(57)【要約】  圧電基板と、該基板上に配置され、第１のトランスデューサ１および第２のトランスデューサ２が配置された音響トラックとを有する、表面弾性波を用いて動作するトランスバーサルフィルタが記載される。各トランスデューサ１、２は電極フィンガを有する。関数９は、第２のトランスデューサ２内の異なる極性の電極フィンガの重なり長さの重み付けを特徴付け、１つのハーフメインローブ２３と少なくとも１つのサイドローブ２４、２５を有する。ローブ２３、２４、２５の振幅は第１のトランスデューサに向かう方向において単調に減少する。【選択図】図５
2010530687.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板（６）と、該基板上に配置され、第１のトランスデューサ（１）および第２のトランスデューサ（２）が配置された音響トラックとを有し、
各トランスデューサ（１、２）が電極フィンガを有し、
第２のトランスデューサが、異なる極性を有する電極フィンガの重なる長さの重み付けを特徴付ける重み関数（９）によって重み付けされ、
重み関数がカットオフメインローブ（２３）と少なくとも１つのサイドローブ（２４、２５）とを有し、
ローブ（２３、２４、２５）の振幅が第１のトランスデューサに向かう方向において単調に減少する、
表面弾性波を用いて動作するトランスバーサルフィルタ。
【請求項２】
各トランスデューサ（１、２）が交互に配置された異なる極性の電極フィンガを有し、
第１のトランスデューサ（１）内の各電極フィンガの幅が、基本的に波長の４分の１であり、
第２のトランスデューサ（２）内の各電極フィンガが、スプリットフィンガの形態である、
請求項１に記載のトランスバーサルフィルタ。
【請求項３】
第２のトランスデューサ（２）が第１のトランスデューサ（１）とは反対の側で音響反射器（６１）に隣接する、
請求項１または２に記載のトランスバーサルフィルタ。
【請求項４】
反射器（６１）および第２のトランスデューサが、フィルタの通過周波数で反射器の方向に第２のトランスデューサを通過する弾性波が、反射器（６１）上で基本的に内部全反射するように、位置合わせされる、
請求項３に記載のトランスバーサルフィルタ。
【請求項５】
第２のトランスデューサ（２）および反射器（６１）が、対称なインパルス応答がフィルタ内で達成されるように、互いに対して位置合わせされる、
請求項３または４に記載のトランスバーサルフィルタ。
【請求項６】
第２のトランスデューサ（２）および反射器（６１）が、反対称なインパルス応答がフィルタ内で達成されるように、互いに対して位置合わせされる、
請求項３または４に記載のトランスバーサルフィルタ。
【請求項７】
反射器（６１）と、第２のトランスデューサ（２）の端部で該反射器に面するフィンガとの間の距離がｄ／２＋ｎλ／２であり、
ｄが第２のトランスデューサの各スプリットフィンガの２つのサブフィンガ（８１、８２）の互いに向き合う縁の間の距離であり、ｎが整数であり、λがトランスバーサルフィルタのパスバンドの周波数における波長である、
請求項３から５のいずれか一項に記載のトランスバーサルフィルタ。
【請求項８】
反射器（６１）と、第２のトランスデューサの端部で該反射器に面するフィンガとの間の距離がｄ／２＋（２ｎ−１）λ／４であり、
ｄが第２のトランスデューサ（２）の各スプリットフィンガの２つのサブフィンガの間の最小距離であり、ｎが整数であり、λがトランスバーサルフィルタのパスバンドの周波数における波長である、
請求項３、４、６のいずれか一項に記載のトランスバーサルフィルタ。
【請求項９】
反射器（６１）が基板の縁によって形成され、該縁が第２のトランスデューサ（２）の電極フィンガに基本的に平行に延びる、
請求項３から８のいずれか一項に記載のトランスバーサルフィルタ。
【請求項１０】
反射器（６１）が溝によって形成され、該溝が基板（６）内に形成されて第２のトランスデューサ（２）の電極フィンガに基本的に平行に延びる、
請求項３から８のいずれか一項に記載のトランスバーサルフィルタ。
【請求項１１】
