(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
抵抗変化型ランダム・アクセス・メモリ（ＲｅＲＡＭ）であって、
第１の金属を含む第１の金属層と、
前記第１の金属層の上の金属酸化物層であって、該金属酸化物層は前記第１の金属を含む、金属酸化物層と、
前記金属酸化物層の上の第２の金属層と、
前記第１の金属層の側壁および底部と前記金属酸化物層の側壁とに物理的に接触する第１の連続した導電性障壁層であり、導電性金属窒化物を有する第１の連続した導電性障壁層と
を有し、
前記第２の金属層は、前記金属酸化物層の第１の主面の外周よりも内側に位置するとともに、前記第１の連続した導電性障壁層から物理的に分離している、
抵抗変化型ランダム・アクセス・メモリ（ＲｅＲＡＭ）。
【請求項２】
前記第２の金属層の側壁と物理的に接触するとともに、前記第１の連続した導電性障壁層から電気的に絶縁された第２の連続した導電性障壁層をさらに備える、請求項１に記載のＲｅＲＡＭ。
【請求項３】
前記第２の連続した導電性障壁層は、前記第２の金属層と前記金属酸化物層との間に延在する、請求項２に記載のＲｅＲＡＭ。
【請求項４】
前記第１の金属層の前記側壁および前記金属酸化物層の前記側壁を取り囲む第１の誘電体層であって、前記第１の連続した導電性障壁層が該第１の誘電体層と前記第１の金属層および前記金属酸化物層の側壁との間にある、第１の誘電体層と、
前記第２の金属層の前記側壁を取り囲む第２の誘電体層であって、前記第２の連続した導電性障壁層が該第２の誘電体層と前記第２の金属層の前記側壁との間にある、第２の誘電体層とをさらに備える、請求項２に記載のＲｅＲＡＭ。
【請求項５】
前記第１の金属層は銅を含み、前記金属酸化物層は酸化銅を含む、請求項１に記載のＲｅＲＡＭ。
【請求項６】
前記金属酸化物層は記憶媒体としてさらに特徴づけられる、請求項１に記載のＲｅＲＡＭ。
【請求項７】
抵抗変化型ランダム・アクセス・メモリ（ＲｅＲＡＭ）であって、
第１の金属を含む第１の金属層と、
前記第１の金属層の上の金属酸化物層であって、該金属酸化物層は前記第１の金属を含む、金属酸化物層と、
前記金属酸化物層の上にあるとともに該金属酸化物層の第１の主面の外周よりも内側にある第２の金属層と、
前記第１の金属層の側壁および底部と前記金属酸化物層の側壁とに物理的に接触する第１の連続した導電性障壁層であり、導電性金属窒化物を有する第１の連続した導電性障壁層と、
前記第２の金属層の側壁と物理的に接触するとともに、前記金属酸化物層の前記第１の主面と物理的に接触する第２の連続した導電性障壁層であって、該第２の連続した導電性障壁層は前記金属酸化物層の前記第１の主面の前記外周よりも内側にあるとともに、前記第１の連続した導電性障壁層から物理的に分離している、第２の連続した導電性障壁層とを備える、抵抗変化型ランダム・アクセス・メモリ（ＲｅＲＡＭ）。
【請求項８】
抵抗変化型ランダム・アクセス・メモリ（ＲｅＲＡＭ）を形成する方法であって、
第１の誘電体層内に第１の開口を形成するステップと、
前記第１の開口内に第１の連続した障壁層を形成するステップであって、該第１の連続した障壁層は前記第１の開口の側壁および該第１の開口の底部と物理的に接触する、形成するステップと、
前記第１の開口内に第１の金属層を形成するステップと、
前記第１の開口内に金属酸化物層を形成するために前記第１の金属層の上部を酸化するステップであって、前記第１の開口内の前記第１の連続した障壁層は前記金属酸化物層および前記第１の金属層の側壁と物理的に接触する、酸化するステップと、
前記金属酸化物層の上に第２の金属層を形成するステップであって、該第２の金属層は前記金属酸化物層の主面の外周よりも内側に位置するとともに、前記第１の連続した障壁層から物理的に分離している、第２の金属層を形成するステップとを含む、方法。
【請求項９】
前記金属酸化物層の上に前記第２の金属層を形成する前記ステップは、
前記第１の誘電体層の上に第２の誘電体層を形成するステップと、
前記第２の誘電体層内に、前記金属酸化物層を露出させるとともに前記第１の誘電体層を露出させない第２の開口を形成するステップと、
前記第２の開口の側壁と物理的に接触する第２の連続した障壁層を形成するステップと、
