(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光面を有する基板を備える固体撮像装置であって、
前記基板は、
光電変換素子の一部を構成する電荷蓄積部と、
前記受光面からの深さが前記電荷蓄積部よりも深い位置に配された電荷保持部および電荷検出部と、
前記光電変換素子で生成された電荷を前記電荷保持部に転送する第１の転送部と、
前記電荷保持部が保持する電荷を前記電荷検出部に転送する第２の転送部と、を備え、
前記受光面に対する平面視において、前記電荷保持部と重なる位置に、前記電荷検出部が配され、
前記電荷蓄積部は、前記受光面からの深さが第１の深さよりも浅い領域に配され、
前記電荷保持部および前記電荷検出部のうち一方は、前記受光面からの深さが前記第１の深さよりも深い第２の深さよりも深い領域に配され、
前記電荷保持部および前記電荷検出部のうち他方は、前記第１の深さと前記第２の深さとの間の領域に配されることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記受光面から前記電荷検出部が配される深さが、前記受光面から前記電荷保持部が配される深さよりも深いことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記電荷検出部が、前記受光面から前記電荷蓄積部が配される深さと前記電荷保持部が配される深さとの間の深さとなるように配されていることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記基板は、前記電荷蓄積部と前記電荷保持部との間の領域のうち、前記受光面に対する平面視において、前記電荷保持部と重なる位置に、遮光層を更に有することを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
受光面を有する基板を備える固体撮像装置であって、
前記基板は、
光電変換素子の一部を構成する電荷蓄積部と、
前記受光面からの深さが前記電荷蓄積部よりも深い位置に配された電荷保持部と、
電荷検出部と、
前記光電変換素子で生成された電荷を前記電荷保持部に転送する第１の転送部と、
前記電荷保持部の電荷を前記電荷検出部に転送する第２の転送部と、を備え、
前記電荷検出部が、前記基板の前記受光面の側に配されていることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項６】
前記電荷保持部と前記受光面との距離が４μｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記電荷保持部と前記受光面との距離が８μｍ以上であることを特徴とする請求項６に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記固体撮像装置は、前記電荷検出部の電位に基づく信号を増幅し出力する信号増幅部を更に備えることを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記第１の転送部が前記受光面に対して垂直の方向に電荷を転送することを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記第２の転送部が前記受光面に対して垂直の方向に電荷を転送することを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記受光面に対する平面視において、
前記電荷蓄積部と重なる位置に、前記電荷保持部及び前記電荷検出部が配されていることを特徴とする請求項１乃至１０の何れか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
前記受光面に対する平面視において、
前記電荷保持部と重なる位置に、前記電荷蓄積部及び前記電荷検出部が配されていることを特徴とする請求項１乃至１０の何れか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
前記受光面に、前記電荷蓄積部を覆う光学フィルタを更に有することを特徴とする請求項１乃至１２の何れか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１４】
