(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント処理において、前記基板上における前記インプリント材の液滴の供給位置を示すマップを生成する生成方法であって、
前記モールドのパターン領域のうちの第１寸法の第１パターンが形成された領域に対応する前記基板上の第１領域における前記インプリント材の液滴の第１供給位置を示す第１マップを生成する第１工程と、
前記パターン領域のうちの前記第１寸法よりも大きい寸法の第２パターンが形成された領域に対応する前記基板上の第２領域における前記インプリント材の液滴の第２供給位置を示す第２マップを生成する第２工程と、
前記第１マップと前記第２マップとを合成して前記マップを生成する第３工程と、を有し、
前記第３工程は、前記第１マップと前記第２マップとを合成する際に、前記第１マップにおける前記インプリント材の液滴の前記第１供給位置のうち、前記第１供給位置と当該第１供給位置に隣接する前記第２供給位置との間隔が許容範囲外の前記インプリント材の液滴の供給位置について、前記間隔が前記許容範囲内に収まるように、前記第１供給位置を調整する調整工程を含むことを特徴とする生成方法。
【請求項２】
前記調整工程では、前記第１マップにおける前記インプリント材の液滴の前記第１供給位置のうち、前記許容範囲の上限を超える前記インプリント材の液滴の供給位置について、前記インプリント材の液滴の第１供給位置を前記第２供給位置に近づけるように、前記第１供給位置を調整する請求項１に記載の生成方法。
【請求項３】
前記許容範囲の上限は、前記基板上に前記インプリント材の液滴を供給してから前記モールドと前記インプリント材の液滴とが接触するまでの間に前記基板上で隣接する前記インプリント材の液滴同士が接触するために離間可能な最大の間隔に基づいて決定されることを特徴とする請求項２に記載の生成方法。
【請求項４】
前記調整工程では、前記第１マップにおける前記インプリント材の液滴の前記第１供給位置のうち、前記許容範囲の下限を超える前記インプリント材の液滴の供給位置について、前記インプリント材の液滴の第１供給位置を前記第２供給位置から遠ざけるように、前記第１供給位置を調整する請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の生成方法。
【請求項５】
前記許容範囲の下限は、前記モールドを用いて前記基板上にインプリント材のパターンを形成したときに前記基板上に形成すべき前記インプリント材の厚さに基づいて決定されることを特徴とする請求項４に記載の生成方法。
【請求項６】
モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント処理において、前記基板上における前記インプリント材の液滴の供給位置を示すマップを生成する生成方法であって、
前記モールドのパターン領域のうちの第１寸法の第１パターンが形成された領域に対応する前記基板上の第１領域における第１サイズの液滴の第１供給位置を示す第１マップを生成する第１工程と、
前記モールドのパターン領域のうちの前記第１寸法よりも大きい寸法の第２パターンが形成された領域に対応する前記基板上の第２領域における前記第１サイズよりも小さい第２サイズの液滴の第２供給位置を示す第２マップを生成する第２工程と、
前記第１マップと前記第２マップとを合成して前記マップを生成する第３工程と、を有し、
前記第３工程は、互いに隣接する前記第２サイズの液滴の間隔が許容範囲内に収まるように、前記第２供給位置を調整する調整工程を含むことを特徴とする生成方法。
【請求項７】
前記許容範囲は、前記基板上に前記インプリント材の液滴を供給してから前記モールドと前記インプリント材の液滴とが接触するまでの間に前記基板上で隣接する前記インプリント材の液滴同士が接触するために離間可能な最大の間隔、及び、前記モールドを用いて前記基板上にインプリント材のパターンを形成したときに前記基板上に形成すべき前記インプリント材の厚さに基づいて決定されることを特徴とする請求項６に記載の生成方法。
【請求項８】
モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント処理において、前記基板上における前記インプリント材の液滴の供給位置を示すマップを生成する処理を行う処理部を有する情報処理装置であって、
前記処理部は、
前記モールドのパターン領域のうちの第１寸法の第１パターンが形成された領域に対応する前記基板上の第１領域における前記インプリント材の液滴の第１供給位置を示す第１マップを生成する第１工程と、
前記パターン領域のうちの前記第１寸法よりも大きい寸法の第２パターンが形成された領域に対応する前記基板上の第２領域における前記インプリント材の液滴の第２供給位置を示す第２マップを生成する第２工程と、
前記第１マップと前記第２マップとを合成して前記マップを生成する第３工程と、を行い、
前記第３工程は、前記第１マップと前記第２マップとを合成する際に、前記第１マップにおける前記インプリント材の液滴の前記第１供給位置のうち、前記第１供給位置と当該第１供給位置に隣接する前記第２供給位置との間隔が許容範囲外の前記インプリント材の液滴の供給位置について、前記間隔が前記許容範囲内に収まるように、前記第１供給位置を調整する調整工程を含むことを特徴とする情報処理装置。
【請求項９】
モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント処理において、前記基板上における前記インプリント材の液滴の供給位置を示すマップを生成する処理を行う処理部を有する情報処理装置であって、
前記処理部は、
前記モールドのパターン領域のうちの第１寸法の第１パターンが形成された領域に対応する前記基板上の第１領域における第１サイズの液滴の第１供給位置を示す第１マップを生成する第１工程と、
前記モールドのパターン領域のうちの前記第１寸法よりも大きい寸法の第２パターンが形成された領域に対応する前記基板上の第２領域における前記第１サイズよりも小さい第２サイズの液滴の第２供給位置を示す第２マップを生成する第２工程と、
前記第１マップと前記第２マップとを合成して前記マップを生成する第３工程と、を行い、
前記第３工程は、互いに隣接する前記第２サイズの液滴の間隔が許容範囲内に収まるように、前記第２供給位置を調整する調整工程を含むことを特徴とする情報処理装置。
【請求項１０】
モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の生成方法を用いて、前記基板上における前記インプリント材の液滴の供給位置を示すマップを生成する工程と、
前記マップに従って、前記基板上に前記インプリント材の液滴を供給する工程と、
前記基板上に供給された前記インプリント材の液滴を前記モールドで成形する工程と、
を有することを特徴とするインプリント方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載のインプリント方法を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成する工程と、
前記工程で前記パターンが形成された基板を加工する加工工程と、を有し、
前記加工工程により加工された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、生成方法、情報処理装置、インプリント方法及び物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インプリント技術は、ナノスケールの微細パターンの転写を可能にする技術であり、半導体デバイスや磁気記憶媒体の量産用ナノリソグラフィ技術の１つとして注目されている。インプリント技術を用いたインプリント装置は、パターンが形成されたモールド（原版）と基板上の樹脂（インプリント材）とを接触させた状態で樹脂を硬化させ、硬化した樹脂からモールドを引き離すことで基板上にパターンを形成する。かかるインプリント装置では、樹脂硬化法として、一般に、紫外線などの光の照射によって基板上の樹脂を硬化させる光硬化法が採用されている。また、インプリント装置では、基板上に樹脂を供給（塗布）する際に、例えば、インクジェット法を用いて基板上に樹脂の液滴の配列を形成している。
【０００３】
インプリント装置では、モールドのパターンへの樹脂の充填が不十分（未充填）である場合、基板上に形成されるパターンに欠陥が生じる。このような樹脂の充填不足に起因するパターンの欠陥を低減するためには、モールドと基板上の樹脂とを接触させてから光を照射するまでの時間（充填時間）を長くして、樹脂がモールドのパターンに完全に充填されるまで待つ必要がある。但し、モールドのパターンへの樹脂の充填時間が長くなると、スループットが低下するという問題が生じる。
【０００４】
モールドのパターン領域は、一般に、デバイスの配線部となるラインアンドスペースなど（密度が高く、微細なパターン）が形成された通常領域と、ダミーパターンやアライメントマークなど（密度が低く、面積が広いパターン）が形成された特殊領域とを含む。モールドのパターン領域のうち、通常領域では、樹脂の充填時間が短く、特殊領域では、樹脂の充填時間が長くなる傾向がある。従って、樹脂の充填時間は、特殊領域での樹脂の充填時間を基準として決定される。また、特殊領域は、その面積が大きく、必要とする樹脂の量も比較的多いため、基板上に形成される残膜厚（モールドのパターン領域の凸部と基板との間に形成される樹脂の膜厚）が他の領域と比較して均一になりにくい。スループットを向上させるためには、特殊領域において、樹脂の未充填の防止及び残膜厚の均一性を実現しながら、樹脂の充填時間を通常領域と同等にすることが必要である。そこで、モールドのパターン領域、特に、特殊領域に対応する基板上の領域における樹脂の液滴の供給位置を示すマップ（樹脂塗布パターン）を最適化する技術が提案されている（特許文献１及び２参照）。
