(57)【要約】  発光体は、共通基板により機械的に相互接続する発光素子と、相互接続サブマウントとを含む。発光素子はサブマウントにより電気的に相互接続して発光素子の直列に接続する部分集合のアレイを形成し、各部分集合は並列に電気的に接続する少なくとも３個の発光素子を含む。また、発光体は第１の共通基板により機械的に相互接続する第１の発光素子と、第２の共通基板により機械的に相互接続する第２の発光素子とを含み、第１の発光素子は第２の発光素子に機械的および電気的に接続する。また発光体は、機械的に相互接続する発光素子と、複数の発光素子を機械的および電気的に相互接続して発光素子の直列に接続する部分集合のアレイを形成する手段であって、各部分集合は並列に電気的に接続する少なくとも３個の発光素子を含む手段とを含む。発光体を製造する方法も含む。
2010517274.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高電圧発光体であって、
発光素子をその上に形成する共通の基板により機械的に相互接続する複数の発光素子と、
前記複数の発光素子を機械的および電気的に接続する相互接続サブマウントと、
を含み、
前記発光素子は前記相互接続サブマウントにより電気的に相互接続して発光素子の少なくとも２つの直列に接続する部分集合のアレイを形成し、各部分集合は並列に電気的に接続する少なくとも３個の発光素子を含む、
高電圧発光体。
【請求項２】
前記複数の発光素子の全てより少ない数を発光素子の前記アレイ内で電気的に相互接続する、請求項１記載の高電圧発光体。
【請求項３】
前記相互接続サブマウントは、
サブマウント基板と、
前記サブマウント上の絶縁層と、
前記絶縁層上にあって、前記発光素子の各接点を相互接続して発光素子のアレイを形成する導電要素のパターンと、
を含む、請求項１記載の高電圧発光体。
【請求項４】
前記相互接続サブマウントは前記サブマウント基板と前記絶縁層との間に設けられるミラー層を更に含む、請求項３記載の高電圧発光体。
【請求項５】
発光素子の全ての前記電気的な相互接続は前記導電要素のパターンにより与える、請求項４記載の高電圧発光体。
【請求項６】
発光素子の前記相互接続の一部は導電要素のパターンにより与え、前記相互接続の一部は前記複数の発光素子の前記共通基板上の導電要素により与える、請求項３記載の高電圧発光体。
【請求項７】
前記発光素子は発光ダイオード素子を含む、請求項１記載の高電圧発光体。
【請求項８】
前記発光ダイオード素子は少なくとも１つの絶縁領域により互いから絶縁される、請求項７記載の高電圧発光体。
【請求項９】
前記発光ダイオード素子は少なくとも１つの溝により互いから絶縁される、請求項７記載の高電圧発光体。
【請求項１０】
前記発光ダイオード素子は横素子および／または縦素子を含み、また前記発光ダイオード素子の同じ側にカソード接続もアノード接続も共に有する、請求項７記載の高電圧発光体。
【請求項１１】
前記複数の発光素子は異なるサイズおよび／または形を有する、請求項１記載の高電圧発光体。
【請求項１２】
高電圧発光体であって、
発光素子をその上に形成する第１の共通の基板により機械的に相互接続する第１の複数の発光素子と、
相互接続サブマウントであって、前記複数の発光素子がこれに機械的および電気的に接続し、また電気回路をその上に有する、相互接続サブマウントと、
を含み、
前記発光素子は前記相互接続サブマウントにより電気的に相互接続して、発光素子の一連の並列に接続する部分集合を形成する、
高電圧発光体。
【請求項１３】
前記アレイは発光素子の少なくとも２つの直列に接続する部分集合を含み、各部分集合は並列に電気的に接続する少なくとも３個の発光素子を含む、請求項１２記載の高電圧発光体。
【請求項１４】
前記電気回路は前記発光素子に電力を供給する電源回路を含む、請求項１２記載の高電圧発光体。
【請求項１５】
前記電気回路は前記共通基板により機械的に相互接続する前記複数の発光素子以外の発光素子を含む、請求項１２記載の高電圧発光体。
【請求項１６】
前記電気回路は、
前記第１の共通基板により機械的に相互接続する前記第１の複数の発光素子以外の発光素子と、
前記発光素子に電力を供給する電源回路と、
を含む、請求項１２記載の高電圧発光体。
【請求項１７】
前記複数の発光素子は異なるサイズおよび／または形を有する、請求項１２記載の高電圧発光体。
【請求項１８】
前記電気回路は前記複数の発光素子の中の故障した素子を選択的に切り離す複数のヒューズを含む、請求項１２記載の高電圧発光体。
【請求項１９】
高電圧発光体であって、
第１の発光素子をその上に形成する第１の共通基板により機械的に相互接続する複数の第１の発光素子と、
第２の発光素子をその上に形成する第２の共通基板により機械的に相互接続する複数の第２の発光素子と、
を含み、
前記第１の複数の発光素子は前記第２の複数の発光素子に機械的および電気的に接続する、
高電圧発光体。
【請求項２０】
前記第１および第２の発光素子は電気的に接続して、一連の並列に接続する発光素子を含むアレイを形成する、請求項１９記載の高電圧発光体。
【請求項２１】
前記アレイは発光素子の少なくとも２つの直列に接続する部分集合を含み、各部分集合は並列に電気的に接続する少なくとも３個の発光素子を含む、請求項２０記載の高電圧発光体。
【請求項２２】
前記発光素子は発光ダイオード素子を含む、請求項２１記載の高電圧発光体。
【請求項２３】
前記発光ダイオード素子は縦発光ダイオード素子を含む、請求項２２記載の高電圧発光体。
【請求項２４】
前記発光ダイオード素子は横発光ダイオード素子を含む、請求項２２記載の高電圧発光体。
【請求項２５】
第３の発光素子をその上に形成する第３の共通基板により機械的に相互接続する複数の第３の発光素子を含み、
前記第３の複数の発光素子は前記第２の複数の発光素子に機械的および電気的に接続する、請求項１９記載の高電圧発光体。
【請求項２６】
前記第１および／または第２の複数の発光素子は異なるサイズおよび／または形を有する、請求項１９記載の高電圧発光体。
【請求項２７】
高電圧発光体であって、
複数の機械的に相互接続する発光素子と、
前記複数の発光素子を機械的および電気的に相互接続して発光素子の少なくとも２つの直列に接続する部分集合のアレイを形成する手段であって、各部分集合は並列に電気的に接続する少なくとも３個の発光素子を含む、手段と、
を含む高電圧発光体。
【請求項２８】
前記発光体はＡＣ電源で動作するのに適している、請求項２７記載の高電圧発光体。
【請求項２９】
前記複数の発光素子を選択的に相互接続して前記複数の発光素子の全てより少ない数を前記アレイ内で相互接続する手段を更に含む、請求項２７記載の高電圧発光体。
【請求項３０】
高電圧発光体を製造する方法であって、
発光素子をその上に形成する第１の共通基板により機械的に相互接続する第１の複数の発光素子を提供することと、
電気回路をその上に有する相互接続サブマウントを提供することと、
前記第１の共通基板を前記相互接続サブマウント上に取り付けて前記発光素子を機械的および電気的に接続して、一連の並列に接続する発光素子を含むアレイを形成することと、
を含む高電圧発光体を製造する方法。
【請求項３１】
前記方法は前記発光素子の少なくとも１個をテストすることを更に含む、請求項３０記載の高電圧発光体を製造する方法。
【請求項３２】
前記方法は前記発光素子の少なくとも１個をテストすることと、前記発光素子の１個を前記発光素子から電気的に切り離すこととを更に含む、請求項３０記載の高電圧発光体を製造する方法。
【請求項３３】
前記発光素子の１個を電気的に切り離す前記ステップは前記発光素子の１個のアノード接点またはカソード接点をエッチすることにより行う、請求項３２記載の高電圧発光体を製造する方法。
【請求項３４】
前記発光素子の１個を電気的に切り離す前記ステップは前記発光素子の１個のアノード接点またはカソード接点を絶縁材料で被覆することにより行う、請求項３２記載の高電圧発光体を製造する方法。
【請求項３５】
高電圧発光体を製造する方法であって、
第１の発光素子をその上に形成する第１の共通基板により機械的に相互接続する複数の第１の発光素子を形成することと、
第２の発光素子をその上に形成する第２の共通基板により機械的に相互接続する複数の第２の発光素子を形成することと、
前記第１の複数の発光素子を前記第２の複数の発光素子の上に取り付けて前記第１の複数の発光素子と前記第２の複数の発光素子とを電気的および機械的に相互接続することと、
を含む高電圧発光体を製造する方法。
【請求項３６】
前記方法は前記発光素子の少なくとも１個をテストすることを更に含む、請求項３５記載の高電圧発光体を製造する方法。
【請求項３７】
前記方法は前記発光素子の少なくとも１個をテストすることと、前記発光素子の１個を前記発光素子から電気的に切り離すこととを更に含む、請求項３５記載の高電圧発光体を製造する方法。
【請求項３８】
前記発光素子の１個を電気的に切り離す前記ステップは前記発光素子の１個のアノード接点またはカソード接点をエッチすることにより行う、請求項３７記載の高電圧発光体を製造する方法。
【請求項３９】
前記発光素子の１個を電気的に切り離す前記ステップは前記発光素子の１個のアノード接点またはカソード接点を絶縁材料で被覆することにより行う、請求項３７記載の高電圧発光体を製造する方法。
【請求項４０】
高電圧発光体を製造する方法であって、
共通基板上の複数の発光素子をそれぞれテストして、それぞれが短絡回路故障を有するかどうか判定することと、
短絡回路故障を有すると判定した前記複数の発光素子の中の素子を絶縁することと、
前記複数の発光素子を相互接続サブマウント上に取り付けて、前記複数の発光素子の中の非絶縁素子を電気的に接続することと、
を含む高電圧発光体を製造する方法。
【請求項４１】
前記電気接続は前記複数の発光素子の中の前記非絶縁素子を接続して前記複数の発光素子の直列に接続する並列の部分集合のアレイを形成することを含む、請求項４０記載の高電圧発光体を製造する方法。
【請求項４２】
発光体であって、
第１のモノリシックｎ型層と、
第１のモノリシックｐ型層と、
少なくとも第１の相互接続要素と、
を含み、
前記第１のモノリシックｎ型層は第１のｎ型領域、第２のｎ型領域、第３のｎ型領域、第４のｎ型領域、第５のｎ型領域、および第６のｎ型領域を含み、
前記第１のｎ型領域、前記第２のｎ型領域、前記第３のｎ型領域、前記第４のｎ型領域、前記第５のｎ型領域、および前記第６のｎ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
前記第１のモノリシックｐ型層は第１のｐ型領域、第２のｐ型領域、第３のｐ型領域、第４のｐ型領域、第５のｐ型領域、および第６のｐ型領域を含み、
前記第１のｐ型領域、前記第２のｐ型領域、前記第３のｐ型領域、前記第４のｐ型領域、前記第５のｐ型領域、および前記第６のｐ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
前記第１のｎ型領域と前記第１のｐ型領域とで第１の発光素子を構成し、
前記第２のｎ型領域と前記第２のｐ型領域とで第２の発光素子を構成し、
前記第３のｎ型領域と前記第３のｐ型領域とで第３の発光素子を構成し、
前記第４のｎ型領域と前記第４のｐ型領域とで第４の発光素子を構成し、
前記第５のｎ型領域と前記第５のｐ型領域とで第５の発光素子を構成し、
前記第６のｎ型領域と前記第６のｐ型領域とで第６の発光素子を構成し、
前記第１の相互接続要素は少なくとも相互接続要素の第１のｎ型接点、相互接続要素の第２のｎ型接点、相互接続要素の第３のｎ型接点、相互接続要素の第１のｐ型接点、相互接続要素の第２のｐ型接点、および相互接続要素の第３のｐ型接点を含み、
前記相互接続要素の第１のｎ型接点は前記第１のｎ型領域に電気的に接続し、
前記相互接続要素の第２のｎ型接点は前記第２のｎ型領域に電気的に接続し、
前記相互接続要素の第３のｎ型接点は前記第３のｎ型領域に電気的に接続し、
前記相互接続要素の第１のｐ型接点は前記第４のｐ型領域に電気的に接続し、
前記相互接続要素の第２のｐ型接点は前記第５のｐ型領域に電気的に接続し、
前記相互接続要素の第３のｐ型接点は前記第６のｐ型領域に電気的に接続し、
前記相互接続要素の第１のｎ型接点は前記相互接続要素の第２のｎ型接点、前記相互接続要素の第３のｎ型接点、前記相互接続要素の第１のｐ型接点、前記相互接続要素の第２のｐ型接点、および前記相互接続要素の第３のｐ型接点に電気的に接続する、
発光体。
【請求項４３】
前記発光体はＡＣ電源で動作するのに適している、請求項４２記載の発光体。
【請求項４４】
前記発光体は更に、
第８のモノリシックｎ型層と、
第８のモノリシックｐ型層と、
第８の相互接続要素と、
を含み、
前記第８のモノリシックｎ型層は第７のｎ型領域、第８のｎ型領域、第９のｎ型領域、第１０のｎ型領域、第１１のｎ型領域、および第１２のｎ型領域を含み、
前記第７のｎ型領域、前記第８のｎ型領域、前記第９のｎ型領域、前記第１０のｎ型領域、前記第１１のｎ型領域、および前記第１２のｎ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
前記第８のモノリシックｐ型層は第７のｐ型領域、第８のｐ型領域、第９のｐ型領域、第１０のｐ型領域、第１１のｐ型領域、および第１２のｐ型領域を含み、
前記第７のｐ型領域、前記第８のｐ型領域、前記第９のｐ型領域、前記第１０のｐ型領域、前記第１１のｐ型領域、および前記第１２のｐ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
前記第７のｎ型領域と前記第７のｐ型領域とで第７の発光素子を構成し、
前記第８のｎ型領域と前記第８のｐ型領域とで第８の発光素子を構成し、
前記第９のｎ型領域と前記第９のｐ型領域とで第９の発光素子を構成し、
前記第１０のｎ型領域と前記第１０のｐ型領域とで第１０の発光素子を構成し、
前記第１１のｎ型領域と前記第１１のｐ型領域とで第１１の発光素子を構成し、
前記第１２のｎ型領域と前記第１２のｐ型領域とで第１２の発光素子を構成し、
前記第８の相互接続要素は少なくとも相互接続要素の第７のｎ型接点、相互接続要素の第８のｎ型接点、相互接続要素の第９のｎ型接点、相互接続要素の第７のｐ型接点、相互接続要素の第８のｐ型接点、および相互接続要素の第９のｐ型接点を含み、
前記相互接続要素の第７のｎ型接点は前記第７のｎ型領域に電気的に接続し、
前記相互接続要素の第８のｎ型接点は前記第８のｎ型領域に電気的に接続し、
前記相互接続要素の第９のｎ型接点は前記第９のｎ型領域に電気的に接続し、
前記相互接続要素の第７のｐ型接点は前記第１０のｐ型領域に電気的に接続し、
前記相互接続要素の第８のｐ型接点は前記第１１のｐ型領域に電気的に接続し、
前記相互接続要素の第９のｐ型接点は前記第１２のｐ型領域に電気的に接続し、
前記相互接続要素の第７のｎ型接点は前記相互接続要素の第８のｎ型接点、前記相互接続要素の第９のｎ型接点、前記相互接続要素の第７のｐ型接点、前記相互接続要素の第８のｐ型接点、および前記相互接続要素の第９のｐ型接点に電気的に接続する、
請求項４３記載の発光体。
【請求項４５】
前記発光体は整流ブリッジを更に含む、請求項４３記載の発光体。
【請求項４６】
前記発光体は前記発光素子の少なくとも１個に直列に電気的に接続する少なくとも１つのフューズ・リンクを更に含む、請求項４２記載の発光体。
【請求項４７】
前記発光体は前記発光素子の少なくとも１個に直列の導電接続を開くための少なくとも１つの手段を更に含む、請求項４２記載の発光体。
【請求項４８】
前記第１のｎ型領域の接触面、前記第２のｎ型領域の接触面、前記第３のｎ型領域の接触面、前記第４のｎ型領域の接触面、前記第５のｎ型領域の接触面、および前記第６のｎ型領域の接触面は全て或る第１の平面と実質的に同一の平面上にあり、
前記第１のｐ型領域の接触面、前記第２のｐ型領域の接触面、前記第３のｐ型領域の接触面、前記第４のｐ型領域の接触面、前記第５のｐ型領域の接触面、および前記第６のｐ型領域の接触面は全て或る第２の平面と実質的に同一の平面上にあり、
前記第１の相互接続要素の第１のｎ型接点の接触面、前記第１の相互接続要素の第２のｎ型接点の接触面、および前記第１の相互接続要素の第３のｎ型接点の接触面は全て或る第３の平面と実質的に同一の平面上にあり、
前記第１の相互接続要素の第１のｐ型接点の接触面、前記第１の相互接続要素の第２のｐ型接点の接触面、および前記第１の相互接続要素の第３のｐ型接点の接触面は全て或る第４の平面と実質的に同一の平面上にあり、
前記第１の平面は前記第２の平面に実質的に平行であり、前記第２の平面は前記第３の平面に実質的に平行であり、前記第３の平面は前記第４の平面に実質的に平行である、
請求項４２記載の発光体。
【請求項４９】
前記発光体は基板層を更に含み、前記第１のｎ型層と前記第１のｐ型層とは前記基板層と前記第１の相互接続要素との間に位置する、請求項４２記載の発光体。
【請求項５０】
前記発光体は前記発光素子の少なくとも１個に直列に電気的に接続する少なくとも１つのフューズ・リンクおよび／または前記発光素子の少なくとも１個に直列の導電接続を開くための少なくとも１つの手段を更に含む、請求項４９記載の発光体。
【請求項５１】
前記発光体は基板層を更に含み、前記基板層は前記第１のｐ型層と前記第１の相互接続要素との間に位置する、請求項４２記載の発光体。
【請求項５２】
前記発光体は前記発光素子の少なくとも１個に直列に電気的に接続する少なくとも１つのフューズ・リンクを更に含む、請求項５１記載の発光体。
【請求項５３】
前記発光体は前記発光素子の少なくとも１個に直列の導電接続を開くための少なくとも１つの手段を更に含む、請求項５１記載の発光体。
【請求項５４】
ｎ型層およびｐ型層を含む発光体であって、
前記ｎ型層は第１のｎ型領域、第２のｎ型領域、第３のｎ型領域、第４のｎ型領域、第５のｎ型領域、および第６のｎ型領域を含み、
前記第１のｎ型領域、前記第２のｎ型領域、前記第３のｎ型領域、前記第４のｎ型領域、前記第５のｎ型領域、および前記第６のｎ型領域はそれぞれ少なくとも１つの絶縁領域により互いから絶縁され、
前記ｐ型層は第１のｐ型領域、第２のｐ型領域、第３のｐ型領域、第４のｐ型領域、第５のｐ型領域、および第６のｐ型領域を含み、
前記第１のｐ型領域、前記第２のｐ型領域、前記第３のｐ型領域、前記第４のｐ型領域、前記第５のｐ型領域、および前記第６のｐ型領域はそれぞれ少なくとも１つの絶縁領域により互いから絶縁され、
前記第１のｎ型領域と前記第１のｐ型領域とで第１の発光素子を構成し、
前記第２のｎ型領域と前記第２のｐ型領域とで第２の発光素子を構成し、
前記第３のｎ型領域と前記第３のｐ型領域とで第３の発光素子を構成し、
前記第４のｎ型領域と前記第４のｐ型領域とで第４の発光素子を構成し、
前記第５のｎ型領域と前記第５のｐ型領域とで第５の発光素子を構成し、
前記第６のｎ型領域と前記第６のｐ型領域とで第６の発光素子を構成し、
前記発光体は前記少なくとも１つの絶縁領域の少なくとも１つの少なくとも一部を通して伸びる第１のｐ接点を更に含み、前記第１のｐ接点は前記第１のｐ型領域に電気的に接続し、
前記発光体は前記少なくとも１つの絶縁領域の少なくとも１つの少なくとも一部を通して伸びる第２のｐ接点を更に含み、前記第２のｐ接点は前記第４のｐ型領域に電気的に接続する、
発光体。
【請求項５５】
前記発光体はＡＣ電源で動作するのに適している、請求項５４記載の発光体。
【請求項５６】
前記第１のｐ接点は前記第２のｐ型領域および前記第３のｐ型領域にも電気的に接続し、前記第２のｐ接点は前記第５のｐ型領域および前記第６のｐ型領域にも電気的に接続する、請求項５４記載の発光体。
【請求項５７】
前記発光体は前記発光素子の少なくとも１個に直列に電気的に接続する少なくとも１つのフューズ・リンクを更に含む、請求項５４記載の発光体。
【請求項５８】
前記発光体は前記発光素子の少なくとも１個に直列の導電接続を開くための少なくとも１つの手段を更に含む、請求項５４記載の発光体。
【請求項５９】
前記発光体は基板を更に含み、前記ｎ型層および前記ｐ型層は前記基板上に形成する、請求項５４記載の発光体。
【請求項６０】
ｎ型層およびｐ型層を含む発光体であって、
前記ｎ型層は第１のｎ型領域、第２のｎ型領域、および第３のｎ型領域を含み、
前記第１のｎ型領域、前記第２のｎ型領域、および前記第３のｎ型領域はそれぞれ少なくとも１つの絶縁領域により互いから絶縁され、
前記ｐ型層は第１のｐ型領域、第２のｐ型領域、および第３のｐ型領域を含み、
前記第１のｐ型領域、前記第２のｐ型領域、および前記第３のｐ型領域はそれぞれ少なくとも１つの絶縁領域ｙにより互いから絶縁され、
前記第１のｎ型領域と前記第１のｐ型領域とで第１の発光素子を構成し、
前記第２のｎ型領域と前記第２のｐ型領域とで第２の発光素子を構成し、
前記第３のｎ型領域と前記第３のｐ型領域とで第３の発光素子を構成し、
前記第１の発光体は前記少なくとも１つの絶縁層の少なくとも１つの少なくとも一部を通して伸びる第１のｐ接点を更に含み、前記第１のｐ接点は前記第１のｐ型領域に電気的に接続する、
発光体。
【請求項６１】
