(57)【要約】  本発明は、プラズマ処理装置内に用いられるＲＦシャッターアセンブリを含む。ＲＦシャッターアセンブリは、プロセスの間、基板及びシャドウフレームの下でのプラズマクリープの総量を低減し、これにより不要な表面上で発生する堆積の量を低減する。不要な表面上での堆積の量を低減することにより、パーティクルの剥がれ落ち及びこれによる基板の汚染が低減されうる。
2010520370.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の壁により区分けされた内部空間を有し、少なくとも１つの壁は、第１の距離だけ口が広がった開口を有するチャンバ本体と、
第１の壁から延び出て、前記第１の壁の長さと等しい長さを有する第１のＲＦシャッターと、
第２の壁から延び出て、前記第２の壁の長さより短い長さを有する第２のＲＦシャッターと、
前記第２の壁の長さより短い長さを有する前記第２の壁から延び出た第３のＲＦシャッターとを含むプロセス装置。
【請求項２】
前記第１の壁は、貫通する開口を有する請求項１記載の装置。
【請求項３】
第２の壁は、前記第１の壁の反対側に設けられている請求項１記載の装置。
【請求項４】
第３の壁から延び出て、前記第３の壁の長さとほぼ等しい長さを有する第４のＲＦシャッターと、
第４の壁の長さとほぼ等しい長さを有する、前記第４の壁から延び出た第５のＲＦシャッターとを含む請求項３記載の装置。
【請求項５】
前記第２のＲＦシャッターと前記第３のＲＦシャッターは実質的に同等のものである請求項４記載の装置。
【請求項６】
前記第３の壁及び第４の壁は、相互に平行であり、前記第１の壁及び前記第２の壁に隣接している請求項５記載の装置。
【請求項７】
前記第２の壁は前記第１の壁に隣接して設けられている請求項１記載の装置。
【請求項８】
第３の壁から延び出て、前記第３の壁の長さより短い長さを有する第４のＲＦシャッターと、
前記第３の壁の長さより短い長さを有する、前記第３の壁から延び出た第５のＲＦシャッターとを含む請求項７記載の装置。
【請求項９】
第４の壁から延び出て、前記第４の壁の長さより短い長さを有する第６のＲＦシャッターと、
前記第４の壁の長さより短い長さを有する、前記第４の壁から延び出た第７のＲＦシャッターとを含む請求項８記載の装置。
【請求項１０】
前記第２のＲＦシャッター、前記第３のＲＦシャッター、及び第４のＲＦシャッター、前記第５のＲＦシャッター、前記第６のＲＦシャッター、及び前記第７のＲFシャッターは実質的に同等のものである請求項９記載の装置。
【請求項１１】
前記第１、第２及び第３のＲＦシャッターに結合される第１の位置と、前記第１、第２、及び第３のＲＦシャッターとは結合されていない第２の位置との間で移動可能なシャドウフレームを含む更に含む請求項１記載の装置。
【請求項１２】
複数の壁により区分けされる内部空間を有し、前記複数の壁のうちの第１の壁は貫通する開口を有するチャンバ本体と、
第１の壁から延び出て、前記第１の壁の長さとほぼ同じ長さを有する第１のＲＦシャッターと、
第２の壁から延び出て、全体で前記第２の壁の長さより短い長さを有する複数の第２のＲＦシャッターと、
第３の壁から延び出て、全体で前記第３の壁の長さより短い長さを有する複数の第３のＲＦシャッターと、
第４の壁から延び出て、前記第４の壁の長さとほぼ等しい長さを有する第４のＲＦシャッターとを含むプラズマエンハンスド化学蒸着装置。
【請求項１３】
前記第１の壁は前記第４の壁にほぼ平行である請求項１２記載の装置。
【請求項１４】
前記複数の第２のＲＦシャッター及び前記複数の第３のＲＦシャッターは、ほぼ同じ高さレベルで一直線上に並べられている請求項１３記載の装置。
【請求項１５】
基板をスリットルバルブ開口を介してプロセスチャンバ内のサセプター上に挿入し、
