(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマによって物体を処理するためのシステムであって、当該システムは：
処理すべき物体が配置される支持体を含む真空処理チャンバ（１０）と；
少なくとも３つの放電チャンバを含む内側サブアセンブリであって、該内側サブアセンブリには、第１の独立制御される高周波出力Ｐｉ及び第１の独立制御される流量ｎｉのガスｉが供給される、内側サブアセンブリと；
第２の独立制御される高周波出力Ｐｉ及び第２の独立制御される流量ｎｉのガスｉが供給される中間サブアセンブリと；を有しており、
前記内側サブアセンブリによって生成したプラズマは、前記中間サブアセンブリによって生成されたプラズマとは異なる化学的性質の、部分的にイオン化されたガス又はガス混合物で構成され、
前記内側サブアセンブリは、前記中間サブアセンブリにより処理される前記物体の領域とは異なる特定の領域を処理する、
システム。
【請求項２】
前記中間サブアセンブリは、少なくとも６つの放電チャンバをさらに有する、
請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
制御装置は、前記内側サブアセンブリ及び前記中間サブアセンブリに特有の高周波出力Ｐｉ及び／又はガス流量ｎｉを適用することによる特定のパラメータに依存して、前記内側サブアセンブリ及び前記中間サブアセンブリを制御する、
請求項１又は２に記載のシステム。
【請求項４】
前記内側サブアセンブリ及び前記中間サブアセンブリは、同心リングに沿って配置されている、
請求項１乃至３のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項５】
少なくとも８〜１６の放電チャンバを含み、第３の独立制御される高周波出力Ｐｉ及び第３の独立制御される流量ｎｉのガスｉが供給される外側サブアセンブリをさらに有する、
請求項１乃至４のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項６】
少なくとも２つの異なる材料（Ａ，Ｂ）を含む複合物体の選択的プラズマ処理プロセスであって、該プロセスによって、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のシステムの処理が実行され、前記プロセスは、以下のステップを含む：
前記内側サブアセンブリにより第１プラズマを生成して、該第１プラズマを用いて物体を処理するステップと；
前記中間サブアセンブリにより第２プラズマを生成して、該第２プラズマを用いて物体を処理するステップと；を含む、
プロセス。
【請求項７】
請求項５に記載のシステムの外側サブアセンブリにより第３プラズマを生成して、該第３プラズマを用いて前記物体を処理するステップをさらに含む、
請求項６に記載のプロセス。
【請求項８】
前記プラズマを生成するステップは、選択的に繰り返される、
請求項６又は７に記載のプロセス。
【請求項９】
複合物体のエッチング処理を構成する請求項６又は７に記載のプロセスであって、複合物体は、異なる材料（Ａ，Ｂ）から構成される少なくとも２つの層を含んでおり、材料（Ａ）の層は、材料（Ｂ）の層を少なくとも部分的に覆っており、前記プロセスは；
材料Ｂを表面に含む前記複合物体の少なくとも第１領域（３１）の第１プラズマを用いる第１処理であって、該第１処理は、第１プラズマを用いて、材料Ｂのパッシベーション層又は活性層を構成する、第１処理と；
材料Ａを表面に含む前記複合物体の少なくとも第２領域（３２）の第２プラズマを用いる第２処理であって、該第２処理は、第２プラズマを用いて、材料Ａを部分的に又は全体的に除去するステップから構成される、第２処理と；を含んでおり、
材料Ａが全体的に除去されたときに、材料Ｂを表面に含む領域（３２）の形成をもたらすことができ、
前記プロセスは、第１プラズマを用いて活性化又は不動態化のステップを行うか、或いは第２プラズマを用いて除去するステップのいずれかで開始することができる、
プロセス。
【請求項１０】
第１プラズマを用いる第１処理及び第２プラズマを用いる第２処理は、材料Ａの所望の除去が得られるまで、第１プラズマを用いる第１処理及び第２プラズマを用いる第２処理のシーケンスを複数回繰り返すように、０．５秒〜１２０秒の間で、好ましくは２〜３０秒の間で周期的に変化するように、交互に実行される、
請求項９に記載のプロセス。
【請求項１１】
除去の継続時間に対する、活性化又はパッシベーション・ステップの継続時間の比が、０．１〜１０の間、好ましくは０．５〜２の間で変化する、
請求項９に記載のプロセス。
【請求項１２】
第１の材料（Ａ）は、窒化ケイ素Ｓｉ３Ｎ４であり、第２の材料（Ｂ）は、酸化物ケイ素ＳｉＯ２である、
請求項９に記載のプロセス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ表面処理の分野に関する。
プラズマによる表面処理は、本発明の意味では、様々なタイプの用途に使用されると理解される。
用途としては、特に材料（具体的には、感光性樹脂、金属、誘電性物質、又は半導体等の材料）の除去（すなわち、エッチング）から構成される用途を挙げることができる。シリコン基板又は層（レイヤ）の孔やトレンチ等のエッチング構造体は、典型的には、フォトリソグラフィにより感光性樹脂にプリントされた表面パターンに従った、金属、誘電体、又は他の物質から構成されており、このアプリケーションは、犠牲層を除去することから構成される。
【０００２】
用途としては、残渣及び汚染物質の洗浄、又は表面の活性化（すなわち、「極表面(extreme  surface)」の物理的及び／又は化学的改質である）、又は表面の不動態化（極表面の物理的及び／又は化学的侵襲に対する防御である）から構成される用途を挙げることができる。
これらの用途は、特にマイクロエレクトロニクス及び半導体の分野だけではなく、例えばフラットスクリーンや太陽光発電パネルの製造にも関係する。
【背景技術】
【０００３】
プラズマは、電気的に帯電した荷電種（イオンと電子）だけでなく、電気的に中性であるが、非常に高い化学的反応性を示す活性種、つまりフリーラジカルを含む部分的にイオン化されたガスである：これらの活性種には、電子的に「励起された」状態であるが、電子を失っていない状態の原子や分子がある。これらのラジカル及び／又はイオン、及び制御された真空環境によって、プラズマは、材料の堆積、エッチングや除去についてのユニークな可能性を提供する。