前記発光体はＡＣ電源で動作するのに適している、請求項６０記載の発光体。
【請求項６２】
前記第１のｐ接点は前記第２のｐ型領域および前記第３のｐ型領域にも電気的に接続する、請求項６０記載の発光体。
【請求項６３】
前記発光体は前記発光素子の少なくとも１個に直列に電気的に接続する少なくとも１つのフューズ・リンクを更に含む、請求項６０記載の発光体。
【請求項６４】
前記発光体は前記発光素子の少なくとも１個に直列の導電接続を開くための少なくとも１つの手段を更に含む、請求項６０記載の発光体。
【請求項６５】
前記発光体は基板を更に含み、前記ｎ型層および前記ｐ型層は前記基板上に形成する、請求項６０記載の発光体。
【請求項６６】
発光要素であって、
第１の発光体と、
第２の発光体と、
相互接続要素と、
を含み、
前記第１の発光体は第１のｎ型層と第１のｐ型層とを含み、
前記第１のｎ型層は第１の発光体の第１のｎ型領域、第１の発光体の第２のｎ型領域、および第１の発光体の第３のｎ型領域を含み、
前記第１の発光体の第１のｎ型領域、前記第１の発光体の第２のｎ型領域、および前記第１の発光体の第３のｎ型領域はそれぞれ少なくとも１つの第１の発光体の絶縁領域により互いから絶縁され、
前記第１の発光体のｐ型層は第１の発光体の第１のｐ型領域、第１の発光体の第２のｐ型領域、および第１の発光体の第３のｐ型領域を含み、
前記第１の発光体の第１のｐ型領域、前記第１の発光体の第２のｐ型領域、および前記第１の発光体の第３のｐ型領域はそれぞれ前記少なくとも１つの第１の発光体の絶縁領域により互いから絶縁され、
前記第１の発光体の第１のｎ型領域と前記第１の発光体の第１のｐ型領域とで第１の発光素子を構成し、
前記第１の発光体の第２のｎ型領域と前記第１の発光体の第２のｐ型領域とで第２の発光素子を構成し、
前記第１の発光体の第３のｎ型領域と前記第１の発光体の第３のｐ型領域とで第３の発光素子を構成し、
前記第１の発光体は前記少なくとも１つの第１の発光体の絶縁領域の少なくとも１つの少なくとも一部を通して伸びる第１の発光体の第１のｐ接点を含み、前記第１の発光体の第１のｐ接点は前記第１の発光体の第１のｐ型領域に電気的に接続し、
前記第２の発光体は第２のｎ型層と第２のｐ型層とを含み、
前記第２のｎ型層は第２の発光体の第１のｎ型領域、第２の発光体の第２のｎ型領域、および第２の発光体の第３のｎ型領域を含み、
前記第２の発光体の第１のｎ型領域、前記第２の発光体の第２のｎ型領域、および前記第２の発光体の第３のｎ型領域はそれぞれ少なくとも１つの第２の発光体の絶縁領域により互いから絶縁され、
前記第２の発光体のｐ型層は第２の発光体の第１のｐ型領域、第２の発光体の第２のｐ型領域、および第２の発光体の第３のｐ型領域を含み、
前記第２の発光体の第１のｐ型領域、前記第２の発光体の第２のｐ型領域、および前記第２の発光体の第３のｐ型領域はそれぞれ前記少なくとも１つの第２の発光体の絶縁領域により互いから絶縁され、
前記第２の発光体の第１のｎ型領域と前記第２の発光体の第１のｐ型領域とで第４の発光素子を構成し、
前記第２の発光体の第２のｎ型領域と前記第２の発光体の第２のｐ型領域とで第５の発光素子を構成し、
前記第２の発光体の第３のｎ型領域と前記第２の発光体の第３のｐ型領域とで第６の発光素子を構成し、
前記第２の発光体は前記第２の発光体の絶縁領域の少なくとも一部を通して伸びる第２の発光体の第１のｐ接点を含み、
前記相互接続要素は、
前記第１の発光体の第１のｎ型領域と前記第２の発光体の第１のｐ型領域との間を電気的に接続し、
前記第１の発光体の第２のｎ型領域と前記第２の発光体の第２のｐ型領域との間を電気的に接続し、
前記第１の発光体の第３のｎ型領域と前記第２の発光体の第３のｐ型領域との間を電気的に接続する、
発光要素。
【請求項６７】
前記相互接続要素は前記第１の発光体と前記第２の発光体との間に位置する、請求項６６記載の発光要素。
【請求項６８】
前記第１の発光体と前記第２の発光体とは前記相互接続要素の同じ側に位置する、請求項６６記載の発光要素。
【請求項６９】
前記発光体はＡＣ電源で動作するのに適している、請求項６８記載の発光体。
【請求項７０】
前記発光体は前記発光素子の少なくとも１個に直列に電気的に接続する少なくとも１つのフューズ・リンクを更に含む、請求項６６記載の発光要素。
【請求項７１】
前記発光体は前記発光素子の少なくとも１個に直列の導電接続を開くための少なくとも１つの手段を更に含む、請求項６６記載の発光要素。
【請求項７２】
照明デバイスであって、
第１の発光体と、
第２の発光体と、
を含み、
前記第１の発光体は第１の発光体のｎ型層と第１の発光体のｐ型層とを含み、
前記第１の発光体のｎ型層は第１の発光体の第１のｎ型領域、第１の発光体の第２のｎ型領域、および第１の発光体の第３のｎ型領域を含み、前記第１のｎ型領域、前記第２のｎ型領域、および前記第３のｎ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
前記第１の発光体のｐ型層は第１の発光体の第１のｐ型領域、第１の発光体の第２のｐ型領域、および第１の発光体の第３のｐ型領域を含み、前記第１のｐ型領域、前記第２のｐ型領域、および前記第３のｐ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
前記第１の発光体の第１のｎ型領域と前記第１の発光体の第１のｐ型領域とで第１の発光素子を構成し、
前記第１の発光体の第２のｎ型領域と前記第１の発光体の第２のｐ型領域とで第２の発光素子を構成し、
前記第１の発光体の第３のｎ型領域と前記第１の発光体の第３のｐ型領域とで第３の発光素子を構成し、
前記第２の発光体は第２の発光体のｎ型層と第２の発光体のｐ型層とを含み、
前記第２の発光体のｎ型層は第２の発光体の第１のｎ型領域、第２の発光体の第２のｎ型領域、および第２の発光体の第３のｎ型領域を含み、前記第２の発光体の第１のｎ型領域、前記第２の発光体の第２のｎ型領域、および前記第２の発光体の第３のｎ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
前記第２の発光体のｐ型層は第２の発光体の第１のｐ型領域、第２の発光体の第２のｐ型領域、および第２の発光体の第３のｐ型領域を含み、前記第２の発光体の第１のｐ型領域、前記第２の発光体の第２のｐ型領域、および前記第２の発光体の第３のｐ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
前記第２の発光体の第１のｎ型領域と前記第２の発光体の第１のｐ型領域とで第４の発光素子を構成し、
前記第２の発光体の第２のｎ型領域と前記第２の発光体の第２のｐ型領域とで第５の発光素子を構成し、
前記第２の発光体の第３のｎ型領域と前記第２の発光体の第３のｐ型領域とで第６の発光素子を構成し、
前記第１の発光体の第１のｎ型領域は前記第２の発光体の第１のｐ型領域に電気的に接続し、
前記第１の発光体の第２のｎ型領域は前記第２の発光体の第２のｐ型領域に電気的に接続し、
前記第１の発光体の第３のｎ型領域は前記第２の発光体の第３のｐ型領域に電気的に接続し、
前記第１の発光体の第１のｎ型領域は前記第１の発光体の第２のｎ型領域および前記第１の発光体の第３のｎ型領域に電気的に接続し、
前記第２の発光体の第１のｎ型領域は前記第２の発光体の第２のｎ型領域および前記第２の発光体の第３のｎ型領域に電気的に接続し、また
前記第１の発光体と前記第２の発光体とは、前記第１の発光素子の第１のｎ型領域が前記第２の発光素子の第１のｐ型領域に面し、前記第１の発光素子の第２のｎ型領域が前記第２の発光素子の第２のｐ型領域に面し、また第１の発光素子の第３のｎ型領域が第２の発光素子の第３のｐ型領域に面するように互いに対して位置する、
照明デバイス。
【請求項７３】
前記発光体はＡＣ電源で動作するのに適している、請求項７２記載の照明デバイス。
【請求項７４】
前記照明デバイスは第１の導電領域、第２の導電領域、および第３の導電領域を更に含み、
前記第１の導電領域は前記第１の発光素子の第１のｎ型領域と前記第２の発光素子の第１のｐ型領域との間に位置し、
前記第２の導電領域は前記第１の発光素子の第２のｎ型領域と前記第２の発光素子の第２のｐ型領域との間に位置し、
前記第３の導電領域は前記第１の発光素子の第３のｎ型領域と前記第２の発光素子の第３のｐ型領域との間に位置する、
請求項７２記載の照明デバイス。
【請求項７５】
前記第１の発光体のｎ型層の表面と前記第２の発光体のｐ型層の表面とは互いに実質的に平行である、請求項７２記載の照明デバイス。
【請求項７６】
前記照明デバイスは前記第１の発光素子の第１のｎ型領域、前記第１の発光素子の第２のｎ型領域、および前記第１の発光素子の第３のｎ型領域に電気的に接続するｎ接点を更に含む、請求項７２記載の照明デバイス。
【請求項７７】
前記照明デバイスは前記第２の発光素子の第１のｐ型領域、前記第２の発光素子の第２のｐ型領域、および前記第２の発光素子の第３のｐ型領域に電気的に接続するｐ接点を更に含む、請求項７２記載の照明デバイス。
【請求項７８】
前記発光体は前記発光素子の少なくとも１個に直列に電気的に接続する少なくとも１つのフューズ・リンクを更に含む、請求項７２記載の照明デバイス。
【請求項７９】
前記発光体は前記発光素子の少なくとも１個に直列の導電接続を開くための少なくとも１つの手段を更に含む、請求項７２記載の照明デバイス。
【請求項８０】
照明デバイスであって、
第１の発光体と、
第２の発光体と、
を含み、
前記第１の発光体は第１のｎ型層と第１のｐ型層とを含み、
前記第１のｎ型層と前記第１のｐ型層とで第１の発光素子を構成し、
前記第２の発光体は第２のｎ型層と第２のｐ型層とを含み、
前記第２のｎ型層と前記第２のｐ型層とで第２の発光素子を構成し、
前記第１のｎ型層は前記第２のｐ型層に電気的に接続し、
前記第１の発光体と前記第２の発光体とは前記第１のｎ型層が前記第２のｐ型層に面するように互いに対して位置する、
照明デバイス。
【請求項８１】
前記第１のｎ型層の表面と前記第２のｐ型層の表面とは互いに実質的に平行である、請求項８０記載の照明デバイス。
【請求項８２】
前記発光体は前記発光素子の少なくとも１個に直列に電気的に接続する少なくとも１つのフューズ・リンクを更に含む、請求項８０記載の照明デバイス。
【請求項８３】
前記発光体は前記発光素子の少なくとも１個に直列の導電接続を開くための少なくとも１つの手段を更に含む、請求項８０記載の照明デバイス。
【請求項８４】
照明デバイスであって、
第１の発光体と、
第２の発光体と、
相互接続要素と、
を含み、
前記第１の発光体は第１の発光体のｎ型層と第１の発光体のｐ型層とを含み、
前記第１の発光体のｎ型層は第１の発光体の第１のｎ型領域、第１の発光体の第２のｎ型領域、および第１の発光体の第３のｎ型領域を含み、前記第１の発光体の第１のｎ型領域、前記第１の発光体の第２のｎ型領域、および前記第１の発光体の第３のｎ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
前記第１の発光体のｐ型層は第１の発光体の第１のｐ型領域、第１の発光体の第２のｐ型領域、および第１の発光体の第３のｐ型領域を含み、前記第１の発光体の第１のｐ型領域、前記第１の発光体の第２のｐ型領域、および前記第１の発光体の第３のｐ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
前記第１の発光体の第１のｎ型領域と前記第１の発光体の第１のｐ型領域とで第１の発光素子を構成し、
前記第１の発光体の第２のｎ型領域と前記第１の発光体の第２のｐ型領域とで第２の発光素子を構成し、
前記第１の発光体の第３のｎ型領域と前記第１の発光体の第３のｐ型領域とで第３の発光素子を構成し、
前記第２の発光体は第２の発光体のｎ型層と第２の発光体のｐ型層とを含み、
前記第２の発光体のｎ型層は第２の発光体の第１のｎ型領域、第２の発光体の第２のｎ型領域、および第２の発光体の第３のｎ型領域を含み、前記第２の発光体の第１のｎ型領域、前記第２の発光体の第２のｎ型領域、および前記第２の発光体の第３のｎ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
前記第２の発光体のｐ型層は第２の発光体の第１のｐ型領域、第２の発光体の第２のｐ型領域、および第２の発光体の第３のｐ型領域を含み、前記第２の発光体の第１のｐ型領域、前記第２の発光体の第２のｐ型領域、および前記第２の発光体の第３のｐ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
前記第２の発光体の第１のｎ型領域と前記第２の発光体の第１のｐ型領域とで第４の発光素子を構成し、
前記第２の発光体の第２のｎ型領域と前記第２の発光体の第２のｐ型領域とで第５の発光素子を構成し、
前記第２の発光体の第３のｎ型領域と前記第２の発光体の第３のｐ型領域とで第６の発光素子を構成し、
前記相互接続要素は、
前記第１の発光体の第１のｎ型領域と前記第２の発光体の第１のｐ型領域との間を電気的に接続し、
前記第１の発光体の第２のｎ型領域と前記第２の発光体の第２のｐ型領域との間を電気的に接続し、
前記第１の発光体の第３のｎ型領域と前記第２の発光体の第３のｐ型領域との間を電気的に接続し、
前記第１の発光体の第１のｎ型領域、前記第１の発光体の第２のｎ型領域、および前記第１の発光体の第３のｎ型領域の間を電気的に接続し、
前記第１の発光体の第１のｐ型領域は前記第１の発光体の第２のｐ型領域および前記第１の発光体の第３のｐ型領域に電気的に接続し、
前記第２の発光体の第１のｎ型領域は前記第２の発光体の第２のｎ型領域および前記第２の発光体の第３のｎ型領域に電気的に接続する、
照明デバイス。
【請求項８５】
前記発光体はＡＣ電源で動作するのに適している、請求項８４記載の照明デバイス。
【請求項８６】
前記相互接続要素は前記第１の発光体のｎ型層と前記第２の発光体のｐ型層との間に位置する、請求項８４記載の照明デバイス。
【請求項８７】
前記第１の発光体と第２の発光体とは互いに対して、前記第１の発光素子の第１のｎ型領域、前記第１の発光素子の第２のｎ型領域、および前記第１の発光素子の第３のｎ型領域が、前記第２の発光素子の第１のｐ型領域、前記第２の発光素子の第２のｎ型領域、および前記第２の発光素子の第３のｎ型領域に面するように位置する、請求項８４記載の照明デバイス。
【請求項８８】
前記第１の発光体のｎ型層の表面と前記第２の発光体のｐ型層の表面とは互いに実質的に平行である、請求項８７記載の照明デバイス。
【請求項８９】
前記照明デバイスは前記第１の発光素子の第１のｎ型領域、前記第１の発光素子の第２のｎ型領域、および前記第１の発光素子の第３のｎ型領域に電気的に接続するｎ接点を更に含む、請求項８４記載の照明デバイス。
【請求項９０】
前記照明デバイスは前記第２の発光素子の第１のｐ型領域、前記第２の発光素子の第２のｐ型領域、および前記第２の発光素子の第３のｐ型領域に電気的に接続するｐ接点を更に含む、請求項８４記載の照明デバイス。
【請求項９１】
前記発光体は前記発光素子の少なくとも１個に直列に電気的に接続する少なくとも１つのフューズ・リンクを更に含む、請求項８４記載の照明デバイス。
【請求項９２】
前記発光体は前記発光素子の少なくとも１個に直列の導電接続を開くための少なくとも１つの手段を更に含む、請求項８４記載の照明デバイス。
【請求項９３】
照明デバイスであって、
第１の発光体と、
第２の発光体と、
を含み、
前記第１の発光体は第１の発光体のｎ型層と第１の発光体のｐ型層とを含み、
前記第１の発光体のｐ型層は第１の発光体の第１のｐ型領域、第１の発光体の第２のｐ型領域、および第１の発光体の第３のｐ型領域を含み、前記第１のｐ型領域、前記第２のｐ型領域、および前記第３のｐ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
前記第１の発光体のｎ型層と前記第１の発光体の第１のｐ型領域とで第１の発光素子を構成し、
前記第１の発光体のｎ型層と前記第１の発光体の第２のｐ型領域とで第２の発光素子を構成し、
前記第１の発光体のｎ型層と前記第１の発光体の第３のｐ型領域とで第３の発光素子を構成し、
前記第１の発光体は第１のｐ接触層を更に含み、前記第１のｐ接触層は前記第１の発光体の第１のｐ型領域、前記第１の発光体の第２のｐ型領域、および前記第１の発光体の第３のｐ型領域に電気的に接続し、
前記第１の発光体は第１のｎ接触層を更に含み、前記第１のｎ接触層は前記第１の発光体のｎ型層に電気的に接続し、
前記第２の発光体は第２の発光体のｎ型層と第２の発光体のｐ型層とを含み、
前記第２の発光体のｐ型層は第２の発光体の第１のｐ型領域、第２の発光体の第２のｐ型領域、および第２の発光体の第３のｐ型領域を含み、
前記第２の発光体の第１のｐ型領域、前記第２の発光体の第２のｐ型領域、および前記第２の発光体の第３のｐ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
前記第２の発光体のｎ型層と前記第２の発光体の第１のｐ型領域とで第４の発光素子を構成し、
前記第２の発光体のｎ型層と前記第２の発光体の第２のｐ型領域とで第５の発光素子を構成し、
前記第２の発光体のｎ型層と前記第２の発光体の第３のｐ型領域とで第６の発光素子を構成し、
前記第２の発光体は第２のｐ接触層を更に含み、前記第２のｐ接触層は前記第２の発光体の第１のｐ型領域、前記第２の発光体の第２のｐ型領域、および前記第２の発光体の第３のｐ型領域に電気的に接続し、
前記第２の発光体は第２のｎ接触層を更に含み、前記第２のｎ接触層は前記第２の発光体のｎ型層に電気的に接続し、
前記第１のｎ接触層は前記第２のｐ接触層に電気的に接続する、
照明デバイス。
【請求項９４】
前記発光体はＡＣ電源で動作するのに適している、請求項９３記載の照明デバイス。
【請求項９５】
前記第１の発光体のｎ型層は第１の発光体の第１のｎ型領域、第１の発光体の第２のｎ型領域、および第１の発光体の第３のｎ型領域を含み、前記第１の発光体の第１のｎ型領域、前記第１の発光体の第２のｎ型領域、および前記第１の発光体の第３のｎ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
前記第１の発光素子は前記第１の発光体の第１のｎ型領域と前記第１の発光体の第１のｐ型領域とを含み、
前記第２の発光素子は前記第１の発光体の第２のｎ型領域と前記第１の発光体の第２のｐ型領域とを含み、
前記第３の発光素子は前記第１の発光体の第３のｎ型領域と前記第１の発光体の第３のｐ型領域とを含み、
前記第２の発光体のｎ型層は第２の発光体の第１のｎ型領域、第２の発光体の第２のｎ型領域、および第２の発光体の第３のｎ型領域を含み、前記第２の発光体の第１のｎ型領域、前記第２の発光体の第２のｎ型領域、および前記第２の発光体の第３のｎ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
前記第１の発光素子は前記第２の発光体の第１のｎ型領域と前記第２の発光体の第１のｐ型領域とを含み、
前記第２の発光素子は前記第２の発光体の第２のｎ型領域と前記第２の発光体の第２のｐ型領域とを含み、
前記第３の発光素子は前記第２の発光体の第３のｎ型領域と前記第２の発光体の第３のｐ型領域とを含む、
請求項９３記載の照明デバイス。
【請求項９６】
前記第１のｐ接触層と前記第１のｎ接触層とは前記第１の発光体の反対側の面にある、請求項９３記載の照明デバイス。
【請求項９７】
前記第１のｐ接触層は第１のｐ接触層の第１の表面と第１のｐ接触層の第２の表面とを有し、
前記第１のｎ接触層は第１のｎ接触層の第１の表面と第１のｎ接触層の第２の表面とを有し、
前記第２のｐ接触層は第２のｐ接触層の第１の表面と第２のｐ接触層の第２の表面とを有し、
前記第２のｎ接触層は第２のｎ接触層の第１の表面と第２のｎ接触層の第２の表面とを有し、また
前記第１のｐ接点の第１の表面、前記第１のｐ接点の第２の表面、前記第１のｎ接点の第１の表面、前記第１のｎ接点の第２の表面、前記第２のｐ接点の第１の表面、前記第２のｐ接点の第２の表面、前記第２のｎ接点の第１の表面、および前記第２のｎ接点の第２の表面は全て互いに実質的に平行である、
請求項９３記載の照明デバイス。
【請求項９８】
前記第１のｐ接触層は第１のｐ接触層の第１の表面と第１のｐ接触層の第２の表面とを有し、
前記第１のｎ接触層は第１のｎ接触層の第１の表面と第１のｎ接触層の第２の表面とを有し、
前記第２のｐ接触層は第２のｐ接触層の第１の表面と第２のｐ接触層の第２の表面とを有し、
前記第２のｎ接触層は第２のｎ接触層の第１の表面と第２のｎ接触層の第２の表面とを有し、また
前記第１のｐ接点の第２の表面、前記第１のｎ接点の第１の表面、前記第１のｎ接点の第２の表面、前記第２のｐ接点の第１の表面、前記第２のｐ接点の第２の表面、および前記第２のｎ接点の第１の表面は前記第１のｐ接点の第１の表面と前記第２のｎ接点の第２の表面との間に位置する、
請求項９３記載の照明デバイス。
【請求項９９】
前記発光体は前記発光素子の少なくとも１個に直列に電気的に接続する少なくとも１つのフューズ・リンクを更に含む、請求項９３記載の照明デバイス。
