(57)【要約】  本発明は、基板上に第一材料の非連続皮膜（１４）を堆積する方法であって、ａ）少なくとも２層のマスク層（４，６）を形成し、これらの層において少なくとも１つの空洞（１０，１０’，１２，１２’）をエッチングすることによって、前記基板上にマスクを形成する段階であって、前記空洞が、前記空洞の横断面上に、前記マスクの前記空洞を通じて前記基板上に堆積される皮膜が少なくとも１つの断絶部を有するような断面を有する段階と、ｂ）前記マスクの前記空洞を通じて前記基板上に前記第１材料を堆積させ、堆積された前記皮膜が、前記空洞の横断面上に少なくとも１つの断絶部を有する段階と、ｃ）前記マスクを除去する段階と、を含む方法に関する。
2010532817.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（２）上に第１材料（１４）の非連続性皮膜を堆積する方法であって、
ａ）前記基板からもっとも近くに上部層（６）及び下部層（４）の少なくとも２層のマスク層（４，６）を形成し、これらの層において少なくとも１つの空洞（１００，１０，１０’，１２，１２’）をエッチングすることによって、前記基板上にマスクを形成する段階であって、前記空洞が、前記空洞の横断面上に、前記マスクの前記空洞を通じて前記基板上に堆積される皮膜が少なくとも１つの断絶部を有するような断面を有する段階と、
ｂ）前記マスクの前記空洞を通じて前記基板上に前記第１材料（１４，１６，１４’，１６’）を堆積させ、堆積された前記皮膜が、前記空洞の輪郭上に少なくとも１つの断絶部を有する段階と、
ｃ）前記マスクを除去する段階と、
を含む方法。
【請求項２】
前記空洞を形成する段階が、前記２層のマスク層（４，６）上に、前記２層のマスク層（４，６）のコーティング領域とエッチング領域との間を画定するポリマーペーストまたは樹脂層（８）を事前に局所的にコーティングする段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ポリマーまたは樹脂層（８）が、段階ｂ）以前に除去されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ポリマーまたは樹脂層（８）が、段階ｂ）以前に除去されないことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項５】
少なくとも前記基板に最も近い層（４）をエッチングする段階が、非等方性エッチングであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記２つの積層（４，６）が、互いに異なるエッチング速度を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記２つの積層（４，６）の全厚さが、１００ｎｍから２０００ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記上部層（６）が、エッチング化学物質に対して前記下部層（４）より耐性を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記上部層（６）が、前記下部層（４）のエッチングに使用されるものとは異なるエッチング化学物質によってエッチングされることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記２つの積層（４，６）が、
酸化ケイ素の層（４）上の窒化ケイ素ＳｉＮの層（６）、
酸化ケイ素ＳｉＯｙの層（４）上の酸化ケイ素ＳｉＯｘの層（６）（ｘ≠ｙ）、
ＦＳＧの層（４）上の酸化ケイ素の層（６）、
ＦＳＧの層（４）上のＳｉＮの層（６）、
ＦＳＧの層（４）上の窒化ケイ素ＳｉＮの層（６）、
ＳＯＧの層（４）上の窒化ケイ素ＳｉＮの層（６）、
ＳＯＧ（ＳＯＧ２）の層（４）上のＳＯＧ（ＳＯＧ１）の層（６）、
または、酸化ケイ素の層（４）上の有機誘電物質ＢＣＢの層（６）、
