(57)【要約】製造環境において、測定装置の大半の移動を最小限にして、大きくて薄く平坦ではない鏡面反射性の基体のトポグラフィーを測定する方法である。ジンバルに取り付けられた反射要素を用いて、短コヒーレンス長のプローブビームを、該プローブビームが基体の局所的な表面に対して略垂直になるよう操作する。プローブビーム及び参照ビームを合波して、得られた干渉パターンを用いて、局所的な表面の欠陥を特徴付ける。
2010519541.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体の表面欠陥の特徴付けを行う方法であって、
コヒーレントな放射線ビームを提供する工程と、
鏡面反射性の平坦ではない基体を提供する工程と、
前記放射線ビームをプローブビームと参照ビームとに分割する工程と、
前記プローブビームを第１の反射要素でインターセプトして、前記基体の、表面欠陥を有し前記プローブビームの縦軸に対して傾斜している局所的な表面に照射する工程と、
前記参照ビームを第２の反射要素でインターセプトして反射する工程と、
前記局所的な表面から反射された前記プローブビーム及び前記第２の反射要素から反射された前記参照ビームを集光する工程と、
前記第２の反射要素から反射された前記参照ビームと前記局所的な表面から反射された前記プローブビームとを合波して、前記局所的な表面の傾斜から生じる第１の干渉縞のセット及び前記表面欠陥から生じる第２の干渉縞のセットを生成する工程と、
前記第１及び第２の干渉縞のセットを検出する工程と、
前記局所的な表面の傾斜から生じる干渉縞の数を最小化するよう、前記プローブビームを前記第１の反射要素で操作する工程と、
前記表面欠陥から生じた前記検出された干渉縞を用いて前記欠陥を特徴付ける工程と、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記基体の厚さが前記放射線ビームのコヒーレンス長より大きいことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記検出する工程が、センサ上の画素の二次元アレイを照射することを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記プローブビームが通る光路長が、前記参照ビームが通る光路長と略等しいことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記放射線ビームの前記コヒーレンス長が約３００μｍ未満であることを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項６】
前記第１の反射要素が、直交する２つの軸回りに回転可能であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記局所的な表面及び前記表面欠陥が、前記基体の前記第１の反射要素とは反対側の面に存在することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記操作する工程が、前記プローブビームの前記縦軸が前記局所的な表面と略垂直になるよう、前記プローブビームを位置合わせすることを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項９】
基体のトポグラフィーの特徴付けを行う方法であって、
約３００μｍ未満のコヒーレンス長を有する放射線ビームを提供する工程と、
前記放射線ビームをプローブビームと参照ビームとに分割する工程と、
前記プローブビームを第１の反射要素でインターセプトする工程と、
前記プローブビームを前記反射要素で操作して、前記プローブビームが、平坦ではない基体の鏡面反射性の局所的な表面に対して垂直になり且つ該局所的な表面から反射されるように、前記プローブビームを該局所的な表面に照射する工程と、
前記局所的な表面から反射された前記プローブビームを前記第１の反射器でインターセプトして反射する工程と、
前記プローブビーム及び前記参照ビームの光路長が略等しくなるよう、前記参照ビームを第２の反射要素でインターセプトして反射する工程と、
前記第１の反射要素から反射された前記プローブビームと前記第２の反射要素から反射された前記参照ビームとを集光する工程と、
前記反射された参照ビームと前記第１の反射要素から反射された前記プローブビームとを合波して、干渉パターンを生成する工程と、
画素の二次元アレイにわたる前記干渉パターンを検出する工程と、
位相シフト法干渉計を用いて、前記局所的な表面のトポグラフィーを判定する工程と、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項１０】
