(57)【要約】  気道アダプタ16は、ハウジング24と圧力変換器45aとを備える。ハウジングは、第１端部及び第２端部を持つ流路26、流路に連通する第１圧力ポート40及び流路に連通する第２圧力ポート42を有する。第１圧力ポートは、第２圧力ポートから離れて間隔を置いて配置される。流動制限部が、第１及び第２圧力ポート間で流路中に配置され、それらの間で圧力差を引き起こす。圧力変換器は、第１及び第２圧力ポート間の流動制限部によって引き起こされる圧力差を反映する信号を生成し、圧力変換器は光学干渉計を有する。圧力変換器によって生成された信号に基づいて、例えば流路中の気体の成分が検出される。【特許請求の範囲】
【請求項１】
流路、前記流路に連通する第１圧力ポート及び前記流路に連通する第２圧力ポートを備え、第１圧力ポートが第２圧力ポートから離れて間隔をあけて配置されているハウジング、
第１及び第２圧力ポート間で前記流路中に配置され、それらの間の圧力差を引き起こす流動制限部、並びに
第１及び第２圧力ポート間の前記流動制限部によって引き起こされる前記圧力差を反映する信号を生成する圧力変換器、
を有し、
前記圧力変換器が光学干渉計を含む、気道アダプタ。
【請求項２】
前記流路中に配置される検出チャンバをさらに有し、当該検出チャンバは選択された波長を少なくとも部分的に透過する材料からなる一組の透過ウィンドウを備え、動作の間、前記選択された波長の放射のビームは、前記ウィンドウを通過し、前記検出チャンバを横切り、光検出器によって検出され、検出された放射は、前記検出チャンバ中を流れる気体の成分を測定するために用いられることができる、請求項１に記載の気道アダプタ。
【請求項３】
前記流動制限部は、前記検出チャンバと前記流路の一つ以上の他の部分との間の断面積の違いを含む、請求項２に記載の気道アダプタ。
【請求項４】
前記ハウジング中に形成される第１圧力ポートから第２圧力ポートへと続くチャネルをさらに有し、前記圧力変換器の少なくとも一部が前記チャネル中に配置される、請求項１に記載の気道アダプタ。
【請求項５】
前記圧力変換器が、第１圧力ポートと第２圧力ポートとの間の圧力差が前記ダイアフラムの変形を引き起こすように第１圧力ポートを第２圧力ポートから実質的に封止するために前記チャネル中に配置されるダイアフラムをさらに有し、第１及び第２圧力ポート間の前記流動制限部によって引き起こされる前記圧力差を反映する前記圧力変換器によって生成される前記信号が、前記ダイアフラムの変形を反映する前記光学干渉計によって生成される信号を含む、請求項４に記載の気道アダプタ。
【請求項６】
前記チャネルの壁に形成される透過ウィンドウをさらに有し、
前記光学干渉計が、
前記チャネルの壁に形成された前記透過ウィンドウを通して前記ダイアフラムに向けて電磁放射を放射する光源、
前記チャネルの壁に形成された前記透過ウィンドウを通して前記ダイアフラムからの電磁放射を受け取る光検出器を有し、
前記ダイアフラムの変形を反映する前記光学干渉計によって生成される前記信号が、前記光検出器によって受け取られる電磁放射の一つ以上の特性を反映する前記光検出器によって生成される信号を含む、請求項５に記載の気道アダプタ。
【請求項７】
前記電磁放射の一つ以上の特性が、電磁放射の強度及び／又は電磁放射の位相を含む、請求項６に記載の気道アダプタ。
【請求項８】
第１圧力ポートが、前記流路から前記チャネルへの水分の侵入を低減するために構築され配置される部材を含む、請求項１に記載の気道アダプタ。
【請求項９】
前記ダイアフラムが第１圧力ポート又は第２圧力ポートに配置される、請求項５に記載の気道アダプタ。
【請求項１０】
流路、前記流路に連通する第１圧力ポート及び前記流路に連通する第２圧力ポートを備え、第１圧力ポートが第２圧力ポートから離れて間隔をあけて配置されているハウジング、
第１圧力ポートと第２圧力ポートとの間で引き起こされる圧力差を反映する信号を生成する圧力変換器、並びに
第１圧力ポートを第２圧力ポートに連通させる前記ハウジング中に形成されるチャネルを有し、
前記圧力変換器は、前記ハウジング中に配置されて前記チャネルに連通するダイアフラムを有し、前記チャネルは前記流路の外面近傍に形成される、気道アダプタ。
【請求項１１】
前記チャネルが前記流路に対して実質的に平行である請求項１０に記載の気道アダプタ。
【請求項１２】
前記チャネルが、前記流路の外面に直接隣接する請求項１０に記載の気道アダプタ。
【請求項１３】
前記圧力差を引き起こすために第１圧力ポートと第２圧力ポートとの間で前記流路中に配置される流動制限部をさらに有する請求項１０に記載の気道アダプタ。
【請求項１４】
前記流路から前記チャネルへの水分の侵入を低減するために構築され配置される部材をさらに有し、当該部材は第１圧力ポート近傍に配置される、請求項１０に記載の気道アダプタ。
【請求項１５】
前記チャネルが前記ハウジングの一部として一体的に成型されている請求項１０に記載の気道アダプタ。
【請求項１６】
前記ダイアフラムが前記流路の境界の一部を構成する請求項１０に記載の気道アダプタ。
【請求項１７】
第１材料の第１層によって基板を覆い、第１層は、波長範囲内の電磁放射を少なくとも部分的に透過し、少なくとも部分的に反射し、
フォトレジスト層によって第１層を覆い、
第２材料の第２層によって前記フォトレジスト層を覆い、第２層は前記波長範囲内の電磁放射を十分に反射し、
パターニングされた電磁放射に前記フォトレジストを露光し、前記パターニングされた電磁放射は前記波長範囲内の波長を持ち、電磁放射に露光された前記フォトレジストは、一つ以上のスペーサを形成するために現像され、
第１層と第２層との間にスペースを形成するように前記スペーサが第１層及び第２層を互いから離して支持するように、未現像のフォトレジストを第１層と第２層との間から取り除く、干渉計の製造方法。
【請求項１８】
さらにダイアフラムの材料によって第２材料の第２層を覆う請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
さらに前記基板を複数のセンサ素子に切り分け、各々のセンサ素子が、前記フォトレジストを露光するステップの間に電磁放射の露光ビームに露光された前記基板の一部からなる、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記フォトレジスト層がnλ/4+λ/8（nは奇数、λは選択された波長）に等しい厚さを持つ請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
さらに、最初の層によって前記基板を覆うステップの前に、実質的に平坦になるように前記基板を処理する、請求項１７に記載の方法。
