(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電潜像が形成される感光体と、
前記感光体に接触し、当該感光体上の静電潜像に現像剤を供給する現像ローラと、
前記現像ローラの前記感光体に対する周速比を変更する周速比変更部と、
前記現像ローラに現像バイアスを印加する現像バイアス印加部と、
前記感光体を帯電する帯電器と、
前記帯電器に帯電バイアスを印加する帯電バイアス印加部と、
前記周速比変更部と前記現像バイアス印加部と前記帯電バイアス印加部とを制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、
現像中において前記現像バイアスを高現像バイアスとし、前記周速比を大周速比とする現像中制御処理と、
非現像中の所定期間において前記現像バイアスを、前記高現像バイアスよりも絶対値が小さく、かつ、０よりも絶対値の大きな低現像バイアスとし、前記周速比を前記大周速比よりも小さく、かつ、０よりも大きな小周速比とする非現像中制御処理と、
前記非現像中制御処理から前記現像中制御処理に移行する上昇移行処理であって、前記現像バイアスを前記低現像バイアスから前記高現像バイアスに切り替えると同時または切り替えた後に、前記周速比を前記小周速比から前記大周速比に切り替える上昇移行処理と、を実行し、
前記現像中制御処理中において前記帯電バイアスを高帯電バイアスとし、前記非現像中制御処理中において前記帯電バイアスを、前記高帯電バイアスよりも絶対値が小さく、かつ、０よりも絶対値の大きな低帯電バイアスとし、
前記上昇移行処理において、前記帯電バイアスを前記低帯電バイアスから前記高帯電バイアスに切り替えた後、当該切替時に前記帯電器と対向している前記感光体の表面の高電位部が前記現像ローラに到達した時点または到達する前に、前記現像バイアスを前記低現像バイアスから前記高現像バイアスに切り替え、
前記上昇移行処理において、前記帯電バイアスを前記低帯電バイアスから前記高帯電バイアスに切り替えた後、当該切替時に前記帯電器と対向している前記感光体の表面の高電位部が前記現像ローラに到達した時点または後に、前記周速比を前記小周速比から前記大周速比に切り替えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記制御部は、
前記上昇移行処理において、前記帯電バイアスを前記低帯電バイアスから前記高帯電バイアスに切り替えた後、当該切替時に前記帯電器と対向している前記感光体の表面の高電位部が前記現像ローラに到達する前に、前記現像バイアスを前記低現像バイアスから前記高現像バイアスに切り替えることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記制御部は、
前記上昇移行処理において、前記帯電バイアスを前記低帯電バイアスから前記高帯電バイアスに切り替えた後、当該切替時に前記帯電器と対向している前記感光体の表面の高電位部が前記現像ローラに到達した後に、前記周速比を前記小周速比から前記大周速比に切り替えることを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記制御部は、
前記上昇移行処理において、記録シートの画像形成領域に対応した、前記感光体上の静電潜像形成領域が前記現像ローラに到達する前に、前記周速比の切替を行うこと特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項５】
静電潜像が形成される感光体と、
前記感光体に接触し、当該感光体上の静電潜像に現像剤を供給する現像ローラと、
前記現像ローラの前記感光体に対する周速比を変更する周速比変更部と、
前記現像ローラに現像バイアスを印加する現像バイアス印加部と、
前記感光体を帯電する帯電器と、
前記帯電器に帯電バイアスを印加する帯電バイアス印加部と、
前記周速比変更部と前記現像バイアス印加部と前記帯電バイアス印加部とを制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、
現像中において前記現像バイアスを高現像バイアスとし、前記周速比を大周速比とする現像中制御処理と、
非現像中の所定期間において前記現像バイアスを、前記高現像バイアスよりも絶対値が小さく、かつ、０よりも絶対値の大きな低現像バイアスとし、前記周速比を前記大周速比よりも小さく、かつ、０よりも大きな小周速比とする非現像中制御処理と、
前記現像中制御処理から前記非現像中制御処理に移行する下降移行処理であって、前記周速比を前記大周速比から前記小周速比に切り替えると同時または切り替えた後に、前記現像バイアスを前記高現像バイアスから前記低現像バイアスに切り替える下降移行処理と、を実行し、
前記現像中制御処理中において前記帯電バイアスを高帯電バイアスとし、前記非現像中制御処理中において前記帯電バイアスを、前記高帯電バイアスよりも絶対値が小さく、かつ、０よりも絶対値の大きな低帯電バイアスとし、
前記下降移行処理において、前記帯電バイアスを前記高帯電バイアスから前記低帯電バイアスに切り替えた後、当該切替時に前記帯電器と対向している前記感光体の表面の低電位部が前記現像ローラに到達した時点または後に、前記現像バイアスを前記高現像バイアスから前記低現像バイアスに切り替えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項６】
前記制御部は、
前記下降移行処理において、前記帯電バイアスを前記高帯電バイアスから前記低帯電バイアスに切り替えた後、当該切替時に前記帯電器と対向している前記感光体の表面の低電位部が前記現像ローラに到達した時点または到達する前に、前記周速比を前記大周速比から前記小周速比に切り替えることを特徴とする請求項５に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記制御部は、
前記下降移行処理において、前記帯電バイアスを前記高帯電バイアスから前記低帯電バイアスに切り替えた後、当該切替時に前記帯電器と対向している前記感光体の表面の低電位部が前記現像ローラに到達した後に、前記現像バイアスを前記高現像バイアスから前記低現像バイアスに切り替えることを特徴とする請求項６に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記制御部は、
前記下降移行処理において、前記帯電バイアスを前記高帯電バイアスから前記低帯電バイアスに切り替えた後、当該切替時に前記帯電器と対向している前記感光体の表面の低電位部が前記現像ローラに到達する前に、前記周速比を前記大周速比から前記小周速比に切り替えることを特徴とする請求項７に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記制御部は、
前記下降移行処理において、記録シートの画像形成領域に対応した、前記感光体上の静電潜像形成領域が前記現像ローラから抜け出た後に、前記周速比の切替を行うことを特徴とする請求項５から請求項８のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
静電潜像が形成される感光体と、
前記感光体に接触し、当該感光体上の静電潜像に現像剤を供給する現像ローラと、
前記現像ローラの前記感光体に対する周速比を変更する周速比変更部と、
前記現像ローラに現像バイアスを印加する現像バイアス印加部と、
前記感光体を帯電する帯電器と、
前記帯電器に帯電バイアスを印加する帯電バイアス印加部と、
温度および湿度の少なくとも一方を検知するセンサと、
前記周速比変更部と前記現像バイアス印加部と前記帯電バイアス印加部とを制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、
現像中において前記現像バイアスを高現像バイアスとし、前記周速比を大周速比とする現像中制御処理と、
非現像中の所定期間において前記現像バイアスを、前記高現像バイアスよりも絶対値が小さく、かつ、０よりも絶対値の大きな低現像バイアスとし、前記周速比を前記大周速比よりも小さく、かつ、０よりも大きな小周速比とする非現像中制御処理と、
前記非現像中制御処理から前記現像中制御処理に移行する上昇移行処理であって、前記現像バイアスを前記低現像バイアスから前記高現像バイアスに切り替えると同時または切り替えた後に、前記周速比を前記小周速比から前記大周速比に切り替える上昇移行処理と、を実行し、
前記現像中制御処理中において前記帯電バイアスを高帯電バイアスとし、前記非現像中制御処理中において前記帯電バイアスを、前記高帯電バイアスよりも絶対値が小さく、かつ、０よりも絶対値の大きな低帯電バイアスとし、
前記上昇移行処理において、前記センサが検知した前記温度または前記湿度が所定値より大きいことを条件として、前記帯電バイアスを前記低帯電バイアスから前記高帯電バイアスに切り替えた後、当該切替時に前記帯電器と対向している前記感光体の表面の高電位部が前記現像ローラに到達した時点または到達する前に、前記現像バイアスを前記低現像バイアスから前記高現像バイアスに切り替え、
前記上昇移行処理において、前記センサが検知した前記温度または前記湿度が前記所定値以下であることを条件として、前記帯電バイアスを前記低帯電バイアスから前記高帯電バイアスに切り替えた後、当該切替時に前記帯電器と対向している前記感光体の表面の高電位部が前記現像ローラに到達した後に、前記現像バイアスを前記低現像バイアスから前記高現像バイアスに切り替えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項１１】
静電潜像が形成される感光体と、
前記感光体に接触し、当該感光体上の静電潜像に現像剤を供給する現像ローラと、
