(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に配置された複数のチップを当該基板と接合する接合装置であって、
基板を収容する処理チャンバと、
前記処理チャンバの内部に設けられ、基板を載置する載置台と、
前記載置台に設けられ、基板を加熱する加熱機構と、
前記処理チャンバの内部における前記載置台の上方であって、平面視において当該載置台上の基板と重なる位置に設けられ、当該処理チャンバの内部に加圧ガスを供給するガス供給部と、を有し、
前記ガス供給部は、前記載置台上の基板に直接噴射される加圧ガスの流量が、前記載置台上の基板に直接噴射されない加圧ガスの流量より少なくなるように、加圧ガスを供給することを特徴とする、接合装置。
【請求項２】
前記ガス供給部は、下面が閉塞された円筒形状を有し、側周面から加圧ガスを供給することを特徴とする、請求項１に記載の接合装置。
【請求項３】
前記ガス供給部は、複数のガス供給孔が形成された球形状を有し、
前記載置台上の基板に直接噴射される加圧ガスの前記ガス供給孔の流量抵抗は、前記載置台上の基板に直接噴射されない加圧ガスの前記ガス供給孔の流量抵抗より大きいことを特徴とする、請求項１に記載の接合装置。
【請求項４】
前記ガス供給部は、複数のガス流通孔が形成されたフィルタを有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の接合装置。
【請求項５】
前記ガス供給部と前記処理チャンバの間には所定の隙間が形成されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の接合装置。
【請求項６】
前記処理チャンバは、鉛直方向に分割された上部チャンバと下部チャンバを有し、
上部チャンバは、上方から下方に向かって同心円状に径が拡大するテーパ形状を有し、且つ側面視においてテーパ部が内側に凸の形状を有することを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の接合装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の接合装置を備えた接合システムであって、
前記接合装置と、前記接合装置で複数のチップが接合された基板の温度を調節する温度調節装置とを備えた処理ステーションと、
基板を複数保有可能で、且つ前記処理ステーションに対して基板を搬入出する搬入出ステーションと、を有することを特徴とする、接合システム。
【請求項８】
基板上に配置された複数のチップを当該基板と接合する接合方法であって、
処理チャンバの内部に基板を搬入して当該処理チャンバの内部を密閉した後、加熱機構によって所定の温度に加熱された載置台に基板を載置する第１の工程と、
前記処理チャンバの内部における前記載置台の上方であって、平面視において当該載置台上の基板と重なる位置に設けられたガス供給部から当該処理チャンバの内部に加圧ガスを供給し、当該処理チャンバの内部を所定の圧力に加圧して、基板と複数のチップを接合する第２の工程と、を有し、
前記第２の工程において、前記ガス供給部から前記載置台上の基板に直接噴射される加圧ガスの流量は、前記ガス供給部から前記載置台上の基板に直接噴射されない加圧ガスの流量より少ないことを特徴とする、接合方法。
【請求項９】
前記ガス供給部は、下面が閉塞された円筒形状を有し、
前記第２の工程において、前記ガス供給部の側周面から加圧ガスを供給することを特徴とする、請求項８に記載の接合方法。
【請求項１０】
前記ガス供給部は、複数のガス供給孔が形成された球形状を有し、
前記第２の工程において、相対的に流量抵抗の大きい前記ガス供給孔から供給され前記載置台上の基板に直接噴射される加圧ガスの流量は、相対的に流量抵抗の小さい前記ガス供給孔から供給され前記載置台上の基板に直接噴射されない加圧ガスの流量より少ないことを特徴とする、請求項８に記載の接合方法。
【請求項１１】
前記第２の工程において、前記ガス供給部が有するフィルタを介して、加圧ガスを供給することを特徴とする、請求項８〜１０のいずれか一項に記載の接合方法。
【請求項１２】
前記ガス供給部と前記処理チャンバの間には所定の隙間が形成されていることを特徴とする、請求項８〜１１のいずれか一項に記載の接合方法。
【請求項１３】
請求項８〜１２のいずれか一項に記載の接合方法を接合装置によって実行させるように、当該接合装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
【請求項１４】
請求項１３に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に配置された複数のチップを当該基板と接合する接合装置、当該接合装置を備えた接合システム、当該接合装置を用いた接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスにおいて、半導体チップ（以下、「チップ」という。）の高集積化が進んでいる。高集積化した複数のチップを水平面内で配置し、これらチップを配線で接続して製品化する場合、配線長が増大し、それにより配線の抵抗が大きくなること、また配線遅延が大きくなることが懸念される。
【０００３】
そこで、チップを３次元に積層する３次元集積技術を用いて、半導体デバイスを製造することが提案されている。この３次元集積技術では、積層されるチップのバンプ同士が接合されて、当該積層されたチップが電気的に接続される。
【０００４】
３次元集積方法としては、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上に複数のチップを接合して積層する方法が用いられる。この方法では、例えば特許文献１に示す接合装置を用いて、ウェハとチップを加熱しながら押圧して接合する。すなわち、ウェハ上に複数のチップを配置し、当該複数のチップ上に板状体を接触させた後、ウェハとチップを加熱しながら、ウェハと板状体を押圧して、ウェハと複数のチップを接合する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１２２２１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ウェハ上に複数のチップを配置した際、複数のチップの高さがばらつく場合がある。かかる場合、特許文献１のように板状体を用いると、ウェハと複数のチップを均一に押圧することができない。例えばウェハとチップを押圧する際の圧力が小さ過ぎると、当該ウェハとチップの接合強度が不十分になる。一方、例えばウェハとチップを押圧する際の圧力が大き過ぎると、バンプが変形するおそれがあり、さらには半導体デバイスが損傷を被るおそれもある。