【０００４】
現時点では、半導体の表面処理について２つのタイプの主要なプラズマ技術が存在している：それは、マイクロ波プラズマと誘導結合プラズマとである。これらの技術はそれぞれ、利点と不利点とを示す。
【０００５】
マイクロ波プラズマの主な利点は、高密度の活性化学種（１０１７ｃｍ−３より大きい）を生成する能力によってもたらされる。しかしながら、この技術は、プラズマ源の複雑性や処理の不均一性等の多数の不都合を示す。プラズマ源は、多数の部品（導波管、マグネトロン等）の垂直方向アセンブリを必要とし、またこのプラズマ源は、著しいバルクを生成し、そのバルクは容認できないものである。さらに、プラズマ源は、（ガス流に対して）上流側であって、処理チャンバの中央に位置決めされており、これによって、活性プラズマ種の密度に不十分な均一性が生じ、従って、（処理チャンバに位置決めされる）基板の処理を、（活性種の密度が非常に高い）チャンバの中心と、（活性種の密度が非常に低い）その縁部との間で行っている。また、このタイプのプラズマ源は、非常に高い電力だけでなく、非常に高いガス流量を必要とするという不都合を示す。これら全ての不都合によって、このプラズマ処理は高価なものになっており、信頼性を困難なものしており、制御することを困難にしている。
【０００６】
誘導結合プラズマやＩＣＰは、マイクロ波プラズマよりも実装が容易である：この技術は、マイクロ波技術よりも、簡易で、安価で、より容易に制御可能である。しかしながら、この技術の主な不都合は、この技術により得られる化学的活性種の低い密度（約１０１５ｃｍ−３）によってもたらされる。また、マイクロ波プラズマと同様に、ＩＣＰプラズマは、（活性種の密度が高い）チャンバの中心と、（活性種の密度が低い）その縁部との間での活性種の密度の不均一性の問題に悩まされる。すなわち、ＩＣＰプラズマでは、表面処理が不均一なものになる。ユーザによって要求される処理速度を満たすには、非常に高価である高出力ＲＦ発生装置の使用が必要となり、この発生装置は、使用されるガスの加熱をもたらす。最後に、処理チャンバの設計に依存して、ＩＣＰ源によって生成されるプラズマは、自発的（ＲＩＥモード（反応性イオンエッチング））かどうかによって、基板（例えば半導体ウェハ）に著しいイオン照射を誘導する。
【０００７】
従って、現在のプラズマ技術が遭遇する主要な問題の１つには、活性種の密度の不均一性と、その結果による、基板のサイズの増大（又はスケールアップ）に適合するような装置の設計とがある。実際には、直径２００ミリメートル（ｍｍ）の基板から直径３００ｍｍの基板への移行は、前々から困難であり、プラズマ技術を組み入れる機器メーカーにとって非常にコストがかかるものであった。この基板サイズの変化は、実際には、誘導結合プラズマ源（又はＩＣＰ）又はマイクロ波源に拘わらず、プラズマ源のサイズのかなりの増大を必要とし、且つディフューザ又は磁石等の雑多な部品の追加によって、人為的に均一性の欠如を招いていた。従って、これら２つの技術（ＩＣＰ及びマイクロ波）は、そのユーザや半導体の製造業者にとって、今日、非常に高価で且つ手間がかかるものである。直径３００ｍｍの基板から直径４５０ｍｍの基板への移行の実現可能性は、従って、依然として解決されないままである複雑な問題である。
【０００８】
また、ＩＣＰ及びマイクロ波源は、生成された活性種のかなりの希釈とガスの非常に高い消費とを引き起こし、３０％を超えないようなガスの解離速度となる。これらのエネルギー源は、単一の方法で使用される：単一のエネルギー源が、処理チャンバ毎に使用され、エネルギー源のサイズは、処理体積に比例する。これら全ては、高出力で作動する膨大なエネルギー源の実装が必要となり、基板上に望ましくない熱影響が形成され、これらシステムのコストを大幅に増加させる。これらの２つのタイプのエネルギー源の中で、マイクロ波プラズマは、化学的活性種の点では最も密度が大きいが、プロセスの制御が困難である。
結果として、中程度の密度の化学的活性種のＩＣＰプラズマ技術が、今日支配的である。
【０００９】
また、プラズマは、電気的に中性であるフリーラジカル以外の、半導体デバイスに損傷を与えるようなイオン、電子、及び高エネルギー光子の形態のＵＶ放射を含んでいる。半導体デバイスは、ナノメートルスケールの微細化に伴い、この損傷に対して益々影響を受け易くなる。
【００１０】
基板（又は「ウェハ」）上の金属の存在によって、マイクロ波と結合するリスクが発生し、この金属は、コンポーネントに損傷を与えるような非常に高い温度に加熱される。これは、（頭字語ＭＥＭＳによっても示されるような）微小電気機械システムの超高感度の構造体だけでなく、次世代の半導体に実装されるような三次元アセンブリ及び相互接続の場合にも該当する。
【００１１】
最後に、集積回路の製造の枠組みの中では、特に薄い層のスタックの形態で存在するような、非常に様々な材料のアセンブリから構成されるプラズマ処理による半導体デバイスが知られている。集積回路を半導体デバイスから製造するために、プラズマ処理は、単一の材料に作用させて、アセンブリの他の材料に影響を及ぼさないようにこの他の材料は残さなければならない。これは、選択性(selectivity)と呼ばれる。この特性は、この時点では、コンポーネントの性能を低下させるような十分な問題にならない。
【００１２】
（集積回路ウェハを製造するために使用される通常の基材である）シリコンウェハ上に集積回路を製造するために、今日のナノメートルスケールでの集積回路の集積レベルでは、露出された他の材料を消耗することなく、非常に高感度の表面処理の新技術が必要となる。
【００１３】
選択性の問題は、金属グリッド及び「高誘電率(high-k)」タイプの誘電体グリッドと、「低誘電率(low  k)」タイプの誘電体の相互接続ネットワークとのスタックを使用する場合に特に重要である。これらの材料は、物理化学的変質や材料の損失を特に受けやすい。
【００１４】
現在まで、表面処理に伴う材料のわずかな損失は、その損失が、回路の性能にマイナスの影響を与えないならば、許容されており、且つ主要な目的は、全ての望ましくない材料や汚染物質をきれいに落とすことであった。今日では、表面処理、具体的には剥離及び洗浄において、寸法及び／又は材料の変化によって、集積回路の性能に直接的に影響が生じ得る。従って、表面処理の追加の目的は、これらの変化を最小限に抑えるとともに、制御することである。
