(57)【要約】  本発明の一実施形態は、比抵抗の負の温度係数を有し、以下の一般式で表されるセラミック材料に関する。2010521394.tif 000018  ここで、ＳＥ１ＩＩＩおよびＳＥ２ＩＩＩは異なる希土金属カチオンであり、Ｍ１ＩＩおよびＭ２ＩＩはＣａＩＩ、ＳｒＩＩから選ばれ、Ｍｅ１ＩＩＩおよびＭｅ２ＩＩＩは、酸化還元において安定的な（ｒｅｄｏｘ−ｓｔａｂｌｅ）３価の金属カチオンである。パラメータについては、０＜ｘ＜１；０＜ｚ＜１；０＜ｙ＜１−ｚを適用する。【選択図】図１
2010521394.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
負の温度抵抗係数を有するとともに、以下の一般式で表される、
ことを特徴とするセラミック材料。
【化１】
2010521394.tif 000015
（ここで、（ＳＥ１ＩＩＩ，ＳＥ２ＩＩＩ）は希土金属カチオンであって、ＳＥ１ＩＩＩはＳＥ２ＩＩＩと同一であっても良く、ＳＥ１ＩＩＩとＳＥ２ＩＩＩからなる混合物において、異なる希土金属カチオンを表してもよい。また、Ｍ１ＩＩは、Ｍ２ＩＩと同一であるか、様々な割合で混合されたそれらの混合物であっても良く、２価の金属カチオンを表している。また、Ｍｅ１ＩＩＩおよびＭｅ２ＩＩＩは、酸化還元において安定的な（ｒｅｄｏｘ−ｓｔａｂｌｅ）、同一あるいは異なる３価の金属カチオンであり、０＜ｘ＜１；０＜ｚ＜１；０＜ｙ＜１−ｚを適用する。）
【請求項２】
以下の一般式で表される、
ことを特徴とする前記請求項に記載のセラミック材料。
【化２】
2010521394.tif 000016
（ここで、各パラメータについては、ｘ＋ｙ＋ｚ＜１；０＜ｘ＜１；０＜ｚ＜１；０≦ｔ≦ｘを適用する。また、０＜ｔ＜ｘの場合、ｔ≦ｙ＜１＋ｔ−ｘ−ｚを適用し、ｔ＝０の場合、０＜ｙ≦１−ｘ−ｚを適用し、ｔ＝ｘの場合、ｘ＜ｙ＜１−ｚを適用する。）
【請求項３】
ＳＥ１ＩＩＩおよびＳＥ２ＩＩＩは、ＹＩＩＩ，ＣｅＩＩＩ，ＳｍＩＩＩおよびＬａＩＩＩからなる群から選ばれたカチオンで構成される、
ことを特徴とする請求項１または２に記載のセラミック材料。
【請求項４】
Ｍｅ１ＩＩＩおよびＭｅ２ＩＩＩは、ＡｌＩＩＩおよびＧａＩＩＩからなる群から選ばれた金属カチオンで構成される、
ことを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載のセラミック材料。
【請求項５】
ｔ＝０またはｔ＝ｘにおいて、以下の一般式で表される、
ことを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載のセラミック材料。
【化３】
2010521394.tif 000017
【請求項６】
パラメータｘについて、０．０１≦ｘ≦０．５、好ましくは、０．０１≦ｘ≦０．３を適用する、
ことを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載のセラミック材料。
【請求項７】
パラメータｙについて、０．０１≦ｙ≦０．７、好ましくは、０．１≦ｙ≦０．３を適用する、
ことを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載のセラミック材料。
【請求項８】
パラメータｚについて、０．０５≦ｚ≦０．９、好ましくは、０．１≦ｚ≦０．５を適用する、
ことを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載のセラミック材料。
【請求項９】
第１の半導電性のペロブスカイト系と第２の非導電性のペロブスカイト系からなる相均一なペロブスカイト混晶系として構成される、
ことを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載のセラミック材料。
【請求項１０】
