(57)【要約】  本発明は、導入された光束から近接場光を発生させて、一定方向に回転する磁気記録媒体を加熱すると共に、該磁気記録媒体に磁界を与えて磁化反転を生じさせ情報を記録させる近接場光ヘッドであって、前記磁気記録媒体の表面から所定距離だけ浮上した状態で配置され、磁気記録媒体の表面に対向する対向面を有するスライダと、前記対向面上に形成され、前記近接場光を発生させる近接場光発生素子と、前記近接場光発生素子上に形成された磁極と、前記対向面上に形成された複数の下部配線と、前記複数の下部配線を覆う位置に配置され、前記磁極に接続された薄膜状の磁気回路と、前記磁気回路の両側のうち、前記複数の下部配線が配置されている側とは逆側に配置された複数の上部配線と、前記下部配線、前記磁気回路及び前記上部配線のそれぞれを絶縁する絶縁層と、前記下部配線と前記上部配線とが交互に直列に接続されることにより前記磁気回路の周囲に巻回されたコイルとを備える。
2010519664.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導入された光束から近接場光を発生させて、一定方向に回転する磁気記録媒体を加熱すると共に、該磁気記録媒体に磁界を与えて磁化反転を生じさせ情報を記録させる近接場光ヘッドであって、
前記磁気記録媒体の表面から所定距離だけ浮上した状態で配置され、磁気記録媒体の表面に対向する対向面を有するスライダと、
前記対向面上に形成され、前記近接場光を発生させる近接場光発生素子と、
前記近接場光発生素子上に形成された磁極と、
前記対向面上に形成された複数の下部配線と、
前記複数の下部配線を覆う位置に配置され、前記磁極に接続された薄膜状の磁気回路と、
前記磁気回路の両側のうち、前記複数の下部配線が配置されている側とは逆側に配置された複数の上部配線と、
前記下部配線、前記磁気回路及び前記上部配線のそれぞれを絶縁する絶縁層と、
前記下部配線と前記上部配線とが交互に直列に接続されることにより前記磁気回路の周囲に巻回されたコイルと
を備えることを特徴とする近接場光ヘッド。
【請求項２】
前記近接場光発生素子は、前記近接場光を発生させる開口を有し
前記磁極は、前記開口を囲む縁部分の一部を構成する第１の磁極及び第２の磁極を備え、
前記第１の磁極及び前記第２の磁極は、互いに向い合わせに配置されることを特徴とする請求項１に記載の近接場光ヘッド。
【請求項３】
前記磁気回路が、前記第１の磁極と前記第２の磁極とを接続するように形成されていることを特徴とする請求項２に記載の近接場光ヘッド。
【請求項４】
前記磁気回路が前記対向面上に複数個形成されており、前記複数個の前記磁気回路の周囲を前記コイルがそれぞれ巻回していることを特徴とする請求項１に記載の近接場光ヘッド。
【請求項５】
前記磁気回路の周囲を、複数個の前記コイルが巻回していることを特徴とする請求項１あるいは４に記載の近接場光ヘッド。
【請求項６】
前記下部配線及び前記上部配線が、一本ずつ絶縁された複数の配線からなることを特徴とする請求項１に記載の近接場光ヘッド。
【請求項７】
前記第１の磁極と前記第２の磁極が分離しており、前記第1の磁極と前記第２の磁極にそれぞれ前記磁気回路が形成されており、前記磁気回路の周囲に前記コイルがそれぞれ巻回していることを特徴とする請求項２に記載の近接場光ヘッド。
【請求項８】
前記コイルは、前記上部配線及び前記下部配線の積層方向に対して直交するコイル軸の回りで巻回されており、前記コイル軸に対して直交する方向に沿う断面積のそれぞれは、略同一であることを特徴とする請求項２に記載の近接場光ヘッド。
【請求項９】
前記下部配線と前記上部配線とが、前記絶縁層の特定側面上に形成される側面配線によって交互直列に接続され、前記磁気回路の周囲に巻回された前記コイル形状を構成することを特徴とする請求項１に記載の近接場光ヘッド。
【請求項１０】
前記特定側面の少なくとも一部が、前記対向面に対し、所定の角度を持った斜面形状となっていることを特徴とする請求項９に記載の近接場光ヘッド。
【請求項１１】
前記特定側面の少なくとも一部が、階段形状となっていることを特徴とする請求項９に記載の近接場光ヘッド。
【請求項１２】
前記近接場光ヘッドを製造する工程において、前記磁気回路の幅が、前記対向面から離れる方向につれて順次減少するように形成する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の近接場光ヘッドの製造方法。
【請求項１３】
請求項１から１４のいずれか１項に記載の近接場光ヘッドと、
前記磁気記録媒体の表面に平行な方向に移動可能とされ、該磁気記録媒体の表面に平行で且つ互いに直交する２軸回りに回動自在な状態で、前記近接場光ヘッドを先端側で支持するビームと、
前記スライダに対して平行に配置された状態で該スライダに固定され、入射された光束を前記近接場発生素子に導く光束導入手段と、
前記光束導入手段に対して前記光束を入射させる光源と、
前記ビームの基端側を支持すると共に、該ビームを前記磁気記録媒体の表面に平行な方向に向けて移動させるアクチュエータと、
前記磁気記録媒体を前記一定方向に回転させる回転駆動部と、
前記コイルに電流を供給すると共に前記光源の作動を制御する制御部とを備えていることを特徴とする情報記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、近接場光を利用して磁気記録媒体に各種の情報を超高密度で記録することができる近接場光ヘッド及び該近接場光ヘッドを有する情報記録再生装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、コンピュータ機器におけるハードディスク等の容量増加に伴い、単一記録面内における情報の記録密度が増加している。例えば、磁気ディスクの単位面積当たりの記録容量を多くするためには、面記録密度を高くする必要がある。ところが、記録密度が高くなるにつれて、記録媒体上で１ビット当たりの占める記録面積が小さくなっている。このビットサイズが小さくなると、１ビットの情報が持つエネルギーが、室温の熱エネルギーに近くなり、記録した情報が熱揺らぎ等のために反転したり、消えてしまったりする等の熱減磁の問題が生じてしまう。
【０００３】
一般的に用いられてきた面内記録方式では、磁化の方向が記録媒体の面内方向に向くように磁気を記録する方式であるが、この方式では上述した熱減磁による記録情報の消失等が起こり易い。そこで、このような不具合を解消するために、記録媒体に対して垂直な方向に磁化信号を記録する垂直記録方式に移行しつつある。この方式は、記録媒体に対して、単磁極を近づける原理で磁気情報を記録する方式である。この方式によれば、記録磁界が記録膜に対してほぼ垂直な方向を向く。垂直な磁界で記録された情報は、記録膜面内においてＮ極とＳ極とがループを作り難いため、エネルギー的に安定を保ち易い。そのため、この垂直記録方式は、面内記録方式に対して熱減磁に強くなっている。
【０００４】
