(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスの実質的に同一平面上の２つの層間の相対的位置の測定に用いられる標的であって、前記実質的に同一平面上の２つの層の第２の層は、前記実質的に同一平面上の２つの層の第１の層上に配置され、前記標的は、
前記第１の層内に形成された第１の周期的構造であって、前記第１の周期的構造は、前記第１の層下の層中の構造を視認するための１つまたは複数の窓を含む、第１の周期的構造と、
前記第１の周期的構造内の前記第１の層内に形成された第１のデバイス様構造と、
前記第２の層内に形成された第２の周期的構造であって、前記第２の周期的構造は、前記第１の層内の前記第１の周期的構造の部分を視認するための１つまたは複数の窓を含む、第２の周期的構造と、
前記第２の周期的構造内の前記第２の層内に形成された第２のデバイス様構造と、
を含み、
前記第１の周期的構造および第２の周期的構造および前記第１のデバイス様構造および第２のデバイス様構造は、前記第１の周期的構造および第２の周期的構造間の前記第１の層および前記第２の層の相対的位置の差と、前記第１のデバイス様構造および第２のデバイス様構造間の差とを測定することができるように、構成される、
標的。
【請求項２】
第１のデバイス様構造および第２のデバイス様構造は、前記第１のデバイス様構造および前記第２のデバイス様構造間の相対的位置の差を限界寸法走査型電子顕微鏡（ＣＤ−ＳＥＭ）によって測定することができるように、構成される、請求項１に記載の標的。
【請求項３】
前記第１のデバイス様構造および前記第２のデバイス様構造は、集積回路のデバイス要素とサイズおよびピッチがほぼ同じである要素を含む、請求項１に記載の標的。
【請求項４】
前記第１のデバイス様構造および前記第２のデバイス様構造におけるピッチは、約５ｎｍ〜約８０ｎｍである、請求項１に記載の標的。
【請求項５】
前記第１のデバイス様構造および前記第２のデバイス様構造における線幅は、約２ｎｍ〜約４０ｎｍである、請求項１に記載の標的。
【請求項６】
前記第１のデバイス様構造および前記第２のデバイス様構造は、前記対応する周期的構造の中央部分にそれぞれ設けられる、請求項１に記載の標的。
【請求項７】
前記第１の周期的構造および前記第２の周期的構造は、画像化オーバーレイ標的または散乱オーバーレイ標的として構成される、請求項１に記載の標的。
【請求項８】
前記第１の周期的構造および前記第２の周期的構造は、光オーバーレイ測定のための要素を含む、請求項１に記載の標的。
【請求項９】
前記第１の周期的構造および前記第２の周期的構造は散乱オーバーレイ標的として構成され、前記第１の周期的構造および前記第２の周期的構造におけるピッチは約１５０ｎｍ〜約１０００ｎｍである、請求項１に記載の標的。
【請求項１０】
前記第１の周期的構造および前記第２の周期的構造は散乱オーバーレイ標的として構成され、前記第１の周期的構造および前記第２の周期的構造における線幅および間隔は約５０ｎｍ〜約７００ｎｍである、請求項１に記載の標的。
【請求項１１】
前記第１の周期的構造および前記第２の周期的構造は画像化オーバーレイ標的として構成され、前記第１の周期的構造および前記第２の周期的構造におけるピッチは約２ｎｍ〜約４０ｎｍである、請求項１に記載の標的。
【請求項１２】
前記第１の周期的構造および前記第２の周期的構造はＡＩＭツールのための画像化オーバーレイ標的として構成され、前記第１の周期的構造および前記第２の周期的構造におけるピッチは２．５ミクロンを超える、請求項１に記載の標的。
【請求項１３】
デバイスの実質的に同一平面上の２つの層間の相対的位置の測定において用いられる標的であって、前記２つの層の第２の層は、前記２つの層の第１の層上に配置され、前記標的は、
前記第１の層内に形成された第１の周期的構造であって、前記第１の周期的構造は、前記第１の層下の層中の構造の部分を視認するための１つまたは複数の窓を含む、第１の周期的構造と、
前記第２の層内に形成された第２の周期的構造であって、前記第２の周期的構造は、前記第１の層内の前記第１の周期的構造の部分を視認するための１つまたは複数の窓を含む、第２の周期的構造と、
を含み、
前記第１の周期的構造および第２の周期的構造は、前記第１の周期的構造および第２の周期的構造間の前記第１の層および前記第２の層の前記相対的位置の差を測定することができるように、構成される、
標的。
【請求項１４】
前記第１の周期的構造および前記第２の周期的構造は、集積回路の要素とサイズおよびピッチがほぼ同じである要素を含む、請求項１３に記載の標的。
【請求項１５】
前記第１の周期的構造および第２の周期的構造は、前記第１の周期的構造および第２の周期的構造間の前記第１の層および前記第２の層の前記相対的位置差を限界寸法走査型電子顕微鏡（ＣＤ−ＳＥＭ）によって測定することができるように、構成される、請求項１３に記載の標的。
【請求項１６】
前記第１の周期的構造中の前記窓は、前記第１の層および前記第２の層の相対的位置の測定において用いられるように、前記第２の周期的構造中の対応する窓とアライメントするように構成される、請求項１３に記載の標的。
【請求項１７】
第１の周期的構造を第１の層内に、前記第１の層下の層中の周期的構造の部分を視認するための１つまたは複数の窓と共に形成することと、
前記第１の周期的構造内の前記第１の層内に第１のデバイス様構造を形成することと、
第２の周期的構造を前記第１の層上の第２の層内に形成することであって、前記第２の周期的構造は、前記第１の層内の前記周期的構造の部分を視認するための１つまたは複数の窓を含む、ことと、
前記第２の周期的構造内の前記第２の層内に第２のデバイス様構造を形成することと、
を含み、
前記第１の周期的構造および第２の周期的構造は、前記第１の周期的構造および第２の周期的構造間の前記第１の層および前記第２の層の相対的位置の差を測定することができるように、構成される、
方法。
【請求項１８】
前記第１の周期的構造および前記第１のデバイス様構造間のシフトと、前記第２の周期的構造および前記第２のデバイス様構造間のシフトとを測定することをさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