ガラス基体上の欠陥の特徴付けを行う方法であって、
コヒーレントな放射線ビームを提供する工程と、
鏡面反射性の平坦ではない基体を提供する工程と、
前記放射線ビームをプローブビームと参照ビームとに分割する工程と、
前記プローブビームを第１の反射要素でインターセプトして、前記基体の、表面欠陥を有し前記プローブビームの縦軸に対して名目上傾斜している局所的な表面に照射する工程と、
前記参照ビームを第２の反射要素でインターセプトして反射する工程と、
前記局所的な表面から反射された前記プローブビーム及び前記第２の反射要素から反射された前記参照ビームを集光する工程と、
前記第２の反射要素から反射された前記参照ビームと前記局所的な表面から反射された前記プローブビームとを合波して、前記局所的な表面の傾斜から生じる第１の干渉縞のセット及び前記表面欠陥から生じる第２の干渉縞のセットを生成する工程と、
前記第１及び第２の干渉縞のセットを検出する工程と、
前記局所的な表面の傾斜から生じる干渉縞の数を最小化するよう、前記参照ビームを前記第２の反射要素で操作する工程と、
前記表面欠陥から生じた前記検出された干渉縞を用いて前記欠陥を特徴付ける工程と、
を備えることを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス製品の欠陥を測定する方法に関し、特に、薄い板ガラスのトポグラフィーを測定する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ等のフラットパネルディスプレイは、商業界において従来の陰極線管（ＣＲＴ）ディスプレイ技術を急速に追い越している。ＬＣＤディスプレイ装置の製造は、清浄な表面を有する薄い板ガラスに依存し、この板ガラスの間に液晶材料が挟持される。これらの板ガラスの表面欠陥に対する公差は非常に厳密であり、ナノメートルスケールで欠陥を測定できる能力が必要である。この問題を深刻にするのは、この板ガラスが非常に薄く（一般的に約０．７ｍｍ未満）、且つ、かなり大きなものになり得る（一部の例では数平方メートル以上）という事実である。このような大きく薄いシートはかなり撓みやすいので、シートを平坦に保ち、単独で安定させる（或る期間に渡って所与の形状に留まらせる）のは、困難な課題であり得る。
【０００３】
安定性に関する問題（時間に伴うシートの移動）への依存度を低くするための、迅速に欠陥を測定可能な適切な固定及び測定技術の開発には、多大な努力が注がれている。基体のナノメートルスケールの測定を行うために利用される測定装置は、干渉計の使用を含むのが一般的である。周知のマイケルソン干渉計等の干渉計は、複数のビーム間の干渉を利用して、これらのビーム間の光路長差を示す干渉パターンを生成する。この光路長差を用いて、測定される面のトポグラフィーを示すことができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
鏡面反射性の面のナノメートルスケールの表面欠陥の特徴付けを行うための従来の面スキャン技術の１つの短所は、測定面を、干渉計の角度公差内に保持しながら、プローブビーム即ち測定ビームに対して垂直に保つことが必要な点である。この理由から、テスト中のサンプルは、測定を行う前に調節され得る可動台上に取り付けられ得る。この手法は、研究室環境においては、又は小さいサイズのサンプル（例えば半導体ウェハ）を測定する場合には適用可能であるが、非常に薄い大きな板ガラスを処理する製造環境では、板ガラスを移動させるのは非常に困難になる。即ち、板ガラスを移動させること自体が、板ガラスの面を変形させ得る。更に、板ガラスの位置合わせには、存在し得る欠陥を表面全体にわたって詳細に調べるために板ガラスの移動を繰り返す必要があり得る。大きな板ガラスを移動させるには、複雑で嵩張る設備が必要となり得、測定時間も長くなり得る。干渉計の移動についても同様の懸念がある。  
