(57)【要約】【課題】  フィルタデバイス（１４９）を含むリソグラフィ装置（１）を提供する。【解決手段】フィルタデバイス（１４９）は、回転軸（ＲＡ）の周りに回転可能なホルダ（２０１）に取り付けられた複数のフォイル（２００）を有する。フォイル（２００）は、回転軸（ＲＡ）に実質的に平行に配置される。フォイル（２００）は、炭素−炭素複合材（Ｃ−Ｃ複合材）および炭素−炭化ケイ素複合材（Ｃ−ＳｉＣ複合材）からなる群から選択される一方向炭素繊維複合材を含む。動作中、フィルタデバイス（１４９）は回転し、Ｓｎプラズマ源といった放射源（ＳＯ）からのデブリを除去する。このようなフィルタデバイス（１４９）そのものも提供されてよい。【選択図】  図４
2010539699.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルタデバイスを含むリソグラフィ装置であって、前記フィルタデバイスは、回転軸の周りを回転可能なホルダに取り付けられた複数のフォイルを含み、前記フォイルは、前記回転軸に実質的に平行に配置され、かつ、炭素−炭素複合材および炭素−炭化ケイ素複合材からなる群から選択される一方向炭素繊維複合材を含む、リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記炭素繊維複合材内の繊維の方向は、前記回転軸を横断する、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記フォイルは、一方向炭素繊維複合材から作られる１つの層を含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記フォイルは、一方向炭素繊維複合材から作られる第１層と、一方向炭素繊維複合材から作られる第２層とを含み、前記第１層における繊維の方向は、前記第２層における繊維の方向を横断する、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記フォイルは、一方向炭素繊維複合材から作られる第１層と、一方向炭素繊維複合材から作られる第２層とを含み、前記第１層における繊維の方向は、前記回転軸に垂直な法線に対して第１方向角を有し、前記第２層における繊維の方向は、前記法線に対して第２方向角を有し、前記第１および前記第２方向角は、０°〜１０°の範囲内にあり、前記第１層および前記第２層における前記繊維の方向間の相互角は、０°より大きく１０°以下である、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記フォイルは、複合材から作られる２〜５個の層を含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記フォイルは、０．０５〜１．２ｍｍの範囲内の最大フォイル厚を有する、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記フォイルは、０．１〜０．４ｍｍの範囲内の最大フォイル厚を有する、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記ホルダは複数のスリーブを含み、各フォイルはテイル部を含み、前記スリーブは、前記テイル部を受容し、かつ、前記回転軸に垂直な方向に、前記ホルダから前記フォイルが外れることを防ぐように構成される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記フィルタデバイスは、５０〜２００個のフォイルを含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記ホルダの少なくとも一部が、炭素−炭素複合材および炭素−炭化ケイ素複合材からなる群から選択される炭素繊維複合材を含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１２】
ＥＵＶ放射を発生するように構成されたＳｎプラズマ放射源をさらに含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１３】
フィルタデバイスを含むリソグラフィ装置であって、前記フィルタデバイスは、回転軸の周りを回転可能なホルダに取り付けられた複数のフォイルを含み、前記フォイルは、前記回転軸に平行に配置され、且つ、少なくとも１０００℃において液体Ｓｎと実質的に反応しない材料を含む、リソグラフィ装置。
【請求項１４】
回転軸の周りを回転可能なホルダに取り付けられた複数のフォイルを含むフィルタデバイスであって、前記フォイルは、前記回転軸に実質的に平行に配置され、かつ、炭素−炭素複合材および炭素−炭化ケイ素複合材からなる群から選択される一方向炭素繊維複合材を含む、フィルタデバイス。
【請求項１５】
前記ホルダの少なくとも一部が、炭素−炭素複合材および炭素−炭化ケイ素複合材からなる群から選択される炭素繊維複合材を含む、請求項１４に記載のフィルタデバイス。
【請求項１６】
フィルタデバイス用のフォイルを製造する方法であって、
ａ．樹脂を含有する予含浸されたシートを提供することと、
ｂ．前記樹脂を硬化することと、
ｃ．任意選択的に、ｂ）において得られた生成物の少なくとも一部の厚さを低減することと、
ｄ．ｂ）またはｃ）で得られた前記生成物を炭化することと、
ｅ．任意選択的に、１回以上、当該炭化生成物に炭素含有化合物を浸透させることと、続けて当該浸透生成物を炭化することとを含む圧縮プロセスを行うことと、
ｆ．ｄ）またはｅ）において得られた生成物を黒鉛化することと、
ｇ．任意選択的に、ｆ）において得られた前記生成物の少なくとも一部の厚さを低減することと、を含み、
前記方法は、プロセスｃ）によって、または、プロセスｇ）によって、または、プロセスｃ）およびｇ）の両方によって厚さを低減することを含み、前記フォイルは、炭素−炭素複合材および炭素−炭化ケイ素複合材からなる群から選択される一方向炭素繊維複合材を含む、方法。
【請求項１７】
前記樹脂を含有する予含浸シートは、複数の、樹脂を含有する予含浸シートから作られる積層板を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記任意選択のプロセスｃ）後、かつプロセスｄ）前において、１回以上積層プロセスを行うことをさらに含み、前記積層プロセスは、
ａ１．樹脂を含有するさらなる予含浸シートをｂ）またはｃ）において得られた前記生成物に配置して、ｂ）またはｃ）において得られた前記生成物と前記樹脂を含有するさらなる予含浸シートとから作られる積層板を得ることと、
ｂ１．前記樹脂を硬化することと、
ｃ１．任意選択的に、ｂ１）において得られた前記生成物の少なくとも一部の厚さを低減することと、
を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
デバイス製造方法であって、
放射ビームにパターンを付けることと、
前記パターン付き放射ビームを、基板のターゲット部分上に投影することと、
フィルタデバイスを用いて前記放射ビームをフィルタリングすることと、
を含み、前記フィルタデバイスは、回転軸の周りに回転可能なホルダに取り付けられた複数のフォイルを含み、前記フォイルは、前記回転軸に実質的に平行に配置され、かつ、炭素−炭素複合材および炭素−炭化ケイ素複合材からなる群から選択される一方向炭素繊維複合材を含む、デバイス製造方法。
【請求項２０】
リソグラフィプロセス中に、前記フィルタデバイスを前記回転軸の周りで回転させる、請求項１９に記載のデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、特別なフィルタデバイスを有するリソグラフィ装置、かかるフィルタデバイスそのもの、かかるフィルタデバイスの製造方法、およびデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射するスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
[0003]  リソグラフィ投影装置では、基板上に結像可能なフィーチャのサイズは、投影放射の波長により制限される。デバイス密度の高い、したがって、動作速度の速い集積回路を生成するためには、より小さいフィーチャを結像可能であることが望ましい。多くの現行のリソグラフィ投影装置は、水銀ランプまたはエキシマレーザによって発生される紫外光を用いているが、例えば約１３ｎｍの短波長放射を用いることが提案されている。このような放射は極端紫外線（ＥＵＶ）または軟Ｘ線と呼ばれ、可能な放射源としては、例えば、レーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、または電子蓄積リングからのシンクロトロン放射が挙げられる。
【０００４】
[0004]  ＥＵＶ放射源は、通常、レーザ生成プラズマまたは放電源といったプラズマ源である。すべてのプラズマ源に共通する特徴は、高速イオンおよび原子を生成することあり、これらの高速イオンおよび原子はプラズマから全方向に放出される。これらの粒子は、通常、壊れ易い表面を有する、多層ミラーまたはかすめ入射ミラーであるコレクタミラーおよびコンデンサミラーを損傷してしまう。これらの表面は、プラズマから放出された粒子の衝突またはスパッタリングによって徐々に劣化し、それによりミラーの寿命は短くなる。スパッタリング効果は、放射コレクタまたはコレクタミラーには特に問題である。コレクタの目的は、プラズマ源によって全方向に放出された放射を集め、それを照明システム内の他のミラーに向けることである。放射コレクタは、プラズマ源内のＥＵＶ源の非常に近くに、またその見通し線上に位置決めされ、したがって、プラズマから高速粒子の大きい束を受ける。システム内の他のミラーは、通常、ある程度遮蔽されうるので、プラズマから放出された粒子のスパッタリングによる損傷の度合いはより少ない。
