(57)【要約】（ａ）基質を、貴金属／ＩＶＡ族金属ゾルを含有する活性剤と接触させて処理基質を得、（ｂ）該処理基質を、（ｉ）Ｃｕ（ＩＩ）、Ａｇ、ＡｕもしくはＮｉ可溶性金属塩またはそれらの混合物、（ｉｉ）０．０５〜５モル／ｌのＩＡ族金属水酸化物および（ｉｉｉ）該金属塩の金属のイオンに対する錯生成剤の溶液を含有してなる組成物と、接触させる、工程からなり、該錯生成剤としてイミノコハク酸またはその誘導体が用いられる不導性基質に金属被覆を施す方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
不導性基質に金属被覆を施す方法であって、
（ａ）基質を、貴金属／ＩＶＡ族金属ゾルを含有する活性剤と接触させて処理基質を得、
（ｂ）該処理基質を、
（ｉ）Ｃｕ（ＩＩ）、Ａｇ、ＡｕもしくはＮｉ可溶性金属塩またはそれらの混合物、
（ｉｉ）０．０５〜５モル／ｌのＩＡ族金属水酸化物  および
（ｉｉｉ）該金属塩の金属のイオンに対する錯生成剤
の溶液を含有してなる組成物と、接触させる、
工程からなり、該錯生成剤としてイミノコハク酸またはその誘導体が用いられる、ことを特徴とする上記方法。
【請求項２】
組成物がイミノコハク酸またはその誘導体の他にさらに第２の錯生成剤を含有する請求項１による方法。
【請求項３】
錯生成剤が０．００５〜１モル／ｌの量で用いられる請求項１による方法。
【請求項４】
第２の錯生成剤が０．０５〜１．０モル／ｌの量で用いられる請求項２または３による方法。
【請求項５】
第２の錯生成剤が０．２〜０．５モル／ｌの量で用いられる請求項４による方法。
【請求項６】
第２の錯生成剤がグルコン酸、乳酸、酢酸、洒石酸およびそれらの塩よりなる群から選ばれる請求項５による方法。
【請求項７】
組成物が構成部分からなるキットから得られそして該構成部分からなるキットが組成物（Ａ）と（Ｂ）を含有してなり、組成物（Ａ）が
（Ａ１）該イミノコハク酸またはその誘導体、
（Ａ２）該可溶性金属塩
を含有してなりそして組成物（Ｂ）が
（Ｂ１）該ＩＡ族金属水酸化物
を含有してなる、請求項１による方法。
【請求項８】
（ｉ）Ｃｕ（ＩＩ）、Ａｇ、ＡｕもしくはＮｉ可溶性金属塩またはそれらの混合物、
（ｉｉ）イミノコハク酸またはその誘導体
を含有する、不導性基質に金属被覆を施す方法で使用するための組成物。
【請求項９】
０．０５〜５モル／ｌのＩＡ族金属水酸化物をさらに含有する請求項８による組成物。
【請求項１０】
イミノコハク酸誘導体が下記式（Ｉ）
【化１】
2010526205.tif 000007
ここで、Ｒ１はＨ、Ｎａ、Ｋ、ＮＨ４、Ｃａ、Ｍｇ、ＬｉおよびＦｅよりなる群から選ばれ、
Ｒ２は
【化２】
2010526205.tif 000008
−ＣＨ２−ＣＯＯＲ１、−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＯＯＲ１、−ＣＨ２−ＣＨ２−ＯＨ、−ＣＨ２−ＣＨＯＨ−ＣＨ３および−ＣＨ２−ＣＨＯＨ−ＣＨ２ＯＨよりなる群から選ばれ、そして
Ｒ３は、Ｈ、−ＣＨ２−ＣＯＯＲ１、−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＯＯＲ１、−ＣＨ２−ＣＨ２−ＯＨ、−ＣＨ２−ＣＨＯＨ−ＣＨ３および−ＣＨ２−ＣＨＯＨ−ＣＨ２ＯＨよりなる群から選ばれる、
で表わされる請求項８または９による方法。
【請求項１１】
