(57)【要約】  本発明による一実施形態は、第１のウェハ１０４と第２のウェハ１０２とを備えることができるシステム５００である。第１のウェハ及び第２のウェハはウェハボンディング工程によって共に接合され得、そのウェハボンディング工程は、第１のウェハと第２のウェハとの間に間隙１２８を形成する。その間隙は、熱除去材料５３０を収容するように構成され得る。【選択図】図５
2010517322.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のウェハ（１０４）と、
第２のウェハ（１０２）と
を備え、
前記第１のウェハ及び前記第２のウェハはウェハボンディング工程によって共に接合され、該ウェハボンディング工程は該第１のウェハと該第２のウェハとの間に間隙（１２８）を形成し、該間隙は熱除去材料（heat extracting material）（５３０）を収容するように構成される
システム。
【請求項２】
前記第１のウェハと前記第２のウェハとの間の前記間隙内に前記熱除去材料を供給するための入口管（５１４）
をさらに備える請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記第１のウェハと前記第２のウェハとの間の前記間隙から前記熱除去材料を排出するための出口管（５０２）
をさらに備える請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記熱除去材料は流体を含む
請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記第１のウェハと前記第２のウェハとの間の前記間隙は、前記熱除去材料を収容及び誘導するための流路（５０６）を含み、
該流路は前記ウェハボンディング工程によって形成される
請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記ウェハボンディング工程は、共晶接合、はんだ接合、圧着、融着、陽極接合、プラズマ接合及び接着から成る群から選択される
請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記第１のウェハは集積回路ウェハであり、
前記第２のウェハは、光学ウェハ、機械ウェハ、電気ウェハ及びキャップウェハから成る群から選択される
請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記第１のウェハは、
電気的なボンドパッドを有する棚部（shelf）（１２６）
を備える
請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記ウェハボンディング工程は、前記ウェハボンディング工程中に前記第１のウェハと前記第２のウェハとの間の距離を維持するための間隙設定材料（１１２）を含む
請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記ウェハボンディング工程は、前記第１のウェハと前記第２のウェハとの間の電気的相互接続（１１４）であるウェハボンドを含む
請求項１に記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェハボンディング間隙内に形成されるチップ冷却用流路に関する。
【背景技術】
【０００２】
［関連出願の相互参照］
本特許出願は、２００７年１月３１日に出願された、Peter G. Hartwell他による「Electronic and Optical Circuit Integration Through Wafer Bonding」と題する同時係属の米国特許出願第１１／７０１，３１４号（代理人整理番号２００６０２７５４）に関連し、その米国特許出願は参照により本明細書に援用される。
【０００３】
従来の高性能集積回路チップが小型化されるほど、フォームファクタが小さくなり、結果として、これらの小さくなったデバイス内の電力密度が増加する可能性がある。
したがって、高性能集積回路チップは大量の熱を生成する可能性があり、それがデバイスの動作及び性能に悪影響を及ぼす可能性がある。
【０００４】
高性能集積回路チップから熱を除去する（heat extraction）のを助けるために、従来から数多くの解決策が開発されてきた。
たとえば、集積回路チップに、ヒートシンク及びファンが直に取り付けられてきた。
しかしながら、効率的に冷却するためには、ヒートシンク及びファンを大きくする必要があり、モバイルコンピューティングの解決策には適合しない場合もある。
別の従来の解決策は、集積回路チップに熱電冷却器（thermo-electric cooler）を結合することであるが、この解決策には費用がかかる場合がある。
さらに別の従来の解決策は、流体冷却方式を含むが、そのような方式は、典型的には、生成された熱のうちの要求される量を除去するほど十分に効果的ではない。
【０００５】
それゆえ、上記の問題のうちの１つ又は複数に対処することが望ましい。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明にかかるシステムは、第１のウェハ（１０４）と、第２のウェハ（１０２）とを備え、前記第１のウェハ及び前記第２のウェハはウェハボンディング工程によって共に接合され、該ウェハボンディング工程は該第１のウェハと該第２のウェハとの間に間隙（１２８）を形成し、該間隙は熱除去材料（heat extracting material）（５３０）を収容するように構成される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１Ａ】本発明の種々の実施形態による、ウェハボンディング工程前の２つのウェハの側断面図である。
【図１Ｂ】本発明の種々の実施形態による、例示的なチップの側断面図である。
【図２】本発明の種々の実施形態による、チップ（又は装置）の例示的な斜視図である。
【図３】本発明の種々の実施形態による、チップ（又は装置）の例示的な平面図である。
【図４】本発明の種々の実施形態による、チップ（又は装置）の例示的な平面図である。
【図５】本発明の種々の実施形態による、例示的なシステムの上面図である。
【図６】本発明の種々の実施形態による、チップ（又は装置）の例示的な斜視図である。
【図７】本発明の種々の実施形態による、チップ（又は装置）の例示的な斜視図である。
【図８】本発明の種々の実施形態による、チップ（又は装置）の上面図である。
【図９】本発明の種々の実施形態による、チップ（又は装置）の例示的な斜視図である。