前記基板をプロセス位置にまで持ち上げ、前記基板が持ち上げられたとき前記基板をシャドウリングに結合し、
前記プロセスチャンバ内にプロセスガスを流し、前記プロセスガスはチャンバ内の複雑な経路にそって流れ、実質的にスリットルバルブ開口に入り込むことを避けて、
前記プロセスチャンバ内にプラズマを点火し、
前記基板内に膜を堆積することを含む方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の背景】
【０００１】
（発明の分野）
本発明の実施形態は、主に基板ペデスタルの下に生じる堆積の量を低減するためのＲＦシャッターに関する。
【０００２】
（関連技術の説明）
プラズマ処理において、基板はその基板上でのプロセスを実行するためにプラズマに曝されるかもしれない。このようなプロセスはデポジション、エッチング、イオンインプランテーション、堆積後の処理を含むかもしれない。そのようなプラズマ堆積プロセスの一つである、プラズマエンハンスド化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）において、ＲＦバイアスは、プラズマを発生するためにシャワーヘッドに印加され、及び／又は、更にこのシャワーヘッドと基板支持体との間のところで、離れて発生されるプラズマを励起するために印加されるかもしれない。プラズマ堆積プロセスにおいて、堆積はプラズマに曝される全ての部位においてチャンバ内で生じる。チャンバの表面上の所定量の堆積があっても、チャンバ上の表面上に堆積した物質が剥離し、又は、剥がれ落ち、潜在的に基板を汚染しなければ、許容される。チャンバの表面上の堆積のレベルが、一旦、許容度に達すると、パーティクルの剥離の可能性を低減するために、チャンバの表面は洗浄もしくは交換されるかもしれない。
【０００３】
この剥がれ落ちはいくつかの原因によって生じる。剥がれ落ちの一つの理由は、多くの物資が表面上に堆積した後、プラズマ内のイオンの衝突により、その堆積物が剥がれ落ちるかもしれない。剥がれ落ちの他の理由は、チャンバの部品の動きである。基板を処理の位置まで持ち上げる基板支持体などチャンバの部品が動くと、その部品の動きは堆積物質を有する部品にぶつかるかもしれない。このぶつかりが、その部品から物質が剥離せしめるかもしれない。従って、本技術分野において、プラズマ処理チャンバ内での物質の不要な剥がれ落ちを防ぐ必要がある。
【発明の概要】
【０００４】
本発明は、主に、プラズマ装置内で用いられるＲＦシャッターアセンブリに関する。このＲＦシャッターアセンブリは、プロセス中は、基板及びシャドウフレームの下へのプラズマの回りこみの量を低減し、これにより、不要な表面上に生じる堆積の量を低減する。不要な表面上に生じる堆積の量を低減することにより、パーティクルの剥がれ落ち、及び、これによる基板の汚染が低減されうる。
【０００５】
一実施形態において、プロセス装置が開示される。この装置は複数の壁により区切られる内部空間を有するチャンバ本体を含む。１枚以上の基板を通過させるために、複数の壁のうちの第１の壁内に、１つの開口が存在するかもしれない。この開口はその第１の壁に沿って第１の距離だけ開口しているかもしれない。１つ以上のＲＦシャッターが１つ以上の壁に結合されるかもしれない。この１つ以上のＲＦシャッターは、開口の上に設けられ、第１の距離の長さの少なくとも５０％の距離に相当する第２の距離に亘り設けられるかもしれない。
【０００６】
別の実施形態において、プラズマエンハンスド化学蒸着装置が開示される。この装置は複数の壁を有するプロセスチャンバを含む。開口は複数の壁のうちの第１の壁内に設けられ、この第１の壁に沿って第１の距離だけ開口する。１つ以上のＲＦシャッターが前記プロセスチャンバ内の開口の上に設けられるかもしれない。一以上のシャッターは第１の壁に結合し、第１の距離の少なくとも約５０％の第２の距離亘り設けられるかもしれない。
