(57)【要約】一体型遮蔽電極を有する電気接続機構を含むイオン加速装置とその方法が開示される。実施形態によれば、イオン注入システムのイオン加速装置は、第１素子と、第１コネクタと前記第１コネクタのまわりの第１カプセル化遮蔽電極とを有する前記第１素子内の第１接続系統と、前記第１のコネクタに連結している前記第１素子以外の第２素子内の第２接続系統とを備え、前記第１カプセル化遮蔽電極は、前記第１素子の第１インターフェース面に隣接した第１遮蔽部を含み、断面において、前記第２接続系統は前記第１素子と接しており、前記第１遮蔽部がほぼＵ形状である。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン注入システムのイオン加速装置であって、
第１素子と、
第１コネクタと、前記第１コネクタのまわりの第１カプセル化遮蔽電極とを有する、前記第１素子内の第１接続系統と、
前記第１のコネクタに連結している、前記第１素子以外の第２素子内の第２接続系統とを備え、
前記第１カプセル化遮蔽電極は、前記第１素子の第１インターフェース面に隣接した第１遮蔽部を含み、断面において、前記第２接続系統は前記第１素子と接しており、前記第１遮蔽部がほぼＵ形状であるイオン加速装置。
【請求項２】
前記第１遮蔽部は、前記第１コネクタに対してほぼ対称である、請求項１に記載のイオン加速装置。
【請求項３】
前記第１カプセル化遮蔽電極は、前記第１コネクタに電気的に接続されている、請求項１に記載のイオン加速装置。
【請求項４】
前記第２接続系統は前記第１コネクタと第２軸に沿って連結し、該第２軸と直角をなす第１軸の前記第１遮蔽部の内側寸法は、前記第１軸の前記第１遮蔽部の外側寸法よりも少なくとも約０．２５インチ小さい、請求項１に記載のイオン加速装置。
【請求項５】
前記第１カプセル化遮蔽電極は、ほぼカップ形状である、請求項１に記載のイオン加速装置。
【請求項６】
前記第１カプセル化遮蔽電極のエッジは、前記第１インターフェース面に隣接してほぼ丸い、請求項５に記載のイオン加速装置。
【請求項７】
前記第２接続系統は、第２コネクタと、前記第２コネクタのまわりで伸びている第２カプセル化遮蔽電極とを有し、前記第２カプセル化遮蔽電極は、前記第１インターフェース面に隣接する第２遮蔽部を有し、断面において、前記第２遮蔽部はほぼＵ形状である、請求項１に記載のイオン加速装置。
【請求項８】
前記第２遮蔽部は、サイズ及び形状が、前記第１遮蔽部とほぼ類似している、請求項７に記載のイオン加速装置。
【請求項９】
前記第２コネクタは、前記第１コネクタに受けいれられる、ピンが取り付けられたばね又はポゴピンのうちの少なくとも１つである、請求項７に記載のイオン加速装置。
【請求項１０】
前記第２素子は、前記第１及び第２接続系統を介して前記第１素子に電気的に接続されている、請求項７に記載のイオン加速装置。
【請求項１１】
前記第１素子は、第１ブッシングユニットを有し、前記第２素子は、段階回路基板又は第２の異なるブッシングユニットのうちの１つを有する、請求項１０に記載のイオン加速装置。
【請求項１２】
前記第２カプセル化遮蔽電極は、前記第２素子と周囲の環境との間の第２インターフェース面に隣接する第３遮蔽部を含み、前記周囲の環境がガス環境又は真空環境のうちの一つであり、前記第３遮蔽部は断面においてほぼＵ形状である、請求項７に記載のイオン加速装置。
【請求項１３】
断面において、前記第２カプセル化遮蔽電極は、ほぼＨ形状である、請求項１２に記載のイオン加速装置。
【請求項１４】
前記第２素子は、前記第１及び第２接続系統を介して前記第１素子に、機械的に連結されている、請求項１３に記載のイオン加速装置。
【請求項１５】
前記第１素子は、前記第１ブッシングユニットを有し、前記第２素子は、前記第２異なるブッシングユニットを有する、請求項１４に記載のイオン加速装置。
【請求項１６】
前記第１カプセル化遮蔽電極は、電気的絶縁部によってカプセル化される、請求項１に記載のイオン加速装置。
【請求項１７】
前記第１コネクタは、ガス環境又は真空環境のうちの１つからチューブ状部に連結されるチューブ状部及びボルト部を有する、請求項１に記載のイオン加速装置。
【請求項１８】