を含むことを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記マスクを形成する段階が、前記２層のマスク層上に追加の層（４０）を形成する段階を含むことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記追加の層が、前記空洞をエッチングする段階の間に、横方向に侵食されないことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記下部層（４）及び必要であれば前記上部層のエッチングが、ＨＦの化学物質型によるものであることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記基板上に堆積される前記第一材料（１４）が、ＳｉＮ、ａ−Ｓｉ：Ｈ、ａ−ＳｉＮ：Ｈ、ａ−ＳｉＯｘ、ａ−ＳｉＣ：Ｈ、ａ−ＳｉＯＮ：Ｈ、またはａ−ＳｉＯＣ：Ｈであることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記基板上に堆積される前記第一材料（１４）が、アルミニウム、ＩＴＯ、または金等の金属、またはこれらの金属の合金であることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記基板上に堆積される前記第一材料（１４）がアモルファスシリコンであって、前記材料がコーティング段階ｂ）の後に表面酸化されることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記コーティング段階ｂ）がＰＥＣＶＤによって実施されるかまたは蒸着またはカソードスパッタリングによって実施されることを特徴とする請求項１〜１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記段階ａ）のエッチングによって、少なくとも前記下部層（４）において曲線状の側面（１００’，１０１’）を得ることができることを特徴とする請求項１〜１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記段階ａ）のエッチングによって、前記下部層においてエッチングされた領域の上部に突出部（６０，６２）が形成されるように前記上部層（６）がエッチングされることを特徴とする請求項１〜１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記段階ｃ）が、断絶部を形成している第１材料の領域を通じて、層を形成している前記マスクを化学エッチングすることによって実施されることを特徴とする請求項１〜１９のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コーティング技術の分野に関し、特にＰＥＣＶＤ、蒸着またはカソードスパッタリングによる方法に関する。本発明によって、これらの技術の１つによって堆積される皮膜を局所化することが可能となる。
【０００２】
本発明は特に、光電池の製造に適用され、特にｎ型またはｐ型電極の製造に適用される。
【０００３】
さらに一般的には、例えば約１ミリメートルの幅を有し、約１ミリメートル以下の幅で互いに離隔されたパターンの形成に適する。
【背景技術】
【０００４】
マイクロエレクトロニクスまたはフォトリソグラフィ等の半導体分野において一般的に使用される技術は、安価な単純な方法で局所的な皮膜を堆積することができない。実際、これらの技術では、連続的または完全なウエハー皮膜を堆積した後に、不必要な領域をエッチングすることによって除去することが必要とされる。これらの技術は時間を要し、高価である。
【０００５】
マイクロエレクトロニクスにおいて使用されているもの以外で、局所的な皮膜を堆積することを可能にする技術には、基本的に、電解コーティング技術（高価である）、機械的マスクを使用した技術（金属マスクはコーティングの間に使用されるプラズマを不安定にし、例えばポリマー等別の材料から成るマスクは必要とされるレベルの安定性を有さない）、インプリンティング技術（エマルジョンには適するがその他の材料には適さない）がある。
【０００６】
従って、周知技術よりも単純且つ安価な方法で局所的な皮膜を堆積する問題が提起される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明によると、堆積マスクとして周知のマスクは、ｎ層の組立で形成されており、ｎは好ましくは１、２または３であり、基板上に位置し、この基板上に、材料の局所的な堆積が実施される開口部または空洞を画定している。
