(57)【要約】  基体１０１、第１の導電層１０２、発光層１０３及び第２の導電層１０４を有する発光デバイス１００が提供される。発光デバイス１００は、第１の導電層１０２と電気的に接触する少なくとも１つの金属シャント１０５を更に有する。少なくとも１つの金属シャント１０５は、少なくとも誘電酸化層１０６により第２の導電層１０４から絶縁される。本発明は、デバイスの有効画素エリアを削減することなく、１又はそれ以上の金属シャントとカソード層との間の電気的絶縁材料の使用を可能にする。
2010525539.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体、第１の導電層、発光層及び第２の導電層を有し、
前記第１の導電層と電気的に接触する少なくとも１つの金属シャントを更に有する発光デバイスにおいて、
前記少なくとも１つの金属シャントは、少なくとも誘電酸化層により前記第２の導電層から絶縁されることを特徴とする、発光デバイス。
【請求項２】
前記金属シャントは、前記誘電酸化層によりカバーされた第１の金属層を有する、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項３】
前記誘電酸化層は、前記金属シャントの前記第１の金属層から形成された酸化層である、請求項２に記載の発光デバイス。
【請求項４】
前記誘電酸化層は、前記金属シャントの前記第１の金属層を陽極酸化することにより形成される、請求項２又は請求項３に記載の発光デバイス。
【請求項５】
前記金属シャントの前記第１の金属層は、アルミニウム、ジルコニウム、チタニウム及びガリウムからなるグループから選択される、請求項２〜４のうちのいずれか一項に記載の発光デバイス。
【請求項６】
前記金属シャントは、前記第１の導電層と前記金属シャントとの間の電気的接触を向上させるように設けられた少なくとも１つの追加の金属層を更に有し、
前記追加の金属層は、モリブデン、アルミニウム、クロム、チタニウム窒化物、銅、銀、金、タングステン、ジルコニウム、チタニウム、ハフニウム、又は、これらの組み合わせ若しくは合金からなるグループから選択される、請求項１〜５のうちいずれか一項に記載の発光デバイス。
【請求項７】
第１の金属シャント及び第２の金属シャントを有する、請求項１〜６のうちいずれか一項に記載の発光デバイス。
【請求項８】
前記第１の金属シャントは、前記第１の導電層と電気的に接触し、前記第２の金属シャントは、前記第２の導電層と電気的に接触する、請求項７に記載の発光デバイス。
【請求項９】
前記第２の金属シャントは、前記第１の金属シャントの上面に設けられる、請求項７又は８に記載の発光デバイス。
【請求項１０】
前記第１の金属シャントは、第２の誘電層により前記第２の金属シャントから分離される、請求項７〜９のうちいずれか一項に記載の発光デバイス。
【請求項１１】
前記第２の誘電層は、SiO2、Si3N4及びAl2O3からなるグループから選択される、請求項１０に記載の発光デバイス。
【請求項１２】
請求項１に記載の発光デバイスを製造する方法であって、
ａ）基体を設けるステップ、
ｂ）前記基体上に第１の導電層を設けるステップ、
ｃ）前記基体上又は前記第１の導電層上に第１の金属層を設けるステップ、
ｄ）少なくとも１つの金属シャントを形成するために前記第１の金属層をパターン化するステップ、
ｅ）前記金属シャントの前記第１の金属層上に誘電酸化層を形成するステップ、
ｆ）前記第１の導電層上に発光層を設けるステップ、及び
ｇ）前記発光層上に第２の導電層を設けるステップを有する、方法。
【請求項１３】
ステップａ−ｂ−ｃ−ｄ−ｅ−ｆ−ｇの順序で実行される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
ステップａ−ｃ−ｄ−ｅ−ｂ−ｆ−ｇの順序で実行される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
ステップｃの前に、前記基体又は前記第１の導電層上に少なくとも１つの追加の金属層を設けるステップを更に有する、請求項１２〜１４のうちのいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記追加の金属層をエッチングするためのマスクとして、ステップｅで形成された前記誘電酸化層を用いることにより、前記追加の金属層をパターン化するステップを更に有する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
