(57)【要約】雑音分離受動ミキシング装置は、無線周波数変換ステージの中の中間周波数（ＩＦ）フィルタと増幅器とからの雑音寄与を軽減するように設計される。共通ゲートコンフィギュレーションデバイスが、受動ミキサ出力と、トランスインピーダンス増幅器の入力との間に挿入される。このようにして、トランスインピーダンス増幅器の入力基準の雑音の循環は、共通ゲートデバイスの比較的高い出力インピーダンスのために、低減され、そしてミキシング装置の雑音指数は、改善されることができる。無線周波数信号が依然として低インピーダンスを見るので、無線周波数相互コンダクタンス（ＲＦ  ｇｍ）ステージは、ミキシング装置から除去されることができ、電流消費を低減する。この一般アーキテクチャを有する二重平衡ミキシング装置は、０．１８マイクロメートルＣＭＯＳ技術でインプリメントされ、そして１．５７５ＧＨｚで動作する低ＩＦ全地球測位システムの中で、セルラー通信システムのアクセス端末の中で、そして他のシステムの中で使用されることができる。
2010541408.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つまたは複数のミキシングコア出力を備え、
無線周波数（ＲＦ）信号の１つまたは複数の位相をＲＦ周波数において受け取るように、
局部発振器（ＬＯ）信号の１つまたは複数の位相を受け取るように、
前記ＬＯ信号を使用してダウンコンバートされる前記ＲＦ信号である中間周波数（ＩＦ）信号をＩＦ周波数において得るために前記ＬＯ信号と前記ＲＦ信号をミキシングするように、そして
ミキシングコア出力当たりに前記ＩＦ信号の１つの位相の、前記ＩＦ信号の前記１つまたは複数の位相を前記１つまたは複数のミキシングコア出力を通して出力するように、
構成されているミキシングコアと；
前記ＩＦ信号の位相当たりに１つの電流バッファ入力の、前記ＩＦ信号の位相当たりに１つの電流バッファ出力の、各電流バッファ入力は、ただ第１の入力インピーダンスを提示するにすぎず、各電流バッファ出力は、少なくとも第１の出力インピーダンスを提示する、１つまたは複数の電流バッファ入力と１つまたは複数の電流バッファ出力とを備え、前記第１の出力インピーダンスは、前記第１の入力インピーダンスよりも大きい、電流バッファと；
前記ＩＦ信号の位相当たりに１つのＴＩＡ入力の、前記ＩＦ信号の位相当たりに１つのＴＩＡ出力の、１つまたは複数のＴＩＡ入力と１つまたは複数のＴＩＡ出力とを備えるトランスインピーダンス増幅器（ＴＩＡ）と；
を備え、
前記ＩＦ信号の各位相について、前記ＩＦ信号の前記各位相に対応する前記ミキシングコア出力は、前記ＩＦ信号の前記各位相に対応する前記電流バッファ入力に結合され、前記ＩＦ信号の前記各位相に対応する前記電流バッファ出力は、前記ＩＦ信号の前記各位相に対応する前記ＴＩＡ入力に結合され、その結果、前記ミキシングコアによって出力される前記ＩＦ信号の前記各位相は、前記電流バッファにバッファされ、そして前記トランスインピーダンス増幅器の中で処理される、ミキシング装置。
【請求項２】
前記第１の出力インピーダンスは、少なくとも５０キロオームである、請求項１に記載のミキシング装置。
【請求項３】
前記第１の出力インピーダンスは、少なくとも１００キロオームである、請求項１に記載のミキシング装置。
【請求項４】
前記第１の出力インピーダンスは、少なくとも２００キロオームである、請求項１に記載のミキシング装置。
【請求項５】
前記第１の出力インピーダンスは、前記第１の入力インピーダンスの少なくとも１０倍である、請求項１に記載のミキシング装置。
【請求項６】
前記第１の出力インピーダンスは、前記第１の入力インピーダンスの少なくとも５０倍である、請求項１に記載のミキシング装置。
【請求項７】
ＲＦ増幅器と、変圧器ブロックとをさらに備え、前記ＲＦ増幅器は、ＲＦ相互コンダクタンスステージ（ＲＦ  Ｇｍ）が、前記ＲＦ増幅器と前記ミキシングコアとの間に挿入されずに、前記変圧器ブロックを通して前記ＲＦ信号を前記ミキシングコアへと出力するように構成されている、請求項１に記載のミキシング装置。
【請求項８】
前記電流バッファは、１つまたは複数の相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）共通ゲートデバイスを備える、請求項１に記載のミキシング装置。
【請求項９】
前記電流バッファは、前記ＩＦ信号の前記各位相に対応する前記電流バッファ入力と、前記ＩＦ信号の前記各位相に対応する前記電流バッファ出力との間に少なくとも１つの相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）共通ゲートデバイスを備える、請求項１に記載のミキシング装置。
【請求項１０】
前記ＩＦ信号の前記１つまたは複数の位相は、少なくとも第１のＩＦ位相と第２のＩＦ位相とを備え、前記電流バッファは、前記第１のＩＦ位相に対応する前記電流バッファ入力と、前記第１のＩＦ位相に対応する前記電流バッファ出力との間の第１の相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）共通ゲートデバイスを備え、前記電流バッファは、前記第２のＩＦ位相に対応する前記電流バッファ入力と、前記第２のＩＦ位相に対応する前記電流バッファ出力との間の第２のＣＭＯＳ共通ゲートデバイスをさらに備える、請求項１に記載のミキシング装置。
【請求項１１】
前記第１のＣＭＯＳ共通ゲートデバイスは、第１のバルクノードと、第１のソースノードと、第１のゲートノードと、第１のドレインノードと、を備え、
前記第２のＣＭＯＳ共通ゲートデバイスは、第２のバルクノードと、第２のソースノードと、第２のゲートノードと、第２のドレインノードと、を備え、
前記第１のバルクノードは、前記第２のソースノードに接続され、そして
前記第２のバルクノードは、前記第１のソースノードに結合される、請求項１０に記載のミキシング装置。
【請求項１２】
前記ＩＦ信号の前記１つまたは複数の位相は、ＩＦ＿Ｉｐ位相と、ＩＦ＿Ｉｎ位相と、ＩＦ＿Ｑｐ位相と、ＩＦ＿Ｑｎ位相と、を備え、
前記電流バッファは、
前記ＩＦ＿Ｉｐ位相に対応する前記電流バッファ入力と、前記ＩＦ＿Ｉｐ位相に対応する前記電流バッファ出力との間の第１の相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）共通ゲートデバイスと、
前記ＩＦ＿Ｉｎ位相に対応する前記電流バッファ入力と、前記ＩＦ＿Ｉｎ位相に対応する前記電流バッファ出力との間の第２のＣＭＯＳ共通ゲートデバイスと、
前記ＩＦ＿Ｑｐ位相に対応する前記電流バッファ入力と、前記ＩＦ＿Ｑｐ位相に対応する前記電流バッファ出力との間の第３のＣＭＯＳ共通ゲートデバイスと、
前記ＩＦ＿Ｑｎ位相に対応する前記電流バッファ入力と、前記ＩＦ＿Ｑｎ位相に対応する前記電流バッファ出力との間の第４のＣＭＯＳ共通ゲートデバイスと、