【請求項２２】
第１材料がアルミニウムであり、選択された波長の電磁放射に対して第１層が約40%から約60%の間の光反射率を持つ、請求項１７に記載の方法。
【請求項２３】
第２材料が、クロミウム又はアルミニウムのうちの一方からなる請求項１７に記載の方法。
【請求項２４】
第１材料及び第２材料が同じ材料である請求項１７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、干渉計測センサ素子の製造方法及び気体流路中の圧力差を検出するための干渉計の実施態様に関する。
【背景技術】
【０００２】
麻酔の投与の間、集中治療環境、並びに、トレーニング計画及び他の医療診断のコースの前及びその間にアスリートや他の個人の身体状態をモニタリングする際に、呼吸気体流量を測定することは、心肺機能及び呼吸回路健全性の評価のための価値がある情報を提供する。これらの環境の厳しい要求を満たそうとする流量計を作成するために、多くの異なる技術が適用された。
【０００３】
様々な他の種類の圧力測定装置が知られているが、従来は差圧流量計が呼吸流量測定を達成するために用いられた。呼吸力学パラメータ（例えば気道圧力、流速及び呼吸ボリューム）をモニタリングすることによって、供給される（すなわち吸気の）ボリューム及び呼気のボリュームを測定するために、圧力測定が一般的に実行されるが、臨床医は呼吸援助を必要としている患者により適切に良質のヘルスケアを提供することができる。加えて、圧力測定は、他の呼吸パラメータ（例えば酸素消費、二酸化炭素放出及び心拍出量又は肺毛細血管血流）を評価するための呼吸気体測定と共に用いられることができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
いくつかの圧力差流量計は、ベルヌーイの原理（制限部を横切る圧力降下は気体の体積流速に比例する）に基づいて動作する。流動と流動に対する制限部又は他の抵抗を横切る圧力降下との関係は、抵抗のデザインに依存する。いくつかの差圧流量計（一般に「ニューモタコ（pneumotach）」と呼ばれる）において、流動制限部（flow restriction）は、流動と圧力差との間に線形関係を引き起こすように設計されていた。そのようなデザインは、層流及び流動に対するより線形の応答を保証する多くの小さいチューブ又は細かいスクリーンで制限部が構成されるFleisch型ニューモタコを含む。他の物理的構成は、流動に関連して変化する開口部を持つ流動制限部である。しかしながら、多くの既知の差圧フローセンサは、アプリケーションによっては、様々な欠陥を被る。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
したがって、従来のモニタシステムの欠点を克服する気道アダプタを提供することが本発明の目的である。この目的は、ハウジング、流動制限部、及び圧力変換器を含む気道アダプタを提供することにより、本発明の一実施例によって達成される。ハウジングは、流路、前記流路に通じる第１圧力ポート及び前記流路に通じる第２の圧力ポートを有する。第１圧力ポートは、第２圧力ポートから離れて間隔を置いて配置される。流動制限部は、流路中で第１圧力ポートと第２圧力ポートとの間に配置され、それらの間に圧力差を引き起こす。圧力変換器は、第１圧力ポートと第２圧力ポートとの間の流動制限部によって引き起こされる圧力差を反映する信号を生成し、圧力変換器は光学干渉計を有する。
【０００６】
本発明の別の態様は、ハウジング、圧力変換器及びチャネルを有する気道アダプタに関する。ハウジングは、流路、流路に通じる第１圧力ポート及び流路に通じる第２圧力ポートを有する。第１圧力ポートは、第２圧力ポートから離れて間隔を置いて配置される。圧力変換器は、第１圧力ポートと第２圧力ポートとの間に引き起こされる圧力差を反映する信号を生成する。チャネルは、ハウジング中に形成され、第１圧力ポートを第２圧力ポートに連通させる。圧力変換器のダイアフラムがハウジング中に配置され、チャネルは流路の外面に隣接して形成される。
【０００７】
本発明の別の態様は、干渉計を製造する方法に関する。本方法は、第１材料の第１層で基板をコーティングし、第１層は、ある波長範囲内の電磁放射を少なくとも部分的に透過して少なくとも部分的に反射し、フォトレジスト層で第１層をコーティングし、第２材料の第２層でフォトレジスト層をコーティングし、第２層は、前記波長範囲内の電磁放射を十分に反射し、前記波長範囲内のパターニングされた電磁放射にフォトレジストを露光し、放射線に露光されたフォトレジストは、一つ以上のスペーサを形成するために現像され、第１層と第２層との間にスペースを作成するために未現像のフォトレジストを取り除く。
【０００８】
本発明のこれらの及び他の、目的、特徴及び特性、操作方法、構造の関連する要素の機能、パーツの組み合わせ、製造の経済は、その全てがこの明細書の一部を形成する添付の図面を参照して以下の説明及び添付の請求の範囲を考慮することにより明らかになる。それぞれの図面において同様の参照番号は対応する部分を表す。しかしながら、図面は、図例及び説明のみを目的とするものあって、本発明の範囲を定義することを意図されないことが明らかに理解されるべきである。明細書及び請求の範囲において、単数形の名詞は、文脈において明らかに別途指示されない限り、その名詞が示すものが複数存在することを含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
図1において、呼吸回路10の一部が、本発明の一実施例によって示される。呼吸回路10は、第１端部12、第２端部14及び気道アダプタ16を含む。呼吸回路10は、患者18に気体の流動を供給するように適応される。例えば、呼吸回路10の第１端部12は、患者18の気道20と連通するように構成される患者インタフェイス器具を含む。患者インタフェイス器具のいくつかの例は、例えば、気管内チューブ、鼻カニューレ、気管切開管、マスク又は他の患者インタフェイス器具を含むことができる。呼吸回路10の第２端部14は、気体の供給源17と連通するように構成される。例えば、気体の供給源は、雰囲気、壁ガス、圧補助装置、ベンチレータ又は他の気体供給源を含むことができる。
【００１０】
図1に示されているように、気道アダプタ16は呼吸回路10の長さ方向に沿って配置される。気道アダプタ16は、呼吸回路10を介して患者18に提供される気体の流動の一つ以上の特性及び/又は他の変数（例えば環境条件）をモニタリングする一つ以上のセンサを含む。センサはプロセッサ22に有効に接続される。例えば、有効な接続は、無線接続、有線接続、ネットワークを介した接続及び/又は他の通信接続を含むことができる。