【０００５】
[0005]  近い将来、極端紫外線（ＥＵＶ）源はおそらくスズ（Ｓｎ）または別の金属蒸気を使用してＥＵＶ放射を生成することになるであろう。このスズは、放射コレクタのミラーといったミラー上に堆積する、および／または、リソグラフィ装置内に漏出してしまいうる。このような放射コレクタのミラーは、例えばルテニウム（Ｒｕ）から作られるＥＵＶ反射最上層を有しうる。反射Ｒｕ層上に約１０ｎｍ以上のスズ（Ｓｎ）が堆積すると、ＥＵＶ放射はバルクＳｎと同様に反射される。スズの反射係数はルテニウムの反射係数よりかなり低いので、コレクタの総透過率は著しく下がる。
【０００６】
[0006]  ＰＣＴ特許出願公開番号ＷＯ９９／４２９０４には、使用時に、放射が放射源から離れるようにそれに沿って伝播する経路内に位置決めされるフィルタが開示される。したがって、このフィルタは、放射源と、例えば照明システムとの間に配置されうる。このフィルタは、使用時に、原子および微粒子といったデブリ粒子を捕捉する複数のフォイルを含む。さらに、このような微粒子のクラスタもこれらのフォイルによって捕捉されうる。これらのフォイルは、放射は依然としてフィルタを通って伝播可能であるように方向付けられる。これらのフォイルは平らであっても円錐形であってもよく、また、上述した経路の周りに放射状に配置されてよい。放射源、フィルタ、および投影システムは、例えば約０．５トールの圧力にあるクリプトンといった緩衝ガス内に配置されてよい。
【０００７】
[0007]  ＰＣＴ特許出願公開番号ＷＯ０３／０３４１５３には、第１フォイルセットと第２フォイルセットを含む汚染物質バリアが開示され、これらのフォイルは、放射源を出る放射が最初に第１フォイルセットを通過し、次に第２フォイルセットを通過するようにされる。第１および第２セットのフォイルは、それぞれ、第１チャネルセットおよび第２チャネルセットを画定する。これらの２つのチャネルセットは、ガス供給源によってフラッシングガスが供給される空間が間にあるように離間される。汚染物質バリアからガスを除去するために排気システムが設けられてもよい。
【０００８】
[0008]  欧州特許出願公開番号ＥＰ１４３４０９８には、内側リングと外側リングを含む汚染物質バリアが提供され、このバリアでは、各フォイルの外端の少なくとも１つは、内側リングと外側リングの少なくとも一方の溝内に摺動可能に位置決めされる。フォイルの外端の１つを摺動可能に位置決めすることによって、フォイルは、半径方向に広がることができる。この汚染物質バリアは、フォイルが熱的に接続される一方のリングを冷却するように構成された冷却システムを含んでよい。
【０００９】
[0009]  放射源からのデブリ、または、このデブリによって発生される２次粒子が光学要素上に堆積することを防ぐために、例えば、米国特許出願公開番号ＵＳ２００６／０１８６３５３に記載されるようなフィルタデバイスを用いうる。
【発明の概要】
【００１０】
[0010]  例えば、ＥＵＶリソグラフィ装置における適用に適した代替のフィルタデバイスを有するリソグラフィ装置を提供することが望ましい。さらにまたはあるいは、例えば、そのような代替のフィルタデバイスそのもの、そのようなフィルタデバイスを製造する方法、および／またはデバイス製造方法を提供することが望ましい。
【００１１】
[0011]  本発明の一態様では、フィルタデバイスを含むリソグラフィ装置であって、フィルタデバイスは、回転軸の周りを回転可能なホルダに取り付けられた複数のフォイルを含み、フォイルは、回転軸に実質的に平行に配置され、かつ、炭素−炭素複合材および炭素−炭化ケイ素複合材からなる群から選択される一方向炭素繊維複合材を含む、リソグラフィ装置が提供される。
【００１２】
[0012]  一実施形態では、かかるリソグラフィ装置は、ＥＵＶ放射を発生するように構成された放射源を含み、この放射源はＳｎプラズマ源である。本明細書において、表現「ＥＵＶ放射を発生するように構成された」は、ＥＵＶ放射を発生するように設計され、かつ、ＥＵＶリソグラフィに使用されるように設計された放射源を指す。１つの変形では、放射源は、レーザ生成プラズマ源（ＬＰＰ）または放電生成プラズマ源（Ｓｎプラズマ源）をそれぞれ含む。
【００１３】
[0013]  かかるリソグラフィ装置は、一実施形態では、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成するように構成されたパターニングデバイスを支持するように構成されたサポートと、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムとを含む。一実施形態では、かかるリソグラフィ装置は、ＥＵＶリソグラフィ装置であり、ＥＵＶ放射ビームを供給するＥＵＶ放射源を含む。かかるリソグラフィ装置は、一実施形態では、ＥＵＶ放射ビームである放射ビームを発生するように構成された放射源を含んでもよく、この放射源は、ＥＵＶ放射を発生するように構成される。
【００１４】
[0014]  一実施形態では、炭素繊維複合材内の繊維の方向は、回転軸に対して垂直である。
【００１５】
[0015]  一実施形態では、フォイルは、一方向炭素繊維複合材から作られる１つの層を含む。一実施形態では、各フォイルは、複合材から作られる２〜５個の層を含む。後者の実施形態では、各層における炭素繊維の方向は、層によって異なってよい。
【００１６】
[0016]  一実施形態では、フォイルは、一方向炭素繊維複合材から作られる第１層と、一方向炭素繊維複合材から作られる第２層とを含み、第１層における繊維の方向は、第２層における繊維の方向に対して垂直である。一実施形態では、フォイルは、一方向炭素繊維複合材から作られる第１層と、一方向炭素繊維複合材から作られる第２層とを含み、第１層における繊維の方向は、回転軸に垂直な法線に対して第１方向角θ１を有し、第２層における繊維の方向は、法線に対して第２方向角θ２を有し、第１および第２方向角（θ１、θ２）は、０°〜１０°の範囲内にあり、第１層および第２層における繊維の方向間の相互角は、０°より大きく１０°以下である。
【００１７】
[0017]  一実施形態では、ホルダは複数のスリーブを含み、各フォイルはテイル部を含み、スリーブは、テイル部を受容するように構成され、スリーブは、回転軸に垂直な方向に、ホルダからフォイルが外れることを防ぐように構成される。
【００１８】
[0018]  一実施形態では、ホルダの少なくとも一部が、炭素−炭素複合材（Ｃ−Ｃ複合材）および炭素−炭化ケイ素複合材（Ｃ−ＳｉＣ複合材）からなる群から選択される炭素繊維複合材を含んでよい。一実施形態ではホルダは一方向炭素繊維複合材を含んでよい。
【００１９】
[0019]  本発明の更なる態様では、フィルタデバイスを含むリソグラフィ装置であって、フィルタデバイスは、回転軸の周りを回転可能なホルダに取り付けられた複数のフォイルを含み、フォイルは、回転軸に平行に配置され、且つ、少なくとも１０００℃において液体Ｓｎと実質的に反応しない材料を含む、リソグラフィ装置が提供される。一実施形態では、この材料は、最大で約２０００℃の温度において液体Ｓｎと実質的に反応しない。
【００２０】
[0020]  本発明の更なる態様では、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を用いるデバイス製造方法が提供される。一態様では、放射ビームにパターンを付けることと、パターン付き放射ビームを、基板のターゲット部分上に投影することと、フィルタデバイスを用いて放射ビームをフィルタリングすることと、を含み、フィルタデバイスは、回転軸の周りに回転可能なホルダに取り付けられた複数のフォイルを含み、フォイルは、回転軸に実質的に平行に配置され、かつ、炭素−炭素複合材および炭素−炭化ケイ素複合材からなる群から選択される一方向炭素繊維複合材を含む、デバイス製造方法が提供される。
【００２１】
[0021]  本発明の更なる態様では、フィルタデバイスそのものが提供され、このフィルタデバイスは、回転軸の周りを回転可能なホルダに取り付けられた複数のフォイルを含み、フォイルは、回転軸に実質的に平行に配置され、かつ、炭素−炭素複合材および炭素−炭化ケイ素複合材からなる群から選択される一方向炭素繊維複合材を含む。
【００２２】
[0022]  上述したように、一実施形態では、ホルダ上流側といったホルダの少なくとも一部が、炭素−炭素複合材（Ｃ−Ｃ複合材）および炭素−炭化ケイ素複合材（Ｃ−ＳｉＣ複合材）からなる群から選択される炭素繊維複合材を含んでよい。
【００２３】
[0023]  更なる態様では、フィルタデバイス用のフォイルを製造する方法が提供される。この方法は、
ａ．樹脂を含有する予含浸されたシートを提供することと、
ｂ．樹脂を硬化することと、
ｃ．任意選択的に、ｂ）において得られた生成物の少なくとも一部の厚さを低減することと、
ｄ．ｂ）またはｃ）で得られた生成物を炭化することと、
ｅ．任意選択的に、１回以上、炭化生成物に炭素含有化合物を浸透させることと、続けて浸透生成物を炭化することとを含む圧縮プロセスを行うことと、
ｆ．ｄ）またはｅ）において得られた生成物を黒鉛化することと、
ｇ．任意選択的に、ｆ）において得られた生成物の少なくとも一部の厚さを低減することと、を含み、
この方法は、プロセスｃ）によって、または、プロセスｇ）によって、または、プロセスｃ）およびｇ）の両方によって厚さを低減することを含み、フォイルは、炭素−炭素複合材および炭素−炭化ケイ素複合材からなる群から選択される一方向炭素繊維複合材を含む。炭素含有化合物は、例えば、フェノール樹脂であってよい。
【００２４】
[0024]  一実施形態では、樹脂を含有する予含浸シートは、複数の、樹脂を含有する予含浸シートから作られる積層板を含む。一実施形態では、任意選択のプロセスｃ）後、かつプロセスｄ）前において、１回以上積層プロセスを行うことをさらに含み、積層プロセスは、
