(57)【要約】【課題】集光効率を向上させるコーティングされたミラー及びその製造方法を提供する。【解決手段】ＥＵＶ用のミラーの生成方法であって、（ａ）基材を設け、（ｂ）同基材上に、ナノメートルスケール又は原子層の厚みｔ１の第１層を蒸着し、（ｃ）第１層上に、ナノメートルスケール又は原子層の厚みｔ２の第２層を蒸着し、第１及び第２層は、異なる構造及び物理的特性を有するように、異なる成長パラメータで蒸着され、各層は、単独で或いは隣接する層と共に、ＥＵＶ反射エレメントを形成し、ＥＵＶ光源からの高速な破片粒子による侵食に対し耐性のある、ほぼストレスフリーのマイクロメートルスケールの厚みのコーティングを有するミラーを形成する。また、リソグラフィとイメージングを含む極端紫外線（ＥＵＶ）又はＸ線応用の集光光学系であって、ＬＬＰ光源等の放射源を備え、集光装置及び反射マスクを含む光学系を開示する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶ用の斜入射集光ミラーの生成方法であって、
（ａ）基材を設け、
（ｂ）前記基材上に、ナノメートルスケール又は原子層の厚みｔ１の第１層を蒸着し、
（ｃ）前記第１層上に、ナノメートルスケール又は原子層の厚みｔ２の第２層を蒸着するミラー生成方法であって、
前記第１及び第２層は、異なる構造及び物理的特性を有するように、異なる成長パラメータで蒸着され、
各層は、単独で或いは隣接する層と共に、ＥＵＶ反射エレメントを形成し、
ステップ（ｂ）及び（ｃ）は、ストレス補正条件下で複数回行われることにより、ＥＵＶ光源からの高速な破片粒子による侵食に対し耐性のある、ほぼストレスフリーのマイクロメートルスケールの厚みのコーティングを有するミラーを形成する、
ミラー生成方法。
【請求項２】
前記物理的特性は、密度、結晶構造及び固有応力のうちの一以上を含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記厚みｔ１は、１０-10ｍ≦ｔ１＜１０-8ｍ、１０-10ｍ≦ｔ１＜１０-7ｍ、１０-10ｍ≦ｔ１＜１０-6ｍ、１０-9ｍ≦ｔ１＜１０-6ｍ、又は１０-9ｍ≦ｔ１＜１０-7ｍ、又は１０-9ｍ≦ｔ１＜１０-8ｍである、
請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記厚みｔ２は、１０-10ｍ≦ｔ１＜１０-8ｍ、１０-10ｍ≦ｔ１＜１０-7ｍ、１０-10ｍ≦ｔ１＜１０-6ｍ、１０-9ｍ≦ｔ１＜１０-6ｍ、又は１０-9ｍ≦ｔ１＜１０-7ｍ、又は１０-9ｍ≦ｔ１＜１０-8ｍである、
請求項１、２、又は３に記載の方法。
【請求項５】
更に、（ｄ）先に蒸着された層の上に、ナノメートルスケール又は原子層の厚みｔ３である機能層を蒸着する、
上記請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記厚みｔ３は、１０-10ｍ≦ｔ１＜１０-8ｍ、１０-10ｍ≦ｔ１＜１０-7ｍ、１０-10ｍ≦ｔ１＜１０-6ｍ、１０-9ｍ≦ｔ１＜１０-6ｍ、又は１０-9ｍ≦ｔ１＜１０-7ｍ、又は１０-9ｍ≦ｔ１＜１０-8ｍである、
請求項５に記載の方法。
【請求項７】
更に、ステップ（ｂ）と（ｃ）を更に一回数以上行い、交互に配された層が異なる成長パラメータで蒸着され、異なる構造及び物理的特性を有するように、前記基材に多層コーティングを形成することを含む、
請求項１から４のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
更に、ステップ（ｂ）から（ｄ）を更に一回数以上行い、二つの層が異なる成長パラメータで蒸着されて異なる構造及び物理的特性を有し、連続する二層のセットが機能層によって分離されるように、基材に多層コーティングを形成することを含む、
請求項５、６又は７に記載の方法。
【請求項９】
ステップ（ｂ）及び（ｃ）は、第１層及び第２層が同じ要素又は化合物で形成されるように行われる、
上記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項１０】
ステップ（ｂ）及び（ｃ）は、第１層及び第２層が異なる要素又は化合物で形成されるように行われる、
請求項１から８のいずれかの請求項に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１層、第２層、或いは双方の層においては、前記要素は、（１）Ｍｏ又は（２）Ｒｕ又は（３）Ｚｒ又は（４）Ｎｂのいずれか一つであり、前記化合物としては、（１）Ｍｏ又は（２）Ｒｕ又は（３）Ｚｒ又は（４）Ｎｂのいずれか一つを含む化合物である、
上記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項１２】
更に、ステップ（ｂ）又は（ｃ）の間に、前記第１層及び／又は第２層の材料を反応性物理蒸着（ＰＶＤ）に付すことにより、前記材料が反応ガスと反応して前記第１層及び／又は第２層それぞれに反応生成物を形成する、
上記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項１３】
前記反応ガスは、Ｎ2、Ｏ2又はＨ2を含み、前記反応生成物として窒化物、酸化物、又は水素化物をそれぞれ形成する、
請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
ステップ（ｂ）及び（ｃ）は、前記第１層又は第２層（ただし双方ではない）が、（１）アモルファス形態又は（２）ナノ結晶形態となるように行われる、
上記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項１５】
ステップ（ｂ）及び／又は（ｃ）は、プラズマ蒸着、スパッタリング、反応性スパッタリング、蒸着、反応性蒸着、又はイオンビームスパッタリングを含む、
上記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項１６】
ステップ（ｂ）及び／又は（ｃ）は、蒸着された層の材料を同時にそれぞれナノ合金化することを含む、
上記いずれかの請求項に記載の方法。
