(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子であって、
基板層と、
前記基板層の上方に配置され第１のドーパントでドープされた第１の半導体層と、前記第１の半導体層の上方でかつその近位に配置され第２のドーパントでドープされた第２の半導体層とを含む複数のドープ半導体層と、
前記第１の半導体層内において前記第２の半導体層に近位にある第１の空乏領域と、
前記第２の半導体層内において前記第１の半導体層に近位にあり前記第１の空乏領域よりも大きな厚さを有する第２の空乏領域と
を有し、
前記第１および第２の半導体層は、その選択された領域内にイオン注入がなされ、前記第１および第２の半導体層の各々の中に前記第１および第２の半導体層の垂直線に対して概ね正の側面角度のイオン注入プロファイルを有し、
前記イオン注入プロファイルは、さらに、前記第１および第２の半導体層のイオン注入されていない内側領域ならびに前記第１および第２の半導体層のイオン注入されている外側領域を画定し、前記第１の半導体層の前記イオン注入されていない前記内側領域は前記第２の半導体層の前記イオン注入されていない前記内側領域よりも大きな面積を有するものである
半導体素子。
【請求項２】
請求項１記載の半導体素子において、前記半導体素子は、前記第１の空乏領域と前記第２の空乏領域との間に、前記内側領域の中央部分でより大きく前記イオン注入プロファイル付近の部分でより小さい電界を有するものである半導体素子。
【請求項３】
請求項１記載の半導体素子において、さらに、
前記基板層および前記第１または第２の半導体層のいずれかに連結された電気回路を有し、当該電気回路は、前記第１または第２の半導体層のうちのいずれかの層内における少なくとも１つの入射光子を検出し、前記検出された１若しくはそれ以上の光子に対応する電気的出力を提供するものである半導体素子。
【請求項４】
請求項３記載の半導体素子において、前記電気回路は、パッシブクエンチ回路を有するものである半導体素子。
【請求項５】
請求項１記載の半導体素子において、前記第１および第２の半導体層のうちの一方はｐ型ドーパントを有し、前記第１および第２の半導体層のうちの他方はｎ型ドーパントを有するものである半導体素子。
【請求項６】
請求項１記載の半導体素子において、前記イオン注入プロファイルは、前記第１および第２の半導体層内に前記イオン注入プロファイルに従って上向きかつ内向きに狭まる形状を有するメサを概ね画定するものである半導体素子。
【請求項７】
請求項１記載の半導体素子において、前記イオン注入プロファイルは、前記イオン注入の結果、比較的高い導電率を有する前記内側領域と比較的低い導電率を有する前記外側領域との間の境界を画定するものである半導体素子。
【請求項８】
請求項６記載の半導体素子において、前記空乏領域は、前記内側領域の中央部分の付近でより薄く、前記イオン注入プロファイル付近でより厚いものである半導体素子。
【請求項９】
請求項１記載の半導体素子において、前記外側領域は、前記内側領域の周りに電気的分離領域または保護領域を形成するものである半導体素子。
【請求項１０】
請求項１記載の半導体素子において、前記第２の半導体層内のドーピング密度は、前記第１の半導体層内のドーピング密度よりも低いものである半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、光子検出器または光検出素子を対象とする。特に、光検出器の結果を改善させる製作技法を含む、単一光子アバランシェ検出器として使用することのできる、ドープ半導体材料を用いた光検出器を対象とする。
【０００２】
本出願は、この参照により本明細書に組み込まれる、２０１３年４月１９日付で出願され「Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ＳＰＡＤ  Ａｒｒａｙ」と題された米国仮出願第６１／８１３，７２０号に関連し、これに対して便益および優先権を主張するものである。
【０００３】
本発明の態様は、エネルギー庁によって授与されたＳＢＩＲフェーズＩ、補助金第ＤＥ−ＳＣ０００９５３８号の下に米国政府による援助を享受している。米国特許法２０２条（ｃ）（６）に基づく規定に従って、米国政府が本発明に一定の権利を有する場合がある。
【背景技術】
【０００４】
アバランシェフォトダイオード（Ａｖａｌａｎｃｈｅ  Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅｓ：ＡＰＤｓ）は、雪崩増倍を利用して内部利得を実現する光検出器である。この参照により本明細書内に組み込まれる、Ｊ．Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ第２５巻（１）（２００７年刊）の１０９〜１２１ページに記載された、Ｊ．Ｃ．Ｃａｍｐｂｅｌｌによる「Ｒｅｃｅｎｔ  Ａｄｖａｎｃｅｓ  ｉｎ  Ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ  Ａｖａｌａｎｃｈｅ  Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅｓ」などの多くの先行技術の出典が、光検出器について述べている。単一光子アバランシェフォトダイオード（ｓｉｎｇｌｅ  ｐｈｏｔｏｎ  ａｖａｌａｎｃｈｅ  ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅｓ：ＳＰＡＤｓ）は、単一光子を検出することのできる特定の種類のアバランシェフォトダイオードである。ＳＰＡＤの例は、例えば、この参照により本明細書内に組み込まれる、Ｊ．Ｍｏｄｅｒｎ  Ｏｐｔｉｃｓ第５１巻（９〜１０）（２００４年刊）の１２６７〜１２８８ページに記載された、Ｓ．Ｃｏｖａ他による「Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ  ａｎｄ  ｐｒｏｓｐｅｃｔｓ  ｆｏｒ  ｓｉｎｇｌｅ−ｐｈｏｔｏｎ  ａｖａｌａｎｃｈｅ  ｄｉｏｄｅｓ  ａｎｄ  ｑｕｅｎｃｈｉｎｇ  ｃｉｒｃｕｉｔｓ」に述べられている。
【０００５】
ＡＰＤアレイおよびＳＰＡＤアレイは当該技術分野においてもまた既知であり、これらには、シリコン光電子増倍管（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｐｈｏｔｏｍｕｌｔｉｐｌｉｅｒ：ＳｉＰＭ）、多画素光子検出器（ｍｕｌｔｉ−ｐｉｘｅｌ  ｐｈｏｔｏｎ  ｄｅｔｅｃｔｏｒ：ＭＰＰＣ）、および多数の同様な素子のようないろいろな素子が含まれる。この参照により本明細書内に組み込まれる、米国特許出願公開第２０１１／００７９７２７号明、第２０１０／０１２７３１４号、および２０１０年刊ＩＥＥＥ  Ｎｕｃｌｅａｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ  Ｒｅｃｏｒｄ（ＮＳＳ／ＭＩＣ）の１７２２〜１７２７ページに記載された、Ｔ．Ｆｒａｃｈ他による「Ｔｈｅ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｐｈｏｔｏｍｕｌｔｉｐｌｉｅｒ−Ｓｙｓｔｅｍ  Ａｒｃｈｉｔｅｃｕｔｒｅ  ａｎｄ  Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ  Ｅｖａｌｕａｔｉｏｎ」に開示されたデジタルＳｉＰＭ（ｄｉｇｉｔａｌ  ＳｉＰＭ：ｄＳｉＰＭ）手法について言及しておく。従来の素子のこの他の例は、いずれもこの参照により本明細書内に組み込まれる、フランスのＬＡＬ  Ｏｒｓａｙによる２０１２年刊、Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｗｏｒｋｓｈｏｐ  ｏｎ  Ｎｅｗ  Ｐｈｏｔｏｎ−ｄｅｔｅｃｔｏｒｓ、提出時にｈｔｔｐ：／／ｉｎｄｉｃｏ．ｃｅｒｎ．ｃｈ／ｇｅｔＦｉｌｅ．ｐｙ／ａｃｃｅｓｓ？ｃｏｎｔｒｉｂＩｄ＝７２&ｒｅｓＩｄ＝０&ｍａｔｅｒｉａｌＩｄ＝ｓｌｉｄｅｓ&ｃｏｎｆＩｄ＝１６４９１７でオンラインで見つけることのできたＧ．Ｃｏｌｌａｚｕｏｌによる「Ｔｈｅ  ＳｉＰＭ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ−ａ  Ｒｅｖｉｅｗ−」と題されたプレゼンテーション、ＩＥＥＥ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｄｅｖ．Ｌｅｔｔ第３１巻（１）（２０１０年刊）４１〜４３ページに記載のＷ−Ｓ  Ｓｕｌ他による「Ｇｕａｒｄ  Ｒｉｎｇ  Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ  ｆｏｒ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｐｈｏｔｏｍｕｌｔｉｐｌｉｅｒｓ」、ＩＥＥＥ  Ｊ．Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ第４４巻（２）（２００８年刊）１５７〜１６４ページに記載のＡ．Ｇ．Ｓｔｅｗａｒｔ他による「Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ  ｏｆ  １−ｍｍ２  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｐｈｏｔｏｍｕｌｔｉｐｌｉｅｒ」に記述されている。簡単なＳＰＡＤアレイ素子は、単一光子アバランシェダイオード（ｓｉｎｇｌｅ  ｐｈｏｔｏｎ  ａｖａｌａｎｃｈｅ  ｄｉｏｄｅ：ＳＰＡＤ）とパッシブクエンチ回路とを組み込んでいる。前記パッシブクエンチ回路は、Ｓｅｎｓｏｒｓ  ａｎｄ  Ａｃｔｕａｔｏｒｓ  Ａ  １４０（２００７年刊）１１３〜１２２ページに記載のＳ．Ｔｉｚａ他による「Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  ｆｏｒ  ｓｉｎｇｌｅ  ｐｈｏｔｏｎ  ａｖａｌａｎｃｈｅ  ｄｉｏｄｅ  ａｒｒａｙｓ」およびＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓ．Ｎｕｃｌｅａｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ第５６巻（６）（２００９年１２月刊）３７２６〜３７３３ページに記載のＳ．Ｓｅｉｆｅｒｔ他による「Ｓｉｍｕｌｔａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｐｈｏｔｏｍｕｌｔｉｐｌｉｅｒ  Ｓｉｇｎａｌｓ」に記述されているようなバイパスコンデンサと並列な電流制限素子（通常は抵抗器）から構成されている。上記のすべての参考文献は、この参照により本明細書内に組み込��れる。
【０００６】
従来技術のＡＰＤアレイはまた、隣接するＡＰＤ素子同士を分離する様々な技法を使用してきた。例えば、ＰＮ接合分離法およびメサ分離法は従来技術分野において周知である。一般的に、ＰＮ接合分離法は、ドーピングの水平方向の範囲を制限して（ｎ型基板上の）ｐ型領域もしくは（ｐ型基板上の）ｎ型領域、またはその両方を分離することにより実現される。分離された素子におけるエッジ効果は、前記ＡＰＤ素子の周縁部に沿って電界集中を引き起こすことが多く、通常、これにより不均一なアバランシェ利得プロファイルが生じる。分離された素子におけるエッジ効果は、二重拡散構造体、ガードリング構造体、または当該技術分野において周知のその他の手法（例えば、１９９１年２月刊のＪ．Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ第１０巻（２）に記載のＹ．Ｌｉｕ、Ｓ．Ｒ．Ｆｏｒｒｅｓｔ、Ｊ．Ｈｌａｄｋｙ、Ｍ．Ｊ．Ｌａｎｇｅ、Ｇ．Ｈ．Ｏｌｓｅｎ、およびＤ．Ｅ．Ａｃｋｌｅｙによる「Ａ  Ｐｌａｎａｒ  ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ  Ａｖｌａｎｃｈｅ  Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ  ｗｉｔｈ  Ｆｌｏａｔｉｎｇ  Ｇｕａｒｄ  Ｒｉｎｇ  ａｎｄ  Ｄｏｕｂｌｅ  Ｄｉｆｆｕｓｅｄ  Ｊｕｎｃｔｉｏｎ」ならびに１９９６年にマサチューセッツ州Ｂｏｓｔｏｎ市のＰＷＳ  Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ  Ｃｏｍｐａｎｙによって発行された、Ｂ．Ｊ．ＢａｌｉｇａによるＣｈａｐｔｅｒ  ３：Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ  Ｖｏｌｔａｇｅ  ｉｎ  Ｐｏｗｅｒ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅｓの６７〜１２７ページを参照されたい）の使用によって軽減される。
【０００７】
メサ分離法を使用して、隣接するＡＰＤ素子間の導電路を部分的にまたは完全に除去することにより、ＡＰＤの活性域を画定し、かつ隣接するＡＰＤ素子同士を水平方向に分離することができる。メサ分離法に傾斜した縁部構造を使用してエッジ効果を軽減することができるが、これには前記メサ構造体（傾斜角）および前記メサの表面準位密度に厳密さが要求される。縁部の傾斜したメサ構造体については、この参照により本明細書内に組み込まれる、マサチューセッツ州Ｂｏｓｔｏｎ市のＰＷＳ  Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ  Ｃｏｍｐａｎｙによって発行された、Ｂ．Ｊ．Ｂａｌｉｇａによる「Ｐｏｗｅｒ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅｓ」の１０３〜１１１ページに詳細に記載されている。
【０００８】
