(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
物品サポートに対して物品を静電的にクランプする静電クランプを有する装置であって、
前記クランプは、
ガラス材料、またはガラスおよびセラミック材料の両方を含む、第１の誘電体または半誘電体層と、
ガラス材料、またはガラスおよびセラミック材料の両方を含む、第２の誘電体または半誘電体層と、
スタックを形成するための前記第１および第２の誘電体または半誘電体層間の電極であって、アルミニウムを含む第１電極層およびクロムを含む第２電極層を有し、第１の部分および側方の第２の部分を備える、電極と、
前記第１および第２の部分間の二酸化ケイ素を含む中間材料であって、前記第１または前記第２の誘電体または半誘電体層以外の誘電体、半誘電体または絶縁材料である、中間材料と、
を備え、
前記中間材料は、前記第１および第２の誘電体または半誘電体層と陽極接合している、
装置。
【請求項２】
パターニングデバイス、または、放射感応性基板、または両方を保持する物品サポートをさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
物品サポートに対して物品を静電的にクランプする静電クランプを製造する方法であって、
ガラス材料、またはガラスおよびセラミック材料の両方を含む、第１および第２の誘電体または半誘電体層間に、アルミニウムを含む第１電極層およびクロムを含む第２電極層を有し、第１および側方の第２の部分を有する電極を配置することと、
前記第１および第２の部分間に、前記第１または第２の誘電体または半誘電体層以外の誘電体、半誘電体または絶縁材料であり、二酸化ケイ素を含む中間材料を配置することと、
前記第１および第２の誘電体または半誘電体層と、前記中間材料とを陽極接合することと、
を含む、方法。
【請求項４】
前記電極を配置することは、前記電極にまたはその全体に、アパーチャを有するマスキング材料を与えることと、前記第１および第２の部分を形成するように前記アパーチャを介して電極材料を除去することとを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記電極は、前記第１および第２の部分間に間隙を有し、前記第１および第２の部分間に前記中間材料を配置することは、前記間隙内に中間材料を堆積することを含む、請求項３または４に記載の方法。
【請求項６】
請求項３から５のいずれかの方法に従って製造された静電クランプ。
【請求項７】
パターニングデバイスを用いてパターン付けされた放射ビームを放射感応性基板上に投影するように構成された投影システムと、
前記基板、または、前記パターニングデバイス、または両方を保持する静電クランプであって、請求項１から２のいずれかに記載された、または請求項３から６のいずれかの方法に従って製造される静電クランプと、
を備える、リソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、オブジェクトを保持する静電クランプ、そのようなクランプを含むリソグラフィ装置、およびそのようなクランプに関連する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスク（レチクル）であるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ以上のダイの一部を含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。
【０００３】
[0003]  静電クランプは、静電力を用いてオブジェクトをクランプするように動作するクランプである。そのようなクランプをリソグラフィ装置内で用いうる。例えば極端紫外線（ＥＵＶ）または電子ビーム放射線を用いるリソグラフィ装置が真空条件下の特定の領域において動作しうる。静電クランプは、そのような領域においてオブジェクトをクランプするのに有用でありうる。静電クランプは、マスクまたは基板（ウェーハ）といったオブジェクトを、それぞれ、マスクテーブルまたは基板テーブルといったオブジェクトサポートに対して静電的にクランプするように設けられうる。
【発明の概要】
【０００４】
[0004]  静電クランプは、電極が上部（第１）と下部（第２）の誘電体、半誘電体（semi-dielectric）または絶縁層の間に配置されるスタックを含みうる。例えば電極は、下部層の上面に堆積されうる。次に上部層が電極の上に配置される。上部層および下部層は、例えば陽極接合によって互いに接合される。電極は互いから離された複数の部分を含みうる。
【０００５】
[0005]  一態様では、物品サポートに対して物品を静電的にクランプするように構成された静電クランプを有する装置が提供される。クランプは、第１の誘電体または半誘電体層と、第２の誘電体または半誘電体層と、スタックを形成するための第１および第２の誘電体または半誘電体層間の電極であって、第１の部分および側方の第２の部分を含む、電極と、第１および第２の部分間の中間材料であって、第１または第２の誘電体または半誘電体層以外の誘電体、半誘電体または絶縁材料である、中間材料とを備える。
【０００６】
[0006]  一態様では、物品サポートに対して物品を静電的にクランプするように構成された静電クランプを有する装置が提供される。クランプは、第１の単一誘電体または半誘電体層と、第２の単一誘電体または半誘電体層と、第１および第２の単一誘電体または半誘電体層間の電極と、第１および第２の単一誘電体または半誘電体層とは別個であり、第１および第２の単一誘電体または半誘電体層間に延在して第１および第２の単一誘電体または半誘電体層の両方に接触する中間材料とを備える。
【０００７】
[0007]  一態様では、リソグラフィ装置において物品サポートに対して物品を静電的にクランプするように構成された静電クランプが提供される。クランプは、第１の材料層と、第１の層上に配置された電極と、電極の部分間に堆積された絶縁、誘電体、または半誘導体材料と、電極上に配置された第２の層とを備える。
【０００８】
[0008]  一態様では、物品サポートに対して物品を静電的にクランプするように構成された静電クランプを製造する方法が提供される。かかる方法は、第１および第２の誘電体または半誘電体層間に、第１および側方の第２の部分を有する電極を配置することと、第１および第２の部分間に、第１または第２の誘電体または半誘電体層以外の誘電体、半誘電体または絶縁材料である中間材料を配置することとを含む。
【０００９】
[0009]  一態様では、物品サポートに対して物品を静電的にクランプするように構成された静電クランプが提供され、この静電クランプは、本明細書に記載される方法に従って製造される。
【００１０】
[0010]  一態様では、放射ビームのビーム路において物品を支持するように構築された物品サポートと、本明細書において記載された静電クランプとを含むリソグラフィ装置が提供される。