前記光学フィルタが赤外線カットフィルタであることを特徴とする請求項１３に記載の固体撮像装置。
【請求項１５】
前記光学フィルタが、第１の波長よりも波長の長い光を遮断し、
前記第１の波長よりも波長の短い光が、前記受光面から前記電荷保持部までの間に、前記基板によって吸収されることを特徴とする請求項１４に記載の固体撮像装置。
【請求項１６】
前記電荷蓄積部の側面に、素子分離層が配されていることを特徴とする請求項１乃至１５の何れか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１７】
前記受光面に対する平面視において、前記電荷保持部と重なる位置に、前記受光面を覆う遮光層を更に有することを特徴とする請求項１乃至１１の何れか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１８】
前記第１の転送部と接する素子分離層が配されることを特徴とする請求項１乃至１５または１７の何れか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１９】
請求項１乃至１８の何れか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置によって得られた信号を処理する信号処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
各画素に電荷保持部を設け、光電変換部において生成された信号電荷を全画素で同時に電荷保持部に転送することを可能とした固体撮像装置が知られている。この機能を有する固体撮像装置において、信号電荷を保持している電荷保持部に外部からの光が入射した場合、電荷保持部で光電変換によって新たに生成された電荷がノイズの原因となる。特許文献１には、半導体基板内に遮光層を設けた固体撮像装置が記載されている。これによって、電荷保持部での電荷の生成を抑制し、画質の劣化を抑制することを目指す。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−９８４４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
発明者は、特許文献１の構造では電荷保持部に対する遮光性能が不十分であることを見出した。このため電荷保持部において電荷が生成されノイズの原因となり、この結果、画質が劣化してしまう。本発明は、固体撮像装置の外部からの入射光による画質の劣化を抑制する技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題に鑑みて、本発明の実施形態に係る固体撮像装置は、受光面を有する基板を備える固体撮像装置であって、基板は、光電変換素子の一部を構成する電荷蓄積部と、受光面からの深さが電荷蓄積部よりも深い位置に配された電荷保持部および電荷検出部と、光電変換素子で生成された電荷を電荷保持部に転送する第１の転送部と、電荷保持部が保持する電荷を電荷検出部に転送する第２の転送部と、を備え、受光面に対する平面視において、電荷保持部と重なる位置に、電荷検出部が配され、電荷蓄積部は、受光面からの深さが第１の深さよりも浅い領域に配され、電荷保持部および電荷検出部のうち一方は、受光面からの深さが第１の深さよりも深い第２の深さよりも深い領域に配され、電荷保持部および電荷検出部のうち他方は、第１の深さと第２の深さとの間の領域に配されることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
上記手段により、固体撮像装置の画質の劣化を抑制する技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施形態に係る固体撮像装置の等価回路。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置の断面図。
【図３】図２の固体撮像装置に光学フィルタを加えた変形例を示す断面図。
【図４】図２の固体撮像装置に遮光層を加えた変形例を示す断面図。
