(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リング本体と、
前記リング本体の表面から半径方向内部に延びるエッジリップと、
前記エッジリップの周縁のまわりにほぼ均等に隔置された３つ以上の基板支持体であり、Ｕ形状クリップである、３つ以上の基板支持体と
を含む基板支持リング。
【請求項２】
前記Ｕ形状クリップが、前記エッジリップのエッジ部分に固定できる、請求項１に記載の支持リング。
【請求項３】
前記Ｕ形状クリップが０．０５ｍｍから０．３ｍｍの厚さを有する、請求項２に記載の支持リング。
【請求項４】
内側リングと、
平坦部分を通して前記内側リングの外側周囲につながる外側リングであり、前記平坦部分が前記外側リングの内側周囲から前記内側リングの外側周囲まで半径方向に延びる、外側リングと、
支持棚を形成するために前記内側リングの内側周囲から半径方向に延びるエッジリップであって、前記平坦部分および／または前記エッジリップは、加熱により上方に曲がる、エッジリップと、
前記エッジリップの周縁のまわりにほぼ均等に隔置された３つ以上の基板支持体であり、前記基板支持体が、前記エッジリップの長手軸に対して上方にかつ垂直に前記エッジリップの上面から延びる３つ以上の突起を含む、３つ以上の基板支持体と
を含む基板支持リング。
【請求項５】
前記３つ以上の突起が５０ミクロンから３００ミクロンの高さを有する、請求項４に記載の支持リング。
【請求項６】
前記基板支持体が、前記エッジリップのエッジ部分に固定できる３つ以上のＵ形状クリップを含む、請求項４に記載の支持リング。
【請求項７】
前記Ｕ形状クリップが０．０５ｍｍから０．１５ｍｍの厚さを有する、請求項６に記載の支持リング。
【請求項８】
熱処理チャンバ内で基板を処理する方法であって、
リング本体と、前記リング本体の表面から半径方向に延びるエッジリップとを有する基板支持リングを用意することと、
前記エッジリップの周縁のまわりにほぼ均等に隔置された３つ以上の基板支持体によって前記基板の周辺エッジの近くで前記基板の裏面を支持することであり、前記３つ以上の基板支持体が、前記エッジリップの長手軸に対して上方にかつ垂直に前記エッジリップの上面から延びる突起であり、前記基板支持体が、前記基板の前記裏面と線接触をすることによって前記基板を支持する、支持することと、
放射エネルギーを前記基板の方に導くことによって前記基板を加熱することであり、前記放射エネルギーは、前記３つ以上の基板支持体が前記処理の間に前記基板の前記裏面との前記面接触が線接触に変わるように少なくとも前記エッジリップを上方に曲げるのに十分である、加熱することと
を含む、方法。
【請求項９】
前記エッジリップが、前記基板の前記裏面の下で前記リング本体の前記表面から測って０．５ｍｍから５．０ｍｍの距離を延びる、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記突起が、正方形形状または半球形状の突起である、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記３つ以上の基板支持体が、前記エッジリップのエッジ部分に固定できるＵ形状クリップである、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記基板支持体の高さは、前記基板の前記裏面と前記エッジリップの上面との間の間隙が、前記エッジリップを前記基板から熱的に切り離すのに十分な大きさであるが、際立った光通路を防止するのに十分な小ささとなるように構成される、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記放射エネルギーが、前記基板の上部表面の上に配設された放射熱源から導かれる、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記放射エネルギーが、前記基板の裏面の下に配設された放射熱源から導かれる、請求項８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、一般に、プロセスチャンバ内で基板を支持するための支持リングに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板などの基板の処理では、基板はプロセスチャンバ内の支持体上に載置され、好適な処理条件がプロセスチャンバ内で維持される。例えば、基板は、基板を熱的に処理するために、制御された加熱サイクルで加熱することができる。基板は、例えば、チャンバ内で基板の上および／または下に配設された加熱ランプのアレイで加熱することができる。熱処理は、例えば、基板にイオン注入された層をアニールする、熱酸化または窒化プロセスを行う、または基板に熱化学気相堆積プロセスを行うために使用することができる。
