(57)【要約】  気密封止パッケージは、内表面及び外表面を有する第１のプレート（１０２）、内表面及び外表面を有する第２のプレート（１０４）、第２のプレートの内表面上に配されたフリット材料（１０６）及び、（ｉ）少なくともフリット材料に対向する第１のプレートの内表面、及び（ii）少なくとも直接または間接にフリット材料上において第２のプレートの内表面、の内の少なくとも一方の上に直接または間接に配された少なくとも１つの誘電体層（１０８）を有し、フリット材料が加熱に応答して誘電体層に対し気密封止を形成する。
2010519702.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機発光デバイス（ＯＬＥＤ）において、
金属、合金、セラミック、ガラス、石英、及びポリマーからなる群から選ばれる材料でそれぞれが形成されており、それぞれの内表面及び外表面を有する、第１及び第２のガラスプレート、
前記第１のガラスプレートの前記内表面上に配された１つないしさらに多くのＯＬＥＤであって、アノード電極及びカソード電極を有するＯＬＥＤ、及び
前記第２のガラスプレートの前記内表面上に配されたフリット材料、
を有し、
誘電体層が、（ｉ）前記フリット材料に対向する前記第１のガラスプレートの前記内表面、及び（ii）少なくとも直接または間接に前記フリット材料上において前記第２のガラスプレートの前記内表面、の内の少なくとも一方の上に直接または間接に配され、
前記誘電体層は、（ｉ）前記アノード電極及びカソード電極を覆わない及び（ii）前記アノード電極及びカソード電極の内の少なくとも一方を少なくともある程度覆い、よって前記アノード電極及びカソード電極の内の前記少なくとも一方の腐食及び損傷の内の少なくとも一方を軽減する、の内の少なくとも一方であり、
前記フリット材料が加熱に応答して前記誘電体層に対し気密封止を形成する、
ことを特徴とする有機発光デバイス。
【請求項２】
前記誘電体層が、
（ｉ）約１０〜６００ｎｍの間，約１００〜５００ｎｍの間，約２００〜５００ｎｍの間，約１０〜５０ｎｍの間及び約４００ｎｍの内の１つの厚さを有する、
及び
（ii）窒化シリコン層を覆う酸化シリコン層を有する、
の内の少なくとも一方であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光デバイス。
【請求項３】
請求項２に記載の有機発光デバイスにおいて、
（ｉ）前記酸化シリコン層が約１０〜１００ｎｍの厚さを有する、及び
（ii）前記窒化シリコン層が、約１０〜５００ｎｍの間，約１００〜５００ｎｍの間，約２００〜５００ｎｍの間，約１０〜５０ｎｍの間及び約４００ｎｍの内の１つの厚さを有する、
の内の少なくとも一方であることを特徴とする有機発光デバイス。
【請求項４】
前記誘電体層が前記フリット材料を覆い、前記第２のプレートの前記内表面の少なくとも一領域を直接覆う、
前記誘電体層が前記フリット材料を覆い、前記第２のプレートの前記内表面の実質的に全ての領域を直接覆う、及び
前記誘電体層が前記フリット材料を覆い、前記第２のプレートの前記内表面の実質的にどの領域も覆わない、
の内の１つであることを特徴とする請求項１に記載の有機発光デバイス。
【請求項５】
方法において、
それぞれがそれぞれの内表面及び外表面を有する、第１及び第２のプレートを提供する工程、
前記第２のプレートの前記内表面上にフリット材料を配する工程、
前記第１のプレートの前記内表面上に、それぞれがアノード電極及びカソード電極を有する、１つないしさらに多くの有機発光デバイス（ＯＬＥＤ）を配する工程、
少なくとも１つの誘電体層を、（ｉ）前記誘電体層が前記アノード電極またはカソード電極を覆わない、及び（ii）前記誘電体層が前記アノード電極及びカソード電極の内の少なくとも一方を覆い、よって少なくとも加熱工程中の前記アノード電極及びカソード電極の内の前記少なくとも一方の腐食を軽減する、の内の一方であるように、（ｉ）前記フリット材料に対向する前記第１のプレートの前記内表面、及び（ii）少なくとも直接または間接に前記フリット材料上において前記第２のプレートの前記内表面、の内の少なくとも一方の上に直接または間接に配する工程、
前記フリット材料を前記誘電体層に接触させる工程、及び