半導体領域に絶縁、半絶縁、または非常に低い導電率を持たせるためには、イオン注入分離法が使用される。イオン注入分離法は、複合半導体素子に対して使用されることが多く、イオン注入が半導体領域内に十分な量の深準位を生じさせて前記半導体領域内のドーピングの一部を補償することにより、導電性を低下させ、多くの場合、前記領域を高抵抗とする。イオン注入分離法のすべての場合に、実験値で１×１０９オーム／平方を超える残留導電性が残るが、これよりも幾分低い値の抵抗率が一般的である。前記残留導電性は、多くの場合、残留自由キャリアによる導電性および／またはホッピング導電に起因する。ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰ、およびＩｎＡｌＩｎＮなどの複合半導体について、注入分離は、多くの場合、水素イオン、ヘリウムイオン、酸素イオン、窒素イオン、ホウ素イオン、フッ素イオン、ヒ素イオン、およびリンイオンの使用によって実現されるが、当業者であれば、任意の好適なイオンを使用できることを理解するであろう。前記残留導電性は、注入種、注入エネルギー、注入量、および注入プロファイルの関数である。ドーピングのための従来のイオン注入は、一般的に、ドーパント原子毎に（最大）１個の自由キャリアを実現するが、イオン注入分離は、相乗効果を実現するので単一原子（または種）の注入が自由キャリア濃度を１０倍以上低下させることができる。これは、前記注入されたイオンによって引き起こされた格子損傷が、特定のイオン自体ではなく補償ドナー／アクセプタを生じさせるために起こる。場合によっては、ＧａＡｓ内へのヒ素注入の使用によってのように、前記特定のイオンを補償準位として使用することもまた可能である。イオン注入分離法は、以下の参考文献のうちの１若しくはそれ以上によって例示されるように、文献において周知である。ＩＥＥＥ  Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｌｅｔｔ．第２１巻（２３）（２００９年刊）の１７３４〜１７３６ページに記載の、Ｑ．Ｚｈｏｕ他による「Ｐｒｏｔｏｎ−Ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ−Ｉｓｏｌａｔｅｄ  ４Ｈ−ＳｉＣ  Ａｖａｌａｎｃｈｅ  Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅｓ」、Ｏｐｔｉｃｓ  Ｅｘｐｒｅｓｓ第２０巻（８）（２０１２年刊）の８５７５〜８５８３ページに記載の、Ｉ．Ｓａｎｄａｌｌ他による「Ｐｌａｎａｒ  ＩｎＡｓ  ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅｓ  ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ  ｕｓｉｎｇ  Ｈｅ  ｉｏｎ  ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ」、ＩＥＥＥ  Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｌｅｔｔｅｒｓ第２３巻（５）（２０１１年刊）２９９〜３０１ページに記載の、Ｑ．Ｚｈｏｕ他による「Ｐｒｏｔｏｎ−Ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ−Ｉｓｏｌａｔｅｄ  Ｓｅｐａｒａｔｅ  Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ  Ｃｈａｒｇｅ  ａｎｄ  Ｍｕｌｔｉｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ４Ｈ−ＳｉＣ  Ａｖａｌａｎｃｈｅ  Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅｓ」、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．第４８巻（１９８６年刊）１０１５〜１０１７ページに記載の、Ｇ．Ｅ．Ｂｕｌｍａｎ他による「Ｐｒｏｔｏｎ  ｉｓｏｌａｔｅｄ  Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ａｓ／ＧａＡｓ  ｓｔｒａｉｎｅｄ  ｌａｙｅｒ  ｓｕｐｅｒｌａｔｔｉｃｅ  ａｖａｌａｎｃｈｅ  ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ」、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．第９２巻（２００２年刊）４２６１〜４２６５ページに記載の、Ｉ．Ｄａｎｉｌｏｖ他による「Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  ｉｓｏｌａｔｉｏｎ  ｏｆ  ＩｎＧａＰ  ｂｙ  ｐｒｏｔｏｎ  ａｎｄ  ｈｅｌｉｕｍ  ｉｏｎ  ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ」、Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ｓｃｉｅｎｃｅ  ｒｅｐｏｒｔｓ第４巻（８）（１９９０年刊）に記載の、Ｓ．Ｊ．Ｐｅａｒｔｏｎによる「Ｉｏｎ  Ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ  ｆｏｒ  Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ  ｏｆ  ＩＩＩ−Ｖ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ」、Ｖａｓｔｅｒａｓ  Ｗｉｌｌｙ  Ｈｅｒｍａｎｓｓｏｎ他による「Ｈｉｇｈ  Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｃａｒｂｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ｄｅｖｉｃｅ  ｗｉｔｈ  ｂｅｎｄｅｄ  ｅｄｇｅ」と題された米国特許第５，９１４，４９９号明細書（１９９９年発効）、Ｔｚｕ−Ｙｕ  Ｗａｎｇによる「Ｍａｔｈｏｒｄｓ  ｆｏｒ  Ａｎｇｌｅｄ  Ｉｏｎ  Ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅｓ」と題された米国特許出願公開第２００５／００７８７２５号（２００５年発効）、およびＤ．Ｂ．Ｓｌａｔｅｒ他による米国特許第７，９４３，４０６号明細書「ＬＥＤ  Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ  ｖｉａ  ｉｏｎ  ｉｍｐｌａｎｔ  ｉｓｏｌａｔｉｏｎ」（２０１１年発効）。
【０００９】
図１に図示した光検出器上に、縁部が傾斜した物理的なメサ構造体を製作することができる。当該技術分野において既知の技法を使用して、半導体基板１００上に半導体層１０１および１０２が形成される。層１０１は厚さ１１１を有するｎ型半導体層である。層１０２は厚さ１１２を有するｐ型半導体層である。ｎ型半導体層１０１のドーピング密度はｐ型半導体層１０２のドーピング密度よりも高く、接合部のｐ型側の空乏領域の厚さまたは幅１３３が前記接合部の前記ｎ型側の空乏領域の厚さまたは幅１３４よりも大きくなっている。破線１２２は前記素子のｐ型側の空乏領域の縁部を表しており、破線１２１は前記素子のｎ型側の空乏領域の縁部を表している。
【００１０】
層１０１および１０２内のドーピング密度ならびに傾斜角１３１の適切な選択により、前記素子の中央部の空乏層の全厚さ１３２を前記素子の周縁部の空乏層の全厚さ１３５よりも小さくすることができ、結果的に、前記素子の中央部での電界が前記素子の周縁部に沿った電界よりも大きくなり、したがって、これにより前記素子の性能に対する前記素子の中央部での半導体のバルク特性を支配的とすることができ、前記素子の周縁部での性能に対する依存度を低下させることができる。
【００１１】
良好な性能およびスケーラビリティを有し、かつ良好な寸法上および製造上の特性を有する効果的なアバランシェ光検出素子を製作するための課題は残っている。本開示は、従来技術の物理的なメサ形光検出器および類似の素子のこれらの欠点およびその他の欠点に対処し、それらを改善するものである。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
（先行技術文献）
（特許文献）
（特許文献１）  欧州特許出願公開第００２５７４９号明細書
（特許文献２）  欧州特許出願公開第０８６９５６１号明細書
（特許文献３）  特開昭６１―１９９６７５号公報
（特許文献４）  米国特許第４，３４１，５７０号明細書
（特許文献５）  米国特許第４，４０３，３９７号明細書
（特許文献６）  米国特許第４，５３９，７４３号明細書
（特許文献７）  米国特許第５，２０４，５２０号明細書
（特許文献８）  米国特許第５，２２３，７０４号明細書
（特許文献９）  米国特許第５，３２９，１１２号明細書
（特許文献１０）  米国特許第５，３４９，１７４号明細書
（特許文献１１）  米国特許第５，９１４，４９９号明細書
（特許文献１２）  米国特許第６，７５３，２１４号明細書
（特許文献１３）  米国特許第７，９４３，４０６号明細書
（特許文献１４）  米国特許第８，２７９，４１１号明細書
（特許文献１５）  米国特許第９，０２９，７７２号明細書
（特許文献１６）  米国特許第５，８６６，９３６号明細書
（特許文献１７）  米国特許出願公開第２００４／０１６９９９１号明細書
（特許文献１８）  米国特許出願公開第２００４／０１８８７９３号明細書
（特許文献１９）  米国特許出願公開第２００４／０２４５５９２号明細書
（特許文献２０）  米国特許出願公開第２００５／００７８７２５号明細書
（特許文献２１）  米国特許出願公開第２００７／００８５１５８号明細書
（特許文献２２）  米国特許出願公開第２００８／０１６４５５４号明細書
（特許文献２３）  米国特許出願公開第２００８／０２２０５９８号明細書
（特許文献２４）  米国特許出願公開第２０１０／００９１１６２号明細書
（特許文献２５）  米国特許出願公開第２０１０／０１２７３１４号明細書
（特許文献２６）  米国特許出願公開第２０１１／００７９７２７号明細書
（特許文献２７）  米国特許出願公開第２０１１／０２７２５６１号明細書
（特許文献２８）  米国特許出願公開第２０１２／０００９７２７号明細書
（特許文献２９）  米国特許出願公開第２０１３／００９９１００号明細書
（特許文献３０）  米国特許出願公開第２０１３／０２０７２１７号明細書
（特許文献３１）  米国特許出願公開第２０１１／００２４７６８号明細書
（特許文献３２）  米国特許出願公開第２０１３／００２２０７７号明細書
（特許文献３３）  国際公開第２０１１／１１７３０９号
（非特許文献）
（非特許文献１）  ＥＰＯ，"Ｅｘｔｅｎｄｅｄ  Ｅｕｒｏｐｅａｎ  Ｓｅａｒｃｈ  Ｒｅｐｏｒｔ  −  Ａｐｐ．Ｎｏ．１４７８４９０５．３−１５０４"，Ｄｅｃ．６，２０１６．
（非特許文献２）  Ｓ．ＡＨＭＥＤ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｉｍｐｌａｎｔ  ｉｓｏｌａｔｉｏｎ  ｉｎ  ＧａＡｓ  ｄｅｖｉｃｅ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ：  Ｅｆｆｅｃｔ  ｏｆ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ"，Ｎｕｃｌｅａｒ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ  ａｎｄ  Ｍｅｔｈｏｄｓ  ｉｎ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ，  ｖｏｌ．Ｂ  １８８，ｐ．１９６−２００，（２００２），Ｅｌｓｅｖｉｅｒ．
（非特許文献３）  Ｓ．ＡＨＭＥＤ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  ｉｓｏｌａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｎ−ｔｙｐｅ  ＧａＡｓ  ｄｅｖｉｃｅｓ  ｂｙ  ＭｅＶ／ＭｅＶ−ｌｉｋｅ  ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｖａｒｉｏｕｓ  ｉｏｎ  ｓｐｅｃｉｅｓ"，ｐ．１８−２３（２００２），Ｅｌｓｅｖｉｅｒ．
（非特許文献４）  Ａ．Ｒ．ＢＲＡＴＳＣＨＵＮ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ａ  Ｓｔｕｄｙ  ｏｆ  Ｉｍｐｌａｎｔ  Ｄａｍａｇｅ  ａｎｄ  Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ  Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ  ｉｎ  ａｎ  ＩｎＧａＰ  ＨＢＴ  Ｐｒｏｃｅｓｓ"，ＣＳ  Ｍａｎｔｅｃｈ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，Ｍａｙ  ２０１１．
（非特許文献５）  Ｇ．Ｅ．ＢＵＬＭＡＮ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｐｒｏｔｏｎ  ｉｓｏｌａｔｅｄ  Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ａｓ／ＧａＡｓ  ｓｔｒａｉｎｅｄｌａｙｅｒ  ｓｕｐｅｒｌａｔｔｉｃｅ  ａｖａｌａｎｃｈｅ  ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ"，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．４８，ｐ．１０１５−１０１７（１９８６），Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ  ｏｆ  Ｐｈｙｓｉｃｓ．
