(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
バッファードフッ酸を収納する収納部と、
前記バッファードフッ酸を用いて処理物の処理を行う処理部と、
前記収納部に収納された前記バッファードフッ酸を前記処理部に供給する供給部と、
前記処理部において使用された前記バッファードフッ酸を回収して前記収納部に供給する回収部と、
前記バッファードフッ酸の蒸発量を演算する演算部と、
アンモニアと、水と、を含み、前記演算されたバッファードフッ酸の蒸発量と同じ量の補充液を前記バッファードフッ酸に供給する補充液供給部と、
を備え、
前記補充液のアンモニアの濃度は、２ｗｔ％以上、４ｗｔ％以下である処理装置。
【請求項２】
前記演算部は、処理時間と、予め求められた前記バッファードフッ酸の蒸発量と前記処理時間との関係と、から前記バッファードフッ酸の蒸発量を演算する請求項１記載の処理装置。
【請求項３】
前記演算部は、前記収納部における前記バッファードフッ酸の液面の位置、前記収納部における前記バッファードフッ酸の重量、前記バッファードフッ酸の粘度、および前記バッファードフッ酸の水素イオン指数からなる群より選ばれた少なくとも１つに基づいて、前記バッファードフッ酸の蒸発量を演算する請求項１記載の処理装置。
【請求項４】
バッファードフッ酸を用いて処理物の処理を行う工程と、
前記処理物の処理を行う工程において使用された前記バッファードフッ酸を回収して再利用する工程と、
前記バッファードフッ酸の蒸発量を求める工程と、
アンモニアと、水と、を含み、前記求められたバッファードフッ酸の蒸発量と同じ量の補充液を前記再利用するバッファードフッ酸に供給する工程と、
を備え、
前記補充液のアンモニアの濃度は、２ｗｔ％以上、４ｗｔ％以下である処理方法。
【請求項５】
前記バッファードフッ酸の蒸発量を求める工程において、処理時間と、予め求められた前記バッファードフッ酸の蒸発量と前記処理時間との関係と、から前記バッファードフッ酸の蒸発量を求める請求項４記載の処理方法。
【請求項６】
前記バッファードフッ酸の蒸発量を求める工程において、前記再利用するバッファードフッ酸の液面の位置、前記再利用するバッファードフッ酸の重量、前記再利用するバッファードフッ酸の粘度、および前記再利用するバッファードフッ酸の水素イオン指数からなる群より選ばれた少なくとも１つに基づいて、前記バッファードフッ酸の蒸発量を求める請求項４記載の処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、処理装置および処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置やフラットパネルディスプレイなどの電子デバイスの製造においては、バッファードフッ酸（ＢＨＦ；buffered hydrogen fluoride）を用いたエッチング処理や洗浄処理などが行われている。  
バッファードフッ酸を用いた処理においては、微細化に対応するために、バッファードフッ酸の処理レート（例えば、エッチング処理におけるエッチングレートや洗浄処理における除去レートなど）を低めに設定するようになってきている。  
また、バッファードフッ酸を用いた処理においては、使用済みのバッファードフッ酸を回収して再利用するようになってきている。  
ところが、同じバッファードフッ酸を繰り返し用いるようにすると、処理レートが次第に高くなるという問題がある。  
処理レートが次第に高くなると、酸化膜などの除去量が次第に増加するなどして電子デバイスの品質がばらつく要因となる。  
そのため、バッファードフッ酸を再利用する場合であっても処理レートの変動を抑制することができる技術の開発が望まれていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２５１９３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、バッファードフッ酸を再利用する場合であっても処理レートの変動を抑制することができる処理装置および処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る処理装置は、バッファードフッ酸を収納する収納部と、前記バッファードフッ酸を用いて処理物の処理を行う処理部と、前記収納部に収納された前記バッファードフッ酸を前記処理部に供給する供給部と、前記処理部において使用された前記バッファードフッ酸を回収して前記収納部に供給する回収部と、前記バッファードフッ酸の蒸発量を演算する演算部と、アンモニアと、水と、を含み、前記演算されたバッファードフッ酸の蒸発量と同じ量の補充液を前記バッファードフッ酸に供給する補充液供給部と、を備えている。