(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料に対して一次Ｘ線を照射するＸ線管球と、
前記Ｘ線管球を収納するハウジングと、
前記Ｘ線管球から照射される前記一次Ｘ線の前記試料に対する照射面積を制限するＸ線照射領域限定機構と、
前記Ｘ線照射領域限定機構を前記ハウジングに保持する機構保持部とを備え、
前記Ｘ線管球が、内部が真空に保たれた筐体と、
前記筐体の内部に陰極として設けられ電子線を発生する電子線源と、
前記筐体の内部に前記電子線源と対向する陽極として設けられ基端が前記筐体に固定されていると共に突出した先端部に前記電子線が照射されるターゲット部とを備え、
前記筐体が、前記ハウジング内の底面上に設置され、
前記ハウジング及び前記筐体が、前記ターゲットの先端部の直下に形成され前記一次Ｘ線が透過可能な窓を有し、
前記機構保持部が、前記ターゲット部の基端の直下で前記ハウジングに固定されている基端固定部と、
前記基端固定部から前記ターゲット部の突出方向に沿って延在し前記Ｘ線照射領域限定機構を支持している延在支持部とを有し、
前記機構保持部が、前記Ｘ線照射領域限定機構を前記窓の直下に配しており、
前記Ｘ線照射領域限定機構が、前記窓を透過した前記一次Ｘ線の前記照射面積を制限することを特徴とするＸ線発生源。
【請求項２】
請求項１に記載のＸ線発生源において、
前記延在支持部の延在方向の熱膨張率が、前記ターゲット部の突出方向の熱膨張率と同じであることを特徴とするＸ線発生源。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のＸ線発生源において、
前記延在支持部が、前記ターゲット部と同じ材料で形成されていると共に、前記ハウジングに固定された部分から前記Ｘ線照射領域限定機構の中心軸までの距離が、前記ターゲット部の基端から前記先端部のＸ線発生位置までの距離と同じに設定されていることを特徴とするＸ線発生源。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載のＸ線発生源において、
前記機構保持部が、前記延在支持部を延在方向に熱膨張可能にガイドするガイド部を有していることを特徴とするＸ線発生源。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載のＸ線発生源と、
前記一次Ｘ線を照射された前記試料から発生する蛍光Ｘ線を検出する検出器とを備えていることを特徴とする蛍光Ｘ線分析装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有害物質の検出等が可能で製品のスクリーニング等あるいはメッキ等の膜厚測定に使用される蛍光Ｘ線分析装置に好適なＸ線発生源及びこれを備えた蛍光Ｘ線分析装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
蛍光Ｘ線分析は、Ｘ線管球から出射されたＸ線を試料に照射し、試料から放出される蛍光Ｘ線をＸ線検出器で検出し、それらの強度の関係から試料の組成に関する定性分析若しくは濃度や膜厚などの定量分析を行うものである。この蛍光Ｘ線分析は、試料を非破壊で迅速に分析可能なため、工程・品質管理などで広く用いられている。近年では、高精度化・高感度化が図られて微量測定が可能になり、特に材料や複合電子部品などに含まれる有害物質の検出を行う分析手法として普及が期待されている。
【０００３】
通常、試料に照射する一次Ｘ線を細いビーム状に絞り、数十〜数百マイクロメートルの範囲を分析する蛍光Ｘ線分析装置においては、Ｘ線源であるＸ線管球にＸ線照射領域を限定するための機構（以下、Ｘ線照射領域限定機構又は集光素子という）を組み合わせている。例えば、Ｘ線管球からのＸ線を集光して試料に対する照射面積を小さくすることができるポリキャピラリを備えたものが知られている。このポリキャピラリは、内径１０μｍ程の中空ガラス管（キャピラリ）の束で構成され、入射されたＸ線を内壁で全反射により伝播させ、各キャピラリの出射口を１点に指向させることでＸ線を集光する素子である。
【０００４】
