(57)【要約】  本発明は、変位可能なレチクルステージ上に設置されたレチクルによって形成されるパターン付けされた放射ビームによって基板を露光することを含むデバイス製造方法であって、レチクルステージに対するレチクル表面の高さおよび傾斜プロフィールを近似するための非線形関数を決定すること、および、非線形関数に従って基板の露光中のレチクルステージの変位を制御することを含む、デバイス製造方法に関する。本発明は、リソグラフィ装置およびコンピュータプログラムにさらに関する。【選択図】図５
2010521809.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
変位可能なレチクルステージ上に設置されたレチクルによって形成されるパターン付けされた放射ビームによって基板を露光することを含むデバイス製造方法であって、
前記レチクルステージに対するレチクル表面の高さおよび傾斜プロフィールを近似するための非線形関数を決定すること、および、
前記非線形関数に従って前記基板の露光中の前記レチクルステージの変位を制御すること
を含む、デバイス製造方法。
【請求項２】
前記非線形関数を決定するために以下のステップ、すなわち、
前記レチクルの高さおよび傾斜データに対応する第１のデータセットを第１のグリッド上で決定すること、
複数のレチクルステージセットポイントに対応する第２のデータセットを第２のグリッド上で決定すること、および、
前記非線形関数によってセットポイントのシーケンスを当てはめること
を行う、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
最小二乗当てはめが、前記第２のデータセットを決定するステップのために使用され、それによって前記第１のグリッドおよび第２のグリッドを当てはめる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１のデータセットは、前記レチクルの表面測定から得られる、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
表面測定データは、レチクル測定ポイントを用いて集められる、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記レチクル測定ポイントは、前記レチクルのスクライブラインに関連する想像上のライン上に位置付けされている、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記スクライブラインは、イメージセンサマークを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
パターニングデバイスから基板上にパターンを投影するように構成されたリソグラフィ装置であって、
パターン付けされた側を有するレチクルを支持するために構成された変位可能なレチクルステージと、
前記レチクルステージに対するレチクル表面の高さおよび傾斜プロフィールに関するデータを決定するためのディテクタと、
前記データを用いて非線形関数によって前記高さおよび傾斜プロフィールを近似する演算手段と、
前記非線形関数に従って前記基板の露光中の前記レチクルステージの変位を制御するコントローラと
を含む、装置。
【請求項９】
前記ディテクタは干渉計を含む、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付けされた放射ビームを形成することが可能であるパターニングデバイスを支持するように構成されたサポートであって、変位可能に構成される、サポートと、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記基板のターゲット部分に前記パターン付けされた放射ビームを投影するように構成された投影システムと、
前記レチクルステージに対するレチクル表面の高さおよび傾斜プロフィールに関するデータを決定するディテクタと、
前記データを用いて非線形関数によってレチクル表面を近似する演算手段と、
前記非線形関数に従って前記基板の露光中の前記レチクルステージの変位を制御するためのコントローラと
を含む、リソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記ディテクタは干渉計を含む、請求項１０に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１２】
請求項１〜７のいずれかに記載の方法のステップをプロセッサに実行させるための命令を含む、コンピュータプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイスを製造する方法、リソグラフィ装置およびコンピュータプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するいわゆるステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
歴史的に、リソグラフィツールにおいては、レチクルの設置側およびパターン付き側は１つおよび同じであり、レチクルステージプレートの平面に焦点面を確立する。したがって、６自由度（ＤＯＦ）におけるステージ位置の認識は、６ＤＯＦにおけるレチクルパターン付けされた表面の位置の認識ということになる。６ＤＯＦは、図２に示されるように、Ｘ、Ｙ、Ｚ、Ｒｘ、ＲｙおよびＲｚである。しかしながら、極端紫外線（ＥＵＶ）レチクルの設置（またはクランプ）は、ほぼ間違いなくレチクルの裏面（例えば、パターン付けされた表面と反対）である。裏面クランプは、レチクル高さおよび傾斜プロフィールの関数であるレチクルステージに対するレチクル焦点面位置という結果をもたらす。したがって、深紫外線（ＤＵＶ）システムとは対照的に、レチクルステージ位置の認識は、レチクルのパターンが６ＤＯＦ全てにおいてどこに配置されているかを解決するものではない。面外ＤＯＦ（out-of-plane DOF）（Ｚ、ＲｘおよびＲｙ）は、レチクルの厚さの差異により容易に決定することはできない。レチクルのパターン付き側（クランプ側とは反対）の位置を６ＤＯＦ全てにおいて正確に知る必要がある。