現像ステップの後、前記第１の周期的構造および前記第２の周期的構造を用いてオーバーレイ誤差を測定することをさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
エッチングステップの後、前記第１の周期的構造および前記第２の周期的構造を用いてオーバーレイ誤差を測定することをさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
優先権の主張
本出願は、共同所有された同時係属中の米国仮特許出願番号第６１／６９７，５０３号（Ｎｕｒｉｅｌ  Ａｍｉｒらへ付与、出願日：２０１２年９月６日、名称：「ＤＥＶＩＣＥ  ＣＯＲＲＥＬＡＴＥＤ  ＭＥＴＲＯＬＯＧＹ  （ＤＣＭ）  ＦＯＲ  ＯＶＬ  ＷＩＴＨ  ＥＭＢＥＤＤＥＤ  ＳＥＭ  ＳＴＲＵＣＴＵＲＥ  ＯＶＥＲＬＡＹ  ＴＡＲＧＥＴＳ」）の非仮出願であり、同出願の優先権の恩恵を主張する。本明細書中、同出願の開示内容全体を参考のため援用する。
【０００２】
本発明の実施形態は、半導体製造プロセスにおいて用いられるオーバーレイ測定技術に関し、より詳細には、半導体デバイス要素を模倣するＳＥＭ標的を用いた光オーバーレイ標的を用いた半導体リソグラフィー用途のためのオーバーレイ計測法の装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
半導体作製業界において、複数の層を基板上に作製することにより電子デバイスを生成することができ、これらの層のうち一部または全ては、多様な構造を含む。サンプルの多様な層間のアライメントまたはこのようなサンプルの特定の層内アライメントを制御する必要がある。特定の層内および他の層内の構造に対するこのような構造の相対的位置は、完成した電子デバイスに関連し、また完成した電子デバイスの性能にとって重要である。このようなサンプル内の構造の相対的位置は、一般的にオーバーレイと呼ばれる。
【０００４】
サンプル上の連続するパターン層間のオーバーレイ誤差の測定は、集積回路およびデバイスの製造において用いられる最も重要なプロセス制御技術のうちの１つである。オーバーレイ精度は、第１のパターン層の上または下に配置された第２のパターン層に対する第１のパターン層のアライメント精度の決定と、同一層上に配置された第２のパターンに対する第１のパターンのアライメント精度の決定とに主に関連する。
【０００５】
オーバーレイ測定のための多様な技術およびプロセスが開発および利用されているが、その成功の度合いはさまざまである。一般的に、オーバーレイ測定は、層中にエッチングされた試験パターンと共に行われる。これらの試験パターンの画像を画像化ツールによって取得することができ、分析アルゴリズムを用いて、取得された画像からのパターンの相対的変位を計算する。最も一般的に用いられているオーバーレイ標的パターンの１つとして、「ボックスインボックス」標的がある。「ボックスインボックス」標的は、ウェーハの連続する層上の隣接ダイ間のスクライブ線中に構築された一対の同心の四角形（またはボックス）を含む。オーバーレイ誤差は一般的には、１つの四角形の位置を別の四角形に相対して比較することにより、決定される。オーバーレイ標的パターンの別の例として、複数の平行なバーをウェーハの連続する層上に含む「バーインバー」標的がある。
【０００６】
オーバーレイ標的パターンの別の例として、グレーチング型標的がある。この標的は通常、第１の周期的試験構造および第２の周期的試験構造を含む。第２の層が第１の層上に配置されると、第１の周期的試験構造はデバイスの第１の層の上に配置され、第２の周期的構造は、第１の周期的試験構造に隣接するデバイスの第２の層上に配置される。第１の周期的試験構造と第２の周期的試験構造との間に発生し得るオフセットを全て、光学的に、マイクロメカニカル的にまたは電子ビームにより検出することができる。このようなグレーチング型の標的（「ＡＩＭ」マークと呼ばれる場合もある）は、「ボックス」型マークよりも高密度およびロバストであるため、より多くのプロセス情報が収集され、また、ＣＭＰの厳しさに耐えることが可能な標的構造も得られる。このようなマークの使用について、例えば、Ａｄｅｌら（同一譲受人に譲渡された米国特許第６，０２３，３３８号、６，９２１，９１６号および６，９８５，６１８号）に記載がある。本明細書中、これらの３つの文献全てを参考のため援用する。
【０００７】
さらに、オーバーレイ計測法の基本として放射散乱を用いるため、に研究が為されてきている。散乱測定からオーバーレイを決定するためのいくつかの既存のアプローチの場合、測定されたスペクトルと計算理論スペクトルとの間の比較をモデル形状プロファイル、オーバーレイおよび膜スタックおよび材料光特性に基づいて行うかまたは較正ウェーハからの基準信号に対する比較を行う場合が多い。あるいは、サブ光学マルチセル標的の多様な実行も用いられている。
【０００８】
オーバーレイ測定の精度は、２×および１×ｎｍのプロセスノードにおける高度集積回路製造における未だオーバーレイ計測法における大きな問題の１つである。精度についての大きな問題の１つとして、オーバーレイ標的のオーバーレイと実際のデバイスのオーバーレイとの間のバイアスがある。業界において、降伏線の端部のみにおいてみられかつオーバーレイ計測法ではインラインで検出されないオーバーレイ偏位を用いることが公知である。このような歩留まり損失は、従来のオーバーレイ標的では検出できないデバイスバイアスに対する標的の変化に起因して発生し得ることがいくつかの事例において分かっている。業界において、実際のデバイスオーバーレイを確認するためのいくつかの方法が実行されている。例えば、先行層を保護する酸化物からデバイスをデキャップした後、限界寸法走査型光学顕微鏡法（ＣＤ−ＳＥＭ）により、実際のデバイスオーバーレイを直接測定することができる。別の例として、デバイスの断面を行い、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）またはＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）により直接実際のオーバーレイを測定する。電気試験も、デバイス様試験構造オーバーレイを抵抗測定から計算する際に用いられている。しかし、いずれの方法においても制限があるため、測定精度の増大が可能な向上したオーバーレイ測定技術または方法を開発するための研究が現在も続いている。