(57)【要約】  本発明は、Ｍｏ及びＷを含有する複合体粉末の製造方法に関し、その際にＭｏ又はＷ金属粉末を含む粉末状の出発物質Ａを：出発物質ＡとしてＭｏ又はＭｏ−Ｗ合金が存在する場合に、Ｗの酸化物化合物を含む粉末状の出発物質Ｂと；又は出発物質ＡとしてＷが存在する場合に、Ｍｏの酸化物化合物を含む粉末状の出発物質Ｂと、混合し、前記混合物中でＭｏ対Ｗの質量比（Ｖ）を１：９９〜９９：１の大きさに調節し、かつ粉末混合物を、少なくとも一段階の還元過程にかけ、その過程で、出発物質Ａ中に含まれる金属又は金属合金の粒子は少なくとも部分的に、好ましくは完全に、使用される出発物質Ｂの金属の層と共に重複成長される。【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｍｏ及びＷを含有している複合体粉末を製造するにあたり、
Ｍｏ又はＷ金属粉末又はこれら双方の金属の合金粉末を含む粉末状の出発物質Ａを、
・出発物質ＡとしてＭｏ又はＭｏ−Ｗ合金が存在する場合に、次の物質の少なくとも１つ：
Ｗの酸化物化合物、特にＷＯ3、ＷＯ2.9、Ｗ20Ｏ50、ＷＯ2.72、Ｗ18Ｃ47又は他の酸化Ｗ、Ｈ2ＷＯ4、
パラタングステン酸アンモニウム（ＡＰＷ）、メタタングステン酸アンモニウム（ＡＭＷ）、ＷＯ2、
を含む粉末状の出発物質Ｂと、
・又は出発物質ＡとしてＷ又はＷ−Ｍｏ合金が存在する場合に、次の物質の少なくとも１つ：
Ｍｏの酸化物化合物、特に、ＭｏＯ3、ＭｏＯ2.92、Ｍｏ13Ｏ38、Ｍｏ4Ｏ11又は他の酸化Ｍｏ、
Ｈ2ＭｏＯ4（ＭｏＯ3 Ｈ2Ｏ）、
（ＮＨ4）2ＭｏＯ4、二モリブデン酸アンモニウムＡＤＭ（（ＮＨ4）2・２ＭｏＯ3）、（ＮＨ4）2Ｏ・６ＭｏＯ3、
ＭｏＯ2、
を含む粉末状の出発物質Ｂと、
特に均質に、混合することによる複合体粉末の製造方法であって、
前記混合物中で、Ｍｏ対Ｗの質量比（Ｖ）を１：９９〜９９：１、好ましくは１：２０〜２０：１の大きさに調節し、かつ
前記粉末混合物を少なくとも一段階の還元過程にかけ、その過程で出発物質Ａ中に含まれている金属又は金属合金の粒子が少なくとも部分的に、好ましくは完全に、使用される出発物質Ｂの金属の層と共に重複成長されることを特徴とする、Ｍｏ及びＷを含有している複合体粉末を製造する方法。
【請求項２】
還元過程が、水素雰囲気中で又は還元ガス（水素、一酸化炭素、メタン）と少なくとも１つの不活性ガスとの混合物からなる雰囲気中で行われる、請求項１記載の方法。
【請求項３】
還元過程の期間を１０min〜１００hに調節する、及び／又は
還元過程を４００〜１２００℃の温度で行う、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
出発物質Ａの粒度が０．１〜５００μmであり、かつ出発物質Ｂの粒度が０．１〜５０μmである、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
出発物質Ａ及び／又は出発物質Ｂが、出発物質ＡもしくはＢ中で使用される金属（類）の５０ppm〜２０質量％の範囲内のＣｒ及び／又はＶ及び／又はＭｏ及び／又はＴａ及び／又はＮｂでドープされている、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
出発物質Ａ及びＢを、１〜３００h、好ましくは１〜５０hの期間にわたって、特に均質に、乾式又は湿式で混合する、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
一段階の還元過程の場合に、１０min〜１００hの滞留時間で、５００〜１２００℃、好ましくは７００〜１２００℃の、特に一定の、温度に調節する、請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
