(57)【要約】【課題】【解決手段】本発明は、ネガティブフォトレジストを用いたガラスまたは金属エッチング方法およびこれを用いたクリシェの製造方法に関する。本発明に係るガラスまたは金属エッチング方法は、ネガティブフォトレジストと金属または金属酸化物との接着力が優れているので金属または金属酸化物エッチング液によってフォトレジスト層が腐食されないだけでなく、逆型のフォトマスクを製作する必要がないので製造工程が簡単であり、混合波長などの低分解能光源を用いることができて経済的である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）片面に金属層または金属酸化物層が備えられたガラスにおいて、前記金属層または金属酸化物層上にネガティブフォトレジスト層を形成するステップ；
ｂ）前記ネガティブフォトレジスト層を選択的に露光するステップ；
ｃ）前記ネガティブフォトレジスト層の非露光部を現像してネガティブフォトレジスト層をパターン化するステップ；
ｄ）前記ｃ）ステップにおいてパターン化されたネガティブフォトレジスト層が塗布されなかった部分の金属層または金属酸化物層をエッチングするステップ；および
ｅ）前記ｄ）ステップにおいてパターン化された金属層または金属酸化物層が塗布されなかった部分のガラスをエッチングするステップ；
を含むガラスエッチング方法。
【請求項２】
前記ガラスエッチング方法は、
前記ａ）ステップの前に金属層または金属酸化物層をガラスの片面に形成するステップをさらに含む、請求項１に記載のガラスエッチング方法。
【請求項３】
前記ａ）ステップの前に金属層または金属酸化物層を、プラズマ蒸着、ｅ−ビーム蒸着、および熱蒸着からなる群から選択されたいずれか１つの方法でガラスの片面に蒸着させる、請求項２に記載のガラスエッチング方法。
【請求項４】
前記ガラスエッチング方法は、
前記ｅ）ステップの後にネガティブフォトレジスト層を除去するステップをさらに含む、請求項１に記載のガラスエッチング方法。
【請求項５】
前記ネガティブフォトレジスト層を除去するステップの後に前記金属層または金属酸化物層を除去するステップをさらに含む、請求項４に記載のガラスエッチング方法。
【請求項６】
前記ガラスの厚さは、０．２ｍｍ〜１０ｍｍである、請求項１に記載のガラスエッチング方法。
【請求項７】
前記金属は、クロム、モリブデン、およびタングステンからなる群から選択された１つ以上を含む、請求項１に記載のガラスエッチング方法。
【請求項８】
前記金属酸化物は、酸化クロム、酸化モリブデン、および酸化タングステンからなる群から選択された１つ以上を含む、請求項１に記載のガラスエッチング方法。
【請求項９】
前記ネガティブフォトレジストは、ブラックフォトレジストおよびカラーフォトレジストからなる群から選択されたいずれか１つである、請求項１に記載のガラスエッチング方法。
【請求項１０】
前記金属層または金属酸化物層上にネガティブフォトレジスト層をスピンコーティング、スリット＆スピンコーティング、スリットコーティング、およびキャピラリーコーティングからなる群から選択されたいずれか１つの方法を用いて形成する、請求項１に記載のガラスエッチング方法。
【請求項１１】
前記ｂ）ステップにおいて、２００〜８００ｎｍの波長範囲で２〜１５秒間露光する、請求項１に記載のガラスエッチング方法。
【請求項１２】
前記ｂ）ステップにおいて、Ｉ線である３５６ｎｍ、Ｈ線である４０５ｎｍ、およびＧ線である４３６ｎｍからなる群から選択された１つ以上の波長において２〜１５秒間露光する、請求項１に記載のガラスエッチング方法。
【請求項１３】
前記ｃ）ステップにおいて、ＫＯＨおよびＮａＯＨからなる群から選択された１つ以上の現像液で現像する、請求項１に記載のガラスエッチング方法。
【請求項１４】
前記ｄ）ステップにおいて、硝酸、硝酸アンモニウムセリウム、フッ酸とＨ2Ｏ2の混合液、およびフッ酸と脱イオン水の混合液からなる群から選択された１つ以上のエッチング液で金属層または金属酸化物層をエッチングする、請求項１に記載のガラスエッチング方法。
