(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上端面から下方に延在する部分を有する連通孔が形成されている導電性の基体と、
前記連通孔のうち前記基体の上端面から下方に延在する部分の側面に対して側面が全周にわたって密着している筒状の絶縁性のマシナブルセラミックスからなる成形体と、
前記基体のおよび前記成形体のそれぞれの上端面を被覆し、前記成形体の中空部に連通する貫通孔を有するセラミックスコーティング膜からなる保護層と、を備え、
前記成形体の中空部および前記保護層の貫通孔を含むように通気経路が構成されている静電チャックであって、
前記成形体のうち、前記通気経路に面している部分の少なくとも一部の表面粗さＲａが０．１〜１．０［μｍ］の範囲に含まれていることを特徴とする静電チャック。
【請求項２】
請求項１記載の静電チャックにおいて、
前記成形体の内側面および下端面の環状の境界部分が面取り加工されていることを特徴とする静電チャック。
【請求項３】
請求項１または２記載の静電チャックにおいて、
前記成形体の内側面が段差部分を有し、当該段差部分が面取り加工されていることを特徴とする静電チャック。
【請求項４】
請求項１〜３のうちいずれか１つに記載の静電チャックにおいて、
前記成形体が、その上端面の面積が下端面の面積よりも大きくなるように形成されていることを特徴とする静電チャック。
【請求項５】
請求項１〜４のうちいずれか１つに記載の静電チャックにおいて、
前記成形体が、前記保護層との熱膨張係数の偏差が−３［ｐｐｍ］〜＋３［ｐｐｍ］の範囲内であるマシナブルセラミックスからなることを特徴とする静電チャック。
【請求項６】
絶縁性のマシナブルセラミックスを筒状または柱状に成形することで成形体を作製する工程と、
金属からなる基体において上端面から下方に延在する部分を有するように形成されている連通孔に対して前記成形体をその上端面が露出するように圧入し、前記連通孔のうち前記基体の上端面から下方に延在する部分の側面に対して全周にわたって前記成形体の外側面を密着させる工程と、
前記基体および前記成形体のそれぞれの上端面に、溶射によりセラミックコーティング膜からなる保護層を形成する工程と、
前記成形体が柱状である場合、前記成形体にその軸線方向に貫通し、前記保護層の貫通孔に連通する中空部を形成する工程と、
前記保護層をその厚み方向に貫通し、前記成形体の中空部に連通する貫通孔を形成する工程と、
内側面および下端面のそれぞれの少なくとも一部を、表面粗さＲａが０．１〜１．０［μｍ］の範囲に含まれるように仕上げ加工する工程と、を含むことを特徴とする静電チャックの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエハ等の基板を保持する静電チャックに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハなどの基板のプラズマ処理に際して、当該基板を保持するために用いられる静電チャックには、当該基板の周囲に対してヘリウムガスなどを供給するための通気経路が設けられている場合、この通気経路においてアーキング（異常放電）が発生する可能性がある。
【０００３】
そこで、アルミニウム等の導電性のプレートの開口に嵌め込まれたアルミナ等からなる誘電体チューブと、当該チューブの一端部を覆う多孔質性のアルミナ等からなる誘電体層によりガス流路を構成することが提案されている（特許文献１参照）。チューブの一端部および誘電体層の密着性の向上のため、当該チューブとしてマシナブルセラミックスからなるチューブを採用することが提案されている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第５１４０５１６号公報
【特許文献２】特許第５４４９７５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、マシナブルセラミックスに含有されているナトリウム等の物質により、基板のコンタミネーション（汚染）が生じる可能性がある。
【０００６】
