(57)【要約】  本発明は、高密度の情報の書き込みおよび光学的な読み取りに関する。  読み取りレーザビームの中心におけるより高いエネルギー密度を、活性層のエネルギー構造の変更に使用して、表面プラズモンを担持できるようにする。そのように変更されたレーザビームと活性層との結合が、誘電体層と活性層との間の界面において表面プラズモンを励起し得る。これらの表面プラズモンは、非常に寸法が小さくかつ光学的記憶媒体（１０）に書き込まれた物理的なマークによって妨害される；これらの妨害は、検出器（２２）によって検出可能なリモートフィールド光応答を生成する。この操作を超解像によって行い、表面プラズモンは、レーザビームの中心においてのみ生じ、周辺では生じない。それゆえ、光学式読み取り装置の理論的な解像度よりも小さい寸法のマークを書き込みかつ再び読み取ることが可能である。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高密度記憶媒体に書き込まれた情報の読み取りの光学的方法において、
−一方では、前記記憶媒体に書き込まれた前記情報が、第１の取り得る電子エネルギー状態および第２の取り得る電子エネルギー状態を有する活性層（４２）によって覆われており、前記層は、前記第２の状態においてのみ、読み取りレーザビームによる照射によって生成される表面プラズモンを担持可能であり、この活性層が透明な誘電体層（４４）によって覆われていること、
−他方では、前記光学的な読み取りが、レーザ光源（１２）、集束光学系（２０）および集束されたビームの偏光手段（１６、１８）を使用して行われ、前記集束されたレーザビームの中心にある小さなゾーンのパワー密度が、前記活性層を前記第１の状態から前記第２のエネルギー状態に変化させて、表面プラズモンを担持できるようにするのに十分であることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記偏光手段（１６、１８）が、ＴＭが支配的な偏光モードの前記レーザビームを提供することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記偏光手段が、円偏光の前記レーザビームを提供する基準の向きに対してゼロ度ではない角度αに向けられた４分の１波長複屈折板（１８）を含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記角度αが２５°〜３５°であることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記活性層が、金、銀またはプラチナでドープされたアンチモン化インジウム製であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の読み取り方法。
【請求項６】
ドーピングが原子比で０．０００１％〜５％であることを特徴とする請求項５に記載の読み取り方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法を使用して読み取られることを意図する光学的記憶媒体において、物理的なマークが形成される基板（４０）を含み、前記マークは活性層（４２）および誘電体層（４４）によって覆われ、前記活性層が、第１の取り得る電子エネルギー状態および第２の取り得る電子エネルギー状態を有する材料で作製され、前記層は前記第２の状態においてのみ、読み取りレーザビームによる照射によって生成された表面プラズモンを担持可能であることを特徴とする記憶媒体。
【請求項８】
前記活性層が、原子比約０．０００１％〜５％で、金、銀またはプラチナでドープされたアンチモン化インジウム製であることを特徴とする請求項７に記載の記憶媒体。
【請求項９】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法を実行するための、情報を光学的に読み取るための装置において、レーザ光源（１２）、集束光学系（２０）および集束されたビームの偏光手段（１６、１８）を含み、前記集束されたレーザビームの中心における小さなゾーンのパワー密度が、前記記憶媒体の活性層をその第１のエネルギー状態から前記第２のエネルギー状態に変化させて表面プラズモンを担持できるようにするのに十分であり、前記偏光手段が前記レーザビームを、ＴＭの支配的なモードに偏光させることが可能であることを特徴とする装置。
【請求項１０】
前記偏光手段が、直線偏光プリズム（１６）と、前記プリズムの下流に、前記プリズムを出射する前記レーザビームを円偏光する基準の向きに対して、約２５〜３５°の角度だけ回転された４分の１波長複屈折板（１８）とを含むことを特徴とする請求項９に記載の光学式読み取り装置。
