(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検体の撮影部位からＭＲ信号を収集するためのシーケンスを実行するスキャン手段を有する磁気共鳴装置であって、
前記スキャン手段は、
前記撮影部位を励起するために印加される第１のコンポジットパルスであって、フリップ角がαに設定され位相がφ０に設定されたαφ０パルスと、前記αφ０パルスの後に印加され、フリップ角がβに設定され位相がθ０に設定されたβθ０パルスとを有する第１のコンポジットパルスと、
前記第１のコンポジットパルスの後に印加され、前記撮影部位内で分散した磁化ベクトルを再収束するためのｎ（≧１）個の第２のコンポジットパルスであって、ｎ個の第２のコンポジットパルスのうちのｋ（１≦ｋ≦ｎ）番目の第２のコンポジットパルスが、フリップ角がβに設定され位相がθｋに設定されたβθｋパルスと、前記βθｋパルスの後に印加され、フリップ角が２αに設定され位相がφｋに設定された２αφｋパルスと、前記２αφｋパルスの後に印加され、フリップ角がβに設定され位相がθｋに設定されたβθｋパルスとを有するように構成されたｎ個の第２のコンポジットパルスと、
前記ｎ個のコンポジットパルスの後に印加され、前記撮影部位の磁化ベクトルの横磁化を縦磁化に戻すための第３のコンポジットパルスであって、フリップ角がβに設定され位相がθｎ＋１に設定されたβθｎ＋１パルスと、前記βθｎ＋１パルスの後に印加され、フリップ角がαに設定され位相がφｎ＋１に設定されたαφｎ＋１パルスとを有する第３のコンポジットパルスと、
を含むシーケンスを実行し、
θｋ、φｋ、θｎ＋１、およびφｎ＋１は、以下の式で表される磁気共鳴装置。
θｋ＝θ０＋λｋ
φｋ＝φ０＋λｋ
θｎ＋１＝θ０＋λｎ＋１
φｎ＋１＝φ０＋λｎ＋１
ただし、λｋ＝ｋλ＋δｋ×ｍｋ
λｎ＋１＝（ｎ＋１）λ＋δｎ＋１×ｍｎ＋１
ここで、λ：角度
δｋ：ｋの値に応じて定まる角度であって、８０°≦δｋ≦１００°の角度
ｍｋ：ｋの値に応じて定まる整数
δｎ＋１：ｎ＋１の値に応じて定まる角度であって、８０°≦δｎ＋１≦１００°の角度
ｍｎ＋１：ｎ＋１の値に応じて定まる整数
【請求項２】
δｋ＝δｎ＋１＝９０°である、請求項１に記載の磁気共鳴装置。
【請求項３】
α＝βである請求項１又は２に記載の磁気共鳴装置。
【請求項４】
α＝β＝９０°である請求項３に記載の磁気共鳴装置。
【請求項５】
α≠βである請求項１又は２に記載の磁気共鳴装置。
【請求項６】
α＞９０°＞βである請求項５に記載の磁気共鳴装置。
【請求項７】
φ０とθ０との差の絶対値｜φ０−θ０｜が、｜φ０−θ０｜＝９０°に設定されている、請求項１〜６のうちのいずれか一項に記載の磁気共鳴装置。
【請求項８】
φ０とθ０との差の絶対値｜φ０−θ０｜が、｜φ０−θ０｜＞９０°に設定されている、請求項１〜６のうちのいずれか一項に記載の磁気共鳴装置。
【請求項９】
φ０とθ０との差の絶対値｜φ０−θ０｜が、｜φ０−θ０｜＜９０°に設定されている、請求項１〜６のうちのいずれか一項に記載の磁気共鳴装置。
【請求項１０】
αおよびβが、それぞれα＝１１２．５°およびβ＝７５°に設定され、φ０とθ０との差の絶対値｜φ０−θ０｜が、｜φ０−θ０｜＝９０°に設定されている、請求項１又は２に記載の磁気共鳴装置。
【請求項１１】
αおよびβが、それぞれα＝１２０°およびβ＝７０°に設定され、φ０とθ０との差の絶対値｜φ０−θ０｜が、｜φ０−θ０｜＝１００°に設定されている、請求項１又は２に記載の磁気共鳴装置。
【請求項１２】
ｎ＝１であり、（ｍ１，ｍ２）＝（０，０）である、請求項１〜１１のうちのいずれか一項に記載の磁気共鳴装置。
【請求項１３】
ｎ＝３であり、（ｍ１，ｍ２，ｍ３，ｍ４）＝（１，０，１，０）である、請求項１〜１１のうちのいずれか一項に記載の磁気共鳴装置。
【請求項１４】
ｎ＝７であり、（ｍ１，ｍ２，ｍ３，ｍ４，ｍ５，ｍ６，ｍ７，ｍ８）は、以下のいずれかの組み合わせに設定されている、請求項１〜１１のうちのいずれか一項に記載の磁気共鳴装置。
（１，０，１，１，０，１，０，０）
（１，０，１，−１，０，−１，０，０）
（２，２，０，２，２，０，０，０）
（１，０，１，０，１，０，１，０）
（１，０，１，−１，１，１，−１，０）
（−１，０，−１，−１，０，−１，０，０）
（０，２，２，２，２，０，０，０）
（−１，０，−１，１，０，１，０，０）
（０，２，２，０，２，２，０，０）
（−１，０，−１，１，−１，−１，１，０）
（１，０，１，０，０，２，２，０）
（１，０，１，−１，−１，１，１，０）
（１，０，１，０，２，２，０，０）
（１，０，１，２，０，０，２，０）
（１，０，１，１，−１，−１，１，０）
（１，０，１，２，２，０，０，０）
【請求項１５】
前記スキャン手段は、コンポジットパルスを印加した後、次のコンポジットパルスを印加する前に、勾配磁場を印加しない、請求項１〜１４のうちのいずれか一項に記載の磁気共鳴装置。
【請求項１６】
前記スキャン手段は、コンポジットパルスを印加した後、次のコンポジットパルスを印加する前に、勾配磁場を印加する、請求項１〜１４のうちのいずれか一項に記載の磁気共鳴装置。
【請求項１７】
前記スキャン手段は、極性が同じ複数の勾配磁場を印加する、請求項１６に記載の磁気共鳴装置。
【請求項１８】
前記スキャン手段は、極性が異なる複数の勾配磁場を印加する、請求項１６に記載の磁気共鳴装置。
【請求項１９】
前記複数の勾配磁場は、バイポーラの勾配磁場である、請求項１８に記載の磁気共鳴装置。
【請求項２０】
前記勾配磁場は、拡散強調を行うための勾配磁場である、請求項１６〜１９のうちのいずれか一項に記載の磁気共鳴装置。
【請求項２１】
前記スキャン手段は、前記第３のコンポジットパルスの後に、横磁化を消去するためのキラー勾配磁場を印加する、請求項１〜２０のうちのいずれか一項に記載の磁気共鳴装置。
【請求項２２】
前記スキャン手段は、前記シーケンスの後に、前記撮影部位からイメージングデータを収集するための他のシーケンスを実行する、請求項１〜２１のうちのいずれか一項に記載の磁気共鳴装置。
【請求項２３】
前記スキャン手段は、前記シーケンスを実行する前に、又は、前記シーケンスを終了してから前記他のシーケンスを開始するまでの間に、ＲＦパルスを印加する、請求項２２に記載の磁気共鳴装置。
【請求項２４】
前記ＲＦパルスは、脂肪抑制パルス、又はＴ２強調を行うためのパルスである、請求項２３に記載の磁気共鳴装置。
【請求項２５】
前記スキャン手段は、前記被検体の生体信号に同期して、前記シーケンスを実行する、請求項１〜２４のうちのいずれか一項に記載の磁気共鳴装置。
【請求項２６】
前記生体信号は、心拍信号および呼吸信号のうちの少なくともいずれか一方の信号である、請求項２５に記載の磁気共鳴装置。
【請求項２７】
前記シーケンスは、血液の磁化ベクトルの縦磁化を、静止組織の磁化ベクトルの縦磁化よりも小さくする、請求項１〜２６のうちのいずれか一項に記載の磁気共鳴装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被検体の撮影部位からＭＲ信号を収集するためのシーケンスを実行するスキャン手段を有する磁気共鳴装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
血液の信号を低減する方法として、ＭＳＤＥ（Motion-Sensitized Driven-Equilibrium）法が知られている（非特許文献１）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】Wang,et al.,"Improved Suppression of Plaque-Mimicking Artifacts in Black-Blood Carotid Atherosclerosis imaging Using a Multislice Motion-Sensitized Driven-Equilibrium（MSDE）Turbo Spin-Echo (TSE) Sequence," Magnetic Resonance in Medicine, Vol.58, pages973-981(2007)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＭＳＤＥ法は、リフォーカスパルスを用いて、動きのある物質の縦磁化を、静止組織の縦磁化Ｍｚよりも小さくする手法であり、血液などの動く物質の信号の抑制に優れた方法である。したがって、ＭＳＤＥ法は、血液の信号を抑制させて血管壁を描出するブラックブラッドイメージング（Black Blood Imaging）に適用されている。また、ＭＳＤＥ法は、動きのある物質（例えば、血液）の信号が原因で生じるアーチファクトを低減するためにも使用されている。
【０００５】
しかし、ＭＳＤＥ法は、静磁場（Ｂ０）不均一や送信磁場（Ｂ１）不均一の影響を受けやすく、撮影部位内でＢ０値やＢ１値のばらつきが大きいと、撮影部位内に、静止組織の縦磁化Ｍｚが１（又は１に近い値）にならない領域が現れる。したがって、静止組織の縦磁化と、動きのある組織の縦磁化との差をつけることができず、画質が劣化するという問題がある。
【０００６】
そこで、Ｂ０不均一やＢ１不均一の影響を受けにくく、高品質な画像を取得することができるイメージング法が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一観点は、被検体の撮影部位からＭＲ信号を収集するためのシーケンスを実行するスキャン手段を有する磁気共鳴装置であって、
前記スキャン手段は、
前記撮影部位を励起するために印加される第１のコンポジットパルスであって、フリップ角がαに設定され位相がφ０に設定されたαφ０パルスと、前記αφ０パルスの後に印加され、フリップ角がβに設定され位相がθ０に設定されたβθ０パルスとを有する第１のコンポジットパルスと、
前記第１のコンポジットパルスの後に印加され、前記撮影部位内で分散した磁化ベクトルを再収束するためのｎ（≧１）個の第２のコンポジットパルスであって、ｎ個の第２のコンポジットパルスのうちのｋ（１≦ｋ≦ｎ）番目の第２のコンポジットパルスが、フリップ角がβに設定され位相がθｋに設定されたβθｋパルスと、前記βθｋパルスの後に印加され、フリップ角が２αに設定され位相がφｋに設定された２αφｋパルスと、前記２αφ１パルスの後に印加され、フリップ角がβに設定され位相がθｋに設定されたβθｋパルスとを有するように構成されたｎ個の第２のコンポジットパルスと、
前記ｎ個のコンポジットパルスの後に印加され、前記撮影部位の磁化ベクトルの横磁化を縦磁化に戻すための第３のコンポジットパルスであって、フリップ角がβに設定され位相がθｎ＋１に設定されたβθｎ＋１パルスと、前記βθｎ＋１パルスの後に印加され、フリップ角がαに設定され位相がφｎ＋１に設定されたαφｎ＋１パルスとを有する第３のコンポジットパルスと、
を含むシーケンスを実行し、
θｋ、φｋ、θｎ＋１、およびφｎ＋１は、以下の式で表される磁気共鳴装置である。
θｋ＝θ０＋λｋ
φｋ＝φ０＋λｋ
θｎ＋１＝θ０＋λｎ＋１
φｎ＋１＝φ０＋λｎ＋１
ただし、λｋ＝ｋλ＋δｋ×ｍｋ
λｎ＋１＝（ｎ＋１）λ＋δｎ＋１×ｍｎ＋１
ここで、λ：角度
δｋ：ｋの値に応じて定まる角度であって、８０°≦δｋ≦１００°の角度
ｍｋ：ｋの値に応じて定まる整数
δｎ＋１：ｎ＋１の値に応じて定まる角度であって、８０°≦δｎ＋１≦１００°の角度
ｍｎ＋１：ｎ＋１の値に応じて定まる整数
【発明の効果】
【０００８】
コンポジットパルスを用いることにより、Ｂ０不均一やＢ１不均一の影響を受けにくくすることができる。したがって、高品質な画像を取得することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一形態の磁気共鳴装置の概略図である。
【図２】プロセッサ９が実行する処理を示す図である。
【図３】本形態における撮影部位を概略的に示す図である。
【図４】通常のスキャンの一例を示す図である。
【図５】プリパレーションシーケンスＤＰが実行されている間の静止組織の磁化ベクトルの挙動のシミュレーション結果の説明図である。
【図６】送信磁場強度が理想値よりも小さい場合の磁化ベクトル挙動のシミュレーション結果の説明図である。
【図７】送信磁場強度が理想値よりも大きい場合の磁化ベクトルの挙動のシミュレーション結果の説明図である。
【図８】本形態で使用されるプリパレーションシーケンスＤＰ０を示す図である。
