(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面と第２の面を有する基板の前記第２の面側に膜を形成し、
前記第１の面側から前記膜が残存するよう前記基板に部分的に溝を形成し、
前記第１の面側から二酸化炭素を含む粒子を、前記膜の表面でのスポット径がφ３ｍｍ以上φ１０ｍｍ以下となるように噴射し、前記溝が形成された箇所の前記第２の面側の前記膜を除去するデバイスの製造方法。
【請求項２】
第１の面と第２の面を有する基板の前記第２の面側に膜を形成し、
前記第２の面側を下にし、前記第２の面との間に空隙が存在するように、前記基板をトレイに載置し、
前記第１の面側から前記膜が残存するよう前記基板に部分的に溝を形成し、
前記第１の面側から二酸化炭素を含む粒子を噴射し、前記溝が形成された箇所の前記第２の面側の前記膜を除去して前記基板を分割し、
分割された前記基板を前記トレイに落下させるデバイスの製造方法。
【請求項３】
前記トレイは間仕切を有し、分割された前記基板は前記間仕切で分離された状態で前記トレイに保持される請求項２記載のデバイスの製造方法。
【請求項４】
前記膜は金属膜又は樹脂膜である請求項１乃至請求項３いずれか一項記載のデバイスの製造方法。
【請求項５】
前記溝を形成する際に、前記膜が露出するよう前記溝を形成する請求項１乃至請求項４いずれか一項記載のデバイスの製造方法。
【請求項６】
前記基板は半導体基板である請求項１乃至請求項５いずれか一項記載のデバイスの製造方法。
【請求項７】
前記溝を形成する際に、プラズマエッチングにより前記溝を形成する請求項１乃至請求項６いずれか一項記載のデバイスの製造方法。
【請求項８】
前記溝を形成する際に、ブレードダイシングにより前記溝を形成する請求項１乃至請求項６いずれか一項記載のデバイスの製造方法。
【請求項９】
前記膜を形成する前に、前記基板の前記第２の面側を除去し、前記基板を薄膜化する請求項１乃至請求項８いずれか一項記載のデバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記金属膜が異種の金属の積層膜である請求項４記載のデバイスの製造方法。
【請求項１１】
前記デバイスは、ＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ、小信号系デバイス、又は、ＭＥＭＳである請求項１乃至請求項１０いずれか一項記載のデバイスの製造方法。
【請求項１２】
前記溝が前記第１の面側に設けられたダイシング領域に沿って形成される請求項１乃至請求項１１いずれか一項記載のデバイスの製造方法。
【請求項１３】
前記粒子の平均粒径が１０μｍ以上２００μｍ以下である請求項１乃至請求項１２いずれか一項記載のデバイスの製造方法。
【請求項１４】
前記膜の前記溝側の端部の凹凸差が、前記溝の側面の凹凸差よりも小さい請求項１乃至請求項１３いずれか一項記載のデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェハ等の半導体基板上に形成された複数の半導体素子は、半導体基板に設けられたダイシング領域に沿ってダイシングすることによって、複数の半導体チップに分割される。半導体基板の一方の面に、半導体素子の電極となる金属膜や、ダイボンディングフィルム等の樹脂膜が形成されている場合、ダイシングの際にダイシング領域の金属膜や樹脂膜も除去する必要がある。
【０００３】