【０００５】
特許文献１には、モールドのパターンの設計情報に基づいて、モールドのパターン領域を特殊領域と特殊領域以外の領域とに分けて樹脂の液滴の供給位置を示すマップをそれぞれ設定する技術が開示されている。かかる技術では、モールドのパターン領域から、大きな寸法のパターン（大パターン）が形成された領域である特殊領域を予め抽出し、かかる特殊領域に対応する基板上の領域における樹脂の液滴の供給位置を、大パターンから所定の範囲内に設定する。次いで、特殊領域を除いた残りの領域に対応する基板上の領域における樹脂の液滴の供給位置を設定する。
【０００６】
特許文献２には、モールドのパターンの密度及び形状（寸法）に基づいて、モールドのパターン領域を複数の領域に分割し、かかる複数の領域のそれぞれに対応する基板上の領域ごとに供給すべき樹脂の量（供給量）を決定する技術が開示されている。かかる技術では、モールドのパターンの寸法と樹脂の充填時間との関係に基づいて、基板上の領域ごとに樹脂の供給量が決定される。また、決定された樹脂の供給量が所定の時間内にモールドのパターンに充填されるかどうかを判定し、所定の時間内に充填されないと判定された場合には、所定時間内に充填されるように、樹脂の供給量が補正される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１３−１９７３８９号公報
【特許文献２】特許第５２８９００６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１では、モールドの特殊領域の直下や近傍に樹脂の液滴を供給することで、特殊領域における樹脂の充填時間を短くすることが可能である。しかしながら、モールドの特殊領域の内部に供給される樹脂の液滴の数が少ない場合には、樹脂の未充填が発生したり、残膜厚が薄くなったりする可能性がある。このように、モールドの特殊領域の直下や近傍に樹脂の液滴を供給するだけでは、充填時間を短くすることはできても、欠陥がなく、残膜厚が均一なパターン（インプリント結果）を得ることは難しい。
【０００９】
また、特許文献２では、ラインアンドスペースが形成された通常領域、及び、特殊パターンであるコンタクトホールが形成された特殊領域のそれぞれについて、モールドのパターンの寸法と樹脂の充填時間との関係に基づいて、樹脂塗布パターンを生成している。この際、特殊領域では通常領域よりも充填時間が長くなるため、特殊領域への樹脂の供給量を増やすように補正している。しかしながら、特許文献２は、短時間で充填可能な樹脂の供給量を求めることを開示しているだけであって、特殊領域に対して、樹脂の液滴の供給位置を具体的にどのように設定しているのかを開示していない。従って、特許文献２では、モールドのパターンへの樹脂の充填時間を短くすることはできても、樹脂の液滴の配置が考慮されていない領域では、残膜厚が均一にならない可能性がある。このように、特許文献２においても、欠陥がなく、残膜厚が均一なパターンを得ることは難しい。
【００１０】
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、インプリント材の充填時間を短くし、残膜厚の均一性を実現する上で有利な樹脂の液滴の供給位置を示すマップを生成する生成方法を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての生成方法は、モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント処理において、前記基板上における前記インプリント材の液滴の供給位置を示すマップを生成する生成方法であって、前記モールドのパターン領域のうちの第１寸法の第１パターンが形成された領域に対応する前記基板上の第１領域における前記インプリント材の液滴の第１供給位置を示す第１マップを生成する第１工程と、前記パターン領域のうちの前記第１寸法よりも大きい寸法の第２パターンが形成された領域に対応する前記基板上の第２領域における前記インプリント材の液滴の第２供給位置を示す第２マップを生成する第２工程と、前記第１マップと前記第２マップとを合成して前記マップを生成する第３工程と、を有し、前記第３工程は、前記第１マップと前記第２マップとを合成する際に、前記第１マップにおける前記インプリント材の液滴の前記第１供給位置のうち、前記第１供給位置と当該第１供給位置に隣接する前記第２供給位置との間隔が許容範囲外の前記インプリント材の液滴の供給位置について、前記間隔が前記許容範囲内に収まるように、前記第１供給位置を調整する調整工程を含むことを特徴とする。
【００１２】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、例えば、インプリント材の充填時間を短くし、残膜厚の均一性を実現する上で有利な樹脂の液滴の供給位置を示すマップを生成する生成方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】インプリント装置の構成を示す概略図である。
【図２】生成部の構成を示す概略図である。
【図３】インプリント処理を説明するためのフローチャートである。
【図４】インプリント処理を説明するための図である。
【図５】インプリント処理を説明するための図である。
【図６】第１の実施形態におけるマップを生成する処理を説明するためのフローチャートである。
【図７】供給量分布情報の一例を示す図である。
【図８】特殊領域情報の一例を示す図である。
【図９】特殊領域を説明するための図である。
【図１０】中間マップの一例を示す図である。
【図１１】特殊マップの一例を示す図である。
【図１２】図１０に示す中間マップと、図１１に示す特殊マップとを合成して得られるマップを示す図である。
【図１３】最終的なマップの一例を示す図である。
【図１４】図６に示すＳ２０３からＳ２０５までの処理を詳細に説明するためのフローチャートである。
【図１５】図１０に示す中間マップの一部を拡大して示す図である。
【図１６】図１１に示す特殊マップの一部を拡大して示す図である。
【図１７】図１５に示す中間マップと図１６に示す特殊マップとを合成した合成マップを示す図である。
【図１８】最終的なマップの一例を示す図である。
【図１９】第２の実施形態におけるマップを生成する処理を説明するためのフローチャートである。
【図２０】中間マップの一例を示す図である。
【図２１】参照マップの一例を示す図である。
【図２２】最終的なマップの一例を示す図である。
【図２３】図１９に示すＳ４０３からＳ４０５までの処理を詳細に説明するためのフローチャートである。
【図２４】図２０に示す中間マップの一部を拡大して示す図である。
【図２５】図２１に示す特殊マップの一部を拡大して示す図である。
【図２６】図２０に示す中間マップの一部を拡大して示す図である。
【図２７】最終的なマップの一例を示す図である。
【図２８】ディスペンサから吐出された樹脂の基板上での拡がりの状態を示す図である。
【図２９】樹脂の液滴の体積量と液滴の拡がり時間との関係を示す図である。
【図３０】第３の実施形態におけるマップを生成する処理を説明するためのフローチャートである。
【図３１】特殊マップの一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１６】
図１は、インプリント装置１００の構成を示す概略図である。インプリント装置１００は、半導体デバイスなどの製造プロセスで使用されるリソグラフィ装置である。インプリント装置１００は、基板上のインプリント材をモールドで成形するインプリント処理を行う。インプリント装置１００は、基板上のインプリント材とモールドとを接触させた状態でインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材からモールドを引き離す（離型する）ことで基板上にパターンを形成する。本実施形態では、インプリント材として、樹脂を使用し、樹脂硬化法として、紫外線の照射によって樹脂を硬化させる光硬化法を採用する。但し、本発明は、樹脂硬化法を限定するものではなく、熱によって樹脂を硬化させる熱硬化法を採用してもよい。
【００１７】
インプリント装置１００は、モールド１０１を保持するヘッド１０２と、照射部１０３と、基板１０４を保持するステージ１０５と、ディスペンサ１１０と、樹脂供給部１１１と、制御部１３０と、格納部１３１と、生成部１３２とを有する。
【００１８】
モールド１０１は、基板１０４に対向する面に、基板１０４に供給された樹脂１２０に転写すべきパターンが形成されたパターン領域１０１ａを有する。モールド１０１は、例えば、矩形の外形形状を有する。モールド１０１は、基板上の樹脂１２０を硬化させるための紫外線を透過する材料、例えば、石英などで構成されている。
【００１９】
ヘッド１０２は、モールド１０１を真空吸引力又は静電気力によって保持（固定）する。ヘッド１０２は、モールド１０１をｚ軸方向に駆動する（移動させる）駆動機構を含む。ヘッド１０２は、基板上に供給された未硬化の樹脂１２０にモールド１０１を押印する機能、及び、基板上の硬化した樹脂１２０からモールド１０１を引き離す機能を有する。
【００２０】
照射部１０３は、基板上の樹脂１２０を硬化させる機能を有する。照射部１０３は、例えば、ハロゲンランプやＬＤＥなどを含み、モールド１０１を介して、基板上の樹脂１２０に紫外線を照射する。
【００２１】
基板１０４は、モールド１０１のパターンが転写される基板であって、例えば、単結晶シリコン基板やＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板などを含む。