そこで、本発明は、アーキングの発生を防止しながらも保持対象である基板のコンタミネーションの防止を図りうる静電チャックを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上端面から下方に延在する部分を有する連通孔が形成されている導電性の基体と、前記連通孔のうち前記基体の上端面から下方に延在する部分の側面に対して側面が全周にわたって密着している筒状の絶縁性のマシナブルセラミックスからなる成形体と、前記基体のおよび前記成形体のそれぞれの上端面を被覆し、前記成形体の中空部に連通する貫通孔を有するセラミックスコーティング膜からなる保護層と、を備え、前記成形体の中空部および前記保護層の貫通孔を含むように通気経路が構成されている静電チャックに関する。
【０００８】
本発明の静電チャックは、前記成形体のうち、前記通気経路に面している部分の少なくとも一部の表面粗さＲａが０．１〜１．０［μｍ］の範囲に含まれていることを特徴とする。
【０００９】
本発明の静電チャックによれば、成形体の中空部およびこれに連通する保護層の貫通孔により構成される通気経路におけるアーキングの発生が、成形体によって防止または抑制されうる。成形体がマシナブルセラミックスからなるので、その上端面とセラミックスコーティング膜からなる保護層との密着性の向上が図られている。成形体において通気経路に面する部分の少なくとも一部の表面粗さＲａが０．１〜１．０［μｍ］の範囲に含まれている。これにより、マシナブルセラミックスが含有する材料が通気経路を通じて基板の周囲に供給されることによる当該基板におけるコンタミネーションの発生が抑制されうる。
【００１０】
前記静電チャックにおいて、前記成形体の内側面および下端面の環状の境界部分が面取り加工されていることが好ましい。前記成形体の内側面が段差部分を有し、当該段差部分が面取り加工されていることが好ましい。
【００１１】
当該構成の静電チャックによれば、当該面取り加工がされていない場合と比較して、基板のコンタミネーションを発生させる事態がより確実に防止または抑制されうる。
【００１２】
前記静電チャックにおいて、前記成形体が、その上端面の面積が下端面の面積よりも大きくなるように形成されていることが好ましい。
【００１３】
当該構成の静電チャックによれば、成形体の上端面および保護層の密着性の向上が図られる。成形体において通気経路に面する部分の表面積が低減されることにより、吸着対象となる基板のコンタミネーションを発生させる事態がより確実に防止される。
【００１４】
前記静電チャックにおいて、、前記保護層との熱膨張係数の偏差が−３［ｐｐｍ］〜＋３［ｐｐｍ］の範囲内であるマシナブルセラミックスからなることが好ましい。
【００１５】
当該構成の静電チャックによれば、成形体および保護層の間の熱膨張の差の低減が図られるので、当該差の過大によって保護層が成形体から剥離する可能性の低減が図られるので、当該剥離に伴う基板のコンタミネーションが確実に抑制される。
【００１６】
本発明の静電チャックの製造方法は、絶縁性のマシナブルセラミックスを筒状または柱状に成形することで成形体を作製する工程と、金属からなる基体において上端面から下方に延在する部分を有するように形成されている連通孔に対して前記成形体をその上端面が露出するように圧入し、前記連通孔のうち前記基体の上端面から下方に延在する部分の側面に対して全周にわたって前記成形体の外側面を密着させる工程と、前記基体および前記成形体のそれぞれの上端面に、溶射によりセラミックコーティング膜からなる保護層を形成する工程と、前記成形体が柱状である場合、前記成形体にその軸線方向に貫通し、前記保護層の貫通孔に連通する中空部を形成する工程と、前記保護層をその厚み方向に貫通し、前記成形体の中空部に連通する貫通孔を形成する工程と、内側面および下端面のそれぞれの少なくとも一部を、表面粗さＲａが０．１〜１．０［μｍ］の範囲に含まれるように仕上げ加工する工程と、を含むことを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１実施形態としての静電チャックにおける通気経路の構成説明図。
【図２】本発明の第２実施形態としての静電チャックにおける通気経路の構成説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
（構成（第１実施形態））