【０００４】
ほとんど全てのステッパおよびスキャナにおいて、干渉計を用いて典型的なステージメトロロジスキームから３つの面内ＤＯＦ（in-plane DOF）（Ｘ、ＹおよびＲｚ）が決定される。しかしながら、３つの面外ＤＯＦ（Ｚ、ＲｙおよびＲｘ）を測定することはさらに困難である。上述したように、ＥＵＶツールでは、Ｚ、ＲｘおよびＲｙを以前のリソグラフィツールより高い精度で知る必要がある。精度要求は、リソグラフィツールの光学系に関する焦点面におけるレチクル上のパターンを位置付けしなければならない必要性から生ずる。さらに、一部の場合においては、光学系はレチクル焦点面ではテレセントリックではなく、これはレチクルステージ上のレチクル位置を６ＤＯＦ以内に正確に決定する必要性を増大させる。焦点面は、最良物体面と呼ぶこともできる。それと同時に、レチクルがレチクルステージに対してある一定の高さおよび傾斜プロフィールを有していても、レチクル上のパターンにおける焦点を正確に維持することは重大である。したがって、ＥＵＶツールにおけるレチクルのパターン付き側のＺ位置および面外傾斜（ＲｘおよびＲｙ）を測定することは、厳密な精度を必要とする。
【０００５】
測定システムの一実施形態は、ＵＳ６，９３４，００５により公知である。公知のシステムは、レチクル表面の高さおよび傾斜プロフィールに関する入力データを提供するように構成された干渉計を含む。これらのデータは、レチクル表面の高さおよび傾斜プロフィールを直線的に近似するために適したコンピュータプログラムによって続いて処理される。この目的のために、レチクルは、レチクルの実質的に反対側に配置された２つの反射経路を含み、これらは、レチクルおよびレチクルステージに割り当てられた座標系のｙ方向に沿って著しく延在する（図２を参照）。干渉計データは、レチクル表面を近似するために使用され、このデータは、基板の適切な露光中のレチクルステージの直線変位を制御するために使用される。
【０００６】
基板の露光中にレチクルステージが直線的に動いた場合にかなりのディストーションが発生するということは、公知の方法の不利な点である。
【発明の概要】
【０００７】
特に、最良物体面で起こるディストーションマップがかなり減少する極端紫外線（ＥＵＶ）範囲に対するデバイス製造方法を提供することが望ましい。
【０００８】
本発明の一態様によると、デバイス製造方法は、変位可能なレチクルステージ上に設置されたレチクルによって形成されるパターン付けされた放射ビームによって基板を露光することを含むデバイス製造方法であって、レチクルステージに対するレチクル表面の高さおよび傾斜プロフィールを近似するための非線形関数を決定すること、および、非線形関数に従って基板の露光中のレチクルステージの変位を制御することを含む。
【０００９】
本発明の一態様によると、パターニングデバイスから基板上にパターンを投影するように構成されたリソグラフィ装置であって、パターン付けされた側を有するレチクルを支持するために構成された変位可能なレチクルステージと、レチクルステージに対するレチクル表面の高さおよび傾斜プロフィールに関するデータを決定するためのディテクタと、データを用いて非線形関数によってレチクル表面を近似する演算手段と、非線形関数に従って基板の露光中のレチクルステージの変位を制御するコントローラとを含む。
【００１０】
本発明の一態様によると、リソグラフィ装置は、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付けされた放射ビームを形成することが可能であるパターニングデバイスを支持するように構成されたサポートであって、変位可能に構成される、サポートと、基板を保持するように構成された基板テーブルと、基板のターゲット部分にパターン付けされた放射ビームを投影するように構成された投影システムと、レチクルステージに対するレチクル表面の高さおよび傾斜プロフィールに関するデータを決定するためのディテクタと、データを用いて非線形関数によって高さおよび傾斜プロフィールを近似する演算手段と、非線形関数に従って基板の露光中のレチクルステージの変位を制御するコントローラとを含む。
【００１１】
本発明の一態様によると、コンピュータプログラムは、上記の方法のステップをプロセッサに実行させるための命令を含む。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【図１】図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す。
【図２】図２は、レチクルに割り当てられた座標系を概略的な方法で示す。
【図３】図３は、露光スリットおよび高さオフセット（ｚ−オフセット）の影響を概略的な方法で示す。
【図４】図４は、レチクル表面に対して位置合わせされた最良物体面を概略的な方法で示す。
【図５】図５は、スリット上で規定された演算グリッドの一実施形態を概略的な方法で示す。
【図６】図６は、本発明によるリソグラフィ装置の一実施形態を概略的な方法で示す。
【図７】図７は、想像上のラインが割り当てられた表面測定ポイントを用いたレチクルマッピングの一実施形態を概略的な方法で示す。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示している。装置は、
-  放射ビームＢ、特に、ＥＵＶ放射を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
-  パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置付けるように構成された第１のポジショナＰＭに連結されているサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
