(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にバンプ電極を備えたデバイスが形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えたウエーハの加工方法であって、
ウエーハの裏面にダイシングテープの表面を貼着するとともにダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持するウエーハ支持工程と、
ウエーハを保持する保持面を備えた保持テーブルと環状のフレームを保持テーブルの保持面より低い位置で保持するフレーム保持手段とを備えたウエーハ保持手段を構成する保持テーブルの保持面にウエーハの表面側を保持するとともに、環状のフレームをフレーム保持手段によって保持するウエーハ保持工程と、
該ウエーハ保持工程が実施されたダイシングテープの裏面側からダイシングテープを通してダイシングテープおよびウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をウエーハの内部に位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、を含み、
該改質層形成工程を実施する前に、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をデバイス領域と外周余剰領域との境界部の内部に位置付けてデバイス領域と外周余剰領域との境界部に沿って照射し、ウエーハの内部にデバイス領域と外周余剰領域との境界部に沿って環状の改質層を形成する環状改質層形成工程を実施する、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に格子状に配列された分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列された分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体デバイスを製造している。
【０００３】
上述した半導体ウエーハ等のウエーハを分割する方法として、ウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を用い、分割すべき領域の内部に集光点を位置付けてパルスレーザー光線を照射するレーザー加工方法も試みられている。このレーザー加工方法を用いた分割方法は、ウエーハの一方の面側から内部に集光点を位置付けてウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って破断起点となる改質層を連続的に形成し、この改質層が形成されることによって強度が低下した分割予定ラインに沿って外力を加えることにより、ウエーハを分割する技術であり、分割予定ラインの幅を極小にできる効果が期待される（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
上述したウエーハの内部に分割予定ラインに沿って破断起点となる改質層を形成し、この改質層が形成された分割予定ラインに沿ってウエーハを分割する方法においては、分割予定ラインの幅が狭いウエーハに対して改質層を形成するためデバイスが形成されていない裏面側からレーザー光線を照射することが望ましいこと、また、ウエーハを分割予定ラインに沿って分割したデバイスをピックアップする工程においてはデバイスが形成されている表面側が露出されていることが望ましいことから、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの裏面側から分割予定ラインに沿って照射することによりウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成し、該改質層が形成されたウエーハの裏面にダイシングテープを貼着するとともにダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持した後、ウエーハに外力を付与することによりウエーハを個々のデバイスに分割している（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
上述したように、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成した後に、改質層が形成されたウエーハの裏面をダイシングテープに貼着すると、ウエーハが割れる虞があることから、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成する前に、ウエーハの裏面にダイシングテープの表面を貼着するとともにダイシングテープの外周部を環状のフレームに装着し、その後、ダイシングテープの裏面側からダイシングテープを通してレーザー光線の集光点をウエーハの内部に位置付けて分割予定ラインに沿って照射する方法が提案されている（例えば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第３４０８８０５号公報
【特許文献２】特開２００６−５４２４６号公報
【特許文献３】特開２０１２−８４６１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
而して、デバイスに形成された電極が突起状のバンプ電極であるウエーハにおいては、ダイシングテープに裏面が貼着されたウエーハの表面側をレーザー加工装置の保持テーブルに保持し、ダイシングテープが装着された環状のフレームを保持テーブルに装着されたフレーム固定手段によって保持すると、ダイシングテープによってウエーハの外周部が押し下げられ、分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射することにより内部に改質層を形成する際に、押し下げられた応力によってウエーハの外周部に隣接するデバイスが破損するという問題がある。