板ガラスや嵩張る測定設備の移動を必要とせずに、薄い板ガラスの表面トポグラフィー（平坦ではない場合もある）のナノメートルスケールの測定を可能にする、製造環境に適した方法及び／又は装置が必要である。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施形態において、基体の特徴付けを行う方法が開示される。この方法は、コヒーレントな放射線ビームを提供する工程と、鏡面反射性の平坦ではない基体を提供する工程と、放射線ビームをプローブビームと参照ビームとに分割する工程と、プローブビームを第１の反射要素でインターセプトして、基体の、表面欠陥を有しプローブビームの縦軸に対して名目上傾斜している局所的な表面に照射する工程と、参照ビームを第２の反射要素でインターセプトして反射する工程と、局所的な表面から反射されたプローブビーム及び第２の反射要素から反射された参照ビームを集光する工程と、第２の反射要素から反射された参照ビームと局所的な表面から反射されたプローブビームとを合波して、局所的な表面の傾斜から生じる第１の干渉縞のセット及び表面欠陥から生じる第２の干渉縞のセットを生成する工程と、第１及び第２の干渉縞のセットを検出する工程と、局所的な表面の傾斜から生じる干渉縞の数を最小化するよう、プローブビームを第１の反射要素で操作する工程と、表面欠陥から生じた検出された干渉縞を用いて欠陥を特徴付ける工程とを備える。
【０００６】
別の実施形態において、基体の特徴付けを行う方法が記載される。この方法は、約３００μｍ未満のコヒーレンス長を有する放射線ビームを提供する工程と、放射線ビームをプローブビームと参照ビームとに分割する工程と、プローブビームを第１の反射要素でインターセプトする工程と、プローブビームを反射要素で操作して、プローブビームが、平坦ではない基体の鏡面反射性の局所的な表面に対して垂直になり且つ該局所的な表面から反射されるように、プローブビームを該局所的な表面に照射する工程と、局所的な表面から反射されたプローブビームを第１の反射器でインターセプトして反射する工程と、プローブビーム及び参照ビームの名目上の光路長が略等しくなるよう、参照ビームを第２の反射要素でインターセプトして反射する工程と、第１の反射要素から反射されたプローブビームと第２の反射要素から反射された参照ビームとを集光する工程と、反射された参照ビームと第１の反射要素から反射されたプローブビームとを合波して、干渉パターンを生成する工程と、画素の二次元アレイにわたる干渉パターンを検出する工程と、検出された干渉パターンを用いて局所的な表面のトポグラフィーを判定する工程とを備える。
【０００７】
更に別の実施形態では、基体表面の欠陥の特徴付けを行う方法が開示される。この方法は、コヒーレントな放射線ビームを提供する工程と、鏡面反射性の平坦ではない基体を提供する工程と、放射線ビームをプローブビームと参照ビームとに分割する工程と、プローブビームを第１の反射要素でインターセプトして、基体の、表面欠陥を有しプローブビームの縦軸に対して名目上傾斜している局所的な表面に照射する工程と、参照ビームを第２の反射要素でインターセプトして反射する工程と、局所的な表面から反射されたプローブビーム及び第２の反射要素から反射された参照ビームを集光する工程と、第２の反射要素から反射された参照ビームと局所的な表面から反射されたプローブビームとを合波して、局所的な表面の傾斜から生じる第１の干渉縞のセット及び表面欠陥から生じる第２の干渉縞のセットを生成する工程と、第１及び第２の干渉縞のセットを検出する工程と、局所的な表面の傾斜から生じる干渉縞の数を最小化するよう、参照ビームを第２の反射要素で操作する工程と、表面欠陥から生じた検出された干渉縞を用いて欠陥を特徴付ける工程とを備える。
【０００８】
上述の概括的な説明及び以下の詳細な説明は、どちらも本発明の実施形態を呈示するものであり、特許請求される本発明の性質及び特性を理解するための概観又は枠組みの提供を意図するものであることを理解されたい。添付の図面は、本発明の更なる理解を提供するために含まれるものであり、本明細書に組み込まれ、その一部を構成する。これらの図面は本発明の例示的な実施形態を示すものであり、本明細書と共に、本発明の原理及び作用を説明する役割をするものである。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】平坦ではない基体の特徴付けを行う光学系の一実施形態の模式図。
【図２】平坦ではない基体の特徴付けを行う光学系の別の実施形態の模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下の詳細な説明では、限定ではなく説明の目的で、本発明の完全な理解を提供するために具体的な詳細を開示する例示的な実施形態を述べる。しかし、本開示の利益を得た当業者には、本願明細書に開示される具体的な詳細から離れた他の実施形態で本発明が実施され得ることは自明である。更に、本発明の記載を不明瞭にしないために、周知の装置、方法及び材料の説明は省略され得る。最後に、該当する場合には常に、同一参照番号は同一要素を示す。
【００１１】
図１は、本発明の一実施形態による、マイケルソン干渉計に基づく測定装置の模式図である。測定装置１０は、放射線源１２、偏光ビームスプリッタ１４、第１の反射要素１６、第２の反射要素１８、コリメータレンズ２０、アパチャー２２及び検出システム２４を備える。
