(57)【要約】  その中に伝導チャネルを有するチャネル層２０と、一対の分極生成層１４、１８と、一対の分極生成層間に配置されるスペーサ層とを有する半導体構造。分極生成層は共通の所定の方向に沿って分極場を作り出す。一対の分極生成層のうちの各層はＩｎＧａＮ；ＩｎＡｌＧａＮ；又は四元ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮとすることができ、ｘはｙ／２以上である。その分極生成層は共通の所定の方向に沿って分極場を作り出し、チャネル層が受ける全分極場を強め合うように大きくし、伝導チャネル内のキャリアの閉じ込めを強化する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体構造であって、
チャネル層と、
一対の分極生成層と、
前記一対の分極生成層間に配置されるスペーサ層とを備え、
前記分極生成層は共通の所定の方向に沿って分極場を作り出す、半導体構造。
【請求項２】
前記一対の分極生成層のうちの一方はＩｎＧａＮである、請求項１に記載の構造。
【請求項３】
前記一対の分極生成層のうちの一方は四元ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮである、請求項１に記載の構造。
【請求項４】
前記一対の分極層のうちの前記一方は四元ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮであり、ただし、ｘはｙ／２以上である、請求項１に記載の構造。
【請求項５】
半導体構造であって、
ＧａＮ層と、
前記ＧａＮ層上にある複数の背面障壁層であって、該背面障壁層の対はスペーサ層によって分離される、複数の背面障壁層と、
前記複数の背面障壁層のうちの１つの背面障壁層上にあり、該１つの背面障壁層とヘテロ接合を形成するチャネル層とを備える、半導体構造。
【請求項６】
前記背面障壁層はＩｎＧａＮである、請求項５に記載の半導体構造。
【請求項７】
前記背面障壁層は四元ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮである、請求項５に記載の半導体構造。
【請求項８】
ｘはｙ／２以上である、請求項７に記載の半導体構造。
【請求項９】
半導体構造であって、
その中に伝導チャネルを有するチャネル層と、
前記チャネル層の表面上にある少なくとも一対の背面障壁層であって、該一対の背面障壁層のうちの一方は前記チャネル層とヘテロ接合を形成する、少なくとも一対の背面障壁層と、
前記一対の背面障壁層間に配置されると共に、該一対の背面障壁層とヘテロ接合を形成するＧａＮ層とを備え、
前記一対の背面障壁層は、共通の所定の方向に沿って分極場を作り出し、前記チャネル層が受ける全分極場を強め合うように大きくし、前記伝導チャネル内のキャリアの閉じ込めを強化する、半導体構造。
【請求項１０】
半導体構造であって、
チャネル層と、
少なくとも一対の分極生成層であって、該一対の分極生成層のうちの一方は前記チャネル層とヘテロ接合を形成する、少なくとも一対の分極生成層と、
前記一対の分極生成層間に配置されると共に、該一対の分極生成層とヘテロ接合を形成するスペーサ層とを備え、
前記分極生成層は、共通の所定の方向に沿って分極場を作り出す、半導体構造。
【請求項１１】
前記スペーサ層はＧａＮである、請求項１０に記載の半導体構造。
【請求項１２】
前記チャネル層はＧａＮである、請求項１０に記載の半導体構造。
【請求項１３】
前記分極生成層のうちの一方はＩｎＧａＮである、請求項１０に記載の半導体構造。
【請求項１４】
前記分極生成層のうちの一方は四元ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮである、請求項１０に記載の半導体構造。
【請求項１５】
前記Ｉｎ濃度、ｘはｙ／２以上である、請求項１４に記載の半導体構造。
【請求項１６】
半導体構造であって、
チャネル層と、
前記チャネル層の表面上にある一対の背面障壁層であって、該一対の背面障壁層のうちの一方は前記チャネル層とヘテロ接合を形成する、一対の背面障壁層と、
前記一対の背面障壁層とヘテロ接合を形成する層とを備え、
