(57)【要約】【課題】サセプタの支持面の横の温度勾配を小さくして支持面の端の領域を望ましい蒸着温度にする。また、サセプタを反応装置ハウジングの外で容易に清掃可能にする。【解決手段】カップ状のサセプタは、カップの底によって形成されるサセプタ上部（２）と、カップの側壁によって形成されるサセプタ下部（３）を備える。サセプタ上部（２）は、少なくとも１つの基板のための支持面（４）を形成する平らなベースプレート（２’）を有する。サセプタ上部（２）は、その端がサセプタ下部（３）の末端部（３”）の上に置かれる。サセプタ上部（２）を加熱するための加熱ゾーン（Ａ，Ｂ，Ｃ）が、ベースプレート（２’）の真下に配置される。サセプタ上部（２）をサセプタ下部（３）から分離してプロセスチャンバー（１）から取り外すことが可能であり、サセプタ上部（２）の端とサセプタ下部（３）の末端部（３”）の間の結合部が熱の伝導に対する障壁を形成する。【選択図】図１
2010530031.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板をコーティングするための装置であって、
反応装置ハウジングの中に配置されるプロセスチャンバー（１）と、
前記プロセスチャンバー（１）の中に配置される２つの部分から成る実質的にカップ状のサセプタと、
を備え、
前記サセプタは、カップの底によってサセプタ上部（２）を形成し、当該カップの底は平らなベースプレート（２’）を有し、
前記サセプタは、カップの側壁によってサセプタ下部（３）を形成し、
前記サセプタ上部（２）のベースプレート（２’）の外側は上方を向いて前記プロセスチャンバー（１）に面し、少なくとも１つの基板のために支持面（４）を形成し、
前記サセプタ上部（２）は、当該サセプタ上部（２）の端によって前記サセプタ下部（３）の末端部（３”）の上に置かれ、
前記サセプタ下部（３）は、サセプタキャリア（６）によって支えられ、
前記サセプタ上部（２）を加熱するための加熱ゾーン（Ａ，Ｂ，Ｃ）は、前記ベースプレート（２’）の真下に配置され、
前記サセプタ上部（２）を前記サセプタ下部（３）から分離して前記プロセスチャンバー（１）から取り外すことが可能であり、前記サセプタ上部（２）の端と前記サセプタ下部（３）の末端部（３”）の間の結合部が熱の伝導に対する障壁を形成する、
ことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記サセプタ上部（２）と前記サセプタ下部（３）は、同一の材料、特にグラファイトから成ることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記サセプタ上部（２）の上側は、前記プロセスチャンバー（１）の底を形成し、丸い部分（７）を形成するように側壁部（２”）と結合することを特徴とする請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
実質的に円形の前記ベースプレート（２’）の真下に配置される複数の加熱ゾーン（Ａ，Ｂ，Ｃ）は、上方の前記サセプタ上部（２）の中心から様々な距離に配置され、特に中心に対して同心円状に配置されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
半径方向に最も外側の前記加熱ゾーン（Ｃ）は、内側の前記加熱ゾーン（Ａ，Ｂ）よりも高い加熱能力を持ち、特に、前記加熱ゾーン（Ａ，Ｂ，Ｃ）は、中央領域よりも端の領域で互いにより密集して配置される抵抗線（９）によって形成されることを特徴とする請求項４に記載の装置。
【請求項６】
外側の前記丸い部分（７）の反対側にある内側の丸い部分（８）を備え、
前記内側の丸い部分（８）の湾曲の半径は、外側の前記丸い部分（７）の湾曲の半径よりも小さいことを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項７】
前記サセプタ上部（２）の側壁部（２”）の壁の厚さは、前記ベースプレート（２’）の壁の厚さよりも小さいことを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項８】
前記サセプタ上部（２）の管状で傾斜する端の領域を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の装置。
【請求項９】
前記サセプタ上部（２）によって形成されるベースプレート（２’）の背面（２３）の端によって形成される段（１３）を備え、