【００１２】
図１には基体２６も示されている。基体２６は平坦であるのが望ましいが、基体の薄さ及び大きな表面積により、図１に強調して示すように、基体２６は歪みを呈する、即ち波打つ傾向がある。基体２６は第１の面２８と、該第１の面２８とは反対側で該第１の面２８と略平行な第２の面３０とを有する。基体２６は、第１又は第２の面２８、３０の一方の表面積が１平方メートル未満であり得るが、一般的には基体２６は約１平方メートルを超える表面積（片面で決定される）を有し、一部のケースでは２平方メートルを超える表面積を有し、１０平方メートルを超える場合もある。
【００１３】
本実施形態によれば、放射線源１２から放射線の短コヒーレンス長ビーム３２が射出され、偏光ビームスプリッタ１４に向けられる。ビームのコヒーレンス長は、測定される基体の厚さより小さいのが好ましい。厚さが０．７ｍｍ以下の基体に対しては、放射線ビームのコヒーレンス長は約３００μｍ以下であるのが好ましい。コヒーレンス長が非常に短い放射線ビームを生じる放射線源を用いることにより、この装置を用いて、反対側の第２の基体表面で生じる反射による干渉を生じずに、第１の基体表面の局所的な表面部分の画像を効果的に取得できる。適切なコヒーレンス長を生じることができる任意の放射線源を用いてよいが、本願にはレーザが好適であることが見出されている。
【００１４】
放射線ビーム３２は偏光ビームスプリッタ１４によって分割され、ビームの第１の部分３４は第１の反射器である操作用反射器１６に向けられ、ビームの第２の部分３６は第２の反射器である参照反射器１８向けられる。以下、第１の部分３４を測定ビーム又はプローブビーム３４と称し、第２の部分を参照ビーム３６と称する。操作用反射器１６は二次元方向に可動であり、ピッチ方向及びヨー方向に移動可能、即ち、操作用反射器１６は直交する２つの軸回りに回転可能である。操作用反射器１６の位置が自動的且つ正確に調節され得るように、操作用反射器１６の移動はコンピュータ制御されるのが好ましい。例えば、操作用反射器１６はジンバルに取り付けられてもよい（ジンバル制御されてもよい）。反射器の移動を生じるために、任意の適切なアクチュエータが用いられ得る。例えば、反射器１６は、サーボモータ、ステッパモータ、ガルバノメータ又は当該技術分野で公知の他の作動方法によって作動され得る。
【００１５】
或いは、操作用反射器１６は複数の反射器で構成されてもよい。例えば、第１の操作用反射器が第１の軸回りに回転可能であって、第２の操作用反射器（図示せず）が第１の操作用反射器の前又は後でプローブビーム３４をインターセプトするよう配置されてもよい。第２の操作用反射器は、第１の軸に直交する第２の軸回りに回転可能である。いずれにしても、１又は複数の操作用反射器は、プローブビーム３４を、板ガラス２６上の、干渉計の視野内であり且つ操作用反射器の移動範囲が許容する所定の位置に向かわせることができる。以下、ジンバルに取り付けられた単一の操作用反射器に関して本実施形態を説明するが、プローブビーム３４を板ガラス２６に向かわせることができる任意の類似の反射装置を用いてよいことを理解されたい。反射器用の適切なジンバルマウントの一例は、ＮｅｗＦｏｃｕｓ型番８８１２電動ジンバルマウントである。反射面は、ビームの偏光の一貫性を保つことができるべきである。
【００１６】
操作用反射器１６から反射されたプローブビーム３４は、基体２６の第１の面２８上の所定の位置（以下、局所的な表面３８と称する）を照射し、そこでプローブビームは反射されて反射要素１６に戻り、ビームスプリッタ１４において参照ビーム３６と合波される。局所的な表面は鏡面反射性の（鏡のような）面であるのが好ましい。局所的な表面３８から反射されたプローブビームは図１の参照番号３４ａで示されている。
【００１７】
ビームスプリッタ１４で生成された参照ビーム３６は参照反射器１８まで進み、ビームスプリッタ１４に戻るよう反射され、そこで集光されてプローブビーム３４と合波される。参照反射器１８から反射された参照ビームは図１の参照番号３６ａで示されている。合波されたビーム４０は、画素要素のアレイ（即ちｍ×ｎアレイ画素）から成る適切なセンサ又は他の検出器を有する検出システム２４上に結像され得る。アレイ検出器は、合波されたビーム４０を受光し、検出し、ビーム４０の縞を空間的に解像するために、例えば百万を超える画素を含み得る。適した検出器としては、例えばデジタルカメラで用いられるようなＣＣＤセンサが挙げられる。
【００１８】
