(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップの第１面を接着する第１テープを第１方向に搬送することにより、前記第１テープに接着された前記チップを貼替部に搬送する第１搬送部と、
前記第１搬送部によって前記貼替部に搬送された前記チップの前記第１面に隣接する第２面を接着する第２テープを前記第１方向とは異なる第２方向に搬送することにより、前記第１テープ及び前記第２テープに接着された前記チップを前記第１テープから剥がす第２搬送部と、
を具備するチップ貼替装置。
【請求項２】
請求項１に記載のチップ貼替装置であって、
前記第１方向と前記第２方向とが相互に鈍角を成す
チップ貼替装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のチップ貼替装置であって、
前記第２搬送部による前記第２テープの搬送速度が、前記第１搬送部による前記第１テープの搬送速度よりも速い
チップ貼替装置。
【請求項４】
チップの第１面を接着する第１テープを第１方向に搬送することにより、前記第１テープに接着された前記チップを貼替部に搬送する第１搬送部と、
前記第１搬送部によって前記貼替部に搬送された前記チップの前記第１面に隣接する第２面を接着する第２テープを前記第１方向とは異なる第２方向に搬送することにより、前記第１テープ及び前記第２テープに接着された前記チップを前記第１テープから剥がす第２搬送部と、
を具備する電子部品の製造装置。
【請求項５】
チップの第１面を第１テープで接着し、
前記第１テープを第１方向に搬送することにより、前記第１テープに接着された前記チップを貼替部に搬送し、
前記貼替部に搬送された前記チップの前記第１面に隣接する第２面を第２テープで接着し、
前記第２テープを前記第１方向とは異なる第２方向に搬送することにより、前記第１テープ及び前記第２テープに接着された前記チップを前記第１テープから剥がし、
前記第１テープから剥がされた前記チップの前記第２面と前記第２面に対向する第３面との少なくとも一方に被覆部を形成する
電子部品の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の電子部品の製造方法であって、
前記電子部品は、積層セラミックコンデンサであり、
前記被覆部は、サイドマージン部である
電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップ貼替装置、電子部品の製造装置、及び電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化及び高性能化に伴い、電子機器に用いられる積層セラミックコンデンサに対する小型化及び大容量化の要望がますます強くなってきている。この要望に応えるためには、積層セラミックコンデンサの内部電極を拡大することが有効である。内部電極を拡大するためには、内部電極の周囲の絶縁性を確保するためのサイドマージン部を薄くする必要がある。
【０００３】
この一方で、一般的な積層セラミックコンデンサの製造方法では、各工程（例えば、内部電極のパターニング、積層体の切断など）の精度により、均一な厚さのサイドマージン部を形成することが難しい。したがって、このような積層セラミックコンデンサの製造方法では、サイドマージン部を薄くするほど、内部電極の周囲の絶縁性を確保することが難しくなる。
【０００４】
特許文献１には、サイドマージン部を後付けする技術が開示されている。つまり、この技術では、側面に内部電極が露出した積層チップが作製され、この積層チップの側面にサイドマージン部が設けられる。これにより、均一な厚さのサイドマージン部を形成可能となるため、サイドマージン部を薄くする場合にも、内部電極の周囲の絶縁性を確保することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−２０９５３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に係る技術では、シート状の積層体が積層方向に切断されて、積層チップが得られる。この状態では、積層チップの側面が垂直な切断面であるため、積層チップの側面にサイドマージン部を設けることが困難である。つまり、積層チップの側面にサイドマージン部を設けるためには、積層チップを９０°回転させて、積層チップの側面を上方に向ける必要がある。
【０００７】