【請求項１５】
前記ｅ）ステップにおいて、フッ酸でガラスをエッチングする、請求項１に記載のガラスエッチング方法。
【請求項１６】
請求項１のガラスエッチング方法を用いたクリシェの製造方法。
【請求項１７】
請求項１６のクリシェの製造方法によって製造されたクリシェ。
【請求項１８】
前記クリシェは、エッチングによって形成された凹凸部を有するガラス、前記ガラスの突部上に配置された金属層または金属酸化物層、および前記金属層または金属酸化物層上に配置されたネガティブフォトレジスト層が順次に積層された形態を有する、請求項１７に記載のクリシェ。
【請求項１９】
請求項１７のクリシェを電子材料パターン化に用いる方法。
【請求項２０】
ａ）金属上にネガティブフォトレジスト層を形成するステップ；
ｂ）前記ネガティブフォトレジスト層を選択的に露光するステップ；
ｃ）前記ネガティブフォトレジスト層の非露光部を現像してネガティブフォトレジスト層をパターン化するステップ；および
ｄ）前記ｃ）ステップにおいてパターン化されたネガティブフォトレジスト層が塗布されなかった部分の金属をエッチングするステップ；
を含む金属エッチング方法。
【請求項２１】
前記金属は、クロム、モリブデン、およびタングステンからなる群から選択される１つ以上を含む、請求項２０に記載の金属エッチング方法。
【請求項２２】
請求項２０の金属エッチング方法を用いたクリシェの製造方法。
【請求項２３】
請求項２２のクリシェの製造方法によって製造されたクリシェ。
【請求項２４】
前記クリシェは、エッチングによって形成された凹凸部を有する金属、および前記金属上に配置されたネガティブフォトレジスト層が順次に積層された形態を有する、請求項２３に記載のクリシェ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ネガティブフォトレジストを用いたガラスまたは金属エッチング方法およびこれを用いたクリシェの製造方法に関する。
【０００２】
本出願は、２００７年９月２１日に韓国特許庁に提出された韓国特許出願第１０−２００７−００９６５８９号の出願日の利益を主張しており、その内容すべては本明細書に含まれる。
【背景技術】
【０００３】
オフセットプリンティングは、導電性ペースト、優れた光学的特性を有するインクなどのような特殊電子材料をパターン化する方法の１つであり、回路素材やディスプレイ用カラーフィルタのような電磁気記録／画像／回路装置の核心部品の製造時に実行される一工程であって、このためにはクリシェが必須となる。
【０００４】
ここで、クリシェとは、辞書的な意味として印刷される、ある形状を容易に挿入できるように製造された形態であり、当技術分野では一般的に電子材料のパターンを転写するための凹凸部を含む道具を意味する。
【０００５】
従来、クリシェは、ポジティブフォトレジストをクロムが蒸着されたガラス上にコーティングしてパターニングし、ガラス表面を所望する形状にエッチングすることによって製造されていた。しかしながら、ポジティブフォトレジストとクロム表面との接着力の問題により、ポジティブフォトレジストがクロムエッチング液に腐食されたり、ガラスエッチング用であるフッ酸に対する耐久性の問題などが発生するなど、ガラスを用いたクリシェを製作するのに障害物となってきた。
【０００６】
また、ポジティブフォトレジストを用いるときに生成しなければならないフォトマスクは、ガラスにエッチングがなされる部分の逆型とならなければならないが、このために他の工程において正常のフォトマスクを必要とするときは、高価のフォトマスクを追加で製作しなければならないという問題点がある。
【０００７】
また、図２に示すように、多数のステップの複雑な工程を経てクリシェを製造しなければならない。また、ポジティブフォトレジストは、単一波長のレーザを用いて露光するため、露光波長（ｅｘｐｏｓｕｒｅ  ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ）が主に１５７ｎｍ、１９３ｎｍ、２４８ｎｍなどの高周波紫外線（Ｄｅｅｐ  ＵＶ）、Ｉ−ｌｉｎｅ（３６５ｎｍ）、またはＧ−ｌｉｎｅ（４３６ｎｍ）のような短波長の単一レーザ光を用いるために高価の費用が必要になるという短所がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