二段階の還元過程の場合に、第一の還元段階については１０min〜１００hの滞留時間にわたり４００〜７００℃の、特に一定の、温度に調節し、かつ
第二の還元段階において、１０min〜１００hの滞留時間にわたり６５０〜１２００℃の、特に一定の、温度に調節する、請求項１から7までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
加熱速度及び／又は冷却速度を１〜５００K/minに調節する、請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
還元過程の間に、混合され、粉末状で存在している出発物質のかさの高さが最大１００mmを超えない、請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
請求項１から９までのいずれか１項記載の方法により製造された、複合体粉末。
【請求項１２】
請求項１から１０までのいずれか１項記載の方法により特に製造された、Ｍｏ又はＷ又はＭｏ−Ｗ合金からなるコア粒子を含む複合体粉末であって、コア粒子が少なくとも部分的に、その都度他の金属、すなわちＷ又はＭｏからなる被覆層と共に、もしくはＭｏ−Ｗ合金からなるコア粒子の場合にＭｏ又はＷと共に少なくとも部分的に、有利には完全に、重複成長されていることを特徴とする、複合体粉末。
【請求項１３】
複合体粉末の粒子の少なくとも５０％が被覆層と共に重複成長されている、請求項１１又は１２記載の複合体粉末。
【請求項１４】
複合体粉末の粒子が５０nm〜５０μmの大きさを有する、請求項１１から１３までのいずれか１項記載の複合体粉末。
【請求項１５】
複合体粉末の粒子の平均半径Ｒ1について、
０．６Ｘ  ＜  Ｒ1  ＜  １．２Ｘ
が当てはまり、
ここで
【数１】
2010503764.tif 000005
ここで、ＶAは、出発物質Ａの金属又は金属合金の体積に、
ＶBは、出発物質Ｂの金属の体積に、及び
Ｒ2は、出発物質Ａの粒子もしくはコア粒子の平均半径に
相当する、請求項１１から１４までのいずれか１項記載の複合体粉末。
【請求項１６】
被覆層の厚さが８nm〜１５μmである、請求項１１から１５までのいずれか１項記載の複合体粉末。
【請求項１７】
複合体粉末中でＷ及びＭｏが体心立方晶形で存在する、請求項１１から１６までのいずれか１項記載の複合体粉末。
【請求項１８】
炭化物及び／又は窒化物が少なくとも、コア粒子を少なくとも部分的に包囲する被覆層中に含まれていることによって、Ｃ及び／又はＮでドープされるもしくはこれらの元素を含有している複合体粉末を製造する方法であって、
請求項１から１０までのいずれか１項記載の方法の工程に引き続き、このようにして得られた複合体粉末を挿入反応、特に浸炭及び／又は窒化にかけて、その際、得られた複合体粉末の粒子の被覆層中及び場合によりまたコア粒子中へＣ及び／又はＮを挿入することを特徴とする、複合体粉末の製造方法。
【請求項１９】
得られた複合体粉末を、炭素、特にカーボンブラック及び／又はグラファイトと混合し、及び／又は得られた複合体粉末を、Ｈ2及び／及びＮ2及び／又はＨ2／ＣＨ4及び／又はＣＯ及び／又はＣＯ2及び／又はＮ2からなる雰囲気に暴露し、かつ８００〜２２００℃の温度で被覆層中の金属及び場合によりまたコア粒子の金属又は金属合金を、炭素及び／又は窒素との相応する化合物へ、特に炭化物及び／又は窒化物へ変換し、及び／又は挿入反応にかける、請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