一実施形態では、検出システム２４は、米国特許出願公開第２００５／００４６８６５号（その内容の全体を参照して本願明細書に組み込み）明細書に開示されているような画素化位相シフト法又は位相マスク法を利用し得る。上記特許出願に記載されているように、画素化位相マスクは、偏光されたプローブビームと参照ビームとの部分間に所定の位相シフトを生じるために用いられる複数セットの位相マスク画素を有する。位相マスク画素の各セットから得られた空間的に分解された強度パターンは、画素化検出器アレイに向かう。画素化位相マスク法を用いれば、局所的な表面３８のリアルタイムの特徴付けを実質的に即座に行うことが容易になり、有利である。
【００１９】
局所的な表面３８が平坦であり、入射プローブビーム３４に対して垂直であって、局所的な表面３８に欠陥が無い場合には、合波されるプローブビーム及び参照ビームは、コヒーレンス長の公差範囲内の略等しい光路長を有し、合波された際に高コントラストの干渉縞を生じるように設計される。即ち、プローブビーム３４が通る光路長は、参照ビーム３６が通る光路長のコヒーレンス長の範囲内であるべきである。その結果、合波されたビームは、ビームの縦軸に対して垂直な面におけるビームの断面領域にわたって強度が略一定となる幅が広い縞を生じる。即ち、干渉計の視野のかなりの部分が、単一の特定の縞でカバーされ得る。一方、基体が入射プローブビームに対して傾斜している、即ち、入射プローブビームの縦軸に対して垂直ではない場合には、明るい縞と暗い縞とが交互になった干渉パターンが形成される。
【００２０】
局所的な表面３８に欠陥が存在する場合には、欠陥における光路長の変化により、欠陥に入射するビームの部分に光路長差が生じる。生じた光路長差により、合波されたビームに、局所的な干渉縞パターン及びその結果の干渉縞、即ち、局所的な表面の画像中で欠陥を囲む明暗が交互になった領域が生じる。欠陥のサイズ（例えば高さ）は、縞のサイズ及び間隔等といった干渉縞の属性から判定され得る。この判定を行う方法は当該技術分野で周知であり、本発明を不明瞭にしないために、更なる説明は行わない。
【００２１】
一部のケースでは、局所的な表面は、入射プローブビームの縦軸に対して垂直でないことがある。これは、基体の大きなサイズ及び極端な薄さ、並びに製造環境で基体を固定するメカニズムの不完全さに起因して、測定中の基体が表面の凸凹、即ち波打った表面を呈することによって生じ得る。これは、測定すべき欠陥の高さがナノメートル台と非常に小さく、製造プロセスを遅くしないために欠陥を迅速に測定しなければならない場合に、特に厄介な問題となる。波打った、又は別様で凸凹がある板ガラスの表面は、プローブビームの軸に対して垂直ではない向きに向いた局所的な表面３８となり、基体が局所的に傾斜し得る。局所的な表面の傾斜は、局所的な表面から反射される画像にわたって光路長差を生じる。局所的な表面３８の傾斜は図１の破線４２で示されている。局所的な表面から反射されたプローブビームが、参照反射器から反射された参照ビームと合波されると、これらの光路長差によって、傾斜に関係する干渉縞が生じる。傾斜に関係する干渉縞は、例えば縞のダイナミックレンジを制限することにより、欠陥に関係する縞の識別を困難又は不可能にし得る（縞の混同）。従って、欠陥に関係する縞を測定するために、傾斜に関係する縞の数をヌルにする又は最小化する能力を有するのが望ましい。傾斜に関係する縞をヌルにする１つの方法は、鏡面反射性の局所的な表面に入射するプローブビームを、その局所的な表面と位置合わせすることである。即ち、プローブビームの縦軸が局所的な表面に対して略垂直になるよう入射プローブビームを向けることである。必要な垂直度の程度は、干渉計の設計（例えば、干渉計の視野）によって異なる。例えば、一部の実施形態では、垂直から約０．５度以内の垂直度が適用され得る。
【００２２】
プローブビームと局所的な表面との位置合わせは、例えば、測定装置１０を基体に対して移動させることによって達成され得る。しかし、測定装置は一般的に大きくて重い。製造環境においては、装置の質量によって移動のための応答時間が遅くなり、それによって測定時間が増加するので、測定装置全体の移動を続けることは望ましくない。更に、測定装置に必要な移動を行うために必要となる取付装置は、測定装置自体よりもコスト高になり得ると共に、実施するにはかなりの物理的空間を要する。
【００２３】
或いは、測定される基体を測定装置に対して移動させる場合もある。しかし、これも、基体のサイズ及び相対的な撓みやすさに起因する問題を呈する。即ち、基体をプローブビームと位置合わせするために基体を移動させると、既に強調されている問題（基体表面により大きい凸凹を生じ得る基体の撓みを含む）を更に悪化させるだけになり得る。
