(57)【要約】【課題】ＥＵＶ範囲のような短い波長の放射を介してパターニングデバイスから基板へとパターンを転写するのに使用さえ、かつ、高い光学特性が実現されるパターニングデバイスを提供する。【解決手段】フォトリソグラフィ装置用のパターニングデバイスは、このパターニングデバイスからの反射の間、放射ビームに断面パターンを付与することにより、パターン付けされた放射ビームを形成するのに使用される。パターニングデバイスは、複数の安定および／または準安定状態のそれぞれへの誘発される構造的な相変化を局所的に受けることが可能な相変化材料の層を含む。さらに、パターニングデバイスは、前記相変化材料の層に隣接する周期的に配置された層を有する放射反射構造を含む。この放射反射構造は、相変化には加わらない。相変化材料の相を局所的に変化させることにより、例えば、反射光の異なる成分の破壊的干渉を引き起こす相変化材料の層の厚さが変化するため、または放射反射構造の表面粗さが変化するため、構造全体の反射率が変化する。【選択図】図２
2010514203.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射の間に放射ビームに断面パターンを付与してパターン付けされた放射ビームを形成するパターニングデバイスであって、
複数の安定および／または準安定状態のうちそれぞれの状態への誘発される構造的な相変化を局所的に受けることが可能な相変化材料の層と、
前記相変化材料の層に隣接して周期的に配置された層を有する放射反射構造であって、前記相変化材料の層において相変化が誘発されるとき、構造相が影響されない単一または複数の材料から成る、放射反射構造と、
を含む、
パターニングデバイス。
【請求項２】
前記相変化材料は、カルコゲニド合金である、
請求項１に記載のパターニングデバイス。
【請求項３】
前記放射反射構造は第１および第２のサブスタックを含み、各サブスタックは各放射反射性周期的配置の層を含み、前記パターニングデバイスは、前記第１のサブスタックと、前記相変化材料の層と、前記第２のサブスタックと、を当該パターニングデバイスの前記パターン付けされたビームを反射する反射面から離れる方向に連続して含む、
請求項１に記載のパターニングデバイス。
【請求項４】
前記第１のサブスタックは、前記デバイスに対する少なくとも１つの入射角度を有する前記ビームに対して、前記第１のサブスタックが、前記第１のサブスタックおよび前記第２のサブスタックのそれぞれによる反射により前記反射面から発生するビームに略等しい振幅成分（amplitude component）の放射をもたらす部分反射率を有するように選択される数の層から成る、
請求項１に記載のパターニングデバイス。
【請求項５】
前記第１のサブスタックとビーム側表面との間および前記第１のサブスタックと前記第２のサブスタックとの間に、前記相変化層以外の相変化材料の層を含まない、
請求項３に記載のパターニングデバイス。
【請求項６】
前記相変化材料の層を含む複数の層変化材料の層であって、前記相変化材料の層が相変化を誘発される時に同一の構造相に維持される材料から成る１つ以上の層により離隔された複数の相変化材料の層を含み、前記第１および第２のサブスタックは、前記追加的な放射反射性周期的配置の組み合わせよりもより周期的に配置された層を含む、
請求項３に記載のパターニングデバイス。
【請求項７】
前記相変化材料の層と前記放射反射構造との間、および／または、前記放射反射構造のうち隣接する層間に拡散バリア層を含む、
請求項３に記載のパターニングデバイス。
【請求項８】
前記第１および第２のサブスタックは、それぞれＭｏおよびＳｉの交互層を含む、
請求項３に記載のパターニングデバイス。
【請求項９】
前記放射反射構造は前記パターニングデバイスの前記パターン付けされたビームを反射する反射面と前記相変化層との間に設けられ、前記放射反射構造は反射される放射ビームに寄与する実質的に全ての放射の反射を提供するのに十分な数の周期的な層を含む、
請求項１に記載のパターニングデバイス。
【請求項１０】
前記相変化層は、互いに異なる相の異なる領域のパターンであって、前記放射ビームに付与されるパターンを画定するパターンを含む、
請求項１に記載のパターニングデバイス。
【請求項１１】
放射ビームの反射の間に前記放射ビームにビームパターンを付与する反射型パターニングデバイスを提供する方法であって、
前記反射型パターニングデバイス内の反射性周期的多層構造に隣接する相変化材料の層を提供する工程であって、前記反射性周期的多層構造は前記相変化材料の層内に相変化が誘発されるときに影響を受けない材料から成る、工程と、
前記相変化材料の層の位置に応じた位置依存加熱パターンを用いて、前記相変化材料の層を、時間に依存して、および／または、前記相変化材料の層における局所的な相変化を誘発する加熱強度により、加熱し、前記相変化材料の層内に互いに相の異なる領域のパターンを画定する、工程と、
を含む、
方法。
【請求項１２】
前記領域のパターンを形成した後、前記反射性周期的多層構造内で前記放射ビームを反射することにより前記放射ビームにパターンを付与する工程を含む、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記放射ビームは、極紫外線（ＥＵＶ）放射である、
請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記反射型パターニングデバイスは、前記反射性周期的多層構造の第１のサブスタックと第２のサブスタックとの間に挟まれる前記相変化材料の層を含み、各サブスタックは各周期的配置の層を含み、
前記放射ビームは、前記周期的多層構造の前記第１のサブスタックにより反射された第１のサブスタックビームと、前記相変化層が第１相のときに前記周期的多層構造の前記第1のサブスタックおよび前記相変化層に透過され、かつ前記周期的多層構造の前記第２のサブスタックにより反射される第２のサブスタックビームと、の間で破壊的な干渉が起こるように選択される波長および入射角度の組み合わせを有し、前記方法は、
前記第１のサブスタックビームと、前記相変化層が前記第１相とは異なる第２相のときに前記多層構造の前記第１のサブスタックおよび前記相変化層に透過され、かつ前記周期的多層構造の前記第２のサブスタックにより反射される第３のサブスタックビームと、の間で非破壊的な干渉を生成する工程を含む、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記反射性周期的多層構造は、前記相変化材料の層と前記パターニングデバイスの前記パターン付けされたビームを反射する反射面との間に設けられ、前記方法は、実質的に全ての前記ビームを前記反射性周期的多層構造内で反射させ、前記相変化材料の層の局所的な相変化により前記反射性周期的多層構造の粗さに局所的な変化を誘発する工程を含む、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記相変化層を加熱し、前記相変化層の第１領域を非晶相にする工程と、
その後、前記相変化層における前記第１領域内の第２領域を、完全な結晶化を誘発するのに最低限必要な最小時間幅よりも短い時間幅にわたって加熱することにより、前記第２領域内に結晶相および非晶相の混合部分を誘発する工程と、
を含む、
請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記相変化材料の層をベース上に提供する工程と、前記相変化材料の層を提供する前に前記ベースを粗面化する工程と、を含む、
請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記相変化層が非晶相の間に、前記相変化層上に前記反射性周期的多層構造を付与する（apply）工程を含む、
請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
請求項１に記載のパターニングデバイスを含むリソグラフィ装置であって、さらに、
放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
