(57)【要約】  酸化シリコン膜の堆積におけるパターンローディングを改良するための方法が説明されている。上記方法は、堆積基板を堆積チャンバに提供するステップと、上記堆積基板の温度を約２５０℃〜約３２５℃の温度に調整するステップとを含んでもよい。オゾン含有ガスが、約１．５ｓｌｍ〜約３ｓｌｍの第１の流量で上記堆積チャンバに導入されてもよく、この場合、上記ガスにおけるオゾン濃度は約６重量％〜約１２重量％である。ＴＥＯＳもまた、約２５００ｍｇｍ〜約４５００ｍｇｍの第２の流量で上記堆積チャンバに導入されてもよい。上記酸化シリコン膜の堆積レートは、上記基板の堆積表面での上記オゾンおよびＴＥＯＳの反応の反応レートによってコントロールされる。【選択図】  図１
2010530139.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化シリコン膜の堆積におけるパターンローディングを改良するための方法であって、
堆積基板を堆積チャンバに提供するステップと、
前記堆積基板の温度を約２５０℃〜約３２５℃に調整するステップと、
オゾン含有ガスを前記堆積チャンバに、約１．５ｓｌｍ〜約３ｓｌｍの第１の流量で導入するステップであって、前記ガスのオゾン濃度が約６重量％〜約１２重量％であるステップと、
ＴＥＯＳを前記堆積チャンバに、約２５００ｍｇｍ〜約４５００ｍｇｍの第２の流量で導入するステップであって、前記酸化シリコン膜の堆積レートが、前記基板の堆積表面における前記オゾンとＴＥＯＳの反応の反応レートによってコントロールされるステップとを備える方法。
【請求項２】
前記酸化シリコン膜の前記堆積レートが前記ＴＥＯＳの前記第２の流量とは無関係である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記酸化シリコン膜の前記堆積レートが約５０Å／分〜約３００Å／分である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記酸化シリコン膜が約５０Å〜約６５０Åの厚さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記基板の温度が、前記堆積中約３００℃である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記基板の前記温度が、前記堆積中約２５０℃である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記酸化シリコン膜が約４０のＷＥＲＲを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
犠牲酸化物層を形成および除去するための方法であって、
最上部および側壁を有する段差を基板上に形成するステップと、
オゾンおよびシリコン前駆体の化学気相堆積によって前記段差周辺に犠牲酸化物層を形成するステップであって、前記酸化物層が前記段差の前記最上部および側壁に形成されるステップと、
前記酸化物層の最上部および前記段差を除去するステップと、
前記段差の前記除去によって暴露された前記基板の一部を除去してエッチング済み基板を形成するステップと、
前記エッチング済み基板から前記犠牲酸化物層全体を除去するステップと、
を備える方法。
【請求項９】
前記段差が無機材料を備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記段差がシリコンを備える、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記シリコン含有前駆体が有機シランまたは有機シロキサン化合物を備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記シリコン含有前駆体がＴＥＯＳを備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記基板が、前記犠牲酸化物層の形成中、約２５０℃〜約３２５℃の温度に加熱される、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記基板が、前記犠牲酸化物層の形成中、約３００℃の温度に加熱される、請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
