(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージ本体と接触している能動マイクロ電子デバイスと、
パッケージ本体内に形成された空洞の内部に配置された受動マイクロ電子デバイスと、
を含むマイクロ電子パッケージであって、
前記能動マイクロ電子デバイスと前記受動マイクロ電子デバイスが、パッケージ本体の中に或いは上に形成された導電ルートにより電気的に接続されており、
前記パッケージ本体が、支持プレートと、誘電封止材と、再分配層とを含み、
前記空洞が、前記再分配層を貫通し、前記誘電封止材を貫通し、前記支持プレートへ部分的に延在している、
マイクロ電子パッケージ。
【請求項２】
請求項１に記載のマイクロ電子パッケージであり、
前記能動マイクロ電子デバイスがフリップチップマイクロ電子デバイスを含み、
前記パッケージ本体がマイクロ電子基板を含み、
フリップチップマイクロ電子デバイスが、介在された複数の相互接続部を通じてマイクロ電子基板と接触している、
マイクロ電子パッケージ。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のマイクロ電子パッケージであり、
前記能動マイクロ電子デバイスが前記パッケージ本体に埋め込まれており、
前記能動マイクロ電子デバイスの能動表面が前記パッケージ本体の第２表面と実質的に平坦である、
マイクロ電子パッケージ。
【請求項４】
請求項３に記載のマイクロ電子パッケージであり、
導電ルートが、能動マイクロ電子デバイス能動表面及びパッケージ本体第２表面の上に形成された前記再分配層内に形成されている、
マイクロ電子パッケージ。
【請求項５】
請求項１に記載のマイクロ電子パッケージであり、
前記能動マイクロ電子デバイスの背部表面が前記支持プレートに接着されており、
前記能動マイクロ電子デバイスが前記誘電封止材に埋め込まれており、
前記誘電封止材の一部が前記能動マイクロ電子デバイスの能動表面上に延びている、
マイクロ電子パッケージ。
【請求項６】
請求項５に記載のマイクロ電子パッケージであり、
導電ルートがパッケージ本体第２表面上に形成された前記再分配層内に形成されている、
マイクロ電子パッケージ。
【請求項７】
能動マイクロ電子デバイスを形成する工程と、
パッケージ本体を形成する工程と、
パッケージ本体を能動マイクロ電子デバイスに接触させる工程と、
パッケージ本体の中に或いは上に導電ルートを形成する工程と、
パッケージ本体内に空洞を形成する工程と、
前記空洞の内部に受動マイクロ電子デバイスを配置する工程と、
前記能動マイクロ電子デバイスと前記受動マイクロ電子デバイスを導電ルートにより電気的に接続する工程と、
を含むマイクロ電子パッケージを製造する方法であって
前記パッケージ本体を形成する工程が、支持プレートを形成する工程と、誘電封止材を形成する工程と、再分配層を形成する工程とを含み、
前記パッケージ本体内に前記空洞を形成する工程が、前記再分配層を貫通し、前記誘電封止材を貫通し、前記支持プレートへと部分的に延びる前記空洞を形成する工程を含む、
方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であり、
前記能動マイクロ電子デバイスを形成する工程が、フリップチップマイクロ電子デバイスを形成する工程を含み、
前記パッケージ本体を形成する工程が、マイクロ電子基板を形成する工程を含み、
マイクロ電子デバイスが、フリップチップマイクロ電子デバイスとマイクロ電子基板との間に延在する複数の相互接続部を通じてマイクロ電子基板と接触する、
方法。
【請求項９】
請求項７又は８に記載の方法であり、
前記パッケージ本体を形成する工程及び前記パッケージ本体を前記能動マイクロ電子デバイスに接触させる工程が、前記パッケージ本体内に前記能動マイクロ電子デバイスを埋め込んで、前記能動マイクロ電子デバイスの能動表面が前記パッケージ本体の第２表面と実質的に平坦となる、
方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であり、
前記パッケージ本体の中に或いは上に導電ルートを形成する工程が、能動マイクロ電子デバイス能動表面及び前記パッケージ本体の第２表面の上に形成される前記再分配層内に導電ルートを形成する工程を含む、
方法。
【請求項１１】
請求項７に記載の方法であり、
前記能動マイクロ電子デバイスの背部表面が前記支持プレートに接着され、
前記能動マイクロ電子デバイスが前記誘電封止材に埋め込まれ、
前記誘電封止材の一部が前記能動マイクロ電子デバイスの能動表面上へ延びる、
方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であり、
前記パッケージ本体の中に或いは上に導電ルートを形成する工程が、前記パッケージ本体の第２表面上に形成される前記再分配層内に導電ルートを形成する工程を含む、
方法。
【請求項１３】
コンピューティングデバイスであって、
ボードと、
ボードに取り付けられたマイクロ電子パッケージとを含み、
該マイクロ電子パッケージが、
パッケージ本体と接触している能動マイクロ電子デバイスと、
パッケージ本体内に形成された空洞の内部に配置された受動マイクロ電子デバイスと、
を含み、
前記能動マイクロ電子デバイスと前記受動マイクロ電子デバイスが、パッケージ本体の中に或いは上に形成された導電ルートにより電気的に接続されており、
前記パッケージ本体が、支持プレートと、誘電封止材と、再分配層とを含み、
前記空洞が、前記再分配層を貫通し、前記誘電封止材を貫通し、前記支持プレートへ部分的に延在している、
コンピューティングデバイス。
【請求項１４】