【０００７】
更に他の実施形態において、プラズマ処理装置が開示される。この装置は少なくとも１つの基板を通過させるための少なくとも１つの開口及び少なくとも１つの壁を有するチャンバ本体を含む。また、少なくとも１つの開口の上部に、チャンバ本体に沿って設けられるＲＦシャッター構造が存在するかもしれない。このＲＦシャッター構造は第１の壁に沿って設けられた複数の突起体を含む。この複数の突起体は、合計で、少なくとも１つの開口の長さの少なくとも約５０％である、第１の壁に沿ったある長さをカバーするように設けられる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本発明の上記に引用された特徴が詳細に理解されうるように、上記に簡単に要約されたような、本発明のより特定的な説明が実施形態を参照しながらなされるが、それらのいくつかは添付図面により図説されている。しかしながら、添付図面は本発明の典型的な実施形態のみを説明するものであり、その範囲を限定するものと考えられるべきでなく、本発明は他に同等な実施形態をも包含する。
【図１】本発明の一実施形態によるＲＦシャッターを有する処理チャンバの断面図である。
【図２】図１のＲＦシャッターの平面図である。
【図３】図２のＲＦシャッターの斜視図である。
【図４】処理位置にまで上げられた基板を有する図１のプロセスチャンバの断面図である。
【図５Ａ】本発明の他の実施形態によるＲＦシャッターを有する装置の平面図である。
【図５Ｂ】図５ＡのＲＦシャッターの斜視図である。
【図６】本発明の他の実施形態によるＲＦシャッターを有する装置の平面図である。
【０００９】
理解を容易にするために、可能な範囲で、各図で共通な同じ要素を指定するために同じ参照番号がふられている。一実施形態内に開示された要素は、特に引用することなく他の実施形態に有効に用いられうる。
【詳細な説明】
【００１０】
本発明はプラズマ処理装置において用いられるＲＦシャッターアセンブリに関する。このＲＦシャッターアセンブリは基板の下のプラズマクリープの量を低減し、処理の間にフレームをシャドウし、これにより不要な表面上における堆積の量を制限する。不要な表面上への堆積の量を低減することにより、パーティクルの剥がれ落ち、及び、これによる基板の汚染が低減される。
【００１１】
図１は本発明の一実施形態によるＰＥＣＶＤ装置の断面図である。本装置は１つ以上の膜が基板１４０上に堆積されるチャンバ１００を含む。図１に示されるように、基板はプロセスが生じない、下側の位置にある。このような好適な１つのＰＥＣVＤ装置は、カルフォルニア州サンタクララにあるアプライド・マテリアルズ社の子会社であるＡＫＴ社から市販されている。以下の説明はＰＥＣＶＤ装置を参照してなされているが、本発明は、他の製造業者により作られたものを含む、物理的蒸着（ＰＶＤ）チャンバなどの他のプラズマ処理チャンバにも同等に適用可能であることを理解されたい。また、本装置は、半導体基板、フラットパネルディスプレイ基板、及びソーラーパネル基板を含む、１つ以上の基板を処理するために用いられるかもしれない。
【００１２】
チャンバ１００は、主に、壁１００に、底１０４、シャワーヘッド１１０、基板支持体１３０を含み、それらは処理空間１０６を形成する。処理空間１０６は、基板１４０が、チャンバ１００の中へ、あるいは、チャンバ１００から、搬送されるように、バルブ１０８を介してアクセスされうる。基板支持体１３０は基板１４０を支持するための基板受け入れ表面１３２を含む。１つ以上のステム１３４は基板支持体１３０を上げたり下げたりするためのリフトシステム１３６に接続されるかもしれない。リフトピン１３８は基板受け入れ表面１３２へ、又は、そこから基板１４５を運搬するために、基板支持体１３５を貫通して、移動可能に設けられる。また、基板支持体１３０は、基板支持体１３０を所要の温度に維持するために、加熱及び／又は冷却エレメント１３９を含むかもしれない。また、基板支持体１３０は基板支持体１３０の周辺でＲＦの接地をもたらすために、接地ストラップ１３１を含むかもしれない。