金属膜や樹脂膜を除去する方法として、例えば、半導体基板と、金属膜又は樹脂膜を同時にブレードダイシングにより除去する方法がある。この場合、金属膜又は樹脂膜に突起（バリ）等の形状異常が生じやすい。金属膜や樹脂膜の形状異常が生ずると、半導体チップが外観検査不良と判定されたり、ベッドと半導体チップの接合不良が生じたりすることで製品歩留りが低下するため問題となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１４１１３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、膜の加工の際の形状異常の抑制を可能にするデバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態のデバイスの製造方法は、第１の面と第２の面を有する基板の前記第２の面側に膜を形成し、前記第１の面側から前記膜が残存するよう前記基板に部分的に溝を形成し、前記第１の面側から二酸化炭素を含む粒子を、前記膜の表面でのスポット径がφ３ｍｍ以上φ１０ｍｍ以下となるように噴射し、前記溝が形成された箇所の前記第２の面側の前記膜を除去する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１の実施形態のデバイスの製造方法を示す模式工程断面図。
【図２】第２の実施形態のデバイスの製造方法を示す模式工程断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明する。なお、以下の説明では、同一の部材等には同一の符号を付し、一度説明した部材等については適宜その説明を省略する。
【０００９】
（第１の実施形態）
本実施形態のデバイスの製造方法は、第１の面と第２の面を有する基板の第２の面側に膜を形成し、第１の面側から膜が残存するよう基板に部分的に溝を形成し、第１の面側から物質を噴射し、溝が形成された箇所の第２の面側の膜を除去する。
【００１０】
以下、製造するデバイスが、両面に金属電極を備えるシリコン（Ｓｉ）を用いた縦型のパワーＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）である場合を例に説明する。この場合、基板が半導体基板となる。また、膜が金属膜となる。また、金属膜に噴射する物質が、二酸化炭素を含む粒子である場合を例に説明する。なお、二酸化炭素を含有する粒子（以下、単に二酸化炭素粒子とも記述する）とは、二酸化炭素を主成分とする粒子である。二酸化炭素に加え、例えば、不可避的な不純物が含有されていても構わない。
【００１１】
図１は、本実施形態のデバイスの製造方法を示す模式工程断面図である。
【００１２】
まず、第１の面（以下、表面とも称する）と第２の面（以下、裏面とも称する）を備えるシリコン基板（基板）１０の表面側に縦型のＭＯＳＦＥＴ（半導体素子）のベース領域、ソース領域、ゲート絶縁膜、ゲート電極、ソース電極等のパターンを形成する。その後、シリコン基板１０の最上層に保護膜を形成する。保護膜は、例えば、ポリイミド等の樹脂膜、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜等の無機絶縁膜である。表面側に設けられたダイシング領域の表面には、シリコン基板１０が露出していることが望ましい。
【００１３】
次に、シリコン基板１０の表面側に支持基板（支持体）１２を貼りあわせる（図１（ａ））。支持基板１２は、例えば、石英ガラスである。
【００１４】
次に、シリコン基板１０の裏面側を研削により除去し、シリコン基板１０を薄膜化する。その後、シリコン基板１０の裏面側に金属膜１４を形成する（図１（ｂ））。金属膜１４は裏面の略全面に設けられる。
【００１５】
金属膜１４は、ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極である。金属膜１４は、例えば、異種の金属の積層膜である。金属膜１４は、例えば、シリコン基板１０の裏面側から、アルミニウム／チタン／ニッケル／金の積層膜である。金属膜１４は、例えば、スパッタ法により形成される。金属膜１４の膜厚は、例えば、０．５μｍ以上１．０μｍ以下である。
【００１６】
次に、シリコン基板１０の裏面側を下にして、トレイ１６に載置する。シリコン基板１０は周辺部のみがトレイ１６によって支持される。シリコン基板１０の周辺部以外は、トレイ１６との間に空隙が存在する。シリコン基板１０の周辺部の金属膜１４とトレイ１６の周辺部が接着層を用いて固定されてもかまわない。その後、シリコン基板１０から支持基板１２を剥離する（図１（ｃ））。