前記第１遮蔽部は、作動状態において前記ボルト部が前記チューブ状部に連結する場合には、前記ボルト部よりも少なくとも約３／８インチ前記第１インターフェース面に近い位置に、前記第１インターフェース面の方へ伸びる、請求項１７に記載のイオン加速装置。
【請求項１９】
イオン加速装置であって、
カプセル化遮蔽電極を含む第１接続系統を有する第１素子と、第２接続系統を有する第２素子とを備え、
前記第１接続系統と前記第２接続系統とが接する場合には、前記カプセル化遮蔽電極は、固体絶縁金属部、周囲の環境、及び金属部が接する、前記第１接続系統と前記第２接続系統との間のインターフェースから、電気的ストレスを引き離し、
前記周囲の環境はガス環境又は真空環境のうちの１つである、イオン加速装置。
【請求項２０】
イオン加速装置を高電圧環境における要素の接続による高電圧故障から保護する方法であって、
前記素子の絶縁部内に接続点を内蔵する工程と、
前記接続点に接続されたカプセル化遮蔽電極を提供し、接続が前記接続点で起こる場合に、等電位線が前記カプセル化遮蔽電極によって接続点から引き離す工程と、
を含む、イオン加速装置を保護する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に、イオン注入に関し、より詳しくは、一体型遮蔽電極を備える接続機構を含むイオン加速装置及びその方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
イオン注入は、導電率を変化させるために半導体ウエハに不純物を注入又はドーピングするための標準の技術である。典型的なイオン注入プロセスは、不純物（イオン）を半導体ウエハに注入するために、エネルギーイオンビームを使用する。イオン注入の間、イオンビームを生成するためにソースフィード部を印加し、生成されたイオンビームを加速カラムによって加速する必要がある。加速カラム（加速ビームカラム）は、イオンビームを、例えば、６７０ｋＶで加速するために必要とされる。好適には、加速はイオンビームによって達成され、このイオンビームはイオンの光学要件のために、レンズを横切って、段階的な（grading）電圧で加速カラムに内臓の７つのレンズを通過する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
能動的又は受動的な段階づけ方式は、段階的な電圧を制御／生成するために用いられ、この方式はレンズを通って、例えば、それぞれのブッシングユニットへの電気接続及び機械接続を必要とする。接続点又は端点は、保護されていない場合、通常高い電気的ストレス領域となり、加速カラムの最も弱い点となることがあり、このことは高電圧故障を引き起こすかもしれない。図６に示すように、段階回路基板３１２がコネクタ３１６を介してブッシングユニット３１４に接続されるとき、接続点３１８で、インターフェースが、ブッシングユニット３１４及び／又は段階回路基板３１２の固体絶縁部と、空気、ＳＦ６、及び／又は他のガスを含むガス環境３２２と、コネクタ３１６（３重接合と称される）の金属部との間で形成される。等電位線３２０はまた、コネクタ３１６の金属部のために接続点３１８に隣接される。ΔＶ／ｄで定義される接続点３１８の高い電気的ストレスにより、電気放電が生じ得る。ここで、ΔＶは電位差、ｄは距離を示す。例えば、１インチにつき７５ｋＶの電気的ストレスで、大気はブレークダウンする。この電気的ストレスは、２つのコネクタ３１６の間、接続点３１８とグラウンド（図示せず）の間、及び／又は２つの隣接したブッシングユニット３１４の接続点３１８の間に存在し得る。電気放電は、接続点３１８で電気故障の原因となり得る。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
開示の第１の態様は、イオン注入システムのイオン加速装置に向けられており、イオン加速装置は、第１素子と、第１コネクタと、前記第１コネクタのまわりの第１カプセル化遮蔽電極とを有する、前記第１素子内の第１接続系統と、前記第１のコネクタに連結している、前記第１素子以外の第２素子内の第２接続系統とを備え、前記第１カプセル化遮蔽電極は、前記第１素子の第１インターフェース面に隣接した第１遮蔽部を含み、断面において、前記第２接続系統は前記第１素子と接しており、前記第１遮蔽部がほぼＵ形状である。