前記パターニングデバイスを支持するように構成されたサポートであって、前記パターニングデバイスは前記放射ビームの断面にパターンを付与して、パターン付けされた放射ビームを形成することができる、サポートと、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記基板のターゲット部分上に前記パターン付けされた放射ビームを投影するように構成された投影システムと、
を含む、
リソグラフィ装置。
【請求項２０】
前記放射ビームは、極紫外線（ＥＵＶ）放射である、
請求項１９に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２１】
基板上にパターン付けされた放射ビームを投影することを含むデバイス製造方法であって、前記ビームは請求項１に記載のパターニングデバイスを使用してパターン付けされる、
デバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、反射型パターニングデバイス（レチクルまたはマスクとも呼ばれる）、放射ビームにパターン付けする方法、リソグラフィ装置、および、デバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
[0003]  異なる設計の集積回路を製造するには、異なるパターニングデバイス（マスクまたはレチクル）を作る必要がある。設計エラーが生じた場合は、新しいパターニングデバイスを作る必要がある。これは、特に少数組（small series of）の集積回路を製造する必要がある時、デバイスのコストに著しく影響する。したがって、描き換え可能なパターニングデバイスを提供する試みが成されてきた。
【０００４】
[0004]  米国特許第６，８１９，４６９号は、３Ｄホログラフィックディスプレイ用の「光変調器」を開示している。この文献には、当該光変調器がリソグラフィにも利用可能であることが記載されている。この光変調器は、１つ以上の相変化材料層を有する表面を含み、これにより、結晶状態から非晶状態へ変化させ、かつ元に戻すことが可能となる。このような相変化をもたらす方法として、層上の電極および光加熱（optical heating）の利用などの様々な方法が記載されている。相変化層は、この層の異なる表面から反射された光間の干渉を利用して反射を変調するのに使用することができる。
【０００５】
[0005]  集積回路のフィーチャサイズを小さくするには、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写するために使用する放射の波長を短くすることが望ましい。この目的において、ＥＵＶ範囲までの短い波長が提案されている。米国特許第６，８１９，４６９号の光変調器は、スペクトルの可視部分で使用されることが意図されている。この開示されたタイプの光変調器を、ＥＵＶ範囲内の波長のような、より短い波長に適用することは困難である。その理由の１つとして、短い波長において、相変化材料の最適光学特性に満たないことが挙げられる。また、この光変調器に十分に詳細なパターンを描き込むことも困難である。
【発明の概要】
【０００６】
[0006]  ＥＵＶ範囲のような短い波長の放射を介してパターニングデバイスから基板へとパターンを転写するのに使用する描き換え可能なパターニングデバイスであって、高い光学特性が実現されるパターニングデバイスを提供することが望ましい。
【０００７】
[0007]  一態様において、反射の間に放射ビームに断面パターンを付与してパターン付けされた放射ビームを形成するパターニングデバイスであって、
[0008]  −複数の安定および／または準安定状態のうちそれぞれの状態への誘発される構造的な相変化を局所的に受けることが可能な相変化材料の層と、
[0009]  −前記相変化材料の層に隣接して周期的に配置された層を有する放射反射構造であって、前記相変化材料の層において相変化が誘発されるとき、構造相が影響されない単一または複数の材料から成る、放射反射構造と、を含むパターニングデバイスが提供される。
【０００８】
[0010]  一態様において、放射ビームの反射の間に前記放射ビームにビームパターンを付与する反射型パターニングデバイスを提供する方法であって、
[0011]  −前記反射型パターニングデバイス内の反射性周期的多層構造に隣接する相変化材料の層を提供する工程であって、前記反射性周期的多層構造は前記相変化材料の層内に相変化が誘発されるときに影響を受けない材料から成る、工程と、
[0012]  −前記相変化材料の層の位置に応じた位置依存加熱パターンを用いて、前記相変化材料の層を、時間に依存して、および／または、前記相変化材料の層における局所的な相変化を誘発する加熱強度により、加熱し、前記相変化材料の層内に互いに相の異なる領域のパターンを画定する、工程と、を含む方法が提供される。
【０００９】
[0013]  一態様において、上述したような投影デバイスが設けられたリソグラフィ投影装置が提供される。
【００１０】
[0014]  一態様において、上述したようなパターニングデバイスを使用したデバイス製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
[0015]  本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【図１】[0016]  図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を示す。
【図２】[0017]  図２は、パターニングデバイスの断面を示す。
【図３】[0017]  図３は、パターニングデバイスの断面を示す。
【図４】[0017]  図４は、パターニングデバイスの断面を示す。
【図５】[0017]  図５は、パターニングデバイスの断面を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
[0018]  図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、
[0019]−放射ビームＢ（例えば紫外線またはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
[0020]−パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置付けるように構成された第１ポジショナＰＭに連結されるサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
[0021]  −基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けるように構成された第２ポジショナＰＷに連結される基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、
[0022]  −パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＬと、を含む。
【００１３】
[0023]  照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００１４】
[0024]  サポート構造は、パターニングデバイスを支持、つまりその重量を支える。サポート構造は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。 
【００１５】
[0025]  留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。
【００１６】
[0026]  本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
【００１７】
[0027]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）である。
【００１８】
[0028]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。 