ａ１．樹脂を含有するさらなる予含浸シートをｂ）またはｃ）において得られた生成物に配置して、ｂ）またはｃ）において得られた生成物と樹脂を含有するさらなる予含浸シートとから作られる積層板を得ることと、
ｂ１．樹脂を硬化することと、
ｃ１．任意選択的に、ｂ１）において得られた生成物の少なくとも一部の厚さを低減することと、を含む。
【００２５】
[0025]  この製造方法によって得られるフォイルは、本発明の一実施形態のフィルタデバイスに適用されてよい。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
[0026]  本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【図１】[0027]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。
【図２】[0028]  図２は、図１の実施形態によるリソグラフィ投影装置のＥＵＶ照明システムおよび投影光学部の側面を概略的に示す。
【図３】[0029]  図３は、図１および図２のリソグラフィ装置の放射源チャンバの一実施形態の細部を概略的に示す。
【図４】[0030]  図４は、本発明の一実施形態によるフィルタデバイスを概略的に示す。
【図５】[0031]  図５は、本発明の一実施形態によるフィルタデバイスからのフォイルを概略的に示す。
【図６ａ】[0032]  図６ａは、本発明の一実施形態によるフィルタデバイスからのフォイルの炭素繊維複合材の配置を概略的に示す。
【図６ｂ】[0032]  図６ｂは、本発明の一実施形態によるフィルタデバイスからのフォイルの炭素繊維複合材の配置を概略的に示す。
【図６ｃ】[0032]  図６ｃは、本発明の一実施形態によるフィルタデバイスからのフォイルの炭素繊維複合材の配置を概略的に示す。
【図６ｄ】[0032]  図６ｄは、本発明の一実施形態によるフィルタデバイスからのフォイルの炭素繊維複合材の配置を概略的に示す。
【図６ｅ】[0032]  図６ｅは、本発明の一実施形態によるフィルタデバイスからのフォイルの炭素繊維複合材の配置を概略的に示す。
【図６ｆ】[0032]  図６ｆは、本発明の一実施形態によるフィルタデバイスからのフォイルの炭素繊維複合材の配置を概略的に示す。
【図７ａ】[0033]  図７ａは、本発明の一実施形態によるプロセスを概略的に示す。
【図７ｂ】[0033]  図７ｂは、本発明の一実施形態によるプロセスを概略的に示す。
【図８】[0034]  図８は、ホルダ‐フォイルの取付けの一実施形態を概略的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
[0035]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置１を概略的に示している。このリソグラフィ装置１は、放射を発生するように構成された放射源ＳＯと、かかる放射源ＳＯから受ける放射からの放射ビームＢ（例えばＵＶ放射またはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬとを含む。放射源ＳＯは、別個のユニットとして設けられて、リソグラフィ装置の一部でなくともよい。サポート（例えばマスクテーブル）ＭＴは、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１位置決めデバイスＰＭに接続される。基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴは、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２位置決めデバイスＰＷに接続される。投影システム（例えば屈折投影ミラーシステム）ＰＳ（投影光ボックスＰＯＢとも知られる）は、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成されている。
【００２８】
[0036]  照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどの様々なタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００２９】
[0037]  サポートＭＴは、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポートＭＴは、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポートＭＴは、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポートＭＴは、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
【００３０】
[0038]  本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付与されたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。
【００３１】
[0039]  パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは周知であり、バイナリ、レベンソン型（alternating）位相シフト、およびハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００３２】
[0040]  本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射に、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因に適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
【００３３】
[0041]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００３４】
[0042]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のパターニングデバイスサポート）を有するタイプのものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルおよび／またはサポートは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブルおよび／またはサポート上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルおよび／またはサポートを露光用に使うこともできる。
【００３５】
[0043]  また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高い屈折率を有する液体（例えば水）によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、リソグラフィ装置内の別の空間（例えば、マスクと投影システムとの間）に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるための技術においてよく知られている。本明細書において使用される「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。
【００３６】
[0044]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射を受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射は、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。
【００３７】
[0045]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するように構成された調節デバイスを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといった様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００３８】
[0046]  放射ビームＢは、サポート（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを投影する。第２位置決めデバイスＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１位置決めデバイスＰＭおよび別の位置センサＩＦ１（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後またはスキャン中に、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。通常、パターニングデバイスサポートＭＴの移動は、第１位置決めデバイスＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２位置決めデバイスＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、パターニングデバイスサポートＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２と、基板アライメントマークＰ１、Ｐ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがパターニングデバイスＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００３９】