請求項１３に記載のコンピューティングデバイスであり、
前記能動マイクロ電子デバイスがフリップチップマイクロ電子デバイスを含み、
前記パッケージ本体がマイクロ電子基板を含み、
フリップチップマイクロ電子デバイスが、介在された複数の相互接続部を通じてマイクロ電子基板と接触している、
コンピューティングデバイス。
【請求項１５】
請求項１３又は１４に記載のコンピューティングデバイスであり、
前記能動マイクロ電子デバイスが前記パッケージ本体に埋め込まれており、
前記能動マイクロ電子デバイスの能動表面が前記パッケージ本体の第２表面と実質的に平坦である、
コンピューティングデバイス。
【請求項１６】
請求項１５に記載のコンピューティングデバイスであり、
導電ルートが、能動マイクロ電子デバイス能動表面及びパッケージ本体第２表面の上に形成された前記再分配層内に形成されている、
コンピューティングデバイス。
【請求項１７】
請求項１３に記載のコンピューティングデバイスであり、
前記能動マイクロ電子デバイスの背部表面が前記支持プレートに接着されており、
前記能動マイクロ電子デバイスが前記誘電封止材に埋め込まれており、
前記誘電封止材の一部が前記能動マイクロ電子デバイスの能動表面上に延びている、
コンピューティングデバイス。
【請求項１８】
請求項１７に記載のコンピューティングデバイスであり、
導電ルートがパッケージ本体第２表面上に形成された前記再分配層内に形成されている、
コンピューティングデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、一般にマイクロ電子パッケージ製造分野に関し、より詳細にはパッケージ本体内部に表面実装デバイス及び／又は集積受動デバイスを配置したマイクロ電子パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ電子産業は、多様な電子製品内で用いるために、常により高速でより小型のマイクロ電子パッケージを製造することを継続して努力している。ここで多様な電子製品には、コンピュータサーバー製品、並びにポータブルコンピュータ、電子タブレット、セルラーフォン、デジタルカメラ及び類似製品などのポータブル製品が、非限定的に含まれる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
これらのゴールが達成されるにつれて、マイクロ電子パッケージの製造はよりチャレンジングになる。そのような挑戦的な一つの領域は、マイクロ電子パッケージの高さ／厚さを減少することである。マイクロ電子ダイなどの能動マイクロ電子デバイスの厚さが減少されたけれども、マイクロ電子パッケージ内で用いられる集積受動デバイス及び表面実装デバイスなどの受動マイクロ電子デバイスは寸法の小型化が困難である。この困難性は、一般に受動マイクロ電子デバイスは、例えば、容量値、誘導値等の所望の機能を果たすために特定量（例えば、体積）の成分材料を要するという事実から生じる。こうして、より薄い受動マイクロ電子デバイスを製造するためには、成分材料の体積の減少が要求されるが、これは機能を妨害するであろう。或いは、従来にはない成分材料の仕様が要求されるが、これは要求されるように成分材料の体積を減少させるかも知れないが、受動マイクロ電子デバイスのコストを法外に増大させ得る。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本開示の主題は、本明細書の終結部分である特許請求の範囲において特定的に指摘され明確に請求されている。本開示の前述の及び他の特徴は、添付図面と併せて、以下の記述及び添付の特許請求の範囲から、より完全に明白となるであろう。添付図面は、本開示に従った数種の実施形態を単に表すに過ぎず、且つ、そのため本開示の範囲を限定するものと解釈されてはならないことを理解されたい。本開示は、添付図面の使用により、追加的な特殊性及び詳細さを以て記述され、本開示の利点は以下のとおり、より容易に確認することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
【図１Ａ】本開示の一実施形態に従った、フリップチップタイプのマイクロ電子パッケージを製造するプロセスの断面図を示す。
【図１Ｂ】本開示の一実施形態に従った、フリップチップタイプのマイクロ電子パッケージを製造するプロセスの断面図を示す。
【図１Ｃ】本開示の一実施形態に従った、フリップチップタイプのマイクロ電子パッケージを製造するプロセスの断面図を示す。
【図１Ｄ】本開示の一実施形態に従った、フリップチップタイプのマイクロ電子パッケージを製造するプロセスの断面図を示す。
【図１Ｅ】本開示の一実施形態に従った、フリップチップタイプのマイクロ電子パッケージを製造するプロセスの断面図を示す。
【図１Ｆ】本開示の一実施形態に従った、フリップチップ型のマイクロ電子パッケージを製造するプロセスの断面図を示す。
【図２Ａ】本開示の他の実施形態に従った、埋め込み技術型のマイクロ電子パッケージを製造するプロセスの断面図を示す。
【図２Ｂ】本開示の他の実施形態に従った、埋め込み技術型のマイクロ電子パッケージを製造するプロセスの断面図を示す。
【図２Ｃ】本開示の他の実施形態に従った、埋め込み技術型のマイクロ電子パッケージを製造するプロセスの断面図を示す。
【図２Ｄ】本開示の他の実施形態に従った、埋め込み技術型のマイクロ電子パッケージを製造するプロセスの断面図を示す。
【図２Ｅ】本開示の他の実施形態に従った、埋め込み技術型のマイクロ電子パッケージを製造するプロセスの断面図を示す。
【図２Ｆ】本開示の他の実施形態に従った、埋め込み技術型のマイクロ電子パッケージを製造するプロセスの断面図を示す。
