(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック多層デバイス（１００）を製造するための方法であって、
前記セラミック多層デバイス（１００）用の複数のグリーン層（５）を準備するステップと、
前記グリーン層（５）を１つの積層体となるように積層し、これに続いてこの積層体を１つのブロック（１）となるようにプレスするステップと、
前記ブロック（１）をそれぞれ１つの長手方向（Ｘ）で複数の部分ブロック（３）に個々に分離するステップと、
前記部分ブロック（３）を熱処理するステップと、
これに続いて当該部分ブロック（３）の表面を機械加工するステップであって、当該機械加工で、当該部分ブロック（３）の表面に複数の凹部（１１）が生成されるステップと、
前記部分ブロック（３）を個々に分離するステップと、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記部分ブロック（３）は、前記凹部（１１）に沿って個々に分離されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記機械加工するステップで生成された前記凹部（１１）は、前記長手方向（Ｘ）に対して横方向に延在していることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記機械加工するステップでは、前記部分ブロック（３）の表面での前記凹部（１１）は、グラインディングによって生成されることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記機械加工するステップでは、前記部分ブロック（３）の表面は平坦に研磨され、そして当該ステップにおいて、当該部分ブロック（３）の表面に前記凹部（１１）がグラインディングによって生成されることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の方法において、
前記グリーン層（５）は、前記熱処理するステップの後では、それぞれの部分ブロック（３）において、上下に重なったセラミック層およびこれらの間に配設された第１および第２の導電性の層（１２，１３）を形成し、
前記部分ブロック（３）は、その表面の機械加工の後で、選択的なエッチングが行われ、
前記部分ブロック（３）の１つの第１の側面（８）上の前記第１の導電性の層（１２）および当該第１の側面（８）に生成された複数の凹部（１１）から、前記選択的なエッチングによって材料が除去され、そして当該部分ブロック（３）の１つの第２の側面（９）上の前記第２の導電性の層（１３）および当該第２の側面に生成された複数の凹部（１１）から、前記選択的なエッチングによって材料が除去される、
ことを特徴とする方法。
【請求項７】
前記凹部（１１）はＶ形状であることを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック多層デバイスを製造するための方法およびセラミック多層デバイスに関する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００２】
本発明が解決すべき課題は、改善されたセラミック多層デバイスおよびこれを製造するための方法を提示することである。
【課題を解決するための手段】
【０００３】
これらの課題は請求項１の特徴を有する方法により解決される。さらにこれらの課題は第２の独立請求項に記載のセラミック多層デバイスによって解決される。
【０００４】
本発明は、セラミック多層デバイスを製造するための方法を提供する。本方法は、このセラミック多層デバイス用のグリーン層（複数）を準備するステップと、これらのグリーン層を１つの積層体となるように積層し、これに続いてこの積層体を１つのブロックとなるようにプレスするステップと、このブロックをそれぞれ１つの長手方向で部分ブロック（複数）に個々に分離するステップと、これらの部分ブロックを熱処理するステップと、これに続いてこれらの部分ブロックの表面を機械加工するステップであって、この機械加工で、これらの部分ブロックの表面に凹部（複数）が生成されるステップと、そしてこれらの部分ブロックをこれらの凹部に沿って個々に分離するステップと、を備える。
