(57)【要約】上部電極に対する電子損失を制御するための方法および構成であって、より長時間プラズマチャンバ内に荷電種を捕捉でき、プラズマ密度を高めるように、電極をより負にバイアスするための技術および装置を含む。上部電極上に誘導されたＲＦ信号は整流され、よって上部電極をより負にバイアスする。必要であれば、整流されたＲＦ信号を増幅することができ、よって上部電極をより負に駆動する。【選択図】図３Ａ
2010515263.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容量結合プラズマ処理システムにおいて基板を処理する方法であって、前記容量結合プラズマ処理システムが、プラズマ処理チャンバと、少なくとも一つの上部電極と、少なくとも一つの下部電極と、を有しており、前記基板がプラズマ処理の間前記下部電極上に配置されており、
少なくとも一つの第１のＲＦ信号を前記下部電極に供給する工程を含んでおり、前記第１のＲＦ信号は第１のＲＦ周波数を有しておりかつ前記プラズマ処理チャンバ内でプラズマと結合し、前記上部電極上に誘導されたＲＦ信号を誘導しており、
前記誘導されたＲＦ信号を整流して整流されたＲＦ信号を生成し、前記整流されたＲＦ信号が負にバイアスされるよりもより正にバイアスされるようにする、前記誘導されたＲＦ信号を整流する工程と、
前記整流されたＲＦ信号が前記上部電極に供給されている間に前記基板を処理する工程と、
を含むことを特徴とする基板を処理する方法。
【請求項２】
前記誘導されたＲＦ信号を整流する工程が、前記誘導されたＲＦ信号の負の成分を除去する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板を処理する方法。
【請求項３】
第２のＲＦ信号を前記下部電極に供給する工程を更に含んでおり、前記第２のＲＦ信号は前記第１のＲＦ信号とは異なる第２のＲＦ周波数を有することを特徴とする請求項１に記載の基板を処理する方法。
【請求項４】
前記第２のＲＦ周波数が、２ＭＨｚ、２７ＭＨｚおよび６０ＭＨｚのうちの一つであることを特徴とする請求項３に記載の基板を処理する方法。
【請求項５】
前記誘導されたＲＦ信号を整流する工程が、前記整流されたＲＦ信号を生成するために前記誘導されたＲＦ信号の振幅を増幅する工程を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の基板を処理する方法。
【請求項６】
前記容量結合プラズマ処理システムが、多重周波数容量結合プラズマ処理システムであることを特徴とする請求項１に記載の基板を処理する方法。
【請求項７】
前記整流されたＲＦ信号を生成するために前記誘導されたＲＦ信号を整流する前記工程が、整流機構を用いてなされることを特徴とする請求項１に記載の基板を処理する方法。
【請求項８】
前記整流機構は、パワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタを含むことを特徴とする請求項７に記載の基板を処理する方法。
【請求項９】
基板を処理するためのプラズマ処理チャンバを有する容量結合プラズマ処理システムであって、
前記基板を処理するための少なくとも一つの上部電極及び少なくとも一つの下部電極を含んでおり、前記基板がプラズマ処理の間前記下部電極上に配置され、
少なくとも一つの第１のＲＦ信号を前記下部電極に供給するための手段を含んでおり、前記第１のＲＦ信号は第１のＲＦ周波数を有しておりかつ前記プラズマ処理チャンバ内でプラズマと結合し、よって前記上部電極上に誘導されたＲＦ信号を誘導し、
前記誘導されたＲＦ信号を整流して整流されたＲＦ信号を生成するための手段を含んでおり、前記整流されたＲＦ信号が負にバイアスされるよりも、より正にバイアスされ、
前記整流されたＲＦ信号が前記上部電極に供給されている間に前記基板が処理されるように構成されていることを特徴とする容量結合プラズマ処理システム。
【請求項１０】
