(57)【要約】基板、基板の上に配設される第１の活性層および第１の活性層上に配設される第２の活性層を含む半導体デバイスが提供される。二次元の電子ガス層が第１の活性層と第２の活性層との間に生じるように、第１の活性層より大きいバンドギャップを第２の活性層が有する。終端層が第２の活性層上に配設されて、ＩｎＧａＮを含む。ソース、ゲートおよびドレインコンタクトがこの終端層上に配設される。  【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスであって、
基板と、
前記基板の上に配設される第１の活性層と、
前記第１の活性層上に配設される第２の活性層であって、二次元の電子ガス層が前記第１の活性層と前記第２の活性層との間に生じるように、前記第１の活性層より大きいバンドギャップを有する第２の活性層と、
前記第２の活性層上に配設される終端層であって、ＩｎＧａＮを含む終端層と、
前記終端層上に配設されるソース、ゲートおよびドレインコンタクトと、を備える、半導体デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体デバイスであって、前記第１の活性層が、ＩＩＩ属窒化物半導体材料を備える、ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体デバイスであって、前記第１の活性層がＧａＮを備える、ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体デバイスであって、前記第２の活性層が、ＩＩＩ属窒化物半導体材料を備える、ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体デバイスであって、前記第２の活性層が、ＡｌｘＧａ１−ｘＮを備え、０＜Ｘ＜１である、ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項６】
請求項４に記載の半導体デバイスであって、前記第２の活性層が、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮおよびＡｌＩｎＧａＮからなる群から選ばれる、ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体デバイスであって、さらに、前記基板と前記第１の活性層との間に配設される核形成層を備える半導体デバイス。
【請求項８】
半導体デバイスであって、
基板と、
前記基板の上に配設される第１の活性層と、
前記第１の活性層上に配設される第２の活性層であって、二次元の電子ガス層が前記第１の活性層と前記第２の活性層との間に生じるように、前記第１の活性層より大きいバンドギャップを有する第２の活性層と、
前記第２の活性層上に配設される終端層であって、ＦｅドープされたＧａＮ、ＳｉドープされたＧａＮ、ＦｅＮおよびＳｉＮからなる群から選択される終端層と、
前記終端層上に配設されるソース、ゲートおよびドレインコンタクトと、を備える半導体デバイス。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体デバイスであって、前記第１の活性層が、ＩＩＩ属窒化物半導体材料を備える、ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体デバイスであって、前記第１の活性層がＧａＮを備える、ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１１】
請求項８に記載の半導体デバイスであって、前記第２の活性層が、ＩＩＩ属窒化物半導体材料を備える、ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１２】
請求項１１に記載の半導体デバイスであって、前記第２の活性層が、ＡｌｘＧａ１−ｘＮを備え、０＜Ｘ＜１である、ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１３】
請求項１１に記載の半導体デバイスであって、前記第２の活性層が、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮおよびＡｌＩｎＧａＮからなる群から選ばれる、ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１４】