（非特許文献６）  Ｊ．Ｃ．ＣＡＭＰＢＥＬＬ，"Ｒｅｃｅｎｔ  Ａｄｖａｎｃｅｓ  ｉｎ  Ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ  Ａｖａｌａｎｃｈｅ  Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ"，Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ｖｏｌ．２５，ｎｏ．１，ｐ．１０９−１２１（Ｊａｎｕａｒｙ  ２００７），ＩＥＥＥ．
（非特許文献７）  Ｃ．ＣＡＲＭＯＤＹ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｕｌｔｒａｆａｓｔ  ｔｒａｐｐｉｎｇ  ｔｉｍｅｓ  ｉｎ  ｉｏｎ  ｉｍｐｌａｎｔｅｄ  ＩｎＰ"，Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，ｖｏｌ．９２，ｎｏ．５，ｐ．２４２０−２４２３（Ｓｅｐｔ．２００２），Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ  ｏｆ  Ｐｈｙｓｉｃｓ．
（非特許文献８）  Ｇ．ＣＯＬＬＡＺＵＯＬ，"Ｔｈｅ  ＳｉＰＭ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  −  ａ  ｒｅｖｉｅｗ"，ＰｈｏｔｏＤｅｔ，Ｊｕｎｅ．２０１２．
（非特許文献９）  Ｓ．ＣＯＶＡ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ  ａｎｄ  ｐｒｏｓｐｅｃｔｓ  ｆｏｒ  ｓｉｎｇｌｅ−ｐｈｏｔｏｎ  ａｖａｌａｎｃｈｅ  ｄｉｏｄｅｓ  ａｎｄ  ｑｕｅｎｃｈｉｎｇ  ｃｉｒｃｕｉｔｓ"，Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｍｏｄｅｒｎ  Ｏｐｔｉｃｓ，ｖｏｌ．５１，ｎｏ．９−１０，ｐ．１２６７−１２８８（Ｊｕｌｙ  ２００４），Ｔａｙｌｏｒ  &  Ｆｒａｎｃｉｓ．
（非特許文献１０）  Ｓ．ＤＡＬＩＥＮＴＯ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｈｅｌｉｕｍ  ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ  ｉｎ  ｓｉｌｉｃｏｎ：  ｄｅｔａｉｌｅｄ  ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ  ａｎａｌｙｓｉｓ  ｏｆ  ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ  ａｎｄ  ｌｉｆｅｔｉｍｅ  ｐｒｏｆｉｌｅｓ  ａｓ  ａ  ｆｕｎｃｔｉｏｎ  ｏｆ  ｔｈｅ  ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ  ｄｏｓｅ  ａｎｄ  ｅｎｅｒｇｙ"，Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  ｔｈｅ  １８ｔｈ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  ｏｎ  Ｐｏｗｅｒ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅｓ  &  ＩＣ’ｓ（Ｊｕｎｅ  ２００６），ＩＥＥＥ．
（非特許文献１１）  Ｉ．ＤＡＮＩＬＯＶ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  ｉｓｏｌａｔｉｏｎ  ｏｆ  ＩｎＧａＰ  ｂｙ  ｐｒｏｔｏｎ  ａｎｄ  ｈｅｌｉｕｍ  ｉｏｎ  ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ"，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，ｖｏｌ．９２，ｎｏ．８，ｐ．４２６１−４２６５（Ｏｃｔ．２００２），Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ  ｏｆ  Ｐｈｙｓｉｃｓ．
（非特許文献１２）  Ｊ．Ｐ．ＤＥ  ＳＯＵＺＡ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｔｈｅｒｍａｌ  ｓｔａｂｉｌｉｔｙ  ｏｆ  ｔｈｅ  ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  ｉｓｏｌａｔｉｏｎ  ｉｎ  ｎ−ｔｙｐｅ  ｇａｌｌｉｕｍ  ａｒｓｅｎｉｄｅ  ｌａｙｅｒｓ  ｉｒｒａｄｉａｔｅｄ  ｗｉｔｈ  Ｈ，Ｈｅ，ａｎｄ  Ｂ  ｉｏｎｓ"，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，ｖｏｌ．８１，ｎｏ．２，ｐ．６５０−６５５（Ｊａｎ．１９９７），Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ  ｏｆ  Ｐｈｙｓｉｃｓ．
（非特許文献１３）  Ｊ．Ｐ．ＤＥ  ＳＯＵＺＡ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  ｉｓｏｌａｔｉｏｎ  ｉｎ  ＧａＡｓ  ｂｙ  ｌｉｇｈｔ  ｉｏｎ  ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ：  Ｔｈｅ  ｒｏｌｅ  ｏｆ  ａｎｔｉｓｉｔｅ  ｄｅｆｅｃｔｓ"，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌ．６８，ｎｏ．４，ｐ．５３５−５３７（Ｊａｎ．１９９６），Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ  ｏｆ  Ｐｈｙｓｉｃｓ．
（非特許文献１４）  Ｔ．ＦＲＡＣＨ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｔｈｅ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｐｈｏｔｏｍｕｌｔｉｐｌｉｅｒ  −  Ｓｙｓｔｅｍ  Ａｒｃｈｉｔｅｃｔｕｒｅ  ａｎｄ  Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ  Ｅｖａｌｕａｔｉｏｎ"，Ｎｕｃｌｅａｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ  Ｒｅｃｏｒｄ（ＮＳＳ／ＭＩＣ），ｐ．１７２２−１７２７（２０１０），ＩＥＥＥ．
（非特許文献１５）  Ｐ．Ｎ．Ｋ．ＤＥＥＮＡＰＡＮＲＡＹ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｉｍｐｌａｎｔ  ｉｓｏｌａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｚｎ−ｄｏｐｅｄ  ＧａＡｓ  ｅｐｉｌａｙｅｒｓ：  Ｅｆｆｅｃｔｓ  ｏｆ  ｉｏｎ  ｓｐｅｃｉｅｓ，  ｄｏｐｉｎｇ  ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ，ａｎｄ  ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ"，Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，ｖｏｌ．９３，ｎｏ．１１，ｐ．９１２３−９１２９（Ｊｕｎｅ  ２００３），ＡＩＰ  Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ．
（非特許文献１６）  Ａ．ＨＥＮＫＥＬ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｂｏｒｏｎ  Ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ  ｉｎｔｏ  ＧａＡｓ／Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ  Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ"，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，ｖｏｌ．３６，ｐ．１７５−１８０（Ｊａｎ．１９９７）．
（非特許文献１７）  Ｃ．ＨＵＡＮＧ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｉｍｐｌａｎｔ  Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｔｗｏ−Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｇａｓｅｓ  ａｔ  ４．２  Ｋ"，ＩＥＥＥ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，ｖｏｌ．３４，ｎｏ．１，ｐ．２１−２３（Ｊａｎ．２０１３），ＩＥＥＥ．
（非特許文献１８）  Ａ．ＫＨＯＤＩＮ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ａｖａｌａｎｃｈｅ  Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅｓ  Ａｒｒａｙ  ｆｏｒ  Ｐａｒｔｉｃｌｅ  Ｄｅｔｅｃｔｏｒ：  Ｍｏｄｅｌｌｉｎｇ  ａｎｄ  Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ"，Ｊｕｎｅ  ２０００，Ｂｅｌａｒｕｓ  Ｓｔａｔｅ  Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ．
（非特許文献１９）  Ｗ．Ｊ．ＫＩＮＤＴ，"Ａ  Ｎｏｖｅｌ  Ａｖａｌａｎｃｈｅ  Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ  Ａｒｒａｙ"，Ｎｕｃｌｅａｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  ａｎｄ  Ｍｅｄｉｃａｌ  Ｉｍａｇｉｎｇ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，ｐ．１６４−１６７（１９９４），ＩＥＥＥ．
（非特許文献２０）  Ｙ．ＬＩＵ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ａ  Ｐｌａｎａｒ  ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ  Ａｖａｌａｎｃｈｅ  Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ  ｗｉｔｈ  Ｆｌｏａｔｉｎｇ  Ｇｕａｒｄ  Ｒｉｎｇ  ａｎｄ  Ｄｏｕｂｌｅ  Ｄｉｆｆｕｓｅｄ  Ｊｕｎｃｔｉｏｎ"，Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ｖｏｌ．１０，ｎｏ．２，ｐ．１８２−１９３（Ｆｅｂ．１９９２），ＩＥＥＥ．
（非特許文献２１）  Ｍ．ＭＩＫＵＬＩＣＳ  ＥＴ  ＡＬ．，"ＧａＡｓ  ｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃｔｏｒｓ  ｐｒｅｐａｒｅｄ  ｂｙ  ｈｉｇｈ−ｅｎｅｒｇｙ  ａｎｄ  ｈｉｇｈ−ｄｏｓｅ  ｎｉｔｒｏｇｅｎ  ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ"，Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ  ８９（２００６），Ａｍｅｒｉｃａ  Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ  ｏｆ  Ｐｈｙｓｉｃｓ．
（非特許文献２２）  Ｓ．Ｊ．ＰＥＡＲＴＯＮ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｉｏｎ  ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ  ｄｏｐｉｎｇ  ａｎｄ  ｉｓｏｌａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｉｎ０．５Ｇａ０．５Ｐ"，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５９，ｐ．１４６７−１４６９（１９９１），Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ  ｏｆ  Ｐｈｙｓｉｃｓ．
（非特許文献２３）  Ｓ．Ｊ．ＰＥＡＲＴＯＮ，"Ｉｏｎ  Ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ  ｆｏｒ  Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ  ｏｆ  ＩＩＩ−Ｖ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ"，Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  Ｒｅｐｏｒｔｓ  ４，ｐ．３１３−３６７（１９９０），Ｅｌｓｅｖｉｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓ  Ｂ．Ｖ．
（非特許文献２４）  Ｈ．ＰＥＲＥＳ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｈｉｇｈ  Ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｌａｙｅｒｓ  Ｏｂｔａｉｎｅｄ  ｂｙ  Ｈｙｄｒｏｇｅｎ  Ｉｏｎ  Ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ"，Ｂｒａｚｉｌｉａｎ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，ｖｏｌ．２７／Ａ，ｎｏ．４，ｐ．２３７−２３９（Ｄｅｃ．１９９７）．
