(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の抵抗回路及び第２の抵抗回路を有する測温抵抗体回路を設けること、
前記第１の抵抗回路に第１の電流を印加することに応答して前記第１の抵抗回路において第１の電圧を測定すること、
前記第２の抵抗回路に第２の電流を印加することに応答して前記第２の抵抗回路において第２の電圧を測定すること、
差値を決定するために、前記第１の電圧と前記第２の電圧を比較すること、及び、
前記差値が第１の範囲内にないとき、電流漏洩が前記測温抵抗体回路内に存在すると判定することを含む、
方法。
【請求項２】
前記差値が前記第１の範囲内にないとき、警報又はフラグを発することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記測温抵抗体によって測定される温度に基づいてガス流量測定値を計算すること、及び、
前記差値が前記第１の範囲内にないとき、前記ガス流量測定値を実質的にリアルタイムに補正すること
を更に含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記差値が前記第１の範囲内にあるとき、前記測温抵抗体によって温度を測定することを更に含む、請求項１から３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の抵抗回路及び前記第２の抵抗回路は、実質的に等しい抵抗値を有し、前記第１の電流は前記第２の電流に実質的に等しい、請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の範囲は、前記抵抗値又は前記第１及び第２の電流の少なくとも１つにおける複合誤差に対応する、請求項１から５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の抵抗回路及び前記第２の抵抗回路は、異なる抵抗値を有する、請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の抵抗回路及び前記第２の抵抗回路は、前記測温抵抗体回路の対向する端子に結合される、請求項１から７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記電流漏洩は、１マイクロアンペア以上の漏洩に対応する、請求項１から８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
第１の期間中に前記第１の抵抗回路に前記第１の電流を印加すること、及び、
前記第１の期間と異なる第２の期間中に前記第２の抵抗回路に前記第２の電流を印加することを更に含む、請求項１から９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
装置であって、
環境の温度を測定する測温抵抗体回路と、
第１の抵抗回路と、
第２の抵抗回路と、
比較器であって、前記比較器は、印加電流の下での前記第１の抵抗回路の両端の第１の電圧降下と、前記印加電流の下での前記第２の抵抗回路の両端の第２の電圧降下との比較に対応する差値を決定し、前記差値に基づいて、電流漏洩が前記測温抵抗体回路内に存在するかどうかを判定するためのものである、比較器と
を備える、装置。
【請求項１２】
前記第１の抵抗回路及び前記第２の抵抗回路は、前記測温抵抗体回路の対向する端子に結合される、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記比較器は、前記差値が第１の範囲内にないとき、警報又はフラグを発するためのものである、請求項１１又は１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記第１の抵抗回路及び前記第２の抵抗回路は、実質的に等しい抵抗値を有する、請求項１１から１３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１５】
前記第１の抵抗回路及び前記第２の抵抗回路は、異なる抵抗値を有する、請求項１１から１３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１６】
前記電流漏洩は、少なくとも１マイクロアンペアの漏洩に対応する、請求項１１から１５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１７】