ステップｅで形成された前記誘電酸化層は、前記金属シャントの前記第１の金属層を陽極酸化することにより形成される、請求項１２〜１６のうちいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基体、第１の導電層、発光層、及び第２の導電層を有する発光デバイスに関する。発光デバイスは、第１の導電層と電気的に接触する少なくとも１つの金属シャント（metal shunt）を更に有する。本発明は、斯様な発光デバイスを製造する方法にも関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ；organic emitting diode）は、これらの高解像度、高品質画像、及び、バックライト光源からの独立性に起因して、ディスプレイ及び照明アプリケーションにおいて大いに注目を集めている。
【０００３】
ＯＬＥＤは、光を放出するために、蛍光性又はリン光性の有機化合物を電気的に励起する。ＯＬＥＤは、二次元に設けられたディスプレイの画素を駆動させるために利用された方法に依存して、パッシブマトリクス型又はアクティブマトリクス型のいずれかであり得る。
【０００４】
携帯電話機のディスプレイのような小さな面積のアプリケーションにおいて商業的に成功する一方で、大きな面積の有機デバイスは、技術的困難性に直面した。アノード及びカソード層が、制限された導電性をもつ薄膜であるので、これらは、大幅なエネルギの損失なく高電流を伝えることができない。この問題は、光を通過するのを可能にするために電極層のうちの１つが光学的に透明でなければならないときに更に強調される。ＯＬＥＤに関して、この問題は、これらが比較的高電流で動作するのでより多くの関連性がある。
【０００５】
この問題を解決するために、エネルギ損失を補償し、放電の伝播をガイド及び加速させるための手段として機能する金属シャントが導入され得る。
【０００６】
典型的に、金属シャントは、絶縁抵抗層によりカソード層から分離される。
【０００７】
斯様な構成は、国際公開第２００５／０５３０５３号パンフレットに開示されている。この出願は、基体層の積層体、アノード層、発光層、カソード層、パターン化された金属シャント及びエッチング保護層を有する発光デバイスに関する。カソード絶縁抵抗ラインは、デバイスの画素パターンを一緒に規定する金属シャント上に設けられる。
【０００８】
国際公開第２００５／０５３０５３号パンフレットに開示された発明は、異なる問題を解決しているが、金属シャントをカソード層から絶縁させるために抵抗を用いるという結果を示している。電気的絶縁層として機能するために、金属シャントの上面に設けられた抵抗層は、金属シャントの上面よりも大きな面に渡って延在する必要がある。この結果は、シャント間に規定された有効画素エリア、即ち光透過面が削減されることである。
【０００９】
それ故、有効画素エリアを削減することなくカソードから絶縁され得る金属シャントを有する発光デバイスを提供することが従来において必要である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の目的は、上述した問題を少なくとも部分的に克服し、従来の必要性を満足させることにある。
【００１１】
特に、本発明の目的は、デバイスの有効画素エリアを削減することなく、金属シャントとカソードとの間の電気絶縁材料の使用を可能にする発光デバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
それ故、第１の態様において、本発明は、基体、第１の導電層、発光層及び第２の導電層を有する発光デバイスに関する。
【００１３】
本発明のデバイスは、前記第１の導電層と電気的に接触する少なくとも１つの金属シャントを更に有する。金属シャントは、少なくとも誘電酸化層により前記第２の導電層から絶縁される。誘電酸化層は、金属シャントを第２の導電層から絶縁し、短絡回路がデバイス中に生じることを防止する電気絶縁層として機能する。
【００１４】
第１及び第２の導電層に電圧を印加すると、光は、発光層から放出されて、第１の導電層及び基体を介してデバイスから放射する。
【００１５】
金属シャントは、誘電酸化層によりカバーされた第１の金属層を有する。誘電酸化層は、金属シャントの第１の金属層から形成される酸化層であり得る。
【００１６】