前記第１の半導電性のペロブスカイト系は、ＳＥＩＩＩ１−ｘＭＩＩｘ（Ｃｒ１−ｙＭｎｙ）Ｏ３を含み、前記第２の非導電性のペロブスカイト系は、ＳＥＩＩＩＭｅＩＩＩＯ３を含む、
ことを特徴とする前記請求項に記載のセラミック材料。
【請求項１１】
２価の金属カチオンＭ１ＩＩ，Ｍ２ＩＩは、ＣａＩＩ，ＳｒＩＩから選ばれる、
ことを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載のセラミック材料。
【請求項１２】
前記請求項のいずれか１項に記載のセラミック材料を製造する方法であって、
所望量の化合物ＳＥＩＩＩ２Ｏ３，ＭＩＩＣＯ３，Ｃｒ２Ｏ３，Ｍｎ２Ｏ３，Ｍｎ３Ｏ４，ＭｎＣＯ３およびＭｅＩＩＩ２Ｏ３が混合されて、焼結される、
ことを特徴とするセラミック材料の製造方法。
【請求項１３】
さらに、焼結前に、化合物の混合物をか焼する工程を含む、
ことを特徴とする前記請求項に記載のセラミック材料の製造方法。
【請求項１４】
相均一なペロブスカイト混晶系が形成される、
ことを特徴とする請求項１２または１３に記載のセラミック材料の製造方法。
【請求項１５】
さらに、焼結補助剤を加える工程を含む、
ことを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか１項に記載のセラミック材料の製造方法。
【請求項１６】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のセラミック材料を含む、
ことを特徴とする電子セラミック部品。
【請求項１７】
前記セラミック材料と導電性の電極表面を含有するセラミックベース本体を含む、
ことを特徴とする前記請求項に記載の電子セラミック部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本特許出願は、セラミック材料および該セラミック材料を含む部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
負の温度係数を有するセラミックは、例えば、サーミスター内で温度測定用に用いられる。特許文献１に開示された高温で安定なサーミスターは、Ｙ、Ｃｒ、ＭｎおよびＣａを７９．５：８．５：８．５：３．５のモル比で含む金属酸化物の焼結体を有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−０５４２５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の少なくとも一部の実施形態は、負の温度係数を有する別のセラミック材料を明らかにすることを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この課題は、請求項１に係るセラミック材料によって達成される。該セラミック材料の付加的な構成、さらに、該セラミック材料の製造方法および該セラミック材料を含む電子セラミック部品を、従属項の要旨とする。
【０００６】
本発明の一実施形態によって、以下の一般式で表されて、比抵抗について負の温度係数を有するセラミック材料が明らかにされる。
【０００７】
【化１】
2010521394.tif 000003
ここで、ＳＥ１ＩＩＩまたはＳＥ２ＩＩＩは希土金属カチオンである。Ｍ１ＩＩおよびＭ２ＩＩはＣａＩＩ，ＳｒＩＩから選ばれる。Ｍｅ１ＩＩＩおよびＭｅ２ＩＩＩは、酸化還元において安定的な（ｒｅｄｏｘ−ｓｔａｂｌｅ）３価の金属カチオンである。
【０００８】
パラメータｚを任意に変化させて、Ｃｒを少なくとも部分的に３価の金属Ｍｅ１ＩＩＩ，Ｍｅ２ＩＩＩで置換することにより、このセラミック材料の抵抗を所望の値に設定できる。さらに、このセラミック材料は、一般式ＡＢＸ３で表されるペロブスカイト結晶構造を有してもよく、希土金属カチオンＳＥ１ＩＩＩ，ＳＥ２ＩＩＩおよび２価の金属カチオンＭ１ＩＩおよびＭ２ＩＩは、結晶格子中でＡサイトを占有している。Ｂサイトは、金属カチオンＣｒ，Ｍｎ，Ｍｅ１ＩＩＩおよびＭｅ２ＩＩＩで占有され、Ｘサイトは、酸素で占有される。パラメータｘ，ｚおよびｙについては、以下の数式が適用される。