【請求項１００】
前記発光体は前記発光素子の少なくとも１個に直列の導電接続を開くための少なくとも１つの手段を更に含む、請求項９３記載の照明デバイス。
【請求項１０１】
照明デバイスであって、
第１の発光体と、
第２の発光体と、
を含み、
前記第１の発光体は第１の発光体のｐ型層と第１の発光体のｎ型層とを含み、
前記第１の発光体のｎ型層は第１の発光体の第１のｎ型領域、第１の発光体の第２のｎ型領域、および第１の発光体の第３のｎ型領域を含み、前記第１のｎ型領域、前記第２のｎ型領域、および前記第３のｎ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
前記第１の発光体のｐ型層と前記第１の発光体の第１のｎ型領域とで第１の発光素子を構成し、
前記第１の発光体のｐ型層と前記第１の発光体の第２のｎ型領域とで第２の発光素子を構成し、
前記第１の発光体のｐ型層と前記第１の発光体の第３のｎ型領域とで第３の発光素子を構成し、
前記第１の発光体は第１のｎ接触層を更に含み、前記第１のｎ接触層は前記第１の発光体の第１のｎ型領域、前記第１の発光体の第２のｎ型領域、および前記第１の発光体の第３のｎ型領域に電気的に接続し、
前記第１の発光体は第１のｐ接触層を更に含み、前記第１のｐ接触層は前記第１の発光体のｐ型層に電気的に接続し、
前記第２の発光体は第２の発光体のｐ型層と第２の発光体のｎ型層とを含み、
前記第２の発光体のｎ型層は第２の発光体の第１のｎ型領域、第２の発光体の第２のｎ型領域、および第２の発光体の第３のｎ型領域を含み、
前記第２の発光体の第１のｎ型領域、前記第２の発光体の第２のｎ型領域、および前記第２の発光体の第３のｎ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
前記第２の発光体のｐ型層と前記第２の発光体の第１のｎ型領域とで第４の発光素子を構成し、
前記第２の発光体のｐ型層と前記第２の発光体の第２のｎ型領域とで第５の発光素子を構成し、
前記第２の発光体のｐ型層と前記第２の発光体の第３のｎ型領域とで第６の発光素子を構成し、
前記第２の発光体は第２のｎ接触層を更に含み、前記第２のｎ接触層は前記第２の発光体の第１のｎ型領域、前記第２の発光体の第２のｎ型領域、および前記第２の発光体の第３のｎ型領域に電気的に接続し、
前記第２の発光体は第２のｐ接触層を更に含み、前記第２のｐ接触層は前記第２の発光体のｐ型層に電気的に接続し、
前記第１のｎ接触層は前記第２のｐ接触層に電気的に接続する、
照明デバイス。
【請求項１０２】
前記第１のｐ接触層と前記第１のｎ接触層とは前記第１の発光体の反対側の面にある、請求項１０１記載の照明デバイス。
【請求項１０３】
前記第１のｎ接触層は第１のｎ接触層の第１の表面と第１のｎ接触層の第２の表面とを有し、
前記第１のｐ接触層は第１のｐ接触層の第１の表面と第１のｐ接触層の第２の表面とを有し、
前記第２のｎ接触層は第２のｎ接触層の第１の表面と第２のｎ接触層の第２の表面とを有し、
前記第２のｐ接触層は第２のｐ接触層の第１の表面と第２のｐ接触層の第２の表面とを有し、
前記第１のｎ接点の第１の表面、前記第１のｎ接点の第２の表面、前記第１のｐ接点の第１の表面、前記第１のｐ接点の第２の表面、前記第２のｎ接点の第１の表面、前記第２のｎ接点の第２の表面、前記第２のｐ接点の第１の表面、および前記第２のｐ接点の第２の表面は全て互いに実質的に平行である、
請求項１０１記載の照明デバイス。
【請求項１０４】
前記第１のｎ接触層は第１のｎ接触層の第１の表面と第１のｎ接触層の第２の表面とを有し、
前記第１のｐ接触層は第１のｐ接触層の第１の表面と第１のｐ接触層の第２の表面とを有し、
前記第２のｎ接触層は第２のｎ接触層の第１の表面と第２のｎ接触層の第２の表面とを有し、
前記第２のｐ接触層は第２のｐ接触層の第１の表面と第２のｐ接触層の第２の表面とを有し、また
前記第１のｐ接点の第２の表面、前記第１のｎ接点の第１の表面、前記第１のｎ接点の第２の表面、前記第２のｐ接点の第１の表面、前記第２のｐ接点の第２の表面、および前記第２のｎ接点の第１の表面は、前記第１のｐ接点の第１の表面と前記第２のｎ接点の第２の表面との間に位置する、
請求項１０１記載の照明デバイス。
【請求項１０５】
前記発光体は前記発光素子の少なくとも１個に直列に電気的に接続する少なくとも１つのフューズ・リンクを更に含む、請求項１０１記載の照明デバイス。
【請求項１０６】
前記発光体は前記発光素子の少なくとも１個に直列の導電接続を開くための少なくとも１つの手段を更に含む、請求項１０１記載の照明デバイス。
【請求項１０７】
照明デバイスであって、
第１の発光体と、
第２の発光体と、
を含み、
前記第１の発光体は第１の発光体のｎ型層、第１の発光体のｐ型層、および第１の発光体の基板層を含み、
前記第１の発光体のｎ型層は第１の発光体の第１のｎ型領域、第１の発光体の第２のｎ型領域、および第１の発光体の第３のｎ型領域を含み、前記第１の発光体の第１のｎ型領域、前記第１の発光体の第２のｎ型領域、および前記第１の発光体の第３のｎ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
前記第１の発光体のｐ型層は第１の発光体の第１のｐ型領域、第１の発光体の第２のｐ型領域、および第１の発光体の第３のｐ型領域を含み、前記第１の発光体の第１のｐ型領域、前記第１の発光体の第２のｐ型領域、および前記第１の発光体の第３のｐ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
前記第１の発光体の第１のｎ型領域と前記第１の発光体の第１のｐ型領域とで第１の発光素子を構成し、
前記第１の発光体の第２のｎ型領域と前記第１の発光体の第２のｐ型領域とで第２の発光素子を構成し、
前記第１の発光体の第３のｎ型領域と前記第１の発光体の第３のｐ型領域とで第３の発光素子を構成し、
前記第１の発光体は第１のｐ接触層を更に含み、前記第１のｐ接触層は前記第１の発光体の第１のｐ型領域、前記第１の発光体の第２のｐ型領域、および前記第１の発光体の第３のｐ型領域に電気的に接続し、
前記第１の発光体は第１の発光体の第１のｎ接触領域、第１の発光体の第２のｎ接触領域、および第１の発光体の第３のｎ接触領域を更に含み、
前記第２の発光体は第２の発光体のｎ型層、第２の発光体のｐ型層、および第２の発光体の基板層を含み、
前記第２の発光体のｎ型層は第２の発光体の第１のｎ型領域、第２の発光体の第２のｎ型領域、および第２の発光体の第３のｎ型領域を含み、前記第２の発光体の第１のｎ型領域、前記第２の発光体の第２のｎ型領域、および前記第２の発光体の第３のｎ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
前記第２の発光体のｐ型層は第２の発光体の第１のｐ型領域、第２の発光体の第２のｐ型領域、および第２の発光体の第３のｐ型領域を含み、前記第２の発光体の第１のｐ型領域、前記第２の発光体の第２のｐ型領域、および前記第２の発光体の第３のｐ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
前記第２の発光体の第１のｎ型領域と前記第２の発光体の第１のｐ型領域とで第４の発光素子を構成し、
前記第２の発光体の第２のｎ型領域と前記第２の発光体の第２のｐ型領域とで第５の発光素子を構成し、
前記第２の発光体の第３のｎ型領域と前記第２の発光体の第３のｐ型領域とで第６の発光素子を構成し、
前記第２の発光体は第２のｐ接触層を更に含み、前記第２のｐ接触層は前記第２の発光体の第１のｐ型領域、前記第２の発光体の第２のｐ型領域、および前記第２の発光体の第３のｐ型領域に電気的に接続し、
前記第２の発光体は第２の発光体の第１のｎ接触領域、第２の発光体の第２のｎ接触領域、および第２の発光体の第３のｎ接触領域を更に含み、
前記第１の発光体の第１のｎ接触領域は前記第１の発光体の第１のｎ型領域および前記第２の発光体のｐ接触層に電気的に接続し、
前記第１の発光体の第２のｎ接触領域は前記第１の発光体の第２のｎ型領域および前記第２の発光体のｐ接触層に電気的に接続し、
前記第１の発光体の第３のｎ接触領域は前記第１の発光体の第３のｎ型領域および前記第２の発光体のｐ接触層に電気的に接続する、
照明デバイス。
【請求項１０８】
前記発光体はＡＣ電源で動作するのに適している、請求項１０７記載の照明デバイス。
【請求項１０９】
前記第１のｐ接触層は前記第１の発光体の第１のｎ接触領域、前記第１の発光体の第２のｎ接触領域、および前記第１の発光体の第３のｎ接触領域に対して前記第１の発光体の反対側の面にある、請求項１０７記載の照明デバイス。
【請求項１１０】
前記第１のｐ接点は第１のｐ接点の第１の表面と第１のｐ接点の第２の表面とを有し、
前記第２のｐ接点は第２のｐ接点の第１の表面と第２のｐ接点の第２の表面とを有し、また
前記第１のｐ接点の第１の表面、前記第１のｐ接点の第２の表面、前記第２のｐ接点の第１の表面、および前記第２のｐ接点の第２の表面は全て互いに実質的に平行である、
請求項１０７記載の照明デバイス。
【請求項１１１】
前記発光体は前記発光素子の少なくとも１個に直列に電気的に接続する少なくとも１つのフューズ・リンクを更に含む、請求項１０７記載の照明デバイス。
【請求項１１２】
前記発光体は前記発光素子の少なくとも１個に直列の導電接続を開くための少なくとも１つの手段を更に含む、請求項１０７記載の照明デバイス。
【請求項１１３】
構造であって、
複数のｎ型領域を含むモノリシックｎ型層と、
複数のｐ型領域を含むモノリシックｐ型層と、
を含み、
前記ｎ型領域はそれぞれ少なくとも１つの絶縁領域により互いから絶縁され、
前記ｐ型領域はそれぞれ前記少なくとも１つの絶縁領域により互いから絶縁され、
前記ｎ型領域は従来技術のウェーハ切断装置がｎ型層を小さく切って個々のｎ型領域にすることのないように互いに対して位置する、
構造。
【請求項１１４】
構造であって、
複数のｎ型領域を含むモノリシックｎ型層と、
複数のｐ型領域を含むモノリシックｐ型層と、
を含み、
前記ｎ型領域はそれぞれ少なくとも１つの絶縁領域により互いから絶縁され、
前記ｐ型領域はそれぞれ前記少なくとも１つの絶縁領域により互いから絶縁され、
前記ｎ型領域の少なくとも１つは少なくとも２つの他のｎ型領域の間に伸びる少なくとも１つの絶縁領域の少なくとも１つにより定義される線を越えて伸びる、
構造。
【請求項１１５】
前記ｎ型層はモノリシック層であり、また前記ｐ型層はモノリシック層である、請求項５４，６０，６５のいずれか一項記載の発光要素。
【請求項１１６】
前記第１のｎ型層はモノリシック層であり、前記第２のｎ型層はモノリシック層であり、前記第１のｐ型層はモノリシック層であり、また前記第２のｐ型層はモノリシック層である、請求項６６，７２，８０，８４，９３，１００，１０７のいずれか一項記載の発光要素。
【請求項１１７】
高電圧発光体を製造する方法であって、
発光素子をその上に形成する共通基板により機械的に相互接続する複数の発光素子を形成することと、
前記共通基板を相互接続サブマウント上に取り付けて前記複数の発光素子を機械的および電気的に接続することと、
を含み、
前記発光素子は前記相互接続サブマウントにより電気的に相互接続して発光素子の少なくとも２つの直列に接続する部分集合のアレイを形成し、各部分集合は並列に電気的に接続する少なくとも３個の発光素子を含む、
高電圧発光体を製造する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
本出願は米国暫定特許出願第６０／９８２，９０９号、２００７年１０月２６日出願の利益の権利を主張し、この出願全体をここに援用する。
本出願は米国暫定特許出願第６０／９８６，７９５号、２００７年１１月９日出願の利益の権利を主張し、この出願全体をここに援用する。
本出願は米国暫定特許出願第６０／８８５，９３７号、２００７年１月２２日出願の利益の権利を主張し、この出願全体をここに援用する。
【０００２】
本発明の主題は、発光体と、かかる発光体を組み込んだシステムと、発光体およびシステムを製造する方法とに関する。或る態様では、本発明の主題は外部で相互接続された発光素子のアレイに関する。
【背景技術】
【０００３】
従来、発光ダイオード素子および発光ダイオード・パッケージ（ＬＥＤ）（パッケージ特有ではなくチップ特有）から最も良く光を取り出すのは一般に、「パワー・チップ」（〜０．９−１ｍｍ×０．９−１ｍｍの発光ダイオード素子）ではなく小型の発光ダイオード素子（〜３００マイクロメートル×３００マイクロメートル）を用いる方法であった。
【０００４】
図１は２個の「上側」接点をもつ従来技術のＩｎＧａＮ発光ダイオードの略図である。発光ダイオードは一般にサファイアまたはＳｉＣなどの基板を含む。基板は絶縁性または半絶縁性でよい。基板の上に緩衝層がある。緩衝層は、例えば、ＡｌＮ、ＧａＮ、および／またはＡｌＧａＮでよい。緩衝層の上にｎ型のＧａＮ接触層がある。ｎ型の接触層の上に、（典型的に極薄のＩｎＧａＮおよびＩｎＡｌＧａＮの）量子井戸層がある。量子井戸層の上にｐ型のＧａＮ接触層がある。ｐ型の接触層内に開口があってｎ接触領域と量子井戸層とを露出し、またｎ型の接点がある。ｐ型のＧａＮ接触層の上にはｐ型の接触領域がある。この素子の外縁は、エッチされた溝と、素子の活性層の露出面上に形成される不動態層／保護層とにより画定してよい。不動態層／保護層は、例えば、ＳｉＯ２またはＳｉＮなどの絶縁層でよい。発光ダイオードは一般にウェーハ上に形成した後、引き続いてパッケージ化または表面実装のために個別化して個々のダイにする。窒化物ベースの発光ダイオードおよび、特に多重量子井戸窒化物ベースの発光ダイオードは当業者に周知である。例えば、特許第６，９５８，４９７号（特許文献４）を参照していただきたい。
【０００５】
広範囲の応用において、白熱灯、蛍光灯、およびその他の発光デバイスの代わりに発光体を用いる方法を開発する努力が行われてきた。また、すでに発光ダイオード（または他の固体発光体）が用いられている場合は、発光ダイオード（または他の固体発光体）のエネルギー効率を改善する努力が行われている。
【０００６】
種々の努力が共通の基板上の発光ダイオードを改善することに向けられてきた。例えば、
米国特許第６，６３５，５０３号（特許文献２）は発光ダイオードのクラスタ・パッケージ化について述べている。
特許出願公報第２００３／００８９９１８号（特許文献１４）は広スペクトル発光素子と、広スペクトル発光素子を製造する方法およびシステムについて述べている。
米国特許第６，５４７，２４９号（特許文献１）は高抵抗基板上に形成されたモノリシック直列／並列発光ダイオード・アレイについて述べている。
米国特許第７，００９，１９９号（特許文献５）は、ヘッダと、ＡＣ電流から光を生成するための逆並列接続の発光ダイオードとを有する電子デバイスについて述べている。
米国特許第６，８８５，０３５号（特許文献３）はマルチチップ半導体発光ダイオード組立体について述べている。
【０００７】
米国特許第７，２１３，９４２号（特許文献７）および第７，２２１，０４４号（特許文献８）は、高いＡＣまたはＤＣ電圧で直接用いることのできる単一チップ組込み発光ダイオードについてそれぞれ述べている。
米国特許出願公報第２００５／０２５３１５１号（特許文献１５）は高い駆動電圧および小さな駆動電流で動作する発光素子について述べている。
日本特許公報第２００１−１５６３３１号（特許文献２０）は同じ基板上に形成された複数の窒化物半導体層について述べている。各層は互いから電気的に分離され、各窒化物半導体層は導電ワイヤで電気的に接続する。
日本特許公報第２００１−３０７５０６号（特許文献２１）は同じ半導体基板上に形成された２個以上の発光ダイオードについて述べている。
米国特許出願公報第２００７／０２０２６２３号（特許文献１６）は設置面積が非常に小さくて薄型の白色発光ダイオード素子のためのウェーハ・レベル・パッケージについて述べている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】米国特許第６，５４７，２４９号
【特許文献２】米国特許第６，６３５，５０３号
【特許文献３】米国特許第６，８８５，０３５号
【特許文献４】米国特許第６，９５８，４９７号
【特許文献５】米国特許第７，００９，１９９号
【特許文献６】米国特許第７，２１３，９４０号
【特許文献７】米国特許第７，２１３，９４２号
【特許文献８】米国特許第７，２２１，０４４号
【特許文献９】米国特許出願第１１／８５４，７４４号
【特許文献１０】米国特許出願第６０／８４４，３２５号
【特許文献１１】米国特許出願第６０／９８２，８９２号
【特許文献１２】米国特許出願第６０／８８５，９３７号
【特許文献１３】米国特許出願第６０／９８６，６６２号
【特許文献１４】米国特許出願公報第２００３／００８９９１８号
【特許文献１５】米国特許出願公報第２００５／０２５３１５１号
【特許文献１６】米国特許出願公報第２００７／０２０２６２３号
【特許文献１７】米国暫定特許出願第６０／９８２，９０９号
【特許文献１８】米国暫定特許出願第６０／８８５，９３７号
【特許文献１９】米国暫定特許出願第６０／９８６，７９５号
【特許文献２０】日本特許公報第２００１−１５６３３１号
【特許文献２１】日本特許公報第２００１−３０７５０６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
「パワー・チップ」（大面積発光ダイオード素子）が所定の発光ダイオードの点灯（照明）応用に有用かどうかの問題は「システム・レベル」で見なければならない。すなわち、「チップ」（発光ダイオード素子）効率、パッケージ効率、ドライバ（ＡＣ／ＤＣ変換）効率、および光学的効率を考慮する必要がある。
発光ダイオード素子（および／または１個以上の他の固体発光素子）を含む発光体のドライバ技術が最も優れた性能を示すのは、「低電圧、高電流」ではなく「高電圧、低電流」の場合である。一般的な小型の発光ダイオード素子は〜２０−３０ｍＡの電流および〜３ボルトの電圧で動作するが、一般的なパワー・チップは〜３５０ｍＡおよび３ボルトで動作する。
【００１０】
駆動電流が低いとドライバ技術が改善される理由は次のように考えてよい。
ａ）ドライバ組立体内では固定のコスト（パワー低下）が発生する。かかるドライバ組立体は「ｐｎ接合」で作られるので、ドライバ技術では「接合部」を追加するたびにパワー損がある。したがって、高電圧連結体で発光ダイオード素子の数が多い方が低電圧連結体で素子の数が少ない場合よりコストが良くなるように、オーバーヘッド（この固定のパワー・コスト）を各発光ダイオード素子で償却するとよい。
ｂ）電流に伴うパワー損（抵抗は固定）はＩ２Ｒである。したがって、電流を小さくすると効率は必ず高くなる。
このため、「パワー・チップ技術」でのドライバ効率は８０％−８５％であるが、標準の発光ダイオード素子技術で得られるドライバ効率は９５％である。
本発明の主題は、発光体を活性化する（すなわち、これに電気を供給する）と発光体内に含まれる２個以上の発光素子を活性化する発光体を提供する。すなわち、発光体は個々にアドレス指定可能な発光素子のアレイ（ディスプレイプなどの場合のように）ではない。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の主題の第１の態様では高電圧発光体を提供する。これは、
発光素子をその上に形成する共通の基板により機械的に相互接続する複数の発光素子と、
複数の発光素子を機械的および電気的に接続する相互接続サブマウントと、
を含み、
発光素子は相互接続サブマウントにより電気的に相互接続して発光素子の少なくとも２つの直列に接続する部分集合のアレイを形成し、各部分集合は並列に電気的に接続する少なくとも３個の発光素子を含む。
【００１２】
本発明の主題のこの態様の大面積構造（および後で説明するその他のもの）は、電気的に接続してアレイを形成する複数の発光素子を含む。ここではしばしば、アレイは「行」および「列」を含むと述べる。本発明の主題に係るアレイはそれぞれ少なくとも３列の発光素子という大きさを有する。アレイ内の各「行」は並列に接続する発光素子の部分集合の１つである。アレイ内の各「列」は各部分集合からの発光素子の１個を含む。すなわち、アレイは、各「行」（すなわち部分集合）内の発光素子の数に等しい数の列を含む。しかし本発明の主題は、各部分集合が同じ数の発行素子を含む発光体に限定されるものではない。すなわち、本発明の主題は、一部または全ての部分集合が異なる数の発光素子を含む発光体を含む。このように、アレイは少なくとも３列および少なくとも２行の発光素子を含む。
【００１３】