このようなＸ線管球内部のＸ線発生位置とＸ線照射領域限定機構とは、精密に位置合わせされていることが必要である。しかしながら、装置の設置環境や、管球の筐体内部の発熱、扉の開閉による筐体内部の温度変動など、様々な要因でＸ線管球の周辺温度はある程度の幅で変動することが多い。この変動により、Ｘ線管球の主にアノードの部分の熱変形量が変化し、Ｘ線発生位置の変動をもたらしてしまう。
【０００５】
すなわち、Ｘ線管球が、その出力、環境温度及び装置筐体内部の温度などの要因に依存して、各部の温度が変化し、その温度変化に伴って、Ｘ線管球が熱的に変化し、Ｘ線発生部の機械的な位置が変動してしまう。このため、Ｘ線を特定の微小部に照射してそこからの蛍光Ｘ線を分析する装置においては、Ｘ線発生位置の機械的変動は、Ｘ線を特定の微小部に照射するための機構との位置ずれを引き起こし、結果としてＸ線照射位置やＸ線強度の変動をもたらしてしまう問題があった。
【０００６】
例えば、ポリキャピラリをＸ線源に取り付け固定した場合、集光効率（ポリキャピラリからの出力強度）はポリキャピラリの取り付け位置に依存し、Ｘ線管球のターゲットにおけるＸ線発生位置の直下にポリキャピラリが配置されたときに出力強度が最大になる。この場合、機械的要因や熱（温度ドリフト）によってＸ線源とポリキャピラリとの相対位置がずれてしまうと出力強度が減少する。特に、ポリキャピラリの中心軸に直交する水平方向に対して敏感であり、例えば、水平方向に１０μｍずれると、出力強度が５％減少してしまう。
【０００７】
これらの変動に対し、従来、室内空調により気温の変動を抑える、あるいは頻繁に温度変動の効果を補正するための校正測定を行うなどの方法で対応していたが、十分ではなかった。
上記のような課題に対して、特許文献１では、周囲の温度変化に対し、Ｘ線管球のターゲットを加熱冷却することで動かし、温度変化による位置ずれを修正するシステムが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１１−７１１２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記従来の技術には、以下の課題が残されている。
すなわち、特許文献１に記載の技術では、ターゲットの温度を制御するために温度センサ及び温度アクチュエータ等の複数の部材や複雑な構造が必要になると共に、複雑で高精度な温度制御が必要になるという不都合があった。また、このためシステム全体が高額になるという不都合があった。
【００１０】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、比較的簡易な構成によりＸ線発生位置とＸ線照射領域を限定するための機構との位置ずれを抑制可能なＸ線発生源及びこれを備えた蛍光Ｘ線分析装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、第１の発明に係るＸ線発生源は、試料に対して一次Ｘ線を照射するＸ線管球と、前記Ｘ線管球を収納するハウジングと、前記Ｘ線管球から照射される前記一次Ｘ線の前記試料に対する照射面積を制限するＸ線照射領域限定機構と、前記Ｘ線照射領域限定機構を前記ハウジングに保持する機構保持部とを備え、前記Ｘ線管球が、内部が真空に保たれた筐体と、前記筐体の内部に陰極として設けられ電子線を発生する電子線源と、前記筐体の内部に前記電子線源と対向する陽極として設けられ基端が前記筐体に固定されていると共に突出した先端部に前記電子線が照射されるターゲット部とを備え、前記機構保持部が、前記ターゲット部の基端の直下で前記ハウジングに固定されている基端固定部と、前記基端固定部から前記ターゲット部の突出方向に沿って延在し前記Ｘ線照射領域限定機構を支持している延在支持部とを有していることを特徴とする。
【００１２】
