(57)【要約】  本発明の方法は、計測装置（２１０）によって収集された計測データ、前記計測データに関連する位置データ、および前記計測装置（２１０）に関連するコンテキストデータを含む計測報告（２６０）を受け取るステップを有する。前記コンテキストデータに基づいて、前記計測装置（２１０）が使用する第１の座標系が決定される。変換された位置データを生成するために、前記位置データが前記第１の座標系から第２の座標系に変換される。前記変換した位置データが前記計測データと関連付けられる。
2010506193.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
計測装置（２１０）によって収集された計測データ、前記計測データに関連する位置データ、および前記計測装置（２１０）に関連するコンテキストデータを含む計測報告（２６０）を受け取るステップと、
前記コンテキストデータに基づいて、前記計測装置（２１０）が使用する第１の座標系を決定するステップと、
変換された位置データを生成するために、前記位置データを前記第１の座標系から第２の座標系に変換するステップと、
前記変換された位置データを前記計測データと関連付けるステップとを含む方法。
【請求項２】
前記計測データと前記関連付けられた変換された位置データとに基づいて、プロセス装置（２０５）を制御するステップを更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記コンテキストデータは、計測装置識別子、および前記計測データを収集するために前記計測装置（２１０）が使用したレシピに関連するレシピ識別子のうちの１つを含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の座標系を決定する前記ステップは前記第１の座標系のパラメータを特定するステップを更に含み、前記パラメータは、ノッチ方向パラメータ、回転パラメータ、反転パラメータ、転置パラメータおよびオフセットパラメータのうちの少なくとも１つを含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記計測報告（２６０）は半導体ウェハに関連しており、前記方法は、
前記半導体ウェハに関連するマスクセットを特定するステップと、
前記マスクセットに関連し、複数のフラッシュサイトと、各フラッシュサイト内での複数のダイ位置とを定義しているウェハマップ（３００）を決定するステップと、
前記複数のフラッシュサイトから、前記変換された位置データを含むフラッシュサイトを決定するステップと、
前記複数のダイ位置から、前記変換された位置データを含むダイ位置を決定するステップと、を更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記位置データを変換する前記ステップは前記第１の座標系のＸ座標とＹ座標を転置するステップを更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記位置データを変換する前記ステップは前記第１の座標系のＸ座標およびＹ座標のうちの少なくとも１つにオフセットを加えるステップを更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記位置データを変換する前記ステップは前記第１の座標系のＸ座標およびＹ座標のうちの少なくとも１つを反転するステップを更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記位置データを変換する前記ステップは前記第１の座標系を回転させるステップを更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
計測データを収集するように動作可能な計測装置（２１０）と、
前記計測データ、前記計測データに関連する位置データ、および前記計測装置（２１０）に関連するコンテキストデータを含む計測報告（２６０）を受け取り、
前記コンテキストデータに基づいて、前記計測装置（２１０）が使用する第１の座標系を決定し、
変換された位置データを生成するために、前記位置データを前記第１の座標系から第２の座標系に変換し、
前記変換された位置データを前記計測データと関連付けるように動作可能な座標変換ユニット（２３０）と、
前記計測データと前記関連付けられた変換された位置データとを記憶するように動作可能なデータストア（２２５）とを備えるシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に、半導体製造に関し、より詳細には、計測データ用のユニバーサル座標系を実装するための方法および装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
製造業における技術の進歩により、新しい革新的な製造プロセスが数多く生み出されてきた。今日の製造プロセス、とりわけ半導体製造プロセスでは、多くの重要な工程が必要とされる。一般に、このような工程は不可欠なものであり、このため、通常は多くの入力を微調整して、生産を適切に制御する必要がある。
【０００３】
半導体デバイスの製造においては、半導体の原材料からパッケージング済みの半導体デバイスを製造するまでに、別個のプロセス工程が数多く要求される。半導体材料を成長させる最初の工程から、半導体結晶を切断して個々のウェハを製造する工程、製造段階（パターニング、エッチング、ドーピング、イオン注入等）、パッケージング、完成したデバイスの最終検査に至るまでの各種プロセスはそれぞれ非常に異なり、特化されているため、これらのプロセスは、異なる制御方式を採用している別の製造現場で実施されることがある。
【０００４】
一般に、プロセス工程の組が、時にロットと呼ばれる半導体ウェハの集合体全体に実行される。例えば、各種材料から構成されうるプロセス層が、半導体ウェハ全体に形成されうる。続いて、公知のフォトリソグラフィ技術によって、このプロセス層全体にパターニングしたフォトレジスト層が形成されうる。通常はこの後に、パターニングしたフォトレジスト層をマスクとして使用して、プロセス層にわたってエッチングプロセスが実施される。このエッチングプロセスによって、プロセス層にさまざまな構造（feature）すなわち物が形成される。このような構造は、例えば、トランジスタのゲート電極構造、導電線または分離構造として使用することができる。
【０００５】