種々のアレイが、共に譲渡され同時に出願された米国特許出願第 号、「故障許容発光体、故障許容発光体を組み込んだシステム、および故障許容発光体を製造する方法（ＦＡＵＬＴ  ＴＯＬＥＲＡＮＴ  ＬＩＧＨＴ  ＥＭＩＴＴＥＲＳ，  ＳＹＳＴＥＭＳ  ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＩＮＧ  ＦＡＵＬＴ  ＴＯＬＥＲＡＮＴ  ＬＩＧＨＴ  ＥＭＩＴＴＥＲＳ  ＡＮＤ  ＭＥＴＨＯＤＳ  ＯＦ  ＦＡＢＲＩＣＡＴＩＮＧ  ＦＡＵＬＴ  ＴＯＬＥＲＡＮＴ  ＬＩＧＨＴ  ＥＭＩＴＴＥＲＳ）」、代理人書類番号９３１＿０５６ＮＰ、発明者：Ｇｅｒａｌｄ  Ｈ．Ｎｅｇｌｅｙ，Ａｎｔｏｎｙ  Ｐａｕｌ  ｖａｎ  ｄｅ  Ｖｅｎ）、および米国特許出願第６０／８８５，９３７号、２００７年１月２２日出願、「高電圧固体発光体（ＨＩＧＨ  ＶＯＬＴＡＧＥ  ＳＯＬＩＤ  ＳＴＡＴＥ  ＬＩＧＨＴ  ＥＭＩＴＴＥＲ）」（発明者：Ｇｅｒａｌｄ  Ｈ．Ｎｅｇｌｅｙ、代理人書類番号９３１＿０５６ＰＲＯ）、米国特許出願第６０／９８２，８９２号、２００７年１０月２６日出願、「故障許容発光体、故障許容発光体を組み込んだシステム、および故障許容発光体を製造する方法（ＦＡＵＬＴ  ＴＯＬＥＲＡＮＴ  ＬＩＧＨＴ  ＥＭＩＴＴＥＲＳ，  ＳＹＳＴＥＭＳ  ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＩＮＧ  ＦＡＵＬＴ  ＴＯＬＥＲＡＮＴ  ＬＩＧＨＴ  ＥＭＩＴＴＥＲＳ  ＡＮＤ  ＭＥＴＨＯＤＳ  ＯＦ  ＦＡＢＲＩＣＡＴＩＮＧ  ＦＡＵＬＴ  ＴＯＬＥＲＡＮＴ  ＬＩＧＨＴ  ＥＭＩＴＴＥＲＳ）」、（発明者：Ｇｅｒａｌｄ  Ｈ．Ｎｅｇｌｅｙ，Ａｎｔｏｎｙ  Ｐａｕｌ  ｖａｎ  ｄｅ  Ｖｅｎ；代理人書類番号９３１＿０５６ＰＲＯ２）、および米国特許出願第６０／９８６，６６２号、２００７年１１月９日出願（代理人書類番号９３１＿０５６ＰＲＯ３）、に述べられており、これらの出願全体をここに援用する。
【００１４】
アレイを電気的に相互接続することは、或る行内の発光素子のアノード（および／またはカソード）を共に電気的に接続し、またカソードを隣接する行内の発光素子のアノードに電気的に接続することである。列の数とは、そのアノードが共に電気的に接続されている発光素子の数（すなわち、部分集合内の素子の数）をいう。かかるアレイ内の発光素子を電気的に接続することにより、そのアレイの任意の行内の１個以上の発光素子が故障しても、その行内の他のダイにより補償することができる。同様に、或るアレイ内の発光素子を電気的に接続することにより、或る列内の１個以上の発光素子が故障しても、そのアレイ内の他の発光素子によりやはり補償することができる。多数の列または行を含めて大面積マルチダイ発光体を高電圧発光体にして、抵抗損を大幅に減少させることが好ましい。
【００１５】
ここで用いる「高電圧」という表現は、発光体の両端の電圧降下がその発光体に含まれる発光素子の１つの電圧降下の少なくとも３倍であることを意味する。すなわち、
Ｖ∃（少なくとも３個の直列の発光素子のＶｆ）。
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、複数の発光素子の全てより少ない数を発光素子のアレイ内で電気的に相互接続する。
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、相互接続サブマウントは、
サブマウント基板と、
サブマウント上の絶縁層と、
絶縁層上にあって、発光素子の各接点を相互接続して発光素子のアレイを形成する導電要素のパターンと、
を含む。
【００１６】
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、相互接続サブマウントはサブマウント基板と絶縁層との間に設けられるミラー層を更に含む。
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、発光素子の全ての電気的な相互接続は導電要素のパターンにより与える。
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、発光素子の相互接続の一部は導電要素のパターンにより与え、相互接続の一部は複数の発光素子の共通基板上の導電要素により与える。
【００１７】
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、発光素子は発光ダイオード素子を含む。
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、発光ダイオード素子は少なくとも１つの絶縁領域により互いから絶縁される。
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、発光ダイオード素子は少なくとも１つの溝により互いから絶縁される。
２つ以上の要素が互いから「絶縁される」という表現は、各要素を互いに電気的に接続しないことを意味する（例えば、両者が別の要素に接触していても）。
【００１８】
ここで、２つ以上の要素は単一のモノリシック層のそれぞれ絶縁された領域である（例えば、「第１のｎ型領域、第２のｎ型領域、第３のｎ型領域、第４のｎ型領域、第５のｎ型領域、および第６のｎ型領域は単一のモノリシックｎ型層のそれぞれ絶縁された領域である」）という表現、および同様の表現は、（少なくとも）要素のそれぞれ（例えば、発光ダイオード素子のそれぞれ、または第１から第６のｎ型領域のそれぞれ、など）が、もともと単一の完全なモノリシック層として形成されたが後で互いから絶縁されたために（例えば、１つ以上の溝を形成し、またイオンを注入するなどにより）各ｎ型領域の間を電気が直接伝導することが本質的にできなくなったことを当業者が理解する構造的特性を含むことを意味する。同様の記述が同様の表現（例えば、ｐ型領域は単一のモノリシックｐ型層の絶縁された領域である）に適用される。
【００１９】
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、発光ダイオード素子は横型素子および／または縦型素子を含み、また発光ダイオード素子の同じ側にカソード接続もアノード接続も共に有する。
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、複数の発光素子は異なるサイズおよび／または形状を有する。
【００２０】
本発明の主題の第２の態様では高電圧発光体を提供する。これは、
発光素子をその上に形成する第１の共通の基板により機械的に相互接続する第１の複数の発光素子と、
相互接続サブマウントであって、複数の発光素子がこれに機械的および電気的に接続し、また電気回路をその上に有する相互接続サブマウントと、
を含み、
発光素子は相互接続サブマウントにより電気的に相互接続して、発光素子の一連の並列に接続された部分集合を形成する。
【００２１】
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、アレイは発光素子の少なくとも２つの直列に接続する部分集合を含み、各部分集合は並列に電気的に接続する少なくとも３個の発光素子を含む。
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、電気回路は発光素子に電力を供給する電源回路を含む。
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、電気回路は共通基板により機械的に相互接続する複数の発光素子以外の発光素子を含む。
【００２２】
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、電気回路は、
第１の共通基板により機械的に相互接続する第１の複数の発光素子以外の発光素子と、
発光素子に電力を供給する電源回路と、
を含む。
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、複数の発光素子は異なるサイズおよび／または形状を有する。
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、電気回路は複数の発光素子の中の故障した素子を選択的に絶縁する複数のフューズを含む。
【００２３】
本発明の主題の第３の態様は高電圧発光体を提供する。これは、
第１の発光素子をその上に形成する第１の共通基板により機械的に相互接続する複数の第１の発光素子と、
第２の発光素子をその上に形成する第２の共通基板により機械的に相互接続する複数の第２の発光素子と、
を含み、
第１の複数の発光素子は第２の複数の発光素子に機械的および電気的に接続する。
【００２４】
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、第１および第２の発光素子は電気的に接続して、一連の並列に接続された発光素子を含むアレイを形成する。
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、アレイは発光素子の少なくとも２つの直列に接続する部分集合を含み、各部分集合は並列に電気的に接続された少なくとも３個の発光素子を含む。
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、発光素子は発光ダイオード素子を含む。
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、発光ダイオード素子は縦発光ダイオード素子を含む。
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、発光ダイオード素子は横発光ダイオード素子を含む。
【００２５】
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、発光体は更に、
第３の発光素子をその上に形成する第３の共通基板により機械的に相互接続する複数の第３の発光素子を含み、
第３の複数の発光素子は第２の複数の発光素子に機械的および電気的に接続する。
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、第１および／または第２の複数の発光素子は異なるサイズおよび／または形状を有する。
【００２６】
本発明の主題の第４の態様では高電圧発光体を提供する。これは、
共通基板により機械的に相互接続する複数の発光素子と、
複数の発光素子を機械的および電気的に相互接続して発光素子の少なくとも２つの直列に接続する部分集合のアレイを形成する手段であって、各部分集合は並列に電気的に接続された少なくとも３個の発光素子を含む、手段と、
を含む。
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、発光体は、複数の発光素子を選択的に相互接続して複数の発光素子の全てより少ない数をアレイ内で相互接続する手段を更に含む。
【００２７】
本発明の主題の第５の態様では高電圧発光体を製造する方法を提供する。これは、
発光素子をその上に形成する共通基板により機械的に相互接続する複数の発光素子を提供することと、
共通基板を相互接続サブマウント上に取り付けて複数の発光素子を機械的および電気的に接続することと、
を含み、
発光素子を相互接続サブマウントにより電気的に相互接続して発光素子の少なくとも２つの直列に接続する部分集合のアレイを形成し、各部分集合は並列に電気的に接続された少なくとも３個の発光素子を含む。
【００２８】
本発明の主題の第６の態様では高電圧発光体を製造する方法を提供する。これは、
発光素子をその上に形成する第１の共通基板により機械的に相互接続する第１の複数の発光素子を提供することと、
電気回路をその上に有する相互接続サブマウントを提供することと、
第１の共通基板を相互接続サブマウント上に取り付けて発光素子を機械的および電気的に接続して、一連の並列に接続された発光素子を含むアレイを形成することと、
を含む。
【００２９】
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、この方法は発光素子の少なくとも１個をテストすることを更に含む。
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、この方法は発光素子の少なくとも１個をテストすることと、発光素子の１個をこの発光素子から電気的に切り離すこととを更に含む。
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、発光素子の１個を電気的に切り離すステップは発光素子の１個のアノード接点またはカソード接点をエッチングすることにより行う。
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、発光素子の１個を電気的に切り離すステップは発光素子の１個のアノード接点またはカソード接点を絶縁材料で被覆することにより行う。
【００３０】
本発明の主題の第７の態様では高電圧発光体を製造する方法を提供する。これは、
第１の発光素子をその上に形成する第１の共通基板により機械的に相互接続する複数の第１の発光素子を形成することと、
第２の発光素子をその上に形成する第２の共通基板により機械的に相互接続する複数の第２の発光素子を形成することと、
第１の複数の発光素子を第２の複数の発光素子の上に実装して第１の複数の発光素子と第２の複数の発光素子とを電気的および機械的に相互接続することと、
を含む。
【００３１】
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、この方法は発光素子の少なくとも１個をテストすることを更に含む。
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、この方法は発光素子の少なくとも１個をテストすることと、発光素子の１個をこの発光素子から電気的に切り離すこととを更に含む。
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、発光素子の１個を電気的に切り離すステップは発光素子の１個のアノード接点またはカソード接点をエッチングすることにより行う。
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、発光素子の１個を電気的に切り離すステップは発光素子の１個のアノード接点またはカソード接点を絶縁材料で被覆することにより行う。
【００３２】
本発明の主題の第８の態様は高電圧発光体を製造する方法を提供する。これは、
共通基板上の複数の発光素子をそれぞれテストして、それぞれが短絡回路故障を有するかどうか判定することと、
短絡回路故障を有すると判定した複数の発光素子の中の素子を絶縁することと、
複数の発光素子を相互接続サブマウント上に実装して、複数の発光素子の中の非絶縁素子を電気的に接続することと、
を含む。
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、電気接続は複数の発光素子の中の非絶縁素子を接続して、直列に接続された、複数の発光素子の並列の部分集合のアレイを形成することを含む。
【００３３】
本発明の主題の第９の態様では発光体を提供する。これは、
モノリシックｎ型層と、
モノリシックｐ型層と、
少なくとも第１の相互接続要素と、
を含み、
ｎ型層は第１のｎ型領域、第２のｎ型領域、第３のｎ型領域、第４のｎ型領域、第５のｎ型領域、および第６のｎ型領域を含み、
第１のｎ型領域、第２のｎ型領域、第３のｎ型領域、第４のｎ型領域、第５のｎ型領域、および第６のｎ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
ｐ型層は第１のｐ型領域、第２のｐ型領域、第３のｐ型領域、第４のｐ型領域、第５のｐ型領域、および第６のｐ型領域を含み、
第１のｐ型領域、第２のｐ型領域、第３のｐ型領域、第４のｐ型領域、第５のｐ型領域、および第６のｐ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
第１のｎ型領域と第１のｐ型領域とで第１の発光素子を構成し、
第２のｎ型領域と第２のｐ型領域とで第２の発光素子を構成し、
第３のｎ型領域と第３のｐ型領域とで第３の発光素子を構成し、
第４のｎ型領域と第４のｐ型領域とで第４の発光素子を構成し、
第５のｎ型領域と第５のｐ型領域とで第５の発光素子を構成し、
第６のｎ型領域と第６のｐ型領域とで第６の発光素子を構成し、
相互接続要素は少なくとも相互接続要素の第１のｎ型接点、相互接続要素の第２のｎ型接点、相互接続要素の第３のｎ型接点、相互接続要素の第１のｐ型接点、相互接続要素の第２のｐ型接点、および相互接続要素の第３のｐ型接点を含み、
相互接続要素の第１のｎ型接点は第１のｎ型領域に電気的に接続され、
相互接続要素の第２のｎ型接点は第２のｎ型領域に電気的に接続され、
相互接続要素の第３のｎ型接点は第３のｎ型領域に電気的に接続され、
相互接続要素の第１のｐ型接点は第４のｐ型領域に電気的に接続され、
相互接続要素の第２のｐ型接点は第５のｐ型領域に電気的に接続され、
相互接続要素の第３のｐ型接点は第６のｐ型領域に電気的に接続され、
相互接続要素の第１のｎ型接点は、相互接続要素の第２のｎ型接点、相互接続要素の第３のｎ型接点、相互接続要素の第１のｐ型接点、相互接続要素の第２のｐ型接点、および相互接続要素の第３のｐ型接点に電気的に接続される。
【００３４】
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、
第１のｎ型領域の接触面、第２のｎ型領域の接触面、第３のｎ型領域の接触面、第４のｎ型領域の接触面、第５のｎ型領域の接触面、および第６のｎ型領域の接触面は全て或る第１の平面と実質的に同一の平面上にあり、
第１のｐ型領域の接触面、第２のｐ型領域の接触面、第３のｐ型領域の接触面、第４のｐ型領域の接触面、第５のｐ型領域の接触面、および第６のｐ型領域の接触面は全て或る第２の平面と実質的に同一の平面上にあり、
相互接続要素の第１のｎ型接点の接触面、相互接続要素の第２のｎ型接点の接触面、および相互接続要素の第３のｎ型接点の接触面は全て或る第３の平面と実質的に同一の平面上にあり、
相互接続要素の第１のｐ型接点の接触面、相互接続要素の第２のｐ型接点の接触面、および相互接続要素の第３のｐ型接点の接触面は全て或る第４の平面と実質的に同一の平面上にあり、
第１の平面は第２の平面に実質的に平行であり、第２の平面は第３の平面に実質的に平行であり、第３の平面は第４の平面に実質的に平行である。
【００３５】
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、発光体は基板層を更に含み、ｎ型層とｐ型層とは基板層と相互接続要素との間に位置する。
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、発光体は基板層を更に含み、基板層はｐ型層と相互接続要素との間に位置する。
【００３６】
本発明の主題の第１０の態様ではｎ型層およびｐ型層を含む発光体を提供する。
ｎ型層は第１のｎ型領域、第２のｎ型領域、第３のｎ型領域、第４のｎ型領域、第５のｎ型領域、および第６のｎ型領域を含み、
第１のｎ型領域、第２のｎ型領域、第３のｎ型領域、第４のｎ型領域、第５のｎ型領域、および第６のｎ型領域はそれぞれ少なくとも１つの絶縁領域により互いから絶縁され、
ｐ型層は第１のｐ型領域、第２のｐ型領域、第３のｐ型領域、第４のｐ型領域、第５のｐ型領域、および第６のｐ型領域を含み、
第１のｐ型領域、第２のｐ型領域、第３のｐ型領域、第４のｐ型領域、第５のｐ型領域、および第６のｐ型領域はそれぞれ少なくとも１つの絶縁領域により互いから絶縁され、
第１のｎ型領域と第１のｐ型領域とで第１の発光素子を構成し、
第２のｎ型領域と第２のｐ型領域とで第２の発光素子を構成し、
第３のｎ型領域と第３のｐ型領域とで第３の発光素子を構成し、
第４のｎ型領域と第４のｐ型領域とで第４の発光素子を構成し、
第５のｎ型領域と第５のｐ型領域とで第５の発光素子を構成し、
第６のｎ型領域と第６のｐ型領域とで第６の発光素子を構成し、
発光体は少なくとも１つの絶縁領域の少なくとも１つの少なくとも一部を通して伸びる第１のｐ接点を更に含み、第１のｐ接点は第１のｐ型領域に電気的に接続され、
発光体は少なくとも１つの絶縁領域の少なくとも１つの少なくとも一部を通して伸びる第２のｐ接点を更に含み、第２のｐ接点は第４のｐ型領域に電気的に接続される。
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、発光体は基板、基板上に取り付けられたｎ型層およびｐ型層を更に含む。
【００３７】
本発明の主題の第１１の態様ではｎ型層およびｐ型層を含む発光体を提供する。
ｎ型層は第１のｎ型領域、第２のｎ型領域、および第３のｎ型領域を含み、
第１のｎ型領域、第２のｎ型領域、および第３のｎ型領域はそれぞれ少なくとも１つの絶縁領域により互いから絶縁され、
ｐ型層は第１のｐ型領域、第２のｐ型領域、および第３のｐ型領域を含み、
第１のｐ型領域、第２のｐ型領域、および第３のｐ型領域はそれぞれ少なくとも１つの絶縁領域により互いから絶縁され、
第１のｎ型領域と第１のｐ型領域とで第１の発光素子を構成し、
第２のｎ型領域と第２のｐ型領域とで第２の発光素子を構成し、