このＸ線発生源では、機構保持部が、ターゲット部の基端の直下でハウジングに固定されている基端固定部と、基端固定部からターゲット部の突出方向に沿って延在しＸ線照射領域限定機構を支持している延在支持部とを有しているので、熱膨張してもターゲット部の先端部とＸ線照射領域限定機構との相対位置の変動を抑制することができる。すなわち、ターゲット部と同様に片持ちで同方向に延在した延在支持部にＸ線照射領域限定機構が保持されることで、ターゲット部の熱膨張と同じ方向に延在支持部が熱膨張する。したがって、ターゲット部の先端部におけるＸ線発生位置が熱膨張によりずれても、延在支持部も熱膨張することで延在支持部に保持されたＸ線照射領域限定機構も同じ方向に同様の変位量でずれる。これによって、周囲温度の変化に対し、熱膨張してもターゲット部の先端部とＸ線照射領域限定機構との相対位置が変動し難くなり、結果として出力強度の変動も抑制することができる。
【００１３】
第２の発明に係るＸ線発生源は、第１の発明において、前記延在支持部の延在方向の熱膨張率が、前記ターゲット部の突出方向の熱膨張率と同じであることを特徴とする。
すなわち、このＸ線発生源では、延在支持部の延在方向の熱膨張率が、ターゲット部の突出方向の熱膨張率と同じであるので、周囲の温度変化に伴ってターゲット部が突出方向に熱膨張しても延在支持部も同じ熱膨張率で延在方向に長さが変化することで、ターゲット部の先端部とＸ線照射領域限定機構との相対位置が変動しない。
【００１４】
第３の発明に係るＸ線発生源は、第１又は第２の発明において、前記延在支持部が、前記ターゲット部と同じ材料で形成されていると共に、前記ハウジングに固定された部分から前記Ｘ線照射領域限定機構の中心軸までの距離が、前記ターゲット部の基端から前記先端部のＸ線発生位置までの距離と同じに設定されていることを特徴とする。
すなわち、このＸ線発生源では、延在支持部が、ターゲット部と同じ材料で形成されていると共に、ハウジングに固定された部分からＸ線照射領域限定機構の中心軸までの距離が、ターゲット部の基端から先端部のＸ線発生位置までの距離と同じに設定されているので、周囲の温度変化に伴ってターゲット部が熱膨張する変位量が延在支持部も同じになって、ターゲット部のＸ線発生位置とＸ線照射領域限定機構との相対位置が変動しない。
【００１５】
第４の発明に係るＸ線発生源は、第１から第３の発明のいずれかにおいて、前記機構保持部が、前記延在支持部を延在方向に熱膨張可能にガイドするガイド部を有していることを特徴とする。
すなわち、このＸ線発生源では、機構保持部が、延在支持部を延在方向に熱膨張可能にガイドするガイド部を有しているので、延在支持部がガイド部にガイドされることで、熱膨張時に延在支持部が延在方向以外に湾曲や撓むことが抑制され、延在方向以外の方向へのずれを防止することができる。
【００１６】
第５の発明に係る蛍光Ｘ線分析装置は、第１から第４の発明のＸ線発生源と、前記一次Ｘ線を照射された前記試料から発生する蛍光Ｘ線を検出する検出器とを備えていることを特徴とする。
すなわち、この蛍光Ｘ線分析装置では、第１から第４の発明のＸ線発生源を備えているので、出力強度の変動が少なく、高精度な蛍光Ｘ線分析が可能になる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明に係るＸ線発生源及び蛍光Ｘ線分析装置によれば、機構保持部が、ターゲット部の基端の直下でハウジングに固定されている基端固定部と、基端固定部からターゲット部の突出方向に沿って延在しＸ線照射領域限定機構を支持している延在支持部とを有しているので、熱膨張してもターゲット部の先端部とＸ線照射領域限定機構との相対位置の変動を抑制することができ、結果として出力強度の変動も抑制することができる。
したがって、比較的簡易な構成によりＸ線発生位置とＸ線照射領域限定機構との位置ずれを抑制可能であり、出力強度の変動を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明に係るＸ線発生源及び蛍光Ｘ線分析装置の第１実施形態において、Ｘ線発生源を示す断面図である。
【図２】第１実施形態において、蛍光Ｘ線分析装置を示す全体構成図である。
【図３】本発明に係るＸ線発生源及び蛍光Ｘ線分析装置の第２実施形態において、Ｘ線発生源を示す断面図である。
【図４】本発明に係るＸ線発生源及び蛍光Ｘ線分析装置の第３実施形態において、機構保持部を示す底面図（ａ）、右側面図（ｂ）及び正面図（ｃ）である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明に係るＸ線発生源及び蛍光Ｘ線分析装置の第１実施形態を、図１及び図２を参照しながら説明する。