前記現像ローラの前記感光体に対する周速比を変更する周速比変更部と、
前記現像ローラに現像バイアスを印加する現像バイアス印加部と、
前記感光体を帯電する帯電器と、
前記帯電器に帯電バイアスを印加する帯電バイアス印加部と、
温度および湿度の少なくとも一方を検知するセンサと、
前記周速比変更部と前記現像バイアス印加部と前記帯電バイアス印加部とを制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、
現像中において前記現像バイアスを高現像バイアスとし、前記周速比を大周速比とする現像中制御処理と、
非現像中の所定期間において前記現像バイアスを、前記高現像バイアスよりも絶対値が小さく、かつ、０よりも絶対値の大きな低現像バイアスとし、前記周速比を前記大周速比よりも小さく、かつ、０よりも大きな小周速比とする非現像中制御処理と、
前記現像中制御処理から前記非現像中制御処理に移行する下降移行処理であって、前記周速比を前記大周速比から前記小周速比に切り替えると同時または切り替えた後に、前記現像バイアスを前記高現像バイアスから前記低現像バイアスに切り替える下降移行処理と、を実行し、
前記現像中制御処理中において前記帯電バイアスを高帯電バイアスとし、前記非現像中制御処理中において前記帯電バイアスを、前記高帯電バイアスよりも絶対値が小さく、かつ、０よりも絶対値の大きな低帯電バイアスとし、
前記下降移行処理において、前記センサが検知した前記温度または前記湿度が所定値が所定値より大きいことを条件として、前記帯電バイアスを前記高帯電バイアスから前記低帯電バイアスに切り替えた後、当該切替時に前記帯電器と対向している前記感光体の表面の低電位部が前記現像ローラに到達した時点または後に、前記現像バイアスを前記高現像バイアスから前記低現像バイアスに切り替え、
前記下降移行処理において、前記センサが検知した前記温度または前記湿度が前記所定値以下であることを条件として、前記帯電バイアスを前記高帯電バイアスから前記低帯電バイアスに切り替えた後、当該切替時に前記帯電器と対向している前記感光体の表面の低電位部が前記現像ローラに到達する前に、前記現像バイアスを前記高現像バイアスから前記低現像バイアスに切り替えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項１２】
前記現像中制御処理における前記感光体の回転速度と、前記非現像中制御処理における前記感光体の回転速度とが同一であることを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項１３】
現像ローラの感光体に対する周速比と、前記現像ローラに印加する現像バイアスと、帯電器に印加する帯電バイアスと、を制御するための制御方法であって、
現像中において前記現像バイアスを高現像バイアスとし、前記周速比を大周速比とする現像中制御処理と、
非現像中の所定期間において前記現像バイアスを、前記高現像バイアスよりも絶対値が小さく、かつ、０よりも絶対値の大きな低現像バイアスとし、前記周速比を前記大周速比よりも小さく、かつ、０よりも大きな小周速比とする非現像中制御処理と、
前記非現像中制御処理から前記現像中制御処理に移行する上昇移行処理であって、前記現像バイアスを前記低現像バイアスから前記高現像バイアスに切り替えると同時または切り替えた後に、前記周速比を前記小周速比から前記大周速比に切り替える上昇移行処理と、を実行し、
前記現像中制御処理中において前記帯電バイアスを高帯電バイアスとし、前記非現像中制御処理中において前記帯電バイアスを、前記高帯電バイアスよりも絶対値が小さく、かつ、０よりも絶対値の大きな低帯電バイアスとし、
前記上昇移行処理において、前記帯電バイアスを前記低帯電バイアスから前記高帯電バイアスに切り替えた後、当該切替時に前記帯電器と対向している前記感光体の表面の高電位部が前記現像ローラに到達した時点または到達する前に、前記現像バイアスを前記低現像バイアスから前記高現像バイアスに切り替え、
前記上昇移行処理において、前記帯電バイアスを前記低帯電バイアスから前記高帯電バイアスに切り替えた後、当該切替時に前記帯電器と対向している前記感光体の表面の高電位部が前記現像ローラに到達した時点または後に、前記周速比を前記小周速比から前記大周速比に切り替えることを特徴とする制御方法。
【請求項１４】
現像ローラの感光体に対する周速比を変更する周速比変更部と、前記現像ローラに現像バイアスを印加する現像バイアス印加部と、帯電器に帯電バイアスを印加する帯電バイアス印加部と、を制御する制御部を動作させるためのプログラムであって、
前記制御部を、
現像中において前記現像バイアスを高現像バイアスとし、前記周速比を大周速比とする現像中制御処理を実行する第１制御手段と、
非現像中の所定期間において前記現像バイアスを、前記高現像バイアスよりも絶対値が小さく、かつ、０よりも絶対値の大きな低現像バイアスとし、前記周速比を前記大周速比よりも小さく、かつ、０よりも大きな小周速比とする非現像中制御処理を実行する第２制御手段と、
前記非現像中制御処理から前記現像中制御処理に移行する上昇移行処理であって、前記現像バイアスを前記低現像バイアスから前記高現像バイアスに切り替えると同時または切り替えた後に、前記周速比を前記小周速比から前記大周速比に切り替える上昇移行処理を実行する第３制御手段として機能させ、
前記第１制御手段は、
前記現像中制御処理中において前記帯電バイアスを高帯電バイアスとし、
前記第２制御手段は、
前記非現像中制御処理中において前記帯電バイアスを、前記高帯電バイアスよりも絶対値が小さく、かつ、０よりも絶対値の大きな低帯電バイアスとし、
前記第３制御手段は、
前記上昇移行処理において、前記帯電バイアスを前記低帯電バイアスから前記高帯電バイアスに切り替えた後、当該切替時に前記帯電器と対向している前記感光体の表面の高電位部が前記現像ローラに到達した時点または到達する前に、前記現像バイアスを前記低現像バイアスから前記高現像バイアスに切り替え、
前記上昇移行処理において、前記帯電バイアスを前記低帯電バイアスから前記高帯電バイアスに切り替えた後、当該切替時に前記帯電器と対向している前記感光体の表面の高電位部が前記現像ローラに到達した時点または後に、前記周速比を前記小周速比から前記大周速比に切り替えることを特徴とするプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、現像剤を担持する現像ローラに印加する現像バイアスや現像ローラの感光体に対する周速比を変更可能な制御部を有する画像形成装置と、前記制御部による制御方法と、前記制御部を動作させるためのプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、画像形成装置として、静電潜像が形成される感光体と、感光体に対して離間して配置される現像ローラとを備え、感光体の非画像領域が現像部を通過する際、つまり非現像中において、現像バイアスを低下させるものが知られている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−１６６５７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、本願発明者らは、現像ローラを感光体に接触させる構成において、非現像中に現像バイアスを現像中よりも小さくすることで、常温低湿時における現像ローラから感光体の非画像領域へのトナーの移動、いわゆる押圧かぶりを抑えることができることを実験により確認している。また、本願発明者らは、当該実験により、非現像中において、現像バイアスを低下させる制御に加え、ある制御を行うことで、押圧かぶりをより抑えることができることを発見した。
【０００５】
そこで、本発明は、非現像中において押圧かぶりを良好に抑えることができる画像形成装置、制御方法およびプログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記課題を解決するため、本発明に係る画像形成装置は、静電潜像が形成される感光体と、前記感光体に接触し、当該感光体上の静電潜像に現像剤を供給する現像ローラと、前記現像ローラの感光体に対する周速比を変更する周速比変更部と、前記現像ローラに現像バイアスを印加する現像バイアス印加部と、前記周速比変更部および前記現像バイアス印加部を制御する制御部と、を備える。
前記制御部は、現像中において前記現像バイアスを高現像バイアスとし、前記周速比を大周速比とする現像中制御処理と、非現像中の所定期間において前記現像バイアスを、前記高現像バイアスよりも絶対値が小さく、かつ、０よりも絶対値の大きな低現像バイアスとし、前記周速比を前記大周速比よりも小さく、かつ、０よりも大きな小周速比とする非現像中制御処理とを実行する。
【０００７】
この構成によれば、非現像中の所定期間において現像バイアスを小さな低現像バイアスにするとともに、現像ローラの周速比を小さな小周速比とするので、例えば非現像中の所定期間において現像ローラの周速比を大周速比のままにする形態と比べ、非現像中の所定期間において押圧かぶりを良好に抑えることができる。なお、この効果や以下に示す各効果は、実験により確認されている。
【０００８】
また、前記した構成において、前記制御部は、前記非現像中制御処理から前記現像中制御処理に移行する上昇移行処理であって、前記現像バイアスを前記低現像バイアスから前記高現像バイアスに切り替えると同時または切り替えた後に、前記周速比を前記小周速比から前記大周速比に切り替える上昇移行処理を行うように構成されていてもよい。
【０００９】
これによれば、例えば非現像中制御処理から現像中制御処理に移行する場合において周速比を現像バイアスよりも先に切り替える形態に比べ、周速比を大きくするタイミングを遅くすることができるので、押圧かぶりを良好に抑えることができる。