【０００５】
この際これらのステップは、ここに示した順序で次々に行われてよい。こうして本方法は、１つの部分ブロックにまとまっている多層デバイスを個々に分離する前に、その製造処理の多くのステップを行うことを可能とする。本製造方法を実行するための手間は、この個々に分離するステップをこの方法の後の時点で行うことによって大幅に低減される。これは部分ブロックが処理される方法ステップ（複数）は、個々の多層デバイスが処理される方法ステップ（複数）に対して、処理されなければならない分離された部品の数が少ないことから、大幅に簡単に実施することができるからである。
【０００６】
この製造方法の間に上記の部分ブロックの表面に凹部（複数）を形成することによって、円筒形設置スペースでのとりわけ良好な設置スペースの使用に適した多層デバイスを製造することができる。こうしてその形状がこの円筒型設置スペースの形状に良好に近似した多層デバイスが製造される。
【０００７】
具体的には、各々の多層デバイスの形状を個々に変更する必要はなく、たとえば個々に分離した後に角を切り取る必要はない。上述した方法はむしろ複数の多層デバイスを後の設置スペースに合わせ込むことを可能とし、ここでこれらの多層デバイスはまだ１つの部分ブロックにまとまっている。以上により、上述したように、これらの多層デバイスは、個々に分離された多層デバイスの場合よりも大幅に容易に取り扱うことができる。
【０００８】
さらに加えて本方法は、さらなる利点を提供する。焼結による熱処理の際に多層デバイスに生じる反りは、このデバイスの断面が小さいほど大きくなる、この熱処理は、本方法では個々に分離された部分ブロックで行われ、したがってこの反りはかなり小さくなっている。以上により、反りの生じた多層デバイスの過度に廃棄されることが避けられ、そしてこの反りを均すための大きな研磨しろを避けることができる。
【０００９】
個々の多層デバイスの機械的な損傷の虞、たとえばエッジの欠けは、大幅に低減される。これは上記の部分ブロックが非常に後の処理時点で漸く個々に分離されるからである。
【００１０】
それに沿って上記の部分ブロックが個々に分離される裁断面が、上記の多層デバイスの表面品質に対する要求条件を既に満たすように、本方法を構成することができる。このためこの裁断面のさらなる加工は全く必要でない。このことは、それに沿って上記の部分ブロックが個々に分離される裁断面に対しても、またそれに沿ってこれらの部分ブロックが多層デバイス（複数）に個々に分離される裁断面に対しても当てはまる。
【００１１】
具体的には、上記の部分ブロックを裁断によって個々に分離することを、非常に高い精度で実施することができる。これにより、裁断による個々の分離は、上記の多層デバイスの寸法に対する非常に狭い許容誤差範囲を満足することができる。このようにして、たとえばｃｐｋ値のようなプロセス制御パラメータを良好に維持することを達成することができる。
【００１２】
本方法は、僅かな材料損失で実施することができる。具体的には、個々に分離した後の各々の多層デバイスを、たとえば研磨等でさらに加工する必要はなく、こうして本方法では材料損失が起こらない。
【００１３】
さらに本方法は、さらなるステップ、たとえば上記の部分ブロック（複数）に外部接続部を取り付けるステップを備えてよく、ここでこの外部接続部は完成した多層デバイスの接続のために用いられる。
【００１４】
上記のセラミック多層デバイスは、具体的には圧電多層デバイスであってよく、たとえば圧電アクチュエータであってよい。
【００１５】
上記の表面は上記の部分ブロックの側面の表面，この部分ブロックの上面，および／またはこの部分ブロックの下面であってよい。ここでこれらの上面および下面は、このブロックの積層方向において反対側にある。さらにこれらの側面は、それらのそれぞれの面法線がこの積層方向に対して垂直となるように配置されていてよい。
【００１６】