前記フリット材料が少なくともある程度溶融し、前記誘電体層に対し気密封止を形成して、気密封止パッケージを形成するように、前記フリット材料を加熱する工程、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
前記フリット材料を前記誘電体層に接触させる前記工程に先立ち、前記フリット材料を焼結する工程をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第１のプレートの前記内表面上に前記誘電体層を配する前記工程が、窒化シリコンの第１の層を被着する工程及び前記窒化シリコンを覆う酸化シリコンの第２の層を被着する工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜デバイス、特に周囲環境に敏感な薄膜デバイスの保護に適する気密シールパッケージに向けられる。そのようなデバイスのいくつかの例には、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイ、センサ及びその他の光デバイスがある。例として本発明はＯＬＥＤディスプレイに関して論じられるであろうが、そのような態様には限定されない。
【背景技術】
【０００２】
ＯＬＥＤは、広範な電界発光デバイスにおける使用及び使用可能性のために、近年かなり多くの研究のテーマとなっている。例えば、単一ＯＬＥＤは個別発光デバイスに用いることができ、ＯＬＥＤのアレイは照明用途またはフラットパネルディスプレイ用途（例えばＯＬＥＤディスプレイ）に用いることができる。従来のＯＬＥＤディスプレイは、非常に明るく、良好なカラーコントラストを有し、トゥルーカラーを生成し、広い視野角を示すことが知られている。しかし、従来のＯＬＥＤディスプレイ、特にＯＬＥＤディスプレイ内部にある電極及び有機層は周囲環境からディスプレイに漏入する酸素及び水分との相互作用による劣化を受け易い。ＯＬＥＤディスプレイ内部の電極及び有機層を周囲環境から気密封止すれば、ＯＬＥＤディスプレイの寿命をかなり長くし得ることは周知である。
【０００３】
残念なことに、ＯＬＥＤディスプレイを気密封止するための封止形成プロセスの開発は非常に困難であった。ＯＬＥＤディスプレイの適切な封止を困難にする要因のいくつかには、
（ｉ）  気密封止は、酸素に対するバリア（１０−３ｃｍ３/ｍ２/日）及び水に対するバリア（１０−６ｇ/ｍ２/日）を与えるべきであること、
（ii）  気密封止部の寸法は、ＯＬＥＤディスプレイの大きさに悪影響を与えないように、最小（例えば＜２ｍｍ）とすべきであること、
（iii） 封止形成プロセス中に発生する温度がＯＬＥＤディスプレイ内部の材料（例えば電極及び有機層）に損傷を与えるべきではない（例えば、ＯＬＥＤディスプレイ内で封止部から約１〜２ｍｍにあるＯＬＥＤの第１ピクセルは、封止形成プロセス中に１００℃より高温に加熱されるべきではない）こと、
（iv）  封止形成プロセス中に放出されるガスがＯＬＥＤディスプレイ内部の材料を汚染すべきではないこと、及び
（ｖ）  気密封止は電気接続（例えばクロム薄膜）のＯＬＥＤディスプレイ内への貫入を可能にすべきであること、
がある。
【０００４】
上記課題の中で最も達成が困難な課題の１つは、有機分子の酸素及び水分との反応性が強いことから、気密封止形成である。
【０００５】
ＯＬＥＤディスプレイを封止するための従来手法の中に、様々なタイプのエポキシ樹脂、無機材料及び／または紫外光による硬化後に封止を形成する有機材料の使用がある。Vitex Systemsは、交互する無機材料層と有機材料層をＯＬＥＤディスプレイを封止するために用いることができる複合材ベース手法であるコーティングをBatrix（商標）の商品名で製造販売している。これらのタイプの封止は良好な機械的強度を通常与えるが、それらは非常に高価であり得るし、ＯＬＥＤディスプレイ内への酸素及び水分の拡散の防止に失敗した多くの例がある。ＯＬＥＤディスプレイを封止するための別の従来手法は、金属溶接または鑞付けを利用することである。しかし、得られる封止は、ＯＬＥＤディスプレイのガラスプレートと金属の熱膨張係数（ＣＴＥ）間のかなりの差のため、広い温度範囲における耐久性がない。