浸炭及び／又は窒化を、８００〜２２００℃の、特に一定の、温度で１０min〜５０hにわたって行う、請求項１８又は１９のいずれか１項記載の方法。
【請求項２１】
加熱速度及び場合により冷却速度を２〜５００K/minに調節する、請求項１８から２０までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２２】
浸炭及び／又は窒化の際に、２００mmの粉末のかさの高さを超えない、請求項１８から２１までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２３】
請求項１１から１７までのいずれか１項記載の出発複合体粉末を特に使用して、請求項１８から２２までのいずれか１項記載の方法により特に製造された、複合体粉末。
【請求項２４】
請求項１８から２２までのいずれか１項記載の方法により特に製造された、Ｍｏ又はＷ又はＭｏ−Ｗ合金からなるコア粒子を含む複合体粉末であって、コア粒子が少なくとも部分的に、その都度他の金属、すなわちＷ又はＭｏからなる被覆層と共に、もしくはＭｏ−Ｗ合金からなるコア粒子の場合にＭｏ又はＷと共に少なくとも部分的に重複成長されており、これらの被覆層中でＣ及び／又はＮが挿入される及び／又は特に炭化物、窒化物の形で含まれており、その際に場合によりコア粒子中にもＣ及び／又はＮが挿入される又は特に炭化物及び／又は窒化物の形で含まれていることを特徴とする、複合体粉末。
【請求項２５】
粒子の少なくとも５０％が、炭化物及び／又は窒化物を含有している被覆層と共に重複成長されている、請求項２３又は２４記載の複合体粉末。
【請求項２６】
被覆層中に含まれているＷＣが六方晶形で又は被覆層中に含まれているＭｏ2Ｃが六方晶形で存在する、請求項２３から２５までのいずれか１項記載の複合体粉末。
【請求項２７】
複合体粉末の粒子の平均半径Ｒ1について、
０．６Ｘ  ＜  Ｒ1  ＜  １．２Ｘ
が当てはまり、
ここで
【数２】
2010503764.tif 000006
ここで、ＶAは、出発物質Ａの金属又は金属合金の体積に、
ＶBは、出発物質Ｂの金属の体積に、及び
Ｒ2は、出発物質Ｂの粒子もしくはコア粒子の平均半径に
相当する、請求項２３から２６までのいずれか１項記載の複合体粉末。
【請求項２８】
複合体粉末が５０nm〜５０μmの粒度を有する、請求項２３から２７までのいずれか１項記載の複合体粉末。
【請求項２９】
被覆層の厚さが８nm〜５０μmである、請求項２３から２８までのいずれか１項記載の複合体粉末。
【請求項３０】
複合体粉末中に含まれているＭｏ及び／又はＷの炭化物の少なくとも１つが、それぞれの金属の５０ppm〜２０質量％の範囲内のＣｒ及び／又はＶ及び／又はＭｏ及び／又はＴａ及び／又はＮｂでドープされている、請求項２３から２９までのいずれか１項記載の複合体粉末。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特許請求項１の上位概念に記載の方法並びにこの方法を用いて製造され、特許請求項１１の上位概念に記載の複合体粉末に関する。
【０００２】
さらに、本発明は、特許請求項１８の上位概念に記載の方法並びにこの方法を用いて製造され、請求項２４の上位概念に記載の複合体粉末に関する。
【０００３】
本発明の本質的な目的は、複合体粉末を単純かつ迅速な方法で、できるだけ大きい複合体粉末の収率で、製造することである。本発明による方法を用いて得られる複合体粉末は、さらなる使用目的のために好適であるべきである；特に、それを用いて、例えば半製品、金型及び類似の対象物を焼結するための焼結法が、経済的にかつ原料パラメーターから見て、良好な結果を伴って実施可能であるべきである。さらに、この種の粉末は、超硬合金粉末の製造のため、特に窒化もしくは浸炭された硬質材料の焼結のために、良好に使用可能であるべきである。