前記堆積チャンバにおける全圧が、前記犠牲酸化物層の形成中、少なくとも５００トールである、請求項８に記載の方法。
【請求項１６】
前記犠牲酸化物層が、堆積されるときに約２００Å〜約６００Åの厚さを有する、請求項８に記載の方法。
【請求項１７】
前記犠牲酸化物層が、約５０Å／分〜約８００Å／分のレートで堆積される、請求項８に記載の方法。
【請求項１８】
前記犠牲酸化物層の形成中、前記シリコン含有前駆体が約２５００〜約４５００ｍｇｍの流量を有し、前記オゾンが約１．５ｓｌｍ〜約３ｓｌｍの流量を有する、請求項８に記載の方法。
【請求項１９】
前記犠牲酸化物層が、フッ素エッチャントを使用するドライ化学エッチングによって除去される、請求項８に記載の方法。
【請求項２０】
前記酸化シリコン膜が約４０のＷＥＲＲを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
半導体ギャップ形成プロセスに犠牲酸化物層を組み込むための方法であって、
基板上にフォトレジスト層を形成するステップと、
前記フォトレジスト層をパターニングして段差構造を形成するステップと、
オゾンおよびシリコン含有前駆体の化学気相堆積によって前記段差構造周辺に前記犠牲酸化物層を形成するステップと、
前記酸化物層の最上部を除去して、前記段差構造の対向する側壁に、接続されていない第１および第２の酸化物構造を形成するステップと、
前記酸化物構造間の前記段差構造を除去するステップと、
前記酸化物構造で覆われていない下に横たわる基板の一部を除去して、前記基板にエッチング済みギャップを形成するステップと、
前記エッチング済み基板から前記酸化物構造を除去するステップと、
を備える方法。
【請求項２２】
前記シリコン含有前駆体がＴＥＯＳである、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記基板が、前記犠牲酸化物層の形成中、約２５０℃〜約３２５℃の温度に加熱される、請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
前記堆積チャンバの全圧が、前記犠牲酸化物層の形成中、約６００トール以上である、請求項２１に記載の方法。
【請求項２５】
前記犠牲酸化物層が約４０のＷＥＲＲを有する、請求項２１に記載の方法。
【請求項２６】
前記段差が無機材料を備える、請求項２１に記載の方法。
【請求項２７】
前記段差がシリコンを備える、請求項２１に記載の方法。
【請求項２８】
前記段差が酸化シリコンまたは窒化シリコンを備える、請求項２１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【関連出願の相互参照】
【０００１】
[0001]本出願は、２００７年６月１５日に出願され、「Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ＳＡＣＶＤ  Ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ  Ｆｏｒ  Ｐａｔｔｅｒｎ  Ｌｏａｄｉｎｇ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ」と題された米国仮特許出願第６０／９４４，３４０号の利益を３５ＵＳＣ１１９（ｅ）に基づいて主張するものであり、この内容はその全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【発明の背景】
【０００２】