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本開示の局面によれば、デバイスの実質的に同一平面上の２つの層間の相対的位置の測定に用いられる標的は、第１の層内の第１の周期的構造を、第１の層下の層中の周期的構造の部分を視認するための１つまたは複数の窓と共に含む。第１のデバイス様構造は、第１の周期的構造内の第１の層内に形成される。第２の周期的構造は、第１の層上の第２の層内において、第１の層内の周期的構造の部分を視認するための１つまたは複数の窓と共に形成される。第２のデバイス様構造が、第２の周期的構造内の第２の層内に形成される。第１の周期的構造および第２の周期的構造ならびに第１のデバイス様構造および第２のデバイス様構造は、第１の周期的構造および第２の周期的構造間の第１の層および第２の層の相対的位置の差と、第１のデバイス様構造および第２のデバイス様構造間の差とを測定することができるように、構成される。
【００１０】
本開示のさらなる局面によれば、デバイスの実質的に同一平面上の２つの層間の相対的位置の測定に用いられる標的は、第１の層内に形成された第１の周期的構造と、第１の層上の第２の層内に形成された第２の周期的構造とを含む。第１の周期的構造は、第１の層下の層内の構造の部分を視認するための１つまたは複数の窓を含む。第２の周期的構造は、第１の層内の第１の周期的構造の部分を視認するための１つまたは複数の窓を含む。第１の周期的構造および第２の周期的構造は、第１の周期的構造および第２の周期的構造間の第１の層および第２の層の相対的位置の差を測定できるように、構成される。
【００１１】
本開示のさらなる局面によれば、方法は、第１の周期的構造を第１の層内に第１の層下の層中の周期的構造の部分を視認するための１つまたは複数の窓と共に形成することを含み得る。第１のデバイス様構造は、第１の周期的構造内の第１の層内に形成され得る。第２の周期的構造は、第１の層上の第２の層内に形成され得る。第２の周期的構造は、第１の層内の周期的構造の部分を視認するための１つまたは複数の窓を含む。第２のデバイス様構造は、第２の周期的構造内の第２の層内に形成され得る。
【００１２】
本発明の目的および利点は、以下の詳細な説明および添付図面を参照すれば、明らかとなる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１Ａ】本開示の一実施形態による、オーバーレイ測定のためのオーバーレイ標的の模式図である。
【図１Ｂ】本開示の一実施形態による、オーバーレイ測定のためのオーバーレイ標的の模式図である。
【図１Ｃ】本開示の一実施形態による、オーバーレイ測定のためのオーバーレイ標的の上面図である。
【図２】本開示の一実施形態による、オーバーレイ測定のためのオーバーレイ標的の一部としてのデバイス様マークの上面図である。
【図３Ａ】本開示の一実施形態による、オーバーレイ測定のためのオーバーレイ標的の模式図である。
【図３Ｂ】本開示の一実施形態による、オーバーレイ測定のためのオーバーレイ標的の模式図である。
【図３Ｃ】本開示の一実施形態による、オーバーレイ測定のためのオーバーレイ標的の上面図である。
【図４】本開示の一実施形態による、ハイブリッドオーバーレイ標的内の光オーバーレイマークを測定する際に用いることが可能な光オーバーレイ測定システムまたは計測ツールの例の簡単な図である。
【図５】本開示に従ってハイブリッドオーバーレイ標的を用いてオーバーレイ測定を行う方法のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下の詳細な説明は、例示目的のために多数の特定の詳細を含むが、当業者であれば、以下の詳細の多数の改変例および変更例が本発明の範囲内であることを理解するであろう。よって、以下に述べる本発明の例示的な実施形態は、特許請求の範囲の一般性を失うことなくかつ特許請求の範囲を制限することなく記載される。さらに、本発明の実施形態の構成要素は多数の異なる方向に配置することが可能であるため、方向についての記載は、例示目的のために用いるものであり、制限的なものではない。他の実施形態が利用可能であり、構造的変更または論理的変更が本発明の範囲から逸脱することなく可能であることが理解されるべきである。
【００１５】
本文書において、「ａ」および「ａｎ」という用語が用いられる場合、特許文書において共通するように、１つまたは複数のものを指す。本文書において、「または」という用語は、非排他的な「または」として用いられ、例えば、「ＡまたはＢ」の場合、他に明記無き限り、「ＢではなくＡ」、「ＡではなくＢ」および［ＡおよびＢ」を含む。よって、以下の詳細な説明は、限定的なものとしてとられるべきではなく、本発明の範囲は添付の特許請求の範囲によって規定される。「任意選択的」または「任意選択的に」とは、後述する状況が発生する場合もまたは発生しない場合もあり得るため、本記載は、は、当該状況が発生する場合および当該状況が発生しない場合を含む。例えば、デバイスが特徴Ａを任意選択的に含む場合、特徴Ａは存在してもしなくてもよいため、当該記載は、デバイスが特徴Ａを含む構造および構造特徴Ａが存在しない構造双方を含む。
【００１６】
オーバーレイマーク／標的のオーバーレイの測定によりデバイスの全く同じオーバーレイを達成するためには、実際にはいくつかの困難がある。１つの困難として、現在のオーバーレイ測定が実際のデバイスパターンにではなくオーバーレイ標的に行われる点がある。デバイスパターンの設計は前世代のオーバーレイ標的と異なるため、リソグラフィーの影響（例えば、画像配置誤差）および非リソグラフィーの影響（例えば、エッチングバイアス）は同一ではない。別の困難として、オーバーレイ測定が現像後検査（ＡＤＩ）段階において行われる一方、実際のデバイスオーバーレイは、エッチング後検査（ＡＥＩ）またはさらにはプロセスにおける後の時期に決定される。オーバーレイ標的環境も異なる。詳細には、オーバーレイ標的はスクライブ線内に配置される一方、デバイスパターンはダイ内に配置される。
【００１７】
