(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の筐体と、
前記第１の筐体に組み込まれた第１の表示部と、
第２の筐体と、
前記第２の筐体に組み込まれた第２の表示部と、
前記第１の筐体及び前記第２の筐体を接続する軸部と、を有し、
前記軸部を軸として開閉動作を行うことができる機能を有する電子機器であって、
前記第１の表示部及び前記第２の表示部の少なくとも一方は、
光検出式タッチセンサを有するディスプレイと、
前記ディスプレイに重畳して設けられている容量式タッチセンサと、
外光の照度を検出する照度センサと、
前記照度センサの出力値に応じて、前記光検出式タッチセンサまたは前記容量式タッチセンサのいずれを駆動させるかを選択する制御手段と、を有することを特徴とする電子機器。
【請求項２】
第１の筐体と、
前記第１の筐体に組み込まれた第１の表示部と、
第２の筐体と、
前記第２の筐体に組み込まれた第２の表示部と、
前記第１の筐体及び前記第２の筐体を接続する軸部と、を有し、
前記軸部を軸として開閉動作を行うことができる機能を有する電子機器であって、
前記第１の表示部及び前記第２の表示部のそれぞれは、
光検出式タッチセンサを有するディスプレイと、
前記ディスプレイに重畳して設けられている容量式タッチセンサと、
外光の照度を検出する照度センサと、
前記照度センサの出力値に応じて、前記光検出式タッチセンサまたは前記容量式タッチセンサのいずれを駆動させるかを選択する制御手段と、を有することを特徴とする電子機器。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記光検出式タッチセンサは、赤外線領域の波長を有する光を検出する機能を有することを特徴とする電子機器。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
可視光領域の波長を有する光を吸収するフィルタを有し、
前記フィルタは、前記光検出式タッチセンサと重畳して設けられていることを特徴とする電子機器。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記ディスプレイは、プラスチック基板を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、利用者が画面に触れることで、当該画面の表示を操作することが可能な表示装置
（画像入出力装置）が開発されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１３４４５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１で開示される表示装置においては、光検出回路（光検出素子）を用いて被読
み取り物の読み取りを行っている。しかし、光検出回路を用いた読み取りは、外光の影響
を受けやすい。具体的には、当該表示装置が非常に明るい環境又は暗い環境に存する場合
、当該読み取りが困難になることがある。この点に鑑み、本発明の一態様は、被読み取り
物の検出精度が高い表示装置を提供することを目的の一とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様の表示装置は、外光の照度を検出する照度センサを有する。そして、当
該照度センサによって検出された照度情報に基づいて光検出式タッチセンサ及び容量式タ
ッチセンサのいずれを駆動するかを選択することを要旨とする。
【０００６】
具体的には、本発明の一態様は、光検出式タッチセンサを有するディスプレイと、ディ
スプレイに重畳して設けられた容量式タッチセンサと、外光の照度を検出する照度センサ
と、照度センサの出力値に応じて光検出式タッチセンサと容量式タッチセンサのいずれを
駆動させるかを選択する制御手段と、を有する表示装置である。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の一態様の表示装置は、２種のタッチセンサの中から適切なタッチセンサを選択
することが可能である。これにより、被読み取り物の検出精度が外光の影響によって低下
することを抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】表示装置の構成例を示す（Ａ）斜視図、（Ｂ）断面図。
【図２】ディスプレイの構成例を示す図。
【図３】光検出回路の（Ａ）、（Ｂ）構成例を示す図、（Ｃ）、（Ｄ）駆動方法例を示す図。
【図４】表示回路の（Ａ）、（Ｂ）構成例を示す図、（Ｃ）、（Ｄ）駆動方法例を示す図。
【図５】表示回路の（Ａ）平面模式図、（Ｂ）断面模式図。
【図６】光検出回路の（Ａ）平面模式図、（Ｂ）断面模式図。
【図７】（Ａ）表示回路の断面模式図、（Ｂ）光検出回路の断面模式図。
【図８】容量式タッチセンサの構成例を示す図。
【図９】（Ａ）、（Ｂ）容量式タッチセンサの構成例を示す図。
【図１０】表示装置の動作例を示すフローチャート。
【図１１】電子機器の構成例を示す図。
【図１２】（Ａ）〜（Ｆ）電子機器の具体例を示す図。
【図１３】光検出回路の構造例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下では、本発明の一態様について詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限
定されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態を様々に変更し得
る。したがって、本発明は以下に示す記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１０】
まず、本発明の一態様の表示装置について図１〜図１０、図１３を参照して説明する。
【００１１】
＜表示装置の構成例＞
図１（Ａ）は、本発明の一態様の表示装置の構成例を示す図である。図１（Ａ）に示す
表示装置は、光検出式タッチセンサを有するディスプレイ１０と、ディスプレイ１０に重
畳して設けられている容量式タッチセンサ２０と、外光の照度を検出する照度センサ３０
とを有する。そして、図１（Ａ）に示す表示装置は、照度センサ３０の出力値（照度セン
サ３０によって検出された外光の照度情報）に応じてディスプレイ１０が有する光検出式
タッチセンサと容量式タッチセンサ２０のいずれを駆動させるかを選択する制御手段を有
する。なお、当該制御手段としては、プロセッサ、中央処理装置（ＣＰＵ）、マイクロコ
ンピュータ等の集積回路を用いることが可能である。
【００１２】
図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す表示装置が有するディスプレイ１０及び容量式タッチ
センサ２０の構成例を示す断面図である。
【００１３】
図１（Ｂ）に示すディスプレイ１０は、一対の基板１１、１２と、一対の基板１１、１
２に挟持された液晶１３とを有する。さらに、当該ディスプレイ１０は、基板１１及び基
板１２の外側に偏光板を有し、且つ基板１１及び偏光板の外側にバックライトを有する（
図示しない）。すなわち、図１（Ｂ）に示すディスプレイは、液晶の配向を制御すること
によって表示を行うディスプレイである。なお、図１（Ｂ）に示すディスプレイ１０は、
本発明の一態様であり、ディスプレイ１０として有機エレクトロルミネッセンスを利用し
て表示を行うディスプレイを適用することも可能である。また、ディスプレイ１０には、
フレキシブルプリント基板１４が接続されている。
【００１４】
図１（Ｂ）に示す容量式タッチセンサ２０は、ディスプレイ１０と重畳して設けられる
センサ部２１と、センサ部２１を介してディスプレイ１０上に配設されるカバーガラス２