【図５】図２の固体撮像装置に遮光層を加えた変形例を示す断面図。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る固体撮像装置の断面図。
【図７】図６の固体撮像装置の電荷検出部と電荷保持部との積層順の変形例を示す断面図。
【図８】本発明の第３の実施形態に係る固体撮像装置の断面図。
【図９】本発明の第４の実施形態に係る固体撮像装置の断面図。
【図１０】光の波長と入射光の強度が１／ｅになるシリコン吸収深さとの関係を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明に係る固体撮像装置の具体的な実施形態を、添付図面を参照して説明する。なお、以下の説明及び図面において、複数の図面に渡って共通の構成については共通の符号を付している。そのため、複数の図面を相互に参照して共通する構成を説明し、共通の符号を付した構成については適宜説明を省略する。
【０００９】
図１は、一部の実施形態の固体撮像装置の１つの画素における等価回路の一例を示す。光電変換部１１０として、例えばフォトダイオードを用い、信号電荷として電子を用いる。第１の転送部１１１は、光電変換部１１０で生成された信号電荷を電荷保持部１１２に転送する。第１の転送部１１１として、例えばＮＭＯＳトランジスタを用いる。電荷保持部１１２は、光電変換部１１０で生成され、第１の転送部１１１によって転送された信号電荷を一時、蓄積する容量を含む。第２の転送部１１３は、電荷保持部１１２に一時、蓄積された信号電荷を信号増幅部の入力ノードを構成する電荷検出部１１４に転送する。リセットトランジスタ１１５は、電荷検出部１１４の電位を基準電位に設定する。リセットトランジスタ１１５として、例えばＮＭＯＳトランジスタを用いる。信号増幅トランジスタ１１６は、電荷検出部１１４の電位に基づく信号を増幅し出力する信号増幅部を構成する。信号増幅トランジスタ１１６は、例えばＮＭＯＳトランジスタを用いる。信号増幅トランジスタ１１６のゲート電極と電荷検出部１１４とは、電気的に接続される。制御電極１１８、１１９及び１２０は、それぞれ第１の転送部１１１、第２の転送部１１３及びリセットトランジスタ１１５の動作を制御するための電極である。これらの制御電極に垂直走査回路（不図示）からの駆動パルスが供給され、各トランジスタを制御する。垂直出力線１２１には画素列に含まれる複数の信号増幅トランジスタ１１６で増幅された信号が選択トランジスタ１１７によって選択され、順次出力される。電流源１２２は、信号増幅トランジスタ１１６にバイアス電流を供給する。本回路構成において、電流源１２２は、信号増幅トランジスタ１１６をソースフォロワ動作させるためのバイアス電流を供給する。
【００１０】
光電変換部１１０、電荷保持部１１２及び各トランジスタには、接地電位供給配線（不図示）からウェル及びコンタクトプラグなどを介して接地電位１２３が供給される。電源１２４は、リセットトランジスタ１１５及び信号増幅トランジスタ１１６のドレインに供給される電源である。本回路構成において、共通の電源を用いているが、別の電源を用いてもよい。
【００１１】
図１には１画素のみを示すが、複数の画素で画素回路の一部を共有してもよい。例えばリセットトランジスタ１１５を複数の画素で共有してもよい。また例えば信号電荷として正孔を用いてもよい。このとき例えば転送部１１１、リセットトランジスタ１１５、信号増幅トランジスタ１１６などにＰＭＯＳトランジスタを用いてもよい。また第２の転送部１１３を用いず、電荷保持部１１２と第１の転送部とのノードが、信号増幅トランジスタ１１６のゲート電極に接続されてもよい。
【００１２】
第１の実施形態
図２乃至５及び１０を参照して、本発明の一部の実施形態による固体撮像装置の構造を説明する。図２は、本発明の第１の実施形態における固体撮像装置２００の１つの画素の構成例を模式的に示す断面図である。固体撮像装置２００は基板２０１に、電荷蓄積部２０２、電荷保持部２０３、電荷検出部２０７を備える。電荷保持部２０３は図１の電荷保持部１１２に対応する。電荷検出部２０７は、信号増幅部の入力ノードを構成する電荷検出部１１４に対応する。基板２０１として、シリコンなどの半導体基板を用いる。基板２０１の導電型として例えばｐ型が用いられる。基板２０１の厚さは、例えば１０μｍ〜１５μｍである。このとき、電荷蓄積部２０２、電荷保持部２０３及び電荷検出部２０７は、基板２０１と逆のｎ型の導電型となる。本発明は、この実施形態に限られるものではなく、例えば基板２０１がｎ型、電荷蓄積部２０２、電荷保持部２０３及び電荷検出部２０７がｐ型の導電型を有してもよい。
