(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンデンサと、
複数の半導体モジュールと、
前記複数の半導体モジュールを一括して放熱させる放熱手段と、
前記コンデンサと前記複数の半導体モジュールを接続するバスバーと、
冷却風を流す送風手段と、を備え、
前記コンデンサからみて前記複数の半導体モジュールが前記バスバーの長手方向に一列に並んで、前記コンデンサとともに共通の前記バスバーに実装され、
前記送風手段は、
前記コンデンサの側から前記複数の半導体モジュールが実装される方向へ前記冷却風を流し、
前記コンデンサ、及び、一列に並んだ前記複数の半導体モジュールに前記冷却風が順次に流される
ことを特徴とする電力変換器。
【請求項２】
コンデンサと、
複数の半導体モジュールと、
前記複数の半導体モジュールを一括して放熱させる放熱手段と、
前記コンデンサと前記複数の半導体モジュールを接続するバスバーと、
冷却風を流す送風手段と、を備え、
前記放熱手段は、
前記複数の半導体モジュールに接する受熱ブロックと、
前記受熱ブロックに接続されるヒートパイプと、
前記ヒートパイプに接続されるフィンと、を有し、
前記コンデンサからみて前記複数の半導体モジュールが前記バスバーの長手方向に一列に並んで実装され、
前記送風手段は、
前記コンデンサの側から前記複数の半導体モジュールが実装される方向へ前記冷却風を流す
ことを特徴とする電力変換器。
【請求項３】
前記コンデンサに近い位置に実装される半導体モジュールを冷却するためのヒートパイプに接続される位置のフィン幅が、前記コンデンサに遠い位置に実装される半導体モジュールを冷却するためのヒートパイプに接続される位置のフィン幅よりも広い
ことを特徴とする請求項２に記載の電力変換器。
【請求項４】
前記コンデンサに近い位置に実装される半導体モジュールを冷却するためのヒートパイプのパイプ径が、前記コンデンサに遠い位置に実装される半導体モジュールを冷却するためのヒートパイプのパイプ径よりも大きい
ことを特徴とする請求項２に記載の電力変換器。
【請求項５】
前記コンデンサに近い位置に実装される半導体モジュールを冷却するためのヒートパイプが、前記コンデンサに遠い位置に実装される半導体モジュールを冷却するためのヒートパイプよりも熱抵抗が小さく、最大熱輸送量が大きい
ことを特徴とする請求項２に記載の電力変換器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電力変換器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電力を変換する機器である電力変換器は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（Insulated Gate Bipolar Transistor；ＩＧＢＴ）などの半導体素子のスイッチングを制御することで、電力の直流・交流変換や周波数変換を行う機器である。この半導体素子では、オン・オフ動作および電流を導通する際に損失が発生する。これら損失による発熱で半導体素子の温度がその動作限界温度を超えた場合、半導体素子はスイッチング動作により電流を遮断することができなくなり、最悪の場合、電力変換器は破損する。したがって、電力変換器では半導体素子を適切に冷却して使用する必要がある。
【０００３】
半導体素子は、複数の素子を内蔵したモジュールの形で提供される。電力変換器では、大容量化の目的で、半導体モジュールを複数並列に接続して使用する場合が一般的である。複数の半導体モジュールを実装した電力変換器では、運転時に各半導体モジュールの上昇温度を均一にした状態での使用が望ましい。もし、各半導体モジュールに温度バラツキが生じた場合、上昇温度の大きい半導体モジュールの寿命は温度上昇の小さい半導体モジュールに比べて短くなり、電力変換器の信頼性低下の一因となる。
【０００４】