【請求項１７】
更に、蒸着された層を後処理することにより、各層の材料をナノ合金化することを含む、
クレーム１から１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
上記いずれかの請求項に記載の方法によって得られる、ＥＵＶ用の斜入射集光ミラー。
【請求項１９】
基材と、
前記基材上に蒸着され、ナノメートルスケール又は原子層の厚みｔ１を有する第１層と、
前記第１層上に蒸着され、ナノメートルスケール又は原子層の厚みｔ２を有する第２層と、
を備え、
前記第１及び第２層は、異なる構造を有するように、異なる成長パラメータ及び物理的特性で蒸着され、
各層は、単独で或いは隣接する層と共に、ＥＵＶ反射エレメントを形成し、
更に複数蒸着された第１及び第２層を備え、前記蒸着された層は、ＥＵＶ光源からの高速な破片粒子による侵食に対し耐性のある、ほぼストレスフリーのマイクロメートルスケールの厚みのコーティングを有する、
ＥＵＶ用の斜入射集光ミラー。
【請求項２０】
前記物理的特性は、密度、結晶構造及び固有応力のうちの一以上を含む、
請求項１９に記載のミラー。
【請求項２１】
前記厚みｔ１は、１０-10ｍ≦ｔ１＜１０-8ｍ、１０-10ｍ≦ｔ１＜１０-7ｍ、１０-10ｍ≦ｔ１＜１０-6ｍ、１０-9ｍ≦ｔ１＜１０-6ｍ、又は１０-9ｍ≦ｔ１＜１０-7ｍ、又は１０-9ｍ≦ｔ１＜１０-8ｍである、
請求項１９又は２０に記載のミラー。
【請求項２２】
前記厚みｔ２は、１０-10ｍ≦ｔ１＜１０-8ｍ、１０-10ｍ≦ｔ１＜１０-7ｍ、１０-10ｍ≦ｔ１＜１０-6ｍ、１０-9ｍ≦ｔ１＜１０-6ｍ、又は１０-9ｍ≦ｔ１＜１０-7ｍ、又は１０-9ｍ≦ｔ１＜１０-8ｍである、
請求項１９、２０又は２１に記載のミラー。
【請求項２３】
更に、
（ｄ）ナノメートルスケール又は原子層の厚みｔ３を有する、先に蒸着された層の上にある機能層を含む、
請求項１９から２２のいずれかに記載のミラー。
【請求項２４】
前記厚みｔ３は、１０-10ｍ≦ｔ１＜１０-8ｍ、１０-10ｍ≦ｔ１＜１０-7ｍ、１０-10ｍ≦ｔ１＜１０-6ｍ、１０-9ｍ≦ｔ１＜１０-6ｍ、又は１０-9ｍ≦ｔ１＜１０-7ｍ、又は１０-9ｍ≦ｔ１＜１０-8ｍである、
請求項２３に記載のミラー。
【請求項２５】
更に、前記第１及び第２層を交互に複数重ねて形成された、前記基材上の多層コーティングを備え、交互に配された層は異なる成長パラメータで蒸着され、異なる構造を有する、
請求項１９から２２のいずれかに記載のミラー。
【請求項２６】
更に、第２のレイヤパターンが複数連続して形成されたものを含む、前記基材上の多層コーティングを備え、前記第２レイヤパターンは、前記第１及び第２層及び前記機能層を連続して含み、二つの層が異なる成長パラメータで蒸着されて、異なる構造を有し、連続する前記二層のセットが機能層によって分離されている、
請求項２３、２４又は２５に記載のミラー。
【請求項２７】
前記第１層及び第２層は、同じ要素又は化合物で形成されている、
請求項１９から２６のいずれかに記載のミラー。
【請求項２８】
前記第１層及び第２層は、異なる要素又は化合物で形成されている、
請求項１９から２６のいずれかに記載のミラー。
【請求項２９】
前記第１層、第２層、又は双方の層において、前記要素は、（１）Ｍｏ又は（２）Ｒｕ又は（３）Ｚｒ又は（４）Ｎｂのいずれか一つであり、化合物は、（１）Ｍｏ又は（２）Ｒｕ又は（３）Ｚｒ又は（４）Ｎｂのいずれか一つを含む化合物である、
請求項１９から２８のいずれかに記載のミラー。
【請求項３０】
前記第１層及び／又は第２層は、反応性物理蒸着（ＰＶＤ）に付された材料を備え、これにより、前記材料は反応ガスと反応し、前記第１層及び／又は第２層それぞれに反応生成物を形成する、
請求項１９から２９のいずれかに記載のミラー。
【請求項３１】
前記反応ガスは、Ｎ2、Ｏ2又はＨ2を含み、前記反応生成物として窒化物、酸化物、又は水素化物をそれぞれ形成する、
請求項３０に記載のミラー。
【請求項３２】
前記第１層又は第２層（双方ではない）は、（１）アモルファス形態又は（２）ナノ結晶形態である、
請求項１９から３１のいずれかに記載のミラー。
【請求項３３】
前記蒸着された層は、プラズマ蒸着、スパッタリング、反応性スパッタリング、蒸着（反応性蒸着）、又はイオンビームスパッタリングで蒸着された層を含む、
請求項１９から３２のいずれかに記載のミラー。
【請求項３４】
前記蒸着された層は、ナノ合金化されている、
請求項１９から３２のいずれかに記載のミラー。
【請求項３５】
光源から放射された光を集光し、イメージ焦点に向けるＥＵＶリソグラフィ等のＥＵＶ用の集光光学系であって、
一以上のミラーを備え、各前記ミラーは請求項１８から３４のいずれかに記載され、前記各ミラーは、少なくとも第１及び第２反射面を有し、使用において、光源からの放射は前記第１及び第２反射面において連続して斜入射反射する、
光学系。
【請求項３６】
前記各ミラーは、電鋳一体部材として形成され、前記第１及び第２反射面は、それぞれ前記ミラーの二つの連続する部分のうちのそれぞれに設けられている、
請求項３５に記載の光学系。
【請求項３７】
複数のミラーが、入れ子構成で配されている、
請求項３５又は３６に記載の光学系。
【請求項３８】
一以上の入れ子状の同心のミラーのコーティングされた面に対し連続して複数斜入射反射をさせるＥＵＶ集光光学系であって、前記ミラーは、ＥＵＶ放射の焦点を生成する反射コーティングを有し、前記反射コーティングは、ほぼストレスフリーであり、マイクロメートルスケールの厚みを有し、ＥＵＶ光源システムから発生するエネルギー粒子又はプラズマによって生ずる侵食に対し耐性がある、
光学系。
【請求項３９】
前記反射コーティングは、Ｒｕ又はＭｏ等の単一の要素からなる、
請求項３８に記載の集光器。
【請求項４０】
前記反射コーティングは、ＭｏやＲｕ等の二以上の要素からなる、
請求項３８に記載の集光器。
【請求項４１】
前記反射コーティングは、複数の材料を、厚みのあるナノ構造の合金からなる、請求項３８、３９又は４０に記載の集光器。
【請求項４２】