【００２２】
ステージ１０５は、基板１０４を保持する基板チャックと、モールド１０１と基板１０４との位置合わせ（アライメント）を行うための駆動機構とを含む。かかる駆動機構は、例えば、粗動駆動系と微動駆動系とで構成され、ｘ軸方向及びｙ軸方向に基板１０４を駆動する（移動させる）。また、かかる駆動機構は、ｘ軸方向及びｙ軸方向だけではなく、ｚ軸方向及びθ（ｚ軸周りの回転）方向に基板１０４を駆動する機能や基板１０４の傾きを補正するためのチルト機能を備えていてもよい。
【００２３】
樹脂供給部１１１は、未硬化の樹脂１２０を保管するタンクを含む。樹脂供給部１１１は、供給管を介して、ディスペンサ１１０に対して未硬化の樹脂１２０を供給する。
【００２４】
ディスペンサ１１０は、例えば、基板１０４に対して樹脂１２０の液滴を吐出する複数のノズルを含み、基板上に樹脂１２０を供給（塗布）する。ディスペンサ１１０における樹脂１２０の供給量の単位は「滴」であり、樹脂１２０の１滴あたりの量は、数ピコリットルである。また、ディスペンサ１１０から樹脂１２０を滴下可能な基板上の位置は、数μｍごとと決まっている。
【００２５】
樹脂供給部１１１からディスペンサ１１０に樹脂１２０を供給しながらステージ１０５を駆動（スキャン駆動又はステップ駆動）させるとともに、ディスペンサ１１０から樹脂１２０の液滴を吐出することで、基板上に樹脂１２０の液滴の配列が形成される。
【００２６】
制御部１３０は、ＣＰＵやメモリなどを含み、インプリント装置１００の全体（動作）を制御する。制御部１３０は、インプリント装置１００の各部を制御して、インプリント処理を行う。また、制御部１３０は、生成部１３２を制御してインプリント処理に使用するマップを生成し、かかるマップを格納部１３１に格納する。ここで、マップとは、樹脂１２０の液滴の基板上における供給位置を示すものであって、樹脂塗布パターン、インプリントレシピ、ドロップレシピなどとも呼ばれる。
【００２７】
図２は、マップを生成する生成部１３２の構成を示す概略図である。生成部１３２は、マップを処理する処理部を備えた情報処理装置で構成され、設計情報設定部１５０と、パラメータ設定部１５１と、抽出部１５２と、液滴数算出部１５３と、決定部１５４と、出力部１５５とを含む。
【００２８】
設計情報設定部１５０は、モールド１０１に形成されているパターンの設計情報を設定（入力）する。パラメータ設定部１５１は、モールド１０１（パターン領域１０１ａ）の面積やパターン部の凹凸形状の深さ、残膜厚（ＲＬＴ）などの設定情報、樹脂１２０の拡がりに関する情報を設定（入力）する。また、パラメータ設定部１５１は、モールド１０１のパターンの凹部への樹脂１２０の充填時間、基板上で必要な樹脂１２０の液滴の間隔などの制約条件を設定する。
【００２９】
抽出部１５２は、設計情報設定部１５０で設定された設計情報に基づいて、モールド１０１のパターン領域１０１ａから特殊領域を抽出し、本実施形態では、特殊領域の位置、サイズ及び形状を特殊領域情報として抽出する。特殊領域とは、ダミーパターンやアライメントマークなどの大きな寸法のパターンやパターン周囲長が長いパターンが形成された領域であって、樹脂１２０の充填に長い時間を必要とする領域である。
【００３０】
液滴数算出部１５３は、インプリント処理を行う基板上のインプリント領域に供給すべき樹脂１２０の供給量、即ち、樹脂１２０の液滴数を算出する。液滴数算出部１５３は、例えば、設計情報設定部１５０で設定された設計情報、抽出部１５２で抽出された特殊領域情報、モールド１０１の面積や凹凸深さ、残膜厚、ディスペンサ１１０からの樹脂１２０の液滴の体積などに基づいて、液滴数を算出する。
【００３１】
決定部１５４は、基板上における樹脂１２０の液滴の配列、即ち、樹脂１２０の液滴の供給位置を決定する。決定部１５４は、例えば、設計情報設定部１５０で設定された設計情報、抽出部１５２で抽出された特殊領域情報、液滴数算出部１５３で算出された樹脂１２０の液滴数、及び、パラメータ設定部１５１で設定された制約情報に基づいて、供給位置を決定する。
【００３２】
出力部１５５は、決定部１５４で決定された基板上における樹脂１２０の液滴の供給位置に基づいて、指摘された形式でマップを出力する。出力部１５５で出力されたマップは、格納部１３１に格納される。
【００３３】
インプリント装置１００では、生成部１３２で生成され、格納部１３１に格納されたマップをディスペンサ１１０に設定し、かかるマップに従って、ディスペンサ１１０における各ノズルの液滴の吐出を制御する。
【００３４】
インプリント装置１００におけるインプリント処理について詳細に説明する。図３は、インプリント装置１００におけるインプリント処理を説明するためのフローチャートである。インプリント処理は、上述したように、制御部１３０がインプリント装置１００の各部を統括的に制御することで行われる。
【００３５】
Ｓ１００では、基板１０４に形成すべきパターンを形成可能なモールド１０１をインプリント装置１００に搬入し、かかるモールド１０１をヘッド１０２に保持させる。モールド１０１は、例えば、フォトマスクに用いる透明な石英基板に、設計情報に対応する凹凸のパターンが形成されたものである。モールド１０１には、一般的に、そのパターンを識別するためのＩＤが設定されている。
【００３６】
Ｓ１０１では、ヘッド１０２に保持されたモールド１０１のＩＤを読み取り、かかるＩＤに基づいて、モールド１０１のパターン情報、具体的には、パターンの配置、線幅及び密度、或いは、パターンの形状の計測結果などを取得する。
【００３７】
Ｓ１０２では、インプリント装置１００に搭載されたディスペンサ１１０に関するディスペンサ情報を取得する。ここで、ディスペンサ情報は、例えば、ディスペンサ１１０の種類及びノズル数、吐出性能である平均吐出量、ノズルごとの吐出量のばらつき、基板上での着弾位置のばらつきなどを含む。ディスペンサ１１０には、一般には、そのディスペンサ情報を識別するためのＩＤが設定されているため、かかるＩＤを読み取ることで、インプリント装置１００に搭載されたディスペンサ１１０に関するディスペンサ情報を取得することができる。
【００３８】
Ｓ１０３では、基板１０４をインプリント装置１００に搬入し、図４（ａ）に示すように、かかる基板１０４をステージ１０５に保持させる。
【００３９】
Ｓ１０４では、Ｓ１０１で取得したモールド１０１のパターン情報と、Ｓ１０２で取得したディスペンサ１１０のディスペンサ情報とに基づいて、格納部１３１に格納されたマップから最適なマップを選択し、かかるマップをディスペンサ１１０に設定する。上述したように、マップは、樹脂１２０の液滴の基板上における供給位置を示すものである。マップは、モールド１０１のパターンの配置、線幅及び密度などのパターン情報に基づいて生成される。マップは、目標とする充填時間に対して、欠陥や残膜厚の異常のないインプリント処理が可能なように最適化されている。
【００４０】
Ｓ１０５では、基板のショット領域のうち、インプリント処理が行われていないショット領域を対象ショット領域として指定する。ここで、ショット領域とは、１回のインプリント処理でパターンが形成される領域を意味するものとする。また、対象ショット領域とは、これからインプリント処理を行うショット領域を意味するものとする。本実施形態では、例えば、図４（ｂ）に示すように、基板１０４において連続するショット領域Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、・・・の順にインプリント処理を行う。但し、インプリント処理の順序は、図４（ｂ）に示すようなものに限定されるものではなく、千鳥格子順であってもよいし、ランダムであってもよい。
【００４１】
Ｓ１０６では、ディスペンサ１１０によって、基板上に樹脂１２０を供給する。この際、ディスペンサ１１０は、図４（ｃ）に示すように、Ｓ１０４で設定されたマップに従って、ステージ１０５の移動に応じて基板上に樹脂１２０の液滴を順次吐出する。また、ディスペンサ１１０が基板１０４に対して移動しながら樹脂１２０の液滴を基板上に吐出してもよい。
【００４２】
Ｓ１０７では、押印処理を行う。具体的には、まず、図５（ａ）に示すように、樹脂１２０が供給された基板１０４に対して、モールド１０１を近接させる。次いで、図５（ｂ）に示すように、モールド１０１と基板１０４との位置合わせを行いながら、モールド１０１と基板上の樹脂１２０とを接触させる。そして、モールド１０１のパターンに樹脂１２０が充填されるまで、かかる状態を維持する。モールド１０１と基板上の樹脂１２０とを接触させた初期段階では、モールド１０１のパターンへの樹脂１２０の充填が不十分であるため、パターンの隅に充填欠陥を生じている。但し、時間が経過していくにつれて、モールド１０１のパターンの隅々まで樹脂１２０が充填され、充填欠陥が減少する。充填時間は、ラインアンドスペースなどのような微細なパターンほど短く、ダミーパターンやアライメントマークなどのような特殊なパターンほど長くなる。
【００４３】
Ｓ１０８では、硬化処理を行う。具体的には、モールド１０１のパターンに樹脂１２０を十分充填させた後、図５（ｃ）に示すように、照射部１０３によって、モールド１０１の裏面から樹脂１２０に紫外線を所定時間照射して、基板上の樹脂１２０を硬化させる。
【００４４】
Ｓ１０９では、離型処理を行う。具体的には、図５（ｄ）に示すように、モールド１０１と基板１０４との間隔を広げることで、基板上の硬化した樹脂１２０からモールド１０１を引き離す。これにより、基板上にモールド１０１のパターンに対応する樹脂パターン１２１が形成される。
【００４５】
