(57)【要約】【課題】本発明は、ナノワイヤを堆積および配列するための方法およびシステムを提供する。【解決手段】電圧を与える（例えば交流電場）ことによって、ナノワイヤを電極に配列および関連付ける。電圧供給を調節することによって、ナノワイヤを電極対に結合させ、これによってナノワイヤは、次の洗浄工程および乾燥工程の間も、その場で維持される。本発明はまた、様々なデバイス基板を形成するために、ナノワイヤを１つの基板から別の基板に転写する方法を提供する。本発明はまた、所定の電極対に堆積させたナノワイヤの数を監視する方法および制御する方法、並びに、溶液中のナノワイヤを動かす方法を提供する。
2010506744.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）１つまたは複数のナノワイヤを電極対の近傍に供給するナノワイヤ供給工程と
（ｂ）上記電極対に電圧を与えて、上記ナノワイヤを上記電極対に関連付ける電圧供給工程と、
（ｃ）上記電極対への電圧供給を調節して、上記ナノワイヤを上記電極対上に結合させる調節工程とを含む、１つまたは複数のナノワイヤを配置する方法。
【請求項２】
上記ナノワイヤ供給工程は、ナノワイヤの懸濁液を供給することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記電圧供給工程は、上記電極対の間にＡＣ電場を生成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
上記ＡＣ電場を生成することは、直接電気的接続を用いて、上記電極対に信号を供給することを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
上記ＡＣ電場を生成することは、上記電極対に電磁波を供給することを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
上記電圧供給工程、および、上記調節工程は、上記電極対に電磁波を供給することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
上記電極対に電磁波を供給することは、上記電極対に約１ＧＨｚから約５ＧＨｚの電磁波を供給することを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
上記ＡＣ電場を生成することは、約１０Ｈｚから約５ｋＨｚの周波数においてＡＣ電場を生成することを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項９】
上記ＡＣ電場を生成することは、約０．５Ｖから約３Ｖの振幅においてＡＣ電場を生成することを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項１０】
上記調節工程は、上記ＡＣ電場の周波数を調節すること、上記ＡＣ電場の振幅を調節すること、または、これら両方を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項１１】
上記調節工程は、上記ＡＣ電場の周波数を、約１ｋＨｚから約５００ｋＨｚに増大させることを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
上記調節工程は、上記ＡＣ電場の振幅を、約２Ｖから約２０Ｖに増大させることを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
上記調節工程は、上記ＡＣ電場の周波数を約５００Ｈｚから約１００ｋＨｚまで増大させて、その後、上記ＡＣ電場の振幅を約１Ｖから約４Ｖまで増大させることを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
上記電極対の電極の間に１つまたは複数の金属要素を配置する、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
（ｄ）上記電極対から、結合されていない１つまたは複数のナノワイヤを除去するナノワイヤ除去工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
上記除去工程は、結合されていないナノワイヤを洗い流すことを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
結合された１つまたは複数のナノワイヤを乾燥させることをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
工程（ｂ）〜（ｃ）を繰り返すことをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
（ｅ）上記結合された１つまたは複数のナノワイヤを基板上に転写するナノワイヤ転写工程をさらに含む、請求項１５または１７に記載の方法。
【請求項２０】
（ｅ）上記電極対を除去する電極対除去工程をさらに含む、請求項１５または１７に記載の方法。
【請求項２１】
上記電極対の電極は、上記ナノワイヤの長軸の長さよりも短い間隔、または、上記長軸と同じ長さの間隔によって分離されている、請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
上記１つまたは複数のナノワイヤは、１つの半導体核と上記核の周りに配置された１つまたは複数の殻層とを含む、請求項１に記載の方法
【請求項２３】
上記半導体核はＳｉを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
最外の殻層は金属または酸化物を含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
上記金属はＴａＡｌＮまたはＷＮである、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
（ａ）懸濁液中の１つまたは複数のナノワイヤを、転写基板上の電極対の近傍に供給するナノワイヤ供給工程と、
（ｂ）上記電極対に電圧を与え、上記ナノワイヤを上記電極対に関連付ける電圧供給工程と、
（ｃ）上記電極対への電圧供給を調節して、上記ナノワイヤを上記電極対上に結合させる調節工程と、
（ｄ）結合されていない１つまたは複数のナノワイヤを除去するナノワイヤ除去工程と、
（ｅ）結合された１つまたは複数のナノワイヤを、上記転写基板から上記基板上に転写するナノワイヤ転写工程とを含む、１つまたは複数のナノワイヤを基板上に配置する方法。
【請求項２７】
上記ナノワイヤ転写工程の前に、上記結合された１つまたは複数のナノワイヤを乾燥させることをさらに含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
上記電極対の電極は、上記ナノワイヤの長軸の長さよりも短い間隔、または、上記長軸と同じ長さの間隔によって分離されている、請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
上記電圧供給工程は、上記電極対の間にＡＣ電場を生成することを含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項３０】
上記ＡＣ電場を生成することは、直接電気的接続を用いて、上記電極対に信号を供給することを含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
上記ＡＣ電場を生成することは、上記電極対に電磁波を供給することを含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３２】
上記ＡＣ電場を生成すること、および、上記調節工程は、上記電極対に電磁波を供給することを含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３３】
上記電磁波を供給することは、上記電極対に、約１ＧＨｚから約５ＧＨｚの電磁波を供給することを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３４】
上記ＡＣ電場を生成することは、約１０Ｈｚから約５ｋＨｚのＡＣ電場と、約０．５Ｖから約３Ｖの振幅とを生成することを含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３５】
上記調節工程は、上記ＡＣ電場の周波数を調節すること、上記ＡＣ電場の振幅を調節すること、または、これら両方を含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３６】
上記調節工程は、上記ＡＣ電場の周波数を、約１ｋＨｚから約５００ｋＨｚまで増大することを含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３７】
上記調節工程は、上記ＡＣ電場の振幅を、約２Ｖから約２０Ｖまで増大させることを含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３８】
上記調節工程は、上記ＡＣ電場の周波数を、約５００Ｈｚから約１００ｋＨｚまで増大させて、その後、上記ＡＣ電場の振幅を、約１Ｖから約４Ｖまで増大させることを含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３９】
請求項１に記載の方法に従って配置された１つまたは複数のナノワイヤを含む電極対。
【請求項４０】
請求項２６に記載の方法に従って配置された１つまたは複数のナノワイヤを含む基板。
【請求項４１】
（ａ）請求項１に記載の方法に従って、１つまたは複数のナノワイヤを配置するナノワイヤ配置工程と、
（ｂ）電極対に信号を供給する信号供給工程と、
（ｃ）上記電極対において上記信号を監視する監視工程と、
（ｄ）上記信号がプリセット値に達した時に上記電極対上にナノワイヤを配置する上記工程を停止する停止工程とを含む、電極対上に配置されたナノワイヤの本数を制御する方法。
【請求項４２】
工程（ｃ）および（ｄ）における信号は、上記電極対におけるインピーダンスである、請求項４１に記載に方法。
【請求項４３】
工程（ｃ）および（ｄ）における信号は、上記電極対における電圧である、請求項４１に記載に方法。
【請求項４４】
工程（ｃ）および（ｄ）における信号は、上記電極対における電流である、請求項４１に記載に方法。
【請求項４５】
上記停止工程は、上記電極対への電圧供給を停止して、上記電極対上にナノワイヤを配置することを停止することを含む、請求項４１に記載に方法。
【請求項４６】
（ｅ）上記ナノワイヤを基板上に転写するナノワイヤ転写工程をさらに含む、請求項４１に記載に方法。
【請求項４７】
上記電極対上に所定の本数のナノワイヤが配置されていると共に、ナノワイヤの上記本数は請求項４１に記載の方法に従って制御されている、１つの電極対を含む基板。
【請求項４８】
請求項４６に記載の方法に従って制御された所定の本数のナノワイヤを含む基板。
【請求項４９】
上記電極対の電極の間には、１つまたは複数の金属要素が配置されている、請求項４７に記載の基板。
【請求項５０】
少なくとも４つの電極対と、各上記電極対上に配置された少なくとも４つのナノワイヤとを含む基板であって、各上記電極対は、ほぼ同じ本数のナノワイヤを含む基板。
【請求項５１】
各上記電極対上に配置されたナノワイヤの本数の差は３０％未満である、請求項５０に記載の基板。
【請求項５２】
各上記電極対上に配置されたナノワイヤの本数の差は２０％未満である、請求項５０に記載の基板。
【請求項５３】
各上記電極対上に配置されたナノワイヤの本数の差は１０％未満である、請求項５０に記載の基板。
【請求項５４】
（ａ）複数のナノワイヤを含む懸濁液と、
（ｂ）１つまたは複数の電極対を含む基板と、
（ｃ）上記電極対の間に交流（ＡＣ）電場を生成すると共に上記ＡＣ電場を調節する信号発生器とを含む、ナノワイヤを基板上に配置するシステム。
【請求項５５】
上記複数のナノワイヤを含む懸濁液を、少なくとも１つの上記電極対の上に流す手段をさらに含む、請求項５４に記載のシステム。
【請求項５６】
上記ナノワイヤを可視化する光学的画像システムをさらに含む、請求項５４に記載のシステム。
【請求項５７】
ナノワイヤの上記懸濁液の流量を制御する流量制御システムをさらに含む、請求項５４に記載のシステム。
【請求項５８】
上記流量制御システムは、上記基板の下面に結合されるように構成された取り付け具である、請求項５７に記載のシステム。
【請求項５９】
懸濁液中の上記ナノワイヤを上記基板上に動かすための１つまたは複数の電場電極をさらに含む、請求項５４に記載のシステム。
【請求項６０】
上記ナノワイヤは、１つの核と１つまたは複数の殻層とを含む、請求項５４に記載のシステム。
【請求項６１】
上記核は半導体を含み、少なくとも１つの上記殻層は金属を含む、請求項６０に記載のシステム。
【請求項６２】
上記１つまたは複数の電極対において信号を測定する信号監視デバイスと、上記信号がプリセット値に達した時に上記ＡＣ電場を停止させる手段とをさらに含む、請求項５４に記載のシステム。
【請求項６３】
上記基板は、上記電極対の電極の間に配置された１つまたは複数の金属要素を含む、請求項５４に記載のシステム。
【請求項６４】
１つの電極対の第１の電極は、上記電極対の第２の電極よりも、大きなナノワイヤ接触面を備えている、請求項５４に記載のシステム。
【請求項６５】
（ａ）１つまたは複数のナノワイヤを電極対の近傍に供給するナノワイヤ供給工程と
（ｂ）上記電極対に電圧を与えて、上記ナノワイヤを上記電極対に関連付ける電圧供給工程とを含み、上記電極対の電極の間に１つまたは複数の金属要素を配置して、隣接し合う関連付けられたナノワイヤ間のナノワイヤ間隔の差が標準偏差の約５０％になるようにする、１つまたは複数のナノワイヤを配置する方法。
【請求項６６】
（ｃ）上記電極対への電圧供給を調節して、上記ナノワイヤを上記電極対上に結合させる調節工程をさらに含み、上記電極対の電極の間に１つまたは複数の金属要素を配置して、隣接し合う結合されたナノワイヤ間のナノワイヤ間隔の差が標準偏差の約５０％になるようにする、請求項６５に記載の方法。
【請求項６７】
上記ナノワイヤ供給工程は、ナノワイヤの懸濁液を供給することを含む、請求項６５に記載の方法。
【請求項６８】
上記電圧供給工程は、上記電極対の間にＡＣ電場を生成することを含む、請求項６５に記載の方法。
【請求項６９】
上記ＡＣ電場を生成することは、直接電気的接続を用いて、上記電極対に信号を供給することを含む、請求項６８に記載の方法。
【請求項７０】
上記ＡＣ電場を生成することは、上記電極対に電磁波を供給することを含む、請求項６８に記載の方法。
【請求項７１】
上記電圧供給工程、および、上記調節工程は、上記電極対に電磁波を供給することを含む、請求項６６に記載の方法。
【請求項７２】
上記電磁波を供給することは、上記電極対に約１ＧＨｚから約５ＧＨｚの電磁波を供給することを含む、請求項７１に記載の方法。
【請求項７３】
上記ＡＣ電場を生成することは、約１０Ｈｚから約５ｋＨｚの周波数においてＡＣ電場を生成することを含む、請求項６８に記載の方法。
【請求項７４】
上記ＡＣ電場を生成することは、約０．５Ｖから約３Ｖの振幅においてＡＣ電場を生成することを含む、請求項６８に記載の方法。
【請求項７５】
上記調節工程は、上記ＡＣ電場の周波数を調節すること、上記ＡＣ電場の振幅を調節すること、または、これら両方を含む、請求項６６に記載の方法。
【請求項７６】
上記調節工程は、上記ＡＣ電場の周波数を約１ｋＨｚから約５００ｋＨｚまで増大させることを含む、請求項７５に記載の方法。
【請求項７７】
上記調節工程は、上記ＡＣ電場の振幅を約２Ｖから約２０Ｖまで増大させることを含む、請求項７５に記載の方法。
【請求項７８】
上記調節工程は、上記ＡＣ電場の周波数を約５００Ｈｚから約１００ｋＨｚまで増大させて、その後、上記ＡＣ電場の振幅を約１Ｖから約４Ｖまで増大させることを含む、請求項７５に記載の方法。
【請求項７９】
隣接し合う関連付けられたナノワイヤ間のナノワイヤ間隔の差は、標準偏差の約４０％未満である、請求項６５に記載の方法。
【請求項８０】
隣接し合う関連付けられたナノワイヤ間のナノワイヤ間隔の差は、標準偏差の約３０％未満である、請求項６５に記載の方法。
【請求項８１】
隣接し合う関連付けられたナノワイヤ間のナノワイヤ間隔の差は、標準偏差の約２０％未満である、請求項６５に記載の方法。
【請求項８２】
隣接し合う関連付けられたナノワイヤ間のナノワイヤ間隔の差は、標準偏差の約１０％未満である、請求項６５に記載の方法。
【請求項８３】
隣接し合う結合されたナノワイヤ間のナノワイヤ間隔の差は、標準偏差の約４０％である、請求項６６に記載の方法。
【請求項８４】
隣接し合う結合されたナノワイヤ間のナノワイヤ間隔の差は、標準偏差の約３０％である、請求項６６に記載の方法。
【請求項８５】
隣接し合う結合されたナノワイヤ間のナノワイヤ間隔の差は、標準偏差の約２０％である、請求項６６に記載の方法。
【請求項８６】
隣接し合う結合されたナノワイヤ間のナノワイヤ間隔の差は、標準偏差の約１０％である、請求項６６に記載の方法。
【請求項８７】
少なくとも１つの第１の電極対と上記第１の電極対の間に結合された少なくとも４つのナノワイヤとを含む基板であって、隣接し合う結合されたナノワイヤ間のナノワイヤ間隔の差は、標準偏差の約５０％未満である基板。
【請求項８８】
上記第１の電極対の電極間に配置された３つまたはそれ以上の金属要素をさらに含む、請求項８７に記載の基板。
【請求項８９】
隣接し合う結合されたナノワイヤ間のナノワイヤ間隔の差は、標準偏差の約４０％未満である、請求項８７に記載の基板。
【請求項９０】
隣接し合う結合されたナノワイヤ間のナノワイヤ間隔の差は、標準偏差の約３０％未満である、請求項８７に記載の基板。
【請求項９１】
隣接し合う結合されたナノワイヤ間のナノワイヤ間隔の差は、標準偏差の約２０％未満である、請求項８７に記載の基板。
【請求項９２】
隣接し合う結合されたナノワイヤ間のナノワイヤ間隔の差は、標準偏差の約１０％未満である、請求項８７に記載の基板。
【請求項９３】
（ａ）１つまたは複数のナノワイヤを基板上に配置するナノワイヤ配置工程と、
（ｂ）上記ナノワイヤを加熱して、上記ナノワイヤを上記基板上に堆積させる加熱工程とを含む、１つまたは複数のナノワイヤを基板上に堆積させる方法。
【請求項９４】
上記配置工程は、電場配列、ラングミュアフィルム配列、あるいは流れ配列を含む、請求項９３に記載の方法。
【請求項９５】
上記加熱工程は、約１００℃よりも高い温度まで加熱することを含む、請求項９３に記載の方法。
【請求項９６】
上記加熱工程は、Ｈ２ガスの存在下で、約２００℃の温度に加熱することを含む、請求項９３に記載の方法。
【請求項９７】
工程（ｂ）の前に、
上記ナノワイヤにガスを供給する工程（ｉ）、および、
上記ナノワイヤから上記ガスを除去する工程（ｉｉ）の少なくとも１つのサイクルをさらに含む、請求項９３に記載の方法。
【請求項９８】
工程（ｉ）および（ｉｉ）のサイクルを少なくとも５回行うことを含む、請求項９７に記載の方法。
【請求項９９】
（ａ）懸濁液中の１つまたは複数のナノワイヤを基板上の電極対の近傍に供給するナノワイヤ供給工程と、
（ｂ）上記電極対に電圧を与えて、上記ナノワイヤを上記電極対に関連付ける電圧供給工程と、
（ｃ）上記電極対への電圧供給を調節して、上記ナノワイヤを上記電極対に結合させる調節工程と、
（ｄ）上記ナノワイヤにガスを供給するガス供給工程と、
（ｅ）上記ガスを除去するガス除去工程と、
（ｆ）Ｈ２ガスの存在下で、上記ナノワイヤを約１００℃よりも高い温度まで加熱して、上記ナノワイヤを上記基板上に堆積させる加熱工程（ｆ）とを含む、１つまたは複数のナノワイヤを基板上に堆積する方法。
【請求項１００】
工程（ｆ）を行う前に、工程（ｄ）および（ｅ）のサイクルを少なくとも５回行うことを含む、請求項９９に記載の方法。
【請求項１０１】
（ａ）第１の極性を有する第１の電極と、第２の極性を有する第２の電極とをそれぞれ備える、１つまたは複数の電極セットと、
（ｂ）上記第１の電極と上記第２の電極との間に交流（ＡＣ）電場を生成する信号発生器とを備える、溶液中のナノワイヤを動かすシステム。
【請求項１０２】
（ｃ）複数のナノワイヤを含む懸濁液と、
（ｄ）１つまたは複数の電極対を含む基板と、
（ｅ）上記電極の間に交流（ＡＣ）電場を生成すると共に上記ＡＣ電場を調節する信号発生器とを含み、上記基板は、上記電極セットの反対側に配置されている、ナノワイを基板上に配置するシステムをさらに含む、請求項１０１に記載のシステム。
【請求項１０３】
複数のナノワイヤを含む懸濁液を、少なくとも１つの上記電極対および上記電極セットの上に流す手段をさらに含む、請求項１０２に記載のシステム。
【請求項１０４】
上記ナノワイヤを可視化する光学的画像システムをさらに含む、請求項１０２に記載のシステム。
【請求項１０５】
上記ナノワイヤ懸濁液の流量を制御する流量制御システムを含む、請求項１０２に記載のシステム。
【請求項１０６】
上記流量制御システムは、上記基板の下側に結合されるように構成された取り付け具である、請求項１０５に記載のシステム。
【請求項１０７】
上記ナノワイヤは、１つの核と１つまたは複数の殻層とを含む、請求項１０２に記載のシステム。
【請求項１０８】
上記核は半導体を含み、少なくとも１つの上記殻層は金属を含む、請求項１０７に記載のシステム。
【請求項１０９】
上記１つまたは複数の電極対において信号を測定する信号監視デバイスと、上記信号がプリセット値に達した時に上記ＡＣ電場を停止させる手段とをさらに含む、請求項１０２に記載のシステム。
【請求項１１０】
上記基板は、上記電極対の電極間に配置された１つまたは複数の金属要素を含む、請求項１０２に記載のシステム。
【請求項１１１】
１つの電極対の第１の電極は、上記電極対の第２の電極よりも、大きなナノワイヤ接触面を備えている、請求項１０２に記載のシステム。
【請求項１１２】
（ａ）第１の極性を有する第１の電極と第２の極性を有する第２の電極とをそれぞれ備える、１つまたは複数の電極セットを供給する電極セット供給工程と、
（ｂ）１つの電極セットに電圧を与える電圧供給工程とを含み、上記電圧供給工程に応じてナノワイヤを動かす、溶液中のナノワイヤを動かす方法。
【請求項１１３】
（ｃ）電圧を与えられた電極セットの電圧供給を停止する電圧供給停止工程と、
（ｄ）隣接する電極セットに電圧を与える電圧供給工程と、
（ｅ）工程（ｃ）〜（ｄ）を繰り返す工程とをさらに含み、上記ナノワイヤを１つの方向に動かす、請求項１１２に記載の方法。
【請求項１１４】
上記ナノワイヤを、電圧を与える方向に洗い流すことをさらに含む、請求項１１２に記載の方法。
【請求項１１５】
上記電圧供給工程は、上記第１の電極と上記第２の電極との間にＡＣ電場を生成することを含む、請求項１１２または１１３に記載の方法。
【請求項１１６】
上記ＡＣ電場を生成することは、約１０Ｈｚ〜１ｋＨｚの周波数と約１〜１０Ｖの振幅とを有するＡＣ電場を生成することを含む、請求項１１５に記載の方法。
【請求項１１７】
（ａ）１つまたは複数のナノワイヤの懸濁液を、１つの電極対の近傍に供給するナノワイヤ供給工程と、
（ｂ）上記電極対に電圧を与えて、上記ナノワイヤを上記電極対に関連付ける電圧供給工程と、
（ｃ）上記電極対への電圧供給を調節して、上記ナノワイヤを上記電極対上に結合させる調節工程と、
（ｄ）（ｉ）第１の極性を有する第１の電極、および、第２の極性を有する第２の電極を備える１つの電極セットに電圧を与える工程と、（ｉｉ）電圧を与えた電極セットへの電圧供給を停止すると共に隣接する電極セットに電圧を与え、結合されていないナノワイヤを１つの方向に動かして、上記電極対から除去する工程とによって、上記電極対から結合されていない１つまたは複数のナノワイヤを除去するナノワイヤ除去工程とを含む、１つまたは複数のナノワイヤを配置する方法。
【請求項１１８】
工程（ｂ）の電圧供給工程は、上記電極対の間にＡＣ電場を生成することを含む、請求項１１７に記載の方法。
【請求項１１９】
上記ＡＣ電場を生成することは、約１０Ｈｚから約５ｋＨｚの周波数においてＡＣ電場を生成することを含む、請求項１１８に記載の方法。
【請求項１２０】
上記ＡＣ電場を生成することは、約０．５Ｖから約３Ｖの振幅においてＡＣ電場を生成することを含む、請求項１１８に記載の方法。
【請求項１２１】
上記調節工程は、上記ＡＣ電場の周波数を調節すること、上記ＡＣ電場の振幅を調節すること、または、これら両方を含む、請求項１１８に記載の方法。
【請求項１２２】
上記調節工程は、上記ＡＣ電場の周波数を、約１ｋＨｚから約５００ｋＨｚまで増大させることを含む、請求項１２１に記載の方法。
【請求項１２３】
上記調節工程は、上記ＡＣ電場の振幅を約２Ｖから約２０Ｖまで増大させることを含む、請求項１２１に記載の方法。
【請求項１２４】
上記調節工程は、上記ＡＣ電場の周波数を約５００Ｈｚから約１００ｋＨｚまで増大させて、その後、上記ＡＣ電場の振幅を約１Ｖから約４Ｖに増大させることを含む、請求項１２１に記載の方法。
【請求項１２５】
工程（ｉ）〜（ｉｉ）における電圧を与えることは、上記第１の電極と上記第２の電極との間にＡＣ電場を生成することを含む、請求項１１７に記載の方法。
【請求項１２６】
上記ＡＣ電場を生成することは、約１Ｈｚ〜１ｋＨｚの周波数と約１〜１０Ｖの振幅とを有するＡＣ電場を生成することを含む、請求項１２５に記載の方法。
【請求項１２７】
工程（ｄ）において、上記ナノワイヤを洗い流すことをさらに含む、請求項１１７に記載の方法。
【請求項１２８】
（ａ）１つまたは複数のナノワイヤの懸濁液を電極対の近傍に供給するナノワイヤ懸濁液供給工程と、
（ｂ）上記電極対に電圧を与えて、上記ナノワイヤを上記電極対に関連付ける電圧供給工程と、
（ｃ）上記電極対への電圧供給を調節して、上記ナノワイヤを上記電極対上に結合させる調節工程と、
（ｄ）除去電極に電圧を与えることによって、上記電極対から結合されていない１つまたは複数のナノワイヤを除去する工程であって、上記結合されていないナノワイヤを１つの方向に動かすと共に上記電極対から除去するナノワイヤ除去工程を含む、１つまたは複数のナノワイヤを配置する方法。
【請求項１２９】
工程（ｂ）の電圧供給工程は、上記電極対の間にＡＣ電場を生成することを含む、請求項１２８に記載の方法。
【請求項１３０】
上記ＡＣ電場を生成することは、約１０Ｈｚから約５ｋＨｚの周波数においてＡＣ電場を生成することを含む、請求項１２９に記載の方法。
【請求項１３１】
上記ＡＣ電場を生成することは、約０．５Ｖから約３Ｖの振幅においてＡＣ電場を生成することを含む、請求項１２９に記載の方法。
【請求項１３２】
上記調節工程は、上記ＡＣ電場の周波数を調節すること、上記ＡＣ電場の振幅を調節すること、または、これら両方を含む、請求項１２８に記載の方法。
【請求項１３３】
上記調節工程は、上記ＡＣ電場の周波数を、約１ｋＨｚから約５００ｋＨｚまで増大させることを含む、請求項１３２に記載の方法。
【請求項１３４】
