(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージ基板の回路レイアウトの導線を形成し第１幅を有するスレッド開口区を有する第一誘電体材料層と、
前記スレッド開口区に列に沿って配される第一スレッド部分、及び前記第一誘電体材料層上に形成され、前記第一スレッド部分の列に沿って配され、前記第一幅よりも大きい第二幅を有する第二スレッド部分を有する前記導線と、
前記第一誘電体材料層を被覆させるための第二誘電体材料層と、
を備え、
前記第二部分の高さは、前記第一スレッド部分の高さより大きい、
を特徴とするパッケージ基板。
【請求項２】
前記導線は、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、錫(Sn)及びニッケル／金(Ni／Au)の少なくとも一つを備えることを特徴とする、請求項１に記載のパッケージ基板。
【請求項３】
前記第二誘電体材料層上に形成される第三誘電体材料層を備え、
前記導線は更に、前記第二スレッド部分上に列に沿って形成される第三スレッド部分と、前記第二スレッド部分と第三スレッド部分の間の第一境界領域とを備え、前記第一境界領域は第三幅を有し、前記第三スレッド部分は第四幅を有し、前記第三幅は、前記第二幅及び前記第四幅よりも小さい、
ことを特徴とする、請求項１に記載のパッケージ基板。
【請求項４】
前記第三誘電体材料層上に形成される第四誘電体材料層を備え、
前記導線は更に、前記第三スレッド部分上の列に沿って形成される第四スレッド部分と、前記第三スレッド部分と第四スレッド部分の間の第二境界領域とを備え、前記第二境界領域は第五幅を有し、前記第四スレッド部分は第六幅を有し、前記第五幅は、前記第四幅及び前記第六幅よりも小さい、
ことを特徴とする、請求項３に記載のパッケージ基板。
【請求項５】
載置板が提供される工程と、
第一誘電体材料層が前記載置板上に形成される工程と、
前記第一誘電体材料層がパターン化され、スレッド開口区が前記第一誘電体材料層内に形成されることで、前記載置板が露出され、前記スレッド開口区はパッケージ基板の回路レイアウトの導線を形成し第１幅を有する、工程と、
前記導線が前記載置板上に形成されることで、前記導線は、前記スレッド開口区に列に沿って配される第一スレッド部分、及び前記第一誘電体材料層上に形成され、前記第一スレッド部分の列に沿って配され、前記第一幅よりも大きい第二幅を有する第二スレッド部分を有する、工程とを含み、
前記第二スレッド部分の高さは、前記第一スレッド部分の高さより大きい、
ことを特徴とするパッケージ基板の製造方法。
【請求項６】
第二誘電体材料層が前記第一誘導体材料層上に形成される工程と、
前記第二誘電体材料層の一部分及び前記第二スレッド部分の一部分が除去されることで、前記第二スレッド部分が露出される工程と、
前記第二スレッド部分上に第三スレッド部分が形成される工程とを更に含むことを特徴とする、請求項５に記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項７】
第三誘電体材料層が前記第三スレッド部分上に形成される工程と、
前記載置板が除去される工程とを更に含むことを特徴とする、請求項６に記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項８】
前記第一誘電体材料層及び前記第一スレッド部分が除去される工程を更に含むことを特徴とする、請求項７に記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項９】
前記第一スレッド部分は、電気めっき方式により形成されることを特徴とする、請求項５に記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項１０】
前記導線は、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、錫 (Sn)及びニッケル／金(Ni／Au)の少なくとも一つを含むことを特徴とする、請求項６に記載のパッケージ基板の製造方法。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージ基板の導線構造に用いられ、前記導線構造を備えるパッケージ基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