【図３Ａ】本開示のさらに他の実施形態に従った、埋め込み技術型のマイクロ電子パッケージを製造するプロセスの断面図を示す。
【図３Ｂ】本開示のさらに他の実施形態に従った、埋め込み技術型のマイクロ電子パッケージを製造するプロセスの断面図を示す。
【図３Ｃ】本開示のさらに他の実施形態に従った、埋め込み技術型のマイクロ電子パッケージを製造するプロセスの断面図を示す。
【図３Ｄ】本開示のさらに他の実施形態に従った、埋め込み技術型のマイクロ電子パッケージを製造するプロセスの断面図を示す。
【図３Ｅ】本開示のさらに他の実施形態に従った、埋め込み技術型のマイクロ電子パッケージを製造するプロセスの断面図を示す。
【図３Ｆ】本開示のさらに他の実施形態に従った、埋め込み技術型のマイクロ電子パッケージを製造するプロセスの断面図を示す。
【図４】本開示の一実施形態に従った、マイクロ電子構造体を製造するプロセスのフローチャートである。
【図５】本開示の一実装に従った、コンピューティングデバイスを示す。
【発明を実施するための形態】
【０００６】
下記の詳細な説明において、クレームされる主題を実施する特定実施形態を例示の方法により示す添付図面への参照がなされる。これらの実施形態は、当業者が主題を実施できるように十分に詳細に記述されている。例えば、一実施形態に関して、本明細書で記述される特定の特徴、構造又は特性は、クレームされる主題の真意及び範囲を逸脱することなく、他の実施形態の中で実装することができる。本明細書で言及している「一実施形態」又は「実施形態」は、当該実施形態に関して記述される特定の特徴、構造又は特性は、本開示内に包含される少なくとも一つの実装内に含まれるということを意味する。ゆえに、「一実施形態」又は「一実施形態内」の語の使用は、必ずしも同じ実施形態に言及しているとは限らない。さらに、開示された各実施形態内の個々的な要素の位置又は編成は、クレームされる主題の真意及び範囲を逸脱することなく、修正可能であることを理解されたい。したがって、以下の詳細な説明は、限定的な意味に解釈してはならない。主題は、添付の特許請求の範囲によってのみ定義され、添付の特許請求の範囲に与えられるものの均等の全範囲に沿って適切に解釈されなければならない。図面において、同様な参照符号は、数種の図面に亘って、同一又は同様な要素又は機能を指す。図面に示される要素は、必ずしも互いに同スケールとは限らず、むしろ個々の要素は本開示の内容内の要素をより容易に理解することのために、拡大したり、或いは縮尺したりしているかも知れない。
【０００７】
本明細書で用いられる用語「over」,「to」、「between」及び「on」は、他の層に関しての、ある層の相対的位置を意味し得る。ある層が他の層に対して「over」又は「on」であること、又は他の層に結合されることは、ある層が他の層に直接に接触しても良く、或いは1層以上の中間層を有しても良い。ある層が複数層の間にある「between」は、複数層に直接に接触しても良く、1層以上の中間層を有しても良い。
【０００８】
本開示の実施形態は、パッケージ本体内部に配置された受動マイクロ電子デバイスを有するマイクロ電子パッケージを含み、パッケージ本体は、マイクロ電子パッケージに支持及び／又は剛性を提供するマイクロ電子パッケージの一部をなす。フリップチップ型マイクロ電子パッケージにおいて、パッケージ本体は、能動マイクロ電子デバイスが電気的に取り付けられるマイクロ電子基板を有する。埋め込みデバイス型マイクロ電子パッケージにおいて、パッケージ本体は、能動マイクロ電子デバイスが埋め込まれる材料を含む。
【０００９】
図１Ａ乃至１Ｆは、本開示の実施形態を示しており、受動デバイスがフリップチップ型マイクロ電子パッケージのパッケージ本体内部に配置されている。図１に示されるように、パッケージ本体１１０が形成される。パッケージ本体１１０は、マザーボード、インターポーザその他などのマイクロ電子基板であって良く、第１表面１１２及び対抗する第２表面１１４を有する。パッケージ本体１１０は、パッケージ本体第１表面１１２の中に或いは上に形成された複数のボンディングパッド１１６、及びパッケージ本体第２表面１１４の中に或いは上に形成された複数のボンディングパッド１１８を有して良い。パッケージ本体１１０は、複数の誘電層（第１誘電層１２２１及び第２誘電層１２２２として示されている）を含んで良い。誘電層は、少なくとも１つの誘電層（第２誘電層１２２２の上に形成されるものとして示されている）上に形成される導電トレース１２４から形成される複数の導電ルート１３０を有する。様々な誘電層（第１誘電層１２２１及び第２誘電層１２２２として示されている）を通して形成される導電ビア１２６により、導電トレース１２４、パッケージ本体第１表面ボンディングパッド１１６、及びパッケージ本体第２表面ボンディングパッド１１８などの構造体の間に接続が形成される。導電ルート１３０は、パッケージ本体第１表面ボンディングパッド１１６及びパッケージ本体第２表面ボンディングパッド１１８を含み得ることを理解されたい。
【００１０】