上記を鑑みて、本開示は、デバイス相関計測法（ＤＣＭ）を導入する。本開示中に記載されるＤＣＭの目的は、従来のオーバーレイ標的と高精度のデバイス様基準との間のオーバーレイ間の差を測定し、この差を用いて、従来の方法によって得られたＯＶＬ値を修正することである。詳細には、ＤＣＭは、標的ベースのオーバーレイ結果とデバイスオーバーレイ問題との間のバイアスの定量化および解消のためのシステマチックなアプローチである。標的とデバイスとの間のバイアスをシステマチックに定量化するために、本開示の実施形態は、光オーバーレイ標的をＣＤ−ＳＥＭ（限界寸法-走査型電子顕微鏡）標的を模倣するデバイスと共に用いた新規のハイブリッド標的を開示する。以下に述べるハイブリッドオーバーレイ標的は、計測ツール（例えば、収差および照明）および／またはプロセス（例えば、ディッシングおよび浸食）に起因する不均一性のバランスをとるように、構成される。詳細には、ハイブリッドオーバーレイ標的は、実際のデバイス上に見受けられるプロセス影響を正確に表すように設計される。より詳細には、ＣＤ−ＳＥＭにより、全層のためのＡＥＩにおける同一層上の標的およびデバイス間のバイアスと、ほとんどの場合におけるＡＥＩおよび限られた場合（例えば、ダブルパターニング層）のためのＡＤＩにおける層間のオーバーレイとの測定が可能になる。直接的オーバーレイ測定をＣＤ−ＳＥＭによって行った場合、光オーバーレイ測定との高相関が示される。この相関により、光学測定結果の精度の確認が支援され、また、この相関は、画像化ＡＩＭ、ＡＩＭｉｄオーバーレイおよび散乱オーバーレイ（ＳＣＯＬ）方法に適用することができる。
【００１８】
図１Ａは、本開示の一実施形態によるオーバーレイ測定における第１の層中のハイブリッドオーバーレイ標的の模式図である。図１Ｂは、本開示の一実施形態によるオーバーレイ測定における第１の層上の第２の層内のハイブリッドオーバーレイ標的の模式図である。議論を簡潔にするために、ハイブリッドオーバーレイ標的について、基板の異なる層間のオーバーレイを測定する文脈において説明する。しかし、ハイブリッドオーバーレイ標的を用いて、基板の単一の層上の２つ以上の別個に生成されたパターンを測定することも可能である点に留意されたい。また、図１Ａに関連する要素についての以下の記載は、図１Ｂ中の対応する要素にも適用される点にも留意されたい。
【００１９】
図１のハイブリッドオーバーレイ標的１１０は典型的には、集積回路がパターンされる場所と別個に設けられたスクライブ線内に設けられる。ハイブリッドオーバーレイ標的１１０は、外周によって規定される。この外周は典型的には、計測ツール制限および回路設計規則に基づく。例えば、外周の上限は、オーバーレイおよび／またはスクライブ線バジェットの測定に用いられる計測ツールの視野（ＦＯＶ）によって設定され得る。ＦＯＶは一般的には、計測ツールを介した画像取得に利用することが可能な領域を規定する光学的外周を指す。スクライブ線バジェットは一般的には、スクライブ線によって得られる、オーバーレイ標的の配置に利用可能な空間を指す。外周の下限は、計測ツールによるマークの画像化に必要な最小の領域によって設定され得る。一般的には、外周は、オーバーレイ測定に用いられる情報量を最大化できるよう、できるだけ大きくすべきであると考えられている。外周のサイズおよび形状は、大幅に異なり得る。例えば、外周は、形状（例えば、四角形、円形、三角形、矩形、多角形）を形成し得る。外周のサイズは、使用される計測ツールに応じて約１０〜約１００ミクロンにすることができる。
【００２０】
ハイブリッドオーバーレイ標的１１０は、光オーバーレイマークと、ハイブリッド標的１１０の中間に配置されたデバイス様オーバーレイマーク１１８とを含む。デバイス様オーバーレイマーク１１８は、サイズおよびピッチ（例えば、分離）が実際の集積回路の要素／構造とほぼ同じである要素（例えば、微細セグメント化線）を含み得る。例示目的のため、デバイス様マークにおけるピッチは、プロセスの許容範囲内において典型的には約５ｎｍ〜約８０ｎｍとなる。デバイス様マークの線幅は、およそデバイス線のサイズのであり得る（例えば、約２ｎｍ〜４０ｎｍ）。
【００２１】
図２は、ハイブリッドオーバーレイ標的１１０の中心に配置することが可能なデバイス様オーバーレイマーク１１８の一例を示す。図２中の異なる濃さの細線は、異なる層中の標的である。詳細には、濃さの薄い線２１０は、デバイス様標的として第１の層内に印刷され得、濃さの濃い線２２０は、デバイス様標的として第１の層上に配置された第２の層内に印刷され得る。図２に示すように、デバイス様オーバーレイマークは、異なる層内のオーバーレイマーク１１８の部分が十分にアライメントされたときに第２の層内の何本かの線２２０の一部が第２の層内の線２１０の一部と相互に噛み合うように、構成され得る。デバイス様オーバーレイマーク１１８をハイブリッドオーバーレイ標的１１０内に設けることによる利点として、例えばＣＤ−ＳＥＭによりデバイスオーバーレイの直接的測定の実行が可能になる点があり、その結果、光オーバーレイマークの場合よりも高精度が得られる。ハイブリッドオーバーレイ標的１１０の中間に設けられたデバイス様オーバーレイマーク１１８も、周囲のパターンによって保護されるため、研磨プロセスに対してよりロバストとなる。あるいは、デバイス様オーバーレイマーク１１８を（図１Ａに示すように光オーバーレイマーク内に埋設する代わりに）光オーバーレイマークの近隣のいずれかの箇所に配置してもよい。
【００２２】
光オーバーレイ標的はより幅広の線を用いるため、ハイブリッドオーバーレイ標的１１０は、デバイス様マークに加えて光オーバーレイマークを含む。幅広の線は、細い線よりもより信頼性高く印刷される傾向があるため、ＣＭＰおよびエッチング関連の劣化に起因するプロセス変動に対する耐性も高まる。光オーバーレイマークは、画像化オーバーレイ標的または散乱オーバーレイ標的であり得る。再度図１Ａを参照して、光オーバーレイマークは、複数の作業ゾーン１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃおよび１１２ｄを含み得る。これらの作業ゾーンは、標的１１０の外周（標的１１０の中心を除いて）を分離および実質的に充填するように、構成され得る。作業ゾーン１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃおよび１１２ｄは、光オーバーレイ測定によるウェーハの異なる層間のアライメントの計算に用いられる光オーバーレイマークの領域を示す。これらの作業ゾーンは空間的に相互に分離されているため、隣接する作業ゾーンの部分の重複が無くなる。これは典型的には、作業ゾーンそれぞれが計測ツールによって適切に確実に画像化されるように、行われる。例示目的のため、作業ゾーンのサイズは一般的には、４つの作業ゾーンに対して約２〜約２４ミクロンである。ほとんどの場合、作業ゾーンのサイズは、作業ゾーン数に逆比例する。作業ゾーンの形状は、各光オーバーレイマークの特定の要求に応じて異なり得る。例示目的のため、作業ゾーンは、四角形形状、Ｌ字型形状、矩形形状、三角形状、円形形状、多角形形状などを持ち得る。作業ゾーンの形状およびサイズは、相互に同一であり得る。