（非特許文献２５）  Ｑ．ＺＨＯＵ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｐｒｏｔｏｎ−Ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ−Ｉｓｏｌａｔｅｄ  ４Ｈ−ＳｉＣ  Ａｖａｌａｎｃｈｅ  Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅｓ"，ＩＥＥＥ  Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，ｖｏｌ．２１，ｎｏ．２３，ｐ．１７３４−１７３６  （Ｄｅｃ．２００９），ＩＥＥＥ．
（非特許文献２６）  Ｚ．Ｙ．ＳＡＤＹＧＯＶ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ａｖａｌａｎｃｈｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｒａｄｉａｔｉｏｎ  Ｄｅｔｅｃｔｏｒｓ"，ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  ｏｎ  Ｎｕｃｌｅａｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ，ｖｏｌ．４３，ｉｓｓ．３（Ｊｕｎｅ  １９９６），ＩＥＥＥ．
（非特許文献２７）  Ｉ．ＳＡＮＤＡＬＬ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｐｌａｎａｒ  ＩｎＡｓ  ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅｓ  ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ  ｕｓｉｎｇ  Ｈｅ  ｉｏｎ  ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ"，Ｏｐｔｉｃｓ  Ｅｘｐｒｅｓｓ，ｖｏｌ．２０，ｎｏ．８，ｐ．８５７５−８５８３（Ａｐｒｉｌ  ２０１２），ＯＳＡ．
（非特許文献２８）  Ｖ．ＳＡＶＥＬＩＥＶ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｓｉｌｉｃｏｎ  ａｖａｌａｎｃｈｅ  ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅｓ  ｏｎ  ｔｈｅ  ｂａｓｅ  ｏｆ  ｍｅｔａｌ−ｒｅｓｉｓｔｏｒ−ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ（ＭＲＳ）ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ"，Ｎｕｃｌｅａｒ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ  &  Ｍｅｔｈｏｄｓ  ｉｎ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ，ｓｅｃｔｉｏｎ  Ａ  ４４２，ｐ．２２３−２２９（２０００），Ｅｌｓｅｖｉｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  Ｂ．Ｖ．
（非特許文献２９）  Ｓ．ＳＥＩＦＥＲＴ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｐｈｏｔｏｍｕｌｔｉｐｌｉｅｒ  Ｓｉｇｎａｌｓ"，ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  ｏｎ  Ｎｕｃｌｅａｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ，ｖｏｌ．５６，ｎｏ．６，ｐ．３７２６−３７３３（Ｄｅｃ．２００９），ＩＥＥＥ．
（非特許文献３０）  Ａ．ＳＨＵＪＡ，"Ｉｍｐｌａｎｔ  Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｇａｌｌｉｕｍ  Ａｒｓｅｎｉｄｅ  −  Ｔｈｅｓｉｓ  ｐｒｅｓｅｎｔｅｄ  ｔｏ  ｔｈｅ  Ｄｅｐａｒｔｍｅｎｔ  ｏｆ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ａｎｄ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ  ｏｆ  Ｓｕｒｒｅｙ，ｆｏｒ  ｔｈｅ  ａｗａｒｄ  ｏｆ  Ｄｏｃｔｏｒ  ｏｆ  Ｐｈｉｌｏｓｏｐｈｙ"（Ｍａｙ  ２００２），Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ  ｏｆ  Ｓｕｒｒｅｙ．
（非特許文献３１）  Ａ．Ｇ．ＳＴＥＷＡＲＴ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ  ｏｆ  １−ｍｍ２  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｐｈｏｔｏｍｕｌｔｉｐｌｉｅｒ"，ＩＥＥＥ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，ｖｏｌ．４４，ｎｏ．２，ｐ．１５７−１６４（Ｆｅｂ．２００８），ＩＥＥＥ．
（非特許文献３２）  Ｗ．ＳＵＬ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｇｕａｒｄ−Ｒｉｎｇ  Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ  ｆｏｒ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｐｈｏｔｏｍｕｌｔｉｐｌｉｅｒｓ"，ＩＥＥＥ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，ｖｏｌ．３１，ｎｏ．１，ｐ．４１−４３（Ｊａｎ．２０１０），ＩＥＥＥ．
（非特許文献３３）  Ｓ．ＴＩＳＡ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  ｆｏｒ  ｓｉｎｇｌｅ  ｐｈｏｔｏｎ  ａｖａｌａｎｃｈｅ  ｄｉｏｄｅ  ａｒｒａｙｓ"，Ｓｅｎｓｏｒｓ  Ａｃｔｕａｔｏｒｓ  Ａ  １４０，ｐ．１１３−１２２（２００７），Ｅｌｓｅｖｉｅｒ．
（非特許文献３４）  Ｐ．ＴＯＯ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  ｉｓｏｌａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｎ−ｔｙｐｅ  ＩｎＰ  ｌａｙｅｒｓ  ｂｙ  ｈｅｌｉｕｍ  ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ  ａｔ  ｖａｒｉａｂｌｅ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓ"，Ｎｕｃｌｅａｒ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ  ａｎｄ  Ｍｅｔｈｏｄｓ  ｉｎ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ  Ｂ  １８８，ｐ．２０５−２０９（２００２），Ｅｌｓｅｖｉｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  Ｂ．Ｖ．
（非特許文献３５）  Ｅ．ＷＥＮＤＬＥＲ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｅｍｐｉｒｉｃａｌ  ｍｏｄｅｌｉｎｇ  ｏｆ  ｔｈｅ  ｃｒｏｓｓ  ｓｅｃｔｉｏｎ  ｏｆ  ｄａｍａｇｅ  ｆｏｒｍａｔｉｏｎ  ｉｎ  ｉｏｎ  ｉｍｐｌａｎｔｅｄ  ＩＩＩ−Ｖ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ"，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ  １００（２０１２），Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ  ｏｆ  Ｐｈｙｓｉｃｓ．
（非特許文献３６）  Ｐ．ＷＨＩＴＩＮＧ，"Ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｄｅｆｅｃｔｓ  ｆｏｒｍｅｄ  ｂｙ  ｉｏｎ  ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｈ２＋  ｉｎｔｏ  ｓｉｌｉｃｏｎ（Ｔｈｅｓｉｓ）"，Ｔｈｅｓｉｓ／Ｄｉｓｓｅｒｔａｔｉｏｎ  Ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎｓ（Ａｕｇ．２００９），Ｔｈｅ  Ｒｏｃｈｅｓｔｅｒ  Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ  ｏｆ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ．
（非特許文献３７）  Ｆ．ＺＡＰＰＡ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｉｍｐａｃｔ  ｏｆ  Ｌｏｃａｌ−Ｎｅｇａｔｉｖｅ−Ｆｅｅｄｂａｃｋ  ｏｎ  ｔｈｅ  ＭＲＳ  Ａｖａｌａｎｃｈｅ  Ｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃｔｏｒ  Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ"，ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  ｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅｓ，ｖｏｌ．４５，ｎｏ．１，ｐ．９１−９７（Ｊａｎ．１９９８），ＩＥＥＥ．
（非特許文献３８）  Ｑ．ＺＨＯＵ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｐｒｏｔｏｎ−Ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ−Ｉｓｏｌａｔｅｄ  ４Ｈ−ＳｉＣ  Ａｖａｌａｎｃｈｅ  Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅｓ"，ＩＥＥＥ  Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，ｖｏｌ．２１，ｎｏ．２３，ｐ．１７３４−１７３６（Ｄｅｃ．２００９），ＩＥＥＥ．
（非特許文献３９）  Ｑ．ＺＨＯＵ  ＥＴ  ＡＬ．，"Ｐｒｏｔｏｎ−Ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ−Ｉｓｏｌａｔｅｄ  Ｓｅｐａｒａｔｅ  Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ  Ｃｈａｒｇｅ  ａｎｄ  Ｍｕｌｔｉｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ４Ｈ−ＳｉＣ  Ａｖａｌａｎｃｈｅ  Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅｓ"，ＩＥＥＥ  Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，ｖｏｌ．２３，ｎｏ．５，ｐ．２９９−３０１（Ｍａｒｃｈ  ２０１１），ＩＥＥＥ．
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本開示の観点は、イオン注入分離法の使用によるアレイ内のＡＰＤピクセルの分離を対象とする。その他の観点は、前記ＡＰＤの周縁部付近における電界のピーキングを効果的に低減させるための仮想の傾斜縁部の幾何学的形状の製造を対象とする。さらに他の観点は、イオン注入分離法を使用した高抵抗層の形成によるパッシブクエンチ抵抗器の形成を対象とする。さらに他の観点は、イオン注入分離法を使用した、例えば、金属−絶縁体−半導体（ｍｅｔａｌ−ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ：ＭＩＳ）、金属−絶縁体−金属（ｍｅｔａｌ−ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−ｍｅｔａｌ：ＭＩＭ）、または半導体−絶縁体−半導体（ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ−ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ：ＳＩＳ）構造などの、中央絶縁層を有する三層構造体を含むコンデンサ構造体の絶縁体の形成によるバイパスコンデンサの形成を対象とする。さらに他の観点は、前記絶縁体を前記パッシブクエンチ回路に必要な抵抗を実現するうえで好適な低残留導電率を有する漏洩性絶縁体と見なすことのできるＭＩＳ、ＭＩＭ、またはＳＩＳ構造体の使用による、クエンチ抵抗器およびバイパス抵抗器の組み合わせを対象とする。したがって、前記ＭＩＳ、ＭＩＭ、またはＳＩＳ構造体は、前記パッシブクエンチ回路の重要な構成要素として機能し、必要な前記抵抗および静電容量の一部または全部に寄与することができる。その他の観点は、ＳＰＡＤピクセルの分離、パッシブクエンチ抵抗器の形成、および／またはバイパスコンデンサの形成の機能の任意の組み合わせを対象とする。
【００１３】