【０００４】
これらの目的は、請求項１の特徴部に挙げられた特徴を有する冒頭に挙げた種類の方法の場合に、達成される。
【０００５】
本方法の有利な実施態様は、請求項２〜１０に挙げられている。
【０００６】
本発明によるこれらの方法の工程を用いて製造される複合体粉末は、とりわけ、請求項１１の特徴により特徴付けられている。これらの粉末が、良好に焼結可能であるか、もしくは良好に硬質物質へ変換されることができることが明らかになる。複合体粉末は、金属コアもしくはコア粒子を含み、これらは例外なく、しかし少なくとも、少なくとも５０％がタングステン又はモリブデンからなる被覆層と共に重複成長されている。
【０００７】
この種の複合体粉末のさらなる有利な特徴は、請求項１２〜１７から得ることができる。
【０００８】
特許請求項１８の上位概念に記載の方法は、本発明によれば、請求項１８の特徴部に挙げられた特徴により特徴付けられている。この方法を実施するために使用される複合体粉末は、特に良好に、迅速にかつ均質に窒化及び／又は浸炭されることができ、かつ際立って良好な材料パラメーターを示す。
【０００９】
相応する元素である炭素及び／又は窒素との前記反応は有利には、請求項１９〜２２に示された特徴に相応して行われ、これらは目的へ導く手順を保証する。
【００１０】
この方法を用いて、請求項２３の特徴部の特徴を用いて特徴付けられている複合体粉末が製造される。この粉末は、良好な焼結特性もしくは加工特性を有し、かつ多方面にわたり使用可能である。
【００１１】
この種の複合体粉末の有利な特徴は、請求項２４〜３０から得ることができる。
【００１２】
タングステン−モリブデン原料の製造は、Ｗ及びＭｏの合金又は均質な金属粉末混合物の焼結により行われる。
【００１３】
本発明は、タングステンもしくはモリブデンの分散性、ひいては分布の均一性が、とりわけ先駆物質及び予備分布(Vorverteilung)並びに出発物質の量比により制御されることができることに主に裏付けられる。
【００１４】
本発明を用いて得られる複合体粉末は、それゆえ、Ｗ又はＭｏ又はＷ−Ｍｏ合金からなるコアを含有し、このコアは少なくとも部分的に、Ｍｏ又はＷからなる被覆層もしくはＭｏ又はＷを含有する炭化物及び／又は金属Ｍｏ及び／又はＷの窒化物からなる被覆層で包囲されている。また前記コアは、浸炭及び／又は窒化されていてよい。
【００１５】
中間生成物として得られる複合体粉末は、特定の使用目的のために、例えば焼結目的のためにも、独立して使用可能であって、この複合体粉末は、タングステン又はモリブデンからなる被覆層を有する粒子を含み、これらは、Ｍｏ又はＷ又はＭｏ−Ｗ合金からなるコアを少なくとも部分的に、有利には完全に、包囲する。
【００１６】
さらに、前記コア粒子及び被覆層の粒度が、量比、粒度並びに反応温度の変更により単純に制御されることができ、かつ特定範囲内で大きな精度で調節されることができる。
【００１７】
本発明によれば、それゆえ、Ｗ又はＭｏからなるか又はＭｏ−Ｗ合金からなるコア粒子とＷ又はＭｏからなる被覆層とを含む複合体粉末が製造され、その際にさらなる実施において、被覆層及び場合によりまたそれぞれのコア粒子は、炭化物及び／又は窒化物の形で存在していてよく、もしくはこれらを含有していてよい。
【００１８】
所定の比の出発物質Ａの金属粉末と出発物質Ｂとを、例えば、タンブルミキサー中での混合及び／又は例えばボールミル、アトライタ、遊星ボールミル及び／又は分散機中での湿式又は乾式の粉砕及び／又は噴霧により、混合した後に、場合により必要な乾燥後に、還元過程が行われる。
