(57)【要約】  基板をコーティングする装置は、ポンプ区画の両側に並置された２個のプロセス区画を備えている。ポンプ区画は、この２個のプロセス区画および通路からのガスをポンプによってポンピングするためにそれらと動作可能に連通しており、また、基板コーティングプロセスに際してガスをほぼ分離することが十分可能である。ポンプ区画は、通路長さが１個のプロセス区画に関連した通路長さ、別のプロセス区画に関連した通路長さ、またはこの２つの通路長さの平均の２倍未満である場合にこのような分離を十分行うことができる。また、基板コーティングプロセスに際してガスをポンピングする装置、基板のコーティングまたはガスのポンピングに関連した方法も提供する。【選択図】  図６Ａ
2010526932.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通過する基板をコーティングする装置であって、
第１プロセス区画を備えており、前記第１プロセス区画において、その入口から出口までの第１長さを有する第１通路を前記基板が通過し、また、第１ガスによって前記基板をコーティングすることが十分でき、
第２プロセス区画をさらに備えており、前記第２プロセス区画において、その入口から出口までの第２長さを有する第２通路を前記基板が通過し、第２ガスによって前記基板をコーティングすることが十分でき、前記第１ガスと前記第２ガスとが同一または異なったものであり、
前記プロセス区画と前記第２プロセス区画との間に配置されたポンプ区画をさらに備えており、前記ポンプ区画が、その入口から出口までの通路長さを有する通路を通って基板が内部を通過することが十分でき、前記通路が前記第１通路および前記第２通路と動作可能に連通しており、
前記ポンプ区画が、前記第１プロセス区画、前記第２プロセス区画、前記通路と動作可能に連通し、ポンプによってそれらからガスをポンピングできるようになっており、
前記ポンプ区画が、通路長さが前記第１長さの２倍未満、前記第２長さの２倍未満、前記第１長さと前記第２長さの平均の２倍未満である場合には、基板コーティングプロセスに際して前記第１ガスと前記第２ガスを相互にほぼ分離させることが十分できる、装置。
【請求項２】
前記第１プロセス区画内の前記第１ガス圧と、前記第２プロセス区画内の前記第１ガス圧との間の、基板コーティングプロセスに際して最大で約３５：１の比率を十分に提供できる、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第２プロセス区画内の前記第２ガス圧と、前記第１プロセス区画内の前記第２ガス圧との間の、前記基板コーティングプロセスに際して最大で約３５：１の比率を十分に提供できる、請求項２および３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項４】
前記基板コーティングプロセスに際して、約２０：１よりも大きい、またはこれと等しい前記比率を十分提供できる、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記第１プロセス区画に隣接して、少なくとも１個のさらなる第１プロセス区画をさらに備え、前記第２プロセス区画に隣接して、少なくとも１個のさらなる第２プロセス区画をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記第１プロセス区画と、前記少なくとも１個のさらなる第１プロセス区画または前記第２プロセス区画、少なくとも１個のさらなる第２プロセス区画が、１個のポンプ区画につき約２０〜約４０個である、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記ポンプ区画に隣接して少なくとも１個のさらなるポンプ区画をさらに備えており、多数の前記ポンプ区画の数と、前記少なくとも１個のさらなるポンプ区画の数が、別の状況において、このような前記第１ガスと前記第２ガスを、前記基板コーティングプロセスに際して相互にほぼ分離させることが十分にできるポンプ区画の数よりも少ない、請求項１、請求項５のうちのいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
前記ポンプが、拡散ポンプ、ターボ分子ポンプ、超低温ポンプ、これ以外の任意の高真空ポンプ、および／またはそれらの任意の組み合わせから選択される、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記ポンプが、前記通路からのガスをポンピングする少なくとも１個の拡散ポンプと、前記第１プロセス区画と前記第２プロセス区画のうち少なくとも一方からのガスをポンピングする、拡散ポンプ以外の少なくとも１個のポンプとを備えている、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記ポンプが、前記通路からのガスをポンピングする少なくとも１個の拡散ポンプと、前記第１プロセス区画と前記第２プロセス区画のうちの少なくとも一方からのガスをポンピングする、少なくとも１個のターボ分子ポンプとを備えている、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記ポンプが、前記ポンプ区画の端部を介して前記ポンプ区画と動作可能に連通する少なくとも１個の端部ポンプを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記少なくとも１個の端部ポンプが、前記通路からのガスをポンピングするポンプを備えている、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記少なくとも１個の端部ポンプが、拡散ポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ、他の任意の高真空ポンプ、および／またはそれらの任意の組み合わせから選択したポンプを備えている、請求項１１に記載の装置。
【請求項１４】
前記ポンプが、前記ポンプ区画の頂部を介して前記ポンプ区画と動作可能に連通する少なくとも１個の頂部ポンプを備えている、請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
前記少なくとも１個の頂部ポンプが、前記第１プロセス区画または前記第２プロセス区画からのガスをポンピングするためのポンプを備えている、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記少なくとも１個の頂部ポンプが少なくとも２個の頂部ポンプを備えている、請求項１４に記載の装置。
【請求項１７】
前記少なくとも２個の頂部ポンプの各々が、拡散ポンプ、ターボ分子ポンプ、他の任意の高真空ポンプ、および／またはそれらの任意の組み合わせから個別に選択される、請求項１４に記載の装置。
【請求項１８】
前記通路長さが、別の状況において、前記基板コーティングプロセスに際して、前記第１ガスと前記第２ガスを相互にほぼ分離することが十分できるポンピング区画の通路長さよりも短い、請求項１に記載の装置。
【請求項１９】
前記通路長さが、前記第１長さまたは前記第２長さの２倍よりも短い、または、前記第１長さと前記第２長さの平均の２倍よりも短い、請求項１に記載の装置。
【請求項２０】
前記通路長さが、ほぼ前記第１長さ、ほぼ前記第２長さ、前記第１長さと前記第２長さのほぼ平均長さよりも長いまたはこれと等しい、請求項１９に記載の装置。
【請求項２１】
前記通路長さが約６００〜約２０１０ミリメートルである、請求項１に記載の装置。
【請求項２２】
前記通路長さが約７５０〜約１０００ミリメートルである、請求項１に記載の装置。
【請求項２３】
前記ポンプ区画の、前記第１プロセス区画からのガスのポンピングに関連した領域と、前記ポンプ区画の、前記第２プロセス区画からのガスのポンピングに関連した別の領域とを分ける少なくとも１個のバフルをさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項２４】
前記ポンプ区画の、前記通路からのガスのポンピングに関連した領域と、前記ポンプ区画の、前記第１プロセス区画および／または前記第２プロセス区画からのガスのポンピングに関連した別の領域とを分ける少なくとも１個のバフルをさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項２５】
前記ポンプが、前記通路からのガスをポンピングするために、前記ポンプ区画の端部を介して前記ポンプ区画と動作可能に連通する少なくとも１個の拡散ポンプと、前記通路からのガスをポンピングするために、前記ポンプ区画の別の端部と動作可能に連通している少なくとも１個のターボ分子ポンプと、前記第１プロセス区画および前記第２プロセス区画からのガスをポンピングするために、前記ポンプ区画の頂部を介して前記ポンプ区画と動作可能に連通している少なくとも１個のターボ分子ポンプとを備えている、請求項１に記載の装置。
【請求項２６】
前記ポンプが、前記通路、前記第１プロセス区画、前記第２プロセス区画からのガスをポンピングするために、前記ポンプ区画の頂部を介して前記ポンプ区画と動作可能に連通するターボ分子ポンプを備えている、請求項１に記載の装置。
【請求項２７】
装置を通る基板をコーティングするために、前記装置からのガスをポンピングする方法であって、前記方法が、
請求項１の前記装置を提供するステップと、
前記基板コーティングプロセスに際して、前記ポンプを介して、前記通路、前記第１プロセス区画、前記第２プロセス区画からのガスをポンピングするステップと、
を備える方法。
【請求項２８】
前記ポンピングが、基板コーティングプロセスに際して前記第１ガスと前記第２ガスを相互にほぼ分離させることが十分に可能である、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
基板コーティングプロセスに際してガスをポンピングする装置であって、前記装置が、
前記ポンプ区画の第１側部、および基板が前記ポンプ区画を通過するための第１長さに隣接して位置する第１プロセス区画と、前記ポンプ区画の第２側部、および基板が前記ポンプ区画を通過するための第２長さに隣接して位置する第２プロセス区画とに動作可能に連通するよう適合されたポンピング区画を備えており、前記通路長さが、前記第１長さ、前記第２長さ、または前記第１長さと前記第２長さの平均の２倍未満であり、
前記ポンプ区画と動作可能に関連した高真空ポンプをさらに備えており、前記高真空ポンプが、前記第１プロセス区画に関連した第１ガスと、前記第２プロセス区画に関連した第２ガスとを、前記基板のコーティングプロセスに際して相互にほぼ分離させることが十分に可能である、装置。
【請求項３０】
基板コーティングプロセスに際してガスをポンピングする方法であって、前記方法が、
請求項２９に記載の装置を提供するステップと、
前記基板コーティングプロセスに際して、前記ポンプにより、前記通路、前記第１プロセス区画、前記第２プロセス区画からのガスをポンピングするステップと、
を備える、方法。
【発明の詳細な説明】
【背景】
【０００１】
[0001]様々な有用な用途に関連した、基板をコーティングする装置および方法が注目されている。例証として、例えば大型ガラス等の大型基板のコーティングにおいて真空および様々なプロセスガスを採用した装置および方法が以前より注目されている。例えば建築用ガラスのような大型基板に様々な材料をコーティングして、このガラスの光学的、熱的、および／または美的品質を変更することが可能である。例えば、光学コーティングを使用して可視光の透過を低減し、エネルギの吸収を減少させ、反射を低減し、および／または任意の品質の組み合わせを追求することができる。このような光学コーティングは各々太陽光制御コーティング、低放射率コーティング、反射防止コーティング、および／または多目的コーティングと呼ばれる場合がある。米国特許第６，５８９，６５７号の“Ａｎｔｉ−ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ  Ｃｏａｔｉｎｇ  ａｎｄ  Ａｓｓｏｃｉａｔｅｄ  Ｍｅｔｈｏｄｓ”、米国特許出願公開第２００３／００４３４６４号の“Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｏａｔｉｎｇｓ  ａｎｄ  Ａｓｓｏｃｉａｔｅｄ  Ｍｅｔｈｏｄｓ”は、各々が本明細書にそれらの全体が組み込まれており、また、ガラス基板の光学特性に影響を及ぼすコーティングの形成および使用について記載している。
