(57)【要約】  本発明は、自己整合型有機薄膜トランジスタ及びその製造方法に関するものである。本発明によれば、基板上にパターニングされた第１導電膜としてゲート電極を形成し、ゲート電極を覆うように基板上にゲート絶縁膜を形成した後、ゲート絶縁膜上に第２導電膜を形成する。次いで、基板の下部側でゲート電極をマスクとして用いて、第２導電膜に紫外線を照射する紫外線背面露光を遂行した後、第２導電膜を現像することで、ゲート電極と自己整合され、ゲート電極と重畳しないソース／ドレイン電極を形成する。次いで、ソース／ドレイン電極の間及び上部に有機半導体膜を形成する。本発明は、リール・トゥ・リール工程を用いて、有機薄膜トランジスタを製造することができ、製造工程が単純になる。
2010532559.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板；
上記基板上にパターニングされ、形成されたゲート電極；
上記基板と上記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜；
上記ゲート電極と自己整合され、上記ゲート電極と重畳しないように上記ゲート絶縁膜上に形成されるソース／ドレイン電極；及び
上記ソース／ドレイン電極の間及び上部に形成される有機半導体膜；
を含む自己整合型有機薄膜トランジスタ。
【請求項２】
上記ゲート絶縁膜は、紫外線透過が可能な絶縁性物質からなり、上記ソース／ドレイン電極は、紫外線硬化が可能な導電性物質からなることを特徴とする請求項１に記載の自己整合型有機薄膜トランジスタ。
【請求項３】
基板を提供するステップ；
上記基板上にパターニングされた第１導電膜としてゲート電極を形成するステップ；
上記ゲート電極を覆うように上記基板上にゲート絶縁膜を形成するステップ；
上記ゲート絶縁膜上に第２導電膜を形成するステップ；
上記基板の下部側より上記ゲート電極をマスクとして用いて上記第２導電膜に紫外線を照射する紫外線背面露光を遂行するステップ；
上記第２導電膜を現像することで、上記ゲート電極と自己整合され、上記ゲート電極と重畳しないソース／ドレイン電極を形成するステップ；及び
上記ソース／ドレイン電極の間及び上部に有機半導体膜を形成するステップ；
を含む自己整合型有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項４】
上記ゲート電極形成ステップは、上記基板にシャドーマスクを覆い、上記第１導電膜を熱蒸着するステップであることを特徴とする請求項３に記載の自己整合型有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項５】
上記ゲート電極形成ステップは、熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング、マイクロコンタクトプリント、ナノインプリント中のいずれか方法を用いて上記基板に上記第１導電膜を形成するステップを含むことを特徴とする請求項３に記載の自己整合型有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項６】
上記ゲート絶縁膜形成ステップは、スピンコートまたはラミネート方法を用いて遂行されることを特徴とする請求項３に記載の自己整合型有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項７】
上記ゲート絶縁膜は、紫外線透過が可能な絶縁性物質からなることを特徴とする請求項３に記載の自己整合型有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項８】
上記ゲート絶縁膜は、ポリ−４−ビニルフェノール、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリスチレン、無機物／有機物の混成絶縁物のいずれか一つからなることを特徴とする請求項３に記載の自己整合型有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項９】
上記第２導電膜形成ステップは、スクリーン印刷、スプレー印刷、インクジェット印刷、グラビア印刷、オフセット、リバースオフセット、グラビア−オフセット、フレキソのいずれか一つの方法を用いて遂行されることを特徴とする請求項３に記載の自己整合型有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１０】
上記第２導電膜は、紫外線硬化が可能な導電性物質からなることを特徴とする請求項３に記載の自己整合型有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１１】
上記第２導電膜形成ステップにおいて、上記第２導電膜は、導電性物質が粉末状態で、紫外線硬化樹脂に分散されているペースト状またはインク状であることを特徴とする請求項３に記載の自己整合型有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１２】