前記補充液のアンモニアの濃度は、２ｗｔ％以上、４ｗｔ％以下である。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】本実施の形態に係る処理装置１を例示するための模式図である。
【図２】処理液１００の蒸発量と、エッチングレート（処理レート）との関係を例示するためのグラフ図である。
【図３】補充液１１０のアンモニアの濃度と、エッチングレートとの関係を例示するためのグラフ図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。  
図１は、本実施の形態に係る処理装置１を例示するための模式図である。  
図１に示すように、処理装置１には、処理部２、処理液供給回収部３、補充液供給部４、および制御部５が設けられている。
【０００８】
処理部２は、バッファードフッ酸（以下、処理液１００と称する）を用いて処理物の処理を行う。  
処理部２は、処理液１００を用いるエッチング装置や洗浄装置などとすることができる。
処理部２は、枚葉式の装置（例えば、回転させた処理物に処理液１００を供給する装置）、バッチ式の装置（例えば、複数の処理物を処理液１００の中に浸漬させる装置）、ローラなどにより搬送される処理物に処理液１００を供給する装置などとすることができる。
なお、処理部２には、既知のエッチング装置や洗浄装置などを用いることができるので詳細な説明は省略する。
【０００９】
処理液供給回収部３は、処理部２に処理液１００を供給し、処理部２において使用された処理液１００を回収する。  
処理液供給回収部３には、収納部３１、検出部３２、供給部３３、および回収部３４が設けられている。  
収納部３１は、処理液１００を収納する。
【００１０】
検出部３２は、処理液１００の液面１００ａの位置を検出する。  
後述するように、処理液１００の液面１００ａの位置の変化を検出すれば、処理液１００の蒸発量を直接的に求めることができる。  
なお、蒸発量は、重量であってもよいし、体積であってもよい。  
検出部３２は、例えば、投光部と受光部とを有する光電センサなどとすることができる。
収納部３１の側壁には、透光性を有するフッ素樹脂などから形成された計測部３１ａが接続されている。計測部３１ａは、管状体から形成することができる。計測部３１ａは、収納部３１の高さ方向に伸び、上端側と下端側が収納部３１の内部と繋がっている。計測部３１ａの上端は、液面１００ａよりは上方に位置している。計測部３１ａの下端は液面１００ａよりは下方に位置している。そのため、収納部３１の内部における液面１００ａの位置と、計測部３１ａの内部における液面１００ａの位置とが同じになる。
【００１１】
検出部３２は、計測部３１ａが伸びる方向に沿って複数設けることができる。例えば、検出部３２は、計測部３１ａが伸びる方向に沿って等間隔に並べて設けることができる。  処理液１００の屈折率と、空気などの気体の屈折率とは異なるため、処理液１００の有無により屈折角が変化する。そのため、計測部３１ａから出射する光の進行方向が変化する。計測部３１ａから出射する光の進行方向が変化すると、受光部に入射する光の量が変化するので、計測部３１ａが伸びる方向に沿って設けられた複数の検出部３２のそれぞれの受光部からの出力により液面１００ａの位置を検出することができる。
【００１２】
なお、計測部３１ａは必ずしも必要ではないが、計測部３１ａを設けるようにすれば、液面１００ａのうねりなどを除去することができる。  
また、液面１００ａの位置を直接検出する場合を例示したが、浮子などを検出することで間接的に液面１００ａの位置を検出することもできる。  
また、検出部３２が光電センサである場合を例示したが、例えば、検出部３２は近接センサや超音波センサなどであってもよい。
【００１３】
以上は、処理液１００の液面１００ａの位置の変化に基づいて、処理液１００の蒸発量を求める場合である。  