【０００２】
[0002]一般的に、コーティングシステムはコータ、いくつかの接続式・遠隔式のユニットを含む。コータ（コーティングシステムとも呼ばれる）は、一般的に、１または複数の基板を１つのプロセスモジュールから次のプロセスモジュールへ送ることができるように連続配列された複数のプロセスモジュール、またはチャンバを備えている。一般的に、基板は支持され、ローラによって上流から下流の方向に、基板通過線に沿ってコータを移動する。基板は、一端または上流端からコータに入り、複数のプロセスモジュールを通過しながら１種または他の種類の材料でコーティングされた後に、コータの他端または下流端から出る。基板は、水平またはほぼ水平となり、コータ全長に亘る水平またはほぼ水平な面に沿って移動できるように、垂直またはほぼ垂直となり、コータ全長に亘る垂直またはほぼ垂直な面に沿って移動できるように配向されてもよい。
【０００３】
[0003]大型基板のコーティングは困難である。例証として、一般的に、建築用ガラスは、最大で３．２×６メートル（１２６×２３６インチ）の大型のシート状に製造されるため、コーティングシステム内での取り扱いおよび処理が難しい。例えば建築用ガラスのような大型基板のコーティングに適したコーティングシステムは、基板の通過線の方向に向かって数百フィートの長さがあり、プロセス設備内の大きな領域を占領してしまい、購入、収容、運転、維持に高額な費用がかかる。
【０００４】
[0004]図１は、例えば先述の大型基板、または数枚のこのような基板をコーティングするような、基板４のコーティングに使用できるコータ２の概略図である。この図は、コータの頂部、側部、下流端部の立面図からコータ２を示しており、基板４がコータの下流端部から出て行く状態にある。コータ２は、図に示すように連続的に配列されたプロセスモジュールＡ、Ｂのような多数のプロセスモジュールを有していてもよく、処理中に、基板４がそれらのモジュールを上流から下流方向（方向矢印で概略的に示す）へ通過する。この例では、基板４は、図示するように、コータ２のプロセスモジュール全長に亘る水平面に沿って移動するために水平配向を有している。コータ２は、プロセスモジュール同士の間に位置した多数のスリットバルブを有しているが、それらのスリットバルブは、図１に示すようにスリットバルブチャンバ６、８および１０等のチャンバ内に位置していてもよい。
【０００５】
[0005]図２は、このようなコータの一部のより詳細な概略図を提供する。この図は、コータの頂部、コータの図１と同じ側部、図１に関連して述べたコータの下流端部と対向している上流端部付近の一部の立面図から見たコータ２を示す。この図では、コータ２を、スリットバルブチャンバ６と、区画Ａ５およびＡ６を含む６個の区画１４またはベイからなるプロセスモジュールＡと、スリットバルブ８と、区画Ｂ１およびＢ２を含む数個の区画１４からなるプロセスモジュールＢとを有するものとして、透視図的に上流から下流に向かって見ている。コータ２は、１または複数の基板（図示せず）を基板通過線１２に沿って移動させる数個のローラ１０を有していてもよく、この基板通過線は、１または複数の基板をコータ全長に亘って上流から下流方向（基板通過線に関連した矢印で概略的に示す）へ移動させるものである。この図では、ローラ１０は各区画内に配置されている。ローラ１０の幅は、例えば約１０００〜約３３００ｍｍの基板幅ＳＷ（図１）、最大で約１０００〜約４２１０ｍｍの区画幅とほぼ等しい、１または複数の基板の全幅と、例えば約３００ｍｍを超えない離間距離等の、１または複数の基板を支持するのに適した基板通過線と平行する離間距離ＳＤ（図２）とを支持するのに適した幅になっている。一般的に、コータ２内のすべてのローラ１０をほぼ同じ速度で回転させることができ、また、コータ全体にかけて１または複数の基板の動作はほぼ一定の速度であってもよい。
【０００６】
[0006]プロセスモジュール同士を分けるスリットバルブチャンバのスリットバルブは、処理中に、一方のプロセスモジュールから他方のプロセスモジュールへと基板が通過できるように開放していてもよい。そのため、プロセスモジュールは、スリットバルブ開口または複数を介して近隣の１個のプロセスモジュールと、または、複数のスリットバルブ開口を介して複数の近隣するプロセスモジュールと流体連通できる。この流体連通は様々な方法で低減することができる。例証として、例えば、１または複数のスリットバルブ開口のサイズを、基板が通過できるようにする一方で実行可能または可能な範囲にまで制限して、プロセスモジュール間におけるこの流体連通を低減することができる。さらに例証として、基板通過線に沿って通過する基板同士間のギャップまたは間隔を実行可能または可能な範囲にまで制限して、基板通過線に沿ってギャップ内にて、またはギャップによって搬送される流体の量を、さらにこれにより、プロセスモジュール間の流体連通を制限することができる。
【０００７】
[0007]コータの各プロセスモジュールは、多数の区画１４からなっていてもよい。１個のプロセスモジュールを構成する多数の区画１４は同じもの、または異なるものであってもよい。図示するように、基板通過線と平行し、プロセスモジュールの入口から出口まで延びたプロセスモジュールの寸法は、別のプロセスモジュールのもの（図１に示す）と同じ、または別のプロセスモジュールと異なるものであってもよい。従来の方法によれば、基板通過線と平行するこのような寸法をここでは「長さ」と呼ぶが、これは対象物の最長の寸法である必要はない。（例えば、図１、図２中のプロセスモジュールＡの長さＡＬと、プロセスモジュールＢの長さＢＬとを参照。）プロセスモジュールの区画のサイズは、図２の区画によって例証するように、例えば、長さ（例えば約６００〜約１００５ｍｍ）、幅（例えば約１０００〜約４２１０ｍｍ）、高さ（例えば約３５０〜約１０００ｍｍ）、容量(例えば約０．２〜約３ｍ３)のように均一であってもよく、これにより、プロセスモジュール、さらにはコータ全体の構成および／または再構成が容易になる。区画は、類似のまたは異なる目的に使用できる。例証として、プロセス区画内での基板のコーティングというように、１個の区画を１つのプロセスに使用することができる。さらに例証として、区画を別の目的または他の目的、例えばポンプ区画に動作可能に関連した１または複数のポンプによってポンピングするために使用することが可能である。堆積またはコーティング区画およびポンピング区画のように異なる機能を有する複数のプロセス区画は、互換性を有していてもよい。
【０００８】
[0008]図１、図２のいずれかに示すようなコータは、例えば円筒形または平坦なターゲットからのターゲット材料を、ターゲットを通り過ぎる基板の上にスパッタリングするコーティングプロセスにおいて使用できる。ターゲット材料を大型基板上にスパッタリングすることには、例えば、スパッタリングに適した高出力電源の使用と、さらに、過熱の回避などの適切な熱制御を行うための冷却水の使用とが関与してもよい。円筒形ターゲットまたはマグネトロンを介して材料を堆積するシステムおよび方法は、本明細書に組み込まれる米国特許第６，７３６，９４８号、“Ｃｙｌｉｎｄｒｉｃａｌ  ＡＣ／ＤＣ  Ｍａｇｎｅｔｒｏｎ  ｗｉｔｈ  ｃｏｍｐｌｉａｎｔ  Ｄｒｉｖｅ  Ｓｙｓｔｅｍ  ａｎｄ  Ｉｍｐｒｏｖｅｄ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  ａｎｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ”に記載されている。平坦なターゲットまたはマグネトロンを介して材料を堆積するシステムおよび方法は、本明細書に組み込まれる米国特許第４，１６６，０１８号、“Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ  Ｐｒｏｃｅｓｓ  ａｎｄ  Ａｐｐａｒａｔｕｓ”に記載されている。
【０００９】
[0009]一般的に、スパッタリングは真空環境下で行う。この内容では「真空」という用語は、大気圧以下の任意の圧力にあるガスを意味する。一般的に、ガラスにコーティングを行うスパッタリングプロセスはミリトール範囲で実行される。大型のガラスシートにコーティングするためのスパッタリングプロセスでは、真空下において、ターゲットを回転させ、ターゲットがスパッタリングされている最中に、ターゲットを通過するまでガラスシートを移動させる。このプロセスでは、スパッタリングに適した真空環境を維持し、この真空環境内で部品を移動させる。いくつかのスパッタリングプロセスでは、スパッタリング区画内にガスを導入して、反応なスパッタリングが起こるようにする。一般的に、反応スパッタリングでは、ガスとスパッタリングされたターゲット材料とが相互作用または反応することで、基板上に層が形成される。プロセス圧力を上手く大気圧未満に維持し、プロセス区画は依然真空下にあると考えられる状態にするために、スパッタリングプロセス中に導入するガスの量を少量にする。
【００１０】
[0010]図２のコータ２では、堆積またはコーティング区画やポンピング区画のような異なる機能を有するプロセス区画は互換性を有してもよい。例えば、このコータでは、区画Ａ５、Ｂ２は、例えばスパッタリングによって材料を基板上に堆積するためのプロセス区画であってもよく、プロセス区画Ａ５とＢ２との間に配置された区画Ａ６、Ｂ１は、適切な真空を提供するために使用されるポンプ区画であってもよい。図３は、このようなコータ２の一部をコータの側部から見て、垂直断面にて示した概略図である。この図に示すように、コータ２は、上流から下流にかけ、プロセスモジュールＡに関連したポンプ区画Ａ６、スリットバルブチャンバ８、プロセスモジュールＢに関連したポンプ区画Ｂ１を有している。ポンプ区画Ａ６、Ｂ１の各々は、先述したとおりの数個のローラ１０、ポンプ区画の頂部上に配置されたポンプ１６、１８を各々装備している。典型的に、ポンプ区画Ａ６、Ｂ１の各々は、２個以上のポンプ１６、１８を各々装備している。ポンプ１６、１８の各々は、１個または数個のバッキングポンプ（図示せず）にさらに関連していてもよい。
【００１１】
[0011]先述したように、プロセスモジュールは近隣の１個または複数のプロセスモジュールと流体連通していてもよい。これにより、図１〜図３のプロセスモジュールＡ、Ｂのように隣接し合ったプロセスモジュール間にガスが流れるようになる。一般的に、処理中には、プロセスモジュール間におけるこのガスの流れを減少、最小化、除去することが望ましい。これは、プロセスモジュールに関連した処理が十分に適合しない、または不適合である場合には特に当てはまる。一般的に、不適合な処理は同じプロセスモジュール内で実行されないが、隣接したプロセスモジュールにおいて実行することができる。
【００１２】
[0012]同様に、プロセス区画は隣接する１または複数のプロセス区画と流体連通していてもよい。このため、隣接し合ったプロセス区画、例えば図２中のプロセスモジュールＡ５とＡ６、Ａ６とＢ１、Ｂ１とＢ２との間にガスを流すことができる。一般的に、処理中には、プロセス区画間でのこのガスの流れを減少、最小化、除去することが望ましい。これは、プロセス区画に関連した処理同士が十分に適合しない、または不適合である場合には特に当てはまる。一般的に、不適合な処理は隣接し合ったプロセス区画内では実行されないが、ポンプ区画によって分けられたプロセス区画内で実行することができる。例証として、酸素環境を使用して酸化被膜を生成する反応スパッタリングプロセスに使用されるプロセス区画は、酸素の存在または酸素汚染に反応しやすい酸素プロセスに使用するプロセス区画に関連して上流または下流に配置することができる。このようなケース、または他の任意の適切なケースにおいては、ポンプ区画、これに関連するポンプの各々を２個のプロセス区画の間に配置でき、また、スリットバルブチャンバの各々一側部と他側部の上に、あるいは並べて採用することができ、これにより、２個のプロセス区画間におけるガス流または汚染を低減することができる。こうすることで、１個のプロセス区画内における、または十分な量の、プロセスに際してガスまたは汚染が、スリットバルブチャンバまたは隣接するプロセス区画に到達する前に、コータからポンプアウトされる傾向にある。