前記段（１３）は、前記サセプタ下部（３）の末端部（３”）の上で前記サセプタ上部（２）を支えることを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記サセプタ上部（２）と前記サセプタ下部（３）の間の結合部は、少なくとも約１００μｍの幅のすき間を持つことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１１】
前記サセプタキャリア（６）は、固定されたヒーターに対して前記カップ状のサセプタを回転駆動するために、回転駆動されることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１２】
熱電対（２４）に適合する少なくとも１つの開口は、サセプタ上部（２）のベースプレート（２’）の背面（２３）から突き出る管状ビード（２０）によって定義される凹部（２１）であり、
前記凹部（２１）の底（２２）は、前記背面（２３）によって形成される平面に実質的に配置されることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１３】
前記凹部（２１）は、前記サセプタ上部（２）の中央に配置されることを特徴とする請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
端面の前に前記熱電対（２４）を保持する熱電対ホルダ（２５）を備え、
前記熱電対（２４）の端面は、前記管状ビード（２０）の先端を越えて前記凹部（２１）に突き出ることを特徴とする請求項１２又は１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記熱電対（２４）は、前記凹部（２１）の底と接触するか、又は前記凹部（２１）の底から短い距離だけ離れることを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか１項に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反応装置ハウジングの中に配置されるプロセスチャンバーと、２つの部分から成る実質的にカップ状のサセプタとを備える基板をコーティングするための装置に関する。サセプタはプロセスチャンバーの中に配置される。サセプタはカップの底によってサセプタ上部を形成し、カップの底は平らなベースプレートを持つ。そして、サセプタはカップの側壁によってサセプタ下部を形成する。サセプタ上部のベースプレートの外側は上方を向いてプロセスチャンバーに面し、少なくとも１つの基板のための支持面を形成する。サセプタ上部は、その端によって、サセプタ下部の末端の上に置かれる。サセプタ下部はサセプタキャリアによって支えられる。そして、サセプタ上部を加熱するための加熱ゾーンがベースプレートの下に配置される。
【背景技術】
【０００２】
この一般的なタイプの装置が特許文献１に記載されている。特許文献１に記載されている装置では、逆さまのカップの形のサセプタがプロセスチャンバーの中に配置される。そのカップのベースプレートは基板のための支持面を形成する。ヒーターが底面の真下に配置される。
【０００３】
特許文献２は、サセプタが単一のグラファイト部分から成る装置を開示する。サセプタは、外見上基板のための支持面を形成するカップの底の対向壁を備えたカップの形状を有する。このカップの外側はプロセスチャンバーの底を形成し、このプロセスチャンバーのカバーはガス吸気口素子によって形成される。１６００℃にもなるプロセス温度にサセプタの表面を加熱するために、ヒーターがサセプタのカップの開口に配置される。
特許文献３は、プロセスチャンバーが中に配置された反応装置ハウジングを開示する。このプロセスチャンバーの中には環状のサセプタが環状のカラーの上に置かれている。
【０００４】
特許文献４は、コーティング装置のためのサセプタを開示する。このサセプタは高い熱伝導度を有する複数の部品から成る。
特許文献５は、基板を保持するためのマルチパートサセプタを有するＣＶＤ反応装置を開示する。そのサセプタの基板に対する接触部分はグラファイトから成る。
特許文献６は、背面領域に空所を持つサセプタを開示する。その空所の中には熱電対が突き出る。
特許文献７は、中央開口を有するサセプタを備えたＣＶＤ反応装置におけるマルチパートサセプタを示す。その中央開口の中には温度センサーが突き出る。
【０００５】
特許文献８は、同様に、ピンが突き出ることができる開口を有するマルチパートサセプタを開示する。
特許文献９は、グラファイトから成る円筒状のサセプタを開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００４／０２２６５１５  Ａ１号公報
【特許文献２】独国特許出願公開第１０２００５０５６５３６  Ａ１号公報