【００１３】
電荷蓄積部２０２は、基板２０１の受光面２５１側に配される。受光面２５１とは、基板２０１の表面のうち、外部からの光が入射する表面のことである。また、電荷蓄積部２０２が基板２０１の受光面２５１側に配されるとは、電荷蓄積部２０２と受光面２５１との距離が、電荷蓄積部２０２と、受光面２５１の反対側の面との距離よりも短いことを意味する。本実施形態において電荷蓄積部２０２は、例えばリンやヒ素をｐ型の基板２０１に注入し形成したｎ型の不純物領域である。基板２０１と電荷蓄積部２０２とは、ｐｎ接合を構成し、これによって光電変換素子であるｐｎフォトダイオードを形成し、入射する光に応じた信号電荷を生成する。ｐｎフォトダイオードは、図１の光電変換部１１０と対応する。また電荷蓄積部２０２の受光面２５１に、電荷蓄積部２０２と逆の導電型のｐ型の不純物層（不図示）を設けて埋め込み型のフォトダイオードとしてもよい。埋め込み型のフォトダイオードにすることによって、電荷蓄積部２０２が基板２０１の受光面２５１から隔離され、暗電流の発生を抑制することが可能となる。
【００１４】
電荷保持部２０３と電荷検出部２０７とは、基板２０１の深さ方向（すなわち、受光面２５１から遠ざかる方向）に受光面２５１から、電荷蓄積部２０２よりも奥側、深い位置に配される。ここで電荷保持部２０３の受光面２５１側のｐｎ接合界面と、基板２０１の受光面２５１とは、距離２２１離れて配置される。また受光面２５１に絶縁膜（不図示）などが形成されている場合、距離２２１は、基板２０１と絶縁膜との界面から電荷保持部２０３の受光面２５１側のｐｎ接合界面までの距離である。距離２２１は、４μｍ以上であるとよい。更に好ましくは８μｍ以上であるとよい。また電荷蓄積部２０２の受光面２５１と反対側のｐｎ接合界面と基板２０１の受光面２５１とは、距離２２２離れている。距離２２１は、距離２２２よりも長く、これによって電荷保持部２０３は、受光面２５１から電荷蓄積部２０２よりも深い位置に配される。本実施形態において、電荷蓄積部２０２は受光面から形成される。このため電荷蓄積部２０２の深さ方向の厚みは、距離２２２と同じとなり、距離２２１よりも短い。結果として、電荷保持部２０３は、受光面２５１から電荷蓄積部２０２よりも深い位置に配される。
【００１５】
基板２０１には第１の転送部１１１を構成する第１のゲート電極２０４及び第２の転送部１１３を構成する第２のゲート電極２０６が配置される。第１のゲート電極２０４は、オン電圧を与えると第１の転送部１１１のチャネルが形成され、電荷蓄積部２０２から電荷保持部２０３に基板２０１の受光面２５１に対して交差する方向に信号電荷が転送されるよう、縦型のゲート構造となっている。本実施形態において、第１のゲート電極２０４は、信号電荷を転送するチャネルが基板２０１の受光面２５１に対して垂直の方向に形成されるように配置されている。第１のゲート電極２０４の縦型のゲート構造は、基板２０１に設けられたトレンチにゲート絶縁膜２０５を形成した後、ポリシリコンなどの電極材料を埋め込むことによって形成される。第２の転送部１１３を構成する第２のゲート電極２０６は、受光面２５１に対して基板２０１の深い位置に配置される。電荷保持部２０３から電荷検出部２０７に信号電荷を転送するためのチャネルが基板２０１の受光面２５１と平行な方向に形成されるように、第２のゲート電極２０６は配置される。ゲート絶縁膜２０５は、図２に示すように第１の転送部１１１と第２の転送部１１３との間で連続していてもよいし、それぞれの転送部毎に独立していてもよい。
【００１６】