次世代の電子製品は軽量化、小型化、薄型化、高密度化を追求するのみならず、高出力化に向けても発展している。このため、集積回路(Integrated Circuit、略称IC)技術及びその後端のチップのパッケージ技術も追随して発展しており、次世代の電子製品の機能の規格に符合させている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、パッケージ基板が高密度な回路設計を有する場合、回路をファインピッチ(fine pitch)方式により製造する必要がある。従来の技術では、通常セミアディティブ法(Semi-additive process、略称SAP)が採用され、製造される回路の線幅は線間隔とほぼ同じになり、例えば、線幅及び線間隔が共に１５μｍ或いは２０μｍになる。この種のファインピッチ回路中の単一の導線自体の厚さは通常２０μｍが最も多い。
【０００４】
なお、パッケージ基板が高出力の電子製品に応用される場合、単一の導線をできるだけ厚くして導線の断面積を増大させ、回路の電気抵抗値を減少させる必要がある。しかしながら、ファインピッチ回路の設計では、単一の導線の厚さを増やすのは容易でなく、製品の歩留り及び信頼性に乏しかった。そこで、本発明者は上記の欠点が改善可能と考え、鋭意検討を重ねた結果、合理的かつ効果的に課題を改善する本発明の提案に到った。
【０００５】
本発明は、以上の従来技術の課題を解決する為になされたものである。即ち、本発明の目的は、パッケージ基板及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、上記目的を達成するための本発明は、本発明に係るパッケージ基板は、開口区を有する第一誘電体材料層と、前記第一誘電体材料層の前記開口区内に位置される第一部分、及び前記第一誘電体材料層の上に位置される第二部分を有する第一導電ユニットと、前記第一誘電体材料層及び前記第一導電ユニットを被覆させるための第二誘電体材料層とを備え、前記第一導電ユニットの高さは前記第一誘電体材料層の厚さより高く、且つ前記第一導電ユニットの前記第二部分の横方向の断面は前記第一部分の横方向の断面より大きい。
【０００７】
ある実施形態において、前記導電ユニットの構成材質は、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、錫(Sn)、ニッケル／金(Ni／Au)等の組み合わせの内から選択される。
【０００８】
ある実施形態において、前記パッケージ基板は、前記第二誘電体材料層に形成される第三誘電体材料層と、前記第一導電ユニットに形成される第二導電ユニットとを更に備え、前記第一導電ユニット及び前記第二導電ユニットの境界面の横方向の断面は前記第二導電ユニットの横方向の断面より小さい。
【０００９】
ある実施形態において、前記パッケージ基板は、前記第三誘電体材料層に形成される第四誘電体材料層と、前記第二導電ユニットに形成される第三導電ユニットとを更に備え、前記第二導電ユニット及び前記第三導電ユニットの境界面の横方向の断面は前記第三導電ユニットの横方向の断面より小さい。
【００１０】
本発明の他の実施形態に係るパッケージ基板の製造方法は、載置板が提供される工程と、第一誘電体材料層が前記載置板に形成される工程と、前記第一誘電体材料層がパターン化され、開口区が前記第一誘電体材料層内に形成されることで、前記載置板が露出される工程と、第一導電ユニットが前記載置板に形成されることで、前記開口区に位置される前記第一導電ユニットの高さが前記第一誘電体材料層の厚さより高くなり、且つ前記第一誘電体材料層の上に位置される前記第一導電ユニットの幅が前記開口区の幅より広くなる工程とを含む。
【００１１】
ある実施形態において、前記製造方法は、第二誘電体材料層が前記第一導電ユニットに形成される工程と、前記第二誘電体材料層の一部分及び前記第一導電ユニットが除去されることで、前記第一導電ユニットが露出される工程と、第二導電ユニットが前記第一導電ユニットに形成される工程とを更に含む。
【００１２】
