(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性スタック構造を含む装置であって、
第１のトラック上で第１の方向に延びるメタルｘ（Ｍx）層上のＭx層相互接続と、
メタルｙ（Ｍy）層上のＭy層相互接続、ここで、前記Ｍy層が前記Ｍx層よりも下の層である、と、
前記Ｍx層相互接続と前記Ｍy層相互接続との間に結合される第１のビアスタック、ここで、前記第１のビアスタックが、メタルｘ−１（Ｍx-1）層上の第１のＭx-1層相互接続を含み、複数のビアを含む、前記第１のＭx-1層相互接続が、前記Ｍy層相互接続よりも上の層であり、前記第１のＭx-1層相互接続が、第２のトラック上で第２の方向に延び、前記第２の方向が前記第１の方向に直交し、前記複数のビアが、前記第１のトラックと前記第２のトラックとが重なる部分内の、前記Ｍx層相互接続および前記第１のＭx-1層相互接続に接続される第１のビアを含み、前記複数のビアが、前記Ｍy層相互接続と前記第１のＭx-1層相互接続との間に結合される第２のビアを含み、前記第２のビアが、前記第１のトラックと前記第２のトラックとが重なる部分内にある、と、
前記Ｍx層相互接続と前記Ｍy層相互接続との間に結合される第２のビアスタック、ここで、前記第２のビアスタックが、第２のＭx-1層相互接続と第２の複数のビアとを含み、前記第２のＭx-1層相互接続が、第３のトラック上で前記第２の方向に延び、前記第２の複数のビアが、前記第１のトラックと前記第３のトラックとが重なる部分内の、前記Ｍx層相互接続および前記第２のＭx-1層相互接続に接続される第３のビアを含み、前記第２の複数のビアが、前記Ｍy層相互接続と前記第２のＭx-1層相互接続との間に結合される第４のビアを含み、前記第４のビアが、前記第１のトラックと前記第３のトラックとが重なる部分内にある、と、
前記第１のトラックに直接隣接する第４のトラック上で前記第１の方向に延びる第２のＭx層相互接続と、
前記第１のトラックに直接隣接する第５のトラック上で前記第１の方向に延びる第３のＭx層相互接続、ここで、前記Ｍx層相互接続が、前記第２のＭx層相互接続と前記第３のＭx層相互接続との間にあり、前記第２のＭx層相互接続と前記第３のＭx層相互接続とが互いに非結合である、と、
を備える装置。
【請求項２】
前記第１のビアおよび前記第２のビアが各々、およそｗの幅を有し、前記第１のＭx-1層相互接続が、少なくとも長さ３ｗだけ前記第１のビアおよび前記第２のビアを超えて延び、
前記第３のビアおよび前記第４のビアが各々、およそｗの幅を有し、前記第２のＭx-1層相互接続が、少なくとも長さ３ｗだけ前記第３のビアおよび前記第４のビアを超えて延びる、
請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第１のＭx-1層相互接続と前記第２のＭx-1層相互接続との間に、前記第２の方向に延びる第３のＭx-1層相互接続をさらに含み、前記第３のＭx-1層相互接続が、前記第１のＭx-1層相互接続および前記第２のＭx-1層相互接続に非結合である、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記Ｍx層相互接続が、前記Ｍx層上のいかなる相互接続とも非結合である、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記第１のＭx-1層相互接続が、前記第２のＭx-1層相互接続以外の前記Ｍx-1層上のいかなる相互接続とも非結合である、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記第１のＭx-1層相互接続が、前記第１のビア以外の、前記Ｍx層と前記Ｍx-1層との間のいかなるビアとも非結合である、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記第２のＭx-1層相互接続が、前記第１のＭx-1層相互接続以外の前記Ｍx-1層上のいかなる相互接続とも非結合である、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記第２のＭx-1層相互接続が、前記第３のビア以外の、前記Ｍx層と前記Ｍx-1層との間のいかなるビアとも非結合である、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記Ｍy層がＭ3層である、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記Ｍy層相互接続の下に配置される複数のメタル酸化物半導体（ＭＯＳ）トランジスタをさらに含み、ここにおいて、前記Ｍy層相互接続が、前記複数のＭＯＳトランジスタのうちの少なくとも１つのＭＯＳトランジスタのソースに結合される、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記第１のビアと第３のビアとが少なくとも１つのトラックにより分離され、前記第２のビアと第４のビアとが少なくとも１つのトラックにより分離される、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記第１のビアと第３のビアとが１つのトラックにより分離され、前記第２のビアと第４のビアとが１つのトラックにより分離される、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記第１のＭx-1層相互接続が、少なくとも３つのトラックにわたって延びる、請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
前記第１および第２のビアスタックが、前記Ｍx層相互接続から前記Ｍy層相互接続に、電源またはグランドのうちの１つを提供する、請求項１に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
[0001]本出願は、その全体が参照により本明細書に明確に組み込まれる、「ＶＩＡ  ＳＴＲＵＣＴＵＲＥ  ＦＯＲ  ＯＰＴＩＭＩＺＩＮＧ  ＳＩＧＮＡＬ  ＰＯＲＯＳＩＴＹ」と題し、２０１４年１０月３０日に出願された、米国仮特許出願第６２／０７２，９６６号、および「ＶＩＡ  ＳＴＲＵＣＴＵＲＥ  ＦＯＲ  ＯＰＴＩＭＩＺＩＮＧ  ＳＩＧＮＡＬ  ＰＯＲＯＳＩＴＹ」と題し、２０１５年６月１９日に出願された、米国特許出願第１４／７４４，６３４号の利益を主張する。
【０００２】
[0002]本開示は、一般にレイアウト構築に関し、より詳細には、信号の間隙率を最適化するためのビア構造に関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]標準セルは、デジタル論理を用いて実装され得る集積回路である。システムオンチップ（ＳｏＣ）デバイスなどの、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）は、数千から数百万の標準セルを含み得る。ＡＳＩＣのサイズ／面積フットプリントを低減することは有益である。信号の間隙率／配線可能性を改善することは、ＡＳＩＣのサイズ／面積フットプリントが減少されることを可能にし得る。したがって、信号の間隙率／配線可能性を改善する必要がある。
【発明の概要】
【０００４】
[0004]本開示の態様では、装置が導電性スタック構造を含み、装置は、第１のトラック上で第１の方向に延びるＭx層上のメタルｘ（Ｍx）層相互接続と、Ｍy層がＭx層よりも下の層であるＭy層上のメタルｙ（Ｍy）層相互接続と、第１のビアスタックと、第２のビアスタックとを含み得る。第１のビアスタックは、Ｍx層相互接続とＭy層相互接続との間に結合される。第１のビアスタックは、Ｍx-1層上の第１のメタルｘ−１（Ｍx-1）層相互接続を含み、複数のビアを含む。第１のＭx-1層相互接続は、Ｍy層相互接続よりも上の層である。第１のＭx-1層相互接続は、第２のトラック上で第２の方向に延びる。第２の方向は、第１の方向に直交する。複数のビアは、第１のトラックと第２のトラックとが重なる部分内の、Ｍx層相互接続および第１のＭx-1層相互接続に接続される第１のビアを含む。複数のビアは、Ｍy層相互接続と第１のＭx-1層相互接続との間に結合される第２のビアを含む。第２のビアは、第１のトラックと第２のトラックとが重なる部分内にある。第２のビアスタックは、Ｍx層相互接続とＭy層相互接続との間に結合される。第２のビアスタックは、第２のＭx-1層相互接続と第２の複数のビアとを含む。第２のＭx-1層相互接続は、第３のトラック上で第２の方向に延びる。第２の複数のビアは、第１のトラックと第３のトラックとが重なる部分内の、Ｍx層相互接続および第２のＭx-1層相互接続に接続される第３のビアを含む。第２の複数のビアは、Ｍy層相互接続と第２のＭx-1層相互接続との間に結合される第４のビアを含む。第４のビアは、第１のトラックと第３のトラックとが重なる部分内にある。装置は、第１のトラックに直接隣接する第４のトラック上で第１の方向に延びる第２のＭx層相互接続をさらに含み得る。装置は、第１のトラックに直接隣接する第５のトラック上で第１の方向に延びる第３のＭx層相互接続をさらに含み得る。Ｍx層相互接続は、第２のＭx層相互接続と第３のＭx層相互接続との間にある。第２のＭx層相互接続と第３のＭx層相互接続とは、互いに非結合である。