第１のゲート電極２０４にオン電圧を与えると、ゲート絶縁膜２０５を介して電荷蓄積部２０２と電荷保持部２０３との間に電圧が印加され、チャネルが形成される。電荷蓄積部２０２で生成された信号電荷は、このチャネルを通じて電荷保持部２０３へ転送され一時的に蓄積、保持される。次に第２のゲート電極２０６にオン電圧を与えると、ゲート絶縁膜２０５を介して電荷保持部２０３と電荷検出部２０７との間に電圧が印加され、チャネルが形成される。電荷保持部２０３に一時蓄積されていた信号電荷は、このチャネルを通じて電荷検出部２０７に転送される。電荷検出部２０７に転送された電荷は、信号増幅部（不図示）を介して信号処理回路（不図示）へ出力される。固体撮像装置２００は、電荷蓄積部２０２から電荷保持部２０３への信号電荷の読み出しを、撮像領域のすべての画素で同時に行う。また電荷保持部２０３に蓄積された信号電荷は、画素アレイの順次走査によって電荷検出部２０７に転送されるまで一時的に保持される。これによって固体撮像装置２００は、グローバルシャッタ機能を有する。
【００１７】
次いで本実施形態の効果について説明する。信号電荷が転送され一時蓄積、保持する電荷保持部２０３を有する固体撮像装置において、電荷保持部２０３に外部からの光が入射した場合、電荷保持部２０３において光電変換によって新たに電荷が生成される。この電荷保持部２０３で生成された電荷が信号電荷に重畳した場合、ノイズ、偽信号となり画質が劣化する。この外部からの光の影響を抑制するため、特許文献１に示されるように電荷保持部の周囲に遮光層を設けた固体撮像装置が用いられる。しかし、外部からの光の影響を抑制する遮光層を基板内に設けただけでは、光の影響を十分に抑制することは困難である。
【００１８】
一方、本実施形態の固体撮像装置２００では、電荷保持部２０３が基板の受光面２５１から距離２２１、離れて配置される。図１０に、シリコンの光の吸収係数から求めた入射光の波長と、入射光の強度が１／ｅになるシリコン吸収深さとの関係を示す。図１０より、シリコン内での光の吸収深さは、波長によって異なり、波長が短い光ほど浅い領域、つまり受光面２５１に近い領域で多く吸収されることが分かる。ここで電荷保持部２０３が、受光面２５１から距離２２１、離れることによって光の多くが基板２０１中に吸収される。これによって入射する光が、電荷保持部２０３へ影響を与えることを抑制できる。例えば距離２２１が４μｍのとき波長６５０ｎｍよりも短い光の多くは、また距離２２１が８μｍのとき波長７５０ｎｍよりも短い光の多くは、基板２０１中に吸収される。これによって遮光性能を確保し、電荷保持部２０３への外部からの光の影響を抑制することが可能となる。また図１０に示すように、波長の短い光の方が、波長の長い光よりも高いエネルギを有する。受光面２５１から電荷保持部２０３を離すことによって、高いエネルギを有する光が電荷保持部２０３に到達することを抑制できる。これによって、信号電荷が一時的に蓄積された電荷保持部２０３に光が入射し、これによって電荷保持部２０３で電荷が生成することによるノイズ、偽信号の発生を軽減できる。結果として画質の劣化が抑制される。
【００１９】
ここで距離２２１は、固体撮像装置２００で取得する光の波長帯域に応じて設定すればよい。固体撮像装置で取得する波長帯域のうち、最も長い波長が基板２０１内で吸収される深さよりも深い領域に、電荷保持部２０３が配置されるように距離２２１を設定すればよい。
【００２０】
また図３に示す固体撮像装置３００のように、固体撮像装置３００の受光面２５１側に、電荷蓄積部２０２を覆うように光学フィルタ３０１を配置してもよい。光学フィルタ３０１は、特定の波長帯域の光の入射を透過もしくは遮断する。光学フィルタ３０１は、固体撮像装置３００で取得する光の波長帯域を考慮し、赤外線カットフィルタやバンドパスフィルタなど、適宜選択することができる。例えば基板２０１の深い領域まで侵入する長波長の光をカットする赤外線カットフィルタを用いることにより、電荷保持部２０３への入射光の影響を抑制することができる。
【００２１】
また図４及び図５に示す固体撮像装置４００、５００のように、電荷保持部２０３に光が入射することを防止するため、基板２０１の受光面２５１に対する平面視において電荷保持部２０３と重なる位置に遮光層４０１、５０１を配置してもよい。遮光層４０１のように、基板２０１の内部の電荷蓄積部２０２と電荷保持部２０３との間に配置してもよいし、遮光層５０１のように基板２０１の受光面２５１に配置してもよい。これによって、光の入射のために電荷保持部２０３で発生するノイズを、より抑制することが可能となる。固体撮像装置４００、５００においても電荷保持部２０３は、受光面２５１から距離２２１、離れて配置されるため、光の多くは電荷保持部２０３に到達するまでに基板２０１中に吸収される。このため、特許文献１の遮光層の構造と比較して遮光層４０１、５０１の構造は、単純な形状であってもよい。これによって、生産性の低下を抑制することが可能となる。ここで遮光層４０１、５０１は、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコンなどの誘電体材料、アルミニウム、タングステンなどの金属材料、レジストなどの有機材料などを適宜用いることができる。
