角線上に設けられ交差差動信号方式を提供する信号ビアによ
り、２つの信号ビア対の各々の信号ビア対が形成されるように、構成してもよい。
【００２９】
多層基板は、閉じた仮想輪郭が、信号ビアの中心を貫通し同じ側にあり菱形を形成し、
閉じた菱形仮想輪郭の対角線上に設けられ交差差動信号方式を提供する信号ビアにより、
２つの信号ビア対の各々の信号ビア対が形成されるように、構成してもよい。
【００３０】
多層基板は、シールド構造が、グランドビアと、グランドビアを接続するグランド線と
、２つの信号ビア対に関して対称的に設けられグランド線により周囲を囲まれた電源ビア
とから成るように、構成してもよい。
【００３１】
多層基板は、クリアランスホールが、ビア集合体の広帯域伝送を提供する所定の寸法を
有するように、構成してもよい。
【００３２】
多層基板は、信号ビア対のビアの直径、信号ビア対のビア間の距離及び信号ビア対とシ
ールド構造との距離を調整することにより、ビア集合体の１つの信号ビア対と信号ビア対
に接合された相互配線回路とのインピーダンス整合が達成されるように、構成してもよい
。
【００３３】
本発明の多層基板は、高絶縁ビア集合体を有する多層基板であって、高絶縁ビア集合体
は、信号ビアの中心を貫通する閉じた仮想輪郭が同じ側にあるように信号ビアが設けられ
、閉じた仮想輪郭の対角線上に設けられ交差差動信号方式を提供する信号ビアにより、２
つの信号ビア対の各々の信号ビア対が形成された、２つの信号ビア対と、２つの信号ビア
対の周囲を囲み、グランドビアとグランドビアを接続するグランド線とからなり、２つの
信号ビア対に対して対称である、シールド構造と、２つの信号ビア対の間に対称的に設け
られた分離線クロスと、２つの信号ビア対をシールド構造から分離し、分離線クロスの領
域を除いて非導電材料で満たされ、２つの信号ビア対の信号ビアの外側の導体境界を接線
方向に接続する仮想輪郭により結合した領域よりも大きい横断方向の大きさを有する、ク
リアランスホールとを有する。
【００３４】
多層基板は、閉じた仮想輪郭が、信号ビアの中心を貫通し同じ側にあり正方形を形成し
、閉じた正方形仮想輪郭の対角線上に設けられ交差差動信号方式を提供する信号ビアによ
り、２つの信号ビア対が形成されるように、構成してもよい。
【００３５】
多層基板は、閉じた仮想輪郭が、信号ビアの中心を貫通し同じ側にあり菱形を形成し、
閉じた菱形仮想輪郭の対角線上に設けられ交差差動信号方式を提供する信号ビアにより、
２つの信号ビア対が形成されるように、構成してもよい。
【００３６】
多層基板は、分離線クロスが、電界・磁界を吸収する材料から成るように、構成しても
よい。
【００３７】
多層基板は、シールド構造が、グランドビアと、グランドビアを接続するグランド線と
、２つの信号ビア対に関して対称的に設けられグランド線により周囲を囲まれた電源ビア
とから成るように、構成してもよい。
【００３８】
多層基板は、クリアランスホールが、ビア集合体の広帯域伝送を提供する所定の寸法を
有するように、構成してもよい。
【００３９】
多層基板は、信号ビア対のビアの直径、信号ビア対のビア間の距離及び信号ビア対とシ
ールド構造との距離調整することにより、ビア集合体の１つの信号ビア対と信号ビア対に
接合された相互配線回路とのインピーダンス整合が達成されるように、構成してもよい。
【００４０】
本発明の多層基板は、高絶縁ビア集合体を有する多層基板であって、高絶縁ビア集合体
は、信号ビアの中心を貫通する閉じた仮想輪郭が同じ側にあるように信号ビアが設けられ
、閉じた仮想輪郭の対角線上に設けられ交差差動信号方式を提供する信号ビアにより、２
つの信号ビア対の各々の信号ビア対が形成された、２つの信号ビア対と、２つの信号ビア
対の周囲を囲み、グランドビアとグランドビアを接続するグランド線とからなり、２つの
信号ビア対に対して対称である、シールド構造と、２つの信号ビア対の間に対称的に設け
られた分離線クロスと、２つの信号ビア対をシールド構造から分離し、分離線クロスの領
域を除いて非導電材料で満たされ、２つの信号ビア対の信号ビアの外側の導体境界を接線