ある実施形態において、前記製造方法は、第三誘電体材料層が前記第二導電ユニットに形成される工程と、前記載置板が除去される工程とを更に含む。
【００１３】
ある実施形態において、前記製造方法は、前記第一誘電体材料層及び前記第一導電ユニットの一部分が除去される工程を更に含む。
【００１４】
ある実施形態において、前記第一導電ユニットが形成される工程では、電気めっき方式により形成される。
【００１５】
ある実施形態において、前記導電ユニットの構成材質は、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、錫(Sn)、ニッケル／金(Ni／Au)等の組み合わせの内から選択される。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１実施形態によるパッケージ基板を示す断面概略図である。
【図２】本発明の他の実施形態によるパッケージ基板を示す断面概略図である。
【図３】本発明の他の実施形態によるパッケージ基板を示す断面概略図である。
【図４】本発明の第２実施形態によるパッケージ基板を示す断面概略図である。
【図５】本発明の第３実施形態によるパッケージ基板を示す断面概略図である。
【図６】本発明の第４実施形態によるパッケージ基板を示す断面概略図である。
【図７】本発明のある実施形態におけるプロセス工程を示す断面図である。
【図８】本発明のある実施形態におけるプロセス工程を示す断面図である。
【図９】本発明のある実施形態におけるプロセス工程を示す断面図である。
【図１０】本発明のある実施形態におけるプロセス工程を示す断面図である。
【図１１】本発明のある実施形態におけるプロセス工程を示す断面図である。
【図１２】本発明のある実施形態におけるプロセス工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明における好適な実施の形態について、添付図面を参照して説明する。尚、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を限定するものではない。また、以下に説明される構成の全てが、本発明の必須要件であるとは限らない。なお、全ての明細書及び図では、同じ部材の符号は同じ或いは類似する部材を指す。さらに、各実施形態の説明においては、部材が他の部材の「上方／上」或いは「下方／下」と説明されている場合、直接的或いは間接的に前記他の部材の上或いは下にある状況を指し、他の部材がそれらの間に設置される可能性も含む。 接地とはそれらの間に他の中間部材が未設置であることを指す。「上方／上」或いは「下方／下」等の説明は図式を基準として説明しているが、但し、他の方向に転換される可能性も含む。いわゆる「第一」、「第二」、及び「第三」は異なる部材を説明するものであり、これらの部材はこれらの述語によって制限されるわけではない。明確に説明し易くするために、図中では、各部材の厚さ或いは寸法は、誇張や省略、概略化されて表されており、且つ各部材の寸法は実際の寸法と完全に一致するわけではない。
（実施形態）
【００１８】
（第１実施形態）
図１は本発明の第１実施形態によるパッケージ基板１００を示す断面概略図である。前記パッケージ基板１００は、第一誘電体材料層１２０と、少なくとも１つの第一導電ユニット１３０と、第二誘電体材料層１４０とを備える。前記第一誘電体材料層１２０は開口区を含み、後続の前記第一導電ユニット１３０の形成位置の設定に用いられる。前述の少なくとも１つの第一導電ユニット１３０は前記パッケージ基板１００の回路レイアウトに含まれる導線を表し、説明し易いように、図１には３つの第一導電ユニット１３０を有する例を図示し、但し、数量はこれに限定されず、前記パッケージ基板１００の回路レイアウトの需要に応じて決定される。前記第一導電ユニット１３０は前記パッケージ基板１００の回路レイアウトの導線中の内の何れか１つであり、或いは単一の導線と呼ばれ、２つの部分に分けられる。第一部分１３１は前記第一誘電体材料層１２０が充満される開口区であり、第二部分１３２は前記第一部分１３１に形成されると共に外に向けて拡張されて前記第一誘電体材料層１２０に形成される（図１参照）。前記第二誘電体材料層１４０により前記第一誘電体材料層１２０及び前記第一導電ユニット１３０が被覆され、前記パッケージ基板１００の最も外側の保護層或いははんだマスク層となる。