【００１０】
また、前記した構成において、前記感光体を帯電する帯電器と、前記帯電器に帯電バイアスを印加する帯電バイアス印加部と、を備える場合には、前記制御部は、前記現像中制御処理中において前記帯電バイアスを高帯電バイアスとし、前記非現像中制御処理中において前記帯電バイアスを、前記高帯電バイアスよりも絶対値が小さく、かつ、０よりも絶対値の大きな低帯電バイアスとするように、前記帯電バイアス印加部を制御し、前記上昇移行処理において、前記帯電バイアスを前記低帯電バイアスから前記高帯電バイアスに切り替えた後、当該切替時に前記帯電器と対向している前記感光体の表面の高電位部が前記現像ローラに到達した時点または到達する前に、前記現像バイアスを前記低現像バイアスから前記高現像バイアスに切り替えるように構成されていてもよい。
【００１１】
これによれば、非現像中制御処理から現像中制御処理に移行する場合において、逆極性かぶりを抑えることができる。
【００１２】
また、前記した構成において、前記制御部は、前記上昇移行処理において、前記帯電バイアスを前記低帯電バイアスから前記高帯電バイアスに切り替えた後、当該切替時に前記帯電器と対向している前記感光体の表面の高電位部が前記現像ローラに到達した時点または後に、前記周速比を前記小周速比から前記大周速比に切り替えるように構成されていてもよい。
【００１３】
例えば、感光体の表面の高電位部が現像ローラに到達する前に周速比を大きくする形態では、周速比を大きくした時点から押圧かぶりが生じやすい傾向となるが、これに比べ、前述した構成では、周速比を大きくするタイミングを遅くすることができるので、押圧かぶりを抑えることができる。
【００１４】
また、前記した構成において、前記制御部は、前記上昇移行処理において、前記帯電バイアスを前記低帯電バイアスから前記高帯電バイアスに切り替えた後、当該切替時に前記帯電器と対向している前記感光体の表面の高電位部が前記現像ローラに到達する前に、前記現像バイアスを前記低現像バイアスから前記高現像バイアスに切り替えるように構成されていてもよい。
【００１５】
例えば、非現像中制御処理から現像中制御処理に移行する際において、高電位部が現像ローラに到達した時点で現像バイアスの切替を行うように設定した場合には、誤差等により仮に現像バイアスの切替が高電位部の到達後に行われると、逆極性かぶりが発生するおそれがある。これに比べ、前述した構成によれば、現像バイアスの切替を高電位部の到達前に行うので、逆極性かぶりを良好に抑えることができる。
【００１６】
また、前記した構成において、前記制御部は、前記上昇移行処理において、前記帯電バイアスを前記低帯電バイアスから前記高帯電バイアスに切り替えた後、当該切替時に前記帯電器と対向している前記感光体の表面の高電位部が前記現像ローラに到達した後に、前記周速比を前記小周速比から前記大周速比に切り替えるように構成されていてもよい。
【００１７】
例えば、非現像中制御処理から現像中制御処理に移行する際において、高電位部が現像ローラに到達した時点で周速比の切替を行うように設定した場合には、誤差等により仮に周速比の切替が高電位部の到達前に行われると、押圧かぶりが発生するおそれがある。これに比べ、前述した構成によれば、周速比の切替を高電位部の到達後に行うので、押圧かぶりを良好に抑えることができる。
【００１８】
また、前記した構成において、前記制御部は、前記現像中制御処理から前記非現像中制御処理に移行する下降移行処理であって、前記周速比を前記大周速比から前記小周速比に切り替えると同時または切り替えた後に、前記現像バイアスを前記高現像バイアスから前記低現像バイアスに切り替える下降移行処理を行うように構成されていてもよい。
【００１９】
これによれば、例えば現像中制御処理から非現像中制御処理に移行する場合において周速比を現像バイアスよりも後に切り替える形態に比べ、周速比を小さくするタイミングを早めることができるので、押圧かぶりを良好に抑えることができる。
【００２０】
また、前記した構成において、前記感光体を帯電する帯電器と、前記帯電器に帯電バイアスを印加する帯電バイアス印加部と、を備える場合には、前記制御部は、前記現像中制御処理中において前記帯電バイアスを高帯電バイアスとし、前記非現像中制御処理中において前記帯電バイアスを、前記高帯電バイアスよりも絶対値が小さく、かつ、０よりも絶対値の大きな低帯電バイアスとするように、前記帯電バイアス印加部を制御するように構成され、前記下降移行処理において、前記帯電バイアスを前記高帯電バイアスから前記低帯電バイアスに切り替えた後、当該切替時に前記帯電器と対向している前記感光体の表面の低電位部が前記現像ローラに到達した時点または後に、前記現像バイアスを前記高現像バイアスから前記低現像バイアスに切り替えるように構成されていてもよい。
【００２１】
これによれば、現像中制御処理から非現像中制御処理に移行する場合において、逆極性かぶりを抑えることができる。
【００２２】
また、前記した構成において、前記制御部は、前記下降移行処理において、前記帯電バイアスを前記高帯電バイアスから前記低帯電バイアスに切り替えた後、当該切替時に前記帯電器と対向している前記感光体の表面の低電位部が前記現像ローラに到達した時点または到達する前に、前記周速比を前記大周速比から前記小周速比に切り替えるように構成されていてもよい。
【００２３】
例えば、感光体の表面の低電位部が現像ローラに到達した後に周速比を小さくする形態では、周速比を小さくした時点（低電位部の到達後）から押圧かぶりが生じにくくなる傾向になるが、これに比べ、前述した構成では、周速比を小さくするタイミングを早くすることができるので、押圧かぶりを良好に抑えることができる。
【００２４】
また、前記した構成において、前記制御部は、前記下降移行処理において、前記帯電バイアスを前記高帯電バイアスから前記低帯電バイアスに切り替えた後、当該切替時に前記帯電器と対向している前記感光体の表面の低電位部が前記現像ローラに到達した後に、前記現像バイアスを前記高現像バイアスから前記低現像バイアスに切り替えるように構成されていてもよい。
【００２５】
例えば、現像中制御処理から非現像中制御処理に移行する際において、低電位部が現像ローラに到達した時点で現像バイアスの切替を行うように設定した場合には、誤差等により仮に現像バイアスの切替が低電位部の到達前に行われると、逆極性かぶりが発生するおそれがある。これに比べ、前述した構成によれば、現像バイアスの切替を低電位部の到達後に行うので、逆極性かぶりを良好に抑えることができる。
【００２６】
また、前記した構成において、前記制御部は、前記下降移行処理において、前記帯電バイアスを前記高帯電バイアスから前記低帯電バイアスに切り替えた後、当該切替時に前記帯電器と対向している前記感光体の表面の低電位部が前記現像ローラに到達する前に、前記周速比を前記大周速比から前記小周速比に切り替えるように構成されていてもよい。
【００２７】
例えば、現像中制御処理から非現像中制御処理に移行する際において、低電位部が現像ローラに到達した時点で周速比の切替を行うように設定した場合には、誤差等により仮に周速比の切替が低電位部の到達後に行われると、押圧かぶりが発生するおそれがある。これに比べ、前述した構成によれば、周速比の切替を低電位部の到達前に行うので、押圧かぶりを良好に抑えることができる。
【００２８】
また、前記した構成において、前記制御部は、前記上昇移行処理において、記録シートの画像形成領域に対応した、前記感光体上の静電潜像形成領域が前記現像ローラに到達する前に、前記周速比の切替を行うように構成されていてもよい。
【００２９】
これによれば、周速比の切替の影響により、現像ローラから感光体上の静電潜像に現像剤を良好に供給できなくなるのを抑えることができるので、記録シートに形成される画像の画質が悪くなるのを抑えることができる。
【００３０】
また、前記した構成において、前記制御部は、前記下降移行処理において、記録シートの画像形成領域に対応した、前記感光体上の静電潜像形成領域が前記現像ローラから抜け出た後に、前記周速比の切替を行うように構成されていてもよい。
【００３１】
これによれば、周速比の切替の影響により、現像ローラから感光体上の静電潜像に現像剤を良好に供給できなくなるのを抑えることができるので、記録シートに形成される画像の画質が悪くなるのを抑えることができる。
【００３２】
また、前記した構成では、前記現像中制御処理における前記感光体の回転速度と、前記非現像中制御処理における前記感光体の回転速度とが同一であってもよい。
【００３３】
また、前記した構成において、温度および湿度の少なくとも一方を検知するセンサを備える場合には、前記制御部は、前記上昇移行処理において、前記センサが検知した前記温度または前記湿度が所定値以下であることを条件として、前記帯電バイアスを前記低帯電バイアスから前記高帯電バイアスに切り替えた後、当該切替時に前記帯電器と対向している前記感光体の表面の高電位部が前記現像ローラに到達した後に、前記現像バイアスを前記低現像バイアスから前記高現像バイアスに切り替えるように構成されていてもよい。
【００３４】
これによれば、温度または湿度が所定値以下であるときに発生しやすい押圧かぶりを良好に抑えることができる。
【００３５】
また、前記した構成において、温度および湿度の少なくとも一方を検知するセンサを備える場合には、前記制御部は、前記下降移行処理において、前記センサが検知した前記温度または前記湿度が所定値以下であることを条件として、前記帯電バイアスを前記高帯電バイアスから前記低帯電バイアスに切り替えた後、当該切替時に前記帯電器と対向している前記感光体の表面の低電位部が前記現像ローラに到達する前に、前記現像バイアスを前記高現像バイアスから前記低現像バイアスに切り替えるように構成されていてもよい。