方向に接続する仮想輪郭により結合した領域よりも大きい横断方向の大きさを有する、ク
リアランスホールとを有してもよい。
【００４１】
多層基板は、閉じた仮想輪郭は、信号ビアの中心を貫通し同じ側にあり正方形を形成し
、閉じた正方形仮想輪郭の対角線上に設けられ交差差動信号方式を提供する信号ビアによ
り、２つの信号ビア対が形成されてもよい。
【００４２】
多層基板は、閉じた仮想輪郭は、信号ビアの中心を貫通し同じ側にあり菱形を形成し、
閉じた菱形仮想輪郭の対角線上に設けられ交差差動信号方式を提供する信号ビアにより、
２つの信号ビア対が形成されてもよい。
【００４３】
多層基板は、分離線クロスは、電界・磁界を吸収する材料から成ってもよい。
【００４４】
多層基板は、シールド構造は、グランドビアと、グランドビアを接続するグランド線と
、２つの信号ビア対に関して対称的に設けられグランド線により周囲を囲まれた電源ビア
とから成ってもよい。
【００４５】
多層基板は、クリアランスホールは、ビア集合体の広帯域伝送を提供する所定の寸法を
有してもよい。
【００４６】
多層基板は、信号ビア対のビアの直径、信号ビア対のビア間の距離、信号ビア対とシー
ルド構造との距離及び分離線クロスの横断方向の大きさを調整することにより、ビア集合
体の１つの信号ビア対と信号ビア対に接合された相互配線回路とのインピーダンス整合が
達成されてもよい。
【００４７】
前述の及び他の目的、側面及び効果は、図面を参照して、本発明の実施形態の以下の詳
細な説明からより良く理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１Ａ】ビア構造を有する多層基板の関連する例の図である。
【図１Ｂ】ビア構造を有する多層基板の関連する例の図である。
【図１Ｃ】ビア構造を有する多層基板の関連する例の図である。
【図１Ｄ】ビア構造を有する多層基板の関連する例の図である。
【図１Ｅ】ストリップ線路対と差動ビア対の接続を含む第３の導体層におけるビア構造の断面図の関連する例の図である。
【図２】グランドビアなしのビア構造に対して計算された漏洩損失のグラフである。
【図３Ａ】高絶縁ビア集合体を有する多層基板の本発明の実施形態の図である。
【図３Ｂ】高絶縁ビア集合体を有する多層基板の本発明の実施形態の図である。
【図３Ｃ】高絶縁ビア集合体を有する多層基板の本発明の実施形態の図である。
【図３Ｄ】高絶縁ビア集合体を有する多層基板の本発明の実施形態の図である。
【図３Ｅ】高絶縁ビア集合体を有する多層基板の本発明の実施形態の図である。
【図３Ｆ】高絶縁ビア集合体を有する多層基板の本発明の実施形態の図である。
【図４Ａ】最適化されたクリアランスホールを有する高絶縁ビア集合体の明確に表現された利点を示すＳ−パラメタの大きさのグラフである。
【図４Ｂ】最適化されたクリアランスホールを有する高絶縁ビア集合体の明確に表現された利点を示すＳ−パラメタの大きさのグラフである。
【図４Ｃ】複数の信号ビア対の間のクロストーク効果を減少するために、分離線の適用の重要性を示すＳ−パラメタの大きさのグラフである。
【図５】グランド・シールドと最適化されたクリアランス・ホールを有する高絶縁ビア集合体に対して計算された漏洩損失のグラフである。
【図６】別の高絶縁差動ビア集合体の水平断面図である。
【図７】別の高絶縁差動ビア集合体の水平断面図である。
【図８Ａ】別の高絶縁差動ビア集合体の水平断面図である。
【図８Ｂ】別の高絶縁差動ビア集合体の垂直断面図である。
【図９】別の高絶縁差動ビア集合体の水平断面図である。
【図１０】交差差動信号方式を有する高絶縁差動ビア集合体の水平断面図である。
【図１１】交差差動信号方式を有する高絶縁ビア集合体の利点を示すＳ−パラメタの大きさのグラフである。
【図１２】交差差動信号方式を有する別の高絶縁差動ビア集合体の水平断面図である。
【図１３】交差差動信号方式を有する高絶縁ビア集合体の利点を示すＳ−パラメタの大きさの別のグラフである。
【図１４】交差差動信号方式を有する別の高絶縁差動ビア集合体の水平断面図である。