２とを有する。また、容量式タッチセンサ２０には、フレキシブルプリント基板２３が接
続されている。
【００１５】
＜ディスプレイの構成例＞
図２は、図１（Ａ）、（Ｂ）に示すディスプレイ１０の構成例を示す図である。図２に
示すディスプレイ１０は、表示選択信号出力回路（ＤＳＥＬＯＵＴともいう）１０１と、
表示データ信号出力回路（ＤＤＯＵＴともいう）１０２と、光検出リセット信号出力回路
（ＰＲＳＴＯＵＴともいう）１０３ａと、光検出制御信号出力回路（ＰＣＴＬＯＵＴとも
いう）１０３ｂと、出力選択信号出力回路（ＯＳＥＬＯＵＴともいう）１０３ｃと、ライ
トユニット（ＬＩＧＨＴともいう）１０４と、Ｘ個（Ｘは自然数）の表示回路（ＤＩＳＰ
ともいう）１０５ｄと、Ｙ個（Ｙは自然数）の光検出回路（ＰＳともいう）１０５ｐと、
読み出し回路（ＲＥＡＤともいう）１０６と、を具備する。なお、図２に示すディスプレ
イ１０においては、表示回路１０５ｄを用いて表示を行い、光検出回路を用いて被読み取
り物の検出を行う（光検出回路が光検出タッチセンサとして機能する）ことが可能である
。
【００１６】
表示選択信号出力回路１０１は、パルス信号である複数の表示選択信号（信号ＤＳＥＬ
ともいう）を出力する機能を有する。
【００１７】
表示選択信号出力回路１０１は、例えばシフトレジスタを備える。表示選択信号出力回
路１０１は、シフトレジスタからパルス信号を出力させることにより、表示選択信号を出
力することができる。
【００１８】
表示データ信号出力回路１０２には、画像を電気信号で表した画像信号が入力される。
表示データ信号出力回路１０２は、入力された画像信号を元に電圧信号である表示データ
信号（信号ＤＤともいう）を生成し、生成した表示データ信号を出力する機能を有する。
【００１９】
表示データ信号出力回路１０２は、例えばトランジスタを備える。
【００２０】
なお、当該トランジスタは、２つの端子と、印加される電圧により該２つの端子の間に
流れる電流を制御する電流制御端子と、を有する。なお、トランジスタに限らず、互いの
間に流れる電流が制御される端子を電流端子ともいい、２つの電流端子のそれぞれを第１
の電流端子及び第２の電流端子ともいう。
【００２１】
また、当該トランジスタとしては、例えば電界効果トランジスタを用いることができる
。電界効果トランジスタの場合、第１の電流端子は、ソース及びドレインの一方であり、
第２の電流端子は、ソース及びドレインの他方であり、電流制御端子は、ゲートである。
【００２２】
また、一般的に電圧とは、ある二点間における電位の差（電位差ともいう）のことをい
う。しかし、電圧及び電位の値は、回路図などにおいていずれもボルト（Ｖ）で表される
ことがあるため、区別が困難である。そこで、本明細書では、特に指定する場合を除き、
ある一点の電位と基準となる電位（基準電位ともいう）との電位差を、該一点の電圧とし
て用いる場合がある。
【００２３】
表示データ信号出力回路１０２は、上記トランジスタがオン状態のときに画像信号のデ
ータを表示データ信号として出力することができる。上記トランジスタは、電流制御端子
にパルス信号である制御信号を入力することにより制御することができる。なお、表示回
路１０５ｄの数が複数である場合には、複数のトランジスタを選択的にオン状態又はオフ
状態にすることにより、画像信号のデータを複数の表示データ信号として出力してもよい
。
【００２４】
光検出リセット信号出力回路１０３ａは、パルス信号である光検出リセット信号（信号
ＰＲＳＴともいう）を出力する機能を有する。
【００２５】
光検出リセット信号出力回路１０３ａは、例えばシフトレジスタを備える。光検出リセ
ット信号出力回路１０３ａは、シフトレジスタからパルス信号を出力させることにより、
光検出リセット信号を出力することができる。
【００２６】
光検出制御信号出力回路１０３ｂは、パルス信号である光検出制御信号（信号ＰＣＴＬ
ともいう）を出力する機能を有する。なお、光検出制御信号出力回路１０３ｂを必ずしも
設けなくてもよい。
【００２７】
光検出制御信号出力回路１０３ｂは、例えばシフトレジスタを備える。光検出制御信号
出力回路１０３ｂは、シフトレジスタからパルス信号を出力させることにより、光検出制
御信号を出力することができる。
【００２８】
出力選択信号出力回路１０３ｃは、パルス信号である出力選択信号（信号ＯＳＥＬとも
いう）を出力する機能を有する。
【００２９】
出力選択信号出力回路１０３ｃは、例えばシフトレジスタを備える。出力選択信号出力
回路１０３ｃは、シフトレジスタからパルス信号を出力させることにより、出力選択信号
を出力することができる。
【００３０】
ライトユニット１０４は、光源を備えた発光ユニットである。
【００３１】
ライトユニット１０４は、光源として複数の発光ダイオード（ＬＥＤともいう）を備え
る。
【００３２】
発光ダイオードとしては、可視光領域（例えば波長が３６０ｎｍ乃至８３０ｎｍである
領域）の波長の光を発する発光ダイオードを適用することができる。例えば、赤色発光ダ
イオード、緑色発光ダイオード、及び青色発光ダイオードを用いることができる。なお、
それぞれの色の発光ダイオードの数は、複数でもよい。また、発光ダイオードとしては、
上記赤色、緑色、及び青色の発光ダイオードに加え、他の色の発光ダイオード（例えば白
色発光ダイオード）を用いてもよい。加えて、赤外線領域（例えば波長が８３０ｎｍより
長く１０００ｎｍ以下である領域）の波長である光を発する発光ダイオードを用いても良
い。
【００３３】
表示回路１０５ｄは、ライトユニット１０４に重畳する。また、表示回路１０５ｄには
、パルス信号である表示選択信号が入力され、且つ入力された表示選択信号に従って表示
データ信号が入力される。表示回路１０５ｄは、入力された表示データ信号のデータに応
じた表示状態になる機能を有する。
【００３４】
表示回路１０５ｄは、例えば表示選択トランジスタ及び表示素子を備える。
【００３５】
表示選択トランジスタは、表示素子に表示データ信号のデータを入力させるか否かを選
択する機能を有する。
【００３６】
表示素子は、表示選択トランジスタに従って表示データ信号のデータが入力されること
により、表示データ信号のデータに応じた表示状態になる機能を有する。
【００３７】
表示素子としては、例えば液晶素子などを用いることができる。
【００３８】
また、液晶素子を備えるディスプレイの表示方式としては、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎ
ｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＳＴ
Ｎ（Ｓｕｐｅｒ  Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  
Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ  Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  ａｌｉｇ
ｎｅｄ  Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓ
ａｔｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ
Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒ
ｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ  Ｖ
ｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｖｅｒｔ
ｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｓｕｐｅｒ  Ｖｉ
ｅｗ）モード、又はＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードな
どを用いてもよい。
【００３９】
光検出回路１０５ｐは、ライトユニット１０４に重畳する。光検出回路１０５ｐには、
光検出リセット信号、光検出制御信号、及び出力選択信号が入力される。なお、光検出回
路１０５ｐの数が複数の場合には、それぞれの光検出回路１０５ｐに同じ光検出制御信号
が入力されてもよい。これにより、全ての光検出回路が光データを生成するために必要な
時間を短くすることができ、光データを生成する際に光検出回路毎に光が入射する時間を
長く設定することができる。なお、複数の光検出回路に同じ光検出制御信号を入力する方
式をグローバルシャッター方式ともいう。
【００４０】
光検出回路１０５ｐは、光検出リセット信号に従ってリセット状態になる機能を有する
。
【００４１】
また、光検出回路１０５ｐは、光検出制御信号に従って、入射する光の照度に応じた電
圧であるデータ（光データともいう）を生成する機能を有する。
【００４２】
また、光検出回路１０５ｐは、出力選択信号に従って、生成した光データを光データ信
号として出力する機能を有する。
【００４３】
光検出回路１０５ｐは、例えば、光電変換素子（ＰＣＥともいう）、光検出リセット選
択トランジスタ、光検出制御トランジスタ、増幅トランジスタ、及び出力選択トランジス
タを備える。また、光検出回路１０５ｐは、可視光領域の波長の光を吸収するフィルタを
備える。
【００４４】
光電変換素子は、光が入射することにより、入射した光の照度に応じて電流（光電流と
もいう）が流れる機能を有する。
【００４５】
光検出リセット選択トランジスタの電流制御端子には、光検出リセット信号が入力され
る。光検出リセット選択トランジスタは、増幅トランジスタの電流制御端子の電圧を、基
準値に設定するか否かを選択する機能を有する。
【００４６】
光検出制御トランジスタの電流制御端子には、光検出制御信号が入力される。光検出制
御トランジスタは、増幅トランジスタの電流制御端子の電圧を、光電変換素子に流れる光
電流に応じた値に設定するか否かを制御する機能を有する。
【００４７】
出力選択トランジスタの電流制御端子には、出力選択信号が入力される。出力選択トラ
ンジスタは、光データ信号として光データを光検出回路１０５ｐから出力するか否かを選
択する機能を有する。
【００４８】
なお、光検出回路１０５ｐは、増幅トランジスタの第１の電流端子又は第２の電流端子
から、光データを光データ信号として出力する。
【００４９】
また、表示回路１０５ｄ及び光検出回路１０５ｐは、画素部１０５に設けられる。画素
部１０５は、情報の表示及び読み取りを行う領域である。なお、１個以上の表示回路１０
５ｄにより画素が構成される。また、画素に１個以上の光検出回路１０５ｐが含まれても
よい。また、表示回路１０５ｄの数が複数である場合、表示回路１０５ｄを例えば画素部
１０５において行列方向に配置してもよい。また、光検出回路１０５ｐの数が複数である
場合、光検出回路１０５ｐを例えば画素部１０５において行列方向に配置してもよい。
【００５０】
読み出し回路１０６は、光データを読み出す光検出回路１０５ｐを選択し、選択した光
検出回路１０５ｐから光データを読み出す機能を有する。
【００５１】
読み出し回路１０６は、例えば選択回路を用いて構成される。例えば、選択回路は、ト
ランジスタを備える。選択回路は、例えば上記トランジスタに従って光検出回路１０５ｐ
から光データ信号が入力されることにより光データを読み出すことができる。
【００５２】
図２を用いて説明したディスプレイ１０は、表示回路、可視光領域の波長の光を吸収す
るフィルタを備える複数の光検出回路、及びライトユニットを具備し、ライトユニットが
可視光領域の波長の光を発する複数の発光ダイオード及び赤外線領域で発光する発光ダイ
オードを備える構成である。上記構成にすることにより、光データを生成する際に、ディ
スプレイ１０の置かれる環境下の光又は発光ダイオードが発する可視光領域の波長の光に
よる影響を抑制することができる。
【００５３】
＜光検出回路の構成例＞
図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は、光検出回路の構成例を示す図である。
【００５４】
図３（Ａ）に示す光検出回路は、光電変換素子１３１ａと、トランジスタ１３２ａと、
トランジスタ１３３ａと、トランジスタ１３４ａと、を備える。
【００５５】
なお、図３（Ａ）に示す光検出回路において、トランジスタ１３２ａ、トランジスタ１
３３ａ、及びトランジスタ１３４ａは、電界効果トランジスタである。
【００５６】
光電変換素子１３１ａは、第１の電流端子及び第２の電流端子を有し、光電変換素子１
３１ａの第１の電流端子には、リセット信号が入力される。
【００５７】
トランジスタ１３４ａのソース及びドレインの一方は、光電変換素子１３１ａの第２の
電流端子に電気的に接続され、トランジスタ１３４ａのゲートには、光検出制御信号が入
力される。
【００５８】
トランジスタ１３２ａのゲートは、トランジスタ１３４ａのソース及びドレインの他方
に電気的に接続される。
【００５９】
トランジスタ１３３ａのソース及びドレインの一方は、トランジスタ１３２ａのソース
及びドレインの一方に電気的に接続され、トランジスタ１３３ａのゲートには、出力選択
信号が入力される。
【００６０】
なお、トランジスタ１３２ａのソース及びドレインの他方、並びにトランジスタ１３３
ａのソース及びドレインの他方のうちの一方には、電圧Ｖａが入力される。
【００６１】
また、図３（Ａ）に示す光検出回路は、トランジスタ１３２ａのソース及びドレインの
他方、並びにトランジスタ１３３ａのソース及びドレインの他方のうちの他方から光デー
タを光データ信号として出力する。
【００６２】
図３（Ｂ）に示す光検出回路は、光電変換素子１３１ｂと、トランジスタ１３２ｂと、
トランジスタ１３３ｂと、トランジスタ１３４ｂと、トランジスタ１３５と、を備える。
【００６３】
なお、図３（Ｂ）に示す光検出回路において、トランジスタ１３２ｂ、トランジスタ１
３３ｂ、トランジスタ１３４ｂ、及びトランジスタ１３５は、電界効果トランジスタであ
る。
【００６４】
光電変換素子１３１ｂは、第１の電流端子及び第２の電流端子を有し、光電変換素子１
３１ｂの第１の電流端子には、電圧Ｖｂが入力される。
【００６５】
なお、電圧Ｖａ及び電圧Ｖｂの一方は、高電源電圧Ｖｄｄであり、電圧Ｖａ及び電圧Ｖ
ｂの他方は、低電源電圧Ｖｓｓである。高電源電圧Ｖｄｄは、相対的に低電源電圧Ｖｓｓ
より高い値の電圧であり、低電源電圧Ｖｓｓは、相対的に高電源電圧Ｖｄｄより低い値の
電圧である。電圧Ｖａ及び電圧Ｖｂの値は、例えばトランジスタの極性などにより互いに
入れ替わる場合がある。また、電圧Ｖａ及び電圧Ｖｂの差が電源電圧となる。
【００６６】
トランジスタ１３４ｂのソース及びドレインの一方は、光電変換素子１３１ｂの第２の
電流端子に電気的に接続され、トランジスタ１３４ｂのゲートには、光検出制御信号が入
力される。
【００６７】
トランジスタ１３２ｂのゲートは、トランジスタ１３４ｂのソース及びドレインの他方
に電気的に接続される。
【００６８】
トランジスタ１３５のゲートには、光検出リセット信号が入力され、トランジスタ１３
５のソース及びドレインの一方には、電圧Ｖａが入力され、トランジスタ１３５のソース
及びドレインの他方は、トランジスタ１３４ｂのソース及びドレインの他方に電気的に接
続される。
【００６９】
