(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
イメージング空間内のシーンに複数のビームスポットから構成される構造化光パターンを投影するためのレーザー装置であって、
半導体レーザーの複数のアレイであって、前記半導体レーザーがＶＣＳＥＬであり、各アレイが個別のＶＣＳＥＬチップ上に配列され、各アレイが前記半導体レーザーの発光領域の不規則分布を有する、半導体レーザーの複数のアレイと、
前記アレイをイメージング空間に画像化し、前記イメージング空間において前記アレイの画像を重ね合わせて前記光パターンを形成する、一つ若しくは複数のイメージング光学系
とから成り、
前記発光領域の不規則分布が、各ＶＣＳＥＬチップ上の発光領域の規則的配列から、前記規則的配列により規定される基準位置に対する前記発光領域のランダムシフトだけ逸脱し、前記シフトが少なくともＶＣＳＥＬの有効直径の距離をカバーすることを特徴とする、
レーザー装置。
【請求項２】
前記光パターンにおけるビームスポットのほとんどが、異なるアレイの半導体レーザーから生じる少なくとも一つの隣接ビームスポットを有するよう、前記イメージング光学系が構成される、請求項１に記載のレーザー装置。
【請求項３】
前記アレイの少なくとも一つのＶＣＳＥＬが少なくとも二つの異なる形状を持つ発光領域を有する、請求項２に記載のレーザー装置。
【請求項４】
各単一アレイのＶＣＳＥＬが同一形状の発光領域を有し、少なくとも二つのアレイの前記発光領域の形状が互いに異なる、請求項２に記載のレーザー装置。
【請求項５】
各アレイにおいて少なくとも一方向における前記ＶＣＳＥＬの発光領域の直径が１０μｍ以下であり、前記発光領域間の最小距離が２０μｍ以上である、請求項２に記載のレーザー装置。
【請求項６】
前記イメージング光学系が、前記アレイの重ね合わせ画像が前記イメージング空間において少なくとも第一の方向に互いに対してわずかにシフトされるように構成される、請求項１に記載のレーザー装置。
【請求項７】
前記イメージング光学系が、前記アレイの重ね合わせ画像を前記イメージング空間における前記第一の方向に圧迫するように構成され、前記圧迫が前記第一の方向及び前記第一の方向と垂直な第二の方向の両方向にビームスポットの実質的に均等な密度を達成するように選択される、請求項６に記載のレーザー装置。
【請求項８】
異なるアレイの連続的スイッチングのための制御ユニットをさらに有する、請求項１に記載のレーザー装置。
【請求項９】
前記光パターンが投影される前記画像空間におけるシーンの画像をとるように構成されるカメラをさらに有する、請求項１に記載のレーザー装置。
【請求項１０】
シーンの三次元認識若しくは三次元検出のための請求項１乃至９のいずれか一項に記載のレーザー装置の使用。
【請求項１１】
車両環境の検出のための請求項１０に記載の使用。
【請求項１２】
産業生産若しくは物流領域におけるシーンの三次元認識のための請求項１０に記載の使用。
【請求項１３】
ユーザーインターフェースのための請求項１０に記載の使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザーの複数のアレイを用いて構造化光パターンをシーンに投影するためのレーザー装置に関し、特に垂直共振器面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ）に関する。シーンに投影され、カメラで観察される構造化光パターンは、画像処理による３Ｄ情報の抽出を可能にする。このような方法は例えばＭｉｃｒｏｓｏｆｔ  Ｋｉｎｅｃｔ（登録商標）ゲームコンソールにおいて応用され、近年産業上の利用のために、特に自動車分野で議論されている。この分野において新たなＥＵ‐ＮＣＡＰ安全規範は、歩行者を検出することができる距離測定を強制し、カーシステムによってとられる自律手段を可能にする解決法を提供する。
【背景技術】
【０００２】
