(57)【要約】コイルおよびコンデンサ回路を有する万引き等を防止するための無線波検出システムで用いる共振回路であり、コンデンサの破壊電圧を超える電圧をコンデンサ間に生じさせる無線信号にタグがさらされると、共振回路が永久に破壊される。コンデンサは、自己回復を呈しない誘電体を備える。そのような誘電体としては、セラミック、金属酸化物および鉱物が挙げられる。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の共振周波数の範囲内で無線波と共振する共振回路であって、
インダクタと、
所定の誘電体破壊電圧を有するコンデンサと、を備え、
前記インダクタおよび前記コンデンサはＬＣ回路を形成し、前記共振回路は、前記破壊電圧を超える電圧を前記コンデンサに誘発することによって永久に無効化され、
前記コンデンサは、セラミック、金属酸化物、鉱物からなる群のうちの１つから作られる誘電体を備える、共振回路。
【請求項２】
前記誘電体は６０〜２０００オングストロームの厚さ範囲を有する、請求項１に記載の共振回路。
【請求項３】
前記破壊電圧は直流３〜１０Ｖの範囲にある、請求項１に記載の共振回路。
【請求項４】
前記所定の共振周波数は５〜１５ＭＨｚである、請求項１に記載の共振回路。
【請求項５】
前記共振回路はタグであり、前記インダクタは略平面の基板上に形成されるコイルである、請求項１に記載の共振回路。
【請求項６】
前記インダクタは巻線コイルである、請求項１に記載の共振回路。
【請求項７】
共振タグであって、
第１の主面を有する基板と、
所定の共振周波数の範囲内の無線波と共振する共振回路と、を備え、
前記共振回路は、前記基板の前記第１の主面上に形成されるインダクタを含み、前記インダクタは、所定の破壊電圧を有するコンデンサと直列に接続され、
前記共振回路は、前記所定の破壊電圧を超える誘発電圧を前記コンデンサに印加することによって永久に無効化され、
前記コンデンサは、セラミック、金属酸化物、鉱物からなる群のうちの１つから作られる誘電体を備える、共振タグ。
【請求項８】
前記コンデンサは、シリコンベースの基板上に形成されるコンデンサであって、前記第１の主面に固着されるとともに、ワイヤボンディングによって前記インダクタに電気的に接続されるコンデンサである、請求項７に記載の共振タグ。
【請求項９】
前記コンデンサは、前記第１の主面に固着され、表面実装デバイス取り付けに適したコンデンサである、請求項７に記載の共振タグ。
【請求項１０】
前記コンデンサはストラップ上に形成され、
前記ストラップは、第１の導電性平面素子と、第２の導電性平面素子と、前記第１の導電性平面素子の部分と前記第２の導電性平面素子の部分との間に配置される前記誘電体とを含む薄い略平面部材を備え、
前記ストラップは、前記インダクタに電気的に接続されてＬＣ回路を形成する、請求項７に記載の共振タグ。
【請求項１１】
前記コンデンサはストラップに物理的に固着され、前記ストラップは、第１の導電性平面素子および第２の導電性平面素子を有し、前記コンデンサは、前記第１の導電性平面素子および前記第２の導電性平面素子に電気的に接続され、前記ストラップは、前記インダクタに電気的に接続されてＬＣ回路を形成する、請求項７に記載の共振タグ。
【請求項１２】
前記所定の破壊電圧は直流３〜１０Ｖの範囲にある、請求項７に記載の共振タグ。
【請求項１４】
前記所定の共振周波数の範囲は５〜１５ＭＨｚである、請求項７に記載の共振タグ。
【請求項１５】
共振回路に用いるのに適した回路素子であって、
２つの導電性端部を有するストラップを備え、該２つの導電性端部は、所定の破壊電圧を有するコンデンサを形成する誘電体材料によって互いに接続され、前記誘電体材料は、セラミック、金属酸化物、鉱物からなる群から選択される、回路素子。
【請求項１６】
前記ストラップは、第１の導電性平面素子と第２の導電性平面素子とを含み、前記第１の導電性平面素子および前記第２の導電性平面素子は重なりを有し、前記誘電体は、前記第１の導電性平面素子の重畳部分と前記第２の導電性平面素子の重畳部分との間に配置される、請求項１５に記載の回路素子。
【請求項１７】
前記ストラップは、絶縁材料と共に物理的に接続される２つの導電性平面素子を含み、前記誘電体材料は、前記導電性平面素子の各々に接合される１つのリードワイヤを有するディスクリート構成要素のコンデンサである、請求項１５に記載の回路素子。
