(57)【要約】  発明は、誘電体基板上に付着した細長い導体にインピーダンス適応デバイスを介して接続した少なくとも１つの超短波ソース（＞１００ＭＨｚ）と、前記導体を冷却する少なくとも１つの手段と、導体を支持する側の反対側で誘電体基板に近接した少なくとも１つのガス供給と、を具備するプラズマ発生装置に関する。この発明は前記装置を使用するプラズマトーチにも関連する。
2010539669.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１００ＭＨｚを超えた周波数を有する少なくとも１つの電力ソースと、前記ソースはインピーダンスマッチングシステムを介して、そのより低い平面全体上で誘電支持体（３）に密な接触で固定された長導体（２）に接続していて、
前記導体を冷却する少なくとも１つの手段と、
前記導体を支持する側から反対側上での前記誘電支持体に接近している少なくとも１つのガスフィードと、を具備するプラズマ発生器装置（１）。
【請求項２】
前記導体は１ミリメートルのオーダーの厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記導体はマイクロストリップであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記導体は中空の細長いエレメントであり、特に円形、長方形または正方形の断面であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の装置。
【請求項５】
前記導体を支持している側から反対側上での誘電体面に面している部分的な電気接地面を含み、前記接地面の部分的な特徴は、導体線の一部のエリアだけが接地面に面しているという事実によって表現されることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
部分的な接地面は、前記導体線の始まり、すなわちマイクロ波が装置に入ってくる地点に位置することを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項７】
波発射ゾーンは、前記導体線の入力において、前記長導体、前記誘電体および前記部分的な接地面が組み立てられている従来の構造を有していて、前記接地面は、前記導体線の入力からの短い距離で中断され、前記導体線の長さの残り全体上の導体に広がるプラズマに置き換えられることを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項８】
波発射ゾーンは、前記導体線の入力において、前記長導体、前記誘電体および前記部分的な接地面が組み立てられている従来の構造を有していて、前記接地面は、前記導体線の入力からの短い距離で中断され、プラズマに置き換えられ、前記導体は実質的に前記接地面の境界を越えて広がらないことを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項９】
前記導体は、真鍮および好ましくはベリリウム銅を含むグループから選択された銅合金から作られていることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１０】
前記導体は機械的に前記誘電体に固定されていることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１１】
前記導体は前記誘電体上にスクリーン印刷されていることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１２】
前記誘電体は１０−４と１０−２との間の誘電正接ｔａｎδを有することを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１３】
前記誘電体は、シリカまたはセラミック、好ましくは窒化アルミニウムまたは窒化ホウ素であることを特徴とする請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１４】
前記装置は、ファラデー箱として機能する導電筐体内に配置されることを特徴とする請求項１から請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
誘電体筐体は前記導体線の誘電体基板上かつ前記導体の上に配置され、低誘電損失の冷却剤が前記筐体内で循環することを特徴とする請求項１から請求項１４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１６】
誘電体材料でできたヒートシンクは、それを介して冷却剤が流れ、前記導体の全自由面上に配置されることを特徴とする請求項１から請求項１４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１７】
前記長導体は、その両端のそれぞれで冷却剤の循環のための開口部が提供される中空の縦導体であることを特徴とする請求項１から請求項１４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１８】
誘電体基板を冷却する手段を含むことを特徴とする請求項１から請求項１６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１９】
前記誘電体は冷却剤が循環する複数の導管を有しているか、または前記誘電体は冷却剤が循環する複数の導管を有する支持体上に配置されることを特徴とする請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
前記導体の表面は、良い導電体であり酸化に耐性がある（例えば金）金属のコーティングで覆われていることを特徴とする請求項１から請求項１９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項２１】
前記インピーダンスマッチングシステムは前記導体の実際の構造で作られるインピーダンスマッチング部品から作られることを特徴とする請求項１から請求項２０のいずれか１項に記載の装置。
【請求項２２】
少なくとも２つ、好ましくは２から１５、さらに好ましくは３から８の、請求項１から請求項２１のいずれか１項に記載の装置の組立品から成ることを特徴とするプラズマ発生器装置。
【請求項２３】
インピーダンスマッチング装置を介して長導体（２）に接続され、誘電支持体に固定される少なくとも１つの超短波ソースと、
前記導体を冷却する手段と、を具備し、