上記有機半導体膜形成ステップは、熱蒸着またはインクジェット印刷方法を用いて遂行されることを特徴とする請求項３に記載の自己整合型有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１３】
上記有機半導体膜は、ペンタセン、テトラセン、アントラセン、Ｔｉｐｓ−ペンタセン［６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン］、Ｐ３ＨＴ［ポリ（３−ヘキシルチオフェン）］、Ｆ８Ｔ２［ポリ（９，９-ジオクチルフルオレン−ｃｏ−ビチオフェン）］、ＰＱＴ−１２［ポリ（３，３’’’−ジドデシルクオーター−チオフェン）及びＰＢＴＴＴ［ポリ（２，５−ビス（３−テトラデシルチオフェン−２−イル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェン）］のいずれか一つで形成されることを特徴とする請求項３に記載の自己整合型有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１４】
上記基板は、プラスチックまたはガラスからなることを特徴とする請求項３に記載の自己整合型有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１５】
上記基板は、リール形態で提供されることを特徴とする請求項３に記載の自己整合型有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１６】
上記ゲート電極形成ステップ、上記ゲート絶縁膜形成ステップ、上記第２導電膜形成ステップ、上記紫外線背面露光ステップ、上記ソース/ドレイン電極形成ステップ、上記有機半導体膜形成ステップ中の少なくとも２ステップは、上記リール形態の基板が連続的に移送される状態で、連続して進行されることを特徴とする請求項１５に記載の自己整合型有機薄膜トランジスタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機薄膜トランジスタに関する。具体的には、ゲート電極をマスクとして背面露光を遂行し、導電膜を直接パターニングすることで、自己整合ソース／ドレイン電極を形成する自己整合型有機薄膜トランジスタ及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体材料として有機化合物を利用する研究が活発に行われている中で、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）分野でも無機物であるシリコンの代りにペンタセンのような有機半導体を利用する研究が活発化されている。有機半導体は、合成方法が多様であり、繊維やフィルム形態に成形することが容易で、相対的に製造費用が安価である。また、有機半導体を利用すれば、１００℃以下の温度で素子製造が可能になるので、プラスチック基板の使用が可能になるだけでなく、有機半導体が柔軟性と導電性に優れ、各種フレキシブル素子に有用に適用することができる。
【０００３】
以下、図面を参照し、従来技術に係る有機薄膜トランジスタについて、説明する。図１〜図4は、従来技術に係る有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を示す断面図である。
【０００４】
まず、図１で示されるように、基板１１上に、第１導電膜を蒸着してパターニングし、ゲート電極１２を形成する。次いで、図2で示されるように、ゲート電極１２を覆うように基板１１上にゲート絶縁膜１３を形成する。次ぎに、図3で示されるように、ゲート絶縁膜１３上に第２導電膜を蒸着してパターニングし、ソース／ドレイン電極１４を形成する。その後、図４で示されるように、有機半導体膜１５を形成する。
【０００５】
このような従来の有機薄膜トランジスタ１０において、ソース／ドレイン電極１４は、ゲート電極１２と一部重畳される部分１６を有するようになる。このように、２電極１２、１４間で生じる重畳部分１６は、寄生抵抗と寄生容量を誘発し、これにより、有機薄膜トランジスタ１０の電気的特性が低下される問題が発生している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明の目的は、有機薄膜トランジスタにおいて、ソース／ドレイン電極とゲート電極と間に重畳される部分が発生しないようにし、電気的特性を向上させることにある。
【０００７】
本発明の他の目的は、有機薄膜トランジスタの製造工程を単純化することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的を達成するために、本発明は、ゲート電極をマスクとして背面露光を遂行し、導電膜を直接パターニングすることで、自己整合ソース／ドレイン電極を形成する自己整合型有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。さらに、本発明はリール・トゥ・リール工程を利用する自己整合型有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【０００９】