【００２２】
本実施形態の固体撮像装置２００乃至５００は、シリコンの光吸収特性を利用し、所定の深さに電荷保持部２０３を配置することによって遮光性能が確保され、電荷保持部２０３へ入射する光の影響が軽減される。このため電荷保持部２０３において、一時的に信号電荷を蓄積している間に光が入射し生成する電荷によるノイズの発生を抑制することができる。この結果、Ｓ／Ｎ比の高いグローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置が実現できる。
【００２３】
また固体撮像装置２００乃至５００において、電荷蓄積部２０２と電荷保持部２０３とが基板２０１の受光面２５１に対して垂直の方向に積層されているため、画素の面積を縮小することが可能となる。これによって固体撮像装置の小型化も同時に実現される。また基板２０１の受光面２５１に対する平面視において、電荷蓄積部２０２と重なる位置に電荷保持部２０３及び電荷検出部２０７が配されてもよい。この配置とすることによって、更に固体撮像装置の小型化が実現される。
【００２４】
ここで本実施形態の固体撮像装置の適用例として、内視鏡用の固体撮像装置について説明する。内視鏡用の固体撮像装置において、特定の波長帯域の光を利用した特殊光観察によって病変部の強調表示が広く用いられている。血中のヘモグロビンは、その酸素飽和度の変化によって分光反射特性（吸光度）が変化する。この分光反射特性の変化は、波長６５０ｎｍ程度の領域において特に顕著である。このため内視鏡用の固体撮像装置において、波長６５０ｎｍ近傍の光を照射し、その分光反射像を取得することによってヘモグロビンの酸素飽和度の変化、すなわち血中の酸素飽和度の変化を捉え病変部を判別する。
【００２５】
このような用途へ本実施形態の固体撮像装置を適用する場合、距離２２１が４μｍとなる位置に電荷保持部２０３を配置し、固体撮像装置の受光面２５１に、波長６６０ｎｍ以上の光の入射を遮断する光学フィルタを設ける。この構成を用いることによって、波長６６０ｎｍ以上の光は、光学フィルタによって遮断され、固体撮像装置に入射しない。また波長６６０ｎｍまでの光は、電荷蓄積部２０２で信号電荷に変換される。更に波長６６０ｎｍまでの光は、電荷保持部２０３に到達する前に基板２０１中にほぼ吸収される。
【００２６】
これによって、固体撮像装置では波長６６０ｎｍまでの光が信号情報として取得される。また電荷保持部２０３への光の入射が抑制できるため、入射する光によって電荷保持部２０３で生成される電荷によるノイズ、偽信号の発生を抑制することが可能となる。本発明の固体撮像装置を適用することによって、ヘモグロビンの酸素飽和度の変化の判定に対して精度の高い内視鏡が実現できる。
【００２７】
また例えば固体撮像装置にて可視光領域（４００〜７００ｎｍ）の情報を取得したい場合、距離２２１が８μｍ以上となる位置に電荷保持部２０３を配置し、７５０ｎｍ以上の光を遮断する光学フィルタを組み合わせるとよい。なお、光学フィルタの遮断波長の上限としては、基板２０１にシリコンを用いた場合、シリコンが吸収することのできる光の最長波長１１３０ｎｍ程度まであればよい。
【００２８】
第２の実施形態
図６及び７を参照して本発明の第２の実施形態による固体撮像装置の構造を説明する。図６は、本発明の第２の実施形態における固体撮像装置６００の１つの画素の構成例を模式的に示す断面図である。本実施形態における固体撮像装置６００は、第１の実施形態における固体撮像装置２００と比較して、第２の転送部１１３を構成する第２のゲート電極２０６が、基板２０１の受光面２５１に対して交差する方向に形成される。本実施形態において、第２のゲート電極２０６は、受光面２５１に垂直の方向に信号電荷を転送するためのチャネルが形成されるよう、縦型のゲート構造となっている。また第１の実施形態において受光面２５１に平行な方向に並び配置された電荷保持部２０３と電荷検出部２０７とが、第２の実施形態では受光面２５１に対して交差する方向に積層して配置される点で異なる。これ以外の点は、固体撮像装置２００と同じであってよい。このため固体撮像装置２００と同様の構成要素は重複する説明を省略する。