前記整流が、前記誘導されたＲＦ信号の負の成分を除去することを含むことを特徴とする請求項９に記載の容量結合プラズマ処理システム。
【請求項１１】
第２のＲＦ信号を前記下部電極に供給するための手段を更に含んでおり、前記第２のＲＦ信号が前記第１のＲＦ信号とは異なる第２のＲＦ周波数を有することを特徴とする請求項９に記載の容量結合プラズマ処理システム。
【請求項１２】
前記第２のＲＦ周波数が、２ＭＨｚ、２７ＭＨｚおよび６０ＭＨｚの一つであることを特徴とする請求項１１に記載の容量結合プラズマ処理システム。
【請求項１３】
前記整流が、前記整流されたＲＦ信号を生成するために前記誘導されたＲＦ信号の振幅を増幅することを更に含むことを特徴とする請求項９に記載の容量結合プラズマ処理システム。
【請求項１４】
前記容量結合プラズマ処理システムが、多重周波数容量結合プラズマ処理システムであることを特徴とする請求項９に記載の容量結合プラズマ処理システム。
【請求項１５】
前記整流されたＲＦ信号を生成するために前記誘導されたＲＦ信号を整流することが、整流機構を用いてなされることを特徴とする請求項９に記載の容量結合プラズマ処理システム。
【請求項１６】
前記整流構成は、パワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタを含むことを特徴とする請求項１５に記載の容量結合プラズマ処理システム。
【請求項１７】
基板を処理するためのプラズマ処理チャンバを有する容量結合プラズマ処理システムであって、
前記基板を処理するための少なくとも一つの上部電極及び少なくとも一つの下部電極を含んでおり、前記基板がプラズマ処理の間前記下部電極上に配置され、
複数のＲＦ信号を前記下部電極に供給するための手段を含んでおり、前記複数のＲＦ信号のうち第１のＲＦ信号が第１のＲＦ周波数を有しており、かつ前記プラズマ処理チャンバ内でプラズマと結合して前記上部電極上に誘導されたＲＦ信号を誘導し、
前記誘導されたＲＦ信号に適用されて整流されたＲＦ信号を生成する整流機構を含んでおり、これにより、整流されたＲＦ信号が負にバイアスされるよりも、より正にバイアスされ、
前記整流されたＲＦ信号が前記上部電極に供給されている間に前記基板を処理する手段を含むことを特徴とする容量結合プラズマ処理システム。
【請求項１８】
前記整流機構が、前記誘導されたＲＦ信号の負の成分を除去するように構成された回路を含むことを特徴とする請求項１７に記載の容量結合プラズマ処理システム。
【請求項１９】
前記整流機構が、前記整流されたＲＦ信号を生成するために前記誘導されたＲＦ信号の振幅を増幅するように構成された回路を更に含むことを特徴とする請求項１７に記載の容量結合プラズマ処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
半導体基板の処理において、プラズマ処理がしばしば使用される。プラズマ処理には、様々なプラズマ生成技術が含まれ、例えば誘導結合型プラズマ処理システム、容量結合プラズマ処理システム、マイクロ波生成プラズマ処理システム等が含まれる。製造業者は、フォトレジスト・マスクを用いた、材料のエッチングに係る処理において容量結合プラズマ処理システムを用いることが多い。
【背景技術】
【０００２】
基板のプラズマ処理において重視すべき事項は、高エッチング速度および高フォトレジスト選択性である。高エッチング速度は、ターゲット材がプラズマ処理の間にエッチングされる速度のことを指す。一般的に言って、下層をエッチングする速度が速くなればなるほど、時間当たりのウエハの処理数が多くなる。他の条件が同じなら、製造者はウエハ処理効率を上昇させるために時間当たりのウエハの処理を多くすることを望む。フォトレジスト選択性は、エッチングの間のフォトレジスト・マスクとその下のターゲット層との間の識別力を指す。
【０００３】