第２のトランスデューサ内の電極フィンガ（８１、８２）の重み関数が、基本的に関数ｓｉｎ（ｘ）／ｘの正の要素に従う、
請求項１から１０のいずれか一項に記載のトランスバーサルフィルタ。
【請求項１２】
第１のトランスデューサ（１）が第２のトランスデューサ（２）と音響減衰領域（４）との間に配置された、
請求項１から１１のいずれか一項に記載のトランスバーサルフィルタ。
【請求項１３】
第２のトランスデューサ（２）が、横断方向で少なくとも２つのサブトランスデューサ（２１、２２）に分かれ、
少なくとも１つのサブトランスデューサ（２２）が、少なくとも１つの他のサブトランスデューサ（２１）に対して長手方向でずれている、
請求項１から１２のいずれか一項に記載のトランスバーサルフィルタ。
【請求項１４】
サブトランスデューサ（２１、２２）の間の長手方向のずれが、基本的に波長の４分の１である、
請求項１３に記載のトランスバーサルフィルタ。
【請求項１５】
第２のトランスデューサが第１のサブトランスデューサと２つの第２のサブトランスデューサとに横断方向で分かれ、
第１のサブトランスデューサが第２のサブトランスデューサの間に位置し、
位相ジャンプが基本的に全くない内部全反射が反射器（６１）上で発生するように、第１のサブトランスデューサが反射器（６１）に対して位置合わせされ、
基本的に１８０°の位相ジャンプを伴う内部全反射が反射器（６１）上で発生するように、各第２のサブトランスデューサが反射器（６１）に対して位置合わせされる、
請求項１３に記載のトランスバーサルフィルタ。
【請求項１６】
第１の音響トラックに対して斜め方向に位置合わせされた第３のトランスデューサ（３）を有し、
第３のトランスデューサ（３）が反射器（６１）に隣接し、
第３のトランスデューサ（３）内で励起される波が、第１のトランスデューサ（１）内に到達するように反射器（６１）上で屈折する、
請求項１３から１５のいずれか一項に記載のトランスバーサルフィルタ。
【請求項１７】
第３のトランスデューサ（３）によって伝えられ反射器（６１）上で屈折する波が、第２のトランスデューサ（２）内で生成され所定のタイムウインドウの外側へと続く信号を少なくとも部分的に打ち消すように、該第３のトランスデューサ（３）が位置合わせされる、
請求項１６に記載のトランスバーサルフィルタ。
【請求項１８】
圧電基板（６）と、該基板上に配置され、第１のトランスデューサ（１）および第２のトランスデューサ（２）が配置された音響トラックとを有し、
第２のトランスデューサ（２）が横断方向に少なくとも２つのサブトランスデューサ（２１、２２）に分かれ、
少なくとも１つのサブトランスデューサ（２２）が、少なくとも１つの他のサブトランスデューサ（２１）に対して横方向にずれている、
表面弾性波を用いて動作するトランスバーサルフィルタ。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
トランスバーサルフィルタは、例として特許文献１に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００２】
【特許文献１】米国特許第５，８０８，５２４号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
達成すべきひとつの目的は、チップエリアが縮小されたトランスバーサルフィルタを記載することである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
表面弾性波を用いて動作するトランスバーサルフィルタが記載される。トランスバーサルフィルタは圧電基板と、該基板上に配置され、第１のトランスデューサおよび第２のトランスデューサが配置された音響トラックとを有するＳＡＷチップ内に実装される。ＳＡＷは表面弾性波（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）の省略形である。各トランスデューサは電極フィンガを有する。第２のトランスデューサ内の異なる極性の電極フィンガの重なる長さの重み付けを特徴付ける関数が、カットオフメインローブと少なくとも１つのサイドローブを有する。ローブの振幅は、第１のトランスデューサに向かう方向において単調に減少する。カットオフメインローブは好ましくは対称メインローブの半分に相当する。
