(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室内に収容された被処理体の処理内容に応じた処理条件および装置状況に関する適用条件を記憶する処理条件記憶手段と、
前記処理条件の変化と、処理結果の変化との関係を示す処理変化モデルを記憶する処理変化モデル記憶手段と、
前記被処理体の目標とする処理結果に関する情報を受信する処理情報受信手段と、
前記処理情報受信手段により受信された目標とする処理結果に関する情報と、前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件とに基づいて、必要な処理条件を特定する処理条件特定手段と、
前記処理条件特定手段により特定された処理条件で前記被処理体に処理を実行する処理実行手段と、
前記処理実行手段で実行した処理における装置状況が、前記処理条件特定手段により特定された処理条件に対応する装置状況に関する適用条件に適合しているか否かを判別する判別手段と、
前記判別手段により装置状況に関する適用条件に適合していると判別されると、前記処理実行手段により実行された処理条件と、当該処理条件で処理した処理結果と、前記処理変化モデル記憶手段に記憶された処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする処理結果に近い処理条件を算出する処理条件算出手段と、
前記処理条件算出手段により算出された処理条件を前記処理条件特定手段により特定された処理条件に更新する処理条件更新手段と、
を備える、ことを特徴とする処理システム。
【請求項２】
前記処理内容は成膜処理であり、
前記処理結果は前記被処理体に形成された薄膜の膜厚または膜中不純物濃度である、ことを特徴とする請求項１に記載の処理システム。
【請求項３】
前記装置状況に関する適用条件は、前記処理室内に収容された被処理体の枚数と位置を示す被処理体の移載レイアウト、トータル移載枚数、ダミー被処理体の枚数と位置を示すダミー被処理体レイアウト、モニター被処理体の枚数と位置を示すモニター被処理体レイアウト、前記処理室内に付着した累積膜厚、および、ダミー被処理体に付着した累積膜厚の少なくとも１つである、ことを特徴とする請求項１または２に処理システム。
【請求項４】
処理室内に収容された被処理体の処理内容に応じた処理条件および装置状況に関する適用条件を記憶する処理条件記憶工程と、
前記処理条件の変化と、処理結果の変化との関係を示す処理変化モデルを記憶する処理変化モデル記憶工程と、
前記被処理体の目標とする処理結果に関する情報を受信する処理情報受信工程と、
前記処理情報受信工程で受信された目標とする処理結果に関する情報と、前記処理条件記憶工程で記憶された処理条件とに基づいて、必要な処理条件を特定する処理条件特定工程と、
前記処理条件特定工程で特定された処理条件で前記被処理体に処理を実行する処理実行工程と、
前記処理実行工程で実行した処理における装置状況が、前記処理条件特定工程で特定された処理条件に対応する装置状況に関する適用条件に適合しているか否かを判別する判別工程と、
前記判別工程で装置状況に関する適用条件に適合していると判別されると、前記処理実行工程で実行された処理条件と、当該処理条件で処理した処理結果と、前記処理変化モデル記憶工程で記憶された処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする処理結果に近い処理条件を算出する処理条件算出工程と、
前記処理条件算出工程で算出された処理条件を前記処理条件特定工程で特定された処理条件に更新する処理条件更新工程と、
を備える、ことを特徴とする処理方法。
【請求項５】
コンピュータを、
処理室内に収容された被処理体の処理内容に応じた処理条件および装置状況に関する適用条件を記憶する処理条件記憶手段、
前記処理条件の変化と、処理結果の変化との関係を示す処理変化モデルを記憶する処理変化モデル記憶手段、
前記被処理体の目標とする処理結果に関する情報を受信する処理情報受信手段、