[0002]半導体集積回路チップのデバイス密度および機能性が増大し続けるに伴って、さらに小さな規模でこれらのデバイスを形成するための新たな解決策が必要とされている。デバイスパターンを６５ｎｍ規模にまで小さく形成するために、在来のフォトリソグラフィがうまく使用されてきた。しかしながら、規模がさらに（例えば、４５ｎｍ未満の規模に）縮小されると、光リソグラフィの解像度に対する物理的制限によって難題が生じる。
【０００３】
[0003]リソグラフィシステムの解像度は、レイリー方程式［Ｒ＝ｋｌ（λ／ＮＡ）］で説明可能であり、ここでｋｌは、単一暴露の制限値０．２５を有する比例定数であり、λは、使用される光の波長であり、ＮＡは、使用される光学系のアパーチャー数である。これらの変数の各々は、フォトリソグラフィックパターニング技術の光解像度に影響を与える。例えば、ＮＡを増加させ、波長λを減少させ、さらに／またはｋｌを減少させることによって、解像度は改良され、フォトリソグラフィックパターニングはより小さな規模を達成することができる。しかしながら、変数の各々を調整して解像度を改良するためには多数の難題がある。
【０００４】
[0004]例えば、アパーチャー数ＮＡの値の増加は新たな高指数浸漬液および光学材料を必要とすることになる。しかしながら、必要とされる光学特性およびより高い屈折率を具備する新たな材料の開発は困難であることが判明した。
【０００５】
[0005]波長λの減少もまた、在来のエキシマレーザー技術によってアクセス可能な、より低い（つまりより深い）ＵＶ波長がテストされているように、技術的難題に直面している。２４８ｎｍラインが１００ｎｍスケーリングに対してうまく具現化され、１９３ｎｍラインが６５ｎｍおよびおよそ４５ｎｍのデバイスへのスケーリングがうまくいったことを示しているのに対して、より低いエキシマ波長への移行は困難であった。例えば、１５７ｎｍエキシマライン用のフォトリソグラフィの開発の試みはこれまでうまくいかなかった。この難題は、光学材料（つまり、結晶ＣａＦ２光学部品）の使用可能性の制限と、かなり高い透過性および屈折率を具備する浸漬液の不足を含む。さらに、これらの難題が解決可能であるとしても、１９３ｎｍから１５７ｎｍへの波長の減少は、１５７ｎｍでなされたフォトリソグラフィの解像度を著しく改良するほどには大きくなかった。
【０００６】
[0006]１９３ｎｍ技術より１０〜１５倍短い光の波長（例えば、１３．５ｎｍ）を生成可能な極紫外線システム（ＥＵＶ）の開発が進行中である。これらのシステムは、浸漬液および在来の光学部品を真空および全反射光学部品と置換することを必要とするが、これは、多くの材料がこれらの短い波長を吸収するからである。現在、これらのＥＵＶシステムの開発は開始されており、新たなマスク、ソースおよびレジストインフラの開発は数年かかると予想されている。
【０００７】
[0007]解像度を増加させるもう１つの可能性は、ダブルパターニングプロセスを通してレイリー方程式のｋｌ値を低下させることである。リソグラフィックダブルパターニングとして知られているダブルパターニング技術は、０．２５以下のｋｌ値を有するチップパターンを、０．２５より大きなｋｌ値を有する２つ以上の個別マスクパターンに分割することを伴う。第１のマスクパターンは、フォトレジストがパターニング済みハードマスクをコーティングする前に、暴露されて、ハードマスク膜にエッチングされてもよい。第２のマスクは、フォトレジストが暴露およびエッチングされる前に、エッチング済みパターンと整列される。デュアルパターニングおよびエッチングによって、デバイス構造は、レイリー方程式によって定義された解像度限界よりも小さいスケーリングで表面に形成可能である。
【０００８】
[0008]リソグラフィックダブルパターニングが、１９３ｎｍフォトリソグラフィの現在の基礎構造を、より小さい規模にする可能性を保持しているが、かなりの技術的難題をもたらす。これらは、マスクパターン間のパターン間オーバーレイを必要な精度で達成する際の困難を含む。複数のマスクでパターニングするのに必要とされるフォトレジスト堆積、パターニングおよびエッチングのステップ数の増加によってもたらされる何らかの効率損失がある。したがって、集積回路チップの製作においてデバイス規模を低下させかつデバイス密度を増加させるための更なる技術が必要とされる。
