(57)【要約】  本発明は、携帯時計の不揮発性メモリをプログラムするアクセス方法に関し、該時計は、基準電源電圧に対応する電位差を定め且つ外部からアクセス可能な２つの電源端子と、予め定められた最大電源電圧をサポートするよう構成された不揮発性メモリ用制御回路とを備え、当該アクセス方法は、時計の電源端子を利用して、ａ）不揮発性メモリへのアクセスを許可するオープニングキーと、ｂ）不揮発性メモリへのアクセス命令とを不揮発性メモリの制御回路に送信する段階からなり、オープニングキーが予め定められた命令であって、基準電源電圧を変調することにより、予め定められた最大電源電圧を超えないようにして送信されることを特徴とする。
2010530557.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
携帯時計の不揮発性メモリをプログラムするアクセス方法において、
前記時計が、基準電源電圧に対応する電位差を定め且つ前記時計の外部からアクセス可能な２つの電源端子と、予め定められた最大電源電圧までの供給を受けられるように構成された前記不揮発性メモリ用制御回路とを備え、
前記時計の電源端子の少なくとも１つを利用して、
ａ）前記不揮発性メモリへのアクセスを許可するオープニングキーと、
ｂ）前記不揮発性メモリへのアクセス命令と、
を前記不揮発性メモリの制御回路に送信する段階からなるアクセス方法であって、
前記オープニングキーが、予め定められた命令であって、前記基準電源電圧を変調することにより、前記予め定められた最大電源電圧を超えないようにして送信され、
前記電源電圧が、前記不揮発性メモリのセルのプログラムすることを許可するために増大させない、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記制御回路が、前記プログラムする手順の間にクロック信号発生器としてＲＣ発振器を使用する、
ことを特徴とする請求項１に記載のアクセス方法。
【請求項３】
前記命令が、パルスに対するパルス幅変調により送信され、前記基準電源電圧に加えられる振幅が前記予め定められた最大電源電圧を超えないようにされる、
ことを特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載のアクセス方法。
【請求項４】
前記アクセス命令がプログラムする命令を備え、該プログラムする命令が、前記メモリにプログラムされるアドレスを定めるアドレスビットと、前記プログラムする命令に含まれる前記アドレスビットにより定められるアドレスにプログラムされるデータビットとを有する、
ことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のアクセス方法。
【請求項５】
前記オープニングキーが、プログラムされる予め設定されたアドレスと予め定められたデータビットとを有するプログラムする命令である、
ことを特徴とする請求項３に記載のアクセス方法。
【請求項６】
前記オープニングキーが更に、プルグラムすること又は読み込みにより前記メモリにアクセスするための少なくとも１つの許可ビットを有する、
ことを特徴とする請求項４に記載のアクセス方法。
【請求項７】
前記アクセス命令が読み込み命令を備え、前記読み込み命令が、前記メモリに読み込まれるアドレスを定めるアドレスビットと、前記読み込み命令に含まれる前記アドレスビットにより定められるアドレスのデータビットの各々を連続して読み込むデータビットとを有する、
ことを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載のアクセス方法。
【請求項８】
前記読み込み命令のデータビットが、読み込まれる前記アドレスの各ビットの実際の読み込み中に前記基準電源電圧が変調されるように決定される、
ことを特徴とする請求項７に記載のアクセス方法。
【請求項９】
前記命令が、搬送波を用いて送信され、前記基準電源電圧に加えられる振幅が前記技術の前記予め定められた最大電源電圧を超えないようにされる、
ことを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載のアクセス方法。
【請求項１０】
アクセス許可を必要としない予め設定されたデータビットを利用して予め設定されたアドレスに対するプログラムする命令からなる事前時計識別段階が設けられる、