前記第２の開口内にあるとともに、前記第２の連続した障壁層と物理的に接触する前記第２の金属層を形成するステップとを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第２の開口の前記側壁と物理的に接触する前記第２の連続した障壁層を形成する前記ステップは、前記第２の連続した障壁層が、前記露出した金属酸化物層と物理的に接触する前記第２の開口の底部に沿っても形成されるように実行され、前記第２の開口内に前記第２の金属層を形成する前記ステップは、前記第２の連続した障壁層が前記第２の金属層と前記金属酸化物層の前記主面との間にあるように実行される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第２の開口内に前記第２の金属層を形成する前記ステップは、前記第２の金属層が前記露出した金属酸化物層と物理的に接触するように実行される、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の連続した障壁層および前記第２の連続した障壁層の各々は導電性である、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の連続した障壁層および前記第２の連続した障壁層の各々は窒化物を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の金属層および前記第２の金属層は銅を含み、前記金属酸化物層は酸化銅を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の連続した障壁層は導電性である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１の連続した障壁層は窒化物を含む、請求項１５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、一般的には不揮発性メモリ（ＮＶＭ）に関し、より具体的には、抵抗変化型ランダム・アクセス・メモリ（ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ  ｒａｎｄｏｍ  ａｃｃｅｓｓ  ｍｅｍｏｒｉｅｓ）（ＲｅＲＡＭ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
フローティングゲート不揮発性メモリ（ＮＶＭ）に関連する欠点の多くが克服されているため、抵抗変化型ランダム・アクセス・メモリの開発は前途有望である。ＲｅＲＡＭセルは、低抵抗を確立する導電性フィラメントを有するように電気的手段を用いてされることが可能な誘電体を有する。このプロセスは可逆的であり、それによって、フィラメントが遮断し、抵抗が高めの抵抗へと上昇する。しかしながら、諸問題のうちの１つは、記憶媒体の側壁付近での一貫性のないフィラメント形成である。それらが形成するとき、上記低抵抗はそれらが形成しないときよりも低くなる。同様に、それらが形成するとき、上記高めの抵抗も低くなる。したがって、高い側の抵抗と低抵抗との間の中心点は、フィラメントが記憶媒体の側壁上で形成される度合いに基づいて変動する。これによって、検知（センシング）がより困難になる。これと同じタイプの問題が、記憶媒体と周囲の絶縁体との間で伝達されることが可能な空孔、特に酸素に関わる空孔、に起因して生じ得る。空孔の量および移動の範囲は非常に大きくなることができ、低抵抗および高抵抗に関する抵抗の変動がさらに増大する。記憶媒体として使用される金属酸化物から外方拡散する金属が、抵抗の変動にさらに寄与する可能性がある。外方拡散は変動する可能性があり、記憶媒体の抵抗の変動のもう１つの原因となる。また、任意のソリューションが容易に実装されることができるようにすることも、常に検討されていることである。通常の半導体技術とは異なるタイプの技術であるため、ＲｅＲＡＭについて所望の結果を達成するにあたって、確立された技法を使用することは困難であり得る。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