【００１３】
[0013]図示の方法によれば、プロセス区画Ａ５とポンプ区画Ａ６はプロセスモジュールＡ内に構成され、ポンプ区画Ｂ１とプロセス区画Ｂ２はプロセスモジュールＢ内に構成され、また、図２に示すように、プロセスモジュールＡとプロセスモジュールＢはスリットバルブチャンバ８の対向する側部に配置され、図３に示すようにポンプ区画Ａ６に関連したポンプ１６は、ポンプ区画Ａ６からスリットバルブチャンバ８へ到達または拡散するガスの量を低減するために使用でき、図３に示すようにポンプ区画Ｂ１に関連したポンプ１８は、ポンプ区画Ｂ１からプロセス区画Ｂ２へ到達または拡散するガスの量を低減するために使用できる。ポンプ区画Ａ６とＢ１、およびこれに関連するポンプ１６と１８の各々は、プロセス区画Ａ５からプロセス区画Ｂ２へのガス流れを低減するために、あるいは、それらのプロセス区画間にいくつかのレベルのガス分離を提供するために使用できる。前述したような、少なくとも２個のポンプ区画、これに関連するポンプ、スリットバルブチャンバの構成を採用するシステムおよび方法は、隣接し合ったプロセス区画および／またはモジュール間にいくつかのレベルのガス分離を提供するために使用されてきた。
【００１４】
[0014]基板をコーティングする装置、システム、方法の開発が一般的に望ましい。
【概要】
【００１５】
[0015]通過する基板をコーティングする装置を提供する。この装置は、基板が通路を通って通過でき、ガスによってこの基板をコーティングするのに十分なプロセス区画と、これと類似した特徴部を持った別のプロセス区画と、それら２個のプロセス区画間に配置されたポンプ区画とを備えていてもよい。各プロセス区画については、通路の長さはプロセス区画の入口から出口まで延びていてもよい。２個のプロセス区画内で使用するガスは同一または異なっていてもよい。ポンプ区画は、基板がポンプ区画の入口から出口までの長さの通路を通って十分に通過できるものである。この通路は、２個のポンプ区画に関連した通路と動作可能に連通している。
【００１６】
[0016]記載したこの装置では、ポンプ区画は、２個のプロセス区画および通路と動作可能に連通し、ポンプによってそれらからガスをポンピングできるようになっている。ポンプ区画は、基板コーティングプロセスに関して、１個のプロセス区画に関連したガスと、他のプロセス区画に関連したガスとを相互にほぼ分離するのに十分なものである。ポンプ区画は、１個のプロセス区画に関連した通路長さ、別のプロセス区画に関連した通路長さ、この２つの通路長さの平均の２倍未満である場合には、同様に十分なものとなる。この装置は、基板コーティングプロセスに関して、一方のプロセス区画に関連したガス圧と、他方のプロセス区画に関連したガス圧との最大で約３５：１の比率を十分提供することができる。
【００１７】
[0017]さらに、通過する基板をコーティングする装置からのガスをポンピングする方法を提供する。この方法では、説明したこの装置を提供し、さらに、基板コーティングプロセスに際してポンプにより、通路および２個のプロセス区画からのガスをポンピングしてもよい。このポンピングは、基板コーティングプロセスに関して、一方のプロセス区画に関連したガスと、他方のプロセス区画に関連したガスを相互にほぼ分離するのに十分なものであってもよい。
【００１８】
[0018]さらに、基板コーティングプロセスに際してガスをポンピングする装置を提供する。本装置はポンプ区画と高真空ポンプを備えていてもよい。ポンプ区画は、ポンプ区画の片側に隣接するプロセス区画と、また、もう片側に隣接する別のプロセス区画と動作可能に連通するように適合されている。片側にあるプロセス区画は或る長さを有し、もう片側にあるプロセス区画は別の長さを有する。ポンプ区画は、基板がこれを通過するための通路を有している。この通路の長さは、一方のプロセス区画に関連した長さ、他方のプロセス区画に関連した長さ、それら２つの長さの平均の２倍よりも短い。高真空ポンプはポンプ区画と動作可能に関連しており、また、基板コーティングプロセスに関して、一方のプロセス区画に関連したガスと、他方のプロセス区画に関連したガスを相互にほぼ分離するのに十分なものである。それらのガスは同一または異なっていてもよい。
【００１９】
[0019]さらに、基板コーティングプロセスに関してガスをポンピングする方法を提供する。この方法では、説明したこの装置を提供し、さらに、基板コーティングプロセスに関し、通路、一方のプロセス区画、他方のプロセス区画からポンプによってガスをポンピングしてもよい。このポンピングは、基板コーティングプロセスに関して、一方のプロセス区画に関連したガスと、他方のプロセス区画に関連したガスを相互にほぼ分離するのに十分なものであってもよい。
【００２０】
[0020]シングルポンプ区画は、望ましいまたは必要な場合に、プロセス区画またはコーティング区画間に許容レベルのガス分離を十分に提供できるものであってもよい。このようなシングルポンプ区画は、コータ内で使用する場合、約２０：１以上、例えば約３５：１のガス分離比に対応することができる。シングルポンプ区画の使用は、設備コスト、コータ設置面積、構成時間および労力、動作時間および労力、コータの複雑性などの面で有利であり、基板を５層以上の材料、例えば６〜８層の材料でコーティングするために採用され、したがって多数のガス分離区画を採用した、大型のマルチモジュールコータで使用する場合に特に有利であると考えられる。例えば、本明細書で記載したものなどの、内部においてシングルポンプ区画の両側には２個のコーティング区画が並置されている、３区画またはベイ構成を備えた様々なマルチモードコータが有用であると考えられる。
【００２１】
[0021]次に、それらおよび様々な他の態様、特徴部、実施形態についてさらに説明する。
【００２２】
[0022]ここでは、様々な態様、特徴部、実施形態を、以降で簡単に述べる添付の図面を参照しながら説明する。それらの図面は例示的なものであり、実際の縮尺通りである必要はない。またそれらの図面は様々な背景材料、様々な態様や特徴部を図示しており、さらに、１または複数の実施形態あるいは例を全体的または一部のみを例証することができる。特定の要素や特徴部を参照するために１つの図面で使用されている参照符号、文字、および／または記号を、別の図面でも同様の要素や特徴部を参照するために使用している。
【説明】
【００２３】
[0031]この記載では、暗黙的あるいは明示的に理解され記載されていない限り、単数形で表された用語が複数の同等物を包括する、また、複数形で表された用語が単数の同等物を包括することが理解されるであろう。さらに、暗黙的あるいは明示的に理解され記載されていない限り、本明細書で記載している任意の所与の構成部分、この構成部品に挙げられた任意の候補または代替品は、単独で、または相互に組み合わせて使用できることが理解されるであろう。さらに加えて、暗黙的あるいは明示的に理解され記載されていない限り、このような候補または代替品の任意のリストは単なる例示的なものであり、限定的なものではない。またさらに、暗黙的あるいは明示的に理解され記載されていない限り、ここで提示している任意の数字、個数、量は、「含む」などの言葉を採用しているか否かに関わらず、概略的なものであり、また、任意の数値範囲はこの範囲を定義する最小値と最大値を含むことが理解されるであろう。さらに、暗黙的あるいは明示的に理解され記載されていない限り、許可的、オープン、無制限な言葉は、比較的許可的な言葉から制限的な言葉、それほどオープンでない言葉から閉鎖的な言葉、それほど無制限ではない言葉から制限的な言葉を各々包括する。単に例証として、「備えている」という言葉は「備えている」、「本質的に〜からなる」、および／または「からなる」という形式の言葉を包括してもよい。
【００２４】
[0032]ここでは、理解を容易にする目的で一般的に様々な用語を記載している。対応する全般的な説明、またはそれらの様々な用語の使用は、対応する言語または文法的な応用形や、それらの様々な用語の形式に適用されることが理解されるであろう。また、ここでの全般的な詳細な説明、使用、関連する詳細な説明の使用、任意の用語の使用は、使用する用語が一般的でなくてもよく、あるいはより具体的な方法で使用される場合には適用されなくてもよく、もしくは完全に適用されなくてもよい点も理解されるであろう。さらに、特定の実施形態を説明するためにここで使用している専門用語、またはその説明は限定的なものではないことが理解されるであろう。また、さらに、本明細書で記載する実施形態、本明細書で記載する用途は限定的なものではないため、変更される可能性があることも理解されるであろう。
【００２５】
[0033]図４に示すように、コータ４０は、多数の区画またはベイ４４を有する少なくとも１つのプロセスモジュール４２を備えていてもよい。モジューラコータは、例えば均等なサイズの確立されたプロセス区画およびポンプ区画等の特定の方法で構成することができ、また、再構成し難くあってもよい。例証として、モジューラコータ４０は、上流端部から下流端部までのセット構成のプロセスモジュール４２で構成することができ、このセット構成はポンプ区画（Ｐ）、別のポンプ区画（Ｐ）、例えば３個等の多数のプロセスまたはコーティング区画（ＣＣＣ）、さらなるポンプ区画（Ｐ）からなり、したがって、６個の区画４４によるセット構成（例えばＰＰＣＣＣＰ）ができあがる。建築用ガラスのような大型基板用のコータは、このようなプロセスモジュールを連続して並べることで構成できる。本明細書中に全体が組み込まれた米国特許出願第１１／１５０、３６０号、“Ｄｕａｌ  Ｇａｔｅ  Ｉｓｏｌａｔｉｎｇ  Ｍａｉｎｔｅｎａｎｃｅ  Ｓｌｉｔ  Ｖａｌｖｅ  Ｃｈａｍｂｅｒ  ｗｉｔｈ  Ｐｕｍｐｉｎｇ  Ｏｐｔｉｏｎ”の図５〜図９に関連して図示および説明されているものなどの適切なスリットバルブまたはスリットバルブチャンバを、隣接するプロセスモジュール同士の間に採用することができる。
【００２６】
[0034]そのため、コータ全体は、隣接するプロセスモジュールの１組の構成（図示のＰＰＣＣＣＰ／ＰＰＣＣＣＰ／ＰＰＣＣＣＰなど、またはＰＣＣＣＰＰ／ＰＣＣＣＰＰ／ＰＣＣＣＰＰなど）を有することができる。図４に一部示すこのようなマルチモジュールコータは、５個の区画またはベイ（図示のようなＣＰ／ＰＰＣ、またはＣＰＰ／ＰＣなど）からなる組構成を含んでいてもよい。図４中にポンプ区画４６、５０に関連した矢印で概略的に示すように、マルチモジューラ構成（図示のＣＰ／ＰＰＣ）内のコート区画に隣接して配列された２個のポンプ区画４６、５０を使用して隣接するコート区画をポンピングすることができ、また、これ以外のポンプ区画４８（時に分離ベイと呼ばれる）を使用して、基板の通路に関連し、ポンプ区画４６、４８、５０を通る通路（図示せず）をポンピングすることができる。図４中に分離ベイ４８に関連した矢印で概略的に示すように、分離ベイ４８内に適切なバフリング５２を採用して、分離ベイのいくつかの部分または半ベイを個別にポンピングするようにしてもよい。バフリング５２はまた、ポンプ区画４８内に分離トンネルを作成する内部プレナムとも呼ばれる。各ポンプ区画は、図示のように、大きな設置面積のために区画の両端に１つずつ垂直に支持される２個の拡散ポンプ５４を装備していてもよい。
【００２７】