特許文献１に係る技術では、転動作用板を用い、切断後の積層チップに物理的な力を加えることにより９０°回転させる。ところが、積層チップの回転時には、特に積層チップの角部に応力が集中しやすい。このような応力によって、積層チップに層間剥離などの不良が生じる場合がある。したがって、当該技術を用いることにより、製造後の積層セラミックコンデンサの信頼性が低下する可能性がある。
【０００８】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、チップにダメージを与えることなくチップの向きを変更可能なチップ貼替装置、電子部品の製造装置、及び電子部品の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係るチップ貼替装置は、第１搬送部と、第２搬送部と、を具備する。
上記第１搬送部は、チップの第１面を接着する第１テープを第１方向に搬送することにより、上記第１テープに接着された上記チップを貼替部に搬送する。
上記第２搬送部は、上記第１搬送部によって上記貼替部に搬送された上記チップの上記第１面に隣接する第２面を接着する第２テープを上記第１方向とは異なる第２方向に搬送することにより、上記第１テープ及び上記第２テープに接着された上記チップを上記第１テープから剥がす。
このチップ貼替装置では、チップが貼替部において第１テープから第２テープに受け渡される際に、チップの接着面が第１面から第２面に変更される。したがって、このチップ貼替装置では、チップにダメージを与えることなくチップの向きを変更可能である。
【００１０】
上記第１方向と上記第２方向とが相互に鈍角を成していてもよい。
この構成により、貼替部における第１テープから第２テープへのチップの受け渡しが良好に行われるようになる。また、この構成では、貼替部において第２テープに受け渡されたチップが後続のチップから逃げるように搬送されるため、第１搬送部によって複数のチップが連続的に貼替部に搬送される場合にも、貼替部におけるチップ同士の衝突が起こりにくい。
【００１１】
上記第２搬送部による上記第２テープの搬送速度が、上記第１搬送部による上記第１テープの搬送速度よりも速くてもよい。
この構成では、貼替部において第１テープから第２テープに受け渡されたチップが速やかに貼替部から離れるため、第１搬送部によって複数のチップが連続的に貼替部に搬送される場合にも、貼替部におけるチップ同士の衝突が起こりにくい。
【００１２】
本発明の一形態に係る電子部品の製造装置は、第１搬送部と、第２搬送部と、を具備する。
第１搬送部は、チップの第１面を接着する第１テープを第１方向に搬送することにより、上記第１テープに接着された上記チップを貼替部に搬送する。
第２搬送部は、上記第１搬送部によって上記貼替部に搬送された上記チップの上記第１面に隣接する第２面を接着する第２テープを上記第１方向とは異なる第２方向に搬送することにより、上記第１テープ及び上記第２テープに接着された上記チップを上記第１テープから剥がす。
この構成では、チップが貼替部において第１テープから第２テープに受け渡される際に、チップの接着面が第１面から第２面に変更される。これにより、第２テープに接着されたチップの第２面に対向する第３面が上方を向くため、チップの第３面に被覆部を形成することが可能となる。また、この構成では、チップを第２テープから他のテープに貼り替えることによって、チップの第２面に被覆部を形成することも容易となる。
【００１３】
本発明の一形態に係る電子部品の製造方法では、チップの第１面が第１テープで接着される。
上記第１テープを第１方向に搬送することにより、上記第１テープに接着された上記チップが貼替部に搬送される。
上記貼替部に搬送された上記チップの上記第１面に隣接する第２面が第２テープで接着される。
上記第２テープを上記第１方向とは異なる第２方向に搬送することにより、上記第１テープ及び上記第２テープに接着された上記チップが上記第１テープから剥がされる。
上記第１テープから剥がされた上記チップの上記第２面と上記第２面に対向する第３面との少なくとも一方に被覆部が形成される。
この構成により、チップにダメージを与えることなく、チップの第２面と第３面との少なくとも一方に被覆部が形成された電子部品を製造することが可能となる。
【００１４】
上記電子部品は、積層セラミックコンデンサであってもよい。上記被覆部は、サイドマージン部であってもよい。
この構成により、チップにサイドマージン部を後付けすることが可能となる。これにより、内部電極を拡大する場合にも、サイドマージン部によって内部電極の周囲の絶縁性が確保されるため、積層セラミックコンデンサの小型化及び大容量化が可能となる。
【発明の効果】
【００１５】