Ｓ１１０では、基板１０４の全てのショット領域にインプリント処理を行ったかどうかを判定する。基板１０４の全てのショット領域にインプリント処理を行っていない場合には、インプリント処理が行われていないショット領域を対象ショット領域として指定するために、Ｓ１０５に移行する。Ｓ１０５からＳ１１０までの処理を繰り返すことで、基板１０４の全てのショット領域に樹脂パターン１２１が形成される。一方、基板１０４の全てのショット領域にインプリント処理を行った場合には、Ｓ１１１に移行する。
【００４６】
Ｓ１１１では、全てのショット領域にインプリント処理が行われた基板１０４を、インプリント装置１００から搬出する。インプリント装置１００から搬出された基板１０４は、樹脂パターン１２１をマスクとして下層側が加工（例えば、エッチング）される。半導体デバイスを製造する際には、これらの処理がプロセスのレイヤごとに繰り返される。
【００４７】
以下、各実施形態において、樹脂１２０の液滴の基板上における供給位置や供給量を示すマップを生成する処理（生成方法）について詳細に説明する。
【００４８】
＜第１の実施形態＞
第１の実施形態では、モールド１０１のパターン情報に基づいて、マップを生成する処理について説明する。図６は、マップを生成する処理を説明するためのフローチャートである。
【００４９】
Ｓ２００では、モールド１０１のパターンの設計情報から基板上の各領域に必要な樹脂１２０の供給量（塗布量）を算出した供給量分布を取得する。供給量分布は、モールド１０１の通常領域（例えば、ラインアンドスペースが主に形成された領域）及び特殊領域（例えば、ダミーパターンやアライメントマークが主に形成された領域）におけるパターン（凹凸）の位置、形状及び深さなどに基づいて算出される。
【００５０】
本実施形態では、供給量分布情報として、図７に示すように、基板上における樹脂１２０の供給量分布を濃淡の多値情報に変換した画像データを用いる。図７を参照するに、領域３０１ａ乃至３０１ｃは、モールド１０１の通常領域及び特殊領域おけるパターンの位置、形状及び深さなどに基づいて算出された濃淡を示している。領域３０１ａは、パターンの深さが深く、樹脂１２０の必要体積が大きい領域を示している。領域３０１ｂは、パターンの深さが浅く、樹脂１２０の必要体積が領域３０１ａよりも小さい領域を示している。領域３０１ｃは、パターンがなく、樹脂１２０の必要体積が領域３０１ｂよりも小さい領域を示している。
【００５１】
Ｓ２０１では、モールド１０１のパターンの設計情報に基づいて、モールド１０１のパターン領域１０１ａから特殊領域を抽出する。本実施形態では、モールド１０１の特殊領域の位置、サイズ及び形状を特殊領域情報として抽出する。図８は、特殊領域情報の一例を示す図である。図８を参照するに、領域３０２ａ及び３０２ｂは、モールド１０１のパターン領域１０１ａにおける特殊領域の位置、形状及び深さなどに基づいて算出された濃淡を示している。領域３０２ａは、パターンの面積が広く、パターンの深さが浅く、樹脂１２０の必要体積が小さい領域を示し、領域３０２ｂは、パターンの面積が広く、パターンの深さが深く、樹脂１２０の必要体積が領域３０２ａよりも大きい領域を示している。具体的には、モールド１０１のパターン領域１０１ａから、寸法が予め設定された基準寸法よりも大きい寸法の特殊パターンが形成された特殊領域を抽出して、濃淡の多値情報に変換する。
【００５２】
本実施形態では、モールド１０１のパターンの寸法は、パターン面積（領域の面積）とパターン周囲長（領域の周囲の長さ）とを用いて算出され、以下の式（１）に示すように、パターン面積をパターン周囲長で除算したものとしている。
パターンの寸法＝（パターン面積）／（パターン周囲長）      ・・・（１）
図９（ａ）及び図９（ｂ）のそれぞれは、図８に示す領域３０２ａ及び３０２ｂを拡大して示す図である。領域３０２ａには、図９（ａ）に示すように、インプリント処理が行われた基板１０４に形成された残膜厚を計測するための計測パターンが形成されている。領域３０２ａは、１辺の長さがＬ１の正方形形状を有している。また、領域３０２ｂには、インプリント処理においてモールド１０１と基板１０４との位置合わせを行うためのアライメントマークが形成され、かかるアライメントマークは、線幅Ｌ３の十字パターンで構成されている。領域３０２ｂは、１辺の長さがＬ２の正方形形状を有している。領域３０２ａ及び３０２ｂに形成されたパターンは、いずれも、その寸法（（パターン面積）／（パターン周囲長））が基準寸法よりも大きくなっている。
【００５３】
Ｓ２０２では、Ｓ２００で取得された供給量分布情報、Ｓ２０１で抽出された特殊領域情報、及び、ディスペンサ１１０から吐出される樹脂１２０の液滴のサイズに基づいて、基板上のインプリント領域内に必要な樹脂１２０の液滴数を算出する。ここで、インプリント領域は、１回のインプリント処理でパターンが形成される領域、即ち、１つのショット領域に相当する。
【００５４】
Ｓ２０３では、供給量分布情報及び特殊領域情報に基づいて、モールド１０１のパターン領域１０１ａのうちの通常領域に対応する基板上の第１領域に供給する樹脂１２０の液滴の位置を決定して中間マップを生成する。換言すれば、中間マップとして、ラインアンドスペースなどの第１寸法の第１パターンが形成された通常領域に対応する基板上の第１領域における液滴の第１供給位置を示す第１マップを生成する。
【００５５】
具体的には、まず、Ｓ２００で取得した供給量分布情報から、Ｓ２０１で抽出した特殊領域情報を除いて多値分布データを生成する。供給量分布情報から特殊領域情報を除いた多値分布データを生成することで、モールド１０１の特殊領域に対応する基板上の第２領域に供給することになる樹脂１２０の液滴数と等しい数がＳ２０２で算出した液滴数から除かれることになる。次いで、かかる多値分布データをハーフトーン処理によって２値化して、ディスペンサ１１０における樹脂１２０の液滴の吐出及び非吐出を指定する情報に変換することで中間マップを生成する。ハーフトーン処理としては、公知技術である誤差拡散法を用いることができる。図１０は、Ｓ２０３で生成された中間マップの一例を示す図である。図１０では、基板上における樹脂１２０の液滴の供給位置（液滴の吐出）を黒点３０４ａで示し、基板上における樹脂１２０の液滴の非供給位置（液滴の非吐出）を白点３０４ｂで示している。
【００５６】
Ｓ２０４では、特殊領域情報及び特殊領域における制約を設定した制約条件に基づいて、モールド１０１のパターン領域１０１ａのうちの特殊領域に対応する基板上の第２領域に供給する樹脂１２０の液滴の位置を決定して特殊マップを生成する。換言すれば、特殊マップとして、ダミーパターンなどの第１寸法よりも大きい第２寸法の第２パターンが形成された特殊領域に対応する基板上の第２領域における液滴の第２供給位置を示す第２マップを生成する。
【００５７】
具体的には、特殊領域情報及び制約条件に基づいて、各特殊領域で中心となる位置（中心位置）の直下、即ち、かかる中心位置に対応する基板上の位置に樹脂１２０の液滴の供給位置を設定する。ここで、特殊領域の中心位置が樹脂１２０の液滴の配置（供給位置）を許容する位置と一致しない場合には、液滴の配置を許容する位置で中心位置に最も近い位置を液滴の供給位置として設定する。本実施形態では、特殊領域の中心位置を液滴の供給位置として設定しているが、これに限定されるものではない。例えば、特殊領域の重心位置や特殊領域におけるパターンの深さが最も深い位置を液滴の供給位置として設定してもよい。図１１は、Ｓ２０４で生成された特殊マップの一例を示す図である。図１１では、基板上における樹脂１２０の液滴の供給位置（液滴の吐出）を黒点３０５ａで示し、基板上における樹脂１２０の液滴の非供給位置（液滴の非吐出）を白点３０５ｂで示している。
【００５８】
Ｓ２０５では、Ｓ２０３で生成された中間マップ、Ｓ２０４で生成された特殊マップ、及び、基板上における樹脂１２０の液滴の配置制約として設定された液滴の間隔に基づいて、最終的なマップを生成する。換言すれば、中間マップと特殊マップとを合成して最終的なマップを生成する。
【００５９】
具体的には、中間マップにおける樹脂１２０の液滴の供給位置に、特殊マップにおける樹脂１２０の液滴の供給位置を追加し、必要に応じて、中間マップにおける樹脂１２０の液滴の供給位置を調整する。特に、特殊マップにおける樹脂１２０の液滴の供給位置と中間マップにおける樹脂１２０の液滴の供給位置との間隔が、制約条件として設定した間隔に近づくように、中間マップにおける樹脂１２０の液滴の供給位置を調整する。例えば、特殊マップにおける樹脂１２０の液滴のある供給位置と、中間マップにおける樹脂１２０の液滴の供給位置とが近接している場合、そのままインプリント処理を行うと、その領域での残膜厚が設定値よりも厚くなってしまう。従って、制約条件として設定した間隔に近づくように、基板上における樹脂１２０の液滴の供給位置を調整（変更）することが必要となる。これは、モールド１０１の特殊領域に対応する基板上の第２領域においては、樹脂１２０の液滴の供給位置と供給量との双方を最適化することを意味する。モールド１０１のパターンへの樹脂１２０の充填時間と基板上における樹脂１２０の液滴の間隔との関係については、実験などによって予め求めて制約条件として設定する。本実施形態では、特殊マップにおける樹脂１２０の液滴の供給位置と中間マップにおける樹脂１２０の液滴の供給位置との間隔を調整しているが、これに限定されるものではなく、充填時間を短くするための条件であれば適用可能である。
【００６０】