【００１１】
[0011]  一態様では、物品を支持するように構築された物品サポートと、本明細書において記載された静電クランプとを含む装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
[0012]  本発明の実施形態を、ほんの一例として、添付概略図を参照しながら説明する。図中、対応する参照記号は対応する部分を示す。
【図１】[0013]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す。
【図２】[0014]  図２は、静電クランプの平面図を示す。
【図３】[0015]  図３は、図２における静電クランプのＸ−Ｘを通る断面を示す。
【図４】[0016]  図４は、本発明の一実施形態による静電クランプの一部の部分断面を示す。
【図５（Ａ）】[0017]  図５（Ａ）は、図４に示されるような静電クランプの一部を製造する方法の一実施形態の部分断面図を示す。
【図５（Ｂ）】[0017]  図５（Ｂ）は、図４に示されるような静電クランプの一部を製造する方法の一実施形態の部分断面図を示す。
【図５（Ｃ）】[0017]  図５（Ｃ）は、図４に示されるような静電クランプの一部を製造する方法の一実施形態の部分断面図を示す。
【図５（Ｄ）】[0017]  図５（Ｄ）は、図４に示されるような静電クランプの一部を製造する方法の一実施形態の部分断面図を示す。
【図５（Ｅ）】[0017]  図５（Ｅ）は、図４に示されるような静電クランプの一部を製造する方法の一実施形態の部分断面図を示す。
【図５（Ｆ）】[0017]  図５（Ｆ）は、図４に示されるような静電クランプの一部を製造する方法の一実施形態の部分断面図を示す。
【図５（Ｇ）】[0017]  図５（Ｇ）は、図４に示されるような静電クランプの一部を製造する方法の一実施形態の部分断面図を示す。
【図５（Ｈ）】[0017]  図５（Ｈ）は、図４に示されるような静電クランプの一部を製造する方法の一実施形態の部分断面図を示す。
【図５（Ｉ）】[0017]  図５（Ｉ）は、図４に示されるような静電クランプの一部を製造する方法の一実施形態の部分断面図を示す。
【図６（Ａ）】[0018]  図６（Ａ）は、図４に示されるような静電クランプの一部を製造する方法の更なる実施形態の部分断面図を示す。
【図６（Ｂ）】[0018]  図６（Ｂ）は、図４に示されるような静電クランプの一部を製造する方法の更なる実施形態の部分断面図を示す。
【図６（Ｃ）】[0018]  図６（Ｃ）は、図４に示されるような静電クランプの一部を製造する方法の更なる実施形態の部分断面図を示す。
【図６（Ｄ）】[0018]  図６（Ｄ）は、図４に示されるような静電クランプの一部を製造する方法の更なる実施形態の部分断面図を示す。
【図６（Ｅ）】[0018]  図６（Ｅ）は、図４に示されるような静電クランプの一部を製造する方法の更なる実施形態の部分断面図を示す。
【図６（Ｆ）】[0018]  図６（Ｆ）は、図４に示されるような静電クランプの一部を製造する方法の更なる実施形態の部分断面図を示す。
【図６（Ｇ）】[0018]  図６（Ｇ）は、図４に示されるような静電クランプの一部を製造する方法の更なる実施形態の部分断面図を示す。
【図６（Ｈ）】[0018]  図６（Ｈ）は、図４に示されるような静電クランプの一部を製造する方法の更なる実施形態の部分断面図を示す。
【図６（Ｉ）】[0018]  図６（Ｉ）は、図４に示されるような静電クランプの一部を製造する方法の更なる実施形態の部分断面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
[0019]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。このリソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えばＵＶ放射またはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構築され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続されたサポート構造またはサポートまたはパターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。
【００１４】
[0020]  照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらの任意の組み合せ等の様々なタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００１５】
[0021]  サポート構造は、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否か等の他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持しうる。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えてよい。
【００１６】
[0022]  本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用できるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。なお、放射ビームに付与されたパターンは、例えばそのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しなくてもよいことに留意すべきである。通常、放射ビームに付与されたパターンは、集積回路等のターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応しうる。
【００１７】
[0023]  パターニングデバイスは透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは周知であり、バイナリ、レべンソン型（alternating）位相シフト、およびハーフトーン型（attenuated）位相シフト等のマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられ、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように各小型ミラーを個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射された放射ビームにパターンを付与する。
【００１８】