【００１１】
気道アダプタ16中の各々のセンサは、その特定のセンサによってモニタリングされる存在を反映する一つ以上の信号を生成する。例えば、与えられたセンサによって生成される一つ以上の信号は、気体の流動の一つ以上の特性、周囲条件（例えば気圧、温度、湿度など）又は他の変数を反映することができる。センサによって生成される一つ以上の信号は、そのセンサとプロセッサ22との間の有効な接続を介してプロセッサ22に伝送される。一実施例において、センサによってモニタリングされる気体の流動の一つ以上の特性は、一つ以上の位置における呼吸回路10内の気体の流動の圧力、呼吸回路10内の気体の流動の流速、気体の流動内の一つ以上の気体の濃度、それの任意の組み合わせ及び/又は他の特性を含む。
【００１２】
図示された実施の形態において、プロセッサ22及びガス供給源17は別々の装置として示される。しかしながら、本発明は、これらの装置が共通の構造に組み込まれることができることも意図していることが理解されるべきである。
【００１３】
図2は、本発明の一実施例による気道アダプタ16のハウジング24の斜視図を示す。ハウジング24は、ハウジング24の第１端部28からハウジング24の第２端部30への流路26を提供する。ハウジング24の第１及び第２端部28及び30は、一般に管状（一実施例において円筒状）であり、呼吸回路を介して患者18に提供される気体の流動が流路26を通過し即ち流路26によって運ばれるように、呼吸回路10と接続されるように構成される。一実施例において、第１及び第２端部28及び30の一方又は両方は、着脱自在に呼吸回路10と接続されるが、他の一実施例においては、隣接する管と一体的に形成される。ハウジング24は、比較的剛性のある材料で構成されることができ、例えばハウジング24は、ポリカーボネート及び/又はPVCで構成されることができる。
【００１４】
検出チャンバ32は、第１及び第２端部28, 30間の流路26中に配置されるハウジング24によって提供される。チャンバ32は、壁31による第１面並びに対向する壁33及び35による第２及び第３面に囲まれている。壁31, 33及び35は、実質的に平らな外面を持つ。壁37は、壁31の反対側のチャンバ32の面でハウジング24を囲む。壁37は、壁37と壁33及び35との間の接合部において、ハウジング24から外側に突き出る。チャンバ32は、流路26を通過する気体の流動がチャンバ32を通過するように形成される。
【００１５】
チャンバ32は、各々の壁33及び35に形成される一組の対向する透過ウィンドウ34（図2では１つのウィンドウのみが見えている）を有する。透過ウィンドウ34は、ある波長範囲に対して少なくとも部分的に透明な材料からなる。本明細書において意図されるように、一実施例においては、前記波長範囲は、非常に小さいことができ（例えば単一波長のみ）、他の一実施例においては、前記材料が部分的に透明である広い波長スペクトラムであることができる。例えば、電磁放射の選択されたビームが、以下でさらに論じられるように、流路26に沿って提供されている気体の流動中の一つ以上の気体の濃度を決定するために用いられることができるように、選択される波長は、選択された波長の電磁放射のビームがチャンバ32に入射し及び/又は出射することを可能にするように決定されることができる。一実施例において、透過ウィンドウ34は、サファイヤ及び/又はポリエチレンから形成されることができる。
【００１６】
図示された実施の形態において、チャンバ中の気体の成分（例えば二酸化炭素（CO2））が周知の技術を使用して測定されることができるように、光学経路がウィンドウ34を介してチャンバ32を通して提供される。本発明はまた、例えばチャンバ32の一方の側に単一の光透過ウィンドウを提供し、放射を導いて同じウィンドウから反射して戻ってくる放射を検出することによる周知の反射技術を用いてチャンバ中の気体の成分を測定することを意図する。本発明はさらに、ルミネセンス消光技術を用いてチャンバ中の気体の成分を測定することを意図する。もちろん、複数の気体測定技術が同様に、チャンバ中の気体を測定するために組み合わせて用いられることができる。
【００１７】
図2に図示するように、ハウジング24から外への壁37の突出部は、一組の平らなリッジ状の突出部39及び41とともに台座36を定める。突出部39及び41並びに壁37によって形成される突出部が3つの面で壁33及び35にへりをつけるように、突出部39及び41は、一般に壁37に対して垂直に形成される。台座36は、ハウジング24に着脱自在にドッキングされることができるセンサハウジング（図2に図示せず）のための位置を提供する。突出部39及び41は、チャンバ32の対向する面に一組のタブを形成し、各々のタブに形成されるスロット38を有する。突出部39及び41によって形成されるタブ及びスロット38は、センサハウジングが台座36に収容されるように着脱自在に係合するための着脱可能なロック機構を構築するために提供される。後述するように、センサハウジングは、流路26中の気体の流動の一つ以上の特性、一つ以上の周囲条件又は他の変数をモニタリングするために気道アダプタ16に含まれるセンサの一つ以上の素子を収容することができる。
【００１８】
ハウジング24は、センサ素子45a及び45bを収容するセンサ素子台座部43を含む。後述するように、センサ素子45a及び45bは、センサ素子45a及び45b自体を観察することによって流路26中の気体の流動の一つ以上の特性及び/又は一つ以上の周囲条件をセンサがモニタリングすることを可能にする。
【００１９】
図3Aは、（図2の斜視図に対して上からみた）ハウジング24の立面図である。図3Aは、図2に関して上で論じられたハウジング24の特徴の関係を図示する。図3Bは、図3A中に示される断面線3B-3Bに沿ったハウジング24の断面図である。図3Bを参照すると、ハウジング24は、気道アダプタ16中に含まれるセンサの一つ以上に気体の流動へのアクセスを提供するように適応される。流路26及びチャンバ32に加えて、ハウジング24は、流路26に連通する第１圧力ポート40、同様に流路26に連通する第２圧力ポート42、及び第１圧力ポート40から第２圧力ポート42まで続くチャネル44を提供する。第３圧力ポート47は、第２圧力ポート42の近くにハウジング24によって提供される。実際には、センサ素子45a及び45bがそれぞれ第２及び第３圧力ポートに取り付けられるように、第２及び第３圧力ポート42及び47はセンサ素子台座部43の所でハウジング24中に提供される。
【００２０】