チップにダメージを与えることなくチップの向きを変更可能なチップ貼替装置、電子部品の製造装置、及び電子部品の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの斜視図である。
【図２】上記積層セラミックコンデンサのＡ−Ａ'線に沿った断面図である。
【図３】上記積層セラミックコンデンサのＢ−Ｂ'線に沿った断面図である。
【図４】上記積層セラミックコンデンサの製造方法を示すフローチャートである。
【図５】上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す平面図である。
【図６】上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す斜視図である。
【図７】上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す平面図である。
【図８】上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す斜視図である。
【図９】上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す斜視図である。
【図１０】上記積層セラミックコンデンサのサイドマージン部の形成方法を示すフローチャートである。
【図１１】上記積層セラミックコンデンサのサイドマージン部の形成過程を示す模式図である。
【図１２】本発明の一実施形態に係るチップ貼替装置の概略構成図である。
【図１３】上記チップ貼替装置の動作を示す図である。
【図１４】本発明に関連するチップ貼替装置の概略構成図である。
【図１５】上記積層セラミックコンデンサのサイドマージン部の形成過程を示す模式図である。
【図１６】上記積層セラミックコンデンサのサイドマージン部の形成過程を示す模式図である。
【図１７】上記積層セラミックコンデンサのサイドマージン部の形成過程を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。
図面には、適宜相互に直交するＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸が示されている。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は全図において共通である。
【００１８】
［積層セラミックコンデンサ１０の構成］
図１〜３は、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１０を示す図である。図１は、積層セラミックコンデンサ１０の斜視図である。図２は、積層セラミックコンデンサ１０の図１のＡ−Ａ'線に沿った断面図である。図３は、積層セラミックコンデンサ１０のＢ−Ｂ'線に沿った断面図である。
【００１９】
積層セラミックコンデンサ１０は、素体１１と、第１外部電極１４と、第２外部電極１５と、を具備する。素体１１は、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸に沿った辺を有する直方体状である。外部電極１４，１５は、素体１１のＸ軸方向両端面を覆っている。素体１１は、容量形成部１６と、第１カバー部１７と、第２カバー部１８と、第１サイドマージン部１９と、第２サイドマージン部２０と、を有する。
【００２０】
カバー部１７，１８は、Ｘ−Ｙ平面に沿って延びる平板状である。第１カバー部１７は容量形成部１６のＺ軸方向上面を覆い、第２カバー部１８は容量形成部１６のＺ軸方向下面を覆っている。
サイドマージン部１９，２０は、Ｘ−Ｚ平面に沿って形成されている。第１サイドマージン部１９は容量形成部１６のＹ軸方向を向いた側面を覆い、第２サイドマージン部２０は容量形成部１６の第１サイドマージン部１９とは反対側の側面を覆っている。
カバー部１７，１８及びサイドマージン部１９，２０は、主に、容量形成部１６を保護するとともに、容量形成部１６の周囲の絶縁性を確保する機能を有する。
【００２１】
容量形成部１６は、複数の第１内部電極１２と、複数の第２内部電極１３と、を有する。内部電極１２，１３は、いずれもＸ−Ｙ平面に沿って延びるシート状であり、Ｚ軸方向に交互に配置されている。第１内部電極１２は、第１外部電極１４に接続されるとともに、第２外部電極１５から絶縁されている。第２内部電極１３は、第２外部電極１５に接続されるとともに、第１外部電極１４から絶縁されている。
【００２２】
内部電極１２，１３は、それぞれ導電性材料からなり、平板状に構成された積層セラミックコンデンサ１０の内部電極として機能する。当該導電性材料としては、例えばニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、又はこれらの合金を含む金属材料が用いられる。