上記の長手方向は、この積層方向に対して垂直な方向であってよい。
【００１７】
さらに上記の部分ブロック（複数）は、上記の凹部に沿って個々に分離されてよい。この際これらの凹部は、これらの部分ブロックから個々に分離されることによって製造される多層デバイスの形状を規定することに寄与するように配設することができる。具体的には、これらの凹部は、これらの多層デバイスの設置面の角が切り取られた形状となるようにすることができる。以上によりこれらの多層デバイスは、それぞれの設置スペースに良好に合わせ込むことができる。たとえば１つの円筒形設置スペースに良好に合わせ込まれている多層デバイスを製造することができる。
【００１８】
さらに上記の機械加工のステップで生成された凹部（複数）は、上記の長手方向に対して横方向に延在してよい。これらの凹部の構成も上記の多層デバイスを所定の設置スペースに良好に合わせ込むことに寄与することができる。
【００１９】
上記の機械加工のステップでは、上記の部分ブロック（複数）の表面でのこれらの凹部は、グラインディングによって生成することができる。具体的にはこの機械加工のステップでは、これらの部分ブロックの表面は平坦に研磨され、そして当該ステップにおいて、これらの部分ブロックの表面にこれらの凹部をグラインディングによって生成することができる。以上によりこれらの表面における凹部の生成には、殆ど追加の手間が発生しない。
【００２０】
上記のグリーン層は、上記の熱処理するステップの後では、それぞれの部分ブロックにおいて、上下に重なったセラミック層およびこれらの間に配設された第１および第２の導電性の層を形成することができる。具体的には、これらのグリーン層は、１つの焼結処理によってこれらのセラミック層およびこれらの間に配設された導電性の層に転換することができる。さらにこれらの部分ブロックは、その表面の機械加工の後で、選択的なエッチングが行われてよく、ここでこの部分ブロックの１つの第１の側面上の上記の第１の導電性の層およびこれらの第１の側面に生成された凹部（複数）から、この選択的エッチングによって材料が除去され、そしてこの部分ブロックの１つの第２の側面上の上記の第２の導電性の層およびこれらの第２の側面に生成された凹部（複数）から、この選択的エッチングによって材料が除去される。
【００２１】
このエッチング処理によって絶縁ゾーン（複数）を形成することができる。具体的には、このエッチング処理では、それぞれの凹部において材料が除去されてよい。以上によりこれらの絶縁ゾーンは、部分ブロックの状態でこれらの凹部の領域においても形成することができる。これよりこの部分ブロックを個々に分離した後で、切り取られた角における絶縁ゾーンの形成のためのさらなる加工ステップは全く必要でない。
【００２２】
上記のエッチング処理は、上記の凹部においても、上記の部分ブロックの側面上での場合と全く同様に作用する。
【００２３】
上記の部分ブロック（複数）をこれらの凹部に沿って個々に分離することによって、鋭いエッジ（複数）が生じる。この際これらの鋭いエッジは、この個々に分離する前に機械加工された１つの側面での部位で生じ、上記の個々の分離の際に裁断面となり、それに沿って２つの多層デバイスが分離される１つの側面に突き当たる。上述した部分ブロックの選択的エッチングは、上記の個々の分離の前に、これらの鋭いエッジが１つの絶縁ゾーンに存在するようにするために用いられる。こうしてこれらの鋭いエッジに沿って、上記の第１の導電性の層かまたは上記の第２の導電性の層の材料が除去されている。こうして上記の個々の分離によって生成される鋭いエッジは、電気的には不活性に接続される。鋭いエッジは、丸められたエッジの場合よりも機械的損傷を受けやすいので、これらの鋭いエッジは１つの絶縁ゾーンに存在することが有利である。これらの鋭いエッジが１つの絶縁ゾーンに存在する場合、これらの鋭いエッジが機械的に損傷されても、これによりこの多層デバイスの動作には悪影響がない。
【００２４】
さらに上記の凹部（複数）はＶ形状であってよい。これらのＶ形状の凹部を上記の部分ブロック（複数）に形成することによって、八角形の設置面を有する柱状の多層デバイス（複数）が生成することができ、これらは円筒形状の設置スペースに良好に適合されている。