【発明の概要】
【０００９】
[0009]本発明の実施形態は、酸化シリコン膜の堆積におけるパターンローディングを改良する方法を含む。上記方法は、堆積基板を堆積チャンバに提供するステップと、上記堆積基板の温度を約２５０℃〜約３２５℃に調整するステップとを含んでもよい。オゾン含有ガスが約１．５ｓｌｍ〜約３ｓｌｍの第１の流量で上記堆積チャンバに導入されてもよく、この場合上記ガスのオゾン濃度は約６重量％〜約１２重量％である。ＴＥＯＳもまた、約２５００ｍｇｍ〜約４５００ｍｇｍの第２の流量で上記堆積チャンバに導入されてもよい。上記酸化シリコン膜の上記堆積レートは、上記基板の堆積表面での上記オゾンおよびＴＥＯＳの反応の反応レートによってコントロールされる。
【００１０】
[0010]本発明の実施形態はまた、犠牲酸化物層を形成および除去する方法を含むことができる。上記方法は、最上部および側壁を有する段差を基板上に形成するステップと、オゾンおよびシリコン前駆体の化学気相堆積によって上記段差周辺に犠牲酸化物層を形成するステップであって、上記酸化物層が上記段差の上記最上部および側壁上に形成されるステップとを含んでもよい。上記方法はまた、上記酸化物層の最上部および上記段差を除去するステップと、上記段差の除去によって暴露された上記基板の一部を除去してエッチング済み基板を形成するステップとを含んでもよい。上記方法はさらに、上記エッチング済み基板から上記犠牲酸化物層全体を除去するステップを含んでもよい。
【００１１】
[0011]本発明の実施形態はさらに、半導体ギャップ形成プロセスに犠牲酸化物層を組み込む方法を含んでもよい。上記方法は、基板上にフォトレジスト層を形成するステップと、上記フォトレジスト層をパターニングして段差構造を形成するステップとを含んでもよい。上記方法はまた、オゾンおよびシリコン含有前駆体の化学気相堆積によって上記段差構造周辺に上記犠牲酸化物層を形成するステップを含んでもよい。上記酸化物層の最上部は、上記段差構造の対向する側壁上に、連続していない第１および第２の酸化物構造を形成するために除去されてもよい。上記基板にエッチング済みギャップを形成するために上記酸化物構造によって覆われていない下に横たわる基板の一部、ならびに上記酸化物構造間の上記段差構造は除去可能である。上記方法はさらに、上記エッチング済み基板から上記酸化物構造を除去するステップを含んでもよい。
【００１２】
[0012]さらなる実施形態および特徴は、一部が以下の記述で説明され、一部が明細書を検証する際に当業者に明らかになるか、本発明の実践でわかる。本発明の特徴および利点は、明細書に記載されている機器、組み合わせおよび方法によって実現および達成可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
[0013]本発明の性質および利点のさらなる理解は、明細書の残りの部分および図面を参照して実現可能であり、この場合、複数の図面を通して、同様の構成要素に言及するのに同様の参照符号が使用されている。一部の例では、サブラベルが参照符号に関連付けられており、複数の同様の構成要素のうちの１つを示すためにハイフンが続く。既存のサブラベルに関係なく参照符号を参照する場合、このような複数の同様の構成要素すべてを参照することを意図している。
【図１】本発明の例示的実施形態にしたがった、Ｏ３／ＴＥＯＳ  ＳＡＣＶＤ反応の厚さと温度の関係を示す図である。
【図２】本発明の例示的実施形態にしたがった、Ｏ３／ＴＥＯＳ  ＳＡＣＶＤ反応の堆積レートとＯ３量の関係を示す図である。
【図３】本発明の例示的実施形態にしたがった、Ｏ３／ＴＥＯＳ  ＳＡＣＶＤ反応の、約２５０℃の処理温度での堆積レートとＴＥＯＳ流量の関係を示す図である。
【図４】本発明の例示的実施形態にしたがった、少量のＯ３を用いたＯ３／ＴＥＯＳ  ＳＡＣＶＤ反応の堆積レートとＴＥＯＳ流量の関係を示す図である。