図１には、本発明の第１実施形態としての静電チャックのうち、当該静電チャックが有する複数の通気経路のうち一の通気経路の周辺部分のみが示されている。静電チャックは、全体的には略円板形状に形成され、複数の通気経路は当該円板と中心を同じくする同心円に沿って断続的に配置されている。静電チャックは、半導体製造装置またはフラットパネルディスプレイ製造装置などにおいて、シリコンウエハ等の基板を固定するために用いられる。静電チャックは、基体１、成形体２および保護層４を備えている。
【００１９】
基体１は、金属（たとえば、ＡｌもしくはＴｉ）または金属−セラミックス複合体（たとえば、Ａｌ−ＳｉＣ複合体もしくはＳｉ−ＳｉＣ複合体）などの導電性材料により形成されている。基体１には、その上端面から下端面まで下方に延在する直径２〜１０［ｍｍ］程度の断面円形状の連通孔１０が形成されている。連通孔１０は、基体１の上端面から下方に延在する部分を有していればよく、たとえば中空構造の基体１の内部に形成された横方向に延在する中空空間から分岐する経路に連通する孔であってもよい。連通孔１０の断面形状は円形のほか、楕円形、矩形または三角形などの任意の形状が採用されてもよい。基体１には、連通孔１０をその下部から上部にかけて徐々に拡径させる段差が設けられている。当該段差は複数あってもよいし、省略されてもよい。連通孔１０がその軸線方向について断続的にではなく連続的にその径または面積が変化するような形状であってもよい。
【００２０】
成形体２はガラス、酸化物セラミックスまたは非酸化物などをマトリックスとし、雲母、窒化ホウ素などをフィラーとする、マコール、ホトベール、アルマタイト、シェイパル、ホトベールＩＩ（いずれも登録商標）などの絶縁性のマシナブルセラミックスからなる。
【００２１】
特に、成形体２および保護層４との熱膨張の差が過大になって保護層４が成形体２から剥離する可能性を低減させる観点から、保護層４に対する熱膨張係数の偏差が−３［ｐｐｍ］〜＋３［ｐｐｍ］での範囲に含まれるようなマシナブルセラミックスにより成形体２が構成されていることが好ましい。保護層４がＡｌ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3およびＺｒＯ2のそれぞれからなる場合、その熱膨張係数は８［ｐｐｍ］、７．３［ｐｐｍ］および９〜１０［ｐｐｍ］のそれぞれである。これらの場合、成形体２は熱膨張係数９．３［ｐｐｍ］のマコールまたは熱膨張係数８．５［ｐｐｍ］のホトベールからなることが好ましい。
【００２２】
成形体２は、上部が下部よりも大径である略二段円筒状であり、その上端面２０１の面積は、下端面２０２の面積よりも大きくなるように形成されている。成形体２の断面形状は、円形のほか、楕円形、矩形または三角形などであってもよい。上端面２０１の面積が下端面２０２の面積よりも大きくなるような成形体２の形状としては、たとえば、下底が上端面２０１を構成し、上底が下端面２０２を構成する略錘台状であってもよい。錘台が二段重ねされた形状であってもよい。成形体２の内側面２００および下端面２０２の表面粗さＲａが０．１〜１．０［μｍ］の範囲に含まれるように仕上げ加工されている。当該表面粗さＲａが０．１［μｍ］未満になるまで成形体２の表面加工をすることは困難であり、莫大な費用および時間がかかることになるため、その下限値は０．１［μｍ］であることが好ましい。
【００２３】
成形体２の外側面が基体１の連通孔１０の側面に対して全周にわたり、かつ、当該円筒の全長にわたり密着している。成形体２の上端面２０１の位置は、基体１の上端面の位置と同一であるが、当該位置が相互にずれていてもよい。成形体２は連通孔１０に圧入され、その結果生じる応力で連通孔１０の側面において基体１に対して密着している。接着剤を用いて、成形体２および連通孔１０の側面接着させることも可能である。シリコーン接着剤などを用いることができるが、その際には保護層４との密着性も考慮して接着剤を選ぶ必要がある。
【００２４】
成形体２には、基体１の段差に相当する位置で外径をその下部から上部にかけて徐々に拡径させる外側段差２１１が設けられている。成形体２には、内径（中空部２０の径）を断続的に縮径させるような内側段差２１２が設けられている。外側段差２１１および内側段差２１２の高さ位置は同じであってもよく、外側段差２１１のほうが内側段差２１２より上に位置してもよく、内側段差２１２のほうが外側段差２１１より上に位置してもよい。外側段差２１１および内側段差２１２の少なくとも一方が複数あってもよいし、省略されてもよい。