【請求項１８】
前記ストラップは、絶縁材料と共に物理的に接続される２つの導電性平面素子を含み、前記誘電体材料は、表面実装デバイスとして前記導電性平面素子への取り付けに適したディスクリート構成要素のコンデンサである、請求項１５に記載の回路素子。
【請求項１９】
前記コンデンサは、導電性接着剤を用いて前記２つの導電性平面素子に電気的に接続される、請求項１８に記載の回路素子。
【請求項２０】
前記コンデンサは、ハンダを用いて前記２つの導電性平面素子に電気的に接続される、請求項１８に記載の回路素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、万引きなどの防止のために用いられる共振回路に関し、より詳細には、所定の電圧レベルに対する曝露によって永久に無力化するコンデンサを有する共振回路に関する。
【０００２】
本出願は、米国特許法第１１９条（ｅ）に基づく２００７年１月１８日出願の「ＲＦ  Ｌａｂｅｌ  ｆｏｒ  Ｃｏｎｔａｉｎｅｒ  Ｓｔｏｐｐｅｒ  ｏｒ  Ｃａｐ」という名称の米国特許仮出願第６０／８８５，５３１号の利益および２００７年１０月１０日出願の「Ｐｅｒｍａｎｅｎｔｌｙ  Ｄｅｓｔｒｕｃｔｉｂｌｅ  Ｒｅｓｏｎａｎｔ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  ｗｉｔｈ  Ｎｏｎ−Ｓｅｌｆ−Ｈｅａｌｉｎｇ  Ｃａｐａｃｉｔｏｒ」という名称の米国特許仮出願第６０／９８０，９４８号の利益を主張し、いずれの特許もその全体的な開示内容は本願明細書に参照によって援用されるものとする。
【背景技術】
【０００３】
小売店、図書館などの施設において、無線波と共振する共振タグと、送信アンテナおよび受信アンテナを含む監視システムが、万引き防止のために用いられてきた。実施形態において、共振タグは、絶縁フィルムと、コイルと、絶縁フィルムの一方の側に形成される導電性金属箔から作られるプレートと、他方の側に形成される導電性金属箔から作られるプレートで構成され、ＬＣ回路を構成して、特定の周波数で無線波と共振する。別の実施形態において、共振タグは、ワイヤループと個別のコンデンサから構成され、いずれも盗難を防止するために、物体内に埋め込まれるか、または物体に固着される。タグのこのタイプの実施例としては、ワインボトルストッパなどのボトルストッパが挙げられ、ワイヤループインダクタおよび個別のコンデンサが、並列に接続され、ボトルストッパの内側に装着される。係属中の米国特許仮出願第６０／８８５，５３１号は、そのようなデバイスを開示している。
【０００４】
共振回路を取り付けた物品が、レジで無効化されることなく監視領域を通過する場合には、共振回路が送信アンテナからの無線波と共振し、受信アンテナが共振を検出して警報を発する。通常用いられる共振周波数は５〜１５ＭＨｚであるが、これは、この範囲内の周波数が種々の雑音周波数から容易に区別可能なためである。電子物品監視（ＥＡＳ）では、８．２ＭＨｚの周波数が最もよく用いられ、無線周波数識別（ＲＦＩＤ）では、１３．５６ＭＨｚの周波数が最もよく用いられる。
【０００５】
一例として、図１〜図３は、タグ１０の形式の先行技術のＬＣ共振回路を示しており、基板１３の一方の側面にコイル１１および第１のコンデンサプレート１２を含み（図１）、基板１３の他方の側面に第２のコンデンサプレート１４を含む（図２）。図３は、約２０ミクロンである代表的な基板の厚さｔを示す、この先行技術のタグの断面図であり、従来の誘電形成方法（たとえば、金属層の間にポリエチレンを押し出し成形すること）を用いて形成可能な最も薄い誘電体とみられる。接着層１５、１７はそれぞれ、金属層を基板１３に固定する。
【０００６】