請求項８に記載の半導体デバイスであって、さらに、前記基板と前記第１の活性層との間に配設される核形成層を備える半導体デバイス。
【請求項１５】
半導体デバイスであって、
基板と、
前記基板の上に配設される第１の活性層と、
前記第１の活性層上に配設される第２の活性層であって、二次元の電子ガス層が前記第１の活性層と前記第２の活性層との間に生じるように、前記第１の活性層より大きいバンドギャップを有し、前記第２の活性層がその中に形成される第１および第２の凹部を含む、第２の活性層と、
前記第１および第２の凹部内にそれぞれ配設されるソースおよびドレインコンタクトと、
前記第２の活性層の上に配設されるゲート電極と、を備える、ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１６】
請求項１５に記載の半導体デバイスであって、さらに、前記第２の活性層の上に配設される終端層、を備え、そして、前記ソースおよびドレインコンタクトが、前記終端層を通して延伸する、ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１７】
請求項１６に記載の半導体デバイスであって、前記終端層が、ＩｎＧａＮを備える、ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１８】
請求項１６に記載の半導体デバイスであって、前記終端層が、ＦｅドープされたＧａＮ、ＳｉドープされたＧａＮ、ＦｅＮおよびＳｉＮからなる群から選択される、ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１９】
請求項１５に記載の半導体デバイスであって、前記第１の活性層が、ＩＩＩ属窒化物半導体材料を備える、ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項２０】
請求項１９に記載の半導体デバイスであって、前記第１の活性層がＧａＮを備える、ことを特徴とする半導体デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願）
本出願は、これと共に同じ日付に出願されて、本願明細書にその全体を引用したものとする、同時継続中の（特許文献１）に関連する。
【０００２】
本出願は、また、これと共に同じ日付に出願されて、本願明細書にその全体を引用したものとする、同時継続中の（特許文献２）に関連する。
【０００３】
本発明は、高電圧トランジスタヘテロ構造に関して、特に高電圧窒化ガリウム（ＧａＮ）高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）に関する。
【背景技術】
【０００４】
窒化ガリウム（ＧａＮ）は、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）のような電子デバイスの性能を高めるために十分な機会を提供する。ＨＥＭＴは従来の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）にそっくりにふるまい、および、ＨＥＭＴデバイスの製造はＦＥＴアーキテクチャに基づく。しかしながら、ＨＥＭＴは２つの化合物半導体層間のきわめて精密な、格子整合したヘテロ接合を必要とする。一般に、ＧａＮ  ＨＥＭＴは基板上に付着されるショットキ層およびＧａＮ緩衝層、ならびにショットキ層上に付着されるソース、ゲートおよびドレインコンタクトを有する。
【０００５】
ＧａＮベースのＦＥＴデバイスは、大きいバンドギャップを有するＡｌＧａＮ層とより狭いバンドギャップを有するＧａＮ層との間のヘテロ接合界面に量子ウェルを形成することによって電子移動度を最大化することが可能である。結果として、電子が量子ウェル内に捕捉される。捕獲電子は、ドープされていないＧａＮ層内の二次元の電子ガスによって表される。電流の量は、電子がソース電極とドレイン電極との間のチャンネルに沿って流れるように、半導体とのショットキ接触にあるゲート電極に電圧を印加することによって制御される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許出願第１１／７２５，７６０号、名称「デプレッションモードＧａＮベースＦＥＴを使用したカスコード回路」