【００１９】
好都合には、出発物質Ａ及びＢが、１〜３００h、好ましくは１〜５０hの期間にわたって、特に均質に、乾式又は湿式で混合されることが考慮に入れられる。
【００２０】
還元過程は水素雰囲気中で行われ、その際に有利には、還元過程の期間が１０min〜１００hに調節されることが考慮に入れられることができる。還元過程は、４００〜１２００℃の温度で行われる。
【００２１】
出発物質Ａ及びＢの粒度が０．１μm〜５０μmであることが考慮に入れられる。
【００２２】
さらに、前記出発物質もしくは使用される化合物に金属をドープすることが可能である。出発物質ＡもしくはＢの場合に存在している金属もしくは金属合金を、出発物質Ａ中もしくは出発物質Ｂ中で用意される金属（類）の５０ppm〜２０質量％の範囲内のＣｒ及び／又はＶ及び／又はＭｏ及び／又はＴａ及び／又はＮｂでドープする場合が有利である。出発物質がＭｏを含有する場合には、Ｍｏでのドープを割愛することが理解される。
【００２３】
前記還元法は、多様な方法で行われることができる。有利には、一段階の還元過程又は二段階の還元過程が実施可能である。これに関して、特許請求項７及び８の特徴が有利である。
【００２４】
加熱速度及び／又は冷却速度が１〜５００K/minに調節されることが考慮に入れられる。混合され、粉末状で存在している出発物質のかさの高さ(Schuetthoehe)は、前記原料及びそれらのかさ特性（特にかさ密度、多孔度）に応じて選択される。
【００２５】
Ｍｏの重複成長のプロセスは、例えばＷＯ2（ＯＨ）2もしくはＷＯ3（ｇ）の、気相輸送を介して機能する。その際にＭｏはタングステンのための成核助剤として作用し、かつ極めて均一な複合体粉末をもたらす。前記Ｗ−Ｍｏ複合体粉末の巨視的なモルホロジーは、使用されるコア成分の粉末の巨視的なモルホロジーに相当する。
【００２６】
図１には、コア粒子上への被覆層としての出発物質Ｂの堆積が示されている。相応する堆積により、図１では右側に示されている複合体粉末の粒子が得られる。ＷＯ2（もしくはＭｏＯ2）は１で、Ｗ（もしくはＭｏ）は２で、ＷＯ2（ＯＨ）2（もしくは揮発性Ｍｏ化合物）は３でＷ（もしくはＭｏ）は４で示されている。
【００２７】
図２では、複合体粉末の形成に関係する数理モデルが示される。
【００２８】
前記数理モデルは、球形の粉末粒子が存在し、かつ理想的に均一にかつ完全にコア−被覆構造として生じると想定する。同じように、前記計算はＭｏ金属に基づいている。
【００２９】
【数１】
2010503764.tif 000002
【００３０】
使用される物質Ｗ及びＭｏの体積が目下比例している場合には、論理的な半径関係性が得られ、これを用いて、コア成分もしくはコア粒子の半径及びＷ：ＭｏもしくはＷＣ：Ｍｏ量比の知識に基づいて、被覆の層厚並びに複合体粉末粒子の粒度は算定されることができる：
【数２】
2010503764.tif 000003
【００３１】
それゆえ、複合体粉末の粒子の平均半径については０．６・Ｘ  ＜  Ｒ1  ＜  １．２Ｘが当てはまる場合に有利であり、ここで、
【数３】
2010503764.tif 000004
ここで
Ｒ1  ……  複合体粉末の粒子の平均半径
ＶA  ……  出発物質Ａ（コア）の金属の体積
ＶB  ……  出発物質Ｂ（被覆）の金属の体積
Ｒ2  ……  出発物質Ａの粒子もしくはコア粒子の平均半径である。
【００３２】
本発明による手順の場合に、出発物質Ａ（＝コア成分）の粒度の選択により、生じる複合体粉末の粒度は制御されることができる、それというのも、生じる複合体粉末の被覆層の厚さは、半径Ｒ1−Ｒ2の差に相当するからである。
