(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの導体層を含み、
前記導体層の一側がプラスチックフィルム層であり、他方の側が剥離可能なキャリアフィルムであり、
前記導体層の表面が平坦であり、導体層の総厚さは０．０１−３５μｍであり、前記プラスチックフィルム層は、導電性粒子とプラスチックの混合物からなった厚さの０．２−２０μｍの層であり、そのプラスチックフィルム層中、導電性粒子とプラスチックの体積の百分率は２％−８０％で、導電性粒子の粒度は０．１−１５μｍであり、この構造に対応する接地方式において、プラスチックフィルム層中の導電性粒子が凝集したより大きい導電性粒子を利用して電磁波遮蔽膜の絶縁層を突き刺し、遮蔽層と連結され、
または、少なくともプラスチックフィルム層に隣接する導体層上に、その導体層がプラスチックフィルム層と接触している面は粗雑で、粗さが０．３−１０μｍで、導体層の総厚さが０．０１−３５μｍであり、前記プラスチックフィルム層はプラスチックからなった０．２−１０μｍの厚さを有する層、またはプラスチックと導電性粒子の混合物からなった０．２−２０μｍの厚さを有する層であり、プラスチックと導電性粒子の混合物からなった層中で導電性粒子とプラスチックの体積の百分率は２％−８０％であり、導電性粒子の粒度は０．１−１５μｍであり、この構造に対応する接地方式において、導体層の粗面を介して遮蔽膜の絶縁層を突き刺すことによって、導体層と遮蔽層を連結させ、或いは、プラスチックフィルム層中の導電性粒子が凝集による大きい導電性粒子と導体層の粗面との協働を利用して遮蔽膜の絶縁層を突き刺し、遮蔽層と連結され、
前記粗さとは、輪郭の最大高さＲｚを意味することを特徴とする接地膜。
【請求項２】
前記導体層の材料は、金属材料、フェライト、グラファイト、炭素ナノチューブおよびグラフェン中の少なくとも一つであり、前記金属材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀、金、モリブデンの少なくとも一つ、または前記金属元素中の少なくとも二つが形成する合金であり、前記プラスチックは、変性エポキシ樹脂、変性アクリル酸、変性ゴム、変性熱可塑性ポリイミド、変性ウレタン系樹脂中の少なくとも一つであることを特徴とする請求項１に記載の接地膜。
【請求項３】
前記剥離可能なキャリアフィルムは、剥離可能な金属箔キャリアテープ、または分散と離型作用を有するポリエステルキャリアフィルムであることを特徴とする請求項１に記載の接地膜。
【請求項４】
前記導体層と剥離可能なキャリアフィルムの間に耐熱耐酸化層が設けられ、前記耐熱耐酸化層の材料と厚さの範囲は次の三つの場合、
○１  耐熱耐酸化層の厚さは０.０１−５μｍであり、前記耐熱耐酸化層の材料は、金属材料、フェライト、グラファイト、炭素ナノチューブ、グラフェンと銀ペースト中の一つであり、前記金属材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀、金、モリブデンの金属元素中の一つ、またはこの金属元素中の少なくとも二つが形成する合金であることと、
○２  前記耐熱耐酸化層は、変性エポキシ樹脂、変性アクリル酸、変性ゴム、変性熱可塑性ポリイミド、変性ウレタン系樹脂中の少なくとも一つであるプラスチックからなり、その厚さは０．１−２μｍであることと、
○３  前記耐熱耐酸化層は、プラスチックと導電性粒子の混合物からなり、導電性粒子とプラスチックの体積比は５％−８０％であり、その厚さは０．１−５μｍであることと、の一つであることを特徴とする請求項１に記載の接地膜。
【請求項５】
プリント回路基板上に電磁波遮蔽膜が設けられ、電磁波遮蔽膜の表面に請求項１〜請求項４のいずれかに記載のフリー接地膜が設けられることを特徴とする接地膜を含む遮蔽回路基板。
【請求項６】
前記電磁波遮蔽膜に遮蔽層と、遮蔽層上に設けられた絶縁層と、が含まれ、以下の三つの方式、
ａ、前記導体層の表面は平坦であり、導体層の総厚さは０．０１−３５μｍであり、前記プラスチックフィルム層は、導電性粒子とプラスチックの混合物からなった０．２−２０μｍの厚さを有する層であり、そのプラスチック中で導電性粒子とプラスチックの体積の百分率は２％-８０％で、導電性粒子の粒度は０．１−１５μｍであり、この構造に対応する接地方式において、プラスチックフィルム層中の導電性粒子が凝集したより大きい導電性粒子を利用して電磁波遮蔽膜の絶縁層を突き刺し、遮蔽層と連結されること、
ｂ、少なくともプラスチックフィルム層に隣接する導体層上に、その導体層とプラスチックフィルム層が接触している面が粗雑で、粗さが０．３−１０μｍであり、導体層の総厚さは、０．０１−３５μｍであり、前記プラスチックフィルム層は、プラスチックからなった０．２−１０μｍの厚さを有する層であり、この構造に対応する接地方式において、導体層の粗面を介して遮蔽膜の絶縁層を突き刺すことによって、導体層と遮蔽層を連結させること、
ｃ、少なくともプラスチックフィルム層に隣接する導体層上に、その導体層とプラスチックフィルム層が接触している面が粗雑で、粗さが０．３−１０μｍであり、導体層の総厚さは、０．０１−３５μｍであり、前記プラスチックフィルム層は、プラスチックと導電性粒子の混合物からなった０．２−２０μｍの厚さを有する層であり、プラスチックと導電性粒子の混合物からなった層中で、導電性粒子とプラスチックの体積の百分率は２％−８０％であり、導電性粒子の粒度は０．１−１５μｍであり、この構造に対応する接地方式において、プラスチックフィルム層中の導電性粒子が凝集による大きい導電性粒子と導体層の粗面との協働を利用して遮蔽膜の絶縁層を突き刺し、遮蔽層と連結されること、
の一つを採用して接地を実現することを特徴とする請求項５に記載の回路基板の接地方法。
【請求項７】
１）請求項３に記載の剥離可能な金属箔キャリアテープの一側に導電性耐熱耐酸化層を形成するステップと、
２）耐熱耐酸化層の他方の側に少なくとも一つの導体層を形成するステップと、
３）導体層上にプラスチックフィルム層を形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の接地膜の製造方法。
【請求項８】
１）請求項３に記載の分散と離型作用を有するポリエステルキャリアフィルムの一側に樹脂系耐熱耐酸化層を形成するステップと、
２）耐熱耐酸化層の他方の側に少なくとも一つの導体層を形成するステップと、
３）導体層上にプラスチックフィルム層を形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の接地膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フリー接地膜とその製造方法、フリー接地膜を含む遮蔽回路基板と接地方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブルプリント回路（ＦＰＣ）は、電子部品を連結する特別な基材として、軽くて、薄く、構造が多様で、曲げ抵抗など優れた性能を有する。折畳式携帯電話、液晶ディスプレイ、ノートブックコンピュータ、負荷ＩＣパッケージ基板などのハイエンド領域に広く応用することができる。
