(57)【要約】  パターン付き放射ビームが基板上に投影される。反射光学素子が、プラズマ源のプラズマ領域から放出された放射から放射ビームを形成することを助けるために用いられる。プラズマ源では、プラズマ電流がプラズマ領域において発生される。反射光学素子への損傷を低減するために、プラズマ電流の方向に沿って方向付けられた成分を少なくとも有する磁場がプラズマ領域内に印加される。この軸方向磁場は、プラズマのＺピンチ領域の崩壊を制限することを助ける。崩壊を制限することによって放出される高速イオンの数を減少することができる。
2010514158.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アノードおよびカソードの間にプラズマ電流を生成するための領域を画成するアノードおよびカソードと、前記領域内に、前記アノードおよび前記カソードの間の前記プラズマ電流の方向に沿って方向付けられる成分を少なくとも有する磁場を生成する磁石と、を含むプラズマ放射源。
【請求項２】
前記領域から放出された放射から放射ビームを形成するビーム形成システムを更に含む、請求項１に記載のプラズマ放射源。
【請求項３】
前記磁石は、前記磁場を少なくとも１０ミリテスラの強度で前記領域内に印加する、請求項１に記載のプラズマ放射源。
【請求項４】
前記磁石は、永久磁石、電磁石、またはこれらの組み合わせを含む、請求項１に記載のプラズマ放射源。
【請求項５】
パターニングデバイスからのパターンを基板上に投影させる装置であって、
アノードおよびカソードの間にプラズマ電流を生成するための領域を画成するアノードおよびカソードと、前記領域内に、前記アノードおよび前記カソードの間の前記プラズマ電流の方向に沿って方向付けられる成分を少なくとも有する磁場を生成する磁石とを含むプラズマ放射源と、
前記領域から放出された放射から放射ビームを形成するシステムと、
を含む装置。
【請求項６】
前記磁石は、前記磁場を少なくとも１０ミリテスラの強度で前記領域内に印加する、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記磁石は、永久磁石、電磁石、またはこれらの組み合わせを含む、請求項５に記載の装置。
【請求項８】
前記放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するサポートと、
基板を保持する基板テーブルと、
前記基板のターゲット部分上に前記パターン付き放射ビームを投影する投影システムと、
を更に含む、請求項５に記載の装置。
【請求項９】
放射を生成する方法であって、
プラズマ領域内にプラズマ電流を発生することと、
前記プラズマ領域内に、前記プラズマ電流の方向に沿って方向付けられる成分を少なくとも有する磁場を印加することと、
前記プラズマ領域から放射を放出することと、
を含む方法。
【請求項１０】
前記磁場は、少なくとも１０ミリテスラの強度で前記プラズマ領域内に外部から印加される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記磁場は、永久磁石、電磁石、またはこれらの組み合わせを用いて印加される、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成することと、前記パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に投影することとを更に含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記プラズマ領域から放出された放射から放射ビームを形成することを更に含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
パターン付き放射ビームを基板上に投影することを含むデバイス製造方法であって、
プラズマ領域内にプラズマ電流を発生することと、
前記プラズマ領域内に、前記プラズマ電流の方向に沿って方向付けられる成分を少なくとも有する磁場を印加することと、
反射光学素子を用いて前記プラズマ領域から放出された放射から放射ビームを形成することと、
を含む方法。
【請求項１５】
前記磁場は、少なくとも１０ミリテスラの強度で前記プラズマ領域内に外部から印加される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記磁場は、永久磁石、電磁石、またはこれらの組み合わせを用いて印加される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成することと、前記パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に投影することとを更に含む、請求項１４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、プラズマ放射源と、一実施形態ではリソグラフィ装置である、プラズマ放射源を用いて放射ビームを形成するための装置と、プラズマ放射を形成する方法と、デバイスを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いてＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成することができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般に、単一の基板に、連続的にパターンが付けられた隣接ターゲット部分のネットワークが含まれている。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するいわゆるステッパや、放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射するいわゆるスキャナが挙げられる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
[0003]  米国特許出願公開ＵＳ２００４−０１０５０８２号には、プラズマ源を使用して、パターンを基板に転写するためのパターン付きビームを形成するために用いる放射を生成することが記載される。一実施形態において、いかにプラズマのＺピンチ効果が放射の生成に影響を与えるかが記載される。簡潔に述べるに、Ｚピンチには、プラズマ電流と、そのプラズマ電流によって誘起される方位磁場（即ち、プラズマ電流に垂直な面における円の接線方向に向けられる磁場）との相互作用が関連する。方位磁場は、プラズマによって運ばれる放電電流に力をかける。この力は、放電の中心軸に向けられる。その結果、電流を有するプラズマが圧縮（ピンチ）され、プラズマからの放射の強度が、ピンチされた領域のジュール加熱が増加することにより上がる。この放射は、ＥＵＶリソグラフィに好適でありうる。
