(57)【要約】【解決手段】垂直発光ダイオード（ＬＥＤ）は、金属基材(70)、前記金属基材に結合したｐ−電極(72)、前記ｐ−電極に結合したｐ−接点(74)、前記ｐ−電極に結合したｐ−ＧａＮ部(76)、前記ｐ−ＧａＮ部に結合した活性領域(78)、前記活性領域に結合したｎ−ＧａＮ部(82)、及び、前記ｎ−ＧａＮ部に結合した蛍光体層を備えている。【選択図】図１０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直発光ダイオード（ＬＥＤ）構造であって、
ｐ−ＧａＮ層の近傍に堆積された金属基材と、
前記ｐ−ＧａＮ層に結合した、光を発するための活性領域と、
前記活性領域に結合したｎ−ＧａＮ層と、
前記ｎ−ＧａＮ層に結合した蛍光体層と、
を備えた発光ダイオード構造。
【請求項２】
前記金属基材は、電解化学めっき、無電解化学めっき、スパッタリング、化学蒸着、電子ビーム蒸着および溶射のうちの少なくとも一つを用いて堆積されている、請求項１に記載の発光ダイオード構造。
【請求項３】
前記金属基材は、銅、ニッケル、アルミニウム、及びそれらの合金のうちの少なくとも一種を含んでなる、請求項１に記載の発光ダイオード構造。
【請求項４】
前記金属基材と前記ｐ−ＧａＮ層との間に設けられたｐ接点を更に備えており、このｐ接点は光反射体を具備する、請求項１に記載の発光ダイオード構造。
【請求項５】
前記蛍光体層は、スピンコーティングされている、請求項１に記載の発光ダイオード構造。
【請求項６】
前記蛍光体層は、前記ｎ−ＧａＮ層上にスピンコーティングされた蛍光物質の粉体組成物を備えている、請求項５に記載の発光ダイオード構造。
【請求項７】
前記蛍光物質の粉体組成物は、一種類以上の有機化学物質と混合された蛍光体粒子を備えている、請求項６に記載の発光ダイオード構造。
【請求項８】
前記蛍光体層はパターン形成されている、請求項１に記載の発光ダイオード構造。
【請求項９】
前記蛍光体層はドライエッチングされている、請求項１に記載の発光ダイオード構造。
【請求項１０】
前記蛍光体層を介して前記ｎ−ＧａＮ層に結合した金属結合パッドを更に備えている、請求項１に記載の発光ダイオード構造。
【請求項１１】
前記蛍光体層は前記ｎ−ＧａＮ層の表面に接触している、請求項１に記載の発光ダイオード構造。
【請求項１２】
前記ｎ−ＧａＮ層の表面は実質的に平滑かつ平面的である、請求項１１に記載の発光ダイオード構造。
【請求項１３】
前記蛍光体層の厚みはほぼ均一である、請求項１に記載の発光ダイオード構造。
【請求項１４】
垂直発光ダイオード（ＬＥＤ）構造であって、
ｐ−ＧａＮ層の近傍に堆積された金属基材と、
前記ｐ−ＧａＮ層に結合した、光を発するための活性領域と、
前記活性領域に結合したｎ−ＧａＮ層と、
前記ｎ−ＧａＮ層に結合した第１の蛍光体層と、
前記第１の蛍光体層に結合した第２の蛍光体層と、
を備えた発光ダイオード構造。
【請求項１５】
前記第１及び第２の蛍光体層のうちの少なくとも一方はパターン形成されている、請求項１４に記載の発光ダイオード構造。
【請求項１６】
前記ｎ−ＧａＮ層の表面は実質的に平滑かつ平面的である、請求項１４に記載の発光ダイオード構造。
【請求項１７】
前記第１の蛍光体層の厚みはほぼ均一である、請求項１４に記載の発光ダイオード構造。
【請求項１８】
前記第２の蛍光体層の厚みはほぼ均一である、請求項１７に記載の発光ダイオード構造。
【請求項１９】
前記金属基材は、電解化学めっき、無電解化学めっき、スパッタリング、化学蒸着、電子ビーム蒸着および溶射のうちの少なくとも一つを用いて堆積されている、請求項１４に記載の発光ダイオード構造。
【請求項２０】