【００３６】
これによれば、温度または湿度が所定値以下であるときに発生しやすい押圧かぶりを良好に抑えることができる。
【００３７】
また、本発明に係る制御方法は、現像ローラの感光体に対する周速比と、前記現像ローラに印加する現像バイアスとを制御するための制御方法であって、前述した現像中制御処理と、前述した非現像中制御処理とを実行する方法である。この制御方法によれば、前述した効果と同様の効果を得ることができる。
【００３８】
また、本発明に係るプログラムは、現像ローラの感光体に対する周速比を変更する周速比変更部と、前記現像ローラに現像バイアスを印加する現像バイアス印加部とを制御する制御部を動作させるためのプログラムであって、前記制御部を、前述した現像中制御処理を実行する第１制御手段と、前述した非現像中制御処理を実行する第２制御手段として機能させる。このプログラムによれば、前述した効果と同様の効果を得ることができる。
【発明の効果】
【００３９】
本発明によれば、非現像中において押圧かぶりを良好に抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の実施形態に係る画像形成装置を示す側断面図である。
【図２】プロセスカートリッジや制御装置等を示す図である。
【図３】制御装置の構成を示すブロック図である。
【図４】制御装置の動作を示すフローチャートである。
【図５】印刷開始時における感光ドラムの表面電位の変化を示す図（ａ）〜（ｅ）である。
【図６】終了モードを示すフローチャートである。
【図７】終了モードにおける感光ドラムの表面電位の変化を示す図（ａ）〜（ｃ）である。
【図８】周速、現像バイアスおよびニップ部での表面電位などの切替のタイミングを示すタイミングチャートである。
【図９】押圧かぶりと逆極性かぶりの発生の有無を確認した実験結果を示す表である。
【図１０】レーザプリンタに温度センサを設けた変形例を示す図である。
【図１１】変形例における制御装置の動作を示すフローチャートである。
【図１２】変形例における終了モードを示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００４１】
次に、本発明の一実施形態に係る画像形成装置の一例としてのレーザプリンタ１について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下の説明においては、まず、レーザプリンタ１の全体構成を簡単に説明した後、本発明の特徴部分の詳細を説明することにする。
【００４２】
また、以下の説明においては、レーザプリンタ１の使用時におけるユーザを基準にした方向で説明することにする。すなわち、図１においては、右側を「前側」とし、左側を「後側」とし、紙面垂直方向のうち手前側を「左側」とし、紙面垂直方向のうち奥側を「右側」とする。また、紙面に向かって上下方向を「上下方向」とする。
【００４３】
図１に示すように、レーザプリンタ１は、本体ケーシング２内に、用紙３を給紙するための給紙部４と、用紙３に画像を形成するための画像形成部５とを備えている。
【００４４】
給紙部４は、本体ケーシング２内の下部に着脱可能に装着される給紙トレイ６と、給紙トレイ６内に設けられた用紙押圧板７と、用紙３の搬送などを行う各種ローラ１１とを備えている。給紙トレイ６内に収容された用紙３は、用紙押圧板７によって上方に寄せられ、各種ローラ１１によって画像形成部５に搬送される。
【００４５】
画像形成部５は、スキャナユニット１６と、プロセスカートリッジ１７と、定着部１８とを備えている。
【００４６】
スキャナユニット１６は、本体ケーシング２内の上部に設けられ、図示しないレーザ発光部、ポリゴンミラー１９、レンズ２０，２１、反射鏡２２，２３，２４などを備えている。スキャナユニット１６では、画像データに基づくレーザ光が、２点鎖線で示す経路を通って、感光ドラム２７の表面上に高速走査にて照射される。
【００４７】
プロセスカートリッジ１７は、本体ケーシング２の前側に設けられたフロントカバー２Ａを開くことで、本体ケーシング２に対して着脱可能な構造となっている。そして、このプロセスカートリッジ１７は、現像カートリッジ２８と、ドラムユニット３９とで主に構成されている。
【００４８】
現像カートリッジ２８は、ドラムユニット３９に装着された状態で、本体ケーシング２に対して着脱可能となっている。なお、現像カートリッジ２８は、本体ケーシング２に固定されたドラムユニット３９に対して着脱可能に構成されていてもよい。現像カートリッジ２８は、図２に示すように、筐体５０、現像ローラ１００、層厚規制ブレード３２および供給ローラ３３を備え、筐体５０にはトナー収容室３４が形成されている。現像ローラ１００は、金属製の回転軸１１０と、回転軸１１０の外周面を被覆する弾性層１２０とを有し、弾性層１２０が感光ドラム２７に押圧されて接触している。
【００４９】
この現像カートリッジ２８では、トナー収容室３４内の現像剤の一例としての正帯電性のトナーが、アジテータ３４Ａで撹拌された後、供給ローラ３３により現像ローラ１００に供給され、このとき、供給ローラ３３と現像ローラ１００との間で正に摩擦帯電される。現像ローラ１００上に供給されたトナーは、現像ローラ１００の回転に伴って、層厚規制ブレード３２と現像ローラ１００との間に進入し、さらに摩擦帯電されつつ、一定の厚さの薄層として現像ローラ１００上に担持される。
【００５０】
ドラムユニット３９は、感光体の一例としての感光ドラム２７、スコロトロン型の帯電器２９および転写バイアスが印加される転写ローラ３０を主に備えている。そして、このドラムユニット３９内において、感光ドラム２７の表面は、帯電器２９により一様に正帯電された後、スキャナユニット１６からのレーザ光の高速走査により露光される。これにより、露光された部分の電位が下がって、画像データに基づく静電潜像が形成される。
【００５１】
次いで、現像ローラ１００の回転により、現像ローラ１００の表面に担持されている正帯電されたトナーが、感光ドラム２７の表面上に形成された静電潜像に供給されて、感光ドラム２７の表面上にトナー像が形成される。その後、感光ドラム２７と転写ローラ３０の間で用紙３が搬送されることで、感光ドラム２７の表面に担持されているトナー像が用紙３上に転写される。
【００５２】
図１に示すように、定着部１８は、加熱ローラ４１と、加熱ローラ４１を加圧する加圧ローラ４２とを備えている。そして、定着部１８では、用紙３上に転写されたトナーを、用紙３が加熱ローラ４１と加圧ローラ４２との間を通過する間に熱定着させている。なお、定着部１８で熱定着された用紙３は、定着部１８の下流側に配設される排紙ローラ４５に搬送され、この排紙ローラ４５から排紙トレイ４６上に送り出される。
【００５３】
次に、本発明の特徴部分となる制御部の一例としての制御装置３００等について詳細に説明する。
図２に示すように、レーザプリンタ１は、モータ２１０と、周速比変更部の一例としての周速切替機構２２０と、現像バイアス印加部の一例としての現像バイアス印加回路２３０と、帯電バイアス印加部の一例としての帯電バイアス印加回路２４０と、制御装置３００とを備えている。
【００５４】
モータ２１０は、感光ドラム２７や現像ローラ１００等に駆動力を供給するための駆動源であり、現像ローラ１００に周速切替機構２２０を介して連結されている。
【００５５】
周速切替機構２２０は、現像ローラ１００の周速ｖを、大周速ｖ１と、当該大周速ｖ１よりも小さく、かつ、０よりも大きな小周速ｖ２とに切り替えるための機構である。このように周速切替機構２２０によって現像ローラ１００の周速ｖを小周速ｖ２とすることで、トナーの寿命を延ばすことが可能となっている。
【００５６】
ここで、本実施形態では、感光ドラム２７の回転速度を現像中および非現像中のいずれにおいても一定（同一の回転速度）にしている。そのため、周速切替機構２２０によって現像ローラの周速ｖを切り替えることで、現像ローラ１００の感光ドラム２７に対する周速比（現像ローラ１００の周速／感光ドラム２７の周速）が変更されるようになっている。すなわち、周速ｖが、大周速ｖ１の場合と小周速ｖ２の場合とは、現像ローラ１００の感光ドラム２７に対する周速比が大きい場合と小さい場合とに対応している。
【００５７】
なお、大周速ｖ１は、例えば感光ドラム２７の周速ｖ３よりも大きな速度に設定することができ、小周速ｖ２は、例えば感光ドラム２７の周速ｖ３よりも小さな速度に設定することができる。例えば、大周速ｖ１と周速ｖ３と小周速ｖ２との比は、１．３：１：０．３とすることができる。また、大周速ｖ１および小周速ｖ２は、ともに周速ｖ３よりも大きな速度にしてもよいし、小さな速度にしてもよい。
【００５８】
具体的に、周速切替機構２２０は、現像ローラ１００を大周速ｖ１で回転させるための第１速度伝達比で構成される第１伝達機構２２１と、現像ローラ１００を小周速ｖ２で回転させるための第２速度伝達比で構成される第２伝達機構２２２と、モータ２１０からの駆動力の伝達経路を第１伝達機構２２１または第２伝達機構２２２に切り替えるための電磁クラッチ２２３とを備えている。この周速切替機構２２０では、電磁クラッチ２２３をＯＦＦにすると、モータ２１０からの駆動力が第２伝達機構２２２を介して現像ローラ１００に伝達され、電磁クラッチ２２３をＯＮにすると、モータ２１０からの駆動力が第１伝達機構２２１を介して現像ローラ１００に伝達されるようになっている。
【００５９】
現像バイアス印加回路２３０は、現像ローラ１００に正の現像バイアスＶｂを印加するための回路であり、制御装置３００によって適宜制御されている。具体的に、制御装置３００によって現像バイアス印加回路２３０が制御されることで、現像ローラ１００に印加される現像バイアスＶｂが、高現像バイアスＶｂ１と、当該高現像バイアスＶｂ１よりも小さく、かつ、０よりも大きな低現像バイアスＶｂ２とに切り替えられるようになっている。