【０００８】
このため、これらの空洞が、堆積作業の間に堆積材料で被覆されない部分を有するような断面形状を有する結果として断絶部を形成し、これらの被覆されていない領域またはこれらの断絶部からマスクを除去することが可能である。
【０００９】
これらの被覆されない領域またはこれらの断絶部の形成によって、断絶部を好適な経路として使用した化学侵食によって、マスクを容易に除去することが可能となる。
【００１０】
例えば、堆積マスクは樹脂またはポリマーペーストマスクを利用して形成され得る。後者は例えば遠心分離によって形成される。堆積マスクよって、ｎ層の積層体において、そこを通じて基板に到達することができる空洞を形成するためにエッチングされる領域を画定することが可能となる。
【００１１】
堆積マスクの存在によって、例えばＰＥＣＶＤ、蒸着、またはカソードスパッタリング等の技術によって実施される材料の蒸着を局所化することが可能となる。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
従って本発明の目的は特に、基板上に第１材料の非連続性皮膜を堆積する方法であって、
ａ）基板から最も近くに上部層及び下部層の少なくとも２層のマスク層を形成し、これらの層において少なくとも１つの空洞をエッチングすることによって、前記基板上にマスクを形成する段階であって、この空洞が、前記空洞の横断面上に、マスクの空洞を通じて基板上に堆積される皮膜が少なくとも１つの断絶部を有するような断面を有する段階と、
ｂ）マスクの空洞を通じて基板上に第１材料を堆積する段階であって、堆積された皮膜が、前記空洞の横断面上に少なくとも１つの断絶部を有する段階と、
ｃ）マスクを除去する段階と、
を含む方法である。
【００１３】
空洞の形成は、前記２層のマスク層上の前記２層のマスク層のエッチング領域に、ポリマーペーストまたは樹脂の層を事前に局所的にコーティングする段階を含み得る。ポリマーまたは樹脂層は、段階ｂ）以前に除去されるかまたは除去されない。ポリマーペーストまたは樹脂コーティングの厚さは、例えば３００ｎｍから１０μｍの範囲である。
【００１４】
少なくとも基板に最も近い層のエッチングは、例えば異方性エッチング等の非等方性エッチングであると好ましい。
【００１５】
２つの層が、互いに異なるエッチング速度を有すると好ましい。例えば、上部層はエッチング化学（乾式または湿式）に対して下部層より耐性を有する。上部層はまた、二重層の下部層のエッチングに使用されたものとは異なるエッチング化学によってエッチングされ得る。これらの２層は、例えば１００ｎｍから２０００ｎｍの範囲の厚さを有する。
【００１６】
基板上に堆積される第１材料は、例えばＳｉＮ、ａ−Ｓｉ：Ｈ、ａ−ＳｉＮ：Ｈ、ａ−ＳｉＯｘ、ａ−ＳｉＣ：Ｈ、ａ−ＳｉＯＮ：Ｈ、またはａ−ＳｉＯＣ：Ｈから成る。
【００１７】
この第１材料は、アルミニウム、ＩＴＯ、金等の金属またはこれらの金属の金属合金であってもよい。アモルファスシリコンであってもよい。
【００１８】
アモルファスシリコンの場合、コーティング段階ｂ）の後に前記アモルファスシリコンは表面酸化され得る。
【００１９】
段階ａ）のエッチングによって、少なくとも下部層において曲線状の側面が得られると好ましい。さらに、下部層においてエッチングされた領域の上部に突出部が形成されるように上部層がエッチングされると好ましい。この突出部は、例えば下部層の厚さと少なくとも等しい長さを有する。
【００２０】
段階ｃ）は、断絶部を形成している第１材料の領域を通じて、マスクを形成している層を化学エッチングすることによって実施され得る。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１Ａ】２層のマスクを有する本発明による方法の実施形態の段階を示す。
【図１Ｂ】２層のマスクを有する本発明による方法の実施形態の段階を示す。
【図２】本発明による方法の実施形態の段階を示す。
【図３】本発明による方法の実施形態の段階を示す。
【図４】本発明による方法の実施形態の段階を示す。
【図５】本発明による方法の実施形態の段階を示す。
【図６】本発明による方法の実施形態の段階を示す。
【図７Ａ】本発明による方法の実施形態の段階を示す。