図１〜図４の場合のように形成される先行技術の共振タグは一般に、一旦、共振タグを備えた物品が購入されると、タグへの所定の電圧の印加によって無力化される。タグは通常、誘電体の薄い部分を有し、コンデンサプレート１２、１４にわたる誘導電圧が誘電破壊を生じ、それにより、共振タグが所定の周波数で無線波と共振することができなくなる。共振タグを無力化するためのこの手段が、図４に示されている。図４は、接着層５Ａ、５Ｂを有する誘電体４に固着される上部金属プレート２および下部金属プレート３によって形成されるコンデンサの一部を示している。これらのプレートは、通常、金属箔などであり、誘電体４に狭い領域を形成するために凹まされる（１０Ａ、１０Ｂ）。十分な電圧がコンデンサに印加されると、誘電体の狭い領域にわたって短絡が形成する。短絡はコンデンサを無力化し、タグはもはや共振しない。タグが衣料品の物品に組み込まれるか、または物品に取り付けられ、衣料品の耐用年数の間、無力化したままでなければならない場合には、このタイプの無力化手段に共通の問題が生じる。上述したように、短絡された誘電体は、衣料品が着用または洗濯されると、それ自体回復することがよくある。また、多くの誘電体は、物理的な攪拌がない状態で時間の経過と共に回復することが知られている。ポリエチレン誘電体を有する共振タグにおいて、タグの５０％程度は、着用または洗濯によって再活性化される。この意図しない再活性は、衣料品の着用者にとって望ましくない結果をもたらす。その理由は、装置がタグの共振周波数に同調した状態で着用者が店を出ると、セキュリティタグ検出デバイスを作動させることになるためである。誤警報は、再活性化されたタグを備えた衣料品の着用者にとって、不都合であり、決まりが悪いだけでなく、頻繁な誤警報は「狼少年」効果を生じさせる可能性がある。つまり、合法的に購入した商品の再活性化されたタグによって多くの警報が誤って誘発されると、店員は、タグの警報の強制に手ぬるくなるおそれがある。誤警報の不都合および決まり悪さは、消費者を苛立たせるため、再活性可能なタグをつけた衣料品ブランドの販売が減少する。
【０００７】
自己回復形誘電体の問題を克服するための１つの別法は、無効化手段としてコンデンサの代わりに溶融可能な回路素子を用いることである。溶融可能なリンクを気化するために、十分な電流を生じる高電圧を印加することによって無効化される共振回路は、米国特許第５，８６１，８０９号に記載されている。当該特許および本出願における他のすべての参考文献は、参照によって本出願に援用される。溶融可能なリンクは、自己回復しないため、この手段によって無効化される共振回路は永久に無効化され、自己回復の機会はない。図５に示されているように、通常、溶融可能なリンク３６は、タグのコイル部分７０における間隙に装着される。溶融可能なリンクは、ワイヤボンディングワイヤ４０、４２または導電性エポキシまたは他の手段によって、コイルに接続することができる。
【０００８】
溶融可能なリンクの１つの欠点は、高電流を受けて破壊するように設計されるヒューズにおける狭い領域が、回路素子の残りの部分に比べて比較的高い抵抗を有することである。この増大した抵抗は、共振回路のＱを減少させる。低いＱを有する共振回路は、より弱い共振信号を生成し、ヒューズを破壊するために十分な電流を生成するよう、無効化回路のより近い場所に配置されなければならず、これはレジ係にとってわずらわしい。低いＱだと、無効化のために十分な電流を生成し、検出されるほど共振回路コイルを物理的により大きくすることも必要となる。より大きな回路は当然のことながら、より高い製作コストがかかり、保護されるべき商品の中に隠すことがより困難であるために、あまり望ましくない。
【０００９】
したがって、永久に無効化できる改良した共振回路の需要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】米国特許第５，８６１，８０９号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的は、万引きなどの防止のための無線波検出システムにおいて主に用いられる共振回路であって、回路に位置するコンデンサを回復不能に破壊する所定電圧の印加によって永久に無効化される共振回路を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者らは、熱心な研究の結果として、セラミックコンデンサまたは回復不能な誘電破壊を生じさせる所定の破壊電圧を有するコンデンサの他の形式が、共振回路のＬＣ回路に含まれていれば、上述した目的を達成することができることを発見し、本発明を成し遂げた。
【００１３】
要約すると、本発明は、以下の通りである。共振タグは、所定の周波数で無線波と共振し、本質的に２次元で形成され、金属箔から作られるか、または導電材料かワイヤループインダクタによって印刷されるコイルであってもよいインダクタと、所定の破壊電圧を有するセラミックまたは他の非可逆誘電体コンデンサと、を備え、一旦、その電圧を超えると、コンデンサは永久に無効化され、したがって、ＬＣ共振回路を永久に無効化する。