【０００５】
例として、第２のトランスデューサは、インパルス応答が対称である重み付けされたトランスデューサを半分にすることにより得ることができる。波が損失なしで反射する場合、例えばチップエッジ上では、このことにより同様に、ハーフトランスデューサに対称なインパルス応答をもたらす。
【０００６】
それゆえ、反射器上の波の反射の結果として、重み付けされたトランスデューサの長さが半分にされ、したがってチップ領域の著しい減少を達成することを可能にすることが判明している。さらに、フィルタのパスバンドにおける挿入損失を約３ｄＢ減少させることができる。
【０００７】
基本的にチップエッジ上の損失なしで反射されてもよいタイプの波が、トランスバーサルフィルタで用いられる。例として、剪断波の場合が挙げられる。
【０００８】
さらなる特徴によれば、圧電基板と、該基板上に配置され、第１のトランスデューサおよび第２のトランスデューサが配置された音響トラックとを有する、表面弾性波によって動作するトランスバーサルフィルタが記載される。第２のトランスデューサは横断方向において少なくとも２つのサブトランスデューサに分かれている。少なくとも１つのサブトランスデューサは、少なくとも１つの他のサブトランスデューサに対して横方向に（すなわち、長手方向に）ずれている。長手方向とは、音響トラックにおいて励起される波が伝播する方向である。横断方向とは、長手方向に直角な方向である。
【０００９】
対称なインパルス応答を有するフィルタが、対称な重み付けをされたトランスデューサまたは半分の重み付けをされたトランスデューサにより生成されてもよい。しかしながら、例えば、群遅延時間歪または非対称増幅形を達成することを可能にするように、多くの応用例が非対称インパルス応答を必要とする。このことは、チップエッジ反射を使用した構成要素においてもまた達成されうる。この目的のために、重み付けされたトランスデューサが、横断方向において、少なくとも１つの同相サブトランスデューサと、少なくとも１つの直角位相サブトランスデューサとに分かれている。同相サブトランスデューサは、このトランスデューサにおいて励起されて反射器において反射される波が２πｎの位相のずれを有する、サブトランスデューサである。直角位相サブトランスデューサは、このトランスデューサにおいて励起されて反射器において反射される波が（２ｎ＋１）πの位相のずれを有する、サブトランスデューサである。２つのサブトランスデューサは互いに対して波長の４分の１、正確には、λ／４＋ｎλ（ｎ＝０、１、２・・・）だけずれている。
【００１０】
反射器として提供されるチップエッジは、すべての変形例において、横断方向に延伸する適切な深さの穴（ｔｒｅｎｃｈ）に置き換えることができる。好ましくは、穴の深さは波長の少なくとも半分である。
【００１１】
好ましくは、第１のトランスデューサは、第２のトランスデューサと、光沢のある材料からなるくさびによって形成された整合負荷（独語でＷｅｌｌｅｎｓｕｍｐｆ）、すなわち音響減衰領域との間に配置される。光沢のある材料からなるくさびによって形成された整合負荷は、斜めのチップエッジまたは他の適切な手段に置き換えるか、それらで補完することができる。
【００１２】
好ましくは、第２のトランスデューサが入力トランスデューサとして、第１のトランスデューサが出力トランスデューサとして提供されるか、またはその逆に、第１のトランスデューサが入力トランスデューサとして、第２のトランスデューサが出力トランスデューサとして提供される。入力トランスデューサ内で生成された弾性波のある部分は出力トランスデューサの方向へと進み、その中で、フィルタの所定の伝達関数に対応するインパルス応答を生成する。インパルス応答は時間信号であり、すなわちパルスシーケンスである。
【００１３】