垂直な発光ダイオード（ＬＥＤ）構造であって、
ｐ−ＧａＮ層の近傍に堆積された金属基材と、
前記ｐ−ＧａＮ層に結合した、光を発するための活性領域と、
前記活性領域に結合したｎ−ＧａＮ層と、
前記ｎ−ＧａＮ層に結合した第１の蛍光体層と、
前記第１の蛍光体層に結合した第２の蛍光体層と、を備え、
前記第１の蛍光体層は、前記第２の蛍光体層の蛍光組成物の場合とは異なる色に対して感光性がある蛍光組成物を有してなる、ことを特徴とする発光ダイオード構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［関連出願の説明］
本出願は、２００５年１月１１日に出願された米国特許出願第１１／０３２８５３号の分割出願であり、その内容を本願に援用する。
【０００２】
本発明は概ね、発光ダイオードおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
発光ダイオード（ＬＥＤ）技術の進歩は、ＬＥＤに小体積、軽量、高効率および長寿命という特徴を結果的にもたらした。これらのＬＥＤは、赤、青および緑のような異なった単色の出力において大きな進歩を見せた。単一色のＬＥＤは、例えば、携帯電話や液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）等の特殊なディスプレイにおけるバックライトとして使用できる。
【０００４】
最近では、発光ダイオードを使って白色光源を作るべく様々な試みがなされている。発光ダイオードは、単色光を発生するに好適な発光スペクトルを有するので、白色光の光源を作るには、Ｒ，Ｇ，Ｂの３つの発光コンポーネント（発光要素）を互いに近接配置する一方でそれらから発される光の放散及び混合を必要とする。そのような配置で白色光を発生するときには、発光コンポーネントの色調、輝度、及びその他の要因（要素）のばらつきのために、所望の色調の白色光が発生され得ないという問題点が存在した。また、発光コンポーネント（発光要素）が異なる材料でできている場合には、駆動（作動）のために必要な電力が、一つの発光ダイオードと別の発光ダイオードとで異なり、発光コンポーネント（発光要素）ごとに異なる電圧をかけることが必要になり、それは駆動回路の複雑化を招くものであった。さらに、発光コンポーネント（発光要素）が半導体発光要素であることから、温度特性、経年変化および動作環境の違いのために色調が変化しやすく、あるいは、発光コンポーネント（発光要素）により発された光の均一混合の不調のために色の不均一性が生ずることがある。このように、発光ダイオードは、個々の色を発生する発光装置としては効果的であるけれども、発光コンポーネント（発光要素）を使って白色光を出すことが可能な満足の行く光源は、今までのところ得られていない。
【０００５】
米国特許第５９９８９２５号は、発光層として半導体を使用する発光コンポーネント（発光要素）、及び、発光コンポーネントから発された光の一部を吸収して吸収光とは異なる波長の光を発する蛍光体（蛍光物質）を有する白色発光ダイオードを開示する。ここで、前記発光コンポーネント（発光要素）の発光層は窒素化合物半導体である。また、前記蛍光体は、Ｙ，Ｌｕ，Ｓｃ，Ｌａ，Ｇｄ及びＳｍからなる群から選択される少なくとも一種の元素、並びに、Ａｌ，Ｇａ及びＩｎからなる群から選択される少なくとも一種の元素を含有するところのセリウムで活性化されたガーネット蛍光物質を含んでおり、長時間にわたる高輝度での使用においても、発光特性の劣化を生じにくくしている。
【０００６】