設計者は、所望の電気的機能を実現するために、各デバイスの特定の位置に、特定の特徴を配置する。このような特徴は、「レチクル」と呼ばれる光のテンプレートに作製される。レチクルは、二次元のパターンを生成することができ、このパターンは、適切な波長の光を使用して感光面に印刷することができる。レチクルの多くは、規則正しい配列にレイアウトされたデバイスの繰り返しパターンを含む。各デバイスパターンの間の空間（時としてスクライブラインとも呼ばれる）は、製造されたウェハの試験および測定に役立つ構造のパターンを配置するために使用されることが多い。このような複数デバイスのレチクルのそれぞれに光を照射することにより、レチクルにあるパターンの像がウェハに形成される。この照射プロセスは、「フラッシュ」と呼ばれることが多い。用途に応じて、１回のフラッシュに、任意の望ましい数の個々のダイが含まれてもよい。ウェハ上のすべてのダイに対してこのプロセスが行われるように、複数回のフラッシュまたは照射プロセスがウェハの全面に行われる。
【０００６】
一度に１つの二次元の層を作成するステップを複雑に組み合わせることで三次元の特徴が得られる。各層における特徴の位置は異なるが、互いに関連している。異なるフラッシュ／ダイの異なる特徴の測定および試験を行うことは、各ウェハ１００にわたる製造プロセスの安定性とその均一性を確認するために重要である。
【０００７】
図１は、代表的な半導体ウェハ１００のウェハマップを示す。各ウェハ１００は、通常、ステッピングパターンと呼ばれるデカルト座標の格子状のレイアウト１１０による、所定個数のフラッシュ（およびこれに由来する（by deviation）所定個数のデバイス）を含むことができる。図１に示す例示的な実施形態では、３×２のフラッシュパターンが示されており、この場合１回のフラッシュで６個のダイが露光される。当然、上で説明したように、１回のフラッシュのダイの個数は、用途に応じて変わりうる。各ウェハに対してこのリソグラフィプロセスを行う装置は「ステッパ」と呼ばれる。ウェハの表面に形成されるデバイスは「ダイ」１２０と呼ばれる。ある装置内でウェハ１００を位置合わせするためにノッチ１３０が設けられている。位置合せに、オリエンテーションフラット（flat
edge portion）などのほかの特徴が使用されてもよい。
【０００８】
製造プロセス中の各種のステップにおいて、製造基準に合致していることを保証するためにデータが収集される。このデータには、ウェハ１００の歩留り（すなわちダイ１２０が機能するかどうか）、各ダイ１２０の速度、各ダイ１２０の電力消費などの性能データが含まれうる。また、このデータには、プロセス層の膜厚、クリティカルディメンションなどのウェハの製造に関連する計測データが含まれることもある。
【０００９】
最後に、ウェハの処理が完了したら、ウェハ１００がチップにダイシングされ、チップが、金属のリード線を有するプラスチックまたはセラミックのパッケージ内に収容される。このリード線は、プリント回路基板アセンブリなどの他の電気回路にチップを取り付けるために使用されうる。各チップに製造された特徴と、各金属リード線において供給される信号との間に、複雑なマッピングが存在する。特定のリードに電流が印加されるたびに、マッピングが実行される。チップがその電気的機能を実行できなかった場合、欠陥は、この複雑な構造のシーケンスが原因となっていることがほとんどである。このため、欠陥の原因の解析は、空間的にデータを相関させる作業となる。更に、構造の欠陥の物理的な特定は、原子力顕微鏡検査のような費用のかかる解析手法によってしか行うことができないため、欠陥領域の位置特定の信頼度が高いことが重要である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
このため、ウェハ１００で収集された計測データは、空間的に重要な意味を持つ。換言すれば、計測データが収集されたウェハ１００上の位置を知ることが有用である。位置を指定するために使用する座標系は、計測装置によって異なる。例えば、指定の原点１４０によって直交座標系が定義されうる。例えば、原点１４０は、ウェハ１００の中心に存在しうる。別の座標系では、原点がウェハ１００内に存在しないか、あるいはウェハ１００の別の位置に原点が存在することもある。このような座標系は、デカルト座標または径座標などである。異なる製造業者の計測装置では、座標系が異なることもある。
【００１１】
計測レシピが、計測装置によって与えられる座標とウェハ１００上の実際の位置との間の関係に影響することもある。特定の計測装置では、ウェハ１００を特定の方向に横断するほうが効率が高い。スループットを上げるために、ウェハ１００を回転させて、測定箇所が好適な方向に位置合わせされる。計測装置は、ウェハ１００の回転位置とは無関係の単位の測定座標を出力する。このため、異なる回転位置に置かれた２枚の異なるウェハ１００から得られた位置データは、個々のウェハについて、同じ物理的位置に対応していない。また、別の計測装置は、座標を一切報告せず、読み取り順序しか報告せず、物理的なウェハの位置に対する基準がない。
【００１２】
ウェハの加工（fabrication）は複雑であるため、矛盾する座標系を使用するシステムの計測データを有効利用するうえで、いくつかの課題が生じる。使用する座標系のばらつきにより、計測データをウェハの特定の位置に関連させることが困難である。このため、歩留りの問題を特定し、結果を改善するためにプロセスを調整することは、更に困難である。このような対応の遅れの結果、製造のランプ時間が長くなり、採算性の低下を招く可能性もある。
【００１３】
本文書の本セクションでは、下記に記載および／または特許を請求する本発明の各種の態様と関連しうる各種の技術の態様を紹介することを意図している。本セクションは、本発明の各種の態様をよりよく理解できるように、背景情報を提供する。本文書の本セクションの記載はこの点に鑑みて読むべきであり、先行技術の自認ではないことを理解すべきである。本発明は、上記の問題の１つ以上を解決するか少なくとも軽減することを狙ったものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
以下では、本発明の一部の態様の基本を理解できるように、発明の概要を説明する。この概要は、本発明のすべてを概観するものではない。本発明の主要または重要な要素を特定したり、本発明の範囲を詳細に記載することを意図するものでもない。その唯一の目的は、後述する詳細な説明に先だって、概念の一部を簡潔に示すことにある。
【００１５】
本発明の一態様は、計測装置によって収集された計測データ、前記計測データに関連する位置データ、および前記計測装置に関連するコンテキストデータを含む計測報告を受け取るステップを有する方法に見られる。前記コンテキストデータに基づいて、前記計測装置が使用する第１の座標系が決定される。変換された位置データを生成するために、前記位置データが前記第１の座標系から第２の座標系に変換される。前記変換した位置データが前記計測データと関連付けられる。
