(57)【要約】  本発明によるチップは、ビームを放射する領域を備えた少なくとも１つの半導体基体（４）と、半導体基体（４）を電気的に接触接続させるために設けられており、且つビームを放射する領域から横方向において間隔を置いて設けられている少なくとも１つの第１のコンタクト領域（５）と、放射されたビームに対して透過性である、導電性の第１のコンタクト層（１）とを有する。第１のコンタクト層（１）はチップ（１００）のビーム射出側（１０）にある半導体基体（４）の表面（９）を第１のコンタクト領域（５）に接続しており、表面（９）はビームを吸収するコンタクト構造を有していない。
2010519744.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ（１００）において、
ビームを放射する領域を備えた少なくとも１つの半導体基体（４）を有し、
前記半導体基体（４）を電気的に接触接続させるために設けられており、且つ前記ビームを放射する領域から横方向において間隔を置いて設けられている少なくとも１つの第１のコンタクト領域（５）を有し、
放射された前記ビームに対して透過性である、導電性の第１のコンタクト層（１）を有し、該第１のコンタクト層（１）はチップ（１００）のビーム射出側（１０）にある前記半導体基体（４）の表面（９）を前記第１のコンタクト領域（５）に接続しており、前記表面（９）は前記ビームを吸収するコンタクト構造を有していないことを特徴とする、チップ（１００）。
【請求項２】
前記ビーム射出側（１０）における前記第１のコンタクト層（１）は前記ビームを吸収するコンタクト構造を有していない、請求項１記載のチップ（１００）。
【請求項３】
前記第１のコンタクト領域（５）は前記ビームを放射する領域とは空間的に隔てられている、請求項１または２記載のチップ（１００）。
【請求項４】
前記表面（９）の大部分は前記第１のコンタクト層（１）によって覆われている、請求項１から３までのいずれか１項記載のチップ（１００）。
【請求項５】
前記第１のコンタクト層（１）は主放射方向においてチップ（１００）と外部との境界をなす層を形成する、請求項１から４までのいずれか１項記載のチップ（１００）。
【請求項６】
前記第１のコンタクト層（１）はＴＣＯを含有する、請求項１から５までのいずれか１項記載のチップ（１００）。
【請求項７】
前記第１のコンタクト領域（５）はボンディングパッドまたはコンタクトフィンガである、請求項１から６までのいずれか１項記載のチップ（１００）。
【請求項８】
前記第１のコンタクト領域（５）は金属から構成されている、請求項１から７までのいずれか１項記載のチップ（１００）。
【請求項９】
前記第１のコンタクト領域（５）および前記半導体基体（４）は共通の支持体（６）上に配置されている、請求項１から８までのいずれか１項記載のチップ（１００）。
【請求項１０】
第２のコンタクト層（２）を有し、該第２のコンタクト層（２）は前記半導体基体（４）を、該半導体基体（４）の電気的な接触接続のための第２のコンタクト領域（３）に接続する、請求項１から９までのいずれか１項記載のチップ（１００）。
【請求項１１】
前記第２のコンタクト領域（３）は前記支持体（６）上に設けられている、請求項９または１０記載のチップ（１００）。
【請求項１２】
前記第１のコンタクト領域（５）は前記支持体（６）から垂直方向に見て前記第２のコンタクト領域（３）の後方に配置されている、請求項１１記載のチップ（１００）。
【請求項１３】
前記第２のコンタクト領域（３）は金属から構成されている、請求項１０から１２までのいずれか１項記載のチップ（１００）。
【請求項１４】
前記第２のコンタクト領域（３）は反射層である、請求項１３記載のチップ（１００）。
【請求項１５】
前記第２のコンタクト層（２）は前記半導体基体（４）と前記第２のコンタクト領域（３）との間に配置されており、前記第２のコンタクト領域（３）と共にミラーを形成する、請求項１４記載のチップ（１００）。
【請求項１６】
前記第２のコンタクト層（２）は放射されたビームに対して透過性である、請求項１０から１５までのいずれか１項記載のチップ（１００）。
【請求項１７】
前記第２のコンタクト領域（２）はＴＣＯを含有する、請求項１０から１６までのいずれか１項記載のチップ（１００）。
【請求項１８】
前記第１のコンタクト領域（５）と前記第２のコンタクト領域（３）との間には絶縁層（８）が配置されている、請求項１０から１７までのいずれか１項記載のチップ（１００）。