回路密度が増加すると、ウエハ上の単位面積当りのデバイスの数をより多くエッチングまたは形成することが製造業者にとって要求される。デバイス密度が高くなるにつれて、より薄いフォトレジスト層が必要となる。フォトレジスト層が薄くなるにつれて、今度は意図しない過度のエッチングを引き起こしやすくなる。その結果、製造業者は、フォトレジスト・マスクへの損傷を避け、かつ下層を高エッチング速度でエッチすることができる処理法を創作するために常に努力している。
【０００４】
エッチング速度を上げる一つの方法は、プラズマ処理の間、プラズマ密度を増加させることである。容量結合プラズマ処理システムにおいて、プラズマ密度は、より高い周波数のＲＦ信号出力を増加させることによって高めることができる。解説を容易にするために、図１は先行技術の多重周波数容量結合プラズマ処理システム１００を示しており、基板を処理するために一般的に用いられるプラズマ処理システムを表している。図１に示すように、多重周波数容量結合プラズマ処理システム１００は、上部電極１０４と下部電極１０６との間に配置されるチャンバ１０２を含む。
【０００５】
図１の形態において、下部電極１０６は、多重ＲＦ周波数（例えば２メガヘルツ、２７メガヘルツおよび６０メガヘルツ）を供給される。上部電極１０４は、図１の形態では接地（アース）されている。更に、多重周波数容量結合プラズマ処理システム１００は、複数の閉じ込めリング（ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ  ｒｉｎｇ）１０８Ａ，１０８Ｂ，１０８Ｃおよび１０８Ｄを含む。これらの閉じ込めリング１０８Ａ〜１０８Ｄは、プラズマ処理の間、プラズマをチャンバ１０２内に閉じ込めるように機能する。
【０００６】
更に、周縁部に沿って配置された周縁ＲＦ接地リング１１０が図１に示されており、これは、チャンバ１０２内で発生されたプラズマのためのＲＦ接地を表している。周縁ＲＦ接地１１０を上部電極１０４から分離するために、絶縁リング１１２が一般的に設けられる。更に、同様の絶縁リング１１４が、下部電極１０６をＲＦ接地１１６から分離するために設けられる。プラズマ処理の間、下部電極１０６に供給されるＲＦ出力が、チャンバ１０２に供給されるエッチングガスを励起し、これにより、チャンバ１０２内にプラズマを発生させて、下部電極１０６上に一般的に配置される基板をエッチングする（基板は、図１を簡明化するために示されていない）。
【０００７】
上述したように、基板がチャンバ１０２に配置されている間に、上にあるフォトレジスト・マスクを過度に損傷することなくこの基板のターゲット層をエッチングすることが大変望ましい。従来技術においては、ターゲット層のエッチング速度を上げることは、チャンバ１０２内のプラズマ密度を上げることによって成し遂げることができる。一般的に言えば、プラズマ密度は、下部電極１０６に供給される、より高周波数のＲＦ信号の出力レベルを上げることによって上げることができる。本発明において、高周波ＲＦ信号は、約１０メガヘルツよりも高い周波数を有する信号として定義される。逆に、１０メガヘルツ未満の周波数を有するＲＦ信号は、本明細書において低周波信号と称される。
【０００８】
しかしながら、より高い周波数ＲＦ信号（例えば図１の２７メガヘルツのＲＦ信号または６０メガヘルツＲＦ信号）の出力レベルを上げることによって、チャンバ１０２に生成されたプラズマを閉じ込めることが困難となるおそれがある。プラズマを満足に閉じ込めることができたとしても、プラズマ処理の間の上部電極に対する電子損失によって、チャンバ１０２内のプラズマ密度には上限が課される。プラズマ密度が増加すると、電子が多重周波数結合容量プラズマ処理システム１００の接地された上部電極または他の接地された表面に対して失われ、よって、チャンバ１０２内のプラズマ密度が飽和点に達することが分かっている。この飽和点を越えてしまうと、より高周波のＲＦ信号のＲＦ出力を増加してもプラズマ密度を増加させることはなく、なぜなら、電子損失がイオンの生成をしのぐからである。
【０００９】
