(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レチクル検査システムでレチクルを取り扱う方法であって、
ＥＵＶ内側ポッド（ＥＩＰ）を、流れ制御を有する清浄な乾燥空気環境内で、前記ＥＩＰのＥＩＰカバーからＥＩＰベースを分離することにより、開くステップと、
レチクルキャリアを、分離後の前記ＥＩＰベース上に配置された前記レチクル上に位置させるステップであって、前記レチクルキャリアが前記レチクル検査システム内に保管されている、該ステップと、
前記流れ制御を有する清浄な乾燥空気環境内で、前記レチクルを当該レチクル上に位置された前記レチクルキャリアにより接触把持させてクランプするステップと、
前記レチクルキャリア及びこれにクランプされた前記レチクルを含むチャンバをポンプダウンするステップと、
前記ポンプダウンの後に、前記レチクルのパターニングされた面を検査のために露出させたまま、前記レチクルキャリアをレチクルステージ上に位置させるステップと、
を有する方法。
【請求項２】
前記レチクルキャリアは、運動学的装着により前記レチクルステージに取り付けられる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
レチクルキャリアベースを前記レチクルの下に位置させるステップを更に含み、前記レチクルキャリアベースは、前記レチクルを搬送するための構造を含み、前記レチクルキャリアベースは、前記レチクル検査システム内に保管される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記レチクルキャリアに対する前記レチクルの方向を測定するステップと、
前記測定された方向に少なくとも部分的に基づいて、前記レチクルを前記レチクルキャリアに対して再方向付けするステップと、
を更に有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ＥＩＰベースを前記レチクルの下に位置させるステップと、
大気内で前記ＥＩＰベースを前記レチクルキャリアに結合するステップであって、前記ＥＩＰベースが前記レチクルの面に接触しない、該ステップと、
真空内で前記ＥＩＰベースを前記レチクルキャリアから切り離すステップと、
を更に有する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
ＥＩＰベース取付プレートを前記ＥＩＰベースの下に位置させるステップを更に含み、前記ＥＩＰベース取付プレートは、前記レチクルが輸送されることを可能にする複数の構造を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
大気内で前記レチクルキャリアベースを前記レチクルキャリアに結合するステップであって、前記レチクルの面が前記レチクルキャリアベースに接触しない、該ステップと、
真空内で前記キャリアベースを前記キャリアから切り離すステップと、
を有する、請求項３に記載の方法。
【請求項８】
前記レチクルキャリアを前記レチクルステージにクランプするステップを更に有する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記ＥＩＰベースを前記ＥＩＰカバーから分離した後に、前記レチクルの裏側の粒子検査を実行するステップを更に有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
レチクル検査システム内でレチクルを取り扱うシステムであって、
前記レチクル検査システム内で流れ制御を有する清浄な乾燥環境内で保管されるレチクルキャリアを有し、
前記レチクルキャリアは、前記レチクル検査システムの前記清浄な乾燥空気環境内で前記レチクルを接触把持させてクランプし、前記レチクルのパターニングされた面を検査のために直接露出させたまま、清浄な真空環境内で前記レチクル検査システムのレチクルステージに運動学的に結合する、システム。
【請求項１１】
前記レチクルキャリアは、前記レチクルステージに運動学的に結合するよう構成された構造のセットを含む、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記レチクル検査システム内に保管されるレチクルキャリアベースを更に有し、前記レチクルキャリアベースは、前記レチクルキャリアにクランプされた前記レチクルの下方で当該レチクルと離間して、前記レチクルキャリアに結合するように構成される、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１３】
前記レチクルキャリアベースは、前記レチクルを搬送するための構造のセットを含む、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
裏側粒子汚染について前記レチクルの裏側を検査するように構成された粒子検査システムを更に有する、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１５】
前記レチクルキャリアを再方向付けするように構成される移送チャンバ保管ポッドを含む移送チャンバを更に有する、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１６】
請求項１に記載の方法であって、
前記レチクル検査システム内の清浄な真空環境内で、前記レチクルステージに運動学的に装着された前記レチクルキャリアにレチクルキャリアベースを結合するステップであって、前記レチクルキャリアベースは、前記レチクルキャリアにクランプされた前記レチクルのパターニングされた面を覆い、当該レチクルと離間している、該ステップと、
前記レチクルキャリア及び前記レチクルキャリアベースを、前記清浄な真空環境から前記レチクル検査システムの前記清浄な乾燥空気環境に移動するステップと、
清浄な乾燥空気環境内で、前記レチクルキャリアベースを前記レチクルキャリアから切り離すステップと、
清浄な乾燥空気環境内で、前記レチクルを前記レチクルキャリアからクランプ解除するステップと、
を有する方法。
【請求項１７】
前記レチクルキャリア及び前記レチクルキャリアベースは、前記レチクル検査システムの清浄な乾燥空気環境内で保管される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
ＥＵＶ内側ポッド（ＥＩＰ）ベースを前記レチクルの下に位置させるステップと、
前記ＥＩＰベースを前記レチクルに結合するステップと、
を更に有する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
ＥＩＰカバーを前記レチクル及びＥＩＰベースの上に位置させるステップと、
前記ＥＩＰベースを前記ＥＩＰカバーに結合するステップと、
を更に有する、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記レチクルキャリアは、前記レチクルステージに運動学的に結合するように構成された構造のセットを含む、請求項１６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
特許のための本出願は、２０１２年３月２７日に出願された「Ｒｅｔｉｃｌｅ  Ｌｏａｄ  Ｆｒｏｍ  ＥＩＰ  Ｉｎｔｏ  Ａｄａｐｔｅｒ  Ｉｎ  Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｅ  Ｉｎ  ＥＵＶ  Ｒｅｔｉｃｌｅ  Ｉｎｓｐｅｃｔｉｏｎ  Ｔｏｏｌ」と題する米国仮特許出願第６１／６１６，３４４号及び２０１２年１２月１７日に出願された「Ｒｅｔｉｃｌｅ  Ｌｏａｄ  Ｆｒｏｍ  ＥＩＰ  Ｉｎｔｏ  Ａｄａｐｔｅｒ  Ｉｎ  Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｅ  Ｉｎ  ＥＵＶ  Ｒｅｔｉｃｌｅ  Ｉｎｓｐｅｃｔｉｏｎ  Ｔｏｏｌ」と題する米国仮特許出願第６１／７３８，３５１号に基づき３５Ｕ．Ｓ．Ｃ．§１１９の下での優先権を主張し、それぞれの主題の全体は、本書の参照により組み込まれる。