上記調節工程は、上記ＡＣ電場の振幅を約２Ｖから約２０Ｖまで増大させることを含む、請求項１３２に記載の方法。
【請求項１３５】
上記調節工程は、上記ＡＣ電場の周波数を約５００Ｈｚから約１００ｋＨｚまで増大させて、その後、上記ＡＣ電場の振幅を約１Ｖから約４Ｖまで増大させることを含む、請求項１３２に記載の方法。
【請求項１３６】
工程（ｄ）における電圧を与えることは、上記除去電極においてＤＣ電場を生成することを含む、請求項１２８に記載の方法。
【請求項１３７】
上記ＤＣ電場を生成することは、約０．１Ｖから約１０Ｖの振幅を有するＤＣ電場を生成することを含む、請求項１３６に記載の方法。
【請求項１３８】
工程（ｄ）における電圧を与えることは、上記除去電極においてＡＣ電場を生成することを含む、請求項１２８に記載の方法。
【請求項１３９】
上記ＡＣ電場を生成することは、約１００Ｈｚから約１００ｋＨｚの周波数と約５〜１５０Ｖの振幅とを有するＡＣ電場を生成することを含む、請求項１３６に記載の方法。
【請求項１４０】
工程（ｄ）における電圧を与えることは、上記除去電極において、ＤＣ電場およびＡＣ電場を生成することを含む、請求項１２８に記載の方法。
【請求項１４１】
上記ＤＣ電場を生成することは、約０．１Ｖから約１０Ｖの振幅を有するＤＣ電場を生成することを含み、上記ＡＣ電場を生成することは、約１００Ｈｚから約１００ｋＨｚの周波数と約５〜１５０Ｖの振幅とを有するＡＣ電場を生成することを含む、請求項１４０に記載の方法。
【請求項１４２】
工程（ｄ）における電圧を与えることは、
（ｉ）上記除去電極においてＡＣ電場を生成する工程と、
（ｉｉ）上記除去電極において、ＤＣ電場およびＡＣ電場を生成する工程と、
（ｉｉｉ）上記除去電極においてＡＣ電場を生成する工程とを含む、請求項１２８に記載の方法。
【請求項１４３】
上記ＤＣ電場を生成する工程は、約０．１Ｖから約１０Ｖの振幅を有するＤＣ電場を印加することを含み、上記ＡＣ電場を生成する工程は、約１００Ｈｚから約１００ｋＨｚの周波数と約５〜１５０Ｖの振幅とを有するＡＣ電場を印加することを含む、請求項１４２に記載の方法。
【請求項１４４】
工程（ｄ）において、上記ナノワイヤを洗い流すことをさらに含む、請求項１２８に記載の方法。
【請求項１４５】
（ａ）１つまたは複数の導電性ナノワイヤ、および、１つまたは複数の半導電性ナノワイヤを含む溶液を、１つの電極対の近傍に供給する溶液供給工程と、
（ｂ）上記電極対に電圧を与えて、上記導電性ナノワイヤおよび上記半導電性ナノワイヤを上記電極対に関連付ける電圧供給工程と、
（ｃ）上記電極対への電圧供給を調節して、上記導電性ナノワイヤを上記電極対上に結合させる調節工程と、
（ｄ）上記１つまたは複数の半導電性ナノワイヤを除去する半導電性ナノワイヤ除去工程とを含む、導電性ナノワイヤと半導電性ナノワイヤとの混合物から１つまたは複数の導電性ナノワイヤを分離する方法。
【請求項１４６】
上記電圧供給工程は、上記電極対の間にＡＣ電場を生成することを含む、請求項１４５に記載の方法。
【請求項１４７】
上記ＡＣ電場を生成することは、直接電気的接続を用いて、上記電極対に信号を供給することを含む、請求項１４６に記載の方法。
【請求項１４８】
上記ＡＣ電場を生成することは、上記電極対に電磁波を供給することを含む、請求項１４６に記載の方法。
【請求項１４９】
上記電圧供給工程および上記調節工程は、上記電極対に電磁波を供給することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５０】
電磁波を供給することは、上記電極対に約１ＧＨｚから約５ＧＨｚの電磁波を供給することを含む、請求項１４９に記載の方法。
【請求項１５１】
上記ＡＣ電場を生成することは、約１０Ｈｚから５ｋＨｚの周波数においてＡＣ電場を生成することを含む、請求項１４７に記載の方法。
【請求項１５２】
上記ＡＣ電場を生成することは、約０．５Ｖから約３Ｖの振幅においてＡＣ電場を生成することを含む、請求項１４７に記載の方法。
【請求項１５３】
上記調節工程は、上記ＡＣ電場の周波数を約１ｋＨｚから約５００ｋＨｚまで増大させることを含む、請求項１４７に記載の方法。
【請求項１５４】
上記調節工程は、上記ＡＣ電場の振幅を約１Ｖから約４Ｖまで増大させることを含む、請求項１４７に記載の方法。
【請求項１５５】
上記調節工程は、上記ＡＣ電場の周波数を約５００Ｈｚから約１００ｋＨｚまで増大させて、その後、上記ＡＣ電場の振幅を約１Ｖから約４Ｖまで増大させることを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５６】
（ａ）複数のナノワイヤを含む懸濁液と、
（ｂ）１つまたは複数の電極対と１つまたは複数のナノワイヤ付着領域とを含む基板と、
（ｃ）電極対の間に交流（ＡＣ）電場を生成すると共に上記ＡＣ電場を調節する信号発生器とを含む、ナノワイヤを基板上に配置するシステム。
【請求項１５７】
上記複数のナノワイヤを含む懸濁液を、少なくとも１つの上記電極対と上記１つまたは複数のナノワイヤ付着領域の上とに流す手段をさらに含む、請求項１５６に記載のシステム。
【請求項１５８】
上記ナノワイヤを可視化する光学的画像システムをさらに含む、請求項１５６に記載のシステム。
【請求項１５９】
上記ナノワイヤ懸濁液の流量を制御する流量制御システムを含む、請求項１５６に記載のシステム。
【請求項１６０】
上記流量制御システムは、上記基板の下側に結合されるように構成された取り付け具である、請求項１５９に記載のシステム。
【請求項１６１】
懸濁液中の上記ナノワイヤを上記基板上に動かすための１つまたは複数の電場電極をさらに含む、請求項１５６に記載のシステム。
【請求項１６２】
上記ナノワイヤは、１つの核と１つまたは複数の殻層とを含む、請求項１５６に記載のシステム。
【請求項１６３】
上記核は半導体を含み、少なくとも１つの上記殻層は金属を含む、請求項１６２に記載のシステム。
【請求項１６４】
上記１つまたは複数の電極対における信号を測定する信号監視デバイスと、上記信号がプリセット値に達した時にＡＣ電場を停止させる手段とをさらに含む、請求項１５６に記載のシステム。
【請求項１６５】
上記基板は、上記電極対の電極間に配置された１つまたは複数の金属要素を含む、請求項１５６に記載のシステム。
【請求項１６６】
１つの電極対の第１の電極は、上記電極対の第２の電極よりも、大きなナノワイヤ接触面を含む、請求項１５６に記載のシステム。
【請求項１６７】
上記ナノワイヤ付着領域は、約１ｃｍと約１００ｃｍとの間の間隔によって分離されている、請求項１５６に記載のシステム。
【請求項１６８】
上記ナノワイヤ付着領域は正の電荷を帯びている、請求項１５６に記載のシステム。
【請求項１６９】
上記ナノワイヤ付着領域はＡｌ２Ｏ３または窒化物を含む、請求項１５６に記載のシステム。
【請求項１７０】
（ａ）１つまたは複数のナノワイヤの懸濁液を、基板上の１つの電極対の近傍に供給するナノワイヤ懸濁液供給工程と、
（ｂ）上記電極対に電圧を与えて、上記ナノワイヤを上記電極対に関連付ける電圧供給工程と、
（ｃ）上記電極対への電圧供給を調節して、上記ナノワイヤを上記電極対上に結合させる調節工程と、
（ｄ）結合されていないナノワイヤを洗い流すことによって、上記電極対から結合されていない１つまたは複数のナノワイヤを除去して、上記結合されていないナノワイヤを上記基板上のナノワイヤ付着領域に付着させるナノワイヤ除去工程とを含む、１つまたは複数のナノワイヤを配置する方法。
【請求項１７１】
工程（ｂ）における電圧供給工程は、上記電極対の間にＡＣ電場を生成することを含む、請求項１７０に記載の方法。
【請求項１７２】
上記ＡＣ電場を生成することは、約１０Ｈｚから約５ｋＨｚの周波数においてＡＣ電場を生成することを含む、請求項１７１に記載の方法。
【請求項１７３】
上記ＡＣ電場を生成することは、約０．５Ｖから約３Ｖの振幅においてＡＣ電場を生成することを含む、請求項１７１に記載の方法。
【請求項１７４】
上記調節工程は、上記ＡＣ電場の周波数を調節すること、上記ＡＣ電場の振幅を調節すること、または、これら両方を含む、請求項１７０に記載の方法。
【請求項１７５】
上記調節工程は、上記ＡＣ電場の周波数を約１ｋＨｚから約５００ｋＨｚまで増大させることを含む、請求項１７４に記載の方法。
【請求項１７６】
上記調節工程は、上記ＡＣ電場の振幅を約２Ｖから約２０Ｖまで増大させることを含む、請求項１７４に記載の方法。
【請求項１７７】
上記調節工程は、上記ＡＣ電場の周波数を約５００Ｈｚから約１００ｋＨｚまで増大させて、その後、上記ＡＣ電場の振幅を約１Ｖから約４Ｖまで増大させることを含む、請求項１７４に記載の方法。
【請求項１７８】
（ａ）１つまたは複数のナノワイヤの懸濁液を、基板上の１つの電極対の近傍に供給するナノワイヤ懸濁液供給工程と、
（ｂ）上記電極対に電圧を与えて、上記ナノワイヤを上記電極対に関連付ける電圧供給工程と、
（ｃ）上記電極対への電圧供給を調節して、上記ナノワイヤを上記電極対上に結合させる調節工程と、
（ｄ）結合されていない１つまたは複数のナノワイヤの懸濁液を除去して、上記結合されていないナノワイヤを上記基板上のナノワイヤ付着領域に付着させるナノワイヤ除去工程とを含む、１つまたは複数のナノワイヤを配置する方法。
【請求項１７９】
工程（ｂ）における電圧供給工程は、上記電極対の間にＡＣ電場を生成することを含む、請求項１７８に記載の方法。
【請求項１８０】
上記ＡＣ電場を生成することは、約１０Ｈｚから約５ｋＨｚの周波数においてＡＣ電場を生成することを含む、請求項１７９に記載の方法。
【請求項１８１】
上記ＡＣ電場を生成することは、約０．５Ｖから約３Ｖの振幅においてＡＣ電場を生成することを含む、請求項１７９に記載の方法。
【請求項１８２】
上記調節工程は、上記ＡＣ電場の周波数を調節すること、上記ＡＣ電場の振幅を調節すること、または、これら両方を含む、請求項１７８に記載の方法。
【請求項１８３】
上記調節工程は、上記ＡＣ電場の周波数を約１ｋＨｚから約５００ｋＨｚまで増大させることを含む、請求項１８２に記載の方法。
【請求項１８４】
上記調節工程は、上記ＡＣ電場の振幅を約２Ｖから約２０Ｖまで増大させることを含む、請求項１８２に記載の方法。
【請求項１８５】
上記調節工程は、上記ＡＣ電場の周波数を約５００Ｈｚから約１００ｋＨｚまで増大させて、その後、上記ＡＣ電場の振幅を約１Ｖから約４Ｖまで増大させることを含む、請求項１８２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はナノワイヤに関し、さらに詳細には、ナノワイヤの堆積および配列に関する。
【背景技術】
【０００２】
ナノ構造、および、特にナノワイヤは、全く新規の次世代電子デバイスを実現する可能性を有している。この、ナノ構造に基づいた次世代電子デバイスの出現を妨げているものは、主として、様々な基板上にナノワイヤを効果的に配列して堆積させる能力である。懸濁液中に懸濁されたナノワイヤを配列させることは、電場によって可能であるが、現状の技術では、広面積の基板に拡張することについては、厳しく制限されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ナノ構造を使用可能なデバイスを大きなアレイ状に製造することに適した、高性能のナノワイヤ堆積を実現するシステムおよび方法が必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
一実施形態において、本発明は、１つまたは複数のナノワイヤを配置する方法を提供する。好適な実施形態では、これら方法は、１つまたは複数のナノワイヤを１つの電極対の近傍に供給する工程と、その後該電極対に電圧を与える工程とを含み、これによって、ナノワイヤを電極対に関連付ける。その後、電極対の間において電圧供給を調節し、これによって、ナノワイヤを電極対の上に結合させる。典型的な実施形態では、ナノワイヤは懸濁液中に供給されている。好適な実施形態では、上記電圧を与える工程は、電極対の間にＡＣ電場を生成する工程を含む。このＡＣ電場の生成は、従来技術においてよく知られている任意の方法を用いて、例えば、電気的直接接続を用いて電極対に信号を供給することによって、または、電極対に電磁波を供給することによって行われ得る。典型的な実施形態では、約１０Ｈｚから約５ｋＨｚ、および、約０．５Ｖから約３ＶのＡＣ電場が生成される。ＡＣ電場を調節する工程は、ＡＣ電場の周波数を調整することおよびＡＣ電場の振幅を調整することのいずれか１つ、または、これら両方を適宜含み、好適な実施形態では、ＡＣ電場の周波数を約１ｋＨｚから約５００ｋＨｚに増大させる工程、ＡＣ電場の振幅を約２Ｖから約２０Ｖに増大させる工程、および／または、ＡＣ電場の周波数を約５００Ｈｚから約１００ｋＨｚに増大させて、その後、ＡＣ電場の振幅を約１Ｖから約４Ｖに増大させる工程を含む。電磁波を用いて電場を供給する実施形態では、約１ＧＨｚから約５ＧＨｚの周波数を用いることが適切である。電極対の電極同士は、例えば、ナノワイヤの長軸の長さよりも短い間隔、または、ナノワイヤの長軸の長さと同じ間隔で離間されていてよい。
【０００５】
本発明の方法はまた、結合されていない１つまたは複数のナノワイヤを、例えば結合されていないナノワイヤを洗い流すことによって、電極対から除去する工程をさらに含むことが可能であると共に、結合された１つまたは複数のナノワイヤを乾燥させる工程をさらに含むことが可能である。さらなる実施形態では、これら方法は、該方法の関連付け段階および調節段階を繰り返す工程を含む。本発明の方法は、複数の実施形態において、結合された１つまたは複数のナノワイヤを基板上に転写する工程、および／または、電極対を除去する工程をさらに含む。
【０００６】
本発明の方法に従って配置され得るナノワイヤは、半導体核（例えばＳｉ）と、該核の周囲に配置された１つまたは複数の殻層、例えば、ＴａＡＩＮまたはＷＮといった金属殻層とを備えるナノワイヤを含む。
【０００７】
さらなる一実施形態において、本発明は、１つまたは複数のナノワイヤを基板上に配置する方法を提供する。好適な実施形態では、これら方法は、懸濁液中の１つまたは複数のナノワイヤを転写基板上の電極対の近傍に供給する工程と、その後該電極対に電圧を与える工程とを含み、これによって、ナノワイヤを電極対に関連付ける。その後、電極対の間において電圧供給を調節し、これによって、ナノワイヤを電極対の上に結合させる。その後、結合されていない１つまたは複数のナノワイヤを除去した後、結合されたナノワイヤを転写基板から基板上に転写させる。好適な実施形態では、この電圧供給工程は、電極対の間に交流（ＡＣ）電場を生成する工程を含む。
【０００８】
本発明はまた、１つまたは複数のナノワイヤを配置する方法を提供する。このような方法では、１つまたは複数のナノワイヤは、電極対の近傍に供給される。その後、この電極対に電圧を与え、これによってナノワイヤを電極対に関連付ける。ここでは、上記電極対の両電極間に１つまたは複数の金属要素を配置して、関連付けされた隣接ナノワイヤ間のナノワイヤ間隔どうしの差が標準偏差の約５０％未満になるようにする。さらなる実施形態では、これら方法は、電極対の間において電圧供給を調節する工程をさらに含み、これによって、ナノワイヤを電極対の上に結合させる。ここでは、上記電極対の両電極間に１つまたは複数の金属要素を配置して、隣接し合う結合されたナノワイヤ間のナノワイヤ間隔どうしの差が標準偏差の約５０％未満になるようにする。
【０００９】
本発明はまた、少なくとも１つの第１の電極対と、該第１の電極対の間で結合された少なくとも４本のナノワイヤとを含む基板を提供する。ここでは、隣接し合う結合されたナノワイヤ間のナノワイヤ間隔どうしの差は、標準偏差の約５０％未満である。好適な実施形態では、上記基板は、第１の電極対の両電極間に配置された３つまたはそれ以上の金属要素をさらに含む。
【００１０】
本発明はまた、本発明の方法に従って配置された１つまたは複数のナノワイヤを含む１つまたは複数の電極対と、本発明の方法に従って配置された１つまたは複数のナノワイヤを含む基板とを提供する。
【００１１】
さらなる一実施形態において、本発明は、電極対上に配置されたナノワイヤの本数を制御する方法を提供する。好適な実施形態では、本発明の方法に従って１つまたは複数のナノワイヤを配置する工程と、その後電極対に信号を与える工程とを含む。この信号を電極対において監視した後、該信号がプリセット値に達すると上記配置工程を停止させる（例えば、電極対の間の電場を低減させることによって、ナノワイヤを電極対の上に配置する工程を停止させる）。監視され得る典型的な信号には、インピーダンス、電圧、静電容量、電流などが含まれるが、これらに限定されることはない。
【００１２】
本発明はまた、所定の本数のナノワイヤが配置された電極対を含む基板を提供する。このナノワイヤの本数は、本発明の方法に従って制御されるものである。例えば、本発明は、少なくとも４つの電極対と、各電極対上に配置された少なくとも４本のナノワイヤとを含む基板を提供する。ここでは、各電極対は、ほぼ同じ数のナノワイヤを含んでいる。好適な実施形態では、各電極対上に配置されたナノワイヤの本数の偏差は、３０％未満、２０％未満、または、１０％未満である。
【００１３】
本発明はまた、ナノワイヤを基板上に配置する装置およびシステムを提供する。好適な実施形態では、上記装置およびシステムは、複数のナノワイヤを含む懸濁液と、１つまたは複数の電極対を含む基板とを備えている。上記装置およびシステムはまた、電極対の間に交流（ＡＣ）電場を生成させるための供給源、例えば、ＡＣ電場を調節するためにも用いられる信号発生器を適切に含む。さらなる実施形態では、上記システムおよび装置は、このナノワイヤ懸濁液を少なくとも１つの電極対の上に流す手段（例えば、基板の下面に結合されるように適切に構成された流量制御システム）、ナノワイヤを可視化する光学的画像システム、および、基板上のナノワイヤを動かすための１つまたは複数の電場電極をさらに含む。上記システムおよび装置はまた、上記１つまたは複数の電極対において信号を測定する信号監視装置、および、上記信号がプリセット値に達した時にＡＣ電場を停止させる手段をさらに含むことが可能である。
【００１４】
本発明はまた、１つまたは複数のナノワイヤを基板上に堆積させる方法を提供する。これは、ナノワイヤを加熱して、ナノワイヤを基板上に堆積させるものである。典型的な実施形態では、ナノワイヤを、Ｈ２ガス（フォーミングガス）の存在下で約２００℃まで加熱して、該ナノワイヤを基板上に堆積させる。
【００１５】
さらなる一実施形態では、ナノワイヤを動かすためのシステムを提供する。このようなシステムは、１つまたは複数の電極セットを含み、各電極セットは、第１の極性を有する第１の電極と、第２の極性を有する第２の電極とを備えている。このシステムはまた、上記第１の電極と上記第２の電極との間に、交流（ＡＣ）電場を生成する信号発生器を含む。このようなシステムを利用した、ナノワイヤを動かす方法も提供する。例えば、１つの電極セットに電圧を与えて、その後好適に電源を切り、その一方で隣接した電極セットに電圧を与える。これによって、ナノワイヤを、電圧を与える方向に動かす誘電泳動力が形成される。さらなる実施形態では除去電極が利用される。この除去電極とは、電圧を与えるとナノワイヤを除去電極の方向に動かす電極であり、これによって、関連付けアプリケーション／結合アプリケーションにおいて用いられた電極対から、ナノワイヤを除去することが可能である。ＤＣ電場およびＡＣ電場の両方を用いて、ナノワイヤを動かすことも可能である。
【００１６】
本発明はまた、導電性ナノワイヤと半導電性ナノワイヤとの混合物から、１つまたは複数の導電性ナノワイヤを分離する方法を提供する。導電性ナノワイヤおよび半導電性ナノワイヤのどちらのナノワイヤも電極対に関連付けられ得るが、導電性ナノワイヤは、半導電性ナノワイヤの結合に必要とされる振幅よりも一般的に低い振幅において結合されるため、導電性ナノワイヤを溶液から選択的に除去することが可能である。
【００１７】
さらなる実施形態において、本発明の基板上にナノワイヤを配置するシステムはまた、１つまたは複数のナノワイヤ付着領域を上記基板上にさらに含んでいてよい。このようなシステムを、１つまたは複数のナノワイヤを配置する様々な方法において、例えば、結合されていないナノワイヤを、ナノワイヤ付着領域に付着させることによって、結合されていないナノワイヤを除去する方法において、用いることが可能である。
【００１８】
以下に、本発明のさらなる実施形態、特徴、および、利点、並びに、本発明の様々な実施形態の構造および動作について、添付の図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１９】
添付の図面を参照しながら本発明を説明する。図面では、同様の参照番号は、同一または機能的に類似の構成要素を示すものである。ある構成要素が最初に示される図面に対応する参照番号を最左の桁に示すことで、その構成要素が最初に示される図面を示している。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１Ａ】図１Ａは、単結晶の半導体ナノワイヤを示す図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、核−殻（ＣＳ）構造に従ってドープされたナノワイヤを示す図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは、核−殻−殻（ＣＳＳ）構造に従ってドープされたナノワイヤを示す図である。
【図２】図２は、本発明の一実施形態に係る、ナノワイヤを配列および堆積させる装置を示す図である。
【図３】図３は、ナノワイヤにおいて、電場が電荷分離に与える影響を概略的に示す図である。
【図４】図４は、ナノワイヤ上に加えられる回転トルクを概略的に示す図である。
【図５】図５は、本発明の一実施形態に係る、ナノワイヤの電極対への配列および関連付けを概略的に示す図である。
【図６】図６は、ナノワイヤの長さが、ナノワイヤの、周波数の関数としての分極関数に与える影響を示すプロットである。
【図７】図７は、ナノワイヤの組成が、ナノワイヤの、周波数の関数としての分極関数に与える影響を示すプロットである。
【図８Ａ】図８Ａは、ナノワイヤの電極対への配列および関連付けを示す一顕微鏡写真である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、ナノワイヤの電極対上への結合を示す一顕微鏡写真である。
【図８Ｃ】図８Ｃは、結合されていないナノワイヤの電極対からの除去を示す一顕微鏡写真である。
【図８Ｄ】図８Ｄは、乾燥工程の後の、電極対に結合されたナノワイヤを示す一顕微鏡写真である。
【図９Ａ】図９Ａは、配列されると共に結合されたナノワイヤを含む１１個の電極対を示す一顕微鏡写真である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、配列される共に結合された、高密度のナノワイヤを含む１０個の電極対を示す一顕微鏡写真である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、調節配列段階の前の、関連付けされたナノワイヤを示す一顕微鏡写真である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、調節配列段階の後の、図１０Ａと同一のナノワイヤを示す一顕微鏡写真である。
【図１０Ｃ】図１０Ｃは、結合段階の後の、図１０Ｂと同一のナノワイヤを示す一顕微鏡写真である。
【図１１】図１１は、本発明の一実施形態に係る、ナノワイヤの電極対上への結合を概略的に示す図である。
【図１２】図１２は、ｘ平面およびｙ平面の両方において結合されたナノワイヤを示す一顕微鏡写真である。
【図１３】図１３は、本発明の一実施形態に従って、電極間に配置された金属要素によって配列されたナノワイヤを示す一顕微鏡写真である。
【図１４Ａ】図１４Ａは、本発明の一実施形態に係る、ナノワイヤの配列および堆積方法を示す一フローチャートである。
【図１４Ｂ】図１４Ｂは、本発明の一実施形態に係る、ナノワイヤの配列および堆積の一シーケンスを示す図である。
【図１４Ｃ】図１４Ｃは、本発明の一実施形態に係る、ナノワイヤ配列および堆積のさらなる一シーケンスを示す図である。
【図１５】図１５は、本発明の一実施形態に係る、ナノワイヤを転写させる装置および方法を概略的に示す図である。
【図１６Ａ】図１６Ａは、本発明の一実施形態に係る、非測定物上へのナノワイヤの堆積を監視する一装置を概略的に示す図である。
【図１６Ｂ】図１６Ｂは、本発明の一実施形態に係る、非測定物上へのナノワイヤの堆積を監視するさらなる一装置を概略的に示す図である。
【図１７Ａ】本発明の一実施形態に係る、それ以前の電場に配列されたナノワイヤを示す図である。
【図１７Ｂ】本発明の一実施形態に係る、その後の電場に配列されたナノワイヤの熱堆積を示す図である。
【図１８】図１８は、本発明の一実施形態に係る、溶液中のナノワイヤを動かすシステムを概略的に示す図である。
【図１９】図１９は、本発明の一実施形態に係る、ナノワイヤを動かす方法を示すフローチャートである。
【図２０】図２０は、本発明の一実施形態に係る、ナノワイヤを除去するシステムを概略的に示す図である。
【図２１Ａ】本発明の一実施形態に係る、ＤＣ電場およびＡＣ電場の印加がナノワイヤに与える影響を示す図である。
【図２１Ｂ】本発明の一実施形態に係る、ＤＣ電場およびＡＣ電場の印加がナノワイヤに与える影響を示す図である。
【図２１Ｃ】本発明の一実施形態に係る、ＤＣ電場およびＡＣ電場の印加がナノワイヤに与える影響を示す図である。
【図２２Ａ】本発明の一実施形態に係る、ナノワイヤの関連付け、および、ナノワイヤの除去を示す顕微鏡写真の図である。
【図２２Ｂ】本発明の一実施形態に係る、ナノワイヤの関連付け、および、ナノワイヤの除去を示す顕微鏡写真である。
【図２２Ｃ】本発明の一実施形態に係る、ナノワイヤの関連付け、および、ナノワイヤの除去を示す顕微鏡写真である。
【図２２Ｄ】本発明の一実施形態に係る、ナノワイヤの関連付け、および、ナノワイヤの除去を示す顕微鏡写真である。
【図２２Ｅ】本発明の一実施形態に係る、ナノワイヤの関連付け、および、ナノワイヤの除去を示す顕微鏡写真である。
【図２２Ｆ】本発明の一実施形態に係る、ナノワイヤの関連付け、および、ナノワイヤの除去を示す顕微鏡写真である。
【図２３】図２３は、本発明の一実施形態に係る、ナノワイヤを配置するシステムを概略的に示す図である。
【図２４】図２４は、本発明の一実施形態に係る、ナノワイヤを配置する方法を示す一フローチャートである。
【図２５Ａ】本発明の一実施形態に係る、ナノワイヤの関連付けおよびナノワイヤの除去を示す顕微鏡写真である。
【図２５Ｂ】本発明の一実施形態に係る、ナノワイヤの関連付けおよびナノワイヤの除去を示す顕微鏡写真である。
【図２５Ｃ】本発明の一実施形態に係る、ナノワイヤの関連付けおよびナノワイヤの除去を示す顕微鏡写真である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
［発明の詳細な説明］
