(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤパッケージを形成する方法であって、当該方法は：
ＬＥＤのアレイを第１半導体基板の一部として形成するステップであって、第１半導体基板は、第１面と反対側の第２面とを有しており、前記ＬＥＤは、第１半導体基板の第２面に設けられる、形成するステップと；
スイッチング・トランジスタのアレイを第２半導体基板の一部として形成するステップであって、第２半導体基板は、第１面と反対側の第２面とを有しており、第２半導体基板は、第２半導体基板の第２面に２つの電力線の端子を含むパッケージ端子と、第２半導体基板の第１面と第２面との間に延びる貫通ビアとを含み、各電力線の端子は、前記貫通ビアの１つに接続される、形成するステップと；
第１半導体基板の各ＬＥＤが、第２半導体基板の対応するスイッチング・トランジスタの上に位置決めされた状態で、第１半導体基板の第１面と第２半導体基板の第１面とを一緒に結合するステップであって、それによって、ＬＥＤと対応するスイッチング・トランジスタとの間に電気的接続を形成する、結合するステップと；
結合した第１及び第２半導体基板をダイシングして、個々のＬＥＤパッケージ又はＬＥＤパッケージのグループを形成するステップと；を含み、
各ＬＥＤパッケージは、２つのパッケージ端子を有しており、第２半導体基板の第２面上の制御端子は、前記スイッチング・トランジスタのゲートに接続され、前記ゲートは前記ＬＥＤの直下で前記第１半導体基板の第１面に接続される、
方法。
【請求項２】
ＬＥＤパッケージであって、当該ＬＥＤパッケージは：
第１半導体基板として形成されるＬＥＤであって、第１半導体基板は、第１面と反対側の第２面とを有しており、前記ＬＥＤは、第１半導体基板の第２面に設けられ、第１半導体基板は、第１半導体基板の第１面に２つのＬＥＤ接続端子を有する、ＬＥＤと；
第２半導体基板として形成されたスイッチング・トランジスタであって、第２半導体基板は、第１面と反対側の第２面とを有しており、第２半導体基板は、第２半導体基板の第２面に２つの電力線の端子を含む、スイッチング・トランジスタと；
第２半導体基板の第１面と第２面との間に延び、前記電力線の端子の１つに接続される貫通ビアと；を含み、
第１半導体基板のＬＥＤが前記スイッチング・トランジスタの上に位置決めされた状態で、第１半導体基板の第１面と第２半導体基板の第１面とが一緒に結合され、ＬＥＤと対応するスイッチング・トランジスタとの間に電気的接続が形成され、
第２半導体基板の第２面上の制御端子は、前記スイッチング・トランジスタのゲートに接続され、前記ゲートは前記ＬＥＤの直下で前記第１半導体基板の第１面に接続される、
ＬＥＤパッケージ。
【請求項３】
第２半導体基板は、それぞれのパッケージ端子と、２つのＬＥＤ接続端子との間に接続部を提供するような少なくとも２つの貫通ビアを有する、
請求項２に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項４】
前記スイッチング・トランジスタのゲートを前記制御端子に接続するビアをさらに含む、
請求項２に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項５】
前記スイッチング・トランジスタは、前記ＬＥＤと並列である、
請求項２に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項６】
パッケージ端子は、前記スイッチング・トランジスタのソース、ドレイン及びゲートへの接続部を含む、
請求項５に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項７】
前記スイッチング・トランジスタは、前記ＬＥＤと直列である、
請求項２に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項８】
パッケージ端子は、前記スイッチング・トランジスタのソース又はドレイン、前記スイッチング・トランジスタのゲート、一つのＬＥＤ接続端子への接続部を含む、
請求項７に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項９】