ことを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載のアクセス方法。
【請求項１１】
メモリに対する後続の許可されていないアクセス全てを禁止する予め設定された命令を実行することからなるクローズキーが設けられる、
ことを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載のアクセス方法。
【請求項１２】
前記クローズキーが、前記オープニングキーの実行中にプログラムされたデータビットとは異なる決定されたデータビットによって前記オープニングキーにおいて決定されたアドレスについてのプログラムする命令である、
ことを特徴とする請求項１１に記載のアクセス方法。
【請求項１３】
前記アクセス方法の持続時間を予め定められたタイムアウト値と比較して、前記タイムアウト値よりも時間がかかる場合に前記アクセス方法を中断するようにされる、
ことを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載のアクセス方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
一般に、本発明は、携帯時計における不揮発性メモリへのアクセス方法に関する。携帯時計は、基準電源電圧に対応する電位差を定め且つ時計の外部からアクセス可能な２つの電源端子を備える。より具体的には、本発明は、例えば携帯時計の適正な機能の値をプログラムする目的で時計の電源端子の少なくとも１つを利用した不揮発性メモリへのアクセス方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、時計の時間基準周波数の調整用の抑制値の調整を可能にするために、アナログ時計において不揮発性メモリをプログラムする方法は、従来技術（例えば、スイス特許文献ＣＨ６６４  ８６８）において公知である。本明細書で説明される方法は、補助入力を必要とすることなしに、この種携帯時計で外部からアクセス可能な電源バッテリの端子だけを使用して行われる。シールされていて分解できない場合にも時計動作の値を正確に制御できるようにし、従って、例えばガラスの溶接や、調整後の他のあらゆる製造ステップから生じる干渉の影響を受けないそのようなシステムの利点が理解できよう。
【０００３】
不揮発性メモリのための集積制御回路は、プログラムする方法の実現のために時計に組み込まれる。プログラムする方法は、電源電圧をピーク電圧（すなわち６．３Ｖ）を用いて高電圧値にして、不揮発性メモリへのアクセスを許可した後で、電源端子で供給されるパルスとしてプログラムする命令を送信する。該電源端子では、不揮発性メモリに再度コピーされた後で、カウンタの内容は所望の値に達するまで修正可能にすることができる。
【０００４】
このような方法は有効であるが、幾つかの欠点がある。当業者にとって絶えず関心があることの１つは、時計全体のサイズを縮小してユニットの美観を向上させるために、時計の構成部品を小型化することである。常に進歩している主な構成部品の１つは、時計に組み込まれる集積回路である。実際に、トランジスタ技術がより微細化又はより小型化されるにつれて、こうしたトランジスタを制御するための印加電圧を益々低くする必要があり、さもなければ、トランジスタが管理できない及び／又は好ましくない性能になる恐れがある。一部のトランジスタ技術では、端子間の最大印加制御電圧は、いわゆる「０．３５μ」技術（すなわちトランジスタのサイズが０．３５μｍになる）において、例えば３．６ボルトに定められ、その結果、この技術を用いて製造されるトランジスタへの高い制御電圧の印加によって、トランジスタの信頼性が低下し、従って回路全体の性能が低下するようになる。このような不安定な要素は、時計の不揮発性メモリをプログラムする方法において許容することができず、ここでの目的は、時計の適切な機能を確保する値を特に集積回路を用いてプログラムすることである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】スイス特許文献ＣＨ６６４  ８６８公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の主な目的は、携帯時計のメモリの制御回路で使用されるトランジスタ技術とは関係なく、時計の不揮発性メモリにアクセスする方法を開発することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このために、時計は、不揮発性メモリに加えて、基準電源電圧に対応する電位差を定め且つ時計の外部からアクセス可能な２つの電源端子と、予め定められた最大電源電圧をサポートするよう構成された不揮発性メモリの制御回路とを備える。アクセス方法は、時計の電源端子の少なくとも１つを利用して、