【図７Ｂ】本発明による方法の実施形態の段階を示す。
【図８】本発明による方法の実施形態の段階を示す。
【図９】３層のマスクを有する本発明による方法の実施形態を示す。
【図１０】マスク除去後に側面に残留したコーティングを示す。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
図１Ａに示すように、本発明は、二重層として知られているこの図において２つの積層４、６の組立を構成している堆積マスクを堆積することが可能である。このマスクは、基板２上に領域を画定することが可能であり後に皮膜をそこに堆積することができる空洞１００を備える。ここでは１つの空洞が示されているが、任意の数（２つ以上）が備えられ得る。
【００２３】
図１Ｂは、空洞１００の拡大図を示す。材料が堆積される堆積１５０の間に、この堆積がなされない状態を維持するように二重層中に部分１１、１１’が形成され、横断面７を有する。
【００２４】
従って図１Ｂを参照すると、堆積物１４、１４’、１６’は、層６の上面（この堆積物は、１４’、１６’参照）及び空洞１００の底部に施されるが、層６の拡張部または突出部６０、６２によって形成され、層４においてエッチングされた空洞１０’上であって層６において形成された空洞１０を画定する領域１１、１１’には到達しないことがわかる。
【００２５】
層６の突出部または拡張部の下部領域１１、１１’の各々は、長さｌの側方拡張部を有する。長さｌは、単純な試験、特に局所的に堆積される材料の厚さに応じて決定することが可能であり、長さｌによって不連続な堆積（言い換えると、少なくとも領域１１、１１’の部分における堆積の欠如）を得ることが可能となる。
【００２６】
これらの図に示された例において、２つの層６及び４は、各層において空洞１０、１０’を得るために順に続いてエッチングされる。非異方性エッチングによって、曲線状の側面１００、１０１、１００’、１０１’を有する空洞１０、１０’及び層４において形成された空洞１０’の上部に、上部層６の突出部６０、６２を形成することが可能となる。
【００２７】
空洞１００は、堆積１５０の間に、材料を“集中させる”効果を有する。しかしながら、これらの開口部のエッジによる影響が生じ得る。例えば、図１Ｂにおいて、参照符号１５０’、１５０”は、堆積される材料の流れを示し、突出部６０、６２のために、横方向に向けられ、空洞１００の底部で堆積物１４の外側領域１４０、１４０’を形成する。これらの外側領域は、突出部６０、６２の下面１１、１１’には到達しない。前記下面は、空洞１０’側の面である。
【００２８】
図２から８を参照して本発明の実施形態のその他の段階を説明する。
【００２９】
第１段階（図２）では、ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ、熱ＣＶＤ、またはＳＡＣＶＤ（準常圧化学気相成長）であり、後者は大気圧に近い圧力での気相化学蒸着法である）または“スピン”法（“スピンコート”）によって、基板２（前記基板は、例えば半導体材料（特に発電用途のシリコン）、ガラス、ステンレス鋼、または後続の化学処理に適合する任意のその他の材料から成る）上に積層４、６のコーティングが実施される。ラミネートまたはスプレーによる方法も使用され得る。
【００３０】
基板２にもっとも近い積層の層４は、突出部６０、６２を得るために、積層の層６よりも選択的にエッチング（言い換えると、層６に全くまたはほとんど影響せずに層４にのみ影響するエッチング方法）されるかまたは、層６に対してかなり速いエッチング速度でエッチングされるように設定されている。
【００３１】
従って、後に約５から１０％のＨＦ溶液で侵食することを前提として、例えば、
酸化ケイ素の層４上の窒化ケイ素ＳｉＮの層６、
酸化ケイ素ＳｉＯｙ  （ｙ＜ｘ＜２）の層４上の酸化ケイ素ＳｉＯｘの層６、
ＦＳＧ（フッ素（最大で数％のＦ）含有酸化ケイ素）の層４上の酸化ケイ素の層６（化学気相成長（ＣＶＤ）または遠心分離によって堆積され得る。ＦＳＧは、ＨＦの侵食に対して酸化ケイ素よりも反応性があるため、より速くエッチングされる。）、
ＦＳＧの層４上の窒化ケイ素ＳｉＮの層６、
ＳＯＧ（スピンオンガラス（ｓｐｉｎ−ｏｎ  ｇｌａｓｓ）の略称であり、遠心分離（スピンコート）によって堆積された酸化ケイ素）の層４上の窒化ケイ素ＳｉＮの層６、