-  基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けるように構成された第２のポジショナＰＷに連結されている基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、
-  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成されている投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備える。
【００１４】
照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、かつ／または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００１５】
サポート構造は、パターニングデバイスの重量を支えるなどしてパターニングデバイスを支持する。サポートは、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
【００１６】
本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。
【００１７】
パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レベンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００１８】
本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
【００１９】
本明細書に示されているとおり、装置は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）である。また、装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００２０】
リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
【００２１】
また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体（例えば水）によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、リソグラフィ装置内の別の空間、例えば、マスクと投影システムとの間に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるための技術においてよく知られている。本明細書において使用される「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。
【００２２】
図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射を受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００２３】
イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００２４】
放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使い、例えば、マスクライブラリからマスクを機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００２５】
例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
１．  ステップモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度に（すなわち、単一静止露光）ターゲット部分Ｃ上に投影する。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静止露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
２．  スキャンモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
３．  別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクテーブルＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２６】
上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００２７】
本発明によるリソグラフィ装置は、レチクルステージに対するレチクル表面の高さおよび傾斜プロフィールに関する測定データを決定するディテクタ（検出器）Ｄと、非線形関数によって高さおよび傾斜プロフィールを近似する演算手段ＣＭと、非線形関数に従って基板の露光中のレチクルステージの変位を制御するコントローラＣとをさらに含む。コントローラＣは、測定したデータに基づいてレチクル表面の高さおよび傾斜プロフィールを近似する演算手段ＣＭによって演算される非線形関数に従って、ウェーハの露光中のレチクルステージを変位させるように構成されている。
【００２８】
本発明の技術基準は、レチクル表面上のセットポイントに関連する２自由度より多い自由度を考慮し、かつそれに従ってレチクルステージの変位を制御することによって最良物体面におけるディストーションフィールドの実質的な減少が得られるという見識に基づいている。
【００２９】
実際には、レチクルは、レチクルステージ表面に対する非線形の高さおよび傾斜プロフィールを有する。例えば、ＵＳ６，９３４，００５によるそれ自体が公知である技術を用いてレチクル表面マッピングすることができる。例えば、２つの干渉計を含む適切な干渉計システムが使用されてもよい。干渉計の各々は、適した照明デバイスからレチクルに向かって照明光を投影するように構成される。照明デバイスは、光学デバイスの集中または拡張を伴うまたは伴わない、光源、レーザ等を含んでもよい。公知技術に従って、第１の干渉計からの第１のセットの干渉計測定ビームはレチクルの反射部分から反射し、それによってレチクル表面の高さおよび傾斜プロフィールを表す。反射したビームは、干渉計の適切なディテクタによって受けられる。検出されたビームに対応する信号は、処理される前またはその後のいずれかにストレージデバイスに有利に格納されてもよい。第２の干渉計からの第２のセットの干渉計測定ビームは、レチクルステージ上の適した位置から反射し、適したディテクタによって検出される。次いで、検出されたビームに関連する信号は、ストレージユニットに格納されてもよい。