別のＳＰＡＤアレイの設計は、上述の抵抗器／コンデンサによるパッシブクエンチ回路に加えて、前記ピクセルレベルで追加的な回路を組み込むことができる。例えば、前記ＳＰＡＤ出力信号を増幅して信号対雑音を改善するために、またはピクセルレベルの閾値回路を提供して前記ＳＰＡＤ出力（一般的には１ｆＣ〜１００ｆＣの範囲の電荷）をデジタル電圧レベルに変換するために回路を使用することができる。この追加的な回路はまた、前記アレイ内の他の素子の寄生負荷容量および抵抗から前記ＳＰＡＤ素子を分離するために役立てることもできる。
【００１４】
従来技術の弱点としては、前記メサ形幾何学的形状を正確に管理できないことを含む非平面ＡＰＤ素子構造体、メサ側壁の表面状態を不動態化することが困難なこと、メサ側壁の表面不動態化が安定しないこと、および暗電流の増加が挙げられる。従来の技術の追加的な弱点としては、前記傾斜角によるメサ分離を実現するために費やされる面積に起因する素子および素子アレイの感光域の減少が挙げられる。
【００１５】
平面の幾何学的形状のＡＰＤの従来技術の弱点としては、所望の水平方向にパターン化されたドーピング特性を実現することが困難なこと、拡散分離または注入分離によって引き起こされる結晶欠陥、および前記素子の周縁部付近の電界の抑制不足が挙げられる。平面の幾何学的形状の従来技術のさらなる弱点としては、ガードリングおよびその他の縁部終端手法の必要性、ならびにその結果として生じる前記ガードリングまたはその他の縁部終端手法によって費やされる面積に起因する素子およびアレイの感光域の減少が挙げられる。
【００１６】
モノリシックに集積されたクエンチ回路を有するＳＰＡＤ素子に関する従来技術のさらなる弱点としては、前記パッシブクエンチ回路の電流制限素子を確実に製造することが困難なこと、ピクセルに割り当てられるべき面積（ｒｅａｌ  ｅｓｔａｔｅ）のかなりの部分が前記パッシブクエンチ回路の電流制限素子のために割かれること、前記パッシブクエンチ回路の電流制限素子によって費やされる割当て（ｒｅａｌ  ｅｓｔａｔｅ）面積に起因する感光性の低下、および前記パッシブクエンチ回路の電流制限素子による前記ＳＰＡＤ素子の陰りに起因する感光性の低下が挙げられる。従来の技術のさらなる弱点としては、前記パッシブクエンチ回路のバイパスコンデンサによって費やされる割当て面積に起因する感光性の低下、および前記パッシブクエンチ回路のバイパスコンデンサによる前記ＳＰＡＤ素子の陰りに起因する感光性の低下が挙げられる。
【００１７】
したがって、本発明の目的は、ＡＰＤアレイおよびＳＰＡＤアレイを含むＡＰＤ素子を分離する手段、素子の縁部付近での電界のピーキングを低減する手段を含むＡＰＤ素子の周縁部／縁部効果を軽減する手段、前記ＡＰＤ素子の暗電流を低減する手段、ＳＰＡＤピクセルのパッシブクエンチ回路の電流制限素子を形成する手段、ＳＰＡＤピクセルのパッシブクエンチ回路のバイパスコンデンサを組み込む手段、または上記の任意の組み合わせを含む。
【００１８】
したがって、いくつかの実施形態は、半導体素子であって、基板層と、前記基板の上方に配置され第１のドーパントでドープされた第１の半導体層および前記第１の半導体層の上方かつその近位に配置され第２のドーパントでドープされた第２の半導体層を含む複数のドープ半導体層と、前記第１の半導体層内で前記第２の半導体層に近位にある第１の空乏領域と、前記第２の半導体層内で前記第１の半導体層に近位にある第２の空乏領域とを有し、前記第１および第２の半導体層は、その選択された領域内にイオン注入がなされ、前記第１および第２の半導体層の各々内に前記第１および第２の半導体層の垂直線に対して概ね正の側面角度のイオン注入プロファイルを有し、前記イオン注入プロファイルは、さらに、前記第１および第２の半導体層のイオン注入されていない内側領域および前記第１および第２の半導体層のイオン注入されている外側領域を画定し、前記第１の半導体層の前記イオン注入されていない内側領域は前記第２の半導体層の前記イオン注入されていない内側領域よりも大きな面積を有するものである、半導体素子を対象とする。
【００１９】
その他の実施形態は、光検出器アレイであって、基板層と、前記基板の上方に配置され第１のドーパントでドープされた第１の半導体層と、前記第１の半導体層の上方かつその近位に配置され第２のドーパントでドープされた第２の半導体層とを含む複数のドープされた半導体層であって、前記第１および第２の半導体層はその複数の選択された領域内に前記第１および第２の半導体層の垂直線に対して概ね正の側面角度でイオン注入がなされ、前記第１および第２の半導体層内に対応する傾斜した側面プロファイルを有する複数のメサ構造体が形成されるものである、前記複数のドープされた半導体層と、前記メサ構造体のうちの１若しくはそれ以上との複数のオーミック接続を含む光子検出回路であって、前記メサ構造体内で検出された１若しくはそれ以上の光子の相互作用に対応する前記アレイの少なくとも１つの出力信号を提供するものである、前記光子検出回路と、を有する光検出器アレイを対象とする。
【００２０】
さらに他の実施形態は、光検出素子であって、基板上に製作された多層半導体構造体と、前記多層半導体構造体内にイオン注入プロファイルによって形成された仮想傾斜縁部を有する少なくとも１つの光子検出領域であって、前記多層半導体構造体の垂直線に対して正の側面角度または傾斜を有し、それにより、前記基板に近位の前記光子検出領域のより広いエリアおよび前記基板から遠位のより狭いエリアが画定されるものである、前記光子検出領域と、前記多層半導体構造体に電気的接続を有するパッシブクエンチ回路であって、その中央に絶縁層を有する三層構造体を含み、前記中央絶縁層は隣接領域の残留抵抗率よりも大きな残留抵抗率を呈するイオン注入分離領域によってその少なくともいくつかの側面上で電気的に分離されているものである、前記パッシブクエンチ回路とを有する光検出素子を対象とする。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
本概念の性質および利点をより完全に理解するために、添付の図面に関連して以下の好適な実施形態の詳細な説明について述べる。
【図１】図１は、従来技術の光検出素子に使用できる物理的なメサ構造体の図である。
【図２】図２は、光検出素子に使用できる、正の傾斜縁部を有する仮想メサ型構造体の実施形態の図である。
【図３】図３は、基板を覆う例示的な多層構造体の図である。
【図４】図４は、素子の複数の半導体層を覆う酸化ケイ素マスクの例示的な断面の図である。
【図５】図５は、図４の構造体内にＨｅ＋イオン注入を行った結果の図である。
【図６】図６は、本明細書の一方法に従って処理を完了した時点での最終的な傾斜縁部を有する仮想メサ構造体の図である。
【図７】図７は、ＡＰＤ構造体の例示的な電流−電圧特性の図である。
【図８】図８は、いくつかの実施形態に係る例示的なＡＰＤアレイの図である。
【図９】図９は、ＡＰＤアレイ内のイオン注入および傾斜縁部を有する仮想メサ構造体の形成後の前記アレイの側面図である。
【図１０】図１０は、イオン注入後の上記の構造体の図である。
【図１１】図１１は、オーミック接点と回路とを接続後の上記の構造体の図である。
【図１２】図１２は、本発明に係る半導体ＡＰＤアレイの別の例示的な実施形態の図である。
【図１３】図１３は、半導体構造体全体を覆うマスキングの図である。
【図１４】図１４は、第１のイオン注入工程の効果の図である。
【図１５】図１５は、第２のイオン注入段階の図である。
【図１６】図１６は、上記のＡＰＤ構造体を製作するさらなる工程の図である。
【図１７】図１７は、チップまたはダイの外側領域からアレイを分離する代替的な手段の図である。
【図１８】図１８は、本ＡＰＤ構造体の回路に使用される三層構造体の分解立体図である。
【図１９】図１９は、上図と同様の分解していない三層構造体の図である。
【図２０】図２０は、ＳＰＡＤ内に組み込まれたＭＩＳ三層構造体の図である。
【図２１】図２１は、ＳＰＡＤ内上のＭＩＳ三層構造体の図である。
【図２２】図２２は、さらに別のＡＰＤアレイおよび同アレイを製作する方法の図である。
【図２３】図２３は、上記の構造体上での第１のイオン注入処理の図である。
【図２４】図２４は、上記の構造体上で第２の注入を行った結果の図である。
【図２５】図２５は、上記のＡＰＤ構造体を処理するさらなる工程の図である。
【図２６】図２６は、上記の構造体に係るＡＰＤアレイのピクセルの詳細図である。
【図２７】図２７は、上記のピクセルのいくつかの寸法上の詳細を記述した図である。
【図２８】図２８は、傾斜縁部を有する仮想メサ構造体を形成するために使用される層構造体の実施形態の図である。
【図２９】図２９は、上記の構造体の深さ対密度のプロット図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
上述のように、本発明は、単一光子アバランシェ検出素子を含む多数の改善および新しい素子ならびにこれらを製作し使用する方法を提供する。
【００２３】
図２は、正の傾斜縁部を有する仮想メサ構造体を有する光検出器内で使用可能な素子の例示的な実施形態を図示している。即ち、前記メサ構造体は、前記構造体の層界面を画定する面に対して角度のついた、傾斜した、または非垂直な壁部を有する。さらに換言すれば、前記メサは、前記構造体の層の平面の垂直線に対して正の角度を有する側面の境界によって画定されている。この角度は、一般的には、前記構造体の前記基板により近いより大きなエリア、および前記構造体の前記基板から遠ざかって狭くなるまたは先細るより小さなエリアを作るように設計されている。
【００２４】
前記構造体は、一般的に、基板層を覆って配置された選択された厚さの材料からなる複数の層によって実現される。図面は前記基板が底部にありその他の前記層が前記基板の上方にあるように図示しているものの、前記素子は、実際の製作および使用に際しては再配置し、回転させ、または反転させることができるのは自明である。したがって、前記基板が図面の底部にある慣例的な配置は、単に図示を目的としており限定とするものではない。
【００２５】
図２の仮想メサ構造体は、傾斜縁部マスクを介してイオン注入分離法を利用して所望の幾何学的形状を実現し、非注入領域と比較して注入領域内の正味ドーピングを低減させることにより実現される。いくつかの実施形態において、前記注入領域の正味ドーピングは、前記非注入領域と比較して１桁以上低減させることができる。前記正の傾斜縁部を有する仮想メサ構造体は、前記ＡＰＤピクセル内のｐ型半導体領域の、ｎ型半導体領域と比較してより小さな水平方向の範囲を利用し、前記素子の周縁部付近での電界の大きさを前記ＡＰＤピクセルの中央部分と比較してより小さくすることができる。当業者であれば、ドーピングの型（ｎ型、ｐ型）を記述する場合には、用途によっては本実施例を修正して逆の型のドーピング（ｐ型、ｎ型）を使用することができることを理解するであろう。
【００２６】
図２は、例示的な実施形態に係る傾斜縁部を有する仮想メサの側壁２０５を図示している。注入分離された半導体領域２０１Ｂおよび２０２Ｂの幾何学的形状および寸法は、図示のとおりに、前記注入領域２０１Ｂおよび２０２Ｂと非注入領域２０１Ａおよび２０２Ａとの間の正の傾斜角２３１を実現するように選択されている。この実施形態において、前記注入分離された半導体領域を利用して、前記傾斜縁部を有する仮想ＡＰＤ構造体のｐ型半導体領域２０２Ａおよびｎ型半導体領域２０１Ａの水平方向の範囲が完全に限定されている。図示の実施形態において、ｎ型半導体領域２０１およびｐ型半導体領域２０２はｎ型半導体基板２００の上に成長する。面取りされたマスク（後述）を介した注入分離を利用して前記注入の水平方向の幾何学的形状が画定される。領域２０１Ｂおよび２０２Ｂはそれぞれ層２０１および２０２の体積であり、その分離注入は、領域２０１Ｂおよび２０２Ｂのドーピングを実施形態によっては少なくとも１桁分補償し、その結果、実施形態によっては領域２０１Ｂおよび２０２Ｂの抵抗率を非注入領域２０１Ａおよび２０２Ａに比して少なくとも１桁分上昇させるように選択される。層２０１の厚さは２１１であり、層２０２の厚さは２１２である。前記ｎ型領域２０１Ａの中央の空乏領域の厚さは２３４であり、ｐ型領域２０２Ａの中央の空乏領域の厚さは２３３であり、前記素子の中央の空乏領域の厚さの合計は２３２であり、前記仮想傾メサの傾斜縁部２０５に沿った空乏領域の厚さは２３５である。したがって、前記素子の１若しくはそれ以上の層の好適に角度を付けられたまたは傾斜している領域が図１の従来の技術の物理的なメサの代わりの機能を果たす前記仮想メサの概念が明確となる。層２０１および２０２の注入領域２０１Ｂおよび２０２Ｂ内に制限される非注入領域２０１Ａおよび２０２Ａを含む前記仮想メサが、従来の技術に対する性能および製造上の利点、ならびにその他の利点を提供する。例えば、前記仮想メサは、図１の従来の技術で必要であった前記素子の層の上方に前記メサの物理的な延長部を必要としない。
【００２７】
層２０２内のｐ型ドーピングの大きさよりも大きい層２０１内のｎ型ドーピングの大きさを前記仮想傾斜角２３１ならびに２０１Ｂおよび２０２Ｂの不動態化特性と組み合わせて使用することにより、前記仮想メサ傾斜外縁部２０５に沿った空乏領域の幅２３５を前記素子の中央の空乏領域２３２の幅よりも広くすることができ、これを利用してこの素子内の周縁部効果を効果的に軽減することができる。即ち、前記メサ構造体の中央付近の空乏領域はその外側縁部付近のそれよりも薄いため、前記仮想メサの中央領域付近の電場勾配は前記仮想メサの外縁部領域付近の電場勾配よりも大きい。
【００２８】