第３のｎ型領域と第３のｐ型領域とで第３の発光素子を構成し、
第１の発光体は少なくとも１つの絶縁層の少なくとも１つの少なくとも一部を通して伸びる第１のｐ接点を更に含み、第１のｐ接点は第１のｐ型領域に電気的に接続される。
【００３８】
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、第１のｐ接点は第２のｐ型領域および第３のｐ型領域にも電気的に接続される。
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、発光体は基板を更に含み、ｎ型層およびｐ型層はこの基板上に形成する。
【００３９】
本発明の主題の第１２の態様では発光要素を提供する。これは、
第１の発光体と、
第２の発光体と、
相互接続要素と、
を含み、
第１の発光体は第１のｎ型層と第１のｐ型層とを含み、
第１のｎ型層は第１の発光体の第１のｎ型領域、第１の発光体の第２のｎ型領域、および第１の発光体の第３のｎ型領域を含み、
第１の発光体の第１のｎ型領域、第１の発光体の第２のｎ型領域、および第１の発光体の第３のｎ型領域は、それぞれ少なくとも１つの第１の発光体の絶縁領域により互いから絶縁され、
第１の発光体のｐ型層は第１の発光体の第１のｐ型領域、第１の発光体の第２のｐ型領域、および第１の発光体の第３のｐ型領域を含み、
第１の発光体の第１のｐ型領域、第１の発光体の第２のｐ型領域、および第１の発光体の第３のｐ型領域はそれぞれ少なくとも１つの第１の発光体の絶縁領域により互いから絶縁され、
第１の発光体の第１のｎ型領域と第１の発光体の第１のｐ型領域とで第１の発光素子を構成し、
第１の発光体の第２のｎ型領域と第１の発光体の第２のｐ型領域とで第２の発光素子を構成し、
第１の発光体の第３のｎ型領域と第１の発光体の第３のｐ型領域とで第３の発光素子を構成し、
第１の発光体は少なくとも１つの第１の発光体の絶縁領域の少なくとも１つの少なくとも一部を通して伸びる第１の発光体の第１のｐ接点を含み、第１の発光体の第１のｐ接点は第１の発光体の第１のｐ型領域に電気的に接続され、
第２の発光体は第２のｎ型層と第２のｐ型層とを含み、
第２のｎ型層は第２の発光体の第１のｎ型領域、第２の発光体の第２のｎ型領域、および第２の発光体の第３のｎ型領域を含み、
第２の発光体の第１のｎ型領域、第２の発光体の第２のｎ型領域、および第２の発光体の第３のｎ型領域はそれぞれ少なくとも１つの第２の発光体の絶縁領域により互いから絶縁され、
第２の発光体のｐ型層は第２の発光体の第１のｐ型領域、第２の発光体の第２のｐ型領域、および第２の発光体の第３のｐ型領域を含み、
第２の発光体の第１のｐ型領域、第２の発光体の第２のｐ型領域、および第２の発光体の第３のｐ型領域はそれぞれ少なくとも１つの第２の発光体の絶縁領域により互いから絶縁され、
第２の発光体の第１のｎ型領域と第２の発光体の第１のｐ型領域とで第４の発光素子を構成し、
第２の発光体の第２のｎ型領域と第２の発光体の第２のｐ型領域とで第５の発光素子を構成し、
第２の発光体の第３のｎ型領域と第２の発光体の第３のｐ型領域とで第６の発光素子を構成し、
第２の発光体は第２の発光体の絶縁領域の少なくとも一部を通して伸びる第２の発光体の第１のｐ接点を含み、
相互接続要素は、
第１の発光体の第１のｎ型領域と第２の発光体の第１のｐ型領域との間を電気的に接続し、
第１の発光体の第２のｎ型領域と第２の発光体の第２のｐ型領域との間を電気的に接続し、
第１の発光体の第３のｎ型領域と第２の発光体の第３のｐ型領域との間を電気的に接続する。
【００４０】
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、相互接続要素は第１の発光体と第２の発光体との間に位置する。
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、第１の発光体と第２の発光体とは相互接続要素の同じ側に位置する。
【００４１】
本発明の主題の第１３の態様では照明デバイスを提供する。これは、
第１の発光体と、
第２の発光体と、
を含み、
第１の発光体は第１の発光体のｎ型層と第１の発光体のｐ型層とを含み、
第１の発光体のｎ型層は第１の発光体の第１のｎ型領域、第１の発光体の第２のｎ型領域、および第１の発光体の第３のｎ型領域を含み、第１のｎ型領域、第２のｎ型領域、および第３のｎ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
第１の発光体のｐ型層は第１の発光体の第１のｐ型領域、第１の発光体の第２のｐ型領域、および第１の発光体の第３のｐ型領域を含み、第１のｐ型領域、第２のｐ型領域、および第３のｐ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
第１の発光体の第１のｎ型領域と第１の発光体の第１のｐ型領域とで第１の発光素子を構成し、
第１の発光体の第２のｎ型領域と第１の発光体の第２のｐ型領域とで第２の発光素子を構成し、
第１の発光体の第３のｎ型領域と第１の発光体の第３のｐ型領域とで第３の発光素子を構成し、
第２の発光体は第２の発光体のｎ型層と第２の発光体のｐ型層とを含み、
第２の発光体のｎ型層は第２の発光体の第１のｎ型領域、第２の発光体の第２のｎ型領域、および第２の発光体の第３のｎ型領域を含み、第２の発光体の第１のｎ型領域、第２の発光体の第２のｎ型領域、および第２の発光体の第３のｎ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
第２の発光体のｐ型層は第２の発光体の第１のｐ型領域、第２の発光体の第２のｐ型領域、および第２の発光体の第３のｐ型領域を含み、第２の発光体の第１のｐ型領域、第２の発光体の第２のｐ型領域、および第２の発光体の第３のｐ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
第２の発光体の第１のｎ型領域と第２の発光体の第１のｐ型領域とで第４の発光素子を構成し、
第２の発光体の第２のｎ型領域と第２の発光体の第２のｐ型領域とで第５の発光素子を構成し、
第２の発光体の第３のｎ型領域と第２の発光体の第３のｐ型領域とで第６の発光素子を構成し、
第１の発光体の第１のｎ型領域は第２の発光体の第１のｐ型領域に電気的に接続され、
第１の発光体の第２のｎ型領域は第２の発光体の第２のｐ型領域に電気的に接続され、
第１の発光体の第３のｎ型領域は第２の発光体の第３のｐ型領域に電気的に接続され、
第１の発光体の第１のｎ型領域は第１の発光体の第２のｎ型領域および第１の発光体の第３のｎ型領域に電気的に接続され、
第２の発光体の第１のｎ型領域は第２の発光体の第２のｎ型領域および第２の発光体の第３のｎ型領域に電気的に接続される。
【００４２】
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、第１の発光体と第２の発光体とは、第１の発光素子の第１のｎ型領域、第１の発光素子の第２のｎ型領域、および第１の発光素子の第３のｎ型領域が、第２の発光素子の第１のｐ型領域、第２の発光素子の第２のｐ型領域、および第２の発光素子の第３のｐ型領域に面するように互いに対して位置する。
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、第１の発光体のｎ型層の表面と第２の発光体のｐ型層の表面とは互いに実質的に平行である。
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、照明デバイスは第１の発光素子の第１のｎ型領域、第１の発光素子の第２のｎ型領域、および第１の発光素子の第３のｎ型領域に電気的に接続するｎ接点を更に含む。
【００４３】
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、照明デバイスは、第２の発光素子の第１のｐ型領域、第２の発光素子の第２のｐ型領域、および第２の発光素子の第３のｐ型領域に電気的に接続するｐ接点を更に含む。
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、発光体は発光素子の少なくとも１個に直列に電気的に接続する、少なくとも１つのフューズ・リンクを更に含む。
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、発光体は発光素子の少なくとも１個に直列な導電接続を開くための少なくとも１つの手段を更に含む。
【００４４】
本発明の主題の第１４の態様は照明デバイスを提供する。これは、
第１の発光体と、
第２の発光体と、
を含み、
第１の発光体は第１のｎ型層と第１のｐ型層とを含み、
第１のｎ型層と第１のｐ型層とで第１の発光素子を構成し、
第２の発光体は第２のｎ型層と第２のｐ型層とを含み、
第２のｎ型層と第２のｐ型層とで第２の発光素子を構成し、
第１のｎ型層は第２のｐ型層に電気的に接続され、
第１の発光体と第２の発光体とは第１のｎ型層が第２のｐ型層に面するように互いに相対するように位置する。
【００４５】
ここで（例えば、前の文で）動詞として用いられている「面する」という表現は、中間の構造を取り除いた場合に、第２の構造に「面する」構造から第２の構造が「見える」ことを意味する（例えば、互いに向き合って、平行なまたは互いに１５度の角度を作る表面は互いに「面する」）。
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、第１のｎ型層の表面と第２のｐ型層の表面とは互いに実質的に平行である。
【００４６】
本発明の主題の第１５の態様は照明デバイスを提供する。これは、
第１の発光体と、
第２の発光体と、
相互接続要素と、
を含み、
第１の発光体は第１の発光体のｎ型層と第１の発光体のｐ型層とを含み、
第１の発光体のｎ型層は第１の発光体の第１のｎ型領域、第１の発光体の第２のｎ型領域、および第１の発光体の第３のｎ型領域を含み、第１の発光体の第１のｎ型領域、第１の発光体の第２のｎ型領域、および第１の発光体の第３のｎ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
第１の発光体のｐ型層は第１の発光体の第１のｐ型領域、第１の発光体の第２のｐ型領域、および第１の発光体の第３のｐ型領域を含み、第１の発光体の第１のｐ型領域、第１の発光体の第２のｐ型領域、および第１の発光体の第３のｐ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
第１の発光体の第１のｎ型領域と第１の発光体の第１のｐ型領域とで第１の発光素子を構成し、
第１の発光体の第２のｎ型領域と第１の発光体の第２のｐ型領域とで第２の発光素子を構成し、
第１の発光体の第３のｎ型領域と第１の発光体の第３のｐ型領域とで第３の発光素子を構成し、
第２の発光体は第２の発光体のｎ型層と第２の発光体のｐ型層とを含み、
第２の発光体のｎ型層は第２の発光体の第１のｎ型領域、第２の発光体の第２のｎ型領域、および第２の発光体の第３のｎ型領域を含み、第２の発光体の第１のｎ型領域、第２の発光体の第２のｎ型領域、および第２の発光体の第３のｎ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
第２の発光体のｐ型層は第２の発光体の第１のｐ型領域、第２の発光体の第２のｐ型領域、および第２の発光体の第３のｐ型領域を含み、第２の発光体の第１のｐ型領域、第２の発光体の第２のｐ型領域、および第２の発光体の第３のｐ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
第２の発光体の第１のｎ型領域と第２の発光体の第１のｐ型領域とで第４の発光素子を構成し、
第２の発光体の第２のｎ型領域と第２の発光体の第２のｐ型領域とで第５の発光素子を構成し、
第２の発光体の第３のｎ型領域と第２の発光体の第３のｐ型領域とで第６の発光素子を構成し、
相互接続要素は、
第１の発光体の第１のｎ型領域と第２の発光体の第１のｐ型領域との間を電気的に接続し、
第１の発光体の第２のｎ型領域と第２の発光体の第２のｐ型領域との間を電気的に接続し、
第１の発光体の第３のｎ型領域と第２の発光体の第３のｐ型領域との間を電気的に接続し、
第１の発光体の第１のｎ型領域、第１の発光体の第２のｎ型領域、および第１の発光体の第３のｎ型領域の間を電気的に接続し、
第１の発光体の第１のｐ型領域は第１の発光体の第２のｐ型領域および第１の発光体の第３のｐ型領域に電気的に接続され、
第２の発光体の第１のｎ型領域は第２の発光体の第２のｎ型領域および第２の発光体の第３のｎ型領域に電気的に接続される。
【００４７】
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、相互接続要素は第１の発光体のｎ型層と第２の発光体のｐ型層との間に位置する。
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、第１の発光体と第２の発光体とは互いに対して、第１の発光素子の第１のｎ型領域、第１の発光素子の第２のｎ型領域、および第１の発光素子の第３のｎ型領域が、第２の発光素子の第１のｐ型領域、第２の発光素子の第２のｐ型領域、および第２の発光素子の第３のｐ型領域に面するように位置する。
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、第１の発光体のｎ型層の表面と第２の発光体のｐ型層の表面とは互いに実質的に平行である。
【００４８】
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、照明デバイスは第１の発光素子の第１のｎ型領域、第１の発光素子の第２のｎ型領域、および第１の発光素子の第３のｎ型領域に電気的に接続するｎ接点を更に含む。
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、照明デバイスは第２の発光素子の第１のｐ型領域、第２の発光素子の第２のｐ型領域、および第２の発光素子の第３のｐ型領域に電気的に接続するｐ接点を更に含む。
【００４９】
本発明の主題の第１６の態様では照明デバイスを提供する。これは、
第１の発光体と、
第２の発光体と、
を含み、
第１の発光体は第１の発光体のｎ型層と第１の発光体のｐ型層とを含み、
第１の発光体のｐ型層は第１の発光体の第１のｐ型領域、第１の発光体の第２のｐ型領域、および第１の発光体の第３のｐ型領域を含み、第１のｐ型領域、第２のｐ型領域、および第３のｐ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
第１の発光体のｎ型層と第１の発光体の第１のｐ型領域とで第１の発光素子を構成し、
第１の発光体のｎ型層と第１の発光体の第２のｐ型領域とで第２の発光素子を構成し、
第１の発光体のｎ型層と第１の発光体の第３のｐ型領域とで第３の発光素子を構成し、
第１の発光体は第１のｐ接触層を更に含み、第１のｐ接触層は第１の発光体の第１のｐ型領域、第１の発光体の第２のｐ型領域、および第１の発光体の第３のｐ型領域に電気的に接続され、
第１の発光体は第１のｎ接触層を更に含み、第１のｎ接触層は第１の発光体のｎ型層に電気的に接続され、
第２の発光体は第２の発光体のｎ型層と第２の発光体のｐ型層とを含み、
第２の発光体のｐ型層は第２の発光体の第１のｐ型領域、第２の発光体の第２のｐ型領域、および第２の発光体の第３のｐ型領域を含み、
第２の発光体の第１のｐ型領域、第２の発光体の第２のｐ型領域、および第２の発光体の第３のｐ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
第２の発光体のｎ型層と第２の発光体の第１のｐ型領域とで第４の発光素子を構成し、
第２の発光体のｎ型層と第２の発光体の第２のｐ型領域とで第５の発光素子を構成し、
第２の発光体のｎ型層と第２の発光体の第３のｐ型領域とで第６の発光素子を構成し、
第２の発光体は第２のｐ接触層を更に含み、第２のｐ接触層は第２の発光体の第１のｐ型領域、第２の発光体の第２のｐ型領域、および第２の発光体の第３のｐ型領域に電気的に接続され、
第２の発光体は第２のｎ接触層を更に含み、第２のｎ接触層は第２の発光体のｎ型層に電気的に接続され、
第１のｎ接触層は第２のｐ接触層に電気的に接続される。
【００５０】
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、第１の発光体のｎ型層は第１の発光体の第１のｎ型領域、第１の発光体の第２のｎ型領域、および第１の発光体の第３のｎ型領域を含み、第１の発光体の第１のｎ型領域、第１の発光体の第２のｎ型領域、および第１の発光体の第３のｎ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
第１の発光素子は第１の発光体の第１のｎ型領域と第１の発光体の第１のｐ型領域とを含み、
第２の発光素子は第１の発光体の第２のｎ型領域と第１の発光体の第２のｐ型領域とを含み、
第３の発光素子は第１の発光体の第３のｎ型領域と第１の発光体の第３のｐ型領域とを含み、
第２の発光体のｎ型層は第２の発光体の第１のｎ型領域、第２の発光体の第２のｎ型領域、および第２の発光体の第３のｎ型領域を含み、２の発光体の第１のｎ型領域、第２の発光体の第２のｎ型領域、および第２の発光体の第３のｎ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
第１の発光素子は第２の発光体の第１のｎ型領域と第２の発光体の第１のｐ型領域とを含み、
第２の発光素子は第２の発光体の第２のｎ型領域と第２の発光体の第２のｐ型領域とを含み、
第３の発光素子は第２の発光体の第３のｎ型領域と第２の発光体の第３のｐ型領域とを含む。
【００５１】
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、第１のｐ接触層と第１のｎ接触層とは第１の発光体の反対側の面にある。
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、
第１のｐ接触層は第１のｐ接触層の第１の表面と第１のｐ接触層の第２の表面とを有し、
第１のｎ接触層は第１のｎ接触層の第１の表面と第１のｎ接触層の第２の表面とを有し、  
第２のｐ接触層は第２のｐ接触層の第１の表面と第２のｐ接触層の第２の表面とを有し、
第２のｎ接触層は第２のｎ接触層の第１の表面と第２のｎ接触層の第２の表面とを有し、また
第１のｐ接点の第１の表面、第１のｐ接点の第２の表面、第１のｎ接点の第１の表面、第１のｎ接点の第２の表面、第２のｐ接点の第１の表面、第２のｐ接点の第２の表面、第２のｎ接点の第１の表面、および第２のｎ接点の第２の表面は全て互いに実質的に平行である。
【００５２】
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、
第１のｐ接触層は第１のｐ接触層の第１の表面と第１のｐ接触層の第２の表面とを有し、
第１のｎ接触層は第１のｎ接触層の第１の表面と第１のｎ接触層の第２の表面とを有し、
第２のｐ接触層は第２のｐ接触層の第１の表面と第２のｐ接触層の第２の表面とを有し、
第２のｎ接触層は第２のｎ接触層の第１の表面と第２のｎ接触層の第２の表面とを有し、また
第１のｐ接点の第２の表面、第１のｎ接点の第１の表面、第１のｎ接点の第２の表面、第２のｐ接点の第１の表面、第２のｐ接点の第２の表面、および第２のｎ接点の第１の表面は、第１のｐ接点の第１の表面と第２のｎ接点の第２の表面との間に位置する。
【００５３】
本発明の主題の第１７の態様では照明デバイスを提供する。これは、
第１の発光体と、
第２の発光体と、
を含み、
第１の発光体は第１の発光体のｐ型層と第１の発光体のｎ型層とを含み、
第１の発光体のｎ型層は第１の発光体の第１のｎ型領域、第１の発光体の第２のｎ型領域、および第１の発光体の第３のｎ型領域を含み、第１のｎ型領域、第２のｎ型領域、および第３のｎ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
第１の発光体のｐ型層と第１の発光体の第１のｎ型領域とで第１の発光素子を構成し、
第１の発光体のｐ型層と第１の発光体の第２のｎ型領域とで第２の発光素子を構成し、
第１の発光体のｐ型層と第１の発光体の第３のｎ型領域とで第３の発光素子を構成し、
第１の発光体は第１のｎ接触層を更に含み、第１のｎ接触層は第１の発光体の第１のｎ型領域、第１の発光体の第２のｎ型領域、および第１の発光体の第３のｎ型領域に電気的に接続され、
第１の発光体は第１のｐ接触層を更に含み、第１のｐ接触層は第１の発光体のｐ型層に電気的に接続され、
第２の発光体は第２の発光体のｐ型層と第２の発光体のｎ型層とを含み、
第２の発光体のｎ型層は第２の発光体の第１のｎ型領域、第２の発光体の第２のｎ型領域、および第２の発光体の第３のｎ型領域を含み、
第２の発光体の第１のｎ型領域、第２の発光体の第２のｎ型領域、および第２の発光体の第３のｎ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
