(57)【要約】  オプトエレクトロニクスデバイスであって、以下の特徴を有しており、すなわち：・第１の波長領域の電磁ビームを放射する少なくとも１つの半導体（１）と、・当該半導体（１）が内部に埋設されている、ビーム透過性の内側成型体（２）と、・前記第１の波長領域のビームを、当該第１の波長領域とは異なる、第２の波長領域のビームに変換する波長変換材料（８）を含んでいる、前記内側成型体（２）の外面（５）上の波長変換層（６）と、・取り出しレンズ（１０）を有しており、当該取り出しレンズ内には前記内側成型体（２）および前記波長変換層（６）が埋設されており、・当該取り出しレンズ（１０）は内面および外面を有しており、当該内面は半径Ｒkonversionを有する内側半球面によって取り囲まれており、前記外面は半径Ｒaussenを有する外側半球面を取り囲んでおり、当該半径ＲkonversionおよびＲaussenはWeierstrass条件：Ｒaussen≧Ｒkonversion＊ｎLinse／ｎluftを満たしており、ここで、ｎLinseは取り出しレンズの屈折率であり、ｎluftは取り出しレンズの周囲の屈折率である。
2010541220.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクスデバイスであって：
・第１の波長領域の電磁ビームを放射する少なくとも１つの半導体（１）と、
・当該半導体（１）が内部に埋設されている、ビーム透過性の内側成型体（２）と、
・前記第１の波長領域のビームを、当該第１の波長領域とは異なる、第２の波長領域のビームに変換する波長変換材料（８）を含んでいる、前記内側成型体（２）の外面（５）上の波長変換層（６）と、
・取り出しレンズ（１０）とを有しており、当該取り出しレンズ内には前記内側成型体（２）および前記波長変換層（６）が埋設されており、
・当該取り出しレンズ（１０）は内面および外面を有しており、当該内面は半径Ｒkonversionを有する内側半球面によって取り囲まれており、前記外面は半径Ｒaussenを有する外側半球面を取り囲んでおり、当該半径ＲkonversionおよびＲaussenはWeierstrass条件：
Ｒaussen≧Ｒkonversion＊ｎLinse／ｎluft
を満たしており、ここで、ｎLinseは前記取り出しレンズの屈折率であり、ｎluftは前記取り出しレンズの周囲の屈折率である、
ことを特徴とする、オプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項２】
複数の半導体（１）を有しており、当該複数の半導体は、電磁ビームを放射するために設けられている、請求項１記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項３】
・前記内側成型体（２）は、半径Ｒinnenを有する別の半球面によって取り囲まれており、
・前記半導体（１）は、面Ａを有するビーム放射前面（３）を有しており、
・比Ａ／π＊Ｒinnen２は１／２〜１／２０の間であり、ここでこれらの境界は含まれている、
請求項１または２記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項４】
前記内側成型体（２）は半球の形状で成形されており、センタリングされて、前記半導体（１）上に配置されている、請求項１から３までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項５】
前記波長変換層（６）は半球シャーレ部分として構成されており、当該半球シャーレ部分は、直接的に接触して、前記内側成型体（２）上に被着されている、請求項１から４までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項６】
前記取り出しレンズ（１０）は、半球シャーレ部分の形状に成形されており、センタリングされて、前記半導体（１）上に配置されており、直接的に接触して、前記波長変換層（６）上に被着されている、請求項１から５までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項７】
前記半導体（１）は担体（１４）上に被着されており、当該担体（１４）は少なくとも前記半導体（１）の側方で、ミラー（１５）を有している、請求項１から６までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項８】
前記ミラー（１５）は、前記第１および／または第２の波長領域のビームに対して、０．９８の反射率を有している、請求項７記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項９】
前記ミラー（１５）は少なくとも、前記半導体（１）の側方で、前記第１および／または第２の波長領域のビームに対して鏡面反射性に構成されている、請求項７または８記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１０】
前記半導体（１）は、前記担体（１４）の反射体領域（２０）内に配置されている、請求項７から９までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１１】
前記内側成型体（２）および／または前記波長変換層（６）は散乱粒子（２５）を有している、請求項１から１０までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１２】
前記波長変換層（６）は前記半導体（１）上の内側領域（１８）内で、前記半導体（１）の側方向の外側領域（１９）内でよりも、厚く構成されている、請求項１から１１までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１３】
前記第１の波長領域は可視スペクトル領域の青色ビームを有しており、前記第２の波長領域は可視スペクトル領域の黄色ビームを有している、請求項１から１２までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１４】
前記第１の波長領域は、紫外スペクトル領域からのビームを含んでいる、請求項１から１３までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１５】