【図５Ａ】本発明の例示的実施形態にしたがった、高密度エリアでの膜堆積の適合性を示すＴＥＭ画像である。
【図５Ｂ】本発明の例示的実施形態にしたがった、開放エリアでの膜堆積の適合性を示すＴＥＭ画像である。
【図６】本発明の例示的実施形態にしたがった、Ｏ３／ＴＥＯＳ  ＳＡＣＶＤ反応の、約３００℃の処理温度において約２リットルのＯ３量で形成された膜の特性を示す表である。
【発明の詳細な説明】
【００１４】
[0020]改良されたパターンローディング特徴を具備する酸化シリコン膜の堆積方法が説明されている。これらの方法は、オゾンおよびシリコン含有前駆体（例えば、ＴＥＯＳ）による酸化シリコンの準常圧化学気相堆積（ＳＡＣＶＤ）を使用する。この堆積プロセスは、高い全圧（例えば、約１００トール以上）かつ低温（例えば、約２５０℃〜約３２５℃）で、堆積基板を、オゾンおよびシリコン含有前駆体の混合物に暴露するステップを含む。これらの条件は、前駆体が表面に移送可能なレート（つまり、質量主体）ではなく、堆積表面（つまり、表面主体）での堆積前駆体（例えば、Ｏ３およびＴＥＯＳ）の反応レートが優先する酸化膜堆積レートを提供する。
【００１５】
[0021]表面主体の堆積において、堆積膜のパターンローディングが改良される。パターンローディングとは、基板表面における高密度構造および開放構造のエリア間の厚さ変動の測定のことである。パターンローディングの増加とは、これらのエリア間に厚さ変動の増加があることを意味している。通常、パターンローディングは質量主体のプロセスでは高く、この場合、堆積膜はしばしば、より高密度でパックされた基板構造を有するエリア（例えば、基板上のギャップおよび段差）よりも開放エリアにおいて厚い。これは、部分的には、暴露された表面積の差によってもたらされる、つまり高密度構造エリアは、膜が堆積されている開放エリアよりも大きな堆積表面積を有している。質量主体のプロセスについては、同量の材料が基板上の等しいサイズのエリアに達すると、この材料は、基板の更なる高密度構造領域でさらに拡散される（そしてより薄く拡散する）。
【００１６】
[0022]対照的に、堆積表面積の差は、表面主体の堆積への効果がさらに小さくなる。表面主体の堆積において、反応表面における低温は、堆積前駆体の化学反応レートを遅らせ、これを、前駆体が表面に達することができるレート（つまり、質量主体堆積）ではなく堆積レート制限ステップにする。反応レートは、開放領域と高密度パック基板領域の両方で同一であるため、堆積膜の蓄積は、堆積中のパターンローディングを改良する（つまり、低下させる）両方の領域において同一である。
【００１７】
[0023]パターンローディングが改良されたこれらの低温堆積向けの用途は、リソグラフィックパターニングプロセスにおける犠牲酸化物層の形成である。例えば、低温Ｏ３＋ＴＥＯＳ堆積が、シリコンウェーハ基板の上またはこの中に形成された開放および高密度段差パターン全体に略均一な厚さのコンフォーマル酸化物層膜を堆積するために使用されてもよい。パターンは、レジスト材料で平らな基板表面に形成された段差および／またはギャップを突出させるステップを含んでもよい。Ｏ３が堆積反応剤として使用されるため、レジスト材料は、シリコン、酸素および／または窒素などの無機元素および／または化合物を含んでもよい。例えば、この材料は、多結晶シリコン、あるいは、誘電性シリコン酸化物、窒化物および／または酸窒化物であってもよい。
【００１８】
[0024]低温犠牲酸化膜堆積方法を利用可能な具体的なパターニング用途は、スペーサデュアルパターニングフォトリソグラフィ技術を含む。スペーサデュアルパターニングにおいて、犠牲酸化物は、パターニング済みフォトレジスト構造周辺にコンフォーマル膜を形成する。この膜は次いで、フォトレジスト構造の最上部をカバーするこれらの部分を「開放する」ために部分的にエッチングされる。このフォトレジスト材料は次いで、下に横たわる基板上にパターンを定義する犠牲酸化物構造を残すように除去される。酸化物で覆われていない基板の一部は次いで、基板にギャップのパターンを形成するためにエッチングされてもよい。犠牲酸化物は次いで、エッチング済み基板から除去されてもよい。スペーサデュアルパターニング技術に関するさらなる詳細は、本出願と同日に出願され、かつ「ＯＸＹＧＥＮ  ＳＡＣＶＤ  ＴＯ  ＦＯＲＭ  ＳＡＣＲＩＦＩＣＩＡＬ  ＯＸＩＤＥ  ＬＩＮＥＲＳ  ＩＮ  ＳＵＢＳＴＲＡＴＥ  ＧＡＰＳ」と題された、Ｚｈｅｎｇらによる米国仮特許出願に見ることができ、この内容全体は参照により本明細書に組み込まれる。