したがって、本発明は、前記従来技術の問題点を解決するために、金属および金属酸化物表面との接着力が優れており、ガラスまたは金属のエッチング工程中に用いられる金属または金属酸化物エッチング液によって腐食されないネガティブフォトレジストを用い、逆型のフォトマスクを製作する必要がないので製造工程が簡単であり、単一レーザ光をあえて用いる必要がないので混合波長などの低分解能光源を用いることができて経済的なエッチング方法およびこれを用いたクリシェの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的を達成するために、本発明は、
ａ） 片面に金属層または金属酸化物層が備えられたガラスにおいて、前記金属層または金属酸化物層上にネガティブフォトレジスト層を形成するステップ；
ｂ）前記ネガティブフォトレジスト層を選択的に露光するステップ；
ｃ）前記ネガティブフォトレジスト層の非露光部を現像してネガティブフォトレジスト層をパターン化するステップ；
ｄ）前記ｃ）ステップにおいてパターン化されたネガティブフォトレジスト層が塗布されなかった部分の金属層または金属酸化物層をエッチングするステップ；および
ｅ）前記ｄ）ステップにおいてパターン化された金属層または金属酸化物層が塗布されなかった部分のガラスをエッチングするステップ；
を含むガラスエッチング方法を提供する。
【００１０】
また、本発明は、
ａ）金属上にネガティブフォトレジスト層を形成するステップ；
ｂ）前記ネガティブフォトレジスト層を選択的に露光するステップ；
ｃ）前記ネガティブフォトレジスト層の非露光部を現像してネガティブフォトレジスト層をパターン化するステップ；および
ｄ）前記ｃ）ステップにおいてパターン化されたネガティブフォトレジスト層が塗布されなかった部分の金属をエッチングするステップ；
を含む金属エッチング方法を提供する。
【００１１】
また、本発明は、前記ガラスまたは金属エッチング方法を用いたクリシェの製造方法を提供する。
【００１２】
また、本発明は、前記クリシェの製造方法によって製造されたクリシェを提供する。
【００１３】
また、本発明は、前記クリシェを電子材料パターン化に用いる方法を提供する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明のネガティブフォトレジストを用いたガラスまたは金属エッチング方法およびこれを用いたクリシェの製造方法は、金属または金属酸化物表面とネガティブフォトレジストとの接着力が優れており、金属または金属酸化物エッチング液によって前記ネガティブフォトレジストが腐食されないだけでなく、逆型のフォトマスクを製作する必要がないので製造工程が簡単であり、単一レーザ光を用いる必要がないので混合波長などの低分解能光源を用いることができて経済的である。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に係るネガティブフォトレジストを用いたガラスエッチング方法を示す順序図である。
【図２】従来のポジティブフォトレジストを用いたクリシェの製造方法を示す順序図である。
【図３】本発明に係るネガティブフォトレジストを用いて製造されたクリシェを走査型電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＨｉｔａｃｈＳ−４８００）を用いて撮影した正面写真である（倍率：２２００：１）。
【図４】図３の写真の左側にある赤い円を拡大した写真である（倍率：９０００：１）。
【図５】比較例において、ポジティブフォトレジストを用いて製造されたクリシェの写真である（倍率：１０００：１）。
【図６】実施例２で製造されたクリシェを示す写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明について詳しく説明する。
