(57)【要約】【解決手段】    カプセル化モジュール（Ａ）を生成するための、および／または微小集成装置をカプセル化するための方法であって、メッキスルーホール（２）、電気線、接点、および／または電子組立てのような電子接続手段は、１つまたはそれ以上の組立てプロセス、および／またはエッチングプロセスによって、特には、不純物添加シリコンからなる電気的に伝導性の半導体材料、金属帯片（１）から形成され、電子接続手段を形成する間に、半導体材料の器台（６）が生じ、その上に電子接続手段が配置され、後者は、続いて埋封材料（９）で埋封され、その埋封する材料、および／または半導体器台（６）は、埋封の後に、電子接続手段の規定された数が、このように生成されたカプセル化モジュール（Ａ）の外部表面（７、８）の少なくとも１つの上に電気接点を有するような程度に除去され、組立てる、および／またはエッチングプロセスの少なくとも１つによって、電子接続手段を形成する間に、半導体材料（６）の器台上に、少なくとも１つの島状材料のハンプが形成され、その上に、特には、メッキスルーホール（２）が、常に配置され、さらに、半導体電極（３）を形づくる。  この発明は、さらに、カプセル化モジュール、および／または少なくとも１つのメッキスルーホール（２）、および少なくとも１つの半導体電極（３）を有する微小集成装置に関し、さらには、自動車両での使用に関する。【選択図】  図５
2010514180.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メッキスルーホール（２）、電気線、接点、および／または電子組立てのような電子接続手段は、１つまたはそれ以上の組立てプロセス、および／またはエッチングプロセスによって、特には、不純物添加シリコンからなる電気的に伝導的な半導体材料の金属帯片（１）から形成され、電子接続手段を形成する間に、半導体材料の器台（６）が生じ、その上で電子接続手段が配置され、後者は、続いて埋封材料（９）で埋封され、その埋封する材料、および／または半導体器台（６）は、埋封後に、電子接続手段の規定された数が、このように生成されたカプセル化モジュール（Ａ）の外部表面（７、８）の少なくとも１つの上に電気接点を有するような程度に除去されてなり、少なくとも1つの組立て、および／またはエッチングプロセスによって、電子接続手段を形成する間に、半導体材料（６）の器台上に、少なくとも１つの絶縁材料のハンプが形成され、その上には、常に、特には、メッキスルーホール（２）が配置され、さらには、半導体電極（３）を形づくることを特徴とするカプセル化モジュール（Ａ）を生成するための、および／または微小集成装置をカプセル化するための方法。
【請求項２】
埋封材料（９）をもって電子接続手段の埋封をする間に、および／またはその後埋封材料を硬化する間に、埋封材料（９）は、電子接続手段が埋封されるほぼ円板形状の本体（２０）を形成し、その埋封プロセスは、特には、少なくとも１つの鋳込み、および／または溶融プロセスを有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
少なくとも１つのカプセル化モジュール（Ａ）の外部表面（７、８）が、少なくとも１つの導体材料（２３、２４）で覆われることを特徴とする請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
電気接点素子、バッファ素子（１１）、またはキャビティ（１２）のような電子的な、および／または機械的手段は、少なくとも１つの微小集成装置（Ｂ、Ｂ１）、および／または少なくとも１つのさらなる微小モジュールに対するカプセル化モジュール（Ａ）の正確に嵌合する接続のために、カプセル化モジュール（Ａ）の少なくとも１つの外部表面（７、８）上に適用されることを特徴とする請求項１〜３の少なくとも１項に記載の方法。
【請求項５】
ガラスが、埋封材料（９）として使用され、かつ、このガラスが、電子接続手段の上に液化性の方法で充填固定されるか、または、珪酸ナトリウムとして直接充填固定され、続いて硬化されることを特徴とする請求項１〜４の少なくとも１項記載の方法。
【請求項６】
少なくとも１つのトンネル（１３）が、少なくとも２つの、特には、少なくとも１つの組立てプロセス、および／またはエッチングプロセスによってカプセル化モジュール（Ａ）の外部表面（７、８）間に生成されることを特徴とする請求項１〜５の少なくとも１項記載の方法。
【請求項７】
少なくとも１つのトンネル（１３）が、少なくとも１つのメッキスルーホール（２）を除去することによって生成されることを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項８】
少なくとも１つの追加の微小集成装置（Ｂ、Ｂ１）が、カプセル化され、特には、密封して、カプセル化モジュール（Ａ）によって、特には、予めカプセル化モジュールの少なくとも１つの電気的なメッキスルーホール（２）が、特には、エッチングプロセスによって除去され、それによって、その対応する微小集成装置（Ｂ、Ｂ１）の内部（１２、１６）内にカプセル化モジュール（Ａ）を介するトンネル（１３）が生じ、さらにその後に、特には、常に、前記トンネル（１３）を通って、ほぼ規定された圧力を備えた規定された媒体が、その対応する微小集成装置（Ｂ、Ｂ１）のそれぞれの内部（１２、１６）内に導入されることを特徴とする請求項１〜７の少なくとも１項記載の方法。
【請求項９】
少なくとも１つのトンネル（１３）は、続いて閉じられていることを特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１０】
埋封する、および／またはポッティングする材料を、前記少なくとも１つのトンネルに導入し、そして続いてトンネル内に導入されたこの材料を硬化することによって、少なくとも１つのトンネル（１３）を後に閉じることを実行することを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１１】
特には、請求項１〜１０の少なくとも１項記載の方法に従って生成され、特には、微小集成装置、および／または微小集成装置をカプセル化するためのカプセル化モジュール（Ａ）は、電気的に絶縁する埋封する材料からなるほぼ円板形状の本体（２０）、および、この場合には、それが、電気的に、伝導的に、２つの電気接点を２つの対向する外部ベース表面（７、８）、すなわち、底部表面の（７）および円板形状の本体（２０）の頂表面（８）上に相互に接続するように形成され、かつ配置される円板形状に形成された本体２０内に埋封される電気的に伝導性の半導体材料からなる少なくとも１つの電気的なメッキスルーホール（２）を有してなり、カプセル化モジュール（Ａ）、および／または微小集成装置は、電気的に伝導性の半導体材料からなる少なくとも１つの電極（３）を有することを特徴とする請求項１〜１０の少なくとも１項記載の方法。
【請求項１２】
カプセル化モジュール、および／または微小集成装置は、電気的に伝導性の半導体材料からなる少なくとも１つの電極（３）は、埋封材料（９）からなる円板状に形成された本体（２０）のベース表面（７、８）のうちの１つとの境界を有し、さらに、円板状に形成された本体（２０）内にほぼ塚形状に延びる方法で形成され、かつ前記本体内のメッキスルーホール（２）に接続されることを特徴とする請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
少なくとも１つの半導体電極（３）が、電気的に伝導性の表面、特には、微小読出し装置のコンデンサプレートとして、および／または励起／ドライブ装置、または電気接続手段として設計されていることを特徴とする請求項１２記載のカプセル化モジュール、および／または微小集成装置。
【請求項１４】
円板状に形成された本体（２０）は、２つの外部ベース表面（７、８）間の少なくとも１つのトンネル（１３、１４）を有し、前記少なくとも１つのトンネル（１３、１４）は、埋封する材料または他のある材料で開かれるか、または閉じられることを特徴とする請求項１１〜１３の少なくとも１項記載のカプセル化モジュール、および／または微小集成装置。
【請求項１５】
ガラスまたはポリマー材料、特には、樹脂が埋封材料として使用されることを特徴とする請求項１１〜１４の少なくとも１項記載のカプセル化モジュール、および／または微小集成装置。
【請求項１６】
円板状に形成された本体（２０）が、２つの外部ベース表面（７、８）の少なくとも１つの上の、少なくとも１つの位置で、伝導材料（２３、２４）で覆われることを特徴とする請求項１１〜１５の少なくとも１項記載のカプセル化モジュール、および／または微小集成装置。
【請求項１７】
前記モジュールおよび／または配置が、ベース表面（７、８）で、共通の相互接続表面を有する、特には、少なくとも１つの半導体電極（３）に対応するやり方で形成される電気的に伝導性の半導体材料からなる少なくとも１つの相互接続（４）を有することを特徴とする請求項１１〜１６の少なくとも１項記載のカプセル化モジュール、および／または微小集成装置。
【請求項１８】
円板状に形成された本体（２０）が、２つの外部ベース表面（７、８）の少なくとも１つの上で、追加の微小集成装置（Ｂ、Ｂ１）との相互接続のためにバッファ素子（１１）、またはキャビティ（１２）のような少なくとも１つの微小手段を有することを特徴とする請求項１１〜１７の少なくとも１項記載のカプセル化モジュール、および／または微小集成装置。
【請求項１９】
円板状に形成された本体（２０）は、それは、特には、密封して、追加の微小集成装置をカプセル化し、かつ、電気接続、および／または追加の微小集成装置の接点は、電気的に伝導的に接続され、および／または、１つまたはそれ以上のメッキスルーホール（２）、および／または半導体電極（３）、および／または円板状に形成された本体（２０）内に埋封される半導体相互接続（４）と電気的に相互作用するような方法で、少なくとも１つの追加の微小集成装置（Ｂ、Ｂ１）に接続されることを特徴とする請求項１１〜１８の少なくとも１項記載のカプセル化モジュール、および／または微小集成装置。
【請求項２０】
前記手段が、薄膜またはベンディングビームのような、少なくとも１つの追加の微小集成装置（Ｂ、Ｂ１）の微小手段と相互作用することができるように、円板状に形成された本体（２０）の２つの外部ベース表面（７、８）のうちの少なくとも１つの上に、少なくとも１つの微小手段（１１、１２）が配置され、かつ、形成されることを特徴とする請求項１８または請求項１９記載のカプセル化モジュール、および／または微小集成装置。
【請求項２１】
少なくとも１つの追加の微小集成装置（Ｂ、Ｂ１）は、円板状に形成された本体（２０）に埋封されている少なくとも１つの電気的なメッキスルーホール（２）、および／または半導体電極（３）、および／または半導体相互接続（４）による、少なくとも１つの、外部の、特には、集積された電子回路（Ｃ）に電気的に接続されることを特徴とする請求項１９または２０記載のカプセル化モジュール、および／または微小集成装置。
【請求項２２】