更に、より高周波数のＲＦ信号のためにＲＦ出力を増加させることで、フォトレジスト選択性に悪影響を与えることが分かっている。高ＲＦ出力レベルでは、打ち込みが増加することによりフォトレジスト・マスクの損傷が大きくなり、フォトレジスト・マスクが侵食される速度が早くなり、よってエッチング工程に悪い影響を与える。
【００１０】
図２は、チャンバ１０２内のイオンの生成を付加的に制御するために一または複数の高周波ＲＦ信号２０２（例えば図２の６０メガヘルツのＲＦ信号）が上部電極１０４に供給される先行技術の一形態を示している。しかしながら、図２の形態は、上述したプラズマ密度飽和点の課題を未だ解決していない。上部電極１０４に供給される、より高周波の信号のＲＦ出力レベルを増加すると、上述した飽和点の影響が観察され、プラズマ密度を制限し、結果的により高い周波数のＲＦ信号のＲＦ出力レベルの増加に関係なくターゲット層のエッチング速度が制限される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
加えて、先行技術の別の形態では、電極の温度を制御することによってフォトレジスト選択性を制御しようと試みた。電極の温度を制御するという方法は、フォトレジスト選択性を制御することにはほとんど効果がないことが分かった。更に、電極の温度を制御するという方法は、上記したプラズマ密度飽和点の影響の問題に対処しない。
【００１２】
従って、上記の先行技術の形態は、フォトレジスト・マスクを用いた、材料のエッチングに係る処理における容量結合プラズマ処理システムにおいて、高いフォトレジスト選択性に悪影響を与えることなく、またこの選択性を保持することなくエッチング速度を高める効果がないことが証明されている。図１の先行技術の形態においては、下部電極に対するＲＦ出力を増加させることによって、プラズマを閉じ込めることができなくなり、プラズマ密度の飽和点を導き、フォトレジスト選択性に悪影響を与えるおそれがある。一方、図２の先行技術の形態においては、上部電極に対するＲＦ出力を増加させることによって、プラズマ密度の飽和点を導くおそれがある。更に、電極の温度を制御する先行技術の形態は、フォトレジスト選択性を制御することについてはほとんど効果がなく、プラズマ密度の飽和の影響に対して何も解決法を提供しない。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
（発明の概要）
一実施形態において本発明は、プラズマ処理チャンバと、少なくとも一つの上部電極と、少なくとも一つの下部電極とを有する容量結合プラズマ処理システムにおいて基板を処理する方法に関する。基板は、プラズマ処理の間、下部電極上に配置される。この方法は、少なくとも一つの第１のＲＦ信号を下部電極に供給する工程を含む。この第１のＲＦ信号は、第１のＲＦ周波数を有する。第１のＲＦ信号は、プラズマ処理チャンバ内のプラズマに結合し、よって上部電極上に誘導されたＲＦ信号（誘導ＲＦ信号）を誘導する。この方法は、誘導ＲＦ信号を整流する工程を含んでおり、これにより、整流されたＲＦ信号を生成してこの整流されたＲＦ信号が負にバイアスされるよりもより正にバイアスされるようにする。この方法は、整流されたＲＦ信号が上部電極に供給される間に前記基板を処理する工程を更に含む。
【００１４】
上記の発明の要約は、本明細書において開示される発明の多くの実施形態の一つに過ぎず、本発明の請求の範囲を限定することを目的としない。本発明のこれらのまたは他の特徴は、発明の詳細な説明において添付の図面と共に更に詳細に記載されている。
【００１５】
本発明は添付の図面において例示の目的で記載されており、限定の目的ではなく、同じ符号は同じ要素を指している。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、先行技術の多重周波数容量結合プラズマ処理システムを示しており、一般的に基板を処理するために用いられるプラズマ処理システムを示している。
【図２】図２は、先行技術の一形態を示しており、ここにおいてチャンバ内でのイオンの生成を付加的に制御するために一または複数の高周波数ＲＦ信号が上方電極に供給される。