【００１７】
本発明は、金属層または金属酸化物層のエッチング時にマスクとして用いるフォトレジストにおいて、ネガティブフォトレジストを用いることが好ましい。
【００１８】
ネガティブフォトレジストは、現在、ＬＣＤカラーフィルタに使用されるＢＭ（ｂｌａｃｋ  ｍａｔｒｉｘ）製造に広く用いられるフォトレジストである。したがって、ガラスまたは金属エッチングにネガティブフォトレジストを用いれば、ネガティブフォトレジストに対する現像液を用いる既存のカラーフィルタ生産ラインを利用することができ、経済的かつ効率的にクリシェを製作することができる。一般的に、クリシェを必要とするオフセットプリンティングは、ＬＣＤカラーフィルタとＴＦＴ回路に用いられる次世代工程法であり、費用節約と工程タクトタイム（ｔａｃｔ  ｔｉｍｅ）の短縮が可能となり、ＬＣＤパネルの価格下落による生産性の悪化に対する効果的な代案として浮上している。
【００１９】
したがって、本発明は、このようなオフセットプリンティングに用いることができるクリシェを製作することができる新たな方法を提示する。すなわち、既存のカラーフィルタ工程に用いられるフォトマスクとしてネガティブフォトレジストを用い、所望するパターンが陽刻されたクリシェを効率的に製作することができる。
【００２０】
まず、本発明に係るガラスエッチング方法について説明する。
【００２１】
本発明に係るガラスエッチング方法のうち、前記ａ）ステップにおいて、ガラスの厚さは０．２ｍｍ〜１０ｍｍであることが好ましい。これは、前記範囲内の厚さを有するガラスの場合、エッチング後にブランケットによって加圧が起こっても耐えることができる機械的強度を提供しながら、一般的なＬＣＤカラーフィルタ製造工程に入って容易にフォトレジストのパターニングとなることができるためである。
【００２２】
前記金属は、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）などから選択される１種以上を含むことができるが、これに限定されることはない。前記金属酸化物は、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステンなどから選択される１種以上を含むことができるが、これに限定されることはない。本発明では、前記例示されたもののうち、クロムまたは酸化クロムが最も好ましい。
【００２３】
前記ネガティブフォトレジストとしては、ブラックマトリックス用ブラックフォトレジスト、カラーフィルタ用カラーフォトレジストなどを用いることができる。ここで、ブラックフォトレジストとカラーフォトレジストとしては、顔料、アルカリ可溶性樹脂バインダー、エチレン性不飽和二重結合を有する多官能性モノマー、光開始剤、溶媒、その他の添加剤などが混ざっている混合物であり、当技術分野において知られているものを用いることができる。好ましくは、一般的な水銀ランプから出るすべての波長帯の混合光に対して光感応が起こるように設計されたネガティブフォトレジストがあり、例えば、ＬＧ化学の製品であるＨＣＲ３４１０Ｒ、ＨＣＲ３３１０Ｇ、ＨＣＲ３２１０Ｂ、ＢＫ７３Ｄ１などを用いることができるが、これに限定されることはない。
【００２４】
前記ネガティブフォトレジスト層は、金属層または金属酸化物層上にスピンコーティング（ｓｐｉｎ  ｃｏａｔｉｎｇ）、スリット＆スピンコーティング（ｓｌｉｔ＆ｓｐｉｎ  ｃｏａｔｉｎｇ）、スリットコーティング、キャピラリーコーティング（ｃａｐｉｌｌａｒｙ  ｃｏａｔｉｎｇ）などによって形成されることができるが、これに限定されることはない。
【００２５】
前記ｂ）ステップにおいて、ネガティブフォトレジスト層の選択的な露光は、当技術分野に知られている方法によって実行することができ、例えば、フォトマスクを用いて実行することができるが、これに限定されることはない。
【００２６】