少なくとも１つの追加の微小集成装置（Ｂ、Ｂ１）は、円板状に形成された本体（２０）によって、特には、チップ上に集積された少なくとも１つの集積回路（Ｃ）に機械的に接続されることを特徴とする請求項２１記載のカプセル化モジュール、および／または微小集成装置。
【請求項２３】
円板状に形成された本体（２０）は、機械的に、および／または１つまたはそれ以上のメッキスルーホール（２）、および／または半導体電極（３）、および／または半導体相互接続（４）によって、特には、追加の接合するビードによって、チップ上に配置される少なくとも１つの追加の微小集成装置（Ｂ２）、および／または少なくとも１つの追加の微小集成装置、および／または少なくとも１つの集積回路（Ｃ）に、電気的に、伝導的に、接続されることを特徴とする請求項１１〜１８の少なくとも１項記載のカプセル化モジュール、および／または微小集成装置。
【請求項２４】
少なくとも１つの追加の微小集成装置（Ｂ、Ｂ１）、および／または少なくとも１つの追加の微小集成装置、および／または、特には、チップ上に集積された少なくとも１つの集積回路（Ｃ）は、円板状に形成された本体（２０）の１つのベース表面（７、８）に機械的に、および／または少なくとも１つのメッキスルーホール（２）、および／または半導体電極（３）、および／または半導体相互接続（４）によって電気的に、伝導的に、接続されること、さらには、円板状に形成された本体（２０）の他のベース表面（８、７）は、プリント配線回路用基板（Ｄ）または追加の電子回路、または特には、接合するビードによる付加的なカプセル化モジュールに接続されることを特徴とする請求項２３記載のカプセル化モジュール、および／または微小集成装置。
【請求項２５】
センサハウジング、および／または少なくとも１つの電子部品、および／または少なくとも１つの微小集成装置（Ｂ、Ｂ１）内に配置された少なくとも１つの電子回路（Ｃ）は、電気的に伝導的に少なくとも１つの電気的なメッキスルーホール（２）によって少なくとも１つの外部電子回路（Ｃ）、および／または半導体電極（３）、および／または円板状に形成された本体（２０）内に埋封されている半導体相互接続（４）に接続され、円板状に形成された本体（２０）は、センサハウジング上のカバーとして配置され、かつ固定されることを特徴とする請求項１１〜１８の少なくとも１項記載のカプセル化モジュール、および／または微小集成装置。
【請求項２６】
自動車両における、特には、自動車両コントロールシステムにおける、請求項１１〜２５の少なくとも１項記載のカプセル化モジュール、および／または微小集成装置の使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、請求項１１の前文にしたがってカプセル化モジュール、および／または微小集成装置（micromechanical arrangement）、請求項１の前文にしたがって生成方法（production method）、およびカプセル化モジュールのような、および／または自動車両における微小集成装置のような使用に関する。
【背景技術】
【０００２】
文献ＥＰ  １３７１０９２  Ｂ１は、電気的に伝導性のシリコンから構成される貫通孔または貫通路（feedthrough）を有するガラスから構成される平面基板を提案している。
【０００３】
そのような平面基板が微小集成装置に使用される場合に、金属電極は、通常、前記平面基板の少なくとも１つのベース面に設けられ、前記金属電極は、貫通路に接続され、かつ微小集成装置を備えたコンデンサプレートとして相互作用する。シリコンと金属電極との間の、電気的に、かつ機械的に信頼できる遷移接続（transition connection）のために、多くの場合、少なくとも２つの金属からなる電極が使用される。
【０００４】
異なる材料の接触接続（contact-connection）のために、特には、異なる金属、および／または、結晶またはアモルファスシリコンで、例えば高温勾配（temperature gradient
）、または不十分な長期間安定性のような部品のパラメータにおける悪影響が生じる場合がある。さらに、寄生効果は、例えば起電力（電池効果）、電気移動法、および腐食のように、入り込み(creep in)、特には、後者は、その部品の長期間安定性に関する問題に帰着する。
【発明の概要】
【０００５】
この発明は、金属電極を省略することができ、さらに特には、それによって上記困難性を少なくとも一部分回避するカプセル化モジュール、および／または微小集成装置、および対応するカプセル化モジュール、および／または微小集成装置を生成するための方法を提案する目的に基づいている。
【０００６】
この目的は、この発明によれば、請求項１にしたがって生成方法によって、さらにはまた、請求項１１にしたがってカプセル化モジュール、および／または微小集成装置によって達成される。  
この発明は、特には、少なくとも１つのメッキスルーホールと常に電気的に伝導性の半導体材料からなる少なくとも１つの半導体電極とを有し、かつ、これらは、電気的にほぼ非伝導性の埋封材料(embedding material)に埋封されているものの生成方法、および対応して生成されたカプセル化モジュール、および／または微小集成装置を提案する概念に基づいている。
【０００７】
電極、および／または半導体電極は、好ましくは、容量性部品、または容量性装置の手段、または、特には、微小読出し装置、および／またはドライブ装置の一部である平板コンデンサのプレートであると理解される。電極、および／または半導体電極は、代りに、好ましくは、電気接続手段または接触手段として役立つ。
【０００８】
読出し装置は、少なくとも２つの電極、またはその共通のキャパシタンス／キャパシタンスが組立てにおいて変化する、および／または相互に関する電位差が測定される、その他の電気／電子素子を有する装置であると、便宜的に（expediently）理解される。特には、そのような読出し装置は、相互から電気的にほぼ絶縁され、かつ、その１つは、ベース素子、特には好ましくは、フレーム、および／または１つまたはそれ以上の地震質量（seismic mass）、および／またはカップリングビーム、および微小モジュールまたはウェーハに対するその他に対して固定される相互に噛み合う導体表面／プレートを有する。読出し装置は、特には、１対の電極を有する。
【０００９】
ドライブ装置は、好ましくは、特には、コンデンサプレートであって、その少なくとも１つのベース素子、および／または地震質量に接続され、他方は微小モジュールまたはウェーハに接続される少なくとも２つの対向する導体表面を有する容量性ドライブであると理解される。これらの導体表面に差動電圧を印加することによって、後者は、相互に関して移動できる。特には、例えば、回転速度（rate-of-rotation）センサ素子のようなセンサ素子のドライブモードは、少なくとも１つのドライブユニットによって生成される。
【００１０】
モジュール、特には、カプセル化モジュール、キャリアモジュール、または組立てモジュールは、好ましくは、それ自体微小システム、および／または微小集成装置であるか、または、微小システムを形成するために他のモジュールと結合して補足することができる微小手段であると理解される。そのようなモジュールは、好ましくは、それぞれの必要条件にしたがって生成され、かつ形成されるウェーハモジュールである。
【００１１】
組立てるプロセスは、好ましくは、エッチングプロセスであって、それは、特には、好ましくはウエットケミカルエッチング、特には、ＫＯＨ（水酸化カリウム）によるか、または、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）による異方性エッチング、および／または異方性ドライエッチング、特には、イオンミリング、または電子ビーム方法、および／または、特には、例えば、特にはポリマー不活性化中間（polymer passivation intermediate）ステップを備えたエッチング不活性化方法、および／またはジャイロスタティックエッチング方法のようなＤＲＩＥ（深い反応性(deep reactive)イオンエッチング）のような、異方性の反応性イオンエッチングを有すると理解される。
【００１２】
さらなる組立てプロセスは、代りに、好ましくは、特には、ミリング、および／またはソーイングのような、機械的な加工方法を有する。
【００１３】
この方法に関連して、機械的プロセスは、通常、比較的長い組立て幅のみを可能にし、特には、例えばソーイングトラックによるようにグリッド形の形態を生成するので、１つまたは複数のエッチングプロセス、特には、電子接続手段を形成するための機械的でないプロセスを実行することは得策である。
【００１４】
少なくとも２つの微小モジュール、またはシリコンウェーハの相互接続または接合は、好ましくは、少なくとも１つのウェーハボンディング方法によって達成される。この場合、少なくとも１つの陽極のガラスシリコン、陽極のガラスアルミニウム、ハンダ、溶解（fusion）、低融点（eutectic）金属、接着ボンディング、またはその他の適切なウェーハ接合方法を使用することは、特には好ましい。高温プロセスの間に、О２は、シリコンと反応し、さらに酸化シリコン層は、ボンディングプロセスによって囲まれる組立てモジュールの少なくとも１つのキャビティ内における表面上に形成するので、О２雰囲気の下で、例えば、特には、少なくとも１つのセンサ素子、および、カプセル化モジュールを有する組立てモジュールのような２つの微小モジュールの溶解ボンディングを実行することは、特別に好ましい。これは、特には、後述の組立てエッチング中にエッチング停止層として役立つ。
【００１５】
好ましくは、ギャップが、局部的な酸化またはＬＯＣＯＳプロセス（シリコンの局部的酸化）によって、２つの微小モジュール、特には、組立てモジュールとカプセル化モジュールとの間に生成される。
【００１６】
２つの微小モジュール間の絶縁、または導体材料からなる接合層を導入することは、好ましく、その層は、絶縁する方法、または電気的に伝導性の方法においていずれも相互に２つのモジュール、またはウェーハを接続する。この場合には、局部的に絶縁するか、または電気的に伝導性の接合する表面は、接合層用の複数の選択的組立て、および集積（deposition）方法によって生成することができる。
【００１７】
この提案された技術は、さらに上述されたような先行技術から知られる問題を有していないか、またはより小さい程度にのみ問題を有する。特には、このことは、その技術がその応用（モジュール組立てシステム）の要求に対して柔軟に適用できるという事実によって達成される。それは、好ましくは、電気信号への機械的移動の容量性変換を備えた加速度、回転速度、圧力センサのような慣性センサ用に適切である。提案された技術の柔軟性の理由で、特には好ましくは、シリコンの１片上の異なる応用を集積する可能性がある。例えば、ＡＳＩＣ上のダイレクトチップ集積が可能でない場合には、そのときは、この提案された技術は、特には、他の部品のために、共通のハウジング内に組み入れられ、かつ正確な方法で、かつ配線の出費なしで、外部に接続することを、さらに可能にする。
【００１８】