【００１６】
本発明の別の態様は、計測装置、座標変換ユニット、およびデータストアを有するシステムに見られる。前記計測装置は、計測データを収集するように動作可能である。前記座標変換ユニットは、前記計測データ、前記計測データに関連する位置データ、および前記計測装置に関連するコンテキストデータを含む計測報告を受け取るように動作可能である。前記座標変換ユニットは、前記コンテキストデータに基づいて、前記計測装置が使用する第１の座標系を決定し、変換された位置データを生成するために、前記位置データを前記第１の座標系から第２の座標系に変換し、前記変換された位置データを前記計測データと関連付けるように動作可能である。前記データストアは、前記計測データと、前記関連付けられた変換された位置データとを記憶するように動作可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】代表的なウェハマップの図。
【図２】本発明の一実施形態による製造システムの簡略ブロック図。
【図３】図２のシステムで使用されるユニバーサル座標系のウェハマップの図。
【図４】図２のシステムの座標変換ユニットによって使用されるデータ構造を示す図。
【図５Ａ】図２のシステムの座標変換ユニットによって使用されるデータ構造を示す図。
【図５Ｂ】図２のシステムの座標変換ユニットによって使用されるデータ構造を示す図。
【図６Ａ】本発明の別の例示的な実施形態による座標を変換するための方法の簡略フローチャート。
【図６Ｂ】本発明の別の例示的な実施形態による座標を変換するための方法の簡略フローチャート。
【図６Ｃ】本発明の別の例示的な実施形態による座標を変換するための方法の簡略フローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、添付の図面を参照して本発明について記載する。図面において同じ参照符号は同じ要素を参照している。
【００１９】
本発明は、種々の変形および代替形態を取り得るが、その特定の実施形態が、図面に例として図示され、ここに詳細に記載されているに過ぎない。しかし、この特定の実施形態の詳細な説明は、本発明を開示した特定の形態に限定することを意図するものではなく、反対に、添付の特許請求の範囲によって規定される本発明の趣旨ならびに範囲に含まれる全ての変形例、均等物および代替例を含むことを理解すべきである。
【００２０】
本発明の１つ以上の特定の実施形態について以下に記載する。本発明は、本明細書に含まれる実施形態および説明に限定されることはなく、実施形態の一部の変形や、異なる実施形態の要素の組み合せなどの、これらの実施形態の変形例も添付の請求項の範囲に含まれることが特に意図される。エンジニアリングや設計のプロジェクトと同様に、実際の実装の開発においては、システム上の制約およびビジネス上の制約に適合させるなど、開発の具体的な目的を達成するために、実装に固有の判断が数多く必要とされ、これは実装によって変わるということを理解すべきである。更に、この種の開発作業は複雑かつ時間がかかるものでありうるが、本開示の利益を受ける当業者にとって、設計、作製および製造の日常的な作業であるということが理解されよう。「決定的」または「必須」と明記されていない限り、本願のいかなるものも、本発明の決定的または必須なものであるとみなすべきではない。
【００２１】
本発明の一部とその詳細な説明は、ソフトウェア、またはコンピュータメモリ内部でのデータビットに対する操作のアルゴリズムおよび記号的表記の形で提示される。このような記述および表現は、当業者が、自身の作業の内容を他の当業者に効率的に伝えるために用いられているものである。本明細書において使用する「アルゴリズム」との用語は、通常用いられているのと同義であり、所望の結果に導くための自己矛盾のないシーケンスのことを指す。ステップとは、物理量の物理的操作を必要とするステップである。この物理量は通常、記憶、転送、結合、比較などの操作が可能な光学信号、電気信号または磁気信号の形を取るが、必ずしもこれらに限らない。主に公共の利用に供するという理由で、これらの信号を、ビット、値、要素、記号、文字、語（term）、数字などと呼べば、時として利便性が高いことが知られている。
【００２２】
しかし、上記の全用語ならびに類似の用語は、適切な物理量に対応しており、この物理量に適用される簡便な標識に過ぎないという点を留意すべきである。特段の断りのない限り、もしくは記載内容から明らかな場合、「処理」、「演算」、「計算」、「判定」、「表示」などの用語は、コンピュータシステムのレジスタ内およびメモリ内で物理的電子的量として表されるデータを、コンピュータシステムのメモリ、レジスタ等の情報の記憶装置、伝送装置または表示装置内で同様に物理量として表される他のデータへと操作および変換するコンピュータシステムないし類似の電子演算装置の動作および処理を指す。
【００２３】
ソフトウェアによって実装する本発明の態様は、典型的には、ある種のプログラム記憶媒体に符号化されているか、ある種の伝送媒体を介して実装されるという点に留意すべきである。プログラム記憶媒体は、磁気式（例えば、フロッピーディスクやハードドライブ）でも、光学式（例えば、コンパクトディスクの読み取り専用記憶装置、またはＣＤ−ＲＯＭ）でもよく、読み取り専用であっても、ランダムアクセス可能なものであってもよい。同様に、伝送媒体は、より線対、同軸ケーブル、光ファイバのほか、当業界に公知の伝送媒体であってもよい。本発明は、いずれの特定の実装の態様にも限定されない。
【００２４】
添付の図面を参照して本発明を説明する。説明のみを目的として、当業者に知られている細かい点を説明して本発明をわかりにくくすることのないように、さまざまな構造、システムおよびデバイスが、図面で模式的に示されている。しかし、本発明の例示的な例を記載および説明するために、添付の図面を添付する。本明細書において使用される語句は、関連技術の当業者が理解している意味と同じ意味に使用されていると理解および解釈すべきである。本明細書においてある語句が矛盾なく用いられている場合、その語句が特別な定義を有する、すなわち通常かつ慣用的に用いられ、当業者が理解している意味と異なる定義を有することはない。ある語句が特別な意味を有する、すなわち当業者の理解とは異なる意味に用いられる場合は、そのような特別な定義は本明細書に明示的に記載して、その特別な定義を直接的かつ明確に示す。
【００２５】