【０００７】
そこで、例えば処理チャンバの内部において、載置台上のウェハを加熱しながら、当該処理チャンバの内部に加圧ガスを供給して、ウェハと複数のチップを押圧することが考えられる。かかる場合、例えばウェハ上の複数のチップの高さがばらついていても、当該複数のチップは処理チャンバの内部に充填された加圧ガスによって押圧されるので、ウェハと複数のチップを均一に適切な圧力で押圧することができる。
【０００８】
上述したように処理チャンバの内部に加圧ガスを供給する際、当該加圧ガスを制御しないと、例えば載置台上のウェハにおいて、加圧ガスが直接噴射される部分と直接噴射されない部分が生じる場合がある。かかる場合、ウェハを面内均一に押圧することができず、ウェハと複数のチップを適切に接合することができない。
【０００９】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板上に配置された複数のチップを当該基板と適切に接合することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記の目的を達成するため、本発明は、基板上に配置された複数のチップを当該基板と接合する接合装置であって、基板を収容する処理チャンバと、前記処理チャンバの内部に設けられ、基板を載置する載置台と、前記載置台に設けられ、基板を加熱する加熱機構と、前記処理チャンバの内部における前記載置台の上方であって、平面視において当該載置台上の基板と重なる位置に設けられ、当該処理チャンバの内部に加圧ガスを供給するガス供給部と、を有し、前記ガス供給部は、前記載置台上の基板に直接噴射される加圧ガスの流量が、前記載置台上の基板に直接噴射されない加圧ガスの流量より少なくなるように、加圧ガスを供給することを特徴としている。
【００１１】
本発明によれば、処理チャンバの内部に基板を搬入して当該処理チャンバの内部を密閉した後、加熱機構によって所定の温度に加熱された載置台に基板を載置する。その後、ガス供給部から処理チャンバの内部に加圧ガスを供給し、当該処理チャンバの内部を所定の圧力に加圧する。したがって、基板と複数のチップを所定の温度に加熱しながら所定の圧力で押圧することで、基板と複数のチップを適切に接合することができる。
【００１２】
しかも、ガス供給部から載置台上の基板に直接噴射される加圧ガスの流量が、当該ガス供給部から載置台上の基板に直接噴射されない加圧ガスの流量より少なくなるように制御される。そうすると、基板を基板面内で均一に押圧することができ、基板と複数のチップを適切に接合することができる。
【００１３】
前記ガス供給部は、下面が閉塞された円筒形状を有し、側周面から加圧ガスを供給してもよい。
【００１４】
前記ガス供給部は、複数のガス供給孔が形成された球形状を有し、前記載置台上の基板に直接噴射される加圧ガスの前記ガス供給孔の流量抵抗は、前記載置台上の基板に直接噴射されない加圧ガスの前記ガス供給孔の流量抵抗より大きくてもよい。
【００１５】
前記ガス供給部は、複数のガス流通孔が形成されたフィルタを有していてもよい。
【００１６】
前記ガス供給部と前記処理チャンバの間には所定の隙間が形成されていてもよい。
【００１７】
前記処理チャンバは、鉛直方向に分割された上部チャンバと下部チャンバを有し、上部チャンバは、上方から下方に向かって同心円状に径が拡大するテーパ形状を有し、且つ側面視においてテーパ部が内側に凸の形状を有していてもよい。
【００１８】
別な観点による本発明は、前記接合装置を備えた接合システムであって、前記接合装置と、前記接合装置で複数のチップが接合された基板の温度を調節する温度調節装置とを備えた処理ステーションと、基板を複数保有可能で、且つ前記処理ステーションに対して基板を搬入出する搬入出ステーションと、を有することを特徴としている。
【００１９】
また別な観点による本発明は、基板上に配置された複数のチップを当該基板と接合する接合方法であって、処理チャンバの内部に基板を搬入して当該処理チャンバの内部を密閉した後、加熱機構によって所定の温度に加熱された載置台に基板を載置する第１の工程と、前記処理チャンバの内部における前記載置台の上方であって、平面視において当該載置台上の基板と重なる位置に設けられたガス供給部から当該処理チャンバの内部に加圧ガスを供給し、当該処理チャンバの内部を所定の圧力に加圧して、基板と複数のチップを接合する第２の工程と、を有し、前記第２の工程において、前記ガス供給部から前記載置台上の基板に直接噴射される加圧ガスの流量は、前記ガス供給部から前記載置台上の基板に直接噴射されない加圧ガスの流量より少ないことを特徴としている。
【００２０】
前記ガス供給部は、下面が閉塞された円筒形状を有し、前記第２の工程において、前記ガス供給部の側周面から加圧ガスを供給してもよい。
【００２１】
前記ガス供給部は、複数のガス供給孔が形成された球形状を有し、前記第２の工程において、相対的に流量抵抗の大きい前記ガス供給孔から供給され前記載置台上の基板に直接噴射される加圧ガスの流量は、相対的に流量抵抗の小さい前記ガス供給孔から供給され前記載置台上の基板に直接噴射されない加圧ガスの流量より少なくてもよい。
【００２２】
前記第２の工程において、前記ガス供給部が有するフィルタを介して、加圧ガスを供給してもよい。
【００２３】
前記ガス供給部と前記処理チャンバの間には所定の隙間が形成されていてもよい。
【００２４】
また別な観点による本発明によれば、前記接合方法を接合装置によって実行させるように、当該接合装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
【００２５】
さらに別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、基板上に配置された複数のチップを当該基板と適切に接合することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本実施の形態にかかる接合システムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】本実施の形態にかかる接合システムの内部構成の概略を示す側面図である。
【図３】ウェハと複数のチップの斜視図である。