前記比較器は、第１の時間に前記第１の電圧降下を、また、前記第１の時間と異なる第２の時間に前記第２の電圧降下を測定する、請求項１１から１６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１８】
機械可読命令を含む有形の機械可読記憶媒体であって、前記機械可読命令は、実行されると、少なくとも
測温抵抗体回路に結合される第１の抵抗回路において第１の電圧を測定することであって、前記第１の電圧を測定することは、前記第１の抵抗回路に第１の電流を印加することに応答する、第１の電圧を測定すること、
前記測温抵抗体回路に結合される第２の抵抗回路において第２の電圧を測定することであって、前記第２の電圧を測定することは、前記第２の抵抗回路に第２の電流を印加することに応答する、第２の電圧を測定すること、
差値を決定するために、前記第１の電圧と前記第２の電圧を比較すること、及び、
前記差値が第１の範囲内にあるかどうかに基づいて、電流漏洩が前記測温抵抗体回路内に存在するかどうかを判定すること
を機械にさせる、記憶媒体。
【請求項１９】
前記命令は、前記差値が前記第１の範囲内にないとき、警報又はフラグを発することを前記機械に更にさせる、請求項１８に記載の記憶媒体。
【請求項２０】
前記命令は、前記差値が前記第１の範囲内にあるとき、前記測温抵抗体によって温度を測定することを前記機械に更にさせる、請求項１８又は１９に記載の記憶媒体。
【請求項２１】
前記第１の抵抗回路及び前記第２の抵抗回路は、実質的に等しい抵抗値を有し、前記第１の電流は前記第２の電流に実質的に等しい、請求項１８から２０のいずれか１項に記載の記憶媒体。
【請求項２２】
前記第１の範囲は、前記抵抗値又は前記第１及び第２の電流の少なくとも１つにおける複合誤差に対応する、請求項１８から２１のいずれか１項に記載の記憶媒体。
【請求項２３】
前記第１の抵抗回路及び前記第２の抵抗回路は、異なる抵抗値を有する、請求項１８から２０のいずれか１項に記載の記憶媒体。
【請求項２４】
前記第１の抵抗回路及び前記第２の抵抗回路は、前記測温抵抗体回路の対向する端子に結合される、請求項１８から２３のいずれか１項に記載の記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、一般に、温度検出に関し、より詳細には、測温抵抗体内の漏洩電流を検出する方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プロセス制御システムにおいて、オリフィスプレート法を使用してパイプライン内のガスの流量を計算するとき、計算で使用するために正確な温度測定値を有することが重要である。ＲＴＤ（測温抵抗体（ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｄｅｔｅｃｔｏｒ））回路は、温度を正確に決定するために使用される。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
例示的な方法は、第１の抵抗及び第２の抵抗を有する測温抵抗体回路を設けること、第１の抵抗に電流を印加することに応答して第１の抵抗の両端の第１の電圧を測定すること、第２の抵抗に第２の電流を印加することに応答して第２の抵抗の両端の第２の電圧を測定すること、差値を決定するために、第１の電圧と第２の電圧を比較すること、及び、差値が第１の範囲内にないとき、電流漏洩が測温抵抗体回路内に存在すると判定することを含む。
【図面の簡単な説明】
【０００４】
【図１】知られている４線式測温抵抗体の回路図である。
【図２】本開示の教示に従って構築された例示的な測温抵抗体の回路図である。
【図３】測温抵抗体回路内の漏洩電流を検出する例示的な方法を示すフローチャートである。
【図４】測温抵抗体回路内の漏洩電流を検出する別の例示的な方法を示すフローチャートである。
【図５】図１の例示的な検出器を実装するために使用することができる例示的なプロセッサシステムのブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【０００５】
以下は、コンポーネントの中でもとりわけ、ハードウェア上で実行されるソフトウェア及び／又はファームウェアを含む例示的なシステムを開示するが、こうしたシステムが例示に過ぎず、制限的であるとして考えられるべきでないことが留意されるべきである。例えば、これらのハードウェア、ソフトウェア、及びファームウェアコンポーネントの任意のもの又は全てが、全くハードウェアのみで、全くソフトウェアのみで、又はハードウェアとソフトウェアの任意の組合せで具現化され得ることが企図される。従って、以下は例示的なシステムを述べるが、提供される例が、こうしたシステムを実装する唯一の方法でないことを当業者は容易に認識するであろう。