前記ナノ構造の合金は、それぞれがナノメートルスケールの厚みを有する異なる材料からなる薄い層を交互に蒸着させ、複数層構造を形成する、
請求項４１に記載の集光器。
【請求項４３】
前記ナノ構造の合金の蒸着は、スパッタリング法によってなされる、
請求項４１又は４２に記載の集光器。
【請求項４４】
前記ナノ構造の合金の蒸着は、蒸着法によってなされる、
請求項４１又は４２に記載の集光器。
【請求項４５】
薄い層を交互に蒸着させる間のイオン衝突を、前記薄い層の構造を制御するのに用いる、
請求項４１から４４のいずれかに記載の集光器。
【請求項４６】
前記交互に配された薄い層は、特定の層が他の層のストレスを補正するように蒸着される、
請求項３８から４５のいずれかに記載の集光器。
【請求項４７】
ＬＬＰ光源等の放射源と、
請求項３５から４６のいずれかに記載の集光光学系と、
集光装置と、
反射マスクと、
を備える、ＥＵＶリソグラフィシステム。
【請求項４８】
斜入射集光ミラーのための、多成分のナノ構造のストレスフリーのマイクロメートル厚のコーティングであって、照射中に保護され或いは高められるナノメートルレベルの面特性を有する、
コーティング。
【請求項４９】
斜入射集光ミラーのための、多成分のナノ構造のストレスフリーのマイクロメートル厚のコーティングを生成する方法であって、前記コーティングは、それぞれがナノメートルスケール又は原子層の厚みを有する複数層を蒸着し、連続する層は、異なる構造及び異なる物理的特性を有するように、異なる成長パラメータで蒸着され、各層は、単独で或いは隣接する層と共に、反射エレメントを形成し、層の蒸着をストレス補正条件化で行って、高速な破片粒子による侵食に対し耐性のある、ほぼストレスフリーのマイクロメートルスケールの厚みのコーティングを形成する方法。
【請求項５０】
照射中に保護され或いは高められるナノメートルレベルの面特性を有する、多成分のナノ構造のストレスフリーのマイクロメートル厚のコーティングであって、請求項４９の方法によって取得可能なコーティング。
【請求項５１】
（ａ）基材を設け、
（ｂ）前記基材上に、マイクロメートルスケールの厚みを有し、単一の構成要素又は化合物を含む厚い層を蒸着し、
（ｂ）は、前記厚い層においてその蒸着中に複数のサブレイヤを同時に形成し、前記サブレイヤはナノメートルスケール又は原子層の厚みを有する、
ＥＵＶ用の斜入射集光ミラーの生成方法であって、
連続するサブレイヤは、その蒸着の間に、処理が交互或いは周期的に行われて、連続するサブレイヤは異なる構造及び物理的特性を有し、
各サブレイヤは、単独で或いは隣接する層と共に、反射エレメントを形成し、
ステップ（ｂ）は、ストレス補正条件下にあることによって、ＥＵＶ光源からの高速な破片粒子による侵食に対し耐性のある、ほぼストレスフリーのマイクロメートルスケールの厚みのコーティングを有するミラーを形成する、
方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光学系の材料に関し、更に詳しくは、ＥＵＶリソグラフィ用の集光系等のためのコーティングされたミラー、及びその製造工程に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｘ線応用の光学設計として、タイプIのウォルター鏡がよく知られている。タイプIのウォルター鏡の光学的構造は、斜入射する入れ子式の二重反射ミラーからなる。
【０００３】
最近になり、タイプIのウォルター型のバリエーションとして、パラボラ面が楕円になっているものが他の用途に提案されている。それは、極端紫外光（ＥＵＶ）マイクロリソグラフィの光源として用いられる小熱プラズマから出される１３．５ｎｍの放射を集光するのに用いられ、最近では、次世代のリソグラフィツールとして半導体産業における有望な技術と考えられている。ここで、イメージが形成される照射対象のシリコンウエハには、ほぼ一定の放射エネルギー密度、つまりフラックスを与えるという性能上の要件がある。ＥＵＶリソグラフィの光源の熱プラズマは、リチウム（ｌｉｔｈｉｕｍ）、ゼノン（Ｘｅｎｏｎ）、又はティン（Ｔｉｎ）からなる対象物に対し、放電（放電生成プラズマ、即ちＤＰＰ光源）やレーザビーム（レーザ生成プラズマ、即ちＬＰＰ光源）によって生成され、後者の方は最も有望のようである。光源から出射は、ほぼ等方性であり、最新のＤＰＰ光源では、放電電極によって光軸から約６０度以上の角度に制限される。ＥＵＶリソグラフィシステムは、例えば、特許文献１、特許文献２及び特許文献３に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００４／０２６５７１２号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２００５／００１６６７９号明細書
【特許文献３】米国特許出願公開第２００５／０１５５６２４号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図１（先行技術）に、ＥＵＶリソグラフィシステムの簡略化したブロック図を示す。紫外線光源１０２は、通常は熱プラズマであり、その出射は集光器１０４によって集光され、照射器１０６に進む。照射器は、マスク又はレクチル１０８に照射し、パターンをウエハに転写する。マスク又はレクチルのイメージは、投影光学ボックス１１２によりウエハ１１０上に投射される。
【０００６】
現在、集光器１０４の最も有望な光学設計は、図２（先行技術）に示すような、入れ子式のウォルターIの構造に基づくものである。各ミラー２００は、二つの部分（面）２０２，２０４からなる薄いシェルである。第１の部分２０２は、光源１０２寄りに配され、双曲線であるのに対し、第２の部分２０４は、楕円である。双方は回転対象であり、共通の焦点を有する。
【０００７】
光源１０２は、共通の焦点とは異なる双曲線の焦点に配される。光源１０２からの光は双曲線部２０２によって集光され、楕円部２０４に反射し、共通の焦点とは異なり且つ中間焦点（ＩＦ）２０６として知られている楕円の焦点に集中する。
【０００８】
