(57)【要約】一実施形態は、標的密度の範囲内の標的密度を達成するように設計レイアウトでダミーフィルを実施する。動作中、システムは、その密度が標的密度の所望の範囲内ではない領域を含む、設計レイアウトを受容する。次に、システムは、ダミーフィルアレイを配置して、任意にサイズ決定された長方形を充填するために使用することができる、ダミーフィルセルのセットを受容する。ダミーフィルセルは、ダミーフィルアレイのサイズに関係なく、ダミー形状を適切にプリントさせる、補助特徴および光近接効果補正を含有してもよい。次いで、システムは、ダミーフィルセルで充填するために、設計レイアウトにおいて多角形を決定する。次に、システムは、多角形を長方形のセットに破砕する。システムは、長方形を充填するダミーフィルアレイを配置するために、ダミーフィルセルのセットを使用する。
2010541245.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
標的密度の狭い範囲内にある標的密度を達成するように、設計レイアウトでダミーフィルを実施する方法であって、該方法は、
標的密度の狭い範囲を規定する、低標的密度および高標的密度を受容することと、
自身の密度が該低標的密度未満である領域を含む、設計レイアウトを受容することであって、ダミー形状は、該設計レイアウトに配置されることが所望され、該ダミー形状は、適切にプリントするために補助特徴および光近接効果補正を必要とし、該設計レイアウトに該ダミー形状を配置した後に、補助特徴の配置および光近接効果補正を実施することは、実際的でない、ことと、
ダミーフィルアレイを配置して、任意にサイズ決定された長方形を充填するために使用される、ダミーフィルセルのセットを受容することであって、該ダミーフィルセルのセットは、該ダミーフィルアレイのサイズに関係なく、該ダミー形状を適切にプリントさせる、補助特徴および光近接効果補正を含有する、ことと、
該ダミーフィルセルで充填するために、該設計レイアウトにおいて多角形を決定することと、
該多角形を長方形のセットに破砕することと、
該長方形のセットにおいて第１の長方形を充填する該設計レイアウトに第１のダミーフィルアレイを配置するために、該ダミーフィルセルのセットを使用することと
を含む、方法。
【請求項２】
前記ダミーフィルセルのセットは、
左上のセルと、
右上のセルと、
左下のセルと、
右下のセルと、
上中央のセルと、
右中央のセルと、
下中央のセルと、
左中央のセルと、
中央のセルと
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の長方形を選択することをさらに含み、該第１の長方形は、前記長方形のセットの中で最大面積を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１のダミーフィルアレイを配置するために前記ダミーフィルセルのセットを使用することは、
該第１のダミーフィルアレイにおいて多数の列を決定することと、
該第１のダミーフィルアレイにおいて多数の行を決定することと
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記多角形を決定することは、
前記設計レイアウトにブロックのグリッドを位置付けることと、
該設計レイアウトにおける形状と矛盾するブロックを除去することと、
該多角形を取得するようにブロックを統合することと
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ダミーフィルセルのセットは、
角のセルと、
端のセルと、
中央のセルと
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１のダミーフィルアレイを配置するために前記ダミーフィルセルのセットを使用することは、
角のセル位置を決定することと、
端のセル位置を決定することと、
中央のセル位置を決定することと
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
コンピュータで実行される時に、標的密度の狭い範囲内にある標的密度を達成するように、設計レイアウトでダミーフィルを実施する方法を該コンピュータに実施させる、命令を記憶する、コンピュータ可読記憶媒体であって、該方法は、
標的密度の狭い範囲を規定する、低標的密度および高標的密度を受容することと、