好ましい実施形態において、誘電酸化層は、シャントの第１の金属層を陽極酸化することにより形成される。金属層の陽極酸化は、第１の金属層の全体面に渡って延在する均一な酸化層の自己整合構造を可能にする。結果として、画素エリア、即ち金属シャントのパターン間において規定された発光エリアが増大される。
【００１７】
金属シャントの第１の金属層は、例えば、アルミニウム、ジルコニウム、チタニウム及びガリウムから選択された材料を有する。斯様な材料は、金属シャントを有する発光デバイスにおいて電気的絶縁層として機能し得る誘電金属酸化層の構造を可能にするように陽極酸化することができる。斯様な金属は、安定した電圧ブレークダウン及び電気抵抗特性を維持する良好な導電材料でもある。
【００１８】
好ましくは、金属シャントは、第１の導電層と金属シャントとの間の電気接触を向上させるために設けられる少なくとも１つの追加の金属層を更に有する。用いられるべき金属の例は、モリブデン、アルミニウム、クロム、チタニウム窒化物、銅、銀、金、タングステン、ジルコニウム、チタニウム、ハフニウム、又は、これらの組み合わせ若しくは合金を含む。斯様な金属は、電気化学的に安定であり、酸化された第１の金属層への露出に基づいて悪化することから第１の導電層を保護するだろう。
【００１９】
代替実施形態において、発光デバイスは、第１及び第２の金属シャントを有する。斯様な実施形態において、第１の金属シャントは、第１の導電層と電気的に接触し、第２の金属シャントは、第２の導電層と電気的に接触する。このように、第１の金属シャントは、第１の導電層を分路するために用いられ得、第２の金属シャントは、第２の導電層を分路する。
【００２０】
発光デバイスが２つの金属シャントを有するときには、第２の金属シャントは、好ましくは、第１の金属シャントの上面に設けられる。シャントは、第２の誘電体層により互いに分離される。
【００２１】
第２の誘電体層は、第１の金属シャントを第２の金属シャントから電気的に絶縁するために用いられ、これにより、第１及び第２の導電層を互いに絶縁する。第２の誘電体層として用いられるべき材料の例は、SiO2、Si3N4、Al2O3である。
【００２２】
第２の態様において、本発明は、上述したタイプの発光デバイスを製造する方法に関する。本方法は、ａ）基体を設けるステップ、ｂ）基体上に第１の導電層を設けるステップ、ｃ）基体上又は第１の導電層上に第１の金属層を設けるステップ、ｄ）少なくとも１つの金属シャントを形成するために第１の金属層をパターン化するステップ、ｅ）金属シャントの第１の金属層上に誘電酸化層を形成するステップ、ｆ）第１の導電層上に発光層を設けるステップ、及び、ｇ）発光層上に第２の導電層を設けるステップを有する。
【００２３】
本方法は、ステップａ−ｂ−ｃ−ｄ−ｅ−ｆ−ｇの順序で実行され得る。代わりに、本方法は、ステップａ−ｃ−ｄ−ｅ−ｂ−ｆ−ｇの順序で実行されてもよい。
【００２４】
好ましい実施形態において、発光デバイスを製造する方法は、ステップｃの前に、基体上又は適用可能な場合には第１の導電層上に少なくとも１つの追加の金属層を設けるステップを更に有する。
【００２５】
更に、本方法は、追加の金属層をエッチングするためのマスクとしてステップｅにおいて形成された誘電酸化層を用いることにより、追加の金属層をパターン化するステップを有してもよい。
【００２６】
好ましくは、前記ステップｅで形成された誘電酸化層は、金属シャントの第１の金属層を陽極酸化することにより形成される。陽極酸化は、自己整合酸化層構造を可能にし、それ故、プロセスにおいて余分な調節ステップが必要とされない点で有利である。加えて、酸化層の厚さが制御され得る。
【００２７】
これら及び本発明の他の態様は、後述の実施形態から明らかになり、後述の実施形態を参照して説明されるだろう。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明による発光デバイスの一実施形態を示す。
【図２ａ】本発明による発光デバイスの一部の上面図である。
【図２ｂ】電気的絶縁材料として抵抗を用いた従来の発光デバイスによる発光デバイスの一部の上面図である。
【図３】本発明の代替実施形態を表す、２つの金属シャントを有する発光デバイスを示す。
【図４】陽極酸化された金属を伴うカラー画素の上面図である。
【図５ａ】本発明による発光デバイスで使用する金属シャントを製造するプロセスのステージを示す。