ここに示すと共に説明する特定の形態は、本発明の例であって、本発明の範囲を多少なりとも限定することを意図するものではないことは明らかであろう。簡潔にするために、実際には、従来の電子機器、製造方法、半導体デバイス、および、ナノワイヤ（ＮＷ）技術、ナノロッド技術、ナノチューブ技術、および、ナノリボン技術、および、このシステムの他の機能的な態様（および該システムの個々の操作部材である部材）については、ここでは詳細に説明していない。簡潔にするために、ここではさらに、本発明をナノワイヤに関連して記載している場合が多い。
【００２２】
ナノワイヤについて頻繁に言及しているが、ここに記載する技術は、ナノロッド、ナノチューブ、ナノテトラポッド、ナノリボン、および／または、これらを組み合わせたものといった他のナノ構造にも適用可能であることは明らかであろう。さらに、本明細書に記載した製造技術を用いて、任意の種類の半導体デバイス、および、他の種類の電子部品を形成可能であることも明らかである。さらにこの技術は、電気システム、光学的システム、家庭用電化製品、産業電子機器、ワイヤレスシステムにおけるアプリケーション、宇宙応用、または、他の任意のアプリケーションにも好適であろう。
【００２３】
ここで用いるように、「アスペクト比」とは、ナノ構造の第１の軸の長さを、ナノ構造の第２の軸の長さと第３の軸の長さとの平均で割ったものであり、これら第２の軸および第３の軸は、互いにほぼ同一な２つの軸である。例えば、完全なロッドのアスペクト比は、その長軸の長さを、該長軸に垂直である（該長軸の法線）断面の直径で割ったものである。
【００２４】
「ヘテロ構造」という用語は、ナノ構造に関して用いられる場合には、少なくとも２つの異なる、および／または、区別可能な材料の種類によって特徴付けられるナノ構造を指す。典型的には、ナノ構造の１つの領域は第１の材料の種類を含むが、ナノ構造の第２の領域は第２の材料の種類を含む。特定の実施形態では、ナノ構造は、第１の材料から成る核と、第２の（または、第３、第４、第５など）の材料から成る少なくとも１つの殻とを含んでいる。ここで、この異なる材料の種類は、例えば、ナノワイヤの長軸の周り、分枝状のナノ結晶のアームの長軸の周り、または、ナノ結晶の中心の周りに放射状に分散されている。１つの殻が、殻と見なされる隣接する材料、または、ヘテロ構造と見なされるナノ構造を完全に覆っている必要はない。例えば、１つの材料の核を第２の材料が小島状に覆っていることによって特徴付けられるナノ結晶は、ヘテロ構造である。他の実施形態では、異なる材料の種類が、ナノ構造内の異なる位置において分散されている。例えば、ナノワイヤの主軸（長軸）に沿って、または、分かれしたナノ結晶のアームの長軸に沿って、複数の材料の種類が分散されていてよい。ヘテロ構造内の様々な領域は、完全に異なる材料を含んでいてもよいし、または、この様々な領域が１つの基材を含んでいてもよい。
【００２５】
ここで用いるように、「ナノ構造」とは、約５００ｎｍ未満の寸法、例えば約２００ｎｍ未満、約１００ｎｍ未満、約５０ｎｍ未満、または、さらに約２０ｎｍ未満の寸法を有する、少なくとも１つの領域または特徴的な寸法を有する構造である。典型的には、この領域または特徴的な寸法は、ナノ構造の最も小さい軸に沿うようになっている。このような構造の例には、ナノワイヤ、ナノロッド、ナノチューブ、分枝状のナノ結晶、ナノテトラポッド、トライポッド、バイポッド、ナノ結晶、ナノドット、量子ドット、ナノ粒子、分枝状のテトラポッド（例えば、無機デンドリマー）等が含まれる。ナノ構造は、材料特性においてほぼ均一であるか、または、特定の実施形態においては異質であり得る（例えば、ヘテロ構造）。ナノ構造は、例えば、ほぼ結晶質、ほぼ単結晶質、多結晶質、アモルファスであるか、または、これらを組み合わせたものであり得る。一態様では、ナノ構造の３つの寸法は、それぞれ、約５００ｎｍ未満の寸法、例えば、約２００ｎｍ未満、約１００ｎｍ未満、約５０ｎｍ未満、または、さらに約２０ｎｍ未満の寸法を有している。
【００２６】
本明細書に用いるように、「ナノワイヤ」という用語は、該して、少なくとも１つの断面の寸法が５００ｎｍ未満、好ましくは、約１００ｎｍであるか、または、これ未満であると共に、アスペクト比（長さ：幅）が１０よりも大きい、好ましくは５０よりも大きい、および、より好ましくは１００よりも大きい、任意の細長い導電性または半導電性の材料（または、本明細書に記載する他の材料）を指すものである。本発明の方法およびシステムの実施に際して用いられる典型的なナノワイヤは、長さが１０桁のミクロン（例えば、約１０、２０、３０、４０、５０ミクロンなど）であり、直径は約１００ｎｍである。
【００２７】
本発明のナノワイヤは、材料特性において、ほぼ均一であるか、または、特定の実施形態では、異質（例えばナノワイヤヘテロ構造）であってもよい。このナノワイヤは、基本的に、任意の好都合な１つの材料または複数の材料から製造されていることが可能であり、例えば、ほぼ結晶質、ほぼ単結晶質、多結晶質、または、アモルファスであってよい。ナノワイヤは、可変の直径を有していてもよいし、または、ほぼ均一な直径を有していてもよい。これはつまり、直径の差異は、最も変動が大きい領域では、少なくとも５ｎｍ（例えば、少なくとも１０ｎｍ、少なくとも２０ｎｍ、または、少なくとも５０ｎｍ）の線寸法に亘って、約２０％未満（例えば、約１０％未満、約５％未満、または、約１％未満）を示すということである。典型的には、この直径は、ナノワイヤの端部から算出されたものである（例えば、ナノワイヤの中心の２０％、４０％、５０％、または、８０％に亘って）。ナノワイヤは、その長軸の全ての長さ、または、一部に亘って、直線状であってもよいし、または、例えば曲線状または湾曲していてもよい。特定の実施形態では、ナノワイヤまたは該ナノワイヤの一部は、二次元または三次元の量子閉じ込めを示すことが可能である。本発明に係るナノワイヤには、明らかに、カーボンナノチューブは含まれてはおらず、特定の実施形態では、「ウィスカー」または「ナノウィスカー」、特に１００ｎｍよりも大きな直径、または、約２００ｎｍよりも大きな直径を有するウィスカーも除外される。
【００２８】
このようなナノワイヤの例には、国際特許出願公開第ＷＯ０２／１７３６２、ＷＯ０２／４８７０１、および、ＷＯ０１／０３２０８号に記載された半導体ナノワイヤ、カーボンナノチューブ、および、同様の寸法の他の細長い導電性または半導電性の構造が含まれる。これらを本願に引用して援用する。
【００２９】
ここで用いるように、「ナノロッド」という用語は、該して、ナノワイヤに似た任意の細長い導電性または半導電性の材料（または本明細書に記載する他の材料）に関するが、アスペクト比（長さ：幅）についてはナノワイヤのアスペクト比よりも少ない。２つまたはそれ以上のナノロッドを、これらの縦軸に沿って連結させて、この結合されたナノロッドが、電極の間を最初から最後まで伸びているようにしてもよいことに留意されたい。あるいは、２つまたはそれ以上のナノロッドを、実質的にこれらの縦軸に沿って並べるが連結せず、これら２つまたはそれ以上のナノロッドの端部間に小さな隙間が存在するようにしてもよい。この場合、電子は、１つのナノロッドから別のナノロッドまでホッピングして上記小さな隙間を横断することによって、１つのナノロッドから別のナノロッドまで流れることが可能である。実質的には、この２つまたはそれ以上のナノロッドが通路を形成するように、該ナノロッドを配列することができる。この通路によって、電子は電極間を移動可能である。
【００３０】
ナノワイヤ、ナノロッド、ナノチューブ、および、ナノリボンには、広範囲の種類の材料を用いることが可能である。該材料には、例えば、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｂ、Ｃ（ダイヤモンドを含む）、Ｐ、Ｂ−Ｃ、Ｂ−Ｐ（ＢＰ６）、Ｂ−Ｓｉ、Ｓｉ−Ｃ、Ｓｉ−Ｇｅ、Ｓｉ−ＳｎおよびＧｅ−Ｓｎ、ＳｉＣ、ＢＮ、ＢＰ、ＢＡｓ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＢｅＳ、ＢｅＳｅ、ＢｅＴｅ、ＭｇＳ、ＭｇＳｅｇ、ｅＳ、ＧｅＳｅｇ、ｅＴｅ、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＯ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、ＣｕＦ、ＣｕＣｌ、ＣｕＢｒ、ＣｕＩ、ＡｇＦ、ＡｇＣｌ、ＡｇＢｒ、ＡｇＩ、ＢｅＳｉＮ２、ＣａＣＮ２、ＺｎＧｅＰ２、ＣｄＳｎＡｓ２、ＺｎＳｎＳｂ２、ＣｕＧｅＰ３、ＣｕＳｉ２Ｐ３、（Ｃｕ、Ａｇ）（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｆｅ）（Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ）２、Ｓｉ３Ｎ４、Ｇｅ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）２（Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ）３、Ａｌ２ＣＯ、および、２つまたはそれ以上のこのような半導体を好適に組み合わせたものから選択された半導体材料が含まれる。
【００３１】
このナノワイヤはまた、金、ニッケル、パラジウム、イリジウム、コバルト、クロム、アルミニウム、チタン、スズ等といった金属、合金、ポリマー、導電性ポリマー、セラミックス、および／または、これらを組み合わせたもののような他の材料から形成されていてもよい。現在公知のまたは後に開発された、他の導電性材料または半導体材料を用いてもよい。
【００３２】
特定の態様では、半導体は、周期表の第III族元素からのｐ型ドーパント；周期表の第Ｖ族元素からのｎ型ドーパント；Ｂ、Ａｌ、および、Ｉｎから構成される群から選択されたｐ型ドーパント；Ｐ、Ａｓ、および、Ｓｂから構成される群から選択されたｎ型ドーパント；周期表の第２族元素からのｐ型ドーパント；Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｄ、および、Ｈｇから構成される群から選択されたｐ型ドーパント；周期表の第IV族元素からのｐ型ドーパント；ＣおよびＳｉから構成される群から選択されたｐ型ドーパント；、または、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓ、Ｓｅ、および、Ｔｅから構成される群から選択されたｎ型ドーパントから構成される群から選択された１つのドーパントを含んでよい。現在公知のまたは後に開発された、他のドーパント材料を用いてもよい。
【００３３】
さらに、ナノワイヤまたはナノリボンは、導電性または半導電性の有機ポリマー材料（例えばペンタセンおよび遷移金属酸化物）から形成された、カーボンナノチューブまたはナノチューブを含んでもよい。
【００３４】
従って、「ナノワイヤ」という用語を、説明のために、本明細書の全体に亘って用いているが、この表現には、ナノチューブ（例えば、内部に軸方向に形成された中空管を備えるナノワイヤに似た構造）の使用も含まれることを意図するものである。ナノチューブを、ここに記載するように、ナノワイヤのために複数のナノチューブだけを組み合わせて／薄膜状に形成するか、または、ナノワイヤと組み合わせて形成して、ここに記載する特性および利点を提供することが可能である。
【００３５】
当然ながら、ここに記載する空間描写（例えば、「〜の上方」、「〜の下方」、「上に」、「下に」、「上部」、「下部」等）は、専ら説明のためであって、本発明のデバイスは、空間的に任意の方向または任意の形態に配置可能である。
【００３６】
図１Ａは、単結晶の半導体ナノワイヤ核（以下「ナノワイヤ」と呼ぶ）１００を示す図である。図１Ａは、均一にドープされた単結晶のナノワイヤであるナノワイヤ１００を示す。このような単結晶のナノワイヤを、ｐ型半導体またはｎ型半導体中に、正しく制御してドープすることが可能である。ナノワイヤ１００のようなドープされたナノワイヤは、改善された電子物性を示す。例えば、このようなナノワイヤをドープすると、単結晶バルク材に相当するレベルのキャリア移動度を有することが可能である。
【００３７】
図１Ｂは、核−殻構造に従ってドープされたナノワイヤ１１０を示す図である。図１Ｂに示すように、ナノワイヤ１１０は、厚さのレベルが変動し得る、ドープされた表面層１１２を備えており、この表面層がナノワイヤ１１０の表面上の唯一の分子単層であってもよい。
【００３８】
図１Ｃは、核-殻-殻構造に従ってドープされたナノワイヤ１１４を示す図である。図１Ｃに示すように、ナノワイヤ１１４は、ドープされた表面層１１２および外殻層１１６を備えている。この表面層１１２は、厚さのレベルが変動し得ると共に、ナノワイヤ１１４の表面上の唯一の分子単層であってもよい。外殻層１１６として使用するための典型的な材料には、ＴａＡｌＮおよびＷＮが含まれるが、これらに限定されることはない。
【００３９】
絶縁殻の価電子帯が、ｐ型ドープされたワイヤ用の核の価電子帯よりも低くてもよいし、または、上記殻の伝導帯が、ｎ型ドープされたワイヤ用の核の伝導帯よりも高くてもよい。一般的に、この核のナノ構造は、任意の金属材料または半導体材料から構成されていることが可能であり、上記殻は、同一の材料または異なる材料から構成されていることが可能である。例えば、第１の核材料は、第II〜VI族の半導体、第III〜Ｖ族の半導体、第IV族の半導体、および、それらの合金から構成される群から選択された、第１の半導体を含むことが可能である。同様に、上記殻の第２の材料は、上記第１の半導体と同一または異なる、第２の半導体を含むことが可能である。この第２の半導体は、例えば、第II〜VI族の半導体、第III〜Ｖ族の半導体、第IV族の半導体、および、それらの合金から構成される群から選択されたものである。半導体の例には、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＣｄＳ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＨｇＴｅｇ、ａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＳｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＰｂＳｅ、ＰｂＳ、および、ＰｂＴｅが含まれるが、これらに限定されることはない。上述のように、金、クロム、スズ、ニッケル、アルミニウム等といった金属材料、および、それらの合金を、核材料として用いることが可能であり、この金属核は、二酸化シリコンまたは他の絶縁材のような適切な殻材料で上塗りされていてよい。
【００４０】
様々な材料に適用可能な多数の好都合な方法のうちのいずれかによって、ナノ構造を製造すると共にそのサイズを制御することが可能である。例えば、以下の文献には、様々な組成のナノ結晶の合成について記載されている。Peng et al.の「Shape Control of CdSe Nanocrystals」Nature 404，59-61（２０００年）、Puntes et al.の「Colloidal nanocrystal shape and size control: The case of cobalt」Science 291，2115-2117（２００１年）、「Process for forming shaped group III-V semiconductor nanocrystals, and product formed using process」と題するAlivisatos et al.のＵＳ特許第6,306,736号（２００１年１０月２３日）、「Process for forming shaped group II-VI semiconductor nanocrystals, and product formed using process」と題するAlivisatos et al.のＵＳ特許第 6,225,198（２００１年５月１日）、「Preparation of III-V semiconductor nanocrystals」と題するAlivisatos et al.のＵＳ特許第 5,505,928（１９９６年４月９日）、「semiconductor nanocrystals covalently bound to solid inorganic surfaces using self-assembled monolayers」と題するAlivisatos et al.のＵＳ特許第 5,751,018（１９９８年５月１２日）、「Encapsulated quantum sized doped semiconductor particles and method of manufacturing same」と題するGallagher et al.のＵＳ特許第 6,048,616（２０００年４月１１日）、および、「Organo luminescent semiconductor nanocrystal probes for biological applications and process for making and using such probes」と題するWeiss et al.のＵＳ特許第 5,990,479（１９９９年１１月２３日）。
【００４１】
様々なアスペクト比を有するナノワイヤの成長については、例えば次の文献に記載されている。このナノワイヤには、制御された直径を有するナノワイヤも含まれる。Gudiksen et al.の「Diameter-selective synthesis of semiconductor nanowires」J. Am. Chem. Soc. 122, 8801-8802（２０００年）、Cui et al.の「Diameter-controlled synthesis of single-crystal silicon nanowires」Appl. Phvs. Lett. 78, 2214-2216（２００１年）、Gudiksen et al.の（２００１年）「Synthetic control of the diameter and length of single crystal semiconductor nanowires」J. Phvs. Chem. B 105,4062-4064、Morales et al.の「A laser ablation method for the synthesis of crystalline semiconductor nanowires」Science 279, 208-211（１９９８年）、Duan et al.の「General synthesis of compound semiconductor nanowires」Adv. Mater. 12, 298-302（２０００年）、Cui et al.の「Doping and electrical transport in silicon nanowires」J. Phvs. Chem. B 104, 5213-5216（２０００年）、Peng et al.の「Shape control of CdSe nanocrystals」Nature 404, 59-61（２０００年）、Puntes et al.の「Colloidal nanocrystal shape and size control: The case of コバルト」Science 291, 2115-2117（２００１年）、「Process for forming shaped group III- V semiconductor nanocrystals, and product formed using process」と題するAlivisatos et al.のＵＳ特許第6,306,736号（２００１年１０月２３日）、「Process for forming shaped group II-VI semiconductor nanocrystals, and product formed using process」と題するAlivisatos et al.のＵＳ特許第6,225,198号（２００１年５月１日）、「Method of producing metal oxide nanorods」と題するLieber et al.のＵＳ特許第6,036,774号（２０００年３月１４日）、「Metal oxide nanorods」と題するLieber et al.のＵＳ特許第5,897,945号（１９９９年４月２７日）、Lieber et al.のＵＳ特許第5,997,832号「Preparation of carbide nanorods」（１９９９年１２月７日）、Urbau et al.の「Synthesis of single-crystalline perovskite nanowires composed of barium titanate and strontium titanate」J. Am. Chem. Soc., 124, 1186（２００２年）、および、Yun et al.の「Ferroelectric Properties of Individual Barium Titanate nanowires Investigated by Scanned Probe Microscopy」Nanoletters 2, 447（２００２年）。
【００４２】
分枝状のナノワイヤの成長（例えば、ナノテトラポッド、トライポッド、バイポッド、および、分枝状のテトラポッド）については、例えば次の文献に記載されている。Jun et al.の「Controlled synthesis of multi-armed CdS nanorod architectures using monosurfactant system」J. Am. Chem. Soc. 123, 5150-5151（２００１年）、および、Manna et al.の「Synthesis of Soluble and Processable Rod-,Arrow-, Teardrop-, and テトラポッドhaped CdSe Nanocrvstals」J. Am. Chem. Soc. 122, 12700-12706（２０００年）。
【００４３】
ナノ粒子の合成については、例えば次の文献に記載されている。「Method for producing semiconductor particles」と題するClark Jr. et al.のＵＳ特許第5,690,807号（１９９７年１１月２５日）、「ナノ粒子s of silicon oxide alloys」と題するEl-Shall, et al.のＵＳ特許第 6,136,156号（２０００年１０月２４日）、「Synthesis of nanometer-sized particles by reverse micelle mediated techniques」と題するYing et al.のＵＳ特許第6,413,489号（２００２年７月２日）、および、Liu et al.の「Sol-Gel Synthesis of Free-Standing Ferroelectric Lead Zirconate Titanate nanoparticles」J. Am. Chem. Soc. 123, 4344（２００１年）。ナノ結晶、ナノワイヤ、および、分枝状のナノワイヤの成長に関する上記の引例には、ナノ粒子の合成も記載されており、ここで、結果として生じるナノ構造は、約１．５未満のアスペクト比を有したものである。
【００４４】
核−殻ナノ構造のヘテロ構造の合成、つまりナノ結晶およびナノワイヤ（例えば、ナノロッド）の核−殻ヘテロ構造の合成については、例えば次の文献に記載されている。Peng et al.の「Epitaxial growth of highly luminescent CdSe/CdS core/shell nanocrystals with photostability and electronic accessibility」J. Am. Chem. Soc. 119, 7019-7029（１９９７）、Dabbousi et al.の「(CdSe)ZnS core-shell- quantum dots: Synthesis and characterization of a size series of highly luminescent nanocrysallites」J. Phvs. Chem. B 101, 9463- 9475（１９９７年）、Manna et al.の「Epitaxial growth and photochemical annealing of graded CdS/ZnS shells on colloidal CdSe nanorods」J. Am. Chem. Soc. 124, 7136-7145（２００２年）、および、Cao et al.の「Growth and properties of semiconductor core/shell nanocrystals with InAs cores」J. Am. Chem. Soc. 122, 9692-9702（２０００年）。同様の方法を適用して、他の核−殻ナノ構造を成長させることも可能である。
【００４５】
ナノワイヤの長軸に沿って、異なる位置に異なる材料を分散させる、ナノワイヤヘテロ構造の成長については、例えば次の文献に記載されている。Gudiksen et al.の「Growth of nanowire superlattice structures for nanoscale photonics and electronics」Nature 415, 617-620（２００２年）、Bjork et al.の「One-dimensional steeplechase for electrons realized」Nano Letters 2, 86-90（２００２年）、Wu et al.の「Block-by-block growth of single-crystalline Si/SiGe superlattice nanowires」Nano Letters 2, 83-86（２００２年）、および、「Nanowire heterostructures for encoding information」と題するEmpedoclesのＵＳ特許出願第60/370,095号（２００２年４月２日）。同様の方法を適用して、他のヘテロ構造を成長させることも可能である。
［電場配列および堆積］
［概要］