光学上の観点から、集光器１０２の性能は、集光効率や遠距離場強度分布によって主に特徴付けられる。集光効率は、中間焦点２０６における光強度と光源１０２によって球面の半分に出射されるパワーとの比率である。集光効率は、集光器１０４の配置や、光源１０２の空間的・角度的分布や、照射器の光学仕様や、各ミラー２００の反射率に関係する。
【０００９】
図３（先行技術）を参照すると、ウォルターI鏡の設計では、双曲線部２０２及び楕円部２０４は共通の焦点（３０４）を有し、その焦点は光軸３０２（つまり、光源の焦点１０２及び中間焦点２０６を通過する線）上にある。
【００１０】
光源側の一定の最大集光角度に関し、集光効率は、主に、集光角度及びミラーの光学面上のコーティングの反射率によって決まる。一定の入射角度では、ＥＵＶ放射に関しては、ミラーの反射率はミラー面の最初の数ナノメートルの物理的特性に依存する。局部的な面構成、集積密度（packing density）及び表面粗さは、ミラーの性能は決めるものであり、光源の露光やその破片に晒される時間と共に、維持され或いは改善されなければならない。
【００１１】
集光器部品の問題は、ミラー／コーティングが薄いものであり、あらゆる熱負荷の下ではメカニカルな安定性を欠く。
【００１２】
更に問題なのは、実現可能な集光効率とともに、極めて強力な光源を開発し、集光器において光学上の品質や安定性を高く維持する必要に迫られている。
【００１３】
また、ミラー／コーティングは、特に激しい洗浄、例えば室温から摂氏数百度までの温度下で水素及びフッ素剤を使用する洗浄等に関しては耐性を欠き、ＥＵＶ光源技術に使用されるＳｎやＬｉ等（ただしこれらに限定されない）の凝縮性材料を除去してしまうという問題もある。
【００１４】
更に、反射コーティングは、最適でない破片抑制システムによって運転される高出力の光源から出射された、数十ｅＶから数キロｅＶの範囲の運動エネルギーの高速荷電イオンや中性粒子（例えば、Ｌｉ，Ｓｎ，Ｘｅ）に因る集中的な破片による損傷に対しては、耐性を欠くという問題がある。これは、光学材料の位置依存性侵食の原因となり、露光中においてミラー面の構成を変化させてしまう。この結果、ミラーの性能も耐用年数も悪くなる。
【００１５】
したがって、一つの問題としては、集光器の耐用年数が、極端に強力な光源に晒されることによって比較的短くなることである。これは、光学層をもっと厚くしなければならないということであり、例えば、マイクロメートルオーダ、又は数マイクロメートルの厚みになるようにして、侵食に耐えられるようにしなければならない。
【００１６】
別の問題としては、上記侵食の間に、数ナノメートルの厚みの光学上アクティブな面の性質を維持させるか、向上させなければならない。
本発明は、上記及び他の課題を解決しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の一の観点によれば、ＥＵＶ用のミラーの生成方法であって、（ａ）基材を設け、（ｂ）同基材上に、ナノメートルスケール又は原子層の厚みｔ１の第１層を蒸着し、（ｃ）第１層上に、ナノメートルスケール又は原子層の厚みｔ２の第２層を蒸着するミラー生成方法であって、前記第１及び第２層は、異なる構造及び物理的特性を有するように、異なる成長パラメータで蒸着され、各層は、単独で或いは隣接する層と共に、ＥＵＶ反射エレメントを形成することにより、ＥＵＶ光源からの高速な破片粒子による侵食に対し耐性のある、ほぼストレスフリーのマイクロメートルスケールの厚みのコーティングを有するミラーを形成する方法が提供される。
【００１８】
物理的特性は、密度、結晶構造及び固有応力のうちの一以上を含んでいてもよい。
厚みｔ１は、１０-10ｍ≦ｔ１＜１０-8ｍ、１０-10ｍ≦ｔ１＜１０-7ｍ、１０-10ｍ≦ｔ１＜１０-6ｍ、１０-9ｍ≦ｔ１＜１０-6ｍ、又は１０-9ｍ≦ｔ１＜１０-7ｍ、又は１０-9ｍ≦ｔ１＜１０-8ｍであるようにしてもよい。
【００１９】
厚みｔ２は、１０-10ｍ≦ｔ１＜１０-8ｍ、１０-10ｍ≦ｔ１＜１０-7ｍ、１０-10ｍ≦ｔ１＜１０-6ｍ、１０-9ｍ≦ｔ１＜１０-6ｍ、又は１０-9ｍ≦ｔ１＜１０-7ｍ、又は１０-9ｍ≦ｔ１＜１０-8ｍであるようにしてもよい。
【００２０】
同方法は、更に、（ｄ）先に蒸着された層の上に、ナノメートルスケール又は原子層の厚みｔ３を有する機能層を蒸着することを含む。
厚みｔ３は、１０-10ｍ≦ｔ１＜１０-8ｍ、１０-10ｍ≦ｔ１＜１０-7ｍ、１０-10ｍ≦ｔ１＜１０-6ｍ、１０-9ｍ≦ｔ１＜１０-6ｍ、又は１０-9ｍ≦ｔ１＜１０-7ｍ、又は１０-9ｍ≦ｔ１＜１０-8ｍであるようにしてもよい。
【００２１】
同方法は、更に、ステップ（ｂ）と（ｃ）を更に一回数以上行い、交互に配された層が異なる成長パラメータで蒸着され、異なる構造及び物理的特性を有するように、基材に多層コーティングを形成してもよい。
【００２２】
同方法は、更に、ステップ（ｂ）から（ｄ）を更に一回数以上行い、二つの層が異なる成長パラメータで蒸着され、異なる構造及び物理的特性を有し、同連続する二層のセットが機能層によって分離されるように、基材に多層コーティングを形成してもよい。
【００２３】
一つの実施例においては、ステップ（ｂ）及び（ｃ）は、第１層及び第２層が同じ要素又は化合物で形成されるように行われる。別の実施例においては、ステップ（ｂ）及び（ｃ）は、第１層及び第２層が異なる要素又は化合物で形成されるように行われる。第１層、第２層、或いは双方の層としては、（１）Ｍｏ又は（２）Ｒｕ又は（３）Ｚｒ又は（４）Ｎｂのいずれか一つであり、化合物としては、（１）Ｍｏ又は（２）Ｒｕ又は（３）Ｚｒ又は（４）Ｎｂのいずれか一つを含む化合物である。
【００２４】
同方法は更に、ステップ（ｂ）又は（ｃ）の間に、第１層及び／又は第２層の材料を反応性物理蒸着（ＰＶＤ）に付する。これにより、材料は反応ガスと反応し、第１層及び／又は第２層それぞれに反応生成物を形成する。好ましくは、反応ガスは、Ｎ2、Ｏ2又はＨ2を含み、反応生成物として窒化物、酸化物、又は水素化物をそれぞれ形成する。
【００２５】