[0035]説明したところのこのモジューラコータでは、拡散ポンプ５４は一般的に高速の熱油真空ポンプであるが、このポンプは、ポンプ容量が比較的大きく、またはポンプ速度が速く、さらに経費を抑えたターボ分子ポンプに関連して有利であり、潜在的な油汚染が生じ、所要電力がかなり大きく（例えば、１個のポンプにつき９ｋＷ）、設置面積が大型であるターボ分子ポンプに関連して不利である。単に例証として、例えば容量が約９０００リットル／秒の熱油ポンプは、特にポンプの高さを収容するためにコーティングシステムの側部に沿って配置された対応するトレンチングを考慮して、一般的に大型の設置面積に関連している。この大型設置面積には設備コストがかかる。さらに例証として、一般的に、熱油ポンプに関連した油汚染は失敗モード中のみに発生する一方で、処理に手間のかかる洗浄にも関連しているため、別の設備コストもかかる。
【００２８】
[0036]このようなモジューラコータでは、少なくとも３個のフルポンプ区画（例えばＰ／ＰＰ）を使用して、所望または必要に応じて、プロセスまたはコーティング区画の間に許容レベルのガス分離を提供している。図４Ｂに示すように、流体連通またはガスコンダクタンススロット５５、５７、５９の各々は、約２００〜約３００ミリメートルの長さに対応していてもよい。このようなコンダクタンススロットはコンダクタンストンネルと呼ばれる場合がある。このようなモジュールコータでは約２０〜約３０：１ガス分離率を達成できる。この場合、このガス分離率は、３個のフルポンプ区画下流のコート区画内のガス圧に対する、３個のフルポンプ区画上流のコート区画内のガス圧の比率であり、また、図に示すように、ポンプ区画４６、５０内でプロセスポンピングが、ポンプ区画４８内でガス分離ポンピングが、ガスコンダクタンススロット５５、５７、５９に通じたそれらのハーフベイ４７、４９を介して生じる。先述したように、ガス分離を促進するためには、ハーフベイ４７を区画の遠い側（図４Ａの最上部）にあるガスコンダクタンススロット５５、５７に通じさせながら、手前側（図４Ａの最下部分）にあるそれらスロットへのアクセスを遮断するもの、また、ハーフベイ４９を手前側（図４Ａの最下部分）にあるガスコンダクタンススロット５７、５９に通じさせながら、離れた側（図４Ａの最上部）にあるそれらスロットへのアクセスを遮断するバフリングのような、適切なバフリング５２を採用できる。
【００２９】
[0037]構成および再構成にさらに高い柔軟性を持たせたモジューラコータを設計することができる。このようなモジューラコータの１例に、アプライド・フィルム・コーポレーション（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｆｉｌｍｓ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）（カリフォルニア州フェアフィールド）より市販されているＶＡＣ８７０コータがある。コータの頂部、側部、下流端部の立面図から見た、このようなモジューラコータ６０の構造６４を図５Ａに概略的に示す。この図に示すように、複数の区画６２は実質的に一様なサイズのものであってもよく、これにより、プロセスモジュール、さらにはコータ全体の構成および／または再構成が容易になる。そのため、コータ６０をモジューラで区画タイプのコータと呼ぶこともできる。複数の区画６２は同じ目的、または異なる目的、例えばコーティング、ポンピング、他の目的で使用することができる。区画コータ６０の構造６４は、区画６２用の頂部構造またはカバーと、端部構造またはカバーとを設けていないオープン構造として表されている。このオープン構造６４は非常に柔軟であり、手近な用途に適した頂部構造および端部構造を単に追加するのみで、特定の用途に適した方法で構成または再構成することができる。単に例証として、例えばポンプアクセスのような区画６２へのアクセスを許容しながら、この区画６２の頂部を閉鎖または密封する頂部構造（図示せず）や、これと類似する、例えばポンプアクセスのような区画６２へのアクセスを許容しながら、区画６２の端部を閉鎖または密封する端部構造（図示せず）をオープン構造に追加することができる。さらに、単に例証として、例えばポンプモジュールまたはコーティングモジュールのようなモジュールは、次の出願に示すように、区画、例えば区画頂部に関連していてもよい２００５年５月２０日に提出されたフィリップ・Ｍ・ペトラック（Ｐｈｉｌｉｐ  Ｍ．Ｐｅｔｒａｃｈ）による米国仮特許出願６０／６８２，９８５号、“Ｍｏｄｕｌａｒ  Ｃｏａｔｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ”、２００６年５月８日に提出されたフィリップ・Ｍ・ペトラックによる同時係属中の米国特許出願第    ／    、    号、“Ｍｏｄｕｌｅ  ｆｏｒ  ａ  Ｃｏａｔｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ  ａｎｄ  Ａｓｓｏｃｉａｔｅｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ”。それらの出願の全体は本明細書に組み込まれる。図示するように、オープン構造６４の区画６２の各々は、基板に区画を通過させるための開口またはスロット６６、例えばポンピングに関連した流体連通のように区画に関連した流体連通を行うための開口またはスロット６８を有する。
【００３０】
[0038]例証として、モジューラコータ６０は、上流端部から下流端部までのセット構成のプロセスモジュール６２で構成することができ、このセット構成はポンプ区画（Ｐ）、例えば２個のような多数のコーティング区画（ＣＣ）、別のポンプ区画（Ｐ）からなる。これにより、図５Ａに示すように、６個の区画６２からなるセット構成（例えばＰＣＣＰＣＣ）ができあがる。このようなケースでは、シングルポンプ区画の上流側と下流側には隣接するコーティング区画が１個ずつ並置されており、このポンプ区画は、上流側および下流側からプロセスガスを十分にポンピングすることができる。しかし、このようなケースでは、特に上流プロセスガスと下流ガスが異なる場合や、それらのガスが最大で約５：１のガス分離比に関連した互換性を有していない場合には、一般的にシングルポンプ区画では許容可能または望ましいガス分離を十分に提供することができない。
【００３１】
[0039]さらに例証として、建築用ガラスのような大型基板用のコータを、各々が同一または異なった構成のコーティング区画とポンプ区画を設けたこのようなプロセスモジュールを次々と並べることで構成でき、これにより、コータ全体が、隣接するプロセスモジュールのセット構成（例えばＰＣＣＰＣＣ／ＰＣＰＰＣＰ／ＰＣＣＰＣＰなど）を持つようになる。このようなケースでは、ポンプ区画の両側に、隣接するコーティング区画が上流側に１つ、下流側にもう１つという形で並置される場合、一般的に、ポンプ区画は先述したように許容可能または望ましいガス分離を提供することができない。しかし、このようなケースでは、図５Ｂ、図５Ｃに示すように、２つの隣接したポンプ区画の両側に隣接するコーティング区画が上流側に１つ、下流側にもう１つという形で並置されている場合には、それらの２つのポンプ区画が、以下でさらに詳細に記載するような許容可能なガス分離を提供することができる。
【００３２】
[0040]図５Ｂ、図５Ｃに部分的に示すモジューラの区画タイプコータ６０は、上流端部から下流端部へ向かい、プロセスまたはコーティング区画７０、２つのポンプ区画７２、７４、別のコーティング区画７６と並んだ４区画またはベイの構造（例えばＣＰＰＣ、Ｃ／ＰＰＣ、またはＣＰＰ／Ｃ）を含んでいてもよい。図５Ｃに示すように、単に例証として、先述したように隣接し合ったプロセスモジュールの間に適切なスリットバルブ６３またはスリットバルブチャンバを採用することができる。ポンプ区画７２、７４の各々には、最大で６個のターボ分子ポンプ８２、一般的には、区画の頂部上に支持できる高真空のバネロータポンプを装備することができる。ポンプ区画７２、７４の各々は、図５に集約的に示すように、２つの半ベイを備えており、即ち、隣接するコーティング区画をポンピングするための最大３個のポンプ８２を装備した一方の半ベイ７８をコーティング区画に隣接して備え、基板が区画を通過する通路８６をポンピングするための同じく３個のポンプ８２を装備した他方の半ベイ８０を前述の半ベイ７８に隣接して備えている。例証として、一方の半ベイ７８（図５Ｂ、図５Ｃ中の最左部にある半ベイ７８）を使用して、陰極またはターゲットを備えた隣接するコーティング区画７０をポンピングでき、他方の半ベイ７８（図５Ｂ、図５Ｃ中の最右部にある半ベイ７８）を使用して、陰極またはターゲットを備えた隣接するコーティング区画７６をポンピングできる。コーティング区画のポンピングは、先述したように開口またはスロット６８を介して達成できる。ポンプ区画７２、７４内に適切なバフリング８８を採用し、それら区画の各部または半ベイを個別にポンピングできるようにしてもよい。さらに例証として、一方の半ベイ８０（図５Ｂ、図５Ｃ中の最左部にある半ベイ）を使用して、コンダクタンススロット７１と７３との間の通路をポンピングでき、他方の半ベイ８０（図５Ｂ、図５Ｃ中の最右部にある半ベイ８０）を使用して、コンダクタンススロット７３と７５との間の通路をポンピングできる。通路８６のポンピングは開口またはスロット８４を介して達成できる。適切なバフリング８９をポンプ区画７２、７４内に採用することで、通路の各部または様々なコンダクタンススロットを個別にポンピングしてもよい。
【００３３】
[0041]説明したモジューラ区画コータには、２個のフルポンプ区画７２、７４を採用して、３個のコンダクタンススロット７１、７３、７５に関連した適切なガス分離を提供するようにしている。コンダクタンススロット７１、７３、７５の長さは図５Ｃに示すとおり、これとほぼ同じ、または異なっていてもよい。コンダクタンススロットの長さ、またはすべてのコンダクタンススロットを合わせた合計長さは、ポンプ区画７２、７４、またはその半ベイに関連したガス分離比を決定する上での要因となる場合がある。コンダクタンススロットの長さは約４００〜約５００ミリメートルであってもよく、３個のコンダクタンススロットを合わせた全長は約１４５０ミリメートル（隣接し合ったコンダクタンススロット間の２個の開口またはギャップ各々の長さ（約１５０ミリメートル）を含まない）であってもよく、ガス分離比の範囲は、採用するポンプの個数、または２個の開口８４に関連したポンピング容量に応じて約２０〜約３０：１であってもよい。
【００３４】
[0042]説明したモジューラ区画コータでは、ターボ分子ポンプ８２は、所要電力が比較的低く（例えば、ポンプ１個につき１ｋＷ以下）、設置面積が小さい拡散ポンプに関連して一般的に有利であり、ポンプ容量が比較的小さい、またはポンプ速度が遅い、さらに経費がかさむ（例えば２．５倍多くかかる）拡散ポンプに関連して一般的に不利である。単に例証として、ターボ分子ポンプは一般的に区画の頂部上に取り付けられており、側部に取り付けたトレンチングや関連する設置面積、例えば拡散ポンプに関連する設置面積などはない。説明したところの分子区画コータでは、少なくとも２個のフルポンプ区画を採用して、プロセス間またはコーティング区画間の望ましいまたは必要な場所に、許容レベルのガス分離を提供している。図５の２個のフルポンプ区画７２、７４は約１４００〜約１８００ミリメートルの長さと、約２５〜約３５：１の範囲のガス分離比に対応しており、例えば、ガス分離比が、隣接したコーティング区画７６内のガス圧に対する隣接したコーティング区画７０内のガス圧の比率である場合には、ガス分離比は約２５〜約３０：１になる。
【００３５】
[0043]一実施形態によれば、図６Ａ、図６Ｂ中に一部示したマルチモジュールコータ９０は、プロセスまたはコーティング区画９２、ポンプ区画９４、別のコーティング区画９６が上流端部から下流端部まで並んだ３区画またはベイ構成（例えばＣＰＩ、Ｃ／ＰＣ、ＣＰ／Ｃ）を含んでいてもよい。基板は、ポンプ区画９４の側部に設けたギャップまたはスロット１１４を介してコータ９０とポンプ区画９４を通過する。コーティングする基板が、例えば１枚の薄いガラスのように薄型である場合には、スロット１１４をこのガラスの厚さよりも若干大きく設け、コーティングプロセスで使用する作業圧力においてこの狭いスロットがガス流と効果的に衝突できるようにすればよい。