【図５ｂ】エッチングマスクとして誘電酸化層を用いてパターン化された幾つかの金属層を有する金属シャントを示す。
【図６】本発明による発光デバイスの代替実施形態を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
一態様において、本願は、発光デバイスに関し、他の態様において、斯様なデバイスを製造する方法に関する。
【００３０】
本発明による発光デバイス１００の一実施形態は、図１に示されており、基体１０１、第１の導電層１０２、発光層１０３、及び、第２の導電層１０４を有する。発光デバイスは、第１の導電層１０２と電気的に接触する少なくとも１つの金属シャント１０５も有する。
【００３１】
金属シャント１０５は、少なくとも誘電酸化層１０６により第２の導電層１０４から絶縁される。
【００３２】
電圧が印加されるときには、電流は、デバイス１００を介して流れ始める。電流の流れの方向は、第１の導電層１０２から第２の導電層１０４である。従って、負電荷は、第２の導電層１０４から発光層１０３に移動する。同時に、典型的にはホールと呼ばれる正電荷は、第１の導電層１０２から発光層１０３に移動する。正及び負電荷が接触するときには、これらは、再結合して光子（光）を生成する。
【００３３】
基体１０１及び第１の導電層１０２は、生成された光子に対して透明であり、光は、例えばガラスを有し得る基体１０１を介して有機発光デバイスから放出される。
【００３４】
この実施形態においては、第１の導電層１０２がアノード層として機能し、第２の導電層１０４がカソード層として機能する。代替実施形態においては、第１の導電層がカソードとして機能し、第２の導電層がアノードとして機能する。
【００３５】
第１及び第２の導電層１０２，１０４のうち少なくとも１つは、制限された電気導電率をもつ薄膜である。結果として、これらは、大幅なエネルギ損失を伴うことなく高電流を伝えることができない。この問題は、導電層のうちの１つは、光が通過することを可能にするために光学的に透明でなければならないときに更に強調される。
【００３６】
金属シャント１０５は、エネルギ損失を補償し、ディスプレイデバイスに対する放電の伝播をガイド及び加速させるための手段として機能する。金属シャント１０５の他の目的は、第１の導電層１０２及び／又は第２の導電層１０４のライン抵抗を削減することにある。
【００３７】
ここで用いられる、"金属シャント"という用語は、電気回路内の２点間の低抵抗接続として機能するパターン化された金属層又は幾つかの金属層のパターン化された積層体を言う。金属シャントは、電流の一部に対して代替経路を形成する。
【００３８】
金属シャント１０５は、誘電酸化層１０６によりカバーされる第１の金属層１０７を有する。
【００３９】
好ましくは、誘電酸化層１０６は、第１の金属層１０７から形成される。酸化物１０６の構造は、好ましくは、第１の金属層１０７の全面に渡って延在する自己整合された均一の酸化層１０６が得られるように、第１の金属層１０７を陽極酸化することにより達成される。
【００４０】
誘電酸化層１０６は、電流の流れに対して高い抵抗性があるので、金属シャント１０５を第２の導電層１０４から絶縁し、これにより、デバイス１００内の短絡回路を防止する。
【００４１】
図２ａは、本発明による有機発光デバイス２００の上面図であり、これは、金属シャント２０１の第１の金属層を陽極酸化することから形成された誘電酸化層を用いる利点を示している。図に示すように、電気的絶縁材料として抵抗を用いた従来の有機発光デバイス（点線）と比較して、大きな画素エリア２０２が形成される（図２ｂ）。
【００４２】
金属シャントの第１の金属層は、陽極酸化され得る金属を有するべきである。斯様な金属の例は、アルミニウム、ジルコニウム、チタニウム及びガリウムである。これらの金属は、良好な導電率をもち、安定した電圧ブレークダウン及び電気抵抗特性を維持する。好ましくは、金属シャントの第１の金属層は、アルミニウムを有する。
【００４３】
本発明の好ましい実施形態において、金属シャント１０５は、第１の導電層１０２と金属シャント１０５との間の電気接触を向上させるために設けられた追加の金属層１０８を有する。
【００４４】
追加の層１０８として用いられるべき金属の例は、良好な導電率をもち、例えば、モリブデン、アルミニウム、クロム、チタニウム窒化物、銅、銀、金、タングステン、ジルコニウム、チタニウム、ハフニウム、又は、これらの組み合わせ若しくは合金から選択され得る。これらの金属は、電気的に安定であり、酸化された第１の金属層１０７への露出に基づいて悪化することから第１の導電層１０２を保護し、これは、第１の金属層１０７だけが金属シャント１０５に用いられるときに当てはまり得る。