一実施形態において、本発明は、電磁場の存在下において、ナノワイヤを、懸濁した状態から、電極がパターン加工された基板上に配列および堆積させる方法、並びに、このような配列および堆積を実行する装置およびシステム（図２参照）を提供する。基板およびナノワイヤの界面化学によって、基板およびナノワイヤの両方に正味電荷が提供される。電極パターンを適切に選択することによって、ナノワイヤには電磁場勾配が生じ、該電磁場勾配によって正味の力がナノワイヤ上に加えられる。この正味の力によって、（例えば懸濁液中の）ナノワイヤを基板上の特定の位置に制御しながら動かすことが可能になる。上記電極はまた、ナノワイヤを分極させる交流（ＡＣ）電場を生成し、結果的に正味双極子モーメントが生じる。続いて上記ＡＣ電場がこの双極子にトルクをかけ、上記電場の方向に対して平行な角度配列が可能となる。電気的パラメータ、例えば周波数および振幅を適切に選択することによって、ナノワイヤは配列および捕獲され、電極の上にナノワイヤ（ＮＷ）の「ピン止め」または「関連付け」が行われる。関連付けされた状態では、ナノワイヤは、好適には電場に平行に配列されているが、電極の縁に沿って十分に移動可能であり、ナノワイヤを凝集させることなく、配列および関連付け動作の時間シーケンスに対応可能である。本発明はまた、ナノワイヤを電極上に「固定」または「結合」させる方法を提供する。結合された状態では、ナノワイヤは、それ以前の関連付けされた状態と同様に、配列された状態に維持されるが、電極の縁に沿った横方向の移動性は失われる。本発明はまた、望ましくない／結合されていない／配列していないナノワイヤを電極から「洗い流す」ための流量の制御を適切に選択することを提供する。乾燥プロセスによって溶媒を除去して、表面のＮＷ同士を静電気的に「粘着」させることが可能である。
［理論的考察］
電場配列の背後にある理論に関するさらなるいくつかの背景を提供するために、以下の章を記載する。当然ながら、本発明は、ここに記載する理論を抑制または制限するものではなく、当業者は、ここに記載する理論だけでなく他の理論も、本発明に適用可能であることを容易に認識するであろう。
【００４６】
図３に概略的に示したように、外部電場
【００４７】
【数１】
2010506744.tif 000003
【００４８】
によって、ナノワイヤ２０８内には電荷分離が生じる。この電荷分離は、（例えば導体内の）可動性の電荷、または、（例えば誘電体内の）双極子モーメントが原因となって生じ得るものである。この分離された電荷は、ナノワイヤの内部に誘導電場
【００４９】
【数２】
2010506744.tif 000004
【００５０】
を形成する。この誘導電場は、上記外部電場の反対の方向にあり、次の式によって定められる規模を有している。
【００５１】
【数３】
2010506744.tif 000005
【００５２】
関数ｆ（ε）は、ナノワイヤの分極率の尺度であり、材料の誘電率εによって決定されるものである。ｆ（ε）の値の上限および下限は、外部電場を完全に補償する材料と補償する誘導電場を有していない材料との両極端な場合にそれぞれ相当する。可動性の電荷（例えば金属）または双極子モーメント（例えば誘電体）を含有する材料では、この誘導電場は、外部電場を補償して、結果的に０になるか、または、内部電場を低減させる。外部からは、電荷分離または双極子モーメントの方向が、誘導双極子モーメントを生じさせる。ナノワイヤの誘導双極子モーメント
【００５３】
【数４】
2010506744.tif 000006
【００５４】
（本明細書全体を通して用いるように、太字の下線を付した記号はベクトルを示し、方程式内のこれらの記号に相当する）は、外部の電場の方向に沿って方向付けられており、その規模は、ナノワイヤの分極率κ（ω）、ナノワイヤの容積Ｖ、および、電場（Ｅ−ｆｉｅｌｄ）の強さＥに比例している。
【００５５】
【数５】
2010506744.tif 000007
【００５６】
均一な電場が、次の式によって定められる誘導双極子モーメントに、回転トルク
【００５７】
【数６】
2010506744.tif 000008
【００５８】
を与える。
【００５９】
【数７】
2010506744.tif 000009
【００６０】
図４に示すように、このトルクは、結果的に、電場の方向に平行に配列されるナノワイヤ２０８の方向をエネルギー的に安定させる。非均一な電場が、次の式によって定められる誘導双極子モーメントに並進力
【００６１】
【数８】
2010506744.tif 000010
【００６２】
（誘電泳動性の）を与える。
【００６３】
【数９】
2010506744.tif 000011
【００６４】
方程式（１．２）と（１．４）とを組み合わせて、誘電泳動力を次のように表すことができる。
【００６５】
【数１０】
2010506744.tif 000012
【００６６】
ナノワイヤ２０８（図５参照）上の誘電泳動力は、二次電場規模の勾配、電場周波数ω、ナノワイヤ伝導率σＮＷ、ナノワイヤ誘電率εＮＷ、溶媒誘電率εｍ、および、ナノワイヤの形状（半径ｒおよび長さＬ）によって決定される。分極関数の実数部は、次の式によって定められる。
【００６７】
【数１１】
2010506744.tif 000013
【００６８】
上記分極関数の周波数依存により、２つの異なる周波数範囲（低周波数限界および高周波数限界）が生じる。これらの範囲内では、誘電泳動力がＮＷの２つの異なる特性（伝導率および誘電率）に結び付く。これら２つの範囲の間の遮断周波数は、溶媒特性または媒質特性によって定められる。
【００６９】
【数１２】
2010506744.tif 000014
【００７０】
ｆ<<ｆｃの場合、上記分極関数の低周波数限界は、次の式によって定められる。
【００７１】
【数１３】
2010506744.tif 000015
【００７２】
この周波数範囲においては、誘電泳動力は、溶媒伝導率に規格化されたＮＷの伝導率に比例している。ｆ>>ｆｃの場合、上記分極関数の高周波数限界は、次の式によって定められる。
【００７３】
【数１４】
2010506744.tif 000016
【００７４】
この周波数範囲においては、誘電泳動力は、溶媒伝導率に規格化されたＮＷの伝導率に比例している。図６には、長さが異なるＮＷの２つの場合についての、分極関数の一般的な周波数依存が示されている。ＮＷの伝導率が適切である低周波数範囲では、分極関数はＮＷの長さに依存していないが、高周波数範囲では、分極関数は、そのＮＷ誘電率に依存しているため、〜１／Ｌ２となっている。図７には、ＮＷの長さは一定であるが、伝導率が異なる２つＮＷ（核−殻（ＣＳ）（Ｓｉ）対核−殻−殻（ＣＳＳ）（Ｓｉ−ＴａＡｌＮ））の場合についての、分極関数の一般的な周波数依存が示されている。低周波数範囲では、分極関数は、〜σＮＷであり、高周波数範囲でも、分極は、ＮＷ誘電率に依存しているため、同じく〜σＮＷである。
［好適な実施形態］
一実施形態において、本発明は、１つまたは複数のナノワイヤを配置する方法を提供する。好適な実施形態では、これら方法は、１つまたは複数のナノワイヤを１つの電極対の近傍に供給する工程を含む。その後、この電極対に電圧を与え、これによってナノワイヤを該電極対に関連付ける。その後、電極対への電圧供給を調節し、これによって、ナノワイヤを電極対の上に結合させる。
【００７５】
明細書全体を通して用いる「配置する」という用語は、ナノワイヤを基板上に、例えば１つの電極対に、配列および関連付けること、および、堆積または結合させることを指す。この配置することには、配列されたナノワイヤおよび配列されていないナノワイヤの両方が含まれる。明細書全体を通して用いる「配列」という用語は、互いにほぼ平行なナノワイヤ、または、互いに同一の方向またはほぼ同一の方向に方向付けられたナノワイヤ（つまり、複数のナノワイヤが同じ方向に配列されているか、または、互いに約４５°以内に配列されている）に関する。好適には、本発明のナノワイヤは、全てが互いにほぼ平行、且つ、電極対の各電極にほぼ垂直であるように配列される（さらなる実施形態では、複数のナノワイヤは１つの電極に平行に配列され得るが）。ナノワイヤを１つの電極対上に配置することは、好適には、ナノワイヤが電極対にかかるようにナノワイヤを配置すること、つまり、これら２つの電極の間では、ナノワイヤの長さが実質的に余った状態で、該ワイヤが電極対の両電極に接触するように（該ワイヤが、１つの電極だけに接触するようにしてもよいが）ナノワイヤを配置することを含む。ナノワイヤのほうが、電極対の２つの電極を分離している間隔よりも長い実施形態では、ナノワイヤは、これら電極を越えて伸びていてよい。
【００７６】
本発明の方法およびシステムにおいて用いるためのナノワイヤを供給する方法は、従来技術において公知である。好適には、ナノワイヤは懸濁液中に供給されており、これはつまり、液体（つまりナノワイヤ「インク」）中に懸濁された１つまたは複数のナノワイヤ、好適には複数のナノワイヤを含むナノワイヤの懸濁液である。好適には、この液体は、水または水の溶液、イオン（塩を含む）、および、例えば界面活性剤のような他の成分といった水媒体である。ナノワイヤ懸濁液の調合に適した液体のさらなる例には、有機溶媒、無機溶媒、アルコール（例えばイソプロピルアルコール）（ＩＰＡ）等が含まれるが、これらに限定されることはない。
【００７７】
ここで用いるように、ナノワイヤを供給することに関する「電極対の近傍」という表現は、電極対において生成された電場がナノワイヤに作用することが可能なように、ナノワイヤを供給するまたは配置することを意味している。好適には、これは、ナノワイヤが電極に関連付けされると共に結合されることが可能な、電極対からの距離のことである。より具体的な実施形態では、ナノワイヤが電極対から約１００μｍ未満離れているように、ナノワイヤを供給する。例えば、ナノワイヤが電極対から約１００μｍ未満、約１００μｍ未満、約５０μｍ未満、約１０μｍ未満、または、約１μｍ未満にあるように、ナノワイヤを供給する。
【００７８】
好適な実施形態において、本発明は、ナノワイヤを配列および堆積させるシステムまたは装置を提供する。典型的な装置２００を図２に示す。装置２００は、好適には、１つまたは複数の電極が配置された（例えばパターン加工された）表面を有する基板２０２を、好適には、陽極２０４および陰極２０５が電極対２０７を形成する構成において備えている。基板２０２は、任意の好適な材料、例えば半導体ウェハまたは誘電体を含む。好適な基板材料の例には、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、および、ここに記載する他の半導体材料が含まれるが、これらに限定されることはない。陽極２０４および陰極２０５として使用するための典型的な材料には、Ａｌ、Ｍｏ（モリブデン電極）、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｒ／Ａｕ等が含まれるが、これらに限定されることはない。本発明の実施において使用するための電極は、その表面に、酸化物被膜または酸化物層をさらに含んでもよい。
【００７９】
本発明の方法に従って、任意の材料のナノワイヤを配列および堆積させることが可能である。好適には、ナノワイヤは、半導体核と該核の周囲に配置された１つまたは複数の殻層とを含む（つまり上記殻層が上記核を包囲している）。好適な半導体材料および殻材料の例には、明細書全体を通して説明する材料が含まれる。好適な実施形態では、上記核は、Ｓｉおよび少なくとも１つの殻層を含み、好適には、最外の殻層（つまり、外部環境に接触している殻層）は、ＴａＡｌＮまたはＷＮといった金属を含んでいる。金属殻層のさらなる例には、明細書全体を通して説明する材料が含まれる。本発明の実施において使用するための典型的なナノワイヤは、核：殻（ＣＳ）ナノワイヤ（例えばＳｉＯ２）、核：殻：殻（ＣＳＳ）ナノワイヤ（例えばＳｉＯ２：金属）、および、核：非酸化物殻：金属殻ナノワイヤ（ＣＮＯＳ）（例えばＳｉ：金属）を含む。さらなる実施形態では、さらなる殻（例えば、３つ、４つ、５つ、６つ、７つ等の殻）を、例えば核：殻：殻：殻（ＣＳＳＳ）ナノワイヤを生成するナノワイヤに加えてもよい。好適な実施形態では、外殻を加えて、ナノワイヤのゼータ電位を改善する。一般的には、負のゼータ電位（一般的には規模が大きい）が望ましく（正のゼータ電位を用いてもよいが）、従って、このようなゼータ電位を生成するために、最後の殻層を加えることが可能である。例えば酸化物層を、このナノワイヤの最後の殻層として加えてもよい。好適な実施形態では、最後から２番目の外殻は、窒化タングステンまたは窒化タンタルといった金属窒化物であってよい。その後、この殻を酸化させて、ナノワイヤ上に最終の金属酸化物外殻または金属酸窒化物外殻を形成する。さらなる実施形態では、ポリシリコンまたはポリシリコンの酸化物を、最終の殻層として加えて、ナノワイヤのゼータ電位の制御に役立てることが可能である。
【００８０】
図２に示すように、好適な実施形態では、複数の電極対２０７は、これらが基板に付着または固定されるように、基板２０２上にパターン加工されている。他の実施形態では、電極対２０７を、基板２０２上に積層するだけで、実際には表面に付着しないようにしてもよい。電極対２０７を好適に配向してもよいし、または、電極対２０７を好適にパターン加工してもよい。図２に示すように、装置２００はまた、流路２０６（例えば（透視図に示した）２つの側面および１つの上面）を形成する複数のさらなる材料をさらに含むことが可能である。流路２０６は、ナノワイヤの懸濁液が装置に加えられた時の、流体の量および位置を制御する機構を提供するものである。しかしながら、本発明の配列および堆積方法を実施するために必ずしも流路が必要であるわけではないことを留意されたい。流路２０６は、任意の好適な材料、例えば半導体または誘電体を用いて形成されていてよく、好適な実施形態では、流路２０６は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）から形成されている。
【００８１】
上述のように、好適には、ナノワイヤの懸濁液（例えば、ナノワイヤ「インク」）を装置２００に供給または導入することによって、１つまたは複数のナノワイヤ２０８を供給する。図２に示すように、好適には、ナノワイヤ懸濁液は、ナノワイヤ２０８を基板表面２０２および電極対２０７の上に流す（矢印は流れの典型的な方向（他の方向も用いられるが）を示すものである）ことによって、および／または、加圧式流路充填技術を利用することによって供給される。この供給段階の間は、ナノワイヤ懸濁液は流路２０６の中で保持される。ナノワイヤを供給する時に、懸濁液が流路２０６を介しておよび電極対２０７の上を流れることによって、ナノワイヤの配列、好適には流れの方向（例えば図２に示した矢印）における配列が助長される。好適な実施形態では、流路２０６を逆にして、重力の作用を制限または排除することが可能である（つまり電極は、流路の底部ではなく上部にあり、従ってナノワイヤは重力によって電極に定着することはない）。ナノワイヤを電極対に供給するさらなる方法は従来技術において公知であり、該方法には、スプレーコータ、吹き付けコータ、メニスカスコータ、浸漬コータ、バーコータ、グラビアコータ、マイヤーロッド、ドクターブレード、押し出し、マイクログラビア、ウェブコータ、ドクターブレードコータ、インライン印刷機またはインクジェット印刷機（例えばＵＳ特許第6,936,761号および第6,358,643号参照されたい。これら各特許の開示内容を、本願に引用して援用する）が含まれるが、これらに限定されることはない。
【００８２】
ナノワイヤを（例えばナノワイヤの懸濁液を流路２０６に導入することによって）電極対に供給する時に、電極対に電圧を与えて、電極対の間に電場を生成することによってナノワイヤを電極対に関連付ける。この電場は、ナノワイヤ生成／導入の期間の前、後、または、該期間の最中に生成されるものであることに留意されたい。ここで用いるように、「電場」および「電磁場」という用語は、交換可能に用いられ、電荷の近傍における荷電された対象物に加えられる力のことを指す。ここで用いるように、「電極対に電圧を与える」または「電圧を与える」という用語は、電流を電極に供給して、電極対の両電極間に電場を生成させる任意の好適な機構またはシステムに関する。
【００８３】
好適には、電極対に電圧を与えて電場を生成することは、配列および堆積プロセスの一部の工程の間、または、全工程の間に、交流（ＡＣ）電場を生成させること（直流（ＤＣ）電場を用いてもよいが）によって行う。本発明の好ましい実施形態では、電流を電極に印加することによって、電極対（つまり２つの電極）の間に電場を生成する。例えば、陰極２０５は、直接電気的接続（つまりワイヤまたは他の接続）を介して陰端子２１０に接続されていることが可能である。この陰端子には、電源の陰極が取り付けられている。同様に陽極２０４は、直接電気的接続（つまりワイヤまたは他の接続）を介して陽端子２１２に接続されていることが可能である。この陽端子には、電極源の陽極が取り付けられている。電流がオン状態になると、陰端子および陽端子は、電荷を基板上に配置されている電極まで移動させ、これによって、電極対２０７間に電場が生成される。さらなる実施形態では、電場は、パルス状の電場、例えばパルス状のＡＣ電場であってよい。
【００８４】
電極対に電圧を与えて電場を生成することは、電極対２０７に電磁波を供給することによっても可能である。従来技術において公知であるように、様々な寸法および様々な構成（例えば、円筒型、長方形）の導波管を適切に用いて、電磁波を導くと共に供給することが可能である（例えば、Guru, B. S. et al.の「Electromagnetic Field Theory Fundamentals」10章，PWS Publishing Company，ボストン，MA（１９９８年）参照）。本発明の実施に際して用いるための導波管の使用周波数は、当業者によって容易に決定され、好ましくは、約１００ＭＨｚから１０ＧＨｚの範囲内、より好適には約１ＧＨｚ〜５ＧＨｚ、約２〜３ＧＨｚ、約２．５ＧＨｚ、または、約２．４５ＧＨｚである。
【００８５】
ナノワイヤが、様々な電極対の間において生成されたＡＣ電場に接触すると、場の勾配が生じる。これについては上記し図３および５に示す通りである。ナノワイヤの中には正味の双極子モーメントが形成され、該双極子にはＡＣ電場によってトルクがかけられ、結果的にナノワイヤは、電場の方向に平行に配列する（図３）。一実施形態では、その後、本発明は、１つまたは複数の電極対の上にナノワイヤを配列する方法を提供する。本発明の配列および堆積方法は、ＣＳ、ＣＳＳ、および、ＣＮＯＳを含む任意のナノワイヤの組成に利用可能であることに留意されたい。
【００８６】
好適な実施形態では、電極対の２つの電極は、ナノワイヤの長軸の長さよりも短い間隔、または、該長軸の長さと同一の間隔によって分離されている。任意の長さのナノワイヤを、本発明の方法を用いて配列および配置させることが可能である。好適には、電極対の電極間の間隔は、ナノワイヤがこの電極の第１のエッジをちょうど超える程度に伸びた長さである。つまり、電極間の間隔は、堆積されたナノワイヤの長さとほぼ同一であり、好ましくはそれよりも短い。図８ａ〜８ｄ、９ａ〜９ｂ、および、１０ａ〜１０ｃに示すように、ナノワイヤは、好適には、上記第１のエッジをちょうど超える程度、且つ、電極の中心まで伸びており、ナノワイヤの先端では、数十ナノメータから数ミクロンだけ電極材料に重なり合っている。電極間の間隔よりも短いナノワイヤは、電極対の一方の電極だけに結合することが可能であり（仮にこれらが結合するとしても）、好適には、次の除去段階の間に除去される（なぜなら、電極とナノワイヤとの間には１つの接点しか存在しないからである）。同様に、電極対の電極間の間隔よりも実質的に長いナノワイヤは、１つまたは複数の電極を越えて突き出ており、好適には、次の除去段階の間に除去される（露出表面積がより大きい）。従って、本発明の方法はまた、一連のサイズのナノワイヤの懸濁液から特定の長さのナノワイヤを優先的に選択して、これらを電極対上に配列および堆積させる手段を提供する。
【００８７】
本発明の方法は、折れ曲がったりまたは湾曲したナノワイヤではなく、「まっすぐ」なナノワイヤを優先的に関連付けると共に結合させることも確認された。従って、本発明はまた、好ましくない折れ曲がったりまたは湾曲したナノワイヤでなく、好ましくはまっすぐなナノワイヤを堆積させることに付加利益を提供するものである。
【００８８】
さらなる実施形態では、本発明の様々な実施形態において用いられる複数の電極は、異なるサイズおよび形状であってよく、異なる方向に方向付けられていてもよい。例えば、電極対２０７の第１の電極（例えば２０４）は、電極対２０７の第２の電極（例えば２０５）よりも大きなナノワイヤ接触表面積を含んでいてもよい。ここで用いるように、「大きなナノワイヤ接触表面積」とは、電極対の一方の電極が電極対の他方の電極よりも大きな表面積を有しており、従って、電極対に関連付け／結合されたナノワイヤは、より大きな第１の電極の表面積に接触していることを意味している。より大きなナノワイヤ接触表面積を有する電極を用いることによって、電極間の間隔よりも長いナノワイヤ、および、電極対の電極間の間隔とほぼ同一のナノワイヤは、互いにほぼ平行に並ぶことが可能になる。従って、電極対の一方の電極よりも大きなナノワイヤ接触表面積を有する電極を利用することによって、通常は整列していないか、または、交差しているナノワイヤをほぼ平行に配列することが可能であり、これによって、様々な長さを有する全てのナノワイヤの関連付けおよび結合が可能になる。
【００８９】
ナノワイヤをＡＣ電場に平行に配列することに加えて、電場の勾配がナノワイヤに誘電泳動力をかけて、該ナノワイヤを電極対に引き付ける。図５に概略的に示したように、この勾配は電極対において最も高くなり、電極に引き付ける力は増大する。電極対の各電極の表面には、電気的ニ重層が形成されており、そのため、電極には逆帯電したイオンが存在している。電場の存在下で、このイオンは、電極から移動して、まず上方に浮かんでいるナノワイヤに向かう。逆帯電したナノワイヤにイオンが接近すると、イオンは、同種の電荷によって退けられて電極に差し戻され、結果的にイオンの循環パターンを生じさせる。そこに在る液体（つまりナノワイヤ懸濁液）も循環して、電気浸透力を生成する。この電気浸透力は、ナノワイヤを電極に引き付ける誘電泳動力に対立する力である。これら２つの力が均衡（または比較的均衡）に達すると、ナノワイヤは所定の位置に保持され、該ナノワイヤは電極対に関連付けられる。ここで用いるように、「関連付けられる」および「ピン止めされる」という用語は、電気浸透力および誘電泳動力が均衡な状態におけるナノワイヤを示すものであり、この状態では、ナノワイヤは、電極対から（つまり基板および電極対に対して垂直またはほぼ垂直に）基本的に動かないか、または、ほとんど動かない。これを、明細書全体を通して「関連付け段階」とも呼ぶ。
【００９０】
関連付けられた、または、ピン止めされた状態では、ナノワイヤは、好適には電場に対して平行に配列されるが、電極の縁（換言すれば、電極の表面よりもわずかに上方の平面）に沿って、十分移動可能である。例えば図８ａは、１つのセットである４つの電極対（２０４および２０５）を示し、各電極対は、電極に関連付けられた、または、固定された複数のナノワイヤ２０８を含んでいる。図８ａには、電場の方向が示されている（電場は任意の方向に存在することが可能であるが、一般的には、電極にほぼ垂直の方向に存在している）。図８ａに示すように、大部分のナノワイヤは、電場に対して平行方向（つまり電極を横切る方向または電極に対して垂直）に配列されている。ナノワイヤの液体懸濁液を基板および電極に供給する実施形態では、流体の流れの方向もナノワイヤの配列に有用である。好適な実施形態では、流体の流れの方向は、電場の方向と同一であるか、または、ほぼ同一である（この流体の流れおよび電場は反対の方向であり得るが、それでもナノワイヤを電場に対して、平行および異なる方向に配列することに有用である）。
【００９１】
関連付けされたまたは固定された状態では、ナノワイヤは、自由に、再配置、移動、および／または、電極の長さに沿って配列される。既に電場と揃って配列されているナノワイヤは、最も近い隣接物に接触するまで、および／または、最も近い隣接物によって退けられるまで、電極対に沿って移動する傾向にある。実質的に配列されていないナノワイヤは、最も隣接したナノワイヤに接触するか、または、最も隣接したナノワイヤによって退けられるか、もしくはその両方によって並ぶように移動する傾向にあり、ナノワイヤ上に作用する様々な力の間に均衡が得られる。ナノワイヤが横方向（つまり電極対に沿って、電場方向に垂直）に移動することによって、ナノワイヤは、凝集することなく、配列および関連付けイベントの時間シーケンスに対応することが可能になる。すなわち、ナノワイヤが（懸濁液から）電極対に連続的に供給されると、既に関連付けられているナノワイヤは、邪魔にならないよう自由に移動して、さらなるワイヤを調整するので、さらなるナノワイヤが電極に関連付けられることが可能である。
【００９２】
図９ａは、一連の１１個の電極対を示す図である。これら各電極対は、電極にかかっている少なくとも１０個のナノワイヤを含んでいる。通常、これらのナノワイヤは、ほぼ同一の方向に配列され、全てのナノワイヤは、所定の１つの電極対に、あるとすればほんの少しのほぼ同一の分離間隔で離間されているか、または、重なり合っているか、または、凝集し合っている。図９ｂは、一連の１０個の電極対を示す図であり、これら各電極対におけるナノワイヤの密度は著しく高い（各電極対に少なくとも約２０〜３０個のナノワイヤ）。関連付けられて、最終的に電極に結合され得るナノワイヤの密度は、供給されたナノワイヤの本数（例えば懸濁液中のナノワイヤの密度）、電極の寸法、および、電極対の数によって決定される。典型的なナノワイヤの密度は、０．５μｍ毎に約１本のナノワイヤから、１００μｍ毎に約１本のナノワイヤまでであり、好適な密度範囲は、１本のナノワイヤ毎に約１〜５μｍである。
【００９３】
好適には、約５Ｈｚから約５ｋＨｚの周波数、好適には約１０Ｈｚから約５ｋＨｚ、約１０Ｈｚから約２ｋＨｚ、約１０Ｈｚから約１ｋＨｚ、約１００Ｈｚ、約２００Ｈｚ、約３００Ｈｚ、約４００Ｈｚ、約５００Ｈｚ、約６００Ｈｚ、約７００Ｈｚ、約８００Ｈｚ、または、約９００Ｈｚの周波数において（他の周波数を用いることも可能であるが）、交流が生成されると、ナノワイヤの電極対への関連付けが行われる。好適には、ナノワイヤを電極対に関連付けるために生成されるＡＣ電場の振幅は、約０．１Ｖから約５Ｖ、好適には約０．５Ｖから約３Ｖ、約０．５Ｖから約２Ｖ、約０．６Ｖ、約０．７Ｖ、約０．８Ｖ、約０．９Ｖ、約１．０Ｖ、約１．１Ｖ、約１．２Ｖ、約１．３Ｖ、約１．４Ｖ、約１．５Ｖ、約１．６Ｖ、約１．７Ｖ、約１．８Ｖ、または、約１．９Ｖである。本明細書を通して電場の振幅の値について言及する時は、電圧値（Ｖ）は、ピークツーピーク電圧（Ｖｐ−Ｐ）を示すものである。組成がＣＳＳおよび／またはＣＮＯＳであるナノワイヤを関連付ける時には、この範囲を用いることが好適である。
【００９４】