【図１５】交差差動信号方式を有する別の高絶縁差動ビア集合体の水平断面図である。
【図１６】電界・磁界を吸収する材料で作られている分離線を有する高絶縁ビア集合体の利点を示すＳ−パラメタの大きさのグラフである。
【図１７】交差差動信号方式を有する別の高絶縁差動ビア集合体の水平断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４９】
実施形態の下記の説明は、多層基板内のいくつかの形式の高絶縁ビア集合体のみに重点
を置いているが、この説明はここで提案される特許請求の範囲を狭めるものと見るべきで
はないことは十分に理解される。
【００５０】
本発明においては、相互配線された回路における高絶縁ビア集合体を有する多層基板が
提案される。高絶縁ビア集合体は、以下の４つの点にもとづいて主に形成される。
【００５１】
第１の点は、２つの信号ビア対の周囲のグランド・シールドである。このシールドは、
多層基板の導体層において相互に接続された、グランドビアとグランド線の両方により形
成される。
【００５２】
第２の点は、ビア対において最小のスキューが差動信号方式に提供される方法である。
この方法において、グランド・シールドを基準として、グランドビアの適切な配置、グラ
ンド線の対応する幅、および信号ビア対の対称的な位置によって、それは実現できる。
【００５３】
第３の点は、差動ビア対を多層基板の他の導電性の部分から分離し、ビア構造の広帯域
動作をもたらす形状と寸法を有するクリアランスホールの形成である。
【００５４】
第４の点は、複数の差動信号ビア対の間に、これらの複数の差動信号ビア対の間のクロ
ストークとコモンモードの大きさを減少させるために、対称的に配置された多層基板の導
体層における特有の分離線の使用である。
【００５５】
実施形態として、図３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄ、３Ｅ、および３Ｆに、高絶縁ビア集合体
を有する多層基板を示す。このビア集合体は、上述の４つの点を使用することにより得ら
れ、信号ビア３０１及び３０２により形成された第１の信号ビア対と、信号ビア３０３及
び３０４により形成された第２の信号ビア対と、信号ビアを基板の他の導電性の部分から
分離しているクリアランスホール３０５と、グランド線３１２に接続されビア集合体の高
絶縁をもたらしているグランドビア３１０と、導体層において複数の信号ビア対の間に対
称的に配置され、これらの複数の差動信号対の間のクロストーク効果を減少させる分離線
３１１と、から成る。
【００５６】
クリアランス・ホール３０５の寸法は、ビア集合体の広帯域動作をもたらすように定め
られる。例として、図３Ｂにおいて、絶縁ビア集合体の信号ビア３０１とグランドビア３
ｌ０の間の静電容量はCg であり、信号ビア３０１と導体層におけるグランド線３１２の
間の静電容量はCs である。信号ビア３０１と分離線３１１の間の静電容量は、Ci である
。Cg とCs の間に差があれば、特性インピーダンスZc はビア集合体の垂直方向に沿って
変化する。結果として、絶縁ビア集合体と他の相互配線接続された回路の間で、広い周波
数帯域でインピーダンスを整合させることは困難である。ビア集合体に対する特性インピ
ーダンスは、次の公知の数式にしたがって、伝送線路におけるように、定義できることに
注目されたい。
【００５７】
【数２】
2010506380.tif 000004
【００５８】
ここで、L は分布インダクタンスであり、C は分布容量である。
【００５９】
Cg とCs の間の差を小さい値として得るためには、信号ビア対からグランド線への距離
と同じ値として、信号ビア対とグランドビアの間の距離を与えることが必要である。それ
は、クリアランス・ホールの寸法の適切な選択により実現できる。図３Ｃと３Ｄに示した
ビア集合体に対しては、その広帯域動作を条件として、分離線の幅を考慮すると、クリア
ランス・ホールの寸法は以下のように定められる。
b = 3l − dstr,g r , (3)