【図９】コンポジットパルスＡ、Ｂ、およびＣの説明図である。
【図１０】（α，β，φ０，θ０，λ，ｍ１，ｍ２）が表１に示す値に設定されているプリパレーションシーケンスＤＰ１を示す図である。
【図１１】ΔＢ１＝０％およびΔＢ０＝０Ｈｚにおける磁化ベクトルの挙動を表すシミュレーション結果の説明図である。
【図１２】ΔＢ１＝−２０％およびΔＢ０＝０Ｈｚにおける磁化ベクトルの挙動を表すシミュレーション結果の説明図である。
【図１３】面Ｓ１と面Ｓ４と違いの説明図である。
【図１４】ΔＢ１＝２０％およびΔＢ０＝０Ｈｚにおける磁化ベクトルの挙動を表すシミュレーション結果の説明図である。
【図１５】面Ｓ２と面Ｓ５と違いの説明図である。
【図１６】シミュレーション結果を示す図である。
【図１７】（α，β，φ０，θ０，λ，ｍ１，ｍ２）が表２の値に設定された場合のプリパレーションシーケンスＤＰ２を示す図である。
【図１８】（α，β，φ０，θ０，λ，ｍ１，ｍ２）が表３の値に設定された場合のプリパレーションシーケンスＤＰ３を示す図である。
【図１９】プリパレーションシーケンスＤＰ２のシミュレーション結果を示す図である。
【図２０】プリパレーションシーケンスＤＰ３のシミュレーション結果を示す図である。
【図２１】（α，β，φ０，θ０，λ，ｍ１，ｍ２）を表４の値に設定したプリパレーションシーケンスＤＰ４を示す図である。
【図２２】（α，β，φ０，θ０，λ，ｍ１，ｍ２）が表５の値に設定された場合のプリパレーションシーケンスＤＰ５を示す図である。
【図２３】シミュレーション結果を示す図である。
【図２４】コンポジットパルスＢを複数回印加するときのプリパレーションシーケンスＤＰ６を示す図である。
【図２５】ｎ＝３の例を示す図である。
【図２６】（α，β，φ０，θ０，λ）が表６に示す値に設定されたプリパレーションシーケンスＤＰ７を示す図である。
【図２７】位相が式（３０）〜式（３３）の値に設定されたときのプリパレーションシーケンスＤＰ８を示す図である。
【図２８】シミュレーション結果を示す図である。
【図２９】（ｍ１，ｍ２，ｍ３，ｍ４，ｍ５，ｍ６，ｍ７，ｍ８）＝（１，０，１，１，０，１，０，０）に設定したときのＭｚマップＨ６を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、発明を実施するための形態について説明するが、本発明は、以下の形態に限定されることはない。
【００１１】
図１は、本発明の一形態の磁気共鳴装置の概略図である。
磁気共鳴装置（以下、「ＭＲ装置」と呼ぶ）１００は、マグネット２、テーブル３、受信ＲＦコイル（以下、「受信コイル」と呼ぶ）４などを有している。
【００１２】
マグネット２は、被検体１３が収容されるボア２１を有している。また、マグネット２には、静磁場を発生させるための超伝導コイル、勾配パルスを印加するための勾配コイル、およびＲＦパルスを印加するためのＲＦコイルなどを有している。
【００１３】
テーブル３は、被検体１３を支持するクレードル３ａを有している。クレードル３ａは、ボア２１内に移動できるように構成されている。クレードル３ａによって、被検体１３はボア２１に搬送される。
受信コイル４は、被検体１３からの磁気共鳴信号を受信する。
【００１４】
ＭＲ装置１００は、更に、送信器５、勾配磁場電源６、受信器７、コンピュータ８、操作部１１、および表示部１２などを有している。
【００１５】
送信器５は、ＲＦコイルに電流を供給する。勾配磁場電源６は勾配コイルに電流を供給する。受信器７は、受信コイル４が受信した信号に対して、検波などの信号処理を行う。尚、マグネット２、受信コイル４、送信器５、勾配磁場電源６、受信器７を合わせたものがスキャン手段に相当する。
【００１６】
コンピュータ８は、表示部１２に必要な情報を伝送したり、画像を再構成するなど、ＭＲ装置１００の各種の動作を実現するように、ＭＲ装置１００の各部の動作を制御する。コンピュータ８は、プロセッサ９およびメモリ１０などを有している。
【００１７】
メモリ１０には、プロセッサ９により実行されるプログラムなどが記憶されている。プロセッサ９は、メモリ１０に記憶されているプログラムを読み出し、プログラムに記述されている処理を実行する。図２に、プロセッサ９が実行する処理を示す。プロセッサ９は、メモリ１０に記憶されているプログラムを読み出すことにより、画像作成手段９１などを構成する。
【００１８】
画像作成手段９１は、受信器７から受け取ったデータに基づいて、撮影部位の画像を作成する。
プロセッサ９は、画像作成手段９１を構成する一例であり、メモリ１０に記憶されたプログラムを実行することによりこの手段として機能する。
【００１９】
図１に戻って説明を続ける。
操作部１１は、オペレータにより操作され、種々の情報をコンピュータ８に入力する。表示部１２は種々の情報を表示する。
ＭＲ装置１００は、上記のように構成されている。
【００２０】
図３は、本形態における撮影部位を概略的に示す図である。
図３において、ＳＩ方向は被検体の頭尾方向を表しており、ＲＬ方向は被検体の左右方向を表しており、ＡＰ方向は被検体の前後方向を表している。
【００２１】
本形態では、血液ａの信号を低下させて血管Ａの血管壁を撮影するためのスキャンを実行する例について説明する。尚、以下の説明では、本形態におけるスキャンの効果を明確にするために、本形態におけるスキャンを説明する前に、血管壁を撮影するために使用されている通常のスキャンについて説明する。
【００２２】
図４は、通常のスキャンの一例を示す図である。
図４では、スキャンＳＣを、複数の期間Ｗ１〜Ｗｚに分けて示してある。
期間Ｗ１では、プリパレーションシーケンスＤＰおよびデータ収集シーケンスＤＡＱが実行される。
【００２３】
プリパレーションシーケンスＤＰは、３つのＲＦパルス（９０ｘパルスＰ０、１８０−ｘパルスＰ１、９０ｘパルスＰ２）を有している。
【００２４】
９０ｘパルスＰ０は、撮影部位を励起するための励起パルスである。１８０−ｘパルスＰ１は、分散した磁化ベクトルを再収束させるためのリフォーカスパルスである。９０ｘパルスＰ２は、磁化ベクトルの横磁化を縦磁化に戻すためのフリップバックパルスである。
【００２５】
また、プリパレーションシーケンスＤＰは、位相を分散させるためのＭＰＧ（motion probing gradient）を有している。尚、本形態では、ＭＰＧは１軸にのみ印加されているが、ＭＰＧを複数の軸に印加してもよい。
【００２６】
次に、３つのＲＦパルス（９０ｘパルスＰ０、１８０−ｘパルスＰ１、９０ｘパルスＰ２）のフリップ角および位相について説明する。
【００２７】
図４の下側には、ＲＦパルスの位相を表すための座標軸が示されている。ｚ軸は静磁場方向を表している。
【００２８】
９０ｘパルスＰ０およびＰ２の「９０ｘ」は、ＲＦパルスのフリップ角が９０°であり、ＲＦパルスの位相がｘ軸に設定されていることを表している。したがって、９０ｘパルスＰ０およびＰ２は、ｘ軸を中心にして磁化を９０°回転させるＲＦパルスである。
【００２９】
１８０−ｘパルスＰ１の「１８０−ｘ」は、ＲＦパルスのフリップ角が１８０°であり、ＲＦパルスの位相が−ｘ軸（ｘｙ面内において、ｘ軸から１８０°ずれた軸）に設定されていることを表している。したがって、１８０ｘパルスＰ１は、−ｘ軸を中心にして磁化を１８０°回転させるＲＦパルスである。
【００３０】
プリパレーションシーケンスを実行することにより、動きのある組織（例えば、血液）の縦磁化を、静止組織（例えば、血管壁）の縦磁化よりも十分に小さくすることができる。
【００３１】
プリパレーションシーケンスＤＰを実行した後、撮影部位からイメージングデータを収集するためのデータ収集シーケンスＤＡＱが実行される。データ収集シーケンスＤＡＱで使用されるＲＦパルスや勾配磁場は図示省略されている。プリパレーションシーケンスＤＰにより、動きのある組織の縦磁化は小さくなっているので、データ収集シーケンスＤＡＱを実行することにより、動きのある組織の信号が静止組織の信号よりも十分に低減されたＭＲ信号を収集することができる。
【００３２】
図４では、期間Ｗ１で実行されるシーケンスについて説明されているが、他の期間Ｗ２〜Ｗｚでも、期間Ｗ１と同様に、プリパレーションシーケンスＤＰおよびデータ収集シーケンスＤＡＱが実行される。期間Ｗ１〜Ｗｚでデータ収集を行うことにより、画像再構成に必要なｋ空間のデータを収集することができる。
【００３３】
次に、プリパレーションシーケンスＤＰが実行されている間の静止組織の磁化ベクトルの挙動について説明する。本形態では、プリパレーションシーケンスＤＰが実行されている間の静止組織の磁化ベクトルの挙動を調べるため、図４に示すプリパレーションシーケンスＤＰを実行したときの磁化ベクトルの挙動をシミュレーションした。以下に、そのシミュレーション結果について説明する。
【００３４】
図５はプリパレーションシーケンスＤＰが実行されている間の静止組織の磁化ベクトルの挙動のシミュレーション結果の説明図である。
尚、図５におけるシミュレーション条件は、以下の通りである。
（１）Ｂ０不均一およびＢ１不均一は発生していない。
（２）プリパレーションシーケンスＤＰの９０ｘパルスＰ０が印加される直前の時点ｔ０では、静止組織の磁化ベクトルＶの縦磁化ＭｚはＭｚ＝１である（図５（ａ）参照）。
（３）Ｔ２減衰、Ｔ１回復は無視する。
【００３５】
以下、図５について説明する。
プリパレーションシーケンスＤＰでは、先ず、９０ｘパルスＰ０が印加される。図５（ａ）に、９０ｘパルスＰ０が印加される直前の時点ｔ０における磁化ベクトルＶを示し、図５（ｂ）に、９０ｘパルスＰ０が印加された直後の時点ｔ１における磁化ベクトルＶを示す。磁化ベクトルＶは、９０ｘパルスＰ０により、ｘ軸を中心にして９０°回転する。９０ｘパルスＰ０が印加された後、ＭＰＧが印加される。
【００３６】
また、時点ｔ１〜ｔ２の間に、磁化ベクトルの位相が分散する。図５（ｃ）に、時点ｔ１〜時点ｔ２までの間に生じた位相分散を示す。位相分散により、０°〜３６０°の間の任意の位相を持つベクトルが現れるが、図５（ｃ）では、説明の便宜上、分散した磁化ベクトルを、２本の磁化ベクトルＶ１およびＶ２で示してある。磁化ベクトルＶ１は位相が０°であり、一方、磁化ベクトルＶ２は位相が１８０°である。また、図５（ｃ）には、位相分散により発生した磁化ベクトルの頂点で囲まれる面Ｓを示してある。時点ｔ２の直後に、１８０−ｘパルスＰ１が印加される。
【００３７】
図５（ｄ）に、１８０−ｘパルスＰ１が印加された直後の時点ｔ３における磁化ベクトルを示す。磁化ベクトルは、１８０−ｘパルスＰ１により、−ｘ軸を中心にして１８０°回転する。したがって、磁化ベクトルＶ１と磁化ベクトルＶ２の位置が入れ替わる。１８０−ｘパルスＰ１が印加された後、ＭＰＧが印加される。
【００３８】
また、時点ｔ３〜ｔ４の間に、分散していた磁化ベクトルが収束する。図５（ｅ）に、時点ｔ３〜時点ｔ４の間に収束した磁化ベクトルＶを示す。磁化ベクトルＶはｙ軸上に収束する。時点ｔ３〜時点ｔ４の時間は、時点ｔ１〜時点ｔ２の時間と同じである。時点ｔ４の直後に、９０ｘパルスＰ２が印加される。
【００３９】
図５（ｆ）に、９０ｘパルスＰ２が印加された直後の時点ｔ５における磁化ベクトルＶを示す。磁化ベクトルＶは、９０ｘパルスＰ２により、ｘ軸を中心にして９０°回転する。９０ｘパルスＰ２によって、磁化ベクトルＶの縦磁化ＭｚをＭｚ＝１に戻すことができる。
【００４０】
したがって、プリパレーションシーケンスＤＰを実行することによって、静止組織の磁化ベクトルの縦磁化ＭｚをＭｚ＝１に戻すことができる。一方、動きのある組織は、ＭＰＧの影響を受けるので、縦磁化が１よりも小さくなる。したがって、各組織の移動速度に応じて縦磁化の値を調整することができる。
【００４１】
しかし、実際には、送信磁場不均一（Ｂ１不均一）が原因で、撮影部位内に、送信磁場強度が理想値よりも小さくなる領域や、逆に、送信磁場強度が理想値よりも大きくなる領域が現れる。このような領域が現れると、磁化ベクトルは、ＲＦパルスのフリップ角よりも小さい角度しかフリップしなかったり、逆に、ＲＦパルスのフリップ角よりも大きくフリップしてしまう。そこで、送信磁場強度が理想値よりも小さい場合の磁化ベクトルの挙動と、送信磁場強度が理想値よりも大きい場合の磁化ベクトルの挙動についてもシミュレーションした。以下に、そのシミュレーション結果について説明する。
【００４２】
図６は、送信磁場強度が理想値よりも小さい場合の磁化ベクトル挙動のシミュレーション結果の説明図である。