【図４】ウェハと複数のチップの側面図である。
【図５】接合装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図６】接合装置の構成の概略を示す平面図である。
【図７】処理チャンバの内部構成の概略を示す縦断面図である。
【図８】本実施の形態の上部チャンバに圧力がかかる様子を示す説明図である。
【図９】比較例の上部チャンバに圧力がかかる様子を示す説明図である。
【図１０】ガス供給部の構成の概略を示す縦断面図である。
【図１１】ガス供給部における加圧ガスの流れを示す説明図である。
【図１２】処理チャンバの内部の加圧ガスの流れを示す説明図である。
【図１３】接合処理の主な工程を示すフローチャートである。
【図１４】接合処理の各工程における、加熱機構の温度、ウェハの温度、及び処理チャンバの内部圧力を示す説明図である。
【図１５】接合装置による接合動作の説明図である。
【図１６】接合装置による接合動作の説明図である。
【図１７】接合装置による接合動作の説明図である。
【図１８】他の実施の形態にかかるガス供給部の構成の概略を示す縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。なお、以下に示す実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００２９】
＜１．接合システムの構成＞
先ず、本実施の形態に係る接合システムの構成について説明する。図１は、接合システム１の構成の概略を示す平面図である。図２は、接合システム１の内部構成の概略を示す側面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
【００３０】
接合システム１では、図３及び図４に示すように基板としてのウェハＷと複数のチップＣを接合する。ウェハＷは、例えばシリコンウェハや化合物半導体ウェハなどにデバイスが形成された半導体ウェハ（デバイスウェハ）である。ウェハＷの表面には複数のバンプが形成されている。また、チップＣの表面にも複数のバンプが形成され、この複数のバンプが形成された表面がウェハＷ側に向けられるように、チップＣは裏返して配置されている。すなわち、ウェハＷにおいて複数のバンプが形成された表面と、チップＣにおいて複数のバンプが形成された表面は、対向して配置されている。ウェハＷのバンプとチップＣのバンプはそれぞれ対応する位置に形成され、これらバンプが接合されることでウェハＷと複数のチップＣが接合される。なお、バンプは例えば銅からなり、この場合、ウェハＷと複数のチップＣの接合は銅と銅の接合となる。
【００３１】
接合システム１に搬入されるウェハＷの表面には、予め複数のチップＣが所定の位置に配置されている。そして、複数のチップＣの上からフィルムＦが貼られて、ウェハＷに対して複数のチップＣの位置が固定されている。なお、ウェハＷに対して複数のチップＣを固定する手段は、フィルムＦに限定されず、例えばコーティングなど、任意の手段を用いることができる。
【００３２】
図１に示すように接合システム１は、例えば外部との間で複数のウェハＷを収容可能なカセットＣｓが搬入出される搬入出ステーション２と、複数のチップＣが搭載されたウェハＷに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えた処理ステーション３とを一体に接続した構成を有している。
【００３３】
搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。カセット載置台１０には、複数、例えば２つのカセット載置板１１が設けられている。カセット載置板１１は、Ｙ軸方向（図１中の上下方向）に一列に並べて配置されている。これらのカセット載置板１１には、接合システム１の外部に対してカセットＣｓを搬入出する際に、カセットＣｓを載置することができる。このように搬入出ステーション２は、複数のウェハＷを保有可能に構成されている。なお、カセット載置板１１の個数は、本実施の形態に限定されず、任意に決定することができる。
【００３４】
搬入出ステーション２には、カセット載置台１０に隣接してウェハ搬送部２０が設けられている。ウェハ搬送部２０には、Ｙ軸方向に延伸する搬送路２１上を移動自在なウェハ搬送装置２２が設けられている。ウェハ搬送装置２２は、鉛直方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、各カセット載置板１１上のカセットＣｓと、後述する処理ステーション３の位置調節装置３２及びトランジション装置３３との間でウェハＷを搬送できる。
【００３５】
処理ステーション３には、接合装置３０、温度調節装置３１、位置調節装置３２、トランジション装置３３が設けられている。例えば処理ステーション３の正面側（図１中のＹ軸方向負方向側）には接合装置３０が設けられ、処理ステーション３の背面側（図１中のＹ軸方向正方向側）には、温度調節装置３１が設けられている。また、処理ステーション３の搬入出ステーション２側（図１中のＸ軸方向正方向側）には、位置調節装置３２とトランジション装置３３が設けられている。位置調節装置３２とトランジション装置３３は、図２に示すように上からこの順で２段に設けられている。なお、接合装置３０、温度調節装置３１、位置調節装置３２、トランジション装置３３の装置数や配置は任意に設定することができる。
【００３６】
接合装置３０は、ウェハＷと複数のチップＣを接合する装置である。この接合装置３０の構成については後述する。
【００３７】
温度調節装置３１は、接合装置３０で加熱されたウェハＷの温度調節を行う装置である。温度調節装置３１は、例えばペルチェ素子などの冷却部材を内蔵し、温度調節可能な温度調節板（図示せず）を備えている。
【００３８】
位置調節装置３２は、ウェハＷの周方向の向きを調節する装置である。位置調節装置３２は、ウェハＷを回転保持するチャック（図示せず）と、ウェハＷのノッチ部の位置を検出する検出部（図示せず）を有している。そして、位置調節装置３２では、チャックに保持されたウェハＷを回転させながら、検出部でウェハＷのノッチ部の位置を検出することで、当該ノッチ部の位置を調節してウェハＷの周方向の向きを調節している。
【００３９】
トランジション装置３３は、ウェハＷを一時的に載置するための装置である。
【００４０】