アセテート、アセチルアセトン、シュウ酸、１，２−ジアミノシクロヘキサン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ酢酸、ジメチルグリオキシム（５０％ジオキサン）、２，２’−ジピリジル、エタノールアミン、エチレンジアミン、エチレンジアミンＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ酢酸、グリシン、Ｎ’−（２−ヒドロキシエチル）エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリ酢酸、８−ヒドロキシ−２−メチルキノリン（５０％ジオキサン）、８−ヒドロキシキノリン−５−スルホン酸、乳酸、ニトリロトリ酢酸、１−ニトロソ−２−ナフトール（７５％ジオキサン）、オギザレート、１，１０−フェナンスロリン、フタール酸、ピペリジン、プロピレン−１，２−ジアミン、ピリジン、ピリジン−２，６−ジカルボン酸、１−（２−ピリジルアゾ）−２−ナフトール（ＰＡＮ）、４−（２−ピリジルアゾ）レゾルシナール（ＰＡＲ）、ピロカテコール−３，５−ジスルホネート、８−キノリノール、サリチル酸、コハク酸、５−スルホサリチル酸、洒石酸、チオグリコール酸、チオウレア、トリエタノールアミン、トリエチレンテトラミン（トリエン）、１，１，１−トリフルオロ−３−２’−テノイルアセトン（ＴＴＡ）よりなる群から選ばれる第２の錯生成剤を、０．０５〜１．０モル／ｌの量でさらに含有する請求項８〜１０による組成物。
【請求項１２】
さらなる錯生成剤を０．２〜０．５モル／ｌの量で含有する請求項１１による組成物。
【請求項１３】
さらなる錯生成剤がグルコン酸、乳酸、酢酸、洒石酸およびそれらの塩よりなる群から選ばれる請求項１２による組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、不導性基質へ金属被覆を施す方法およびその方法に用いられる組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
不導性表面を被覆する種々の方法が知られている。湿式化学的方法では、金属化されるべき表面は、適当な前処理の後、非電気的方法で先ず触媒され次いで金属化されそして必要によりその後電気的に金属化されるか、あるいは直接電解的に金属化される。
最初の方法である非電気的金属化に関する方法は、しかしながら、非電気的金属化浴の工程管理が難しく、浴からの廃水の処理が複雑且つ高価であり、しかも工程が長く且つ金属化浴の低堆積速度のために同様に高価となるため、不利であることが明らかとなった。
特に、プラスチック部品例えば衛生調度品や自動車産業のための部品および電磁放射から隠蔽されるべき電気器具のケーシングとして用いられる部品の金属被覆のためには、非電気的金属化方法は問題がある。そのような成型された部品の処理では、処理浴が部品が引上げられたとき処理液が浴から移動する形を持っているので、一般に比較的大容量の処理溶液が１つの処理浴から次の処理浴に持ち込まれる。非電気的金属化浴は、通常、可成りの量の毒性のあるホルムアルデヒドと除去することが困難な錯体形成剤を含有しているので、それらの処理にはこれらの浴の大容量が失われ且つ複雑なやり方で廃棄されなければならない。
この理由のため、不導性表面が非電気的金属化を用いずに金属で直接被覆される、一連の金属化法が開発された（例えば、ＥＰ０２９８２９８Ａ２、ＵＳ４，９１９，７６８、ＥＰ０３２０６０１Ａ２、ＵＳ３，９８４，２９０、ＥＰ０４５６９８２Ａ１およびＷＯ８９／０８３７５Ａ１参照）。
【０００３】