本発明に係る自己整合型有機薄膜トランジスタは、基板と、該基板上にパターニングされ、形成されたゲート電極と、上記基板と上記ゲート電極とを覆うゲート絶縁膜と、上記ゲート電極と自己整合され、上記ゲート電極と重畳しないように上記ゲート絶縁膜上に形成されるソース／ドレイン電極と、上記ソース／ドレイン電極の間及び上部に形成される有機半導体膜とを含んで構成される。
【００１０】
本発明の自己整合型有機薄膜トランジスタにおいて、上記ゲート絶縁膜は、紫外線透過が可能な絶縁性物質からなっていてもよく、上記ソース／ドレイン電極は、紫外線硬化が可能な導電性物質からなっていてもよい。
【００１１】
一方、本発明に係る自己整合型有機薄膜トランジスタの製造方法は、基板を提供するステップと、上記基板上にパターニングされた第１導電膜としてゲート電極を形成するステップと、上記ゲート電極を覆うように上記基板上にゲート絶縁膜を形成するステップと、上記ゲート絶縁膜上に第２導電膜を形成するステップと、上記基板の下部側で上記ゲート電極をマスクとして用いて上記第２導電膜に紫外線を照射する紫外線背面露光を遂行するステップと、上記第２導電膜を現像することで、上記ゲート電極と自己整合され、上記ゲート電極と重畳しないソース／ドレイン電極を形成するステップと、上記ソース／ドレイン電極の間及び上部に有機半導体膜を形成するステップとを含んで構成される。
【００１２】
本発明の自己整合型有機薄膜トランジスタの製造方法において、上記ゲート電極形成ステップは、上記基板にシャドーマスクを覆い、上記第１導電膜を熱蒸着するステップであってもよい。また、上記ゲート電極形成ステップは、熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング、マイクロコンタクトプリント、ナノインプリントのいずれか一つの工程を用いて、上記基板に上記第１導電膜を形成するステップを含むことができる。
【００１３】
上記ゲート絶縁膜形成ステップは、スピンコートまたはラミネート方法を用いて遂行され得る。上記ゲート絶縁膜は、紫外線透過が可能な絶縁性物質からなることが好ましく、特に、ポリ−４−ビニルフェノール、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリスチレン、無機物／有機物の混成絶縁物のいずれか一つからなっていてもよい。
【００１４】
上記第２導電膜形成ステップは、スクリーン印刷、スプレー印刷、インクジェット印刷、グラビア印刷、オフセット、リバースオフセット、グラビア−オフセット、フレキソのいずれか一つの方法を用いて遂行され得る。上記第２導電膜は、紫外線硬化が可能な導電性物質からなることが好ましく、特に、導電性物質が粉末状態で紫外線硬化樹脂に分散されているペースト状またはインク状であってもよい。
【００１５】
上記有機半導体膜形成ステップは、熱蒸着またはインクジェット印刷方法を用いて遂行され得る。このとき、上記有機半導体膜は、ペンタセン、テトラセン、アントラセン、Ｔｉｐｓ−ペンタセン［６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン］、Ｐ３ＨＴ［ポリ（３−ヘキシルチオフェン）］、Ｆ８Ｔ２［ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−ｃｏ−ビチオフェン）］、ＰＱＴ−１２［ポリ（３，３’’’−ジドデシルクオーター−チオフェン）］、ＰＢＴＴＴ［ポリ（２，５−ビス（３−テトラデシルチオフェン−２−イル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェン）］のいずれか一つで形成されることが好ましい。
【００１６】
上記基板は、プラスチックまたはガラスからなっていてもよい。
【００１７】
一方、上記基板は、リール形態で提供され得る。この場合、上記ゲート電極形成ステップ、上記ゲート絶縁膜形成ステップ、上記第２導電膜形成ステップ、上記紫外線背面露光ステップ、上記ソース／ドレイン電極形成ステップ、上記有機半導体膜形成ステップ中の少なくとも２ステップは、上記リール形態の基板が連続的に移送される状態で、連続して進行され得る。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る有機薄膜トランジスタは、ソース／ドレイン電極がゲート電極と自己整合され、形成されることで、互いに重畳しない構造を有する。これに伴い、有機薄膜トランジスタの電気的特性が向上される。
【００１９】
