(57)【要約】リソグラフィ装置が、放射ビームを調整する照明システムと、パターニングデバイスを支持するサポートとを備える。パターニングデバイスは、放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成することが可能である。また、この装置は、基板を保持する基板テーブルと、基板のターゲット部分上にパターン付き放射ビームを投影する投影システムとを備える。基板テーブルは、ウェーハの下部表面の対応する部分を支持する複数の突起部を有するチャックを備える。突起部の少なくとも１つの頂部表面が、基板と突起部の頂部表面との間に縮小された接触面を画定する複数のエレメントを備える。
2010515258.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射ビームを調整する照明システムと、
前記放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成することが可能なパターニングデバイスを支持するサポートと、
基板を保持する基板テーブルと、
前記基板のターゲット部分上に前記パターン付き放射ビームを投影する投影システムと
を備え、
前記基板テーブルは、ウェーハの下部表面の対応する部分を支持する複数の突起部を有するチャックを備え、
前記突起部の少なくとも１つの頂部表面が、前記基板と前記突起部の前記頂部表面との間に縮小された接触面を画定する複数のエレメントを備える、リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記突起部はバールである、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記エレメントは弾性マイクロエレメントを含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記エレメントは、化学的に実質的に非反応性の端部を有するマイクロエレメントを含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記縮小された接触面は、局所最高高さ部および最低高さ部からなる実質的に規則的なパターンを備える構造を画定し、前記構造は、最高部で実質的に同一の高さを有する、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記縮小された接触面は単一層により形成される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記単一層は、バッキーボール、ガラスパール、ポリマー分子あるいはナノチューブ、またはそれらの任意の組合せを含む、請求項６に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記単一層は、有機分子、芳香族分子、脂肪族分子、有極性分子、無極性分子、ハロゲン化分子あるいはフッ化分子、またはそれらの任意の組合せを含む、請求項６に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記単一層は、酸化物分子、窒化物分子あるいはテフロン（登録商標）分子、またはそれらの任意の組合せを含む、請求項６に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記縮小された接触面は、レーザ処理された表面を含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
リソグラフィ装置において基板を支持するための基板テーブルであって、基板の下部セクションの対応する部分を支持する複数の突起部を備え、前記突起部の少なくとも１つの頂部表面が、前記基板と前記突起部の前記頂部表面との間に縮小された接触面を画定する複数のエレメントを備える、基板テーブル。
【請求項１２】
前記突起部はバールである、請求項１１に記載の基板テーブル。
【請求項１３】
前記エレメントは弾性マイクロエレメントを含む、請求項１１に記載の基板テーブル。
【請求項１４】
前記エレメントは、化学的に実質的に非反応性の端部を有するマイクロエレメントを含む、請求項１１に記載の基板テーブル。
【請求項１５】
前記縮小された接触面は、局所最高高さ部および最低高さ部からなる実質的に規則的なパターンを備える構造を画定し、前記構造は、最高部で実質的に同一の高さを有する、請求項１１に記載の基板テーブル。
【請求項１６】
前記縮小された接触面は単一層により形成される、請求項１１に記載の基板テーブル。
【請求項１７】
前記単一層は、バッキーボール、ガラスパール、ポリマー分子またはナノチューブ、あるいはそれらの任意の組合せを含む、請求項１６に記載の基板テーブル。
【請求項１８】
前記単一層は、有機分子、芳香族分子、脂肪族分子、有極性分子、無極性分子、ハロゲン化分子またはフッ化分子、あるいはそれらの任意の組合せを含む、請求項１６に記載の基板テーブル。
【請求項１９】
前記単一層は、酸化物分子、窒化物分子またはテフロン（登録商標）分子、あるいはそれらの任意の組合せを含む、請求項１６に記載の基板テーブル。
【請求項２０】
前記縮小された接触面は、レーザ処理された表面を含む、請求項１１に記載の基板テーブル。
【請求項２１】
リソグラフィ装置において基板を支持するための基板テーブルに備えられる突起部の基板リリース特性を向上させるための方法であって、前記基板が前記突起部の頂部上に配置される場合に、前記基板と前記突起部の頂部表面との間に縮小された接触面を画定する複数のエレメントを有する前記突起部頂部表面を提供するステップを含む、方法。
【請求項２２】