ａ）不揮発性メモリへのアクセスを許可するオープニングキーと、
ｂ）不揮発性メモリへのアクセス命令と、
を不揮発性メモリの制御回路に送信する段階からなる。
【０００８】
このアクセス方法は、オープニングキーが予め定められた命令であって、基準電源電圧を変調することによって、予め定められた最大電源電圧を超えないようにして送信される、ことを特徴とする。
【０００９】
このような予め定められた命令の形態のオープニングキーを使用することにより、制御回路の技術によって、予め定められた最大電源電圧を常に下回って維持されるのが確保される。従って、不揮発性メモリの制御回路を形成するトランジスタにおける制御電圧が高すぎる結果として回路の信頼性が低下するのが回避される。更に、オープニングキーとして機能する命令の予め定められた特性は、メモリへの安全なアクセスを保証する。
【００１０】
独立請求項には、有利な実施形態の対象が示されている。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の好ましい例示的な実施形態による、時計の不揮発性メモリにアクセスする方法で使用されるパルス幅変調の一実施例を示す図である。
【図２ａ】プログラムする命令の実行を検証するためのプログラムする命令を示す図である。
【図２ｂ】プログラムする命令の実行を検証するための対応する電流変化を示す図である。
【図３ａ】データを読み込むための読み込み命令を示す図である。
【図３ｂ】データを読み込むための対応する電流変化を示す図である。
【図４】本発明によるアクセス方法が実行されるアナログ時計を概略的に示す図である。
【図５】時計に組み込まれた不揮発性メモリの制御回路を概略的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の他の特徴及び利点は、単に非限定的な例証として与えられ且つ添付図面により例示される本発明の実施形態の以下の詳細な説明を読めば明らかになるであろう。
【００１３】
図４は、アナログ時計を概略的に示しており、該アナログ時計は、３２ｋＨの周波数を供給する水晶振動子と、所望の周波数で針を駆動するモータの動作を制御する分周手段とを備え、時計ケースのベースをほぼ貫通して外部からアクセス可能な２つの電源端子に接続されるバッテリによって電源が供給される。不揮発性メモリは、全体的に時計及びより具体的にはその適正な機能に関する情報を記憶するために付加的に設けられ、メモリにアクセスするためにメモリ用の集積制御回路が設けられる。不揮発性メモリの制御回路は、予め定められた最大電源電圧をサポートする技術を用いて製造される。不揮発性メモリが記憶できる実施可能な情報には、例えば、抑制サイクル及び水晶振動子の抑制、駆動パルスの持続時間、モータサイクル、バッテリ寿命の終わり検出の作動及び非作動、使用可能バッテリのタイプの選択、使用する集積回路の固有の機種名、その他が含まれる。
【００１４】
時計の不揮発性メモリ内にこれら様々な情報アイテムをプログラムすること（プログラミング）のためには、時計の組み立て後の安全なアクセスを提供し、時計動作の調整又はモータ調整（パルス持続時間、パルス間、・・・）など、組立工程により影響を受ける可能性がある情報が可能な限り信頼性があるようにする方法が提供される。この不揮発性メモリにアクセスする方法は、時計の電源端子の少なくとも１つを介してメモリの制御回路に命令を送信することにより構成される。この点に関して、２つの電源端子は、制御回路の最大電源電圧よりも低い選択された基準電源電圧に対応する電位差を定める点に留意されたい。
【００１５】
送信された命令は、不揮発性メモリにアクセスするのを許可する少なくとも１つのオープニングキーと、受け取った許可情報に続いく不揮発性メモリへのアクセス命令とを含む。本発明によれば、オープニングキーは、基準電源電圧を制御回路の予め定められた最大電源電圧を超えないようにして変調することにより送信される予め定められた命令であるとされる。
【００１６】