【０００８】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、デバイスに形成された電極が突起状のバンプ電極であるウエーハであっても、ダイシングテープの裏面側からダイシングテープを通してレーザー光線の集光点をウエーハの内部に位置付けて分割予定ラインに沿って照射することにより、デバイスを破損させることなくウエーハの内部に分割予定ラインに沿って所望の改質層を形成することができるレーザー加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にバンプ電極を備えたデバイスが形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えたウエーハの加工方法であって、
ウエーハの裏面にダイシングテープの表面を貼着するとともにダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持するウエーハ支持工程と、
ウエーハを保持する保持面を備えた保持テーブルと環状のフレームを保持テーブルの保持面より低い位置で保持するフレーム保持手段とを備えたウエーハ保持手段を構成する保持テーブルの保持面にウエーハの表面側を保持するとともに、環状のフレームをフレーム保持手段によって保持するウエーハ保持工程と、
該ウエーハ保持工程が実施されたダイシングテープの裏面側からダイシングテープを通してダイシングテープおよびウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をウエーハの内部に位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、を含み、
該改質層形成工程を実施する前に、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をデバイス領域と外周余剰領域との境界部の内部に位置付けてデバイス領域と外周余剰領域との境界部に沿って照射し、ウエーハの内部にデバイス領域と外周余剰領域との境界部に沿って環状の改質層を形成する環状改質層形成工程を実施する、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によるレーザー加工方法は、ウエーハの裏面にダイシングテープの表面を貼着するとともにダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持するウエーハ支持工程と、ウエーハを保持する保持面を備えた保持テーブルと環状のフレームを保持テーブルの保持面より低い位置で保持するフレーム保持手段とを備えたウエーハ保持手段を構成する保持テーブルの保持面にウエーハの表面側を保持するとともに、環状のフレームをフレーム保持手段によって保持するウエーハ保持工程と、ウエーハ保持工程が実施されたダイシングテープの裏面側からダイシングテープを通してダイシングテープおよびウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をウエーハの内部に位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程とを含み、改質層形成工程を実施する前に、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をデバイス領域と外周余剰領域との境界部の内部に位置付けてデバイス領域と外周余剰領域との境界部に沿って照射し、ウエーハの内部にデバイス領域と外周余剰領域との境界部に沿って環状の改質層を形成する環状改質層形成工程を実施するので、改質層形成工程を実施する際には半導体ウエーハの内部にデバイス領域と外周余剰領域との境界部に沿って環状の改質層が形成されているため、デバイス領域と外周余剰領域とが遮断されダイシングテープによって外周余剰領域を押し付ける際に生じる応力がデバイス領域には伝達されない。従って、改質層形成工程において分割予定ラインに沿って半導体ウエーハの内部に改質層を形成する際に外周余剰領域に隣接するデバイスが破損するという問題が解消する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明によるウエーハの加工方法によって加工されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図。
【図２】本発明によるウエーハの加工方法におけるウエーハ支持工程が実施され半導体ウエーハを環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着された状態を示す斜視図。
【図３】本発明によるウエーハの加工方法を実施するためのレーザー加工装置の斜視図。
【図４】本発明によるウエーハの加工方法におけるウエーハ保持工程の説明図。
【図５】本発明によるウエーハの加工方法における環状改質層形成工程の説明図。
【図６】本発明によるウエーハの加工方法における改質層形成工程の説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明によるウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１３】