【０００６】
ＲＴＤ回路の精度は、抵抗を測定する回路に入る／から出る電流漏洩によって低下する。こうした場合、測定が不正確であり、従って、計算される温度が不正確である。１℃の温度変化は、計算されるガス流量の０．５％誤差を結果的にもたらし得る。幾つかの用途は、１℃以内の温度測定精度を要求する。例えば、流体管理輸送ステーション（ｃｕｓｔｏｄｙ  ｔｒａｎｓｆｅｒ  ｓｔａｔｉｏｎ）は、この種の精度要件についての主要な用途である。
【０００７】
ＲＴＤ線が短絡する、及び／又は、配線用導管内に水が存在する場合、知られているアプローチは、抵抗の変化を示すだけである場合があり、また、出力がスケール外になる（例えば、大きな誤差が存在する）まで故障を示さない場合がある。しかし、本明細書で開示される例示的な方法及び装置は、約０．０４％の誤差を表す１マイクロアンペア（μＡ）ほどの小さな漏洩を検出する。そのため、以下で述べる例示的な方法及び装置は、誤差が有意になる前にガス流量の誤った計算を低減又は防止する。本明細書で開示される例示的な方法及び装置はまた、回路要素又は接続部上に存在する水を検出するために使用されることができる。例示的な方法及び装置はまた、逸脱した漏洩電流が、測定され、従って、不完全なガス流量測定を（例えば、物理的補正なしで）リアルタイムに補正するために使用されることを可能にすることができる。
【０００８】
図１は、知られている４線式測温抵抗体（ＲＴＤ）回路１００の回路図である。ＲＴＤ回路１００は、温度可変性抵抗を有する抵抗器１０２を含む。抵抗器１０２は、測定される環境１０４内に設置され、抵抗器１０２は、環境と実質的に同じ温度を呈する。電流源１０６は、（例えば、抵抗器１０８、１１０を介して）抵抗器１０２を通る電流を生成する。その後、抵抗器１０２の両端の電圧が（例えば、抵抗器１１２、１１４を介して）測定されて、抵抗器１０２の抵抗、従って、抵抗器１０２及び環境１０４の温度を決定することができる。
【０００９】
図２は、漏洩電流を検出する例示的な測温抵抗体回路２００の回路図である。図１の知られているＲＴＤ回路１００と対照的に、図２の例示的なＲＴＤ回路２００は、（例えば、プロセス制御環境において）回路に入る／から出る電流漏洩を特定するために使用することができる。
【００１０】
図２の例示的なＲＴＤ回路２００は、測定される環境２０４内に配置される抵抗器２０２を含む。例示的なＲＴＤ回路２００は、第１のセンス抵抗器２０６、第２のセンス抵抗器２０８、及び比較器２１０を更に含む。例示的な抵抗器２０２の両側をモニターするため、例示的なセンス抵抗器２０６、２０８は、抵抗器２０２の対向端で抵抗器２０２を有する回路内にある。例示的な比較器２１０は、抵抗器２０６を流れる（例えば、電流源２１２、２１４からの）既知の電流に応答して第１のセンス抵抗器２０６の両端の電圧を測定する。比較器２１０はまた、第２のセンス抵抗器２０８を流れる同じ既知の電流に応答して第２のセンス抵抗器２０８の両端の電圧を測定する。
【００１１】
測定を行うため、例示的なスイッチ２１６及び２１８（並びに試験電流スイッチ２２０及び２２２）が閉鎖して、試験電流が例示的な第１のセンス抵抗器２０６を流れるようにさせる。例示的な比較器２１０は、増幅器２２４を介して出力を測定する。例示的なスイッチ２１６及び２１８が、その後、開放し、スイッチ２２６及び２２８が閉鎖して、試験電流が例示的な第２のセンス抵抗器２０８を流れるようにさせる。比較器２１０は、増幅器２２４を介して出力を測定する。比較器２１０は、その後、測定値を比較する。
【００１２】
測定値を取得した後、例示的な比較器２１０は、測定値を比較して、測定値間の差が予想される範囲内にあるかどうか（例えば、測定値が実質的に同じかどうか）を判定する。例えば、第１及び第２のセンス抵抗器２０６、２０８は、同じターゲット（例えば、公称）抵抗値を有する高精密抵抗器であるとすることができる。その場合、第１及び第２のセンス抵抗器２０６、２０８を流れる電流が等しいか又は実質的に等しい場合、比較器２１０によって取得された測定値は、抵抗値及び／又は印加電流（複数可）の考えられる複合誤差に対応する閾値より大きくない差を有するはずである。
【００１３】