【００１９】
[0029]  また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体（例えば水）によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、リソグラフィ装置内の別の空間（例えば、マスクと投影システムとの間）に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるための技術においてよく知られている。本明細書において使用される「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。
【００２０】
[0030]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００２１】
[0031]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００２２】
[0032]  放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使い、例えば、マスクライブラリからマスクを機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。 
【００２３】
[0033]  例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。 
【００２４】
[0034]  １．  ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度に（すなわち、単一静止露光）ターゲット部分Ｃ上に投影する。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静止露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
【００２５】
[0035]  ２．  スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
【００２６】
[0036]  ３．  別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクテーブルＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２７】
[0037]  上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００２８】
[0038]  図２は、パターニングデバイスの断面を示している。このデバイスは、ベース２０と、下部周期的多層構造２２と、相変化層２４と、上部周期的多層構造２６とを含む。上部周期的多層構造２６は、相変化層２４上に提供され、相変化層２４は下部周期的多層構造２２上に提供され、さらに下部周期的多層構造２２はベース２０上に提供される。相変化層２４は、構造的に異なる（一般的には、結晶相および非晶相）少なくとも２つの安定相または準安定相で存在することができる。周期的多層構造２２、２６は、パターニングデバイスが使用される条件下で安定している。
【００２９】
[0039]  上部および下部周期的多層構造２２、２６は、入射するＥＵＶ放射の少なくとも一部を反射するのに使用される。ＥＵＶ範囲において高品質のリフレクタを提供するために周期的多層構造を使用すること自体は、公知である。また、この目的のために周期的多層構造を製造する技術自体も、公知である。したがって、それらについては、詳細な説明を省略する。例示的な一実施形態において、シリコンとモリブデンの交互層は、パターニングビームの目的とする波長に応じて選択される層の厚さに伴って増大され得る。
【００３０】
[0040]この種の周期的構造の反射率は、当該周期的構造内の層の数に依存する。上部周期的多層構造２６の層の数は、上部周期的多層構造２６から発生する放射の略半分がこの構造による反射から得られ、他の半分が下部周期的多層構造２２による反射から得られるように、選択される。下部周期的多層構造は、実質的に全ての（例えば、９０％より大きい）入射放射を反射するように設計されることが好ましい。
【００３１】
[0041]  相変化層２４は、相変化材料を含む。この材料は、相変化が光路長の変化を伴うタイプである限り、その組成自体は重要ではない（not relevant）。一実施形態ではＧｅ４ＳｂＴｅ５から成る相変化層２４が使用可能であるが、ＡｇＩｎＴｅ２、ＡｇＳｂＴｅ２、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５といった他の材料も同様に使用可能であり、もしくはより広く、例えばカルコゲニドベースの相変化材料を使用してもよい。
【００３２】
[0042]  相変化層２４の厚さは、上部および下部周期的相多層構造２２、２６からの反射によりもたらされる発生する放射への寄与（contributions）間の相関係に影響する。相変化層２４の厚さは、相変化材料がそれぞれ第１および第２の構造相にあるときに、これらの作用が建設的に（constructively）または破壊的に（destructively）干渉するように選択されることが好ましい。つまり、光路長の差は、半波長（または半波長＋整数の波長）である。法線入射の放射が使用される場合、異なる構造相での材料特性を考慮すると、これは層の厚さに直接変換される。角度をつけた入射が使用される場合、この角度により、それ自体が公知の方法により、必要な層の厚さも決定される。１つの構造相に対する破壊的な干渉に必要な相関係を提供するには、好適な厚さを有する追加的な層を相変化層２４に隣接させて追加してもよく、もしくは、下部または上部周期的多層構造２２のうち１つ以上の層の厚さを必要な相関係を提供するように選択してもよい。建設的干渉から破壊的干渉への切替えが好ましいが、他の切替えでも十分であることが理解されるであろう。例えば、破壊的干渉とある程度の（ただし、１００％ではない）建設的干渉との切替えを使用してもよい。
【００３３】
[0043]  図示される構造は、ＥＵＶ反射に最適な周期的多層構造２２、２６を最少の相変化材料層と組み合わせて使用することができるため、特にＥＵＶ範囲の波長を有する放射を反射するのに適している。
【００３４】
[0044]  図３は、単一の層２４の代わりに、例えばシリコンから成り、構造的な相変化を示さないスペーサ層３０により離隔された１つ以上の相変化材料層２４ａ、ｂが使用される、他の実施形態を示す。Ｎ＞１のあらゆる数の層であって、連続した層がＮ−１のスペーサ層３０によって離隔された相変化材料層２４ａ、ｂが使用され得る。この場合、相変化材料の層の厚さも、相変化による非破壊的干渉と破壊的干渉との間の切替えを提供するように選択される。複数の相変化層（例えば、このような層の周期的パターン）を使用することにより、積層全体の周期性の乱れが少なくなり、反射状態においてより高い全体反射率が達成される。ただし、複数の相変化材料層を使用することは、単一層に比べて、製造中の高度な厚さおよび粗さ制御が要求される点に留意しなくてはならない。少なくともこの精度が実現できないのであれば、単一層が好ましい。また、スペーサ層３０または複数のスペーサ層に代えて、１つ以上のさらに反射性の高い周期的多層構造を相変化材料層２４ａと相変化材料層２４ｂとの間に使用してもよい。これもより高い周期性を提供するが、層変化材料層２４ａと相変化材料層２４ｂとの間の単一層のスペーサは、シャープな位相シフトを提供するため、好ましい。
【００３５】
[0045]  動作中、相変化層２４内に集束され、かつパターニングデバイスの横方向にスキャンされるレーザビームを使用して相変化材料を加熱することにより、パターンがパターニングデバイス内に描き込まれる。パターニングデバイス内の選択された位置において結晶相から非晶相への相変化を実現するために、層内に集束される短いレーザパルスが選択された位置へ当てられる。このレーザパルスの強度および時間幅（時間間隔、継続時間）（duration）は、照射された量の相変化材料が溶融するように選択され、溶融した相変化材料はその後周囲の材料により非晶状態で急冷される。非晶相から結晶相への相変化を実現するために、より低い強度および／またはより長い時間幅のレーザパルスを使用して、照射された量の相変化材料を特定の結晶化温度まで加熱する。一実施形態において、相変化材料の領域は、まず結晶相への相変化が誘発されるように照射され、その後これらの領域内の選択されたサブ領域は、このサブ領域内において非晶相への局所的な変化が誘発されるように照射される。