電力変換器が備える半導体モジュールの冷却に関して、例えば、特許文献１（特開２０１１−１２０３５８号公報）には、「スイッチング素子を内蔵してなる複数の半導体モジュールと、これらを冷却する冷却器と、上記複数の半導体モジュールに接続されたコンデンサとを有する電力変換装置であって、上記複数の半導体モジュールのうち、上記冷却器への放熱が最もされ難い半導体モジュールは、上記スイッチング素子におけるゲート抵抗又はベース抵抗が最も小さいか、或いはゲート電圧又はベース電圧が最も大きく、かつ上記コンデンサとの間の電流経路におけるインダクタンスが最も小さいことを特徴とする電力変換装置」が開示されている（請求項１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−１２０３５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に開示された電力変換装置（電力変換器）によれば、冷却器への放熱が最もされ難い半導体モジュールのゲート抵抗を最も小さくし、かつ同半導体モジュールとコンデンサとの間の電流経路におけるインダクタンスを最も小さくすることにより、各半導体モジュール間の温度バラツキを抑制しようとしている。
【０００７】
しかしながら、特許文献１に開示された電力変換装置（電力変換器）のように複数の半導体モジュールのゲート抵抗をそれぞれ異なる値のものにした場合、部品点数が増加し、製造性やメンテナンス性の悪化を招く。また、最も冷却され難い半導体モジュールに対し、そのコンデンサ間のループインダクタンスを最小にした場合、スイッチング時における跳ね上り電圧による損失は抑制されるが、電流導通時の損失は増加する。このため、スイッチング周波数によっては、損失の悪化を招く場合がある。
【０００８】
そこで、本発明は、複数の半導体モジュールにおける温度バラツキを抑制することができる電力変換器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような課題を解決するために、本発明に係る電力変換器は、コンデンサと、複数の半導体モジュールと、前記複数の半導体モジュールを一括して放熱させる放熱手段と、前記コンデンサと前記複数の半導体モジュールを接続するバスバーと、冷却風を流す送風手段と、を備え、前記コンデンサからみて前記複数の半導体モジュールが前記バスバーの長手方向に一列に並んで、前記コンデンサとともに共通の前記バスバーに実装され、前記送風手段は、前記コンデンサの側から前記複数の半導体モジュールが実装される方向へ前記冷却風を流し、前記コンデンサ、及び、一列に並んだ前記複数の半導体モジュールに前記冷却風が順次に流されることを特徴とする。
また、本発明に係る電力変換器は、コンデンサと、複数の半導体モジュールと、前記複数の半導体モジュールを一括して放熱させる放熱手段と、前記コンデンサと前記複数の半導体モジュールを接続するバスバーと、冷却風を流す送風手段と、を備え、前記放熱手段は、前記複数の半導体モジュールに接する受熱ブロックと、前記受熱ブロックに接続されるヒートパイプと、前記ヒートパイプに接続されるフィンと、を有し、前記コンデンサからみて前記複数の半導体モジュールが前記バスバーの長手方向に一列に並んで実装され、前記送風手段は、前記コンデンサの側から前記複数の半導体モジュールが実装される方向へ前記冷却風を流すことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、複数の半導体モジュールにおける温度バラツキを抑制することができる電力変換器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１実施形態に係る電力変換器の一例を示す回路図である。
【図２】第１実施形態に係る電力変換ユニットの斜視図である。
【図３】電力変換ユニットのバスバーの構成を示す分解斜視図である。
【図４】第２実施形態に係る電力変換ユニットの斜視図である。
【図５】第３実施形態に係る電力変換ユニットの斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明を実施するための形態（以下「実施形態」という）について、適宜図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、共通する部分には同一の符号を付し重複した説明を省略する。
【００１３】
≪第１実施形態≫
＜電力変換器＞
第１実施形態に係る電力変換器Ｓについて、図１を用いて説明する。図１は、第１実施形態に係る電力変換器Ｓの一例を示す回路図である。ここでは、電力変換器Ｓの一例として、直流電流を三相電流に変換するインバータを例に説明する。