前記誘電支持体は、一端を介してガスが注入される導管であって、プラズマが形成する導管によって縦方向に貫通され、前記プラズマの活性種は反対端を介してガス流によって引き出されるプラズマトーチ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電磁力をガスに結合させることによってプラズマを発生するための装置に関する。上記の装置は「プラズマソース」とも呼ばれる。「プラズマ発生装置」および「プラズマソース」という用語は、本願の詳細な説明において区別なく用いられる。
【背景技術】
【０００２】
低温プラズマ表面処理技術が一般的になるために、電磁力をガスに結合させることにより、これらのプラズマを発生するために用いられる装置を向上させる必要がある。これらの装置または「プラズマソース」は次のとおりでなければならない。
【０００３】
−単純で安価である
−線形の形状、および場合により非平面の形状に適する
および
−１０−２ｍｂａｒのオーダーの実質的な真空と、大気圧または大気圧より高いものとの間の広範囲な圧力レベルで動作することができる。
【０００４】
さらに、発生器から生ずる電磁力をプラズマへ伝達する上での効率は、できるだけ高くなければならない、つまり
−動作は、電磁力をプラズマに結合させるための装置の構造の加熱により最小の損失しか発生してはならない
−（安全性、および同様に規定された産業周波数の付近で動作する装置への干渉があり得ないために）外部への残留放射線はごく僅かでなければならない
および
−入射電力のごく一部分だけしか発生器に反射されてはならない、つまり、電源線と、この同じ電力を用いるプラズマソースとの間によいインピーダンスマッチングがなければならない。
【０００５】
広範囲の動作領域のために、可能な限り後者の条件は当てはまったままでなければならない（それなしではリアルタイムに再調整することが必要になる）。
【０００６】
（マイクロ波振動数を含めて、約１００メガヘルツより特に大きな）超短波、例えば４３４ＭＨｚ、９１５ＭＨｚ、２４５０ＭＨｚ、５８５０ＭＨｚ（ＩＭＳ（産業（industrial）、科学（scientific）および医療（medical）の）バンドのために国際規制によって規定された周波数）によって励起されるプラズマは、それらの高い電子密度のために、特に関心がある。これは、放電（特に、表面処理工程に含まれる活性種の形成の高いレート）において物理化学過程のより極度の活性化を意味する。したがって、この処理はより広範囲でかつ、またはより迅速である。例えば、材料を薄膜状で沈殿することができるレートはより高く、生産収率はより好ましい。
【０００７】
数十ＭＨｚの限度より上では、電磁波は、それらの伝播特性のために、ＤＣまたは無線周波数の場合でのように、電源回路に接続された電極によってプラズマを生成するためには、ガスに適用され得ない。マイクロ波は、配置チェンバーと接触または内部の特定のアーキテクチャーの導電構造によって誘導される前に、中空の方形導波管または同軸ケーブルを通じて発生器から伝えられる。このチェンバーは、要求される特性を有する十分に均一なプラズマを生成するためには、マイクロ波の分散吸収および分布を許容しなければならない。
【０００８】
下記に特に言及される可能性のあるマイクロ波プラズマ発生器装置が開発されている。"duo plasmaline" system(E. Rauschle et al. J. de Physique IV (8), PR7, 99 (1998)); two-dimensional slotted-antenna applicators (H. Sugai, Plasma Fusion Research 72, 621 (1996) and H. Sugai et al., Plasma Sources Science and Technology 7, 192 (1998)); microstrip field applicator sources for analytical applications (A.M. Bilgic et al., Plasma Sources Science and Technology 9, 1-4 (2000)); 電子サイクロトロン共鳴システム；およびマルチダイポールマグネトロンシステム。
【０００９】
しかし、これらの装置はすべて複雑なアーキテクチャーを持っていて、産出することは高価である。さらに、それらはプラズマ処理リアクターに関するある既定の構成およびサイズに依存しすぎている。
【００１０】
Ｂｉｌｇｉｃ  ｅｔ  ａｌ．チームによる研究で特に続けていて、それらの出版物の１つは上で述べられているが、（読者は文献ＤＥ  １９８  ５１  ６２８およびＵＳ  ２００３／００８０６８も参照してもよい）、これらはマイクロストリップシステムの使用に関係している。しかし、問題になっているソースが極めて小規模で、かつ、長方形の断面のシリカロッドで軸方向に穿たれた（約１ｍｍ２の断面を持った）針状の導管でのアルゴン内の大気圧で低い電力（約１０Ｗ）を有するプラズマを保持するように意図されることは、これらの研究については明確に注目されるべきである。極めて小さな断面のプラズマ導管は完全にマイクロストリップ伝送路内にある。２または３次元までシステムを拡張する可能性のこの研究については言及しない。したがって、広い面積の連続的な処理のために上記の構造を用いる可能性を想像するのは難しい。
【００１１】
比較する図面の助けで後により詳細に説明されるように、Ｂｉｌｇｉｃ  ｅｔ  ａｌ．によって記述されたシステムは、連続的な導電面を用い、接地を保ち、誘電体（解決に欠点がある）の反対面上で、それらの欠点では次のとおりである。
【００１２】
−プラズマへの結合はどちらかといえば共振するタイプであり、それを避けることが良い。なぜなら、インピーダンスマッチングはその後、実現するために扱いにくくなり、実際の実用化の場合にサポートできない制約にしばしばなるからである。
【００１３】
および
−上記の構成では、プラズマの位置を決めるあまりにも様々な方法はない。
【００１４】
導管は、誘電体で切り離されるかもしれない、あるいは、接地面は誘電体のより低い面からある距離離れて配置されるかもしれないが、全ての場合でこの距離は数ｍｍに限定され（なぜならストリップラインおよび接地面は電気的に「互いを見」なければならないからである）、それは実際かなりこの構成の応用を限定する。
【発明の概要】
【００１５】
我々がこの発明にしたがって、共振結合ではなく進行波伝播をどのように生じるか、およびこれがどのようにいつ必要かはここで説明され、我々は深度制限をなくす。特に、我々は、プラズマを固有の可能性を備えた導体と見なす考えで本発明を信用することができることを理解し、したがって、導体は、それを生成する進行波の伝播を単独でサポートして、それ自身で接地基準としてかなり十分に機能を果たすことができる。