【００４５】
好ましくは、金属シャント１０５は、アルミニウムの第１の金属層１０７と、TiNの追加の金属層１０８とを有する。１０８のための他の好ましい金属は、他の金属でドープされ得るモリブデン及びクロムであり、例えば、クロムでドープされたモリブデンである。
【００４６】
本発明の代替実施形態において、有機発光デバイスは、２つの金属シャントを有する。
【００４７】
斯様な実施形態は、図３に示され、第１の金属シャント３０３が第１の導電層３０２と電気的に接触し、第２の金属シャント３０４が第２の導電層（図示省略）と電気的に接触する。それ故、第１の金属シャント３０３が、第１の導電層３０２を分路するために用いられ、第２の金属シャント３０４が、第２の導電層を分路するために用いられる。
【００４８】
好ましくは、第２の金属シャント３０４は、第１の金属シャント３０３の上面に設けられ、これらは、第２の誘電層３０５により互いに分離される。
【００４９】
第２の誘電層３０５は、金属シャント３０３及び３０４を互いに電気的に分離し、これにより、第１の導電層３０２を第２の導電層から絶縁する。
【００５０】
この実施形態において第２の誘電層として用いられ得る材料の例は、例えば、SiO2、Si3N4及びAl2O3から選択され得る。第２の誘電層として用いる他の材料は、当業者にとって既知である。
【００５１】
好ましくは、この実施形態において、第２の金属シャント３０４が第２の導電層との電気的接触を行わなければならないので、第１の金属シャント３０３だけが、第１の金属層３０６を陽極酸化することから形成された誘電酸化層３０８を有する。好ましくは、シャント３０４の少なくとも部分は、発光層によりカバーされない。
【００５２】
本発明の有機発光デバイスにおいて、第１の導電層は、アノード層又はカソード層であり得る。従って、第２の導電層は、カソード層又はアノード層のいずれかであり得る。好ましくは、第１の導電層は、アノード層であり、第２の導電層は、カソード層である。
【００５３】
図１に示されたような実施形態において、有機発光層１０３から放出された光は、垂直下向きに出力され、それ故、第１の導電層１０２は、生成された光に対して透明である必要がある。従って、第１の導電層は、良好な透過率をもつ材料を有するべきである。
【００５４】
斯様な材料は、例えば、インジウムスズ化合物（ＩＴＯ）、（例えばフッ素又はアンチモンでドープされた）酸化スズ、（例えばアルミニウムでドープされた）酸化亜鉛、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、酸化インジウム亜鉛、及び、幾つかの導電性金属の積層体を含む。複数の材料及び材料の組み合わせが第１の導電層に用いられてもよく、これらは、当業者にとって既知である。
【００５５】
好ましくは、第１の導電層は、ＩＴＯ又はＰＥＤＯＴを有する。
【００５６】
図１の実施形態においてカソード層として機能する第２の導電層１０４は、低仕事関数をもつ金属、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属又はこれらの合金を有し得る。第２の導電層で用いられ得る幾つかの材料は、当業者にとって既知である。
【００５７】
本発明において、発光層１０３は、低分子量の重合体発光組成物及び／又は有機発光組成物を有する。適切に発光する低分子量組成物又は重合体発光組成物は、当業者にとって既知である。
【００５８】
概して、発光層１０３は、電子輸送層、エレクトロルミネセント層及びホール輸送層を有する多層構造として存在する。電流を印加すると、発光層１０３の材料は、有機材料内の電子及びホールの再結合により生成された光を放射するだろう。
【００５９】
重合体ＬＥＤの場合において、発光層１０３は、大部分がホール導体及び発光ポリマを有する２層の積層体である。しかしながら、発光層は、発光ポリマ上の蒸発有機ホールブロッキング層（evaporated organic hole blocking layer）のような他の層を含み得る。
【００６０】
小分子ＯＬＥＤの場合において、発光層は、より複雑であり、ホール注入層、ホール輸送層、放出層、ホールブロッキング層、電子輸送層を有し得る。これは、白い光の放出を生成するために、追加の層、例えば、３つの異なる放出層を含んでもよい。