自身の密度が該低標的密度未満である領域を含む、設計レイアウトを受容することであって、ダミー形状は、該設計レイアウトに配置されることが所望され、該ダミー形状は、適切にプリントするために補助特徴および光近接効果補正を必要とし、該設計レイアウトに該ダミー形状を配置した後に、補助特徴の配置および光近接効果補正を実施することは、実際的でない、ことと、
ダミーフィルアレイを配置して、任意にサイズ決定された長方形を充填するために使用される、ダミーフィルセルのセットを受容することであって、該ダミーフィルセルのセットは、該ダミーフィルアレイのサイズに関係なく、該ダミー形状を適切にプリントさせる、補助特徴および光近接効果補正を含有する、ことと、
該ダミーフィルセルで充填するために、該設計レイアウトにおいて多角形を決定することと、
該多角形を長方形のセットに破砕することと、
該長方形のセットにおいて第１の長方形を充填する該設計レイアウトに第１のダミーフィルアレイを配置するために、該ダミーフィルセルのセットを使用することと
を含む、コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項９】
前記ダミーフィルセルのセットは、
左上のセルと、
右上のセルと、
左下のセルと、
右下のセルと、
上中央のセルと、
右中央のセルと、
下中央のセルと、
左中央のセルと、
中央のセルと
を含む、請求項８に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１０】
前記方法は、前記第１の長方形を選択することをさらに含み、該第１の長方形は、前記長方形のセットの中で最大面積を有する、請求項８に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１１】
前記第１のダミーフィルアレイを配置するために前記ダミーフィルセルのセットを使用することは、
該第１のダミーフィルアレイにおいて多数の列を決定することと、
該第１のダミーフィルアレイにおいて多数の行を決定することと
を含む、請求項８に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１２】
前記多角形を決定することは、
前記設計レイアウトにブロックのグリッドを位置付けることと、
該設計レイアウトにおける形状と矛盾するブロックを除去することと、
該多角形を取得するようにブロックを統合することと
を含む、請求項８に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１３】
前記ダミーフィルセルのセットは、
角のセルと、
端のセルと、
中央のセルと
を含む、請求項８に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１４】
前記第１のダミーフィルアレイを配置するために前記ダミーフィルセルのセットを使用することは、
角のセル位置を決定することと、
端のセル位置を決定することと、
中央のセル位置を決定することと
を含む、請求項８に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１５】
標的密度の狭い範囲内にある標的密度を達成するように、設計レイアウトでダミーフィルを実施する装置であって、該装置は、
標的密度の狭い範囲を規定する、低標的密度および高標的密度を受容するように構成される、密度受容機構と、
自身の密度が該低標的密度未満である領域を含む、設計レイアウトを受容するように構成される、レイアウト受容機構であって、ダミー形状は、該設計レイアウトに配置されることが所望され、該ダミー形状は、適切にプリントするために補助特徴および光近接効果補正を必要とし、該設計レイアウトに該ダミー形状を配置した後に、補助特徴の配置および光近接効果補正を実施することは、実際的でない、レイアウト受容機構と、
ダミーフィルアレイを配置して、任意にサイズ決定された長方形を充填するために使用される、ダミーフィルセルのセットを受容するように構成される、セル受容機構であって、該ダミーフィルセルのセットは、該ダミーフィルアレイのサイズに関係なく、該ダミー形状を適切にプリントさせる、補助特徴および光近接効果補正を含有する、セル受容機構と、
該ダミーフィルセルで充填するために、該設計レイアウトにおいて多角形を決定するように構成される、決定機構と、
該多角形を長方形のセットに破砕するように構成される、破砕機構と、
該長方形のセットにおいて第１の長方形を充填する該設計レイアウトに第１のダミーフィルアレイを配置するために、該ダミーフィルセルのセットを使用するように構成される、アレイ配置機構と
を備える、装置。
【請求項１６】