前記取り出しレンズ（１０）の内面（１１）には反射層（２８）が配置されており、当該反射層は、前記第１の波長領域のビームに対して反射性に構成されており、前記第２の波長領域のビームに対して透過性に構成されている、請求項１から１４までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本特許出願はドイツ連邦共和国特許出願ＤＥ１０２００７０４６６９９号およびＤＥ１０２００７０４９７９９号の優先権を主張しており、これらの文献の開示内容はそれぞれ本願に参考として取り入れられている。
【０００２】
本発明は、オプトエレクトロニクスデバイスに関する。
【０００３】
第１の波長領域のビームを送出する半導体を備えているオプトエレクトロニクスデバイスは、混合色、例えば白色の光を生成するために、通常は波長変換材料を含んでいる。この波長変換材料は、半導体によって放射された、第１の波長領域のビームの一部を、第１の波長領域とは異なる、第２の波長領域のビームに変換する。このようなデバイスは、例えば、文献ＷＯ０２／０５６３９０Ａ１号、ＷＯ２００６／０３４７０３Ａ１号および「Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（Ｖｏｌ．３，ＮＯ２，２００７年６月、第１５５頁〜１５９頁）」に記載されている。波長変換材料は、例えば半導体のモールド部内に埋設される、または層の形で直接的に半導体上に被着される。
【０００４】
本発明の課題は、高い効果を有する波長変換材料を含んでいるオプトエレクトロニクスデバイスを提供することである。
【０００５】
上述の課題は、請求項１の特徴部分に記載された構成を有するオプトエレクトロニクスデバイスによって解決される。
【０００６】
オプトエレクトロニクスデバイスの有利な構成およびさらなる特徴を従属請求項に記載する。
【０００７】
オプトエレクトロニクスデバイスであって、殊に：
・少なくとも１つの半導体を有しており、当該半導体は、第１の波長領域の電磁ビームを放出し、
・内部に半導体が埋設されている内部ビーム透過性成型体を有しており、
・前記内側成型体の外面上に波長変換層を有しており、当該波長変換層は、第１の波長領域のビームを、第１の波長領域とは異なる、第２の波長領域のビームに変換するのに適している波長変換材料を含んでおり、
・取り出しレンズを有しており、当該取り出しレンズ内には前記内側成型体および前記波長変換層が埋設されており、ここで
・当該取り出しレンズは、内面および外面を有しており、当該内面は半径Ｒkonversionを有する内側半球面によって取り囲まれており、当該外面は半径Ｒaussenを有する外側半球面を取り囲んでおり、当該半径ＲkonversionおよびＲaussenはWeierstrass条件：
Ｒaussen≧Ｒkonversion＊ｎLinse／ｎluft
を満たす。ここで、ｎLinseは取り出しレンズの屈折率であり、ｎluftは取り出しレンズの周囲、典型的には空気の屈折率である。
【０００８】
ここで次のことに留意されたい。すなわち、内側半球面および外側半球面はまず第１に仮想面であり、必ずしも、デバイス内に即物的な特徴として構成される必要はないということに留意されたい。
【０００９】
殊に、半径Ｒkonversionを有する内側半球面と半径Ｒaussenを有する外側半球面とから成るWeierstrass半球シャーレ部分の全体が、取り出しレンズ内に位置している場合には、取り出しレンズは、上述したWeierstrass条件を満たす。
【００１０】
特に有利には、Weierstrass半球シャーレ部分は、波長変換層を有していない。
【００１１】
取り出しレンズがWeierstrass条件を満たす場合、換言すれば、取り出しレンズの外面が半導体のどの点から見ても、非常に小さい角度で現れるように、取り出しレンズの外面が形成され、ビーム放射半導体から間隔を空けて配置されている場合には、取り出しレンズの外面で全反射は生じない。従ってWeierstrass条件に従っている取り出しレンズにおいて、その外面で、全反射によって損失されるビームは非常に僅かである。従ってオプトエレクトロニクスデバイスの取り出し効率が有利には上昇する。
【００１２】
オプトエレクトロニクスデバイスでは波長変換材料は有利には、半導体のビーム放射前面から間隔を空けて配置されている。波長変換層の波長変換材料と半導体との間の空間は、実質的には成型体によって満たされている。特に有利には、波長変換層と半導体の間の空間は完全に内側成型体によって満たされている。特に有利には内側成型体は、モールド部として構成されている。波長変換材料が、半導体のビーム放射前面と間隔を空けて配置されているので、波長変換材料の温度負荷は有利には僅かなままである。これによっても、デバイスの効率が高まる。
【００１３】
取り出しレンズは、別個に製造される部材であってもよく、これは例えばフライス盤で切削され、回転によって作成され、または射出成形されて、取り付けステップにおいてオプトエレクトロニクスデバイスに固定される。
【００１４】
しかしさらに、取り出しレンズをモールド部としてオプトエレクトロニクスデバイス上に製造することによって、取り出しレンズをオプトエレクトロニクスデバイス上に製造することも可能である。
【００１５】
有利には、半導体のビーム放射前面は波長変換層を有していない。特に有利には、内側成型体および／または取り出しレンズも、実質的に波長変換材料を有していない。すなわち、内側成型体および／または取り出しレンズは、僅かな汚れを除いて、波長変換材料を有していない。
【００１６】
１つの実施形態では、オプトエレクトロニクスデバイスは複数の半導体を有しており、これらの半導体は電磁ビームを放射するために設けられている。半導体に基づいてのみ記載されている特長は、オプトエレクトロニクスデバイスが複数の半導体を含んでいる場合には、これらの半導体のうちの幾つかの半導体または全ての半導体によっても示される。
【００１７】
オプトエレクトロニクスデバイスが複数の半導体を有している場合には、これらは有利には対称のパターンで、有利には点対称のパターンで配置される。これらの半導体は例えば、線または規則的な格子に沿って配置される。この規則的な格子は例えば、正方形格子または六角形格子の様式に従って構成されている。
【００１８】
オプトエレクトロニクスデバイスが複数の半導体を有している場合、これらが強制的に同じ波長領域のビームを送出しなければいけないというわけではない。むしろ、これらの半導体は異なる波長領域のビームを送出することができる。この場合には、波長領域が１つだけ変換されるのではなく、複数の波長領域が変換されてもよい。このためには、デバイスは通常、複数の異なる波長変換材料を有する。