を備え、
前記の第１、第２、第３、および第４のＣＭＯＳ共通ゲートデバイスのおのおのは、バルクノードと、ソースノードと、ゲートノードと、ドレインノードと、を備え、
前記第１のＣＭＯＳ共通ゲートデバイスの前記バルクノードは、前記第２のＣＭＯＳ共通ゲートデバイスの前記ソースノードに結合され、
前記第２のＣＭＯＳ共通ゲートデバイスの前記バルクノードは、前記第１のＣＭＯＳ共通ゲートデバイスの前記ソースノードに結合され、
前記第３のＣＭＯＳ共通ゲートデバイスの前記バルクノードは、前記第４のＣＭＯＳ共通ゲートデバイスの前記ソースノードに結合され、そして
前記第４のＣＭＯＳ共通ゲートデバイスの前記バルクノードは、前記第３のＣＭＯＳ共通ゲートデバイスの前記ソースノードに結合される、請求項１に記載のミキシング装置。
【請求項１３】
前記トランスインピーダンス増幅器は、１つまたは複数の完全差動演算増幅器を備える、請求項１に記載のミキシング装置。
【請求項１４】
前記ＩＦ周波数が、２メガヘルツ（ＭＨｚ）と１０メガヘルツ（ＭＨｚ）との間に収まるように前記ＬＯ信号を生成するように構成された局部発振器をさらに備える請求項１に記載のミキシング装置。
【請求項１５】
前記ミキシングコアは、複数の相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）デバイスを備える、請求項１に記載のミキシング装置。
【請求項１６】
前記ミキシングコアは、複数の金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）デバイスを使用して中間周波数（ＩＦ）信号を得るために前記ＬＯ信号と前記ＲＦ信号をミキシングするように構成されている、請求項１に記載のミキシング装置。
【請求項１７】
前記電流バッファは、電流バッファリングを提供するための交差結合手段を備える、請求項１に記載のミキシング装置。
【請求項１８】
第１のミキシングコア出力を備え、
無線周波数（ＲＦ）信号をＲＦ周波数において受け取るように、
局部発振器（ＬＯ）信号を受け取るように、
前記ＬＯ信号を使用してダウンコンバートされる前記ＲＦ信号である中間周波数（ＩＦ）信号をＩＦ周波数において得るために前記ＬＯ信号と前記ＲＦ信号をミキシングするように、そして
前記第１のミキシングコア出力を通して前記ＩＦ信号の第１の位相を出力するように、
構成されたミキシングコアと；
第１の電流バッファ入力と前記第１の電流バッファ入力に関連する第１の電流バッファ出力とを備える電流バッファと、なお前記第１の電流バッファ入力は、ただ第１の入力インピーダンスを提示するにすぎず、前記第１の電流バッファ出力は、少なくとも第１の出力インピーダンスを提示し、前記第１の出力インピーダンスは、前記第１の入力インピーダンスよりも大きい；
第１のＴＩＡ入力と前記第１のＴＩＡ入力に関連する第１のＴＩＡ出力とを備えるトランスインピーダンス増幅器（ＴＩＡ）と；
を備え、
前記第１のミキシングコア出力は、前記第１の電流バッファ入力に結合され、そして前記第１の電流バッファ出力は、前記第１のＴＩＡ入力に結合され、その結果、前記ＩＦ信号の前記第１の位相は、前記電流バッファにバッファされ、そして前記トランスインピーダンス増幅器の中で処理される、ミキシング装置。
【請求項１９】
ＲＦ増幅器と、変圧器ブロックとをさらに備え、前記ＲＦ増幅器は、ＲＦ相互コンダクタンス（ＲＦ  Ｇｍ）ステージが、前記ＲＦ増幅器と前記ミキシングコアとの間に挿入されずに、前記変圧器ブロックを通して前記ＲＦ信号を前記ミキシングコアへと供給するように構成されている、請求項１８に記載のミキシング装置。
【請求項２０】
前記電流バッファは、前記第１の電流バッファ入力と、前記第１の電流バッファ出力との間に少なくとも１つの相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）共通ゲートデバイスを備える、請求項１８に記載のミキシング装置。
【請求項２１】
前記ミキシングコアは、第２のミキシングコア出力をさらに備え、前記ミキシングコアは、さらに、前記第２のミキシングコア出力を通して前記ＩＦ信号の第２の位相を出力するように構成されており、
前記電流バッファは、第２の電流バッファ入力と、前記第２の電流バッファ入力に関連する第２の電流バッファ出力と、をさらに備え、前記第２の電流バッファ入力は、ただ前記第１の入力インピーダンスを提示するにすぎず、前記第２の電流バッファ出力は、少なくとも前記第１の出力インピーダンスを提示し、
前記トランスインピーダンス増幅器（ＴＩＡ）は、第２のＴＩＡ入力と、前記第２のＴＩＡ入力に関連する第２のＴＩＡ出力と、をさらに備え、そして
前記第２のミキシングコア出力は、前記第２の電流バッファ入力に結合され、そして前記第２の電流バッファ出力は、前記第２のＴＩＡ入力に結合され、その結果、前記ＩＦ信号の前記第２の位相は、前記電流バッファにバッファされ、そして前記トランスインピーダンス増幅器の中で処理される、請求項１８に記載のミキシング装置。
【請求項２２】
前記電流バッファは、前記第１の電流バッファ入力と前記第１の電流バッファ出力との間の少なくとも１つの第１の相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）共通ゲートデバイスと、前記第２の電流バッファ入力と前記第２の電流バッファ出力との間の少なくとも１つの第２の相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）共通ゲートデバイスと、を備える、請求項２１に記載のミキシング装置。
【請求項２３】
前記電流バッファは、前記第１の電流バッファ入力と前記第１の電流バッファ出力との間の第１の相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）共通ゲートデバイスと、前記第２の電流バッファ入力と前記第２の電流バッファ出力との間の第２の相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）共通ゲートデバイスと、を備え、前記第１のＣＭＯＳ共通ゲートデバイスは、第１のソースノードと、第１のドレインノードと、第１のゲートノードと、第１のバルクノードと、を備え、前記第２のＣＭＯＳ共通ゲートデバイスは、第２のソースノードと、第２のドレインノードと、、第２のゲートノードと、第２のバルクノードと、を備え、前記第１のバルクノードは、前記第２のソースノードに結合され、前記第２のバルクノードは、前記第１のソースノードに結合される、請求項２１に記載のミキシング装置。
【請求項２４】
信号をミキシングする方法であって、
無線周波数（ＲＦ）信号の１つまたは複数の位相をＲＦ周波数においてミキシングコアにより受け取ることと；