【００２０】
本実施形態のＸ線発生源１は、図１に示すように、試料Ｓに対して一次Ｘ線Ｘ１を照射するＸ線管球２と、Ｘ線管球２を収納するハウジング３と、Ｘ線管球２から照射される一次Ｘ線Ｘ１の試料Ｓに対する照射面積を制限するＸ線照射領域限定機構４と、Ｘ線照射領域限定機構４をハウジング３に保持する機構保持部５とを備えている。
上記Ｘ線管球２は、内部が真空に保たれた筐体６と、筐体６の内部に陰極として設けられ電子線ｅを発生する電子線源７と、筐体６の内部に電子線源７と対向する陽極として設けられ基端が筐体６に固定されていると共に突出した先端部８ａに電子線ｅが照射されるターゲット部８とを備えている。
【００２１】
上記機構保持部５は、ターゲット部８の基端の直下でハウジング３に固定されている基端固定部５ａと、基端固定部５ａからターゲット部８の突出方向に延在しＸ線照射領域限定機構４を支持している延在支持部５ｂとを有している。すなわち、機構保持部５は、断面Ｌ字状に形成されている。また、基端固定部５ａは、ハウジング３の下部に固定用ネジ５ｃで固定されている。
このように延在支持部５ｂは、ターゲット部８と同様に、基端となる一端が固定されていると共に先端となる他端が自由端となった片持ち構造となっている。
【００２２】
上記延在支持部５ｂの延在方向の熱膨張率は、ターゲット部８の突出方向の熱膨張率と同じに設定されている。
また、延在支持部５ｂは、ターゲット部８と同じ材料で形成されていると共に、ハウジング３に固定された部分からＸ線照射領域限定機構４の中心軸までの距離Ｒが、ターゲット部８の基端から先端部８ａのＸ線発生位置Ｐまでの距離と同じに設定されている。なお、本実施形態では、ターゲット部８と基端固定部５ａと延在支持部５ｂとがＣｕ（銅）で形成されている。
【００２３】
上記Ｘ線管球２は、一次Ｘ線Ｘ１を照射可能であって、管球内の電子線源７であるフィラメント（陰極）から発生した電子線（熱電子）ｅが、電子線源７とターゲット部（陽極）８との間に印加された電圧により加速されターゲット部８のＣｕ（銅）、Ｗ（タングステン）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｒ（クロム）などに衝突して発生したＸ線を一次Ｘ線Ｘ１としてベリリウム箔などの窓６ａから出射するものである。なお、上述したように本実施形態では、Ｃｕによりターゲット部８が形成されている。
このＸ線管球２は、高圧絶縁油Ｌに浸けられてハウジング３内に格納されている。
【００２４】
上記Ｘ線照射領域限定機構４は、例えばコリメータ、モノキャピラリ又はポリキャピラリ等である。特に、本実施形態では、Ｘ線照射領域限定機構４としてポリキャピラリを採用している。このＸ線照射領域限定機構４は、基端がＸ線管球２からの一次Ｘ線Ｘ１が入射可能にターゲット部８の先端部８ａにおけるＸ線発生位置Ｐの直下に配されていると共に、集光された一次Ｘ線Ｘ１を出射する先端が試料台１２に向けて配されている。上記機構保持部５は、Ｘ線照射領域限定機構４の基端部を窓６ａの直下に配すると共に、Ｘ線発生位置ＰとＸ線照射領域限定機構４の中心軸（ポリキャピラリの中心軸）とを一致させてＸ線照射領域限定機構４を延在支持部５ｂにより保持している。
【００２５】
なお、集光素子となるＸ線照射領域限定機構４としては、ポリキャピラリが好ましいが、集束結晶等を採用しても構わない。また、Ｘ線照射領域限定機構４は、集光素子の代わりに一次Ｘ線Ｘ１の一部を遮蔽することでＸ線の照射領域を限定するコリメータを用いてもよい。
【００２６】
次に、本実施形態の蛍光Ｘ線分析装置１０は、上記Ｘ線発生源１と、一次Ｘ線Ｘ１を照射された試料Ｓから発生する蛍光Ｘ線Ｘ２を検出する検出器１４と、検出器１４に接続され検出器１４からの信号を分析する分析器１３と、Ｘ線発生源１、検出器１４及び分析器１３に接続された制御部１１とを備えている。
上記検出器１４は、半導体検出素子（例えば、ｐｉｎ構造ダイオードであるＳｉ（シリコン）素子）（図示略）を備え、Ｘ線光子１個が入射すると、このＸ線光子１個に対応する電荷を発生させ、後段に接続された前置増幅器によりＸ線光子のエネルギーと入射タイミングとの情報を含んだ電圧信号を出力するように設定されている。