【００１６】
発明者は、マイクロストリップフィールドアプリケータに基づく平面源、および（例えばマイクロストリップタイプまたは中空、円筒状の、線タイプに関わらず）より一般的にはその長さに比較して小さい断面積の細長い導体を使用するものが、必要な特質をすべて採用して有することが簡単な極めて単純なプラズマソースを構成することを驚くほど不意に見つけた。
【００１７】
このようにして、この発明にしたがってプラズマ発生器装置は、誘電支持体に固定された（例えばマイクロストリップタイプまたは中空線タイプの）その長さに比較して小さい断面積の細長い導体に接続した少なくとも１つの超短波ソースと、超短波ソースと導体への接続との間の少なくとも１つのインピーダンスマッチング手段と、導体を支持する側から反対側で誘電支持体に近接した少なくとも１つのガスフィードと、を具備する。
【００１８】
前述したものを読んで理解されるように、「超短波」という表現は、本発明によれば１００ＭＨｚを超えた周波数、特に、ＩＳＭ（産業（industrial）、科学（scientific）および医療（medical）の）バンドのために国際規制によって規定された４３４ＭＨｚ、９１５ＭＨｚ、２４５０ＭＨｚ、５８５０ＭＨｚの「離散」周波数を意味する。
【００１９】
同様に、誘電支持体「に接近している」「の近くでの」と呼ばれているガスフィードは、支持体から高々１５ｍｍ、好ましくは高々１０ｍｍ開いている注入口を意味すると了解される。
【００２０】
プラズマは、導体を支持し後者に面する表面の反対にある誘電体のその表面より下で発生される。このようにして、この発明にしたがう装置は、プラズマが、取り扱われる表面に接しているように取り扱われるこの表面に関して移動してもよく、あるいは、取り扱われる表面は、プラズマ発生ゾーンの下を通ってもよく、その後、本発明による装置は静止したままである。取り扱われる表面に関する導体の向きに依存して、かつ、取り扱われる表面から誘電体を分離する距離に依存して、処理はプラズマによってまたは放電後のプラズマによって直接起る。「放電後のプラズマ」という用語は、当業者によって、その極度の発光によって特徴づけられる、実際のプラズマゾーンにすぐ隣接している領域を意味すると理解される。放電後のプラズマでは、荷電種は実際にはなくなってしまうが、中性の励起された、および（または）活性な種はまだ残っている。このようにして、取り扱われる表面に導体が垂直な場合、前記表面はプラズマゾーンに遭遇せず、かつ処理は放電後のプラズマによって起り、一方、取り扱われる表面に導体が平行な場合（最もよくあるケース）、処理はプラズマとの直接接触によって起る。
【００２１】
本発明では、「マイクロストリップ」という用語は、細長い形かつ小さな厚さ（典型的には１ミリメートルまたは１ミリメートル未満のオーダー）の電気的導体エレメントを意味すると了解される。マイクロストリップは任意の長さおよび任意の幅を持つことができ、これらのサイズは、マイクロストリップによって形成された伝送線路に沿って電力伝播特性を最適化するようなものである。ある変形として、また、既に上記に述べられたように、マイクロストリップは中空の細長いエレメント（特に、円形、長方形、または正方形の断面の１つ）と置き換えられてもよく、中空のチューブの壁厚は、かなりの機械的な強さにとって十分であり、電気的ふるまいへの影響がない。マイクロストリップ／導体は平らで直線の形状に制約されないだけでなく、凹面または凸面の曲率を持ったその長さ方向での歪んだ形、または平面での曲がった形を導入してもよい。
【００２２】
理解されるように、「導体」および「マイクロストリップ」という用語は、本発明がこれらの線タイプのうちのただ１つに限定される場合以外では、以下において区別なく用いられる。
【００２３】
高周波電流が表皮効果に従うことにより流れ、かつ、これが導体を構成する材料の伝導率および周波数に依存するので、電流が流れる実際的な厚さは０．１ｍｍより非常に小さくなる。しかし、運ばれた電力レベルが高く、数百ワットオーダーであり、かつ、金属の伝導率が上昇する温度とともに減少するので、マイクロストリップの厚さは、表皮効果によって定義された理論的な厚さより非常に大きくなり、その物理的な完全性が維持されるように、マイクロストリップを冷やすことが必要になる。このようにして、マイクロストリップは、１ミリメートルのオーダーの厚さを持ち、十分な電気的および熱的な導体である材料から作られる。これらの両方の要因は十分な機械的な強さを有するように選択される。それは例えば真鍮または好ましくはベリリウム銅のような銅合金でもよい。マイクロストリップのよい伝導率を維持するために、少なくともほどよい導電体で酸化しにくい金属（例えば金）のコーティングで前記マイクロストリップの表面を覆うことは有利である可能性がある。これは、銅合金がわずかに酸化するかまたは表面汚染される傾向を持っている正常な動作環境において、よい電気的な特性が長期にわたり維持されることを保証する。
【００２４】
好都合なことに、マイクロストリップ導体は誘電体に機械的にプレスされる。また、関係する電力レベルが十分に低い場合、それは誘電体上にスクリーン印刷されてもよい。
【００２５】
用いられる誘電体は、結果として問題になっている動作周波数での低い誘電損失をもたらすよい電気的特性を有するだけでなく（すなわち、その誘電関数の虚数部のその実数部に対する低い比率（つまりｔａｎδ）、典型的には１０−４と１０−２との間である）、優れた熱ショック性能（マイクロストリップの反対側の壁に接触するプラズマによる温度勾配が非常に高い可能性がある）を有する。
【００２６】
このようにして、誘電体として、その優れた熱耐衝撃性のために、シリカまたはおそらくセラミック、特に窒化ホウ素または窒化アルミニウムを選択することは可能である。
【００２７】
マイクロストリップを冷やす種々の手段が用いられてもよい。
【００２８】
第１の実施形態によれば、冷却液は、誘電体上かつマイクロストリップの上方に配置された絶縁筐体において循環するために作られる。その冷却液は電気的に絶縁しており、基板の固体誘電体より低い誘電率εを有する。冷却液はよい熱伝導性能を持っていなければならない。また、それは、線に沿った電磁波の伝播を妨害するのでなく、吸収によって本質的に僅かな電力をも散逸させるのでないように、良い誘電体でなければならない。誘電性の熱伝導流体は、例えば、有利にテトラデセン（Ｃ１４）のようなα−オレフィンであってもよい。このようにして、この発明にしたがう装置は、冷却液の循環を閉じ込めて、誘電体上かつマイクロストリップの上方に配置された筐体を含んでいる。