ＥＰ０６１６０５３Ａ１には、不導性表面の直接金属化の方法が開示されている。その方法では、表面が先ず洗滌／調節溶液で処理され、その後、例えばパラジウムコロイド溶液の如き活性剤溶液で処理され、スズ化合物で安定化され、次いでスズよりも貴である金属の化合物を、水酸化アルカリおよび錯体形成剤と共に含む溶液で処理される。その後、その表面は還元剤を含む溶液中で処理されてもよくまた最後に電解的に金属化されてもよい。
ＷＯ９６／２９４５２は、被覆方法の目的のためにプラスチック被覆された保持要素に固定されている電気的に非導電性材質で作られた基質の表面の選択的または部分的な電解的金属化の方法に関する。提案された方法は次の工程を含む：ａ）クロム（ＶＩ）酸化物を含有するエッチング溶液による、表面の予備処理：次いですぐにｂ）パラジウム／スズ化合物のコロイド酸性溶液による表面処理、ここで吸着促進溶液と予め接触しないように注意すること、ｃ）スズ（ＩＩ）化合物により還元され得る可溶性金属化合物、水酸化アルカリまたはアルカリ土類金属および金属の錯体形成剤を含有する溶液による、少なくとも金属水酸化物の沈澱を妨げるに十分な量での表面処理：ｄ）電解金属化溶液による表面処理。
ＥＰ０６１６０５３Ａ１およびＷＯ９６／２９４５２に記載された方法は非常に高価な金属であるパラジウムの如き貴金属の使用を必要とするという不利な点がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
それ故、本発明の目的は、金属被覆されるべき不導性基質の表面を活性化するために必要とするパラジウムの如き貴金属の量を削減する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この目的は、不導性基質へ金属被覆を施すための方法であって、
（ａ）基質を、貴金属／ＩＶＡ族金属ゾルからなる活性剤と接触させて処理基質を得、
（ｂ）該処理基質を、
（ｉ）Ｃｕ（ＩＩ）、Ａｇ、ＡｕもしくはＮｉ可溶性金属塩またはそれらの混合物、
（ｉｉ）ＩＡ族金属水酸化物  ０．０５〜５モル／ｌ  および
（ｉｉｉ）該金属塩の金属のイオンに対する錯生成剤、ここで該錯生成剤としてイミノコハク酸またはその誘導体が用いられる、
の溶液からなる組成物と接触させる、
工程からなる方法によって達成される。
【発明を実施するための形態】
【０００６】
驚くべきことに、イミノコハク酸またはその誘導体の使用が活性剤中のパラジウムの如き貴金属の量を実質的に減少させることを可能とすることが明らかとなった。
本発明で用いられる望ましいイミノコハク酸誘導体は、下記式（Ｉ）で示されるものを包含する。
【０００７】
【化１】
2010526205.tif 000002
【０００８】
ここで、Ｒ１はＨ、Ｎａ、Ｋ、ＮＨ４、Ｃａ、Ｍｇ、ＬｉおよびＦｅよりなる群から選ばれ、
Ｒ２は
【０００９】
【化２】
2010526205.tif 000003
【００１０】
−ＣＨ２−ＣＯＯＲ１、−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＯＯＲ１、−ＣＨ２−ＣＨ２−ＯＨ、−ＣＨ２−ＣＨＯＨ−ＣＨ３および−ＣＨ２−ＣＨＯＨ−ＣＨ２ＯＨよりなる群から選ばれ、そして
Ｒ３は、Ｈ、−ＣＨ２−ＣＯＯＲ１、−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＯＯＲ１、−ＣＨ２−ＣＨ２−ＯＨ、−ＣＨ２−ＣＨＯＨ−ＣＨ３および−ＣＨ２−ＣＨＯＨ−ＣＨ２ＯＨよりなる群から選ばれる。
【００１１】