幾つかの他の例では、第１及び第２のセンス抵抗器２０６、２０８は、異なるターゲット（例えば、公称）抵抗値を有する高精密抵抗器であるとすることができる。こうした例では、比較器２１０は、測定値の差が、予想される差の範囲内にあるかどうかを判定する。その範囲は、例えば、抵抗値及び／又は印加電流（複数可）の考えられる複合誤差に基づくとすることができる。
【００１４】
測定値間の差が予想される範囲内でない（又は、閾値より大きい）と比較器２１０が判定する場合、例示的な比較器２１０は、ＲＴＤ回路２００内に電気的短絡又は漏洩状態の可能性の存在を合図する警報（例えばフラグ）を出力する。幾つかの例では、比較器２１０は、スイッチ２１６〜２２２、２２６、及び２２８、増幅器２２４、及び／又は電流源２１２、２１４を制御する。
【００１５】
図２の例示的な比較器２１０、例示的なスイッチ２１６〜２２２、２２６、及び２２８、並びに例示的な増幅器２２４は、ハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア、及び／又は、ハードウェア、ソフトウェア、及びファームウェアの任意の組合せによって実装されることができる。そのため、例えば、図２の例示的な比較器２１０、例示的なスイッチ２１６〜２２２、２２６、及び２２８、並びに／又は例示的な増幅器２２４は、１つ又は複数の回路（複数可）、プログラマブルプロセッサ（複数可）、特定用途向け集積回路（複数可）（ＡＳＩＣ（複数可））、プログラマブルロジックデバイス（複数可）（ＰＬＤ（複数可））、及び／又はフィールドプログラマブルロジックデバイス（複数可）（ＦＰＬＤ（複数可））等によって実装され得る。更になお、例示的な比較器２１０、例示的なスイッチ２１６〜２２２、２２６、及び２２８、並びに／又は例示的な増幅器２２４は、図２に示すものに加えて又はそれらの代わりに１つ又は複数の要素、プロセス、及び／又はデバイスを含むことができる、及び／又は、示す要素、プロセス、及びデバイスの任意のものの２つ以上又は全てを含むことができる。
【００１６】
例示的な比較器２１０、例示的なスイッチ２１６〜２２２、２２６、及び２２８、並びに／又は例示的な増幅器２２４の任意のものを実装する例示的な方法を示すフローチャートが図３〜４に示される。この例では、方法は、図５に関連して以下で論じる例示的なコンピュータ５００に示すプロセッサ５１２等のプロセッサによって実行されるためのプログラムを含む機械可読命令を使用して実装されることができる。プログラムは、コンピュータ可読記憶媒体（例えば、ＣＤ−ＲＯＭ、フロッピー（登録商標）ディスク、ハードドライブ、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）、ブルーレイディスク、又はプロセッサ５１２に関連するメモリ）等の有形のコンピュータ可読媒体上に記憶されるソフトウェアで具現化されることができるが、プログラム全体及び／又はプログラムの一部は、代替的に、プロセッサ５１２以外のデバイスによって実行され得る、及び／又は、ファームウェア又は専用ハードウェアで具現化され得る。更に、例示的なプログラムは図３〜４に示すフローチャートを参照して述べられるが、例示的な比較器２１０、例示的なスイッチ２１６〜２２２、２２６、及び２２８、並びに／又は例示的な増幅器２２４を実装する多くの他の方法が、代替的に使用されることができる。例えば、ブロックの実行の順序は変更されることができる、及び／又は、述べるブロックの幾つかは、変更されるか、削除されるか、又は組合されることができる。
【００１７】
先に述べたように、図３〜４の例示的な方法は、ハードディスクドライブ、フラッシュメモリ、読出し専用メモリ（ＲＯＭ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）、キャッシュ、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、及び／又は、情報が任意の継続期間の間（例えば、長期間にわたって、永久的に、短い瞬間、一時的にバッファリングするため、及び／又は情報をキャッシュするため）そこに記憶される任意の他の記憶媒体等の有形のコンピュータ可読媒体上に記憶されるコード化命令（例えば、コンピュータ可読命令）を使用して実装されることができる。本明細書で使用するとき、有形のコンピュータ可読媒体という用語は、任意のタイプのコンピュータ可読媒体を含み、伝播信号を排除することを明示的に規定される。更に又は代替的に、図３〜４の例示的な方法は、ハードディスクドライブ、フラッシュメモリ、読出し専用メモリ、コンパクトディスク、デジタル多用途ディスク、キャッシュ、ランダムアクセスメモリ、及び／又は、情報が任意の継続期間の間（例えば、長期間にわたって、永久的に、短い瞬間、一時的にバッファリングするため、及び／又は情報をキャッシュするため）そこに記憶される任意の他の記憶媒体等の非一時的なコンピュータ可読媒体上に記憶されるコード化命令（例えば、コンピュータ可読命令）を使用して実装されることができる。本明細書で使用するとき、非一時的なコンピュータ可読媒体という用語は、任意のタイプのコンピュータ可読媒体を含み、伝播信号を排除することを明示的に規定される。