【００３６】
[0046]  レーザビームは、その焦点が相変化層２４内にある状態で、（例えば、レーザ源を移動させるか、レーザビームをパターニングデバイスへと反射するミラーを回転させるか、または、パターニングデバイスを移動させることにより）相変化層内の異なる位置へと誘導され、所望の反射パターンを規定するデータによる制御下でパルスが当てられる。パターニングデバイスにおいて、相変化材料のうち１つまたは少数の局所化された層のみが使用される（反射率の大部分は、少なくともパターニングデバイスが使用される条件下で相変化を示さない周期的多層構造により提供される）という事実により、パターニングデバイス内にパターンを描き込むことが容易になっていることが理解されるであろう。ビームは非常に浅い深さで集束される必要があるため、高い解像度を実現することができる。
【００３７】
[0047]実用においては、レーザビームの集束深さは層構造の全体的な厚さと同じオーダー（程度）（same order）（例えば、１００ｎｍ）である。したがって、多層材料（例えば、ＭｏおよびＳｉ）が通常のレーザ波長において適宜の（appreciable）吸収係数を有することを考慮すると、相変化層を囲む多層構造の少なくとも一部もまた、高温に加熱される。しかし、レーザパルスの時間幅が非常に短いため、拡散による多層材料の混合は最小限に抑えられることが予想される。拡散をさらに制限するには、多層構造の層間に、および、相変化層に隣接して、拡散バリア層を設けてもよい。図４は、相変化層２４（または、複数の相変化層）の両側で連続する層間に拡散層４０（原寸大ではない）を提供する実施形態を示している。例えば、炭化ホウ素の層を使用することができる。拡散バリア層４０は、高温での垂直方向の原子拡散を減少させる働きをし、構造が加熱されて相変化が誘発される際に明確な多層構造を維持する。
【００３８】
[0048]  レーザによる加熱の代わりに、抵抗材料から成る１つの加熱要素または加熱要素のアレイを、当該加熱要素のうち選択された要素を加熱することのできるコネクションとともにパターニングデバイス内、例えば、ベース５０内または他の層間に含んでもよい。
【００３９】
[0049]  他の実施形態では、複数の加熱要素が設けられる。動作中、電流が選択された加熱要素中に流され、結晶領域および非晶領域のパターンを形成する。加熱要素の矩形マトリックスは、例えば、各々が抵抗材料を含むように設けられ得る。もしくは、他の加熱要素のパターンを設けてもよい。一例では、これを、所定位置（predetermined positions）に部品を有するゲートアレイのような半導体素子における金属層であって、所定箇所（predetermined locations）のコネクションが半導体素子内に存在するか否かを規定する金属層を画定するために、パターニングデバイスに適用することができる。この場合、加熱要素はこれらの所定位置（predetermined positions）に対応する場所に設けられ得る。
【００４０】
[0050]  図５は、ベース５０と、相変化層５２と、周期的多層構造５４とを含むパターニングデバイスの断面を示している。周期的多層構造５４は、相変化層５２上に設けられ、さらに相変化層５２はベース５０上に設けられる。この図のデバイスでは、デバイスにより反射される実質的に全ての（例えば、少なくとも８０％）ビーム放射が、相変化層５２または相変化層とのインタフェースではなく、周期的多層構造５４内で反射される。この図のデバイスでは、相変化による相変化層５２の表面粗さの変化を利用して、上層の（overlying）周期的多層構造５４内の層の粗さを変化させる。上層の周期的多層構造５４内の層の粗さを増加させることにより、上層の周期的多層構造５４の反射率は低下する。
【００４１】
[0051]  相変化材料、特にカルコゲニド合金ベースの材料は、非晶状態下でより小さい表面粗さを有することがわかった。これは、この材料が、結晶状態下で複数の小さい結晶を含み、この小さい結晶に起因する粒状構造により表面粗さが決定されるという事実に基づくものである。相変化材料を、完全な結晶相にするのに要する時間よりも短く加熱して部分的にのみ結晶化させることにより、この効果をさらに高めることができる。したがって、結晶相と非晶相との間の質量密度の差がもたらすさらに高い表面粗さを伴い、結晶相の小さい領域および非晶層の小さい領域の混合状態が得られる。この効果を高める他の方法として、特別に粗面化されたベース５０を使用することが挙げられる。
【００４２】
[0052]  一実施形態では、図５のパターニングデバイスは、非晶相の相変化層５２を有するベース５０を提供し、非晶相の相変化層５２上で周期的多層構造５４を増大させて製造される。このようにして、最小初期粗さを有する周期的多層構造５４が実現される。非晶相の相変化層５２を有するベース５０は、非晶相の相変化層５２を付着させる（deposit）か、または相変化層５２を付着させた後に加熱、急冷して非晶相を得ることにより、実現され得る。他の実施形態では、ベース２０は相変化層５２を付着させる前に粗面化されるため、相変化層は不均一な厚さを有する。本実施形態では、結晶化に際して相変化層の体積が減少することを利用してさらなる粗さを形成する。粗面化処理の一例としては、化学エッチングが挙げられる。ベースに与えられた粗さは、入射放射の相当な散乱を引き起こすほどの小さな相関距離を有するべきである。一実施形態では、粗面化は、パターニングデバイスの表面の一部（つまり放射ビームに面する表面）のみに施され、より具体的には、ビームにパターンを付けるのに使用される部分のみに施される。
【００４３】
[0053]  パターンが規定されると、上述したように、レーザビームにより相変化層への描き込みが行われ得る。レーザビームは、周期的多層構造５４および／またはベース２０を通して当てられ得る。他の実施形態では、相変化材料５２を結晶相に変換する際に、ビーム内の材料の一部を結晶状態に変化させるのには十分な長さがあるものの、ビーム内の材料の全てを結晶状態に変化させるのに最低限必要な長さよりは短いパルスを使った特別な形態のレーザ照射が使用される。これに必要なパルス時間幅は、パルス時間幅に応じた反射率を観察することにより実験的に確立することができる。短いパルス時間幅では、（非晶相において表面粗さが低いため）最初は反射率が高く、パルス時間幅を増加すると、（部分的な結晶化のため）反射率が最小値まで低下し、より長いパルス時間幅では、（完全な結晶化のため）再度わずかに増加するのみである。
【００４４】
[0054]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００４５】
[0055]  光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
【００４６】
[0056]  本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長、またはおよそこれらの値の波長を有する）、および極端紫外線（ＥＵＶ）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。
【００４７】
[0057]  「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
【００４８】
[0058]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。
【００４９】
[0059]  上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【図１】