【図１０】本発明の種々の実施形態による、例示的な方法の流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
ここで、本発明による種々の実施形態を詳細に参照する。当該実施形態のいくつかの例が添付の図面において示される。本発明を種々の実施形態との関連で説明するが、これらの種々の実施形態が本発明を限定することを意図していないことは理解されよう。逆に、本発明は、特許請求の範囲に従って解釈されるような本発明の範囲内に含まれる場合がある代替形態、変更形態及び均等形態を包含することを意図している。さらに、本発明による種々の実施形態の以下の詳細な説明において、本発明の完全な理解を提供するために、数多くの具体的な細部が説明される。しかしながら、本発明をこれらの具体的な細部を用いることなく実施してもよいことは当業者には明らかであろう。他の事例では、本発明の態様を不必要に不明瞭にしないように、既知の方法、手順、部品及び回路は詳細には説明されていない。
【０００９】
図１Ａは、本発明の種々の実施形態による、ウェハボンディング（wafer bonding）工程前の２つのウェハの側断面図である。
具体的には、図１Ａは、ウェハボンディング工程前の、１つの例示的なキャップウェハ１０２と、１つの例示的な集積回路（ＩＣ）ウェハ１０４とを示す。
ウェハボンディング工程に備えて、キャップウェハ１０２及び集積回路ウェハ１０４の各ウェハ上に、１つ又は複数のボンディング材料１１４が堆積又は実装され得ることを指摘しておく。
さらに、ウェハボンディング工程に備えて、集積回路ウェハ１０４上に、１つ又は複数の誘電体間隙設定材料（dielectric gap setting material）１１２が堆積又は実装され得る。
具体的には、ウェハボンディング工程中において、１つ又は複数の誘電体間隙設定材料１１２の目的のうちの１つは、キャップウェハ１０２と集積回路ウェハ１０４との間の特定の距離（又は間隙）を維持及び形成することであり得る。
【００１０】
図１Ｂは、本発明の種々の実施形態による、１つの例示的なチップ（又は装置）１００の側断面図であり、当該チップは、熱除去材料を収容するために用いられうる、ウェハボンディング工程中にウェハ１０２と１０４との間に形成される間隙１２８を含む。
熱除去材料は、本明細書に記載されるものと同様のあらゆる様式で実現され得るが、それには限定されないことに留意されたい。
チップ１００は、キャップウェハ１０２と、集積回路ウェハ１０４とを備えることができ、キャップウェハ１０２及び集積回路ウェハ１０４は、ウェハボンディング工程によって共に接合される。
ウェハボンディング工程は、間隙１２８内に１つ又は複数の流路を形成することができ、その流路を用いて熱除去材料（又は冷却剤材料）を流し、ウェハ（又はチップ）１０２及び１０４から熱を除去することができる。
図２は、本発明の種々の実施形態による、いくつかの例示的な流路２０６を示すことを指摘しておく。
【００１１】
ウェハボンディング工程は、限定はしないが、共晶接合、圧着、融着、はんだ接合、陽極接合、プラズマ接合及び接着又はこれらのいずれか（共晶接合、圧着、融着、はんだ接合、陽極接合、プラズマ接合及び／又は接着）を含むことができる。
集積回路ウェハ１０４は、電子回路ウェハ１０４又は電気回路ウェハ１０４と呼ばれる場合もあるが、それには限定されない。
熱除去材料は、限定はしないが、冷却剤材料又は冷却剤と呼ばれる場合もあり、逆も同様である。
さらに、熱除去材料は、本明細書に記載されるものと同様のあらゆる様式で実現することができるが、それには限定されない。
一実施形態では、ウェハボンディング工程は、キャップウェハ１０２と集積回路ウェハ１０４との間に電気的な相互接続を設けると同時に、キャップウェハ１０２及び集積回路ウェハ１０４を結合することができる１つ又は複数のボンド１１４を含むことができる。
種々の実施形態において、キャップウェハ１０２は１つ又は複数の回路１１０を備え得ることを指摘しておく。
たとえば、一実施形態において、キャップウェハ１０２の１つ又は複数の回路１１０は、限定はしないが、集積回路ウェハ１０４の機能を増強し得る機械部品、光学部品及び／又はさらに別の電気部品を含みうる。
たとえば、光学部品は、１つ又は複数の光検出器、電子光学変調器（ＥＯＭ）、光導波路、レーザ、及び／又は電気回路を含みうるが、それには限定されない。
しかしながら、キャップウェハ１０２は、部品を全く含まないように実現されてもよい。
キャップウェハ１０２は、限定はしないが、光学ウェハ、機械ウェハ、電気ウェハ、又は部品を全く含まない蓋ウェハとして実現され得る。
一実施形態では、集積回路ウェハ１０４は、キャップウェハ１０２を越えて突出する１つ又は複数の突出部又は「棚部（shelf）」（たとえば、１２４及び１２６）を備えてもよく、１つ又は複数の突出部は、１つ又は複数の電気的なボンドパッド１１６（たとえば、オフチップ接続用）を備えてもよい。
一実施形態では、集積回路ウェハ１０４は、１つ又は複数の回路１２０を備えてもよく、それらの回路は、電気回路及び／又は光学回路としてもよいが、それには限定されない。
集積回路ウェハ１０４の１つ又は複数の回路１２０は、１つ又は複数の能動回路素子、受動回路素子、メモリ素子、プログラム可能回路素子、中央演算ユニット（ＣＰＵ）、マルチコアＣＰＵ、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）及び／又はダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）を含み得るが、それには限定されない。
【００１２】
図１Ａにおいて、一実施形態では、キャップウェハ１０２及び集積回路ウェハ１０４はそれぞれ異なるウェハ上に作成されてもよく、その後、各ウェハが完成した後に、２つのウェハを共に接合することによって、一体にされ得る。
たとえば、一実施形態では、集積回路ウェハ１０４は、ウェハ製造設備において標準的な工程で製造されてもよく、ウェハボンディング工程に備えるために、いくつかの作業を加えて変更されてもよい。
たとえば、その作業は、上側不動態化層（passivating layer）内に付加的なビア（via）を開けることを含んでもよく、その後、一実施形態では、ウェハボンドの半分を形成することができるボンド材料のシード層が追加されてもよい。
ボンド材料は、誘電体材料１１２及び／又はウェハボンディング相互接続材料１１４を含んでもよいが、それには限定されない。
【００１３】
図１Ａにおいて、集積回路ウェハ１０４のためのキャップウェハ１０２としての役割を果たすことになる別のウェハ（たとえば、シリコンウェハ）が準備され得る。
