(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板からエレクトロクロミックパネルを切断する方法であって、
前記基板上に始点クラックを形成するステップと、
レーザー加熱及び電熱加熱のいずれか１つによって前記始点クラックを加熱するステップと、
加熱された前記始点クラックを冷却し、前記エレクトロクロミックパネルを形成するステップと、を含み、
前記エレクトロクロミックパネルが前記始点クラックと、レーザー切断された境界線または電熱切断された境界線と、を有する縁を含み、
前記始点クラックが前記レーザー切断された境界線または前記電熱切断された境界線に隣接しており、
前記始点クラックがＴ字カットの始点クラックである、方法。
【請求項２】
前記始点クラックが前記エレクトロクロミックパネルの角から約２０ｍｍの範囲内に形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記始点クラックが約５ｍｍと６ｍｍの間の幅である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記始点クラックが約３００μｍと約１２００μｍの間の深さである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記始点クラックがスクライブホイールを用いて形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記始点クラックを加熱するステップが、
前記基板によって実質的に吸収可能である光であって、前記基板を軟化させることなく前記基板に熱応力亀裂を生じさせることができる光を放出する連続波レーザー又は擬似連続波レーザーを準備することと、
前記光を前記始点クラックに集束させることと
をさらに有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記始点クラックを起点とするラインに沿って前記基板の一部を加熱するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記基板の加熱された前記一部を冷却するステップをさらに含み、
前記基板の前記一部の部分に対する前記冷却するステップが、前記部分が加熱された後、約２５０ミリ秒から約５００ミリ秒までの間に開始される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記加熱するステップが湾曲したラインに沿って行われる、請求項７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［関連出願の相互参照］
本願は、２０１２年４月５日に出願された米国仮特許出願第６１／６２０，７１３号の出願日の利得を主張するものであり、その開示内容は、参照することによって、ここに含まれるものとする。
【０００２】
［発明の分野］
本発明は、大きなＥＣ（エレクトロクロミック）パネル上にてドーターパネル（daughter panel）を分断する切断プロセス、例えば、レーザー切断プロセスにおいて、切断されたドーターパネルに始点クラック（始点切欠部、始点割れ目部）に繋がる領域を含めることを可能にして、かかる切断プロセスの利便性を最大限に高めるものである。
【背景技術】
【０００３】
本技術分野においては、積層体として調製されるエレクトロクロミック素子が知られている。単なる例に過ぎないが、レーザー切断プロセスは、２．２ｍｍの焼鈍されたフロートガラスの大きなマスターパネルからＥＣ（エレクトロクロミック）パネルを調製するために用いられるとよく、かかるＥＣパネルは、熱強化又は焼入れされた外側窓ガラスに積層されるようになっている。エレクトロクロミック素子の積層体を製造するためのプロセスは特許文献１に開示されており、その開示内容は、参照することによって、その全体をここに含むものとする。
【０００４】
ＥＣ用途として焼鈍されたフロートガラスを用いる場合、使用時にパネルの中心部分が太陽光加熱によって生じる熱応力に耐えるように、十分に強靭な縁部分（エッジ）をもたらすため、ＥＣパネルの縁部分の調製には注意深い処理が必要であると考えられている。従来の調製方法と比較してレーザー切断の使用によって得られる予防策及び応力生成の解析が、同時係属中の特許文献２及び特許文献３に開示されており、これらの開示内容は、参照することによって、それらの全体をここに含むものとする。
