(57)【要約】光学干渉計とともに電子吸収を使用して光信号を変調するための方法および装置について記載する。信号を分割して複数の光学モードになるように変調し、ＥＡＭを用いてこれらのモードのうちの少なくとも１つのモードを変調した後に、これらのモードを干渉結合させることにより、従来の方法よりも振幅が小さい変調器駆動信号を用いて位相シフト・キーイング変調を実現することができる。本発明を使用すると、所与の駆動電圧でＡＳＫの消光比性能を著しく改善することができ、あるいは大幅に低い駆動電圧で所望の消光比を実現することもできる。したがって、消光比と帯域幅の間のトレードオフ関係を克服することにより、ＥＡＭの電子光学的帯域幅を改善することができる。さらに、本発明を使用して、はるかに低い駆動電圧でＱＰＳＫやＱＡＭなどの他の変調フォーマットを生成することができ、それにより変調用の高速駆動電子装置のコストおよび消費電力が低減する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光信号を変調する方法であって、
光信号を分解して、少なくとも２つの光学モードになるように変調するステップと、
少なくとも１つの電界吸収型変調器（ＥＡＭ）を使用して、前記光学モードのうちの少なくとも１つのモードの電界を変調するステップと、
前記光学モードを干渉結合させて、変調光信号を生成するステップとを含む方法。
【請求項２】
前記ＥＡＭの軸に対して発射角を有するレーザ光の電界で、前記レーザ光を前記少なくとも１つのＥＡＭに向けて発射するステップであって、前記レーザがＴＥ（ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ  ｅｌｅｃｔｒｉｃ）成分およびＴＭ（ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ  ｍａｇｎｅｔｉｃ）成分に分解されるステップと、
前記ＥＡＭの前記軸に対して配向角を有する分析用偏光子に、前記ＴＥ成分およびＴＭ成分を投射し、それによりＴＥ成分投射およびＴＭ成分投射を生成するステップと、
前記ＴＥ成分投射および前記ＴＭ成分投射を干渉結合して、前記変調信号を生成するステップとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記変調光信号は、位相シフト・キーイング（ＰＳＫ）変調信号および振幅シフト・キーイング（ＡＳＫ）変調信号のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記発射角および前記配向角のうちの少なくとも１つを調整して、前記変調信号を制御するステップを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記ＥＡＭの前記軸は、前記ＥＡＭのＴＥ軸である、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
光信号を変調する装置であって、
光信号を分解して、少なくとも２つの光学モードになるように変調する手段と、
前記光学モードのうちの少なくとも１つのモードの電界を変調する電界吸収型変調器（ＥＡＭ）手段と、
前記光学モードを干渉結合させて、変調光信号を生成する手段とを備える装置。
【請求項７】
前記ＥＡＭ手段の軸に対するレーザ光の電界の発射角を制御する偏光制御器手段であって、前記レーザ光は分解されて、ＴＥ（ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ  ｅｌｅｃｔｒｉｃ）成分およびＴＭ（ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ  ｍａｇｎｅｔｉｃ）成分になる偏光制御器手段と、
前記ＥＡＭの前記軸に対する配向角を有し、それによりＴＥ成分投射およびＴＭ成分投射を生成する分析用偏光子手段であって、前記ＴＥ成分投射および前記ＴＭ成分投射は干渉結合されて、前記変調光信号を生成する分析用偏光子手段とを備える、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記変調光信号は、位相シフト・キーイング（ＰＳＫ）変調信号および振幅シフト・キーイング（ＡＳＫ）変調信号のうちの少なくとも１つを含む、請求項６に記載の装置。