必要な構造化光パターンは、レーザーによって、例えばＶＣＳＥＬのアレイによって照らされるマイクロレンズアレイ若しくは回折光学素子（ＤＯＥ）のような専用マイクロ光学システムによって生成され得る。一例がＵＳ２０１２／０５１５８８  Ａ１に示され、これは少なくとも一つのＶＣＳＥＬアレイを用いて構造化光パターンをシーンに投影するためのレーザー装置を開示する。ＶＣＳＥＬアレイからの光は、ＶＣＳＥＬアレイからのビームをＤＯＥへ向けるコリメータマイクロレンズアレイを通してフォーカスされる。ＤＯＥは様々な光パターンにビームを形成し、そしてこれは所望の３Ｄイメージングを可能にする。
【０００３】
これらの既知の光学システムは主に二つの理由で輝度と光学効率の低下に悩まされる。それらはレーザー源の最大輝度よりも常に低い平均輝度で照らされ、ランダム化パターンの必要性が疎のパッキングを要するためにそれらの曲線因子は制限される。さらに明領域と暗領域の最大コントラストが低い。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、上記欠点を持たず、構造化光パターンが投影されるシーンから３Ｄ情報を抽出するための用途で使用されることができる、構造化光パターンを投影するためのレーザー装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この目的は請求項１に記載のレーザー装置で達成される。装置の有利な実施形態は従属請求項の対象であり、或いは後続の記載部分及び好適な実施形態から推定され得る。
【０００６】
提案されるレーザー装置は半導体レーザーの複数のアレイで形成され、各アレイは好適には半導体レーザーの発光領域の異なる不規則分布を有する。この分布は、例えばグリッド若しくは六角形パターンの発光領域の規則的配列から、好適にはランダムに逸脱する。一つ若しくは複数の光学系が半導体レーザーのアレイの前に配置され、上記アレイをイメージング空間に画像化し、イメージング空間において上記アレイの画像を重ね合わせることによって、上記光パターンを形成する。イメージング空間においてシーン若しくはイメージング面に投影され得る光パターンは、各アレイの半導体レーザーから生じる複数のビームスポットから構成される。
【０００７】
提案されるレーザー装置により、各アレイの半導体レーザーは画像空間に直接画像化される。この画像空間は、３Ｄイメージングシステム若しくはこの画像空間内に配置されるシーンから３Ｄ情報を抽出するためのシステムのキャプチャ領域に対応する。直接イメージングにより、レーザー装置の高い効率と、構造化光パターンの明領域と暗領域の最大コントラストが得られる。さらに、複数の半導体レーザーアレイの画像が画像空間内で重ね合わされ、重ね合わせによりビームスポットの密度増加をもたらすので、曲線因子が既知のソリューションと比較して増加する。各アレイの半導体レーザーの発光領域の分布は、製造プロセスとレーザーの構造に起因する発光領域間の必要距離が維持されるという条件で完全にランダム化され得る。各アレイの発光領域の分布は、規則的パターンからのこれら領域の位置のずれがランダム化されるが、ずれの最大距離に制限される、例えばずれの対応方向に発光領域の直径の一倍若しくは二倍の最大距離に制限されるようにも選ばれ得る。後者の場合、好適には各アレイにおける発光領域の分布と画像空間におけるこれらアレイの画像の重ね合わせは、ビームスポットの全部ではないがほとんどが、好適には８０％を超えて画像空間において重ならないように選択される。
【０００８】
シーンの十分な分解能は、ＥＵ‐ＮＣＡＰによって想定されるシステム要件を満たすために水平方向（ｘ方向）に約３００のランダム化ビームスポットと垂直方向（ｙ方向）に約４０のビームスポットを要する。光源としてＶＣＳＥＬアレイを使用するとき、加工公差、エッチング傾斜及び最小酸化物幅を含む設計ルールに従ったこのようなアレイにおける最少ピッチは、例えば３μｍの有効直径の小さな有効領域のＶＣＳＥＬの場合例えば約３３μｍであり得る。有効直径はＶＣＳＥＬの発光領域に対応する。有効直径が大きいほど大きなピッチを要し、例えば１０μｍの有効領域は４０μｍのピッチを要する。本発明にかかるＶＣＳＥＬの不規則分布若しくは分布のランダム化は、隣接ＶＣＳＥＬの位置から独立してＶＣＳＥＬメサの位置を動かす自由を意味する。