【請求項１１】
前記偏光手段が、直線偏光プリズムと、通過するレーザビームの一部に、ＴＭの支配的な偏光を与えるように向けられた一組の並置の複屈折４分の１波長板とを含むことを特徴とする請求項９に記載の光学式読み取り装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高密度の情報の書き込みおよび光学的な読み取りに関する。
【背景技術】
【０００２】
光ディスクに書き込まれる情報密度を高めようとするとき、一般的に、これは情報を読み取る装置の性能によって制限される。基本的な原理は、ディスクに書き込まれた物理的情報の寸法が、その情報の読み取りに使用される光学系の解像限界よりも下回ると、読み取りが非常に困難になることである。一般に、波長６５０ｎｍの赤色レーザおよび開口数０．６で読み取る場合、０．４マイクロメートル未満、または少なくとも０．３マイクロメートルの寸法を有する情報を正確に読み取りたいと願うことは、通常不可能である。波長４００ｎｍの青色レーザでは、０．２マイクロメートル未満または０．３マイクロメートル未満の寸法を有するマークを読み取ることは不可能であろう。
【０００３】
しかしながら、超解像法と呼ばれる方法が、波長よりも物理的寸法が小さいまたは非常に小さい情報の読み取りに想定されてきた。これらの方法は、ある種の材料の非線形光学的性質に基づいている。非線形の性質とは、材料のある種の光学的性質が、それら材料が受光する光の強度に応じて変化するという事実を意味すると理解されている。この変化の直接的な原因は、この照明による熱加熱であるとすることができる：読み取りレーザスポットの寸法未満の寸法に熱的、光学的、熱光学的および／または光電子的な影響を及ぼすことによって材料の光学的性質を局所的に変更させるのは、読み取りレーザ自体である；性質が変化するため、この非常に小さい体積に存在する光学情報の項目が検出可能となる一方、この変化がない限り、検出可能とはならない。
【０００４】
使用される事象は、主に、以下のように使用される読み取りレーザの２つの性質に基づく。
−一方では、レーザが非常に強力に集束されて、（波長オーダーの）極く微小の横断面となるが、そのパワー分布はガウス分布であり、その中心において非常に強力であり、かつ周辺部分では非常に減衰されている、および
−他方では、読み取りレーザ出力を、ビームの中心における横断面の小部分にわたるパワー密度が層の光学的性質を著しく変更させる一方、横断面のこの小部分以外のパワー密度はこの光学的性質を著しく変更しないように、選択する；この変更がなければ読み取ることができない情報の項目を読み取ることができるように、光学的性質を変更させる。
【０００５】
例えば、変化する光学的性質は、光ディスクに形成された物理的なマークによって構成されたビットの読み取りがこの物理的なマークまでレーザビームを透過させることを必要とする場合、光透過量の増加である。そのとき、物理的なマークに向かうビームの経路に非線形層を介在させる。レーザビームの中心光は、層を通過する際に入射光の強度によって層をより透明にするため、層を通過してマークまで到達することができる一方、ビームの周辺光は、層の屈折率（ｏｐｔｉｃａｌ  ｉｎｄｉｃｅｓ）を十分に変更させてより透明となるようにはしないため、周辺は通過しない。その波長によって可能な直径よりもはるかに小さい直径に集束したビームが使用された場合に、全てのことが起こる。
【０００６】
これらの原理を実現化するための様々な理論的な提案がなされているが、工業的な発展に至ったものはない。米国特許第５  １５３  ８７３号明細書ではこの理論が精査されている。ＥＰ第１４９２１０１号明細書には、相変化材料を含む特定の積層体を伴う金属ナノ粒子で構成された超解像層が説明されている。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、超解像効果を得るために別の現象を使用することができることが見出された。その概念は、レーザビームの中心におけるより高いエネルギー密度を使用して、活性層のエネルギー構造を、表面プラズモンを支援することができるように変更させるというものである。そのように変更された、レーザビームと活性層との結合は、誘電体層と活性層との間の界面における表面プラズモンを励起し得る。
【０００８】