図１は、前記９２５特許に開示されたリード（線）型のＬＥＤを示す。この発光ダイオードは、マウントリード（実装リード）２及びインナーリード４を有するリード（線）型のＬＥＤである。ここで、発光コンポーネント（発光要素）８はマウントリード２のカップ６に設けられており、そのカップ６は、発光コンポーネント（発光要素）８を覆う特定の蛍光物質を含んだコーティング樹脂１４で満たされると共に、樹脂でモールドされている。発光コンポーネント（発光要素）８のｎ電極およびｐ電極は、ワイヤ１２でそれぞれマウントリード２及びインナーリード４に接続されている。上述のように構成された発光ダイオードでは、発光コンポーネント（発光要素）（ＬＥＤチップ）８により発される光の一部（以下、「ＬＥＤライト」と言う）は、コーティング樹脂１４に含まれる蛍光物質を励起し、ＬＥＤライトとは異なる波長を持った蛍光を発生させ、その結果、蛍光物質により発される蛍光と、蛍光体の励起に寄与することなく出力されるＬＥＤライトとが混ざって出力される。結果的に、発光ダイオードは、発光コンポーネント（発光要素）８によって発されたＬＥＤライトとは異なる波長を持った光をも出力する。
【０００７】
図２は、９２５特許に開示されたチップの一実施例を示す。チップ型ＬＥＤ２６は、ケーシング２２の凹部内に配設され、その凹部はコーティング２８を形成すべく特定の蛍光物質を含有するコーティング物質で満たされている。発光コンポーネント（発光要素）２６は、例えばＡｇ（銀）を含有するエポキシ樹脂等を使って固定されており、発光コンポーネント（発光要素）２６のｎ電極およびｐ電極は、ケーシング２２に設けられた金属端子２２に対し導電ワイヤ２４によって接続されている。上述のように構成されたチップ型の発光ダイオードでは、図１のリード（線）型の発光ダイオードと同様に、蛍光物質により発される蛍光光と、蛍光体によって吸収されることなく投光されるＬＥＤライトとが混ざって出力され、その結果、発光ダイオードは、発光コンポーネント（発光要素）２６によって発されたＬＥＤライトとは異なる波長を持った光をも出力する。
【０００８】
米国特許第６６４２６５２号は、蛍光物質の単層又は複数層の如き発光物質構造で覆われた第III族窒化物発光ダイオードのような発光デバイスを含む光源を開示する。発光物質構造の厚みの変化（ばらつき）は、発光物質構造の平均厚さの１０％以下である。いくつかの実施例では、発光物質構造の厚みは、発光デバイスの断面寸法の１０％未満である。いくつかの実施例では、発光物質構造は、発光デバイスから発された光が通過する唯一の発光物質である。いくつかの実施例では、発光物質構造は約１５ミクロン厚から約１００ミクロン厚である。発光物質構造は、例えば刷り込み(stenciling)や電気泳動析出によって発光デバイス上に選択的に堆積される。
【０００９】
前記６５２特許に従って蛍光物質でコーティングされたＬＥＤが図３に示されている。図３のＬＥＤは、サファイア、ＳｉＣまたはIII（族）窒化物のような基材４２に接して形成されたｎ型領域４４を含む。活性領域４６がｎ型領域４４に接して形成され、ｐ型領域３６が活性領域４６に接して形成されている。ｎ型領域４４、活性領域４６およびｐ型領域３６は典型的には多層構造である。ｐ型領域３６、活性領域４６およびｎ型領域４４の一部はエッチングで取り除かれ、ｎ型領域４４の一部を露出させる。ｐ型接点３４がｐ型領域３６に接して堆積され、ｎ型接点３８がｎ型領域４４の露出部分に堆積される。そしてＬＥＤはひっくり返され、はんだのような材料３２でサブ・マウント３０に載置される。
【００１０】