図１に示すように接合装置３０、温度調節装置３１、位置調節装置３２、トランジション装置３３に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域４０が形成されている。ウェハ搬送領域４０には、例えばウェハ搬送装置４１が配置されている。
【００４１】
ウェハ搬送装置４１は、例えば鉛直方向、水平方向（Ｘ軸方向、Ｙ軸方向）及び鉛直軸周り（θ方向）に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置４１は、ウェハ搬送領域４０内を移動し、周囲の接合装置３０、温度調節装置３１、位置調節装置３２、トランジション装置３３にウェハＷを搬送できる。
【００４２】
以上の接合システム１には、制御部５０が設けられている。制御部５０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、接合システム１におけるウェハＷと複数のチップＣの接合処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、接合システム１における後述の接合処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部５０にインストールされたものであってもよい。
【００４３】
＜２．接合装置の構成＞
次に、上述した接合装置３０の構成について説明する。図５は、接合装置３０の構成の概略を示す縦断面図である。図６は、接合装置３０の構成の概略を示す平面図である。
【００４４】
図５に示すように接合装置３０は、内部を密閉可能な処理チャンバ１００を有している。処理チャンバ１００は、上部チャンバ１０１と下部チャンバ１０２を有している。上部チャンバ１０１は下部チャンバ１０２の上方に設けられている。
【００４５】
図７に示すように上部チャンバ１０１は、下面の内側が開口した中空構造を有している。上部チャンバ１０１の下面には、処理チャンバ１００の内部の気密性を保持するためのシール材１０３が環状に設けられている。シール材１０３は、上部チャンバ１０１の下面から突出して設けられている。また、下部チャンバ１０２は、上面の内側と下面の内側がそれぞれ開口した中空構造を有している。上部チャンバ１０１の下面と下部チャンバ１０２の上面は、対向して配置されている。そして、シール材１０３と下部チャンバ１０２の上面を当接させることで、処理チャンバ１００の内部が密閉空間に形成される。
【００４６】
また、図８に示すように上部チャンバ１０１は、天板１０４、テーパ部１０５、及び外周リング１０６を有している。テーパ部１０５の上端部は天板１０４の外縁部に接続され、テーパ部１０５の下端部は外周リング１０６の内縁部に接続されている。天板１０４の径は外周リング１０６の内径より小さく、テーパ部１０５は側面視において、上方から下方に向かって同心円状に径が拡大するテーパ形状を有している。また、テーパ部１０５は、側面視において内側、すなわち処理チャンバ１００の内部側に凸の形状を有している。
【００４７】
ここで、例えば処理チャンバ１００の内部が加圧された場合、テーパ部１０５には処理チャンバ１００の内部から外側に圧力がかかる。この場合、例えば図９に示すようにテーパ部１０５ａが側面視において外側に凸の形状を有する場合、当該テーパ部１０５ａには引張方向の力が作用する。この引張力に対抗するため、例えばテーパ部１０５ａの厚みを厚くする等、テーパ部１０５ａの強度を大きくする必要がある。
【００４８】
これに対して、本実施の形態では、図８に示すようにテーパ部１０５は側面視において内側に凸の形状を有するので、当該テーパ部１０５には圧縮方向の力が作用する。そうすると、例えばテーパ部１０５の厚みを薄くする等、テーパ部１０５の強度を上記テーパ部１０５ａの強度より小さく抑えることができ、上部チャンバ１０１の製造コストを低廉化することができる。
【００４９】
なお、図７に示すように、上部チャンバ１０１の内側面と下部チャンバ１０２の内側面は、それぞれ側面視において略流線形状を有している。上部チャンバ１０１と下部チャンバ１０２の特定箇所に応力が集中するのを抑制するため、これら上部チャンバ１０１の内側面と下部チャンバ１０２の内側面には、鋭角部分ができるだけ抑えられている。
【００５０】
図５に示すように上部チャンバ１０１は、上部チャンバ１０１の上面に設けられた上部チャンバベース１１０に支持されている。上部チャンバベース１１０は、上部チャンバ１０１の上面より大きい径を有している。
【００５１】
上部チャンバ１０１の外周リング１０６上には、上部チャンバベース１１０との間において、リブ１１１が例えば４箇所に設けられている。すなわち、上部チャンバベース１１０には、上部チャンバ１０１とリブ１１１が固定されて支持されている。
【００５２】
ここで、上部チャンバ１０１は上部チャンバベース１１０の中央部で支持されているため、例えば処理チャンバ１００の内部が加圧された場合、リブ１１１がないと、上部チャンバベース１１０の中央部に応力が集中する。この点、本実施の形態では、処理チャンバ１００の内部圧力は、上部チャンバ１０１とリブ１１１を介して、上部チャンバベース１１０の中央部と外周部に分散して伝達される。このため、上部チャンバベース１１０の特定箇所に応力が集中するのを抑制することができる。
【００５３】
上部チャンバベース１１０の上面の中央部には、上部チャンバベース１１０を冷却する上部冷却機構１１２が設けられている。より詳細には、上部チャンバベース１１０の上面の中央部には、上部チャンバベース１１０の軽量化を図るために窪み部が形成され、上部冷却機構１１２は当該窪み部に設けられている。上部冷却機構１１２の内部には、例えば冷却水などの冷却媒体が流通する冷媒流路（図示せず）が形成されている。なお、上部冷却機構１１２は、本実施の形態に限定されず、上部チャンバベース１１０を冷却できれば種々の構成を取り得る。例えば上部冷却機構１１２には、ペルチェ素子などの冷却部材が内蔵されていてもよい。
【００５４】
下部チャンバ１０２は、下部チャンバ１０２の下面に設けられた下部チャンバベース１２０に支持されている。下部チャンバベース１２０は、下部チャンバ１０２の下面より大きい径を有している。
【００５５】
下部チャンバベース１２０の下面の中央部には、下部チャンバベース１２０を冷却する下部冷却機構１２１が設けられている。下部冷却機構１２１の内部には、例えば冷却水などの冷却媒体が流通する冷媒流路（図示せず）が形成されている。なお、下部冷却機構１２１は、本実施の形態に限定されず、下部チャンバベース１２０を冷却できれば種々の構成を取り得る。例えば下部冷却機構１２１には、ペルチェ素子などの冷却部材が内蔵されていてもよい。