本発明によるウエーハの加工方法によって加工されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ２は、厚みが３００μmで直径が２００mmのシリコンウエーハからなっており、表面２ａに複数の分割予定ライン２１が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ライン２１によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス２２が形成されている。このように構成された半導体ウエーハ２は、デバイス２２が形成されているデバイス領域２３と、該デバイス領域２３を囲繞する外周余剰領域２４を備えている。なお、上記デバイス２２の表面にはそれぞれ複数のバンプ電極２２１が設けられている。このバンプ電極２２１は、高さが５０〜２００μm程度に形成されている。
【００１４】
上述した半導体ウエーハ２の内部に分割予定ライン２１に沿って改質層を形成するためには、先ず、半導体ウエーハ２の裏面２bにダイシングテープの表面を貼着するとともにダイシングテープの外周部を環状のフレームによって支持するウエーハ支持工程を実施する。即ち、図２に示すように、環状のフレーム３の内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープ３０の表面３０aに半導体ウエーハ２の裏面２bを貼着する。なお、ダイシングテープ３０は、図示の実施形態においては塩化ビニール(ＰＶＣ)シートによって形成されている。
【００１５】
次に、上述した半導体ウエーハ２の内部に分割予定ライン２１に沿って改質層を形成するレーザー加工を実施するためのレーザー加工装置について、図３を参照して説明する。
図３に示すレーザー加工装置４は、静止基台４０と、該静止基台４０に矢印Ｘで示す加工送り方向（Ｘ軸方向）に移動可能に配設され被加工物を保持する保持テーブル機構５と、基台４０上に配設されたレーザー光線照射手段としてのレーザー光線照射ユニット６とを具備している。
【００１６】
上記保持テーブル機構５は、静止基台４０上にＸ軸方向に沿って平行に配設された一対の案内レール５１、５１と、該案内レール５１、５１上にＸ軸方向に移動可能に配設された第１の滑動ブロック５２と、該第１の滑動ブロック５２上に加工送り方向（Ｘ軸方向）と直交する矢印Yで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動可能に配設された第２の滑動ブロック５３と、該第２の滑動ブロック５３上に円筒部材５４によって支持された支持テーブル５５と、ウエーハ保持手段としての保持テーブル５６を具備している。この保持テーブル５６は多孔性材料から形成された吸着チャック５６１を具備しており、吸着チャック５６１の上面である保持面上に被加工物としてのウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。このように構成された保持テーブル５６は、円筒部材５４内に配設された図示しないパルスモータによって回転せしめられる。なお、保持テーブル５６には、半導体ウエーハ等の被加工物を保護テープを介して支持する環状のフレームを固定するためのフレーム保持手段としてのクランプ５６２が配設されている。このフレーム保持手段としてのクランプ５６２は、環状のフレームを保持テーブル５６の上面である保持面より低い位置で保持するように構成されている。
【００１７】
上記第１の滑動ブロック５２は、その下面に上記一対の案内レール５１、５１と嵌合する一対の被案内溝５２１、５２１が設けられているとともに、その上面にY軸方向に沿って平行に形成された一対の案内レール５２２、５２２が設けられている。このように構成された第１の滑動ブロック５２は、被案内溝５２１、５２１が一対の案内レール５１、５１に嵌合することにより、一対の案内レール５１、５１に沿ってＸ軸方向に移動可能に構成される。図示の実施形態における保持テーブル機構５は、第１の滑動ブロック５２を一対の案内レール５１、５１に沿ってＸ軸方向に移動させるための加工送り手段５７を具備している。加工送り手段５７は、上記一対の案内レール５１と５１の間に平行に配設された雄ネジロッド５７１と、該雄ネジロッド５７１を回転駆動するためのパルスモータ５７２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド５７１は、その一端が上記静止基台４０に固定された軸受ブロック５７３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ５７２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド５７１は、第１の滑動ブロック５２の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ５７２によって雄ネジロッド５７１を正転および逆転駆動することにより、第１の滑動ブロック５２は案内レール５１、５１に沿ってＸ軸方向に移動せしめられる。
【００１８】