【０００５】
[0005]本開示の態様では、装置が導電性スタック構造を含み、装置は、第１のトラック上で第１の方向に延びる第１のＭx層相互接続と、第２のトラック上で第１の方向に延びる第２のＭx層相互接続と、Ｍy層がＭx層よりも下の層であるＭy層相互接続と、第１のビアスタックと、第２のビアスタックとを含み得る。第１のビアスタックは、第１のＭx層相互接続とＭy層相互接続との間に結合される。第１のビアスタックは、Ｍx-1層相互接続と複数のビアとを含む。Ｍx-1層相互接続は、Ｍy層相互接続よりも上の層である。Ｍx-1層相互接続は、第３のトラック上で第２の方向に延びる。第２の方向は、第１の方向に直交する。複数のビアは、第１のトラックと第３のトラックとが重なる部分内の、第１のＭx層相互接続とＭx-1層相互接続に接続される第１のビアを含む。複数のビアは、Ｍy層相互接続とＭx-1層相互接続との間に結合される第２のビアを含む。第２のビアは、第１のトラックと第３のトラックとが重なる部分内にある。第２のビアスタックは、第２のＭx層相互接続とＭy層相互接続との間に結合される。第２のビアスタックは、Ｍx-1層相互接続と第２の複数のビアとを含む。第２の複数のビアは、第２のトラックと第３のトラックとが重なる部分内の、第２のＭx層相互接続およびＭx-1層相互接続に接続される第３のビアを含む。第２の複数のビアは、Ｍy層相互接続とＭx-1層相互接続との間に結合される第４のビアを含む。第４のビアは、第２のトラックと第３のトラックとが重なる部分内にある。装置は、第１のトラックおよび第２のトラックに直接隣接する第４のトラック上で第１の方向に延びる第３のＭx層相互接続をさらに含み得る。第３のＭx層相互接続は、第１のＭx層相互接続と第２のＭx層相互接続との間に延びる。第３のＭx層相互接続は、第１のＭx層相互接続および第２のＭx層相互接続に非結合である。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１Ａ】[0006]バータイプビア構造の上面図を示す図。
【図１Ｂ】[0007]矩形タイプビア構造の上面図を示す図。
【図２】[0008]第１の例示的なビア構造の上面図を示す図。
【図３Ａ】[0009]第１の例示的なビア構造の上面図を示す図。
【図３Ｂ】[0010]第１の例示的なビア構造の側面図を示す図。
【図４】[0011]第２の例示的なビア構造の上面図を示す図。
【図５Ａ】[0012]第２の例示的なビア構造の上面図を示す図。
【図５Ｂ】[0013]第２の例示的なビア構造の側面図を示す図。
【図６】[0014]第３の例示的なビア構造の上面図を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
[0015]添付図面に関連して下で記載される詳細な説明は、様々な構成の記載として意図され、本明細書に記載される概念が実施され得る唯一の構成を表すことを意図されない。詳細な説明は、様々な概念の完全な理解を提供する目的で、具体的な詳細を含む。しかし、これらの概念がこれらの具体的な詳細なしで実施され得ることは、当業者には明らかであろう。いくつかの例では、そのような概念を不明瞭にすることを回避するために、よく知られている構造および構成要素は、ブロック図形式で示される。装置および方法は、以下の詳細な説明に記載されることになり、様々なブロック、モジュール、構成要素、回路、ステップ、プロセス、アルゴリズム、要素などにより、添付図面中に示され得る。
【０００８】
[0016]信号の間隙率／配線可能性と電源／グランド（ＰＧ）強度は、反比例して関係付けられる。ビア電源／グランドスタックの組のＰＧ強度を減少すること（すなわち、ビア電源／グランドスタックの組の抵抗を増加すること）は、ビア電源／グランドスタックがより少ない配線トラックを妨げる場合に信号の間隙率／配線可能性を増加し得る。ビア電源／グランドスタックがより小さい（たとえば、より小さいビアを有する）場合、および／またはビア電源／グランドスタックの数がビア電源／グランドスタックの組内で減少される場合、ビア電源／グランドスタックは、より少ない配線トラックを妨げ得る。ビア電源／グランドスタックの組のＰＧ強度を増加すること（すなわち、ビア電源／グランドスタックの組の抵抗を減少すること）は、ビア電源／グランドスタックがより多い配線トラックを妨げる場合に信号の間隙率／配線可能性を減少し得る。ビア電源／グランドスタックがより大きい（たとえば、より広い／長いビアを有する）場合、および／またはビア電源／グランドスタックの数がビア電源／グランドスタックの組内で増加される場合、ビア電源／グランドスタックは、より多い配線トラックを妨げ得る。より高い信号の間隙率／配線可能性は、ダイ上のＡＳＩＣの、より小さいダイサイズ、および潜在的により少ない電力消費をもたらす。ＰＧ強度は、電源完全性を確実にするため、ＩＲ（すなわち、電圧）ドロップターゲット／要件を満たすことが要求される。したがって、必要なダイサイズを維持するため、ＰＧ強度を確実にし、一方で良好な信号の間隙率／配線可能性を出す必要が現在ある。
【０００９】
[0017]図１Ａは、バータイプビア構造１３８を示す図１００である。バータイプビア構造１３８は、より低いメタル層に電源（たとえば、Ｖdd）／グランド（たとえば、Ｖss）を提供するために使用され得るビアスタックである。バータイプビア構造１３８は、メタルｘ（Ｍx）層相互接続１４４と、メタルｘ−１（Ｍx-1）層相互接続１４０と、Ｍx層相互接続１４４をＭx-1層相互接続１４０に接続するビア１４２とを含む。Ｍx層相互接続１４４は第１の方向に延び、Ｍx-1層相互接続１４０は、第１の方向に直交する第２の方向に延びる。相互接続およびビアのパターンは、ビアスタックがより下のメタル層に到達するまで繰り返し得る。Ｍx層相互接続１１４および１１６ならびにＭx-1層相互接続１１８および１２０は、単に、バータイプビア構造１３８の境界を図示する助けをするために示され、バータイプビア構造１３８の部分でない。さらに、相互接続１１４、１１６、１１８、および１２０は、必ずしもバータイプビア構造１３８の周りにあるとは限らない。相互接続１１４、１１６、１１８、および１２０の交差は、矩形の囲い１４６を画定する。製造上の制約／設計ルールの制限に起因して、バータイプビア構造１３８の部分でない相互接続は、囲い１４６の外側になければならない。ＭxおよびＭx-1層相互接続１４４、１４０は、第１の方向に延びる（Ｍx層上に示され、そのすべてがほぼ同じ幅を有する）垂直トラック１０２〜１１２、第２の方向に延びる（Ｍx-1層上に示され、そのすべてがほぼ同じ幅を有する）水平トラック１２２〜１３６などの、トラックの各々よりも幅広い（トラックは、Ｍ2層およびより上の層の相互接続が配置され得る場所である）。ビア１４２は、トラック１０２〜１１２の各々の幅よりも広い幅ｗを有し、トラック１２２〜１３６の各々の幅よりも長い長さｌを有する。トラックを囲い１４６と比較することによって、バータイプビア構造１３８が３つの垂直トラック１０６、１０８、１１０と４つの水平トラック１２６、１２８、１３０、および１３２とを妨げることが決定され得る。そのため、垂直トラック１０６、１０８、１１０および水平トラック１２６、１２８、１３０、１３２のいずれも、バータイプビア構造１３８の囲い１４６内で利用され得ない。これは、垂直トラック１０６、１０８、または１１０上のメタルワイヤが囲い１４６内に延びなければならない場合、そのようなメタルワイヤは、相互接続１４４に近すぎて、設計ルール／製造上の制約に違反することになるためである。同様に、水平トラック１２６、１２８、１３０、または１３２上のメタルワイヤが囲い１４６内に延びなければならない場合、そのようなメタルワイヤは、相互接続１４０に近すぎて、設計ルール／製造上の制約に違反することになる。
【００１０】