【００５６】
上部チャンバベース１１０には、上部チャンバベース１１０、すなわち上部チャンバ１０１を鉛直方向に移動させる移動機構１３０が設けられている。移動機構１３０は、シャフト１３１、支持板１３２、及び鉛直移動部１３３を有している。シャフト１３１は、上部チャンバベース１１０の外周部に例えば４箇所設けられている。また、各シャフト１３１は鉛直方向に延伸し、下部チャンバベース１２０を貫通して、当該下部チャンバベース１２０の下方に設けられた支持板１３２に支持されている。支持板１３２には、例えばエアシリンダ等の鉛直移動部１３３が設けられている。この鉛直移動部１３３によって、支持板１３２とシャフト１３１が鉛直方向に移動し、さらに上部チャンバベース１１０と上部チャンバ１０１は鉛直方向に移動自在に構成されている。
【００５７】
シャフト１３１には、シャフト１３１の移動を制限するロック機構１４０が設けられている。図６に示すようにロック機構１４０は、シャフト１３１に対応して例えば４箇所に設けられている。また、ロック機構１４０は、下部チャンバベース１２０上に設けられている。
【００５８】
図５及び図６に示すようにロック機構１４０は、ロックピン１４１、水平移動部１４２、及びケーシング１４３を有している。ロックピン１４１は、シャフト１３１に形成された貫通孔に挿入される。ロックピン１４１の基端部には、ロックピン１４１を水平方向に移動させる、例えばエアシリンダ等の水平移動部１４２が設けられている。シャフト１３１の外周面には、シャフト１３１の貫通孔に挿入されたロックピン１４１を支持するケーシング１４３が設けられている。
【００５９】
図７に示すように処理チャンバ１００の内部には、ウェハＷを載置する載置台１５０が設けられている。載置台１５０上には複数のギャップピン（図示せず）が設けられ、当該複数のギャップピンがウェハＷを支持する。また、載置台１５０上には複数のガイドピン（図示せず）が設けられ、当該複数のガイドピンによってウェハＷの水平方向の位置が固定される。載置台１５０の内部には、ウェハＷを加熱する加熱機構１５１が設けられている。加熱機構１５１としては、例えばヒータが用いられる。なお、載置台１５０は複数の領域に区画され、当該区画された領域に対応するように、加熱機構１５１は複数に分割されていてもよい。かかる場合、載置台１５０が区画された複数の領域は、当該領域毎に温度調節可能となる。
【００６０】
なお、載置台１５０の下方には、断熱板（図示せず）が設けられていてもよい。この断熱板により、加熱機構１５１でウェハＷを加熱する際の熱が、後述する載置台ベース１５３や下部チャンバベース１２０に伝達されるのを抑制することができる。
【００６１】
載置台１５０は、複数のロッド１５２を介して、載置台１５０の下方に設けられた載置台ベース１５３に支持されている。載置台ベース１５３は、下部チャンバベース１２０上に載置されている。そして、このように載置台１５０と載置台ベース１５３の間に空気層を設けることにより、加熱機構１５１でウェハＷを加熱する際の熱が、載置台ベース１５３や下部チャンバベース１２０に伝達されるのを抑制することができる。
【００６２】
載置台ベース１５３は、下部チャンバベース１２０に固定されていない。かかる場合、例えば接合処理中に処理チャンバ１００の内部が加熱されても、載置台ベース１５３を自由に熱膨張させることができ、固定することで発生し得る熱応力や撓みを抑制することができる。
【００６３】
図５に示すように載置台１５０の下方には、ウェハＷを下方から支持し昇降させるための昇降ピン１６０が例えば３箇所に設けられている。昇降ピン１６０は、載置台１５０、載置台ベース１５３、下部チャンバベース１２０、下部冷却機構１２１を挿通し、下部冷却機構１２１の下方に設けられた支持板１６１に支持されている。支持板１６１には、例えばモータ等を内蔵した昇降駆動部１６２が設けられている。この昇降駆動部１６２によって、支持板１６１と昇降ピン１６０は昇降し、昇降ピン１６０は載置台１５０の上面から突出可能になっている。
【００６４】
処理チャンバ１００には、処理チャンバ１００の内部に加圧ガスを供給するガス供給機構１７０が設けられている。ガス供給機構１７０は、ガス供給部１７１、ガス供給ライン１７２、及びガス供給装置１７３を有している。ガス供給部１７１は、載置台１５０の中心軸の上方に設けられ、処理チャンバ１００の内部に加圧ガスを供給する。ガス供給部１７１は、ガス供給ライン１７２を介して、ガス供給装置１７３に連通している。ガス供給ライン１７２は、上部チャンバ１０１、上部チャンバベース１１０、上部冷却機構１１２を貫通して設けられている。ガス供給装置１７３は、内部に加圧ガスを貯留し、当該加圧ガスをガス供給部１７１に供給する。
【００６５】
図１０に示すようにガス供給ライン１７２の下端部の側周面には、ガス供給部１７１に加圧ガスを供給するガス供給孔１７２ａが複数形成されている。ガス供給孔１７２ａは、例えば上下２段に形成され、且つ周方向に等間隔に４列に形成されている。なお、ガス供給孔１７２ａの個数や配置は、本実施の形態に限定されず、任意に決定することができる。
【００６６】
また、ガス供給ライン１７２の側周面において、ガス供給孔１７２ａの上方には、後述するメカスト機構１７８のボルト１８０が挿通する一対の挿通孔１７２ｂ、１７２ｂが形成されている。一対の挿通孔１７２ｂ、１７２ｂは、ガス供給ライン１７２の径方向に対向して形成されている。
【００６７】
さらに、ガス供給ライン１７２の下端には、後述するホルダ１７５の雌ネジ１７５ｂに螺合される雄ネジ１７４が設けられている。雄ネジ１７４は、例えばガス供給ライン１７２の下端に溶接されている。
【００６８】
ガス供給部１７１は、ホルダ１７５、フィルタ１７６、ロックナット１７７及びメカスト機構１７８（メカニカルストッパ機構）を有している。ホルダ１７５は、下面が閉塞された円筒形状を有している。ホルダ１７５の側周面には、加圧ガスを供給するガス供給孔１７５ａが複数、例えば４つ形成されている。
【００６９】
フィルタ１７６は、ホルダ１７５の内側周面に沿って設けられ、少なくともガス供給孔１７５ａを覆うように設けられている。また、フィルタ１７６は、ガス供給ライン１７２の複数のガス供給孔１７２ａを覆うように設けられている。フィルタ１７６には、ガス供給孔１７２ａからガス供給孔１７５ａに加圧ガスを流通させるためのガス流通孔（図示せず）が複数形成されている。なお、これらのガス流通孔は小径であって、フィルタ１７６によってガス供給ライン１７２からのパーティクルが処理チャンバ１００の内部に流入するのを抑制し、また処理チャンバ１００の内部のパーティクルがガス供給ライン１７２側に流入するのを抑制することができる。