【００３６】
[0044]ポンプ区画９４には、区画頂部上に支持できる最大６個のターボ分子ポンプ１０２と、区画の一端に１個、他端に１個の合計２個の、例えば垂直に設けられた拡散ポンプ１０４とを装備することができる。ポンプ区画９４は２個の半ベイ、即ち、コーティング区画９２をポンピングするための最大で３個のターボ分子ポンプ１０２を装備した、コーティング区画９２に隣接して位置する一方の半ベイ９８と、コーティング区画９６をポンピングするための同じく最大３個のポンプ１０２を装備した、前述の半ベイ９８およびコーティング区画９６に隣接して位置する他方の半ベイ１００とを備えていてもよい。コーティング区画のポンピングは、先述し、図６中に集約的に示した開口またはスロット１１２を介して達成できる。図６に集約的に示すように、基板が区画を通過する通路１０６をポンピングするために、ポンプ区画９４に関連した拡散ポンプ１０４を採用することができる。図６に集約的に示すように、拡散ポンプ１０４は半ベイ９８に関連し、別の拡散ポンプ１０４は半ベイ１００に関連していてもよい。先述したように、通路１０６のポンピングは開口またはスロット１０８によって達成できる。ポンプ区画９４内に適切なバフリング１１０、１１１を採用して、それら区画の半ベイの一部を個別にポンピングできるように、また、通路の一部または様々なコンダクタンススロットを個別にポンピングできるようにしてもよい。
【００３７】
[0045]説明したこのコータでは、シングルポンプ区画９４を採用することで、３個のコンダクタンススロット（図示せず）に関連した適切なガス分離を提供することができる。コンダクタンススロットは、以降で詳細に記載する図７Ｂのコンダクタンススロット２０１、２０３、２０５と類似した方法で構成できる。コンダクタンススロットの長さは、図７Ｂに示すように同じ長さ、ほぼ同じ長さ、またはこれと異なる長さであってもよい。各コンダクタンススロットの長さ、またはすべてのコンダクタンススロットを合わせた全長は、ポンプ区画９４、またはその半ベイに関連したガス分離比を決定する要因となる。単に例証として、コンダクタンススロットの長さは約２００〜約３００ミリメートル、例えば約２５０ミリメートルであってもよく、また、３個のコンダクタンススロットの合計長さ（隣接し合ったコンダクタンススロット間の２個の開口またはギャップの各々の長さ（約１５０ミリメートル）を除く）は約７００〜約９００ミリメートル、例えば約７７０ミリメートルであってもよく、ガス分離比の範囲は、採用するポンプの個数、または２個の開口２２２に関連したポンピング容量に応じて、約２０〜約３５：１、例えば約２０〜約３０：１であってもよい。
【００３８】
[0046]このようなコータでは、シングルポンプ区画を採用することで、所望または必要に応じて、プロセスまたはコーティング区画間に許容レベルのガス分離を提供することができる。このような区画に関連した１個のスロットコンダクタンスの長さは約２００〜約２５０ミリメートルである。シングルポンプ区画は、コータ内で使用する場合、約２０：１以上、例えば最大で約３５：１のガス分離比に関連すると考えられる。シングルポンプ区画をここで説明したところの方法で使用することは、設備コスト、コータ設置面積、構成時間および応力、動作時間および労力、コータの複雑性、および／またはこの他に関連して有利であり、例えば６〜８層というように５層以上の材料を基板にコーティングするために採用された、したがって、多数のガス分離区画を採用する、または必要とする大型のマルチモジュールコータの場合には特に有利である。
【００３９】
[0047]上述したようにシングルポンプ区画の両側に２個のコーティング区画が並置された３区画またはベイの構成を備えた様々なマルチモジュールコータが有用であると考えられる。図７Ａ、図７Ｂに示す実施形態によれば、このようなシングルポンプ区画２００は２個の半ベイ、即ちコーティング区画（図示せず）に隣接して配置された一方の半ベイ２０２と、別のコーティング区画（図示せず）に隣接して配置されていてもよい前述の半ベイ２０２に隣接した他方の半ベイ２０４とを備えている。先述したように、コーティングする基板（図示せず）は、ポンプ区画の側部に関連したギャップまたはスロット２２４からポンプ区画２００を通過する。半ベイ２０２、２０４の各々は、半ベイの頂部上に支持され、隣接するコーティング区画をポンピングする最大３個のターボ分子ポンプ２０６を装備していてもよい。各半ベイは、図７に集約的に示すように、基板による区画を通過に関連して通路２１６をポンピングするために、半ベイの一端部２１２上に支持された拡散ポンプ２０８と、半ベイの他端部２１４上に支持された最大２個のターボ分子ポンプ２１０とを装備している。図７Ａでは、各半ベイに関連した２個のターボ分子ポンプ２０６を示しており、また、半ベイ２０２に関連した拡散ポンプ２０８のみと、１個の半ベイにつき１個のターボ分子ポンプ２２０のみとを見ることができる。先述したように、隣接したコーティング区画（図示せず）と通路２１６のポンピングは、開口またはスロット２２０、２２２によって各々達成できる。ポンプ区画２００内に適切なバフリング２１８と適切なバフリング２１９を採用することで、それら区画の半ベイの一部を個別にポンピングできるようにし、これにより、通路の一部または様々なコンダクタンススロットを各々個別にポンピングできるようにすることが可能になる。
【００４０】
[0048]説明したこのコータでは、シングルポンプ区画２００を採用することで、３個のコンダクタンススロット２０１、２０３、２０５に関連した適切なガス分離を提供することができる。コンダクタンススロット２０１、２０３、２０５の長さは、図７Ｂに示すように同じ長さ、ほぼ同じ長さ、異なる長さであってもよい。コンダクタンススロットの長さ、またはすべてのコンダクタンススロットの合計長さは、ポンプ区画２００、またはその半ベイに関連したガス分離比を決定する上での要因となる。それらのパラメータは、例えば図６で先述したものと同じであってもよい。シングルポンプ区画をコータ内に採用して、所望または必要な場合に、プロセスまたはコーティング区画間に許容レベルのガス分離を提供することが考えられる。さらに、ポンプ区画は、図６のポンプ区画に関して上述した長さおよびガス分離比に関連するとも考えられる。
【００４１】
[0049]別の実施形態によれば、図８Ａ、図８Ｂ、図８Ｃに図示したシングルポンプ区画２５０の両側には、先述したように２個のコーティング区画（図示せず）が並置されていてもよい。先述したように、コーティングする基板（図示せず）は、ポンプ区画の側部に関連したギャップまたはスロット２６６からポンプ区画２５０を通過する。ポンプ区画２５０は２個の半ベイ、即ち、コーティング区画（図示せず）に隣接して配置された一方の半ベイ２５２と、別のコーティング区画（図示せず）に隣接している前述の半ベイ２５２に隣接して配置された他方の半ベイ２５４とを備えていてもよい。図８に集約的に示すように、各半ベイは、最大３個のターボ分子ポンプ２５６を装備していてもよく、それらのターボ分子ポンプは、隣接するコーティング区画をポンピングするため、基板が区画を通過する通路とをポンピングするために、半ベイの頂部上に支持されている。先述したように、コーティング区画（図示せず）および通路２６２のポンピングは、開口またはスロット２５８、２６０によって各々達成される。図８に示すように、ポンプ区画２５０内に適切なバフリング２６４、２６５を採用することで、それら区画の半ベイの一部を個別にポンピングできるようになり、これにより、通路の一部または様々なコンダクタンススロットを各々個別にポンピングできるようになる。単に例証として、６個の内４個のターボ分子ポンプ２５６を使用して隣接するコーティング区画をポンピングし、残り２個のターボ分子ポンプ２５６を使用して通路２６２をポンピングすることができる。
【００４２】
[0050]説明したこのコータでは、シングルポンプ区画２５０を採用することで、３個のコンダクタンススロット（図示せず）に関連した適切なガス分離を提供することができる。先述したように、それらのコンダクタンススロットは、図７Ｂのコンダクタンススロット２０１、２０３、２０５と類似した方法で構成できる。コンダクタンススロットの長さは図７Ｂに示すように同じ長さ、ほぼ同じ長さ、異なる長さであってもよい。コンダクタンススロットの長さ、またはすべてのコンダクタンススロットの合計長さは、ポンプ区画９４またはその半ベイに関連したガス分離比を決定する上での要因となる。それらのパラメータは、例えば図６に関連して先述したとおりであってもよい。シングルポンプ区画をコータ内に採用して、所望または必要に応じて、プロセスまたはコーティング区画間に許容レベルのガス分離を提供することが考えられる。さらに、このようなポンプ区画は、図６のポンプ区画に関して上述した長さおよびガス分離比に関連していてもよいとも考えられる。
【００４３】
[0051]本明細書で記載または考慮された装置に関連すると、ポンピング用途に適していれば、拡散ポンプおよびターボ分子ポンプ以外のポンプ、例えば超低温ポンプまたは他の高真空ポンプを使用できることが理解されるであろう。このような任意のポンプは、単独または他のポンプとの組み合わせにより、ターゲット領域内で約１０−３〜約１０−７または約１０−８トール、例えば約１０−４トール以下等のほぼ高真空条件や、分子流および遷移流方式に関連した圧力を達成するのに適した容量を有する。これに加え、ポンプの任意の適切な組み合わせおよび／または個数を使用できることが理解されるであろう。単に例証として、一般的に、ポンプが十分に小さい設置面積を有する場合、および／または、支持要件が十分に低い、あるいは比較的面倒でない場合には、大きな設置面積を有する、または支持要件がより面倒であるポンプに関連して、より多くのこのようなポンプを使用することができる。ポンプは、ポンプ区画に関連して、任意の適切な方法で、任意の適切な場所に構成できることが理解されるであろう。例えば、任意の適切な１個または複数のポンプを、区画の頂部および／または、底部（可能な場合）、および／または端部などによって搭載または支持する任意の適切な方法を採用できると理解されるであろう。さらに、任意の適切なポンプまたはポンプの組み合わせを、基板通路のポンピング、および／または１個または複数のコーティング区画のポンピングに関連して使用できることが理解されるであろう。
【００４４】
[0052]任意の適切な形態のバフリングまたは内部プレナム（１個または複数）を採用して、所望または必要に応じて区画の一部を分離できることが理解されるであろう。少なくとも１個のバフルを備えたバフリングを配列して、区画を個別の区間に分割することができる。各々の個別区間に関連して個別のポンピングを行うことができる。例えば、図６〜図８の実施形態では、フルポンプ区画を、各自がポンピング配列を有した４個の個別区間に分けている。図に示すように、ガス分離を行うために、区間のうち２個を隣接する区画からのプロセスガスのポンピング専用にし、別の２個を通路またはコンダクタンススロットからのガスのポンピング専用にすることができる。２個のガス分離区間のうち一方を、全部で３個のコンダクタンススロットのうちの２個の組に関連させるか、またはこの間に置き、他方を全部で３個のコンダクタンススロットのうちの別の２個の組に関連させるか、またはこの間に置くことができる。３個のコンダクタンススロットは類似した長さであっても、異なる長さであってもよい。バフリングを使用して、ガス分離の区間または段階をコータの側部または頂部のいずれか、または、一般的にポンピングが生じるコータの他の適切な部分に関連付けすることができる。バフリングを使用して、プロセスポンピングの区間または段階を別のプロセスポンピングの区間または段階から、および／またはガス分離の区間または段階から分離することができる。バフリングを採用して、１区間または段階を別の区間または段階からほぼ分離させることで、それらの間におけるクロストークや相互汚染を低減または最小化することができる。１区間または段階に関連したバフリングは、この区間または段階に関連したポンプへの開口の断面積の約５％以下のみがガス漏れまたはクロストークを生じるようにしなければならない。例えば、プロセスポンプ段階またはガス分離段階に関連したポンプスロットが合計で６００平方インチの断面積を有する場合には、この段階に関連したバフリングのギャップまたは開口の合計断面積は約３０平方インチ以下となるはずである。