【００１７】
次に、シリコン基板１０の表面側に設けられたダイシング領域に沿って、表面側から裏面側の金属膜１４が露出するようにシリコン基板１０に部分的に溝２０を形成する（図１（ｄ））。ここで、ダイシング領域とは、複数の半導体素子をダイシングにより複数の半導体チップに分割するための所定の幅を備える予定領域であり、シリコン基板１０の表面側に設けられる。ダイシング領域には、半導体素子のパターンは形成されない。ダイシング領域は、例えば、シリコン基板１０表面側に、半導体素子を区切るように格子状に設けられる。
【００１８】
溝２０は、例えば、プラズマエッチングにより形成する。プロズマエッチングは、例えば、Ｆ系ラジカルを用いた等方性エッチングステップ、ＣＦ４系ラジカル用いた保護膜形成ステップ、Ｆ系イオンを用いた異方性エッチングを繰り返す、いわゆるボッシュプロセスである。
【００１９】
溝２０は、シリコン基板１０の表面側の保護膜をマスクに、全面エッチングにより形成することが望ましい。この方法によれば、リソグラフィーを用いないため、製造工程の簡略化及び低コスト化が可能である。
【００２０】
次に、シリコン基板１０の表面側から二酸化炭素粒子を噴射する（図１（ｅ））。二酸化炭素粒子を噴射することにより、溝２０が形成された箇所の裏面側の金属膜１４を除去する。金属膜１４は二酸化炭素粒子により物理的に除去される（図１（ｆ））。
【００２１】
二酸化炭素粒子は、固体状態の二酸化炭素である。二酸化炭素粒子は、いわゆるドライアイスである。二酸化炭素粒子の形状は、例えば、ペレット状、粉末状、球状、又は、不定形状である。
【００２２】
二酸化炭素粒子は、例えば、液化炭酸ガスを断熱膨張させることにより生成される。生成された二酸化炭素粒子は、例えば、窒素ガスとともにノズルから噴射され、金属膜１４に吹き付けられる。二酸化炭素粒子の平均粒径が１０μｍ以上２００μｍ以下であることが望ましい。二酸化炭素粒子の平均粒径は、例えば、ノズルから噴射される二酸化炭素粒子を高速カメラで撮像し、撮像した画像内の粒子を測長することで求めることが可能である。
【００２３】
また、二酸化炭素粒子が金属膜１４に吹き付けられる際の金属膜１４表面でのスポット径は、例えば、φ３ｍｍ以上φ１０ｍｍ以下であることが望ましい。
【００２４】
溝２０の裏面側の金属膜１４が除去されることにより分割されたＭＯＳＦＥＴは、トレイ１６上に落下して保持される（図１（ｇ））。
【００２５】
以下、本実施形態のデバイスの製造方法の作用及び効果について説明する。
【００２６】
縦型のＭＯＳＦＥＴのように、シリコン基板１０の裏面側にも金属膜１４が形成される場合、ダイシングの際にダイシング領域の裏面側の金属膜１４も除去する必要がある。例えば、ブレードダイシングにより半導体基板１０と、金属膜１４とを表面側から同時に除去する場合、ダイシング領域の溝２０端部の金属膜１４が裏面側に捲れあがり、いわゆるバリが発生する。
【００２７】
金属膜１４のバリが発生すると、例えば、半導体チップが外観検査不良となり製品化できない恐れがある。また、例えば、半導体チップと金属のベッドとをはんだ等の接合材により接合する際に、バリの部分で密着性が悪くなることで、接合不良が生じる恐れがある。
【００２８】
本実施形態では、シリコン基板１０のダイシング領域に沿って溝２０を形成した後、表面側から二酸化炭素粒子を吹き付け、溝２０に跨っている部分の金属膜１４を除去する。除去された金属膜１４は、トレイ１６側の空間に削ぎ落とされ、バリの発生が抑制される。溝２０の金属膜１４のみを自己整合的に除去することが可能である。
【００２９】
溝２０に跨っている部分の金属膜１４の除去は、主に二酸化炭素粒子の物理的衝撃により生じているものと考えられる。加えて、金属膜１４が低温の二酸化炭素粒子により急冷されること、及び、金属膜１４に衝突した二酸化炭素が気化膨張する力が加わることにより、物理衝撃による金属膜１４の除去効果を促進するものと考えられる。
【００３０】