プリント回路基板上に取り付けられた請求項６に記載の少なくとも１つのＬＥＤパッケージを含むＬＥＤ回路であって、前記プリント回路基板は、３つのパッケージ端子に接続するためのトラックを有する、ＬＥＤ回路。
【請求項１０】
直列配置の複数のＬＥＤパッケージを含む、
請求項９に記載のＬＥＤ回路。
【請求項１１】
電源電圧によって駆動される、
請求項１０に記載のＬＥＤ回路。
【請求項１２】
プリント回路基板上に取り付けられた請求項８に記載の少なくとも１つのＬＥＤパッケージを含むＬＥＤ回路であって、前記プリント回路基板は、３つのパッケージ端子に接続するためのトラックを有する、ＬＥＤ回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤパッケージ及びこのようなパッケージを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
様々なＬＥＤパッケージが知られている。例えば、適当な基板上に直接的にはんだ付けするようなウェハレベル・チップスケール・ＬＥＤパッケージが知られている。このようなパッケージは、典型的に、ダイオードのｐｎ接合部に２つの接点を有している。ＬＥＤパッケージは、例えばＥＳＤダイオードや制御トランジスタ等のＬＥＤ用の制御回路を担持する基板に取り付けることができる。
【０００３】
一例として、ＬＥＤダイは、シリコン基板上に取り付けることができ、この基板は、埋め込まれたＥＳＤ保護ダイオードを含む。基板の上面上の接点によって、ＬＥＤダイ端子との電気的接続を行い、この基板は、同じ上面上に、つまりＬＥＤダイが取り付けられる領域の外側に、外部接点をさらに有する。これには、例えばボール・グリッド・アレイを使用して、各ＬＥＤダイを基板上に個々に配置することが必要となる。
【０００４】
また、ＥＳＤ保護に加えて、ＬＥＤを制御トランジスタに関連付けることによって、ＬＥＤのストリングを駆動し且つ制御することが可能になることが知られている。例えば、直列に配置された複数のＬＥＤを、各ＬＥＤに対して並列に個々のＦＥＴトランジスタを接続することによって、個別に制御することができる。トランジスタのスイッチを閉じることによって、対応するＬＥＤが短絡され、スイッチがオフにされる。
【０００５】
ＬＥＤについてのコスト効率の良い且つコンパクトなパッケージングの解決策、及び（トランジスタ又はＥＳＤ保護ダイオード又はより複雑な制御回路等の）関連する制御装置の必要性が依然として存在している。
米国特許第６，２８１，０３２号は、複数の半導体レーザが基板の半導体層の上に形成されており、この基板に到達するのに十分深い溝によって互いに分離されるような半導体レーザウエハを準備するステップと、ｐ−側電極及びｎ−側電極を各半導体層に形成するステップとを開示する。半導体レーザウエハは、内蔵式フォトダイオードのウエハに接合されており、このフォトダイオードのウエハは、光出力を監視するために形成されたフォトダイオードと、ｐ−側電極及びｎ−側電極をそれぞれはんだ電極と一直線にするように位置決めすることによる各ペレットのはんだ電極とを有する。
米国特許出願公開第２００７／０２７２９３９号は、第１及び第２電極を、サポート・シリコンチップの第１面上に形成するステップと、第３及び第４電極を、サポート・シリコンチップの第２面上に形成するステップとを含む。第１及び第２電極は、それぞれ第３及び第４電極に電気的に接続される。第２電極の位置及び形状は、半導体チップのボンディング層の位置及び形状に対応しており、第１電極の位置及び形状は、保護プラグの位置及び形状に対応する。
米国特許出願公開第２０１２／００１８７４５号は、少なくとも照明装置と、集積回路を含む制御装置と、これら照明装置及び制御装置を電気的に接続するために使用されるコネクタとを含むような集積式照明装置を開示する。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、独立請求項に規定されるような方法及び装置が提供される。
一態様によれば、ＬＥＤパッケージを形成する方法が提供される。この方法は：
ＬＥＤ集積回路のアレイを第１半導体基板の一部として形成するステップと；
スイッチング・トランジスタのアレイを第２半導体基板の一部として形成するステップであって、第２半導体基板の反対側の面の間に延びる貫通ビアを形成するステップを含む、形成するステップと；