【０００９】
【数１】
2010521394.tif 000004
【００１０】
本発明に係るセラミック材料の別の実施形態では、Ｃｒと同様にＭｎも３価および４価の金属カチオンの形で存在するので、このセラミック材料には、以下の一般式が適用される。
【００１１】
【化２】
2010521394.tif 000005
ただし、ＳＥ１ＩＩＩまたはＳＥ２ＩＩＩは希土金属カチオンである。Ｍ１ＩＩおよびＭ２ＩＩはＣａＩＩ，ＳｒＩＩから選ばれる。Ｍｅ１ＩＩＩおよびＭｅ２ＩＩＩは酸化還元において安定的な（ｒｅｄｏｘ−ｓｔａｂｌｅ）３価の金属カチオンである。パラメータｘ，ｙおよびｚには、以下の数式が適用される。
【００１２】
【数２】
2010521394.tif 000006
ここで、０＜ｔ＜ｘの場合、ｔ≦ｙ≦１＋ｔ−ｘ−ｚが適用され、ｔ＝０の場合、０＜ｙ≦１−ｘ−ｚが適用され、ｔ＝ｘの場合、ｘ＜ｙ＜１−ｚが適用される。
【００１３】
上述の一般式中の式（ＳＥ１ＩＩＩ，ＳＥ２ＩＩＩ）は、セラミック材料の結晶格子内の等価な格子サイトに、希土金属ＳＥ１ＩＩＩまたはＳＥ２ＩＩＩのいずれか一方のみが存在すること、あるいは、セラミック材料内の異なる位置にある等価な格子サイトに、ＳＥ１ＩＩＩとＳＥ１ＩＩＩの双方が、隣接して存在することを意味する。２価の金属カチオンについての式（Ｍ１ＩＩ，Ｍ２ＩＩ）と、３価の酸化還元において安定的な（ｒｅｄｏｘ−ｓｔａｂｌｅ）金属カチオンについての式（Ｍｅ１ＩＩＩ，Ｍｅ２ＩＩＩ）も、同様に解釈される。
【００１４】
本願発明者らは、上記の一般式で表されるセラミック材料において、位置切替処理によって、金属カチオンの間、特に酸化状態の異なる遷移金属カチオンの間で、電流輸送が生じうることを知った。これをポーラロン伝導（ホッピング伝導）と呼ぶこともできる。これは、酸化還元において安定的でない（ｎｏｎ−ｒｅｄｏｘ−ｓｔａｂｌｅ）遷移金属カチオンの間、例えば、ＣｒＩＩＩからＣｒＩＶの間、あるいはＭｎＩＩＩからＭｎＩＶの間の電荷輸送をもたらす。あるいは、該セラミック材料内のＣｒＩＩＩ／ＭｎＩＶ間またはＭｎＩＩＩ／ＣｒＩＶ間の双方向遷移をもたらす。これらの酸化還元において安定的でない（ｎｏｎ−ｒｅｄｏｘ−ｓｔａｂｌｅ）遷移金属カチオンを酸化還元において安定的な（ｒｅｄｏｘ−ｓｔａｂｌｅ）３価の金属ＭｅＩＩＩと交換することにより、平均ホッピング距離が増加し、結果として、電流路が減少するので、電荷輸送を減少させることができる。３価の金属ＭｅＩＩＩのパラメータｚを調節すれば、酸化還元において安定的でない（ｎｏｎ−ｒｅｄｏｘ−ｓｔａｂｌｅ）遷移金属カチオンが酸化還元において安定的な（ｒｅｄｏｘ−ｓｔａｂｌｅ）３価の金属ＭｅＩＩＩに交換されていないセラミック材料に比べて、抵抗とＢ定数が大きいセラミック材料を製造できる。パラメータｚの変更に加えて、パラメータｘおよびｙを変更すれば、このセラミック材料の電気特性を、広い範囲で、所望の値に設定できる。ポーラロンは、このセラミック材料内に出現する準粒子と解され、電荷輸送中に出現する電荷担体は、このセラミック材料の少なくとも一部がイオン結合された固体部の周辺に格子変形を生じさせる。ここでは、電荷担体と格子変形を総称して、ポーラロンと呼ぶことにする。
【００１５】
上記の一般式で表されるセラミック材料は、ＣｒＩＶとＭｎＩＩＩ間の電荷輸送に基づいて、２つの一般限定式で表すことができる。ＣｒＩＶとＭｎＩＩＩ間で、完全な電荷輸送が生じる場合、つまり、ｔ＝ｘの場合は、該セラミック材料は、以下の一般式で表すことができる。
【００１６】
【化３】
2010521394.tif 000007
【００１７】
ＣｒＩＶとＭｎＩＩＩ間で電荷輸送が生じない、つまり、ｔ＝０の場合は、該セラミック材料は、以下の一般式で表すことができる。
【００１８】
【化４】
2010521394.tif 000008