【００２５】
上記の凹部は、生成されるエッジが僅かに丸められているように形成されていてよい。具体的には、Ｖ形状の凹部（複数）は、このＶの頂部も、またこの凹部が終了する縁部においても、丸められて形成されていてよい。
【００２６】
本発明のもう１つの態様は、セラミック多層デバイスに関する。ここでこれは上述の方法で製造された多層デバイスであってよい。これに対応して、上記の方法に関して開示された機能的および構造的特徴に関する全ては、この多層デバイスにも当てはまり得るものである。この逆に、この多層デバイスに関して開示された機能的および構造的特徴に関する全ては、上記の方法にも当てはまり得るものである。
【００２７】
上下に重なって配設されたセラミック層（複数）およびこれらの間に配設された導電性の層（複数）を有する１つの基体を備える１つのセラミック多層デバイスが提示され、ここでこの基体は、角が切り取られた矩形の形状を有する設置面を備える。このような多層デバイスは、とりわけ良好に円筒状設置スペースに適合している。
【００２８】
このような多層デバイスは、上述した方法によって製造されてよく、ここでずっと後の処理時点で漸く上記の部分ブロック（複数）の多層デバイス（複数）への個々の分離が行われ、こうして上述の利点、たとえば製造の手間の低減が得られる。
【００２９】
上記の基体の設置面は好ましくは八角形である。
【００３０】
上記の設置面が有する矩形は、４つの側面を備えてよく、ここで上記の導電性の層（複数）の各々は、これらの４つの側面の１つの側面で、そしてこの側面に接する当該基体の角が切り取られた部分で、この基体１つの外側面から離間しており、そして他の側面ならびに他の角が切り取られた部分で、この基体の外側面まで達している。
【００３１】
本セラミック多層デバイスは、１つの圧電多層デバイスであってよく、あるいは１つの圧電アクチュエータであってよい。
【００３２】
上記の導電性の層（複数）は、銅，銀，および銀−パラジウムの材料の内の少なくとも１つの材料を含んでよい。具体的には、これらの導電性の層は、これらの材料の内の１つの材料から成っていてよい。
【００３３】
本発明のさらなる利点，有利な実施形態，および有用性が、以下の実施例の、図を参照した説明により示される。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】導電性の層（複数）が設けられたグリーン層（複数）の１つのブロックを概略的に示す。
【図２】上記のブロックから個々に分離された１つの部分ブロックを概略的に示す。
【図３】この部分ブロックの表面が機械加工された後の、この部分ブロックを示す。
【図４】図３に示す部分ブロックの１つの断面を示す。
【図５】図３に示す部分ブロックのもう１つの断面を示し、ここでこの断面は図４の断面のレベル面に隣接する１つのレベル面を通って延伸している。
【図６】部分ブロックの多層デバイス（複数）への個々の分離を示す。
【図７】製造処理が終了した後の１つの多層デバイスを斜視図で示す。
【００３５】
これらの図は、セラミック多層デバイスの１つの製造方法を示すものである。
【００３６】
図１は、１つのブロック１を示す。このブロック１は、好ましくは、重なって積層され、かつ導電性の層（複数）が設けられたグリーン層（複数）５から成る１つの積層体をプレスすることによって形成または製造されている。積層方向は、図１の方向Ｚに対応している。さらにこれらのグリーン層５は、好ましくは事前に準備され、そして好ましくはそれぞれ上記の導電性の層（複数）の少なくとも１つが設けられている。これらのグリーン層５は、生成される１つのセラミックまたはセラミック層用のシートであってよい。これらの導電性の層は、たとえばシルクスクリーン印刷を用いて、これらのセラミックシート上に印刷されてよい。完成した多層デバイスにおいては、これらの導電性の層は内部電極（複数）を形成する。
【００３７】
