(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表されるピリジニウムと、
下記式（２ａ）で表される４−置換フェニルスルホナート及び下記式（２ｂ）で表される２，４，６−置換フェニルスルホナートと、
を含む、非線形光学結晶。
【化１】
0006333676.tif 000006
［式（１）中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ独立にメチル基又はエチル基を示す。］
【化２】
0006333676.tif 000007
［式（２ａ）中、Ｘはハロゲン原子を示し、式（２ｂ）中、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６はそれぞれ独立にメチル基又はエチル基を示す。］
【請求項２】
式（１）中のＲ１、Ｒ２及びＲ３がメチル基で、式（２ａ）中のＸが塩素原子で、式（２ｂ）中のＲ４、Ｒ５及びＲ６がメチル基である、請求項１に記載の非線形光学結晶。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の非線形光学結晶を製造する方法であって、
前記ピリジニウム、前記４−置換フェニルスルホナート及び前記２，４，６−置換フェニルスルホナートと、これらが溶解している溶媒とを含む溶液から当該非線形光学結晶を析出させる工程を備える、方法。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の非線形光学結晶を含むテラヘルツ波発生素子を備える、テラヘルツ波発生装置。
【請求項５】
請求項１又は２に記載の非線形光学結晶を含むテラヘルツ波発生素子を備える、テラヘルツ波測定装置。
【請求項６】
請求項１又は２に記載の非線形光学結晶を含むテラヘルツ波検出素子を備える、テラヘルツ波測定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非線形光学結晶及びその製造方法、テラヘルツ波発生素子、並びにテラヘルツ波発生装置及び測定装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
非線形光学効果を有する有機結晶を、テラヘルツ波発生素子又はテラヘルツ波検出素子として用いることが検討されている。
【０００３】
一般に、非線形光学結晶から発生するテラヘルツ波の強度は周波数に依存して変化するが、強度が低下する周波数帯域は、非線形光学結晶を構成する化合物の種類によって異なる。そこで、ピリニジウムと置換フェニルスルホナートとの塩を含む非線形光学結晶に関して、出力が低下する帯域の異なる結晶を与える複数種の置換フェニルスルホナートを組み合わせることで、広い帯域で十分な出力強度のテラヘルツ波を発生させることが提案されている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−３２８１４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１のように複数種の塩を組み合わせた場合であっても、テラヘルツ波の出力強度が特定の周波数帯域で局所的に低下することがあった。具体的には、ピリニジウムと置換フェニルスルホナートとの塩に関しては、１ＴＨｚ付近のテラヘルツ波の出力強度の低下が大きく、特にこの点で改善の余地があった。
【０００６】
そこで、本発明の主な目的は、有機材料から形成される非線形光学結晶に関して、１ＴＨｚ付近の周波数帯域における局所的な出力低下を十分に抑制し、広い帯域で安定した出力強度を維持することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、下記式（１）で表されるピリジニウムと、下記式（２ａ）で表される４−置換フェニルスルホナート及び下記式（２ｂ）で表される２，４，６−置換フェニルスルホナートとを含む、非線形光学結晶に関する。式（１）中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ独立にメチル基又はエチル基を示す。式（２ａ）中、Ｘはハロゲン原子を示し、式（２ｂ）中、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６はそれぞれ独立にメチル基又はエチル基を示す。