【０００４】
[0004]  ＥＵＶリソグラフィ装置では、反射素子（例えば、集束効果等を有するような形にされたミラー）を用いてＺピンチプラズマ電流により放出された放射からビームを形成して、そのビームでパターニングデバイスを照射し、パターニングデバイスからのパターン付きビームを基板上に投影させる。
【０００５】
[0005]  ＥＵＶ放射以外に、Ｚピンチプラズマは高速イオンも放出する。不都合なことに、これらの高速イオンは上述したようなＥＵＶリソグラフィ装置における反射素子を損傷する場合がある。
【発明の概要】
【０００６】
[0006]  例えば、Ｚピンチプラズマを用いて放射ビームを生成するリソグラフィ装置において光学素子に与えられる損傷を低減することが望ましい。
【０００７】
[0007]  本発明の一様態では、アノードおよびカソードの間にプラズマ電流を生成するための領域を画成するアノードおよびカソードと、領域内に、アノードおよびカソードの間のプラズマ電流の方向に沿って方向付けられる成分を少なくとも有する磁場を生成する磁石とを含むプラズマ放射源を提供する。
【０００８】
[0008]  本発明の一様態では、パターニングデバイスからのパターンを基板上に投影させる装置であって、アノードおよびカソードの間にプラズマ電流を生成するための領域を画成するアノードおよびカソードと、領域内に、アノードおよびカソードの間のプラズマ電流の方向に沿って方向付けられる成分を少なくとも有する磁場を生成する磁石とを含むプラズマ放射源と、領域から放出された放射から放射ビームを形成する照明システムとを含む装置を提供する。
【０００９】
[0009]  本発明の一様態では、放射を生成する方法であって、プラズマ領域内にプラズマ電流を発生することと、プラズマ領域内に、プラズマ電流の方向に沿って方向付けられる成分を少なくとも有する磁場を印加することと、プラズマ領域から放射を放出することとを含む方法を提供する。
【００１０】
[0010]  本発明の一様態では、パターン付き放射ビームを基板上に投影することを含むデバイス製造方法であって、プラズマ領域内にプラズマ電流を発生することと、プラズマ領域内に、プラズマ電流の方向に沿って方向付けられる成分を少なくとも有する磁場を印加することと、反射光学素子を用いてプラズマ領域から放出された放射から放射ビームを形成することとを含む方法を提供する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
[0011]  本発明の実施形態を、単なる例として、添付の概略図面を参照して説明する。これらの図面において対応する参照符号は対応する部分を示す。
【図１】[0012]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す。
【図２】[0013]  図２は、放射源を示す。
【図３】[0014]  図３は、放射源を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
[0015]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。このリソグラフィ装置は、
[0016] - 放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射またはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
[0017] - パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置付けるように構成された第１ポジショナＰＭに連結されるサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
[0018] - 基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けるように構成された第２ポジショナＰＷに連結される基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、
[0019] - パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、反射型投影レンズシステム）ＰＳとを含む。
【００１３】
[0020]  照明システムとしては、放射を誘導、整形、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、或いはそれらのあらゆる組合せ等の様々なタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００１４】
[0021]  サポート構造は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否か等の他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスが、例えば、投影システムに対して所望の位置にあることを確実にしうる。ここで使用する「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えてよい。
【００１５】
[0022]  ここで使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指すと広く解釈すべきである。なお、放射ビームに付けられたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もあることに留意されたい。通常、放射ビームに付けられたパターンは、集積回路等のターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。
【００１６】
[0023]  パターニングデバイスは、透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは周知であり、バイナリ、レべンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフト等のマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリクス配列が用いられ、小型ミラーはそれぞれ個別に傾斜されて、入射する放射ビームを様々な方向に反射させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリクスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００１７】