【特許文献３】独国特許出願公開第１０２００６０１８５１５  Ａ１号公報
【特許文献４】国際公開第２００４／０７９０４３  Ａ２号パンフレット
【特許文献５】米国特許第５，４８０，４８９号明細書
【特許文献６】米国特許出願公開第２００６／００５７８２６  Ａ１号公報
【特許文献７】米国特許第５，０９１，２０８号明細書
【特許文献８】米国特許第５，５５２，１２４号明細書
【特許文献９】特開平６−２０９６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
公知のＣＶＤ装置では、基板のための実質的に円形の支持面の直径は３００ｍｍよりも大きい。使用されるヒーターは誘導コイルまたは抵抗線である。半径方向の異なる部分に複数の加熱ゾーンを設けることができる。カップ状ボディの側壁と結合する支持側面によってサセプタキャリアの上で支えられるように、下向きのカップ開口を備えたサセプタが反応装置ハウジングの中に配置される。サセプタキャリアは石英チューブによって形成される。サセプタキャリアは回転駆動される。それで、基板のための支持面はガス吸気口素子に対して相対的に回転することができる。多数の基板が支持面上に中心から半径方向に異なる距離で配置される。
その方法に関する課題は、支持面における横の温度勾配を非常に小さくして、端の領域においてできるだけ正しく基板のための支持面を望ましい蒸着温度に至らせることである。
【０００８】
サセプタの上に置かれている基板は、ガス吸気口素子を通ってプロセスチャンバーに導入されるガスによってコーティングされる。これらのガスは気相中で、または基板の表面に触れると分解し、特に結晶層を形成するために基板の表面に凝結する。
一様な層の蒸着のためには、単にサセプタの一様な温度プロファイルが必要とされるだけではない。他の点では、連続稼動ごとに全く同じ初期状態がまた必要とされる。これを達成するため、反応装置ハウジングの外で清掃されるためにサセプタは時々プロセスチャンバーから取り外される。
【０００９】
この一般的なタイプの装置を使用のために有利に改良することが本発明の目的である。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の目的は、特許請求の範囲で特定される発明により達成される。請求項２乃至１１は請求項１の有利な改善に関し、請求項１３乃至１５は請求項１２の有利な改善に関する。原則として、いかなる請求項も課題に対する独立した解決策を示し、他の任意の請求項と組み合わせることが可能である。
【００１１】
第一に、お互いから分離されることができ、同じ材料でできている２つの部分を含むサセプタが提供される。サセプタの下側の環状部分は支持側面を形成する。サセプタはサセプタキャリアの上でその支持側面によって支えられる。望ましくはまた、サセプタのこの下側の部分は全体としてカップ状のボディの側面の主要な部分を形成する。サセプタの上側の部分は少なくともカップの底全体、すなわち基板のための支持面全体を形成する。サセプタ上部の端とサセプタ下部の末端の間の結合部が熱の伝導に対する障壁を形成することがまた不可欠である。これは、ヒーターによってサセプタ上部に供給される熱が流出しないか、または熱伝導によってサセプタ下部に少ない程度のみ流出するという結果を生じる。
【００１２】
本発明の一つの改善として、プロセスチャンバーの底を形成し、丸い部分を形成するように側壁と結合するサセプタ上部が提供される。この場合、丸い部分と側壁の部分はサセプタ上部と関連付けられる。丸い部分は１５ｍｍの半径を持つ。望ましくは半径は１０ｍｍと２０ｍｍの間の範囲にある。同様にカップの内側の壁もカップの底とカップの側壁の間の移行領域で丸い部分を持つ。この内側の丸い部分の湾曲の半径は外側の丸い部分の半径より小さく、１０ｍｍであることができる。この場合にはまた、その半径は５ｍｍから、例えば１５ｍｍまでの値の範囲にあることができる。
【００１３】
複数の加熱ゾーンがサセプタ上部によって形成されるベースプレートの真下に配置される。それらの加熱ゾーンは実質的に回転対称であり、サセプタの中心から異なる距離にある。ヒーターは抵抗線によって形成されることができる。そのとき、これらはらせん状に配置される。端の領域、すなわち内側の丸い部分の近くでは、抵抗ヒーターの個々の巻き線は、サセプタの中央領域の真下の領域よりも密集している。
【００１４】
本発明の変形として、サセプタ上部は、側壁部を持つのではなく、円形ディスクの形の平らなカバーを形成し、管状のサセプタ下部の末端の側面の上に置かれる。サセプタ上部の配置ゾーンの領域、すなわち端の領域では、サセプタ上部は傾斜する管状の端面を持つ。最初の変形における丸い部分のように、傾斜する管状の端面は、ガス吸気口素子と向き合うサセプタの外側の面における横の温度勾配の削減をもたらす。傾斜する端面のために、サセプタのベースプレートの材料の厚さは端の領域でやや削減される。