【請求項１９】
第１の半導体基体および第２の半導体基体を有し、該第１の半導体基体および該第２の半導体基体は横方向において間隔を置いて配置されており、該第１の半導体基体と該第２の半導体基体との間には１つの第１のコンタクト領域（５）が配置されている、請求項１から１８までのいずれか１項記載のチップ（１００）。
【請求項２０】
中央に貫通部（１１）を備えた半導体基体（４）を有し、前記貫通部（１１）内に前記第１のコンタクト領域（５）が配置されている、請求項１から１８までのいずれか１項記載のチップ（１００）。
【請求項２１】
薄膜発光ダイオードチップである、請求項１から２０までのいずれか１項記載のチップ（１００）。
【請求項２２】
前記薄膜発光ダイオードチップのエピタキシ層列（１２）は最大で２μｍ、有利には１μｍの厚さを有する、請求項２１記載のチップ（１００）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ビームを放射するために設けられているチップに関する。殊にチップはビーム射出側の表面にワイヤを使用しないコンタクトを有する。
【０００２】
本願は、ドイツ連邦共和国特許出願第102007008524.0号の優先権を主張するものであり、その開示内容は参照により本願に含まれるものとする。
【０００３】
前述のオプトエレクトロニクス素子、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）は通常の場合、対向する２つのコンタクト面を有し、一方のコンタクト面が導電性の支持体上、例えばチップケーシングの金属化層が設けられている領域上に実装されることが多い。
【０００４】
他方のコンタクト面の電気的なコンタクトは従来ではボンディングワイヤによって製造される。ボンディングワイヤと、接触接続すべきチップ表面との間に導電性の接続部を形成するために、チップ表面の領域には金属層、いわゆるボンディングパッドが設けられる。しかしながらこの金属層は光学的に透明ではなく、それによってチップ内で生成された光の一部が吸収されるという欠点を有する。しかしながらボンディングパッドの面積を低減することは技術的に非常に制限的にしか実現できず、また製造コストを高くする。
【０００５】
ビームを出力結合させるために設けられている、オプトエレクトロニクス素子の表面の一部が遮蔽されるという問題を回避するために、JP 09283801 Aからは、半導体チップの表面に配置されている電極を、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）から成る導電性で透過性の層とワイヤを使用せずに接触接続させることが公知である。半導体チップの側縁は、ＳｉＯ2から成る絶縁層によって導電性で透過性の層から電気的に絶縁される。
【０００６】
本発明の基礎とする課題は、チップのビーム射出側に配置されている、半導体基体の表面の遮蔽に関する問題をさらに軽減するチップを提供することである。
【０００７】
この課題は、請求項１記載のチップによって解決される。本発明の有利な実施形態および構成は従属請求に記載されている。
【０００８】
本発明によるチップは、ビームを放射する領域を備えた少なくとも１つの半導体基体を有し、またこのチップは、半導体基体を電気的に接触接続させるために設けられており、且つビームを放射する領域から横方向において間隔を置いて設けられている少なくとも１つの第１のコンタクト領域を有し、さらにこのチップは、放射されたビームに対して透過性である、導電性の第１のコンタクト層を有し、この第１のコンタクト層はチップのビーム射出側にある半導体基体の表面を第１のコンタクト領域に接続している。ここで、前述の表面はビームを吸収するコンタクト構造を有していない。
【０００９】
有利には、ビーム射出側における第１のコンタクト層はビームを吸収するコンタクト構造を有していない。
【００１０】
