(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成され該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞し外周に面取り部を備えた外周余剰領域とを有する複数のウェーハを薄化してベースウェーハに貼り合わせて貼り合わせウェーハを形成する貼り合わせウェーハ形成方法であって、
ウェーハの表面には、該ベースウェーハと複数のウェーハとを積層させる位置を合わせ用のアライメントマークが少なくとも２個形成されており、
該アライメントマークを撮像手段で検出し、検出した該アライメントマークを基準にウェーハの中心を算出する中心位置検出ステップと、
該中心位置検出ステップで検出された中心位置を基準に切削ブレードを該外周余剰領域に位置付けて切り込み、ウェーハを相対的に回転させて該外周余剰領域の面取り部を除去する外周余剰領域除去ステップと、
該外周余剰領域除去ステップを実施した後に、該アライメントマークを使用して該ベースウェーハと積層させるウェーハとの位置合わせを行い貼り合わせるウェーハ貼り合わせステップと、
該外周余剰領域除去ステップを実施した後で且つ該ウェーハ貼り合わせステップを実施する前又は後に、ウェーハ裏面側を研削して薄化する薄化ステップと、
から構成される貼り合わせウェーハ形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のデバイスが積層されるように、複数のウェーハを貼り合わせる貼り合わせウェーハ形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、新たな三次元実装技術として、ワイヤボンディングの代わりにＳｉ貫通電極（Ｔｈｒｏｕｇｈ−Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｖｉａ：ＴＳＶ）を用いた実装技術が注目されている。ＴＳＶ技術を用いると、配線長がワイヤより短いため配線抵抗やインダクタンスが大幅に低減でき、消費電力も大幅に低減できるというメリットがある。デバイスチップの積層方法としては、複数のウェーハ同士を積層し、積層したウェーハを貫くように貫通電極を形成して、ウェーハ同士を接続する積層方法（Ｗａｆｅｒ  ｏｎ  Ｗａｆｅｒ：ＷＯＷ）が開発されつつある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この積層方法においては、赤外線カメラ等の撮像手段によって、上下に積層される複数のウェーハの位置合わせが行われる。この場合、手前側（上側）のウェーハの表面上に形成されたアライメントマークが撮像手段によって撮像されると共に、手前側のウェーハを透過して奥側（下側）のウェーハの表面上に形成されたアライメントマークが撮像手段によって撮像される。そして、撮像手段による撮像画像に基づいて、双方のウェーハのアライメントマーク同士を合致させるようにして、複数のウェーハの位置合わせ作業（アライメント）が実施される。
【０００４】
また、ウェーハの外周には製造工程中における割れや発塵防止のために面取り加工が施されている。このようなウェーハが薄化されると、面取りされたウェーハの外周がナイフエッジ状になって脆くなり、外周側から欠けが生じてウェーハが破損するおそれがある。このため、薄化されたウェーハを積層する際には、ナイフエッジになりうる面取り部を事前にトリミング加工によってウェーハの外周から除去している（例えば、特許文献２参照）。トリミング加工は、例えば、ウェーハ毎に外周を基準としてウェーハの中心位置が算出され、この中心位置を基準として実施される（例えば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−１３４２３１号公報
【特許文献２】特開２００５−１１６６１４号公報