[0024]  本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射に、或いは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因に適切な屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学システム、またはそれらの任意の組合せを含むあらゆる種類の投影システムを包含すると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な用語「投影システム」と同義であると考えてよい。
【００１９】
[0025]  サポート構造および基板テーブルも、以下、物品サポートと呼ばれうる。物品には、次に限定されないが、レチクルといったパターニングデバイスと、ウェーハといった基板を含む。
【００２０】
[0026]  本明細書に記載されるように、リソグラフィ装置は反射型（例えば反射型マスクを採用している）である。或いは、リソグラフィ装置は透過型（例えば透過型マスクを採用している）であってもよい。
【００２１】
[0027]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有するタイプのものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械では、追加のテーブルを並行して使うことができ、すなわち予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
【００２２】
[0028]  また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、例えば水といった比較的高い屈折率を有する液体によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、例えばマスクと投影システムの間といったリソグラフィ装置内の別の空間に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させることで当技術分野において周知である。本明細書にて使用される「液浸」という用語は、基板のような構造体を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。
【００２３】
[0029]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。放射源とリソグラフィ装置は、例えば放射源がエキシマレーザである場合、別個の構成要素であってよい。この場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとは見なされず、放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使用して、伝えられる。その他の場合、例えば放射源が水銀ランプである場合、放射源はリソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００２４】
[0030]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するように構成されたアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータおよびコンデンサといった様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布を持たせることができる。
【００２５】
[0031]  放射ビームＢは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡによって反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点を合わせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使い、例えば様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使い、例えばマスクライブラリからの機械的な取り出しの後またはスキャン中に、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。通常、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って実現することができる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２と、基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使って位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらはスクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ上に設けられている場合、パターニングデバイスアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００２６】
[0032]  例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。 
【００２７】
[0033]  １．ステップモードでは、パターニングデバイス（例えばマスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付与されたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それにより別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
【００２８】
[0034]  ２．スキャンモードでは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付与されたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
【００２９】
[0035]  ３．別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付与されているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードでは、通常、パルス放射源が採用され、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述のタイプのプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３０】
[0036]  図２は、静電クランプの平面図を示す。図２に示されるように、静電クランプ１は、物品サポート３の一部を形成しうる。物品Ｗ、ＭＡが、物品サポート３上に配置される。物品Ｗ、ＭＡをサポート上で安定して支持し続けるように、クランプ１はクランプ力を与える。すなわち、物品Ｗ、ＭＡは、例えば静電クランピングによって物品サポート３上に引き寄せられる。このために、本発明の実施形態はどの物品にも、特に平らな物品に適用されうることは理解されよう。物品の例としては、反射型または透過型マスクといった光学素子、またはウェーハといった加工されるべき基板が挙げられる。本明細書における記載では、マスクＭＡおよび／またはウェーハまたは基板Ｗを物品と呼びうるが、物品は何か他のものであってもよいことは理解されるべきである。