【００３０】
このように得られたデータは、レチクルの高さおよび傾斜プロフィールに関係し、後に、非線形関数を用いてレチクル表面を近似する発明による方法で使用される。例えば、適切に構成された演算手段を用いてレチクルの高さおよび傾斜プロフィールについての情報が確立された場合、適したコンピュータプログラムとして著しく構成されたＥＵＶレチクルレベリング機能性は、レチクルｘ傾斜Ｒｘ、レチクルｚ高さマップｚ（ｙ）またはＹＴＺ（ｙ）およびレチクルｙロールＲｙｙを決定するように有利に構成されている。レチクルｙロールは、レチクルのｙ端点の間のｙ傾斜の差として定義されている。さらにレチクルｙ傾斜マップＲｙ（ｙ）が確立される。絶対傾斜Ｒｙおよび絶対高さｚのようなレチクルの他の自由度が、適切なレチクルアライメントによって決定されることに留意されたい。
【００３１】
非線形関数がレチクル表面を近似することを確立した場合、基板の露光が開始されてもよく、この間中、レチクルステージは非線形関数に従って変位され、それによってレチクル表面の非線形の高さおよび傾斜プロフィールを補償する。本発明の技術基準によって、イメージのディストーションマップがかなり減少したことがわかった。
【００３２】
非線形関数を決定するための本発明の一実施形態では、以下のステップが行われる。すなわち、
−  レチクルの高さおよび傾斜データに対応する第１のデータセットを第１のグリッド上で決定することと、
−  多数のレチクルステージセットポイントに対応する第２のデータセットを第２のグリッド上で決定することと、
−  非線形関数によってセットポイントのシーケンスを当てはめることである。
【００３３】
多数のＥＵＶ特定設計特徴は、ある一定のレチクルの高さおよび傾斜プロフィール（すなわち、レチクルが反射的であるという事実）によるディストーション効果の原因、および、第二に、光軸の非テレセントリック性およびＥＵＶ光束の発散形状によるディストーション効果の原因となる。最後に、反射レチクルに投影されると考えられる光ビームの一部は、曲がっている。この光ビームの一部は、露光スリットを指すこともできる。図３は、露光スリット、ならびに拡大およびｙ移動へと繋がるオブジェクトの高さオフセット（ｚオフセット）の影響を概略的な方法で示す。
【００３４】
ｚオフセットによる最良物体面におけるイメージの質への影響を補償するために、非線形関数を決定するため、レチクルの高さおよび傾斜データに対応する第１のデータセットは、第１のグリッド上で決定され；多数のレチクルステージセットポイントに対応する第２のデータセットは、第２のグリッド上で決定され；セットポイントのシーケンスは、非線形関数によって当てはめられる。本実施形態の詳細な説明は、図４を参照して説明される。
【００３５】
本発明のさらなる実施形態では、第２のデータセットを決定するステップのために最小二乗当てはめが用いられ、それによって第１のグリッドおよび第２のグリッドを当てはめる。
【００３６】
最良物体面をセットポイントの位置におけるレチクルの表面に投影するために、第一に、スリットを覆う湾曲したグリッドは、固定のｘ座標およびｙピッチによって規定される（図５を参照）。グリッドは、一番下から始まり、一番上に届くまで上方へ向かう。好ましくは、最小二乗当てはめは、線形方程式のシステムを含み、それによってレチクル上の物体エリアは、実質的に同じスリット形状および実質的に同じスリットグリッドを有する。
【００３７】
最小二乗当てはめの適用の利点は、第一に、レチクル表面の確立された高さプロフィールにおける孤立した目立ったピークの自動フィルタリング、および第二に、スリットの曲率を考慮することに関する。
【００３８】
好ましくは、適した多項式プロフィールが非線形関数に対して選択される。多項式プロフィールは、変数ｚｆｉｔ、Ｒｙ，ｆｉｔおよびＲｘ，ｆｉｔに対して確立したデータを使用することによって生成される。さらに好ましくは、多項式プロフィールは、お互いに平滑に連結された複数の４次多項式を含む。そのような関数は、４次スプラインを指すことができる。スプラインのような数学的関数は、それ自体が当該技術分野で公知であり、それらの性質は、ここでは詳細に説明しない。基板の露光中のレチクルステージの変位の制御は、好ましくは、４次スプラインに従って行われる。
【００３９】
好ましくは、本発明によるリソグラフィ装置は、レチクルの表面を近似する非線形関数を確立するための測定データを決定するように構成された干渉計を含む。
【００４０】
図２は、レチクルは割り当てられた座標系を概略的な方法で示す。図２は、本発明の実施形態による、レチクルステージ１０５上に設置され、かつＸＹ平面内またはＸＹ平面に平行して配向されたレチクル１００に対して６自由度（ＤＯＦ）を示す。再度、６ＤＯＦは、（Ｘ軸に沿う）Ｘ、（Ｙ軸に沿う）Ｙ、（Ｚ軸に沿う）Ｚ、（Ｘ軸の周りの回転である）Ｒｘ、（Ｙ軸の周りの回転である）Ｒｙ、および（Ｚ軸の周りの回転である）Ｒｚである。さらに簡単に決定できるＤＯＦは、レチクルステージの動きに基づいたＸ、ＹおよびＲｚである。以下に述べられる実施形態では、以下の議論の中心であるＤＯＦは、Ｚ、ＲｙおよびＲｘである。レチクル１００の配向が変わった場合、任意のＤＯＦを以下の装置および方法によって決定することができることが理解されたい。経路１０１および１０２は、レチクル表面の反射部分として構成され、それによって干渉計を用いた適切な測定を可能にできる。
【００４１】