ＳＯＧ（ＳＯＧ２）の層４上のＳＯＧ（ＳＯＧ１）の層６（ＳＯＧ１及びＳＯＧ２は遠心分離によって堆積された２つの異なるＳＯＧ材料を示し、それらは異なる組成及び／または異なる密度及び／または異なるアニーリング温度を有するため、これらの２つの材料のＨＦによる攻撃の速度は互いに異なる）、
または酸化ケイ素の層４上の有機誘電物質（例えばＢＣＢ）層６等を形成することが可能である。
【００３２】
従って、上部層６は、下部層４よりもエッチング化学に耐性を有するものが選択される（層６の材料のエッチング速度が層４の材料のエッチング速度より遅いことを意味する）。第１層と第２層との間に全体のエッチング選択性が存在し得、層６に使用されるものとは異なるエッチング化学が下層４をエッチングするために使用され、そのパターンが転写される。
【００３３】
選択性は、上部層６と下部層４との間のエッチング速度の比によって定義される。
【００３４】
この選択性は、ＨＦによる侵食と比較して、特にＳｉＮ／ＳｉＯｘ、ＳｉＮ／ＦＳＧ及びＳｉＯｘ／ＦＳＧの対（これらの対において、最初に記載された材料が層６の材料であり、２番目が層４の材料である）の場合に存在する。
【００３５】
二重層ＳｉＯｘ／ＳｉＯｙ（ｙ＜ｘ＜２）において、ＰＥＣＶＤ堆積パラメータは、下部層４または単層の下部のＨＦ耐性を減少させるように調整され得る（より高密度の層はＨＦエッチングに対してより高抵抗を有する）。
【００３６】
Ｈ２Ｏ２を含有する溶液によって選択的に侵食されるａ−Ｇｅ型の下層４を使用してもよい。層６は例えば二酸化ケイ素から成り、ＨＦによって選択的に侵食される。
【００３７】
二重層４、６の厚さは、例えば１００ｎｍから２０００ｎｍの間であってよい。この厚さによって、局所堆積法の的確な効果を保証または確実にすることが可能となる。この厚さは、後に局所化される層１４の厚さに応じて調節されると好ましい。
【００３８】
その後、ポリマーペーストまたは樹脂８のコーティングが、シルクスクリーン印刷及び必要であればアニーリングによって実施される（図３）。例えば、酸に耐性を有するポリマーベースのペースト、ＨＦペースト、ポリマー、もしくは酸化物ガラス等の酸化物ベースのペーストが使用され得る。これらの全てのペーストは市販されている。アニーリングの後に、例えば酸による侵食及び塩基への溶解に耐性を有するペーストが使用され得る。さまざまな特性を有するその他のペーストもある。樹脂（リソグラフィー樹脂と同様の種類）を使用してもよい。さらに一般的には、局所的に堆積させることが可能であり、後に使用される化学物質に耐性を示すあらゆる材料を使用してよく、例えばＢＣＢ等の有機誘電体がある。
【００３９】
ペーストまたは樹脂皮膜８の厚さは、例えば３００ｎｍまたは５００ｎｍ等、数百ｎｍから例えば５μｍまたは１０μｍ等、数ミクロンの範囲であってよい。試験が実施される間に、堆積されたポリマーペーストは約５μｍから１０μｍの間の範囲であるが、より薄い厚さも想定され得る。
【００４０】
シルクスクリーン印刷によるペーストまたは樹脂８の堆積は、二重層４、６の上部層に到達することができる開口部１８を残す。
【００４１】
その後、シルクスクリーン印刷によって画定された領域１８から二重層４、６がエッチングされる（図４）。２つの層４、６のエッチング速度の違いによって、例えば図５に示すような（さらに詳細に図１Ｂに示す）曲線状の側面を有し、その凹面は開口部１８の方へ向かっているような必要な突出パターンを得ることが可能となる。二重層のエッチングでは、選択された積層物に応じて、１つの化学物質または２つの異なる化学物質が使用される。
【００４２】
ＨＦエッチングの場合、５％に希釈された溶液を使用してよい。このエッチングは、各積層物に対して及びエッチング選択性に応じて最適化される。例えば、下層の分解を防ぎつつ（より高濃度（約３０％から４９％）のＨＦ溶液の場合、例えばａ−Ｓｉ：Ｈ等、下層によっては穴の形成が観測された）、侵食時間を短縮してよい（ＨＦの濃度が高いほど侵食時間は短い）。
【００４３】
湿式エッチング（異方性）の場合、エッチング層４、６において曲線状の側面（図４以降の図に示す）が得られ、深さ方向のエッチングが横方向のエッチングと同時に起こり、その凹面は開口部１０、１２の方向に向かっている。
【００４４】