【００３１】
[0037]  静電クランプは、電極５を含む。電極は、第１の部分７と第２の部分９とを含みうる。第１の部分７は、第１の電極部分である。第２の部分９は、第２の電極部分９ａか、シールド電極部分９ａでありうる。
【００３２】
[0038]  第１または第２の電極部分７、９ａに電圧を供給するように構成された電圧供給源１１が与えられうる。第２の電極部分９ｂは、アース接続１３を備えることにより接地されうる。図３に示されるように、静電クランプはスタックを含む。スタックは、電極の第１の面６が第１の誘電体または半誘電体層１９に接触し、電極の第２の面８が第２の誘電体または半誘電体層２１に接触しているように配置された電極７、９を含む。誘電体または半誘電体層１９、２１は、少なくとも第１の部分７上に与えられた電荷を維持するために与えられている。図２では、静電クランプ１のスタック構造内に配置されていることを示すために、電極７、９は点線で示されている。つまり、電極は、クランプ１の外面上に配置されているわけではない。さらに、電圧供給源１１とアース１３への電気的接続も、静電クランプ１のスタック構造内に与えられていてよい。
【００３３】
[0039]  静電クランプ１は、少なくとも第１の電極部分７上で帯電を増大させかつ維持することによって動作する。力は次式に従って生成される。
Ｆ＝１／２＊Ａ＊ｅｓｐ０＊Ｖ＾２／（ｄ／ｅｐｓｒ+ｇ）＾２
ここで、Ｆはニュートンで表される力であり、Ａは電荷が印加される電極の平方メートルで表される面積であり、Ｖはボルトで表される電圧であり、ｇは（ある場合には）誘電体または半誘電体層と物品との間の間隙（また、（ある場合には）誘電体または半誘電体層と物品との間の突起の高さ）であり、ｅｓｐｒは誘電体または半誘電体層材料の誘電率であり、ｅｐｓ０は真空または他の周囲環境の誘電率であり、ｄは電極と、物品に隣接する誘電体または半誘電体層の面との間の距離（また、（ある場合には）誘電体または半誘電体層と物品との間の突起の基部への距離）である。したがって、物品と電極との間の距離ｈは、ｇ＋ｄであり、ここでｄは、例えば突起に起因して物品と誘電体または半誘電体層との間に間隙がある場合は０より大きい。図３に、電極と物品との間の距離ｈが示されている。物品Ｗを保持するために、電極５と物品Ｗとの間に電位差が印加される。約４ｋＶの電位差が印加されうる。
【００３４】
[0040]  図２では、第１の部分７上に正電荷が確立され、第２の部分９ａ上に負帯電が確立されるバイポーラクランプが与えられている。このようにすると、電極は、制御された抵抗に取り付けられて、物品をクランプするための特定の静電力が確立されうる。第２の部分９ｂを構成するシールド電極９ｂは、物品と誘電体または半誘電体層との間の、例えばガスである流体のパッシェン曲線に従って生じる放電の可能性を低減するために与えられている。
【００３５】
[0041]  図３は、図２におけるＸ−Ｘを通る静電クランプの断面を示す。図３では、物品サポート３は、加工されるべき、例えば放射ビームのビーム路内に配置されるべき物品を支持するように構築される。静電クランプ１は、ビーム路に沿ったビームの投影時に、物品サポート３に対して基板Ｗを静電的にクランプするように構成される。静電クランプ１は、第１および第２の層１９、２１と、電極７、９ａ、９ｂを含むスタックを含む。第１の層は、誘電体または半誘電体材料を含みうる。第２の層は、誘電体、半誘電体または絶縁体材料、或いはそれらの組み合わせを含みうる。第２の層は、必ずしも電界を支持しなくともよい。電極は、第１および第２の部分７、９ａ、９ｂを含んでよく、これらの電極７、９ａ、９ｂは、電極７、９ａ、９ｂの第１の面６が第１の層１９に接触し、電極７、９ａ、９ｂの第２の面８が第２の層２１に接触しているように配置される。第１の層は、物品を受けるように構成されうる。第１および第２の誘電体または半誘電体層１９、２１は、使用時に、静電クランプが、第１の層１９に対して物品を静電的にクランプするように静電界を支持する誘電体または半誘電体材料を含みうる。
【００３６】
[0042]  第１または第２の誘電体または半誘電体層のいずれかの材料は、第１と第２の層の間に与えられうる。このようにすると、接着を必要としない静電クランプが与えられる。一実施形態では、材料が第１と第２の層１９、２１の間に１つ以上の容積１５、１７を満たす。材料は、電極７、９ａ、９ｂを取り囲んでもよい。一実施形態では、材料は、電極の第１および第２の部分７、９ａ、９ｂの間に設けられる。一実施形態では、第１および第２の層は、同じ材料を含む。このようにすると、第１および第２の層の熱膨張係数における差が排除され、その結果、熱応力の影響が減少される構造がもたらされる。
【００３７】
[0043]  一実施形態では、電極７、９ａ、９ｂは、誘電体または半誘電体層１９、２１の一方の上に配置される。電極７、９ａ、９ｂは、平面内に延在してよく、第１および第２の部分７、９ａ、９ｂが平面内に延在する。電極７、９ａ、９ｂは、第１および／または第２の誘電体または半誘電体層１９、２１内に形成されうる。図３に示される実施形態では、電極７、９ａ、９ｂは、第１の誘電体または半誘電体層１９内に形成されている。図３に示される実施形態では、電極７、９ａ、９ｂは、第１または第２の誘電体または半誘電体層にエッチング（例えば酸エッチング）を施すことにより、電極部分７、９ａ、９ｂ間の突起１５、１７をもたらす凹部３５内に形成される。突起１５、１７は、電極７、９ａ、９ｂ部間に隔離領域またはプール、すなわちクランプゾーンを与える。電極７、９ａ、９ｂ部は、電極を形成するように金属を凹部３５に充填することにより形成されうる。
【００３８】
[0044]  一実施形態では、物品サポートは、放射ビームのビーム路においてパターン付き放射ビームを形成するように放射ビームの断面にパターンを付与することができる物品ＭＡを支持するように構築される。反射型リソグラフィ装置（例えばＥＵＶ放射範囲内で動作するもの）では、ビームはパターニングデバイスを透過しないので、パターニングデバイス（例えばマスク）用の物品サポートと静電クランプとは、基板について説明した方法と同様に構築されうる。しかし、放射ビームがパターニングデバイスを透過する透過型リソグラフィ装置では、物品サポート３および静電クランプ１は、投影ビームが通過できるように構築されうる。これは、電極を静電クランプの縁の方に配置することによって達成されうる。
【００３９】