キャップウェハ１０２は、集積回路ウェハ１０４へのボンドを形成し得るボンド材料のパターニング（patterning）された層を備えてもよい。
ボンド材料は、誘電体材料１１２及び／又はウェハボンディング相互接続材料１１４を含みうるが、それには限定されない。
一実施形態では、ボンド材料（たとえば、１１２及び／又は１１４）をパターニングして、限定はしないが、キャップウェハ１０２と集積回路ウェハ１０４との間に間隙１２８を設定すること、ウェハ１０２及び１０４の良好な接着を確保するためのエリアを形成すること、熱除去材料のための１つ又は複数の流路としての役割を果たすことができる壁のような構造物を追加すること、及び／又は、キャップウェハ１０２が１つ又は複数の付加的なデバイス又は機能を含む場合には、キャップウェハに信号をルーティングするために１つ又は複数の電気的な相互接続を形成すること等の１つ又は複数の機能を果たしてもよい。
【００１４】
一実施形態では、図１Ａ及び図１Ｂにおいて、ウェハボンディング相互接続層１１４及び誘電体間隙設定材料１１２の組み合わせを用いて、間隙１２８内に１つ又は複数の流路を形成してもよい。
ウェハボンディング相互接続材料１１４及び誘電体材料１１２を組み合わせて、多種多様な形状が形成され得ることを指摘しておく。
誘電体間隙設定材料１１２は、熱除去材料のための流れを定めることになる任意の形状に形成され得る。
接合されたウェハ１０２及び１０４の間隙１２８内の熱除去材料の流れを誘導するための１つ又は複数の流路を実装又は形成することによって、１つ又は複数の流路は、半導体チップ１００の根本的な部品になることに留意されたい。
さらに、間隙１２８内に１つ又は複数の流路を配置することによって、熱除去材料が、ウェハ１０２及び１０４の回路（たとえば、１１０及び１２０）及び相互接続１１４に近接又は隣接して存在することができ、それによって、チップ１００から、生成された熱をさらに効率的に除去することができるようになる。
【００１５】
ウェハボンディング工程のボンド材料は、導体若しくは絶縁体、又は双方の組み合わせとしてもよいが、それには限定されないことに留意されたい。
キャップウェハ１０２及び集積回路ウェハ１０４を結合するために利用され得るウェハボンディング工程又は方法は、多種多様な方法で実施され得る。
たとえば、種々の実施形態において、ウェハボンディング方法は、限定はしないが、シリコン／酸化物融着、シリコン／酸化物又は酸化物／酸化物プラズマ接合、金属／酸化物陽極接合、金属／金属はんだ接合、及び金属／金属圧着を含んでもよい。
一実施形態では、プラズマ接合、はんだ接合、共晶接合又は圧着を用いて、融着の高い温度又は陽極接合の高い電圧によって集積回路ウェハ１０４の集積回路が損傷を受けるのを防ぐことができる。
はんだ接合部、共晶接合部又は圧着部は、キャップウェハ１０２及び集積回路ウェハ１０４間の間隙を機械的に設定するのを助ける付加的な構造物（たとえば、１１２）を含んでもよいことに留意されたい。
ボンディング後に、一実施形態では、キャップウェハ１０２をパターニングして、集積回路ウェハ１０４上の電気的なボンディングパッド１１６に接続してもよく、そのボンディングパッドを用いて、ＩＣパッケージ（図示せず）のピンに電気信号をルーティングしてもよい。
このための方式が、米国特許第７，０４２，１０５号明細書及び同第６，９５５，９７６号明細書において提示されており、それらの特許は参照により本明細書に援用されることに留意されたい。
【００１６】
一実施形態では、図１Ａ及び図１Ｂにおいて、キャップウェハ１０２が光学回路ウェハとして実現される場合には、最大限に性能を発揮するために、キャップウェハ１０２及び集積回路ウェハ１０４を積み重ねて配置することによって、電気的相互接続１１４の真上に光学回路を配置してもよい。
一実施形態では、キャップウェハ１０２が光学回路ウェハとして実現される場合には、キャップウェハ１０２及び集積回路ウェハ１０４に対する双方のタイプの信号の場合に、オフチップ相互接続が簡単にハンドリングされ得る。
一実施形態では、キャップウェハ１０２が実装されるにしても、トラブルシューティングを容易にするために、組み立てる前にキャップウェハ１０２及び集積回路ウェハ１０４のそれぞれが個別に試験されうることを指摘しておく。
一実施形態では、キャップウェハ１０２及び集積回路ウェハ１０４の組立及び一体化は、標準的なウェハボンディング技術を用いて簡単に為され得るが、それには限定されない。
【００１７】
図１Ｂのチップ１００において、集積回路ウェハ１０４（それは電子部品を有し得る）は下側に配置され、キャップウェハ１０２（それは、機械部品、光学部品及び／又は電気部品を有し得る）は上側に配置されるが、それには限定されない。
一実施形態では、化合物半導体工程を用いてキャップウェハ１０２を作成又は加工して、１つ又は複数の電気光学部品を形成し得るが、それには限定されない。
一実施形態では、キャップウェハ１０２及び集積回路ウェハ１０４を、ＣＭＯＳ（相補形金属酸化膜半導体）エレクトロニクス工程において作成又は加工し得るが、それには限定されない。
キャップウェハ１０２及び集積回路ウェハ１０４は物理的及び電気的相互接続１１４で共にウェハ接合されてもよく、その相互接続は、ウェハ１０２及び１０４を共に保持してもよく、さらには、集積回路ウェハ１０４からキャップウェハ１０２に、又はその逆に電気信号が進むことができるようにすることに留意されたい。
【００１８】
はんだ接合及び共晶接合によるウェハボンディング法は低温（たとえば、２５０〜３５０℃）で実施され得ることに留意されたい。
これらのウェハボンディング法のそれぞれのボンド材料は、限定はしないが、金スズボンド、金ゲルマニウムボンド等を含んでもよい。
たとえば、金及びスズボンドの場合には、金層が第１のウェハ（たとえば、１０２）上に堆積され得、一方、スズ層が第２のウェハ（たとえば、１０４）上に堆積され得、その後、ウェハ１０２及び１０４が共に貼り合わせられ得る。
金及びスズは加熱され得、その際、金及びスズは互いに拡散して、ウェハ１０２及び１０４を共に接合する。
一実施形態では、ボンディング材料は薄膜のように堆積されてもよく、それによって、ボンディング材料の量をより正確に制御することができるようになる。
はんだ接合及び共晶接合によるウェハボンディング法の場合、リードサイズ又はコンタクトサイズは約２５ミクロン（すなわちマイクロメータ）の円であり得るが、それには限定されない。
上記のように、別のウェハボンディング技法は、圧着を含んでもよい。
たとえば、キャップウェハ１０２及び集積回路ウェハ１０４の双方の上に金が堆積され得、その後、実質的に熱を加えることなく圧力をかけることができ、それによって金が混ざり合って、ウェハ１０２及び１０４に共に結合するボンドを設けることができる。