【００４５】
[0053]一実施形態によれば、装置のポンプは、基板がポンプ区画を通過するための通路からのガスをポンピングする少なくとも１個の拡散ポンプと、このポンプ区画の両側に並置された少なくとも１個のプロセス区画からのガスをポンピングする、拡散ポンプ以外の少なくとも１個のポンプを備えていてもよい。後者のポンプは、例えばターボ分子ポンプであってもよい。単に例証として、後者のポンプを少なくとも２個採用することができる。
【００４６】
[0054]別の実施形態によれば、装置のポンプは、ポンプ区画の端部を介してこのポンプ区画と動作可能に連通する少なくとも１個のポンプを備えていてもよい。単に例証として、このようなポンプを使用して、通路からのガスをポンピングすることができる。さらに、単に例証として、このようなポンプは、例えば拡散ポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオポンプのような任意の適切なポンプを備えることができる。このようなポンプを２個以上採用する場合には、ポンプは例えば拡散ポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ、および／またはそれらの任意の組み合わせ等の任意の適切なポンプを備えることができる。
【００４７】
[0055]別の実施形態によれば、この装置のポンプは、ポンプ区画の頂部を介してこのポンプ区画と動作可能に連通する少なくとも１個のポンプを備えていてもよい。単に例証として、このようなポンプは、ポンプ区画の両側に並置されている少なくとも１個のプロセス区画からのガスをポンピングするために使用できる。さらに単に例証として、このようなポンプは、例えば拡散ポンプやターボ分子ポンプのような任意の適切なポンプを備えていてもよい。このようなポンプを２個以上採用している場合には、ポンプは、例えば拡散ポンプ、ターボ分子ポンプのような任意の適切なポンプ、および／またはそれらの任意の組み合わせを備えることができる。単に例証として、このようなポンプの少なくとも２個を採用できる。
【００４８】
[0056]一実施形態によれば、この装置のポンプは、基板がポンプ区画を通過する通路からのガスをポンピングするための、ポンプ区画の端部を介してこのポンプ区画と動作可能に連通している少なくとも１個の拡散ポンプと、および／または、同通路からのガスをポンピングするために、ポンプ区画の他端と動作可能に連通している少なくとも１個のターボ分子ポンプと、ポンプ区画の両側に並置された少なくとも１個のプロセス区画からのガスをポンピングするために、ポンプ区画との頂部を介してこのポンプ区画と動作可能に連通している少なくとも１個のターボ分子ポンプとを備えていてもよい。単に例証として、後者のターボ分子ポンプのうち少なくとも２個を、ポンプ区画（１個または複数）からのガスをポンピングするために採用できる。図７に、このようなポンピング構成の１例を示す。
【００４９】
[0057]別の実施形態によれば、この装置のポンプは、基板がポンプ区画、ポンプ区画の両側に並置されたプロセス区画、ポンプ区画の両側に並置された別のプロセス区画を通過する通路からのガスをポンピングするために、ポンプ区画の頂部を介してこのポンプ区画と連通しているターボ分子ポンプを備えていてもよい。図８に、このようなポンプ構成の１例を示す。
【００５０】
[0058]一実施形態によれば、この装置のポンプ区画は少なくとも１個のバフルを備え、これにより、ポンプ区画内で、ポンプ区画の両側に並置されたプロセス区画からのガスをポンピングする領域と、ポンプ小室の両側に並置された別のプロセス区画からのガスをポンピングする別の領域とを分けることができる。別の実施形態によれば、この装置のポンプ区画は少なくとも１個のバフルを備え、これにより、ポンプ区画内で、基板がポンプ区画を通過するための通路からのガスをポンピングする領域と、ポンプ区画の両側に並置されている少なくとも１個のプロセス区画からのガスをポンピングする別の領域とを分けることができる。図６〜図８に、このようなポンプ区画の例を示す。
【００５１】
[0059]内部を通過する基板をコーティングする装置を提供する。この装置は、区画の入口から出口まで延びた通路を通って基板を十分に通過させることができるプロセスまたはコーティング区画を備えていてもよい。このプロセスまたはコーティング区画は、コーティングプロセスに採用した、１または複数の成分ガスを備えるガスによって基板を十分にコーティングすることができる。この装置は、基板をこの方法でコーティングするいくつかのこのようなプロセスまたはコーティング区画を備えることができ、また備えることが典型的である。１個のこのような区画内で使用するガスは、同様の別の区画内で使用するガスと同じまたは異なっていてもよい。異なるプロセス区画内で使用された同一または異なるガス同士を、図６〜図８に関連して上述した分離ポンプ区画のような適切なポンプ区画によって分離することが可能である。ポンプ区画は１個のプロセス区画と別のプロセス区画との間に配置されており、このポンプ区画内部を、区画の入口から出口まで延びた通路を通って基板が十分に通過することができるようになっている。この通路は、２個のプロセス区画に関連した通路と動作可能に連通しているため、基板は３個すべての区画を、先述したようにローラを介して通過することができる。
【００５２】
[0060]ポンプ区画は、２個のプロセス区画の各々と、および、ポンプ区画の全長に亘って延びた通路とに動作可能に連通しているため、ポンプによって区画および通路からガスをポンピングすることができる。２個未満のフルサイズのポンプ区画、例えば１個のフルサイズポンプ区画を使用することで、十分なポンピングが達成できる。単に例証として、複数のプロセス区画が同サイズである場合、例えば上述の通路長さがすべて同じ長さである場合には、通路長さを有する１個のポンプ区画、または、いずれかのプロセス区画の通路長さの２倍未満の合計通路長さを有する複数のポンプ区画を採用できる。さらに単に例証として、プロセス区画およびポンプ区画のサイズが同じであり、したがって、上述した複数の通路長さと１本の通路長さが同じである場合には、２個のフルサイズのポンプ区画の長さよりも長さが短い、単独のポンプ区画、または集約的に複数のポンプ区画を採用できる。またさらに、単なる例証として、複数のプロセス区画のサイズが異なる場合には、２個のプロセス区画の平均長さの２倍よりも長さが短い、単独のポンプ区画、または集約的に複数のポンプ区画を採用できる。
【００５３】
[0061]このようなポンプ区画（１または複数）は、一方のプロセス区画で使用されているガスを、他方のプロセス区画で使用されているガスからほぼ分離させるのに十分なものであると考えられる。適切なガス分離のレベルは、プロセス毎、または使用者毎に異なる。一般的には、同じガス環境、または類似の互換性のあるガス環境を採用した２個のプロセス区画間における許容レベルのガス分離は、例えば約１：１〜約６：１のガス分離比によって表すことができる。一般的に、異なる、または互換性のないガス環境を採用した２個のプロセス区画間における許容レベルのガス分離は、例えば約２０：１〜約３５：１のガス分離比で表すことができる。本明細書で記載または考慮されたポンプ構成は、例えばより高感度のコーティングの開発等の、さらなる開発に関連したより最適なガス分離比を行うのに十分なものであると考慮される。このようなシングルポンプ区画は、コーティング装置またはコーティングプロセスにおいておおよそのガス分離を行うためには十分であるが、このようなポンプ区画をさらに少なくとも１個採用してもよいと考えられる。単に例証として、より少数、またはより小型のポンプ区画を使用することは、機器設置面積の縮小、プロセス時間および複雑性の削減、動作および構成コストの削減などのような様々な理由から有用あるいは望ましい。単に例証として、より多数のポンプ区画を使用することは、冗長性またはより大きなガス分離容量において有用または望ましい。コーティングシステムにポンプ区画を何個使用するかを選択するためには、先述の要因と他の適用可能な考慮から見た適切なバランスを見つける。
【００５４】
[0062]説明したように、図６〜図８に関連して上述した分離ポンプ区画のようなポンプ区画、または複数のこのようなポンプ区画は、プロセス区画のうち１個の内部にあるガスを、別のプロセス区画内で使用しているガスからほぼ分離させるのに十分であると考えられる。次に、単に便宜的な方法により、このようなおおよそのガス分離を行うのに十分なポンプ区画について説明する。ここで説明した２個のプロセス区画が両側に並置されているこのようなポンプ区画は、プロセス区画のうち１個の内部のガス圧と、別のプロセス区画のガス圧との比率を、基板コーティングプロセスに際して少なくとも約２０：１にすることが十分に可能であると考えられる。単に例証として、このような比率は、約２０：１〜約２５：１〜約３５：１、またはこれ以上であると考えられる。コーティング装置内では、このようなポンプ区画の片側または両側には一連のプロセス区画が並置されていてもよい。単に例証として、このような一連のプロセス区画には、最大約６０個程度のプロセス区画、例えば最大約２０個程度のプロセス区画が含まれる。
【００５５】
[0063]先述したように、このようなポンプ区画の１つは、おおよそのガス分離を十分に提供できるものであり、複数のこのような区画の使用が可能であると考えられる。１または複数のこのようなポンプ区画（１または複数）を採用する場合、おおよそのガス分離を十分提供するために採用されるこのようなポンプ区画の個数は、別の場合にこのようなおおよそのガス分離を十分に提供できるポンプ区画の個数よりも少なく、おおよそのガス分離を提供するために採用されたこのようなポンプ区画の全長または通路の全長は、別の場合にこのようなおおよそのガス分離を十分に提供できるポンプ区画の全長または通路の全長よりも短いと考えられる。単に例証として、コーティング区画間に許容可能なガス分離を提供するために、特定のポンプ区画長さを持った２個または３個または４個などのポンプ区画を採用している、またはこれが必要となっている場合には、各々２個または３個または４個などよりも少ない数、例えば図６〜図８に関連して上述したような数の、同じ長さの分離ポンプ区画を使用することができると考えられる。さらに単に例証として、コーティング区画間に許容可能なガス分離を提供するために、全体的または集約的なポンプ区画長さまたは通路長さを持った２個以上のポンプ区画を採用している、またはこれが必要となっている場合には、例えば図６〜図８に関連して上述したものなどの、全体的または集約的なポンプ区画長さまたは通路長さを備えた１または複数の分離ポンプ区画を代わりに使用することができる。これは、先述したようにコスト、スペースなどの削減の点からして非常に有利である。
【００５６】
[0064]一実施形態によれば、ポンプ区画の通路長さ、または複数のポンプ区画の全体的または集約的な通路長さは、ポンプ区画と側面を接して並置されたプロセス区画の長さの２倍よりも短い、あるいは、ポンプ区画と側面を接して並置された２個のプロセス区画の平均長さの２倍よりも短い。単に例証として、このような通路長さ、または集約的な通路長さは、ポンプ区画と側面を接して並置されたプロセス区画の長さよりも長い、または等しいか、あるいは、ポンプ区画と側面を接して並置された２個のプロセス区画の平均長さとほぼ同じ長さであってもよい。さらに単なる例証として、このような通路の長さ、または集約的な通路の長さは、約６００ミリメートルよりも長い、またはこれと等しく、さらに約２０１０ミリメートルよりも短いかこれと等しい長さであってもよいと考えられる。さらに単に例証として、このような通路の長さ、または集約的な通路の長さは、例えば約７５０または８５０ミリメートルから約９００〜約１０００ミリメートルであってもよいと考えられる。