トランジスタ１３３ｂのゲートには、出力選択信号が入力され、トランジスタ１３３ｂ
のソース及びドレインの一方は、トランジスタ１３２ｂのソース及びドレインの一方に電
気的に接続される。
【００７０】
なお、トランジスタ１３２ｂのソース及びドレインの他方、並びにトランジスタ１３３
ｂのソース及びドレインの他方のうちの一方には、電圧Ｖａが入力される。
【００７１】
また、図３（Ｂ）に示す光検出回路は、トランジスタ１３２ｂのソース及びドレインの
他方、並びにトランジスタ１３３ｂのソース及びドレインの他方のうちの他方から光デー
タを光データ信号として出力する。
【００７２】
さらに、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示す光検出回路の各構成要素について説明する。
【００７３】
光電変換素子１３１ａ及び光電変換素子１３１ｂとしては、例えばフォトダイオード又
はフォトトランジスタなどを用いることができる。フォトダイオードの場合、フォトダイ
オードのアノード及びカソードの一方が光電変換素子の第１の電流端子に相当し、フォト
ダイオードのアノード及びカソードの他方が光電変換素子の第２の電流端子に相当し、フ
ォトトランジスタの場合、フォトトランジスタのソース及びドレインの一方が光電変換素
子の第１の電流端子に相当し、フォトトランジスタのソース及びドレインの他方が光電変
換素子の第２の電流端子に相当する。
【００７４】
トランジスタ１３２ａ及びトランジスタ１３２ｂは、増幅トランジスタとしての機能を
有する。
【００７５】
トランジスタ１３４ａ及びトランジスタ１３４ｂは、光検出制御トランジスタとしての
機能を有する。なお、トランジスタ１３４ａ及びトランジスタ１３４ｂは必ずしも設けな
くてもよいが、トランジスタ１３４ａ及びトランジスタ１３４ｂを設けることにより、ト
ランジスタ１３２ａ及びトランジスタ１３２ｂのゲートの電圧を一定期間所望の電圧に保
持することができる。
【００７６】
トランジスタ１３５は、光検出リセット選択トランジスタとしての機能を有する。
【００７７】
トランジスタ１３３ａ及びトランジスタ１３３ｂは、出力選択トランジスタとしての機
能を有する。
【００７８】
なお、トランジスタ１３２ａ、トランジスタ１３２ｂ、トランジスタ１３３ａ、トラン
ジスタ１３３ｂ、トランジスタ１３４ａ、トランジスタ１３４ｂ、及びトランジスタ１３
５としては、例えばチャネルが形成され、元素周期表における第１４族の半導体（シリコ
ンなど）を含有する半導体層又は酸化物半導体層を含むトランジスタを用いることができ
る。なお、例えば、上記酸化物半導体層を含むトランジスタを用いることにより、トラン
ジスタ１３２ａ、トランジスタ１３２ｂ、トランジスタ１３３ａ、トランジスタ１３３ｂ
、トランジスタ１３４ａ、トランジスタ１３４ｂ、及びトランジスタ１３５のリーク電流
によるゲートの電圧の変動を抑制することができる。
【００７９】
次に、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示す光検出回路の駆動方法例について説明する。
【００８０】
まず、図３（Ａ）に示す光検出回路の駆動方法例について、図３（Ｃ）を用いて説明す
る。図３（Ｃ）は、図３（Ａ）に示す光検出回路の駆動方法例を説明するためのタイミン
グチャートであり、光検出リセット信号、出力選択信号、光電変換素子１３１ａ、トラン
ジスタ１３３ａ、及びトランジスタ１３４ａのそれぞれの状態を示す。なお、ここでは、
一例として光電変換素子１３１ａがフォトダイオードである場合について説明する。
【００８１】
図３（Ａ）に示す光検出回路の駆動方法例では、まず期間Ｔ３１において、光検出リセ
ット信号のパルスが入力される。また、期間Ｔ３１から期間Ｔ３２にかけて光検出制御信
号のパルスが入力される。なお、期間Ｔ３１において、光検出リセット信号のパルスの入
力開始のタイミングは、光検出制御信号のパルスの入力開始のタイミングより早くてもよ
い。
【００８２】
このとき、期間Ｔ３１において、光電変換素子１３１ａは、順方向に電流が流れる状態
（状態ＳＴ５１ともいう）になり、トランジスタ１３４ａがオン状態になり、トランジス
タ１３３ａがオフ状態になる。
【００８３】
このとき、トランジスタ１３２ａのゲートの電圧は、一定の値にリセットされる。
【００８４】
次に、光検出リセット信号のパルスが入力された後の期間Ｔ３２において、光電変換素
子１３１ａは、逆方向に電圧が印加された状態（状態ＳＴ５２ともいう）になり、トラン
ジスタ１３３ａはオフ状態のままである。
【００８５】
このとき、光電変換素子１３１ａに入射した光の照度に応じて、光電変換素子１３１ａ
の第１の電流端子及び第２の電流端子の間に光電流が流れる。さらに光電流に応じてトラ
ンジスタ１３２ａのゲートの電圧の値が変化する。このとき、トランジスタ１３２ａのソ
ース及びドレインの間のチャネル抵抗の値が変化する。
【００８６】
さらに、光検出制御信号のパルスが入力された後の期間Ｔ３３において、トランジスタ
１３４ａがオフ状態になる。
【００８７】
このとき、トランジスタ１３２ａのゲートの電圧は、期間Ｔ３２における光電変換素子
１３１ａの光電流に応じた値に保持される。なお、期間Ｔ３３は必ずしも設けなくてもよ
いが、期間Ｔ３３を設けることにより、光検出回路において、光データ信号を出力するタ
イミングを適宜設定することができる。例えば、複数の光検出回路において、それぞれ光
データ信号を出力するタイミングを適宜設定することができる。
【００８８】
次に、期間Ｔ３４において、出力選択信号のパルスが入力される。
【００８９】
このとき、光電変換素子１３１ａは状態ＳＴ５２のままであり、トランジスタ１３３ａ
がオン状態になり、トランジスタ１３２ａのソース及びドレイン、並びにトランジスタ１
３３ａのソース及びドレインを介して電流が流れる。トランジスタ１３２ａのソース及び
ドレイン、並びにトランジスタ１３３ａのソース及びドレインを介して流れる電流は、ト
ランジスタ１３２ａのゲート電圧の値に依存する。よって、光データは、光電変換素子１
３１ａに入射する光の照度に応じた値となる。さらに、図３（Ａ）に示す光検出回路は、
トランジスタ１３２ａのソース及びドレインの他方、並びにトランジスタ１３３ａのソー
ス及びドレインの他方のうちの他方から光データ信号を出力する。以上が図３（Ａ）に示
す光検出回路の駆動方法例である。
【００９０】
次に、図３（Ｂ）に示す光検出回路の駆動方法例について、図３（Ｄ）を用いて説明す
る。図３（Ｄ）は、図３（Ｂ）に示す光検出回路の駆動方法例を説明するための図である
。
【００９１】
図３（Ｂ）に示す光検出回路の駆動方法例では、まず期間Ｔ４１において、光検出リセ
ット信号のパルスが入力され、また、期間Ｔ４１から期間Ｔ４２にかけて光検出制御信号
のパルスが入力される。なお、期間Ｔ４１において、光検出リセット信号のパルスの入力
開始のタイミングは、光検出制御信号のパルスの入力開始のタイミングより早くてもよい
。
【００９２】
このとき、期間Ｔ４１において、光電変換素子１３１ｂが状態ＳＴ５１になり、トラン
ジスタ１３４ｂがオン状態になることにより、トランジスタ１３２ｂのゲートの電圧は、
電圧Ｖａと同等の値にリセットされる。
【００９３】
さらに、光検出リセット信号のパルスが入力された後の期間Ｔ４２において、光電変換
素子１３１ｂが状態ＳＴ５２になり、トランジスタ１３４ｂがオン状態のままであり、ト
ランジスタ１３５がオフ状態になる。
【００９４】
このとき、光電変換素子１３１ｂに入射した光の照度に応じて、光電変換素子１３１ｂ
の第１の電流端子及び第２の電流端子の間に光電流が流れる。さらに、光電流に応じてト