a2 = l − dstr ,g r /2, (4)
a1 = l /2 − dstr /2, (5)
ここで、lは絶縁ビア集合体を構成するビアの間の距離であり、dstr ,g r  は、複数の
グランドビアを接続するグランド線の幅であり、dstr  は、複数の信号ビア対の間の分離
線の幅である。グランド線の幅dstr ,g r  は、グランドビアとグランド線のフルバリュ
ー接続を与えるために、ビアの製造工程の寸法公差により定められるパッドの直径dpad  
と等しいとして、選択可能であることに注意されたい。さらに一部の設計では、分離線の
幅dstr  は、グランドビアの直径dr,gr  に等しいとして、定めることができる。
【００６０】
分離線は、導体材料、又は、コモンモードの減少につながる電界・磁界を吸収する材料
で作ることが可能である。
【００６１】
高絶縁ビア集合体におけるクリアランスホールの適切な選択の重要性を示すために、一
般に使用される円形のクリアランスホールを有するビア集合体と、数式（３）から数式（
５）によって最適化されたクリアランスホールに対するデータを、図４Ａおよび図４Ｂに
示す。これらの図に対しては、差動ビア対と１４層の導体層のＰＣＢの寸法は、図２に対
するものと同じである。グランドビアとグランド線は、次のパラメタを有する。dr,g r＝０．２５ｍｍ。dstr ,g r ＝dpad ＝０．５ｍｍ。l ＝１．０ｍｍ。一般に使用されるクリアランスホールに対しては、dcle ＝０．７ｍｍであり、最適化されたクリアランスホールに対しては、a1 ＝０．３７５ｍｍ、a2 ＝０．７５ｍｍ、b ＝２．５ｍｍである。分離線d str の幅は、０．２５ｍｍに等しい。ビア構造の電気的性能は、図２に対するものと類似の方法により推定された。すなわち、差動ビア対は、第３番目の導体層と第１２番目の導体層において、１００オームのストリップ線路対に接続された。
【００６２】
図４Ａおよび図４Ｂにおいて、Ｓ−パラメタの大きさは、最適化されたクリアランスホ
ールを有する高絶縁ビア集合体の明確に表現された利点を示している。
【００６３】
さらに、図４Ｃには、高絶縁ビア集合体内の差動信号ビア対の間のクロストーク効果を
減少させるための分離線の適用の重要性が示されている。この図には、分離線ありの場合
となしの場合の高絶縁ビア集合体に対する近端結合係数が示されている。多層基板内の高
絶縁ビア集合体の寸法と構造は、図４Ａおよび図４Ｂに対するものと同じであることに注
目されたい。ただ、分離線がないビア集合体の場合には分離線は除かれている。図４Ｃか
ら判るように、高絶縁ビア集合体内の複数の信号ビア対の間のクロストークを減少するた
めに、分離線は有効な素子である。
【００６４】
図５には、上述の最適化されたクリアランスホールを有する高絶縁ビア集合体に対して
計算した漏洩損失を示す。この図における比較のために、図１に示すビア構造のデータも
示す。この図から判るように、グランドビアとグランド線により形成されたグランド・シ
ールドの適用は、差動ビア対から実質的に漏洩損失を抑制することができる。
【００６５】
本発明において、重要な点は信号差動ビア対に最小のスキューをもたらす方法である。
この方法は、差動対を形成する各信号ビアに、グランドビアとグランド線により形成され
たグランド・シールドに対するものと、同一の容量結合を実現することにもとづいている
。この場合に、差動ビア対の各信号ビアに対するCg およびCs （図３Ｂ参照）は共に、同
じ大きさでなければならない。これは、伝送線路内を伝搬する信号の速度に関する公知の
数式により説明できる。
【００６６】
【数３】
2010506380.tif 000005
【００６７】
この数式から判るように、信号差動ビア対を形成する信号ビアの異なる容量結合が、各
信号ビア内の信号伝搬を異なる時間とする。この効果は、差動信号方式にスキューをもた
らし、その結果として、差動相互配線回路におけるコモン・モードへの差動モードの変換
の増加と、さらに、差動相互配線からの輻射を招く。
【００６８】
図３に示す高絶縁ビア集合体において、この条件は、グランド・シールドに対する差動