処理液１００の蒸発量は、例えば、処理液１００の重量の変化に基づいて、直接的に求めることもできる。  
また、処理液１００の蒸発量は、例えば、処理液１００の粘度の変化や、処理液１００の水素イオン指数の変化に基づいて、間接的に求めることもできる。  
そのため、検出部３２は、処理液１００の液面１００ａの位置、処理液１００の重量、処理液１００の粘度、処理液１００の水素イオン指数などを検出するものとすることができる。  
処理液１００の重量は、例えば、収納部３１の下方に重量計やロードセルなどを設け、計測値から、予め求められた収納部３１の重量を引くことで求めることができる。
【００１４】
また、処理液１００には、蒸発し易い成分と、蒸発し難い成分とが含まれている。  
そのため、処理液１００が蒸発する際に蒸発し易い成分が多く蒸発するため、処理液１００の蒸発により、処理液１００の組成比が変化する。  
例えば、バッファードフッ酸である処理液１００には、フッ酸（フッ化水素酸）、アンモニア、水が含まれている。この場合、アンモニアおよび水はフッ酸よりも蒸発し易いので、処理液１００が蒸発すると処理液１００に含まれるフッ酸の濃度が高くなる。
【００１５】
処理液１００の組成比の変化は、処理液１００の粘度や水素イオン指数などを計測することで求めることができる。そして、処理液１００の組成比の変化と、処理液１００の蒸発量との間には相関関係があるので、処理液１００の粘度や水素イオン指数などから、処理液１００の蒸発量を間接的に求めることができる。  
処理液１００の粘度は、例えば、既知の粘度計により計測することができる。  
処理液１００の水素イオン指数は、例えば、既知のｐＨセンサにより計測することができる。
なお、処理液１００の粘度や水素イオン指数は、収納部３１の内部において計測することもできるし、収納部３１の外部（例えば、供給部３３や回収部３４など）において計測することもできる。
【００１６】
また、電子デバイスの製造においては、温度や圧力などの環境条件が所定の範囲内となるように制御されている。  
そのため、処理液１００の蒸発量と、処理時間との間には相関関係がある。  
そこで、予め実験やシミュレーションなどにより求められた処理液１００の蒸発量と処理時間との間の関係と、計測された処理時間とから処理液１００の蒸発量を求めることもできる。  
この様にすれば、検出部３２や計測部３１ａなどを省くことができる。
【００１７】
供給部３３は、収納部３１に収納された処理液１００を処理部２に供給する。  
供給部３３には、配管３３ａ、開閉弁３３ｂ、配管３３ｃ、ポンプ３３ｄ、および配管３３ｅが設けられている。  
配管３３ａの一端は、収納部３１に収納された処理液１００の中に設けられている。  
配管３３ａの他端は、開閉弁３３ｂに接続されている。  
開閉弁３３ｂは、例えば、処理液１００に対する耐性を有するエアオペレートバルブなどとすることができる。  
配管３３ｃの一端は、開閉弁３３ｂに接続されている。配管３３ｃの他端は、ポンプ３３ｄに接続されている。  
ポンプ３３ｄは、例えば、処理液１００に対する耐性を有するケミカルポンプなどとすることができる。  
配管３３ｅの一端は、ポンプ３３ｄに接続されている。配管３３ｅの他端は、処理部２に接続されている。  
配管３３ａ、配管３３ｃ、および配管３３ｅは、例えば、フッ素樹脂などから形成されたものとすることができる。
【００１８】
なお、供給部３３として、ポンプ３３ｄを備えたものを例示したがこれに限定されるわけではない。例えば、ポンプ３３ｄを設けずに、収納部３１の内部にガスを供給するものを設けることができる。この場合、収納部３１の内部に供給されたガスにより、収納部３１の内部に収納された処理液１００が加圧され、処理液１００が処理部２に供給される。収納部３１の内部に供給されるガスは、例えば、窒素ガス、ヘリウムガスなどの不活性ガス、空気、これらを含む混合ガスなどとすることができる。
【００１９】
回収部３４は、処理部２において使用された処理液１００を回収して、収納部３１に供給する。  
回収部３４には、配管３４ａ、開閉弁３４ｂ、配管３４ｃ、フィルタ３４ｄ、配管３４ｅ、ポンプ３４ｆ、および配管３４ｇが設けられている。  
配管３４ａの一端は、処理部２に接続されている。配管３４ａの他端は、開閉弁３４ｂに接続されている。  
開閉弁３４ｂは、例えば、処理液１００に対する耐性を有するエアオペレートバルブなどとすることができる。  