図３は、露光スリット、および最良物体面におけるスリット形状上のレチクルの高さオフセット（ｚオフセット）の影響を概略的な方法で示す。図３は、スリット形状３３が規定される円弧３１の一部を概略的に示す。光ビーム（図示せず）は、通常、半径３２ａを有する円弧型である。スリット３３は、半角θおよび厚さ３５によって特徴付けられる。レチクル上の照明フィールド（図示せず）が投影システム（図示せず）から軸外に移動され、投影ビームが投影システムの光軸に対する角度で投影システムに入るため、投影システムの物体側が非テレセントリックであることに留意されたい。
【００４２】
リソグラフィ装置の光学システムの非テレセントリック性により、テレセントリック性からの偏差はできる限り小さくなるように構成されることが好ましいが、レチクルの局所的垂直ｚ変形は、最良物体面におけるイメージの水平（ＸまたはＹ）ディストーションという結果となり、これは、図３の右の部分に概略的に示される。光ビーム３２は、実質的に平らな反射レチクル３５から跳ね返り、方向３２’において伝搬することが想定される。平らなレチクル３５に対する実レチクル３４の高さ変化Δｚにより、光ビームは方向３２’’において伝搬し、それによって、レチクルがｚ変位を有した場合、最良物体面においてスリット形状３６の縮小をもたらす。スリット形状は正の変位（＋ｚ）に対して縮小され、そうでない場合、スリット形状は拡大されることに留意されたい。レチクルのｚオフセットにより、スリット形状がｙ方向において距離３７によって変位されることにも留意されたい。
【００４３】
図４は、レチクル表面４２に対して位置合わせされた最良物体面４３、４５および４７を概略的な方法で示す。レチクルステージがレチクルの高さおよび傾斜プロフィールに対して修正を行うことを可能にするために、レチクル高さマップおよび傾斜マップは、レチクル表面測定ポイントを用いて決定される。これは、ＵＳ６，９３４，００５に記載される干渉計を用いたそれ自体が公知である方法によって行うことができる。したがって、レチクルの確立された高さおよび傾斜プロフィールは、レチクルステージｘ傾斜値Ｒｘ、レチクルステージｚ位置およびレチクルステージｙ傾斜Ｒｙを演算するように構成されたレチクルレベリングユニットのための入力データを構成する。レチクルステージセットポイントがレチクルステージの空間位置および傾斜を表すことが理解されるべきである。レチクルステージポイントは、通常、レチクルステージ座標系（ＲＳＣＳ）におけるレチクルゼロ座標系（ＲＺＣＳ）の原点の位置として定義される。図４では、レチクルステージセットポイントは、レチクルステージ座標系の原点に対する最良物体面座標系の原点の位置として定義される。あるいは、レチクル測定ポイントは、スクライブラインに関連する想像上のラインに割り当てられてもよい。好ましくは、スクライブラインは、イメージセンサマークを含む。ＥＵＶリソグラフィ装置に対しては、例えば、ＵＳ６，８７９，３７４に記載されるように、反射マスクが使用されてもよい。従来のリソグラフィ装置に対しては、ＵＳ６，８７９，３７４に記載されるように、反射型、または透過型のいずれかのイメージセンサマーク（ＴＩＳｍ）が使用されてもよい。スクライブライン上に構成されたイメージセンサマークの一実施形態を、図７を参照してさらに詳細に説明する。
【００４４】
最良物体面とレチクル表面との間のアライメントを決定する関数を演算するために、レチクルステージ表面上で規定された多数のセットポイントｙｉ、ｙｉ＋１、ｙｉ＋２等は、レチクル４２に当てはめられる。各セットポイントは、多数の演算された変数、すなわち、高さｚｉ、第１の傾斜Ｒｘ，ｉおよび第２の傾斜Ｒｙ，ｉ、によって特徴付けられる。好ましくは、これらのパラメータは、最良物体面に対してレチクル表面の最小二乗当てはめを用いて演算され、これは、図５を参照してより詳細に説明される。
【００４５】
図５は、スリット上で規定された演算グリッドの一実施形態を概略的な方法で示す。スリット５１は、ある一定のｘおよびｙピッチを選択することができる、湾曲したグリッド構成ポイント５１ａ．．．５１ｎによって近似される。グリッドの上面５２および底面５４が円のそれぞれの部分を構成し、したがって、ｙ方向において一定のオフセットで平行に走らないことに留意されたい。グリッドは、１つの表面、例えば、表面５２においてグリッドポイントをばらまくことによって、かつ第２の表面５４に届くまでそのグリッドポイントを拡張することによって好都合に形成される。スリットグリッドの原点は、５３によって概略的に示される。本発明の技術基準に従って、レチクルの高さおよび傾斜データに対応する第１のデータセットは、第１のグリッド５７上で規定される。多数のレチクルステージセットポイント５６の第２のデータセットは、第２のグリッド５６上で決定される。第１のグリッド５７および第２のグリッド５６は、共通の原点５５を有する。グリッド５６および５７の両方は、レチクル座標系ＲＣＳのｙ軸上で規定される。
【００４６】
レチクル上のスリット形状エリアに対する最良の物体面（best object plane：ＢＯＰ）内のスリット形状エリアのアライメントは、以下のように行われる。ＲＺＣＳを、レチクルステージがそれに対して移動して位置付けされる「フレームワーク（framework）」座標とする。ｘｒｚｃｓをＲＺＣＳ内の座標とし、ｘ＿ｒｓｃｓをレチクルステージ座標系（ＲＳＣＳ）内の座標とする。レチクルステージ座標系（ＲＳＣＳ）からレチクルゼロ座標系（ＲＺＣＳ）への３Ｄ変換方程式は、次のように示される：
【数１】
2010521809.tif 000003
ここで、対角行列Ｍｔは、レチクルステージ干渉計スケーリングである。ここで、ｅｒｓはレチクルステージゼロオフセットであり、Ｔｅはレチクルステージゼロ回転オフセット行列である。ここで、無限小回転行列
【数２】
2010521809.tif 000004
およびベクトルｔ＝（ｔｘ、ｔｙ、ｔｚ）は変換パラメータである。Ｔおよびｔそれぞれの（垂直）面外構成要素Ｔｙ、Ｔｘおよびｔｚは、面外レチクルステージセットポイントである。ｘｏを最良の物体面座標系（ＯＰＣＳ）における座標とする。ＯＰＣＳからＲＺＣＳへの３Ｄ変換方程式は：
【数３】
2010521809.tif 000005