【００１４】
第１実施形態に係る電力変換器（インバータ）Ｓは、Ｕ相電力変換ユニット１００Ｕと、Ｖ相電力変換ユニット１００Ｖと、Ｗ相電力変換ユニット１００Ｗと、各電力変換ユニット１００Ｕ，１００Ｖ，１００Ｗの半導体素子（ＩＧＢＴ）のスイッチングを制御する制御手段（図示せず）と、各電力変換ユニット１００Ｕ，１００Ｖ，１００Ｗを冷却するための送風手段（図示せず）と、を備えている。なお、Ｕ相電力変換ユニット１００Ｕ、Ｖ相電力変換ユニット１００ＶおよびＷ相電力変換ユニット１００Ｗは、同様の構成を有している。このため、以下の説明において、各電力変換ユニットを区別しない場合、電力変換ユニット１００と称するものとする。
【００１５】
電力変換ユニット１００は、半導体モジュール１０１，１０２と、コンデンサ１２１，１２２と、を備えており、これらが並列に接続され、一端が直流のＰ配線と接続され、他端が直流のＮ配線と接続されている。即ち、半導体モジュール１０１，１０２を並列化することにより、大容量化している。
【００１６】
半導体モジュール１０１，１０２は、例えば、ファストリカバリダイオード（Fast Recovery Diode；ＦＲＤ）を内蔵した複合ＩＧＢＴ（半導体素子）が２つ直列に接続されて構成されている。即ち、図１に示すように、半導体モジュール１０１は、上側のＩＧＢＴのコレクタ端子が直流のＰ配線と接続され（Ｐ１）、下側のＩＧＢＴのエミッタ端子が直流のＮ配線と接続され（Ｎ１）、上側のＩＧＢＴのエミッタ端子および下側のＩＧＢＴのコレクタ端子がＡＣ配線と接続されている（ＡＣ１）。同様に、半導体モジュール１０２は、上側のＩＧＢＴのコレクタ端子が直流のＰ配線と接続され（Ｐ２）、下側のＩＧＢＴのエミッタ端子が直流のＮ配線と接続され（Ｎ２）、上側のＩＧＢＴのエミッタ端子および下側のＩＧＢＴのコレクタ端子がＡＣ配線と接続されている（ＡＣ２）。そして、半導体モジュール１０１のＡＣ配線（ＡＣ１）および半導体モジュール１０２のＡＣ配線（ＡＣ２）は、電力変換ユニット１００のＡＣ配線（ＡＣ）と接続されている。
【００１７】
制御手段（図示せず）は、各電力変換ユニット１００（１００Ｕ，１００Ｖ，１００Ｗ）が備える半導体モジュール１０１，１０２の半導体素子（ＩＧＢＴ）のスイッチングを制御する。即ち、制御手段（図示せず）はＩＧＢＴのゲート電圧を制御する。これにより、第１実施形態に係る電力変換器Ｓは、直流電流を三相電流に変換するインバータとして機能するようになっている。
【００１８】
＜電力変換ユニット１００＞
第１実施形態に係る電力変換器Ｓの電力変換ユニット１００の構成について、図２および図３を用いてさらに説明する。図２は、第１実施形態に係る電力変換ユニット１００の斜視図である。図３は、電力変換ユニット１００のバスバー１４０の構成を示す分解斜視図である。
【００１９】
図２に示すように、電力変換ユニット１００は、半導体モジュール１０１，１０２と、受熱ブロック１０３，１０４と、ヒートパイプ１０５〜１０８と、フィン１０９と、コンデンサ１２１，１２２と、バスバー１４０と、を備えている。なお、符号１５０で示す矢印は、送風手段（図示せず）により供給される冷却風の流れの向きを示す。
【００２０】
電力変換ユニット１００には、二つの半導体モジュール１０１，１０２が実装されている。これらの半導体モジュール１０１，１０２は、左右両面に放熱面がある両面冷却タイプであり、それぞれの面に熱を伝達するための受熱ブロック１０３，１０４が接している。
【００２１】
受熱ブロック１０３は、半導体モジュール１０１の一方の放熱面および半導体モジュール１０２の一方の放熱面と接しており、４本のヒートパイプ１０５〜１０８が埋め込まれている。そして、ヒートパイプ１０５〜１０８には、熱を空気中へ放出するためのフィン１０９が取り付けられている。同様に、受熱ブロック１０４は、半導体モジュール１０１の他方の放熱面および半導体モジュール１０２の他方の放熱面と接しており、４本のヒートパイプが埋め込まれている。そして、ヒートパイプには、熱を空気中へ放出するためのフィンが取り付けられている。
【００２２】
半導体モジュール１０１は、半導体モジュール１０１の端子１１１によりバスバー１４０へ接続されている。同様に、半導体モジュール１０２は、半導体モジュール１０２の端子１１２によりバスバー１４０へ接続されている。また、コンデンサ１２１は、コンデンサ１２１の端子１３１によりバスバー１４０へ接続されている。同様に、コンデンサ１２２は、コンデンサ１２２の端子１３２によりバスバー１４０へ接続されている。