【０００８】
【化１】
0006333676.tif 000002
【０００９】
【化２】
0006333676.tif 000003
【００１０】
前記非線形光学結晶によれば、カチオンとして式（１）のピリジニウムを用いた上で、これにアニオンとしてフェニル基の置換基が異なる式（２ａ）及び式（２ｂ）の２種の置換フェニルスルホナートを組み合わせたことにより、１ＴＨｚ付近の周波数帯域における局所的な出力低下を十分に抑制し、広い帯域で安定した出力強度を維持することができる。式（１）のピリジニウムと式（２ａ）の４−置換フェニルスルホナートとから形成される結晶、及び式（１）のピリジニウムと４−メチルフェニルスルホナートとから形成される結晶のそれぞれに関しては、１ＴＨｚ付近における出力強度の局所的な低下が認められる。ところが、本発明者の知見によれば、アニオンとして式（２ａ）及び式（２ｂ）でそれぞれ表される２種の置換フェニルスルホナートを組み合わせた非線形光学結晶では、１ＴＨｚ付近の出力強度の低下が特異的に抑制される。
【００１１】
式（１）中のＲ１、Ｒ２及びＲ３がメチル基で、式（２ａ）中のＸが塩素原子で、式（２ｂ）中のＲ４、Ｒ５及びＲ６がメチル基であってもよい。これにより、局所的な出力低下を抑制する効果が、特に顕著に奏される。
【００１２】
別の側面において、本発明は、前記非線形光学結晶を製造する方法に関する。当該方法は、前記ピリジニウム、前記４−置換フェニルスルホナート及び前記２，４，６−置換フェニルスルホナートと、これらが溶解している溶媒とを含む溶液から当該非線形光学結晶を析出させる工程を備える。
【００１３】
別の側面において、本発明は、前記非線形光学結晶を含むテラヘルツ波発生素子を備える、テラヘルツ波発生装置及びテラヘルツ波測定装置を提供する。本発明に係るテラヘルツ波発生装置は、局所的な出力強度の低下が抑制された安定性の高いテラヘルツ波を発生することができる。本発明に係るテラヘルツ波測定装置によれば、テラヘルツ波を利用して広い帯域で安定した分光分析等を行うことができる。
【００１４】
また、本発明は、前記非線形光学結晶を含むテラヘルツ波検出素子を備える、テラヘルツ波検出装置を提供することもできる。係るテラヘルツ波検出素子によっても、テラヘルツ波を利用して広い帯域で安定した分光分析等を行うことができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、有機材料から形成される非線形光学結晶に関して、１ＴＨｚ付近の周波数帯域における局所的な出力低下を十分に抑制し、広い帯域で安定した出力強度を維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】テラヘルツ波測定装置の一実施形態を示す図である。
【図２】テラヘルツ波測定装置の一実施形態を示す図である。
【図３】テラヘルツ波測定装置の一実施形態を示す図である。
【図４】テラヘルツ波測定装置の一実施形態を示す図である。
【図５】テラヘルツ波測定装置の一実施形態を示す図である。
【図６】非線形光学結晶の出射光強度と周波数との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。図面の説明において同一または同等の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略されることがある。
【００１８】
一実施形態に係る結晶は、下記式（１）で表されるピリジニウムと、下記式（２ａ）で表される４−置換フェニルスルホナート及び下記式（２ｂ）で表される２，４，６−置換フェニルスルホナートとから構成される。当該結晶は、式（１）で表されるピリジニウムと式（２ａ）で表される４−置換フェニルスルホナートとの塩、及び式（１）で表されるピリジニウムと式（２ｂ）で表される２，４，６−置換フェニルスルホナートとの塩の、２種の塩から構成される混晶であり得る。この結晶は、入射光に対して非線形な応答を示す非線形光学結晶であり、特に、テラヘルツ波帯域の光を発生させることができる。
【００１９】
【化３】
0006333676.tif 000004
【００２０】
【化４】
0006333676.tif 000005
【００２１】