【０００２】
記載の実施形態は、試料の取り扱い(handling)のためにシステムに関し、特に大気及び真空環境での粒子の管理及び試料の配置に関する。
【背景技術】
【０００３】
論理素子及び記憶装置等の半導体デバイスは、典型的には、試料に適用される一連の処理ステップに従って製作される。半導体デバイスのもつ各種フィーチャ（穴やスロット等、部品の物理的な一部分）及び複数層に亘る構造階層は、これらの処理ステップによって形成される。例えば、リソグラフィは、とりわけ、半導体のウエハ上にパターンを形成することを含む一つの半導体製造プロセスである。半導体製造プロセスの追加的な例は、これらに限定されないが、化学機械的研磨、エッチング、蒸着及びイオン注入を挙げることができる。複数の半導体デバイスは、単一の半導体ウエハで製作され、その後、個々の半導体デバイスに分離され得る。
【０００４】
上記のように、リソグラフィプロセスは、ウエハの表面を覆うレジスト材料の一部を選択的に除去し、それにより、エッチング、材料蒸着、インプランテーション等の選択的処理のために、その上に当該レジストが形成された下の試料領域を露出させるために行われる。従って、多くの場合、リソグラフィプロセスの性能は、試料上に形成される構造の特性（例えば、サイズ）を概ね決定する。従って、より小さなサイズを有するパターンを形成することが可能なシステム及び要素（例えば、レジスト材料）を設計することがリソグラフィのトレンドとなっている。特に、リソグラフィツールの解像能力は、リソグラフィの研究開発の１つの重要な推進力となっている。
【０００５】
電磁エネルギーを極紫外（ＥＵＶ）光の形態で利用するリソグラフィプロセスが、レジストの選択的露光のために開発されてきている。ＥＵＶ放射源によって発生するＥＵＶ放射は、レチクル表面に向けられ、レチクル表面から反射し、そして、清浄な真空環境内でウエハに投射される。レチクル表面はパターニングされ、反射光はこのパターンをウエハに投射する。更に小さなパターニングされた構造サイズを実現するために、レチクルパターンの構造サイズは縮小し続ける。従って、レチクル表面上における粒子汚染（コンタミネーション）への要求は、より厳しくなり続けている。
【０００６】
従来型の光学投射リソグラフィでは、レチクルを保護するためにペリクルが用いられる。ペリクルは、リソグラフィプロセスの全ての段階に亘って依然として有効である。ペリクルが用いられる場合、粒子は、レチクルよりもペリクルの方に沈降する。任意の洗浄作業の間、レチクルはペリクルによって保護されるため、ペリクルのクリーニングにより生じるレチクルの完全性（無傷性）に対する危険は殆どない。また、ペリクルは、ペリクル表面に沈降した任意の粒子をレチクルパターンからペリクルの隔離距離（厚み）に対応した距離だけ分離することにより、粒子汚染の影響を最小にする。この距離は、粒子を撮像システムの画像面（レチクルのパターニング面）から遠ざけ、従って、ウエハに投射される像に対する粒子の影響を最小にする。
【０００７】
不幸なことに、短波長の光は、ガスや固体を通して伝搬するときに容易に吸収されるため、ペリクルは、現在、ＥＵＶ用途に用いられていない。現在、ペリクルを作製するために使用可能であって、ＥＵＶに対して十分に透過性を有する安定性のある（robust）材料は、存在しない。ＥＵＶレチクルのパターニングされた表面を覆って、粒子汚染から保護するための利用可能な材料が無いため、リソグラフィ操作中及び一部の検査作業中に、ＥＵＶレチクルのパターニングされた表面は、プロセス環境に曝される。より安定性があって透過性のペリクルを見つける努力がされているが、たとえこのようなペリクルが利用できるようになるとしても、構造サイズが縮小し続けるため、粒子汚染の要求は、厳格であり続けるであろう。その結果、半導体処理設備の内外の両方でＥＵＶレチクルの清浄度及び粒子制御を維持することは、重要な問題となっている。
【０００８】
粒子汚染を低減する取り組みにおいて、標準ＥＵＶポッド（ＳＥＭＩ標準Ｅ１５２−０７０９に準拠）が開発されてきた。ＥＵＶポッドは、一般にレチクルＳＭＩＦポッド（ＲＳＰ）と呼ばれる外側キャリアと、一般にＥＵＶ内側ポッド（ＥＩＰ）と呼ばれる内側ポッドを含む。ＲＳＰは、種々の製造ステーション及びサイト間でＥＵＶマスクを搬送するのに適している。ＥＩＰは、真空内及びレチクルステージの近傍までレチクルが保護環境内に留まることを可能にする保護用のエンクロージャーである。真空へのポンプダウン又は大気圧への通気（vent）の間、粒子は舞い上げられ、レチクル表面上に堆積され得る。ＥＩＰは、真空内及びレチクルステージの近傍まで、レチクルが保護環境内に留まることを可能にする。多くの刊行物が、レチクルを保護するためのＥＵＶ内側ポッド（ＥＩＰ）の開発を記載する。例示的な出版物は：Ｈａｎｓ  Ｍｅｉｌｉｎｇ等による「ＥＸＴＡＴＩＣ，ＡＳＭＬ’ｓ−ｔｏｏｌ  ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ  ｆｏｒ  ＥＵＶＬ」、Ｅｍｅｒｇｉｎｇ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｃ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ  ＶＩ，Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  ＳＰＩＥ，Ｖｏｌ．４６８８（２００２）、Ｋａｚｕｙａ  Ｏｔａ等による「Ｅｖａｌｕａｔｉｏｎ  Ｒｅｓｕｌｔｓ  ｏｆ  ａ  Ｎｅｗ  ＥＵＶ  Ｒｅｔｉｃｌｅ  Ｐｏｄ  Ｈａｖｉｎｇ  Ｒｅｔｉｃｌｅ  Ｇｒｏｕｎｄｉｎｇ  Ｐａｔｈｓ」、Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ  （ＥＵＶ）  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ  ＩＩ，Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  ＳＰＩＥ，Ｖｏｌ．７９６９（２０１１）、及び、Ｄａｌｌａｓ  ＥＵＶ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ，Ｎｏｖｅｍｂｅｒ  １３，２００２でのＢｒｉａｎ  Ｂｌｕｍ等によるプレゼンテーションである「ＡＳＭＬ  Ａｐｐｒｏａｃｈ  ｔｏ  ＥＵＶ  Ｒｅｔｉｃｌｅ  Ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ」を含み、それぞれの主題の全体は、参照により本書に組み込まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】米国特許第６，５５５，８３０号明細書
【特許文献２】米国特許第６，７５９，６５４号明細書
【特許文献３】米国特許第６，８７８，９３７号明細書
【特許文献４】米国特許出願公開第２０１１／１８０１０８号明細書
【特許文献５】米国特許出願公開第２０１２／０４２９８８号明細書
【特許文献６】米国特許出願公開第２０１１／００１９５５号明細書
【特許文献７】米国特許出願公開第２００４／２１８１６８号明細書