【００１９】
オプトエレクトロニクスデバイスの別の実施形態では、内側成型体は、半径Ｒinnenを有する別の半球面によって取り囲まれており、半導体のビーム放射前面は面Ａを有している。比Ａ／π＊Ｒinnen２は有利には、１／２〜１／２０の間にあり、ここではこれらの境界は含められている。
【００２０】
別の半球面も、内側および外側半球面と同じように、必ずしもデバイス内に即物的な特徴として構成される必要がない、仮想の、想定されている半球面である。
【００２１】
オプトエレクトロニクスデバイスが複数の半導体を有している場合、これらの半導体は、面Ａ´によって含まれることができ、比Ａ´／π＊Ｒinnen２は有利には、１／２〜１／２０の間にあり、ここではこれらの境界は含まれている。面Ａ´は例えば、半導体に内接している（einbeschreibender）円であってよい。特に有利には、面Ａ´は、オプトエレクトロニクスデバイスの全ての半導体を含む最小の面である。
【００２２】
１つの実施形態では、内側成型体の外面は、別の半球面と、少なくとも１つの点において一致する。
【００２３】
別の実施形態では、内側成型体の外面は別の半球面と一致する。
【００２４】
１つの実施形態では、内側成型体は、半球様式に成形されている。この場合には、内側成型体の外面は別の半球面と一致する。特に有利には、内側成型体はこの実施形態では次の様に配置されている。すなわち、半球が半導体上でセンタリングされるように配置されている。すなわち、半導体のビーム放射前面の面重心および半球の中心点はオプトエレクトロニクスデバイスの光軸上に位置しており、ここで光軸は半導体のビーム放射前面上に垂直に位置する。オプトエレクトロニクスデバイスが複数の半導体を有している場合には、これらはこの実施形態では有利には、点対称のパターンに従って配置されている。ここで通常は同じようにパターンの対称点である、パターンの重心および半球の中心点はこの光軸上に位置している。
【００２５】
１つの実施形態では、半径Ｒkonversionを伴う内側半球面は、取り出しレンズの内面と少なくとも１つの点で一致する。
【００２６】
別の有利な実施形態では、取り出しレンズの内面は内側半球面と一致する。
【００２７】
別の実施形態では、取り出しレンズの外面は同じように、少なくとも１つの点において、外側半球面と一致している。
【００２８】
別の実施形態では、取り出しレンズの外面は、外側半球面と一致している。
【００２９】
１つの実施形態では波長変換層は、内側成型体上に直接的に接触して被着されている。すなわち、波長変換層は、内側成型体とともに共通の境界面を構成している。
【００３０】
波長変換層は、別の実施形態では、実質的に一定の厚さを有している。特に有利には波長変換層は半球シャーレ部分として、有利には同じように、半球として構成されている内側成型体上に被着されている。この場合には、第１の波長領域のビームの経路長は波長変換層内で実質的に一定である。
【００３１】
別の実施形態では、取り出しレンズは直接的に接触して、波長変換層上に被着されている。すなわち、取り出しレンズは波長変換層とともに、共通の境界面を構成している。
【００３２】
別の実施形態では、取り出しレンズは、半球シャーレ部分の様式で形成されている。ここでこの半球シャーレ部分はセンタリングされて半導体上に配置されている。すなわち、半導体のビーム放射前面の重心および半球シャーレ部分の中心点は、オプトエレクトロニクスデバイスの光軸上に配置されている。オプトエレクトロニクスデバイスが複数の半導体を有している場合には、これらの半導体は、この実施形態では有利には、点対称のパターンに従って配置されている。ここで、通常はパターンの対称点であるこのパターンの重心および半球シャーレ部分の中心点は、オプトエレクトロニクスデバイスの光軸上に位置している。
【００３３】
別の実施形態では、半導体は、担体上に被着されている。ここでこの担体は少なくとも、半導体の側方で、ミラーを有している。このミラーは、オプトエレクトロニクスデバイスの背面へと送出された第１および／または第２の波長領域のビームを、この背面に向かい合って位置している、オプトエレクトロニクスデバイスのビーム放射前面へ偏向するというタスクを有している。オプトエレクトロニクスデバイスの背面は例えば、担体によって構成される。デバイスのビーム放射前面は、例えば、取り出しレンズの外面によって構成されている。さらに、取り出しレンズの外面上に別の部材、例えば反射防止層またはＵＶ吸収層が配置されていてもよい。
【００３４】
ミラーは、半導体の下方に、半導体と担体との間に構成されてもよい。
【００３５】
特に有利には、このミラーは、第１および／または第２の波長領域のビームに対して、少なくとも０．９の反射率を有している。特に有利には、このミラーは、第１および／または第２の波長領域のビームに対して、少なくとも０．９８の反射率を有している。
【００３６】
さらに、ミラーの粗面性ピークは、有利には最大で４０ｎｍのレベルを有している。
【００３７】
特に有利には、ミラーは少なくとも半導体の側方で、前記第１および／または第２の波長領域のビームに対して鏡面反射性に構成されている。
【００３８】
ミラーは、例えば金属層を有している、または金属層から成る。金属層は例えばアルミニウムを有している、またはアルミニウムから成る。
【００３９】
さらにこのミラーが、金属層とブラグミラーを有している、または金属層とブラグミラーから構成されていてもよい。
【００４０】
ミラーを、反射を強める酸化物ベースの層システムとして構成することもできる。反射を強める酸化物ベースの層システムは少なくとも１つの層を有している。この層は酸化物を有している、または酸化物から成る。例えば、反射を強める酸化物ベースの層システムは２つの層を有しており、これらの層は酸化物を含んでおり、例えば酸化チタン層および酸化ケイ素層である。
【００４１】
ミラーが金属層とブラグミラーを含む場合には、これらは有利には次のように配置される。すなわち、ミラーの上面がブラグミラーによって構成されるように配置される。その上面がブラグミラーによって構成されているミラーは、通常は、４０ｎｍよりも高くない粗面性ピークを伴う低い粗面性を有している。さらにこのようなミラーは通常は、第１および／または第２の波長領域のビームに対して鏡面反射性に構成されている。
【００４２】