次に、上述の傾斜縁部を有する仮想メサ構造体を有する光検出素子および同素子の製作方法の実施形態を図示する。図３は、ｎ＋ＧａＡｓ基板３００の上に成長した半導体層を含む前記素子の初期の層構造を図示している。一態様において、これらの層は、金属有機化学蒸着法を使用して成長する。当業者であれば、図示の層構造体を実現する任意の好適な方法を使用できることを理解するであろう。厚さ３１１の層３０１は、基板３００の上に直接成長したｎ型ＧａＡｓバッファ層であり、高品質のエピタキシャル成長を開始するために使用される。層３０１は、５×１０１７ｃｍ３のドーピング密度でｎ型にドープされ、５００ｎｍの厚さ３１１に成長したＧａＡｓ層を含んでいる。層３０２は、５×１０１８ｃｍ３のドーピング密度でｎ型にドープされ、５０ｎｍの厚さ３１２に成長したＧａ０．５１Ｉｎ０．４９Ｐ層を含んでいる。層３０３は、1×１０１８ｃｍ３のドーピング密度でｎ型にドープされ、１００ｎｍの厚さ３１３に成長したＧａ０．５１Ｉｎ０．４９Ｐ層を含んでいる。層３０４は、２５０ｎｍの厚さ３１４に成長した非意図的にドープされたＧａ０．５１Ｉｎ０．４９Ｐ層を含んでおり、つまり、一般的に、前記層はある程度のドーパントを含んでいてもよいということである。層３０５は、1×１０１７ｃｍ３のドーピング密度でｐ型にドープされ、９５０ｎｍの厚さ３１５に成長したＧａ０．５１Ｉｎ０．４９Ｐ層を含んでいる。層３０６は、５×１０１８ｃｍ３のドーピング密度でｐ型にドープされ、５０ｎｍの厚さ３１６に成長したＧａ０．５１Ｉｎ０．４９Ｐ層を含んでいる。層３０７は、５×１０１９ｃｍ３のドーピング密度でｐ型にドープされ、１２０ｎｍの厚さ３１７に成長したＧａＡｓ接触層を含んでいる。層３０７の厚さ３１７は、部分的には、良好なオーミック接触を実現可能とすると共に、層３０５よりも５０倍高いドーピングを有することのできることから約５０倍高い損傷を必要とする層３０６内でイオン注入損傷のピークを発生させる１５ｋｅＶのエネルギーを使用してＨｅ＋注入することを可能とする、前記分離注入のための犠牲層を提供するように選択される。
【００２９】
本明細書内で提供する寸法、材料、濃度、およびその他の特定の例は単に例示的であるに過ぎず、当業者であれば本開示を検討する際にそれぞれの目的に適うその他特定の実施を認識するであろうことについて、繰り返しておく必要がある。このように、本明細書内で述べるパラメータおよび定量的な値はいずれも限定的であることが意図されていない。これには、所与の実施形態の構成要素となる層の順番および極性が含まれ、これらは特定の用途に適するために必要に応じて修正することもできる。
【００３０】
図４は、一実施形態においては電子サイクロトロン共鳴（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  ｒｅｓｏｎａｎｃｅ：ＥＣＲ）プラズマ化学蒸着（ＥＣＲ−ｐｌａｓｍａ  ｅｎｈａｎｃｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＥＣＲ−ＰＥＣＶＤ）を使用して約１，８００ｎｍであることのできる厚さ３５２に堆積した二酸化ケイ素マスク３５１の例示的な断面を図示している。前述のとおり、本明細書内で提供する例示的な材料および寸法は例証であり、限定的であることは意図されていない。当業者であれば、記述の要素について他の幾何学的形状および大きさを認識することができる。
【００３１】
次に、二酸化ケイ素３５１はフォトリソグラフィおよび湿式化学エッチングを使用して図面に示すメサ形状にパターン化され、湿式化学エッチングがおおよそ等方性であることから約４５度である傾斜角３３１が生じる。前記マスクの角度および厚さは、特定の要求に適うように変更することができる。前記フォトレジストを除去後、表Ｉに示すエネルギーおよび注入量を使用して前記構造体にＨｅ＋イオンが注入される。図４の層構造体はＧａＡｓ基板１００の上に１１１Ａの方向に向かって１０度切り落として成長しているので、前記注入角は前記ウェーハの面に対して垂直である。前記角度および厚さは例示的である。この実施例では、ＳＲＩＭ（Ｓｔｏｐｐｉｎｇ  ａｎｄ  Ｒａｎｇｅ  ｏｆ  Ｉｏｎｓ  ｉｎ  Ｍａｔｔｅｒ：ＳＲＩＭ）を使用して表Ｉのエネルギーおよび注入量を計算した。
【００３２】
表Ｉは、図３Ａの層構造体に注入して前記傾斜縁部を有する仮想メサを形成するために使用される例示的なＨｅ＋イオンのエネルギーおよび注入量を例示している。
【００３３】
【表１】
0006383516.tif 000002
【００３４】
図５は、図４の構造体内にＨｅ＋イオン注入を行った結果を図示している。領域３０４Ｂ、３０５Ｂ、３０６Ｂ、および３０７Ｂはそれぞれ、層３０４、３０５、３０６、および３０７の前記分離注入に暴露した部分であり、領域３０４Ａ、３０５Ａ、３０６Ａ、および３０７Ａはそれぞれ、層３０４、３０５、３０６、および３０７の、マスク３５１によって前記分離注入から保護されている領域である。結果として生じる前記領域３０７Ａ、３０６Ａ、３０５Ａ、および３０４Ａは、傾斜角が３３１Ｂである仮想傾斜メサ構造体を形成する。当業者であれば、ＰＮ接合が層３０４の関連のある領域を完全に空乏化するので、選択された注入エネルギーが層３０４を完全に貫通できなくても、前記ｐ型層（層３０５、３０６、および３０７）の十分な分離が実現できることを理解するかもしれない。また、当業者であれば、結果として生じる前記縁部の傾斜したメサ構造体が実現できる限り、かつ前記注入領域が非注入領域よりも少なくとも１桁低い自由キャリア濃度を呈する限り、異なる注入エネルギーおよび注入量を利用することができることを理解するかもしれない。前記注入が完了次第、前記注入損傷を部分的に回復させ前記構造体を安定させるために、前記構造体全体がアニール処理される。
【００３５】
次に、前記ｐ＋ＧａＡｓ層３０７をエッチングしてこの層を導電路として除去するためのマスクとして二酸化ケイ素マスク３５１が使用され、図６に示す最終的な構造体が生じる。
【００３６】
ここで、前記処理の完了時には前記最終的な傾斜縁部を有する仮想メサ構造体を示す図６について述べる。金属端子３９８がｐ＋ＧａＡｓ層３０７Ａとのオーミック接触を形成し、金属端子３９９が前記ｎ−ＧａＡｓ基板３００とのオーミック接触を形成する。
【００３７】
図７は、前述の開示に従って製作されたＡＰＤ構造体の例示的な電流−電圧特性を図示している。前記傾斜縁部を有する仮想メサの直径は約５０ミクロンであり、前記注入アニール温度は４００℃であった。軸３７１は電圧軸を表し、前記電圧は、図示のとおり、線形目盛上で−３５ボルト〜０ボルトに亘っている。軸３７２は電流軸を表し、前記電流は、図示のとおり、対数目盛上で１×１０−１２アンペア〜１×１０−３アンペアに亘っている。これらの値は単に例示的であり、本発明または実施形態を限定するものではない。曲線３７５は暗電流を表し、前記仮想傾斜縁部を有する素子が１０ｐＡよりも小さい、増加しない暗電流を実現することを示している。曲線３７６は、明電流を表している。挿入図は前記曲線の降伏点付近の領域を示しており、電圧軸３７１Ｂは図面内に示すように線形目盛上で−３５ボルト〜３０ボルトに亘っている。前記挿入図はまた、図示のように対数目盛上に１〜１０００に亘る、前記素子の計算上の利得を示す追加の軸３７１Ｂを含んでいる。前記挿入図内の曲線３７７は前記計算上の利得を表し、前記素子には１００を超える利得を呈する能力があることを示している。
【００３８】
この素子はまた、外部クエンチ回路を使用してガイガーモードでも動作でき、３４．６Ｖの電圧（約１ボルトの過剰バイアス）で動作することができる。前記素子は、５０〜６０ｋｃｐｓの暗計数率および２０％を超える内部単一光子検出効率を実証しており、前記傾斜縁部を有する仮想メサ構造体が成功であることを示している。減光フィルターで光源を減衰させることにより小さな光電流値が実現されるとき、前記内部単一光子検出効率は、光子数を前記光電流（電子／秒の単位）で除したものとして定義される。前記ＳＰＡＤは前記非減衰光電流を測定するために使用されるので、この測定値には、面反射、陰り、および再結合損失の影響が考慮されない。
【００３９】
図８は、マスク機構４１０Ａ、４１０Ｂ、および４１１を含む例示的な半導体層構造体の側面図４８１ならびに本発明に係るＡＰＤを処理するために使用される第１のマスクの平面図４８２を図示している。側面図４８１において、前記素子の層構造体は簡略化されており、前記ｎ型半導体領域４００と、非意図的にドープされた領域４０１と、前記ｐ型半導体層４０２と、勾配ドープされたｐ型層４０３と、高濃度にドープされたｐ型接触層４０４とのみを示している。層４０２、４０１、および４００の組み合わせがＰＩＮダイオード構造体を形成し、これにより本発明のアバランシェフォトダイオード構造体の基礎が形成される。前記ＰＩＮダイオード構造体の上に層４０３が追加されて前記ｐ型半導体層４０２と前記高濃度にドープされたｐ型接触層４０４との間の円滑な勾配が提供される。
【００４０】
後述するように、層４０３中のドーピングの勾配は、前記ドーピングのプロファイルと前記注入損傷のプロファイルとの間におおよその一致を提供するように選択される。前記素子の領域を注入過剰としたり、または注入不足としたりする必要がないように、前記ドーピングのプロファイルと前記注入損傷のプロファイルとの間のおおよその一致が望ましい。注入過剰とされた領域の場合、注入分離の注入量が多すぎる可能性があり、これにより欠陥密度が高くなりすぎて、発熱速度が速くなり、分離効果が低下する。注入不足となった領域の場合、注入分離の注入量が少なすぎる可能性があり、これにより欠陥密度が低くなりすぎて、ドナー原子の補償が不十分となり、導電率が上昇する。層間に急激なドーピングの変化がある場合、前記層のうちの一方の少なくとも一部が注入過剰または注入不足のいずれかとなり、最適とは言えない性能を招く可能性がある。
【００４１】
高濃度にドープされた接触層４０４は、前記ＰＩＮダイオードとのオーミック接触を実現する手段を提供すると共に、表面フェルミ準位のピニングに起因する表面空乏領域を最小限に抑える方法を提供する。このような表面空乏および表面フェルミ準位のピニングは、前記表面付近で吸収されるより短い波長に関するＰＩＮダイオードの量子効率を低下させる。当然ながら、前記構造体を反転させてＮＩＰダイオード構造体を形成することもでき、ＡＰＤ素子の設計はドープされていない領域４０１の使用を必要としないので、本発明はＰＮ層設計およびＮＰ層設計にも好適である。
【００４２】
図８は例示的な４ピクセルＡＰＤアレイの設計を対象としており、したがって、それぞれピクセル１、２、３、および４の仮想傾斜メサを画定するために使用されるマスク領域４１０Ａ、４１０Ｂ、４１０Ｃ、および４１０Ｄを含んでいる（当然ながら、前記ピクセルの番号付けは本発明にとって重要ではなく任意である）。
【００４３】
アレイ内のピクセルの数およびそれらの配置は一般的であり、図示したものとは異なる構成で実施することができる。図示の実施形態において、前記マスクはまたガードリング４１１をも含んでおり、これは前記アレイ全体の周囲を囲み、前記ガードリングの外側にあるもの（前記半導体チップまたはダイの他の領域など）から前記アレイのピクセルを分離する手段を提供している。側面図４８１に示すように、前記平面図４８２のマスクパターンは、厚さ４２１および傾斜角４２２の面取りされたマスキング材料内に複製されている。前記マスキング材料の厚さは、前記注入イオンの実質的にすべてが前記マスクの下側のｐ型層４０２に達するのを止めるのに十分であるように選択すべきである。前記マスキング材料としては、傾斜角４２２が本発明の仮想傾斜縁部を生成するのに十分である限り、ウェットエッチングまたはドライエッチングされた二酸化ケイ素、窒化ケイ素、金属、またはフォトレジストを挙げることができる。さらに、前記図の側面図４８１に示す傾斜角４２２は台形であるが、本発明は、前記マスクの厚さが薄い厚さから仮想傾斜縁部が望まれる前記領域付近の全厚さ４２１まで変化する限り、前記マスク縁部として任意の湾曲形状を使用することができる。
【００４４】
図９は、図８の側面図４８１上のイオン注入の効果を図示している。イオン注入装置内で前記基板の方向に向かって入射イオン４７１が加速している。前記入射イオン４７１は、マスキング層４１１、４１０Ａ、および４１０Ｂの全厚さ４２１によって阻止され、前記マスクの妨げのない開口部では層４０４、４０３、および４０２の中に通過することが許される。前記マスクの傾斜縁部領域では、前記入射イオン４７１は前記マスキング材料によって拡散され、前記入射イオン４７１のエネルギーが減少し、これによりこれらが中を通って移動する前記マスク層の厚さに依存する前記イオン４７１の可変浸透深さがもたらされる。この結果、図面に示すように、前記注入領域（４０２Ｂおよび４０３Ｂ）におおよそ台形の形状が生じる。前記注入領域のこの台形形状は例証の目的だけのもので、イオンが前記マスキング層および半導体素子の層の中に浸透するときにイオンの水平方向の分散および拡散によって幾分丸みを帯びる。注入領域４０４Ｂは層４０４の部分であり、ここには前記入射イオンがそのエネルギーのかなりの割合を注ぎ込み、層４０４のｐ型ドーピングを部分的に補償するように作用する比較的大きな欠陥密度が生じる。その後の処理工程を使用して領域４０４Ｂを除去（エッチング）し、これらの領域を通る一切の残留導電性を取り除くことができるので、層４０４の完全な補償は要件ではないことに留意されたい。領域４０３Ａは層４０３のほとんど注入がなされない領域であり、したがって、これら領域の本来のｐ型ドーピング、自由キャリア濃度、および抵抗率のかなりの割合を維持する。同様に、領域４０３Ｂは層４０３の注入がなされる領域であり、領域４０３Ａは層４０３のほとんど注入がなされない領域である。そして、領域４０２Ｂは層４０２の注入がなされる領域であり、領域４０２Ａは層４０２のほとんど注入がなされない領域である。前記注入領域と前記非注入領域との間の遷移は急激ではないかもしれず、むしろ前記イオン軌道に従って高損傷領域（注入領域）から低損傷領域（非注入領域）へと徐々に遷移するかもしれないことに留意されたい。このようなイオン軌道は、モンテカルロ解析用ソフトウェアを使用してモデル化することができる。
【００４５】