しかしながら、近年の記録媒体は、より大量且つ高密度情報の記録再生を行いたい等のニーズを受けて、さらなる高密度化が求められている。そのため、隣り合う磁区同士の影響や、熱揺らぎを最小限に抑えるために、保磁力の強いものが記録媒体として採用され始めている。そのため、上述した垂直記録方式であっても、記録媒体に情報を記録することが困難になっていた。
【０００５】
そこで、この不具合を解消するために、近接場光により磁区を局所的に加熱して一時的に保磁力を低下させ、その間に書き込みを行うハイブリッド磁気記録方式（近接場光アシスト磁気記録方式）が提供されている。このハイブリッド磁気記録方式は、微小領域と、近接場光ヘッドに形成された光の波長以下のサイズに形成された光学的開口との相互作用により発生する近接場光を利用する方式である。このように、光の回折限界を超えた微小な光学的開口、即ち、近接場光発生素子を有する近接場光ヘッドを利用することで、従来の光学系において限界とされていた光の波長以下となる領域における光学情報を扱うことが可能となる。よって、従来の光情報記録再生装置等を超える記録ビットの高密度化を図ることができる。
【０００６】
なお、近接場光発生素子は、上述した光学的微小開口によるものだけでなく、例えば、ナノメートルサイズに形成された突起部により構成しても構わない。この突起部によっても、光学的微小開口と同様に近接場光を発生させることができる。
【０００７】
上述したハイブリッド磁気記録方式による記録ヘッドとしては、各種のものが提供されているが、その１つとして、光スポットのサイズを縮小して記録密度の増大化を図った磁気記録ヘッドが知られている（例えば、特許文献１（特開２００４−１５８０６７）及び特許文献２（特開２００５−４９０１）参照）。
【０００８】
この磁気記録ヘッドは、主に主磁極と、補助磁極と、同一平面上で螺旋状に設けられ、その螺旋の中心軸を前記主磁極が通るような構造の導体パターンが絶縁体の内部に形成されたコイル巻線と、照射されたレーザ光から近接場光を発生させる金属散乱体と、金属散乱体に向けてレーザ光を照射する平面レーザ光源と、照射されたレーザ光を集束させるレンズとを備えている。これら各構成品は、ビームの先端に固定されたスライダの先端面に取り付けられている。
【０００９】
主磁極は、一端側が記録媒体に対向した面となっており、他端側が補助磁極に接続されている。つまり、主磁極及び補助磁極は、１本の磁極（単磁極）を垂直方向に配置した単磁極型垂直ヘッドを構成している。また、コイル巻線は、主磁極と補助磁極との間を一部が通過するように補助磁極に固定されている。これら主磁極、補助磁極及びコイル巻線は、全体として電磁石を構成している。
【００１０】
主磁極の先端には、金等からなる上記金属散乱体が取り付けられている。また、金属散乱体から離間した位置に上記平面レーザ光源が配置されると共に、該平面レーザ光源と金属散乱体との間に上記レンズが配置されている。
【００１１】
上述した各構成品は、スライダの先端面側から、補助磁極、コイル巻線、主磁極、金属散乱体、レンズ、平面レーザ光源の順に取り付けられている。
【００１２】
このように構成された磁気記録ヘッドを利用する場合には、近接場光を発生させると同時に記録磁界を印加することで、記録媒体に各種の情報を記録している。
【００１３】
即ち、平面レーザ光源からレーザ光を照射させる。このレーザ光は、レンズによって集束され、金属散乱体に照射される。すると金属散乱体は、内部の自由電子がレーザ光の電場によって一様に振動させられるのでプラズモンが励起されて先端部分に近接場光を発生させる。その結果、記録媒体の磁気記録層は、近接場光によって局所的に加熱され、一時的に保磁力が低下する。
【００１４】
また、上記レーザ光の照射と同時に、コイル巻線の導体パターンに駆動電流を供給することで、主磁極に近接する記録媒体の磁気記録層に対して記録磁界を局所的に印加する。これにより、保磁力が一時的に低下した磁気記録層に各種の情報を記録することができる。つまり、近接場光と磁場との協働により、記録媒体への記録を行うことができる。
【００１５】
更に、上述した磁気記録ヘッドに対して、さらに予熱機構を組み合わせた磁気記録ヘッドも知られている（例えば、特許文献３（特開２００５―７８６８９）参照）。
【００１６】
この磁気記録ヘッドは、上述した主磁極と補助磁極との間に、予熱機構である抵抗ヒータを備えている。この抵抗ヒータは、主磁極及び金属散乱体に比べて先端面積が大きいので、加熱する対象領域が広く温度勾配が低い。そのため、抵抗ヒータは、記録媒体の磁気記録層に対して、予め予熱する程度の熱しか加えることができないようになっている。
【００１７】
このように構成された磁気記録ヘッドによれば、予め抵抗ヒータによって磁気記録層を予熱できるので、近接場光を発生させる金属散乱体における発熱を低減することができる。よって、温度上昇による金属散乱体の劣化や、損傷の可能性等を低下させることができ、耐久性の向上化を図ることができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
しかしながら、上述した従来の磁気記録ヘッドには、まだ以下の課題が残されていた。即ち、上記特許文献１及び２に記載されている磁気記録ヘッドでは、平面レーザ光源から金属散乱体にレーザ光を照射することで近接場光を発生させているが、該近接場光を効率良く発生させるためには、できるだけ金属散乱体の先端にレーザ光を照射する必要がある。
【００１９】
その一方、レーザ光、レンズや平面レーザ光源を、記録媒体に対して干渉しないように配置する必要がある。
【００２０】
そのため、特許文献１に記載されている磁気記録ヘッドは、平面レーザ光源から金属散乱体に向けて斜めにレーザ光を照射すると共に半円形状のレンズを使用することで、上述した条件を満足させている。
【００２１】
ところが、この条件を満足させるために、金属散乱体に対してレーザ光の光軸が斜めになると共に半円形状のレンズを使用せざるを得なかった。そのため、効率良く近接場光を発生させることが難しくなってしまい、レーザ光の出力を上げざるを得なかった。その結果、レーザ平面光源や金属散乱体が過度に発熱する恐れがあり、信頼性に劣るものであった。
【００２２】
また、主磁極に対して所定の間隔を空けた状態で、レンズ及びレーザ平面光源を平行に配置する必要があるが、実際上スライダの先端にこのような配置で作りこむことは困難であり、仮に作りこめたとしてもコンパクトにまとめることができず、小型化を図ることが難しいものであった。
【００２３】
なお、平面レーザ光源やレンズに代えて光導波路を使用したり、ミラーを利用することでレーザ光を金属散乱体に向けて直線で照射させたりすることも考えられるが、より構成が複雑化してしまいやはり小型化を図ることが難しいものであった。
【００２４】
更に、金属散乱体は、走査方向の最後端に位置するように主磁極の外側に設けられているので、磁気記録層に情報を記録する際に、記録磁界を印加している位置に対して効率良く加熱を行うことが困難なものであった。つまり、記録媒体の回転に伴って磁気記録層は、補助磁極、磁極、金属散乱体の順に移動するので、近接場光で加熱される前に記録磁界が印加されてしまう。そのため、記録磁界が印加された領域外に、近接場光による加熱温度のピーク位置がきてしまい、書き込みの信頼性が劣るものであった。