【００２５】
成形体２の中空部２０のうち上部（細穴）の直径は、アーキング発生防止の観点から０．５［ｍｍ］以下、特に０．２［ｍｍ］以下であることが好ましい。中空部２０の小径上部の直径の大小によりガス流量の多少が調節される。１つの成形体２に独立した複数の中空部が設けられることによってガス流量が調節される。中空部２０の下部（太穴またはザグリ穴）の直径は２［ｍｍ］以上であることが好ましい。
【００２６】
保護層４は、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３もしくはＺｒＯ２またはこれらを主成分とした複合物等のセラミックスのコーティング膜からなる。保護層４は、基体１の上端面および成形体２の上端面２０１のそれぞれを被覆する。保護層４は、溶射のほか、ＣＶＤ、イオンプレーティング、スパッタリング、またはエアロゾルデポジション等による乾式製膜、または、セラミックペーストを当該上端面に塗布し、乾燥後焼き付ける湿式製膜の方法により形成されていてもよい。保護層４の厚みは、１００〜１０００［μｍ］であることが好ましい。保護層４には、厚み方向に貫通する、成形体２の中空部２０に連通する貫通孔４０が設けられている。成形体２の中空部２０および保護層４の貫通孔４０により静電チャックの通気経路が構成されている。
【００２７】
（構成（第２実施形態））
図２には、本発明の第２実施形態としての静電チャックのうち、当該静電チャックが有する複数の通気経路のうち一の通気経路の周辺部分のみが示されている。本発明の第１実施形態としての静電チャック（図１参照）と共通の構成については同一符号を用いるとともに説明を省略する。第２実施形態の静電チャックは、成形体２の内側面２００と下端面２０２との間の環状の境界部分が面取り加工（Ｃ面加工またはＲ面加工）されることで第１勾配部２１が形成され、かつ、成形体２の内側段差２１２も面取り加工されることで第２勾配部２２が形成されている点で第１実施形態の静電チャックと異なっている。なお、第１勾配部２１および第２勾配部２２のうち一方が省略されてもよい。
【００２８】
（静電チャックの製造方法）
マシナブルセラミックスからなる外側段差２１１および内側段差２１２を有する略二段円筒状の成形体２が形成される。略円柱状のマシナブルセラミックスの上端面２０１の中心から軸線方向に延在する細穴と、下端面２０２の中心から同じく軸線方向に延在する、当該細穴より大径の太穴とが形成されることにより中空部２０が形成される。成形体２の内側面２００（中空部２０の側面）および下端面２０２が、その表面粗さＲａが０．１〜１．０［μｍ］の範囲に含まれるように電着ドリルにしたがって加工される。成形体２の上端面２０１の表面粗さＲａが３〜６［μｍ］の範囲に含まれるようにブラスト加工によって仕上げられる。
【００２９】
成形体２の内側面２００（中空部２０の側面）および下端面２０２部の加工は、通常の切削ドリルに穴あけ加工される。その際、当該穴の壁面の表面面粗さＲａは通常１．６［μｍ］程度にとどまる。そこで、さらに電着ドリルにてその表面粗さＲａが０．１〜１．０［μｍ］の範囲に含まれるように仕上げ加工される。
【００３０】
続いて、基体１にあらかじめ設けられている、その厚み方向に貫通する連通孔１０に対して、成形体２が上側から、基体１の上端面と、成形体２の上端面２０１とが同一の高さになるまで圧入される。なお、成形体２の上端面が基体１の上端面より高くなるように、成形体２が連通孔１０に圧入された後、成形体２の上端面および基体１の上端面の高さが同一になるように成形体２の上端部が加工されてもよい。
【００３１】
次に、基体１の上端面および成形体２の上端面２０１のそれぞれにセラミックス粒子の溶射によりセラミックスコーティング膜を形成する。当該セラミックスコーティング膜の表面を所定厚さまで研削し、滑らかに仕上げ加工することで保護層４が形成される。そして、保護層４にその厚さ方向に貫通し、成形体２の中空部２０に連通する貫通孔４０が形成される。以上の手順により、静電チャックが作製される。
【００３２】
なお、略二段円柱状の成形体が基体１の連通孔１０に対して圧入された後、当該成形体にその軸線方向に貫通する中空部２０が形成されることにより静電チャックが作製されてもよい。