特に、本発明の有機薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜は紫外線透過が可能な絶縁性物質からなり、ソース／ドレイン電極用第２導電膜は紫外線硬化が可能な導電性物質からなるので、ゲート電極をマスクとして用いて、紫外線背面露光が可能となり、フォトレジストパターンを利用しなければならない伝統的なパターニング方式の代りに第２導電膜の直接パターニングが可能となる。従って、ゲート電極に自己整合されたソース／ドレイン電極の形成が可能になるだけでなく、その工程が簡単になる。さらに、本発明は、リール・トゥ・リール工程を用いて、有機薄膜トランジスタを製造できるので、全体製造工程を単純化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、添付図面を参照して本発明の実施例をより詳細に説明する。
実施例を説明するに当たって、本発明が属する技術分野で既に知られており、本発明と直接的に関連のない技術内容については、可能な限り説明を省略する。これは不要な説明を省略することによって、本発明の核心を曇らさずに、明確に伝達するためである。
【００２１】
一方、添付図面において、一部の構成要素は誇張されるか、省略されるか、または概略的に図示され、各構成要素のサイズは実際サイズを全的に反映したものではない。添付図面をひっくるめて、同一であるか、又は対応する構成要素には同じ符号を付する。
【００２２】
自己整合型有機薄膜トランジスタの構造
図5は、本発明の実施例に係る自己整合型有機薄膜トランジスタの構造を示す断面図である。
【００２３】
図5に示されるように、有機薄膜トランジスタ２０は、基板２１上にパターニングされ、形成されたゲート電極２２と、基板２１及びゲート電極２２を覆うゲート絶縁膜２３と、ゲート電極２２と自己整合されてゲート絶縁膜２３上に形成されるソース／ドレイン電極２５と、ソース／ドレイン電極２５の間及び上部に形成される有機半導体膜２６とを含む。
【００２４】
このような有機薄膜トランジスタ２０の構造において、特にソース／ドレイン電極２５は、ゲート電極２２と自己整合されて形成されるので、重畳される部分が発生しない。従って、従来のような重畳部分（図4の１６）で寄生抵抗と寄生容量が発生する問題を防止でき、有機薄膜トランジスタ２０の電気的特性を向上することができる。
【００２５】
以下、有機薄膜トランジスタの製造方法について説明する。以下の説明から、前述した有機薄膜トランジスタの構造は更に明瞭になるはずである。
【００２６】
自己整合型有機薄膜トランジスタの製造方法
図6は、本発明の実施例に係る自己整合型有機薄膜トランジスタの製造方法を示すフローチャートであり、図7〜図12は、図6に図示された製造方法の各工程ステップを示す断面図である。
【００２７】
まず、図6と図7で示されるように、基板２１を準備する（ステップＳ１）。基板２１はガラス基板またはプラスチック基板である。プラスチック基板の素材にはポリイミド、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）などの高分子化合物が使用可能である。
【００２８】
次いで、基板２１上に、ゲート電極２２を形成する（ステップＳ２）。ゲート電極２２は、基板２１上に第１導電膜を蒸着し、パターニングする方法を用いて形成するか、パターニングされたマスクで基板２１を覆い、第１導電膜を蒸着する方法を用いて形成することができる。例えば、後者の方法に従って、基板２１にシャドーマスクを覆い、熱蒸着工程を遂行する。この場合、例えば、１Å／秒の蒸着速度で４００Åの膜厚まで第１導電膜を蒸着することができる。一方、前者の場合には、よく知らされた光リソグラフィー技術を用いて第１導電膜のパターニング工程を遂行することができる。
【００２９】
このステップ（Ｓ２）で、第１導電膜の形成方法としては、熱蒸着の外にも電子ビーム蒸着、スパッタリング、マイクロコンタクトプリント、ナノインプリントなどを利用することができる。ゲート電極は、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）などの各種金属素材からなることが一般的であるが、導電性のある非金属素材からなっていてもよい。
【００３０】
ゲート電極２２を形成した後、図6と図8で示されるように、ゲート電極２２を覆うように基板２１上にゲート絶縁膜２３を形成する（ステップＳ３）。ゲート絶縁膜２３はスピンコートやラミネートのような方法を用いて形成する。一例として、スピンコート工程の場合、１，０００ｒｐｍで回転チャックを回転させながら、２５ｍｍ注入器（syringe）で、３０秒間絶縁物を塗布する。このようにして、約５，５００Åの膜厚でゲート絶縁膜２３を形成することができる。スピンコートによって塗布した後に、１００℃のオーブンで１０分間または２００℃のオーブンで５分間、ベーキング工程を遂行することができる。
【００３１】
ゲート絶縁膜２３の素材は、紫外線透過が可能な絶縁性物質が使用される。例えば、ポリ−４−ビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリイミド、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）などの物質が使用可能であり、酸化アルミニウム／ポリスチレン（Ａｌ２Ｏ３／ＰＳ）のような無機物／有機物の混成絶縁物も使用可能である。