第１半導体基板の各ＬＥＤが、第２半導体基板の対応するスイッチング・トランジスタの上に位置決めされた状態で、第１及び第２半導体基板を一緒に結合するステップであって、それによって、ＬＥＤと対応するスイッチング・トランジスタとの間に電気的接続を形成する、結合するステップと；
結合した第１及び第２半導体基板をダイシングして、個々のＬＥＤパッケージ又はＬＥＤパッケージのグループを形成するステップと；を含み、
各ＬＥＤパッケージは、第２半導体基板の第１面の反対側の面に、２つの電力線の端子と１つの制御端子とを含むような３つのパッケージ端子を有しており、制御端子は、スイッチング・トランジスタのゲートに接続される。
【０００７】
この方法は、ＬＥＤの直下に、ＬＥＤパッケージの一部としてスイッチング・トランジスタを提供する。これによって、コンパクトな設計を可能にする。ウエハレベルのボンディングは、パッケージを形成するために１回のダイシング工程のみが必要とされ、且つ２つの基板の間で１回のみの整列処理が必要とされるように、ＬＥＤ基板とトランジスタ基板との間で行われている。
【０００８】
スイッチング・トランジスタのアレイを形成するステップは、第２半導体基板の対向面の間に延びる貫通ビアを形成するステップを含む。このようにして、第２半導体基板の片面は、（ビアを使用して）ＬＥＤ及びスイッチング・トランジスタに（直接的）に接続するために必要な全てのパッケージ端子を有することになる。
【０００９】
スイッチング・トランジスタは、個々のＬＥＤを制御するために、制御装置として使用することができる。これは、例えばＬＥＤのアレイの照明パターンを制御又は調光制御するために使用することができる。
【００１０】
別の態様によれば、ＬＥＤパッケージが提供される。このＬＥＤパッケージは：
第１半導体基板として形成されるとともに、片面にＬＥＤ接続端子を有するＬＥＤ集積回路と；
第２半導体基板として形成されたスイッチング・トランジスタであって、第１半導体基板のＬＥＤがスイッチング・トランジスタの上に位置決めされた状態で、第１半導体基板の片面と第２半導体基板の第１面とが一緒に結合しており、ＬＥＤと対応するスイッチング・トランジスタとの間に電気的接続を形成する、集積回路と；を有しており、
パッケージは、第２半導体基板の第１面の反対側の面に、２つの電力線の端子（５６ａ，５６ｂ）と１つの制御端子とを含むような３つのパッケージ端子を有しており、第２半導体基板は、パッケージ端子とＬＥＤ接続端子との間に接続部を提供するような少なくとも１つの貫通ビアを有しており、制御端子は、スイッチング・トランジスタのゲートに接続される。
【００１１】
このパッケージは、ＬＥＤ及び関連するスイッチング・トランジスタへの接続を可能にするような単一の接続面を有する。ＬＥＤをそれに関連するスイッチング・トランジスタの上に積層することにより、スペース効率の良い配置となる。
【００１２】
少なくとも１つのＬＥＤ端子への接続が可能になる。ＬＥＤが、スイッチング・トランジスタと直列に配置されている場合に、次にパッケージ端子は、１つのＬＥＤ端子及び１つのトランジスタ端子（すなわち、直列接続の両端）への接続を行うことができる。しかしながら、第２半導体基板は、それぞれのパッケージ端子と２つのＬＥＤ接続端子との間に接続部を提供するような少なくとも２つの貫通ビアを有することができる。こうして、両方のＬＥＤ端子への接続が可能になる。
【００１３】
トランジスタは、ＬＥＤの動作を制御するために使用することができる。例えば、トランジスタは、ＬＥＤと並列に配置することができる。これにより、バイパス機能を提供することができ、こうして、ＬＥＤを介して電流を遮断するように使用することができる。これによって、電圧源の間に直列に配置された１つ又は複数のＬＥＤのスイッチをオフにするために、抵抗駆動方式の一部として使用することが可能になる。
パッケージ端子は、トランジスタのソース、ドレイン及びゲートへの接続部を含むことができる。
【００１４】
ＬＥＤ回路は、プリント回路基板上に取り付けられた本発明の少なくとも１つのパッケージを含むことができ、このプリント回路基板は、３つのパッケージ端子に接続するためのトラックを有する。
３つの端子によって、ＬＥＤストリングの制御が可能になる。ゲート端子は、デバイスの下部において関連するパッケージ端子によって活性化されるようなスイッチ機能を提供する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】サブマウント上に取り付けられた公知のＬＥＤパッケージを示す図である。