【００７０】
そして、図１１に示すようにガス供給部１７１において、ガス供給ライン１７２のガス供給孔１７２ａから供給された加圧ガスは、フィルタ１７６のガス流通孔を介して、ホルダ１７５のガス供給孔１７５ａから処理チャンバ１００の内部に供給される。すなわち、図１２に示すようにガス供給部１７１から略水平方向に処理チャンバ１００の内部に加圧ガスが供給される。そして、ガス供給部１７１から供給される加圧ガスは、載置台１５０上のウェハＷに直接噴射されることはない。図１２中、点線部分は、加圧ガスが載置台１５０上のウェハＷに直接噴射される範囲を示し、ガス供給部１７１からの加圧ガスは、この範囲より上方に供給される。
【００７１】
図１０に示すようにホルダ１７５の下部には、ホルダ１７５を厚み方向に貫通して雌ネジ１７５ｂが形成されている。雌ネジ１７５ｂは雄ネジ１７４に対応する位置に形成されており、雄ネジ１７４を雌ネジ１７５ｂに螺合させることで、ホルダ１７５がガス供給ライン１７２に取り付けられる。さらに、ホルダ１７５の下面側から雄ネジ１７４にロックナット１７７を取り付けて、ホルダ１７５が固定される。このようにホルダ１７５とフィルタ１７６は、本体部１７９に対して着脱自在に構成されている。これにより、例えばフィルタ１７６のメンテナンスを容易に行うことができる。
【００７２】
また、メカスト機構１７８は、本体部１７９とボルト１８０を有している。ホルダ１７５の上面とフィルタ１７６の上面はそれぞれ開口し、当該ホルダ１７５の上面とフィルタ１７６の上面を覆うように本体部１７９は設けられている。ボルト１８０は、ガス供給ライン１７２の一対の挿通孔１７２ｂ、１７２ｂを挿通して、本体部１７９に固定されている。そして、メカスト機構１７８によって、ガス供給部１７１の鉛直方向の位置が固定される。
【００７３】
このようにガス供給部１７１の鉛直方向の位置が固定されることで、ガス供給部１７１の上面（本体部１７９の上面）と上部チャンバ１０１の下面との間に所定の隙間が形成される。この所定の隙間により、例えばガス供給部１７１から処理チャンバ１００の内部に加圧ガスを供給する際、ガス供給部１７１が振動しても、ガス供給部１７１と上部チャンバ１０１が接触してパーティクルが発生するのを抑制することができる。
【００７４】
図５に示すように処理チャンバ１００には、処理チャンバの内部を排気する排気機構１９０が設けられている。排気機構１９０は、排気ライン１９１と排気装置１９２を有している。排気ライン１９１は、下部チャンバベース１２０の上面において例えば２箇所に形成された排気口に接続され、下部チャンバベース１２０と下部冷却機構１２１を貫通して設けられている。また、排気ライン１９１は、例えば真空ポンプ等の排気装置１９２に接続されている。
【００７５】
なお、接合装置３０における各部の動作は、上述した制御部５０によって制御される。
【００７６】
＜３．接合システムの動作＞
次に、以上のように構成された接合システム１を用いて行われるウェハＷと複数のチップＣの接合処理方法について説明する。図１３は、かかる接合処理の主な工程の例を示すフローチャートである。図１４は、接合処理の各工程における加熱機構１５１（載置台１５０）の温度、ウェハＷの温度、及び処理チャンバ１００の内部の圧力を示す説明図である。
【００７７】
なお、本実施の形態において、接合システム１に搬入されるウェハＷの表面には、図３及び図４に示したように予め複数のチップＣが所定の位置に配置され、さらにフィルムＦによって複数のチップＣの位置が固定されている。
【００７８】
先ず、複数枚のウェハＷを収容したカセットＣｓが、搬入出ステーション２の所定のカセット載置板１１に載置される。その後、ウェハ搬送装置２２によりカセットＣｓ内のウェハＷが取り出され、処理ステーション３の位置調節装置３２に搬送される。位置調節装置３２では、ウェハＷのノッチ部の位置を調節して、当該ウェハＷの周方向の向きが調節される（図１３の工程Ｓ１）。このように工程Ｓ１でウェハＷの周方向の向きを調節することによって、例えば後述する工程Ｓ２〜Ｓ８の接合処理に不良が生じた場合、ウェハ履歴を追って不良の原因を特定しやすくなり、接合処理の条件を改善することができる。
【００７９】
工程Ｓ１では、図１４に示すように接合装置３０において、加熱機構１５１の温度は所定の温度、例えば２５０℃に維持されている。この加熱機構１５１の温度は、接合処理を通して（後述する工程Ｓ２〜Ｓ８）、所定の温度に維持される。なお、接合処理を通して、上部冷却機構１１２の温度と下部冷却機構１２１の温度も常温、例えば２５℃に維持されており、上部チャンバベース１１０と下部チャンバベース１２０がそれぞれ冷却される。またウェハＷの温度は常温、例えば２５℃である。さらに処理チャンバ１００は閉じられているが、その内部の圧力は例えば０．１ＭＰａ（大気圧）となっている。
【００８０】
その後、接合装置３０では、図１５に示すように移動機構１３０によって上部チャンバ１０１を上方に移動させ、処理チャンバ１００が開けられる。そして、ウェハＷは、ウェハ搬送装置４１によって処理チャンバ１００の内部に搬入され、予め上昇して待機していた昇降ピン１６０に受け渡される。
【００８１】
続いて、図１６に示すように移動機構１３０によって上部チャンバ１０１を下方に移動させ、処理チャンバ１００が閉じられる。このとき、シール材１０３と下部チャンバ１０２の上面を当接させて、処理チャンバ１００の内部が密閉される（図１３の工程Ｓ２）。
【００８２】
その後、図１６に示すように昇降駆動部１６２によって昇降ピン１６０を下降させながら、ウェハＷの温度を調節し、いわゆるウェハＷの温度ならしを行う（図１３の工程Ｓ３）。工程Ｓ３では、処理チャンバ１００の内部の雰囲気が加熱機構１５１によって加熱されているため、ウェハＷも加熱される。そして、載置台１５０に載置される直前には、ウェハＷは約２５０℃に調節される。なお、ウェハＷの温度調節は、昇降ピン１６０の下降速度を調節することで制御してもよいし、あるいは昇降ピン１６０を段階的に下降させることで調節してもよい。
【００８３】
ここで、工程Ｓ３において、ウェハＷの温度ならしをせず、ウェハＷを加熱された載置台１５０に載置すると、ウェハＷの温度が急激に上昇し、当該ウェハＷが反ってしまう。この点、ウェハＷの温度ならしを行うことによって、当該ウェハＷの反りを抑制することができる。そして、ウェハＷの反り抑制という観点からは、ウェハＷは２５０℃付近まで加熱されればよく、厳密に２５０℃に調節される必要はない。