前記突起部の前記頂部表面の上に単一層を堆積するまたは成長させるステップをさらに含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記突起部の前記頂部表面にウェット溶液を塗布するステップと、その後に紫外線源に対して前記溶液をさらすステップ、または前記溶液を前記突起部の前記頂部表面と化学反応させることを可能にするステップとをさらに含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
前記突起部の前記頂部表面に対して、プラズマ化学気相分解プロセス、または、フィルタ高電流アークプロセスを実施するステップをさらに含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２５】
レーザにより前記突起部の前記頂部表面を局所的に機械加工するステップをさらに含む、請求項２１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、リソグラフィ装置、基板テーブル、および基板テーブルの基板リリース特性を向上させるための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、基板上に、通常は基板のターゲット部分上に、所望のパターンを与える機械である。例えば、リソグラフィ装置は、集積回路（IC）の製造において使用することが可能である。その場合、マスクまたはレチクルと代替的に呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンは、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つのまたはいくつかのダイからなる部分を含む）上に転写することが可能である。典型的には、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層の上へのイメージングによるものである。一般的には、単一の基板が、次々に露光される隣接し合うターゲット部分の網状組織を含む。既知のリソグラフィ装置としては、各ターゲット部分がターゲット部分上への全パターンの一度の露光により照射されるいわゆるステッパ、ならびに各ターゲット部分が放射ビームによるパターンの所与の方向（「スキャニング」方向）へのスキャニングと同時に、この方向に対して平行なまたは逆平行な基板の同期的なスキャニングとによって照射されるいわゆるスキャナが含まれる。また、基板上にパターンをインプリントすることにより、パターンをパターニングデバイスから基板に転写することが可能である。
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置の作動の際に、基板は、基板の下部セクションの対応する部分を支持するための複数のバールを有するチャックを備える基板テーブルにクランプされてよい。非常に位置センシティブであるリソグラフィプロセスの際の最適な固定を実現するために、このチャックは、静電式クランプもしくは真空システムなどのクランプデバイス、またはバールなどの幾何学形状クランプ表面を備える。
【０００４】
[0004]  しかし、リソグラフィプロセスの終了後には、基板は、リソグラフィプロセスの別の段階におけるさらなる処理のために、基板テーブルからリリースされる。基板は、クランプデバイスを作動させることにより、クランプデバイスが作動停止されたとしても、基板テーブルに付着する傾向がある。この付着効果は、基板の下部セクションと支持バールの頂部セクションとの間の接着力、ならびに残留静電荷により生成される静電力によるものである場合がある。接着力は、材料の不純物と、接触面のラフネス欠陥とにより生じ得る。
【０００５】
[0005]  この望ましくない付着効果は、基板の下部セクションと支持バールの頂部セクションとの間に圧縮ガスを供給することによって相殺することができる。しかし、この方法からは、信頼度の高い結果が得られない場合があり、この方法は、基板および／または基板テーブルのバールに損傷をもたらす場合がある。基板がバールの上を滑動する場合があり、それによりバールの損耗を生じさせ、これによって、付着力の追加および固定性能の低下に至る場合がある。粘着性バールの上に基板を載置するプロセスにおいては、基板の水平方向移動が妨げられ得ることにより、オーバーレイおよび汚染の悪化が生じることがある。
【０００６】
[0006]  特開平０２−１５９７４４は、実質的に中央に配置されたノックアウトピンと、基板の外周端部の付近に配置されたスイングカムとにより、基板テーブルから基板を非対称的に持ち上げるための機構を開示している。このリフト構造は、基板テーブルから基板を剥離するためのものである。しかし、この剥離プロセスにおいて、基板の破損が生じ、これにより基板の製造歩留まりの望ましくない低下がもたらされるおそれがある。
【発明の概要】
【０００７】
[0007]  リソグラフィ装置において基板テーブルからウェーハをリリースするためのさらに信頼性の高い基板テーブルを提供することが望ましい。
【０００８】
[0008]  本発明の一態様によれば、放射ビームを調整する照明システムと、パターニングデバイスを支持するサポートとを備えるリソグラフィ装置が提供される。パターニングデバイスは、放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成することが可能である。また、この装置は、基板を保持する基板テーブルと、基板のターゲット部分上にパターン付き放射ビームを投影する投影システムとを備える。基板テーブルは、ウェーハの下部表面の対応する部分を支持する複数の突起部を有するチャックを備える。突起部の少なくとも１つの頂部表面が、基板と突起部の頂部表面との間に縮小された接触面を画定する複数のエレメントを備える。