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】ハンス  メイリング（Ｈａｎｓ  Ｍｅｉｌｉｎｇ）等、「エグザティック、ＥＵＶＬ向けのＡＳＭＬのツール開発（ＥＸＴＡＴＩＣ，ＡＳＭＬ’ｓ−ｔｏｏｌ  ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ  ｆｏｒ  ＥＵＶＬ）」、イマージング  リソグラフィック  テクノロジーズ  ６（Ｅｍｅｒｇｉｎｇ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｃ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ  ＶＩ）、国際光学会議事録（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  ＳＰＩＥ），２００２年、第４６８８巻
【非特許文献２】カズヤ  オオタ（Ｋａｚｕｙａ  Ｏｔａ）等、「地絡経路を持った新型ＥＵＶレチクルポッドの評価結果（Ｅｖａｌｕａｔｉｏｎ  Ｒｅｓｕｌｔｓ  ｏｆ  ａ  Ｎｅｗ  ＥＵＶ  Ｒｅｔｉｃｌｅ  Ｐｏｄ  Ｈａｖｉｎｇ  Ｒｅｔｉｃｌｅ  Ｇｒｏｕｎｄｉｎｇ  Ｐａｔｈｓ）」、ＥＵＶリソグラフィ  ２（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ  （ＥＵＶ）  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ  ＩＩ），国際光学会議事録（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  ＳＰＩＥ），２０１１年、第７９６９巻
【非特許文献３】ブリアン  ブラム（Ｂｒｉａｎ  Ｂｌｕｍ）等、「ＥＵＶレチクル保護へのＡＳＭＬアプローチ（ＡＳＭＬ  Ａｐｐｒｏａｃｈ  ｔｏ  ＥＵＶ  Ｒｅｔｉｃｌｅ  Ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ）」ダラスＥＵＶシンポジウム（Ｄａｌｌａｓ  ＥＵＶ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ）、２００２年１１月１３日
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
従来、レチクルが静電チャック上に装着（load）されることを可能にするように、ＥＩＰは真空中で開かれる。静電チャックの使用は、高価であり、しかもレチクルの裏側に集積するような多くの粒子を発生させる。代替的には、レチクルは、クランプ機構を用いてレチクルステージ上に直接装着され得る。これは、多くの不利益を有する。第１に、クランププロセスは、顕著な数の粒子を発生させる。ＥＵＶリソグラフィ又は検査処理に必要とされる清浄な真空環境内で、これらの粒子の制御は困難である。更に、処理環境でのこれらの粒子の発生は、好ましくない。第２に、ＥＩＰは、静電チャックを有するレチクルステージでの使用のために特に開発された。ＥＩＰデザインにおける制限は、レチクルを保持する異なる方法、すなわちクランプを伴う用途での使用を困難にする。これは、ステージデザインを複雑にし、クランプ処理中に生じる粒子の制御を困難にする。
【００１２】
半導体装置のサイズが縮小し続けるに従い、ＥＵＶレチクルの検査の重要性は増し続ける。レチクルに加えられる粒子の数を最小化する、レチクル検査システムにおいてＥＵＶレチクルを取り扱うための改良された方法とシステムが望まれている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
レチクル取扱作業の間の粒子の発生は、（ペリクルにより）保護されていないＥＵＶレチクルの望ましくない汚染の顕著なリスクを生じさせる。レチクル検査システムにおいて粒子発生を制御するためのシステム及び方法が提供される。
【００１４】
一つの態様では、粒子制御が困難な真空環境ではなく、制御された流通空気環境内で全てのレチクル接触事象（イベント）を実行することにより、レチクル検査システムの搬入（ロード）−検査−搬出（アンロード）のシーケンス全体の間にレチクルに加えられる粒子の数が低減される。
【００１５】
一つの更なる態様では、真空環境外でクランプすることによって、レチクルはレチクルキャリアに固定され、レチクルではなく、レチクルキャリアが、検査システムのレチクルステージに結合される。このようにして、静電吸着に関連した高いレベルでの裏側粒子発生が防止される。
【００１６】
他の更なる態様では、レチクルキャリアは、レチクルステージに運動学的に（kinematically）結合されるように構成される。レチクルキャリアとレチクルステージの間で運動学的な結合を用いることにより、粒子を発生させる接触事象とレチクル表面の間に顕著な距離が置かれる。更に、レチクルキャリアのデザインは、レチクルキャリアのレチクルステージへの搬入により発生する粒子から全体のレチクルを保護する。
【００１７】
なお他の更なる態様では、レチクルキャリアは、９０度で分離される４つの異なる方向のいずれかで、レチクルステージに運動学的に結合されるように構成される。結果としての４方対称性は、レチクル自体への追加的な接触事象を生じずに、検査のために４つの直交する任意の方向にレチクルを提供できるようにすることで、レチクル検査の柔軟性が向上する。
【００１８】
上記は概要であり、従って、必要により、詳細の簡略化、一般化及び省略を含む。従って、当業者は、この概要がただの例示であり、どのような意味でも限定的でないことを理解するであろう。他の態様、発明的特徴及び本書に記載の装置及び／又は処理の利点は、本書に記載の非限定的な詳細な説明において明らかになるだろう。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、１つの例示的な実施形態において本書に記載されるレチクル取扱方法を実施するため使用され得るレチクル検査システム１００の簡略化した概略図である。
【図２】図２は、１つの例示的な実施形態において、周囲環境内でのレチクルの搬送に適するＥＵＶレチクルポッド１０を示す図である。
【図３】図３は、１つの例示的な実施形態において、レチクル搬入システム（ＲＬＳ）１３０の搬入ステーションの上へ搬入されたＥＩＰ１４を示す図である。
【図４】図４は、１つの例示的な実施形態において、レチクル１５０の裏側を露出するようにＥＩＰベース１６から取り除かれたＥＩＰカバー１５を示す図である。
【図５】図５は、１つの例示的な実施形態において、レチクル１５０の裏側を検査するために配置される裏側粒子検査システム１６０の簡略化された概略図を示す。
【図６】図６は、１つの例示的な実施形態において、レチクル１５０上に位置するレチクルキャリア１５３を示す図である。
【図７】図７は、１つの例示的な実施形態において、レチクル１５０をレチクルキャリア１５３にクランプする相対的に可動なレチクルクランプ要素１５５を含むレチクルキャリア１５３を示す図である。
【図８】図８は、１つの例示的な実施形態における図７のレチクルキャリアをより詳細に示す図である。
【図９】図９は、レチクルキャリアトップ１５３にクランプされた後に、エンドエフェクタ１３１の上面上に配置されたレチクルキャリアベース１５６によって閉じ込められた（closed in）レチクル１５０を示す図である。
【図１０】図１０は、１つの例示的な実施形態において、キャリアトップの上面上に配置された球形状の装着要素１５８を示す図である。
【図１１】図１１は、１つの例示的な実施形態において、レチクルステージ１０２上へレチクルキャリアアセンブリ１５７を搬入する一連の４つの移動を示す図である。
【図１２】図１２は、１つの例示的な実施形態において、エンドエフェクタ１１１からレチクルステージ１０２へのキャリアトップ１５３の運動学的な受け渡しを示す図である。
【図１３】図１３は、少なくとも１つの新規な態様において、レチクルをレチクル検査システムへ搬入するための１つの例示的な方法２００を示すフローチャートである。
【図１４】図１４は、少なくとも１つの新規な態様において、レチクルをレチクル検査システムから搬出するための１つの例示的な方法３００を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