前記一対の背面障壁層は、共通の所定の方向に沿って分極場を作り出す、半導体構造。
【請求項１７】
付加的な層を備え、前記付加的な層と前記一対の背面障壁層のうちの別の層との間に第１のヘテロ接合が形成される、請求項１６に記載の半導体構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は包括的には、半導体構造、及びキャリアを閉じ込めるための背面障壁層を有する半導体構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
当該技術分野において知られているように、ＨＥＭＴ（高電子移動度トランジスタ）及びＦＥＴ（電界効果トランジスタ）のようなトランジスタ構造においてキャリアを閉じ込めるために、一般的に量子井戸が用いられる。たとえば、従来のＧａＡｓ  ＰＨＥＭＴ（シュードモルフィックＨＥＭＴ）において、低いバンドギャップのＩｎＧａＡｓチャネル層は、その両側において、大きなバンドギャップのＡｌＧａＡｓ障壁層と接している。ＩｎＧａＡｓ井戸の下層にＡｌＧａＡｓ障壁を用いない同じ構造に比べて、ＡｌＧａＡｓ障壁層内のキャリアエネルギーが高いので、ＩｎＧａＡｓ井戸内のキャリアの閉じ込めが改善される。
【０００３】
ＡｌＧａＡｓ障壁／ＩｎＧａＡｓチャネル／ＡｌＧａＡｓ背面障壁／ＧａＡｓバッファＨＥＭＴ構造の窒化物類似体が、ＡｌＧａＮ障壁／ＧａＮチャネル／ＡｌＧａＮ背面障壁／ＧａＮバッファ構造である。しかしながら、窒化物材料は、ヘテロ接合においてヒ化物材料よりも著しく大きな分極場を示す。ＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ接合では、ＧａＮとＡｌＧａＮとの間の分極の違いによって、下層を成すＧａＮ層内に電子が蓄積される。図１に示されるように、上側ＡｌＧａＮ障壁によってＧａＮチャネル層内にキャリアが生成されることが好ましいが、ＧａＮバッファ層内に望ましくない電荷も生成される。この有害な第２の伝導チャネルは、電流変調不良及びデバイスピンチオフ不良に起因して、デバイス性能を劣化させる。
【０００４】
この問題は、ＧａＮチャネル層の下層に極薄（〜１０Å）の弾性的に歪んだＩｎＧａＮ背面障壁を挿入して、図２に示されるような構造ＡｌＧａＮ障壁／ＧａＮチャネル／ＩｎＧａＮ背面障壁／ＧａＮバッファを作り出すことによって対処されてきた。非特許文献１を参照されたい。ＧａＮ／ＩｎＧａＮ界面における分極の方向は、ＧａＮ／ＡｌＧａＮ界面の分極の方向とは反対であるので、ＩｎＧａＮ背面障壁を用いるとき、下層を成すＧａＮバッファ層内に電子電荷が蓄積しない。ＩｎＧａＮ背面障壁がバンド構造に及ぼす影響を計算するために、１次元ポアソン−シュレーディンガーモデルが用いられてきた。このモデルは、分極及び量子効果を考慮に入れる。図３Ａは、１０Å  Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ背面障壁層を用いる場合及び用いない場合のＧａＮ  ＨＥＭＴ内の伝導帯エッジの計算を示す。ＩｎＧａＮ層の存在が、４４０Åよりも深い場所において、ＩｎＧａＮを用いない同じ構造（破線）よりも高く伝導帯エッジ（実線）を持ち上げる。図３Ｂは、対応する電荷プロファイルを示す。ＩｎＧａＮを用いる場合には４８０Åの深さにおいて、ＩｎＧａＮを用いない場合には５４０Åの深さにおいて電荷が無視できる（１０１０ｃｍ−３）ので、ＩｎＧａＮ背面障壁を用いる場合、より良好な閉じ込めが観測される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
下記で詳細な説明のセクションにおいて説明されることになる図４Ａ及び図４Ｂは、現在の手法の限界を示す。分極による閉じ込めをさらに強化するために、インジウム濃度がさらに高いＩｎＧａＮ層を用いることができる。しかしながら、１０Å  Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ背面障壁の場合に図４Ａ及び図４Ｂの計算が示すように、インジウム濃度が高くなるほど、結果として、ＩｎＧａＮ井戸内のキャリア密度（図４Ｂ）がそれほど高くなくても、深いＩｎＧａＮ井戸（図４Ａ）が生じる。