ブラグミラーは例えば交互に、それぞれ２つの酸化ケイ素層と２つの酸化チタン層から構成される。すなわちブラグミラーは、２つの酸化ケイ素層と２つの酸化チタン層を有しており、こられの層は交互に配置されている。酸化ケイ素層は、酸化ケイ素を有しているまたは酸化ケイ素から成る。酸化チタン層は酸化チタンを含んでいる、または酸化チタンから成る。
【００４３】
別の実施形態では半導体は、担体の反射体領域内に配置されている。この反射体領域は例えば、担体内の凹部によって形成される。これは有利には傾斜した側壁を有している。
【００４４】
担体は導体プレート、例えば、メタルコアプレートのことである。さらに担体は以下の材料のうちの１つを有している、または以下の材料のうちの１つから成る：すなわち、銅、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムである。
【００４５】
波長変換材料は有利には、以下の材料から構成されるグループからの少なくとも１つの材料を有している：すなわち、希土類金属によってドーピングされたガーネット、希土類金属によってドーピングされたアルカリ土類硫化物、希土類金属によってドーピングされたチオガレート、希土類金属によってドーピングされたアルミン酸塩、希土類金属によってドーピングされたオルトシリケート、希土類金属によってドーピングされたクロロシリケート、希土類金属によってドーピングされたアルカリ土類窒化ケイ素物、希土類金属によってドーピングされた酸窒化物および希土類金属によってドーピングされたアルミニウム酸窒化物である。
【００４６】
波長変換材料は１つの実施形態では、結合剤内に埋設されている。
【００４７】
択一的に波長変換材料は、層の形状で、内側成型体上に被着される。これは例えば、電気泳動によって行われる。
【００４８】
内側成型体および／または取り出しレンズおよび／または結合剤は、１つの実施形態ではシリコーンを有している、またはシリコーンから成る。
【００４９】
内側成型体および／または波長変換層は、放出特性を改善するために散乱している粒子を有している。
【００５０】
散乱粒子は例えば、以下の材料の少なくとも１つを有している、または以下の材料の少なくとも１つから成る：すなわち、酸化アルミニウム、酸化チタンである。
【００５１】
半導体は通常は活性領域を含んでいる。ここでこの活性領域は、ビームを生成するために例えば従来のｐｎ接合部、二重ヘテロ構造、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造を含んでいる。このような多重量子井戸構造の例は例えば文献ＷＯ０１／３９２８２号、ＷＯ９８／３１０５５号、ＵＳ５８３１２７７号、ＥＰ１０１７１１３号およびＵＳ５６８４３０９号に記載されており、これらの文献の開示内容は本願に参考として取り入れられている。
【００５２】
第１の波長領域の、半導体によって送出されたビームが可視ビームのみを含んでいる場合には、通常は、波長変換材料によって、第１の波長領域のビームの一部のみが、第２の波長領域のビームへ変換されることが試みられる。また、第１の波長領域の、半導体によって放射されたビームの別の部分は、波長変換層を変換されずに通過する。オプトエレクトロニクスデバイスは、このような場合には混合光を送出する。これは、第１の波長領域のビームと第２の波長領域のビームとを含んでいる。
【００５３】
半導体が例えば、青色スペクトル領域からの可視光を送出する場合、第１の波長領域のこのような可視の青色ビームの一部は、波長変換材料によって、黄色ビームに変換される。これによって、オプトエレクトロニクスデバイスは、ＣＩＥ色度図の白色領域内の色位置を有する混合光を送出する。
【００５４】
１つの実施形態では波長変換層は、半導体上に配置されている内側領域内で、半導体の側方に配置されている波長変換層の外側領域内でよりも厚く構成されている。波長変換層の外側領域は有利には少なくとも部分的に、波長変換層の内側領域を取り囲んで配置されている。このような実施形態では、第１の波長領域は有利には青色ビームを含んでおり、第２の波長領域は黄色ビームを有している。このデバイスは、有利には、ＣＩＥ色度図の白色領域内の色位置を有する混合光を送出する。半導体上の内側領域内の厚さが、半導体の側方の外側領域内よりも厚い波長変換層によって通常は、色位置に関して特に均一な、オプトエレクトロニクスデバイスの放射特性が得られる。
【００５５】
別の実施形態では、半導体は紫外ビームを含んでいる第１の波長領域のビームを送出する。第１の波長領域の紫外ビームは、少なくとも部分的に波長変換層の波長変換材料によって可視ビームに変えられる。従って第２の波長領域は可視ビームを有している。半導体が紫外スペクトル領域からの電磁ビームを送出する場合、通常は、第１の波長領域のこの紫外ビームのできるだけ大部分を可視光に変換することが試みられる。なぜなら、紫外ビームはデバイスの認識可能な輝度に寄与することはなく、むしろ人間の眼に害を及ぼし得るからである。
【００５６】
別の実施形態では、取り出しレンズは、紫外スペクトル領域からの電磁ビームに対して吸収性および／または反射性に構成されている。取り出しレンズはこのために例えばガラスを含んでいるまたはガラスから成る。
【００５７】
別の実施形態では、取り出しレンズの内面上に反射層が配置される。これは、第１の波長領域のビームに対して反射性に構成されている。特に有利には、このような反射層は、紫外スペクトル領域からのビームを送出する半導体と組み合わせて使用される。この場合には、反射層は有利には第１の波長領域の紫外ビームに対して反射性であり、かつ第２の波長領域の可視ビームに対して透過性に構成されている。しかし、次のような場合には反射層を、可視ビームを送出する半導体と組み合わせて使用することもできる。これは、第１の波長領域のビームを第２の波長領域のビームにほぼ完全に変換することが試みられる場合である。
【００５８】
反射層は例えば誘電性ミラーであってもよい。
【００５９】
本発明の別の特徴、有利な実施形態および有効性を以下で、図面で説明される実施例を参照して示す。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１Ａ】第１の実施例に従ったオプトエレクトロニクスデバイスの概略的な断面図
【図１Ｂ】図１Ａの実施例に示されたオプトエレクトロニクスデバイスの概略的な斜視図
【図２Ａ】第２の実施例に従ったオプトエレクトロニクスデバイスの概略的な断面図
【図２Ｂ】第３の実施例に従ったオプトエレクトロニクスデバイスの概略的な斜視図