次に図面を参照すると、図面においては、すべての図面にわたって、同じ参照番号は同様の構成要素を参照している。具体的には図２を参照すると、本発明を、例示的な製造システム２００を採り上げて記載する。製造システム２００は、プロセス装置２０５、計測装置２１０、プロセスコントローラ２１５、製造実行システム（ＭＥＳ）ユニット２２０、データベースユニット２２５、座標変換ユニット２３０およびネットワーク２３５を有する。下記に詳述するように、座標変換ユニット２３０は、計測データを処理して、データをユニバーサル座標系（ＵＣＳ）に従ってフォーマット化する。製造システム２００の各種実体（entity）は、ソフトウェアコンポーネント、ハードウェアコンポーネント、ファームウェアコンポーネントおよび／またはこれらの組み合わせを使用して実装されうる。
【００２６】
図に示した実施形態において、製造システム２００は半導体デバイスを製造するように適合されている。本発明は、半導体製造施設において実施されうるように記載するが、本発明はこれに限定されず、その他の製造環境に応用することができる。ここに記載する技術は、さまざまなワークや製造物に応用することができ、これには、マイクロプロセッサ、メモリデバイス、デジタル信号処理装置、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ：application specific integrated circuit）、またはその他のデバイスが含まれるが、これらに限定されない。本技術は、半導体デバイス以外のワークまたは製造物にも応用することができる。一般に、本技術は、連続データをバイナリフォーマットに変換可能とするために、どのような種類の測定データにも適用されうる。
【００２７】
製造システム２００内の実体は、製造フレームワークまたは処理モジュールのネットワーク２３５内で通信している。ネットワーク２３５は製造システム２００の各種構成要素を相互接続しており、これら各種構成要素が情報を交換できるようにする。ネットワーク２３５との通信を支援するために、プロセス装置２０５は関連する装置インターフェイス２０７を有し、計測装置２１０は関連する装置インターフェイス２１２を有しうる。装置インターフェイス２０７，２１２は、コマンドおよびデータを装置固有のプロトコルからネットワークプロトコルに変換するための、関連する装置２０５，２１０とネットワーク２３５間のブリッジとして機能する。装置インターフェイス２０７，２１２は独立した実体として図示されているが、個々の装置２０５，２１０に内蔵されてもよい。
【００２８】
あるウェハまたはロットのウェハは、製造時にプロセス装置２０５を通り、各装置２０５は処理フロー内で特定の機能を実行する。プロセス装置２０５の一部は、それぞれがウェハを処理し、集合的にまたは個別に制御されうる複数のチャンバ２４５を備えてもよい。半導体デバイス製造環境のための代表的なプロセス装置２０５には、フォトリソグラフィ用ステッパ、エッチング装置、成膜装置、研磨装置、急速熱処理装置、処理装置、注入装置などが含まれる。製造システム２００の実際の実装には、図２に示すよりも多くのプロセス装置２０５が含まれてもよく、通常は、種類毎に複数台の装置が存在する。
【００２９】
代表的な計測装置２１０には、膜測定装置、走査型電子顕微鏡、光学検査装置、電気試験装置などがあるが、これらに限定されない。この場合も、実際の実装には、多くの計測装置２１０が含まれる。計測装置２１０は、処理されたウェハに関する物理的データ（例えば特徴の寸法、処理層の膜厚、表面プロファイル）、あるいは性能データ（例えば速度、歩留り、電力消費）など、製造システム２００でのウェハの処理に関連する各種パラメータを測定しうる。
【００３０】
プロセスコントローラ２１５は、選択されたプロセス装置２０５のさまざまな動作を制御するための制御動作を決定し、この制御動作は、ウェハの加工（fabrication）中に計測装置２１０が収集する計測データに少なくとも部分的に基づきうる。プロセスコントローラ２１５が使用する特定の制御モデルは、制御対象のプロセス装置２０５の種類に依存し、制御モデルと併用するために収集される特定の計測データは、特定のプロセス装置２０５が形成する特徴に依存している。この制御モデルは、公知の線形手法または非線形手法を使用して、経験的に作成されうる。制御モデルは、比較的単純な数式ベースのモデル（例えば線形、指数、加重平均など）であっても、ニューラルネットワークモデル、主成分分析（ＰＣＡ：principal component analysis）モデル、または潜在的構造に対する射影（ＰＬＳ：projection to latent structures）などのより複雑なモデルであってもよい。制御モデルの特定の実装は、選択されたモデリング法および制御対象のプロセスによって変わりうる。特定の制御モデルの選択および開発は、当業者の能力の範囲内であり、このため、制御モデルは、簡潔を期するためと、本願をわかりにくくすることのないように、本明細書で詳しく説明することはない。
【００３１】
代表的なプロセス制御の例に、トランジスタ構造内のゲート電極の微細寸法（critical
dimension：ＣＤ）の制御がある。ゲート電極のＣＤを変更するために、各種のプロセスとプロセス変数が制御されうる。例えば、ゲート電極のパターニングのために、フォトリソグラフィ装置でフォトレジストマスクが使用される。マスクの形成に使用するフォトリソグラフィプロセスは、このマスクを使用するエッチプロセスによって形成されるパターンの寸法、ひいてはゲート電極の寸法に影響を及しうる。マスクの寸法を変更するために、露光時間と露光エネルギーが制御されうる。エッチングプロセスのパラメータ（例えば、エッチング時間、プラズマパワー、エッチングガスの組成および濃度など）も、完成後のゲート電極のＣＤに影響し、プロセスコントローラ２１５によって制御されうる。ゲート電極ＣＤに影響する上記のプロセスおよび変数は、すべてを網羅するものではない。ＣＤに影響する別のプロセスが実施されても、これらのプロセスの別の変数が制御されてもよい。
【００３２】
ＭＥＳユニット２２０は、製造システム２００の高レベル動作を指示する。ＭＥＳユニット２２０は、製造システム２００の各種実体（すなわち、ロット、装置２０５，２１０）の状態をモニタする。データベースユニット２２５は、複数のタイプのデータを記憶するために設けられており、このようなデータには、例えば、製造に関連するデータ（例えば、プロセス前およびプロセス後の計測データ）、システム２００の動作に関連するデータ（例えば装置２０５，２１０の状態、半導体ウェハ１０５の状態および優先度など）がある。データベースユニット２２５は、プロセス装置２０５が実行する複数のプロセスラン（process run）に関する装置状態データを記憶しうる。データベースユニット２２５は、装置状態データおよび／またはウェハの処理に関するその他のデータを、データベース記憶ユニット２５０に記憶するためのデータベースサーバ２５５を備えうる。