図４Ｂの２０％ＩｎＧａＮ井戸内のピークキャリア濃度（１×１０１６ｃｍ−３）は、図３Ｂの１０％ＩｎＧａＮ層のピークキャリア濃度（１×１０１４ｃｍ−３）から著しく増加している。ＩｎＧａＮ内のキャリアは、ＧａＮよりも輸送特性が悪く、デバイス性能を劣化させるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、その中に伝導チャネルを有するチャネル層を有する半導体構造が提供される。その構造は、一対の分極生成層と、その一対の分極生成層間に配置されるスペーサ層とを備える。分極生成層は、共通の所定の方向に沿って分極場を作り出し、チャネル層が受ける全分極場を強めて、伝導チャネル内のキャリアの閉じ込めを強化する。さらに、複数のＩｎＧａＮ層を用いることによって、個々の層内のインジウム濃度を、井戸内の電荷蓄積によって深い井戸が形成されるのを防ぐのに十分に低く抑えることができる。
【０００７】
１つの実施の形態では、一対の分極生成層のうちの一方はＩｎＧａＮである。
【０００８】
１つの実施の形態では、一対の分極生成層のうちの一方はＩｎＡｌＧａＮである。
【０００９】
１つの実施の形態では、一対の分極生成層のうちの一方は四元ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮである。
【００１０】
１つの実施の形態では、分極生成層のうちの一方は四元ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮであり、ただし、ｘはｙ／２以上である。
【００１１】
添付の図面及び以下の説明において本発明の１つ又は複数の実施形態の詳細が述べられる。本発明の他の特徴、目的及び利点は、その説明及び図面、並びに特許請求の範囲から明らかになるであろう。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【００１２】
【非特許文献１】T. Palacios、A. Chakraborty、S. Hcikman、S. Keller、S.P. Denbaars及びU.K. Mishra著（IEEE Electron Device Letters Vol. 27, 2006, pp. 13-15）
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】全分極場の方向がＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ接合において示されており、且つ伝導チャネルがＧａＮチャネル層及びＧａＮバッファ層の両方において生成される、従来技術による、ＡｌＧａＮ障壁／ＧａＮチャネル／ＡｌＧａＮ背面障壁／ＧａＮバッファ構造の概略的な断面図である。
【図２】ＩｎＧａＮ背面障壁に起因して全分極場の方向がＡｌＧａＮの方向と反対であり、結果として、ＧａＮチャネル層内にキャリアが閉じ込められ、且つＩｎＧａＮ層の組成及び厚みに応じて、その中に伝導チャネルが形成される、従来技術による、ＡｌＧａＮ障壁／ＧａＮチャネル／ＩｎＧａＮ背面障壁／ＧａＮバッファ構造の概略的な断面図である。
【図３Ａ】従来の１８０Å  Ａｌ０．２５Ｇａ０．７５Ｎ／ＧａＮ  ＨＥＭＴ（破線の曲線）及びそれと同等の１８０Å  Ａｌ０．２５Ｇａ０．７５Ｎ／２５０Å  ＧａＮ／１０Å  Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ／ＧａＮ  ＨＥＭＴ（実線の曲線）の伝導帯プロファイルを示す図である。垂直方向の破線が後者の構造の場合の層境界を画定する。ＩｎＧａＮ層が４４０Åよりも深い場所の場合に伝導帯エッジを持ち上げており、ＧａＮチャネル層内のキャリアの閉じ込めの改善をもたらしている。
【図３Ｂ】ＩｎＧａＮを用いる場合に４８０Åの深さ、ＩｎＧａＮを用いない場合に５４０Åの深さを越える電荷を無視することができ（１０１０ｃｍ−３）、薄いＩｎＧａＮ層に起因してキャリア閉じ込めが改善されていることを実証する（実線の曲線）２つのＨＥＭＴ構造の場合の対応する移動電荷分布を示す図である。ＩｎＧａＮ背面障壁の井戸内に形成される電荷を無視することができる（ＨＥＭＴの移動キャリアに対応する１８０Åの深さにおけるピーク電荷密度よりも概ね１０５倍小さい）ことに留意されたい。