上記のグリーン層（複数）５が設けられている導電性の層（複数）を積層した後は、好ましくは２つの隣接するグリーン層５の間には少なくとも１つの導電性の層が存在する。
【００３８】
ブロック１は、１つの長手方向Ｘを有する。この長手方向Ｘは上記の積層方向Ｚに対して垂直となっている。
【００３９】
ブロック１は、プレスされた後、部分ブロック（複数）３に個々に分離される。このような部分ブロック３の１つが図２に示されている。部分ブロック（複数）３の輪郭が図１に切れ目すなわち裁断方向２によって示されている。個々に分離するとは、好ましくはこのブロック１を部分ブロック（複数）３に裁断することである。
【００４０】
この裁断２は、この個々の分離の際に、好ましくは長手方向Ｘに対し平行および垂直で行われる。具体的には、「長手方向Ｘに対し垂直」とは、好ましくはこの長手方向に対する横方向である。この長手方向に対して垂直な方向は、Ｙ方向と呼ばれる。長手方向Ｘに対して垂直すなわち横方向で、このブロック１は好ましくは１回だけ裁断される。代替としてこのブロック１は、長手方向Ｘに対して横方向で複数回裁断されてよい。長手方向Ｘに対して横方向で裁断された部分ブロック（複数）３の数は、２〜１０であってよい。この長手方向Ｘに対して垂直または横方向Ｘでの裁断が全く行われないことも可能である。
【００４１】
この長手方向Ｘにおいて、このブロック１は好ましくは多数回（図１ではたとえば４回）裁断される。ここで上記の裁断２は、長手方向に対して平行に延伸している。長手方向Ｘで裁断される部分ブロック３の数は、たとえば２〜５０であってよい。このブロック１は、個々に分離される際に、Ｘ方向における裁断２によって、好ましくはＹ方向における裁断２よりも多数回裁断される。ここでこれらの部分ブロック３の裁断面は、好ましくは所望の表面品質への要求を、たとえば表面粗さに関して既に満たしている。
【００４２】
図２は、上記のブロック１から個々に分離された部分ブロック（複数）３に対し、１つの部分ブロック３または棒状体を例示的に示す。
【００４３】
さらに本発明よる方法は、上記のブロック１を部分ブロック（複数）３に個々に分離した後に、これらの部分ブロック３を熱処理することを含む。この熱処理は、これらの部分ブロック３から炭素を除去するために、たとえば低酸素の雰囲気でのこれらの部分ブロック３の脱炭を含んでよい。この低酸素雰囲気は、酸素分圧が低減された雰囲気であってよい。低減された酸素分圧によって、特にたとえば銅（Ｃｕ）から成る導電性の層の酸化が防止または制限され得る。好ましくはこの脱炭の後に、この熱処理はこれらのグリーン層を焼結してセラミックとすることを含む。
【００４４】
この熱処理によって、これらのグリーン層は、その間に配設された導電性の層１２，１３を有するセラミック層（複数）に転換することができる。具体的には、それぞれの部分ブロック３は、この熱処理後には交互に積層されたセラミック層と導電性の層１２，１３とを備え、ここでさらに第１の導電性の層１２と第２の導電性の層１３とが積層方向Ｚで交互になっている。これらの第１の導電性の層１２は、それぞれの部分ブロック３の１つの第３の側面６まで達しており、そしてそれぞれの部分ブロック３の１つの第４の側面７から離間している。さらにこれらの第２の導電性の層１３は、それぞれの部分ブロック３の１つの第４の側面７まで達しており、そしてそれぞれの部分ブロック３の１つの第３の側面６から離間している。
【００４５】
さらに本方法は、好ましくは上記の熱処理の後に、部分ブロック３の上面４および下面１０の上記の機械加工、および／または側面６，７，８，９の上記の機械加工を含む。ここでこの部分ブロック３の上面４および下面１０の面法線（複数）は、積層方向Ｚに対して平行になっている。以上によりこの上面４とこの下面１０とは、積層方向Ｚにおいて反対側にある。これらの側面６，７，８，９は、この部分ブロックのそれぞれの外側面であり、それらの面法線はこの積層方向に対して垂直となっている。第３および第４の側面６，７は、長手方向Ｘにおいて反対側にある。第１および第２の側面８，９は、Ｙ方向において反対側にある。
【００４６】