パッケージ本体誘電層（第１誘電層１２２１及び第２誘電層１２２２として示されている）は、以下のものを非制限的に含むあらゆる適切な誘電材料を含んで良い。すなわち、液晶ポリマー、エポキシ樹脂、ビスマレイミド・トリアジン樹脂、ポリベンゾオキサゾール、ポリイミド材料、シリカ充填エポキシ（日本国２１０−０８０１川崎市川崎区鈴木町１−２にある味の素ファインテクノ社から入手可能である（例えば、Ajinomoto  ABF-GX13,  and  Ajinomoto  GX92））その他が含まれる。導電ルート１３０は、非制限的に銅、銀、金、ニッケル、チタニウム、タングステン及びこれらの合金などの如何なる適切な導電材料で形成されて良い。パッケージ本体１１０を形成するために用いられるプロセスは、当業者に良く知られており、簡潔さ及び簡明さのためにここでは説明したり図示したりはしない。パッケージ本体１１０はあらゆる数の誘電層から形成されて良く、剛体コア（図示せず）を含んで良く、内部に形成される能動及び／又は受動マイクロ電子デバイス（図示せず）を収容しても良い。導電ルート１３０は、パッケージ本体１１０内部に且つ／或いは追加的な外部要素（図示せず）とともに、如何なる所望の電気的ルートをも形成することができることを理解されたい。当業者に理解されるように、パッケージ本体第１表面１１２及び／又はパッケージ本体第２表面１１４上にハンダレジスト層（図示せず）を用いることができることを理解されたい。
【００１１】
図１Ｂに示されるように、空洞１３２をパッケージ本体１１０内に形成することができる。図示されるように、パッケージ本体空洞１３２は、パッケージ本体１１０を貫通してパッケージ本体第１表面１１２からパッケージ本体第２表面１１４へと延び、これらの間に空洞側壁１３４を形成する。パッケージ本体空洞１３２は、スタンピング、ミリング、ドリリング、ピンチング、エッチングその他を非制限的に含む、当業界で知られた如何なる技法でも形成することができる。
【００１２】
図１Ｃに示されるように、能動マイクロ電子デバイス１４０が、複数の相互接続部１５０により、対応するパッケージ本体第１表面ボンディングパッド１１６に固着される。相互接続部１５０には、フリップチップ接続又は制御された破壊チップ接続（controlled  collapse  chip  connection  ("C4")）構成として一般に知られた構成中の、リフロー可能なハンダバンプ又はハンダボールなどが含まれる。相互接続部１５０は、パッケージ本体第１表面ボンディングパッド１１６とその鏡像である能動マイクロ電子デバイス１４０の能動表面１４４上のボンディングパッド１４２との間に延在し、それらの間に電気的接続を形成する。能動マイクロ電子デバイスボンディングパッド１４２は、能動マイクロ電子デバイス１４０内部にある集積回路（図示せず）と電気的通信状態にあり得ることを理解されたい。能動マイクロ電子デバイス１４０は、非制限的にマイクロプロセッサ、チップセット、グラフィックデバイス、無線デバイス、メモリデバイス、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）デバイスその他を含む如何なる適切なマイクロ電子デバイスであって良い。当業者に理解されるように、下層材料（図示せず）が能動マイクロ電子デバイスとパッケージ本体１１０との間に配置されても良く、パッケージ本体第１表面１１２及び／又はパッケージ本体第２表面１１４の上にハンダレジスト層（図示せず）を利用することができることを理解されたい。
【００１３】
図１Ｄに示されるように、少なくとも１つのパッケージ本体突出部１６２及び少なくとも１つの受動マイクロ電子デバイス突出部１６４を有するキャリア１６０の上に、受動マイクロ電子デバイス１７０をパッケージ本体空洞１３２（図１Ｃ参照）内に位置して、キャリア受動マイクロ電子デバイス突出部１６４に接触させることができる。キャリアパッケージ本体突出部１６２及びキャリア受動マイクロ電子デバイス突出部１６４は、それぞれ異なる高さＨ１、Ｈ２を有して、パッケージ本体空洞１３２内の適切な位置に受動マイクロ電子デバイス１７０を位置づけることができる（図１Ｃ参照）。図１Ｄに更に示されるように、接着材料１６６が空洞側壁１３４と受動マイクロ電子デバイス１７０との間に適用することができ、受動マイクロ電子デバイス１７０を適所に固定することができる。本明細書の目的のために、受動マイクロ電子デバイス１７０は表面実装デバイス又は集積受動デバイスであると定義され、これらは、当業者に理解されるように、機能的受動要素１７６の両側に少なくとも２つの電気端子１７２，１７４を含む。受動マイクロ電子デバイス１７０は、非制限的に抵抗器、容量器、インダクター、インピーダンス整合回路、ハーモニックフィルター、カップラー、バランその他を含む如何なる適切なデバイスをも含む。
【００１４】
図１Ｅに示されるように、キャリア１６０（図１Ｄ参照）を除去することができ、リフロー可能なハンダボールとして示される外部相互接続部１８０を、適切なパッケージ本体第２表面ボンディングパッド１１８上に形成することができる。各受動マイクロ電子デバイス電気端子１７２、１７４とそれに対応するパッケージ本体第２表面ボンディングパッド１１８との間に導電材料接続部１８２を作ることができる。外部相互接続部１８０及び導電材料接続部１８２は、ハンダペースト印刷技法とそれに続くハンダペーストのリフローによるなどして、同時に形成することができる。しかしながら、導電材料接続部１８２は、ハンダペースト吐出技法、インクジェット技法その他とそれに続くハンダペーストのリフローによるなどの別個の工程で作ることもできる。図１Ｅに更に示されるように、パッケージ本体第１表面１１２及び能動マイクロ電子デバイス１４０上に、モールディング技法によるなどして、封止材料１８８を形成して、マイクロ電子パッケージ１００を形成することができる。
【００１５】
図１Ｆに示されるような他の実施形態において、パッケージ本体空洞１３２がパッケージ本体第１表面１１２からパッケージ本体１１０へと部分的に延びることができ、空洞底表面１３６を形成して、複数の導電トレース１２４を露出させることができる。受動マイクロ電子デバイス１７０がパッケージ本体空洞１３２内に位置され、各受動マイクロ電子デバイス電気端子１７２，１７４とそれに対応する導電トレース１２４との間に導電材料接続部１８２を形成することができる。図１Ｆに示されるマイクロ電子パッケージ１００の製造工程は、図１Ａ乃至１Ｅに関する上記の説明及び公知の技術から明白である。