【００１５】
傾斜する端面と反対側にあるサセプタ上部の広い側の壁は、サセプタ上部がサセプタ下部の上で積極的に支えられる管状の段を形成する。最初の変形でも同様に、２つのサセプタの部分の間に積極的な接続を形成するために小さな段が与えられることができる。けれどもまた、これに対する代替手段として、突起が与えられることができる。これらの突起は、例えばサセプタ下部に設けられ、例えばサセプタ上部に設けられる対応するくぼみとかみ合う。
【００１６】
サセプタは回転駆動される。サセプタがゾーンヒーターに対して回転するようにサセプタキャリアによって駆動が生じることが望ましい。結果として、時間とともに不均等性は平均化されてなくなる。
【００１７】
サセプタのベースプレートは１６００℃に加熱され、４００ｍｍまでの直径を持つが、上述した設計の特徴によって、サセプタのベースプレートの温度差の範囲を８０℃より下に保つことができる。６０℃より下の温度差の範囲さえ、丸い端を持つサセプタ上部で達成されることができる。
また、このタイプのサセプタの製造は設計の特徴によって単純化される。このサセプタは２つの部分から製造されることができる。一つの部分は基板のための支持面を形成し、他の部分は管状の周辺領域を形成する。
更に、本発明による構造はサセプタの清掃を簡単にする。カップの壁から底が分離されることができるので、清掃の目的のために反応装置の中のカップの壁からカップの底を分離することが必要であるのみである。そのとき、カップの底のみが清掃の目的のために反応装置から取り外されることが必要である。端に与えられる丸い部分はサセプタ表面の温度プロファイルに一様性をもたらす。
【００１８】
サセプタ上部の支持側面とサセプタ下部の末端の間に小さなすき間があるならば、ここで温度が突然変化する。これは、サセプタ上部の端の領域が熱伝導によってより少ない程度の冷却を受けるという効果を持つ。すき間は１００μｍ程度のみを必要とする。
【００１９】
課題の更なる改善または課題に対する解決策は独立した特徴によるが、この改善または解決策は、反応装置ハウジングの中に配置され、その下側の面に熱電対に適合する開口を備えるサセプタを持つ基板をコーティングするための装置のためのものである。この点で、本発明は適合する開口が凹部であることを提案する。この凹部は、サセプタの下側の面から突き出る管状のビードによって定義される。凹部の底は、管状のビードの周りの下側の面と実質的に同じ平面に配置される。また、結果として、熱電対の領域におけるサセプタのベースプレートの材料の厚さは、周辺領域と正確に同一である。熱電対は凹部に延びる熱電対ホルダの頭部の前に置かれる。管状のビードは放熱の遮蔽物を形成するだけではない。また、それは対流によって循環するガスによる測定の劣化を防ぐ。望ましくは、熱電対は凹部の底と物理的に接触する。けれどもまた、熱電対は凹部の底から短い距離だけ離れていても良い。
【００２０】
以下に、添付図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】第１の実施形態にかかる反応装置ハウジングの中のプロセスチャンバーの主要なユニットの断面図を示す。
【図２】サセプタ下部の平面図を示す。
【図３】図２のIII−III線断面図を示す。
【図４】サセプタ下部の側面図を示す。
【図５】サセプタ上部の平面図を示す。
【図６】サセプタ上部を下方から見た図を示す。
【図７】図５のVII−VII線断面図を示す。
【図８】本発明の第２の実施形態にかかる反応装置ハウジングの中のプロセスチャンバーの主要なユニットの断面図を示す。
【図９】図１のIX線で囲まれた部分の詳細を示す拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
基板をコーティングするための装置の本発明の説明に重要なユニットのみが図示されている。プロセスチャンバー１は、（図示されていない）反応装置ハウジングの中に配置される。プロセスチャンバー１のカバーは、ガス吸気口素子によって形成される。ガス吸気口素子を通って様々なプロセスガスがプロセスチャンバー１に導入される。図１と図８では、ガス吸気口素子は符号１０によって示される。ガス吸気口素子１０は冷却または加熱されることができる。それはシャワーヘッドのように配置された多数のガス流出開口を備える。プロセスガスはガス流出開口を通って互いに混合されてまたは別々にプロセスチャンバー１に導入される。
【００２３】