【００３３】
ＭＥＳユニット２２０は、各ウェハのロットを処理するために使用される特定の装置２０５，２１０（または装置２０５，２１０に関連するセンサ（図示せず））に関連する情報を、データベースユニット２２５に記憶する。プロセス装置２０５について記憶されるセンサのデータとしては、チャンバ圧力、チャンバ温度、アニール時間、注入ドーズ量、注入エネルギー、プラズマエネルギー、処理時間などが挙げられる。データベースユニット２２５には、製造プロセス中にプロセス装置２０５が使用する操作レシピ設定に関連するデータも記憶されうる。例えば、プロセスパラメータの中には、値を直接的に測定することが不可能なものがある。このような設定は、プロセス装置２０５からの実際のプロセスデータに代わって、操作レシピから決定されうる。
【００３４】
座標変換ユニット２３０は、計測装置２１０から計測データを受け取り、測定値と共に提供される座標を、ユニバーサル座標系（ＵＣＳ）に対応するように変換するために設けられている。一般に、座標変換ユニットは、装置およびレシピに関連するデータを使用して、適切な変換アルゴリズムを決定する。変換を行うために、各マスクセットがウェハにパターニングされる際に、各マスクセットに対するフラッシュ、ダイおよび点座標を明確に特定するウェハマップ標準が定義される。代表的な座標システムは、ＳＥＭＩ  Ｍ２０「PRACTICE
FOR ESTABLISHING A WAFER COORDINATE SYSTEM（ウェハ座標系を定めるためのプラクティス）」およびＳＥＭＩ  Ｍ２１「GUIDE FOR ASSIGNING ADDRESSES TO RECTANGULAR ELEMENTS IN A CARTESIAN ARRAY（アドレスをデカルト座標の配列の矩形の要素に割り当てるためのガイド）」に規定されており、本特許出願の出願時点時のこれらの最新版を、参照によりそのすべてを本明細書に援用する。
【００３５】
図に示した実施形態では、図３に示すＵＣＳウェハマップ３００は、ノッチ（例えば、図１のノッチ１３０）またはフラットを下に向けた状態で定義されており、ウェハの中心が、座標システムの原点１５０を定義し、正のＸ軸が水平方向に右に延び、正のＹ軸が垂直方向に上に延びる（すなわち、図１の原点１５０によって示される）。すべての点座標は、ミクロン（すなわち、マイクロメートル）単位、あるいは他の任意の所望の測定単位で指定されうる。更に、フラッシュ（０，０）はウェハの中心が含まれるフラッシュによって定義され、ダイ（０，０）はフラッシュ（０，０）内の左下のダイを表している。ほかの全てのフラッシュおよびダイは、格子状のレイアウトでの、Ｘ軸およびＹ軸上の位置に従って番号を振られる。
【００３６】
座標変換ユニット２３０は、フラッシュ位置とダイ位置との間の関係を示すデータを、データベース記憶ユニット２５５に記憶しうる。図２に示すように、装置インターフェイス２１２は、計測イベントに対して計測報告２６０を生成する。計測報告２６０は、処理のために、ネットワーク２３５を介して座標変換ユニット２３０に送られる。計測報告２６０には、測定値、計測装置２１０が報告する測定位置、および測定レシピが含まれる。座標変換ユニット２３０は、計測装置ＩＤおよび／またはレシピＩＤを含むコンテキストデータに基づいて、ＵＣＳ座標に座標変換するために、測定位置に必要な座標変換を特定する。
【００３７】
図４，図５Ａ，図５Ｂを参照すると、座標変換ユニット２３０によって使用されるデータテーブルを示す図が示される。ＭＡＳＫＳＥＴテーブル４００は、ウェハ１００に露光されたダイ１２０のそれぞれの個々のパターンを特定するために使用されうる。それぞれのマスクセット（レチクルセットとも呼ばれる）は、ＭＡＳＫＳＥＴ  ＩＤ（またはＲＥＴＩＣＬＥ  ＳＥＴ  ＩＤ）によって、一意に特定されうる。ＭＡＳＫＳＥＴテーブル４００は、水平方向および垂直方向におけるダイ１２０の個数、ウェハ１００の中心１４０からのレチクルのオフセット、各方向におけるダイおよびフラッシュのサイズ、ウェハ１００の直径、およびエッジ除外距離を、各ＭＡＳＫＳＥＴ＿ＩＤに関連付けている。異なる施設で製造されたマスクセットを区分できるように、各マスクセットに対する製造エリアも使用することができる。ＭＡＳＫＳＥＴテーブルのための１つのキーは、｛ＭＡＳＫＳＥＴ＿ＩＤ，ＭＦＧ＿ＡＲＥＡ＿ＳＫ，ＷＡＦＥＲ＿ＤＩＡＭＥＴＥＲ＿ＩＮ＿ＭＭ，ＦＬＡＳＨ＿ＳＩＺＥ＿Ｘ，ＦＬＡＳＨ＿ＳＩＺＥ＿Ｙ，ＮＵＭ＿ＤＩＥ＿ＩＮ＿Ｘ，ＮＵＭ＿ＤＩＥ＿ＩＮ＿Ｙ，ＲＴＣＬ＿ＯＲＩＧＩＮ＿ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ，ＲＴＣＬ＿ＯＲＩＧＩＮ＿ＯＦＦＳＥＴ＿Ｙ｝から形成される複合キーである。
【００３８】
同じＭＡＳＫＳＥＴでも、ウェハ１００の中心１４０からのレチクルのオフセットの値が異なると、得られるウェハマップが異なることがある点に留意されたい。同様に、フラッシュサイズが変わるか、いずれかの方向におけるダイ１２０の個数が変わると、ウェハ上で得られるパターンも変わることがある。ＷＡＦＥＲ＿ＤＩＡＭＥＴＥＲ以外、ほかはすべて同じ場合は、２００ｍｍのウェハ用のウェハマップを３００ｍｍのウェハの上に重ねてもすべてカバーされないため、異なるデータであると解釈されなければならない。
【００３９】
各フラッシュについて、ウェハ１００における矩形領域を明確に示す情報は、ＵＣＳ＿ＬＡＹＯＵＴ＿ＦＬＡＳＨ＿ＷＡＦＥＲテーブル４０５に格納される。このテーブル４０５はＦＬＡＳＨ＿ＸおよびＦＬＡＳＨ＿Ｙを含み、これらは、ＵＣＳ単位のフラッシュの座標である。各フラッシュの左下隅が、ＦＬＡＳＨ＿ＯＲＩＧＩＮ＿ＸとＦＬＡＳＨ＿ＯＲＩＧＩＮ＿Ｙとして記録される。これらの全カラムは特定のＭＡＳＫＳＥＴを参照しており、その関係はＭＡＳＫＳＥＴ＿ＳＫによって確立される。１つのキーは｛ＭＡＳＫＳＥＴ＿ＳＫ，ＦＬＡＳＨ＿Ｘ，ＦＬＡＳＨ＿Ｙ｝として形成される複合キーであり、それぞれが一意のＦＬＡＳＨ＿ＷＡＦＥＲ＿ＬＡＹＯＵＴ＿ＳＫに対応している。
【００４０】