【００２７】
上記試料Ｓは、ＸＹステージである試料台１２の上に載置されて分析に供される。
上記制御部１１は、試料台１２にも接続され、Ｘ線管球２、検出器１４及び試料台１２を制御するＣＰＵ等で構成されたコンピュータである。
上記分析器１３は、上記信号から電圧パルスの波高を得てエネルギースペクトルを生成する波高分析器（マルチチャンネルパルスハイトアナライザー）である。
【００２８】
この蛍光Ｘ線分析装置１０では、分析を行う際に、Ｘ線管球２のターゲット部８から放射される一次Ｘ線Ｘ１が、ポリキャピラリであるＸ線照射領域限定機構４によって所望の照射径に絞られて試料Ｓに照射される。この際、試料Ｓから放出された蛍光Ｘ線Ｘ２を検出器１４で受けることによって蛍光Ｘ線分析が行われる。
【００２９】
この分析の際、ターゲット部８の温度が上昇して熱膨張することで突出方向（図１中のＸ＋方向）に伸びた場合、ターゲット部８の先端部８ａのＸ線発生位置Ｐが突出方向に移動してしまう。しかしながら、機構保持部５にも筐体６及びハウジング３を介してターゲット部８の熱が伝わり、ターゲット部８と同様に温度が上昇する。このため、延在支持部５ｂも延在方向（図１中のＸ＋方向）に同様に熱膨張することで、延在支持部５ｂに保持されたＸ線照射領域限定機構４も延在支持部５ｂの延在方向にＸ線発生位置Ｐとほぼ同じ変位量で移動する。したがって、ターゲット部８の温度が変化してもＸ線発生位置ＰとＸ線照射領域限定機構４との相対位置のずれが抑制される。
さらに、図１に示すように、ターゲット部８の筐体６への固定端部からハウジング部３の基端固定部５ａの接触部までを接続する銅材等で形成された熱伝導路６ｂを設けてもよい。このようにして、熱伝導路６ｂを介してターゲット部８から基端固定部５ａへ熱をより早く伝達させることで、ターゲット部８と機構保持部５との温度差をより早く解消することができ、Ｘ線発生位置ＰとＸ線照射領域限定機構４との相対位置のずれの抑制効果が高まる。
【００３０】
このように本実施形態のＸ線発生源１及び蛍光Ｘ線分析装置１０では、機構保持部５が、ターゲット部８の基端の直下でハウジング３に固定されている基端固定部５ａと、基端固定部５ａからターゲット部８の突出方向に沿って延在しＸ線照射領域限定機構４を支持している延在支持部５ｂとを有しているので、熱膨張してもターゲット部８の先端部８ａとＸ線照射領域限定機構４との相対位置の変動を抑制することができる。
【００３１】
すなわち、ターゲット部８と同様に片持ちで同方向に延在した延在支持部５ｂにＸ線照射領域限定機構４が保持されることで、ターゲット部８の熱膨張と同じ方向に延在支持部５ｂが熱膨張する。したがって、ターゲット部８の先端部８ａにおけるＸ線発生位置Ｐが熱膨張によりずれても、延在支持部５ｂも熱膨張することで延在支持部５ｂに保持されたＸ線照射領域限定機構４も同じ方向に同様の変位量でずれる。これによって、周囲温度の変化に対し、熱膨張してもターゲット部８の先端部８ａとＸ線照射領域限定機構４との相対位置が変動し難くなり、結果として出力強度の変動も抑制することができる。
【００３２】
また、延在支持部５ｂの延在方向の熱膨張率が、ターゲット部８の突出方向の熱膨張率と同じであるので、周囲の温度変化に伴ってターゲット部８が突出方向に熱膨張しても延在支持部５ｂも同じ熱膨張率で延在方向に長さが変化することで、ターゲット部８の先端部８ａとＸ線照射領域限定機構４との相対位置が変動しない。
【００３３】
特に、延在支持部５ｂが、ターゲット部８と同じ材料で形成されていると共に、ハウジング３に固定された部分からＸ線照射領域限定機構４の中心軸までの距離が、ターゲット部８の基端から先端部８ａのＸ線発生位置Ｐまでの距離と同じに設定されているので、周囲の温度変化に伴ってターゲット部８が熱膨張する変位量が延在支持部５ｂも同じになって、ターゲット部８のＸ線発生位置ＰとＸ線照射領域限定機構４との相対位置が変動しない。
したがって、本実施形態の蛍光Ｘ線分析装置１０では、上記Ｘ線発生源１を備えているので、出力強度の変動が少なく、高精度な蛍光Ｘ線分析が可能になる。
【００３４】