図１２は、図１０に示す中間マップと、図１１に示す特殊マップとを合成して得られるマップを示す図である。図１２を参照するに、中間マップにおける樹脂１２０の液滴の供給位置に対応する点３０４ａに、特殊マップにおける樹脂１２０の液滴の供給位置に対応する点３０５ａが追加されている。図１３は、最終的なマップの一例を示す図である。図１３では、基板上における樹脂１２０の液滴の供給位置（液滴の吐出）を黒点３０６ａで示し、基板上における樹脂１２０の液滴の非供給位置（液滴の非吐出）を白点３０６ｂで示している。図１３を参照するに、図１２と比較して、樹脂１２０の液滴の供給位置が近接している部分では、特殊マップにおける樹脂１２０の液滴の供給位置３０５ａから離れるように、中間マップにおける樹脂１２０の液滴の供給位置３０４ａが調整されている。また、樹脂１２０の液滴の供給位置が離れている部分では、特殊マップにおける樹脂１２０の液滴の供給位置３０５ａに近づくように、中間マップにおける樹脂１２０の液滴の供給位置３０４ａが調整されている。
【００６１】
Ｓ２０６では、Ｓ２０５で生成されたマップ、即ち、樹脂１２０の液滴の基板上における供給位置を示す最終的なマップを格納部１３１に格納する。
【００６２】
本実施形態では、マップを生成する処理において、ハーフトーン処理として誤差拡散法を用いているが、これに限定されるものではなく、ディザ法などの他の手法も適用可能である。また、ハーフトーン処理以外の手法でも、基板上の必要な領域に必要量の液滴を配置できる手法であれば適用可能である。例えば、算出された樹脂１２０の液滴数を、規則的な格子位置に配置する格子パターンなども適用可能である。格子パターン（格子形状）としては、正方格子、長方形格子、三角格子、ひし形格子、六角形格子などの多角形を用いた格子が適用可能である。
【００６３】
また、本実施形態では、マップとして、樹脂１２０の液滴の吐出及び非吐出を指定する２値情報に変換したデータを用いているが、データの形式を特に限定するものではない。例えば、マップとして、基板上における樹脂１２０の液滴の供給位置を基板上の相対位置座標で表した数値データを用いることも可能である。また、マップには、基板上における樹脂１２０の各液滴の量（液滴量）に関する情報を追加することも可能である。
【００６４】
本実施形態では、Ｓ２０３において多値分布データを生成する際に、供給量分布情報から特殊領域情報を除いているが、これに限定されるものではない。例えば、特殊パターンの形状によっては特殊領域に供給する樹脂１２０の液滴を増加させることで充填時間が短くなる場合もある。このような場合には、供給量分布情報のまま、或いは、特殊領域情報を増やしたデータを用いることも可能である。
【００６５】
モールド１０１のパターンへの充填時間が短くなり、且つ、基板上に形成される残膜厚が均一になるように、モールド１０１の特殊領域に対応する基板上の第２領域における樹脂１２０の液滴の供給位置を決定することが効果的である。
【００６６】
ここで、Ｓ２０３からＳ２０５までの処理について、具体的な例をあげて詳細に説明する。図１４は、Ｓ２０３からＳ２０５までの処理を詳細に説明するためのフローチャートである。
【００６７】
Ｓ３００では、Ｓ２０３で説明したように、モールド１０１のパターン領域１０１ａのうちの通常領域に対応する基板上の第１領域における樹脂１２０の液滴の供給位置を示す中間マップを生成する。図１５は、図１０に示す中間マップの一部を拡大して示す図である。図１５では、基板上における樹脂１２０の液滴の供給位置（液滴の吐出）を黒点で示し、基板上における樹脂１２０の液滴の非供給位置（液滴の非吐出）を白点で示している。
【００６８】
Ｓ３０１では、Ｓ２０４で説明したように、モールド１０１のパターン領域１０１ａのうちの特殊領域に対応する基板上の第２領域における樹脂１２０の液滴の供給位置を示す特殊マップを生成する。図１６は、図１１に示す特殊マップの一部を拡大して示す図である。図１６では、基板上における樹脂１２０の液滴の供給位置（液滴の吐出）を黒点４０１ａ、４０１ｂ及び４０１ｃで示し、３箇所の黒点４０１ａ乃至４０１ｃのうち、黒点４０１ａと黒点４０１ｂとが近接して存在している。これは、モールド１０１のパターン領域１０１ａにおける黒点４０１ａ及び４０１ｂのそれぞれに対応する特殊パターン同士が近接していることを意味する。モールド１０１のパターン領域１０１ａにおいて、基板１０４のショット領域の周辺部や各デバイスを切り離すためにショット領域内に設けられているスクライブライン領域には、複数の特殊パターンが近接していることが一般的に知られている。
【００６９】
Ｓ３０２では、中間マップと特殊マップとを合成し、即ち、中間マップにおける樹脂１２０の液滴の供給位置に、特殊マップにおける樹脂１２０の液滴の供給位置を追加して合成マップを生成する。図１７（ａ）は、図１５に示す中間マップと図１６に示す特殊マップとを合成した合成マップを示す図である。図１７（ａ）では、基板上における樹脂１２０の液滴の供給位置（液滴の吐出）を黒点で示している。図１７（ａ）を参照するに、図１５に示す中間マップにおける樹脂１２０の液滴の供給位置に対して、図１６に示す特殊マップにおける樹脂１２０の液滴の供給位置が追加されている。
【００７０】
Ｓ３０３では、Ｓ３０２で生成された合成マップにおいて、中間マップにおける樹脂１２０の液滴の供給位置を調整する。まず、中間マップ及び樹脂１２０の液滴の配置の制約を設定した制約条件に基づいて、特殊パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置、即ち、黒点４０１ａ乃至４０１ｃの近傍に存在する通常パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置を選択する。ここで、制約条件には、通常パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置を選択するための条件として、特殊パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置からの距離を設定する。本実施形態では、かかる距離を５００μｍに設定し、特殊パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置からの距離が５００μｍ以内の範囲に存在する通常パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置を選択する。但し、特殊パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置のうち、黒点４０１ｃに対応する供給位置から５００μｍ以内の範囲には、通常パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置がない。このような場合には、黒点４０１ｃに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置から最短距離に存在する（即ち、最も近い）通常パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置を選択するようにすればよい。
【００７１】
図７（ｂ）は、図１７（ａ）に示す合成マップにおいて、特殊パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置、即ち、黒点４０１ａ乃至４０１ｃのそれぞれから５００μｍの範囲４０２を示す図である。図７（ｂ）では、通常パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置のうち、供給位置の調整対象として選択された供給位置を、点４０３ａ、４０３ｂ、４０３ｃ及び４０３ｄで示している。点４０３ａ、４０３ｂ及び４０３ｃに対応する供給位置は、特殊パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置のうち、黒点４０１ａ及び４０１ｂに対応する供給位置からの距離が５００μｍの範囲内に存在するため、調整対象として選択されている。一方、点４０３ｄに対応する供給位置は、特殊パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置のうち、黒点４０１ｃに対応する供給位置からの距離が最短であるため、調整対象として選択されている。
【００７２】
次に、調整対象として選択された樹脂１２０の液滴の供給位置を、特殊パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置を考慮しながら調整する（移動させる）。本実施形態では、特殊パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置、即ち、３つの黒点４０１ａ乃至４０１ｃのそれぞれに斥力又は引力を働かせて、調整対象として選択された通常パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置を決定する。ここで、別の制約条件として、基板上に樹脂１２０の液滴を供給してからモールド１０１で液滴を成形するまでの間に基板上で隣接する液滴が接触するために離間可能な最大の間隔を設定する。本実施形態では、かかる間隔を３００μｍに設定している。そして、特殊パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置からの距離が３００μｍの範囲内に、調整対象として選択された通常パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置が存在する場合には、斥力を働かせる。特殊パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置からの距離が３００μｍの範囲内の液滴の供給位置に働かせる力を斥力とする理由を説明する。例えば、特殊パターンに対応する樹脂１２０の液滴のある供給位置と通常パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置とが近接している場合、そのままインプリント処理を行うと、基板上に形成される残膜厚が設定値よりも厚くなってしまう。これは、モールド１０１の特殊領域において、樹脂１２０の液滴の体積が必要以上に大きくなるからである。そこで、基板上における樹脂１２０の液滴の供給位置が近接しすぎている場合には、供給位置の間隔を設定した間隔に近づけて、基板上における樹脂１２０の液滴が離れるように、供給位置を調整（変更）する。換言すれば、モールド１０１の特殊領域に対応する基板上の第２領域における樹脂１２０の液滴の供給位置及び供給量が最適になるように、樹脂１２０の液滴の供給位置を調整する。