【００５７】
[0065]一実施形態によれば、本明細書で記載および考慮した装置を提供することにより、装置を通過する基板をコーティングするために同装置からガスをポンピングし、また、通路、およびポンプ区画の両側に並置された各プロセス区画から、基板コーティングプロセスに際して装置のポンプによってガスをポンピングすることができる。この方法によれば、ここで先述したとおりの適切なレベルのガス分離を達成できると考えられる。
【００５８】
[0066]本明細書で記載または考慮されたポンプ区画を備えた装置を評価するには、ポンプ区画の両側に並置された２個のコーティングまたはプロセス区画の間で達成されるガス分離の評価を始めることができる。単に例証として、このような評価には、２個のコーティング区画内に、例えば約８×１０−６トール等の基礎圧力適切な真空条件を作成することと、例えば約３×１０−３トール等のプロセス圧力を確立するために、コーティング区画のうち一方（「区画１」）にプロセスガスを提供することと、ポンプ区画に関連したポンプを動作させることを含むコーティングプロセスを実行することと、他方のコーティング区画（「区画２」）内のプロセスガス圧を測定することとが関与してもよい。このような評価には、プロセスガスを区画２に提供し、区画１内で測定することを除き、前出のプロセスが関与してもよい。それらの測定から、先述したようにガス分離比を決定することができるが、この場合、ここで先述した、または所与のプロセスに適合するガス分離比に関連して成功を決定できる。例証として、本明細書で記載または考慮された装置を使用して達成できる分離レベルは、図４または図５に関連して記載したモジューラコータを使用して達成されるレベルとほぼ同じか、またはこれよりも高いと考えられる。
【００５９】
[0067]前述した評価のいずれか一方または両方を、ガラス基板のような基板を使用して、または使用せずに実行することができる。ガラスがあることにより、一方のコーティング区画から他方のコーティング区画へ流れるガス流が妨害されることが予測されるため、基板を使用して評価を実行した場合、ガラス分離比は、基板を使用せずに実行した同じ評価と比較して例えば約２０％高くなると予測される。このような増加、または所与のプロセスまたは装置に適した増加は、プロセスまたは装置の成功を表すことになる。これと同様の評価（１または複数）を、コーティング区画を通過する多数の基板を使用して実施することも可能であり、この場合、基板通過線に沿って移動する基板が、例えば約２〜約３インチのギャップによって分けられる。ギャップ内には、一方のコーティング区画から他方のコーティング区画へ流れるガスが溜まっていることが予測される。このような評価を実施する場合、ガス分離比が、ギャップによって基板を分けなかった場合の結果と比較して、例えば約２％以下低下することが予測される。このような低下、または所与のプロセスまたは装置に適した低下は、プロセスまたは装置の成功を表す。
【００６０】
[0068]拡散ポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ、および／または他の高真空ポンプ等の異なるポンプの組み合わせを１または複数の分離ポンプ区画と共に使用して得た結果の評価を行うことで、本明細書で記載した装置に関連した性能、効率、および／またはコストを最適化できると考えられる。このような最適化は、ポンプの容量または速度、ポンプの設置面積や、さらに例えば起こり得る油汚染や他の汚染、プロセス圧力におけるガスの逆流（ただし、分離ポンプ区画内の圧力状態を考慮すると、分離ポンプ区画内ではこれは問題とならない場合がある）、例えばクライオポンプに関連する再生問題等の任意のポンプの不利点、また、このような汚染や逆流などが相対的に生じない等の任意のポンプの有利点を考えさせる。さらに、このような最適化は、それらおよび／または他の関連要因との適切なバランスにおいて行われると考えられる。例えば、比較的大型の設置面積を有する拡散ポンプを収容することができない装置では、ポンプ容量とコストを犠牲にすることを了承するか、いくつかの方法でこれを受け入れなければならない場合がある。さらに例証として、装置を、比較的コスト高であるターボ分子ポンプの使用個数を減らすように設計することで、ポンプ容量を犠牲にすることを了承するか、いくつかの方法でこれを受け入れなければならない場合がある。またさらに例証として、いくつかのターボ分子ポンプを拡散ポンプに替えることができるが、油汚染または他の汚染、比較的大きい所要電力、拡散ポンプの設置面積が比較的大型である等の可能性を了承する、またはいくつかの方法で受け入れなければならない場合がある。
【００６１】
[0069]コーティングプロセスまたは装置を最適化することで、ここで先述したようにコーティングプロセスを実行するため、また、この結果得られたガス分離比を評価するために、ここで述べたような任意のポンプ等の様々なポンプを装備した装置を構成することになる。上手くいった最適化では、ガス分離比と他の要因、例えば本明細書で記載または考慮したような要因との間の許容可能なバランスを見つけることを伴う。単に例証として、ガス分離結果がプロセスにとって適切である場合、本明細書で記載または考慮したコーティングプロセスまたは装置内に、約２〜約３または４このターボ分子ポンプを拡散ポンプの代わりに採用することで成功が得られると考えられる（ターボ分子ポンプは比較的高コストであることを考えると少ない個数が望ましい）。
【００６２】
[0070]コーティングプロセスまたは装置の最適化は、例えばガス流およびガス圧、また、これに関連する計算、例えば選択した装置またはプロセス設計に基づいた計算等に、使用者によって提案されるプロセスまたは動作パラメータを考慮させることができる。最適化に関連して行われる測定には、選択したポンプ構成内でのガス流（１または複数）、選択したガス流（１または複数）の様々なポンプ構成との使用等のパラメータの変更が関与する。また、最適化には、既存のシステムに関連したガス分離比と一致する、または超えること、使用者が望むまたは必要とするガス分離比を満たす、あるいはこれを超えることとが関与する。
【００６３】
[0071]通過する基板をコーティングする装置をもまた提供する。さらに、例えば基板コーティング装置と共に使用できる装置のように、基板コーティングプロセスに際してガスをポンピングする装置を提供する。一般的に、このような装置は、図６〜図８に関連して図示および記載したように、ポンプ区画の第１側部に隣接するプロセス区画と、また、ポンプ区画の第２側部に隣接して位置する別のプロセス区画と動作可能に連通するように適合させたポンプ区画を備えている。このポンプ区画は、基板がポンプ区画を通るための通路長さを持った通路を備えている。この通路長さは、隣接し合った処理区画のうちのいずれか一方の長さの２倍未満の長さ、または隣接し合った２個のプロセス区画の長さの平均の２倍未満の長さである。この装置はまた、例えば図６〜図８に関連して図示および記載したように、ポンプ区画と動作可能に関連した高真空ポンプを備えている。高真空ポンプは、隣接するプロセス区画のうち一方に関連したガスと、隣接するプロセス区画の他方に関連したガスとを、基板コーティングプロセスに際して相互にほぼ分離させるのに十分である。基板コーティングプロセスに際してガスをポンピングする、また、通路および隣接する２個のプロセス区画からのガスを基板コーティングプロセスに際してポンプによってポンピングするためのこのような装置を提供する関連方法を提供する。
【００６４】
[0072]本明細書で記載しているように、コーティングシステムは、所望または必要に応じて許容レベルのガス分離を十分に提供できるシングルポンプ区画を、プロセス区画またはコーティング区画間に備えていてもよい。このようなシングルポンプ区画のガス分離比は、コータ内で使用する場合、例えば約２０：１、最大で約３５：１であってもよい。シングルポンプ区画を本明細書で記載した方法で使用することは、設備コスト、コータ設置面積、構成時間および労力、動作時間および労力、コータの複雑性などから見て有利であり、また、材料を５層以上、例えば６〜８層コーティングするために採用された、多数のガス分離区画を採用した、またはこれを必要とするような大型のマルチモジュールコータに関して特に有利である。本明細書で記載したような、シングルポンプ区画の両側に２個のコーティング区画が並置されている、３区画またはベイ構成を備えた様々なマルチモードコータが有用であると考えられる。
【００６５】
[0073]適用可能な様々な変形、プロセス、並びに多数の構造が明白である。様々な態様、特徴部、実施形態について、理解、意見、理論、この下にある仮定、および／または、有効あるいは予言的な例に関連して説明または記載してきたが、どの具体的な理解、意見、理論、この下にある仮定、および／または有効あるいは予言的な例も限定的なものではないことが理解されるであろう。様々な態様および特徴部について、ここでの様々な実施形態および特定の例に関連して記載してきたが、それらは、付属の請求項、または本発明出願に関連する他の請求項の全範囲に関連して限定的なものではないことも理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本明細書で記載した観点から見たモジューラコータの概略図である。
【図２】モジューラコータの断面部分の概略図であり、本明細書で記載した観点から、例示的な目的でそのいくつかの内部の特徴部を見えるようにしてある。
【図３】コータの側部から見た、垂直断面図にて示すモジューラコータの断面部分の概略図である。
【図４Ａ】コータの頂部から見たこのモジューラコータの一部の概略図である。
【図４Ｂ】コータの側部から見た、このモジューラコータの一部を垂直断面で示した概略図である。ここでは図４Ａと図４Ｂを集約的に図４と呼ぶ。
【図５Ａ】ここで述べた観点から見た、モジューラおよび区画タイプコータの構造の概略図である。
【図５Ｂ】コータの頂部から見た、モジューラコータの断面部分を水平断面で示した概略図である。
【図５Ｃ】コータの側部から見た、モジューラコータの断面部分を垂直断面で示した概略図である。ここでは、図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃを集約的に図５と呼ぶ。
【図６Ａ】コータの頂部から見た、モジューラコータの断面部を水平断面で示した概略図である。
【図６Ｂ】コータの側部から見た、モジューラコータの断面部分を垂直断面で示した概略図である。ここでは図６Ａと図６Ｂを集約的に図６と呼ぶ。
【図７Ａ】ポンプ区画の頂部から見た、このポンプ区画を水平断面で示す概略図である。
【図７Ｂ】ポンプ区画の端部から見た、このポンプ区画を垂直断面で示す概略図である。ここでは図７Ａと図７Ｂを集約的に図７と呼ぶ。
【図８Ａ】ポンプ区画の頂部から見た、このポンプ区画を水平断面で示す概略図である。
【図８Ｂ】ポンプ区画の端部から見た、このポンプ区画を或る垂直断面で示す概略図である。
【図８Ｃ】ポンプ区画の端部から見た、このポンプ区画を別の垂直断面で示す概略図である。ここでは図８Ａ、図８Ｂ、図８Ｃを集約的に図８と呼ぶ。
【参照符号の説明】
【００６７】
４０…コータ、４２…プロセスモジュール、４４…多数の区画またはベイ、４６、４８、５０…ポンプ区画、４７、４９…半ベイ、５２…バフリング、５４…拡散ポンプ、５５、５７、５９…ガスコンダクタンススロット、６０…モジューラコータ、６２…区画、６４…構造、６６、６８…開口またはスロット、７０…プロセスまたはコーティング区画、７２、７４…２個のポンプ区画、７６…別のコーティング区画、７８、８０…半ベイ、８２…６個のターボ分子ポンプ、９０…マルチモジュールコータ、９２…プロセスまたはコーティング区画、９４…ポンプ区画、９６…別のコーティング区画、９８、１００…半ベイ、１０２…６個のターボ分子ポンプ、１０４…２個の拡散ポンプ、１０８…開口またはスロット、１１０、１１１…バフリング、１１２…開口またはスロット、２００…シングルポンプ区画、２０１、２０３、２０５…コンダクタンススロット、２０２、２０４…半ベイ、２０８…拡散ポンプ、２１０…ターボ分子ポンプ、２１４…半ベイの端部、２１６…通路、２１８、２１９…バフリング、２２２…開口、２２４…ギャップまたはスロット、２５０…シングルポンプ区画、２５２、２５４…半ベイ、２５６…ターボ分子ポンプ、２５８…開口またはスロット、２６２…通路、２６５…バフリング、２６６…ギャップまたはスロット