【図３】３つの種々異なるオプトエレクトロニクスデバイスの放射角Θに依存した色位置のＣｘ座標のシミュレートされた経過特性
【図４】第４の実施例に従ったオプトエレクトロニクスデバイスの概略的な断面図
【図５】第５の実施例に従ったオプトエレクトロニクスデバイスの概略的な断面図
【図６Ａ】第６の実施例に従ったオプトエレクトロニクスデバイスの概略的な平面図
【図６Ｂ】図６Ａに示されたオプトエレクトロニクスデバイスの概略的な断面図
【実施例】
【００６１】
実施例および図面において、同じまたは同じ機能を有する構成部分にはそれぞれ同じ参照番号が付与されている。図示された部材は必ずしも縮尺通りに示されているのではない。むしろ個々の構成部分、例えば層の厚さは、より良く理解するために部分的に誇張して厚く示されている。
【００６２】
図１Ａおよび１Ｂの実施例に即したオプトエレクトロニクスデバイスは半導体１を有している。ここでこの半導体は第１の波長領域の電磁ビームを放射するように構成されている。半導体１は、ビーム透過性の内側成型体２内に、半導体１と内側成型体２との間に空気が充填された空間が生じないように埋設されている。内側成型体２は、半径Ｒ１を有する半球として構成されている。この半球は、半導体１上にセンタリングされて配置されている。すなわち、半導体１のビーム放射前面３の面重心Ｍと、内側成型体２によって構成されている半球の中心点Ｍ´は、オプトエレクトロニクスデバイスの光軸４上に位置している。ここでこの光軸４は、半導体１のビーム放射前面３上に垂直に位置している。
【００６３】
内側成型体２の外面５上には波長変換層６が被着されている。波長変換層６は直接的に接触して、内側成型体２上に被着されている。すなわち、内側成型体２とともに共通の境界面を構成している。
【００６４】
さらに、波長変換層６は実質的に一定の厚さＤを有している。従って波長変換層６の外面７は、半径Ｒ２の半球面を構成している。半径Ｒ１対半径Ｒ２の比は、例えば０．５〜０．９９の間の値を有している。ここではこれらの境界は含まれている。有利には半径Ｒ１対半径Ｒ２の比は０．６〜０．９５の間の値を有している。ここで同じように、これらの境界は含められている。特に有利には、半径Ｒ１対半径Ｒ２の比は約０．８である。
【００６５】
波長変換層６は波長変換材料８を含んでいる。これは、半導体１によって放射された第１の波長領域のビームを、第１の波長領域とは異なる第２の波長領域のビームに変換するのに適している。
【００６６】
波長変換材料８は例えば、以下の材料によって構成される次のグループから選択される：すなわち、希土類金属によってドーピングされたガーネット、希土類金属によってドーピングされたアルカリ土類硫化物、希土類金属によってドーピングされたチオガレート、希土類金属によってドーピングされたアルミ酸塩、希土類金属によってドーピングされたオルトシリケート、希土類金属によってドーピングされたクロロシリケート、希土類金属によってドーピングされたアルカリ土類窒化ケイ素、希土類金属によってドーピングされた酸窒化物、希土類金属によってドーピングされたアルミニウム酸窒化物。
【００６７】
波長変換層６の波長変換材料８は結合材料９内に埋設されている。結合材料９は例えばシリコーンのことである。
【００６８】
択一的に波長変換材料８が層の形状で、例えば電気泳動によって内側成型体２上に被着されてもよい。
【００６９】
さらに、図１Ａおよび１Ｂの実施例に示されたオプトエレクトロニクスデバイスは、屈折率ｎLinseを有している取り出しレンズ１０を含んでいる。この取り出しレンズ内に、内側成型体２と波長変換層６が埋設されている。取り出しレンズ１０は、ここで、波長変換層６とともに共通の境界面を構成する。すなわち、取り出しレンズ１０は、波長変換層６と直接的に接触している。取り出しレンズ１０は、さらにここでは、内側半径Ｒ２と外側半径Ｒ３とを有する半球シャーレ部分として構成されている。
【００７０】
オプトエレクトロニクスデバイスの取り出しレンズ１０は、以下で説明するようにWeierstrass条件を満たす。半径Ｒ２を有する取り出しレンズ１０の内面１１は、半径Ｒkonversionを有する内側半球面Ｈinnenによって取り囲まれている。また、取り出しレンズ１０の外面１２は、半径Ｒaussenを有する外側半球面Ｈaussenを取り囲む。半径Ｒkonversionおよび半径Ｒaussenは、Weierstrass条件：
Ｒaussen≧Ｒkonversion＊ｎlinse／ｎluft
を満たす。ここでｎluftは取り出しレンズの周囲、典型的には空気の屈折率である。
【００７１】
内側半球面Ｈinnenおよび外側半球面Ｈaussenは仮想の面であり、これは図面には破線で示されている。
【００７２】
ここで内側半球面Ｈinnenは、取り出しレンズ１０の内面１１と一致しており、Ｒ２＝Ｒkonversionが当てはまる。外側半球面Ｈaussenは取り出しレンズ１０の外面１２と一致しており、Ｒ３＝Ｒaussenが当てはまる。
【００７３】
取り出しレンズ１０が約１．４６の屈折率ｎlinseのシリコーンを有している場合には、例えば半径Ｒkonversionおよび半径Ｒaussenに対する以下の値がWeierstrass条件を満たす：Ｒkonversion＝２．２ｍｍおよびＲaussen＝４ｍｍ。
【００７４】
半導体１のビーム放射前面３は、ここで正方形に構成されており、面Ａを有している。内側成型体２は、別の、同じように仮想の、半径Ｒinnenを有する半球面Ｈ３によって取り囲まれている。ここで内側成型体２の外面１３はこの別の半球面Ｈ３と一致しており、以下のことが当てはま：すなわちＲinnen＝Ｒ１。比Ａ／π＊Ｒinnen２は有利にはここで１／２〜１／２０の間である。ここではこれらの境界は含められている。この条件は例えば、半径Ｒ１＝２ｍｍの半球形状内側成型体および、正方形のビーム放射前面が側面の長さ１＝１ｍｍを有している半導体によって満たされる。
【００７５】
内側成型体２は例えばモールド部として構成される。これは例えば、シリコーンおよび／またはエポキシ樹脂を有している、またはこのような材料から成る、ないしはこれらの材料の混合物から成る。
【００７６】
取り出しレンズ１０は例えば同じようにエポキシ樹脂またはシリコーンを有している、またはこれらの材料から成る。さらに取り出しレンズ１０がガラスを含んでいる、またはガラスから構成されていてもよい。ガラスから成る取り出しレンズ１０は例えば別個に製造され、デバイス上に被着され得る。また、シリコーンまたはエポキシ樹脂等のモールド材料から成る取り出しレンズ１０は通常、例えば鋳込み成形または射出成形によってデバイス上に形成される。