【０００３】
近年では、エレクトロニクス産業の急速な発展に伴い、電子製品は、小型化、軽量化、アセンブリ高密度化へさらに発展して、通信システムの高周波趨勢によって、第三世代の携帯電話がすでに大量に市場へ入り、そのほかに、携帯電話の機能の整合も携帯電話の部品の高周波化、高速化を急速に推進している。携帯電話のキーコンポーネントの高周波化は決して避けることができない。高周波、高速の駆動下で発生するコンポーネント内部及び外部の電磁干渉問題はだんだん厳重になり、従って、機能フレキシブル回路基板の重要な指標は、電磁波遮蔽（ＥＭＩ  Ｓｈｉｅｌｄｉｎｇ）であり、遮蔽膜は回路基板の必須的な補助材料である。
【０００４】
回路基板の技術分野では、みな回路基板上のカバーフィルムにウィンドウィングした後貼った電磁遮蔽膜を採用し、信号線に発生するノイズを、遮蔽膜を介して回路基板の地層に導入させて、コンポーネント内部および外部の電磁干渉の遮蔽を実現する。この使用方法は、回路基板上の接地ＰＡＤの設計を要求し、必ずカバーフィルム上にウィンドウィングし、カバーフィルムのプラスチック超過量を厳密に制御する必要がある。回路基板の加工技術の複雑さを増すだけでなく、同時に接地ＰＡＤのサイズが遮断効果に影響を与えることができる。最大の欠点は、接地ＰＡＤを設計する必要があるので、回路基板の空間を十分に利用することができないことである。
【０００５】
公開番号がＣＮ１０２０２６５２９  Ａであり、名称が「遮蔽膜と、その遮蔽膜を有する遮蔽配線板、及び遮蔽膜の接地方法」である中国発明特許は、導電性部材を公開した。その導電性部材には、接触状態下で外部接地部材に連結する金属層、及び導電性粒子を含む導電性接着層が含まれ、接地は、導電性粒子がそれと連結された遮蔽膜の絶縁カバーフィルム層を突き刺し、最終的に地層と連結されることに依存する。この方法は、遮蔽膜のフリー接地を実現し、上記の技術的な難点を克服するけれど、導電性粒子のサイズの要求が比較的高く、コストがより高い。特殊な形状を有し、直径の比較的大きい粒子が遮蔽膜の絶縁カバーフィルム層を突き刺すと同時に、導電性粒子の粒度分布が比較的均一であることを必要とし、もし平均粒度より小さい導電性粒子が存在する場合、局部的に遮蔽膜の絶縁カバーフィルム層を突き刺すことができない現状が出現し、さらに接地に影響を与えることができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、フリー接地膜とその製造方法、フリー接地膜を含む遮蔽回路基板と接地方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によって採用される技術案は、次のようである。
フリー接地膜は、少なくとも一つの導体層を含む。
【０００８】
上記導体層の一側は、プラスチックフィルム層であり、他方の側は、剥離可能なキャリアフィルムである。
【０００９】
上記導体層の表面は平坦であり、導体層の総厚さは０．０１−３５μｍである。上記プラスチックフィルム層は、導電性粒子とプラスチックの混合物からなった０．２−２μｍの厚さを有する層であり、そのプラスチックフィルム層中で導電性粒子とプラスチックの体積の百分率は２％−８０％である。導電性粒子の粒度は０．１−１５μｍである。
または、少なくともプラスチックフィルム層に隣接する導体層上に、その導体層がプラスチックフィルム層と接触している面は粗雑で、粗さが０．３−１０μｍで、導体層の総厚さが０．０１−３５μｍである。上記のプラスチックフィルム層はプラスチックからなった０．２−１０μｍの厚さを有する層、またはプラスチックと導電性粒子の混合物からなった０．２−２０μｍの厚さを有する層である。プラスチックと導電性粒子の混合物からなった層中で導電性粒子とプラスチックの体積の百分率は２％−８０％である。導電性粒子の粒度は０．１−１５μｍである。
【００１０】
上記の導体層の材料は、金属材料、フェライト、グラファイト、炭素ナノチューブおよびグラフェン中の少なくとも一つである。上記の金属材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀、金、モリブデンの少なくとも一つ、または上記金属元素中の少なくとも二つが形成する合金である。上記のプラスチックは、変性エポキシ樹脂、変性アクリル酸、変性ゴム、変性熱可塑性ポリイミド、変性ウレタン系樹脂中の少なくとも一つである。
【００１１】
上記の剥離可能なキャリアフィルムは、剥離可能な金属箔キャリアテープ、または分散と離型作用を有するポリエステルキャリアフィルムである。
【００１２】
上記導体層と剥離可能なキャリアフィルムの間に耐熱耐酸化層が設けられ、上記の耐熱耐酸化層の材料と厚さの範囲は、次の三つの場合の一つである。
○１  耐熱耐酸化層の厚さは０．０１−５μｍである。上記耐熱耐酸化層の材料は、金属材料、フェライト、グラファイト、炭素ナノチューブ、グラフェンと銀ペースト中の一つである。上記の金属材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀、金、モリブデンの金属元素中の一つ、または上記金属元素中の少なくとも二つが形成する合金である。
○２  上記耐熱耐酸化層は、プラスチックからなり、上記のプラスチックは、変性エポキシ樹脂、変性アクリル酸、変性ゴム、変性熱可塑性ポリイミド、変性ウレタン系樹脂中の少なくとも一つであり、その厚さは０．１−２μｍである。
○３  上記耐熱耐酸化層は、プラスチックと導電性粒子の混合物からなり、導電性粒子とプラスチックの体積比は５％−８０％であり、その厚さは０．１−５μｍである。
【００１３】
フリー接地膜を含む遮蔽回路基板は、プリント回路基板上に電磁波遮蔽膜が設けられ、電磁波遮蔽膜の表面上に上記のフリー接地膜が設けられる。
【００１４】
回路基板の接地方法において、上記の電磁波遮蔽膜に遮蔽層と、遮蔽層上に設けられた絶縁層と、が含まれ、以下の三つの方式の一つを採用して接地を実現する。
【００１５】
ａ、上記導体層の表面は平坦であり、導体層の総厚さは０．０１−３５μｍである。上記のプラスチックフィルム層は、導電性粒子とプラスチックの混合物からなり、０．２−２０μｍの厚さを有する層であり、そのプラスチック中で導電性粒子とプラスチックの体積の百分率は２％−８０％で、導電性粒子の粒度は０．１−１５μｍであり、この構造に対応する接地方式において、プラスチックフィルム層中の導電性粒子が凝集したより大きい導電性粒子を利用して電磁波遮蔽膜の絶縁層を突き刺し、遮蔽層と連結される。
ｂ、少なくともプラスチックフィルム層に隣接する導体層の上に、その導体層とプラスチックフィルム層が接触している面が粗雑で、粗さが０．３−１０μｍであり、導体層の総厚さは、０．０１−３５μｍである。上記のプラスチックフィルム層は、プラスチックからなった厚さの０．２−１０μｍの層であり、この構造に対応する接地方式において、導体層の粗面を介して遮蔽膜の絶縁層を突き刺すことによって、導体層と遮蔽層を連結させる。