したがって、上記の問題のうちの１つまたは複数を改善する、ＲｅＲＡＭおよびＲｅＲＡＭを製造する方法が必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
一実施形態において、抵抗変化型ランダム・アクセス・メモリ（ＲｅＲＡＭ）は、第１の金属を含む第１の金属層と、前記第１の金属層の上の金属酸化物層であって、該金属酸化物層は前記第１の金属を含む、金属酸化物層とを含む。当該ＲｅＲＡＭはまた、前記金属酸化物層の上の第２の金属層と、前記第１の金属層の側壁および前記金属酸化物層の側壁と物理的に接触する第１の連続した導電性障壁層とを含む。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
本発明は例として示されており、添付の図面によって限定されない。図面において、同様の参照符号は類似の要素を示す。図面内の要素は簡潔かつ明瞭にするために示されており、必ずしも原寸に比例して描かれてはいない。
【図１】処理の一段階におけるＲｅＲＡＭデバイス構造体の断面図。
【図２】処理の後続の段階における図１のＲｅＲＡＭの断面図。
【図３】処理の後続の段階における図２のＲｅＲＡＭの断面図。
【図４】処理の後続の段階における図３のＲｅＲＡＭの断面図。
【図５】処理の後続の段階における図４のＲｅＲＡＭの断面図。
【図６】処理の後続の段階における図５のＲｅＲＡＭの断面図。
【図７】処理の後続の段階における図６のＲｅＲＡＭの断面図。
【図８】処理の後続の段階における図７のＲｅＲＡＭの断面図。
【図９】処理の後続の段階における図８のＲｅＲＡＭの断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００６】
１つの態様では、抵抗変化型ランダム・アクセス・メモリ（ＲｅＲＡＭ）は、底部電極および記憶媒体の側壁上の障壁金属窒化物を使用して作成される。これには、記憶媒体の側壁に沿った望ましくないフィラメントの数が低減されるという効果がある。上部電極も、その側壁上に障壁を有する。上部電極の障壁は、底部電極および記憶媒体の障壁とは接触しない。銅および酸素空孔のマイグレーションに対しても有効な障壁であるため、窒化タンタルが特に有益であると考えられる。また、これらの工程段階は、個別のものとしては確立された技法であるため、かなり容易に実施できる。これは、以下の明細書および図面を参照することによってより良好に理解される。
【０００７】
図１には、開口１４を有する誘電体層１２を有するデバイス構造体１０が示されている。誘電体層１２は、層間誘電体（ＩＬＤ）に使用されているものと同じタイプのものであってよい。開口１４はＲｅＲＡＭセルを形成するためのものであり、１００ナノメートルの深さおよび５０ナノメートルの幅を有し得る。可能性のある応用形態として、誘電体層１２は半導体基板の上にあり、半導体ダイの相互接続層の一部になり得る。開口１４は側壁１５を有する。
【０００８】
図２には、開口１４内を含む誘電体層１２上に導電層１６を堆積した後のデバイス構造体１０が示されている。導電層１６は、従来の技法によって比較的コンフォーマル（共形）に堆積されることができる窒化タンタル（ＴａＮ）であり得る。銅のマイグレーションに対して有効な障壁（バリア）であるため、この状況においてはＴａＮが特に有効であると考えられる。他の導電性材料、特に金属窒化物の中にも、有効であると分かっているものがある。窒素は、銅拡散に対する有効な拡散障壁として機能する傾向にある。導電層１６は、約１０ナノメートルの厚さを有し得る。
【０００９】
図３には、導電層１６上で開口１４を充填する導電層１８を堆積した後のデバイス構造体１０が示されている。導電層１８は、半導体製造において開口を充填することによる相互接続に一般的に使用される銅であってよい。導電層１８は、導電層１８を堆積した後の誘電体層１２の上面下の開口１４の深さとほぼ同じ厚さとし得る。
【００１０】
図４には、化学機械研磨（ＣＭＰ）のような平坦化工程が実行された後のデバイス構造体１０が示されており、その結果、導電層１６および１８が誘電体層１２の上面から除去されている。導電層１６および１８は、誘電体層１２の上面と実質的に一続きで平坦な露出面を有する。誘電体層１２の上面が平坦化を受けることによって、開口１４の深さはいくらか低減される。この量は非常に小さいものであり得るか、または、誘電体層１２の上面から導電層１８および１６を単純に除去するのに必要な分より長く平坦化を続けることによって増大され得る。