2010514203.tif 000003
【図２】
2010514203.tif 000004
【図３】
2010514203.tif 000005
【図４】
2010514203.tif 000006
【図５】
2010514203.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月17日(2009.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射の間に放射ビームに断面パターンを付与してパターン付けされた放射ビームを形成するパターニングデバイスであって、
複数の安定および／または準安定状態のうちそれぞれの状態への誘発される構造的な相変化を局所的に受けることが可能な、カルコゲニド合金のような、相変化材料の層と、
前記相変化材料の層に隣接して周期的に配置された層を有する放射反射構造であって、前記相変化材料の層において相変化が誘発されるとき、構造相が影響されない単一または複数の材料から成る、放射反射構造と、
を含む、
パターニングデバイス。
【請求項２】
前記放射反射構造は第１および第２のサブスタックを含み、各サブスタックは各放射反射性周期的配置の層を含み、前記パターニングデバイスは、前記第１のサブスタックと、前記相変化材料の層と、前記第２のサブスタックと、を当該パターニングデバイスの前記パターン付けされたビームを反射する反射面から離れる方向に連続して含み、
前記第１および第２のサブスタックは、それぞれＭｏおよびＳｉの交互層を含む、
請求項１に記載のパターニングデバイス。
【請求項３】
前記第１のサブスタックは、前記デバイスに対する少なくとも１つの入射角度を有する前記ビームに対して、前記第１のサブスタックが、前記第１のサブスタックおよび前記第２のサブスタックのそれぞれによる反射により前記反射面から発生するビームに略等しい振幅成分（amplitude component）の放射をもたらす部分反射率を有するように選択される数の層から成る、
請求項１に記載のパターニングデバイス。
【請求項４】
前記第１のサブスタックとビーム側表面との間および前記第１のサブスタックと前記第２のサブスタックとの間に、前記相変化層以外の相変化材料の層を含まない、
請求項２に記載のパターニングデバイス。
【請求項５】
前記相変化材料の層を含む複数の層変化材料の層であって、前記相変化材料の層が相変化を誘発される時に同一の構造相に維持される材料から成る１つ以上の層により離隔された複数の相変化材料の層を含み、前記第１および第２のサブスタックは、前記追加的な放射反射性周期的配置の組み合わせよりもより周期的に配置された層を含む、
請求項２に記載のパターニングデバイス。
【請求項６】
前記放射反射構造は前記パターニングデバイスの前記パターン付けされたビームを反射する反射面と前記相変化層との間に設けられ、前記放射反射構造は反射される放射ビームに寄与する実質的に全ての放射の反射を提供するのに十分な数の周期的な層を含む、
請求項１に記載のパターニングデバイス。
【請求項７】
前記相変化層は、互いに異なる相の異なる領域のパターンであって、前記放射ビームに付与されるパターンを画定するパターンを含む、
請求項１に記載のパターニングデバイス。
【請求項８】
放射ビームの反射の間に前記放射ビームにビームパターンを付与する反射型パターニングデバイスを提供する方法であって、
前記反射型パターニングデバイス内の反射性周期的多層構造に隣接する相変化材料の層を提供する工程であって、前記反射性周期的多層構造は前記相変化材料の層内に相変化が誘発されるときに影響を受けない材料から成る、工程と、
前記相変化材料の層の位置に応じた位置依存加熱パターンを用いて、前記相変化材料の層を、時間に依存して、および／または、前記相変化材料の層における局所的な相変化を誘発する加熱強度により、加熱し、前記相変化材料の層内に互いに相の異なる領域のパターンを画定する、工程と、
を含む、方法。
【請求項９】
前記領域のパターンを形成した後、前記反射性周期的多層構造内で前記放射ビームを反射することにより前記放射ビームにパターンを付与する工程を含み、
前記放射ビームは、極紫外線（ＥＵＶ）放射を含む、
請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記反射型パターニングデバイスは、前記反射性周期的多層構造の第１のサブスタックと第２のサブスタックとの間に挟まれる前記相変化材料の層を含み、各サブスタックは各周期的配置の層を含み、
前記放射ビームは、前記周期的多層構造の前記第１のサブスタックにより反射された第１のサブスタックビームと、前記相変化層が第１相のときに前記周期的多層構造の前記第1のサブスタックおよび前記相変化層に透過され、かつ前記周期的多層構造の前記第２のサブスタックにより反射される第２のサブスタックビームと、の間で破壊的な干渉が起こるように選択される波長および入射角度の組み合わせを有し、前記方法は、
前記第１のサブスタックビームと、前記相変化層が前記第１相とは異なる第２相のときに前記多層構造の前記第１のサブスタックおよび前記相変化層に透過され、かつ前記周期的多層構造の前記第２のサブスタックにより反射される第３のサブスタックビームと、の間で非破壊的な干渉を生成する工程を含む、
請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記反射性周期的多層構造は、前記相変化材料の層と前記パターニングデバイスの前記パターン付けされたビームを反射する反射面との間に設けられ、前記方法は、実質的に全ての前記ビームを前記反射性周期的多層構造内で反射させ、前記相変化材料の層の局所的な相変化により前記反射性周期的多層構造の粗さに局所的な変化を誘発する工程を含む、
請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記相変化材料の層をベース上に提供する工程と、前記相変化材料の層を提供する前に前記ベースを粗面化する工程と、を含む、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記相変化層が非晶相の間に、前記相変化層上に前記反射性周期的多層構造を付与する（apply）工程を含む、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
請求項１に記載のパターニングデバイスを含むリソグラフィ装置であって、さらに、
極紫外線（ＥＵＶ）放射を含む放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
前記パターニングデバイスを支持するように構成されたサポートであって、前記パターニングデバイスは前記放射ビームの断面にパターンを付与して、パターン付けされた放射ビームを形成することができる、サポートと、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記基板のターゲット部分上に前記パターン付けされた放射ビームを投影するように構成された投影システムと、
を含む、
リソグラフィ装置。
【請求項１５】
基板上にパターン付けされた放射ビームを投影することを含むデバイス製造方法であって、前記ビームは請求項１に記載のパターニングデバイスを使用してパターン付けされる、
デバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、反射型パターニングデバイス（レチクルまたはマスクとも呼ばれる）、放射ビームにパターン付けする方法、リソグラフィ装置、および、デバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
[0003]  異なる設計の集積回路を製造するには、異なるパターニングデバイス（マスクまたはレチクル）を作る必要がある。設計エラーが生じた場合は、新しいパターニングデバイスを作る必要がある。これは、特に少数組（small series of）の集積回路を製造する必要がある時、デバイスのコストに著しく影響する。したがって、描き換え可能なパターニングデバイスを提供する試みが成されてきた。