【００６１】
実施形態において、追加の層は、例えば水、イオン等からデバイスを保護するために、基体１０１と第１の導電層１０２との間に設けられ得る。
【００６２】
図４において、ディスプレイアプリケーションに用いられるときの本発明の利点が示される。従来のパッシブマトリクス方式のディスプレイにおいては、良好なぬれ挙動を実現するため、及び、デバイス内の短絡回路を防止するために、分離誘電層が画素の縁に必要とされる。従来の誘電体の代わりに陽極酸化された金属層４０１を用いた本発明は、短絡回路防止体としても機能するが、有効画素エリア４０２も増大させる一方で、画素に向かって抵抗を削減するという追加の利点をもつ。分離シャントがもはや必要とされないので、有効画素エリアが増大される。カソード絶縁抵抗ライン（組み込み式シャドーマスク）は、４０３で示され、疎水性のダム（dam）ラインは、４０４で示される。勿論、本発明は、他のタイプのディスプレイ、例えばアクティブマトリクス方式のＯＬＥＤディスプレイに用いられてもよい。
【００６３】
本発明は、上述した種類の有機発光デバイスを製造する方法にも関する。この方法は、ａ）基体１０１を設けるステップ、ｂ）基体１０１上に第１の導電層１０２を設けるステップ、ｃ）基体１０１上又は第１の導電層１０２上に第１の金属層１０７を設けるステップ、ｄ）少なくとも１つの金属シャント１０５を形成するために第１の金属層１０７をパターン化するステップ、ｅ）金属シャント１０５の第１の金属層１０７上に誘電酸化層１０６を形成するステップ、ｆ）第１の導電層１０２上に発光層１０３を設けるステップ、及び、ｇ）発光層１０３上に第２の導電層１０４を設けるステップを有する。
【００６４】
本発明の実施形態において、本方法は、ステップａ−ｂ−ｃ−ｄ−ｅ−ｆ−ｇの順序で実行される。
【００６５】
本発明の方法のステップａ〜ｃ及びｆ〜ｇは、特定の技術に限定されず、当業者にとって既知のいずれかの適切な技術により実行されてもよい。
【００６６】
例えば、発光層１０３は、真空又は湿式プロセスの蒸着技術により第１の導電層１０２上に設けられてもよい。第２の導電層１０４は、例えば真空又はスパッタリングプロセスにより発光層１０３上に設けられてもよい。
【００６７】
有機発光デバイスの上面図を示す図２を再度参照すると、好ましい金属シャントパターンが観察され得る。金属層は、好ましくは、シャントが基体又は第１の導電層の表面に渡って延在するようにパターン化され、これにより、デバイスの画素構造を規定する。金属層をパターン化する技術は、当業者にとって既知であり、例えば、普通に知られたスパッタリング及びエッチングが用いられ得る。
【００６８】
代替実施形態において、本方法は、ａ−ｃ−ｄ−ｅ−ｂ−ｆ−ｇの順序で実行される。
【００６９】
好ましい実施形態において、本方法は、ステップｃの前に、基体１０１又は第１の導電層１０２上に少なくとも１つの追加の金属層１０８を設ける追加のステップを有する。これは、金属シャント１０５と第１の導電層１０２との間の電気接触を向上させるためである。斯様な金属層の構成は当業者にとって既知である。
【００７０】
追加の金属層１０８は、追加の金属層１０８をエッチングするためのマスクとして、ステップｅで形成された誘電酸化層１０６を用いることによりパターン化され得る。図５ａは、第１の金属層５０７が、従来の方法により、例えばフォトマスクを用いてエッチングすることによりパターン化された方法のステージを示している。追加の層５０８は、依然としてパターン化されないが、第１の導電層５０２の表面に渡って延在する金属層として存在する。
【００７１】
誘電酸化層５０６をマスクとして用いることにより、追加の層５０８は、本発明による金属シャント５０５をもたらすようにエッチングされ得る（図５ｂ）。
【００７２】
本発明による方法において、ステップｅで形成された誘電酸化層１０６は、金属シャント１０５の第１の金属層１０７を陽極酸化することにより形成される。
【００７３】
陽極酸化は、酸化層で金属の表面をコートするために用いられる良く知られた技術である。金属シャント１０５の第１の金属層１０７は、アノードとして機能する第１の金属層で、硫酸を介して電流を通過させることにより陽極酸化される。電流は、カソードで水素を、アノードの表面で酸素を解放し、金属酸化物の構築をもたらす。誘電酸化層１０６を作り出すことについて陽極酸化を用いる利点は、このプロセスが自己整合であり、余分な調節ステップを必要としないことであり、これは、多くの場合、例えば抵抗を用いるときに当てはまる。それ故、誘電酸化層は、第１の金属層１０７の全面上に均一に設けられる。