【００１９】
図１Ａ及び図１Ｂにおいて、チップ１００内に１つ又は複数の間隙設定材料１１２が含まれ得ることに留意されたい。
一実施形態では、圧着によるウェハボンディング工程中に、１つ又は複数の間隙設定材料１１２を用いて間隙１２８を形成してもよい。
一実施形態では、はんだ接合又は共晶接合によるウェハボンディング工程中に、１つ又は複数の間隙設定材料１１２を用いて間隙１２８を形成し、且つキャップウェハ１０２と集積回路ウェハ１０４との間からボンディング材料が押し出されるのを防ぐことができる。
【００２０】
本発明の一実施形態に従って利用することができる１つのウェハボンディング技法は、陽極接合と呼ばれることを指摘しておく。
具体的には、陽極接合は、（たとえば、ウェハ間に１つ又は複数の間隙設定材料１１２を用いて）ウェハ１０２及び１０４を一体にする（bring together）こと、並びにウェハ１０２及び１０４及び間隙設定材料１１２の中に電流を流して、それらを融着させることを含んでもよい。
一実施形態では、キャップウェハ１０２及び集積回路ウェハ１０４の電子回路の中に電流が流れないように、陽極接合を局所化することが望ましい場合がある。
本発明の一実施形態に従って用いることができる別のウェハボンディング技法は融着と呼ばれ、それは、一方のウェハ（たとえば、１０２）の任意の間隙設定材料１１２上にシリコンを堆積し、任意の間隙設定材料１１２に対応する他方のウェハ（たとえば、１０４）のエリア上に二酸化シリコンを堆積することと、その後、それらのウェハを共に接合して、ボンドを形成することとを含んでもよい。
本発明の一実施形態に従って用いることができる別のウェハボンディング技法は局部加熱と呼ばれる。
たとえば、一実施形態において、１つ又は複数のレーザを用いて、ウェハ１０２と１０４との間に配置される任意の間隙設定材料１１２における加熱を局所化してもよいが、それには限定されない。
【００２１】
図１Ｂにおいて、チップ１００は、キャップウェハ１０２及び集積回路ウェハ１０４を備えてもよく、それらのウェハは共にウェハ接合され、それらのウェハ間に、熱除去材料を収容するための間隙１２８が形成されている。
一実施形態では、キャップウェハ１０２及び集積回路ウェハ１０４を結合したウェハボンディングは、熱除去材料の流れを誘導するための１つ又は複数の流路を含んでもよい。
キャップウェハ１０２は、限定はしないが、誘電体材料、基板１０８（たとえばシリコン）、１つ又は複数の回路１１０（たとえば光学及び／又は電子）、及び１つ又は複数の金属相互接続を備えてもよい。
さらに、キャップウェハ１０２は、（スタンドオフと呼ばれる場合もある）間隙設定材料１１２を収容するように実装され得る。
集積回路ウェハ１０４は、限定はしないが、誘電体材料、シリコンウェハ１２２、１つ又は複数の回路１２０（たとえば光学及び／又は電子）、金属相互接続、１つ又は複数の電気的なボンドパッド１１６、及びキャップウェハ１０２を越えて突出する１つ又は複数の突出部又は「棚部」１２４及び１２６を備えてもよい。
さらに、キャップウェハ１０２及び／又は集積回路ウェハ１０４は、間隙設定材料１１２を収容するように実装され得る。
【００２２】
図２は、本発明の種々の実施形態による、チップ（又は装置）１００ａの例示的な斜視図である。
図２は、チップ１００ａの集積回路ウェハ１０４がキャップウェハ１０２を越えて突出する１つ又は複数の突出部又は「棚部」（たとえば、１２４及び１２５）を備え得ることを示すことを指摘しておく。
たとえば、集積回路ウェハ１０４の１つ又は複数の側面が、キャップウェハ１０２の１つ又は複数の側面を越えて突出してもよい。
しかしながら、一実施形態では、キャップウェハ１０２を越えて突出する突出部又は「棚部」（たとえば、１２４及び１２５）を用いることなく、チップ１００ａの集積回路ウェハ１０４が実現され得ることに留意されたい。
したがって、この実施形態では、集積回路ウェハ１０４及びキャップウェハ１０２は概ね同じようなサイズを有してもよく、それらの対応する側面は概ね同一平面（flush）を成してもよい。
【００２３】
図３は、本発明の種々の実施形態によるチップ（又は装置）１００ｂの例示的な平面図である。
具体的には、一実施形態では、集積回路ウェハ１０４は、その４つの側面において、キャップウェハ１０２の４つの側面を越えて突出し得る突出部又は「棚部」１２３、１２４、１２５及び１２６を備えてもよい。
しかしながら、種々の実施形態において、集積回路ウェハ１０４は、キャップウェハ１０２の側面を越えて突出し得る１つ又は複数の突出部１２３、１２４、１２５及び／又は１２６を備えてもよい。
突出部１２３、１２４、１２５及び１２６のうちの１つ又は複数は、多種多様な方法で実現され得ることに留意されたい。
たとえば、一実施形態では、突出部１２３、１２４、１２５及び１２６はそれぞれ、電子的なボンドパッド（たとえば１１６）を備えるが、それには限定されない。
突出部１２３、１２４、１２５及び１２６はそれぞれ、本明細書に記載されるものと同様のあらゆる様式で実現され得るが、それには限定されないことを指摘しておく。
【００２４】
図４は、本発明の種々の実施形態によるチップ（又は装置）１００ｃの例示的な平面図である。
具体的には、一実施形態では、集積回路ウェハ１０４は、その２つの側面において、キャップウェハ１０２の４つの側面を越えて突出し得る突出部又は「棚部」１２４及び１２６を備えてもよい。
突出部１２４及び１２６のうちの１つ又は複数は、多種多様な方法で実現され得ることを指摘しておく。
突出部１２４及び１２６はそれぞれ、本明細書に記載されるものと同様のあらゆる様式で実現され得るが、それには限定されないことに留意されたい。
【００２５】
図５は、本発明の種々の実施形態によるシステム５００の上面図である。
システム５００は、本発明の種々の実施形態による、チップ（又は装置）１００ｄの上面図を含んでもよく、間隙１２８の例示的な内容物が示されるが、キャップウェハ１０２は図示されないことを指摘しておく。
具体的には、間隙１２８は、限定はしないが、１つ又は複数のウェハボンディング誘電体間隙設定材料１１２と、１つ又は複数の大きなボンドエリア１１４（又は１１２）と、１つ又は複数のウェハボンディング相互接続１１４と、間隙１２８の中の熱除去材料５３０の流れを誘導（又は操作又は案内）するための１つ又は複数の流路５０６とを備えてもよい。
さらに、システム５００は、限定はしないが、１つ又は複数の入口管５１４（たとえば流体管入口）と、１つ又は複数の出口管５０２（たとえば流体管出口）と、再循環ポンプ５２６と、冷却ユニット５２８とを備えてもよい。