であり、行列ＲｏおよびベクトルＣｏは変換パラメータである。
以下においては、記号の後ろにある角括弧は、括弧の間の値の関数であることを示す。
ｘｒｃｓをレチクル座標系（ＲＣＳ）における座標とし、ｙｒｃｓを対応するｙ座標とする。ＲＣＳからＲＳＣＳへの３Ｄ変換方程式は：
【数４】
2010521809.tif 000006
である。
ここで、Ｍは対角拡大行列（diagonal magnification matrix）である。ここで、Ｃｒは移動パラメータであり、ｅｚはｚ方向における単位ベクトルであり、ＹＴＺ[ｙｒｃｓ]はレチクル高さマップ関数である。ここで
【数５】
2010521809.tif 000007
は、パラメータ：Ｒｘ、Ｒｙ、Ｒｚ、ロールＲｙｙおよびレチクルｙ傾斜マップ関数ＹＲＹ[ｙｒｃｓ]によって無限小回転を特定する行列値関数である。
ｘｒ＝（０、ｙｒ、０）をＲＣＳ内のレチクル上のスリット形状物体エリアの位置とし、これはｙ軸に沿う。ｘｒにおけるアライメント問題の以下の公式化は、ＲＳＣＳにおけるアライメント問題として、ＯＰＣＳとＲＣＳとの間の３Ｄ変換方程式を記載することによって得られる：
【数６】
2010521809.tif 000008
かつ設定ｘ＝ｘｏ。ｘをｘｙ平面に制限する。式の右側は、ＲＳＣＳにおけるレチクル表面である。左側は、ＲＳＣＳにおける最良の物体面をｘｏにおける一次多項式として規定する。問題は、ＢＯＰにおけるスリット形状エリアをＲＣＳにおいてｘｒに配置されるレチクル表面上のスリット形状エリアに当てはめることによって面外傾斜Ｔｙ、Ｔｘおよび面外位置ｔｚを見出すことである。
【００４７】
以下において、この当てはめは、ＬＳＱの方法によって行われる：
式（１）においてｘ＝ｘｏと設定する。（ｘｉ、ｙｉ）をＢＯＰにおけるスリット形状物体エリアを覆う座標ｘに対するグリッドとする。図５のアイテム５１を参照。適したグリッドとしては、あらゆるグリッド線がスリット形状エリアの一番下から始まり、エリアの一番上に届くまで固定のｙピッチで上方に昇る、固定のｘ値の等距離のグリッド線からなるグリッドを定義する。当てはめ問題は、局所ＲＳＣＳにおけるＢＯＰの垂直（面外）位置ｚｆｉｔならびに傾斜Ｒｙ，ｆｉｔおよびＲｘ，ｆｉｔに対する以下の連立線型方程式によってこのグリッド上で公式化することができる：
【数７】
2010521809.tif 000009
この連立線形方程式は、ＬＳＱ当てはめ問題として解くことができる。特異値分解を用いて方程式を解くことは、適切な方法であろう。式（２）の右側は、グリッド点（ｘｉ、ｙｉ）における式（１）の右側のｚ成分を評価することによって得られる：
【数８】
2010521809.tif 000010
ここで、Ｍの対角線上のｚ成分を１に設定する必要がある。面外位置ｚｆｉｔならびに傾斜Ｒｙ，ｆｉｔおよびＲｘ，ｆｉｔを式（１）の左側のｚ成分のものと比較すると、次のようになる：
【数９】
2010521809.tif 000011
ここで、Ｍｔの対角線上のｚ成分を１に設定する必要がある。垂直セットポイント値ｔｚ、ＴｙおよびＴｘは、式（３）から決定できる。
【００４８】
好ましくは、多項式プロフィールは、変数ｚｆｉｔ、Ｒｙ，ｆｉｔおよびＲｘ，ｆｉｔに対する確立したデータを使用することによって生成される。さらに好ましくは、多項式プロフィールは、お互いに平滑に連結された連鎖状の４次多項式のシーケンスを含む。そのような関数は、４次スプラインを指すことができる。スプラインのような数学的関数は、それ自体が当該技術分野で公知であり、それらの性質は、ここでは詳細に説明しない。基板の露光中のレチクルステージの変位の制御は、好ましくは、得られた４次スプラインに従って行われる。
【００４９】
図６は、本発明によるリソグラフィ装置の一実施形態を概略的な方法で示す。図６は、本発明の実施形態によるリソグラフィツールの部分６００を示す。部分２００は、パターン６０６を有する裏面クランプレチクル６０４を有するレチクルステージ６０２を含む。縮尺どおりに描かれていないが、干渉計システム６０８は、２つの干渉計６０８Ａおよび６０８Ｂを含む。デュアルモードで使用されるように構成された単一の干渉計を用いることも可能であることに留意されたい。干渉計６０８Ａおよび６０８Ｂの各々は、照明デバイス６１０から部分６００へと向かう照明（Ｉ）光を投影する。様々な実施形態では、照明デバイス２１０は、光デバイスの集中または拡張を伴うまたは伴わない、光源、レーザ等であってもよい。第１の干渉計６０８Ａからの第１のセットの干渉計測定ビームＲＳＺ１およびＲＳＺ２はそれぞれレチクル６０４上の第１の６１２および第２の６１４位置から反射する。第１の位置６１２はパターン６０６の第１の側に隣接し、第２の位置６１４はパターン６０６の第２の側に隣接する。ディテクタ（Ｄ）６１６によって反射したビームを受ける。検出されたビームに対応する信号は、コントローラ６２０によって処理される前またはその後のいずれかにストレージデバイス６１８に有利に格納される。
【００５０】
第２の干渉計６０８Ｂからの第２のセットの干渉計測定ビームＲＳＺ３およびＲＳＺ４は、第１の６２２および第２の６２４ポイントのそれぞれからレチクルステージ６０２上へと反射し、ディテクタ６１６によって検出される。次いで、検出されたビームに関連する信号は、次いで、ストレージ６１８に格納される。上述された実施形態では、４つ全ての測定ポイント６１２、６１４、６２２および６２４は、同等のＹ値を有するラインに実質的に沿って位置する。他の実施形態では、これを必要とされることがある。
【００５１】
他の実施形態では、信号は、比較された２つの関連ビーム（すなわち、ＲＳＺ１およびＲＳＺ２またはＲＳＺ３およびＲＳＺ４）の強度、位相、距離などのいずれかに基づいた干渉計測定を表す。比較から結果として生じる信号は、レチクルステージ６０２またはレチクル６０４のうちのいずれかのパラメータ（例えば、位置、配向、傾斜など）に対応する。様々な実施形態では、４つの干渉計ビームＲＳＺ１〜ＲＳＺ４は、レチクル６０４のパターン付けされた表面６０６の２ＤＯＦ（ＺおよびＲｙ）を決定するために使用される。これらの実施形態では、Ｚはパターン付けされた表面６０６に対しておよそ垂直であり、かつリソグラフィツールの光軸に対して平行な方向である。さらに、これらの実施形態では、Ｒｙは、レチクルステージ６０２の走査軸の周りの回転である。上述したように、２つの干渉計ビーム（ＲＳＺ１およびＲＳＺ２）は、パターン６０６のいずれかの側においてレチクル６０４のパターン表面６０６から反射する。