また、シリコン基板１０の溝２０の形成を、ブレードダイシングで行う場合、溝２０の裏面側の端部のシリコン基板１０に欠け（チッピング）が生じる場合がある。本実施形態では、溝２０の形成を、プラズマエッチングにより行うため、溝２０の裏面側の端部のシリコン基板１０に生じる欠けを防止することが可能となる。
【００３１】
また、シリコン基板１０の溝２０の形成を、ブレードダイシングで行う場合、少なくともブレードの厚さ以上の幅がダイシング領域に必要となる。このため、例えば、５０μｍ以上のダイシング領域幅が必要になる。
【００３２】
本実施形態では、溝２０の形成を、プラズマエッチングにより行うため、ダイシング領域の幅を狭くすることが可能となる。例えば、ダイシング領域の幅は、例えば、１０μｍ以上５０μｍ未満、更には、２０μｍ以下とすることも可能となる。
【００３３】
また、本実施形態では、主に二酸化炭素粒子による物理的衝撃により金属膜等を除去する。したがって、例えば、ドライエッチングの場合と異なり、金属膜が異種の金属の積層膜であっても、各膜の化学的性質の違いに左右されずに除去することが可能である。したがって、異種の金属の積層膜であっても簡便に、形状異常を抑制して除去することが可能である。
【００３４】
また、特に、本実施形態のように、溝２０の形成を、プラズマエッチングにより行った場合、金属膜１４の溝２０側の端部の凹凸差がシリコン基板１０の溝２０の側面の凹凸差よりも小さくなる。言い換えれば、金属膜１４の溝２０側の端部の表面粗さが、溝２０の側面の表面粗さよりも小さくなっている。
【００３５】
以上、本実施形態によれば、金属膜を加工する際の形状異常の抑制を可能にするデバイスの製造方法を提供することが可能となる。
【００３６】
（第２の実施形態）
本実施形態のデバイスの製造方法は、シリコン基板１０の裏面側に金属膜ではなく、樹脂膜を備える半導体デバイスを製造する点で、第１の実施形態と異なっている。以下、第１の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
【００３７】
以下、製造するデバイスが、裏面側に樹脂膜を備えるシリコン（Ｓｉ）を用いた半導体メモリである場合を例に説明する。
【００３８】
図２は、本実施形態のデバイスの製造方法を示す模式工程断面図である。
【００３９】
まず、第１の面（以下、表面とも称する）と第２の面（以下、裏面とも称する）を備えるシリコン基板（基板）１０の表面側に半導体メモリ（半導体素子）のメモリトランジスタ、周辺回路、電源電極、接地電極、Ｉ／Ｏ電極等のパターンを形成する。その後、シリコン基板１０の最上層に保護膜を形成する。保護膜は、例えば、ポリイミド等の樹脂膜、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜等の無機絶縁膜である。
【００４０】
次に、シリコン基板１０の表面側に支持基板（支持体）１２を貼りあわせる（図２（ａ））。支持基板１２は、例えば、石英ガラスである。
【００４１】
次に、シリコン基板１０の裏面側を研削により除去し、シリコン基板１０を薄膜化する。その後、シリコン基板１０の裏面側に樹脂膜３０を形成する（図２（ｂ））。樹脂膜３０は裏面の略全面に設けられる。
【００４２】
樹脂膜３０は、例えば、分割後の半導体チップを基板にボンディングするためのＤＡＦ（Ｄｉｅ  Ａｔｔａｃｈ  Ｆｉｌｍ）である。樹脂膜３０の膜厚は、例えば、１０μｍ以上２００μｍ以下である。
【００４３】
次に、シリコン基板１０の裏面側を下にして、トレイ１６に載置する。シリコン基板１０は周辺部のみがトレイ１６によって支持される。シリコン基板１０の周辺部以外は、トレイ１６との間に空隙が存在する。シリコン基板１０の周辺部の樹脂膜３０とトレイ１６の周辺部が接着層を用いて固定されてもかまわない。その後、シリコン基板１０から支持基板１２を剥離する（図２（ｃ））。
【００４４】