本願明細書において、コンタクト構造とは殊に金属性のコンタクト領域、例えばコンタクトウェブまたはボンディングパッドの形のコンタクト領域であると解される。したがって第１のコンタクト層はコンタクト構造ではない。チップのビーム射出側にビームを吸収するコンタクト構造が設けられていないことにより、このチップによって放射することができるビームが有利には高められている。さらに有利には、ビーム射出側の表面においては遮蔽の原因となり、ビーム射出側の表面に配置されているボンディングパッドを端子領域と接続するボンディングワイヤを省略することができる。このことは、ボンディングパッドもボンディングワイヤも第１のコンタクト層により代替されることによって実現される。もちろん本発明においては、ワイヤ接続によるチップの電気的な接続は排除されていない。第１のコンタクト領域を例えばボンディングワイヤによって電圧源と電気的に接続することができる。
【００１１】
ビームを放射する領域はビームを生成するｐｎ接合部を有する。このｐｎ接合部を最も簡単な場合には、相互に直接的に接するｐ導電型の半導体層とｎ導電型の半導体層とによって形成することができる。有利には、ｐ導電型の活性層とｎ導電型の活性層との間に、例えばドーピングされた量子層またはドーピングされていない量子層の形で、本来のビーム生成層が形成されている。量子層を単一量子井戸構造（SQW, Single Quantum Well）または多重量子井戸構造（MQW, Multiple Quantum Well）または量子線または量子点構造として形成することができる。
【００１２】
チップの有利な実施形態においては、第１のコンタクト領域はビームを放射する領域とは空間的に隔てられている。殊に、ビームを放射する領域も、その他の半導体層も第１のコンタクト領域まで延びていない。仮に第１のコンタクト領域にまで延びているとしたら、ビーム吸収性の第１の半導体層の直下でビームの生成を阻止するために、有利には半導体層が第１のコンタクト領域への移行部において、例えば分断接合部によって分断されている。
【００１３】
第１のコンタクト領域はチップの主放射路内に配置されているので、光学的な特性を殊に考慮することなく、したがって主として比較的良好な導電性ないし電流分布の観点のもとで第１のコンタクト領域を形成することができる。有利には、本発明によるチップにおいては、電気的なコンタクトの改善と同時にビームの放射も改善することができる。
【００１４】
有利な実施形態においては、表面の大部分が第１のコンタクト層によって覆われている。このことは、表面が完全に、またはほぼ完全に第１のコンタクト層によって覆われていることを意味する。表面がほぼ完全に覆われている場合には、殊に１つの絶縁層を設けることができ、この絶縁層は例えば表面において縁部に配置されており、また必要に応じて全ての縁部に配置されている。
【００１５】
殊に有利な実施形態によれば、第１のコンタクト層は主放射方向においてチップと外部との境界をなす層を形成する。有利には、第１のコンタクト層はＴＣＯ（透明導電性酸化物：Transparent Conductive Oxide）を含有する。ＴＣＯを例えば半導体基体上にスパッタリングまたは蒸着させることができる。ＴＣＯは透明な導電性の材料であり、通常の場合、例えば酸化亜鉛、酸化スズ、酸化カドミウム、酸化チタン、酸化インジウムまたはインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）などの金属酸化物である。ＺｎＯ，ＳｎＯ2またはＩｎ2Ｏ3などの２成分の金属酸素化合物のほか、Ｚｎ2ＳｎＯ4，ＣｄＳｎＯ3，ＺｎＳｎＯ3，ＭｇＩｎ2Ｏ4，ＧａＩｎＯ3，Ｚｎ2Ｉｎ2Ｏ5またはＩｎ4Ｓｎ3Ｏ12などの３成分の金属酸素化合物や、種々の透過性の導電性酸化物の混合物もＴＣＯ群の材料に属する。さらに、ＴＣＯは必ずしも化学量論的な組成に相応することはなく、ｐ型またはｎ型にドーピングとすることもできる。このことは殊に、第１の導電型の第１のコンタクト層に対しても第２の導電型の第２のコンタクト層に対してもＴＣＯが使用される場合である。例えば、第１のコンタクト層のＴＣＯをｐ型にドーピングすることができ、他方では第２のコンタクト層のＴＣＯをｎ型にドーピングすることができる。
【００１６】
有利な実施形態によれば、第１のコンタクト領域はボンディングパッドまたはコンタクトフィンガである。殊に有利には、第１のコンタクト領域が金属、例えばＡｕを含有する。有利には、第１のコンタクト領域が殊に９０％にもなる比較的高い反射率を有する。ボンディングパッドの近傍に由来する光線が約５０％の確率で吸収される従来のチップと比較して、第１のコンタクト領域に由来するビーム損失は比較的小さい。比較的高い反射率を総じて、第１のコンタクト領域と半導体基体との間の間隔形成、材料の適切な選択および第１のコンタクト領域の形状、例えばプリズム状の形状によって達成することができる。