【００７４】
陽極酸化は、デバイスの耐食性及び耐摩耗性を増大させ、染色を可能にし、他のプロセス及びコーティングに対して表面を準備するという利点もある。
【００７５】
形成された酸化層１０６は、誘電体であり、金属シャントを有する発光デバイスにおいて短絡回路を生じさせることを防止する電気的絶縁層として機能する。
【００７６】
幾つかの金属、例えばアルミニウムは、大気にさらされるときに、受動的金属酸化層を形成し、これは、腐食に対する中程度の保護を提供する。しかしながら、斯様な受動的酸化層は、誘電層として機能するためには十分な厚さではない。
【００７７】
誘電酸化層の厚さは、２ナノメートルから２５マイクロメートル以上の範囲であり得る。好ましくは、誘電酸化層の厚さは、２０〜１００ナノメートルである。
【００７８】
ａ−ｃ−ｄ−ｅ−ｂ−ｆ−ｇの順序で実行された方法の実施形態が、図６を参照することにより示され、これは、この後者の順序のステップで製造された有機発光デバイス６００を示している。発光層及び第２の導電層は、この図には示されていない。
【００７９】
この実施形態において、第１の金属層６０７、及び、適用可能である場合には追加の層６０８は、基体６０７上に直接設けられ、第１の導電層６０２は、第１の金属層６０７及び追加の層６０８がパターン化されて６０７が陽極酸化された後に、基体６０１上に設けられる。
【００８０】
第１の導電層６０２が設けられるときには、これは、かなりの程度まで金属シャント６０５の第１の金属層６０７を囲む誘電酸化層６０６に付着されるべきではない。第１の導電材料６０２がシャント６０５へ"くっつく"することを避けるために、疎水性有機物高温度沸点（１００〜２００℃）の溶剤が適用され得、これは、誘電酸化層に含まれた孔を満たす。
【００８１】
それ故、第１の導電層６０２は、幾つかの金属シャント間のエリアを満たすが、金属シャント６０５の誘電層６０６に実質的に付着しないだろう。
【００８２】
第１の導電層６０２からの水と同様に、誘電酸化層６０６から有機溶剤を除去するために、デバイス６００は、約２００℃で焼かれ得る。
【００８３】
発光層及び第２の導電層を設ける一連のステップは、上述のように実行される。
【００８４】
本発明の実施形態において、本方法は、ステップｂ，ｄ又はｅのいずれかの後に、第１の導電層をパターン化するステップを更に有する。ここで用いられる、"第１の導電層をパターン化する"とは、例えば、シャドーマスク、プリンティング等を介してエッチング、レーザ切断、蒸着により構造化されることを言う。
【００８５】
本発明は、図面及び上述の説明において詳細に示され及び説明された一方で、斯様な図示及び説明は、例示及び例であり限定的ではないとみなされるできである。即ち、本発明は、開示された実施形態に限定されるものではない。
【００８６】
開示された実施形態に対する他のバリエーションは、図面、開示及び特許請求の範囲の研究から当業者により理解及び達成され得る。例えば、本発明は、本発明の製造方法のステップａ〜ｃ及びｆ〜ｇを実行する特定の技術に限定されるものではなく、如何なる技術が用いられてもよい。陽極酸化は、誘電酸化層を形成する好ましい方法であるが、本発明は、これに限定されるものでない。斯様な誘電酸化層を形成するための幾つかの他の技術が適用されてもよい。本発明の発光デバイスが好ましくは有機発光デバイスであったとしても、これに限定されない。本発明の発光デバイスは、無機物であってもよい。本発明のデバイスが有機物であるときには、特定の有機物又は重合体の発光成分に限定されるものではなく、代わりに幾つかの可能な成分が用いられてもよい。
【図１】
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【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
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【図６】
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【国際調査報告】
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