【０００９】
[0009]  本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置において基板を支持するための基板テーブルが提供される。この基板テーブルは、基板の下部セクションの対応する部分を支持する複数の突起部を備える。突起部の少なくとも１つの頂部表面が、基板と突起部の頂部表面との間に縮小された接触面を画定する複数のエレメントを備える。
【００１０】
[0010]  本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置において基板を支持するための基板テーブルに備えられる突起部の基板リリース特性を向上させるための方法が提供される。この方法は、基板が突起部の頂部上に配置される場合に、基板と突起部の頂部表面との間に縮小された接触面を画定する複数のエレメントを有する突起部頂部表面を提供するステップを含む。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
[0011]  以下、対応する参照符号が対応する部分を表す添付の概略図を参照して、単なる例示として本発明の実施形態が説明される。
【００１２】
【図１】[0012]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の図である。
【図２】[0013]本発明の第１の実施形態による、図１のリソグラフィ装置の基板テーブルの図である。
【図３】[0014]本発明の第２の実施形態による基板テーブルの図である。
【図４】[0015]本発明の第３の実施形態による基板テーブルの図である。
【図５】[0016]本発明の第４の実施形態による基板テーブルの図である。
【図６Ａ】[0017]化学プロセスを利用して単一層が施される前の、図２の基板テーブルの図である。
【図６Ｂ】[0018]単一層が施された後の、図６Ａの基板テーブルの図である。
【図７Ａ】[0019]製造プロセスの際の本発明の第５の実施形態による基板テーブルの図である。
【図７Ｂ】[0020]製造プロセス後の図７Ａの基板テーブルの図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
[0021]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に図示する。この装置は、放射ビームＢ（例えば紫外線または可視光放射）を調整するように配置構成される照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構築され、いくつかのパラメータにしたがってパターニングデバイスを正確に位置決めするように配置構成される第１のポジショナＰＭに連結される、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、いくつかのパラメータにしたがって基板を正確に位置決めするように配置構成される第２のポジショナＰＷに連結される、基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、基板Ｗの（例えば１つまたは複数のダイを含む）ターゲット部分Ｃ上に、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを投影するように配置構成される投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備える。
【００１４】
[0022]  照明システムは、放射を配向付けし、成形しまたは制御するために、屈折式、反射式、磁気式、電磁式、静電式または他のタイプの光学コンポーネント、またはそれらの任意の組合せなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含んでよい。
【００１５】
[0023]  サポート構造は、パターニングデバイスを支持する、すなわちパターニングデバイスの重量を支える。サポート構造は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計および、例えばパターニングデバイスが真空環境内に保持されるかどうかなどの他の条件に応じて、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械式、真空式、静電式または他のクランプ技術を使用することが可能である。サポート構造は、フレームまたはテーブルであってよく、例えばこれらは、必要に応じて固定式または可動式のものであってよい。このサポート構造によって、パターニングデバイスが例えば投影システムに対して所望の位置に位置することを確実にすることができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という語はいずれも、より一般的な語である「パターニングデバイス」と同義であると見なしてよい。
【００１６】
[0024]  本明細書において使用される「パターニングデバイス」という語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用することが可能な任意のデバイスを指すものとして、広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフティングフィーチャすなわちいわゆるアシストフィーチャを含む場合には、基板のターゲット部分の所望のパターンと正確には一致しないことがある点に留意すべきである。一般的には、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などの、ターゲット部分中に生成されるデバイスにおける特定の機能層に一致する。