図３は、その表面（複数）の機械加工のステップの後の、１つの部分ブロックを示す。この機械加工のステップは、これらの表面のグラインディングを含んでよい。これらの表面は、具体的には側面６，７，８，９の表面である。これらの側面６，７，８，９の表面は研磨される。追加的に凹部（複数）１１が、第１および第２の側面８，９の表面に生成される。これらの凹部１１は、積層方向Ｚにおいて延在しており、すなわち側面８，９に沿った長手方向Ｘに対して垂直となっている。これらの凹部１１はＶ形状であってよい。
【００４７】
これらの凹部１１は、裁断線２に沿って設けられていてよく、これらの凹部に沿って、後の処理ステップにおいて部分ブロック（複数）３が個々に分離される。これらの凹部１１は、グラインディングによって生成される。具体的にはこれらの凹部１１は、同じ処理ステップにおいて生成することができ、このステップでは側面６，７，８，９の表面も研磨される。
【００４８】
さらに上面４および下面１０の表面も、たとえば研磨を用いて、機械加工されてよい。部分ブロック３の上面４および下面１０上にも凹部（複数）１１が生成されてよく、ただしこれらの凹部は、図３に示す実施形態例では設けられていない。これらの上面４および下面１０上の凹部１１は、Ｙ方向に延在しており、すなわち長手方向Ｘに対して垂直となっており、そして積層方向Ｚに対して垂直になっている。上面４の表面および下面１０の表面上のこれらの凹部１１も、それに沿って裁断部（複数）２が延伸している部位（複数）に設けられてよく、後でこれらの裁断部で部分ブロック３が個々に分離される。
【００４９】
これらの凹部１１によって、部分ブロック３の外形が決定される。
【００５０】
続いて個々に分離された部分ブロック３の各々が選択的にエッチングされる。この際導電性の層１２，１３の一部が、それぞれこの部分ブロック３の１つの側面８，９上で除去される。この選択的エッチングのために、各々の部分ブロック３には、まず、導電性の層１２と接続されている１つの第１の補助電極（不図示）、および導電性の層１３と接続されている１つの第２の補助電極（不図示）が設けられる。これらの補助電極はそれぞれ、長手方向Ｘにおいて反対側にある側面６，７上に取り付けられる。
【００５１】
ここでこの部分ブロック３の少なくとも一部にエッチング剤が塗布される。具体的には、このエッチング剤は、第１の側面８およびこの第１の側面８に生成された凹部（複数）１１に塗布される。次に上記の第１および第２の補助電極に電圧が印加され、これによって少なくとも第１および第２の導電性の層１２，１３の内の１つの導電層からの材料除去が行われる。この部分ブロック３は、このエッチング剤を塗布するために、たとえばエッチング剤に部分的に浸漬されてよい。
【００５２】
続いて、第２の側面９上に、そしてこの第２の側面９における凹部（複数）１１にエッチング剤が塗布され、そして上記の第１および第２の補助電極に逆極性の電圧が印加され、こうしてここで第２の側面９上の第１および第２の導電性の層１２，１３の内のもう１つの導電層およびこの第２の側面９における凹部（複数）１１の材料が除去される。
【００５３】
図４は、部分ブロック３の１つの断面を示し、ここでこの断面は、１つの第１の導電性の層１２が存在するレベル面におけるものである。この第１の導電性の層１２の材料は、第１の側面８上並びにこの第１の側面における凹部（複数）１１において除去されている。以上により、ここでこの第１の導電性の層１２は、この部分ブロック３の第１の側面８まで達していない。
【００５４】
図５は、１つのレベル面を通る１つの断面を示し、ここでこのレベル面は、図４に示すレベル面に隣接し、かつこのレベル面には１つの第２の導電性の層１３が存在している。ここではこの第２の導電性の層１３の材料は、第２の側面９上およびこの第２の側面９における凹部（複数）１１において除去されている。
【００５５】
図６は、上記の部分ブロック（複数）３をその長手方向Ｘに対して横方向で個々に分離して、個々のセラミック多層デバイスにすることを示す。
【００５６】
上記の選択的エッチングの後で、そして上記の個々の分離の前に、各々の部分ブロック３には外部電極１４が設けられている。これらの外部電極１４は、好ましくは部分ブロック３の第１および第２の側面８，９上に塗布されるかまたは堆積される。