【００１９】
前記第一誘電体材料層１２０の構成材質は感光型或いは非感光型の誘電材料である。前記第一誘電体材料層１２０がフォトレジスト(photoresist)材料等の感光型誘電材料である場合、前記開口区の形成は、フォトリソグラフィー(photolithography)技術により製造される。また、前記第一誘電体材料層１２０が非感光型誘電材料である場合、前記開口区の形成は、レーザーアブレーション(laser ablation)技術により製造される。図１に示すように、Ｈ１は前記第一誘電体材料層１２０の厚さを表し、Ｗ１は前記開口区の幅を表す。前記開口区の設置により、前記第一誘電体材料層１２０は後続の前記第一導電ユニット１３０の形成位置の設定に用いられる。電気めっきを例にすると、前記第一導電ユニット１３０は前記開口区に形成され、前記開口区の外の前記第一誘電体材料層１２０は金属の電気めっきの作用の阻止に用いられ、このため、前記第一誘電体材料層１２０はめっきレジスト層とも呼ばれる。
【００２０】
前記第一導電ユニット１３０の構成材質は、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、錫(Sn)及びニッケル／金(Ni／Au)の組み合わせ或いは合金であり、金属の電気めっき(electrolytic plating)や蒸着(evaporation)技術により製造される。図１に示すように、Ｈ２は前記第一導電ユニット１３０の高さを表し、Ｗ２は前記第一導電ユニット１３０の第二部分１３２の幅を表す。本実施形態において、前記第一導電ユニット１３０の高さＨ２は前記第一誘電体材料層１２０の厚さＨ１より高く、且つ前記第一導電ユニット１３０の第二部分１３２の横方向の断面(例えば、幅Ｗ２)は第一部分１３１の横方向の断面(例えば、幅Ｗ１)より広い。これらの要求を達成させるため、適度な電気めっきの条件を設定し、前記開口区に金属の電気めっきが施される際に、前記第一導電ユニット１３０の成長によりめっきレジスト層となる前記第一誘電体材料層１２０を超過させ、前記第一誘電体材料層１２０で外に向けて拡張されて第二部分１３２が形成される。すなわち、前記第一導電ユニット１３０は前記パッケージ基板１００の回路レイアウトの導線となり、その線幅Ｗ２は前記第一誘電体材料層１２０の開口区幅Ｗ１にのみ依拠するわけではなく、同時にその時の電気めっきの条件及び前記開口区の幅Ｗ１も鑑みて決定される。
【００２１】
前記第二誘電体材料層１４０は前記パッケージ基板１００の最も外層に形成されると共に前記第一導電ユニット１３０及び前記第一誘電体材料層１２０が包囲され、前記パッケージ基板１００が外部環境や後続の製造工程(例えば、溶接)での損害を受けないように保護される。本実施形態において、前記パッケージ基板１００は鋳型に関連する基板技術に応用されるフリップチップ・チップスケールパッケージ(FCCSP)基板である。
【００２２】
このほか、本実施形態において、パッケージ基板の回路レイアウトの単一の導線は多層の導電ユニットの積層構造でもよく、例えば、二層、三層或いはより多層の導電ユニットでもよい。図２は本実施形態の他のパッケージ基板１０１によるものを示す断面概略図である。図１のパッケージ基板１００と比較すると、前記パッケージ基板１０１は前記パッケージ基板１００の上半部の一部分が除去された後、第二導電ユニット１５０及び第三誘電体材料層１６０を更に備える。例えば、研磨方式により前記第二誘電体材料層１４０が上から下にかけて研磨されることで除去され、前記第一導電ユニット１３０に接触されるまで除去され、その後に下に向けて前記第一導電ユニット１３０の上端が平らに研磨される（図２参照）。前記第二導電ユニット１５０は前記第一導電ユニット１３０の平らに研磨された上端に積層され、前記第一導電ユニット１３０と共に前記パッケージ基板１０１の回路レイアウトの単一の導線を構成させ、且つ前記第二導電ユニット１５０には前記第一導電ユニット１３０と同じ或いは異なる構成材質が選択されるが、本発明はこれについての制限はない。前記第三誘電体材料層１６０は前記パッケージ基板１０１の最も外層に形成されると共に前記第二導電ユニット１５０及び前記第二誘電体材料層１４０が包囲され、図１の実施形態による前記第二誘電体材料層１４０の機能を代替させ、前記パッケージ基板１０１が外部環境や後続の製造工程での損害を受けないように保護される。前記第三誘電体材料層１６０には前記第二誘電体材料層１４０と同じ或いは異なる構成材質が選択されるが、本発明はこれについての制限はない。本実施形態において、前記第一導電ユニット１３０及び前記第二導電ユニット１５０の境界面の横方向の断面(例えば、幅Ｗ３)は前記第二導電ユニット１５０の横方向の断面(例えば、幅Ｗ４)より小さくなる。