【特許文献３】特開２００６−０９３３３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ウェーハの表面中央には複数のデバイスが配設された円形のデバイス領域が形成されているが、デバイス領域はウェーハの中心からずれて形成される場合がある。この場合、ウェーハの外周から求められたウェーハの中心位置を基準にトリミング加工されると、トリミング加工の加工中心に対してデバイス領域の中心が偏心する。また、アライメントマークは、デバイス領域内でデバイスとの間で所定の位置関係になるように設計されている。よって、ウェーハに対するデバイス領域の位置ズレを考慮することなくウェーハの外周がトリミング加工され、ウェーハの外周とアライメントマークの間に所定の位置関係が成立することがない。
【０００７】
このため、貼り合わせウェーハの双方のウェーハがアライメントマークで位置合わせされると、積層後のウェーハの外周にズレが生じて、はみ出したウェーハの外周位置から破損し易くなるという問題がある。
【０００８】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、薄化された複数のウェーハを破損させることなく、良好に積層することができる貼り合わせウェーハ形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の貼り合わせウェーハ形成方法は、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成され該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞し外周に面取り部を備えた外周余剰領域とを有する複数のウェーハを薄化してベースウェーハに貼り合わせて貼り合わせウェーハを形成する貼り合わせウェーハ形成方法であって、ウェーハの表面には、該ベースウェーハと複数のウェーハとを積層させる位置を合わせ用のアライメントマークが少なくとも２個形成されており、該アライメントマークを撮像手段で検出し、検出した該アライメントマークを基準にウェーハの中心を算出する中心位置検出ステップと、該中心位置検出ステップで検出された中心位置を基準に切削ブレードを該外周余剰領域に位置付けて切り込み、ウェーハを相対的に回転させて該外周余剰領域の面取り部を除去する外周余剰領域除去ステップと、該外周余剰領域除去ステップを実施した後に、該アライメントマークを使用して該ベースウェーハと積層させるウェーハとの位置合わせを行い貼り合わせるウェーハ貼り合わせステップと、該外周余剰領域除去ステップを実施した後で且つ該ウェーハ貼り合わせステップを実施する前又は後に、ウェーハ裏面側を研削して薄化する薄化ステップと、から構成される。
【００１０】
この構成によれば、ウェーハの外周を基準にすることなく、２個以上のアライメントマークを基準にウェーハの中心位置が算出される。このため、ウェーハに対するデバイス領域の位置ズレ（偏心）に左右されずに、デバイス領域の中心位置を基準にウェーハの外周余剰領域の面取り部が除去される。これにより、薄化後のウェーハの外周とアライメントマークとの間には所定の位置関係が成立する。そして、アライメントマークを使用してベースウェーハ上に複数のウェーハが位置合わせされることで、積層後のウェーハの外周のズレを最小限に抑えて、ウェーハのはみ出しによる破損が防止される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、ウェーハの外周基準の中心位置ではなく、２個以上のアライメントマークを基準にウェーハの中心位置を算出するようにしたので、トリミング後のウェーハを外周のズレを抑えて良好に積層することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本実施の形態に係るウェーハ及びベースウェーハの概略斜視図である。
【図２】比較例に係るトリミング加工及び貼り合わせウェーハの説明図である。
【図３】本実施の形態に係る中心位置検出ステップの一例を示す図である。
【図４】本実施の形態に係る外周余剰領域除去ステップの一例を示す図である。
【図５】本実施の形態に係る薄化ステップの一例を示す図である。
【図６】本実施の形態に係るウェーハ貼り合わせステップの一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、本実施の形態に係る貼り合わせウェーハ形成方法について説明する。先ず、図１を参照して、ウェーハ及びベースウェーハについて説明する。図１は、本実施の形態に係るウェーハ及びベースウェーハの概略斜視図である。