[0045]  第１および第２の層は、ＵＬＥ（Ｒ）チタニアシリカガラスといった超低膨張材料、ガラス材料、セラミック材料、ＺＥＲＯＤＵＲ（Ｒ）材料といったガラスセラミック材料、またはこれらの組み合わせといった材料を含みうる。本明細書に、参照することにその全体を組み込む米国特許第６，８６４，９５７号は、好適な材料のより多くの詳細を開示する。ＵＬＥ（Ｒ）材料は、コーニング（Corning）社から入手可能な超低膨張ガラスである。ＵＬＥ（Ｒ）材料は、誘電体材料である。すなわち、電気の伝導率は悪いが静電界を有効に維持する。当該材料が静電界を受けても材料内には電荷の流れはほとんどない。ＵＬＥ（Ｒ）材料の誘電率は、約１ｋＨｚにおいて約４である。ＺＥＲＯＤＵＲ（Ｒ）材料は、ショット（Schott）社から入手可能な非常に低い熱膨張係数を有するガラスセラミック材料である。ＺＥＲＯＤＵＲ（Ｒ）材料は、半誘電体材料である。すなわち、電気の伝導率は悪いが静電界を有効に維持する。ＺＥＲＯＤＵＲ（Ｒ）材料は、約１ｋＨｚにおいて約８の誘電率を有する。なお、誘電率は周波数によって変動することに留意されたい。しかし、与えられる電圧はＤＣでありうる。使用時の材料内の電荷の流れは、静電クランプのクランプ機能を低下することがない。したがって、材料内にいくらかの電荷が流れるとしても、ＺＥＲＯＤＵＲ（Ｒ）材料といった半誘電体材料を静電クランプに用いうる。誘電体または半誘電体材料は、約１ｋＨｚにおいて約１と約８との間の誘電率を有しうる。
【００４０】
[0046]  図３に示される実施形態では、上部層とも呼ぶ第１の層１９は、コーニング社から入手可能な超低膨張ガラスといった超低膨張材料から構成される。第２の層２１は、同じ材料から形成されても別の材料から形成されてもよい。超低膨張ガラス（例えばＵＬＥ（Ｒ）材料）は、熱を受けても実質的に膨張しない。特定の温度よりも上に加熱されると、超低膨張ガラスは流動しうる。このようにして加熱することにより、ＵＬＥ（Ｒ）は特定の形状または形態に流し込むことができる。さらに、ＵＬＥ（Ｒ）は、複合体構造を形成するように別個の素子が共に融合できるように加熱されることも可能である。第１、第２、または両方の層１９、２１に用いられうる更なる材料は、ＺＥＲＯＤＵＲ（Ｒ）材料である。ＺＥＲＯＤＵＲ（Ｒ）材料は、半誘電体材料であるにも関わらず、材料内を流れる電流が静電クランプの機能に実質的な影響を与えるのには十分ではないため、静電クランプにおける使用に適している。図３に示される実施形態では、第１および第２の層は、誘電体であり、ＵＬＥ（Ｒ）から形成される。電極７、９ａ、９ｂは、アルミニウムといった従来の材料から形成される。電極７、９ａ、９ｂは、電極に対して電圧またはアース接続が可能となるように、金属上に形成される酸化物層が厚くなり過ぎない限り、酸化可能な任意の金属の材料を含みうる。
【００４１】
[0047]  一実施形態では、第１、第２、または両方の層１９、２１は、約１０ｍ／ｍ．Ｋ×１０−６未満の熱膨張を有しうる。第１、第２、または両方の層１９、２１の材料は、ＳｉＣ（４ｍ／ｍ．Ｋ×１０−６の熱膨張を有する炭化ケイ素）、ＳｉＳｉＣ（４ｍ／ｍ．Ｋ×１０−６の熱膨張を有するシリコン処理をした炭化ケイ素）、またはＳｉ３Ｎ４（３．３ｍ／ｍ．Ｋ×１０−６の熱膨張を有する窒化ケイ素）でありうる。誘電体材料は、例えばパラテックコーティング（Para Tec Coating）社のＰＡＲＹＬＥＮＥ（ＴＭ）ポリ（ｐ−キシレン）ポリマー、共にイー・アイ・デュポン・ド・ ヌムール・アンド・カンパニーのＫＡＰＴＯＮ（ＴＭ）ポリイミドまたはＭＹＬＡＲ（ＴＭ）ポリエステル、または液晶ポリマー（ＬＣＰ）といったプラスチックでありうる。ＳＣＨＯＴＴ（ＴＭ）シーリングガラス、ＳＣＨＯＴＴ（ＴＭ）ＡＦ３７またはＳＣＨＯＴＴ  ＢＯＲＯＦＬＯＡＴ（ＴＭ）３３といった石英も誘電体材料として用いうる。絶縁体および／または誘電体として用いうる別の材料は窒化ホウ素でありうる。
【００４２】
[0048]  一実施形態では、物品サポート１および／または静電クランプ３は、物品サポート１および／または静電クランプ３の温度を制御するための温度制御システムを有しうる。例えば、温度制御システムは、物品サポート１および／または静電クランプ３内を通過し、例えば液体流といった流体流を受けて流体と物品サポート１および／または静電クランプ３との間で熱伝達をもたらす１つ以上の管を含みうる。
【００４３】
[0049]  さらに、図３は、本発明の一実施形態が実施されうる物品サポート１および／または静電クランプ３の一例である。静電クランプ（またはより一般的には電極を有するクランプ）の他のタイプ、形式、および物理的配置は本明細書に記載されるように本発明の実施形態を実施しうる。
【００４４】
[0050]  図４は、本発明の一実施形態による静電クランプの一部の部分断面を示す。図４に示される実施形態では、静電クランプは、スタックを形成するように第１の誘電体または半誘電体層１９と第２の誘電体または半誘電体層２１との間に配置された電極５を含む。一実施形態では、電極５は、誘電体または半誘電体層１９に配置され、次に誘電体または半誘電体層２１が（誘電体または半誘電体層１９に配置されている）電極５に配置される。一実施形態では、電極５は、誘電体または半誘電体層２１に配置され、次に誘電体または半誘電体層１９が（誘電体または半誘電体層２１に配置された）電極５に配置される。一実施形態では、電極５の一部が誘電体または半誘電体層１９に配置され、一部が誘電体または半誘電体層２１に配置され、次に電極５のこれらの一部と層１９、２１が一緒にされる。
【００４５】
[0051]  一実施形態では、電極５はアルミニウムを含む。一実施形態では、電極５は、２つの層３０、３２を含む。一実施形態では、これらの層３０、３２のうちの一方がクロムを含み、これらの層３０、３２のうちのもう一方がアルミニウムを含む。一実施形態では、層３２がクロムを含み、層３０がアルミニウムを含む。一実施形態では、これらの層３０、３２のうちの一方が約３０ｎｍの厚さを有し、これらの層３０、３２のうちのもう一方が約３００ｎｍの厚さを有する。一実施形態では、これらの層３０、３２のうちの、３０ｎｍの厚さを有する一方がクロムを含み、これらの層３０、３２のうちの、３００ｎｍの厚さを有するもう一方がアルミニウムを含む。一実施形態では、電極は、金属の単層、同じ金属の複数層、または異なる金属の複数層を含みうる。
【００４６】
[0052]  電極５は、中間材料３４によって互いから離される複数の部分を有する。一実施形態では、中間材料３４は、誘電体、半誘電体、または絶縁材料である。一実施形態では、中間材料３４は、二酸化ケイ素を含む。電極５の複数の部分は、第１および第２の部分７、９ａといったように別個の個々の電極部分でありうる。電極５部分は、例えば中間突起１５、１７によって離される単一の電極９ｂの様々な部分であってよい。
【００４７】
[0053]  さらに、中間材料３４は、第１の層１９および／または第２の層２１と同じ材料であってもよいが、中間材料３４は、単一の第１の層１９材料および単一の第２の層２１材料とは別個である。以下に記載するように、中間材料３４は、電極５部分間の空間において被覆され、堆積され、そうでなければ与えられ、また、単一の第１の層１９材料および単一の第２の層２１材料からは別個に被覆され、堆積され、そうでなければ与えられる。