【００２３】
図３に示すように、バスバー１４０は、Ｐ配線バスバー１４０Ｐと、Ｎ配線バスバー１４０Ｎと、ＡＣ配線バスバー１４０ＡＣと、を有している。なお、各バスバー間は、図示しない絶縁材等により絶縁されている。
【００２４】
Ｐ配線バスバー１４０Ｐは、コンデンサ１２１の一方の端子が接続される接続部１４１Ｐと、コンデンサ１２２の一方の端子が接続される接続部１４２Ｐと、半導体モジュール１０１の第１端子（図１において上側のＩＧＢＴのコレクタ端子）が接続される接続部Ｐ１と、半導体モジュール１０２の第１端子（図１において上側のＩＧＢＴのコレクタ端子）が接続される接続部Ｐ２と、を有している。
【００２５】
Ｎ配線バスバー１４０Ｎは、コンデンサ１２１の他方の端子が接続される接続部１４１Ｎと、コンデンサ１２２の他方の端子が接続される接続部１４２Ｎと、半導体モジュール１０１の第２端子（図１において下側のＩＧＢＴのエミッタ端子）が接続される接続部Ｎ１と、半導体モジュール１０２の第２端子（図１において下側のＩＧＢＴのエミッタ端子）が接続される接続部Ｎ２と、を有している。
【００２６】
ＡＣ配線バスバー１４０ＡＣは、半導体モジュール１０１の第３端子（図１において上側のＩＧＢＴのエミッタ端子および下側のＩＧＢＴのコレクタ端子）が接続される接続部ＡＣ１と、半導体モジュール１０２の第３端子（図１において上側のＩＧＢＴのエミッタ端子および下側のＩＧＢＴのコレクタ端子）が接続される接続部ＡＣ２と、を有している。
【００２７】
図２および図３に示すように、半導体モジュール１０１，１０２およびコンデンサ１２１，１２２は、一列に並んで配置されている。このため、図３に示すように、半導体モジュール１０１の接続部Ｐ１からコンデンサ１２１，１２２の接続部１４１Ｐ，１４２Ｐまでの距離は、半導体モジュール１０２の接続部Ｐ２からコンデンサ１２１，１２２の接続部１４１Ｐ，１４２Ｐまでの距離よりも、短くなっている。同様に、半導体モジュール１０１の接続部Ｎ１からコンデンサ１２１，１２２の接続部１４１Ｎ，１４２Ｎまでの距離は、半導体モジュール１０２の接続部Ｎ２からコンデンサ１２１，１２２の接続部１４１Ｎ，１４２Ｎまでの距離よりも、短くなっている。即ち、コンデンサ１２１，１２２に近い側の半導体モジュール１０１と、コンデンサ１２１，１２２に遠い側の半導体モジュール１０２と、が生じることとなる。
【００２８】
このように、電力変換器Ｓ（電力変換ユニット１００）の動作時において、半導体モジュール１０１の方が半導体モジュール１０２に比べてコンデンサ１２１，１２２に近いため、バスバー１４０の配線におけるインダクタンスや抵抗が小さく、半導体モジュール１０１により大きな電流が流れる。この結果、半導体モジュール１０１の発生損失（即ち、発熱）は、半導体モジュール１０２の発生損失（即ち、発熱）に比べ大きくなる。即ち、各半導体モジュール１０１，１０２に発熱のバラツキが生じることとなる。
【００２９】
このような半導体モジュール１０１，１０２の発熱バラツキに対し、半導体モジュール１０１，１０２の温度バラツキを低減するために、電力変換器Ｓ（電力変換ユニット１００）においては、２つの半導体モジュール１０１，１０２に対して共通の受熱ブロック１０３，１０４を用いている。
【００３０】
このような構成により、半導体モジュール１０１で発生した熱が受熱ブロック１０３，１０４を介して半導体モジュール１０２の側に伝熱する。このため、半導体モジュール１０１で発生した熱が半導体モジュール１０１の側のヒートパイプ１０５，１０６を介してフィン１０９に伝熱するだけでなく、半導体モジュール１０２の側のヒートパイプ１０７，１０８を介してもフィン１０９に伝熱させることができる。
【００３１】
また、電力変換器Ｓ（電力変換ユニット１００）においては、図２に示すように、送風手段（図示せず）により供給される冷却風の流れの向き１５０は、図２において、下から上に流れるようになっている。つまり、コンデンサ１２１，１２２の側から半導体モジュール１０１，１０２の側に流れるようになっている。換言すれば、コンデンサ１２１，１２２に近い側の半導体モジュール１０１の側からコンデンサ１２１，１２２に遠い側の半導体モジュール１０２の側に流れるようになっている。