【００１４】
別の実施形態において、共振回路は、所定の共振周波数範囲内で無線波と共振する。共振回路は、インダクタと、所定の誘電体破壊電圧を有するコンデンサと、を含む。インダクタおよびコンデンサは、ＬＣ回路を形成し、共振回路は、電圧を所定の破壊電圧を超えるコンデンサに誘発することによって、永久に無効化される。コンデンサ誘電体は、セラミック、金属酸化物または鉱物から作ることができる。
【００１５】
別の実施形態は、共振回路において用いるのに適した回路素子である。回路素子は、２つの導電性端部を有するストラップの形式である。導電性端部は、所定の破壊電圧を有するコンデンサを形成する誘電体材料によって互いに接続される。誘電体材料は、セラミック、金属酸化物または鉱物から作ることができる。
【００１６】
本発明は、以下の図面と共に説明され、類似の参照符号は、類似の要素を表す。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】先行技術の共振タグの一方の側の拡大平面図である。
【図２】図１の先行技術の共振タグの他方の側の拡大平面図である。
【図３】図１の線３−３に沿って切り取った先行技術の共振タグの断面図である。
【図４】先行技術の共振タグにおける狭い領域の断面図である。
【図５】溶融可能なリンクを有する先行技術の平面共振回路である。
【図６】ワイヤボンディングされたセラミックコンデンサを有する例示の共振タグの平面図である。
【図７】図６のワイヤボンディングされたセラミックコンデンサの断面図である。
【図７ａ】表面実装セラミックコンデンサの断面図である。
【図８】導電性ストラップを有する例示の共振回路の平面図である。
【図８ａ】図８の共振回路に装着され、線８−８に沿って切り取った例示の導電性ストラップの断面図である。
【図９】ストラップに実装されるセラミックコンデンサを有する例示の共振回路の平面図である。
【図１０】図９の線１０−１０に沿って切り取った図９のタグの断面図である。
【図１１】共振タグにおいて用いるための例示のコンデンサストラップの平面図である。
【図１２】線２−２に沿って切り取った図１１のコンデンサストラップの断面図である。
【図１２ａ】線２−２に沿って切り取った図１１のコンデンサストラップの別のバージョンの断面図である。
【図１２ｂ】底部に絶縁層を有するコンデンサストラップの断面図である。
【図１３】図１１〜図１２の場合のように、コンデンサストラップを有する例示の共振タグの平面図である。
【図１４】線１４−１４に沿って切り取った図１３のタグの断面図である。
【図１５】ボトルストッパにおいて用いるための共振回路の分解立体図である。
【図１６】ボトルストッパにおける共振回路の切欠き図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
例示の実施形態において、ＬＣ共振回路６５は、図６および図７に示されているように、実質的に平面基板上に形成される。ＬＣ回路が共振する周波数（ｆ）は、以下の式におけるＬおよびＣの値によって決定される。
【００１９】
【数１】
2010517145.tif 000003
この実施形態において、コンデンサ６０は、ワイヤボンディングに適した接点６１を有するチップコンデンサである。インダクタは、導電材料のコイル７０によって形成され、金属箔、印刷可能な導電材料または当業者に周知の類似の手段であってもよい。タグが閉ＬＣ回路を形成するために、インダクタコイル７０の開放端部およびコンデンサ７２の開放端部に接続される金属箔は、共に接続されなければならない。これを達成するための手段は、当業者には周知であり、２つの端部７０、７２を接続するタグの下側にある個別の導体を含む。この実施形態において、タグの上側および底側にある導体は、タグ用の基板であってもよい絶縁材料によって分離される。絶縁材料は、上層と下層との間で電気的に接触するために、穿孔される。そのような実施形態が、先行技術の図３に示されており、タグの上側にある導電材料１１、１２は、接着剤１５を用いて絶縁体材料１３に接着され、導電材料１４は、接着剤１７を用いて絶縁体材料１３の底側に接着される。
【００２０】