【００２３】
容量形成部１６は、誘電体セラミックスによって形成されている。積層セラミックコンデンサ１０では、容量形成部１６を形成する材料として、第１内部電極１２と第２内部電極１３との間の各誘電体層の容量を大きくするため、高誘電率の材料が用いられる。容量形成部１６を構成する材料としては、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）に代表される、バリウム（Ｂａ）及びチタン（Ｔｉ）を含むペロブスカイト構造の材料が用いることができる。
【００２４】
カバー部１７，１８及びサイドマージン部１９，２０も、誘電体セラミックスによって形成されている。カバー部１７，１８及びサイドマージン部１９，２０を形成する材料は、絶縁性セラミックスであればよいが、容量形成部１６と同様の材料を用いることより素体１１における内部応力が抑制される。
【００２５】
上記の構成により、積層セラミックコンデンサ１０では、第１外部電極１４と第２外部電極１５との間に電圧が印加されると、第１内部電極１２と第２内部電極１３との間の複数の誘電体層に電圧が加わる。これにより、積層セラミックコンデンサ１０では、第１外部電極１４と第２外部電極１５との間の電圧に応じた電荷が蓄えられる。
【００２６】
［積層セラミックコンデンサ１０の製造方法］
図４は、積層セラミックコンデンサ１０の製造方法を示すフローチャートである。図５〜９は、積層セラミックコンデンサ１０の製造過程を示す図である。以下、積層セラミックコンデンサ１０の製造方法について、図４に沿って、図５〜９を適宜参照しながら説明する。
【００２７】
（ステップＳ１−０１：セラミックシート準備工程）
ステップＳ１−０１では、容量形成部１６を形成するための第１セラミックシート１０１及び第２セラミックシート１０２と、カバー部１７，１８を形成するための第３セラミックシート１０３と、を準備する。セラミックシート１０１，１０２，１０３は、未焼成の誘電体グリーンシートとして構成され、例えば、ロールコーターやドクターブレードを用いてシート状に成形される。
【００２８】
図５は、セラミックシート１０１，１０２，１０３の平面図である。この段階では、セラミックシート１０１，１０２，１０３は各積層セラミックコンデンサ１０ごとに切り分けられていない。図５には、各積層セラミックコンデンサ１０ごとに切り分ける際の切断線Ｌｘ，Ｌｙが示されている。切断線ＬｘはＸ軸に平行であり、切断線ＬｙはＹ軸に平行である。
【００２９】
図５に示すように、第１セラミックシート１０１には第１内部電極１２に対応する未焼成の第１内部電極１１２が形成され、第２セラミックシート１０２には第２内部電極１３に対応する未焼成の第２内部電極１１３が形成されている。なお、カバー部１７，１８に対応する第３セラミックシート１０３には内部電極が形成されていない。
【００３０】
内部電極１１２，１１３は、任意の導電性ペーストを用いて形成することができる。導電性ペーストによる内部電極１１２，１１３の形成には、例えば、スクリーン印刷法やグラビア印刷法を用いることができる。
【００３１】
内部電極１１２，１１３は、切断線Ｌｙによって仕切られたＸ軸方向に隣接する２つの領域にわたって配置され、Ｙ軸方向に帯状に延びている。第１内部電極１１２と第２内部電極１１３とでは、切断線Ｌｙによって仕切られた領域１列ずつＸ軸方向にずらされている。つまり、第１内部電極１１２の中央を通る切断線Ｌｙが第２内部電極１１３の間の領域を通り、第２内部電極１１３の中央を通る切断線Ｌｙが第１内部電極１１２の間の領域を通っている。
【００３２】
（ステップＳ１−０２：積層工程）
ステップＳ１−０２では、ステップＳ１−０１で準備したセラミックシート１０１，１０２，１０３を積層することにより積層体１０４を作製する。
【００３３】
図６は、ステップＳ１−０２で得られる積層体１０４の斜視図である。図６では、説明の便宜上、セラミックシート１０１，１０２，１０３を分解して示している。しかし、実際の積層体１０４では、セラミックシート１０１，１０２，１０３が熱圧着などにより一体化している。
【００３４】
積層体１０４では、容量形成部１６に対応する第１セラミックシート１０１及び第２セラミックシート１０２がＺ軸方向に交互に積層されている。また、積層体１０４では、交互に積層されたセラミックシート１０１，１０２のＺ軸方向上下面にカバー部１７，１８に対応する第３セラミックシート１０３が積層される。なお、図６に示す例では、第３セラミックシート１０３がそれぞれ３枚ずつ積層されているが、第３セラミックシート１０３の枚数は適宜変更可能である。