ステップ（ｂ）及び（ｃ）は、第１層又は第２層（双方ともではない）が、（１）アモルファス形態又は（２）ナノ結晶形態となるように行われてもよい。更に、ステップ（ｂ）及び／又は（ｃ）は、ストレス補正条件下で行われてもよい。また、ステップ（ｂ）及び／又は（ｃ）は、プラズマ蒸着、スパッタリング、反応性スパッタリング、蒸着、反応性蒸着、又はイオンビームスパッタリングを含んでいてもよい。所定の実施例では、ステップ（ｂ）及び／又は（ｃ）は、蒸着された層の材料を同時にナノ合金化することを含む。
【００２６】
同方法は更に、蒸着された層を後処理し、各層の材料をナノ合金化することを含む。
本発明の別の観点によれば、添付の特許請求の範囲の請求項１〜１８のいずれかの方法によって得られるＥＵＶ用のミラーが提供される。
【００２７】
本発明の他の観点によれば、ＥＵＶ用のミラーであって、基材と、同基材上に蒸着されナノメートルスケール又は原子層の厚みｔ１を有する第１層と、第１層上に蒸着されナノメートルスケール又は原子層の厚みｔ２を有する第２層と、を備えるミラーであって、第１及び第２層は、異なる構造を有するように、異なる成長パラメータ及び物理的特性で蒸着され、各層は、単独で或いは隣接する層と共に、ＥＵＶ反射エレメントを形成して、ＥＵＶ光源からの高速な破片粒子による侵食に対し耐性のある、ほぼストレスフリーのマイクロメートルスケールの厚みのコーティングを有するミラーが提供される。
【００２８】
ミラーの物理的特性は、密度、結晶構造及び固有応力のうちの一以上を含んでいてもよい。
厚みｔ１は、１０-10ｍ≦ｔ１＜１０-8ｍ、１０-10ｍ≦ｔ１＜１０-7ｍ、１０-10ｍ≦ｔ１＜１０-6ｍ、１０-9ｍ≦ｔ１＜１０-6ｍ、又は１０-9ｍ≦ｔ１＜１０-7ｍ、又は１０-9ｍ≦ｔ１＜１０-8ｍであるようにしてもよい。
【００２９】
厚みｔ２は、１０-10ｍ≦ｔ１＜１０-8ｍ、１０-10ｍ≦ｔ１＜１０-7ｍ、１０-10ｍ≦ｔ１＜１０-6ｍ、１０-9ｍ≦ｔ１＜１０-6ｍ、又は１０-9ｍ≦ｔ１＜１０-7ｍ、又は１０-9ｍ≦ｔ１＜１０-8ｍであるようにしてもよい。
【００３０】
同ミラー、更に、（ｄ）先に蒸着された層の上にある機能層を含み、同機能層は、ナノメートルスケール又は原子層の厚みｔ３を有する。
厚みｔ３は、１０-10ｍ≦ｔ１＜１０-8ｍ、１０-10ｍ≦ｔ１＜１０-7ｍ、１０-10ｍ≦ｔ１＜１０-6ｍ、１０-9ｍ≦ｔ１＜１０-6ｍ、又は１０-9ｍ≦ｔ１＜１０-7ｍ、又は１０-9ｍ≦ｔ１＜１０-8ｍであるようにしてもよい。
【００３１】
同ミラーは、更に、前記第１及び第２層を交互に複数重ねて形成された、基材上の多層コーティングを備え、交互に配された層は異なる成長パラメータで蒸着され、異なる構造を有するようにしてもよい。
【００３２】
同ミラーは更に、第２レイヤパターンが複数連続形成されたものを含む、基材上の多層コーティングを備え、第２レイヤパターンは、前記第１及び第２層及び前記機能層を連続して含み、二つの層が異なる成長パラメータで蒸着され、異なる構造を有し、同連続する二層のセットが機能層によって分離されるようにしてもよい。
【００３３】
一つの実施例においては、第１層及び第２層が同じ要素又は化合物で形成されるようにしてもよい。
別の実施例においては、第１層及び第２層が異なる要素又は化合物で形成されるようにする。
【００３４】
第１層、第２層、或いは双方の層において、前記要素は、（１）Ｍｏ又は（２）Ｒｕ又は（３）Ｚｒ又は（４）Ｎｂのいずれか一つであり、化合物は、（１）Ｍｏ又は（２）Ｒｕ又は（３）Ｚｒ又は（４）Ｎｂのいずれか一つを含む化合物であってもよい。
【００３５】
第１層及び／又は第２層は、反応性物理蒸着（ＰＶＤ）に付された材料を備え、これにより、材料は反応ガスと反応し、第１層及び／又は第２層それぞれに反応生成物を形成する。好ましくは、反応ガスは、Ｎ2、Ｏ2又はＨ2を含み、反応生成物として窒化物、酸化物、又は水素化物をそれぞれ形成する。
【００３６】
一つの実施例においては、第１層又は第２層（双方ともではない）は、（１）アモルファス形態又は（２）ナノ結晶形態である。
好適には、蒸着された層は、ストレス補正され、或いはストレスフリーである。
【００３７】
蒸着された層は、プラズマ蒸着、スパッタリング、反応性スパッタリング、蒸着（反応性蒸着）、又はイオンビームスパッタリング蒸着された層を含んでいてもよい。
蒸着された層は、ナノ合金化された層を備えていてもよい。
【００３８】
本発明の別の観点によれば、光源から放射された光を集光して、イメージ焦点に向けるＥＵＶリソグラフィ等のＥＵＶ用の集光光学系であって、一以上のミラーを備え、各前記ミラーは添付の特許請求の範囲の請求項１４〜２６のいずれかに係るものであって、前記各ミラーは、少なくとも第１及び第２反射面を有し、使用において、光源からの放射は前記第１及び第２反射面において連続して斜入射反射する。
【００３９】
好ましくは、前記各ミラーは、電鋳一体部材として形成され、第１及び第２反射面は、それぞれミラーの二つの連続する部分のうちのそれぞれに設けられている。好ましくは、複数のミラーが、入れ子構成で配されている。
【００４０】
本発明の別の観点によれば、ＬＬＰ光源等の放射源を備えるＥＵＶリソグラフィシステムであって、同集光光学系は添付の特許請求の範囲の請求項２７から３０のいずれかに記載の集光光学系であって、集光装置と反射マスクとを備える。
【００４１】
本発明の他の観点によれば、多成分のナノ構造のストレスフリーのマイクロメートル厚のコーティングであって、照射中に保護され或いは高められるナノメートルレベルの面特性を有する。
【００４２】
本発明の別の観点によれば、多成分のナノ構造のストレスフリーのマイクロメートル厚のコーティングを生成する方法であって、複数層を蒸着し、各層は、ナノメートルスケール又は原子層の厚みであり、連続する層は、異なる構造及び異なる物理的特性を有するように、異なる成長パラメータで蒸着され、各層は、単独で或いは隣接する層と共に、反射エレメントを形成して、高速な破片粒子による侵食に対し耐性のある、ほぼストレスフリーのマイクロメートルスケールの厚みのコーティングを形成する方法が提供される。
【００４３】