システム５００は、チップ１００ｄの間隙１２８を通じて熱除去材料５３０を再循環させるための閉じたシステムとしてもよい。
【００２６】
システム５００において、冷却ユニット５２８は、熱除去材料５３０の温度を下げる。
再循環ポンプ５２６は、冷却された熱除去材料５３０を、冷却ユニット５２８から、１つ又は複数の入口管５１４及び５１６を通じて、チップ１００ｄの間隙１２８の１つ又は複数の流路５０６の中に送り込んでもよい。
（オフチップからの）入口管５１４及び５１６は、チップ１００ｄの側面に当接（abut）され得、そこに封止され得、その中を通って流れる任意の熱除去材料５３０が間隙１２８の流路５０６に供給され得るようにする。
一実施形態では、ウェハボンディング工程中に誘電体間隙設定材料１１２を用いて、管５０２、５０４、５１４、５１６の前のエリアを除く、ウェハ１０２と１０４との間の縁部を封止してもよい。
このようにして、入口管５１４及び５１６を通って間隙１２８に入る熱除去材料５３０が、（オフチップからの）出口管５０２及び５０４を通って間隙１２８から出ることができるように、熱除去材料５３０が制限され得る。
さらに、一実施形態では、ウェハボンディング工程中に誘電体間隙設定材料１１２を用いて、１つ又は複数の表面及び／又は形状１１５を形成してもよく、その結果として、１つ又は複数の流路５０６が形成される。
したがって、流路５０６に供給される熱除去材料５３０の流れが、流路５０６によって案内又は操作又は誘導され得る。
それゆえ、一実施形態では、熱除去材料５３０を案内又は誘導し、ウェハ１０２、ウェハ１０４及び／又はウェハボンディング相互接続１１４の熱い部分と接触させることができるように、流路５０６が形成される。
一実施形態では、熱除去材料５３０を案内又は誘導し、ウェハ１０２、ウェハ１０４及び／又はウェハボンディング相互接続１１４のうちのあまり熱を生成しない部分と接触するのを避けることができるように、流路５０６が形成され得る。
一実施形態では、１つ又は複数の流路５０６の形状を最適にして、最大量の熱を生成する能力を有する集積回路ウェハ１０４の部分に熱除去材料５３０の流れが集中するのを確実にすることができる。
このようにして、熱除去材料５３０は、チップ１００ｄの１つ又は複数の部品から熱を除去することができる。
【００２７】
図５において、再循環ポンプ５２６は、冷却ユニット５２８によって冷却された熱除去材料５３０を次々に、管５１４及び５１６を介して、流路５０６の中に途切れることなく送り込むことができることに留意されたい。
熱除去材料５３０が流路５０６の中を進むのに応じて、チップ１００ｄから熱を除去することができ、熱除去材料５３０の温度が上昇し得る。
それゆえ、温度が上昇した熱除去材料５３０'は、間隙１２８の流路５０６から出口管５０２及び５０４を通じて排出され得る。
再循環ポンプ５２６は、管５０２及び５０４を通じて、温度が上昇した熱除去材料５３０'を流路５０６から吸い込むか、又は汲み上げて、それを冷却ユニット５２８に送り込むことができ、その中で、温度が上昇した熱除去材料５３０'は冷却されて、熱除去材料５３０になる。
このようにして、ウェハ１０２と１０４との間の間隙１２８の流路５０６に熱除去材料５３０を再び供給するように準備することができる。
【００２８】
管５０２、５０４、５１４及び５１６は、多種多様な方法において実現され得ることに留意されたい。
たとえば、管５０２、５０４、５１４及び５１６はそれぞれ、約１２５マイクロメートル、すなわちミクロンの直径で実現され得るが、それには限定されない。
システム５００は、図５に示される入口管５１４及び５１６よりも多くの数又は少ない数の入口管で実装されてもよい。
さらに、システム５００は、図５に示される出口管５０２及び５０４よりも多くの数又は少ない数の出口管で実装されてもよい。
【００２９】
図５において、システム５００のキャップウェハ１０２は、限定はしないが、光学回路ウェハとして実現されてもよい。
したがって、チップ１００ｄの側面から、１つ又は複数の光ファイバ１５２を介して、キャップウェハ１０４の中に光学信号がルーティングされ得る。チップ１００ｄはウェハスタックであり、キャップウェハ１０２及び集積回路ウェハ１０４を備え得る。
一実施形態において電気的及び光学的なオフチップの接続を容易にするために、チップ１００ｄのウェハ１０４の突出部又は「棚部」１２４及び１２６上に電子的なボンドパッド１１６が実装されてもよく、一方、図５に示されるように、チップ１００ｄの他の２つの側面に光学的な接続１５２が実装されてもよい。
さらに、一実施形態において、間隙１２８を通る熱除去材料５３０の供給及び排出の接続を容易にするために、図５に示されるように、チップ１００ｄの両側に管５０２、５０４、５１４及び５０６が実装されてもよい。
管５０２、５０４、５１４及び５０６のうちの１つ又は複数は、光ファイバ１５２が実装される側面に実装され得るが、それには限定されないことを指摘しておく。
【００３０】
具体的には、チップ１００ｄの集積回路ウェハ１０４は突出部１２４及び１２６を備えており、それらの突出部はそれぞれ、１つ又は複数の電気的なボンドパッド１１６を備え得る。
一実施形態では、図５に示されるように、突出部１２６は、集積回路ウェハ１０４の一方の側に配置されてもよく、突出部１２４は、集積回路ウェハ１０４の反対側に配置されてもよい。
図５の突出部１２４及び１２６は、図１及び図４の棚部１２４及び１２６に対応することを指摘しておく。
ワイヤ（たとえば直径が約２５ミクロン）によって、電気的なボンドパッド１１６をそれぞれ、チップ１００ｄのためのパッケージ（図示せず）に電気的に結合することができることに留意されたい。
電気的なパッド１１６をチップ１００ｄの２つの側面に制限することによって、チップ１００ｄは、他の２つの側面において突出を有せず、すなわち同一平面を成すことができる。
このようにして、一実施形態では、図５に示されるように、１つ又は複数の出口管（たとえば５０２及び５０４）及び１つ又は複数の入口管（たとえば５１４及び５１６）は、チップ１００ｄの同一平面を成す縁部の直ぐ隣に配置されてもよく、その縁部に当接されてもよい。
さらに、一実施形態では、図５に示されるように、１つ又は複数の光ファイバ１５２も、チップ１００ｄの同一平面を成す縁部のうちの１つ又は複数の直ぐ隣に配置されてもよく、又はその縁部に当接されてもよく、それによって、光ファイバと、キャップウェハ１０２の任意の光学回路（たとえば１１０）との間の光伝送を改善することができるようになる。
【００３１】
図５において、チップ１００ｄは多種多様な方法で実現されうることを指摘しておく。