意味のあるランダム化若しくは分布は、少なくとも全方向に有効直径だけ（規則的パターンの配列に対して）ＶＣＳＥＬの有効領域のシフトを要する。このシフトは規則的パターンのピッチに追加される必要があり、すなわちピッチ＝３０μｍ＋３＊ｄであり、ｄは有効直径をあらわす。従って最小ピッチは３μｍ乃至１０μｍのＶＣＳＥＬの関連有効直径に対し例えば４０から６０μｍである。３００の所要ビームスポットを乗じると、これは光源としてただ一つのＶＣＳＥＬアレイのみを使用するとき水平寸法に１２から１８ｍｍのチップサイズをもたらし得る。このようなチップサイズはあまりにも大き過ぎるので、チップパッケージ内の材料のＣＴＥミスマッチ（ＣＴＥ：熱膨張率）のために硬質はんだ付けできない。さらに、このように大きなチップはＶＣＳＥＬウェハの巨大な面積に欠陥がないことを要し、或いは言い換えれば歩留りが非常に低くなり得る。アレイを複数の部分に単純に分けることは、継ぎ目、すなわちデッド領域の問題につながり、これは回避されなければならない。上記の考察を考慮して、本発明の発明者らは、画像空間において複数のより小型の半導体若しくはＶＣＳＥＬアレイの画像を重ね合わせることによってこれらの問題が回避され得ることを認識した。この重ね合わせは、欠陥のあるメサのクラスタリングを示す単一ＶＣＳＥＬアレイの欠陥パターンがデッド領域につながらないというさらなる利点も持つ。
【０００９】
本発明の一実施形態にかかる半導体レーザーの発光領域の不規則な若しくはランダム化された分布は、規則的パターンの配列に対する面の二方向の位置による各アレイ内の個々の発光体のランダムシフトによって特徴付けられる。このシフトは半導体レーザーの少なくとも有効直径の距離をカバーする、すなわち各アレイのレーザーの一部が少なくともこの距離だけシフトされる。別の実施形態において各アレイ内の発光領域若しくはレーザーの分布は完全にランダム化される。ランダム化という語は、各個々の発光体の規則的パターンに対する位置のこのシフト若しくはランダム化分布がランダム化アルゴリズムによって生成され得ることを意味する。しかしながらこの文脈においてランダム若しくはランダム化という語はランダム化アルゴリズムによる生成に限定されず、分布においていかなる周期性若しくは規則性も回避するようにシフトが選択されるのみである不規則分布もカバーする。
【００１０】
提案されるレーザー装置の実施形態の一つにおいて、イメージング光学系は、画像空間における画像面若しくはシーン上のビームスポットのほとんどが異なるアレイから生じる少なくとも一つの隣接ビームスポットを有するように適応され配置される。これは半導体アレイにおける欠陥パターンによって生じるデッド領域の問題を著しく軽減する。
【００１１】
提案されるレーザー装置の好適な実施形態において、半導体レーザーはＶＣＳＥＬである。小さな有効直径に対し、ＶＣＳＥＬアレイのピッチはＶＣＳＥＬの有効直径よりも著しく大きいので、画像空間において複数のアレイのビームスポットをインタレースする十分な空間がある。これは１０μｍ以下の小さな有効直径を持つ、例えば４μｍの有効直径と４０μｍのピッチのＶＣＳＥＬにとって最も効果的である。提案されるレーザー装置において三つのＶＣＳＥＬを用いて、インタレースされる重ね合わせは単一アレイの場合よりも三倍高い実効有効比率（明対暗）をもたらす。一方で明るいスポットは光パターンが投影されるシーンから３Ｄ情報を抽出するために使用されるカメラの複数ピクセルをカバーすべきである（重心の決定が単一ピクセルよりも正確である）ため、高い実効開口率が望ましい。他方で安価なカメラの最大ピクセル数は限られる。
【００１２】