【０００５】
従来、使用時の熱応力に耐え得るように十分に強靭な縁部分を有するＥＣパネルを調製するためには、ＥＣパネルのレーザー切断を、完成したパネルの外側から開始しなければならなくなっている。これは、レーザー切断を開始するパネルの部分が脆弱な応力耐性のレベルになる可能性を有するためである。図１は、マスターパネル１０からカスタムサイズ（特注サイズ）のＥＣパネルを切断するための例示的なレイアウトを示している。図１においては、マスターパネル１０がドーターパネル１２，１４，１６，１８に切断されるように調製されている。パネル１４，１６を分断するために、レーザー切断をライン１５に沿って行わなければならない。このようなレーザー切断を行うためには、レーザー切断は、パネル１２，１４，１６，又は１８のいずれの占有領域においても開始されるべきではない。そのため、マスターパネル１０の縁部分及び中央部分に、レーザー切断を開始するための無駄な領域１１，１９を確保しなければならなくなっている。
【０００６】
図１の例では、ライン１５に対する始点クラック又は開始切込みは、パネル１４，１６と無駄な領域１９との間の交点から約１５ｍｍ、かつパネル１２と無駄な領域１９との間の境界から約１５ｍｍの位置にある。従って、無駄な領域１９は、マスターパネル１０の中央部分において約２０〜約２５ｍｍの幅を有する「未使用（no-use）」の領域となっている。その結果、マスターパネル上の使用可能な領域が損なわれ、ドーターパネルの配置に関するユーザの設定可能性が制限され、さらには、パターンにおける取れ高が減少することとなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】国際特許出願第ＰＣＴ／ＵＳ２０１１／０２７１４８号パンフレット
【特許文献２】米国特許出願第１３／１７８，０６５号明細書
【特許文献３】米国特許出願第１３／０４０，７８７号明細書
【発明の概要】
【０００８】
本開示は、前述した従来の方法と比較して、調製プロセスにおける無駄な領域又は未使用の領域の量を低減させるように、エレクトロクロミックパネルをレーザースクライビングする方法を提供するものである。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】マスターパネルからＥＣパネルをレーザースクライビングするための従来の配置構造を示す図である。
【図２】本開示の態様に係るマスターパネルからＥＣパネルをレーザースクライビングするための配置構造を示す図である。
【図３】本開示の態様に係るマスターパネルからＥＣパネルをレーザースクライビングするための他の配置構造を示す図である。
【図４】本開示の態様に係るＥＣパネルの光弾性画像実験データを示す図である。
【図５】本開示の態様に係るＥＣパネルの有限要素（ＦＥ）シミュレーションモデルを示す図である。
【図６】本開示の態様に係るＥＣパネルのＦＥ実験データを示す図である。
【図７】本開示の態様に係るＥＣパネルの曲げ試験の実験データを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本開示の切断プロセスは、（ａ）スクライブホイールを用いて本開示のクラック（切欠部、割れ目部）を形成するステップと、（ｂ）レーザー加熱を加えるステップと、（ｃ）続いて、ガス又はエアロゾル噴流によって冷却するステップとを含んでおり、レーザービーム及び冷却噴流は、所望の切断ラインに沿って移動するようになっている。このプロセスは、ガラス窓に適用されてもよいし、積層体に適用されてもよいし、又は他の基板に適用されてもよい。
【００１１】
いくつかの例では、切断プロセスが、レーザー切断及びスクライビングに代わって電熱切断を含んでいてもよい。同様に、本明細書における説明は、レーザー切断を行うレーザービームを含む例示的な切断プロセスについて述べるが、レーザービームは、これらの例において、（すなわち、基板を切断するために）、基板の選択された部分に熱を集束させる電熱切断器具に置き換えられてもよい。レーザー切断法において行われるように、電熱切断に続いて、前述したものと同じ方法を用いて、ガス又はエアロゾル噴流による冷却が行われるとよい。