前記処理情報受信手段により受信された目標とする処理結果に関する情報と、前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件とに基づいて、必要な処理条件を特定する処理条件特定手段、
前記処理条件特定手段により特定された処理条件で前記被処理体に処理を実行する処理実行手段、
前記処理実行手段で実行した処理における装置状況が、前記処理条件特定手段により特定された処理条件に対応する装置状況に関する適用条件に適合しているか否かを判別する判別手段、
前記判別手段により装置状況に関する適用条件に適合していると判別されると、前記処理実行手段により実行された処理条件と、当該処理条件で処理した処理結果と、前記処理変化モデル記憶手段に記憶された処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする処理結果に近い処理条件を算出する処理条件算出手段、
前記処理条件算出手段により算出された処理条件を前記処理条件特定手段により特定された処理条件に更新する処理条件更新手段、
として機能させる、ことを特徴とするプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の被処理体を処理する処理システム、処理方法、及び、プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程では、多数枚の被処理体、例えば、半導体ウエハの成膜処理、酸化処理あるいは拡散処理などを一括して行うバッチ式の処理システムが用いられている。バッチ式の処理システムでは、例えば、効率的に半導体ウエハを成膜することが可能であるが、多数枚の半導体ウエハの膜厚再現性を向上させることは困難である。
【０００３】
このような問題を解決するため、例えば、特許文献１には、成膜された膜厚をフィードバックし、処理条件を更新することにより、半導体ウエハの膜厚再現性を向上させることが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−８１２６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、このような基板処理システムでは、装置の運用状況、例えば、製品投入枚数が大きく変わったときに、成膜された膜厚をフィードバックし、処理条件を更新すると、膜厚再現性が劣化しまう。これは、製品投入枚数が大きく変わると、ローディング効果の影響で膜厚再現性が劣化するためである。このため、装置の運用状況を考慮しつつ、膜厚再現性（処理の再現性）を向上させることができる処理装置が望まれている。
【０００６】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたものであり、装置の運用状況に応じて処理の再現性を向上させることができる処理システム、処理方法、及び、プログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点にかかる処理システムは、
処理室内に収容された被処理体の処理内容に応じた処理条件および装置状況に関する適用条件を記憶する処理条件記憶手段と、
前記処理条件の変化と、処理結果の変化との関係を示す処理変化モデルを記憶する処理変化モデル記憶手段と、
前記被処理体の目標とする処理結果に関する情報を受信する処理情報受信手段と、
前記処理情報受信手段により受信された目標とする処理結果に関する情報と、前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件とに基づいて、必要な処理条件を特定する処理条件特定手段と、
前記処理条件特定手段により特定された処理条件で前記被処理体に処理を実行する処理実行手段と、
前記処理実行手段で実行した処理における装置状況が、前記処理条件特定手段により特定された処理条件に対応する装置状況に関する適用条件に適合しているか否かを判別する判別手段と、
前記判別手段により装置状況に関する適用条件に適合していると判別されると、前記処理実行手段により実行された処理条件と、当該処理条件で処理した処理結果と、前記処理変化モデル記憶手段に記憶された処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする処理結果に近い処理条件を算出する処理条件算出手段と、