【００５２】
さらに、様々な実施形態では、他の２つの干渉計ビーム（ＲＳＺ３およびＲＳＺ４）は、レチクルステージ６０２の表面から反射するように位置付けされる。これらの反射面の構成に対しては多数の選択がある。一部の実施形態では、レチクルステージ６０２の第１の反射面（例えば、ポイント６２２を有する）は、Ｚ位置フィードバックを与えるためにＸＹ平面内に配置されても、またはＸＹ平面と平行であってもよい。次いで、レチクルステージ６０２の第２の反射面（例えば、ポイント６２４を有する）は、ＸＹ平面内に配置されても、またはＸＹ平面と平行であってもよい。レチクルステージ６０２の第２の反射面がＹＺ平面内に配置されても、またはＹＺ平面と平行とあってもよいところでは、代わりの構成も可能である。次いで、第２の表面は、Ｒｙステージ位置情報を与える。さらなる別の実施形態では、演算がＺおよびＲｙ値を与えるであろう、様々な他の配置が存在する。リソグラフィツールは、一般的には、ＸまたはＺ方向のいずれかにおける分離を有する２つの干渉計（例えば、デュアル干渉計６１０または干渉計６１０Ａおよび６１０Ｂ）の間の違いを見て、それによってＲｙ情報を与える。
【００５３】
図７は、想像上のラインに割り当てられた表面測定ポイントを用いるレチクルマッピングの一実施形態を概略的な方法で示す。当該技術分野でも公知である一般的なレチクル７１は、レチクル７１上に衝突する適切な放射ビームをパターニングするために使用される使用可能フィールド７２を含む。使用可能フィールド７２は、図４を参照して説明されるような測定を可能にするための適したイメージセンサマーク７４によって囲われてもよい。レチクル７１は、多数の同一の物品を分けるために使用されてもよいスクライブライン７５ａおよび７５ｂをさらに含んでもよい。スクライブラインをレチクル表面マッピング中にうまく用いることができ、それによって表面データセットを改善するということがわかった。例えば、少なくとも１つまたは２つのスクライブラインレチクルを用いてレチクル高さおよび傾斜プロフィールのついての情報を取得することによって、レベリングは、上述した非線形関数で示されるレベリングプロフィールに余分の自由度を追加せずに高い精度で行うことができる。スクライブライン７５ａおよび７５ｂは、レチクル７１上の想像上のラインを規定するために使用されてもよい。スクライブラインは、好ましくは、レチクルの傾斜および高さプロフィールを表す表面測定データを可能にするために表面測定ポイントとして使用されてもよい反射型イメージセンサ（ＲＩＳ）マークまたは透過型イメージセンサ（ＴＩＳ）マークを用いて構成されてもよい。例えば、従来のリソグラフィ装置では、ＲＩＳまたはＴＩＳのいずれか、あるいはそれらの適した組み合わせマークが使用されてもよい。ＥＵＶリソグラフィ装置に対して、ＲＩＳマークを用いることが好ましい。ＴＩＳマークの使用は、小さな照明角度に対しては、投影システムはマスク（オブジェクト）側でテレセントリックのまま保たれるという利点を有し得る。複数のイメージセンサマーク７７ａ〜７７ｊはレチクル７１上に概略的に示されているが、実際には、レチクル表面上のマークの数およびそれらの配置は最適化されることが理解されるであろう。例えば、レチクルステージが実質的に特定のエリア内で変形すると考えられることが事前に想定されている場合、スクライブライン７５ａおよび７５ｂが横切るこのエリアには、増大した数のイメージセンサマークが設けられてもよく、これはレチクル７１の表面上のわたるイメージセンサマークの不均一分布という結果になる。このようにして、本発明によるレチクルの傾斜および高さプロフィールの修正はまださらに改善される。
【００５４】
本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００５５】
光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
【００５６】
本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長、またはおよそこれらの値の波長を有する）、および極端紫外線（ＥＵＶ）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。
【００５７】
「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
【００５８】
以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。
【００５９】
上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【図１】
2010521809.tif 000012
【図２】
2010521809.tif 000013
【図３】
2010521809.tif 000014
【図４】
2010521809.tif 000015
【図５】
2010521809.tif 000016
【図６】
2010521809.tif 000017
【図７】
2010521809.tif 000018
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月9日(2009.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
変位可能なレチクルステージ上に設置されかつパターン付けされたレチクル表面を有するレチクルによって形成されるパターン付けされた放射ビームによって基板を露光することを含むデバイス製造方法であって、