前記ダミーフィルセルのセットは、
左上のセルと、
右上のセルと、
左下のセルと、
右下のセルと、
上中央のセルと、
右中央のセルと、
下中央のセルと、
左中央のセルと、
中央のセルと
を含む、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記第１の長方形を選択することをさらに含み、該第１の長方形は前記長方形のセットの中で最大面積を有する、請求項１５に記載の装置。
【請求項１８】
前記アレイ配置機構は、
前記第１のダミーフィルアレイにおいて多数の列を決定し、
該第１のダミーフィルアレイにおいて多数の行を決定するように構成される、
請求項１５に記載の装置。
【請求項１９】
前記決定機構は、
前記設計レイアウトにブロックのグリッドを位置付け、
該設計レイアウトにおける形状と矛盾するブロックを除去し、
前記多角形を取得するようにブロックを統合するように構成される、
請求項１５に記載の装置。
【請求項２０】
前記ダミーフィルセルのセットは、
角のセルと、
端のセルと、
中央のセルと
を含む、請求項１５に記載の装置。
【請求項２１】
前記アレイ配置機構は、
角のセル位置を決定し、
端のセル位置を決定し、
中央のセル位置を決定するように構成される、
請求項１５に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（本発明の分野）
本発明は、半導体の設計および製造に関する。より具体的には、本発明は、狭い標的密度範囲内にある標的密度を達成するための、設計レイアウトにおけるダミーフィルの実施に関する。
【背景技術】
【０００２】
（関連技術）
コンピューティング技術の急速な進歩により、場合によっては一兆バイトにもなるデータセットで、毎秒、一兆回の計算的演算を実行させることが可能になった。こうした進歩は、シングルチップに何千万ものデバイスを集積することを可能にした、半導体製造技術の劇的な向上のおかげであるといえる。
【０００３】
いくつかの製造プロセスの作用は、レイアウトの特徴密度の影響を受け得る。具体的には、製造プロセスは、高い密度領域と比較すると、低い密度領域では異なる作用が生じ得る。特徴密度における非均一性は、ダミーフィルの実施、つまり、レイアウトの未使用領域へのダミー特徴の追加により、低減し得る。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
（露光波長に対して）ダミー特徴が小さい場合、プリントを適切に行うには、補助特徴および光近接効果補正が必要となり得る。しかしながら、ダミーフィルされたレイアウト上の補助特徴の配置および光近接効果補正（ＯＰＣ）の実施は、ダミー特徴の純粋な数のため、極めて多大な時間を必要とし得る。さらに、製造プロセスが、特徴密度変動の影響を非常に受けやすい場合、ダミーフィルプロセスは、その特徴密度が狭い密度値範囲内にあるダミーフィルレイアウトを作成することが必要になり得る。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
（概要）
本発明の実施形態は、設計レイアウトでダミーフィルを実施するシステムおよび技術を提供する。いくつかの半導体製造技術は、作成されたレイアウトが厳しい標的密度の要件を満たすように、ダミーフィル技術によってダミー特徴を配置することを必要とする。一実施形態は、ダミーフィルレイアウトが狭い標的特徴密度範囲内の特徴密度を有するように、ダミーフィルを実施可能である。ダミーフィル技術は、光近接効果補正および補助特徴配置を実施するために必要な時間を実質的に増加させないことが望ましい。一実施形態は、ダミーフィルレイアウトに、分解能向上技術を実施するために必要な時間を実質的に増加させることなく、ダミーフィルを実施可能である。
【０００６】
作業時において、一実施形態は、その密度が狭い標的密度未満である領域を含む、設計レイアウトを受容し得る。次に、システムは、任意にサイズ決定された長方形を充填する、ダミーフィルアレイを配置するために使用可能なダミーフィルセルのセットを受容し得る。例えば、ダミーフィルセルのセットは、角のセル、端のセル、中央のセルを含み得る。ダミーフィルセルのセットは、ダミーフィルセルのセットを使って作成されるダミーフィルアレイのサイズに関係なく、ダミー形状を適切にプリントさせる、補助特徴および光近接効果補正を含有し得る。システムは、ダミーフィルアレイを配置する長方形のセットを決定し、次に、こうした長方形の１つ以上にダミーフィルアレイを配置し得る。尚、角および端のセルは中央のセルよりも低い密度を有し得るため、より小さいアレイは、より大きいアレイよりも低い特徴密度を有し得る。