ｃ、少なくともプラスチックフィルム層に隣接する導体層の上に、その導体層とプラスチックフィルム層が接触している面が粗雑で、粗さが０．３−１０μｍであり、導体層の総厚さは、０．０１−３５μｍである。上記のプラスチックフィルム層は、プラスチックと導電性粒子の混合物からなった厚さの０．２−２０μｍの層である。プラスチックと導電性粒子の混合物からなった層中で、導電性粒子とプラスチックの体積の百分率は２％−８０％である。導電性粒子の粒度は０．１−１５μｍであり、この構造に対応する接地方式において、プラスチックフィルム層中の導電性粒子が凝集による大きい導電性粒子と導体層の粗面との協働を利用して遮蔽膜の絶縁層を突き刺し、遮蔽層と連結される。
【００１６】
フリー接地膜の製造方法は、以下の手順による。
１）上記の剥離可能な金属箔キャリアテープの一側に導電性耐熱耐酸化層を形成するステップ、
２）耐熱耐酸化層の他方の側に少なくとも一つの導体層を形成するステップ、
３）導体層上にプラスチックフィルム層を形成するステップ。
【００１７】
フリー接地膜の製造方法は、以下の手順による。
１）分散と離型作用を有するポリエステルキャリアフィルムの一側に樹脂系耐熱耐酸化層を形成するステップ、
２）耐熱耐酸化層の他方の側に少なくとも一つの導体層を形成するステップ、
３）導体層上にプラスチックフィルム層を形成するステップ。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の有益な効果は、本発明のフリー接地膜が、従来の遮蔽接地方式を変更し、大幅に製品の信頼性を向上させると同時に、コストを低下することである。
【００１９】
具体的に言って、
プラスチックフィルム層は、導電性粒子を含み、導電性粒子が自由に凝集して一定の大きさを有し、遮蔽膜の絶縁層を突き刺すことができ、接地を実現する。プラスチックフィルム層中に導電性粒子が含まれなく、導体層の粗面を介して遮蔽膜の絶縁層を突き刺すことができ、少量の導電性粒子を入れることでも、接地を実現することができ、さらに製品の信頼性を大幅に向上させると同時に、コストを低下する。遮蔽回路基板上にフリー接地膜を接合して遮蔽膜がフリー接地膜の導体層と接続されるようにして、任意の接地を実現する。従来の遮蔽接地方式と、カバーフィルムのウィンドウィングを節約し、カバーフィルムのプラスチック超過量を制御する関連技術と、を変更して、遮蔽効果を確保する。同時に、回路基板の微小スペースを十分に利用して、回路基板の地層を全部信号線として設計し、回路密度を増加することによって、回路基板の小型化、多機能化を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明に係るフリー接地膜の構造を示す図である。
【図２】本発明に係るフリー接地膜の構造を示す図である。
【図３】本発明に係るフリー接地膜の構造を示す図である。
【図４】本発明に係るフリー接地膜の構造を示す図である。
【図５】本発明に係るフリー接地膜の構造を示す図である。
【図６】本発明に係るフリー接地膜の構造を示す図である。
【図７】本発明に係るフリー接地膜を含む遮蔽回路基板の構造を示す図である。
【図８】本発明に係るフリー接地膜を含む遮蔽回路基板の構造を示す図である。
【図９】本発明に係るフリー接地膜を含む遮蔽回路基板の構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
フリー接地膜は、少なくとも一つの導体層を含む。
【００２２】
上記導体層の一側は、プラスチックフィルム層であり、他方の側は、剥離可能なキャリアフィルムである。
【００２３】
上記導体層の表面は平坦であり、導体層の総厚さは０．０１−３５μｍ（０．１−１０μｍであることが好ましい。）である。上記プラスチックフィルム層は、導電性粒子とプラスチックの混合物からなった０．２−２０μｍ（０．５−１０μｍであることが好ましい。）の厚さを有する層であり、そのプラスチックフィルム層中で導電性粒子とプラスチックの体積の百分率は２％−８０％（５−８０％であることが好ましい。）である。導電性粒子の粒度は０．１−１５μｍである。
【００２４】
または、少なくともプラスチックフィルム層に隣接する導体層上に、その導体層がプラスチックフィルム層と接触している面は粗雑で、粗さが０．３−１０μｍ（粗さが０．３−８μｍであることが好ましい。）で、導体層の総厚さが０．０１−３５μｍ（０．１−１０μｍであることが好ましい。）である。上記のプラスチックフィルム層はプラスチックからなった０．２−１０μｍ（０．５−１０μｍであることが好ましい。）の厚さを有する層、またはプラスチックと導電性粒子の混合物からなった０．２−２０μｍ（０．５−１０μｍであることが好ましい。）の厚さを有する層である。プラスチックと導電性粒子の混合物からなった層中で導電性粒子とプラスチックの体積の百分率は２％−８０％（５−８０％であることが好ましい。）である。導電性粒子の粒度は０．１−１５μｍである。
【００２５】
上記の導体層の材料は、金属材料、フェライト、グラファイト、炭素ナノチューブおよびグラフェン中の少なくとも一つである。上記の金属材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀、金、モリブデンの少なくとも一つ、または上記金属元素中の少なくとも二つが形成する合金である。上記のプラスチックは、変性エポキシ樹脂、変性アクリル酸、変性ゴム、変性熱可塑性ポリイミド、変性ウレタン系樹脂中の少なくとも一つである。
【００２６】
上記の剥離可能なキャリアフィルムは、剥離可能な金属箔キャリアテープ、または分散と離型作用を有するポリエステルキャリアフィルムである。
【００２７】
上記の剥離可能な金属箔キャリアテープの製造方法は次のようである。
１）金属箔基質に対して表面処理を行って、その表面張力が４０−９０ダインになるようにする。
２）基質の一方の側面に真空メッキ層を形成する。
３）真空メッキ層の表面に光沢化処理を行って、表面の金属光沢層を形成する。
上記導体層と剥離可能なキャリアフィルムの間に耐熱耐酸化層が設けられる。
【００２８】
耐熱耐酸化層の厚さの範囲、材料、形成方式は、次の三つの場合の一つである。
○１  耐熱耐酸化層の厚さは０．０１−５μｍで、好ましいのは０．１−１μｍである。上記耐熱耐酸化層２の材料は、金属材料、フェライト、グラファイト、炭素ナノチューブ、グラフェンと銀ペースト中の一つである。上記の金属材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀、金、モリブデンの金属元素中の一つ、または上記金属元素中の少なくとも二つが形成する合金であり、剥離可能なキャリアフィルムの層上に耐熱耐酸化層を形成する方式は、化学メッキ、ＰＶＤ、ＣＶＤ、蒸着、スパッタリングメッキ、電気メッキ中の一つ、または上記技術中の少なくとも二つの複合技術である。
○２  上記耐熱耐酸化層は、プラスチックからなり、上記のプラスチックは、変性エポキシ樹脂、変性アクリル酸、変性ゴム、変性熱可塑性ポリイミド、変性ウレタン系樹脂中の少なくとも一つであり、その厚さは０．１−２μｍである。