【０００４】
[0004]  米国特許第６，８１９，４６９号は、３Ｄホログラフィックディスプレイ用の「光変調器」を開示している。この文献には、当該光変調器がリソグラフィにも利用可能であることが記載されている。この光変調器は、１つ以上の相変化材料層を有する表面を含み、これにより、結晶状態から非晶状態へ変化させ、かつ元に戻すことが可能となる。このような相変化をもたらす方法として、層上の電極および光加熱（optical heating）の利用などの様々な方法が記載されている。相変化層は、この層の異なる表面から反射された光間の干渉を利用して反射を変調するのに使用することができる。
【０００５】
[0005]  集積回路のフィーチャサイズを小さくするには、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写するために使用する放射の波長を短くすることが望ましい。この目的において、ＥＵＶ範囲までの短い波長が提案されている。米国特許第６，８１９，４６９号の光変調器は、スペクトルの可視部分で使用されることが意図されている。この開示されたタイプの光変調器を、ＥＵＶ範囲内の波長のような、より短い波長に適用することは困難である。その理由の１つとして、短い波長において、相変化材料の最適光学特性に満たないことが挙げられる。また、この光変調器に十分に詳細なパターンを描き込むことも困難である。
【発明の概要】
【０００６】
[0006]  ＥＵＶ範囲のような短い波長の放射を介してパターニングデバイスから基板へとパターンを転写するのに使用する描き換え可能なパターニングデバイスであって、高い光学特性が実現されるパターニングデバイスを提供することが望ましい。
【０００７】
[0007]  一態様において、反射の間に放射ビームに断面パターンを付与してパターン付けされた放射ビームを形成するパターニングデバイスであって、
[0008]  −複数の安定および／または準安定状態のうちそれぞれの状態への誘発される構造的な相変化を局所的に受けることが可能な相変化材料の層と、
[0009]  −前記相変化材料の層に隣接して周期的に配置された層を有する放射反射構造であって、前記相変化材料の層において相変化が誘発されるとき、構造相が影響されない単一または複数の材料から成る、放射反射構造と、を含むパターニングデバイスが提供される。
[0010]  また、拡散バリア層が、相変化材料と放射反射構造との間、および／または、放射反射構造のうち隣接する相間に含まれてもよい。
【０００８】
[0011]  一態様において、放射ビームの反射の間に前記放射ビームにビームパターンを付与する反射型パターニングデバイスを提供する方法であって、
[0012]  −前記反射型パターニングデバイス内の反射性周期的多層構造に隣接する相変化材料の層を提供する工程であって、前記反射性周期的多層構造は前記相変化材料の層内に相変化が誘発されるときに影響を受けない材料から成る、工程と、
[0013]  −前記相変化材料の層の位置に応じた位置依存加熱パターンを用いて、前記相変化材料の層を、時間に依存して、および／または、前記相変化材料の層における局所的な相変化を誘発する加熱強度により、加熱し、前記相変化材料の層内に互いに相の異なる領域のパターンを画定する、工程と、を含む方法が提供される。
[0014]  また、前記反射型パターニングデバイスは、前記反射性周期的多層構造の第１のサブスタックと第２のサブスタックとの間に挟まれる前記相変化材料の層を含み、各サブスタックは各周期的配置の層を含み、前記放射ビームは、前記周期的多層構造の前記第１のサブスタックにより反射された第１のサブスタックビームと、前記相変化層が第１相のときに前記周期的多層構造の前記第1のサブスタックおよび前記相変化層に透過され、かつ前記周期的多層構造の前記第２のサブスタックにより反射される第２のサブスタックビームと、の間で破壊的な干渉が起こるように選択される波長および入射角度の組み合わせを有し、前記方法は、前記第１のサブスタックビームと、前記相変化層が前記第１相とは異なる第２相のときに前記多層構造の前記第１のサブスタックおよび前記相変化層に透過され、かつ前記周期的多層構造の前記第２のサブスタックにより反射される第３のサブスタックビームと、の間で非破壊的な干渉を生成する工程を含んでもよい。
[0015]  また、前記方法は、前記相変化層を加熱し、前記相変化層の第１領域を非晶相にする工程と、その後、前記相変化層における前記第１領域内の第２領域を、完全な結晶化を誘発するのに最低限必要な最小時間幅よりも短い時間幅にわたって加熱することにより、前記第２領域内に結晶相および非晶相の混合部分を誘発する工程とを含んでもよい。
【０００９】
[0016]  一態様において、上述したような投影デバイスが設けられたリソグラフィ投影装置が提供される。
【００１０】
[0017]  一態様において、上述したようなパターニングデバイスを使用したデバイス製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
[0018]  本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【図１】[0019]  図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を示す。
【図２】[0020]  図２は、パターニングデバイスの断面を示す。
【図３】[0020]  図３は、パターニングデバイスの断面を示す。
【図４】[0020]  図４は、パターニングデバイスの断面を示す。
【図５】[0020]  図５は、パターニングデバイスの断面を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
[0021]  図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、
[0022]−放射ビームＢ（例えば紫外線またはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
[0023]−パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置付けるように構成された第１ポジショナＰＭに連結されるサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
[0024]  −基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けるように構成された第２ポジショナＰＷに連結される基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、
[0025]  −パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＬと、を含む。
【００１３】
[0026]  照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００１４】
[0027]  サポート構造は、パターニングデバイスを支持、つまりその重量を支える。サポート構造は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。  
【００１５】
[0028]  留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。
【００１６】
[0029]  本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
【００１７】
[0030]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）である。
【００１８】
[0031]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。  
【００１９】