【００２５】
特に、近接場光による温度勾配は、記録媒体の走査方向に対して遅れる傾向にあるので、加熱温度のピーク位置が金属散乱体の真下からずれてしまうと考えられる。この点を考慮すると、実際には加熱温度のピーク位置が記録磁界の印加領域からさらに外れる方向にずれてしまい、正確な書き込みを行えない可能性が高かった。
【００２６】
一方、特許文献３に記載されている磁気記録ヘッドは、主磁極と補助磁極との間に抵抗ヒータ等の予熱機構を備えているので、上述した近接場光を発生させる効率性の問題点、書き込みの信頼性の問題点を解消する構成にはなっているが、その反面、構成品としてさらに予熱機構が加わるので、構成がさらに煩雑になり大型化してしまう不都合があった。
【００２７】
一方、特許文献１と２と３に記載されている磁気記録ヘッドは、同一平面上に導体を螺旋状に巻いたコイル巻線構造を有する。そのコイルの中心軸上で発生する磁界強度は、以下の式(1)で説明することができる。Hは磁界、iはコイルに流れる電流、ｒはコイルの中心軸から巻線までの距離である。
H＝i/２r                                    (１)                              
磁界強度Ｈはｒに反比例するので、ｒが大きければ大きいほどＨは小さくなり、コイル中心軸から近い巻線と遠い巻線の発生する磁界強度の差が大きい。そのため、流す電流iに対する発生磁界の損失が大きく、磁界発生効率が比較的に悪い。
【００２８】
そこで、本発明は以上の点に鑑みてなされたものであり、小型化を図りながら近接場光を効率良く発生させることができると共に、より強力かつ高効率の磁界を発生させることができる近接場光ヘッドを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２９】
上記課題を解決するために本発明の近接場光ヘッドは、導入された光束から近接場光を発生させて、一定方向に回転する磁気記録媒体を加熱すると共に、該磁気記録媒体に磁界を与えて磁化反転を生じさせ情報を記録させる近接場光ヘッドであって、前記磁気記録媒体の表面から所定距離だけ浮上した状態で配置され、磁気記録媒体の表面に対向する対向面を有するスライダと、前記対向面上に形成され、前記近接場光を発生させる近接場光発生素子と、前記近接場光発生素子上に形成された磁極と、前記対向面上に形成された複数の下部配線と、前記複数の下部配線を覆う位置に配置され、前記磁極に接続された薄膜状の磁気回路と、前記磁気回路の両側のうち、前記複数の下部配線が配置されている側とは逆側に配置された複数の上部配線と、前記下部配線、前記磁気回路及び前記上部配線のそれぞれを絶縁する絶縁層と、前記下部配線と前記上部配線とが交互に直列に接続されることにより前記磁気回路の周囲に巻回されるコイルとを備えることを特徴とするものである。
【００３０】
また本発明は、前記近接場光発生素子が前記近接場光を発生させる開口を有し、前記磁極が前記開口を囲む縁部分の一部を構成する第１の磁極及び第２の磁極を備え、前記第１の磁極及び前記第２の磁極は、互いに向い合わせに配置されることを特徴とするものである。
【００３１】
また本発明は、前記磁気回路が、前記第１の磁極と前記第２の磁極とを接続するように形成されていることを特徴とするものである。
【００３２】
また本発明は、前記磁気回路が前記対向面上に複数個形成されており、前記複数個の前記磁気回路の周囲を前記コイルがそれぞれ券回していることを特徴とするものである。
【００３３】
また本発明は、前記磁気回路の周囲を、複数個の前記コイルが券回していることを特徴とするものである。
【００３４】
また本発明は、前記下部配線及び前記上部配線が、一本ずつ絶縁された複数の配線からなることを特徴とするものである。
【００３５】
また本発明は、前記第１の磁極と前記第２の磁極が分離しており、前記第1の磁極と前記第２の磁極にそれぞれ前記磁気回路が形成されており、前記磁気回路の周囲に前記コイルがそれぞれ巻回していることを特徴とするものである。
【００３６】
また本発明は、前記コイルが、前記上部配線及び前記下部配線の積層方向に対して直交するコイル軸の回りで巻回されており、前記コイル軸に対して直交する方向に沿う断面積のそれぞれが、略同一であることを特徴とするものである。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明に係る近接場光ヘッドを有する情報記録再生装置の第１実施形態を示す構成図である。
【図２】図１に示す近接場光ヘッドの拡大断面図と、コアを中心とした拡大断面図である。
【図３】図２に示す近接場光ヘッドを、ディスク面側から見た図である。
【図４】図３に示す近接場光ヘッドのコアを端面側から見た斜視図である。
【図５】図３に示す近接場光ヘッドの磁気記録部の拡大図と、コイルと磁気回路の断面を示す断面図である。
【図６】図５に示すコイルと磁気回路の製造方法を示す断面図である。
【図７】本発明に係る近接場光ヘッドの第２実施形態を示す、磁気記録部のディスク面側から見た拡大図である。
【図８】本発明に係る近接場光ヘッドの第３実施形態を示す、磁気記録部のディスク面側から見た拡大図である。
【図９】本発明に係る近接場光ヘッドの第４実施形態を示す磁気記録部のディスク面側から見た拡大図と断面図である。
【図１０】図９に示す磁気回路の製造方法を示す断面図である。
【図１１】本発明に係る近接場光ヘッドの第５実施形態を示す、磁気記録部のディスク面側から見た拡大図である。
【図１２】本発明に係る近接場光ヘッドの第６実施形態を示す、磁気記録部のディスク面側から見た拡大図と、コイルと磁気回路の断面を示す断面図である。
【図１３】図１２に示す磁気記録部のコイルと磁気回路の断面を示す断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
（実施の形態１）
以下、本発明に係る近接場光ヘッド及び情報記録再生装置の第１実施形態を、図１から図６を参照して説明する。なお、本実施形態の情報記録再生装置１は、磁気記録層ｄ３を有するディスク（磁気記録媒体）Ｄに対して、面内記録方式で書き込みを行う場合を例に
挙げて説明する。
【００３９】
図１に本実施形態の情報記録再生装置１の概略を示す。情報記録再生装置１は、近接場光ヘッド２と、ディスクDの表面（磁気記録媒体の表面）に平行なＸＹ方向に移動可能とされ、ディスクＤの表面に平行で且つ互いに直交する２軸（Ｘ軸、Ｙ軸）回りに回動自在な状態で近接場光ヘッド２を先端側で支持するビーム３と、光導波路４の基端側から該光導波路４に対して光束Ｌ（図２にしめす）を入射させる光信号コントローラ（光源）５と、ビーム３の基端側を支持すると共に、該ビーム３をディスクＤの表面に平行なＸＹ方向に向けてスキャン移動させるアクチュエータ６と、ディスクＤを一定方向に回転させるスピンドルモータ（回転駆動部）７と、情報に応じて変調した電流を後述するコイル２１に対して供給すると共に、光信号コントローラ５の作動を制御する制御部８と、これら各構成品を内部に収容するハウジング９とを備えている。
【００４０】