【００１５】
従って、選択性の問題は、特に論理要素、典型的なマイクロプロセッサ、及びメモリ回路についての集積回路のサイズの減少及び新しい材料の使用により、益々顕在化する。
【００１６】
こうして、現在のプラズマ技術は、４つの主要な不都合に悩まされている：それらの不都合とは、イオン化種によるデバイスへの損傷、特にＩＣＰプラズマについての化学的活性種の低い密度、低い均一性、及び選択性の欠如である。
【００１７】
従って、これらの欠点、不都合、及び従来技術の障害を補償する、特にプラズマ処理の選択性を増大させるとともに、３００又は４５０ｍｍ等の特に大口径の基板についてのプラズマ処理の均一性を改善することを目指すようなプラズマ処理システムの実際の必要性が存在している。
【００１８】
当業者であれば、例えば米国特許出願公開第２００５／０１７８７４６号明細書に記載されるような複数のプラズマ源を用いたプラズマ処理システムを知っている。このシステムは、化学的に均質な同じプラズマを放出するような複数のプラズマ源を並列に配置することによって、プラズマ処理の均一性を改善することを目的としている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
従って、本発明は、物体のプラズマ処理用のシステム及びこれらの不都合を解決するであろう装置を実現するプロセスを提供するような主題を有している。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
これらの欠点及び不都合を解決するために、出願人は、真空処理チャンバと、独立したサブアセンブリで構成された複数のプラズマ源であって、各サブアセンブリは、化学的に異なるプラズマを発生させる、プラズマ源とを含むようなプラズマ処理システムを開発した。
【００２１】
より具体的には、本発明は、物体のプラズマ処理のためのシステムという主題を有しており、当該システムは：
処理すべき物体が配置されるような支持体を含む真空処理チャンバと；
少なくとも２つのサブアセンブリであって、各サブアセンブリは、プラズマの生成を可能にするような少なくとも１つのプラズマ源を含んでおり、サブアセンブリの各プラズマ源には、高周波電力Ｐｉ及び流量ｎｉのガスｉが独立して供給される。
【００２２】
本発明によれば、サブアセンブリによって生成されるプラズマは、他のサブアセンブリ、又は複数のサブアセンブリによって生成されたプラズマとは異なる化学的性質の、部分的にイオン化されたガス又はガス混合物で構成される。
【００２３】
有利には、サブアセンブリの各プラズマ源は：
ガス導入システムと；
例えばチューブの形態で、プラズマに対して不活性な材料で作られた放電チャンバと；
高周波（ＲＦ）出力を放電チャンバへ結合するための装置と；
ガス排出口と；を有する。
【００２４】
有利には、制御装置は、各サブアセンブリに特有の高周波電力Ｐｉ及び／又はガス流量ｎｉを適用することによる特定の構成に依存して、各サブアセンブリを制御する。
有利には、各サブアセンブリは、サブアセンブリの各プラズマ源のガス導入口に接続されたこのサブアセンブリに特有のガス導入口を含む。
有利には、各サブアセンブリは、サブアセンブリの各プラズマ源の結合装置に接続された導体要素を有する。
【００２５】
有利には、サブアセンブリは、同心リングとして配置されている。
有利には、サブアセンブリは、並列に配置されている。
有利には、各サブアセンブリは、少なくとも２つのプラズマ源を有しており、各プラズマ源は、直列に配置された少なくとも２つの放電チャンバを有する。
【００２６】
本発明は、少なくとも２つの異なる材料（Ａ，Ｂ）を含む複合物体を処理するための選択的なプラズマ処理方法という主題も有している。このプロセスによって、本発明による処理システムが実行され、このプロセスは、以下のステップを含む：
第１のサブアセンブリにより第１プラズマを生成して、第１プラズマを用いて物体を処理するステップと；
第２のサブアセンブリにより第２プラズマを生成して、第２プラズマを用いて物体を処理するステップと；を含む。
【００２７】
複合物体ごとに、本発明によって規定されるように、非常に異なる性質の材料から構成されるアセンブリは、特に薄膜のスタックの形態を取ることが可能であることが理解される。本発明のプロセスによって処理することが可能である複合物体の例として、半導体装置、具体的にはトランジスタ構造や、1つ又は複数の酸化ケイ素ＳｉＯ２層で覆われ、且つ窒化ケイ素Ｓｉ３Ｎ４で覆われた集積回路の材料及び他の構成要素を含むシリコンウェハを挙げることができる。
【００２８】
有利には、プラズマを生成するステップは、交互に、或いは部分的に又は全体的に重複させて繰り返され、好ましくは、多くとも２５％だけステップを部分的に重複させて繰り返される。
【００２９】
特に有利な実施形態によれば、本発明によるプロセスは、複合物体のエッチング処理から構成することができる。この複合物体は、異なる材料（Ａ，Ｂ）の少なくとも２つの層を含んでおり、材料Ａの層は、材料Ｂの層を少なくとも部分的に覆っており、当該プロセスは：
材料Ｂを表面に含む物体の少なくとも第１領域の第１プラズマを用いる処理であって、この処理は、第１プラズマを用いて、材料Ｂのパッシベーション・ステップ又は活性化ステップを構成する、処理と；
材料Ａを表面に含む物体の少なくとも第２領域の第２プラズマを用いる処理であって、この処理は、第２プラズマを用いて、材料Ａを部分的に又は全体的に除去するステップを構成する、処理と；を含んでおり、
材料Ａが全体的に除去されたときに、材料Ｂを表面に含む領域の形成をもたらすことができ、
このプロセスは、第１プラズマを用いてパッシベーション・ステップ又は活性化ステップを行うか、又は第２プラズマを用いて除去するステップのいずれかで開始するができる。
【００３０】
本発明のプロセスに応じて選択的にエッチングされる複合物体の例として、スペーサ（より具体的には、スペーサの薄膜化(thinning)又は除去）、ＳＴＩ(“Shallow  Trench  Isolation”）構造（より具体的には、ＳＴＩマスクの全体的な又は部分的な「引き戻し(pull  back)」除去）、酸化ケイ素ＳｉＯ２（材料Ｂ）の層の上に窒化ケイ素Ｓｉ３Ｎ４（材料Ａ）の層を含むトランジスタ及び高度なＣＭＯＳ回路（プロセッサ、メモリ）、を挙げることができ、シリコン窒化物は、大抵の場合、犠牲材料である。