【０００３】
基板を横切る温度勾配の変化が基板の不均一処理をもたらす場合があることが観察されている。支持体（または他のチャンバ構成要素）に接する基板の領域および支持体に接しない基板領域からの不均一な対流または伝導熱損失のために、不均一な温度が様々な基板領域で生じる。基板の温度勾配は、チャンバ壁から内側に延び、基板の周辺を囲む基板支持リングを使用して減少させている。特に、熱処理されるべき基板は、基板の周辺において、基板のエッジと接触する環状リップを有する支持リングのエッジによって支持される。支持リングは、基板周辺から支持リングの外側エッジまで基板の温度勾配を効果的に拡大するかまたは押し出す。基板と支持リングとの重なりが、さらに、支持リングの内側または外側のいずれかの支持リングのエッジのまわりで放射熱源（基板の上に配設された）からの高温放射エネルギーが漏洩するのを防止または最小化する。
【０００４】
環状エッジを有する支持リングは、急速加熱速度プロセス、例えば、少なくとも約２００℃／秒の加熱速度を有するプロセスにおいて基板の端から端まで十分な温度均一性を用意することができないことがある。急速加熱速度プロセスにおいて、支持リングと基板との間の加熱速度の差が、加熱プロセス段階中に受け入れがたいほど高くなる基板の周辺に沿った温度勾配を発生させる。基板は、さらに、主として、変わりやすい表面仕上げおよび基板と支持リングとの間の平面性／平坦度による固体−固体熱接触の方位変化によって引き起こされる方位温度変化を経験することがある。いくつかの状況では、基板と支持リングの環状リップとは基板のエッジの近くで重なるので、基板だけの温度を測定し調節することによってエッジの近くの均一な温度プロファイルを達成することは困難である。基板の熱的および光学的性質と比べた支持リングの熱的性質に応じて、基板の温度プロファイルは、一般に、エッジで高いかまたはエッジで低い。特に、基板が急速熱処理（ＲＴＰ）システムなどにおいて急速加熱速度で加熱される場合、基板の端から端まで温度均一性を達成することは特に困難である。
【０００５】
それゆえに、支持リングが熱処理中に基板に過度の温度勾配を発生させないように、基板と支持リングとの間の重なり領域でのいかなる方位変化も防止または最小化する改善された支持リングを有することが望ましい。
【発明の概要】
【０００６】
本発明の実施形態は、一般に、熱処理の間プロセスチャンバ内で基板を支持するための支持リングに関する。１つの実施形態では、基板支持リングが提供される。基板支持リングは、リング本体と、リング本体の半径方向内部に延びるエッジリップと、エッジリップの周縁のまわりに均等に隔置された３つ以上の基板支持体とを含む。基板支持体は、エッジリップの長手軸に対して上方にかつ垂直にエッジリップの上面から延びる突起とすることができ、またはエッジリップのエッジ部分に固定できるＵ形状クリップとすることができる。どちらの場合にも、基板支持体の高さは、基板の裏面とエッジリップの上面との間の間隙が、エッジリップを基板から熱的に切り離すのに十分な大きさであるが、際立った光通路を防止するのに十分な小ささとなるように構成される。
【０００７】
別の実施形態では、支持リングは、内側リングと、平坦部分を通して内側リングの外側周囲につながる外側リングと、基板を支持するための支持棚を形成するために内側リングの内側周囲から半径方向内部に延びるエッジリップと、エッジリップの周縁のまわりに均等に隔置された３つ以上の基板支持体とを含む。
【０００８】
さらなる別の実施形態では、熱処理チャンバ内で基板を処理する方法が提供される。この方法は、リング本体と、リング本体の半径方向内部に延びるエッジリップとを有する基板支持リングを用意することと、エッジリップの周縁のまわりに均等に隔置された３つ以上の基板支持体によって基板の周辺エッジの近くで基板の裏面を支持することと、放射エネルギーを基板の方に導くことによって基板を加熱することであり、放射エネルギーは、３つ以上の基板支持体がプロセスの間基板の裏面と点接触するように少なくともエッジリップを上方に曲げるのに十分である、加熱することとを含む。
【０００９】
本発明の上述で列挙した特徴を詳細に理解できるように、上述で簡単に要約した本発明のより詳細な説明を実施形態を参照して行うことができ、実施形態のいくつかを添付図面に示す。しかしながら、添付図面は、本発明の典型的な実施形態のみを示しており、それゆえに、本発明は他の同等に有効な実施形態を認めることができるので本発明の範囲を限定すると見なすべきでないことに留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】基板支持リングを有する例示的な急速熱処理チャンバを概略的に示す図である。