【００４８】
[0054]  一実施形態では、誘電体または半誘電体層１９、２１の一方または両方が、電極５と中間材料３４と界接するほぼ平面の面を有する。
【００４９】
[0055]  図５（Ａ）−（Ｉ）は、本発明の一実施形態に従って、例えば図４に示されたような静電クランプの製造を示す。
【００５０】
[0056]  一実施形態では、かかる方法は、物品サポートに対して物品を静電的にクランプするように構成された静電クランプを製造することを含み、かかる方法は、電極を第１と第２の誘電体または半誘電体層間に配置してスタックを形成することを含み、電極は、第１および第２の部分を含み、中間材料が第１と第２の部分間にあり、中間材料は、第１または第２の誘電体または半誘電体層以外の誘電体、半誘電体または絶縁材料である。
【００５１】
[0057]  図５（Ａ）を参照すると、処理が、誘電体または半誘電体層１９で開始する。一実施形態では、層１９は、超低膨張材料（例えばＵＬＥ（Ｒ）材料）、ガラス材料、セラミック材料、ガラスセラミック材料（例えばＺＥＲＯＤＵＲ（Ｒ）材料）、またはこれらの組み合わせを含みうる。一実施形態では、層１９はガラスおよび／またはセラミック材料を含む。
【００５２】
[0058]  図５（Ｂ）を参照すると、電極材料５は層１９に配置される。一実施形態では、電極材料５は、第１の電極材料層３０と第２の電極材料層３２を含む。一実施形態では、第１の電極材料層３０はアルミニウムを含み、第２の電極材料層３２はクロムを含む。層３０、３２は一度に取り付けられても連続して取り付けられてもよい。一実施形態では、電極材料５は層１９に被覆される。一実施形態では、電極材料５は、スパッタリング処理、化学蒸着処理、またはそれらの組み合わせによって堆積される。電極５の厚さは、堆積処理の時間を制御することによって制御されうる。一実施形態では、電極材料５は、２６０ｎｍから３７０ｎｍの範囲から選択される厚さを有する。一実施形態では、厚さは約３３０ｎｍである。一実施形態では、約３３０ｎｍの厚さのうち約３００ｎｍがアルミニウムで、約３０ｎｍがクロムであってよい。
【００５３】
[0059]  図５（Ｃ）を参照すると、マスキング材料３６が電極材料５にまたはその全体に配置される。一実施形態では、マスキング材料３６はフォトレジストを含む。一実施形態では、フォトレジストはポジ型フォトレジストである。図５（Ｃ）では、レジストはポジ型レジストであるが、この処理は、ネガ型レジストに対応するように容易に変更されうる。一実施形態では、マスキング材料３６は、インプリントリソグラフィテンプレートを用いてインプリントされうるインプリント可能媒体を含みうる。
【００５４】
[0060]  図５（Ｄ）を参照すると、マスキング材料３６は、１つ以上のアパーチャのパターンを有するかまたはそれが付けられている（図５（Ｅ）参照）。図５（Ｄ）では、例えば、このパターンはマスク構造３８を用いてマスキング材料３６に付けられる。一実施形態では、マスク構造３８は、マスキング材料３６に放射４０を当てることによってマスキング材料３６にパターンを付けるために放射４０が当てられるフォトマスクである。図５（Ｄ）は、マスキング材料３６から離れているマスク構造３８を示すが、マスク構造３８は、そうである必要ではなく、代わりに電極５とは反対側のマスキング材料３６の面上にあってもよい。上述したように、一実施形態では、マスク構造３８は、インプリントリソグラフィテンプレートであってもよい。一実施形態では、マスク構造３８は、所望のパターンの放射ビームを与える放射アウトレットであってもよい。例えば放射アウトレットは、パターンを付けるようにパターン付けされたまたは動く放射ビームを放出する電子ビームライターまたは空間モジュレータであってもよい。一実施形態では、マスキング材料３６は、マスキング材料３６が電極５にまたはその全体に配置される場合に、中に埋め込まれたパターンを有しうる。例えばマスキング材料３６は、電極５にまたはその全体に着脱可能に配置される、１つ以上のアパーチャ４２を有するパターン付き耐エッチプレートでありうる。
【００５５】
[0061]  図５（Ｅ）を参照すると、マスキング材料３６がポジ型レジストである実施形態では、放射が当てられたマスキング材料３６は現像され、露光されたマスキング材料３６を除去して基板５を露出させる。結果として、パターンの１つ以上のアパーチャ４２がマスキング材料３６に形成される。図示されない一実施形態では、露光されたマスキング材料３６に対応する電極材料５の一部分は、露光されたマスキング材料３６と実質的に同時に除去されうる。そのような場合、構造は、図５（Ｇ）に示す構造のようになる。
【００５６】
[0062]  図５（Ｆ）を参照すると、パターン付きマスキング材料３６を用いてそのパターンが電極５に転写される。１つ以上のアパーチャ４２によって電極材料５が露光される。したがって、マスキング材料３６の１つ以上のアパーチャ４２を用いて、図５（Ｆ）に示されるように、マスキング材料３６のパターンを電極材料５内に形成することができる。例えばエッチングを用いて、電極材料５を１つ以上のアパーチャ４２を通して除去しうる。一実施形態では、エッチングは、１つ以上のアパーチャにおける電極材料５を実質的かつ完全に除去して層１９を露出させる。一実施形態では、エッチングには化学エッチング処理が含まれる。
【００５７】
[0063]  図５（Ｇ）を参照すると、中間材料３４が、１つ以上のアパーチャ４２に与えられる。一実施形態では、中間材料３４は、層１９に与えられかつ隣接する電極材料５に接触している。一実施形態では、中間材料３４は、残留電極材料５と実質的に同じ層１９からの高さにまで与えられる。一実施形態では、中間材料３４は、１つ以上のアパーチャ４２内に与えられることに加えて、図５（Ｇ）に示されるように残留マスキング材料３６上にも与えられうる。一実施形態では、中間材料３４は、二酸化ケイ素を含む。中間材料３４は、層１９からまたは層１２（図５（Ｇ）には図示せず）から以外の材料であるが、中間材料３４は、同じ材料、すなわち物質であってもよい。
【００５８】
[0064]  図５（Ｈ）を参照すると、残留マスキング材料３６が除去される。残留マスキング材料３６上に中間材料３４がある場合、そのような中間材料３４は、残留マスキング材料３６と共に除去される。一実施形態では、溶媒を用いて残留マスキング材料３６を溶解し、それによりその上にある中間材料３４も除去されうる。この方法は、当技術では、リフトオフプロセスと呼ばれうる。中間材料３４が電極５内の１つ以上のアパーチャに選択的に与えられうる一実施形態では、残留マスキング材料３６は、中間材料３４がそのように選択的に与えられる前に除去されうる。一実施形態では、残留マスキング材料３６の除去後、残留電極５および中間材料３４は研磨されるか、そうでなければ例えば研磨剤または化学的処理を用いて滑らかにされる。一実施形態では、残留電極５および中間材料３４は、例えば化学的処置によってクリーンにされうる。