【０００６】
（ＯＬＥＤディスプレイのような）ガラスパッケージを封止するための別の手法がコーニング社（Corning Incorporated）に譲渡された特許の、特許文献１に開示されている。特許文献１の全開示は本明細書に参照として含まれる。この手法はレーザフリット封止形成技術を含み、この技術は従来のエポキシ封止形成技術に比較して、かなり高い気密性、基板寸法を一定として高表示密度、及び前面発光デバイスへの適用のような、多くの利点を示す。しかし、フリット材料を溶融させるための大パワーレーザの使用により、１つないしさらに多くの不都合な結果が生じ得る。実際、加熱プロセスによって生じる熱サイクルがＯＬＥＤデバイスに熱損傷を生じさせることがおこり得る。
【０００７】
レーザフリット封止形成手法では、カソード金属−リード、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）及びその他の保護材料のような、様々なデバイス材料にフリットが接合される。デバイス側のそれぞれの材料は異なる熱特性（例えば、ＣＴＥ、熱容量及び熱伝導度）を有する。デバイス側の様々な熱特性は、レーザ封止形成プロセス完了後に、フリットとデバイス境界の間の接合強度のかなりの変動を生じさせ得る。さらに、カソード金属−リードはレーザフリット封止形成後に剥離し得る。カソードは通常、それぞれのＣＴＥがおそらくは異なる、２種ないし３種の異なる金属要素の複数の層からなるから、レーザフリット封止形成に用いられる比較的高速の加熱及び冷却プロセスは時折金属カソードに、「ウィンクル」効果のような、損傷を生じさせ得る。金属リードの高熱伝導度も接合強度低下の原因になり得る。これは、大パワーレーザによるフリット加熱プロセス中の比較的高速な熱散逸による。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】米国特許第６９９８７７６号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
したがって、ＯＬＥＤディスプレイのような、ガラスパッケージの既知の封止形成手法にともなう、上述の問題及びその他の欠点に対処することが技術上必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の１つないしさらに多くの実施形態にしたがえば、方法及び装置は、内表面及び外表面を有する第１のプレート、内表面及び外表面を有する第２のプレート、第２のプレートの内表面上に配されたフリット材料及び、（ｉ）フリット材料に少なくとも対向する第１のプレートの内表面、及び（ii）少なくとも直接または間接にフリット材料上において第２のプレートの内表面、の内の少なくとも一方の上に直接または間接に配された少なくとも１つの誘電体層を有する、気密封止パッケージを提供する。フリット材料は加熱に応答して誘電体層に対し気密封止を形成する。
【００１１】
パッケージはさらに、第１のガラスプレートの内表面上に配された１つないしさらに多くの電子コンポーネントを有することができる。
【００１２】
誘電体層は窒化シリコンを有することができる。あるいは、誘電体層は窒化シリコンを覆う酸化シリコン層を有することができる。誘電体層は、約１０〜６００ｎｍの間、約１００〜５００ｎｍの間及び約１０〜５０ｎｍの間の内の１つの厚さを有することができる。酸化シリコン層の厚さは約１０ｎｍとすることができ、窒化シリコン層の厚さは約４００ｎｍとすることができる。
【００１３】
第１及び第２のプレートの内の少なくとも１つは、金属、合金、セラミック、ガラス、石英及び／またはポリマーで形成することができる。当業者であれば、パッケージ（特にガラスパッケージ）が液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、蛍光スクリーン、太陽電池及び、環境的に不利な雰囲気内で動作する必要があり、及び／または腐食、偶発的損傷、掻き傷等からの保護が必要な、その他いずれかの電子デバイスのために用いられ得ることを認めるであろう。
【００１４】