前記処理条件算出手段により算出された処理条件を前記処理条件特定手段により特定された処理条件に更新する処理条件更新手段と、
を備える、ことを特徴とする。
【０００８】
例えば、前記処理内容は成膜処理であり、
前記処理結果は前記被処理体に形成された薄膜の膜厚または膜中不純物濃度である。
【０００９】
前記装置状況に関する適用条件は、例えば、前記処理室内に収容された被処理体の枚数と位置を示す被処理体の移載レイアウト、トータル移載枚数、ダミー被処理体の枚数と位置を示すダミー被処理体レイアウト、モニター被処理体の枚数と位置を示すモニター被処理体レイアウト、前記処理室内に付着した累積膜厚、および、ダミー被処理体に付着した累積膜厚の少なくとも１つである。
【００１０】
本発明の第２の観点にかかる処理方法は、
処理室内に収容された被処理体の処理内容に応じた処理条件および装置状況に関する適用条件を記憶する処理条件記憶工程と、
前記処理条件の変化と、処理結果の変化との関係を示す処理変化モデルを記憶する処理変化モデル記憶工程と、
前記被処理体の目標とする処理結果に関する情報を受信する処理情報受信工程と、
前記処理情報受信工程で受信された目標とする処理結果に関する情報と、前記処理条件記憶工程で記憶された処理条件とに基づいて、必要な処理条件を特定する処理条件特定工程と、
前記処理条件特定工程で特定された処理条件で前記被処理体に処理を実行する処理実行工程と、
前記処理実行工程で実行した処理における装置状況が、前記処理条件特定工程で特定された処理条件に対応する装置状況に関する適用条件に適合しているか否かを判別する判別工程と、
前記判別工程で装置状況に関する適用条件に適合していると判別されると、前記処理実行工程で実行された処理条件と、当該処理条件で処理した処理結果と、前記処理変化モデル記憶工程で記憶された処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする処理結果に近い処理条件を算出する処理条件算出工程と、
前記処理条件算出工程で算出された処理条件を前記処理条件特定工程で特定された処理条件に更新する処理条件更新工程と、
を備える、ことを特徴とする。
【００１１】
本発明の第３の観点にかかるプログラムは、
コンピュータを、
処理室内に収容された被処理体の処理内容に応じた処理条件および装置状況に関する適用条件を記憶する処理条件記憶手段、
前記処理条件の変化と、処理結果の変化との関係を示す処理変化モデルを記憶する処理変化モデル記憶手段、
前記被処理体の目標とする処理結果に関する情報を受信する処理情報受信手段、
前記処理情報受信手段により受信された目標とする処理結果に関する情報と、前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件とに基づいて、必要な処理条件を特定する処理条件特定手段、
前記処理条件特定手段により特定された処理条件で前記被処理体に処理を実行する処理実行手段、
前記処理実行手段で実行した処理における装置状況が、前記処理条件特定手段により特定された処理条件に対応する装置状況に関する適用条件に適合しているか否かを判別する判別手段、
前記判別手段により装置状況に関する適用条件に適合していると判別されると、前記処理実行手段により実行された処理条件と、当該処理条件で処理した処理結果と、前記処理変化モデル記憶手段に記憶された処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする処理結果に近い処理条件を算出する処理条件算出手段、
前記処理条件算出手段により算出された処理条件を前記処理条件特定手段により特定された処理条件に更新する処理条件更新手段、
として機能させる、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、装置の運用状況に応じて処理の再現性を向上させることができる処理システム、処理方法、及び、プログラムを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施の形態に係る熱処理装置の構造を示す図である。