【請求項９】
前記発射角および前記配向角のうちの少なくとも１つは、調整可能であり、前記変調信号を制御する、請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
前記ＥＡＭ手段の前記軸は、前記ＥＡＭ手段のＴＥ軸である、請求項７に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高速光通信の分野に関し、より具体的には、電界吸収型変調の方法および装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体電界吸収型変調器（ＥＡＭ）は、低駆動電圧、小さい波形率、および能動光学素子との集積可能性という利点を提供する。ＥＡＭ集積レーザは、都市間通信ネットワークにおいて広く使用されている。ＥＡＭはまた、高度に集積化されたフォトニック回路のための、鍵となる構成要素である。ＥＡＭの低駆動電圧要件は、新たに生まれつつある高ビット・レート（＞１００Ｇｂ／ｓ）の通信では特に有望であるが、こうした通信においては、ニオブ酸リチウム変調器（ＬＮＭ）を駆動するのに必要となる広帯域電気増幅は実現困難である。
【０００３】
通常、干渉法構成と組み合わされた位相変調を使用して動作するＬＮＭとは対照的に、ＥＡＭは、単一振幅変調要素として使用されてきた。高ビット・レートでスペクトル効率の高い伝送における４相位相シフト・キーイング（ＱＰＳＫ）および直交振幅変調（ＱＡＭ）を含め、位相シフト・キーイング（ＰＳＫ）変調の重要性を考慮すると、振幅変調以外の広範囲の変調フォーマットについても、ＥＡＭを使用することが望ましいはずである。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は、光学干渉計とともに電子吸収を使用して光信号を変調することを対象とする。例示的な一実施形態では、位相シフト・キーイング（ＰＳＫ）変調は、干渉動作をする高偏光感度の電界吸収型変調器（ＥＡＭ）を使用して実行される。ＰＳＫ変調は、ＥＡＭ内を伝播する光信号のＴＥ（ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ  ｅｌｅｃｔｒｉｃ）モードおよびＴＭ（ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ  ｍａｇｎｅｔｉｃ）モードを干渉結合することによって実現される。
【０００５】
さらなる例示的な一実施形態では、ＥＡＭの干渉動作を使用して、オンオフ・キーイング（ＯＯＫ）などの振幅シフト・キーイング（ＡＳＫ）変調を実行する。ＡＳＫ変調については、ＥＡＭの干渉動作により、同じ駆動電圧に対して消光比性能が著しく改善したり、あるいは所望の消光比に対してはるかに低い駆動電圧でＥＡＭが動作できるようになったりする。本発明を使用して、ＥＡＭの電子光学的帯域幅を改善し、消光比と帯域幅の間のトレードオフ関係を克服することができる。
【０００６】
さらなる例示的な実施形態では、ＥＡＭは、マッハツェンダー干渉計（ＭＺＩ）などの干渉計構成に組み込まれる。こうした一実施形態では、ＥＡＭは、ＥＡＭの各出力が干渉結合されるように、ＭＺＩの各アーム内に含まれる。本発明によれば、このようなＥＡＭ−ＭＺＩ構成を組み合わせて、様々な変調フォーマットを実現することができる。
【０００７】
前述の説明に加えて、たとえばＱＰＳＫおよびＱＡＭを含め、多種多様な変調フォーマット向けに本発明を使用することができる。
【０００８】
本発明に関する、前述および他の特徴および態様を、以下により詳しく説明する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明による電界吸収型変調器（ＥＡＭ）を備える干渉変調装置の例示的な一実施形態のブロック図である。
【図２】本発明によるＥＡＭの干渉動作をグラフィカルに示す図である。