尚、図６におけるシミュレーション条件は、以下の通りである。
（１）Ｂ１不均一により、送信磁場強度が理想値からΔＢ１＝−２０％だけずれている。つまり、送信磁場強度は、理想値よりも２０％小さい値である。
（２）撮影部位内では静磁場不均一は発生していない。つまり、静磁場不均一による周波数のずれ量ΔＢ０（Ｈｚ）はΔＢ０＝０Ｈｚである。
（３）９０ｘパルスＰ０が印加される直前の時点ｔ０では、静止組織の磁化ベクトルＶの縦磁化ＭｚはＭｚ＝１である（図６（ａ）参照）。
（４）Ｔ２減衰、Ｔ１回復は無視する。
【００４３】
以下、図６について説明する。
プリパレーションシーケンスＤＰでは、先ず、９０ｘパルスＰ０が印加される。図６（ａ）に、９０ｘパルスＰ０が印加される直前の時点ｔ０における磁化ベクトルＶを示し、図６（ｂ）に、９０ｘパルスＰ０が印加された直後の時点ｔ１における磁化ベクトルＶを示す。ΔＢ１＝−２０％であるので、９０ｘパルスＰ０のフリップ角は、９０°よりも２０％小さい角度、つまり、７２°になる。したがって、磁化ベクトルＶはｘ軸を中心として７２°しか回転しないので、磁化ベクトルＶにはＭｚ成分が残る。９０ｘパルスＰ０が印加された後、ＭＰＧが印加される。
【００４４】
また、時点ｔ１〜ｔ２の間に、磁化ベクトルの位相が分散する。図６（ｃ）に、時点ｔ１〜時点ｔ２までの間に生じた位相分散を示す。位相分散により、０°〜３６０°の間の任意の位相を持つベクトルが現れるが、図６（ｃ）では、説明の便宜上、分散した磁化ベクトルを、２本の磁化ベクトルＶ１およびＶ２で示してある。磁化ベクトルＶ１は位相が０°であり、一方、磁化ベクトルＶ２は位相が１８０°である。また、図６（ｃ）には、位相分散により発生した磁化ベクトルの頂点で囲まれる面Ｓを示してある。時点ｔ２の直後に、１８０−ｘパルスＰ１が印加される。
【００４５】
図６（ｄ）に、１８０−ｘパルスＰ１が印加された直後の時点ｔ３における磁化ベクトルを示す。ΔＢ１＝−２０％であるので、１８０−ｘパルスＰ２のフリップ角は、１８０°よりも２０％小さい角度、つまり、１４４°になる。したがって、分散した磁化ベクトルＶ１およびＶ２は、−ｘ軸を中心として１４４°しか回転しない。１８０−ｘパルスＰ１が印加された後、ＭＰＧが印加される。
【００４６】
また、時点ｔ３〜ｔ４の間に、分散していた磁化ベクトルが収束する。ただし、図６（ｄ）に示すように、磁化ベクトルは１４４°しか回転していないので、分散した磁化ベクトルを完全に収束させることはできない。図６（ｅ）に、時点ｔ３〜時点ｔ４の間に収束した磁化ベクトルを示す。図６（ｅ）において、磁化ベクトルＶ１と磁化ベクトルＶ２とを比較すると、磁化ベクトルＶ１と磁化ベクトルＶ２の位相がずれている。したがって、磁化ベクトルの頂点を結ぶと、一定の広がりを持つ面Ｓ１が現れ、磁化ベクトルが完全には収束していないことがわかる。時点ｔ４の直後に、９０ｘパルスＰ２が印加される。
【００４７】
図６（ｆ）に、９０ｘパルスＰ２が印加された直後の時点ｔ５における磁化ベクトルを示す。ΔＢ１＝−２０％であるので、９０ｘパルスＰ２のフリップ角は、９０°よりも２０％小さい角度、つまり、７２°になる。したがって、磁化ベクトルは、ｘ軸を中心として７２°しか回転しない。図６（ｆ）を参照すると、面Ｓ１は、ｚ軸からｙ軸の近くにまで広がっており、縦磁化が完全には１に戻らないことがわかる。
【００４８】
図６では、送信磁場強度が理想値よりも小さい場合の磁化ベクトルの挙動を説明したが、送信磁場強度が理想値より大きくなることもある。次に、送信磁場強度が理想値よりも大きい場合の磁化ベクトルの挙動について説明する（図７参照）。
【００４９】
図７は、送信磁場強度が理想値よりも大きい場合の磁化ベクトルの挙動のシミュレーション結果の説明図である。
尚、図７におけるシミュレーション条件は、以下の通りである。
（１）Ｂ１不均一により、送信磁場強度が理想値からΔＢ１＝２０％だけずれている。つまり、送信磁場強度は、理想値よりも２０％大きい値である。
（２）撮影部位内では静磁場不均一は発生していない。つまり、静磁場不均一による周波数のずれ量ΔＢ０（Ｈｚ）はΔＢ０＝０Ｈｚである。
（３）９０ｘパルスＰ０が印加される直前の時点ｔ０では、静止組織の磁化ベクトルＶの縦磁化ＭｚはＭｚ＝１である（図７（ａ）参照）。
（４）Ｔ２減衰、Ｔ１回復は無視する。
【００５０】
以下、図７について説明する。
プリパレーションシーケンスＤＰでは、先ず、９０ｘパルスＰ０が印加される。図７（ａ）に、９０ｘパルスＰ０が印加される直前の時点ｔ０における磁化ベクトルＶを示し、図７（ｂ）に、９０ｘパルスＰ０が印加された直後の時点ｔ１における磁化ベクトルＶを示す。ΔＢ１＝２０％であるので、９０ｘパルスＰ０のフリップ角は、９０°よりも２０％大きい角度、つまり、１０８°になる。したがって、磁化ベクトルＶはｘ軸を中心として１０８°回転するので、磁化ベクトルＶにはＭｚ成分が残る。９０ｘパルスが印加された後、ＭＰＧが印加される。
【００５１】
また、時点ｔ１〜ｔ２の間に、磁化ベクトルの位相が分散する。図７（ｃ）に、時点ｔ１〜時点ｔ２までの間に生じた位相分散を示す。位相分散により、０°〜３６０°の間の任意の位相を持つベクトルが現れるが、図７（ｃ）では、説明の便宜上、分散した磁化ベクトルを、２本の磁化ベクトルＶ１およびＶ２で示してある。磁化ベクトルＶ１は位相が０°であり、一方、磁化ベクトルＶ２は位相が１８０°である。また、図７（ｃ）には、位相分散により発生した磁化ベクトルの頂点で囲まれる面Ｓを示してある。時点ｔ２の直後に、１８０−ｘパルスＰ１が印加される。
【００５２】
図７（ｄ）に、１８０−ｘパルスＰ１が印加された直後の時点ｔ３における磁化ベクトルを示す。ΔＢ１＝２０％であるので、１８０−ｘパルスＰ１のフリップ角は、１８０°よりも２０％大きい角度、つまり、２１６°になる。したがって、分散した磁化ベクトルＶ１およびＶ２は、−ｘ軸を中心として２１６°回転する。１８０−ｘパルスＰ１が印加された後、ＭＰＧが印加される。
【００５３】
また、時点ｔ３〜ｔ４の間に、分散していた磁化ベクトルが収束する。ただし、図７（ｄ）に示すように、磁化ベクトルは２１６°回転しているので、分散した磁化ベクトルを完全に収束させることはできない。図７（ｅ）に、時点ｔ３〜時点ｔ４の間に収束した磁化ベクトルを示す。図７（ｅ）において、磁化ベクトルＶ１と磁化ベクトルＶ２とを比較すると、磁化ベクトルＶ１と磁化ベクトルＶ２の位相がずれている。したがって、磁化ベクトルの頂点を結ぶと、一定の広がりを持つ面Ｓ２が現れ、磁化ベクトルが完全には収束していないことがわかる。時点ｔ４の直後に、９０ｘパルスＰ２が印加される。
【００５４】
図７（ｆ）に、９０ｘパルスＰ２が印加された直後の時点ｔ５における磁化ベクトルを示す。ΔＢ１＝２０％であるので、９０ｘパルスＰ２のフリップ角は、９０°よりも２０％大きい角度、つまり、１０８°になる。したがって、磁化ベクトルＶ１およびＶ２は、ｘ軸を中心として１０８°回転する。図７（ｆ）を参照すると、面Ｓ２は、ｚ軸から−ｙ軸の近くにまで広がっており、縦磁化が完全には１に戻らないことがわかる。
【００５５】
したがって、プリパレーションシーケンスＤＰでは、Ｂ１不均一の影響を受けて、静止組織の縦磁化を十分に１に戻すことができないという問題がある。そこで、本形態では、静止組織の縦磁化を１（又は１に近い値に）戻すことができるように、プリパレーションシーケンスを構成している。以下に、本形態で使用されるプリパレーションシーケンスについて説明する。
【００５６】
図８は、本形態で使用されるプリパレーションシーケンスＤＰ０を示す図である。
本形態のプリパレーションシーケンスＤＰ０は、コンポジットパルスＡ、コンポジットパルスＢ、およびコンポジットパルスＣを有している。以下、３つのコンポジットパルスＡ、Ｂ、およびＣについて順に説明する。
【００５７】
図９は、コンポジットパルスＡ、Ｂ、およびＣの説明図である。
（１）コンポジットパルスＡについて
コンポジットパルスＡは、撮影部位を励起するための励起パルスであり、αφ０パルスＰ０１およびβθ０パルスＰ０２を有している。
【００５８】
図９（ａ）は、コンポジットパルスＡの説明図である。
αφ０パルスＰ０１は、フリップ角がαに設定され、位相がφ０（ｘｙ面内においてｘ軸に対して角度φ０だけ回転した軸：φ０軸）に設定されたＲＦパルスを表している。
一方、βθ０パルスＰ０２は、フリップ角がβに設定され、位相がθ０（ｘｙ面内においてｘ軸に対して角度θ０だけ回転した軸：θ０軸）に設定されたＲＦパルスを表している。
【００５９】
（２）コンポジットパルスＢについて
コンポジットパルスＢは、磁化ベクトルを再収束させるためのリフォーカスパルスであり、βθ１パルスＰ１１、２αφ１パルスＰ１２、およびβθ１パルスＰ１３を有している。
【００６０】
図９（ｂ）は、コンポジットパルスＢの説明図である。
先ず、２αφ１パルスＰ１２について説明する。
２αφ１パルスＰ１２は、フリップ角が２αに設定され、位相がφ１（ｘｙ面内においてｘ軸に対して角度φ１だけ回転した軸：φ１軸）に設定されたＲＦパルスを表している。φ１は、以下の式を満たすように設定される。
φ１＝φ０＋λ１  ・・・（１）
ここで、φ０：コンポジットパルスＡのαφ０パルスＰ０１の位相
λ１：位相差
【００６１】
式（１）のλ１は、以下の式で表される。
λ１＝λ＋δ１×ｍ１  ・・・（２）
ここで、λ：角度
δ１：８０°≦δ１≦１００°の範囲内の角度
ｍ１：整数
【００６２】
本形態では、式（２）のδ１は、δ１＝９０°であるとする。したがって、式（２）は、以下の式で表される。
λ１＝λ＋９０°×ｍ１  ・・・（３）
【００６３】
したがって、式（３）を式（１）に代入すると、φ１は、以下の式で表すことができる。
φ１＝φ０＋λ＋９０°×ｍ１  ・・・（４）
【００６４】
次に、βθ１パルス（Ｐ１１およびＰ１３）について説明する。
βθ１パルス（Ｐ１１およびＰ１３）は、フリップ角がβに設定され、位相がθ１（ｘｙ面内においてｘ軸に対して角度θ１だけ回転した軸：θ１軸）に設定されたＲＦパルスを表している。θ１は、以下の式を満たすように設定される。
θ１＝θ０＋λ１  ・・・（５）
ここで、θ０：コンポジットパルスＡのβθ０パルスＰ０２の位相
λ１：位相差
【００６５】
式（５）のλ１は、式（１）のλ１と同様に、式（３）で表される。したがって、式（３）を式（５）に代入すると、θ１は以下の式で表すことができる。
θ１＝θ０＋λ＋９０°×ｍ１  ・・・（６）
【００６６】
（３）コンポジットパルスＣについて
コンポジットパルスＣは、磁化ベクトルの横磁化を縦磁化に戻すためのフリップバックパルスであり、βθ２パルスＰ２１およびαφ２パルスＰ２２を有している。
【００６７】
図９（ｃ）は、コンポジットパルスＣの説明図である。
先ず、βθ２パルスＰ２１について説明する。
βθ２パルスＰ２１は、フリップ角がβに設定され、位相がθ２（ｘｙ面内においてｘ軸に対して角度θ２だけ回転した軸：θ２軸）に設定されたＲＦパルスを表している。θ２は、以下の式を満たすように設定される。
θ２＝θ０＋λ２  ・・・（７）
ここで、θ０：コンポジットパルスＡのβθ０パルスＰ０２の位相
λ２：位相差
【００６８】
式（７）のλ２は、以下の式で表される。
【００６９】
λ２＝２λ＋δ２×ｍ２  ・・・（８）
ここで、λ：角度
δ２：８０°≦δ２≦１００°の範囲内の角度
ｍ２：整数
【００７０】
本形態では、式（８）のδ２は、δ２＝９０°であるとする。したがって、式（８）は、以下の式で表される。
λ２＝２λ＋９０°×ｍ２  ・・・（９）
【００７１】
したがって、式（９）を式（７）に代入すると、θ２は以下の式で表すことができる。
θ２＝θ０＋２λ＋９０°×ｍ２  ・・・（１０）
【００７２】
次に、αφ２パルスＰ２２について説明する。
αφ２パルスＰ２２は、フリップ角がαに設定され、位相がφ２（ｘｙ面内においてｘ軸に対して角度φ２だけ回転した軸：φ２軸）に設定されたＲＦパルスを表している。φ２は、以下の式を満たすように設定される。
φ２＝φ０＋λ２  ・・・（１１）
ここで、φ０：コンポジットパルスＡのαφ０パルスＰ０１の位相
λ２：位相差
【００７３】
式（１１）のλ２は、式（７）のλ２と同様に、式（９）で表される。したがって、式（９）を式（１１）に代入すると、φ２は、以下の式で表すことができる。
φ２＝φ０＋２λ＋９０°×ｍ２  ・・・（１２）
【００７４】