【００２４】
本発明の方法によれば、プローブビームは反射要素１６を用いて能動的に狙いを定められる、即ち操作される。反射要素１６は、傾斜に関係する干渉縞が最小化又は解消されるようにプローブビーム３４が確実に局所的な表面３８に入射するよう、適宜回転される。この条件は、入射プローブビームの縦軸が局所的な表面と略垂直であり、且つ局所的な表面が略平坦である場合に、概ね満たされる。反射要素１６の移動はプローブビーム３４の光路長の変化を生じ得るが、移動の結果生じる光路長差がビーム３２のコヒーレンス長より小さいものである限り、光路長差は許容範囲内である。
【００２５】
本発明の別の実施形態では、干渉計及び反射要素の両方が可動台に取り付けられ、プローブビームの光路長を変えられるように反射要素及び干渉計が平行移動可能になっている。従って、第１の面がビーム３２のコヒーレンス長より大きい距離で基体の第１の面から離れた状態で、基体の第２の面の画像が取得され得る。基体又は測定装置１０を実質的に移動させることなく、第１の面からの干渉を生じずに、上述したのと同様に、基体の第２の面の局所的な表面のトポグラフィーの画像が取得され得る。従って、測定装置１０を図１の第１の面２８に対して名目上垂直に移動させることにより、ビームのコヒーレンス長の外にある第１の面２８は観察されずに、第２の面３０が「焦点」に合わせられ得る。第２の反射器１８を移動させても、全体装置を移動させる必要なしに、同様の効果が達成され得る。即ち、参照ビーム３６の縦軸を第２の反射器１８の反射面に対して垂直に保ちつつ、第２の反射器１８を参照ビーム３６の縦軸に沿って平行移動させてもよい。こうすることで、プローブビームの焦点深度が変えられ得る（この場合の焦点深度は、プローブビーム及び参照ビームの光路長が、これらのビームのコヒーレンス長内で、等しいという条件に合うように定められる）。
【００２６】
更に別の実施形態では、プローブビームは静止状態に保持されてもよいが、参照ビームは、少なくとも２つの直交する軸回りに回転可能な反射要素によってインターセプトされる。反射要素の基本動作は上述の実施形態の動作と同様である。図２には測定装置１０の別の実施形態が示されている。図２の装置では、第１の反射要素１６を用いて、プローブビーム３４が基体２６の第１の面２８に入射するように、プローブビーム３４を所定の方向に折り返させる。測定装置の向きが、第１の反射要素１６を必要とせずにプローブビーム３４が基体２６に入射するようになっている場合には、第１の反射要素１６はなくてもよい。
【００２７】
図２に示すように、プローブビーム３４は、プローブビーム３４の縦軸が局所的な表面３８に対して略垂直にならない角度で基体の第１の面２８に入射し得る。その結果、基体が示す傾斜により、反射されたプローブビームに、プローブビームが返る（反射される）経路３４ａが入射経路３４からの角偏向を示す角度が与えられる。これを補償するために、第２の反射器１８は、上述の実施形態で第１の反射器１６が取り付けられたのと同様の方法で、電動ジンバル（又は他の適切な操作可能なマウント）に取り付けられる。第２のジンバル制御される反射要素１８は、直交する２つの軸の一方又は両方の軸周りに回転されることで、基体の傾斜に関係する干渉縞をヌルにして、欠陥に関係する縞の明確な検出を可能にする。即ち、第２の反射要素１８を移動させることにより、参照ビームが、入射経路３６とは一致しない経路３６ａに沿って反射され、経路３４ａに沿って反射されたプローブビームと合波されて、傾斜をヌルにする。
【００２８】
本発明の上述の実施形態、特にいずれの「好ましい」実施形態も、単に可能な実施例であり、本発明の原理の明確な理解のために述べられたものに過ぎないことが強調されるべきである。本発明の精神及び原理から実質的に逸脱することなく、本発明の上述の実施形態に対して多くの変形及び修正が行われ得る。そのような修正及び変形は全て、本開示及び本発明の範囲に包含され、添付の特許請求の範囲によって保護されることが意図される。
【符号の説明】
【００２９】
１０  測定装置
１２  放射線源
１４  偏光ビームスプリッタ
１６  第１の反射要素
１８  第２の反射要素
２０  コリメータレンズ
２２  アパチャー
２４  検出システム
２６  基体
２８  第１の面
３０  第２の面
３４  プローブビーム
３６  参照ビーム
３８  局所的な表面
４０  合波されたビーム
【図１】
2010519541.tif 000003
【図２】
2010519541.tif 000004
【国際調査報告】
2010519541.tif 000005
2010519541.tif 000006