局部発振器（ＬＯ）信号の１つまたは複数の位相を前記ミキシングコアにより受け取ることと；
前記ＬＯ信号を使用してダウンコンバートされる前記ＲＦ信号である中間周波数（ＩＦ）信号をＩＦ周波数において得るために前記ＬＯ信号と前記ＲＦ信号を前記ミキシングコアの中でミキシングすることと；
ミキシングコア出力当たりに前記ＩＦ信号の１つの位相の、前記ＩＦ信号の前記１つまたは複数の位相を前記ミキシングコアから１つまたは複数のミキシングコア出力を通して出力することと；
前記ＩＦ信号の前記１つまたは複数の位相を電流バッファにおいて受け取ることと、なお前記電流バッファは、前記ＩＦ信号の位相当たりに１つの電流バッファ入力の、前記ＩＦ信号の位相当たりに１つの電流バッファ出力の、１つまたは複数の電流バッファ入力と、１つまたは複数の電流バッファ出力と、を備え、各電流バッファ入力は、ただ第１の入力インピーダンスを提示するにすぎず、各電流バッファ出力は、少なくとも第１の出力インピーダンスを提示し、前記第１の出力インピーダンスは、前記第１の入力インピーダンスよりも大きい；
トランスインピーダンス増幅器（ＴＩＡ）を使用して前記１つまたは複数の電流バッファ出力において前記ＩＦ信号の前記１つまたは複数の位相を処理することと、なお前記トランスインピーダンス増幅器は、前記ＩＦ信号の位相当たりに１つのＴＩＡ入力の、前記ＩＦ信号の位相当たりに１つのＴＩＡ出力の、１つまたは複数のＴＩＡ入力と、１つまたは複数のＴＩＡ出力と、を備える；
を備える方法。
【請求項２５】
ミキシングする前記ステップは、１つまたは複数の相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）デバイスを用いてミキシングすること、を備える、請求項２４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、中間周波数へとダウンコンバートするためのミキサ(mixers)および方法を含めて、一般に無線周波数処理のシステムおよび方法に関する。本システムおよび本方法は、セルラー電話レシーバにおける、そして全地球測位システム(global positioning system)（ＧＰＳ）レシーバにおける使用を含めて、電気通信において使用されることができる。
【背景技術】
【０００２】
現代の通信システムは、音声アプリケーションやデータアプリケーションなど、様々なアプリケーションについての信頼できるデータ送信を提供することが期待される。ポイントツーマルチポイント通信の状況においては、知られている通信システムは、周波数分割多元接続(frequency division multiple access)（ＦＤＭＡ）通信スキームと、時分割多元接続(time division multiple access)（ＴＤＭＡ）通信スキームと、符号分割多元接続(code division multiple access)（ＣＤＭＡ）通信スキームと、おそらく他の多元接続通信スキームとに基づいている。
【０００３】
ＣＤＭＡシステムは、（１）「デュアルモード広帯域スペクトル拡散セルラーシステムについてのＴＩＡ／ＥＩＡ−９５移動局−基地局互換性規格(TIA/EIA-95 Mobile Station-Base Station Compatibility Standard for Dual-Mode Wideband Spread Spectrum Cellular System)」（その拡張改訂版ＡおよびＢを有するこの規格は、「ＩＳ−９５規格」と称されることができる）、（２）「デュアルモード広帯域スペクトル拡散セルラー移動局についてのＴＩＡ／ＥＩＡ−９８−Ｃ推奨最低規格(TIA/EIA-98-C Recommended Minimum Standard for Dual-Mode Wideband Spread Spectrum Cellular Mobile Station)」（「ＩＳ−９８規格」）、（３）「第３世代パートナーシッププロジェクト(3rd Generation Partnership Project)」（３ＧＰＰ）と命名されたコンソーシアムによってスポンサーされ、「Ｗ−ＣＤＭＡ規格」として知られているドキュメントの組の形で実施される規格、（４）「第３世代パートナーシッププロジェクト２(3rd Generation Partnership Project 2)」（３ＧＰＰ２）と命名されたコンソーシアムによってスポンサーされ、「ｃｄｍａ２０００スペクトル拡散システムについてのＴＲ−４５．５物理レイヤ規格(TR-45.5 Physical Layer Standard for cdma2000 Spread Spectrum Systems)」、「ｃｄｍａ２０００スペクトル拡散システムについてのＣ．Ｓ０００５−Ａ上位レイヤ（レイヤ３）信号方式規格(C.S0005-A Upper Layer (Layer 3) Signaling Standard for cdma2000 Spread Spectrum Systems)」、および「ＴＩＡ／ＥＩＡ／ＩＳ−８５６  ｃｄｍａ２０００高レートパケットデータエアインターフェース仕様(TIA/EIA/IS-856 cdma2000 High Rate Packet Data Air Interface Specification)」（一括して「ｃｄｍａ２０００規格」）を含むドキュメントの組の形で実施される規格、（５）１ｘＥＶ−ＤＯ規格、（６）ある種の他の規格など、１つまたは複数のＣＤＭＡ規格をサポートするように設計されることができる。上記で明示的にリストアップされた規格は、付属文書、付録、および他の添付書類を含めて、まるでここにおいて完全に述べられているように参照によって組み込まれている。
【０００４】
通信サービスのプロバイダにとって、サービスされた電話と他のユーザ装置デバイスとの地理的ロケーションを知ることは、望ましく、そして時に必要とされる。例えば、地理的ロケーションは、緊急事態電話コール（例えば、米国における９１１コールと、ある種の欧州の現地における１１２）に応答するオペレータに対してロケーションを識別するために、知られる必要がある可能性がある。例えば、米連邦通信委員会(U.S. Federal Communications Commission)（ＦＣＣ）は、拡張(Enhanced)９１１（Ｅ９１１）サービスを義務づけている。地理的ロケーションの知識は、セルラー通信デバイスのユーザにナビゲーションのそして他のロケーション特有のサービスと広告とを提供するためにも望ましい可能性がある。この理由のために、多数のセルラー通信デバイスは、ＧＰＳレシーバを装備される。
【０００５】
ＧＰＳレシーバとセルラーシステムレシーバとの両方は、一般に、後でそのより低い周波数で処理するために、受け取られた無線周波数信号をより低い周波数へと変換するためのミキサと関連デバイスとを含む。そのより低い周波数は、セルラーレシーバの中間周波数、またはＧＰＳレシーバの中間周波数とすることができる。