各ダイ１２０について、ウェハ１００における矩形領域を明確に示す情報は、ＵＣＳ＿ＬＡＹＯＵＴ＿ＤＩＥ＿ＷＡＦＥＲテーブル４１０に格納される。このテーブル４１０は、ＵＣＳ単位のダイ１２０の座標であるＤＩＥ＿Ｘ、ＤＩＥ＿Ｙを有する。各ダイ１２０の左下隅が、ＤＩＥ＿ＯＲＩＧＩＮ＿ＸとＤＩＥ＿ＯＲＩＧＩＮ＿Ｙとして記録される。更に、各ダイ１２０は、そのウェハマップで特定のフラッシュ（Ｘ，Ｙ）内に存在しており、ＵＣＳ＿ＦＬＡＳＨ＿Ｘ，ＵＣＳ＿ＦＬＡＳＨ＿Ｙの各カラムが、そのフラッシュを識別する。更に、各フラッシュ内でのダイ１２０のローカル座標の番号は、各ＭＡＳＫ内でいずれかの方向に存在するダイ１２０の個数に応じて、（０，０），…，（ｍ，ｎ）となる。この座標は、ＤＩＥ＿ＦＬＡＳＨ＿Ｘ，ＤＩＥ＿ＦＬＡＳＨ＿Ｙとして、このテーブルに格納されるこれらの全カラムは特定のＭＡＳＫＳＥＴを参照しており、その関係はＭＡＳＫＳＥＴ＿ＳＫによって確立される。キーは｛ＭＡＳＫＳＥＴ＿ＳＫ，ＤＩＥ＿Ｘ，ＤＩＥ＿Ｙ｝として形成される複合キーであり、それぞれが一意のＤＩＥ＿ＷＡＦＥＲ＿ＬＡＹＯＵＴ＿ＳＫに対応している。
【００４１】
一部の実施形態では、ウェハの電気試験（ＷＥＴ）データを収集する計測プランにより、それぞれのフラッシュに対して、特定のサイト番号が定められており、これが全体的な試験の一部となる。ウェハの異なる点においてサンプリング測定を行うことにより、良好な空間的統計情報を得るために、これらのサイトは、通常、ウェハ全体に分布している。特定のサイト番号は、ＵＣＳ＿ＳＩＴＥ＿ＤＥＦＩＮＩＴＩＯＮ  ４１５というテーブルによって、ＵＣＳ系に結び付けられている。ＵＣＳ＿ＳＩＴＥ＿ＩＤというカラムが、その製品またはマスクセットに対する特定のサイト番号を示す。このモデルは、一般的な矩形領域に対応するように設計されており、これらの領域は、１つのフラッシュと完全に重なっていても重なっていなくてもよい。ＭＩＮ＿ＰＯＩＮＴ＿Ｘ、ＭＡＸ＿ＰＯＩＮＴ＿Ｘ、ＭＩＮ＿ＰＯＩＮＴ＿Ｙ、ＭＡＸ＿ＰＯＩＮＴ＿Ｙの各カラムが、テーブル内の各行に対して、このような領域を定義する。この領域が特定のフラッシュ（Ｘ，Ｙ）と正確に対応している場合、この値（Ｘ，Ｙ）が、ＵＣＳ＿ＦＬＡＳＨ＿ＸおよびＵＣＳ＿ＦＬＡＳＨ＿Ｙの各カラムに記録される。これらの全カラムは特定のＭＡＳＫＳＥＴを参照しており、その関係はＭＡＳＫＳＥＴ＿ＳＫによって確立される。主キーは｛ＭＡＳＫＳＥＴ＿ＳＫ，ＵＣＳ＿ＳＩＴＥ＿ＩＤ｝として形成される複合キーであり、それぞれが一意のＵＣＳ＿ＳＩＴＥ＿ＳＫに対応している。
【００４２】
最後に、テーブルＰＲＯＤＵＣＴ＿ＴＯ＿ＭＡＳＫＳＥＴ  ４２０は、ＰＲＯＤＵＣＴ＿ＩＤとＭＡＳＫＳＥＴ＿ＩＤ間をリンクしており、製造が行われた各ロット／ウェハ１００のウェハマップへの始点（gateway）として機能する。すべての製品は、マスクセットを有し、このため、当該デバイスを作製するために使用されたウェハ１００上の特定のパターンを有すると仮定される。
【００４３】
上記のモデルにより、ウェハの表面のあらゆる点に対応する、フラッシュ（ｘ，ｙ）またはダイ（ｘ，ｙ）を極めて迅速に決定できるようになる。ウェハの中心が原点であり、ノッチ／フラットが下を向いているＳＥＭＩ  Ｍ２０の記法で点（ｘ，ｙ）が表され、測定されたウェハに対してマスクセットが指定されているとすると、対応するフラッシュ（ｘ，ｙ）は、以下のクエリによって取得することができる。
【００４４】
ｓｅｌｅｃｔ  ＦＬＡＳＨ＿Ｘ，  ＦＬＡＳＨ＿Ｙ
ｆｒｏｍ  ＵＣＳ＿ＬＡＹＯＵＴ＿ＦＬＡＳＨ＿ＷＡＦＥＲ  ｆｌａｓｈ，  ＭＡＳＫＳＥＴ  ｍ
ｗｈｅｒｅ  Ｐｏｉｎｔ（Ｘ）  ＞＝  ｆｌａｓｈ．ＦＬＡＳＨ＿ＯＲＩＧＩＮ＿Ｘ
ａｎｄ  Ｐｏｉｎｔ（Ｘ）  ＜  ｆｌａｓｈ．ＦＬＡＳＨ＿ＯＲＩＧＩＮ＿Ｘ  ＋  ｍ．ＦＬＡＳＨ＿ＳＩＺＥ＿Ｘ
ａｎｄ  Ｐｏｉｎｔ（Ｙ）  ＞＝  ｆｌａｓｈ．ＦＬＡＳＨ＿ＯＲＩＧＩＮ＿Ｙ
ａｎｄ  Ｐｏｉｎｔ（Ｙ）  ＜  ｆｌａｓｈ．ＦＬＡＳＨ＿ＯＲＩＧＩＮ＿Ｙ  ＋  ｍ．ＦＬＡＳＨ＿ＳＩＺＥ＿Ｙ
【００４５】
同様に、ダイ（ｘ，ｙ）は、以下のクエリによって取得することができる。
【００４６】
ｓｅｌｅｃｔ  ＤＩＥ＿Ｘ，  ＤＩＥ＿Ｙ
ｆｒｏｍ  ＵＣＳ＿ＬＡＹＯＵＴ＿ＤＩＥ＿ＷＡＦＥＲ  ＤＩＥ，  ＭＡＳＫＳＥＴ  ｍ
ｗｈｅｒｅ  Ｐｏｉｎｔ（Ｘ）  ＞＝  ＤＩＥ．ＤＩＥ＿ＯＲＩＧＩＮ＿Ｘ
ａｎｄ  Ｐｏｉｎｔ（Ｘ）  ＜  ＤＥ．ＤＥ＿ＯＲＩＧＩＮ＿Ｘ  ＋  ｍ．ＤＩＥ＿ＳＩＺＥ＿Ｘ
ａｎｄ  Ｐｏｉｎｔ（Ｙ）  ＞＝  ＤＩＥ．ＤＩＥ＿ＯＲＩＧＩＮ＿Ｙ
ａｎｄ  Ｐｏｉｎｔ（Ｙ）  ＜  ＤＩＥ．ＤＩＥ＿ＯＲＩＧＩＮ＿Ｙ  ＋  ｍ．ＤＩＥ＿ＳＩＺＥ＿Ｙ
【００４７】
また、このモデルにより、ＦＬＡＳＨ＿ＷＡＦＥＲ＿ＬＡＹＯＵＴ＿ＳＫまたはＤＩＥ＿ＷＡＦＥＲ＿ＬＡＹＯＵＴ＿ＳＫを寸法として使用することが可能となり、これにより、ＷＥＴ、ＳＯＲＴおよびＣＬＡＳＳのインライン計測からの結果をシームレスに重ね合わることができるようになる。
【００４８】
次に図４Ａを参照すると、装置座標システムのマスタデータは、ＥＱＰＴ＿ＣＯＯＲＤ＿ＳＹＳＴＥＭ  ５００というテーブルに保持される。このテーブル５００は、｛ＮＯＴＣＨ＿ＤＩＲＥＣＴＩＯＮ，ＲＯＴＡＴＩＯＮ、ＦＬＩＰ＿Ｘ，ＦＬＩＰ＿Ｙ，ＴＲＡＮＳＰＯＳＥ＿ＡＸＩＳ，ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ，ＯＦＦＳＥＴ＿Ｙ，ＰＯＩＮＴ＿ＤＩＥ＿ＯＲ＿ＦＬＡＳＨ｝の一意の集合によって定義される各座標システムのＩＤを示している。ＮＯＴＣＨ＿ＤＩＲＥＣＴＩＯＮは、ウェハノッチ／フラットの位置を示している。とりうる値は、０，１，２，３であり、それぞれ下、右、上、左を示す。ＲＯＴＡＴＩＯＮは、ウェハが回転された角度を、反時計回り方向の９０°の倍数で示している。とりうる値は、０，１，２，３であり、デフォルトは０である。ＦＬＩＰ＿Ｘは、Ｘ軸が反転された（すなわち、正のＸの値が負のＸの値に、負のＸの値が正のＸの値に変わっている）ことを示す。とりうる値は、反転なしの１と、反転を示す−１である。ＦＬＩＰ＿Ｙは、Ｙ軸が反転されたことを示す。とりうる値は、反転なしの１と、反転を示す−１である。ＴＲＡＮＳＰＯＳＥ＿ＡＸＩＳは、軸が転置された（すなわち、元のＸ軸が新しいＹ軸に、元のＹ軸が新しいＸ軸に変わっている）ことを示す。とりうる値は、転置なしの０と、転置を示す１である。ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘは、座標システムの原点の、ウェハの原点からのＸ方向のシフト距離を示す。これは、上に挙げたフィールドの残りに対して定められ、単位を有する。ＯＦＦＳＥＴ＿Ｙは、座標システムの原点の、ウェハの原点からのＹ方向のシフト距離を示す。ＰＯＩＮＴ＿ＤＩＥ＿ＯＲ＿ＦＬＡＳＨは、座標システムの単位を示す。とりうる値は、点座標を示すＰ、ダイ座標を示すＤ、およびフラッシュ座標を示すＦである。点座標はミクロンで表されるが、他の２つの座標は符号なし整数で表される点に留意されたい。ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ値とＯＦＦＳＥＴ＿Ｙ値は、ＰＯＩＮＴ＿ＤＩＥ＿ＯＲ＿ＦＬＡＳＨ値によって指定される座標系と整合する単位で表される。