【００１２】
切断プロセスは、始点クラックを作成することによって開始される。始点クラックは、ガラスをそのガラスへの熱応力又は熱勾配によってさらに切断するように、ガラスを少なくとも部分的に切断可能なあらゆる器具によって作成されてもよい。例えば、始点クラックは、スクライブホイールによって作成されるとよい。もしも、スクライブホイールが用いられるのであれば、スクライブホイールは、ガラスのパネルを機械的に分断するために一般的に用いられる代表的なガラス切断ホイールであるとよい。さらなる例では、あらゆる形式のガラススクライブ工具、例えば、鋭利なダイヤモンド又は炭化物を先端に付けた工具が用いられてもよい。スクライブホイール又は他の工具は、作成される切込みの特性（例えば、比較的直線状の切込み、湾曲した切込み等）に依存して回転式に構成されてもよいし、又は固定式に構成されてもよい。
【００１３】
スクライブホイールを用いて所定の大きさの力がガラスに加えられ、この力によって始点クラックの位置にてガラスに亀裂が生じることになる。この力は、ガラスに亀裂を生じさせるために十分大きなものであるが、スクライブホイールに接触していないガラスの部分もまた切断するほど大きくないものであるように選択される。スクライブホイールは、１０ニュートン未満、好ましくは、８ニュートン未満の力で基板に押し付けられるとよい。この力によって、一般的に、約５ｍｍから約６ｍｍまでの間の幅、及び約３００μｍから約１２００μｍまでの間の深さを有する始点クラックが作成されることになる。好ましくは、始点クラックまでの深さは最大約５００ｍｍに維持されるべきである。
【００１４】
始点クラックの作成は、本明細書に記載されるレーザー切断プロセスにおいて重要であるが、多重レーザービーム吸収（ＭＬＢＡ）及びアーク放電のようなレーザーの「貫通切断（through-cut）」の技術を含む他のガラス切断技術にとっても重要である。従って、本開示において述べる技術は、本明細書において検討されるレーザー切断技術に用いられるのみならず、他の始点クラックの用途に対しても同じように有益である。
【００１５】
始点クラックを形成した後、ガラスは、レーザー加熱プロセス（代替的に、前述した電熱切断プロセス）を用いてスクライビングされる。スクライビングは、始点クラックの位置から始まり、ガラスの縁部分まで又はレーザー切断の所望の端まで、連続的なラインに沿って継続する。連続的な切断ラインは比較的直線状であってもよいし、又は湾曲していてもよい。
【００１６】
レーザー加熱は、連続波（ＣＶ）ＣＯ２レーザーを用いて行われるとよい。ＣＷレーザーは、珪酸塩ガラスによって強く吸収される約１０，６００ナノメートル（ｎｍ）の代表的な波長にて作動されるようになっていて、好ましいレーザー形式となっている。他の近ＣＯ２波長が用いられてもよい。もちろん、出力が、切断をもたらしている間にガラスによって極めて強く吸収される波長を有する限り、他の波長が用いられてもよい。特別のガラス組成物は、必要とされる高い吸収性を達成するために、特別の交互波長に適合することがあると考えられている。いくつかの例では、効果的な連続波ビーム又は擬似連続波（ｑｕａｓｉ−ＣＷ）ビームをもたらすために十分なパルスのオーバラップが存在するのであれば、パルスレーザーが用いられてもよい。これらの例の多くでは、レーザーから放出される光が強力であり、又はガラスに極めて多く吸収されると考えられる。
【００１７】
ビームの出力レベルは、ガラス上のビームの領域に適合されるべきである。例えば、より速い直線状ライン移動を可能にする比較的長いビームに対してのビームの出力レベルは、比較的高く設定されるべきである。いくつかの例では、約１Ｗ／ｍｍ２〜約２Ｗ／ｍｍ２の出力密度で十分であるが、本明細書に記載されている制限から逸脱しない限り、さらに高い出力密度又はさらに低い出力密度であってもよい。前述した考察のさらなる例として、イエナオプティック（Ｊｅｎｏｐｔｉｋ）システムが、約１１０ｍｍの長さ及び２ｍｍの幅を有する楕円のビームを用いており、このビームのレーザー出力が１０，６００ｎｍの波長にて約３００Ｗとなっている。
【００１８】