【００３５】
（ステップＳ１−０３：切断工程）
ステップＳ１−０３では、ステップＳ１−０２で得られた積層体１０４を切断することにより積層チップ１０５を作製する。
【００３６】
図７は、ステップＳ１−０３の後の積層体１０４の平面図である。積層体１０４は、保持部材Ｃに固定された状態で、切断線Ｌｘ，Ｌｙに沿って切断される。これにより、積層体１０４が個片化され、積層チップ１０５が得られる。このとき、保持部材Ｃは切断されておらず、各積層チップ１０５は保持部材Ｃによって接続されている。
【００３７】
図８は、ステップＳ１−０３で得られる積層チップ１０５の斜視図である。積層チップ１０５には、未焼成の容量形成部１１６、第１カバー部１１７、及び第２カバー部１１８が形成されている。積層チップ１０５では、切断面であるＹ軸方向を向いた両側面に未焼成の内部電極１１２，１１３が露出している。
【００３８】
（ステップＳ１−０４：サイドマージン部形成工程）
ステップＳ１−０４では、ステップＳ１−０３で得られた積層チップ１０５に未焼成のサイドマージン部１１９，１２０を設けることにより、未焼成の素体１１１を作製する。図９は、ステップＳ１−０４によって得られる未焼成の素体１１１の斜視図である。ステップＳ１−０４の詳細については後述する。
【００３９】
（ステップＳ１−０５：焼成工程）
ステップＳ１−０５では、ステップＳ１−０４で得られた未焼成の素体１１１を焼成することにより、図１〜３に示す積層セラミックコンデンサ１０の素体１１を作製する。焼成は、例えば、還元雰囲気下、又は低酸素分圧雰囲気下において行うことができる。
【００４０】
（ステップＳ１−０６：外部電極形成工程）
ステップＳ１−０６では、ステップＳ１−０５で得られた素体１１に外部電極１４，１５を形成することにより、図１〜３に示す積層セラミックコンデンサ１０を作製する。
【００４１】
ステップＳ１−０６では、まず、素体１１の一方のＸ軸方向端面を覆うように未焼成の電極材料を塗布し、素体１１の他方のＸ軸方向端面を覆うように未焼成の電極材料を塗布する。塗布された未焼成の電極材料を、例えば、還元雰囲気下、又は低酸素分圧雰囲気下において焼き付け処理を行って、素体１１に下地膜を形成する。そして、素体１１に焼き付けられた下地膜の上に、中間膜及び表面膜を電界メッキなどのメッキ処理で形成して、外部電極１４，１５が完成する。
【００４２】
なお、上記のステップＳ１−０６における処理の一部を、ステップＳ１−０５の前に行ってもよい。例えば、ステップＳ１−０５の前に未焼成の素体１１１のＸ軸方向両端面に未焼成の電極材料を塗布し、ステップＳ１−０５において、未焼成の素体１１１を焼成すると同時に、未焼成の電極材料を焼き付けて外部電極１４，１５の下地層を形成してもよい。
【００４３】
［サイドマージン部１１９，１２０の形成方法］
図１０は、上記のステップＳ１−０４において、ステップＳ１−０３で得られた積層チップ１０５に未焼成のサイドマージン部１１９，１２０を形成する方法を示すフローチャートである。図１１〜１７は、サイドマージン部１１９，１２０の形成方法を説明するための図である。以下、サイドマージン部１１９，１２０の形成方法について、図１０に沿って、図１１〜１７を適宜参照しながら説明する。
【００４４】
（ステップＳ２−０１：第１テープ貼替工程）
ステップＳ２−０１では、積層チップ１０５を保持部材Ｃから第１テープＴ１に貼り替える。本実施形態では、第１テープＴ１として保持部材Ｃとの間で粘着力の管理ができるテープを用いる。
【００４５】
図１１は、ステップＳ２−０１を説明するための模式図である。まず、図１１（Ａ）に示すように、積層チップ１０５における保持部材Ｃの接着面に対向する面に、平板状の保持板Ｍ１上に固定された第１テープＴ１を貼り付ける。次に、図１１（Ｂ）に示すように、粘着力管理装置Ｏを用いて、保持部材Ｃの積層チップ１０５に対する粘着力を弱める。そして、図１１（Ｃ）に示すように、保持部材Ｃを積層チップ１０５から剥がす。
【００４６】
保持部材Ｃの粘着力を弱める工程では、例えば、保持部材Ｃとして粘着力が熱によって変化する部材を用いた場合には、粘着力管理装置Ｏとして乾燥炉や低温槽などを用いることができる。あるいは、保持部材Ｃとして紫外線照射によって粘着力が変化する部材を用いた場合には、粘着力管理装置Ｏとして紫外線照射装置を用いることができる。
【００４７】
なお、粘着力管理装置Ｏとしては、保持部材Ｃと第１テープＴ１との間で粘着力を管理することが可能であれば特定の種類に限定されず、乾燥炉、低温槽、紫外線照射装置以外の手段を任意に選択可能である。