前記ネガティブフォトレジスト層を選択的に露光するとき、Ｉ線（ｌｉｎｅ）（３６５ｎｍ）、Ｈ線（４０５ｎｍ）、Ｇ線（４３６ｎｍ）などの波長が混合した混合波長などの低分解能光源を用いることができる。前記露光は、例えば、高圧水銀ランプ下で１〜１００ｍＷ／ｃｍ2の強度（ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）下に２〜１５秒間露出させ、１０〜３００ｍＪ／ｃｍ2の露光量によって感光させて実行することができる。ここで、露光量は、フォトレジストの感度に応じて異なるが、２００ｍＪ／ｃｍ2であるときが好ましい。
【００２７】
従来のように、２００〜３００ｎｍ範囲の波長を用いるようになれば、この範囲の波長は単一波長を有する光ではなく、フィルタなどを用いて人為的に露光機の波長領域を狭くした波長であるため、ネガティブフォトレジストに含まれることができる光開始剤の種類が限定され、露光機にも光フィルタのような特別な装置が必要となって複雑になり、追加的な費用がかかるという問題がある。
【００２８】
前記ｃ）ステップにおいて、ネガティブフォトレジストを現像するときに用いられる現像液としては、ＫＯＨ、ＮａＯＨなどが用いられることが好ましい。
【００２９】
前記ｃ）ステップにおいて、ネガティブフォトレジストを現像するときに用いられる現像液としては、ＯＨ、ＮａＯＨ、ＴＭＡＨ（ｔｅｔｒａ  ｍｅｔｈｙｌ  ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）などが用いられることが好ましい。
【００３０】
本発明によれば、ネガティブフォトレジストは、ＵＶを受けた部分にのみ光開始剤成分によって架橋結合（ｃｒｏｓｓ−ｌｉｎｋｉｎｇ）が始まり、プレベーキング（ｐｒｅｂａｋｉｎｇ）後に硬化が完了して堅い重合体を成し、アルカリ水溶液の現像時にＵＶを受けなかった部分のネガティブフォトレジストが溶解度差によって溶けるようになる。したがって、ＵＶに光を照らした部分のみが残り、精密なパターンを形成できるようになる。
【００３１】
一方、現像液として酸水溶液を用いるようになれば、非露光部のネガティブフォトレジストを突き抜いて下の金属膜を溶かし、これによって下の絶縁基板との接着力（ａｄｈｅｓｉｏｎ）が弱まったネガティブフォトレジストが減少して光を当てた部分のみが残るようになるが、綺麗に減少せずに精密なパターンを得ることができない。
【００３２】
前記ｄ）ステップにおいて、金属層または金属酸化物層が、例えば、クロム層または酸化クロム層の場合、これらをエッチングするために用いられるエッチング液としては、硝酸、硝酸アンモニウムセリウム（（ＮＨ4）2Ｃｅ（ＮＯ3）6）などが用いられることができるが、これに限定されることはない。
【００３３】
また、金属層または金属酸化物層が、例えば、モリブデン層または酸化モリブデン層の場合、エッチング速度による多様な比率のＨＦ：Ｈ2Ｏ2がエッチング液として用いられることができるが、これに限定されることはない。
【００３４】
また、金属層または金属酸化物層が、例えば、タングステンまたは酸化タングステンの場合、多様な濃度のフッ酸（ＨＦ）と脱イオン水（ｄｅｉｏｉｎｉｚｅｄ  ｗａｔｅｒ）が混合したフッ酸水溶液を用いることができるが、これに限定されることはない。
【００３５】
前記ｅ）ステップにおいて、ガラスをエッチングするために用いられるエッチング液としてはフッ酸（ＨＦ）などが用いられることができるが、これに限定されることはない。
【００３６】
本発明に係るガラスエッチング方法としては、前記ａ）ステップにおいて、クロムＢＭガラスと共に片面に金属層または金属酸化物層が備えられたガラスとして市販のを用いることもできるが、前記ａ）ステップの前に金属層または金属酸化物層をガラスの片面に形成するステップをさらに含むことができる。前記金属層または金属酸化物層は、蒸着によって形成されることができる。
【００３７】