【図３】本発明によるＥＡＭマッハツェンダー干渉計（ＥＡＭ−ＭＺＩ）構成の例示的な一実施形態を示す図である。
【図４】図３のＥＡＭ−ＭＺＩ構成で生成されるＯＯＫ信号およびＰＳＫ信号を示す図である。
【図５】本発明による半導体光増幅器（ＳＯＡ）を組み込むＥＡＭ−ＭＺＩ構成の例示的な一実施形態を示す図である。
【図６】本発明による複数のＥＡＭ−ＭＺＩ構成を組み込む変調器の例示的な一実施形態を示す図である。
【図７】本発明による変調装置の例示的な一実施形態によって生成されるＰＳＫ信号の、それぞれ復調の前後のアイ・ダイアグラムを示す図である。
【図８】ＥＡＭによって生成されるオンオフ・キーイング（ＯＯＫ）信号の、それぞれ干渉動作がある場合とない場合のアイ・ダイアグラムを示す図である。
【図９】ＥＡＭによって生成されるＯＯＫ信号についての、干渉動作がある場合とない場合の消光比および受信機感度のグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図１は、本発明に従って干渉動作をする電界吸収型変調器（ＥＡＭ）を備えるシステム１００の例示的な一実施形態のブロック図である。システム１００では、ＥＬと示されている電界を有するレーザ光が、偏光制御装置１１０を介してＥＡＭ１２０に向けて発射される。発射されるレーザ光は、どんな適切なレーザ光でもよく、たとえば連続波（ＣＷ）レーザまたは光パルス列を含め、変調されても変調されなくてもよい。偏光制御装置１１０は、レーザの発射角θを制御する。発射角θは、ＥＡＭ１２０のＴＥ軸に対する、レーザの電界ＥＬの角度である。分析用偏光子１３０は、ＥＡＭ１２０のＴＥ軸に対して、配向角φでＥＡＭ１２０の出力に配置される。
【００１１】
図２Ａは、上記構成の動作原理をグラフィカルに示している。電界ＥＬは、ＥＡＭ１２０のＴＥ軸およびＴＭ軸に沿って分解されるベクトルとして示してある。電界ＥＬのＴＥ成分およびＴＭ成分は、それぞれベクトルＥＴＥ（ｔ）およびＥＴＭ（ｔ）として図２Ａに示してある。ＴＥ成分ＥＴＥ（ｔ）およびＴＭ成分ＥＴＭ（ｔ）は、分析用偏光子１３０上に投射され、分析用偏光子は、それぞれの投射成分を干渉結合する。
【００１２】
ＥＡＭ１２０は、データ・ストリーム（ＤＡＴＡ）に従って、レーザを振幅変調する。レーザはデータで変調され、その電界ＥＬは時間とともに変化するので、電界のＴＥ成分ＥＴＥ（ｔ）およびＴＭ成分ＥＴＭ（ｔ）、ならびに分析用偏光子１３０へのそれらの投射成分は、それに応じて、図２Ａのｔ軸に沿ってトレース２１０および２２０によって示されているように変化することになる。
【００１３】
図２Ａから容易に理解できるように、発射角θおよび検光子の配向角φをそれぞれ制御することにより、投射された２つの電界２１０、２２０の相対振幅および変調度を調整することができる。
【００１４】
引張ひずみによって異方性が軽減されない場合、量子井戸に基づくＥＡＭは、優先的なＴＥ偏光吸収を示す。図２Ａに示されているように、ＴＥの変調度は、ＴＭの変調度よりも大幅に大きい。たとえば、ＯＫＩ  ＯＭ５７５３Ｃ−３０Ｂなどの商用ＥＡＭデバイスでは、２Ｖの駆動信号振幅および−１Ｖのバイアス電圧において、ＴＥの変調度はＴＭの変調度よりほぼ９ｄＢ大きい。
【００１５】
図２Ｂおよび図２Ｃにそれぞれ示すように、ＰＳＫ変調、またはオンオフ・キーイング（ＯＯＫ）などの振幅シフト・キーイング（ＡＳＫ）変調は、ＴＥおよびＴＭの投射に影響を及ぼす角度パラメータθおよびφを適切に調整することによって実現することができる。したがって、ＴＥおよびＴＭモードの「生の」変調度は、ＥＡＭの各特性ならびにバイアス電圧および駆動電圧によって設定されるが、本発明により、干渉動作によって、ＰＳＫを実現し、または角度パラメータθおよびφを調整することにより、振幅変調度すなわち消光比を改善することができる。
【００１６】
図２Ｂに示されているように、ＴＭおよびＴＥの投射電界、２１０および２２０の平均値がおおよそ等しくなるとき、ＰＳＫ変調を実現することができる。
【００１７】
図２Ｃに示されているように、ＴＥおよびＴＭの投射電界、２１０および２２０の低レベルが等しくなるとき、改善された消光比を有するＯＯＫ変調を実現することができる。