[0024]  ここで使用する「投影システム」という用語は、用いられる露光放射に、または液浸液の使用若しくは真空の使用といった他の要因に適切な屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈すべきである。ここで使用する「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えてよい。
【００１８】
[0025]  ここで示されるとおり、装置は反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）である。或いは、装置は透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００１９】
[0026]  リソグラフィ装置は、２（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のサポート構造）を有するタイプのものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械では、追加のテーブルおよび／またはサポート構造を並行して用いることができるか、または、予備工程を１つ以上のテーブルおよび／またはサポート構造上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルおよび／またはサポート構造を露光用に使うこともできる。 
【００２０】
[0027]  また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高い屈折率を有する液体、例えば水によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。液浸液は、例えば、マスクと投影システムの間といったリソグラフィ装置内の別の空間に加えられてもよい。液浸技術は、当該技術において、投影システムの開口数を増加させることでよく知られている。ここで使用する「液浸」という用語は、基板といった構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中に投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。
【００２１】
[0028]  図１を参照するに、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するように構成されたアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（一般にそれぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータやコンデンサといった様々な他のコンポーネントを含んでもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調整することにより、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００２２】
[0029]  放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射し、パターニングデバイスによってパターンが付けられる。パターニングデバイスＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点を合わせる。基板テーブルＷＴは、第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）に支援されて、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を用いて、パターニングデバイスＭＡを、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後またはスキャン中に、放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。一般に、サポート構造ＭＴの動きは、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの動きも、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを用いて実現することができる。ステッパ（スキャナとは対照的に）の場合は、サポート構造ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されるか、または固定されてもよい。パターニングデバイスＭＡと基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２を用いて位置合わせされてもよい。図示する基板アライメントマークは専用ターゲット部分を占めているが、これらのマークはターゲット部分間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがパターニングデバイスＭＡ上に設けられる場合、パターニングデバイスアライメントマークは、ダイ間に置かれてもよい。 
【００２３】
[0030]  例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用することができる。 
【００２４】
[0031]  １．  ステップモードでは、サポート構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（即ち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
【００２５】
[0032]  ２．  スキャンモードでは、サポート構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（即ち、単一動的露光）。サポート構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
【００２６】
[0033]  ３．  別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードでは、一般にパルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルス間に必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２７】