インパルス応答は入力トランスデューサ（すなわち第２のトランスデューサ）内で生成される波形に影響される。波形は入力トランスデューサ内の重なり関数の適切な重み付けによって調整されてもよい。重なり関数は長手方向座標の関数として、隣接する異なる極性の電極フィンガの間の重なる長さを示す。各トランスデューサ内の最大の重なる長さはこのトランスデューサの開口としてみなされる。
【００１４】
半分にされた第２のトランスデューサの場合、インパルス応答のある部分は第２のトランスデューサ内に物理的に存在する重なり関数に影響され、インパルス応答の他の部分は「反射器のミラーリング」の結果として仮想的に存在する重なり関数に影響される。このことは、一方ではインパルス応答の実数成分に、他方ではインパルス応答の虚数成分にあてはまる。
【００１５】
それゆえ、反射器は、重なり重み関数の対称的な、または反対称的な仮想的連続に役立つ。第２のトランスデューサと反射器の間の距離、すなわち励起波と反射波の行路差が、今や、対称的なインパルス応答か反対称的なインパルス応答のいずれが達成されるかを決定する。
【００１６】
好ましくは、トランスバーサルフィルタは、定常波が形成される反響領域を全く有さない。
【００１７】
好ましくは、各トランスデューサは、交代するシーケンス内に配置された異なる極性の電極フィンガを有する。第１のトランスデューサの各電極フィンガの幅は、基本的に波長の４分の１である。第２のトランスデューサの各電極フィンガは、スプリットフィンガの形態である。
【００１８】
好ましくは、第２のトランスデューサは第１のトランスデューサとは反対の側で音響反射器に隣接する。フィルタの通過周波数で反射器の方向に第２のトランスデューサを通る弾性波が、反射器で基本的に全体的に内側へ反射するように、反射器と第２のトランスデューサは互いに対して位置合わせされる。
【００１９】
対称インパルス応答を生成するように、第２のトランスデューサにおいて励起された波と比較して適切に選ばれた行路差によって、反射した弾性波が位相ずれしていないか、または２πの整数倍の位相ずれをするような一変形例が与えられる。反射器と、第２のトランスデューサの端部において反射器に面するフィンガとの間の最小距離は、この場合ｄ／２＋ｎλ／２であり、ここでｄは第２のトランスデューサの各スプリットフィンガの２つのサブフィンガの間の最小距離であり、ｎは整数であり、λはトランスバーサルフィルタのパスバンドの周波数における波長である。例として、第２のトランスデューサにおけるメタライゼーション比、すなわちメタライゼーションされた表面積の割合が０．５の場合、ｄはλ／８となる。
【００２０】
相互に面する２つのフィンガの縁の間の距離は、これらのフィンガの間の最小距離とみなされる。このことはまた、第２のトランスデューサの端部フィンガに、およびチップエッジに対応するように当てはまる。
【００２１】
中心において、例えばスプリットフィンガの２つのサブフィンガの間で、対称重み関数を有するようにトランスデューサを切ることによって、第２のトランスデューサが生成される。この変形例において反射器に面する第２のトランスデューサの端部におけるフィンガは、スプリットフィンガのサブフィンガに相当する。その際、このスプリットフィンガの他のサブフィンガは仮想的に存在するのみである。
【００２２】
別の方法として、トランスデューサは対称重み付け関数を有するように２つのスプリットフィンガの間で切られてもよい。この変形例において反射器に面する第２のトランスデューサの端部におけるフィンガは、現実に存在するスプリットフィンガのサブフィンガに相当する。
【００２３】
１つの変形例において、反対称インパルス応答は、第２のトランスデューサにおいて励起される波と比較して適切に選ばれた行路差により、πまたは（２ｎ−１）πの位相ずれを有する反射された弾性波によって生成される。反射器と第２のトランスデューサの端部において反射器に面するフィンガとの間の距離は、この場合約ｄ／２＋（２ｎ−１）λ／４である。
【００２４】
例として、基板の縁によって、または基板内に形成され比較的急勾配の側壁を有する溝によって、反射器が形成されてもよい。好ましくは、基板または溝の縁は、第２のトランスデューサの電極フィンガに基本的に平行に延びる。