米国特許第６７４４１９６号は、第１の波長の光を発するＬＥＤチップを備える薄膜ＬＥＤデバイスと、放出光の色を変えるＬＥＤチップ上の色付きの薄膜層とを開示する。例えば、青色発光のＬＥＤチップは白色光を生み出すために使用され得る。色付きの薄膜層は好ましくは、有機金属化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）、原子層化学蒸着（ＡＬＤ）、プラズマ増強ＭＯＣＶＤ、プラズマ増強ＡＬＤ、及び／又は、光増強ＣＶＤのような化学蒸着を用いて堆積される、好適にはＺｎＳｅ，ＣｅＯ２，Ａｌ２Ｏ３，またはＹ２Ｏ３Ｃｅからなる。図４に示すように、Ｎ接点５０は反射層５２の下方に位置する。色付き層（蛍光物質層）５３は反射層５２の上方に位置する。続いて第１の保護層５４が形成され、半透明のｐ接点５６が形成される。第１の保護層５４および接点５６の上方には第２の保護層５８が形成される。導電ワイヤ６０はｐパッド６２に接続され、そのｐパッドはｐリード６４の上に位置する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】米国特許第５９９８９２５号
【特許文献２】米国特許第６６４２６５２号
【特許文献３】米国特許第６７４４１９６号
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【００１２】
垂直発光ダイオード（ＬＥＤ）は、金属基材、前記金属基材に結合したｐ−電極、前記ｐ−電極に結合したｐ−ＧａＮ部、前記ｐ−ＧａＮ部に結合した活性領域、前記活性領域に結合したｎ−ＧａＮ部、及び、前記ｎ−ＧａＮ部に結合した蛍光体層を備える。
【００１３】
上記ＬＥＤの適用（実現）には、次に示す１以上の手順が含まれる。ミラー層を持った金属基材がｐ−ＧａＮ部の上部に形成され、レーザーリフトオフ（ＬＬＯ）、選択的ウェットエッチングあるいは化学的機械的研磨を用いて、サファイアの支持体が除去される。ｐ接点は光反射体でもある。蛍光物質の粉体またはペーストを用いて、蛍光体層をスピンコーティングまたはスクリーン印刷することができる。蛍光体層はフォトレジストのようなマスキング材１０１を使ってパターン形成され、フッ素含有プラズマを用いてドライエッチングされる。そして、ＰＶＤ、電子ビーム蒸着またはＣＶＤのような各種の技術を用いて、Ｃｒ／Ｎｉのような金属層（Ｃｒ／Ｎｉ）９９が適用されてｎ−ＧａＮとの接点を形成する。レジスト１０１が除去され、結合パッド９８を形成するために金属層９９の不要領域をリフトオフ(lift-off)した後に、金属結合パッド９８がｎ−ＧａＮとの接点として形成される。これは「レジストリフトオフ技術」と呼ばれている。蛍光体層および結合パッドは露出したｎ−ＧａＮ表面８０を覆う。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の利点として、以下に述べる１つ以上のものがあげられる。
露出したｎ−ＧａＮ部（層）８０を持った上記ＬＥＤウエハー表面は、引き続く処理プロセスのためにほぼ平滑で平面的なものとなっている。この方法は、ウエハーレベルで青色ＬＥＤ上の蛍光体を、露出したｎ−ＧａＮ表面の上面に直接コーティングすることによって白色ＬＥＤを製造するコストを、一度に一つのＬＥＤダイを形成する従来方法に比べて低減する。この方法は、露出したｎ−ＧａＮ表面のみを覆うことにより各ダイに必要とされる蛍光物質の量を低減する。これらのＬＥＤは、ウエハーの結合または接着を必要とせず、しかも、複雑で長ったらしいウエハー結合／接着プロセスは、例えば、物理蒸着（ＰＶＤ）、化学蒸着（ＣＶＤ）、プラズマ増強ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、蒸散（蒸発）、イオンビーム蒸着、電解化学析出（又は蒸着）、無電解化学析出（又は蒸着）、プラズマスプレー、あるいはインクジェット堆積などのあまり複雑でないプロセスで置き換えられる。