(57)【要約】【課題】  層間剥離を減少させる改善された半導体チップの形状を提供すること。【解決手段】  本発明は、半導体チップの活性領域内へのクラックの開始及び伝播を低減させる改善された半導体チップに向けられる。半導体ウェハは、複数の半導体チップを分離するダイシング用チャネル（１０２）と、各半導体チップの一部分を貫通する孔（２２０）とを含む。この孔は、ダイシング用チャネル（１０２）の交点に配置される。一旦半導体ウェハからダイシングされると、各半導体チップは、９０度の角度のコーナー部をもたずに形成される。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを形成する方法であって、
ダイシング用チャネル（１０２）によって分離された複数の半導体チップを含む半導体ウェハ内に孔（２２０）を形成するステップであって、前記孔（２２０）は、前記ダイシング用チャネル（１０２）の交点に、前記半導体チップの一部分を貫通して形成される、ステップと、
前記ダイシング用チャネル（１０２）と、前記ダイシング用チャネル（１０２）の交点における前記半導体チップの前記一部分とを通ってダイシングするステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記形成するステップは、レーザ穿孔、ボッシュ・プロセス・ディープ穿孔、フォトリソグラフィに続く反応性イオン・エッチング、及びイオン・ミリングの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ダイシングするステップは、機械的ソー・ブレード・ダイシング及びレーザ・ダイシングの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記孔（２２０）の形状は、円形、菱形、八角形、凹形状の１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ダイシングするステップは、実質的に９０度のコーナー部をもたない半導体チップをもたらす、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ダイシングするステップは、ハード・パッシベーション・コンタクト領域へのアンダーフィルが減少した複数の半導体チップをもたらす、請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に、半導体デバイスに関し、より具体的には、半導体チップ形状の変更に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップの形状は、半導体技術にとって重要である。半導体チップの形状は、半導体チップ上に物理的応力をもたらす。半導体チップ上の応力は、半導体チップの後工程（Back End of the Line、「ＢＥＯＬ」）材料の破壊である層間剥離（delamination）を引き起こし、そのことが半導体チップの故障をもたらす。従来技術の半導体チップは、正方形及び矩形の形状に制限され、正方形及び矩形の形状は、こうした形状に固有の９０度のコーナー部のために、半導体チップ上に最大の応力を導入する。
【０００３】
図１乃至図２は、従来技術のウェハ１００及び半導体チップ１１０を示す。従来技術の半導体ウェハ１００内の垂直なダイシング用チャネル１０２に留意されたい。一旦ダイシングされると、半導体チップとしても知られる個別化されたダイが、半導体ウェハ１００から分離される。一旦分離されると、半導体チップ１１０は、正方形又は矩形の形状を有する。図２は、従来技術の半導体チップ１１０と関連した問題を強調表示している。より具体的には、従来技術の半導体ウェハ１００からダイシングされた半導体チップ１１０は、正方形又は矩形の半導体チップ１１０をもたらす。
【０００４】
従来技術の正方形及び矩形の半導体チップ１１０の形状は、半導体チップ１１０上に、特にコーナー部１０８に応力を導入する。こうした応力は層間剥離を引き起こし、そのことは、従来技術の半導体チップ１１０の問題である。多くの場合、層間剥離は、三角形ゾーン１０６において始まり、半導体チップ１１０の活性領域１１２に向けて進む。一旦層間剥離が活性領域１１２に達すると、半導体チップ１１０が故障する。従来技術の半導体チップ１１０は、活性領域１１２への層間剥離を防止する役目をするクラックストップ部（crackstop）を含むが、低ｋ誘電体がより頻繁に用いられるため、半導体技術の進化に伴って、クラックストップ部１０４は、ほとんど効果がない。低ｋ誘電体材料は特に層間剥離を受けやすい。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