【００２５】
例として、基板の表面の溝はドライエッチング製法により生成されてもよい。チップの表面で急勾配の縁を有する十分深い穴での反射が、チップエッジでの反射の代わりに用いられる場合、長方形ではないチップもまた基板として用いることができる。エッチングにより反射位置を定めることは、位置がリソグラフィ処理の正確さによって決定されるという利点を有する。この場合には、入力トランスデューサの負荷での多数の反射によって再生成される波のみが、出力トランスデューサを通って再び出力されるため、光沢のある材料からなるくさびで形成された整合負荷に対する要件が著しく緩和される。
【００２６】
一変形例では、第２のトランスデューサにおける電極フィンガの重み付けは、基本的に関数ｓｉｎ（ｘ）／ｘの正の要素に従う。
【００２７】
有利な一変形例では、第２のトランスデューサは少なくとも２つのサブトランスデューサへと横断方向で分かれる。少なくとも１つのサブトランスデューサは少なくとも１つの他のサブトランスデューサに対して長手方向でずれる。好ましくは、サブトランスデューサの間の長手方向のずれは、基本的に波長の４分の１である。
【００２８】
一変形例では、第２のトランスデューサは第１のサブトランスデューサおよび２つの第２のサブトランスデューサに横断方向で分かれ、第１のサブトランスデューサは第２のサブトランスデューサの間に配置される。第１のサブトランスデューサは、位相ジャンプ（独語でＰｈａｓｅｎｓｐｒｕｎｇ）が基本的に全くない内部全反射が反射器上で発生するように、反射器に対して位置合わせされる。各第２のサブトランスデューサは、基本的に（２ｎ−１）πの位相ジャンプを伴う内部全反射があたかも反射器上で発生するかのように、反射器に対して位置合わせされる。
【００２９】
一変形例では、第３のトランスデューサが提供され、それは第１の音響トラックに対して斜め方向に位置合わせされる。好ましくは、第３のトランスデューサはまた、反射器として提供される基板の縁に合わさるように、反射器に隣接する。
【００３０】
第３のトランスデューサ内で励起される波は、第１のトランスデューサ内に到達するように基板の縁で屈折する。
【００３１】
一変形例では、第３のトランスデューサによって伝えられ反射器によって屈折する波が、第２のトランスデューサ内で生成され所定の時間ウインドウの外側へと続く信号を少なくとも部分的に打ち消すように、第３のトランスデューサが位置合わせされる。
【００３２】
屈折の効果を補償するために、第２のトランスデューサ内で生成される波の波形を、入力トランスデューサである第２のトランスデューサによって修正することができる。この目的のために、第２のトランスデューサは複数の、好ましくは個別のサブトランスデューサへと分かれてもよく、それらサブトランスデューサは互いに伝導的に接続される。各場合において、２つのサブトランスデューサは長手方向に互いに平行に配置されてもよい。各場合において、２つのサブトランスデューサは横断方向に互いに平行に配置されてもよい。それらはまた、電気的に直列に接続されてもよい。あるいは、電気的に並列に接続されてもよい。これに関連して、独国特許第１９９２２１２４号明細書が参照される。
【００３３】
好ましくは、トランスバーサルフィルタ内のすべてのトランスデューサは内部反射がなく、すなわちトランスデューサのフィンガ上での弾性波の反射がない。このトランスデューサの電極上に配置された、例えば電気的絶縁層により、通常のフィンガトランスデューサの場合には特に、無反射が達成される。この目的のためにはＳｉＯ２層が特に好ましい。各トランスデューサ内のスプリットフィンガの使用もまた無反射につながる。
【００３４】
特定のフィルタおよびその有利な改良が、原寸通りではない概略図を参考にして以下の文において説明される。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】対称なインパルス応答を有するトランスバーサルフィルタを示す図である。
【図２】反対称なインパルス応答を有するトランスバーサルフィルタを示す図である。