【００５９】
[0065]  図５（Ｉ）を参照すると、電極５がその上に配置された層１９は、第２の誘電体または半誘電体層２１に融合または接合されてスタックが形成される。一実施形態では、層２１は、超低膨張材料（例えばＵＬＥ（Ｒ）材料）、ガラス材料、セラミック材料、ガラスセラミック材料（例えばＺＥＲＯＤＵＲ（Ｒ）材料）、またはそれらの組み合わせを含みうる。一実施形態では、層２１はガラスおよび／またはセラミック材料を含む。
【００６０】
[0066]  図６（Ａ）−（Ｉ）は、本発明の更なる実施形態に従って、例えば図４に示されたような静電クランプの製造を示す。この実施形態では、マスキング材料３６を用いた電極５への転写ステップ（例えばエッチング）は回避されうる。
【００６１】
[0067]  図６（Ａ）を参照すると、マスキング材料３６が、層１９にまたはその全体に配置される。一実施形態では、層１９は、超低膨張材料（例えばＵＬＥ（Ｒ）材料）、ガラス材料、セラミック材料、ガラスセラミック材料（例えばＺＥＲＯＤＵＲ（Ｒ）材料）、またはそれらの組み合わせを含みうる。一実施形態では、層１９はガラスおよび／またはセラミック材料を含む。一実施形態では、マスキング材料３６はフォトレジストを含む。一実施形態では、フォトレジストはポジ型フォトレジストである。図６（Ａ）では、レジストはポジ型レジストであるが、この処理は、ネガ型フォトレジストに対応するように容易に変更されうる。一実施形態では、マスキング材料３６は、インプリントリソグラフィテンプレートを用いてインプリントされうるインプリント可能媒体を含みうる。マスキング材料３６は、１つ以上のアパーチャのパターン４２を有するかまたはそれが付けられている。これらの１つ以上のアパーチャ４２は、例えば図５（Ｄ）および５（Ｅ）に関連して上述したように形成されるかまたは付けられうる。１つ以上のアパーチャ４２は層１９まで延在しうる。
【００６２】
[0068]  図６（Ｂ）を参照すると、電極材料５が、マスキング材料３６の１つ以上のアパーチャ４２内に配置される。一実施形態では、電極材料５は第１の電極材料層３０と第２の電極材料層３２を含む。一実施形態では、第１の電極材料層３０はアルミニウムを含み、第２の電極材料層３２はクロムを含む。これらの層３０、３２は共に一度に取り付けられても連続的に取り付けられてもよい。一実施形態では、電極材料５は層１９に被覆される。一実施形態では、電極材料５は、スパッタリング処理、化学蒸着処理、またはこれらの組み合わせによって堆積される。電極５の厚さは、堆積処理の時間を制御することによって制御されうる。一実施形態では、電極材料５は、２６０ｎｍから３７０ｎｍの範囲から選択される厚さを有する。一実施形態では、厚さは約３３０ｎｍである。一実施形態では、約３３０ｎｍの厚さのうち約３００ｎｍがアルミニウムで、約３０ｎｍがクロムであってよい。一実施形態では、電極材料５は、１つ以上のアパーチャ４２内に与えられることに加えて、図６（Ｂ）に示されるように残留マスキング材料３６上にも与えられうる。
【００６３】
[0069]  図６（Ｃ）を参照すると、残留マスキング材料３６が除去される。残留マスキング材料３６上に電極材料５がある場合、そのような電極材料５は、残留マスキング材料３６と共に除去される。一実施形態では、溶媒を用いて残留マスキング材料３６を溶解し、それによりその上にある電極材料５も除去されうる。この方法は、当技術では、リフトオフプロセスと呼ばれうる。電極材料５が１つ以上のアパーチャ４２に選択的に与えられうる一実施形態では、残留マスキング材料３６は、電極材料５がそのように選択的に与えられる前に除去されうる。
【００６４】
[0070]  図６（Ｄ）を参照すると、更なるマスキング材料３６が電極５にまたはそれ全体に、かつ、露出された層１９に配置される。中間材料３４が、電極５内の１つ以上のアパーチャ４２内に選択的に与えられうる一実施形態では、更なるマスキング材料３６を用いる必要がない場合があり、したがって、方法は、図６（Ｇ）に進んでよい。一実施形態では、更なるマスキング材料３６は、フォトレジストを含む。一実施形態では、フォトレジストはポジ型フォトレジストである。図６（Ｄ）では、レジストはポジ型レジストであるが、この処理は、ネガ型レジストに対応するように容易に変更されうる。一実施形態では、更なるマスキング材料３６は、インプリントリソグラフィテンプレートを用いてインプリントされうるインプリント可能媒体を含みうる。
【００６５】
[0071]  図６（Ｅ）および図６（Ｆ）を参照すると、更なるマスキング材料３６は、１つ以上のアパーチャ４２のパターンを有するかまたはそれが付けられている。図６（Ｅ）では、例えば電極５をマスクとして使用し、１つ以上のアパーチャ４２内にある更なるマスキング材料に放射４０を当てることによって、更なるマスキング材料３６にパターンが付けられる。更なるマスキング材料３６がポジ型レジストである一実施形態では、アパーチャ４２内の、放射が当てられたマスキング材料３６は現像され、露光された更なるマスキング材料３６を除去して層１９を露出させる。露光されていない更なるマスキング材料３６は、電極５上に残る。上述したように、更なるマスキング材料４２における１つ以上のアパーチャ４２は、他の機構または方法によって与えられてもよいし或いは形成されてもよい。
【００６６】
[0072]  図６（Ｇ）を参照すると、中間材料３４が、１つ以上のアパーチャ４２に与えられる。一実施形態では、中間材料３４は、層１９に与えられかつ隣接する電極材料５に接触している。一実施形態では、中間材料３４は、残留電極材料５と実質的に同じ層１９からの高さにまで与えられる。一実施形態では、中間材料３４は、１つ以上のアパーチャ４２内に与えられることに加えて、図６（Ｇ）に示すように、ある場合には残留している更なるマスキング材料３６上にも与えられうる。一実施形態では、中間材料３４は、二酸化ケイ素を含む。中間層３４は、層１９または層２１（図６（Ｇ）には図示せず）から以外の材料であるが、同じ材料、すなわち物質であってもよい。
【００６７】
[0073]  図６（Ｈ）を参照すると、残留している更なるマスキング材料３６は、ある場合には、除去される。残留マスキング材料３６上に中間材料３４がある場合、そのような中間材料３４は、残留マスキング材料３６と共に除去される。一実施形態では、溶媒を用いて残留マスキング材料３６を溶解し、それによりその上にある中間材料３４も除去されうる。この方法は、当技術では、リフトオフプロセスと呼ばれうる。
【００６８】
[0074]  一実施形態では、中間材料３４を与えて、残留マスキング材料３６を除去した後、ある場合には、残留電極５および中間材料３４は研磨されるか、そうでなければ、例えば研磨剤または化学的処理を用いて滑らかにされる。一実施形態では、残留電極５および中間材料３４は、例えば化学的処置によってクリーンにされうる。
【００６９】