【００１８】
図３は、ＲＴＤ回路内で漏洩電流を検出する例示的な方法３００を示すフローチャートである。例示的な方法３００は、図２のＲＴＤ回路２００内で漏洩を検出する図２の比較器２１０によって、及び／又は、ＲＴＤ回路２００のユーザ（例えば技師、インストーラ）によって実装されることができる。例示的な方法３００は、例えば、実質的に等しい抵抗が、第１及び第２の抵抗を実装するためＲＴＤ回路に設置される場合に使用されることができる。
【００１９】
例示的な方法３００は、ＲＴＤ回路２００を有する回路内に（例えば、抵抗器２０２を有する回路内に）第１の抵抗（例えば、図２のセンス抵抗器２０６）を設ける（ブロック３０２）ことで始まる。第２の抵抗（例えば、図２のセンス抵抗器２０８）はまた、ＲＴＤ回路２００を有する回路内に（例えば、抵抗器２０２を有する回路内に）設けられる（ブロック３０４）。例示的な方法３００では、第１及び第２の抵抗は、ＲＴＤ回路２００の対向する側に設けられることができる。
【００２０】
電流が第１の抵抗（例えば、センス抵抗器２０６）に印加される（ブロック３０６）。例示的な比較器２１０は、第１の抵抗の両端の電圧降下を測定する（ブロック３０８）。電流が第２の抵抗（例えば、センス抵抗器２０８）に印加される（ブロック３１０）。例示的な比較器２１０は、第２の抵抗の両端の電圧降下を測定する（ブロック３１２）。
【００２１】
例示的な比較器２１０は、第１の電圧降下と第２の電圧降下との差が閾値より小さいかどうかを判定する（ブロック３１４）。差が閾値より小さい場合（ブロック３１４）、例示的な比較器２１０は、ＲＴＤ回路２００が電流漏洩を持たないと判定する（ブロック３１４）。逆に、電圧降下間の差が閾値より小さくない場合（ブロック３１４）、例示的な比較器２１０は、ＲＴＤ回路２００が電流漏洩又は他の問題の可能性を持つと判定し、メンテナンスのためのフラグ又は警報を上げる（ブロック３１８）。
【００２２】
ＲＴＤ回路２００が、漏洩を持たない（ブロック３１６）、又は、実際に漏洩を持つ（ブロック３１８）と判定した後、図３の例示的な方法３００は終了する。幾つかの例では、比較器２１０は、ＲＴＤ回路２００が電流漏洩を持たないとブロック３１６で判定した後に、抵抗器２０２を介して温度を測定することに進む。
【００２３】
図４は、ＲＴＤ回路内で漏洩電流を検出する別の例示的な方法４００を示すフローチャートである。例示的な方法４００は、図２のＲＴＤ回路２００内で漏洩を検出する図２の比較器２１０によって、及び／又は、ＲＴＤ回路２００のユーザ（例えば技師、インストーラ）によって実装されることができる。例示的な方法４００は、例えば、異なる抵抗が、第１及び第２の抵抗を実装するためＲＴＤ回路に設置される場合に使用されることができる。
【００２４】
例示的な方法４００は、ＲＴＤ回路２００を有する回路内に（例えば、抵抗器２０２を有する回路内に）第１の抵抗（例えば、図２のセンス抵抗器２０６）を設ける（ブロック４０２）ことで始まる。第２の抵抗（例えば、図２のセンス抵抗器２０８）はまた、ＲＴＤ回路２００を有する回路内に（例えば、抵抗器２０２を有する回路内に）設けられる（ブロック４０４）。例示的な方法４００では、第１及び第２の抵抗は、ＲＴＤ回路２００の対向する側に設けられることができる。
【００２５】
電流が第１の抵抗（例えば、センス抵抗器２０６）に印加される（ブロック４０６）。例示的な比較器２１０は、第１の抵抗の両端の電圧降下を測定する（ブロック４０８）。電流が第２の抵抗（例えば、センス抵抗器２０８）に印加される（ブロック４１０）。例示的な比較器２１０は、第２の抵抗の両端の電圧降下を測定する（ブロック４１２）。
【００２６】
例示的な比較器２１０は、第１の電圧降下と第２の電圧降下との差が或る範囲内にあるかどうかを判定する（ブロック４１４）。差が或る範囲内にある場合（ブロック４１４）、例示的な比較器２１０は、ＲＴＤ回路２００が電流漏洩を持たないと判定する（ブロック４１４）。逆に、電圧降下間の差がその範囲内にない場合（ブロック４１４）、例示的な比較器２１０は、ＲＴＤ回路２００が電流漏洩又は他の問題の可能性を持つと判定し、メンテナンスのためのフラグ又は警報を上げる（ブロック４１８）。