【図２】反応管内のゾーンを示す図である。
【図３】図１の制御部の構成例を示す図である。
【図４】ヒータの温度の変化と形成されるＳｉＯ２膜の膜厚変化との関係を示す膜厚変化モデルの一例である。
【図５】熱処理を説明するためのフローチャートである。
【図６】フィードバック判別処理を説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の処理システム、処理方法、及び、プログラムを、図１に示すバッチ式の縦型の熱処理装置に適用した場合を例に本実施の形態を説明する。また、本実施の形態では、成膜用ガスとして、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）と一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）とを用いて、半導体ウエハにＳｉＯ２膜を形成する場合を例に本発明を説明する。
【００１５】
図１に示すように、本実施の形態の熱処理装置１は、略円筒状で有天井の反応管２を備えている。反応管２は、その長手方向が垂直方向に向くように配置されている。反応管２は、耐熱及び耐腐食性に優れた材料、例えば、石英により形成されている。
【００１６】
反応管２の下側には、略円筒状のマニホールド３が設けられている。マニホールド３は、その上端が反応管２の下端と気密に接合されている。マニホールド３には、反応管２内のガスを排気するための排気管４が気密に接続されている。排気管４には、バルブ、真空ポンプなどからなる圧力調整部５が設けられており、反応管２内を所望の圧力（真空度）に調整する。
【００１７】
マニホールド３（反応管２）の下方には、蓋体６が配置されている。蓋体６は、ボートエレベータ７により上下動可能に構成され、ボートエレベータ７により蓋体６が上昇するとマニホールド３（反応管２）の下方側（炉口部分）が閉鎖され、ボートエレベータ７により蓋体６が下降すると反応管２の下方側（炉口部分）が開口されるように配置されている。
【００１８】
蓋体６の上部には、保温筒（断熱体）８を介して、ウエハボート９が設けられている。ウエハボート９は、被処理体、例えば、半導体ウエハＷを収容（保持）するウエハ保持具であり、本実施の形態では、半導体ウエハＷが垂直方向に所定の間隔をおいて複数枚、例えば、１５０枚収容可能に構成されている。そして、ウエハボート９に半導体ウエハＷを収容し、ボートエレベータ７により蓋体６を上昇させることにより、半導体ウエハＷが反応管２内にロードされる。
【００１９】
反応管２の周囲には、反応管２を取り囲むように、例えば、抵抗発熱体からなるヒータ部１０が設けられている。このヒータ部１０により反応管２の内部が所定の温度に加熱され、この結果、半導体ウエハＷが所定の温度に加熱される。ヒータ部１０は、例えば、５段に配置されたヒータ１１〜１５から構成され、ヒータ１１〜１５には、それぞれ電力コントローラ１６〜２０が接続されている。このため、この電力コントローラ１６〜２０にそれぞれ独立して電力を供給することにより、ヒータ１１〜１５をそれぞれ独立に所望の温度に加熱することができる。このように、反応管２内は、このヒータ１１〜１５により、図２に示すような５つのゾーンに区分されている。例えば、反応管２内のＴＯＰ（ＺＯＮＥ１）を加熱する場合には、電力コントローラ１６を制御してヒータ１１を所望の温度に加熱する。反応管２内のＣＥＮＴＥＲ（ＣＴＲ（ＺＯＮＥ３））を加熱する場合には、電力コントローラ１８を制御してヒータ１３を所望の温度に加熱する。反応管２内のＢＯＴＴＯＭ（ＢＴＭ（ＺＯＮＥ５））を加熱する場合には、電力コントローラ２０を制御してヒータ１５を所望の温度に加熱する。
【００２０】
また、マニホールド３には、反応管２内に処理ガスを供給する複数の処理ガス供給管が設けられている。なお、図１では、マニホールド３に処理ガスを供給する３つの処理ガス供給管２１〜２３を図示している。処理ガス供給管２１は、マニホールド３の側方からウエハボート９の上部付近（ＺＯＮＥ１）まで延びるように形成されている。処理ガス供給管２２は、マニホールド３の側方からウエハボート９の中央付近（ＺＯＮＥ３）まで延びるように形成されている。処理ガス供給管２３は、マニホールド３の側方からウエハボート９の下部付近（ＺＯＮＥ５）まで延びるように形成されている。