[0018]図１Ｂは、矩形タイプビア構造１８８を示す図１５０である。矩形タイプビア構造１８８は、より下のメタル層に電源（たとえば、Ｖdd）／グランド（たとえば、Ｖss）を提供するために使用され得る（２つの矩形ビアを含む）２ｘ１ビアスタックである。矩形タイプビア構造１８８は、Ｍx層相互接続１９６と、Ｍx-1層相互接続１９０と、Ｍx層相互接続１９６をＭx-1層相互接続１９０に接続するビア１９２および１９４とを含む。Ｍx層相互接続１９６は第１の方向に延び、Ｍx-1層相互接続１９０は、第１の方向に直交する第２の方向に延びる。相互接続およびビアのパターンは、ビアスタックがより下のメタル層に到達するまで繰り返し得る。Ｍx層相互接続１６４および１６６ならびにＭx-1層相互接続１６８および１７０は、単に、矩形タイプビア構造１８８の境界を図示する助けをするために示され、矩形タイプビア構造１８８の部分でない。さらに、相互接続１６４、１６６、１６８、および１７０は、必ずしも矩形タイプビア構造１８８の周りにあるとは限らない。相互接続１６４、１６６、１６８、および１７０の交差は、矩形の囲い１９８を画定する。製造上の制約／設計ルールの制限に起因して、矩形タイプビア構造１８８の部分でない相互接続は、囲い１９８の外側になければならない。ＭxおよびＭx-1層相互接続１９６、１９０は、第１の方向に延びる（Ｍx層上に示され、そのすべてがほぼ同じ幅を有する）垂直トラック１５２〜１６０、第２の方向に延びる（Ｍx-1層上に示され、そのすべてがほぼ同じ幅を有する）水平トラック１７２〜１８６などの、トラックの各々よりも幅広い。ビア１９２、１９４の各々は、トラック１０２〜１１２の各々の幅よりも広い幅ｗを有し、トラック１２２〜１３６の各々の幅よりも長い長さｌを有する。トラックを囲い１９８と比較することによって、矩形タイプビア構造１８８が２つの垂直トラック１５６および１５８と５つの水平トラック１７６、１７８、１８０、１８２、および１８４とを妨げることが決定され得る。そのため、垂直トラック１５６、１５８および水平トラック１７６、１７８、１８０、１８２、１８４のいずれも、矩形タイプビア構造１８８の囲い１９８内で利用され得ない。これは、垂直トラック１５６または１５８上のメタルワイヤが囲い１９８内に延びなければならない場合、そのようなメタルワイヤは、相互接続１９６に近すぎて、設計ルール／製造上の制約に違反することになるためである。同様に、水平トラック１７６、１７８、１８０、１８２、または１８４上のメタルワイヤが囲い１９８内に延びなければならない場合、そのようなメタルワイヤは、相互接続１９０に近すぎて、設計ルール／製造上の制約に違反することになる。
【００１１】
[0019]図２は、第１の例示的なビア構造２３０を示す図２００である。ビア構造２３０は、垂直トラック２１６〜２２４のうちの垂直トラック２２０上、および水平トラック２０２〜２１４のうちの水平トラック２０６および２１０上に形成される。ビア構造２３０は、トラック２２０上に延びるＭx層相互接続２４４と、トラック２０６上に延びるＭx-1層相互接続２３４と、トラック２１０上に延びるＭx-1層相互接続２３８と、Ｍx層相互接続２４４をＭx-1層相互接続２３４に接続するビア２４８と、Ｍx層相互接続２４４をＭx-1層相互接続２３８に接続するビア２５０とを含む。Ｍx層相互接続２４４は第１の方向に延び、Ｍx-1層相互接続２３４および２３８は、第１の方向に直交する第２の方向に延びる。ビア２４８および２５０は、対応するトラックが重なる部分内にそれぞれある。図２に示されるように、ビア２４８は、トラック２２０とトラック２０６が重なる部分内にあり、ビア２５０は、トラック２２０とトラック２１０が重なる部分内にある。トラック２０８がトラック２０６とトラック２１０の間にあるトラックであるので、ビア２４８と２５０は、１つのトラックにより分離される。一構成では、ビア２４８とビア２５０は、正確に１つのトラックにより分離される。別の構成では、ビア２４８とビア２５０は、２つ以上のトラックにより分離される。Ｍx-1層相互接続２３４および２３８が、特定の製造プロセス技術についての設計ルールに従う最小幅を有すると仮定すると、Ｍx-1層相互接続２３４および２３８は、設計ルールによって課される最小面積制約を維持するために、少なくとも３つの垂直トラックの幅にわたって延び得る。具体的には、Ｍx-1相互接続２３４および２３８の幅は水平トラックの幅であり得、Ｍx-1相互接続２３４および２３８の長さは、特定の製造プロセス技術についての設計ルールにより課される最小面積要件を満たすように選択され得る。図２では、Ｍx-1層相互接続２３４および２３８は、垂直トラック２１８、２２０、および２２２にわたって各々延びる。相互接続およびビアのパターンは、ビアスタックがより下のメタル層に到達するまで繰り返し得る。
【００１２】
[0020]図２に示されるように、ビア構造２３０は、Ｍx-1の２つの水平トラック（すなわち、水平トラック２０６および２１０）と、Ｍxの１つの垂直トラック（すなわち、垂直トラック２２０）とを妨げる。相互接続２４２、２４６、２３２、２３６、および２４０は、ビア構造２３０からの、相互接続の許容間隔を図示する助けとなる。そのような相互接続２４２、２４６、２３２、２３６、および／または２４０は、ビア構造２３０に隣接し得、または隣接し得ない。相互接続２４２、２４６、２３２、２３６、および／または２４０などの相互接続は、ビア構造２３０に隣接して延び得（たとえば、相互接続２４２、２４６、２３２、２４０）、またはビア構造２３０を通って延び得る（たとえば、相互接続２３６）。そのような相互接続２４２、２４６、２３２、２３６、および／または２４０のうちの１つまたは複数がビア構造２３０に隣接して／通って延びるとき、１つまたは複数の相互接続は、互いにおよびビア構造２３０に非結合であり得、異なる信号を搬送し得る。たとえば、相互接続２４２および２４６がビア構造２３０に隣接して延び得、互いにおよびビア構造２３０に非結合であり得る。別の例として、相互接続２３６がビア構造２３０を通って（２４８におけるビアスタックと２５０におけるビアスタックとの間に）延び得、ビア構造２３０に非結合であり得る。さらに別の例として、相互接続２３２および２４０がビア構造２３０に隣接して延び得、互いに非結合であり、ビア構造２３０に非結合であり、また相互接続２４２、２４６、および２３６などの他の相互接続に非結合であり得る。
【００１３】
[0021]相互接続２４４、２３４、および２３８が、同じメタル層上の他の相互接続に対して非接続であり得る。たとえば、相互接続２４４は、相互接続２４４と同じメタル層上の任意の他の相互接続に非結合であり得る。そのため、相互接続２４４は、ビア２４８および２５０と、また相互接続２４４に電源またはグランドを提供するため、相互接続２４４の上の任意の他のビアとにのみ接続され得る。別の例として、相互接続２３４および２３８は各々、相互接続２３４および２３８と同じメタル層上の任意の他の相互接続と非接続であり得る。そのため、相互接続２３４は、ビア２４８と相互接続２３４の下のビアとにのみ接続され得、同じメタル層上の相互接続２３８にのみ（ビアを通して）結合され得る。さらに、相互接続２３８は、ビア２５０と相互接続２３８の下のビアとにのみ接続され得、同じメタル層上の相互接続２３４にのみ（ビアを通して）結合され得る。
【００１４】
[0022]ビア構造２３０は、図１Ａ、図１Ｂのビア構造と比較してほぼ同じＰＧ強度を有するが、ビア構造２３０がビア構造１３８および１８８よりも少ないトラックを妨げるので、より高い信号の間隙率／配線可能性を有する。そのため、ビア構造２３０の使用は、図１Ａ、図１Ｂのビア構造と比較してＰＧ強度を維持する一方、信号の間隙率／配線可能性を改善する。改善された信号の間隙率／配線可能性は、よりコンパクトな配線を、また結果として、より小さいダイサイズを可能にする。
【００１５】
[0023]図３Ａは、第１の例示的なビア構造３２０を示す図３００である。図３Ｂは、第１の例示的なビア構造３２０の側面透視図を示す図３５０である。図３５０は、第２の方向からのビア構造３２０の側面透視図である。ビア構造３２０は、図２のビア構造２３０に対応する。ビア構造３２０は、Ｍx層相互接続３０２と、Ｍx-1層相互接続３０４と、Ｍx-1層相互接続３０６と、Ｍx層相互接続３０２をＭx-1層相互接続３０４に接続するビア３０８と、Ｍx層相互接続３０２をＭx-1層相互接続３０６に接続するビア３１０とを含む。Ｍx層相互接続３０２は第１の方向に延び、Ｍx-1層相互接続３０４および３０６は、第１の方向に直交する第２の方向に延びる。ビア３０８および３１０は各々、対応するトラックが重なる部分内にある。ビア３０８と３１０の各々の長さｌは、Ｍx-1層相互接続３０４および３０６の幅ｗh以下であり、ビア３０８と３１０の各々の幅ｗは、Ｍx層相互接続３０２の幅ｗv以下である。ビア３０８とビア３１０は、１つのトラックにより分離される（図２参照）。Ｍx-1層相互接続３０４および３０６は、少なくとも３つの垂直トラックの幅にわたって延び得る（図２参照）。具体的には、Ｍx-1層相互接続３０４および３０６は、少なくとも３つのビアの幅ｗだけ、それぞれ、ビア３０８および３１０を超えて延び得る（ｌhにより表される）。そのため、ｌh≧３ｗである。
【００１６】
[0024]相互接続およびビアのパターンは、ビアスタック構造がより下のメタル層に到達するまで繰り返し得る。たとえば、図３Ｂを参照すると、ビア構造３２０は、第１のビアスタック３５２と第２のビアスタック３５４とを含む。第１のビアスタック３５２は、ビア3３７４およびＭ3層相互接続３７６に到達するまで、ビアx-2３６２と、Ｍx-2層相互接続３６４と、ビアx-3３６６と、Ｍx-3層相互接続３６８と、ビアx-4３７０と、Ｍx-4層相互接続３７２と、などをさらに含む。第２のビアスタック３５４は、ビア3３９０およびＭ3層相互接続３７６に到達するまで、ビアx-2３８２と、Ｍx-2層相互接続３６４と、ビアx-3３８４と、Ｍx-3層相互接続３８６と、ビアx-4３８８と、Ｍx-4層相互接続３７２と、などをさらに含む。Ｍx-3層相互接続３６８および３８６は、少なくとも３つの垂直トラックの幅にわたってやはり延び得る（図２参照）。具体的には、Ｍx-3層相互接続３６８は、少なくとも３つのビアの幅ｗだけ、複数のビア、ビアx-3３６６およびビアx-4３７０を超えて延び得（ｌhにより表される）、Ｍx-3層相互接続３８６は、少なくとも３つのビアの幅ｗだけ、複数のビア、ビアx-3３８４およびビアx-4３８８を超えて延び得る（ｌhにより表される）。ビア構造３２０は、Ｍx層相互接続３０２からＭ3層相互接続３７６に、電源（たとえば、Ｖdd）／グランド（たとえば、Ｖss）を提供する。一例では、Ｍx層は、Ｍ9層であり得る。Ｍ3層相互接続３７６における電源／グランドは、Ｍ3層相互接続３７６の下に配置される金属酸化物半導体（ＭＯＳ）（たとえば、ｎ型ＭＯＳ（ｎＭＯＳ）、ｐ型ＭＯＳ（ｐＭＯＳ））トランジスタに提供される。そのため、Ｍ3層相互接続３７６は、Ｍ3層相互接続３７６の下に配置されるＭＯＳトランジスタのうちの少なくとも１つのＭＯＳトランジスタのソースに結合される。