ナノワイヤを電極対に関連付けた後、電極対への電圧供給を調節する工程を用いて、ナノワイヤを電極対の上に結合させる。この電極対を調節する工程は、好適には、電極対の間のＡＣ電場を調節することを含む。ここで用いるように、「調節する」または「調節」という用語は、電圧供給を変更または調整することを意味している。例えば、電磁波の周波数、または、振幅、または、周波数および振幅、電場、若しくは、電気信号を調節することが可能である。「変更」および「調節」という用語は、電圧供給（例えば電場または信号）を増大および減少させることを含む。例えば、ＡＣ電場の調節は、周波数調節、振幅調節、および、これらを組み合わせたもの（異なる時間に行われようとも、同時に行われようとも）を含むことが可能である。調節には、周波数と振幅とを増大させること、周波数を増大させて振幅を低減させること、および、周波数を低減させて振幅を増大させること、および、振幅と周波数とを低減させることが含まれる。これら増大および／または低減のタイミングは、同時に発生してもよいし、異なる時間に発生してもよい。
【００９５】
好適には、電極対間への電圧供給（例えばＡＣ電場）を調節することによって、ナノワイヤを、電極対上に結合または「固定」する。ここで用いるように「結合」または「固定」という用語は、ナノワイヤが電極に強力に引き付けられているので、周波数を連続的に調節している間またはフロー条件下（通常は穏やかな流れ）において、ナノワイヤが連続的に移動またはシフトせず、その配列された状態で維持されている状態を指す。次の論理と結びつけることは望ましくないが、ＡＣ電場を調節するとすぐに、図１１に示した対向し合う力（誘電泳動力および電気浸透力）間の均衡はシフトされ、誘電泳動力は、電気浸透力よりも大きくなり、従って、ナノワイヤは、上述の「関連付け段階」の場合よりも、電極により近くなると推定される。ナノワイヤが電極からの臨界距離に達すると、ファンデルワールス力のような局部的な力は、ナノワイヤを電極に結合させるのに十分な程度に強力になる。図１１に示すように、電極対（２０４、２０５）に結合または固定されたナノワイヤ２０８はほぼ動かない。図８ｂは、ＡＣ電場の調節（関連付け段階から結合段階への変化）の後の、図８ａに示した電極対と同一の４つの電極対の顕微鏡写真である。ＡＣ電場をナノワイヤの結合が生じる周波数および／または振幅に調節した直後に、ナノワイヤは電極に引き付けられ、その後、実質的に動かなくなる。図８ｂに示すように、顕微鏡写真の中では、電極の表面に接触すると共にファンデルワールスの引力（または他の力）によって電極に結合されたワイヤの端部は、白熱しているように見える（図８ｂの矢印）。このプロセスのビデオはワイヤが移動、再配置、配列することはもう不可能であるか、または、そうでなければ図８ａの関連付け段階のようには動くことが出来ないことを示している。
【００９６】
電極対への電圧供給を調節すること、好適にはＡＣ電場の周波数を調節することは、電場の周波数を（上述の関連付け段階の周波数から）約１ｋＨｚから約５００ｋＨｚの範囲、好適には約１ｋＨｚから約４００ｋＨｚ、約１ｋＨｚから約３００ｋＨｚ、約１ｋＨｚから約２００ｋＨｚ、約１ｋＨｚから約１００ｋＨｚ、約１０ｋＨｚから約１００ｋＨｚ、約２０ｋＨｚから約１００ｋＨｚ、約３０ｋＨｚから約１００ｋＨｚ、約４０ｋＨｚから約１００ｋＨｚ、約５０ｋＨｚから約１００ｋＨｚ、約６０ｋＨｚから約１００ｋＨｚ、約７０ｋＨｚから約１００ｋＨｚ、約８０ｋＨｚから約１００ｋＨｚ、約９０ｋＨｚから約１００ｋＨｚ、または、約１００ｋＨｚに増大させることを含む。同然ながら、ここに記載した範囲よりも上の他の周波数範囲を利用してもよい。周波数の調節はまた、ＡＣ電場の周波数を低減させること、例えば、該周波数を約１Ｈｚから約１０Ｈｚに低減させることを含む。
【００９７】
ＡＣ電場の振幅を調節することはまた、電場の振幅を（上述の関連付け段階の電場の振幅から）、約２Ｖから約２０Ｖの範囲に、好適には約２Ｖから約１０Ｖ、約３Ｖ、約４Ｖ、約５Ｖ、約６Ｖ、約７Ｖ、約８Ｖ、または、約９Ｖに増大させることを含む。当然ながら、ここに記載した範囲よりも上の他の振幅の範囲を利用してもよい。振幅を調節することはまた、ＡＣ電場の振幅を低減させること、例えば、振幅を約０．０１から０．１Ｖに低減させることを含む。
【００９８】
本発明の好適な実施形態では、ＡＣ電場の周波数および振幅を、同時に、または、ほぼ同時に（例えば、互いに数分のうちに）調節する。例えば、周波数および振幅を、関連付け段階中に用いた値から増大させることによって、ナノワイヤを電極上に結合させることが可能である。例えば、関連付け段階で用いた周波数および振幅の範囲は、例えば、約１０Ｈｚと約１ｋＨｚとの間、および、約０．５Ｖと２Ｖとの間であるが、これらを、ナノワイヤが電極上に結合する範囲、例えば、約１ｋＨｚと約１００ｋＨｚとの間、および、約２Ｖと約１０Ｖとの間まで増大させてもよい。好適な実施形態では、関連付け段階中に利用された周波数値および振幅値、例えば約５００Ｈｚおよび１Ｖを、約１０ｋＨｚまたは約１００ｋＨｚ、および、約４Ｖに調節する。
【００９９】
本発明のさらなる実施形態では、周波数および振幅を別々に調節することが可能である。つまり、例えば最初に、電場の周波数を関連付け段階中に利用した値からより高い周波数に増大させて、その少し後に電場の振幅を増大させることが可能である（または周波数の前に振幅を調節してもよい）。例えば、周波数を増大させてから約数秒後、約数分後、または、約何分か後（例えば、５分、１０分、２０分、３０分、４０分後）に、振幅を増大させてもよい。好適には、関連付け段階で用いた周波数および振幅の範囲、例えば、約１０Ｈｚと約１ｋＨｚとの間、および、約０．５Ｖと２Ｖとの間の範囲を、ナノワイヤが電極上に結合する範囲、例えば、約１ｋＨｚと約１００ｋＨｚとの間、および、約２Ｖと約１０Ｖとの間まで増大させてもよい。
【０１００】
本発明のさらなる一実施形態では、振幅を調節する前に周波数を調節する工程を用いて、ナノワイヤが最終的に電極上に結合する前に該ナノワイヤをさらに配列させることが可能である。例えば、周波数だけを例えば約１０ｋＨｚから約１００ｋＨｚまで増大させて、その一方で、振幅を関連付け段階のレベル、例えば約０．５Ｖと２Ｖとの間、好適には約１Ｖで維持することによって、関連付け段階で用いた周波数および振幅の範囲、例えば約１０Ｈｚと約１ｋＨｚとの間の範囲を最初に調節することが可能である。電場の振幅を比較的低い振幅（例えば、１Ｖピークツーピーク）に維持して、その後、周波数を約５００Ｈｚから最大約１００ｋＨｚまで変化させることによって、電極に関連付けられるナノワイヤが移動および再配置され、その結果、これらが関連付け段階よりも良好な配列を得る場合がある（つまり互いに平行でないワイヤが交差したり、または、角度を成している場合が少なくなる）ことが確認された。
【０１０１】
このようにして周波数を調節する（例えば増大させる）ことによって、関連付け段階において交差していたり、または、互いに接触し合っているナノワイヤの交差が元に戻ったり、または、もつれが解かれたりすることについては既に言及した。電極の表面に、十分な空間が存在すると仮定すると（つまり密度はそれほど高くない）、ナノワイヤの交差は元に戻り、多数のナノワイヤは、調節の前よりも調節の後に平行になるように再配置され得る。例えば、図１０ａおよび１０ｂに示すように、図１０ａ（矢印）において最初は交差していたナノワイヤは、調節配列段階の間に移動および再配置されることが可能であり、図１０ｂでは交差が解かれた状態になる。この段階のことを、明細書全体を通して「調節配列」と呼ぶ。この段階は、関連付け段階中に行われる配列とは別の一配列段階である。この調節配列段階は、本発明の実施に際しては重要ではなく、省略して、本発明の方法を、直接、関連付け段階から結合段階まで進めてもよいことに留意されたい。
【０１０２】
調節配列段階（もし用いるならば）の間にナノワイヤが十分に配列された後、振幅を調節して、ワイヤを電極上に結合させる（図１０ｃ参照。ナノワイヤが電極上に結合されたナノワイヤの先端は、強烈に明るいことに留意されたい）。調節配列段階の後には、さらなる周波数調節を行う必要はないが、ナノワイヤを電極上に結合させるために、さらなる周波数調節を用いてもよいことに留意されたい。好適な実施形態では、電場の振幅を、関連付け段階（および調節配列段階）の間に用いられた範囲から、例えば最初は約０．５Ｖと約２Ｖとの間から、ナノワイヤの結合に利用される振幅範囲まで、例えば約２Ｖから約１０Ｖまで、好ましくは約４Ｖに増大させる。
【０１０３】
上述の周波数および振幅の調節を、任意のナノワイヤ組成／構造に適用してもよいが、好適には、組成が核：殻：殻（ＣＳＳ）および／または核：非酸化物：殻（ＣＮＯＳ）であるナノワイヤを配置する場合に、これら調節を行う。ＣＳＳおよび／またはＣＮＯＳのナノワイヤを利用する場合には、最外の殻層は、好適には、（正の電荷または負の電荷を帯びた）表面電荷を有する金属または他の材料である。溶液において、外殻（金属殻）は、逆帯電したイオンを引き付ける。該イオンは、ナノワイヤの表面に電気二重層を形成するものである。ナノワイヤ上の表面電荷の存在が、上述の理論の章において説明したような関連付けおよび結合を助長する。ナノワイヤ上に形成されるこの電荷層はまた、ナノワイヤの交差および／または凝集を低減、制限、または、排除する。これは、ナノワイヤが近傍に接近し合うと、互いに退け合うためである。ナノワイヤが電極に関連付け／配列されているときには、ナノワイヤの横方向の移動が、はねかえす表面電荷と共に、十分な動きを提供し、交差したナノワイヤの交差を解き、該ナノワイヤを電極に沿って分配することが可能である（例えば図１０ａおよび１０ｂを参照）。
【０１０４】
核：殻（ＣＳ）構造（例えばＳｉＯ２）を含むナノワイヤを配置する場合には、ナノワイヤを電極上に関連付けて結合させるために、より高い周波数および／または振幅のＡＣ電場が必要とされ得る。例えば、ナノワイヤの関連付けには、約１ｋＨｚから約５０ｋＨｚ、より好適には約５ｋＨｚから約２０ｋＨｚ、または、約１０ｋＨｚの周波数と、約１Ｖから約１０Ｖ、好適には約２Ｖから約５Ｖ、または、約２Ｖの振幅とを有するＡＣ電場を生成することが必要である。ＣＳナノワイヤのナノワイヤ結合は、ＡＣ電場を、約５０ｋＨｚから約５００ｋＨｚ、好適には約７５ｋＨｚから約２００ｋＨｚ、または、約１００ｋＨｚの周波数に変化させると共に、振幅を約３Ｖから約１０Ｖ、好適には約３Ｖから約５Ｖ、または、約４Ｖに変化させる必要がある。外殻（金属）層、従って荷電外層を含まないナノワイヤは、通常、関連付けおよび／または結合を実現するために、外殻金属層（つまりＣＳＳ）を含むナノワイヤよりも、高い周波数および／または振幅の生成を必要とする。
【０１０５】
従って、好適な実施形態において、本発明は、導電性および半導電性（例えばＣＳ半導電性）のナノワイヤの混合物から、１つまたは複数の導電性ナノワイヤ（例えばＣＳＳ導電性ナノワイヤ）を分離させる方法を提供する。上述のように、ＣＳＳナノワイヤは、好適には、外殻または金属から成る外殻を含み、従ってこれらのワイヤを導電性にしている。従って、好適な実施形態では、１つまたは複数の導電性ナノワイヤ、および、１つまたは複数の半導電性ナノワイヤを含む溶液を、電極対の近傍に供給する。電極対に電圧を与えて、これによって、導電性ナノワイヤおよび半導電性ナノワイヤを電極対に関連付ける。その後、電圧供給を調節し、これによって、導電性ナノワイヤを電極対上に結合させる。その後、半導電性ナノワイヤを除去する。
【０１０６】
電極対の間にＡＣ電場を生成する好適な方法を、明細書全体を通して記載する。この方法は、直接電気的接続および電磁波を含む。関連付け段階において有効な典型的なＡＣ電場は、約１０Ｈｚから約５ｋＨｚの周波数、および、約０．５Ｖから約３Ｖの振幅を有するＡＣ電場を含む。この周波数を約１ｋＨｚから約５００ｋＨｚに増大させ、ＡＣ電場の振幅はそのままに維持するか、または、約１Ｖから約４Ｖに増大させることによって、ＡＣ電場の調節は、導電性ナノワイヤ（例えばＣＳＳナノワイヤ）を優先的にピン止めまたは固定するが、半導電性ナノワイヤは結合（固定）させない。その後に結合されていない半導電性ナノワイヤを除去することは、懸濁液から導電性ナノワイヤを選択的に除去することである。従って、電極に結合された導電性ナノワイヤは、様々な用途において利用可能であり、同様に、溶液中に残った半導電性ナノワイヤも（ここでは、導電性ナノワイヤはほぼ存在しない）、さらなる用途において利用可能である。
【０１０７】
さらなる実施形態では、一端がｎ型ドープされていると共に他端がｐ型ドープされたナノワイヤを用いて、配列、関連付け、および、結合を行うことが可能である。異なる２つのドーピングを用いることによって、結果的にナノワイヤは、電場が印加されると、誘導された２つの双極子を有する。電子はｐ型ドープされた材料よりも、ｎ型ドープされた材料においてより可動性を有するので、ナノワイヤのｎ型ドープされた「端部」は、ｐ型ドープされた「端部」よりも強い双極子を有する。結果的に、ナノワイヤのドーピングの違いによって、所定の方向における配列および堆積が可能になる。例えば、１組の電極を用いてもよく（例えば３つまたは４つの電極、しかしこれよりも多い数の電極を用いてもよい）、ここでは、１つの電極対に別の電極対よりも高レベルで電圧が与えられる。好適には、１つの電極セットのうちの複数の電極対は、１つの電極対が、他の電極対と同一平面状にあるように、例えば互いに隣り合って、または、１つの電極対がもう１つの電極対の上に重なって配置される（例えば基板上に互いに一列に配置される）。明細書全体を通して説明するように、ナノワイヤは電極セットの方に近づく。しかし、２つの電極間のより高い電場によって、ナノワイヤのｎ型ドープされた端部は、これらの電極に関連付けられると共に結合される傾向にあるが、ナノワイヤのｐ型ドープされた端部は、より低い電場対に関連付けられると共に結合される。このようにして、その後ナノワイヤを所定の方向に配列させて、ほぼ全てのナノワイヤ（例えば、５０％よりも多いナノワイヤ、６０％よりも多いナノワイヤ、７０％よりも多いナノワイヤ、８０％よりも多いナノワイヤ、９０％よりも多いナノワイヤ、および、好適には約１００％のナノワイヤ）を同一の方角および方向に配列する（つまりｎ型ドープされた端部は全て同一の方向を指している）ことが可能である。このようにして行われた配列および堆積は、特に、ナノワイヤのアレイを形成する場合に有効である。このナノワイヤのアレイは、例えば、ナノワイヤの全てのｎ型ドープされた端部が１つの電極セットの一端に一緒に配置されているダイオードに用いるためのものである。
【０１０８】
導波管または類似の器具を用いて電場を生成する実施形態では、ナノワイヤの配列、関連付け、および、結合を、単一のステップにおいて行うことが可能である。つまり、ナノワイヤの結合を実現するために、周波数および／または振幅を調節する必要はない（調節してもよいが）。例えば、導波管を利用する場合、約１ＧＨｚから約５ＧＨｚ程度の周波数を用いて電場を生成する。好適には、この周波数は約２ＧＨｚから約３ＧＨｚ、または、約２．３ＧＨｚから約２．５ＧＨｚ、例えば約２．４５ＧＨｚである。導波管によって生成される電場の振幅は、好適には、約１Ｖから約１０Ｖ程度である。この大きさの周波数で電場を生成することによって、ナノワイヤの配列、関連付け、および、結合をほぼ同時に行うことが可能である。導波管を用いて電場を生成させるとすぐに、ナノワイヤは、好適にはほぼ連続的なステップまたは動作において、電極対上に配列、関連付け、および、結合される。従って、ナノワイヤを電極上に結合させるために、周波数および／または振幅を別々に調節する必要はない（調節してもよいが）。
【０１０９】
さらなる実施形態では、電極対２０７の上に、ナノワイヤ懸濁液を流すことなく単に載せ、従ってナノワイヤは、配列および堆積前に、静止した懸濁液中に存在していることになる。電場を印加するとすぐに、ナノワイヤは、明細書全体を通して説明しているように関連付けられると共に結合する。しかしながら、流体の流れが存在しないため、堆積の前には、ナノワイヤは事前配列されていない。このため、互いに法線の方向（つまり、ｘ方向およびｙ方向）におけるナノワイヤの堆積が可能となる。例えば、図１２に示すように、電極対を所望の方向に供給するだけで、ナノワイヤを互いに垂直な方向に配列および堆積させることが可能である。ｘ方向およびｙ方向に堆積させることに加えて、任意の方向および方角にもナノワイヤを堆積させることができる。これら実施形態は、互いに垂直な方向を含む、異なるいくつかの方向にワイヤを有することが望ましい場合が多い電気デバイス構成に特に有効である。
【０１１０】
さらなる一実施形態では、電極対の間に１つまたは複数の金属要素を配置することを用いて、ナノワイヤの配列および堆積を促進または助長する。例えば図１３に示すように、１つまたは複数の金属要素１３０２、例えば金属片を、１つの電極対の電極２０４と電極２０５との間に堆積または配置することによって、ナノワイヤ２０８を電極上に配列することを助長する。本発明の方法では、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｕ、Ａｇ等、または、これらの組み合わせのような任意の好適な金属を用いることが可能である。図１３は、ほぼ直線状、および、一列に並んだ状態で配列されると共に堆積されているナノワイヤを示す図であり、各ナノワイヤは、一対の金属素子間に堆積されている。金属要素１３０２のサイズおよび方向を選択することによってナノワイヤ間の空間を制御して、ほぼ均一に離間され、且つ平行に配列されたナノワイヤの関連付けおよび結合を実現することができる。
【０１１１】
本発明はまた、１つまたは複数のナノワイヤを配置する方法を提供する。この方法では、１つまたは複数のナノワイヤを１つの電極対の近傍に供給する。その後、この電極対に電圧を与え、これによってナノワイヤを電極対に関連付ける。ここで、この電極対の電極間に１つまたは複数の金属要素を配置して、隣接し合う関連付けられたナノワイヤ間のナノワイヤ間隔の差が標準偏差の約５０％未満になるようにする。さらなる実施形態において、本方法はまた、電極対の間における電圧供給を調節する工程を含み、これによって、ナノワイヤを電極対上に結合させると共に、電極対の電極間に１つまたは複数の金属要素を配置して、隣接し合う結合されたナノワイヤ間のナノワイヤ間隔の差が標準偏差の約５０％未満になるようにする。例えば図１３を参照されたい。従って本発明は、隣接し合うナノワイヤ間のナノワイヤ間隔が、標準偏差の約５０％未満だけ該間隔の平均値から異なる程度に制御可能なようにナノワイヤを配置する方法を提供する。ここで用いるように、隣接し合うナノワイヤとは、互いに隣り合って配置されると共にこれらナノワイヤ間には他のナノワイヤが存在しない、関連付けられたおよび／または結合されたナノワイヤを指す。ここで用いるように、ナノワイヤ間隔とは、隣接し合うナノワイヤ間の間隔を指す。ナノワイヤ間隔に関連してここに説明するように、標準偏差とは、ナノワイヤ間隔の平均値の標準偏差を示す。ナノワイヤ間隔の平均値の標準偏差は、まずナノワイヤ間隔の平均値を算出することによって容易に算出可能である（ナノワイヤ間隔／間隔の数の合計）。その後この平均値（σ）の標準偏差を、次のように算出する。
【０１１２】
【数１５】
2010506744.tif 000017
【０１１３】
ここで、ｘｉは個々の各相互ナノワイヤ間隔を示し、ｘバーは、相互ナノワイヤ間隔の平均値であり、Ｎは全ての相互ナノワイヤ間隔の数を示すものである。
【０１１４】
電極間に配置された金属要素を含む本発明の方法を利用することによって、隣接し合うナノワイヤ間のナノワイヤ間隔を、これら間隔の差が、平均値から標準偏差の約５０％未満であるように、例えば、平均値から標準偏差の約４０％未満、約３０％未満、約２０％未満、または、約１０％未満であるよう制御することが可能である。
【０１１５】
本発明はまた、少なくとも１つの第１の電極対と、該第１の電極対の間で結合された少なくとも４本のナノワイヤとを含む基板を提供する。ここで、隣接し合う結合されたナノワイヤ間のナノワイヤ間隔の差は、標準偏差の約５０％未満である。好適な実施形態では、基板は、上記第１の電極対の電極間に配置された３つまたはそれ以上の金属要素をさらに含む。例えば図１３を参照されたい。好適な実施形態では、基板は、第１の電極対の間で結合された少なくとも４本のナノワイヤを含み、隣接し合う結合されたナノワイヤ間のナノワイヤ間隔は、標準偏差の約５０％未満だけ平均値から異なっており、例えば、標準偏差の約４０％未満、約３０％未満、約２０％未満、または、約１０％未満だけ平均値から異なっている。
【０１１６】
さらなる一実施形態では、１つの電極対の一方の電極は、同一平面上に２つまたはそれ以上の電極を含み（つまり分割電極構成）、これら各電極は、独立したＡＣ電場の供給源に接続されている。これらの実施形態では、分割電極構成の両電極と上記電極対の別の電極との間にＡＣ電場が生成される。このＡＣ電場は、分割電極構成の一方の電極では、ＡＣ電場が調節されてナノワイヤの関連付けおよび結合が提供されるが、他方の電極は調節されない電場である。このような構成では、分割電極構成の調節された電極と、上記電極対の他方の電極との間で、所望の長さのほぼ直線状のナノワイヤが関連付けおよび結合されるが、調節されていない電極は、はぐれた、望ましくないナノワイヤを引き付けて、これらを配列プロセスから除去する。このようにして、ほぼ平行且つ均一なナノワイヤの堆積を実現することが可能である。
【０１１７】
ナノワイヤを電極上に結合させた後、結合されていないナノワイヤを電極対から除去して、完全に配列されていない、完全に結合されていない、重なり合った、交差した、あるいはそうでなければ、理想的な状態で電極対に結合されていないナノワイヤを実質的に排除することが可能である。結合段階の後で除去されるナノワイヤを、ここでは「結合されていないナノワイヤ」と呼ぶ。任意の好適な、結合されていないナノワイヤを除去する方法を用いることが可能である。例えば、ピンセット（例えば光ピンセット。例えば、ＵＳ特許第6,941,033号、第6,897,950号、および、第6,846,084号を参照されたい。これら各特許文献の開示の全体を、本願に引用して援用する）または類似の器具を用いて、または、結合されていないナノワイヤを振り落とすか、または、物理的に取り除くことによって、結合されていないナノワイヤを除去することが可能である。好適には、ナノワイヤを洗い流すことによって、結合されていないナノワイヤを除去する。
【０１１８】
ここで用いるように、「洗い流す」という用語は、液体（気相または液相）をナノワイヤの上または周りに流して、該ナノワイヤを電極対から徐去するプロセスを含む。洗い流す工程は、電極対を並進または移動させて、ナノワイヤの上に液体の流れを生成する工程を含む。好適な実施形態では、ナノワイヤの上に液体を流して、結合されていないナノワイヤを洗い流す。液体をナノワイヤの上に流す工程は、単に液体をナノワイヤに載せることと、液体を、結合されていないナノワイヤが洗い流されるような速度でナノワイヤの上で動かすこととを含む。結合されていないナノワイヤを洗い流す流速は、従来技術において公知の任意の方法を用いて生成することが可能である。この従来技術において公知の方法には、重力、ノズルまたはスプレー装置、吸引器等が含まれるが、これらに限定されることはない。図８ｃに示すように、流体の流れの方向は、ナノワイヤに対して平行、従って電極対に対して垂直であることであることが好ましいが、どの方向の流体の流れを用いてもよい。図８ｃに示すように、完全に電極には結合されていない非結合のナノワイヤ（２０８）は、この流体の流れにおいて洗い流される。図２の矢印は、装置２００を利用する場合の、流体の流れの典型的な方向を示すものである。実際には、全てでなくても大部分の結合されていないナノワイヤを除去するように意図するものの、結合されていないナノワイヤを除去しても、依然、結合されていないナノワイヤが電極対に接触した状態で残ることに留意されたい。当業者には、残りの結合されていないナノワイヤが、結合されたナノワイヤのさらなる使用を妨げることはないことは明らかであろう。例えば、ＩＰＡ、水、または、他の水性溶媒等といった溶媒のような任意の好適な液体を用いて、結合されていないナノワイヤを洗い流すことが可能である。好適には、この溶媒は、ナノワイヤが本来含有している溶媒と同一の溶媒であるが、懸濁液中に存在する追加的なナノワイヤを含んではいない。ナノワイヤを洗い流すことは、ナノワイヤに対する任意の方向（つまり、平行、垂直、または、他の方向）においても実行可能である。ナノワイヤが電極上に結合されてその場所で固定されると、流れがナノワイヤ配列の平面に対して垂直であっても、流体の流れの状態がこの結合を妨げることはない。
【０１１９】
電極対から結合されていない１つまたは複数のナノワイヤを除去する工程に加え、結合段階の後に、ナノワイヤは適切に乾燥される。一般的には、この乾燥工程は、結合されていないナノワイヤを除去した後に行われるが、乾燥工程の前に、結合されていないナノワイヤを除去する必要はない。ナノワイヤを乾燥させる工程は、従来技術においてよく知られている任意の好適なプロセスによって、例えば、蒸発を可能にする空気乾燥（空気を停滞させたまま、または、移動させて）、炉または他の好適な装置を用いて加熱すること、または、他の機構によって行うことが可能である。図８ｄは、乾燥プロセスの後の結合されたナノワイヤを示す一顕微鏡写真である。
【０１２０】
図１４ａは、本発明の一実施形態に係る、ナノワイヤの配列および堆積方法を示すフローチャート１４００である。フローチャート１４００のステップ１４０２では、最初に、通路、例えば図２に示した流路２０６を、好適な溶媒、例えばＩＰＡで充填する。この最初の通路充填は、必須でないことに留意されたい。その後ステップ１４０４において、通路を、ナノワイヤ懸濁液、例えばナノワイヤインクで充填する。明細書全体を通して記載するように、必ずしも通路を用いる必要はなく、単に、ナノワイヤ懸濁液を電極対の上に直接設置してもよい。その後ステップ１４０６において、好適には明細書全体を通して説明する関連付け段階に記載したように、ナノワイヤを電極に関連付ける、または、ピン止めする。好適な実施形態では、その後電場を調節して、ナノワイヤ１４０８を配列させる。明細書全体を通して記載するように、好適には、配列調節段階は、周波数を約１０ｋＨｚと約１００ｋＨｚとの間に増大させて、交差しているまたは最適に並んでいないナノワイヤを移動させると共に電極上に配列させることを可能にする工程を含む。明細書全体を通して説明するように、配列調節段階であるステップ１４０８は必須でなく、本発明の方法から省いてもよい。
【０１２１】
配列調節（または、配列調節を用いないならば関連付け）の後、ステップ１４１０において、ナノワイヤを電極対に結合または固定させる。これは、明細書全体を通して記載するように電場を調節することによって行う。好適には、周波数および振幅の両方を、関連付け段階から増大させることによって電場を調節する。しかしながら、調節配列段階を用いる実施形態では、好適には、電場の振幅だけを増大（周波数も増大させてもよいが）させる（または、必要ならば低減させる）。
【０１２２】
その後ステップ１４１２において、ここに記載の任意の方法、そうでなければ従来技術においてよく知られた任意の方法を用いて、結合されていないナノワイヤを電極対から除去または解き放す。好適には、ナノワイヤの上に液体（例えばＩＰＡ）を流すことによって、ナノワイヤを電極対から解き放すかまたは除去する。