【００２９】
第２の実施形態にしたがって、冷却は、マイクロストリップの全自由面の上方に、（セラミックでもよく、そして好ましくはよい熱伝導率（例えばアルミナまたは窒化アルミニウム）を有した）誘電体で作られたヒートシンクを配置することにより間接的に行われ、その中で冷却液は循環する。この場合、冷却液はマイクロストリップに直接接触して循環するのではなく、そこからある距離で循環するので、それは高い電磁力密度の領域で循環せず、波の低い吸収に限定されない。流体は結果として水でもよい。
【００３０】
第３の実施形態によれば、マイクロストリップが中空の細長い導体エレメントに置き換えられる場合に、冷却液は前記エレメントの中空部分で循環する。電磁場が中空エレメントの内壁上でゼロであるので、冷却液は水でもよい。これは、前記エレメントの壁厚が表皮厚さより非常に大きいからである。この解決策は、上述された冷却システムよりもよりよい冷却を提供し、より大きな超短波電流が流れることを可能にし、したがって、電気的な損失を増加させることなく、より高い伝送電力をもたらす。長方形、正方形または円形の断面の中空導体でこのように形成される線は、平らなマイクロストリップ線と比較して電気的な見地からのハイブリッド構造にたとえることができる。実験的に、この種の線が比較的マイクロストリップ構造のそれに近い特性インピーダンスを持っていることは確認されている。もはや中間ヒートシンクを持っていない事実は、相当に配置を単純化し、電極と誘電体との間の接触は、平らなマイクロストリップ構造の配置と同一の締付け装置によって提供される。
【００３１】
別の実施形態によれば、この発明にしたがう装置も誘電体を冷やすための少なくとも１つの手段が提供されてもよい。冷却手段は、誘電体（冷却液はそれを介して循環する）において提供される導管から成っていてもよい。別の手段は、冷却液が循環する導管を有する支持体に誘電体を配置することにあってもよい。
【００３２】
外的環境（電力の浪費になり、オペレーター安全性または電磁環境両立性問題を生成するもの）にマイクロ波を放射しないように、マイクロストリップ線によって形成されたマイクロ波電力結合装置が、ファラデー箱として動作する導電筐体で周囲を囲まれていることは有利である。
【００３３】
用いられる周波数に依存して、この発明にしたがう装置のための電源は、電気通信に適用された電力半導体産業から直接置き換えられてもよい。この「固体状態」技術に基づいた発電機は、スイッチモード電源によって供給されたマグネトロンのような真空管に基づいた発生器よりも、よりコンパクトで、より信頼できる。マグネトロンと異なり、固体状態発電機はメンテナンスを要しず、特にマグネトロンの定期交換はなくなる。さらに、これらの発生器のコストは、中量および大量の生産とともに急速に減少する。
【００３４】
マイクロストリップ線は下記の種々の方法において供給される可能性がある。
【００３５】
―  超短波発生器をマイクロストリップの一端にだけ接続し、かつインピーダンスが一致した付加をマイクロストリップの他端に接続することによる、進行波モードで。
【００３６】
―  一方では全電力を増加させるために、他方ではその伝播中に吸収による波の減衰を補償するために、プラズマを保持するように、超短波発生器をマイクロストリップの両端のそれぞれに一端に順番に接続することによる、進行波モードで。この場合、２つの信号間に位相相関がないように、それぞれの端で異なる発生器を用いることが必要であり、そうでなければ、定常波モードが確立されるだろう。
【００３７】
―  インピーダンスマッチングを提供するために、超短波発生器をマイクロストリップの唯一つの端に接続し、かつ調整可能な短絡回路を反対端に提供することによる、定常波モードで。
【００３８】
および
―  分周器装置に超短波発生器を接続することによる（それぞれのブランチはマイクロストリップの両端のうちの一つと接続している）、定常波モードで。
【００３９】
線とコネクタは標準の商用部品によって（例えば５０オームの特性インピーダンスを有する同軸ケーブルによって）提供される。
【００４０】
この発明にしたがう装置は、インピーダンスマッチングもまた実現するのがより簡単であるという導波管システムに関する付加的な長所を持つ。例えば、変換およびインピーダンスマッチング部品は、従来のマッチング回路（インダクタとキャパシタから成る回路）の形で形成されてもよいが、当然の帰結として、統合単純性、離調の不可能性、および超短波電力伝送の最適化（コネクタとリンクでのより低い損失）を有する伝播線突出物として、線の中に４分の１波長のインピーダンス変成器（その原理は当業者に知られている）を形成することによって、またはマイクロストリップの適切な長さ（これらはこの産業では「スタブ」と呼ばれている）を加えることによって、マイクロストリップ線の実際の構造で直接形成されてもよい。
【００４１】
このようにして、超短波発生器とマイクロストリップアプリケータとの間のインピーダンスマッチングは、ＴまたはΠまたは、Ｌ回路によって、またはマイクロストリップに垂直なスタブを用いることによって実現される可能性がある。インピーダンスマッチング、および、したがって、スタブとマイクロストリップのサイズが当業者の能力内にあり、出発点が、伝播モードがもっぱらＴＥＭ（Ｇｕｐｔａ  ｅｔ  ａｌ．、”Ｍｉｃｒｏｓｔｒｉｐ  ｌｉｎｅｓ  ａｎｄ  ｓｌｏｔ  ｌｉｎｅｓ”  ａｎｄ  Ｋ．Ｃ．  Ｇｕｐｔａ，  Ｒ．  Ｇａｒｇ  ａｎｄ  Ｉ．Ｊ．  Ｂａｈｌ  （Ｈａｒｔｅｃｈ  Ｈｏｕｓｅ，  Ｎｏｒｗｏｏｄ，  ＭＡ，  １９７９による出版物を参照）であるという仮定である準静的な分析を用いて決定されてもよい。特に、当業者は、１を越える誘電率を持った冷却液においてマイクロストリップが浸されるか、それにおいて１を越える誘電率の誘電体ヒートシンクがマイクロストリップに対してプレスされる装置のインピーダンスを適応させる方法を知る。
【００４２】
より大きなエリアが同時に一様に取り扱われるために、この発明にしたがういくつかの装置を合成することは有利である。複数のプラズマ発生器装置を並べて置くことによって、大きなエリア一帯に（すべてのイベントで実行での連続的処理に適用される）プラズマシートを発生することは、実際可能である。
【００４３】
望ましい生産歩留まりを持った連続的な表面処理を実行するために必要な多くのエレメントと同じエレメントを合成することが可能である。このように結合したプラズマ発生器装置の各々は、誘電支持体に固定されたマイクロストリップ導体を介してインピーダンスマッチングシステムを通じて接続している少なくとも１つの超短波ソースと、前記マイクロストリップを冷やす少なくとも１つの手段と、マイクロストリップを支持する側からの反対の側の誘電支持体に近い少なくとも１つのガスフィードと、を含んでいる。