ランジスタ１３２ｂのゲートの電圧の値が変化する。このとき、トランジスタ１３２ｂの
ソース及びドレインの間のチャネル抵抗の値が変化する。
【００９５】
さらに、光検出制御信号のパルスが入力された後の期間Ｔ４３において、トランジスタ
１３４ｂがオフ状態になる。
【００９６】
このとき、トランジスタ１３２ｂのゲートの電圧は、期間Ｔ４２における光電変換素子
１３１ｂの光電流に応じた値に保持される。なお、期間Ｔ４３は必ずしも設けなくてもよ
いが、期間Ｔ４３を設けることにより、光検出回路において、光データ信号を出力するタ
イミングを適宜設定することができる。例えば、複数の光検出回路において、それぞれ光
データ信号を出力するタイミングを適宜設定することができる。
【００９７】
さらに、期間Ｔ４４において、出力選択信号のパルスが入力される。
【００９８】
このとき、光電変換素子１３１ｂが状態ＳＴ５２のままであり、トランジスタ１３３ｂ
がオン状態になる。
【００９９】
トランジスタ１３３ｂがオン状態になると、図３（Ｂ）に示す光検出回路は、トランジ
スタ１３２ｂのソース及びドレインの他方、及びトランジスタ１３３ｂのソース及びドレ
インの他方のうちの他方から光データ信号を出力する。トランジスタ１３２ｂのソース及
びドレイン、及びトランジスタ１３３ｂのソース及びドレインを介して流れる電流は、ト
ランジスタ１３２ｂのゲート電圧の値に依存する。よって、光データは、光電変換素子１
３１ｂに入射する光の照度に応じた値となる。以上が図３（Ｂ）に示す光検出回路の駆動
方法例である。
【０１００】
図３（Ａ）乃至図３（Ｄ）に示す光検出回路は、光電変換素子、光検出制御トランジス
タ、及び増幅トランジスタを備える。そして、光検出制御信号に従って光データを生成し
、出力選択信号に従って光データをデータ信号として出力する。上記構成にすることによ
り、光検出回路により光データを生成して出力することができる。
【０１０１】
＜表示回路の構成例＞
図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、表示回路の構成例を示す図である。
【０１０２】
図４（Ａ）に示す表示回路は、トランジスタ１５１ａと、液晶素子１５２ａと、容量素
子１５３ａと、を備える。
【０１０３】
なお、図４（Ａ）に示す表示回路において、トランジスタ１５１ａは、電界効果トラン
ジスタである。
【０１０４】
また、液晶素子１５２ａは、第１の表示電極、第２の表示電極、及び液晶層により構成
される。液晶層は、第１の表示電極及び第２の表示電極の間に印加される電圧に応じて光
の透過率が変化する。
【０１０５】
また、容量素子１５３ａは、第１の容量電極、第２の容量電極、並びに第１の容量電極
及び第２の容量電極に重畳する誘電体層を含む。容量素子１５３ａは、第１の容量電極及
び第２の容量電極の間に印加される電圧に応じて電荷が蓄積される。
【０１０６】
トランジスタ１５１ａのソース及びドレインの一方には、表示データ信号が入力され、
トランジスタ１５１ａのゲートには、表示選択信号が入力される。
【０１０７】
液晶素子１５２ａの第１の表示電極は、トランジスタ１５１ａのソース及びドレインの
他方に電気的に接続され、液晶素子１５２ａの第２の表示電極には、電圧Ｖｃが入力され
る。電圧Ｖｃの値は、適宜設定することができる。
【０１０８】
容量素子１５３ａの第１の容量電極は、トランジスタ１５１ａのソース及びドレインの
他方に電気的に接続され、容量素子１５３ａの第２の容量電極には、電圧Ｖｃが入力され
る。
【０１０９】
図４（Ｂ）に示す表示回路は、トランジスタ１５１ｂと、液晶素子１５２ｂと、容量素
子１５３ｂと、容量素子１５４と、トランジスタ１５５と、トランジスタ１５６と、を備
える。
【０１１０】
なお、図４（Ｂ）に示す表示回路において、トランジスタ１５１ｂ、トランジスタ１５
５、及びトランジスタ１５６は、電界効果トランジスタである。
【０１１１】
トランジスタ１５５のソース及びドレインの一方には、表示データ信号が入力され、ト
ランジスタ１５５のゲートには、パルス信号である書き込み選択信号（信号ＷＳＥＬとも
いう）が入力される。書き込み選択信号は、例えばシフトレジスタを備えた回路により、
シフトレジスタからパルス信号を出力させることにより生成することができる。
【０１１２】
容量素子１５４の第１の容量電極は、トランジスタ１５５のソース及びドレインの他方
に電気的に接続され、容量素子１５４の第２の容量電極には、電圧Ｖｃが入力される。
【０１１３】
トランジスタ１５１ｂのソース及びドレインの一方は、トランジスタ１５５のソース及
びドレインの他方に電気的に接続され、トランジスタ１５１ｂのゲートには、表示選択信
号が入力される。
【０１１４】
液晶素子１５２ｂの第１の表示電極は、トランジスタ１５１ｂのソース及びドレインの
他方に電気的に接続され、液晶素子１５２ｂの第２の表示電極には、電圧Ｖｃが入力され
る。
【０１１５】
容量素子１５３ｂの第１の容量電極は、トランジスタ１５１ｂのソース及びドレインの
他方に電気的に接続され、容量素子１５３ｂの第２の容量電極には、電圧Ｖｃが入力され
る。電圧Ｖｃの値は、表示回路の仕様に応じて適宜設定される。
【０１１６】
トランジスタ１５６のソース及びドレインの一方には、基準となる電圧が入力され、ト
ランジスタ１５６のソース及びドレインの他方は、トランジスタ１５１ｂのソース及びド
レインの他方に電気的に接続され、トランジスタ１５６のゲートには、パルス信号である
表示リセット信号（信号ＤＲＳＴともいう）が入力される。
【０１１７】
さらに、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示す表示回路の各構成要素について説明する。
【０１１８】
トランジスタ１５１ａ及びトランジスタ１５１ｂは、表示選択トランジスタとしての機
能を有する。
【０１１９】
液晶素子１５２ａ及び液晶素子１５２ｂにおける液晶層としては、第１の表示電極及び
第２の表示電極の間に印加される電圧が０Ｖのときに光を透過する液晶層を用いることが
でき、例えば電気制御複屈折型液晶（ＥＣＢ型液晶ともいう）、二色性色素を添加した液
晶（ＧＨ液晶ともいう）、高分子分散型液晶、又はディスコチック液晶を含む液晶層など
を用いることができる。また、液晶層としては、ブルー相を示す液晶層を用いてもよい。
ブルー相を示す液晶層は、例えばブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物に
より構成される。ブルー相を示す液晶は、応答速度が１ｍｓｅｃ以下と短く、光学的等方
性であるため、配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。よって、ブルー相を示す
液晶を用いることにより、動作速度を向上させることができる。
【０１２０】
容量素子１５３ａ及び容量素子１５３ｂは、第１の容量電極及び第２の容量電極の間に
表示データ信号に応じた値の電圧が印加される保持容量としての機能を有する。容量素子
１５３ａ及び容量素子１５３ｂを必ずしも設けなくてもよいが、容量素子１５３ａ及び容
量素子１５３ｂを設けることにより、表示選択トランジスタのリーク電流に起因する液晶
素子に印加された電圧の変動を抑制することができる。
【０１２１】
容量素子１５４は、第１の容量電極及び第２の容量電極の間に表示データ信号に応じた
値の電圧が印加される保持容量としての機能を有する。
【０１２２】
トランジスタ１５５は、容量素子１５４に表示データ信号を入力させるか否かを選択す
る書き込み選択トランジスタとしての機能を有する。
【０１２３】
トランジスタ１５６は、液晶素子１５２ｂに印加される電圧をリセットさせるか否かを