【００５７】
上述の選択的エッチングによって、こうして上記の部分ブロック（複数）３は、第１の側面８上においては第２の導電性の層１３のみがこの第１の側面８まで達し、そして第２の側面９上においては第１の導電性の層１２のみがこの第２の側面９まで達するように構成されている。これらの部分ブロック３に外部電極１４を設ける際には、したがってこれらの側面８，９上では、導電性の層１２，１３が１つおきにのみそれぞれの外部電極１４と接続され、および／または電気的に導通して結合される。
【００５８】
上記の部分ブロック３は、上記の裁断部２に沿って個々に分離される。この個々の分離は、これらの部分ブロックの裁断によって行われる。ここでこれらの裁断面は、好ましくは所望の表面品質への要求を、たとえば表面粗さに関して既に満たしている。
【００５９】
図７は、上記の部分ブロック３の個々の分離によって製造された１つの多層デバイス１００を示す。
【００６０】
この部分ブロック３の個々の分離によって、角が切り取られた１つの矩形の形状を有する設置面を備える多層デバイス１００が生成される。ここでこの角の切り取りは、この部分ブロック３における凹部（複数）１１によって決定される。第１の導電性の層（複数）１２は、第２の側面９においては、この切り取られた角まで達しており、この角は第２の側面９に接しており、そしてこれらの第１の導電性の層は、外側面まで達している。第１の側面８上では、そしてこの第１の側面８に接する角においては、これらの第１の導電性の層は、外側面まで達していない。このためこれらの第１の導電性の層１２は、図７に示す斜視図では、点線で示されている。
【００６１】
さらに第２の導電性の層（複数）１３は、第１の側面８においては、この切り取られた角まで達しており、この角は第１の側面８に接しており、そしてこれらの第２の導電性の層は、外側面まで達している。第２の側面９上では、そしてこの第２の側面９に接する角においては、これらの第１の導電性の層は、外側面まで達していない。
【００６２】
上記の個々の分離の後では、このセラミック多層デバイス１００の側面６，７，８，９の熱的および／または機械的処理は最早必要でない。
【００６３】
上記の部分ブロック（複数）をセラミック多層デバイス（複数）１００に個々に分離した後に、本発明による方法は、これらの個々のセラミック多層デバイス１００を最終的に完成するさらなる処理ステップを含む。
【００６４】
上述の本発明による方法は、Ｃｕ内部電極を有する多層圧電アクチュエータの製造で利用することができる。さらに、他の電極タイプ、たとえばＡｇまたはＡｇＰｄからなるものを有するデバイスまたはアクチュエータも同様にして処理または製造することができる。
【００６５】
本発明の技術は他の製品でも、たとえば多層セラミックコンデンサでも利用することができ、ここでこれらの多層の部品または多層デバイスは、多くの処理ステップに渡ってブロックの一部としてまたは全ブロックとして加工され、個々に加工されることはない。
【符号の説明】
【００６６】
１  ：  ブロック
２  ：  裁断部または裁断方向
３  ：  部分ブロック
４  ：  上面
５  ：  グリーン層
６  ：  第３の側面
７  ：  第４の側面
８  ：  第１の側面
９  ：  第２の側面
１０  ：  下面
１１  ：  凹部
１２  ：  第１の導電性の層
１３  ：  第２の導電性の層
１４  ：  外部電極
１００  ：  多層デバイス
Ｘ      ：  長手方向
Ｙ      ：  Ｙ方向
Ｚ      ：  積層方向
【図１】
0006383095.tif 000002
【図２】
0006383095.tif 000003
【図３】
0006383095.tif 000004
【図４】
0006383095.tif 000005
【図５】
0006383095.tif 000006
【図６】
0006383095.tif 000007
【図７】
0006383095.tif 000008