ガラスに集束されるレーザービームの強度は、ビームを集束させるガラスの領域を（例えば、熱応力亀裂を生じさせるように）加熱するために十分高い一方で、材料を融除しないように十分低い値に制限されるものとなっている。同様に、レーザー加熱の温度は、ガラス表面又は該表面の局所の近傍を軟化させるほど高くならずに、熱応力亀裂を生じさせるために十分高くなっているべきである。
【００１９】
レーザビーム（代替的に、前述した電熱切断機）によりクラックを伝搬させる速度は、レーザービームによりガラスを加熱可能とする速度に起因してさらに制限される。レーザービームは、約５０ｍｍ／秒から１０００ｍｍ／秒までの間の速度で伝搬されるとよい。好ましくは、レーザービームは約２００ｍｍ／秒で伝搬されるとよい。クラックの伝搬速度を高めるために、レーザービームの集束領域は移動方向に延びているとよく、これによって、レーザービームをより長い時間に渡ってガラスの個々のスポットに集束させることができ、その結果、より高い移動速度で各スポットに対してより長い加熱時間をもたらすことができる。このような移動速度は、表面の融除による損傷の閾値を超えないように設定されるべきである。
【００２０】
クラックが湾曲経路（三次元、例えば、凹面又は凸面に沿った湾曲経路であってもよい）に追従する例においては、延びているビームの長軸は、所望の切断経路と実質的に接するように配向されていなければならない。経路の半径とビームの長さとの間には、より短い経路の半径においてより短いビームの長さを必要とするという関係が存在する。従って、湾曲経路においては、同程度の加熱を達成するために、より低い移動速度が必要となる。
【００２１】
加熱プロセスに続いて、ガス又はエアロゾロ冷却噴流が、ガラスのレーザー加熱された部分に集束されるとよい。冷却噴流材料の組成は、表面を汚染させることなく、冷却速度を最大限に高めるように選択されるとよい。いくつかの例では、冷却噴流は、ガス、蒸気、又はこれらの組合せから構成されているとよい。例えば、窒素又は水素のような純ガスが、Ｈ２Ｏ又は種々のアルコールのような蒸気と一緒に又は単独で用いられてもよい。エアロゾル冷却噴流を用いることによって、液滴の大きさを縮小し、これによって、冷媒の流速を減少させ、冷却プロセスの熱交換効率を改善することができる。
【００２２】
蒸気は、噴流の熱容量及び冷却性能を高めると見なされているが、加熱プロセス及び冷却プロセスに他の複雑な事態をもたらすことがある。冷却噴流材料の組成物は、蒸気を含んでもよいが、蒸気を含むことが必要条件であってはならない。例えば、もしも、切断部に隣接する表面が湿気に過敏であるか又は水蒸気を吸収するのであれば、水は望ましくないものとなる。
【００２３】
冷却噴流は、一定時間に渡ってレーザービームを追跡するように設定されているとよい。いくつかの例では、冷却噴流は、約２５０ミリ秒から約５００ミリ秒までの間の時間だけレーザーから遅れるように設定されているとよい。レーザーと冷却噴流との間の距離は、レーザー／冷却噴流の移動速度に基づいて定められた一定距離であるとよく、それらの間の時間間隔は、ガラスを加熱状態に維持するために望ましい時間間隔及び／又はそのように維持することが許容可能な時間間隔であるとよい。この一定距離は、約５０ｍｍから約１００ｍｍまでの間であるとよい。均一なクラック形成をもたらすと考えられる長く延びたビームの後部と冷却噴流との間の間隔には最適な範囲が存在する。
【００２４】
一般的な概念として、移動しているレーザービームにおける後流の下の領域と後続するガス又はエアロゾル噴流によって冷却される領域との間の温度差によって、ガラスに生じる応力が最大限に高められることになる。冷却噴射の位置は、温度勾配を最大限に高めるように設定されているべきである。
【００２５】
ここでもまた、クラックが湾曲経路（例えば、二次元的湾曲、三次元的湾曲）に追従する例では、レーザービームと同様に、冷却噴流は、レーザービームと同一の湾曲経路に追従するように移動可能でなければならない。いくつかの例では、冷却噴流は、所望の分断をもたらすまで当該経路に沿って移動可能でなければならない。
【００２６】
添付の図面は、前述したレーザー切断プロセスに係るマスターパネルのいくつかの実施形態を示している。当業者であれば、本開示の精神及び範囲から逸脱することなく、本明細書に記載されている実施形態を適用、変更、又は修正することができるであろう。そのため、図示されている実施形態は、例示の目的でのみ提示されており、本開示の範囲を制限するものと解釈されるべきではない。