プリパレーションシーケンスＤＰ０は、図９に示すように構成されている。本形態では、プリパレーションシーケンスＤＰ０を実行した後、撮影部位からデータを収集するためのデータ収集シーケンスＤＡＱ（図８参照）を実行する。以下同様に、プリパレーションシーケンスＤＰ０とデータ収集シーケンスＤＡＱとを交互に実行する。データ収集シーケンスＤＡＱで収集されたデータはコンピュータ８に送信される。そして、画像作成手段９１（図２参照）が、データ収集シーケンスＤＡＱで収集されたデータに基づいて、画像を作成する。
【００７５】
プリパレーションシーケンスＤＰ０では、コンポジットパルスのフリップ角および位相を規定するために、上述したパラメータ（α，β，φ０，θ０，λ，ｍ１，ｍ２）が使用されている。パラメータ（α，β，φ０，θ０，λ，ｍ１，ｍ２）の値は、撮影条件に応じて設定することができる。ここで、プリパレーションシーケンスＤＰ０で使用されているコンポジットパルスのフリップ角および位相を理解しやすくするために、パラメータ（α，β，φ０，θ０，λ，ｍ１，ｍ２）が、表１に示す値に設定されている場合について考える。
【表１】
0006258162.tif 000002
【００７６】
この場合、コンポジットパルスのフリップ角および位相は、図１０のように示される。図１０では、プリパレーションシーケンスを符号「ＤＰ１」で示してある。以下、図１０に示すプリパレーションシーケンスＤＰ１について、コンポジットパルスＡ、Ｂ、およびＣに分けて説明する。
【００７７】
（１）コンポジットパルスＡについて
図１０（ａ）は、コンポジットパルスＡの説明図である。
α＝９０°、φ０＝０°であるので、αφ０パルスＰ０１は、フリップ角がα＝９０°に設定され、位相がφ０＝０°（つまり、ｘ軸）に設定された９０ｘパルスとなる。また、β＝９０°、θ０＝９０°であるので、βθ０パルスＰ０２は、フリップ角がβ＝９０°に設定され、位相がθ０＝９０°（つまり、ｙ軸）に設定された９０ｙパルスとなる。
【００７８】
（２）コンポジットパルスＢについて
図１０（ｂ）は、コンポジットパルスＢの説明図である。
先ず、２αφ１パルスＰ１２について説明する。
２αφ１パルスＰ１２のフリップ角は２α＝１８０°である。
また、２αφ１パルスＰ１２の位相φ１は、式（４）に、φ０＝０°、λ＝１８０°、ｍ１＝０を代入することにより求められる。
φ１＝φ０＋λ＋９０°×ｍ１
＝０°＋１８０°＋９０°×０
＝１８０°
【００７９】
したがって、２αφ１パルスＰ１２は、フリップ角が２α＝１８０°に設定され、位相がφ１＝１８０°（つまり、−ｘ軸）に設定された１８０−ｘパルスとなる。
【００８０】
次に、βθ１パルス（Ｐ１１およびＰ１３）について説明する。
βθ１パルス（Ｐ１１およびＰ１３）のフリップ角はβ＝９０°である。
また、βθ１パルス（Ｐ１１およびＰ１３）の位相θ１は、式（６）に、θ０＝９０°、λ＝１８０°、ｍ１＝０を代入することにより求められる。
θ１＝θ０＋λ＋９０°×ｍ１ 
＝９０°＋１８０°＋９０°×０
＝２７０°
【００８１】
したがって、βθ１パルス（Ｐ１１およびＰ１３）は、フリップ角がβ＝９０°に設定され、位相がθ１＝２７０°（つまり、−ｙ軸）に設定された９０−ｙパルスとなる。
【００８２】
（３）コンポジットパルスＣについて
図１０（ｃ）は、コンポジットパルスＣの説明図である。
先ず、βθ２パルスＰ２１について説明する。
βθ２パルスＰ２１のフリップ角はβ＝９０°である。また、βθ２パルスＰ２１の位相θ２は、式（１０）に、θ０＝９０°、λ＝１８０°、ｍ２＝０を代入することにより求められる。
θ２＝θ０＋２λ＋９０°×ｍ２
＝９０°＋２×１８０°＋９０°×０
＝４５０°
【００８３】
位相は３６０°ごとに等価となるので、θ２＝４５０°はθ２＝９０°である。したがって、βθ２パルスＰ２１は、フリップ角がβ＝９０°で、位相がθ２＝９０°（つまり、ｙ軸）に設定された９０ｙパルスとなる。
【００８４】
次に、αφ２パルスＰ２２について説明する。
αφ２パルスＰ２２のフリップ角はα＝９０°である。また、αφ２パルスＰ２２の位相φ２は、式（１２）に、φ０＝０°、λ＝１８０°、ｍ２＝０を代入することにより求められる。
φ２＝φ０＋２λ＋９０°×ｍ２
＝０°＋２×１８０°＋９０°×０
＝３６０°
【００８５】
位相は３６０°ごとに等価となるので、θ２＝３６０°はθ２＝０°である。したがって、αφ２パルスＰ２２は、フリップ角がα＝９０°に設定され、位相がφ２＝０°（つまり、ｘ軸）に設定された９０ｘパルスとなる。
【００８６】
次に、図１０のプリパレーションシーケンスＤＰ１が実行されている間の静止組織の磁化ベクトルの挙動を調べるため、図１０に示すプリパレーションシーケンスＤＰ１を実行したときの磁化ベクトルの挙動をシミュレーションした。以下に、そのシミュレーション結果について説明する。
【００８７】
図１１〜図１５はプリパレーションシーケンスＤＰ１が実行されている間の静止組織の磁化ベクトルの挙動のシミュレーション結果の説明図である。
以下、図１１〜図１５について説明する。
【００８８】
図１１は、ΔＢ１＝０％およびΔＢ０＝０Ｈｚにおける磁化ベクトルの挙動を表すシミュレーション結果の説明図である。
プリパレーションシーケンスＤＰ１では、先ず、コンポジットパルスＡの９０ｘパルスＰ０１が印加される。図１１（ａ）に、９０ｘパルスＰ０１が印加される直前の時点ｔ０における磁化ベクトルＶを示し、図１１（ｂ）に、９０ｘパルスＰ０１が印加された直後の時点ｔ０１における磁化ベクトルＶを示す。ΔＢ１＝０％であるので、磁化ベクトルＶは、９０ｘパルスＰ０１により、ｘ軸を中心にして９０°回転する。したがって、磁化ベクトルＶは−ｙ軸上に位置する。９０ｘパルスＰ０１が印加された直後に、９０ｙパルスＰ０２が印加される。
【００８９】
図１１（ｃ）に、９０ｙパルスＰ０２が印加された直後の時点ｔ０２における磁化ベクトルＶを示す。ΔＢ１＝０％であるので、磁化ベクトルＶは、９０ｙパルスＰ０２により、ｙ軸を中心にして９０°回転する。ただし、磁化ベクトルＶは−ｙ軸上に位置しているので、９０ｙパルスＰ０２が印加されても、磁化ベクトルＶに変化はない。したがって、磁化ベクトルＶは、−ｙ軸上に位置したままの状態に保持される。コンポジットパルスＡが印加された後、ＭＰＧが印加される。
【００９０】
また、時点ｔ０２〜ｔ１１の間に、磁化ベクトルの位相が分散する。図１１（ｄ）に、時点ｔ０２〜ｔ１１までの間に生じた位相分散を示す。位相分散により、０°〜３６０°の間の任意の位相を持つベクトルが現れるが、図１１（ｄ）では、説明の便宜上、分散した磁化ベクトルを、２本の磁化ベクトルＶ１およびＶ２で示してある。磁化ベクトルＶ１は位相が０°であり、一方、磁化ベクトルＶ２は位相が１８０°である。また、図１１（ｄ）には、位相分散により発生した磁化ベクトルの頂点で囲まれる面Ｓを示してある。時点ｔ１１の直後に、コンポジットパルスＢが印加される。
【００９１】
コンポジットパルスＢでは、先ず、９０−ｙパルスＰ１１が印加される。図１１（ｅ）に、９０−ｙパルスＰ１１が印加された直後の時点ｔ１２における磁化ベクトルを示す。ΔＢ１＝０％であるので、磁化ベクトルは、９０−ｙパルスＰ１１により、−ｙ軸を中心にして９０°回転する。９０−ｙパルスＰ１１が印加された直後に、１８０−ｘパルスＰ１２が印加される。
【００９２】
図１１（ｆ）に、１８０−ｘパルスＰ１２が印加された直後の時点ｔ１３における磁化ベクトルを示す。ΔＢ１＝０％であるので、磁化ベクトルは、１８０−ｘパルスＰ１２により、−ｘ軸を中心にして１８０°回転する。したがって、磁化ベクトルＶ１と磁化ベクトルＶ２の位置が入れ替わる。１８０−ｘパルスＰ１２が印加された直後に、９０−ｙパルスＰ１３が印加される。
【００９３】
図１１（ｇ）に、９０−ｙパルスＰ１３が印加された直後の時点ｔ１４における磁化ベクトルを示す。ΔＢ１＝０％であるので、磁化ベクトルは、９０−ｙパルスＰ１３により、−ｙ軸を中心にして９０°回転する。したがって、図１１（ｄ）と、図１１（ｇ）とを比較すると、コンポジットパルスＢは、磁化ベクトルを、−ｘ軸を中心として１８０°回転（反転）させていることがわかる。９０−ｙパルスＰ１３が印加された後に、ＭＰＧが印加される。
【００９４】
また、時点ｔ１４〜ｔ２１の間に、分散していた磁化ベクトルが収束する。図１１（ｈ）に、時点ｔ１４〜ｔ２１の間に収束した磁化ベクトルＶを示す。磁化ベクトルＶはｙ軸上に収束する。時点ｔ２１の直後に、コンポジットパルスＣが印加される。
【００９５】
コンポジットパルスＣでは、先ず、９０ｙパルスＰ２１が印加される。図１１（ｉ）に、９０ｙパルスＰ２１が印加された直後の時点ｔ２２における磁化ベクトルＶを示す。ΔＢ１＝０％であるので、磁化ベクトルＶは、９０ｙパルスＰ２１により、ｙ軸を中心にして９０°回転する。ただし、磁化ベクトルＶはｙ軸に収束しているので、９０ｙパルスＰ２１を印加しても、磁化ベクトルＶに変化はない。９０ｙパルスＰ２１が印加された直後に、９０ｘパルスＰ２２が印加される。
【００９６】
図１１（ｊ）に、９０ｘパルスＰ２２が印加された直後の時点ｔ２３における磁化ベクトルＶを示す。ΔＢ１＝０％であるので、磁化ベクトルＶは、９０ｘパルスＰ２２により、ｘ軸を中心にして９０°回転する。９０ｘパルスＰ２２によって、磁化ベクトルＶを縦磁化に戻すことができる。
【００９７】
したがって、ΔＢ１＝０％の場合、プリパレーションシーケンスＤＰ１は、プリパレーションシーケンスＤＰ（図５参照）と同様に、静止組織の縦磁化を１に戻すことができる。
【００９８】
次に、図１２について説明する。
図１２は、ΔＢ１＝−２０％およびΔＢ０＝０Ｈｚにおける磁化ベクトルの挙動を表すシミュレーション結果の説明図である。
プリパレーションシーケンスＤＰ１では、先ず、コンポジットパルスＡの９０ｘパルスＰ０１が印加される。図１２（ａ）に、９０ｘパルスＰ０１が印加される直前の時点ｔ０における磁化ベクトルＶを示し、図１２（ｂ）に、９０ｘパルスＰ０１が印加された直後の時点ｔ０１における磁化ベクトルＶを示す。ΔＢ１＝−２０％であるので、９０ｘパルスＰ０１のフリップ角は、９０°よりも２０％小さい角度、つまり、７２°になる。したがって、磁化ベクトルＶは、ｘ軸を中心として７２°しか回転しないので、磁化ベクトルＶにはＭｚ成分が残る。９０ｘパルスＰ０１の直後に、９０ｙパルスＰ０２が印加される。
【００９９】
図１２（ｃ）に、９０ｙパルスＰ０２が印加された直後の時点ｔ０２における磁化ベクトルＶを示す。ΔＢ１＝−２０％であるので、９０ｙパルスＰ０２のフリップ角は、９０°よりも２０％小さい角度、つまり、７２°になる。したがって、磁化ベクトルＶは、ｙ軸を中心として７２°回転する。これにより、磁化ベクトルＶのＭｚ成分の大部分がＭｘ成分に変換されるので、磁化ベクトルＶのＭｚ成分を十分に小さくすることができる。コンポジットパルスＡが印加された後、ＭＰＧが印加される。
【０１００】
また、時点ｔ０２〜ｔ１１の間に、磁化ベクトルの位相が分散する。図１２（ｄ）に、時点ｔ０２〜ｔ１１までの間に生じた位相分散を示す。位相分散により、０°〜３６０°の間の任意の位相を持つベクトルが現れるが、図１２（ｄ）では、説明の便宜上、分散した磁化ベクトルを、２本の磁化ベクトルＶ１およびＶ２で示してある。磁化ベクトルＶ１は位相が０°であり、一方、磁化ベクトルＶ２は位相が１８０°である。また、図１２（ｄ）には、位相分散により発生した磁化ベクトルの頂点で囲まれる面Ｓを示してある。時点ｔ１１の直後に、コンポジットパルスＢが印加される。
【０１０１】
コンポジットパルスＢでは、先ず、９０−ｙパルスＰ１１が印加される。図１２（ｅ）に、９０−ｙパルスＰ１１が印加された直後の時点ｔ１２における磁化ベクトルを示す。ΔＢ１＝−２０％であるので、９０−ｙパルスＰ１１のフリップ角は、９０°よりも２０％小さい角度、つまり、７２°になる。したがって、磁化ベクトルは、−ｙ軸を中心にして７２°回転する。９０−ｙパルスＰ１１が印加された直後に、１８０−ｘパルスＰ１２が印加される。
【０１０２】
図１２（ｆ）に、１８０−ｘパルスＰ１２が印加された直後の時点ｔ１３における磁化ベクトルを示す。ΔＢ１＝−２０％であるので、１８０−ｘパルスＰ１２のフリップ角は、１８０°よりも２０％小さい角度、つまり、１４４°になる。したがって、磁化ベクトルは、−ｘ軸を中心として１４４°回転する。１８０−ｘパルスＰ１２が印加された直後に、９０−ｙパルスＰ１３が印加される。
【０１０３】
図１２（ｇ）に、９０−ｙパルスＰ１３が印加された直後の時点ｔ１４における磁化ベクトルを示す。ΔＢ１＝−２０％であるので、９０−ｙパルスＰ１３のフリップ角は、９０°よりも２０％小さい角度、つまり、７２°になる。したがって、磁化ベクトルは、−ｙ軸を中心にして７２°回転する。