ｎ−ＧａＮの導電性は良好であるから、ｎ電極用に半透明接点は必要とされない。その結果として、ＬＥＤデバイスからはより多くの光が出力される。更に、デバイスの各面にはたった一つの電極が必要とされるだけなので、ＬＥＤ電極はあまり光を遮らない。加えて、電流がｎ電極からｐ電極に均一に伝わることができ、ＬＥＤの性能が高まる。更に、金属基材はサファイア基材よりももっと熱を放散する（逃がす）ことができ、従って、ＬＥＤ駆動により多くの電流を利用することができる。本発明で得られるＬＥＤは、より小さなサイズでもって従来のＬＥＤに取って代わることができる。ＬＥＤサイズが同じであるとして、垂直ＬＥＤから出力された光は、同じ駆動電流でも従来のＬＥＤよりもはるかに強いものである。
【００１５】
本発明の他の特徴点、技術的コンセプトおよび目的をよりよく理解するために、以下の実施形態および添付の図面を参照することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、各種先行技術のＬＥＤを示す。
【図２】図２は、各種先行技術のＬＥＤを示す。
【図３】図３は、各種先行技術のＬＥＤを示す。
【図４】図４は、各種先行技術のＬＥＤを示す。
【図５】図５は、本発明の一実施形態に従う垂直ＬＥＤの第１実施形態を示す。
【図６】図６は、蛍光体コーティングを具備した図５のＬＥＤを示す。
【図７】図７は、フォトレジストマスキング層を伴ってパターン形成された蛍光体コーティングを示す。
【図８】図８は、図７のパターン形成された蛍光体コーティング上に堆積された金属接触（点）層を示す。
【図９】図９は、パターン形成された金属結合パッドおよびＬＥＤウエハーを覆う蛍光体コーティングを示す。
【図１０】図１０は、蛍光体被覆された複数のＬＥＤを示す。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
次に、添付の図面を参照しつつ本発明の各種実施形態を説明する。この詳細な説明を読むにあたり、添付の図面を同時に参照すると共に、図面は詳細な説明の一部であると理解されたし。
【００１８】
図５は、垂直ＬＥＤウエハーの一実施形態の典型的構造を示す。各ＬＥＤは、レーザーリフトオフプロセスで作られた金属製の基材７０を含む。ｐ電極７２は金属基材７０上に配置される。次にｐ電極７２の上に、光反射及びｐ接点７４と、ｐ−ＧａＮ部７６とが配置される。活性層７８（複量子井戸 multi-quantum well (MQW)を含む）が形成され、その活性層７８の上にはｎ−ＧａＮ部８２が形成される。ｎ−ＧａＮは露出面８０を有する。
【００１９】
このＬＥＤは、サファイアのような支持基材上に多層エピタキシャル構造を堆積すること、前記多層エピタキシャル構造の上に少なくとも一つの金属層を堆積すること、及び、支持基材を除去して金属基材７０を残すことによって形成される。金属層は、電解化学析出（又は蒸着）、無電解化学析出（又は蒸着）、ＣＶＤ（即ち化学蒸着）、ＭＯＣＶＤ（即ち有機金属ＣＶＤ）、ＰＥＣＶＤ（即ちプラズマ増強ＣＶＤ）、ＡＬＤ（即ち原子層化学蒸着）、ＰＶＤ（即ち物理蒸着）、蒸散（蒸発）、若しくはプラズマスプレー、又は、これら技術の組み合わせを用いて堆積され得る。金属層は単層または多層のいずれでもよい。一実施形態では、Ａｇ／Ｐｔ、Ａｇ／Ｐｄ、またはＡｇ／Ｃｒがミラー層として使用され、Ｎｉが金のバリヤーとして使用され、金は、バルク基板として用いられる銅めっきのためのシード層として使用される。ミラー層（例えばＡｇ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ｃｒ）が堆積され、その後、前記ミラー層の上には、Ｎｉ又はＣｕのような金属の電解又は無電解化学析出よりも前に、酸素を伴うＴｉＮ，ＴａＮ，ＴｉＷＮ，ＴｉＷのようなバリヤー層が形成される。