【００２３】
また、図３は本実施形態の他のパッケージ基板１０２によるものを示す断面概略図である。図２のパッケージ基板１０１と比較すると、前記パッケージ基板１０２は前記パッケージ基板１０１の上半部の一部分が除去された後、第三導電ユニット１７０及び第四誘電体材料層１８０を更に備える。例えば、研磨方式により前記第三誘電体材料層１６０が上から下にかけて研磨されることで除去され、前記第二導電ユニット１５０に接触されるまで研磨され、その後に下に向けて前記第二導電ユニット１５０の上端が平らに研磨される（図３参照）。前記第三導電ユニット１７０は前記第二導電ユニット１５０の平らに研磨された上端に積層され、前記第二導電ユニット１５０及び前記第一導電ユニット１３０が共に前記パッケージ基板１０２の回路レイアウトの単一の導線を構成させ、且つ前記第三導電ユニット１７０には前記第一導電ユニット１３０と同じ或いは異なる構成材質が選択されるが、本発明はこれについての制限はない。前記第四誘電体材料層１８０は前記パッケージ基板１０２の最も外層に形成されると共に前記第三導電ユニット１７０及び前記第三誘電体材料層１６０が包囲され、図２の実施形態による前記第三誘電体材料層１６０の機能を代替させ、前記パッケージ基板１０２が外部環境や後続の製造工程での損害を受けないように保護される。前記第四誘電体材料層１８０には前記第二誘電体材料層１４０と同じ或いは異なる構成材質が選択されるが、本発明はこれについての制限はない。本実施形態において、前記第二導電ユニット１５０及び前記第三導電ユニット１７０の境界面の横方向の断面(例えば、幅Ｗ５)は前記第三導電ユニット１７０の横方向の断面(例えば、幅Ｗ６)より小さくなる。
【００２４】
また、第１実施形態に係るパッケージ基板(以下では図２のパッケージ基板１０１を例にする)を主体とし、様々な需要や用途に応えるため、その構造にいくらかの小さな変更を加えて、変化した形式の実施形態を発展させる。
【００２５】
（第２実施形態）
図４は本発明の第２実施形態によるパッケージ基板２０１を示す断面概略図である。図２の前記パッケージ基板１０１と比較すると、前記第一誘電体材料層１２０及び前記第一導電ユニット１３０の第一部分１３１が除去された後、図４に示すような前記パッケージ基板２０１が形成される。
【００２６】
（第３実施形態）
図５は本発明の第３実施形態によるパッケージ基板３０１を示す断面概略図である。図４の前記パッケージ基板２０１と比較すると、第五誘電体材料層１９０が一部の前記第一導電ユニット１３０の第二部分１３２の下に増設され、図５に示すような前記パッケージ基板３０１が形成される。図５を例にすると、第五誘電体材料層１９０は左右二側の前記第一導電ユニット１３０の第二部分１３２の下に形成されるが、但し、中間の前記第一導電ユニット１３０の第二部分１３２は外に露出される。また、前記第五誘電体材料層１９０には前記第一誘電体材料層１２０と同じ或いは異なる構成材質が選択されるが、本発明はこれについての制限はない。
【００２７】
（第４実施形態）
図６は本発明の第４実施形態によるパッケージ基板４０１を示す断面概略図である。図２の前記パッケージ基板１０１と比較すると、第五誘電体材料層１９０が一部の前記第一導電ユニット１３０の第一部分１３１の下に増設され、図６に示すような前記パッケージ基板４０１が形成される。図６を例にすると、第五誘電体材料層１９０は左右二側の前記第一導電ユニット１３０の第一部分１３１の下に形成されるが、但し、中間の前記第一導電ユニット１３０の第一部分１３１は外に露出される。このほか、前記第五誘電体材料層１９０には前記第一誘電体材料層１２０と同じ或いは異なる構成材質が選択されるが、本発明はこれについての制限はない。
【００２８】