○３  上記耐熱耐酸化層は、プラスチックと導電性粒子の混合物からなり、導電性粒子とプラスチックの体積比は、５％−８０％であり、その厚さは０．１−５μｍである。
【００２９】
○２と○３に関して、剥離可能なキャリアフィルムの層に耐熱耐酸化層を形成するのは、塗布した後固化させると十分である。
【００３０】
フリー接地膜を含む遮蔽回路基板は、プリント回路基板上に電磁波遮蔽膜が設けられ、電磁波遮蔽膜の表面上にフリー接地膜が設けられる。
【００３１】
回路基板の接地方法において、上記の電磁波遮蔽膜には、遮蔽層と、遮蔽層上に設けられた絶縁層が含まれ、次の三つの方式の一つを利用して接地を実現する。
ａ、上記導体層の表面は平坦であり、導体層の総厚さは０．０１−３５μｍ（０．１−１０μｍであることが好ましい。）である。上記のプラスチックフィルム層は、導電性粒子とプラスチックの混合物からなった０．２−２０μｍ（０．５−１０μｍであることが好ましい。）の厚さを有する層であり、そのプラスチックフィルム層中で導電性粒子とプラスチックの体積の百分率は２％−８０％（５−８０％であることが好ましい。）で、導電性粒子の粒度は０．１−１５μｍであり、この接地方式において、プラスチックフィルム層中の導電性粒子が凝集したより大きい導電性粒子を利用して電磁波遮蔽膜の絶縁層を突き刺し、遮蔽層と連結される。
ｂ、少なくともプラスチックフィルム層に隣接する導体層上に、その導体層とプラスチックフィルム層が接触している面が粗雑で、粗さが０．３−１０μｍ（粗さが０．３−８μｍであることが好ましい。）であり、導体層の総厚さは０．０１−３５μｍ（０．１−１０μｍであることが好ましい。）である。上記のプラスチックフィルム層は、プラスチックからなった０．２−１０μｍ（０．５−１０μｍであることが好ましい。）の厚さを有する層であり、この接地方式において、導体層の粗面を介して遮蔽膜の絶縁層を突き刺すことによって、導体層と遮蔽層を連結させる。
ｃ、少なくともプラスチックフィルム層に隣接する導体層上に、その導体層とプラスチックフィルム層が接触している面が粗雑で、粗さが０．３−１０μｍ（粗さが０．３−８μｍであることが好ましい。）であり、導体層の総厚さは、０．０１−３５μｍ（０．１−１０μｍであることが好ましい。）である。上記のプラスチックフィルム層は、プラスチックと導電性粒子の混合物からなった０．２−２０μｍ（０．５−１０μｍであることが好ましい。）の厚さを有する層である。プラスチックと導電性粒子の混合物からなった層中で、導電性粒子とプラスチックの体積の百分率は２％−８０％である。導電性粒子の粒度は０．１−１５μｍであり、この接地方式において、プラスチックフィルム層中の導電性粒子が凝集による大きい導電性粒子と導体層の粗面との協働を利用して遮蔽膜の絶縁層を突き刺し、遮蔽層と連結される。
【００３２】
電磁波遮蔽膜の絶縁層の厚さの下限は０．２μｍで、上限は１５μｍであることが好ましく、３−１０μｍであることがさらに好ましい。上記三つの異なる接地方式に関して、厚さの上限は整合を十分に実現することができ、すなわち、ａ、プラスチックフィルム層の導電性粒子が凝集して大きい粒子になり、その厚さの上限は、大きい導電性粒子が単独に絶縁層を突き刺し、遮蔽層と接触することを満足することができ、このように接地を実現すること、ｂ、導体層の粗面が単独に絶縁層を突き刺して接地を実現するが、その厚さの上限は、導体層の粗面が単独に絶縁層を突き刺し、遮蔽層と接触することを満足することができ、このように接地を実現すること、ｃ、プラスチックフィルム層の導電性粒子が凝集して大きい粒子になり、その厚さの上限は、導体層の粗面が大きい導電性粒子と協働して絶縁層を突き刺し、遮蔽層に接触することを満足することができ、このように接地を実現することである。
【００３３】
本発明に係る電磁波遮蔽膜は、相互接続された絶縁層と導体層を含む従来の技術の製品であり、特許申請番号が２０１４１００１６７６９．２であり、名称が「電磁波遮蔽膜、及び遮蔽膜を含む回路基板の製造方法」である発明で紹介された電磁波遮蔽膜と同じである。または、特許申請番号が２０１４２００２２７５３．８であり、名称が「プリント回路基板用電磁波遮蔽膜、及び遮蔽膜を含むプリント回路基板」である実用新案で描述した遮蔽膜の構造と同じである。
【００３４】
フリー接地膜の製造方法は、製造の手順が次のようである。
１）上記の剥離可能な金属箔キャリアテープの一側に導電性耐熱耐酸化層を形成するステップ、
２）耐熱耐酸化層の他方の側に少なくとも一つの導体層を形成するステップ、
３）導体層上にプラスチックフィルム層を形成するステップ。
【００３５】
フリー接地膜の製造方法は、製造の手順が次のようである。
１）上記の分散と離型作用を有するポリエステルキャリアフィルムの一側に樹脂系耐熱耐酸化層を形成するステップ、
２）耐熱耐酸化層の他方の側に少なくとも一つの導体層を形成するステップ、
３）導体層上にプラスチックフィルム層を形成するステップ。
【００３６】
以下に具体的な実施例を結合して本発明に対して、さらに説明する。
【００３７】
（実施例１）
図１に示すように、フリー接地膜は、剥離可能なキャリアフィルム１の一側に耐熱耐酸化層２が設けられ、耐熱耐酸化層２の他方の側に導体層３１と導体層３２から構成される導体層３が設けられる。導体層３２の他方の側には、導電性粒子を含むプラスチックフィルム層４が設けられ、上記の剥離可能なキャリアフィルム１の組成は、金属箔基質１０、真空メッキ層１２、及び金属光沢層１３である。
【００３８】
その中で、剥離可能なキャリアフィルムの製造方法は次のようである。
１）金属箔基質に表面処理を行って、その表面張力が４０−９０ダインになるようにする。
２）基質の一方の側面に真空メッキ層を形成する。
３）真空メッキ層の表面に光沢化処理を行って、表面の金属光沢層を形成する。
【００３９】
フリー接地膜の製造方法は、製造の具体的な手順が次のようである。
１）剥離可能なキャリアフィルム１の一側に耐熱耐酸化層２を形成する（すなわち、キャリアフィルムの金属光沢層上に耐熱耐酸化層を形成する。）ステップ。上記耐熱耐酸化層の厚さは０．０１−５μｍで、好ましいのは０．１−１μｍである。上記耐熱耐酸化層２の材料は、金属材料、フェライト、グラファイト、炭素ナノチューブ、グラフェンと銀ペースト中の一つである。上記の金属材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀、金、モリブデンの金属元素中の一つ、またはこの金属元素中の少なくとも二つが形成する合金である。上記耐熱耐酸化層２の形成方式は、化学メッキ、ＰＶＤ、ＣＶＤ、蒸着、スパッタリングメッキ、電気メッキ中の一つ、または上記技術中の少なくとも二つの複合技術である。