【図３】長手方向にずれた２つのサブトランスデューサを含む、重み付けされたトランスデューサを有するトランスバーサルフィルタを示す図である。
【図４】さらに、斜めに延びるトランスデューサを有する、図３に示されたトランスバーサルフィルタを示す図である。
【図５】反射器として提供される溝を有するトランスバーサルフィルタを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
トランスバーサルフィルタの一例が図１において説明される。フィルタは圧電基板６を有する。音響トラックは基板６上に配置される。第１のトランスデューサ１および第２のトランスデューサ２がトラック内に配置される。トラックは、光沢のある材料からなるくさびによって形成された整合負荷の形態の領域４によって、第１のトランスデューサの側と隣接する。第１のトランスデューサ１は、第２のトランスデューサ２と、光沢のある材料からなるくさびによって形成された整合負荷の形態の領域４との間に配置される。
【００３７】
音響トラックは音響反射器６１によって第２のトランスデューサ２の側と隣接する。図１に示された変形例においては、反射器６１は基板６の縁によって形成され、図５に示された変形例においては、反射器６１は基板６に形成された溝の形態である。
【００３８】
図５を参照すると、第１のトランスデューサは互いに係合する第１および第２の電極フィンガ１１、１２を有する。好ましくは、第１のトランスデューサは通常のフィンガトランスデューサの形態である。このことは、極性が異なる電極フィンガの間で一方のフィンガの中心から他方の中心まで測定した距離が、フィルタの通過周波数における波長の半分であり、フィンガの幅が基本的に波長の４分の１であることを意味する。
【００３９】
図５に示された変形例では、第２のトランスデューサはスプリットフィンガを有する。この場合、各場合の各スプリットフィンガは同じ極性の２つの隣接するサブフィンガ８１、８２を有するか、１つのスプリットフィンガを一緒に形成する同じ極性のサブフィンガ８１、８２を有する。
【００４０】
第２のトランスデューサに重なり関数が重み付けされる。重なり重み関数９は１つのハーフメインローブ２３、複数のサイドローブ２４、２５を有し、ハーフメインローブのカットオフ側は反射器のほうに、または基板の縁６１へと向く。
【００４１】
第２のトランスデューサ２内で励起される弾性波の一部分は第１のトランスデューサ１の方向に進む。弾性波の他の部分は正反対の方向、すなわち反射器６１の方向に進み、この反射器上で反射される。
【００４２】
各スプリットフィンガのサブフィンガ８１、８２の間の距離ｄは、これらのサブフィンガの相互に向かい合う縁の間で測定される。第２のトランスデューサ２の端部電極フィンガ８３と反射器６１の間の距離７は、一変形例ではｄ／２である。反射器６１上で反射した波は、本来の励起された波に対して０°の位相のずれを有する。このことは対称なインパルス応答をもたらす。この変形例は図１に概略的に記載されている。
【００４３】
第２のトランスデューサ２の端部電極フィンガ８３と反射器６１との間の距離７は、さらなる一変形例ではｄ／２＋λ／４である。反射器６１上で反射された波は、本来の励起された波に対して１８０°の位相のずれを有する。このことは反対称なインパルス応答をもたらす。この変形例は図２に概略的に記載されている。
【００４４】
図３は、第２のトランスデューサ２が横断方向に２つのサブトランスデューサ２１、２２に分かれている、トランスバーサルフィルタの変形例を示す。第１のサブトランスデューサ２１は、基本的に図１で説明された第２のトランスデューサ２と同様の方法で実装され、すなわち重み付けされ、対称なインパルス応答を生成するように構成される。第２のサブトランスデューサ２２は、基本的に図２で説明された第２のトランスデューサ２と同様の方法で実装され、すなわち重み付けされ、反対称なインパルス応答を生成するように構成される。第２のサブトランスデューサ２２は第１のサブトランスデューサ２１と比較して、長手方向に波長の４分の１だけずれている。
【００４５】