【００１３】
シャワーヘッド１１０は、保持具１１４により、バッキングプレート１１４の周辺のところで、バッキングプレート１１４に固着されているかもしれない。また、シャワーヘッド１１０は、弛みを防ぐのを援助するため、及び／又は、シャワーヘッド１１０の直線性／湾曲を制御するために、１つ以上の結合支持具１６０により、バッキングプレート１１２に結合されるかもしれない。一実施形態において、１２個の結合支持具１６０がシャワーヘッド１１０をバッキングプレート１１２に結合するために用いられるかもしれない。結合支持具１６０はナットやボルトアセンブリなどの締結機構を含むかもしれない。一実施形態において、ナット及びボルトアセンブリは電気的に絶縁材料により作られているかもしれない。他の実施形態において、このボルトは金属で作られているが、電気的に絶縁物質により覆われているかもしれない。更に他の実施形態において、シャワーヘッド１１０はこのボルトを受け入れるために貫通孔を有しているかもしれない。更に他の実施形態において、このナットは電気的絶縁材料から形成されているかもしれない。この電気的に絶縁される物質は、チャンバ内に存在するかもしれないプラズマに、結合支持具が電気的に結合するのを防ぐのを助ける。更に、及び／又は、選択的に、中央に結合機構が存在し、シャワーヘッド１１２にバッキングプレート１１２を結合するかもしれない。この中央の結合機構は（以下に説明される）リング１４８を取り囲み、ブリッジアセンブリから吊下げられるかもしれない。更に他の実施形態において、この結合支持具１６０はシャワーヘッド１１２を貫通する締結具を含むかもしれない。この締結具はバッキングプレート１１２に結合されるロッドを受け入れるための、切り込みの入った開口を有するかもしれない。このロッドは真空密閉状態でバッキングプレート１１２に結合されるかもしれない。
【００１４】
ガス源１２０は、バッキングプレート１１２内のガス出口１４２、及び、シャワーヘッド１１０内のガス通路を介して、基板受け入れ表面１３２にガスを提供するために、バッキングプレート１１２に結合される。真空ポンプ１０９は所要の圧力においてプロセス空間１０６を制御するためにチャンバ１００に結合されるかもしれない。ＲＦ電源１２２はシャワーヘッド１１０にＲＦ電力を供給するために、バッキングプレート１１２及び／又はシャワーヘッド１１０に結合される。このＲＦ電源は、プラズマがシャワーヘッド１１０と基板支持体１３０との間のガスから生成されるように、シャワーヘッド１１２と基板支持体１３０との間に電界を生じせしめる。約０．３ＭＨｚと約２００ＭＨｚとの間の周波数など、さまざまな周波数が用いられるかもしれない。一実施形態において、このＲＦ電源は１３．５６ＭＨｚの周波数により供給される。
【００１５】
誘電結合リモートプラズマソースなどのリモートプラズマソース１２４が、ガス源１２０とバッキングプレート１１２との間に結合されるかもしれない。基板を処理する間、クリーニングガスがリモートプラズマソース１２４に供給され、リモートプラズマが生成されチャンバの部品を洗浄する。更に、このクリーニングガスは、シャワーヘッドに供給されるＲＦ電源１２２により励起されるかもしれない。適宜なクリーニンングガスとして、これには限定されないが、ＮＦ3、Ｆ2、及びＳＦ6が含まれうる。
【００１６】
基板受け入れ表面１３２上に置かれた基板１４０の上面とシャワーヘッド１１０との間の間隔は、約４００ミル(Mil)と約１２００ミルとの間であるかもしれない。一実施形態において、この距離は約４００ミルと約８００ミルとの間であるかもしれない。
【００１７】