【図４Ａ】従来の１８０Å  Ａｌ０．２５Ｇａ０．７５Ｎ／ＧａＮ  ＨＥＭＴ（破線の曲線）及び１８０Å  Ａｌ０．２５Ｇａ０．７５Ｎ／２５０Å  ＧａＮ／１０Å  Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ／ＧａＮ  ＨＥＭＴ（実線の曲線）の伝導帯プロファイルを示す図である。図３Ａと比べて、高いインジウム濃度が伝導帯エッジをさらに持ち上げているが、ＩｎＧａＮ背面障壁の井戸もはるかに深い。
【図４Ｂ】Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ背面障壁ＨＥＭＴの場合の対応する移動電荷分布を示す図である。ＩｎＧａＮ背面障壁のより深い井戸が、寄生伝導経路であるＩｎＧａＮ層内の電荷密度を著しく高めていることに留意されたい。
【図５】２つのＩｎＧａＮ背面障壁層を含み、ＩｎＧａＮ層に起因して分極場が強め合うように合算される、本発明による、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ  ＨＥＭＴ構造の概略的な断面図である。
【図６Ａ】図６Ａおいてラベル付けされるように、従来の１８０Å  Ａｌ０．２５Ｇａ０．７５Ｎ／ＧａＮ  ＨＥＭＴ、１８０Å  Ａｌ０．２５Ｇａ０．７５Ｎ／２５０Å  ＧａＮ／１０Å  Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ／ＧａＮ  ＨＥＭＴ、及び１８０Å  Ａｌ０．２５Ｇａ０．７５Ｎ／１９０Å  ＧａＮ／１０Å  Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ／５０Å  ＧａＮ／１０Å  Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ／ＧａＮ  ＨＥＭＴの伝導帯プロファイルを示す図である。５％ＩｎＧａＮ層及び１５％ＩｎＧａＮ層の４４０Åよりも深い場所における伝導帯エッジへの分極効果の和（図６Ａ）が、単一の２０％ＩｎＧａＮ層に等価であることに留意されたい。
【図６Ｂ】図６Ａの構造の場合の対応する移動電荷分布を示すと共に、ＩｎＧａＮ層内の電荷蓄積が、Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ層を有する構造よりも、Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ層及びＩｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ層を有する構造の場合に著しく低いことを示す図である。Ｎ（ｃｍ−３）に対する値が、２つのＩｎＧａＮ層を有する構造の場合に４６５Åの深さにおいて、１つのＩｎＧａＮ層を有する構造の場合に４８４Åの深さにおいて１０１０ｃｍ−３まで降下するという点で、１つのＩｎＧａＮ層を有する構造に比べて２つのＩｎＧａＮ層を有する構造の場合にさらに良好な閉じ込めが得られる。
【図７】２つのＩｎＧａＮ背面障壁層を有し、ＩｎＧａＮ層に起因して分極場が強め合うように合算される、本発明による、ＧａＮ  ＦＥＴ構造の概略的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
種々の図面における類似の参照記号は類似の構成要素を指示する。
【００１５】
ここで図５を参照すると、半導体構造１０が示される。ここで、半導体構造１０は、ＨＥＭＴ（すなわち、高移動度トランジスタ）に適しており、ＧａＮバッファ層１２と、ＧａＮバッファ層１２上の複数の、ここでは２つのＩｎＧａＮ背面障壁層１４、１８と、ＧａＮチャネル層２０と、チャネル層上のＡｌＧａＮ障壁層２２とを備え、そのような一対の背面障壁層１４、１８はスペーサ層１６、ここではＧａＮスペーサ層によって分離される。
【００１６】
背面障壁層１４は、ここでは、たとえばＩｎＧａＮ又は四元ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮである。ただし、ここでｘはｙ／２以上である。
【００１７】