【００３１】
本発明のプロセスのこの実施形態は、高い選択性と高いエッチング速度と結び付けるような主要な利点を提示する。
選択性は、本発明では、別の露出された材料又は処理中に露出される材料（ここでは材料Ｂ、例えばＳｉＯ２）のエッチング速度に対するターゲット材料（材料Ａ、例えばＳｉ３Ｎ４）のエッチング速度の比として理解される。ここで、材料Ｂは、理想的にはエッチングされるべきでない。
【００３２】
これは、本発明によるプラズマ処理等の「ドライ」タイプのプロセスと、例えばリン酸を用いた「ウェット」プロセスと、同じように重要である材料の除去（又はエッチング）のプロセスの基本的な特性である。
【００３３】
例えば、高度なＣＭＯＳ回路（プロセッサ、メモリ）の製造は、特にＳｉＯ２及び／又はＳｉと比較して、非常に高い選択性を有する窒化ケイ素Ｓｉ３Ｎ４の除去を必要とする：Ｓｉ３Ｎ４の除去では、他の材料に損傷を与えてはならない。この際に、窒化ケイ素を除去するこのステップを実施するために使用される２つのプロセスは、一方は、リン酸を用いる「ウェット」プロセスであり、他方は、ガス混合物ＣｘＦｙＨｚ／Ｏ２／Ｈ２／Ｎ２を含むフッ化炭素プラズマを用いる「ドライ」プラズマ処理である。これらの現在のプロセスでは、典型的にはちょうど５０であるような、窒化ケイ素の除去の非常に高い選択性を達成することができない。
【００３４】
また、Ｓｉ３Ｎ４スペーサの製造は、以前に堆積されたＳｉ３Ｎ４層の方向性エッチングによって行われる。科学的な研究論文誌、”Plasma  Etch  Challenges  for  FinFET  transistor”  published  by  the  company  Lam  in  the  journal,  Solid  State  Technology  −  April  2012  (pages  15,  16,  17,  and  26)によれば、現在のエッチングプロセスの主な難しさは、シリコン基板を消耗することなく、非常に特殊な形状を有するスペーサを得ることにある。この目的を達成するために、この文献で提案された解決策は、プラズマ条件を調節すること（「プラズマパラメータの時間変調」）から構成されている。例えば、同期パルスは、約１００マイクロ秒の期間で、ＲＦ源の出力と、基板キャリアのＲＦ出力とのスイッチのオン／オフ切替えから構成される手法である。このタイプの方向性エッチングは、多くの場合、スペーサの後の工程の除去で使用される。しかしながら、そのようなプロセスは、スペーサの下部におけるシリコンの損失だけでなく、活性領域の縁部やグリッドの縁部等の隣接パターンのファセット面形成を誘発する不都合を提示する。
【００３５】
本発明によるエッチングプロセスは、従来技術の不都合を解決し、且つ高い感度と高いエッチング速度とを結び付けることを可能にする。
【００３６】
有利には、第１プラズマを用いる処理と第２プラズマを用いる処理のステップは、材料Ａの所望の除去が得られるまで、これらプラズマ処理ステップのシーケンスを複数回繰り返すように、０．５秒〜１２０秒の間で、好ましくは２〜３０秒の間で周期的に変化するように、交互に行われる。
有利には、除去の継続時間に対する、活性化ステップ又はパッシベーション・ステップの継続時間の比が、０．１〜１０の間、好ましくは０．５〜２の間で変化する。
【００３７】
本発明の主題は、上記で規定したようなエッチングプロセスによって得られるようなエッチングされた複合物体である。この複合物体は、特に、集積回路ウェハ、又はフラットスクリーン用基板、又は太陽電池用基板、又は電子プリントデバイス用基板とすることができる。
本発明の他の利点及び詳細は、非限定的な例として与えられる添付の図面を参照して、以下の詳細な説明から明らかになる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】従来技術のプラズマ処理システムに対応するような実施形態による処理チャンバの断面の機能図である。
【図２】図１に示されるシステムのプラズマ源の断面の機能図である。
【図３】本発明の実施形態による、２つの独立したサブアセンブリ内のプラズマ源の構成を示す斜視機能図である。
【図４】直列に配置された２つの放電チャンバを有する、本発明の別の実施例によるプラズマ処理システムのプラズマ源の斜視機能図である。
【図５】比較例２に実装されている、従来技術のプラズマエッチング装置を示す図である。
【図６】比較例３に実装されている、従来技術の別のプラズマエッチング装置を示す図である。
【図７】図６（比較例３）の装置によって実施されるプロセスによって得られる選択性とエッチング速度とを示す図である。
【図８】比較例３において実施されるプロセス中に測定されるガス混合物の関数として、エッチング速度と選択性との進展を示す図である。
【図９】本発明による実施例において実現される、本発明による装置の２つのプラズマ源アセンブリの使用法を示す図である。
【図１０】本発明による実施例において実現される、本発明による装置の２つのプラズマ源アセンブリの使用法を示す図である。
【図１１Ａ】図１０の２つのサブアセンブリの動作のタイミングチャートを示す図である。
【図１１Ｂ】図１０の２つのサブアセンブリの動作のタイミングチャートを示す図である。
【図１１Ｃ】図１０の２つのサブアセンブリの動作のタイミングチャートを示す図である。
【図１２】図９及び図１０に概略的に示された装置で実施される、本発明による実施例で説明されるプロセスで得られた結果を示す図である。
【図１３】図９及び図１０に概略的に示された装置で実施される、本発明による実施例で説明されるプロセスで得られた結果を示す図である。
【図１４】図９及び図１０に概略的に示された装置で実施される、本発明による実施例で説明されるプロセスで得られた結果を示す図である。
【図１５】絶縁複合構造体の製作について、シリコン窒化物と重複するようなシリコン酸化物の層上に表される本プロセスに従ったエッチングの結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