式（１）中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ独立にメチル基又はエチル基を示す。式（２ａ）中、Ｘはハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子）を示し、式（２ｂ）中、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６はそれぞれ独立にメチル基又はエチル基を示す。
【００２２】
各式中の置換基Ｒ１〜Ｒ３及びＸは、各化合物を含む非線形光学結晶が形成されるような組み合わせとなるように、適宜選択することができる。例えば、式（１）中のＲ１、Ｒ２及びＲ３がメチル基で、式（２ａ）中のＸが塩素原子で、式（２ｂ）中のＲ４、Ｒ５及びＲ６がメチル基であってもよい。
【００２３】
結晶中における式（２ａ）の４−置換フェニルスルホナートと、式（２ｂ）の２，４，６−置換フェニルスルホナートとの比率は、所望の非線形光学応答が得られる範囲で、適宜調整することができる。例えば、式（２ａ）の４−置換フェニルスルホナートと、式（２ｂ）の２，４，６−置換フェニルスルホナートとのモル比が、両者の合計を１００として、１：９９〜９９：１であってもよい。
【００２４】
上記実施形態に係る結晶は、例えば、式（１）のピリジニウム、式（２ａ）の４−置換フェニルスルホナート及び式（２ｂ）の２，４，６−置換フェニルスルホナートと、これらが溶解している溶媒とを含む溶液を調製する工程と、この溶液から結晶を析出させる工程とを含む方法により、得ることができる。
【００２５】
結晶を析出させるための溶液は、式（１）のピリジニウムと式（２ａ）の４−置換フェニルスルホナートとの塩、式（１）のピリジニウムと式（２ｂ）の２，４，６−置換フェニルスルホナートとの塩をそれぞれ準備し、これらを溶媒に溶解させることにより、調製することができる。それぞれの塩は、当業者であれば通常の合成法にしたがって合成が可能であり、いくつかの塩は商業的にも入手可能である。例えば、式（１）のピリジニウムをカチオンとして含む塩を出発原料として用い、塩のアニオンを式（２ａ）又は式（２ｂ）のスルホナートに交換する方法により、それぞれの塩を合成することができる。
【００２６】
溶液を調製する際、必要により溶液を所定の温度（例えば、４５℃）に加熱してもよい。結晶の効率的な析出のためには、それぞれの塩を飽和濃度となるように溶媒に溶解させてもよい。
【００２７】
溶液を調製するための溶媒は、塩の結晶化（再結晶）が可能なものであれば特に制限されないが、例えば、メタノール、エタノール、アセトニトリル、酢酸エチル、クロロホルム、アセトン又はこれらの組み合わせであってもよい。これら溶媒を用いることで、本実勢形態に係る結晶を効率的に生成させることができる。
【００２８】
溶液から結晶を析出させるために、溶液の温度を連続的又は断続的に低下させることができる。例えば、０．１〜１℃／日の冷却速度で溶液の温度を低下させてもよい。
【００２９】
溶液中に析出し、成長した結晶が、溶液から取り出される。取り出された結晶は、必要により所望の形状及びサイズに加工される。結晶の最大厚みは、例えば０．１〜２ｍｍであってもよい。
【００３０】
以上説明した実施形態に係る結晶（非線形光学結晶）は、以下に例示するように、テラヘルツ波発生素子又はテラヘルツ波検出素子として使用することができる。
【００３１】
図１は、テラヘルツ波測定装置の一実施形態を示す図である。図１に示されるテラヘルツ波測定装置２は、テラヘルツ波を用いて透過測定法により測定対象物Ｓの情報を取得するものである。テラヘルツ波測定装置２は、光源１１、分岐部１２、チョッパ１３、光路長差調整部１４、偏光子１５、合波部１６、テラヘルツ波発生素子２０、テラヘルツ波検出素子４０、１／４波長板５１、偏光分離素子５２、光検出器５３ａ、光検出器５３ｂ、差動増幅器５４及びロックイン増幅器５５を備える。テラヘルツ波発生素子２０及び／又はテラヘルツ波検出素子４０として、本実施形態に係る結晶を用いることができる。
【００３２】
光源１１は、一定の繰返し周期でパルス光を出力するものであり、例えばパルス幅がフェムト秒程度であるパルスレーザ光を出力するフェムト秒パルスレーザ光源であってもよい。光源１１から出力される光の波長は、例えば７００〜１６００ｎｍであってもよい。