【００２７】
従来、始点クラックを起点とするレーザー切断は、マスターパネルの縁を起点として約１０ｍｍから約５０ｍｍまでの間で開始するようになっている。約２０ｍｍの距離が典型的である。始点クラックを導入する領域は、「無駄（waste）」な領域と考えられている。なぜならば、この領域はＥＣパネルの製造に用いることができないからである。
【００２８】
図２は、３つの小パネル（小さなパネル）に切断されることになるマスターパネル２０の例に関する斜視図を示している。３つの小パネルの各々は、ＥＣ素子として用いられるようになっているとよい。マーカー２１〜２６は、始点クラックの各々がパネル２７〜２９を切断するために作られる点を示している。これらのマーカーは、例示の目的のためにのみ図２に示されており、必ずしもパネル上に記されている必要はない。パネルのレーザー切断は点線に沿って行われることになる。各始点クラックは、それぞれの始点クラックに隣接する点線に対して行われるレーザー切断のための開始点である。
【００２９】
本開示のいくつかの例では、マスターパネルは、多数（複数）のより小さなカスタムサイズ（特注サイズ）のドーターパネル（daughter panel）にさらに分割されてもよい。例えば、図３は、５つの区域３１〜３５に切断されることになるマスターパネル３０の斜視図を示している。符号の４１〜４６の位置における縁部分の始点クラックに加えて、パネル３２〜３４を互いに分割するために、Ｔ字カットの始点クラック４７〜４８もまた必要である（Ｔ字カットの名称は、始点クラックを形成したガラスパネル間のＴ字状の交点に由来している）。
【００３０】
具体的には、Ｔ字カットは、第３の領域に対して開始及び／又は停止する２つの領域間の（二次元的又は三次元的な）分断ラインである。いくつかの実施形態では、Ｔ字カットは、２つの第１の領域を互いに分断するが、第３の領域に伝搬せず、かつ第３の領域の縁部分を脆弱にしないことが意図されている。従って、Ｔ字カットの１つの特徴は、その終端にある。クラックは、パネルの配分に依存してパネルの一端部分又は両端部分にＴ字カットを形成するとよい。Ｔ字カットのビームの経路における加熱からＴ字カットの端部分を保護するために、機械的なシャッターが用いられてもよい。交差縁を保護するために、Ｔ字カットが伝搬されている間における注意深いレーザーのゲートのオフ及びゲートのオンが用いられてもよい。
【００３１】
図３の例では、縁部分の始点クラックは、斜線を引いた無駄な領域３８に位置している。しかしながら、Ｔ字カットの始点クラックは、ＥＣパネル領域自体内に位置しており、無駄な領域内に位置していない。ＥＣパネル内へのＴ字カットの始点クラックの配置は、ＥＣパネルを切断する際に、特に、マスターパネルからカスタムサイズのドーターパネルを切断する際に生じる無駄な量を低減することに特に有益である。ドーター内に始点クラックを含むさらなる利得は、必要とされるレーザー切断スクライブの数が減少することによって、必要とされるレーザー融除膜の領域が減少することにある。
【００３２】
Ｔ字カットの始点クラックは、該始点クラックがパネルの角を起点として約１０ｍｍから約２０ｍｍまでの範囲内にある限り、ＥＣパネルのどの位置に形成されてもよい。好ましくは、始点クラックは、角を起点として約１５ｍｍの範囲内に位置するべきである。この制限条件は、小さな（例えば、カスタムサイズの）ＥＣパネルを切断するようなあらゆる大きさのマスターパネルに対しても当てはまる。
【００３３】
実験試験は、ＥＣパネルの角部分に生じるエッジ応力（縁部分の応力）は、角からこのような範囲において、応力下において亀裂又は破損の危険を生じさせないほど十分小さいことを示している。例えば、２．２ｍｍ厚のフロートガラスパネルを熱応力相互作用について試験した。各ガラスパネルは、約３００ｍｍ×約３００ｍｍの大きさを有し、かつパネル角近くの縁部分に少なくとも１つの始点クラックを有している。この試験には、熱勾配によってエッジ応力をもたらすために、（各ガラスパネルの中心に配置された）２５０ｍｍ×２５０ｍｍのシリコーン加熱パッドを用いた。ガラスパネルを熱応力によって該パネルに亀裂が生じるまで加熱したが、観察された破断のいずれも、それぞれの始点クラック領域が起点になっていなかった。