【００１４】
図１に示すように、ウェーハ１１は、略円板状に形成されており、表面１１ａに形成された格子状の分割予定ライン１２によって複数の領域に区画されている。ウェーハ１１の表面１１ａは、分割予定ライン１２に区画された各領域に複数のデバイス１３が形成された円形のデバイス領域Ａ１と、デバイス領域Ａ１を囲繞する環状の外周余剰領域Ａ２とに分けられている。デバイス領域Ａ１には、ウェーハ１１の積層する際の位置合わせ用に２個のアライメントマーク１４が形成されている。また、外周余剰領域Ａ２には、製造工程中における割れや発塵防止のための面取り部１５と結晶方位を示すノッチ１６が形成されている。
【００１５】
２個のアライメントマーク１４は、デバイス領域Ａ１内のデバイス１３との間で所定の位置関係が規定されるため、デバイス領域Ａ１の中心位置Ｃ１との間でも所定の位置関係が規定されている。例えば、２個のアライメントマーク１４は、円形のデバイス領域Ａ１の中心位置Ｃ１を挟んで対向し、この中心位置Ｃ１から等間隔の距離だけ離れた位置に形成されている。すなわち、２個のアライメントマーク１４を結んだ中央箇所がデバイス領域Ａ１の中心位置Ｃ１となるように、２個のアライメントマーク１４の位置が形成されている。なお、アライメントマーク１４は、デバイス領域Ａ１の中心位置Ｃ１を算出できるように２個以上形成されていればよい。
【００１６】
なお、図１においては不図示とするが、各デバイス１３の表面には電極１７（図３参照）が形成されている。さらに、ウェーハ１１の表面１１ａには、電極１７を覆うように絶縁用の酸化膜２８（図３参照）が形成されている。
【００１７】
ベースウェーハ２１は、デバイス２３の大きさ、内部構造等が異なるものの、外観上はウェーハ１１と類似した構成になる。従って、ベースウェーハ２１の詳細な構成については、符号の下二桁目の「１」を「２」に変更して図１中括弧内に併記することで説明を省略する。なお、ウェーハ１１及びベースウェーハ２１は、シリコン、ガリウム砒素等の半導体基板にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスが形成された半導体ウェーハであるが、特に材質は限定されない。また、ウェーハ１１及びベースウェーハ２１は、同一の材質で形成されてもよいし、異なる材質で形成されていてもよい。
【００１８】
ところで、複数のウェーハ１１をベースウェーハ２１上に積層する際には、デバイス領域Ａ１内のアライメントマーク１４を基準にウェーハ１１同士が位置合わせされる。上記したように、アライメントマーク１４の形成位置は、デバイス領域Ａ１の中心位置Ｃ１に関連付けて規定されている。図２Ａに示すように、ウェーハ１１の外周を基準にウェーハ１１の面取り部１５がトリミング加工されると、トリミング加工の加工中心Ｃ２がデバイス領域Ａ１の中心位置Ｃ１から偏心する場合がある。この場合には、図２Ｂに示すように、アライメントマーク１４に基づいて、薄化後の複数のウェーハ１１が積層されると、ウェーハ１１の外周にズレが生じてしまう。
【００１９】
そこで、本実施の形態に係る貼り合わせウェーハ形成方法では、アライメントマーク１４の形成位置とデバイス領域Ａ１の中心位置Ｃ１が一定の位置関係にあることに着目し、ウェーハ１１の外周ではなくアライメントマーク１４を基準に中心位置Ｃ１を算出している。そして、２個のアライメントマーク１４からデバイス領域Ａ１の中心位置Ｃ１を算出し、この中心位置Ｃ１を基準にウェーハ１１の面取り部１５をトリミング加工するようにしている（図４参照）。これにより、アライメントマーク１４によって複数のウェーハ１１が位置合わせされても、ベースウェーハ２１上に積層された複数のウェーハ１１の外周のズレが最小限に抑えられる。
【００２０】
以下、本実施の形態に係る貼り合わせウェーハ形成方法について、図３から図６を参照して詳細に説明する。図３は中心位置検出ステップの一例を示す図である。図４は外周余剰領域除去ステップの一例を示す図である。図５は薄化ステップの一例を示す図である。図６はウェーハ貼り合わせステップの一例を示す図である。なお、説明の便宜上、本実施の形態に係るウェーハは、ウェーハの中心に対してデバイス領域が位置ズレしているものとして説明する。