[0032]  また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体（例えば水）によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、リソグラフィ装置内の別の空間（例えば、マスクと投影システムとの間）に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるための技術においてよく知られている。本明細書において使用される「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。
【００２０】
[0033]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００２１】
[0034]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００２２】
[0035]  放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使い、例えば、マスクライブラリからマスクを機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。  
【００２３】
[0036]  例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。  
【００２４】
[0037]  １．  ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度に（すなわち、単一静止露光）ターゲット部分Ｃ上に投影する。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静止露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
【００２５】
[0038]  ２．  スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
【００２６】
[0039]  ３．  別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクテーブルＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２７】
[0040]  上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００２８】
[0041]  図２は、パターニングデバイスの断面を示している。このデバイスは、ベース２０と、下部周期的多層構造２２と、相変化層２４と、上部周期的多層構造２６とを含む。上部周期的多層構造２６は、相変化層２４上に提供され、相変化層２４は下部周期的多層構造２２上に提供され、さらに下部周期的多層構造２２はベース２０上に提供される。相変化層２４は、構造的に異なる（一般的には、結晶相および非晶相）少なくとも２つの安定相または準安定相で存在することができる。周期的多層構造２２、２６は、パターニングデバイスが使用される条件下で安定している。
【００２９】
[0042]  上部および下部周期的多層構造２２、２６は、入射するＥＵＶ放射の少なくとも一部を反射するのに使用される。ＥＵＶ範囲において高品質のリフレクタを提供するために周期的多層構造を使用すること自体は、公知である。また、この目的のために周期的多層構造を製造する技術自体も、公知である。したがって、それらについては、詳細な説明を省略する。例示的な一実施形態において、シリコンとモリブデンの交互層は、パターニングビームの目的とする波長に応じて選択される層の厚さに伴って増大され得る。
【００３０】
[0043]この種の周期的構造の反射率は、当該周期的構造内の層の数に依存する。上部周期的多層構造２６の層の数は、上部周期的多層構造２６から発生する放射の略半分がこの構造による反射から得られ、他の半分が下部周期的多層構造２２による反射から得られるように、選択される。下部周期的多層構造は、実質的に全ての（例えば、９０％より大きい）入射放射を反射するように設計されることが好ましい。
【００３１】
[0044]  相変化層２４は、相変化材料を含む。この材料は、相変化が光路長の変化を伴うタイプである限り、その組成自体は重要ではない（not relevant）。一実施形態ではＧｅ４ＳｂＴｅ５から成る相変化層２４が使用可能であるが、ＡｇＩｎＴｅ２、ＡｇＳｂＴｅ２、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５といった他の材料も同様に使用可能であり、もしくはより広く、例えばカルコゲニドベースの相変化材料を使用してもよい。
【００３２】
[0045]  相変化層２４の厚さは、上部および下部周期的相多層構造２２、２６からの反射によりもたらされる発生する放射への寄与（contributions）間の相関係に影響する。相変化層２４の厚さは、相変化材料がそれぞれ第１および第２の構造相にあるときに、これらの作用が建設的に（constructively）または破壊的に（destructively）干渉するように選択されることが好ましい。つまり、光路長の差は、半波長（または半波長＋整数の波長）である。法線入射の放射が使用される場合、異なる構造相での材料特性を考慮すると、これは層の厚さに直接変換される。角度をつけた入射が使用される場合、この角度により、それ自体が公知の方法により、必要な層の厚さも決定される。１つの構造相に対する破壊的な干渉に必要な相関係を提供するには、好適な厚さを有する追加的な層を相変化層２４に隣接させて追加してもよく、もしくは、下部または上部周期的多層構造２２のうち１つ以上の層の厚さを必要な相関係を提供するように選択してもよい。建設的干渉から破壊的干渉への切替えが好ましいが、他の切替えでも十分であることが理解されるであろう。例えば、破壊的干渉とある程度の（ただし、１００％ではない）建設的干渉との切替えを使用してもよい。
【００３３】
[0046]  図示される構造は、ＥＵＶ反射に最適な周期的多層構造２２、２６を最少の相変化材料層と組み合わせて使用することができるため、特にＥＵＶ範囲の波長を有する放射を反射するのに適している。
【００３４】
[0047]  図３は、単一の層２４の代わりに、例えばシリコンから成り、構造的な相変化を示さないスペーサ層３０により離隔された１つ以上の相変化材料層２４ａ、ｂが使用される、他の実施形態を示す。Ｎ＞１のあらゆる数の層であって、連続した層がＮ−１のスペーサ層３０によって離隔された相変化材料層２４ａ、ｂが使用され得る。この場合、相変化材料の層の厚さも、相変化による非破壊的干渉と破壊的干渉との間の切替えを提供するように選択される。複数の相変化層（例えば、このような層の周期的パターン）を使用することにより、積層全体の周期性の乱れが少なくなり、反射状態においてより高い全体反射率が達成される。ただし、複数の相変化材料層を使用することは、単一層に比べて、製造中の高度な厚さおよび粗さ制御が要求される点に留意しなくてはならない。少なくともこの精度が実現できないのであれば、単一層が好ましい。また、スペーサ層３０または複数のスペーサ層に代えて、１つ以上のさらに反射性の高い周期的多層構造を相変化材料層２４ａと相変化材料層２４ｂとの間に使用してもよい。これもより高い周期性を提供するが、層変化材料層２４ａと相変化材料層２４ｂとの間の単一層のスペーサは、シャープな位相シフトを提供するため、好ましい。
【００３５】
[0048]  動作中、相変化層２４内に集束され、かつパターニングデバイスの横方向にスキャンされるレーザビームを使用して相変化材料を加熱することにより、パターンがパターニングデバイス内に描き込まれる。パターニングデバイス内の選択された位置において結晶相から非晶相への相変化を実現するために、層内に集束される短いレーザパルスが選択された位置へ当てられる。このレーザパルスの強度および時間幅（継続時間）（duration）は、照射された量の相変化材料が溶融するように選択され、溶融した相変化材料はその後周囲の材料により非晶状態で急冷される。非晶相から結晶相への相変化を実現するために、より低い強度および／またはより長い時間幅のレーザパルスを使用して、照射された量の相変化材料を特定の結晶化温度まで加熱する。一実施形態において、相変化材料の領域は、まず結晶相への相変化が誘発されるように照射され、その後これらの領域内の選択されたサブ領域は、このサブ領域内において非晶相への局所的な変化が誘発されるように照射される。