【０００７】
一実施形態では、システムは、設計レイアウトにブロックグリッドを位置決定し得る。次に、システムは、設計レイアウトの他の形状と矛盾しないグリッド内のこうしたブロックを選択し得る。システムは、選択されたブロックを統合することによって、多角形を形成し得る。次に、システムは、多角形を破砕することによって長方形のセットを得てもよく、これは、ダミーフィルアレイを使用して充填可能である。
【０００８】
尚、システムは、光近接効果補正および／または補助特徴を既に有するダミーフィルセルのセットを使用可能であるため、システムは、ダミーフィルアレイを配置した後で、こうした多大な時間のかかる分解能向上技術を実行する必要はない。さらに、システムは、一度に１つの長方形を充填可能であるため、狭い標的密度範囲内にある標的密度を達成可能である。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に従う、集積回路の設計および製造の種々のステップを示す。
【図２】図２は、本発明の一実施形態に従う、プロセス負荷（ｐｒｏｃｅｓｓ  ｌｏａｄｉｎｇ）効果を示す。
【図３】図３は、本発明の一実施形態に従う、設計レイアウトのダミーフィルを実施するプロセスを示すフローチャートを示す。
【図４】図４は、本発明の一実施形態に従う、ダミーフィルセルのセットを示す。
【図５】図５は、本発明の一実施形態に従う、システムが多角形を決定し、これを長方形のセットに破砕する方法を示す。
【図６】図６は、本発明の一実施形態に従う、ダミーフィルアレイを作成するためにダミーフィルセルのセットが使用可能である方法を示す。
【図７】図７は、本発明の一実施形態に従う、コンピュータシステムを示す。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（詳細な説明）
（集積回路（ＩＣ）設計フロー）
図１は、本発明の一実施形態に従う、集積回路の設計および製造における種々のステップを示す。
【００１１】
プロセスは、通常、ＥＤＡソフトウェア設計プロセス（ステップ１１０）を使用して実施される製品アイデア（ステップ１００）から開始される。設計が最終化されると、通常はテープアウト（ｔａｐｅｄ−ｏｕｔ）され（イベント１４０）、完成チップを作成するために（結果１７０）、製造プロセス（ステップ１５０）、パッケージングおよび組み立てプロセス（ステップ１６０）が実施される。
【００１２】
ＥＤＡソフトウェア設計プロセス（ステップ１１０）はステップ１１２−１３０を含むが、これは、説明目的で以下に記載されているにすぎず、かつ、本発明を限定することを意図するものではない。例えば、実際の集積回路の設計では、設計者は、以下に記載されるシーケンスとは異なるシーケンスで設計ステップを実施する必要があり得る。
【００１３】
システム設計（ステップ１１２）：このステップで、設計者は、実装したい機能を記述する。設計者は、さらに、機能、チェックコスト等を絞り込むために、状況想定プランニングを実施し得る。このステージでは、ハードウェアとソフトウェアのアーキテクチャのパーティショニングが生じ得る。このステップで使用し得る、Ｓｙｎｏｐｓｙｓ，Ｉｎｃ．の例示的なＥＤＡソフトウェア製品は、Ｍｏｄｅｌ  Ａｒｃｈｉｔｅｃｔ、Ｓａｂｅｒ（登録商標）、Ｓｙｓｔｅｍ  Ｓｔｕｄｉｏ、および、ＤｅｓｉｇｎＷａｒｅ（登録商標）製品を含む。
【００１４】
論理設計および機能的検証（ステップ１１４）：このステージでは、システムのモジュールのＶＨＤＬまたはＶｅｒｉｌｏｇコードが記述され、機能的正確さについて、設計のチェックを行う。より具体的には、正確な出力が生じることを保証するために、設計をチェックする。このステップで使用可能なＳｙｎｏｐｓｙｓ，Ｉｎｃ．の例示的なＥＤＡソフトウェア製品は、ＶＣＳ（登録商標）、Ｖｅｒａ（登録商標）、ＤｅｓｉｇｎＷａｒｅ（登録商標）、Ｍａｇｅｌｌａｎ（登録商標）、Ｆｏｒｍａｌｉｔｙ（登録商標）、ＥＳＰおよびＬｅｄａ（登録商標）製品を含む。
【００１５】
テストのための統合および設計（ステップ１１６）：ここでは、ＶＨＤＬ／Ｖｅｒｉｌｏｇを、ネットリストに変換する。標的技術のために、ネットリストを最適化可能である。さらに、完成したチップをチェックするために、テストの設計および実施が可能である。このステップで使用可能なＳｙｎｏｐｓｙｓ，Ｉｎｃ．の例示的なＥＤＡソフトウェア製品は、Ｄｅｓｉｇｎ  Ｃｏｍｐｉｌｅｒ（登録商標）、Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｃｏｍｐｉｌｅｒ（登録商標）、Ｔｅｓｔ  Ｃｏｍｐｉｌｅｒ、Ｐｏｗｅｒ  Ｃｏｍｐｉｌｅｒ（登録商標）、ＦＰＧＡ  Ｃｏｍｐｉｌｅｒ、ＴｅｔｒａＭＡＸ（登録商標）、およびＤｅｓｉｇｎＷａｒｅ（登録商標）の製品を含む。