銅の電解化学析出については、ＣＶＤ，ＭＯＣＶＤ，ＰＶＤ，ＡＬＤまたは蒸散プロセスを用いてシード層が堆積される。他にもあるが、銅に対するシード物質のいくつかは、数あるなかでも特に、Ｗ，Ａｕ，ＣｕまたはＮｉである。各金属層は、同じ組成又は異なる組成を持つものでよく、様々な堆積技術を用いて堆積される。他にもあるが、支持基材の除去は、レーザー、エッチング、研削／粗研磨、又は、化学的機械的研磨もしくはウェットエッチングを用いてなされ得る。
【００２０】
サファイア基板は、レーザーリフトオフ（ＬＬＯ）技術を使って除去できる。多層エピタキシャル層は、金属めっき層に結合した反射金属層を持つことができる。保護層８１は、反射金属層７４、ｐ電極７２、ｐ−ＧａＮ部７６、ＭＱＷ７８及びｎ−ＧａＮ部８２に結合するＬＥＤダイの側壁を保護（不動態化）している。ｐ−ＧａＮ層は保護層に結合され、ｎ−ＧａＮ層はＭＱＷ層に結合され、ｎ電極はｎ−ＧａＮ層に結合されており、金属めっき層は（それ自体が）ｐ電極であるか、金属めっき層に結合したｐ電極を有している。
【００２１】
図６は、垂直ＬＥＤ上の蛍光体コーティング９０を示す。ＬＥＤウエハーは実質的に平滑かつ平面的であるので、ウエハーレベルの蛍光体コーティングは均一でありＬＥＤ投光面８０に対して平行である。活性層から発された青色光は蛍光体層を同じ距離又は光路を伝わるので、ＬＥＤのフィールドパターン上に色環（色とりどりのリング）は存在しない。加えて、ＬＥＤの厚さ（ＧａＮ層の総膜厚は約２〜８μｍ）は、投光面８２（５０μｍより大）によりずっと小さい。光は主に上面から発され、若干の光が側壁から出て、蛍光体層９０の不均一な厚さから生ずる問題点を極力小さくする。
【００２２】
蛍光体層９０はスピンコーターを用いて形成され得る。蛍光体層９０は、ｎサイドアップ（ｎ側が上面方向である）垂直ＬＥＤウエハーの層厚を制御すべく５００〜３００００ｒｐｍで回転するスピンコーターによってコーティングされ得る。スピンコート法に加えて、スクリーン印刷、ローラー法またはディッピング（浸し塗り）法のごときその他の手法が使用できる。特に、所定の均一な膜厚を得るために、好ましくはスピンコート法が使用される。蛍光物質が基材上にコーティングされた後、コーティングされた膜が乾燥される。膜の湿気が蒸発する限り、乾燥方法は限定されない。従って、輻射熱ランプのようなヒーター、乾燥空気または表面処理を使った様々な方法が使用され得る。これに代えて、コーティングされた膜は長時間にわたり室温環境に放置することで乾燥されてもよい。
【００２３】
蛍光体コーティングを作るために、蛍光物質の粉体組成物が用意される。この目的のために、例えば、分散剤が精製水に分散され、分散物がホモミキサーでかき混ぜられると共に前記分散剤が分散された精製水の中に入れられ、混合物がかき混ぜられる。蛍光物質の粉体組成物では、水が分散媒として用いられ得る。蛍光物質の粉体組成物は、分散剤または保持剤としてのアルコールを含んでもよく、重クロム酸アンモニウム(ammonium bi-chromate)が感光性ポリマーとして使用されてもよい。蛍光物質の粉体は、その分散性や接着性を改善するために製造プロセスにおいて表面処理されてもよい。蛍光コーティング材料は、当該コーティング材料の粘度を調整すべく、アルコール、エアロゾル、バインダー物質あるいはエポキシ樹脂のような有機化学物質に混合した蛍光性元素で構成されている。白色光ＬＥＤのＣＩＥ配位(CIE coordination)を反復的に変えるべく、厚みは、材料粘度およびスピン回転速度によって調整することができる。次に、フォトレジスト層１０１が適用され、接触（点）パターンで露出され、そして蛍光体層９０がエッチングされる。エッチングには、ドライエッチング法を含んでもよい。