２）耐熱耐酸化層２の他方の側に導体層３１を形成するステップ。上記導体層３１の厚さは、０．０１−１μｍで、好ましいのは０．１−１μｍであり、導体層３１の材料は、金属材料、フェライト、グラファイト、炭素ナノチューブとグラフェン中の一つである。上記の金属材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀、金、モリブデンの金属元素中の一つ、またはこの金属元素中の少なくとも二つが形成する合金である。上記導体層３１の形成方式は、化学メッキ方式として、化学メッキ、ＰＶＤ、ＣＶＤ、蒸着、スパッタリングメッキ、電気メッキ中の一つ、または上記技術中の少なくとも二つの複合技術である。
３）導体層３１の表面に導体層３２を形成するステップ。上記導体層の厚さが０．０１−３５μｍで、好ましいのは０．５−１０μｍであり、導体層３２の材料は、金属材料、フェライト、グラファイト、炭素ナノチューブとグラフェン中の一つである。上記の金属材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀、金、モリブデンの金属元素中の一つ、またはこの金属元素中の少なくとも二つが形成する合金である。上記導体層３２の形成方式は、化学メッキ、ＰＶＤ、ＣＶＤ、蒸着、スパッタリングメッキ、電気メッキ中の一つ、または上記技術中の少なくとも二つの複合技術である。
４）導体層３２の表面にプラスチックフィルム層４を形成するステップ。上記プラスチックフィルム層４は、プラスチックと導電性粒子の混合物からなり（製造方法は、周知の通り、例えば、塗布した後固化するのである。）、厚さが０．２−２０μｍで、好ましいのは０．５−１０μｍである。プラスチックフィルム層４のプラスチックは、変性エポキシ樹脂、変性アクリル酸、変性ゴム、変性熱可塑性ポリイミド、変性ウレタン系樹脂中の少なくとも一つである。導電性粒子は、凝集してより大きくなることができる炭素、銀、ニッケル、銅、ニッケル金、銅ニッケル、銅ニッケル金の粒子中の少なくとも一つである。導電性粒子の粒度は０．１−１５μｍで、好ましいのは０．２−１０μｍである。導電性粒子とプラスチックの体積比は２％−８０％で、好ましいのは５％−８０％である。
【００４０】
（実施例２）
図２に示すように、フリー接地膜は、剥離可能なキャリアフィルム１の一側に耐熱耐酸化層２が設けられ、耐熱耐酸化層２の他方の側に導体層３１と導体層３２から構成される導体層３が設けられる。導体層３２の他方の側にはプラスチックフィルム層４（プラスチックフィルム層には導電性粒子が含まれない。）が設けられ、上記の剥離可能なキャリアフィルム１の組成は、金属箔基質１０、真空メッキ層１２及び金属光沢層１３である。
【００４１】
その中で、剥離可能なキャリアフィルムの製造方法は次のようである。
１）金属箔基質に表面処理を行って、その表面張力が４０−９０ダインになるようにする。
２）基質の一方の側面に真空メッキ層を形成する。
３）真空メッキ層の表面に光沢化処理を行って、表面の金属光沢層を形成する。
【００４２】
フリー接地膜の製造方法は、製造の具体的な手順が次のようである。
１）剥離可能なキャリアフィルム１の一側に耐熱耐酸化層２を形成する（すなわち、キャリアフィルムの金属光沢層上に耐熱耐酸化層を形成する。）ステップ。上記耐熱耐酸化層の厚さは０．０１−５μｍで、好ましいのは０．１−１μｍである。上記耐熱耐酸化層２の材料は、金属材料、フェライト、グラファイト、炭素ナノチューブ、グラフェンと銀ペースト中の一つである。上記の金属材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀、金、モリブデンの金属元素中の一つ、またはこの金属元素中の少なくとも二つが形成する合金である。上記耐熱耐酸化層２の形成方式は、化学メッキ、ＰＶＤ、ＣＶＤ、蒸着、スパッタリングメッキ、電気メッキ中の一つ、または上記技術中の少なくとも二つの複合技術である。
２）耐熱耐酸化層２の他方の側に導体層３１を形成するステップ。上記導体層３１の厚さは、０．０１−１μｍで、好ましいのは０．１−１μｍであり、導体層３１の材料は、金属材料、フェライト、グラファイト、炭素ナノチューブとグラフェン中の一つである。上記の金属材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀、金、モリブデンの金属元素中の一つ、またはこの金属元素中の少なくとも二つが形成する合金である。上記導体層３１の形成方式は、化学メッキ、ＰＶＤ、ＣＶＤ、蒸着、スパッタリングメッキ、電気メッキ中の一つ、または上記技術中の少なくとも二つの複合技術である。
３）導体層３１の表面に導体層３２を形成するステップ。上記導体層３２の厚さが０．０１−３５μｍ  で、好ましいのは０．１−１０μｍであり、導体層３２の材料は、金属材料、フェライト、グラファイト、炭素ナノチューブとグラフェン中の一つである。上記の金属材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀、金、モリブデンの金属元素中の一つ、またはこの金属元素中の少なくとも二つが形成する合金である。上記導体層３２の形成方式は、化学メッキ、ＰＶＤ、ＣＶＤ、蒸着、スパッタリングメッキ、電気メッキ中の一つ、または上記技術中の少なくとも二つの複合技術である。
４）導体層３２の表面を粗面化するステップ。回路基板の銅箔粗面化の方法によって、導体層３２の一面を先に粗面化した後、固化し、再び不動態化して、上記粗面化メッキ液にはアルカリ銅メッキ液と酸銅メッキ液が含まれ、または回路基板のマイクロエッチング方法によって、導体層３２の一面を先に粗面化して、再び不動態化する。導体層３２の表面の粗さは、０．３−１０μｍで、好ましいのは０．３−８μｍである。上記マイクロエッチング液は、硫酸−オキシドル型エッチング液、過硫酸ナトリウムエッチング液、塩化銅エッチング液、塩化鉄エッチング液、塩化銅アンモニアーアンモニア水系のアルカリ性エッチング液、有機アルカリ性エッチング液中の一つである。
５）導体層３２の表面にプラスチックフィルム層４を形成するステップ。上記プラスチックフィルム層４は、純粋なプラスチックであり、厚さが０．２−１０μｍで、好ましいのは０．５−１０μｍである。プラスチックフィルム層４の材料は、変性エポキシ樹脂、変性アクリル酸、変性ゴム、変性熱可塑性ポリイミド、変性ウレタン系樹脂中の少なくとも一つである。
【００４３】
（実施例３）
図３に示すように、フリー接地膜が剥離可能なキャリアフィルム１の一側に耐熱耐酸化層２が設けられ、耐熱耐酸化層２の他方の側に導体層３１と導体層３２から構成される導体層３が設けられる。導体層３２の他方の側にはプラスチックフィルム層４が設けられ、上記プラスチックフィルム層４は導電性粒子を含有し、上記の剥離可能なキャリアフィルム１の組成は、金属箔基質１０、真空メッキ層１２及び金属光沢層１３である。
【００４４】
その中で、剥離可能なキャリアフィルムの製造方法は次のようである。
１）金属箔基質に表面処理を行って、その表面張力が４０−９０ダインになるようにする。
２）基質の一方の側面に真空メッキ層を形成する。
３）真空メッキ層の表面に光沢化処理を行って、表面の金属光沢層を形成する。
【００４５】
フリー接地膜の製造方法は、製造の具体的な手順が次のようである。