【００２１】
図３に示すように、先ず中心位置検出ステップが実施される。中心位置検出ステップでは、切削装置（不図示）のチャックテーブル３１上にウェーハ１１が保持される。ウェーハ１１は、デバイス１３側の表面１１ａを上に向けて、ウェーハ１１の中心位置Ｃ３がチャックテーブル３１の回転軸（Ｚ軸）に一致するように保持されている。また、ウェーハ１１の上方には光学顕微鏡等の撮像手段３２が位置付けられて、撮像手段３２によってデバイス領域Ａ１に形成された２個のアライメントマーク１４が検出される。この２個のアライメントマーク１４を基準にデバイス領域Ａ１の中心位置Ｃ１がウェーハ１１の中心として算出される。
【００２２】
具体的には、撮像手段３２で撮像されたアライメントマーク１４の画像データから、アライメントマーク１４の形成位置（ＸＹ座標）が検出される。そして、不図示の制御装置において、２個のアライメントマーク１４の形成位置を結ぶ直線の中心位置を算出することで、デバイス領域Ａ１の中心位置Ｃ１が算出される。このようにして、アライメントマーク１４を基準としたデバイス領域Ａ１の中心位置Ｃ１が検出される。本実施の形態では、デバイス領域Ａ１の中心位置Ｃ１は、ウェーハ１１の中心位置Ｃ３に対して位置ズレしており、チャックテーブル３１の回転軸（Ｚ軸）に対して偏心している。
【００２３】
図４に示すように、中心位置検出ステップを実施した後には、外周余剰領域除去ステップが実施される。外周余剰領域除去ステップでは、ウェーハ１１の上方で切削ブレード３３が移動され、デバイス領域Ａ１の中心位置Ｃ１を基準に切削ブレード３３がウェーハ１１の外周余剰領域Ａ２に位置付けられる。このとき、切削ブレード３３の回転軸（Ｙ軸）がウェーハ１１の中心線と一致するように位置合わせされている。そして、噴射ノズル（不図示）から切削水が噴射されると共に切削ブレード３３が高速回転され、切削ブレード３３によってウェーハ１１の面取り部１５が切り込まれる。
【００２４】
続いて、切削ブレード３３に対してチャックテーブル３１がＺ軸回りに相対的に回転することで、ウェーハ１１上側の面取り部１５が除去されて、ウェーハ１１の外周に沿った段状溝３５が形成される。このとき、デバイス領域Ａ１の中心位置Ｃ１がチャックテーブル３１の回転軸（ウェーハの中心位置Ｃ３）に対して偏心しているため、デバイス領域Ａ１の中心位置Ｃ１から一定距離を保つように切削ブレード３３がＹ軸方向に移動される。このように、デバイス領域Ａ１の中心位置Ｃ１とチャックテーブル３１の回転軸の偏心量を吸収するように切削ブレード３３をＹ軸方向に移動させて、デバイス領域Ａ１の中心位置Ｃ１を加工中心としてウェーハ１１の面取り部１５が除去される。
【００２５】
この場合、切削ブレード３３によって、後工程である薄化ステップでの仕上げ厚さよりも、ウェーハ１１が深く切り込まれている。このため、ウェーハ１１の外周には、薄化ステップ後のウェーハ１１の外周がナイフエッジ状に残ることがない。また、切削ブレード３３の回転方向は、ウェーハ１１に対してダウンカットになる向きに設定され、切削屑を含む切削水がウェーハ１１上に飛散することが抑制される。
【００２６】
図５に示すように、外周余剰領域除去ステップを実施した後には、薄化ステップが実施される。薄化ステップでは、仮接着剤３８によってウェーハ１１の表面１１ａ側にサポート部材３７が貼着される。サポート部材３７は、円形のシリコン基板であり、ウェーハ１１に貼着されることでウェーハ１１の剛性が高められる。これにより、研削加工時にウェーハ１１の反りが抑えられると共に、薄化後のウェーハ１１の搬送を容易にしている。なお、サポート部材３７は、シリコン基板に限らず、ガラス基板で形成されてもよい。また、仮接着剤３８は、サポート部材３７の材質に応じて、例えば、紫外線硬化樹脂、ワックス等が用いられる。
【００２７】