信号ビア対の対称的な位置により満足される。
【００６９】
図６には、別の高絶縁差動ビア集合体の断面図を示す。このビア集合体は２つの信号差
動ビア対６０１および６０２を有し、グランドビア６０３と電源ビア６０４により囲まれ
ている。ビア集合体の中のグランドビアは、グランド線６０５によって接続されている。
グランド線６０５は、電源ビア６０４の周囲をシールドするためにも使われている。電源
ビア６０４は差動信号ビア対に対して対称に配置されていることに、注目することが重要
である。さらに、分離線６０６は、差動ビア対６０１と６０２の間のクロストークを減少
させる作用をする。クリアランスホール６０７は、上述の技術にしたがって最適化されて
いる。
【００７０】
別の高絶縁差動ビア集合体を図７に示す。この図では、４つの電源ビア７０４が、差動
ビア対７０１および７０２に対して対称的に配置されている。
【００７１】
クロストーク効果を減少させるために、高絶縁ビア集合体内の複数の信号ビア対の間の
距離は増加可能である。図８は、複数の信号ビア対の間のスペースを増加した高絶縁ビア
集合体を示す。ここで、複数の信号ビア対の間の距離l1 は、信号ビア対と遮蔽している
グランドビアの間の距離l2 よりも大きい。高絶縁差動ビア集合体の設計における最小距
離l2 は、グランド・シールドから信号ビアを隔離するために、多層基板製造工程に応じ
て定めることができることに、注目すべきである。
【００７２】
信号ビア対の周囲のグランドビアの配置は、さまざまでよいが、グランド・シールドの
中に２つの信号ビア対を対称な位置に備えていることを、指摘することが必要である。信
号ビア対とグランドビア・シールドの間の結合の均等化によって、垂直信号経路内の差動
信号におけるスキューを極小化する可能性を与えるから、これは重要な点である。さらに
、この場合に、差動モードとコモンモードの間の変換が減少する。図９には、グランドビ
ア配置の別の例を示す。
【００７３】
本発明において、多層基板の垂直方向、すなわち、基板の平面導体層に対して垂直に、
高性能な差動信号伝搬を提供する方法および構造が提案される。本方法は、２つの主要な
点の使用にもとづいている。１) 特有の交差差動信号方式。２) ２つの信号ビア対の周囲
のグランド・シールド。
【００７４】
本方法の第１の点は、内部のクロストーク、すなわち、２つの信号ビア対の間のクロス
トークを減少させる。これは、４つの信号ビアが正方形あるいは菱形の頂点に配置され、
２つの差動ビア対が対応する正方形あるいは菱形の対角線上に位置する信号ビアにより形
成される交差差動信号方式によってもたらされる。
【００７５】
第２の点は、信号ビア対と多層基板内の他の相互配線との間の外部クロストークを抑制
し、さらに、高密度の設計では非常に重要であるグランド・シールドの使用により信号ビ
ア対からの漏洩を抑制する。本方法にしたがって形成された構造の最良の性能は、信号ビ
ア対とグランド・シールドの間に同じ結合効果を与えるように、グランド・シールドが２
つの信号ビア対の周囲に対称的に形成されれば、実現されることに、注目すべきである。
【００７６】
図１０には、上述の方法によって設計された高絶縁ビア集合体の例の水平断面図を示す
。この構造は図３Ａおよび図３Ｂに示す高絶縁ビア集合体に類似しているが、辺lの正方
形に配置された４つの信号ビア１００１、１００２、１００３、および１００４が、次の
ような方法で、交差差動信号方式ビア対を形成している。１つの差動ビア対は、信号ビア
１００１と１００４から成る。別の差動ビア対は、信号ビア１００２と１００３を有して
いる。これらの差動ビア対は、グランドビア１００５とグランド線１００６により形成さ
れたグランド・シールドの中に対称的に配置されていることに、注目されたい。
【００７７】
交差差動信号方式は、高絶縁ビア集合体内の複数の信号ビア対の間のクロストーク効果
を減少させる可能性を与える。この効果は、次のように説明できる。１つの差動ビア対か
らの別の差動ビア対の各ビアに到達するクロストーク（不要な）信号は、逆の極性である