図3Bに示される実施例において、空の空間49がチャネル44と壁37との間にハウジング24中に形成される。図3Bで分かるように、流路26、第１圧力ポート40、第２圧力ポート42、第３圧力ポート47、チャネル44及び検出チャンバ32は、ハウジング24内に全て形成され、一実施例において、複数（2以上）又は全てのこれらの構造は例えばプラスチック材料から一体的に成形されていることができることが認識される。１つの特定の実施の形態において、チャネル44はハウジング24の一部として一体的に成形される。
【００２１】
図3Bに図示されるように、呼吸回路10によって患者18に提供される気体の流動が流路26を通過するように、流路26の第１及び第２端部28及び30は、呼吸回路10に接続されるように構成される。一実施例において、第１及び第２端部28及び30の一方又は両方は、着脱自在に呼吸回路10と接続される。
【００２２】
図3Bの実施の形態に示されているように、一組の圧力変換器48a及び48bが、流路26を通しての気体の流動の供給に関連した圧力をモニタリングするために提供される。より詳しくは、図示された実施の形態において、圧力変換器48a及び48bによってモニタリングされる圧力は、第１圧力ポート40と第２圧力ポート42との間の流路26の断面積の変化によって引き起こされる圧力差、及び流路と雰囲気との間の圧力差を含む。圧力変換器48aは、第１端部28（例えば第１圧力ポート40）で流路26内に存在する気体と第２端部30（例えば第２圧力ポート42）で流路26内に存在する気体との間で感じられる圧力差をモニタリングするように構成及び配置される。圧力変換器48bは、流路26内に存在する気体と環境圧力との間で感じられる圧力差をモニタリングするように構成及び配置される。
【００２３】
図示された実施の形態において、各々の圧力変換器48a及び48bは、光学部分（光学部分56a及び56bとして図示される）及びセンサ素子（センサ素子45a及び45b）を有する。センサ素子45aは、圧力差がダイアフラム50aの第１面52aとダイアフラム50aの第２面54aとの間で引き起こされるように、第２圧力ポート42において流路26からチャネル44を実質的に封止するためにチャネル44と連通して配置されるダイアフラム50aを含む。雰囲気から第２圧力ポート42を封止するために、封止部材51がセンサ素子45aのまわりに配置されている。ダイアフラム50aの第１面52aとダイアフラム50aの第２面54aとの間の圧力差は、第１圧力ポート40aと第２圧力ポート42aとの間の圧力差に実質的に等しいことが理解されなければならない。ダイアフラム50aは、ダイアフラム50aの第１面52aと第２面54aとの間の圧力差がダイアフラム50aの変形を引き起こすように形成される。この変形は、それの原因となる圧力差と数学的に関連づけられる。
【００２４】
同様に、センサ素子45bは、圧力差がダイアフラム50bの第１面52bとダイアフラム50bの第２面54bとの間に引き起こされるように、流路26及び雰囲気と連通して配置されるダイアフラム50bを含む。ダイアフラム50bの第１面52bとダイアフラム50bの第２面54bとの間の圧力差は、流路26内の気体と雰囲気との間の圧力の差である。第１面52bと第２面54bとの間の圧力差は、ダイアフラム50bが圧力差の大きさに数学的に関連する距離で変形する原因となる。一実施例において、ダイアフラム50a及び/又はダイアフラム50bは、流路26の境界の一部を形成する。
【００２５】
(i)第１圧力ポート40と２圧力ポート42との間、及び(ii)流路26と雰囲気との間の圧力差がモニタリングされることを可能にするために、圧力変換器48a及び48bは、ダイアフラム50a及び50bの変形を測定する。図示された実施例において、圧力変換器48a及び48bは、ダイアフラム50a及び50bの変形をそれぞれ光学的に測定する光学部分56a及び56bを有する光学圧力変換器を含む。
【００２６】
そのような実施の形態において、図3Bに示すように、光学部分56aは、光源58a及びセンサ60aを有する。光源58aは、ダイアフラム50aに入射してダイアフラム50aによって反射される電磁放射のビームを放射する。センサ素子48aは、光源58aによって放射される電磁放射のビームをダイアフラム50aに導く反射プリズム57aを含む。一実施例において、光源58aは、発光ダイオード（"LED"）、レーザ、白熱光源又は他の放射源を含むことができる。電磁放射の反射ビームは、それからプリズム57aによって導かれ、光学部分56a中に含まれる電磁放射のビームをセンサ60aに導くビームスプリッタ62aに入射する。いくつかの例において、光学部分56aは、環境及び/又は反射された放射の形でのセンサ60aに入射するノイズを低減するための、電磁放射のビームの光学経路中に配置される構成要素を含むことができる。
【００２７】
センサ60aに入射する電磁放射の一つ以上の態様に基づいて、ダイアフラム50aの変形が決定されることができる。いくつかの例において、センサ60aは、ダイアフラム50aの変形を示す電磁放射の一つ以上の態様を反映する一つ以上の信号を生成する。例えば、電磁放射の一つ以上の態様は、強度、位相、周波数、周波数シフト又は他の態様を含むことができる。センサ60aによって生成される一つ以上の信号は、気道アダプタ16中のセンサとプロセッサ22との間の有効なリンクを介してプロセッサ22に伝送される。光学部分56bは、光学部分56aの構成要素と同様に動作する光源58b、センサ60b及びビームスプリッタ62bを含む。図3Bで分かるように、センサ素子45bは、反射プリズム57aと同様に電磁放射をダイアフラム50bへ及びダイアフラム50bから導く反射プリズム57bを含む。
【００２８】
図3Bの実施の形態において、センサ素子45a及び45bは、プリズム57a及び57bを通して電磁放射を直接受け取る。他の実施の形態（図示せず）において、ハウジング24は、センサ素子45a及び45bを取り囲み、電磁放射のビームがセンサ素子45a及び45bへ並びにセンサ素子45a及び45bから透過する一つ以上の透過ウィンドウを含む。他の実施の形態（図示せず）において、光学部分56a及び56bの全ての構成要素のいくつかは、ハウジング24内に提供されることができる。チャネル44に対するダイアフラム50aの位置は制限されず、ダイアフラム50a及びチャネル44の他の構成が、この開示の教示から逸脱することなく使用されることができることも理解されるべきである。例えば、ダイアフラム50aは、第２圧力ポート42の代わりに第１圧力ポート40に配置されていることができ、又は、ダイアフラム50aは、第１及び第２圧力ポート40, 42の各々から少し離れて、チャネル44中に配置されていることができる。