【００７７】
内側成型体２、波長変換層６および取り出しレンズ１０は、例えば連続した射出成形方法によって製造される。この場合には波長変換材料８は通常は結合剤９内に埋設され、取り出しレンズ１０は射出成形可能な材料、例えばシリコーンを有する。
【００７８】
図１Ａおよび１Ｂの実施例に示されたオプトエレクトロニクスデバイスの半導体１は、担体１４上に被着されている。担体１４は、例えば導体プレートのことである。担体１４は以下の材料のうちの１つを含む、またはこれらの材料のうちの１つから成る：すなわち、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムである。
【００７９】
ここで半導体１の側方に、担体１４上にミラー１５が配置されている。このミラーはまた、半導体１と担体１４との間にも構成されている。ミラー１５は有利には、第１および／または第２の波長領域のビームに対して、少なくとも０．９の反射率を有している。特に有利にはミラー１５は、第１および／または第２の波長領域のビームに対して、少なくとも０．９８の反射率を有している。
【００８０】
ミラー１５は例えば金属層２６によって構成されている。さらに、ミラー１５は金属層２６とブラグミラー２７とを含んでいる。この場合には、金属層２６は有利には、担体１４とブラグミラー２７との間に配置されている。また、ブラグミラー２７はミラー１５の表面を構成している。通常は、ミラー１５の表面はこの場合には粗面性ピークを有している。これは、４０ｎｍよりも高く構成されない。このようなミラー１５は殊に、通常は可視ビームに対して鏡面反射性に構成される。
【００８１】
金属層２６は例えばアルミニウムを有しているまたはアルミニウムから成る。
【００８２】
ブラグミラー２７は例えば交互に、それぞれ２つの酸化ケイ素層と２つの酸化チタン層から構成される。すなわち、ブラグミラーは、交互に配置されている２つの酸化ケイ素層と２つの酸化チタン層を有している。酸化ケイ素層は酸化ケイ素を含んでいるまたは酸化ケイ素から成る。酸化チタン層は酸化チタンを含んでいるまたは酸化チタンから成る。
【００８３】
図１Ｂに示されているように、ミラー１５は、図１Ａおよび１Ｂの実施例に示されているデバイスでは、半径ＲSpiegelを有している円形に構成されている。半導体１は、この円形ミラー１５上にセンタリングされて配置されている。すなわち、半導体１のビーム放射前面３との面重心と、円形ミラー１５の中心点は、オプトエレクトロニクスデバイスの光軸４上に位置する。この光軸は、半導体１のビーム放射前面３上に垂直に位置している。
【００８４】
取り出しレンズ１０、波長変換層６および内側成型体２もセンタリングされて、半導体１上に被着されている。すなわち、それぞれ内側成型体２、波長変換層６並びに取り出しレンズ１０によって構成されている半球ないしは半球シャーレ部分の中央点Ｍ´と、半導体１のビーム放射前面３の面重心Ｍは、オプトエレクトロニクスデバイスの光軸４上に位置する。さらに、取り出しレンズ１０の外面１２の半径Ｒ３は、ここで、ミラー１５が形成している円の半径ＲSpiegelと一致する。従って取り出しレンズ１０は、側方で、ミラー１５と終端を成している。
【００８５】
さらに半導体１、内側成型体２、波長変換層６および取り出しレンズ１０はオプトエレクトロニクスデバイスの光軸４に対して回転対称に配置されている。
【００８６】
図１Ｂに示されているようにオプトエレクトロニクスデバイスはさらに２つの、外部電気接続箇所１６を有している。これらは、オプトエレクトロニクスデバイスを電気的に接触接続させるために設けられている。
【００８７】
図１Ａおよび１Ｂの実施例に示されているオプトエレクトロニクスデバイスとは異なり、図２Ａのオプトエレクトロニクスデバイスは、厚さＤが変化する波長変換層６を有している。繰り返しを避けるために、以下では図２Ａに示されたデバイスと、図１Ａおよび１Ｂに示されたデバイスとの相違のみを記載する。より詳細に記載されていない部材ないし特徴、例えば担体１４ないしミラー１５は例えば、図１Ａおよび１Ｂに基づいて既に記載されているように構成される。
【００８８】
オプトエレクトロニクスデバイスは、可視の青色ビームを含んでいる、第１の波長領域の光を送出するのに適している半導体１を含んでいる。
【００８９】
波長変換層６の波長変換材料８は、第１の波長領域の青色ビームの一部を、可視の黄色ビームを含んでいる、第２の波長領域のビームに変換する。このために波長変換材料としては例えばＹＡＧ：Ｃｅが適している。半導体１によって放射された青色ビームの別の部分は、波長変換層６を、変換されずに通過する。オプトエレクトロニクスデバイスは、ここでは取り出しレンズ１０の外面１２によって構成されている自身の前面１７から混合光を送出する。この混合光は、第１の波長領域の青色ビームの成分並びに、第２の波長領域の黄色ビームの成分を含んでいる。この混合光は、有利にはＣＩＥ色度図の白色領域内の色位置を有している。
【００９０】
波長変換層６はここでは次のように構成されている。すなわち、波長変換層が、半導体１上の内側領域１８内で、半導体１の側方の外側領域１９におけるよりも厚くなるように構成されている。内側領域１８における波長変換層６の厚さＤと、外側領域１９における波長変換層６の厚さＤとの比は有利には約５．５である。
【００９１】
波長変換層６の厚さを変えることによって、波長変換層６の内側領域１８を通過する第１の波長領域の青色ビームの多くの部分は、波長変換材料８によって、第２の波長領域の黄色ビームに変換される。これは波長変換層６を外側領域１９において通過する青色ビームよりも多くの部分である。しかし半導体１は、第１の波長領域の青色ビームを実質的にその前面３から送出するので、内側領域１８の方向へ送出される青色ビームの割合は、外側領域１９の方向に延在するビームの割合よりも大きくなる。従って波長変換層６の厚さＤを変えることによって、オプトエレクトロニクスデバイスの放出特性は色位置に関して均一になる。
【００９２】
さらに、波長変換層６は散乱粒子２５を有している。これは、第１の波長領域の変換されなかったビームおよび第２の波長領域の変換されたビームを混合するために設けられている。択一的または付加的に、内側成型体２も散乱粒子２５を有する。散乱粒子２５は例えば、酸化アルミニウムまたは酸化チタンを有する、またはこれらの材料のうちの１つから成る。
【００９３】