図１は、本発明のアクセス方法の好ましい例示的な実施形態による、時計の不揮発性メモリにアクセスする方法の間に命令を送信するのに使用可能なパルス幅変調の実施例を示している。命令の送信、特にオープニングキーの送信は、データ信号で搬送波周波数を直接変調することにより正の電源ラインを介して構成されるシリアルデータを送信することによって実行される。この実施例では、搬送波周波数の振幅は、基準電源電圧に付加されても予め定められた最大電源電圧を超えないように選択される。
【００１７】
変形形態として、負の電源ラインを直接変調すること、又は更に、一方がデータを受信して他方がクロック信号を受信する役割を果たすことができるようにする、２つの電源ラインの間に共有される変調を提供すること、或いはまた、制御ライン上で実施可能なデータ送信の他のあらゆる好適な共有も十分考えられる点に留意されたい。図１で提示される解決策は依然として好ましいものであり、制御回路を介して送信される命令を検出する機能図は、図５に関連して説明する。
【００１８】
更に変形形態として、搬送波を付加することなくパルス幅変調によりデータを直接送信することも可能であるが、このような解決策は、データ送信の安全性が低い。また、例えば全部又はゼロ変調の方法のような他の変調方法も想起することができる。この点に関して、パルス幅変調によって或いは全部又はゼロ変調によって送信された命令はパルスを用いて実施され、基準電源電圧に付加されたときのパルスの振幅は、予め定められた最大電源電圧を超えない点に留意されたい。加えて、図１で推奨された変調並びに上記で提示された変形形態は、有利には、メモリへのアクセスが所望のアドレスに直接行われるように、発達したメモリ容量を用いることができる点に留意されたい。
【００１９】
２つのパルス間の時間で命令をコード化できるようにするパルスの連続送信からなるパルス位置変調方法に基づいた変形形態も実施可能ではあるが、メモリアドレスへのアクセスの同期及び容易性の理由から発達したメモリ構造の使用には好適ではない点を理解されたい。このような理由から、こうした変調技術では、使用される不揮発性メモリは、各情報ビットが照合された後に連続して書き込まれるレジスタ又は幾つかのレジスタの使用に限定される。
【００２０】
図２ａ及び２ｂはそれぞれ、プログラムする命令と、プログラムする命令の実行を検証するための対応する電流の変化とを示している。
【００２１】
図示の実施例のフレームワーク内では、プログラムする命令は、メモリ内にプログラムされるアドレスを定義することからアドレスビットと呼ばれる４つの先頭ビット（ｗａｄｄ＜３：０＞）と、これに続く８つのデータビット（ｄｉｎ＜７：０＞）とを含む。より高位のビット（ＭＳＢ）はｗａｄｄ＜３＞及びｄｉｎ＜７＞で定義され、より低位のビット（ＬＳＢ）は、ｗａｄｄ＜０＞及びｄｉｎ＜０＞で定義される点に留意されたい。ビットＰは、パリティをチェックすることによって入来データビット（ｄｉｎ）のコーディングエラーをチェックするために付加される。このビットＰはパリティビットと呼ばれる。
【００２２】
図３ａ及び３ｂに従ってより詳細に分かるように、プログラムする命令の間、最初に低位ビットが、高位ビットを書き込む前に、メモリに書き込まれ、読み込み命令の間シーケンスが反転されて、高位ビットが最初に読み込まれ、次いで低位ビットが読み込まれる。
【００２３】
命令が終了する、すなわちデータの送信が終了すると、回路の電源ユニットは、予め定められた最小電源電圧（例えば、２．５Ｖ）を同様に予め設定された最小時間期間（例えば、１０ｍｓ）の間引き続き供給し、不揮発性メモリを実際にプログラムすることを許可する。プルグラムすることは、メモリセルをプログラムするのに必要な高電圧を可能にする電圧増倍器を用いて典型的な方法で行われる。
【００２４】
図２ｂは、メモリのビットの内部書き込みの間、すなわち送信データの一致を確認する働きをする予め設定された時間期間（ｔWRITE）の間の高い供給電流を示し、この実施例では５０〜１００μＡの程度とすることができる。
【００２５】
本明細書において上記で既に述べたように、メモリにアクセスする方法は、オープニングキー、及びより一般的には以下で詳細に説明されるスタートアップシーケンスを含む。
【００２６】
有利には、オープニングキーを送信する前に、メモリへのアクセスのセキュリティを向上させるための事前ステップが設けられる。この事前ステップは、時計が電圧下で配置された後にアクセスインタフェースの適正な作動を可能にする時計識別手順（ＷＩＰ）からなる。この時計識別手順は、どのようなアクセス許可も必要とすることなく、予め定められたアドレス（例えば、アドレス１０）に予め定められたデータアイテム（例えば、０）を書き込むことからなる。