以下では本発明のパッケージ基板の製造工程を説明する。図７〜図１０及び図１(第１実施形態のパッケージ基板１００を例にする)は、上述の第１実施形態に係るパッケージ基板１００の製造工程の各製造工程にそれぞれ対応するパッケージ基板の断面図である。
【００２９】
まず、金属基板或いは表面に一層の導電層がめっきされる誘電材質基板等の導電材質の基板（図７参照）である載置板１１０が提供され、後続の前記パッケージ基板１００の製造等の製造工程において、導電回路の載置或いは支持に用いられる。上述の金属基板は、鉄(Fe)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、錫(Sn)、アルミニウム(Al)、ニッケル／金(Ni／Au)及びその組み合わせ或いは合金であるが、但し、本発明はこれらに限定されない。
【００３０】
次は、図８に示すように、第一誘電材料層１２０が前記載置板１１０に形成される。前記第一誘電体材料層１２０の構成材質は感光型或いは非感光型の誘電材料であり、後続の第一導電ユニット１３０の製造に使用される。
【００３１】
次は、図９に示すように、前記第一誘電体材料層１２０がパターン化されることで、少なくとも１つの開口区１２１が前記第一誘電体材料層１２０内に形成されて、前記載置板１１０が露出される。前記開口区１２１の設置により、前記第一誘電体材料層１２０は後続の前記第一導電ユニット１３０の形成位置の設定に用いられる。前記第一誘電体材料層１２０がフォトレジスト材料等の感光型誘電材料である場合、前記開口区１２１の形成は、フォトリソグラフィー技術により製造される。また、前記第一誘電体材料層１２０が非感光型誘電材料である場合、前記開口区１２１の形成は、レーザーアブレーション技術により製造される。
【００３２】
続いて、図１０に示すように、第一導電ユニット１３０が前記載置板１１０に形成されることで、前記開口区１２１に位置される前記第一導電ユニット１３１の高さ(図１に示すＨ２)が前記第一誘電体材料層１２０の厚さ(図１に示すＨ１)より高くなり、且つ前記第一誘電体材料層１２０の上に位置される前記第一導電ユニット１３０の幅(図１に示すＷ２)が前記開口区１２１の幅(図１に示すＷ１)より広くなる。前記第一導電ユニット１３０の構成材質は、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、錫(Sn)及びニッケル／金(Ni／Au)の組み合わせ或いは合金であり、金属の電気めっき或いは蒸着技術により製造される。電気めっきを例にすると、前記第一導電ユニット１３０は前記開口区１２１に形成され、前記開口区１２１の外の前記第一誘電体材料層１２０は金属の電気めっきの作用の阻止に用いられる。このため、前記第一誘電体材料層１２０はめっきレジスト層とも呼ばれる。
【００３３】
上述の前記第一導電ユニット１３０の寸法の要求を達成させるため、適度な電気めっきの条件が設定され、前記開口区１２１に金属の電気めっきが施される場合、前記第一導電ユニット１３０の成長により先に前記開口区１２１が充填されて第一部分１３１が形成され、電気めっきが継続して行われることで、金属の成長がめっきレジスト層となる前記第一誘電体材料層１２０を超過させ、前記第一誘電体材料層１２０で外に向けて拡張されて第二部分１３２が形成される。すなわち、前記第一導電ユニット１３０は前記パッケージ基板１００の回路レイアウトの導線となり、その線幅Ｗ２は前記第一誘電体材料層１２０の開口区幅Ｗ１にのみ依拠するのではなく、同時に上述の電気めっきの条件及び前記開口区１２１の幅Ｗ１を鑑みて決定される。
【００３４】
次は、図１に示すように、第二誘電体材料層１４０が前記第一導電ユニット１３０に形成される。前記第二誘電体材料層１４０が前記パッケージ基板１００の最も外層に形成されると共に前記第一導電ユニット１３０及び前記第一誘電体材料層１２０が包囲され、前記パッケージ基板１００が外部環境や後続の製造工程(例えば、溶接)での損害を受けないように保護される。製造工程がここまで進むと、本発明の第１実施形態に係るパッケージ基板１００が完成する。図１に示すように、Ｈ２は前記第一導電ユニット１３０の高さを表し、Ｗ２は前記第一導電ユニット１３０の第二部分１３２の幅を表す。本実施形態において、前記第一導電ユニット１３０の高さＨ２は前記第一誘電体材料層１２０の厚さＨ１より高く、且つ前記第一導電ユニット１３０の第二部分１３２の横方向の断面(例えば、幅Ｗ２)は第一部分１３１の横方向の断面(例えば、幅Ｗ１)より広い。