【００１８】
さらなる例示的な実施形態では、たとえば、図３に示されているように、各アームにＥＡＭを有するマッハツェンダー干渉計（ＭＺＩ）を含む他の構成を利用して、本発明の動作原理を実現することができる。偏光感度を低減させることに加えて、以下に述べるように、このような実施形態は、過大な損失を低減させることにも有益になることがある。
【００１９】
図３に示されているように、ＭＺＩ３００は、第１のＥＡＭ３０１を第１のアーム内に備え、第２のＥＡＭ３０２を第２のアーム内に備え、移相器３０５は、ＥＡＭ３０２の同一線上で第２のアーム内に配置される。（理解できるように、２つのアーム間の位相関係が適切である限り、移相器は、第２のアームの代わりに第１のアーム内に配置することができ、または両方のアーム内に配置することもできる。）ＥＡＭ３０１および３０２は、それぞれ駆動信号ドライブ・シグナル１およびドライブ・シグナル２によって駆動される。ＣＷレーザは、入力カプラ（またはスプリッタ）３０３を介してＥＡＭ３０１、３０２に供給される。ＥＡＭ３０１、（移相器３０５を介した）ＥＡＭ３０２の出力は、出力カプラ３０４によって結合される。
【００２０】
変調フォーマットのタイプ、ＥＡＭの仕様、および入力カプラ３０３と出力カプラ３０４の結合比に応じて、様々な駆動信号構成を使用してもよい。
【００２１】
第１のこうした構成では、ＥＡＭ駆動信号のうちの１つ（たとえば、ドライブ・シグナル１）は、変調すべきデータ信号である。他方のＥＡＭ駆動信号（たとえば、ドライブ・シグナル２）は、ＤＣバイアス電圧であり、図４Ａに示されているように、このバイアス電圧は、対応するＥＡＭ（３０２）を介したＣＷ伝送がもう一方のＥＡＭ（３０１）内の変調信号の低レベルを相殺するように選択される。図４Ａでは、点線は、第１のＥＡＭ３０１内のＮＲＺ−ＯＯＫ変調信号を表し、破線は、第２のＥＡＭ３０２によって減衰されたＣＷ伝送信号を表し、実線は、前述の各信号が弱め合う干渉の結果として生じる出力信号を表す。このような構成により、従来の動作をする個々のＥＡＭによって生成されるＯＯＫを上回る消光比の改善がもたらされる。
【００２２】
（ドライブ・シグナル２として）加えられるＤＣバイアス電圧は、第１のＥＡＭ３０１の動的消光比、およびカプラ３０３、３０４の結合比に依存する。結合比は、ＥＡＭ−ＭＺＩ構成の伝送損失を低減するように選択されることが好ましい。最適な結合比に影響を及ぼす要因には、第１のＥＡＭ３０１の生の消光比、意図した変調フォーマット、および２つのＥＡＭの挿入損失がある。目標がＯＯＫの消光比を増大させることである場合、入力カプラ３０３のパワー分割比はε／（１＋ε）でなければならず、ここでεは、第２のＥＡＭ３０２が第１のＥＡＭ３０１と同じ挿入損失を有し、第２のＥＡＭ３０２には電圧が加えられていない場合には、生の消光比である。第２のＥＡＭ３０２が伝搬損失を制御するようにバイアスされなければならない場合は、他の結合比を使用してもよい。デバイス・パラメータのすべてをあらかじめ知るのは難しいことがあるので、可変カプラが有利になることがある。しかし、結合比を固定することができ、第２のＥＡＭ３０２へのバイアス電圧を調整することにより消光比を最適化することができる。この単一のデータ駆動信号構成はまた、それ相応にＤＣバイアス電圧（ドライブ・シグナル２）を調整することによりＰＳＫ信号を生成するのに使用することができる。
【００２３】
第２の駆動信号構成では、ドライブ・シグナル１はデータ信号Ｄであり、ドライブ・シグナル２は相補的データ信号
【００２４】
【数１】
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である。たとえば、光損失が低減された２進ＰＳＫ信号（ＢＰＳＫ）を生成するのに、この構成を使用することができる。図４Ｂにはこの駆動構成における各信号が示してあり、点線は、（データ信号Ｄで駆動される）第１のＥＡＭのＯＯＫ信号出力を表し、破線は、（相補的データ信号
【００２５】
【数２】
2010503894.tif 000004