【００１６】
図２Ａ乃至２Ｆは、本開示の実施形態を図示しており、能動マイクロ電子デバイス１４０及び受動マイクロ電子デバイス１７０がパッケージ本体１１０内部に配置される。図２Ａに示されるように、能動マイクロ電子デバイス１４０は、パッケージ本体１１０内に埋め込まれ、それにより、能動マイクロ電子デバイス能動表面１４４がパッケージ本体第２表面１１４と実質的に平坦である。図２Ａに示される構造は、埋め込みダイパッケージプロセス及びファンアウトウェファレベルパッケージプロセスなどのプロセスの一部であり得るラミネーション及びモールディングを非制限的に含む様々な技法とともに達成される。パッケージ本体１１０は、ポリマー材料を非制限的に含むあらゆる適切な封止材料で作ることができる。
【００１７】
図２Ｂに示されるように、能動マイクロ電子デバイス能動表面１４４及びパッケージ本体第２表面１１４の上に再分配層２００を形成することができる。再分配層２００は、複数の誘電層（第１誘電層２０２及び第２誘電層２０４として示されている）及び複数の導電ルート２０６を含んで良い。第１誘電層２０２は、能動マイクロ電子デバイス能動表面１４４及びパッケージ本体第２表面１１４の上に形成することができる。複数の導電ルート２０６は、第１誘電層２０２の上に形成することができ、複数の導電ルート２０６の少なくとも一部が第１誘電層２０２を貫通して延び、対応する能動マイクロ電子デバイスボンディングパッド１４２に接触する。ハンダレジスト層などの第２誘電層２０４は、第１誘電層２０２及び複数の導電ルート２０６の上に形成することができる。リフロー可能なハンダボールとして示された外部相互接続部１８０が、第２誘電層２０４を貫通する開口部内に形成され、対応する導電ルート２０６に接触することができる。パッケージ本体１１０が十分に誘電性のときは、第１誘電層２０２は選択的であることを理解されたい。
【００１８】
図２Ｃに示されるように、パッケージ本体１１０を貫通するパッケージ本体空洞１３２を形成することができ、空洞１３２はパッケージ本体第１表面１１２からパッケージ本体第２表面１１４まで延在し、再分配層２００内へと部分的に延在し、適切な導電ルート２０６を露出させる。パッケージ本体空洞１３２は、スタンピング、ミリング、ドリリング、ピンチング、エッチングその他を非制限的に含む、当業界で知られた如何なる技法でも形成することができる。
【００１９】
図２Ｄに示されるように、受動マイクロ電子デバイス１７０は、パッケージ本体空洞１３２（図２Ｃ参照）内に位置づけられることができ、各受動マイクロ電子デバイス電気端子１７２、１７４とそれに対応する導電ルート２０６との間の導電材料接続部１８２を伴う。
【００２０】
図２Ｅに示されるような他の実施形態において、パッケージ本体空洞１３２は、再分配層２００を貫通して延びても良く、受動マイクロ電子デバイス１７０はパッケージ本体空洞１３２及び再分配層２００を貫通して延在するように位置づけられても良く、各受動マイクロ電子デバイス電気端子１７２、１７４とそれに対応する導電ルート２０６との間の導電材料接続部１８２を伴う。空洞側壁１３４と受動マイクロ電子デバイス１７０との間に接着材料１６６が適用されて、受動マイクロ電子デバイス１７０を適所に固定することができる。
【００２１】
図２Ｆに示されるようなさらに他の実施形態において、パッケージ本体空洞１３２が再分配層２００を貫通して形成されて良く、パッケージ本体第２表面１１４からパッケージ本体１１０へと部分的に延びることができる。空洞側壁１３４と受動マイクロ電子デバイス１７０との間に接着材料１６６が適用されて、受動マイクロ電子デバイス１７０を適所に固定することができる。各受動マイクロ電子デバイス電気端子１７２、１７４とそれに対応する導電ルート２０６との間に導電材料接続部１８２を形成することができる。
【００２２】
図３Ａ乃至３Ｆは、本開示の実施形態を示しており、能動マイクロ電子デバイス１４０がパッケージ本体１１０内部に配置され、誘電封止材３３０及び支持プレート３１０を含む。図３Ａに示されるように、支持プレート３１０は、第１表面３１２及び対抗する第２表面３１４を有して形成されて良く、支持プレート３１０は、支持プレート第２表面３１４上に形成された誘電材料層３１６を選択的に含む。能動マイクロ電子デバイス１４０の背部表面１４６が、付帯接着剤３２２により支持プレート３１０（付帯接着剤３２２は支持プレート誘電材料層３１６に接触するものとして示されている）に取り付けられる。図３Ａに更に示されているように、誘電封止材３３０は、支持プレート３１０に隣接し、且つ能動マイクロ電子デバイス能動表面１４４を含む能動マイクロ電子デバイス１４０を埋め込むように形成されて良い。誘電封止材第１表面３３２が支持プレート３１０に隣接するものとして定義され、誘電封止材第２表面３３４が封止材第１表面３３２に対抗するものとして定義されて良い。図３Ａに更に示されるように、誘電封止材第２表面３３４から対応する能動マイクロ電子デバイスボンディングパッド１４２へと延びるように、開口部３３６が形成されて良い。開口部３３６は、レーザドリリング、フォトリソグラフィ及びイオン衝撃を非制限的に含む、当技術において知られているあらゆる技法によっても形成することができる。
【００２３】
支持プレート３１０は、金属、ポリマー、セラミック等、これらの組合せ及び異なる材料クラスとの組合せを非制限的に含むあらゆる適切な剛性材料を含んで良い。誘電封止材３３０は、ポリマー材料を非制限的に含むあらゆる適切な誘電材料で作ることができ、且つ、スピンコーティング、ラミネーション、印刷、モールディングその他を非制限的に含むあらゆる知られた技法により形成することができる。