【００２９】
本実施形態の固体撮像装置６００においても電荷保持部２０３は、受光面２５１から距離２２１、離れて配置される。従って、上述の固体撮像装置２００と同様の電荷保持部２０３に対する遮光効果が得られる。また本実施形態における固体撮像装置６００では、基板２０１の受光面２５１から電荷蓄積部２０２、電荷保持部２０３、電荷検出部２０７の順番に積層し配置されている。電荷保持部２０３の受光面２５１と反対側のｐｎ接合界面よりも深い位置に、電荷検出部２０７の受光面２５１側のｐｎ接合界面が位置する。これによって、固体撮像装置２００のように電荷保持部２０３と電荷検出部２０７とが並んで配置された場合と比較して、画素の面積を縮小することが可能となり、より小型な固体撮像装置が実現される。
【００３０】
また図７に示す固体撮像装置７００のように、基板２０１の受光面２５１から電荷蓄積部２０２、電荷検出部２０７、電荷保持部２０３の順番に積層し配置してもよい。電荷検出部２０７の受光面２５１と反対側のｐｎ接合界面よりも深い位置に、電荷保持部２０３の受光面２５１側のｐｎ接合界面が位置する。一般に信号増幅部の入力ノードを構成する電荷検出部２０７は、電荷保持部２０３と比較して信号電荷の保持時間が短い。このため電荷検出部２０７は、転送されてきた信号電荷を一時的に保持している間、入射する光によって生成される電荷による影響を電荷保持部２０３よりも受け難い。入射する光の影響を受けやすい電荷保持部２０３は、受光面２５１から基板２０１内での光の吸収によって入射する光の影響を受け難い距離２２１離れた位置に配置し、電荷蓄積部２０２と電荷保持部２０３との間に電荷検出部２０７を配置する。これによって固体撮像装置７００は、固体撮像装置６００よりも基板２０１の厚さを薄くすることが可能となる。結果として、固体撮像装置６００よりも低背な固体撮像装置が実現される。
【００３１】
第３の実施形態
図８を参照して本発明の第３の実施形態による固体撮像装置の構造を説明する。図８は、本発明の第３の実施形態における固体撮像装置８００の１つの画素の構成例を模式的に示す断面図である。本実施形態における固体撮像装置８００は、第１の実施形態における固体撮像装置２００と比較して、第１の転送部１１１及び第２の転送部１１３に縦型のゲート構造を用いる点で異なる。また電荷蓄積部２０２と電荷検出部２０７とを基板２０１の受光面２５１に平行な方向に並べて配置し、電荷保持部２０３を受光面２５１から深い位置に配置する点で異なる。これ以外の点は、固体撮像装置２００と同じであってよい。このため固体撮像装置２００と同様の構成要素は重複する説明を省略する。
【００３２】
本実施形態の固体撮像装置８００は、電荷蓄積部２０２と電荷検出部２０７とを、基板２０１の同一面に形成することができる。これによって、上述した固体撮像装置２００乃至７００の裏面照射型とは異なり、固体撮像装置８００は表面照射型の固体撮像装置を構成する。本実施形態の固体撮像装置８００においても電荷保持部２０３は、受光面２５１から距離２２１、離れて配置される。従って、上述の固体撮像装置２００と同様の電荷保持部２０３に対する遮光効果が得られる。また受光面２５１に対する平面視において、電荷保持部２０３と重なる位置に電荷蓄積部２０２及び電荷検出部２０７が配されてもよい。この配置とすることによって、固体撮像装置の小型化が実現される。
【００３３】
第４の実施形態
図９を参照して本発明の第４の実施形態による固体撮像装置の構造を説明する。図９は、本発明の第４の実施形態における固体撮像装置９００の１つの画素の構成例を模式的に示す断面図である。本実施形態における固体撮像装置９００は、第２の実施形態における固体撮像装置６００と比較して、電荷蓄積部２０２の側面に素子分離層９０１が配置されている点で異なり、これ以外の点は同じであってよい。このため固体撮像装置６００と同様の構成要素は重複する説明を省略する。