[0047]  例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
ａ．ステップモードにおいては、パターニングデバイスサポートＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
ｂ．スキャンモードにおいては、パターニングデバイスサポートＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。パターニングデバイスサポートＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
ｃ．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、パターニングデバイスサポートＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述のタイプのプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００４０】
[0048]  上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００４１】
[0049]  「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
【００４２】
[0050]  本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長λを有する）、および極端紫外線（ＥＵＶまたは軟Ｘ線）（１３．５ｎｍまたは６．６ｎｍといった例えば５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。一般に、約７８０〜３０００ｎｍ（またはそれ以上）の間の波長を有する放射はＩＲ放射とみなされる。ＵＶは、約１００〜４００ｎｍの波長を有する放射を指す。リソグラフィでは、リソグラフィは、通常、水銀放電ランプによって生成可能な波長、すなわち、Ｇ線４３６ｎｍ、Ｈ線４０５ｎｍ、および／またはＩ線３６５ｎｍにも適用される。ＶＵＶは真空ＵＶ（すなわち、空気により吸収されるＵＶ）であり、約１００〜２００ｎｍの波長を指す。ＤＵＶは深ＵＶであり、通常、リソグラフィでは、１２６ｎｍ〜２４８ｎｍといったエキシマレーザによって生成される波長に対して用いられる。当業者であれば、例えば、５〜２０ｎｍの範囲における波長を有する放射とは、特定の波長帯を有する放射に係り、そのうちの少なくとも一部が５〜２０ｎｍの範囲にあることは理解できよう。
【００４３】
[0051]  図２は、放射システム４２、照明システム４４、および投影システムＰＳを含む投影装置１をより詳細に示す。放射システム４２は、放電プラズマ源であってよい放射源ＳＯを含む。ＥＵＶ放射は、例えば、Ｘｅガス、Ｌｉ蒸気、またはＳｎ蒸気といった放射源内のガスまたは蒸気により生成されうる。このガスまたは蒸気内では、非常に高温のプラズマが生成されて電磁スペクトルのＥＵＶ範囲内の放射が放出される。この非常に高温のプラズマは、例えば、放電によって少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを生じさせることにより生成される。例えば１０Ｐａの分圧のＸｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気または任意の他の好適なガスまたは蒸気が、放射の効率のよい発生には必要となりうる。一実施形態では、ＥＵＶ源としてＳｎ源が適用される。放射源ＳＯにより放出される放射は、放射源チャンバ４７からコレクタチャンバ４８内へと、放射源チャンバ４７における開口内またはその背後に位置決めされる任意選択の汚染物質バリア４９を介して送られる。汚染物質バリア４９は、チャネル構造を含んでよい。汚染物質バリア４９は、ガスバリア、または、ガスバリアとチャネル構造との組み合わせを含んでもよい。以降、汚染物質バリア４９は本明細書中ではチャネル構造を少なくとも含むものとして示す。
【００４４】
[0052]  コレクタチャンバ４８は、かすめ入射コレクタによって形成されうる放射コレクタ５０（本明細書ではコレクタミラーとも示す）を含む。放射コレクタ５０は、上流放射コレクタ側５０ａと、下流放射コレクタ側５０ｂを有する。コレクタ５０によって送られた放射は、かすめ入射ミラー５１を反射して、コレクタチャンバ４８におけるアパーチャにある仮想放射源点５２に収束することができる。コレクタチャンバ４８からは、放射ビーム５６は、照明システム４４内で、法線入射リフレクタ５３、５４を介して、パターニングデバイスサポートＭＴ（例えばレチクルまたはマスクテーブル）上に位置決めされたパターニングデバイス（例えばレチクルまたはマスク）上に反射される。パターン付きビーム５７が形成され、このビームは、投影システムＰＳ内で、反射要素５８、５９を介して基板テーブルＷＴ上に結像される。通常、図示するよりも多くの要素が照明システム４４および投影システムＰＳ内に存在してよい。リソグラフィ装置の型に依存してかすめ入射ミラー５１が任意選択的に存在してよい。かすめ入射ミラーは格子スペクトルフィルタ５１であってもよい。さらに、図面に示すより多くのミラーがあってもよく、例えば、要素５８、５９以外に１〜４個多くの反射要素があってもよい。
【００４５】
[0053]  コレクタミラー５０として、かすめ入射ミラーの代わりにまたはそれに加えて、法線入射コレクタを適用してもよい。本明細書中、一実施形態においてリフレクタ１４２、１４３、および１４６を有する入れ子式コレクタとしてより詳細に説明され、かつ、例えば図２に概略的に示すコレクタミラー５０は、本明細書ではさらに、コレクタ（またはコレクタミラー）の一例として用いられる。したがって、適用可能な場合には、かすめ入射コレクタとしてのコレクタミラー５０は、一般的なコレクタとして、また、特定の実施形態では、法線入射コレクタとして解釈してよい。
【００４６】
[0054]  格子スペクトルフィルタ５１の代わりにまたはそれに加えて、図２に概略的に示すように、ＥＵＶは透過し、ＵＶ放射はあまり透過しないかさらには実質的に吸収する透過型光学フィルタを適用してもよい。したがって、「格子スペクトル純度フィルタ」は、以降、本明細書中、格子または透過型フィルタを含む「スペクトル純度フィルタ」として示される。図２には示していないが、例えば、コレクタミラー５０の上流に配置されるＥＵＶ透過型光学フィルタ、または、照明システム４４および／または投影システムＰＳ内の光ＥＵＶ透過型フィルタを任意選択の光学要素として含んでもよい。
【００４７】
[0055]  一実施形態（上述を参照）では、放射コレクタ５０は、かすめ入射コレクタであってよい。コレクタ５０は、光軸Ｏに沿って整列される。放射源ＳＯまたはその像は光軸Ｏ上に位置決めされる。放射コレクタ５０は、リフレクタ１４２、１４３、１４６を含んでよい（幾つかのウォルタ（Wolter）型リフレクタを含むウォルタ型リフレクタとしても知られる）。これらのリフレクタ１４２、１４３、１４６は入れ子状にされ、かつ光軸Ｏについて回転対称であってよい。図２では（およびその他の図面においても）、内側リフレクタを参照番号１４２により示し、中間リフレクタを参照番号１４３により示し、外側リフレクタを参照番号１４６により示す。放射コレクタ５０は、特定の容積、すなわち、外側リフレクタ１４６内の容積を囲む。通常、外側リフレクタ１４６内のこの容積は、小さい開口があってもよいが周囲を閉じられている。すべてのリフレクタ１４２、１４３、および１４６は表面を有し、その少なくとも一部が１つの反射層かまたは幾つかの反射層を含む。したがって、リフレクタ１４２、１４３、および１４６（より多くのリフレクタが存在してもよく、また、放射コレクタ５０の実施形態は３より多いリフレクタを有しうる）は、少なくとも部分的に放射源ＳＯからのＥＵＶ放射を反射して集めるように設計されてよく、また、リフレクタの少なくとも一部がＥＵＶ放射を反射し集めるように設計されていなくてよい。例えば、リフレクタの裏側の少なくとも一部は、ＥＵＶ放射を反射して集めるようには設計されていなくてよい。これらの反射層の表面上には、追加的に、保護のためのキャップ層があってもよく、または、反射層の表面の少なくとも一部の上に光学フィルタが設けられてもよい。
【００４８】
[0056]  放射コレクタ５０は、通常、放射源ＳＯまたは放射源ＳＯの像の付近に配置される。各リフレクタ１４２、１４３、１４６は、少なくとも２つの隣接する反射面を含んでよく、放射源ＳＯからより離れた反射面は、放射源ＳＯにより近い反射面よりも光軸Ｏに対してより小さい角度で配置される。このようにして、かすめ入射コレクタ５０は、光軸Ｏに沿って伝播する（Ｅ）ＵＶ放射ビームを発生するように構成される。少なくとも２つのリフレクタは、実質的に同軸上に配置され、かつ光軸Ｏについて実質的に回転対称となるように延在してよい。放射コレクタ５０は、例えば、保護ホルダ、ヒータ等の更なる特徴を、外側リフレクタ１４６の外面上に、または、外側リフレクタ１４６の周りに有してもよいことは理解すべきである。参照番号１８０は、２つのリフレクタ、例えば、リフレクタ１４２と１４３との間の空間を示す。
【００４９】
[0057]  図２に示すあらゆる光学要素（および本実施形態の概略図には示さない光学要素）は、例えばＳｎである（例えば放射源ＳＯによって生成される）汚染物質の堆積による被害を受けやすい。このことは、放射コレクタ５０と、ある場合にはスペクトル純度フィルタ５１について言えることである。
【００５０】
[0058]  Ｓｎといった堆積物によって汚染されうるのは光学要素だけでなく、壁、ホルダ、サポートシステム、ガスロック、汚染物質バリア４９等の構築要素もある。堆積物によって、光学要素の光学特性に直接影響があるわけではないが、再堆積によって、堆積物は光学要素上に堆積し（すなわち、再堆積）、それにより、光学性能が影響を受けてしまう。したがって、光学要素上に堆積しない堆積物であっても、再堆積によって後期において、光学要素の表面の汚染をもたらしてしまうことがある。これは、反射、透過、均一性といった光学性能を減少してしまいうる。