プロセスチャンバー１の底はコーティングされる多数の基板１１のための支持面４を形成する。図１と図８では、基板１１はサセプタ（サセプタ上部２とサセプタ下部３）の上側にあるように図示されている。そして、その上側はプロセスチャンバー１に面する。けれどもまた、基板１１は、それらの形に適合する上側のくぼみに配置される。支持面は、（図示されていない）くぼみの底によって形成されるが、グラファイトから成るサセプタ上部２の広い側の面である。その広い側の面はガス吸気口素子１０に面している。サセプタ上部２は、それが置かれる環状の面によって側壁部２”で支えられて、２番目のサセプタ部（サセプタ下部３）の末端部３”の上に配置される。２番目のサセプタ部はサセプタ下部３を形成し、同様にグラファイトから作られる。サセプタ下部３は実質的に環状または管状の形状を持つ。２番目のサセプタ部の内側の壁から半径方向内側に向けて環状の突起が突き出る。この環状の突起は図３の中の符号１６で示される横片を形成するのみならず、また載置面５を形成する。サセプタ下部３はサセプタキャリア６を形成する石英チューブの端面上で載置面５によって支えられる。サセプタキャリア６の環状の端面は、横片１６がかみ合う切り欠きを持つ。それで、サセプタ下部３は、回転的に固定された方法でサセプタキャリア６に接続される。サセプタキャリア６の末端部はサセプタ下部３のくぼみ部分に突き出る。これにより、サセプタキャリア６とサセプタ下部３の間に明確な接続が確保される。サセプタキャリア６は回転駆動され、サセプタ（サセプタ上部２とサセプタ下部３）はガス吸気口素子１０に対して回転する。
【００２４】
図３と図４に示すように、サセプタ上部２を支える末端部３”から突起１４が上方に突き出る。また、上側の末端部３”は、突起１４から半径方向にオフセットを持ってくぼみ１５を形成する。
サセプタ上部２のくぼみ１８は、サセプタ下部３の内側の壁に隣接する突起１４に対応する。サセプタ上部２がサセプタ下部３の上に置かれているとき、突起１４がこれらのくぼみ１８とかみ合う。結果として、サセプタ上部２はサセプタ下部３と確実に接続される。
【００２５】
２つのサセプタ部（サセプタ上部２とサセプタ下部３）は一緒に実質的にカップ状のボディを形成する。複数の抵抗線コイルを含むヒーターがベースプレート２’のすぐ近傍にあるカップボリューム内に配置される。さまざまな加熱ゾーンＡ，Ｂ，Ｃが与えられる。これらの加熱ゾーンはサセプタの中心からそれぞれ半径方向に異なる距離にある。サセプタ上部２の端領域は半径方向に最も外側の加熱ゾーンＣによって加熱される。この場合には、加熱コイルは、中心領域のものよりもお互いからより少ない距離にある。
【００２６】
図１、および図５〜図７に示されるサセプタ上部２は、基板１１のための平らな支持面４を持つ。この支持面４はベースプレート２’の広い側の壁によって形成される。円形の端の領域では、外側の丸い部分７を形成するように、この支持面４はサセプタ上部２の側壁部２”と結合する。外側の丸い部分７の半径はおよそ１５ｍｍである。その内側に同様に、サセプタ上部２は外側の丸い部分７の反対側に丸い端部８を持つ。この内側の丸い端部８の半径はおよそ１０ｍｍである。サセプタ上部２の材料の厚さは、ベースプレート２’の領域よりも側壁部２”の領域でより薄い。
側壁部２”の外側の面は、サセプタ下部３の外壁３’と平坦にぴったりと合う。
【００２７】
図８に示す２番目の実施形態では、サセプタ下部３は管状のスリーブを形成する。この場合もまた、サセプタは２つの部分（サセプタ上部２とサセプタ下部３）を含み、回転対称である。サセプタ上部２は円形のディスクの形状のベースプレート２’の形である。基板１１のための支持面４は中央領域全体において一つの平面である。傾斜する端面１２がベースプレート２’の周辺の領域に位置している。傾斜する端面１２は周辺領域におけるサセプタ上部２の材料の厚さを削減する。
【００２８】
ベースプレート２’の下側は、傾斜する端面１２の反対側に段１３を形成する。サセプタ上部２は段１３によってサセプタ下部３の周辺の末端部３”の上に置かれる
図５に図示され、符号１７で示されるくぼみが本実施形態でも与えられることができる。基板１１は各くぼみに挿入される。
【００２９】
５０μｍと２００μｍの間の大きさの小さなすき間がサセプタ上部２の側壁部２”の末端とサセプタ下部３の周辺の末端部３”の間に存在することができる。サセプタ上部２は、サセプタ下部３で局所的にのみ、場合により断熱材を介在して、支えられてよい。サセプタ上部２からサセプタ下部３への熱伝導による熱の流れの十分な削減を達成するために、サセプタ上部２とサセプタ下部３の間のすき間は５０μｍより大きければ十分である。
【００３０】