図５及び１Ｂに示すように、各層はエッチングされ、上部層６の部分６０、６２が、層４においてエッチングされた各空洞１０’、１２’の上部に残る（図１Ｂの詳細な構造も参照）。図１Ｂを参照して上記で説明したように、この部分によって、続いて行われる堆積が形成されない領域１１、１１’を形成することが可能となる。言い換えると、堆積は空洞の底部、層６の上表面、部分的に空洞１０’の側面に実施されるが、これらの空洞の側面のある部分、突出部６０、６２の下表面１１、１１’には実施されない。いかなる堆積物も有さないこれらの領域を通じて、マスク（層４、６）を除去するための侵食が効率的に実施され得る。
【００４５】
その後、ポリマーペーストまたは樹脂８が除去される（図６）。この除去には、例えば水／エタノール混合溶液が使用される。
【００４６】
変形例として、その後の段階と適合性を有するのであれば、このポリマーペースト８は、保存され得る。実際に、堆積１４、１６が真空下で実施されない場合、ポリマーペースト８は１５０〜２００℃まで安定であり、脱ガスのリスクはない。ポリマーペースト８が保存される場合、以降の段階では構造は図４のまま維持される。
【００４７】
前述の段階によって、堆積マスクの形成が可能となった。その後、局在する層１４の堆積が実施される（図７Ａ及び７Ｂ）。前述の段階によって得られたエッチングプロファイル（突出部６０、６２を有するプロファイル）の存在によって、非連続性の堆積が得られ、二重層４、６において形成された空洞の壁は、新たに堆積される材料１４によって完全には被覆されない。ペースト８が除去されていてもいなくても、堆積される材料の皮膜１４０、１６０は、二重層またはペースト層８の上表面には堆積される。一方で、上記で説明したように、二重層において得られたプロファイル、特に突出部によって、空洞の一部は堆積材料によって被覆されない。その結果、この物質の堆積物中に断絶部が形成され、断絶部によって二重層を除去するための侵食が容易となる。
【００４８】
例えば、材料１４として、誘電材料（ａ−ＳｉＮ：Ｈ、ａ−ＳｉＯｘ、ａ−ＳｉＣ：Ｈ、ａ−ＳｉＯＮ：Ｈ、またはａ−ＳｉＯＣ：Ｈ等）を熱ＣＶＤ、プラズマアシストＣＶＤ、または遠心分離によって堆積することが可能であり、金属または金属合金（例えば、Ａｌ、ＩＴＯまたはＡｕ等）をカソードスパッタリングまたは蒸着によって堆積することも可能である。この材料１４は、後の層４のエッチングと適合し、そのエッチングの間に除去されない。
【００４９】
この層１４の厚さは、マスクの剥離、言い換えると除去が容易になるように選択されると好ましい。剥離を妨げることなく堆積され得る最大厚さは、材料１４の性質及び二重層４、６またはマスクの厚さに応じて変化する。
【００５０】
例えば、５ｎｍのａ−Ｓｉ：Ｈの層１４は、２０℃において５％のＨＦ溶液を使用して２００ｎｍのＳｉＯ２の二重層４、６を侵食することによって、的確に局所化される。二重層の層は、それぞれ異なる化学量論を有する（２つの層のエッチング速度が異なり、層４の方が速い）。二重層４、６を使用することによって、剥離が容易となり（上記で説明したように突出部の形成による）、その結果、２００ｎｍの厚さのマスクから、より厚いａ−Ｓｉ：Ｈが形成される。１００ｎｍのＳｉＯ２（層４及び６）上に５０ｎｍのａ−Ｓｉ：Ｈ（＝層１４）が積層された積層体では、剥離は不十分である。
【００５１】
非連続性皮膜を形成した後、化学侵食（例えば酸化ケイ素の下層の場合はＨＦ、ゲルマニウムの場合はＨ２Ｏ２、窒化物ＳｉＮの場合はＨ３ＰＯ４）によって二重層またはポリマーペースト／二重層積層体を剥離する。堆積された層１４の非連続性によって、二重層４、６の化学侵食が可能となる。特に、堆積１５０の間に材料が堆積されていない周辺において、層６／層４の界面によって、化学侵食剤を導入するチャネルを形成することが可能となる。
【００５２】
ＳｉＮ／ＳｉＯ２二重層の実施形態を以下に示す。
二重層は、ＰＥＣＶＤによって１８０℃で堆積された２０ｎｍの厚さを有するＳｉＮの層（層６）と、ＰＥＣＶＤによって１８０℃で堆積された５００ｎｍの厚さを有するＳｉＯ２の層（層４）とを備え、
局所化される層１４は、１０ｎｍの厚さを有するアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）であり、ＰＥＣＶＤによって堆積され、