【０１０４】
ここで、コンポジットパルスＢの印加直前における磁化ベクトル（図１２（ｄ）参照）と、コンポジットパルスＢの印加直後における磁化ベクトル（図１２（ｇ）参照）とを比較すると、磁化ベクトルＶ１は、コンポジットパルスＢにより、−ｘ軸を中心にして１８０°に近い角度だけ回転していることがわかる。同様に、磁化ベクトルＶ２も、コンポジットパルスＢにより、−ｘ軸を中心にして１８０°に近い角度だけ回転していることがわかる。図１２（ｇ）では、磁化ベクトルＶ１およびＶ２のみが図示されているが、図示されていない残りの磁化ベクトルも、コンポジットパルスＢにより、−ｘ軸を中心にして１８０°に近い角度だけ回転している。したがって、Ｂ１不均一により、ＲＦパルスのフリップ角が２０％小さくなる場合であっても、コンポジットパルスＢを印加することにより、磁化ベクトルを−ｘ軸を中心に１８０°に近い角度だけ回転させることができる。コンポジットパルスＢを印加した後、ＭＰＧが印加される。
【０１０５】
また、時点ｔ１４〜ｔ２１の間に、分散していた磁化ベクトルが収束する。図１２（ｈ）に、時点ｔ１４〜ｔ２１の間に収束した磁化ベクトルを示す。図１２（ｈ）を参照すると、磁化ベクトルは、Ｂ１不均一の影響を受けて完全には収束していない。ただし、磁化ベクトルＶ２は磁化ベクトルＶ１に十分に近い位置に収束するので、磁化ベクトルの頂点で囲まれる面Ｓ４の面積は十分に小さくなることがわかる。尚、磁化ベクトルＶ１およびＶ２の位置はｙ軸からずれているので、磁化ベクトルＶ１およびＶ２は、Ｍｘ成分を含んでいることがわかる。時点ｔ２１の直後に、コンポジットパルスＣが印加される。
【０１０６】
コンポジットパルスＣでは、先ず、９０ｙパルスＰ２１が印加される。図１２（ｉ）に、９０ｙパルスＰ２１が印加された直後の時点ｔ２２における磁化ベクトルを示す。ΔＢ１＝−２０％であるので、９０ｙパルスＰ２１のフリップ角は、９０°よりも２０％小さい角度、つまり、７２°になる。したがって、磁化ベクトルは、ｙ軸を中心として７２°回転するので、磁化ベクトルに含まれているＭｘ成分（図１２（ｈ）参照）の大部分を、Ｍｚ成分に戻すことができる。９０ｙパルスＰ２１が印加された直後に、９０ｘパルスＰ２２が印加される。
【０１０７】
図１２（ｊ）に、９０ｘパルスＰ２２が印加された直後の時点ｔ２３における磁化ベクトルＶを示す。ΔＢ１＝−２０％であるので、９０ｘパルスＰ２２のフリップ角は、９０°よりも２０％小さい角度、つまり、７２°になる。したがって、磁化ベクトルは、ｘ軸を中心として７２°回転する。９０ｘパルスＰ２２によって、面Ｓ４は、ｚ軸の近傍に位置していることがわかる。
【０１０８】
したがって、ΔＢ１＝−２０％であっても、コンポジットパルスＡ、Ｂ、およびＣを用いることにより、磁化ベクトルの縦磁化ＭｚがＭｚ＝１に近い値に戻ることがわかる。ここで、図１２（ｊ）に示す面Ｓ４を、単一ＲＦパルスのプリパレーションシーケンスＤＰを実行したときに得られる面Ｓ１（図６（ｆ）参照）と比較し、面Ｓ１と面Ｓ４との違いについて説明する。
【０１０９】
図１３は、面Ｓ１と面Ｓ４と違いの説明図である。
図１３（ａ）は、左側から順に、面Ｓ１と、面Ｓ１のｙ軸方向への投影プロファイルＳ１ｙと、面Ｓ１のｘ軸方向への投影プロファイルＳ１ｘとを示す図である。
一方、図１３（ｂ）は、左側から順に、面Ｓ４と、面Ｓ４のｙ軸方向への投影プロファイルＳ４ｙと、面Ｓ４のｘ軸方向への投影プロファイルＳ４ｘとを示す図である。
【０１１０】
図１３（ａ）と図１３（ｂ）とを比較すると、面Ｓ４は面Ｓ１よりも面積が十分に小さくなっている。したがって、コンポジットパルスを用いたプリパレーションシーケンスＤＰ１は、単一ＲＦパルスを用いたプリパレーションシーケンスＤＰよりも、縦磁化Ｍｚを１に近い値に戻せることができるので、高品質な画像を取得することができる。
【０１１１】
次に、図１４について説明する。
図１４は、ΔＢ１＝２０％およびΔＢ０＝０Ｈｚにおける磁化ベクトルの挙動を表すシミュレーション結果の説明図である。
プリパレーションシーケンスＤＰ１では、先ず、コンポジットパルスＡの９０ｘパルスＰ０１が印加される。図１４（ａ）に、９０ｘパルスＰ０１が印加される直前の時点ｔ０における磁化ベクトルＶを示し、図１４（ｂ）に、９０ｘパルスＰ０１が印加された直後の時点ｔ０１における磁化ベクトルＶを示す。ΔＢ１＝２０％であるので、９０ｘパルスＰ０１のフリップ角は、９０°よりも２０％大きい角度、つまり、１０８°になる。したがって、磁化ベクトルＶは、ｘ軸を中心として１０８°回転するので、磁化ベクトルＶにはＭｚ成分が残る。９０ｘパルスＰ０１の直後に、９０ｙパルスＰ０２が印加される。
【０１１２】
図１４（ｃ）に、９０ｙパルスＰ０２が印加された直後の時点ｔ０２における磁化ベクトルＶを示す。ΔＢ１＝２０％であるので、９０ｙパルスＰ０２のフリップ角は、９０°よりも２０％大きい角度、つまり、１０８°になる。したがって、磁化ベクトルＶは、ｙ軸を中心として１０８°回転する。これにより、磁化ベクトルＶのＭｚ成分の大部分がＭｘ成分に変換されるので、磁化ベクトルＶのＭｚ成分を十分に小さくすることができる。コンポジットパルスＡが印加された後、ＭＰＧが印加される。
【０１１３】
また、時点ｔ０２〜ｔ１１の間に、磁化ベクトルの位相が分散する。図１４（ｄ）に、時点ｔ０２〜ｔ１１までの間に生じた位相分散を示す。位相分散により、０°〜３６０°の間の任意の位相を持つベクトルが現れるが、図１４（ｄ）では、説明の便宜上、分散した磁化ベクトルを、２本の磁化ベクトルＶ１およびＶ２で示してある。磁化ベクトルＶ１は位相が０°であり、一方、磁化ベクトルＶ２は位相が１８０°である。また、図１４（ｄ）には、位相分散により発生した磁化ベクトルの頂点で囲まれる面Ｓを示してある。時点ｔ１１の直後に、コンポジットパルスＢが印加される。
【０１１４】
コンポジットパルスＢでは、先ず、９０−ｙパルスＰ１１が印加される。図１４（ｅ）に、９０−ｙパルスＰ１１が印加された直後の時点ｔ１２における磁化ベクトルを示す。ΔＢ１＝２０％であるので、９０−ｙパルスＰ１１のフリップ角は、９０°よりも２０％大きい角度、つまり、１０８°になる。したがって、磁化ベクトルは、−ｙ軸を中心にして１０８°回転する。９０−ｙパルスＰ１１が印加された直後に、１８０−ｘパルスＰ１２が印加される。
【０１１５】
図１４（ｆ）に、１８０−ｘパルスＰ１２が印加された直後の時点ｔ１３における磁化ベクトルを示す。ΔＢ１＝２０％であるので、１８０−ｘパルスＰ１２のフリップ角は、１８０°よりも２０％大きい角度、つまり、２１６°になる。したがって、磁化ベクトルは、−ｘ軸を中心として２１６°回転する。１８０−ｘパルスＰ１２が印加された直後に、９０−ｙパルスＰ１３が印加される。
【０１１６】
図１４（ｇ）に、９０−ｙパルスＰ１３が印加された直後の時点ｔ１４における磁化ベクトルを示す。ΔＢ１＝２０％であるので、９０−ｙパルスＰ１３のフリップ角は、９０°よりも２０％大きい角度、つまり、１０８°になる。したがって、磁化ベクトルは、−ｙ軸を中心にして１０８°回転する。
【０１１７】
ここで、コンポジットパルスＢの印加直前における磁化ベクトル（図１４（ｄ）参照）と、コンポジットパルスＢの印加直後における磁化ベクトル（図１４（ｇ）参照）とを比較すると、磁化ベクトルＶ１は、コンポジットパルスＢにより、−ｘ軸を中心にして１８０°に近い角度だけ回転していることがわかる。同様に、磁化ベクトルＶ２も、コンポジットパルスＢにより、−ｘ軸を中心にして１８０°に近い角度だけ回転していることがわかる。図１４（ｇ）では、磁化ベクトルＶ１およびＶ２のみが図示されているが、図示されていない残りの磁化ベクトルも、コンポジットパルスＢにより、−ｘ軸を中心にして１８０°に近い角度だけ回転している。したがって、Ｂ１不均一により、ＲＦパルスのフリップ角が２０％大きくなる場合であっても、コンポジットパルスＢを印加することにより、磁化ベクトルを−ｘ軸を中心に１８０°に近い角度だけ回転させることができる。コンポジットパルスＢを印加した後、ＭＰＧが印加される。
【０１１８】
また、時点ｔ１４〜ｔ２１の間に、ＭＰＧが印加されている間に、分散していた磁化ベクトルが収束する。図１４（ｈ）に、時点ｔ１４〜ｔ２１の間に収束した磁化ベクトルを示す。図１４（ｈ）を参照すると、磁化ベクトルは、Ｂ１不均一の影響を受けて完全には収束していない。ただし、磁化ベクトルＶ２は磁化ベクトルＶ１に十分に近い位置に収束するので、磁化ベクトルの頂点で囲まれる面Ｓ５の面積は十分に小さくなることがわかる。尚、磁化ベクトルＶ１およびＶ２の位置はｙ軸からずれているので、磁化ベクトルＶ１およびＶ２は、Ｍｘ成分を含んでいることがわかる。時点ｔ２１の直後に、コンポジットパルスＣが印加される。
【０１１９】
コンポジットパルスＣでは、先ず、９０ｙパルスＰ２１が印加される。図１４（ｉ）に、９０ｙパルスＰ２１が印加された直後の時点ｔ２２における磁化ベクトルを示す。ΔＢ１＝２０％であるので、９０ｙパルスＰ２１のフリップ角は、９０°よりも２０％大きい角度、つまり、１０８°になる。したがって、磁化ベクトルは、ｙ軸を中心として１０８°回転するので、磁化ベクトルに含まれているＭｘ成分（図１４（ｈ）参照）の大部分を、Ｍｚ成分に戻すことができる。９０ｙパルスＰ２１が印加された直後に、９０ｘパルスＰ２２が印加される。
【０１２０】
図１４（ｊ）に、９０ｘパルスＰ２２が印加された直後の時点ｔ２３における磁化ベクトルＶを示す。ΔＢ１＝２０％であるので、９０ｘパルスＰ２２のフリップ角は、９０°よりも２０％大きい角度、つまり、１０８°になる。したがって、磁化ベクトルは、ｘ軸を中心として１０８°回転する。９０ｘパルスＰ２２によって、磁化ベクトルはｚ軸の近傍に戻るので、磁化ベクトルの縦磁化ＭｚをＭｚ＝１に近い値に戻すことができる。
【０１２１】
したがって、ΔＢ１＝２０％であっても、コンポジットパルスを用いることにより、磁化ベクトルの縦磁化ＭｚがＭｚ＝１に近い値に戻ることがわかる。ここで、図１４（ｊ）に示す面Ｓ５を、単一ＲＦパルスのプリパレーションシーケンスＤＰを実行したときに得られる面Ｓ２（図７（ｆ）参照）と比較し、面Ｓ２と面Ｓ５との違いについて説明する。
【０１２２】
図１５は、面Ｓ２と面Ｓ５と違いの説明図である。
図１５（ａ）は、左側から順に、面Ｓ２と、面Ｓ２のｙ軸方向への投影プロファイルＳ２ｙと、面Ｓ２のｘ軸方向への投影プロファイルＳ２ｘとを示す図である。
一方、図１５（ｂ）は、左側から順に、面Ｓ５と、面Ｓ５のｙ軸方向への投影プロファイルＳ５ｙと、面Ｓ５のｘ軸方向への投影プロファイルＳ５ｘとを示す図である。
【０１２３】
図１５（ａ）と図１５（ｂ）とを比較すると、面Ｓ５は面Ｓ２よりも面積が十分に小さくなっている。したがって、ΔＢ１＝２０％であっても、コンポジットパルスを用いたプリパレーションシーケンスＤＰ１は、単一ＲＦパルスを用いたプリパレーションシーケンスＤＰよりも、縦磁化Ｍｚを１に近い値に戻せることができるので、高品質な画像を取得することができる。
【０１２４】
尚、上記の説明では、（ΔＢ０，ΔＢ１）として、３通りの組合せ、つまり、（０Ｈｚ，０％）、（０Ｈｚ，−２０％）、および（０Ｈｚ，２０％）について考察した。しかし、上記のコンポジットパルスＡ、Ｂ、およびＣを用いることにより、（ΔＢ０，ΔＢ１）が別の値の組合せであっても、磁化ベクトルの縦磁化Ｍｚを１に近い値に戻すことができる。このことを検証するため、ΔＢ１およびΔＢ０を変更し、プリパレーションシーケンスＤＰ１（図１０参照）を実行した直後（コンポジットパルスＣを印加した直後）の磁化ベクトルの縦磁化の値を調べるためのシミュレーションを行った。以下に、シミュレーション結果について説明する（図１６参照）。
【０１２５】
図１６は、シミュレーション結果を示す図である。
図１６（ａ）は、コンポジットパルスを用いたプリパレーションシーケンスＤＰ１（図１０参照）のシミュレーション結果を示す図である。
図１６（ａ）には、プリパレーションシーケンスＤＰ１を実行した直後の縦磁化の値を表すＭｚマップＨ１が示されている。ＭｚマップＨ１の横軸はΔＢ１を表しており、縦軸はΔＢ０を表している。また、ＭｚマップＨ１では、縦磁化Ｍｚの値を白黒の明るさで示してある。ＭｚマップＨ１の色が白に近いほど縦磁化が大きく、色が黒に近いほど縦磁化は小さいことを意味している。
【０１２６】