このとき、金属層または金属酸化物層を数ｎｍ以下で薄膜として形成するためには、プラズマ蒸着、ｅ−ビーム（ｂｅａｍ）蒸着、熱蒸着などが用いられることができ、常圧でも実行することができるプラズマ蒸着を除いては、熱を発生させるフィラメントの保護のために１０-4〜１０-12ｍｂａｒの真空で蒸着作業がなされることが好ましい。蒸着は、高いエネルギーを有する電子によってプラズマ化された窒素や酸素イオンが金属ターゲットをたたいたり金属ターゲットにフォーカスされた電子ビームによって熱としてなされる。
【００３８】
前記ｅ）ステップ後、ガラス上に残っているフォトレジストは、リウォークケミカル（ｒｅｗｏｒｋ  ｃｈｅｍｉｃａｌ）によって除去されることができ、このリウォークケミカルは、ＬＣＤカラーフィルタ工程で収率を高めるために一般的に用いられるフォトレジスト除去用塩基性溶媒である。例えば、ＮａＯＨなどにアミン系添加剤、硫酸化物、界面活性剤などの添加物を用いてエッチング効果を高めたリウォークケミカルが好ましい。
【００３９】
また、本発明に係るガラスエッチング方法において、前記ｅ）ステップの後にガラスパターンの突起部に残っている金属および金属酸化物を、ｄ）ステップに用いられた金属エッチング液（ｅｔｃｈａｎｔ）を用いて除去することができる。この最後の過程に明示されているパターンの突起部にあるフォトレジスト、金属および金属酸化物の除去は、クリシェを製作するために必ず行わなければならない工程ではなく、このような有無機物質層があってもクリシェとしての機能を維持することができる。
【００４０】
次に、本発明に係る金属エッチング方法について説明する。
【００４１】
前記金属エッチング方法は、ａ）金属上にネガティブフォトレジスト層を形成するステップと、ｂ）前記ネガティブフォトレジスト層を選択的に露光するステップと、ｃ）前記ネガティブフォトレジスト層の非露光部を現像してネガティブフォトレジスト層をパターン化するステップと、ｄ）前記ｃ）ステップにおいてパターン化されたネガティブフォトレジスト層によって塗布されなかった部分の金属をエッチングするステップとを含む。
【００４２】
前記金属としては、クロム、モリブデン、タングステンなどのようにパターニング用エッチング液が存在するほぼすべての金属を用いることができるが、これに限定されることはない。その他には、ガラスを用いないことを除き、ガラスエッチング方法の各ステップに用いられる方法および材料が同じように適用される。
【００４３】
本発明において、基板がガラスではない金属の場合、金属エッチング工程はより簡単になることができる。ネガティブフォトレジストをパターニングした後、金属エッチング液に一定時間露出させれば金属に凹凸が生じるようになり、残ったネガティブフォトレジストはリウォークケミカルで除去することができる。
【００４４】
また、本発明は、前記ガラスまたは金属エッチング方法を用いたクリシェの製造方法を提供する。
【００４５】
また、本発明は、前記クリシェの製造方法によって製造されたクリシェを提供する。
【００４６】
前記ガラスエッチング方法よって製造されたクリシェは、エッチングによって形成された凹凸部を有するガラス、前記ガラスの突起部上に配置された金属層または金属酸化物層、および前記金属層または金属酸化物層上にネガティブフォトレジスト層が順次に積層された形態とすることができる。また、追加でフォトレジスト層を除去することによって凹凸部を有するガラスと金属層または金属酸化物層を有する形態とすることもでき、追加で金属層または金属酸化物層を除去することによって凹凸部を有するガラスのみを有する形態とすることもできる。
【００４７】
また、前記金属エッチング方法によって製造されたクリシェは、エッチングによって形成された凹凸部を有する金属および前記金属上にネガティブフォトレジスト層が順次に積層された形態とすることができる。また、追加でフォトレジスト層を除去することによって凹凸部を有する金属のみを有する形態とすることができる。
【００４８】
また、本発明は、前記クリシェを電子材料パターン化に用いる方法を提供する。具体的に、これは、基板に電子材料を塗布するステップと、前記基板に電子材料が塗布された面を前記クリシェのパターン化された面に接触させることによって前記電子材料をクリシェに転写するステップと、前記クリシェ上に塗布された電子材料を被印刷体に転写するステップとを含むことができる。