１）剥離可能なキャリアフィルム１の一側に耐熱耐酸化層２を形成する（すなわち、キャリアフィルムの金属光沢層上に耐熱耐酸化層を形成する。）ステップ。上記耐熱耐酸化層の厚さは０．０１−５μｍで、好ましいのは０．１−１μｍである。上記耐熱耐酸化層２の材料は、金属材料、フェライト、グラファイト、炭素ナノチューブ、グラフェンと銀ペースト中の一つである。上記の金属材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀、金、モリブデンの金属元素中の一つ、またはこの金属元素中の少なくとも二つが形成する合金である。上記耐熱耐酸化層２の形成方式は、化学メッキ、ＰＶＤ、ＣＶＤ、蒸着、スパッタリングメッキ、電気メッキ中の一つ、または上記技術中の少なくとも二つの複合技術である。
２）耐熱耐酸化層２の他方の側に導体層３１を形成するステップ。上記導体層３１の厚さは、０．０１−１μｍで、好ましいのは０．１−１μｍであり、導体層３１の材料は、金属材料、フェライト、グラファイト、炭素ナノチューブとグラフェン中の一つである。上記の金属材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀、金、モリブデンの金属元素中の一つ、またはこの金属元素中の少なくとも二つが形成する合金である。上記導体層３１の形成方式は、化学メッキ、ＰＶＤ、ＣＶＤ、蒸着、スパッタリングメッキ、電気メッキ中の一つ、または上記技術中の少なくとも二つの複合技術である。
３）導体層３１の表面に導体層３２を形成するステップ。上記導体層３２の厚さは、０．０１−３５μｍで、好ましいのは０．１−１０μｍであり、導体層３２の材料は、金属材料、フェライト、グラファイト、炭素ナノチューブとグラフェン中の一つである。上記の金属材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀、金、モリブデンの金属元素中の一つ、またはこの金属元素中の少なくとも二つが形成する合金である。上記導体層３２の形成方式は、化学メッキ、ＰＶＤ、ＣＶＤ、蒸着、スパッタリングメッキ、電気メッキ中の一つ、または上記技術中の少なくとも二つの複合技術である。
４）導体層３２の表面を粗面化するステップ。回路基板の銅箔粗面化の方法によって、導体層３２の一面を先に粗面化した後、固化し、再び不動態化して、上記粗面化メッキ液にはアルカリ銅メッキ液と酸銅メッキ液が含まれ、または、回路基板のマイクロエッチング方法によって、導体層３２の一面を先に粗面化して、再び不動態化する。導体層３２の表面の粗さは、０．３−１０μｍで、好ましいのは０．３−８μｍである。上記マイクロエッチング液は、硫酸−オキシドル型エッチング液、過硫酸ナトリウムエッチング液、塩化銅エッチング液、塩化鉄エッチング液、塩化銅アンモニアーアンモニア水系のアルカリ性エッチング液、有機アルカリ性エッチング液中の一つである。
５）導体層３２の表面にプラスチックフィルム層４を形成するステップ。上記プラスチックフィルム層４は、プラスチックと導電性粒子の混合物からなり、厚さが０．２−２０μｍで、好ましいのは０．５−１０μｍである。プラスチックフィルム層４のプラスチックは、変性エポキシ樹脂、変性アクリル酸、変性ゴム、変性熱可塑性ポリイミド、変性ウレタン系樹脂中の少なくとも一つである。導電性粒子は、凝集してより大きくなることができる炭素、銀、ニッケル、銅、ニッケル金、銅ニッケル、銅ニッケル金の粒子中の少なくとも一つである。導電性粒子の粒度は０．１−１５μｍで、好ましいのは０．２−１０μｍである。導電性粒子とプラスチックの体積比は２％−８０％で、好ましいのは５％−８０％である。
【００４６】
上記実施例１〜実施例３中で、剥離可能なキャリアフィルム１は、基質１０の表面に粗さが０．３−７μｍのプラスチックフィルム層を形成した後その上に真空メッキ層１２と金属光沢層１３を形成することもでき、これから得られる剥離可能なキャリアフィルム１の金属光沢層１３も一定の粗さを有し、つづいて金属光沢層１３の表面に順次に耐熱耐酸化層２、導体層３を形成して、導体層３が粗面化の前に既に一定の粗さを有するようにし、突き刺す効果を強化する。上記粗さが０．３−７μｍのプラスチックフィルム層には、樹脂と充填剤が含まれ、充填剤を介して、プラスチックフィルム層の粗さを変更し、最終的に導体層３の粗さを変更することによって、突き刺す効果を強化する。樹脂は、変性エポキシ樹脂類、変性アクリル酸、変性ゴム、変性熱可塑性ポリイミド、変性ウレタン系樹脂中の少なくとも一つであり、充填剤は、シリカ、水酸化アルミニウム、炭酸カルシウム、二酸化チタン、酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、雲母粉、ケイ素微粉、タルク粉、カオリン中の少なくとも一つである。充填剤と樹脂の体積の百分率は、１０％−８０％である。
【００４７】
（実施例４）
図４に示すように、フリー接地膜は、剥離可能なキャリアフィルム１の一側に耐熱耐酸化層２が設けられ、耐熱耐酸化層２の他方の側に導体層３１と導体層３２から構成される導体層３が設けられる。導体層３２の他方の側にはプラスチックフィルム層４が設けられ、上記プラスチックフィルム層４は導電性粒子を含有し、上記の剥離可能なキャリアフィルムは、離型と分散作用を有するポリエステル膜である。
【００４８】
フリー接地膜の製造方法は、製造の具体的な手順が次のようである。
１）剥離可能なキャリアフィルム１の一側に耐熱耐酸化層２を形成するステップ。上記耐熱耐酸化層の厚さは０．０１−５μｍである。上記耐熱耐酸化層２は、プラスチックからなり、またはプラスチックと導電性粒子の混合物からなり、上記のプラスチックは、変性エポキシ樹脂類、変性アクリル酸、変性ゴム、変性熱可塑性ポリイミド、変性ウレタン系樹脂中の少なくとも一つである。導電性粒子は、炭素、銀、ニッケル、銅粒子、ニッケル金、銅ニッケル、銅ニッケル金粒子中の少なくとも一つである。上記耐熱耐酸化層２がプラスチックからなった時、その厚さは０．１−２μｍであることが好ましく、上記耐熱耐酸化層２がプラスチックと導電性粒子の混合物からなった時、導電性粒子とプラスチックの体積比は５％−８０％であり、その厚さは０．１−５μｍであることが好ましい。
２）耐熱耐酸化層２の他方の側に導体層３１を形成するステップ。上記導体層３１の厚さは、０．０１−１μｍで、好ましいのは０．１−１μｍであり、導体層３１の材料は、金属材料、フェライト、グラファイト、炭素ナノチューブとグラフェン中の一つである。上記の金属材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀、金、モリブデンの金属元素中の一つ、またはこの金属元素中の少なくとも二つが形成する合金である。上記導体層３１の形成方式は、化学メッキ、ＰＶＤ、ＣＶＤ、蒸着、スパッタリングメッキ、電気メッキ中の一つ、または上記技術中の少なくとも二つの複合技術である。