【００１７】
[0025]図２に関して議論されたように、ビア構造３２０は、２つの水平トラックと、１つの垂直トラックとを妨げる。ビア構造３２０は、図１Ａ、図１Ｂのビア構造と比較してほぼ同じＰＧ強度を有するが、より高い信号の間隙率／配線可能性を有する。そのため、ビア構造３２０の使用は、図１Ａ、図１Ｂのビア構造と比較してＰＧ強度を維持する一方、信号の間隙率／配線可能性を改善する。改善された信号の間隙率／配線可能性は、よりコンパクトな配線を、また結果として、より小さいダイサイズを可能にする。
【００１８】
[0026]図４は、第２の例示的なビア構造４３０の上面図を示す図４００である。ビア構造４３０は、垂直トラック４１６〜４２４のうちの垂直トラック４２０上、および水平トラック４０２〜４１４のうちの水平トラック４０６および４１０上に形成される。ビア構造４３０は、トラック４０６上に延びるＭx層相互接続４３４と、トラック４１０上に延びるＭx層相互接続４３８と、トラック４２０上に延びるＭx-1層相互接続４４４と、Ｍx層相互接続４３４をＭx-1層相互接続４４４に接続するビア４４８と、Ｍx層相互接続４３８をＭx-1層相互接続４４４に接続するビア４５０とを含む。Ｍx層相互接続４３４および４３８は第１の方向に延び、Ｍx-1層相互接続４４４は、第１の方向に直交する第２の方向に延びる。ビア４４８および４５０は各々、対応するトラックが重なる部分内にある。図４に示されるように、ビア４４８は、トラック４２０とトラック４０６の重複部分内にあり、ビア４５０は、トラック４２０とトラック４１０の重複部分内にある。トラック４０８がトラック４０６とトラック４１０の間にあるトラックであるので、ビア４４８と４５０は、１つのトラックにより分離される。一構成では、ビア４４８とビア４５０は、正確に１つのトラックにより分離される。別の構成では、ビア４４８とビア４５０は、２つ以上のトラックにより分離される。Ｍx層相互接続４３４および４３８が、特定の製造プロセス技術についての設計ルールに従う最小幅を有すると仮定すると、Ｍx層相互接続４３４および４３８は、設計ルールによって課される最小面積制約を維持するために、少なくとも３つの垂直トラックの幅にわたって延び得る。具体的には、Ｍx相互接続４３４および４３８の幅は水平トラックの幅であり得、Ｍx相互接続４３４および４３８の長さは、特定の製造プロセス技術についての設計ルールにより課される最小面積要件を満たすように選択され得る。図４では、Ｍx層相互接続４３４および４３８は各々、垂直トラック４１８、４２０、および４２２にわたって延びる。相互接続およびビアのパターンは、ビアスタックがより下のメタル層に到達するまで繰り返し得る。
【００１９】
[0027]図４に示されるように、ビア構造４３０は、Ｍxの２つの水平トラック（すなわち、水平トラック４０６および４１０）と、Ｍx-1の１つの垂直トラック（すなわち、垂直トラック４２０）とを妨げる。相互接続４４２、４４６、４３２、４３６、および４４０は、ビア構造４３０からの、相互接続の許容間隔を図示する助けとなる。そのような相互接続４４２、４４６、４３２、４３６、および／または４４０は、ビア構造４３０に隣接し得、または隣接し得ない。相互接続４４２、４４６、４３２、４３６、および／または４４０などの相互接続は、ビア構造４３０に隣接して延び得（たとえば、相互接続４４２、４４６、４３２、４４０）、またはビア構造４３０を通って延び得る（たとえば、相互接続４３６）。そのような相互接続４４２、４４６、４３２、４３６、および／または４４０のうちの１つまたは複数がビア構造４３０に隣接して／通って延びるとき、１つまたは複数の相互接続は、互いにおよびビア構造４３０に非結合であり得、異なる信号を搬送し得る。たとえば、相互接続４４２および４４６がビア構造４３０に隣接して延び得、互いにおよびビア構造４３０に非結合であり得る。別の例として、相互接続４３６がビア構造４３０を通って（４４８におけるビアスタックと４５０におけるビアスタックとの間に）延び得、ビア構造４３０に非結合であり得る。さらに別の例として、相互接続４３２および４４０がビア構造４３０に隣接して延び得、互いに非結合であり、ビア構造４３０に非結合であり、また相互接続４４２、４４６、および４３６などの他の相互接続に非結合であり得る。
【００２０】
[0028]相互接続４４４、４３４、および４３８が、同じメタル層上の他の相互接続に非結合であり得る。たとえば、相互接続４４４は、相互接続４４４と同じメタル層上の任意の他の相互接続に非結合であり得る。そのため、相互接続４４４は、ビア４４８および４５０と相互接続４４４の下のビアとに対してのみ接続され得る。別の例として、相互接続４３４および４３８は各々、相互接続４３４および４３８と同じメタル層上の任意の他の相互接続と非結合であり得る。そのため、相互接続４３４は、ビア４４８と、相互接続４３４に電源／グランドを提供するための相互接続４３４の上のビアとにのみ接続され得、同じメタル層上の相互接続４３８にのみ（ビアを通して）結合され得る。加えて、相互接続４３８は、相互接続４３８に電源／グランドを提供するためにビア２５０と相互接続４３８の上のビアとにのみ接続され得、同じメタル層上の相互接続４３４とのみ（ビアを通して）結合され得る。
【００２１】
[0029]ビア構造４３０は、図１Ａ、図１Ｂのビア構造と比較してほぼ同じＰＧ強度を有するが、ビア構造４３０がビア構造１３８および１８８よりも少ないトラックを妨げるので、より高い信号の間隙率／配線可能性を有する。そのため、ビア構造４３０の使用は、図１Ａ、図１Ｂのビア構造と比較してＰＧ強度を維持する一方、信号の間隙率／配線可能性を改善する。改善された信号の間隙率／配線可能性は、よりコンパクトな配線を、また結果として、より小さいダイサイズを可能にする。
【００２２】
[0030]図５Ａは、第２の例示的なビア構造５２０を示す図５００である。図５Ｂは、第２の例示的なビア構造５２０の側面透視図を示す図５５０である。図５５０は、第１の方向からのビア構造５２０の側面透視図である。ビア構造５２０は、Ｍx層相互接続５０２と、Ｍx層相互接続５０４と、Ｍx-1層相互接続５０６と、Ｍx層相互接続５０２をＭx-1層相互接続５０６に接続するビア５０８と、Ｍx層相互接続５０４をＭx-1層相互接続５０６に接続するビア５１０とを含む。Ｍx層相互接続５０２および５０４は第１の方向に延び、Ｍx-1層相互接続５０６は、第１の方向に直交する第２の方向に延びる。ビア５０８および５１０は各々、対応するトラックが重なる部分内にある。ビア５０８と５１０の各々の長さｌは、Ｍx-1層相互接続５０６の幅ｗh以下であり、ビア５０８と５１０の各々の幅ｗは、Ｍx層相互接続５０２および５０４の幅ｗv以下である。ビア５０８とビア５１０は、１つのトラックにより分離される。Ｍx層相互接続５０２および５０４は、少なくとも３つの水平トラックの幅にわたって延び得る。具体的には、Ｍx層相互接続５０２および５０４は、少なくとも３つのビアの幅ｗだけ、それぞれ、ビア５０８および５１０を超えて延び得る（ｌvにより表される）。そのため、ｌv≧３ｗである。
【００２３】
[0031]相互接続およびビアのパターンは、ビアスタック構造がより下のメタル層に到達するまで繰り返し得る。たとえば、図５Ｂを参照すると、ビア構造５２０は、第１のビアスタック５５２と第２のビアスタック５５４とを含む。第１のビアスタック５５２は、ビア3５７４およびＭ3層相互接続５７６に到達するまで、ビアx-2５６２と、Ｍx-2層相互接続５６４と、ビアx-3５６６と、Ｍx-3層相互接続５６８と、ビアx-4５７０と、Ｍx-4層相互接続５７２と、などをさらに含む。第２のビアスタック５５４は、ビア3５９２およびＭ3層相互接続５７６に到達するまで、ビアx-2５８２と、Ｍx-2層相互接続５８４と、ビアx-3３８６と、Ｍx-3層相互接続５６８と、ビアx-4５８８と、Ｍx-4層相互接続５９０と、などをさらに含む。Ｍx-2／Ｍx-4層相互接続５６４、５８４、５７２、５９０は、少なくとも３つの水平トラックの幅にわたって各々延び得る。具体的には、Ｍx-2／Ｍx-4層相互接続５６４、５８４、５７２、５９０は、少なくとも３つのビアの幅ｗだけ、接続されるビアを超えて延び得る（ｌvにより表される）。ビア構造５２０は、Ｍx層相互接続５０２および５０４からＭ3層相互接続５７６に、電源（たとえば、Ｖdd）／グランド（たとえば、Ｖss）を提供する。一例では、Ｍx層は、Ｍ9層であり得る。Ｍ3層相互接続５７６における電源／グランドは、Ｍ3層相互接続５７６の下に配置されるＭＯＳ（たとえば、ｎＭＯＳ、ｐＭＯＳ）トランジスタに提供される。そのため、Ｍ3層相互接続５７６は、Ｍ3層相互接続５７６の下に配置されるＭＯＳトランジスタのうちの少なくとも１つのＭＯＳトランジスタのソースに結合される。