背面障壁層１８は、ここでは、たとえばＩｎＧａＮ又は四元ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮである。ただし、ここでｘは２ｙ以上である。
【００１８】
一対の背面障壁層１４、１８のうちの一方は、たとえば、ＩｎＧａＮとすることができ、一方、背面障壁層１４、１８のうちの他方は異なる材料、たとえば、四元ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮからなることができることに留意されたい。
【００１９】
背面障壁層１４とＧａＮバッファ層１２との間にヘテロ接合が形成され、背面障壁層１４とスペーサ層１６との間にヘテロ接合が形成され、結果として、背面障壁層１４内に示される矢印によって示されるように、垂直方向に沿って電場又は分極ベクトルＰが生成されることにも留意されたい。
【００２０】
背面障壁層１８とスペーサ層１６との間にヘテロ接合が形成され、背面障壁層１８とチャネル層２０との間にヘテロ接合が形成され、結果として、背面障壁層１８内に示される矢印によって示されるように、垂直方向に沿って電場又は分極ベクトルＰが生成されることにも留意されたい。
【００２１】
ここで、層１４、１６、１８、２０及び２２の厚みはそれぞれ、５〜１００Å、１０〜５００Å、５〜１００Å、２０〜１０００Å及び５０〜１０００Åの範囲内にある。
【００２２】
チャネル層２０はその中に伝導チャネル２１を有し、障壁層２２はチャネル層の一方の表面上にあることに留意されたい。
【００２３】
矢印によって示される方向を有する分極場Ｐが、チャネル障壁層２２の上記表面に対して垂直な第１の所定の方向に沿って、ここでは垂直方向下向きに、障壁層２２内に生成される。
【００２４】
上記で言及されたように、背面障壁層１４、１８は弾性的に歪んだＩｎＧａＮ背面障壁層１４、１８である。ＧａＮスペーサ層１６はそれらの間に配置され、一対の背面障壁層１４、１８とヘテロ接合を形成する。一対の背面障壁層１４、１８は、上述したヘテロ接合を形成し、それにより、背面障壁層１４、１８内の垂直方向上向きの矢印によって示されるように、上記第１の方向とは反対の（すなわち、障壁層２２内の分極の方向とは反対の）、共通の所定の方向に沿って、ここでは垂直方向上向きに分極場を作り出す。こうして、一対の背面障壁層１４、１８内に作り出される分極は、強め合うように合算され、それにより、チャネル層２０が受ける全分極場を強めて、伝導チャネル２１内のキャリアの閉じ込めを強化する。
【００２５】
ＩｎＧａＮに関連する分極には２つの成分、すなわちＩｎＧａＮが歪むことに由来する（圧電）分極及び自然又は自発分極があることに留意されたい。ＩｎＧａＮはＧａＮと格子整合するように弾性的に歪むので、ＩｎＧａＮにおいて圧電分極が引き起こされる。それゆえ、（ＧａＮよりも大きい）ＩｎＧａＮが圧縮される。ＩｎＧａＮが圧縮されるときに、その圧電分極が上を向くことが確認されている。ＩｎＧａＮが引張歪みを受けているときに、その圧電分極は下を向く（ＡｌＧａＮは引張歪みを受け、その圧電分極ベクトルは下を向く）。また、全ての材料が、正の電荷（原子核に由来する）及び電子の電荷の空間的な位置の違いに起因して自然分極を有する。ヘテロ接合を横切る（一方の材料から別の材料に進む）とき、自発分極に変化が生じる。本明細書において規定される順序に層を成長させる（すなわち、ＧａＮ上にＩｎＧａＮ又はＩｎＡｌＧａＮが形成され、その後、ＩｎＧａＮ又はＩｎＡｌＧａＮ上にＧａＮ、その後、ＩｎＧａＮ又はＩｎＡｌＧａＮ上にＧａＮが形成される）ことによって、分極方向は自動的に補正されるであろう。ＡｌＩｎＧａＮを用いるときに、Ａｌ濃度の半分よりも大きなインジウム濃度を有するＡｌＩｎＧａＮの仕様も、全分極（圧電分極と自発分極との和）ベクトルが上を向くのを確実にすることにも留意されたい。
【００２６】