【００２７】
次いで、メモリにアクセスする方法を実際に開始するためには、オープニングキーを送信してメモリへのアクセスを許可する必要がある。有利には、このオープニングキーは、プログラムされることになる予め設定されたアドレスと、予め設定されたデータビットとを含むプログラムする命令である。有利な変形形態によれば、オープニングキーは、この目的で受けとられたアドレス（例えば、アドレス９）を供給し、このアドレスに、オープニングキーのコアを表すワード又は７つのデータビット（ｄｉｎ＜７：１＞）だけを含む既知のコードを書き込むことからなり、例えば、選択されたオープニングキーのコードは、１０１０１０１とすることができ、最後のデータビット（ｄｉｎ＜０＞）は、メモリにアクセスするための許可ビットとして確保され、このビットの値に応じて書き込み（すなわちプログラムすること）又は読み込みによりアクセスを許可するようにする。次いで、オープニングキーは、チェックのためのパリティビットを含む。ロックが開かれると、ワードは、許可されたアクセスに従って必要に応じて何度でもプログラムされ、又は読み込むことができる。
【００２８】
ここで、メモリをプログラムするアクセス手順の実施例を示し、当該実施例は、以下の表で提示され、図２ａで表されているプログラムする命令である。
【００２９】
【表１】
2010530557.tif 000003
【００３０】
上記から明らかなように、（任意の）事前ステップ又は時計識別手順は、アドレス１０をワード０でプログラムすることからなる。次いで、第１のステップ又はオープニングキーは、ワード「１０１０１０１」をアドレス９に書き込み、書き込みすなわちプログラムすることによるアクセスが最終データビット「１」により許可されることを示すことからなる。次いで、抑制期間及びモータのステップをそれぞれこの目的で設けられたアドレス７及び５でプログラムすることからなるプログラムする命令の２つの実施例（ステップ２及び３）が提供される。次に、有利には、最後のステップ（４）が提供され、オープニングキーと同じアドレス（すなわち、この実施例ではアドレス９）のプログラムする命令を用いて予め定められたワード（通常０）でクローズキーを送信し、メモリにアクセスする後続の方法を考慮してアドレスのデータをゼロにリセットし、それよりも以前のメモリへの後続のアクセスを全て禁止することからなる。
【００３１】
このメモリ・アクセス方法を処理するのと同時に、アクセス方法の持続時間を予め定められたタイムアウト値と比較して、このタイムアウト値よりも時間がかかる場合にはこのアクセス方法を中断するようにされる。このタイムアウト値は、電圧下時の設定から計算されるのが好ましい。
【００３２】
ここで図３ａ及び３ｂを参照しながら、読み込みによるアクセス方法の実施例を説明する。この図は、電源電圧を変調して、供給電流の対応する変化を観測することによりメモリ内のアドレス７（「０１１１」）に含まれるワードを読み込むことに基づく読み込み命令（図３ａ）を示している。シーケンスは、最初に高位ビット（ＭＳＢ）で、次いで低位ビット（ＬＳＢ）で反転される。
【００３３】
不揮発性メモリ内に格納されたデータは、供給電流を測定することによってビット毎に検証又は読み込まれる。このために、読み込まれることになるワードは、このワードのアドレス（ｗａｄｄ＜３：０＞）に対して選択されるが、ワード中の各ビットは、アドレスビット（ｂａｄｄ＜２：０＞）を利用して選択される。書き込み命令の場合のように、命令の一連のデータは、図３ａに示す実施例において１３個のシリアルデータビットからなる。読み込み動作に対するワード内のビットのアドレスは、ビットアドレスデコーダにより生成され、該デコーダはデータビットの出力を入力として有する。このことは、入来データの新しいビット（ｄｉｎ＜７：０＞）はシフトされ、以下のビット、すなわち高位ビット（ＭＳＢ）から最後の低位ビット（ＬＳＢ）まで照合されることを意味する。有利には、シフトレジスタを通じてシフトされたビットは、「０」ビットであり、読み込まれる対応するビットの読み込み中に基準電源電圧が安定するように、すなわち変調されないようにされる。
【００３４】