で駆動される）第２のＥＡＭのＯＯＫ信号出力を表し、実線は、２つのＥＡＭ出力信号が弱め合う干渉の結果として生じるＰＳＫ信号を表す。このデュアル駆動方式により、単一のデータ駆動信号を用いたＰＳＫ生成と比較して、光損失は少なくとも６ｄＢ低減される。
【００２６】
図２Ａおよび２Ｂを図４Ａおよび４Ｂと比較することにより、弱め合う干渉の結果として生じる光損失を低減させる場合のＥＡＭ−ＭＺＩ構成の利点が示される。ＰＳＫを生成する場合、弱め合う干渉時に少なくとも６ｄＢ低い光パワーが減算されるので、図４Ｂで表される構成は図２Ｂの構成よりも優れている。同様に、弱め合う干渉時に損失する光パワーがより低いので、消光性能が改善されたＯＯＫ信号を生成する場合、図４Ａは図２Ｃよりも優れている。
【００２７】
本発明の原理に従って信号を生成する際に使用される弱め合う干渉の結果として、光損失が生じる。しかし、図５に示されている例示的なデバイスと同様に、増幅することによりこの光損失を補償することができる。図５の装置では、半導体光増幅器（ＳＯＡ）５１０をＥＡＭ−ＭＺＩ装置５００に集積化して、前述の光損失を補償することが好ましい。ＳＯＡのどんなパターン依存性の影響をも最小限に抑えるためには、ＰＳＫを生成する場合には（図に示されているように）変調器の出力に、またはＯＯＫを生成する場合には変調器の入力に、ＳＯＡを配置することが好ましい。ＳＯＡを本発明のＥＡＭベースの変調器と容易に集積化できることが、たとえばニオブ酸リチウム変調器などの他の装置をしのぐ利点である。
【００２８】
前述の説明は、ノンリターンツーゼロ（ＮＲＺ）信号フォーマットに関して行ったが、同様にＲＺフォーマットで同じ光変調器を使用することもできる。ＲＺフォーマット生成用の駆動信号を得る例示的な構成はＡＮＤ電子回路からなり、ＮＲＺデータ信号とライン速度のクロック信号との間でブール演算を実行する。ＥＡＭ−ＭＺＩ変調器を駆動してＲＺフォーマット信号を生成するために、ＡＮＤ演算の積を使用することができる。その低駆動電圧、ならびに駆動電圧の関数として非常に非線形である光伝送特性により、本発明の変調器などＥＡＭベースの変調器は、このような技法を使用するには、ニオブ酸リチウム変調器よりも適している。ビット・レートが高い場合、ブールＡＮＤ演算は、特に大振幅の信号に対して信号ひずみをもたらす傾向がある。ニオブ酸リチウム変調器は、駆動電圧に対するその非常に線形な伝送応答により、こうしたひずみの影響をより受けやすい。
【００２９】
より複雑な変調フォーマットの生成は、本発明による複数のＥＡＭ干渉計構成を組み合わせることによって実現することができる。ＱＰＳＫ信号を生成するのに使用することができる変調器の例示的な一実施形態が、図６に示してある。図６に示してある変調器は、ＭＺＩ構成６００内に配置される、第１のＥＡＭ−ＭＺＩ構成６１０および第２のＥＡＭ−ＭＺＩ構成６２０を備える。各ＥＡＭ−ＭＺＩ構成６１０および６２０は、それぞれπ移相器６１１、６１２を備え、それぞれはデータ信号およびその補数（それぞれＡ、
【００３０】
【数３】
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およびＢ、
【００３１】
【数４】
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）によって駆動されて、対応するＢＰＳＫ変調信号を生成する。２つの信号間でπ／２の相対的な位相シフトを実行することにより、ＢＰＳＫ信号を結合してＱＰＳＫ信号を生成する。このような位相シフトは、移相器６２５によって実行される。
【００３２】
図６の例示的な実施形態などによって、ＥＡＭ干渉計を使用してＱＰＳＫを生成することにより、駆動電圧の要件を大幅に低減させることができ、それによって、駆動電子装置のコストおよび消費電力を低減させる。
【００３３】
たとえば、８−ＱＡＭ信号を含め、他の信号フォーマットを生成するために、図６の装置を使用することができる。そうするためには、無効化すべきＥＡＭ−ＭＺＩの両方の駆動信号入力に同じ電圧を加えることなどにより、ＥＡＭ−ＭＺＩ６１０、６２０のうちの１つを（しかし両方ではなく）、少しの間、効果的に無効にする。