選択する表示リセット選択トランジスタとしての機能を有する。
【０１２４】
なお、トランジスタ１５１ａ、トランジスタ１５１ｂ、トランジスタ１５５、及びトラ
ンジスタ１５６としては、例えば、元素周期表における第１４族の半導体（シリコンなど
）を含有する半導体層又は酸化物半導体層を含むトランジスタを用いることができる。
【０１２５】
次に、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示す表示回路の駆動方法例について説明する。
【０１２６】
まず、図４（Ａ）に示す表示回路の駆動方法例について、図４（Ｃ）を用いて説明する
。図４（Ｃ）は、図４（Ａ）に示す表示回路の駆動方法例を説明するためのタイミングチ
ャートであり、表示データ信号及び表示選択信号のそれぞれの状態を示す。
【０１２７】
図４（Ａ）に示す表示回路の駆動方法例では、表示選択信号のパルスが入力されると、
トランジスタ１５１ａがオン状態になる。
【０１２８】
トランジスタ１５１ａがオン状態になると、表示回路に表示データ信号が入力され、液
晶素子１５２ａの第１の表示電極及び容量素子１５３ａの第１の容量電極の電圧が表示デ
ータ信号の電圧と同等の値になる。
【０１２９】
このとき、液晶素子１５２ａは、書き込み状態（状態ｗｔともいう）になり、表示デー
タ信号に応じた光の透過率になることにより、表示回路が表示データ信号のデータ（デー
タＤ１１乃至データＤＸのそれぞれ）に応じた表示状態になる。
【０１３０】
その後トランジスタ１５１ａがオフ状態になる。そのため、液晶素子１５２ａは、保持
状態（状態ｈｌｄともいう）になる。そして、液晶素子１５２ａでは、次に表示選択信号
のパルスが入力されるまで、第１の表示電極及び第２の表示電極の間に印加される電圧が
保持される。
【０１３１】
次に、図４（Ｂ）に示す表示回路の駆動方法例について、図４（Ｄ）を用いて説明する
。図４（Ｄ）は、図４（Ｂ）に示す表示回路の駆動方法例を説明するためのタイミングチ
ャートである。
【０１３２】
図４（Ｂ）に示す表示回路の駆動方法例では、表示リセット信号のパルスが入力される
と、トランジスタ１５６がオン状態になり、液晶素子１５２ｂの第１の表示電極及び容量
素子１５３ｂの第１の容量電極の電圧が基準となる電圧にリセットされる。
【０１３３】
また、書き込み選択信号のパルスが入力されると、トランジスタ１５５がオン状態にな
り、表示データ信号が表示回路に入力され、容量素子１５４の第１の容量電極の電圧が表
示データ信号の電圧と同等の値になる。
【０１３４】
その後、表示選択信号のパルスが入力されると、トランジスタ１５１ｂがオン状態にな
り、液晶素子１５２ｂの第１の表示電極及び容量素子１５３ｂの第１の容量電極の電圧が
容量素子１５４の第１の容量電極の電圧と同等の値になる。
【０１３５】
このとき、液晶素子１５２ｂは、書き込み状態になり、表示データ信号に応じた光の透
過率になることにより、表示回路が表示データ信号のデータ（データＤ１１乃至データＤ
Ｘのそれぞれ）に応じた表示状態になる。
【０１３６】
その後、トランジスタ１５１ｂがオフ状態になる。そのため、液晶素子１５２ｂは、保
持状態になる。そして、液晶素子１５２ｂでは、次に表示選択信号のパルスが入力される
まで、第１の表示電極及び第２の表示電極の間に印加される電圧が保持される。
【０１３７】
図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示す表示回路は、表示選択トランジスタ及び液晶素子を備
える。上記構成にすることにより、表示回路を表示データ信号に応じた表示状態にするこ
とができる。
【０１３８】
また、図４（Ｂ）に示す表示回路は、表示選択トランジスタ及び液晶素子に加え、書き
込み選択トランジスタ及び容量素子を備える。上記構成にすることにより、液晶素子をあ
る表示データ信号のデータに応じた表示状態に設定している間に、容量素子に次の表示デ
ータ信号のデータを書き込むことができる。よって、表示回路の動作速度を向上させるこ
とができる。
【０１３９】
＜ディスプレイの構造例＞
図５、６はディスプレイを構成するアクティブマトリクス基板（表示回路及び光検出回
路が配設される基板）の構造例を示す図である。具体的には、図５（Ａ）は、アクティブ
マトリクス基板に配設される表示回路の平面模式図であり、図５（Ｂ）は、図５（Ａ）に
おける線分Ａ−Ｂの断面模式図であり、図６（Ａ）は、アクティブマトリクス基板が有す
る光検出回路の平面模式図であり、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）における線分Ｃ−Ｄの断面
模式図である。なお、図６では、光検出回路の一例として、図３（Ａ）に示す構成の光検
出回路を用いる場合を示す。
【０１４０】
図５及び図６に示すアクティブマトリクス基板は、基板５００と、導電層５０１ａ乃至
導電層５０１ｈと、絶縁層５０２と、半導体層５０３ａ乃至半導体層５０３ｄと、導電層
５０４ａ乃至導電層５０４ｋと、絶縁層５０５と、半導体層５０６と、半導体層５０７と
、半導体層５０８と、絶縁層５０９と、導電層５１０ａ乃至導電層５１０ｃと、を含む。
【０１４１】
導電層５０１ａ乃至導電層５０１ｈのそれぞれは、基板５００の一平面に設けられる。
【０１４２】
導電層５０１ａは、表示回路における表示選択トランジスタのゲートとしての機能を有
する。
【０１４３】
導電層５０１ｂは、表示回路における保持容量の第１の容量電極としての機能を有する
。なお、容量素子（保持容量）の第１の容量電極としての機能を有する層を第１の容量電
極ともいう。
【０１４４】
導電層５０１ｃは、電圧Ｖｂが入力される配線としての機能を有する。なお、配線とし
ての機能を有する層を配線ともいう。
【０１４５】
導電層５０１ｄは、光検出回路における光検出制御トランジスタのゲートとしての機能
を有する。
【０１４６】
導電層５０１ｅは、光検出制御信号が入力される信号線としての機能を有する。なお、
信号線としての機能を有する層を信号線ともいう。
【０１４７】
導電層５０１ｆは、光検出回路における出力選択トランジスタのゲートとしての機能を
有する。
【０１４８】
導電層５０１ｇは、光検出回路における増幅トランジスタのゲートとしての機能を有す
る。
【０１４９】
絶縁層５０２は、導電層５０１ａ乃至導電層５０１ｈを介して基板５００の一平面に設
けられる。
【０１５０】
絶縁層５０２は、表示回路における表示選択トランジスタのゲート絶縁層、表示回路に
おける保持容量の誘電体層、光検出回路における光検出制御トランジスタのゲート絶縁層
、光検出回路における増幅トランジスタのゲート絶縁層、及び光検出回路における出力選
択トランジスタのゲート絶縁層としての機能を有する。
【０１５１】
半導体層５０３ａは、絶縁層５０２を介して導電層５０１ａに重畳する。半導体層５０
３ａは、表示回路における表示選択トランジスタのチャネル形成層としての機能を有する
。
【０１５２】
半導体層５０３ｂは、絶縁層５０２を介して導電層５０１ｄに重畳する。半導体層５０
３ｂは、光検出回路における光検出制御トランジスタのチャネル形成層としての機能を有
する。
【０１５３】
半導体層５０３ｃは、絶縁層５０２を介して導電層５０１ｆに重畳する。半導体層５０
３ｃは、光検出回路における出力選択トランジスタのチャネル形成層としての機能を有す
る。
【０１５４】
半導体層５０３ｄは、絶縁層５０２を介して導電層５０１ｇに重畳する。半導体層５０
３ｄは、光検出回路における増幅トランジスタのチャネル形成層としての機能を有する。
【０１５５】
導電層５０４ａは、半導体層５０３ａに電気的に接続される。導電層５０４ａは、表示
回路における表示選択トランジスタのソース及びドレインの一方としての機能を有する。