【図３Ａ】図３Ａは、プラズマ処理の間に上部電極に存在する誘導電圧を整流するために整流回路が用いられる形態を示している。
【図３Ｂ】図３Ｂは、ＲＦ信号の一例を示している。
【図４Ａ】図４Ａは、仮想のプラズマエッチング処理のためのｙ軸の電子密度対ｘ軸の電子エネルギーの例示的なグラフを示している。
【図４Ｂ】図４Ｂは、プラズマ処理の間にプラズマチャンバ内により多くの電子を捕捉（トラップ）するために整流回路が設けられた場合における、様々な電子エネルギー準位を有する電子のための電子密度の例示的なグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
（発明の詳細な説明）
以下、本発明は添付の図面に記載されたいくつかの実施形態を参照して詳細に記載される。以下の記載において、本発明を十分に理解するために多くの具体的な説明が記載されている。しかしながら、これらの具体的な説明のいくつかまたは全てがなくても当業者であれば本発明を実施することができることは明らかであろう。それ以外の例では、本発明を不必要に不明瞭になることを避けるために、周知の工程ステップおよび／または周知の構成は詳細に記載していない。
【００１８】
以下に様々な実施形態が記載され、これには方法および技術も含まれる。本発明は、本発明の実施形態を実施するためのコンピュータによって読み込み可能な説明を記憶するコンピュータが読み込み可能な媒体を含む製品も網羅し得ることを留意すべきである。コンピュータが読み込み可能な媒体は、例えばコンピュータの読み込み可能なコードを記録するための半導体、磁気、光学磁気、光学の形態、またはコンピュータの読み込み可能な媒体の他の形態が含まれる。更に、本発明は、本発明の実施形態を実施するための装置も網羅し得る。係る装置は、本発明の実施形態に関するタスクを実行するための専用および／またはプログラム可能な回路を含んでいてもよい。係る装置の例としては、適切にプログラムされた汎用コンピュータおよび／または専用計算機が含まれ、本発明の実施形態に関する様々なタスクに適合されたコンピュータ／計算機と専用／プログラム可能な回路が含まれてもよい。
【００１９】
本発明の実施形態において、プラズマに対する出力（電力）を過度に増加することなくプラズマ密度を増加することができるように上部電極に対する電子損失を制御するための方法および構成が提供される。要求されるＲＦ出力を増加させることなくプラズマ密度を増加することによって、フォトレジスト選択性を過度に劣化させることなくより速い速度でターゲット層をエッチングすることができる。一実施形態において、上部電極は、負にバイアスされるように構成され、よってプラズマチャンバ内に存在する電子を上部電極から押し戻してより長い間プラズマチャンバ内に閉じこめる（捕捉する）ことを可能にする。負に帯電した電子がより長い間捕捉されるためプラズマ密度が増加する。
【００２０】
一般的に言えば、プラズマ処理の間、ボンバード（打ち込み、射突）のメカニズムによって電子が基板から放出される。先にも書いたとおり、上部電極に対する電子損失によってプラズマ密度の増加が制限される。なぜなら電子損失によって、プラズマに供給されるＲＦ出力とは関係なくプラズマ密度の増加を制限する飽和点の影響が現れるからである。一つの実施形態においては、上部電極に誘導されたＲＦ信号（誘導ＲＦ信号）が整流され、これによりこの上部電極が更に負にバイアスされる。よって、電子は、上部電極で急速に失われる代わりに、上部電極から押し返され、結果としてプラズマ中の電子の数がより多くなり、よってプラズマ密度を増加させる。別の形態では、整流されたＲＦ信号が増幅され、よって上部電極を更に負にドライブする（駆動される）。プラズマ密度が高くなれば、所望の高エッチング速度を達成するためにターゲット層をより効果的にエッチングすることができる。高レベルのプラズマ密度を達成するためにＲＦ出力を増加させることが必要とされないため、フォトレジスト選択性は、先行技術と同じような悪影響を受けることはない。
【００２１】