層間剥離を減少させる改善された半導体チップの形状が、当技術分野において必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、半導体チップを形成する方法に関する。この方法は、形成するステップと、ダイシングするステップとを含む。形成するステップは、ダイシング用チャネルによって分離された半導体チップを含む半導体ウェハ内に孔を形成することを含む。孔は、ダイシング用チャネルの交点に形成される。ダイシングするステップは、ダイシング用チャネル、及びダイシング用チャネルの交点における半導体チップの一部分を通ってダイシングすることを含む。
【０００７】
本発明は、９０度のコーナー部をもたない半導体チップを形成することによって、層間剥離の問題を解決する。９０度のコーナー部がないことにより、半導体チップにかかる物理的応力が低減され、それによって層間剥離が緩和される。
【０００８】
半導体チップを形成する従来技術の方法は、ダイシング効率と、製造コストの最小化に重点を置いている。従来技術の方法は、半導体チップ形状の変更も、チップ形状が半導体チップへの応力に及ぼす影響も明記していない。たとえ従来技術の方法が、これまでそうしていなかった半導体チップ形状の変更に重点を置いたとしても、従来技術の方法は、半導体チップ内に層間剥離を引き起こす特定の半導体材料の増大傾向には重点を置いていない。より具体的には、半導体技術の進化に伴って、低ｋ誘電体材料がより頻繁に用いられるようになり、そのことが層間剥離を引き起こす傾向がある。
【０００９】
本発明は、従来技術の半導体チップと関連した上述の問題を解決する。
【００１０】
少なくとも上述の理由によって、本発明は、半導体技術を改善する。
【００１１】
本発明の特徴及び要素特性が、添付の特許請求の範囲において詳細に述べられている。図面は例示的な目的のためのものにすぎず、縮尺通りに描かれてはいない。さらに、同様の番号は、図面において同様の構造体を表している。しかしながら、本発明自体は、構成及び動作方法の両方に関して、添付の図面と併せて以下の詳細な説明を参照することによって最も良く理解することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】従来技術の半導体ウェハ１００を示す。
【図２】図１の半導体ウェハ１００からダイシングされた従来技術の半導体チップを示す。
【図３】本発明の第１の実施形態の半導体ウェハ２００を示す。
【図４】図３の半導体ウェハ２００からダイシングされた半導体チップ２１０を示す。
【図５】本発明の第２の実施形態の半導体ウェハ３００を示す。
【図６】本発明の第３の実施形態の半導体ウェハ４００を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
ここで添付の図面を参照して本発明を説明する。図面において、本発明をより明確に説明し、示すために、構造体の種々の側面が、簡単化された方法で示され、概略的に表される。
【００１４】
概要及び導入として、本発明は、９０度の角度をもたない半導体チップを形成する方法に向けられる。半導体チップは、半導体チップを分離するダイシング用チャネルと、ダイシング用チャネルの各交点における孔とを有する半導体ウェハからもたらされる。一旦ダイシングされると、半導体チップは、いずれの９０度の角度ももたずに形成される。
【００１５】
図３を参照して、本発明の一実施形態２００を説明する。図示されるように、半導体ウェハ２００は、ダイシング用チャネルの交点における孔２２０を含む。孔２２０は、レーザ穿孔、ボッシュ・プロセス・ディープ穿孔（Bosch process deep drilling）、フォトリソグラフィに続いて行なわれる反応性イオン・エッチング、又はイオン・ミリングによって形成することができる。一旦半導体ウェハ２００がダイシングされると、図３に示されるような半導体チップ２１０が形成される。半導体ウェハ２００は、機械的ソー・ブレード・ダイシング（saw blade dicing）又はレーザ・ダイシングによってダイシングすることができる。
【００１６】
図４は、図３の半導体ウェハ２００からダイシングされた半導体チップ２１０をさらに示す。図示されるように、半導体チップ２１０は、９０度の角度をもつコーナー部２２０を有していない。従って、半導体チップ２１０は、ハード・パッシベーション層（三角形ゾーン１０６）へのアンダーフィルが減少している。実施形態において、三角形ゾーン１０６は、クラックストップ部１０４を保持しながら、実質的に低減される。実質的に減少された三角ゾーン１０６は、半導体チップ２１０内のクラックの開始を減少させ、それによってクラックの伝播を減少させる。図３は、円形状を有する孔２２０を示すが、図５乃至図６は、別の形状の孔２２０を示す。
【００１７】