【００２９】
チャネル44を湿度（例えば患者18からの唾液など）から保護するために、部材68が第１圧力ポート40に配置されている。ある具体例では、部材68は、水分がチャネル44に入ることを実質的に防止する疎水性部材である。ハウジング24は、部材68へのアクセスを提供するために取り外されることができるプレート70を含む。一実施例において、プレート70は、ハウジング24の他の部分と実質的に同じ材料から形成される。いくつかの例において、プレート70は、部材68がそこに配置された後で、実質的に永久に（例えば接着材、超音波溶接など）ハウジング24に取り付けられる。他の例において、プレート70は、周囲条件から内部を封止するように着脱自在にハウジング24に取り付けられ、クリーニング及び/又は交換ために部材68への定期的なアクセスを依然として提供する。図3Bにおいて第１圧力ポート40に配置された部材68が示されるが、他の実施例では、部材68はチャネル44内の他の場所に配置されることができる。他の実施の形態において、ダイアフラム50は、第１及び第２圧力ポート40, 42の両方から離れてチャネル44内に配置され、部材は、チャネル44の水分の進入を防ぐために、第１及び第２圧力ポート40, 42の各々に配置されることができる。
【００３０】
図3Cは、図3Bに示される断面線3C-3Cに沿ったハウジング24の断面図である。気体の流動が流路26を通過する際に、（例えば第１部分26からチャンバ32へ、チャンバ32から第２部分30へ等の）流路26の断面積の変化は、第１圧力ポート40と第２圧力ポート42との間の圧力差を引き起こす流動制限部として作用することが、図3Cから理解されなければならない。流路26の断面積の変化によって引き起こされるこの圧力差は、流路26中の気体の流動の流速に数学的に関連している。したがって、これらの断面変化によって引き起こされる圧力差（例えば第１圧力ポート40と第２圧力ポート42との間の圧力差）の測定から、流路26中の気体の流速が算出されることができる。
【００３１】
本発明は、第１圧力ポート40と第２圧力ポート42との間の圧力差を、これらのポート間の気体流路の断面積を減少させることに加えて又はその代りに他の技術を用いて、引き起こすことを意図する。例えば、米国特許6,915,705において開示されるような流動素子が、圧力勾配を引き起こすために第１圧力ポート40と第２圧力ポート42との間に提供されることができる。
【００３２】
図4は、本発明の一実施例による圧力変換器48aの動作を図示する。上記したように、圧力変換器48aは、光学部分56aとダイアフラム50aを伴うセンサ素子45aとを備える。センサ素子45aは、基板層72a、第１反射層74a、圧力チャネル76a、第２反射層78a及びダイアフラム50aを有する。上記で簡潔に記載されたように、センサ素子45aの第１の側52aとセンサ素子45aの第２の側54aとの間の圧力差の発生は、矢印Aによって一般的に示されるように、ダイアフラム50aの変形を引き起こす。センサ素子45aの第１の側52aの圧力が圧力チャネル76によってダイアフラム50aに連通されるので、ダイアフラム50aは第１の側52aと第２の側54aとの間の圧力差に応答して変形する。圧力チャネル76aは、反射層74a及び78aを互いから離れて支持するフォトレジスト層（図4中に図示せず）によって形成されるスペーサによって、第１反射層74aと第２反射層78aとの間に作成される。一実施例において、圧力変換器48aは基本的に、この変形を光学的に測定するための光学干渉計を形成する。
【００３３】
ダイアフラム50aの変形を測定するために、光源58aは、プリズム57aによってダイアフラム50aに向けて導かれる電磁放射のビーム84を放射する。ビーム84は、第１反射層74aまで（ビーム84の波長範囲に対して実質的に透明である）基板層72a中を通過する。第１反射層74aは部分的に反射し（例えばビーム84に用いられる波長で40%-60%反射する）、したがって、ビーム84が第１反射層74aに入射すると、電磁放射のビーム86は、第１反射層74a中を第２反射層78aへと通過し、電磁放射のビーム88は、第１反射層74aによって反射されてプリズム57aの方へ戻りプリズムはビーム88を光学部分56aへと導く。
【００３４】
ビーム86が（ビーム86の波長を実質的に100%反射する）第２反射層78aに入射すると、電磁放射のビーム90は第２反射層78aによって反射されてプリズム57aの方へ戻り、プリズムは光学部分56aへとビーム90を導く。互いに横にずらしてオフセットされた図4中のビーム84、86、88及び90の描写は、説明のみを目的として概略的に示されており、実際には、ビーム84、86、88及び90は同軸であることが理解されるべきである。図4において、ビーム84、86、88及び90は、光がダイアフラム50aの変形を決定するために圧力変換器48aによって処理される態様を説明する便宜のためにオフセットされているように示されている。
【００３５】
図4で分かるように、ビーム88及び90は、ビームスプリッタ62aによってセンサ60aの方へ向きを変えられる。センサ60aは、センサ60aに入射するビーム88及び90の電磁放射の一つ以上の特性を反映する一つ以上の信号を生成することが可能な、任意の光感受性素子又は素子のアレイを含むことができる。例えば、センサ60aは一つ以上のフォトダイオード、CCDアレイ、CMOSアレイ、光電子増倍管又は他の光感受性素子を含むことができる。
【００３６】
図4で分かるように、ビーム90中に含まれる電磁放射は、光源58aから検出器60aまで、ビーム88中に含まれる電磁放射よりも長い光学経路を伝わる。特に、ビーム88は第１反射層74aによって反射される放射からなるので、その経路長は、第２反射層74aによって反射されるビーム90中に含まれる放射の経路長よりも、第１反射層74aと第２反射層78aとの間の距離の２倍分だけ短い。経路長のこの差に起因して、ビーム88及び90の電磁放射は位相差を伴ってセンサ60aに到達する。本発明の一実施例において、この位相差は、ビーム88及び90中の放射の光路長差並びに/又は第１及び第２反射層74a, 78a間の距離がセンサ60aによって生成される信号に基づいて決定されることを可能にする。基板層72aが実質的に剛体であるので、ダイアフラム50aの任意の変形は、第１及び第２反射層74a, 78a間の距離のこの測定値に含まれる。
【００３７】