【００６０】
帯電バイアス印加回路２４０は、帯電器２９に正の帯電バイアスＶｃを印加するための回路であり、制御装置３００によって適宜制御されている。具体的に、制御装置３００によって帯電バイアス印加回路２４０が制御されることで、帯電器２９に印加される帯電バイアスＶｃが、高帯電バイアスＶｃ１と、当該高帯電バイアスＶｃ１よりも小さく、かつ、０よりも大きな低帯電バイアスＶｃ２とに切り替えられるようになっている。このように帯電バイアスＶｃを低帯電バイアスＶｃ２とすることによって、感光ドラム２７の寿命を延ばすことが可能となっている。
【００６１】
なお、前述した各バイアスは、電圧に着目して制御してもよいし、電流に着目して制御してもよい。また、帯電バイアスＶｃを高帯電バイアスＶｃ１に設定した場合には、感光ドラム２７の表面電位Ｖ０が正の高表面電位Ｖ０１となり、帯電バイアスＶｃを低帯電バイアスＶｃ２に設定した場合には、感光ドラム２７の表面電位Ｖ０が、高表面電位Ｖ０１よりも小さい正の低表面電位Ｖ０２となるようになっている。
【００６２】
制御装置３００は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）と、ＲＡＭ（Random Access Memory）およびＲＯＭ（Read Only Memory）などを有する記憶部と、入出力回路と、を備えており、主に、モータ２１０、周速切替機構２２０、現像バイアス印加回路２３０および帯電バイアス印加回路２４０を制御するように構成されている。
【００６３】
具体的に、制御装置３００は、図３に示すように、第１制御手段３１０と、第２制御手段３２０と、記憶部３３０とを備えている。言い換えると、制御装置３００は、記憶部３３０に記憶されているプログラムに基づいて動作することで、第１制御手段３１０および第２制御手段３２０として機能している。
【００６４】
第１制御手段３１０は、現像中において、現像バイアスＶｂを前述した高現像バイアスＶｂ１とし、周速ｖを前述した大周速ｖ１とし、帯電バイアスＶｃを前述した高帯電バイアスＶｃ１とする現像中制御処理を実行する機能を有している。また、第１制御手段３１０は、後述する非現像中制御処理から現像中制御処理に移行するための上昇移行処理を実行する機能も有している。具体的に、第１制御手段３１０は、上昇移行処理において、現像バイアスＶｂを前述した低現像バイアスＶｂ２から高現像バイアスＶｂ１に切り替え、周速ｖを前述した小周速ｖ２から大周速ｖ１に切り替え、帯電バイアスＶｃを前述した低帯電バイアスＶｃ２から高帯電バイアスＶｃ１に切り替えている。なお、各値を切り替えるタイミングは、後で詳述することとする。
【００６５】
詳しくは、第１制御手段３１０は、現像バイアスＶｂが高現像バイアスＶｂ１になるように現像バイアス印加回路２３０を制御し、周速ｖが大周速ｖ１となるように電磁クラッチ２２３をＯＮにし、帯電バイアスＶｃが高帯電バイアスＶｃ１となるように帯電バイアス印加回路２４０を制御している。
【００６６】
第２制御手段３２０は、非現像中の所定期間において、現像バイアスＶｂを低現像バイアスＶｂ２とし、周速ｖを小周速ｖ２とし、帯電バイアスＶｃを低帯電バイアスＶｃ２とする非現像中制御処理を実行する機能を有している。また、第２制御手段３２０は、現像中制御処理から非現像中制御処理に移行するための下降移行処理を実行する機能も有している。具体的に、第２制御手段３２０は、下降移行処理において、現像バイアスＶｂを高現像バイアスＶｂ１から低現像バイアスＶｂ２に切り替え、周速ｖを大周速ｖ１から小周速ｖ２に切り替え、帯電バイアスＶｃを高帯電バイアスＶｃ１から低帯電バイアスＶｃ２に切り替えている。なお、各値を切り替えるタイミングは、後で詳述することとする。
【００６７】
詳しくは、第２制御手段３２０は、現像バイアスＶｂが低現像バイアスＶｂ２になるように現像バイアス印加回路２３０を制御し、周速ｖが小周速ｖ２となるように電磁クラッチ２２３をＯＦＦにし、帯電バイアスＶｃが低帯電バイアスＶｃ２となるように帯電バイアス印加回路２４０を制御している。
【００６８】
さらに、第２制御手段３２０は、スリープモードやスタンバイモードなどのモータ２１０が停止している状態から非現像中制御処理に移行する場合に、周速ｖを０から小周速ｖ２に切り替え、現像バイアスＶｂを０から低現像バイアスＶｂ２に切り替え、帯電バイアスＶｃを０から低帯電バイアスＶｃ２に切り替える機能も有している。詳しくは、第２制御手段３２０は、周速ｖを０から小周速ｖ２に切り替えるために、電磁クラッチ２２３をＯＦＦの状態にしたままモータ２１０を駆動させている。また、第２制御手段３２０は、非現像中制御処理から周速ｖ、現像バイアスＶｂおよび帯電バイアスＶｃを０に切り替える機能も有している。
【００６９】
ここで、スリープモードとは、例えば下記スタンバイモードにおいて一定時間指示等を受け付けない場合に移行するモードであり、モータ２１０および加熱ローラ４１への通電がＯＦＦにされるとともに、帯電器２９や現像ローラ１００等へのバイアスの印加がＯＦＦにされているモードをいう。また、スタンバイモードとは、例えば後に詳述の終了モードの終了後に移行するモードであり、モータ２１０への通電がＯＦＦにされ、帯電器２９や現像ローラ１００等へのバイアスの印加がＯＦＦにされ、加熱ローラ４１が定着温度（熱定着させるための温度）よりも低い準備温度に維持されているモードをいう。
【００７０】
記憶部３３０には、図４および図６に示すようなフローチャートで示すようなプログラムが記憶されている。
【００７１】
次に、制御装置３００の第１制御手段３１０および第２制御手段３２０の動作について詳細に説明する。なお、以下の説明において、印刷制御における給紙制御や露光制御や定着制御などは、公知の方法を採用すればよいので、説明は省略する。
【００７２】
図４に示すフローチャートは、例えば上記スリープモードやスタンバイモード等からの移行指示等によって実施される。図４に示すように、第２制御手段３２０は、まず、操作部４１０（レーザプリンタ１に設けられるボタンやタッチパネル等）やネットワークインターフェース４２０等からの信号を受信することにより、印刷指令を受けたか否かを判断する（Ｓ１）。ステップＳ１において信号を受信することにより印刷指令を受けたと判断すると（Ｙｅｓ）、第２制御手段３２０は、電磁クラッチ２２３をＯＦＦの状態にしたままモータ２１０をＯＮにする（Ｓ２）。これにより、感光ドラム２７、現像ローラ１００、アジテータ３４Ａ等が回転し始める。なお、この際、第２制御手段３２０は、電磁クラッチ２２３をＯＮにしないので、現像ローラ１００は、小周速ｖ２で回転する。
【００７３】
ステップＳ２の後、第２制御手段３２０は、帯電バイアスＶｃを０から低帯電バイアスＶｃ２に切り替える（Ｓ３）。これにより、感光ドラム２７の帯電器２９と対向する部分の表面電位Ｖ０が０から低表面電位Ｖ０２に切り替わる（図５（ａ）参照）。なお、図５または後述する図７において、破線は、感光ドラム２７の表面電位を示し、感光ドラム２７から離れている程、高電位であることを示す。
【００７４】
ステップＳ２において帯電バイアスＶｃを設定してから第１時間Ｔ１の後、第２制御手段３２０は、現像バイアスＶｂを０から低現像バイアスＶｂ２に切り替えることで、非現像中制御処理を開始する（Ｓ４）。ここで、第１時間Ｔ１は、帯電バイアスＶｃを０から低帯電バイアスＶｃ２に切り替えた時点において、帯電器２９と対向している感光ドラム２７の表面の部分（図５（ａ），（ｂ）に太線で示す帯電開始部Ｐ１参照）が、帯電器２９と対向する位置から現像ローラ１００と感光ドラム２７との間のニップ部ＮＰまで移動するのに要する時間以上の時間に設定されている。これにより、現像バイアスＶｂの印加により、現像ローラ１００上のトナーが感光ドラム２７の帯電されていない部分Ｐ２に移動してしまうのを抑えることが可能となっている。
【００７５】
ステップＳ４の後、第２制御手段３２０は、現在の状態を所定時間維持することで、所定時間の間、感光ドラム２７、現像ローラ１００、アジテータ３４Ａ等を準備回転させる（Ｓ５）。これにより、トナー収容室３４内のトナーがアジテータ３４Ａによって撹拌される。
【００７６】
ステップＳ５の後、第１制御手段３１０は、帯電バイアスＶｃを、低帯電バイアスＶｃ２から高帯電バイアスＶｃ１に切り替える（Ｓ６）。これにより、感光ドラム２７の表面電位Ｖ０が、低表面電位Ｖ０２から高表面電位Ｖ０１に切り替わる（図５（ｃ）参照）。また、この帯電バイアスＶｃの切替により、上昇移行処理が開始され、非現像中制御処理が終了する。
【００７７】
ステップＳ６の後、詳しくは、ステップＳ６において帯電バイアスＶｃを切り替えてから第２時間Ｔ２が経過した後、第１制御手段３１０は、現像バイアスＶｂを低現像バイアスＶｂ２から高現像バイアスＶｂ１に切り替える（Ｓ７）。ここで、第２時間Ｔ２は、帯電バイアスＶｃを低帯電バイアスＶｃ２から高帯電バイアスＶｃ１に切り替えた時点において、帯電器２９と対向している感光ドラム２７の表面の部分（図５（ｃ）に太線で示す高電位部Ｐ３）が、帯電器２９と対向する位置から現像ローラ１００と感光ドラム２７との間のニップ部ＮＰまで移動するのに要する時間よりも短い時間に設定されている（図５（ｄ）参照）。
【００７８】
つまり、第１制御手段３１０は、非現像中制御処理から現像中制御処理に移行する場合には、まず、帯電バイアスＶｃを低帯電バイアスＶｃ２から高帯電バイアスＶｃ１に切り替え、その後、当該切替時に帯電器２９と対向している感光ドラム２７の表面の高電位部Ｐ３が現像ローラ１００に到達する前に、現像バイアスＶｂを低現像バイアスＶｂ２から高現像バイアスＶｂ１に切り替えている。言い換えると、第１制御手段３１０は、感光ドラム２７の現像ローラ１００とのニップ部ＮＰにおける表面電位Ｖ０が低表面電位Ｖ０２から高表面電位Ｖ０１に切り替わる前に、現像バイアスＶｂを低現像バイアスＶｂ２から高現像バイアスＶｂ１に切り替えている。