分かれた第２のトランスデューサ２は、上のトラック内に、対称なインパルス応答を生成する成分を有し、下のトラック内に、チップエッジに対してλ／４だけずれているために反対称なインパルス応答を生成する成分を有する。フィルタの設計の間、互いに独立してフィルタの伝達関数の振幅および位相を設定することが、それゆえ可能である。２つの音響トラックの使用の結果としてもたらされる重み付けの損失を最小化するために、所定の位相の伝達関数が得られるまで上のトラックの開口成分が増大させられる。
【００４６】
一変形例では、第２のトランスデューサ２は３つのサブトランスデューサに分けられてもよい。対称なインパルス応答を生成するのに適したサブトランスデューサは好ましくは中央のトラックに実装され、反対称なインパルス応答を生成するのに適したサブトランスデューサは好ましくは２つの端のトラックそれぞれに実装される。
【００４７】
図４は、波が反射器６１に反射するときの回折の影響を補償することができるトランスバーサルフィルタを示す。
【００４８】
チップエッジ上での反射後にのみ第１のトランスデューサ１に波が届く、少なくとも１つのさらなるトランスデューサが、この目的には特に有利である。このことは、トランスデューサ１、２の音響トラックの外に配置され、基板の縁に対して所定の角度で波を発する、例えば第３のトランスデューサ３により達成されうる。
【００４９】
この場合、図３に示されたトランスデューサ装置に加えて、フィルタは第３のトランスデューサ３も有する。第３のトランスデューサ３上の音響トラックは基板の縁に対して斜め向きであり、第１および第２のトランスデューサ１、２が配置される音響トラックに対して斜め向きである。第３のトランスデューサ３の適切な配置構造によって、特に第１のトランスデューサ１の方向にそれをずらすことで、遅延信号の機能を果たす再生の影響をトランスバーサルフィルタにおいて補償することが可能となる。遅延信号とみなされる信号は基板上に物理的に存在する重なり重み関数には対応せず、仮想的に存在する重なり重み関数に対応する。遅延信号はそれゆえ、重なり重み関数の適切な配置によって損失が補償されうるタイムウインドウの外側に位置する。それにもかかわらず、これらの望ましくない影響は出力トランスデューサ１の方向に第３のトランスデューサ３の位置をずらすことによって補償される。特にこのことにより、電源インピーダンスに関する電気信号の反射によって発生し遅延信号をもたらす再生の影響を補償することが可能となる。
【００５０】
例として、第３のトランスデューサ３は標準のフィンガトランスデューサまたはスプリットフィンガトランスデューサである。
【００５１】
回折の影響は、並列にまたは直列に電気接続された好ましくは個別の複数のトランスデューサに、重み付けされたトランスデューサ２を分けることにより補償されうる。基板エッジ上での損失は小さく、第３のトランスデューサ３の必要はない。
【符号の説明】
【００５２】
１  第１のトランスデューサ
１１、１２  第１のトランスデューサの電極フィンガ
２  第２のトランスデューサ
２１  第２のトランスデューサの第１のサブトランスデューサ
２２  第２のトランスデューサの第２のサブトランスデューサ
２３  メインローブ
２４、２５  サイドローブ
３  第３のトランスデューサ
４  音響減衰領域
６  圧電基板
６１  音響反射器
７  距離
８１、８２  第２のトランスデューサのスプリットフィンガのサブフィンガ
８３  第２のトランスデューサの端部の電極フィンガ
９  重み関数
ｄ  各スプリットフィンガのサブフィンガ８１、８２間の距離
【図１】
2010530687.tif 000003
【図２】
2010530687.tif 000004
【図３】
2010530687.tif 000005
【図４】
2010530687.tif 000006
【図５】
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【国際調査報告】
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