二重層４、６をエッチングするために使用する溶液は２０℃のＨＦ（５％）である。
【００５３】
変形として、アモルファスシリコンの層１４を堆積する場合は特に、Ｏ３処理を行う価値があるかもしれない。この処理によって、このａ−Ｓｉ：Ｈの層１４の表面だけでなく、この層の側面部分１４０、１４０’も酸化することができるようになる（図１０参照）。
【００５４】
結果として、酸化されたアモルファス材料の表面は、マスク４、６の除去の段階の間に、ＨＦによってエッチングされる。従って、欠陥が少なく、ポリマー８の除去処理に暴露されないより良質の表面が得られる。
【００５５】
さらに、アモルファスシリコンの堆積物１４の場合、局所皮膜のそれぞれの側面において、酸化を実施することによって側面のいかなる残留物も除去することが可能となる。この問題は、図１０に示されており、堆積物１４が示され、層４の壁は化学エッチングによって除去されている。この図において、層４を除去した後でさえ、堆積されたケイ素の側面の残留物１４０’が残されていることが分かる。外側部分１４’、１６’が完全にまたはほぼ完全に酸化される程度に十分であるが、表面的な方法以外で空洞１００、１２０の底部に堆積された堆積物１４、１６の表面以外が酸化されるには不十分な程度にケイ素の酸化が実施された場合、前記外側部分は層４、６または９（単層の場合、図９）とともに除去されることが可能である。
【００５６】
本発明を、マスクが２層を備えた例を使用して説明した。好ましくは、下層に使用される化学エッチングのための全体的な選択性を有する第３の層を使用することも可能である。言い換えると、これらの化学エッチング段階の間に第３の層が横方向に侵食されないと好ましい。図９には、図７Ｂに示されたものと同じ段階が示されているが（同一の参照符号は同一または類似箇所を示す）、参照符号４０によって示される第３の層をさらに含む。この図において、２つの層４、６はエッチングされているが、層４０は開口部４００、４０２以外は損傷を受けず、ポリマーまたは樹脂層（図示しない）においてあらかじめ形成されたものを再生する。２層の下層４、６のエッチング、マスクを形成している層を含む様々な材料の性質、堆積材料の性質に関する上記考慮は依然として有効である。特に、実施される皮膜は、不連続であり、この不連続によってマスクが除去される。
【符号の説明】
【００５７】
１０、１０’、１００  空洞
１４、１４’、１６’  堆積物
１５０  堆積
１８  開口部
２  基板
４、６  層
７  横断面
６０、６２  突出部
８  ペーストまたは樹脂皮膜
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【手続補正書】
【提出日】平成20年8月8日(2008.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（２）上に第１材料（１４）の非連続性皮膜を堆積する方法であって、
ａ）前記基板からもっとも近くに上部層（６）及び下部層（４）の少なくとも２層のマスク層（４，６）を形成し、これらの層において少なくとも１つの空洞（１００，１０，１０’，１２，１２’）をエッチングすることによって、前記基板上にマスクを形成する段階であって、前記空洞が、前記空洞の横断面上に、前記マスクの前記空洞を通じて前記基板上に堆積される皮膜が少なくとも１つの断絶部を有するような断面を有する段階と、
ｂ）前記マスクの前記空洞を通じて前記基板上にアモルファスケイ素からなる前記第１材料（１４，１６，１４’，１６’）を堆積させ、堆積された前記皮膜が、前記空洞の横断面上に少なくとも１つの断絶部を有し、その後前記アモルファスケイ素を酸化させる段階と、
ｃ）前記マスクを除去する段階と、
を含む方法。
【請求項２】
前記空洞を形成する段階が、前記２層のマスク層（４，６）上に、前記２層のマスク層（４，６）のコーティング領域とエッチング領域との間を画定するポリマーペーストまたは樹脂層（８）を事前に局所的にコーティングする段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ポリマーまたは樹脂層（８）が、段階ｂ）以前に除去されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ポリマーまたは樹脂層（８）が、段階ｂ）以前に除去されないことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項５】