その他の態様、特徴、利点等は、当業者には、本明細書における本発明の説明を添付図面とともに考察すれば明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１Ａ】図１Ａは、本発明の１つないしさらに多くの態様にしたがう、フリット材料を用いて封止されることになるパッケージの部分分解組立断面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは封止後の図１Ａのパッケージの断面図である。
【図２】図２は図１Ｂのパッケージの上面図である。
【図３】図３は、本発明の１つないしさらに多くの態様にしたがう、本明細書に開示される図１Ｂ及び／またはその他の実施形態のパッケージの封止形成プロセスを説明する流れ図である。
【図４】図４は、本発明の１つないしさらに多くの別の態様にしたがう、フリット材料を用いて封止されることになるパッケージの部分分解組立断面図である。
【図５】図５は、本発明の別の態様にしたがう、誘電体層及びリードの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の様々な態様を説明する目的のため、用いられ得る単純化された形態が、同様の参照数字が同様の要素を示す、図面に示されるが、本発明が図示される精確な構成及び手段によって、またはそれらに、限定されず、添付される特許請求の範囲によってのみ限定されることは当然である。図面は比例尺で描かれておらず、図面の態様は相互に対して比例関係にないことがある。本発明の主題の作成及び使用において当該技術の技術者を補助するため、添付図面が参照される。
【００１７】
本発明の様々な実施形態は全般的に気密封止パッケージに向けられる。パッケージは、例として、金属、合金、セラミック、ガラス、石英及び／またはポリマーの内の少なくとも１つで形成することができるが、本発明はＯＬＥＤディスプレイを封止するためのガラスパッケージに関して論じられる。
【００１８】
図１〜３を参照して、本発明の１つないしさらに多くの態様にしたがう、ガラスパッケージ１００及びこれを作成するための方法が開示される。ガラスパッケージ１００は気密封止ＯＬＥＤディスプレイ１００とすることができる。図１Ａはガラスパッケージ（またはＯＬＥＤディスプレイ）１００の部分分解組立断面図であり、図１Ｂは封止されたガラスパッケージ１００の断面図であり、図２は図１Ｂのガラスパッケージ１００の上面図である。
【００１９】
ＯＬＥＤディスプレイ１００は、いずれかをまたはいずれをもガラスシートとすることができる（図３の工程２０２）、第１の基板プレート１０２及び第２の基板プレート１０４を含む多層構造である。やはり、別の実施形態において、基板プレート１０２，１０４の内の１つないしさらに多くは、金属、合金、セラミック、石英及び／またはポリマーで形成することができる。第１及び第２の基板プレート１０２，１０４は、製品コード１７３７ガラスまたはＥａｇｌｅ２０００（商標）ガラスの商品名でコーニング社によって、あるいは、旭硝子（株）（例えば、ＯＡ１０ガラスまたはＯＡ２１ガラス）、日本電気硝子（株）、ＮＨテクノ及び三星コーニングプレシジョンガラス（株）のような、その他の会社によって、製造販売されているような、透明ガラスプレートとすることができる。
【００２０】
第１の基板プレート１０２及び第２の基板プレートはそれぞれ内表面及び外表面１０２Ａ，１０４Ａ及び１０２Ｂ，１０４Ｂを有する。プレート１０２，１０４間に気密封止されるべき少なくとも１つのデバイス１０３（例えば、ＯＬＥＤアレイのような、電子デバイス）が第１の基板１０２の内表面１０２Ａ上に配される（図３の工程２０４）。一般的なＯＬＥＤ１０３は、アノード電極（またはリード）１１０Ａ，１つないしさらに多くの有機層、及びカソード電極（またはリード）１１０Ｂを有するが、既知のＯＬＥＤ１０３のいずれも、または今後開発されるＯＬＥＤが、ガラスパッケージ１００に用いられ得ることは当業者には容易に理解されるはずである。やはり、本発明の精神及び範囲を逸脱することなく、その他のいかなるデバイスもガラスパッケージ１００に用いられ得る。
【００２１】