実際の読み込みは、図３ｂに示すような電源端子における消費電流を観測することにより実施される。セル又はアドレス指定されたメモリワードが「１」を含む場合、電流シンクＩＳＩＮＫが電源端子（ＶＤＤとＶＳＳ）間に接続され、供給電流を実質的に増大させて、この消費電流を観測することにより読み込みビットが「１」であるか又は「０」であるかを容易に検出できるようにする。読み込まれる最後のビットが照合された後、追加ビットがシフトされ、次いで制御回路が読み込みワードのパリティビットを送信する。
【００３５】
読み込みによるアクセス方法の実施例は以下の表で与えられる。
【００３６】
【表２】
2010530557.tif 000004
【００３７】
上述のプログラムする動作を行うためのアクセス方法の場合と同様に、有利には、事前時計識別ステップが、読み込み動作を行うためのアクセス方法と同様の方式で設けられ、その後、オープニングキーを含む第１のステップが続き、ここでは最後のデータビット（この実施例では「０」）により、リクエストされ許可されたアクセスが読み込みのためのアクセスであることを示すことができる。次の２つのステップは、図３ａ及び３ｂで定義されるプロトコルを用いて事前に書き込まれたデータを読み込むための命令の２つの実施例である。次に、クローズキーの送信は、このアクセス方法を終了し、メモリに対する後続の許可されていないアクセス全てを禁止するようにすることが分かる。
【００３８】
既知のオープニングキー並びに有利には時計識別手順及びクローズキーを受信した後にだけ、プログラム又は読み込みのためにメモリへのアクセスを許可する手順では、上述の書き込み及び／又は読み込みによる方法は、不正又はエラーによりメモリにアクセスするよう受信できる寄生信号からの耐性を好都合に可能にする点を理解されたい。
【００３９】
図５は、上記で提案された実施例による、時計に組み込まれた不揮発性メモリの制御回路を概略的に示している。制御回路は通常、保持される有用な情報（すなわち、メモリへのプログラム及び／又は読み込み命令）の高周波搬送信号だけを許容するハイパスフィルタ、その後に、有用な信号の振幅を増大させる増幅器が続き、次いで、送信された情報ビットから搬送波を分離するエンベロープ検出器、次に、受信した情報ビットを「１」と「０」のシーケンスに変換して命令を復号できるようにするデジタル処理オペレーションが含まれる。
【００４０】
時計の水晶振動子を使用して時計内の集積回路のレベルでのオペレーションの速度を設定するには、時計のプログラミング時間全体を感知できるほど遅くする起動時間（０．５〜２ｓ程度）又は作動時間があることは分かっている。このため、制御回路は、プログラムする手順の間にクロック信号発生器として簡単な発振器すなわちＲＣタイプの発振器を使用することで、時計の水晶振動子を用いた場合よりも遙かに迅速な起動（数μｓの程度）を可能にしている。
【００４１】
当業者には明らかな種々の修正形態及び／又は改良形態及び／又は組み合わせは、添付の請求項により定められる本発明の構成から逸脱することなく上記概説された本発明の様々な実施形態に適用することができる。特に、本発明のアクセス方法は、一般に時計の適正な動作を検証するためのクロック試験中に使用される不揮発性レジスタにも等しく有利に適用することができる。
【図１】
2010530557.tif 000005
【図２ａ】
2010530557.tif 000006
【図２ｂ】
2010530557.tif 000007
【図３ａ】
2010530557.tif 000008
【図３ｂ】
2010530557.tif 000009
【図４】
2010530557.tif 000010
【図５】
2010530557.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月22日(2008.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
携帯時計の不揮発性メモリをプログラムするアクセス方法において、
前記時計が、基準電源電圧に対応する電位差を定め且つ前記時計の外部からアクセス可能な２つの電源端子と、予め定められた最大電源電圧をサポートするように構成された前記不揮発性メモリ用制御回路とを備え、
前記時計の電源端子の少なくとも１つを利用して、
ａ）前記不揮発性メモリへのアクセスを許可するオープニングキーと、
ｂ）前記不揮発性メモリへのアクセス命令と、
を前記不揮発性メモリの制御回路に送信する段階からなるアクセス方法であって、
前記オープニングキーが、予め定められた命令であって、前記基準電源電圧を変調することにより、前記予め定められた最大電源電圧を超えないようにして送信され、