一実施例においてダイアフラム50aの変形を測定するために圧力変換器48aによって構成される干渉計はファブリペロー型であることが、上記の説明から認識される。このように、空の反射（ダイアフラム50aの変形が無い場合のビーム88と90との間の完全な相殺的干渉）を提供するために、第１及び第２反射層74a, 78a間の距離は、放射の1/4波長の奇数倍離れていなければならない。例えば、第１及び第２反射層74a, 78a間の距離は、合計で1と1/4波長であることができる。一実施例において、復帰を全振幅の半分にバイアスするために、更なる1/8波長が距離に追加されることができる。これは、ダイアフラム50aが変形していない場合とエラーがゼロの測定値を引き起こしている場合とをシステムが識別することを可能にする。第１及び第２反射層74a, 78aを間隔を置いて配置するための他の構成が実現されることができる。
【００３８】
図5は、センサ素子台座部43に取り付けられるセンサ素子45bを含む、圧力変換器48bの断面図である。センサ素子45bは、実質的にセンサ素子45aの構成要素に対応する構成要素を含む。例えば、センサ素子45bは、基板層72b、第１反射層74b、第２反射層78b、圧力チャネル76b及びダイアフラム50bを含む。示されるように、センサ素子45bは、圧力チャネル76bが雰囲気と連通するように、センサ素子台座部43に取り付けられる。したがって、ダイアフラム50bの変形を引き起こすダイアフラム50bに存在する圧力差は、第３圧力ポート47における流路26中の気体と雰囲気との間の圧力差である。この圧力差は、とりわけ流路26内の気体の気圧を決定するために用いられることができる。
【００３９】
図5には示されていないが、センサ素子45bの構成要素は、センサ素子45a及び光学部分56aの構成要素によるダイアフラム50aの変形の決定に関して上記した態様と実質的に同一の態様で、ダイアフラム50bの変形を決定するために光学部分56bの構成要素によって機能することが理解されるべきである。
【００４０】
オプションとして、気道アダプタ16のハウジング24は、診断機能を提供する一つ以上のセンサを運ぶように構成されるセンサハウジングに結合されることができる。例えば、圧力変換器48a及び/又は48bを用いた流動センサ及び/又は気圧計として機能することに加えて、本発明の気道アダプタは、1989年8月22日に共にKnodle他に対して発行された米国特許4,859,858及び4,859,859（以下それぞれ'858特許及び'859特許）、及び1992年10月6日にApperson他に発行された米国特許5,153,436（以下'436特許）に記載される赤外線センサ、並びに、2001年12月4日にLabuda他に発行された米国特許6,325,978（以下'978特許）に記載されるルミネセンス消失型センサの一方又は両方のような材料検出素子を含むこともできる（これらの文献の各々の開示は全体が参照として本明細書に組み込まれる）。センサハウジングは、1997年12月2日にRichに発行された米国特許5,693,944（以下'944特許）（この文献の内容は参照として本明細書に組み込まれる）に開示されるセンサハウジングの特徴のいくつか又は全てを組み込むことができる。
【００４１】
図6は、受け入れるように構成されるハウジング24及びそれとともに用いられることができる赤外線型センサを含むセンサハウジング92を含む多機能気道アダプタ16の例の斜視図である。ハウジング24は、図3及び4を参照してすでに本明細書において説明された特徴を持つ。示されるように、センサハウジング92が台座36に取り付けられたときに光学部分56a及び56bがセンサ素子45a及び45bに光学的に結合されるように、光学部分56a及び56bはセンサハウジング92内で運ばれる。
【００４２】
上記で簡潔に述べられたように、ハウジング24の台座36は、相補的に構成されたセンサハウジング92が、ハウジング24及びセンサハウジング92がお互いに組み付けられるときに適切に（すなわち適切な向きに）設置されることを確実にするように構成される。センサハウジング92は、例えば'858特許、'859特許及び'436特許に記載されるような赤外線モニタリング変換器の素子を含む。
【００４３】
図7〜17は、センサ素子45を製造する方法を図示する。図7は、本方法の１つのステップにおける基板層72を示す。基板層72は、センサ素子45がそこから製造されるベースを形成する。すでに述べられたように、基板層72は実質的に透明である。例えば、基板層は、ガラス、シリカ及び/又は透明なプラスチック（例えばアクリル）から形成される。本方法における表されたステップにおいて、基板層72は、約2mm厚から約4mm厚の間である。第１反射層74が堆積される基板層72の面は、予め定められた精度で滑らかにされる。一実施例において、基板層72の滑らかにされる面は、光源58a及び光源58bの一方又は両方によって放射される放射の波長の10分の1（1/10）の範囲内に滑らかにされなければならない。
【００４４】
必要な平滑性を提供することが可能な任意のプロセスが実施される。例えば、圧延（rolling）、カレンダリング（calendaring）及び/又はスピンキャスティング（spin-casting）が用いられることができる。一実施例において、図7-17には示されていないが、滑らかにされた面の反対側の基板層72の面は、滑らかにされた面に対してある角度をなして形成される。これは、動作の間、基板層72の角度をつけられた面における放射の反射によって引き起こされる圧力変換器48内の干渉を低減する。一実施例において、滑らかにされた面の反対側の面も同様に光学的処理の目的のために滑らかにされる。いくつかの場合に、この平滑化は、「滑らかにされた面」を滑らかにするために用いられた方法と同じ方法を用いて実行される。この対向する面は同時に滑らかにされることもできる。
【００４５】
図8は、基板層72を基板層72の滑らかな面に配置される第１反射層74と共に図示する。第１反射層74は、基板層72に予め定められた均一性で適用されることが可能な任意の反射材料から成ることができる。一実施例において、第１反射層74は、クロミウム又はアルミニウムを含む。一実施例において、予め定められた均一性は、光源58a及び光源58bの一方又は両方によって放射される放射の波長の1/10の平滑性を含む。
【００４６】