【００４９】
このとき、前記基板は平板またはロール形態とすることができ、前記クリシェも平板またはロール形態とすることができる。
【００５０】
また、本発明は、溝部を有する前記クリシェの溝部に電子材料で充填した後、電子材料が充填された前記クリシェに基板を圧搾して前記溝部に充填された電子材料を基板に転写した後、電子材料が転写された基板の面を被印刷体の被印刷面に接触させることによって基板上の電子材料を被印刷体に転写するステップを含むことができる。
【００５１】
前記電子材料としては、光学インク、配線用金属溶液、導電性ペースト、レジスト、接着剤、または粘着剤などを含む。
【００５２】
また、前記電子材料が本発明のクリシェによって転写されて印刷された印刷体は、ＴＦＴ−ＬＣＤ用カラーフィルタ、電子回路などに用いられることができる。
【００５３】
従来のポジティブ型フォトレジストを用いて製造されたクリシェは、パターン直進性が優れており、ネガティブフォトレジストを用いて製造されたクリシェよりも高度で精密な解像度を示すことができる。一般的に、ポジティブ型フォトレジストは、単一波長のレーザを用いて露光されるため、コーティング面において散乱反射が極めて少なく、露光波長（Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ）が主に１５７ｎｍ、１９３ｎｍ、２４８ｎｍなどの高周波紫外線（Ｄｅｅｐ  ＵＶ）やｉ−ｌｉｎｅ（３６５ｎｍ）あるいはｇ−ｌｉｎｅ（４３６ｎｍ）のような短波長の単一レーザ光を用いるため、数百ナノ（ｎｍ）以下の極微細パターン形成が可能となる。このような理由により、そのパターン直進性も±０．５％以内の信頼度を保障しているため、これを用いたクリシェのパターン直進性もこれに相応するようになる。しかしながら、ポジティブ型フォトレジストは、このような特殊な光を用いる露光機のみを用いなければならないため、装備が高いしネガティブ型フォトレジストよりも材料が高いという短所がある。したがって、既存のＬＣＤカラーフィルタ生産ラインを応用してクリシェを生成しなければならない状況においては、多くの制約が後追いするようになる。一方、ネガティブフォトレジストは、既存のカラーフィルタのＫＯＨ基盤の現像ラインをそのまま用いることができ、解像度が数十μｍあるいは１００μｍ以上の水準で求められるＬＣＤカラーフィルタ用クリシェの製作に用いられるには、前記ポジティブ型レジストを用いて製作されたクリシェと同じ程度に十分に優れた直進性を有するようになる。
【００５４】
以下、本発明の実施例を参照しながら本発明について詳しく説明する。しかしながら、本発明の実施例は様々な形態に変形されることができ、本発明の範囲が後述する実施例によって限定されるように解釈されてはならない。本発明の実施例は、当業界において平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。
【００５５】
＜実施例１＞
０．５ｍｍの厚さのクロムＢＭガラス（アバテック（Ａｖａｔｅｃ）、ｌｏｔ＃１−０６０９１６）にブラックマトリックス用ネガティブフォトレジスト（ＬＧ化学、ＬＧＢＫ７３Ｄ１）を２μｍの厚さでスピンコーティングで形成した。形成されたフォトレジストに高圧水銀ランプ下で２０ｍＷ／ｃｍ2の光強度（ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）下で１０秒間露出させて２００ｍＪ／ｃｍ2の露光量によって感光させ、現像液ＫＯＨを用いて感光されたフォトレジストを現像した。現象後、感光されたパターン部分のみがクロムＢＭ上に残るようになり、フォトマスクによって分けられて光に露出されなかった部分は現像液に洗浄されたりクロム層がそのまま現れるようになった。このクロム層をエッチングしてガラス部分のみを現れるようにするために、硝酸、硝酸アンモニウムセリウム（（ＮＨ4）2Ｃｅ（ＮＯ3）6）、およびＨ2Ｏが１６：１０：７４の比率で生成されたエッチング液でクロム層をエッチングした。続いて、ガラス部分を脱イオン水とフッ酸が９：１で混合されたフッ酸水溶液でエッチングし、パターンが形成されたクリシェを製造した。前記製造されたクリシェを図３および図４に示した。