表面プラズモンは、電磁励起の存在下で特定の材料と誘電体層との間の界面に生じる近接場の波であることを思い出されたい；例えば光波による励起は、材料（一般に金属でドープされた半導体）が適切なエネルギー構造を有する場合に、その材料の電子エネルギーレベルに作用する。これらの表面波の伝播距離は数十ナノメートルオーダーと短い。そのような層が情報記憶媒体中の物理的なマークと関連付けられる場合、表面波はこれらのマークによって妨害され、それらは光ビームと相互作用して、リモートフィールド光信号を読み取り装置の検出器に戻し、それによりこの情報を読み取ることができるようにする
【０００９】
記憶媒体の物理的なマークによって変調された、そのように光リターン信号を強める表面プラズモンを生じるために、読み取りレーザビームにＴＭの支配的モードの楕円偏光が与えられ、レーザビームによって照射される領域において表面プラズモンの励起が有利に働くようにする。
【００１０】
各物理的なマークの性質は異なり得る。ほとんどの場合、それらは平らな基板の中空および突起によって構成されるが、層の屈折率の局所的な変化によって、または材料の相変化（例えば結晶ゾーンおよび非結晶ゾーン）によって構成されることもある。
【００１１】
それゆえ、記憶媒体の構造は、一方では、情報を有する物理的なマークを担持する基板を含み、他方では、この基板上に、表面プラズモンを担持可能な活性層およびそれを覆う透明な誘電体層を含む必要がある。
【００１２】
表面プラズモンを担持する層は、プラズモンが励起され得るという意味で超解像活性層であり、そのプラズモンの励起は、層のエネルギー構造がエネルギーの寄与によって変更される場合にのみ起こり、かつそれは、パワー密度がこのエネルギーの寄与を発生させるのに十分であるレーザビームの中心の小さなゾーンにおいてのみである。それゆえ、表面プラズモンは、層を照射するレーザスポットの寸法よりも小さい寸法を有するゾーンにのみ生じ得る。これにより、光学式読み取り装置の解像度よりも小さい寸法を有するマークの読み取りを可能となる。
【００１３】
表面プラズモンを励起させる可能性は、活性層の屈折率を局所的に変更することによって与えられる。実際、表面プラズモンの励起を生じるために、層は、屈折率がレーザスポットによって変更される箇所で（レーザスポットの中心において）その複素屈折率ｎ＋ｉ．ｋが、条件ｋ２−ｎ２を正とし、さらに数量ｋ２−ｎ２が数量ｋ０２−ｎ０２よりも大きくなる（ここで（ｎ０，ｋ０）は、レーザビームの中心の外側の層の材料の複素屈折率である）ことを満たす必要があり、その箇所では、表面プラズモンが励起され得ない。
【００１４】
この屈折率の条件は、層を読み取りレーザの焦点スポットよりも小さい大きさの非常に狭い面積で局所的に表面プラズモンを担持するのに好適な状態にできる；それゆえ、材料と、ＴＭの支配的モードに偏光されたレーザビームの入射光波との間の相互作用により、プラズモンが非常に狭い面積で励起され得る。
【００１５】
これらのプラズモンが存在しない場合には、光学式読み取り装置の解像度限界よりも小さいマークは、ビームを回折させ、そのため入射光ビームの一部を、リモートフィールドに伝播できずかつそのために検出できないエバネッセント波に変換する。超解像活性層と、それを覆う誘電体層（透明）との間の界面におけるレーザの焦点スポットの中心において横方向に局在されたプラズモンの励起が存在する場合には、プラズモンと、小さなマークによる回折から生じるエバネッセント波との間に局所的な結合がある；この結合によって、光のリモートフィールド回折が発生し、従って、そうでなければ重要な信号を全く受信しなかった検出器に、追加的な信号を伝える。
【００１６】
表面プラズモンを正しく励起させることを目的として、ＴＭの支配的な楕円偏光を得るために、読み取り装置において、レーザビームの集束レンズと、記憶された情報を被覆する表面との間に４分の１波長板を介在させることが提供される。４分の１波長板の向きを、ＴＥ成分とＴＭ成分とが等しい円偏光を確立するようにする従来の方法とは異なって、ＴＭの支配的な偏光を確立するように、選択する。４分の１波長板は、円偏光を確立する位置に対して好ましくは０°〜４５°回転される（角度は、ＴＭ成分が有利に働く方向であって、逆方向ではない方向に正をとるとする）。
【００１７】
好ましい実施形態では、４分の１波長板に２５°〜３５°の回転角度が選択されて、レーザビームの横断面にわたって平均ＴＭ偏光を最大にする。好ましい回転値は約２８〜３０°である。
【００１８】