【００１９】
前記２式は、「限定式」を示している。しかし、酸化状態にある酸化還元において安定的でない（ｎｏｎ−ｒｅｄｏｘ−ｓｔａｂｌｅ）遷移金属カチオンが、該セラミック材料の内部に分布することもあり得る。このセラミック材料では、この電荷輸送は部分的にのみ生じる、すなわち、０＜ｔ＜ｘの場合である。
【００２０】
別の実施形態では、該セラミック材料は、単一の均一相を形成してもよい。相不均一系での境界では、異なる相の接触領域で、物質輸送が時間に依存することが原因となって生じる電気特性が不利に変動するが、これらを回避し、あるいは少なくとも減じることができる。
【００２１】
別の実施形態では、該セラミック材料は、半導電性の第１のペロブスカイト系と非導電性の第２のペロブスカイト系からなる相均一なペロブスカイト混晶系であると見なすことができる。そのため、高温でも熱力学的に安定的なセラミック材料を提供できる。そのため、温度測定に使用される温度範囲で、相不均一なセラミック系に由来する電気パラメータが時間変動するという不都合を、設定された範囲内で減じるか、あるいは回避できる。したがって、該セラミック材料から抵抗器を生産することができる。これらの抵抗器は、高温ＮＴＣサーミスタに要求される抵抗値と温度依存性の条件を満たす。
【００２２】
このような相均一なペロブスカイト混晶系を有するので、例えば、酸化状態の異なる遷移金属カチオン間での電荷担体の上述の位置切替によって、電荷輸送を生じさせることができる。これらの遷移金属カチオンは、ペロブスカイト構造の頂点共有型酸素八面体のネットワークに配置される。
【００２３】
本発明の別の実施形態では、第１の半導電性のペロブスカイト系は、一般構造式｛（ＳＥ１ＩＩＩ，ＳＥ２ＩＩＩ）１−ｘ（Ｍ１ＩＩ，Ｍ２ＩＩ）ｘ｝（ＣｒＩＩＩ１−ｘ−ｙ＋ｔＣｒＩＶｘ−ｔＭｎＩＩＩｙ−ｔＭｎＩＶｔ）Ｏ３を有してもよく、ＣｒＩＶまたはＭｎＩＶの割合は、０≦ｔ≦ｘに対応させて変えることができる。第２の非導電性のペロブスカイト系は、一般構造式（ＳＥ１ＩＩＩ，ＳＥ２ＩＩＩ）（Ｍｅ１ＩＩＩ，Ｍｅ２ＩＩＩ）Ｏ３を有する。第１の半導電性のペロブスカイト系と第２の非導電性のペロブスカイト系を組み合わせて、両者の混合比率を変えることによって、電気特性を同様に容易に調節できる。
【００２４】
さらに、パラメータｘ，ｙおよびｚを、広範なパラメータ範囲で設定することによって、該セラミック材料の電気特性を調節できる。ｘのパラメータ範囲を、０．０１〜０．５間の範囲で、好ましくは０．０１〜０．３間の範囲で、パラメータｙは、０．０１〜０．７間の範囲で、好ましくは０．１〜０．３間の範囲で、パラメータｚは、０．０５〜０．９間の範囲で、好ましくは０．１〜０．５間の範囲で、それぞれ設定することは容易にできる。また、上記の各値は、前述した範囲内に含まれている。
【００２５】
ここで、希土金属ＳＥＩＩＩは、独立して、あるいは、相均一なペロブスカイト混晶系の結晶構造の同じ位置に、種々の濃度の混合で存在できる。なお、混晶系には、Ｙ，Ｌａ，ＣｅおよびＳｍが好適である。
【００２６】
３価の酸化還元において安定的な（ｒｅｄｏｘ−ｓｔａｂｌｅ）金属ＭｅＩＩＩは、主に、ＡｌＩＩＩ，ＧａＩＩＩまたはそれらの混合物であってもよい。
【００２７】
前記相均一なペロブスカイト混晶系は、半導電性のペロブスカイト系とＳＥＩＩＩＡｌＯ３またはＳＥＩＩＩＧａＯ３間が混晶状態にあるものであると言うことができる。このため、不均一な、あるいは非単相状態にある２つの粒子成分の混合物において一般的に生じるような、導体部品のセラミック材料の種々の隣接粒子間に生じるマイクロメータの範囲の接触変動を、ペロブスカイト構造の原子スケールに係る数ナノメートル領域まで小さくすることができる。
【００２８】
また、本発明の別の実施形態の要旨は、上述のセラミック材料の１つを含む電子セラミック部品である。ここで、該電子セラミク部品は、上述のセラミック材料を含むセラミックベース本体を有し、さらに、例えば、白金を基部とする表面上に導電接触部を含み得る。