【００１７】
殊に有利な実施形態によれば、第１のコンタクト領域および半導体基体が共通の支持体上に配置されている。支持体を用いることによりチップの安定性が有利には高められ、このことは例えばチップの処理を容易にする。
【００１８】
有利なバリエーションにおいては、チップが第２のコンタクト層を有し、この第２のコンタクト層は半導体基体を、この半導体基体の電気的な接触接続のための第２のコンタクト領域に接続する。第２のコンタクト層は同様に、ワイヤを使用しない半導体基体の接触接続を実現する。導電性の接着剤によって半導体基体を機械的にも電気的にも第２のコンタクト領域と接続させることができる。
【００１９】
有利には、第２のコンタクト領域は支持体上に設けられている。殊に有利には、少なくとも１つの半導体基体が支持体上に実装される前に、第２のコンタクト領域が支持体に形成される。好適には、第２のコンタクト領域が金属により構成されている。殊に第２のコンタクト領域はＡｕ，Ａｌ，Ａｇ，ＡｕＺｎを含有することができる。この種の材料は殊に、反射層としての第２のコンタクト領域の形成に適している。
【００２０】
有利な実施形態によれば、第２のコンタクト領域は射出されるビームを主放射方向に向かって放射させることに適している反射層である。したがってチップから放射されるビームを高めることができる。
【００２１】
別の有利な実施形態によれば、第１のコンタクト領域は支持体から垂直方向に見て第２のコンタクト領域の後方に配置されている。
【００２２】
本明細書において、主放射方向および垂直方向とは成長方向に平行に延在する方向を表し、その方向において半導体基体の半導体層が成長されている。
【００２３】
有利には、第２のコンタクト層は半導体基体と第２のコンタクト領域との間に配置されており、また第２のコンタクト領域と共にミラーを形成する。殊に、第２のコンタクト層は放射されるビームに対して透過性である。第２のコンタクト層を通過するビームを反射層において反射させることができる。例えば、第２のコンタクト層はＴＣＯを含有することができる。第１のコンタクト層と第２のコンタクト層に対して同一の材料が使用される場合には、半導体基体を完全にこの材料内、殊にＴＣＯ内に埋込むことができる。
【００２４】
短絡を阻止するために、第１のコンタクト領域と第２のコンタクト領域との間に絶縁層を配置することができる。付加的に、絶縁層は有利には、半導体基体のｐ導電型の領域とｎ導電型の領域との間の短絡が阻止されるように配置されている。この場合、絶縁層の一部を半導体基体の側面に設けることができる。絶縁層のための適切な材料は例えば窒化ケイ素または酸化ケイ素である。
【００２５】
第１のバリエーションにおいては、チップは少なくとも１つの第１の半導体基体および少なくとも１つの第２の半導体基体を有し、これらの半導体基体は横方向において相互に間隔を置いて配置されており、その間には第１のコンタクト領域が配置されている。この配置構成は殊にチップが比較的大きい場合、有利には約４００μｍよりも長い縁を有するチップにおいて有利である。何故ならば、コンタクト格子の形で配置されている第１のコンタクト領域によって十分な電流分布が実現されるからである。
【００２６】
第２のバリエーションにおいては、チップが中央に貫通部を備えた半導体基体を有し、前述の貫通部内に第１のコンタクト領域が配置されている。この構成は比較的小さいチップ、有利には縁の長さが約４００μｍまでのチップに適している。
【００２７】
有利な実施形態においてはチップが薄膜発光ダイオードチップである。薄膜発光ダイオードチップは殊に以下の特徴の内の少なくとも１つを有する：
−ビームを形成するエピタキシ層列の支持体側の主面には反射層が被着または形成されており、この反射層はエピタキシ層列内で形成された電磁ビームの少なくとも一部をこのエピタキシ層列に戻るよう反射させる；
−エピタキシ層列は２０μｍまたはそれ以下の範囲、殊に１μｍ〜２μｍの範囲の厚さを有する；
−エピタキシ層列は混合構造を有する少なくとも１つの面を備えた少なくとも１つの半導体層を包含し、理想的な場合にはこの面によりエピタキシ層列内にほぼエルゴード的な光分布が生じる。すなわち、この光分布は可能な限りエルゴード的な確率分散特性を有する。
【００２８】