【図２Ａ】本発明の１つの実施形態による、図１の基板支持リングの代わりに使用することができる支持リングの概略的な断面側面図である。
【図２Ｂ】支持リングのエッジリップの長手方向曲げ歪みにより基板と離散的な点接触を行うようにわずかに上方に曲がっている図２Ａの支持リングの概略的な断面側面図である。
【図２Ｃ】本発明の１つの実施形態による半球形状バンプを使用する基板支持体の概略的な断面側面図である。
【図２Ｄ】本発明の１つの実施形態によるピンを使用する基板支持体の概略的な断面側面図である。
【図２Ｅ】本発明の１つの実施形態による３つのバンプまたは突起をもつエッジリップの概略的な上面部分図である。
【図３Ａ】本発明の別の実施形態による、図１の支持リングの代わりに使用することができる支持リングの概略的な断面側面図である。
【図３Ｂ】支持リングのエッジリップの長手方向曲げ歪みにより基板と離散的な点接触を行うようにわずかに上方に曲がっている図３Ａの基板支持体の概略的な断面側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の実施形態は、一般に、熱処理の間プロセスチャンバ内で基板を支持するための支持リングに関する。熱処理されるべき基板は、基板の周辺において、支持リングのエッジリップによって支持される。支持リングは、プロセスチャンバの内側周縁表面に沿って半径方向内部に延び、基板の周辺を囲む。支持リングは、支持リングの表面から半径方向内部に延びるエッジリップを有する。エッジリップの一部は、基板をエッジリップから熱的に分離しながら基板の周辺を裏面から支持するように構成される。周辺全体のまわりで基板を支持する従来の手法とは対照的に、エッジリップは多数の基板支持体を備え、基板支持体は基板と離散的な線接触または点接触を行い、それによって、支持リングのリップ部分と基板との間の熱の伝導性移動に利用可能な接触面積を減少させ、その結果、最小のエッジ温度勾配をもつ基板の端から端までの改善された温度プロファイルがもたらされる。以下でより詳細に論じるように、基板支持体は、エッジリップの上部表面上に形成された３つ以上の突起もしくはバンプ、または基板のエッジ部分に係合するＵ形状クリップとすることができる。上部加熱構成が適応される様々な実施形態では、基板支持体の高さは、基板の裏面とエッジリップの上面との間の間隙を十分に大きくし、その結果、固体−固体接触が減少して、光漏洩なしに（すなわち、プロセスチャンバ内の光源放射の光がパイロメータに達しないように）基板とエッジリング支持体との間の固体−固体伝導または熱結合を減少または除去するように最適化される。光漏洩を減少させると、高温測定の精度が向上すると同時に、重なり区域でのガス伝導が減少する。
【００１２】
底部加熱構成が適応されるいくつかの実施形態では、基板の裏面とエッジリップの上面との間の間隙は、固体−固体接触を減少させて、固体−固体伝導と、そのタイプの接触の予期せぬ方位変化とを除去するためにちょうど十分な大きさとするが、エッジリップが、依然として、基板の遮蔽された外側周囲に熱を伝導しなければならないのでちょうど十分な大きさ以上でないようにすべきである。
【００１３】
例示的な急速熱処理チャンバ
図１は、急速熱処理チャンバ１０を概略的に示す。基板１２、例えば、熱処理されるべきシリコン基板などの半導体基板は、バルブまたはアクセスポート１３を通して処理チャンバ１０のプロセス区域１８に通される。基板１２は、基板の周辺において、環状支持リング１４によって支持される。エッジリップ１５は、環状支持リング１４の内側に延び、基板１２の周辺エッジと接触する。基板は、基板１２の前面に既に形成されている処理済み特徴部１６が、基板の上側に透明石英窓２０によって画定されたプロセス区域１８の方に上方に面するように配向させることができる。すなわち、基板１２の前面はランプ２６のアレイの方に面している。いくつかの実施形態では、上に形成された処理済み特徴部をもつ基板１２の前面は、ランプ２６のアレイから離れて面する、すなわち、パイロメータ４０の方に面することができる。概略図に反して、特徴部１６は、大部分は、基板１２の前面を超えて大幅な距離を突き出すのではなく、前面の面の内部および近くにパターニングを構成する。
【００１４】