【００４８】
（ステップＳ２−０２：第２テープ貼替工程）
ステップＳ２−０２では、積層チップ１０５を第１テープＴ１から第２テープＴ２に貼り替える。第２テープＴ２には、第１テープＴ１よりも粘着力が強く、かつ粘着力の管理が可能なテープを用いる。ステップＳ２−０２には、チップ貼替装置５００を用いる。
【００４９】
図１２は、ステップＳ２−０２で用いられるチップ貼替装置５００の概略構成図である。チップ貼替装置５００は、第１搬送部５１０と、第２搬送部５２０と、貼替部５３０と、を有する。貼替部５３０では、第１搬送部５１０と第２搬送部５２０とが近接している。
【００５０】
第１搬送部５１０は、搬送路５１１，５１２を有する。搬送路５１１は第２搬送部５２０に向けて貼替部５３０まで延び、搬送路５１２は貼替部５３０から第２搬送部５２０と離間する方向に延びる。つまり、第１搬送部５１０は、搬送路５１１、貼替部５３０、及び搬送路５１２によって一連の搬送路を形成している。第１搬送部５１０は、この搬送路に沿って第１テープＴ１を搬送する。
【００５１】
第２搬送部５２０は、搬送路５２１，５２２を有する。搬送路５２１は第１搬送部５１０に向けて貼替部５３０まで延び、搬送路５２２は貼替部５３０から第１搬送部５１０と離間する方向に延びる。つまり、第２搬送部５２０は、搬送路５２１、貼替部５３０、及び搬送路５２２によって一連の搬送路を形成している。第２搬送部５２０は、この搬送路に沿って第２テープＴ２を搬送する。
【００５２】
図１３は、チップ貼替装置５００の動作を示す概略構成図である。まず、図１３（Ａ）に示すように、第１テープＴ１が第１搬送部５１０にセットされ、第２テープＴ２が第２搬送部５２０にセットされる。第１テープＴ１に接着された積層チップ１０５は、搬送路５１１に配置される。
【００５３】
図１３（Ｂ）に示すように、第１搬送部５１０が第１テープＴ１を矢印方向に搬送すると、搬送路５１１に配置された積層チップ１０５が貼替部５３０に向かって移動する。積層チップ１０５が貼替部５３０に到達すると、積層チップ１０５の側面が第２搬送部５２０にセットされた第２テープＴ２に当接し、第２テープＴ２に接着される。図１３（Ｂ）に示す状態では、積層チップ１０５が第１テープＴ１及び第２テープＴ２の両方に接着されている。
【００５４】
図１３（Ｂ）に示す状態から、第２搬送部５２０が第２テープＴ２を矢印方向に搬送すると、積層チップ１０５が搬送路５２２に沿って第１テープＴ１から離間する方向に移動する。これにより、図１３（Ｃ）に示すように積層チップ１０５が第１テープＴ１から引き剥がされる。積層チップ１０５の第２テープＴ２による接着面は、積層チップ１０５の第１テープＴ１による接着面に隣接する側面となっている。
【００５５】
同様に、第１搬送部５１０の搬送路５１１に配置された積層チップ１０５は、順次、貼替部５３０に送り込まれ、第２テープＴ２に接着されてゆく。したがって、チップ貼替装置５００によれば、多数の積層チップ１０５を連続的に第１テープＴ１から第２テープＴ２に貼り替えることが可能である。このように、チップ貼替装置５００では、積層チップ１０５を第１テープＴ１から第２テープＴ２に貼り替えることにより、積層チップ１０５に物理的な力を加えることなく積層チップ１０５の向きを変更することができる。
【００５６】
チップ貼替装置５００では、図１２に示す第１搬送部５１０の搬送路５１１と第２搬送部５２０の搬送路５２２との成す角度αは鈍角であることが好ましい。図１４は、角度αを９０°とした場合のチップ貼替装置５００の概略構成図である。
【００５７】
図１４に示すチップ貼替装置５００では、第１テープＴ１及び第２テープＴ２の弛みの影響により、貼替部５３０における第１テープＴ１と第２テープＴ２との成す角度が鋭角になってしまう。積層チップ１０５の第１テープＴ１による接着面と第２テープＴ２による接着面との成す角度が９０°であるため、図１４に示すチップ貼替装置５００では貼替部５３０における第１テープＴ１から第２テープＴ２への積層チップ１０５の受け渡しが良好に行われなくなる場合がある。
【００５８】
その点、チップ貼替装置５００では、第１搬送部５１０の搬送路５１１と第２搬送部５２０の搬送路５２２との成す角度αを鈍角とすることにより、図１３に示すように第１テープＴ１及び第２テープＴ２の弛みにより貼替部５３０における第１テープＴ１と第２テープＴ２との成す角度が９０°よりやや大きくなる。この条件では、貼替部５３０における第１テープＴ１から第２テープＴ２への積層チップ１０５の受け渡しが良好に行われる。
【００５９】