【０１５６】
導電層５０４ｂは、導電層５０１ｂ及び半導体層５０３ａに電気的に接続される。導電
層５０４ｂは、表示回路における表示選択トランジスタのソース及びドレインの他方とし
ての機能を有する。
【０１５７】
導電層５０４ｃは、絶縁層５０２を介して導電層５０１ｂに重畳する。導電層５０４ｃ
は、表示回路における保持容量の第２の容量電極としての機能を有する。
【０１５８】
導電層５０４ｄは、絶縁層５０２を貫通する開口部において導電層５０１ｃに電気的に
接続される。導電層５０４ｄは、光検出回路における光電変換素子の第１の電流端子及び
第２の電流端子の一方としての機能を有する。
【０１５９】
導電層５０４ｅは、半導体層５０３ｂに電気的に接続される。導電層５０４ｅは、光検
出回路における光検出制御トランジスタのソース及びドレインの一方としての機能を有す
る。
【０１６０】
導電層５０４ｆは、半導体層５０３ｂに電気的に接続され、且つ絶縁層５０２を貫通す
る開口部において導電層５０１ｇに電気的に接続される。導電層５０４ｆは、光検出回路
における光検出制御トランジスタのソース及びドレインの他方としての機能を有する。
【０１６１】
導電層５０４ｇは、絶縁層５０２を貫通する開口部において導電層５０１ｄ及び導電層
５０１ｅに電気的に接続される。導電層５０４ｇは、光検出制御信号が入力される信号線
としての機能を有する。
【０１６２】
導電層５０４ｈは、半導体層５０３ｃに電気的に接続される。導電層５０４ｈは、光検
出回路における出力選択トランジスタのソース及びドレインの一方としての機能を有する
。
【０１６３】
導電層５０４ｉは、半導体層５０３ｃ及び半導体層５０３ｄに電気的に接続される。導
電層５０４ｉは、光検出回路における出力選択トランジスタのソース及びドレインの他方
、並びに光検出回路における増幅トランジスタのソース及びドレインの一方としての機能
を有する。
【０１６４】
導電層５０４ｊは、半導体層５０３ｄに電気的に接続され、絶縁層５０２を貫通する開
口部において導電層５０１ｈに電気的に接続される。導電層５０４ｊは、光検出回路にお
ける増幅トランジスタのソース及びドレインの他方としての機能を有する。
【０１６５】
導電層５０４ｋは、絶縁層５０２を貫通する開口部において導電層５０１ｈに電気的に
接続される。導電層５０４ｋは、電圧Ｖａ又は電圧Ｖｂが入力される配線としての機能を
有する。
【０１６６】
絶縁層５０５は、導電層５０４ａ乃至導電層５０４ｋを介して半導体層５０３ａ乃至半
導体層５０３ｄに接する。
【０１６７】
半導体層５０６は、絶縁層５０５を貫通して設けられた開口部において導電層５０４ｄ
に電気的に接続される。
【０１６８】
半導体層５０７は、半導体層５０６に接する。
【０１６９】
半導体層５０８は、半導体層５０７に接する。
【０１７０】
絶縁層５０９は、絶縁層５０５、半導体層５０６、半導体層５０７、及び半導体層５０
８に重畳する。絶縁層５０９は、表示回路及び光検出回路における平坦化絶縁層としての
機能を有する。なお、必ずしも絶縁層５０９を設けなくてもよい。
【０１７１】
導電層５１０ａは、絶縁層５０５及び絶縁層５０９を貫通する開口部において導電層５
０４ｂに電気的に接続される。導電層５１０ａは、表示回路における表示素子の画素電極
としての機能を有する。なお、画素電極としての機能を有する層を画素電極ともいう。
【０１７２】
導電層５１０ｂは、絶縁層５０５及び絶縁層５０９を貫通する開口部において導電層５
０４ｃに電気的に接続される。導電層５１０ｂは、電圧Ｖｃが入力される配線としての機
能を有する。
【０１７３】
導電層５１０ｃは、絶縁層５０５及び絶縁層５０９を貫通する開口部において導電層５
０４ｅに電気的に接続され、絶縁層５０５及び絶縁層５０９を貫通する開口部において半
導体層５０８に電気的に接続される。
【０１７４】
さらに、上述したアクティブマトリクス基板を有するディスプレイの構造例について、
図７を用いて説明する。なお、図７（Ａ）は、ディスプレイに配設される表示回路の断面
模式図であり、図７（Ｂ）は、ディスプレイに配設される光検出回路の断面模式図である
。なお、図７に示すディスプレイにおいては、表示素子は液晶素子である。
【０１７５】
図７に示すディスプレイは、図５及び図６に示すアクティブマトリクス基板に加え、基
板５１２と、遮光層５１３と、着色層５１４と、着色層５１５と、絶縁層５１６と、導電
層５１７と、液晶層５１８と、を含む。
【０１７６】
遮光層５１３は、基板５１２の一平面の一部に設けられる。
【０１７７】
着色層５１４は、基板５１２の遮光層５１３が設けられていない部分に設けられ、半導
体層５０６、半導体層５０７、及び半導体層５０８に重畳する。
【０１７８】
着色層５１５は、着色層５１４に重畳する。
【０１７９】
絶縁層５１６は、遮光層５１３、着色層５１４、及び着色層５１５を介して基板５１２
の一平面に設けられる。
【０１８０】
導電層５１７は、基板５１２の一平面に設けられる。導電層５１７は、表示回路におけ
る共通電極としての機能を有する。なお、光検出回路において、必ずしも導電層５１７が
設けられなくてもよい。
【０１８１】
液晶層５１８は、導電層５１０ａ及び導電層５１７の間に設けられ、絶縁層５０９を介
して半導体層５０８に重畳する。
【０１８２】
なお、導電層５１０ａ、液晶層５１８、及び導電層５１７は、表示回路における表示素
子としての機能を有する。
【０１８３】
さらに、図７に示すディスプレイの各構成要素について説明する。
【０１８４】
基板５００及び基板５１２としては、透光性を有する基板を用いることができ、透光性
を有する基板としては、例えばガラス基板又はプラスチック基板を用いることができる。
【０１８５】
導電層５０１ａ乃至導電層５０１ｄとしては、例えばモリブデン、チタン、クロム、タ
ンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、若しくはスカンジウムなどの金属
材料、又はこれらを主成分とする合金材料の層を用いることができる。また、それらの積
層により、導電層５０１ａ乃至導電層５０１ｄを構成することもできる。
【０１８６】
絶縁層５０２、５０５としては、例えば酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化窒化シ
リコン層、窒化酸化シリコン層、酸化アルミニウム層、窒化アルミニウム層、酸化窒化ア
ルミニウム層、窒化酸化アルミニウム層、又は酸化ハフニウム層を用いることができる。
また、それらの積層により絶縁層５０２、５０５を構成することもできる。
【０１８７】
半導体層５０３ａ及び半導体層５０３ｂとしては、元素周期表における第１４族の半導
体（シリコンなど）を用いた半導体層又は酸化物半導体層を用いることができる。
【０１８８】
導電層５０４ａ乃至導電層５０４ｈとしては、例えばアルミニウム、クロム、銅、タン
タル、チタン、モリブデン、若しくはタングステンなどの金属材料、又はこれらの金属材
料を主成分とする合金材料の層を用いることができる。また、それらの積層により導電層
５０４ａ乃至導電層５０４ｈを構成してもよい。
【０１８９】
半導体層５０６は、一導電型（Ｐ型及びＮ型の一方）の半導体層である。半導体層５０
６としては、例えばシリコンを含有する半導体層を用いることができる。
【０１９０】
半導体層５０７は、半導体層５０６より抵抗の高い半導体層である。半導体層５０７と
しては、例えばシリコンを含有する半導体層を用いることができる。
【０１９１】
半導体層５０８は、半導体層５０６とは異なる導電型（Ｐ型及びＮ型の他方）の半導体
層である。半導体層５０８としては、例えばシリコンを含有する半導体層を用いることが
できる。