【００３３】
分岐部１２は、例えばビームスプリッタであり、光源１１から出力されたパルス光を２分岐して、その２分岐したパルス光のうち一方をポンプ光としてミラーＭ１へ出力し、他方をプローブ光としてミラーＭ４へ出力する。分岐部１２は、例えばビームスプリッタであってもよい。
【００３４】
チョッパ１３は、分岐部１２とミラーＭ１との間のポンプ光の光路上に設けられ、一定の周期でポンプ光の通過および遮断を交互に繰り返す。分岐部１２から出力されチョッパ１３を通過したポンプ光は、ミラーＭ１〜Ｍ３により順次に反射されて、テラヘルツ波発生素子２０に入力される。分岐部１２からテラヘルツ波発生素子２０に到るまでのポンプ光の光学系を、以下では「ポンプ光学系」という。
【００３５】
ポンプ光学系における光源１１、分岐部１２、チョッパ１３、ミラーＭ１、ミラーＭ２、ミラーＭ３、及びテラヘルツ波発生素子２０により、テラヘルツ波発生装置１が構成されている。テラヘルツ波発生装置は、光源及びテラヘルツ波発生素子を有し、光源から出力されたパルス光がテラヘルツ波発生素子に入力されるように構成されていればよく、テラヘルツ波発生装置のその他の構成は任意である。
【００３６】
テラヘルツ波発生素子２０は、ポンプ光を入力することでパルステラヘルツ波を発生し出力する。パルステラヘルツ波は、一定の繰返し周期で発生し、パルス幅が数ピコ秒程度である。テラヘルツ波発生素子２０から出力されたテラヘルツ波は、測定対象物Ｓを透過することで測定対象物Ｓの情報（例えば、吸収係数、屈折率）を取得し、その後、合波部１６に入力される。テラヘルツ波発生素子２０から合波部１６に到るまでのテラヘルツ波の光学系を、以下では「テラヘルツ波光学系」という。本明細書において、テラヘルツ波として、主として０.０１ＴＨｚ〜１００ＴＨｚ程度の範囲内の周波数を有する電磁波が想定される。
【００３７】
一方、分岐部１２から出力されたプローブ光は、ミラーＭ４〜Ｍ８により順次に反射され、偏光子１５を通過して、合波部１６に入力される。分岐部１２から合波部１６に到るまでのプローブ光の光学系を、以下では「プローブ光学系」という。４個のミラーＭ４〜Ｍ７は光路長差調整部１４を構成している。
【００３８】
合波部１６は、テラヘルツ波発生素子２０から出力され測定対象物Ｓを透過したテラヘルツ波と、分岐部１２から出力されて到達したプローブ光とを入力し、これらテラヘルツ波及びプローブ光を互いに同軸となるように合波してテラヘルツ波検出素子４０へ出力する。合波部１６は、開口を形成する支持枠と、該支持枠に接着されたフィルム状のミラーとを有するペリクルであってもよい。
【００３９】
テラヘルツ波検出素子４０により、テラヘルツ波とプローブ光との間の相関が検出される。テラヘルツ波検出素子４０は、上述の実施形態に係る非線形光学結晶を含んでいてもよいし、他の電気光学結晶を含んでいてもよい。
【００４０】
偏光分離素子５２は、テラヘルツ波検出素子４０から出力され１／４波長板５１を経たプローブ光を入力し、入力したプローブ光を互いに直交する２つの偏光成分に分離して出力する。偏光分離素子５２は、例えばウォラストンプリズムであってもよい。光検出器５３ａ，５３ｂは、例えばフォトダイオードを含み、偏光分離素子５２により偏光分離されたプローブ光の２つの偏光成分のパワーを検出して、その検出したパワーに応じた値の電気信号を差動増幅器５４へ出力する。
【００４１】
差動増幅器５４は、光検出器５３ａ，５３ｂそれぞれから出力された電気信号を入力し、両電気信号の値の差に応じた値を有する電気信号をロックイン増幅器５５へ出力する。ロックイン増幅器５５は、チョッパ１３におけるポンプ光の通過および遮断の繰返し周波数で、差動増幅器５４から出力される電気信号を同期検出する。このロックイン増幅器５５から出力される信号は、テラヘルツ波の電場強度に依存する値を有する。このようにして、測定対象物Ｓを透過したテラヘルツ波とプローブ光との間の相関を検出し、テラヘルツ波の電場振幅を検出して、測定対象物Ｓの情報を得ることができる。
【００４２】
