(57)【要約】パターン化された導電層を提供する方法である。その方法は、絶縁材料を含むビルドアップ層を提供する段階；提供されるパターン化された導電層の予め定められたパターンに従って、ビルドアップ層の選択部分をレーザ照射する段階であって、そのレーザ照射する段階は、予め定められたパターンに従って、ビルドアップ層に予め定められたレーザで弱められた部分を生成するために、前記絶縁材料における前記化学結合の少なくともいくらかの結合エネルギよりも高い光子エネルギを有するレーザ・ビームを使用する段階を含む、段階；予め定められたパターンに従って凹部を形成するために、ビルドアップ層のレーザで弱められた部分を除去する段階；および、パターン化された導電層を形成するために、導電材料で凹部を充填する段階を含む。
2010532582.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン化された導電層を提供する方法において、
絶縁材料を含むビルドアップ層を提供する段階と、
提供される前記パターン化された導電層の予め定められたパターンに従って、前記ビルドアップ層の選択部分をレーザ照射する段階であって、前記レーザ照射する段階は、前記予め定められたパターンに従って、前記ビルドアップ層に予め定められたレーザで弱められた部分を生成するために、前記絶縁材料における前記化学結合の少なくともいくらかの結合エネルギよりも高い光子エネルギを有するレーザ・ビームを使用する段階を含む、段階と、
前記予め定められたパターンに従って凹部を形成するために、前記ビルドアップ層の前記レーザで弱められた部分を除去する段階と、
前記パターン化された導電層を形成するために、導電材料で前記凹部を充填する段階と、
から構成されることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記レーザ照射する段階は、約２．００ｅＶと約７．００ｅＶとの間の光子エネルギを有するレーザ源を使用する段階を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記レーザ照射する段階は、平均レーザ・フルエンスが約０．５Ｊ／ｃｍ２に等しいか、または小さいレーザ源を使用する段階を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記レーザ照射する段階は、約１５０ｎｍと約５５０ｎｍとの間の波長を有するレーザ源を使用する段階を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記レーザ照射する段階は、約５３２ｎｍおよび約３５５ｎｍの波長をそれぞれ有する、第２および第３高調波Ｎｄ：ＹＡＧレーザ装置またはバナデート・レーザ装置を使用する段階を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記レーザ照射する段階は、約５２７ｎｍおよび約３５１ｎｍの波長をそれぞれ有する、第２および第３高調波Ｎｄ：ＹＬＦレーザ装置を使用する段階を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記レーザを照射する段階は、約３５４ｎｍの波長を有するＸｅＣＩエキシマ・レーザ装置、または、約３０８ｎｍの波長を有するＸｅＦエキシマ・レーザ装置を使用する段階を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記絶縁材料および前記レーザ・ビームは、前記絶縁材料によって前記レーザ・ビームが予め定められた吸収深度を達成するために選択されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記パターン化された導電層の前記深度は、約５〜１５ミクロンであることを特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記レーザ照射する段階は、
前記ビルドアップ層上に接触マスクを提供する段階、および、
前記ビルドアップ層の選択された部分をレーザ照射するために、前記接触マスクを通して前記ビルドアップ層をレーザ照射する段階、
を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１１】
前記レーザ照射する段階は、
前記ビルドアップ層上に投影マスクを提供する段階、および、
前記ビルドアップ層の前記選択された部分をレーザ照射するために前記投影マスクを通して前記ビルドアップ層をレーザ照射する段階、
を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１２】
レーザ照射する段階は、前記ビルドアップ層の前記選択部分をレーザ照射するために、レーザ・ダイレクト・イメージングを使用する段階を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１３】
前記除去する段階は、前記レーザで弱められた部分をエッチングする段階を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１４】
前記エッチングする段階は、過マンガン酸塩溶剤を使用する段階を含むことを特徴とする請求項１２記載の方法。
【請求項１５】