【００５１】
[0059]  使用中、堆積物は、外側リフレクタ１４６および内側リフレクタ１４２／１４３のうちの１つ以上のリフレクタ上に見受けられうる。放射コレクタ５０は、このような堆積物によって劣化してしまいうる（例えば、放射源ＳＯからのイオン、電子、クラスタ、小滴、電極腐食であるデブリによる劣化）。例えばＳｎ源に起因するＳｎの堆積は、幾つかの単分子層の後、放射コレクタ５０または他の光学要素の反射に有害であり、かかる光学要素の洗浄が必要となりうる。
【００５２】
[0060]  この堆積を少なくするために、汚染物質バリア４９が設けられうる。汚染物質バリア４９に加えてまたはその代わりに、フィルタデバイスを以下に説明するように設けてもよい。汚染物質バリア４９は静的なデバイスである一方で、本発明の一実施形態によるフィルタデバイスは動的なデバイスである。すなわち、フィルタデバイスは、リソグラフィ装置の使用中に回転しうる回転汚染物質バリアである。
【００５３】
[0061]  したがって、ＥＵＶリソグラフィ装置における適用に特に適した、特にＳｎ源に基づいたプラズマを用いるＥＵＶ用のフィルタデバイスが提供される。
【００５４】
[0062]  図３を参照するに、フィルタデバイス１４９の配置を概略的に示す。放射源ＳＯを有する放射源チャンバ４７を示す。放射源から下流に、コレクタ５０が存在する（図示せず）。放射源ＳＯから下流であるがコレクタ５０からは上流である、すなわち、第１（反射）光学部品の前に、上述したような任意選択の汚染物質バリア４９が配置される。さらに、放射源ＳＯから下流でコレクタ５０（図示せず）から上流にあり、かつ任意選択の汚染物質バリア４９から上流に、フィルタデバイス１４９が配置される。図４にもさらに示すように、フィルタデバイス１４９の複数のフォイルも概略的に示す。
【００５５】
[0063]  図４は、本発明の一実施形態によるフィルタデバイス１４９を概略的に示す。関連のある細部のみを図示する。すなわち、フィルタデバイスハウジングと、フィルタデバイス１４９を回転させるフィルタデバイスモータは、便宜上、図示していない。
【００５６】
[0064]  フィルタデバイス１４９は、ホルダ上流側２２０（ここでは錐体の頂点）を有する、例えば円錐状のホルダ２０１と、複数のフォイル２００（明確にするために、数個しか図示していない）とを含む。使用中、フィルタデバイス１４９は、回転軸ＲＡに沿って回転しうる。一実施形態では、回転軸ＲＡは、（図４に示すように）光軸Ｏの少なくとも一部と実質的に平行であり、かつ実質的に一致する。一実施形態では、フィルタデバイス１４９は、回転軸ＲＡ（また、一実施形態では、したがって、さらに光軸Ｏ）について回転対称である。ホルダ上流側２２０は、放射源ＳＯ（図示せず）に向けられる。フォイル２００は、上流前領域２０２、上部領域２０３、下流後領域２０４、および底部２０５を有する。
【００５７】
[0065]  フィルタデバイス１４９は、例えば光軸Ｏに平行なおよび／または光軸Ｏと一致する、回転軸ＲＡに平行なフォイル２００を有する一種の「プロペラ」である。図４から分かるように、フォイル２００は、回転軸ＲＡと平行であり、かつ回転軸ＲＡに垂直な法線Ｎと平行である。フォイルの面は、回転軸ＲＡにおいて交差する。
【００５８】
[0066]  フォイル２００は、０．０５〜１．２ｍｍまたは０．１〜０．４ｍｍの範囲にある最大フォイル厚ｄ（図５参照）を有しうる。より大きい厚さでは、遮断される放射が多すぎてしまい、より小さい厚さは、以下に説明する炭素繊維複合材では実現可能ではないことがある。フィルタデバイス１４９は、約５０〜２００個のフォイルまたは１５０〜２００個のフォイルを含んでよい。使用中（すなわち、リソグラフィプロセス中）、フィルタデバイス１４９は、約１，０００〜２０，０００ｒｐｍの範囲または３，０００〜８，０００ｒｐｍの範囲における速度で、回転軸ＲＡの周りを回転しうる。フォイル２００は、放射源ＳＯからの放射の少なくとも一部が依然としてフィルタ１４９を通り伝播可能であるように方向付けられる。
【００５９】
[0067]  具体的な実施形態がＰＣＴ特許出願公開番号ＷＯ９９／４２９０４およびＷＯ０３／０３４１５３、および、米国特許出願公開番号ＵＳ２００６／０１８６３５３にも記載される。これらはその全体を参考として本明細書中に組み込む。
【００６０】
[0068]  フィルタデバイス１４９にイオンおよび粒子、特にＳｎ（スズ）粒子が衝突する。Ｓｎ粒子は、フィルタデバイスに到達すると、最大で約２０００〜２５００℃の温度を有しうる。このような条件に、Ｗ（タングステン）またはＭｏ（モリブデン）といった非常にロバストな物質は、対応できない。しかし、驚くことに、炭素−炭素複合材（Ｃ−Ｃ複合材）および炭素−炭化ケイ素複合材（Ｃ−ＳｉＣ複合材）からなる群から選択される炭素繊維複合材（carbon-fiber）は、所望の強度および熱伝導率を有するロバストなフォイルを提供するのに適しているだけでなく、リソグラフィ装置条件下のＳｎ液体にも耐えることができる。このような物質は、Ｓｎに基づいた放射源からのイオン、粒子、および液体Ｓｎ粒子の対処に特に適している。
【００６１】
[0069]  一方向炭素繊維複合材は、フィルタデバイス１４９における適用に適したフォイル２００を提供するように思われる。炭素繊維複合材は、例えばＰＣＴ特許出願公開番号ＷＯ００／０３４６２９、米国特許番号ＵＳ４８３３０３０、および米国特許出願公開番号ＵＳ２００５／０１５１３０５およびＵＳ２００６／００１９８１６といった従来技術から公知である。用語「一方向」とは、本明細書中、炭素繊維の配向が実質的に１つの方向（１つの配向）であるＣ−ＣまたはＣ−ＳｉＣ型の炭素繊維複合材のことを指す。これは、例えば、３Ｄまたは織られたタイプの炭素繊維複合材とは対照的である。
【００６２】
[0070]  一実施形態では、リソグラフィ装置１はフィルタデバイス１４９を含み、このフィルタデバイス１４９は、回転軸ＲＡの周りを回転可能なホルダ２０１に取り付けられた複数のフォイル２００を含み、これらのフォイル２００は回転軸ＲＡに平行に配置され、これらのフォイル２００は炭素−炭素複合材（Ｃ−Ｃ複合材）および炭素−炭化ケイ素複合材（Ｃ−ＳｉＣ複合材）からなる群から選択される一方向炭素繊維複合材を含む。
【００６３】
[0071]  したがって、一実施形態では、リソグラフィ装置１は、フィルタデバイス１４９を含み、このフィルタデバイス１４９は、回転軸ＲＡの周りを回転可能なホルダ２０１に取り付けられた複数のフォイル２００を含み、これらのフォイル２００は、回転軸ＲＡに平行に配置され、フォイル２００は、液体Ｓｎと実質的に反応しない物質を含む。この物質、本明細書中で記載されるように炭素繊維複合材は、約５０〜４００Ｗ／ｍＫの範囲内の、約６０〜４００Ｗ／ｍＫの範囲内の、および／または約１００〜４００Ｗ／ｍＫの範囲内の少なくとも約５０Ｗ／ｍＫ、少なくとも約６０Ｗ／ｍＫ、少なくとも約１００Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有しうる。なお、この熱挙動は異方性であってよいことに留意されたい。本明細書では、少なくとも１つの方向において、炭素繊維の配向の方向において、熱伝導率は指定の値を有しうる。
【００６４】
[0072]  一実施形態では、炭素繊維複合材における繊維の方向は、回転軸ＲＡに垂直である。したがって、複合材の引張強度が最適に適用されて、遠心力が最良に抵抗されうる。繊維の方向における引張強度は、約２００〜９００ＭＰａ、または約４００〜８００ＭＰａの範囲内であってよい。
【００６５】
[0073]  図５を参照するに、明確にするためにホルダ２０１から切り離して示す１つのフォイル２００の一実施形態を示す。このフォイル２００は、上流前領域２０２、上部領域２０３、下流後領域２０４、および底部２０５を有してよい。底部２０５に向かって、テイル部２０６が示され、このテイル部は、フォイル２００の主要部分より比較的厚くてよい。このテイル部２０６によって、ホルダ２０１へのフォイル２００の取付けがより良好となりうる。フォイル２０１は、約０．０５〜１．２ｍｍまたは約０．１〜０．４ｍｍの範囲内であってよい最大厚ｄを有する。テイル部２０６は、約０．２〜２．５ｍｍまたは約０．６〜１．５ｍｍの範囲内の最大厚を有してよい。テイル部２０６は、フォイル２００の全表面の約０．２〜５％を占めてよい。一実施形態では、テイル部の最大厚ｄ１は、フォイルの最大厚ｄより大きい。
【００６６】
[0074]  図５はさらに炭素繊維２１０を概略的に示す。炭素繊維２１０は、回転軸ＲＡに垂直な法線Ｎと角度θを成しうる。法線に対して最も小さい角度が選択される。明確にする理由から、一部の炭素繊維２１０は、非ゼロである角度θを有するものとして示されている。炭素繊維２１０の方向は、フォイル２００（または以下に説明するようにフォイル内に含まれる層）における炭素繊維２１０に対する角度θの平均値である。一方向炭素繊維複合材内で、繊維２１０は、互いに実質的に平行に配置され、また、実質的に１つの方向に配置される。上述したように、炭素繊維複合材内の繊維２１０の方向は、一実施形態では、回転軸ＲＡに垂直である。すなわち、角度θは実質的に０°か、または０°〜１℃の範囲内である。
【００６７】