少なくとも前記基板に最も近い層（４）をエッチングする段階が、非等方性エッチングであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記２つの積層（４，６）が、互いに異なるエッチング速度を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記２つの積層（４，６）の全厚さが、１００ｎｍから２０００ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記上部層（６）が、エッチング化学物質に対して前記下部層（４）より耐性を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記上部層（６）が、前記下部層（４）のエッチングに使用されるものとは異なるエッチング化学物質によってエッチングされることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記２つの積層（４，６）が、
酸化ケイ素の層（４）上の窒化ケイ素ＳｉＮの層（６）、
酸化ケイ素ＳｉＯｙの層（４）上の酸化ケイ素ＳｉＯｘの層（６）（ｘ≠ｙ）、
ＦＳＧの層（４）上の酸化ケイ素の層（６）、
ＦＳＧの層（４）上のＳｉＮの層（６）、
ＦＳＧの層（４）上の窒化ケイ素ＳｉＮの層（６）、
ＳＯＧの層（４）上の窒化ケイ素ＳｉＮの層（６）、
ＳＯＧ（ＳＯＧ２）の層（４）上のＳＯＧ（ＳＯＧ１）の層（６）、
または、酸化ケイ素の層（４）上の有機誘電物質ＢＣＢの層（６）、
を含むことを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記マスクを形成する段階が、前記２層のマスク層上に追加の層（４０）を形成する段階を含むことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記追加の層が、前記空洞をエッチングする段階の間に、横方向に侵食されないことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記下部層（４）及び必要であれば前記上部層のエッチングが、ＨＦの化学物質型によるものであることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
一時の間行われるアモルファスシリコンの酸化によって、前記空洞（１００，１０，１０’，１２，１２’）の底部に堆積されたアモルファスシリコンの堆積物（１４，１６）の表面以外は酸化せずに、前記空洞の底部に堆積されたアモルファスケイ素の側面部（１４０，１４０’）を完全にまたはほぼ完全に酸化することが可能となることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記コーティング段階ｂ）がＰＥＣＶＤによって実施されるかまたは蒸着またはカソードスパッタリングによって実施されることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記段階ａ）のエッチングによって、少なくとも前記下部層（４）において曲線状の側面（１００’，１０１’）を得ることができることを特徴とする請求項１〜１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記段階ａ）のエッチングによって、前記下部層においてエッチングされた領域の上部に突出部（６０，６２）が形成されるように前記上部層（６）がエッチングされることを特徴とする請求項１〜１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記段階ｃ）が、断絶部を形成している第１材料の領域を通じて、層を形成している前記マスクを化学エッチングすることによって実施されることを特徴とする請求項１〜１７のいずれか一項に記載の方法。
【国際調査報告】
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