【００１７】
[0025]  パターニングデバイスは、透過式または反射式のものであってよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイおよびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィにおいてよく知られており、バイナリ、レベンソン型（alternating）位相シフトおよびハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに様々なハイブリッドのマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例が、小さいミラーのマトリックス構成を使用し、各ミラーは、入射する放射ビームをそれぞれに異なる方向に反射するように個別に傾斜させることが可能である。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスにより反射される放射ビームにパターンを与える。
【００１８】
[0026]  本明細書において使用される「投影システム」という語は、露光放射の使用に適したまたは、液浸液の使用もしくは真空の使用などの他の要素に適した、屈折式、反射式、反射屈折式、磁気式、電磁式および静電式光学システム、あるいはそれらの任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを包含するものとして広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という語はいずれも、より一般的な語である「投影システム」と同義であると見なしてよい。
【００１９】
[0027]  本明細書にて示されるように、装置は反射式のもの（例えば反射式マスクの使用）である。代替として、装置は透過式のもの（例えば透過式マスクの使用）である。
【００２０】
[0028]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものであってよい。そのような「マルチステージ」機においては、追加のテーブルを同時に使用することができ、すなわち予備ステップを１つまたは複数のテーブル上で実施する一方で、１つまたは複数の他のテーブルを露光用に使用することができる。
【００２１】
[0029]  また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間のスペースを満たすように、基板の少なくとも一部分を比較的高い屈折率を有する液体、例えば水によって覆うことができるタイプのものであってよい。また、液浸液を、例えばマスクと投影システムとの間などの、リソグラフィ装置内の他のスペースに適用することができる。液浸技術は、当技術において、投影システムの開口数を増加させることでよく知られている。本明細書において使用される「液浸」という語は、基板などの構造体が液体中に浸漬されなければならないことを意味するのではなく、液体が露光の際に投影システムと基板との間に配置されることを意味するにすぎない。
【００２２】
[0030]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。この放射源およびリソグラフィ装置は、例えば放射源がエキシマレーザである場合には、分離されたものであってよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成するとは見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムの補助により、放射源ＳＯからイルミネータＩＬに進む。他の場合では、例えば放射源が水銀ランプである場合には、放射源はリソグラフィ装置の一体部分であってよい。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要であればビームデリバリシステムを加えて放射システムと呼ぶことができる。
【００２３】
[0031]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するためのアジャスタを含んでよい。一般的には、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）は、調節することが可能である。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータおよびコンデンサなどの様々な他のコンポーネントを含んでよい。イルミネータは、放射ビームを調整して、その断面における所望の均一性および強度分布を得るために使用することができる。
【００２４】
[0032]  放射ビームＢは、サポート構造（例えばマスクテーブルＭＴ）上に保持されるパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによりパターン付けされる。マスクＭＡを横断すると、放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、同システムは基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束させる。第２のポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量センサ）の補助により、例えば放射ビームＢの経路中に個々のターゲット部分Ｃを位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に移動させることが可能となる。