電気的に伝導性の半導体材料は、好ましくは、ドープされた、結晶またはアモルファスシリコンである。
【００１９】
少なくとも１つのメッキスルーホールは、好ましくは、電線（electric line）、および／または、熱伝導路（heat conductive path）として形成される。
【００２０】
この方法の関係では、埋封材料を備えた電子接続手段の埋設の間に、および／または続いて起きる埋封材料の硬化の間に、その埋封材料が、電子接続手段がその中に埋め込まれているほぼ円板形状の本体内に形成されることは得策である。この場合、埋封プロセスは、特には、少なくとも１つの鋳込み、および／または溶解プロセスを有する。特には、円板形状の本体の形づくりは、ポッティング材料が型内に満たされる場合に、電子接続手段が型内に配置され、ポッティング材料によって埋封されるように、半導体材料の器台（pedestal）を受入れるか、または隣接する型によって行われる。このポッティング材料は、代りに、好ましくは、ベースとしての原材料（raw material）の器台と、壁としての原材料の狭い端縁とを有する「型」内に鋳造される。原材料のこの狭い周囲の端縁は、電子接続手段も形成される、少なくとも１つのエッチング、および／または組立てプロセス中に、予めこの目的のために形成される。
【００２１】
ほぼ円板形状の本体は、２つのベース表面、すなわち、底部表面および頂部表面であって、それらは相互にほぼ平行であるものを有する本体であると理解される。この場合、本体の厚さ、すなわち、ベース表面間の距離は、円板形状の本体のベース表面の長さ、および／または幅、または直径より、特には大きい場合がある。しかしながら、特には、好ましくは、円板形状の本体は、平坦状、すなわち、その本体厚さが円板形状の本体のベース表面の長さ、または幅、または直径未満であるように形成される。
【００２２】
この方法の関係から、このカプセル化モジュールの外部表面の少なくとも１つが、少なくとも１つの導体材料で被覆されることは、適切である。特には、前記材料は、蒸気沈積（vapor deposition）によって、またはスパッタリング法によって適用される金属である。導電層の下方には、特には、好ましくは、電気的絶縁層が形成され、それは、少なくとも１つの電子接続手段とは別にカプセル化モジュールの対応するベース表面からその導電層を電気的に絶縁する。特には、好ましくは、この導電層は、特には上述した絶縁層の存在なしで、引き続いて組立てられ、かつ、この場合に、それを介して少なくとも１つのメッキスルーホールの少なくとも一側面は、特には、半導体技術において知られているボンディングワイヤ、または他の接触接続方法によって、例えば、はんだボール（ボールグリッドアレイ）、および／またはフリップチップアッセンブリによるように、電気的に接続することができる接触接続または接触パッドを形成する。
【００２３】
好ましいことは、少なくとも１つの微小集成装置、および／または少なくとも１つのさらなる微小モジュールへのカプセル化モジュールの正確に嵌合する接続のために、電気接続素子、バッファ素子、ストッパ素子、またはキャビティのような電子的、および／または機械的な方法が、カプセル化モジュールの少なくとも１つの外部表面上に適用されるのと同じ方法で、その方法を拡張することである。特には、圧着端子（crimp contact）は、カプセル化モジュールと組立てモジュールとの間に生成され、この端子は、圧力と熱とによってモジュールのうちの１つの金属層から生じる。そのような圧着端子は、メッキスルーホールと組立て（structure）との間の接触接続用に役立つ。前記圧着端子は、特には、好ましくは、組立てモジュールのアンカまたはピラーの場合に生成される。
【００２４】
好ましくは、少なくとも一部分、電気的に絶縁する材料が、カプセル化用に供給されるカプセル化モジュールのそのベース面上に適用される。前記材料は、例えば、カプセル化されるべき微小集成装置、または微小センサ素子用の過負荷ストップおよび／またはストッパのような機械的手段として使用することができるような方法で、形成され、かつ配置される。少なくとも１つのそのような機械的な手段は、特には、好ましくは、半導体電極上にまたはその電極下に、固定されるか、または配置される。
【００２５】
1つまたは複数の機械的な手段が、好ましくは、電気的に絶縁する材料、特には酸化または窒化シリコン、またはカーボンライクダイアモンド（ＤＬＣ）、またはこれらの材料の組合せから形成される。
【００２６】
この方法の状況において、ガラスが、ポッティング材として使用されること、さらには、そのガラスが、電子接続手段をカバーする液化方法で充填固化（pot）するか、または、液状ガラスとして直接充填固化し、続いて硬化されることは、得策である。
【００２７】
この方法は、好ましくは、少なくとも１つのトンネルが、少なくとも２つの、特には、対向する少なくとも１つの組立てプロセス、および／またはエッチングプロセスによるカプセル化モジュールの外部表面の間に生成されるという事実によって、補足される。特には、好ましくは、少なくとも１つのトンネルは、特には、半導体電極が割り当てられない少なくとも１つのメッキスルーホールを除去することにより生成される。
【００２８】
少なくとも１つの追加の微小集成装置、または少なくとも１つの組立てモジュールが、カプセル化され、特には、密封して、またはカプセル化モジュールによる気密（gastight）な方法で、特には、カプセル化前に、特には、カプセル化モジュールの少なくとも１つの電気的なメッキスルーホール、特には、半導体電極は割り当てられない、例えば、エッチングプロセスによって除去されるという結果に対して補足される方法には得策である。この場合に、その対応する微小集成装置の内部へのカプセル化モジュール、または組立てモジュールを介する少なくとも１つのトンネルが生じ、そしてその後に前記トンネルを介して、特には常に、規定された圧力を有する規定された媒体が、対応する微小集成装置のそれぞれの内部内に導入される。特には、媒体交換のために、そのトンネルによって達成されることが可能である。この手順によって、規定された雰囲気を、１つまたは複数の装置の空間に設けることができる。このことは、種々のセンサ素子、またはセンサ素子タイプが、例えば、その媒体および圧力に関して、組立て空間の雰囲気からなる種々の必要性を有するので、特には、有利である。上記の方法によって、比較的単純なやり方で共通のチップ上に集積されることは、特には、好ましくは、複数の種々の組立て、またはセンサ素子にとって可能である。この目的のために、特別に、好ましくは、複数の組立て空間は、複数のトンネル、特には、常に、組立て空間当たりに少なくとも１つのトンネルを有する少なくとも１つのカプセル化モジュールでカプセル化される。さらに、特には、圧力センサ、液体通路、ポンプまたはバルブのための入口または出口は、１つまたは複数の開口トンネルによって生成される。
【００２９】
少なくとも１つのトンネルが続いて閉じられることは、この場合、得策である。特には、好ましくは、少なくとも１つのトンネルを後続して閉じることが、前記少なくとも１つのトンネル内に埋封する、および／またはポッティングする材料を導入すること、およびトンネル内に導入されたこの材料を続いて硬化することによって実行される。      
好ましくは、少なくとも１つの半導体電極は、少なくとも１つの組立て、および／またはエッチングプロセスによって、少なくとも部分的に除去され、それによってキャビティが、カプセル化モジュールのベース表面上に生成され、また、特には、半導体電極の残存部分は、コンデンサプレート、または接点接続として利用可能である。前記キャビティは、例えば、微小集成装置の偏移（deflection）のための空間として役立つ。
【００３０】
特には、半導体電極が、トンネルを形成するためには割り当てられない、少なくとも１つのメッキスルーホールの除去、または、キャビティを形成するために半導体電極の少なくとも部分的な除去が、好ましくはＫＯＨ、ＴＭＡＨ、および／または他のエッチングプロセスによって達成される。
【００３１】
電子接続手段を形成する間に、好ましくは、まず第１に、少なくとも１つまたはそれ以上の電極、および／または接点領域、および／または相互連結は、ほぼ垂直のエッチング、および／または、例えば、器台上のミリングによるような、代りの組立てによる電気的に伝導性の半導体材料の金属帯片（blank）から形成される。この場合に、少なくとも１つの相互接続は、特には、２つまたはそれ以上の電極間の交差結線として、形成される。このことは、１つまたは複数のメッキスルーホールを形成することにより、これに続いて、このスルーホールは、特には、好ましくは、電極、および／または接点領域、および／または相互接続上のピラーとして形成される。これらの電子接続手段は、続いて埋封材料、好ましくは、ガラスで埋封される。
【００３２】
円板形に形成された本体が２つの外部ベース表面間に少なくとも１つのトンネルを有するように形成されることは、カプセル化モジュール、および／または微小集成装置のために好ましい。この場合に、前記少なくとも１つのトンネルは、埋封材料、または他のある材料で開口しているか、または閉じられる。開口したトンネルは、特には、好ましくは、組立てモジュールの組立て内部、および／または圧力センサ、液体通路、ポンプまたはバルブのための入口または出口に規定された雰囲気を供給する。  
円板状に形成された本体のベース表面のうちの１つとの境界を有し、さらに円板状に形成された本体内にほぼ塚（mound）形状のように拡張されたやり方で形成され、特には、集積して前記本体内のメッキスルーホールに接続される、電気的に伝導性の半導体材料からなる少なくとも１つの半導体電極を有することは、カプセル化モジュール、および／または微小集成装置のために得策である。
【００３３】
メッキスルーホールに接続される少なくとも１つの半導体電極は、代りに、好ましくは、比較的に広い面積の電気接点素子、または電気接点として使用され、さらに、特には、好ましくは、ボンディングワイヤによって接触接続される。
【００３４】
好ましくは、ガラス、またはポリマー材料、特には、樹脂は、カプセル化モジュール、および／または微小集成装置のために埋封材料として使用される。ガラスの使用は、特には、シリコンとの陽極ボンディングを可能にする。
【００３５】
２つの外部ベース表面の少なくとも１つの上において、カプセル化モジュール、および／または微小集成装置の円板状に形成された本体のために、少なくとも１つの位置で導体材料で覆われることは、好ましい。特には、好ましくは、導電性材料層は、前記層のセグメントの中からの個別のセグメントが、メッキスルーホールに接続され、かつ、したがって、特には、金属からなる接触接続、または接触パッドを形成するように、組み立てられる。特には、好ましくは、少なくとも１つのメッキスルーホールが、１つの終端で半導体電極に割り当てられ、または集積してそれに接続され、後者は、平面的に、カプセル化モジュール内に埋封され、かつ他側ではこのメッキスルーホールは、特には上述されたように、金属接触接続を割り当てられ、または、それが電気的に伝導的にそれに接続される。
【００３６】