図２に示されるテラヘルツ波測定装置２のように、テラヘルツ波発生素子２０と合波部１６との間のテラヘルツ波光学系上に、入射面３０ａ、出射面３０ｂ及び反射面３０ｃを有するプリズム３０が設けられ、測定対象物Ｓが反射面３０ｃ上に設けられていてもよい。テラヘルツ波発生素子２０から出力されたテラヘルツ波は入射面３０ａに入力し、入力したテラヘルツ波がプリズム３０の内部で伝播するとともに反射面３０ｃで全反射し、全反射した後のテラヘルツ波が出射面３０ｂから合波部１６へ向けて出力する。テラヘルツ波が反射面３０ｃで全反射する際に、測定対象物Ｓのうち反射面３０ｃの近傍にある部分の情報が取得される。すなわち、図２のテラヘルツ波測定装置２は、全反射テラヘルツ波測定装置である。
【００４３】
図３に示されるテラヘルツ波測定装置２も、図２と同じく全反射テラヘルツ波測定装置であり、プリズム３０に替えて内部全反射プリズム３１が設けられている。内部全反射プリズム３１に対してテラヘルツ波発生素子２０、フィルタ２５及びテラヘルツ波検出素子４０が一体に設けられている。また、合波部１６に替えてビームスプリッタ１７が設けられている。ビームスプリッタ１７はペリクルであってもよい。
【００４４】
図４も、テラヘルツ波測定装置の一実施形態を示す図である。図４に示すテラヘルツ波測定装置２は、光源１１、光アイソレータ６０、１／２波長板６１、分岐部１２、ミラーＭ２０、２波長パラメトリック発振器７０、テラヘルツ波発生素子２０、及び凹面ミラーＭＰ１から構成されるテラヘルツ波発生装置１と、テラヘルツ波検出装置３とを備える。テラヘルツ波発生素子２０として、上述の実施形態に係る結晶を用いることができる。
【００４５】
２波長パラメトリック発振器７０は、光路上で対向するミラーＭ２１及びＭ２２と、これらの間の光路上に順に設けられた２つのバルクＫＴＰ結晶７１，７２とを有する。
【００４６】
テラヘルツ波検出装置３は、ミラーＭ３０、光パラメトリック発振器８０、レンズＬ１、凹面ミラーＭＰ２、テラヘルツ波検出素子４０、ミラーＭ３３、レンズＬ２及び光検出器６２を有する。光パラメトリック発振器８０は、光路上で対向するミラーＭ３１及びＭ３２と、これらの間の光路上に設けられたバルクＫＴＰ結晶８１とを有する。テラヘルツ波検出素子４０は、上述の実施形態に係る結晶を含んでいてもよいし、他の電気光学結晶を含んでいてもよい。
【００４７】
光源１１から出力されたパルス光１００は、光アイソレータ６０及び１／２波長板６１を透過してから、分岐部１２において２分岐し、一方がポンプ光１０１としてミラーＭ２０へ出力され、他方がプローブ光１０２としてミラーＭ２３へ出力される。ポンプ光１０１はミラーＭ２０を透過して２波長パラメトリック発振器７０に入力し、２波長のポンプ光１０１ａ，１０１ｂが２波長パラメトリック発振器７０から出力される。ポンプ光１０１ａ，１０１ｂは、ミラーＭ２０で反射してから、テラヘルツ波発生素子２０に入力される。テラヘルツ波発生素子２０はテラヘルツ波を出力し、このテラヘルツ波は、凹面ミラーＭＰ１で、テラヘルツ波検出装置３の凹面ミラーＭＰ２へ向かう方向に反射される。
【００４８】
分岐部１２から出力されたプローブ光１０２は、ミラーＭ２３で反射してから、ミラーＭ３０を透過し、テラヘルツ波検出装置３の光パラメトリック発振器８０に入力する。パラメトリック発振器から出力したプローブ光１０２は、ミラーＭ３０で反射してから、レンズＬ１及び凹面ミラーＭＰ２を透過し、テラヘルツ波とともにテラヘルツ波検出素子４０に入力される。
【００４９】
テラヘルツ波検出素子４０から出力した光は、ミラーＭ３３で反射し、レンズＬ２を透過してから、光検出器６２に入力される。光検出器６２は、例えばＩｎＧａＡｓ光検出器であってもよい。
【００５０】
図５も、テラヘルツ波測定装置の一実施形態を示す図である。図５に示すテラヘルツ波測定装置２は、光源１１、レンズＬ３、ミラーＭ４０及びテラヘルツ波発生素子２０から構成されるテラヘルツ波発生装置１と、中空伝送管１１０と、凹面ミラーＭＰ３と、ローパスフィルタ６３と、凹面ミラーＭＰ４と、テラヘルツ波検出装置３とを備える。テラヘルツ波発生素子２０として、上述の実施形態に係る結晶を用いることができる。
【００５１】
光源１１は、２波長のプローブ光（パルス光）１０２ａ，１０２ｂを出力する。プローブ光１０２ａ，１０２ｂは、ミラーＭ４０で反射し、テラヘルツ波発生素子２０に入力される。テラヘルツ波発生素子２０から出力されたテラヘルツ波は、中空伝送管１１０によって伝送され、凹面ミラーＭＰ３へ出力される。凹面ミラーＭＰ３で反射したテラヘルツ波は、ローパスフィルタ６３を透過してから、測定対象物Ｓに入力される。測定対象物Ｓを透過し、凹面ミラーＭＰ４で反射した光は、テラヘルツ波検出装置３に入力される。