上記概要は、本明細書において開示される発明の多くの実施形態の一つに過ぎず、本発明の請求の範囲を限定することを目的としない。本発明のこれらのまたは他の特徴は、発明の詳細な説明において添付の図面と共に更に詳細に記載されている。
【００２２】
図３Ａは、本発明の一実施形態による、プラズマ処理の間に上部電極３０２に存在する誘導電圧を整流するために整流回路が用いられる形態を示している。本明細書において使用される用語「整流（ｒｅｃｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）」とは、上部電極３０２に存在するＲＦ信号の正のサイクルを減少または除去する処理を意味する。
【００２３】
図３Ｂを参照すると、例示的なＲＦ信号３０が示されている。ＲＦ信号３５０の鎖線部３５２は整流され除去されており、ＲＦ信号の負の部分を示す実線３５６および３５８が残されている。ＲＦ信号の負の部分のみが残されているため、上部電極３０２は、プラズマチャンバ３０６内に存在するプラズマに対して負にバイアスされる傾向がある。
【００２４】
本発明の一実施形態によると、下部電極３１２上に配置された基板３１０から放出される電子３０８が、基板シース（基板覆い）または下部シース（下部覆い、図３Ａを簡略化するために下部シースは示されていない）に亘るイオンの打ち込み（ボンバードメント）によって、基板３１０から離れる方向に加速される。電子は上部電極３０２で直ぐに失われる（例えば、上部電極３０２が接地されている場合はこのようになる）のと反対に、負にバイアスを掛けられた上部電極３０２は電子３０８を反発することができ、よってより長い間、電子３０８が上部電極３０２と下部電極３１２との間で捕捉（トラップ）される。結局、ランダムな衝突の作用によって、負に帯電した電子が最終的にＲＦ接地３３０で失われると考えられる。しかしながら、プラズマチャンバ３０６内の電子３０８の滞留時間が長くなれば、プラズマ処理チャンバ３００に供給されるＲＦ出力を対応して増加することなくプラズマ密度をより高くすることができる。
【００２５】
一般的に言って、整流器３０４は、例えばパワーＭＯＳＦＥＴ（パワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）を含む公知の任意の整流回路を用いて構成することができる。一実施形態において、整流回路３０４は、増幅回路を含んでおり、この増幅回路は、ＲＦ信号の正のサイクルを除去するだけではなく、残りのＲＦ信号の負の部分を増幅または減少させる。残りのＲＦ信号の負の部分の増幅を制御する能力は、処理中の工程技師（プロセスエンジニア）に新たな調整手段（調整つまみ）を提供する。
【００２６】
例えば、低いエネルギーの電子とより高いエネルギーの電子とは、エッチング処理において異なった方法で影響を与えることが知られている。一実施形態において、より低いエネルギーの電子を捕捉することは、上部電極３０２を少なくとも負の１００ボルトにバイアスすることを要求する。一実施形態において、より高いエネルギーの電子をトラップすることは、上部電極が、負の５００ボルトもしくは負の６００ボルトまたはそれ以上のより高い負の値まで負にバイアスされることを要求する。より高いエネルギーの電子の高密度がフォトレジスト選択性のために有益であると考えられているため、多くの場合、上部電極３０２を負にバイアスしてより多くのより高いエネルギーの電子が捕捉されることが製造業者にとって望ましい。  
【００２７】
図４Ａは、仮定に基づいたプラズマエッチング処理のための、ｘ軸の電子エネルギーに対するｙ軸の電子密度との関係をプロットしたグラフの一例を示している。典型的な先行技術の場合、図２の場合のような接地上部電極またはより高い周波数のＲＦ信号を供給される上部電極に対する電子損失メカニズムは、所与のレベルのＲＦ出力を用いて達成することができると予想されるプラズマ密度を制限する。
【００２８】