基板層72上の第１反射層74のデポジションに続き、図9に図示するように、フォトレジスト層114が第１反射層74上に堆積される。フォトレジスト層114の厚さは、第１及び第２反射層74, 78間の距離を決定する。結果的に、一実施例において、フォトレジスト層114の厚さは、光源58a及び58bの一方又は両方によって放射される放射の1/4波長の奇数倍に等しい。いくつかの場合において、すでに述べられた理由のために、追加の1/8波長が厚さに追加されることができる。既に説明した層と同様に、フォトレジスト層114は予め定められた均一性及び精度で堆積されることができる。例えば、スピンコーティング又は蒸着が、光源58a及び58bの一方又は両方によって放射される放射の波長の1/10の均一性及び精度でフォトレジストを堆積させるために用いられることができる。
【００４７】
図10は、電磁放射116へのフォトレジスト層114の露光を図示する。電磁放射116に露光されるフォトレジストは、最終的に第２反射層から離れて第１反射層74を支持するスペーサを形成し、それによって圧力チャネル76を形成するために現像されることができる。図10は大気に開放されているフォトレジスト層側でフォトレジスト層114に入射する電磁放射116を図示するが、その代わりに（又は同様に）、フォトレジスト層114は、図10に図示される側と反対側のフォトレジスト層114の面から基板層72及び第１反射層74を通して、電磁放射に露光されることができることが理解されるべきである。
【００４８】
電磁放射116によって硬化するフォトレジストが予め定められた構造をもつ一つ以上のスペーサを形成することを確実にするために、電磁放射116はフォトレジスト層114へ導かれる前にパターニングされる。例えば、図11は電磁放射116の露光パターンを図示する。図11の露光パターンにおいて、電磁放射116は、圧力チャネル76の形状を定める複数のスペーサ117を形成するようにフォトレジスト層114上へ導かれる。現像されないフォトレジスト（電磁放射を受けないフォトレジスト層114の領域）は、圧力チャネル76を形成するために取り除かれる。図示された実施の形態において、圧力チャネル76は、中央領域121を周辺部に連通する複数の入口123を有する中央領域121を含む。露光パターンは、さらに中央領域121に形成される複数のリッジ125を生じさせる。
【００４９】
図12は、ダイアフラム50を図示する。ダイアフラム50は、動作の間の変形を可能にするために柔軟であり、薄い。一実施例において、ダイアフラム50は厚さが1/1000インチから3/1000インチの範囲であり、プラスチック（例えばSU-8）、シリコン、シリコン窒化物、ガラス又は金属（例えばニッケル）で構成される。ダイアフラム50は、予め定められた均一性で形成されることができる。
【００５０】
図13は、第２反射層78がダイアフラム50上に配置される本方法のステップを図示する。第２反射層78は、ダイアフラム50の層に予め定められた均一性で適用されることが可能な任意の反射材料から成ることができる。一実施例において、第２反射層78は、アルミニウム又はクロミウムを含む。一実施例において、予め定められた均一性は、光源58a及び/又は58bによって放射される放射の波長の1/10の平滑性を備える。ここで図示した実施例の代わりの実施例（図示せず）において、第２反射層78が最初に形成され、そして次にダイアフラム50がその上に堆積されることができる。
【００５１】
図14は、第１反射層74並びにフォトレジスト層114から形成されてダイアフラム50及び第２反射層78に結合されるスペーサ117及びリッジ125を伴う基板層72を示す。これは、第２反射層78にスペーサ117を結合することによって達成されることができる。一実施例において、スペーサ117は、十分な力で一緒に表面を押し付けることによって第２反射層78に結合されることができる。結合を強化するために、対向する表面は極めてきれいに保たれ、及び/又は、熱が表面の接触領域に与えられることができる。結合プロセスの間、リッジ125は、基板層72及びダイアフラム50に適用される任意の圧縮によって、第１及び第２反射層74, 78が接触することを防ぐことができる。
【００５２】
一実施例（ここでは図示されない）において、フォトレジスト層114は、第２反射層78及びダイアフラム50に適用されることができ、スペーサ117及び/又はリッジ125を形成するためにそこで露光されることができる。このアマルガムは、それから基板層72及び第１反射層74に結合されることができる。可能な他の実施の形態において、フォトレジスト層114を露光するために用いられる露光パターンは、リッジ125を含まなくてもよい。
【００５３】
図15は、基板層72に結合されるプリズム57を示す。一実施例において、プリズム57は接着剤を用いて基板層72に結合される。いくつかの場合で、接着剤は、プリズム57及び基板層72の一方又は両方に屈折率整合される。プリズム57は、中央領域121の上で基板層72に結合される。
【００５４】
一実施例において、上記の方法は、一つのセンサ素子より大きな寸法を有する材料（例えば基板層72、反射層74及び78、フォトレジスト層114など）を使用して実行されることができる。この実施の形態において、複数の露光パターンが材料上へ導かれることができる。圧力チャネル76を形成するために未現像のフォトレジストが取り除かれた材料の領域は、それから「カットアウト（cut out）」されること、すなわちセンサ素子45を形成するために適切な形状に分離されることができる。例えば、図16は、切り離されるべき複数のセンサ素子45を含む一つの基板124を図示する。上記のステップのそれぞれは、個々のセンサ素子45が分離された後で実行されることができることが理解されるべきである。例えば、57は分離の後に基板層72に結合されることができる。
【００５５】
図17-26は、センサ素子45を作成するために基板層72、反射層74及び78、フォトレジスト層114並びにダイアフラム50を組み合わせて加工することを含む、センサ素子45を製造する方法を図示する。図17は、他の材料と組み合わせる前の、本方法における形成ステップでの基板層72を示す。図18で図示されるステップにおいて、第１反射層74は、図8において上で説明された基板層72上への第１反射層74のデポジションと同様に、基板層72に配置される。図19は、例えば図9に関して上記した方法でフォトレジスト層114が第１反射層74に堆積される本方法におけるステップを示す。
【００５６】
図20は、図示された方法が図17-27に図示される方法から相違する、図17-26で図示される本方法におけるステップを図示する。図20に示されるステップにおいて、第２反射層78は、予め定められた均一性でフォトレジスト層114上へ堆積される。一実施例において、第２反射層78はアルミニウムを含む。一実施例において、予め定められた均一性は、光源58a及び58bの一方又は両方によって放射される放射の波長の1/10の平滑性を備える。