【００４４】
活性領域下の基板を流れる必要があって大気圧で動作する表面処理アプリケーションについては、容易に統合されうるプラズマモジュールの種々の配置を考え出すことは可能であり、一方この種のソースの固有の単純性から常に利益を得ている。
【００４５】
プラズマ発生器装置は、基板の幅をカバーするように端から端まで配置されるかもしれないし、または取り扱われるエリアをオーバーラップさせるように流れ方向で相殺されるかもしれない。また、流れ方向にプラズマ発生器装置を、もし必要ならば、流れ速さに依存して、活性領域に接する時間を増すように、特に生産力を増加させるように、加えることも可能である。
【００４６】
種々の装置から成るアセンブリは、ガス配送および冷却機能、および電磁力接続を実現する共通基部または機械的な構造によって、一緒に連結されてもよい。
【００４７】
有利なことに、その接続は、その統合インピーダンスマッチング装置と共に、マイクロストリップに直接的に、超短波発電機の増幅モジュールを接続することによって、極めて限定的である可能性がある。
【００４８】
基部または機械的な構造（それはガス配送および冷却の機能と、電磁気的な接続とを発揮する）によってともに連結された種々のプラズマ発生器装置から成るアセンブリは、とりわけ以下の長所を持つ。
【００４９】
―  産出することおよび統合されることは単純であり、それによって、大量生産を可能にし、かつ製造原価を限定して、メンテナンスを容易にする。
【００５０】
―  電気的な接続を（同軸ケーブルでない）単一のコネクタにすることによって、プラズマモジュールに電力を運ぶことでの損失が減少され、これが設計したがって超短波部分のコストに重要な影響を及ぼす。
【００５１】
さらに、この発明にしたがう装置で、例えば４３４ＭＨｚ（ＩＳＭバンド）のような、マイクロ波領域のものより少し低いプラズマモジュール励起周波数を使用することは可能であり、良い歩留まりを持った全ての半導体技術から恩恵を受けることを可能にする。
【００５２】
この発明の別の主題は、上述したものらと同じ利点からも恩恵を受ける、モジュールの小型の適度な電力プラズマトーチに関する。これらのプラズマトーチは上記のアプリケータと同じ配置および形式（マイクロストリップ／平面または中空導体）をしている。より詳しくは、縦方向の導管は、導体が配置される誘電体をちょうど通過する。ガスは両端のうちの一つを通じて注入され、プラズマが、導管の中に生じ、それの全長に渡って延伸する。ガス流速および超短波電力を変えることによって、トーチの一端でプラズマを引き出すか、または放電後のプラズマを使用しそれによってさらなる方法で取り扱われる基板を移動させることを可能にする。導管の断面はプラズマを閉じ込めるようにもちろん最適化されてもよい。
【００５３】
このようにして、この発明にしたがうプラズマトーチは、誘電支持体に固定された（例えばマイクロストリップ種または中空導体種の）導体に接続されたその統合インピーダンスマッチング装置を持った少なくとも１つの超短波ソースと、前記導体を冷却する少なくとも１つの手段とを具備し、前記誘電支持体はガスが注入されかつプラズマが生じる一端を介して縦方向に導管によって貫通されている。
【００５４】
その単純な構造のために、取り扱われる表面を走査することによりプラズマ処理を適用するように、ロボットの腕の上でこの種のプラズマトーチを用いることは可能である。
【００５５】
この発明の態様のうちの１つによれば、この発明にしたがう装置、および従来技術が推奨するもの（すなわち、導電性の伝送路線の全表面に少なくとも面して、誘電体の対面上に延伸する接地面の存在）に反してこの発明にしたがう装置は、したがって、接地面を含むが、これは決して連続ではなく、接地面に面している伝送路線（マイクロストリップまたは導体）の小さなエリアだけである。
【００５６】
この発明のこの態様は、マイクロストリップ種の長導体が用いられる場合を示す、添付された図１４、１５および１６と共に記述される。
【００５７】
図１４は、特にＢｉｌｇｉｃ  ｅｔ  ａｌ．チームによる仕事を含んでいる従来技術の場合を示す。構造は、マイクロストリップと完全な連続的な接地面とからできていて、これらは誘電体基板によって分離されている。この場合、既に述べられたように、この完全な連続的な接地面によって形成される幾何学的な境界を越えて（例えば、その下に位置される広がったチェンバーに配置された基板を処理するために）プラズマを保持することは、明示的ではないが不可能である。実際、マイクロストリップのエッジと接地面との間で定義された側面のスロットからの空間にマイクロ波エッジフィールドが伸びると述べて、別の有用な構成を用いることができるかもしれない。もちろん、マイクロストリップ導体および誘電体の上に位置する近くのゾーンにおける場の閉じ込めがない場合、代わりに、（誘電体の枝を随意的に提供することによって、枝と基板との間でマイクロストリップ導体線が挟まれ、前記基板は配置チェンバーのウィンドウを構成することができる）このゾーンで広がったプラズマを生成することは可能である。しかし、一方ではそれがより複雑であり、他方では、１以上のマイクロストリップ導体と接地面との間で（したがって空間的に不連続に）定義されるスロットを介して漏れるエッジ場によってのみプラズマが保持されうるので、この配置がほとんど有利ではない。特に大気圧では、これは、短い平均自由行程のために、実際上有用なようにプラズマを一様にすることは非常に難しいので、極めて重大な欠点である。自由空間での波長と比較して、マイクロストリップ導体の幅および基板の厚さは小さい。上記の線に沿った伝播のモードは最初の近似に関してＴＥＭモードである。しかし、アクティブな導体部分が代りに矩形の形である実施形態は、また考えられる。しかし、この配置は以前のものよりも証明なしに有利ではない。
【００５８】
最終的には、完全な連続的な接地面が存在する（Ｂｉｌｇｉｃらまたは他のタイプの）構成は、特に承諾しがたい欠点に満ちているように見える。
【００５９】
また以前に述べられたように、本発明は、プラズマシートを固有の可能性を有した導体と見なす考えを有していることで高い評価を得ることが可能である。それはしたがって、接地基準として完全に機能することができる。その後、図１５に示される配置が得られる。この場合、フィールド波はまたプラズマに及ぶ。上記の波を「発射する」ために、伝播線のストレート部分でのフィールドの適切な分布を、線の最初では課さなければならない。