前記注入イオンは、前記層のドーピングを補償する手段を提供する限り、任意の好適なイオンであってよい。ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体について、前記イオンの候補としては、水素、ヘリウム、酸素、窒素、ヒ素、およびリンが挙げられるが、これらに限定はされない。さらに、ケイ素およびスズなどのドーピングイオンは損傷を生じさせるだけではなくｐ型層４０２および４０３にカウンタードーピングの供給源をも提供するので、これらを考慮することもできる（同様に、ｎ型層のためにベリリウムおよび亜鉛を考慮することもできる）。ＩＶ族半導体について、酸素、ケイ素、およびアルゴンなどのイオンを使用して損傷を発生させることができる。例えば、ＩＥＥＥ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｄｅｖ．Ｌｅｔ．第３４巻（１）（２０１３年１月刊）２１〜２３ページに記載のＣ−Ｔ  Ｈｕａｎｇ、Ｊ−Ｙ  Ｌｉ、およびＪ．Ｃ．Ｓｔｕｒｍによる「Ｉｍｐｌａｎｔ  Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｔｗｏ−Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｇａｓｅｓ  ａｔ  ４．２Ｋ」を参照されたい。カウンタードーピングの供給源を提供するために、その他のドーパントイオンもまた考慮することができる。本発明の一観点は、前記イオン注入が、ドープされた領域を補償し、その導電率を低下させ、例えば、前記正味ドーピングを少なくとも１０倍低下させてその導電率を１０倍低下させる手段を提供することである。他の観点において、注入領域の変換が前記仮想傾斜側壁に沿って前記ＡＰＤの中央部よりも小さな電界を有する所望の前記仮想傾斜メサを生じさせる限り、前記注入領域を、ｐ型領域をｎ型に変換し、またはｎ型領域をｐ型に変換するなど、反対の半導体の型に変換することが望ましいかもしれない。
【００４６】
前記イオン注入が完了すると、前記サンプルは、通常、前記注入損傷の一部を回復させ前記イオン注入領域を安定させるためにアニール処理される。したがって、層４０４の注入領域４０４Ｂをエッチングして、この高濃度のｐ型領域の一切の残留導電性が素子の性能に影響するのを防止することができる。次に、前記マスク層を除去し、図１０に示す側面図の構造体を得ることができる。図中、それぞれに傾斜縁部を有する仮想構造体を伴う２つのピクセル４６２Ａおよび４６２Ｂならびに前記周囲ガードリング４６１が見える。
【００４７】
ここで、図１１について述べる。製作を終了するために、ガードリング４６１とのオーミック接点４４２が作られ、ＡＰＤのｐ型側４６２Ａとのオーミック接点４４１Ａが作られ、ＡＰＤのｐ型側４６２Ｂとのオーミック接点４４１Ｂが作られ、前記ｎ型半導体基板とのオーミック接点４４３が作られて前記アレイのすべてのダイオードとの共通カソード接続が提供される。前記ＡＰＤアレイをＳＰＡＤアレイとして動作させるために、各ＡＰＤ素子に、図に示すような抵抗器およびコンデンサの並列接続からなるパッシブクエンチ回路が接続される。コンデンサ４３５および抵抗器４３６が接点４４１Ａでピクセル４６２Ａに接続され、コンデンサ４３７および抵抗器４３８が接点４４１Ｂでピクセル４６２Ｂに接続される。接続４３１を介して負のバイアスが供給され、前記ＡＰＤ素子のガイガーモード動作を実現するために必要なバイアスが提供される。接点４４３で前記共通カソード接続を介して出力信号が読み出される。図中、前記共通カソード接続４４３と接地４３２との間に簡単な負荷抵抗器４３９が接続されているが、当業者であれば、前記電流信号を読み出すために、インピーダンス変換増幅器または電荷増幅器などの増幅回路を含むより複雑な回路を使用できることを理解するであろう。いくつかの実施形態では、ガードリング４６１をフローティングさせておいてもよく、他の実施形態では、図に示すようにガードリング４６１をガード電圧４３０に接続するのが望ましいかもしれない。前記共通カソード接続４４３は前記アレイのＡＰＤピクセルのすべてを流れる電流のアナログ和を提供し、前記ＡＰＤピクセルがガイガーモードで動作しているときは、前記アレイの活性域上に入射する単一光子の数を数える手段を提供する。
【００４８】
さらに本発明の他の実施形態および観点を以下の論考および図面で提示する。図１２は、マスク機構５１０Ａおよび５１０Ｂを含む前記半導体層構造体の側面図５８１ならびに本発明に係るＡＰＤを処理するために使用される第１のマスクの平面図５８２を図示している。側面図５８１において、前記素子の層構造体は簡略化されており、前記ｐ型半導体領域５００と、非意図的にドープされた領域５０１と、前記ｎ型半導体層５０２と、勾配ドーピングｐ型層５０３とのみを示している。前述したように、層５０３中のドーピングの勾配は、上述の勾配ドーピング層４０３に対するのと同様の要件で、前記ドーピングのプロファイルと前記注入損傷のプロファイルとの間におおよその一致を提供するように選択される。層５０２、５０１、および５００の組み合わせがＮＩＰダイオード構造体を形成し、これにより前記アバランシェフォトダイオード構造体の一部が形成される。図１２は４ピクセルＡＰＤアレイの設計を図示しており、したがって、それぞれピクセル１、２、３、および４（これらは図面中の４つのピクセルの任意の符号である）の仮想傾斜メサを画定するために使用されるマスク領域５１０Ａ、５１０Ｂ、５１０Ｃ、および５１０Ｄを含んでいる。側面図５８１に示すように、前記平面図５８２のマスクパターンは、厚さ５２１および傾斜角５２２の傾斜縁部を有するマスキング材料内に複製されている。前記マスキング材料の厚さは、前記注入イオンの実質的にすべてが前記マスクの下側のｐ型層５０２に達するのを止めるのに十分であるように選択すべきである。前記マスキング材料としては、傾斜角５２２が本発明の仮想傾斜縁部を生成するのに十分である限り、ウェットエッチングまたはドライエッチングされた二酸化ケイ素、窒化ケイ素、金属、またはフォトレジストを挙げることができる。さらに、前記図の側面図５８１に示す傾斜角５２２は台形であるが、本発明は、前記マスクの厚さが薄い厚さから仮想傾斜縁部が望まれる前記領域付近の全厚さ５２１まで変化する限り、前記マスク縁部として任意の湾曲形状を使用することができる。
【００４９】
図１３は、第２のマスキング層５０９を前記第１のマスキング層（５１０Ａおよび５１０Ｂが図示されているが、マスキング層５０９は図示されていない５１０Ｃおよび５１０Ｄの上にもまた堆積するであろうと考えられる）の上にブランケット堆積させることができる様子を図示している。前記ブランケット堆積した第２のマスキング層は厚さ５２１Ｂに堆積するが、前記厚さ５２１Ｂは、前記注入量のピーク損傷を勾配ドーピング層５０３内に位置づけ、層５０３を補償するには表面注入量が不十分となること、または必要とする表面注入量が多くなりすぎて層５０３と層５０２との間の界面を潜在的に過剰補償し残留導電率の上昇を招くこととなるいずれかが考えられる、前記注入の最終局面の影響を軽減することができるように設計される。
【００５０】
図１３は、図１２の側面図５８１上の第１のイオン注入の効果を図示している。イオン注入装置内で前記基板の方向に向かって入射イオン５７１が加速している。前記入射イオン５７１はマスキング層５１０Ａおよび５１０Ｂの全厚さ５２１によって阻止され、機構５１０Ａと機構５１０Ｂとの間の妨げのない開口部内で層５０３、５０２、および５０１の中に通過することが許される（第２のマスキング層５０９の効果は、実質的にすべての入射イオンが第２のマスキング層５０９の中を通過することができるように選択されたマスキング層５０９の厚さで前記入射イオン５７１のエネルギーを僅かに減衰させることにある）。前記マスクの傾斜縁部領域では、前記入射イオン５７１は前記マスキング材料によって拡散され、前記入射イオン５７１のエネルギーが減少し、これによりこれらが中を通って移動する前記マスク層の厚さに依存する前記イオン５７１の可変浸透深さがもたらされる。この結果、図面に示すように、前記注入領域（５０１Ｂ、５０２Ｂ、および５０３Ｂ）におおよそ台形の形状が生じる。前記注入領域のこの台形形状は例証の目的だけのもので、イオンが前記マスキング層および半導体素子の層の中に浸透するときにイオンの水平方向の分散および拡散によって幾分丸みを帯びる。注入領域５０３Ｂは層５０３の一部であり、ここには前記入射イオンがそのエネルギーのかなりの割合を注ぎ込み、層５０３のｎ型ドーピングを補償するように作用する比較的大きな欠陥密度が生じる。領域５０３Ａは層５０３のほとんど注入がなされない領域であり、したがって、これら領域の本来のｎ型ドーピング、自由キャリア濃度、および抵抗率のかなりの割合を維持する。同様に、領域５０２Ｂは層５０２の注入がなされる領域であり、領域５０２Ａは層５０２のほとんど注入がなされない領域である。同様に、領域５０１Ｂは層５０１の注入がなされる領域であり、領域５０１Ａは層５０１のほとんど注入がなされない領域である。前記注入領域と前記非注入領域との間の遷移は急激ではなく、むしろ前記イオン軌道に従って高損傷領域（注入領域）から低損傷領域（非注入領域）へと徐々に遷移する。このようなイオン軌道は、モンテカルロ解析用ソフトウェアを使用してモデル化することができる。
【００５１】
前記第１のイオン注入が完了すると、マスク層５０９、５１０Ａ、５１０Ｂ、５１０Ｃ、および５１０Ｄは従来の技法を使用して取り除かれ、前記サンプルは、通常、前記注入損傷の一部を回復させ前記イオン注入領域５０１Ｂ、５０２Ｂ、および５０３Ｂを安定させるために第１のアニール温度でアニール処理される。次に、前記領域５５０内に第２のマスク層が堆積し、パターン化されるが、この層は、前記活性ピクセルの仮想傾斜を有する注入領域を保護し、前記ＡＰＤアレイの外側を第２のイオン注入工程に暴露させるように設計されている。
【００５２】
図１４は、前記第２のイオン注入の入射イオンのほとんどすべてを領域５０２Ａから遮断するのに十分な厚さ５５１を有する前記パターン化されたマスク５５０を図示している。前記第２の注入の目的は前記ＡＰＤアレイを前記チップまたはダイの外側領域から分離することにあり、したがって、実施によっては、側壁が垂直である（したがって、傾斜角がないかほとんどない）従来のフォトレジストマスクを使用することができることに留意されたい。
【００５３】
図１５は、図１４の側面図５８１上の第２の注入５７２の効果を図示している。図に示すように、入射イオン５７２は、前記アレイの活性域の外側の領域５７３に注入分離を提供する。この第２の注入分離は、通常、領域５７３のシート抵抗を最大化して前記チップまたはダイ上の活性アレイと前記アレイの外側との間に有効な分離を提供するように選択されるので、通常は上記のガードリング４６１の代わりに使用されるであろうと考えられるが、代替の実施形態では、前記ガードリングおよび前記第２の注入分離の両方を組み込むことができる。
【００５４】
図１６は、上記のＡＰＤアレイを製作するさらなる工程を図示している。マスク５５０が前記サンプルから除去され、前記サンプルは、領域５７３内の注入損傷を安定させると共に領域５７３の抵抗率を最適化するために第２のアニール温度でアニール処理される。前記第２のアニール温度は、通常、注入領域５０１Ｂ、５０２Ｂ、５０３Ｂ、および５７３の別個の最適化を可能とするために、前記第１のアニール温度よりも低く設定される。次に、従来の処理を使用して、ＡＰＤピクセル（この図に示す２つのピクセルとして任意に選ばれた）１および２にオーミック接点５４１Ａおよび５４１Ｂがそれぞれ堆積し、前記共通カソード層５００にオーミック接触を提供するオーミック接点５４３が堆積する。前記共通カソード接続５４３は前記アレイのＡＰＤピクセルのすべてを流れる電流のアナログ和を提供し、前記ＡＰＤピクセルがガイガーモードで動作しているときは、前記アレイの活性域上に入射する単一光子の数を数える手段を提供する。
【００５５】
ここで、チップまたはダイの外側領域から前記アレイを分離する代替的な手段を示す図１７について述べる。ここでは、図１７によって提示される処理工程が図１６によって提示される処理ステップに取って代わることとなり、第２の注入は使用されないであろうと想定される。その代わりに、前記アレイの外側部分の従来のメサ分離を可能とするためにマスク５５０を使用することが考えられ、図１７に示す構造体を実現するために従来のウェットエッチング技法またはドライエッチング技法を使用することができる。このメサ分離法は前記傾斜縁部を有する仮想メサとは実質的に区別されるという事実により、メサの傾斜角および側壁の不動態化の要件はかなり緩和される。
【００５６】
図１８は、並列接続されたコンデンサおよび抵抗器の構造体を形成するために使用できる金属／絶縁体／金属（ｍｅｔａｌ／ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ／ｍｅｔａｌ：ＭＩＭ）などの三層構造体の分解立体図を図示している。前記構造体は、第１の金属６０１と、厚さ６１０のイオン注入された半絶縁半導体領域６０２と、第２の金属６０３とを含む３層を有する。前記ＭＩＭ構造体の横方向寸法は、６１１および６１２である。前記イオン注入された半導体領域６０２は、注入分離によって容易に実現されるように、前記抵抗率を大幅に上昇させるようにイオン注入された任意の半導体領域からなる。上記の構造体は第１の金属（Ｍ）、漏洩性絶縁体（Ｉ）、および第２の金属（Ｍ）からなるが、水平ＭＩＭ構造を使用して類似の平面構造体が容易に形成され、この場合、前記上部金属および底部金属が、半導体の上に、両者間に０．１〜１０ミクロンの間隙寸法の小さな間隙をおいて共平面ストリップライン構成で定置された平面金属ストリップによって置き換えられる。
【００５７】
ここで、図１８のＭＩＭ構造体の分解されていない図を示す図１９について述べる。これらＭＩＭ構造体の利点は、ＳＰＡＤ素子のためのパッシブクエンチ回路に必要な静電容量（静電容量の値は１ｆＦ〜１０００ｆＦの範囲である）および抵抗（通常、抵抗値は１０ｋオーム〜１００Ｍオームの範囲である）の組み合わせを提供することにある。Ｒが前記ＭＩＭ構造体の抵抗（そしてＩは漏洩性絶縁体である）であり、Ｃが前記ＭＩＭ構造体、前記ＳＰＡＤの固有静電容量、および前記ＭＩＭ構造体と前記ＡＰＤとの間のノードにおける一切の（接地に対する）追加的な浮遊静電容量即ち寄生静電容量の合成静電容量であるとき、前記静電容量の値は、通常、クエンチされる前記ＡＰＤの固有静電容量の１０倍以内であるように選択され、前記抵抗値は前記リセット／再充電サイクルに必要なＲＣ時定数を提供するように選択される。当業者であれば、前記垂直ＭＩＭ構造体を垂直ＭＩＳ構造体、平面ＭＩＳ構造体、平面ＭＩＭ構造体、平面ＳＩＳ構造体、または垂直ＳＩＳ構造体で置き換えることができることを理解するであろう。
【００５８】
図２０は、上記の図面のＭＩＭ構造体をＳＰＡＤ素子６９９とモノリシックに一体化できる様子を図示している。前記ＳＰＡＤ素子６９９は、６１３および６１４の横方向寸法を有している。