本発明の別の観点によれば、照射中に保護され或いは高められるナノメートルレベルの面特性を有する、多成分のナノ構造のストレスフリーのマイクロメートル厚のコーティングであって、添付の特許請求の範囲の請求項４２の方法によって取得可能なコーティングが提供される。
【００４４】
本発明の効果は、集光効率が向上し且つ／又は最大化されることである。
更に本発明の効果は、ミラーの耐用年数及び耐性が向上し且つ／又は最大化されるため、特定の環境条件（例えば、光源からの特定の破片の衝撃等）に合わせることができる。
【００４５】
更に、本発明の一形式としては、一以上の要素によって構成されるナノ構造層が、交互の構造及び成長パラメータで一以上のＥＵＶ反射要素を（共）蒸着することにより得られるナノ合成物又はナノメートル周期性を有する多層構造で形成される。これは、（アモルファス／アモルファス、ナノ結晶／アモルファス等）異なるナノ構造及び界面を有する（Ｍｏ，Ｒｕ，Ｚｒ，Ｎｂ等の）多層の二要素からなる（ただし、これらには限定はされない）。任意には、準備方法の一部として、蒸着材料に反応ガスを付加して、上述の要素の窒化物、酸化物、又は水素化物等を形成する（ただし、これらには限定はされない）。全体のコーティングは、ストレス補正され（つまり、ほとんどストレスフリーであるか、基材に対する安定的な光学層を得るに十分なファイナルストレスであり）、全体の厚みは約数マイクロメートルである。蒸着の好適な方法は、プラズマ及びイオンアシスタンス（スパッタリング、反応性スパッタリング、蒸着等）を用いた物理的なものであるが、本発明はこれに限定されない。材料は、蒸着工程の効果としてすでにナノ合金化されていてもよいし、後処理して最終的に均質なナノ構造にしてもよい。
【００４６】
上記の一変形例は次の通りである。複数よりも単一の要素であって、調整された電子的及び物理的特性を有し、成長時の周期的なイオン照射によって得られ、膜密度と固有応力を変化させる要素が形成される。このストレス補正されたナノ構造のコーティングにより、高いＥＵＶ反射率が出る。上記の他の変形例としては次の通りである。層／コーティングは、ナノメートルスケール又は原子層の厚みを有する二以上の層によって構成され、外因性の高速の粒子（ＥＵＶ高出力光源からの破片）の衝撃によって、平均的な化学量論を変更／劣化させることなく混合される。
【００４７】
上記の他の変形例としては次の通りである。層／コーティングは、ナノメートルスケール又は原子層の厚みを有する二以上の層によって構成され、優先的なスパッタリングや分離によって面構造に影響する外因性の高速の粒子（ＥＵＶ高出力光源からの破片）の衝撃によって混合され、ミラーがより高い反射率を有し、さらに／又は照射時に高い耐用年数を有する。
【００４８】
本発明の効果は、向上した耐久性にある。つまり、水素ラジカルに対しより耐性が見込めることにある。
本発明の別の効果は、ミラー／コーティングの厚みが増したことと、メカニカルな安定性にある。
【００４９】
更に本発明の別の効果は、向上した耐久性にある。つまり、高速な粒子／イオン衝撃による反射率の劣化や面粗さの防止を見込めることにある。
本発明の別の効果は、向上した耐久性にある。つまり、反応破片粒子（例えばＳｎ）による化学反応を介してナノメートルスケール又は原子層スケールで達成されるイオン衝撃／高速な粒子による反射率の劣化や面粗さの防止を見込めることにある。
【００５０】
更に、厚みのある安定した多成分の材料を蒸着することの効果は、（分離、脱着、優先的スパッタリング等の）間や外的処理中に面の構成を変化させ、ミラーの性能と耐用年数の向上が見込めることである。
【００５１】
更に本発明の効果は、最終的な層面のトポグラフィは、ナノ構造及び蒸着方法により基材の最初の荒さには依存せず、ナノメートル範囲で異なる面粗さを有する複数の異なる基材に直接蒸着することができる。
【００５２】
本発明の別の形態としては、洗浄（ウェット又はＲＩＥ）のマーカ或いは終点材料として用いられる機能層又は最終的にはパターン形成される薄い層のセットによって分離され、上記ナノ構造のコーティングのうち二以上を備えるコーティングが提供される。この機能（スペース）層は、必要な機能に応じて、（窒化ケイ素や酸化ケイ素等）絶縁材や、金属であってもよい。
【００５３】
有用な用途としては、次のものがある。
−侵食診断サービス
−新しい洗浄のしくみであって、耐用年数の予測につながるもの
−欠陥構造の調査
本発明の別の形態としては、一以上の要素によって構成されるナノ構造層であって、交互の構造及び成長パラメータで一以上のＥＵＶ反射要素を（共）蒸着することにより得られるナノ合成物又はナノメートル周期性を有する多層構造のものが提供される。これは、（アモルファス／アモルファス、ナノ結晶／アモルファス等）異なるナノ構造及び界面を有する（Ｍｏ，Ｒｕ，Ｚｒ，Ｎｂ等の）二以上の要素からなる多層を備える（ただし、これらには限定はされない）。全体のコーティングは、ストレス補正され、全体の厚みは約数マイクロメートルである。蒸着の好適な方法は、プラズマ及びイオンアシスタンス（スパッタリング、蒸着等）を用いた物理的なものであるが、本発明はこれに限定されない。材料は、蒸着工程の効果としてすでにナノ合金化されていてもよいし、後処理して最終的に均質なナノ構造にしてもよい。
【００５４】
このコーティングは、水素が効率的に保持される多数の活性界面を有するように構成されている。したがって、この構成は、コーティングに水素及び水素ラジカルが浸透しにくくする、或いは浸透することを防ぐ。好ましくは、水素に対する親和性が低いモリブデンを構成要素の一つとして用いる。
【００５５】
効果は次のものが含まれる。
−耐久性：原子状及び分子状水素を用いたプラズマ洗浄による水素ラジカルに対しより大きい耐性がある
本発明に係る技術は、限定されないが、特にＨＶＭ  ＧＩＣ技術に適用される。
【００５６】
ここで、本発明の実施例を添付の図面を参照しながら詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】（先行技術）公知のＥＵＶリソグラフィシステムの一例を示す。
【図２】（先行技術）図１のＥＵＶリソグラフィシステムの集光光学系の光線の図を示す。