【００８４】
その後、図１７に示すように載置台１５０にウェハＷを載置する。そうすると、ウェハＷが２５０℃に加熱される。
【００８５】
ウェハＷが２５０℃まで加熱されると、ロック機構１４０の水平移動部１４２によってロックピン１４１をシャフト１３１の貫通孔に挿入する。そうすると、シャフト１３１が鉛直方向に固定される（図１３の工程Ｓ４）。
【００８６】
なお、このロック機構１４０によるシャフト１３１の固定は、後述する工程Ｓ５においてガス供給部１７１から処理チャンバ１００の内部に加圧ガスを供給する直前に行われる。上部チャンバ１０１は、加熱機構１５１からの熱によって熱膨張する。そこで、上部チャンバ１０１の熱膨張が安定した状態で、シャフト１３１を固定することにより、当該上部チャンバ１０１の位置を適切に固定できる。
【００８７】
その後、図１２に示したようにガス供給部１７１から処理チャンバ１００の内部に加圧ガスを供給し、当該処理チャンバ１００の内部を所定の圧力、例えば０．９ＭＰａに加圧する（図１３の工程Ｓ５）。このとき、ガス供給部１７１から供給される加圧ガスは、載置台１５０上のウェハＷに直接噴射されることはない。なお、この加圧は、例えば一定の加圧速度で行われてもよいし、所定時間の圧力維持と圧力上昇を繰り返し行い、段階的に行ってもよい。また、この加圧の制御は、例えばガス供給ライン１７２に設けられたバルブ（図示せず）の開度を調節することによって行ってもよいし、あるいはガス供給ライン１７２に設けられた電空レギュレータ（図示せず）を制御することで行ってもよい。
【００８８】
なお、工程Ｓ５において、上部チャンバ１０１には鉛直上方に圧力がかかり、さらに上部チャンバベース１１０にも鉛直上方の力が作用する。この点、上述したようにロックピン１４１が貫通孔に挿入されているので、当該ロックピン１４１の下面が貫通孔の下面と当接し、シャフト１３１は鉛直上方に移動しない。このため、上部チャンバベース１１０と上部チャンバ１０１も鉛直上方に移動せず、処理チャンバ１００の内部を適切に密閉することができ、内部圧力を所定の圧力に維持することができる。
【００８９】
そして、処理チャンバ１００の内部を０．９ＭＰａに例えば３０分間維持する。この際、上述したようにガス供給部１７１から略水平方向に処理チャンバ１００の内部に加圧ガスが供給され、ガス供給部１７１から供給される加圧ガスは、載置台１５０上のウェハＷに直接噴射されることはない。そうすると、処理チャンバ１００の内部に充填された加圧ガスによってウェハＷにはウェハ面内で均一に圧力がかかるため、ウェハＷ上の複数のチップＣの高さがばらついていても、当該加圧ガスによってウェハＷと複数のチップＣを均一に適切な圧力で押圧することができる。このため、ウェハＷと複数のチップＣを所定の温度に加熱しながら適切に押圧することができ、当該ウェハＷと複数のチップＣが適切に接合される（図１３の工程Ｓ６）。
【００９０】
その後、ガス供給機構１７０からの加圧ガスの供給を停止し、排気機構１９０によって処理チャンバ１００の内部を排気する（図１３の工程Ｓ７）。そして、処理チャンバ１００の内部は０．１ＭＰａまで減圧される。なお、この減圧は、例えば一定の減圧速度で行われてもよいし、所定時間の圧力維持と圧力下降を繰り返し行い、段階的に行ってもよい。また、この減圧の制御は、例えばガス供給ライン１７２に設けられたバルブ（図示せず）の開度を調節することによって行ってもよいし、あるいはガス供給ライン１７２に設けられた電空レギュレータ（図示せず）を制御することで行ってもよい。
【００９１】
なお、工程Ｓ７では、昇降ピン１６０によってウェハＷを上昇させる。このとき、ウェハＷは冷却される。
【００９２】
そして、処理チャンバ１００の内部が０．１ＭＰａまで減圧されると、ロック機構１４０によるシャフト１３１の固定を解除し、さらに移動機構１３０によって上部チャンバ１０１を上方に移動させて、処理チャンバ１００が開けられる。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置４１によって処理チャンバ１００の外部に搬出される。なお、ウェハＷが処理チャンバ１００から搬出されると、再び処理チャンバ１００が閉じられる。
【００９３】
その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置４１によって温度調節装置３１に搬送される。温度調節装置３１では、ウェハＷは常温、例えば２５℃に温度調節される図１３の工程Ｓ８）。
【００９４】
その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置４１によってトランジション装置３３に搬送され、さらに搬入出ステーション２のウェハ搬送装置２２によって所定のカセット載置板１１のカセットＣｓに搬送される。こうして、一連のウェハＷと複数のチップＣの接合処理が終了する。
【００９５】
以上の実施の形態によれば、工程Ｓ５において、ガス供給部１７１から略水平方向に処理チャンバ１００の内部に加圧ガスが供給され、ガス供給部１７１から供給される加圧ガスは、載置台１５０上のウェハＷに直接噴射されることはない。そうすると、処理チャンバ１００の内部に充填された加圧ガスによってウェハＷにはウェハ面内で均一に圧力がかかるため、ウェハＷ上の複数のチップＣの高さがばらついていても、当該加圧ガスによってウェハＷと複数のチップＣを均一に適切な圧力で押圧することができる。したがって、ウェハＷと複数のチップＣを所定の温度に加熱しながら所定の圧力で適切に押圧することができ、当該ウェハＷと複数のチップＣを適切に接合することができる。
【００９６】
しかも、ガス供給部１７１のホルダ１７５は下面が閉塞された円筒形状を有しているので、ガス供給部１７１の加圧ガスは下方に供給されることはない。このため、ガス供給部１７１からの加圧ガスが、載置台１５０上のウェハＷに直接噴射されるのをより確実に抑制することができる。
【００９７】
また、このようにガス供給部１７１からの加圧ガスが載置台１５０上のウェハＷに直接噴射されないので、当該ウェハＷが損傷を被るのを抑制することもできる。
【００９８】
なお、ウェハＷに供給される加圧ガスを均一にするため、例えばガス供給部１７１と載置台１５０上のウェハＷとの間にパンチングプレートを設けることも考えられる。しかしながら、かかる場合、パンチングプレートの穴径や穴の配置等、考慮すべきパラメータ多く、加圧ガスを均一にすることは困難となる。したがって、本実施の形態は有用である。