【００２４】
[0032]図３Ａ、図３Ｂのビア構造３２０と同様に、ビア構造５２０は、３つのトラックを妨げる。具体的には、ビア構造５２０は、２つの垂直トラックと、１つの水平トラックとを妨げる。ビア構造５２０は、ビア構造３２０よりも多くの垂直トラックを妨げ、ビア構造３２０よりも少ない水平トラックを妨げる。したがって、ビア構造５２０は、より多くの水平信号配線トラックが望ましいときに使用され得、ビア構造３２０は、より多くの垂直信号配線トラックが望ましいときに使用され得る。ビア構造３２０、５２０は、同じＰＧ強度を有する。ビア構造５２０は、図１Ａ、図１Ｂのビア構造と比較してほぼ同じＰＧ強度を有するが、より高い信号の間隙率／配線可能性を有する。そのため、ビア構造５２０の使用は、図１Ａ、図１Ｂのビア構造と比較してＰＧ強度を維持する一方、信号の間隙率／配線可能性を改善する。改善された信号の間隙率／配線可能性は、よりコンパクトな配線を、また結果として、より小さいダイサイズを可能にする。
【００２５】
[0033]図６は、第３の例示的なビア構造６２０を示す図６００である。ビア構造６２０は、Ｍx層相互接続６０２と、Ｍx層相互接続６０４と、Ｍx-1層相互接続６０６と、Ｍx-1層相互接続６０８と、Ｍx層相互接続６０２をＭx-1層相互接続６０６に接続するビア６１０と、Ｍx層相互接続６０４をＭx-1層相互接続６０６に接続するビア６１２と、Ｍx層相互接続６０２をＭx-1層相互接続６０８に接続するビア６１４と、Ｍx層相互接続６０４をＭx-1層相互接続６０８に接続するビア６１６とを含む。Ｍx層相互接続６０２および６０４は第１の方向に延び、Ｍx-1層相互接続６０６および６０８は、第１の方向に直交する第２の方向に延びる。ビア６１０、６１２、６１４、および６１６は各々、対応するトラックが重なる部分内にある。ビア６１０、６１２、６１４、および６１６の各々の長さｌは、Ｍx-1層相互接続６０６および６０８の幅ｗh以下であり、ビア６１０、６１２、６１４、および６１６の各々の幅ｗは、Ｍx層相互接続６０２および６０４の幅ｗv以下である。ビア６１０とビア６１２およびビア６１４とビア６１６は、（図５Ａ、図５Ｂのビア構造５２０と同様に）１つのトラックにより分離され、ビア６１０とビア６１４およびビア６１２とビア６１６は、（図３Ａ、図３Ｂのビア構造３２０と同様に）１つのトラックにより分離される。Ｍx層相互接続６０２および６０４は、少なくとも３つの水平トラックの幅にわたって各々延び得、Ｍx-1層相互接続６０６および６０８は、少なくとも３つの垂直トラックの幅にわたって各々延び得る。
【００２６】
[0034]相互接続およびビアのパターンは、ビアスタック構造がより下のメタル層に到達するまで繰り返し得る。ビア構造６２０は、Ｍx層相互接続６０２および６０４からより下のメタルＭy層相互接続に、電源（たとえば、Ｖdd）／グランド（たとえば、Ｖss）を提供し、Ｍy層はＭx層よりも下にある。方向Ａからの側面透視図は、図３Ｂの側面透視図と同様であり、方向Ｂからの側面透視図は、図５Ｂの側面透視図と同様である。ビア構造６２０は、４つのトラックを妨げる。具体的には、ビア構造６２０は、２つの垂直トラックと、２つの水平トラックとを妨げる。ビア構造６２０は、ビア構造３２０および５２０と比較して１つの追加のトラックを妨げ、したがって、ビア構造３２０および５２０より低い信号の間隙率／配線可能性を有する。しかし、ビア構造６２０は、ビア構造３２０および５２０の抵抗の半分を、よって２倍のＰＧ強度を有する。ビア構造６２０は、より高いＰＧ強度が必要な用途で使用され得る。
【００２７】
[0035]装置は、図２、図４に示されるものと同様の、ビア構造６２０および追加の相互接続を含み得る。たとえば、第１の相互接続は、第１の相互接続が相互接続６０２と相互接続６０４との間にあるように、ビア構造６２０を通って延び得る。第１の相互接続は、ビア構造６２０に非結合であり得る。別の例として、第２の相互接続は、第２の相互接続が相互接続６０６と相互接続６０８との間にあるように、ビア構造６２０を通って延び得る。第２の相互接続は、ビア構造６２０に非結合であり得る。そのような装置は、ビア構造６２０と、第１の相互接続および第２の相互接続のうちの少なくとも１つとを含み得る。相互接続６０２、６０４、６０６、６０８の各々は、同じメタル層上のビア構造６２０の外側の相互接続に非結合であり得る。たとえば、相互接続６０２は、同じメタル層上の相互接続６０４に対して（ビアを通して）結合されるが、相互接続６０４以外の同じメタル層上の任意の他の相互接続に非結合であり得る。別の例として、相互接続６０６は、同じメタル層上の相互接続６０８に対して（ビアを通して）結合されるが、相互接続６０８以外の同じメタル層上の任意の他の相互接続に非結合であり得る。さらに、相互接続６０２、６０４、６０６、６０８の各々は、相互接続６０２および６０４に電源／グランドを提供するため相互接続６０２および６０４に結合するビアを例外として、ビア構造６２０の外側のビアに非結合であり得る。最も高い層の相互接続はＭ9層上にあり得、最も低い層の相互接続はＭ3層上にあり得る。Ｍ3層相互接続における電源／グランドは、Ｍ3層相互接続の下に配置されるＭＯＳ（たとえば、ｎＭＯＳ、ｐＭＯＳ）トランジスタに提供され得る。そのため、Ｍ3層相互接続は、Ｍ3層相互接続の下に配置されるＭＯＳトランジスタのうちの少なくとも１つのＭＯＳトランジスタのソースに結合され得る。
【００２８】
[0036]図２、図３Ａ、図３Ｂを再び参照して、導電性スタック構造３２０を含む装置２３０は、Ｍx層上にあり第１のトラック上で第１の方向に延びるＭx層相互接続３０２／２４４と、Ｍy層上のメタルＭy層相互接続３７６とを含む。Ｍy層（たとえば、Ｍ3層）は、Ｍx層よりも下の層である。装置２３０は、Ｍx層相互接続３０２／２４４とＭy層相互接続３７６との間に結合される第１のビアスタック３５２をさらに含む。第１のビアスタック３５２は、Ｍx-1層上の第１のＭx-1層相互接続３０４／２３４を含み、複数のビアを含む。第１のＭx-1層相互接続３０４／２３４は、Ｍy層相互接続よりも上の層である。第１のＭx-1層相互接続３０４／２３４は、第２のトラック上で第２の方向に延びる。第２の方向は、第１の方向に直交する。複数のビアは、第１のトラックと第２のトラックとが重なる部分内の、Ｍx層相互接続３０２／２４４および第１のＭx-1層相互接続３０４／２３４に接続される第１のビア３０８／２４８を含む。複数のビアは、Ｍy層相互接続３７６と第１のＭx-1層相互接続３０４／２３４との間に結合される第２のビア（ビア３７４、３７０、３６６、または３６２のうちの任意の１つ）を含む。第２のビア（ビア３７４、３７０、３６６、または３６２のうちの任意の１つ）は、第１のトラックと第２のトラックとが重なる部分内にある。装置２３０は、Ｍx層相互接続３０２／２４４とＭy層相互接続３７６との間に結合される第２のビアスタック３５４をさらに含む。第２のビアスタック３５４は、第２のＭx-1層相互接続３０６／２３８と第２の複数のビアとを含む。第２のＭx-1層相互接続３０６／２３８は、第３のトラック上で第２の方向に延びる。第２の複数のビアは、第１のトラックと第３のトラックとが重なる部分内の、Ｍx層相互接続３０２／２４４および第２のＭx-1層相互接続３０６／２３８に接続される第３のビア３１０／２５０を含む。第２の複数のビアは、Ｍy層相互接続３７６と第２のＭx-1層相互接続３０６／２３８との間に結合される第４のビア（ビア３９０、３８８、３８４、または３８２のうちの任意の１つ）を含む。第４のビア（ビア３９０、３８８、３８４、または３８２のうちの任意の１つ）は、第１のトラックと第３のトラックとが重なる部分内にある。装置２３０は、第１のトラックに直接隣接する第４のトラック上で第１の方向に延びる第２のＭx層相互接続２４２をさらに含む。装置２３０は、第１のトラックに直接隣接する第５のトラック上で第１の方向に延びる第３のＭx層相互接続２４６をさらに含む。Ｍx層相互接続２４４は、第２のＭx層相互接続２４２と第３のＭx層相互接続２４６との間にある。第２のＭx層相互接続２４２と第３のＭx層相互接続２４６とは、互いに非結合である。
【００２９】
[0037]一構成では、第１のビア３０８／２４８および第２のビア（ビア３７４、３７０、３６６、または３６２のうちの任意の１つ）は各々、およそｗの幅を有し、第１のＭx-1層相互接続３０４／２３４は、少なくとも長さ３ｗだけ第１のビア３０８／２４８および第２のビア（ビア３７４、３７０、３６６、または３６２のうちの任意の１つ）を超えて延びる。加えて、第３のビア３１０／２５０および第４のビア（ビア３９０、３８８、３８４、または３８２のうちの任意の１つ）は各々、およそｗの幅を有し、第２のＭx-1層相互接続３０６／２３８は、少なくとも長さ３ｗだけ第３のビア３１０／２５０および第４のビア（ビア３９０、３８８、３８４、または３８２のうちの任意の１つ）を超えて延びる。一構成では、装置２３０は、第１のＭx-1層相互接続３０４／２３４と第２のＭx-1層相互接続３０６／２３８との間に、第２の方向に延びる第３のＭx-1層相互接続２３６をさらに含む。第３のＭx-1層相互接続２３６は、第１のＭx-1層相互接続３０４／２３４および第２のＭx-1層相互接続３０６／２３８に非結合である。