【００１６】
ネットリスト検証（ステップ１１８）：このステップでは、時間的な制限の遵守およびＶＨＤＬ／Ｖｅｒｉｌｏｇソースコードとの対応について、ネットリストをチェックする。このステップで使用可能なＳｙｎｏｐｓｙｓ，Ｉｎｃ．の例示的なＥＤＡソフトウェア製品は、Ｆｏｒｍａｌｉｔｙ（登録商標）、ＰｒｉｍｅＴｉｍｅ（登録商標）、およびＶＣＳ（登録商標）製品を含む。
【００１７】
設計プランニング（ステップ１２０）：ここで、タイミングおよび最上位のルーティングについて、チップの全体的な配置図を構成および分析する。このステップで使用可能なＳｙｎｏｐｓｙｓ，Ｉｎｃ．の例示的なＥＤＡソフトウェア製品は、Ａｓｔｒｏ（登録商標）およびＩＣ  Ｃｏｍｐｉｌｅｒ製品を含む。
【００１８】
物理的な実装（ステップ１２２）：このステップでは、配置（回路エレメントの位置決定）およびルーティング（回路エレメントの接続）を行う。このステップで使用可能なＳｙｎｏｐｓｙｓ，Ｉｎｃ．の例示的なＥＤＡソフトウェア製品は、Ａｓｔｒｏ（登録商標）およびＩＣ  Ｃｏｍｐｉｌｅｒ製品を含む。
【００１９】
分析および抽出（ステップ１２４）：このステージでは、トランジスタレベルで回路の機能が検証され、これにより、状況想定の絞込みが可能となる。このステップで使用可能なＳｙｎｏｐｓｙｓ，Ｉｎｃ．の例示的なＥＤＡソフトウェア製品は、ＡｓｔｒｏＲａｉｌ（登録商標）、ＰｒｉｍｅＲａｉｌ、ＰｒｉｍｅＴｉｍｅ（登録商標）、およびＳｔａｒ−ＲＣＸＴ（登録商標）製品を含む。
【００２０】
物理的検証（ステップ１２６）：このステップでは、製造、電気的事項、リソグラフィ的事項、および回路の適正さを保証するために、設計をチェックする。このステップで使用可能なＳｙｎｏｐｓｙｓ，Ｉｎｃ．の例示的なＥＤＡソフトウェア製品は、Ｈｅｒｃｕｌｅｓ（登録商標）製品を含む。
【００２１】
分解能向上（ステップ１２８）：このステップは、設計の製造可能性を向上させるための、レイアウトの形状的操作を含む。このステップで使用可能なＳｙｎｏｐｓｙｓ，Ｉｎｃ．の例示的なＥＤＡソフトウェア製品は、Ｐｒｏｔｅｕｓ／Ｐｒｏｇｅｎ、ＰｒｏｔｅｕｓＡＦ、およびＰＳＭＧｅｎ製品を含む。
【００２２】
マスクデータ作成（ステップ１３０）：このステップは、完成チップを作成するために、マスクの生産のための「テープアウト」データを提供する。このステップで使用可能なＳｙｎｏｐｓｙｓ，Ｉｎｃ．の例示的なＥＤＡソフトウェア製品は、製品のＣＡＴＳ（登録商標）ファミリを含む。
【００２３】
上記のステップのうちの１つ以上の間に、本発明の実施形態を使用し得る。具体的には、物理的検証ステップ１２６中に、本発明の一実施形態を使用し得る。
【００２４】
（ダミーフィル）
通常は、ポストＣＭＰ（化学的機械的研磨）面のトポロジの変動が、所定の許容差以内になることを保証するために、ダミーフィルを利用する。例えば、ＣＭＰの後でレイアウトが実質的に平坦な面を生成するように、鋳造により、設計レイアウトの未使用の部分に非機能的構造を配置し得る。さらに、特徴密度の変動の影響を受ける他の製造プロセスのプロセス変動を低減するために、ダミーフィルを使用し得る。
【００２５】
図２は、本発明の一実施形態に従う、プロセス負荷効果を示す。
【００２６】
製造時において、ウエハ２０６上に位置決定し得る二酸化ケイ素層２０４上に、レジスト層２０２を位置決定し得る。トレンチを作成するために、ディープエッチングプロセス中、反応性イオン２０８を使用し得る。ある位置におけるエッチングレートは、その位置に近接する特徴密度に依存し得る。例えば、領域２１０等の低い特徴密度領域のエッチングレートは、領域２１２等の高い特徴密度を有する領域におけるエッチングレートよりも高くなり得る。エッチングレートの変動が許容可能な範囲内であることを保証するために、ダミーフィルを使用し得る。
【００２７】
チップ製造は、通常は、プロセス変動の範囲を容認し得る。プロセス変動が許容可能な範囲よりも大きい場合、作成されるチップは全く機能しない可能性がある、または、パフォーマンスの評価指標が低くなる可能性がある。現在の集積密度では、プロセスの自由度は非常に小さくなり得る、つまり、プロセス変動の許容範囲は非常に小さくなり得る。
【００２８】