【００２３】
光オーバーレイマークの作業ゾーン１１２のそれぞれは、個々の周期的構造を含む。これらの個々の周期的構造は、光オーバーレイ測定に用いられる情報量を増加させる複数の粗セグメント線１１４を含む。光オーバーレイマークは、オーバーレイを別個の２つの方向において測定するように、構成される。作業ゾーン１１２ａおよび１１２ｃ中のセグメント線１１４は、１方向（例えば、図２中の水平方向）において方向付けられ得る。作業ゾーン１１２ｂおよび１１２ｄ中のセグメント線１１４は、別の方向（例えば、図２中の垂直方向）において方向付けられ得る。ピッチ、線幅および間隔の寸法は、広範に変更可能である。例示目的のため、散乱オーバーレイマークのピッチの寸法は約１５０ｎｍ〜約１０００ｎｍであり得、線幅および間隔の寸法はピッチの約１／３または２／３であり得る。例示目的のため、画像化オーバーレイマークのピッチの寸法は典型的には、画像化ツールの分解能未満であり、デバイスピッチと同じくらい小さくすることができる（例えば、約２ｎｍ〜約４０ｎｍ）。特定の光オーバーレイツール（例えば、ＡＩＭツール）の場合、画像化オーバーレイマーク中のピッチは、相対的に大きくする必要がある（例えば、２．５ミクロンよりも大きいピッチ）。加えて、１つまたは複数の窓／開口部１１６は、各作業ゾーン上に形成され得る。窓／開口部１１６により、現在の層の下側の層中のパターン／セグメント線を現在の層を通じてオーバーレイ測定のために露出／視認される。
【００２４】
図１Ａと同様に、ハイブリッドオーバーレイ標的１２０は、標的１２０の中央のデバイス様オーバーレイマーク１２８と、４つの作業ゾーン１２２ａ、１２２ｂ、１２２ｃおよび１２２ｄを含む光オーバーレイマークとを含み得る。これらの作業ゾーンはそれぞれ、複数の粗セグメント線１２４を含む周期的構造を含む。第２の層セグメント化を第１の層セグメント化に対して垂直にすることにより、１つの層の信号から他方の信号への影響を回避する。下側の層中のパターン／セグメント線を露出させるために、１つまたは複数の開口部１２６を作業ゾーンそれぞれの上に形成する。
【００２５】
図１Ｃは、第１の層内の図１Ａのハイブリッドオーバーレイ標的１１０上に配置された第２の層内の図１Ｂのハイブリッドオーバーレイ標的１２０を用いたオーバーレイ測定のためのオーバーレイ標的の上面図である。光オーバーレイマークに対して、隣接する作業ゾーン中の窓から視認して１つの作業ゾーン内のセグメント線を相互にアライメントさせることができる。例えば、作業ゾーン１２２ｂ中の粗セグメント線１２４は、作業ゾーン１２２ａ中の窓１２６ａを通じて視認される標的１１０の粗セグメント線１１４とアライメントされ得る。作業ゾーン１２２ａ中の粗セグメント線１２４は、作業ゾーン１２２ｄ内の窓１２６を通じて視認される標的１１０の粗セグメント線１１４とアライメントされ得る。オーバーレイ測定および計算の詳細について、以下に述べる。
【００２６】
図３Ａは、本開示の別の実施形態による、オーバーレイ測定のための第１の層内のハイブリッドオーバーレイ標的の模式図である。図３Ｂは、本開示の別の実施形態による、オーバーレイ測定のための第１の層上の第２の層内のハイブリッドオーバーレイ標的の模式図である。図３Ｃは、第２の層が第１の層上に配置された図３Ａおよび図３Ｂのオーバーレイ標的の上面図である。図３Ａに関連する要素についての以下の記載は、図３Ｂ中の対応する要素にも適用される点に留意されたい。
【００２７】
図１Ａに関連して上述した実施形態と対照的に、図３Ａのオーバーレイ標的４１０は、４つの作業ゾーン４１２ａ，４１２ｂ，４１２ｃおよび４１２ｄを含む。これらの４つの作業ゾーン４１２ａ，４１２ｂ，４１２ｃおよび４１２ｄは、微細セグメント化線４１４のみと、複数の大型隙間４１６とを含む。一例として、各作業ゾーンのサイズは、約４μｍ×６μｍであり得る。微細セグメント化線４１４はデバイス様オーバーレイマークを形成し、微細セグメント化線４１４は、実際の集積回路の要素／構造とほぼ同じサイズおよびピッチ（例えば、分離）である。一例において、オーバーレイ標的４１０内のピッチは、約０．１μｍであり得る。隙間４１６により、下側の標的中の線パターンの視認が可能となる窓が得られる。隙間４１６はそれぞれ、幅が約０．８μｍであり得る。ＣＤ−ＳＥＭを用いて、標的４１０内の微細セグメント化線４１４が下側の標的内の微細セグメント化線と良好に整合しているかを測定することができる。微細セグメント化線４１４はオーバーレイ標的４１０の大部分の領域を充填するため、オーバーレイ測定のための領域がより大きなＣＤ−ＳＥＭを提供することができる。その結果、標的内のいくつかの異なる場所において測定を行うことにより、ランダム誤差をフィルタリングすることが可能になる。
【００２８】
加えて、隙間４１６をオーバーレイ測定のための光オーバーレイマークとして用いることができる。微細セグメント線４１４のピッチは光学画像化ツールの分解能よりも小さいため、個々の線４１４を画像化ツールによって検出することができない。しかし、隙間４１６はツール分解能よりも大きいため、画像化ツールによる検出が可能である。そのため、隙間４１６を光オーバーレイマークとして用いて、１本の標的線内の隙間４１６が下側の層内の標的内の隙間と良好に整合するかを測定することができる。図３Ａと同様に、ハイブリッドオーバーレイ標的４２０は、４つの作業ゾーン４２２ａ，４２２ｂ，４２２ｃおよび４２２ｄを微細セグメント線４２４および複数の大型隙間４２６と共に含む。
【００２９】