バッキングプレート１１２はブリッジアセンブリ１４４により支持されている。１つ以上のアンカーボルト１４６は、ブリッジアセンブリ１４４からサポートリング１４８へと、下に延びる。サポートリング１４８は１つ以上のボルト１５０によりバッキングプレート１１２に結合されている。サポートリング１４８は実質的にバッキングプレート１１２の中央部においてバッキングプレート１１２に結合されている。バッキングプレートの１１２の中央部は、サポートリング１４８がなければ、バッキングプレート１１２の領域のうち、最も支持がなされていない部分である。従って、バッキングプレート１１２の中央領域を支持することにより、バッキングプレートの弛みを低減、及び／又は、防止することができる。
【００１８】
一実施形態において、サポートリング１４８はバッキングプレートの形を制御するアクチュエターに接続され、バッキングプレート１１２の中央部分は、バッキングプレート１１２の端に対して、持ち上げられたり、下げられたりするかもしれない。バッキングプレートの中央領域を上げることにより、大きい面積の基板上で行われるべき原子層堆積プロセスを可能ならしめるように、渦状の流れが生成されるかもしれない。バッキングプレート１１２動きは、プロセス中に取得される測定値に応じて、生じるかもしれない。一実施形態において、この測定値は堆積されるべき膜の厚さである。バッキングプレート１１２の動きは、そのプロセスと共に同時に生じるかもしれない。
【００１９】
サポートリング１４８は、シャワーヘッド１１０のための支持機構と一体であるか、あるいは、別体のものである。一実施形態において、１つ以上のサポートエレメントがシャワーヘッド１１０をバッキングプレート１１２にさまざまな部位において結合し、サポートリング１４８はバッキングプレート１１２の中央領域に結合される。別の実施形態において、中央部分に設けられた結合機構がバッキングプレート１１２をシャワーヘッド１１２に結合するために用いられ、サポートリング１４８はバッキングプレート１１２の中央領域に結合される。バッキングプレート１１２のサポートリング１１２に加え、シャワーヘッド１１０が中央部分で支持されている時、バッキングプレート１１２のサポートリング１４８は、シャワーヘッド１１０のために、中央の指示部分内で設けられるかもしれない。
【００２０】
シャドウフレーム１３３は、選択的に、基板１４０の周辺の上部に置かれるかもしれない。基板支持体１３０が下げられた時に、シャドウフレーム１３３は、ＲＦシャッター１６２により係止されるかもしれない。一実施形態において、ＲＦシャッター１６２はチャンバと同じ材質を含むかもしれない。別の実施形態において、ＲＦシャッターは誘電材料を含むかもしれない。別の実施形態においてＲＦシャッターは誘電材料を含むかもしれない。別の実施形態において、ＲＦシャッター１６２はステンレススチールを含むかもしれない。別の実施形態において、ＲＦシャッター１６２はアルミニウムを含むかもしれない。シャドウフレーム１３３は、基板１４０の端のところでの、及び、基板１４０に覆われていない基板支持体１３０の領域上での堆積を低減するかもしれない。初期状態において、基板１４０がチャンバ内に挿入されるときは、シャドウフレーム１３３はＲＦシャッター１６２により係止されているかもしれない。基板支持体１３０がプロセスの位置まで上げられると、シャドウフレーム１３３は、基板１４０及び基板支持体１３０により、ＲＦシャッター１６２から持ち上げられる。
【００２１】
プロセスの間、ＲＦシャッター１６２はプラズマクリープを少なくするのに役立つかもしれない。プラズマクリープはプラズマが基板支持体の下の領域に広がるところで生じる。プラズマクリープが起こるところには堆積が起きうる。ＲＦシャッター１６２は、シャドウフレームが基板１４０及び基板支持体１３０に結合されていない時に、シャドウフレーム１３３を支持するだけではなく、プラズマがチャンバ１００内の下側に回り込もうとするときに、プラズマの通路を変更するかもしれない。プラズマの流れを変えることにより、プラズマクリープの量を低減しうる。