パドルまたはロボットブレード（図示せず）が基板を処理チャンバの中におよび支持リング１４の上に持ってくる間に基板が渡されるとき、基板１２の裏面側を支持するために、３つのリフトピンなどの複数のリフトピン２２を上昇および降下させることができる。放射加熱装置２４は窓２０より上に位置づけられ、窓２０を通して基板１２の方に放射エネルギーを導くように構成される。処理チャンバ１０において、放射加熱装置は、六方最密アレイで窓２０の上に配列されたそれぞれの反射チューブ２７に位置づけられた多数の（４０９が例示的な数である）高強度タングステン−ハロゲンランプ２６を含むことができる。ランプ２６のアレイは、時には、ランプヘッドと呼ばれる。しかしながら、他の放射加熱装置を代用できると考えられる。一般に、放射加熱装置は、放射源の温度を急速に上昇させるために抵抗加熱を含む。好適なランプの例には、フィラメントを囲むガラスまたはシリカの外囲容器を有する水銀ランプと、ガスがエネルギーを与えられたとき熱源を生成するキセノンなどのガスを囲むガラスまたはシリカの外囲容器を備えたフラッシュランプとが含まれる。本明細書で使用するランプという用語は、熱源を囲む外囲容器を含むランプを対象とすることを意図している。ランプの「熱源」は、基板の温度を上げることができる材料または要素、例えば、エネルギーを与えることができるフィラメントまたはガス、あるいはＬＥＤまたは固体レーザおよびレーザダイオードなどの放射を放出する材料の固体領域を参照する。
【００１５】
本明細書で使用するとき、急速熱処理すなわちＲＴＰは、約５０℃／秒以上の速度で、例えば、約１００℃／秒から１５０℃／秒、および約２００℃／秒から４００℃／秒の速度で基板を均一に加熱することができる装置またはプロセスを参照する。ＲＴＰチャンバの典型的なランプダウン（冷却）速度は、約８０℃／秒から１５０℃／秒の範囲にある。ＲＴＰチャンバで行われるいくつかのプロセスは、基板の端から端まで温度変化が摂氏数度未満であることを必要とする。したがって、ＲＴＰチャンバには、最大で約１００℃／秒から１５０℃／秒まで、および約２００℃／秒から４００℃／秒の速度で加熱し、これらの速度で迅速に加熱できる加熱システムおよび加熱制御システムを有していない他のタイプの熱チャンバから急速熱処理チャンバを区別することができるランプまたは他の好適な加熱システムおよび加熱システム制御が含まれなければならない。そのような加熱制御システムをもつＲＴＰチャンバは、５秒未満で、例えば、１秒未満で、実施形態によってはミリ秒でサンプルをアニールすることができる。
【００１６】
基板１２の端から端までの温度を、基板１２の端から端まで厳密に規定された均一な温度に制御することが重要である。均一性を改善する１つの受動的手段は、基板１２の下に配設されたリフレクタ２８を含むことができる。リフレクタ２８は、基板１２よりも大きい区域に平行に、かつその区域にわたって延びる。リフレクタ２８は、基板１２の見かけの放射率を増強させるために、基板１２から放出された熱放射を基板１２の方に効率的に反射して戻す。基板１２とリフレクタ２８との間の間隔は約３ｍｍから９ｍｍの間とすることができ、空洞の厚さに対する幅のアスペクト比は２０を超えることが有利である。アルミニウムで製作することができ、高反射性表面被覆または多層誘電体干渉ミラーを有するリフレクタ２８の上部と、基板１２の裏面とは、基板の実効放射率を増強するための反射空洞を形成し、それによって、温度測定の精度を改善する。いくつかの実施形態では、リフレクタ２８は、より不規則な表面を有するか、または黒体壁により緊密に似ているように黒色もしくは他の有色の表面を有することができる。リフレクタ２８は、特に冷却中に基板からの過剰な放射を吸熱するために金属で製作されている水冷式基部５３である第２の壁５３に堆積させることができる。それゆえに、処理チャンバ１０のプロセス区域は少なくとも２つの実質的平行な壁を有し、そのうちの第１の壁は、石英などの放射に対して透明な材料で製作された窓２０であり、第２の壁５３は、第１の壁と実質的に平行であり、明らかに透明でない金属で製作されている。
【００１７】
均一性を改善する１つの方法は、処理チャンバ１０の外に位置づけられた回転可能フランジ３２に磁気結合された回転可能シリンダ３０上の支持リング１４を支持することを含む。モータ（図示せず）がフランジ３２を回転させ、したがって、一般に対称なチャンバの中心線でもあるフランジ３２の中心３４のまわりに基板を回転させる。代替として、回転可能シリンダ３０の底部は、回転可能フランジ３２に配設された磁石によって所定位置に保持され、回転可能フランジ３２内のコイルからの回転可能フランジ３２中の磁場を回転させることによって回転される磁気浮上シリンダとすることができる。
【００１８】