サポート部材３７にウェーハ１１が貼着されると、ウェーハ１１が研削装置（不図示）に搬入される。研削装置では、チャックテーブル（不図示）にサポート部材３７側が保持され、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側から研削ホイール（不図示）で研削される。そして、ウェーハ１１が仕上げ厚さになるまで研削されてウェーハ１１が薄化される。このとき、ウェーハ１１の外周余剰領域Ａ２の表面側の面取り部１５（図４参照）が外周余剰領域除去ステップにおいて事前に除去されているため、ウェーハ１１の外周余剰領域Ａ２に面取り部１５が残ってナイフエッジ状に形成されることがない。
【００２８】
なお、薄化ステップにおいて、ウェーハ１１に対するサポート部材３７の貼着は、専用の装置によって実施されてもよいし、オペレータによる手作業によって実施されてもよい。また、薄化後のウェーハ１１に反りが生じず、十分な強度が得られる場合には、ウェーハ１１にサポート部材３７を貼着しない構成にしてもよい。また、本実施の形態では、ウェーハ１１とサポート部材３７を略同形に形成したが、サポート部材３７はウェーハ１１を安定的に支持可能であればよく、円板状に限らず矩形状に形成されてもよい。
【００２９】
図６Ａに示すように、薄化ステップを実施した後には、ウェーハ貼り合わせステップが実施される。ウェーハ貼り合わせステップでは、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側の全域に永久接着剤４２が塗布される。永久接着剤４２は、後工程や製品としての使用時においても接着状態を確保できる接着特性を有している。次に、貼り合わせ装置（不図示）にウェーハ１１とベースウェーハ２１が搬入され、真空の作業空間内でウェーハ１１の裏面１１ｂ側（永久接着剤４２側）が、ベースウェーハ２１の表面２１ａ側に対面される。また、ウェーハ１１の上方にはＩＲカメラ等のシリコンを透過して撮像可能な撮像手段４１が位置付けられる。
【００３０】
そして、撮像手段４１によって、シリコンで形成されたサポート部材３７を透過して、ウェーハ１１の表面１１ａのアライメントマーク１４が撮像される。さらに、ウェーハ１１を透過して、ベースウェーハ２１の表面２１ａのアライメントマーク２４が撮像される。ウェーハ１１及びベースウェーハ２１のアライメントマーク１４、２４同士を合致させて、ベースウェーハ２１に対するウェーハ１１の位置合わせ（アライメント）が実施される。この状態で、永久接着剤４２を介してベースウェーハ２１にウェーハ１１を貼り合わせることで、ベースウェーハ２１の各デバイス２３に対してウェーハ１１の各デバイス１３が上下方向で整列される。このようにして、ベースウェーハ２１の表面２１ａにウェーハ１１の裏面１１ｂを貼り合わせた貼り合わせウェーハ５１（図６Ｂ参照）が形成される。
【００３１】
次に、図６Ｂに示すように、貼り合わせウェーハ５１からサポート部材３７が剥離される。この場合、ウェーハ１１の表面１１ａ側の仮接着剤３８に対して紫外線照射等の所定処理を施して接着力を低下させた後、ウェーハ１１の表面１１ａ側からサポート部材３７が剥離される。これにより、ベースウェーハ２１の表面２１ａに１段目のウェーハ１１が積層される。さらに、図６Ｃに示すように、ベースウェーハ２１上に１段目のウェーハ１１が積層されると、１段目のウェーハ１１の上に２段目のウェーハ１１が積層される。この場合も、ベースウェーハ２１に対する１段目のウェーハ１１の貼り合わせと同様にして、１段目のウェーハ１１上に２段目のウェーハ１１が積層される。
【００３２】
このウェーハ１１の貼り合わせが繰り返されることで、ベースウェーハ２１の表面２１ａ側に複数段のウェーハ１１が積層される。上記したように、外周余剰領域除去ステップにおいて、各ウェーハ１１の面取り部１５が、デバイス領域Ａ１の中心位置Ｃ１を基準として除去されている（図４参照）。また、デバイス領域Ａ１の中心位置Ｃ１とアライメントマーク１４との間には一定の位置関係が成立しているため、アライメントマーク１４とウェーハ１１の外周との間にも一定の位置関係が成立する。このため、アライメントマーク１４を合致させるようにして複数のウェーハ１１が積層されることで、複数のウェーハ１１の外周のズレが最小限に抑えられている。
【００３３】