【実施例】
【００５２】
以下、実施例を挙げて本発明についてさらに具体的に説明する。ただし、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００５３】
１．原料
常法に従って、以下の粉末状のＤＡＳＣ、ＤＳＴＭＳ及びＤＡＳＴを合成した。
・ＤＡＳＣ：
式（１）で表され、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３がメチル基であるピリジニウムと、式（２ａ）で表され、Ｘが塩素原子である４−クロロフェニルスルホナートとの塩
・ＤＳＴＭＳ：
式（１）で表され、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３がメチル基であるピリジニウムと、式（２ｂ）で表され、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６がメチル基である２，４，６−トリメチルフェニルスルホナートとの塩
・ＤＡＳＴ：
式（１）で表され、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３がメチル基であるピリジニウムと、４−メチルフェニルスルホナートとの塩
【００５４】
２．結晶の作成
ＤＡＳＣ／ＤＳＴＭＳ結晶（混晶）
１．７ｇのＤＡＳＣと、１．７ｇのＤＳＴＭＳとを１５０ｍＬのメタノール中に投入した。４５℃の恒温槽中での２４時間の加熱により、ＤＡＳＣ及びＤＳＴＭＳをメタノールに溶解させた。次いで、溶け残りの固形分をろ過により取り除き、４５℃の飽和溶液を得た。４５℃の飽和溶液を、０．５℃／日の速さで徐々に冷却し、ＤＡＳＣ及びＤＳＴＭを含む混晶を析出させた。
【００５５】
ＤＡＳＴ結晶，ＤＳＴＭＳ結晶
上記混晶と同様の手順により、ＤＡＳＴ結晶及びＤＳＴＭＳ結晶を作成した。
【００５６】
３．評価
ＤＡＳＣ／ＤＳＴＭＳ結晶、ＤＡＳＴ結晶、及びＤＳＴＭＳ結晶のそれぞれに対して、波長１５５０ｎｍ、繰り返し８０ＭＨｚ）のパルスレーザ光を照射した。パルスレーザー光の照射により結晶から発生したテラヘルツ波を、ＴＨｚ波検出素子であるＰＣアンテナを用いて測定した。
【００５７】
図６は、各結晶の出射光の強度（振幅）と、その周波数との関係を示すグラフである。図６において、（ａ）はＤＡＳＴ結晶、（ｂ）はＤＳＴＭＳ結晶、（ｃ）はＤＡＳＣ／ＤＳＴＭＳ結晶の評価結果である。ＤＡＳＴ結晶、ＤＳＴＭＳ結晶の場合に１ＴＨｚ付近に局所的な出力強度の低下が認められるのに対して、ＤＡＳＣとＤＳＴＭＳとの混晶であるＤＡＳＣ／ＤＳＴＭＳ結晶の場合、１ＴＨｚ付近での出力強度の低下が実質的に認められなかった。
【符号の説明】
【００５８】
１…テラヘルツ波発生装置、２…テラヘルツ波測定装置、３…テラヘルツ波検出装置、１１…光源、１２…分岐部、１３…チョッパ、１４…光路長差調整部、１５…偏光子、１６…合波部、１７…ビームスプリッタ、２０…テラヘルツ波発生素子、２５…フィルタ、３０…プリズム、３０ａ…入射面、３０ｂ…    出射面、３０ｃ…反射面、３１…内部全反射プリズム、４０…テラヘルツ波検出素子、５１…１／４波長板、５２…偏光分離素子、５３ａ，５３ｂ…光検出器、５４…差動増幅器、５５…ロックイン増幅器、６０…光アイソレータ、６１…１／２波長板、６２…光検出器、６３…ローパスフィルタ、７０…２波長パラメトリック発振器、７１，７２…バルクＫＴＰ結晶、８０…光パラメトリック発振器、８１…バルクＫＴＰ結晶、１００…パルス光、１０１，１０１ａ，１０１ｂ…ポンプ光、１０２，１０２ａ，１０２ｂ…プローブ光、１１０…中空伝送管、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３…レンズ、ＭＰ１，ＭＰ２，ＭＰ３，ＭＰ４…凹面ミラー、Ｓ…測定対象物。
【図１】
0006333676.tif 000008
【図２】
0006333676.tif 000009
【図３】
0006333676.tif 000010
【図４】
0006333676.tif 000011
【図５】
0006333676.tif 000012
【図６】
0006333676.tif 000013