。信号ビアの正方形の配置によって、また、信号ビアに対するグランド・シールドに同じ
効果を与えることによって、差動ビア対からのクロストーク信号は相互に抑制される。
【００７８】
したがって、交差差動信号方式を実現する多層基板内の高絶縁ビア集合体は、このビア
集合体内の複数の差動ビア対の間のクロストーク効果を低くし、さらに、同じ多層基板内
に配置された他のビア構造に対するビア集合体の結合を低くするので、非常に重要な構造
である。
【００７９】
図１１は、代表的な差動信号方式（図３Ａ参照）と交差差動信号方式（図１０参照）の
両方を実現する高絶縁ビア集合体に対して得られたクロストーク効果のシミュレーション
・データを示す。差動信号方式の両方の形式を提供する高絶縁ビア集合体の寸法と構造は
、図４Ａおよび図４Ｂに対するものと同じである。図１１から判るように、高絶縁ビア集
合体内の交差差動信号方式は、ビア集合体内の複数の差動ビア対の間のクロストーク効果
を著しく減少させることができる。
【００８０】
交差差動信号方式を適用するいくつかの場合には、高絶縁ビア集合体は、複数の差動ビ
ア対の間の分離線なしならば、上述の点を使用して形成できる。このようなビア集合体の
例を、図１２に示す。この図においては、高絶縁ビア集合体は、４つの信号ビア１１０１
、１１０２、１１０３、１１０４を使用して得られる。これらの信号ビアの周囲のグラン
ド・シールドは、グランド線１１０６により接続された対称的なグランドビア１１０５に
よって形成される。クリアランスホール１１０８は、グランド・シールドから信号ビアを
隔離する横断方向の大きさと、すべての信号ビアに対してこのグランド線の結合効果を同
じにするようなグランド線１１０６の横断方向の大きさを与える形状を有する。図面に示
すクリアランスホール１１０８の特有の形状は、多層基板の平面層における信号配線の接
地を改善する等のために使用できることに注目されたい。この場合に、信号ビア１１０１
、１１０２、１１０３、および１１０４は、信号ビアの中心を通過する閉じた仮想輪郭（
図面の中の破線）が辺lの正方形を形成するように配置されている。交差差動信号方式は
、以下のように実現される。１つの信号ビア対が、信号ビア１１０１と１１０４により形
成される。他の信号ビア対が、信号ビア１１０２と１１０３により得られる。
【００８１】
このような形式の高絶縁ビア集合体の利点を示すために、図１２のような方法で設計さ
れたビア集合体に対して得られたシミュレーションデータを図１３に示す。この図におい
て、有限差分時間領域法によりシミュレーションされた近端結合係数を、代表的な差動信
号方式および交差差動信号方式の両方に対して示す。シミュレーションでは、代表的な差
動信号方式は、１つの対は信号ビア１１０１と１１０２から成り、他の対は信号ビア１１
０３と１１０４から成る、２つの信号対により形成されることに注目されたい。しかし、
交差差動信号方式は、図１２に示すように成り立っている。したがって、提示したデータ
に対して、ビア集合体の構造は図１０と同様であり、また、ビア集合体と多層ＰＣＢの寸
法も、クリアランスホールの横断方向の大きさを除いて、図４Ａおよび図４Ｂと同様であ
る。考慮しているビア集合体に対して、クリアランスホール１１０８（図１２参照）の寸
法は、下記のものが使用される。a ＝２．５ｍｍ、b ＝０．７５ｍｍ。
【００８２】
図１３に示す数値的なデータから判るように、交差差動信号方式と図１２に示すビア集
合体に類似の構造の使用は、多層基板に埋め込まれた高密度の差動ビア相互配線の電気的
性能を、クロストーク効果の著しい低下により、劇的に改善することが可能である。
【００８３】
交差差動信号方式を備える高絶縁ビア集合体の別の例を図１４に示す。この図では、信
号ビア１２０１、１２０２、１２０３、および１２０４は、信号ビアの中心を通過し図に
破線で示す閉じた仮想輪郭が辺lの菱形を形成するように、配置されている。交差差動信
号方式は、以下のように実現される。１つの信号ビア対は、対角線ＢＢ'上に位置する信