同様に、第１のポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使用して、例えばマスクライブラリからの機械検索の後に、またはスキャンの最中に、放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることが可能である。一般的には、マスクテーブルＭＴの移動は、ロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）の補助により実現することができ、これらのモジュールが、第１のポジショナＰＭの一部を形成する。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、ロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができ、これらのモジュールが、第２のポジショナＰＷの一部を形成する。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴはショートストロークアクチュエータのみに連結することができ、または固定することができる。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアラインメントマークＭ１、Ｍ２および基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示される基板アラインメントマークは専用ターゲット部分に位置を占めるが、これらはターゲット部分間のスペースに配置することができる（それらはけがき線アラインメントマークとして知られる）。同様に、２つ以上のダイがマスクＭＡ上に設けられる状況では、マスクアラインメントマークはダイ間に配置することができる。
【００２５】
[0033]  図示される装置は、以下のモードの少なくとも１つにおいて使用することが可能である。
【００２６】
[0034]  １．ステップモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴが、実質的に静止状態に保たれ、放射ビームに与えられた全パターンが、一度でターゲット部分Ｃ上に投影される（すなわち単一静止露光）。次いで、基板テーブルＷＴは、別のターゲット部分Ｃを露光することが可能となるようにＸ方向および／またはＹ方向にシフトされる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズが、単一静止露光においてイメージングされるターゲット部分Ｃのサイズを限定する。
【００２７】
[0035]  ２．スキャンモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴが、同期してスキャンされ、放射ビームに与えられたパターンが、ターゲット部分Ｃ上に投影される（すなわち単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大率（縮小率）および像反転特性により決定することができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズが、単一動的露光におけるターゲット部分の（非スキャニング方向の）幅を限定し、スキャニング動作の長さが、ターゲット部分の（スキャニング方向の）高さを決定する。
【００２８】
[0036]  ３．別のモードでは、マスクテーブルＭＴが、プログラマブルパターニングデバイスを保持しつつ実質的に静的状態に保たれ、基板テーブルＷＴが、移動されまたはスキャンされるとともに、放射ビームに与えられたパターンが、ターゲット部分Ｃ上に投影される。このモードでは、一般的にはパルス放射源が使用され、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの各移動の後で、またはスキャン中の連続放射パルスの間に、必要に応じて更新される。この作動モードは、上記に参照されるタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することが可能である。
【００２９】
[0037]  上述のモードの使用もしくは全く異なるモードの使用の組合せおよび／または変形を使用することもできる。
【００３０】
[0038]  図２は、本発明によるリソグラフィ装置用の基板テーブル１の第１の実施形態を図示する。基板テーブル１は、ウェーハなどの基板４を支持するための、バールと呼ばれる場合もある複数の突起部２、３を有する真空チャックを備える。特に、リソグラフィプロセスの実施の際には、バール２、３の上部表面１１が、基板４の下部表面の対応する接触部分と接触し、接触部分に対して静的な上方に配向された力を加える。プロセスの最中の固定を確実にするために、バール２、３と基板４の下部表面との間のスペースによって形成される１つまたは複数の空洞部５が、真空に、好ましくは高真空にさらされる。真空の代替としては、静電力を利用して、基板テーブル１に対して基板４を固定することができる。
【００３１】
[0039]  基板４がバール２、３に固定されると、リソグラフィプロセスが実行可能となる。リソグラフィプロセスの停止後に、基板は別の位置に移動される場合がある。したがって、空洞部５内の真空化は終了されるが、ファンデルワールス力としても知られている接着力などの残留接合力、および静電力によって、基板４がバール２、３に付着する場合がある。
【００３２】