【００１９】
例示的堆積プロセス
[0025]例示的堆積プロセスは準常圧化学気相堆積（ＳＡＣＶＤ）プロセスを含んでおり、これらは高アスペクト比プロセス（ＨＡＲＰ）を含むが、これに制限されない。この堆積プロセスは、シリコン含有前駆体（例えば、テトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、ジメチルシラン、ジエチルシラン、テトラメチルシクロテトラシロキサンなどのシラン、有機シランまたは有機シロキサン前駆体）と、オゾン（Ｏ３）を含む酸化剤ガスとを堆積チャンバに導入し、かつ化学反応させて、堆積基板上に犠牲酸化シリコン膜を堆積するステップを含んでもよい。
【００２０】
[0026]ＳＡＣＶＤプロセスはまた、不活性ガスおよび／またはキャリアガスを堆積チャンバに導入するステップを含んでもよい。キャリアガスはシリコン前駆体および／または酸素を堆積チャンバに運び、不活性ガスは、チャンバを特定の圧力に維持する助けとなる。両タイプのガスは、とりわけ他の種類のガスのうちヘリウム、アルゴンおよび／または窒素（Ｎ２）を含んでもよい。
【００２１】
[0027]反応性前駆体およびキャリア／不活性ガスの流量は、堆積チャンバに適切な分圧のガスを提供するためにコントロール可能である。２００ｍｍ基板を処理する実施形態において、シリコン含有前駆体としてのＴＥＯＳをオゾンと使用する堆積において、ＴＥＯＳは約２５００〜約４０００ｍｇｍのレートで流れることができ、オゾンは、約１ｓｌｍ〜約５ｓｌｍ（例えば、約１．５ｓｌｍ〜約３ｓｌｍ）で流れることができ（オゾン濃度は酸化剤ガスの約６〜約１２重量％であり）、ヘリウムは、約１５ｓｌｍで流れることができ、窒素は約５ｓｌｍで流れることができ、および、例えばＲＰＳからの追加窒素（Ｎ２）は約５００ｓｌｍのレートで流れることができる。堆積プロセスは、Ｓａｎｔａ  Ｃｌａｒａ，ＣａｌｉｆｏｒｎｉａのＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．から入手可能なＰＲＯＤＵＣＥＲＭＴＣＶＤチャンバ／システムで実行可能である。堆積基板は、前駆体が堆積チャンバに入るシャワーヘッドフェースプレートから約２００ミル〜約９００ミル（例えば、約２５０ミル〜約３２５ミル）の間隔をあけられてもよい。実施形態において、堆積基板は、シャワーヘッドフェースプレートから約６００ミルの間隔をあけられてもよい。上述したガスの流量は、異なるサイズの基板を処理するために修正可能である点に注目すべきである。例えば、３００ｍｍ基板を処理するためのガスの流量は、２００ｍｍ基板を処理するためのガスの約２．２５倍であってもよい。この用途についての記載に基づいて、当業者は、所望の誘電膜を堆積するために流量および／または他のパラメータを修正可能である。
【００２２】
[0028]不活性／キャリアガスおよび堆積前駆体（例えば、ＴＥＯＳおよびＯ３）の組み合わせは、堆積チャンバの圧力を約１００トール〜約７６０トールの範囲に設定するために使用可能である。例示的圧力は約３００トール、４００トール、５００トール、６００トールなどを含む。
【００２３】