均一性を改善する別の方法は、ランプ２６を、中心軸３４のまわりに概してリング様に配列されたゾーンに分割する。制御回路は、異なるゾーンのランプ２６に送出される電圧を変化させ、それによって、放射エネルギーの径方向分布を調整する。区域に分けられた加熱の動的制御は、回転する基板１２の半径を横切って温度を測定するためにリフレクタ２８の開孔を通して基板１２の裏面に面するように位置づけられた１つまたは複数の光学ライトパイプ４２を通して結合される１つまたは複数のパイロメータ４０によって変化をもたらされる。ライトパイプ４２は、サファイア、金属、およびシリカファイバを含む様々な構造から形成することができる。コンピューター化されたコントローラ４４は、パイロメータ４０の出力を受け取り、それに応じて、ランプ２６の異なるリングに供給される電圧を制御し、それによって、処理の間放射加熱強度およびパターンを動的に制御する。パイロメータは、一般に、約７００から１０００ｎｍの間の範囲で、例えば４０ｎｍの狭い波長帯域幅の光強度を測定する。コントローラ４４または他の計器装備は、その温度に保持された黒体から放射する光強度のスペクトル分布のよく知られているプランク分布を介して光強度を温度に変換する。しかしながら、高温測定は、走査されている基板１２の部分の放射率によって影響を受ける。放射率εは、黒体での１から完全なリフレクタでの０までの間で変わる可能性があり、したがって、基板裏面の反射率Ｒ＝１−εの逆指標である。基板の裏面は一般に均一であり、その結果、均一放射率が予想されるが、裏側組成物は事前処理に応じて変わることがある。高温測定は、エミソメーターであって、基板を光学的に検査して、エミソメーターが面している基板の部分の放射率または反射率を関連波長範囲で測定するエミソメーターを含むこと、および測定放射率を含むためのコントローラ４４内の制御アルゴリズムによって改善することができる。
【００１９】
例示的な支持リング
図２Ａは、本発明の１つの実施形態による、図１の支持リング１４の代わりに使用することができる支持リング２００の概略的な断面側面図である。図２Ａに図示した支持リング２００は、処理チャンバ、例えば、図１に示した急速熱処理チャンバ１０内に配設することができ、処理チャンバ１０の内側周縁表面６０に沿って半径方向内部に延びる。様々な実施形態において以下に論じるように、支持リングは、基板の周辺を実質的に囲む連続リング本体（またはいくつかの実施形態では離散的リング様本体）とすることができる。支持リングは、基板の裏面と離散的に点接触するためのいくつかの支持特徴部を有するエッジリップを囲む。いくつかの実施形態では、エッジリップは、加熱プロセス中のエッジリップの曲がりを制御するために支持リングの周縁に沿って変化する半径方向幅を有することができる。エッジリップの半径方向幅は、光漏洩問題を最小にするために加熱ランプの構成に応じて変化することができる。基板２１２は、基板２１２が丸いエッジを有することがあるので単に例示的な目的のために正方形のエッジで示されていることに留意すべきである。
【００２０】
図２Ａに示す１つの実施形態では、支持リング２００は、一般に、外側リング２０２と内側リング２０４とを含む。外側リング２０２は、外側リング２０２の内側周囲２０３から内側リング２０４の外側周囲２０５まで半径方向内部に延びる平坦部分２０６を通って内側リング２０４につながる。外側リング２０２は、図１に示した回転可能シリンダ３０などのシリンダ２３０によって支持される。上部加熱タイプ構成では、回転可能シリンダ２３０は、支持リング２００に外側リング２０２からちょうど内側に接触することができる。すなわち、外側リング２０２の底面は、光漏洩を防止し、かつ必要とされる機械的安定性を与えるために、平坦部分２０６の上面２０６ａと向き合っている。支持リング２００は、基板２１２の周辺エッジの近くで基板２１２の裏面２１２ｂを支持するための支持棚を形成するために、内側リング２０４の内側周囲２０７から半径方向内部に延びるエッジリップ２０８をさらに含む。エッジリップ２０８は、基板２１２の直径に応じたサイズにされる。例えば、エッジリップ２０８は、基板２１２の下で十分な距離を延び、公称１２インチ（３００ｍｍ）基板では約０．５ｍｍと約５．０ｍｍとの間の範囲、約１．５ｍｍと約２．８ｍｍとの間など、例えば０．８ｍｍの半径方向重なり区域「Ｄ１」を造り出すことができる。本開示で使用する「重なり」の項は、図２ＡにＤ１として示したように測定されていることに留意されたい。エッジリップ２０８は、一貫した半径方向幅をもつ連続リング形状とすることができる。代替として、エッジリップ２０８は、加熱プロセス中のエッジリップの曲がりを最小化または除去しながら、エッジリップを製作するのに使用される材料の量を減少させるために、支持リングの周縁に沿って変化する半径方向幅を有することができる。エッジリップ２０８の半径方向幅は、光漏洩問題を最小にするために（すなわち、プロセスチャンバ内の光源放射の光がパイロメータに達しないようにするために）加熱ランプの構成に応じて変化することができる。
【００２１】