カプセル化モジュール、および／または微小集成装置は、ベース表面で、共通の半導体相互接続表面を有し、かつ、特には、少なくとも１つの半導体電極に対応するやり方で形成される、電気的に伝導性の半導体材料からなる、好ましくは少なくとも１つの相互接続を有する。前記少なくとも１つの半導体相互接続は、特には、好ましくは、少なくとも１つのメッキスルーホール、および／または半導体電極に接続される。それは、代りに、好ましくはベース表面上での接触接続のための半導体相互接続としてのみ形成され、メッキスルーホールに対する追加の接続を有しない。少なくとも１つの半導体相互接続は、特には、好ましくは、半導体電極に対応するやり方で形成され、かつ配置され、またしかしながら、この場合には、ベース表面に平行な面における半導体電極より大きな広さを有する。便宜的に、１つまたは複数の半導体電極は、少なくとも１つの半導体相互接続上で配置され、またはそれに割り当てられ、かつ、それに伝導的に接続される。
【００３７】
この場合に、少なくとも１つの半導体電極、および／または少なくとも１つの半導体相互接続は、便宜的に対応するベース表面をもって平面的に形成され、したがって、前記ベース表面上に実質的に高所（elevation）、および／または凹所(depression)を形成しない。
【００３８】
少なくとも１つの半導体相互接続は、好ましくは、少なくとも２つの半導体電極を接続する。
【００３９】
電気的に伝導性の表面、特には、微小読出し装置のコンデンサプレート、および／または励起／ドライブ装置、または電気接続手段として設計されることは、少なくとも１つの半導体電極のためには好ましい。
【００４０】
カプセル化モジュールは、便宜的に、伝導性の半導体材料から構成されるフレームを有する。前記フレームは、特には、埋封材料を受け入れるために役立つ。特には、好ましくは、前記フレームは、電磁遮蔽として役立つ。特には、さらにまたは、代りに、複数のカプセル化モジュールが、共通のウェーハ、またはキャリアウェーハ上で、または、それから形成される場合には、そのフレームは、相互からカプセル化モジュールを分離するための切断トラックとして使用され、それは、ガラスのような埋封材料が、例えば、比較的弱くさまよう（swan）ので、有利である。さらに、カプセル化モジュールのフレームは、特には、ウェーハが薄くなる（thin back）か、それぞれの器台高さに対して大部分のために除去される場合に、共通のウェーハに関する機械的な硬化のために役立つことができる。
【００４１】
好ましくは、円板状に形成された本体は、２つの外部ベース表面の少なくとも１つの上において、追加の微小集成装置との相互作用のために、バッファ素子、ストッパ素子、特には、電気的に絶縁材料からなる機械的な過負荷停止、またはキャビティのような少なくとも１つの微小手段を有する。この場合に、特には、好ましくは、少なくとも１つのバッファ、および／またはストッパ素子は、電気的に伝導性か、または、絶縁する半導体材料から形成され、少なくとも１つの半導体電極上に形成される。
【００４２】
特には、密封して、またはガスが漏れない方法で、それが追加の微小集成装置をカプセル化し、さらに、電気接続、および／または追加の微小集成装置の接触が、電気的に伝導的に接続され、および／または電気的に１つまたはそれ以上のメッキスルーホール、および／または半導体電極、および／または半導体相互接続と相互に作用し、および選択的なさらなる電気的な接続手段であって、それらが、円板状に形成された本体に埋封されるように、少なくとも１つの追加の微小集成装置、または組立てモジュールに接続されることは、カプセル化モジュール、および／または微小集成装置の円板状に形成された本体のためには得策である。
【００４３】
好ましくは、前記手段が、薄膜（membrane）またはベンディングビームのような少なくとも１つの追加の微小集成装置の微小手段と相互に作用することができるように、少なくとも１つの微小手段は、円板状に形成された本体の２つの外部ベース表面の少なくとも１つの上に、配置され、かつ形成される。
【００４４】
少なくとも１つの追加の微小集成装置が、円板状に形成された本体に埋封されている少なくとも１つの電気的なメッキスルーホール、および／または半導体電極、および／または半導体相互接続経由、電気的に少なくとも１つの外部の、特には、集積された電子回路に接続されることは、得策である。特には、好ましくは、少なくとも１つの追加の微小集成装置は、機械的に円板状に形成された本体によってチップ上に、特には、集積された、少なくとも１つの集積回路に接続される。
【００４５】
好ましくは、円板状に形成された本体は、機械的に、および／または前記本体に埋封された少なくとも１つのメッキスルーホール、および／または半導体電極、および／または半導体相互接続によって、電気的に、伝導的に、特には、追加の接合するビードによって、特には、チップ上に配置された少なくとも１つの追加の微小集成装置、または組立てモジュール、および／または少なくとも１つの追加の微小集成装置、および／または少なくとも１つの集積回路に接続される。特には、好ましくは、少なくとも１つの追加の微小組立て、および／または少なくとも１つの追加の微小集成装置、および／または少なくとも１つの、特には、チップ上で集積された集積回路は、少なくとも１つのメッキスルーホール、および／または半導体電極、および／または半導体相互接続によって、さらに、円板状に形成された本体の別のベース表面は、プリント配線回路基板、または追加の電子回路、または追加のカプセル化モジュールに接続され、接合するビード、例えば、接合するビードのグリッドによって、円板状に形成された本体の１つのベース表面に、機械的に、および／または電気的に、伝導的に接続される。
【００４６】
センサハウジング上にカバーとして配置され、かつ固定されることは、円板状に形成された本体のためには得策であり、センサハウジングにおいて配置された少なくとも１つの電子回路、および／または少なくとも１つの電子部品、および／または少なくとも１つの微小集成装置、または組立てモジュールは、円板状に形成された本体に埋封された少なくとも１つの電気的なメッキスルーホール、および／または半導体電極、および／または半導体相互接続経由で、電気的に導伝的に、少なくとも１つの外部電子回路に接続される。
【００４７】
特には、好ましくは、この円板形状の本体は、ラッカーまたはプラスチックによってセンサハウジングに関して密封される。
【００４８】
この微小集成装置は、好ましくは、１つまたはそれ以上の回転速度のセンサ素子、および／または１つまたはそれ以上の加速度センサ素子を有する。特には、少なくとも２つのセンサ素子が、それらの検知方向に関して相互にほぼ直角に配置される。特には、好ましくは、微小集成装置は、同一タイプの２つまたは３つのセンサを有し、これらは、それらの検知方向に関して相互にほぼ直交して配置され、またさらに、同一タイプの少なくとも１対のセンサ素子を有し、同様にそれらの検知方向に関して相互に直角に配置されたものである。特には、好ましくは、微小集成装置は、３つの回転速度センサ素子および３つの加速度センサ素子を有し、それらの素子は、６つの自由度を有する慣性測定装置（ＩＭＵ）を特には形成するものである。この微小集成装置は、特には、さらに、またはその代りに、好ましくは、冗長なセンサ素子を有する。
【００４９】
この微小集成装置は、便宜的に、さらに特には、例えば、ＡＳＩＣ、送信ユニット、および／または受信ユニット、またはアンテナ装置のような、１つまたはそれ以上の電子回路、および／または部品を有する。
【００５０】
電子または電気接続手段は、好ましくは、メッキスルーホール、電気線、接点、半導体電極、半導体相互接続、および／またはその他の電子／電気装置、および／または部品を意味するように理解される。
【００５１】
記述は、その組立て技術の個々の好ましい組立てステップ、さらにその可能性あるその代案であって、それから微小集成装置の生成用のモジュラー組立て装置が構成されるものを以下に与える。好ましくは、微小集成装置、またはカプセル化された組立ては、１つまたはそれ以上の組立てモジュール、および１つまたはそれ以上のカプセル化モジュールを有する。このカプセル化モジュールは、いわゆる組立て空間または組立て内部空間においてその組立てを封入する。
【００５２】
この場合には、２つの変形、ＫおよびＬが、その代りに、好ましくは、提案されている。
【００５３】
変形Ｌ、組立てモジュール、または組立てウェーハの場合には、特には、専ら、その下側は、これが変形Ｋにおける場合でない間は、エッチングストップ層で覆われる。変形Ｌの利点は、後のトレンチエッチング中に、エッチングが酸化物において停止され、かつ生成された組立ての下位エッチング、または切込みが、したがって防止される。
【００５４】
酸化層も、ウェーハのボンディング中に生成することができる。
【００５５】
組立てモジュール用のさらなる代りの生成プロセスは、好ましくは、前処理された組立てモジュール、または組立てウェーハを、好ましくは、単純な、組立てられていず、かつ特には酸化したキャリアウェーハとともに一緒に結合する。ここで、同様に、上で議論された２つの変形ＫおよびＬは、代りに、好ましくは、想像できる（酸化膜で、または酸化膜なしで覆われた組立てウェーハ）。追加の組立て概念は、このように、例えばキャビティの異方性エッチング（ドライ、ウェットケミカル）によって、組立て平面、および／または薄膜厚さの設定から伝達された（transferred）質量の中心(centers of mass)のように実現することができる。組立てが解放されるキャリアウェーハからの間隔は、ＬＯＣＯＳ、またはＤＲＩＥ、または他の異方性エッチング方法のような同様の方法によって、組立てウェーハ、および／またはキャリアウェーハ自体に導入することができる。上述した方法と比較してこの生成方式の利点は、市販のコスト効率の良いウェーハ厚さを使用して、自由に規定可能な組立て高さの設定であり、キャビティ内のウェーハの厚さ後退（thinning-back）プロセスの回避、および組立ての生成である。
【００５６】
カプセル化モジュールは、便宜的にウェーハ接続技術の可能性をすべて可能にし、同時に電気信号が、組立て空間、および特には好ましくは、ウェーハ上の、またはＭＥＭＳシステム内の組立て空間内における種々の媒体の構成（inclusion）包含から分配されることを可能にする。
【００５７】
この場合、カプセル化モジュールを代りに好ましくは生成するための方法は、集積されたシリコン半導体電極を備えた垂直の電気接続を生成する方法、および／または組立て空間における選択媒体条件を設定するために使用することができる手段が生成される方法に関係する。特には、ストッパの設置(application)後、カプセル化モジュールの両面は、１つのカバー側面から他のカバー側面までの開口が生成されるか、または残されるように、その配置を除いて覆われる。
【００５８】