【００２２】
ＲＦシャッター１６２は、プラズマ、及び、プラズマにまだ点火されていないプロセスガスの通路を阻止、及び／又は、変更するかもしれない。プラズマ及び／又はプロセスガスが、スリットバルブの開口に入るのを防ぐことができるかもしれない。プラズマ及び／又はプロセスガスがスリットバルブの開口に入らないので、チャンバの拡張、チャンバの収縮、基板の挿入、又は、基板の取り出しの間に、開口内に物質が堆積し、引き剥がれるようなことは、より少なくなる。
【００２３】
図には示されていないが、チャンバライナーが存在するかもしれない。チャンバライナーは、プラズマ処理の間におけるチャンバの壁上での堆積を低減するのに用いられるかもしれない。チャンバ内での剥がれ落ちの量を低減するために、チャンバライナーは取り出され、洗浄されるか、及び／又は、交換されるかもしれない。チャンバライナーを取り除くことにより、きれいなチャンバライナーがすぐにチャンバ内に置かれ、取り除かれたチャンバライナーは洗浄されるかリサイクルされる。一実施形態において、ＲＦシャッター１６２は、チャンバライナーと一体のものであり、チャンバライナーと共に取り出されるかもしれない。別の実施形態において、ＲＦシャッター１６２はチャンバライナーを通して設けられるかもしれない。チャンバライナーを通してＲＦシャッター１６２を設けることにより、ＲＦシャッター１６２は、チャンバライナーの取り除きに先立ち、チャンバライナーから分離されるかもしれない。選択的に、チャンバライナーは、ライナーの取り除きに先立ち、ＲＦシャッター１６２の取り除きを必要としない複数のピースであるかもしれない。
【００２４】
図２は図１のＲＦシャッター１６２の平面図である。説明の明確化のために、チャンバ１００の上面、基板１４０、及びシャドウフレーム１３３は取り除かれている。チャンバ１００は４つの壁１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ、１０２ｄを含む。ＲＦシャッター１１２は、壁１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ、１０２ｄの各々に存在する。開口１０８が存在しない壁１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃについては、ＲＦシャッター１６２ａ、１６２ｂ、１６２ｃは、１つの連続的な材料のピース含むかもしれない。ＲＦシャッター１６２ａ、１６２ｂ、１６２ｃは壁１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃに結合された、分離されたピースであるかもしれない。一実施形態において、１６２ａ、１６２ｂ、１６２ｃは全体的に単一の材料のピースであるかもしれない。別の実施形態において、壁１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ及びＲＦシャッター１６２ａ、１６２ｂ、１６２ｃは一体的な一つの部材を含むかもしれない。
【００２５】
開口１０８を有する壁１０２ｄに沿って、ＲＦシャッター１６２は１つ以上のＲＦシャッターピース１６２ｄ１、１６２ｄ２、１６２ｄ３、１６２ｄ４、１６２ｄ５、１６２ｄ６を含むかもしれない。６個のＲＦシャッターピース１６２ｄ１、１６２ｄ２、１６２ｄ３．１６２ｄ４、１６２ｄ５、１６２ｄ６が示されているが、より多くの、又は、より少ないＲＦシャッターピースが存在するかもしれない。図３は開口１０８の上部に設けられたＲＦシャッターピース１６２ｄ１、１６２ｄ２、１６２ｄ３、１６２ｄ４、１６２ｄ５、１６２ｄ６を示す、図２のＲＦシャッターの斜視図である。開口１０８は第１の方向に壁１０２ｄを横切って伸びる。ＲＦシャッターピース１６２ｄ１、１６２ｄ２、１６２ｄ３、１６２ｄ４、１６２ｄ５、１６２ｄ６の第一の方向に沿った長さの合計は、壁１０２ｄ内の開口１０８の長さの約５０％より長いものである。