【特許文献２】米国特許出願第１１／７２５，８２０号、名称「高電圧ＧａＮベースヘテロ接合トランジスタ構造およびそれを形成する方法」
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】Ｍ．Ａｓｉｆ  Ｋｈａｎ他、「ＡｌＧａｌｎＮ／ＧａＮヘテロ構造電界効果トランジスタにおける歪エネルギー帯工学」ＧＡＡＳ９９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ＨＥＭＴの市場が成長し続けるにつれて、降伏電圧Ｖｂｒおよびリーク電流Ｉのようなさまざまな動作特性を高めるために多くの改良が望ましいままである。例えば、ショットキ層が一般的に金属で、ＨＥＭＴの製造中におよび／またはＨＥＭＴの動作中に大気に曝露される場合があるので、適切に対処されないままである１つの課題が生じる。ショットキ層を大気に曝露することによって、酸化のような表面反応が、ショットキ層の表面に生じる可能性がある。これらの表面反応は、ＨＥＭＴの性能を劣化させ、更に不動態化の有効性を減少させる可能性がある。不動態化は、ＨＥＭＴの表面上の表面トラップを不動態化するかまたは充填するために、ＨＥＭＴの表面上の誘電材料の付着であり、それによってＲＦからＤＣまでの分散のようなこれらの表面トラップのためにデバイス劣化を回避する。
【０００９】
したがって、とりわけ、ＧａＮ  ＨＥＭＴの製造および動作中に表面反応を防ぐことが可能な再生可能な終端層を有する高電圧ＧａＮ  ＨＥＭＴ構造に対する必要性が残る。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に従って、基板、基板の上に配設される第１の活性層、および、第１の活性層上に配設される第２の活性層を含む半導体デバイスが提供される。二次元の電子ガス層が第１の活性層と第２の活性層との間に生じるように、第１の活性層より大きいバンドギャップを第２の活性層が有する。終端層が第２の活性層上に配設されて、ＩｎＧａＮを含む。ソース、ゲートおよびドレインコンタクトがこの終端層上に配設される。
【００１１】
本発明の一態様に従って、第１の活性層がＩＩＩ属窒素化合物半導体材料を備え、第１の活性層がＧａＮを備える。
【００１２】
本発明の別の態様に従って、第２の活性層がＩＩＩ属窒化物半導体材料を備える。
【００１３】
本発明の別の態様に従って、第２の活性層がＡｌｘＧａ１−ｘＮを備え、ここで０＜Ｘ＜１である。
【００１４】
本発明の別の態様に従って、第２の活性層がＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮおよびＡｌＩｎＧａＮからなる群から選ばれる。
【００１５】
本発明の別の態様に従って、核形成層が基板と第１の活性層との間に配設される。
【００１６】
本発明の別の態様に従って、半導体デバイスが、基板、基板の上に配設される第１の活性層および第１の活性層上に配設される第２の活性層を含む。第１の活性層と第２の活性層との間に二次元の電子ガス層が生じるように、第２の活性層は第１の活性層より大きなバンドギャップを有する。終端層が、第２の活性層上に配設される。この終端層は、ＦｅドープされたＧａＮ、ＳｉドープされたＧａＮ、ＦｅＮおよびＳｉＮからなる群から選択される。ソース、ゲートおよびドレインコンタクトが、終端層上に配設される。
【００１７】
本発明の別の態様に従って、半導体デバイスが、基板、基板の上に配設される第１の活性層および第１の活性層上に配設される第２の活性層を含む。第１の活性層と第２の活性層との間に二次元の電子ガス層が生じるように、第２の活性層は第１の活性層より大きなバンドギャップを有する。第２の活性層は、その中に形成される第１および第２の凹部を含む。ソースおよびドレインコンタクトが、それぞれ、第１および第２の凹部内に配設される。ゲート電極が、第２の活性層の上に配設される。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）内に組み込まれる窒化ガリウム（ＧａＮ）ヘテロ接合構造の一実施態様を示す。