【００６０】
本発明は、このように線の最初（マイクロ波が入る地点）では部分的な金属接地面を提供し、金属接地面は進行波の伝播を発射し保持するのに、そして線の全長に渡って連続的なプラズマを保持するのに十分であり、線は後者に面しかつ誘電体の下にある。
【００６１】
より一般に、この発明の実施形態のうちの１つによれば、接地面の断片が用いられるが、伝播線に垂直なその射影は、線の部分の小さなエリアを妨害する。
【００６２】
したがって、添付された図１６ａ）および１６ｂ）が、この発明の２つの実施形態を示す。
【００６３】
波発射ゾーンは、伝送線路の入口で、基板として機能する配置チェンバーの誘電体壁、マイクロストリップ、および金属接地面と共に、従来の構造を有する。金属接地面は、入口からの短距離で中断され、導体線の長さの全ての残りに渡るマイクロストリップで延伸するプラズマに置き換えられる（図１６ａ））。
【００６４】
しかし、別の方法として、誘電体壁とプラズマシートとの間のインターフェースが電磁波のために導く構造を形成することができるので、マイクロストリップを実質的に金属接地面の境界を越えて広げることなしで済ますことも可能である（図１６ｂ））。この場合、装置および表面波プラズマモードの類似物が、平面形状でだが、その後、得られる。
【００６５】
接地面の断片であるマイクロストリップ対面の部分的な表面は、線のはじめ（終端）では単独ではなくてもよいが、接地面境界線を有するマイクロストリップの外側縁の張り出しとなって現れてもよい。例えば、マイクロストリップの形状に実質的に一致するが僅かに小さいウィンドウは、接地面表面において開いていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
他の特徴およびこの発明の利点は、添付された図面の援助によって詳細に今説明される。
【図１ａ】マイクロストリップが、平らであるが湾曲した形状であり、非平面の表面が放電後のプラズマによって取り扱われることを可能にするこの発明にしたがう装置の実施形態の正面および断面図を示す。
【図１ｂ】マイクロストリップが、平らであるが湾曲した形状であり、非平面の表面が放電後のプラズマによって取り扱われることを可能にするこの発明にしたがう装置の実施形態の正面および断面図を示す。
【図２ａ】マイクロストリップが、ねじれた形であり、基板の非平面の表面がプラズマにおいて直接取り扱われることを可能にするこの発明にしたがう装置の実施形態の正面および断面図を示す。
【図２ｂ】マイクロストリップが、ねじれた形であり、基板の非平面の表面がプラズマにおいて直接取り扱われることを可能にするこの発明にしたがう装置の実施形態の正面および断面図を示す。
【図３ａ】超短波発生器へのマイクロストリップ導体の概略的に種々の接続を示す。
【図３ｂ】超短波発生器へのマイクロストリップ導体の概略的に種々の接続を示す。
【図３ｃ】超短波発生器へのマイクロストリップ導体の概略的に種々の接続を示す。
【図３ｄ】超短波発生器へのマイクロストリップ導体の概略的に種々の接続を示す。
【図４ａ】装置のインピーダンスと一致する概略的に可能な方法を示す。
【図４ｂ】装置のインピーダンスと一致する概略的に可能な方法を示す。
【図４ｃ】装置のインピーダンスと一致する概略的に可能な方法を示す。
【図５】冷却手段の第１の実施形態と共に提供される平らなマイクロストリップを持ったこの発明にしたがう装置を断面で示す。
【図６】冷却手段の第２の実施形態と共に提供される平らなマイクロストリップを持ったこの発明にしたがう装置を断面で示す。
【図７】マイクロストリップの代わりである中空の断面の伝播線エレメントを持ったこの発明の第２の実施形態にしたがう装置を断面で示す。
【図８】マイクロストリップの代わりである中空の断面の伝播線エレメントを持ったこの発明の第２の実施形態にしたがう装置を断面で示す。
【図９ａ】平らなマイクロストリップが提供されるこの発明にしたがう装置の、縦断面と横断面での表現である。
【図９ｂ】平らなマイクロストリップが提供されるこの発明にしたがう装置の、縦断面と横断面での表現である。
【図１０ａ】マイクロストリップの代わりである中空の断面の伝播線エレメントが提供されるこの発明にしたがう装置の、縦断面と横断面での表現である。
【図１０ｂ】マイクロストリップの代わりである中空の断面の伝播線エレメントが提供されるこの発明にしたがう装置の、縦断面と横断面での表現である。
【図１１】この発明にしたがう装置のアセンブリを断面で示す。
【図１２】この発明にしたがう装置の別のアセンブリを断面で示す。
【図１３ａ】この発明にしたがう装置を用いるプラズマトーチの縦断面および横断面を示す。
【図１３ｂ】この発明にしたがう装置を用いるプラズマトーチの縦断面および横断面を示す。
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【発明を実施するための形態】
【００６７】
図１ａおよび１ｂは、平らであるが湾曲した形状を有するマイクロストリップ２が超短波発生器に接続されるこの発明にしたがう装置１を概略的に示す。このマイクロストリップ２は誘電支持体３の表面に固定され、その１つのエッジはマイクロストリップの曲がったエッジのうちの１つと一致する。ガスが吹き込まれ、それにおいてプラズマ５が発生されるスロット４が誘電体において提供される。取り扱われる基板６は、マイクロストリップの面に平均して垂直であり、誘電体およびマイクロストリップの曲率と一致するねじれた形を有して、矢によって示された方向に装置の下で駆動される。この実施形態によれば、基板はマイクロストリップに垂直である、その処理は放電後のプラズマ処理である。
【００６８】
図２ａおよび２ｂは、ねじれた形のマイクロストリップ８が超短波発生器に接続されるこの発明にしたがう装置７を概略的に示す。このマイクロストリップ８は誘電体９の実際のねじれた表面に固定される。ガスは誘電体の面９ａに接近して供給され、プラズマ１０はマイクロストリップ８に対応する面９ａの下で発生される。取り扱われる基板１１は、誘電体９およびマイクロストリップ８のそれに一致するねじれた形状を有して、矢によって示された方向に装置７の下で駆動される。この実施形態において、基板１１がマイクロストリップに垂直であるので、処理は直接のプラズマ処理である。
【００６９】