ここで、添付図面にその例が示される背景技術の例及び本発明のいくつかの実施形態が詳細に参照される。
【００２１】
図１は、本書に記載されるレチクル取扱方法を実行するために使用され得るレチクル検査システム１００の一実施形態の簡略化された概略図である。システム１００は、ポッド搬入システム１４０と、レチクル搬入システム１３０と、ロードロック１２０と、移送チャンバ１１０と、レチクル検査チャンバ１０１を有する。破線は、概して、ポッド搬入システム１４０での進入からレチクル検査チャンバ１０１へ、そして再度の搬出までの、システム１００を通るレチクルの移動を示す。図２は、周囲環境におけるレチクル（例えば、レチクル１５０）の搬送に適切なＥＵＶレチクルポッド１０を示す図である。一般に、レチクル１５０は、ＥＵＶ内側ポッド（ＥＩＰ）１４内に保管される。ＥＩＰ１４は、ＥＩＰベース１６及びＥＩＰカバー１５を含む。レチクル１５０は、下向きでＥＩＰ１４内に保管される。より具体的には、レチクル１５０の印刷表面が、ＥＩＰベース１６に対向し、レチクル１５０の裏側が、ＥＩＰカバー１５に対向する。ＥＩＰベース１６は、搬送中にレチクル１５０の位置を固定するための構成を含む。ＥＩＰカバー１５は、ＥＩＰベース１６にクランプし、ＥＩＰベース１６とＥＩＰカバー１５の間で効果的にレチクル１５０をサンドイッチする。ＥＩＰ１４自体は、時にレチクルＳＭＩＦポッド（ＲＳＰ）１１と呼ばれる外側ポッドにより収容される。ＲＳＰ１１は、ＲＳＰベース１３とＲＳＰカバー１２を有する。同様に、ＲＳＰベース１３は、ＲＳＰカバー１２にクランプして、ＲＳＰベース１３とＲＳＰカバー１２の間でＥＩＰ１４を効果的にサンドイッチする。
【００２２】
内側及び外側ＥＵＶポッドは、これらの開／閉及び一般的な操作を容易にする態様で設計される。例えば、内側及び外側ＥＵＶポッドは、ロボット取扱フランジ、ラッチ−ピンホール、ピン、コンベヤレール、エンドエフェクタ除外容量、二次及び一次側ロボット取扱フランジ、レチクル位置合せ及びデータ行列識別のための構造、レジストレーション用ピン構造、運動学的結合ピンと係合する構造等を含むように設計され得る。内側及び外側ＥＵＶポッドのための公知の開閉技術は、レチクル検査システム１００の任意の取扱機構により適用され得る。この特許文献中のＥＵＶポッドの説明は、非限定的な例として提供され、産業上の使用（例えば、ＳＥＭＩ標準Ｅ１５２−０７０９）のために公表されたＥＵＶポッドのための現在の基準に概略従う。しかしながら、カバー及びベースを含む多くの他のＥＵＶポッドデザインが考えられ得る。この特許文献に記載される方法及び装置は、類似の態様でこれらのＥＵＶポッドの設計に適用される。
【００２３】
一つの態様では、レチクル検査システムにおける搬入−検査−搬出のシーケンスの全体の間にレチクルに加えられる粒子の数は、全てのレチクル接触事象（例えばクランプやグランディングなど）を制御された流通空気環境内で実行することにより低減される。このように、各レチクル接触事象で生成される粒子は、真空環境内に比べて、より効果的に制御される。更なる態様では、レチクルはクランプによってキャリアに固定され、キャリアは、検査のためにレチクルステージに結合される。このようにして、静電チャックに関連する高レベルの裏側粒子発生が防止される。更に他の態様では、キャリアは、４つの直交する方向のいずれかでのレチクルステージに対するキャリアの方向決めを可能にする運動学的装着によりレチクルステージに結合される。
【００２４】
図１３は、いくつかの新規な態様での検査のためのレチクル検査システムのレチクルステージ上にレチクルを搬入するために有用な、例示的な方法２００のフローチャートを示す。非限定的な例として、この方法２００は、説明の目的で図１に示すレチクル検査システム１００を参照して説明される。レチクル検査システム１００の説明は、方法２００の要素を実現するために採用される特定のハードウェア要素への参照を含むが、類似した結果を達成するために、当該技術分野で当業者に知られる多くの他のハードウェア要素が考えられ得る。そのため、本書で提示の参照された任意のハードウェア要素は、本書に提示の説明の範囲を超えることなく、置換、統合、修正又は除去され得る。同様に、方法２００の要素のいくつか及び方法２００の要素の提供順序は、レチクル検査システム１００に関して説明する特定のハードウェア要素の使用に関連する。しかしながら、当該技術分野で当業者に知られる多くの他のハードウェア要素が、類似の結果を実現するために考えられ得るため、方法要素のいくつか及び方法要素の提供順序は、本書に提示の説明の範囲を超えることなく、置換、統合、修正、又は除去され得る。
【００２５】
ブロック２０１において、ＥＵＶレチクルポッド１０は、レチクル検査システム１００のポッド搬入システム１４０に受容される。いくつかの実施形態では、ＥＵＶレチクルポッド１０は、手動でポッド搬入システム１４０に運ばれ、ポッド搬入システム１４０の搬入ポートに挿入される。いくつかの他の実施形態では、半導体製造設備に設置される自動化輸送システムがＥＵＶレチクルポッド１０をポッド搬入システム１４０に運び、ポッドをポッド搬入システム１４０の搬入ポートに挿入する。ポッド搬入システム１４０のマニピュレータ（不図示）は、搬入ポートでＥＵＶレチクルポッド１０を受容し、更なる処理のためにポッドをシステム１４０に運ぶ。
【００２６】
ブロック２０２において、ポッド搬入システム１４０は、ＥＵＶ内側ポッド（ＥＩＰ）をＥＵＶレチクルポッド１０から引き出す。ポッド搬入システム１４０の１つ以上のマニピュレータは、ＲＳＰベース１３からＲＳＰカバー１２を取り除き、ＲＳＰベース１３からＥＩＰ１４を取り除く。いくつかの実施形態では、ＲＳＰカバー１２及びＲＳＰベース１３は、ポッド搬入システム１４０の保管部に配置され、ＥＩＰ１４はレチクル搬入システム１３０への移送のために配置される。
【００２７】
ブロック２０３において、ＥＩＰ１４は、レチクル搬入システム（ＲＬＳ）１３０の搬入ステーション上に搬入される。一実施形態では、ＲＬＳマニピュレータ（不図示）は、ＥＩＰ１４をポッド搬入システム１４０から図３に示される搬入ステーション１３６まで移動させる。搬入ステーション１３６は、ＥＩＰ１４を搬入ステーション１３６内に支持する（例えば、タブ、運動学的装着点等）構造的要素１３７を含む。ＲＬＳマニピュレータは、ＥＩＰ１４を構造的要素１３７上で移動させ、構造的要素１３７上にＥＩＰを降ろし、これにより、マニピュレータから搬入ステーション１３６まで搬入物（ＥＩＰ）を移送する。
【００２８】
ブロック２０４では、レチクル１５０を支持するＥＩＰベース１６からＥＩＰカバー１５を分離することによって、ＥＩＰは、流れが制御された清浄環境内で開かれる。図３に示されるように、搬入ステーション１３６は、そのエンドエフェクタ１３５を回転及び並進させるように動作可能なマニピュレータ１３４を含む。マニピュレータ１３４は、図示のように、一般にピストンターンテーブルと呼ばれ得る。マニピュレータ１３４は、上方へ並進して、ＥＩＰベース１６に係合する。ＥＩＰカバー１５は、ＥＩＰベース１６から解除される。図４に示されるように、マニピュレータ１３４は、ＥＩＰカバー１５から離れるように、下向きに並進する。このようにして、ＥＩＰ１４は開かれ、レチクル１５０の裏側を露出させる。
【００２９】
ＥＩＰ１４の移動及び開封によって発生する粒子を制御するように設計された清浄な空気環境内でＥＩＰ１４が開かれることに言及することが重要である。粒子は、機械構成部品間での係合及び分離毎に発生する。レチクルが保護されず、接触事象がレチクル近くで生じるときに、これらの粒子の制御の重要性が大きくなる。重力がレチクル上への粒子の沈降を促進する場面でレチクル上に生じる接触事象が、特に重要である。
【００３０】