【図３】（先行技術）ＥＵＶプラズマ光源の公知のタイプIウォルター入れ子式集光器（リファレンス設計）の光学レイアウトの一部を詳細に示す。
【図４】本発明の第１実施形態に係るＥＵＶミラーの生成工程を示す。
【図５】本発明の第２実施形態に係るＥＵＶミラーの生成工程を示す。
【図６】本発明の第３実施形態に係るＥＵＶミラーの生成工程を示す。
【図７】本発明の第４実施形態に係るＥＵＶミラーの生成工程を示す。
【図８】本発明の第５実施形態に係るＥＵＶミラーの生成工程を示す。
【発明を実施するための形態】
【００５８】
実施例記載及び図面では、同様の符号は同様の要素を示すものとして用いる。特に示さない限り、各設計上の構成要素及び部材は、ここに開示されたその他の設計上の構成要素や部材と組み合わせて用いることができる。
【００５９】
ここに示した光学要素やシステムの図示例では、特に示さない限り、光軸周りの円筒対称とみなし、「イメージ焦点」はイメージ焦点又は中間焦点を示す。
ここに使用される、「ナノメートルスケール」、「原子層」、及び「マイクロメートルスケール」等の用語は、当業者であれば理解されるものである。必要に応じて、「ナノメートルスケール」は、おおよそ或いは丁度、１０-9ｍから１０-6ｍの範囲、或いは１０-9ｍ〜１０-7ｍの範囲、或いは１０-9ｍから１０-8ｍの範囲にある寸法（例えば厚み）を意味する。ここで使用される「原子層」等は、厚みが約１０-10ｍから約１０-9ｍの範囲にある層を意味する。必要に応じて、「マイクロメートルスケール」とは、おおよそ或いは丁度、約１０-6ｍから約１０-5ｍの範囲にある寸法（例えば厚み）を意味する。
【００６０】
図４は、本発明の第１実施形態による、ＥＵＶミラー４００の生成工程を示す。ミラー４００の基材４０２は、例えば、ニッケルでつくられる。しかし、当業者であればその他多くの金属及び非金属材料を用いることができることは自明である。
【００６１】
図４（ｂ）に示すように、第１層４０４が基材４０２の表面上に形成される。第１層４０４の好適な蒸着方法は、プラズマやイオンアシスタンス（スパッタリング、反応性スパッタリング、蒸着等）を用いた物理的なものであり、蒸着される材料は、Ｍｏ，Ｒｕ，Ｚｒ，及びＮｂのうち適切なものと、適切な化学化合物である。第１層４０４の蒸着は、ほぼ均一な厚みｔ１が形成されるまで続けられる。そして成長が止められる。厚みｔ１は、好適にはナノメートル或いは原子層スケールである。第１層４０４の蒸着は、当業者に知られている技術を用いて、ストレス補正／除去条件で行われる。これによりミラーの最終製品にある内部応力を削減又は除去できる。第１層の露出面４０５は、必須ではないが、次工程の前に処理（例えば、洗浄、研磨等）されてもよい。
【００６２】
次に、面４０５上に第２層４０６が形成される（図４（ｃ））。これは、第１層と同様の方法で行われ、Ｍｏ，Ｒｕ，Ｚｒ，及びＮｂのうちの一つが使用される（ただし、第１層４０４と同じものではない）。第２層４０６の蒸着は、ほぼ均一な厚みｔ２の層が形成されるまで続けられる。そして成長が止められる。厚みｔ２は、好適にはナノメートル或いは原子層スケールである。また、第１及び第２層４０４，４０６は、異なるナノ構造及び界面（アモルファス／アモルファス、ナノ結晶／アモルファス等）を有するように形成される。
【００６３】
図５は、本発明の第２実施形態に係るＥＵＶミラー４０２´の生成工程を示す。これは、以下の点を除いて前記実施形態と同様である。
この実施形態では、図４（ｃ）に示される物に続き、第１及び第２層４０４、４０６の蒸着工程にほぼ相当する蒸着手順が繰り返され、４層のコーティングを生成する（図５（ａ）参照）。これらの手順は更に繰り返されて、複数層を構築し、機械的及び／又は光学的性質を向上させてもよい。例えば、これらの手順を更に二回繰り返すことにより、図５（ｂ）に示す多層構造を構築できる。ここでは、異なるナノ構造及び界面を有する層４０４、４０６が交互に配されている。
【００６４】
図６は、本発明の第３実施形態に係るＥＵＶミラー４００″の生成工程を示す。これは、以下を除いては、第１実施形態と同一である（つまり、図６（ａ）から（ｃ）を図示する手順が同一である）。第２層４０６の形成後に機能層４０８が形成される。機能層４０８は、単一層か、或いは自身が最終的にはパターン形成される複数の薄い層のセットからなり、洗浄（ウェット又はＲＩＥ）のためのマーカや終点材料として利用してもよい。この層の厚みは、ナノメートル又は原子層スケールである。この機能層４０８は、必要な機能に応じて絶縁材（窒化ケイ素や酸化ケイ素等）であっても、又は金属であってもよい。
【００６５】
図７は、本発明の第４実施形態に係るＥＵＶミラー４００″′の生成工程を示す。これは、以下の点を除いて前記実施形態と同様である。
この実施形態では、図６（ｂ）に示される物に続き、第１及び第２層４０４、４０６と機能層４０８の蒸着工程にほぼ相当する蒸着手順が一回以上（ここでは三回）繰り返され、９層の多層コーティングを生成する（図７参照）。この複数層の構築により、機械的及び／又は光学的性質を向上させることができる。結果として四回繰り返されたレイヤパターン４１０となる。レイヤパターン４１０は、（上記の通り）第１層４０４、第２層４０６及び機能層４０８が連続するものからなる。
【００６６】
図８は、本発明の第５実施形態に係るＥＵＶミラー４００″″の生成工程を示す。これは、以下の点を除いて前記実施形態と同様である。レイヤパターン４１０の規則的な繰り返しが必須でないことは当業者であれば理解されるところである。例えば、第１及び第２層４０４、４０６の蒸着を複数回（ここでは二回）繰り返した後、レイヤパターン４１０を蒸着し、その後第１及び第２層４０４、４０６の蒸着を複数回（ここでは二回）繰り返したものであってもよい。多様な置換やバリエーションが実施できることは理解されるところである。
【図１】
2010506224.tif 000003
【図２】
2010506224.tif 000004
【図３】
2010506224.tif 000005
【図４】
2010506224.tif 000006
【図５】