図３ａから３ｄは、超短波電源にマイクロストリップ導体を接続する種々の方法を概略的に示す。このようにして、第１の実施形態（図３ａ）によれば、マイクロストリップ１２は、マイクロストリップに沿った進行波を伝播するように供給される。超短波範囲発生器は、同軸ケーブルを通じて接続され、マイクロストリップ１２の一端１２ａでのみ例えば５０Ω（この値は一般的に工業規格に対応する）の特性インピーダンスを有し、他端１２ｂは一致したインピーダンス負荷１４に接続され、すなわち、発生器への接続の反対側の他端での波の反射はなく、したがってマイクロストリップに沿った進行波はない。この実施形態では、波の強度は、プラズマを保持するために電力を徐々に吸収するために、非常に実質的にマイクロストリップに沿って減少する。したがって、後者は、マイクロストリップに沿って全く一様ではない。
【００７０】
図３ｂにおいて示された第２の実施形態によれば、マイクロストリップ１５は、その両端の各々を発端とする２つの対向した進行波を伝播するように供給され、その結果、それらの強度はともに加える。これをするために、マイクロストリップの一端１５ａは同軸ケーブル１７を通じて第１の超短波発生器１６に接続され、マイクロストリップの反対端１５ｂは同軸ケーブル１８を通じて第２の超短波発生器１９に接続される。２つの別個の発生器の信号の位相は相関しないので、ともに加えられるのは２つの対向した伝播波の強度であり、それらの振幅ではなく（これは結果として干渉を介して定常波が現れる）、一端に単一ソースを有する観測された勾配を部分的に補償する。
【００７１】
図３ｃによって示された第３の実施形態によれば、マイクロストリップ２０は、マイクロストリップに沿った定常波モードを生成するように供給される。マイクロストリップ２０の一端２０ａは、同軸ケーブル２１を通じて超短波発生器に接続される。短絡回路装置２２は他端２０ｂに接続される。この短絡回路装置２２は、複素反射係数を変えて、かつ定常波の特性を最適化するようにインピーダンスを整合させるように調整可能である。
【００７２】
図３ｄによって示された第４の実施形態によれば、マイクロストリップ２３はマイクロストリップに沿って定常波モードを生成するように供給される。超短波発生器は、同軸ケーブル２４を通じて出力分割器装置２５（当業者に知られていた標準産業機器）に接続され、それのブランチ２６ａおよび２６ｂのそれぞれはマイクロストリップ２３の一端２３ａおよび２３ｂに接続されている。同じ発生器から生ずる波の位相は相関しているので、加えられるものは明らかに波の振幅であり、それらの強度ではなく、干渉によって定常波を生じる。出力分割器として、例えば文献において既知のウィルキンソン型の装置を用いることは可能である。
【００７３】
図４ａから４ｄは３つのインピーダンスマッチングモードを概略的に示す。
【００７４】
このようにして、図４ａでは、超短波発生器は、この特別な場合にＴ−ネットワーク２８であるインピーダンスマッチング回路を通じてマイクロストリップ２７に接続される。図４ｂにおいて、超短波発生器は、その側のマイクロストリップ２９に直接接続され、後者には長さＬおよび幅Ｗのマイクロストリップスタブ３０が提供され、スタブはマイクロストリップ２９に垂直である。幾何学的パラメタＬおよびＷを選ぶことによって、スタブの電気的な効果を変更し、したがって、システムの生じるインピーダンスに望ましい修正を適用することは可能である。図４ｃにおいて、超短波発生器は、主なマイクロストリップの縦の延長部に位置しλ／４の有効な電気的な長さを有するマイクロストリップ３２で作られる４分の１波長のインピーダンス変成器を通じてマイクロストリップ３１に接続され、λは、問題となっている超短波で、ある誘電率の基板に付けられたマイクロストリップ線に沿った伝播のための波長である。４分の１波長のインピーダンス変成器の機能は、発生器から生ずる入射電力が、フィールドアプリケータを形成する主なマイクロストリップ線の特性インピーダンスと等しい有効なインピーダンスを「見る」ことを可能にすることであり、プラズマは点火されている（マイクロストリップ／プラズマアセンブリは複雑な負荷を構成する）。伝送線路上での４分の１波長のインピーダンス変成器を設計する際の一般規則はよく知られている。ＺＣが発生器の出力インピーダンスであり、ＺＬがマイクロストリップ線（点火されたプラズマを持った）の特性インピーダンスならば、４分の１波長の変成器のインピーダンスＺｔはｚｔ＝（ＺＣＺＬ）１／２になる。
【００７５】
図５は、導管３６を形成する細長い凹部を有し、伝導材料で作られた支持材３７上に配置される平行六面体エレメントである誘電体に固定され、電気的な基準面を形成し、スロットの両側でスロット３８に関して対称でありガスが供給される縦のスロット３９ａおよび３９ｂによってスロット３８によってその全高を貫かれるマイクロストリップ３４を具備するこの発明にしたがう装置３３を断面で示す。伝導支持材３７は、上で定義したように部分的な接地面としての機能を果たし、スロット３８は、マイクロストリップの両端に面してかつマイクロストリップの外側縁にその全長に渡って対向する伝導接地平面部分があるように、マイクロストリップ３４よりも狭くかつ短い。マイクロストリップ３４を支持する誘電体３５ａの上面に固定されて、筐体４０は誘電体から作られ、筐体中で誘電性の冷却剤４１は循環し、全マイクロストリップ３４は冷却液に接している。ファラデー箱４２は、冷却液４０を閉じ込めるための筐体と誘電体３５とを囲む。プラズマ４３は導管３６で発生され、活性種はスロット３８を介して矢印の方向に逃げていく。なぜならそれらはガス流によって引っ張られるからである。
【００７６】
図６は、図５で示された実施形態とは、マイクロストリップに接した冷却剤を含む絶縁筐体がヒートシンク４５に置き換えられている点で異なっているこの発明にしたがう装置４４を断面で示す。ヒートシンクは、マイクロストリップ３４の（基板およびプラズマから反対側での）上部表面に押し付けられ、冷却剤４８が循環する導管４７によって貫かれている誘電材料で作られた平行六面体である。冷却剤は、問題となっている超短波では、もはや非常に良い誘電体は必要でなく、例えば水でもよい。
【００７７】
図７は、図６で示された実施形態とは、マイクロストリップ３４と誘電体ヒートシンク４５とが、冷却剤５１が循環する円形断面の中空導体エレメントである伝送線路エレメント５０に置き換えられている点で異なるこの発明にしたがう装置４９を断面で示す。もちろん、誘電体３５の表面３５ａは、導体エレメント５０の形状に一致させるために変更されている。
【００７８】
図８は、図７で示された実施形態とは、伝送線路エレメント５３が、冷却剤５１が循環する長方形断面の中空導体である点で異なるこの発明にしたがう装置５２を断面で示す。図５および６に示される実施形態の場合でのように、誘電体３５の表面３５ａはそのとき平らである。
【００７９】
図６のそのような冷却システムが提供されるプラズマ発生器装置５４は、図９ａおよび９ｂにおいて完全に示される。この装置５４は、以下の様々な、順に積み重なったエレメントから構成される。