取り出しレンズ１０の外面１２は、図１Ａおよび図１Ｂに示された実施例のように、半径Ｒ３を有する半球面として構成されている。しかし取り出し面は、図１Ａおよび図１Ｂに示された実施例のように、波長変換層６上に直接的に接触して被着されているので、取り出しレンズ１１０の内面１１は、波長変換層６の外面７に合うように調整されている。従って取り出しレンズ１０の内面１１は、波長変換層６の内側領域１９に相応する内側領域内で、半球面に対向して平らにされている。
【００９４】
しかし取り出しレンズ１０は図１Ａおよび図１Ｂに示された実施例の取り出しレンズ１０と同じように、以下で説明するように、Weierstrass条件に相応する。外側半球面Ｈaussenは取り出しレンズ１０の外面１２と一致し、Ｒ３＝Ｒaussenが当てはまる。取り出しレンズ１０の内面１１は、半径Ｒkonversionを有する内側半球面Ｈinnenによって取り囲まれており、
Ｒaussen≧Ｒkonversion＊ｎLinse／ｎluft
が有効である。殊に、内側半球面Ｈinnenおよび外側半球面Ｈaussenによって構成されているWeierstrass半球シャーレ部分は、波長変換層６を有していない。
【００９５】
波長変換層６は直接的に接触して内側成型体２上に被着されているので、内側成型体２の形状も、図１Ａおよび１Ｂに基づいて記載されている内側成型体２の形状とは異なる。内側成型体２の外面１３は、半球面に対して平らにされている。
【００９６】
さらに半導体１、内側成型体２、波長変換層６および取り出しレンズ１０は、回転対称に、オプトエレクトロニクスデバイスの光軸４に対して配置されている。ここでこの光軸は、半導体１のビーム放射前面３上に垂直に延在している。
【００９７】
図２Ｂの実施例に示されたデバイスは、図２Ａの実施例に示されたデバイスと同じように、可変の厚さＤを有する波長変換層６を有している。以下では、繰り返しを避けるために、図２Ａに示されたデバイスと、図２Ｂに示されたデバイスとの間の相違点のみを記載する。図２Ｂに示されたデバイスの残りの部材および特徴は例えば、図２Ａに基づいて上述したように構成される。
【００９８】
図２Ａに示されたデバイスの波長変換層６は、半導体１上の内側領域１８において、半導体１側方の外側領域１９におけるよりも厚く構成されている。従って、内側成型体２の外面５は、半球形状とは異なっている。しかし波長変換層６の外面７は次のように構成されている。すなわち、これが半径Ｒ２を有する半球面を構成するように構成されている。従って、波長変換層６上に直接的に被着されている取り出しレンズ１０の内面１１は、同じように、半球面を構成する。取り出しレンズ１０は、Weierstrass条件：
Ｒaussen≧Ｒkonversion＊ｎLinse／ｎluft
を満たす。ここで、半径Ｒkonversionを有する内側半球面Ｈinnenは、取り出しレンズ１０の内面１１と一致し、Ｒkonversion＝Ｒ２が当てはまる。外側半球面Ｈaussenは取り出しレンズ１０の外面１２と一致し、Ｒaussen＝Ｒ３が当てはまる。
【００９９】
内側領域１８内では、波長変換層６の厚さＤと半径Ｒ２との比は例えば約０．４４であり、外側領域１９内では波長変換層６の厚さＤと、半径Ｒ２との比は例えば約０．０８である。内側領域１８と外側領域１９との間の移行部は、波長変換層６の厚さＤにおいて、ここでは通常は連続的である。
【０１００】
図３は、３つの異なるオプトエレクトロニクスデバイスの放射角度に依存した色位置のＣｘ座標のシミュレートされた経過を示している。
【０１０１】
一方では、色位置のシミュレートされたＣｘ値は、従来のデバイスの放射角度Θに依存して示されている。ここでは、波長変換層６は直接的に、半導体１のビーム放射前面３上に被着されている（曲線１）。このようなデバイスから送出されたビームの色位置は、放射角度Θとともに明確に変化する。ここで小さい放射角度Θに対する色位置のＣｘ値は、大きい放射角度Θに対するものよりも格段に小さい。すなわち、オプトエレクトロニクスデバイスのビーム放射前面の内側領域は青色の色印象を有している。また、オプトエレクトロニクスデバイスのビーム放射前面の外側領域は観察時に黄色の色印象を残す。
【０１０２】
さらに図３は、図１Ａおよび１Ｂに基づいて上述されたような、内側成型体２と、内側成型体および取り出しレンズ上で一定の厚さを備えている波長変換層６とを有しているオプトエレクトロニクスデバイスの色位置のＣｘ値のシミュレーションされた経過を示している（曲線２）。このようなオプトエレクトロニクスデバイスも、放射角度Θに伴ったＣＸ値の僅かな変動をまだ有している。しかしこれは、従来のデバイスと比べて格段に低減されている。
【０１０３】
図３のグラフ内の第３の曲線（曲線３）は、デバイスに対する放射角度Θとともに、Ｃｘ値のシミュレーションされた経過を示している。その波長変換層６は半導体１上で、図２Ａおよび２Ｂに基づいて示されているように、側方よりも、より厚く構成されている。図３から判るように、色位置に関するこのようなデバイスの放出特性はほぼ均一に構成されている。
【０１０４】
図４の実施例に示されたデバイスは、上述の実施例とは異なり、反射体領域２０を伴う担体１４を有している。この上には半導体１が被着されている。
【０１０５】
反射体領域２０は、担体１４の残りの表面に対して沈下されている。反射体領域２０はここでは、傾斜している側壁２１を備えた空洞を形成している。反射体領域は次のことのために設けられている。すなわち、半導体のビームを、オプトエレクトロニクスデバイスのビーム放射前面に偏向するために設けられている。従って、ミラー１５は殊に、担体１４の反射体領域２０上に構成されている。反射体領域はここで、デバイスの光軸４に対して回転対称に構成されている。ここでこの光軸は、半導体１のビーム放射前面に対して垂直に延在しており、半導体１のビーム放射前面３の面重心Ｍを通って延在している。
【０１０６】
半導体１はここでは、成形体２内に次のように埋設されている。すなわち、半導体１と内側成型体２との間に、空気が充填された空間が存在しないように埋設されている。これはここで次のことを意味している。すなわち、担体１４内に反射体領域２０によって構成されている空洞が、完全に内側成型体２によって満たされることを意味している。さらに、内側成型体２の外面５はＲ１＝Ｒinnenを有する半球面に従って構成されている。図１Ａおよび１Ｂに示された実施例のように半球シャーレ部分として構成されている波長変換層６および取り出しレンズ１０は、それぞれ相互に直接的に接触して、ないしは内側成型体と直接的に接触して被着されている。しかし波長変換層６および取り出しレンズ１０によって構成されている半球シャーレ部分の中央点Ｍ´は、図１Ａおよび１Ｂの実施例とは異なり、反射体領域２０の基板上に、半導体１の放出方向において半導体１の上方に位置している。しかしWeierstrass条件は同じように、取り出しレンズ１０に対して有効である。すなわち、内側半球面Ｈinnenの半径Ｒkonversionおよび半径Ｒaussenを有する外側半球面Ｈaussenは、Weierstrass条件：