上記化合物はＤＥ１９８５０３５９Ａ１に記載されている。ＷＯ００／２６３９８は微生物の存在下醗酵により炭水化物に基づいて式（Ｉ）の化合物およびそれらの混合物を製造する方法を記載している。
好ましくは、イミノコハク酸誘導体は下記構造式：
【００１２】
【化３】
2010526205.tif 000004
【００１３】
を持つイミノコハク酸ナトリウム塩である。
【００１４】
本発明方法により被覆されるべき不導性基質は特に限定されない。これらの基質は、真剣に組立てられたプラスチック部品、例えばくしあるいは三次元に実質的な広がりを持つデザインされた物品例えばコーヒーポット、電話送受信器、給水管部品等々を包含する。しかしながら、セラミック基質の如き他の不導性基質あるいは他の金属酸化物不導性基質も本発明により被覆できる。さらに、印刷回路基板の貫通孔の壁の如き小さな表面を被覆することができる。
基質は、次いで、場合により、化学エッチング剤でミクロエッチングされてもよい。この場合、基質は回路基板の製造において採用される銅被覆基質の如く、その上に金属層を有する不導性材料からなる。その種の化学エッチング剤の例は、クロム酸と硫酸の混合物を含有する標準エッチング剤を包含する。ミクロエッチング工程は、引き続く電気メッキのため、基質の銅層部分の如き金属層を調製するために行われる。酸浸漬と水洗滌はエッチングの後に行われてもよい。
基質を活性剤で処理する前に、ＮａＣｌ、ＳｎＣｌ２およびＨＣｌを含有する、ｐＨが約０．５よりも低い市販の予備浸漬剤に浸漬してもよい。
基質は、次いで、貴金属／ＩＶＡ族金属ゾルからなる活性剤で処理される。貴金属はＡｇ又はＡｕ又は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔを含むＶＩＩＩ族貴金属、又はこれらの貴金属の種々の混合物からなる。好ましい貴金属はＶＩＩＩ族貴金属および特にパラジウムからなる金属である。
【００１５】
本発明の活性剤は、ＩＶＡ族金属化合物還元剤が過剰に存在するようにして、すなわち活性剤が製造される貴金属化合物（例えば２価Ｐｄ）に対して還元剤（例えば２価のスズ）を化学量論的過剰量で用いて製造される。このようにして、Ｐｄ／Ｓｎゾルのような活性剤は還元剤として作用し得る残存２価Ｓｎを有することになる。
用いられうるＩＶＡ族金属は例えばＧｅ、ＳｎおよびＰｂまたはそれらの混合物を包含するが、Ｓｎが好ましい。
【００１６】
活性剤は、好ましくは、貴金属に対してＩＶＡ族金属を化学量論的過剰量で含有する。ＩＶＡ族金属は、実質的にその最も低い酸化状態にあるので、活性剤の形成に用いられる、より貴の金属塩を還元することができる。それが活性剤を形成するために用いられる貴金属の塩に基づいて化学量論的過剰量で用いられるために、活性剤と一緒のＩＶＡ族金属の過剰分は実質的にその最も低い酸化状態にある。その最も低い酸化状態にあるＩＶＡ族金属の過剰量を持つ、このようにして調製された活性剤は、引き続いて活性剤と接触せしめられる、ここに記載したような銅の塩の如き、ＩＢ族金属もしくは他のより貴な金属の塩を還元することもできる。ＩＶＡ族金属は、好ましくは、塩として、例えばハライドとして特にクロライドとして用いられるが、いずれにしても、ＩＶＡ族金属対活性剤の貴金属のモル比が４：１〜９５：１、特に１０：１〜５５：１、好ましくは１５：１〜５０：１となるような量で存在する。この点に関し用いられる幾つかの特定のＩＶＡ族金属塩は、希塩酸に溶解された、ＰｂＣｌ２、ＳｎＣｌ２またはＧｅＣｌ２とＧｅＣｌ４の混合物からなる。好ましいＩＶＡ族金属はスズであり、特に塩化第一スズの形態にあるスズである。