変形例では、ビームの偏光が、ビームの横断面全体にわたって同一ではなく、かつ４分の１波長板が、いくつかの並置された基本的な板に細分され、そのそれぞれがビームの横断面の一部に対応し、これらの基本的な板が、その要素を通過するビームの一部のＴＭ成分を高めるために、ビームのその一部の入射偏光を考慮して個々に選択された回転角度を有することが考慮される。基本的な板の向きを、４分の１波長板から出射するビームの横断面全体にわたってＴＭの支配的な偏光を得るように選択する。
【００１９】
簡単に言えば、本発明によれば、高密度記憶媒体に書き込まれた情報を読み取るための光学的方法が提案されており、この方法は、
−一方では、記憶媒体に書き込まれた情報が、第１の取り得る電子エネルギー状態および第２の取り得る電子エネルギー状態を有する活性層によって覆われ、層は第２の状態においてのみ、読み取りレーザビームによる照射によって生成された表面プラズモンを担持可能であり、この活性層は透明な誘電体層によって覆われていること、
−他方では、光学的な読み取りは、レーザ光源、集束光学系および集束されたビームの偏光手段を使用して行われ、その集束されたレーザビームの中心にある小さなゾーンのパワー密度が、活性層を第１の状態から第２のエネルギー状態に変化させて、表面プラズモンを担持できるようにするのに十分であることを特徴とする。
【００２０】
集束されたレーザビームの偏光はＴＭの支配的な偏光であり、そのためプラズモンの励起は効果的である。読み取り装置の偏光手段は、レーザビームのＴＭの支配的な偏光を確立することができる。
【００２１】
それゆえ、本発明は、特別な記録媒体および適切な読み取り手段を有する新しい光学的な読み取り方法に関する。本発明はまた、この読み取り方法に好適な光学情報記憶媒体、およびこの読み取り方法に好適な情報読み取り装置に関する。
【００２２】
本発明の他の特徴および利点は、添付の図面を参照して以下の詳細な説明を読むことから明らかとなる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】光学情報読み取り装置の全体的な構造を示す。
【図２】本発明による情報記憶媒体の構造を示す。
【図３】複屈折４分の１波長板を象徴的に示す図を示す。
【図４】角度αにわたる４分の１波長板の回転を示す。
【図５】いくつかの並置された板で構成された複屈折板を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明をよりよく理解するために、表面プラズモンは、２つの層を分離する界面の両側から確立されるエバネッセント波であることを思い出されたい。エバネッセント波は、指数関数的に減衰する波である：その振幅は、界面からの距離によって指数関数的に減衰する。
【００２５】
表面プラズモンは電磁波の伝播方程式の解である。波動ベクトルは、界面に沿った波の伝播に対応する２つの実数部、および界面の両側からの指数関数的減衰を規定する虚数部を有する。
【００２６】
表面プラズモンは、ＴＭタイプの偏光を有する光波と、この波が界面において侵入する媒体との間の電磁結合によって励起される。
【００２７】
図１は、光学情報の読み取りの一般的原理を思い起こさせるものである。情報は、一般的に、レーザビームの集束ゾーン下で動く回転ディスク１０である媒体上にある物理的なマークである。
【００２８】
例えばレーザダイオードなどのレーザ光源１２は、コリメーション光学系１４によって視準されるビームを生成する。平行な、視準されたビームは、偏光を分離するためのプリズム１６に向けられる。プリズム１６は偏光プリズムであり、それはビームを通過させる一方、そのビームに、固定された向きの偏光ベクトルを有する直線偏光を与える。それゆえ、直線偏光されたビームは４分の１波長板１８を通過し、その後、集束光学系２０によって情報媒体１０に投射される。
【００２９】
４分の１波長板は、通常は、これが受光する直線偏光から円偏光を生じるように向きを付けられている。従って、４分の１波長板１８を出射するレーザビームは、ＴＭ成分とＴＥ成分の均衡が取れている。
【００３０】
情報媒体で反射することによって生じる戻り光路は、円偏光であるが入射ビームとは反対の符号を有して光学系２０を通過して戻ってくる。ビームは再び４分の１波長板を通過し、出射側では再び直線偏光を有するが、それは、４分の１波長板の入射ビームとは垂直となっている。次に反射ビームは再び分離プリズム１６に入射する；入射ビームに対して９０°偏光されたビームは、光源に向かって再びプリズムを通過はしないが、分離プリズムによって信号検出器２２に向かって偏向され、そこで光学系２４によって集束される。
【００３１】
本発明では、４分の１波長板１８が、円偏光を得ることが可能となる角度とは異なる角度だけ回転されることが分かる。それどころか、ＴＭが支配的となる偏光を得るように回転される。