号ビア１２０１と１２０４により形成される。別の信号ビア対は、対角線ＡＡ'上に配置
されている信号ビア１２０２と１２０３により得られる。この場合にも、分離線は適用さ
れないことに注目されたい。
【００８４】
交差差動信号方式の場合においても、分離線クロス１３０７が、高絶縁ビア集合体に使
用できる。このような高絶縁ビア集合体の例を図１５に示す。
【００８５】
高絶縁ビア集合体内の電界・磁界を吸収する材料で作製された分離線の使用は、多層基
板内に配置された差動相互配線回路におけるコモンモードの低減のような利点をもたらす
ことが可能であることに注目すべきである。このような回路における雑音と、多層基板か
らの漏洩（輻射）を減少させるために、これは重要である。図１６に、電界・磁界を吸収
する材料の分離線がある場合とない場合について、ビア集合体内で伝搬するコモンモード
に対して、挿入損失（｜S21CC｜−パラメータ）を示す。ビア集合体と多層ＰＣＢの寸法は
、図４Ａおよび図４Ｂにシミュレーションデータを示す最適化されたクリアランスホール
を有する高絶縁ビア集合体に対するものと同じである。しかし、この場合にのみ、分離線
は、比誘電率εr ＝４０、電気的誘電正接tanδe ＝０．０２６、比透磁率(r ＝１．２、磁
気的誘電正接tanδm ＝１．５の電界・磁界を吸収する材料で作られている。高絶縁ビア集
合体内の分離線の幅は、０．３ｍｍである。有限差分時間領域法により得られたシミュレ
ーションデータから判るように、コモンモードの大きさは、約１５GHzから約３０GHz迄の
周波数帯域で減少している。同時に、差動モードの大きさは、実質的に変化していないこ
とに注目されたい。
【００８６】
したがって、電界・磁界を吸収する材料で作られている分離線を有する高絶縁ビア集合
体は、差動相互配線回路のコモンモードの大きさを減少させることができる。
【００８７】
図１７に、交差差動信号方式を有する別の高絶縁ビア集合体を示す。このビア集合体に
おいて、電源ビア１５０９、１５１０、１５１１および１５１２は、両方の信号ビア対（
１つの信号対は信号ビア１５０１と１５０４により形成され、他の信号対は信号ビア１５
０２と１５０３により形成される)に関して対称的に配置されており、両方の信号ビアに
対して同じ結合効果をもたらし、その結果、このビア集合体により高い電気的性能をもた
らす。
【００８８】
発明した高絶縁差動ビア集合体は実質的に独立の差動信号方式を提供することができる
から、したがって、このようなビア集合体を所要数組み合わせて多層基板内に高密度のビ
ア構造を形成するために使用できることは明確である。
【００８９】
本発明の他の実施形態によれば、ビア集合体の設計方法が提案される。
【００９０】
本発明の他の実施形態の設計方法は、ビア集合体の設計方法であって、ビア集合体は、
信号ビアの中心を貫通する閉じた仮想輪郭が同じ側にあるように信号ビアが設けられ、閉
じた仮想輪郭の対角線上に設けられ交差差動信号方式を提供する信号ビアにより、２つの
信号ビア対が形成された、２つの信号ビア対と、２つの信号ビア対の周囲を囲み、グラン
ドビアと該グランドビアを接続するグランド線とからなり、２つの信号ビア対に対して対
称である、シールド構造と、２つの信号ビア対をシールド構造から分離し、非導電材料で
満たされた、クリアランスホールとを有する。
【００９１】
本設計方法は、シールド構造が、グランドビアと、グランドビアに接続されたグランド
線と、ビア集合体の２つの信号ビア対に対して対称的に配置され、グランド線により囲ま
れた電源ビアと、によって形成されるように、構成してもよい。
【００９２】
本発明の他の実施形態によれば、配線基板が提案される。
【００９３】
本発明の他の実施形態の配線基板は、信号ビアを有する２つの信号ビア対と、２つの信
号ビア対の周囲に設けられた複数のグランドビアと、複数のグランドビアを接続するグラ
ンド線と、信号ビア対の間に設けられ、信号ビア対を分離する分離構造とが設けられたも
のである。
【００９４】
配線基板は、分離構造が信号ビア対の間に設けられ、グランドビアに接続される配線で