ディープエッチングプロセスの場合、トレンチの深さが狭い値範囲内になることを保証する必要があり得る。尚、トレンチの深さは、トレンチに近接する反応性イオン濃度に非常に影響を受けやすい可能性がある。反応性イオン濃度は、これにより、特徴濃度に対して非常に影響を受けやすい可能性がある。その結果、高い歩留まりを得られるようにするには、特徴密度を狭い値の範囲内にする必要があり得る。残念ながら、従来のダミーフィル技術は、通常、こうした厳しい特徴密度の制約に適合するように設計されていない。
【００２９】
さらに、レイアウトにダミーフィル構造が配置されると、適切にプリントするために、光近接効果補正および補助特徴が必要になり得る。しかしながら、レイアウトに配置されるダミーフィル特徴の数は、かなり多くなり得る。このため、ダミーフィル特徴の純粋な数のために、光近接効果補正および／または補助特徴配置を実施することは実際的でない可能性がある。
【００３０】
本発明の一実施形態は、特徴密度が狭い密度値範囲内になるように、ダミーフィル特徴を配置するシステムおよび技術を提供する。例えば、狭い密度値範囲は０．１％にしてもよく、この場合、０％の密度値が完全に未使用の領域に相当し、１００％の密度値が完全に使用中の領域に相当する。さらに、一実施形態は、光近接効果補正および補助特徴を既に有するダミーフィル構造を配置し、それにより、光近接効果補正および／またはダミー特徴での補助特徴の配置を実施する必要性を排除する。
【００３１】
（ダミーフィルの実施のプロセス）
図３は、本発明の一実施形態に従い、設計レイアウトでダミーフィルを実施するプロセスを示すフローチャートを示す。
【００３２】
狭い標的密度範囲を規定する、低標的密度および高標的密度を受容することにより、プロセスを開始し得る（ステップ３０２）。
【００３３】
次に、システムは、その密度が低標的密度よりも低い領域を含む設計レイアウトを受容し得る（ステップ３０４）。
【００３４】
設計レイアウトへのダミーフィル形状を配置することで、狭い標的密度範囲になるように密度が高められ得る。現在の統合密度において、ダミー形状を非常に小さくすることで、補助特徴および光近接効果補正を適切にプリントさせる必要があり得る。しかしながら、設計レイアウトへのダミー形状配置後の、補助特徴の配置および光近接効果補正の実施は、設計レイアウトで必要となり得るダミー特徴の純粋な数のために、実際的でない、または、計算能力的に実現不可能であり得る。例えば、ＤＲＡＭ（ダイナミックランダムアクセスメモリ）レイアウトは、多数のダミーフィル構造を必要とし得るため、ダミーフィルＤＲＡＭレイアウトへの分解能向上技術の適用は実際的でない場合がある。
【００３５】
本発明の一実施形態は、ダミーフィル構造を配置した後でこの実施形態が分解能向上技術を適用する必要がないように、光近接効果補正および補助特徴を既に有するダミーフィルセルのセットを使用する。
【００３６】
図３のフローチャートを引き続き参照すると、システムは、次に、ダミーフィルセルのセットを受容し得る（ステップ３０６）。システムは、さらに、ダミーフィルセルの相対的な位置を受容し得る。これらのダミーフィルセルは、任意にサイズ決定された長方形を充填できるダミーフィルアレイを作成するために、使用され得る。ダミーフィルセルのセットは、ダミーフィルアレイのサイズに関わらず、ダミー形状を適切にプリントさせ得る補助特徴および光近接効果補正を含み得る。尚、ダミーフィルセルは、ダミーフィルアレイにおいて互いに接する、または、接しない場合があることに注意されたい。
【００３７】
概して、ダミーフィルセルのセットは、ダミーフィルアレイを作成するために使用可能な１つ以上のセルを含み得る。一実施形態において、ダミーフィルセルのセットは、３つのセル、つまり、角のセル、端のセル、および中央のセルを含み得る。別の実施形態において、ダミーフィルセルのセットは、９つのセル、つまり、左上のセル、右上のセル、左下のセル、右下のセル、上中央のセル、右中央のセル、下中央のセル、左中央のセル、および中央のセルを含み得る。尚、いくつかの状況において、３つのセルのセットから９つのセルのセットを作成するために、単純な形状的作業（例えば、回転および／または反射）を使用可能であり得ることに注意されたい。さらに別の実施形態において、システムは、任意にサイズ決定されたアレイを形成するために複製可能な１つのみのセルを受容し得る。
【００３８】
図４は、本発明の一実施形態に従う、ダミーフィルセルのセットを示す。
【００３９】