図４Ａの場合において、曲線４０４は異なるエネルギー準位の電子の分布を示す。曲線４０４の極大値４０２は、エネルギー準位４０６を有する電子が、密度Ｙ１で最高の電子密度のとなっていることを示す。より高いエネルギー準位を有する電子の分布（例えば図４Ａの点４０６の右側）は、プラズマ処理の間、プラズマチャンバ３０６内において高密度で存在しないことに留意されたい。図４Ｂは、プラズマ処理の間にプラズマチャンバ３０６内でより多くの電子を捕捉するために整流回路３０４が設けられる場合の、様々な電子エネルギー準位を有する電子の電子密度分布のグラフの一例を示す。
【００２９】
図４とは対照的に、より低いエネルギー準位である電子の電子密度、例えば符号４０６で示される電子密度を有する電子は、電子密度Ｙ１からより高い電子密度Ｙ２、即ちライン４５４の最大値４５２に相当する量に増加するする。更に、上部電極３０２をより負にバイアスすることによって、より多くの数の高いエネルギー準位の電子を捕捉することができる。
【００３０】
より高いエネルギーの電子は、別の極大値４６２によって図４Ｂに示されており、これは符号４７０に対応する電子エネルギー準位を有する電子が捕獲または捕捉（トラップ）された電子密度の最大値に対応する。極大値４６２の場合、より低いエネルギーの電子（符号４０６に関するもの）のみがより高密度でチャンバ内に存在するだけではなく、より高いエネルギーの電子（符号４７０に関するもの）もプラズマ処理の間にプラズマ処理チャンバ内により高い電子密度で存在する。これらのより高い電子密度は、ターゲット層に対するエッチング速度を向上するためにプラズマ処理の間により高いプラズマ密度となるように貢献する。図３Ａのプラズマ密度を増加するためのメカニズムは、ＲＦ信号（例えば図３Ａの例にある２メガヘルツのＲＦ信号、２７メガヘルツのＲＦ信号、または６０メガヘルツのＲＦ信号等）に供給されるＲＦ出力の増加を要求しない。結果として、フォトレジスト選択性は、ＲＦ出力レベルを増加することによって達成されるより高いプラズマ密度が影響を受けるほどネガティブな影響を受けない。
【００３１】
上記のことから分かるように、本発明の実施形態は、エッチングの間に過度にフォトレジストに損傷を与えることなく容量結合プラズマ処理チャンバ内のターゲット層全体に亘ってエッチングを改善するためにより高いプラズマ密度を達成する。プラズマ処理チャンバに供給されるＲＦ信号のＲＦ出力レベルを一層増加する必要なしにプラズマ密度を増加させるための機構を提供することによって、プラズマ密度が増加する一方、フォトレジストが現状で保持されるかまたは最小限の影響しか受けない。
【００３２】
本発明はいくつかの好ましい実施形態に関して記載されてきたが、変更、置換および均等物があり、これらは本発明の範囲内である。また、便宜上本願に含まれる発明の名称および要約ならびに要約書は、請求の範囲を解釈するために使用されるべきではない。また、本発明の方法および装置を実施する多くの代替的な方法および装置があることも留意すべきである。様々な実施形態が本明細書において記載されたが、これらの実施例は例示の目的であって、本発明を限定するものではない。従って、添付の請求の範囲は、係る全ての変更、置換および均等物を含み、これらは本発明の真の精神および範囲に含まれると解されるべきである。
【符号の説明】
【００３３】
１００    多重周波数容量結合プラズマ処理システム
１０２，３０６    プラズマチャンバ
１０４，３０２    上部電極
１０６，３１２    下部電極
２０２    高周波ＲＦ信号
３０８    電子
３１０    基板
【図１】
2010515263.tif 000003
【図２】
2010515263.tif 000004
【図３Ａ】
2010515263.tif 000005
【図３Ｂ】
2010515263.tif 000006
【図４Ａ】
2010515263.tif 000007
【図４Ｂ】
2010515263.tif 000008
【国際調査報告】
2010515263.tif 000009
2010515263.tif 000010