エッジリップ２０８の上面２０８ａは平坦部分２０６の上面２０６ａより相対的に下にあり、内側リング２０４の内側周囲２０７内に基板２１２を保持できる凹部２１４を形成することができる。具体的には、基板は、エッジリップ２０８の上面２０８ａに形成された基板支持体２１０を介してエッジリップ２０８によって支持される。基板支持体２１０は、重なり区域「Ｄ１」内で、基板２１２とエッジリップ２０８との間に配置することができる。基板支持体２２０は、エッジリップ２０８の長手軸に対して上方にかつ垂直に上面２０８ａから延びる。１つの態様では、内側リング２０４の上部表面は、基板２１２の上部表面２１２ａとほぼ同じ高さにある。
【００２２】
図２Ａに示した実施形態では、基板支持体２１０は、エッジリップ２０８の周縁のまわりに図２Ｅ（３つのバンプまたは突起２５０をもつエッジリップ２０８の上面部分図を示す）に示すようにほぼ均等に隔置された、または不規則に分散された３つ以上のバンプまたは突起を含むことができる。支持リング２００の急速加熱の際に、平坦部分２０６および／またはエッジリップ２０８は、図２Ｂに示すようにわずかに上方に曲がる。そのとき、基板支持体２１０（すなわち、バンプまたは突起）は、エッジリップ２０８の長手方向曲げ歪みにより、エッジリップ２０８の周縁のまわりで面接触であったものから基板２１２の裏面２１２ｂとの実質的な線接触に変わる。それゆえに、基板が基板の周辺全体のまわりをエッジリップによって支持される従来の手法とは逆に、本発明のバンプまたは突起は離散的な線接触を基板２１２に与え、それにより、支持リング２００のエッジリップ２０８と基板２１２との間の熱の伝導性移動で利用可能な接触区域が実質的に減少する。バンプまたは突起は、基板２１２をエッジリップ２０８から熱的に切り離し、エッジリップ２０８を通る熱損失を防止する。基板２１２と支持リング２００との間の面接触区域を減少させると、基板２１２とエッジリップ２０８との重なりによって引き起こされる熱質量不連続をより良好に管理することも可能になる。それゆえに、基板のエッジのまわりの熱損失によって発生される熱勾配の歪みが減少し、基板２１２とエッジリップ２０８との間の重なり領域の方位温度変化が最小にされ、その結果、最小のエッジ温度勾配を有する基板の端から端までの改善された温度プロファイルがもたらされる。エッジリップ２０８と基板２１２との間の接触区域の減少は、さらに、処理チャンバ内のありうる粒子汚染を減少させる。
【００２３】
図１に示した上部放射加熱配列では、放射熱源からの放射は、基板が基板支持体２１０によりエッジリップ２０８から熱的に切り離されているので重なり領域の熱質量不連続についてあまり心配することなく、単に基板を加熱するように調整することができる。それゆえに、本発明の基板支持体は、より速い到達可能熱傾斜速度またスパイクパワー情況の減少につながることができる。底部放射加熱配列（すなわち、基板は、裏面２１２ｂが放射熱源に向き合い、一方、集積回路などの特徴部が面する上部表面２１２ａが放射熱源から離れている状態で保持される）では、エッジリップ２０８が基板２１２のエッジを遮蔽しているので、エッジリップ２０８は、遮蔽されている基板の部分に熱を伝導するために過熱される必要がある場合がある。しかしながら、支持リング２００を過熱すると、エッジリップ２０８を上方に過度に歪ませるか、または支持リングにとって望ましくない熱応力または損傷さえ引き起こす。その場合、曲がりにくいリブ（図示せず）が、高さ方向のエッジリップ２０８の変位を減少させるために、約１ｍｍから約１０ｍｍなどの大きさの程度だけエッジリップ２０８の上面２０８ａに載置されうる。それゆえに、エッジリップと基板との間の重なり領域の方位温度変化が減少する。
【００２４】
バンプまたは突起は、レーザ加工技法または任意の好適な技法を使用してエッジリップ２０８の上面２０８ａに形成することができる。バンプまたは突起は、長方形、菱形、正方形、半球、六角形、三角形の突出部、または異なるように整形された突出部の混合などの任意の好適な形状とすることができる。ある例では、基板支持体２１０は正方形形状バンプまたは突起である。別の例では、基板支持体２１０は半球形状バンプまたは突起である。図２Ｃは、半球形状バンプ２１６が基板支持体として使用されている一例を示す。半球形状バンプまたは突起は、面接触または線接触を点接触に変えることによってエッジリップと基板との間の面接触区域をさらに低減させることができるので、半球形状バンプまたは突起は実効熱質量減少に関してより有利でありうる。そのような例では、半球形状バンプ２１６を収容するためにエッジリップ２０８の上面２０８ａに凹部２１８を形成することができる。バンプまたは突起は完全な半球、正方形などである必要がないと考えられる。基板２１２が、基板支持体２１０と基板２１２の裏面２１２ｂとの間の最小接触区域で安全に支持される限り、基板支持体２１０の形状および／または寸法は変わることができる。正方形突出部が使用される場合、基板支持体２１０の寸法は、幅が約０．２ｍｍと約２ｍｍとの間などの約０．１ｍｍと約１０ｍｍとの間の広い許容限度にわたって変わることができ、例えば約１ｍｍである。