[0034]  上述の使用モードの組合せおよび／または変形、或いは完全に異なる使用モードも採用してもよい。
【００２８】
[0035]  図２は、Ｚピンチプラズマ放射源ＳＯの一部を示す。この放射源は、アノード２０、カソード２２、レーザ２４、および永久磁石２６を含む。更に、照明システムの第１の反射素子（例えば、レンズ）２８を象徴的に示す。アノード２０およびカソード２２は、モータ（図示せず）により駆動される回転式ディスクでありうる。説明の便宜上、永久磁石２６をＵ字型に示すが、任意の形状を用いてよいことが理解されるべきである。永久磁石２６は、アノード２０とカソード２２との間の領域におけるプラズマ電流の方向に実質的に平行に向けられる磁場を発生させるよう位置付けられる。レーザ２４は、カソード２２に向けられ、カソード２はスズ（Ｓｎ）を含む。
【００２９】
[0036]  動作中、プラズマを発生するのに十分な強さの電場がアノード２０とカソード２２との間に印加される。このための諸条件自体は知られている。レーザ２４を用いて、カソード２２またはアノード２０からアノード２０とカソード２２との間の領域中へスズを蒸発させる効果を有する強度でカソード２２またはアノード２０を照射する。このトリガリング方法は、本願にその全体を参照として組み込む米国特許出願公開番号ＵＳ２００４−０１０５０８２により詳細に記載される。アノード２０とカソード２２との間の領域における電場は、アノード２０とカソード２２との間のプラズマ電流が、かかる領域を流れるようにする。電流におけるプラズマは、（いくつかの他の素子があるうちの）第１の反射素子２８の方向にＥＵＶ放射を放出する。第１の反射素子２８は、この放射を照明システム内に反射し、この照明システムから、放射は、パターニングデバイスＭＡ（図示せず）に当てられ、基板Ｗ（図示せず）上に投影される。
【００３０】
[0037]  プラズマ電流の領域では、Ｚピンチ効果が発生し、これはプラズマ電流を加熱して集中させ、放射の増大および最大放射強度の波長の下げをもたらす。Ｚピンチ効果は、放電電流により誘起される方位磁場、即ち、アノード２０からカソード２２への放電電流を囲む磁力線の結果である。軸方向磁場がなければ、プラズマは、方位磁場による圧力が内部プラズマ圧によって相殺されるときまで収縮し続ける。この状態は、ベネット平衡(Bennett equilibrium)として知られている。これは放出された放射に関しては望ましい効果ではあるが、Ｚピンチは、より多くの高速イオンも放出されるという望ましくない副作用を有する。これらの高速イオンは、第１の反射素子２８に、また、一部の場合には、例えば、照明システム内の他の部分にも損傷を与えてしまうことがある。ディーププラズマ圧縮、したがって小さいプラズマ断面は、プラズマのオーム抵抗Ｒを高くする。しかしながら、放電回路の総インダクタンスは電流値Ｉを維持するので、放電ギャップにおける電圧降下Ｕ＝Ｉ＊Ｒが本質的に増加する。有効電荷Ｚを有するイオンは、そのような磁場によって、運動エネルギーＥ＝Ｚ＊Ｕまで加速されることが可能である。例えば、電流値Ｉ＝２０ｋＡおよびプラズマ抵抗Ｒ＝０．１−１オームでは、最大２０−２００ｋｅＶの運動エネルギーを有するＺ＝１０を有するイオンを期待することができる。
【００３１】
[0038]  磁石２６は、放出される高速イオンの数を低減するために設けられる。磁石２６は、プラズマ電流の方向に沿って方向付けられる軸方向磁場を与える。例えば、０．０１乃至１テスラの範囲にあるまたはその範囲から選択される磁場強度を使用することを提案する。磁石２６からの磁場は、プラズマによって捕捉され、プラズマのピンチングと共に圧縮される。この結果、プラズマ内に追加の内圧がもたらされ、この内圧は、最初の軸方向磁場がない場合よりも早期にプラズマ圧縮を終了させる。
【００３２】
[0039]  より大きい断面を有するプラズマでは、オーム抵抗は低いので、電圧降下は低く、また、放出されたイオンの運動エネルギーも低くなる。このようにすると、放出された高速イオンの数も制限される。追加の軸方向磁場を用いることにより、Ｚピンチ領域の崩壊は制限され、放出される高速イオンの数は低減または排除される。望ましくは、少なくとも０．０１テスラである外部（最初）の軸方向磁場強度をプラズマが発生される領域に印加して、崩壊を著しく制限する。０．０２テスラの外部軸方向磁場強度が有効な値でありうる。また、過度に強くない外部軸方向磁場強度（例えば、１テスラ未満）では、ＥＵＶ放射の放出が著しくは低減されないので、放射源は依然としてリソグラフィにおける使用に適している。
【００３３】
[0040]  図３は、別のＺピンチプラズマ放射源ＳＯの一部を示す。ここでは、環状アノード３０と環状カソード３２を、絶縁壁を有するチャンバ３４内で用いる。電磁石の巻線３６を、チャンバ３４の周りに設ける。カソード３２に連結されたガス源３７、３８が設けられ、これらは未イオン化ガスとドライバガスのそれぞれをアノード３０とカソード３２との間の領域に供給する。
【００３４】
[0041]  動作中、イオン化されたガスが、チャンバ内に、アノード３０とカソード３２との間の領域において供給される。アノード３０とカソード３２との間の電場と組み合わされて、チャンバ３４内にプラズマ電流が発生する。プラズマ電流は、Ｚピンチ効果によって収縮する。プラズマは、環状アノード３０における開口を介して、例えば、照明システムの第１の反射素子２８へとＥＵＶ放射を放射する。電流が巻線３６を介して印加されて、アノード３０からカソード３２への放電電流方向に沿って方向付けられる軸方向磁場が誘起される。軸方向磁場はプラズマ電流の収縮を低減する。
【００３５】
[0042]  なお、様々に異なる構成を用いて同じ効果を実現できることは理解されよう。例えば、外部磁石２６からの磁場は、プラズマ電流領域では厳密に軸方向であることが望ましいが、プラズマ領域において非軸方向の成分を有する磁場ベクトルを有する磁場も、軸方向成分がある限り、用いてもよい。したがって、１以上の磁石を、例に示す位置とは異なる位置に配置してもよい。永久磁石および電磁石をそれぞれ用いる例を示したが、永久磁石と電磁磁石の組み合わせを用いてもよいことや、電磁石には磁場を集中させるための磁化素子が設けられうることも理解すべきである。永久磁石を電磁石の代わりに、またはその反対に用いてもよい。
【００３６】