単一の背面障壁に伴う制限を考慮して、図５の構造は、弾性的に歪む、複数の極薄の背面障壁層１４、１８を用いる。図５に概略的に示されるように、２つの背面障壁層１４、１８のためのヘテロ接合を積重することによって、これらの新たなヘテロ接合において、同じ方向を向いている付加的な分極場が作り出され、ＧａＮチャネル層が受ける全分極場を強め合うように大きくし、結果として、ＧａＮチャネル層内のキャリア閉じ込めが改善される。さらに、複数の背面障壁を用いることによって、個々の層内のインジウム濃度を、井戸内の電荷蓄積で深い井戸が形成されるのを防ぐのに十分に低く抑えることができる。図６Ａ及び図６Ｂの計算は、本発明を実証する。図６Ａでは、５％及び１５％のインジウム濃度を有する２つのＩｎＧａＮ背面障壁の４４０Åよりも深い場所における伝導帯エッジへの分極効果は、１つの２０％ＩｎＧａＮ層と同じである。しかしながら、図６Ｂは、ＩｎＧａＮ層内に蓄積するキャリアが単一の２０％ＩｎＧａＮ背面障壁よりも少ない場合でも、２つのＩｎＧａＮ背面障壁が、より良好な閉じ込めを引き起こすことを示す。
【００２７】
分極効果の加法的な性質に起因して、さらに良好なチャネル閉じ込めを得るために、３つ以上のＩｎＧａＮ背面障壁を用いることができる。実際には、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ超格子タイプの構造を考えることができる。
【００２８】
本発明のいくつかのさらなる利点が言及されるべきである。
【００２９】
１．本論考は、ＧａＮ  ＨＥＭＴ構造を考えてきた。本発明は、この構造には制限されない。たとえば、ＧａＮ  ＦＥＴ（図７）が、積重されたＩｎＧａＮ背面障壁によって利益を得るであろう。こうして、ここでは、ドープされたチャネル上にあるドープされたチャネルコンタクト層と共に、ドープされたＧａＮチャネルが用いられる。図示されないが、オーミックコンタクトが、ドープされたチャネルコンタクト層と接触している。コンタクト層を貫通して凹部が形成された後に、図示されないゲート電極がドープされたチャネル層と接触している。
【００３０】
２．インジウム含有量が増えると、高い結晶歪み、表面偏析、及び熱安定性の低下に起因して、ＩｎＧａＮをエピタキシャル成長させるのが難しくなる。本発明によれば、個々のＩｎＧａＮ層内のインジウム濃度を低減できるので、高品質材料の成長を容易にすることができる。
【００３１】
３．種々の技法によって層構造を成長させることができる。たとえば、種々の技法は例として、分子ビームエピタキシ（ＭＢＥ）または金属有機化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）のいずれかである。
【００３２】
４．上記の説明の１つの変形形態は、上記で言及されたように、ＩｎＧａＮ背面障壁層１４、１８内にアルミニウムを混和して、四元ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ背面障壁を作り出すことである。インジウム濃度がアルミニウム濃度の半分よりも大きい場合、分極場の方向は、ＩｎＧａＮの場合と同じになるであろう。しかしながら、アルミニウムを加えることによって、バンドギャップが持ち上がり、背面障壁層内の電荷がさらに減少する。
【００３３】
本発明の多数の実施形態が説明されてきた。たとえば、スペーサによって分離されるさらなる複数対の背面障壁層をチャネル層２０の下方に積重することができる。こうして、Ｎ個の背面障壁層を用いることができ、それらの背面障壁層の各対は、該対間にＮ−１個の対応するスペーサ層を有する。ただし、Ｎは３以上の整数である。
【００３４】
それでもなお、本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、種々の変更を加えることができることは理解されよう。したがって、他の実施形態も以下の特許請求の範囲内にある。
【図１】
2010525572.tif 000003
【図２】
2010525572.tif 000004
【図３Ａ】
2010525572.tif 000005
【図３Ｂ】
2010525572.tif 000006
【図４Ａ】
2010525572.tif 000007
【図４Ｂ】
2010525572.tif 000008
【図５】
2010525572.tif 000009
【図６Ａ】
2010525572.tif 000010
【図６Ｂ】
2010525572.tif 000011
【図７】
2010525572.tif 000012
【国際調査報告】
2010525572.tif 000013
2010525572.tif 000014
2010525572.tif 000015