ＶＣＳＥＬアレイを持つレーザー装置のさらなる実施形態において、ＶＣＳＥＬの発光領域の形状、すなわちＶＣＳＥＬの発光開口若しくは有効領域も変更される。そのようなＶＣＳＥＬ形状の変動により、３Ｄ情報抽出のための記録画像における不明確さがより容易に解消される。結果としてスポットの数が削減され、ＥＵ‐ＮＣＡＰ安全規範を満たすために上述の用途において３００未満の水平スポットが必要になる。部分的により多数のビームスポットの必要性は不明確さを解消する必要性に基づき、角度分解能のためだけではない。二つの異なるＶＣＳＥＬ形状を用いることで不明確さを既に削減する。好適には少なくとも三つの異なるＶＣＳＥＬ形状、例えば円、横長長方形、及び縦長長方形が使用される。これらの形状は、カメラ分解能がアレイ分解能よりも著しく高いので、構造化光パターンが投影されるシーンを観察するカメラによって区別され得る。異なるＶＣＳＥＬ形状が各アレイ上に、アレイのうちの一つのみに提供され得るか、又は異なるアレイが異なるＶＣＳＥＬ形状を提供し得る。異なるＶＣＳＥＬ形状が一つのアレイ上に提供される場合、異なる形状は好適にはこれらの形状の全部が同様の閾値電流を持つように選択され、これは異なる形状の発光面積が実質的に類似することを意味する。これは単一ＶＣＳＥＬチップ上に異なる形状を持つことを可能にする。チップ上の形状が同一に選択され、複数のチップ若しくはアレイが異なる形状を備える場合、上記同様の閾値電流の必要性は免除される。
【００１３】
さらなる実施形態において、個々のアレイ若しくはチップのオンオフを連続的に切り替えることを可能にする、半導体アレイを駆動するための制御ユニットが設けられる。そして画像空間で得られる画像は時間変動しており、この情報は不明確さをさらに解消するために使用され得る。この方法は、光が総時間のわずかなパーセンテージ、例えば上記自動車用途の場合１％にしか必要ないので、十分に可能である。連続スイッチングは最大出力も削減し、これはレーザーの安全性及び最大出力要件、例えばドライバのレイアウト及びＥＭＩ（電磁干渉）の点から有利である。
【００１４】
提案されるレーザー装置は３Ｄイメージングシステム若しくは３Ｄ測定システムにおいて実施され得る。これらのシステムは構造化光パターンが投影されるシーンを画像化するカメラ、カメラとレーザー装置の間の同期化インターフェース、及びカメラ画像から必要な３Ｄ情報を抽出する評価ユニットを有する。同期化インターフェースは構造化光パターンでの照明中にのみシーンのピクチャがとられることを確実にする。これらのシステムはレーザー装置用の少なくとも一つの電源も含む。各アレイ若しくはチップに一つずつ、複数の電源が使用されてもよい。順次処理のために回路の少なくとも一部が共有され得る。
【００１５】
本発明のこれらの及び他の態様は以降に記載の実施形態から明らかとなりそれらを参照して解明される。
【００１６】
提案されるレーザー装置は例として添付の図面を参照して以下にさらに詳細に記載される。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】提案される装置のＶＣＳＥＬアレイの一つの、画像面への投影の一実施例。
【図２】提案されるレーザー装置のＶＣＳＥＬアレイにおけるＶＣＳＥＬのランダム化分布の一実施例。
【図３】画像空間における提案されるレーザー装置の異なるＶＣＳＥＬアレイの重ね合わせを例示する略図。
【図４】提案されるレーザー装置を含む３Ｄイメージングシステムを示す略図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
提案されるレーザー装置は、半導体レーザーの発光領域を画像空間に画像化する対応する光学系を持つ複数の半導体アレイを有する。図１は提案されるレーザー装置の一つのモジュールの基本レイアウトについての一実施例を示す。各モジュールはこの実施例において使用されるＶＣＳＥＬアレイの一つを有する。ＶＣＳＥＬアレイは電気接点と熱除去を提供するパッケージで提供される。図１は複数のＶＣＳＥＬ２を持つＶＣＳＥＬアレイを有する対応するＶＣＳＥＬチップ１を示す。ＶＣＳＥＬチップ１は熱除去のためにヒートシンク３上に取り付けられる。アレイの個々のＶＣＳＥＬ２の発光領域を所望の画像空間において画像面７に画像化するためにイメージングレンズ４がＶＣＳＥＬチップ１の前に配置される。画像空間は、３Ｄイメージングシステムの場合キャプチャ領域ともよばれる、ＶＣＳＥＬアレイがレンズ４によって画像化される深さ領域である。例えば４μｍ直径有効領域を持つＶＣＳＥＬ２を画像空間に画像化するイメージング条件は、これが逆光路に対応するだけなので、等しいピクセルサイズを持つカメラチップ上へ画像空間内のシーンを画像化するための条件に非常に類似する。従って安価で同様のレンズ４が提案されるレーザー装置で使用され得る。このイメージングレンズ４で、ＶＣＳＥＬ２によって発せられるレーザービーム５が画像空間内のビームスポット６にフォーカスされる。画像面７上のこれらビームスポット６の形状は、ＶＣＳＥＬチップ１のＶＣＳＥＬ２の発光領域の形状に対応する。