本書に記載の方法及び装置の重要な態様は、ＥＩＰ１４の操作に関連した多くの粒子発生事象を、既存のレチクル取扱スキームでは通常である真空ではなく、制御された大気中で生じさせることである。ＥＩＰ１４は、その稼動ライフタイムの間は比較的清浄に保たれるよう設計されているが、ＥＩＰ１４（表面）上には、顕著な数の粒子が溜まる傾向がある。粒子制御の達成が非常に困難で、汚染の影響がより急激である清浄な真空環境の外に、これらの粒子を追いやることが望ましい。ＲＬＳ１３０は、ＥＩＰ１４の存在及びＥＩＰ１４の操作によって発生する粒子を一掃するための清浄な乾燥空気の制御された流れ１３８を含む。このようにして、レチクル１５０の露出面に到達する粒子の数が最小化される。
【００３１】
ＥＩＰ１４を開いた後、レチクル１５０の裏側が露出される。いくつかの実施形態では、レチクル１５０の裏側は、粒子の検査がされる。粒子検査の結果、適切なクリーニングステップがされるまで、レチクルは、更なる使用から排除され得る。例えば、裏側の粒子のサイズ又は数が閾値を超える場合は、レチクルは、粒子を取り除く試みで、清浄な乾燥空気の制御された送風で処理され得る。いくつかの他の例では、レチクルは、ＥＩＰ１４に再搬入され、更なるクリーニングのために完全にレチクル検査システム１００から取り除かれ得る。
【００３２】
図５は、レチクル１５０の裏側を検査するために配置される裏側粒子検査システム１６０の簡略化した概略図を示す。いくつかの実施形態では、システム１６０による検査のため、レチクル１５０は、マニピュレータ１３４によって搬入ステーション１３６の検査位置に移動され得る。いくつかの他の実施形態では、レチクル１６０は、システム１６０による検査のために、他のステーションへ移動され得る。システム１６０は、走査システムとして構成される。従って、システム１６０の検査スポット（又は複数のスポット）は、レチクル１５０の裏側表面に対して移動する。図示の実施形態では、レチクルは、マニピュレータ１３４によって回転させられ、その間、レチクル１５０の回転する表面を横断して入射ビームが並進する。このようにして、レチクル１５０の裏側表面の全体が検査される。走査検査用にレチクル１５０の表面を配置するために有用な他の多くの実施形態が考えられ得る。
【００３３】
図５に示されるように、レチクル１５０は、１つ以上の光源１６１によって生成される垂直入射ビーム１６３によって照射される。代替的には、照光サブシステムは、斜めの入射角で試料へ光ビームを向けるように構成され得る。いくつかの実施形態では、システム１６０は、斜めの入射光ビーム及び垂直の入射光ビーム等、複数の光ビームを試料へ向けるように構成され得る。複数の光ビームは、実質的に同時に又は順番に試料に向けられ得る。
【００３４】
照光源１０１は、一例として、レーザー、ダイオードレーザー、ヘリウムネオンレーザー、アルゴンレーザー、固体レーザー、ダイオード励起固体（ＤＰＳＳ）レーザー、キセノンアークランプ、ガス放出ランプ及びＬＥＤアレイ、又は白熱ランプを含み得る。光源は、概略単色光又は広帯域光を出射するよう構成され得る。一般に、照光サブシステムは、比較的狭い波長帯を有する光を試料に向けるように構成される。従って、光源が広帯域光源であるならば、照光サブシステムは、試料に向ける光の波長を制限し得る１以上の分光フィルタも有し得る。１以上の分光フィルタは、バンドパスフィルタ及び／又はエッジフィルタ及び／又はノッチフィルタであり得る。
【００３５】
垂直入射ビーム１６３は、対物レンズ１６４によってレチクル１５０の裏側上に集光される。システム１６０は、検出器アレイ１６５上に光を走査及び集光する間、レチクル１５０によって散乱及び／又は反射される光を集める収集光学部１６２を含む。検出器アレイ１６５によって発生された出力信号１６６は、信号を処理してレチクル１５０の裏側での粒子の存在を判断するための計算システム１６７に供給される。他の多くの適切な検査システムが考えられ得るため、裏側粒子検査システム１６０は、非限定的な例として、ここに提示される。
【００３６】
ブロック２０５では、レチクルキャリアは、レチクル上に位置する。図６に示されるように、レチクルキャリア１５３は、レチクル１５０の上に位置する。図示の実施形態では、ＥＩＰカバー１５は、搬入ステーション１３６から保管部に移動され、レチクルキャリア１５３は、ＲＬＳ１３０における保管部から搬入ステーション１３６までＲＬＳマニピュレータによって移動される。
【００３７】
レチクルキャリア１５３は、通常操作の間、レチクル検査システム１００内に保管されることに留意することは重要である。従って、レチクルキャリア１５３は、清浄な乾燥環境又は清浄な真空環境内に常時保たれる。このようにして、レチクルキャリア１５３は、比較的清浄（ＥＩＰより少ない蓄積粒子）及び比較的乾燥（ＥＩＰより少ない蓄積水分）で保たれる。比較的清浄なレチクルキャリア１５３は、レチクル１５０及びレチクル検査システム１００の敏感な光学要素の粒子汚染のリスクを低下させる。比較的乾燥したレチクルキャリア１５３は、ＲＬＳ１３０からレチクル検査チャンバ１０１への移行の間の清浄な真空へのポンプダウンに要する時間を減少させる。
【００３８】
ブロック２０６では、レチクルはレチクルキャリアにクランプされる。図示の実施形態では、マニピュレータ１３４は、搬入ステーション１３６上に載置されるレチクルキャリア１５３に向けてＥＩＰベース１６及びレチクル１５０を移動させる。図７に示されるように、レチクルキャリア１５３は、アクチュエータ１５４によりレチクルキャリア１５３に対して可動であるレチクルクランプ要素１５５を含む。マニピュレータ１３４は、レチクル１５０をクランプ要素１５５の把持範囲内に移動させ、その後、アクチュエータ１５４は、解放位置から、レチクル１５０をレチクルキャリア１５３に効果的にクランプする係合位置までクランプ要素１５５を移動させる。マニピュレータ１３４は、その後、ＥＩＰベース１６をレチクル１５０から離れるように移動させる。図８は、レチクル１５０をキャリア要素１５３の構造に効果的にクランプする係合位置にあるクランプ要素１５５を示す。
【００３９】
レチクルキャリア１５３へのレチクル１５０のクランプは、本書に記載の搬入シーケンス中にレチクル１５０が直接関与する唯一の接触事象であることに言及することは重要である。先に論じたように、この接触事象は、クランププロセスにより発生した粒子を一掃してレチクル１５０から遠ざける乾燥空気流を含む制御された環境内で生じる。
【００４０】
このとき、レチクル１５０の前側（パターニングされた側）が露出される。いくつかの実施形態では、レチクル１５０の前側の画像がキャプチャされて、レチクルキャリア１５３に関する参照位置及びレチクル１５０の方向が確立される。この情報は、プロセスの後半で、小さな位置ずれ（misalignments）を修正するために使用され得る。また、この情報は、プロセスの後半で、各々９０度で分離される４つの方向のいずれかでレチクル１５０をレチクルステージに提供するために必要な更なる操作を決定するプロセスで使用され得る。
【００４１】
ブロック２０７では、レチクルキャリアベースはレチクルの下に位置し、レチクルキャリアに結合し、レチクル１５０を収容するキャリアアセンブリを形成する。図８に示されるように、ＥＩＰベース１６は、レチクルキャリア１５３から離れて下方へ移動される。ＲＬＳマニピュレータ（ＲＬＳマニピュレータのエンドエフェクタ１３１が示される）は、レチクルキャリアベース１５６を保管部から取得し、レチクルキャリアベース１５６をレチクル１５０の下で移動させ、レチクルキャリアベース１５６を上方へと持ち上げてレチクルキャリア１５３に接触させる。レチクルキャリアベース１５６は、レチクルキャリア１５３に効果的に結合されて、レチクル１５０を収容するキャリアアセンブリ１５７を形成する。レチクル１５０は、レチクルキャリアベース１５６でなく、レチクルキャリア１５３にクランプされることに言及することは重要である。換言すれば、図８に示されるように、レチクルキャリア１５３の構造は、クランプ要素１５５のクランプ動作により、レチクル１５０をレチクルキャリア１５３に固定的に結合する。更に、レチクルキャリア１５３とレチクル１５０の接触面積は、静電チャックよりずっと小さい。減少した接触面積は、クランププロセスの間に発生する粒子を減少させ、また、レチクル１５０とレチクルキャリア１５３の接触面の間に大きい粒子が捕捉されて位置合わせ不良を生じさせるリスクを低減させる。