開放インダクタ端部７０と開放コンデンサ端部７２との間の接続もまた、図８および図８ａに示されているように、タグ６５の導電材料の上部に装着される個別の導電性ストラップ８０によって行われる。個別の導電性ストラップ８０は、導体の端部７０および７２と直接接触する露出端部８２および８３を有する。導電性ストラップはまた、ストラップがインダクタのトレース７０ａ〜７０ｊと交差する領域を覆う電気絶縁８１を有する。導電性ストラップは、その端部８２、８３でタグ７０、７２の導電材料に電気的に接続される。これは、熱溶接または冷間溶接、導電性エポキシ、あるいは当業者に周知の他の類似の手段によって行うことができる。これらの接着モードおよびストラップの使用は特に、同時係属中の米国特許出願第１１／５３９，９９５号に開示されている。
【００２１】
コンデンサをタグの導電性素子に接続するための別の実施形態が、図７ａに示されている。この実施形態において、コンデンサ６０は、表面実装装着に適した形式であるコンデンサであり、その下側にハンダバンプ６３を有する。ハンダバンプは、コンデンサをタグの導電材料７０、７２に電気的かつ物理的に接合するために作製される。ハンダバンプとの電気的接続を確立するための表面実装デバイスおよび手段は、当該技術で公知である。
【００２２】
コンデンサは、以下の特徴を有する。コンデンサは、誘電破壊を受けて非自己回復形でなければならない。代表的な誘電体材料としては、セラミック、金属酸化物および雲母などの鉱物が挙げられる。好ましい実施形態において、誘電体は、直流３〜１０Ｖの破壊電圧を有する。好ましい実施形態において、誘電体は、６０〜２０００オングストロームの総厚を有する。好ましい実施形態において、上述したように形成された共振回路は、５５〜９０の間のＱを有する。
【００２３】
さらなる実施形態において、コンデンサは、上述した同時係属中の米国特許出願第１１／５３９，９９５号に類似のストラップ状のデバイスに接着される。図９〜図１０は、ＬＣ共振タグを形成するために、コイル１０Ａ上に用いられ、取り付けられるチップコンデンサ１５を有するストラップ１９の使用を示す。チップコンデンサは、シリコン基板上に形成されるコンデンサを含む。コンデンサストラップ１９は、熱溶接および冷間溶接および導電性エポキシなどの接着手段をはじめとする図８および図８ａに関して同様に説明した形で、点２５Ｄ、２５Ｃにおいてコイルに電気的に連結される。コンデンサストラップ１９は、導電性フランジ１９Ａおよび１９Ｂに電気的に接続されるコンデンサ１５を備える。間隙１９Ｇは、コンデンサ１５の電気接点（図示せず）の短絡を防止するために、これらの２つのフランジを分離する。導電性フランジ１９Ａおよび１９Ｂは、接続部２５Ｃおよび２５Ｄでそれぞれ、コイル１０Ａのそれぞれの位置１１、１２に電気的に連結される。コイル素子１３、１４に対するコンデンサ１５の短絡を防止するために、コンデンサストラップ１９が、コイル１０Ａに電気的に連結される場合には、図１０に最もよく分かるように示されているように、絶縁層１９Ｃ（たとえば、紙）が、導電性フランジ１９Ａ/１９Ｂとコイル１０Ａとの間に配置される。
【００２４】
さらなる実施形態が、図１１〜図１３に示されている。この実施形態において、上述したように平面インダクタの両端部に電気的に接続するストラップは、一体型コンデンサによって形成される。コンデンサストラップ２０は、第１の導電性平面素子２２の非重畳端部２２Ｂおよび第２の導電性平面素子２４の非重畳端部２４Ｂをコイルまたはアンテナのそれぞれの部分に電気的に接続することによって、ＥＡＳまたはＲＦＩＤコイルあるいはアンテナに電気的に連結される。コンデンサストラップは、ＥＡＳまたはＲＦＩＤタグや、インレー（ｉｎｌａｙ）のアンテナまたはコイル構成要素の少なくとも２つのそれぞれの部分を電気的にブリッジするための薄い構成要素である。ストラップ構成要素は、所望の静電容量を呈し、非可逆の破壊を生じる予測可能な破壊電圧範囲を有する。コンデンサストラップは、第１の導電性平面素子２２および第２の導電性平面素子２４と、第１の導電性平面素子の少なくとも一部と第２の導電性平面素子の少なくとも一部との間に配置される平面誘電体層２４Ａ、２２Ａと、を備える。
【００２５】