フリット材料１０６が第２の基板プレート１０４の内表面１０４Ａ上に配される（図３の工程２０６）。フリット１０６は第２の基板１０４の縁に沿って、例えばプレート１０４の自由縁からほぼ１ｍｍ離して、配されることが有利であろう。フリット材料は、約０.３〜３ｍｍ（０.７〜１.０ｍｍが好ましい）の幅及び約１０〜２０μｍ，好ましくは１４〜１６μｍの高さで、施すことができる。１つないしさらに多くの実施形態において、フリット１０６は、鉄、銅、バナジウム及びネオジムを含む群から選ばれる１つないしさらに多くの吸収イオンを含有する低温ガラスフリットとすることができる。イオンは、特定の波長（または波長範囲）において、そのような波長のエネルギー源の使用がフリット１０６の加熱に用いられ得るように、エネルギー（例えば光エネルギーまたはその他の放射線）を吸収するように選ばれる。フリット１０６の熱膨張係数が２枚の基板プレート１０２及び１０４の熱膨張係数に整合するかまたは実質的に整合するように、フリット１０６の熱膨張係数を下げるフィラー（例えば、転化フィラー、添加フィラー、等）をフリット１０６にドープすることもできる。特許文献１にいくつかの例示的なフリット材料１０６の組成を見ることができる。
【００２２】
必要に応じて、フリット１０６は第２の基板プレート１０４に前もって焼結しておくことができる。これを達成するため、フリット１０６は第２の基板プレート１０４上に被着され（工程２０６）、次いでフリット１０６が第２の基板１０４に密着するように加熱される。必要に応じて実施される先行焼結工程に関するさらに詳細な議論は特許文献１に見ることができる。
【００２３】
次に、誘電体層１０８が、少なくともフリット材料１０６に対向する第１の基板プレート１０２の内表面１０２Ａ上に直接または間接に配される（図３の工程２０８）。誘電体層１０８は、パッケージ１００のコンポーネント、例えばＯＬＥＤデバイスを、機械的及び化学的な酷処及びおこり得る損傷から保護する、パッシベーション層としてはたらく。図示されるように、誘電体層１０８はリード１１０上に配される。図５を参照すれば、誘電体層１０８は、窒化シリコンのような、単層の材料を有することができ、または（例えば窒化シリコンの）初期層１０８Ａを覆う酸化シリコン層１０８Ｂのような、多層構造とすることができる。
【００２４】
誘電体層１０８は多くの態様のいずれかで被着することができる。例えば、誘電体層１０８は、誘電体層１０８が１つないしさらに多くのデバイス１０３を覆うことのないように、（図示されるように）フリット材料１０６に対向する、封止境界上にのみ被着することができる。あるいは、誘電体層１０８は、誘電体層１０８が１つないしさらに多くのデバイス１０３を少なくともある程度被覆するように、フリット境界の内側にも被着することができる。ＯＬＥＤデバイス１０３の場合、誘電体層１０８が、図示されるように、アノード電極１１０Ａ及びカソード電極１１０Ｂの内の少なくとも１つを少なくともある程度被覆していると、さらに利点を得ることができる。
【００２５】
誘電体層１０８は、スパッタリング、物理的気相成長（ＰＶＤ）、化学低気相成長（ＣＶＤ）またはプラズマアシスト化学低気相成長（ＰＥＣＶＤ）のような、いずれかの薄膜被着手法によって被着することができる。誘電体層１０８の厚さは約１０〜６００ｎｍの間とすることができる。１つないしさらに多くの実施形態において、約１０〜５０ｎｍの厚さで良好な封止が得られることがわかった。別の実施形態にしたがえば、誘電体層１０８の厚さは約１００〜５００ｎｍの間とすることができる。例えば、誘電体層１０８が多層構造の場合、酸化シリコン層１０８Ｂは約１０〜１００ｎｍの厚さを有することができ、窒化シリコン層１０８Ａは約２００〜５００ｎｍの厚さを有することができるが、窒化シリコン層厚は４００ｎｍが好ましい。誘電体層１０８の被覆一様性により、フリット材料１０６の高さ変動をある程度補償することができ、これは気密封止を向上させることができる。
【００２６】
誘電体層１０８の圧縮力は、特に誘電体層が（上述したＳｉＮｘ/ＳｉＯのような）セラミック材料で形成されている場合に、パッケージ１００の重要な特徴になり得る。例として、誘電体層は約０.０１〜７００ＭＰａ，約２００〜５００ＭＰａ，あるいは、好ましくは約４００〜５００ＭＰａの圧縮応力を示し得る。セラミックのような、誘電体層１０８の形成に用いられる材料は大きな圧縮応力を緩和し得るが、引張応力を緩和するとは限らない。したがって、フリット１０６及び／または誘電体層１０８と比較して基板プレート１０２，１０４のＣＴＥが高いことから生じ得る、いくらかの引張応力があれば、基板プレート１０２，１０４が（封止形成プロセス中に）熱くなったときに、誘電体層１０８の固有圧縮応力が圧縮応力を与えてガラスフリット１０６及び／または基板プレート１０２，１０４の膨張によって生じる引張応力の悪影響を中和するであろう。