上記第２の滑動ブロック５３は、その下面に上記第１の滑動ブロック５２の上面に設けられた一対の案内レール５２２、５２２と嵌合する一対の被案内溝５３１、５３１が設けられており、この被案内溝５３１、５３１を一対の案内レール５２２、５２２に嵌合することにより、Y軸方向に移動可能に構成される。図示の実施形態における保持テーブル機構５は、第２の滑動ブロック５３を第１の滑動ブロック５２に設けられた一対の案内レール５２２、５２２に沿ってY軸方向に移動させるための割り出し送り手段５８を具備している。割り出し送り手段５８は、上記一対の案内レール５２２と５２２の間に平行に配設された雄ネジロッド５８１と、該雄ネジロッド５８１を回転駆動するためのパルスモータ５８２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド５８１は、その一端が上記第１の滑動ブロック５２の上面に固定された軸受ブロック５８３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ５８２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド５８１は、第２の滑動ブロック５３の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ５８２によって雄ネジロッド５８１を正転および逆転駆動することにより、第２の滑動ブロック５３は案内レール５２２、５２２に沿ってY軸方向に移動せしめられる。
【００１９】
上記レーザー光線照射ユニット６は、上記基台４０上に配設された支持部材６１と、該支持部材６１によって支持され実質上水平に延出するケーシング６２と、該ケーシング６２に配設されたレーザー光線照射手段７と、ケーシング６２の前端部に配設されレーザー加工すべき加工領域を検出する撮像手段８を具備している。レーザー光線照射手段７は、ケーシング６２内に配設された図示しないパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段と、ケーシング６２の先端部に配設され図示しないパルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器７１を具備している。なお、撮像手段８は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００２０】
上記レーザー加工装置４を用いて上述した半導体ウエーハ２の内部に分割予定ライン２１に沿って改質層を形成するには、先ず保持テーブル５６の上面である保持面に半導体ウエーハ２の表面側を保持するとともに、環状のフレーム３をフレーム保持手段としてのクランプ５６２によって保持するウエーハ保持工程を実施する。即ち、図４に示すように環状のフレーム３にダイシングテープ３０を介して支持された半導体ウエーハ２の表面２a側を保持テーブル５６の上面である保持面に載置する。このとき、保持テーブル５６の上面である保持面との間にポーラスシート３１を介在してバンプ電極２２１を含むデバイス２２を保護することが望ましい。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、保持テーブル５６の上面である保持面上にポーラスシート３１を介して半導体ウエーハ２が吸引保持される。次に、環状のフレーム３をクランプ５６２によって固定する。従って、保持テーブル５６に保持された半導体ウエーハ２に貼着されているダイシングテープ３０は、裏面３０bが上側となる。なお、ダイシングテープ３０が装着されている環状のフレーム３がクランプ５６２によって固定されると、バンプ電極２２１の高さが高いためにダイシングテープ３０によって半導体ウエーハ２の外周余剰領域２４がバンプ電極２２１を支点として押し下げられ応力が発生する。
【００２１】
上述したウエーハ保持工程を実施したならば、加工送り手段５７を作動して半導体ウエーハ２を吸引保持した保持テーブル５６を撮像手段８の直下に位置付ける。保持テーブル５６が撮像手段８の直下に位置付けられると、撮像手段８および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２のデバイス領域２３と外周余剰領域２４との境界部を検出する第１のアライメント工程を実施する。即ち、撮像手段８および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の外周縁から例えば５ｍｍ内側の位置を検出し、その座標値を制御手段のメモリに格納する。このとき、半導体ウエーハ２の上側にはダイシングテープ３０が位置付けられているが、撮像手段８が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段を備えているので、ダイシングテープ３０の裏面３０b側から透かして半導体ウエーハ２の外周縁を撮像することができる。
【００２２】
上述したように第１のアライメント工程を実施したならば、ダイシングテープ３０および半導体ウエーハ２に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をデバイス領域２３と外周余剰領域２４との境界部の内部に位置付けてデバイス領域２３と外周余剰領域２４との境界部に沿って照射し、半導体ウエーハ２の内部にデバイス領域２３と外周余剰領域２４との境界部に沿って環状の改質層を形成する環状改質層形成工程を実施する。この環状改質層形成工程を実施するには、上記第１のアライメント工程を実施した状態から加工送り手段５７を作動して半導体ウエーハ２を吸引保持した保持テーブル５６を集光器７１が位置するレーザー光線照射領域に移動し、図５に示すように半導体ウエーハ２の外周縁から例えば５ｍｍ内側の位置を集光器７１の直下に位置付ける。次に、集光器７１から照射されるパルスレーザー光線の集光点Ｐを半導体ウエーハ２の厚み方向中間部付近に位置付ける。そして、集光器７１からダイシングテープ３０およびシリコンウエーハからなる半導体ウエーハ２に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線LBを照射しつつ半導体ウエーハ２を吸引保持した保持テーブル５６を矢印５６aで示す方向に１回転せしめる。この結果、半導体ウエーハ２の内部にはデバイス領域２３と外周余剰領域２４との境界部に沿って環状の改質層２５が形成される。