【００３０】
[0038]一構成では、Ｍx層相互接続３０２／２４４は、Ｍx層上のいかなる相互接続とも非結合である。一構成では、第１のＭx-1層相互接続３０４／２３４は、第２のＭx-1層相互接続３０６／２３８以外のＭx-1層上のいかなる相互接続とも非結合である。一構成では、第１のＭx-1層相互接続３０４／２３４は、第１のビア３０８／２４８以外の、Ｍx層とＭx-1層との間のいかなるビアとも非結合である。一構成では、第２のＭx-1層相互接続３０６／２３８は、第１のＭx-1層相互接続３０４／２３４以外のＭx-1層上のいかなる相互接続とも非結合である。一構成では、第２のＭx-1層相互接続３０６／２３８は、第３のビア３１０／２５０以外の、Ｍx層とＭx-1層との間のいかなるビアとも非結合である。一構成では、Ｍy層はＭ3層である。一構成では、装置２３０は、Ｍy層相互接続の下に配置される複数のＭＯＳトランジスタを含む。Ｍy層相互接続は、ＭＯＳトランジスタのうちの少なくとも１つのＭＯＳトランジスタのソースに結合される。
【００３１】
[0039]図２に示された構造と同様に、第１のビア３０８／２４８と第３のビア３１０／２５０とが、少なくとも１つのトラックにより分離され、また第２のビアと第４のビアとが、少なくとも１つのトラックにより分離される。一構成では、第１のビア３０８／２４８と第３のビア３１０／２５０とが、それぞれ、正確に１つのトラックにより（１つの間にあるトラックで）分離され、また第２のビアと第４のビアとが、正確に１つのトラックにより（１つの間にあるトラックで）分離される。図２に示された構造と同様に、第１のＭx-1層相互接続３０４／２３４は、少なくとも３つのトラックにわたって延びる。第１および第２のビアスタック３５２、３５４は、Ｍx層相互接続３０２／２４４からＭy層相互接続３７６に、電源（たとえば、Ｖdd）またはグランド（たとえば、Ｖss）を提供し得る（一般的に、電圧を提供し得る）。
【００３２】
[0040]図６を再び参照して、導電性スタック構造装置６２０は、第１のトラック上で第１の方向に延びるＭx層相互接続６０２とメタルＭy層相互接続とを含む（方向Ａからの図６の側面透視図は図３Ｂと同様であり、方向Ｂからの図６の側面透視図は図５Ｂと同様であるので、図３Ｂ、図５Ｂを参照）。Ｍy層（たとえば、Ｍ3層）は、Ｍx層よりも下の層である。導電性スタック構造装置６２０は、Ｍx層相互接続６０２とＭy層相互接続との間に結合される第１のビアスタックを（６１０において）さらに含む。第１のビアスタックは、第１のＭx-1層相互接続６０６と複数のビアとを含む。第１のＭx-1層相互接続６０６は、Ｍy層相互接続よりも上の層である。第１のＭx-1層相互接続６０６は、第２のトラック上で第２の方向に延びる。第２の方向は、第１の方向に直交する。複数のビアは、第１のトラックと第２のトラックとが重なる部分内の、Ｍx層相互接続６０２および第１のＭx-1層相互接続６０６に接続される第１のビア６１０を含む。複数のビアは、Ｍy層相互接続と第１のＭx-1層相互接続６０６との間に結合される第２のビアを含む。第２のビアは、第１のトラックと第２のトラックとが重なる部分内にある。導電性スタック構造装置６２０は、Ｍx層相互接続６０２とＭy層相互接続との間に結合される第２のビアスタックを（６１４において）さらに含む。第２のビアスタックは、第２のＭx-1層相互接続６０８と第２の複数のビアとを含む。第２のＭx-1層相互接続６０８は、第３のトラック上で第２の方向に延びる。第２の複数のビアは、第１のトラックと第３のトラックとが重なる部分内の、Ｍx層相互接続６０２および第２のＭx-1層相互接続６０８に接続される第３のビア６１４を含む。第２の複数のビアは、Ｍy層相互接続と第２のＭx-1層相互接続６０８との間に結合される第４のビアを含む。第４のビアは、第１のトラックと第３のトラックとが重なる部分内にある。
【００３３】
[0041]導電性スタック構造装置６２０は、第４のトラック上で第１の方向に延びる第２のＭx層相互接続６０４をさらに含む。導電性スタック構造装置６２０は、第２のＭx層相互接続６０４とＭy層相互接続との間に結合される第３のビアスタックを（６１２において）さらに含む。第３のビアスタックは、第１のＭx-1層相互接続６０６と第３の複数のビアとを含む。第３の複数のビアは、第４のトラックと第２のトラックとが重なる部分内の、第２のＭx層相互接続６０４および第１のＭx-1層相互接続６０６に接続される第５のビア６１２を含む。第３の複数のビアは、Ｍy層相互接続と第１のＭx-1層相互接続６０６との間に結合される第６のビアを含む。第６のビアは、第４のトラックと第２のトラックとが重なる部分内にある。導電性スタック構造装置６２０は、第２のＭx層相互接続６０４とＭy層相互接続との間に結合される第４のビアスタックを（６１６において）さらに含む。第４のビアスタックは、第２のＭx-1層相互接続６０８と第４の複数のビアとを含む。第４の複数のビアは、第４のトラックと第３のトラックとが重なる部分内の、第２のＭx層相互接続６０４および第２のＭx-1層相互接続６０８に接続される第７のビア６１６を含む。第４の複数のビアは、Ｍy層相互接続と第２のＭx-1層相互接続６０８との間に結合される第８のビアを含む。第８のビアは、第４のトラックと第３のトラックとが重なる部分内にある。
【００３４】
[0042]図２に示される構造と同様に、第１のビア６１０と第３のビア６１４は少なくとも１つのトラックにより分離され、第２のビアと第４のビアは少なくとも１つのトラックにより分離され、第５のビア６１２と第７のビア６１６は少なくとも１つのトラックにより分離され、第６のビアと第８のビアは少なくとも１つのトラックにより分離される。一構成では、第１のビア６１０と第３のビア６１４は正確に１つのトラックにより（１つの間にあるトラックで）分離され、第２のビアと第４のビアは正確に１つのトラックにより（１つの間にあるトラックで）分離され、第５のビア６１２と第７のビア６１６は正確に１つのトラックにより（１つの間にあるトラックで）分離され、第６のビアと第８のビアは正確に１つのトラックにより（１つの間にあるトラックで）分離される。図２に示される構造と同様に、第１のＭx-1層相互接続６０６は、少なくとも３つのトラックにわたって延び、第２のＭx-1層相互接続６０８は、少なくとも３つのトラックにわたって延びる。
【００３５】
[0043]図５を再び参照して、導電性スタック構造５２０を含む装置４３０は、Ｍx層上にあり第１のトラック上で第１の方向に延びる第１のＭx層相互接続５０２／４３４と、Ｍx層上にあり第２のトラック上で第１の方向に延びる第２のＭx層相互接続５０４／４３８と、Ｍy層上のＭy層相互接続５７６とを含む。Ｍy層（たとえば、Ｍ3層）は、Ｍx層よりも下の層である。装置４３０は、第１のＭx層相互接続５０２／４３４とＭy層相互接続５７６との間に結合される第１のビアスタック５５２をさらに含む。第１のビアスタック５５２は、Ｍx-1層上のＭx-1層相互接続５０６／４４４を含み、複数のビアを含む。Ｍx-1層相互接続５０６／４４４は、Ｍy層相互接続５７６よりも上の層である。Ｍx-1層相互接続５０６／４４４は、第３のトラック上で第２の方向に延びる。第２の方向は、第１の方向に直交する。複数のビアは、第１のトラックと第３のトラックとが重なる部分内の、第１のＭx層相互接続５０２／４３４およびＭx-1層相互接続５０６／４４４に接続される第１のビア５０８／４４８を含む。複数のビアは、Ｍy層相互接続５７６とＭx-1層相互接続５０６／４４４との間に結合される第２のビア（ビア５７４、５７０、５６６、または５６２のうちの任意の１つ）を含む。第２のビア（ビア５７４、５７０、５６６、または５６２のうちの任意の１つ）は、第１のトラックと第３のトラックとが重なる部分内にある。装置４３０は、第２のＭx層相互接続５０４／４３８とＭy層相互接続５７６との間に結合される第２のビアスタック５５４をさらに含む。第２のビアスタック５５４は、Ｍx-1層相互接続５０６／４４４と第２の複数のビアとを含む。第２の複数のビアは、第２のトラックと第３のトラックとが重なる部分内の、第２のＭx層相互接続５０４／４３８およびＭx-1層相互接続５０６／４４４に接続される第３のビア５１０／４５０を含む。第２の複数のビアは、Ｍy層相互接続５７６とＭx-1層相互接続５０６／４４４との間に結合される第４のビア（ビア５９２、５８８、５８６、５８２のうちの任意の１つ）を含む。第４のビア（ビア５９２、５８８、５８６、５８２のうちの任意の１つ）は、第２のトラックと第３のトラックとが重なる部分内にある。装置は、第１のトラックおよび第２のトラックに直接隣接する第４のトラック上で第１の方向に延びる第３のＭx層相互接続４３６をさらに含む。第３のＭx層相互接続４３６は、第１のＭx層相互接続５０２／４３４と第２のＭx層相互接続５０４／４３８との間に延びる。第３のＭx層相互接続４３６は、第１のＭx層相互接続５０２／４３４および第２のＭx層相互接続５０４／４３８に非結合である。