図３Ｃは、第１の層内の図３Ａのハイブリッドオーバーレイ標的４１０上に配置された第２の層内の図３Ｂのハイブリッドオーバーレイ標的４２０を用いたオーバーレイ測定のためのオーバーレイ標的の上面図である。光オーバーレイマークに対して、同一作業ゾーン内の窓から視認して１つの作業ゾーン内のセグメント線を相互にアライメントさせることができる。例えば、作業ゾーン４２２ｂ内の微細セグメント化線４２４ｂを、同一作業ゾーン内の窓／隙間４２６ｂを通じて視認して標的４１０からの微細セグメント化線４１４ｂとアライメントさせることができる。第２の層内の隙間は、第１の層内の対応する隙間とアライメントさせることができる。例えば、標的４２０からの隙間４２６ｂを標的４１０からの隙間４１６ｂとアライメントさせることができる。よって、隙間の幅が分解可能なくらいに十分に広い場合に、隙間４１６および４２６は、窓を提供するだけでなく、従来の光オーバーレイ測定のための簡便な標的としても機能することができる。例えば、図３Ｃに示すように、隙間４１６および４２６間の変位を従来の光学計測法オーバーレイツールを用いて測定することができる。
【００３０】
上記したように、デバイス様オーバーレイマーク上の絶対変位測定を高倍率顕微鏡（例えば、ＣＤ−ＳＥＭ）を用いて測定することができる。光オーバーレイマークの測定のための複数の異なる技術が存在する。例示目的のため、図４は、上記した光オーバーレイマークを画像化を介して測定する際に用いることが可能な光オーバーレイ測定システムまたは計測ツールの一例の簡単な図である。画像化は、極めて発展した技術であり、多くのユーザに受容されており、構成要素もユーザにとって容易に入手可能である。光オーバーレイ測定システム３２０は、ウェーハ上に配置された１つまたは複数の光オーバーレイマーク３２２を介してオーバーレイ誤差を決定するように、配置することができる。ほとんどの場合において、光オーバーレイマーク３２２は、ウェーハ３２４のスクライブ線内に配置される。これは限定ではなく、標的位置は各デバイス設計の特定の要求に応じて変更可能である点に留意されたい。光オーバーレイ測定システム３２０は、光学アセンブリ３２６およびコンピュータ３２８を含み得る。光学アセンブリ３２６は、光オーバーレイマーク３２２の画像を取得するように、配置され得る。コンピュータは、例えば、取得された画像からのオーバーレイマーク３２２の要素（例えば、粗セグメント線）の相対的変位を適切なプログラミングを通じて計算するように、構成され得る。光学アセンブリ３２６は、第１の経路３３４に沿って光３３２を出射するように配置された光源３３０を含み得る。光３３２が第１のレンズ３３５に入射すると、光３３２が光ファイバー線３３６上に集束する。光３３２は、光ファイバー線３３６から出射した後、光３３２をコリメートするように配置された第２のレンズ３３８を通じて移動する。その後、コリメート光３３２は、ビームスプリッター３４０に到達するまで経路上を連続して移動する。ビームスプリッター３４０は、コリメート光を経路３４２上に方向付けるように配置される。経路３４２に沿って移動するコリメート光３３２が対物レンズ３４４に入射すると、光３３２がウェーハ３２４上に集束する。光３３２は、ウェーハ３２４から反射された後、対物レンズ３４４によって集光される。対物レンズ３４４によって集光された反射光３３２は一般的には、ウェーハ３２４の一部の画像（例えば、オーバーレイマーク３２２の画像）を含む。光３３２は、対物レンズ３４４から退出すると、ビームスプリッター３４０に到達するまで、経路３４２に沿って連続して移動する。対物レンズ３４４は、入射光を操作した様態と光学的に逆の様態で、集光された光を操作する。すなわち、対物レンズ３４４は、光３３２を再度コリメートし、光３３２をビームスプリッター３４０に向かって方向付ける。ビームスプリッター３４０は、光３３２を経路３４６上に方向付けるように配置される。その後、経路３４６上を連続移動している光３３２は、チューブレンズ３５０によって集光され、その結果、光３３２がカメラ３５２上に集束される。カメラは、ウェーハ３２４の画像（より詳細には、マーク３２２の画像）を記録する。例示目的のため、カメラ３５２は、電荷結合素子（ＣＣＤ）、２次元ＣＣＤまたは線形ＣＣＤアレイであり得る。カメラ３５２は、記録された画像を電気信号に変換する。この電気信号は、コンピュータ３２８によって利用され得、コンピュータ３２８へ送られる。電気信号を受信した後、コンピュータ３２８は、画像のオーバーレイ誤差を計算した分析アルゴリズムを行う。分析アルゴリズムについて、以下に詳述する。
【００３１】
システム３２０は、コンピュータ３２８と共に機能するフレーム取込み器３５４と、ウェーハ３２４からの画像を取得するカメラ３５２とをさらに含む。フレーム取込み器３５４を別個の構成要素として図示しているが、フレーム取込み器３５４をコンピュータ３２８の一部および／またはカメラ３５２の一部にしてもよい点に留意されたい。フレーム取込み器３５４は典型的には、標的取得および画像取込の２つの機能を有する。標的取得時において、フレーム取込み器３５４およびコンピュータ３２８は、ウェーハ段３５６と協働して、標的を集束状態に配置し、標的を計測ツールの視野（ＦＯＶ）の中心にできるだけ近づけて配置する。ほとんどの場合、フレーム取込み器は、（例えば、オーバーレイの測定に用いられる画像ではなく）複数の画像を取り込み、段は、標的がＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向に正確に配置されるまで、ウェーハをこれらの取込み期間において移動させる。理解されるように、Ｘ方向およびＹ方向は一般的には視野（ＦＯＶ）に対応し、Ｚ方向は一般的には集束に対応する。フレーム取込み器が標的の正確な位置を決定した後、これらの２つの機能のうち第２の機能が実行される（例えば、画像取込）。画像取込時において、フレーム取込み器３５４は、正しく配置された標的画像（すなわち、オーバーレイの決定に用いられる画像）を取得および保存するように、最終（単数または複数）を行う。
【００３２】
画像の取込み後、登録誤差を決定するための情報を取込み画像から抽出する必要がある。抽出された情報は、デジタル情報または波形情報であり得る。その後、半導体ウェーハの多様な層間の登録誤差を決定するために、多様なアルゴリズムを用いることができる。例えば、周波数領域に基づいたアプローチ、空間領域に基づいたアプローチ、フーリエ変換アルゴリズム、ゼロ交差検出、相関および相互相関アルゴリズムなどを用いることが可能である。
【００３３】