たとえば、一実施形態において、集積回路ウェハ１０４は、その側面のいずれかにおいて電気的相互接続（たとえば１１６）のための単一の突出部（たとえば１２４）を備えてもよく、一方、残りの３つの側面は、熱除去材料５３０を供給し（たとえば５１４及び５１６）及び排出する（たとえば５０２及び５０４）ために用いられてもよい。
具体的には、チップ１００ｄの残りの３つの側面に、任意の数の入口管（たとえば５１４等）及び任意の数の出口管（たとえば５０２等）が実装されてもよい。
一実施形態では、集積回路ウェハ１０４は、その側面のうちのいずれかにおいて、電気的相互接続（たとえば１１６）のための３つの突出部を備えてもよく、一方、残りの側面は、熱除去材料５３０を供給し（たとえば５１４及び５１６）及び排出する（たとえば５０２及び５０４）ために用いられてもよい。
具体的には、チップ１００ｄの残りの側面に、任意の数の入口管（たとえば５１４等）及び任意の数の出口管（たとえば５０２等）が実装されてもよい。
【００３２】
一実施形態では、キャップウェハ１０２が光学回路ウェハとして実現される場合には、間隙１２８は、光ファイバ１５２が配置されることになる場所とは異なる高さにあることを指摘しておく。
たとえば、一実施形態では、光ファイバ１５２は、キャップウェハ１０２の光学回路層（たとえば１１０）と位置合わせされるか、又は同じ高さに並べられてもよく、一方、冷却剤管５０２、５０４、５１４及び５１６は、ウェハ１０２と１０４との間の間隙１２８と同じ高さに並べられることになる。
【００３３】
図５において、熱除去材料５３０は、冷却剤材料又は冷却剤と呼ばれる場合があるが、それには限定されない。
熱除去材料５３０は多種多様な方法で実現され得ることを指摘しておく。
たとえば、種々の実施形態において、熱除去材料５３０は、限定はしないが、流体、液体、気体、ヘリウム、フルオロカーボン、フレオン（登録商標）、フロリナート（登録商標）、不活性ガスのいずれか、誘電流体、又は、それらの任意の組み合わせとして実現され得る。
流体は、気体、液体及び／又は沸騰液を含んでもよいが、それには限定されないことに留意されたい。
一実施形態では、熱除去材料５３０は、不活性であり、広い温度範囲を有し、適度な熱容量を有する材料で実現され得る。
一実施形態では、熱除去材料５３０は、任意のボンド金属、又は熱除去材料５３０に晒されるいずれのものに対しても腐食性のない材料で実現され得る。
一実施形態では、熱除去材料５３０は、不活性であり、広い温度範囲を有し、大きな熱容量を有する材料で実現され得る。
熱除去材料５３０は、１つ又は複数の冷却特性と共に、１つ又は複数の特定の光学特性を有するように実現され得ることに留意されたい。
たとえば、一実施形態において、電子回路ウェハ１０４内にフォトダイオードが存在し、間隙１２８を越えて、キャップウェハ１０２内に光導波路放出器（optical waveguide path emitter）が存在する場合には、熱除去材料５３０は、高い屈折率を有するように実現され、光学部品間に光を閉じ込めることができる。
したがって、一実施形態では、熱除去材料５３０は、システム５００の１つ又は複数の光学的性能を高める屈折率を有し得る。
【００３４】
流路５０６の１つ又は複数の表面は、１つ又は複数の異なる材料又は工程でコーティング又は処理され得ることを指摘しておく。
材料（複数可）又は複数の工程でコーティング又は処理する目的は、限定はしないが、熱除去材料５３０の流れを制御すること、熱除去材料５３０の湿潤を制御すること、ウェハ１０２と熱除去材料５３０との間の熱伝達を助けること、ウェハ１０４と熱除去材料５３０との間の熱伝達を助けること、及び／又は熱除去材料５３０による腐食を防ぐことを含んでもよい。
一実施形態では、流路５０６のうちの１つ又は複数の表面を、フッ化有機物層でコーティングして、テフロン（登録商標）のようなコーティングを設けてもよく、それによって、腐食を防ぐのを助けることができる。
一実施形態では、流路５０６のうちの１つ又は複数の表面が薄い酸化物層又は窒化物層でコーティングされてもよく、それによって熱除去材料５３０の湿潤を制御して、システムの熱伝達特性を改善することができる。
一実施形態では、流路５０６のうちの１つ又は複数の表面は、十分に制御された表面粗さをもたらす工程で処理されてもよく、それによって、たとえば、境界層厚を制御し、それゆえシステムの熱伝達特性を制御することによって、流体流動特性を制御するのを助けることができる。
【００３５】
チップ１００ｄの間隙１２８内において、大きなボンドエリア１１４（又は１１２）は、キャップウェハ１０２及び集積回路ウェハ１０４を共に保持するための機械的結合又は強度又は接着を向上させるように実装され得る。
大きなボンドエリア１１４（又は１１２）は、任意のウェハボンディング材料（たとえば、誘電体間隙設定材料及び／又は相互接続材料）で実装され得ることに留意されたい。
【００３６】
図５において、１つ又は複数の光ファイバ１５２は、多種多様な方法で実現され得る。
たとえば、一実施形態では、光ファイバ１５２はそれぞれ、直径約１２５ミクロンであってもよいが、それには限定されない。
一実施形態では、各光ファイバ１５２のコアを、キャップウェハ１０２の任意の光学回路（たとえば１１０）と位置合わせして、適当な光伝送をもたらすことができる。
一実施形態では、キャップウェハ１０２の任意の光学回路（たとえば１１０）は、約２０ミクロンの厚みを有する層になるように実装され得るが、それには限定されない。
一実施形態では、光ファイバ１５２の位置合わせは、チップ１００ｄのためのパッケージングによって実施され得る。
たとえば、一実施形態では、各光ファイバ１５２を位置合わせするために、チップ１００ｄのためのパッケージの一部として、「Ｖ」溝を備えてもよく（たとえば、図７に示されるように）、各光ファイバ１５２をそのＶ溝内に置いてもよい。
一実施形態では、集積回路ウェハ１０４の中に１つ又は複数のＶ溝が作成されてもよく、光ファイバ１５２がそこに置かれて、キャップウェハ１０２の任意の光学回路（たとえば１１０）と位置合わせされてもよいことに留意されたい。
【００３７】
チップ１００ｄは、多種多様な方法で実現され得ることを指摘しておく。
たとえば、一実施形態では、集積回路ウェハ１０４は、その側面のうちのいずれかに電気的相互接続（たとえば１１６）のための単一の突出部を備えてもよく、一方、残りの３つの側面は、本明細書に記載されるように、熱除去材料５３０を供給及び排出することと共に、光学的相互接続（たとえば１５２）のために用いられてもよい。