ハウジング９は、アルミニウム等の金属材料により、上面視四角形状に形成されていると共に、内側に各構成品を収容する凹部９ａが形成されている。また、このハウジング９には、凹部９ａの開口を塞ぐように図示しない蓋が着脱可能に固定されるようになっている。凹部９ａの略中心には、上記スピンドルモータ７が取り付けられており、該スピンドルモータ７に中心孔を嵌め込むことでディスクＤが着脱自在に固定される。凹部９ａの隅角部には、上記アクチュエータ６が取り付けられている。このアクチュエータ６には、軸受１０を介してキャリッジ１１が取り付けられており、該キャリッジ１１の先端にビーム３が取り付けられている。そして、キャリッジ１１及びビーム３は、アクチュエータ６の駆動によって共に上記ＸＹ方向に移動可能とされている。なお、キャリッジ１１及びビーム３は、ディスクＤの回転停止時にアクチュエータ６の駆動によって、ディスクＤ上から退避するようになっている。また、近接場光ヘッド２とビーム３とで、サスペンション１２を構成している。また、光信号コントローラ５は、アクチュエータ６に隣接するように凹部９ａ内に取り付けられている。そして、このアクチュエータ６に隣接して、上記制御部８が取り付けられている。
【００４１】
図２（ａ）には上記近接場光ヘッド２とディスクＤの断面図を、図２（ｂ）には図２（ａ）のコア１６とその近傍の拡大図を示し、近接場光ヘッド２の詳細な構造を説明する。
【００４２】
上記近接場光ヘッド２は、導入された光束Ｌから近接場光Ｒを発生させてディスクＤを加熱すると共に、ディスクＤに磁界を与えて磁化反転を生じさせ情報を記録させるものである。即ち、近接場光ヘッド２は、ディスク面Ｄ１から所定距離Ｈだけ浮上した状態で配置され、ディスク面Ｄ１に対向する対向面１５ａを有するスライダ１５と、該スライダ１５に固定され、近接場光Ｒを発生させるコア１６と、コア１６内に光束Ｌを導入させる光束導入手段１７と、コア１６に形成された第１の磁極１８及び第２の磁極１９と、両磁極１８、１９を接続する磁気回路２０とを備えている。
【００４３】
スライダ１５は、石英ガラス等の光透過性材料によって、略直方体状に形成されている。このスライダ１５は、対向面１５ａをディスクＤに対向させた状態で、ジンバル部２５を介してビーム３の先端にぶら下がるように支持されている。このジンバル部２５は、ディスク面Ｄ１に垂直なＺ方向、Ｘ軸回り及びＹ軸回りにのみ変位するように動きが規制された部品である。これによりスライダ１５は、上述したようにディスク面Ｄ１に平行で且つ互いに直交する２軸（Ｘ軸、Ｙ軸）回りに回動自在とされている。
【００４４】
スライダ１５の対向面１５aには、回転するディスクＤによって生じた空気流の粘性から、浮上するための圧力を発生させる凸状部１５ｂが形成されている。本実施形態では、レール状に並ぶように、長手方向に沿って延びた凸状部１５ｂを２つ形成している場合を例にしている。但し、この場合に限定されるものではなく、スライダ１５をディスク面Ｄ１から離そうとする正圧とスライダ１５をディスク面Ｄ１に引き付けようとする負圧とを調整して、スライダ１５を最適な状態で浮上させるように設計されていれば、どのような凹凸形状でも構わない。なお、この凸状部１５ｂの表面はＡＢＳ（Air Bearing Surface）と呼ばれる。
【００４５】
スライダ１５は、この２つの凸状部１５ｂによってディスク面Ｄ１から浮上する力を受けていると共に、ビーム３によってディスク面Ｄ１側に押さえ付けられる力を受けている。スライダ１５は、この両者の力のバランスによって、上述したようにディスク面Ｄ１から所定距離Ｈ離間した状態で浮上するようになっている。
【００４６】
更に、コア１６の端面１６ｂは、光束Ｌが内部に導入されたときに近接場光Ｒを発生させるサイズに形成されている。即ち、コア１６の端面１６ｂの開口サイズは、光束Ｌの波長よりも遥かに微細なサイズ（例えば、一辺が数十ｎｍ程度のサイズ）となるように設計されており、通常の伝播光を透過させることがないが、近接場光Ｒを近傍に漏れ出させることを可能にしている。
【００４７】
また、スライダ１５の上面には、コア１６の真上に当たる位置にレンズ２６が形成されている。このレンズ２６は、例えば、グレースケールマスクを用いたエッチングによって形成される非球面のマイクロレンズである。更に、スライダ１５の上面には、光ファイバー等の光導波路４が取り付けられている。この光導波路４は、先端が略４５度にカットされたミラー面４ａとなっており、該ミラー面４ａがレンズ２６の真上に位置するように取り付け位置が調整されている。そして、光導波路４は、ビーム３及びキャリッジ１１等を介して光信号コントローラ５に引き出されて接続されている。
【００４８】
これにより光導波路４は、光信号コントローラ５から入射された光束Ｌを先端側まで導き、ミラー面４ａで反射させて向きを変えた後、レンズ２６に出射することができるようになっている。また、出射された光束Ｌは、レンズ２６によって集束した後、スライダ１５を透過してコア１６の底面１６ａに導入されるようになっている。即ち、光導波路４及びレンズ２６は、上述した光束導入手段１７を構成している。
【００４９】
また、スライダ１５の先端面１５ｃには、図２及び図３に示すように、ディスクＤの磁気記録層ｄ３から漏れ出ている磁界の大きさに応じて電気抵抗が変換する磁気抵抗効果膜２７が形成されている。この磁気抵抗効果膜２７は、コア１６の端面１６ｂと略同じ幅で形成されている。また、この磁気抵抗効果膜２７には、図示しないリード膜等を介して制御部８からバイアス電流が供給されている。これにより制御部８は、ディスクＤから漏れ出た磁界の変化を電圧の変化として検出することでき、この電圧の変化から信号の再生を行っている。即ち、磁気抵抗効果膜２７は、再生素子として機能している。
【００５０】
また、本実施形態のディスクＤは、図２に示すように、基板ｄ１上に下地層ｄ２、磁気記録層ｄ３、保護層ｄ４及び潤滑層ｄ５が順に成膜されたものである。基板ｄ１としては、例えば、アルミ基板やガラス基板等である。下地層ｄ２は、磁気記録層ｄ３が薄くても良好な磁気特性をだすためのもので、例えばＣｒ合金系が使用される。磁気記録層ｄ３は、保磁力を高めるため、例えばＣｏＣｒＰｔＴａやＣｏＣｒＰｔＢ等のＣｏＣｒ系合金が使用される。保護層ｄ４は、磁気記録層ｄ３を保護するためのもので、例えばＤＬＣ（ダイヤモンド・ライク・カーボン）膜が使用される。潤滑層ｄ５は、例えば、フッ素系の液体潤滑材が使用される。
【００５１】
図３には、近接場光ヘッド２の対向面１５上の構造を示す。また、図４にはコア１６の拡大図を示す。
【００５２】
図３及び図４に示すように、コア１６に形成された４つの側面１６ｃのうち、ディスクＤの移動方向に沿うように並んだ互いに向い合う２つの側面（底面１６ａ及び端面１６ｂが有する４つのうち互いに平行な対辺のうちの１辺をそれぞれ有した状態で向い合う側面）１６ｃ上には、上記第１の磁極１８及び第２の磁極１９が形成されている。両磁極１８、１９は、例えば、磁性体材料を蒸着等の薄膜成膜技術によって側面１６ｃ上に形成されたものである。このように、第１の磁極１８及び第２の磁極１９が開口を介して互いに向い合わせに配置されることにより、近接場光がディスクＤに照射される領域と磁極からの漏れ磁束がディスクＤに照射される領域とをより一致させることができるため、近接場光及び磁界の広がりを抑制して書き込みの信頼性を向上することができる。