また、ＭｚマップＨ１の右側には、２つのプロファイルＦ１１およびＦ１２が示されている。プロファイルＦ１１は、ＭｚマップＨ１のΔＢ０＝０ＨｚにおけるＭｚを表している。一方、プロファイルＦ１２は、ＭｚマップＨ１のΔＢ１＝０％におけるＭｚを表している。
【０１２７】
一方、図１６（ｂ）は、比較例として、単一ＲＦパルスを用いたプリパレーションシーケンスＤＰ（図４参照）のシミュレーション結果を示している。
【０１２８】
図１６（ｂ）には、プリパレーションシーケンスＤＰを実行した直後の縦磁化の値を表すＭｚマップＨ２が示されている。また、ＭｚマップＨ２の右側には、２つのプロファイルＦ２１およびＦ２２が示されている。プロファイルＦ２１は、ＭｚマップＨ２のΔＢ０＝０ＨｚにおけるＭｚを表している。一方、プロファイルＦ１２は、ＭｚマップＨ２のΔＢ１＝０％におけるＭｚを表している。
【０１２９】
図１６（ａ）と図１６（ｂ）とを比較すると、プリパレーションシーケンスＤＰ１により得られたＭｚマップＨ１は、プリパレーションシーケンスＤＰにより得られたＭｚマップＨ２よりも、Ｍｚ＝１に近い値を持つ領域が広範囲に広がっている。したがって、コンポジットパルスは、単一ＲＦパルスよりも、Ｂ０不均一やＢ１不均一の影響を受けにくいことがわかる。特に、ＭｚマップＨ１の領域Ｒ（ΔＢ１＝−２５％〜＋２５％およびΔＢ０＝−２５０Ｈｚ〜＋２５０Ｈｚの範囲）の内側は、ΔＢ０およびΔＢ１の値に関わらず、縦磁化Ｍｚの値のばらつきが小さいことがわかる。したがって、コンポジットパルスを用いることにより、Ｂ０不均一やＢ１不均一の影響を受けにくくすることができるので、高品質な画像を取得できることがわかる。
【０１３０】
尚、プリパレーションシーケンスＤＰ１（図１０参照）では、λ＝１８０°に設定されている（表１参照）。しかし、λは１８０°に限定されることはなく、λを１８０°以外の値に設定してもよい。表２はλ＝０°に設定した例を示し、表３はλ＝５０°に設定した例を示す。
【表２】
0006258162.tif 000003
【表３】
0006258162.tif 000004
【０１３１】
表２および表３は、表１と比較すると、λの値が異なっているが、（α，β，φ０，θ０，ｍ１，ｍ２）の値は同じである。
【０１３２】
次に、（α，β，φ０，θ０，λ，ｍ１，ｍ２）が表２の値に設定された場合のプリパレーションシーケンスと、（α，β，φ０，θ０，λ，ｍ１，ｍ２）が表３の値に設定された場合のプリパレーションシーケンスについて順に考察する。
【０１３３】
図１７は、（α，β，φ０，θ０，λ，ｍ１，ｍ２）が表２の値に設定された場合のプリパレーションシーケンスＤＰ２を示す図である。
【０１３４】
図１７（ａ）は、コンポジットパルスＡの説明図である。
α、φ０の値に変化はないので、αφ０パルスＰ０１は、図１０と同様に、９０ｘパルスである。また、β、θ０にも変化はないので、βθ０パルスＰ０２は、図１０と同様に、９０ｙパルスである。
【０１３５】
図１７（ｂ）は、コンポジットパルスＢの説明図である。
先ず、２αφ１パルスＰ１２について説明する。
２αφ１パルスＰ１２のフリップ角は２α＝１８０°である。また、２αφ１パルスＰ１２の位相φ１は、式（４）に、φ０＝０°、λ＝０°、ｍ１＝０を代入することにより求められる。
φ１＝φ０＋λ＋９０°×ｍ１
＝０°＋０°＋９０°×０
＝０°
【０１３６】
したがって、２αφ１パルスＰ１２は、フリップ角が２α＝１８０°に設定され、位相がφ１＝０°（つまり、ｘ軸）に設定された１８０°ｘパルスとなる。
【０１３７】
次に、βθ１パルス（Ｐ１１およびＰ１３）について説明する。
βθ１パルス（Ｐ１１およびＰ１３）のフリップ角は、β＝９０°である。また、βθ１パルス（Ｐ１１およびＰ１３）の位相θ１は、式（６）に、θ０＝９０°、λ＝０°、ｍ１＝０を代入することにより求められる。
θ１＝φ０＋λ＋９０°×ｍ１
＝９０°＋０°＋９０°×０
＝９０°
【０１３８】
したがって、βθ１パルス（Ｐ１１およびＰ１３）は、フリップ角がβ＝９０°に設定され、位相がθ１＝９０°（つまり、ｙ軸）に設定された９０ｙパルスとなる。
【０１３９】
図１７（ｃ）はコンポジットパルスＣの説明図である。
先ず、βθ２パルスＰ２１について説明する。
βθ２パルスＰ２１のフリップ角はβ＝９０°である。また、βθ２パルスＰ２１の位相θ２は、式（１０）に、θ０＝９０°、λ＝０°、ｍ２＝０を代入することにより求められる。
θ２＝θ０＋２λ＋９０°×ｍ２
＝９０°＋２×０°＋９０°×０
＝９０°
【０１４０】
したがって、βθ２パルスＰ２１は、フリップ角がβ＝９０°に設定され、位相がθ２＝９０°（つまり、ｙ軸）に設定された９０ｙパルスとなる。
【０１４１】
次に、αφ２パルスＰ２２について説明する。
αφ２パルスＰ２２のフリップ角は、α＝９０°に設定される。また、αφ２パルスＰ２２の位相φ２は、式（１２）に、φ０＝０°、λ＝０°、ｍ２＝０を代入することにより求められる。
φ２＝φ０＋２λ＋９０°×ｍ２
＝０°＋２×０°＋９０°×０
＝０°
【０１４２】
したがって、αφ２パルスＰ２２は、フリップ角がα＝９０°に設定され、位相がφ２＝０°（つまり、ｘ軸）に設定された９０ｘパルスとなる。
【０１４３】
次に、（α，β，φ０，θ０，λ，ｍ１，ｍ２）が表３の値に設定された場合のプリパレーションシーケンスについて順に考察する。
【０１４４】
図１８は、（α，β，φ０，θ０，λ，ｍ１，ｍ２）が表３の値に設定された場合のプリパレーションシーケンスＤＰ３を示す図である。
図１８（ａ）は、コンポジットパルスＡの説明図である。
αφ０パルスＰ０１は９０ｘパルスであり、βθ０パルスＰ０２は９０ｙパルスである。
【０１４５】
図１８（ｂ）は、コンポジットパルスＢの説明図である。
先ず、２αφ１パルスＰ１２について説明する。
２αφ１パルスＰ１２のフリップ角は２α＝１８０°である。また、２αφ１パルスＰ１２の位相φ１は、式（４）に、φ０＝０°、λ＝５０°、ｍ１＝０を代入することにより求められる。
φ１＝φ０＋λ＋９０°×ｍ１
＝０°＋５０°＋９０°×０
＝５０°
したがって、２αφ１パルスＰ１２の位相φ１はφ１＝５０°に設定される。
【０１４６】
次に、βθ１パルス（Ｐ１１およびＰ１３）について説明する。
βθ１パルス（Ｐ１１およびＰ１３）のフリップ角は、β＝９０°である。また、βθ１パルス（Ｐ１１およびＰ１３）の位相θ１は、式（６）に、θ０＝９０°、λ＝５０°、ｍ１＝０を代入することにより求められる。
θ１＝φ０＋λ＋９０°×ｍ１
＝９０°＋５０°＋９０°×０
＝１４０°
したがって、βθ１パルス（Ｐ１１およびＰ１３）の位相θ１は、θ１＝１４０°に設定される。
【０１４７】
図１８（ｃ）はコンポジットパルスＣの説明図である。
先ず、βθ２パルスＰ２１について説明する。
βθ２パルスＰ２１のフリップ角はβ＝９０°である。また、βθ２パルスＰ２１の位相θ２は、式（１０）に、θ０＝９０°、λ＝５０°、ｍ２＝０を代入することにより求められる。
θ２＝θ０＋２λ＋９０°×ｍ２
＝９０°＋２×５０°＋９０°×０
＝１９０°
したがって、βθ２パルスＰ２１の位相θ２はθ２＝１９０°に設定される。
【０１４８】
次に、αφ２パルスＰ２２について説明する。
αφ２パルスＰ２２のフリップ角は、α＝９０°に設定される。また、αφ２パルスＰ２２の位相φ２は、式（１２）に、φ０＝０°、λ＝５０°、ｍ２＝０を代入することにより求められる。
φ２＝φ０＋２λ＋９０°×ｍ２
＝０°＋２×５０°＋９０°×０
＝１００°
したがって、αφ２パルスＰ２２の位相φ２はφ２＝１００°に設定される。
【０１４９】
図１７および図１８を比較すると、λの値に応じて、コンポジットパルスＢおよびＣの位相が変化することがわかる。
【０１５０】
次に、図１７のプリパレーションシーケンスＤＰ２および図１８のプリパレーションシーケンスＤＰ３について、磁化ベクトルの挙動を調べるためのシミュレーションを行った。図１９および図２０に、シミュレーション結果を示す。尚、シミュレーション条件は、ΔＢ１＝−２０％、ΔＢ０＝０Ｈｚである。
【０１５１】
図１９は、プリパレーションシーケンスＤＰ２のシミュレーション結果を示す図であり、図２０は、プリパレーションシーケンスＤＰ３のシミュレーション結果を示す図である。図１９（ｊ）および図２０（ｊ）を参照すると、どちらの場合でも、磁化ベクトルの縦磁化は、１に近い値に戻ることがわかる。上記の説明では、λ＝０°、５０°、および１８０°の場合について示されているが、λを他の値に設定しても、磁化ベクトルの縦磁化を１に近い値に戻すことができる。
【０１５２】
尚、表１、表２、および表３では、αとβは、（α，β）＝（９０°，９０°）に設定されている。しかし、（α，β）は（９０°，９０°）に限定されることはない。表４に、（α，β）を（１１２．５°，７５°）に設定した例を示す。
【表４】
0006258162.tif 000005
【０１５３】
また、表１、表２、および表３では、φ０およびθ０は、（φ０，θ０）＝（０°，９０°）に設定されている。したがって、φ０とθ０との絶対値｜φ０−θ０｜は、以下の値に設定されている。
｜φ０−θ０｜＝｜０°−９０°｜
＝｜−９０°｜
＝９０°
【０１５４】
しかし、絶対値｜φ０−θ０｜の値は｜φ０−θ０｜＝９０°に限定されることはなく、｜φ０−θ０｜≠９０°でもよい。表５に、｜φ０−θ０｜≠９０°の一例を示す。
【表５】
0006258162.tif 000006
【０１５５】
表５では、φ０＝０°、θ０＝１００°であるので、｜φ０−θ０｜＝１００°の例が示されている。また、表５では、（α，β）＝（１２０°，７０°）である。
【０１５６】
ここで、（α，β，φ０，θ０，λ，ｍ１，ｍ２）を表４の値に設定したプリパレーションシーケンスと、（α，β，φ０，θ０，λ，ｍ１，ｍ２）を表５の値に設定したプリパレーションシーケンスについて順に考察する。
【０１５７】
図２１は、（α，β，φ０，θ０，λ，ｍ１，ｍ２）を表４の値に設定したプリパレーションシーケンスＤＰ４を示す図である。尚、図２１プリパレーションシーケンスＤＰ４は、図１０のプリパレーションシーケンスＤＰ１と比較すると、フリップ角が異なるが、位相は同じである。したがって、図２１のプリパレーションシーケンスＤＰ４については、フリップ角のみを説明する。
【０１５８】
コンポジットパルスＡでは（図２１（ａ）参照）、αφ０パルスＰ０１はフリップ角がα＝１１２．５°に設定され、βθ０パルスＰ０２はフリップ角がβ＝７５°に設定される。
【０１５９】
コンポジットパルスＢでは（図２１（ｂ）参照）、２αφ１パルスＰ１２のフリップ角は２α＝２×１１２．５°＝２２５°に設定され、βθ１パルス（Ｐ１１およびＰ１３）のフリップ角はβ＝７５°に設定される。
【０１６０】
コンポジットパルスＣでは（図２１（ｃ）参照）、βθ２パルスＰ２１のフリップ角はβ＝７５°に設定され、αφ２パルスＰ２２のフリップ角はα＝１１２．５°に設定される。
【０１６１】
次に、（α，β，φ０，θ０，λ，ｍ１，ｍ２）が表５の値に設定された場合のプリパレーションシーケンスについて順に考察する。
【０１６２】
図２２は、（α，β，φ０，θ０，λ，ｍ１，ｍ２）が表５の値に設定された場合のプリパレーションシーケンスＤＰ５を示す図である。
図２２（ａ）は、コンポジットパルスＡの説明図である。
α＝１２０°、φ０＝０°であるので、αφ０パルスＰ０１は、フリップ角がα＝１２０°に設定され、位相がφ０＝０°（つまり、ｘ軸）に設定された１２０ｘパルスとなる。また、β＝７０°、θ０＝１００°であるので、βθ０パルスＰ０２は、フリップ角がβ＝７０°に設定され、位相がθ０＝１００°に設定された７０θ０＝１００°パルスとなる。
【０１６３】
図２２（ｂ）は、コンポジットパルスＢの説明図である。
先ず、２αφ１パルスＰ１２について説明する。
２αφ１パルスＰ１２のフリップ角は２α＝２×１２０°＝２４０°である。また、２αφ１パルスＰ１２の位相φ１は、式（４）に、φ０＝０°、λ＝１８０°、ｍ１＝０を代入することにより求められる。
φ１＝φ０＋λ＋９０°×ｍ１
＝０°＋１８０°＋９０°×０
＝１８０°
【０１６４】
したがって、２αφ１パルスＰ１２は、フリップ角が２α＝２４０°に設定され、位相がφ１＝１８０°（つまり、−ｘ軸）に設定された２４０°−ｘパルスとなる。
る。
【０１６５】
次に、βθ１パルス（Ｐ１１およびＰ１３）について説明する。
βθ１パルス（Ｐ１１およびＰ１３）のフリップ角は、β＝７０°である。また、βθ１パルス（Ｐ１１およびＰ１３）の位相θ１は、式（６）に、θ０＝１００°、λ＝１８０°、ｍ１＝０を代入することにより求められる。