本明細書中に記載されるマーク（例えば、周期的構造を含むマーク）を介してオーバーレイを決定するために提案されるアルゴリズムは一般的には、いくつかのグループに分けられる。例えば、１つのグループは、位相回復に基づいた分析に関連し得る。位相回復に基づいた分析は、周波数領域に基づいたアプローチとも呼ばれることが多く、周期的構造の線に沿って画素を合計することにより作業ゾーンそれぞれを破壊することにより、１次元信号が生成されることが多い。利用可能な位相回復アルゴリズムの例について、米国特許第６，０２３，３３８号（Ｂａｒｅｋｅｔへ発行）、米国特許第６，４６２，８１８号（Ｂａｒｅｋｅｔへ発行）および米国特許第６，４８６，９４５号（Ｍｉｅｈｅｒへ発行）に記載がある。本明細書中、これらの文献全てを参考のため援用する。
【００３４】
利用可能なさらに別の位相回復アルゴリズムについて、米国出願シリアル番号第０９／６９７，０２５号（出願日：２０００年１０月２６日）に記載がある。この出願も、参考のため本明細書中において援用する。本明細書中に開示される位相回復アルゴリズムは、信号を分解して、基本的信号周波数の１組の高調波にする。異なる高調波振幅および位相の定量的な比較を行うことにより、信号の対称性およびスペクトル内容について重要な情報が得られる。詳細には、（振幅が較正された）同一信号の第１高調波および第２高調波またはそれ以上の高調波間の位相差により、信号非対称性のレベルが測定される。このような非対称性への主要な貢献の発生源として、計測ツールにおける光学ミスアライメントおよび照明非対称性（ツールに起因するシフト）と、プロセスに起因する構造的特徴（ウェーハに起因するシフト）とがある。同一プロセス層上の視野の異なる部分から得られた信号の第１の高調波および第２の高調波の位相間のこの誤登録を比較することにより、計測ツールの光学収差についての独立した情報を得ることができる。最後に、所与の方向における測定からのこれらの誤登録と、ウェーハを１８０度だけ回転させた後に得られる測定とを比較することにより、非対称性に起因するツールに起因するシフトおよびウェーハに起因するシフトを分離することができる。
【００３５】
利用可能なさらに別の位相回復アルゴリズムとして、ウェーブレット分析がある。ウェーブレット分析は、上記に述べたものと若干類似しているが、ここで動的な窓が１次元信号上において移動しており、位相推定がより局所的な様態で行われる。これは、周期的構造のチャープの場合における用途において特に興味深い。
【００３６】
別のグループは、強度相関に基づいた方法に関連し得る。このアプローチにおいて、各プロセス層の対称中心は、１つの信号と、同一プロセス層からのマークの反対側部分からの逆信号との相互共分散を計算することにより、別個に発見される。
【００３７】
上記の技術は、例示目的のために記載したものであり、試験により良い成績が実証されている。オーバーレイ計算のための他の代替的なアルゴリズム方法を挙げると、オート＆クロス相関技術、誤差相関技術、誤差最小化技術（例えば、絶対差の最小化、差の四角形の最小化、閾値ベースの技術（例えば、ゼロクロス検出およびピーク検出））の他の変更例がある。２つの１次元パターン間の最適な整合を探す際に用いることが可能な動的なプログラミングアルゴリズムも存在する。上記したように、分析アルゴリズムおよびアプローチを、上記した多様な光オーバーレイマーク全てに対して用いることが可能である。
【００３８】
重要なことに、上記の図および記載は限定ではなく、オーバーレイ画像システムは他の形態で具現化することが可能である点に留意されたい。例えば、オーバーレイ測定ツールは、ウェーハ表面上に形成されたオーバーレイマークの重要な局面を解決するように配置された複数の適切な公知の画像化または計測ツールのうちいずれかでよいことが企図される。例示目的のため、オーバーレイ測定ツールは、明視野画像化顕微鏡法、暗視野画像化顕微鏡法、フルスカイ画像化顕微鏡法、位相コントラスト顕微鏡法、偏光コントラスト顕微鏡法およびコヒーレンスプローブ顕微鏡法に合わせて適合され得る。また、単一および複数の画像方法を標的の画像取得において用いることが可能であることも企図される。これらの方法を挙げると、例えば、単一の取込み、二重取込み、単一の取込みコヒーレンスプローブ顕微鏡法（ＣＰＭ）および二重取込みＣＰＭ方法がある。これらの種類のシステムは、例えば市販されているものである。例示目的のため、単一および複数の画像方法が、ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ（ＳａｎＪｏｓｅ、Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ）から入手可能であり得る。
【００３９】
上記したように、ＤＣＭは、オーバーレイ標的の測定されたオーバーレイと、実際のデバイスオーバーレイと比較した相対的シフトとの双方を考慮した実際のデバイスオーバーレイを報告する。ＤＣＭは基本的には、３つの主要構成要素を有する。
【００４０】
デバイス様マークを有するハイブリッドオーバーレイ標的の第１のＤＣＭ構成要素は、実際のデバイスと同様に挙動する。ピッチは、リソグラフィーおよび非リソグラフィー挙動双方における主要要素のうちの１つであるため、デバイス様オーバーレイマークを微細ピッチ（例えば４００ｎｍ未満で）セグメント化することにより、デバイス様オーバーレイマークが光オーバーレイ計測ツールによって分解されないようにすることができる。好適には、ピッチは約１５ｎｍ〜約８０ｎｍである。大きなピッチと微細ピッチとの間においてバランスがとられる。大きなピッチは、プロセスにおいて（特に、プロセスの制御性が低いスクライブ線領域において）よりロバストである。微細ピッチを用いた場合、標的は、処理および測定時においてデバイスにより類似した挙動をとることができる。ハイブリッドオーバーレイ標的は、例えばその領域のうち９０％を超える領域において、設計規則に適合し得る。設計規則的剛性を特に高度ノードおよび小型標的サイズと共に用いることにより、標的もダイそのものの内部に配置することが可能になる。
【００４１】