配管３４ｃの一端は、開閉弁３４ｂに接続されている。配管３４ｃの他端は、フィルタ３４ｄに接続されている。
【００２０】
フィルタ３４ｄは、例えば、使用済みの処理液１００に含まれる不溶性のフッ化物などを捕捉するものとすることができる。また、金属イオンを除去するフィルタをさらに設けることもできる。  
配管３４ｅの一端は、フィルタ３４ｄに接続されている。配管３４ｅの他端は、ポンプ３４ｆに接続されている。  
ポンプ３４ｆは、例えば、処理液１００に対する耐性を有するケミカルポンプなどとすることができる。  
配管３４ｇの一端は、ポンプ３４ｆに接続されている。配管３４ｇの他端は、収納部３１に接続されている。  
配管３４ａ、配管３４ｃ、配管３４ｅ、および配管３４ｇは、例えば、フッ素樹脂などから形成されたものとすることができる。
【００２１】
前述した様に、処理液１００が蒸発すると処理液１００の組成比が変化する。そのため、処理液１００の蒸発に伴い、処理レートが変化する。例えば、バッファードフッ酸である処理液１００に含まれるアンモニアおよび水はフッ酸よりも蒸発し易い。そのため、処理液１００が蒸発すると処理液１００に含まれるフッ酸の濃度が高くなるので、処理レートが高くなる。  
補充液供給部４は、蒸発により処理レートが変化した処理液１００に補充液１１０を供給して、処理レートの変化が抑制されるようにする。  
この場合、補充液供給部４は、処理液１００の蒸発量と同じ量の補充液１１０を処理液１００に供給する。
【００２２】
補充液供給部４には、収納部４１および供給部４２が設けられている。  
収納部４１は、補充液１１０を収納する。  
補充液１１０は、アンモニアと水を含む。後述するように、補充液１１０は、２ｗｔ％以上、４ｗｔ％以下のアンモニアの濃度を有するアンモニア水とすることができる。  
なお、補充液１１０に関する詳細は後述する。
【００２３】
供給部４２は、収納部４１に収納された補充液１１０を処理液供給回収部３の収納部３１に供給する。  
供給部４２には、配管４２ａ、開閉弁４２ｂ、配管４２ｃ、ポンプ４２ｄ、および配管４２ｅが設けられている。
【００２４】
配管４２ａの一端は、収納部４１に収納された補充液１１０の中に設けられている。配管４２ａの他端は、開閉弁４２ｂに接続されている。  
開閉弁４２ｂは、例えば、補充液１１０に対する耐性を有するエアオペレートバルブなどとすることができる。  
配管４２ｃの一端は、開閉弁４２ｂに接続されている。配管４２ｃの他端は、ポンプ４２ｄに接続されている。  
ポンプ４２ｄは、補充液１１０に対する耐性を有する可変吐出量型ポンプなどとすることができる。  
なお、補充液１１０の供給流量を測定する流量計を設け、流量計からの出力に基づいて補充液１１０の供給量を制御することもできる。
【００２５】
配管４２ｅの一端は、ポンプ４２ｄに接続されている。配管４２ｅの他端は、処理液供給回収部３の収納部３１に接続されている。  
配管４２ａ、配管４２ｃ、および配管４２ｅは、例えば、フッ素樹脂などから形成されたものとすることができる。
【００２６】
制御部５は、処理装置１に設けられた各要素の動作を制御する。  
制御部５は、例えば、開閉弁３３ｂおよびポンプ３３ｄを制御して、処理部２への処理液１００の供給や供給の停止を行わせる。  
制御部５は、例えば、開閉弁３４ｂおよびポンプ３４ｆを制御して、処理部２において使用された処理液１００を回収させ、回収させた処理液１００を収納部３１に供給させる。
【００２７】
制御部５は、処理液１００の蒸発量を演算する演算部としての機能を有する。  
制御部５は、例えば、収納部３１における処理液１００の液面１００ａの位置、収納部３１における処理液１００の重量、処理液１００の粘度、および処理液１００の水素イオン指数からなる群より選ばれた少なくとも１つに基づいて、処理液１００の蒸発量を演算する。  
また、制御部５は、処理時間と、予め求められた処理液１００の蒸発量と処理時間との関係と、から処理液１００の蒸発量を演算するようにすることもできる。  
制御部５は、例えば、開閉弁４２ｂおよびポンプ４２ｄを制御して、求められた処理液１００の蒸発量と同じ量の補充液１１０を収納部３１の内部にある処理液１００に供給させる。
【００２８】
次に、補充液１１０についてさらに説明する。  