【００３４】
本実施形態の固体撮像装置９００においても電荷保持部２０３は、受光面２５１から距離２２１、離れて配置される。従って、上述の固体撮像装置６００と同様の電荷保持部２０３に対する遮光効果が得られる。更に本実施形態において、電荷蓄積部２０２の側面に素子分離層９０１を配置することによって隣接する画素間の光や信号電荷などによるクロストークを抑制することが可能となる。これによって、よりＳ／Ｎ比が高い固体撮像装置が実現される。
【００３５】
また画素間のクロストークを抑制できるため、電荷蓄積部２０２を基板２０１のより深い位置まで拡大することが可能となる。電荷蓄積部２０２を厚くすることによって、電荷蓄積部２０２から電荷保持部２０３へ信号電荷を転送する距離を短くすることが可能となる。これによって転送速度の向上が可能となる。また、より長波長の光によって生成される電荷を収集でき、これによって感度の向上が可能となる。
【００３６】
素子分離層９０１は、基板２０１に設けられたトレンチに、酸化シリコンなどの誘電体材料やアルミニウムなどの金属材料、有機材料などを埋め込むことによって形成される。素子分離層９０１の形成される深さは、適宜決定すればよい。例えば素子分離層９０１は、電荷蓄積部２０２と同等の深さに形成したとき、隣接する画素同士の光や信号電荷のクロストークが効果的に抑止できるため好ましい。
【００３７】
なお電荷蓄積部２０２と電荷保持部２０３との距離が短い場合、電荷蓄積部２０２と電荷保持部２０３との間でパンチスルーが生じる可能性がある。パンチスルーが発生しないよう、電荷蓄積部２０２と電荷保持部２０３との間の領域に、パンチスルーストッパーを設けてもよい。
【００３８】
以上、本発明に係る実施形態を４形態示したが、本発明はそれらの実施形態に限定されるものではない。上述した各実施形態は適宜変更、組み合わせが可能である。例えば第２乃至４の実施形態においても、第１の実施形態と同様に、電荷保持部２０３を配置する基板２０１の受光面２５１からの距離２２１や、光学フィルタや遮光層の適用を、適宜設定することが可能である。
【００３９】
以下、上記の各実施形態に係る固体撮像装置の応用例として、この固体撮像装置が組み込まれたカメラについて例示的に説明する。カメラの概念には、撮影を主目的とする装置のみならず、撮影機能を補助的に有する装置（例えば、パーソナルコンピュータ、携帯端末等）も含まれる。また、カメラは例えばカメラヘッドなどのモジュール部品であってもよい。カメラは、上記の実施形態として例示された本発明に係る固体撮像装置と、この固体撮像装置から出力される信号を処理する信号処理部とを含む。この信号処理部は、例えば固体撮像装置で得られた信号に基づくデジタルデータを処理するプロセッサを含みうる。このデジタルデータを生成するためのＡ／Ｄ変換器を、固体撮像装置の半導体基板に設けてもよいし、別の半導体基板に設けてもよい。
【００４０】
また、内視鏡システムのビデオスコープ部に搭載される固体撮像装置としても適用可能である。特に固体撮像装置をモノクロタイプとして、照明光としてＲＧＢの単色光を順次切り替え撮影し、各撮影像を合成しカラー化する、カラー面順次方式の内視鏡に適用するとよい。固体撮像装置として例えばＣＣＤイメージセンサーを搭載した従来の内視鏡システムに比べ、高フレームレート化が実現し、色ずれ、ちらつきなどの問題が改善される。
【符号の説明】
【００４１】
１１１  第１の転送部、１１３  第２の転送部、２００  固体撮像装置、２０１  基板、２０２  電荷蓄積部、２０３  電荷保持部、２０７  電荷検出部、２５１  受光面
【図１】
0006417197.tif 000002
【図２】
0006417197.tif 000003
【図３】
0006417197.tif 000004
【図４】
0006417197.tif 000005
【図５】
0006417197.tif 000006
【図６】
0006417197.tif 000007
【図７】
0006417197.tif 000008
【図８】
0006417197.tif 000009
【図９】
0006417197.tif 000010
【図１０】
0006417197.tif 000011