【００２１】
各処理ガス供給管２１〜２３には、それぞれ、流量調整部２４〜２６が設けられている。流量調整部２４〜２６は、処理ガス供給管２１〜２３内を流れる処理ガスの流量を調整するためのマスフローコントローラ（ＭＦＣ）などから構成されている。このため、処理ガス供給管２１〜２３から供給される処理ガスは、流量調整部２４〜２６により所望の流量に調整されて、それぞれ反応管２内に供給される。
【００２２】
また、熱処理装置１は、反応管２内のガス流量、圧力、処理雰囲気の温度といった処理パラメータを制御するための制御部（コントローラ）５０を備えている。制御部５０は、流量調整部２４〜２６、圧力調整部５、ヒータ１１〜１５の電力コントローラ１６〜２０等に制御信号を出力する。図３に制御部５０の構成を示す。
【００２３】
図３に示すように、制御部５０は、モデル記憶部５１と、レシピ記憶部５２と、ログ記憶部５３と、ＲＯＭ（Read Only Memory）５４と、ＲＡＭ（Random Access Memory）５５と、Ｉ／Ｏ（Input/Output Port）ポート５６と、ＣＰＵ（Central Processing Unit) ５７と、これらを相互に接続するバス５８と、から構成されている。
【００２４】
モデル記憶部５１には、ヒータの温度の変化と形成されるＳｉＯ２膜の膜厚変化との関係を示す膜厚変化モデルが記憶されている。図４に膜厚変化モデルの一例を示す。図４に示すように、膜厚変化モデルは、所定ＺＯＮＥの温度を１℃上げたとき、各ＺＯＮＥに形成されるＳｉＯ２膜の膜厚がどれだけ変化するかを示している。例えば、図４に示すように、電力コントローラ１６を制御してヒータ１１を加熱することによりＺＯＮＥ１の温度設定値を１℃上げると、ＺＯＮＥ１に形成されるＳｉＯ２膜の膜厚が２ｎｍ増加し、ＺＯＮＥ２に形成されるＳｉＯ２膜の膜厚が０．７ｎｍ減少し、ＺＯＮＥ３に形成されるＳｉＯ２膜の膜厚が０．８ｎｍ増加し、ＺＯＮＥ４に形成されるＳｉＯ２膜の膜厚が０．０５ｎｍ減少する。
【００２５】
レシピ記憶部５２には、この熱処理装置１で実行される成膜処理の種類に応じて、制御手順を定めるプロセス用レシピが記憶されている。プロセス用レシピは、ユーザが実際に行う処理（プロセス）毎に用意されるレシピであり、反応管２への半導体ウエハＷのロードから、処理済みの半導体ウエハＷをアンロードするまでの温度、時間、ガス流量等を規定する。具体的には、各部の温度の変化、反応管２内の圧力変化、ガスの供給の開始及び停止のタイミング、供給量などを規定する。また、プロセス用レシピには、ウエハボート９上の半導体ウエハＷの枚数と位置を示すウエハ移載レイアウト、ウエハボート９上のトータル移載枚数、ダミーウエハの枚数と位置を示すダミーウエハレイアウト、モニターウエハの枚数と位置を示すモニターウエハレイアウト等の適用条件、および、反応管２（プロセスチューブ）、ウエハボート９、ダミーウエハ等の累積膜厚の適用条件が記憶されている。
【００２６】
ログ記憶部５３には、実施した処理に関する各種のログ、例えば、プロセスログなどが記憶されている。プロセスログには、例えば、処理により作成・登録された日時、プロセス条件（温度、時間、ガス流量等）、ウエハボート９上のトータル移載枚数、半導体ウエハＷのウエハ移載レイアウト、ダミーウエハのダミーウエハレイアウト、モニターウエハのモニターウエハレイアウト、反応管２（プロセスチューブ）、ウエハボート９、ダミーウエハの累積膜厚などが記憶されている。
【００２７】
ＲＯＭ５４は、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）、フラッシュメモリ、ハードディスクなどから構成され、ＣＰＵ５７の動作プログラムなどを記憶する記録媒体である。
ＲＡＭ５５は、ＣＰＵ５７のワークエリアなどとして機能する。
【００２８】