前記電源電圧が、前記不揮発性メモリのセルのプログラムすることを許可するために増大させない、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記制御回路が、前記プログラムする手順の間にクロック信号発生器としてＲＣ発振器を使用する、
ことを特徴とする請求項１に記載のアクセス方法。
【請求項３】
前記命令が、パルスに対するパルス幅変調により送信され、前記基準電源電圧に加えられる振幅が前記予め定められた最大電源電圧を超えないようにされる、
ことを特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載のアクセス方法。
【請求項４】
前記アクセス命令がプログラムする命令を備え、該プログラムする命令が、前記メモリにプログラムされるアドレスを定めるアドレスビットと、前記プログラムする命令に含まれる前記アドレスビットにより定められるアドレスにプログラムされるデータビットとを有する、
ことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のアクセス方法。
【請求項５】
前記オープニングキーが、プログラムされる予め設定されたアドレスと予め定められたデータビットとを有するプログラムする命令である、
ことを特徴とする請求項３に記載のアクセス方法。
【請求項６】
前記オープニングキーが更に、プルグラムすること又は読み込みにより前記メモリにアクセスするための少なくとも１つの許可ビットを有する、
ことを特徴とする請求項４に記載のアクセス方法。
【請求項７】
前記アクセス命令が読み込み命令を備え、前記読み込み命令が、前記メモリに読み込まれるアドレスを定めるアドレスビットと、前記読み込み命令に含まれる前記アドレスビットにより定められるアドレスのデータビットの各々を連続して読み込むデータビットとを有する、
ことを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載のアクセス方法。
【請求項８】
前記読み込み命令のデータビットが、読み込まれる前記アドレスの各ビットの実際の読み込み中に前記基準電源電圧が変調されるように決定される、
ことを特徴とする請求項７に記載のアクセス方法。
【請求項９】
前記命令が、搬送波を用いて送信され、前記基準電源電圧に加えられる振幅が前記技術の前記予め定められた最大電源電圧を超えないようにされる、
ことを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載のアクセス方法。
【請求項１０】
アクセス許可を必要としない予め設定されたデータビットを利用して予め設定されたアドレスに対するプログラムする命令からなる事前時計識別段階が設けられる、
ことを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載のアクセス方法。
【請求項１１】
メモリに対する後続の許可されていないアクセス全てを禁止する予め設定された命令を実行することからなるクローズキーが設けられる、
ことを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載のアクセス方法。
【請求項１２】
前記クローズキーが、前記オープニングキーの実行中にプログラムされたデータビットとは異なる決定されたデータビットによって前記オープニングキーにおいて決定されたアドレスについてのプログラムする命令である、
ことを特徴とする請求項１１に記載のアクセス方法。
【請求項１３】
前記アクセス方法の持続時間を予め定められたタイムアウト値と比較して、前記タイムアウト値よりも時間がかかる場合に前記アクセス方法を中断するようにされる、
ことを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載のアクセス方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月25日(2009.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
携帯時計の不揮発性メモリへのアクセス方法において、
前記時計が、基準電源電圧に対応する電位差を定め且つ前記時計の外部からアクセス可能な２つの電源端子と、予め定められた最大電源電圧をサポートするように構成された前記不揮発性メモリ用制御回路とを備え、