【０００５】
開示の第２の態様は、イオン加速装置に向けられており、カプセル化遮蔽電極を含む第１接続系統を有する第１素子と第２接続系統を有する第２素子とを備え、前記第１接続系統と前記第２接続系統とが接する場合には、前記カプセル化遮蔽電極は、固体絶縁金属部、周囲の環境、及び金属部が接する、前記第１接続系統と前記第２接続系統との間のインターフェースから、電気的ストレスを引き離し、前記周囲の環境はガス環境又は真空環境のうちの１つである。
【０００６】
開示の第３の態様は、イオン加速装置を高電圧環境における素子の接続による高電圧故障から保護する方法に向けられており、この方法は、前記素子の絶縁部内に接続点を内蔵する工程と、前記接続点に接続されたカプセル化遮蔽電極を提供し、接続が前記接続点で起こる場合に、等電位線が前記カプセル化遮蔽電極によって接続点から引き離す工程とを含む。
【０００７】
開示の前述の及び他の特徴は、開示の実施形態の以下のより詳細な説明から明らかとなる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】開示の実施形態による、イオンビーム注入システムの概略図である。
【図２】開示の実施形態による、イオン加速装置の概略の断面図である。
【図３】開示の実施形態による、接続機構の概略の断面図である。
【図４】開示の実施形態による、三次元図のカプセル化遮蔽電極を示す図である。
【図５】開示の別の実施形態による、接続機構の概略の断面図である。
【図６】ブッシングユニットに従来の電気接続の例を示す図である。
【０００９】
この開示の実施形態は図を参照して詳述され、そこにおいて、同様の記号は同様の素子を意味する。
【００１０】
開示の図面は原寸に比例していないことに留意されたい。図面は、開示の典型的な態様だけを描くことを目的とし、したがって、開示の範囲を制限するものとみなされてはならない。図面において、番号付けは図面の中の同様の要素を表す。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
［イオン注入システムの概略］
添付図面に関して、図１は、イオン注入システム１０を示す図である。イオン注入システム１０は、イオンビーム４を生成し、イオンビームフィルタシステム５及びイオンビームスキャニングシステム６を通って、ターゲットシステム８にイオンビーム４を送出するイオンビーム生成システム２を備える。イオンビーム生成システム２は、あるいはVarian Semiconductor Equipment Associates社から入手可能であるような、いかなる既知の又は後に開発されたイオンビーム生成器も含むことができる。典型的には、ターゲットシステム８は、プラテン１４に取り付けられる１つ以上の半導体ターゲット１２（例えばウェハ）を含む。イオン注入システム１０は、当業者にとって既知の付加的な構成要素を含むことができる。イオンビーム４が横断する全ての経路が、イオン注入の間、真空にされることが理解できよう。
【００１２】
上記の構成要素に加え、イオンビーム生成システム２は、ガス流４０と、イオンビーム源４２と、抽出マニピュレーター４４と、ソースフィルタ磁石４６と、加速/減速カラム４８とを備えることができる。ソースフィルタ磁石４６は、好適には、イオンビーム源４２の近くに配置される。抽出マニピュレーター４４は、ソースフィルタ磁石４６とイオンビーム源４２との間に配置される。加速/減速コラム４８は、ソースフィルタ磁石４６と質量分析器５０との間に配置される。
【００１３】
イオンビームフィルタシステム５は、例えば、半円形の半径５３を有する双極子分析磁石５２と、分解開口５６を有する質量分解切れ込み５４とを有する質量分析器５０を備える。周知のように、イオンビーム４は、横断する経路の異なるステージでイオンの異なる組合せを含むことができる。
【００１４】
スキャニングシステム６は、例えば、スキャナ６０と角度修正器６２とを備えることができる。スキャナ６０（静電スキャナであってもよい）は、フィルタ処理されたイオンビーム４を偏向させる。
【００１５】