第２の発光体のｐ型層と第２の発光体の第１のｎ型領域とで第４の発光素子を構成し、
第２の発光体のｐ型層と第２の発光体の第２のｎ型領域とで第５の発光素子を構成し、
第２の発光体のｐ型層と第２の発光体の第３のｎ型領域とで第６の発光素子を構成し、
第２の発光体は第２のｎ接触層を更に含み、第２のｎ接触層は第２の発光体の第１のｎ型領域、第２の発光体の第２のｎ型領域、および第２の発光体の第３のｎ型領域に電気的に接続され、
第２の発光体は第２のｐ接触層を更に含み、第２のｐ接触層は第２の発光体のｐ型層に電気的に接続され、
第１のｎ接触層は第２のｐ接触層に電気的に接続される。
【００５４】
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、第１のｐ接触層と第１のｎ接触層とは第１の発光体の反対側の面にある。
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、
第１のｎ接触層は第１のｎ接触層の第１の表面と第１のｎ接触層の第２の表面とを有し、
第１のｐ接触層は第１のｐ接触層の第１の表面と第１のｐ接触層の第２の表面とを有し、
第２のｎ接触層は第２のｎ接触層の第１の表面と第２のｎ接触層の第２の表面とを有し、
第２のｐ接触層は第２のｐ接触層の第１の表面と第２のｐ接触層の第２の表面とを有し、
第１のｎ接点の第１の表面、第１のｎ接点の第２の表面、第１のｐ接点の第１の表面、第１のｐ接点の第２の表面、第２のｎ接点の第１の表面、第２のｎ接点の第２の表面、第２のｐ接点の第１の表面、および第２のｐ接点の第２の表面は全て互いに実質的に平行である。
【００５５】
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、
第１のｎ接触層は第１のｎ接触層の第１の表面と第１のｎ接触層の第２の表面とを有し、
第１のｐ接触層は第１のｐ接触層の第１の表面と第１のｐ接触層の第２の表面とを有し、
第２のｎ接触層は第２のｎ接触層の第１の表面と第２のｎ接触層の第２の表面とを有し、
第２のｐ接触層は第２のｐ接触層の第１の表面と第２のｐ接触層の第２の表面とを有し、また
第１のｐ接点の第２の表面、第１のｎ接点の第１の表面、第１のｎ接点の第２の表面、第２のｐ接点の第１の表面、第２のｐ接点の第２の表面、および第２のｎ接点の第１の表面は、第１のｐ接点の第１の表面と第２のｎ接点の第２の表面との間に位置する。
【００５６】
本発明の主題の第１８の態様では照明デバイスを提供する。これは、
第１の発光体と、
第２の発光体と、
を含み、
第１の発光体は第１の発光体のｎ型層、第１の発光体のｐ型層、および第１の発光体の基板層を含み、
第１の発光体のｎ型層は第１の発光体の第１のｎ型領域、第１の発光体の第２のｎ型領域、および第１の発光体の第３のｎ型領域を含み、第１の発光体の第１のｎ型領域、第１の発光体の第２のｎ型領域、および第１の発光体の第３のｎ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
第１の発光体のｐ型層は第１の発光体の第１のｐ型領域、第１の発光体の第２のｐ型領域、および第１の発光体の第３のｐ型領域を含み、第１の発光体の第１のｐ型領域、第１の発光体の第２のｐ型領域、および第１の発光体の第３のｐ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
第１の発光体の第１のｎ型領域と第１の発光体の第１のｐ型領域とで第１の発光素子を構成し、
第１の発光体の第２のｎ型領域と第１の発光体の第２のｐ型領域とで第２の発光素子を構成し、
第１の発光体の第３のｎ型領域と第１の発光体の第３のｐ型領域とで第３の発光素子を構成し、
第１の発光体は第１のｐ接触層を更に含み、第１のｐ接触層は第１の発光体の第１のｐ型領域、第１の発光体の第２のｐ型領域、および第１の発光体の第３のｐ型領域に電気的に接続され、
第１の発光体は第１の発光体の第１のｎ接触領域、第１の発光体の第２のｎ接触領域、および第１の発光体の第３のｎ接触領域を更に含み、
第２の発光体は第２の発光体のｎ型層、第２の発光体のｐ型層、および第２の発光体の基板層を含み、
第２の発光体のｎ型層は第２の発光体の第１のｎ型領域、第２の発光体の第２のｎ型領域、および第２の発光体の第３のｎ型領域を含み、第２の発光体の第１のｎ型領域、第２の発光体の第２のｎ型領域、および第２の発光体の第３のｎ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
第２の発光体のｐ型層は第２の発光体の第１のｐ型領域、第２の発光体の第２のｐ型領域、および第２の発光体の第３のｐ型領域を含み、第２の発光体の第１のｐ型領域、第２の発光体の第２のｐ型領域、および第２の発光体の第３のｐ型領域はそれぞれ互いから絶縁され、
第２の発光体の第１のｎ型領域と第２の発光体の第１のｐ型領域とで第４の発光素子を構成し、
第２の発光体の第２のｎ型領域と第２の発光体の第２のｐ型領域とで第５の発光素子を構成し、
第２の発光体の第３のｎ型領域と第２の発光体の第３のｐ型領域とで第６の発光素子を構成し、
第２の発光体は第２のｐ接触層を更に含み、第２のｐ接触層は第２の発光体の第１のｐ型領域、第２の発光体の第２のｐ型領域、および第２の発光体の第３のｐ型領域に電気的に接続され、
第２の発光体は第２の発光体の第１のｎ接触領域、第２の発光体の第２のｎ接触領域、および第２の発光体の第３のｎ接触領域を更に含み、
第１の発光体の第１のｎ接触領域は第１の発光体の第１のｎ型領域および第２の発光体のｐ接触層に電気的に接続され、
第１の発光体の第２のｎ接触領域は第１の発光体の第２のｎ型領域および第２の発光体のｐ接触層に電気的に接続され、
第１の発光体の第３のｎ接触領域は第１の発光体の第３のｎ型領域および第２の発光体のｐ接触層に電気的に接続される。
【００５７】
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、第１のｐ接触層は第１の発光体の第１のｎ接触領域、第１の発光体の第２のｎ接触領域、および第１の発光体の第３のｎ接触領域に対して第１の発光体の反対側の面にある。
本発明の主題のこの態様に係る或る実施の形態では、
第１のｐ接点は第１のｐ接点の第１の表面と第１のｐ接点の第２の表面とを有し、
第２のｐ接点は第２のｐ接点の第１の表面と第２のｐ接点の第２の表面とを有し、また
第１のｐ接点の第１の表面、第１のｐ接点の第２の表面、第２のｐ接点の第１の表面、および第２のｐ接点の第２の表面は全て互いに実質的に平行である。  
【００５８】
本発明の主題の第１９の態様では或る構造を提供する。これは、
複数のｎ型領域を含むモノリシックｎ型層と、
複数のｐ型領域を含むモノリシックｐ型層と、
を含み、
ｎ型領域はそれぞれ少なくとも１つの絶縁領域により互いから絶縁され、
ｐ型領域はそれぞれ前記少なくとも１つの絶縁領域により互いから絶縁され、
ｎ型領域は従来技術のウェーハ切断装置がｎ型層を小さく切って個々のｎ型領域にすることを防ぐように互いに相対するように位置する。
【００５９】
本発明の主題の第２０の態様では或る構造を提供する。これは、
複数のｎ型領域を含むモノリシックｎ型層と、
複数のｐ型領域を含むモノリシックｐ型層と、
を含み、
ｎ型領域はそれぞれ少なくとも１つの絶縁領域により互いから絶縁され、
ｐ型領域はそれぞれ前記少なくとも１つの絶縁領域により互いから絶縁され、
ｎ型領域の少なくとも１つは、少なくとも２つの他のｎ型領域の間に伸びる少なくとも１つの絶縁領域の少なくとも１つにより定義される線を越えて伸びる。
【００６０】
本発明の主題の或る実施の形態では、発光体は発光素子の少なくとも１個に直列に電気的に接続する少なくとも１個のフューズ・リンクを更に含む。
本発明の主題の或る実施の形態では、発光体は発光素子の少なくとも１個に直列の導電接続を開くための少なくとも１つの手段を更に含む。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】従来技術の発光ダイオードの略断面図である。
【図２】第１の絶縁技術を用いる共通基板上の複数の発光ダイオード素子の略断面図である。
【図３】第２の絶縁技術を用いる共通基板上の複数の発光ダイオード素子の略断面図である。
【図４】サブマウントにより相互接続してモノリシック発光体を形成する共通基板上の複数の発光ダイオード素子の略断面図である。
【図５】モノリシック発光体内の個々の発光素子の相互接続を表す略図である。
【図６】共通基板上の複数の機械的に接続された発光ダイオード素子の平面図である。
【図７】図６に示す共通基板上の複数の機械的に接続された発光ダイオード素子と共に用いるのに適した、サブマウント上の電気的な相互接続の平面図である。
【図８】共通基板上の複数の機械的に接続された発光ダイオード素子の平面図である。
【図９】図８に示す共通基板上の複数の機械的に接続された発光ダイオード素子と共に用いるのに適した、サブマウント上の電気的な相互接続の平面図である。
【図１０】モノリシック発光体を駆動する追加の回路も含むサブマウント上の電気的な相互接続の平面図である。
【図１１】サブマウント上のモノリシック発光体、追加の照明デバイス、および電源回路を含む内蔵要素の平面図である。
【図１２】「裏側」の接点を持つ共通基板上の複数の発光ダイオード素子の略断面図である。
【図１３】別の実施の形態に係る、「裏側」の接点を持つ共通基板上の複数の発光ダイオード素子の略断面図である。
【図１４】サブマウントにより相互接続してモノリシック発光体を形成する、共通基板上の複数の発光ダイオード素子の略断面図である。
【図１５】１枚の基板を他の基板上に取り付けることにより電気的に相互接続する２枚の共通基板の略断面図である。
【図１６】取り付ける前の図１５の２枚の共通基板の平面図である。
【図１７】図１５の相互接続された基板の回路図である。
【図１８】２枚の基板の間に設けられた相互接続上にそれぞれ取り付けて電気的に相互接続する２枚の共通基板の略断面図である。
【図１９】基板を互いの上に積み重ねることにより縦発光ダイオード素子をその上に形成した、多重基板の相互接続を示す略断面図である。
【図２０】図１９の相互接続された基板の回路図である。
【図２１】基板を互いの上に積み重ねることにより横発光ダイオード素子をその上に形成した、多重基板の相互接続を示す略断面図である。
【図２２】異なるサイズの発光ダイオード素子をその上に形成した共通基板の平面図である。
【図２３】非長方形の発光ダイオード素子をその上に形成した共通基板の平面図である。
【図２４】異なるサイズおよび形の発光ダイオード素子をその上に形成した共通基板の平面図である。
【図２５】短絡した発光ダイオード素子の接続を防ぐように選択的に相互接続することのできる、発光ダイオード素子を有する共通基板の平面図である。
【図２６】共通基板上に機械的に接続された発光ダイオード素子を、選択的に電気的に接続する操作を示す流れ図である。
【図２７】フューズ接続を組み込んだサブマウントの平面図である。
【図２８】本発明の主題の或る実施の形態に係る照明システムの略図である。
【図２９】本発明の主題の或る実施の形態に係る照明システムの略図である。
【発明を実施するための形態】
【００６２】
本発明の主題について、本発明の主題の実施の形態を示す添付の図面を参照して以下に詳細に説明する。しかし、本発明の主題はここに提示する実施の形態に限定されるものではない。これらの実施の形態はこの開示を完全にし、また本発明の主題の範囲を当業者に完全に伝えるために与えるものである。図面を通して、同じ番号は同じ要素を参照する。ここで用いる「および／または」という用語は関連する項目の１つ以上の任意および全ての組合せを含む。
【００６３】
ここに用いる用語は特定の実施の形態だけを記述するためのものであり、本発明の主題を限定するものではない。ここで用いる個々の形式「或る」および「その」は、文脈が明らかに他のものを示すのでなければ、複数の形式も含むものとする。また理解されるように、この明細書で用いる用語「含む」または「含み」は、述べられた機能、整数、ステップ、操作、要素、および／または構成要素が存在することを述べるが、１つの以上の他の機能、整数、ステップ、操作、要素、構成要素、および／またはそのグループの存在または追加を妨げない。
【００６４】
上に述べたように、本発明の主題の種々の態様は電子的構成要素（変圧器、スイッチ、ダイオード、コンデンサ、トランジスタなど）の種々の組合せを含む。当業者は種々のかかる構成要素に精通しまた入手可能であって、任意のかかる構成要素を本発明の主題に係るデバイスを作るのに用いることができる。更に、当業者は、負荷の要求および回路内の他の構成要素の要求に基づいて種々の候補の中から適当な構成要素を選択することができる。
【００６５】
或るデバイス内の２個の構成要素を「電気的に接続する」という表現は、２つの構成要素の間には、挿入することによりデバイスが提供する機能に実質的に影響を与える電気的な構成要素がないことを意味する。例えば、２個の構成要素は、デバイスが提供する機能に実質的に影響を与えることのない小さな抵抗体をその間に有していても（実際に、２個の構成要素を接続するワイヤは小さな抵抗体と考えてよい）電気的に接続されていると言ってよい。同様に、２個の構成要素は、そのデバイスに追加の機能を実行する能力を与える追加の電気的構成要素をその間に有していても、追加の構成要素を含むことを除けば全く同じデバイスが提供する機能に実質的に影響を与えない場合は、電気的に接続していると言ってよい。同様に、２個の構成要素は、互いに直接に接続する場合、ワイヤまたは回路板上の配線パターンまたは他の媒体の反対側の両端に直接に接続する場合は、電気的に接続する。
【００６６】
「第１」、「第２」などの用語をここで用いて種々の要素、構成要素、領域、層、区画、および／またはパラメータを記述することがあるが、これらの要素、構成要素、領域、層、区画、および／またはパラメータはこれらの用語により限定すべきではない。これらの用語は１つの要素、構成要素、領域、層、または区画と別の領域、層、または区画とを区別するためだけに用いられる。したがって、以下に述べる第１の要素、構成要素、領域、層、または区画を第２の要素、構成要素、領域、層、または区画と述べても本発明の主題の教示から逸れるものではない。
【００６７】
本発明の主題に係る実施の形態を、ここでは本発明の主題の理想的な実施の形態の略図である断面図（および／または平面図）を参照して説明する。例えば製造技術および／または許容誤差のためにこの図の形が変わることが予想される。したがって、本発明の主題の実施の形態はここに示す領域の特定の形に限定されるものではなく、例えば製造の結果起こる形のずれを含むものとする。例えば、長方形として図示しまた記述する注入領域は一般に丸みまたは曲線を有する。このように図に示す領域は概略であり、その形はデバイスの領域の正確な形を示すものではなく、また発明の主題の範囲を限定するものではない。
【００６８】
別に定義されない限り、ここで用いる全ての用語（技術用語および科学用語を含む）は、本発明の主題が属する当業者が共通に理解するものと同じ意味を有する。更に理解されるように、普通の辞書に定義されている用語は、関連技術およびこの開示の文脈における意味と矛盾しない意味を有し、またここにそのように明示的に定義しない限り、理想化されたまたは過度に形式的な意味に解釈しないものとする。また当業者に認識されるように、別の特徴部に「隣接して」置かれた構造または特徴部に言及した場合は、それらはその隣接する特徴部の上に重なるまたは下にある部分を有してよい。
【００６９】
本発明の主題では、システムの利益が得られるように、電圧がより高く電流がより低い素子を提供する。ここの説明では発光ダイオード素子をしばしば参照するが、本発明の主題は全てのタイプの発光素子に適用可能であり、種々のものが当業者に周知である。発光素子は電気を供給すると発光することができる任意の望ましい構成要素（例えば、無機および有機の発光素子を含む固体発光素子）でよい。かかる発光素子のタイプの例として種々の発光ダイオード（無機および有機で、ポリマ発光ダイオード（ＰＬＥＤ）を含む）、レーザ・ダイオード、薄膜エレクトロルミネセンス素子、発光ポリマ（ＬＥＰ）があり、種々のものが当業者に周知である。
【００７０】
本発明の主題の特定の実施の形態では、発光素子は発光ダイオード素子である。或る実施の形態では、発光ダイオード素子は１つ以上の絶縁領域により互いから絶縁され、別の実施の形態では、発光ダイオード素子は１つ以上の溝により互いから絶縁され、また更に別の実施の形態では、発光ダイオード素子は１つ以上の溝および１つ以上の絶縁領域により絶縁される。発光ダイオード素子は横型素子、縦型素子、またはそれぞれのどれかでよい。
【００７１】
本発明の主題では、素子は単一Ｐ／Ｎ接合を用いるのではなく多数の領域を形成するように作られるので、各絶縁領域を直列に接続することにより、素子の高電圧動作および故障許容性を実現する望ましい直並列配置を得ることができる。このように大面積（単一構成要素）を用いると、並べる（または実装する）チップの数を少なくするという利点を持ちながら、全体のシステム性能を最高にすることができる。
【００７２】
本発明の主題の或る実施の形態は、フリップ・チップ方式を用いて大面積の多重発光素子をサブマウント（その中および／または上に電気的な相互接続を形成する）に取り付ける。ここで用いる用語「発光素子」は、直列および／または並列の構成で他の発光ダイオード構造に別々に電気的に接続することのできる個々の発光構造（例えば発光ダイオード構造）を指す。多重発光素子は例えば共通基板により互いに機械的に接続し、個別化するのではなくて、多数の独立に電気的に接続可能な発光素子構造のモノリシック構造を形成する。これらの実施の形態では、個々の発光素子はサブマウントへのフリップ・チップ実装により電気的に相互接続するので、各発光素子はモノリシック構造の同じ側にアノード接点とカソード接点とを含むのが好ましい。
【００７３】
本発明の主題では、互いに機械的に相互接続する（例えば、素子をその上に形成する共通基板上で）複数の発光素子を含む発光体を提供する。
相互接続は機械的に接続する発光素子を電気的に接続して「高電圧」モノリシック大面積構造を形成し、発光素子は電気的に相互接続して少なくとも２つの直列に接続する発光素子の部分集合のアレイを形成し、各部分集合は並列に電気的に接続する少なくとも３個の発光素子を含む。
【００７４】
図２および図３は複数の発光素子（この実施の形態では発光ダイオード）の略断面図である。個々の発光ダイオード素子は任意の望ましい発光ダイオード素子の構成を有してよい（図１を参照して上に説明した構成を含む）。図２および図３に見られるように、個々の発光素子１６は基板１００上にあって、共通基板１００により物理的に接続する複数の別々の発光ダイオード素子１６を形成する。発光ダイオード素子１６はフリップ・チップ実装であって、光は基板１００を通して取り出されるので基板１００は実質的に透明でなければならない。例えば、基板１００はサファイア、スピネル、半絶縁性または絶縁性のＳｉＣ、半絶縁性または絶縁性のＳｉ、半絶縁性または絶縁性のＧａＮ、半絶縁性または絶縁性のＺｎＯ、半絶縁性または絶縁性のＡｌＮでよい。基板材料は一般に、発光ダイオード素子材料の選択に基づいて選択する。
【００７５】
図２および図３は個々の発光ダイオード素子１６を画定する２つの方法を示す。詳しく述べると、図２は溝絶縁を示し、図３は注入領域を半絶縁性または絶縁性にするイオン注入を示す。図２を参照すると、溝絶縁は、溝１１４をエッチング、レーザ・スクライビング、ソーイング、またはその他の方法により形成してよい。溝１１４はｐ接触層１０８、量子井戸１０６、およびｎ接触層１０４の活性層を通り、緩衝層１０２まで伸び（および／または通り）、基板１００まで伸びて個々の素子を絶縁する。或る実施の形態では、溝は図２に示すように基板１００の中まで伸びる。絶縁緩衝層を持つ別の実施の形態では、溝は緩衝層１０２まで伸びるだけでよい。また、溝は酸化物または窒化物（例えば、ＳｉＯ２またはＳｉＮ）などの絶縁物で満たしてもよい。
【００７６】
図３は個々の素子を絶縁する別の方法を示す。図３では、イオン注入領域１１６が個々の素子１６の外縁を画定する。イオン注入領域は半絶縁性または絶縁性である。溝１１４の場合と同様に、イオン注入領域１１６は素子の活層を通って伸び、或る実施の形態では基板１００の中まで伸びる。
複数の絶縁された発光素子１６を含むダイをウェーハから分離して、複数の発光素子１６を含むモノリシック構造を形成する。この分離プロセスは、例えば、ソーイング、けがき及び破断、またはウェーハ内でダイを分離するための当業者に周知の他の方法で行ってよい。
【００７７】
基板１００は、薄くし、レーザでパターン化し、エッチし、または化学機械研磨（ＣＭＰ）してもよいし、または或る実施の形態では全くなくてもよい。例えば図４に示すように、光取出し機能１２０を基板１００上に形成して、基板１００を通る光の取出しを改善してもよい。或る実施の形態では、光取出し機能１２０は「蛾の目（ｍｏｔｈ  ｅｙｅ）」構造を近似する。別の実施の形態では、別の光取出し機能１２０を形成してもよい。種々の光取出し機能が当業者に周知である。光取出しのために基板１００をパターン化する種々の方法も当業者に周知である。