【００３３】
（実施例）
（実施例１）
本発明の第１実施形態にしたがって、実施例１の静電チャックが作製された。成形体２の材料として、マシナブルセラミックスの１つであるマコール（マトリックス：硼珪酸ガラス（ＳｉＯ2：５０％、Ａｌ2Ｏ3：２０％、Ｂ2Ｏ3：１３％、ＭｇＯ：８％、Ｒ2Ｏ：９％）  フィラー：ＺｒＯ2、ＫＭｇ3ＡｌＳｉ3Ｏ10Ｆ2（フッ素金雲母））、熱膨張率：９．３ｐｐｍが採用された。成形体２は、上段外径が２．５［ｍｍ］、下段外径が２．０［ｍｍ］、上段内径が０．２［ｍｍ］、下段内径が１．０［ｍｍ］である略二段円筒状に形成された。成形体２の内側面２００および下端面２０２のそれぞれの表面粗さＲａが０．６［μｍ］になるように仕上げ加工された。成形体２の保護層４は、Ａｌ２Ｏ３溶射膜により作製され、その厚さが２５０［μｍ］になるように形成された。
【００３４】
（実施例２）
成形体２の内側面２００および下端面２０２のそれぞれの表面粗さＲａが０．２［μｍ］になるように仕上げ加工されたほかは、実施例１と同様の条件にしたがって実施例２の静電チャックが作製された。
【００３５】
（実施例３）
成形体２の内側面２００および下端面２０２のそれぞれの表面粗さＲａが０．３［μｍ］になるように仕上げ加工されたほかは、実施例１と同様の条件にしたがって実施例３の静電チャックが作製された。
【００３６】
（実施例４）
成形体２の内側面２００および下端面２０２のそれぞれの表面粗さＲａが０．８［μｍ］になるように仕上げ加工されたほかは、実施例１と同様の条件にしたがって実施例４の静電チャックが作製された。
【００３７】
（実施例５）
成形体２の内側面２００および下端面２０２のそれぞれの表面粗さＲａが０．９［μｍ］になるように仕上げ加工されたほかは、実施例１と同様の条件にしたがって実施例５の静電チャックが作製された。
【００３８】
（実施例６）
成形体２の下端面２０２の表面粗さＲａが１．６［μｍ］になるように穴あけ加工されたほかは、実施例３と同様の条件にしたがって実施例６の静電チャックが作製された。
【００３９】
（実施例７）
成形体２の内側面２００の表面粗さＲａが１．６［μｍ］になるように穴あけ加工されたほかは、実施例３と同様の条件にしたがって実施例６の静電チャックが作製された。
【００４０】
（実施例８）
本発明の第２実施形態にしたがって、成形体２の内側面２００および下端面２０２の境界部分が全周にわたって面取り加工されることで第１勾配部２１が形成され、かつ、内側段差２１２が全周にわたって面取り加工されることで第２勾配部２２が形成されたほかは、実施例３と同様の条件にしたがって実施例８の静電チャックが作製された。
【００４１】
（実施例９）
第２勾配部２２が省略されたほかは、実施例８と同様の条件にしたがって実施例９の静電チャックが作製された。
【００４２】
（実施例１０）
第１勾配部２１が省略されたほかは、実施例８と同様の条件にしたがって実施例１０の静電チャックが作製された。
【００４３】
（実施例１１）
成形体２の下端面２０２の面積が広くなって上端面２０１の面積と同一になるように、成形体２の外側段差２１１が省略されて略円柱状に形成され、これに応じて、基体１の連通孔１０における段差も省略された（細穴および太穴の別がない）ほかは、実施例１と同様の条件にしたがって実施例１１の静電チャックが作製された。
【００４４】
（実施例１２）
成形体２の材料として、マシナブルセラミックスの１つであるホトベール（マトリックス：硼珪酸ガラス、フィラー：ＺｒＯ2、ＫＭｇ3ＡｌＳｉ3Ｏ10Ｆ2（フッ素金雲母））熱膨張率８．５ｐｐｍを使用したほかは、実施例１と同様の条件にしたがって実施例１２の静電チャックが作製された。
【００４５】
（実施例１３）
成形体２の材料として、ホトベールを使用したほかは、実施例３と同様の条件にしたがって実施例１３の静電チャックが作製された。
【００４６】
（実施例１４）
成形体２の材料として、ホトベールを使用したほかは、実施例５と同様の条件にしたがって実施例１４の静電チャックが作製された。
【００４７】
各実施例の静電チャックにおける成形体２の材料、内側面２００の表面粗さＲａ、下端面２０２の表面粗さＲａ、第１勾配部２１の有無、第２勾配部２２の有無、基板の汚染度の測定結果、熱サイクル試験結果が表１にまとめて示されている。