薄膜発光ダイオードチップの原理は、例えばI. Schnitzer等によるAppl. Phys. Lett. 63 (16), 18. Oktober 1993, 2174-2176に記載されており、その開示内容は参照により本明細書の引用文献とする。
【００２９】
薄膜発光ダイオードチップは良好な近似ではランベルト表面放射器であり、したがって投光器への使用に殊に良好に適している。
【００３０】
半導体基体はリン化物化合物半導体を基礎とする層を有することができる。本発明との関連において「リン化物化合物半導体を基礎とする」とは、そのような特徴を有する構成素子または構成素子の一部が有利にはＡｌｎＧａｍＩｎ1-ｎ-ｍＰ（但し０≦ｎ≦１，０≦ｍ≦１，且つｎ＋ｍ≦１）を含有することを意味している。その際、この材料は必ずしも上述の式に従った数学的に正確な組成を有していなくてもよい。むしろこの材料は、その物理特性を実質的に変化させない１つまたは複数のドーパントならびに付加的な構成要素を含有していてもよい。しかしながら分かり易くするために、僅かな量の他の材料によって部分的に置換されている可能性があるにしても、上述の式には結晶格子（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｐ)の主要な構成要素のみが含まれている。
【００３１】
択一的に、半導体基体は窒化物化合物半導体を基礎とする層を有することができる。本発明との関連において「窒化物化合物半導体を基礎とする」とは、エピタキシ層列またはこのエピタキシ層列の内の少なくとも１つの層が窒化物ＩＩＩ／Ｖ属化合物半導体材料、有利にはＡｌｎＧａｍＩｎ1-ｎ-ｍＮ（但し０≦ｎ≦１，０≦ｍ≦１，且つｎ＋ｍ≦１）を含有することを意味している。その際、この材料は必ずしも上述の式に従った数学的に正確な組成を有していなくてもよい。むしろこの材料は、ＡｌnＧａmＩｎ1-n-mＮ材料の特徴的な物理特性を実質的に変化させない１つまたは複数のドーパントならびに付加的な構成要素を含有していてもよい。しかしながら分かり易くするために、僅かな量の他の材料によって部分的に置換されている可能性があるにしても、上述の式には結晶格子（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｎ）の主要な構成要素のみが含まれている。
【００３２】
薄膜発光ダイオードチップのエピタキシ層列は殊に、窒化物化合物半導体を基礎とする材料を使用する際に１μｍよりも薄い厚さを有する。
【００３３】
有利には、本願発明におけるチップでは半導体基体内に電流拡散層は必要ない。何故ならば、第１のコンタクト層によって十分な電流拡散が実現されるからである。したがって、最大で２μｍの厚さを有するエピタキシ層列を形成することができる。
【００３４】
チップのビーム強度の更なる改善は、半導体基体のビーム射出側に配置されている表面が出力結合素子を有することによって達成される。例えば、表面を粗くすることができ、マイクロプリズムまたはフォトニック結晶を有することができる。
【００３５】
以下では本発明を図１から図５に示された５つの実施例に基づき詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明によるチップの第１の実施例の概略的な断面図を示す。
【図２】本発明によるチップの第２の実施例の概略的な断面図を示す。
【図３】本発明によるチップの第３の実施例の概略的な断面図を示す。
【図４】本発明によるチップの第４の実施例の概略的な断面図を示す。
【図５】本発明によるチップの第５の実施例の概略的な断面図を示す。
【００３７】
同一また同様に作用する構成要素には図面において同一の参照番号が付されている。
【００３８】
図１における概略図はチップ１００の断面を示したものであり、この断面はチップ１００の側面に対して平行に延在している。チップ１００は別個の複数の半導体基体４を有し、これらの半導体基体４は支持体６上に規則的に配置されている。有利には、半導体基体４はマトリクスパターンを形成し、このマトリクスパターンはここでは３つの行および３つの列から構成されている。殊にチップが比較的大きい場合、有利には縁の長さが約４００μｍよりも長いチップの場合には、複数の半導体基体への分割は適切である。何故ならば、この構成では複数の第１のコンタクト領域５が用いられることによって、チップ１００内に有利には均一な電流分布が実現されるからである。
【００３９】