ＤＣＭの第２の構成要素として、オーバーレイ標的を正確に測定することがある。オーバーレイマークが同一であっても、測定条件が異なれば、報告されるオーバーレイ値も異なり得る。例えば、波長選択が異なる場合、（特にオーバーレイ標的が（現在の層または先行層のいずれかについて）非対称性を示すときに）異なるオーバーレイ値が報告される場合がある。そのため、正確なオーバーレイを提供できるよう、測定レシピ内において規定される測定条件を最適化することが望ましい。例示目的のため、より正確なレシピまたは標的の決定のために、モデル残留物が用いられる場合が多い。精度の判断のための別の例として、非対称性への影響の定量的測定を可能にするＱｍｅｒｉｔアルゴリズムがある。加えて、アルゴリズム（例えば、非対称性の修正および精度の向上が可能なＡＳＣ（アーチャー自己較正）アルゴリズムもある。正しいレシピを選択するためのさらなる例として、デバイス様オーバーレイマークを用いたハイブリッドオーバーレイ標的によりＡＤＩ−ＡＥＩ間の整合を向上させることにより、測定精度を独立的に確認して、エッチングプロセスに起因するオーバーレイバイアスを回避する例もある。
【００４２】
ＤＣＭの第３の構成要素として、（ＡＥＩにおける）基準オーバーレイ測定と（ＡＤＩにおける）オーバーレイ標的のオーバーレイ値との間のデルタを用いて、較正マップを高精度に測定および生成することがある。この較正マップを用いて、スキャナが差を補償しかつデバイスオーバーレイをより高精度に印刷することができるように、スキャナへの修正を変更することができる。基準ＯＶＬ測定は、デキャップ後のＣＤ−ＳＥＭ結果あるいは実際のデバイスの電気試験結果または断面結果によって行われ得る。デバイス様オーバーレイマークにより、プロセスに起因する影響（リソおよびエッチング）の測定が可能になり、これにより、同一層上のデバイス様マークと光オーバーレイマークとの間のシフトが発生する。このシフトを、以下の方程式（１）において用いられるように「現在／先行ＡＥＩシフト」と呼ぶ。このシフトは、先行層および現在層双方において測定すべきであり、ＡＤＩにおける光オーバーレイ測定とその結果得られるデバイスとの間の較正マップに導入され得る。較正マップ内の別の要素として、光学ＡＥＩ−ＡＤＩ測定間の差がある。較正マップは、以下の形態をとる。
【数１】
0006320387.tif 000002
【００４３】
方程式（１）中に記載される方法は一般的であり、ほとんどの層に用いることが可能である。光学オーバーレイ標的の検証は、例えばエッチングプロセスにより先行層の導電性要素を除去および露出させるときまたはＡＥＩの後数ステップ後に、ＣＤ−ＳＥＭによってＡＥＩにおいて行われ得る。デバイス様オーバーレイマークの検証は、ＣＤ−ＳＥＭによってＡＥＩにおいて測定することも可能である。
【００４４】
図５は、本開示によるハイブリッドオーバーレイ標的を用いたオーバーレイ測定を行う方法のフローチャートを示す。方法５００を用いて、デバイスの実質的に同一平面上の２つの層間の相対的位置の測定を行うことができる。５０２において、光オーバーレイマークおよびデバイス様マークを含むハイブリッドオーバーレイ標的を基板上の層上に形成する。例示目的のため、第１のハイブリッドオーバーレイ標的は、例えば光学レチクルおよび従来のフォトリソグラフィーによりデバイスの第１の層内に形成され得る。第２のハイブリッドオーバーレイ標的は、第１の層上に設けられた第２の層内に例えばインプリントテンプレートにより形成され得る。５０４において、例えばＣＤ−ＳＥＭによってＡＥＩにおいてまたは他のプロセスステップにおいて、デバイス様と第１の層内の光オーバーレイマークとの間のシフトを測定することができる。５０６において、オーバーレイを光オーバーレイマークによりＡＤＩにおいて光学光オーバーレイツールを用いて測定することができる。光学計測法オーバーレイツールの一例として、アーチャーＡＩＭ高度光オーバーレイ計測ツール（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（Ｍｉｌｐｉｔａｓ、Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ））がある。
【００４５】
５０８において、オーバーレイを光オーバーレイマークによりＡＥＩにおいて光学ツールを用いて測定することができる。この測定は、パターンが存在するときまたはさらにはレジストへの露出後にプロセス中の点において行うことができる。５１０において、第２の層内のデバイス様と光オーバーレイマークとの間のシフトを、ＣＤ−ＳＥＭによってＡＥＩにおいてまたは他のプロセスステップにおいて測定することができる。基板上の異なる位置においてとられるこのようなシフト測定を用いて、較正マップを生成することができる。上記したようなシフトデータを収集することにより、異なるプロセスステップを通じてシフトを展開することが可能になる。較正品質は、５１２においてライン監視により（例えば、標準的なＡＤＩ監視および／または較正マップ品質確認を用いて）行うことができる。５１４において、較正品質が不十分である場合、新規の較正マップが生成され得る。較正品質が不十分ではない場合、さらなるライン監視が行われ得る。
【００４６】
本開示の局面は、デバイスオーバーレイの高精度測定に用いることが可能な計測標的を提供する。デバイスオーバーレイをオーバーレイ計測標的の設計において考慮することにより、オーバーレイ計測法の速度および精度の向上につながる。速度および精度の向上により、デバイス歩留りの向上およびデバイスコストの低減が可能になる。
【００４７】
添付の特許請求の範囲は、このような限定が所与の請求項中において「〜のための手段」という文言を用いて明示的に記載されていない限り、ミーンズプラスファンクション限定を含むものとして解釈されるべきではない。特定の機能を行う「ための手段」を明示的に記載していない特許請求の範囲中の任意の要素は、米国特許法第３５巻第１１２条、第６項中に規定するような「手段」または「ステップ」として解釈されるべきではない。詳細には、本明細書中の特許請求の範囲において「ステップ」が用いられた場合、米国特許法第３５巻第１１２条第６項の規定が適用されるものを意図していない。
【図１Ａ】
0006320387.tif 000003
【図１Ｂ】
0006320387.tif 000004
【図１Ｃ】
0006320387.tif 000005
【図２】
0006320387.tif 000006
【図３Ａ】
0006320387.tif 000007
【図３Ｂ】
0006320387.tif 000008
【図３Ｃ】
0006320387.tif 000009
【図４】
0006320387.tif 000010
【図５】
0006320387.tif 000011