Ｉ／Ｏポート５６は、温度、圧力、ガスの流量に関する測定信号をＣＰＵ５７に供給すると共に、ＣＰＵ５７が出力する制御信号を各部（圧力調整部５、ヒータ１１〜１５の電力コントローラ１６〜２０、流量調整部２４〜２６等）へ出力する。また、Ｉ／Ｏポート５６には、操作者が熱処理装置１を操作する操作パネル５９が接続されている。
【００２９】
ＣＰＵ５７は、制御部５０の中枢を構成し、ＲＯＭ５４に記憶された動作プログラムを実行し、操作パネル５９らの指示に従って、レシピ記憶部５２に記憶されているプロセス用レシピに沿って、熱処理装置１の動作を制御する。
【００３０】
ＣＰＵ５７は、モデル記憶部５１に記憶されている膜厚変化モデルと、形成されたＳｉＯ２膜の膜厚とに基づいて、目標膜厚が形成される反応管２内の各ＺＯＮＥ（ＺＯＮＥ１〜５）に配置されたヒータ１１〜１５の設定温度を算出する。
【００３１】
バス５８は、各部の間で情報を伝達する。
【００３２】
次に、以上のように構成された熱処理装置１を用いた熱処理方法（熱処理）について説明する。本発明の熱処理方法は、所定条件を満たす場合に、測定膜厚の結果をレシピにフィードバックして膜厚再現性を向上させる熱処理方法である。図５は、本例の熱処理を説明するためのフローチャートである。
【００３３】
まず、操作者は、操作パネル５９を操作して、実行するプロセス種別等の必要な情報を入力する。具体的には、操作者は、実施する処理装置と、プロセス種類、本例では、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）と一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）とのＳｉＯ２膜の成膜（ＤＣＳ−ＨＴＯ）とを選択するとともに、ターゲットとなるＳｉＯ２膜の膜厚（目標膜厚）を、例えば、ゾーンごとに入力する。
【００３４】
制御部５０（ＣＰＵ５７）は、プロセス種別等の必要な情報が入力されたか否かを判別する（ステップＳ１）。ＣＰＵ５７は、必要な情報が入力されていると判別すると（ステップＳ１；Ｙｅｓ）、入力されたプロセス種別に対応するプロセス用レシピをレシピ記憶部５２から読み出す（ステップＳ２）。プロセス用レシピには、反応管２内の圧力、温度などのプロセス条件が記憶されている。例えば、プロセス用レシピには、反応管２内のＺＯＮＥ１〜５の温度が記憶されている。
【００３５】
次に、ＣＰＵ５７は、読み出したプロセス用レシピのプロセス条件で成膜処理を実行する（ステップＳ３）。具体的には、ＣＰＵ５７は、ボートエレベータ７（蓋体６）を降下させ、少なくとも各ＺＯＮＥに半導体ウエハＷ（モニターウエハ）を搭載したウエハボート９を蓋体６上に配置する。次に、ＣＰＵ５７は、ボートエレベータ７（蓋体６）を上昇して、ウエハボート９（半導体ウエハＷ）を反応管２内にロードする。そして、ＣＰＵ５７は、更新したプロセス条件が記載されたレシピに従って、圧力調整部５、ヒータ１１〜１５の電力コントローラ１６〜２０、流量調整部２４〜２６等を制御して、半導体ウエハＷにＳｉＯ２膜を成膜する。
【００３６】
ＣＰＵ５７は、成膜処理が終了すると、成膜されたＳｉＯ２膜の膜厚を測定する（ステップＳ４）。例えば、ＣＰＵ５７は、ボートエレベータ７（蓋体６）を降下させ、ＳｉＯ２膜が成膜された半導体ウエハＷをアンロードし、半導体ウエハＷを、例えば、図示しない測定装置に搬送し、半導体ウエハＷに成膜されたＳｉＯ２膜の膜厚を測定させる。測定装置では、半導体ウエハＷに成膜されたＳｉＯ２膜の膜厚を測定すると、例えば、測定したＳｉＯ２膜の膜厚データを熱処理装置１（ＣＰＵ５７）に送信する。ＣＰＵ５７は、測定されたＳｉＯ２膜の膜厚データを受信することにより、成膜されたＳｉＯ２膜の膜厚を特定する。なお、操作者が操作パネル５９を操作して、測定結果を入力してもよい。
【００３７】
ＣＰＵ５７は、成膜されたＳｉＯ２膜の膜厚が測定されると、フィードバック判別処理を実行する（ステップＳ５）。図６は、フィードバック判別処理を説明するためのフローチャートである。なお、本例では、後述するように、ウエハ移載レイアウトが合致し、累積膜厚が基準値内である場合に、測定膜厚に基づいてレシピを更新するフィードバック処理を実行する場合を例に説明する。
【００３８】