【００５６】
＜比較例＞
０．５ｍｍの厚さのクロムＢＭガラス（アバテック（Ａｖａｔｅｃ）、ｌｏｔ＃１−０６０９１６）にポジティブフォトレジスト（Ｃｌａｒｉａｎｔ、ＡＺ１５１２）を２μｍの厚さでスピンコーティングで形成した。形成されたフォトレジストに高圧水銀ランプ下で２０ｍＷ／ｃｍ2の光強度（ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）下で１０秒間露出させ、２００ｍＪ／ｃｍ2の露光量によって感光させて２．３８％の現像液ＴＭＡＨ（ｔｅｔｒａ  ｍｅｔｈｙｌ  ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）を用いて感光されたフォトレジストを現像した。現象後、フォトマスクによって分けられたパターン部分のみがクロムＢＭ上に残るようになり、光に露出された部分は現像液に洗浄されたりクロム層がそのまま現われるようになった。このクロム層をエッチングしてガラス部分のみが現われるようにするために、硝酸、硝酸アンモニウムセリウム（（ＮＨ4）2Ｃｅ（ＮＯ3）6）、およびＨ2Ｏが１６：１０：７４の比率で生成されたエッチング液でクロム層をエッチングした。続いて、ガラス部分を脱イオン水とフッ酸が９：１で混合されたフッ酸水溶液でエッチングし、パターンが形成されたクリシェを製造した。前記製造されたクリシェを図５に示した。
【００５７】
＜実施例２＞
０．５ｍｍの厚さのクロムＢＭガラス（アバテック（Ａｖａｔｅｃ）、ｌｏｔ＃１−０６０９１６）にブルーネガティブフォトレジスト（ＬＧ化学、ＨＣＲ３２１０Ｂ）を１．５μｍの厚さでスピンコーティングで形成した後、形成されたフォトレジストに高圧水銀ランプ下で２０ｍＷ／ｃｍ2の光強度（ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）下で５秒間露出させて１００ｍＪ／ｃｍ2の露光量によって感光させ、現像液ＴＭＡＨ（ｔｅｔｒａ  ｍｅｔｈｙｌ  ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）を用いて感光されたネガティブフォトレジストを現像した。現象後、感光されたパターン部分のみがクロムＢＭ上に残るようになり、フォトマスクによって分けられて光に露出されなかった部分は現像液に洗浄されてクロム層がそのまま現われるようになった。このクロム層をエッチングしてガラス部分のみが現われるようにするために、硝酸、硝酸アンモニウムセリウム（（ＮＨ4）2Ｃｅ（ＮＯ3）6）、およびＨ2Ｏが１６：１０：７４の比率で生成されたエッチング液でクロム層をエッチングした。続いて、ガラス部分を脱イオン水とフッ酸が９：１で混合されたフッ酸水溶液にエッチングし、パターンが形成されたクリシェを製造した。前記製造されたクリシェを図６に示した。図６に示されるように、本発明によって綺麗なパターンを有するクリシェを製造することができる。
【符号の説明】
【００５８】
１１・・・ガラス
１２・・・金属または金属酸化物
１３・・・ネガティブフォトレジスト
２１・・・ガラス
２２・・・金属または金属酸化物
２３・・・ポジティブフォトレジスト
３１・・・ガラス
３２・・・厚さが２μｍであるネガティブフォトレジスト
３３・・・蒸着したクロム（１０００Ａ）と酸化クロム（５００Ａ）の層
【図１】
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【図２】
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【図６】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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