好ましくは代りに、組立てモジュールおよびカプセル化モジュールの気密カプセル化のために、以下に例証される代表的な実施例のうちのいくつかに対して、特には、組立てモジュールおよびカプセル化モジュール間のボンディング面は、さらにシリコンから作られた半導体電極に同一に生成することができる。この場合、そのボンディングは、溶解接合着プロセスによって達成される。しかしながら、この場合に、特には、好ましくは、ボンディング温度が、ポッティング材料のための限界温度を超過しないことを保証するために、注意がなされるべきである。したがって、プラズマ活性化された「溶融ボンディング」を使用することが、特には好ましい。両方の場合において、半導体電極によって、メッキスルーホールが組立てに対する電気的に伝導性の接触を形成することを保証するために便宜的に注意がなされるべきである。このことは、カプセル化モジュールおよび組立てモジュールの結合する表面間の伝導性の接合層によって達成することができる。伝導性の、特には比較的に薄い接合層は、カプセル化モジュール、および／または組立てモジュールの２つの境界の少なくとも１つに設けられる。溶解接合プロセス間の比較的高温の結果として、その金属はシリコンからなる両方の境界に拡散し、それによって、電気的に伝導性である不純物添加シリコンの境界層が形成し、かつそれによって、少なくとも、それぞれの場合において、組立てモジュールの１つのメッキスルーホールおよび１つの電気接触間の電気接触が、特には好ましくは、発生する。陽極接合方法を実行する場合には、対照的に、比較的高い機械的圧力が、そのプロセスの間に静電力によって、好ましくは作用するが、その圧力は、プロセスに伴う温度発生と結合して、モジュールの少なくとも１つの結合する表面上の金属層から作られた伝導性の「圧着端子」を生産する。そのような圧着端子は、同様にカプセル化モジュール、特にはメッキスルーホールと、組立てモジュールの少なくとも１つの電気的に伝導性の手段との間の電気接触を生成する。
【００５９】
両側におけるカプセル化モジュールを備えた少なくとも１つの組立てモジュールの気密カプセル化に関して、キャリアモジュールと並んで使用することができることは、技術一連を考慮する場合には、得策である。この場合に、まず第１に好ましくは、電極ギャッププロセスは、処理していない組立てウェーハまたは組立てモジュール上で達成され、次いで、このことは、続いて生じる組立てエッチングおよび第２のカプセル化モジュールのボンディングを備えた第２のギャッププロセスを後に続けて、組立てモジュール、または組立てウェーハの半導体電極および続いて薄層を備えたカプセル化モジュールに関してボンディングが、後に続く。すべての組立て空間内の同一媒体を備えた少なくとも１つのトンネルによる充填、または個々の組立て空間の選択的な充填は、特には好ましい。少なくとも１つの組立てモジュールおよび少なくとも１つのカプセル化モジュールを有する少なくとも１つのカプセル化された組立て、および少なくとも１つの制御および信号評価回路（ＡＳＩＣ）を有する微小集成装置を生成するために、ワイヤボンディングによる予め形づくられたハウジングにおける単純な組立てが、好ましくは実行される。
【００６０】
カプセル化された組立ての、および特には、ＡＳＩＣおよび外部からアクセス可能なカプセル化された組立てから信号を作り、さらにワイヤボンディングによってそれとの接触をする電気接続を備えた予め形づくられたハウジング内における相互に並ぶＡＳＩＣの配置は、カプセル化モジュールのメッキスルーホールおよび半導体電極技術で可能である。例を通して、キャビティプラスチックハウジング、金属ハウジング、またはＭＩＤパッケージは、そのようなハウジングとして使用することができる。カバー（ＬＩＤ）、例えば電磁遮蔽用の金属カバーのハウジングとの関連は、例えば接着またはレーザ溶接によって達成することができる。そのハウジング内の空き空間は、好ましくは、線（wires）を安定させるため、および水分に対する部品の密封のために、ゲル、特にはシリコーンゲルで充填される。特には、例えば振動に関して、中間層、例えば機械的な切り離しを引き起こす、高い質量（high mass）を有する薄層が、カプセル化された組立ての下に配列される。特別に好ましくは、この中間層は、ハウジングに関して、またはそのハウジングと柔軟な方法で、またはカプセル化された組立てに関して、またはその組立てと堅固な方法で固定される。
【００６１】
制御および信号評価回路（ＡＳＩＣ）を有する、カプセル化された組立ての微小集成装置を生成するために、ＡＳＩＣ上に直接、および予め形づくられたハウジング内に続いてフリップチップによってアセンブリングすることが、代りに、好ましくは実行される。フリップチップ技術によるこのＡＳＩＣ上の組み立ては、メッキスルーホールを備えたカプセル化モジュール、特には接触接続用にそれに接続された半導体相互接続によって可能である。ＡＳＩＣとカプセル化された組立てとの間に、例えば粒子状物質、ポッティング材料、または水分に対して、機械的な固定用の、振動抑制用の、および電気接点の保護用の例えば埋封材料（充填未満）（under fill）を配置することができる。フリップチップ技術の利点は、ＡＳＩＣ、したがってＡＳＩＣ上の、またはそのＡＳＩＣに関してカプセル化された組立ての幾何学的な配向、およびカプセル化された組立ての接着およびワイヤボンディングの省略上の接触に関する自動整列の結果である。その合成されたチップスタック、またはフリップチップによって置かれたカプセル化された組立てとのＡＳＩＣの組合せは、同様にフリップチップ技術による実行されたハウジング内に直接アセンブルすることができる。そのようなハウジングは、例えば予め形づくられたプラスチック、金属、またはセラミックのハウジング、またはＭＩＤパッケージであることができる。ＡＳＩＣに関するハウジングの機械的な取付けおよび封止は、好ましくは接着またはレーザ溶接によって達成される。ハウジング内の空き空間は、線を安定させるために、かつ、水分に対する部品の密封のために、特にはゲル、またはシリコーンゲルで充満される。
【００６２】
複雑なモジュールを形成するメッキスルーホールおよびパッケージングで、単純なシリコンウェーハ上の、またはカプセル化モジュール、または対応するカプセル化ウェーハ上の、複数のカプセル化された組立ておよび少なくとも１つのＡＳＩＣを一緒に結合するために、カプセル化された組立ては、例えば、特には、フリップチップ技術、接着、ろう付け、またはワイヤボンディングによる、キャリアとして機能する、シリコンウェーハ上の、例えば少なくとも１つのＡＳＩＣのような他の部品と一緒に、好ましくは組み込まれるか、または配置される。これらの部品は、このように特に好ましくは、チップスタックを形成する。その部品間の電気接続は、単純な金属化によるシリコンウェーハ上に生成され、また、半導体相互接続を形成するために組み立てる。この金属化は、ワイヤボンディングによって電気接点にコンタクトに接続されることが、特には好ましく、またはフリップチッププロセスのために適切である。アンダーフィル材料が、特には好ましくは使用される。同じ方法、または類似する方法によって、カプセル化モジュール上の半導体電極の生成を実行する、例えばコイルまたはアンテナのような、無線の受信および送信装置（structures）は、好ましくはさらに好ましくは全般的なシステムについて組み立て製造し、生産される。同様に、この目的のために、表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタおよびさらに受動素子をキャリア上で組み立てることができる。
【００６３】
好ましくは、ＡＳＩＣまたはカプセル化ウェーハ、または、メッキスルーホールウェーハは、ハウジング終端、特には、ハウジングベースとして使用される。適応された熱膨張動作、そして、したがって、熱的な負荷下のカプセル化された組立てにおけるパッケージの小さな影響が、それによって達成される。
【００６４】
２つまたはそれ以上の微小モジュールをカプセル化し、および／または接続するために、高密度を有し、さらに特には、シリコンに適用された熱膨脹係数を有し、および／または事実上不変の熱膨張動作を有する材料からなり、およびまたは異なる硬度を有する粘着剤層、および／または共晶接合接続のための金属、および／または接着用ポリマーからなる中間層が、好ましくは使用される。それによって、特には、信頼ある強健な接続、およびさらには機械的な切り離しを達成することが、可能である。
【００６５】
カプセル化モジュール、および／または微小集成装置を同様にさらに生成するための提案された方法ステップが、微小集成装置、および／またはカプセル化モジュールそれ自身に関係のあることは得策である。また、逆に、すなわち、カプセル化モジュール、および／または微小集成装置の好ましい特徴がさらに同様に、代りの、および／または開発するまたは補足の方法ステップに関係がある。
【００６６】
この発明は、さらに、特には、自動車両制御装置において、自動車両におけるカプセル化モジュール、および／または自動車両内の微小集成装置の使用に関する。
【００６７】
この発明によるカプセル化モジュール、および／またはこの発明による微小集成装置は、特には好ましくは、自動車両制動装置において、特には自動車両制御装置における自動車両での使用のために、特には好ましくは提供される。圧力、加速または回転速度のような異なる用途の統合のためには、異なるパッケージ技術が、多くの場合、それらの特定条件を満たすために必要である。この発明によるカプセル化モジュールは、特には好ましくは、特には共通のチップにそのような異なるセンサ素子のパッケージングおよび集積を供給する。
【００６８】
さらなる好ましい実施例が、従属クレームおよび図を伴う代表的な実施例の次の記述から現われる。
【００６９】
次の図は、代表的な実施例の概要の例証を提示している。
【００７０】
これらの代表的な実施例は、配置、配置の例証された方法の状態の両方として、または対応する生成方法の規定されたポイントにおけるそれぞれの配置を理解することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】メッキスルーホールおよび半導体電極を備えたカプセル化モジュールの代表的な実施例を示し、個別の生成状態が例証されている、
【図２】メッキスルーホールおよび半導体電極を備えたカプセル化モジュールの代表的な実施例を示し、個別の生成状態が例証されている、
【図３】メッキスルーホールおよび半導体電極を備えたカプセル化モジュールの代表的な実施例を示し、個別の生成状態が例証されている、
【図４】メッキスルーホールおよび半導体電極を備えたカプセル化モジュールの代表的な実施例を示し、個別の生成状態が例証されている、
【図５】メッキスルーホールおよび半導体電極を備えたカプセル化モジュールの代表的な実施例を示し、個別の生成状態が例証されている、
【図６】メッキスルーホールおよび半導体電極を備えたカプセル化モジュールの代表的な実施例を示し、個別の生成状態が例証されている、
【図７】組立てモジュールの代表的な実施例を示す、
【図８】組立てモジュールの代表的な実施例を示す、
【図９】組立てモジュールの代表的な実施例を示す、
【図１０】組立てモジュールの代表的な実施例を示す、
【図１１ａ】代表的なカプセル化モジュールおよびさらに代表的なカプセル化モジュールの生成段階を示す、