第１の導電性素子２２は、アンテナまたはコイルの少なくとも２つのそれぞれの部分のうちの一方と電気的導通状態で固定されるように配置される第１の部分を含む。第２の導電性素子２４は、アンテナまたはコイルの少なくとも２つのそれぞれの部分のうちの他方と電気的導通状態で固定されるように配置される第１の部分を含み、ＥＡＳまたはＲＦＩＤタグまたはインレーの形成を結果として生じる。このような形式で形成されるが、可撓性ポリマー誘電体を有するコンデンサは、２００６年１０月１０日出願の同時係属中の米国特許出願第１１／５３９，９９５号に記載され、参照によって本願明細書に援用される。
【００２６】
図１１は、コンデンサストラップ２０の拡大平面図を示す。図１２において最もよく分かるように、コンデンサストラップ２０は、関連するセラミック誘電体層２２Ａを有する第１の導電性平面素子２２と、関連するセラミック誘電体層２４Ａを有する第２の導電性平面素子２４と、を備え、素子２２および２４の一部が重なり（２６）、それにより、コンデンサを形成する。当業者には周知であるように、重畳領域２６の量は、静電容量を決定する。誘電体は、一旦、コンデンサ破壊電圧を超えると、コンデンサが自己回復できないようになっていなければならない。例示の誘電体材料としては、セラミック、金属酸化物または鉱物が挙げられる。
【００２７】
コンデンサストラップ２０は、第１の導電性平面素子２２の非重畳端部２２Ｂおよび第２の導電性平面素子２４の非重畳端部２４Ｂをコイルまたはアンテナのそれぞれの部分に電気的に接続することによって、ＥＡＳまたはＲＦＩＤコイルあるいはアンテナに電気的に連結される。たとえば、図１３におけるコイル１０に示されているように、第２の導電性平面素子２４の短絡を防止するために、コイルまたはアンテナが複数の回転部を備える場合には、絶縁層２８（図１２Ａ、たとえば、誘電体材料）または紙の絶縁層２８Ａ（図１２Ｂ）が、素子２４に塗布されるか、または第２の導電性平面層２８とコイル／アンテナとの間に別の方法で介入される。図１４において最もよく分かるように、絶縁層２８が、素子２４を回転トラック１３および１４から隔離するのに対して、コンデンサストラップ２０の電気接続は、コイルトラック１１および１２に対するコンデンサストラップ２０の端部２２Ｂおよび２４Ｂにおける接続２５Ａおよび２５Ｂで、それぞれ行われる。１回転未満のコイルが設けられている場合には、コンデンサストラップ２０が、他のどのコイルトラックとも交差しないため、絶縁層２８は必要とされないことに留意すべきである。したがって、ＥＡＳタグまたはインレー１６は、コイル１０およびコンデンサストラップ２０によって形成される等価回路を有するように作成される。
【００２８】
図１５および図１６に示されるさらなる実施形態において、無効化可能な共振回路１２０は、ボトルまたは容器のストッパまたはキャップの中に位置決めされる。特に、共振回路１２０は、ＲＦ巻線コイルと、好ましくは８．２ＭＨｚ（決してこれに限定されるわけではない）で共振する永久に無効化可能なコンデンサと、を備える。しかし、既存のＲＦ巻線コイル／コンデンサ回路とは異なり、回路１２０は、従来の無効化装置（たとえば、ＣｈｅｃｋｐｏｉｎｔのＣＯＵＮＴＥＲＰＯＩＮＴ無効化装置）を用いて、永久に無効化可能である。
【００２９】
図１５は、本発明の無効化可能な共振回路１２０を収容することができる例示のボトルクロージャ１０２（たとえば、オーストラリアのＺｏｒｋ（登録商標）Ｐｔｙ  Ｌｔｄによって製造されたＺｏｒｋ（登録商標）コルクまたワインクロージャ）を示す。特に、クロージャは、無効化可能な共振回路１２０が位置決めされ、（たとえば、接着剤または共振器１０６の内壁に存在する複数のフィンガなどを用いて）その中に固定される共振器１０６を含むストッパ１０４を備える。シール１０８は、共振器１０６に対する開口部の上に封止される。ストッパ１０４は次に、ボトルＢの開口部の内側に位置決めされ（図１６）、次に引き剥がし部分を有するキャップカバー１１０が、ボトル上部の周囲に付着され、それにより、ボトルクロージャ１０２を完成する。図１６は、その上に付着されるボトルクロージャ１０２を有し、その中における無効化可能な共振回路１２０の配置を明らかにするために、断面において示された例示のボトルＢの上部の拡大図である。図１５〜図１６に示された回路１２０は、示された回路に限定されるわけではなく、本出願に開示された実施形態のいずれかおよびその任意の等価物を含むことを理解すべきである。
【００３０】