【図２】高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）内に組み込まれる窒化ガリウム（ＧａＮ）ヘテロ接合構造の代替実施態様を示す。
【図３】高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）内に組み込まれる窒化ガリウム（ＧａＮ）ヘテロ接合構造の代替実施態様を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本願明細書において「一実施態様」または「実施態様」に対するいかなる参照も、この実施態様と関連して記載される特定の特徴、構造または特性が、本発明の少なくとも一つの実施態様内に含まれることを意味する点に注意する価値がある。明細書内のさまざまな場所における句「一実施態様において」の出現が、必ずしも全て同じ実施態様を参照しているというわけではない。さらに、さまざまな実施態様が本願明細書において明示的に示されない追加的な実施態様を得るために多数の方法で組み合わせられることができる。
【００２０】
本発明は、図１にて図示したように、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）１０内に組み込まれる高電圧、窒化ガリウム（ＧａＮ）ヘテロ接合構造に関する。ＨＥＭＴ  １０は、基板１２、核形成（遷移）層１８、ＧａＮ緩衝層２２、アルミニウム窒化ガリウム（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ；０＜Ｘ＜１）ショットキ層２４およびキャップまたは終端層１６を含む。更に、ＨＥＭＴ  １０はソースコンタクト２７、ゲートコンタクト２８およびドレインコンタクト３０を含む。
【００２１】
ＧａＮヘテロ接合構造１０は、エピタキシャル成長プロセスを使用して、一般的に製造される。たとえば、ガリウム、アルミニウムおよび／またはインジウムのような、半導体の金属成分が、ターゲットおよび基板の双方が、窒素および一つ以上のドーパントを含むガスの雰囲気内にある間、基板に極めて近傍に配設された金属ターゲットから叩き出されるところで反応性スパッタリングプロセスが、使われることができる。代わりとして、金属有機化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）が使用されることができ、基板が高い温度、一般的に約７００−１１００℃に維持される間、基板が、金属の有機化合物を含む雰囲気に、同じくアンモニアのような反応性窒素含有ガスおよびドーパント含有ガスに曝露される。ガス状の化合物が、分解して、基板３０２の表面の上に結晶材料のフィルムの形のドープされた半導体を形成する。基板および成長されたフィルムは、次いで冷却される。更なる変形例として、分子線エピタキシ（ＭＢＥ）または原子層エピタキシのような他のエピタキシャル成長方法が使われることができる。使用されることができるさらに追加的な技術としては、流量変調有機金属化合物気相成長（ＦＭ−ＯＭＶＰＥ）、有機金属化合物気相成長（ＯＭＶＰＥ）、水素化物気相成長（ＨＶＰＥ）および物理蒸着法（ＰＶＤ）が挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００２２】
構造の成長を開始するために、核形成層１８が基板１２上に付着される。基板１２は、サファイヤまたは炭化珪素（ＳｉＣ）を含むがこれに限らずさまざまな材料から形成されることができる。核形成層１８は例えば、ＡｌｘＧａ１−ｘＮのようなアルミニウムに富む層であることができ、ここでＸは０から１までの範囲内にある。核形成層１８はＧａＮ緩衝層２２と基板１２との間の格子不整合を補正するように働く。一般に、１つの層の原子間の間隔が隣接層の原子間の間隔に整合しないときに、格子不整合が作り出される。格子不整合の結果として、隣接層の原子間の結合は弱く、および、隣接層に亀裂が入るか、分かれるかまたは多数の結晶欠陥を有する可能性がある。したがって、核形成層１８は基板１２の結晶構造とＧａＮ緩衝層２２の結晶構造との間に界面を作り出すことによってＧａＮ緩衝層２２と基板１２との間の格子不整合を補正するように働く。
【００２３】