【００４８】
成形体２の内側面２００の表面粗さは、成形体２をその中心軸線を含む平面で切断して中空部２０の側面を露出させたうえで、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２００１にしたがって測定された。表面粗さ静電チャックにより吸着保持されている基板に対して通気経路を通じてＨｅガスが１５［ｍｉｎ］にわたり供給された後、ＩＣＰ−ＭＳ分析によって当該基板に対するＮａの付着量が汚染度として測定された。熱サイクル試験は、静電チャックに対して５０〜２００［℃］の熱サイクルが３０回繰り返された後において、保護層４における通気経路付近でのクラック発生有無が観測されることにより行われた。
【００４９】
【表１】
0006257540.tif 000002
【００５０】
表１から次のことがわかる。実施例１〜１４の静電チャックによれば、基板の汚染度が１０10［ａｔｍ／ｃｍ2］のオーダーであり、かつ、保護層４にクラックが発生していない。成形体２の内側面２００および下端面２０２のそれぞれの表面粗さＲａがともに０．１〜１．０［μｍ］の範囲に含まれている実施例１〜５および実施例８〜１４の静電チャックによれば、成形体２の内側面２００および下端面２０２のうち一方の表面粗さＲａが０．１〜１．０［μｍ］の範囲から外れている実施例６および７の静電チャックと比較して基板の汚染度が同程度であるまたは低い。第１勾配部２１および第２勾配部２２のうち少なくとも一方が形成されている実施例８〜１０の静電チャックによれば、第１勾配部２１および第２勾配部２２が形成されていない実施例１〜７および実施例１１〜１４の静電チャックと比較して基板の汚染度が同程度であるまたは低い。成形体２の下端面２０２の面積が上端面２０１の面積よりも小さい実施例１〜１０および実施例１２〜１４の静電チャックによれば、成形体２の下端面２０２の面積が上端面２０１の面積と等しい実施例１１の静電チャックと比較して基板の汚染度が同程度であるまたは低い。
【００５１】
実施例１２〜１４によれば材質にホトベールを使用しても基材の汚染度は同等でありクラックも発生していない。
【００５２】
（比較例）
（比較例１）
成形体２の内側面２００および下端面２０２のそれぞれの表面粗さＲａが１．６［μｍ］になるように穴あけ加工されたほかは、実施例１と同様の条件にしたがって比較例１の静電チャックが作製された。
【００５３】
（比較例２）
第１勾配部２１および第２勾配部２２が形成されたほかは、比較例１と同様の条件にしたがって比較例２の静電チャックが作製された。
【００５４】
（参考例１）
成形体２の上端面２０１の表面粗さＲａが１．６［μｍ］に仕上げられたほかは、実施例１と同様の条件にしたがって参考例１の静電チャックが作製された。
【００５５】
（参考例２）
成形体２の材料として、マシナブルセラミックスの１つであるホトベールII（マトリックス：窒化アルミニウムＡｌＮ、フィラー：窒化ホウ素ＢＮ、熱膨張率１．４ｐｐｍを使用したほかは、実施例１と同様の条件にしたがって参考例２の静電チャックが作製された。
【００５６】
各比較例および各参考例の静電チャックにおける成形体２の材料、内側面２００の表面粗さＲａ、下端面２０２の表面粗さＲａ、第１勾配部２１の有無、第２勾配部２２の有無、基板の汚染度の測定結果、熱サイクル試験結果が表１にまとめて示されている。
【００５７】
【表２】
0006257540.tif 000003
【００５８】
表２から次のことがわかる。比較例１および２の静電チャックによれば、実施例１〜１４の静電チャックと比較して基板の汚染度が高く、１０11［ａｔｍ／ｃｍ2］よりも大きいオーダーである。参考例１の静電チャックによれば、保護層４にクラックが発生している。
【００５９】
参考例２の静電チャックによれば熱膨張率が溶射膜からなる保護層４と比較し小さいマシナブルセラミックス（ホトベールＩＩ）により成形体２が構成されているため、保護層４にクラックが発生している。
【符号の説明】
【００６０】
１‥基体、２‥成形体、４‥保護層、１０‥連通孔、２０‥成形体の中空部、４０‥貫通孔。
【図１】
0006257540.tif 000004
【図２】
0006257540.tif 000005