【００１９】
複数のＶＣＳＥＬチップ１を画像化するために、このモジュールは複製されなければならない。複数のモジュールが一つの取り付け面上に並んで配置される場合、遠視野における、すなわち画像空間におけるＶＣＳＥＬアレイの画像の重なりは、それ以上調節することなく既に良好である。必要な場合、モジュールの各々のイメージングレンズ４は、異なるＶＣＳＥＬチップ１のＶＣＳＥＬ２のビームスポットが画像空間において重ならないようにわずかに調節され得る。レンズの調節を改良するために、調節マーク、特に専用発光領域が各アレイ上に設けられ、これらは最適調節のために画像空間において重ね合わされる必要がある。調節が不可能な場合、テストシーンからとられるカメラピクチャによる電子キャリブレーションが、シーンの３Ｄ認識のために必要な画像空間内のビームスポットの正確な分布を知るために、わずかな製造誤差を考慮することができる。必要であれば例えばＶＣＳＥＬチップ１に対するイメージングレンズ４の位置の機械的調節が提供され得る。これは例えば垂直方向と水平方向の間で均等化される画像空間内のビームスポットの間隔分布の調節を可能にし得る。
【００２０】
提案されるレーザー装置のＶＣＳＥＬチップ１は、チップ上の個々のＶＣＳＥＬ２、特にＶＣＳＥＬ２の発光領域の位置が、規則的パターンからランダムに逸脱するように、若しくは完全にランダムに分布するように製造される。図２はチップ１上のＶＣＳＥＬ２の発光領域２ａのそうした分布の一実施例の略図を示す。ＶＣＳＥＬ２との電気接触のためのボンドパッド８も個のアレイレイアウトにおいて示される。図２から見てとれる通り、ＶＣＳＥＬ２の発光領域２ａはいかなる周期性若しくは規則性もなくランダム化された分布で配置される。
【００２１】
以下、提案されるレーザー装置のＶＣＳＥＬチップ１のチップレイアウトの数値実施例が与えられる。チップの単一ＶＣＳＥＬ２の発光領域２ａの有効直径は約４μｍであり得る。この直径は例えば１００μ秒でのパルス動作において３ｍＷの出力にとって十分である。チップ上のこのような発光領域若しくはＶＣＳＥＬの規則的パターンにおける対応するピッチは、＋／−４μｍだけランダム化の余地を残して４２μｍであり得る。これは式：ピッチ＝３０μｍ＋３＊ｄに従って計算され、ｄは有効直径をあらわす。本実施例では三つのＶＣＳＥＬアレイ若しくはＶＣＳＥＬチップ１がレーザー装置において使用される。各チップは水平（ｘ）方向に１００のＶＣＳＥＬと垂直（ｙ）方向に４０のＶＣＳＥＬを有し、４．２ｍｍ×１．６８ｍｍのチップサイズをもたらす。消費される総チップ面積（三チップ全て）は２１．２ｍｍ２である。対応するイメージング光学系による重ね合わせは主に水平方向になされ、これはイメージング面において水平方向のビームスポット間の平均距離が垂直方向の三分の一であることを意味する。
【００２２】
適切なイメージング光学系を用いることによって、必要であれば垂直方向を圧迫することが付加的に可能である。これは重ね合わせが主に水平方向に実行される上記の場合に水平方向と垂直方向のビームスポットのより均等な間隔を可能にする。必要であれば、ＶＣＳＥＬの発光領域の形状はこのような圧迫に適応され得る、すなわちＶＣＳＥＬの有効領域の垂直寸法（ｙ寸法）は、上記圧迫がほぼ等しい水平寸法と垂直寸法を持つビームスポットをもたらすように、水平寸法（ｘ寸法）よりも大きく選択され得る。
【００２３】
イメージング光学系は、暗領域越しに水平線に沿った整列ではなく、両方向にビームスポットの同様の間隔を持つために、異なるアレイの画像が垂直方向にわずかにシフトされるようにも適応され得る。
【００２４】