前記レチクルステージに対する前記レチクル表面の高さおよび傾斜プロフィールを近似するための非線形関数を決定すること、および、
前記非線形関数に従って前記基板の露光中の前記レチクルステージの変位を制御すること
を含む、デバイス製造方法。
【請求項２】
前記非線形関数を決定するために以下のステップ、すなわち、
前記レチクルの高さおよび傾斜データに対応する第１のデータセットを第１のグリッド上で決定すること、
複数のレチクルステージセットポイントに対応する第２のデータセットを第２のグリッド上で決定すること、および、
前記非線形関数によってセットポイントのシーケンスを当てはめること
を行う、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
最小二乗当てはめが、前記第２のデータセットを決定するステップのために使用され、それによって前記第１のグリッドおよび第２のグリッドを当てはめる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１のデータセットは、前記レチクルの表面測定から得られる、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
表面測定データは、レチクル測定ポイントを用いて集められる、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記レチクル測定ポイントは、前記レチクルのスクライブラインに関連する想像上のライン上に位置付けされている、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記スクライブラインは、イメージセンサマークを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記放射ビームは極端紫外線ビームである、請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記レチクルは反射型レチクルである、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
パターニングデバイスから基板上にパターンを投影するように構成されたリソグラフィ装置であって、
パターン付けされたレチクル表面を有するレチクルを支持するために構成された変位可能なレチクルステージと、
前記レチクルステージに対する前記レチクル表面の高さおよび傾斜プロフィールに関するデータを決定するためのディテクタと、
前記データを用いて非線形関数によって前記高さおよび傾斜プロフィールを近似する演算手段と、
前記非線形関数に従って前記基板の露光中の前記レチクルステージの変位を制御するコントローラと
を含む、装置。
【請求項１１】
前記ディテクタは干渉計を含む、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
パターン付けされたレチクル表面を有しかつ前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付けされた放射ビームを形成することが可能であるレチクルを支持するように構成されたレチクルステージであって、変位可能に構成される、レチクルステージと、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記基板のターゲット部分に前記パターン付けされた放射ビームを投影するように構成された投影システムと、
前記レチクルステージに対する前記レチクル表面の高さおよび傾斜プロフィールに関するデータを決定するディテクタと、
前記データを用いて非線形関数によって前記レチクル表面を近似する演算手段と、
前記非線形関数に従って前記基板の露光中の前記レチクルステージの変位を制御するためのコントローラと
を含む、リソグラフィ装置。
【請求項１３】
前記ディテクタは干渉計を含む、請求項１２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１４】
前記レチクルは反射型レチクルである、請求項１２または１３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１５】
請求項１〜９のいずれかに記載の方法のステップをプロセッサに実行させるための命令を含む、コンピュータプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
歴史的に、リソグラフィツールにおいては、レチクルの設置側およびパターン付き側は１つおよび同じであり、レチクルステージプレートの平面に焦点面を確立する。したがって、６自由度（ＤＯＦ）におけるステージ位置の認識は、６ＤＯＦにおけるレチクルパターン付けされた表面の位置の認識ということになる。６ＤＯＦは、図２に示されるように、Ｘ、Ｙ、Ｚ、Ｒｘ、ＲｙおよびＲｚである。しかしながら、極端紫外線（ＥＵＶ）レチクルの設置（またはクランプ）は、ほぼ間違いなくレチクルの裏面（例えば、パターン付けされた表面と反対）である。裏面クランプは、レチクル高さおよび傾斜プロフィールの関数であるレチクルステージに対するレチクル焦点面位置という結果をもたらす。したがって、深紫外線（ＤＵＶ）システムとは対照的に、レチクルステージ位置の認識は、レチクルのパターンが６ＤＯＦ全てにおいてどこに配置されているかを解決するものではない。面外ＤＯＦ（out-of-plane DOF）（Ｚ、ＲｘおよびＲｙ）は、レチクルの厚さの差異により容易に決定することはできない。レチクルのパターン付き側（クランプ側とは反対）の位置を６ＤＯＦ全てにおいて正確に知る必要がある。なお、以下、明細書及び特許請求の範囲において、上記レチクルのパターン付けされた表面は、レチクル表面またはパターン付けされたレチクル表面と呼ばれる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2010521809.tif 000019
【国際調査報告】
2010521809.tif 000020
2010521809.tif 000021