【００３２】
このような構成により、半導体モジュール１０１を冷却するためのヒートパイプ１０５，１０６は、半導体モジュール１０２を冷却するヒートパイプ１０７，１０８よりも風上にあるため、冷却効率が高くなる。
【００３３】
以上のように、第１実施形態に係る電力変換器Ｓ（電力変換ユニット１００）においては、半導体モジュール１０１，１０２およびコンデンサ１２１，１２２を一列に並べて配置することにより、半導体モジュール１０１，１０２間に発生損失（発熱）のバラツキが生じることとなるが、半導体モジュール１０２の側よりも半導体モジュール１０１の側の方の冷却効率を高くすることができるので、半導体モジュール１０１，１０２間の温度バラツキを抑制することができる。これにより、電力変換器Ｓ（電力変換ユニット１００）の信頼性を確保することができる。
【００３４】
また、第１実施形態に係る電力変換器Ｓ（電力変換ユニット１００）においては、半導体モジュール１０１および半導体モジュール１０２として同一のモジュールを用いることができる。これにより、特許文献１に開示された電力変換装置（電力変換器）のようにゲート抵抗が異なる半導体モジュールを複数用意する必要がないため、第１実施形態に係る電力変換器Ｓ（電力変換ユニット１００）は、部品点数の増加を防止し、製造性やメンテナンス性を向上させることができる。
【００３５】
また、冷却風の流れの向き１５０は、コンデンサ１２１，１２２の側から半導体モジュール１０１，１０２の側に流れるようになっているので、半導体モジュール１０１，１０２の排熱で高温となった冷却風がコンデンサ１２１，１２２を加熱することを防止することができる。
【００３６】
なお、第１実施形態に係る電力変換器Ｓの電力変換ユニット１００は、図２に示すように、半導体モジュール１０１，１０２およびコンデンサ１２１，１２２を一列に並べて配置することにより、薄型に形成することができるので、電力変換器Ｓを小型化することができる。
【００３７】
≪第２実施形態≫
次に、第２実施形態に係る電力変換器Ｓについて説明する。ここで、第２実施形態に係る電力変換器Ｓは、第１実施形態に係る電力変換器Ｓと比較して、電力変換ユニット１００の構成が異なっている。即ち、電力変換ユニット１００（図１，図２参照）に替えて、電力変換ユニット１００Ａ（後述する図４参照）を備えている点で異なっている。その他の構成は同様であり、詳細な説明を省略する。
【００３８】
＜電力変換ユニット１００Ａ＞
第２実施形態に係る電力変換器（インバータ）Ｓの電力変換ユニット１００Ａの構成について、図４を用いて説明する。図４は、第２実施形態に係る電力変換ユニット１００Ａの斜視図である。
【００３９】
図４に示すように、電力変換ユニット１００Ａは、半導体モジュール１０１，１０２と、受熱ブロック１０３，１０４と、ヒートパイプ１０５〜１０８と、フィン２０９と、コンデンサ１２１，１２２と、バスバー１４０と、を備えている。即ち、第２実施形態の電力変換ユニット１００Ａは、第１実施形態の電力変換ユニット１００（図２参照）と比較して、フィン２０９の形状が異なっている。
【００４０】
フィン２０９は、発生損失（発熱）が大きい半導体モジュール１０１を冷却するためのヒートパイプ１０５，１０６に接続される側のフィン幅が、発生損失（発熱）が小さい半導体モジュール１０２を冷却するためのヒートパイプ１０７，１０８に接続される側のフィン幅に対して、広くなるように形成されている。
【００４１】
このような構成により、半導体モジュール１０２の側よりも半導体モジュール１０１の側の方の冷却効率をより高くすることができるので、半導体モジュール１０１，１０２間の温度バラツキを抑制することができ、電力変換器Ｓ（電力変換ユニット１００）の信頼性を確保することができる。
【００４２】
≪第３実施形態≫
次に、第３実施形態に係る電力変換器Ｓについて説明する。ここで、第３実施形態に係る電力変換器Ｓは、第１実施形態に係る電力変換器Ｓと比較して、電力変換ユニット１００の構成が異なっている。即ち、電力変換ユニット１００（図１，図２参照）に替えて、電力変換ユニット１００Ｂ（後述する図５参照）を備えている点で異なっている。その他の構成は同様であり、詳細な説明を省略する。
【００４３】
＜電力変換ユニット１００Ｂ＞