【図１１ｂ】代表的なカプセル化モジュールおよびさらに代表的なカプセル化モジュールの生成段階を示す、
【図１１ｃ】代表的なカプセル化モジュールおよびさらに代表的なカプセル化モジュールの生成段階を示す、
【図１１ｄ】代表的なカプセル化モジュールおよびさらに代表的なカプセル化モジュールの生成段階を示す、
【図１２ａ】代表的なカプセル化モジュールおよびさらに代表的なカプセル化モジュールの生成段階を示す、
【図１２ｂ】代表的なカプセル化モジュールおよびさらに代表的なカプセル化モジュールの生成段階を示す、
【図１２ｃ】代表的なカプセル化モジュールおよびさらに代表的なカプセル化モジュールの生成段階を示す、
【図１２ｄ】代表的なカプセル化モジュールおよびさらに代表的なカプセル化モジュールの生成段階を示す、
【図１３ａ】代表的なカプセル化モジュールおよびさらに代表的なカプセル化モジュールの生成段階を示す、
【図１３ｂ】代表的なカプセル化モジュールおよびさらに代表的なカプセル化モジュールの生成段階を示す、
【図１４ａ】特には、トンネルを有するカプセル化モジュールおよび代りのカプセル化モジュールの代表的な生成段階を示す、
【図１４ｂ】特には、トンネルを有するカプセル化モジュールおよび代りのカプセル化モジュールの代表的な生成段階を示す、
【図１４ｃ】特には、トンネルを有するカプセル化モジュールおよび代りのカプセル化モジュールの代表的な生成段階を示す、
【図１５ａ】特には、トンネルを有するカプセル化モジュールおよび代りのカプセル化モジュールの代表的な生成段階を示す、
【図１５ｂ】特には、トンネルを有するカプセル化モジュールおよび代りのカプセル化モジュールの代表的な生成段階を示す、
【図１５ｃ】特には、トンネルを有するカプセル化モジュールおよび代りのカプセル化モジュールの代表的な生成段階を示す、
【図１５ｄ】特には、トンネルを有するカプセル化モジュールおよび代りのカプセル化モジュールの代表的な生成段階を示す、
【図１６ａ】特には、トンネルを有するカプセル化モジュールおよび代りのカプセル化モジュールの代表的な生成段階を示す、
【図１６ｂ】特には、トンネルを有するカプセル化モジュールおよび代りのカプセル化モジュールの代表的な生成段階を示す、
【図１６ｃ】特には、トンネルを有するカプセル化モジュールおよび代りのカプセル化モジュールの代表的な生成段階を示す、
【図１７ａ】１つまたは２つの組立てモジュールをカプセル化するカプセル化モジュールを有する微小集成装置の代表的な実施例を、特には、密封して示す、
【図１７ｂ】１つまたは２つの組立てモジュールをカプセル化するカプセル化モジュールを有する微小集成装置の代表的な実施例を、特には、密封して示す、
【図１８ａ】１つまたは２つの組立てモジュールをカプセル化するカプセル化モジュールを有する微小集成装置の代表的な実施例を、特には、密封して示す、
【図１８ｂ】１つまたは２つの組立てモジュールをカプセル化するカプセル化モジュールを有する微小集成装置の代表的な実施例を、特には、密封して示す、
【図１９】１つまたは２つの組立てモジュールをカプセル化するカプセル化モジュールを有する微小集成装置の代表的な実施例を、特には、密封して示す、
【図２０】１つまたは２つの組立てモジュールをカプセル化するカプセル化モジュールを有する微小集成装置の代表的な実施例を、特には、密封して示す、
【図２１】カプセル化モジュールを有するカプセル化された組立てモジュールの代表的な電気接点接続を示す、
【図２２】カプセル化モジュールを有するカプセル化された組立てモジュールの代表的な電気接点接続を示す、
【図２３ａ】カプセル化モジュールを有するカプセル化された組立てモジュールの異なる組立て空間内の異なる媒体の選択的な構成を示す、
【図２３ｂ】カプセル化モジュールを有するカプセル化された組立てモジュールの異なる組立て空間内の異なる媒体の選択的な構成を示す、
【図２４】カプセル化モジュールを有するカプセル化された組立てモジュールの異なる組立て空間内の異なる媒体の選択的な構成を示す、
【図２５】２つの代表的な微小集成装置を示す、
【図２６】２つの代表的な微小集成装置を示す、
【図２７】追加のハウジングにおける微小集成装置の代表的な実施例を示す、
【図２８】追加のハウジングにおける微小集成装置の代表的な実施例を示す、
【図２９】追加のハウジングにおける微小集成装置の代表的な実施例を示す、
【図３０】微小モジュールを有する種々の代表的な微小集成装置およびシステムを示す。
【図３１】微小モジュールを有する種々の代表的な微小集成装置およびシステムを示す、
【図３２】微小モジュールを有する種々の代表的な微小集成装置およびシステムを示す、
【図３３】微小モジュールを有する種々の代表的な微小集成装置およびシステムを示す、
【図３４】微小モジュールを有する種々の代表的な微小集成装置およびシステムを示す、
【図３５】微小モジュールを有する種々の代表的な微小集成装置およびシステムを示す、
【図３６】微小モジュールを有する種々の代表的な微小集成装置およびシステムを示す。
【図３７】上記図において代表的な意味を割り付けられている特定パターンであって、その図のための代表的な凡例である。
【発明を実施するための形態】
【００７２】
図１は、代表的なウェーハ、または電気的に伝導性の半導体からなる、金属帯片（blank）１を示し、この場合、不純物添加シリコンは、それから半導体材料がエッチング方法によって取り除かれ、それによって電子接続手段が形成される。この場合、エッチングはウェーハ１の頂面から生じて、ほぼ垂直に下方に達成される。例を通して、半導体電極３と、半導体相互接続４であって半導体電極間に電気接続を生成するものと、および、割り当てられた半導体電極または電子接続手段としての半導体相互接続のないメッキスルーホール２の最初の形成とがウェーハ上に形成される。さらに、このウェーハ１は、フレーム５を有する。そのようなフレームは、代りの代表的な実施例（図示せず）には存在しない。半導体電極３は、例を通して、ほぼ島(insular)形状に形成される。
【００７３】
図２において、ウェーハまたは金属帯片１の不純物添加シリコンは、例を通して、大部分は下方にさらにエッチングされ、半導体材料の比較的平坦な器台６が形成される結果、半導体電極３、半導体相互接続４、およびメッキスルーホール２の形成における電子接続手段を配置する。この場合、メッキスルーホール２は、柱形状(pillar-shaped)に形成され、それぞれの半導体電極３上の大部分に配置される。この場合、このそれぞれのメッキスルーホールは、それぞれの半導体電極３に集積して接続される。例を通して、カプセル化モジュールＡは、生成プロセスの例証された段階における電気的に伝導性の半導体材料５からなるフレーム５を有している。代りの代表的な実施例（図示せず）においては、前記フレーム５は存在しないか、またはエッチングプロセスの間に器台６を削除されている。
【００７４】
図３は、例を通して、ガラス材料の例を通して電気的に絶縁する埋封材料９を備えた不純物を添加した半導体から生成された電子接続手段の埋封を例証する。この場合、電子接続手段は、その上に配列される半導体６、および埋封材料９を受け取るために役立つフレーム５の器台を識別することは、後者が、液体状態中に電子接続手段を埋封し、続いて硬化するので、さらに可能である。フレーム５は、さらに、ほぼカプセル化モジュールウェーハ全体を包含するか、または囲み、このように、フロー限界として役立つことができる。メッキスルーホールが形成された後、フレーム５は、さらに自由にウェーハの機械的な安定化のために役立つ。
【００７５】
図４は、いまだ未完成のカプセル化モジュールＡの発展した例を例証し、埋封材料９は、メッキスルーホール２が、頂面８を備えた、共通の、接点接続可能な表面を有する程度に、引き戻された（pulled back）か、または薄くなった（thinned back）。埋封材料９およびフレーム５は、ほぼ円板形状の本体２０を形成する。
【００７６】
図５は、電子接点素子がその上に配置された半導体材料の器台が除去されたカプセル化モジュールＡおよび半導体電極３の代表的な実施例を示し、さらに相互接続４およびメッキスルーホール２ａは、共通の、底部表面７、または、カプセル化モジュールＡの底部外部表面を有する電気的に接点接続可能な表面を有する。頂面８または上部の外部表面に関して、メッキスルーホール２は、それぞれ共通接点接続表面を有する。底部表面７を備えた電子接続手段の共通の表面、および頂面８は、前記表面７、８を備えた平坦面を形成する。
【００７７】
図６は、カプセル化モジュールＡの１つのベース表面を備える半導体電極３および半導体相互接続４の共通の表面「終端する平坦面（flush）」が、目視できるカプセル化モジュールＡの代表的な実施例を例証する。これらの電子接続手段であって、同様にメッキスルーホール２を有するものが、例を通して、ガラスである埋封材料９内に埋封されている。不純物添加シリコンからなるフレーム５であって、例証されていない代表的な実施例において存在しないものであるが、例を通して、電磁遮蔽のために役立つ。シリコンがガラスよりも容易に切断することができるので、切断するチャネルまたは切断するトラックのように、フレーム５は、さらに自由に、ウェーハ上の複数の代表的なカプセル化モジュールのフレームに関して役立つ。さらに、フレーム５は、さらに自由に機械的な安定性に役立つ。
【００７８】
図７は、例を通して、異方性のシリコンエッチングによって生成される組立て１５を有する微小集成装置モジュールＢ、または組立てウェーハの代表的な実施例を示す。この場合、組立てモジュールＢは、組立てウェーハＢ１およびそれに接続されるキャリアウェーハＢ２を有する。キャリアウェーハＢ２は、例を通して、２つのキャビティ１２であって、組立て１５の機械的な偏移を可能にするものと、そしてさらに、アンカポイント１９およびフレーム２１であって、組立てウェーハＢ１を備えたキャリアウェーハＢ２が接合方法によって固定して接続されるものとを有する。一方では、接合する表面２２は、完全にキャビティ１２によって囲むことができ、そのキャビティは、薄膜内にアンカポイント１９を生成する；他方では、キャビティ１２は、完全に接合する表面２２によって囲むことができ、その表面は閉じたフレーム２１を生成する。１つまたは複数のアンカポイントも、閉じたフレーム内に位置することができる。組立てウェーハＢ１は、その上部の外側表面で、追加の、専用のキャビティ１２、アンカポイント１９、およびフレーム２２を有する。代表的な組立てモジュールＢは、それによってカプセル化モジュールでカプセル化することができ、その後、カプセル化モジュールは、組立て１５の偏移のためのあらゆるキャビティをも必要としない。この場合、組立てモジュールの上部表面上のアンカポイント１９およびフレーム２２は、カプセル化モジュールに対する接続のための接合する表面を形成する。
【００７９】
図８は、上述した組立てモジュールＢに対する代表的な代案を例証する。この組立てモジュールＢは、例を通して、キャリアウェーハＢ２にプレハブ組立てウェーハＢ１を適用することによって生成され、それは、例を通して、組立てられずに（unstructured）、酸化した層で覆われる。この場合、各組立て１５の上側、およびその組立ての下側に、組立てウェーハＢ１が、組立て１５の偏移のためのキャビティ１２を有している。