【００５３】
上記コア１６は、スライダ１５と同様に石英ガラス等の光透過性材料で形成されており、図４に示すように、底面１６ａと端面１６ｂと４つの側面（複数の側面）１６ｃとを有する四角錐台状に形成されている。具体的には、互いに平行な辺を有するように平面視長方形状に形成された底面１６ａと、該底面１６ａより小さな面積で同一形状（平面視長方形状）に形成され、底面１６ａから所定距離離間した位置に配された端面１６ｂと、底面１６ａ及び端面１６ｂの頂点をそれぞれ結んで形成された４つの側面１６ｃとを有するように加工されている。
【００５４】
但し、コア１６としては、４つの側面１６ｃを有する場合に限定されるものではなく、平面視多角形状（例えば、６角形状や８角形状）の底面及び端面と、これら底面及び端面のそれぞれの頂点を結ぶ複数の側面（例えば、底面及び端面が６角形状の場合には６面）とを有するコアとしても構わない。即ち、底面及び端面が平面視多角形状に形成された角錐台状のコアであれば構わない。なお、底面及び端面は、共に同じ形状でなくても構わない。
【００５５】
このように構成されたコア１６は、図２に示すように、底面１６ａをスライダ１５の対向面１５ａに面接触させた状態で固定されている。この際、互いに対向する２つの側面１６ｃが、スライダ１５の長手方向、即ち、ディスクＤの移動方向に沿って並ぶように固定されている。なお、コア１６とスライダ１５とをそれぞれ別々に作製した後、互いを固定しても構わないし、石英ガラス等から一体的に作製しても構わない。特に、一体的に作製することで、製造工程の簡略化、製造時間の短縮化等を図ることができるので、より好ましい。
【００５６】
また、底面１６ａを対向面１５ａに面接触させているので、コア１６の端面１６ｂも同様にスライダ１５の対向面１５ａ及びディスク面Ｄ１に対して平行状態となっている。この際、端面１６ｂの高さが凸状部１５ｂの高さと同じになるように、コア１６の高さが設定されている。
【００５７】
ここでコア１６の端面１６ｂは、上述したように底面１６ａよりも小さいサイズで該底面１６ａと同じ形状に形成されているので、４つの側面１６ｃは端面１６ｂに向かうにしたがって向い合う側面１６ｃとの間隔が漸次狭まる斜面状態となっている。特に、コア１６の端面１６ｂのサイズは、近接場光Ｒを発生させる極微小サイズであるので、端面１６ｂにおける両磁極１８、１９の間隔（磁気ギャップ）Ｇは非常に近接した状態となっている。つまり、微小な磁気ギャップＧとなっている。
【００５８】
また、磁気回路２０は、図３に示すように、磁性材料によりスライダ１５内にパターニングされて形成されている。この磁気回路２０は、両端がそれぞれ第１の磁極１８及び第２の磁極１９に接続されている。
【００５９】
そして、コイル２１は、磁気回路２０の一部の周囲を螺旋状に巻回した状態で、形成されている。この際コイル２１は、ショートしないように、隣り合う線材間、磁気回路２０との間が絶縁状態とされている。また、このコイル２１は、ビーム３やキャリッジ１１を介して制御部８に電気的に接続されており、該制御部８から情報に応じて変調された電流が供給されるようになっている。即ち、磁気回路２０及びコイル２１は、全体として電磁石を構成している。
【００６０】
図５（a）にコイル２１の磁気回路２０に巻回されている詳細な様子を示す。また、図５（ｂ）には図５（a）のＡ−Ａ´での断面図を、図５（ｃ）にはＢ−Ｂ´の断面図を示す。コイル２１は、略円筒上に導体を螺旋状に巻いたコイル、いわゆる、ソレノドコイル構造と類似な構造となっている。
【００６１】
このように、従来の構成のように同一平面上においてコイル２１が螺旋状に巻かれている構成ではなく、コイル２１が磁気回路２０に巻かれる構成である。これにより、コイル２１の１巻分のコイル（単コイル）の大きさが他の単コイルの大きさと略同じとなり、一の単コイルによって発生する磁界強度が他の単コイルによって発生する磁界強度よりも極端に低減することがなくなるため、従来の構造よりもコイル２１の全体の磁界強度を高めることができる。すなわち、従来の磁気記録ヘッドに搭載されている平面上に導体を螺旋状に巻いたコイル構造よりも、コイル２１に流す電流に対する発生磁界の損失が少なくなり、より強力かつ高効率の磁界を発生させることができる。
【００６２】
次に、このように構成された情報記録再生装置１により、ディスクＤに各種の情報を記録再生する場合について以下に説明する。
【００６３】
まず、スピンドルモータ７を駆動させてディスクＤを一定方向に回転させる。次いで、アクチュエータ６を作動させて、キャリッジ１１を介してビーム３をＸＹ方向にスキャンさせる。これにより、図１に示すように、ディスクＤ上の所望する位置に近接場光ヘッド２を位置させることができる。この際、近接場光ヘッド２は、スライダ１５の対向面１５ａに形成された２つの凸状部１５ｂによって浮上する力を受けると共に、ビーム３等によってディスクＤ側に所定の力で押さえ付けられる。近接場光ヘッド２は、この両者の力のバランスによって、図２に示すようにディスクＤ上から所定距離Ｈ離間した位置に浮上する。
【００６４】
また、近接場光ヘッド２は、ディスクＤのうねりに起因して発生する風圧を受けたとしても、ジンバル部２５によってＺ方向、ＸＹ軸回りに変位することができるようになっているので、うねりに起因する風圧を吸収することができる。そのため、近接場光ヘッド２を安定した状態で浮上させることができる。
【００６５】
ここで、情報の記録を行う場合、制御部８は光信号コントローラ５を作動させると共に、情報に応じて変調した電流をコイル２１に供給する。
【００６６】
光信号コントローラ５は、制御部８からの指示を受けて光束Ｌを光導波路４の基端側から入射させる。入射した光束Ｌは、光導波路４内を先端側に向かって進み、図２に示すようにミラー面４ａで略９０度向きを変えて光導波路４内から出射する。出射した光束Ｌは、レンズ２６によって集束された状態でスライダ１５内部を透過すると共に、レンズ２６の略真下に設けられたコア１６の内部に底面１６ａ側から入射する。つまり、光束Ｌは、光束導入手段１７によってスライダ１５の上面側から一直線にコア１６に向かって導入される。
【００６７】
コア１６の内部に導入された光束Ｌは、底面１６ａ側から端面１６ｂ側に向かって進み、図２（ｂ）に示すように、ディスク面Ｄ１に対向する端面１６ｂから近接場光Ｒとして外部に漏れ出す。つまり、コア１６の端面１６ｂから近接場光Ｒを発生させることができる。
【００６８】
このように、スライダ１５の上面側からコア１６の端面１６ｂに向けて略一直線に光束Ｌを導入できるので、従来の光の入れ方とは異なり光束Ｌをスライダ１５の上面から容易に導入できると共に、効率良く近接場光Ｒを発生させることができる。この近接場光Ｒによって、ディスクＤの磁気記録層ｄ３は局所的に加熱されて一時的に保磁力が低下する。
【００６９】