【００３３】
図３は、金属複合体粉末の略示図を示し、ここで、ＷもしくはＭｏは１で、ＭｏもしくはＷは２で示されている。生じるＭｏ−ＷもしくはＷ−Ｍｏ複合体粉末粒子は略示的に示されている。Ｗ：Ｍｏの使用される質量比及びＷ及びＭｏ相の分布に応じて、全体的に（ａ）並びに部分的に（ｂ）重複成長される構造が可能である。（ｃ）及び（ｄ）には、非球状粒子並びにアグロメレートの考えられる重複成長が説明されている。
【００３４】
図４及び５は、相Ｗ（ｂｃｃ）及びＭｏ（ｂｃｃ）を有するＷ−Ｍｏ（図４）もしくはＭｏ−Ｗ（図５）のＸ線回折図形を示す。
【００３５】
図６は、Ｍｏ−Ｗ粉末のＳＥＭ写真を示す；右側に、複合体粉末のＥＤＳスペクトルが示されており、左側に、完全に重複成長されていないモリブデンコアを有するタングステン結晶を見ることができる。右側に、ＥＤＳ分析の相応するスペクトルを示す。このＳＥＭ写真に基づいて、タングステンが、エピタキシャルにモリブデン上に成長することが識別され、このことは、極めて類似した格子パラメーター（双方とも体心立方）により可能である。
【００３６】
図７は、前記Ｍｏ−Ｗの電子顕微鏡写真を示す；左側：Ｍｏ−Ｗ（エッチングされていない）；右側：Ｍｏ−Ｗ（エッチングされた）。
【００３７】
図８は、Ｍｏ−Ｗ複合体粉末のＳＥＭ写真を示す（エッチングされた）。図７及び８のＭｏＷ粉末の銅カット面(Kopferschliffen)中で、明らかにコア−被覆構造が識別されることができる。モリブデンの周りのタングステンの層厚は、大体において均一に見える。モリブデンと共にタングステンの逆の重複成長は、匹敵しうる結果（図９）を示し、その際に明らかなコア−被覆構造を有する。図９は、前記Ｗ−Ｍｏ複合体粉末の写真を示す、しかも上部：ＳＥＭ及び下部：光学顕微鏡。
【００３８】
得られた複合体粉末は、通例、１２nm〜１５μmの被覆層の厚さを示し、これは出発物質と出発粒子の大きさとの比に依存する。
【００３９】
Ｘ線回折法の結果は、ｂｃｃ形のタングステン及びＭｏを示す。前記複合体粉末の酸素含量は、５０００ppm未満（＜５０００ppm）である。前記複合体粉末の粒度は、走査電子顕微鏡を用いて測定される、約５０nm〜５０μmである。
【００４０】
さらに、使用される出発物質もしくは化合物が、高純度を有するべきであるか、もしくは不純物が焼結技術において常用の範囲内で単に存在すべきであることに注目すべきである。
【００４１】
被覆層中に炭化物及び／又は窒化物が存在する複合体粉末を製造するために、これまで記載された方法は、得られたもしくは既に記載された複合体粉末が、反応にかけられて、その際に得られた複合体粉末の粒子の被覆層中へ及び場合によりコア粒子中へも炭素及び／又は窒素が挿入される(eingelagert)ようにして、さらに行われる。そのためには、得られた複合体粉末が、炭素と、好ましくはカーボンブラック及び／又はグラファイトの形で、混合される及び／又はＨ2及びＮ2及び／又はＨ2／ＣＨ4及び／又はＣＯ及び／又はＣＯ2からなる雰囲気中で、しかも８００〜２２００℃の温度に加熱され、その結果、被覆層中及び場合によりまたコア粒子中の金属が、炭素及び／又は窒素との相応する化合物、特に窒化物及び／又は炭化物へ、好ましくは一炭化タングステン及び／又は二炭化モリブデンへ変換される及び／又は相応する挿入反応が進行することが考慮に入れられることができる。
【００４２】
既に存在している複合体粉末と、カーボンブラックもしくはグラファイトとの混合は、例えばタンブルミキサー、ボールミル、遊星ボールミル、アトライタもしくは分散機のような、常用の混合装置もしくは粉砕装置中で行われることができる。
【００４３】