【０１２３】
結合されていないナノワイヤを電極対から除去した後、ステップ１４１４において、決定解析を行う。決定解析とは、本発明の配列および堆積方法（つまりステップ１４０２〜１４１２）によって十分な数または十分な密度のナノワイヤが実現されたかどうかを決定することである。この決定解析は、電極対を任意の方法、例えば、目視検査（顕微鏡または好適な装置）で検査することによって、または、電気信号または他の信号を用いて、電極対におけるナノワイヤの本数および／または密度を監視することによって行うことが可能である。「十分な本数のナノワイヤ」とは、予め設定された、あるいは所定の本数のナノワイヤ、堆積の時点で確認される多数のナノワイヤ、または、ワイヤの電気特性または他の特性によって左右される多数のナノワイヤであり得る。例えば、明細書全体を通して説明するように、電極対上に結合されたナノワイヤのインピーダンス、静電容量、抵抗、または、他の特性を測定することによって、「十分な本数のナノワイヤ」を決定することができる。
【０１２４】
十分な本数のナノワイヤが電極対上に結合されたと決定されたならば、決定解析ステップ１４１４は、ステップ１４１６において「イエス」と返答し、その後、好適には最後のナノワイヤ洗い流しステップ１４２０が開始される。ナノワイヤ洗い流しステップ１４２０は必須でないことに留意されたい。このナノワイヤを洗い流した後（またはステップ１４１６における「イエス」決定の後）、ステップ１４２２においてナノワイヤを乾燥させる。
【０１２５】
十分な本数のナノワイヤが電極対上に結合されていないと決定されたならば、決定解析ステップ１４１４は、ステップ１４１８において「ノー」と返答する。「ノー」という返答は、少なくとも１つの電極対の上には十分な本数のナノワイヤが堆積されていないということを意味している。従って、ナノワイヤをさらに結合させるために、ステップ１４０６からステップ１４１２までを繰り返す。例えば、ステップ１４０４と同様に、ナノワイヤ懸濁液を導入することによって、さらなるナノワイヤを供給してもよいことに留意されたい。さらなるナノワイヤの全てを配列および堆積させた後、第２の決定解析ステップ１４１４を行う。この決定解析の後には、十分な本数のナノワイヤが堆積されているなら（返答「イエス」）、ステップ１４１６、１４２０、および、１４２２を行うか、または、十分な本数のナノワイヤが堆積されていないならば（返答「ノー」）、ステップ１４０６〜１４１２を繰り返す。この種のフィードバックループを、十分な本数または所望の本数のナノワイヤが電極対上に結合されるまで必要なだけ（例えば、２、３、４、５、１０、１５、２０、５０、１００回等）繰り返してもよい。
【０１２６】
図１４ｂおよび１４ｃは、本発明の実施形態に係る、典型的なナノワイヤ配列および堆積シーケンスを示す図である。全てのプロットでは、ｘ軸は、例えば、図１４ａに示したステップ１４０２〜１４２２に相当する、典型的な一配列および堆積プロセスにおける一連のステップを示す。ステップ間の間隔が、連続するステップ間の時間を示しているわけではないことに留意されたい。これは、次々にすぐ行われるステップもあるが、長い時間によって分断されているステップもあるからである。図１４ｂでは、上部のプロットが、各プロセスステップにおける、ＡＣ電場の電圧および周波数を示している。図１４ｂに示すように、好適には、溶媒および／またはナノワイヤ懸濁液が（例えば図２に示した流路２０６内の）電極対に加えられる通路充填ステップ（１４０２および１４０４、堆積ステップ０および１）中は、電場がオフ状態である（つまり、振幅および周波数は０であるか、または、極めて低い）。
【０１２７】
ステップ１４０６と図１４ｂの堆積ステップ２とによって示される関連付け段階が開始されるとすぐに、ＡＣ電場の振幅および周波数がオン状態になり／増大して、ナノワイヤの関連付けおよび配列が始まる。関連付け段階中の使用に適した好適な振幅および周波数をここに記載する。例えば、図１４ｂの上部のグラフに示すように、好適には、電場の振幅（電圧Ｖ）は、約０．５Ｖから約２Ｖ、例えば約１Ｖである。図１４ｂの上部のグラフに示す電場の周波数は、好適には、約１００Ｈｚから約１ｋＨｚ、例えば約５００Ｈｚである。
【０１２８】
堆積シーケンスが、ステップ３、つまり図１４ａのステップ１４０８に示される調節配列段階に移行すると、ＡＣ電場の周波数は調節され、例えば増大する。明細書全体を通して説明するように、好適には、調節配列段階の間は、電場の周波数だけを増大させる（振幅も同様に増大させてもよいが）。好適には、電場の周波数は、約１０ｋＨｚと約１００ｋＨｚとの間（例えば、図１４ｂに示すように１０ｋＨｚ）に増大される。一方、振幅は、関連付け段階のレベル、例えば約０．５Ｖと２Ｖとの間、好適には約１Ｖに維持される。
【０１２９】
堆積ステップ４、つまり（図１４ａにステップ１４１０として示す）結合または固定段階に移行すると、ＡＣ電場の振幅が調節されて、ナノワイヤは電極上に結合される。明細書全体を通して説明すると共に図１４ｂに示すように、好適には、ＡＣ電場の振幅は増大されるが、周波数は以前のレベルに維持される（周波数を増大させることも可能であるが）。好適には、ＡＣ電場の振幅を約２Ｖと約１０Ｖとの間、例えば約４Ｖに増大させて、ナノワイヤの結合段階を開始する。
【０１３０】
ナノワイヤの結合後、ＡＣ電場を好適に停止させる。例えば、上記電場の周波数および振幅を０、または、実質的に低い値まで低減させる。これによって、結合されていないナノワイヤの除去が可能となる（ステップ１４１２）。配列および堆積プロセスを繰り返す必要があるかどうかを決定する前に、十分な本数のナノワイヤが堆積されているかどうかの決定を行うことが可能である（ステップ１４１４）。もし十分な本数のナノワイヤが堆積されていると決定されるならば、ナノワイヤを乾燥させることが可能である。
【０１３１】
図１４ｂの下部のプロットは、溶媒（例えばＩＰＡ）およびナノワイヤ懸濁液（ＮＷインク）の流れを、堆積プロセス中の任意単位で示す図である。ｘ軸に沿った堆積ステップは、図１４ｂの上部のグラフを参照して既に説明したステップと同一のステップである。最初、つまり通路充填ステップ０、ステップ１４０２の間は、ナノワイヤ懸濁液は導入されず、溶媒だけが、後のステップより速い速度／多くの容積で電極の上に流される。ステップ１においてナノワイヤ懸濁液を導入するとすぐに、ナノワイヤ懸濁液の流れが増大して溶媒の流れは減少し、ステップ２におけるナノワイヤの関連付けが可能になるが、ナノワイヤの配列を助長する流体の流れは維持される。ステップ２の後、ナノワイヤ懸濁液を停止して、ステップ２〜４の関連付け工程（ステップ１４０６）、調節配列工程（ステップ１４０８）、および、結合工程（ステップ１４１０）の間は、溶媒の流れだけをそのまま維持する。結合ステップ５（ステップ１４１０）が終了した後、溶媒の流れを増大させ、ステップ６（ステップ１４１２）における結合されていないナノワイヤの除去を促進させる。この増大された流れは、決定解析プロセス（ステップ１４１４）の間維持され、全てのナノワイヤの配列および堆積工程が終了するとすぐに、ステップ７（ステップ１４２０）においてさらに増大されて、最終的に、ステップ８（ステップ１４２２）における乾燥工程の前に電極を洗い流す。
【０１３２】
図１４ｃは、本発明の一実施形態に係る、さらなる一ナノワイヤ堆積プロセスのシーケンスを示す図である。振幅および周波数調節のシーケンス（上部のグラフ）は、図１４ｂのシーケンスと同一である。しかしながら、溶媒およびナノワイヤ懸濁液の流れは、図１４ｂに示した流れの１つの典型的な代替例を示すものである。図１４ｃの下部のグラフでは、ナノワイヤ懸濁液の流れのシーケンスは、図１４ｂと同一である。しかしながら、溶媒の流れは、ステップ２〜６では、図１４ｃよりも約２因子（流れは任意単位で示されている）だけ増大している。図１４ｃは、単に、溶媒の流れを増大させる本発明のさらなる一実施形態を示すものであることに留意されたい。流れの増大は、およそ２倍でなければならないと解釈されるものではない（それ以上またはそれ未満の流れを用いてもよいが）。
【０１３３】
さらなる一実施形態では、本発明は、１つまたは複数の電極を提供し、該電極は、ここに記載する方法に従って配置された１つまたは複数のナノワイヤを含む。好適には、上記電極は、複数の電極対を含み、各電極対は、電極に結合またはピン止めされた複数のナノワイヤ（例えば、２個よりも多い、５個よりも多い、１０個よりも多い２０個よりも多い、５０個よりも多い、または、１００個よりも多いナノワイヤ等）を含む。明細書全体を通して説明するように、本発明の方法は、ナノワイヤを電極対上に配列および堆積させ、堆積されたほぼ全てのナノワイヤが互いにほぼ平行、且つ、比較的均一に離間されていることを可能にする。本方法は、デバイスにおけるナノワイヤの使用に有用であると共に、ナノワイヤをさらなる基板コンタクトまたはデバイスコンタクトに移動させることを助長させるものである。
【０１３４】
本発明のさらなる一実施形態では、電極上に結合されたナノワイヤを、基板上に転写することが可能である。好適には、この転写の前に、ナノワイヤを乾燥させる（乾燥されていないナノワイヤを転写してもよいが）。ここで用いるように、「転写」という用語は、ナノワイヤを、転写基板上の電極から受け入れ基板に動かすかまたは再配置することを意味している。本発明の転写方法において用いられ得る受け入れ基板は、任意の好適な材料、例えば、半導体、誘電体等を含む。好適には、転写方法において用いられる受け入れ基板は、１つまたは複数のデバイス電極または他の好適なコンタクト（例えば、ドレイン電極、ゲート電極、または、ソース電極）を含み、その上にナノワイヤが転写される。例えば、図１５に示すように、転写基板１５０８上の電極対（２０４、２０５）に既に結合されているナノワイヤ２０８を、受け入れ基板１５０２に転写することが可能である。受け入れ基板１５０２は、その表面にパターン加工されたまたは配置された、さらなるコンタクトまたは電極（１５０４、１５０６）を含んでいる。単一のナノワイヤを１つずつ転写してもよいし（例えば図１５の破線参照）、または、複数のナノワイヤを電極から基板／コンタクトまで移動させてもよい。
【０１３５】
好適な実施形態では、本発明の転写方法は、１つまたは複数のコンタクトまたは電極を含む転写基板上に、ナノワイヤを「印刷する」方法を提供する。例えば、１つまたは複数の電極対（２０４、２０５）を備える転写基板１５０８を、一種の「プリント」ヘッドとして実際に用いることが可能であり、この電極対には、１つまたは複数のナノワイヤ２０８が含まれている。つまり、（例えば明細書全体を通して説明する方法およびプロセスを用いて）転写基板上の電極上に結合された１つまたは複数のナノワイヤを、ナノワイヤが電極対からコンタクトまで移動ことが可能なように転写基板を配置すること（または受け入れ基板を配置することも可能である）だけによって、受け入れ基板１５０２上の好適な１つのコンタクト（１５０４、１５０６）に移動させることが可能である。例えば、転写基板を、１つのコンタクトを備える受け入れ基板の上方に配置して、その後、ワイヤが電極から該コンタクトに移動するように、該コンタクトに相関する位置にナノワイヤを持ってくる。このプロセスを好きなだけ繰り返して、ナノワイヤが受け入れ基板上の異なる様々な位置に移動することが可能なように、転写基板を、受け入れ基板上のコンタクトに対して配配置することが可能である。単一のナノワイヤまたは複数のナノワイヤを電極からコンタクトまで移動させることが可能である。このようにして、本発明の転写方法は、ナノワイヤを電極からコンタクトまで正確に移動させる一種の印刷工程を提供する。
【０１３６】
本発明はまた、１つまたは複数のナノワイヤを基板上に配置する方法を提供する。 好適には、上記方法は、１つまたは複数のナノワイヤを懸濁液 （例えば、ナノワイヤインク）に入れ、電極対に電圧を与えることを含み、これにより、ナノワイヤは電極対と関連付けられる（すなわち関連付け段階）。典型的な実施形態では、電極対に電圧を与えることは、転写基板上の電極対の間に交流（ＡＣ）電場を発生させることを含む。本発明の転写方法における関連付け段階での使用に特徴的で好適なＡＣ電場について、明細書全体をとおして説明する。電極対への電圧供給を調節し、これによりナノワイヤは電極対と結合する (すなわち、結合段階)。例えば、電極対の間におけるＡＣ電場は調節される。本発明の転写方法における結合段階で使用される好適なＡＣ電場調節について、明細書全体を通して説明する。結合されていないナノワイヤは、電極から除去され、結合されたナノワイヤは基板上に転写され、好適には、受入れ基板上の接触部や電極に転写される。本発明はまた、本発明の方法により配置される１つまたは複数のナノワイヤを含む基板を提供する。明細書を通して説明するように、本発明の方法によれば、ほぼ全てのナノワイヤが互いに平行になるようなナノワイヤの配列および堆積が可能である。これにより、最終的な基板および／またはデバイス接触部へのナノワイヤの転写がより容易に行える。
【０１３７】
さらなる実施形態において、 電極および結合されたナノワイヤを含む基板はデバイス基板として使用される。例えば、電極そのものは、最終的なデバイス構成において最終的に使用される接触部となり得る。他の実施形態では、 既知の技術において知られる好適なエッチャント（例えば、一般に市販されている弱アルカリ性フェリシアン化物系エッチング製剤）を用いて、上記電極をエッチングにより除去し、配列配向されたナノワイヤを残す。このエッチング処理は、ナノワイヤの転写の前、あるいはナノワイヤを転写基板／接触部へ転写させた後に行い、ナノワイヤのみ残し、電極材料はほとんどか、あるいは全く残らないようにする。
【０１３８】
さらなる実施形態において、本発明は、電極対に配置されるナノワイヤの本数を制御する方法を提供する。好適な実施形態において、上記方法は、本発明の様々な方法に係る１つまたは複数のナノワイヤを配置することを含む。信号が電極対に印加され、該信号は監視される。電極対におけるナノワイヤの配置は、該信号がプリセット値に達した時に停止される。電極対において電気信号を監視することによって、ナノワイヤの本数が制御することができる。従って、一旦所定の信号を得ると、本発明の堆積プロセスを停止することができる。
【０１３９】
図１６aおよび１６bは、本発明の好適な実施形態に係る、ナノワイヤの堆積を監視する装置を表す概略図である。図１６aに示す装置１６００は、本発明の配列および堆積プロセス／方法に関与した、および／または関与している１つまたは複数の電極対を表す被測定物（DUT）１６０２を備える。好適には、DUT１６０２は、本発明の方法を用いて別々に監視することの出来る複数の電極対を備える。
【０１４０】
装置１６００はさらに、DUT１６０２に電子信号を供給する信号発生器１６０４を備える。好適には、信号発生器１６０４は波形発生器であり、明細書を通して説明する、関連付け、調節配列、結合段階において使用されるＡＣ電場用のものと同じ供給源である。例えば、電極対の一つの電極（あるいは複数の電極対のうちのいくつかの電極）に波形を印加することにより、信号発生器１６０４の発生する信号は、まず、DUT１６０２に印加される。一つの電極対（あるいは複数の電極対）の対向電極（すなわち、信号発生器 １６０４に接続されていない電極）は、負荷抵抗（ＲＬ）１６０６と直列に接続される。DUTを伝播する信号は、負荷抵抗１６０６を通過し、信号発生器へ戻る。負荷抵抗１６０６を通過する信号は、信号を監視するデバイス（例えばオシロスコープ）を有するロックイン分析器１６０８により監視され、DUTを通過した信号の特徴を判断する。例えば、信号の周波数、振幅、位相シフト等が、例えばオシロスコープを使用することにより監視される。ロックイン分析器１６０８は好適に、負荷抵抗１６０６における信号と、信号発生器１６０４から供給される基準信号を比較する。本発明の装置は、所定の信号がロックイン分析器１６０８により観察／測定されると、ナノワイヤの成長を停止する機構を有する。該機構は、人の介入により監視することができ、また、電子的あるいは自動的にコンピュータを介して監視することもできるように設定されていて、所定の数値に達した時に堆積を停止する。本発明の実施形態は、所定の信号を用いて配列され堆積されたナノワイヤの本数を制御する方法を提供するが、これらの実施形態は、明細書を通して、「アクティブな」監視および制御として説明する。
【０１４１】
本発明の好適な実施形態では、DUT（すなわち負荷抵抗１６０６）において監視される信号は、さらなるナノワイヤが電極対（DUT）上に配列および堆積されるときに変化する信号の一種である。本発明の方法、システム、および装置を用いて監視することのできる好適な信号の種類としては限定されないが、当業者には明らかなように、インピーダンス、電圧、 静電容量、電流、基本的且つ複合的な波形等が挙げられる。
【０１４２】
さらなる実施形態では、負荷抵抗ＲＬにわたって測定される信号は、アナログ-デジタル変換器に送られ、デジタル信号はコンピュータやデジタルプロセッサ等で増幅される。この信号は、所望の本数のナノワイヤが堆積しているかを判定するのに、上記のように監視される。
【０１４３】
例えば, 電極対にナノワイヤが堆積／結合されると、電極における信号のインピーダンスは、ナノワイヤが電極に結合されればされるほど変化する。 当業者にとって、ナノワイヤが堆積し、２つの電極が接続されるとき、電極対におけるインピーダンスが変化することは容易に理解できる。それゆえ、インピーダンスの実数部と虚数部を監視することができ、一方の、あるいは他方の（あるいはその両方）（すなわちインピーダンスの実数部か虚数部）の変化により、さらなるナノワイヤが電極対に結合されたことが分かる。より具体的には、例えば, ロックイン分析器１６０８によって監視される信号は、DUTにおけるインピーダンスの虚数部である。従って、負荷抵抗１６０６（およびDUT１６０２）におけるインピーダンスを監視することにより、電極対に堆積するナノワイヤの本数を決定したり制御したりする方法が可能となる。
【０１４４】
DUTにおける信号を監視する時、あらかじめ設定された、あるいは所定の値（例えば閾値）に達すると、装置１６００が所望の本数のナノワイヤが電極に結合された旨の信号あるいはその他のフィードバックを与えるよう、当該閾値が選択できる。例えば、充分な本数のナノワイヤが堆積したときにDUTにおけるインピーダンス値（例えば、インピーダンスの虚部分虚数部）が所定の値に到達、所定の値を超過、あるいは所定の値に近接するように、所定のインピーダンス値を設定することができる。この時、所定の値に到達したら、ロックイン分析器は、当該値を得たことを示す何らかのフィードバックや信号を与える。本発明によれば、一旦所定の値に到達したら、ナノワイヤ堆積プロセスを適宜停止する。ナノワイヤ堆積プロセスの停止は、任意の好適な方法、例えば、電極間の電場を下げて、電極対上のナノワイヤの配置を停止することによって（本発明の方法がナノワイヤの配列および堆積に用いられる実施形態において）行われる。ナノワイヤ堆積を停止する他の好適な方法は、ナノワイヤの供給源 （例えば、ナノワイヤ懸濁液）を除去し、該供給源より電極を除去する（例えば、懸濁液より基板を引き上げる）ことを含む、あるいは用いられている堆積方法に依存する他の好適な方法により、ナノワイヤ堆積を停止する。
【０１４５】
図１６bは、本発明に係るさらなる装置１６２０を示す。図１６bに示す装置１６００同様、装置１６２０も、被測定物（DUT６０２）（例えば、１つまたは複数の電極あるいは電極対）、信号発生器１６０４、負荷抵抗１６０６、およびロックイン増幅器１６０８を備える。装置１６２０はさらに、抵抗Ｒ１１６２２およびＲ２１６２６を備える。適切な方向にスイッチ１６２４を配置することによって、抵抗Ｒ１はDUT１６０２と並列に、抵抗Ｒ２と直列になるよう好適に配置される。信号は、電極対（DUT１６０２で示される）のどちらの電極にも送られるように、信号発生器１６０４によって生成される。
【０１４６】
図１６a同様、負荷抵抗ＲＬにおいて監視される信号は、所望の、あるいは必要な本数のナノワイヤが電極に堆積した時を判定するのに用いられる。 抵抗Ｒ２を監視ループに含めることも可能であり、バイパスすることも可能である。例えば, 抵抗Ｒ２がループから除去される位置へスイッチ１６２４を移動させることにより抵抗Ｒ２をバイパスすることもできる。図１６a同様、ナノワイヤは電極対に堆積／結合され、電極上により多くのナノワイヤが結合されればされるほど、信号のインピーダンス （あるいは信号の他の特徴）が変化する。それゆえ、インピーダンスの実数部と虚数部とを監視することができるので、一方あるいは他方（あるいはそのいずれも）（すなわち、インピーダンスの実数部および虚数部）における変化は、さらなるナノワイヤが電極対に結合したことを示す。好適には、ロックイン分析器１６０８により監視される信号は、DUTにおけるインピーダンスの虚数部である。従って、負荷抵抗６０６における（つまりDUT１６０２における）インピーダンスを監視することにより、電極対に堆積するナノワイヤの本数を判定したり制御したりする方法が可能となる。
【０１４７】
図１６aおよび図１６bに示される装置は、明細書を通して、装置の「アクティブな」監視システムと称する。ナノワイヤの堆積を停止あるいは中断するための何らかの反応を行った後、増幅器がロックし、システムが監視を必要とする。これにより、上記システムはアクティブな監視システムとなる。
【０１４８】
さらなる実施形態において、本発明はまた、「パッシブな」監視システムおよび装置を提供する。パッシブなシステムにおいて、電極における信号をアクティブに監視するために（および／または充分な本数のナノワイヤが堆積したときにアクティブに反応するために）ロックイン増幅器を用いるというよりはむしろ、抵抗がDUTと、例えば図１６bに示すＲ１に示すように、並列に位置するように装置が設計されている。ナノワイヤが電極対に結合する時、DUTにおける抵抗は低下し、Ｒ１の閾値抵抗値を下回る。DUTにおける電場 (例えば、電極対の間の電場) は、さらなるナノワイヤの関連付けおよび／または結合をするのには不十分である。それゆえ、電極対の間の抵抗と、結合されたナノワイヤの本数を単に関連させることにより、閾値抵抗値を決めることができる。そこで、閾値抵抗値Ｒ１を適切に選択することにより、所定本数のナノワイヤが電極に結合され、抵抗値が閾値抵抗値Ｒ１を下回り、電場堆積が続かないようにパッシブ監視システムを設定することができる。これにより、パッシブ監視システムが提供される。
【０１４９】
電極対において堆積するナノワイヤの本数を決める他、本発明の監視方法は、所望するナノワイヤに対して所望しないナノワイヤが堆積したかどうか、および／または（所望する、あるいは所望しない）ナノワイヤが所望の状態で、あるいは所望しない状態で堆積したかどうかを判定するのにも用いることが可能である。
【０１５０】
例えば、所望のナノワイヤが電極上で配列されたときを電気的に判定するため、各電極対を監視することが出来る。明細書を通して説明するように、ナノワイヤの堆積は、核-殻-殻の構造であることが多い。しかしながら、これらのワイヤのいくつかは、不完全な、あるいは傷ついた外殻を有している場合もあり、あるいは他の構造的欠陥を有している場合もあり、従って「所望でない」とみなされることもある。電極の電気的物性（例えば、電流やインピーダンス）の変化を観察することによって、所望のナノワイヤが堆積する場合と異なり、所望しないナノワイヤが堆積したのかを判定するのに、本発明の方法を用いることができる。
【０１５１】
さらに、明細書を通して説明するように、ナノワイヤは所望したように直線状であったり単一のワイヤであるよりはむしろ、塊状や、破砕状、分枝状であったり交差状で電極上に堆積することが多い。電気信号（例えば、インピーダンス、電流等）で電極対を監視することによって、所望の状態あるいは所望しない状態でナノワイヤが電極対に堆積したかどうかを判定することができる。
【０１５２】
所望しないナノワイヤが堆積したと判断される場合、あるいは所望しない状態でナノワイヤが堆積したと判断される場合、所望しないナノワイヤが、例えばフラッシングや重力、その他の除去技術により除去することができるように、他の電極には電圧を与えたまま、電極対に対する電圧はそれぞれオフ状態にすることができる（あるいは電圧を下げるか調節することが出来る）。所望しないナノワイヤが除去された後、電極に再度電圧を与え、堆積を継続する。所望のナノワイヤが堆積したと判断されると、上記のように電極対に対する電圧を調節することができ、電極対上に所望のナノワイヤを固定する。これにより、本発明は、各電極対の監視と制御により所望のナノワイヤを配列し、堆積する方法を提供する。
【０１５３】
さらに他の実施形態において、本発明は、１つまたは複数の電極対を備える基板において、所定の本数のナノワイヤが電極対に配置され、本発明の方法に基づいてナノワイヤの本数を制御する基板を提供する。ここで説明するように、本発明の方法、装置、およびシステムにより、所定本数のナノワイヤが電極に結合し、堆積が停止し、それ以上ナノワイヤが堆積しないように、ナノワイヤの堆積を制御することが可能となる。各電極対を監視し制御することにより、所定本数のナノワイヤを有する複数の電極対を形成することができる。
【０１５４】
好適な実施形態において、電極対上に所定本数のナノワイヤが結合する時、堆積が停止し（好適には、特定の電極についてのみ堆積が停止し）、他の電極対では堆積が継続するように、基板上の複数の電極対をそれぞれ個々に（複数の電極を同時に監視することもできるが）監視する。本発明の方法の目指すところは、それぞれの電極対がほぼ同じ本数のナノワイヤを有するということである。それゆえ、本発明は、少なくとも２個の電極対、好適には少なくとも４個の電極対 （例えば、少なくとも５個、少なくとも１０個、少なくとも２０個、少なくとも３０個など）を備え、それぞれの電極対に配置される少なくとも２本のナノワイヤ、好適には少なくとも４本のナノワイヤ（例えば、少なくとも５本、少なくとも１０本、少なくとも２０本、少なくとも５０本、少なくとも１００本など）を備えた基板であって、それぞれの電極対はほぼ同じ本数のナノワイヤを有する基板を提供する。ここで用いるように、「ほぼ同じ本数のナノワイヤ」とは、１つの電極対に配置されたナノワイヤの数が、他の電極対に配置されたナノワイヤ（同じ堆積プロセスおよび制御を受けたもの）の本数よりも約７０％未満の差があることを意味する。好適には、ナノワイヤの本数の差が、約６０％未満、約５０％未満、約４０％未満、約３０％未満、約２０％未満、約１０％未満、約５％未満、約１％未満となるように、各電極はほぼ同じ本数のナノワイヤを有する。
【０１５５】
さらに他の実施形態において、本発明は、基板上にナノワイヤを配列および／または配置するシステムであって、複数の ナノワイヤを含む懸濁液 (例えばナノワイヤインク)と、１つまたは複数の電極対を有する基板と、電極対の間に交流（ＡＣ）電場を発生し、該交流（ＡＣ）電場を調節する信号発生器とを備えるシステムを提供する。好適な、基板と電極に用いる材料を、明細書を通して説明する。電極対の間にＡＣ電場を発生させる供給源の例としては、以下に限られるものではないが、電極対に直接電気的接続を行うものや、導波路等の装置、およびその他同等のＡＣ電場供給源が挙げられる。