図１に示されるように、従来技術によるプラズマ処理用の装置は、様々な要素から構成される：それら要素は、処理チャンバ１０、プラズマ源２０１，２０２，２０３から構成されるアセンブリ２０、ガスを拡散する及び／又は各プラズマ源によって生成された損傷を与えるような種から処理チャンバ１０を隔離するようなシステム３０、ガス閉じ込めシステム３１、及びポンプシステム４０を含む。処理チャンバ１０は、プラズマで形成された活性種と相互作用しないように、且つ所望の部品の処理に適合した形状と相互作用しないように、特別に処理された材料のチャンバから構成されている。そのチャンバ１０は、チャンバの工業的利用を可能にするような円筒形、立方体、又は他の形態とすることができる。処理チャンバの一方の面は、投入(loading)されるように意図されている。その一方の面は、「ドア」である。他方の面は、種を入力するように意図されており、その他方の面には、プラズマ源２０１，２０２，２０３が取り付けられており、大抵の場合、プラズマ源の反対側の又はチャンバ１０の基部の別の面は、チャンバをポンピングするように意図されている。
【００４０】
図２に示されるような各プラズマ源は、ここでは、ガス導入システム２５と、チューブ２０１，２０２，２０３の形態の放電チャンバと、プラズマに対して不活性であり且つ上流側でチューナー及びＲＦ発生装置に接続された複数のコイルを含む結合装置２６（例えば、アンテナ）を介して誘導による高周波電力の伝達を最適化するような直径の材料と、図示しないが、下流側の絶縁放電コンデンサとから構成される。
【００４１】
プラズマの形成及びガスを循環させるために必要な処理チャンバ１０内の真空吸引は、ポンプ４０を用いてポンピングすることによって得られる。ポンプ４０は、例えば、チャンバ１０の基部に接続された粗引きポンプ又はターボ分子ポンプであり、大抵の場合、プラズマ源２０１，２０２，２０３に対向している。活性種に富むガスは、ポンプされる前に、チャンバ１０内を循環する。
【００４２】
図３には、本発明に係る処理システムの実施形態による、２つの独立したサブアセンブリ２１，２２でのプラズマ源の構成を示す機能斜視図が示されている。図３に示される実施形態では、サブアセンブリ２１，２２は、同心リングに従って配置されている。しかしながら、他の構成も、得ようとする所望の最終結果に応じて可能である。
【００４３】
各サブアセンブリ２１，２２は、プラズマを生成するのを可能にする少なくとも１つのプラズマ源を含む。図３は、各サブアセンブリが、サブアセンブリ２１用の３つのプラズマ源２１０，２１１及び２１２と、サブアセンブリ２２用の３つのプラズマ源２２０，２２１及び２２２とを含むことを示している。サブアセンブリ２１では、各プラズマ源は、（ここではチューブの形態の）単一の放電チャンバを有しており、一方、サブアセンブリ２２では、各プラズマ源２２０，２２１及び２２２は、（ここでもチューブ：図４に示されるようなチューブ２２０１及び２２０２の形態である）直列に配置された２つの放電チャンバを有する。
【００４４】
サブアセンブリの各プラズマ源には、高周波電力Ｐｉ及び流量ｎｉを有するガスｉが独立して供給される。サブアセンブリ（例えば、サブアセンブリ２１）によって生成されるプラズマは、他方のサブアセンブリ２２によって生成されるプラズマとは異なる化学的性質の、部分的にイオン化されたガス又はガス混合物である。
制御装置は、高周波電力及び各サブアセンブリに特有のガス流量ｎｉの適用による特定の構成に依存して、サブアセンブリ２１，２２のそれぞれを制御する。
【００４５】
本発明によるプラズマ処理システムは、特に処理すべき部品の中心部と縁部との間で処理の均一性を制御できるようにするために、異なる高周波電力及び／又はガス流量をプラズマ源の各サブアセンブリに適用することによって、プラズマ源を互いに独立して制御することを可能にしている。
【００４６】
異なるプラズマ源２１０，２１１，２１２，２２０，２２１，２２２は、有利には、ここでは小口径チューブの形態である小型の放電チャンバを含むような小さなサイズで構成されており、こうして、（プラズマ源が、ここではチューブの形態の単一の放電チャンバである場合に）サブアセンブリ内での多重化(multiplication)又は（プラズマ源が、直列に配置された放電チャンバを有する場合に）プラズマ源の加重化を可能にする。
【００４７】
加えて、プラズマ源の多重化によって、処理チャンバ内のサブアセンブリによって生成される活性種の数を増加させることが可能になる。また、処理を最適化して、大口径ウェハの均質化も可能にする。実際には、ディフューザ・コーンの重複及び／又はそれらコーンの重ね合わせを用いるようなプラズマ源のディフューザ・コーンの適切な組み合わせによって、及びチャンバのポンピングによるガスの循環を管理することによって、均一な処理面を得ることが可能である。
【００４８】
一方、これらのプラズマ源は、処理すべき形態に対応するように、その処理の最適化やその処理の均一性のために、様々な戦略的な場所に配置することができる。
独立したサブアセンブリ内のプラズマ源の構成、それらサブアセンブリの小さいバルク、並びにサブアセンブリ、ガス及び高周波電力の両方の独立した管理に関して、プラズマ処理システムにおいて、処理チャンバ内の様々な幾何学的領域に様々なサブアセンブリを割り当てることができる。これらの領域は、互いに独立しており、処理チャンバ１０内の局所的な活性種の挙動の制御を可能にするように、それら領域は、ガス及び高周波電力の両方で多少なりとも活性化される。
【００４９】
このように、領域で作動している及び独立したサブアセンブリと一緒に作動している際に、プロセスの配置(geometry)は、積極的に制御される。
この配置によって、基板全体に亘ってプロセスの均一性を制御することが可能になるのみならず、このプロセスは、追加の周辺領域を１つずつ追加することによって、処理すべき物体のサイズ（具体的には、直径３００ｍｍから４５０ｍｍのウェハ）を制限することなしに、発展させることができる。
【００５０】
直径３００ｍｍの基板又はウェハについて、処理システムは、例えば図３に示されるように、２つの同心リング内に配置された２つのサブアセンブリを含むように使用される。
中心リング２１は、プラズマ源の中心に配置されており、且つ高周波電力Ｐ１及びガス混合物が供給されるようなプラズマ源を含むような（ここでは、チューブ２１０，２１１及び２１２の形態の）３つの放電チャンバ（一般的に、１〜６個の放電チャンバ）で構成される。ガスの混合物は、例えば、Ｏ２，Ａｒ，ＣＦ４，ＣＨＦ３，ＮＦ３，Ｈ２Ｏ，Ｈ２，Ｃｌ２，ＣＦ３Ｂｒ，ＣｘＨｙＦｚから構成されており、ブロックＦ１で混合される。ここで、ブロックＦ１は、流量１．１のガス１、流量２．１のガス２、流量３．１のガス３等、最大流量ｎ．１のガスｎまでの混合操作を実施する。