【００７３】
このように、本実施形態では、中間マップと特殊マップとを合成する際に、中間マップにおける液滴のうち、ある液滴の供給位置と当該供給位置に隣接する特殊マップにおける液滴の供給位置との間隔が許容範囲外の液滴を選択する。そして、選択した液滴について、かかる間隔が許容範囲内に収まるように、中間マップにおける液滴の供給位置を調整する。具体的には、中間マップにおける液滴のうち、許容範囲の上限を超える液滴について、かかる液滴の供給位置を特殊マップにおける液滴の供給位置に近づけるように、その供給位置を調整する。なお、許容範囲の上限は、上述したように、基板上に樹脂１２０の液滴を供給してからモールド１０１で液滴を成形するまでの間に基板上で隣接する液滴が接触するために離間可能な最大の間隔を設定する。また、中間マップにおける液滴のうち、許容範囲の下限を超える液滴について、かかる液滴の供給位置を特殊マップにおける液滴の供給位置から遠ざけるように、その供給位置を調整する。なお、許容範囲の下限は、上述したように、モールド１０１で基板上の樹脂１２０を成形したときに基板上に形成すべき残膜厚（設定値）に基づいて決定される。
【００７４】
Ｓ３０４では、Ｓ３０２で生成された合成マップ、及び、Ｓ３０３で調整された中間マップにおける樹脂１２０の液滴の供給位置に基づいて、最終的なマップを生成する。
【００７５】
図１８は、特殊パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置（黒点４０１ａ乃至４０１ｃ）に斥力又は引力を働かせて、通常パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置（点４０３ａ乃至４０３ｄ）を調整して得られた最終的なマップを示す図である。図１８では、中間マップにおける通常パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置、即ち、点４０３ａ乃至４０３ｄのそれぞれを調整した後の供給位置を、点４０５ａ乃至４０５ｄで示している。また、図１８には、特殊パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置、即ち、黒点４０１ａ乃至４０１ｃのそれぞれから３００μｍの範囲４０４も示している。図１８を参照するに、通常パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置、即ち、点４０５ａ乃至４０５ｄのそれぞれは、範囲４０４に近づくように調整されている。具体的には、点４０５ａ乃至４０５ｃは、特殊パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置である黒点４０１ａ及び４０１ｂから離れ、且つ、範囲４０４に近づくように調整されている。一方、点４０５ｄは、特殊パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置である黒点４０１ｃに近づき、且つ、範囲４０４に近づくように調整されている。従って、黒点４０１ａに供給された液滴と点４０５ａに供給された液滴とは、基板上に樹脂１２０の液滴を供給してからモールド１０１で液滴を成形するまでの間に接触することになる。換言すれば、基板上に供給された樹脂１２０とモールド１０１とが接触するまでの間に、黒点４０１ａに供給された液滴と点４０５ａに供給された液滴とは、接触することになる。また、黒点４０１ｂに供給された液滴と点４０５ｂ及び４０５ｃに供給された液滴とは、基板上に樹脂１２０の液滴を供給してからモールド１０１で液滴を成形するまでの間に接触することになる。換言すれば、基板上に供給された樹脂１２０とモールド１０１とが接触するまでの間に、黒点４０１ｂに供給された液滴と点４０５ｂ及び４０５ｃに供給された液滴とは、接触することになる。同様に、黒点４０１ｃに供給された液滴と点４０５ｄに供給された液滴とは、基板上に樹脂１２０の液滴を供給してからモールド１０１で液滴を成形するまでの間（基板上に供給された樹脂１２０とモールド１０１とが接触するまでの間）に接触することになる。そして、モールド１０１の特殊領域への樹脂１２０の充填は、深さ方向の充填に要する時間と等しいため、非常に短時間で行われることになる。
【００７６】
本実施形態では、制約条件として、特殊パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置からの距離又は間隔を２種類設定しているが、これに限定されるものではない。モールド１０１の特殊領域への樹脂１２０の充填時間を予め計測したデータに基づいて範囲を設定した条件なども適用可能である。例えば、本実施形態では、基板上に樹脂１２０の液滴を供給してからモールド１０１で液滴を成形するまでの間に基板上で隣接する液滴が接触するために離間可能な最大の間隔を設定している。但し、基板上で隣接する液滴が接触しない場合でも、それらを可能な限り近づけておくことで効果を得ることが可能である。
【００７７】
更に、本実施形態では、特殊パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置から指定された範囲内に存在する、通常パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置の全てを調整対象として選択しているが、これに限定されるものではない。例えば、実験データに基づいて、通常パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置のうち一部の供給位置を調整対象として選択してもよい。
【００７８】
また、本実施形態では、特殊パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置のみに斥力又は引力を働かせているが、通常パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置にも同様な力を働かせることも可能である。このような場合にも、斥力及び引力のうちのどちらを設定するのかについて、適切に条件を定めることが必要である。
【００７９】
また、本実施形態では、特殊パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置からの距離に応じて、通常パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置を調整しているが、これに限定されるものではない。例えば、特殊パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置からの距離に応じて、通常パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置を、単純に、特殊領域の中心位置から離す方向に移動させてもよい。換言すれば、特殊パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置と通常パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置との関係を考慮して液滴の供給位置を調整することで、特殊領域への樹脂１２０の充填時間を短くすることができればよい。
【００８０】
本実施形態によれば、特殊パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置に対して、通常パターンに対応する樹脂１２０の液滴の供給位置を調整することで、樹脂１２０の充填時間を短くし、充填欠陥を低減して残膜厚を均一化することができる。このように、本実施形態では、樹脂１２０の充填時間を短くし、残膜厚の均一性を実現する上で有利なマップを生成することができる。
【００８１】
＜第２の実施形態＞
第２の実施形態では、モールド１０１のパターン領域１０１ａの全面に対応するマップを生成し、かかるマップにおける樹脂１２０の液滴の供給位置を調整して最終的なマップを生成する処理について説明する。図１９は、マップを生成する処理を説明するためのフローチャートである。
【００８２】
Ｓ４００乃至Ｓ４０２のそれぞれの処理は、第１の実施形態で説明したＳ２００乃至Ｓ２０２の処理と同様であるため、ここでの詳細な説明は省略する。
【００８３】
Ｓ４０３では、供給量分布情報に基づいて、モールド１０１のパターン領域１０１ａの全面に対応する基板上の領域に供給する樹脂１２０の液滴の位置を決定して中間マップを生成する。換言すれば、中間マップとして、モールド１０１のパターン領域１０１ａの全面に対応する基板上の領域における液滴の供給位置を示す第１マップを生成する。
【００８４】
具体的には、Ｓ４００で取得した供給量分布情報の多値分布データをハーフトーン処理によって２値化して、ディスペンサ１１０における樹脂１２０の液滴の吐出及び非吐出を指定する情報に変換することで中間マップを生成する。ハーフトーン処理としては、第１の実施形態と同様に、公知技術である誤差拡散法を用いることができる。図２０は、Ｓ４０３で生成された中間マップの一例を示す図である。図２０では、基板上における樹脂１２０の液滴の供給位置（液滴の吐出）を黒点５０１ａで示し、基板上における樹脂１２０の液滴の非供給位置（液滴の非吐出）を白点５０１ｂで示している。