図２は、処理液１００の蒸発量と、エッチングレート（処理レート）との関係を例示するためのグラフ図である。  
図２中の２１０はシリコンの熱酸化膜の場合、２２０はＴＥＯＳ（Tetra Ethyl Ortho Silicate）膜の場合である。  
熱酸化膜２１０とＴＥＯＳ膜２２０は、ともにシリコン酸化膜であるが膜質が異なるため、エッチングレートは異なるものとなる。
【００２９】
前述した様に、バッファードフッ酸である処理液１００には、フッ酸、アンモニア、および水が含まれているが、アンモニアおよび水はフッ酸よりも蒸発し易い。そのため、蒸発するものの大部分は、アンモニアおよび水となる。  
アンモニアおよび水が蒸発すると、処理液１００に含まれるフッ酸の濃度が高くなる。  そのため、蒸発量が多くなるほどフッ酸の濃度が高くなるので、図２から分かるように、エッチングレートが高くなる。
【００３０】
ここで、前述した処理液供給回収部３などを設けて使用済みの処理液１００を再利用すると、同じ処理液１００を繰り返し用いることになる。同じ処理液１００を繰り返し用いると、処理時間の経過とともに処理液１００の蒸発量が増加してフッ酸の濃度が高くなる。
この場合、フッ酸は処理に伴い消費されるが、アンモニアおよび水の蒸発量に比べて僅かなものとなる。  
そのため、処理時間の経過とともにエッチングレートが徐々に高くなる。この様なエッチングレートの変動は、製造される電子デバイスの品質がばらつく要因となる。近年の電子デバイスにおいては微細化が進んでいるため、エッチングレートの変動が電子デバイスの品質に大きな影響を与えるおそれがある。
【００３１】
そのため、本実施の形態に係る処理装置１においては、補充液供給部４を設け、補充液１１０を処理液１００に供給して、蒸発したアンモニアと水を補うようにしている。  
この場合、補充液１１０の供給量を処理液１００の蒸発量より多くすると、未使用の処理液１００におけるフッ酸の濃度よりも低いフッ酸の濃度を有する処理液１００となる。  補充液１１０の供給量を処理液１００の蒸発量より少なくすると、未使用の処理液１００におけるフッ酸の濃度よりも高いフッ酸の濃度を有する処理液１００となる。  
そのため、処理液１００の蒸発量と同じ量の補充液１１０を処理液１００に供給するようにしている。
【００３２】
次に、補充液１１０におけるアンモニアの濃度について説明する。  
処理液１００が蒸発する場合、アンモニアの蒸発量と水の蒸発量は、ほぼ一定の割合となるものと考えられる。  
本発明者らの得た知見によれば、２ｗｔ％以上、４ｗｔ％以下のアンモニアの濃度を有する補充液１１０を処理液１００の蒸発量と同じ量だけ処理液１００に供給すれば、処理レートの変動を抑制することができる。
【００３３】
図３は、補充液１１０のアンモニアの濃度と、エッチングレートとの関係を例示するためのグラフ図である。  
図３中の２１０ａは、未使用の処理液１００を用いてシリコンの熱酸化膜をエッチング処理した際のエッチングレートを表す線である。すなわち、補充液１１０を供給してエッチングレートの変動を抑制する際に目標となるエッチングレートの値を表す線である。  
「◆」は、１．３ｗｔ％の処理液１００が蒸発し、処理液１００の蒸発量と同じ量の補充液１１０を処理液１００に供給した場合のシリコンの熱酸化膜に対するエッチングレートを表している。  
「▲」２１０ｃは、５．１ｗｔ％の処理液１００が蒸発し、処理液１００の蒸発量と同じ量の補充液１１０を処理液１００に供給した場合のシリコンの熱酸化膜に対するエッチングレートを表している。  
２２０ａは、未使用の処理液１００を用いてＴＥＯＳ膜をエッチング処理した際のエッチングレートを表す線である。すなわち、補充液１１０を供給してエッチングレートの変動を抑制する際に目標となるエッチングレートの値を表す線である。  
「□」は、１．３ｗｔ％の処理液１００が蒸発し、処理液１００の蒸発量と同じ量の補充液１１０を処理液１００に供給した場合のＴＥＯＳ膜に対するエッチングレートを表している。  
「●」は、５．１ｗｔ％の処理液１００が蒸発し、処理液１００の蒸発量と同じ量の補充液１１０を処理液１００に供給した場合のＴＥＯＳ膜に対するエッチングレートを表している。
【００３４】
図３から分かるように、２ｗｔ％以上、４ｗｔ％以下のアンモニアの濃度を有する補充液１１０を処理液１００の蒸発量と同じ量だけ処理液１００に供給すれば、未使用の処理液１００を用いる場合のエッチングレートとほぼ同じエッチングレートとなるようにすることができる。  