一実施形態では、集積回路ウェハ１０４は、その側面のうちのいずれかに電気的相互接続（たとえば１１６）のための３つの突出部を備えてもよく、一方、残りの側面は、本明細書に記載されるように、熱除去材料５３０を供給及び排出すると共に、光学的相互接続（たとえば１５２）のために用いられてもよい。
【００３８】
図６は、本発明の種々の実施形態による、チップ（又は装置）１００ｅの例示的な斜視図である。
具体的には、図６は、種々の実施形態においてチップ１００ｅと共に実装され得る異なるオフチップ接続を示す。
たとえば、チップ１００ｅは、その同一平面を成す側面６０１上に、熱除去材料（たとえば５３０）をハンドリングするための１つ又は複数の流体入口及び／又は出口管６００及び６０２を備えるように実現され得る。
さらに、表面実装されたパッケージのための１つ又は複数のソルダバンプ（solder bump）６０８と共に、１つ又は複数のボンドパッド１１６を備えるように、チップ１００ｅの突出部又は「棚部」６０３が実現され得る。
ワイヤ６０６がボンドパッド１１６のそれぞれに接合され得ることを指摘しておく。
さらに、チップ１００ｅの突出部又は「棚部」６０５は、１つ又は複数のボンドパッド１１６を備えるように実現され得るが、それには限定されない。
【００３９】
図７は、本発明の種々の実施形態によるチップ（又は装置）１００ｆの例示的な斜視図である。
具体的には、図７は、種々の実施形態において、１つ又は複数の溝（又はトレンチ又はパターニングされた機構）７０６が、チップ１００ｆの１つ又は複数の突出部又は「棚部」７０２及び７０４内に設けられ得ることを示す。
溝７０６は、流体入口及び／又は出口管６００及び６０２と、ウェハ１０２と１０４との間に配置される間隙（たとえば１２８）との位置合わせを助けることができることを指摘しておく。
さらに、溝７０６は、光ファイバ１５２と、チップ１００ｆの任意の光学回路（たとえば１１０）との位置合わせも助けることができる。
【００４０】
図８は、本発明の種々の実施形態によるチップ（又は装置）１００ｇの上面図である。
本発明の種々の実施形態によれば、チップ（又は装置）１００ｇは、間隙１２８の例示的な内容物を含み、キャップウェハ１０２は図示されないことを指摘しておく。
具体的には、間隙１２８は、限定はしないが、間隙１２８の中の熱除去材料（たとえば５３０）の流れを誘導（又は操作又は案内）するための流路８０２、８０４及び８０６と、１つ又は複数のウェハボンディング相互接続１１４と、誘電体間隙設定材料１１２とを備え得る。
さらに、チップ１００ｇは、限定はしないが、熱除去材料（たとえば５３０）をハンドリングするための１つ又は複数の流体入口及び／又は出口導管（conduit）６００を備えてもよい。
チップ１００ｇは、図５のシステム５００に類似のシステムの一部にしてもよいが、それには限定されないことを指摘しておく。
流路８０２、８０４及び８０６は、任意の形状において実現され得、本明細書に記載される任意の他の流路と同様のあらゆる様式で実現され得るが、それには限定されないことに留意されたい。
ウェハ１０４は、ウェハ１０２（図示せず）を越えて突出する突出部又は「棚部」１２４及び１２６を備えてもよい。
突出部１２４及び１２６はそれぞれ、１つ又は複数のボンドパッド１１６を備えてもよい。
【００４１】
図９は、本発明の種々の実施形態による、チップ（又は装置）１００ｈの例示的な斜視図である。
具体的には、図９は、種々の実施形態においてチップ１００ｈと共に実装され得る異なるオフチップ接続を示す。
たとえば、チップ１００ｈは、その同一平面を成す側面６０１上に、熱除去材料（たとえば５３０）をハンドリングするための１つ又は複数の流体入口及び／又は出口管６００及び６０２を備えるように実現され得る。
さらに、チップ１００ｈの突出部又は「棚部」９０２は、ウェハ１０２及び／又は１０４に端面結合される光ファイバ１５２の位置合わせを助けるための溝７０６と共に、１つ又は複数のボンドパッド１１６を備えるように実現され得る。
ワイヤ６０６がボンドパッド１１６のそれぞれに接合され得ることを指摘しておく。
さらに、チップ１００ｈの突出部又は「棚部」９０４は、１つ又は複数のボンドパッド１１６を備えるように実現され得るが、それには限定されない。
さらに、１つ又は複数の光ファイバ１５２は、チップ１００ｈのウェハ１０２に対して垂直に表面実装され得る。
チップ１００ｈの光ファイバ（又は光ファイバコネクタ）１５２を用いて、チップ１００ｈとの間で光を伝送する（transmit light onto and off of chip 100h）ことができる。
たとえば、一実施形態では、チップ１００ｈの光ファイバ（又は光ファイバコネクタ）１５２を用いて、ウェハ１０２との間で光を伝送することができる。
光ファイバ１５２のための光源として、表面実装されるレーザを用いてもよいことに留意されたい。
【００４２】
図１０は、ウェハボンディング間隙内でチップ冷却流路を形成及び使用するための本発明の種々の実施形態による例示的な方法１０００の流れ図である。
方法１０００は、コンピューティングデバイス読取り可能及び実行可能命令（又はコード）、たとえば、ソフトウエアの制御下でプロセッサ（複数可）及び電気部品によって実行され得る、本発明の種々の実施形態の例示的な工程を含む。
コンピューティングデバイス読取り可能及び実行可能命令（又はコード）は、たとえば、コンピューティングデバイスによって使用可能であり得る揮発性メモリ、不揮発性メモリ及び／又は大容量データ記憶装置のようなデータ記憶機構内に存在し得る。
しかしながら、コンピューティングデバイス読取り可能及び実行可能命令（又はコード）は、任意のタイプのコンピューティングデバイス読取り可能媒体内に存在してもよい。
方法１０００は、コンピュータ使用可能媒体上にあるアプリケーション命令で実施されてもよく、それらの命令は、実行されるときに、方法１０００の１つ又は複数の動作を達成することに留意されたい。
方法１０００において、具体的な動作が開示されるが、そのような動作は例示である。
方法１０００は、図１０によって示される動作の全てを含まない場合がある。
また、方法１０００は、図１０によって示される種々の他の動作及び／又は動作の変形を含む場合もある。
同様に、方法１０００の動作のシーケンスは変更されてもよい。
方法１０００の動作は、手動で、ソフトウエアによって、ファームウエアによって、電子ハードウエアによって、又はそれらの任意の組み合わせによって実行され得ることに留意されたい。
【００４３】
具体的には、方法１０００は、ウェハボンディング工程のために第１のウェハを準備することを含んでもよい。
ウェハボンディング工程のために集積回路ウェハが準備され得る。
ウェハボンディング工程を用いて、第１のウェハ及び集積回路ウェハを結合することができる。