【００３４】
次に、本発明によるＥＡＭベースの干渉法装置の例示的な実施形態の性能を説明する。
【００３５】
図１の装置など、装置の例示的な一実施形態では、波長１５５３ｎｍのＣＷ光が使用され、ＥＡＭ（１２０）へのその発射角度は、ＨＰ８１６９Ａ偏光制御器（１１０）を使用して制御される。ＥＡＭの出力の偏光は、パドル偏光制御器を使用して制御され、ＥＡＭの出力は、光ファイバ偏光子によって分析される。ＥＡＭの３ｄＢ帯域幅は３０ＧＨｚであり、駆動信号の振幅は２．６ボルトである。
【００３６】
図７Ａは、このようなシステムによって生成される４０Ｇｂ／ｓのＰＳＫ信号の電気的なアイ・ダイアグラムを示している。図７Ｂは、２５ｐｓ遅延した干渉計により復調された後のＰＳＫ信号のアイ・ダイアグラムを示している。
【００３７】
次いで、復調された信号は電子的に逆多重化され、雑音指数が５．６ｄＢであり帯域幅が１ｎｍの光フィルタを有するエルビウム添加ファイバ増幅器（ＥＤＦＡ）の後で、１０Ｇｂ／ｓでビット誤り率（ＢＥＲ）が測定された。ＢＥＲが１０−９のときの受信機感度は、−２４．３ｄＢｍである。これは、ゼロにバイアスされたニオブ酸リチウム変調器を使用して生成されるＰＳＫで得られる感度よりもほぼ３ｄＢ悪い。復調されたアイ・ダイアグラム（図７Ｂ）で明らかなように、不利益な点は、大部分が、ＴＥ電界とＴＭ電界の間の不完全な干渉によって引き起こされる波形ひずみに起因し、これらの電界は、駆動信号に対する２つのモードの応答が異なるので、時間的に形状が同一ではない。
【００３８】
ＡＳＫ変調信号の生成に関しては、ＥＡＭによって通常変調されるＡＳＫ信号の消光比は、駆動信号の振幅に関係する。低電圧駆動での動作は、駆動電子装置の消費電力および複雑さを低減させる上で好ましい。
【００３９】
図８Ａは、通常動作をし、干渉モードでは動作していないＥＡＭから直接得られるＯＯＫ信号の電気的なアイ・ダイアグラムを示している。この場合、最大消光比（ＥＲ）は、ＣＷレーザがＥＡＭのＴＥ軸と位置が揃っているときに実現し、この場合には１．１Ｖの駆動電圧に対して５．７ｄＢである。
【００４０】
図７Ｂは、角度θおよびφが最適化された状態の干渉モードでＥＡＭを動作させるときに、ＥＲが明らかに改善している様子を示している。（図７Ｂに示されている例示的なデータについては、各角度は２９度であった。）改善されたＥＲを測定すると、同じ駆動電圧１．１Ｖに対して、１２．５ｄＢになる。
【００４１】
図９は、非干渉的および干渉的に動作しているＥＡＭによって生成されるＯＯＫ信号についての、ＢＥＲが１０−９の場合の消光比（ＥＲ）および受信機感度（ＲＳ）を、駆動電圧の関数として示している。白丸および白四角は、それぞれ非干渉ＥＡＭにおけるＥＲおよびＲＳを表し、黒丸および黒四角は、それぞれ干渉ＥＡＭにおけるＥＲおよびＲＳを表す。非干渉動作においては、入力レーザ光がＥＡＭのＴＥ軸と位置が揃ったときに、ＥＲおよびＲＳが最良になる。本発明による干渉動作では、図９は、０．８Ｖの駆動電圧に対して、ＥＲが８．７ｄＢ改善し、ＲＳが７ｄＢ改善することを示している。有利には、電気増幅器を使用することなく、本発明により０．８Ｖで４０Ｇｂ／ｓの駆動信号を生成することができる。
【００４２】
前述の各実施形態は、本発明の用途を表すことができる実現可能な特定の実施形態を、ほんのわずか説明しているに過ぎないことが理解される。本発明の精神および範囲から逸脱することなく、当業者により、数多くの様々な他の構成を実施することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2010503894.tif 000011
【図６】
2010503894.tif 000012
【図７】
2010503894.tif 000013
【図８】
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【図９】
2010503894.tif 000015
【国際調査報告】
2010503894.tif 000016
2010503894.tif 000017
2010503894.tif 000018