【０００６】
いくつかの、競合することがる判断基準は、上記に述べられたセルラーレシーバやＧＰＳレシーバなどの通信デバイスの設計に影響を及ぼす。その判断基準は、サイズ、重さ、電力消費、および雑音指数を含む。それ故に、当技術分野においては、改善された雑音指数を有する無線周波数ミキシング装置(radio frequency mixing apparatus)についての必要性が存在する。また、当技術分野においては、縮小されたサイズと低減された重みを有するミキシング装置(mixing apparatus)についての必要性も存在する。当技術分野においては、低減された電力消費を有するミキシング装置についてのさらなる必要性が存在する。
【発明の概要】
【０００７】
ここにおいて開示される実施形態は、無線周波数信号を中間周波数へとミキシングし(mixing)、そしてダウンコンバートする（変換する）ための装置および方法を提供することにより、上記に述べられた必要性に対処している。
【０００８】
一実施形態においては、ミキシング装置は、１つまたは複数のミキシングコア出力を有するミキシングコア(mixing core)を含んでいる。ミキシングコアは、（ｉ）無線周波数(radio frequency)（ＲＦ）信号の１つまたは複数の位相をＲＦ周波数において受け取るように、（ｉｉ）局部発振器(local oscillator)（ＬＯ）信号の１つまたは複数の位相を受け取るように、（ｉｉｉ）ＬＯ信号を使用してダウンコンバートされたＲＦ信号である中間周波数(intermediate frequency)（ＩＦ）信号をＩＦ周波数において得るためにＬＯ信号とＲＦ信号をミキシングする(mix)ように、そして（ｉｖ）ミキシングコア出力当たりにＩＦ信号の１つの位相の、ＩＦ信号の１つまたは複数の位相を１つまたは複数のミキシングコア出力を通して出力するように、構成されている。ミキシング装置は、ＩＦ信号の位相当たりに１つの電流バッファ入力と１つの電流バッファ出力との、１つまたは複数の電流バッファ入力と１つまたは複数の電流バッファ出力とを有する電流バッファも含んでいる。各電流バッファ入力は、ただ第１の入力インピーダンスを提示するにすぎず、そして各電流バッファ出力は、少なくとも第１の出力インピーダンスを提示する。第１の出力インピーダンスは、第１の入力インピーダンスよりも大きい。ミキシング装置は、ＩＦ信号の位相当たりに１つのＴＩＡ入力と１つのＴＩＡ出力との、１つまたは複数のＴＩＡ入力と１つまたは複数のＴＩＡ出力とを有するトランスインピーダンス増幅器(transimpedance amplifier)（ＴＩＡ）をさらに含んでいる。ＩＦ信号の各位相について、ＩＦ信号の前記各位相に対応するミキシングコア出力は、ＩＦ信号の前記各位相に対応する電流バッファ入力に結合され、そしてＩＦ信号の前記各位相に対応する電流バッファ出力は、ＩＦ信号の前記各位相に対応するＴＩＡ入力に結合される。このようにして、ミキシングコアによるＩＦ信号出力の前記各位相は、電流バッファにバッファされ、そしてトランスインピーダンス増幅器の中で処理される。
【０００９】
一実施形態においては、ミキシング装置は、第１のミキシングコア出力を有するミキシングコアを含んでいる。ミキシングコアは、（ｉ）無線周波数（ＲＦ）信号をＲＦ周波数において受け取るように、（ｉｉ）局部発振器（ＬＯ）信号を受け取るように、（ｉｉｉ）ＬＯ信号を使用してダウンコンバートされたＲＦ信号である中間周波数（ＩＦ）信号をＩＦ周波数において得るためにＬＯ信号とＲＦ信号をミキシングするように、そして（ｉｖ）ＩＦ信号の第１の位相を第１のミキシングコア出力を通して出力するように、構成されている。ミキシング装置はまた、第１の電流バッファ入力を有する電流バッファと、第１の電流バッファ入力に関連する第１の電流バッファ出力とを含む。第１の電流バッファ入力は、ただ第１の入力インピーダンスを提示するにすぎず、そして第１の電流バッファ出力は、少なくとも第１の出力インピーダンスを提示し、この第１の出力インピーダンスは、第１の入力インピーダンスよりも大きい。ミキシング装置は、第１のＴＩＡ入力と、第１のＴＩＡ入力に関連する第１のＴＩＡ出力とを有するトランスインピーダンス増幅器（ＴＩＡ）をさらに含む。第１のミキシングコア出力は、第１の電流バッファ入力に結合され、そして第１の電流バッファ出力は、第１のＴＩＡ入力に結合され、その結果、ＩＦ信号の第１の位相は、電流バッファにバッファされ、そしてトランスインピーダンス増幅器の中で処理される。
【００１０】
一実施形態においては、信号をミキシングする一方法は、無線周波数（ＲＦ）信号の１つまたは複数の位相をＲＦ周波数においてミキシングコアによって受け取ることと、局部発振器（ＬＯ）信号の１つまたは複数の位相をミキシングコアによって受け取ることと、中間周波数（ＩＦ）信号をＩＦ周波数において得るためにＬＯ信号とＲＦ信号をミキシングコアの中でミキシングすることと、を含む。ＩＦ信号は、ＬＯ信号を使用してダウンコンバートされたＲＦ信号である。本方法は、ミキシングコア出力当たりにＩＦ信号の１つの位相の、ＩＦ信号の１つまたは複数の位相をミキシングコアから１つまたは複数のミキシングコア出力を通して出力すること、も含む。本方法は、ＩＦ信号の１つまたは複数の位相を電流バッファにおいて受け取ること、をさらに含む。電流バッファは、ＩＦ信号の位相当たりに１つの電流バッファ入力と１つの電流バッファ出力との、１つまたは複数の電流バッファ入力と、１つまたは複数の電流バッファ出力とを含む。各電流バッファ入力は、ただ第１の入力インピーダンスを提示するにすぎず、そして各電流バッファ出力は、少なくとも第１の出力インピーダンスを提示し、第１の出力インピーダンスは、第１の入力インピーダンスよりも大きい。本方法は、トランスインピーダンス増幅器（ＴＩＡ）を使用して１つまたは複数の電流バッファ出力におけるＩＦ信号の１つまたは複数の位相を処理すること、をさらに含む。トランスインピーダンス増幅器は、ＩＦ信号の位相当たりに１つのＴＩＡ入力と１つのＴＩＡ出力との、１つまたは複数のＴＩＡ入力と、１つまたは複数のＴＩＡ出力とを含む。
【００１１】
本発明のこれらのおよび他の実施形態および態様は、以下の説明、図面、および添付の特許請求の範囲を参照してよりよく理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、受動ミキシング装置の選択されたコンポーネントとブロックとを示している。
【図２】図２は、受動ミキシング装置のトランスインピーダンス増幅器の演算増幅器を通しての中間周波数信号の経路のモデルを示している。
【図３】図３は、受動ミキシング装置の一実施形態の選択されたブロックを示している。