【００３２】
図２に、本発明による記憶媒体の基本的な構造を示す。この構造は、記憶された情報を規定する物理的なマークを含む。
【００３３】
一般にマークは、例えばポリカーボネートなどの材料４０で作製されたディスクの上部平面に成形されることにより形成された中空および突起である。従来のディスクでは、これらのマークは反射性のアルミニウム層によって覆われ得る。
【００３４】
他のタイプのマークを設けてもよい；特に、透明層中に、屈折率が局所的に変更されるゾーンによって構成されたマークである；この後者のシステムは、書き換え型光ディスクの場合には特に通常のことである。以下、単純にするために、マークは、プレス成形によって形成された中空かつ突起であるものとする。
【００３５】
読み取りレーザビーム下の配列（ｐｒｏｇｒｅｓｓ）方向のマークの長さは、書き込まれた情報を定義する。マークの中には、光学式読み取り装置の解像度よりも小さな寸法を有するものがある。一般に、記憶システムが、約４００ナノメートルの青色の読み取りレーザの機能を有するものとする場合、長さ１００ナノメートルのマークは媒体に存在することができる（読み取りレーザビーム下でマークの配列方向において測定された長さ）。
【００３６】
本発明では、マークは、それぞれ「活性層」と呼ばれる層４２および透明な誘電体材料製の層４４である少なくとも２つの層によって覆われる。誘電体層４４の上には、全体的に透明な保護層４６を設けることができる。読み取りレーザビームによる照射は、上から行われる。
【００３７】
本発明によれば、活性層は、電子エネルギー構造に関して２つの異なる状態を有する層である。第１の状態では、層は表面プラズモンを担持することができない。層が読み取りレーザビームからエネルギーの寄与を受ける第２の状態では、表面プラズモンを担持可能である。
【００３８】
第１のエネルギー構造状態から第２の状態への変化はレーザビームが原因であるが、そのレーザビームのエネルギー密度（これは、従来のように、ビームの横断面にわたってガウス式に分布する）は、この変化を、パワー密度が最大であるレーザビームの中心における狭い面積にのみ起こすことができる。レーザビームの中心における活性層の狭い面積のみが、そのエネルギー構造を、表面プラズモンを担持可能となるように十分に変更させる。
【００３９】
第１の状態では、活性層は、層に表面プラズモンを担持させない複素屈折率（ｃｏｍｐｌｅｘ  ｐｒｏｐａｇａｔｉｏｎ  ｉｎｄｅｘ）（ｎ０，ｋ０）またはｎ０＋ｉｋ０を有する。しかしながら、第２の状態では、活性層はその複雑な複素屈折率を変更させ、層が表面プラズモンを担持できるような（ｎ，ｋ）となる。こうなるための条件は、ｋ２−ｎ２が正であり、かつｋ０２−ｎ０２より大きいことである。
【００４０】
常態では担持できないが表面プラズモンを担持可能とするために、そのように光エネルギーに反応し得る材料は、ドープト半導体材料である。ＩＩＩ−Ｖ族の材料が非常に好適である。貴金属（金、銀、プラチナ）でドープされたアンチモン化インジウムが特に好適な材料である。ドーピングは、１００万原子分の１原子、すなわち０．０００１原子％から５原子％までとし得る（例えば共同スプレー（ｃｏ−ｓｐｒａｙｉｎｇ）によるドーピング）。アンチモン化物およびインジウムはほぼ同等の原子量である。
【００４１】
活性層４２を覆う誘電体層４４を、二酸化ケイ素（シリカ）ＳｉＯ２もしくは窒化ケイ素Ｓｉ３Ｎ４、または原子比が硫化亜鉛約７０〜８５％および残りが二酸化ケイ素の、硫化亜鉛と二酸化ケイ素の化合物ＺｎＳ−ＳｉＯ２の層とし得る。
【００４２】
活性層４２の厚さは、好ましくは約１０〜５０ナノメートル、好ましくは２０〜３０ナノメートルである。活性層４２を覆う誘電体層４４の厚さは、約３０〜１００ナノメートル、好ましくは約５０ナノメートルとし得る。
【００４３】
活性層４２を、ポリカーボネート基板４０の中空および突起と直接接触するものとして示す；活性層４２を、２つの誘電体層（一方の誘電体層（図示せず）は層４４と類似している）の間に挟み、それから基板４０と活性層４２との間に挿入することもできる。
【００４４】
活性層が第２のエネルギー状態にあるときに表面プラズモンの励起が上手くいくようにするために、層への入射レーザビームの偏光は、ＴＭが支配的であるようにする。こうするために、４分の１波長板１８（図１）は、所与の通常の位置に対して角度αだけ、すなわち、定められた直線偏光を、ＴＥ波がＴＭ波と同じ割合で伝達される、円偏光に変換する位置に回転されている。４分の１波長板は、屈折率が光の偏光に依存しそれゆえ入射偏光に応じて光に作用する複屈折板である。