【００２７】
多層誘電体層１０８（例えば、窒化シリコン＋酸化シリコン）の被着の上記議論は個別の層１０８Ａ，１０８Ｂを想定しているが、別の実施形態では、窒化シリコンから酸化シリコンへの界面における勾配（漸次遷移）が考えられる。勾配は、状況の要求に応じて、急激にするかまたは緩やかにすることができる。勾配は、例えば、被着中に膜形成雰囲気をＮＨ３（窒素源）からＯ２に徐々に変えることによって達成することができる。
【００２８】
工程２１０において、第１及び第２の基板プレート１０２，１０４がフリット−誘電体界面を介して合わせられる。工程２１２において、フリット１０６は、フリット１０６が気密封止を形成するように、光源（例えば、レーザ、赤外線ランプ、等）によって加熱される。封止は第１の基板プレート１０２を第２の基板プレート１０４に接触させて、接合する。気密封止は、周囲雰囲気中の酸素及び水分のパッケージ１００への侵入を防止することによって、ＯＬＥＤ（及び／またはその他のデバイス）１０３を保護する。
【００２９】
誘電体層１０８により、溶融しているフリットからの、金属リード１１０のような、デバイス１０３に伝達される熱量が少なくなる。すなわち、熱損傷がかなり軽減されると考えられる。
【００３０】
誘電体層１０８は、フリット封止形成プロセス中に熱安定性を示すべきであるから、非常に高い融点を有するべきである。上で論じたように、誘電体層１０８は非常に薄い膜の形態の窒化シリコン（ＳｉＮｘ）で形成することができる。ここで、ｘは約０.１〜３とすることができる。窒化シリコンの特性には、低密度、高温強度、優れた耐熱衝撃性、優れた耐摩耗性、良好な破断靱性、高い耐機械疲労性及び耐クリープ性、優れた耐酸化性及び耐腐食性、及び、ＯＬＥＤデバイス１０３がその上に配されるガラス（特にＥａｇｌｅ２０００）に比較して高い熱伝導度がある。誘電体層１０８（例えばセラミック）のフリット１０６及び基板プレート１０２，１０４（例えばガラス）に比較して高い熱伝導度は、フリット１０６で生じる熱が局所領域に集中せず、熱はより高い熱伝導度によって他の領域に散逸するから、封止形成プロセスに役立つ。熱伝導度が低い材料においておこる、（良好な散逸のない）熱集中はリード１１０及び／またはその他のクリティカルなコンポーネントの溶融または、そこまでは至らなくとも、損傷を生じさせ得る。誘電体層１０８としての窒化シリコンの使用の別の利点は、フリット１０６と基板プレート１０２，１０４のＣＴＥの差の補償が得られることである。ＳｉＮｘのＣＴＥは約３〜４×１０−６/℃の範囲に入る。これはフリット１０６と、ガラスのような、基板プレート１０２，１０４のＣＴＥのかなりの差を緩衝し、封止部のクラック発生及び／または剥離を回避する。
【００３１】
基板プレート１０２，１０４と、フリット材料のような、その他のコンポーネントと誘電体１０８の間ではＣＴＥが整合しないことに注意されたい。そのような問題は，基板プレート１０２，１０４への、金属、合金、ガラス、セラミック、石英及び／またはポリマーのような、特定の材料の使用によって複雑になる。
【００３２】
デバイス側の誘電体材料の層は、レーザ封止形成プロセス中のフリット材料への対抗作用として極めて一様な熱特性を提供できる。誘電体層は封止形成の前のＯＬＥＤデバイス上の電気リード材料の腐食を防止することができる。相手のフリット材料は単一材料（誘電体）であるから、フリットと誘電体層の間の材料適合性を向上させることができ、おそらくは最適化することができる。ＯＬＥＤデバイス側の誘電体材料により、（顧客の材料の変化による）レーザ封止形成プロセスの複雑さを大きく軽減することができる。誘電体薄層はレーザ封止形成プロセス中の熱損傷から電気リードを保護する。
【００３３】