次に、シリコン基板１０の表面側に設けられたダイシング領域に沿って、表面側から裏面側の樹脂膜３０が露出するようにシリコン基板１０に部分的に溝２０を形成する（図２（ｄ））。ここで、ダイシング領域とは、半導体チップをダイシングにより分割するための所定の幅を備える予定領域であり、シリコン基板１０の表面側に設けられる。ダイシング領域には、半導体素子のパターンは形成されない。ダイシング領域は、例えば、シリコン基板１０表面側に、格子状に設けられる。
【００４５】
溝２０は、例えば、ブレードダイシングにより形成する。
【００４６】
次に、シリコン基板１０の表面側から二酸化炭素粒子を噴射する（図２（ｅ））。二酸化炭素粒子を噴射することにより、溝２０が形成された箇所の裏面側の樹脂膜３０を除去する。樹脂膜３０は二酸化炭素粒子により物理的に除去される（図２（ｆ））。
【００４７】
二酸化炭素粒子は、固体状態の二酸化炭素である。二酸化炭素粒子は、いわゆるドライアイスである。二酸化炭素粒子の形状は、例えば、ペレット状、粉末状、球状、又は、不定形状である。
【００４８】
二酸化炭素粒子は、例えば、窒素ガスとともにノズルから噴射され、樹脂膜３０に吹き付けられる。二酸化炭素粒子の平均粒径が１０μｍ以上２００μｍ以下であることが望ましい。二酸化炭素粒子の平均粒径は、例えば、ノズルから噴射される二酸化炭素粒子を高速カメラで撮像し、撮像した画像内の粒子を測長することで求めることが可能である。
【００４９】
また、二酸化炭素粒子が樹脂膜３０に吹き付けられる際の樹脂膜３０表面でのスポット径は、例えば、φ３ｍｍ以上φ１０ｍｍ以下であることが望ましい。
【００５０】
溝２０の裏面側の樹脂膜３０が除去されることにより、分割された半導体メモリは、トレイ１６上に落下して保持される（図１（ｇ））。
【００５１】
以下、本実施形態のデバイスの製造方法の作用及び効果について説明する。
【００５２】
例えば、半導体メモリのように、携帯電話に代表される小型の電子機器に用いられる半導体デバイスでは、小型、薄型の半導体パッケージであるＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）やＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ  Ｃｈｉｐ  Ｐａｃｋａｇｅ）が用いられる。ＢＧＡやＭＣＰでは、ペースト状のダイボンディング材にかえて、ＤＡＦ等のフィルム状のダイボンディング材が用いられる。
【００５３】
ＤＡＦ等の樹脂膜３０がシリコン基板１０の裏面側に形成される場合、ダイシングの際にダイシング領域の裏面側の樹脂膜３０も除去する必要がある。例えば、ブレードダイシングにより半導体基板１０と、樹脂膜３０とを表面側から同時に除去する場合、ダイシング領域の溝２０端部から樹脂膜３０がはがれたり、樹脂膜３０の切断面が直線状にならず不規則な形状になったりするという問題がある。
【００５４】
本実施形態では、シリコン基板１０のダイシング領域に沿って溝２０を形成した後、樹脂膜３０に表面側から二酸化炭素粒子を吹き付け、溝２０に跨っている部分の樹脂膜３０を除去する。除去された樹脂膜３０は、トレイ１６側の空間に削ぎ落とされ、バリの発生が抑制される。また、樹脂膜３０の切断面が直線状になる。
【００５５】
溝２０に跨っている部分の樹脂膜３０の除去は、主に二酸化炭素粒子の物理的衝撃により生じているものと考えられる。加えて、樹脂膜３０が低温の二酸化炭素粒子により急冷されること、及び、樹脂膜３０に衝突した二酸化炭素が気化膨張する力が加わることにより、物理衝撃による樹脂膜３０の除去効果を促進するものと考えられる。
【００５６】
以上、本実施形態によれば、樹脂膜を加工する際の形状異常の抑制を可能にするデバイスの製造方法を提供することが可能となる。
【００５７】
（第３の実施形態）
本実施形態のデバイスの製造方法は、二酸化炭素粒子にかえて、加圧された水（ウォータージェット）を用いる点以外は、第１の実施形態と同様である。以下、第１の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
【００５８】