なお、コア１６の側面１６ｃに形成された両磁極１８、１９を光非透過性の材料から形成することが好ましい。こうすることで、両磁極１８、１９が形成された側面１６ｃからコア１６の外部に光束Ｌが漏れてしまうことを防止でき、光束Ｌを端面１６ｂにより集光させて、近接場光Ｒを効率良く発生させることができる。
【００７０】
一方、制御部８によってコイル２１に電流が供給されると、電磁石の原理により電流磁界が磁気回路２０内に磁束を発生させるので、両磁極１８、１９間に磁界が生じる。これにより、両磁極１８、１９間の磁気ギャップＧには、図２（ｂ）に示すようにディスクＤに向けて磁界が漏れ出す。この際、上述したように磁気ギャップＧは、コア１６の側面１６ｃに両磁極１８、１９が形成されていることで、微小な隙間となっている。そのため、磁気ギャップＧに発生した漏れ磁界は、ディスクＤの磁気記録層ｄ３に対して局所的に作用する。
【００７１】
これにより、近接場光Ｒによって保磁力が低下した磁気記録層ｄ３の局所的な位置に対して、ピンポイントで漏れ磁界を作用させることができる。なお、この漏れ磁界は、記録する情報に応じて向きが反転する。
【００７２】
そして、ディスクＤの磁気記録層ｄ３は、漏れ磁界を受けると、漏れ磁界の向きに応じて磁化の方向が反転する。その結果、ディスクＤに情報の記録を行うことができる。つまり、近接場光Ｒと両磁極１８、１９で発生した漏れ磁界とを協働させた、近接場光アシスト磁気記録方式により情報の記録を行うことができる。
【００７３】
次に、ディスクＤに記録された情報を再生する場合には、スライダ１５の先端面１５ｃに形成されている磁気抵抗効果膜２７が、ディスクＤの磁気記録層ｄ３から漏れ出ている磁界を受けて、その大きさに応じて電気抵抗が変化する。よって、磁気抵抗効果膜２７の電圧が変化する。これにより制御部８は、ディスクＤから漏れ出た磁界の変化を電圧の変化として検出することができる。そして制御部８は、この電圧の変化から信号の再生を行うことで、情報の再生を行うことができる。
【００７４】
また、近接場光Ｒを発生させるコア１６は、底面１６ａ及び端面１６ｂがディスク面Ｄ１やスライダ１５の対向面１５ａと平行になるように設けられているので、光束導入手段１７はスライダ１５の上面から光束Ｌを容易且つ確実に導入することができる。
【００７５】
また、スライダ１５の対向面１５ａにコア１６を固定すると共に、コア１６の側面１６ｃに両磁極１８、１９を形成するだけで、近接場光Ｒの発生と漏れ磁界の発生とを同時に達成することができるので、従来のように複雑な構成にすることなく、シンプルな構造にすることができる。よって、構成を簡略化することができ、小型化を図ることができる。
【００７６】
また、コア１６の底面１６ａ側から導入された光束Ｌは、自然と端面１６ｂに向かうので効率良く近接場光Ｒを発生させることができる。よって、近接場光Ｒと漏れ磁界とをより効率良く協働させることができる。
【００７７】
更に、従来とは異なり、両磁極１８、１９の間で近接場光Ｒを発生させることができるので、漏れ磁界が作用する範囲内に、近接場光Ｒによる加熱温度のピーク位置を入れることができる。特に、漏れ磁界のピーク位置に対して、近接場光Ｒによる加熱の温度勾配のピーク位置がずれるとしても、加熱温度のピーク位置を漏れ磁界の範囲内に留めておくことができる。従って、ディスクＤの局所的な位置に対して確実に記録を行うことができ、信頼性の向上及びディスクのさらなる高記録密度化を図ることができる。また、第１の磁極１８及び第２の磁極１９がディスクＤの移動方向に沿って並んでいるので、両磁極１８、１９を確実にディスクＤのトラック上に位置させることができる。従って、隣接するトラックに記録された情報に影響を与えることなく、所望するトラックに対して情報を正確に記録することができる
図６は磁気回路２０に巻回されるコイル２１の製造方法の概略図である。図６（ａ）は図５（a）のＡ−Ａ´断面を、図６（ｂ）は図５（a）のＢ−Ｂ´断面を示す。Ｓ１からＳ６の各行は作製ステップを示す。まずステップＳ１で、スライダ１５の対向面１５aのコア１６近傍に下部配線２１aを導電性材料、例えば、Ａｕなどを用い形成する。下部配線２１aの成膜はスパッタリングや真空蒸着などの手段で形成することができる。下部配線２１aのパターニングは、導電性材料を成膜し、その上にフォトレジストをパターングした後、ドライエッチング法またはウエットエッチング法を用い、行うことができる。また、下部配線２１aのパターニングの他の手段として、対向面１５a上にフォトレジストをパターニングし、前記パターニングされたフォトレジスト上に導電性材料を成膜した後、リフトオフする方法もある。
【００７８】
次にステップＳ２において、下部配線２１aと磁気回路２０の間に配置する下部絶縁層２２aを形成する。下部絶縁層２２aは、例えば、ＳＵ−８のようなフォトレジストなどを用いれば、容易に形成することができる。また、下部絶縁層２２aの形成後、上面２２ｃを研磨してもしなくても良いが、研磨をした場合は上面２２ｃが平坦化されることで、常に均一な膜厚を得ることができ、且つパターン精度の良い磁気回路２０を下部絶縁層の上に形成することができる。
【００７９】
次にステップＳ３において、下部絶縁層２２aの上に磁気回路２０を、パーマロイなどの磁性材料を用い形成する。磁気回路２０の成膜はスパッタリングや真空蒸着などの手段で行う。磁気回路２０のパターニングは、磁性材料を成膜し、その上にフォトレジストをパターングした後、ドライエッチング法またはウエットエッチング法を用い、行うことができる。また、磁気回路２０のパターニングの他の手段として、下部絶縁層２２aの上にフォトレジストをパターニングし、前記パターニングされたフォトレジスト上に磁性材料を成膜した後、リフトオフする方法もある。次にステップＳ4において、磁気回路２０と上部配線２１ｂとの絶縁のため、上部絶縁層２２ｂを上記下部絶縁層２２ａとほぼ同様な材料と方法で形成する。また、上部絶縁層２２ｂは、その形成後上面２２ｄを研磨してもしなくても良いが、研磨をした場合は上面２２ｄが平坦化されることで、常に均一な膜厚を形成することができ、パターン精度の良い上部配線２１ｂと側面配線２１ｃ（図省略）を上部絶縁層２２ｂの上面と側面に形成することができる。
【００８０】
次にステップＳ５において、上部配線２１ｂを下部配線２１ａと同様な材料と方法で形成する。上部配線２１ｂと側面配線２１ｃは、一つのフォトレジストを用い同時に形成することもできるし、または、先に側面配線２１ｃのみフォトレジストパターニングを行い形成した後、次に上部配線２１ｂを形成しても良い。
【００８１】
最後にステップＳ６において、上記まで作製したコイル構造２１を全部覆うような外部絶縁層２２eを、上記の上下部絶縁層２２aと２２ｂの形成に用いた同様な材料と方法で形成する。
【００８２】
上述したように本実施形態の近接場光ヘッド２によれば、小型化を図りながら近接場光Ｒを効率良く発生させることができると共に、より強力かつ高効率の磁界を発生させることができ、書き込みの信頼性を向上することができる。
【００８３】
また、本実施形態の情報記録再生装置１によれば、上述した近接場光ヘッド２を備えているので、該情報記録再生装置１自体の小型化も図ることができ、また、書き込みの信頼性が高まって高品質化を図ることができる。