誘電体薄層は、フリット材料の加熱によってガラスパッケージを封止するために用いられる波長において誘電体薄層が光（例えばレーザ光またはその他の輻射）を吸収しない場合に、別の利点も示す。このような場合、誘電体材料は、レーザエネルギーのフリット材料への有効伝達を低下させないから、フリット材料の溶融を妨害しない。例として、あるフリット材料は約８１０ｎｍの波長のレーザ光を用いて加熱することができる。すなわち、誘電体材料が８１０ｎｍの光エネルギーを吸収しない場合に利点が得られる。
【００３４】
薄層がフリット材料とデバイスの間の緩衝を提供するから、ある程度のフリット厚変動は補償され得る。低誘電体材料の被着は、追加の薄膜被着装置が必要とされないから、ＰＬＥＤ製造プロセスの最後に容易に実施される。
【００３５】
次に、やはり気密封止ＯＬＥＤディスプレイとすることができる、ガラスパッケージ１００Ａの別の特徴を示している側面図である、図４を参照する。図１〜３との比較において共通の参照数字は同様の要素を示すから、すでに論じた要素の説明を繰り返すことはしない。パッケージ１００Ａは第２の基板プレート１０４の内表面上に直接及び／または間接に配された誘電体層１０８Ａを有することができる。誘電体層１０８Ａは、フリット材料１０６及び第２の基板プレートの一部だけを覆って（あるいは基板プレートは全く覆わず）、封止境界上にだけ被着することができる。あるいは、誘電体層１０８Ａは（図示されるように）フリット材料１０６上に、また直接に（または間接に）第２の基板プレート１０４の内表面上にも、被着することができる。
【００３６】
上記の特徴からさらに別形の構造が得られる。詳しくは、誘電体層１０８及び１０８Ａを組み合わせて用いることができ、あるいは層１０８，１０８Ａのいずれかだけを用いることができる。
【実施例】
【００３７】
上述した手法を用いて多くの構造を作成した。例えば、そのような構造の１つにはＯＬＥＤアレイを覆う、１０ｎｍ厚ＳｉＯｘをオーバーコートした、４００ｎｍ厚ＳｉＮｘ誘電体層を与えた。誘電体層は、４００℃のアニール後に４９３ＭＰａの残留圧縮応力を示すように、被着した。誘電体層（ＳｉＮｘ＋ＳｉＯｘ）は、全ての電気リードを含む、ＯＬＥＤアレイの裏面構造の１/２を被覆した。その後、構造を８５/８５恒温恒湿器に置いた。７３時間の暴露後の構造の検査により、（ｉ）誘電体が裏面構造の腐食を防止し、フリット材料の加熱を目的とした光エネルギーを吸収しなかったという、複合された利点が明らかになった。詳しくは、誘電体層のない領域は甚だしく腐食したが、他方の誘電体層で被覆された１/２領域は損なわれておらず、腐食のいかなる兆候も示さなかった。フリット材料への８１０ｎｍのレーザエネルギーの送配をモニタすることで、誘電体層での吸収は極めて少ないことが明らかになった。
【００３８】
気密封止ＯＬＥＤディスプレイ１００に関して本発明の様々な実施形態の封止形成プロセス及び装置を上で説明したが、同じかまたは同様の封止形成プロセスを、２枚のガラスプレートが相互に封止される必要がある、その他の用途に使用できることは当然である。したがって、本発明は限定された態様にあると解されるべきではない。
【００３９】
本明細書においては特定の実施形態を参照して本発明を説明したが、そのような実施形態が本発明の原理及び応用の例証に過ぎないことは当然である。したがって、添付される特許請求の範囲に定められるような、本発明の精神及び範囲を逸脱することなく、例証実施形態に数多くの改変がなされ得ること及び他の構成が案出され得ることは当然である。
【符号の説明】
【００４０】
１００    ガラスパッケージ
１０２，１０４    基板プレート
１０２Ａ，１０４Ａ    プレート内表面
１０２Ｂ，１０４Ｂ    プレート外表面
１０３    電子デバイス
１０６    フリット材料
１０８    誘電体層
１１０Ａ    アノード電極
１１０Ｂ    カソード電極
【図１Ａ】
2010519702.tif 000003
【図１Ｂ】
2010519702.tif 000004
【図２】
2010519702.tif 000005
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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