【図４】図４は、受動ミキシング装置の一実施形態の選択されたブロックとコンポーネントとを示している。
【詳細な説明】
【００１３】
この文書においては、「実施形態」、「変形」という言葉、および類似した表現は、特定の装置、プロセス、または製造の物品を意味するように使用され、そして必ずしも同じ装置、プロセス、または製造の物品を意味するものとは限らないように使用される。したがって、１つの場所または状況において使用される「一実施形態」（または類似した表現）は、特定の装置、プロセス、または製造の物品を意味することができ、異なる場所における同じまたは類似した表現は、異なる装置、プロセス、または製造の物品を意味することができる。表現「代替実施形態」と、類似した語句とは、いくつかの異なる可能な実施形態のうちの１つを示すように使用されることができる。可能な実施形態の数は、必ずしも２または他の任意の量だけに限定されるものとは限らない。
【００１４】
「例示(exemplary)」という言葉は、ここにおいて「１つの例、インスタンス、または例証としての役割を果たすこと」を意味するために使用されることができる。ここにおいて「例示」として説明されるどのような実施形態または変形も、必ずしも他の実施形態または変形よりも好ましいまたは有利であると解釈されるべきであるとは限らない。この説明の中で説明される実施形態および変形のすべては、当業者が、本発明を作り、そして使用することを可能にするために提供される例示の実施形態および変形であり、そして必ずしも本発明に提供される法的保護の範囲を限定するものとは限らない。
【００１５】
「トランスインピーダンス増幅器」または「ＴＩＡ］は、実質的に電圧源(voltage-source)（低インピーダンス）出力（単数または複数）を提供するように設計される増幅器である。
【００１６】
ＡＴと称されることもあるアクセス端末、加入者局、ユーザ装置、ＵＥ、モバイル端末、ＭＴ、またはセルラー通信デバイスは、モバイル、または据え置き型とすることができ、そして１つまたは複数の基地トランシーバ局と通信することができる。アクセス端末は、それだけには限定されないが、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）カードと、外付けまたは内蔵のモデムと、ワイヤレス電話と、ワイヤレス通信能力を有する携帯型個人情報端末(personal digital assistant)（ＰＤＡ）とを含めて、いくつかのタイプのデバイスのうちのどれであってもよい。アクセス端末は、１つまたは複数の基地トランシーバ局(base transceiver stations)を通して無線ネットワークコントローラへとデータパケットを送信し、そして無線ネットワークコントローラからデータパケットを受信する。
【００１７】
基地トランシーバ局と、基地局コントローラとは、無線ネットワーク、ＲＮ、アクセスネットワーク、およびＡＮと呼ばれるネットワークの一部分である。無線ネットワークは、ＵＴＲＡＮ、またはＵＭＴＳ地上波無線アクセスネットワーク(UMTS Terrstrial Radio Access Network)とすることができる。無線ネットワークは、複数のアクセス端末の間でデータパケットを移送することができる。無線ネットワークは、さらに、法人のイントラネット、インターネット、従来の公衆交換電話網(public switched telephone network)（ＰＳＴＮ）、別の無線ネットワークなど、無線ネットワークの外部の追加ネットワークに接続されることができ、そして各アクセス端末とそのような外部のネットワークとの間でデータパケットおよび音声パケットを移送することができる。慣例に応じて、そして特定のインプリメンテーションに応じて、基地トランシーバ局は、ノードＢ(Node-B)と、基地局システム(base station system)（ＢＳＳ）と、簡単に基地局とを含めて、他の名称によって称されることができる。同様に、基地局コントローラは、無線ネットワークコントローラ、ＲＮＣ、コントローラ、モバイル交換センター、またはサービングＧＰＲＳサポートノードを含めて他の名称によって称されることができる。
【００１８】
本発明の範囲は、これらの、そして類似したワイヤレス通信システムコンポーネントにも、他の電子装置にも及んでいる。
【００１９】
図１は、例えば、レシーバのフロントエンドにおいて使用されることができる受動ミキシング装置１００の選択されたコンポーネントとブロックとを示している。レシーバは、アクセス端末のセルラーレシーバ、基地局、アクセス端末のＧＰＳレシーバ、別の種類のＧＰＳユニットのＧＰＳレシーバ、または異なる種類の装置のレシーバとすることができる。受動ミキシング装置１００は、低雑音増幅器(low noise amplifier)（ＬＮＡ、またはそれが調整可能な場合にはＬＮＴＡ）１１０と、変圧器ブロック１２０と、無線周波数相互コンダクタンス（ＲＦ  Ｇｍ）ステージ１３０と、無線周波数（ＲＦ）ミキサ負荷１４０と、ミキシングコア１５０と、トランスインピーダンス増幅器（ＴＩＡ）１６０と、を含む。変圧器ブロック１２０と、ＲＦ  Ｇｍステージ１３０と、ＲＦミキサ負荷１４０と、トランスインピーダンス増幅器１６０とのある種の実施形態の選択されたコンポーネントは、図１に示されるが、異なるコンポーネントと、異なる内部構造とを使用した実施形態もまた可能である。
【００２０】
動作中に、ＲＦ信号は、ＬＮＴＡ１１０の入力１１１へと入る。ＬＮＴＡ１１０は、ＲＦ信号を増幅し、そして図に示されるようにそれを出力１１２と変圧器ブロック１２０とを通してＲＦ  Ｇｍステージ１３０へと出力する。ミキシングコア１５０は、ＲＦ  Ｇｍステージ１３０とＲＦミキサ負荷１４０との中で処理されるＲＦ信号を受け取る。ミキシングコア１５０はまた、入力ＬＯ＿Ｉｐ、ＬＯ＿Ｉｎ、ＬＯ＿Ｑｐ、およびＬＯ＿Ｑｎを通して局部発振器（ＬＯ）信号を受け取る。
【００２１】
ＲＦ設計の当業者がこの文書を熟読した後に理解することになるように、呼称ＬＯ＿ＩｐおよびＬＯ＿Ｉｎの第２の部分における大文字「Ｉ」は、局部発振器信号の「Ｉ」位相を意味するが、呼称ＬＯ＿ＱｐおよびＬＯ＿Ｑｎの第２の部分における大文字「Ｑ」は、同じ局部発振器信号の「Ｑ」位相を意味しており、小文字「ｐ」と「ｎ」とは、同様に入力ＬＯ＿Ｉｐ、ＬＯ＿Ｉｎ、ＬＯ＿Ｑｐ、およびＬＯ＿Ｑｎについての正極性と負極性とを意味する。要するに、ミキシングコア１５０は、局部発振器信号の４つの異なる位相を受け取る。類似した表記法が、下記で論じられる中間周波数信号など、他の信号の異なる位相を示すために使用されることができることに注意すべきである。
【００２２】