【００２４】
図３Ｂに示されるように、誘電封止材第２表面３３４上に再分配層３４０を形成することができる。再分配層３４０は、誘電封止材第２表面３３４上に形成された複数の導電ルート３４２を含んで良い。複数の導電ルート３４２の少なくとも一部が、誘電封止材開口部３３６（図３Ａ参照）中へと延在する。再分配層３４０はさらに、ハンダレジスト層などの誘電層３４４を含んで良く、誘電層３４４は、誘電封止材第２表面３３４及び複数の導電ルート３４２の上に形成することができる。
【００２５】
図３Ｃに示されるように、再分配層３４０を貫通し、誘電封止材３３０を貫通してパッケージ本体空洞１３２を形成することができ、空洞１３２は支持プレート３１０中へと部分的に延在する。図３Ｄに示されるように、接着材料１６６が適用されて、受動マイクロ電子デバイス１７０を適所に固定することができる。リフロー可能なハンダボールとして示されている外部相互接続部１８０が、誘電層３４４を貫通する開口部内に形成することができ、対応する導電ルート３４２に接触する。各受動マイクロ電子デバイス電気端子１７２、１７４とそれに対応する導電ルート３４２との間に導電材料接続部１８２を作ることができる。外部相互接続部１８０及び導電材料接続部１８２は、ハンダペースト印刷技法とそれに続くハンダペーストのリフローによるなどして、同時に形成することができる。しかしながら、導電材料接続部１８２は、ハンダペースト印刷又はハンダペースト吐出技法、インクジェット技法その他とそれに続くハンダペーストのリフローによるなどして、別個の工程で作ることもできる。
【００２６】
図３Ｅに示されるように、支持プレート３１０内に凹部３４６を予備形成することができ、それにより誘電封止材３３０が付着される際に支持プレート３１０中へと延びることを理解されたい。こうして、図３Ｆに示されるように、パッケージ本体空洞１３２の形成の際に、単一の材料（すなわち、誘電封止材３３０）の除去だけが必要とされる。
【００２７】
詳細な本開示の他の実施形態に関する実証などのように、パッケージ本体空洞１３２は、支持プレート３１０及び誘電封止材３３０を完全に貫通して延在することもできることをさらに理解されたい。
【００２８】
本開示の実施形態は、パッケージ本体１１０内に受動マイクロ電子デバイス１７０を完全に埋め込む技術を越えた利点を有する。というのは、本実施形態では、受動マイクロ電子デバイス１７０がパッケージ本体第１表面１１２及び／又はパッケージ本体第２表面１１４を越えて延在することができるので、完全埋め込み型受動マイクロ電子デバイスを有するパッケージ本体の厚さに比較してより薄いパッケージ本体の形成が可能になるからである。
【００２９】
図４は、本開示の一実施形態に従ったマイクロ電子構造体を製造するプロセス２００のフローチャートである。ブロック２０２内で説明されているように、能動マイクロ電子デバイス基板を形成することができる。ブロック２０４内で説明されているように、パッケージ本体を形成することができる。ブロック２０６内で説明されているように、パッケージ本体を能動マイクロ電子デバイスに接触させることができる。ブロック２０８内で説明されているように、パッケージ本体の中に或いは上に導電ルートを形成することができる。ブロック２１０内で説明されているように、パッケージ本体内に空洞を形成することができる。ブロック２１２内で説明されているように、空洞内部に受動マイクロ電子デバイスを配置することができる。ブロック２１４内で説明されているように、能動マイクロ電子デバイス及び受動マイクロ電子デバイスを導電ルートに電気的に接続することができる。
【００３０】
図５は、本開示の一実装に従ったコンピューティングデバイス３００を図示している。コンピューティングデバイス３００は、（マザー）ボード３０２を収容している。ボード３０２は、プロセッサ３０４及び少なくとも１つの通信チップ３０６Ａ、３０６Ｂを非制限的に含む多数の要素を含むことができる。プロセッサ３０４は、ボード３０２に物理的且つ電気的に結合されている。ある実装において、少なくとも１つの通信チップ３０６Ａ、３０６Ｂも、ボード３０２に物理的且つ電気的に結合されている。さらに別の実装において、通信チップ３０６Ａ、３０６Ｂは、プロセッサ３０４の一部である。
【００３１】
用途に応じて、コンピューティングデバイス３００は、ボード３０２に物理的且つ電気的に結合されてもされてなくとも良い他の要素を含むことができる。これらの他の要素は、以下のものを非制限的に含む。すなわち、揮発性メモリ（例えば、DRAM）、不揮発性メモリ（例えば、ROM）、フラッシュメモリ、グラフィックプロセッサ、デジタル信号プロセッサ、クリプトプロセッサ、チップセット、アンテナ、ディスプレイ、タッチスクリーンディスプレイ、タッチスクリーンコントローラ、バッテリー、音声コーデック、ビデオコーデック、パワーアンプリファイア、全地球測位システム（GPS）デバイス、コンパス、加速度計、ジャイロスコープ、スピーカ、カメラ及び大容量記憶装置（ハードディスクドライブ、コンパクトディスク（CD））、デジタル多用途ディスク（DVD）その他など）が含まれる。
【００３２】