前述したように、本発明の無効化可能な共振回路１２０は、ボトルクロージャに限定されるわけではなく、容器のクロージャ（空洞がその中に設けられるキャップ、蓋など）に用いられてもよい。さらに、無効化可能な共振回路１２０は、触覚により検出されることなく、回路１２０を隠すことができる他の小売品目（たとえば、コートの裏地や襟、パッドなど）に位置決めされてもよい。
【００３１】
ＲＦ巻線コイル／コンデンサ回路１２０は、本明細書に述べるようにＬＣ回路を備え、この回路では、巻線コイルがインダクタ（Ｌ）であり、コンデンサ（Ｃ）がコイルの各端部に接続される。インダクタは、コイルの短絡を防止するために、絶縁層（好ましくはポリエチレン）を有する細いワイヤ（アルミニウムまたは銅）を用いて作製される。
【００３２】
ＲＦ巻線コイル／コンデンサ回路１２０を無効化可能にするために、回路は、直流３〜１０Ｖの範囲の誘電体破壊電圧を有するコンデンサを備える。セラミックコンデンサまたは適切な破壊電圧を有する任意の他の永久に無効化可能なコンデンサを用いることができる。所定の最小無効化電界強度がＬＣ回路に印加されるとき、コンデンサプレート間の電圧が所望の破壊電圧を超え、短絡がコンデンサプレート間に発生する。したがって、ＬＣ回路は、適切な周波数でもはや共振することはなく、永久に無効化される。
【００３３】
各図面は、ＥＡＳ型セキュリティタグを示しているが、セキュリティタグの一部として含まれるＲＦＩＤチップは、本発明の最も広範な範囲内にあることを留意すべきである。
上述の実施形態のいずれかは、２つ以上のコンデンサを直列にすることによって実現可能であることにもさらに留意すべきである。この場合、誘電体の破壊が特定のコンデンサに対して生じる場合には、コンデンサのそれぞれは、永久に無効化可能でなければならない。または回路における永久に無効化可能なコンデンサのすべての誘電体破壊電圧が、永久に無効化可能でない任意のコンデンサの誘電体破壊電圧より小さくなければならない。たとえば、平面基板上に形成されたインダクタを有する上述した共振タグはまた、基板上に形成されたコンデンサを有することができる。しかし、上述したように、従来の先行技術の方法によって形成されるコンデンサは、誘電破壊後、時間の経過と共に、電位を「自己回復」させる。したがって、永久に無効化されるべき共振回路の場合には、破壊するコンデンサが、自己回復することができてはならない。セラミックコンデンサ（または他の非自己回復形）が、自己回復コンデンサと直列に用いられ、セラミックコンデンサが、自己回復形コンデンサより小さい保証された破壊電圧を有する場合には、セラミックコンデンサに破壊を生じるほど十分な電圧にさらされると、共振回路は永久に無効化される。全体的なタグ共振周波数の正確な制御が望ましく、タグ基板上に形成されるコンデンサが、共振周波数を変えるためにトリミング可能である場合、特に、セラミックコンデンサおよび／またはインダクタが、所望の共信周波数を維持するために許容可能であるより大きな製作許容差を有する場合には、そのような実施形態を用いることができる。レーザトリミング、エッチングおよび切削などの方法によって、可撓性セキュリティタグ基板上に形成される先行技術の自己回復形コンデンサをトリミングすることは、当該技術では公知である（たとえば、米国特許第７，１１９，６８５号参照）。
【００３４】
本発明の特定の実施例を参照して詳細に説明したが、種々の変更や変形を本発明の思想および範囲を逸脱することなく行うことができることは、当業者は理解し得る。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図７Ａ】
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【図８】
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【図８Ａ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【手続補正書】
【提出日】平成21年9月25日(2009.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の共振周波数の範囲内で無線波と共振する共振回路であって、
インダクタと、
所定の誘電体破壊電圧を有するコンデンサと、を備え、