各半導体基体４は２つの第１のコンタクト領域５の間に配置されている。殊に、第１のコンタクト領域５はコンタクトフィンガであり、それらのコンタクトフィンガは直線状に前述の列および行に沿って延在しており、それらの行列間に半導体基体４が配置されている。つまり、第１のコンタクト領域５はコンタクト格子を形成し、このコンタクト格子によりチップ１００内の有利な電流分布が得られる。第１のコンタクト領域５は有利には金属から構成されており、ここでは有利な導電性および有利な反射率を有する金属、例えばＡｕが適している。第１のコンタクト領域５は給電の他に射出されたビームの反射にも適している。殊に、射出されたビームが、図１において矢印によって示唆されている主放射方向に偏向される。このような偏向を第１のコンタクト領域５の斜めに延びる側面によって達成することができる。図１に示されているように、第１のコンタクト領域５の断面形状は台形でよい。
【００４０】
半導体基体４および第１のコンタクト領域５は第１のコンタクト層１内に埋込まれている。第１のコンタクト層１は導電性であり、半導体基体４の活性領域から放射されたビームに対して透過性である。第１のコンタクト層１に適した材料は例えばＴＣＯである。第１のコンタクト層１はチップ１００のビーム射出側１０にある半導体基体４の表面９を完全に覆い、またビーム吸収性のコンタクト構造が表面９に設けられているので、半導体基体４は表面９が遮蔽されることなく電気的に接続されている。半導体基体４の側面は第１のコンタクト層１によって覆われてはいるが、側方のコンタクトの質は半導体基体４の動作に関して十分に機能するほどのものではないので短絡の虞はない。
【００４１】
第１のコンタクト領域５は絶縁層８上に配置されており、この絶縁層８は第１のコンタクト領域５を第２のコンタクト領域３から電気的に絶縁している。さらに、第１のコンタクト層１は絶縁層８によって第２のコンタクト層２から電気的に絶縁されている。絶縁層８は例えば窒化ケイ素または酸化ケイ素を含有し、またこの実施例においては、半導体基体４と第２のコンタクト領域３との間の領域に実質的に絶縁層８が存在しないように構造化されている。この領域には第２のコンタクト層２が配置されており、この第２のコンタクト層２によって半導体基体４は第２のコンタクト領域３と電気的且つ機械的に接続されている。有利には、第２のコンタクト層２は半導体基体４によって生成されたビームに対して透過性であり、また殊に有利にはＴＣＯを含有する。この特性によって、第２のコンタクト層２は第２のコンタクト領域３と共に殊に１つのミラーを形成するので、射出されるビームが高い確率で主放射方向に反射される。
【００４２】
第２のコンタクト領域３は、支持体６の半導体基体４側の表面を完全に覆う。有利には、第２のコンタクト領域３は金属または金属化合物、例えばＡｕ、Ａｌ、ＡｇまたはＡｕＺｎを含有する。
【００４３】
図示されている実施例においては、チップ１００は裏面コンタクト７によって電気的に接続可能である。支持体６は導電性の材料、例えば金属または半導体を含有する。
【００４４】
半導体基体４は薄膜半導体基体であり、この薄膜半導体基体では成長基板を完全に、または僅かに残る程度にまで剥離することができる。したがって、半導体基体４はビームを放射する領域ならびにｎ導電型の被覆層およびｐ導電型の被覆層を有し、これらはエピタキシャル層列１２の一部であるか、エピタキシャル層列１２を形成する。エピタキシャル層列１２の厚さは最大で２μｍである。第１のコンタクト層１に基づいて半導体基体４内には電流拡散層が設けられないので、厚さをそのように薄く維持することができる。
【００４５】
図２に示されているチップ１００においては、半導体基体４がＴＣＯに埋込まれている。半導体基体４を一緒に包囲している第１のコンタクト層１および第２のコンタクト層２は絶縁層８によって相互に電気的に絶縁されている。
【００４６】
この実施例においては、半導体基体４の側面がコンタクト層１ではなく、絶縁層８によって覆われている。したがって有利には、側方の接触接続が遮断されている。
【００４７】
半導体基体４は非導電性の支持体６上に配置されている。例えば、支持体６はチップ１００を冷却するために比較的高い熱伝導性を有するセラミック材料を含有することができる。支持体側において電気的な端子は裏面コンタクトによってではなく、有利には電気的に絶縁されたコンタクトフィンガによって実現されており、このコンタクトフィンガは第２のコンタクト領域３と同一平面に配置されており、この第２のコンタクト領域３と電気的に接続されている。