【００３６】
[0044]一構成では、第１のビア５０８／４４８は、およそｗの幅を有し、第１のＭx層相互接続５０２／４３４は、少なくとも長さ３ｗだけ第１のビア５０８／４４８を超えて延びる。加えて、第３のビア５１０／４５０は、およそｗの幅を有し、第２のＭx層相互接続５０４／４３８は、少なくとも長さ３ｗだけ第３のビア５１０／４５０を超えて延びる。一構成では、装置は、第３のトラックに直接隣接する第５のトラック上で第２の方向に延びる第２のＭx-1層相互接続４４２と、第３のトラックに直接隣接する第６のトラック上で第２の方向に延びる第３のＭx-1層相互接続４４６とをさらに含む。Ｍx-1層相互接続５０６／４４４は、第２のＭx-1層相互接続４４２と第３のＭx-1層相互接続４４６との間にある。Ｍx-1層相互接続５０６／４４４は、第２のＭx-1層相互接続４４２および第３のＭx-1層相互接続４４６に非結合であり、第２のＭx-1層相互接続４４２と第３のＭx-1層相互接続４４６とは、互いに非結合である。一構成では、第１のＭx層相互接続５０２／４３４は、第２のＭx層相互接続５０４／４３８以外のＭx層上のいかなる相互接続とも非結合であり、第２のＭx層相互接続５０４／４３８は、第１のＭx層相互接続５０２／４３４以外のＭx層上のいかなる相互接続とも非結合である。
【００３７】
[0045]一構成では、Ｍx-1層相互接続５０６／４４４は、Ｍx-1層上のいかなる相互接続とも非結合である。一構成では、Ｍx-1層相互接続５０６／４４４は、第１のビア５０８／４４８および第３のビア５１０／４５０以外の、Ｍx層とＭx-1層との間のいかなるビアとも非結合である。一構成では、Ｍy層はＭ3層である。一構成では、装置は、Ｍy層相互接続の下に配置される複数のＭＯＳトランジスタをさらに含む。Ｍy層相互接続５７６は、ＭＯＳトランジスタのうちの少なくとも１つのＭＯＳトランジスタのソースに結合される。
【００３８】
[0046]第１のビア５０８／４４８と第３のビア５１０／４５０とが、それぞれ、少なくとも１つのトラックにより分離され、また第２のビアと第４のビアとが、少なくとも１つのトラックにより分離される。一構成では、第１のビア５０８／４４８と第３のビア５１０／４５０とが、正確に１つのトラックにより（１つの間にあるトラックで）分離され、また第２のビアと第４のビアとが、正確に１つのトラックにより（１つの間にあるトラックで）分離される。第１のＭx層相互接続５０２／４３４および第２のＭx層相互接続５０４／４３８は、それぞれ、少なくとも３つのトラックにわたって各々延びる。第１および第２のビアスタック５５２、５５４は、第１および第２のＭx層相互接続５０２／４３４、５０４／４３８からＭy層相互接続５７６に、電源（たとえば、Ｖdd）またはグランド（たとえば、Ｖss）を提供する（一般的に、電圧を提供し得る）。
【００３９】
[0047]開示されたプロセス中のステップの具体的な順序または階層は、例示的な手法の説明であることが理解される。設計上の選好に基づいて、プロセスにおけるステップの特定の順序または階層は並べ替えられ得ることを理解されたい。さらに、いくつかのステップは、組み合わされ、または省略され得る。添付の方法クレームは、見本の順序で様々なステップの要素を提示しており、提示される特定の順序または階層に限定されることを意図されない。
【００４０】
[0048]前の記載は、当業者が本明細書に記載される様々な態様を実施することを可能にするために提供される。これらの態様への様々な変更は当業者には容易に明らかであり、本明細書で定義された一般的原理は他の態様に適用され得る。したがって、特許請求の範囲は、本明細書に示される態様に限定されることが意図されず、文言が主張するものと一致する全範囲を与えられるべきであり、ただし、単数での要素への言及は、明示的にそのように述べられるのでない限り「１つであり、１つのみ」を意味することが意図されず、「１つまたは複数」を意味することが意図される。「例示的」という言葉は、本明細書中で、「例、事例、または例示として働くこと」を意味するように使用される。本明細書で「例示的」として記載される任意の態様は、必ずしも、他の態様よりも好ましいまたは有利であると解釈されるべきでない。そうでないと明示的に述べられるのでない限り、「いくつかの」という用語は、１つまたは複数のことを言う。「Ａ、Ｂ、またはＣのうちの少なくとも１つ」、「Ａ、Ｂ、およびＣのうちの少なくとも１つ」「Ａ、Ｂ、Ｃ、またはそれらの任意の組合せ」などの組合せは、Ａ、Ｂ、および／またはＣの任意の組合せを含み、複数のＡ、複数のＢ、または複数のＣを含み得る。具体的には、「Ａ、Ｂ、またはＣのうちの少なくとも１つ」、「Ａ、Ｂ、およびＣのうちの少なくとも１つ」「Ａ、Ｂ、Ｃ、またはそれらの任意の組合せ」などの組合せは、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、ＡおよびＢ、ＡおよびＣ、ＢおよびＣ、またはＡおよびＢおよびＣであり得、ここで、任意のそのような組合せは、Ａ、Ｂ、またはＣの１つまたは複数のメンバを含み得る。「接続される」という用語は、「直接接続される」ことを意味する。「結合される」という用語は、「接続される」または他の要素を介して「間接的に接続される」ことを意味する。当業者に知られているまたは後に知られるようになる、本開示を通して記載される様々な態様の要素に対するすべての構造的および機能的な等価物は、参照により本明細書に明示的に組み込まれ、特許請求の範囲によって包含されることが意図される。さらに、本明細書に開示されるものは、そのような開示が特許請求の範囲に明示的に述べられるかどうかにかかわらず、公に解放されることが意図されない。要素が「のための手段」という語句を使用して明示的に述べられない限り、特許請求要素は、ミーンズプラスファンクションと解釈されるべきでない。
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［Ｃ１］  導電性スタック構造を含む装置であって、
第１のトラック上で第１の方向に延びるメタルｘ（Ｍx）層上のＭx層相互接続と、
メタルｙ（Ｍy）層上のＭy層相互接続、ここで、前記Ｍy層が前記Ｍx層よりも下の層である、と、
前記Ｍx層相互接続と前記Ｍy層相互接続との間に結合される第１のビアスタック、ここで、前記第１のビアスタックが、メタルｘ−１（Ｍx-1）層上の第１のＭx-1層相互接続を含み、複数のビアを含む、前記第１のＭx-1層相互接続が、前記Ｍy層相互接続よりも上の層であり、前記第１のＭx-1層相互接続が、第２のトラック上で第２の方向に延び、前記第２の方向が前記第１の方向に直交し、前記複数のビアが、前記第１のトラックと前記第２のトラックとが重なる部分内の、前記Ｍx層相互接続および前記第１のＭx-1層相互接続に接続される第１のビアを含み、前記複数のビアが、前記Ｍy層相互接続と前記第１のＭx-1層相互接続との間に結合される第２のビアを含み、前記第２のビアが、前記第１のトラックと前記第２のトラックとが重なる部分内にある、と、
前記Ｍx層相互接続と前記Ｍy層相互接続との間に結合される第２のビアスタック、ここで、前記第２のビアスタックが、第２のＭx-1層相互接続と第２の複数のビアとを含み、前記第２のＭx-1層相互接続が、第３のトラック上で前記第２の方向に延び、前記第２の複数のビアが、前記第１のトラックと前記第３のトラックとが重なる部分内の、前記Ｍx層相互接続および前記第２のＭx-1層相互接続に接続される第３のビアを含み、前記第２の複数のビアが、前記Ｍy層相互接続と前記第２のＭx-1層相互接続との間に結合される第４のビアを含み、前記第４のビアが、前記第１のトラックと前記第３のトラックとが重なる部分内にある、と、
前記第１のトラックに直接隣接する第４のトラック上で前記第１の方向に延びる第２のＭx層相互接続と、
前記第１のトラックに直接隣接する第５のトラック上で前記第１の方向に延びる第３のＭx層相互接続、ここで、前記Ｍx層相互接続が、前記第２のＭx層相互接続と前記第３のＭx層相互接続との間にあり、前記第２のＭx層相互接続と前記第３のＭx層相互接続とが互いに非結合である、と、
を備える装置。
［Ｃ２］  前記第１のビアおよび前記第２のビアが各々、およそｗの幅を有し、前記第１のＭx-1層相互接続が、少なくとも長さ３ｗだけ前記第１のビアおよび前記第２のビアを超えて延び、
前記第３のビアおよび前記第４のビアが各々、およそｗの幅を有し、前記第２のＭx-1層相互接続が、少なくとも長さ３ｗだけ前記第３のビアおよび前記第４のビアを超えて延びる、
［Ｃ１］に記載の装置。
［Ｃ３］  前記第１のＭx-1層相互接続と前記第２のＭx-1層相互接続との間に、前記第２の方向に延びる第３のＭx-1層相互接続をさらに含み、前記第３のＭx-1層相互接続が、前記第１のＭx-1層相互接続および前記第２のＭx-1層相互接続に非結合である、［Ｃ１］に記載の装置。