[0043]  この文章ではＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているかもしれないが、ここに記載するリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者には当然のことであるが、そのような別の用途の文脈では、ここで使用する「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。ここに記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されうる。適用可能な場合には、ここでの開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、ここで使用する基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００３７】
[0044]  光リソグラフィの文脈において本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたかもしれないが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せが加えられることでレジストが硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
【００３８】
[0045]  ここで使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長、またはおよそこれらの値の波長を有する）、および極端紫外線（ＥＵＶ）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビーム等の微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。
【００３９】
[0046]  「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
【００４０】
[0047]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。
【００４１】
[0048]  上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【図１】
2010514158.tif 000003
【図２】
2010514158.tif 000004
【図３】
2010514158.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月11日(2009.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アノードおよびカソードの間にプラズマ電流を生成するための領域を画成するアノードおよびカソードと、前記領域内に、前記アノードおよび前記カソードの間の前記プラズマ電流の方向に沿って方向付けられる成分を少なくとも有する磁場を生成する磁石と、を含むプラズマ放射源。
【請求項２】
前記領域から放出された放射から放射ビームを形成するビーム形成システムを更に含む、請求項１に記載のプラズマ放射源。
【請求項３】
前記磁石は、前記磁場を少なくとも１０ミリテスラの強度で前記領域内に印加する、請求項１に記載のプラズマ放射源。
【請求項４】
パターニングデバイスからのパターンを基板上に投影させる装置であって、
アノードおよびカソードの間にプラズマ電流を生成するための領域を画成するアノードおよびカソードと、前記領域内に、前記アノードおよび前記カソードの間の前記プラズマ電流の方向に沿って方向付けられる成分を少なくとも有する磁場を生成する磁石とを含むプラズマ放射源と、
前記領域から放出された放射から放射ビームを形成するシステムと、
を含む装置。
【請求項５】
前記磁石は、前記磁場を少なくとも１０ミリテスラの強度で前記領域内に印加する、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するサポートと、
基板を保持する基板テーブルと、
前記基板のターゲット部分上に前記パターン付き放射ビームを投影する投影システムと、
を更に含む、請求項４に記載の装置。
【請求項７】
放射を生成する方法であって、
プラズマ領域内にプラズマ電流を発生することと、
前記プラズマ領域内に、前記プラズマ電流の方向に沿って方向付けられる成分を少なくとも有する磁場を印加することと、
前記プラズマ領域から放射を放出することと、
を含む方法。
【請求項８】
前記磁場は、少なくとも１０ミリテスラの強度で前記プラズマ領域内に外部から印加される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記磁場は、永久磁石、電磁石、またはこれらの組み合わせを用いて印加される、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成することと、前記パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に投影することとを更に含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記プラズマ領域から放出された放射から放射ビームを形成することを更に含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
パターン付き放射ビームを基板上に投影することを含むデバイス製造方法であって、
プラズマ領域内にプラズマ電流を発生することと、
前記プラズマ領域内に、前記プラズマ電流の方向に沿って方向付けられる成分を少なくとも有する磁場を印加することと、
反射光学素子を用いて前記プラズマ領域から放出された放射から放射ビームを形成することと、
を含む方法。
【請求項１３】
前記磁場は、少なくとも１０ミリテスラの強度で前記プラズマ領域内に外部から印加される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記磁場は、永久磁石、電磁石、またはこれらの組み合わせを用いて印加される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成することと、前記パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に投影することとを更に含む、請求項１２に記載の方法。
【国際調査報告】
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