【００４２】
他の更なる態様では、レチクルキャリアベース１５６は、キャリアアセンブリ１５７が各々９０度で分離される４つの方向のいずれかで、ＲＬＳマニピュレータのエンドエフェクタ１３１と係合することを可能にする構造を含む。図１２に示されるように、レチクルキャリアベース１５６とエンドエフェクタ１１１の間の運動学的装着を形成するように、スロット構造１５９等のスロット構造が配される。より具体的には、３つの球形状の装着要素（図９に示される球形状の装着要素１３２を参照）が、エンドエフェクタ１１１の上面上で三角形パターンで配される。エンドエフェクタ１１１がレチクルキャリアベースプレートに係合されるとき、球形状の装着要素のそれぞれは、対応するスロット構造と２点接触を形成して運動学的結合を形成する。得られた運動学的結合は、過度な束縛無しに、レチクルキャリアベースプレート１５６のエンドエフェクタ１１１に対する６つの自由度を束縛する。レチクルキャリアベースプレート１５６のスロット構造は、エンドエフェクタ１１１が、各々９０度で分離される４つの異なる方向のいずれかで、キャリアベースプレート１５６と運動学的結合を形成することができるように配置される。
【００４３】
他の更なる態様では、レチクルキャリア１５３は、９０度の増分で回転対称であり、フレーム（例えば、搬入ステーション１３６又はレチクルステージ１０２）上で、９０度で分離される４つの異なる方向のいずれかに方向付けされ得る。図１０に示される実施形態では、レチクルキャリア１５３は、正方形のパターンにおける各隅部に装着される球状構造１５８を含む。このようにして、レチクルキャリア１５３を支持するフレームは、支持構造の１つのセットだけで、９０度で分離される４つの異なる方向のいずれかにレチクルキャリア１５３を支持し得る。
【００４４】
いくつかの実施形態では、キャリアアセンブリ１５７は、９０度で分離される４つの異なる方向の一つに再方向付けされ得る。一例では、 マニピュレータ１３４は、キャリアアセンブリ１５７と係合し、アセンブリ１５７を搬入ステーション１３６から持ち上げ、キャリアアセンブリ１５７を所望の方向に回転させ、キャリアアセンブリ１５７を搬入ステーション１３６上に再度下ろしてセットする。いくつかの他の実施形態では、キャリアアセンブリ１５７は、再方向付けのために他のステーションへ移動され得る。
【００４５】
ブロック２０８では、キャリアアセンブリは、ロードロックに移動し、ロードロックがポンプダウンされる。図示の実施形態では、ＲＬＳマニピュレータは、キャリアアセンブリ１５７を搬入ステーション１３６から持ち上げ、キャリアアセンブリ１５７をロードロック１２０内部の支持フレームに移動する。ロードロック１２０の搬入ポートは封止され、ロードロック１２０はポンプダウンされる。先に論じられるように、キャリアアセンブリ１５７の要素がレチクル検査システム１００の制御された環境内に保管されるため、ロードロック１２０をポンプダウンするために必要な時間は低減される。
【００４６】
他の更なる態様では、キャリアアセンブリ１５７は、搬送、ポンプダウン及び通気操作の間にレチクル保護を維持するためのＥＩＰの粒子管理の構成を含む。
【００４７】
ブロック２０９では、キャリアアセンブリは移送チャンバに移動され、移送チャンバはポンプダウンされる。図示の実施形態では、移送チャンバのマニピュレータ（不図示）は、キャリアアセンブリ１５７をロードロック１２０から移送チャンバ１１０まで移動させる。キャリアアセンブリ１５７が移送チャンバ１１０内で時間を費やす間、追加的な汚染物質を除去し、適切な清浄な真空条件が達成されるように追加的なポンピング（例えば分子ポンピング）が行われる。
【００４８】
いくつかの例では、キャリアアセンブリは、使用の準備ができるまで、移送チャンバ保管ポッド（不図示）内で保管される。更なる例では、移送チャンバ格納ポッドは、キャリアアセンブリ１５７を、９０度で分離される４つの方向のいずれかに回転させるための回転ステージを含む。このようにして、キャリアアセンブリを真空から出して元のレチクル搬入システム１３０へ移動させる必要無しに、レチクル１５０の方向は、移送チャンバ１２０の清浄な真空環境内で変化させ得る。これは、レチクル１５０の連続した測定が異なる方向で実行される場合に有利であり得る。
【００４９】
ブロック２１０では、レチクルキャリアアセンブリは、レチクルステージ上に搬入される。図示の実施形態では、移送チャンバマニピュレータは、レチクルキャリアアセンブリ１５７を移送チャンバからレチクル検査チャンバ１０１に移動させる。図１１に示すように、移送チャンバマニピュレータのエンドエフェクタ１１１は、一連の４つの移動により、レチクルキャリアアセンブリ１５７をレチクルステージフレーム１０２上に搬入する。第１の移動では、移送チャンバマニピュレータは、レチクルキャリアアセンブリ１５７を水平方向にレチクルステージ１０２の下で移動させる 。第２の移動では、マニピュレータは、アセンブリ１５７を垂直方向にレチクルステージ１０２の開口を通して移動させる。第３の移動では、マニピュレータは、アセンブリを水平方向に移動させて、レチクルステージ１０２の対応する装着構造に対してレチクルキャリア１５３の装着構造を位置合せする。第４の移動では、マニピュレータは、レチクルステージ１０２上にレチクルキャリアアセンブリ１５７を降ろす。いくつかの他の実施形態では、マニピュレータの水平移動のいずれかが、レチクルステージ１０２の対応する水平移動によって部分的に又は完全に置換され得る。
【００５０】
他の更なる態様では、レチクルキャリア１５３は、レチクルステージ１０２に運動学的装着により結合される。換言すれば、レチクルキャリア１５３とレチクルステージ１０２の間の相対運動の６度が、それらのそれぞれの装着構造によって、過度な束縛無しで決定される。図示の実施形態では、移送チャンバマニピュレータによる支持無しで、重力がレチクルキャリア１５３とレチクルステージ１０２の間の接触を維持する。いくつかの他の実施形態では、操作中に接触を確実に維持するため、追加的な固定（例えばクランプ）機構が含まれる。図１１に示される実施形態では、６つの平坦な構造（例えば平坦な構造１０３）が、レチクルキャリア１５３の各隅部に装着される球状構造１５８に対応する４つの位置に配列される。平坦な構造は、これらがそれぞれレチクルキャリア１５３の対応する球状構造に接触し、９０度で分離される４つの異なる方向のいずれかのための運動学的装着を形成するように配列される。レチクルキャリア１５３をレチクルステージ１０２に固定的に結合するために、他の多くの運動学的装着配置が考えられ得るため、図示の運動学的装着は、一例として提供される。
【００５１】
ブロック２１１では、レチクルキャリアベースはキャリアから離れるように移動し、レチクルのパターニングされた表面が、レチクル検査システム１００による検査のために露出されたままにされる。図１２に示すように、移送チャンバマニピュレータのエンドエフェクタ１１１は、レチクルキャリアベース１５６をレチクルキャリア１５３から分離するように下降する。その結果、レチクル１５０のパターニングされた表面が（下に向けて）露出し、検査できる状態となる。レチクル１５０の露出した、パターニングされた表面は、パターニングされた表面とレチクル検査システム１００の光学要素との間に何らの保護要素（すなわち、ペリクルのような構造）も有さない。このようにして、光学的損失及び画像歪みが最小化される。
【００５２】
いくつかの実施形態では、レチクルステージ１０２は、レチクルキャリア１５３が搬入される搬入位置から、検査が行われるプロセス領域まで移動する。搬入位置は、レチクル検査システム１００の敏感な光学要素が、レチクルキャリア１５３の搬入及び搬出の間に発生し得る粒子から保護されるように構成される。