核形成層１８を付着したあと、ＧａＮ緩衝層２２が核形成層１８上に付着され、および、ＡｌｘＧａ１−ｘＮショットキ層２４がＧａＮ緩衝層２２上に付着される。薄い、高移動度チャンネルである二次元伝導チャンネル２６が、キャリヤをＧａＮ緩衝層２２とＡｌｘＧａ１−ｘＮショットキ層２４との間の界面領域に限定する。キャップまたは終端層１６が、ＡｌｘＧａ１−ｘＮショットキ層２４上に付着されて、ＨＥＭＴ  １０の製造および動作中に、ＡｌｘＧａ１−ｘＮショットキ層２４を酸化のような、表面反応から保護するように働く。ショットキ層２４がアルミニウムを含むので、ＡｌｘＧａ１−ｘＮショットキ層２４が大気に曝露されて、別な方法で保護されていない場合、酸化が生じる。
【００２４】
基板１２上のエピタキシャル層１８、２２および２４ならびに終端層１６の成長の後、ＨＥＭＴ  １０は、終端層１６上に、それぞれソース、ゲートおよびドレインコンタクト２７、２８および３０を付着することによって完成される。コンタクト２７、２８および３０の各々は、金属コンタクトである。好ましくは、ゲートコンタクト２８はニッケル、金のような、しかしこれに限られない金属材料であり、およびソースおよびドレインコンタクト２７および３０は、各々、チタン、金またはアルミニウムのような、しかしこれらに限られない金属材料である。
【００２５】
本発明の一実施態様において、終端層１６はＡｌｘＧａ１−ｘＮショットキ層２４上に形成されるＩｎＧａＮ層である。ＩｎＧａＮ層１６は、２つの目的を果たし、その第１は、酸化が減少されるように、Ａｌを含まない上層を提供することである。さらに、ＩｎＧａＡｌＮのようなＡｌ含有化合物が、適切な均一性および平滑性を提供するために一般により高い成長温度が必要なので、Ａｌを含む材料の代わりにＩｎＧａＮ材料を用いて、成長プロセスが単純化されることができる。加えて、ＩｎＧａＮ層２４は表面でポテンシャル障壁をわずかに低下させ、それが表面電荷の蓄積を減少させることができて、この構造の表面上のリーク電流を減少させることができる。
【００２６】
本発明の別の実施態様において、終端層１６はＡｌ金属を備えたフラッシュ層である。フラッシュ層は、材料のきわめて短いバーストで形成されている。これは、構造の表面の上にきわめて薄い（例えば１−２単分子層の材料）、しかし、平坦なカバレージを形成する。フラッシュ層は、一般にその場で施される。金属Ａｌが形成され、かつＡｌＮが形成されないことを確実にするために、ＡｌＮを形成するときにさもなければ存在するであろう反応性窒素含有ガス（例えばアンモニア）が、不在である。Ａｌフラッシュ層は、高いかまたは低い温度で形成されることができる。その形成の後、Ａｌはその後アニールされて薄い酸化物層を形成することができる。Ａｌフラッシュ層がきわめて薄いので、それはその全体に酸化されることができ、したがって、材料の上に初期「自然」酸化膜を作り出し、それは、次いでショットキ層２４をプロセスでしばしば見られるタイプの劣化を受けることから保護する。これは、また、その両方がＨＥＭＴ性能にとって重要な、リーク電流の減少および降伏電圧増大のための追加的なバリア材料として働くことができる。Ａｌの代わりに、フラッシュ層はガリウムまたはさらにインジウムのような他の金属を備えることができる。ＧａまたはＩｎフラッシュ層は、また、構造上に均一な「自然」酸化膜を形成するために酸化されることができる。
【００２７】
本発明のさらに他の実施態様において、キャップまたは終端層１６が高度にＦｅドープされたＧａＮ、ＳｉドープされたＧａＮ、ＦｅＮまたはＳｉＮのようなその他の材料から形成されることができる。エピタキシャル、非エピタキシャルまたはアモルファスでさえあることができるこれらの層は、初期不活性化層として、または、リーク電流を減少させ、かつ降伏電圧を増大する追加的なバリア材料として、機能することができる。たとえば、ＦｅのＧａＮへの追加は、材料がより絶縁性となり、電子移動度を減少させるので、リーク電流を減少させることができる材料になる。
【００２８】
本発明の他の実施態様において、薄いＡｌＮ層がＡｌｘＧａ１−ｘＮショットキ層２４上に形成されることができる。この層は、より効率的に電荷を調節するのを助けるために追加的なショットキバリア層を提供し、したがって、デバイスのリーク電流を減少させて、降伏電圧を増大する。ＡｌＮはオーミックコンタクトを付着するために容易にウエットエッチングすることができるので、ＡｌＮ層はまた構造の初期不活性化層として働くことができる。代わりとして、不活性化層を形成するためにＡｌＮ層が酸化されることができる。