【図１】
2010526932.tif 000003
【図２】
2010526932.tif 000004
【図３】
2010526932.tif 000005
【図４Ａ】
2010526932.tif 000006
【図４Ｂ】
2010526932.tif 000007
【図５Ａ】
2010526932.tif 000008
【図５Ｂ】
2010526932.tif 000009
【図５Ｃ】
2010526932.tif 000010
【図６Ａ】
2010526932.tif 000011
【図６Ｂ】
2010526932.tif 000012
【図７Ａ】
2010526932.tif 000013
【図７Ｂ】
2010526932.tif 000014
【図８Ａ】
2010526932.tif 000015
【図８Ｂ】
2010526932.tif 000016
【図８Ｃ】
2010526932.tif 000017
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月9日(2008.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通過する基板をコーティングする装置であって、
第１プロセス区画を備えており、前記第１プロセス区画において、その入口から出口までの第１長さを有する第１通路を前記基板が通過し、また、第１ガスによって前記基板をコーティングすることが十分でき、
第２プロセス区画をさらに備えており、前記第２プロセス区画において、その入口から出口までの第２長さを有する第２通路を前記基板が通過し、第２ガスによって前記基板をコーティングすることが十分でき、前記第１ガスと前記第２ガスとが同一または異なったものであり、
前記プロセス区画と前記第２プロセス区画との間に配置されたポンプ区画をさらに備えており、前記ポンプ区画が、その入口から出口までの通路長さを有する通路を通って基板が内部を通過することが十分でき、前記通路が前記第１通路および前記第２通路と動作可能に連通しており、
前記ポンプ区画が、前記第１プロセス区画、前記第２プロセス区画と動作可能に連通し、前記通路と直接動作可能に連通し、ポンプによってそれらからガスをポンピングできるようになっており、
前記ポンプ区画が、通路長さが前記第１長さの２倍未満、前記第２長さの２倍未満、前記第１長さと前記第２長さの平均の２倍未満である場合には、基板コーティングプロセスに際して前記第１ガスと前記第２ガスを相互にほぼ分離させることが十分できる、装置。
【請求項２】
前記第１プロセス区画内の前記第１ガス圧と、前記第２プロセス区画内の前記第１ガス圧との間の、基板コーティングプロセスに際して最大で約３５：１の比率を十分に提供できる、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第２プロセス区画内の前記第２ガス圧と、前記第１プロセス区画内の前記第２ガス圧との間の、前記基板コーティングプロセスに際して最大で約３５：１の比率を十分に提供できる、請求項２および３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項４】
前記基板コーティングプロセスに際して、約２０：１よりも大きい、またはこれと等しい前記比率を十分提供できる、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記第１プロセス区画に隣接して、少なくとも１個のさらなる第１プロセス区画をさらに備え、前記第２プロセス区画に隣接して、少なくとも１個のさらなる第２プロセス区画をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記第１プロセス区画と、前記少なくとも１個のさらなる第１プロセス区画または前記第２プロセス区画、少なくとも１個のさらなる第２プロセス区画が、１個のポンプ区画につき約２０〜約４０個である、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記ポンプ区画に隣接して少なくとも１個のさらなるポンプ区画をさらに備えており、多数の前記ポンプ区画の数と、前記少なくとも１個のさらなるポンプ区画の数が、別の状況において、このような前記第１ガスと前記第２ガスを、前記基板コーティングプロセスに際して相互にほぼ分離させることが十分にできるポンプ区画の数よりも少ない、請求項１、請求項５のうちのいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
前記ポンプが、拡散ポンプ、ターボ分子ポンプ、超低温ポンプ、これ以外の任意の高真空ポンプ、および／またはそれらの任意の組み合わせから選択される、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記ポンプが、前記通路からのガスをポンピングする少なくとも１個の拡散ポンプと、前記第１プロセス区画と前記第２プロセス区画のうち少なくとも一方からのガスをポンピングする、拡散ポンプ以外の少なくとも１個のポンプとを備えている、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記ポンプが、前記通路からのガスをポンピングする少なくとも１個の拡散ポンプと、前記第１プロセス区画と前記第２プロセス区画のうちの少なくとも一方からのガスをポンピングする、少なくとも１個のターボ分子ポンプとを備えている、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記ポンプが、前記ポンプ区画の端部を介して前記ポンプ区画と動作可能に連通する少なくとも１個の端部ポンプを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記少なくとも１個の端部ポンプが、前記通路からのガスをポンピングするポンプを備えている、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記少なくとも１個の端部ポンプが、拡散ポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ、他の任意の高真空ポンプ、および／またはそれらの任意の組み合わせから選択したポンプを備えている、請求項１１に記載の装置。
【請求項１４】
前記ポンプが、前記ポンプ区画の頂部を介して前記ポンプ区画と動作可能に連通する少なくとも１個の頂部ポンプを備えている、請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
前記少なくとも１個の頂部ポンプが、前記第１プロセス区画または前記第２プロセス区画からのガスをポンピングするためのポンプを備えている、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記少なくとも１個の頂部ポンプが少なくとも２個の頂部ポンプを備えている、請求項１４に記載の装置。
【請求項１７】
前記少なくとも２個の頂部ポンプの各々が、拡散ポンプ、ターボ分子ポンプ、他の任意の高真空ポンプ、および／またはそれらの任意の組み合わせから個別に選択される、請求項１４に記載の装置。
【請求項１８】
前記通路長さが、別の状況において、前記基板コーティングプロセスに際して、前記第１ガスと前記第２ガスを相互にほぼ分離することが十分できるポンピング区画の通路長さよりも短い、請求項１に記載の装置。
【請求項１９】
前記通路長さが、前記第１長さまたは前記第２長さの２倍よりも短い、または、前記第１長さと前記第２長さの平均の２倍よりも短い、請求項１に記載の装置。
【請求項２０】
前記通路長さが、ほぼ前記第１長さ、ほぼ前記第２長さ、前記第１長さと前記第２長さのほぼ平均長さよりも長いまたはこれと等しい、請求項１９に記載の装置。
【請求項２１】
前記通路長さが約６００〜約２０１０ミリメートルである、請求項１に記載の装置。
【請求項２２】
前記通路長さが約７５０〜約１０００ミリメートルである、請求項１に記載の装置。
【請求項２３】
前記ポンプ区画の、前記第１プロセス区画からのガスのポンピングに関連した領域と、前記ポンプ区画の、前記第２プロセス区画からのガスのポンピングに関連した別の領域とを分ける少なくとも１個のバフルをさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項２４】
前記ポンプ区画の、前記通路からのガスのポンピングに関連した領域と、前記ポンプ区画の、前記第１プロセス区画および／または前記第２プロセス区画からのガスのポンピングに関連した別の領域とを分ける少なくとも１個のバフルをさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項２５】
前記ポンプが、前記通路からのガスをポンピングするために、前記ポンプ区画の端部を介して前記ポンプ区画と動作可能に連通する少なくとも１個の拡散ポンプと、前記通路からのガスをポンピングするために、前記ポンプ区画の別の端部と動作可能に連通している少なくとも１個のターボ分子ポンプと、前記第１プロセス区画および前記第２プロセス区画からのガスをポンピングするために、前記ポンプ区画の頂部を介して前記ポンプ区画と動作可能に連通している少なくとも１個のターボ分子ポンプとを備えている、請求項１に記載の装置。
【請求項２６】
前記ポンプが、前記通路、前記第１プロセス区画、前記第２プロセス区画からのガスをポンピングするために、前記ポンプ区画の頂部を介して前記ポンプ区画と動作可能に連通するターボ分子ポンプを備えている、請求項１に記載の装置。
【請求項２７】
装置を通る基板をコーティングするために、前記装置からのガスをポンピングする方法であって、前記方法が、
請求項１の前記装置を提供するステップと、
前記基板コーティングプロセスに際して、前記ポンプを介して、前記通路、前記第１プロセス区画、前記第２プロセス区画からのガスをポンピングするステップと、
を備える方法。
【請求項２８】
前記ポンピングが、基板コーティングプロセスに際して前記第１ガスと前記第２ガスを相互にほぼ分離させることが十分に可能である、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
基板コーティングプロセスに際してガスをポンピングする装置であって、前記装置が、
ポンプ区画を備えており、前記ポンプ区画は、前記ポンプ区画の第１側部に隣接した第１長さの第１プロセス区画と、前記ポンプ区画の第２側部に隣接した第２長さの第２プロセス区画と動作可能に連通するように適合され、前記ポンプ区画は、基板が前記ポンプ区画を通過するための通路の通路長さを備え、前記通路と直接動作可能に連通するように適合され、前記通路長さは、前記第１長さ、前記第２長さ、または前記第１長さと前記第２長さの平均の２倍未満であり、
前記ポンプ区画と動作可能に関連した高真空ポンプをさらに備えており、前記高真空ポンプが、前記第１プロセス区画に関連した第１ガスと、前記第２プロセス区画に関連した第２ガスとを、前記基板のコーティングプロセスに際して相互にほぼ分離させることが十分に可能である、装置。
【請求項３０】
基板コーティングプロセスに際してガスをポンピングする方法であって、前記方法が、
請求項２９に記載の装置を提供するステップと、
前記基板コーティングプロセスに際して、前記ポンプにより、前記通路、前記第１プロセス区画、前記第２プロセス区画からのガスをポンピングするステップと、
を備える、方法。
【国際調査報告】
2010526932.tif 000018