【００４９】
製造システム２００で収集され、データベース記憶ユニット２５５に記憶される計測記録には、測定されたパラメータの値と、ウェハ１００におけるその関連する位置の両方が含まれる。計測装置２１０が点座標を報告できない場合、計測装置２１０がダイ座標またはフラッシュ座標を報告するため、これらが収集される。関連する座標情報を有する測定値は、ＤＣＲ＿ＳＩＴＥ＿ＲＥＡＤＩＮＧというテーブル５０５に記憶され、収集された座標は、ＤＣＲ＿ＣＯＯＲＤＩＮＡＴＥＳというテーブル５１０に書き込まれる。「ＤＣＲ」は、Ｄａｔａ  Ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ  Ｒｅｐｏｒｔ（データ収集報告）の頭字語である。同じ点に対する複数の測定により、ＤＣＲ＿ＣＯＯＲＤＩＮＡＴＥＳテーブル５１０に１つのエントリが作成されるが、ＤＣＲ＿ＳＩＴＥ＿ＲＥＡＤＩＮＧテーブル５０５には複数のエントリが作成される。計測装置２１０によって提供される座標は、座標変換ユニット２３０によってＵＣＳ表記に変換される。図に示した実施形態では、座標変換ユニット２３０は、ＵＣＳ＿ＣＯＯＲＤＩＮＡＴＥＳという別個のテーブル５１５に、変換した値を書き込み、生データを保存するのと同時に、生データを変換されたデータにリンクする。
【００５０】
ＤＣＲ＿ＣＯＯＲＤＩＮＡＴＥＳ  ５１０のすべての行は特定のＤＣＲ＿ＣＯＮＴＥＸＴ＿ＳＫに対応付けられており、これは、ＤＣＲ＿ＣＯＮＴＥＸＴテーブル５２０とジョインするために使用し、データ収集中に装置が使用した座標系（すなわち、ＤＣＲ＿ＣＯＮＴＥＸＴテーブル５２０のＥＱＰＴ＿ＣＯＯＲＤ＿ＳＹＳカラムに記録されている）を決定することができる。ＥＱＰＴ＿ＣＯＯＲＤ＿ＳＹＳカラムが有効な値を示さない場合、システムはＥＱＰＴ＿ＵＣＳ＿ＴＲＡＮＳＦＯＲＭテーブル５２５に戻る。ＤＣＲ＿ＣＯＮＴＥＸＴのＥＱＰＴ＿ＨＡＲＤＷＡＲＥ＿ＳＫを使用して、このテーブル５２５とジョインすることにより、ＥＱＰＴ＿ＣＯＯＲＤ＿ＳＹＳＴＥＭ＿ＩＤカラムの値が取得され、この値は、その特定の装置で実行される全レシピが使用する座標システムに対応している。
【００５１】
また、ＤＣＲ＿ＣＯＯＲＤＩＮＡＴＥＳ  ５１０にあるすべての行も、特定のＤＣＲ＿ＬＯＴ＿ＳＫに対応付けられており、これは、ＤＣＲ＿ＬＯＴテーブル５３０とジョインし、ロットが計測装置で測定されたときの、そのロットのＰＲＯＤＵＣＴ＿ＳＫを決定するために使用されうる。このＰＲＯＤＵＣＴ＿ＳＫは、ＰＲＯＤＵＣＴ＿ＴＯ＿ＭＡＳＫＳＥＴテーブルとジョインし、測定に関連するＭＡＳＫＳＥＴ＿ＳＫを決定するために使用されうる。ＥＱＰＴ＿ＣＯＯＲＤ＿ＳＹＳとＭＡＳＫＳＥＴ＿ＳＫがわかれば、ウェハ上の各測定点をＵＣＳ座標に変換することができる一方で、その測定点が属しているＵＣＳダイ、フラッシュおよびサイトを計算することができる。
【００５２】
図６Ａ、図６Ｂおよび図６Ｃは、ツール座標系をＵＣＳ表記に座標変換するための方法の代表的なフローチャートを示す。一般に、変換は、以下の式を使用して実行される。
Ｉｆ  ＴＲＡＮＳＰＯＳＥ  ＝  １  ｔｈｅｎ  ａｐｐｌｙ  Ｘ’  ＝  Ｙ  ａｎｄ  Ｙ’  ＝  Ｘ  ｅｌｓｅ
ａｐｐｌｙ  Ｘ’  ＝  Ｘ  ａｎｄ  Ｙ’  ＝  Ｙ．
Ｘ”  ＝  ＯＦＦＳＥＴ＿Ｘ  ＋  Ｘ’  ＊  ＦＬＩＰ＿Ｘ
Ｙ”  ＝  ＯＦＦＳＥＴ＿Ｙ  ＋  Ｙ’  ＊  ＦＬＩＰ＿Ｙ
【００５３】
特定の計測装置２１０について、転置、オフセットおよび反転の各パラメータの値は、ＥＱＰＴ＿ＣＯＯＲＤ＿ＳＹＳＴＥＭテーブル５００のエントリに格納されている。
【００５４】
方法は方法ブロック６００で開始し、計測報告２６０が受信される。方法ブロック６０５において、計測装置２１０によって出力された測定位置が点座標で指定されているかどうかが判定される。点座標が指定されている場合、方法ブロック６１０において、関連する計測装置２１０のＥＱＰＴ＿ＣＯＯＲＤ＿ＳＹＳＴＥＭデータに基づいて、ＤＣＲのサイトＸ座標およびサイトＹ座標に点変換が行われる。方法ブロック６１５、６２０および６２５において、点のフラッシュ、ダイ、およびサイトのメンバシップがそれぞれ求められる。方法ブロック６３５において、変換されたＵＣＳ計測座標データが、ＵＣＳ＿ＣＯＯＲＤＩＮＡＴＥＳテーブル５１５に書き込まれる。
【００５５】
方法ブロック６０５において、計測位置が点座標で指定されていない場合、方法は方法ブロック６３５（図６Ｂ参照）に移動し、計測装置２１０によって出力された測定位置がダイ座標で指定されているかどうかが判定される。ダイ座標が指定されている場合、方法ブロック６４０において、ＤＣＲダイＸ座標およびダイＹ座標に変換が行われる。方法ブロック６４５、６５０および６５５において、ダイのフラッシュ、ダイおよびサイトのメンバシップがそれぞれ求められる。方法ブロック６６０において、変換されたＵＣＳ計測座標データが、ＵＣＳ＿ＣＯＯＲＤＩＮＡＴＥＳテーブル５１５に書き込まれる。
【００５６】
方法ブロック６３５において、計測位置がダイ座標で指定されていない場合、方法は方法ブロック６６５（図６Ｃ参照）に移動し、計測装置２１０によって出力された測定位置がフラッシュ座標で指定されているかどうかが判定される。座標の有効な値は、点、ダイまたはフラッシュだけであるため、レコードが無効でない限り、方法ブロック６６５の判定は常に真となる。方法ブロック６７０において、ＤＣＲフラッシュＸ座標およびフラッシュＹ座標に変換が行われる。方法ブロック６７５および６８０において、フラッシュおよびサイトのメンバシップがそれぞれ求められる。方法ブロック６８５において、変換されたＵＣＳ計測座標データが、ＵＣＳ＿ＣＯＯＲＤＩＮＡＴＥＳテーブル５１５に書き込まれ、方法ブロック６９０において方法が終了する。
【００５７】
マスクセットが定義されていないか、マスクセットが承認されていない製品に対応するＤＣＲ＿ＣＯＯＲＤＩＮＡＴＥＳテーブル５１０内の計測データ、あるいは、どの装置座標システムにも関連付けられていない装置２１０を使用して測定されたデータは変換されない。適切な座標システムを指定することができるように、例外報告が技術者に送信され、このような処置の後は、データが座標変換ユニット２３０によって変換されうる。
【００５８】