第３実施形態に係る電力変換器（インバータ）Ｓの電力変換ユニット１００Ｂの構成について、図５を用いて説明する。図５は、第３実施形態に係る電力変換ユニット１００Ｂの斜視図である。
【００４４】
図５に示すように、電力変換ユニット１００Ｂは、半導体モジュール１０１，１０２と、受熱ブロック１０３，１０４と、大径ヒートパイプ３０５，３０６と、ヒートパイプ１０７，１０８と、フィン１０９と、コンデンサ１２１，１２２と、バスバー１４０と、を備えている。即ち、第３実施形態の電力変換ユニット１００Ｂは、第１実施形態の電力変換ユニット１００（図２参照）と比較して、ヒートパイプ３０５，３０６の構成が異なっている。
【００４５】
即ち、発生損失（発熱）が大きい半導体モジュール１０１を冷却するためのヒートパイプ３０５，３０６の直径が、発生損失（発熱）が小さい半導体モジュール１０２を冷却するためのヒートパイプ１０７，１０８の直径よりも大きくなるように形成されている。
【００４６】
このような構成により、半導体モジュール１０２の側よりも半導体モジュール１０１の側の方の冷却効率をより高くすることができるので、半導体モジュール１０１，１０２間の温度バラツキを抑制することができ、電力変換器Ｓ（電力変換ユニット１００）の信頼性を確保することができる。
【００４７】
≪変形例≫
なお、本実施形態（第１〜第３実施形態）に係る電力変換器Ｓは、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の変更が可能である。
【００４８】
本実施形態に係る電力変換器Ｓは、インバータであるものとして説明したが、これに限られるものではなく、半導体素子のスイッチングを制御することで、電力の直流・交流変換や周波数変換を行う機器に広く適用することができる。
【００４９】
本実施形態に係る電力変換器Ｓの電力変換ユニット１００（１００Ａ，１００Ｂ）は、コンデンサを２つ備えるものとして説明したが、これに限られるものではなく、１つでもよく、３つ以上あってもよい。また、電力変換器Ｓの電力変換ユニット１００（１００Ａ，１００Ｂ）は、半導体モジュールを２つ備えるものとして説明したが、これに限られるものではなく、３つ以上あってもよい。
【００５０】
また、半導体モジュール１０１，１０２は、左右両面に放熱面がある両面冷却タイプであるものとして説明したが、これに限られるものではなく、片面冷却タイプであってもよい。また、半導体モジュール１０１，１０２の回路構成は、図１に示したようにＦＲＤを内蔵した複合ＩＧＢＴが２つ直列に接続されて構成されているものとして説明したが、これに限られるものではなく、スイッチング制御する半導体素子を有する半導体モジュールに広く適用することができる。
【００５１】
第３実施形態に係る電力変換器Ｓの電力変換ユニット１００Ｂにおいて、ヒートパイプ３０５，３０６の直径をヒートパイプ１０７，１０８の直径よりも大きくするものとして説明したが、これに限られるものではない。例えば、ヒートパイプの管体の材質や作動液を変更することにより、ヒートパイプ１０７，１０８よりもヒートパイプ３０５，３０６の方が、熱抵抗が小さく、最大熱輸送量が大きくなるようにしてもよい。このような構成であっても、第３実施形態に係る電力変換器Ｓと同様の作用・効果が得られる。
【符号の説明】
【００５２】
Ｓ                              電力変換器（インバータ）
１００，１００Ａ，１００Ｂ      電力変換ユニット
１０１，１０２                  半導体モジュール
１０３，１０４                  受熱ブロック（放熱手段）
１０５〜１０８，３０５，３０６  ヒートパイプ（放熱手段）
１０９，２０９                  フィン（放熱手段）
１２１，１２２                  コンデンサ
１４０                          バスバー
１５０                          冷却風の流れの向き
【図１】
0006300363.tif 000002
【図２】
0006300363.tif 000003
【図３】
0006300363.tif 000004
【図４】
0006300363.tif 000005
【図５】
0006300363.tif 000006