ダミーフィルセルのセットは、左上のセル４０２、右上のセル４０６、左下のセル４１４、右下のセル４１８、上中央のセル４０４、右中央のセル４１２、下中央のセル４１６、左中央のセル４０８、および中央のセル４１０を含み得る。セルは、異なる形状および光近接効果補正および／または補助特徴を含み得る。例えば、右中央のセル４１２（拡大図を参照）等の端のセルの構造、光近接効果補正、および補助特徴は、右下のセル４１８（拡大図を参照）等の角のセルのものとは異なる場合がある。ダミーフィルセルのセットは、以下の重要な特性を有し得る。これらは、さらなる光近接効果補正または補助特徴の配置を適切にプリントさせなくてもよい、任意のサイズ決定されたアレイを作成するために使用可能である。
【００４０】
次に、システムは、ダミーフィルセル（ステップ３０８）で充填するために、設計レイアウトに多角形を決定し得る。
【００４１】
一実施形態において、システムは、設計レイアウトにブロックグリッドを位置決定する。ブロックは、９つのセルのアレイを保持可能な、正方形または長方形にし得る。グリッドの各ブロックは、隣接するブロックと境を接し得る。次に、システムは、設計レイアウトで形状と矛盾するブロックを除去し得る。システムは、多角形を得るために、残りのブロックを統合可能である。
【００４２】
システムは、こうして、多角形を長方形のセットに破砕し得る（ステップ３１０）。一実施形態において、各長方形の寸法は、グリッドブロックの寸法の整数倍にし得る。
【００４３】
一実施形態において、システムは、長方形が上限よりも大きい面積を有することがないように、多角形を長方形のセットに破砕し得る。これは、ダミーフィルの実施中にシステムが高い密度値を超えないことを保証することが望ましい場合がある。システムが高い密度値を超える場合、システムは、レイアウトによって高い密度値を超えるダミーフィルアレイを除去し得る。
【００４４】
図５は、本発明の一実施形態に従う、システムが多角形を決定し、これを長方形のセットに破砕する方法を示す。
【００４５】
設計レイアウトの領域５０２、５０４、および５０６は、機能構造を含み得る。システムは、グリッド５０８を設計レイアウトに位置決定し得る。グリッド５０８の各ブロックは、９個以上のセルのセットを含むのに十分な大きさにし得る。次に、システムは、設計レイアウトの構造と矛盾しないブロックを選択し得る。ブロックは、ブロックのセル配置が設計ルールに反しない場合、構造と矛盾し得る。例えば、システムは、グリッド５０８で影付きのブロックを選択し得る。システムは、次に、多角形を形成するために、選択されたブロックを統合し得る。例えば、システムは、多角形を形成するために、グリッド５０８で影付きのブロックを統合し得る。あるいは、システムは、設計レイアウトの構造と矛盾するブロックを除去してもよく、多角形を得るために、残りのブロックを結合してもよい。次に、システムは、長方形５１０、５１２、５１４、５１６、および５１８等の長方形のセットを得るために、多角形を破砕し得る。
【００４６】
次に、システムは、長方形のセットの長方形を充填させる設計レイアウトにダミーフィルアレイを配置するために、ダミーフィルセルのセットを使用し得る（ステップ３１２）。一実施形態において、システムは、上部セルにダミーフィルアレイを配置し得る。尚、ダミーフィルアレイは、長方形を完全に充填しなくてもよい、つまり、ダミーフィルアレイで充填される面積は、長方形の面積未満にできる。
【００４７】
一実施形態において、システムは、最大面積を有する長方形を選択し得る。具体的に、システムは、その面積の降順で長方形をソートし得る、また、レイアウトの特徴密度が低標的密度および高標的密度の間になるまで、最大長方形から、長方形を充填し得る。
【００４８】
図６は、本発明の一実施形態に従う、ダミーフィルアレイを作成するために、ダミーフィルセルのセットが使用可能である方法を示す。
【００４９】
長方形６０２は、図４に示されるセルのセットを使用して充填可能である。具体的には、長方形６０２は、角のセル４０２、４０６、４１４、および４１８を角に配置し、端のセル４０４、４０８、４１２、および４１６を端に沿って配置し、残りの長方形を中央のセル４１０に充填することによって、充填可能である。任意にサイズ決定された長方形を充填するために、上記の技術を使用可能であることが明らかであろう。各セルの補助特徴および光近接効果補正は、長方形のサイズに関わらず、効率的であるように設計される。
【００５０】