すなわち、補充液１１０は、２ｗｔ％以上、４ｗｔ％以下のアンモニアの濃度を有するアンモニア水とすればよい。  
この様にすれば、所定のアンモニアの濃度を有する補充液１１０を処理液１００の蒸発量と同じ量だけ処理液１００に供給すればよいので、処理作業の簡易化や生産効率の向上などを図ることもできる。
【００３５】
次に、処理装置１の作用とともに本実施の形態に係る処理方法について例示をする。  
まず、処理部２の内部に処理物が搬入される。  
次に、処理液供給回収部３の供給部３３により、収納部３１に収納されている処理液１００が処理部２に供給される。  
処理部２は、供給された処理液１００を用いて、処理物のエッチング処理や洗浄処理などを行う。  
処理が済んだ処理物は処理部２から搬出され、次の処理物が処理部２の内部に搬入される。以降、同様にして、複数の処理物が順次処理される。
【００３６】
処理部２において使用された処理液１００は、回収部３４により回収され、フィルタ３４ｄにより不純物が取り除かれた後に収納部３１に供給される。  
以降、同様にして、処理液１００を循環させて使用する。
【００３７】
次に、処理液１００の蒸発量を求める。  
例えば、処理作業開始前の処理液１００の量と、処理液１００を循環させて使用した際の処理液１００の量との差から処理液１００の蒸発量を求める。  
この場合、処理液１００を循環させて使用した際の処理液１００の量は、処理液１００の液面１００ａの位置を検出したり、処理液１００の重量を検出したり、処理液１００の粘度を検出したり、処理液１００の水素イオン指数を検出したりして求めることができる。  また、処理液１００の蒸発量は、処理時間を計測し、予め求められた処理液１００の蒸発量と処理時間との関係から求めることもできる。
【００３８】
次に、補充液供給部４の供給部４２により、収納部４１に収納されている補充液１１０を処理液１００の蒸発量と同じ量だけ収納部３１に供給する。  
すなわち、２ｗｔ％以上、４ｗｔ％以下のアンモニアの濃度を有する補充液１１０を処理液１００の蒸発量と同じ量だけ処理液１００に供給する。  
この様にすれば、処理液１００を再利用するようにしても処理レートの変動を抑制することができる。
【００３９】
以上に説明したように、本実施の形態に係る処理方法は、以下の工程を備えることができる。  
処理液１００を用いて処理物の処理を行う工程。  
処理物の処理を行う工程において使用された処理液１００を回収して再利用する工程。
処理液１００の蒸発量を求める工程。  
アンモニアと、水と、を含み、求められた処理液１００の蒸発量と同じ量の補充液１１０を再利用する処理液１００に供給する工程。
【００４０】
この場合、補充液１１０のアンモニアの濃度は、２ｗｔ％以上、４ｗｔ％以下とすることができる。  
また、処理液１００の蒸発量を求める工程において、処理時間と、予め求められた処理液１００の蒸発量と処理時間との関係と、から処理液１００の蒸発量を求めるようにすることができる。  
また、処理液１００の蒸発量を求める工程において、再利用する処理液１００の液面１００ａの位置、再利用する処理液１００の重量、再利用する処理液１００の粘度、および再利用する処理液１００の水素イオン指数からなる群より選ばれた少なくとも１つに基づいて、処理液１００の蒸発量を求めるようにすることができる。  
なお、各工程における内容は、前述したものと同様とすることができるので詳細な説明は省略する。
【００４１】
以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【００４２】
１  処理装置、２  処理部、３  処理液供給回収部、４  補充液供給部、５  制御部、３１  収納部、３１ａ  計測部、３２  検出部、３３  供給部、３３ｂ  開閉弁、３３ｄ  ポンプ、３４  回収部、３４ｂ  開閉弁、３４ｄ  フィルタ、３４ｆ  ポンプ、４１  収納部、４２  供給部、４２ｂ  開閉弁、４２ｄ  ポンプ、１００  処理液、１００ａ  液面、１１０  補充液
【図１】
0006383254.tif 000002
【図２】
0006383254.tif 000003
【図３】
0006383254.tif 000004