【００１１】
図５には、酸化工程２０が実行されて、平坦化工程の後に側壁１５上に残った導電層１８の上部から酸化層２２が形成された後のデバイス構造体１０が示されている。酸化層２２は、導電層１８が銅である場合には酸化銅である。酸化工程２０は、Ｏ２のような酸素を被着させることであり得る。導電層１８の酸化物を形成するための他の技法が使用されてもよい。酸化層２２が形成される速度、およびまた、酸化層２２の厚さを考慮する際に、サーマルバジェットは考慮にいれるべきではないものであり得る。酸化物形成の速度は工程が形成される温度と関係する。したがって、酸化層２２の厚さ、堆積の速度、および下層のすでに形成された回路への影響の最適化についてバランスを取る必要があり得る。フィラメントが形成および遮断される場所である酸化層２２は、記憶媒体２２または金属酸化物層２２と称される場合がある。記憶媒体２２は露出される上面２３を有する。露出上面２３は、導電層１６によって境界される外周を有する。上面２３は主面であるとみなされ得る。側壁１５に沿っている導電層１６は、記憶媒体２２の側壁２５および導電層１８の側壁１９と接触している。
【００１２】
図６には、記憶媒体２２の上面の一部の上にある開口２６を有する誘電体層２４が形成された後のデバイス構造体１０が示されている。開口２６は側壁２７を有する。誘電体層２４は誘電体層１２を形成する手法にて形成されることができ、斯くして、ＩＬＤとして形成され得る。開口は記憶媒体２２の外周内にあり、それによって、開口２６は導電層１６の上部から離間される。開口２６は、図１の開口１４の深さの約８０パーセントの深さを有し得る。
【００１３】
図７には、導電層１６と同じ厚さおよび材料であり得る導電層２８が形成された後のデバイス構造体１０が示されている。したがって、導電層２８はＴａＮであり、約１０ナノメートルの厚さであり得、開口２６内を含む誘電体層２４の上にあり、側壁２７に沿っていて、上面２３の上にある。
【００１４】
図８には、異方性エッチングが実行されて、導電層２８と記憶媒体２２との間の界面において導電層２８が除去された後のデバイス構造体１０が示されている。これによって、誘電体層２４の上面からも導電層２８が除去される。このエッチングは、誘電体層２４の上部の隅においても導電層２８の一部を浸食するが、それ以外では、導電層２８は開口２６の側壁２７に沿って維持される。
【００１５】
図９には、導電層３０が堆積され且つ平坦化工程が実行された後の、完成されたＲｅＲＡＭセルを示すデバイス構造体１０が示されており、導電層３０は、導電層２８と物理的に接触する、開口２６内の側壁を有する。この堆積および平坦化の組み合わせは、図３および図４に記載および図示されている工程と同様である。図９に示されているこの事例では、誘電体層２４の上部の隅における劣化が、当該誘電体層２４の上部の隅における劣化が除去されることを確実にするのに十分なほどに、誘電体層２４の上面を低くすることを確実にするように、平坦化工程が延長される必要があり得る。導電層３０の残りの部分はＲｅＲＡＭセルの上部電極３０とみなされ得る。同様に、図９に示されている導電層１８は、ＲｅＲＡＭセルの底部電極１８とみなされ得る。図９に示されているＲｅＲＡＭについて、両方の導電層１６および２８は連続している。導電層１６は開口１４の底部に沿って延在しているが、側壁１５に沿った部分も連続している。導電層２８は開口２６の底部から除去されたが、導電層２８は開口２６の側壁２７全体に沿っているため、これも連続している。しかしながら、導電層１６と２８とは互いから分離している。また、導電層１６は上部電極３０と接触していない。他の例において、導電層２８は、開口２６の底部に沿って、導電層３０と記憶媒体２２との間に延在してもよい。この例において、開口２６の側壁と物理的に接触する導電層２８を形成する工程は、導電層２８が、露出した記憶媒体２２と物理的に接触する開口２６の底部に沿っても形成されるように実行され、開口２６内に導電層３０を形成する工程は、導電層２８が導電層３０と記憶媒体２２の主面との間にあるように実行される。