ＲＦ  Ｇｍステージ１３０は、ミキシングコア１５０の電流モードミキサの入力に比較的低い駆動インピーダンスを提供し、そしてまたＬＯ周波数の漏れからのレシーバのフロントエンドの分離も提供する。ＲＦミキサ負荷１４０は、ミキシングコア１５０に対する第２の入力におけるインピーダンスを整合させ、平衡ミキサ動作を提供する。
【００２３】
ミキシングコア１５０は、相補型金属酸化膜半導体(Complimentary Metal Oxide Semiconductor)（ＣＭＯＳ）ミキサ１５２および１５４の中でＲＦ  Ｇｍステージ１３０およびＲＦミキサ負荷１４０から受け取られるＲＦ信号の異なる位相を局部発振器信号の異なる位相とミキシングし、中間周波数（ＩＦ）信号の４つの位相を生成する。局部発振器周波数は、ＩＦ周波数が、比較的低い周波数範囲の中にあるように選択されることができる。ＩＦ範囲は、１００ＭＨｚよりも低く、例えば、２ＭＨｚと１０ＭＨｚとの間に、することができる。
【００２４】
ミキシングコア１５０によって出力されるＩＦ信号の４つの位相は、トランスインピーダンス増幅器１６０に結合される。トランスインピーダンス増幅器１６０において、ＩＦ位相対ＩおよびＱのおのおのは、図に示されるように完全差動演算増幅器１６２−１または１６２−２のうちの一方によって増幅される。演算増幅器１６２のおのおのは、フィードバックコンフィギュレーションで接続され、その結果、演算増幅器１６２を有する回路の伝達関数は、実質的にトランスインピーダンス増幅器１６０の入力から見られるミキシングコア１５０の出力インピーダンスに対する特定の演算増幅器のフィードバック接続におけるインピーダンスの比である。増幅器１６２と共に使用されるすべてのフィードバック抵抗Ｒｆは、同じ、または実質的に同じとすることができ、例えば、１パーセント、２パーセント、３パーセント、５パーセント、または１０パーセントの許容範囲内にあるようにすることができ、同様に、増幅器１６２と共に使用されるすべてのフィードバックキャパシタＣｆもまた、同じ、または実質的に同じとすることができ、例えば、１パーセント、２パーセント、３パーセント、５パーセント、または１０パーセントの許容範囲内にあるようにすることができる。トランスインピーダンス増幅器１６０の機能は、信号出力において低出力インピーダンスを提供することである。したがって、トランスインピーダンス増幅器１６０の出力Ｉ＿ｐ、Ｉ＿ｎ、Ｑ＿ｐ、およびＱ＿ｎのおのおのは、演算増幅器１６０の低出力インピーダンスに起因して実質的に電圧源である。
【００２５】
図２は、トランスインピーダンス増幅器１６０の演算増幅器１６２のうちの一方を通したＩＦ信号の経路のモデル２００を示している。この図において、Ｒｍｉｘ１６５は、ミキシングコア１５０の出力インピーダンスを指定しており、Ｖｎｉ１６６は、演算増幅器１６２の入力基準の雑音源（すなわち、演算増幅器１６２の雑音寄与をモデル化するように意図された等価入力雑音源）であり、Ｖｎｏは、Ｖｎｉ１６６に起因した出力雑音であり、Ｒｆ１６３とＣｆ１６４とは、それぞれフィードバックの抵抗とキャパシタとである。当業者が、このドキュメントを熟読した後に理解することになるように、出力雑音Ｖｎｏは、次式によって記述されることができる。
【数１】
2010541408.tif 000003
【００２６】
この式（１）において、シンボル
【数２】
2010541408.tif 000004
【００２７】
は、Ｒｆ１６３の抵抗とＣｆ１６４のキャパシタとの並列の組合せのインピーダンスを表す。
【００２８】
出力雑音Ｖｎｏは、受動ミキシング装置のスイッチドキャパシタ効果(switched capacitor effect)に起因して比較的高いものとすることができる。
【００２９】
演算増幅器１６２の雑音寄与を低減する一方法は、これらの演算増幅器を低雑音デバイスとして設計することである。しかしながら、この解決法は、一般的に演算増幅器について必要とされる電流消費とシリコン面積との両方を増大させる。受動ミキシング装置１００の総電流消費は、ミキシングコア１５０の入力によって見られるような低インピーダンスを提供するために、そしてまたレシーバのフロントエンドからのＬＯの分離を提供するために、ＲＦ  Ｇｍステージ１３０における比較的高い電流消費のために増大されることもできる。
【００３０】
図３は、受動ミキシング装置３００の選択されたコンポーネントとブロックとを示している。この実施形態においては、ＲＦ信号は、ＬＮＴＡ３１０と変圧器ブロック３２０とを通してミキシングコア３５０に結合される。ミキシングコア３５０の出力は、図１のミキシング装置１００を有する場合であるかのように、但し分離ステージ３８０を通して、間接的にトランスインピーダンス増幅器３６０に結合される。その分離ステージは、ミキシングコア３５０の比較的低いインピーダンスからＩＦ信号を受け取るように構成されながら、比較的高い出力インピーダンスのために設計される電流バッファとすることができる。分離ステージ３８０の説明の場合においては、「比較的高いインピーダンス」は、コア１５０や３５０などのＣＭＯＳミキシングコアのＲｍｉｘ出力インピーダンスよりもかなり高いインピーダンスを意味する。
【００３１】
変形においては、分離ステージ３８０の出力インピーダンスは、１０のファクタだけＣＭＯＳミキシングコア３５０の出力インピーダンスを超えており、より特定の変形においては、分離ステージ３８０の出力インピーダンスは、５０のファクタだけミキシングコア３５０の出力インピーダンスを超える。分離ステージ３８０の入力インピーダンスは、ミキシングコア３５０の出力インピーダンスと同じ、または実質的に同じとすることができ、その結果、上記比は、分離ステージ３８０の入力インピーダンスに対する出力インピーダンスの関係を説明することもできる。変形においては、分離ステージ３８０の出力インピーダンスは、少なくとも５０キロオームであり、より特定の変形においては、分離ステージ３８０の出力インピーダンスは、少なくとも１００キロオームであり、さらにより特定の変形においては、分離ステージ３８０の出力インピーダンスは、少なくとも２００キロオームである。インピーダンス値（および比）は、ここで、特定の中間周波数の動作におけるインピーダンスの大きさ（およびインピーダンスの大きさの比）を意味することに注意すべきである。実際には、インピーダンスは、一般的に寄生キャパシタの存在に起因して、その周波数において容量性である。
【００３２】
分離ステージ３８０は、比較的高い出力インピーダンスを有するので、トランスインピーダンス増幅器３６０の雑音寄与は、上記に述べられた式（１）から分かるように、低減される。
【００３３】