【００７９】
ステップＳ７の後、詳しくは、ステップＳ６において帯電バイアスＶｃを切り替えてから第３時間Ｔ３が経過した後、第１制御手段３１０は、電磁クラッチ２２３をＯＮにする（Ｓ８）。これにより、現像ローラ１００の周速ｖが、小周速ｖ２から大周速ｖ１に切り替わる。ここで、第３時間Ｔ３は、前述した高電位部Ｐ３が、帯電器２９と対向する位置から現像ローラ１００と感光ドラム２７との間のニップ部ＮＰまで移動するのに要する時間よりも長い時間に設定されている（図５（ｅ）参照）。
【００８０】
つまり、第１制御手段３１０は、非現像中制御処理から現像中制御処理に移行する場合には、まず、帯電バイアスＶｃを低帯電バイアスＶｃ２から高帯電バイアスＶｃ１に切り替え、その後、当該切替時に帯電器２９と対向している感光ドラム２７の表面の高電位部Ｐ３が現像ローラ１００に到達した後（高電位部Ｐ３における感光ドラム２７の回転方向下流側の端がニップ部ＮＰを通り抜けた後）に、周速ｖを小周速ｖ２から大周速ｖ１に切り替えている。言い換えると、第１制御手段３１０は、感光ドラム２７の現像ローラ１００とのニップ部ＮＰにおける表面電位Ｖ０が低表面電位Ｖ０２から高表面電位Ｖ０１に切り替わった後に、周速ｖを小周速ｖ２から大周速ｖ１に切り替えている。
【００８１】
このようにステップＳ６〜Ｓ８の処理が実行されることで、帯電バイアスＶｃ→現像バイアスＶｂ→ニップ部ＮＰにおける表面電位Ｖ０（高電位部Ｐ３のニップ部ＮＰへの到達）→周速ｖの順番で切り替えが行われるようになっている。なお、周速ｖの切替により、上昇移行処理が終了し、現像中制御処理が開始される。
【００８２】
ステップＳ８の後、第１制御手段３１０は、印刷指令で指定されている印刷枚数のうち１枚分の用紙３に対して印刷制御を実行する（Ｓ９）。詳しくは、ステップＳ９において、制御装置３００は、最初の用紙３に印刷する場合には、ステップＳ８で電磁クラッチ２２３をＯＮにしてから所定の待機時間が経過したときに、スキャナユニット１６からのレーザ光の出射を開始するように構成されている。ここで、待機時間は、周速ｖが大周速ｖ１に安定するまでに要する時間以上の時間である。これにより、第１制御手段３１０は、非現像中制御処理から現像中制御処理に移行する場合において、感光ドラム２７上の静電潜像形成領域が現像ローラ１００に到達する前に、周速ｖの切替を完了することが可能となっている。
【００８３】
ステップＳ９の後、第１制御手段３１０は、印刷指令で指定されている印刷枚数のすべての印刷が終了したか否かを判断する（Ｓ１０）。第１制御手段３１０は、ステップＳ１０において、印刷が終了していないと判断すると（Ｎｏ）、ステップＳ９の処理に戻り、印刷が終了したと判断すると（Ｙｅｓ）、終了モードに移行する（Ｓ１１）。
【００８４】
なお、終了モードが終了した後や、ステップＳ１で印刷指令を受けていない場合には（Ｎｏ）、第２制御手段３２０は、本制御を終了する。
【００８５】
図６に示すように、終了モードにおいては、第２制御手段３２０が、まず、帯電バイアスＶｃを高帯電バイアスＶｃ１から低帯電バイアスＶｃ２に切り替える（Ｓ１０１）。そして、この帯電バイアスＶｃの切替により、下降移行処理が開始され、現像中制御処理が終了する。
【００８６】
ステップＳ１０１の後、詳しくはステップＳ１０１において帯電バイアスＶｃを切り替えてから第４時間Ｔ４が経過した後、第２制御手段３２０は、電磁クラッチ２２３をＯＦＦにする（Ｓ１０２）。これにより、現像ローラ１００の周速ｖが、大周速ｖ１から小周速ｖ２に切り替わる。ここで、第４時間Ｔ４は、帯電バイアスＶｃを高帯電バイアスＶｃ１から低帯電バイアスＶｃ２に切り替えた時点において、帯電器２９と対向している感光ドラム２７の表面の部分（図７（ａ）に太線で示す低電位部Ｐ４）が、帯電器２９と対向する位置から現像ローラ１００と感光ドラム２７との間のニップ部ＮＰまで移動するのに要する時間よりも短い時間に設定されている（図７（ｂ）参照）。
【００８７】
つまり、第２制御手段３２０は、現像中制御処理から非現像中制御処理に移行する場合には、まず、帯電バイアスＶｃを高帯電バイアスＶｃ１から低帯電バイアスＶｃ２に切り替え、その後、当該切替時に帯電器２９と対向している感光ドラム２７の表面の低電位部Ｐ４が現像ローラ１００に到達する前に、周速ｖを大周速ｖ１から小周速ｖ２に切り替えている。言い換えると、第２制御手段３２０は、感光ドラム２７の現像ローラ１００とのニップ部ＮＰにおける表面電位Ｖ０が高表面電位Ｖ０１から低表面電位Ｖ０２に切り替わる前に、周速ｖを大周速ｖ１から小周速ｖ２に切り替えている。
【００８８】
なお、このステップＳ１０２の処理は、印刷指令で指定された印刷枚数のすべての印刷終了後に行うため、実質、第２制御手段３２０は、現像中制御処理から非現像中制御処理に移行する場合において、用紙３の画像形成領域に対応した、感光ドラム２７上の静電潜像形成領域が現像ローラ１００から抜け出た後に、周速ｖの切替を行っている。
【００８９】
ステップＳ１０２の後、詳しくはステップＳ１０１において帯電バイアスＶｃを切り替えてから第５時間Ｔ５が経過した後、第２制御手段３２０は、現像バイアスＶｂを高現像バイアスＶｂ１から低現像バイアスＶｂ２に切り替える（Ｓ１０３）。ここで、第５時間Ｔ５は、帯電バイアスＶｃを高帯電バイアスＶｃ１から低帯電バイアスＶｃ２に切り替えた時点において、帯電器２９と対向している感光ドラム２７の表面の低電位部Ｐ４が、帯電器２９と対向する位置から現像ローラ１００と感光ドラム２７との間のニップ部ＮＰまで移動するのに要する時間よりも長い時間に設定されている（図７（ｃ）参照）。
【００９０】
つまり、第２制御手段３２０は、現像中制御処理から非現像中制御処理に移行する場合には、まず、帯電バイアスＶｃを高帯電バイアスＶｃ１から低帯電バイアスＶｃ２に切り替え、その後、当該切替時に帯電器２９と対向している感光ドラム２７の表面の低電位部Ｐ４が現像ローラ１００に到達した後（低電位部Ｐ４における感光ドラム２７の回転方向下流側の端がニップ部ＮＰを通り抜けた後）に、現像バイアスＶｂを高現像バイアスＶｂ１から低現像バイアスＶｂ２に切り替えている。言い換えると、第２制御手段３２０は、感光ドラム２７の現像ローラ１００とのニップ部ＮＰにおける表面電位Ｖ０が高表面電位Ｖ０１から低表面電位Ｖ０２に切り替わった後に、現像バイアスＶｂを高現像バイアスＶｂ１から低現像バイアスＶｂ２に切り替えている。
【００９１】
このようにステップＳ１０１〜Ｓ１０３の処理が実行されることで、帯電バイアスＶｃ→周速ｖ→ニップ部ＮＰにおける表面電位Ｖ０（低電位部Ｐ４のニップ部ＮＰへの到達）→現像バイアスＶｂの順番で切り替えが行われるようになっている。なお、現像バイアスＶｂの切替により、下降移行処理が終了し、非現像中制御処理が開始される。
【００９２】
ステップＳ１０３の後、第２制御手段３２０は、一定時間の間、感光ドラム２７、現像ローラ１００、アジテータ３４Ａ等を回転させる終了回転モードを実行する（Ｓ１０４）。ステップＳ１０４の後、第２制御手段３２０は、モータ２１０をＯＦＦにするとともに、現像ローラ１００および帯電器２９への各バイアスの印加をＯＦＦにする（Ｓ１０５）。なお、このステップＳ１０５の処理により、非現像中制御処理が終了する。
【００９３】
次に、図８に示すタイミングチャートを参照して、各処理のタイミングを詳細に説明する。なお、図８においては、便宜上、現像中制御処理や非現像中制御処理に比較して、上昇移行処理および下降移行処理を時間的に拡大して図示している。
【００９４】
図８に示すように、第２制御手段３２０は、印刷指令を受けると、まず、モータ２１０をＯＮにして、周速ｖを０から小周速ｖ２に切り替える（時刻ｔ１）。その後、第２制御手段３２０は、帯電バイアスＶｃを０から低帯電バイアスＶｃ２に切り替える（時刻ｔ２）。
【００９５】
時刻ｔ２から第１時間Ｔ１が経過すると、ニップ部ＮＰにおける感光ドラム２７の表面電位Ｖ０が０から低表面電位Ｖ０２に切り替わるとともに、第２制御手段３２０が、現像バイアスＶｂを０から低現像バイアスＶｂ２に切り替える（時刻ｔ３）。これにより、準備回転モード（非現像中制御処理）が開始される。
【００９６】
準備回転モードが終了すると、第１制御手段３１０は、帯電バイアスＶｃを低帯電バイアスＶｃ２から高帯電バイアスＶｃ１に切り替える（時刻ｔ４）。時刻ｔ４から第２時間Ｔ２が経過すると、第１制御手段３１０は、現像バイアスＶｂを低現像バイアスＶｂ２から高現像バイアスＶｂ１に切り替える（時刻ｔ５）。時刻ｔ５から時間（Ｔ１−Ｔ２）が経過すると、つまり、時刻ｔ４から高電位部Ｐ３がニップ部ＮＰに到達するまでの第１時間Ｔ１が経過すると、ニップ部ＮＰにおける感光ドラム２７の表面電位Ｖ０が低表面電位Ｖ０２から高表面電位Ｖ０１に切り替わる（時刻ｔ６）。
【００９７】
時刻ｔ６から時間（Ｔ３−Ｔ１）が経過すると、つまり、時刻ｔ４から第３時間Ｔ３が経過すると、第１制御手段３１０は、電磁クラッチ２２３をＯＮにして、周速ｖを小周速ｖ２から大周速ｖ１に切り替える（時刻ｔ７）。これにより、印刷制御（現像制御）を含む現像中制御処理が開始される。
【００９８】
印刷制御が終了した後、第２制御手段３２０は、帯電バイアスＶｃを高帯電バイアスＶｃ１から低帯電バイアスＶｃ２に切り替える（時刻ｔ８）。時刻ｔ８から第４時間Ｔ４が経過すると、第２制御手段３２０は、電磁クラッチ２２３をＯＦＦにして、周速ｖを大周速ｖ１から小周速ｖ２に切り替える（時刻ｔ９）。
【００９９】