【００３４】
一群のシリコーン加熱パッド（各パッドの大きさ：約２５ｍｍ）によって加熱された他のガラスパネル（大きさ：約１ｍ２）の光弾性画像が、熱勾配を受けた際のガラスパネルの測定された応力レベルをさらに裏付けている。光弾性画像は図４に示されている。この画像は、ガラスプレート上の複数のシリコーン加熱パッドに起因する熱勾配によって生じている（約１ｍの長さの縁部分に及ぶ）応力を示している。加熱パッドは、縁部分に対して熱勾配を生じさせ、これによって、熱引張応力（ここでは、最大約２８ＭＰａの熱引張応力）をもたらしている。加熱パッド間の間隙（下側のΔＡ）は、これらの領域における応力レベルの減少として示されている。図４に示されるように、熱応力は、角の近くで実質的にゼロである。
【００３５】
熱勾配を受けたパネルの有限要素モデリングによって、実験結果をさらに確認した。有限要素（ＦＥ）シミュレーションモデルが図５に示されている。モデルデータ（１／４パネルが図示されている）は、ガラスパネルの選択的な加熱による温度勾配及びその結果としての最大主応力を示している。図５の例では、主に、ガラスの中心が太陽熱によって加熱される一方で、ガラスの縁部分がフレームによって影になっていることに起因して、応力が生じている。図５に示されているように、角部分のエッジ応力はほぼゼロであり、エッジ応力は安定した状態のレベルに蓄積されている。
【００３６】
熱勾配によって加えられた応力とは別に、実験試験は、前述したように規定された範囲内の始点クラックを有するＥＣパネルの角部分は、ＥＣパネルの風又は静止負荷によって損傷するおそれがほとんどないこともまた示している。例えば、始点クラックが位置するＥＣパネルの角における測定された引張応力は、角部分近くのエッジ応力のレベルが均一な高負荷に対しても低いことを示唆している。図６は、金属又はプラスチックのスペーサを介して他のパネルに取り付けられ、柔軟接着剤、例えば、ポリイソブチレン系、シリコーン系、ポリウレタン系、ブチル系、又はポリサルファイド系接着材を用いて固着されたＥＣパネルのＦＥデータを示している。ＦＥデータは、最大５．４ｋＰａの負荷に関連する応力分布を示している。パネルの中心は、１６Ｍｐａ（２３００ｐｓｉ）までの最大引張応力を受けているが、角部分近くの応力は決めて低くなっている（２ＭＰａ又は３００ｐｓｉ未満である）。
【００３７】
さらなる確認のために、曲げ試験データによって、ＴＬＳレーザー切断プロセスのための始点クラックに関連する強度を明らかにした。図７は、種々の負荷下における始点クラックを有する２．２ｍｍ厚みガラスの曲げ試験データを示している。図７は、ガラスの強度の中央値（median strength）が約１００００ｐｓｉ（約６９ＭＰａ）であることを示している。
【００３８】
概して、前述のシミュレーション結果及び実験結果は、ＥＣパネルの角を起点として約１０ｍｍから約２０ｍｍまでの範囲内における始点クラックの存在は、ＥＣパネルの破損の危険をもたらすものではないことを保証している。さらに、本発明は、エレクトロクロミックグレージングの特定の用途以外に、脆弱材料から作製され、使用時にエッジ応力を受けるパネルの製造に付随した角部分の欠陥を含み得る用途に対しても、広い派生効果を有している。
【００３９】
本開示は、レーザーエッジ切断されたガラスをその縁部分における強度品質のために用いる任意の他の用途であって、当該ガラスにて縁部分に（他の領域におけるものよりも低い応力を呈する）所定の領域を設けている任意の他の用途（例えば、他の形式における任意の能動グレージング及び吸収ガラス）にもまた適用可能である。
【００４０】
本発明をここでは特定の実施形態を参照して説明してきたが、これらの実施形態は、本発明の原理及び用途の単なる例示にすぎないことを理解されたい。従って、例示的実施形態に対して多くの修正がなされてもよいこと、及び添付の請求項に記載されている本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、他の構成が考案されてもよいことを理解されたい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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