【００２９】
いくつかの実施態様において、終端層１６はおよそ１ないし５ナノメートルの厚さである。したがって、電子は終端層１６中を容易にトンネルすることができる。結果として、終端層１６はゲートコンタクト２８とＡｌｘＧａ１−ｘＮショットキ層２４との間のショットキバリア高さを増加させず、ここでショットキバリア高さはゲートコンタクト２８とＡｌｘＧａ１−ｘＮショットキ層２４との界面における電子によって直面されるポテンシャルエネルギーバリアを規定する。更に、終端層１６はソースおよびドレインコンタクト２７および３０の形成に影響を及ぼさない。
【００３０】
図２は、本発明のさらに別の実施態様を示し、そこにおいてオーミックコンタクト２７および２８が、ＡｌｘＧａ１−ｘＮショットキ層２４から形成される凹部内に位置する。この凹部は、従来の技術に従ってＡｌｘＧａ１−ｘＮショットキ層２４をエッチングすることによって形成される。凹部は、ＡｌｘＧａ１−ｘＮショットキ層２４を通して部分的にまたは完全に延伸することができる。たとえば、場合によっては、凹部は深さ約５ないし１５ｎｍの深さまで延伸することができ、それによってＡｌｘＧａ１−ｘＮショットキ層２４の充分な厚さがチャンネル層２６を作り出すままとすることを可能にする。このようにコンタクトをへこませることによってコンタクト比抵抗および表面の平滑性が、オーミックコンタクトを形成するために付着される金属の浸透を増加させるように減少される。増大された表面粗さは、半導体内へのより良い金属のマイグレーションに結びつく）。低オン抵抗を必要とするデバイスに対して、この配置は最も低い可能なオン抵抗を達成する点で有意であることができる。図示されてはいないが、本発明の本実施態様はまた、上で論じられたもののようなキャップまたは終端層を使用することができる。この場合、コンタクト２７および２８が位置する凹部はまた、終端層を通して延伸する。
【００３１】
図３は、バリア層２４がＡｌｘＧａ１−ｘＮの代わりにＡｌＩｎＧａＮから形成される本発明の別の実施態様を示す。たとえば、（非特許文献１）内に論じられているように、ｘが０．１から０．２まで、およびｙが０．００から０．０２まで変化する合金組成を有する５０ｎｍ未満のバリア厚さを有するＡｌｘＩｎｙＧａ（１−ｘ−ｙ）Ｎ接合が、使用される。さらに、Ｋｈａｎ他は、格子定数の直線補間に基づいて、Ａｌ／Ｉｎ比率５がほぼＧａＮと格子整合するはずであると述べている。ＡｌＩｎＧａＮを用いて、歪がバンドギャップから独立に制御されることができ、それによって、材料のバンドギャップが臨界厚に関しより自由に変更されることができる。パワーデバイスに対してこれは、不必要に材料に応力を加えて、材料が時間とともに弛緩するにつれてさもなければ生じるであろう、デバイス寿命を減少させることなく、チャンネル内にほとんどの電荷を得るために決定的となることができる。
【００３２】
さまざまな実施態様が詳細に例示されて、本願明細書において記載されているとはいえ、理解されるであろうことは、本発明の修正および変更が、上記の教示によって包含され、かつ本発明の趣旨および意図された目的から逸脱することなく、添付の特許請求の範囲の範囲内にある、ということである。例えば、デプレッションモードＦＥＴがＧａＮベースのデバイスとして記述されたとはいえ、本発明は、さらに一般的にいえばＩＩＩ属元素がガリウム（Ｇａ）、アルミニウム（Ａｌ）、硼素（Ｂ）またはインジウム（Ｉｎ）であることができる任意のＩＩＩ属窒化物化合物半導体から形成されるデプレッションモードＦＥＴを包含する。
【符号の説明】
【００３３】
１０  ＨＥＭＴ
１２  基板
１６  終端層
１８  核形成層
２２  緩衝層
２４  ショットキ層
２６  チャンネル層
２７  ソースコンタクト
２８  ゲートコンタクト
３０  ドレインコンタクト
３０２  基板
【図１】
2010522434.tif 000003
【図２】
2010522434.tif 000004
【図３】
2010522434.tif 000005
【国際調査報告】
2010522434.tif 000006