異なるアレイのＶＣＳＥＬは有効領域の異なる形状を持つように選択され得る。図３は垂直方向の長方形、円形、及び水平方向の長方形を持つ三つの異なるアレイレイアウトを示す。三つのＶＣＳＥＬチップ１は、図に概略的に示す通り対応するイメージングレンズ４で画像面７に画像化される。得られる光パターン９は図３の上部に示される。この光パターン９から見てとれる通り、各ＶＣＳＥＬチップ１から生じるビームスポット６はそれぞれ残りのＶＣＳＥＬチップのビームスポット６の間の空間に画像化される。これは異なるＶＣＳＥＬチップ１の異なるＶＣＳＥＬ形状がイメージング面７において混合される光パターン９をもたらす。
【００２５】
上記三つの異なるＶＣＳＥＬ形状の使用は３Ｄイメージングシステムのために必要なビームスポットの数を少なくとも二分の一に削減し得る。各形状の同等部分が不明確さを回避するために最も有効であると仮定すると、各形状の２０００のＶＣＳＥＬの数がＥＵ‐ＮＣＡＰ安全規範の上記要件に従って１２０００のビームスポットを置換するために十分であり得る。この数のＶＣＳＥＬを三つのアレイに分割すると、各アレイは例えば２．７５ｍｍ×２．２ｍｍの寸法を持ち得る。この寸法は円面積＝長方形面積（４×８μｍ２）＝３２μｍ２、すなわち円直径＝６．４μｍ、及び最小５０μｍの、好適には最大寸法８μｍの長方形アレイと同等の条件を持つために最大５５μｍまでの円アレイピッチと仮定して計算されている。
【００２６】
図３の実施例において、異なるＶＣＳＥＬ形状は異なるアレイ上に設けられる。単一アレイ上で異なる形状を混合することも可能である。このような実施形態において異なる形状の面積はＶＣＳＥＬが同様の閾値電流を持つように選択されるべきである。
【００２７】
図４は提案されるレーザー装置１０を含む３Ｄ測定システムの一実施例の略図を示す。このシステムはシーン１５に投影される構造化光パターンの画像をとるカメラ１１も含む。カメラ１１はシーンのパルス照明と同期されるために同期化ユニット１２を介してレーザー装置１０に接続される。レーザー装置１０の電源は装置１０の異なるＶＣＳＥＬチップの順次処理のために制御ユニット１３に接続され得る。評価ユニット１４はカメラ１１でキャプチャされる一つ若しくは複数の画像から所望の３Ｄ情報を抽出するために設けられ得る。このようなシステムは、記載の導入部で既に述べた用途において、特に車の前のシーンをキャプチャするための自動車用途において使用され得る。
【００２８】
本発明は図面と上記記載に詳細に図示され記載されているが、このような図示と記載は説明若しくは例示であって限定ではないとみなされるものとし、本発明は開示の実施形態に限定されない。開示の実施形態への他の変更は、図面、開示、及び添付の請求項の考察から請求される発明を実施する上で当業者によって理解されもたらされることができる。提案されるレーザー装置のアレイはいかなる構成でも、例えば線で若しくは三角形で配列されてもよい。また二つのみのアレイ若しくは三つよりも多くのアレイが所望の重ね合わせを実現するために提供され得る。さらに、各アレイの半導体レーザーの数は、システムの所要分解能に依存して上記実施例と異なってもよい。ＶＣＳＥＬの代わりに他のタイプの半導体レーザーも、例えば端面放射型発光ダイオードが使用されてもよい。請求項において、"有する"という語は他の要素若しくはステップを除外せず、不定冠詞"ａ"若しくは"ａｎ"は複数を除外しない。特定の手段が相互に異なる従属請求項に列挙されるという単なる事実は、これら手段の組み合わせが有利に使用されることができないことを示さない。装置の全請求項の特徴は自由に組み合わされることができる。請求項における任意の参照符号は本発明の範囲を限定するものと解釈されてはならない。
【符号の説明】
【００２９】
１    ＶＣＳＥＬチップ
２    ＶＣＳＥＬ
２ａ  ＶＣＳＥＬの発光領域
３    ヒートシンク
４    イメージングレンズ
５    レーザービーム
６    レーザースポット
７    画像面
８    ボンドパッド
９    光パターン
１０  レーザー装置
１１  カメラ
１２  同期化ユニット
１３  制御ユニット
１４  評価ユニット
１５  シーン
【図１】
0006270863.tif 000002
【図２】
0006270863.tif 000003
【図３】
0006270863.tif 000004
【図４】
0006270863.tif 000005