３）導体層３１の表面に導体層３２を形成するステップ。上記導体層の厚さが０．０１−３５μｍ  で、好ましいのは０．１−１０μｍであり、導体層３２の材料は、金属材料、フェライト、グラファイト、炭素ナノチューブとグラフェン中の一つである。上記の金属材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀、金、モリブデンの金属元素中の一つ、またはこの金属元素中の少なくとも二つが形成する合金である。上記導体層３２の形成方式は、化学メッキ、ＰＶＤ、ＣＶＤ、蒸着、スパッタリングメッキ、電気メッキ中の一つ、または上記技術中の少なくとも二つの複合技術である。
４）導体層３２の表面にプラスチックフィルム層４を形成するステップ。上記プラスチックフィルム層４は、プラスチックと導電性粒子の混合物からなり、厚さが０．２−２０μｍ  で、好ましいのは０．５−１０μｍである。プラスチックフィルム層４のプラスチックは、変性エポキシ樹脂、変性アクリル酸、変性ゴム、変性熱可塑性ポリイミド、変性ウレタン系樹脂中の少なくとも一つである。導電性粒子は、凝集してより大きくなることができる炭素、銀、ニッケル、銅、ニッケル金、銅ニッケル、銅ニッケル金の粒子中の少なくとも一つである。導電性粒子の粒度は０．１−１５μｍで、好ましいのは０．２−１０μｍである。導電性粒子とプラスチックの体積比は２％−８０％で、好ましいのは５％−８０％である。
【００４９】
（実施例５）
図５に示すように、フリー接地膜は、剥離可能なキャリアフィルム１の一側に耐熱耐酸化層２が設けられ、耐熱耐酸化層２の他方の側に導体層３１と導体層３２から構成される導体層３が設けられる。導体層３２の他方の側には、導電性粒子を含まないプラスチックフィルム層４が設けられ、上記の剥離可能なキャリアフィルムは、離型と分散作用を有するポリエステル膜である。
【００５０】
フリー接地膜の製造方法は、製造の具体的な手順が次のようである。
１）剥離可能なキャリアフィルム１の一側に耐熱耐酸化層２を形成するステップ。上記耐熱耐酸化層の厚さは０．０１−５μｍである。上記耐熱耐酸化層２は、プラスチックからなり、またはプラスチックと導電性粒子の混合物からなり、上記のプラスチックは、変性エポキシ樹脂類、変性アクリル酸、変性ゴム、変性熱可塑性ポリイミド、変性ウレタン系樹脂中の少なくとも一つである。導電性粒子は、炭素、銀、ニッケル、銅粒子、ニッケル金、銅ニッケル、銅ニッケル金粒子中の少なくとも一つである。上記耐熱耐酸化層２がプラスチックからなった時、その厚さは０．１−２μｍであることが好ましく、上記耐熱耐酸化層２がプラスチックと導電性粒子の混合物からなった時、導電性粒子とプラスチックの体積比は５％−８０％であり、その厚さは０．１−５μｍであることが好ましい。
２）耐熱耐酸化層２の他方の側に導体層３１を形成するステップ。上記導体層３１の厚さは、０．０１−１μｍで、好ましいのは０．１−１μｍであり、導体層３１の材料は、金属材料、フェライト、グラファイト、炭素ナノチューブとグラフェン中の一つである。上記の金属材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀、金、モリブデンの金属元素中の一つ、またはこの金属元素中の少なくとも二つが形成する合金である。上記導体層３１の形成方式は、化学メッキ、ＰＶＤ、ＣＶＤ、蒸着、スパッタリングメッキ、電気メッキ中の一つ、または上記技術中の少なくとも二つの複合技術である。
３）導体層３１の表面に導体層３２を形成するステップ。上記導体層３２の厚さは０．０１−３５μｍ  で、好ましいのは０．１−１０μｍであり、導体層３２の材料は、金属材料、フェライト、グラファイト、炭素ナノチューブとグラフェン中の一つである。上記の金属材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀、金、モリブデンの金属元素中の一つ、またはこの金属元素中の少なくとも二つが形成する合金である。上記導体層３２の形成方式は、化学メッキ、ＰＶＤ、ＣＶＤ、蒸着、スパッタリングメッキ、電気メッキ中の一つ、または上記技術中の少なくとも二つの複合技術である。
４）導体層３２の表面を粗面化するステップ。回路基板の銅箔の粗面化方法によって、導体層３２の一面を先に粗面化した後、固化し、再び不動態化して、上記粗面化メッキ液にはアルカリ銅メッキ液と酸銅メッキ液が含まれ、または、回路基板のマイクロエッチング方法によって、導体層３２の一面を先に粗面化して、再び不動態化する。導体層３２の表面の粗さは、０．３−１０μｍで、好ましいのは０．３−８μｍである。上記マイクロエッチング液は、硫酸−オキシドル型エッチング液、過硫酸ナトリウムエッチング液、塩化銅エッチング液、塩化鉄エッチング液、塩化銅アンモニアーアンモニア水系のアルカリ性エッチング液、有機アルカリ性エッチング液の一つである。
５）導体層３２の表面にプラスチックフィルム層４を形成するステップ。上記プラスチックフィルム層４は、プラスチックからなり、厚さが０．２−１０μｍで、好ましいのは０．５−１０μｍであるり、プラスチックフィルム層４のプラスチックは、変性エポキシ樹脂、変性アクリル酸、変性ゴム、変性熱可塑性ポリイミド、変性ウレタン系樹脂中の少なくとも一つである。
【００５１】
（実施例６）
図６に示すように、フリー接地膜は、剥離可能なキャリアフィルム１の一側に耐熱耐酸化層２が設けられ、耐熱耐酸化層２の他方の側に導体層３１と導体層３２から構成される導体層３が設けられる。導体層３２の他方の側には、導電性粒子を含むプラスチックフィルム層４が設けられ、上記の剥離可能なキャリアフィルムは、離型と分散作用を有するポリエステル膜である。
【００５２】
フリー接地膜の製造方法は、製造の具体的な手順が次のようである。
１）剥離可能なキャリアフィルム１の一側に耐熱耐酸化層２を形成するステップ。上記耐熱耐酸化層の厚さは０．０１−５μｍである。上記耐熱耐酸化層２は、プラスチックからなり、またはプラスチックと導電性粒子の混合物からなり、上記のプラスチックは、変性エポキシ樹脂類、変性アクリル酸、変性ゴム、変性熱可塑性ポリイミド、変性ウレタン系樹脂中の少なくとも一つである。導電性粒子は、炭素、銀、ニッケル、銅粒子、ニッケル金、銅ニッケル、銅ニッケル金粒子中の少なくとも一つである。上記耐熱耐酸化層２がプラスチックからなった時、その厚さは０．１−２μｍであることが好ましく、上記耐熱耐酸化層２がプラスチックと導電性粒子の混合物からなった時、導電性粒子とプラスチックの体積比は５％−８０％であり、その厚さは０．１−５μｍであることが好ましい。
２）耐熱耐酸化層２の他方の側に導体層３１を形成するステップ。上記導体層３１の厚さは、０．０１−１μｍで、好ましいのは０．１−１μｍであり、導体層３１の材料は、金属材料、フェライト、グラファイト、炭素ナノチューブとグラフェン中の一つである。上記の金属材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀、金、モリブデンの金属元素中の一つ、またはこの金属元素中の少なくとも二つが形成する合金である。上記導体層３１の形成方式は、化学メッキ、ＰＶＤ、ＣＶＤ、蒸着、スパッタリングメッキ、電気メッキ中の一つ、または上記技術中の少なくとも二つの複合技術である。