【００５３】
レチクルキャリア１５３は、（９０度回転する能力を与えることに加えて）レチクル１５０とレチクルキャリアの搬入及び搬出に関連した粒子を発生させる接触事象の間に可能な最大の距離を置くように、レチクルキャリア１５３の最も遠い隅部に球状構造１５８を有して構成される。加えて、レチクル１５０は、球状構造１５８とレチクル１５０の裏側の間に直接の経路が存在しない態様でレチクルキャリア１５３に装着される。このようにして、レチクル１５０の裏側上の粒子蓄積が最小化される。
【００５４】
図１４は、いくつかの新規な態様でレチクル検査システムのレチクルステージからレチクルを搬出するために有用な例示的な方法３００のフローチャートを示す。非限定的な例として、方法３００は、説明目的で、図１に示されるレチクル検査システム１００を参照して説明される。レチクル検査システム１００の説明は、方法３００の要素を実現するために採用される特定のハードウェア要素への参照を含むが、類似の結果を達成するために、当業者に当該技術分野で知られている他の多くのハードウェア要素が考えられ得る。そのため、本書に提示される参照された任意のハードウェア要素は、本書に提示される説明の範囲を超えることなく、置換、統合、修正又は除去され得る。同様に、方法３００の要素及び方法３００の要素の提供順序の一部は、レチクル検査システム１００を参照して記載される特定のハードウェア要素の使用に関連する。しかしながら、当該技術分野で当業者に知られている多くの他のハードウェア要素が、類似の結果を達成するために考えられ得るため、方法要素及び方法要素の提供順序の一部は、本書に提示される説明の範囲を超えることなく、置換、統合、修正又は除去され得る。
【００５５】
ブロック３０１では、レチクルキャリアベースは、レチクルステージに装着されたレチクルキャリアに結合される。レチクルキャリアベースは、レチクルの露出した、パターニングされた表面を覆う。図示の実施形態では、移送チャンバマニピュレータのエンドエフェクタ１１（図１２に図示）は、レチクルキャリアベース１５６を取得し、レチクルキャリア１５３の下を通過させ、上方に持ち上げて、レチクルキャリアベース１５６をレチクルキャリア１５３に結合させる。その結果、レチクル１５０のパターニングされた表面は覆われ、レチクルステージ１０２から除去できる状態になる。
【００５６】
ブロック３０２では、レチクルキャリアアセンブリは、レチクルステージから除去される。図示の実施形態では、移送チャンバマニピュレータは、方法２００を参照して記載される一連の４つの移動の順序を逆にすることによって、レチクルステージ１０２からレチクルキャリアアセンブリ１５７を除去する。
【００５７】
ブロック３０３では、キャリアアセンブリは、移送チャンバに移動される。図示の実施形態では、移送チャンバマニピュレータは、レチクルステージ１０２からレチクルキャリアアセンブリ１５７を除去した後に、レチクルキャリアアセンブリ１５７を移送チャンバ１１０中へ移動させる。
【００５８】
ブロック３０４では、キャリアアセンブリは、ロードロックに移動され、ロードロック及びキャリアアセンブリは通気される。一実施形態では、移送チャンバマニピュレータは、キャリアアセンブリ１５７を移送チャンバ１１０からロードロック１２０まで移動させる。いくつかの例では、キャリアアセンブリ１５７は、レチクル検査チャンバ１０１から直接、ロードロック１２０まで移動される。いくつかの他の例では、キャリアアセンブリ１５７は移送チャンバ保管ポッドへ移動され、その後、保管ポッドからロードロック１２０まで移動される。
【００５９】
ブロック３０５では、キャリアアセンブリは、レチクル搬入システムの搬出ステーションへ移動される。図示の実施形態では、搬入ステーション１３６は、搬出ステーションとしても機能する。キャリアアセンブリ１５７は、ＲＬＳマニピュレータによってロードロックから取り除かれ、ステーション１３６上に配置される。いくつかの実施形態では、搬入ステーション及び搬出ステーションは同一のステーションであるが、いくつかの他の実施形態では、別々の搬入及び搬出ステーションが採用され得る。
【００６０】
ブロック３０６では、レチクルキャリアベースは、キャリアアセンブリから取り除かれる。図示の実施形態では、ＲＬＳマニピュレータは、レチクルキャリア１５３から離すようにレチクルキャリアベース１５６を降ろす。いくつかの実施形態では、レチクルキャリアベース１５６は、ＲＬＳ１３０の制御された環境内の保管部に移動される。このようにして、レチクルキャリアベース１５６は、更なる使用のために、清浄な乾燥環境内に保管される。
【００６１】
ブロック３０７では、ＥＩＰベースはレチクルの下で移動され、レチクルと接触して配置される。図示の実施形態では、ＥＩＰベース１６は、ＲＬＳマニピュレータによって保管部から取り出されて、レチクル１５０の下方に配置される。ＲＬＳマニピュレータは、ＥＩＰベース１６をレチクル１５０と接触させるように上方へ移動させる。
【００６２】
ブロック３０８では、レチクルは、レチクルキャリアからクランプ解除され、切り離される。図示の実施形態では、レチクルキャリア１５３のレチクルクランプ要素１５５は、アクチュエータ１５４により引き込まれる。ＲＬＳマニピュレータは、その後、レチクル１５０を取り付けた状態でＥＩＰベース１６を降ろす。
【００６３】
ブロック３０９では、レチクルキャリアは、後の使用のために、レチクル検査システム内に保管される。一実施形態では、ＲＬＳマニピュレータは、ＲＬＳ１３０の制御された環境にある保管部にレチクルキャリア１５３を移動させる。このようにして、レチクルキャリア１５３は、更なる使用のために、清浄で乾燥した環境内で保管される。
【００６４】
ブロック３１０では、ＥＩＰカバーは、レチクルの上で移動され、ＥＩＰカバーは、ＥＩＰベースに結合される。一実施形態では、ＲＬＳマニピュレータはＥＩＰカバー１５を保管部から取り出し、ＥＩＰカバーをステーション１３６上に配置する。その後、レチクル１５０を有するＥＩＰベース１４は、持ち上げられて、ＥＩＰカバー１５と接触する。ＥＩＰカバー１５は、その後、ＥＩＰベース１６上に配置される。
【００６５】
ブロック３１１では、ＥＩＰは、ＥＵＶレチクルポッド（例えば、ＲＳＰ）内に移動される。図示の実施形態では、ポッド搬入システム１４０の１つ以上のマニピュレータは、ＲＳＰカバー１２をＥＩＰ１４の上方に、ＲＳＰベース１３をＥＩＰ１４の下方に位置させる。ＥＩＰ１４がＥＵＶレチクルポッド１０内に固定的に配置されるように、ＲＳＰカバー１２及びＲＳＰベース１３は、一緒に結合される。いくつかの実施形態では、ＲＳＰカバー１２及びＲＳＰベース１３は、ポッド搬入システム１４０内の保管部から取り出される。
【００６６】
ブロック３１２では、ＥＵＶレチクルポッドは、レチクル検査システムからの搬出のための位置へと移動される。図示の実施形態では、ＥＵＶレチクルポッド１０は、ポッド搬入システム１４０によって、搬出位置まで移動される。この位置から、ＥＵＶレチクルポッド１０は、レチクル検査システム１００から取り除かれ得る。いくつかの実施形態では、ＥＵＶレチクルポッド１０は、ポッド搬入システム１４０から離れて手動で運び出される。いくつかの他の実施形態では、半導体製造設備に設置された自動化した搬送システムが、ポッド搬入システム１４０からＥＵＶレチクルポッド１０を運び出す。
【００６７】