【００１７】
活性剤の調製は慣用であり、米国特許第３０１１９２０号および米国特許第３６８２６７１号に開示されている。
活性剤溶液が施されたのちの処理された基質は、洗滌され、次いでＣｕ（ＩＩ）、Ａｇ、ＡｕまたはＮｉ可溶性金属塩、ＩＡ族金属水酸化物およびＡｇ＋、Ａｇ２＋、Ａｕ＋、Ａｕ２＋およびＮｉ２＋塩からなる、上記金属塩の金属のイオンに対する錯生成剤としてのイミノコハク酸（誘導体）からなる上記した組成物で処理される。
０．０００２〜０．２モル／ｌ、特に０．００４〜０．０１モル／ｌの該金属塩が、溶媒が好ましくは水からなる浴に、どこでも用いられる。
浴は、ＩＡ族金属水酸化物を０．０５〜５モル／ｌ、好ましくは１〜３モル／ｌ、特に好ましくは１．５〜２モル／ｌの量で含有する。この点に関し、ＩＡ族金属はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓまたはそれらの混合物、特にＬｉ、Ｎａ、Ｋおよびそれらの混合物からなり、好ましくはＬｉを含む金属からなる。
不導性基質へ金属被覆を施す方法に用いられる組成物は、錯生成剤としてイミノコハク酸または式（Ｉ）によるその塩もしくは誘導体をさらに包含する。
イミノコハク酸ナトリウム塩は５配位錯体を形成することができる。この錯体は窒素原子と全４つのカルボキシル基を経て形成される。種々の金属イオンに対する幾つかの錯体形成定数を下記表に示す。
【００１８】
【表１】
2010526205.tif 000005
【００１９】
錯生成剤は、浴が、引き続く電気メッキに対し十分な電気導伝性を持つ薄く、密な金属富化触媒フィルムを基質上に形成し且つ同時に比較的清浄な金属表面を生成するのに十分な量で用いられる。一般に、錯生成剤は、０．００５〜１モル／ｌ、好ましくは０．０１〜０．３モル／ｌ、最も好ましくは０．０３〜０．１５モル／ｌの量で用いられる。
【００２０】
イミノコハク酸またはイミノコハク酸誘導体錯生成剤に加えて、更なる錯生成剤を使用することもできる。これらの更なる錯生成剤は、一般に、０．０５〜１．０モル／ｌ、好ましくは０．２〜０．５モル／ｌの量で用いられる。望ましい付加的錯生成剤は、アセテート、アセチルアセトン、シュウ酸、１，２−ジアミノシクロヘキサン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ酢酸、ジメチルグリオキシム（５０％ジオキサン）、２，２’−ジピリジル、エタノールアミン、エチレンジアミン、エチレンジアミンＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ酢酸、グリシン、Ｎ’−（２−ヒドロキシエチル）エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリ酢酸、８−ヒドロキシ−２−メチルキノリン（５０％ジオキサン）、８−ヒドロキシキノリン−５−スルホン酸、乳酸、ニトリロトリ酢酸、１−ニトロソ−２−ナフトール（７５％ジオキサン）、オギザレート、１，１０−フェナンスロリン、フタール酸、ピペリジン、プロピレン−１，２−ジアミン、ピリジン、ピリジン−２，６−ジカルボン酸、１−（２−ピリジルアゾ）−２−ナフトール（ＰＡＮ）、４−（２−ピリジルアゾ）レゾルシナール（ＰＡＲ）、ピロカテコール−３，５−ジスルホネート、８−キノリノール、サリチル酸、コハク酸、５−スルホサリチル酸、洒石酸、チオグリコール酸、チオウレア、トリエタノールアミン、トリエチレンテトラミン（トリエン）、１，１，１−トリフルオロ−３−２’−テノイルアセトン（ＴＴＡ）から選ばれる錯生成剤を包含する。