【００２９】
このような電子セラミック部品は、例えば、ＮＴＣサーミスタであってもよく、約１０００℃の高温範囲までのサーミスタ温度測定に使用することができる。このようなＮＴＣサーミスタは、例えば、燃焼機関の粒子フィルタと触媒コンバータ用の排ガスセンサのテクニカルデバイスに使用されてもよい。
【００３０】
上述のセラミック材料の種々の実施形態によれば、特性を有さない、あるいは特性の時間変動のみを有するとともに、高温でのエージングにおいても十分に安定なＮＴＣサーミスタを製造できる。また、抵抗ＲＴまたは比抵抗ρＴと係数Ｎで表される公称温度、例えば摂氏２５℃、についての特性曲線は、以下に示すようなアレニウスの関係式で近似的に表現できる。
【００３１】
【数３】
2010521394.tif 000009
ただし、ケルビン温度でのＢ定数は、Ｂ＝ＥＡ／ｋに従って、ボルツマン定数ｋを介して熱活性化エネルギーＥＡと相互に関連付けられる。熱活性化エネルギーは、ポーラロン伝導に対する活性化エネルギーを特定し、一般に、例えば、Ｂ２５／１００℃に対応して、特定の温度区間、つまり２５〜１００℃に関連する。さらに、Ｂ定数は、温度依存性の感度αの尺度であり、感度αは次式に示すサーミスタの温度の関数として、抵抗の変化を特定する。
【００３２】
【数４】
2010521394.tif 000010
【００３３】
また、本発明の別の実施形態の要旨は、所望量の化合物ＳＥＩＩＩ２Ｏ３，ＭＩＩＣＯ３，Ｃｒ２Ｏ３，Ｍｎ２Ｏ３，Ｍｎ３Ｏ４，ＭｎＣＯ３およびＭｅＩＩＩ２Ｏ３を混合し、次いで焼結によってセラミック材料を製造するセラミック材料の製造方法である。焼結して、種々の金属カチオン間で酸化還元転移を生じさせることによって、上述のペロブスカイト系と上述の一般式で表されるセラミック材料を形成できる。
【００３４】
ここで、上述の化合物を、例えば、水相から凝結させて、次いで、乾燥と焼結をすることもできる。また、上述の化合物は混合され、その後、約１０００〜１３００℃、好ましくは、１０５０〜１２００℃の温度で、か焼されてもよい。そして、中間粉砕によって、粒径ｄ５０を約１マイクロメータにすることができる（このとき、粒子の約５０％が約１マイクロメータの粒径を有する）。粉末の分散度は、中間粉砕後とその後の微粉砕後に、粒径範囲ｄ５０を約０．３〜１マイクロメータにすることもできる。
【００３５】
また、本発明に係る方法の他の実施形態によれば、均一相を形成する相均一なペロブスカイト混晶系を形成することができる。
【００３６】
焼結工程は、例えば、１４００と１６００℃の間、好ましくは１４００と１５００℃の間の温度で実行することができる。ここで、十分に焼結圧縮するために、例えば、Ｌｉ２ＣＯ３，Ｌｉ２ＳＯ４またはＢｉ２Ｏ３などの焼結助剤を加えることもできる。
【００３７】
以下では、本発明の種々の実施形態を、実施例と図面を参照して説明する。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】電子セラミック部品を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
さて、図１は、電子セラミック部品１を断面図で示している。ここで、セラミックベース本体２は、ＮＴＣサーミスタを示して、上述のセラミック材料の実施形態を少なくとも１つ含んでいる。導電接触面１０および１５は、互いに反対側にある２つの主面上に配置されている。
【００４０】
一実施形態について説明する。
【００４１】
Ｙ０．８４Ｃａ０．１６Ｃｒ０．６Ｍｎ０．２Ａｌ０．２Ｏ３（ｘ＝０．１６；ｙ＝０．２；ｚ＝０．２）で示されるセラミック材料の製造について説明する。
【００４２】