【００２５】
上記のように、処理チャンバのプロセス区域の基板温度は、普通、図１のパイロメータ４０などの放射高温測定によって測定される。放射高温測定は非常に正確でありうるが、放射パイロメータ帯域幅内にあり、かつ加熱源から生じる放射は、この放射がパイロメータによって検出される場合、基板からのパイロメータ信号の解釈に干渉することがある。それゆえに、本実施形態の基板支持体２１０、例えば、バンプまたは突起の高さは、基板２１２の裏面２１２ｂとエッジリップ２０８の上面２０８ａとの間の間隙「Ｈ」が基板２１２をエッジリップ２０８から熱的に切り離すのに十分な大きさであるが、下にあるパイロメータへの宙に浮いた基板２１２のまわりの光源放射（図示せず）からの際立った光漏洩を防止するのに十分な小ささとなるように形成される必要がある。上部加熱構成が使用される様々な実施形態では、基板支持体２１０（または間隙「Ｈ」）は、最大高さが約５０ミクロンから約３００ミクロンまで、例えば約１００ミクロンとすることができる。基板支持体２１０の存在が光源放射から来るほとんどの光を阻止するだけでなく、パイロメータに達する光の量は、光がパイロメータに到達するには半径方向内側にはるかに進まなければならないように基板２１２とエッジリップ２０８との間の半径方向の重なり区域「Ｄ１」の距離を増加させることによってさらに制限することができる。それゆえに、光漏洩問題は最小にされる。
【００２６】
支持リング２００の寸法は、好適な熱質量（Ｔｍ）を備えるように選択される。例えば、寸法は、約２Ｊ／Ｋから約７５０Ｊ／Ｋ熱質量（Ｔｍ）を与える、３００ｍｍの直径を有する基板を処理するための約２０ｇなどの約４ｇから約４０ｇの質量と同等な質量と、約０．９５の基板吸収率とを備えるように選択することができる。例えば、熱質量は、約３００ｍｍの直径を有する基板を処理するための約２×１０−３ｍ２から約３×１０−２ｍ２の照射リング表面積、および約１．０の吸収率の場合、約３Ｊ／Ｋから約４５Ｊ／Ｋの熱質量と同等となりうる。別の例として、熱質量は、約３００ｍｍの直径を有する基板を処理するための約３×１０−３ｍ２から約３×１０−２ｍ２の照射リング表面積、および約０．１の吸収率の場合、約３０Ｊ／Ｋから約４５０Ｊ／Ｋの熱質量と同等となりうる。１つの態様では、支持リング２００の熱質量は、約２３Ｊ／Ｋなどの約４Ｊ／Ｋから約４４Ｊ／Ｋである。寸法は、例えば、平坦部分２０６およびエッジリップ２０８のうちの１つまたは複数の厚さを増加または減少させることによって選択することができる。例えば、約３００ｍｍの直径を有する基板を処理するには、平坦部分２０６の好適な厚さ（Ｗ１）は、約３．３×１０−４ｍと約５．１×１０−４ｍとの間などの約２．３×１０−４ｍから約８．２×１０−４ｍの厚さと同等の厚さとすることができ、エッジリップ２０８の好適な厚さ（Ｗ２）は、約１．３×１０−４ｍと約２．５×１０−４ｍとの間などの約１．８×１０−４ｍから約４．５×１０−４ｍの厚さと同等の厚さとすることができる。平坦部分２０６またはエッジリップ２０８の直径、ならびに外側リング２０２および内側リング２０４の寸法は、さらに、所望の熱質量を備えるように調節することができる。さらに、支持リング２００の熱質量の良好な分布を与え、基板２１２の温度勾配を減少させるのに、約１．１４から約１．３のエッジリップ厚さ（Ｗ２）に対する平坦部分厚さ（Ｗ１）の比を維持することが望ましい場合があることが発見された。
【００２７】
基板支持体２１０は、基板の温度測定で使用される周波数範囲で放射に対して透明な材料で製作することができる。１つの例では、基板支持体２１０は炭化ケイ素で製作される。炭化ケイ素合金、セラミックス、または高温材料（アモルファスシリカ、Ａｌ２Ｏ２、ＺｒＯ２、Ｓｉ３Ｎ４など）、または同様の材料などの他の材料も考えられる。支持リング２００は、基板と支持リングとの間の吸収率／反射率不整合を最小にするように基板と同様の材料で製作することができる。１つの例では、支持リング２００は炭化ケイ素で製作される。いくつかの実施形態では、支持リング２００は、オプションとして、熱処理チャンバ内の基板の温度測定で使用される周波数範囲の放射に対して支持リング２００を不透明にするために多結晶シリコン（ポリシリコン）の層で被覆することができる。そのような場合、ポリシリコン層の厚さは、支持リング２００の厚さに応じて、または例えば支持リング２００に使用されるＳｉＣの不透明性に応じて、約２０μｍと約５０μｍとの間の範囲にわたって変わることができる。
【００２８】