【００２４】
図７は、マスキングフォトレジストマスキング層でパターン形成（又はパターン化）された蛍光体層を示す。パターン形成された蛍光体層９６は、露出したｎ−ＧａＮ表面８０上に形成される。蛍光体層９６は、ドライエッチングプロセスを用いてパターン形成することができる。ドライエッチングプロセスでは、耐光性マスクが蛍光体薄膜の上に置かれ、この薄膜を電界内で腐食性ガスにさらす。マスクは、蛍光体セグメントの寸法に対応した耐光性のストリップ（帯状片）を含んでもよい。エッチングの結果は、接点開口部用の複数の開口部の形成であり、これらの開口部（接点開口）は、あとでＮｉ／Ｃｒ（Ｎｉはｎ−ＧａＮと接触している）のような接点金属層９９を堆積するためのものである。
【００２５】
図８では、Ｎｉ／Ｃｒ（Ｎｉはｎ−ＧａＮと接触している）のような接点金属層９９が、フォトレジストマスキング層の上部に堆積され、蛍光体層９６と結合されると共に、ｎ−ＧａＮ８０と接触状態にある。金属層９９は、ＣＶＤ，ＰＶＤまたは電子ビーム蒸着を用いて堆積され得る。
【００２６】
図８では、結合パッド９８がパターン形成された蛍光体層９６の上方に形成されて、ｎパッドを形成している。結合パッドメタル９８は、希釈したＫＯＨのような水溶液を使ったフォトレジストマスキング層１０１の除去の際に、リフトオフ技術によって形成される。蛍光体コーティング及び結合パッドのためのプロセスは置換可能である。ここで、ｎ−ＧａＮ接点金属９９はパターン形成され、ドライエッチングされ、最初にフォトレジストマスキング層により保護される。その後、希釈したＫＯＨのような水溶液を使って、結合パッド９８を保護するフォトレジストマスキング層１０１を除去する際に、リフトオフ技術によって蛍光体層９６が適用され、パターン形成される。
【００２７】
図１０は、複数の白色ＬＥＤチップを示す。蛍光コーティングされたＬＥＤウエハーは、サイの目状にカットされて白色チップにされる。各チップは、チップのレベルでは蛍光物質を追加せずに直接的にパッケージされ得る。蛍光体コーティングは、ウエハーレベルプロセスのｎサイドアップ・垂直ＬＥＤに統合（一体化）される。そして、白色光ウエハーが、レーザー又はのこぎりによりカットされて、分離した白色ＬＥＤチップにされる。
【００２８】
単一の蛍光体層について上述したけれども、多層の蛍光体層が用いられてもよい。例えば、赤色感光蛍光粉組成物（蛍光物質スラリー）が全面に塗布され、光に晒されて現像され、緑色感光蛍光粉組成物（蛍光物質スラリー）が全面に塗布され、光に晒されて現像され、そして、青色感光蛍光粉組成物（蛍光物質スラリー）が全面に塗布され、光に晒されて現像されてもよい。
【００２９】
本発明は、例示として、好ましい実施形態の形で説明されているけれども、発明はそれらに限定されないと理解されるべきである。それどころか、各種の改変例、並びに、類似の設計および手順をカバーすることが意図されており、それ故、そのような全ての改変例、並びに、類似の設計および手順を包含するように、添付の特許請求の範囲（請求項）は最も広く解釈されるべきである。
【符号の説明】
【００３０】
７０…金属基材、７２…ｐ電極、７４…光反射およびｐ接点、７６…ｐ−ＧａＮ部、７８…活性層、８２…ｎ−ＧａＮ部、９０，９６…蛍光体層、９８…結合パッド。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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