時刻ｔ９から時間（Ｔ１−Ｔ４）が経過すると、つまり、時刻ｔ８から第１時間Ｔ１が経過すると、ニップ部ＮＰにおける感光ドラム２７の表面電位Ｖ０が高表面電位Ｖ０１から低表面電位Ｖ０２に切り替わる（時刻ｔ１０）。時刻ｔ１０から時間（Ｔ５−Ｔ１）が経過すると、つまり、時刻ｔ８から第５時間Ｔ５が経過すると、第２制御手段３２０は、現像バイアスＶｂを高現像バイアスＶｂ１から低現像バイアスＶｂ２に切り替える（時刻ｔ１１）。これにより、終了回転モード（非現像中制御処理）が開始される。
【０１００】
終了回転モードを終了させる場合には、第２制御手段３２０は、モータ２１０をＯＦＦにするとともに、各バイアスを０にする（時刻ｔ１２）。
【０１０１】
以上によれば、本実施形態において以下のような効果を得ることができる。なお、以下の説明においては、図９に示す実験結果を参照しながら説明する。
【０１０２】
図９に示す実験結果は、感光ドラム２７の表面電位Ｖ０、現像バイアスＶｂ、周速ｖを適宜変更して、常温低湿（ＮＬ）の環境下における押圧かぶりの発生と、高温高湿（ＨＨ）の環境下における逆極性かぶりの発生の有無を調べた結果である。ここで、逆極性かぶりとは、摩擦帯電によって、負に帯電するトナーが一部発生し、現像ローラ１００から感光ドラム２７の非画像領域（静電潜像が形成されていない領域）へ移動してしまう現象をいう。なお、高温高湿の環境下においては、摩擦帯電によって、負に帯電するトナーが多くなる。
【０１０３】
なお、周速ｖにおける「速い」は、感光ドラム２７の周速に対して速い周速であることを示し、「遅い」は、感光ドラム２７の周速に対して遅い周速であることを示している。また、常温は、１５℃以上２８℃未満の範囲であり、実験では、２５℃とした。また、低湿は、３０％以下の湿度であり、実験では、１０％とした。また、高温は、２８℃以上の温度であり、実験では、３２．５℃とした。また、高湿は、６０％以上の湿度であり、実験では、８０％とした。
【０１０４】
また、押圧かぶりや逆極性かぶりの評価は、感光ドラム２７を露光しない状態で、感光ドラム２７および現像ローラ１００を所定時間回転させた後、感光ドラム２７の非画像領域を目視により確認することで行った。図に示す「○−」は、押圧かぶりや逆極性かぶりの画像形成への影響を許容できる限界の境界ラインを示しており、これを基準に、○、○○、○○○と○の数が多い程、押圧かぶりや逆極性かぶりの影響が小さいことを示している。また、×は、押圧かぶりや逆極性かぶりの画像形成への影響が大きいことを示している。
【０１０５】
また、図に示す状態Ｃ１〜Ｃ８は、表面電位Ｖ０、現像バイアスＶｂおよび周速ｖの状態を示しており、例えば、状態Ｃ１においては、表面電位Ｖ０が高表面電位Ｖ０１（８５０Ｖ）となり、現像バイアスＶｂが高現像バイアスＶｂ１（４００Ｖ）となり、周速ｖが大周速ｖ１（速い）となっている。つまり、状態Ｃ１は、現像中制御処理中の状態であり、状態Ｃ８は非現像中制御処理中の状態であり、状態Ｃ２〜Ｃ７は、上昇移行処理中または下降移行処理中（以下、両者を含めて移行処理中ともいう。）の各状態を示している。
【０１０６】
この実験結果により、現像バイアスＶｂが小さい方（２００Ｖ）が、大きい方（４００Ｖ）よりも、押圧かぶりの影響が小さく、周速ｖが遅い方が、速い方よりも押圧かぶりの影響が小さいことが確認された。そのため、本実施形態のように、非現像中の所定期間において現像バイアスＶｂを小さな低現像バイアスＶｂ２にするとともに、現像ローラ１００の周速を小さな小周速ｖ２とすることで、例えば非現像中の所定期間において現像ローラの周速を大周速ｖ１のままにする形態と比べ、非現像中の所定期間における押圧かぶりを良好に抑えることができる。
【０１０７】
また、実験結果により、高温高湿の環境下においては、表面電位Ｖ０が８５０Ｖで、現像バイアスＶｂが２００Ｖのときに、逆極性かぶりの影響が大きいことが確認された。これにより、高温高湿の環境下においては、移行処理中において状態Ｃ３，Ｃ４にならないようにするのがよいことが確認された。
【０１０８】
また、実験結果により、常温常湿の環境下においては、表面電位Ｖ０が６５０Ｖで、現像バイアスＶｂが４００Ｖで、周速ｖが速いときに、押圧かぶりの影響が大きいことが確認された。これにより、常温常湿の環境下においては、移行処理中において状態Ｃ５にならないようにするのがよいことが確認された。
【０１０９】
これを踏まえ、本実施形態では、非現像中制御処理（状態Ｃ８）から現像中制御処理（状態Ｃ１）に移行する場合において、現像バイアスＶｂ→ニップ部ＮＰにおける表面電位Ｖ０→周速ｖの順で切り替えを行っている。これにより、非現像中制御処理から現像中制御処理に移行する際には、状態Ｃ８→Ｃ６→Ｃ２→Ｃ１の順序で状態が切り替わるため、状態Ｃ３〜Ｃ５になるのを回避することができ、押圧かぶりや逆極性かぶりを抑えることができる。
【０１１０】
また、本実施形態では、現像中制御処理から非現像中制御処理に移行する場合において、周速ｖ→ニップ部ＮＰにおける表面電位Ｖ０→現像バイアスＶｂの順で切り替えを行っている。これにより、現像中制御処理から非現像中制御処理に移行する際には、状態Ｃ１→Ｃ２→Ｃ６→Ｃ８の順序で状態が切り替わるので、状態Ｃ３〜Ｃ５になるのを回避することができ、押圧かぶりや逆極性かぶりを抑えることができる。
【０１１１】
また、実験結果により、感光ドラム２７の表面電位Ｖ０と現像バイアスＶｂとの電位差（Ｖ０−Ｖｂ）が大きい程、押圧かぶりが発生しにくく、かつ、逆極性かぶりが発生しやすいことが確認された。また、電位差（Ｖ０−Ｖｂ）が小さい程、押圧かぶりが発生しやすく、かつ、逆極性かぶりが発生しにくいことも確認された。
【０１１２】
本実施形態では、非現像中制御処理から現像中制御処理に移行する場合において、感光ドラム２７上の静電潜像形成領域が現像ローラ１００に到達する前に、周速ｖの切替を完了させるので、周速ｖの切替の影響により、現像ローラ１００から感光ドラム２７上の静電潜像にトナーを良好に供給できなくなるのを抑えることができ、用紙３に形成される画像の画質が悪くなるのを抑えることができる。
【０１１３】
また、現像中制御処理から非現像中制御処理に移行する場合において、感光ドラム２７上の静電潜像形成領域が現像ローラ１００から抜け出た後に、周速ｖの切替を行うので、周速ｖの切替の影響により、現像ローラ１００から感光ドラム２７上の静電潜像にトナーを良好に供給できなくなるのを抑えることができ、用紙３に形成される画像の画質が悪くなるのを抑えることができる。
【０１１４】
なお、本発明は前記実施形態に限定されることなく、以下に例示するように様々な形態で利用できる。以下の説明においては、前記実施形態と略同様の構成には同一の符号を付し、その説明は省略する。
【０１１５】
前記実施形態では、非現像中制御処理から現像中制御処理に移行する際には、現像バイアスＶｂ→ニップ部ＮＰにおける表面電位Ｖ０の順で切替を行い、現像中制御処理から非現像中制御処理に移行する際には、ニップ部ＮＰにおける表面電位Ｖ０→現像バイアスＶｂの順で切替を行ったが、本発明はこれに限定されるものではない。温度または湿度が所定値以下である場合には、前記実施形態とは逆の順序で現像バイアスＶｂや表面電位Ｖ０の切替を行ってもよい。
【０１１６】
具体的には、図１０に示すように、レーザプリンタ１に、検知した温度に応じた信号を制御装置３００に伝達する、センサの一例としての温度センサ４００が設けられる場合には、温度センサ４００で検知した温度ＴＨが所定値ＴＨ１以下であることを条件として、前記実施形態とは逆の順序で現像バイアスＶｂや表面電位Ｖ０の切替を行ってもよい。ここで、所定値ＴＨ１は、例えば、常温の温度範囲における上限値に設定することができる。詳しくは、制御装置３００は、図１１および図１２に示すフローチャートに従って制御を行う。
【０１１７】
図１１に示すフローチャートでは、図４に示すフローチャートに加え、新たなステップＳ２０１〜Ｓ２０５が設けられている。ステップＳ２０１は、ステップＳ１とステップＳ２の間に設けられている。このステップＳ２０１では、第１制御手段３１０および第２制御手段３２０が、温度センサ４００で検知した温度ＴＨを取得する。
【０１１８】
ステップＳ２０２は、ステップＳ５とステップＳ６との間に設けられている。このステップＳ２０２では、第１制御手段３１０が、温度ＴＨが所定値ＴＨ１よりも大きいか否かを判断する。
【０１１９】
ステップＳ２０２において温度ＴＨが所定値ＴＨ１よりも大きいと判断した場合には（Ｙｅｓ）、第１制御手段３１０は、ステップＳ６の処理に移行する。ステップＳ２０２において温度ＴＨが所定値ＴＨ１以下であると判断した場合には（Ｎｏ）、第１制御手段３１０は、帯電バイアスＶｃを低帯電バイアスＶｃ２から高帯電バイアスＶｃ１に切り替える（Ｓ２０３）。
【０１２０】
ステップＳ２０３の後、詳しくは、ステップＳ２０３において帯電バイアスＶｃを切り替えてから第２時間Ｔ２が経過した後、第１制御手段３１０は、電磁クラッチ２２３をＯＮにして、周速ｖを小周速ｖ２から大周速ｖ１に切り替える（Ｓ２０４）。ここで、第２時間Ｔ２は、前記実施形態で説明した通りの時間である。そのため、ステップＳ２０４においては、高電位部Ｐ３がニップ部ＮＰに到達する前に、周速ｖの切替が行われている（図５（ｄ）参照）。
【０１２１】
ステップＳ２０４の後、詳しくは、ステップＳ２０３において帯電バイアスＶｃを切り替えてから第３時間Ｔ３が経過した後、第１制御手段３１０は、現像バイアスＶｂを低現像バイアスＶｂ２から高現像バイアスＶｂ１に切り替える（Ｓ２０５）。ここで、第３時間Ｔ３は、前記実施形態で説明した通りの時間である。そのため、ステップＳ２０５においては、高電位部Ｐ３がニップ部ＮＰに到達した後に、現像バイアスＶｂの切替が行われている（図５（ｅ）参照）。なお、ステップＳ２０５の後、第１制御手段３１０は、ステップＳ９の処理に移行する。