上に挙げた例では、座標変換機能を独立した座標変換ユニット２３０に実装する例を示したが、この機能が製造システム２００の別の実体に組み込まれてもよいと考えられる。例えば、変換機能が装置インターフェイス２１２に組み込まれてもよい。
【００５９】
本願明細書に記載されているユニバーサル座標システムの実装は、多くの利点を有する。データの収集中に計測装置２１０が使用する座標システムを問わず、測定／試験された位置の座標が、汎用的なフォーマットで報告されうる。同じデータ収集装置の異なるレシピが使用する座標システムのばらつきへの対処が行われ、座標が統一される。座標の変換時に、試験装置の異なる動作モードで使用されるノッチ位置が考慮されうる。最後に、ステッパからのデータを、レチクル工場からのデータと結合させなくても、フラッシュ内の各ダイの境界の正確な座標を表すことができる。
【００６０】
上記に記載した特定の実施形態は例に過ぎず、本発明は、本開示の教示の利益を得る当業者にとって自明の、異なるが均等の別法によって変更および実施されてもよい。更に、ここに記載した構成または設計の詳細が、添付の特許請求の範囲以外によって限定されることない。このため、上記に記載した特定の実施形態を変形または変更することが可能であり、このような変形例は全て本発明の範囲ならびに趣旨に含まれることが意図されることが明らかである。したがって、ここに保護を請求する対象は、添付の特許請求の範囲に記載したとおりである。
【図１】
2010506193.tif 000003
【図２】
2010506193.tif 000004
【図３】
2010506193.tif 000005
【図４】
2010506193.tif 000006
【図５Ａ】
2010506193.tif 000007
【図５Ｂ】
2010506193.tif 000008
【図６Ａ】
2010506193.tif 000009
【図６Ｂ】
2010506193.tif 000010
【図６Ｃ】
2010506193.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月5日(2008.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
計測装置（２１０）によって収集された計測データ、前記計測データに関連する位置データ、および前記計測装置（２１０）に関連し、前記計測装置（２１０）が使用した計測プロセスの種類を特定する前記コンテキストデータを含む計測報告（２６０）を受け取るステップと、
前記種類によってインデックス付けされている複数の座標系を記憶しているデータベースにアクセスすることによって、前記コンテキストデータに基づいて、前記計測装置（２１０）が使用する第１の座標系を決定するステップと、
変換された位置データを生成するために、前記位置データを前記第１の座標系から第２の座標系に変換するステップと、
前記変換された位置データおよび前記計測データをストアに記憶し、前記変換された位置データを前記計測データと関連付けるステップと、を含む方法。
【請求項２】
前記計測データと前記関連付けられた変換された位置データとに基づいて、プロセス装置（２０５）を制御するステップを更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記コンテキストデータは、計測装置識別子、および前記計測データを収集するために前記計測装置（２１０）が使用したレシピに関連するレシピ識別子のうちの１つを含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の座標系を決定する前記ステップは前記第１の座標系のパラメータを特定するステップを更に含み、前記パラメータは、ノッチ方向パラメータ、回転パラメータ、反転パラメータ、転置パラメータおよびオフセットパラメータのうちの少なくとも１つを含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記計測報告（２６０）は半導体ウェハに関連しており、前記方法は、
前記半導体ウェハに関連するマスクセットを特定するステップと、
前記マスクセットに関連し、複数のフラッシュサイトと、各フラッシュサイト内での複数のダイ位置とを定義しているウェハマップ（３００）を決定するステップと、
前記複数のフラッシュサイトから、前記変換された位置データを含むフラッシュサイトを決定するステップと、
前記複数のダイ位置から、前記変換された位置データを含むダイ位置を決定するステップと、を更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記位置データを変換する前記ステップは、前記第１の座標系のＸ座標とＹ座標を転置するステップを更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記位置データを変換する前記ステップは、前記第１の座標系のＸ座標およびＹ座標のうちの少なくとも１つにオフセットを加えるステップを更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記位置データを変換する前記ステップは、前記第１の座標系のＸ座標およびＹ座標のうちの少なくとも１つを反転するステップを更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記位置データを変換する前記ステップは、前記第１の座標系を回転させるステップを更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
計測データを収集するように動作可能な計測装置（２１０）と、
前記計測データ、前記計測データに関連する位置データ、および前記計測装置（２１０）に関連し、前記計測装置（２１０）が使用した計測プロセスの種類を特定する前記コンテキストデータを含む計測報告（２６０）を受け取り、前記種類によってインデックス付けされている複数の座標系を記憶しているデータベースにアクセスすることによって、前記コンテキストデータに基づいて、前記計測装置（２１０）が使用する第１の座標系を決定し、変換された位置データを生成するために、前記位置データを前記第１の座標系から第２の座標系に変換し、前記変換された位置データを前記計測データと関連付けるように動作可能な座標変換ユニット（２３０）と、
前記計測データと、前記関連付けられた変換された位置データとを記憶するように動作可能なデータストア（２２５）と、を備えるシステム。
【国際調査報告】
2010506193.tif 000012
2010506193.tif 000013
2010506193.tif 000014