さらに、ウェハボンディング工程は、第１のウェハと集積回路ウェハとの間に間隙を形成することができ、その間隙は、熱除去材料を収容するために用いられる。
熱除去材料は、第１のウェハと集積回路ウェハとの間の間隙に供給され得る。
熱除去材料は、第１のウェハと集積回路ウェハとの間の間隙から排出され得る。
このようにして、本発明の種々の実施形態によれば、ウェハボンディング間隙内にチップ冷却流路が形成及び使用され得る。
【００４４】
図１０の動作１００２では、ウェハボンディング工程のために第１のウェハ（たとえばキャップウェハ１０２）が準備され得る。
動作１００２は、多種多様な方法で実施され得ることに留意されたい。
たとえば、一実施形態では、動作１００２において第１のウェハを準備することは、第１のウェハ上に材料（たとえば、金属、二酸化シリコン等）の薄膜の１つ又は複数のパッチを堆積することを含んでもよい。
一実施形態では、動作１００２において第１のウェハを準備することは、第１のウェハを作成することを含んでもよい（たとえば、本明細書に記載されるものと同様に作成されるが、それには限定されない）。
一実施形態では、第１のウェハは、ウェハボンディング工程中に、第１のウェハと集積回路ウェハとの間の距離を維持するための間隙設定材料を備えてもよい。
動作１００２の第１のウェハは、本明細書に記載される任意のウェハと同様のあらゆる様式で実現され得るが、それには限定されない。
動作１００２は、本明細書に記載されるものと同様のあらゆる様式で実施され得るが、それには限定されない。
【００４５】
動作１００４では、ウェハボンディング工程のために集積回路ウェハ（たとえば１０４）が準備され得る。
動作１００４は、多種多様な方法で実施され得ることに留意されたい。
たとえば、一実施形態では、動作１００４において集積回路ウェハを準備することは、集積回路ウェハ上に材料（たとえば、金属、二酸化シリコン等）の薄膜の１つ又は複数のパッチを堆積することを含んでもよい。
一実施形態では、動作１００４において集積回路ウェハを準備することは、集積回路ウェハを作成することを含んでもよい（たとえば、本明細書に記載されるものと同様に作成されるが、それには限定されない）。
一実施形態では、集積回路ウェハは、ウェハボンディング工程中に、第１のウェハと集積回路ウェハとの間の距離を維持するための間隙設定材料を備えてもよい。
動作１００４は、本明細書に記載されるものと同様のあらゆる様式で実施され得るが、それには限定されない。
【００４６】
図１０の動作１００６では、ウェハボンディング工程を用いて、第１のウェハ及び集積回路ウェハを結合することができ、そのウェハボンディング工程は、第１のウェハと集積回路ウェハとの間に間隙を形成することができ、その間隙は、熱除去（たとえば冷却剤）材料を収容するために用いられる。
動作１００６は多種多様な方法で実施され得ることに留意されたい。
たとえば、一実施形態では、ウェハボンディング工程は、第１のウェハ及び集積回路ウェハを結合する１つ又は複数のボンド（bond）を含んでもよく、１つ又は複数のボンドは、第１のウェハと集積回路ウェハとの間の電気的相互接続も含んでもよい。
一実施形態では、動作１００６のウェハボンディング工程は、第１のウェハと集積回路ウェハとの間の間隙内に１つ又は複数の流路を形成することができ、その間隙は、熱除去（たとえば冷却剤）材料を収容及び誘導するために用いられる。
動作１００６のウェハボンディング工程は、本明細書に記載されるものと同様のあらゆる様式で実施され得るが、それには限定されない。
熱除去材料（又は冷却剤材料）は、本明細書に記載されるものと同様のあらゆる様式で実現され得るが、それには限定されない。
動作１００６は、本明細書に記載されるものと同様のあらゆる様式で実施され得るが、それには限定されない。
【００４７】
動作１００８では、熱除去材料が、第１のウェハと集積回路ウェハとの間の間隙内に供給され得る。
動作１００８は多種多様な方法で実施され得ることを指摘しておく。
たとえば、種々の実施形態において、熱除去材料は、本明細書に記載されるものと同様のあらゆる様式で、動作１００８において第１のウェハと集積回路ウェハとの間の間隙内に供給され得るが、それには限定されない。
【００４８】
図１０の動作１０１０では、熱除去材料が、第１のウェハと集積回路ウェハとの間の間隙から排出され得る。
動作１０１０は多種多様な方法で実施され得ることを指摘しておく。
たとえば、種々の実施形態において、熱除去材料は、本明細書に記載されるものと同様のあらゆる様式で、動作１０１０において第１のウェハと集積回路ウェハとの間の間隙から排出され得るが、それには限定されない。
【００４９】
本発明による種々の具体的な実施形態のこれまでの記載は、例示及び説明するために提示されている。それらの記載は、網羅的であること、又は本発明を開示された形態と全く同じ形態に限定することを意図するものではなく、明らかに、上記の教示を考慮すれば、数多くの変更及び変形が可能である。本発明は、特許請求の範囲及びその均等物に従って解釈することができる。
【符号の説明】
【００５０】
１００  チップ（又は装置）
１０２  キャップウェハ
１０４  集積回路（ＩＣ）ウェハ
１０８  基板
１１０  回路
１１２  誘電体間隙設定材料
１１４  ボンディング材料
１１６  ボンドパッド
１２０  回路
１２２  シリコンウェハ
１２３〜１２６  突出部
１２８  間隙
５００  システム
５０２，５０４  流体管出口
５０６  流路
５１４，５１６  流体管入口
５２６  再循環ポンプ
５２８  冷却ユニット
５３０  熱除去材料
６００，６０２  流体入口管，流体出口管
６０３，６０５  突出部
６０６  ワイヤ
６０８  ソルダバンプ
７０２，７０４  突出部
７０６  溝
８０２，８０４，８０６  流路
９０２，９０４  突出部
【図１Ａ】
2010517322.tif 000003
【図１Ｂ】
2010517322.tif 000004
【図２】
2010517322.tif 000005
【図３】
2010517322.tif 000006
【図４】
2010517322.tif 000007
【図５】
2010517322.tif 000008
【図６】
2010517322.tif 000009
【図７】
2010517322.tif 000010
【図８】
2010517322.tif 000011
【図９】
2010517322.tif 000012
【図１０】
2010517322.tif 000013
【国際調査報告】
2010517322.tif 000014
2010517322.tif 000015