【００８４】
また、近接場光ヘッド２のコア１６は、側面１６ｃと両磁極１８、１９との間にそれぞれ金属膜が形成されてもよく、両磁極１８、１９が形成された側面１６ｃ以外の全ての側面１６ｃ上に金属膜が形成されていても良い。側面１６ｃ上に形成された金属膜表面から表面プラズモンが励起され、光強度の強い近接場光Ｒとなって外部に漏れ出す。コア１６の内部に導入された光束Ｌは端面１６ｂに向かう途中でコア１６の外部に漏れることがない。従って、光束Ｌを無駄なく端面１６ｂに集光することができ、より効率良く光強度の強い近接場光Ｒを発生することができる。その結果、ディスクＤをより効率良く加熱することができ、情報の記録をさらに容易に行うことができる。
【００８５】
また、上記各実施形態では、面内記録方式で記録を行う場合を例にして説明したが、この記録方式に限られず、垂直記録方式にも適用可能なものである。
【００８６】
なお、本実施形態では、コイル２１は、上部配線２１ｂ及び下部配線２１ａの積層方向に対して直交するコイル軸の回りで巻回されており、コイル軸に対して直交する方向に沿う断面積のそれぞれは、略同一であるものとして説明した。この場合において、当該「略同一」 には、断面積のそれぞれが完全同一のみならずに、断面積のそれぞれが他の断面積に対して±５％以内に属するものも含まれる。
（実施の形態２）
次に、本発明に係る近接場光ヘッドの第２実施形態について、図７を参照して説明する。なお、第２実施形態において第１実施形態と同一の構成については、同一の符号を付しその説明を省略する。
【００８７】
図５（a）には磁気回路２０を単体のコイル２１が巻回している構造を示しているが、図７には対向面１５ａ上に磁気回路を、２０ａと２０ｂのように、複数設けた構造を示す。そうすることで、コイル２１を磁気回路２０ａと２０ｂ両方に巻回することができ、図５（ａ）に示す構造と同様な磁界発生効果が得られると共に、図５（ａ）に示す構造に比べより強力な漏れ磁界を磁極１８と１９の間に発生させることができ、より安定的な磁気記録が可能になる。
【００８８】
また、製造方法においても、図５（a）構造の作製時に用いるフォトマスクに、複数の磁気回路とコイル作製パターンを設けることだけで、作製工程が増えることなく、図５（a）構造の作製方法とほぼ同一方法で、図７に示す構造を効率よく作製することができる。
【００８９】
また、磁気回路２０ａと２０ｂの一部ではなく、ほぼ全体の周囲を単体コイル２１で巻回する構造も可能である。
（実施の形態３）
次に、本発明に係る近接場光ヘッドの第３実施形態について、図８を参照して説明する。なお、第３実施形態において第１実施形態と第２実施形態と同一の構成については、同一の符号を付しその説明を省略する。
【００９０】
図８（ａ）には、単体の磁気回路２０の周囲を複数のコイル２１がそれぞれ巻回している構造の一例を示す。その効果については、図５（ａ）に示す構造より更に強力な漏れ磁界を磁極１８と１９の間に発生させることができ、より安定的な磁気記録が可能になる。
【００９１】
また、作製方法に関しても、作製時に用いるフォトマスクのコイル作製パターンのみを複数に変更するだけで、図５（ａ）構造の作製方法と同様な方法で効率よく作製することができる。
【００９２】
また、図８（ｂ）には、複数の磁気回路２０ａと２０ｂの周囲を複数のコイル２１がそれぞれ巻回している構造の一例を示す。その効果については、図７に示す構造より更に強力な漏れ磁界を磁極１８と１９の間に発生させることができ、より安定的な磁気記録が可能になる。また、作製方法に関しても、作製時に用いるフォトマスクのコイル作製パターンのみを複数に変更するだけで、図７構造の作製方法とほぼ同様の方法で効率よく作製することができる。
【００９３】
また、図８（ａ）と（ｂ）に示す複数のコイル２１がすべて直列につながった構造でも良いし、または、複数のコイル２１が直列につながった状態で磁気回路２０の周囲を全部巻回する構造になっても良いものである。
（実施の形態４）
次に、本発明に係る近接場光ヘッドの第４実施形態について、図９を参照して説明する。なお、第４実施形態において第１実施形態から第３実施形態までと同一の構成については、同一の符号を付しその説明を省略する。
【００９４】
図９（ａ）には、磁気回路２０の周囲に、まずコイル２１が巻回され、そのコイル２１の一部と磁気回路２０の一部の周囲を、更にコイル２１´が巻回されている、いわゆるダブルコイル構造の一例を示す。コイル２１´はコイル２１、磁気回路２０とショートしないように絶縁されている。図９（ｂ）には、図９（ａ）のＡ−Ａ´での断面図を、図９（ｃ）には、図９（ａ）のＢ−Ｂ´での断面図を示す。断面Ｂ−Ｂ´は図５（ａ）での断面Ｂ−Ｂ´断面とは異なり、断面Ａ−Ａ´に対し斜めに切ったものである。
【００９５】
図９に示す構造は、図５（ａ）に示す構造に比べ、より強力な漏れ磁界を磁極１８と１９の間に発生させることができ、更に安定的な磁気記録が可能になる。
【００９６】
図１０は、図９（ａ）に示す構造の製造方法の概略図（Ａ−Ａ´断面図）である。作製方法は、図５に示すコイル構造２１の作製方法と類似であるが、コイル構造２１を設ける前にステップＳ１´とＳ２´の工程が行われ、下部配線２１ａ´と下部絶縁層２２ａ´を形成する。その形成に関しては、図６のステップＳ１とＳ２で示す方法とほぼ同一である。
【００９７】
次に、下部絶縁層２２ａ´上に図６（ｂ）に示す２１ａ、２１ｂ、２１ｃからなるコイル構造２１を図６のステップＳ１〜Ｓ６と同様な方法で作製する。図１０で２１ｃは現れていない。だだし、Ｓ６において、ステップＳ２´での下部絶縁層２２ａ´とほぼ同様な面積になるように上部絶縁層２２ｂを形成する。そうすることで、２１ａ´、２１ｂ´、２１ｃ´からなるコイル構造２１´が磁気回路２０と絶縁されるようになる。図１０で２１ｃ´は現れていない。
【００９８】
次に、ステップＳ３´を行い、上部絶縁層２２ｅ上面と側面に上部配線２１ｂ´と図９（ｃ）に図示する側面配線２１ｃ´を形成する。その時、コイル構造２１の作製と同様に、上部配線２１ｂ´と側面配線２１ｃ´を同時にパターニングし形成しても良いし、先に、側面配線２１ｃ´を形成した後、次に、上部配線２１ｂ´を形成しても良い。形成については、図６のステップＳ３においての上部配線２１ｂと側面配線２１ｃの形成方法と同様である。
【００９９】
最後には、ステップＳ４´を行い、コイル構造２１´の全体を覆うように、外部絶縁層２２ｅ´を形成する。形成については、図６のステップＳ６においての外部絶縁層２２ｅの形成方法とほぼ同様である。
（実施の形態５）
次に、本発明に係る近接場光ヘッドの第５実施形態について、図１１を参照して説明する。なお、第５実施形態において第１実施形態から第４実施形態までと同一の構成については、同一の符号を付しその説明を省略する。
【０１００】
図１１には、図５（ａ）に示す磁気回路２０が分離され、２０ｃと２０ｄの独立した二つの磁気回路が磁極１８と１９につながって対向面１５ａ上に配置された構造の一例を示す。また。図５（ａ）に示すコイル構造と同様なコイル構造２１が磁気回路２０ｃと２０ｄの一部の周囲にそれぞれ巻回されている。
【０１０１】