前記時計の電源端子の少なくとも１つを利用して、
ａ）前記不揮発性メモリへのアクセスを許可するオープニングキーと、
ｂ）前記不揮発性メモリへのアクセス命令と、
を前記不揮発性メモリの制御回路に送信する段階からなるアクセス方法であって、
前記オープニングキーが、予め定められた命令であって、前記基準電源電圧を変調することにより、前記予め定められた最大電源電圧を超えないようにして送信され、
前記電源電圧が、前記不揮発性メモリのセルのプログラムすることを許可するために増大させない、
ことを特徴とするアクセス方法。
【請求項２】
前記制御回路が、前記プログラムする手順の間にクロック信号発生器としてＲＣ発振器を使用する、
ことを特徴とする請求項１に記載のアクセス方法。
【請求項３】
前記命令が、パルスに対するパルス幅変調により送信され、前記基準電源電圧に加えられる振幅が前記予め定められた最大電源電圧を超えないようにされる、
ことを特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載のアクセス方法。
【請求項４】
前記アクセス命令がプログラムする命令を備え、該プログラムする命令が、前記メモリにプログラムされるアドレスを定めるアドレスビットと、前記プログラムする命令に含まれる前記アドレスビットにより定められるアドレスにプログラムされるデータビットとを有する、
ことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のアクセス方法。
【請求項５】
前記オープニングキーが、プログラムされる予め設定されたアドレスと予め定められたデータビットとを有するプログラムする命令である、
ことを特徴とする請求項３に記載のアクセス方法。
【請求項６】
前記オープニングキーが更に、プルグラムすること又は読み込みにより前記メモリにアクセスするための少なくとも１つの許可ビットを有する、
ことを特徴とする請求項４に記載のアクセス方法。
【請求項７】
前記アクセス命令が読み込み命令を備え、前記読み込み命令が、前記メモリに読み込まれるアドレスを定めるアドレスビットと、前記読み込み命令に含まれる前記アドレスビットにより定められるアドレスのデータビットの各々を連続して読み込むデータビットとを有する、
ことを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載のアクセス方法。
【請求項８】
前記読み込み命令のデータビットが、読み込まれる前記アドレスの各ビットの実際の読み込み中に前記基準電源電圧が変調されるように決定される、
ことを特徴とする請求項７に記載のアクセス方法。
【請求項９】
前記命令が、搬送波を用いて送信され、前記基準電源電圧に加えられる振幅が前記技術の前記予め定められた最大電源電圧を超えないようにされる、
ことを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載のアクセス方法。
【請求項１０】
アクセス許可を必要としない予め設定されたデータビットを利用して予め設定されたアドレスに対するプログラムする命令からなる事前時計識別段階が設けられる、
ことを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載のアクセス方法。
【請求項１１】
メモリに対する後続の許可されていないアクセス全てを禁止する予め設定された命令を実行することからなるクローズキーが設けられる、
ことを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載のアクセス方法。
【請求項１２】
前記クローズキーが、前記オープニングキーの実行中にプログラムされたデータビットとは異なる決定されたデータビットによって前記オープニングキーにおいて決定されたアドレスについてのプログラムする命令である、
ことを特徴とする請求項１１に記載のアクセス方法。
【請求項１３】
前記アクセス方法の持続時間を予め定められたタイムアウト値と比較して、前記タイムアウト値よりも時間がかかる場合に前記アクセス方法を中断するようにされる、
ことを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載のアクセス方法。
【国際調査報告】
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