2010506224.tif 000007
【図６】
2010506224.tif 000008
【図７】
2010506224.tif 000009
【図８】
2010506224.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月27日(2009.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高速の破片粒子を出射するＥＵＶ放射源からの極端紫外線（ＥＵＶ）を反射させるための斜入射ミラーの生成方法であって、
（ａ）ミラー基材を設け、
（ｂ）前記基材上に、ナノメートルスケール又は原子層スケールであって厚みｔ１を有する第１層を蒸着し、
（ｃ）前記第１層上に、ナノメートルスケール又は原子層スケールであって厚みｔ２を有する第２層を蒸着するミラー生成方法であって、
前記第１及び第２層は、異なる構造及び物理的特性を有するように、異なる成長パラメータで蒸着され、
ステップ（ｂ）及び（ｃ）を、ストレス補正条件下で複数回行うことにより、前記ＥＵＶ放射源からの高速な破片粒子による侵食に対し耐性のある、ほぼストレスフリーのマイクロメートルスケールの厚みの反射コーティングを形成する、
ミラー生成方法。
【請求項２】
前記物理的特性は、密度、結晶構造及び固有応力のうちの一以上を含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
更に、（ｄ）先に蒸着された第１又は第２層の上に、ナノメートルスケール又は原子層スケールであって厚みｔ３を有する機能層を蒸着する、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１層及び第２層がそれぞれ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｚｒ及びＮｂのうち少なくとも一つを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
更に、ステップ（ｂ）又は（ｃ）の間に、前記第１層及び／又は第２層を物理蒸着（ＰＶＤ）に付すことにより、前記材料が反応ガスと反応して前記第１層及び／又は第２層それぞれに窒化物、酸化物、又は水素化物の反応生成物を形成する、
請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１層又は第２層（ただし双方ではない）が、アモルファス又はナノ結晶のいずれかになるようにステップ（ｂ）及び（ｃ）を行うことを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項７】
高速の破片粒子を出射する極端紫外線（ＥＵＶ）光源と共に使用する斜入射集光ミラーであって、
ミラー基材と、
前記基材上に蒸着され、ナノメートル又は原子層スケールであって厚みｔ１を有する第１層と、
前記第１層上に蒸着され、ナノメートル又は原子層スケールであって厚みｔ２を有する第２層と、
を備え、
前記第１及び第２層は、異なる構造を有し、且つほぼストレス補正されるように、異なる成長パラメータ及び物理的特性で蒸着され、
更に複数蒸着された第１及び第２層を備え、前記ＥＵＶ光源からの高速な破片粒子による侵食に対し耐性のある、ほぼストレスフリーのマイクロメートルスケールの厚みの反射コーティングを有する、
ミラー。
【請求項８】
前記物理的特性は、密度、結晶構造及び固有応力のうちの一以上を含む、
請求項７に記載のミラー。
【請求項９】
更に、
（ｄ）ナノメートル又は原子層スケールであって厚みｔ３を有する、先に蒸着された第１又は第２層の上にある機能層を含む、
請求項７に記載のミラー。
【請求項１０】
更に、前記第１及び第２層及び前記機能層を連続して含む複数のレイヤパターンを備え、二つの層が異なる成長パラメータで蒸着されて、異なる構造を有し、連続する前記二層のセットが対応する機能層によって分離されている、
請求項９に記載のミラー。
【請求項１１】
前記第１層及び第２層はそれぞれ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｚｒ又はＮｂの一つを含み、前記第１層又は前記第２層（双方ではない）は、アモルファス又はナノ結晶である、
請求項７に記載のミラー。
【請求項１２】
請求項７に記載の一以上のミラーを備え、各前記ミラーは、少なくとも第１及び第２反射面を有し、各反射面が連続した斜入射角度で前記ＥＵＶ放射を反射する、
ＥＵＶ集光光学系。
【請求項１３】
ウエハにパターンを形成するためのＥＵＶリソグラフィシステムであって、
前記ＥＵＶ放射源からのＥＵＶ放射を集光する請求項１２に記載のＥＵＶ集光光学系と、
前記ＥＵＶ集光光学系から受光したＥＵＶ放射を集光する集光装置と、
パターンを有し前記集光装置からＥＵＶ放射を受光する反射マスクと、
前記反射マスクから反射されたＥＵＶ放射を受光し、ウエハに反射マスクパターンを形成する投影光学部と、
を備える、ＥＵＶリソグラフィシステム。
【請求項１４】
高速の破片粒子を出射する極端紫外線（ＥＵＶ）放射源と共に使用する斜入射集光ミラーの生成方法であって、
（ａ）基材を設け、
（ｂ）前記基材上に、マイクロメートルスケールの厚みを有し、単一の構成要素又は化合物からなる層を蒸着し、前記層を、ナノメートル又は原子層の厚みを有する複数のサブレイヤを形成することにより形成し、
連続するサブレイヤを、その蒸着の間に、交互或いは周期的な処理に付して、前記連続するサブレイヤが異なる構造及び物理的特性を有するようにすることを含み、
（ｂ）は、前記マイクロメートルスケールの層が前記ＥＵＶ放射源からの高速な破片粒子による侵食に対し耐性がある一方で、反射性があり、ほぼストレスフリーであるように、ストレス補正条件下で行われる、
方法。
【請求項１５】
前記ストレス補正条件は、イオン衝突を含み、前記物理的特性は、密度、結晶構造及び固有応力のうちの一以上を含む、
請求項１４に記載の方法。
【国際調査報告】
2010506224.tif 000011
2010506224.tif 000012
2010506224.tif 000013