【００２７】
ＲＴＤ回路２００が、漏洩を持たない（ブロック４１６）、又は、実際に漏洩を持つ（ブロック４１８）と判定した後、図４の例示的な方法４００は終了する。幾つかの例では、比較器２１０は、ＲＴＤ回路２００が電流漏洩を持たないとブロック４１６で判定した後に、抵抗器２０２を介して温度を測定することに進む。
【００２８】
図５は、図２の例示的な比較器２１０、例示的なスイッチ２１６〜２２２、２２６、及び２２８、並びに／又は例示的な電流源２１２、２１４を実装するために使用することができる例示的なプロセッサシステム５１０のブロック図である。図５に示すように、プロセッサシステム５１０は、相互接続バス５１４に結合されるプロセッサ５１２を含む。プロセッサ５１２は、レジスタセット又はレジスタ空間５１６を含み、レジスタセット又はレジスタ空間５１６は、全体的にオンチップであるとして図５に示されるが、代替的に、全体的に又は部分的にオフチップで配置され、かつ、専用電気接続部によって及び／又は相互接続バス５１４によってプロセッサ５１２に直接結合され得る。プロセッサ５１２は、任意の適したプロセッサ、処理ユニット、又はマイクロプロセッサであるとすることができる。図５に示さないが、システム５１０は、マルチプロセッサシステムであるとすることができ、従って、１つ又は複数の更なるプロセッサを含むことができ、更なるプロセッサは、プロセッサ５１２と同一であるか又は同様であり、相互接続バス５１４に通信可能に結合される。
【００２９】
図５のプロセッサ５１２は、メモリコントローラ５２０及び入力／出力（Ｉ／Ｏ）コントローラ５２２を含むチップセット５１８に結合される。よく知られているように、チップセットは、通常、Ｉ／Ｏ及びメモリ管理機能、並びに、チップセット５１８に結合される１つ又は複数のプロセッサによってアクセス可能であるか又は使用される、複数の汎用及び／又は専用のレジスタ、タイマ等を提供する。メモリコントローラ５２０は、プロセッサ５１２（又は、複数のプロセッサが存在する場合、複数のプロセッサ）が、システムメモリ５２４及び大容量記憶メモリ５２５にアクセスすることを可能にする機能を実施する。
【００３０】
システムメモリ５２４は、例えば、スタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）、フラッシュメモリ、読出し専用メモリ（ＲＯＭ）等のような、任意の所望のタイプの揮発性及び／又は不揮発性メモリを含むことができる。大容量記憶メモリ５２５は、ハードディスクドライブ、光ドライブ、テープ記憶デバイス等を含む任意の所望のタイプの大容量記憶デバイスを含むことができる。
【００３１】
Ｉ／Ｏコントローラ５２２は、プロセッサ５１２が、Ｉ／Ｏバス５３２を介して周辺入力／出力（Ｉ／Ｏ）デバイス５２６及び５２８並びにネットワークインタフェース５３０と通信することを可能にする機能を実施する。Ｉ／Ｏデバイス５２６及び５２８は、例えば、キーボード、ビデオディスプレイ又はモニター、マウス等のような任意の所望のタイプのＩ／Ｏデバイスであるとすることができる。図２の例示的なスイッチ２１８〜２２２、２２６、及び／又は２２８、並びに／又は例示的な電流源２１２、２１４は、Ｉ／Ｏデバイス５２６及び５２８によって実装及び／又は制御されることができる。ネットワークインタフェース５３０は、プロセッサシステム５１０が別のプロセッサシステムと通信することを可能にする、例えば、イーサネット（登録商標）デバイス、非同期転送モード（ＡＴＭ）デバイス、８０２．１１デバイス、ＤＳＬモデム、ケーブルモデム、セルラーモデム等であるとすることができる。
【００３２】
メモリコントローラ５２０及びＩ／Ｏコントローラ５２２が、チップセット５１８内の別個の機能ブロックとして図５に示されるが、これらのブロックによって実施される機能は、単一半導体回路内に統合されることができる、又は、２つ以上の別個の集積回路を使用して実装されることができる。
【００３３】
或る例示的な方法、装置、及び製造品が本明細書で開示されたが、本特許の保護範囲はそれに限定されない。逆に、本特許は、本特許の請求の範囲内に適正に入る全ての方法、装置、及び製造品を包含する。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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