【００８５】
Ｓ４０４では、特殊領域情報及び特殊領域における制約を設定した制約条件に基づいて、特殊領域の位置を考慮するための参照位置を設定した参照マップを生成する。
【００８６】
具体的には、特殊領域情報及び制約条件に基づいて、各特殊領域で中心となる位置（中心位置）の直下、即ち、かかる中心位置に対応する基板上の位置に参照位置を設定する。ここで、特殊領域の中心位置が樹脂１２０の液滴の配置（供給位置）を許容する位置と一致しない場合には、液滴の配置を許容する位置で中心位置に最も近い位置を参照位置として設定する。本実施形態では、特殊領域の中心位置を参照位置として設定しているが、これに限定されるものではない。例えば、特殊領域の重心位置や特殊領域におけるパターンの深さが最も深い位置を参照位置として設定してもよい。図２１は、Ｓ４０４で生成された参照マップの一例を示す図である。図２１では、基板上における参照位置を黒点５０２ａで示し、基板上における参照位置以外の位置を白点５０２ｂで示している。
【００８７】
Ｓ４０５では、Ｓ４０３で生成された中間マップ、Ｓ４０４で生成された参照マップ、及び、基板上における樹脂１２０の液滴の配置制約として設定された液滴の間隔に基づいて、最終的なマップを生成する。
【００８８】
具体的には、参照マップを考慮して、中間マップにおける樹脂１２０の液滴の供給位置のうち、特殊領域の近傍に対応する基板上の領域に位置する供給位置を調整して（移動させて）、最終的なマップを生成する。特に、参照マップにおける参照位置と中間マップにおける樹脂１２０の液滴の供給位置との間隔が、制約条件として設定した間隔に近づくように、中間マップにおける樹脂１２０の液滴の供給位置を調整する。制約条件としての間隔は、第１の実施形態と同様に、実験から求めて設定することで、残膜厚の均一化も可能となっている。
【００８９】
図２２は、Ｓ４０５で生成された最終的なマップの一例を示す図である。図２２では、基板上における樹脂１２０の液滴の供給位置（液滴の吐出）を黒点５０３ａで示し、基板上における樹脂１２０の液滴の非供給位置（液滴の非吐出）を白点５０３ｂで示している。図２２を参照するに、図２４に示す中間マップにおける樹脂１２０の液滴の供給位置に対して、かかる供給位置が参照位置に対応する黒点５０２ａの近傍に位置するように調整されている。
【００９０】
Ｓ４０６では、Ｓ４０５で生成されたマップ、即ち、樹脂１２０の液滴の基板上における供給位置を示す最終的なマップを格納部１３１に格納する。
【００９１】
本実施形態において、マップを生成する処理で用いられる各種計算や設定については、第１の実施形態と同様に特に限定されるものではなく、樹脂１２０の充填時間を短くするための条件を満たすものであれば適用可能である。
【００９２】
ここで、Ｓ４０３からＳ４０５までの処理について、具体的な例をあげて詳細に説明する。図２３は、Ｓ４０３からＳ４０５までの処理を詳細に説明するためのフローチャートである。
【００９３】
Ｓ５００では、Ｓ４０３で説明したように、モールド１０１のパターン領域１０１ａの全面に対応する基板上の領域における樹脂１２０の液滴の供給位置を示す中間マップを生成する。図２４は、図２０に示す中間マップの一部を拡大して示す図である。図２４では、基板上における樹脂１２０の液滴の供給位置（液滴の吐出）を黒点で示し、基板上における樹脂１２０の液滴の非供給位置（液滴の非吐出）を白点で示している。
【００９４】
Ｓ５０１では、Ｓ４０４で説明したように、参照位置を設定した参照マップを生成する。図２５は、図２１に示す参照マップの一部を拡大して示す図である。図２１では、参照位置を点６０１ａ、６０１ｂ及び６０１ｃで示し、３箇所の点６０１ａ乃至６０１ｃのうち、点６０１ａと点６０１ｂとが近接して存在している。
【００９５】
Ｓ５０２では、Ｓ５００で生成された中間マップにおける樹脂１２０の液滴の供給位置を調整する。まず、中間マップ、参照マップ及び樹脂１２０の液滴の配置の制約を設定した制約条件に基づいて、参照位置、即ち、点６０１ａ乃至６０１ｃの近傍に存在する樹脂１２０の液滴の供給位置を選択する。ここで、制約条件には、中間マップにおける樹脂１２０の液滴の供給位置を選択するための条件として、参照位置からの距離を設定する。本実施形態では、かかる距離を５００μｍに設定し、参照位置からの距離が５００μｍ以内の範囲に存在する樹脂１２０の液滴の供給位置を選択する。但し、参照位置から５００μｍ以内の範囲に樹脂１２０の液滴の供給位置がない場合には、参照位置から最短距離に存在する（即ち、最も近い）供給位置を選択するようにすればよい。
【００９６】
図２６は、図２４に示す中間マップに対して、図２５に示す参照マップにおける参照位置に対応する点６０１ａ乃至６０１ｃ、及び、点６０１ａ乃至６０１ｃのそれぞれから５００μｍの範囲６０２を追加した図である。図２６では、中間マップにおける樹脂１２０の液滴の供給位置のうち、供給位置の調整対象として選択された供給位置を、点６０３ａ、６０３ｂ、６０３ｃ、６０３ｄ、６０３ｅ及び６０３ｆで示している。点６０３ａ乃至６０３ｆに対応する供給位置は、参照位置に対応する点６０１ａ及び６０１ｂの少なくとも一方からの距離が５００μｍの範囲内に存在するため、調整対象として選択されている。一方、点６０３ｅ及び６０３ｆに対応する供給位置は、参照位置に対応する点６０１ｃからの距離が最短であるため、調整対象として選択されている。
【００９７】
次に、調整対象として選択された樹脂１２０の液滴の供給位置を、参照位置を考慮しながら調整する（移動させる）。本実施形態では、３つの参照位置、即ち、３つの点６０１ａ乃至６０１ｃのそれぞれに引力を働かせて、調整対象として選択された樹脂１２０の液滴の供給位置を決定する。換言すれば、調整対象として選択された樹脂１２０の液滴の供給位置が参照位置である点６０１ａ乃至６０１ｃのそれぞれに近づくように、点６０１ａ乃至６０１ｃのそれぞれに引力を設定する。この際、参照位置からの距離が５００μｍの範囲外の樹脂１２０の液滴の供給位置（点６０３ｅ及び６０３ｆ）については、より大きな引力が働くように、点６０１ｃには、点６０１ａ及び６０１ｂに設定する引力よりも大きな引力を設定する。ここで、別の制約条件として、基板上に樹脂１２０の液滴を供給してからモールド１０１で液滴を成形するまでの間に基板上で隣接する液滴が接触するために離間可能な最大の間隔を設定する。本実施形態では、第１の実施形態と同様に、かかる間隔を３００μｍに設定している。
【００９８】
Ｓ５０３では、Ｓ５００で生成された中間マップ、及び、Ｓ５０２で調整された中間マップにおける樹脂１２０の液滴の供給位置に基づいて、最終的なマップを生成する。
【００９９】
図２７は、参照位置（点６０１ａ乃至６０１ｃ）に引力を働かせて、樹脂１２０の液滴の供給位置（点６０３ａ乃至６０３ｆ）を調整して得られた最終的なマップを示す図である。図２７では、中間マップにおける樹脂１２０の液滴の供給位置、即ち、点６０３ａ乃至６０３ｆのそれぞれを調整した後の供給位置を、点６０５ａ乃至６０５ｆで示している。また、図２７には、参照位置、即ち、点６０１ａ乃至６０１ｃのそれぞれから３００μｍの範囲６０４も示している。
【０１００】
図２７を参照するに、中間マップにおける樹脂１２０の液滴の供給位置、即ち、点６０５ａ乃至６０５ｆのそれぞれは、範囲６０４に近づくように調整されている。具体的には、中間マップにおける樹脂１２０の液滴の供給位置である点６０５ａ及び６０５ｃのそれぞれは、参照位置に対応する点６０１ａ及び６０１ｂと同一になるように調整されている。また、中間マップにおける樹脂１２０の液滴の供給位置である点６０５ｂ及び６０５ｄのそれぞれは、範囲６０４に近づくように調整されている。一方、中間マップにおける樹脂１２０の液滴の供給位置である点６０５ｅ及び６０５ｆのそれぞれは、範囲４０４に近づくように、且つ、参照位置に対応する点６０１ｃからの距離が等しくなるように調整されている。これは、調整前の供給位置である点６０３ｅ及び６０３ｆは、参照位置に対応する点６０１ｃからの距離が等しい位置に存在しているため、それぞれに働く引力が等しいことに起因する。従って、点６０５ａに供給された液滴と点６０５ｂに供給された液滴とは、基板上に樹脂１２０の液滴を供給してからモールド１０１で液滴を成形するまでの間（基板上に供給された樹脂１２０とモールド１０１とが接触するまでの間）に接触することになる。また、点６０５ｃに供給された液滴と点６０５ｄに供給された液滴とは、基板上に樹脂１２０の液滴を供給してからモールド１０１で液滴を成形するまでの間に接触することになる。同様に、点６０５ｅに供給された液滴と点６０５ｆに供給された液滴とは、基板上に樹脂１２０の液滴を供給してからモールド１０１で液滴を成形するまでの間に接触することになる。そして、モールド１０１の特殊領域への樹脂１２０の充填は、深さ方向の充填に要する時間と等しいため、非常に短時間で行われることになる。
【０１０１】
このように、本実実施形態では、モールド１０１のパターンのうち特殊パターンの位置に対応する基板上の参照位置とかかる参照位置に隣接する樹脂１２０の液滴の供給位置との間隔が許容範囲内に収まるように、中間マップにおける液滴の供給位置を調整する。なお、特殊パターンとは、上述したように、モールド１０１のパターンのうち基準寸法よりも大きい寸法のパターン（ダミーパターンやアライメントマーク）である。この際、参照位置と樹脂１２０の液滴の供給位置とが同一となるように、中間マップにおける液滴の供給位置を調整してもよい。また、許容範囲は、基板上に液滴を供給してからモールド１０１で液滴を成形するまでの間に基板上で隣接する前記液滴が接触するために離間可能な最大の間隔、及び、基板上に形成すべき残膜厚に基づいて決定される。
【０１０２】