通信チップ３０６Ａ、３０６Ｂによって、コンピューティングデバイス３００への／からのデータ転送のための無線通信が可能になる。用語「無線」及びその派生語は、非固体媒体を介した被変調電磁放射の使用を通じてデータを通信できる回路、デバイス、システム、方法、技法、通信チャネル等を記述するために用いることができる。その用語「無線」は、関連するデバイスが如何なるワイヤも含まないことを意味しない（ある実施形態においてワイヤを含まないが）。通信チップ３０６は、以下の標準を非制限的に含む多数の無線標準又はプロトコルの何れをも実装可能である。すなわち、Wi-Fi  (IEEE  802.11  ファミリー),  WiMAX  (IEEE  802.16  ファミリー),  IEEE  802.20,  long  term  evolution  (LTE),  Ev-DO,  HSPA+,  HSDPA+,  HSUPA+  EDGE,  GSM（登録商標）,  GPRS,  CDMA,  TDMA,  DECT,  Bluetooth（登録商標）,  これらの派生,  さらに3G,  4G,  5G及び将来の規格として指定された他の無線プロトコルが含まれる。通信チップ３０６は、コンピューティングデバイス３００は、複数の通信チップ３０６Ａ、３０６Ｂを含み得る。例えば、第１通信チップ３０６Ａは、Wi-Fi  及び  Bluetooth（登録商標）などの短距離無線通信専用であって良く、第２通信チップ３０６Ｂは、GPS,  EDGE,  GPRS,  CDMA,  WiMAX,  LTE,  Ev-DOその他などの長距離無線通信専用であって良い。
【００３３】
コンピューティングデバイス３００のプロセッサ３０４は、複数のマイクロ電子デバイス（能動マイクロ電子デバイス及び受動マイクロ電子デバイスの両方）を有するマイクロ電子パッケージを含むことができる。本開示のある実装において、プロセッサ３０４の受動マイクロ電子デバイスは、上述のようにパッケージ本体内に配置されて良い。用語「プロセッサ」は、レジスター及び／又はメモリからの電子データを処理して、他の電子データ（レジスター及び／又はメモリ内に記憶可能であるデータ）へと変換する、如何なるデバイス又はデバイスの如何なる部分をも意味する。
【００３４】
通信チップ３０６Ａ、３０６Ｂは、複数のマイクロ電子デバイス（能動マイクロ電子デバイス及び受動マイクロ電子デバイスの両方）を有するマイクロ電子パッケージを含むことができる。本開示の他の実装に従って、通信チップ３０６Ａ、３０６Ｂのための受動マイクロ電子デバイスを、上述のように、パッケージ本体内に配置することができる。
【００３５】
様々な実装において、コンピューティングデバイス３００は、以下のものであって良い。すなわち、ラップトップ、ネットブック、ノートブック、ウルトラブック、スマートフォン、タブレット、パーソナルデジタルアシスタント（PDA）、ウルトラモバイルＰＣ、モバイルフォン、デスクトップコンピュータ、サーバー、プリンター、スキャナー、モニター、セットトップボックス、エンターテインメントコントロールユニット、デジタルカメラ、ポータブルミュージックプレイヤー又はデジタルビデオレコーダーである。他の実装において、コンピューティングデバイス３００は、データを処理する、他の如何なる電子デバイスであって良い。
【００３６】
本開示の主題は、図１Ａ乃至図５に図示された特定応答に必ずしも限定されないことを理解されたい。当業者に理解されるように、主題は、他のマイクロ電子デバイス及びアッセンブリ応用や他の如何なる適切な電子応用にも適用可能である。
【００３７】
以下の実例は、さらなる実施形態に関する。実例中の仕様は、１つまたはそれ以上の実施形態のどこでも用いることができる。
【００３８】
実例１：  マイクロ電子パッケージが、パッケージ本体に接触する能動マイクロ電子デバイスと、パッケージ本体内に形成された空洞内部に配置された受動マイクロ電子デバイスとを含み得る。能動マイクロ電子デバイスと受動マイクロ電子デバイスとは、パッケージ本体の中に或いは上に形成された導電ルートにより電気的に接続されている。
【００３９】
実例２：  実例１の主題であり、パッケージ本体を貫通してパッケージ本体第１表面からパッケージ本体第２表面まで延在する空洞を選択的に含み得る。
【００４０】
実例３：  実例１又は２の主題であり、フリップチップマイクロ電子デバイスを含む能動マイクロ電子デバイスを選択的に含み得る。パッケージ本体はマイクロ電子基板を含む。フリップチップマイクロ電子デバイスは、介在する複数の相互接続部を通じてマイクロ電子基板に接触する。
【００４１】
実例４：  実例１又は２の主題であり、パッケージ本体に埋め込まれた能動マイクロ電子デバイスを選択的に含み得る。能動マイクロ電子デバイスの能動表面がパッケージ本体の第２表面に実質的に平坦である。
【００４２】
実例５：  実例４の主題であり、能動マイクロ電子デバイス能動表面及びパッケージ本体第２表面の上に形成された導電ルートを選択的に含み得る。
【００４３】
実例６：  実例１の主題であり、支持プレート及び誘電封止材を有するパッケージ本体を選択的に含み得る。能動マイクロ電子デバイスの背部表面が支持プレートに接着され、能動マイクロ電子デバイスが誘電封止材内に埋め込まれ、誘電封止材の一部が能動マイクロ電子デバイス能動表面上に延びる。
【００４４】
実例７：  実例６の主題であり、パッケージ本体第２表面上に形成された再分配層内に形成された導電ルートを選択的に含み得る。
【００４５】
実例８：  実例７の主題であり、再分配層を通り、誘電封止材を通り、支持プレートへ部分的に入り延在する空洞を選択的に含み得る。
【００４６】
実例：９  マイクロ電子パッケージを製造する方法が、能動マイクロ電子デバイスを形成する工程と、パッケージ本体を形成する工程と、パッケージ本体を能動マイクロ電子デバイスに接触させる工程と、パッケージ本体の中に或いは上に導電ルートを形成する工程と、パッケージ本体内に空洞を形成する工程と、空洞内部に受動マイクロ電子デバイスを配置する工程と、能動マイクロ電子デバイスと受動マイクロ電子デバイスとを導電ルートで電気的に接続する工程とを含み得る。