【００４５】
図３は、α＝０の通常の位置にある４分の１波長板を正面から見た象徴的な図である：板によって有利に働くようにされた偏光方向はＴＥおよびＴＭで示す。この波長板への偏光の入射方向、すなわちプリズム１６によってビームに与えられた直線偏光をベクトルＰで示す。このベクトルは、複屈折板によって有利に働くようにされた偏光方向に対して４５°であり、光が２つの偏光成分ＴＭとＴＥとの間で均衡して分割されるようにする。
【００４６】
図４は、４分の１波長板がゼロ度以外の角度α、約３０°に回転され、ベクトルＰで示す偏光方向は変更されていない（プリズム１６は固定されたままであるため依然として同じ偏光ベクトルＰを提供している）、本発明による構成を説明する図である。４分の１波長板１８は、ＴＭ偏光成分を多く、かつＴＥ偏光成分を少なく通過させる（しかしながら、リターン信号の取得に関わるＴＥ成分を排除することなく）。
【００４７】
回転角度を広範囲（５°〜４０°）に選択することができ、好ましい角度は約３０°である。
【００４８】
４分の１波長板を回転させると、レーザビームの形状がより楕円形になり、開口数が大きいときにはビームのエネルギー分布が偏光に対して敏感であることが観察される；部品を、レーザビーム下で楕円の短軸をマークの配列方向に向けるように配置し、それにより読み取り品質を改善する。
【００４９】
求められる効果を得るために使用された読み取りレーザ出力は１．２０〜１．４０ミリワットのオーダーである。
【００５０】
１００ナノメートルまたは８０ナノメートルのマークを担持するサンプルで、４０５ナノメートルの青色波長においてそれぞれ１．３５ミリワットおよび１．２５ミリワットの読み取りパワーを使用して行われる測定は、４分の１波長板を０°の位置から２８°の位置まで回転させかつ同一の測定法を使用する場合に、誤り率が２倍改善されたことを示した。
【００５１】
実施形態の変形例では、ビームの横断面全体にわたって入射波の偏光が均一ではなく、かつ２つの主屈折（ｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）方向を有する４分の１波長板を、主屈折方向が全て同じというわけではない４分の１波長板を並置させることで置き換えることが考えられる。各板はビームの横断面の一部に作用する。個々の方向の選択を行って、ビームの横断面の全てのゾーンにおいて板の出射点でＴＭタイプが支配的な偏光を得る。それゆえ、偏光子キューブと、一様な向きの４分の１波長板との間に半波長板を介在させることが可能であり、その半波長板は、それぞれレーザビームの横断面の一部に作用する異なるニュートラル軸を有するいくつかの並置された半波長板によって構成されている。例えば、半波長板は、平面内で並置された４つのセクタから形成され、４つのセクタは、それぞれ異なる向きのニュートラル軸を有し、２つの隣接するセクタは、互いに対して４５°に向けられたニュートラル軸を有する。
【００５２】
図５に、そのように板が並置されて形成された板の拡大図を示す。各板の個々の複屈折方向は、図３および４と同じように２つの直交する矢印で示す。入射光の平均偏光ベクトルＰを図に示す向きにするときに、全体的な向きがＴＭモードの透過を最適にする向きで、板を示す。
【００５３】
これらのマークの超解像での読み取りから生じるアナログ信号は、非常に小さくかつ非常に近いマークの読み取りに十分適した信号処理を受ける。一般にＰＲＭＬ（部分応答最大尤度（Ｐａｒｔｉａｌ  Ｒｅｓｐｏｎｓｅ−Ｍａｘｉｍｕｍ  Ｌｉｋｅｌｉｈｏｏｄ））タイプの処理が使用され、それは以下からなる：
−情報処理チャネルが、異なるモデルの一連のバイナリ情報を受信するときに、その情報処理チャネルの出力信号が取り得る応答形状を理論的に推定すること（部分応答（Ｐａｒｔｉａｌ  Ｒｅｓｐｏｎｓｅ  ＰＲ））；チャネルは一連の処理の全体（書き込みから読み取りまで）であり、それは、記憶媒体に記憶させたい一連のバイナリ情報から、媒体への物理的なマークの書き込みを経て、媒体中のそのバイナリ情報の読み取ることからアナログ信号を読み出すことまでを行うこと；
−および実際に検出された出力信号と、異なる理論的応答形状とを比較して、この出力信号を与えるためにチャネルの入力に伝送された可能性の最も高い一連のバイナリ情報がどれかを決定すること（最大尤度）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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