サセプタ上部２の端の領域における外側の湾曲７の背面に加熱素子９をより密集して配置することは、その上面に一様な温度プロファイル、すなわち横方向の平らな温度勾配を生じさせるために役に立つ。使用される加熱素子９は、端の領域、すなわち加熱ゾーンＣにおける加熱能力と、特に放熱能力が中央領域、すなわち加熱ゾーンＡよりも大きいようにレイアウトされる。
【００３１】
上記実施形態で示したように、サセプタの温度、特にサセプタのベースプレート２’の温度は、１以上の熱電対を用いて測定されることができる。温度測定ポイントは特に中央領域に与えられる。これを図９に拡大されたスケールで示す。サセプタ上部２のベースプレート２’の背面２３から突き出る環状ビード２０が凹部２１を定義する。凹部２１の底２２は背面２３と同じレベルにある。従って、凹部２１の底２２と背面２３は同じ平面にある。
【００３２】
熱電対２４は、特にセラミックの熱電対ホルダ２５によって支えられる。熱電対２４は熱電対ホルダ２５の端面の前に配置され、凹部２１の底２２と物理的に接触する。熱電対２４を支える熱電対ホルダ２５の端部は、凹部２１の中に環状ビード２０の先端を越えて突き出る。
【００３３】
この構成のために、温度測定ポイントの領域におけるサセプタ２の材料の厚さは周辺領域の材料の厚さと全く同じである。それで温度測定ポイントは支持面４の表面温度のプロファイルに影響を与えない。
【００３４】
また、清掃の目的のためにサセプタ上部２を反応装置ハウジングから取り外さなければならないとき、熱電対２４のこの配置は有利である。この場合、サセプタ上部２はわずかに持ち上げられ、その過程の中でサセプタ下部３から分離される。サセプタ上部２が反応装置ハウジングの外で清掃されている間、サセプタ下部３はプロセスチャンバーの中に残る。清掃されるべきサセプタ上部２は、清掃済みのサセプタ上部２によって取り換えられることができる。清掃済みのサセプタ上部２は、サセプタ下部３の末端部３”の上に置かれる。その過程で、末端部３”の上方に突き出る突起１４は、サセプタ上部２の関連するくぼみ１８とかみ合う。
突起１４の高さは実質的に環状ビード２０の高さに相当する。
【００３５】
全ての開示された特徴は、（それ自体）本発明に関連する。関係する／添付の優先権書類の開示内容（優先特許出願の複写）もまた、本願の特許請求の範囲にこれらの書類の特徴を包含させる目的も含め、その出願の開示全体をここに含める。
【図１】
2010530031.tif 000003
【図２】
2010530031.tif 000004
【図３】
2010530031.tif 000005
【図４】
2010530031.tif 000006
【図５】
2010530031.tif 000007
【図６】
2010530031.tif 000008
【図７】
2010530031.tif 000009
【図８】
2010530031.tif 000010
【図９】
2010530031.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月5日(2010.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
特許文献８は、同様に、ピンが突き出ることができる開口を有するマルチパートサセプタを開示する。
特許文献９は、グラファイトから成る円筒状のサセプタを開示する。
特許文献１０は、サセプタがその下方に端面開口を有する円筒状の突起を持つ装置を開示する。その端面開口には熱電対が配置される。
特許文献１１は、キャリアボディと、そのキャリアボディに取り付けられて回転駆動される基盤ホルダとを含む装置を開示する。キャリアボディと基盤ホルダはリングの形状である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００４／０２２６５１５  Ａ１号公報
【特許文献２】独国特許出願公開第１０２００５０５６５３６  Ａ１号公報
【特許文献３】独国特許出願公開第１０２００６０１８５１５  Ａ１号公報
【特許文献４】国際公開第２００４／０７９０４３  Ａ２号パンフレット
【特許文献５】米国特許第５，４８０，４８９号明細書
【特許文献６】米国特許出願公開第２００６／００５７８２６  Ａ１号公報
【特許文献７】米国特許第５，０９１，２０８号明細書
【特許文献８】米国特許第５，５５２，１２４号明細書
【特許文献９】特開平６−２０９６９号公報
【特許文献１０】米国特許第５，５９１，２６９号明細書
【特許文献１１】国際公開第０２／０９７８６７号パンフレット
【国際調査報告】
2010530031.tif 000012
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