図５は、本発明の更に別の実施形態の半導体ウェハ３００を示す。より具体的には、図５は、菱形形状を有する孔２２０を示す。図３に示される円形状を有する孔２２０と同様に、図５の菱形形状を有する孔２２０は、三角形ゾーン１０６（図示せず）が実質的に低減され、そのことが、半導体チップ２１０におけるクラックの開始及び伝播を低減させる。図４の半導体チップと類似した図５の半導体チップ３１０は、９０度のコーナー部をもたないコーナー部の利点を有することに留意されたい。図５に示される半導体チップのコーナー部の分解図３１０ａに留意されたい。分解図３１０ａに示されるように、半導体チップのコーナー部は、９０度のコーナー部を有していない。
【００１８】
図６は、本発明の第３の実施形態の半導体ウェハ４００を示す。図４及び図５の半導体チップと同様に、図６の半導体チップ４１０は、９０度のコーナー部を有していない。図６の半導体チップ４１０のコーナー部は、凹（湾曲）形状を有する。半導体チップ４１０の分解図４１０ａに示されるように、コーナー部は、凹形状を有し、必ずしも９０度のコーナー部を有することを必要としていない。図１乃至図５と同様に、半導体ウェハ４００は、ダイシング用チャネル１０２を有する。さらに、図３及び図５と同様に、半導体ウェハ４００は、孔２２０を有する。図６の半導体ウェハ４００における孔２２０の形状により、凹形状を有する半導体チップ４１０内のコーナー部が形成される。
【００１９】
図１乃至図２に示される従来技術とは違って、図３乃至図６に示される実施形態は、９０度の角度をもつコーナー部を有する半導体チップを排除することによって、層間剥離の開始及び伝播を低減させる。
【００２０】
本発明は、従来技術の半導体チップと関連した上述の問題を解決する。より具体的には、本発明は、半導体チップにおいて９０度の角度を有するコーナー部を排除する。
【００２１】
特定の好ましい実施形態及び他の代替的な実施形態と併せて本発明を詳細に説明したが、当業者には、上記の説明に照らして多数の代替物、変更物及び変形物が明らかであろうことは明白である。従って、添付の特許請求の範囲は、本発明の真の精神及び範囲内に入る全てのこうした代替物、変更物及び変形物を含むように意図される。
【産業上の利用可能性】
【００２２】
本発明は、半導体デバイスの分野において有用であり、より特定的には、半導体チップの形成のための方法に対して有用である。
【００２３】
１００、２００、３００、４００：半導体ウェハ
１０２：ダイシング用チャネル
１０４：クラックストップ部
１０６：三角形ゾーン
１０８：コーナー部
１１０、２１０、３１０、４１０：半導体チップ
１１２：活性領域
２２０：孔
【図１】
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【図２】
2010514223.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2010514223.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月19日(2009.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを形成する方法であって、半導体ウェハが、ダイシング用チャネル（１０２）によって分離された複数の半導体チップを含み、前記方法が、
前記ダイシング用チャネル（１０２）の交点に、前記半導体チップの一部分を貫通して孔（２２０）を形成するステップと、
前記ダイシング用チャネル（１０２）と、前記ダイシング用チャネル（１０２）の交点における前記半導体チップの前記一部分とを通ってダイシングするステップと、
９０度のコーナー部をもたない変更された形状を有する半導体チップをもたらすステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記孔を形成するステップは、レーザ穿孔、ボッシュ・プロセス・ディープ穿孔、フォトリソグラフィに続いて行なわれる反応性イオン・エッチング、及びイオン・ミリングの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ダイシングするステップは、機械的ソー・ブレード・ダイシング及びレーザ・ダイシングの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記孔（２２０）の形状は、円形、菱形、八角形、凹形状の１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ダイシングするステップは、ハード・パッシベーション・コンタクト領域へのアンダーフィルが減少した複数の半導体チップをもたらす、請求項１に記載の方法。
【国際調査報告】
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