【００５１】
第２リング２２は、中心リングを取り囲んでおり、この第２リングは、例えば、３つのプラズマ源（しかし好ましくは、４〜８個のプラズマ源）で構成されている。各プラズマ源が、直列に配置された２つの放電チャンバを有しており、リング２２は、中心リング２１と同心となる。リング２２の（ここでは、チューブの形態の）異なる放電チャンバには、高周波電力Ｐ２及びブロックＦ２で混合されたガス混合物が供給されており、ここでガス混合物は、Ｏ２，Ａｒ，ＣＦ４，ＣＨＦ３，ＮＦ３，Ｈ２Ｏ，Ｈ２，Ｃｌ２，ＣＦ３Ｂｒ，ＣｘＨｙＦｚの等の混合物であり、ブロックＦ２は、流量１．２のガス１、流量２．２のガス２、流量３．２のガス３等、最大流量ｎ．２のガスｎまでの混合操作を実施する。
【００５２】
また、３００ｍｍのウェハにおいて、３つ以上の領域を使用することも可能である。
直径４５０ｍｍのウェハについて、プラズマ源の１つ又はいくつかの同心リングは、有利には、同じ原理を使用して、均一性の要件に応じて、既存のものに追加することができる（各リングがサブアセンブリに対応する）。
【００５３】
例えば、前述のリング２２を取り囲むような第３のリング２３を使用することができる。このリング２３は、（ここではチューブの形態の）８〜１６個の放電チャンバを有する。チューブには、高周波電力Ｐ３及びブロックＦ３で混合されたガス混合物が供給され、このガス混合物は、例えば、Ｏ２，Ａｒ，ＣＦ４，ＣＨＦ３，ＮＦ３，Ｈ２Ｏ，Ｈ２，Ｃｌ２，ＣＦ３Ｂｒ，ＣｘＨｙＦｚ等の混合物であり、ブロックＦ３は、流量１．３のガス１、流量２．３のガス２、流量３．３のガス３等、最大流量ｎ．３のガスｎまでの混合操作を実施する。
【００５４】
プロセスの均一性は、ガス流量Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３、及び高周波電力Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３の観点からプラズマ源の異なる領域を独立に制御することによって保証される。
そのために、各リングは、プラズマ源のサブアセンブリに対応しており、サブアセンブリは、このサブアセンブリに特有のガス導入口を有しており、考慮されるサブアセンブリの各プラズマ源のガス導入口に接続される。制御装置は、各サブアセンブリのガス導入口でのガス流量を制御する。制御装置は、さらに、各サブアセンブリのガス導入口に注入されるガス混合物を制御する。
【００５５】
電気的な実装の観点から、各サブアセンブリは、ここでは、サブアセンブリの（ここでチューブの形態の）各放電チャンバのアンテナ２６に接続された導体要素を含む。制御装置は、サブアセンブリの導体要素に供給される高周波電力を制御する。
有利な構成によれば、さらに、基板は、処理速度を平均化するように回転され、こうして均一性を向上させる。
別の有利な構成によれば、陽極酸化アルミニウム又は石英の同心リングは、典型的には、各プラズマ源と処理すべき基板との間に追加され、典型的には、処理チャンバ１０の上部に追加される。これらのリングは、シャワーヘッドの形状となる。このようなシャワーヘッドは、現在、半導体製造装置で使用されており、化学種の注入を数百の注入点に亘って分配させる。そのようなリングは、その下面に、つまり処理すべき基板の反対側に貫通した小孔を有した状態で形成される。本発明の場合には、それらの小孔によって、処理の均一性がより一層向上し、さらには３００ｍｍ及び４５０ｍｍの基板を処理するために必要な放電チャンバの数を減らすことが可能になる。
【００５６】
別の有利な構成によれば、ガス流量及び高周波出力のパラメータは、プロセスの均一性に関して性能の測定値により調整される。
例えば分光法により直接的に又は厚さ測定により間接的に処理の局所的な性能を測定する装置を使用して、プラズマ源を多重化することによって、処理の無害性を保証しながら、速度、均質性、及び均一性の観点から処理の品質を最適化するように、プロセスを積極的に修正することが可能である。
【００５７】
このようなガス流量及び高周波出力のパラメータの調整は、例えば、閉サイクルの形態で、又はフィードフォワードサイクルの形態で行われる。
フィードフォワード調整は、ここでは、既に存在する非均一性を補償するべく処理パラメータを調整するように、処理に先立って、ウェハの表面の状態（例えば、樹脂の厚さ）を測定することから構成される。
閉サイクルは、ここでは、次のウェハを処理する前に、プロセスパラメータを調整するために、次に処理するウェハの表面の状態を測定することから構成される。
【００５８】
上述したプラズマ処理システムによってもたらされる利点は、特に、より良好な均一性及び処理速度の点での優れた効率である。また、プラズマ源の多重化によって、量、解離速度、化学組成の観点から活性種の流れ及び特定の作業領域に亘るエネルギーを独立して制御することが可能になり、こうして、鋭敏な成分の処理を積極的に補正することができる。従って、このシステムによって、サイズの制限なしに基板を処理することが可能になり、これは、洗浄及び剥離の用途を超えて、非常に大きな可能性を有する用途をもたらす。
【００５９】
このシステムによって、活性種のガス状フラックスの均一な分布を得ることも可能になる。これによって、現在の性能に比べて選択性を大幅に増加させながら、残りの洗浄及びエッチング速度の効率を向上させることが可能になる。
【００６０】
選択性は、別の露出された材料（例えば、酸化ケイ素ＳｉＯ２）のエッチング速度に対するターゲット材料（例えば、窒化ケイ素Ｓｉ３Ｎ４）のエッチング速度の比であり、ここで別の露出された材料（例えば、酸化ケイ素ＳｉＯ２）は、理想的には、エッチングされてはならない。選択性は重要であり、新世代の技術の出現と伴に、常に増加させなければならない。（ここではチューブの形態の）その複数の放電チャンバを有する装置によって、プラズマ処理の選択性を、ターゲット材料のエッチング速度と１つ以上の他の露出された材料のエッチング速度とを独立に制御することによって、増加させることが可能になる。この装置によって、無限の選択性を得ることが可能になる。
【００６１】