【００９９】
また、接合システム１において、搬入出ステーション２は複数のウェハＷを保有でき、当該搬入出ステーション２から処理ステーション３にウェハＷを連続して搬送することができる。しかも、接合システム１は、接合装置３０と温度調節装置３１を有しているので、上述した工程Ｓ１〜Ｓ８を順次行って、ウェハＷと複数のチップＣを連続して接合することができる。また、一の接合装置３０において所定の処理を行っている間、他の温度調節装置３１において別の処理を行うこともできる。すなわち、接合システム１内で複数のウェハＷを並行して処理することができる。したがって、ウェハＷと複数のチップＣの接合を効率よく行うことができ、接合処理のスループットを向上させることができる。
【０１００】
＜４．その他の実施の形態＞
以上の実施の形態では、接合装置３０において、ガス供給部１７１の構成は上記実施の形態に限定されない。ガス供給部１７１から載置台１５０上のウェハＷに直接噴射される加圧ガスの流量が、ガス供給部１７１から載置台１５０上のウェハＷに直接噴射されない加圧ガスの流量より少なければ、上記実施の形態の効果を享受できる。すなわち、ウェハＷと複数のチップＣを均一に適切な圧力で押圧することができ、当該ウェハＷと複数のチップＣを適切に接合することができる。
【０１０１】
例えばガス供給部１７１はホルダ１７５とフィルタ１７６を有していたが、ホルダ１７５を省略して、フィルタ１７６から処理チャンバ１００の内部に加圧ガスを供給してもよい。
【０１０２】
また、図１８に示すようにガス供給部２００は球形状を有していてもよい。図示の例においては、ガス供給部２００は下方に凸の半球形状を有しているが、全球形状であってもよい。また、ガス供給部２００は、ガス供給ライン１７２の複数のガス供給孔１７２ａを覆うように設けられている。
【０１０３】
ガス供給部２００は、ガス供給ライン１７２の鉛直下方に形成された中心領域２０１と、当該中心領域２０１の上方に環状に形成された外周領域２０２とに区画されている。中心領域２０１には複数のガス供給孔（図示せず）が形成され、当該複数のガス供給孔からの加圧ガスは、載置台１５０上のウェハＷに直接噴射される。外周領域２０２には複数のガス供給孔（図示せず）が形成され、当該複数のガス供給孔からの加圧ガスは、載置台１５０上のウェハＷに直接噴射されない。そして、中心領域２０１における複数のガス供給孔の流量抵抗は、外周領域２０２における複数のガス供給孔の流量抵抗より大きい。
【０１０４】
かかる場合、載置台１５０上のウェハＷに直接噴射される加圧ガスの流量は、載置台１５０上のウェハＷに直接噴射されない加圧ガスの流量より少なくなる。したがって、上記実施の形態と同様の効果を享受でき、すなわち、ウェハＷと複数のチップＣを均一に適切な圧力で押圧することができる。
【０１０５】
なお、本実施の形態においても、ガス供給部２００の内部には、上記フィルタ１７６と同様のフィルタが設けられていてもよい。また、ガス供給部２００は、上記メカスト機構１７８と同様のメカスト機構が設けられていてもよい。
【０１０６】
以上の実施の形態では、接合装置３０において、移動機構１３０は上部チャンバ１０１を移動させていたが、上部チャンバ１０１と下部チャンバ１０２を相対的に移動させればよい。例えば移動機構１３０は、下部チャンバ１０２を移動させてもよいし、あるいは上部チャンバ１０１と下部チャンバ１０２を両方移動させてもよい。
【０１０７】
また、処理チャンバ１００は、上部チャンバ１０１と下部チャンバ１０２に鉛直方向に分割されていたが、水平方向に分割されていてもよい。
【０１０８】
また、載置台１５０はウェハＷを単に載置するものであったが、例えばウェハＷを真空吸着してもよいし、あるいはウェハＷを静電吸着してもよい。
【０１０９】
なお、以上の実施の形態の接合処理において、ウェハＷを加熱する所定の温度（２５０℃）、処理チャンバ１００の内部の加圧圧力（０．９ＭＰａ）、処理チャンバ１００の内部の加圧時間（３０分間）はそれぞれ例示であって、種々の条件によって任意に設定される。
【０１１０】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【０１１１】
１      接合システム
２      搬入出ステーション
３      処理ステーション
３０    接合装置
３１    温度調節装置
３２    位置調節装置
３３    トランジション装置
４１    ウェハ搬送装置
５０    制御部
１００  処理チャンバ
１０１  上部チャンバ
１０２  下部チャンバ
１０４  天板
１０５  テーパ部
１０６  外周リング
１５０  載置台
１５１  加熱機構
１７０  ガス供給機構
１７１  ガス供給部
１７５  ホルダ
１７５ａ  ガス供給孔
１７６  フィルタ
１７８  メカスト機構
２００  ガス供給部
２０１  中心領域
２０２  外周領域
Ｃ      チップ
Ｆ      フィルム
Ｗ      ウェハ
【図１】
0006333184.tif 000002
【図２】
0006333184.tif 000003
【図３】
0006333184.tif 000004
【図４】
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【図５】
0006333184.tif 000006
【図６】
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【図７】
0006333184.tif 000008
【図８】
0006333184.tif 000009
【図９】
0006333184.tif 000010
【図１０】
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【図１１】
0006333184.tif 000012
【図１２】
0006333184.tif 000013
【図１３】
0006333184.tif 000014
【図１４】
0006333184.tif 000015
【図１５】
0006333184.tif 000016
【図１６】
0006333184.tif 000017
【図１７】
0006333184.tif 000018
【図１８】
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