【００８０】
図９は、組立てウェーハＢ１およびキャリアウェーハＢ２を有する組立てモジュールＢの代表的な実施例を示し、組立てウェーハＢ１は、伝達された質量中心を有する組立て１５を有している。組立ての質量、または地震質量の中心は、この場合、組立てのフレームによって差し渡された平面の外側のｚ方向に伝達される。組立て１５の地震質量は、例を通して、相応してｚ方向に凸面に形成される。
【００８１】
図１０は、対照的に、薄膜の両側内に組立て１５を備えた代表的な組立てモジュールＢを示す。この場合、例を通して、キャビティ１２のサイズは、異方性エッチングプロセスによって望まれるように形成することができる。この場合、組立てモジュールＢは、例を通して、フレームとアンカポイントとによって一緒に結合された２つの組立てウェーハを有する。
【００８２】
図１１、図１２および図１３は、様々な例証されたステップに基づいて、異なる変形を有するカプセル化モジュールを生成するための代表的な方法を示す。この場合、図１１ａは、高度にドープして、したがって伝導性のシリコンウェーハの形をしている基材、または金属帯片１を示している。図１１ｂおよび１１ｃは、後の半導体電極３、メッキスルーホール２、および半導体相互接続４を生成ための異方性エッチングプロセスの代表的なステップを例証する。この場合、エッチングプロセス中に、それぞれの半導体電極構造は、図１１ｂから図１１ｃまで維持される。図１１ｄにおいて、そのメッキスルーホール２のような代表的な電子接続手段、半導体相互接続４、および半導体電極３は、電気的に絶縁する埋封材料９、例えば、シリコン様の熱膨張作用を有する充填固定した（potted）ガラスをもって埋封される。前記材料は、続いて硬化され、電子接続手段および残余のブロックまたはシリコンからなる器台６に対する材料の接続は、機械的に安定するようになる。この場合、埋封材料９は、ほぼ円板形状の本体２０として形成される。
【００８３】
図１２ａにおいては、埋封材料９は、上部表面で擦り磨かれ、また、この表面は、例えば、メッキスルーホール２がそれぞれ円板形状の本体１０の上部表面または頂面８を備えた平面を終端する対応するカバー無し表面２ａを有する。図１２ｂは、相応して擦り磨かれたシリコンウェーハの器台６を示しており、それは、メッキスルーホール２、半導体相互接続４、および半導体電極３が、それぞれ、このより低い表面、底部表面７でむき出しの平坦な表面を同様に有するようなものである。この場合、これらの電子接続手段は、それらの側方の接点領域に関して電気的に絶縁されたやり方でポッティング材料内に埋封されている。追加のキャビティ１２は、図１２ｃにおける例を通して例証されたカプセル化モジュールに対する半導体電極３内に導入される。このことは、例えば、エッチングプロセスによって達成することができる。前記キャビティ１２は、常に、例を通して、代表的なカプセル化モジュールＡによってカプセル化することができる組立ての偏移の自由のために役立つ。図１２ｄは、酸化シリコンの適用および組立てによって生成される、例を通して、さらに適用されたストッパ、またはバッファ素子１１を有するカプセル化モジュールＡの代表的な実施例を示している。前記バッファ素子１１は、例を通して、半導体電極３に適用される。さらに、この実施例におけるカプセル化モジュールＡもまた、高度に不純物を添加したシリコンからなる追加の半導体相互接続４を有する。これらは、例を通して、電極およびメッキスルーホールに接続することができる。
【００８４】
図１２ｃからのカプセル化モジュールの１つの代表的な実施例（図示せず）においては、いくつかの半導体電極は、より大きなキャビティを提供するために完全に除去される。
【００８５】
この場合、半導体電極は、例を通して、メッキスルーホールに接続されないが、むしろ、個々に、または別々に形成されるように使用される。そのような半導体電極の除去によって、比較的に単純なやり方で、ガラスまたはポリマーのような埋封材料内にキャビティを生成することが可能である。
【００８６】
カプセル化モジュールＡの代表的な実施例の底部表面７の端における共晶接合フレームとして図１３ａにおいて示される代表的な金属層２３の配置は、特定の用途には有利である。さらに、メッキスルーホール２は、例を通して、金属層２３によって接点接続することができる。図１３ｂにおいて、代表的なカプセル化モジュールＡは、前記モジュールの上部の外側表面または頂面８において、特には金属からなる導電層２４を有する。メッキスルーホール２は、それによって電気的に伝導的に接続される。
【００８７】
図１４、１５および１６は、例を通して例証されたステップまたは組立て段階に基づくカプセル化モジュールを生成するためのさらなる代表的な方法を示す。この場合、組立て段階のうちのいくつかは、カプセル化モジュールの、代りの代表的な実施例として同様に理解されるべきである。
【００８８】
図１４および図１５は、電極構成、または半導体電極を備えたカプセル化モジュール用の生成段階を示す。この場合、図１５ｃのカプセル化モジュールＡは、それぞれ、キャビティ１２およびキャビティのない２つの半導体電極３を有する２つの半導体電極３を示す。半導体電極３は、常に、メッキスルーホール２に接続される。さらに、カプセル化モジュールＡは、半導体相互接続４を有する。前記半導体相互接続４は、同様に、底部表面７からの電気接点接続に適切である。図１５ｄは、底部表面７に関して、２つの半導体電極３およびさらに金属層または電極２３上に適用された電気的に非伝導性の材料からなるメッキスルーホール２、およびストッパまたはバッファ素子１１をそれぞれ適用された金属層２３を有する代りの代表的なカプセル化モジュールＡを例証する。さらに、カプセル化モジュールＡは、半導体相互接続４を有する。
【００８９】
図１６ａにおいて、不活性化（passivation）層２５は、両側面における代表的なカプセル化モジュールＡに適用される。前記層は、所望の位置で開いている。こ不活性化層は、カプセル化モジュールのベース表面を通ってトンネルを生成するための、後のエッチングプロセスの間に半導体電極３またはメッキスルーホール２のような電子接続手段の除去または損傷を防止する。図１６ｂは、図１６ａからのカプセル化モジュールを介して通過開口を示しており、その開口は、メッキスルーホールの除去によって生成された。この除去は、例を通して、エッチングプロセスによって実行される。通過開口または開口トンネル１３は、例えば、カプセル化モジュールを介して、媒体交換、および／またはガスまたは液体のような媒体の規定された設置を可能にする。その不活性化層は、続いて再び除去される。図１６ｃにおいて、不活性化層の除去が生じた後、例を通して、接点金属化２４は、半導体電極３に関して、頂面７または対向するベース表面上に適用される。
【００９０】
代りの代表的な実施例（図示せず）においては、開口トンネル１３は、この開口トンネル１３を介して組立て空間内に規定された雰囲気の導入の後に、ガラス材料によって再び閉じられる。
【００９１】
図１７、１８、１９および２０は、１つまたは２つの組立てモジュールＢを、特には密封して、または気密な方法で、カプセル化するカプセル化モジュールＡを有する微小集成装置の代表的な実施例を例証している。ここに、図１７および１８において、カプセル化モジュールＡは、常に、組立てモジュールＢ上に配置される。ここに、常に前記組立てモジュールＢは、組立てウェーハＢ１およびキャリアウェーハＢ２を有し、これらは接合方法によって相互に接続される。カプセル化モジュールＡと組立てモジュールＢとの間の対応する結合表面２２は、右側および左側におけるフレーム上に、さらにはそれぞれの組立てウェーハのアンカ表面に延びる。それぞれの組立ての領域において、カプセル化モジュールに関して間隔があるギャップ間隔は、組立てモジュールの２つのキャビティに対向して表われ、組立ての前記ギャップ間隔は、その組立ての偏移を可能にする。図１７ａは、陽極接合可能なガラス（anodically bondable glass）がポッティング材料として使用される場合を例証し、それによって特には強健な陽極ボンディング方法を、カプセル化モジュールを備えた組立てモジュールの密封の、または気密のカプセル化のために使用することができる。図１７ｂに例証されるように、この場合、および、真空が内部内に設定されるように意図される場合に、ガラスがそのガス抜きのために知られているので、組立てモジュールの内部におけるガラス表面は、ゲッター材料で覆われるべきである。図１８ａからの代表的な実施例において、例えば、Ａｕ−Ｓｉ、またはＡｌ−Ｇｅ、またはその他の低融点を有する金属化合物は、カプセル化モジュールＡと組立てモジュールＢとの間の結合材２２として使用され、それによって、電気的に、伝導的な接続が、自動的に生成され、例えば共晶接合の場合に使用される。図１８ｂは、例えば、モジュール間のギャップがボンディングフレーム上に延び、さらに側方の開口は、したがって存在する実施例であることを例証するが、それを介して外部と組立て空間との間の媒体交換を達成することができる。図１９および２０は、常に、例を通して、組立てモジュール対の頂部側方および下側のカプセル化、およびしたがってカプセル化モジュールによる両側面上のカプセル化を例証する。より大きくなるこの目的のために必要な表面領域なしで、それによって、異なる測定方向、特には地震質量の異なる方向に偏移することができるセンサ素子を有するセンサを実現することは、可能である。例えば、この場合、組立てモジュールは、ボンディングによって相互に接続される。
【００９２】
図２１は、例えば、例を通して、追加的な金属の圧力接点または圧着端子２６によるモジュールを組み立てるためにカプセル化モジュールからメッキスルーホール２を有する、電気的に、伝導的な接点接続を実行することが可能であることを描いている。例えば、アンカ接点の場合には、圧着端子が連結する表面によって包まれる。
【００９３】
図２２は、例えば、カプセル化モジュールＡの上部の外側表面、または頂面８上に組立てられた接点金属化２４を示している。そのような組立ては、先行するステップの後に、例を通して、生成方式に関連して生じる。接点金属化２４は、メッキスルーホール２をもって外部から電気接触をなすために役立つ。
【００９４】