まず、ＣＰＵ５７は、膜厚測定結果に該当する（当該ＲＵＮの）プロセスログを読み出す（ステップＳ２１）。次に、ＣＰＵ５７は、読み出したプロセスログに記憶されたウエハ移載レイアウトがプロセス用レシピに規定された適用条件に合致するか否かを判別する（ステップＳ２２）。ＣＰＵ５７は、ウエハ移載レイアウトがプロセス用レシピに規定された適用条件に合致しないと判別すると（ステップＳ２２；Ｎｏ）、この処理を終了する。
【００３９】
ＣＰＵ５７は、ウエハ移載レイアウトがプロセス用レシピに規定された適用条件に合致すると判別すると（ステップＳ２２；Ｙｅｓ）、読み出したプロセスログからチューブ累積膜厚（当該ＲＵＮ開始時のチューブ累積膜厚）を取得する（ステップＳ２３）。次に、ＣＰＵ５７は、取得したチューブ累積膜厚がプロセス用レシピに規定された適用条件に合致するか否かを判別する（ステップＳ２４）。ＣＰＵ５７は、取得したチューブ累積膜厚がプロセス用レシピに規定された適用条件に合致しないと判別すると（ステップＳ２４；Ｎｏ）、この処理を終了する。
【００４０】
ＣＰＵ５７は、取得したチューブ累積膜厚がプロセス用レシピに規定された適用条件に合致すると判別すると（ステップＳ２４；Ｙｅｓ）、膜厚測定結果と、プロセス用レシピのプロセス条件と、モデル記憶部５１に記憶された膜厚変化モデルとに基づいて、入力した目標膜厚に最も近づく温度等のプロセス条件を算出する（ステップＳ２５）。なお、このプロセス条件の算出方法としては、種々の方法を用いることができ、例えば、米国特許第５，９９１，５２５号公報などに開示されているカルマンフィルターによる学習機能による手法を利用することができる。
【００４１】
このように、ウエハ移載レイアウト、および、チューブ累積膜厚がプロセス用レシピに規定された適用条件に合致しているとき、すなわち、装置の運用状況が変化していないときに、測定膜厚の結果をプロセス用レシピにフィードバックしているので、膜厚再現性（処理の再現性）を向上させることができる。また、装置の運用状況が変化したときには、測定膜厚の結果をフィードバックし、処理条件を更新することがない。このため、膜厚再現性（処理の再現性）を低下させることがなくなる。
【００４２】
次に、ＣＰＵ５７は、算出したプロセス条件（温度）でプロセス用レシピを更新し（ステップＳ２６）、フィードバック判別処理を終了する。
【００４３】
続いて、ＣＰＵ５７は、所定の処理（成膜）が終了したか否かを判別する（ステップＳ６）。ＣＰＵ５７は、成膜が終了していないと判別すると（ステップＳ６；Ｎｏ）、ステップＳ３に戻り、更新したプロセス条件（温度）で成膜処理を実行する（ステップＳ３）。ＣＰＵ５７は、成膜が終了したと判別すると（ステップＳ６；Ｙｅｓ）、この処理を終了する。
【００４４】
以上説明したように、本実施の形態によれば、ウエハ移載レイアウト、および、チューブ累積膜厚がプロセス用レシピに規定された適用条件に合致しているときに、測定膜厚の結果をプロセス用レシピにフィードバックしているので、膜厚再現性（処理の再現性）を向上させることができる。また、これ以外の場合には、測定膜厚の結果をプロセス用レシピにフィードバックしないので、膜厚再現性（処理の再現性）を低下させることがなくなる。
【００４５】
なお、本発明は、上記の実施の形態に限られず、種々の変形、応用が可能である。以下、本発明に適用可能な他の実施の形態について説明する。
【００４６】
上記実施の形態では、ウエハ移載レイアウト、および、チューブ累積膜厚がプロセス用レシピに規定された適用条件に合致しているときに、測定膜厚の結果をプロセス用レシピにフィードバックした場合を例に本発明を説明したが、例えば、ウエハ移載レイアウト、ダミーウエハのレイアウト、モニタウエハのレイアウト、ウエハボート９のトータル移載枚数の少なくとも１つがプロセス用レシピに規定された適用条件に合致しているときに、測定膜厚の結果をプロセス用レシピにフィードバックしてもよい。また、チューブ累積膜厚、ウエハボート９の累積膜厚、ダミーウエハの累積膜厚の少なくとも１つがプロセス用レシピに規定された適用条件に合致しているときに、測定膜厚の結果をプロセス用レシピにフィードバックしてもよい。プロセス用レシピに規定された適用条件は、測定膜厚の結果をプロセス用レシピにフィードバックすると、膜厚再現性（処理の再現性）が低下するようなものであればよく、これらの条件に限定されるものではない。