本実施形態では、シリコン基板１０の表面側から金属膜１４に加圧された水を噴射する。加圧された水を噴射することにより、溝２０の裏面側の金属膜１４を除去する。金属膜１４は加圧された水により物理的に除去される。この加工は、いわゆるウォータージェット加工である。
【００５９】
以上、本実施形態によっても、金属膜を加工する際の形状異常の抑制を可能にするデバイスの製造方法を提供することが可能となる。
【００６０】
（第４の実施形態）
本実施形態のデバイスの製造方法は、二酸化炭素粒子にかえて、砥粒を含む加圧された水を用いる点以外は、第１の実施形態と同様である。以下、第１の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
【００６１】
本実施形態では、シリコン基板１０の表面側から金属膜１４に砥粒を含む加圧された水を噴射する。砥粒を含む加圧された水を噴射することにより、溝２０の裏面側の金属膜１４を除去する。金属膜１４は砥粒を含む加圧された水により物理的に除去される。この加工は、いわゆるアブレシブジェット加工である。
【００６２】
砥粒は、例えば、アルミナ粒子、炭化珪素粒子、シリカ粒子等である。
【００６３】
以上、本実施形態によっても、金属膜を加工する際の形状異常の抑制を可能にするデバイスの製造方法を提供することが可能となる。
【００６４】
なお、実施形態では、半導体素子が、縦型のＭＯＳＦＥＴ、半導体メモリである場合を例に説明したが、半導体素子は縦型のＭＯＳＦＥＴ、半導体メモリに限定されるものではない。
【００６５】
また、第１の実施形態では、溝の形成をプラズマエッチングで行う場合を例に説明したが、ブレードダイシング又はレーザダイシングで溝の形成を行うことも可能である。また、第２の実施形態では、溝の形成をブレードダイシングで行う場合を例に説明したが、プラズマエッチング又はレーザダイシングで溝の形成を行うことも可能である。
【００６６】
また、実施形態では、金属膜又は樹脂膜が露出するよう溝を形成する場合を例に説明したが、一部、基板を残すように溝を形成することも可能である。この場合は、物質を噴射することで、残された溝部の基板と金属膜又は樹脂膜を同時に除去する。
【００６７】
また、実施形態では、ＭＯＳＦＥＴ、半導体メモリの製造に用いる場合を例に説明したが、本発明をＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、小信号系デバイス、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）の製造に適用することも可能である。
【００６８】
また、実施形態では、基板として、半導体基板を例に説明したが、半導体基板以外の基板、例えば、セラミック基板、ガラス基板、サファイア基板等、その他の基板に本発明を適用することが可能である。
【００６９】
また、実施形態では、二酸化炭素粒子を金属膜又は樹脂膜に噴射する場合を、一例として説明したが、ノズルからの噴射時には固体で、常温等の基板が置かれた雰囲気中では気化するその他の粒子を適用することも可能である。例えば、窒素粒子やアルゴン粒子を適用することも可能である。
【００７０】
また、実施形態では、第２の面側に形成される膜として、金属膜及び樹脂膜を例に説明したが、例えば、窒化膜や酸化膜等の無機絶縁膜等、その他の膜を適用することも可能である。
【００７１】
本発明のいくつかの実施形態及び実施例を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。例えば、一実施形態の構成要素を他の実施形態の構成要素と置き換え又は変更してもよい。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００７２】
１０      シリコン基板（基板）
１４      金属膜（膜）
２０      溝
３０      樹脂膜（膜）
【図１】
0006325421.tif 000002
【図２】
0006325421.tif 000003