【００３５】
ここまでで、単層の導電ユニット構造のパッケージ基板回路が完成し、先に前記載置板１１０が除去される。また、本実施形態において、パッケージ基板の回路レイアウトの単一の導線は多層の導電ユニットの積層構造でもよく、例えば、二層、三層或いはより多層の導電ユニットでもよく、その製造工程(図２のパッケージ基板１０１を例にする)を以下に説明する。
【００３６】
図１１に示すように、前記第二誘電体材料層１４０の一部分及び前記第一導電ユニット１３０が除去されて、前記第一導電ユニット１３０が露出される。例えば、研磨方式により前記第二誘電体材料層１４０が上から下にかけて研磨されることで除去され、前記第一導電ユニット１３０に接触されるまで研磨されて、その後に下に向けて前記第一導電ユニット１３０の上端が平らに研磨される。この工程は後続の第二導電ユニット１５０の製造の事前の準備である。
【００３７】
次は、図１２に示すように、第二導電ユニット１５０が前記第一導電ユニット１３０に形成される。例えば、電気めっき方式により形成され、この工程で電気めっきに用いられる金属は前記第一導電ユニット１３０の平らに研磨された上端でのみ成長し、これによって前記第二導電ユニット１５０及び前記第一導電ユニット１３０の積層構造が前記パッケージ基板１０１の回路レイアウトの単一の導線を形成させる。前記第二導電ユニット１５０には前記第一導電ユニット１３０と同じ或いは異なる構成材質が選択されるが、本発明はこれについての制限はない。
【００３８】
次は、図２に示すように、第三誘電体材料層１６０が前記第二導電ユニット１５０に形成される。前記第三誘電体材料層１６０は前記パッケージ基板１０１の最も外層に形成されると共に前記第二導電ユニット１５０及び前記第二誘電体材料層１４０が包囲され、図１の実施形態による前記第二誘電体材料層１４０の機能を代替させ、前記パッケージ基板１０１が外部環境や後続の製造工程での損害を受けないように保護される。前記第三誘電体材料層１６０には前記第二誘電体材料層１４０と同じ或いは異なる構成材質が選択されるが、本発明はこれについての制限はない。本実施形態において、図２に示すように、前記第一導電ユニット１３０及び前記第二導電ユニット１５０の境界面の横方向の断面(例えば、幅Ｗ３)は前記第二導電ユニット１５０の横方向の断面(例えば、幅Ｗ４)より小さくなる。
【００３９】
ここまでで、二層の導電ユニット構造のパッケージ基板回路が完成する。選択的に前面第図１１〜図１２の工程が重複して実行され、継続して三層の導電ユニット構造のパッケージ基板の回路が製造されるか、或いは前記載置板１１０が除去される。
【００４０】
このほか、図２のパッケージ基板１０１を例にすると、様々な需要や用途に応えるために、前記第一誘電体材料層１２０及び前記第一導電ユニット１３０の一部分が除去され、図４に示すようなパッケージ基板２０１が形成され、更には図５に示すようなパッケージ基板３０１や図６に示すようなパッケージ基板４０１が形成される。
【００４１】
上述の実施形態は本発明の技術思想及び特徴を説明するためのものにすぎず、当該技術分野を熟知する者に本発明の内容を理解させると共にこれをもって実施させることを目的とし、本発明の特許請求の範囲を限定するものではない。従って、本発明の精神を逸脱せずに行う各種の同様の効果をもつ改良又は変更は、後述の請求項に含まれるものとする。
【符号の説明】
【００４２】
１００、１０１、１０２、２０１、３０１、４０１  パッケージ基板
１１０  載置板
１２０  第一誘電体材料層
１２１  開口区
１３０  第一導電ユニット
１３１  第一部分
１３２  第二部分
１４０  第二誘電体材料層
１５０  第二導電ユニット
１６０  第三誘電体材料層
１７０  第三導電ユニット
１８０  第四誘電体材料層
１９０  第五誘電体材料層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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