[0075]  図６（Ｉ）を参照すると、電極５がその上に配置された層１９は、第２の誘電体または半誘電体層２１に融合または接合されてスタックが形成される。一実施形態では、層２１は、超低膨張材料（例えばＵＬＥ（Ｒ）材料）、ガラス材料、セラミック材料、ガラスセラミック材料（例えばＺＥＲＯＤＵＲ（Ｒ）材料）、またはそれらの組み合わせを含みうる。一実施形態では、層２１はガラスおよび／またはセラミック材料を含む。
【００７０】
[0076]  図５および図６を参照すると、接合方法は、陽極接合を含みうる。一実施形態では、第１の層１９は、電極５の部分間の中間材料３４を介して第２の層２１に融合される。一実施形態では、融合または接合は、材料１９、２１、および３４がそれらの界面において共に流動するまでスタックを加熱することによって達成されうる。接合または融合には、スタックに熱を加えること、スタックに圧力を加えること、またはこれらの組み合わせが含まれうる。層１９、層２１、中間材料３４またはスタックに加えられる温度および／または圧力は、層１９、層２１、中間材料３４および電極５に使用される材料に依存する。
【００７１】
[0077]  図５および図６を参照して、処理は、クランプ３の上部（第１の）層１９である誘電体または半誘電体層１９に基づいて開始されることが分かる。一実施形態では、処理は、クランプの下部（第２の）層２１である誘電体または半誘電体層２１に基づいて開始されてもよい。
【００７２】
[0078]  本明細書に記載したクランプおよび／または方法の利点は、電極形成に関連付けられる位置合わせ誤差および／または高さ誤差が減少する、或いは除去されることにある。このような誤差は、極間スパーキングや損耗問題のように、クランプ性能に負の影響を及ぼしうる。さらにはまたは或いは、本明細書に記載したクランプおよび／または方法は、当技術における電極形成方法に比べて予想しなかった改善された生産量を提供しうる。さらにまたは或いは、本明細書に記載したクランプおよび／または方法は、予想しなかった価格および／または製造時間の減少をもたらしうる。
【００７３】
[0079]  本明細書における様々な材料層を適用する機構または方法は、限定的であるべきではない。例えば、一実施形態では、１つ以上の様々な層は、適宜、スパッタリング処理を用いて、化学蒸着処理を用いて、またはこれらの組み合わせによって与えられうる。一実施形態では、１つ以上の様々な層は、液体として（例えばドクターブレードと組み合わされて）与えられてもよい。さらに、エッチングはあらゆる方法で行われてよく、限定的であるべきではない。例えば、一実施形態では、エッチングはレーザアブレーション法を含みうる。
【００７４】
[0080]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった、マイクロスケールまたはさらにはナノスケールの特徴を有するコンポーネントの製造における他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者には当然のことであるがそのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００７５】
[0081]  光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明の実施形態は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。さらに、本明細書において記載したような静電クランプは、光リソグラフィ以外の用途もありうる。例えば静電クランプは、真空チャンバ内での化学処理のために物品を保持するように用いられうる。
【００７６】
[0082]  本明細書において使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長またはおよそこれらの値の波長を有する）を含むあらゆる種類の電磁放射、並びにイオンビームまたは電子ビームといった粒子ビームを包含している。
【００７７】
[0083]  「レンズ」という用語は、文脈によって、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指しうる。
【００７８】
[0084]  上記説明は、限定ではなく例示的あることを意図している。したがって、当業者であれば、以下に記載される特許請求の範囲から逸脱することなく本発明に変更を行いうることは明らかであろう。
【図１】
0006300432.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５（Ａ）】
0006300432.tif 000006
【図５（Ｂ）】
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【図５（Ｃ）】
0006300432.tif 000008
【図５（Ｄ）】
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【図５（Ｅ）】
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【図５（Ｆ）】
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【図５（Ｇ）】
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【図５（Ｈ）】
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【図５（Ｉ）】
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【図６（Ａ）】
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【図６（Ｂ）】
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【図６（Ｃ）】
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【図６（Ｄ）】
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【図６（Ｅ）】
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【図６（Ｆ）】
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【図６（Ｇ）】
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【図６（Ｈ）】
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【図６（Ｉ）】
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