図１１に示す構造は、図５（ａ）に示す構造に比べ、磁気回路部を更に縮小することが可能で、更に小型化されたスライダのより狭小な対向面上にも配置させることができる。
【０１０２】
また、製造方法に関しては、図５（ａ）構造の作製時に用いるフォトマスクの、磁気回路作製パターンとコイル作製パターンのみを変更するだけで、図５（ａ）構造の作製方法と同様な方法で作製が可能である。
（実施の形態６）
次に、本発明に係る近接場光ヘッドの第６実施形態について、図１２から図１３を参照して説明する。なお、第６実施形態において第１実施形態から第５実施形態までと同一の構成については、同一の符号を付しその説明を省略する。
【０１０３】
図１２は、第６実施形態においての、コイル１２１、磁気回路１２０、及び、絶縁層１２２ａ、１２２ｂ、１２２ｅの構成の一例を示す。
【０１０４】
図１３は、図１２（ａ）のＢ−Ｂ´断面図の四つの例を示す。
【０１０５】
図１２に示す構造は、図５に示すような、コイル１２１が磁気回路１２０に巻かれる構造（ソレノドコイル構造と類似な構造）となっているが、絶縁層１２２ａと１２２ｂ、の形状が、図５に示す構造の絶縁層（２２ａ、２２ｂ、２２ｅ）の形状とは異なる点があることにその特徴がある。
【０１０６】
一例として、図１２（ｂ）（図１２（ａ）のＡ−Ａ´断面図）と図１３（ａ）（図１２（ａ）のＢ−Ｂ´断面図）に示す絶縁層１２２ａと１２２ｂは、対向面１５ａから離れる方向につれて、その側面１１２２ａと１１２２ｂの形状が、対向面１５ａに対し所定の角度をもつ、斜面形状となっている。そうなることで、磁気回路１２０の内、前記側面１１２２ａ上に成膜される傾斜部１１２０の厚みを磁気回路１２０と同様な厚みに形成することができる。また、スパッタ法や蒸着法などの成膜方法を用いる場合、一般的に成膜粒子の方向と略垂直な方向にある面上の成膜が容易であり、成膜粒子の方向と略平行な方向にある面上での成膜は、エッチカバーレジ不良などの原因で、困難な場合が多く、膜の密着力や膜密度が低下する。そのため、絶縁層１２２aの側面１１２２aを、図５に示すような、絶縁層（２２ａ、２２ｂ、２２ｅ）の側面が、対向面１５aに対し垂直な形状ではなく、傾斜形状にすることで、傾斜部１１２０は、側面１１２２ａとの密着力や膜密度が向上する。
【０１０７】
また、図１３（ａ）( 図１２（ａ）のＢ−Ｂ´断面図）に示す絶縁層１２２ａと１２２ｂは、対向面１５ａから離れる方向につれて、その側面１１２２ａと１１２２ｂの形状が、対向面１５ａに対し所定の角度をもつ斜面形状となっている。そうなることで、前記側面１１２２ａと１１２２ｂ上に成膜されるコイル１２１の側面配線１２１ｃは、前述した理由で側面１１２２ａ、１１２２ｂとの密着力や膜密度が向上すると共に、厚みを、下部配線１２１ａと上部配線１２１ｂと同様な厚みに形成することができる。
【０１０８】
また、図１３（ｂ）( 図１２（ａ）のＢ−Ｂ´断面図)に示すように、絶縁層１２２ａと１２２ｂの側面２１２２ａと２１２２ｂ近傍の構造を階段構造とすることで、側面配線２２１ｃは、側面２１２２ａ、２１２２ｂとの密着力や膜密度が向上すると共に、側面配線２２１ｃの厚みを、下部配線１２１ａと上部配線１２１ｂの厚みに近く形成することができる。
【０１０９】
また、図１３（ｃ）（図１２（ａ）のＢ−Ｂ´断面図）に示すように、絶縁層１２２ａと１２２ｂの側面３１２２ａと３１２２ｂ近傍の構造を、斜面形状を有する階段構造とすることで、側面配線３２１ｃは、側面３１２２ａ、３１２２ｂとの密着力や膜密度が向上すると共に、側面配線３２１ｃの厚みを、下部配線１２１ａと上部配線１２１ｂの厚みに近く形成することができる。
【０１１０】
また、図１３（ｄ）（図１２（ａ）のＢ−Ｂ´断面図）に示すように、磁気回路１２０の側面２１２０を斜面形状に形成することで、絶縁層１１２ｂの形成時、側面４１２１ｂが自然に斜面形状となる。更に、絶縁層１２２ａと１２２ｂの側面４１２２ａと４１２２ｂの構造を、斜面形状を有する階段構造とすることで、側面配線４２１ｃは、側面４１２２ａ、４１２２ｂとの密着力や膜密度が向上すると共に、側面配線４２１ｃの厚みを、下部配線１２０ａと上部配線１２０ｂと同様な厚みに形成することができる。
【０１１１】
このように、図１２と１３に示す構造は、図５に示す構造の特徴を持つと共に、側面１１２２ａ、２１２２a、３１２２a、４１２２aと１１２２ｂ、２１２２ｂ、３１２２ｂ、４１２２ｂの形状を斜面形状や階段形状にすることで、磁気回路１２０とコイル１２１は、途中に膜の密度が低下したり、厚みが薄くなったり、断線したりすることがなくなる。また、コイル１２１の抵抗値が、膜の密度の低下や厚みのバラツキ、断線により、配線の途中に増加することがない。そのため、コイル１２１により、効率よく磁気回路１２０に磁場を発生させることができ、より強力な漏れ磁界を磁極１８と１９の間に発生させることができる。そのため、更に効率良く、安定的に磁気記録を行うことができる。
【０１１２】
図１２と１３に示す構造は、図５に示す構造と類似な製造方法で製造することができるが、図６のステップＳ２にて形成した下部絶縁層２２ａの側面を斜めに加工した後、ステップＳ３で磁気回路２０を形成すると、図１２（ｂ）に示すような斜面形状の磁気回路１２０の傾斜部１１２０を形成することができる。
【０１１３】
また、図６のステップＳ４の後、絶縁層２２ａと２２ｂの側面を斜めに加工することで、図１３（ａ）に示す斜面形状の側面１１２２ａと１１２２ｂを得ることができる。
【０１１４】
上記の斜面形状の加工は、反応性イオンエッチングを利用したドライエッチング法を用いると、容易に加工することができる。
【０１１５】
また、図６のステップ２の（ｂ）に示す下部絶縁層２２ａの面積より、ステップＳ４の（ｂ）に示す上部絶縁層２２ｂの面積を小さくパターニングすることで、１３（ｂ）に示す、階段構造の側面２１２２ａと２１２２ｂを形成ことができる。また、その後、側面２１２２ａと２１２２ｂを斜めに加工すると、図１３（ｃ）のような斜面形状を有する段差構造の側面３１２２ａと３１２２ｂを形成することができる。
【０１１６】
また、図６のステップＳ３で形成する磁気回路２０を、２層レジストリフトオフ法を利用した、スパッタリングや蒸着などの薄膜形成法を用いると、図１３（ｄ）に示すような斜面形状の側面２１２０を有する磁気回路１２０を形成することができる。
【０１１７】
また、図７、８、９、１１に示している構造においても、図１２と図１３に示す斜面形状や段差形状の側面を持つ絶縁層２２ａ２２ｂを形成することが可能である。また、加工や形成に関しても、図１２と図１３に示す構造の製造方法と同様な方法を用いることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１１８】
本発明によれば、小型化を図りながら近接場光を効率良く発生させることができると共に、より強力かつ高効率の磁界を発生させることができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【国際調査報告】
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