【００２１】
銅に対する好ましい付加的錯生成剤は、例えばモノエタノールアミンからなるアルカノールアミンである。この点に関し用いられうるモノエタノールアミン以外のアルカノールアミンは、次の低級アルカノールアミン：ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、モノ−ｓｅｃ−ブタノールアミン、ジ−ｓｅｃ−ブタノールアミン、２−アミノ−２−メチル−１−プロパノンジオール、２−アミノ−２−エチル−１，３−プロパンジオール、２−ジメチルアミノ−２−メチル−１−プロパノール、トリス（ヒドロキシメチル）アミノメタン、およびこれらのアルカノールアミン類の種々の混合物、を包含する。
【００２２】
脂肪族および環式の、例えば炭素数１０までの芳香族アミンを包含する他のアミンの如き、その他の弱い錯生成剤を用いることもできる。これらはカークオスマーのＥｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ  ｏｆ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙの“アミン類”に記載されている。さらに、炭素数８までのモノおよびポリカルボン酸ならびにそれらの塩も用いることができそしてアミノ酸を包含する。これらの酸もカークオスマーの同文献の“カルボン酸類”および“アミノ酸類”に定義されている。
この点に関し好ましい酸は、グルコン酸、乳酸、酢酸および洒石酸である。
【００２３】
本発明の方法で用いられる上記組成物は、好ましくは構成部分からなるキット（ｋｉｔ−ｏｆ−ｐａｒｔｓ）から得ることができる。このキットは組成物（Ａ）および（Ｂ）からなり組成物（Ａ）は、（Ａ１）該イミノコハク酸もしくはその誘導体、（Ａ２）該可溶性金属塩からなり、そして組成物（Ｂ）は（Ｂ１）該１Ａ族金属水酸化物からなる。
２つの成分（Ａ）と（Ｂ）の使用は、成分（Ａ）が本発明の方法で用いられる必須化合物からなり、一方成分（Ｂ）は最終組成物のｐＨを調節するアルカリ溶液である点で有利である。そのような分離したアルカリ溶液の使用は、浴のアルカリ性を操作条件下に制御することを比較的容易にする。
上述した水溶性金属塩の種々のアニオンは、無機酸アニオンまたはそれらの混合物、例えばＦ−、Ｃｌ−、Ｂｒ−またはＩ−の如きハロゲンアニオン、特に好ましくはＣｌ−：硫酸もしくは炭酸アニオン：低分子量有機酸アニオン、例えば蟻酸もしくは酢酸アニオンまたはサリチル酸アニオン等である。さらに、上記アニオン類の混合物はもちろんＣｕＣｌ２２ＫＣｌ．２Ｈ２Ｏ、ＣｕＣｌ２２ＮａＣｌ．２Ｈ２Ｏの如き塩類似アニオンおよび種々の文献で知られているそれらの等価物を用いることもできる。
上述したとおり、イミノコハク酸またはその誘導体の使用は、活性剤中のパラジウムの如き貴金属の量を実質的に少なくすることを可能とする。
【００２４】
本発明によれば、活性剤は貴金属としてパラジウムを少なくとも１０ｍｇ／ｌ、好ましくは３０〜５０ｍｇ／ｌで含む。
ＥＰ−Ａ０５３８００６またはＥＰ−Ａ−０９１３５０２に記載されているような公知方法によれば、活性剤は少なくとも２００ｍｇ／ｌ例えば２５０ｍｇ／ｌのパラジウムの範囲にある遥かに高濃度を必要としている。