【０１２２】
図１２に示すフローチャートでは、図６に示すフローチャートに加え、新たなステップＳ２１１〜Ｓ２１４が設けられている。ステップＳ２１１は、ステップＳ１０１の前に設けられている。
【０１２３】
このステップＳ２１１では、第２制御手段３２０が、温度ＴＨが所定値ＴＨ１よりも大きいか否かを判断する。ステップＳ２１１において温度ＴＨが所定値ＴＨ１よりも大きいと判断した場合には（Ｙｅｓ）、第２制御手段３２０は、ステップＳ１０１の処理に移行する。
【０１２４】
ステップＳ２１１において温度ＴＨが所定値ＴＨ１以下であると判断した場合には（Ｎｏ）、第２制御手段３２０は、帯電バイアスＶｃを高帯電バイアスＶｃ１から低帯電バイアスＶｃ２に切り替える（Ｓ２１２）。ステップＳ２１２の後、詳しくは、ステップＳ２１２において帯電バイアスＶｃを切り替えてから第４時間Ｔ４が経過した後、第２制御手段３２０は、現像バイアスＶｂを高現像バイアスＶｂ１から低現像バイアスＶｂ２に切り替える（Ｓ２１３）。
【０１２５】
ここで、第４時間Ｔ４は、前記実施形態で説明した通りの時間である。そのため、ステップＳ２１３においては、低電位部Ｐ４がニップ部ＮＰに到達する前に、現像バイアスＶｂの切替が行われている（図７（ｂ）参照）。
【０１２６】
ステップＳ２１３の後、詳しくは、ステップＳ２１２において帯電バイアスＶｃを切り替えてから第５時間Ｔ５が経過した後、第２制御手段３２０は、電磁クラッチ２２３をＯＦＦにして、周速ｖを大周速ｖ１から小周速ｖ２に切り替える（Ｓ２１４）。ここで、第５時間Ｔ５は、前記実施形態で説明した通りの時間である。そのため、ステップＳ２１４においては、低電位部Ｐ４がニップ部ＮＰに到達した後に、周速ｖの切替が行われている（図７（ｃ）参照）。なお、ステップＳ２１４の後、第２制御手段３２０は、ステップＳ１０４の処理に移行する。
【０１２７】
以上、この形態によれば、温度ＴＨが所定値ＴＨ１以下の場合、つまり常温時には、非現像中制御処理から現像中制御処理に移行する際に、周速ｖ→ニップ部ＮＰにおける表面電位Ｖ０→現像バイアスＶｂの順序で切替が行われ、現像中制御処理から非現像中制御処理に移行する際に、現像バイアスＶｂ→ニップ部ＮＰにおける表面電位Ｖ０→周速ｖの順序で切替が行われる。これにより、図９に示すように、常温時において、非現像中制御処理から現像中制御処理に移行する場合には、状態Ｃ８→Ｃ７→Ｃ３→Ｃ１の順序で状態が切り替わり、現像中制御処理から非現像中制御処理に移行する場合には、状態Ｃ１→Ｃ３→Ｃ７→Ｃ８の順序で状態が切り替わる。そのため、常温時において状態Ｃ５，Ｃ６になるのを避けることができるので、常温時において押圧かぶりが発生するのをより良好に抑えることができる。
【０１２８】
なお、センサは、温度センサ４００に限らず、例えば湿度を検知する湿度センサや、温度および湿度の両方を検知する温湿度センサなどであってもよい。なお、湿度センサを用いる場合には、図１１および図１２における温度ＴＨを湿度に変更し、所定値ＴＨ１を湿度に応じた値に変更すればよい。
【０１２９】
前記実施形態では、移行処理中における現像バイアスＶｂ、周速ｖおよび表面電位Ｖ０の切替のタイミングをそれぞれ同時のタイミングとならないようにしたが、本発明はこれに限定されず、移行処理中における現像バイアスＶｂ、周速ｖおよび表面電位Ｖ０といった各パラメータの切替のタイミングのうち少なくとも２つのパラメータの切替を同時に行うようにしてもよい。
【０１３０】
ただし、例えば、非現像中制御処理から現像中制御処理に移行する際において、ニップ部ＮＰにおける表面電位Ｖ０が切り替わった時点（高電位部Ｐ３の下流端が現像ローラ１００に到達した時点）で現像バイアスＶｂの切替を行うように設定した場合には、誤差等により仮に現像バイアスＶｂの切替よりも前に表面電位Ｖ０が切り替わると、状態Ｃ８から状態Ｃ４に移行して、逆極性かぶりが発生するおそれがある。これに比べ、前記実施形態のような順序によれば、非現像中制御処理から現像中制御処理に移行する際において現像バイアスＶｂの切替を表面電位Ｖ０が切り替わる前に行うので、逆極性かぶりを良好に抑えることができる。
【０１３１】
また、例えば、非現像中制御処理から現像中制御処理に移行する際において、ニップ部ＮＰにおける表面電位Ｖ０が切り替わる前（高電位部Ｐ３の到達前）に現像バイアスＶｂを切り替えた後（状態Ｃ８→Ｃ６）、表面電位Ｖ０が切り替わった時点で周速ｖの切替を行うように設定した場合には（状態Ｃ６→状態Ｃ１）、誤差等により仮に周速ｖの切替が表面電位Ｖ０の切り替わり前に行われると、状態Ｃ６から状態Ｃ５に移行して、押圧かぶりが発生するおそれがある。これに比べ、前記実施形態のような順序によれば、非現像中制御処理から現像中制御処理に移行する際において周速ｖの切替を表面電位Ｖ０が切り替わった後に行うので、押圧かぶりを良好に抑えることができる。
【０１３２】
また、例えば、現像中制御処理から非現像中制御処理に移行する際において、ニップ部ＮＰにおける表面電位Ｖ０が切り替わった時点（低電位部Ｐ４の下流端が現像ローラ１００に到達した時点）で現像バイアスＶｂの切替を行うように設定した場合には（状態Ｃ２→Ｃ８）、誤差等により仮に現像バイアスＶｂの切替が表面電位Ｖ０の切り替わりよりも先に行われると、状態Ｃ２から状態Ｃ４に移行して、逆極性かぶりが発生するおそれがある。これに比べ、前記実施形態のような順序によれば、現像中制御処理から非現像中制御処理に移行する際において現像バイアスＶｂの切替を表面電位Ｖ０の切り替わりの後に行うので、逆極性かぶりを良好に抑えることができる。
【０１３３】
また、例えば、現像中制御処理から非現像中制御処理に移行する際において、表面電位Ｖ０が切り替わった時点（低電位部Ｐ４が現像ローラ１００に到達した時点）で周速ｖの切替を行うように設定した場合には（状態Ｃ１→Ｃ６）、誤差等により仮に周速ｖの切替よりも前に表面電位Ｖ０が切り替わると、状態Ｃ１から状態Ｃ５に移行して、押圧かぶりが発生するおそれがある。これに比べ、前記実施形態のような順序によれば、現像中制御処理から非現像中制御処理に移行する場合において周速ｖの切替を表面電位Ｖ０が切り替わる前に行うので、押圧かぶりを良好に抑えることができる。
【０１３４】
なお、非現像中制御処理から現像中制御処理に移行する場合において表面電位Ｖ０と現像バイアスＶｂを同時に切り替える場合には、これらの切り替えよりも前に周速ｖを切り替えても状態Ｃ３〜Ｃ５になるのを回避することができるが、この場合であっても、周速ｖは表面電位Ｖ０等の切替と同時または後に切り替えるのが好ましい。なぜなら、図９に示す実験結果によると、周速ｖが遅い方が速い方よりも押圧かぶりの影響が小さい（例えば状態Ｃ１と状態Ｃ２とを比較）からである。そのため、周速ｖを表面電位Ｖ０等の切替と同時または後に切り替える方法によれば、非現像中制御処理から現像中制御処理に移行する場合において周速ｖを表面電位Ｖ０等よりも先に切り替える方法に比べ、周速ｖが速くなるタイミングを遅くすることができるので、その分押圧かぶりを抑えることができる。
【０１３５】
また、同様に、現像中制御処理から非現像中制御処理に移行する場合において表面電位Ｖ０と現像バイアスＶｂを同時に切り替える場合には、これらの切り替えよりも後に周速ｖを切り替えても状態Ｃ３〜Ｃ５になるのを回避することができるが、この場合であっても、前述した理由と同様の理由で、周速ｖは表面電位Ｖ０等の切替と同時または前に切り替えるのが好ましい。これによれば、現像中制御処理から非現像中制御処理に移行する場合において周速ｖを表面電位Ｖ０等よりも後に切り替える方法に比べ、周速ｖが遅くなるタイミングを早くすることができるので、その分押圧かぶりを抑えることができる。
【０１３６】
前記実施形態では、現像中制御処理および非現像中制御処理において感光ドラム２７の回転速度を一定としたが、本発明はこれに限定されず、現像中制御処理および非現像中制御処理において感光ドラムの回転速度（周速）を２段階以上に変更するようにしてもよい。なお、この場合には、現像ローラの感光ドラムに対する周速比が、現像中制御処理で大周速比となり、非現像中制御処理で大周速比よりも小さく、かつ、０よりも大きな小周速比となるように、現像ローラまたは感光ドラムの周速を変更すればよい。
【０１３７】
前記実施形態では、正帯電性のトナーを使用したレーザプリンタ１に本発明を適用したが、本発明はこれに限定されず、負帯電性のトナーを使用したレーザプリンタに本発明を適用してもよい。つまり、現像バイアスや帯電バイアスは負のバイアスであってもよい。
【０１３８】
前記実施形態では、レーザプリンタ１に本発明を適用したが、本発明はこれに限定されず、その他の画像形成装置、例えば複写機や複合機などに本発明を適用してもよい。
【０１３９】
前記実施形態では、感光体として感光ドラム２７を例示したが、本発明はこれに限定されず、例えばベルト状の感光体であってもよい。また、帯電器は、前記実施形態のようなスコロトロン型の帯電器２９に限らず、コロトロン型の帯電器や感光体に接触して帯電させる帯電ローラなどであってもよい。
【０１４０】
前記実施形態では、記録シートの一例として、厚紙、はがき、薄紙などの用紙３を例示したが、本発明はこれに限定されず、例えばＯＨＰシートであってもよい。
【符号の説明】
【０１４１】
１      レーザプリンタ
２７    感光ドラム
２９    帯電器
１００  現像ローラ
２２０  周速切替機構
２３０  現像バイアス印加回路
３００  制御装置
【図１】
0006379738.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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