図示するイオン注入システム１０について上述したが、この開示が、イオンビーム４を生成して走査するためのいかなる既知のシステム又は後に開発されたシステムにも使用できることは、当業者によって理解されるべきである。また、この開示が、イオン注入のいかなる既知の処理及び方法又は後に開発された処理及び方法にも使用できることは、理解されるべきである。
【００１６】
［イオン加速装置］
図２にイオン加速装置１００の断面図を示す。イオン加速装置１００は、加速／減速カラム４８を実装するか、又はイオン注入システム１０（図１）内のどこかに配置することができる。一実施例によれば、イオン加速装置１００は、複数（又は一連の）加速カラムブッシングユニット（ブッシングユニット）１０２（８つが図示される）と、１つ（又は一連の）段階回路基板１０４とを備える。段階回路基板１０４は、各々のブッシングユニット１０２に段階的な電圧を印加するために、ブッシングユニット１０２に添える／結合してもよい。実施例によれば、段階回路基板１０４は、２台の隣接したブッシングユニット１０２（例えば１０２ａ及び１０２ｂ）間で約９５ｋＶずつ段階的に電圧を印加する。
【００１７】
ブッシングユニット１０２及び／又は段階回路基板１０４は、電気接続線機構１０６及び／又は機械的接続機構１０８を介して接続される。電気接続線機構１０６は、例えば、（ａ）２つのブッシングユニット１０２の間、（ｂ）ブッシングユニット１０２の中で、レンズプレート１１０と内部導体（図示せず）との間、及び／又は（ｃ）図の例で示されるように、ブッシングユニット１０２の外側、例えば段階回路基板１０４と、ブッシングユニット１０２との間、等に位置することができる。この説明において、段階回路基板１０４とブッシングユニット１０２との間の電気接続線機構１０６が図示する実施例として用いられるが、この実施例は開示の範囲を制限するものではない。機械的接続機構１０８は、（ａ）２つのブッシングユニット１０２の間、（ｂ）ブッシングユニット１０２の中で、内部要素、例えばレンズプレート１１０とブッシングユニットの絶縁部との間、及び／又は（ｃ）ブッシングユニット１０２とブッシングユニット１０２の外側の装置間、等に位置することができる。この説明において、２つのブッシングユニット１０２間の機械的接続機構１０８を図示の例として用いるが、この実施例は開示の範囲を制限するものではない。理解されるように、電気接続線機構１０６か機械的接続機構１０８のために、インターフェースはブッシングユニット１０２の固体材料間、ガス環境１６４（例えば、空気、ブッシングユニット１０２の外側）、又は真空環境２００（例えば、ブッシングユニット１０２の内部）と金属（例えば、ボルト又は接続ピン）との間の接続点に生成される。ガス環境１６４は、空気、六フッ化硫黄（ＳＦ６）、及び／又は他のガスを含むが、これに限定されるものではない。機械的接続機構１０８はまた、接続点で、例えば浮遊電子による電位を含むことができる。このように、電気的接続機構１０６に関する開示は、機械的接続機構１０８に適応でき、その逆もまたしかりである。
【００１８】
図３は、段階回路基板１０４とブッシングユニット１０２との間の電気的接続機構１０６の実施形態を断面図で示す。電気接続線機構１０６は、ブッシングユニット１０２内の電気接続系統１２０と、段階回路基板１０４内の接続系統１２２とを含む。接続系統１２０は、接続系統１２２のコネクタ１２６（例えば、凸部）に連結することができるコネクタ１２４（例えば、凹部）を含む。接続系統１２０は、さらに、コネクタ１２４に接続され、コネクタ１２４周辺で伸びているカプセル化遮蔽電極１２８を含む。カプセル化遮蔽電極１２８は、ブッシングユニット１０２の電気絶縁部１３０によってカプセル化される。
【００１９】
実施形態によれば、カプセル化遮蔽電極１２８は、ブッシングユニット１０２のインターフェース面１３４及び／又は段階回路基板１０４のインターフェース面１３６の方へ伸びている遮蔽部１３２を含む。ｘ軸の平面１３７において、ｘ軸に沿って接続系統１２０は接続系統１２２と連結し、遮蔽部１３２は、インターフェース面１３４，１３６に面して、ほぼＵ形状である。すなわち、Ｕ形状の開口１３８はインターフェース１３４，１３６に面する。実施形態によれば、遮蔽部１３２は、コネクタ１２４に対してほぼ対称である。すなわち、平面１３７において、コネクタ１２４の一方の側の遮蔽部１３２の１３２ａ部は、ほぼコネクタ１２４の他方の側の１３２ｂ部の鏡像である。しかしながら、本開示は、この特定の実施形態に限定されない。