具体的には、サブアセンブリによって生成された剥離プラズマ及び別のサブアセンブリによって生成されたパッシベーション・プラズマの交互の使用又は部分的な重複によって、この選択性を実質的に増加させることが可能になる。
【００６２】
実施例
製品は：
・エッチングすべきターゲット材料として窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）の層によって覆われ、且つエッチングすべきでない材料として酸化ケイ素ＳｉＯ２の層によって覆われたシリコン半導体基板（ウェハ）、又は前述の材料の複合領域によって覆われたシリコン半導体基板（ウェハ）；
・酸化ケイ素ＳｉＯ２（エッチングすべきでない材料）の層によって覆われ、Ｓｉ３Ｎ４（エッチングすべきターゲット材料）の層によって覆われたシリコン半導体基板（ウェハ）；
・前述のスタックの複合領域を含むシリコン半導体基板（ウェハ）；
である。
【００６３】
試験：選択性の測定
選択性は、同じ処理時間後の、材料Ｂから除去された厚さに対して材料Ａから除去された厚さの比を取ることによって測定される。この比は、２つの材料のエッチング又は剥離速度の比の形式でも表現することができる。
【００６４】
比較例１
窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）層によって覆われたシリコンの基板と、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の層によって覆われたシリコンの基板とは、それぞれリン酸のウェット処理によってエッチングされる。
【００６５】
結果
５０：１の選択性が得られた。
【００６６】
比較例２
ＳｉＯ２のエッチング速度を決定するために、ＳｉＯ２のみで覆われたＳｉ基板、すなわちＳｉＯ２／Ｓｉが使用され、ここで、ＳｉＯ２が部分的に除去される。Ｓｉ３Ｎ４のエッチング速度を決定するために、Ｓｉ３Ｎ４のみで覆われたＳｉ基板、すなわちＳｉ３Ｎ４／Ｓｉ、又は最も頻繁にはＳｉＯ２上にＳｉ３Ｎ４を含むＳｉ基板、すなわちＳｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２／Ｓｉが使用され、ここで、Ｓｉ３Ｎ４が部分的に除去される。
【００６７】
このプロセスは、次に、Ｓｉ基板上の実際の構造に適用される。この実際の構造は、大抵の場合、複合体であり、つまりその複合体は、ＳｉＯ２領域及びＳｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２の領域で形成される。これら領域の幾何学的形状とトポログラフィー（地形）は、製造工程に依存する（図１５はその一例である）。
【００６８】
上述したような試験ウェハは、グルノーブルでのＰＥＳＭ２０１２会議でＩＭＥＣ  Ｒ＆Ｄセンター（ベルギー）によって提示されたような先行技術のプラズマ処理によってエッチングした。このプラズマエッチング処理は、図５に示すように、ＬＡＭ  ＲＥＳＥＡＲＣＨ社のエッチング装置で行った：この装置は、単一の放電チャンバと、単回の化学反応を含む。
【００６９】
結果は：
プラズマ（ガス混合物が使用された）      ＮＦ３／Ｏ２／ＣＨ３Ｆ
Ｓｉ３Ｎ４のエッチング速度ｖ１            ４４ナノメートル（ｎｍ）／分
ＳｉＯ２のエッチング速度ｖ２              ０．８ｎｍ／分
選択性      ｖ１／ｖ２                  ５５：１
である。
【００７０】
比較例３
出願人は、図６に示されるような（ここではチューブの形態の）いくつかの放電チャンバから構成されるプラズマ源を有する機器に基づいて、Ｓｉ３Ｎ４の選択的エッチング実験を行った。この装置では、放電チューブは、全て並列に接続されており、単一の発生装置によって制御された。その装置は、複数のチューブを独立して制御する、すなわち、異なるＲＦ出力を異なるチューブに適用することが不可能であった。Ｏ２，Ｎ２，ＣＦ４等のタイプの活性ガスが、放電チューブ内に注入される前に混合された。その装置は、異なるガスを異なるチューブに注入することも不可能であった。出願人によって使用されるプラズマ源は、複数の放電チューブから構成されているが、このプラズマ源は、従来のプラズマ源（マイクロ波又は誘導結合によるプラズマ源）と同様に、処理チャンバ内に単一タイプのプラズマを生成する。
【００７１】
図７は、異なるガス混合物の関数として、選択性とエッチング速度とを示している。この図は、以下のことを示している：
・Ｏ２の添加は、Ｓｉ３Ｎ４のエッチング速度を増大させる主要なパラメータである；
・Ｈ２の添加は、Ｓｉ３Ｎ４：ＳｉＯ２の選択性を大きく改善するが、Ｓｉ３Ｎ４のエッチング速度は、低いままである。
【００７２】
図８は、ガス混合物中のＨ２量の関数として、選択性とエッチング速度とを示している。これは、以下の点に注目されたい：
・Ｓｉ３Ｎ４のエッチング速度と、Ｓｉ３Ｎ４：ＳｉＯ２の選択性とは、密接に相関している：Ｓｉ３Ｎ４のエッチング速度は、ＳｉＯ２の選択性が増加するときに、減少する。（処理チャンバ内で単一のタイプのプラズマを生成する）従来のプラズマ源の構成でのその２つ（エッチング速度と選択性と）を無相関化することはできない；
・Ｓｉ３Ｎ４のエッチング速度は、１１０：１のＳｉ３Ｎ４：ＳｉＯ２の選択性について、約８０オングストローム（Å）／分である；
・Ｓｉ３Ｎ４のエッチング速度は、約３５：１のＳｉ３Ｎ４：ＳｉＯ２の選択性について、約２５０Å／分である。
【００７３】
従って、比較例では、高い選択性と高いエッチング速度とを結び付けることは不可能であることを実証する（図８に示される結果及び比較例２を参照）。
【００７４】
本発明による実施例１
前述したような、シリコン酸化物で覆われた及び／又はシリコン窒化物で覆われた（Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２）シリコンの基板を、本発明の実施形態によるプラズマエッチング処理を用いてエッチングした。このエッチング処理は、所望の結果が得られるまで、次の基本的な２つのステップを繰り返すことを含む：
・パッシベーション・ステップ：このステップは、エッチング・ステップ中に起こる化学的侵襲から特定の表面を保護（又は「不動態化」）するのに役立つ。パッシベーション・ステップは、ＣｘＦｙＨｚ（例えば、ＣＦ４，Ｃ４Ｆ８，Ｃ２Ｆ６，ＣＨＦ３，ＣＨ３Ｆ等）のタイプの例のポリマーを基材上に堆積するステップから構成される；