【００２６】
プラズマがチャンバ１００の下側へ回り込むとき、ＲＦシャッターピース１６２ｄ１、１６２ｄ２、１６２ｄ３、１６２ｄ４、１６２ｄ５、１６２ｄ６は、そのプラズマの流れを変えることができるので、チャンバの開口１０８内に生じる堆積の量を少なくすることができる。一実施形態において、ＲＦシャッターピース１６２ｄ１、１６２ｄ２、１６２ｄ３、１６２ｄ４、１６２ｄ５、１６２ｄ６は、壁１０２ｄの長さだけ伸びる、一つの連続的な材料ピースを含むかもしれない。別の実施形態において、ＲＦシャッターピース１６２ｄ１、１６２ｄ２、１６２ｄ３、１６２ｄ４、１６２ｄ５、１６２ｄ６の各々と、壁１０２ｄは、全体的に単一の部材ピースを含むかもしれない。別の実施形態において、ＲＦシャッターピース１６２ｄ１、１６２ｄ２、１６２ｄ３、１６２ｄ４、１６２ｄ５、１６２ｄ６は壁１０２ｄに結合されているかもしれない。
【００２７】
ＲＦシャッターピース１６２ｄ１、１６２ｄ２、１６２ｄ３、１６２ｄ４、１６２ｄ５、１６２ｄ６が一連の別個のピースである実施形態において、ＰＥＣＶＤプロセスの間に生成されるプラズマは、それがＲＦシャッターピース１６２ｄ１、１６２ｄ２、１６２ｄ３、１６２ｄ４、１６２ｄ５、１６２ｄ６に遭遇すると、その流れが変えられるかもしれない。個々のＲＦシャッターピース１６２ｄ１、１６２ｄ２、１６２ｄ３、１６２ｄ４、１６２ｄ５、１６２ｄ６は、ＲＦシャッターピース１６２ｄ１、１６２ｄ２、１６２ｄ３、１６２ｄ４、１６２ｄ５、１６２ｄ６のレベルより下に流れるプラズマの能力を低減せしめることができる。ＲＦシャッターピース１６２ｄ１、１６２ｄ２、１６２ｄ３、１６２ｄ４、１６２ｄ５、１６２ｄ６のレベルの下に回りこむプラズマの量を低減することにより、ＲＦシャッターピース１６２ｄ１、１６２ｄ２、１６２ｄ３、１６２ｄ４、１６２ｄ５、１６２ｄ６上、若しくは、開口１０８内の、ＲＦシャッターピース１６２ｄ１、１６２ｄ２、１６２ｄ３、１６２ｄ４、１６２ｄ５、１６２ｄ６のレベルより下に生じるかもしれない堆積の量は低減されうる。ＲＦシャッターピース１６２ｄ１、１６２ｄ２、１６２ｄ３、１６２ｄ４、１６２ｄ５、１６２ｄ６のレベルより下での堆積の量を少なくすることにより、剥がれ落ちも少なくすることができる。
【００２８】
図４は、プロセスの位置まで持ち上げられた基板を備えた図１のプロセスチャンバの断面図である。図４に示されるように、ＲＦシャッター１６２は、プラズマ１０４の流れを変え、ＲＦシャッター１６２のレベルより下に回りこむプラズマの量は低減されうる。
【００２９】
図５Ａは、本発明の他の実施形態によるＲＦシャッターを有する装置５００の平面図である。図５Ｂは図５ＡのＲＦシャッターの斜視図である。装置５００は１つのチャンバ壁５０２内のスリットバルブ開口５１４を有する。スリットバルブ開口５１４の上に、ＲＦシャッター５０８は設けられるかもしれない。図５Ａ及び図５Ｂに示されるように、スリットバルブ開口５１４の上のＲＦシャッター５０８は、単一の材料ピースを含むかもしれない。スリットバルブ開口５１４の反対の壁５０６に沿って、別のＲＦシャッター５１０が存在するかもしれない。ＲＦシャッター５１０はスリットバルブ開口５１４の上のＲＦシャッター５０８に実質的に同じものであるかもしれない。
【００３０】