活性剤と接触した後、基質はＣｕ（ＩＩ）、Ａｇ、ＡｕもしくはＮｉ可溶性金属塩またはそれらの混合物の溶液、ＩＡ族金属水酸化物およびイミノコハク酸錯生成剤からなる組成物で、例えば６０℃を超える温度で約１０分間、処理される。浴温度は４９℃〜８２℃に変えることができる。処理時間は、製造目的に特有の、４〜１２分あるいはそれ以上の範囲に亘るが、浴の温度と条件に応じてこの範囲外に変えることができる。使用時間は、実際に、伝導性フィルムを生成するための最良の金属被覆を与え且つ最小要求被覆を与えるに必要な時間である。伝導性フィルムは、次いで、公知の方法により電解的に被覆される。
【００２５】
もし被覆が酸性酸化媒体中でミクロエッチングされ、そのため電解的に施された金属被覆（例えば銅）の接着性と組織が最適化されているならば、引き続く電気メッキは最も良く達成される。ミクロエッチングは、公知技術で慣用されている酸性酸化剤により行われるが、ミクロエッチング溶液への短時間曝露（例えば約３０分間）でも伝導性の損失を起しそしてもしミクロエッチングを約２分間に亘って実施した場合には、被覆はその伝導性の実質的に全てを喪失する。このことは基質から被覆がほぼ完全に除去されていることを示している。
従って、基質が銅浴で処理された後には、例えば、それは次いで好ましくは水洗いされ、中和と還元浴に付されてこの問題を回避する。中和と還元浴は処理された表面の残存アルカリを中和しそして伝導性フィルムの酸化性化学ミクロエッチング剤への抵抗性を改善する。
中和と還元の工程は分けて行ってもよい。すなわち最初の酸性中和浴と次の還元浴を用いる分離工程で行ってもよい。
この点に関して用いられうる還元剤は、米国特許第４，００５，０５１およびＥＰ−Ａ−０６１６０５３におおむね記載されている。
【００２６】
処理された基質は、次いで、更なるまたは最終的な金属被覆を電解的に被覆される。言い換えれば、ここに定義された基質に対する上記した組成物の適用は、非金属基質へ金属被覆を適用するための第１工程（２段階方法において）を含む。この第１工程において、本発明により組成物を適用する前の基質の伝導性に対比して基質の抵抗性をかなり低下させる被覆を、基質表面上に得る。このように、本発明は、約０．０４〜１２ｋΩ／ｃｍ、特に０．８〜６ｋΩ／ｃｍの範囲にある抵抗性を持つ非常に薄い金属被覆を適用することで最初に伝導性が増加される２段階方法に指向している。
本発明が下記実施例によりさらに説明される。
【実施例】
【００２７】
実施例１
２つの組成物（Ａ）と（Ｂ）が下記に示すようにして製造された。
組成物（Ａ）：
（Ａ１）下記表１による、
（Ａ２）約４．０重量％のＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ、
（Ａ３）下記表１による、
（Ａ４）場合により約０．０１重量％のテンサイド（ｔｅｎｓｉｄｅ）
残余は水である。
組成物（Ｂ）：
（Ｂ１）６．０重量％の水酸化ナトリウム
（Ｂ２）９．０重量％の水酸化リチウム
残余は水である。
【００２８】
組成物（Ａ）のｐＨは４．１、密度は１．２０５３ｇ／ｃｍ３であった。組成物（Ｂ）のｐＨは１３、密度は１．１２ｇ／ｃｍ３であった。
９０ｍｌ／ｌの組成物（Ａ）と３００ｍｌ／ｌの組成物（Ｂ）とを混合して上記成分からなる浴を得る。
全部で、下記表１に示された量の錯生成剤を含む４つの浴を調製した。
ＡＢＳ（ノボドゥル  Ｐ２ＭＣ）製の板をクロム（ＶＩ）酸化物を含むエッチング溶液を用いて７０℃の温度で１０分間処理した。洗滌処理後、基質表面に付着しているクロム（ＶＩ）化合物を、基質を還元剤で室温で１分間処理することによって、クロム（ＩＩＩ）化合物に還元した。
もう１度洗滌処理後、基質は溶液中４０℃で３分間処理された。この溶液は次の組成からなる：