なお、ウェーハ貼り合わせステップでは、永久接着剤４２による接着に代えて、ウェーハ１１とベースウェーハ２１、又はウェーハ１１同士を常温接合して貼り合わせを行ってもよい。常温接合とは、真空中で接合面の不要な物質を除去し、ウェーハ１１とベースウェーハ２１の接合面を密着させて、接合面間の分子間力によって接合する方法である。この場合、薄化ステップにおいて、サポート部材３７とウェーハ１１を常温接合して貼り合わせてもよい。
【００３４】
このようにして貼り合わせウェーハ５１が形成されると、エッチングによって複数のウェーハ１１に貫通孔が形成され、貫通箇所に貫通電極が形成されることで各ウェーハ１１の各電極１７とベースウェーハ２１の各電極２７が電気的に接続される。その後、ベースウェーハ２１が裏面側から研削されて薄化された後、貼り合わせウェーハ５１が分割予定ライン１２（図１参照）に沿ってフルカットされて、個々のデバイスチップに分割される。
【００３５】
以上のように、本実施の形態に係る貼り合わせウェーハ形成方法では、ウェーハ１１の外周を基準にすることなく、２個以上のアライメントマーク１４を基準にウェーハ１１の中心位置が算出される。このため、ウェーハ１１に対するデバイス領域Ａ１の位置ズレ（偏心）に左右されずに、デバイス領域Ａ１の中心位置Ｃ１を基準にウェーハ１１の外周余剰領域Ａ２の面取り部１５が除去される。これにより、薄化後のウェーハ１１の外周とアライメントマーク１４との位置関係との間には所定の位置関係が成立する。そして、アライメントマーク１４を使用してベースウェーハ２１上に複数のウェーハが位置合わせされることで、積層後のウェーハ１１の外周のズレを最小限に抑えて、ウェーハ１１のはみ出しによる破損が防止される。
【００３６】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
【００３７】
例えば、本実施の形態において、外周余剰領域除去ステップを実施した後で、かつウェーハ貼り合わせステップの前に薄化ステップを実施する構成にしたが、この構成に限定されない。薄化ステップは、外周余剰領域除去ステップを実施した後で、かつウェーハ貼り合わせステップの後に実施される構成にしてもよい。この場合には、ウェーハ１１の表面１１ａ側にサポート部材３７を貼着する必要がなく、サポート部材３７の貼着作業を省略することができる。
【００３８】
なお、本実施の形態に係る中心位置検出ステップにおいて、２個のアライメントマーク１４を結ぶ直線の中心をデバイス領域Ａ１の中心位置Ｃ１として算出したが、この構成に限定されない。２個以上のアライメントマーク１４からデバイス領域Ａ１の中心位置Ｃ１を算出可能であれば、アライメントマーク１４の形成位置、形状、算出方法は特に限定されない。
【００３９】
また、本実施の形態に係る外周余剰領域除去ステップでは、デバイス領域Ａ１の中心位置Ｃ１とチャックテーブル３１の回転軸の偏心量を吸収させるように切削ブレード３３を動かしながらトリミング加工する構成にしたが、この構成に限定されない。外周領域余剰ステップでは、デバイス領域Ａ１の中心位置Ｃ１をチャックテーブル３１の回転軸（中心位置）に位置付け直した後、デバイス領域Ａ１の中心位置Ｃ１を中心としてトリミング加工する構成にしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
以上説明したように、本発明は、薄化された複数のウェーハを破損させることなく、良好に積層することができるという効果を有し、特にベースウェーハ上に複数のウェーハを積層した貼り合わせウェーハ形成方法に有用である。
【符号の説明】
【００４１】
１１  ウェーハ
１１ａ  表面
１１ｂ  裏面
１２  分割予定ライン
１３  デバイス
１４  アライメントマーク
１５  面取り部
２１  ベースウェーハ
３２  撮像手段
３３  切削ブレード
５１  貼り合わせウェーハ
Ａ１  デバイス領域
Ａ２  外周余剰領域
Ｃ１  中心位置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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