【図２】各ＬＥＤのストリングにスイッチを提供するような公知の回路を示す図である。
【図３】図２の回路を実装するための公知の方法を示す図である。
【図４】本発明の回路を示す図である。
【図５】図４の回路に使用される１つのＬＥＤパッケージを示す図である。
【図６】ウエハレベルのボンディング後であって、ダイシング前の、ＬＥＤパッケージのストリングの側面図である。
【図７ａ】１つのパッケージの分解図を透視陰影図で示す。
【図７ｂ】同じ分解図を線画で示す図である。
【図８】上方から視た、ウエハレベルのボンディング前であって、ダイシング前の、別個のデバイスアレイを示す図である。
【図９】下方から視た、ウエハレベルのボンディング前であって、ダイシング前の、別個のデバイスアレイを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の実施例について、添付図面を参照して詳細に説明する。
全ての図面は、概略的なものであり、必ずしも縮尺通りに描かれておらず、概して本発明を説明するために必要な部品のみを示しており、他の部品は、省略されるか、又は単に示唆される。
【００１７】
本発明は、ＬＥＤパッケージ及びその製造方法を提供するものである。このパッケージは、ＬＥＤ基板と回路基板とを有しており、これらＬＥＤ基板と回路基板とは、ＬＥＤを集積回路上に位置決めした状態で、一緒に結合され、ＬＥＤと対応する集積回路との間に電気的接続を形成する。パッケージは、貫通ビアが、一方の基板上のパッケージ端子と、他方の基板のＬＥＤ接続部との間に接続部を提供する状態で、片面のみにパッケージ端子を有する。こうして、パッケージが２つの基板を有していても、そのパッケージは、簡単な方法で、ＰＣＢ等のキャリア上に取り付けるための単一の接続面を有する。
【００１８】
単一の接続面によって、ＬＥＤ及び関連する回路への電気的接続が可能になる。ＬＥＤをそれに関連する回路の上に積層することにより、スペース効率の良い配置となる。
【００１９】
図１は、公知のＬＥＤパッケージを示している。ＬＥＤ１０は、例えばはんだボールにより、シリコン・サブマウント１２上に取り付けられた個別のパッケージとして形成されている。ＬＥＤパッケージへの接続は、はんだボールを介して行われ、サブマウントからの外部接続は、ワイヤボンド１４によって行われる。図１に概略的に示されるように、サブマウント１２は、ＥＳＤ保護ダイオードのペアを実装することができる。こうして、追加部品を各ＬＥＤに関連付ける１つの理由は、ＥＳＤ保護である。
【００２０】
追加部品を各ＬＥＤに関連付ける別の理由は、スイッチング機能を提供することである。図２は、ＬＥＤストリングの各ＬＥＤ、つまりＬＥＤ１からＬＥＤ４に並列スイッチＭ１からＭ４を提供するような公知の回路を示している。スイッチをオンにすることにより、個々のＬＥＤがオフにされるようにバイパス経路が設けられる。
【００２１】
図３は、図２の回路を実装する公知の方法を示している。多数の分離したＬＥＤパッケージ３０が、ＰＣＢ３２上のトラックの上方に取り付けられている。２つのトラック３１が、２つの電力線に接続される。個々のＬＥＤパッケージ３０同士の間の追加のトラックによって、ＬＥＤパッケージ同士の間に直列接続が提供される。さらに、トラックは、トランジスタ３４に接続され、ＰＣＢ上にも取り付けられている。トランジスタは、それらトランジスタのゲートに接続する制御線３６を形成するＰＣＢトラックを有している。図３は、１つのＬＥＤパッケージを分解した形態でも示している。この配置は、かなりの量のスペースを占める。また、この配置は、ＬＥＤパッケージだけでなくトランジスタの取付けも必要になる。
【００２２】
図４は、本発明の回路を示している。この回路は、同様に、ＰＣＢトラック４２が、直列配置のＬＥＤの電力線に接続された状態で、ＰＣＢ４２に取り付けられたＬＥＤパッケージ４０を有する。ＬＥＤパッケージ４０は、ＬＥＤがトランジスタの上に重ね合された状態で、ＬＥＤ及び関連するトランジスタを単一のパッケージに統合する。パッケージは、片面のみに、すなわちＰＣＢ４２に接する面に、パッケージ端子を有する。パッケージ内のトランジスタのゲートに接続するために、３つのパッケージ端子と、２つの電力線の端子と、制御端子とが存在している。制御端子は、ＰＣＢトラック４６に接続される。これによって、よりコンパクトな配置が提供され、縮小された取付要件が提供される。図４は、１つのＬＥＤパッケージを分解された形態で示すだけでなく、平面図も示している。