図３Ａは、本発明の別の実施形態による、図１の基板支持リング１４の代わりに使用することができる支持リング３００の概略的な断面側面図である。支持リング３００は、一般に、外側リング３０２と内側リング３０４とを含む。一般に、支持リング３００は、基板支持体２１０がエッジリップ３０８のエッジ部分３２０に固定できる複数の基板支持体３１０と取り替えられていることを除いて図２Ａの支持リング２００と同一である。基板支持体３１０は、例えば、図２Ｅの図に示すような方法で、エッジリップ３０８の周縁のまわりに不規則に分散されるかまたは実質的に均等に隔置される３つ以上のＵ形状クリップを含むことができる。基板支持体３１０は、エッジリップ３０８の周縁のまわりでエッジリップ３０８の上面３０８ａおよび裏面３０８ｂの少なくとも一部に固定されるように構成される。
【００２９】
基板支持体２１０と同様に、平坦部分３０６および／またはエッジリップ３０８は、支持リング３００の急速加熱の際にわずかに上方に曲がる。エッジリップ３０８の長手方向曲げ歪みのために、Ｕ形状クリップは、図３Ｂに示すように、基板支持体３１０と基板３１２との間の面接触であったものから基板３１２の裏面３１２ｂとの実質的な線接触またはさらに点接触に変わる。言い換えれば、基板支持体３１０は、基板３１２をエッジリップ３０８から熱的に切り離し、それによって、エッジリップ３０８による熱損失を減少させながら、最小化接触区域で基板３１２の裏面３１２ｂを支持することによって、図２Ａの基板支持体２１０の役割と同様の役割を果たす。Ｕ形状クリップは、横方向張力でエッジリップ３０８のエッジ部分３２０にクリップ留めすることができる。支持リングを回転してもＵ形状クリップはエッジリップ３０８上に保持されることになる。任意の好適な接着剤（図示せず）またはボルトなどの予知できる取付け機構をエッジリップ３０８に付加して、潜在的な粒子生成問題を防止すること、またはプロセス中にＵ形状クリップが抜け落ちるのを防止することができる。
【００３０】
Ｕ形状クリップの寸法は、エッジリップ３０８の厚さに応じて変わることができる。１つの実施形態では、Ｕ形状クリップは、約０．５ｍｍから約５．０ｍｍの長さ「Ｄ２」、約０．０５ｍｍから約５ｍｍの幅、および約０．１ｍｍから約０．６ｍｍに約０．０５ｍｍから約０．３ｍｍでありうるエッジリップ厚さを加えた高さ「Ｄ３」を有することができる。１つの例では、Ｕ形状クリップの底部はエッジリップ３０８を越えて延び、Ｕ形状クリップを所定の位置に保持するのに役立つように上方に曲がることができる。そのような場合、Ｕ形状クリップの底部部分の長さは、エッジリップ３０８の長さよりも少し大きくすることができる。Ｕ形状クリップは、約０．１ｍｍなどの約０．０５ｍｍから約０．１５ｍｍの厚さを有することができる。同様に、基板支持体３１０は、図２Ａの基板支持体２１０と同一な材料で製作することができる。例えば、基板支持体３１０は、炭化ケイ素、セラミックス、または高温材料（アモルファスシリカ、Ａｌ２Ｏ２、ＺｒＯ２、およびＳｉ３Ｎ４など）で製作することができる。
【００３１】
本発明の例示的な実施形態を図示および説明したが、当業者は、本発明を組み込み、やはり本発明の範囲内にある他の実施形態を考案することができる。例えば、いくつかの実施形態では、バンプまたは突起は、図２Ｄに示すように、バンプまたは突起が横方向移動しないようにエッジリップ２０８を通して形成された孔（図示せず）に入れられるピン２２２に取り付けられるか、またはピン２２２の一体部分として形成されうる。ピン２２２はエッジリップ２０８に接する側に対向しているバンプまたは突起の側から延びて、上部リフトピン部分２２４を形成し、その結果、基板２１２のエッジは、自動調芯のためにバンプまたは突起の上の上部リフトピン部分２２４によりかかって所定位置に確実に保持される。さらに、基板支持体は、論じたような突起またはＵ形状クリップ以外の任意の変形、すなわち、支持リングのエッジリップ上に固定して、エッジリップと基板との間の最小接触区域により周辺エッジの近くで基板の裏面を支持することができる接着したファイバ、埋込み物体、突起ピン、傾斜ピンなどのようなものとすることができると考えられる。
【００３２】
前述のものは本発明の実施形態に関しているが、本発明の他のおよびさらなる実施形態を本発明の基本範囲から逸脱することなく考案することができ、本発明の範囲は以下の特許請求の範囲によって決定される。
【図１】
0006258334.tif 000002
【図２Ａ】
0006258334.tif 000003
【図２Ｂ】
0006258334.tif 000004
【図２Ｃ】
0006258334.tif 000005
【図２Ｄ】
0006258334.tif 000006
【図２Ｅ】
0006258334.tif 000007
【図３Ａ】
0006258334.tif 000008
【図３Ｂ】
0006258334.tif 000009