【００４７】
実例１０：  実例９の主題であり、パッケージ本体内に空洞を形成する工程が、パッケージ本体の第１表面からパッケージ本体の第２表面まで貫通して延びる空洞を形成する工程を含む。
【００４８】
実例１１：  実例９又は１０の主題であり、フリップチップマイクロ電子デバイスを形成する工程を含む、マイクロ電子デバイスを形成する工程を選択的に含み得る。パッケージ本体を形成する工程が、マイクロ電子基板を形成する工程を含む。マイクロ電子デバイスが、フリップチップマイクロ電子デバイスとマイクロ電子基板との間に延在する複数の相互接続部を通してマイクロ電子基板と接触する。
【００４９】
実例１２：  実例９又は１０の主題であり、パッケージ本体を形成する工程と、パッケージ本体を、パッケージ本体内に埋め込まれた能動マイクロ電子デバイスに接触させる工程とを選択的に含み得る。それにより、マイクロ電子デバイスの能動表面が、パッケージ本体の第２表面に実質的に平坦となる。
【００５０】
実例１３：  実例１２の主題であり、パッケージ本体の中に或いは上に導電ルートを形成する工程を選択的に含み得る。当該形成する工程は、マイクロ電子デバイス能動表面及びパッケージ本体第２表面の上に形成された再分配層内に形成する工程を含む。
【００５１】
実例１４：  実例９の主題であり、支持プレート及び誘電封止材を形成することを含むパッケージ本体形成工程を選択的に含み得る。能動マイクロ電子デバイスの背部表面が支持プレートに接着され、能動マイクロ電子デバイスが誘電封止材内に埋め込まれ、誘電封止材の一部が能動マイクロ電子デバイス能動表面上に延びる。
【００５２】
実例１５：  実例１４の主題であり、導電ルートをパッケージ本体の中に或いは上に形成する工程を選択的に含み得る。当該工程は、パッケージ本体第２表面上に形成された再分配層内に導電ルートを形成する工程を含む。
【００５３】
実例１６：  実例１５の主題であり、パッケージ本体内に空洞を形成する工程を選択的に含み得る。当該工程は、再分配層を貫通し、誘電封止材を貫通し、支持プレートの中に部分的に延在する空洞を形成する工程を含む。
【００５４】
実例１７：  コンピューティングデバイスが、ボードと、ボードに取り付けられたマイクロ電子パッケージとを含み、マイクロ電子パッケージが、パッケージ本体と接触状態にある能動マイクロ電子デバイスを含む。コンピューティングデバイスはさらに、パッケージ本体内に形成される空洞内部に配置された受動マイクロ電子デバイスを含み、能動マイクロ電子デバイスと受動マイクロ電子デバイスとは、パッケージ本体の中に或いは上に形成された導電ルートにより電気的に接続されている。
【００５５】
実例１８：  実例１７の主題であり、パッケージ本体の第１表面からパッケージ本体の第２表面までパッケージ本体を貫通して延在する空洞を選択的に含み得る。
【００５６】
実例１９：  実例１７又は１８の主題であり、フリップチップマイクロ電子デバイスを含む能動マイクロ電子デバイスを選択的に含み得る。パッケージ本体はマイクロ電子基板を含み、フリップチップマイクロ電子デバイスは、介在する複数の相互接続部を通じてマイクロ電子基板に接触状態にある。
【００５７】
実例２０：  実例１７又は１８の主題であり、パッケージ本体内に埋め込まれた能動マイクロ電子デバイスを選択的に含み得る。能動マイクロ電子デバイスの能動表面はパッケージ本体の第２表面に実質的に平坦である。
【００５８】
実例２１：  実例２０の主題であり、能動マイクロ電子デバイス能動表面及びパッケージ本体第２表面の上に形成された再分配層内に形成された導電ルートを選択的に含み得る。
【００５９】
実例２２：  実例１７の主題であり、支持プレート及び誘電封止材を含むパッケージ本体を選択的に含み得る。能動マイクロ電子デバイスの背部表面が支持プレートに接着される。能動マイクロ電子デバイスが誘電封止材内に埋め込まれ、誘電封止材の一部が、能動マイクロ電子デバイス能動表面上に延びる。
【００６０】
実例２３：  実例２２の主題であり、パッケージ本体第２表面上に形成された再分配層内に形成された導電ルートを選択的に含み得る。
【００６１】
実例２４：  実例２３の主題であり、再分配層を貫通し、誘電封止材を貫通し、支持プレート内へ部分的に延在する空洞を選択的に含み得る。
【００６２】
本開示の実施形態を詳細に記載してきたが、添付の特許請求の範囲によって定義される本開示は上述で説明された特定的詳細に限定されず、それらの多くの明らかな変形が本開示の真意又は範囲から逸脱することなく可能であることを理解されたい。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
0006293918.tif 000003
【図１Ｃ】
0006293918.tif 000004
【図１Ｄ】
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【図１Ｅ】
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【図１Ｆ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図２Ｆ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図４】
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【図５】
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