前記充填する段階は、前記ビルドアップ層上および前記凹部内に無電解めっきされた導電性シード層を提供する段階、前記無電解めっきされた導電性シード層上に電解めっきされた導電層を提供する段階、および、前記電解めっきされた導電層を機械的に研磨する段階を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１６】
前記ビルドアップ層は、エポキシ樹脂ベースの誘電材料、ガラス繊維強化ポリイミド、および、ビスマレイミド−トリアジン（ＢＴ）のうちの１つを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１７】
前記ビルドアップ層は、ガラス繊維強化エポキシ樹脂を含むことを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項１８】
前記導電材料は、銅を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１９】
前記パターン化された導電層は、導電性のメタライゼーション層を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２０】
前記パターン化された導電層は、導電性のビアの層を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施例は、一般に、高入力／出力（Ｉ／Ｏ）密度基板のような超小型電子装置のために導電層をパターン化する分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
高Ｉ／Ｏ密度基板のような基板に対して導電層をパターン化する従来のプロセスは、典型的には、例えば、積層、および、それに続くセミアディティブ法に基づくリソグラフィによって、最初の誘電層を提供するプロセスを含む。このようなプロセスには、典型的には、無電解シード層めっき、ドライ・フィルム・レジストの積層、露出、現像、電解金属めっき、および、ドライ・フィルム・レジストの剥離が含まれる。その結果生じたパターン化された導電性の金属層は、ビルドアップ層の上部に位置するであろう。
【０００３】
不都合なことに、導電層をパターン化する先行技術の方法は、次世代装置に期待されているような、特徴部の縮小およびＩ／Ｏ密度の増加には適さない。特に、先行技術の導電層をパターン化する方法では、約１０ミクロンまたはそれ以下の線および間隔の特徴部の形成が困難である。加えて、このような方法は、典型的には多くの加工工程を必要とし、したがって、スループット時間が長くなる。
【０００４】
先行技術は、誘電材料に埋込まれたパターン化された導電層を提供するための、コスト効率が良く、簡便かつ信頼できる方法を提供しない。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
【図１ａ】レーザ照射に関する一実施例を示す。
【図１ｂ】レーザ照射に関する一実施例を示す。
【図１ｃ】レーザ照射に関する一実施例を示す。
【図２】実施例に従って、レーザで弱められた部分を含むビルドアップ層を示す。
【図３】実施例に従って、その上にパターン化された導電層を含むビルドアップ層を示す。
【図４】図３のビルドアップ層およびパターン化された導電層の組合せに加えて、パターン化された導電層の凹部内の導電材料を示す。
【０００６】
実施例を単純化および明瞭化するために、図面中の要素は、必ずしも同一縮尺で描かれない。例えば、いくつかの要素は、明瞭化するために他の要素に比べて誇張される場合がある。適切であると考えられる場合には、対応または類似する要素を示すために、図面中で参照番号が繰り返される。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下の詳細な説明では、パターン化された導電層を提供する方法が記述される。例えば、本発明を実施するための特定の実施例が、添付図面を参照して示される。本発明の範囲および精神から逸脱することなく、他の実施例も存在し得ること、および、他の構造変更も可能であることが理解されるべきである。
【０００８】
ここで使用される「上に」、「下に」、「隣接する」という用語は、他の要素に対する、ある要素の位置を意味する。例えば、第２の要素の「上に」または「下に」配置された第１の要素は、第２の要素に直接接している場合もあり、あるいは、１またはそれ以上の介在要素を含む場合もある。さらに、第２の要素の「隣に」または「隣接して」配置された第１の要素は、第２の要素に直接接している場合もあり、あるいは、１またはそれ以上の介在要素を含む場合もある。さらに、記述において、選択的に「図および／または要素」という場合がある。このような場合、例えば記述において、「要素Ａ／Ｂを示す図Ｘ／Ｙ」というときは、図Ｘは要素Ａを示し、図Ｙは要素Ｂを示すことを意味する。さらに、ここで使用される「層」は、単一の材料で形成された層、異なるコンポーネントの混合物で形成された層、多様なサブレイヤで形成された層を意味し、各サブレイヤもまた上述したものと同様の定義を有する。
【０００９】
以下では、本実施例および他の実施例のいくつかの側面が、図１ａ〜図３を参照しながら記述される。しかしながら、これらの図は制限目的ではなく、説明および理解を容易にする目的であることを意図している。
【００１０】