θ１＝φ０＋λ＋９０°×ｍ１
＝１００°＋１８０°＋９０°×０
＝２８０°
したがって、βθ１パルス（Ｐ１１およびＰ１３）は、フリップ角がβ＝７０°に設定され、位相がθ１＝２８０°に設定された７０θ１＝２８０°パルスとなる。
【０１６６】
図２２（ｃ）はコンポジットパルスＣの説明図である。
先ず、βθ２パルスＰ２１について説明する。
βθ２パルスＰ２１のフリップ角はβ＝７０°である。また、βθ２パルスＰ２１の位相θ２は、式（１０）に、θ０＝１００°、λ＝１８０°、ｍ２＝０を代入することにより求められる。
θ２＝θ０＋２λ＋９０°×ｍ２
＝１００°＋２×１８０°＋９０°×０
＝４６０°
【０１６７】
位相は３６０°ごとに等価となるので、θ２＝４６０°はθ２＝１００°である。したがって、βθ２パルスＰ２１は、フリップ角がβ＝７０°に設定され、位相がθ２＝１００°に設定された７０θ２＝１００°パルスとなる。
【０１６８】
次に、αφ２パルスＰ２２について説明する。
αφ２パルスＰ２２のフリップ角は、α＝１２０°に設定される。また、αφ２パルスＰ２２の位相φ２は、式（１２）に、φ０＝０°、λ＝１８０°、ｍ２＝０を代入することにより求められる。
φ２＝φ０＋２λ＋９０°×ｍ２
＝０°＋２×１８０°＋９０°×０
＝３６０°
【０１６９】
位相は３６０°ごとに等価となるので、φ２＝３６０°はφ２＝０°である。したがって、αφ２パルスＰ２２は、フリップ角がα＝１２０°に設定され、位相がφ２＝０°（つまり、ｘ軸）に設定された１２０ｘパルスとなる。
【０１７０】
図２１および図２２のプリパレーションシーケンスＤＰ４およびＤＰ５は、図１０に示すシーケンスＤＰ１と同様に、撮影部位内でＢ０不均一やＢ１不均一が発生しても、磁化ベクトルの縦磁化Ｍｚを１に近い値に戻すことができる。このことを検証するため、ΔＢ０およびΔＢ１を変更し、図２１および図２２のプリパレーションシーケンスＤＰ４およびＤＰ５を実行した直後（コンポジットパルスＣを印加した直後）の磁化ベクトルの縦磁化の値を調べるためのシミュレーションを行った。以下に、シミュレーション結果について説明する（図２３参照）。
【０１７１】
図２３は、シミュレーション結果を示す図である。
図２３（ａ）は、図２１のプリパレーションシーケンスＤＰ４のシミュレーション結果を示す図である。
図２３（ａ）には、プリパレーションシーケンスＤＰ４を実行した直後の縦磁化の値を表すＭｚマップＨ３が示されている。ＭｚマップＨ３の右側には、２つのプロファイルＦ３１およびＦ３２が示されている。プロファイルＦ３１は、ＭｚマップＨ３のΔＢ０＝０ＨｚにおけるＭｚを表している。一方、プロファイルＦ３２は、ＭｚマップＨ３のΔＢ１＝０％におけるＭｚを表している。
【０１７２】
一方、図２３（ｂ）は、図２２のプリパレーションシーケンスＤＰ５のシミュレーション結果を示している。
図２３（ｂ）には、プリパレーションシーケンスＤＰ５を実行した直後の縦磁化の値を表すＭｚマップＨ４が示されている。ＭｚマップＨ４の右側には、２つのプロファイルＦ４１およびＦ４２が示されている。プロファイルＦ４１は、ＭｚマップＨ４のΔＢ０＝０ＨｚにおけるＭｚを表している。一方、プロファイルＦ４２は、ＭｚマップＨ４のΔＢ１＝０％におけるＭｚを表している。
【０１７３】
図２３（ａ）および（ｂ）を参照すると、Ｍｚ＝１に近い値を持つ領域が広範囲に渡って広がっていることがわかる。特に、ＭｚマップＨ３およびＨ４の領域Ｒ（ΔＢ１＝−２５％〜＋２５％およびΔＢ０＝−２５０Ｈｚ〜＋２５０Ｈｚの範囲）の内側は、ΔＢ０およびΔＢ１の値に関わらず、縦磁化Ｍｚの値のばらつきが小さいことがわかる。したがって、表４や表５の値を持つコンポジットパルスを用いることにより、Ｂ０不均一やＢ１不均一の影響を更に受けにくくすることができるので、より高品質な画像を取得することができる。尚、表５では、｜φ０−θ０｜＝１００°、すなわち、｜φ０−θ０｜＞９０°の例が示されている。しかし、｜φ０−θ０｜を｜φ０−θ０｜＜９０°に設定してもよい。
【０１７４】
また、上記の例では、リフォーカスパルスの役割を果たすコンポジットパルスＢを１回印加する例について説明したが、本発明では、コンポジットパルスＢがｎ（≧１）回印加されるように構成してもよい。以下に、コンポジットパルスＢがｎ回印加される例について説明する。
【０１７５】
図２４は、コンポジットパルスＢをｎ回印加するときのプリパレーションシーケンスＤＰ６を示す図である。
プリパレーションシーケンスＤＰ６は、コンポジットパルスＡと、ｎ（≧１）個のコンポジットパルスＢと、コンポジットパルスＣとを有している。尚、図２４では、ｎ個のコンポジットパルスＢを区別するために、記号「Ｂ」に、添字「１」、「２」、・・・「ｎ」を付してある。以下、コンポジットパルスＡ、コンポジットパルスＢ１〜Ｂｎ、およびコンポジットパルスＣについて順に説明する。
【０１７６】
（１）コンポジットパルスＡについて
図２４（ａ）は、コンポジットパルスＡの説明図である。
コンポジットパルスＡは、先に説明したコンポジットパルスＡ（図９（ａ）参照）と同じである。αφ０パルスＰ０１は、フリップ角がαに設定され、位相がφ０（ｘｙ面内においてｘ軸に対して角度φ０だけ回転した軸：φ０軸）に設定されたＲＦパルスである。一方、βθ０パルスＰ０２は、フリップ角がβに設定され、位相がθ０（ｘｙ面内においてｘ軸に対して角度θ０だけ回転した軸：θ０軸）に設定されたＲＦパルスである。
【０１７７】
（２）コンポジットパルスＢ１〜Ｂｎについて
先ず、ｎ個のコンポジットパルスＢ１〜Ｂｎのうちのｋ番目のコンポジットパルスＢｋについて考える。ｋ番目のコンポジットパルスＢｋは、βθｋパルスＰｋ１、２αφｋパルスＰｋ２、およびβθｋパルスＰｋ３を有している。
【０１７８】
図２４（ｂ）は、ｋ番目のコンポジットパルスＢｋの説明図である。
先ず、２αφｋパルスＰｋ２について説明する。
２αφｋパルスＰｋ２は、フリップ角が２αに設定され、位相がφｋ（ｘｙ面内においてｘ軸に対して角度φｋだけ回転した軸：φｋ軸）に設定されたＲＦパルスを表している。φｋは、以下の式を満たすように設定される。
φｋ＝φ０＋λｋ  ・・・（１３）
ここで、φ０：コンポジットパルスＡのαφ０パルスＰ０１の位相
λｋ：位相差
【０１７９】
式（１３）のλｋは、ｋを用いて以下の式で表される。
λｋ＝ｋλ＋δｋ×ｍｋ  ・・・（１４）
ここで、λ：角度
δｋ：８０°≦δｋ≦１００°の範囲内の角度
ｍｋ：整数
【０１８０】
本形態では、式（１４）のδｋは、δｋ＝９０°であるとする。したがって、式（１４）は、以下の式で表される。
λｋ＝ｋλ＋９０°×ｍｋ  ・・・（１５）
【０１８１】
したがって、式（１５）を式（１３）に代入すると、φｋは、以下の式で表すことができる。
φｋ＝φ０＋ｋλ＋９０°×ｍｋ  ・・・（１６）
【０１８２】
次に、βθｋパルス（Ｐｋ１およびＰｋ３）について説明する。
βθｋパルス（Ｐｋ１およびＰｋ３）は、フリップ角がβに設定され、位相がθｋ（ｘｙ面内においてｘ軸に対して角度θｋだけ回転した軸：θｋ軸）に設定されたＲＦパルスを表している。θｋは、以下の式を満たすように設定される。
θｋ＝θ０＋λｋ  ・・・（１７）
ここで、θ０：コンポジットパルスＡのβθ０パルスＰ０２の位相
λｋ：位相差
【０１８３】
式（１７）のλｋは、式（１３）のλｋと同様に、式（１５）で表される。したがって、式（１５）を式（１７）に代入すると、θｋは以下の式で表すことができる。
θｋ＝θ０＋ｋλ＋９０°×ｍｋ  ・・・（１８）
【０１８４】
（３）コンポジットパルスＣについて
図２４（ｃ）は、コンポジットパルスＣの説明図である。
コンポジットパルスＣは、磁化ベクトルの横磁化を縦磁化に戻すためのフリップバックパルスであり、βθｎ＋１パルスＰｎ＋１，１およびαφｎ＋１パルスＰｎ＋１，２を有している。
【０１８５】
先ず、βθｎ＋１パルスＰｎ＋１，１について説明する。
βθｎ＋１パルスＰｎ＋１，１は、フリップ角がβに設定され、位相がθｎ＋１（ｘｙ面内においてｘ軸に対して角度θｎ＋１だけ回転した軸：θｎ＋１軸）に設定されたＲＦパルスを表している。θｎ＋１は、以下の式を満たすように設定される。
θｎ＋１＝θ０＋λｎ＋１  ・・・（１９）
ここで、θ０：コンポジットパルスＡのβθ０パルスＰ０２の位相
λｎ＋１：位相差
【０１８６】
式（１９）のλｎ＋１は、ｎ＋１を用いて以下の式で表される。
λｎ＋１＝（ｎ＋１）λ＋δｎ＋１×ｍｎ＋１  ・・・（２０）
ここで、λ：角度
δｎ＋１：８０°≦δｎ＋１≦１００°の範囲内の角度
ｍｎ＋１：整数
【０１８７】
本形態では、式（２０）のδｎ＋１は、δｎ＋１＝９０°であるとする。したがって、式（２０）は、以下の式で表される。
λｎ＋１＝（ｎ＋１）λ＋９０°×ｍｎ＋１  ・・・（２１）
【０１８８】
したがって、式（２１）を式（１９）に代入すると、θｎ＋１は以下の式で表すことができる。
θｎ＋１＝θ０＋（ｎ＋１）λ＋９０°×ｍｎ＋１  ・・・（２２）
【０１８９】
次に、αφｎ＋１パルスＰｎ＋１，２について説明する。
αφｎ＋１パルスＰｎ＋１，２は、フリップ角がαに設定され、位相がφｎ＋１（ｘｙ面内においてｘ軸に対して角度φｎ＋１だけ回転した軸：φｎ＋１軸）に設定されたＲＦパルスを表している。φｎ＋１は、以下の式を満たすように設定される。
φｎ＋１＝φ０＋λｎ＋１  ・・・（２３）
ここで、φ０：コンポジットパルスＡのαφ０パルスＰ０１の位相
λｎ＋１：位相差
【０１９０】
式（２３）のλｎ＋１は、式（１９）のλｎ＋１と同様に、式（２１）で表される。したがって、式（２１）を式（２３）に代入すると、φｎ＋１は、以下の式で表すことができる。
φｎ＋１＝φ０＋（ｎ＋１）λ＋９０°×ｍｎ＋１  ・・・（２４）
【０１９１】
図２４に示すプリパレーションシーケンスＤＰ６は、上記のように構成されている。ｎの値は、任意の整数値に設定することができる。図２４において、ｎ＝１に設定した例が、図９に示すプリパレーションシーケンスＤＰ０を表している。ここで、ｎ≧２のプリパレーションシーケンスＤＰ６の一例について考察する。図２５に、ｎ≧２のプリパレーションシーケンスＤＰ６の一例として、ｎ＝３のプリパレーションシーケンスＤＰ６が示されている。ｎ＝３の場合、プリパレーションシーケンスＤＰ６は、コンポジットパルスＡ、コンポジットパルスＢ１、Ｂ２、およびＢ３、並びにコンポジットパルスＣを有する。
【０１９２】
ここで、ｎ＝３の場合のコンポジットパルスＤＰ６のフリップ角および位相を理解しやすくするために、パラメータ（α，β，φ０，θ０，λ）が、表６に示す値に設定されている場合について考える。
【表６】
0006258162.tif 000007
【０１９３】
この場合、コンポジットパルスのフリップ角および位相は、図２６のように示される。図２６では、プリパレーションシーケンスを符号「ＤＰ７」で示してある。以下、図２６に示すプリパレーションシーケンスＤＰ７について説明する。
【０１９４】
（１）コンポジットパルスＡについて
図２６（ａ）は、コンポジットパルスＡの説明図である。
α＝１２０°、φ０＝０°であるので、αφ０パルスＰ０１は、フリップ角がα＝１２０°に設定され、位相がφ０＝０°（つまり、ｘ軸）に設定された１２０ｘパルスとなる。また、β＝７０°、θ０＝１００°であるので、βθ０パルスＰ０２は、フリップ角がβ＝７０°に設定され、位相がθ０＝１００°に設定された７０θ０＝１００°パルスとなる。
【０１９５】
（２）コンポジットパルスＢ１について
図２６（ｂ１）は、コンポジットパルスＢ１の説明図である。
先ず、２αφ１パルスＰ１２について説明する。
２αφ１パルスＰ１２のフリップ角は２α＝２×１２０＝２４０°である。
また、２αφ１パルスＰ１２の位相φ１は、式（１６）に、ｋ＝１、φ０＝０°、λ＝０°を代入することにより求められる。
φｋ＝φ０＋ｋλ＋９０°×ｍｋ
φ１＝φ０＋λ＋９０°×ｍ１
＝０°＋０°＋９０°×ｍ１
＝９０°×ｍ１  ・・・・・・・・・（２５）
【０１９６】
したがって、２αφ１パルスＰ１２は、フリップ角が２α＝２４０°に設定され、位相がφ１＝９０°×ｍ１に設定された２４０φ１＝９０°×ｍ１パルスとなる。
【０１９７】
次に、βθ１パルス（Ｐ１１およびＰ１３）について説明する。
βθ１パルス（Ｐ１１およびＰ１３）のフリップ角はβ＝７０°である。
また、βθ１パルス（Ｐ１１およびＰ１３）の位相θ１は、式（１８）に、ｋ＝１、θ０＝１００°、λ＝０°を代入することにより求められる。
θｋ＝θ０＋ｋλ＋９０°×ｍｋ
θ１＝θ０＋λ＋９０°×ｍ１