【０１５６】
さらなる実施形態において、本発明のシステムは、少なくとも一つの電極対において、複数のナノワイヤを含む懸濁液を流す手段をさらに備える。懸濁液を流す手段としては、以下に限定されるものではないが、ナノワイヤ懸濁液の流量を制御する流れ制御システム（例えば、ポンプなどの装置）、電極対に対して懸濁液を注ぎかけるのに用いることのできる貯水槽や貯蔵容器などといった単純な装置、その他同様且つ同等の装置が挙げられる。好適には、懸濁液を流す手段は、基板の下側に結合するように調節された取り付け具である。例えば、懸濁液を流す手段は、システムあるいは装置全体が、堆積毎に再使用できるように、基板の下側に永久的に、あるいは脱着可能なように取り付けられる。そのような実施形態において、本発明の装置あるいはシステムは、電極対上にナノワイヤを配列および堆積するのに用いることができ、そしてナノワイヤは、電極から転写したり除去することができ、装置はその後の堆積プロセスにて再び使用することができる。これにより、本発明の装置およびシステムは、消耗してしまうまで、あるいは効果を発揮しなくなるまで、一般的に電極やその他の部品の交換を必要とせずに、繰り返し使用することが可能である。
【０１５７】
さらなる実施形態において、本発明のシステムは、マイクロスコープ、赤外線あるいはレーザー検知器など、ナノワイヤを可視化する光学的画像システムをさらに備えている。本発明のシステムはまた、基板上で浮遊状態にあるナノワイヤを動かす、１つまたは複数の電場電極をさらに有することができる。上記のように、好適な実施形態において、本発明のシステムは、１つまたは複数の電極対における信号を判定する信号監視デバイス（例えば、オシロスコープ）および該信号がプリセット値に達したときにＡＣ電場を停止する手段をさらに備える。信号がプリセット値に達したときにＡＣ電場を停止する手段は、以下に限定されるものではないが、電極対の間の電場を下げることにより、（ナノワイヤを配列および堆積するのに本発明の方法が用いられる実施形態において）電極対上のナノワイヤの配置を停止し、ナノワイヤの供給源（例えば、ナノワイヤ懸濁液）を除去し、供給源から電極を除去したりする（例えば、懸濁液から基板を引き上げる）、あるいは用いられる堆積方法に依存する他の好適且つ同等の方法によってなされる。
【０１５８】
さらなる実施形態において、本発明は、１つまたは複数のナノワイヤを基板上に堆積する方法を含む。１つまたは複数のナノワイヤはまず、基板上に配置され、そしてナノワイヤが基板上にて堆積するようにナノワイヤを加熱する。任意の好適なプロセスを用いて、例えば、電場配列、ラングミュアフィルム配列、あるいは流れ配列を用いて、ナノワイヤを基板上に配置することができる。典型的な実施形態では、ここで述べたように様々な電場配列方法を用いてナノワイヤを基板上に配置するが、ナノワイヤはまず、電極の対に対応させ、そしてここで述べるように電場を調節して好適に電極対に結合させる。例えば、図１７Ａでは、一対の電極（２０４、２０５）に結合されたナノワイヤ２０８は、基板２０２（例えば、ガラス基板）上に配置される。
【０１５９】
ナノワイヤの配置（例えば、電極対への結合）に続いて、ナノワイヤ２０８は基板２０２上に堆積するように加熱される。ここで用いるように、「加熱される」あるいは「加熱する」とは、ナノワイヤ（および基板）の温度を上昇させる様々な方法を含み、以下に限定されるものではないが、炉やアニーリングチェンバーにおける加熱、基板そのものの加熱、例えば、オーム加熱や導電性加熱によるもの、あるいは他の好適な方法を含む。
【０１６０】
一般的に、ナノワイヤは約１００℃以上、例えば、約１１０℃、約１２０℃、約１３０℃、約１４０℃、約１５０℃、約１６０℃、約１７０℃、約１８０℃、約１９０℃、約２００℃、約２１０℃、約２２０℃、約２３０℃、約２４０℃、約２５０℃、あるいはそれ以上の温度で加熱される。ここで用いるように、「堆積温度」とは、基板２０２上に堆積させるためにナノワイヤ２０８を加熱する温度をいう。ナノワイヤの温度は、結合直後の温度（例えば、室温(約２２〜２５℃)以上）からナノワイヤが基板上に堆積する温度（例えば、約１００℃以上）まで、様々な加熱速度で上昇することができる。例えば、２〜３分から数時間までの時間で温度上昇をさせることができる。例えば、約５分から約３０分の時間で、結合直後の温度から堆積温度まで上昇させることができる。
【０１６１】
一旦、堆積温度に到達すると、ナノワイヤは、２〜３分から数時間までの間、好適にこの温度で維持される。例えば、ナノワイヤは、約５分から約２時間、あるいは約５分から約１時間の間、約５分から約３０分の間、約１０分から約３０分の間、あるいは２０分の間、堆積温度に維持することができる。この加熱時間の間、ナノワイヤは、反応性および非反応性の(すなわち非活性の)フォーミングガスを含む、１つまたは複数の気体、例えば、H２、N２、He、Ne、Ar、Kr、Xe、あるいはRnと好適に接触する。典型的な実施形態では、ナノワイヤは、H２の存在下で、例えばH２とN２の混合物の存在下で加熱される。理論上だけではなく、加熱中のナノワイヤへのH２の付加は、おそらくナノワイヤと基板との間の水素結合により、ナノワイヤ２０８と基板２０２との結合／関連付けを強化するようである。本発明はまた、ナノワイヤと基板の間の関連付け／結合を可能にするフォーミングガスを含む、好適にはHといった付加気体の使用も包含する。さらなる実施形態において、ナノワイヤと基板の間の共有結合が、化学反応直後のH２O分子の放出により形成されてもよい。
【０１６２】
ナノワイヤが上昇した温度に維持された後、例えば熱源を除去したり、ナノワイヤが冷却されるまでH２ガス（例えば、H２/N２ガス）をさらに供給することにより、該ナノワイヤは室温まで冷却される。
【０１６３】
典型的な実施形態では、ナノワイヤを堆積温度まで加熱する前に、ナノワイヤに気体を供給し、その後、気体を取り除くという、１つまたは複数の周期にナノワイヤを好適にさらす。例えば,N２ガスを、好適には室温で約５から３０分（例えば、約１０分）ナノワイヤに供給することができる。その後、真空ポンプ（例えば、約５分間、１００mTorr以下の圧力まで真空化）を用いて気体を除去する。好適な実施形態において、気体の供給／除去サイクルは、例えば２回から１０回繰り返すことができ、好適には、堆積温度までナノワイヤを加熱するのに少なくとも５回の気体供給／除去サイクルが行われる。
【０１６４】
さらなる実施形態において、本発明は、１つまたは複数のナノワイヤ２０８を基板２０２上に堆積させる方法を提供する。例えば、基板上の電極対２０７（２０４/２０５）の近傍の懸濁液中に１つまたは複数のナノワイヤを供給する。その後、電極対に電圧を与え、ナノワイヤが電極対に関連付けられ、電圧はその後調節され、これによりナノワイヤは電極対に結合される（関連付けおよび結合の周波数ならびに振幅の例については明細書を通じて説明する）。そして、気体はナノワイヤに供給され、そして除去される（例えば、真空状態）。この気体供給／除去サイクルは、例えば５回以上といったように、数回繰り返すことができる。そして、ナノワイヤは、好適にはH２ガス（例えば、H２/N２）の存在下で、約１００℃以上（例えば、約２００℃）まで加熱され、これによってナノワイヤは基板上に堆積される。
【０１６５】
基板２０２の表面における電極を用いて（例えば、上記のように関連付けおよび結合を行うことによって）ナノワイヤ２０８を配置する本発明の実施形態において、電極（例えば、２０４および２０５）は好適に除去される。図１７Ｂに示すように、電極２０４および２０５の除去により、ナノワイヤ２０８が配列／整列されて基板上に堆積する。電極２０４および２０５を除去する例としては、以下に限定されるものではないが、スクラッピングやエッチングといった物理的な除去が挙げられ、エッチングにはドライエッチング、プラズマエッチング、あるいは電子ビームエッチングや、ウェットエッチングのような、例えば窒素酸系化学エッチングのような化学エッチングが含まれる。図１７Ｂに示すように、電極２０４および２０５を除去した後、配列／堆積されたナノワイヤ２０８が基板２０８上に残される。その後、DI水（あるいは他の溶液）での洗浄と乾燥（例えば、スピンリンスドライヤを使用）を行っても、ナノワイヤ２０８の基板２０２上での配列や連結への支障はない。
【０１６６】
基板２０２上にナノワイヤ２０８を堆積させる他の方法は、ナノワイヤを固定するために静電気力を印加すること、ならびに、２つの基板間の共有結合性の（例えば化学的な）反応あるいは非共有結合的な相互作用を促進するためにナノワイヤ２０８の化学的表面処理を行うことを含む。
【０１６７】
また、本発明は、溶液（すなわちナノワイヤの懸濁液）中のナノワイヤを動かすシステムを提供するものであり、例えば図１８に示されるシステム１８００を提供するものである。典型的な実施形態において、システム１８００は、１つまたは複数の電極セット（例えば、１８０２、１８０８）を有する。各電極セットは、第１の極性を持つ第１の電極と、第２の極性をもつ第２の電極とを有する。図１８に示すように、第１の極性（第１の電極）は、第２の極性（第２の電極）と反対の極性である。ここで用いるように、電極の「セット」とは、２つの電極のことをいう。図１８に示すように、電極セット１８０２および１８０８は、それぞれ単一の電気接続１８０４および１８０６と接続することができ、第１の極性の電極が電気接続（１８０４）につながれ、第２の極性の電極が電気接続（１８０６）につながれる。他の実施形態において、様々なセットにおける個々の電極は、個々の電気接続につなげることができる。図１８に示すように、典型的な実施形態では、第１電極セット１８０２および第２電極セット１８０８は、交互に配置される（すなわち、同極性の二つの電極が直接隣り合わせて配置されることはない）。好適には、電極セットは互いに同じ面に位置しうるし、代りの実施形態では、異なる面にも位置しうる。
【０１６８】
第１および第２の電極（それぞれ第１および第２の極性を有する）の間に交流（ＡＣ）電場を発生させるため、信号発生器あるいはその他の好適な装置を電極セットへつなげる。発生させた電場に応じて、溶液中のナノワイヤは、セットにおける電極（＋、−）間の交流電流によって極性化され、溶液中で動かされる。以下に示すように、様々な電極セットにおいて電流を交流させたりパルスを発生させたりすることによって、ナノワイヤを流路２０６において動かすことができる。電極セットの電極間において交流電場を用いることに加え、電極間の誘電泳動あるいは電気浸透性（流体運動）力を発生させるため、直流電場も用いることができる。直流電場を用いる実施形態において、電極セットの電極は一般的に、交流電場を用いる場合よりも大きな距離で互いに隔てられている。これにより、電極間の全距離にわたってナノワイヤを動かすことができ、その結果、ナノワイヤは流路２０６に沿って移動することができる。
【０１６９】
さらなる実施形態において、本発明のナノワイヤ操作システム１８００はさらに、複数のナノワイヤ２０８を含む懸濁液と、１つまたは複数の電極対２０７（例えば、電極２０４、２０５）を含む基板２０２とを備えることができる。該システムは、好適には、電極対の間において交流（ＡＣ）電場を発生させ、ＡＣ電場を調節する信号発生器あるいは他の装置をさらに備える。一般的に、電極対２０７を有する基板２０２は、電極セット（１８０２、１８０８）に対向して配置される。例えば、図１８に示すように、電極セット１８０２および１８０８は基板２０２の上に配置され、好適には、基板２０２にほぼ平行に配置されている。しかしながら、電極セットは基板２０２および電極対２０７に対して任意の空間配置を行うことができ、例えば、電極セット（１８０２、１８０８）を、電極対２０７の下に配置することもできるし、あるいは電極対２０７の上に配置することもでき、基板２０２に平行である必要はない。例えば、電極セット１８０２および１８０８は、基板２０２に対してどのような角度にも配置することが可能である。
【０１７０】
好適な実施形態において、システム１８００はさらに、少なくとも１つの電極対２０７および電極セット１８０２、１８０８上において複数のナノワイヤを含む懸濁液を流す手段を有する。懸濁液を流す手段の例は、明細書を通して説明する。システム１８００のさらなる構成要素として、例えば、ナノワイヤを可視化する光学的画像システム、流れ制御システム、および信号監視デバイスを、明細書を通して説明する。
【０１７１】
本発明はまた、図１８のシステム１８００を参照し、図１９のフローチャートにて示されるように、溶液中のナノワイヤを動かす方法を提供する。図１９のステップ１９０２において、１つまたは複数の電極セット１８０２、１８０８が備えられる。各電極セットは、好適には第１の極性を有する第１の電極と第２の極性とを有する第２の電極を備える。図１８に示すように、好適な実施形態において、同様の極性を有する電極が互いに直接隣接しないように電極を交互に配置する。図１９のステップ１９０４において、電極セット（１８０２）に電圧が与えられ、ナノワイヤは電圧が与えられる方向に動かされる。ここで用いるように、「電圧を与える」とは、電極セットの電極に電流を供給する任意の好適なメカニズムやシステムを表す。「電圧を与える」とは、電極セットの電極においてまたは電極セットの電極の間にＤＣ電場および／またはＡＣ電場を発生させることをいう。
【０１７２】
フローチャート１９００のステップ１９０６において、電圧を与えられた電極（１８０２）のセットは、その後電圧の供給を遮断される。ここで用いるように、「電圧の供給を遮断」とは、電流を停止する、あるいは電流を電極セットから除去することをいう。そしてステップ１９０８では、隣接する電極セット（１８０８）に電圧を与える。ここで用いるように、「隣接する電極セット」とは、ステップ１９０４にて電圧が与えられ、ステップ１９０６にて電圧の供給を遮断されたセットのすぐ隣の電極セットを意味する。隣接とは単に、電極セットが互いに空間的に隣り合って配置されることを表したものに過ぎず、電極セットが互いに接触したり、互いに特定の距離を持つことを要求するものではない。
【０１７３】
フローチャート１９００のステップ１９１０に示すように、ステップ１９０６および１９０８は適宜繰り返される。例えば、電圧を与えられた電極セット１８０８は、電圧の供給を遮断され、図示しないさらに隣接した電極のセットに電圧を与える。ステップ１９１０は、任意の所望の回数行うことができる（すなわち、隣接する電極セットへの電圧供給および電圧供給の遮断）。電極セットにおけるこのサイクルにより、好適には電圧を与える方向（すなわち、隣接する電極セットが電圧供給されたり電圧供給を遮断されたりする方向）に誘電泳動力を発生させる。明細書を通して説明するように、誘電泳動力は、印加されたＡＣ電場と同じ方向にナノワイヤを動かす。ナノワイヤは、電圧を与えられた電極セットから、隣接する、電圧を与えられた電極セットへと移動し、先に電圧を与えられたセットは電圧供給を遮断される。ナノワイヤの電圧供給および電圧供給の遮断というサイクルにより、ナノワイヤを任意の所望の方向に動かすことができる。
【０１７４】
例えば、図１８に示すように、電圧供給／電圧供給の遮断により、流路２０６において、図中の大きな矢印の方向に誘電泳動力を発生させる。したがって、電圧が与えられた、および電圧供給を遮断された電極（１８０２→１８０８→）の交互のセットにおける「波」や「パルス」に応じて、ナノワイヤ２０８によって規定される位置に当初配置されていたナノワイヤは、フローチャンネル２０６を矢印方向に、例えば、ナノワイヤ２０８→２０８‘→２０８“の流れの経路に沿って移動する。さらなる実施形態において、図１９に示される電圧供給および電圧供給遮断によって発生する誘電泳動力に加えて、例えばナノワイヤを動かす補助として流体の流れを用いることによって、同一あるいは同様の方向にナノワイヤを流すことができる。流体の流れを調整および規制する方法の例については明細書を通して説明する。
【０１７５】
好適な実施形態において、電極セットに電圧を与えることには、該セットの電極間にＡＣ電場を発生させることが含まれる。一般的には、例えば電気接続１８０４および１８０６を介して、信号発生器あるいは同様の装置が電極セットに接続される。ＡＣ電場の例として、好適には、約１０Hzから約１kHzの周波数と約１-１０V（ピーク間）の振幅が挙げられる。
【０１７６】
本発明はまた、１つまたは複数のナノワイヤを動かす方法を提供する。明細書を通して説明するように、電極対の間の電場を調節し、１つまたは複数の電極対２０７にナノワイヤを好適に関連付けおよび結合する。ここで述べるように、また図１８に示すように、好適には、第１の極性を有する第１の電極と第２の極性を有する第２の電極とを備えた電極（１８０２、１８０８）のセットでナノワイヤ２０８を動かすことによって、結合されていないナノワイヤが電極対２０７から除去される。例えば、電極セット１８０２に電圧を与え、そして隣接する電極セット１８０８の電圧供給を遮断することにより、誘電泳動力を生成する。その結果、結合されていないナノワイヤ２０８は、電圧を与える方向に動かされ、電極対２０７から除去される。例えば、図１８に示すように、ナノワイヤ２０８は、好適には流路２０６において、図中の大きな矢印の方向に動かされる。除去されたナノワイヤは、単にナノワイヤ「インク」あるいは懸濁液をリサイクルすることによって、その後の関連付け／結合に再利用することができる。
【０１７７】
ナノワイヤを動かすことに加え、ナノワイヤ関連付けおよび結合に対するＡＣ電場の特徴を含め、その状態の例について説明を行う。さらなる実施形態において、隣接する電極セットに電圧を与えることおよび電圧供給遮断を行って発生させる静電気力を用いた操作に加え、例えば溶液を流すことにより、ナノワイヤを流すことができる。
【０１７８】
本発明は、１つまたは複数のナノワイヤを配置する、さらなる方法を提供する。ここで述べるように、本発明の方法を用いて、ナノワイヤを電極対２０７に好適に関連付けおよび結合する。例えば、図２０に示すように、１つまたは複数のナノワイヤの懸濁液は、電極対２０７の近くに供給される。電極対２０７に電圧が与えられ、ナノワイヤ２０８は電極対に関連付けられる。電圧供給はその後調節され、ナノワイヤは電極対に結合される。最終的に、１つまたは複数の結合されていないナノワイヤ（結合されていないナノワイヤには、電極に充分結合していない、および／または配列がされなかったり交差したりするナノワイヤが含まれる）が、電極対から除去される。好適な実施形態において、除去電極２００２に電圧を与えることを含むプロセスを用いてナノワイヤ２０８を除去し、結合されていないナノワイヤ２０８をある方向に、例えば、除去電極２００２の方向に動かすことで、電極対２０７から除去することができる。ここで用いるように、「除去電極」とは、該除去電極に電圧をあたえると、電極対から除去されるナノワイヤが除去電極に向かって、あるいは除去電極の方向に動かされるように、電極対から距離を置いて配置される、１つまたは複数の電極を表す。
【０１７９】
例えば、図２０に示すように、除去電極２００２は、基板２０２に位置する電極対２０７の「上」に配置することができる。しかしながら、除去電極２００２は、任意の好適な配列で、あるいは電極対２０７から距離をおいて配置することができ、本発明が、単に電極対２０７の上に除去電極２００２を配置することに限定しないことを理解しなければならない。好適な実施形態において、除去電極２００２は１つの電極を備えているが、複数の除去電極を用いることも可能である。除去電極２００２は一般的に、流路２０６の内部に備えられるが、その結果、流路と、溶液中で浮遊状態にあるナノワイヤ２０８と、流動的な伝達が行われる。
【０１８０】
除去電極２００２に電圧を与えることは、除去電極２００２においてＤＣ電場やＡＣ電場またはその両方（２００４）の生成を指す。例えば、ＤＣ電場は、約０.１Vから約１０Vの振幅を持つことができる。例えば、ＡＣ電場は好適に約１００Hzから約１００kHzの周波数をもち、約５から１５０Vの振幅を持つ。ＤＣおよびＡＣ電場２００４を生成する信号発生器あるいは他の装置／デバイスについては明細書を通して説明するものであり、当業者にもよく知られている。
【０１８１】
除去電極２００２にＤＣ電場を印加することにより、除去電極２００２に向けてナノワイヤ２０８(結合されていない、あるいは配列されていないナノワイヤ)を動かす。除去電極２００２において正の電荷を生成すると、例えば図２１Ａに示すように、ナノワイヤ２０８は電極対２０７の領域から流路２０６へと移動しやすい。溶液を流路２０６に流すことによって、電極対領域からナノワイヤ２０８を除去し、これにより、ナノワイヤ２０８を次の処理において回収および再利用することが可能となる。さらなる実施形態において、例えば,約-０.１Vから約-１０Vといった、負の電荷を除去電極２００２において生成することができる。除去電極２００２における負の電荷によって、ナノワイヤ除去電極２００２からナノワイヤが遠ざかるように動かされやすく、そのため電極対２０７に向かいやすい。これにより、明細書を通して説明するように、ナノワイヤの関連付け／結合を向上することができる。
【０１８２】
ナノワイヤを電極に向けて動かすことに加えて、ＡＣ電場を除去電極２００２に印加することによっても、例えば図２１ＢおよびＣに示すように、ナノワイヤ２０８がＡＣ電場に平行な向きになるよう揃いやすい。従って、ナノワイヤ２０８を電極対２０７から遠ざかるように動かすことに加えて、ナノワイヤ２０８はまた、より多くの表面領域が流体の流れにさらされるように配列される（図２１Ｃ参照）。流量の最大は、流路２０６の「高さ」の約1/2に相当する距離（すなわち、除去電極と電極対２０７の中間）にあると判断される。典型的な実施形態では、流路２０６の高さは約５００μm（基板２０２上の除去電極２００２と電極対２０７の間の距離）であり、基板２０２の表面の上、約２５０μmの距離において最大流量に達する。ナノワイヤ２０８を流すための流体の流れとともに、ＡＣ電場の印加により、結合されていない／配列されていないナノワイヤを除去する非常に効果的な方法を提供し、さらなる流れにおけるナノワイヤインクのリサイクルを可能にする。これにより、材料の浪費やコストの制限が可能となる。
【０１８３】
さらなる実施形態において、例えば図２１Ｂに示すように、ＡＣ電場とＤＣ電場の両方が除去電極２００２において生成される。ＡＣ電場とＤＣ電場の生成により、ナノワイヤ２０８が電極対２０７から遠ざかるように移動し、流体の流れと平行にナノワイヤが配列される。典型的な実施形態では、除去電極２００２に三段階で電圧を与えることができ、例えば、まずＡＣ電場を除去電極において生成することができ、そしてＤＣ電場およびＡＣ電場が生成でき、最終的に、ＡＣ電場が除去電極２００２において生成できる。
【０１８４】
１つまたは複数の電極対２０７に加えて除去電極２００２を有する本発明のシステム／装置は、広範囲にわたるナノワイヤの配置／堆積を促す。従来の３電極電場操作では、IRの下降が問題となりうる。しかしながら、大面積の除去電極２００２を使用すると、この懸念も限られてくる。
【０１８５】
ナノワイヤを電極対２０４/２０５から遠ざけるように動かすさらなる方法は、本発明の実施において用いることができる。例えば、誘電泳動の、あるいは電気浸透性の力によってナノワイヤ２０８が除去される、あるいは流体の流れによって流されるようにナノワイヤ２０８を除去したり動かしたりするため、電極対２０７（と、好適には基板２０２）を様々な方向に向けることができる。例えば、基板２０２およびそれにともなって電極対２０７は「下方に」向けることができるので、ナノワイヤ２０８を「上方に」移動し、流体の流れに含ませ、流室２０６から除去することができる。流体の流れで流すことによって、あるいは電気泳動力/電気浸透力によってナノワイヤを除去できるようにナノワイヤを動かすさらなる方法には、以下に限定されるものではないが、結合されていない／配列されていないナノワイヤを除去したり流体の流れに含ませたりする音波や他の振動誘発方法とならんで、超音波や、あるいは電気泳動力/電気浸透力が含まれる。
【０１８６】
さらに他の実施形態において、例えば図２３に示すように、本発明は、基板上にナノワイヤを配置するシステムを提供する。上記のように、このようなシステムは好適には、複数のナノワイヤ２０８を含む懸濁液を有する。このようなシステムはまた、１つまたは複数の電極対２０７と、１つまたは複数のナノワイヤ付着領域２３０２とを有する基板２０２を備える。好適には、これらのシステムはまた、電極対の間に交流（ＡＣ）電場を発生させ、該AC電場を調節する信号発生器を有する。
【０１８７】
明細書を通して説明するように、一実施形態では、流体の流れを用いてナノワイヤを流すことによって、結合されていないナノワイヤを電極から除去することができる。この流体の流れは、電極対にピン止めおよび／または固定されていないナノワイヤを効果的に除去することができる。いくつかの実施形態において、１つまたは複数のナノワイヤ付着領域２３０２を基板２０２に配置することが望ましい。ここで用いるように、「ナノワイヤ付着」とは、これらの領域がそれらの表面にナノワイヤを引きつけ、貼り付け、あるいは接合させることを意味する。ナノワイヤ付着領域は、基板２０２の一部でもよく、あるいはナノワイヤが付着するように構成された、基板２０２の付加的構造であってもよい。
【０１８８】
さらなる実施形態において、流体の流れを用いて結合されていないナノワイヤを流すことは必ずしも必要ではない。むしろ、単に結合されていないナノワイヤをナノワイヤの懸濁液から除去するために、ナノワイヤ付着領域を用いることができる。ここで述べるように、これによって、後でナノワイヤが回復し、次の結合反応に用いることができる。
【０１８９】
好適には、ナノワイヤ付着領域２３０２が、約１０mmから約５００cmの距離で、好ましくは、約１cmから約１００cm、あるいは約１０cm、約２０cm、約５０cm、約７０cmなど、互いに分離されるように配置されている。ナノワイヤ付着領域２３０２は、電極対２０７に対して平行か、あるいは垂直に配置することができる。ナノワイヤ付着領域２３０２は、どのような形やサイズでもよく、例えば、板状、棒状、帯状、あるいは、ナノワイヤが付着できる他の形状でもよい。
【０１９０】
上記のように、好適な実施形態において、ナノワイヤ２０８は、外殻が金属などの導電性材料である、核-殻-殻の構造を有するものである。水性あるいはアルコール系溶液において、これらのナノワイヤは一般的に負の表面電荷を有する。従って、ナノワイヤ付着領域は、好適には正の電荷を帯びる。しかしながら、他の環境において、および／または他のナノワイヤ構造について、負に帯電したナノワイヤ付着領域を、好適にはナノワイヤが正に帯電する場合に用いることもできるということに留意しなければならない。適切な電荷を有するものであればどのような材料でも、ナノワイヤ付着領域２３０２として用いることができる。
【０１９１】