[0075]  図６ａは、炭素繊維複合材内の繊維２１０の方向が、回転軸ＲＡに垂直である、すなわち、角度θは実質的にゼロである一実施形態を（正面図で）示す。明確にする理由から、テイル部２０６は図示せず、フォイル２００の一部のみを図示している。なお、ここでは、概略的に、フォイル２００は一定の厚さを有するものとして図示しているが、テイル部２０６に関係なく、フォイル２００の高さまたは長さに亘ってフォイルの厚さは変動してもよい。図６ａでは、概略的に光軸Ｏと回転軸ＲＡを正面図で示し、すなわち、図５のフォイル２００を、ここでは、前領域２０２から見ている（上流図）。本実施形態におけるフォイルは、炭素繊維複合材から作られる１つの層３００から実質的に構成される。本実施形態における繊維２１０は、法線Ｎ（回転軸ＲＡに垂直な法線）に平行に、かつ（したがって）回転軸ＲＡに垂直に整列される。すなわち、法線Ｎとの角度θは実質的にゼロである。
【００６８】
[0076]  一実施形態では、フォイル２００は、一方向炭素繊維複合材から作られる１つの層３００を含む。しかし、図６ｂ／図６ｃ／図６ｄ、および図６ｅ／図６ｆ（並びに図７ａ）に概略的に示すような他の実施形態も可能である。一実施形態では、フィルタデバイス１４９の一実施形態では、フォイル２００は、複合材から作られる２〜５個の層を含みうる。このような実施形態では、各層内の炭素繊維２１０の方向は層によって異なってよい。
【００６９】
[0077]  図６ｂは、炭素繊維複合材から作られる２層を含むフォイル２００の一実施形態を概略的に示す。明確にするために、これらの層は、互いからある距離をおいて図示している。本実施形態では、フォイル２００は、一方向炭素繊維複合材から作られる第１層３００（１）と、一方向炭素繊維複合材から作られる第２層３００（２）を含む。法線に対する（したがって回転軸ＲＡ（図示せず）に対する）炭素繊維２１０の方向は層によって異なってよい。図６ｂでは、回転軸ＲＡに対する法線Ｎと成す角度は、それぞれ、θ１およびθ２と示す。
【００７０】
[0078]  一実施形態では、図示しないが、フォイル２００は、一方向炭素繊維複合材から作られる第１層３００（１）と、一方向炭素繊維複合材から作られる第２層３００（２）を含み、第１層３００（１）における繊維２１０の方向は、第２層３００（２）における繊維２１０の方向に垂直である。一実施形態において、このようなフォイル２００をフィルタデバイスに適用する場合、これらの層の少なくとも一方の層の繊維２１０の方向は、回転軸ＲＡに垂直であり、もう一方の層における繊維２１０の方向は、したがって、回転軸ＲＡに平行である。したがって、一実施形態では、これらの層のうちの少なくとも一方の層における繊維２１０の方向は、法線Ｎに平行、すなわち、この層における角度θは実質的にゼロであり、また、回転軸ＲＡに垂直である。また、これらの層のうちの少なくとも一方の層における繊維２１０の方向は、法線Ｎに垂直、すなわち、この層における角度θは実質的に９０°である。
【００７１】
[0079]  図６ｂ／図６ｃに概略的に示す実施形態では、フォイル２００は、一方向炭素繊維複合材から作られる第１層３００（１）と、一方向炭素繊維複合材から作られる第２層３００（２）を含み、第１層３００（１）における繊維２１０の方向は、回転軸ＲＡに垂直な法線Ｎに対して第１方向角θ１を有し、第２層３００（１）における繊維２１０の方向は、法線Ｎに対して第２方向角θ２を有し、これらの第１方向角（θ１）および第２方向角（θ２）は、０〜１０°の範囲内であり、第１層における繊維の方向と第２層における繊維の方向との間の相互角は、０°より大きく１０°以下である。例えば、第１層３００（１）における炭素繊維２１０の方向は、法線Ｎと０°のθ１を有し、第２層３００（２）における炭素繊維２１０の方向は、法線Ｎと２．５°のθ１を有し、それにより、２．５°の相互角が与えられる。別の実施形態では、θ１は２．５°で、θ２は２．５°であってよいが、相互角は５°であってよい（層における方向はそれぞれ正反対に偏向する）。
【００７２】
[0080]  一実施形態において、２つ以上の層がフォイル２００に適用される場合、少なくとも２つの層が異なる方向の炭素繊維を有する。すなわち、少なくとも２つの層における炭素繊維は平行ではない。一実施形態において、少なくとも２つの層を有するこのようなフォイル２００をフィルタデバイスに適用する場合、これらの層のうちの少なくとも１つの層の繊維２１０の方向は、回転軸ＲＡに垂直である（すなわち、法線Ｎとの角度θは実質的にゼロである）。
【００７３】
[0081]  図６ｃは、フォイル２００がこれらの２つの層３００（１）および３００（２）を含む、本実施形態の側面図を概略的に示す。この概略側面図では、繊維２１０は平行に見えるが、上述したように、一実施形態では、平行ではない。平行性からのこの偏向は、図に垂直な面においてある。各層は、それぞれ、ｄ（１）およびｄ（２）と示す厚さを有する。図６ｄは、正面または側面図であるが、ここでは、ホルダ２０１を概略的に含む。図平面に垂直である回転軸ＲＡも概略的に示される。明確にするために、フィルタデバイス１４９は、１つのフォイル２００のみを有するとして概略的に示している。
【００７４】
[0082]  図６ｅ／図６ｆは、フォイルが実質的に３つの層からなるフォイル２００の一実施形態を概略的に示す。これらの３層は、参照番号３００（１）、３００（２）、および３００（３）でそれぞれ示され、最大厚ｄ（１）、ｄ（２）、及びｄ（３）をそれぞれ有する。第３層３００（３）は、炭素繊維２１０の方向が、第１層３００（１）の炭素繊維複合材内の炭素繊維２１０の方向と実質的に平行である炭素繊維複合材を含んでよい。
【００７５】
[0083]  一実施形態では、図６ｅ／図６ｆに概略的に示すように、フォイル２００は、一方向炭素繊維複合材から作られる第１層３００（１）、一方向炭素繊維複合材から作られる第２層３００（２）、および一方向炭素繊維複合材から作られる第３層３００（３）を含み、第１層３００（１）における繊維２１０の方向は、回転軸（ＲＡ）に垂直な法線（Ｎ）に対して第１方向角（θ１）（図示せず）を有し、第２層３００（２）における繊維２１０の方向は、法線（Ｎ）に対して第２方向角（θ２）を有し、第３層３００（３）における繊維２１０の方向は、法線（Ｎ）に対して第３方向角（θ３）（図示せず）を有し、第１、第２、および第３方向角（θ１、θ２、θ３）は約０〜９０°の範囲内にあり、第１層３００（１）と第２層３００（２）における繊維２１０の方向間の相互角は、一実施形態では、実質的に９０°であり、第１層３００（１）と第３層３００（３）における繊維２１０の方向間の相互角は、一実施形態では、実質的に０°である。換言すれば、一実施形態では、フォイル２００は、一方向炭素繊維複合材から作られる第１層３００（１）、一方向炭素繊維複合材から作られる第２層３００（２）、および一方向炭素繊維複合材から作られる第３層３００（２）を含み、隣接する層における炭素繊維２１０の方向は、互いに垂直である。
【００７６】
[0084]  図６ｆでは、明確にする理由から、各層３００（１）、３００（２）、および３００（３）はある距離をおいて概略的に示すが、図６ｅに概略的に示すように、これらの３層３００（１）、３００（２）、および３００（３）は積層板を形成し、かつ隣接層３００（１）、３００（２）、および３００（３）を形成する。図６ｅに示す実施形態に示されるように、中間層３００（２）は、図平面（上流図）に垂直な、すなわち、回転軸ＲＡおよび光軸Ｏに実質的に平行な方向を有する炭素繊維２１０を有する。この中間層は、炭素繊維２１０の方向が実質的に平行であり、その方向は中間層３００（２）の炭素繊維の方向に垂直である２つの層３００（１）と３００（２）との間に挟まれる。
【００７７】
[0085]  同様に、例えば、２〜５層である複数層からなるスタックを作成することもでき、ここでも、隣接する層は互いに垂直である炭素繊維方向を有する。
【００７８】
[0086]  一実施形態では、図８に概略的に示すように、ホルダ２０１は、複数のスリーブ２３０を含み、各フォイル２００はテイル部２０６を含み、これらのスリーブ２３０は、テイル部２０６を受容するように構成され、また、これらのスリーブ２３０は、回転軸ＲＡに垂直な方向にフォイル２００がホルダ２０１から外れることを防ぐように構成される。図８は、スリーブの２つの実施形態ＡおよびＢを概略的に示す。当業者には明らかなように、より多くのタイプのスリーブ２３０が可能であってよい。さらに、図４および図５から分かるように、複数のフォイル２００に対応する複数のスリーブ２３０があってよく、複数のスリーブ２３０は、複数のフォイル２００のテイル部２０６を受け入れるように構成される。
【００７９】
[0087]  ホルダ２０１は、リソグラフィプロセス中に放射源ＳＯに対して少なくとも部分的に露出されうる外面２１２を有してよい。ホルダ２０１の少なくとも一部において、すなわち、外面２１２の少なくとも一部において、スリーブ２３０は、テイル部２０６がその中に摺動可能なように配置される。スリーブ２３０は、外面２１２に垂直な方向における取り外しは許可しないが、外面２１２に平行な方向でのみ取り外し可能とするように構成される。
【００８０】
[0088]  一実施形態では、フォイル２００は、最大フォイル厚ｄを有し、テイル部２０６は、最大テイル部厚ｄ１を有し、最大テイル部厚ｄ１は最大フォイル厚ｄより大きい。スリーブ２３０は、様々な幅を有するように構成されてよく、外面２１２に近い１つの幅は、最大厚ｄを有するフォイル２００の一部を受け入れるように選択され、より大きい幅を有する、外面２１２から離れてホルダ２０１内のより深いところの一部は、最大厚ｄ１を有するテイル部を受け入れるように選択される。このことは図８に概略的に示される。
【００８１】
[0089]  このようにすると、フォイル２００にかかる大きい遠心力によって、フォイル２００が不所望に外れることがなくなりうる。さらに、スリーブ２３０と、比較的厚い（ｄ１＞ｄ）テイル部２０６を有するフォイル２００によって、例えば、プロセス後に、フォイル２００が損傷するまたはフォイル２００上のＳｎの堆積が厚くなり過ぎたときに、フィルタデバイス１４９から単一のフォイルを比較的簡単に取り外すことができる。フォイル２００は、ホルダ２０１から簡単に摺動して出され、新しいフォイル２００と交換されうる。
【００８２】