【００４８】
第２のコンタクト領域３と接続されているコンタクトフィンガおよび第１のコンタクト領域５にはそれぞれ１つのボンディングワイヤをボンディングすることができ、それらのボンディングワイヤはエネルギ供給部の異なる極に接続されている。
【００４９】
第２のコンタクト領域３は図１および図２の実施例において、支持体６の表面に均一な厚さで設けられている層であるが、図３に示されているチップ１００の第２のコンタクト領域３は凹部および凸部を有する。凹部の側面も同時に形成している凸部の側面は斜めに延びている。殊に、凸部はマイクロプリズムとして構成されており、このマイクロプリズムは有利にはビームの出力結合を改善する。凹部には半導体基体４が嵌め込まれており、半導体基体４と第２のコンタクト領域３との間の直接的な接触は絶縁層８によって阻止される。絶縁層８は凸部を覆ってはいるが、凹部の底部は覆っていない。これによって半導体基体４と第２のコンタクト領域３との間に生じる中空部は第２のコンタクト層２によって充填されている。
【００５０】
第１のコンタクト領域５は垂直方向に見て凸部の後段に配置されている。第１のコンタクト領域５は第１のコンタクト層１内に埋込まれている。第１のコンタクト層１はチップ１００と外部の境界をなす層である。
【００５１】
図４に示されている実施例においては、第２のコンタクト領域３も第２のコンタクト層２も構造化されていない層である。したがって、図１から図３に示した実施例とは異なり、第２のコンタクト領域３および第２のコンタクト層２によって形成されるミラーも同様に構造化されていない。この実施形態においては、構造化のステップが省略されるので、製造コストが有利には低減されている。
【００５２】
半導体基体４は均等な厚さの第２のコンタクト層２上に配置されている。絶縁層８は第２のコンタクト層２および半導体基体４を覆うが、半導体基体４の表面９においてのみ遮断されているので、この表面９は第１のコンタクト層１によってほぼ完全に覆われる。半導体基体４の間に存在する溝、また同様にその縁では、第１のコンタクト領域５が第１のコンタクト層１に取り付けられている。この実施例において第１のコンタクト層１はカバー層を形成していないにもかかわらず、チップ１００はビーム射出側１０において張り出した構成要素を有していない。このことは、第１のコンタクト領域５が溝に埋められていることによって達成される。
【００５３】
図５はチップ１００のバリエーションを示し、このチップ１００は図１から図４に示した実施例のチップとは大きさが異なる。この設計はより小さいチップ、殊に縁の長さが４００μｍ以下のチップに適している。チップ１００は貫通部１１を備えたワンピースの半導体基体４を有する。貫通部１１は有利には中央に配置されているので、貫通部１１内に配置されている第１のコンタクト領域５を用いることにより、半導体基体４の等方性の通電が実現される。第１のコンタクト領域５の下方においては、前述の実施例と同様に、ビーム放射に適した半導体層は設けられていないので、第１のコンタクト領域５はチップ１００の主放射路内に配置されておらず、したがって遮蔽は生じない。さらに、第１のコンタクト領域５によって実質的にビームが低減されることを懸念する必要はない。何故ならば、コンタクト領域５を用いることによって、射出される光線は主放射方向に偏向されるか、半導体基体４に戻され、この半導体基体４から光線が再び出力結合されるからである。
【００５４】
貫通部１１は絶縁層８によって覆われており、この絶縁層８は半導体基体４の表面９にまで延在している。しかしながら表面９の大部分は第１のコンタクト層によって覆われている。さらに第１のコンタクト層１は絶縁層８を覆い、また第１のコンタクト領域５の下側の部分を包囲する。
【００５５】
本発明は実施例に基づいた説明に制限されるものではない。むしろ本発明はあらゆる新規の特徴ならびにそれらの特徴のあらゆる組み合わせを含むものであり、これには殊に特許請求の範囲に記載した特徴の組み合わせ各々が含まれ、このことはそのような組み合わせ自体が特許請求の範囲あるいは実施例に明示的には記載されていないにしてもあてはまる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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