図２３および２４は、例を通して、カプセル化モジュールをもってカプセル化した組立てモジュールの異なる組立て空間１６内の異なる媒体の選択的な包含を例証する。これらの組立て空間１６は、組立てウェーハの組立ての下側に、およびその組立ての上側にキャビティを有する。これに関連して、図２３ａは、アンカポイント１９上に、カプセル化モジュールの上部の外側表面に対するトンネル１３と整列して、空間を有するギャップが組立てモジュールおよびカプセル化モジュール間に延びる代表的な実施例を示す。この開口トンネル１３を介して、包含された媒体は、例を通して、組立て内部１６から逃げることができ、または、他の規定された媒体を、代りに前記組立て内部に導入することができる。例を通して、カプセル化モジュールによるカプセル化は、真空下で生じることができる。それによってクロスハッチングによって識別される左方組立ての組立て内部は、回転速度のセンサ素子の場合の、例えば非常に高い品質を達成するために真空を有している。他の側に配置された組立て内部１６は、開口トンネル１３経由で接続可能であり、ボンディングチャンバの換気の後、周囲の雰囲気で充満する。または、代りに、例を通して、圧力センサ、液体通路、ポンプまたはバルブのための入口および出口は、この形式で生成することができる。図２３ｂにおいて、例えば、特には例えば図２６ａにおいて例証された状態の後に要求されるように、開口組立て内部１６は、再度排気され、かつそれぞれの用途用に必要な所望の媒体で満たされる。例を通して、これに関連して、その対応する所望の圧力が、さらに設定される。例を通して、臨界超過に（supercritically）加速度センサを弱める（damp）ために、Ａｇガス過剰圧力を設定することが可能である。媒体交換が生じた後、または、所望の圧力を有する媒体の設置の後、開口が真空密方式で密封される。この目的のために、例を通して、珪酸ナトリウムのようなポッティング材料が、開口に導入され、さらに続いて硬化する。例えば、図２４において例証されるように、接点金属化２４が、続いて組み立てられる。
【００９５】
図２５および２６は、例を通して、２つのカプセル化モジュールを備えた組立てモジュールの、気密の、両側の（double-sided）カプセル化を例証している。この場合、図２５は、例を通して、全システム内の同一の媒体で満たされた組立て内部１６を示しており、また、対照的に、図２６は、その組立て空間が選択的に満たされる微小集成装置を示している。
【００９６】
図２７、２８、および２９は、予め形づくられたハウジングＤにおける制御および信号評価回路（ＡＳＩＣ）Ｃを有するカプセル化された組立ての代表的な微小集成装置を示しており、カプセル化された組立ては、カプセル化モジュールＡによってカプセル化された組立てモジュールＢを有し、ＡＳＩＣ  Ｃは、ワイヤボンディングによるそれぞれの電気接続に接続される。カプセル化モジュールＡのメッキスルーホールと半導体相互接続技術を使用して、特には有利なやり方で、カプセル化された組立て、および、特にはＡＳＩＣ、および外部からアクセス可能なカプセル化された組立てから信号を作り、さらにワイヤボンディングによる後者と接触する電気接続を備えた予め形づくられたハウジング内において相互に並んでＡＳＩＣの配置が可能である。この場合、図２７は、カプセル化された組立てＡ、Ｂの前にＡＳＩＣ  Ｃが配置される状態を示し、さらに図２８は、ＡＳＩＣ  Ｃが、カプセル化された組立てＡ、Ｂの後ろに配置される状態を示している。図２９は、中間層２７が、ハウジングベースとカプセル化された組立てＡ、Ｂとの間に配置される代表的な微小集成装置を示しており、その中間層は、ハウジングからカプセル化された組立てを機械的に、かつ熱的に切り離す。
【００９７】
図３０および３１は、それぞれ、例を通して、カプセル化された組立てがフリップチップによるＡＳＩＣ上に直接配列され、さらにそれら両方は、予め形づくられたハウジング内に位置される制御および信号評価回路（ＡＳＩＣ）を有するカプセル化された組立ての配置を例証する。フリップチップ技術によるＡＳＩＣ上のこのアセンブリングは、メッキスルーホール、および特には半導体相互接続を備えたカプセル化モジュールの使用を介して可能である。例を通して、例えば、粒子状物質、ポッティング材料、または水分に対して、機械的な固定のため、制振のため、および電気接点の保護のために、ＡＳＩＣとカプセル化された組立てとの間に埋封材料（欠肉の）（underfill）が位置している。例えば、図３１は、ゲルで満たされたキャビティハウジング内の対応する代表的な配置を示している。
【００９８】
カプセル化された組立てとＡＳＩＣとの間、およびＡＳＩＣと外部に導き出される接点との間の接触接続は、接合ビードまたはボールグリッドによるサンプルのために実現される。
【００９９】
図３２および３３は、複数のカプセル化された組立ておよび少なくとも１つのＡＳＩＣを有する代表的な微小集成装置を示す。この場合、これらの部品は、図３２における単純なシリコンウェーハ、および図３３におけるメッキスルーホールを有するカプセル化モジュール、または対応するカプセル化ウェーハ上に配置される。図３３において、その部品は、それらがメッキスルーホール経由で配置されるカプセル化モジュールに、電気的に、伝導的に、直接接続される。
【０１００】
図３４は、カプセル化モジュール上のシステム、または部品構成の代表的な実施例をメッキスルーホールと半導体相互接続レベルで、そして、例を通して、電力供給用のバッテリーを有する無線送受信部品（ＳＡＷ）を例証する。
【０１０１】
図３５は、単純キャビティハウジング内のチップスタックのパッケージング配置の代表的な実施例を示す。このチップスタックの電気接点は、フリップチップ技術によるキャリアに接続される。このキャリアまたはキャリアウェーハは、ベースとしてハウジングを終端する。
【０１０２】
図３６は、メッキスルーホールを有するカプセル化モジュールが、部品およびハウジングベース用のキャリアモジュールとして使用される代表的な実施例を示す。したがって、チップスタックは、ハウジングベースとして使用されるカプセル化モジュール上にはんだビード、またはボールグリッドアレイによって、直接ハウジング内に配置することができ、前記モジュールに電気的に接続することができ、さらにこの配置は、電子印刷配線回路基板（図示せず）に設置することができ、メッキスルーホールに嵌合されるはんだビード、またはボールグリッドアレイによって後者に接続することができる。この場合、真下に位置しているキャリア材料のはんだパッドに対するボールグリッドアレイの軟ろう付けの間の自動調整の効果は、全体システムの正確さに肯定的な効果を有する。例を通して、予め形づくられたプラスチック、または金属ハウジング、またはＭＩＤパッケージは、ハウジングとして使用することができる。メッキスルーホールを有するカプセル化モジュールに対するハウジングのリンクは、例えば、ボンディングによって、または代りにレーザ溶接によって、例を通して、達成される。例えば、自由な内部は、ゲルによって満たされる。
【０１０３】
カプセル化された組立てのそのような配置構成も、直接リードフレームによってプラスチックでインサート成型することができる。
【０１０４】
図３７において、特には、上記の図において生じる特定パターンは、代表的な意味を割り付けられ、それによって、図３７は、上述された図のための代表的な説明を形成する。
【０１０５】
図およびまたさらに提案された実施例において例証された例は、生産方法、およびさらに、カプセル化モジュール、および／またはこのそれぞれの方法によって生成された微小集成装置のあらゆる開発に、特には関係がある。
【図１】
2010514180.tif 000003
【図２】
2010514180.tif 000004
【図３】
2010514180.tif 000005
【図４】
2010514180.tif 000006
【図５】
2010514180.tif 000007
【図６】
2010514180.tif 000008
【図７】
2010514180.tif 000009
【図８】
2010514180.tif 000010
【図９】
2010514180.tif 000011
【図１０】
2010514180.tif 000012
【図１１ａ】
2010514180.tif 000013
【図１１ｂ】
2010514180.tif 000014
【図１１ｃ】
2010514180.tif 000015
【図１１ｄ】
2010514180.tif 000016
【図１２ａ】
2010514180.tif 000017
【図１２ｂ】
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【図１２ｃ】
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【図１２ｄ】
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【図１３ａ】
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【図１３ｂ】
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【図１４ａ】
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【図１４ｂ】
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【図１４ｃ】
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【図１５ａ】
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【図１５ｂ】
2010514180.tif 000027
【図１５ｃ】
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【図１５ｄ】
2010514180.tif 000029
【図１６ａ】
2010514180.tif 000030
【図１６ｂ】
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【図１６ｃ】
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【図１７ａ】
2010514180.tif 000033
【図１７ｂ】
2010514180.tif 000034
【図１８ａ】
2010514180.tif 000035
【図１８ｂ】
2010514180.tif 000036
【図１９】
2010514180.tif 000037
【図２０】
2010514180.tif 000038
【図２１】
2010514180.tif 000039
【図２２】
2010514180.tif 000040
【図２３ａ】
2010514180.tif 000041
【図２３ｂ】
2010514180.tif 000042
【図２４】
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【図２５】
2010514180.tif 000044
【図２６】
2010514180.tif 000045
【図２７】
2010514180.tif 000046
【図２８】
2010514180.tif 000047
【図２９】
2010514180.tif 000048
【図３０】
2010514180.tif 000049
【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【国際調査報告】
2010514180.tif 000057
2010514180.tif 000058
2010514180.tif 000059
2010514180.tif 000060
2010514180.tif 000061