使用される複合体粉末の相応する混合及び特に均質化の後に、浸炭及び／又は窒化が、特に一定の、温度で１０min〜５０hにわたって行われ、その際に場合により加熱速度及び／又は冷却速度は２〜５００K/minに調節されることが考慮に入れられる。前記反応のための雰囲気は、所望の化合物に相応して選択され；相応して温度も調節される。
【００４４】
前記反応の過程で得られる複合体粉末は、Ｗ又はＭｏもしくはＭｏ−Ｗ合金からなるコアもしくはコア粒子を含み、これらはＭｏ又はＷからなる被覆層と共に重複成長されており、その際にコア層及び場合により被覆層は浸炭及び／又は窒化されて存在する。相応する方法実施の場合に、それゆえ、コア粒子はまた、Ｃ−挿入物及び／又はＮ−挿入物もしくは炭化物及び／又は窒化物を含有していてよい。
【００４５】
図１０は、Ｍｏ2ＣもしくはＷＣコア及びＷＣもしくはＭｏ2Ｃ被覆からなるＭｏ2Ｃ−ＷＣ／ＷＣ−Ｍｏ2Ｃ複合体粉末を略示的に説明し、ここで、Ｍｏ2ＣもしくはＷＣは３で及びＷＣもしくはＭｏ2Ｃは４で示されている。
【００４６】
図１１は、生じた相ＷＣ及びＭｏ2Ｃを有するＭｏ2−ＷＣ複合体粉末のＸ線回折図形を示す。
【００４７】
図１２は、９０ＷＣ／１０Ｍｏ2Ｃを有する複合体粉末のＳＥＭ写真を示す（Ｃｕカット面下、エッチングされた）。
【００４８】
前記反応により得られた本発明による複合体粉末は、前記粒子の少なくとも５０％が完全に、炭化物及び／又は窒化物を含有している被覆層と共に重複成長されていることを示す。前記複合体粉末は、５０nm〜１５μmの粒度を有し、その際に被覆層の厚さは８nm〜５０μmである。
【００４９】
これらの粉末の場合にも、使用される出発複合体粉末に基づいて、使用される金属の少なくとも１つが、それぞれドープされる金属の５０ppm〜２質量％の範囲内のＣｒ及び／又はＶ及び／又はＭｏ及び／又はＴａ及び／又はＭｏ及び／又はＮｂでドープされていることが考慮に入れられることができる。
【００５０】
例１：
ＷＯ2（０．５〜２μm）を、Ｍｏ金属粉末（３〜４μm）と、９０：１０（質量%）のＷ：Ｍｏの比でタンブルミキサーを用いて４０〜６０min、均質に混合する。この混合物を、引き続き、水素を用いて８００〜９５０℃の温度で還元する。明らかなコア−被覆構造を有するＭｏ−Ｗ複合体粉末が生じ、前記粉末中でモリブデン粒子は＞９０％がタングステンにより重複成長される。粒度は５〜７μmの範囲内であり、その際に１〜２μmのＷ層厚を有する。
【００５１】
炭素（カーボンブラック）でのこの複合体粉末の浸炭により、Ｍｏ2Ｃ−ＷＣ複合体粉末が生じ、その際に二炭化モリブデンは＞９０％が一炭化タングステンにより包囲されており、かつ明らかなコア−被覆構造を有する。
【００５２】
例２：
ＭｏＯ2（０．５〜２μm）を、Ｗ金属粉末（２〜４μm）と、１：１（質量%）のＭｏ：Ｗの比でタンブルミキサーを用いて４０〜６０min、均質に混合する。この混合物を、引き続き、水素を用いて９００〜１０００℃の温度で還元する。明らかなコア−被覆構造を有するＷ−Ｍｏ複合体粉末が生じ、前記粉末中でタングステン粒子は＞９０％がモリブデンにより重複成長されている。粒度は３〜５μmの範囲内であり、その際に約０．５μmのＭｏ層厚を有する。
【００５３】
当該実施から、Ｍｏ及びＷは互いに等価にもしくは大体において交換可能であることが明らかになる、それというのも反応速度論は匹敵しうるからである。
【００５４】
単に、酸化Ｗ及び酸化Ｍｏの使用される構造が相違するに過ぎない。
【国際調査報告】
2010503764.tif 000007
2010503764.tif 000008
2010503764.tif 000009
2010503764.tif 000010