[0040]  バール２、３からの基板４のリリースを容易にするために、少なくとも１つのバール２、３の頂部表面が、基板リリースマイクロエレメントからなるあるパターンを備え、これにより上述の付着効果が低減され得る。弾性マイクロエレメントからなるあるパターンを設けることにより、基板とバールとの間に働く接着力（例えばファンデルワールス力）が低減される場合があり、それによって、固定後に基板は、信頼性の高い制御可能な形態で、比較的容易におよび即座に取り外される。詳細には、真空固定プロセスの際に、個々の弾性マイクロエレメントは、安定したリリースされた状態から圧縮された状態へと押し込まれ、それにより基板４の下部表面は、バール２、３の上部表面１１に実質的に接触する。高真空プロセスの終了後には、弾性マイクロエレメントは、安定したリリースされた状態を得るために、バール２、３の上部表面１１から離れるように基板４の下部表面に対して力を加え、そのようにしてリリースおよび／または剥離プロセスを誘起させ、それによってバール２、３から基板４を取り外すプロセスを容易にする。その結果、より高いスループットおよび平均故障間隔（MTBF）を得ることができる。
【００３３】
[0041]  したがって、基板４は、高信頼性を有しつつ、基板テーブル１から取り外すことができ、さらなる処理のためにリソグラフィ装置の別の部分に輸送することができる。一例としては、基板４は、基板テーブル１の一部であるいわゆるｅ−ピン（図示せず）で持ち上げることが可能であり、輸送デバイスで運び去ることが可能である。
【００３４】
[0042]  好ましくは、弾性マイクロエレメントからなるこのパターンは、結果的に得られる構造がその最高部で実質的に同一の高さを有するような、連続する局所最高高さ部および最低高さ部からなる実質的に規則的なパターンを含む。これによって、クランプの全体的平坦性が保たれ、バール／表面に対する基板４の付着が最低限に抑えられることが可能となり得て、それにより、チャック２、３の上への基板の固定の際に、基板をさらに容易に緩めることができ、オーバーレイの問題を低減させることができる。さらには、基板の取外し作業の際に生成される汚染粒子が低減され、これによりバールの汚染が減少し、基板テーブルの洗浄間隔が長くなり、基板テーブルの寿命が延びる場合がある。
【００３５】
[0043]  局所最高高さ部に変化を与えることにより、小さな垂直力が加えられる際の基板４とバール２、３との間の有効接触面を縮小することができるため、付着効果をさらに低減させることもできる。
【００３６】
[0044]  一実施形態においては、弾性マイクロエレメントのこのパターンは、単一層により形成することができ、そのため、比較的簡単に、上述の構造の連続する局所最高高さ部および最低高さ部からなる実質的に規則的なパターンが得られ、したがってバールの全体的平坦性が保たれる。また、頂部の単一層の直下に想定し得るバールコーティングの粗度を保つことができる。さらに、頂部の単一層の直下のバールコーティングの損耗を低減させることができ、それによってバールコーティングの寿命が延びる。単一層は、手により、または専用のデバイスを用いることにより、化学溶液を使用して再生することが可能である。同様に、単一層は、手により、または専用のデバイスを用いることにより、容易に洗浄するおよび／または除去することが可能であり、それによりバールのコーティングの寿命がさらに延びる。
【００３７】
[0045]  図２、図３、図４および図５においては、バールコーティング１１の頂部の上の単一層は、それぞれ、ポリマー分子３１、ナノチューブ３２、バッキーボール３３およびガラスパール３４として実装される。バッキーボールは、球形のＣ６０分子を含んでよい。単一層は、例えば金属成分を含む単一層としてなど、他の形態で実装されてもよいことを指摘しておく。
【００３８】
[0046]  さらに、ナノチューブ３２、バッキーボール３３およびガラスパール３４は、弾性マイクロエレメントを形成することを指摘しておく。任意には、ポリマー分子３１が、弾性特性を有してもよい。しかし、ポリマー分子３１は、実質的に剛性のエレメントとして形成されてもよい。好ましくは、ポリマー分子３１は、化学的に実質的に非反応性の端部を有し、それによりバール２、３と基板４との間に支承効果が得られる。ポリマー分子３１によって形成されたマイクロエレメントの、化学的に実質的に非反応性の端部は、本発明の一実施形態による基板リリースマイクロエレメントの一実装形態である。化学的に実質的に非反応性のマイクロエレメントの端部の適用は、弾性マイクロエレメントの代替として、または弾性マイクロエレメントと組み合わせて実施することができる。また、ナノチューブ３２およびバッキーボール３３が、化学的に実質的に非反応性の端部を有してよく、それにより支承効果が得られる。ガラスパール３４に関しては、弾性効果とは別に、接触面の縮小が得られ、それにより付着効果がさらに低減されることを指摘しておく。
【００３９】
[0047]  単一層は、所望の材料特性に応じて、有機分子、芳香族分子、脂肪族分子、有極性分子、無極性分子、ハロゲン化分子および／またはフッ化分子など、様々なタイプの分子を含んでよい。
【００４０】
[0048]  本発明による一実施形態によれば、特別に案出された（有機）コーティングが、バールの頂部上に、紫外線光源の作用下において分子の単一層を形成することが可能な有機分子を含むウェット溶液、または、単分子層の形成中に表面のＳｉ−ＯＨ結合と反応する有機分子を含むウェット溶液のいずれかを塗布することにより施される。図６Ａおよび図６Ｂには、基板テーブルの上に単一層を形成するための化学プロセスの一実施形態の概略図が示される。詳細には、図６Ａは、化学処理前の基板テーブルを図示し、図６Ｂは、化学処理後の基板テーブルを図示する。
【００４１】