図１ａ〜図１ｃを参照して、実施例は、予め定められたパターンに従って、ビルドアップ層の選択された部分をレーザ照射することを含む。ビルドアップ層は、例えば、エポキシ樹脂ベースの誘電材料（例えば、ガラス繊維強化エポキシ樹脂）、ガラス繊維強化ポリイミド、または、ビスマレイミド−トリアジン（ＢＴ）などのような周知の誘電材料のいずれかを含む。実施例に従ってビルドアップ層上にレーザ照射される予め定められたパターンは、ビルドアップ層内に提供されるパターン化された導電層の予め定められたパターンに対応する。本明細書において「パターン化された導電層」とは、その横断面図で示されるように、１または複数の導電材料を含む複数の層コンポーネントを定義する層を意味する。したがって、実施例によれば、そのパターン化された導電層は、例えば、一方ではビルドアップ層内に埋め込まれた導電性のメタライゼーション層（トレース、パッド、およびフィデューシャルを含み、ビアは除く）を含むが、他方では導電性のビアの層を含む。実施例に従ってパターン化された導電層は、アプリケーションのニーズにより、単一の導電材料または複数の導電材料を含む。
【００１１】
さらに図１ａ〜図１ｃを参照して、ビルドアップ層１０は、その選択された部分１２（図１ａ〜図１ｃにおいて破線で示される）上にレーザ照射を受け、これらの選択された部分はパターン化された導電層のパターンが提供される部分を有する。レーザ照射は、図示されるようなレーザ・ビーム１６を放射するレーザ源または装置１４を使用して遂行される。レーザ源は、それらが生成するレーザ・ビームが、ビルドアップ層１０の絶縁材料内に存在する化学結合の少なくともいくらかの結合エネルギよりも高い光子エネルギを有するように、実施例に従って選択される。このように、レーザ・ビームは、レーザで弱められたゾーンを生成するために、これらの化学結合のいくらかを破壊するが、これについては図２を参照してより詳細に説明する。選択された部分へのレーザ照射は、周知の方法のいずれか１つを用いて達成される。例えば、図１ａを参照すると、一実施例によれば、レーザ照射は、ビルドアップ層１０上に接触マスク１８を提供すること、および、レーザ・ビーム１６を使用して接触マスク１８を通してビルドアップ層１０をレーザ照射することを含む。次に、図１ｂを参照して、レーザ照射は、ビルドアップ層１０から距離をおいて、ビルドアップ層１０上に投影マスク２０を提供すること、および、投影マスクを通してビルドアップ層１０をレーザ照射することを含む。レーザ照射は、さらに図１ｂに示されるような周知の投影光学１７によって支援されてもよいであろう。次に、図１ｃを参照して、レーザ照射は、レーザ・ビーム１６を使用して選択部分１２にビルドアップ層１０を照射するダイレクト・レーザ・イメージング装置２２により、ダイレクト・レーザ・イメージングを使用することを含む。
【００１２】
一実施例によれば、レーザ源１４は、ビルドアップ層１０の絶縁材料内に存在する化学結合の少なくともいくらかを破壊するために、約２．００ｅＶと７．００ｅＶとの間、好ましくは、約２．２５ｅＶと約３．６５ｅＶとの間の光子エネルギ準位で放射する。レーザ源１４が、絶縁材料を剥離させることなく単に脆弱化させるために、レーザ源は、約０．５Ｊ／ｃｍ２に等しいか、あるいはそれよりも小さい平均レーザ・フルエンスを示す。レーザ・ビーム１６は、短い可視光から遠紫外（ＵＶ）領域（約５５０ｎｍから約１５０ｎｍ）の波長を有する。レーザ装置は、第２および第３の高調波Ｎｄ：ＹＡＧまたはバナデート・レーザを含み、それぞれの波長は約５３２ｎｍおよび約３５５ｎｍである。あるいは、レーザ装置は、それぞれが約５２７ｎｍおよび約３５１ｎｍの波長を有する第２および第３の高調波Ｎｄ：ＹＬＦレーザ装置、または、約３５４ｎｍの波長を有するＸｅＣｌエキシマ・レーザ装置、または、約３０８ｎｍの波長を有するＸｅＦエキシマ・レーザ装置を含む。実施例によれば、上述のエキシマ・レーザ装置は、それらが高いパルス・エネルギ（一般に、１００ｍＪから約２ジュール）を有するので好適である。
【００１３】
以上に列挙されたビルドアップ層１０の絶縁材料内の化学結合の大部分は、約１ｅＶから約１０ｅＶの範囲の結合エネルギを有する。ビーム１６のようなレーザ・ビームで照射されたとき、選択部分１２内の結合原子は、光子を吸収し、より高いエネルギ準位に励起される。光子エネルギが結合エネルギよりも高い場合、光子エネルギを吸収した原子は、結合原子の化学結合を破壊することができる。レーザ照射の結果、破壊された結合の断片は、光子吸収断面積、局所の光子強度、およびフルエンスに依存する。光子エネルギの選択を含むレーザ照射のパラメータは、ビルドアップ層１０の絶縁材料によって、レーザ・ビーム１６の予め定める吸収深度を達成するための実施例に従って選択される。レーザ透過深度は、図１ａ〜図１ｃを含む図において、図中に記された寸法Ｄによって示される。実施例によれば、レーザ光子は、選択部分１２を弱めるために、深度Ｄまでビルドアップ層内に吸収される必要がある。好適な実施例によれば、深度Ｄは、約５〜１５ミクロンである。
【００１４】