【００１６】
したがって、銅拡散に対する有効な障壁が、記憶媒体の境界におけるフィラメント形成を低減するために、また、記憶媒体と周囲の絶縁体との間の酸素拡散に対する障壁としても使用されることができることが示されている。記憶媒体のための拡散障壁は上部電極と接触しないため、記憶媒体のための拡散障壁は導体である金属であることができる。上部電極と記憶媒体の両方のための拡散障壁は、金属窒化物によって特に効果的に達成される。さらに、これは窒化タンタルによって特に有益に達成され得る。
【００１７】
ここまでで、第１の金属を含む第１の金属層を含む抵抗変化型ランダム・アクセス・メモリ（ＲｅＲＡＭ）が提供されたことを諒解されたい。ＲｅＲＡＭは、第１の金属層の上に金属酸化物層をさらに含み、金属酸化物層は第１の金属を含む。ＲｅＲＡＭは、金属酸化物層の上に第２の金属層をさらに含む。ＲｅＲＡＭは、第１の金属層の側壁および金属酸化物層の側壁と物理的に接触する第１の連続した導電性障壁層をさらに含む。ＲｅＲＡＭは、第２の金属層の側壁と物理的に接触するとともに、第１の連続した導電性障壁層から電気的に絶縁された第２の連続した導電性障壁層をさらに含み得る。ＲｅＲＡＭは、第２の連続した導電性障壁層が、第２の金属層と金属酸化物層との間に延在することをさらに特徴とし得る。ＲｅＲＡＭは、第１の金属層の側壁および金属酸化物層の側壁を取り囲む第１の誘電体層であって、第１の連続した導電性障壁層が第１の誘電体層と第１の金属層および金属酸化物層の側壁との間にある、第１の誘電体層と、第２の金属層の側壁を取り囲む第２の誘電体層であって、第２の連続した導電性障壁層が第２の誘電体層と第２の金属層の側壁との間にある、第２の誘電体層とをさらに含み得る。ＲｅＲＡＭは、第２の金属層が金属酸化物層の第１の主面の外周内に位置することをさらに特徴とし得る。ＲｅＲＡＭは、第１の連続した導電性障壁層が、第１の金属層の下に延在することをさらに特徴とし得る。ＲｅＲＡＭは、第１の金属層が銅を含み、金属酸化物層が酸化銅を含むことをさらに特徴とし得る。ＲｅＲＡＭは、第１の連続した導電性障壁層が窒化物を含むことをさらに特徴とし得る。ＲｅＲＡＭは、金属酸化物層が記憶媒体としてさらに特徴づけられることをさらに特徴とし得る。
【００１８】
また、第１の金属を含む第１の金属層を有する抵抗変化型ランダム・アクセス・メモリ（ＲｅＲＡＭ）も開示される。ＲｅＲＡＭは、第１の金属層の上に金属酸化物層をさらに含み、金属酸化物層は第１の金属を含む。ＲｅＲＡＭは、金属酸化物層の上にあるとともに金属酸化物層の第１の主面の外周内にある第２の金属層をさらに含む。ＲｅＲＡＭは、第１の金属層および金属酸化物層の側壁と物理的に接触する第１の連続した導電性障壁層をさらに含む。ＲｅＲＡＭは、第２の金属層の側壁と物理的に接触するとともに、金属酸化物層の第１の主面と物理的に接触する第２の連続した導電性障壁層をさらに含み、第２の連続した導電性障壁層は金属酸化物層の第１の主面の外周内にあるとともに、第１の連続した導電性障壁層から物理的に分離している。ＲｅＲＡＭは、第１の連続した導電性障壁層が、第１の金属層の下に延在することをさらに特徴とし得る。
【００１９】
また、第１の誘電体層内に第１の開口を形成するステップを含む、抵抗変化型ランダム・アクセス・メモリ（ＲｅＲＡＭ）を形成する方法も開示される。本方法は、第１の開口内に連続した障壁層を形成するステップをさらに含み、連続した障壁層は第１の開口の側壁および第１の開口の底部と物理的に接触する。本方法は、第１の開口内に第１の金属層を形成するステップをさらに含む。本方法は、第１の開口内に金属酸化物層を形成するために第１の金属層の上部を酸化するステップをさらに含み、第１の開口内の連続した障壁層は金属酸化物層および第１の金属層の側壁と物理的に接触する。本方法は、金属酸化物層の上に第２の金属層を形成するステップをさらに含み、第２の金属層は金属酸化物層の主面の外周内に位置する。