＝１００°＋０°＋９０°×ｍ１
＝１００°＋９０°×ｍ１  ・・・・・・・・・（２６）
【０１９８】
したがって、βθ１パルス（Ｐ１１およびＰ１３）は、フリップ角がβ＝７０°に設定され、位相がθ１＝１００°＋９０°×ｍ１に設定された７０θ１＝１００°＋９０°×ｍ１パルスとなる。
【０１９９】
（３）コンポジットパルスＢ２について
図２６（ｂ２）は、コンポジットパルスＢ２の説明図である。
先ず、２αφ２パルスＰ２２について説明する。
２αφ２パルスＰ２２のフリップ角は２α＝２×１２０＝２４０°である。
また、２αφ２パルスＰ２２の位相φ２は、式（１６）に、ｋ＝２、φ０＝０°、λ＝０°を代入することにより求められる。
φｋ＝φ０＋ｋλ＋９０°×ｍｋ
φ２＝φ０＋２λ＋９０°×ｍ２
＝０°＋２×０°＋９０°×ｍ２
＝９０°×ｍ２  ・・・・・・・・・（２７）
【０２００】
したがって、２αφ２パルスＰ２２は、フリップ角が２α＝２４０°に設定され、位相がφ２＝９０°×ｍ２に設定された２４０φ２＝９０°×ｍ２パルスとなる。
【０２０１】
次に、βθ２パルス（Ｐ２１およびＰ２３）について説明する。
βθ２パルス（Ｐ２１およびＰ２３）のフリップ角はβ＝７０°である。
また、βθ２パルス（Ｐ２１およびＰ２３）の位相θ２は、式（１８）に、ｋ＝２、θ０＝１００°、λ＝０°を代入することにより求められる。
θｋ＝θ０＋ｋλ＋９０°×ｍｋ
θ２＝θ０＋２λ＋９０°×ｍ２
＝１００°＋２×０°＋９０°×ｍ２
＝１００°＋９０°×ｍ２  ・・・・・・・・・（２８）
【０２０２】
したがって、βθ２パルス（Ｐ２１およびＰ２３）は、フリップ角がβ＝７０°に設定され、位相がθ２＝１００°＋９０°×ｍ２に設定された７０θ２＝１００°＋９０°×ｍ２パルスとなる。
【０２０３】
（４）コンポジットパルスＢ３について
図２６（ｂ３）は、コンポジットパルスＢ３の説明図である。
先ず、２αφ３パルスＰ３２について説明する。
２αφ３パルスＰ３２のフリップ角は２α＝２×１２０＝２４０°である。
また、２αφ３パルスＰ３２の位相φ３は、式（１６）に、ｋ＝３、φ０＝０°、λ＝０°を代入することにより求められる。
φｋ＝φ０＋ｋλ＋９０°×ｍｋ
φ３＝φ０＋３λ＋９０°×ｍ３
＝０°＋３×０°＋９０°×ｍ３
＝９０°×ｍ３  ・・・・・・・・・（２９）
【０２０４】
したがって、２αφ３パルスＰ３２は、フリップ角が２α＝２４０°に設定され、位相がφ３＝９０°×ｍ３に設定された２４０φ３＝９０°×ｍ３パルスとなる。
【０２０５】
次に、βθ３パルス（Ｐ３１およびＰ３３）について説明する。
βθ３パルス（Ｐ３１およびＰ３３）のフリップ角はβ＝７０°である。
また、βθ３パルス（Ｐ３１およびＰ３３）の位相θ３は、式（１８）に、ｋ＝３、θ０＝１００°、λ＝０°を代入することにより求められる。
θｋ＝θ０＋ｋλ＋９０°×ｍｋ
θ３＝θ０＋３λ＋９０°×ｍ３
＝１００°＋３×０°＋９０°×ｍ３
＝１００°＋９０°×ｍ３  ・・・・・・・・・（３０）
【０２０６】
したがって、βθ３パルス（Ｐ３１およびＰ３３）は、フリップ角がβ＝７０°に設定され、位相がθ３＝１００°＋９０°×ｍ３に設定された７０θ３＝１００°＋９０°×ｍ３パルスとなる。
【０２０７】
（５）コンポジットパルスＣについて
図２６（ｃ）は、コンポジットパルスＣの説明図である。
先ず、βθ４パルスＰ４１について説明する。
βθ４パルスＰ４１のフリップ角はβ＝７０°である。また、βθ４パルスＰ４１の位相θ４は、式（２２）に、ｎ＝３、θ０＝１００°、λ＝０°を代入することにより求められる。
θｎ＋１＝θ０＋（ｎ＋１）λ＋９０°×ｍｎ＋１
θ４＝θ０＋４λ＋９０°×ｍ４
＝１００°＋４×０°＋９０°×ｍ４
＝１００°＋９０°×ｍ４  ・・・・・・・・・（３１）
【０２０８】
したがって、βθ４パルスＰ４１は、フリップ角がβ＝７０°で、位相がθ４＝１００°＋９０°×ｍ４に設定された７０θ４＝１００°＋９０°×ｍ４パルスとなる。
【０２０９】
次に、αφ４パルスＰ４２について説明する。
αφ４パルスＰ４２のフリップ角はα＝１２０°である。また、αφ４パルスＰ４２の位相φ４は、式（２４）に、ｎ＝３、φ０＝０°、λ＝０°を代入することにより求められる。
φｎ＋１＝φ０＋（ｎ＋１）λ＋９０°×ｍｎ＋１
φ４＝φ０＋４λ＋９０°×ｍ４
＝０°＋４×０°＋９０°×ｍ４
＝９０°×ｍ４  ・・・・・・・・・（３２）
【０２１０】
したがって、αφ４パルスＰ４２は、フリップ角がα＝１２０°に設定され、位相がφ４＝９０×ｍ４に設定された１２０φ４＝９０°×ｍ４パルスとなる。
【０２１１】
ここで、式（２５）〜（３２）からわかるように、コンポジットパルスＢ１、Ｂ２、Ｂ３、およびＣの位相は、それぞれ、ｍ１、ｍ２、ｍ３、およびｍ４の値に依存する。したがって、プリパレーションシーケンスＤＰ７を実行した直後の磁化ベクトルの縦磁化Ｍｚの値は、（ｍ１，ｍ２，ｍ３，ｍ４）の値の組合せに応じて変化することがわかる。そこで、プリパレーションシーケンスＤＰ７を実行した直後の磁化ベクトルの縦磁化ＭｚをＭｚ＝１（又は１に近い値）に戻すのに適した（ｍ１，ｍ２，ｍ３，ｍ４）の値の組合せを求めるためのシミュレーションを実行した。このシミュレーションから、（ｍ１，ｍ２，ｍ３，ｍ４）が以下の組み合わせのときに、良好な結果が得られることがわかった。
（ｍ１，ｍ２，ｍ３，ｍ４）＝（１，０，１，０）  ・・・（３３）
【０２１２】
式（３３）の値を式（２５）〜（３２）に代入すると、位相（φ１，θ１）、（φ２，θ２）、（φ３，θ３）、および（φ４，θ４）は、以下の値となる。
（φ１，θ１）＝（９０°，１９０°）    ・・・（３４）
（φ２，θ２）＝（  ０°，１００°）    ・・・（３５）
（φ３，θ３）＝（９０°，１９０°）    ・・・（３６）
（φ４，θ４）＝（  ０°，１００°）    ・・・（３７）
【０２１３】
図２７に、位相が式（３４）〜式（３７）の値に設定されたときのプリパレーションシーケンスＤＰ８を示す。図２７から、φ０〜φ４は、０°（ｘ軸）、９０°（ｙ軸）が交互に現れるように設定されており、一方、θ０〜θ４は、１００°、１９０°が交互に現れるように設定されていることがわかる。
【０２１４】
図２７のプリパレーションシーケンスＤＰ８は、撮影部位内でＢ０不均一やＢ１不均一が発生しても、磁化ベクトルの縦磁化Ｍｚを１に近い値に戻すことができる。このことを検証するため、ΔＢ０およびΔＢ１を変更し、図２７のプリパレーションシーケンスＤＰ８を実行した直後（コンポジットパルスＣを印加した直後）の磁化ベクトルの縦磁化の値を調べるためのシミュレーションを行った。以下に、シミュレーション結果について説明する（図２８参照）。
【０２１５】
図２８は、シミュレーション結果を示す図である。
図２８には、図２７のプリパレーションシーケンスＤＰ８を実行した直後の縦磁化の値を表すＭｚマップＨ５が示されている。ＭｚマップＨ５の右側には、２つのプロファイルＦ５１およびＦ５２が示されている。プロファイルＦ５１は、ＭｚマップＨ５のΔＢ０＝０ＨｚにおけるＭｚを表している。一方、プロファイルＦ５２は、ＭｚマップＨ５のΔＢ１＝０％におけるＭｚを表している。
【０２１６】
図２８を参照すると、Ｍｚ＝１に近い値を持つ領域が広範囲に渡って広がっていることがわかる。したがって、コンポジットパルスを用いることにより、Ｂ０不均一やＢ１不均一の影響を受けにくくすることができるので、高品質な画像を取得できることがわかる。
【０２１７】
尚、図２５〜図２８では、ｎ＝３の場合について説明されているが、ｎはｎ＝３に限定されることはなく、任意の値に設定することができる。例えば、ｎ＝７に設定した場合について考える。ｎ＝７では、リフォーカスパルスの役割を果たすコンポジットパルスは、７回印加される。したがって、式（１５）のｍｋは、ｋ＝１〜７の整数、すなわち、（ｍ１，ｍ２，ｍ３，ｍ４，ｍ５，ｍ６，ｍ７）を考える必要がある。また、ｎ＝７であるので、式（２１）のｍｎ＋１は、ｍｎ＋１＝ｍ８となる。したがって、ｎ＝７の場合、磁化ベクトルの縦磁化Ｍｚは、（ｍ１，ｍ２，ｍ３，ｍ４，ｍ５，ｍ６，ｍ７，ｍ８）の値に応じて変化する。そこで、磁化ベクトルの縦磁化ＭｚをＭｚ＝１（又は１に近い値）に戻すのに適した（ｍ１，ｍ２，ｍ３，ｍ４，ｍ５，ｍ６，ｍ７，ｍ８）の値の組み合わせを求めるためのシミュレーションを実行した。このシミュレーションから、良好な結果が得られる（ｍ１，ｍ２，ｍ３，ｍ４，ｍ５，ｍ６，ｍ７，ｍ８）の組合せの例として、以下の組合せが得られた。
（ｍ１，ｍ２，ｍ３，ｍ４，ｍ５，ｍ６，ｍ７，ｍ８）
＝（１，０，１，１，０，１，０，０）
＝（１，０，１，−１，０，−１，０，０）
＝（２，２，０，２，２，０，０，０）
＝（１，０，１，０，１，０，１，０）
＝（１，０，１，−１，１，１，−１，０）
＝（−１，０，−１，−１，０，−１，０，０）
＝（０，２，２，２，２，０，０，０）
＝（−１，０，−１，１，０，１，０，０）
＝（０，２，２，０，２，２，０，０）
＝（−１，０，−１，１，−１，−１，１，０）
＝（１，０，１，０，０，２，２，０）
＝（１，０，１，−１，−１，１，１，０）
＝（１，０，１，０，２，２，０，０）
＝（１，０，１，２，０，０，２，０）
＝（１，０，１，１，−１，−１，１，０）
＝（１，０，１，２，２，０，０，０）
【０２１８】
以下に、上記の組み合わせの中から、（１，０，１，１，０，１，０，０）について得られたＭｚマップを示す。
【０２１９】
図２９に、（ｍ１，ｍ２，ｍ３，ｍ４，ｍ５，ｍ６，ｍ７，ｍ８）＝（１，０，１，１，０，１，０，０）に設定したときのＭｚマップＨ６を示す。ＭｚマップＨ６の右側には、２つのプロファイルＦ６１およびＦ６２が示されている。プロファイルＦ６１は、ＭｚマップＨ６のΔＢ０＝０ＨｚにおけるＭｚを表している。一方、プロファイルＦ６２は、ＭｚマップＨ６のΔＢ１＝０％におけるＭｚを表している。
図２９を参照すると、Ｍｚ＝１に近い値を持つ領域が広範囲に渡って広がっていることがわかる。
【０２２０】
尚、本形態では、φ０およびθ０は、任意の値に設定することができる。したがって、φ０とθ０との差の絶対値｜φ０−θ０｜は、｜φ０−θ０｜＝９０°に設定されていてもよいし、｜φ０−θ０｜＞９０°に設定されていてもよいし、｜φ０−θ０｜＜９０°に設定されていてもよい。
【０２２１】
本形態では、δｋおよびδｎ＋１（式（１４）、式（２０）参照）は、δｋ＝δｎ＋１＝９０°の場合について説明されている。しかし、δｋおよびδｎ＋１は９０°に近い値を有しているのであれば、９０°に限定されることはない。一般的には、δｋおよびδｎ＋１は、８０°≦δｋ，δｎ＋１≦１００°の範囲に含まれていれば、高品質な画像を得ることが可能である。また、δｋおよびδｎ＋１の値は、ｋの値およびｎ＋１の値に応じて異なるように設定してもよい。
【０２２２】
本形態では、プリパレーションシーケンスＤＰ０〜ＤＰ８は、コンポジットパルスと次のコンポジットパルスとの間に、勾配磁場（ＭＰＧ）を１つ有している。しかし、コンポジットパルスと次のコンポジットパルスとの間に、複数の勾配磁場を備えてもよい。また、複数の勾配磁場は、同じ極性でもよいし、異なる極性でもよい。また、複数の勾配磁場として、正の極性の勾配磁場と負の極性の勾配磁場との組合せからなるバイポーラの勾配磁場を備えてもよい。更に、コンポジットパルスと次のコンポジットパルスとの間に、勾配磁場を備えなくてもよい。勾配磁場を備えないことにより、局所磁場不均一に起因した位相の分散の情報を含む画像や、Ｔ２強調画像を取得することができる。
【０２２３】
また、コンポジットパルスＣを印加した直後に、横磁化を消去するためのキラー勾配磁場を印加してもよい。更に、コンポジットパルスＡを印加する前に、脂肪抑制やＴ２強調を行うためのＲＦパルスを印加してもよい。
【０２２４】
尚、プリパレーションシーケンスＤＰ０〜ＤＰ８は、心拍信号や呼吸信号などの生体信号に同期して実行してもよい。
【符号の説明】
【０２２５】
２  マグネット
３  テーブル
３ａ  クレードル
４  受信コイル
５  送信器
６  勾配磁場電源
７  受信器
８  コンピュータ
９  プロセッサ
１０  メモリ
１１  操作部
１２  表示部
１３  被検体
２１  ボア
９１  画像作成手段
１００  ＭＲ装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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