次に図２に関し、選択部分１２のレーザ照射は、ビルドアップ層１０上の予め定められたレーザで弱められた部分２４を導く。図２に示されたように、実施例に従ったビルドアップ層１０のレーザ照射は、選択部分１２（図１ａ〜図１ｃを参照）の材料の全部を剥離するのではなく、むしろ、レーザで弱められた部分２４を生成するために、選択部分内の化学結合の少なくともいくらかを破壊する。特に、レーザで弱められた部分は、同じ化学的なエッチング性質およびエッチング・プロセス・パラメータに対して、ビルドアップ層のオリジナル材料よりも高速でエッチングすることができるという特性を有する。
【００１５】
次に図３を参照して、本実施例は、提供されるべきパターン化された導電層の予め定められたパターンに従って、埋め込みパターンを示す凹部２６を生成するために、レーザで弱められた部分２４を除去することを含む。本実施例に従った除去は、例えば、周知のデスミア（ｄｅｓｍｅａｒ）溶液の１つおよびレーザ・ドリル後にレーザ・ドリルされたビア開口をデスミアするために典型的に用いられるデスミア工程のパラメータを用いて行うエッチングを含む。そのようなデスミア溶液の一例は、過マンガン酸塩薬剤を含む。エッチング液は、オリジナルのビルドアップ材料上をほとんどエッチングしないが、レーザで弱められた部分上のより多くは、こらら部分内の化学結合が弱められているために、より多くエッチングされるように選択される。
【００１６】
次に図４を参照して、実施例は、導電材料２７で凹部２６を充填し、パターン化された導電層２８を形成することを含む。実施例によれば、その充填は、最初に、凹部２６の表面を無電解めっきされた銅のシード層で充填し、その後、電気銅めっきを用いてその無電解銅シード層の上部をめっきする。その後、例えばＣＭＰのような機械的な研摩方法が、銅を凹部の領域へ限定するために用いられる。当業者は、凹部をメタライズする他の方法についての知識を有しているであろう。図４に示された実施例では、パターン化された導電層２７は、導電性のメタライゼーション層（断面が示される）を含む。
【００１７】
パターン化された導電層に関する図４に示された実施例は、上記で定義されたような導電性メタライゼーション層のみを示すが、実施例はそれに制限されず、上述されたように、それらの範囲内にある複数の導電性ビアを含むパターン化された導電層も含む。ビアは、アプリケーションのニーズに従って、ブラインドビアであってスルービアであってもよい。したがって、このような場合、レーザ照射は、導電性金属化パターン層に関連する典型的な深度よりも、ビルドアップ材料をより深い深度まで弱めるために選択されてもよい。
【００１８】
有利なことに、本実施例は、リソグラフィ・プロセス・フローを、単に必要とするレーザ照射および化学的エッチングで置き換えることにより、ドライ・フィルム・レジスト積層、露出、現像、および剥離を含むリソグラフィを使用することなく、例えば、導電性メタライゼーション層または導電性ビアの層のようなパターン化された導電層を提供する方法を提供する。加えて、提案された実施例は、ビルドアップ層の内部に埋め込まれた金属の特徴部を有利に形成することができ、それは先行技術のプロセスよりも、例えば約１０ミクロンを下回る細い線および間隔特徴部のような、より細い線および間隔を可能にする。さらに、有利なことに、実施例は、純粋なレーザ剥離プロセスよりも著しく低いレーザ光量およびフルエンス（ビルドアップ材料に依存して、約２倍から約１０倍低い）しか必要としないレーザ照射を提供するので、そのような利点は、同じレーザ予算で、はるかに広範囲をカバーできると言い換えることができる。さらに、実施例に従ったレーザで弱められた部分の化学的エッチングは、より有利なことに、ビルドアップ表面のクリーニングおよびラッフニング・プロセス（そのプロセスは、先行技術に従って必要である）でも役に立つ。したがって、実施例は、加工工程を追加しないばかりでなく、先行技術に比べて減少させる。さらに有利なことに、実施例は、先行技術のレーザのビアおよびリソグラフィ・パターニング・プロセスと比較して、改善されたアラインメント精度を可能にする、ビアおよび間隔の特徴部をパターン化するために使用される。先行技術のビルドアップ法における問題の１つは、レーザ・アラインメントがビルドアップ・アラインメントの制約を表わすと共に、レーザでドリルされたビアのアラインメントおよびリソグラフィ特徴アラインメントが互いに相互作用することである。この制約は、ビアおよび導電性パターン化の両方に、同じパターン化技術を使用することによって克服することができる。
【００１９】
上述された様々な実施例は、制限する目的ではなく、例示として示された。本発明の詳細な実施例が記述されたが、その精神および範囲から逸脱することなく、それらの多様な変更が可能であり、上述された特定の詳細事項によって、添付の請求項で定義された発明が制限されないと理解すべきである。
【図１ａ】
2010532582.tif 000003
【図１ｂ】
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【図１ｃ】
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【図２】
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【図３】
2010532582.tif 000007
【図４】
2010532582.tif 000008
【国際調査報告】
2010532582.tif 000009
2010532582.tif 000010