【００３２】
例えば、スピンコート工程を用いて、ＰＶＰでゲート絶縁膜２３を形成する場合、ＰＶＰは溶媒に架橋剤と共に混合され塗布される。このとき、溶媒には、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、架橋剤には、ＣＬＡとして知らされたポリメラミン−ｃｏ−ホルムアルデヒドが、それぞれ使用されていても良く、例えばＰＧＭＥＡとＰＶＰとＣＬＡの重量比は１００：１０：５である。
【００３３】
続いて、図6と図9で示されるように、ゲート絶縁膜２３上に、第２導電膜２４を形成する（ステップＳ４）。第２導電膜２４は、以降の工程でソース／ドレイン電極にパターニングされる膜であり、ゲート電極２２の上部側にゲート電極２２と重畳されるように形成する。第２導電膜２４の形成方法には、スクリーン印刷、インクジェット印刷、オフセット、リバースオフセット、グラビア−オフセットまたはフレキソ中のいずれか一つの方法が使用され得る。
【００３４】
第２導電膜２４の素材は、紫外線硬化が可能な導電性物質（UV-curable conductive material）である。この物質は銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、銅（Ｃｕ）、カーボンナノチューブ、導電性ポリマーなどの導電性物質が粉末状態で紫外線硬化樹脂に分散されているペースト状またはインク状であってもよい。紫外線硬化樹脂は、紫外線エネルギーに反応する光開始剤を含有している。
【００３５】
次に、図6と図10で示されるように、紫外線背面露光を遂行する（ステップＳ５）。即ち、基板２０の下部側よりゲート電極２２をマスクとして用いて第２導電膜に紫外線を照射する。例えば、紫外線の照射強度は７ｍＷ／ｃｍ２であり、照射時間は６０分である。第２導電膜のうち、ゲート電極２２により紫外線が遮られた部分２４ａは物性がそのまま保持されるが、ゲート電極２２により遮られない部分２４ｂは紫外線によって硬化されながら物性が変わる。第２導電膜は、以降の現像工程で現像液により除去されるが、紫外線により物性が変わった部分２４ｂは現像液によっても除去されない。
【００３６】
これについて、更に具体的に説明すれば、紫外線エネルギーが紫外線硬化樹脂に含まれていた光開始剤と反応して遊離基を形成し、遊離基は樹脂内のモノマーまたはオリゴマーと反応して瞬間的に重合体であるポリマーが生成される。モノマーとオリゴマーは、正常状態（１気圧、２５℃）では液体であるが、この液体が強い紫外線エネルギーを受けると、重合反応が引き起こされ、ポリマーになりながら、外形上固体となる。即ち、硬化反応を引き起こす。
【００３７】
紫外線背面露光後、図6と図11で示されるように、第２導電膜を現像してソース／ドレイン電極２５を形成する（ステップＳ６）。現像液は、例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を使用する。現像工程の一例として、ＩＰＡ溶液に２〜３分間浸し、流れるＩＰＡ溶液で洗浄した後、流れる脱イオン水で洗浄し、１２０℃の温度で、５分間、ベーキングする。
【００３８】
このように、ソース／ドレイン電極２５は、ゲート電極２２をマスクとして露光された第２導電膜２４から形成されるので、自己整合によりゲート電極２２と重畳しない構造を有する。従って、寄生抵抗と寄生容量を除去することができ、電気的特性を向上することができる。しかも、フォトレジストパターンを用いて導電膜をエッチングする伝統的なパターニング方式の代りに、第２導電膜２４を直接パターニングすることが可能となるので、その工程が非常に簡単になる。
【００３９】
次いで、図6と図12で示されるように、ソース／ドレイン電極２５の間及び上部に有機半導体膜２６を形成する（ステップＳ７）。有機半導体膜２６は熱蒸着またはインクジェット印刷方法により形成されることが好ましい。このとき、有機半導体膜２６は、ペンタセン、テトラセン、アントラセン、Ｔｉｐｓ−ペンタセン［６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン］のような低分子有機半導体またはＰ３ＨＴ［ポリ（３−ヘキシルチオフェン）］、Ｆ８Ｔ２［ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−ｃｏ−ビチオフェン）］、ＰＱＴ−１２［ポリ(３，３’’’−ジドデシルクオーター−チオフェン)］、ＰＢＴＴＴ［ポリ（２，５−ビス（３−テトラデシルチオフェン−２−イル）チエノ［３，２−ｂ]チオフェン］）のような高分子有機半導体中のいずれか一つで形成されることが好ましい。
【００４０】