[0090]  一実施形態では、ホルダ２０１の少なくとも一部、特に、放射源ＳＯに向いている上部２２０は、炭素−炭素複合材（Ｃ−Ｃ複合材）および炭素−炭化ケイ素複合材（Ｃ−ＳｉＣ複合材）からなる群から選択される炭素繊維複合材を含みうる。この複合材は、一方向炭素繊維複合材であってよいが、織られたまたは編まれたまたは３次元炭素繊維複合材であってもよい。このようにすると、比較的ロバストなフィルタデバイス１４９を提供することができ、これは、驚くことに、放射源ＳＯから放出されうる液体Ｓｎ、イオン等といったデブリも合わせて対処することができる。
【００８３】
[0091]  一実施形態では、リソグラフィ装置１は、ＥＵＶ放射を発生するように構成された放射源ＳＯを含み、この放射源ＳＯはＳｎプラズマ源である。
【００８４】
[0092]  リソグラフィ装置１は、一実施形態では、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成するように構成されたパターニングデバイスを支持するように構成されたサポートと、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムとを含む。一実施形態では、このリソグラフィ装置１は、ＥＵＶリソグラフィ装置である。このリソグラフィ装置は、一実施形態では、ＥＵＶ放射ビームである放射ビームを発生するように構成された放射源ＳＯを含み、この放射源は、ＥＵＶ放射を発生するように構成される。一実施形態では、フィルタデバイス１４９は、動作（例えばリソグラフィプロセス）中、（高速で）光軸Ｏの周りを回転して、液体Ｓｎ粒子といったデブリの少なくとも一部を除去して、コレクタミラー５０といった光学要素への堆積および／または劣化を少なくすることを支援しうる。
【００８５】
[0093]  本発明の一態様では、本発明の実施形態によるリソグラフィ装置１を用いたデバイス製造方法が提供される。すなわち、リソグラフィプロセス中に、フィルタデバイス１４９が適用されて、放射源ＳＯから放出されたデブリの少なくとも一部をその回転によって放射ビームから取り除く。リソグラフィプロセス中に、フィルタデバイス１４９が回転軸ＲＡの周りを回転して放射源ＳＯにより放出されたデブリの一部を除去する、デバイス製造方法が提供されうる。
【００８６】
[0094]  本発明の一態様では、フィルタデバイス１４９そのものが提供され、このフィルタデバイス１４９は、回転軸ＲＡの周りを回転可能なホルダ２０１に取り付けられた複数のフォイル２００を含み、これらのフォイル２００は、回転軸ＲＡに平行に配置され、これらのフォイル２００は、炭素−炭素複合材（Ｃ−Ｃ複合材）および炭素−炭化ケイ素複合材（Ｃ−ＳｉＣ複合材）からなる群から選択される炭素繊維複合材を含む。上述したように、一実施形態では、ホルダ２０１の少なくとも一部、特に、ホルダの上流側２２０は、炭素−炭素複合材（Ｃ−Ｃ複合材）および炭素−炭化ケイ素複合材（Ｃ−ＳｉＣ複合材）からなる群から選択される炭素繊維複合材を含みうる。当業者には明らかなように、フィルタデバイス１４９はさらに、モータといったフィルタデバイス１４９を推進させる機構を含んでもよく、また、さらに、フィルタデバイス１４９がその中で回転しうるハウジングと、フィルタデバイス１４９を通る、すなわち、フォイル２００間の開いた空間を通るガス流を与えるように構成されたガス源とを含んでよい。フィルタデバイス１４９はさらにまたは代替として、例えばホルダ２０１を冷却するためのペルティエ（Peltier）要素といった冷却機構、フォイル２００内の１つ以上の液体冷媒チャネル、フォイル２００の外部の１つ以上の液体冷媒チャネル（例えば、フォイル２００内の溝）、フォイル２００内またはフォイル２００の外部の液体スズ誘導構造（例えば、フォイル２００内の溝）、ＩＲ放出増強構造（５μｍ〜１００μｍのオーダの寸法を有する構造）、フォイル離間構造、および、（例えば回転時の共鳴を阻止または減少するための）隣接フォイル２００間のスペーサ等を含んでよい。
【００８７】
[0095]  本発明の一態様では、フィルタデバイス１４９に使用するためのフォイル２００の製造方法が提供される。
【００８８】
[0096]  炭素繊維複合材の製造は、ＰＣＴ特許出願公開番号ＷＯ００／０３４６２９、米国特許番号ＵＳ４８３３０３０、および米国特許出願公開番号ＵＳ２００５／０１５１３０５並びにＵＳ２００６／００１９８１６といった従来技術から公知である。ここでは、本発明の一実施形態は、フィルタデバイス用のフォイルを製造する方法を提供する。この方法は、
ａ．樹脂を含有する予含浸されたシートを提供することと、
ｂ．樹脂を硬化することと、
ｃ．任意選択的に、ｂ）において得られた生成物の少なくとも一部の厚さを低減することと、
ｄ．ｂ）またはｃ）で得られた生成物を炭化することと、
ｅ．任意選択的に、１回以上圧縮プロセスを行うこと（圧縮プロセスは、ｄ）において得られた炭化生成物に炭素含有化合物を浸透させることと、続けて浸透生成物を炭化することとを含む）と、
ｆ．ｄ）またはｅ）において得られた生成物を黒鉛化することと、
ｇ．任意選択的に、ｆ）において得られた生成物の少なくとも一部の厚さを低減することと、を含み、この方法は、プロセスｃ）およびプロセスｇ）によるプロセスから選択される厚さを低減する少なくとも１つのプロセスを含む。
【００８９】
[0097]  サブプロセスａ）、ｂ）ｄ）およびｆ）は標準プロセスである。しかし、本発明の実施形態はさらに、一実施形態において、少なくとも厚さ低減プロセスを提供し、このプロセスは、プロセスｃ）もしくはプロセスｇ）、または、両方のプロセスｃ）およびｇ）である。厚さは、炭化プロセスｄ）の前もしくは黒鉛化プロセスｆ）後に、または、両方のプロセスｂ）およびｆ）後に低減されてよい。厚さを低減することによって、フォイル２００およびそのテイル部の最適な厚さ（ｄおよびｄ１）を得ることができる。この厚さは、研磨や、研削といった当技術において知られている他の方法によって低減されてもよい。
【００９０】
[0098]  「樹脂を含有する予含浸されたシートを提供すること」との記載は、当業者には知られている、いわゆる「プレプレグ（prepreg）」すなわち予含浸された繊維強化材を提供し、硬化、炭化、任選択の圧縮、および黒鉛化の後に、炭素−炭素複合材（Ｃ−Ｃ複合材）および炭素−炭化ケイ素複合材（Ｃ−ＳｉＣ複合材）からなる群から選択される（一方向）炭素繊維複合材が形成されることを指す。このようなシートは、例えば、東レまたはネルコテ（Nelcote）から市販されている。
【００９１】
[0099]  一実施形態では、樹脂を含有する予含浸シートは、樹脂を含有する予含浸シートの積層板を含む。このような実施形態では、既に積層されているシートから始めて上述のプロセスを実行する。このようなシートの積層板は、例えば、プロセス後に、上述し、かつ図６ｂ〜図７ａに概略的に示したようなフォイル２００の実施形態を提供するように構成されうる。
【００９２】
[00100]  一実施形態では、任意選択のプロセスｃ）後、かつ炭化プロセスｄ）前において、この方法は、１回以上積層プロセスを実行することをさらに含み、この積層プロセスは、
ａ１．樹脂を含有するさらなる予含浸シートをｂ）またはｃ）において得られた生成物に配置して、ｂ）またはｃ）において得られた生成物と樹脂を含有するさらなる予含浸シートとから作られる積層板を得ることと、
ｂ１．樹脂を硬化することと、
ｃ１．任意選択的に、ｂ１）において得られた生成物の少なくとも一部の厚さを低減することを含む。
【００９３】
[00101]  一実施形態では、積層はプロセス中に行われる。上述した実施形態は、図７ａおよび図７ｂに概略的に示されうる。図７ａは、深さｄ３を有する凹部４０１を有するモールド４００を示す。一実施形態では、深さｄ３は、ｄの２分の１に実質的に等しい。樹脂を含有する予含浸シートは互いの上に配置される。図７ａでは、これらのシートは、シート３００（１）〜３００（５）として示される。これらのシートは、フォイル２００を製造する方法を実行した後に、上述したように層３００（１）〜３００（５）を形成することになる。図７ａに概略的に示す一実施形態では、これらのシートは、大きいシートと小さいシートの連続で積層にされ、図７ａでは、大きい‐小さい‐大きい‐小さい‐大きいとなっている。このようにすると、製造方法を実行した後、図７ｂに概略的に示されるように構成要素２０００が提供される。厚い部分は、ｄ１に対応する厚さを有し、薄い部分はフォイル厚ｄに対応しうる。この構成要素２０００は、２つの（実質的に左右対称の）部分に分割されてよく、それにより、第１フォイル２００（１）および第２フォイル２００（２）が提供される。当業者には明らかなように、構成要素２０００は、ｎ＊２個の（実質的に左右対称の）部分を提供するような寸法を有してよく、それにより、ｎ個の第１フォイル２００（１）とｎ個の第２フォイル２００（２）が提供され、ｎは、例えば１〜２０の範囲内である。
【００９４】
[00102]  任意選択の厚さ低減ステップの後および／または任意選択の切断ステップ（それにより所望の形状を有するフォイル２００が提供される）後、フォイル２００はホルダ２０１内に取り付けられ、その後フィルタデバイス１４９としてリソグラフィ装置１内に適用される準備が整いうる。
【００９５】
[00103]  図７ａは、５層のスタック／積層板を概略的に示すが、上述したように、１〜５層を用いてよい。上述したように、プロセスは、例えば、まず、シート３００（１）〜３００（３）がモールド上に配置され、次に硬化されるように実行されてよい。次に、得られた生成物の厚さが、上述したようにかつ図７ａに破線で概略的に示すように少なくとも部分的に低減されてよく、次に、シート３００（４）〜３００（５）が硬化されたシート３００（１）〜３００（３）に塗布されて、続けて硬化されてよい。この後、必要に応じて、得られた生成物の厚さが、上述したようにかつ図７ｂに破線で概略的に示すように低減されてよい（すなわち、プロセスｃ１）。次に、５層の積層板を得た後、この生成物はさらに、炭化および黒鉛化によって処理されてよい。その後、必要に応じて、得られた生成物の厚さが低減されてもよい。