Ｒaussen≧Ｒkonversion＊ｎlinse／ｎLuft
を満たす。
【０１０７】
ここで内側半球面Ｈinnenは取り出しレンズ１０の内面１１と一致しており、Ｒ２＝Ｒkonversionである。外側半球面Ｈaussenは取り出しレンズ１０の外面１２と一致しており、Ｒ３＝Ｒaussenである。
【０１０８】
図４に示されたデバイスの残りの部材ないしは特徴は、例えば、図１Ａおよび１Ｂの実施例に示されたオプトエレクトロニクスデバイスのように構成される。従ってここでは繰り返しを避けるために詳細には記載しない。
【０１０９】
図５の実施例に示されたオプトエレクトロニクスデバイスは、図１Ａおよび１Ｂの実施例に示されたオプトエレクトロニクスデバイスとは異なり、外面１２が半球面と異なっている取り出しレンズ１０を有している。取り出しレンズ１０の外面１２は、内側領域２２において球面に湾曲されており、ここで曲率Ｒkruemmung＞Ｒaussenである。ここでＲaussenは、仮想Weierstrass半球シャーレ部分の外側半径である。さらに、この取り出しレンズ１０は、傾斜した側面２３を有している。ここでこの側面は、取り出しレンズ１０の内側領域を側方で制限している。
【０１１０】
屈折率ｎlinseを有している取り出しレンズ１０は以下で説明するようにWeierstrass条件を満たす。半径Ｒ２を有する取り出しレンズ１０の内面１１は、内側半球面Ｈinnenと一致し、Ｒkonversion＝Ｒ２である。また取り出しレンズ１０の外面１２は、半径Ｒaussenを有している外側半球面Ｈaussenを取り囲む。半径Ｒkonversionおよび半径Ｒaussenは、Weierstrass条件：
Ｒaussen≧Ｒkonversion＊ｎlinse／ｎLuft
を満たす。
【０１１１】
図５に示されたデバイスの残りの部材ないしは特徴は、例えば、図１Ａおよび１Ｂの実施例に示されたオプトエレクトロニクスデバイスのように構成される。従ってここでは繰り返しを避けるために詳細には記載しない。
【０１１２】
図１Ａおよび１Ｂの実施例に示されたオプトエレクトロニクスデバイスとは異なり、図６Ａおよび６Ｂに示されたオプトエレクトロニクスデバイスは、複数の半導体１を有している。繰り返しを避けるために、以下では、図６Ａおよび６Ｂに示されたデバイスと、図１Ａおよび１Ｂに示されたデバイスとの間の相違のみを記載する。説明されていない部材ないし特徴は、例えば、図１Ａおよび１Ｂの実施例の部材と一致している。
【０１１３】
図６Ａおよび６Ｂの実施例に示されたデバイスの半導体１は規則的なパターンで、ここでは正方形の格子２４に従って配置される。半導体１はそれぞれ、ビーム放射前面３の面中央点Ｍを伴い、正方形格子２４の格子点上に位置している。択一的に、半導体１が例えば六角形格子に従って配置されていてもよい。半導体１は、センタリグされて、内側成型体２の下に配置されている。すなわち、正方形格子２４の重心Ｓおよび、内側成型体２によって構成されている半球の中心点Ｍ’がオプトエレクトロニクスデバイスの光軸４上に位置し、ここで光軸はミラー１５上に垂直に位置している。取り出しレンズ１０もセンタリングされて、半導体１上に配置される。すなわち、正方形格子２４の重心Ｓおよび、取り出しレンズ１０を構成している半球シャーレ部分の中心点Ｍ´がオプトエレクトロニクスデバイスの光軸４上に位置している。正方形格子２４の重心Ｓはここで同じように、格子２４の対称点である。
【０１１４】
図６Ａおよび６Ｂの実施例のオプトエレクトロニクスデバイスの４つの半導体１は、面Ａ´を有する円に内接している。ここで半導体１の外側の角はそれぞれ、内接している円上に位置している。内側成型体２は、別の、同じように仮想の、半径Ｒinnenを有する半球面Ｈ３によって取り囲まれている。ここで内側成型体２の外面１３はこの別の半球面Ｈ３と一致しており、Ｒinnen＝Ｒ１である。比Ａ´／π＊Ｒinnen２は有利にはここで１／２〜１／２０の間である。ここでこれらの境界は含まれている。
【０１１５】
半導体１は例えば紫外ビームを送出する。すなわち、紫外ビームの第１の波長領域を含んでいる。この場合には、通常は、波長変換材料８によって、第１の波長領域の紫外ビームが可視ビームへ完全に変換されることが試みられる。さらに取り出しレンズ１０はこの場合には、紫外ビームに対して吸収性に構成されている。これは例えば取り出しレンズがガラスを有していることによって行われる。さらに、図６Ｂに示されているように、この場合には有利には反射層２８が取り出しレンズ１０の内面１１上に配置されている。これは紫外ビームに対して反射性に、かつ可視ビームに対して透過性に構成されている。反射層１８は、例えば誘電性ミラーのことである。
【０１１６】
本発明は、実施例に基づく記載に制限されない。むしろ本発明はそれぞれの新しい特徴並びに特徴のそれぞれの組み合わせを含んでおり、このことは殊に、これらの特徴または特徴の組み合わせ自体が特許請求の範囲または実施例に明確に記載されていなくとも、特許請求の範囲おける特徴のいずれの組み合わせも包含するものである。
【図１Ａ】
2010541220.tif 000003
【図１Ｂ】
2010541220.tif 000004
【図２Ａ】
2010541220.tif 000005
【図２Ｂ】
2010541220.tif 000006
【図３】
2010541220.tif 000007
【図４】
2010541220.tif 000008
【図５】
2010541220.tif 000009
【図６Ａ】
2010541220.tif 000010
【図６Ｂ】
2010541220.tif 000011
【国際調査報告】
2010541220.tif 000012
2010541220.tif 000013
2010541220.tif 000014
2010541220.tif 000015
2010541220.tif 000016
2010541220.tif 000017