【００４７】
上記実施の形態では、ジクロロシランと一酸化二窒素とを用いてＳｉＯ２膜を形成する場合を例に本発明を説明したが、例えば、ジクロロシランとアンモニア（ＮＨ３）とを用いたＳｉＮ膜の成膜にも本発明を適用可能である。
【００４８】
上記実施の形態では、ＳｉＯ２膜を形成する場合を例に本発明を説明したが、処理の種類は任意であり、他種類の膜を形成するＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置、酸化装置などの様々な熱処理装置に適用可能である。
【００４９】
上記実施の形態では、目標とする処理結果について、ＳｉＯ２膜の膜厚を例に本発明を説明したが、例えば、ＳｉＯ２膜中に含まれる不純物濃度（膜中不純物濃度）であってもよい。この場合、モデル記憶部５１には、ヒータの温度の変化とガス流量の調整と形成されるＳｉＯ２膜の膜中不純物濃度の変化との関係を示す変化モデルが記憶されている。
【００５０】
上記実施の形態では、ヒータの段数（ゾーンの数）が５段の場合を例に本発明を説明したが、４段以下であっても、６段以上であってもよい。また。各ゾーンから抽出する半導体ウエハＷの数などは任意に設定可能である。
【００５１】
上記実施の形態では、単管構造のバッチ式熱処理装置の場合を例に本発明を説明したが、例えば、反応管２が内管と外管とから構成された二重管構造のバッチ式縦型熱処理装置に本発明を適用することも可能である。また、枚葉式の処理装置に本発明を適用することも可能である。本発明は、半導体ウエハの処理に限定されるものではなく、例えば、ＦＰＤ（Flat Panel Display）基板、ガラス基板、ＰＤＰ(Plasma Display Panel）基板などの処理にも適用可能である。
【００５２】
本発明の実施の形態にかかる制御部５０は、専用のシステムによらず、通常のコンピュータシステムを用いて実現可能である。例えば、汎用コンピュータに、上述の処理を実行するためのプログラムを格納した記録媒体（フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ（Compact Disc Read Only Memory）など）から当該プログラムをインストールすることにより、上述の処理を実行する制御部５０を構成することができる。
【００５３】
そして、これらのプログラムを供給するための手段は任意である。上述のように所定の記録媒体を介して供給できる他、例えば、通信回線、通信ネットワーク、通信システムなどを介して供給してもよい。この場合、例えば、通信ネットワークの掲示板（ＢＢＳ：Bulletin Board System）に当該プログラムを掲示し、これをネットワークを介して搬送波に重畳して提供してもよい。そして、このように提供されたプログラムを起動し、ＯＳ（Operating System）の制御下で、他のアプリケーションプログラムと同様に実行することにより、上述の処理を実行することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明は半導体ウエハ等の被処理体を処理する処理システムに有用である。
【符号の説明】
【００５５】
１          熱処理装置
２          反応管
３          マニホールド
６          蓋体
９          ウエハボート
１０        ヒータ部
１１〜１５  ヒータ
１６〜２０  電力コントローラ
２１〜２３  処理ガス供給管
２４〜２６  流量調整部
５０        制御部
５１        モデル記憶部
５２        レシピ記憶部
５３        ログ記憶部
５４        ＲＯＭ
５５        ＲＡＭ
５７        ＣＰＵ
Ｗ          半導体ウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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