【００９６】
[00104]  モールド４００は、可能なモールドの概略的な一実施形態に過ぎない。
【００９７】
[00105]  本明細書における用語「実質的に」は、一実施形態では、「完全に」または「全体に」を指す。一実施形態では、この用語は、例えば約９５〜１００％を指しうる。当業者であれば、用語「実質的に」を理解するであろう。同様に、本明細書における用語「少なくとも部分的に」も、一実施形態では、「完全に」または「全体に」を指す。一実施形態では、この用語は、例えば約９５〜１００％を指しうる。
【００９８】
[00106]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）を含むフラットパネルディスプレイ、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよいことは理解されるべきである。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００９９】
[00107]  光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
【０１００】
[00108]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。このコンピュータプログラムを用いて例えば堆積物の除去を制御したり、圧力を制御しうる。
【０１０１】
[00109]  上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【０１０２】
[00110]  したがって、本発明は、一実施形態において、フィルタデバイス（１４９）を含むリソグラフィ装置（１）を提供する。このフィルタデバイス（１４９）は、回転軸（ＲＡ）の周りを回転可能なホルダ（２０１）に取り付けられた複数のフォイル（２００）を含み、これらのフォイル（２００）は回転軸（ＲＡ）に平行に配置され、これらのフォイル（２００）は、炭素−炭素複合材（Ｃ−Ｃ複合材）および炭素−炭化ケイ素複合材（Ｃ−ＳｉＣ複合材）からなる群から選択される炭素繊維複合材を含む。更なる実施形態では、本発明は、炭素繊維複合材内の繊維の方向が、回転軸（ＲＡ）に垂直であるリソグラフィ装置（１）を提供する。本発明は、フォイル（２００）は、一方向炭素繊維複合材から作られる１つの層（３００）を含む、リソグラフィ装置（１）を提供する。更なる実施形態では、本発明は、フォイル（２００）は、一方向炭素繊維複合材から作られる第１層（３００（１））と、一方向炭素繊維複合材から作られる第２層（３００（２））とを含み、第１層（３００（１））における繊維の方向が、第２層（３００（２））における繊維の方向に垂直である、リソグラフィ装置（１）を提供する。さらに別の実施形態では、本発明は、フォイル（２００）は、一方向炭素繊維複合材から作られる第１層（３００（１））と、一方向炭素繊維複合材から作られる第２層（３００（２））とを含み、第１層（３００（１））における繊維の方向が、回転軸（ＲＡ）に垂直な法線（Ｎ）に対して第１方向角（θ１）を有し、第２層（３００（２））における繊維の方向が、法線（Ｎ）に対して第２方向角（θ２）を有し、第１および第２方向角（θ１、θ２）は、０°〜１０°の範囲にあり、第１層および第２層における繊維の方向間の相互角は、０°より大きく１０°以下である、リソグラフィ装置（１）を提供する。更なる実施形態では、本発明は、フォイル（２００）は、複合材から作られる２〜５個の層を含む、リソグラフィ装置（１）を提供する。さらに別の実施形態では、本発明は、フォイル（２００）は、特に０．１〜０．４ｍｍである０．０５〜１．２ｍｍの範囲における最大フォイル厚（ｄ）を有する、リソグラフィ装置（１）を提供する。更なる実施形態では、本発明は、ホルダ（２０１）は、複数のスリーブ（２３０）を含み、各フォイル（２００）はテイル部（２０６）を含み、スリーブ（２３０）はテイル部（２０６）を受容するように構成され、かつ、スリーブ（２３０）は回転軸（ＲＡ）に垂直な方向に、ホルダ（２０１）からフォイル（２００）が外れることを防ぐように構成される、リソグラフィ装置（１）を提供する。一実施形態では、フィルタデバイス（１４９）は、５０〜２００個のフォイル（２００）を含む。一実施形態では、ホルダ（２０１）の少なくとも一部が、炭素−炭素複合材（Ｃ−Ｃ複合材）および炭素−炭化ケイ素複合材（Ｃ−ＳｉＣ複合材）からなる群から選択される炭素繊維複合材を含む。リソグラフィ装置は、ＥＵＶ放射を発生するように構成された放射源（ＳＯ）を含んでよく、この放射源（ＳＯ）はＳｎプラズマ源である。一実施形態では、フィルタデバイス（１４９）を含み、フィルタデバイス（１４９）が、回転軸（ＲＡ）の周りを回転可能��ホルダ（２０１）に取り付けられた複数のフォイル（２００）を含み、これらのフォイル（２００）は、回転軸（ＲＡ）に平行に配置され、これらのフォイル（２００）は、少なくとも１０００℃の温度において液体Ｓｎと実質的に反応しない材料を含む、リソグラフィ装置（１）が提供される。
【０１０３】
[00111]  更なる実施形態では、本発明は、回転軸（ＲＡ）の周りを回転可能なホルダ（２０１）に取り付けられた複数のフォイル（２００）を含むフィルタデバイス（１４９）であって、これらのフォイル（２００）は、回転軸（ＲＡ）に平行に配置され、これらのフォイル（２００）は、炭素−炭素複合材（Ｃ−Ｃ複合材）および炭素−炭化ケイ素複合材（Ｃ−ＳｉＣ複合材）からなる群から選択される炭素繊維複合材を含む、フィルタデバイス（１４９）を提供する。更なる実施形態では、ホルダ（２０１）の少なくとも一部が、炭素−炭素複合材（Ｃ−Ｃ複合材）および炭素−炭化ケイ素複合材（Ｃ−ＳｉＣ複合材）からなる群から選択される炭素繊維複合材を含む、フィルタデバイス（１４９）が提供される。
【０１０４】
[00112]  本発明はさらに、フィルタデバイス（１４９）用のフォイル（２００）を製造する方法を提供する。この方法は、
ａ．樹脂を含有する予含浸されたシートを提供することと、
ｂ．樹脂を硬化することと、
ｃ．任意選択的に、ｂ）において得られた生成物の少なくとも一部の厚さを低減することと、
ｄ．ｂ）またはｃ）で得られた生成物を炭化することと、
ｅ．任意選択的に、１回以上圧縮プロセスを行うこと（圧縮プロセスは、ｄ）において得られた炭化生成物に炭素含有化合物を浸透させることと続けて浸透性生物を炭化することとを含む）と、
ｆ．ｄ）またはｃ）において得られた生成物を黒鉛化することと、
ｇ．任意選択的に、ｆ）において得られた生成物の少なくとも一部の厚さを低減することと、を含み、この方法は、プロセスｃ）およびプロセスｇ）によるプロセスから選択される厚さを低減する少なくとも１つのプロセスを含み、フォイル（２００）は、炭素−炭素複合材（Ｃ−Ｃ複合材）および炭素−炭化ケイ素複合材（Ｃ−ＳｉＣ複合材）からなる群から選択される炭素繊維複合材を含む。
【０１０５】
[00113]  一実施形態では、樹脂を含有する予含浸シートは、樹脂を含有する予含浸シートから作られる積層板を含む。別の実施形態では、任意選択のプロセスｃ）後、かつ炭化プロセスｄ）前において、この方法は、１回以上積層プロセスを実行することをさらに含み、この積層プロセスは、
ａ１．樹脂を含有するさらなる予含浸シートをｂ）またはｃ）において得られた生成物に配置して、ｂ）またはｃ）において得られた生成物と樹脂を含有するさらなる予含浸シートとから作られる積層板を得ることと、
ｂ１．樹脂を硬化することと、
ｃ１．任意選択的に、ｂ１）において得られた生成物の少なくとも一部の厚さを低減することを含む。
【０１０６】
[00114]  本発明はさらに、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を用いたデバイス製造方法提供する。
【０１０７】
[00115]  さらに、本発明によるデバイス製造方法の一実施形態では、リソグラフィプロセス中に、フィルタデバイス（１４９）が回転軸（ＲＡ）の周りを回転する。
【０１０８】
[00116]  本発明は、実施形態において記載したようなリソグラフィ装置の適用またはリソグラフィ装置における使用に限定されない。さらに、図面は、通常、本発明を理解するために必要な要素および特徴しか含んでいない。それ以外は、リソグラフィ装置の図面は概略的であって原寸に比例しているわけではない。本発明は、概略図に示すこれらの要素に（例えば、概略図に示す数のミラーに）限定されない。さらに、本発明は、図１および図２に関連して説明したリソグラフィ装置に限定されない。上述した実施形態は組み合わせてもよいことは理解すべきである。
【図１】
2010539699.tif 000003
【図２】
2010539699.tif 000004
【図３】
2010539699.tif 000005
【図４】
2010539699.tif 000006
【図５】
2010539699.tif 000007
【図６ａ】
2010539699.tif 000008
【図６ｂ】
2010539699.tif 000009
【図６ｃ】
2010539699.tif 000010
【図６ｄ】
2010539699.tif 000011
【図６ｅ】
2010539699.tif 000012
【図６ｆ】
2010539699.tif 000013
【図７ａ】
2010539699.tif 000014
【図７ｂ】
2010539699.tif 000015
【図８】
2010539699.tif 000016
【国際調査報告】
2010539699.tif 000017
2010539699.tif 000018
2010539699.tif 000019