前記インダクタおよび前記コンデンサはＬＣ回路を形成し、前記共振回路は、前記破壊電圧を超える電圧を前記コンデンサに誘発することによって永久に無効化され、
前記コンデンサは、セラミック、金属酸化物、鉱物からなる群のうちの１つから作られる誘電体を備える、共振回路。
【請求項２】
前記誘電体は６０〜２０００オングストロームの厚さ範囲を有する、請求項１に記載の共振回路。
【請求項３】
前記破壊電圧は直流３〜１０Ｖの範囲にある、請求項１に記載の共振回路。
【請求項４】
前記所定の共振周波数は５〜１５ＭＨｚである、請求項１に記載の共振回路。
【請求項５】
前記共振回路はタグであり、前記インダクタは略平面の基板上に形成されるコイルである、請求項１に記載の共振回路。
【請求項６】
前記インダクタは巻線コイルである、請求項１に記載の共振回路。
【請求項７】
共振タグであって、
第１の主面を有する基板と、
所定の共振周波数の範囲内の無線波と共振する共振回路と、を備え、
前記共振回路は、前記基板の前記第１の主面上に形成されるインダクタを含み、前記インダクタは、所定の破壊電圧を有するコンデンサと直列に接続され、
前記共振回路は、前記所定の破壊電圧を超える誘発電圧を前記コンデンサに印加することによって永久に無効化され、
前記コンデンサは、セラミック、金属酸化物、鉱物からなる群のうちの１つから作られる誘電体を備える、共振タグ。
【請求項８】
前記コンデンサは、シリコンベースの基板上に形成されるコンデンサであって、前記第１の主面に固着されるとともに、ワイヤボンディングによって前記インダクタに電気的に接続されるコンデンサである、請求項７に記載の共振タグ。
【請求項９】
前記コンデンサは、前記第１の主面に固着され、表面実装デバイス取り付けに適したコンデンサである、請求項７に記載の共振タグ。
【請求項１０】
前記コンデンサはストラップ上に形成され、
前記ストラップは、第１の導電性平面素子と、第２の導電性平面素子と、前記第１の導電性平面素子の部分と前記第２の導電性平面素子の部分との間に配置される前記誘電体とを含む薄い略平面部材を備え、
前記ストラップは、前記インダクタに電気的に接続されてＬＣ回路を形成する、請求項７に記載の共振タグ。
【請求項１１】
前記コンデンサはストラップに物理的に固着され、前記ストラップは、第１の導電性平面素子および第２の導電性平面素子を有し、前記コンデンサは、前記第１の導電性平面素子および前記第２の導電性平面素子に電気的に接続され、前記ストラップは、前記インダクタに電気的に接続されてＬＣ回路を形成する、請求項７に記載の共振タグ。
【請求項１２】
前記所定の破壊電圧は直流３〜１０Ｖの範囲にある、請求項７に記載の共振タグ。
【請求項１３】
前記所定の共振周波数の範囲は５〜１５ＭＨｚである、請求項７に記載の共振タグ。
【請求項１４】
共振回路に用いるのに適した回路素子であって、
２つの導電性端部を有するストラップを備え、該２つの導電性端部は、所定の破壊電圧を有するコンデンサを形成する誘電体材料によって互いに接続され、前記誘電体材料は、セラミック、金属酸化物、鉱物からなる群から選択される、回路素子。
【請求項１５】
前記ストラップは、第１の導電性平面素子と第２の導電性平面素子とを含み、前記第１の導電性平面素子および前記第２の導電性平面素子は重なりを有し、前記誘電体は、前記第１の導電性平面素子の重畳部分と前記第２の導電性平面素子の重畳部分との間に配置される、請求項１４に記載の回路素子。
【請求項１６】
前記ストラップは、絶縁材料と共に物理的に接続される２つの導電性平面素子を含み、前記誘電体材料は、前記導電性平面素子の各々に接合される１つのリードワイヤを有するディスクリート構成要素のコンデンサである、請求項１４に記載の回路素子。
【請求項１７】
前記ストラップは、絶縁材料と共に物理的に接続される２つの導電性平面素子を含み、前記誘電体材料は、表面実装デバイスとして前記導電性平面素子への取り付けに適したディスクリート構成要素のコンデンサである、請求項１４に記載の回路素子。
【請求項１８】
前記コンデンサは、導電性接着剤を用いて前記２つの導電性平面素子に電気的に接続される、請求項１７に記載の回路素子。
【請求項１９】
前記コンデンサは、ハンダを用いて前記２つの導電性平面素子に電気的に接続される、請求項１７に記載の回路素子。
【国際調査報告】
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