前記の説明では、ＥＩＰは、レチクル検査システム１００の清浄な真空環境へ入る前にキャリアアセンブリに交換される。しかしながら、いくつかの他の実施形態では、ＥＩＰは、清浄な真空環境へ入る前までのプロセスから機能拡張される。一例では、ＥＩＰ１４が開かれ、レチクルキャリアがＥＩＰカバー１５とＥＩＰベース１６との間に挿入される。レチクルキャリアは、レチクル１５０をレチクルキャリアにクランプする構造を含み、キャリアが、９０度で分離される４つの方向のいずれかでレチクルステージ１０２上に装着されることを可能にする構造を含む。この意味で、レチクルキャリアは、ＥＩＰカバー１５とＥＩＰベース１６の間にはめ込むように構成されるレチクルキャリア１５３である。これらの実施形態では、機能拡張されたＥＩＰは、ＥＩＰカバー１５と、レチクル１５０にクランプされるレチクルキャリアと、ＥＩＰベース１６を含む要素のスタックを含む。この機能拡張されたＥＩＰは、その後、ロードロック１２０を通して移動され、移送チャンバ１１０内で開かれる。
【００６８】
いくつかの実施形態では、機能拡張されたＥＩＰも、ＥＩＰベース１６の下に位置するＥＩＰベース取付プレートを含む。先に論じられたように、レチクルキャリアベースプレート１５６は、９０度で分離された４つの異なる方向のいずれかで、キャリアアセンブリをＲＬＳマニピュレータのエンドエフェクタ１３１に結合させる構造を含む。これらの構造が含まれることで、キャリアアセンブリ１５３内にある間に、レチクル１５０が再方向付けされることを可能にする。標準的なＥＩＰベース１６は、これらの構造を有しない。従って、標準ＥＩＰベースは、一つの方向でエンドエフェクタ１３１に結合され得るだけである。この柔軟性の不足に対処するため、ＥＩＰベース取付プレートが、エンドエフェクタ１３１とＥＩＰベース１６との間に配置される。ＥＩＰベース取付プレートの底面は、エンドエフェクタ１３１により、９０度で分離される４つの異なる方向のいずれかにＥＩＰベース取付プレートが向けられ得るようにする構造を含む。一例では、これらの構造は、レチクルキャリアベース１５６に関して記載のものと同じ構造である。ＥＩＰベース取付プレートの上面は、ＥＩＰベース１６の底部の上の既存の構造とかみ合う構造を含む。このようにして、拡張されたＥＩＰスタックは、９０度で分離される４つの異なる方向のいずれかに向けられ得る。
【００６９】
ＥＵＶレチクル検査システムの前記の実施形態は、非限定的な例として示されている。この開示の範囲内で他の構成も考えられ得る。
【００７０】
図１に示されるように、レチクル検査システム１００は、検査システムとして構成される。特に、このシステムは、ＥＵＶレチクル検査システムとして構成される。このようにして、システムは、ＥＵＶリソグラフィプロセスの一部として使用されるように、レチクルを検査するために構成され得る。しかしながら、本書に記載の方法及びシステムは、ＥＵＶレチクルの検査に限られず、半導体のウエハ等の他の試料の検査に適用され得る。
【００７１】
本書に記載のレチクル取扱方法及び装置は、実際の検査操作を実行するために適切な任意のレチクル検査技術を含むレチクル検査システムに適用され得る。例示的な技術は、ＥＵＶ、ＶＵＶ及びＤＵＶ放射による光学検査を含む。他の例示的な技術は、電子ベースの検査技術を含む。電子ベースの検査システムの例は、全体が完全に説明されているかのように参照により本書に組み込まれるＭａｎｋｏｓらへの米国特許第６，５５５，８３０号、Ｍａｎｋｏｓらへの米国特許第６，７５９，６５４号及びＭａｎｋｏｓへの米国特許第６，８７８，９３７号に示される。
【００７２】
各種実施形態は、試料を処理するために使用され得る半導体処理システム（例えば、検査システム）について本書に記載される。「試料」の語は、本書では、ウエハ、レチクル又は当該技術分野で知られる手段で処理（例えば、印刷、又は欠陥検査）され得る他の任意のサンプルを意味する。
【００７３】
本書での使用に従い、「ウエハ」の語は、一般に、半導体又は非半導体材料で形成される基板を意味する。その例は、単結晶シリコン、ガリウムヒ素及びリン化インジウムを含むが、これに限定されない。このような基板は、半導体製造設備において、一般に見出され、及び／又は、処理され得る。場合によっては、ウエハは基板（すなわち、未加工ウエハ）のみを含み得る。代替的には、ウエハは、基板上に形成される異なる材料の１つ以上の層を含み得る。ウエハ上に形成される１つ以上の層は、「パターニングされたもの」又は「パターニングされていないもの」であり得る。例えば、ウエハは、反復可能なパターン構造を有する複数のダイを有し得る。
【００７４】
「レチクル」は、レチクル製造プロセスの任意のステージのレチクル、又は、半導体製造設備での使用のためにリリースされ得る、又は、され得ない完了されたレチクルであり得る。レチクル、又は「マスク」は、その上に形成され、パターンで構成される実質的に不透明な領域を有する実質的に透過性の基板として一般に定義される。基板は、例えば、クォーツ等のガラスの材料を含み得る。レチクルは、レチクル上のパターンがレジストに転写され得るように、リソグラフィプロセスにおける露光ステップの間、レジストで覆われたウエハの上に配置され得る。
【００７５】
ウエハ上に形成される１つ以上の層は、パターニングされてもよく、又は、パターニングされなくてもよい。例えば、ウエハは、各々が反復可能なパターン構造を有する複数のダイを含み得る。このような材料の層の形成及び処理は、最終的には、完成した装置を生じさせる。多くの異なるタイプの装置が、ウエハの上で形成されてもよく、本書で使用のウエハの語は、その上に当該技術分野で知られる任意のタイプの装置が製作されるウエハを包含することが意図される。
【００７６】
１つ以上の例示的な実施形態では、記載の機能は、ハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア又はその任意の組合せで実施され得る。ソフトウェアで実施する場合は、機能は、コンピュータ読取り可能な媒体上で１つ以上の指示又はコードとして記憶又は伝送され得る。コンピュータ読取り可能な媒体は、コンピュータプログラムを転々と伝送することを容易化する任意の媒体を含む通信媒体及びコンピュータ記憶媒体の両方を含む。記憶媒体は、汎用又は専用コンピュータでアクセス可能な任意の利用可能な媒体であり得る。例として、限定することなく、このようなコンピュータ読取り可能な媒体は、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、ＣＤ−ＲＯＭ又は他の光学ディスク記憶装置、磁気ディスク記憶装置又は他の磁気記憶装置、又は、命令又はデータ構造の形態での所望のプログラムコード手段を担持又は記憶するために使用可能であり、汎用若しくは専用コンピュータ又は汎用若しくは専用プロセッサでアクセス可能な任意の他の媒体を有し得る。また、任意の接続が、コンピュータ読取り可能な媒体と適切に称される。例えば、ソフトウェアが、ウェブサイト、サーバ又は他の遠隔のソースから、同軸ケーブル、ファイバー光ケーブル、ツイストペア、デジタル加入者線（ＤＳＬ）、又は、赤外線、無線及びマイクロ波等の無線技術を用いて伝送される場合、同軸ケーブル、ファイバー光ケーブル、ツイストペア、ＤＳＬ、又は、赤外線、無線及びマイクロ波等の無線技術が、媒体の定義の中に含まれる。本書で使用のディスク（「ｄｉｓｋ」及び「ｄｉｓｃ」）は、コンパクトディスク（ＣＤ）、レーザーディスク、光ディスク、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）、フロッピーディスク及びブルーレイディスクを含み、ディスク（ｄｉｓｋ）は、通常、磁気的にデータを再生し、一方、ディスク（ｄｉｓｃ）は、レーザーにより光学的にデータを再生する。上記の組合せもまた、コンピュータ読取り可能な媒体の範囲に含まれるべきである。
【００７７】
指示的目的のために、ある特定の実施形態が上に説明されたが、この特許文献の教示は、一般的な適用可能性を有し、上記の特定の実施形態に限定されない。従って、記載の実施形態の種々の特徴の種々の修正、適合並びに組合せは、請求の範囲に記載の発明の範囲から逸脱することなく実施され得る。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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