[0049]  本発明による別の実施形態においては、薄い付着防止層が、有機分子を用いたプラズマ化学気相成長（PE-CVD）（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）プロセスにより堆積される。ＰＥ−ＣＶＤプロセスは、表面のＯ２プラズマ活性化後にアルゴンイオンにより開始される、クランプの表面上での有機ラジカルのプラズマ重合を含む。このプロセスにおいては、高密度の架橋ポリマー層が形成される。使用できるポリマーのタイプとしては、架橋ポリスチレン系コーティング、架橋ポリシロキサンコーティング、および架橋テフロン（登録商標）系コーティングなどの芳香族の範囲から、グラファイトコーティングおよびダイヤモンド系コーティングまでに及ぶ、あらゆる入手可能なラジカル形成前駆体が含まれる。
【００４２】
[0050]  本発明による他の実施形態においては、例えばフィルタリングされる高電流アーク（Filtered High Current Arc）などの電弧内における、金属および／またはグラファイトなどの導電性材料の蒸発ならびにイオン化が利用され、その後にそれらのイオンは、薄いコーティングを堆積するために用いられる。ガス環境に応じて、酸化物、窒化物、さらにはテフロン（登録商標）（CF4を用いる場合）の形成が可能である。
【００４３】
[0051]  単一層を生成するこれらのようなプロセスにおいては、例えば約１〜３０ｎｍの範囲内などの薄く高密度のコーティングをクランプの上に形成することが実現され得る。
【００４４】
[0052]  本発明による他の実施形態においては、例えばフェムト秒レーザなどの低電力レーザなどのレーザを使用して、バール２、３の上部表面１１内に、規定されたパターンの弾性マイクロエレメントを機械加工することができる。バール２、３の上部表面１１における高さの差分は、ナノメートルのオーダとすることが可能である。しかし、例えば数十ナノメートルのオーダなど、さらに大きな高さの差分を与えることも可能である。原則的には、機械加工された弾性マイクロエレメントのパターンは、任意に形成することが可能である。しかし、図７Ａおよび図７Ｂに図示されるように、ゴルフボールパターンなど、構造化されたまたは反復されたパターンが可能であり、あるいは一般的には、球形、円形または楕円形であることが可能な凹凸頂部表面を有するパターンが可能である。さらに、例えば頂部エッジを有するなど、エッジ構造を得ることが可能である。機械加工プロセスが、図７Ａに概略的に図示され、その結果として得られる基板テーブルが、図７Ｂに図示される。機械加工プロセスは、バールの製造後のバールの上へのコーティングステップの後に、例えば研磨、コーティングおよび／またはサンドブラストなどによって実施することが可能である。このような実施においては、クランプの全体的平坦性に影響を及ぼすことなく、バール表面を粗面化することができる。
【００４５】
[0053]  さらに、本発明の実施形態による基板テーブル１は、リソグラフィ装置における用途にのみ適するわけではなく、イオン注入装置またはエッチングデバイスにおいてなど、他のデバイスにおける用途にも適している。
【００４６】
[0054]  本文章では、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に対して特定の参照をする場合があるが、本明細書で説明されるリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用の誘導および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（LCD）、薄膜磁気ヘッド等の製造など、他の用途を有し得ることを理解すべきである。それらのような代替の用途において、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という語はいずれも、より一般的な語である「基板」または「ターゲット部分」とそれぞれ同義であると見なしてよいことが、当業者には理解されよう。本明細書で参照される基板は、例えばトラック（典型的には、基板にレジスト層を塗布し、露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツールおよび／またはインスペクションツールにおいて、露光の前または後に処理されてよい。適用可能であれば、本明細書において開示されるものは、それらのおよび他の基板処理ツールに適用してよい。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを製造するために２度以上処理されてよく、したがって本明細書で使用される基板という語は、複数の処理された層を既に含む基板を指してもよい。
【００４７】
[0055]  光リソグラフィにおける本発明の実施形態の使用に対して上述で特定の参照がなされたが、本発明は、例えばインプリントリソグラフィなどの他の用途において使用することができ、場合が許すならば、光リソグラフィに限定されないことが理解されよう。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス中のトポグラフィが、基板上に生成されるパターンを画成する。パターニングデバイスのトポグラフィを基板に塗布されたレジスト層中に押し付けることができ、同時にレジストは、電磁放射、熱、圧力またはそれらの組合せを与えられることによって硬化される。パターニングデバイスがレジストから取り外され、レジストが硬化した後にレジスト中にパターンが残る。
【００４８】
[0056]  本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という語は、紫外（UV）放射（例えば365、355、248、193、157または126nmの、またはほぼそれらの値の波長を有する）および極端紫外（EUV）放射（例えば5〜20nmの範囲の波長を有する）を含む全てのタイプの電磁放射、ならびにイオンビームまたは電子ビームなどの粒子ビームを包含する。