[0029]上記のとおり、ＴＥＯＳおよびオゾンを使用する犠牲酸化物堆積は低温（例えば、約２５０℃〜約３２５℃、約２５０℃、約３００℃など）で行われてもよい。実施例は、膜が約５０Å〜約６００Åの厚さに達するまで、約３００℃の温度で犠牲酸化膜を堆積するステップを含む。圧力、温度および前駆体流の条件は、膜が約１Å／分〜約６００Å／分（例えば、約５０Å／分〜約３００Å／分）のレートで堆積されるように調整可能である。ＳＡＣＶＤ誘電堆積（および、とりわけＳＡＣＶＤ  ＨＡＲＰ堆積）に関する更なる詳細は、「ＭＥＴＨＯＤ  ＵＳＩＮＧ  ＴＥＯＳ  ＲＡＭＰ−ＵＰ  ＤＵＲＩＮＧ  ＴＥＯＳ／ＯＺＯＮＥ  ＣＶＤ  ＦＯＲ  ＩＭＰＲＯＶＥＤ  ＧＡＰＦＩＬＬ」と題された、Ｉｎｇｌｅらの米国特許第６，９０５，９４０号に説明されており、この内容全体は、すべての目的について参照により本明細書に組み込まれる。
【００２４】
[0030]上記説明に基づいて、例示的Ｏ３／ＴＥＯＳ  ＳＡＣＶＤ反応の、例えば約２５０℃〜約３２５℃の所望の処理温度が図１に示されているように識別可能であることが分かっている。実施形態において、約２０ｓｃｃｍ〜約３００ｓｃｃｍのＯ３流量は、図２に示されているように、所望の堆積レートを提供可能である。薄膜の堆積レートの実質的にフラットな領域が図３および図４に示されることが可能である点が分かっている。図３において、例示的プロセスは約２５０℃の処理温度を有する。図４において、例示的プロセスは約３００℃の処理温度を有し、Ｏ３は、約２リットルの量および１２．５重量％を有する。図３および図４に示されているように、フラット領域内の薄膜の堆積レートは、ＴＥＯＳの流量とは実質的に無関係である。図５Ａおよび図５Ｂは、それぞれ高密度エリアおよび開放エリアにおける薄膜堆積の適合性を示すＴＥＭ画像である。例えば約２５０℃〜約３２５℃の温度、約１．５リットル〜約３リットルのＯ３量、約６重量％〜約１２重量％のＯ３濃度、および約２，５０００ｍｇ〜約４，０００ｍｇのＴＥＯＳ流量のウィンドウ内で堆積プロセスを実行することによって、薄膜の所望の適合性（conformity）が、図５Ａおよび図５Ｂに示されているように達成可能である。図６は、約２リットルのＯ３量および約３００℃の処理温度を有する、図３または図４に示されているフラット領域内で形成された薄膜の特徴を示す表である。
【００２５】
[0031]ある範囲の値が提供される場合、この範囲の上限値および下限値の間の、特に言及のない限り下限値の単位の１０分の１に至るまでの各中間値もまた具体的に開示されていることが理解される。ある規定範囲内の任意の規定値または中間値と、この規定範囲内の任意の他の規定値または中間値の間のより狭い範囲は本発明に包含されている。これらの狭い範囲の上限値および下限値は別個に、この範囲に含まれても、あるいはこれから除外されてもよく、また、いずれかまたは両方の限界値が狭い範囲に含まれているか、あるいは両方とも含まれていない各範囲もまた本発明に包含されており、規定範囲内の任意の排除限界値にしたがう。規定範囲が限界値の一方または両方を含む場合、含まれている限界値のいずれかまたは両方を排除する範囲もまた本発明に含まれている。
【００２６】
[0032]本明細書および添付の請求項で使用されているように、単数形の「ある（ａ）」および「この（ｔｈｅ）」は、特に言及されない限り複数形の場合も含む。したがって、例えば、「あるプロセス」という表記は複数のこのようなプロセスを含むことがあり、また「この層」は１つ以上の層、および当業者に既知の等価物などを含むことがある。
【００２７】
[0033]また、用語「備える」、「備えている」、「含む」、「含んでいる」および「含む」は、本明細書および以下の請求項で使用される場合に、規定の特徴、整数、構成要素またはステップを特定することを意図しているが、１つ以上の他の特徴、整数、構成要素、ステップまたはグループの有無および追加を除外しない。
【図１】
2010530139.tif 000003
【図２】
2010530139.tif 000004
【図３】
2010530139.tif 000005
【図４】
2010530139.tif 000006
【図５Ａ】
2010530139.tif 000007
【図５Ｂ】
2010530139.tif 000008
【図６】
2010530139.tif 000009
【国際調査報告】
2010530139.tif 000010