また、図１４に示すように第１搬送部５１０の搬送路５１１と第２搬送部５２０の搬送路５２２とが直交している場合には、貼替部５３０において第２テープＴ２に接着された積層チップ１０５が貼替部５３０の直下に移動する。このため、第２テープＴ２に接着された積層チップ１０５が、後続の積層チップ１０５によって追突される場合がある。
【００６０】
その点、チップ貼替装置５００では、第１搬送部５１０の搬送路５１１と第２搬送部５２０の搬送路５２２との成す角度αを鈍角とすることにより、図１３に示すように貼替部５３０において第２テープＴ２に接着された積層チップ１０５が、搬送路５２２に沿って後続の積層チップ１０５から逃げるように搬送される。このため、第２テープＴ２に接着された積層チップ１０５と後続の積層チップ１０５との衝突が起こりにくい。
【００６１】
また、第２搬送部５２０による第２テープＴ２の搬送速度は、第１搬送部５１０による第１テープＴ１の搬送速度よりも速いことが好ましい。これにより、第２テープＴ２に接着された積層チップ１０５を速やかに貼替部５３０から離すことが可能となるため、第２テープＴ２に接着された積層チップ１０５と後続の積層チップ１０５との衝突が起こりにくくなる。
【００６２】
第１搬送部５１０による第１テープＴ１の搬送速度、及び第２搬送部５２０による第２テープＴ２の搬送速度を調整することにより、第２テープＴ２における積層チップ１０５の間隔を制御することが可能である。つまり、第２テープＴ２の搬送速度を速くすることにより、第２テープＴ２における積層チップ１０５の間隔を広げることができる。反対に、第２テープＴ２の搬送速度を遅くすることにより、第２テープＴ２における積層チップ１０５の間隔を狭めることができる。また、第１搬送部５１０による第１テープＴ１の搬送速度、及び第２搬送部５２０による第２テープＴ２の搬送速度は一定でなくてもよい。
【００６３】
更に、第１搬送部５１０及び第２搬送部５２０における搬送方法は、上記のような連続搬送でなく、間欠搬送であってもよい。つまり、第１搬送部５１０及び第２搬送部５２０は、一定量の搬送を繰り返し行うように構成されていてもよい。
【００６４】
間欠搬送の一例として、第１搬送部５１０は、積層チップ１０５が第２テープＴ２に接着するまで第１テープＴ１を搬送した状態で、第１テープＴ１の搬送を一次停止させる。そして、第２搬送部５２０による第２テープＴ２の搬送によって積層チップ１０５が第１テープＴ１から引き剥がされた後に、第１搬送部５１０が第１テープＴ１の搬送を再開させる。これにより、積層チップ１０５の第１テープＴ１から第２テープＴ２への受け渡しをより確実に行うことができる。
【００６５】
なお、図１４に示す構成のチップ貼替装置５００であっても、第１テープＴ１及び第２テープＴ２の張力や、第１テープＴ１及び第２テープＴ２の搬送速度などを調整することにより、上記の不具合が生じない構成とすることが可能である。
【００６６】
（ステップＳ２−０３：第１サイドマージン部形成工程）
ステップＳ２−０３では、ステップＳ２−０２で得られた第２テープＴ２に接着された積層チップ１０５の側面に第１サイドマージン部１１９を形成する。
【００６７】
図１５は、ステップＳ２−０３を説明するための模式図である。まず、図１５（Ａ）に示すように、平板状の保持板Ｍ２上に固定された第２テープＴ２に接着された積層チップ１０５の側面を、絶縁性セラミックスのペースト材Ｐを収容する浴槽に対向配置させる。次に、図１５（Ｂ）に示すように、積層チップ１０５の側面を絶縁性セラミックスのペースト材Ｐの浴中に浸漬させる。
【００６８】
そして、図１５（Ｃ）に示すように、積層チップ１０５を引き上げると、ペースト材Ｐが積層チップ１０５の側面を覆った状態で残り、このペースト材Ｐが第１サイドマージン部１１９となる。
【００６９】
（ステップＳ２−０４：第３テープ貼替工程）
ステップＳ２−０４では、ステップＳ２−０３で得られた第１サイドマージン部１１９が形成された積層チップ１０５を第２テープＴ２から第３テープＴ３に貼り替える。第３テープＴ３には、第２テープＴ２との間で粘着力の管理ができるテープを用いる。
【００７０】
図１６は、ステップＳ２−０４を説明するための模式図である。まず、図１６（Ａ）に示すように、積層チップ１０５における第２テープＴ２の接着面に対向する面に、平板状の保持板Ｍ３上に固定された第３テープＴ３を貼り付ける。次に、図１６（Ｂ）に示すように、粘着力管理装置Ｕによって、第２テープＴ２の積層チップ１０５に対する粘着力を弱める。そして、図１６（Ｃ）に示すように、第２テープＴ２を積層チップ１０５から剥がす。
【００７１】