【００４９】
[0057]  「レンズ」という語は、場合が許すならば、屈折式、反射式、磁気式、電磁式および静電式光学コンポーネントを含む種々のタイプの光学コンポーネントの中の任意の１つまたは組合せを意味し得る。
【００５０】
[0058]  本発明の特定の実施形態が上述で説明されたが、本発明は説明されたもの以外の形態において実施し得ることが理解されよう。例えば、本発明は、上記で開示された方法を記述する１つまたは複数の連続的な機械読取可能命令を含むコンピュータプログラム、またはそのようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形態をとってよい。
【００５１】
[0059]  上述の説明は例示として意図され、限定的なものではない。したがって、以下に述べられる特許請求の範囲から逸脱することなく、説明される発明に変更をなし得ることが、当業者には明らかになろう。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【手続補正書】
【提出日】平成21年8月13日(2009.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射ビームを調整する照明システムと、
前記放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成することが可能なパターニングデバイスを支持するサポートと、
基板を保持する基板テーブルと、
前記基板のターゲット部分上に前記パターン付き放射ビームを投影する投影システムと
を備え、
前記基板テーブルは、ウェーハの下部表面の対応する部分を支持する複数の突起部を有するチャックを備え、
前記突起部の少なくとも１つの頂部表面が、前記基板と前記突起部の前記頂部表面との間に縮小された接触面を画定する複数のエレメントを備える、リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記エレメントは弾性マイクロエレメントを含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記エレメントは、化学的に実質的に非反応性の端部を有するマイクロエレメントを含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記縮小された接触面は、局所最高高さ部および最低高さ部からなる実質的に規則的なパターンを備える構造を画定し、前記構造は、最高部で実質的に同一の高さを有する、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記縮小された接触面は単一層により形成される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記単一層は、バッキーボール、ガラスパール、ポリマー分子あるいはナノチューブ、またはそれらの任意の組合せを含む、請求項５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記縮小された接触面は、レーザ処理された表面を含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
リソグラフィ装置において基板を支持するための基板テーブルであって、基板の下部セクションの対応する部分を支持する複数の突起部を備え、前記突起部の少なくとも１つの頂部表面が、前記基板と前記突起部の前記頂部表面との間に縮小された接触面を画定する複数のエレメントを備える、基板テーブル。
【請求項９】
前記縮小された接触面は単一層により形成される、請求項８に記載の基板テーブル。
【請求項１０】
前記単一層は、バッキーボール、ガラスパール、ポリマー分子またはナノチューブ、あるいはそれらの任意の組合せを含む、請求項９に記載の基板テーブル。
【請求項１１】
リソグラフィ装置において基板を支持するための基板テーブルに備えられる突起部の基板リリース特性を向上させるための方法であって、前記基板が前記突起部の頂部上に配置される場合に、前記基板と前記突起部の頂部表面との間に縮小された接触面を画定する複数のエレメントを有する前記突起部頂部表面を提供するステップを含む、方法。
【請求項１２】
前記突起部の前記頂部表面の上に単一層を堆積するまたは成長させるステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記突起部の前記頂部表面にウェット溶液を塗布するステップと、その後に紫外線源に対して前記溶液をさらすステップ、または前記溶液を前記突起部の前記頂部表面と化学反応させることを可能にするステップとをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記突起部の前記頂部表面に対して、プラズマ化学気相分解プロセス、または、フィルタ高電流アークプロセスを実施するステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
レーザにより前記突起部の前記頂部表面を局所的に機械加工するステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【国際調査報告】
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2010515258.tif 000013
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