【００７８】
また、発光素子１６は１個以上の蛍光体またはその他の発光材料を基板１００上に含んでもよい。かかる発光材料は基板１００上に形成してよい。例えば、ＹＡＧ蛍光体を基板１００上に滴状または絶縁保護に塗布して形成してよい。
図４は共通基板１００上で機械的に接続された発光素子１６を電気的に相互接続するための本発明の主題の実施の形態を示す。図４に示すように、相互接続サブマウント組立体２００は、サブマウント基板２０２と随意のミラー層２０４および絶縁層２０６とを含む。導電接点２１０および２１２と相互接続とを絶縁層２０６上に形成して、サブマウント組立体２００に取り付けた発光素子１６を電気的に接続する。相互接続は、上に説明しまた図５に略図を示す二次元アレイで発光素子１６を接続する。
【００７９】
発光素子１６は、例えばソルダ・バンプ法、金バンプ法、導電性エポキシ、共晶ボンディング、または当業者に周知の他の方法を用いて取り付けてよい。
サブマウント基板２０２は適当な構造的剛性を持つ任意の基板材料でよい。例えば、半絶縁性Ｓｉ、半絶縁性ＳｉＣ、半絶縁性ダイアモンド、ＣｕＭｏ、Ｇｅ、金属合金、金属酸化物、Ｃｕ、Ａｌ、絶縁物および／またはＰＣＢ材料を持つ鋼、充填されたまたは充填されない熱伝導プラスチック、ＢＮ、透明なセラミック（粒子サイズが非常に小さなセラミック）、またはＢｅＯなどの他の絶縁材料を含む。発光ダイオード素子から熱を放散させやすくするために、サブマウント基板は高い熱伝導率を有するのが好ましい。或る実施の形態では、サブマウント組立体２００自身が大面積の発光ダイオード素子でよい。
【００８０】
絶縁層２０６は、例えば絶縁性金属酸化物（例えばＡｌＯｘ）、ガラス繊維などの有機物、高温樹脂、ガラス、絶縁性または半絶縁性の半導体、ＳｉＮ、ＳｉＯｘ、Ｔａ２Ｏ５でよい。ミラー層２０４は任意の適当な反射材料でよく、また或る実施の形態では、絶縁層２０６自身で形成してよい。絶縁層２０６は１つ以上の層で形成してもよく、例えばブラッグ（Ｂｒａｇｇ）反射体を絶縁層内に組み込んでミラーを形成してよい。他の実施の形態では、ミラー層２０４はＡｌ層または他のかかる反射材料で形成してよい。
【００８１】
各発光ダイオード素子の接点１１０および１１２のための接触パッド２１０と２１２との間の相互接続はサブマウント内および／または上に金属被覆または他の電導パターンとして形成してよい。例えば、相互接続は絶縁層２０６上にアルミニウム・パターンとして形成してよい。代替的にまたは追加的に、相互接続は絶縁層２０６内に、例えばダマシン（ｄａｍａｓｃｅｎｅ）・プロセスを用いて電導パターンとして形成してよい。この場合、溝を形成し、絶縁層２０６の上および溝の中に金属層を形成し、次に金属層を平面化して溝の中にない金属層の部分を取り除くことにより、溝の中に相互接続パターンを形成する。または、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）を導電性の透明な相互接続として用いてよい。
【００８２】
基板１００をサブマウント２００に取り付けると、発光体１０は図５に示す相互接続方式を有するモノリシック大面積発光体として形成される。
図５に見られるように、発光ダイオード素子１６を並列に接続して部分集合１２を作ると、これが素子のアレイ内の「行」を形成する。並列のダイオードで作るこれらの行を直列に接続して高電圧発光体１０を形成する。上に述べたように、図５に示すようにダイオードを相互接続すると高電圧素子が形成され、Ｉ２Ｒ損が減少し、故障許容度が得られ、素子の歩留りが高まり、高効率の電源設計が可能になる。
【００８３】
図６から図９は、サブマウント２００と、機械的に接続する発光ダイオード素子１６との平面図である。図６では、個々の発光ダイオード素子１６を含むウェーハ部分１４は、アノード接点１１０とカソード接点１１２とを素子１６の向い合う隅に有する。モノリシック高電圧発光体１０を形成するのに適した相互接続を図７に示す。図７に見られるように、アノード接触パッド２１２とカソード接触パッド２１０は、対角の相互接続パターン２１６により次の行内の次の素子のアノード１１０が前の行内の素子のカソード１１２に接続するように構成する。素子１０の最初の行内の素子の各アノード１１０を共に接続してモノリシック発光体のアノード接点２１４を形成する。アレイ内の素子の最後の行のカソード接点１１２も共に接続してモノリシック発光体のカソード接点２１４を形成する。
【００８４】
図８において、ウェーハ部分１４の個々の発光ダイオード素子１６は、素子１６上で互いに向い合うアノード接点１１０とカソード接点１１２とを有する。図９に見られるように、この構成の接点１１０および１１２を用いると、隣接するアノード接点１１０とカソード接点１１２とを接触パッド２１０および２１２により互いに直接接続させ、また隣接する行の接点を相互接続２１６により共に接続することにより、サブマウント上の相互接続を簡単にすることができる。
【００８５】
図１０は、サブマウント組立体３００上に駆動トランジスタなどの追加の電気回路を含む高電圧発光体を示す。図１０に見られるように、３個の接点３２２、３０４、３０６を設けてトランジスタをモノリシック大面積発光体に接続する。トランジスタのソース接点３１２はモノリシック大面積発光体のカソードまたはアノードに接続してよい。モノリシック大面積発光体の他のカソードまたはアノードは電源電圧または基準電圧（接地のように、例えば、これもサブマウント上に設けられるセンス抵抗器を通して）に接続し、またトランジスタのドレイン接点は他の電源電圧または基準電圧に接続してよい。第３の接点３０２をトランジスタのゲート用に設けて、モノリシック大面積発光体を通る電流を制御する。コンデンサ、抵抗器、および／またはインダクタなどの追加の構成要素もサブマウント上に設けて、モノリシック大面積発光体の動作を更に容易にしてよい。かかる追加の構成要素はサブマウントに取り付けてよく、またはサブマウントがシリコンやゲルマニウムなどの半導体材料である場合はサブマウントの一部として製造してよい。静電放電保護回路などの他の電気回路も設けてよい。
【００８６】
図１１は内蔵高電圧発光体４００を示す。図１１に見られるように、モノリシック大面積発光体４２０を、追加の発光素子４３０と共にサブマウント４０２上に設けてよい。また、電源回路４１０もオプションでサブマウント４０２上に設けてよい。電源回路４１０はＡＣまたはＤＣ電源でよい。発光素子４３０およびモノリシック大面積発光体４２０を用いて、例えば、米国特許第７，２１３，９４０号（特許文献６）に述べられている白色発光システムを形成してよい。
【００８７】
例えば発光体４００は、或る色の発光ダイオード素子のアレイ４３０と、別の色の発光ダイオード素子のモノリシック・アレイ４２０をその上に取り付けた相互接続の領域とを含むサブマウント４０２を含んでもよく、また電源４１０または制御回路の一部または全てを形成するトランジスタやダイオードや、構成要素の領域を含んでもよい。例えばサブマウントは、赤、オレンジ、または黄の発光ダイオード素子または発光ダイオード素子のアレイを形成して相互接続されたＡｌＡｓまたはＡｌＩｎＧａＰまたはＡｌＧａＡｓの層を含む領域、また好ましくは青および／または緑とシアンおよび／または黄の発光ダイオード素子のモノリシック・アレイを取り付けることのできる別の領域、を含む領域（輪郭で描かれた領域）を持つＧａＡｓまたはＧａＰ層を含んでよい。
【００８８】
上に述べた実施の形態では発光ダイオード素子をサブマウント上にフリップ・チップ取付けする。しかし別の実施の形態では、発光ダイオード素子は基板側をサブマウントの下に取り付けてよい。かかる実施の形態で用いてよいのは、例えばＳｉＣ基板などの導電基板を持ち、素子の上側から素子の裏側に伸びるビアを備えて、両方の接点を素子の同じ側に形成する素子である。かかる素子の例を図１２および図１３に示す。または、上に述べたように例えば絶縁または半絶縁基板を用いる場合は、多重ビアを用いて両方の上側の接点を素子の裏側に移してよい。
【００８９】
図１２および図１３に見られるように、絶縁側壁を持つビア５１４を通してｐ接点５１６を各素子の裏側に設ける。絶縁側壁は接点がＰ／Ｎ接合および量子井戸の間で短絡するのを防ぐ。ビア５１４はｐ型層５０８、量子井戸５０６、ｎ型層５０４、緩衝層５０２、および基板５００を通って伸びる。ビアは、個々の素子の活性領域を最大にするように発光ダイオード素子の間の絶縁領域内に設けるとよい。または、ビアは素子の活性領域を通って設けてもよい。この場合は、発光ダイオード素子が個々に電気的に接続できるようにするために、絶縁領域はやはり素子の活性領域（すなわち、基板が導電基板の場合は基板）を通って伸ばすべきである。
【００９０】
図１２に示す素子では、個々の発光ダイオード素子の電気的な相互接続はサブマウントで行う。したがって、図７および図９に示すような電気的な相互接続方式を用いるとよい。図１２に見られるように、ｐ接点５１６はｐ型の接触層５０８の上に伸びてよく、代替的にまたは追加的に、ｐ接点５１６はｐ型の接触層５０８の側壁上に作ってよい。かかる素子の頂面を平面にすると、活性面積が最大になり、接点により光が不明瞭になるのを減らすことができる。いずれの場合も、発光ダイオード素子の外縁をｐ接点５１６で囲んで、ｐ接点５１６がｐ型の接触層５０８と接触する表面積を大きくするとよい。この場合は、隣接する発光ダイオード素子の間に非導電領域５１４を設けて、機械的に接続する素子のｐ接点を絶縁するとよい。
【００９１】
図１３に示す素子では、或る行内で機械的に接続する素子の間の電気的な接続は隣接する素子のｐ接点により行う。他の行からの機械的に接続する素子は機械的に接続する素子の間の非導電領域により絶縁するので、上に述べたアレイ構造を形成することができる。
図１２および図１３には示していないが、絶縁層をウェーハの裏側に形成して、絶縁層内に接触孔をあけてもよい。次に接点金属を接触孔の中に満たして、図のようにｐ接点とｎ接点を形成する。かかる金属接点は上に述べたダマシン・プロセスで形成してよく、またサブマウントに取り付けるために実質的に平らな面を形成してよい。
【００９２】
図１４は、図５を参照して上に説明した電気的な相互接続によりアレイを形成する、サブマウント上に取り付けた図１２および図１３の素子を示す。図１４に見られるように、電気接点５２６および５２８と電気的な相互接続とをサブマウント基板５２０上に形成してよい。サブマウント基板５２０は上に述べたサブマウント基板のどれでもよい。同様に、随意の絶縁層５２２および／またはミラー層５２４も上に述べたように形成してよい。ｐ接点５１６およびｎ接点５１２と電気接点５２６および５２８との間の例えばソルダ・バンプ５３０および５３２または他のボンディング技術により、発光ダイオード素子をサブマウント基板５２０上に取り付けてよい。
【００９３】
機械的に接続する発光ダイオード素子とサブマウントとの間の電気的／機械的ボンディングに加えて、熱接続材料を用いてもよい。熱接続は電気的および機械的な接続材料により行ってよく、または別個の材料で行ってよい。或る実施の形態では、サブマウントと、機械的に接続する発光ダイオード素子との間に非導電の熱材料を設けて、発光ダイオード素子からのサブマウントを通る熱の取出しを改善してよい。かかる熱材料はサブマウントと発光ダイオード素子との間の機械的接続を改善することもあり、また発光体からの光の反射または取出しを改善することもある。適当な材料の例としてシリコーンまたは同様の材料がある。これらはＳｉＯ２、ＡｌＯｘ、ＳｉＣ、ＢｅＯ、ＺＯなどの熱伝導材料の粒子または微粒子を含んでよい。
【００９４】
図１５は本発明の主題の別の実施の形態に係る発光ダイオード素子の相互接続を示す。図１５の素子では、発光ダイオード素子の対応する集合を２枚の基板６００によりそれぞれ機械的に相互接続する。次にこの２枚の基板６００を結合して、第１の基板６００上の発光ダイオード素子の第１の集合のアノード接点６１０が第２の基板６００上の発光ダイオード素子の第２の集合のカソード接点６１２に電気的に接続するように取り付ける。第１のワイヤ・ボンディングまたはその他の接続を最初のアノード接点（図１５の左側）に行い、第２のワイヤ・ボンディングまたはその他の接続を最後のカソード接点（図１５の右側）に行う。これにより２枚の基板の発光ダイオード素子は相互接続して、最初のアノード接点を入力とし、最後のカソード接点を出力とする発光ダイオード素子の直列連結体を形成する。その他の点では、緩衝層６０２、ｎ型層６０４、量子井戸６０６、ｐ型層６０８、および絶縁領域６１４は、発光ダイオード素子のどれかを参照して上に述べた通りでよい。導電領域６２０（例えば、銀エポキシなどのソルダ領域）を設けて電気的接続を行い、また或る実施の形態では機械的ボンディングを行ってもよい。
【００９５】
直列連結体内の発光ダイオード素子の並列の集合を形成するため、２枚の基板６００上の所定の行の中の発光ダイオード素子を、図１５のページの外側に伸びる次元の金属被覆または共用ｐ接触層により電気的に相互接続してよい。かかる可能な電気的な相互接続構造を図１６の平面図に示す。図１６では、隣接する発光ダイオード素子のそれぞれのアノード６１０およびカソード６１２は電気的に互いに結合し、２枚の基板６００の一方を裏返して他方の上に取り付ける（アノードとカソードとが並ぶようにずらす）と、並列の発光ダイオード素子の行は直列に電気的に接続する。したがって、一方の基板を他方の上に取り付けることにより、図１７の回路に対応する電気回路が得られる。
【００９６】
図１８は本発明の主題の或る実施の形態を示す。基板６００の間に、例えば透明なまたは反射する相互接続層６３０を設ける。基板上の個々の発光ダイオード素子がここに述べたアレイ構造で電気的に接続するように、基板６００を相互接続層６３０に機械的および電気的に接続してよい。この場合は、図１６に示した発光ダイオード素子の間の電気的な相互接続を行う必要はなく、共通基板により機械的に接続された個々の発光ダイオード素子を用いてよい。かかる相互接続層６３０に適した材料は、透明なセラミック、透明な酸化物、または透明な半導体（絶縁性または半絶縁性の）、またはＡｌ、Ａｕなどの導電配線パターンをその中に形成したガラス、または当業者に周知の他の材料でよい。サブマウント２００に関してここに述べたように、相互接続層６３０は１つ以上の層でよい。
【００９７】
図１９は、発光ダイオード素子のスタックを形成する本発明の主題の実施の形態を示す。図１９では、共通基板７００上に機械的に接続する縦発光ダイオード素子を積み重ねて電気的に相互接続して、共通基板７００上の発光ダイオード素子を並列に電気的に接続した後、多重基板７００を相互接続して発光ダイオード素子の連結体を形成する。ｎ接点７１０およびｐ接点７０８は多数の素子を越えてそれぞれ伸びて素子を並列に接続する。導電領域７１４（例えば、銀エポキシなどのソルダ領域）を設けて電気接続を行い、或る実施の形態では機械的ボンディングも行う。したがって、図１９に示す基板スタックにより図２０に示す回路が形成される。
【００９８】
図１９は、基板レベルで並列に電気的に接続する縦型素子（例えば、ｎ型の導電基板７００上のｎ接点７１０（これはそのｎ型の導電性および素子内のその位置により、ｎ型層と呼ぶこともある）、導電緩衝層７０２、量子井戸７０４、ｐ型層７０６、ｐ接点７０８、および絶縁領域７１２）を示すが、横型素子、または縦型素子と横型素子との組合せを形成することもできる。例えば、貫通ビアにより裏側接点を形成する横型素子を用いてもよい。また、ビアは図２１に示すように貫通ビアである必要はない。図２１では、横型素子のｎ接点８１２は基板８００の裏側から作られる。図２１の素子は、ｎ接点８１２、絶縁性または半絶縁性の基板８００、緩衝層８０２、ｎ型層８０４、量子井戸８０６、ｐ型層８０８、ｐ接点８１０、および、例えば図２および図３を参照して上に述べた絶縁領域８１４を含んでよい。ｎ接点８１２とｐ接点８１０とはソルダ・バンプ８１６または他のボンディング技術を用いて接続してよい。また図２１には、素子を並列に接続するための多重素子用の共通ｐ接点８１０を示す。
【００９９】
図１９および図２１に示す相互接続に加えて、図１８を参照して上に述べた相互接続層を用いて、複数の個々の発光ダイオード素子を有する基板のスタックを、機械的および電気的に接続してもよい。
【０１００】
図２２から図２４は、基板上の発光ダイオード素子全てが必ずしも同じ形状および／またはサイズを有する必要はなく、また長方形または正方形である必要はないことを示す。例えば図２２は、共通基板９０２上に複数の小型の発光ダイオード素子９０４で囲まれた１個の大型の発光ダイオード素子９０６を持つ発光体９００を示す。図２３は、共通基板９２２上に六角形の発光ダイオード素子９２４を持つ発光体９２０を示す。図２４は、共通基板９４２上に四角形の発光ダイオード素子９４６と三角形の発光ダイオード素子９４４との組合せを持つ発光体９４０を示す。いろいろの理由から、異なる構成の発光ダイオード素子を形成することがある。例えば、異なる構成を形成して、所定の面積内の発光ダイオード素子の数を最大にして相互接続を簡単にし、または熱的均一性や熱の取出しを改善することがある。例えば、基板の特定の部分の発光ダイオード素子から熱を取り出すことが比較的困難な場合は、この部分の発光ダイオード素子のサイズを変えてＶｆを高め、また発光ダイオード素子を通る電流を減らすこともある。
【０１０１】
図２２−２４に図示した各ダイは、複数のｎ型領域を含むモノリシックｎ型層と複数のｐ型領域を含むモノリシックｐ型層とを含み、ｎ型領域は絶縁領域により互いから絶縁され、ｐ型領域は絶縁領域により互いから絶縁され、ｎ型領域は従来技術のウェーハ切断装置がｎ型層を小さく切って個々のｎ型領域にすることを防止するように互いに相対するように位置する（すなわち、従来技術のウェーハ切断装置は大きな素子を切断して小さな素子を全て個別化する必要がある）。すなわち、大きな素子のｎ型領域（およびｐ型領域）は大きな素子の上、大きな素子の下、大きな素子の右、大きな素子の左の他のｎ型領域の各対を通して伸びる絶縁領域により定義される線を越えて伸びる。
【０１０２】
図２５は、上に述べたサブマウントの任意の１つを用いて発光ダイオード素子を選択的に電気的に相互接続できることを示す。発光ダイオード素子の接触領域を、サブマウントへの電気的接続および／または結合を妨げる絶縁体または絶縁材料で被覆しまたはその他の方法でカバーすることにより、短絡した発光ダイオード素子を製造時に識別してアレイから取り除くことができる。ここで、図２５は共通基板９６２上に複数の発光ダイオード素子９６４を持つ発光体９６０を示す。発光ダイオード素子の中の１個９６６は、発光ダイオード素子９６６を絶縁するためにサブマウントとの接触が妨止されている。インクジェット、または他の選択的な被覆プロセス、または絶縁材料を用いて、発光ダイオード素子をアレイから選択的に絶縁してよい。または、短絡した発光ダイオード素子を識別した後、発光ダイオード素子の１個以上の接点を取り除いて電気的な接続を妨止してよい。このようにして、アレイ内の発光ダイオード素子の行の間の短絡を防ぎ、アレイ全体の電圧を保持してよい。
【０１０３】
図２５は、第２行の中央の発光ダイオード素子９６６が短絡したことを識別して絶縁し、モノリシック大面積基板９６２を相互接続サブマウントに取り付けたときに発光ダイオード素子９６６がアレイ内で接続しないようにしたことを示す。故障した素子をこのように絶縁することは、共通基板上の素子のアレイ内の欠陥を修復する手段を与える。アレイ内の発光ダイオード素子を識別して絶縁する操作を図２６に示す。
【０１０４】
図２６では、共通基板上の或る発光ダイオード素子を電気的に試験することで操作を開始する（ブロック１０００）。かかるテストは、例えば各発光ダイオード素子を個々に活性化する自動プローブで行ってよい。電気的試験は素子の任意の数の電気的または光学的特性を測定してよいが、相互接続の目的では、個々の発光ダイオード素子が短絡しているかどうかを判定すればよい。かかる試験は、かかる短絡を起こす可能性のある全ての処理ステップを行った後に行うのが好ましい。この発光ダイオード素子が短絡している場合は（ブロック１０１０）、発光ダイオード素子を絶縁して（ブロック１０２０）、アレイ内の他の発光ダイオード素子に接続しないようにする。かかる絶縁は上に述べたように、例えば絶縁材料のインクジェット印刷により、または例えばステッパ・マスクまたは当業者に周知の他の適当な方法を用いて１個以上の接点を取り除くためのエッチにより行ってよい。更に別の発光ダイオード素子を評価する場合は（ブロック１０３０）、このプロセスをブロック１０００から繰り返してよい。全ての発光ダイオード素子の評価が終わると（ブロック１０３０）、モノリシック構造をサブマウントに取り付けて、個々の発光ダイオード素子を電気的に相互接続してよい（ブロック１０４０）。
【０１０５】