典型的な実施形態では、ナノワイヤ付着領域２３０２は好適には、Al２O３のような酸化物、あるいは窒化物、あるいは、水性あるいはアルコール系溶液において正の表面電荷を得る他の物質を含む。さらなる実施形態において、特定の環境で帯電する基板を用いるより、例えばナノワイヤ付着領域２３０２に正あるいは負の電圧を印加することにより、当該領域において電荷を生成できる。そして、電圧の極性を切り替えることができ、これによりナノワイヤ２０８はナノワイヤ付着領域２３０２から解放され、回復、リサイクルされ、さらに堆積するようになる。従って、ナノワイヤ付着領域２３０２は、基板２０２から分離した、あるいは基板２０２に追加された材料でもよいし、あるいは、ナノワイヤ付着領域を生成するため、例えば電圧を与えることにより改変された基板２０２の一部であってもよい。
【０１９２】
さらなる実施形態において、図２３に対する図２４のフローチャート２４００に示すように、本発明は、１つまたは複数のナノワイヤ２０８を配置する方法を提供する。典型的な実施形態では、ステップ２４０２において、１つまたは複数のナノワイヤ２０８の懸濁液が基板２０２上の電極対２０７の近くに供給される。ステップ２４０４において、電極対２０７に電圧を与え、ナノワイヤ２０８は電極対に関連付けられる。ステップ２４０６において、電極対への電圧供給が調節され、ナノワイヤ２０８が電極対２０７に結合される。ステップ２４０８において、１つまたは複数の結合されていないナノワイヤ２０８が、ここで述べるように結合されていないナノワイヤを流すことによって、電極対から除去される。ステップ２４０８において、結合されていないナノワイヤが電極対２０７から流されるとき、該ナノワイヤは基板２０２上のナノワイヤ付着領域２３０２に引き寄せられる。上記のように、ナノワイヤ付着領域２３０２を用いることにより、結合されていないナノワイヤが、すでにピン止め/固定されているナノワイヤを干渉することを制限できるのみならず、ナノワイヤを流すプロセスにおいて、結合されていない／除去されたナノワイヤが移動する距離を縮めることもできる。
【０１９３】
さらに、ここで述べるように、好適な実施形態において、結合されていないナノワイヤを必ずしも流さなくてもよい。そのかわり、結合されていないナノワイヤは単に、電極対の「下流」にあるナノワイヤ付着領域に付着することができる。ここで用いるように、「下流」とは、流体の流れ（流体の流れが用いられる場合）の方向において電極対の後ろにナノワイヤ付着領域が位置することを表す。このような実施形態において、結合されていないナノワイヤが電極対を越えて通過するとき、該ナノワイヤは、１つまたは複数のナノワイヤ付着領域に付着し、その後の結合反応において回復し、利用することができる。
【０１９４】
図２５ＡからＣは、ナノワイヤ付着領域２３０２の存在下および不在の場合のナノワイヤ配列および堆積を示す。図２５Ａは、ナノワイヤ付着領域２３０２（例えば、SiO２）と非付着領域２５０２（例えば、モリブデン）の間に形成される境界を示し、２つの材料の表面の間に際立ったコントラストを示している。図２５Ｂは、ナノワイヤが付着する領域におけるナノワイヤ配列および堆積を示し、図２５Ｃは、非付着領域におけるナノワイヤ配列および堆積を示す。
【０１９５】
例示のデバイスおよびアプリケーションにおける、本発明に係る堆積ナノワイヤの使用
多くの電子デバイスおよびシステムは、本発明の方法によって堆積したナノワイヤの薄膜を有する半導体あるいはその他の種類のデバイスを内蔵することができる。本発明のいくつかの応用例を以下あるいはその他の箇所にて説明するが、これに限定されるものではない。ここで説明する応用例には、ナノワイヤの配列あるいは非配列薄膜を含んでもよいし、ナノワイヤの複合あるいは非複合薄膜を含んでもよい。
【０１９６】
半導体デバイス（あるいは他の種類のデバイス）は、他の電子回路の信号につなぐことができ、および／または他の電子回路と統合させることができる。半導体デバイスは、後で小さい基板に分離あるいは切断することのできる大きな基板上に形成することができる。さらに、大きな基板（すなわち、従来の半導体ウェハよりもほぼ大きい基板）に、その上に形成された半導体デバイスを相互接続することができる。
【０１９７】
本発明のプロセスおよび方法によって堆積させたナノワイヤは、１つの半導体デバイスを必要とするアプリケーションおよび複数の半導体デバイスに組み込むことができる。例えば、本発明のプロセスおよび方法によって堆積させたナノワイヤは、複数の半導体デバイスが設けられた大面積マクロ電子基板に特に応用可能である。このような電子デバイスは、アクティブマトリックス液晶表示装置（LCD）用、有機LED表示装置用、電場放出表示装置用のディスプレイ駆動回路を備えることができる。他のアクティブディスプレイは、ナノワイヤ-ポリマー、量子ドット-ポリマー混合物（該混合物はエミッタとアクティブ駆動マトリックスの両方として機能することができる）から形成することができる。本発明のプロセスおよび方法によって堆積させたナノワイヤはまた、スマートカード、スマート棚札などを含めた、スマートライブラリ、クレジットカード、大面積アレイセンサ、高周波識別（RFID）票に応用できる。
【０１９８】
本発明のプロセスおよび方法によって堆積させたナノワイヤはまた、デジタルおよびアナログ回路アプリケーションに応用が可能である。特に、本発明のプロセスおよび方法によって堆積させたナノワイヤは、大面積基板上の超大規模組み込みを必要とするアプリケーションに有用である。例えば、本発明のプロセスおよび方法によって堆積させたナノワイヤの薄膜は、ロジック回路、メモリ回路、プロセッサ、増幅器、および他のデジタルおよびアナログ回路において実施することができる。
【０１９９】
本発明のプロセスおよび方法によって堆積させたナノワイヤは、光起電性のアプリケーションに応用できる。このようなアプリケーションにおいて、高導電基板が、特定の光起電性デバイスの光起電性を向上するのに用いられる。例えば、このような高導電基板は、可塑性、大面積の、インジウム酸化錫（ITO）等の代替物として用いることが可能である。基板はナノワイヤの薄膜で被覆されるが、当該薄膜は、吸収性がなく、薄膜上部に設けられる光起電性デバイスの活性化物質に対して調整されたHOMOあるいはLUMOバンドを有するように、バンドギャップが大きい、すなわち、可視光より大きいバンドギャップを有するように形成される。透明導電体は、光起電性デバイスから電流を除去するために、吸収性光起電性材料の２辺に配置することが可能である。２つの異なるナノワイヤ材料を選択することができ、一方は、光起電性材料HOMOバンドに対して調整されたHOMOを有し、もう一方は、光起電性材料のLUMOバンドに対して調整されたLUMOを有する。２つのナノワイヤ材料のバンドギャップは、光起電性材料のバンドギャップよりはるかに大きなものが選択される。この実施形態によれば、基板をほとんど非吸収状態に保ったまま、ナノワイヤの薄膜の抵抗を減少するために、ナノワイヤを軽くドープすることができる。
【０２００】
従って、本発明のプロセスおよび方法によって堆積させたナノワイヤは、軍需品から消費物資にいたるまで、幅広い分野に含めることができる。例えば、このような物資には、パーソナルコンピュータ、ワークステーション、PDAやパームパイロットなどの手持ち式電子デバイス、電話（例えば、携帯電話および固定電話）、ラジオ、テレビ、電子ゲームおよびゲームシステム、ホームセキュリティーシステム、自動車、飛行機、ボート、他の家庭用および商業用電気器具などが含まれる。
【０２０１】
該当する技術分野の当業者にとって、ここで説明した方法や用途を適宜改変したり調整したりすることは、本発明やその実施形態の範囲を逸脱しない範囲で可能であることは明らかである。本発明を詳細に説明したが、以下の実施例を参照すればより明らかに理解できるであろう。ただし、以下の実施例は説明のためのものであり、本発明を限定する趣旨のものではない。
【実施例】
【０２０２】
実施例１:ナノワイヤの配置
図２および１４ａに示すように、流路２０６に、まず溶媒（IPA）１４０２を注入し、そして所望の濃度のナノワイヤ（NW）インク１４０４を注入する。NWインクの均一なフィルムをウェハ表面２０２上に導入した後、電極（２０４、２０５、２０７）パターンに、電場を印加した。E電場パラメータは、f=約５００HzとV=１Vppであった。これらの状況下にあるナノワイヤは、その長軸が電場方向に平行に、懸濁液から電極に捕捉／関連付けされるのが確認される。この関連付けは、ナノワイヤが流体の流れにおいてあらかじめ配列されているか、あるいは静置した懸濁液から配列されずに抜き取られた状態で可能である。ナノワイヤは、互いに隣接して配列され、電極棒に沿って移動性を示すことが確認される。このナノワイヤの捕捉状態を、弱いナノワイヤの「ピン止め」あるいは関連付け１４０６と称し、図５および図８aに示す。この移動性は、電極幅毎におけるナノワイヤの均一且つ高いパッケージ密度を達成するのに用いられる。典型的なナノワイヤ堆積密度は、１ミクロンにつき、１ナノワイヤというオーダーである（距離は電極長さに沿う）。このナノワイヤピン止めは、引きつける誘電泳同力と、反発する電気浸透性力の間における均衡によってなされるものと思われる（図５参照）。当該プロセス（「ナノワイヤ配列」１４０８あるいは配列調節と称する）における次のステップには、同じＡＣ振幅のままで、周波数をf=１０kHzに増やすことが含まれる。このステップでは、おそらく高い誘電泳動力が、ナノワイヤの誘導された双極性モーメントに影響を及ぼすために、移動性の少ない状態（強いピン止め状態）でナノワイヤを互いに平行に配列する。当該プロセスにおける次のステップには、ＡＣ信号振幅を、f=１０kHzにおいてV=４Vppに増やすことが含まれる。E電場におけるこの変化は、電極に対するナノワイヤの、いわゆる「固着」あるいは結合１４１０を示す。固着したナノワイヤの状態を、図１１および図８bに示す。この状態において、ナノワイヤは、（おそらくナノワイヤと電極との間においてアクティブなファンデルワールス力により）電極棒に沿って、もしあったとしても、ごくわずかな移動性しか示さない。電極形状に適切に適合させたナノワイヤは、高い流体剪断力に対して強さを示すよう充分に固着される。しかしながら、電極形状に適合していないナノワイヤ（例えば、短いナノワイヤ）、ねじれたナノワイヤ、交差したナノワイヤ、あるいは枝分かれしたナノワイヤは、「ナノワイヤ分離」プロセスステップ１４１２において電極から分離されることが確認させる。所望のナノワイヤ堆積密度が達成できない場合（ステップ１４１４にて判断されるように）、「ナノワイヤピン止め」から「ナノワイヤ分離」までのプロセスステップを繰り返す（１４０６〜１４１２）。所望のナノワイヤ堆積密度が達成された場合（ステップ１４１４にて判断されるように）、E電場はオフに切り替え、流路は溶媒（EPA）１４２０で流す（好適には、数百マイクロリッターから数ｍLまでの流体が使用される）。最終的に、溶媒１４２２の揮発により、流路を乾燥することができる。電極パラメータのいくつかの変化により、ナノワイヤ堆積が行われることが確認された。具体的に、振幅調節を用いると、電極全��にわたって高い平衡配列を達成できることが分かった。「ナノワイヤピン止め」ステップにおいて、１００％の調節指数（電場振幅比：キャリアの振幅）で、１００Hzの調節周波数が用いられた。これらの状態で、ナノワイヤは主に、高ナノワイヤ堆積密度（１マイクロインチ毎に２つのナノワイヤ）までの平行配列で捕捉される傾向にある。さらに、交差ナノワイヤは、不安定であることが分かり、溶媒流速を上げることによって除去できる。典型的に生じるナノワイヤ堆積パターンを図９aおよび図９bに示す。
【０２０３】
実施例２:CNOSナノワイヤによるナノワイヤ結合
TaAl最外殻を有すCNOS組成（Si核）を含むナノワイヤは、標準成長・取り入れ技術（例えば、Gudiksen et al (2000) 「半導体ナノワイヤの直径選択的合成」J. Am. Chem. Soc. 122, 8801-8802； Cui et al. (2001)、「単結晶シリコンナノワイヤの直径制御合成」 Appl. Phys. Lett. 78, 2214-2216；Gudiksen et al. (2001)、および「単結晶半導体ナノワイの直径および長さの合成的制御」 J. Phys. Chem. B 105,4062-4064）を用いることにより生成された。ナノワイヤの長さは約22ミクロンで、直径は約１００nm。 ナノワイヤの懸濁液は、中密度のものと、低密度のもの(中密度の懸濁液を１０倍希釈したもの)を、イソプロパノール（IPA）中にて調整した。
【０２０４】
厚さ５００ミクロン、直径４インチの石英基板を、それぞれ厚さ約４００A、幅約１５あるいは３０ミクロンの、複数のMoIy（Mo）電極でパターニングした。上記電極は、電極対がそれぞれ約２０ミクロン（すなわち、配列および結合しようとしているナノワイヤの長さよりわずかに短い）離れるように配置した。ポリジメチルシロキサン（PDMS）からなる流路には、（流路入り口にナノワイヤ懸濁液の液滴を注入することによって）ナノワイヤ懸濁液が注入される。そして、流路に毛管駆動流体を注入し、そして数秒後に流れ始める。ナノワイヤは概ね、最終的な電場方向に平行な流れで、あらかじめ配列される。
【０２０５】
約１０kHzの周波数と約１Vの振幅を用いて初期AC電場を生成した。ピークＡＣ電場は、約２５０V/cmだった。この低周波数により、懸濁液から電極対に対しての、ナノワイヤの配列および関連付けを行うことができた。電場の周波数は、約１０kHz〜３００kHzまで調節し、ナノワイヤが電極対に結合できるようにした。
【０２０６】
流路は、結合されていないナノワイヤを除去するため、BPAで流した。流路および結合されたナノワイヤをその後乾燥させた。乾燥ステップ中、電極に結合されたナノワイヤを維持するため、電圧を約４Vに上昇した。
【０２０７】
この実験の結果、ナノワイヤ密度は、約４〜６ミクロンにたいして１ナノワイヤ(低密度溶液)、そして約１〜３ミクロンにたいして１ナノワイヤ（高密度懸濁液）といったナノワイヤ密度が得られた。若干、ナノワイヤの交差や凝集が見られたが、全体的にはワイヤは配列し、相対的に均一な間隔を有していた。さらに、乾燥プロセスの間、若干配列されていなかったり交差していたりするのが確認された。電極対の間のギャップと密接に適合した長さのナノワイヤ（すなわち、長さ約２０ミクロンのナノワイヤ）毎に、最高のナノワイヤ堆積が発生することが判明した。
【０２０８】
実施例３:１０x１０列ナノワイヤ結合
TaAl最外殻を有すCNOS組成（Si核）を含むナノワイヤは、標準成長・取り入れ技術（例えば、Gudiksen et al (2000) 「半導体ナノワイヤの直径選択的合成」J. Am. Chem. Soc. 122, 8801-8802； Cui et al. (2001)、「単結晶シリコンナノワイヤの直径制御合成」 Appl. Phys. Lett. 78 2214-2216；Gudiksen et al. (2001)、および 「単結晶半導体ナノワイの直径および長さの合成的制御」 J. Phys. Chem. B 105,4062-4064）を用いることにより生成された。ナノワイヤの長さは約22ミクロンで、直径は約１００nm。 ナノワイヤの懸濁液は、中密度のものと、低密度のもの（中密度の懸濁液を１０倍希釈したもの）を、イソプロパノール（EPA）中にて調整した。
【０２０９】
厚さ５００ミクロン、直径４インチの石英基板を、それぞれが厚さ約４００Åで、幅約３０ミクロンの、１０x１０個のMoIy（Mo）電極対のアレイ（すなわち全部で１００電極対、２００電極）でパターニングした。電極を、それぞれの電極対が約２０ミクロン分離して（すなわち、配列および結合されるべきナノワイヤの長さよりわずがに短い）配置した。ポリジメチルシロキサン（PDMS）からなる流路に、（流路入り口にナノワイヤ懸濁液の液滴を注入することによって）ナノワイヤ懸濁液で注入した。そして、流路に毛管駆動流体を注入し、そして数秒後に流れ始めた。ナノワイヤは概ね、最終的な電場方向に平行な流れで、あらかじめ配列される。
【０２１０】
初期ＡＣ電場を、約５００Hzの周波数と、約１Vの振幅とを用いることによって生成した。ピークＡＣ電場は、約２５０V/cmであった。この低周波数により、ナノワイヤの、懸濁液から電極対への配列および関連付けを行うことができた。電場の周波数を約10kHzに調節し、振幅を約４Vに調節し、ナノワイヤを電極対に結合することができた。結合されていないナノワイヤを除去するため、流路をPAで流した。そして、流路および結合されたナノワイヤを乾燥した。
【０２１１】
この実験の結果、１０個の電極対の各々に、ナノワイヤの比較的均一な堆積が行われた。低密度ナノワイヤ懸濁液に対して、平均4.75個のナノワイヤが、２.２の分布の標準偏差をともなって、各電極対に堆積する。中密度のナノワイヤ懸濁液に対して、平均１０.８個のナノワイヤが、２.５の分布の標準偏差をともなって、各電極対に堆積する。
【０２１２】
実施例４:複数ナノワイヤ堆積サイクル
上記実施例１および２において説明したプロセスは、６６マイクロメータのアレイにおいて配列される電極対に対して、ナノワイヤを生成、関連付け、結合するのに用いられた。初期の関連付けおよび結合段階に引き続き、５ミクロン毎に約１つのナノワイヤという密度が達成された（図９a参照）。
【０２１３】
上記関連付けおよび結合段階は、より高いナノワイヤ密度を達成するために繰り返された。その結果を図９bに示すが、１.８ミクロン毎に約１つのナノワイヤという密度が達成された。
【０２１４】
複数堆積サイクルを用いると、低濃度且つ少量のナノワイヤ懸濁液で、高いナノワイヤ密度を実現し、また、かなり均一な電極充填も達成できる。
【０２１５】
実施例５:導波路生成ＡＣ電場を用いるナノワイヤ配列
TaAlN最外殻を有するCNOS組成（Si核）を含むナノワイヤは、標準成長・取り入れ技術（例えば、Gudiksen et al (2000) 「半導体ナノワイヤの直径選択的合成」J. Am. Chem. Soc. 122, 8801-8802； Cui et al. (2001)、「単結晶シリコンナノワイヤの直径制御合成」 Appl. Phys. Lett. 78, 2214-2216；Gudiksen et al. (2001)、および 「単結晶半導体ナノワイの直径および長さの合成的制御」 J. Phys. Chem. B 105,4062-4064）を用いることにより生成された。ナノワイヤの長さは約2０ミクロンで、直径は約１００nm。 ナノワイヤの懸濁液は、高、中、低密度のもの（１０倍希釈したもの）を、イソプロパノール（EPA）中にて調整した。
【０２１６】
厚さ５００ミクロン、直径４インチの石英基板を、それぞれ約１５００Åの厚みと、約５０ミクロンの幅と、鋸歯状のパターンを有する２５個のCr/Au電極対で、パターニングを行った。電極は、それぞれの電極対が約２０ミクロン分離して（すなわち、配列および結合されるべきナノワイヤの長さよりわずがに短い）配置した。ポリジメチルシロキサン（PDMS）（高さ１００ミクロン、幅５mm、水平に対して約１.５°の角度）からなる流路に、（流路入り口にナノワイヤ懸濁液の液滴を注入することによって）ナノワイヤ懸濁液を注入した。そして、流路に毛管駆動流体を注入し、そして数秒後に流れ始めた。ナノワイヤは概ね、最終的な電場方向に平行な流れで、あらかじめ配列される。
【０２１７】
ＡＣ電場は、１００Wの初期パワーインプットで、約２.４５GHzの導波周波数を用いて生成される。全照射時間は約５分で、４つの異なるアンテナ長を調べた（０.５mm、１mm、２mm、５mm）。
【０２１８】
この実験結果は、導波路を用いて生成したＡＣ電場を、ナノワイヤを電極対に対して配列および結合するのに用いることができるということを示した。導波路の外側の電極において、ナノワイヤは堆積しなかった。低密度ナノワイヤ懸濁液において、電極幅５０ミクロン毎に、約６つのナノワイヤという密度でナノワイヤが堆積した。中程度密度ナノワイヤ懸濁液において、電極幅５０ミクロン毎に、約１２個のナノワイヤという密度でナノワイヤが堆積した。高密度ナノワイヤ懸濁液において、電極幅５０ミクロン毎に、約２０〜４０個のナノワイヤという密度でナノワイヤが堆積した。
【０２１９】
実施例６:ナノワイヤの関連付けおよび除去
図２２Ａから図２２Ｆは、明細書を通して説明する様々な方法を用いてナノワイヤを除去した後の、ナノワイヤの関連付けを示す一連の顕微鏡写真である。図２２Ａは、基板上に配置された一連の電極対２０７を示す。該顕微鏡写真は基板／電極対の上から撮られたものである。ナノワイヤが流路に導入され、電極対の上のぼやけた物体として確認できる。流路にはまた、電極対の上の除去電極が存在するが、ナノワイヤを可視化するために用いられている光学的画像システムの可視平面の上にあるときは、ナノワイヤは顕微鏡写真では見えない。図２２Ａによると、電極対の間、あるいは除去電極において電場は生成されなかった。
【０２２０】
図２２Ｂによると、約５００Hzの周波数と、約５００mVのピーク間振幅を有するＡＣ電場が、基板上の様々な電極対の間に生成された。さらに、約-2.5Vの振幅を有するＤＣ電場が、除去電極において生成された。この負極性ＤＣ電場により、流路の底における電極対２０７に向けてナノワイヤ２０８を動かすことができる。電極対における交流電流によって、電極対に対するナノワイヤの配列および関連付けが開始される。
【０２２１】
図２２Ｃによると、ナノワイヤは、非常に良く配列された状態で、電極対（２０７／２０８）の間で関連付けられるのが確認できる。また、ナノワイヤが、電流を電極対（２０８'）に供給するバスラインに関連付けられるのが確認できる。ＡＣ電流およびＤＣ電流の両方が、図２２Ｂに示すように、同じ周波数と振幅で保持される。
【０２２２】
図２２Ｄによると、ＡＣ電流が５００mVと５００Hzで維持される一方、除去電極におけるＤＣ電流は、約+800mVに切り替えられる。電極対に対して弱く関連付けされる／配列されないナノワイヤと同様に、バスラインに関連付けられるナノワイヤ２０８は、流路における上方に引っ張られ、基板表面および電極対から遠ざかる。しかしながら、配列し、結合されるナノワイヤは、依然、様々な電極対（２０７／２０８）の間に存在している。
【０２２３】
図２２ＥによるとＡＣ電流は５００mVおよび５００kHzで維持されるが、ＤＣ電流は、除去電極において+２.５Vまで増加される。これにより、除去電極に向けてナノワイヤを上方に延伸しつづけ、また、ナノワイヤを流路の中央近くに維持できる。IPAの溶液を流すことによって、ナノワイヤを流す。図２２Ｅと図２２Ｄとを比べると、たくさんのナノワイヤが流路から除去されたことが分かる。
【０２２４】
図２２Ｆにおいて、IPAの流れを停止し、ＤＣ電極における電流をオフする。電極対におけるＡＣ電流は維持されるが、電極対（２０７／２０８）に対して配列および関連付けられた状態を保つ。ほとんどないが、もしあるとすれば、関連付けられていない／配列されていないナノワイヤが図２２Ｆに存在する。好適な実施形態において、ナノワイヤを電極対に対して結合／固定するため、電極対の間における電流をここで説明するように調節する。さらなる実施形態において、ＡＣ電場が調節でき、除去電極における正のＤＣ電流の生成前にナノワイヤが電極対に結合される。
【０２２５】
本発明の典型的な実施形態を説明してきたが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。これらの例は説明のためのものであり、限定的なものではない。ここに教示するものから、これらの代替物（ここで説明されるものの同等物、延長、変形、変更など）は関連分野の当業者にとって明らかなものであり、そのような代替物は本発明の範囲および精神の範囲に属するものである。
【０２２６】
本明細書において言及している全ての公報、特許、特許出願は、それぞれが具体的且つ個別に参照されるのと同じように、本明細書においてとりあげている。
【図１Ａ】
2010506744.tif 000018
【図１Ｂ】
2010506744.tif 000019
【図１Ｃ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2010506744.tif 000024
【図６】
2010506744.tif 000025
【図７】
2010506744.tif 000026
【図８Ａ】
2010506744.tif 000027
【図８Ｂ】
2010506744.tif 000028
【図８Ｃ】
2010506744.tif 000029
【図８Ｄ】
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【図９Ａ】
2010506744.tif 000031
【図９Ｂ】
2010506744.tif 000032
【図１０Ａ】
2010506744.tif 000033
【図１０Ｂ】
2010506744.tif 000034
【図１０Ｃ】
2010506744.tif 000035
【図１１】
2010506744.tif 000036
【図１２】
2010506744.tif 000037
【図１３】
2010506744.tif 000038
【図１４Ａ】
2010506744.tif 000039
【図１４Ｂ】
2010506744.tif 000040
【図１４Ｃ】
2010506744.tif 000041
【図１５】
2010506744.tif 000042
【図１６Ａ】
2010506744.tif 000043
【図１６Ｂ】
2010506744.tif 000044
【図１７Ａ】
2010506744.tif 000045
【図１７Ｂ】
2010506744.tif 000046
【図１８】
2010506744.tif 000047
【図１９】
2010506744.tif 000048
【図２０】
2010506744.tif 000049
【図２１Ａ】
2010506744.tif 000050
【図２１Ｂ】
2010506744.tif 000051
【図２１Ｃ】
2010506744.tif 000052
【図２２Ａ】
2010506744.tif 000053
【図２２Ｂ】
2010506744.tif 000054
【図２２Ｃ】
2010506744.tif 000055
【図２２Ｄ】
2010506744.tif 000056
【図２２Ｅ】
2010506744.tif 000057
【図２２Ｆ】
2010506744.tif 000058
【図２３】
2010506744.tif 000059
【図２４】
2010506744.tif 000060
【図２５Ａ】
2010506744.tif 000061
【図２５Ｂ】
2010506744.tif 000062
【図２５Ｃ】
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【国際調査報告】
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