【００２３】
図５は、図４の回路に使用される１つのＬＥＤパッケージ４０をより詳細に示している。各ＬＥＤパッケージは、第１半導体基板５０として形成されており、片面にＬＥＤ接続端子５２ａ，５２ｂを含むＬＥＤ集積回路を有している。これらの端子は、ＬＥＤのｎ−接合及びｐ−接合に接続される。ＬＥＤは、ＰＮ接合ダイオード又はＰＩＮダイオード又は任意の他の公知のダイオード構成とすることができる。ＬＥＤは、垂直構成又は横方向構成とすることができる。
【００２４】
集積回路（この例では、スイッチング・トランジスタ）は、第２半導体基板５４として形成される。端子５２ａ，５２ｂを担持する第１半導体基板５０の片面と、第２半導体基板５４の第１面とが、一緒に結合される。両基板は、明確にするために、図５に分離された状態で示されている。
【００２５】
第２半導体基板５４の接合面は、端子５２ａ，５２ｂに接続するための接触パッド５５ａ，５５ｂを担持する。
接続されると、第１半導体基板５０のＬＥＤは、集積回路の上に位置決めされ、ＬＥＤと対応する集積回路との間の電気的接続が形成される。
【００２６】
パッケージは、第２半導体基板５４の反対側の面に、パッケージ端子５６ａ，５６ｂ，５６ｃを有する。第２半導体基板５４は、ＬＥＤ接続端子５２ａ，５２ｂに接続するために、２つのパッケージ端子５６ａ，５６ｂと接触パッド５５ａ，５５ｂとの間に接続部を提供するような貫通ビア５８ａ，５８ｂを有する。第３のパッケージ端子５６ｃは、従来の方法で半導体基板内に形成されるようなトランジスタのゲートに接続される。
【００２７】
このようにして、単一セットのパッケージ端子によって、ＬＥＤだけでなくトランジスタへの接続が可能になる。パッケージのトランジスタが、ＬＥＤパッケージの特定の用途に必要とされない場合に、トランジスタのゲートへの接続は行う必要はなく、パッケージは、通常の２端子ＬＥＤパッケージとして使用することができる。
【００２８】
図６は、ＬＥＤパッケージのストリングの断面図を示しており、ウエハレベルのボンディング後であって、ダイシング前の、互いに接触する２つの基板を示している。
【００２９】
図７ａは、１つのパッケージの分解斜視図を示している。同じ参照符号が、図５のように使用される。第２半導体基板５４のトランジスタ構造は、概して７０で示されており、接触パッド５５ａ，５５ｂの間に接続される。図７ａは、透視陰影図であり、図７ｂは、同じ分解図を線画で示す。
図示の例では、ゲートは、第２半導体基板の第１面に形成されている。ビアは、パッケージ端子からゲートへの接続を可能にするように形成されており、パッケージ端子は、第２半導体基板の反対側に存在する。
【００３０】
トランジスタ構造は、第２半導体基板５４の裏面上に置くことができ、この場合には、ゲート用のビアが必要とされないことに注意されたい。
この配置によって、より容易に製造することができる。具体的には、両基板の間のウエハレベルのボンディングが、ダイシング前に、可能になる。
【００３１】
図８に示されるように、２つの基板５０，５４は、完全なアレイとして形成することができる。両基板の間のウェハボンディングが、次に実施される。可能な相互接続方法には、マイクロバンプや金ナノスポンジ(nanosponge)が挙げられる。図８は、上方から視た図を示しており、上部基板５０の上部におけるダイシングラインと、下部基板５４の上部における接触パッドとを示す。図９は、下方から視た図を示しており、上部基板５０の底部におけるＬＥＤの接続端子と、底部基板５４の下部におけるパッケージ端子とを示す。
【００３２】
ウエハレベルのボンディングは、熱膨張による応力の不整合を回避するために、高温プロセスを避けるべきである。適切な基板設計では、単一ダイの取付け方法に典型的に使用されるような超音波ボンディングを使用することができる。あるいはまた、導電性接着等の冷温相互接続方法を適用することができる。
【００３３】
ウエハレベルのボンディング後でのみ、個々のＬＥＤ、又は個々のパッケージを形成するようなＬＥＤのグループが、分離される。シリコンの貫通ビア技術を使用するウエハレベル接続は、３Ｄパッケージング・ソリューションとして知られている。これらの接続によって、第２半導体基板５４に示されるように、接点が、デバイスの底部にもたらされる。