３）導体層３１の表面に導体層３２を形成するステップ。上記導体層３２の厚さは０．０１−３５μｍ  で、好ましいのは０．１−１０μｍであり、導体層３２の材料は、金属材料、フェライト、グラファイト、炭素ナノチューブとグラフェン中の一つである。上記の金属材料は、アルミニウム、チタン、亜鉛、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、銅、銀、金、モリブデンの金属元素中の一つ、またはこの金属元素中の少なくとも二つが形成する合金である。上記導体層３２の形成方式は、化学メッキ、ＰＶＤ、ＣＶＤ、蒸着、スパッタリングメッキ、電気メッキ中の一つ、または上記技術中の少なくとも二つの複合技術である。
４）導体層３２の表面を粗面化するステップ。回路基板の銅箔粗面化の方法によって、導体層３２の一面を先に粗面化した後、固化し、再び不動態化して、上記粗面化メッキ液には、アルカリ銅メッキ液と酸銅メッキ液が含まれ、または回路基板のマイクロエッチング方法によって、導体層３２の一面を先に粗面化して、再び不動態化する。導体層３２の表面の粗さは、０．３−１０μｍで、好ましいのは０．３−８μｍである。上記マイクロエッチング液は、硫酸−オキシドル型エッチング液、過硫酸ナトリウムエッチング液、塩化銅エッチング液、塩化鉄エッチング液、塩化銅アンモニアーアンモニア水系のアルカリ性エッチング液、有機アルカリ性エッチング液の一つである。
５）導体層３２の表面にプラスチックフィルム層４を形成するステップ。上記プラスチックフィルム層４は、プラスチックと導電性粒子の混合物からなった厚さが０．２−２０μｍ  で、好ましいのは０．５−１０μｍである。プラスチックフィルム層４のプラスチック材料は、変性エポキシ樹脂、変性アクリル酸、変性ゴム、変性熱可塑性ポリイミド、変性ウレタン系樹脂中の少なくとも一つである。導電性粒子は、凝集してより大きくなることができる炭素、銀、ニッケル、銅、ニッケル金、銅ニッケル、銅ニッケル金の粒子中の少なくとも一つである。導電性粒子の粒度は０．１−１５μｍで、好ましいのは０．２−１０μｍである。導電性粒子とプラスチックの体積比は２％−８０％で、好ましいのは５％−８０％である。
【００５３】
（実施例７）
図７に示すように、実施例１または実施例４の構造のようなフリー接地膜を使用した遮蔽回路基板において、フリー接地膜は遮蔽膜５を含む回路基板と厚さ方向上向きに緊密に連結され、上記の遮蔽膜５には絶縁層５１、遮蔽層５２が含まれ、フリー接地膜の導体層３（導体層上に耐熱耐酸化層２がある。）と遮蔽膜の遮蔽層５２はプラスチックフィルム層４中の導電性粒子を介して直接に連結される。
【００５４】
これに対応して、フリー接地膜を含む遮蔽回路基板の接地方法には、次の手順が含まれる。
１）実施例１または実施例４の方法によって製造されたフリー接地膜と遮蔽回路基板を厚さ方向で熱圧固化し、その後、１６０℃で１ｈの間再び固化し、プラスチックフィルム層４のプラスチックが変性エポキシ樹脂である時、熱圧固化の温度と時間は、それぞれ１９０℃、９０ｓであり、プラスチックフィルム層４のプラスチックが変性アクリル酸樹脂である時、熱圧固化の温度と時間は、それぞれ１７０℃、９０ｓであるステップ、
２）上記のフリー接地膜のプラスチックフィルム層４中の導電性粒子は凝集して大きい粒子になり、遮蔽膜５の絶縁層５１を突き刺し、遮蔽膜５の遮蔽層５２と接触して、接地を実現するステップ。
上記プラスチックフィルム層４に含まれる導電性粒子は、自由に凝集して大きい粒子になり、遮蔽膜５の絶縁層５１を突き刺し、遮蔽膜５の遮蔽層５２と接触して、接地を実現することによって、材料設計の難度を低下し、材料選択の自由度を向上させることができる（導電性粒子の粒度と粒度分布に制限がない。）。
【００５５】
（実施例８）
図８に示すように、実施例２または実施例５の構造のようなフリー接地膜を使用した遮蔽回路基板において、フリー接地膜は遮蔽膜５を含む回路基板と厚さ方向上で緊密に連結され、上記の遮蔽膜５には絶縁層５１、遮蔽層５２が含まれ、フリー接地膜の導体層３（導体層上に耐熱耐酸化層２がある。）と遮蔽膜の遮蔽層５２は導体層３の粗面を介して直接に連結される。
【００５６】
これに対応して、フリー接地膜を含む遮蔽回路基板の接地方法には、次の手順が含まれる。
１）実施例２または実施例５の方法によって製造されたフリー接地膜と遮蔽回路基板を厚さ方向で熱圧固化し、その後、１６０℃で１ｈの間再び固化し、プラスチックフィルム層４の材料が変性エポキシ樹脂である時、熱圧固化の温度と時間は、それぞれ１９０℃、９０ｓであり、プラスチックフィルム層４の材料が変性アクリル酸樹脂である時、熱圧固化の温度と時間は、それぞれ１７０℃、９０ｓであるステップ、
２）上記のフリー接地膜の導体層３の粗面の一部は、遮蔽膜５の絶縁層５１を突き刺し、遮蔽膜５の遮蔽層５２と接触して、接地を実現するステップ。
【００５７】
上記プラスチックフィルム層４は、導電性粒子を含まなく、導体層３の粗面に依存して遮蔽膜５の絶縁層５１を突き刺し、遮蔽膜５の遮蔽層５２と接触して、接地を実現することによって、製品の接地信頼性を向上させ（導電性粒子の粒度の不均一性を避ける。）、材料設計の難度を低下し（導電性粒子の粒度を制御する必要はない。）、同時にコストを大幅に低下することができる。
【００５８】
（実施例９）
図９に示すように、実施例３または実施例６の構造のようなフリー接地膜を使用した遮蔽回路基板において、フリー接地膜は遮蔽膜５を含む回路基板と厚さ方向上で緊密に連結され、上記の遮蔽膜５には絶縁層５１、遮蔽層５２が含まれ、フリー接地膜の導体層３（導体層上に耐熱耐酸化層２がある。）と遮蔽膜の遮蔽層５２は、プラスチックフィルム層４中の導電性粒子と導体層３の粗面の共同作用によって、互いに接触する。
【００５９】
これに対応して、フリー接地膜を含む遮蔽回路基板の接地方法には、次の手順が含まれる。
１）実施例３または実施例６の方法によって製造されたフリー接地膜と遮蔽回路基板を厚さ方向で熱圧固化し、その後、１６０℃で１ｈの間再び固化し、プラスチックフィルム層４の材料が変性エポキシ樹脂である時、熱圧固化の温度と時間は、それぞれ１９０℃、９０ｓであり、プラスチックフィルム層４の材料が変性アクリル酸樹脂である時、熱圧固化の温度と時間は、それぞれ１７０℃、９０ｓであるステップ、
２）上記のフリー接地膜の導体層３の粗面とプラスチックフィルム層４中の導電性粒子が、共同に遮蔽膜５の絶縁層５１を突き刺し、遮蔽膜５の遮蔽層５２と接触して、接地を実現するステップ。
【００６０】
上記プラスチックフィルム層４には、少量の導電性粒子が含まれ、フリー接地膜の導体層３の粗面とプラスチックフィルム層４中の導電性粒子が共同に遮蔽膜５の絶縁層５１を突き刺し、遮蔽膜５の遮蔽層５２と接触することに依存して、接地を実現し、製品の接地信頼性をさらに確保し（導電性粒子の粒度の不均一性を避ける。）、接地抵抗を低下し、材料設計の難度を低下することができる（導電性粒子の粒度を制御する必要はない）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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