ＬＮＴＡ３１０は、ＬＮＴＡ１１０と、全く同じであり、同様であり、あるいは類似している（他の回路変更を受け入れるための必要な、または望ましい変更を有して類似している）ことができる。変圧器ブロック３２０は、変圧器ブロック１２０と全く同じであり、同様であり、あるいは類似していることができる。ミキシングコア３５０は、ミキシングコア１５０と全く同じであり、同様であり、あるいは類似していることができる。特定の実施形態においては、ミキシングコア３５０は、０．１８μｍＣＭＯＳ技術でインプリメントされ、そして１．５７５ＧＨｚで動作する低−ＩＦ  ＧＰＳアーキテクチャの形で使用される二重平衡ミキサ(double-balanced mixer)である。トランスインピーダンス増幅器３６０は、トランスインピーダンス増幅器１６０と全く同じであり、同様であり、あるいは類似していることができる。これらは、本発明の要件である必要はない。
【００３４】
図４は、受動ミキシング装置４００の別の実施形態の選択された詳細を示しており、この受動ミキシング装置は、受動ミキシング装置３００に類似している（あるいはその詳細なバージョンである）。ここで、ＬＮＴＡ４１０は、ＬＮＴＡ１１０と全く同じであり、同様であり、あるいは類似していることができ、変圧器ブロック４２０は、変圧器ブロック１２０と全く同じであり、同様であり、あるいは類似していることができ、そしてトランスインピーダンス増幅器４６０は、トランスインピーダンス増幅器１６０と全く同じであり、同様であり、あるいは類似していることができる。
【００３５】
ミキシングコア４５０は、図に示されるように構成された８つのＣＭＯＳデバイスを含む。（同じＣＭＯＳコンフィギュレーションは、ミキシング装置１００の中で使用されることができる。）分離ステージ４８０は、図に示されるように構成された４つのＣＭＯＳ共通ゲートデバイス４８３−１から４８３−４と、４つのソースバイアス抵抗４８１−１から４８１−４と、４つのバイアス電流源４８２−１から４８２−４と、を含む。ＣＭＯＳ共通ゲートデバイス４８３のおのおのは、ソースノードＳと、ドレインノードＤと、ゲートノードＧと、バルクノードＢと、を含む。
【００３６】
分離ステージ４８０の中のＣＭＯＳバルクノードＢからソースノードＳへの交差結合に注意すべきである。図４に示されるように、デバイス４８３−１のソースノードは、デバイス４８３−２のバルクノードへと結合され、デバイス４８３−２のソースノードは、デバイス４８３−１のバルクノードへと結合され、デバイス４８３−３のソースノードは、デバイス４８３−４のバルクノードへと結合され、デバイス４８３−４のソースノードは、デバイス４８３−３のバルクノードへと結合される。そのような交差結合は、必ずしも一要件であるとは限らないが、分離ステージのＧｍパラメータを高め、そしてその結果として、分離ステージ４８０の入力インピーダンス（１／Ｇｍ）を低減する。
【００３７】
いくつかの変形においては、ＣＭＯＳデバイス４８３は、それらのより高いキャリア移動度のためにＮＦＥＴデバイスである。他の実施形態においては、ＣＭＯＳデバイス４８３は、ＰＦＥＴデバイスである。さらに他の実施形態においては、分離ステージ４８０は、ＮＦＥＴデバイスと、ＰＦＥＴデバイスとの両方を含む。
【００３８】
図４の実施形態４００においては、ミキシングコア４５０によって出力される中間周波数のＩｐ位相、Ｉｎ位相、Ｑｐ位相、およびＱｎ位相は、それぞれデバイス４８３−１、４８３−２、４８３−３、および４８３−４のソースノードに結合される。分離ステージ４８０によって出力されるＩＦのＩｎ位相およびＩｐ位相は、それぞれＴＩＡ４６０の第１の演算増幅器４６２−１の反転入力および非反転入力に結合される。同様に、分離ステージ４８０によって出力されるＩＦのＱｎ位相およびＱｐ位相は、それぞれＴＩＡ４６０の第２の演算増幅器４６２−２の反転入力および非反転入力に結合される。バイアス抵抗４８１と、バイアス電流源４８２と、４つのデバイス４８３のゲートに印加される電圧Ｖｂｉａｓは、すべて、上記に説明される分離および／またはインピーダンス整合の機能を提供するためにデバイス４８３を適切な動作領域に保持する。
【００３９】
図３および４に示されるように、ＲＦ  Ｇｍステージは、変圧器ブロック３２０（または４２０）と、ミキシングコア３５０（または４５０）との間に挿入される必要はないが、ＲＦ  Ｇｍステージの存在は、必ずしもいくつかの変形において除外されるとは限らない。ＲＦ  Ｇｍステージが存在しないので、ＲＦミキサ負荷についての必要性も存在しなくてもよいが、そのような負荷の存在も、必ずしもいくつかの変形においては除外されるとは限らない。ＲＦ  Ｇｍステージおよび／またはＲＦミキサ負荷は、分離ステージ３８０（または４８０）が、フロントエンドについての追加の分離を提供するので、そしてミキシングコア３５０（４５０）のインピーダンス整合が、今やあまり重要でなく、得るのがより簡単であるので、図３および４において示される実施形態に含まれない。ミキシングコア３５０（４５０）の出力は、依然として比較的低い入力インピーダンス（１／Ｇｍ）を見るが、ＴＩＡトランスインピーダンス増幅器３６０（４６０）は、分離ステージ３８０（４８０）の非常に大きな出力インピーダンス（１／Ｇｄｓ）を見ており、それによって演算増幅器３６２（４６２）の雑音寄与をかなり軽減する。特に、分離ステージ３８０（４８０）において使用される共通ゲートデバイスは、分離ステージについての低入力インピーダンスを提供する。この非対称インピーダンス応答は、演算増幅器３６２（４６２）から雑音を分離し、そして雑音がトランスインピーダンス増幅器３６０（４６０）の出力へと循環しないようにする。
【００４０】
分離ステージ３８０（４８０）を設計することおよびインプリメントすることは、分離ステージが中間周波数で動作するので、ＲＦ  ＧｍステージとＲＦミキサ負荷とを設計することおよびインプリメントすることよりも一般的に容易であり、この中間周波数は、低雑音増幅器３１０（４１０）の出力におけるＲＦ周波数よりもずっと低くすることができることに注意すべきである。そのようなより低いＩＦにおいては、電流消費は、おそらく増大されたデバイスサイズを犠牲にして、同じＧｍを達成するために低減されることができる。また、異なる線形性要件に基づいてミキサ電流を調整することもずっと簡単である。
【００４１】
限定された意味で、図３および４のスキームは、ミキシングコア３５０（４５０）のＲＦ側からＩＦ側へとＧｍ  ＲＦステージを移動させ、同様な低入力インピーダンス、ならびにかなりの電力消費の節約を達成する。（但し、分離ステージは、電流バッファであり、単にＧｍステージではなくてもよい。）潜在的に、増幅器３６２（４６２）上の雑音性能制約条件もまた、緩和されることができる。
【００４２】
異なる分離ステージコンフィギュレーション、またはバッファステージコンフィギュレーションが、異なるインプリメンテーションに従って、ミキシングコアとトランスインピーダンス増幅器との間で使用されることができることを理解すべきである。さらに、図に示されるよりも少ない、または多いコンポーネントが、示された実施形態、またはさらに他の実施形態のいずれかにおいて、使用されることができることを理解すべきである。