図２６に示す操作は素子のモノリシック集団をウェーハから分離する前または後に行ってよい。また、ウェーハの各部を分離して複数の機械的に接続された発光ダイオード素子を有する個々のモノリシック発光体を形成するには欠陥部分の位置に基づいて行い、かかるモノリシック発光体の歩留まりを向上させることができる。
【０１０６】
また、図２６に示す操作について直線的な段階的プロセスを参照して述べたが、欠陥のある発光ダイオード素子を選択的に絶縁するという望ましい結果が操作全体で得られる限り、操作を並列にまたは順序を変えて行ってよい。したがって、例えば共通基板上の全ての発光ダイオード素子を同時に活性化し、電気的特性を並列に測定してもよい。このように、本発明の主題の実施の形態は図２６に示す操作の特定のシーケンスに限定されるものではない。
【０１０７】
図２７は素子内の欠陥を修復するための手段を与える或る実施の形態に係るサブマウントの別の例を示す。図２７に示すサブマウント１１００では、或る行内の隣接するカソード接点１１０４とアノード接点１１０６とはサブマウント基板１１０２内および／または上のフューズ・リンク１１０６を通して接続する。フューズ・リンク１１０６は、アレイを通って流れる電流が全てこのリンクを通って流れる場合にフューズが開くように設定してよい。したがって、或る行内の或る発光ダイオード素子が短絡した場合は、フューズ１１００が開いて、電流は相互接続１１０８を通ってその行内の残りの発光ダイオード素子を通るよう切り換わる。その行内の発光ダイオード素子の１個以外の全てが短絡した場合は、最後の発光ダイオード素子に全電流が流れてその発光ダイオード素子のフューズ１１１０が開き、発光体全体が開回路になる（この時点で発光体はもう機能しない）。
【０１０８】
対応する入力電圧より大きな出力電圧を有するブースト電源と発光体とを含む照明システムも提供する。この発光体は発光素子のウェーハの連続領域からの複数の発光素子を含み、この複数の発光素子はブースト電源の出力電圧に電気的に結合する少なくとも３個の並列に接続された発光素子の部分集合を複数の直列に接続したものとして電気的に接続する。ブースト電源はＡＣ電源に結合して入力電圧を与えるように構成してよい。ブースト電源の構成は当業者に周知である。ブースト電源は非常に効率が高い。
【０１０９】
また上に述べたように、高電圧発光体を用いることによりＩ２Ｒ損が減少する。なぜなら、この発光体を通る電流は対応する低電圧発光体に比べて少ないからである。ここに述べた高電圧発光体とブースト電源とを組み合わせると非常に高いシステム効率が得られる。したがって本発明の主題の或る実施の形態では、高電圧発光体は少なくとも５０ボルト、少なくとも１５０ボルト、少なくとも３２５ボルト、または少なくとも３９５ボルトで動作するようになっている。高電圧発光体の動作電圧は、個々の素子の順方向電圧降下と、直列に接続する並列接続の素子の部分集合の数とにより制御することができる。したがって、例えば９０ボルトの素子が望ましい場合は、それぞれが３ボルトのＶｆを持つ素子の３０の部分集合を直列に接続してよい。
【０１１０】
ブースト構成要素を含む回路の代表的な例が、米国特許出願第６０／８４４，３２５号、２００６年９月１３日出願、「ローサイドＭＯＳＦＥＴ電流制御を持つブースト／フライバック電源トポロジ（ＢＯＯＳＴ／ＦＬＹＢＡＣＫ  ＰＯＷＥＲ  ＳＵＰＰＬＹ  ＴＯＰＯＬＯＧＹ  ＷＩＴＨ  ＬＯＷ  ＳＩＤＥ  ＭＯＳＦＥＴ  ＣＵＲＲＥＮＴ  ＣＯＮＴＲＯＬ）」（発明者：Ｐｅｔｅｒ  Ｊａｙ  Ｍｙｅｒｓ，代理人書類番号９３１＿０２０ＰＲＯ）と、米国特許出願第１１／８５４，７４４号、２００７年９月１３日出願とに述べられている。これらの出願全体をここに援用する。
【０１１１】
本発明の主題の実施の形態について多重量子井戸構造を参照して説明したが、本発明の主題は任意の適当な発光ダイオード素子構成で用いることができる。更に、内部反射層、透明な抵抗接点などの光取出し増化法を用いて個々の発光ダイオード素子からの光の取出しを改善することができる。したがって、本発明の主題の実施の形態は特定の発光ダイオード素子構成に限定されるものではなく、電気的な相互接続のためのサブマウントに取り付けて高電圧モノリシック発光体を形成することのできる任意の構成で用いてよい。
【０１１２】
本発明の主題の発光体には任意の望ましい方法で給電してよい。当業者は種々の電源装置を熟知しており、任意のかかる装置を本発明の主題に関して用いてよい。本発明の主題の発光体は任意の望ましい電源に電気的に接続（または選択的に接続）してよく、当業者は種々のかかる電源を熟知している。
本発明の諸態様について、ＤＣ電源で動作するモノリシック素子を主として参照して述べてきたが、また別の新規な諸態様ではＡＣおよび／またはＤＣ電源で動作するのに適したモノリシック素子を用いてよい。かかる素子の例を図２８および図２９に示す。
【０１１３】
図２８はＡＣモノリシック素子１１００を示す。ＡＣモノリシック素子１１００は、並列に接続する発光ダイオード１１１０の直列に接続する部分集合１１１２の２つ以上のアレイ１１１４、１１１６として形成される複数の発光ダイオード１１１０を含む。ダイオード１１１０は別のところで述べたように相互接続してよい。ダイオード１１１０は共通基板を有してよく、および／または共通のｎ型層またはｐ型層から形成してよい。アレイ１１１４および１１１６は逆並列の関係に電気的に配置してよい。すなわち、交流（ＡＣ）電源を２つのアレイ１１１４、１１１６に与えると、ＡＣ入力の交互のサイクルで実質的に全ての電流が一方のアレイだけに流れる。このように、モノリシック素子１１００はＡＣ素子として用いるのに適している。ここで用いる「逆並列」という表現は、ダイオードのアレイが並列に配置され、少なくとも１つのアレイ内のダイオードの向き（バイアス）が少なくとも１つの他のアレイ内のダイオードの向き（バイアス）の逆である回路を指す（図２８に図示した回路のように）。
【０１１４】
モノリシック素子１１００は、図２８に示す相互接続を形成することができるここに述べた製造方法のいずれかを用いて作ってよい。発光ダイオード１１１０の直列に接続する部分集合１１１２の数は望ましい動作電圧に基づいて選択してよい。また、並列に接続する発光ダイオード１１１０の数は、上に述べたようにして選択してよく、少なくとも３個の並列に接続する素子を含むべきである。
【０１１５】
図２９はＡＣまたはＤＣの入力を受けることのできるモノリシック素子２０００を示す。詳しく述べると、モノリシック素子２０００は、整流ブリッジ２０２０と、並列に接続する発光素子の直列に接続する部分集合２０１２の１つ以上のアレイ２０１０とを含む。整流ブリッジ２０２０は発光素子２０２２で構築してよい。発光素子２０２２は、共通のｎ型層またはｐ型層からの、またはアレイ２０１０内の発光素子と同様の共通の材料系（ＳｉＣ、ＧａＮなど）からの、共通基板上に形成してよい。ダイオード２０２２は発光体でなくてもよい。ブリッジ２０２０の各技の中のダイオード２０２２の数はダイオードの逆破壊特性に依存し、またＡＣ入力の交互のサイクルからの逆電圧に十分耐えるものでなければならない。図のダイオード２０２２は２個のダイオードを直列に接続したものとして示しているが、別の数のダイオードを用いてもよい。また、ブリッジ２０２０のダイオード２０２２は、ここに述べたような並列に接続するダイオードの直列に接続する部分集合として形成してもよい。
【０１１６】
ブリッジ２０２０の出力はアレイ２０１０に与える全波整流電圧である。上に述べたように、アレイ２０１０内の直列に接続する素子の数はブリッジ２０２０が与える動作電圧に基づいて選択してよい。
モノリシック素子２０００は、上に述べた任意の適当な製造および相互接続方法を用いて形成してよい。また、図２９に示すモノリシック素子はＡＣ入力を有するが、ＤＣ入力をこの素子に与えてもよい。
【０１１７】
また、本発明の主題の或る実施の形態について要素の特定の組合せを参照して示したが、本発明の主題の教示から逸れずに種々の他の組合せを用いることもできる。したがって、本発明の主題はここに述べまた各図に示した特定の例示の実施の形態に限定されるものではなく、種々の図示した実施の形態の要素の組合せも含んでよい。
【０１１８】
この開示の利益を考慮して、本発明の主題の精神および範囲から逸れずに、当業者は種々の変更および修正を行うことができる。したがって、図示した実施の形態は例示のためだけに提示されたものであって、以下の請求項が定義する本発明の主題を制限するものではないことを理解すべきである。したがって、以下の請求項は、文字通りに提示された要素の組合せだけでなく、実質的に同じ機能を実質的に同じ方法で実行して実質的に同じ結果を得る全ての同等の要素を含むものである。したがって、請求項は、これまで特定して図示しまた述べたもの、概念的に同等のもの、および本発明の主題の本質的な考えを組み込んだものを含むと理解すべきである。
【０１１９】
ここに述べた発光体の任意の２個以上の構造部品は統合してもよい。ここに述べた発光体の任意の構造部品は２個以上の部品として（必要であれば結合して）提供してもよい。同様に任意の２つ以上の機能を同時に実行してもよいし、および／または任意の機能を一連のステップで実行してもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【手続補正書】
【提出日】平成21年9月15日(2009.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高電圧発光体であって、
発光素子をその上に形成する第１の共通の基板により機械的に相互接続する第１の複数の発光素子と、
相互接続サブマウントであって、前記複数の発光素子を機械的および電気的に接続し、その上に電気回路を有する相互接続サブマウントと、
を含み、
前記発光素子は前記相互接続サブマウントにより電気的に相互接続されて、発光素子の一連の並列に接続された部分集合のアレイを形成する、
高電圧発光体。
【請求項２】
前記アレイは発光素子の少なくとも２つの直列に接続する部分集合を含み、各部分集合は並列に電気的に接続された少なくとも３個の発光素子を含む、請求項１記載の高電圧発光体。
【請求項３】
請求項１または２記載の高電圧発光体であって、前記第１の複数の発光素子は少なくとも第１の発光素子、第２の発行素子、第３の発光素子、第４の発光素子、第５の発行素子、および第６の発光素子を含み、
前記第１の発光素子は第１のｎ型領域と第１のｐ型領域とを含み、
前記第２の発光素子は第２のｎ型領域と第２のｐ型領域とを含み、
前記第３の発光素子は第３のｎ型領域と第３のｐ型領域とを含み、
前記第４の発光素子は第４のｎ型領域と第４のｐ型領域とを含み、
前記第５の発光素子は第５のｎ型領域と第５のｐ型領域とを含み、
前記第６の発光素子は第６のｎ型領域と第６のｐ型領域とを含み、
前記第１、第２、および第３のｎ型領域はそれぞれ互いから絶縁されまたそれぞれは第１のｎ型層の一部であり、
前記第１、第２、および第３のｐ型領域はそれぞれ互いから絶縁されまたそれぞれは第１のｐ型層の一部であり、
前記第４、第５、および第６のｎ型領域はそれぞれ互いから絶縁されまたそれぞれは第２のｎ型層の一部であり、
前記第４、第５、および第６のｐ型領域はそれぞれ互いから絶縁されまたそれぞれは第２のｐ型層の一部であり、
前記相互接続サブマウントは、
前記第１のｎ型領域を前記第４のｐ型領域に、
前記第２のｎ型領域を前記第５のｐ型領域に、
前記第３のｎ型領域を前記第６のｐ型領域に、
前記第１のｎ型領域を前記第２のｎ型領域および前記第３のｎ型領域に、
電気的に接続し、
前記第１のｐ型領域を前記第２のｐ型領域および前記第３のｐ型領域に電気的に接続し、前記第４のｎ型領域を前記第５のｎ型領域および前記第６のｎ型領域に電気的に接続する、
高電圧発光体。
【請求項４】
請求項１−３のいずれか一項記載の高電圧発光体であって、前記電気回路は前記複数の発光素子の中の故障した素子を選択的に絶縁するように構成された複数のフューズを含む、
高電圧発光体。
【請求項５】
高電圧発光体であって、
第１の発光素子をその上に形成する第１の共通基板により機械的に相互接続された複数の第１の発光素子と、
第２の発光素子をその上に形成する第２の共通基板により機械的に相互接続された複数の第２の発光素子と、
を含み、
前記第１の複数の発光素子は前記第２の複数の発光素子に機械的および電気的に接続された、
高電圧発光体。
【請求項６】
ｎ型層とｐ型層とを含む発光体であって、
前記ｎ型層は第１のｎ型領域、第２のｎ型領域、および第３のｎ型領域を含み、
前記第１のｎ型領域、前記第２のｎ型領域、および前記第３のｎ型領域はそれぞれ少なくとも１つの絶縁領域により互いから絶縁され、
前記ｐ型層は第１のｐ型領域、第２のｐ型領域、および第３のｐ型領域を含み、
前記第１のｐ型領域、前記第２のｐ型領域、および前記第３のｐ型領域はそれぞれ少なくとも１つの絶縁領域により互いから絶縁され、
前記第１のｎ型領域と前記第１のｐ型領域とで第１の発光素子を構成し、
前記第２のｎ型領域と前記第１のｐ型領域とで第２の発光素子を構成し、
前記第３のｎ型領域と前記第３のｐ型領域とで第３の発光素子を構成し、
前記発光体は少なくとも１つの前記絶縁領域の少なくとも１つの少なくとも一部を通して伸びる第１のｐ接点を更に含み、前記第１のｐ接点は前記第１のｐ型領域に電気的に接続された、
発光体。
【請求項７】
少なくとも１つの前記発光素子は発光ダイオードを含む、請求項１−６のいずれか一項記載の発光体。
【請求項８】
請求項６記載の発光体を含む第１の発光体、第２の発光体、および相互接続要素を含む発光要素であって、
前記第２の発光体は第２のｎ型層と第２のｐ型層とを含み、
前記第２のｎ型層は第２の発光体の第１のｎ型領域、第２の発光体の第２のｎ型領域、および第２の発光体の第３のｎ型領域を含み、
前記第２の発光体の第１のｎ型領域、前記第２の発光体の第２のｎ型領域、および前記第２の発光体の第３のｎ型領域はそれぞれ、少なくとも１つの第２の発光体の絶縁領域により互いから絶縁され、
前記第２の発光体のｐ型層は第２の発光体の第１のｐ型領域、第２の発光体の第２のｐ型領域、および第２の発光体の第３のｐ型領域を含み、
前記第２の発光体の第１のｐ型領域、前記第２の発光体の第２のｐ型領域、および前記第２の発光体の第３のｐ型領域はそれぞれ前記少なくとも１つの第２の発光体の絶縁領域により互いから絶縁され、
前記第２の発光体の第１のｎ型領域と前記第２の発光体の第１のｐ型領域とで第４の発光素子を構成し、
前記第２の発光体の第２のｎ型領域と前記第２の発光体の第２のｐ型領域とで第５の発光素子を構成し、
前記第２の発光体の第３のｎ型領域と前記第２の発光体の第３のｐ型領域とで第６の発光素子を構成し、
前記第２の発光体は前記第２の発光体の絶縁領域の少なくとも一部を通して伸びる第２の発光体の第１のｐ接点を含み、
前記相互接続要素は、
前記第１の発光体の第１のｎ型領域と前記第２の発光体の第１のｐ型領域との間を電気的に接続し、
前記第１の発光体の第２のｎ型領域と前記第２の発光体の第２のｐ型領域との間を電気的に接続し、
前記第１の発光体の第３のｎ型領域と前記第２の発光体の第３のｐ型領域との間を電気的に接続する、
発光要素。
【請求項９】
照明デバイスであって、
第１の発光体と、
第２の発光体と、
を含み、
前記第１の発光体は第１のｎ型層と第１のｐ型層とを含み、
前記第１のｎ型層と前記第１のｐ型層とで第１の発光素子を構成し、
前記第２の発光体は第２のｎ型層と第２のｐ型層とを含み、
前記第２のｎ型層と前記第２のｐ型層とで第２の発光素子を構成し、
前記第１のｎ型層は前記第２のｐ型層に電気的に接続され、
前記第１の発光体と前記第２の発光体とは、前記第１のｎ型層が前記第２のｐ型層に面するように互いに相対するように位置する、
照明デバイス。
【請求項１０】
照明デバイスであって、
第１の発光体の第１のｐ型領域、第１の発光体の第２のｐ型領域、および第１の発光体の第３のｐ型領域を含む第１の発光体のｐ型層と、
第１の発光体の第１のｎ型領域、第１の発光体の第２のｎ型領域、および第１の発光体の第３のｎ型領域を含む第１の発光体のｎ型層と、
を含み、
前記第１の発光体の第１のｎ型領域と前記第１の発光体の第１のｐ型領域とで第１の発光素子を構成し、
前記第１の発光体の第２のｎ型領域と前記第１の発光体の第２のｐ型領域とで第２の発光素子を構成し、
前記第１の発光体の第３のｎ型領域と前記第１の発光体の第３のｐ型領域とで第３の発光素子を構成し、
前記第１の発光素子、前記第２の発光素子、および前記第３の発光素子は発光素子の第１の部分集合内で並列に電気的に接続され、また
第２の発光体の第１のｐ型領域、第２の発光体の第２のｐ型領域、および第２の発光体の第３のｐ型領域を含む第２の発光体のｐ型層と、
第２の発光体の第１のｎ型領域、第２の発光体の第２のｎ型領域、および第２の発光体の第３のｎ型領域を含む第２の発光体のｎ型層と、
を含み、
前記第２の発光体の第１のｎ型領域と前記第２の発光体の第１のｐ型領域とで第４の発光素子を構成し、
前記第２の発光体の第２のｎ型領域と前記第２の発光体の第２のｐ型領域とで第５の発光素子を構成し、
前記第２の発光体の第３のｎ型領域と前記第２の発光体の第３のｐ型領域とで第６の発光素子を構成し、
前記第４の発光素子、前記第５の発光素子、および前記第６の発光素子は発光素子の第２の部分集合内で並列に電気的に接続され、
発光素子の前記第１の部分集合と発光素子の前記第２の部分集合とは直列に電気的に接続される、
照明デバイス。
【請求項１１】
請求項１０記載の照明デバイスであって、前記第１の発光体の第１のｐ型領域、前記第１の発光体の第２のｐ型領域、および前記第１の発光体の第３のｐ型領域は互いから絶縁され、
前記第１の発光体の第１のｎ型領域、前記第１の発光体の第２のｎ型領域、および前記第１の発光体の第３のｎ型領域は一体化した第１のｎ型層の一部である、
照明デバイス。
【請求項１２】
請求項１１記載の照明デバイスであって、前記照明デバイスは第１のｐ接触層と第１のｎ接触層とを更に含み、
前記第１のｐ接触層は、前記第１の発光体の第１のｐ型領域、前記第１の発光体の第２のｐ型領域、および前記第１の発光体の第３のｐ型領域に電気的に接続され、
前記第１のｎ接触層は前記一体化した第１のｎ型層に電気的に接続された、
照明デバイス。
【請求項１３】
請求項１０記載の照明デバイスであって、前記第１の発光体の第１のｎ型領域、前記第１の発光体の第２のｎ型領域、および前記第１の発光体の第３のｎ型領域は互いから絶縁され、
前記第１の発光体の第１のｐ型領域、前記第１の発光体の第２のｐ型領域、および前記第１の発光体の第３のｐ型領域は一体化した第１のｐ型層の一部である、
照明デバイス。
【請求項１４】
請求項１３記載の照明デバイスであって、前記照明デバイスは第１のｐ接触層と第１のｎ接触層とを含み、
前記第１のｐ接触層は前記一体化した第１のｐ型層に電気的に接続され、
前記第１のｎ接触層は、前記第１の発光体の第１のｎ型領域、前記第１の発光体の第２のｎ型領域、および前記第１の発光体の第３のｎ型領域に電気的に接続された、
照明デバイス。
【請求項１５】
構造であって、
複数のｎ型領域を含むモノリシックｎ型層と、
複数のｐ型領域を含むモノリシックｐ型層と、
を含み、
前記ｎ型領域はそれぞれ少なくとも１つの絶縁領域により互いから絶縁され、
前記ｐ型領域はそれぞれ前記少なくとも１つの絶縁領域により互いから絶縁され、
前記ｎ型領域は従来技術のウェーハ切断装置が前記ｎ型層を小さく切って個々のｎ型領域にすることを防止するように互いに相対するように位置する、
構造。
【請求項１６】
高電圧発光体を製造する方法であって、
その上に発光素子を形成する第１の共通基板により機械的に相互接続された第１の複数の発光素子を提供することと、
電気回路をその上に有する相互接続サブマウントを提供することと、
前記第１の共通基板を前記相互接続サブマウント上に実装して前記発光素子を機械的および電気的に接続して、一連の並列に接続する発光素子を含むアレイを形成することと、
を含む高電圧発光体を製造する方法。
【請求項１７】
高電圧発光体を製造する方法であって、
その上に第１の発光素子を形成する第１の共通基板により機械的に相互接続された複数の第１の発光素子を形成することと、
その上に第２の発光素子を形成する第２の共通基板により機械的に相互接続された複数の第２の発光素子を形成することと、
前記第１の複数の発光素子を前記第２の複数の発光素子の上に実装して前記第１の複数の発光素子と前記第２の複数の発光素子とを電気的および機械的に相互接続することと、
を含む高電圧発光体を製造する方法。
【請求項１８】
高電圧発光体を製造する方法であって、
共通基板上の複数の発光素子をそれぞれ試験して、それぞれが短絡回路故障を有するかどうか判定することと、
短絡回路故障を有すると判定した前記複数の発光素子の中の素子を絶縁することと、
前記複数の発光素子を相互接続サブマウント上に取り付けて、前記複数の発光素子の中の非絶縁素子を電気的に接続することと、
を含む高電圧発光体を製造する方法。
【国際調査報告】
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