次に、本発明に係るＸ線発生源及び蛍光Ｘ線分析装置の第２実施形態及び第３実施形態について、図３及び図４を参照して以下に説明する。なお、以下の各実施形態の説明において、上記実施形態において説明した同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明は省略する。
【００３５】
第２実施形態と第１実施形態との異なる点は、第１実施形態では、機構保持部５において延在支持部５ｂが基端固定部５ａに一端（基端）を支持されているだけであるのに対し、第２実施形態のＸ線発生源２１では、図３に示すように、機構保持部２５が、延在支持部５ｂを延在方向に熱膨張可能にガイドするガイド部２６を有している点である。すなわち、第２実施形態では、延在支持部５ｂの先端側に配されて延在支持部５ｂの上下を支えるように断面コ字状の切り込み部２６ａを有したガイド部２６がハウジング３の下部にネジ２６ｂで固定されている。
【００３６】
上記切り込み部２６ａは、延在支持部５ｂの延在方向に深く切り込まれており、延在支持部５ｂが切り込み部２６ａに差し込まれた状態で支持されている。したがって、延在支持部５ｂの上下を規制した状態で延在方向に延在支持部５ｂが伸縮可能とされている。
このガイド部２６は、鋼鉄、インバー（登録商標）、ノビナイト（登録商標）等の低熱膨張材料で形成されている。
【００３７】
したがって、第２実施形態では、機構保持部５が、延在支持部５ｂを延在方向に熱膨張可能にガイドするガイド部２６を有しているので、延在支持部５ｂがガイド部２６にガイドされることで、熱膨張時に延在支持部５ｂが上下に湾曲や撓むことが抑制され、上下方向へのずれを防止することができる。
【００３８】
次に、第３実施形態と第２実施形態との異なる点は、第２実施形態では、ガイド部２６が延在支持部５ｂの上下を支持しているのに対し、第３実施形態のＸ線発生源１は、図４に示すように、延在支持部５ｂの両側も支持する一対の支持棒部３６を備えたガイド部３６を有している点である。すなわち、第３実施形態では、ガイド部３６が、基端固定部５ａに基端が固定された一対の支持棒部３６を備え、一対の支持棒部３６の内側の面に、延在支持部３５ｂの突出先端部３５ｃが支持棒部３６の延在方向に移動可能に嵌められたスリット部３６ａが形成されている。
【００３９】
上記延在支持部３５ｂは、ターゲット部８の突出方向に延在した延在棒部３５ｂと、延在棒部３５ｂの先端から両側に突出した一対の突出先端部３５ｃとを有している。すなわち、延在支持部３５ｂは、平面視Ｔ字状とされている。
上記スリット部３６ａには、突出先端部３５ｃの先端が嵌められて、延在棒部３５ｂの延在方向に突出先端部３５ｃが移動可能とされている。なお、ポリキャピラリであるＸ線照射領域限定機構４は、一対の突出先端部３５ｃの中間に取り付けられている。
【００４０】
このように第３実施形態では、延在支持部３５ｂがガイド部２６により上下だけでなく両側も支持されることで、熱膨張時に延在支持部３５ｂが上下だけでなく左右に湾曲や撓むことが抑制され、上下方向だけでなく左右方向（延在方向に直交する水平方向）へのずれも防止することができる。
【００４１】
なお、本発明の技術範囲は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記各実施形態では、波高分析器でＸ線のエネルギーと強度とを測定するエネルギー分散方式の蛍光Ｘ線分析装置に適用したが、蛍光Ｘ線を分光結晶により分光し、Ｘ線の波長と強度を測定する波長分散方式の蛍光Ｘ線分析装置に適用しても構わない。
【符号の説明】
【００４２】
１，２１…Ｘ線発生源、２…Ｘ線管球、３…ハウジング、４…Ｘ線照射領域限定機構、５，２５，３５…機構保持部、５ａ…基端固定部、５ｂ，３５ｂ…延在支持部、６…筐体、７…電子線源、８…ターゲット部、１０…蛍光Ｘ線分析装置、１４…検出器、２６，３６…ガイド部、ｅ…電子線、Ｓ…試料、Ｘ１…一次Ｘ線、Ｘ２…蛍光Ｘ線
【図１】
0006320898.tif 000002
【図２】
0006320898.tif 000003
【図３】
0006320898.tif 000004
【図４】
0006320898.tif 000005