【００２０】
実施形態によれば、ｘ軸に対して垂直なｙ軸において、遮蔽部１３２の外側の寸法１４０は、約２．１インチよりも小さい。平面１３７のｙ軸において、遮蔽部１３２の内側の寸法１４２は、外側の寸法１４０よりも少なくとも約０．２５インチずつ小さい。しかしながら、他の寸法もまた可能であり、開示に含まれる。
【００２１】
実施形態によれば、図４に示すように、カプセル化遮蔽電極１２８は、三次元図においてほぼカップ形状である。図４において、点線は、ほぼカップ形状のカプセル化遮蔽電極１２８の内部１２９を示すために用いられる。コネクタ１２４の１２４ａ部は内部１２９の中にあるが、１２４ａ部は説明図のために実線かつパターンによって示される。
【００２２】
再び図３を参照すると、カップ形状のカプセル化遮蔽電極１２８のエッジ１４４は、インターフェース面１３４、１３６に隣接して、ｘ軸及びｙ軸の平面１３７において、ほぼ丸められている（点線に示される）。他の構成もまた可能であり、開示に含まれる。
【００２３】
接続系統１２２は、コネクタ１２６に接続され、コネクタ１２６周辺で伸びているカプセル化遮蔽電極１４６を含む。カプセル化遮蔽電極１４６は、電気絶縁部１４８によってカプセル化される。カプセル化遮蔽電極１４６は、インターフェース面１３４，１３６に隣接する遮蔽部１５０を含む。ｘ軸の平面１３７の断面において、遮蔽部１５０は、インターフェース面１３４，１３６に面して、ほぼＵ形状である。
【００２４】
実施形態によれば、遮蔽部１５０は、サイズ及び形状が遮蔽部１３２とほぼ類似する。図３に示すように、遮蔽部１５０及び１３２は、互いに反対側に配置される。すなわち、エッジ１４４及び１５２は、互いに向かう。
【００２５】
実施形態によれば、コネクタ１２６は、ピンが取り付けられたバネ１２７、ポゴピン又は２つの組合せであってもよい。コネクタ１２６は、コネクタ１２４に受け入れられる。
【００２６】
動作において、コネクタ１２４とコネクタ１２６とは、接続点１５４で互いに連結される。したがって、段階回路基板１０４の電位、すなわち段階的な電圧は、接続系統１２２から接続系統１２０まで伝わる。等電位線１６０は、カプセル化遮蔽電極１４６及び１２８のエッジ１４４及び１５２の間で規定される。結果として、電気的ストレスは、固体絶縁部１３０，１４８、ガス環境１６４（又は真空環境）及び金属部１２４及び１２６が連結する接続点１５４周辺で、インターフェース１６２（点線で示される）から引き離される。このように、接続点１５４のまわりの電気的ストレスは、イオン加速装置１００（図２）を接続による高電圧故障から保護するために、ほぼ減少又は除去される。
【００２７】
上述の通り、図３の電気接続機構１０６に関する説明は、同様に機械的接続に適用できる。段階回路基板１０４は、ブッシングユニット１０２に電気的に接続された装置を図示する例として用いられたにすぎない。他の装置を有することもできる。例えば、２つのブッシングユニット１０２は、接続機構１０６を介して電気的に接続される。
【００２８】
図５は、平面１３７の断面において、２つのブッシングユニット１０２（１０２ａ、１０２ｂ）間の機械接続機構１０８の実施形態を示す。実施形態によれば、ブッシングユニット１０２ａ及び１０２ｂは、接続機構１０８を介して機械的に接続される。しかしながら、接続機構１０８は、ブッシングユニット１０２間の電気接続のために用いることもできる。機械接続機構１０８は、ブッシングユニット１０２ａ内の接続系統２２０と、ブッシングユニット１０２ｂ内の接続系統２２２とを有する。接続系統２２０は、コネクタ２２４と、カプセル化遮蔽電極２２８とを有する。カプセル化遮蔽電極１２８（図３）の説明は、また、カプセル化遮蔽電極２２８に適用できる。例えば、カプセル化遮蔽電極２２８は、インターフェース２３４，２３６の方へ伸びている遮蔽部２３２を含む。遮蔽部２３２は、接続系統２２０が接続系統２２２に連結する方向であるｙ軸の平面１３７の断面において、インターフェース面２３４，２３６に面して、ほぼＵ形状である。
【００２９】