しかしながら、スリットバルブ開口５１４に隣接する壁５０４上のＲＦシャッター５１２はスリットバルブの開口５１４の上のＲＦシャッター５０８とは異なるものであるかもしれない。図５Ａ及び図５Ｂに示されるように、１つ以上のＲＦシャッター５１２が、独立に存在はするが、その長さの合計は、壁５０４の全長よりは短くなる。一実施形態において、個々のＲＦシャッター５１２の間の距離は、ＲＦシャッター５１２の長さと実質的に同じ、若しくは、それよりも短いかもしれない。他の実施形態において、反対の壁５００上のＲＦシャッター５１２は、ほぼ一線上に整列されているかもしれない。他の実施形態において、反対の壁５０４上のＲＦシャッター５１２は、実質的に一線上には整列されていないかもしれない。ＲＦシャッター５０８、５１０、５１２は、全て、スリットバルブ開口５１４に対して実質的に同じ傾きで装置内に設けられているかもしれない。このように、反対の壁上のＲＦシャッターは実質的に同等のものであるが、隣接する壁上のＲＦシャッターは実質的に異なるものであるかもしれない。ＲＦシャッター５０８、５１０、５１２は、約０．５インチと約４インチとの間の厚さを有するかもしれない。ＲＦシャッター５１２は約1インチと約１２インチとの間の長さを有するかもしれない。
【００３１】
図６は本発明の他の実施形態によるＲＦシャッターを有する装置６００の平面図である。装置６００はスリットバルブ開口を有するチャンバの側壁、壁６０２を有する。スリットバルブ開口の上部に、ＲＦシャッター６０８が設けられる。スリットバルブ開口の上のＲＦシャッター６０８は単一の材料ピースを含むかもしれない。
【００３２】
スリットバルブ開口の反対の壁６０６及びスリットバルブの開口に隣接する壁６０４に沿って、より多くのＲＦシャッター６１０が存在するかもしれない。しかしながら、壁６０４、６０６上のＲＦシャッター６１０はスリットバルブの開口の上のＲＦシャッター６０８とは異なるものであるかもしれない。１つ以上のＲＦシャッター６１０の各々は、壁６０４、６０６の全体の長さよりも短い長さのものであるかもしれない。一実施形態において、個々のＲＦシャッター６１０の間の距離は、ＲＦシャッター６１０の長さとほぼ等しいか、より短い長さを有するかもしれない。他の実施形態において、反対側の壁６０４上のＲＦシャッター６１０は、ほぼ一直線上に並んでいるかもしれない。別の実施形態において、反対の壁６０４上のＲＦシャッターは、ほぼ一直線上には、並んでいないかもしれない。ＲＦシャッター６０８、６１０はスリットバルブ開口に対して、ほぼ同じ傾きを有して装置内に設けられるかもしれない。壁６０４、６０６に沿って千鳥状に配置されたＲＦシャッター６１０を有する三つの壁６０４、６０６があり、スリットバルブ開口を有する壁６０２は壁６０２の長さと同じ長さだけ伸びる単一のＲＦシャッター６０８を有するかもしれない。ＲＦシャッター６０８、６１０は約０．５インチと約４インチとの間の厚さを有するかもしれない。ＲＦシャッター６１０は約１インチと約１２インチとの間の長さを有するかもしれない。
【００３３】
プラズマプロセスの間、プロセスチャンバ内のプラズマの流れを変えることにより、ＲＦシャッターはプラズマチャンバの下部の領域に生じるプラズマクリークの量を低減することができる。プラズマクリークの量を低減することにより、不要な堆積の量が減らされ、基板を汚染する可能性のある剥がれ落ちが低減されうる。
【００３４】
本発明の実施形態に沿って上記説明されてきたが、本発明の更なる他の実施形態及び更なる実施形態は本発明の基本範囲を逸脱することなくなされるものであり、その範囲は特許請求の範囲に基づいて定められる。
【図１】
2010520370.tif 000003
【図２】
2010520370.tif 000004
【図３】
2010520370.tif 000005
【図４】
2010520370.tif 000006
【図５Ａ】
2010520370.tif 000007
【図５Ｂ】
2010520370.tif 000008
【図６】
2010520370.tif 000009
【国際調査報告】
2010520370.tif 000010