あるように、構成してもよい。
【００９５】
配線基板は、分離構造が信号ビア対の間に設けられた誘電体であるように、構成しても
よい。
【００９６】
配線基板は、分離構造が信号ビア対の間に設けられた磁性体であるように、構成しても
よい。
【００９７】
以上、本発明は、その実施形態を参照して、特に、示され記載されたが、本発明は、こ
れらの実施形態によって限定されない。本請求項によって規定された本発明の精神と範囲
から逸脱することなく、当業者は形式及び詳細において種々の変更をすることができるこ
とは理解されよう。
【００９８】
本出願は、２００６年１０月１３日に出願された日本国特許出願番号２００６−２８０
４５８号の特許出願をパリ条約による優先権主張の基礎とし、その全体内容を参照用に、
本明細書の内容に埋め込む。
【符号の説明】
【００９９】
１０１、１０２、１０３、１０４、３０１、３０２、３０３、３０４、１００１、１０
０２、１００３、１００４、１１０１、１１０２、１１０３、１１０４、１２０１、１２
０２、１２０３、１２０４、１３０１、１３０２、１３０３、１３０４、１５０１、１５
０２、１５０３、１５０４    信号ビア
１０５    円形のクリアランスホール
１０６    グランド平面
１０７    電源
１０８    信号経路
３０５    最適化されたクリアランスホール
３１０、６０３、７０３、８０３、９０３、１００５、１１０５、１２０５、１３０５
、１５０５    グランドビア
３１１、６０６、７０６、８０５、９０５、１００７    分離線
３１２、６０５、７０５、８０４、９０４、１００６、１１０６、１２０６、１３０６
、１５０６    グランド線
６０１、６０２、７０１、７０２、８０１、８０２、９０１、９０２    信号差動ビア
対
６０４、７０４、１５０９、１５１０、１５１１、１５１２    電源ビア
６０７、７０７、８０６、９０６、１００８、１１０７、１２０８、１３０８、１５０
８    クリアランスホール
１３０７    分離線クロス
【図１Ａ】
2010506380.tif 000006
【図１Ｂ】
2010506380.tif 000007
【図１Ｃ】
2010506380.tif 000008
【図１Ｄ】
2010506380.tif 000009
【図１Ｅ】
2010506380.tif 000010
【図２】
2010506380.tif 000011
【図３Ａ】
2010506380.tif 000012
【図３Ｂ】
2010506380.tif 000013
【図３Ｃ】
2010506380.tif 000014
【図３Ｄ】
2010506380.tif 000015
【図３Ｅ】
2010506380.tif 000016
【図３Ｆ】
2010506380.tif 000017
【図４Ａ】
2010506380.tif 000018
【図４Ｂ】
2010506380.tif 000019
【図４Ｃ】
2010506380.tif 000020
【図５】
2010506380.tif 000021
【図６】
2010506380.tif 000022
【図７】
2010506380.tif 000023
【図８Ａ】
2010506380.tif 000024
【図８Ｂ】
2010506380.tif 000025
【図９】
2010506380.tif 000026
【図１０】
2010506380.tif 000027
【図１１】
2010506380.tif 000028
【図１２】
2010506380.tif 000029
【図１３】
2010506380.tif 000030
【図１４】
2010506380.tif 000031
【図１５】
2010506380.tif 000032
【図１６】
2010506380.tif 000033
【図１７】
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【国際調査報告】
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