【００２３】
上記環状改質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
波長                ：１０６４ｎｍのパルスレーザー
繰り返し周波数      ：５０ｋＨｚ
平均出力            ：０．５Ｗ
【００２４】
上述した環状改質層形成工程を実施したならば、ダイシングテープ３０の裏面側からダイシングテープ３０を通してダイシングテープ３０および半導体ウエーハ２に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を半導体ウエーハ２の内部に位置付けて分割予定ライン２１に沿って照射し、半導体ウエーハ２の内部に分割予定ライン２１に沿って改質層を形成する改質層形成工程を実施する。この改質層形成工程を実施するには先ず加工送り手段５７を作動して半導体ウエーハ２を吸引保持した保持テーブル５６を撮像手段８の直下に移動し、半導体ウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出する第２のアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段８および図示しない制御手段を作動して半導体ウエーハ２の所定方向に形成されている分割予定ライン２１と、該分割予定ライン２１に沿ってレーザー光線を照射する集光器７１との位置合わせを行う。また、半導体ウエーハ２に上記所定方向と直交する方向に形成された分割予定ライン２１に対しても、同様に集光器７１との位置合わせを行う。このとき、半導体ウエーハ２の分割予定ライン２１が形成されている表面２ａは下側に位置しているが、撮像手段８が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段を備えているので、ダイシングテープ３０の裏面３０b側および半導体ウエーハ２の裏面２ｂ側から透かして分割予定ライン２１を撮像することができる。
【００２５】
上述した第２のアライメント工程を実施したならば、図６で示すように保持テーブル５６をレーザー光線照射手段７の集光器７１が位置するレーザー光線照射領域に移動し、保持テーブル５６に保持された半導体ウエーハ２に形成された所定の分割予定ライン２１を集光器７１の直下に位置付ける。このとき、図６の（ａ）で示すように半導体ウエーハ２は、分割予定ライン２１の一端(図６の（ａ）において左端)が集光器７１の直下に位置するように位置付けられる。次に、集光器７１から照射されるパルスレーザー光線LBの集光点Ｐを半導体ウエーハ２の厚み方向中間部付近に位置付ける。そして、集光器７１からダイシングテープ３０およびシリコンウエーハからなる半導体ウエーハ２に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつ保持テーブル５６を図６の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる（改質層形成工程）。そして、図６の（ｂ）で示すようにレーザー光線照射手段７の集光器７１の照射位置に分割予定ライン２１の他端(図６の（ａ）において右端)が達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともに保持テーブル５６の移動を停止する。この結果、半導体ウエーハ２の内部には分割予定ライン２１に沿って改質層２６が形成される。
【００２６】
上記改質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
波長                ：１０６４ｎｍのパルスレーザー
繰り返し周波数      ：５０ｋＨｚ
平均出力            ：０．５Ｗ
加工送り速度        ：１００ｍｍ／秒
【００２７】
上述したように所定の分割予定ライン２１に沿って上記改質層形成工程を実施したら、保持テーブル５６を矢印Ｙで示す方向に半導体ウエーハ２に形成された分割予定ライン２１の間隔だけ割り出し移動し（割り出し工程）、上記改質層形成工程を遂行する。このようにして所定方向に形成された全ての分割予定ライン２１に沿って上記改質層形成工程を実施したならば、保持テーブル５６を９０度回動せしめて、上記所定方向に形成された分割予定ライン２１に対して直交する方向に延びる分割予定ライン２１に沿って上記改質層形成工程を実行する。
【００２８】
上記改質層形成工程を実施する際には、既に上述した環状改質層形成工程が実施され半導体ウエーハ２の内部にはデバイス領域２３と外周余剰領域２４との境界部に沿って環状の改質層２５が形成されているので、デバイス領域２３と外周余剰領域２４とが遮断されダイシングテープ３０によって外周余剰領域２４を押し付ける際に生じる応力がデバイス領域２３には伝達されない。従って、改質層形成工程において分割予定ライン２１に沿って半導体ウエーハ２の内部に改質層２６を形成する際に外周余剰領域２４に隣接するデバイスが破損するという問題が解消する。
【符号の説明】
【００２９】
２：半導体ウエーハ
２１：分割予定ライン
２２：デバイス
２２１：バンプ電極
２５，２６：改質層
３：環状のフレーム
３０：ダイシングテープ
４：レーザー加工装置
５：保持テーブル機構
５６：保持テーブル
６：レーザー光線照射ユニット
７：レーザー光線照射手段
７１：集光器
【図１】
0006360411.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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