尚、より小さいアレイはより小さい密度を有してもよく、より大きいアレイはより高い濃度を有してもよい。角のセルおよび端のセルは、サブ分解能補助特徴（ＳＲＡＦ）を含み得る。このため、中央のセルが補助特徴を持たない可能性があるため、角のセルおよび端のセルの密度は、中央のセルの密度未満であり得る、または角のセルおよび端のセルよりも少ない補助特徴を持ち得る。例えば、図４に示される３×３アレイの密度は、図６に示される４×７アレイの密度未満にし得る。一実施形態では、システムは、システムができるだけ速く特徴密度を高めることができるように、より小さい長方形を充填する前に、より大きい長方形を充填し得る。
【００５１】
一実施形態では、システムは、２つのステップでダミーフィルアレイを配置し得る。まず、システムは、ダミーフィルセルのセットを使用してダミーフィルアレイを作成し、次に、システムは、設計レイアウトにダミーフィルアレイを配置し得る。
【００５２】
具体的には、システムは、まず、セルの長方形における相対的な位置を決定し得る。例えば、図６において、システムは、左下のセル４１４の位置に対して、アレイの全セルの相対的な位置を決定し得る。次に、システムは、左下のセル４１４を、長方形６０２の左下の角６０４に配置し得る。アレイの他のセルは、次に、左下のセル４１４の位置に対するその相対的な位置を使用して、配置し得る。一実施形態では、最小のアレイサイズを３×３にし得る。
【００５３】
尚、プロセスは、全体的なアプローチまたはウィンドウベースのアプローチを使用して、ダミーフィル作業を実施し得る。全体的なアプローチにおいて、システムは、全体的な設計レイアウトのために、ダミーフィルを実施し得る。一方で、ウィンドウベースのアプローチにおいて、システムは、各ウィンドウでダミーフィルを実施し得る。
【００５４】
一実施形態では、システムは、ダミーフィルを反復的に実施し得る。例えば、システムは、その面積の降順で長方形をソートし得る。次に、システムは、最大面積を有する長方形を充填し、より小さい面積を有する長方形を段階的に（ｐｒｏｇｒｅｓｓｉｖｅｌｙ）充填することで、ダミーフィルを反復的に実施し得る。システムは、反復プロセス中に何度も特徴密度を計算してもよく（例えば、システムは、各長方形を充填した後で特徴密度を計算し得る）、レイアウト（またはウィンドウ）の特徴密度が密度の許容可能な範囲内になると、プロセスを終了してもよい。
【００５５】
図７は、本発明の一実施形態に従う、コンピュータシステムを示す。
【００５６】
コンピュータシステム７０２は、プロセッサ７０４、メモリ７０６、および格納デバイス７０８を含む。コンピュータシステム７０２は、ディスプレイ７１４、キーボード７１０、およびポインティングデバイス７１２に結合され得る。格納デバイス７０８は、アプリケーション７１６およびモジュール７２０を含み得るアプリケーション７１８を格納し得る。アプリケーション７１６および７１８は、コンピュータによって実行される場合に、ダミーフィルの実施のためのプロセスをコンピュータに実行させる、命令を含み得る。
【００５７】
動作時、コンピュータシステム７０２は、アプリケーション７１６をメモリ７０６にロードし得る。次に、システムは、ダミーフィルを実施するためにアプリケーション７１６を使用し得る。あるいは、ダミーフィル操作は、ＩＣ設計フローの他のステップを実施するために使用されるアプリケーション７１８の一部であり得る、モジュール７２０によって実行され得る。
【００５８】
（結論）
この詳細な説明に記載されているデータ構造およびコードは、通常はコンピュータ可読格納媒体に格納され、これは、コンピュータシステムによって使用されるコードおよび／またはデータを格納可能ないずれかのデバイスまたは媒体にし得る。これは、ディスクドライブ、磁気テープ、ＣＤ（コンパクトディスク）、ＤＶＤ（デジタル多用途ディスクまたはデジタルビデオディスク）、または、現在公知のあるいは将来的に開発されるコンピュータ可読媒体を格納可能な他の媒体等の、揮発性メモリ、非揮発性メモリ、磁気および光学記憶装置を含むが、これらに限定されない。
【００５９】
さらに、本発明の実施形態の上記の記載は、説明および記述を目的として示されているにすぎない。これらは、排他的であること、または本発明を開示された形態に限定することを意図するものではない。従って、当業者に、多くの修正および変更が容易に明らかであろう。さらに、上記の開示は、本発明を限定することを意図するものではない。本発明の範囲は、添付の請求項によって規定される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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