・除去又はエッチング・ステップ：このステップは、部分的に又は完全にのいずれかで、材料を除去（「エッチング」）するのに役立つ。このステップ２の間に、パッシベーション層を部分的に又は全体的に除去することができる；
各ステップの継続時間は、数十秒のオーダーとは言わないまでも、数秒のオーダーであり、非常に短く０．１秒のオーダーとすることができる。
【００７５】
このプロセスは、（ここでは、図９のチューブ１及び２で示される）異なるプラズマ源の２つのサブアセンブリを含むような本発明によるプラズマ処理装置を用いて実現される。各チューブによって、（図１０に示されるような）本発明のステップ（パッシベーション又はエッチング）が実施される。各プラズマ源の動作のタイムチャートが、図１１Ａ、図１１Ｂ及び図１１Ｃにそれぞれ示されており、図１１Ａでは、重複することなく除去及びパッシベーションのステップを交互に行う、図１１Ｂでは、部分的に重複した状態で、除去及びパッシベーションのステップを行う、図１１Ｃでは、全体的に重複させた状態で、除去及びパッシベーションのステップを行うことを示す。
【００７６】
図１２〜図１４に示されるように、
−説明される処理によって、ＳｉＯ２の見かけの消耗なしに、Ｓｉ３Ｎ４のエッチング速度を制御することが可能になる；
−Ｓｉ３Ｎ４のエッチング速度は、ＣＦ４／Ｏ２／Ｈ２プラズマを用いる約７００：１のＳｉ３Ｎ４：ＳｉＯ２の選択性について、約１２０Å／分である。
【００７７】
従って、これらの試験は、本発明によるプラズマエッチング処理によって、Ｓｉ３Ｎ４のエッチング速度及びＳｉＯ２のエッチング速度を独立して制御することが可能になり、こうして非常に高い選択性が得られることを実証する。
【００７８】
本発明によるエッチング試験の実験条件は、下記に詳述しており、且つ図１１Ａ、図１１Ｂ及び図１１Ｃに示している。
チューブ毎に使用されるプロセス：値    最小    最大の順に記載する。
【００７９】
パッシベーション・ステップ（チューブ２）：
条件１
−ＲＦ出力＝    １２０Ｗ          ８０      ３６０
−流量ＣＦ４＝  ４０ｓｃｃｍ      ２０        ８０
−流量Ｈ２＝    １３.５ｓｃｃｍ      ５        ３０
−ｔＯＮ２＝    ２０秒              ２        ３５
−期間２＝      ３５秒              ３        ８０
又は、
条件２
−ＲＦ出力＝    ３６０Ｗ          １２０    ３６０
−流量Ｃ４Ｆ８＝  ４５ｓｃｃｍ        ２０      ５０
−流量Ｏ２＝      ５ｓｃｃｍ          ０        ２０
−ｔＯＮ２＝      ２０秒              ２        ３５
−期間２＝        ３５秒              ３      ８０
又は、
条件３
−ＲＦ出力＝    ２４０Ｗ          １２０    ３６０
−流量Ｃ２Ｆ６＝  ３０ｓｃｃｍ        ３０      ７０
−流量Ｏ２＝      ０ｓｃｃｍ          ０          ５
−ｔＯＮ２＝      ２０秒              ２        ３５
−期間２＝        ３５秒              ３      ５０
である。
【００８０】
除去ステップ（チューブ１）
条件１
−ＲＦ出力＝    １２０Ｗ          １２０    ３６０
−流量ＣＦ４＝  ４０ｓｃｃｍ        ２０      ８０
−流量Ｏ２＝    ５ｓｃｃｍ            ０      １０
−ｔＯＮ１＝    １５秒                １      ３５
−期間１＝      ３５秒                ３      ８５
又は、
条件２
−ＲＦ出力＝      ２４０Ｗ          １２０    ３６０
−流量ＣＨＦ３＝  ４０ｓｃｃｍ          ０      １００
−流量Ｏ２＝      ３０ｓｃｃｍ          ０        ６０
−ｔＯＮ１＝      １５秒                １        ３５
−期間１＝        ３５秒                ３      ８５
である。
【００８１】
その他のパラメータ：
−基板温度＝    １３５℃〜１５０℃の間
−圧力＝        ２６．７Ｐａ（２００ミリトル）〜１３３．３Ｐａ（１トル）
−総処理時間＝  １分〜３分
−ＲＦ出力＝    ５０〜５０００Ｗ／放電チューブ  複数の放電チューブから構成されるサブアセンブリについて５０００Ｗまで
−ガス流量＝    ６×１０−５ｍ３／ｈ（１ｓｃｃｍ）〜０．３ｍ３／ｈ（５０００ｓｃｃｍ）
−ｔＯＮ＝      ０．１秒〜３０秒
である。
【００８２】
本発明の枠内で使用できる他のプラズマガス：
・パッシベーション・ステップについて：Ｈ２を含む又は含まない、Ｎ２を含む又は含まない、ＣＦ４，ＣＨＦ３，ＣＨ３Ｆ，Ｃ２Ｆ６，Ｃ４Ｆ８，ＣＦ３Ｂｒ，ＨＢｒ、及びこれらの混合物；
・エッチング・ステップについて：Ｏ２を含む又は含まない、Ｎ２を含む又は含まない、ＣＦ４，ＣＨＦ３，ＣＨ３Ｆ，ＮＦ３，Ｃｌ２，ＨＢｒ，ＳＦ６、及びこれらの混合物；
・添加ガス：Ｏ２，Ｎ２，Ａｒ，Ｈ２，Ｘｅ，Ｈｅ
である。
【００８３】
本発明による実施例２
シリコン酸化物で覆われた及び／又はシリコン窒化物で覆われたシリコンから構成された基材から、ＳＴＩ（シャロートレンチ分離）構造と呼ばれる複合体の製造用のマスクとして機能する、窒化ケイ素Ｓｉ３Ｎ４の層を選択的にエッチングした。
これを行うには、実施例１の条件１で実施されるパッシベーション及び除去のステップのシーケンスは、それぞれ７秒及び１５秒間に亘って、８回繰り返した。除去前の複合体の構造が、図１５Ａ（左）に示されており、処理後の複合体の構造が、図１５Ｂ（右）に示されている。窒化ケイ素Ｓｉ３Ｎ４は、１５１として参照されており、シリコン酸化物は、１５３として参照される。窒化ケイ素のサプレッション(suppression)が注目されるが、酸化ケイ素は、損傷を受けずにそのままである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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