２５０ｇの粉末を製造するために、５１．９９重量％のＹ２Ｏ３，８．０４重量％のＣａＣＯ３，２２．９５重量％のＣｒ２Ｏ３，７．７３重量％のＭｎ２Ｏ３および５．６０重量％のＡｌ２Ｏ３を計量し、２００〜３００ｇの脱イオン水とともに、事前粉砕を行う。乾燥した後、１０５０〜１１５０℃で４時間に渡って、粉末の一次か焼を行う。その後、目標粒径ｄ５０が１．５μｍ未満になるように、イットリウム安定化ジルコニウム酸化物ペレットとともに、水性縣濁液に主粉砕を行う。粉末材料をさらに乾燥し、１１００〜１２００℃で４時間に渡って、二次か焼を行った後、粒子径ｄ５０が、０．８μｍ未満になるように、微粉砕工程を行う。焼結活性を増すため、例えば、１〜２ｍｏｌ％のＢｉ２Ｏ３を、この粉末に加えて、偏心ミルで均質化する。
【００４３】
試験体を製造するために、セラミック粉末を、練ってプレス粒状物にして、この粒状物から円盤状にプレスされた部品が製造される。ＮＴＣセラミックの電気的接続は、試験ディスクの２つの主面上にスクリーン印刷でＰｔペーストを塗布して、導電接触面とすることによってもたらされる。その後、導電接触面の双方は、セラミックベース本体に焼き固められ、さらに、セラミック材料はＫｏ焼結によって焼結される。焼結は、通常の脱バインダ後に、１４００〜１５００℃、滞留時間１〜３時間で行われる。
【００４４】
このような方法で製造されたＮＴＣ部品の安定性は、定温槽における抵抗値の測定によって評価される。また、共通の高温保持の間のエージングに起因する電気変動が特徴付けられる（以下の表１および表２参照）。
【００４５】
ある実施形態のセラミック材料の電気パラメータを決定するために、上述の方法に従って、径３ｍｍ、高さ１．５ｍｍの寸法で、導電性の白金接触面を備える円筒状のセラミック試料を製造する。該セラミック材料を所望の組成で製造するには、種々の質量を有する原料を使用する。使用される該セラミック材料の一般式は、以下に示される。
【００４６】
【化５】
2010521394.tif 000011
【００４７】
Ｃｒと同様にＭｎも、３価および４価の金属カチオンとして存在できるので、以下の一般限定式が導出される。
【００４８】
【化６】
2010521394.tif 000012
【００４９】
該円筒状のセラミック試料の電気特性とエージング挙動は、その後に決定される。該エージング挙動は、プレエージング段階の期間に、つまり、５００℃までの各指定温度で、７２時間保持した後と、これに加えて７２時間保持した後、つまり１４４時間保持した後の比抵抗の変化率Δρ２５またはＢ値の変化ΔＢから決定される。ここで、特定されるのは、保持段階における変化である。８００℃と１０００℃での値は、５００℃でのエージング後に続いて測定される。
【００５０】
【表１】
2010521394.tif 000013
【００５１】
【表２】
2010521394.tif 000014
【００５２】
表１および２に示した例では、１０００℃で１０００時間に渡って高温硬度試験を行えば、抵抗の温度変化は３％未満になる。温度測定の標準偏差ΔＴは、Ｂ定数が３６００Ｋで、標準抵抗ρ２５℃＝２００ｋΩｃｍの場合、５Ｋにつき±３だけ生じる。
【００５３】
そのため、上述の表１および２の測定値は、本発明に係るセラミック材料の実施形態が異なっていて、組成ｘ、ｙおよびｚが異なっていても、１０００℃まで高温安定性を有するとともに、信頼して使用できるサーミスタを製造できることを特に明らかにしている。
【００５４】
本発明は、実施形態の記載に限定されない。それどころか、本発明は、特に請求項に記載の全ての特徴の組み合わせを包含しており、全ての特徴の組み合わせと同様に、全ての新規な特徴を含んでいる。例え、この特徴やこの組み合わせ自体が、請求項や実施形態に明示されていなくてもである。
【図１】
2010521394.tif 000019
【国際調査報告】
2010521394.tif 000020
2010521394.tif 000021
2010521394.tif 000022
2010521394.tif 000023
2010521394.tif 000024
2010521394.tif 000025