［Ｃ４］  前記Ｍx層相互接続が、前記Ｍx層上のいかなる相互接続とも非結合である、［Ｃ１］に記載の装置。
［Ｃ５］  前記第１のＭx-1層相互接続が、前記第２のＭx-1層相互接続以外の前記Ｍx-1層上のいかなる相互接続とも非結合である、［Ｃ１］に記載の装置。
［Ｃ６］  前記第１のＭx-1層相互接続が、前記第１のビア以外の、前記Ｍx層と前記Ｍx-1層との間のいかなるビアとも非結合である、［Ｃ５］に記載の装置。
［Ｃ７］  前記第２のＭx-1層相互接続が、前記第１のＭx-1層相互接続以外の前記Ｍx-1層上のいかなる相互接続とも非結合である、［Ｃ１］に記載の装置。
［Ｃ８］  前記第２のＭx-1層相互接続が、前記第３のビア以外の、前記Ｍx層と前記Ｍx-1層との間のいかなるビアとも非結合である、［Ｃ７］に記載の装置。
［Ｃ９］  前記Ｍy層がＭ3層である、［Ｃ１］に記載の装置。
［Ｃ１０］  前記Ｍy層相互接続の下に配置される複数のメタル酸化物半導体（ＭＯＳ）トランジスタをさらに含み、ここにおいて、前記Ｍy層相互接続が、前記ＭＯＳトランジスタのうちの少なくとも１つのＭＯＳトランジスタのソースに結合される、［Ｃ１］に記載の装置。
［Ｃ１１］  前記第１のビアと第３のビアとが少なくとも１つのトラックにより分離され、前記第２のビアと第４のビアとが少なくとも１つのトラックにより分離される、［Ｃ１］に記載の装置。
［Ｃ１２］  前記第１のビアと第３のビアとが１つのトラックにより分離され、前記第２のビアと第４のビアとが１つのトラックにより分離される、［Ｃ１１］に記載の装置。
［Ｃ１３］  前記第１のＭx-1層相互接続が、少なくとも３つのトラックにわたって延びる、［Ｃ１］に記載の装置。
［Ｃ１４］  第４のトラック上で前記第１の方向に延びる第２のＭx層相互接続と、
前記第２のＭx層相互接続と前記Ｍy層相互接続との間に結合される第３のビアスタック、ここで、前記第３のビアスタックが、前記第１のＭx-1層相互接続と第３の複数のビアとを含み、前記第３の複数のビアが、前記第４のトラックと前記第２のトラックとが重なる部分内の、前記第２のＭx層相互接続および前記第１のＭx-1層相互接続に接続される第５のビアを含み、前記第３の複数のビアが、前記Ｍy層相互接続と前記第１のＭx-1層相互接続との間に結合される第６のビアを含む、前記第６のビアが、前記第４のトラックと前記第２のトラックとが重なる部分内にある、と、
前記第２のＭx層相互接続と前記Ｍy層相互接続との間に結合される第４のビアスタック、ここで、前記第４のビアスタックが、第２のＭx-1層相互接続と第４の複数のビアとを含み、前記第４の複数のビアが、前記第４のトラックと前記第３のトラックとが重なる部分内の、前記第２のＭx層相互接続および前記第２のＭx-1層相互接続に接続される第７のビアを含み、前記第４の複数のビアが、前記Ｍy層相互接続と前記第２のＭx-1層相互接続との間に結合される第８のビアを含み、前記第８のビアが、前記第４のトラックと前記第３のトラックとが重なる部分内にある、と、
をさらに備える、［Ｃ１］に記載の装置。
［Ｃ１５］  前記第１のビアと第３のビアが少なくとも１つのトラックにより分離され、前記第２のビアと第４のビアが少なくとも１つのトラックにより分離され、前記第５のビアと第７のビアが少なくとも１つのトラックにより分離され、前記第６のビアと第８のビアが少なくとも１つのトラックにより分離される、［Ｃ１４］に記載のスタック構造。
［Ｃ１６］  前記第１のビアと第３のビアが１つのトラックにより分離され、前記第２のビアと第４のビアが１つのトラックにより分離され、前記第５のビアと第７のビアが１つのトラックにより分離され、前記第６のビアと第８のビアが１つのトラックにより分離される、［Ｃ１５］に記載のスタック構造。
［Ｃ１７］  前記第１のＭx-1層相互接続が、少なくとも３つのトラックにわたって延び、前記第２のＭx-1層相互接続が、少なくとも３つのトラックにわたって延びる、［Ｃ１４］に記載の装置。
［Ｃ１８］  前記第１および第２のビアスタックが、前記Ｍx層相互接続から前記Ｍy層相互接続に、電源またはグランドのうちの１つを提供する、［Ｃ１］に記載の装置。
［Ｃ１９］  導電性スタック構造を含む装置であって、
第１のトラック上で第１の方向に延びるＭx層上の第１のメタルｘ（Ｍx）層相互接続と、
第２のトラック上で前記第１の方向に延びる前記Ｍx層上の第２のＭx層相互接続と、
Ｍy層上のメタルｙ（Ｍy）層相互接続、ここで、前記Ｍy層が前記Ｍx層よりも下の層である、と、
前記第１のＭx層相互接続と前記Ｍy層相互接続との間に結合される第１のビアスタックここで、前記第１のビアスタックが、Ｍx-1層上のメタルｘ−１（Ｍx-1）層相互接続を含み、および複数のビアを含み、前記Ｍx-1層相互接続が、前記Ｍy層相互接続よりも上の層であり、前記Ｍx-1層相互接続が、第３のトラック上で第２の方向に延び、前記第２の方向が前記第１の方向に直交し、前記複数のビアが、前記第１のトラックと前記第３のトラックとが重なる部分内の、前記第１のＭx層相互接続および前記Ｍx-1層相互接続に接続される第１のビアを含み、前記複数のビアが、前記Ｍy層相互接続と前記Ｍx-1層相互接続との間に結合される第２のビアを含み、前記第２のビアが、前記第１のトラックと前記第３のトラックとが重なる部分内にある、と、
前記第２のＭx層相互接続と前記Ｍy層相互接続との間に結合される第２のビアスタック、ここで、前記第２のビアスタックが、前記Ｍx-1層相互接続と第２の複数のビアとを含み、前記第２の複数のビアが、前記第２のトラックと前記第３のトラックとが重なる部分内の、前記第２のＭx層相互接続および前記Ｍx-1層相互接続に接続される第３のビアを含み、前記第２の複数のビアが、前記Ｍy層相互接続と前記Ｍx-1層相互接続との間に結合される第４のビアを含み、前記第４のビアが、前記第２のトラックと前記第３のトラックとが重なる部分内にある、と、
前記第１のトラックおよび前記第２のトラックに直接隣接する第４のトラック上で前記第１の方向に延びる第３のＭx層相互接続、ここで、前記第３のＭx層相互接続が、前記第１のＭx層相互接続と前記第２のＭx層相互接続との間に延び、前記第３のＭx層相互接続が、前記第１のＭx層相互接続および前記第２のＭx層相互接続に非結合である、と、
を備える装置。
［Ｃ２０］  前記第１のビアがおよそｗの幅を有し、前記第１のＭx層相互接続が、少なくとも長さ３ｗだけ前記第１のビアを超えて延び、
前記第３のビアがおよそｗの幅を有し、前記第２のＭx層相互接続が、少なくとも長さ３ｗだけ前記第３のビアを超えて延びる、
［Ｃ１９］に記載の装置。
［Ｃ２１］  前記第３のトラックに直接隣接する第５のトラック上で前記第２の方向に延びる第２のＭx-1層相互接続と、
前記第３のトラックに直接隣接する第６のトラック上で前記第２の方向に延びる第３のＭx-1層相互接続と、
をさらに備え、
ここにおいて、前記Ｍx-1層相互接続が、前記第２のＭx-1層相互接続と前記第３のＭx-1層相互接続との間にあり、前記Ｍx-1層相互接続が、前記第２のＭx-1層相互接続および前記第３のＭx-1層相互接続に非結合であり、前記第２のＭx-1層相互接続と前記第３のＭx-1層相互接続とが互いに非結合である、
［Ｃ１９］に記載の装置。
［Ｃ２２］  前記第１のＭx層相互接続が、前記第２のＭx層相互接続以外の前記Ｍx層上のいかなる相互接続とも非結合であり、前記第２のＭx層相互接続が、前記第１のＭx層相互接続以外の前記Ｍx層上のいかなる相互接続とも非結合である、［Ｃ１９］に記載の装置。
［Ｃ２３］  前記Ｍx-1層相互接続が、前記Ｍx-1層上のいかなる相互接続とも非結合である、［Ｃ１９］に記載の装置。
［Ｃ２４］  前記Ｍx-1層相互接続が、前記第１のビアおよび前記第３のビア以外の、前記Ｍx層と前記Ｍx-1層との間のいかなるビアとも非結合である、［Ｃ２３］に記載の装置。
［Ｃ２５］  前記Ｍy層がＭ3層である、［Ｃ１９］に記載の装置。
［Ｃ２６］  前記Ｍy層相互接続の下に配置される複数の金属酸化物半導体（ＭＯＳ）トランジスタをさらに含み、ここにおいて、前記Ｍy層相互接続が、前記ＭＯＳトランジスタのうちの少なくとも１つのＭＯＳトランジスタのソースに結合される、［Ｃ１９］に記載の装置。
［Ｃ２７］  前記第１のビアと第３のビアとが少なくとも１つのトラックにより分離され、前記第２のビアと第４のビアとが少なくとも１つのトラックにより分離される、［Ｃ１９］に記載の装置。
［Ｃ２８］  前記第１のビアと第３のビアとが１つのトラックにより分離され、前記第２のビアと第４のビアとが１つのトラックにより分離される、［Ｃ２７］に記載の装置。
［Ｃ２９］  前記第１および第２のＭx層相互接続が各々、少なくとも３つのトラックにわたって延びる、［Ｃ１９］に記載の装置。
［Ｃ３０］  前記第１および第２のビアスタックが、前記第１および第２のＭx層相互接続から前記Ｍy層相互接続に、電源またはグランドのうちの１つを提供する、［Ｃ１９］に記載の装置。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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