本方法は、金属酸化物層の上に第２の金属層を形成するステップが、第１の誘電体層の上に第２の誘電体層を形成するステップと、第２の誘電体層内に、金属酸化物層を露出させるとともに第１の誘電体層を露出させない第２の開口を形成するステップと、第２の開口の側壁と物理的に接触する第２の連続した障壁層を形成するステップと、第２の開口内にあるとともに、第２の連続した障壁層と物理的に接触する第２の金属層を形成するステップとを含むことをさらに特徴とし得る。本方法は、第２の開口の側壁と物理的に接触する第２の連続した障壁層を形成するステップが、第２の連続した障壁層が、露出した金属酸化物層と物理的に接触して第２の開口の底部に沿っても形成されるように実行されることをさらに特徴とし得、開口内に第２の金属層を形成するステップが、第２の連続した障壁層が第２の金属層と金属酸化物層の主面との間にあるように実行される。本方法は、第２の開口内に第２の金属層を形成するステップが、第２の金属層が露出した金属酸化物層と物理的に接触するように実行されることをさらに特徴とし得る。本方法は、第１の連続した障壁層および第２の連続した障壁層の各々が導電性であることをさらに特徴とし得る。本方法は、第１の連続した障壁層および第２の連続した障壁層の各々が窒化物を含むことをさらに特徴とし得る。本方法は、第１の金属層および第２の金属層が銅を含み、金属酸化物層が酸化銅を含むことをさらに特徴とし得る。本方法は、第１の連続した障壁層が導電性であることをさらに特徴とし得る。本方法は、第１の連続した障壁層が窒化物を含むことをさらに特徴とし得る。
【００２０】
その上、本明細書および特許請求の範囲における「正面（ｆｒｏｎｔ）」、「裏（ｂａｃｋ）」、「上部（ｔｏｐ）」、「底（ｂｏｔｔｏｍ）」、「上（ｏｖｅｒ）」、「下（ｕｎｄｅｒ）」などの用語は、存在する場合、説明を目的として使用されており、必ずしも恒久的な相対位置を記述するために使用されてはいない。このように使用される用語は、本明細書に記載されている本発明の実施形態がたとえば、本明細書において例示または他の様態で記載されている以外の方向で動作することが可能であるように、適切な状況下で置き換え可能であることが理解される。
【００２１】
本明細書において、具体的な実施形態を参照して本発明を説明したが、添付の特許請求の範囲に明記されているような本発明の範囲から逸脱することなくさまざまな改変および変更を為すことができる。たとえば、いくつかの層は複数の層のスタックであり得る。たとえば、誘電体層１２および２４は、いくつかの異なる誘電体層から構成されてよい。また、導電層１６と側壁１５との間に追加の拡散障壁のような追加の層も存在してよい。したがって、本明細書および図面は限定的な意味ではなく例示とみなされるべきであり、すべてのこのような改変が本発明の範囲内に含まれることが意図されている。本明細書において具体的な実施形態に関して記載されているいかなる利益、利点、または問題に対する解決策も、任意のまたはすべての請求項の重要な、必要とされる、または基本的な特徴または要素として解釈されるようには意図されていない。
【００２２】
さらに、本明細書において使用される場合、「１つ（“ａ”ｏｒ“ａｎ”）」という用語は、１つまたは２つ以上として定義される。さらに、特許請求の範囲における「少なくとも１つの」および「１つまたは複数の」のような前置きの語句の使用は、不定冠詞「１つの（“ａ”ｏｒ“ａｎ”）」による別の請求項要素の導入が、このように導入された請求項要素を含む任意の特定の請求項を、たとえ同じ請求項が前置きの語句「１つまたは複数の」または「少なくとも１つの」および「１つの（“ａ”ｏｒ“ａｎ”）」のような不定冠詞を含む場合であっても、１つだけのこのような要素を含む発明に限定することを暗示するように解釈されるべきではない。同じことが、定冠詞の使用についても当てはまる。
【００２３】
別途記載されない限り、「第１の」および「第２の」のような用語は、そのような用語が説明する要素間で適宜区別するように使用される。したがって、これらの用語は必ずしも、このような要素の時間的なまたは他の優先順位付けを示すようには意図されていない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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