【００５７】
図21は、第２反射層78に堆積されるダイアフラム50を図示する。ダイアフラム50は、ダイアフラム50に予め定められた均一性を提供することが可能な任意の方法を用いて堆積されることができる。例えば、ダイアフラム50は、第２反射層78にスピンコートされること又は蒸着されることができる。
【００５８】
図22は、一般的に層74, 114, 78及び50が基板層72の第１面110上に堆積された後で行われる、センサ素子45の製造におけるステップを図示する。より詳しくは、パターニングされた電磁放射116は、フォトレジスト層114上へと基板層72及び第１反射層74中を透過させられる。電磁放射116は、放射116が入射するフォトレジスト層114の領域を現像する波長で提供される。
【００５９】
本発明の一実施例において、材料（例えば基板層72、第１及び第２反射層74, 78、フォトレジスト層114並びにダイアフラム50）は、一つのセンサ素子より大きな寸法を持ち、電磁放射116は、材料の複数の領域上に予め定められたパターンでフォトレジスト層114を露光するためにパターニングされる。一つのそのようなパターンは、電磁放射116によって露光された（図23において基板119として示される）材料で構成される基板の複数の領域118を示す図23に図示される。領域118の各々は、センサ素子（例えばセンサ素子45）を形成するためにその後処理されることができる。図17-26の方法における層は圧力チャネル76の形成後に一緒に結合されるわけではないので、パターニングされた電磁放射は、圧力チャネル76中にリッジ（例えば図11中のリッジ125）又は他の支持構造体を形成しなくてよい。
【００６０】
（ここで図示されない）いくつかの場合において、圧力チャネル76は、図11に示されて上で説明された入口123及び中央領域121と同様に、センサ素子45の周辺部から中央領域まで延在する入口を含む。これらの場合において、個々のセンサ素子45は、基板119から分離されることができ、入口は、未現像のフォトレジストを圧力チャネル76から一掃又は洗浄して、それによって未現像のフォトレジストを取り除くために用いられることができる。
【００６１】
他の例において、図24及び25に図示されるように、圧力チャネル76は入口を含まない。これらの場合において、フォトレジスト層114を露光した後に、フォトレジスト層114からの未露光のフォトレジストが第１及び第２反射層74, 78間のスペースから掃き出されることを可能にするために、一つ以上の孔120が基板層72及び第１反射層74を通して開けられる。反射層74及び78間から未現像のフォトレジストを除去することで、圧力チャネル76を形成する。フォトレジスト層114の現像された部分は、第１及び第２反射層74, 78を支持するスペーサを形成する。一実施例において、孔120はレーザを用いて作られる。例えば、CO2レーザが用いられることができる。
【００６２】
図26に図示されるセンサ構成要素70のような個々のセンサ構成要素を形成するために、圧力チャネルを含む層74, 114, 78及び50から形成される基板の部分が、それぞれ基板から取り除かれる。基板から個々のセンサ構成要素を取り除くために、個々の構成要素は、都合がいい形状（例えば円）で切り離される。
【００６３】
最も実際的かつ好ましい実施の形態であると現在考えられるものに基づいて本発明が例示を目的として詳細に説明されたが、そのような詳細は単にその目的のためであり、本発明は開示された実施の形態に限られず、それどころか、添付の請求の範囲の範囲内である修正及び均等な装置に適用されることが意図される。例えば本発明は、可能な範囲で、任意の実施の形態の一つ以上の特徴が、任意の他の実施の形態の一つ以上の特徴と組み合わせられることができることを意図していることが理解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の一実施例によるプロセッサに有効に結合されるセンサを持つ気道アダプタを含む呼吸回路を示す図。
【図２】本発明の一実施例による気道アダプタのハウジングを示す図。
【図３Ａ】図2の気道アダプタの平面図。
【図３Ｂ】図3Aの気道アダプタのハウジングの図3Aの線3B-3Bに沿った断面図。
【図３Ｃ】図3Aの気道アダプタの図3Bの線3C-3Cに沿った断面図。
【図４】本発明の一実施例による光学圧力変換器。
【図５】本発明の一実施例によるセンサ素子。
【図６】本発明の一実施例による気道アダプタのハウジング及びセンサハウジング。
【図７】本発明の一実施例によるセンサ素子を製造する方法中のステップを示す図。
【図８】本発明の一実施例によるセンサ素子を製造する方法中のステップを示す図。
【図９】本発明の一実施例によるセンサ素子を製造する方法中のステップを示す図。
【図１０】本発明の一実施例によるセンサ素子を製造する方法中のステップを示す図。
【図１１】本発明の一実施例によるセンサ素子を製造する方法中のステップを示す図。
【図１２】本発明の一実施例によるセンサ素子を製造する方法中のステップを示す図。
【図１３】本発明の一実施例によるセンサ素子を製造する方法中のステップを示す図。
【図１４】本発明の一実施例によるセンサ素子を製造する方法中のステップを示す図。
【図１５】本発明の一実施例によるセンサ素子を製造する方法中のステップを示す図。
【図１６】本発明の一実施例によるセンサ素子を製造する方法中のステップを示す図。
【図１７】本発明の一実施例によるセンサ素子を製造する方法中のステップを示す図。
【図１８】本発明の一実施例によるセンサ素子を製造する方法中のステップを示す図。
【図１９】本発明の一実施例によるセンサ素子を製造する方法中のステップを示す図。
【図２０】本発明の一実施例によるセンサ素子を製造する方法中のステップを示す図。
【図２１】本発明の一実施例によるセンサ素子を製造する方法中のステップを示す図。
【図２２】本発明の一実施例によるセンサ素子を製造する方法中のステップを示す図。
【図２３】本発明の一実施例によるセンサ素子を製造する方法中のステップを示す図。
【図２４】本発明の一実施例によるセンサ素子を製造する方法中のステップを示す図。
【図２５】本発明の一実施例によるセンサ素子を製造する方法中のステップを示す図。
【図２６】本発明の一実施例によるセンサ素子を製造する方法中のステップを示す図。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【国際調査報告】
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