活性剤：塩化パラジウムとして４０ｍｇ／ｌのパラジウム（慣用の使用量  ２００ｇｍ／ｌ  Ｐｄよりもかなり少ない）を含有するコロイド溶液、塩化第１スズ３５ｇ／ｌ（１８．５ｇ／ｌ  Ｓｎ）およびｐＨが１またはそれより低い塩酸３５０ｍｌ／ｌ  ４分間。
活性剤処理後、基質は再度洗滌された。
洗滌処理後、基質は下記表１に記載された量で錯生成剤を含む上記成分（Ａ）と（Ｂ）から得られた浴中に浸漬された。表１には、使用された錯生成剤の量に依存して基質の表面に吸着されたパラジウム、スズおよび銅の量に関する測定値の結果も示されている。
【００２９】
この実験は、さらに、イミノコハク酸錯生成剤の使用は、上記したパラジウム濃度で完全に金属被覆されたＨＢＳ板を得ることを可能とした、ことを示している。
さらに、ＡＢＳ表面から金属被覆を除去することによって得られた溶液同士の比較により、イミノコハク酸錯生成剤で処理された表面は、活性剤中の低減されたパラジウム濃度とより低いスズ濃度において、有意に高い銅濃度を有することがわかる。
最後に、イミノコハク酸錯生成剤を用いた組成物と用いない組成物との比較により、錯生成剤で処理されなかった基質表面は銅が少なく、完全な被覆が得られないことがわかる。
実施例１で得られた結果は下記表１にまとめて示されている。
【００３０】
【表２】
2010526205.tif 000006
【００３１】
上記実験結果から、イミノコハク酸錯生成剤の使用はＣｕ−結合工程における基質表面上の銅金属の堆積量をかなり高くする結果となる、ことが明らかである。この実験において、錯生成剤の全モル量は結果のより良い比較がされるように一定に保たれている。金属銅はスズの交換のレドックス反応で堆積される。
【００３２】
Ｃｕ２＋＋Ｓｎ（Ｏ）基質表面に吸収→Ｃｕ（Ｏ）基質表面に吸収＋Ｓｎ２＋
【００３３】
酸化されたＳｎ２＋イオンは溶液中に溶解する。それ故、Ｃｕ（Ｏ）の堆積の増加は、吸収されたＳｎ（Ｏ）の量を減少させる結果となる。このことは表１からも明らかとなる。
この錯生成剤の使用に関係する方法は、活性剤中のＰｄ濃度が４０〜５０ｍｇ／ｌのような低濃度において実施することができる。公知の方法によれば、活性剤中のＰｄ濃度は少なくとも１５０ｍｇ／ｌの濃度が必要である。
イミノコハク酸錯生成剤を含有する溶液は公知技術の錯生成溶液よりも比較的容易に調製することができ、そして最終的に、カーボネート生成に関してそれらの長期間安定性が増加される。
基質表面上へ吸収される金属Ｃｕ（Ｏ）の量が高くなると、その上に堆積される、優れた最終の金属被覆となる結果が得られる。それに比べて、表１に示された浴１と３を用いる処理では、不導性表面の完全に金属化された表面は得られないことがわかる。
【００３４】
実施例２
下記実験は秀れた金属化の結果を示すために行われた。表１に示された浴を用いて処理された基質が水洗され次いで引き続く銅電気メッキ工程に付された。商品入手可能な銅電気メッキ浴Ｃｕｐｒａｃｉｄ（登録商標）（アトテック・ドイッチュランド・ゲーエムベーハー）が用いられた。この浴は２５０ｇ／ｌの硫酸銅、５０ｇ／ｌの硫酸、５０ｐｐｍの塩化物イオンおよび増白剤を含有する。
電気メッキ操作はメッキ溶液温度２５℃および電流密度３Ａ／ｄｍ２で１５分間行われた。
金属化の結果
浴１：不良：銅による表面の不完全な被覆
浴２：良好：銅による表面の完全な被覆
浴３：不良：銅による表面の不完全な被覆
浴４：良好：銅による表面の完全な被覆
【国際調査報告】
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