【００５９】
図２１は、前記第２の金属６０３を取り除いて前記イオン注入された半導体領域６０２をＳＰＡＤ６９９の陽極または陰極に密着させて定置することにより、上記の構造体の三層ＭＩＭを垂直ＭＩＳ構造体に変換することができる様子を図示している。適切なマスキングおよびイオン注入工程を使用してＳＰＡＤ６９９の上に前記ＭＩＳ構造体を簡単に直接形成することができるので、前記第２の金属６０３を排除することによって処理が大幅に簡略化される。
【００６０】
ここで、本発明の垂直メサ構造体を伴う光検出器アレイ構造体、パッシブクエンチ回路、製作方法、およびその他の観点を含む本発明のさらに別の１組の実施形態を提示する。
【００６１】
図２２は、マスク機構７１０Ａおよび７１０Ｂを含む半導体層構造体の側面図７８１ならびに本発明に係るＡＰＤを処理するために使用される第１のマスクの平面図７８２を図示している。側面図７８１において、前記素子の層構造体は簡略化されており、前記ｎ型半導体領域７００と、非意図的にドープされた領域７０１と、前記ｐ型半導体層７０２と、高濃度にドープされたｐ型層７０３とのみを示している。他の箇所でも述べたように、当業者であれば、ここで提示する好適な実施例は、その他のアレイの幾何学的形状、アレイ素子の数、形状および大きさ、ならびにドーピングの種類に適応するための普遍性を損なうことなく修正できることを理解できるであろう。
【００６２】
図２２は４ピクセルＡＰＤアレイの設計を図示しており、したがって、それぞれピクセル１、２、３、および４（のピクセルの番号付けは任意である）の仮想傾斜メサを画定するために使用されるマスク領域７１０Ａ、７１０Ｂ、７１０Ｃ、および７１０Ｄを含んでいる。側面図７８１に示すように、平面図７８２のマスクパターンは、厚さ７２１および傾斜角７２２の傾斜縁部を有するマスキング材料内に複製されている。前記マスキング材料の厚さは、前記注入イオンの実質的にすべてが前記マスクの下側のｐ型層７０２に達するのを止めるのに十分であるように選択すべきである。前記マスキング材料としては、傾斜角７２２が本発明の仮想傾斜縁部を生成するのに十分である限り、ウェットエッチングまたはドライエッチングされた二酸化ケイ素、窒化ケイ素、金属、またはフォトレジストを挙げることができる。
【００６３】
ここで、上記のアレイの側面図７８１上の第１のイオン注入の効果を図示する図２３について述べる。イオン注入装置内で前記基板の方向に向かって入射イオン７７１が加速している。前記入射イオン７７１は、マスキング層７１０Ａおよび７１０Ｂの全厚さ７２１によって阻止され、機構７１０Ａと７１０Ｂとの間で前記機構に隣接する妨げのない開口部では層７０３および７０２の中に通過することが許される。前記マスクの傾斜縁部領域では、前記入射イオン７７１は前記マスキング材料によって拡散され、前記入射イオン７７１のエネルギーが減少し、これによりこれらが中を通って移動する前記マスク層の厚さに依存する前記イオン７７１の可変浸透深さがもたらされる。この結果、図面に示すように、前記注入領域（７０１Ｂおよび７０２Ｂ）におおよそ台形の形状が生じる。注入領域７０３Ｂは層７０３の部分であり、ここには前記入射イオンがそのエネルギーのかなりの割合を注ぎ込み、層７０３のｐ型ドーピングを補償するように作用する比較的大きな欠陥密度が生じる。領域７０３Ａは層７０３のほとんど注入がなされない領域であり、したがって、これら領域の本来のｐ型ドーピング、自由キャリア濃度、および抵抗率のかなりの割合を維持する。同様に、領域７０２Ｂは層７０２の注入がなされる領域であり、領域７０２Ａは層７０２のほとんど注入がなされない領域である。
【００６４】
前記第１のイオン注入が完了すると、前記素子は、前記注入損傷の一部を回復させ前記イオン注入領域７０２Ｂを安定させるために第１のアニール温度でアニール処理される。次に、マスク領域７１０Ａ、７１０Ｂ、７１０Ｃ、および７１０Ｄを使用して領域７０３Ｂがエッチングされることで、これらの層を経由する一切の残留導電性が防止される。マスク領域７１０Ａ、７１０Ｂ、７１０Ｃ、および７１０Ｄは、従来の技術を使用して除去される。次に、領域７５０内に第２のマスク層が堆積し、パターン化されるが、この層は、前記活性ピクセルの仮想傾斜を有する注入領域を保護し、前記ＡＰＤアレイの外側を第２のイオン注入工程に暴露させるように設計されている。前記パターン化されたマスク７５０は、前記第２のイオン注入の入射イオンのほとんどすべてを領域７０２Ｂから遮断するのに十分な厚さ７５１を有する。前記第２の注入の目的は前記ＡＰＤアレイを前記チップまたはダイの外側領域から分離することにあり、したがって、実施によっては、側壁が垂直である（したがって、傾斜角がないかほとんどない）従来のフォトレジストマスクを使用することができることに留意されたい。
【００６５】
図２４は、上記の図面の側面図７８１上の第２の注入７７２の効果を図示している。図面に示すように、入射イオン７７２は、前記アレイの活性域の外側の領域７７３に注入分離を提供する。この第２の注入分離は、通常、領域７７３のシート抵抗を最大化して前記チップまたはダイ上の活性アレイと前記アレイの外側との間に有効な分離を提供するように選択される。
【００６６】
図２５は、上記のＡＰＤ構造体を処理するさらなる工程を示している。ＭＩＳ構造体の金属「Ｍ」領域が金属７７９、前記ＭＩＳ構造体の漏洩性絶縁体「Ｉ」領域がイオン注入領域７０２Ｂ、および前記ＭＩＳ構造体の半導体「Ｓ」領域が領域７０３Ａおよび７０２Ａの結合であるとき、ピクセル１と、２と、３と、４との間の間隙内に金属７７９が堆積し、前記ＭＩＳ構造体を形成する。金属７７９は、図面に示すように、幅７８０および横方向寸法７８１を有する。ピクセル１の活性域は７６２Ａ、ピクセル２の活性域は７６２Ｂとして示されている。接点７４３が、前記ｎ型半導体領域７００との共通カソード接続を形成している。接点７７９と７４３との間に好適なバイアスを印加することにより、前記構造体にバイアスを印加することができる。前記バイアスが前記降伏電圧よりも高く、前記ＭＩＳ構造体が適切なパッシブクエンチ回路の特性を呈するならば、前記アレイの４つのピクセルは、共通カソード接続７４３が前記アレイのＡＰＤのすべてを流れる電流のアナログ和を提供するモノリシックＳＰＡＤアレイとして動作する。
【００６７】
図２６は、上述のＡＰＤアレイ上のピクセル７６２Ａおよび７６２Ｂの詳細を図示している。ピクセル間の水平方向の間隔は７８１であり、前記ピクセルの活性領域の水平方向の広さは７８２である。寸法７８３はピクセル間の間隙であり、寸法７８４は前記ＭＩＳ構造体の「Ｉ」領域の水平方向の広さである。機構７７８は前記ＭＩＳ構造体の「Ｉ」領域の水平方向の広さを画定する間隙である。
【００６８】
ここで、図２７を参照すると、これらの寸法は素子の設計の制約（ピクセルの大きさ、ピクセルの密度）および素子技術（リソグラフィ）の両方によって決定されるが、寸法７８１は、通常、５ミクロン〜１００ミクロンの範囲となり、金属幅７８０および間隙７８４は、通常、０．１〜５．０ミクロンの寸法を有する。有限要素モデリングまたは共平面スロットライン理論（ｃｏｐｌａｎａｒ  ｓｌｏｔｌｉｎｅ  ｔｈｅｏｒｙ）を使用して単位長当たりの静電容量を推定することができるが、これは、通常、０．１〜１．０ｆＦ／ミクロンの範囲となるので、１０ミクロン×１０ミクロンのピクセルは４〜４０ｆＦのバイパス容量を実現でき、多くのパッシブクエンチ回路の用途にはこの容量で十分である。図面に示す幾何学的形状は前記ピクセルを完全に取り囲む前記ＭＩＳ構造体を示しているが、代替的な設計では、前記構造体の２つの側面だけまたは前記構造体の１つの側面だけのＭＩＳ構造体を考慮することもできることに留意されたい。
【００６９】
図２８は、前記傾斜縁部を有する仮想メサ構造体を形成するために使用する、ｎ＋ＧａＡｓ基板８００上に成長した半導体層を有する、注入前の前記層構造体の実施形態を図示している。厚さ８１１の層８０１は、基板８００の上に直接成長したｎ型ＧａＡｓバッファ層であり、高品質のエピタキシャル成長を開始するために使用される。層８０１は、５×１０１７ｃｍ３のドーピング密度でｎ型にドープされ、５００ｎｍの厚さ８１１に成長したＧａＡｓ層を含んでいる。層８０２は、５×１０１８ｃｍ３のドーピング密度でｎ型にドープされ、５０ｎｍの厚さ８１２に成長したＧａ０．５１Ｉｎ０．４９Ｐ層からなっている。層８０３は、１×１０１８ｃｍ３のドーピング密度でｎ型にドープされ、１００ｎｍの厚さ８１３に成長したＧａ０．５１Ｉｎ０．４９Ｐ層を含んでいる。層８０４は、１０００ｎｍの厚さ８１４に成長した非意図的にドープされたＧａ０．５１Ｉｎ０．４９Ｐ層を含んでいる。層８０５は、1×１０１７ｃｍ３のドーピング密度でｐ型にドープされ、８００ｎｍの厚さ８１５に成長したＧａ０．５１Ｉｎ０．４９Ｐ層を含んでいる。層８０６は、前記ドーピングが層８０５との界面での５×１０１７ｃｍ３のｐ型ドーピング密度から層８０７との界面での５×１０１８ｃｍ３のｐ型ドーピング密度まで線形的に勾配しているＧａ０．５１Ｉｎ０．４９Ｐ層を含んでいる。層８０６の厚さ８１６は１００ｎｍである。層８０６は、通常おおよそガウス分布を呈する注入損傷のプロファイルにほぼ一致するように設計されており、したがって、ドーピングの急激な変化は、前記素子の層のうちのいくつかを補償過剰または補償不足のいずれともならないように正確に補償するのが困難であるかもしれない。層８０７は、５×１０１８ｃｍ３のドーピング密度でｐ型にドープされ、３０ｎｍの厚さ８１７に成長したＧａ０．５１Ｉｎ０．４９Ｐ層を含んでいる。層８０８は、５×１０１８ｃｍ３のドーピング密度でｐ型にドープされ、３０ｎｍの厚さ８１８に成長したＡｌ０．５２Ｉｎ０．４８Ｐ層を含んでいる。層８０８は、下層のＧａ０．５１Ｉｎ０．４９Ｐ層８０７を不動態化し、層８０７と層８０８との間の界面での表面再結合を低減するための窓層として設計されており、これにより短波長光（即ち、青色波長）に関する性能を改善することができる。最後に、層８０９は、５×１０１９ｃｍ３のドーピング密度でｐ型にドープされ、１２０ｎｍの厚さ８１９に成長したＧａＡｓ接触層を含んでいる。層３０７の厚さ３１７は、部分的には、良好なオーミック接触を実現可能とすると共に、層８０７および８０８内でイオン注入損傷のピークを発生させる２０ｋｅＶのエネルギーを使用してＨｅ＋注入することを可能とする、分離注入のための犠牲層を提供するように選択される。記載の他の実施形態と同様に、すべての寸法、厚さ、ドーピング濃度、およびその他の特徴は単なる例示に過ぎないことに留意されたい。当業者であれば、普遍性を損なうことなく眼前の特定の用途に最適な他の構成を選択することができる。
【００７０】
図２９は、上記の構造体の深さ対密度のプロットを図示している。軸８９９は、１×１０１４／ｃｍ３の最低密度から１×１０１９／ｃｍ３の最高密度に亘る対数目盛上の密度である。軸８９８は、図２８のサンプルの０〜１．５０ミクロンの深さに亘る線形目盛を表しており、但し、０は図２８中の構造体の層８０９の空気に暴露している側に当たる上面を表し、前記１．５ミクロンの深さはドープされていない層８０４の中間にある。破線８５２は、前記層の設計上のドーピングプロファイルを表している。実線８５１は、Ｈｅ＋イオン注入損傷の効果を促進するためにＳＲＩＭ（Ｓｔｏｐｐｉｎｇ  ａｎｄ  Ｒａｎｇｅ  ｏｆ  Ｉｏｎｓ  ｉｎ  Ｍａｔｔｅｒ：ＳＲＩＭ）を使用して計算されたガリウム空孔密度の計算を表している。前記計算上のガリウム空孔密度は前記サンプル内の欠陥の密度の推定を提供するために使用される。本明細書内で言及するＳＲＩＭまたは類似のソフトウェアは結晶構造のチャネリングの効果を計算しないので、その結果として生じる注入損傷が最も正確に結晶のチャネリング方向に対する角度での注入を表したことに留意されたい。
【００７１】
目的は前記意図的なドーピング濃度（曲線８５２）と注入損傷プロファイル（曲線８５１）との間に妥当な一致を提供することであり、このとき、妥当な一致とは、前記ドーピング濃度の約２倍以内の注入損傷プロファイル（ガリウムの変位）を有することと定義される。ここで、ＳＲＩＭなどのソフトウェアを使用して計算される前記損傷プロファイルは、入手可能な最善の実験上および理論上の解析に基づく近似であることを付記しておく。さらに、我々のアプローチはイオン注入損傷によって生じる欠陥の密度の代用としてガリウム空孔を使用するが、インジウム空孔、リン空孔、総空孔、総変位などを使用することも等しく有効であろうと考えられる。さらに、前記ＳＲＩＭプログラムは前記注入が絶対零度で行われることを前提としており、その他の温度で行われる注入についてはその場アニール処理を行うこともできる。最後に、前記ＳＲＩＭプログラムは、前記欠陥損傷を減少させ前記注入分離を安定させるために頻繁に使用される注入後のアニール処理の効果については評価しない。Ｈｅ＋イオンエネルギーおよび注入量の値を表ＩＩに示す。第１のイオン注入を使用する前記仮想傾斜縁部の幾何学的形状の形成に関して、実際のＨｅ＋イオン注入量は表ＩＩの値よりも１〜１０倍高いはずであると推定され、その後、３００℃〜６００℃の温度で第１のアニール処理が行われる。前記分離注入の形成に関して、前記Ｈｅ＋イオン注入量は表ＩＩの値よりも５倍〜２５倍高くてもよく、その後、３５０℃〜６００℃の温度で第２のアニール処理が行われる。
【００７２】
表ＩＩは、前記Ｇａ空孔濃度の曲線８５１を計算するために使用されるＨｅ＋イオンエネルギーおよび注入量を例示している。
【００７３】
【表２】
0006383516.tif 000003
【００７４】
本発明は上述の特定の実施形態に限定されるとみなすべきではなく、むしろ添付の請求項に適正に述べる本発明のすべての観点を網羅すると理解すべきである。本開示の検討の際には、本発明を適用できる様々な修正、等価な処理、ならびに多数の構造は、本発明が対象とする技術分野の当業者には明白となるであろう。請求項は、このような修正および等価物を網羅することが意図されている。
【図１】
0006383516.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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