【００３４】
上記の例では、並列スイッチが、各ＬＥＤに追加される。当然ながら、直列スイッチも同様に追加することができる。この場合に、両方のＬＥＤ端子への外部接続は、必要とされない。代わりに、直列回路の各端部だけでなくトランジスタのゲートへの接続が、次に、必要とされる。こうして、３つのパッケージ端子は、トランジスタのソース又はドレイン（１つがＬＥＤに接続されていない）、トランジスタのゲートと、１つのみのＬＥＤ接続端子とを含むことができる。
【００３５】
当然ながら、より複雑な回路を、第２半導体基板に設けることができる。例えば、ＥＳＤダイオードは、パッケージだけでなくトランジスタにも統合することができる。さらに、より複雑なトランジスタの制御回路は、例えば局所的な調光制御のために、それぞれのパッケージに実装することができる。
【００３６】
本発明は、概してＬＥＤパッケージを形成するために用いることができる。特に興味深いパッケージには、個々のＬＥＤの制御を必要とするＬＥＤアレイ用のパッケージがある。具体的には、自動車用途において、動的ＬＥＤマトリクス・アレイは、光方向の動的な制御を提供することが知られている。
【００３７】
トランジスタを各ＬＥＤと一緒に使用することによって、直列配置の複数のＬＥＤを個別に制御することが可能になる。本発明は、ＬＥＤの直下で、ＬＥＤパッケージへのスイッチの統合を提供する。これによって、コンパクトなドライバの設計が可能になり、ＬＥＤストリングの制御が簡素化される。
【００３８】
また、このコンポーネントは、電源電圧によって駆動されるマルチＬＥＤ光源に適しており、ＬＥＤに亘る順方向電圧が電源電圧の位相に応じて制御される。２２０Ｖ電源電圧のネットワークでは、実際の電圧は、＋３２５Ｖから−３２５Ｖの間で周期的に振動する。ＬＥＤストリングに、約３Ｖの平均順方向電圧の１００個のＬＥＤが含まれる場合には、電源電圧を、ＬＥＤをオーバードライブするリスクなしにこのストリングに直接的に印加することができる（実際には、このような回路は、典型的には、整流器と保護抵抗器とを含むであろう）。全てのＬＥＤが、常にこのストリング留まっている場合には、個々のＬＥＤの電圧は、電源サイクルの期間に、光発生のためにスイッチがオンになる電圧未満となる。電源電圧を低下させることに同期して、ますます多くのＬＥＤのスイッチがオフにされて、残りのＬＥＤが効率よく光発生を提供することが可能になることが知られている。
【００３９】
ＬＥＤ集積回路と集積回路トランジスタとを形成するために使用されるプロセスは、それらプロセスがありふれているので、詳細に記載していない。実際には、任意のダイオード技術及び任意のトランジスタ技術を使用することができる。また、様々な材料の様々な基板を使用することができ、それら様々な材料が独立して形成されるような製造プロセスを使用することができる。
【００４０】
開示された実施形態に対する他の変形形態は、図面、明細書の開示、及び添付の特許請求の範囲を検討することによって特許請求の範囲に記載された発明を実施する際に当業者によって理解され且つ実現することができる。請求項において、「備える、有する、含む(comprising)」という用語は、他の要素又はステップを排除するものではなく、不定冠詞「１つの(a,  an)」は、複数を除外するものではない。特定の手段が相互に異なる従属請求項に記載されているという単なる事実は、これらの手段の組み合わせが有利に使用することができないことを示すものではない。請求項におけるいかなる参照符号も、特許請求の範囲を限定するものとして解釈すべきではない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７ａ】
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【図７ｂ】
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【図８】
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【図９】
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