第２テープＴ２の粘着力を弱める工程では、例えば、第２テープＴ２として粘着力が紫外線照射によって変化する部材を用いた場合には、粘着力管理装置Ｕとして紫外線照射装置を用いることができる。あるいは、第２テープＴ２として熱によって粘着力が変化する部材を用いた場合には、粘着力管理装置Ｕとして乾燥炉や低温槽などを用いることができる。
【００７２】
なお、粘着力管理装置Ｕとしては、第２テープＴ２と第３テープＴ３との間で粘着力を管理することが可能であれば特定の種類に限定されず、紫外線照射装置、乾燥炉、低温槽以外の手段を任意に選択可能である。
【００７３】
（ステップＳ２−０５：第２サイドマージン部形成工程）
ステップＳ２−０５では、ステップＳ２−０４で得られた第３テープＴ３に接着された積層チップ１０５の側面に第２サイドマージン部１２０を形成する。ステップＳ２−０５では、ステップＳ２−０３と同様に、積層チップ１０５の側面を絶縁性セラミックスのペースト材Ｐの浴中に浸漬させることにより、第２サイドマージン部１２０を形成する。これにより、図１７（Ａ）に示すように積層チップ１０５にサイドマージン部１１９，１２０が形成された素体１１１が得られる。
【００７４】
（ステップＳ２−０６：第３テープ剥離工程）
ステップＳ２−０６では、ステップＳ２−０５で得られた素体１１１を第３テープＴ３から剥離させる。具体的には、図１７（Ｂ）に示すように、粘着力管理装置Ｈによって第３テープＴ３による積層チップ１０５に対する接着を解除し、素体１１１を回収する。
【００７５】
第３テープＴ３の接着を解除する工程では、例えば、第３テープＴ３として粘着力が加熱によって変化する部材を用いた場合には、粘着力管理装置Ｈとしてヒータなどを用いることができる。あるいは、第３テープＴ３として、紫外線照射によって粘着力が変化する部材を用いた場合には、粘着力管理装置Ｈとして紫外線照射装置を用いることができる。
【００７６】
なお、粘着力管理装置Ｈとしては、第３テープＴ３の粘着力を管理することが可能であれば特定の種類に限定されず、ヒータ、紫外線照射装置以外の手段を任意に選択可能である。
【００７７】
以上、サイドマージン部１１９，１２０の形成方法の一例について説明したが、サイドマージン部１１９，１２０の形成方法は、積層チップ１０５の側面を絶縁性セラミックスのペースト材Ｐの浴中に浸漬させる方法に限定されない。
【００７８】
［その他の実施形態］
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく種々変更を加え得ることは勿論である。
【００７９】
例えば、上記実施形態に係るチップ貼替装置５００は、積層チップ１０５の側面にサイドマージン部１１９，１２０以外の被覆部を形成するために利用することもできる。チップ貼替装置５００を用いて形成可能な被覆部としては、例えば、積層セラミックコンデンサ１０の外部電極１４，１５が挙げられる。
【００８０】
また、上記実施形態に係るチップ貼替装置は、積層セラミックコンデンサ以外の電子部品の製造に利用することができる。このような電子部品としては、例えば、インダクタ、抵抗素子、圧電素子などが挙げられる。
【符号の説明】
【００８１】
１０…積層セラミックコンデンサ
１１…素体
１２，１３…内部電極
１４，１５…外部電極
１６…容量形成部
１７，１８…カバー部
１９，２０…サイドマージン部
１０５…積層チップ
１１９，１２０…未焼成サイドマージン部
５００…チップ貼替装置
５１０…第１搬送部
５１１，５１２…搬送路
５２０…第２搬送部
５２１，５２２…搬送路
５３０…貼替部
Ｔ１…第１テープ
Ｔ２…第２テープ
Ｔ３…第３テープ
【図１】
0006298007.tif 000002
【図２】
0006298007.tif 000003
【図３】
0006298007.tif 000004
【図４】
0006298007.tif 000005
【図５】
0006298007.tif 000006
【図６】
0006298007.tif 000007
【図７】
0006298007.tif 000008
【図８】
0006298007.tif 000009
【図９】
0006298007.tif 000010
【図１０】
0006298007.tif 000011
【図１１】
0006298007.tif 000012
【図１２】
0006298007.tif 000013
【図１３】
0006298007.tif 000014
【図１４】
0006298007.tif 000015
【図１５】
0006298007.tif 000016
【図１６】
0006298007.tif 000017
【図１７】
0006298007.tif 000018