一方、以上で説明した自己整合型有機薄膜トランジスタの製造方法は、リール・トゥ・リール（reel-to-reel）工程を利用することができる。図13は、図6に図示された製造方法のリール・トゥ・リール工程を例示した斜視図である。
【００４１】
図13に示されるように、基板２１は、リール形態で提供され、全ての工程（少なくとも二以上の工程）は、リール形態の基板２１が連続的に移送される状態で連続して進行される。基板２１は、第１移送ローラー３１に巻かれたまま、提供され、一連の製造工程を経った後、第２移送ローラー３２に再び巻かれる。
【００４２】
ゲート電極２２の蒸着工程は、前述した工程中で、例えば、マイクロコンタクトプリントやナノインプリントを利用することができ、ゲート絶縁膜２３の形成工程はラミネートを利用することができる。符号‘３３’は、絶縁膜をリール形態で提供する第３移送ローラーを表し、符号‘３４’は、ラミネート工程を遂行する一対の圧縮ローラーを表す。
【００４３】
ソース／ドレイン電極２５として使用される第２導電膜２４は、スクリーン印刷工程で形成され、符号‘３５’は、このときに使われるスクリーン印刷マスクとスクイーザーを表す。紫外線背面露光及び現像工程を経て、ソース／ドレイン電極２５が形成されれば、例えば、ディスペンス工程で有機半導体膜２６を形成する。符号‘３６’は、このときに使われるディスペンサーを表す。
【００４４】
図13のリール・トゥ・リール工程は説明のために例示したものに過ぎなく、主要工程を概略的に示しただけであり、本発明はこれに限定されない。さらに、今まで説明した実施例とそれに使われた用語は、単に、本発明の技術内容を容易に説明し、発明の理解を助けるための一般的な意味で使用されたものあって、本発明の範囲を限定しようとするものではない。ここに開示された実施例の他にも本発明の技術的思想に基づいた別の変形例などが実施可能であるということは本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者には自明である。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明に係る有機薄膜トランジスタは、ソース／ドレイン電極がゲート電極と自己整合され、形成されることによって互いに重畳しない構造を有する。これにより、有機薄膜トランジスタの電気的特性が向上される。
【００４６】
特に、本発明の有機薄膜トランジスタで、ゲート絶縁膜は紫外線透過が可能な絶縁性物質かなら、ソース／ドレイン電極用第２導電膜は紫外線硬化が可能な導電性物質から、それぞれ、なっているので、ゲート電極をマスクとして用いて紫外線背面露光が可能となり、フォトレジストパターンを利用しなければならない伝統的なパターニング方式の代りに、第２導電膜の直接パターニングが可能となる。従って、ゲート電極に自己整合されたソース／ドレイン電極の形成が可能であるだけでなく、その工程が簡単になる。しかも、本発明はリール・トゥ・リール工程を用いて有機薄膜トランジスタを製造することができるので、全体製造工程を単純化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】図１〜図4は、従来技術に係る有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を示す断面図である。
【図２】図１〜図4は、従来技術に係る有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を示す断面図である。
【図３】図１〜図4は、従来技術に係る有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を示す断面図である。
【図４】図１〜図4は、従来技術に係る有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を示す断面図である。
【図５】図5は, 本発明の実施例に係る自己整合型有機薄膜トランジスタの構造を示す断面図である。
【図６】図6は, 本発明の実施例に係る自己整合型有機薄膜トランジスタの製造方法を示すフローチャートである。
【図７】図7〜図12は、図6に図示された製造方法の各工程ステップを示す断面図である。
【図８】図7〜図12は、図6に図示された製造方法の各工程ステップを示す断面図である。
【図９】図7〜図12は、図6に図示された製造方法の各工程ステップを示す断面図である。
【図１０】図7〜図12は、図6に図示された製造方法の各工程ステップを示す断面図である。
【図１１】図7〜図12は、図6に図示された製造方法の各工程ステップを示す断面図である。
【図１２】図7〜図12は、図6に図示された製造方法の各工程ステップを示す断面図である。
【図１３】図13は, 図12に図示された製造方法のリール・トゥ・リール工程を例示した斜視図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【国際調査報告】
2010532559.tif 000016
2010532559.tif 000017