本実施形態では、参照位置との距離が近い２つの供給位置については、参照位置からの距離が等しくなるように調整しているが、これに限定されるものではない。参照位置からの距離の比率に応じて、制約条件の範囲内に供給位置が存在するように調整してもよい。
【０１０３】
本実施形態によれば、モールド１０１のパターン領域１０１ａの全面に対応する樹脂１２０の液滴の供給位置を、特殊領域の位置に対応する参照位置を考慮して調整することで、樹脂１２０の充填時間を短くし、充填欠陥を低減して残膜厚を均一化することができる。このように、本実施形態では、樹脂１２０の充填時間を短くし、残膜厚の均一性を実現する上で有利なマップを生成することができる。
【０１０４】
＜第３の実施形態＞
第３の実施形態では、通常領域に対応する基板上の第１領域には第１サイズの液滴を供給し、特殊領域に対応する基板上の第２領域には第１サイズよりも小さい第２サイズの液滴を供給する場合において、マップを生成する処理について説明する。第３の実施形態では、基板上に樹脂１２０を供給する際に、第１サイズ（通常の液滴量）の液滴、又は、第２サイズ（通常よりも小さい液滴量）の液滴を吐出できるように、ディスペンサ１１０が設定されている。例えば、第２サイズは、第１サイズの１／２になるように設定される。この場合、同一の液滴量を得るために、１つの第１サイズの液滴に対して第２サイズの液滴では、２倍の液滴数にする必要がある。図２８は、ディスペンサ１１０から吐出された樹脂１２０の液滴の基板上での拡がりの状態を示す図である。図２８では、第１サイズの液滴７００ａの基板上での拡がりと、第２サイズの液滴７００ｂの基板上での拡がりを示している。
【０１０５】
ここで、モールド１０１の特殊領域に対応する基板上の第２領域に第２サイズの液滴を供給する理由について説明する。図２９は、樹脂１２０の液滴のサイズとしての体積量と、モールド１０１における樹脂１２０の液滴の拡がり時間との関係を示す図である。図２９を参照するに、樹脂１２０の液滴の体積を小さくすることで、モールド１０１のパターンへの充填時間が短くなることがわかる。従って、基板上に同一量の樹脂１２０の液滴を供給する場合には、体積が小さい液滴を供給することで、充填時間を短くすることができる。モールド１０１のパターン領域１０１ａのうちの特殊領域は、上述したように、通常領域と比較して、充填時間が長くなる領域である。そのため、特殊領域に対応する基板上の第２領域に第２サイズの液滴を供給数することは、充填時間の短縮に非常に有効である。一方、樹脂１２０の液滴のサイズを小さくすると、必要となる液滴数が増加するため、樹脂１２０の液滴を高速に吐出可能なディスペンサ１１０を用いる必要がある。但し、樹脂１２０の液滴の吐出回数の増加は、ディスペンサ１１０の寿命を縮めることになる。更に、樹脂１２０の液滴のサイズを小さくすることは、サテライトやミストなどの吐出不安定要因を生じることもある。従って、基板上の全ての領域に対して、樹脂１２０の液滴のサイズを小さくして供給することは、ディスペンサ１１０の信頼性の観点から好ましくない。そこで、本実施形態では、通常領域に対応する基板上の第１領域には第１サイズの液滴を供給し、特殊領域に対応する基板上の第２領域には第１サイズよりも小さい第２サイズの液滴を供給することにしている。
【０１０６】
図３０は、マップを生成する処理を説明するためのフローチャートである。Ｓ６００乃至Ｓ６０２のそれぞれの処理は、第１の実施形態で説明したＳ２００乃至Ｓ２０２の処理と同様であるため、ここでの詳細な説明は省略する。
【０１０７】
Ｓ６０３では、供給量分布情報及び特殊領域情報に基づいて、モールド１０１のパターン領域１０１ａのうちの通常領域に対応する基板上の第１領域に供給する樹脂１２０の液滴の位置を決定して中間マップを生成する。換言すれば、中間マップとして、ラインアンドスペースなどの第１寸法の第１パターンが形成された通常領域に対応する基板上の第１領域における第１サイズの液滴の第１供給位置を示す第１マップを生成する。
【０１０８】
Ｓ６０４では、特殊領域情報及び特殊領域における制約を設定した制約条件に基づいて、モールド１０１のパターン領域１０１ａのうちの特殊領域に対応する基板上の第２領域に供給する樹脂１２０の液滴の位置を決定して特殊マップを生成する。換言すれば、特殊マップとして、ダミーパターンなどの第１寸法よりも大きい第２寸法の第２パターンが形成された特殊領域に対応する基板上の第２領域における第１サイズよりも小さい第２サイズの液滴の第２供給位置を示す第２マップを生成する。
【０１０９】
具体的には、特殊領域情報及び制約条件に基づいて、各特殊領域で中心となる位置（中心位置）の直下、即ち、かかる中心位置に対応する基板上の位置に樹脂１２０の液滴の供給位置を設定する。ここで、特殊領域の中心位置が樹脂１２０の液滴の配置（供給位置）を許容する位置と一致しない場合には、液滴の配置を許容する位置で中心位置に最も近い位置を液滴の供給位置として設定する。また隣接する液滴の供給位置は、制約条件として設定した間隔と等しくなるように設定される。かかる間隔としては、他の実施形態と同様に、基板上に樹脂１２０の液滴を供給してからモールド１０１で液滴を成形するまでの間に基板上で隣接する液滴が接触するために離間可能な最大の間隔を設定する。ここで、基板上に樹脂１２０の液滴を供給してからモールド１０１で液滴を成形するまでの間とは、上述したように、基板上に供給された樹脂１２０とモールド１０１とが接触するまでの間である。また、特殊領域に対応する基板上の第２領域に供給する樹脂１２０の液滴のサイズ（第２サイズ）は、通常領域に対応する基板上の第１領域に供給する樹脂１２０の液滴のサイズ（第１サイズ）の１／２としている。従って、特殊マップにおける樹脂１２０の液滴の供給位置の数を２倍にする必要がある。また、この際、互いに隣接する第２サイズの液滴の間隔が許容範囲内に収まるように、参照マップにおける樹脂１２０の液滴の供給位置を調整する必要がある。かかる許容範囲は、基板上に液滴を供給してからモールド１０１で液滴を成形するまでの間に基板上で隣接する前記液滴が接触するために離間可能な最大の間隔、及び、基板上に形成すべき残膜厚に基づいて決定される。
【０１１０】
図３１は、Ｓ６０４で生成された特殊マップの一例を示す図である。図３１では、基板上における樹脂１２０の液滴の供給位置（液滴の吐出）を黒点７０１ａで示し、基板上における樹脂１２０の液滴の非供給位置（液滴の非吐出）を白点７０１ｂで示している。図３１を参照するに、図１１に示す参照マップ（第１サイズの液滴を供給する場合における特殊マップ）と比較して、樹脂１２０の液滴の供給位置の数が２倍になっていることがわかる。
【０１１１】
Ｓ６０５では、Ｓ６０３で生成された中間マップ及びＳ６０４で生成された特殊マップに基づいて、最終的なマップを生成する。換言すれば、中間マップと特殊マップとを合成して最終的なマップを生成する。
【０１１２】
Ｓ６０６では、Ｓ６０５で生成されたマップ、即ち、樹脂１２０の液滴の基板上における供給位置を示す最終的なマップを格納部１３１に格納する。
【０１１３】
本実施形態では、基板上に供給する樹脂１２０の液滴のサイズごとにマップを生成しているが、これに限定されるものではない。例えば、モールド１０１のパターン領域１０１ａの全面に対応する基板上の領域における樹脂１２０の液滴の供給位置を示すマップにおいて、各供給位置に対する液滴のサイズを指定するサイズ情報を生成してディスペンサ１１０を制御してもよい。
【０１１４】
また、本実施形態では、第２サイズが第１サイズの１／２になるように設定されているが、これに限定されるものではない。ディスペンサ１１０からの樹脂１２０の液滴の吐出が安定し、信頼性を十分に確保できるサイズであれば適用可能である。
【０１１５】
本実施形態では、通常領域に対応する基板上の第１領域における第１サイズの液滴の供給位置を示す中間マップ、及び、特殊領域に対応する基板上の第２領域における第２サイズの液滴の供給位置を示す特殊マップのそれぞれを生成する。そして、中間マップ及び特殊マップを合成して最終的なマップを生成することで、樹脂１２０の充填時間を短くし、充填欠陥を低減して残膜厚を均一化することができる。このように、本実施形態では、樹脂１２０の充填時間を短くし、残膜厚の均一性を実現する上で有利なマップを生成することができる。
【０１１６】
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。
【０１１７】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【符号の説明】
【０１１８】
１００：インプリント装置    １０１：モールド    １０４：基板    １１０：ディスペンサ    １２０：樹脂    １３０：制御部    １３１：格納部    １３２：生成部
【図１】
0006333152.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
0006333152.tif 000005
【図５】
0006333152.tif 000006
【図６】
0006333152.tif 000007
【図７】
0006333152.tif 000008
【図８】
0006333152.tif 000009
【図９】
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【図１０】
0006333152.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
0006333152.tif 000014
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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