【００４３】
様々な方法のステップおよび決定は、本開示において直列的に説明されている可能性があるが、これらのステップおよび決定のうちのいくつかは、別個の要素によって、一緒に、または並列に、非同期に、または同期して、パイプライン様式で、または別の方法で実行されることができる。明示的にそのように示され、そうでなければ文脈から明らかにされ、あるいは本質的に必要とされる場合を除いて、ステップおよび決定は、この説明がそれらをリストアップしているのと同じ順序で実行されるという特定の要件は存在しない。しかしながら、選択された変形においては、ステップおよび決定は、上記に説明される順序で実行されることに注意すべきである。さらに、必ずしもあらゆる示されたステップおよび決定が、本発明に従ってあらゆる実施形態／変形において必要とされる可能性があるとは限らないが、特に示されていないいくつかのステップおよび決定は、本発明に従っていくつかの実施形態／変形において望ましい、あるいは必要とすることができる。
【００４４】
当業者は、トランジスタデバイスの変更された極性に起因して適切な回路変更を伴った、Ｎ−チャネルデバイスとＰ−チャネルデバイスとの両方を含めて、異なるＣＭＯＳデバイスが、ミキシングコアと、分離（バッファ）ステージと、他のどこかで使用されることができることを理解するであろう。
【００４５】
当業者はまた、情報および信号が、様々な異なる技術および技法のうちの任意のものを使用して表されることができることを理解するであろう。例えば、上記説明全体を通して参照されることができるデータ、命令、コマンド、情報、信号、ビット、シンボル、およびチップは、電圧、電流、電磁波、磁気的な場または粒子、光学的な場または粒子、あるいはそれらの任意の組合せによって表されることができる。
【００４６】
当業者は、さらに、ここにおいて開示された実施形態に関連して説明される様々な例示の論理ブロック、モジュール、回路、およびアルゴリズムステップは、電子ハードウェア、コンピュータソフトウェア、あるいは両方の組合せとしてインプリメントされることができることを理解するであろう。ハードウェアとソフトウェアとのこの交換可能性を明確に示すために、様々な例示のコンポーネント、ブロック、モジュール、回路、およびステップが、それらの機能の観点から上記で一般的に説明されていることができる。そのような機能が、ハードウェアとしてインプリメントされるか、ソフトウェアとしてインプリメントされるか、あるいはハードウェアとソフトウェアとの組合せとしてインプリメントされるかは、特定のアプリケーションと、全体的なシステム上に課される設計制約条件とに依存する。当業者(Skilled artisans)は、特定の各アプリケーションについて様々なやり方で、説明される機能をインプリメントすることができるが、そのようなインプリメンテーションの決定は、本発明の範囲からの逸脱を引き起こすものと解釈されるべきではない。
【００４７】
ここにおいて開示される実施形態に関連して説明される様々な例示の論理ブロック、モジュール、および回路は、ここにおいて説明される機能を実行するように設計された汎用プロセッサ、デジタル信号プロセッサ(digital signal processor)（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路(application specific integrated circuit)（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ(field programmable gate array)（ＦＰＧＡ）または他のプログラマブルロジックデバイス、ディスクリートゲート(discrete gate)またはトランジスタロジック、ディスクリートハードウェアコンポーネント(discrete hardware components)、あるいはそれらの任意の組合せを用いてインプリメントされ、または実行されることができる。汎用プロセッサは、マイクロプロセッサとすることもできるが、代替案においては、プロセッサは、従来の任意のプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ、または状態機械とすることもできる。プロセッサは、コンピューティングデバイスの組合せ、例えば、ＤＳＰとマイクロプロセッサとの組合せ、複数のマイクロプロセッサ、ＤＳＰコアと組み合わされた１つまたは複数のマイクロプロセッサ、あるいは他のそのような任意のコンフィギュレーション、としてインプリメントされることもできる。
【００４８】
ここにおいて開示される実施形態に関連して説明されていることができる方法またはアルゴリズムのステップは、ハードウェアの形で直接に、プロセッサによって実行されるソフトウェアモジュールの形で、あるいはそれらの２つの組合せの形で実施されることができる。ソフトウェアモジュールは、ＲＡＭメモリ、フラッシュメモリ、ＲＯＭメモリ、ＥＰＲＯＭメモリ、ＥＥＰＲＯＭメモリ、レジスタ、ハードディスク、着脱可能ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、または当技術分野において知られている他の任意の形態のストレージ媒体の中に存在することができる。例示のストレージ媒体は、プロセッサが、ストレージ媒体から情報を読み取り、そしてストレージ媒体に情報を書き込むことができるように、プロセッサに結合される。代替案においては、ストレージ媒体は、プロセッサと一体化していることもできる。プロセッサとストレージ媒体とは、ＡＳＩＣの中に存在することができる。ＡＳＩＣは、アクセス端末の中に存在することができる。代わりに、プロセッサとストレージ媒体とは、アクセス端末の中にディスクリートコンポーネントとして存在することもできる。
【００４９】
開示された実施形態の上記の説明は、当業者が、本発明を作り、または使用することを可能にするために提供される。これらの実施形態に対する様々な修正は、当業者にとって簡単に明らかになり、そしてここにおいて定義される包括的な原理は、本発明の精神または範囲から逸脱することなく他の実施形態に対しても適用されることができる。したがって、本発明は、ここにおいて示される実施形態だけに限定されるようには意図されず、ここにおいて開示される原理および新規特徴と整合した最も広い範囲を与えられるべきである。
【図１】
2010541408.tif 000005
【図２】
2010541408.tif 000006
【図３】
2010541408.tif 000007
【図４】
2010541408.tif 000008
【国際調査報告】
2010541408.tif 000009
2010541408.tif 000010
2010541408.tif 000011