【００３６】
[0049]  レーザビームは、その焦点が相変化層２４内にある状態で、（例えば、レーザ源を移動させるか、レーザビームをパターニングデバイスへと反射するミラーを回転させるか、または、パターニングデバイスを移動させることにより）相変化層内の異なる位置へと誘導され、所望の反射パターンを規定するデータによる制御下でパルスが当てられる。パターニングデバイスにおいて、相変化材料のうち１つまたは少数の局所化された層のみが使用される（反射率の大部分は、少なくともパターニングデバイスが使用される条件下で相変化を示さない周期的多層構造により提供される）という事実により、パターニングデバイス内にパターンを描き込むことが容易になっていることが理解されるであろう。ビームは非常に浅い深さで集束される必要があるため、高い解像度を実現することができる。
【００３７】
[0050]実用においては、レーザビームの集束深さは層構造の全体的な厚さと同じオーダー（程度）（same order）（例えば、１００ｎｍ）である。したがって、多層材料（例えば、ＭｏおよびＳｉ）が通常のレーザ波長において適宜の（appreciable）吸収係数を有することを考慮すると、相変化層を囲む多層構造の少なくとも一部もまた、高温に加熱される。しかし、レーザパルスの時間幅が非常に短いため、拡散による多層材料の混合は最小限に抑えられることが予想される。拡散をさらに制限するには、多層構造の層間に、および、相変化層に隣接して、拡散バリア層を設けてもよい。図４は、相変化層２４（または、複数の相変化層）の両側で連続する層間に拡散層４０（原寸大ではない）を提供する実施形態を示している。例えば、炭化ホウ素の層を使用することができる。拡散バリア層４０は、高温での垂直方向の原子拡散を減少させる働きをし、構造が加熱されて相変化が誘発される際に明確な多層構造を維持する。
【００３８】
[0051]  レーザによる加熱の代わりに、抵抗材料から成る１つの加熱要素または加熱要素のアレイを、当該加熱要素のうち選択された要素を加熱することのできるコネクションとともにパターニングデバイス内、例えば、ベース５０内または他の層間に含んでもよい。
【００３９】
[0052]  他の実施形態では、複数の加熱要素が設けられる。動作中、電流が選択された加熱要素中に流され、結晶領域および非晶領域のパターンを形成する。加熱要素の矩形マトリックスは、例えば、各々が抵抗材料を含むように設けられ得る。もしくは、他の加熱要素のパターンを設けてもよい。一例では、これを、所定位置（predetermined positions）に部品を有するゲートアレイのような半導体素子における金属層であって、所定箇所（predetermined locations）のコネクションが半導体素子内に存在するか否かを規定する金属層を画定するために、パターニングデバイスに適用することができる。この場合、加熱要素はこれらの所定位置（predetermined positions）に対応する場所に設けられ得る。
【００４０】
[0053]  図５は、ベース５０と、相変化層５２と、周期的多層構造５４とを含むパターニングデバイスの断面を示している。周期的多層構造５４は、相変化層５２上に設けられ、さらに相変化層５２はベース５０上に設けられる。この図のデバイスでは、デバイスにより反射される実質的に全ての（例えば、少なくとも８０％）ビーム放射が、相変化層５２または相変化層とのインタフェースではなく、周期的多層構造５４内で反射される。この図のデバイスでは、相変化による相変化層５２の表面粗さの変化を利用して、上層の（overlying）周期的多層構造５４内の層の粗さを変化させる。上層の周期的多層構造５４内の層の粗さを増加させることにより、上層の周期的多層構造５４の反射率は低下する。
【００４１】
[0054]  相変化材料、特にカルコゲニド合金ベースの材料は、非晶状態下でより小さい表面粗さを有することがわかった。これは、この材料が、結晶状態下で複数の小さい結晶を含み、この小さい結晶に起因する粒状構造により表面粗さが決定されるという事実に基づくものである。相変化材料を、完全な結晶相にするのに要する時間よりも短く加熱して部分的にのみ結晶化させることにより、この効果をさらに高めることができる。したがって、結晶相と非晶相との間の質量密度の差がもたらすさらに高い表面粗さを伴い、結晶相の小さい領域および非晶層の小さい領域の混合状態が得られる。この効果を高める他の方法として、特別に粗面化されたベース５０を使用することが挙げられる。
【００４２】
[0055]  一実施形態では、図５のパターニングデバイスは、非晶相の相変化層５２を有するベース５０を提供し、非晶相の相変化層５２上で周期的多層構造５４を増大させて製造される。このようにして、最小初期粗さを有する周期的多層構造５４が実現される。非晶相の相変化層５２を有するベース５０は、非晶相の相変化層５２を付着させる（deposit）か、または相変化層５２を付着させた後に加熱、急冷して非晶相を得ることにより、実現され得る。他の実施形態では、ベース２０は相変化層５２を付着させる前に粗面化されるため、相変化層は不均一な厚さを有する。本実施形態では、結晶化に際して相変化層の体積が減少することを利用してさらなる粗さを形成する。粗面化処理の一例としては、化学エッチングが挙げられる。ベースに与えられた粗さは、入射放射の相当な散乱を引き起こすほどの小さな相関距離を有するべきである。一実施形態では、粗面化は、パターニングデバイスの表面の一部（つまり放射ビームに面する表面）のみに施され、より具体的には、ビームにパターンを付けるのに使用される部分のみに施される。
【００４３】
[0056]  パターンが規定されると、上述したように、レーザビームにより相変化層への描き込みが行われ得る。レーザビームは、周期的多層構造５４および／またはベース２０を通して当てられ得る。他の実施形態では、相変化材料５２を結晶相に変換する際に、ビーム内の材料の一部を結晶状態に変化させるのには十分な長さがあるものの、ビーム内の材料の全てを結晶状態に変化させるのに最低限必要な長さよりは短いパルスを使った特別な形態のレーザ照射が使用される。これに必要なパルス時間幅は、パルス時間幅に応じた反射率を観察することにより実験的に確立することができる。短いパルス時間幅では、（非晶相において表面粗さが低いため）最初は反射率が高く、パルス継続時間を増加すると、（部分的な結晶化のため）反射率が最小値まで低下し、より長いパルス継続時間では、（完全な結晶化のため）再度わずかに増加するのみである。
【００４４】
[0057]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００４５】
[0058]  光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
【００４６】
[0059]  本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長、またはおよそこれらの値の波長を有する）、および極端紫外線（ＥＵＶ）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。
【００４７】
[0060]  「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
【００４８】
[0061]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。
【００４９】
[0062]  上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【国際調査報告】
2010514203.tif 000008
2010514203.tif 000009
2010514203.tif 000010