接続系統２２２は、コネクタ２２６と、カプセル化遮蔽電極２４６とを有する。カプセル化遮蔽電極２４６は、インターフェース面２３４，２３６の方へ伸びている遮蔽部２５０を含む。図３の遮蔽部１５０の説明は、遮蔽部２５０に適応できる。例えば、遮蔽部２５０は、平面１３７の断面において、インターフェース面２３４，２３６に面して、ほぼＵ形状である。
【００３０】
コネクタ２２６は、チューブ状部２７０と、ガス環境２６４（又は別の実施形態の真空環境）からチューブ状部２７０まで連結するボルト部２７２とを有する。チューブ状部２７０はいかなる外部の及び／又は内部の形状をも有することができ、全ては本発明に含まれることが認められるべきであり、トンネル２７１が一端から他端までチューブ状部２７０を通過するということが提供されるべきである。
【００３１】
カプセル化遮蔽電極２４６は、接続系統２２２がガス環境２６４と接続するブッシングユニット１０２ｂ上のインターフェース面２８０の方へ伸びている他の遮蔽部２７６を含む。遮蔽部２７６は、明らかに違うことを記載しない限り、図３の遮蔽部１３２とほぼ類似している。例えば、遮蔽部２７６は、平面１３７の断面のインターフェース面２８０に面して、ほぼＵ形状である。実施形態によれば、平面１３７の断面において、カプセル化遮蔽電極２４６（すなわち遮蔽部２７６及び遮蔽部２５０）は、ほぼＨ形状である。
【００３２】
実施形態によれば、作動状態においてボルト部２７２がチューブ状部２７０に連結する場合には、遮蔽部２７６は、ボルト部２７２より少なくとも約３/８インチ、インターフェース面２８０に近い位置に、インターフェース面２８０の方へ伸びる。作動状態は、ボルト部２７２とチューブ状部２７０とを含むどのコネクタ２２６が、ブッシングユニット１０２ａと１０２ｂとを機械的に接続するためにコネクタ２２４と連結されるかという状況に関連する。すなわち、距離２８２は、少なくとも３/８インチ、距離２８４より短い。
【００３３】
動作において、接続が接続点２８６で起こるとき、すなわちボルト部２７２及びチューブ状部２７０が互いに連結するとき、浮遊電圧はボルト部２７２、チューブ状部２７０及びコネクタ２２４の間で伝導し得る。等電位線２６０は、遮蔽部２７６のエッジ２８８に隣接して規定される。すなわち、電気的ストレスは、固体絶縁部２４８、ガス環境２６４（又は真空環境）及び、金属部（例えば、ボルト部２７２）が結びつく接続点／インターフェース２８６から引き離される。
【００３４】
図５の機械接続機構１０８は、開示に含まれる電気接続のためにもまた使用できることが認められるべきである。説明の便宜上ブッシングユニット１０２ａ及び１０２ｂを接続しているが、他の接続もまた可能である。例えば、機械接続機構１０８を、すなわち、真空環境２００（図２）内の開示に含まれるブッシングユニット１０２内部で接続のために用いることができる。
【００３５】
本発明はブッシングユニットへの接続に関して示されるものであるが、類似の設計がまた、２つの誘電体/絶縁部がより弱い絶縁力を有するインターフェースと結び付く他の領域において使用できるとことが認められるべきである。
【００３６】
前述の開示のさまざまな態様の記載は、図及び説明のために示された。それは包括的であること又は開示されたそのものの形式に制限することを意図するものではなく、多くの修正及び変更が可能であることは明らかである。当業者にとって明らかであろうこのような修正及び変更は、添付の請求項に記載の開示の範囲内に含まれることを意図する。
【図１】
2010522965.tif 000003
【図２】
2010522965.tif 000004
【図３】
2010522965.tif 000005
【図４】
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【図５】
2010522965.tif 000007
【図６】
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【手続補正書】
【提出日】平成21年11月26日(2009.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2010522965.tif 000009
【国際調査報告】
2010522965.tif 000010
2010522965.tif 000011
2010522965.tif 000012