【００８０】
−２つの対称な縦方向の水が循環する導管５６ａおよび５６ｂによって貫かれ、活性種をプラズマ５９から引き出すための出力スロット５８で中央に放電に入るガスを運ぶための２つの対称な導管５７ａおよび５７ｂによって貫かれた基部５５（プラズマによって熱が放出されるので、誘電体基板に接する基部を冷却することは必要である）。
【００８１】
−マイクロストリップ６２と同様な幅および長さの導管６１をスロット５８の上に形成する誘電体６０。
【００８２】
−発生器から来る超短波電力を伝送するためのコネクタに接続された導体金属ストリップからなり、誘電体６０の上部に固定されるマイクロストリップ６２。
【００８３】
−水が循環する縦方向の導管６４を有して、マイクロストリップ６２の全表面に押し付けられているセラミック誘電体ヒートシンク６３。
【００８４】
スタックを固定するために、締め付けシステム６５によって、エレメントが基部５５に押し付けられかつ基部５５上の適切な位置に保持されうる。より低い部分に位置するＯリングシール（図示せず）は、放電が発展する容積を密閉する。
【００８５】
全装置は、外的環境への放射の任意の漏れを回避するように、ファラデー箱として機能する導電筐体６６に閉じ込められる。それは安全および電磁環境両立性の問題を連想する。
【００８６】
図７のそのような冷却システムで提供されるプラズマ発生器装置６７は、完全に図１０ａおよび１０ｂにおいて示される。
【００８７】
この装置６７は、図９ａおよび９ｂのそれとは、マイクロストリップ６２／絶縁ヒートシンク６３のアセンブリが、水が循環する中空の円形断面の縦の伝送線路エレメントで置き換えられている点で異なる。伝送線路エレメントは、スタックの残りに挿入され締め付け手段７０によって動けなくなる誘電体スペーサによって位置決めされている。
【００８８】
図１１は、３つのプラズマ発生器装置（例として、この数が任意の特定の限界なしに増加することが可能である）のアセンブリ７１を示し、それぞれはマイクロストリップ導体７３に超短波電力を供給するための超短波供給モジュール７２を具備している。マイクロストリップは水が循環する内部導管７５を介して誘電体ヒートシンク７４によって冷やされる。マイクロストリップは誘電体基板７６に固定される。種々のユニット（それぞれマイクロストリップ、誘電体、超短波供給および誘電体ヒートシンクを具備して）は、ガス供給管７９および冷却水供給管８０を組込む分配ブロックによってまとめられている。プラズマ８１は、マイクロストリップに面する誘電体基板のより低い面上に発生される。取り扱われる基板８２は、プラズマソースの各々の下に続いている。基板８２が電導性である場合、例えば鋼またはアルミニウム板が取り扱われることになっている場合、前記基板は接地面として機能する。基板が誘電体である場合、接地面部分（図示せず）は、誘電体箱７６の下に提供されなければならず、例えば、図の平面に垂直の方向に電力が供給されるマイクロストリップの端から限定された距離に渡って広がる面導電性エレメントである（図１６の一般的な配置）。
【００８９】
図１２は、ガス入口８８を通じてガスが供給されたスロット８７にプラズマ８６が生じることを可能にする２つの誘電体８４／マイクロストリップ８５ユニット（このユニット数は限定されない）を具備する別のタイプのアセンブリ８３を示す。その後、ガスはガス出口８９の方へ引きずられる。マイクロストリップは、マイクロストリップを囲む導管９０で誘電性の冷却液の循環によって冷やされる。分配ブロック９１は導管９２で循環する水によって冷やされる。この発明の一般的な原理によれば、潜在的な基準としてプラズマを維持し、かつ共鳴系を回避するために、マイクロストリップ８５に面するスロット８７を定義する接地ブロックは、電力が供給されるマイクロストリップの端を発端とする限定された長さに渡り導電性材料のみからできていて、（図の平面に垂直な方向に）ブロックの全長の残りが誘電体ロッドからなることは可能である。
【００９０】
図１３は、一端で閉じていて水が循環する同軸の縦方向の導管９５を組込む基部９４を他端での入口と出口と共に具備するプラズマトーチ９３を示す。誘電体９６は、この基部９４上に配置され、ガスが注入されプラズマ９８が発生される縦方向の導管９７によってはじめから終わりまで貫かれる。超短波発生器に接続されたマイクロストリップ９９は、誘電体上に固定される。水１０１が循環する誘電体ヒートシンクがマイクロストリップ９９の自由面に配置される。
【００９１】
アセンブリはファラデー箱１０２に嵌め込まれる。
【図１ａ】
2010539669.tif 000003
【図１ｂ】
2010539669.tif 000004
【図２ａ】
2010539669.tif 000005
【図２ｂ】
2010539669.tif 000006
【図３ａ】
2010539669.tif 000007
【図３ｂ】
2010539669.tif 000008
【図３ｃ】
2010539669.tif 000009
【図３ｄ】
2010539669.tif 000010
【図４ａ】
2010539669.tif 000011
【図４ｂ】
2010539669.tif 000012
【図４ｃ】
2010539669.tif 000013
【図５】
2010539669.tif 000014
【図６】
2010539669.tif 000015
【図７】
2010539669.tif 000016
【図８】
2010539669.tif 000017
【図９ａ】
2010539669.tif 000018
【図９ｂ】
2010539669.tif 000019
【図１０ａ】
2010539669.tif 000020
【図１０ｂ】
2010539669.tif 000021
【図１１】
2010539669.tif 000022
【図１２】
2010539669.tif 000023
【図１３ａ】
2010539669.tif 000024
【図１３ｂ】
2010539669.tif 000025
【図１４】
2010539669.tif 000026
【図１５】
2010539669.tif 000027
【図１６】
2010539669.tif 000028
【国際調査報告】
2010539669.tif 000029
2010539669.tif 000030
2010539669.tif 000031
2010539669.tif 000032
2010539669.tif 000033
2010539669.tif 000034
2010539669.tif 000035
2010539669.tif 000036