【０１９２】
絶縁層５０９及び絶縁層５１６としては、例えばポリイミド、アクリル、ベンゾシクロ
ブテン、などの有機材料の層を用いることができる。また絶縁層５０９としては、低誘電
率材料（ｌｏｗ−ｋ材料ともいう）の層を用いることもできる。
【０１９３】
導電層５１０ａ、導電層５１０ｃ及び導電層５１７としては、例えば透光性を有する導
電材料の層を用いることができ、透光性を有する導電材料としては、例えばインジウム錫
酸化物、酸化インジウムに酸化亜鉛を混合した金属酸化物、酸化インジウムに酸化珪素（
ＳｉＯ２）を混合した導電材料、有機インジウム、有機スズ、酸化タングステンを含むイ
ンジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むイン
ジウム酸化物、又は酸化チタンを含むインジウム錫酸化物などを用いることができる。
【０１９４】
また、導電層５１０ａ、導電層５１０ｃ及び導電層５１７は、導電性高分子（導電性ポ
リマーともいう）を含む導電性組成物を用いて形成することもできる。導電性組成物を用
いて形成した導電層は、シート抵抗が１００００Ω／□以下、波長５５０ｎｍにおける透
光率が７０％以上であることが好ましい。また、導電性組成物に含まれる導電性高分子の
抵抗率は、０．１Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。
【０１９５】
導電性高分子としては、いわゆるπ電子共役系導電性高分子が用いることができる。π
電子共役系導電性高分子としては、例えばポリアニリン若しくはその誘導体、ポリピロー
ル若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、又はアニリン、ピロール及
びチオフェンの２種以上の共重合体若しくはその誘導体などがあげられる。
【０１９６】
遮光層５１３としては、例えば金属材料の層を用いることができる。
【０１９７】
着色層５１４は、赤及び青の一方の着色層である。
【０１９８】
着色層５１５は、赤及び青の他方の着色層である。
【０１９９】
なお、着色層５１４及び着色層５１５の積層は、可視光領域の波長の光を吸収するフィ
ルタとしての機能を有する。
【０２００】
液晶層５１８としては、例えばＴＮ液晶、ＯＣＢ液晶、ＳＴＮ液晶、ＶＡ液晶、ＥＣＢ
型液晶、ＧＨ液晶、高分子分散型液晶、又はディスコチック液晶などを含む層を用いるこ
とができる。なお、液晶層５１８として、導電層５１０ｃ及び導電層５１７に印加される
電圧が０Ｖのときに光を透過する液晶を用いることが好ましい。
【０２０１】
図５乃至図７を用いて説明したように、ディスプレイの構造例は、トランジスタ、画素
電極、及び光電変換素子を含むアクティブマトリクス基板と、対向基板と、アクティブマ
トリクス基板及び対向基板の間に液晶を有する液晶層と、を含む構造である。上記構造に
することにより、同一工程により同一基板上に表示回路及び光検出回路を作製することが
できるため、製造コストを低減することができる。
【０２０２】
また、図７を用いて説明したように、ディスプレイの構造例は、光電変換素子に重畳し
、可視光領域の波長の光を吸収するフィルタを含む構造である。上記構造にすることによ
り、光電変換素子への可視光領域の波長の光（例えば可視光領域の波長の光を発する発光
ダイオードの光）の入射を抑制することができるため、赤外線領域の光の検出精度を向上
させることができる。
【０２０３】
＜光検出回路の変形構造例＞
本明細書で開示される光検出回路の構造は、図６に示す構造に限定されない。例えば、
図６においては、導電型の異なる半導体層を積層させた構造（縦型構造ともいう）を有す
る光電変換素子について示したが、同一半導体層中に導電型の異なる領域を有する構造（
横型構造ともいう）を有する光電変換素子を光検出回路が有する光電変換素子として適用
することも可能である。
【０２０４】
図１３は、横型構造を有する光電変換素子を有する光検出回路の構造例を示す図である
。具体的には、図１３には、光検出回路を構成するトランジスタの一例（トランジスタ２
００１）及び当該トランジスタに電気的に接続される光電変換素子の一例（光電変換素子
２００２）を示している。
【０２０５】
トランジスタ２００１は、絶縁表面を有する基板２０００上に設けられた単結晶シリコ
ンを母体とする不純物領域２０２１、２０２２及びチャネル形成領域２０２０と、チャネ
ル形成領域２０２０上に設けられたゲート絶縁層２０２３と、ゲート絶縁層２０２３上に
設けられたゲート層２０２４とを有する。なお、ここでは、トランジスタ２００１が単結
晶シリコンを用いて構成される例について示したが、これらが多結晶シリコン又は非晶質
シリコンを用いて構成される構成とすることも可能である。
【０２０６】
光電変換素子２００２は、絶縁表面を有する基板２０００上に設けられた単結晶シリコ
ンを母体とするｐ型不純物領域２１２１、ｉ型領域２１２２、及びｎ型不純物領域２１２
３を有する。
【０２０７】
なお、トランジスタ２００１及び光電変換素子２００２上には絶縁層２３００が設けら
れている。また、トランジスタ２００１の不純物領域２０２１は、導電層２４０１に接続
されている。また、トランジスタ２００１の不純物領域２０２２と、光電変換素子２００
２のｐ型不純物領域２１２１とは、導電層２４０２を介して接続されている。また、導電
層２４０３は、光電変換素子２００２のｎ型不純物領域２１２３に接続されている。
【０２０８】
＜容量式タッチセンサの構成例＞
本発明の一態様に係る表示装置は、容量式タッチセンサを有する。図８に、容量式タッ
チセンサ１６２０と、ディスプレイ１６２１とを重ね合わせている様子を示す。
【０２０９】
容量式タッチセンサ１６２０は、透光性を有する位置検出部１６２２において、指また
はスタイラスなどが触れた位置を検出し、その位置情報を含む信号を生成することができ
る。よって、位置検出部１６２２がディスプレイ１６２１の画素部１６２３に重なるよう
にタッチセンサ１６２０を設けることで、表示装置のユーザーが画素部１６２３のどの位
置を指し示したかを情報として得ることができる。
【０２１０】
図９（Ａ）に、静電容量方式のうち、投影静電容量方式を用いた位置検出部１６２２の
斜視図を示す。投影静電容量方式の位置検出部１６２２は、複数の第１電極１６４０と複
数の第２電極１６４１とが重なるように設けられている。各第１電極１６４０は、矩形状
の導電膜１６４２が複数接続された構成を有しており、各第２電極１６４１は、矩形状の
導電膜１６４３が複数接続された構成を有している。なお、第１電極１６４０と第２電極
１６４１の形状はこの構成に限定されない。
【０２１１】
また、図９（Ａ）では、複数の第１電極１６４０と複数の第２電極１６４１の上に、誘
電体として機能する絶縁層１６４４が重なっている。図９（Ｂ）に、図９（Ａ）に示した
複数の第１電極１６４０と、複数の第２電極１６４１と、絶縁層１６４４とが重なり合っ
ている様子を示す。図９（Ｂ）に示すように、複数の第１電極１６４０と複数の第２電極
１６４１は、矩形状の導電膜１６４２と矩形状の導電膜１６４３の位置が互いにずれるよ
うに、重なり合っている。
【０２１２】
絶縁層１６４４に指などが接触すると、複数の第１電極１６４０のいずれかと、指との
間に容量が形成される。また、複数の第２電極１６４１のいずれかと、指との間にも容量
が形成される。よって、静電容量の変化をモニターすることで、いずれの第１電極１６４
０と第２電極１６４１に指が最も近づいたのかを特定することができるので、指が触れた
位置を検出することができる。
【０２１３】
なお、第１電極１６４０と第２電極１６４１は、透光性を有する導電材料、例えば、酸
化珪素を含む酸化インジウムスズ、酸化インジウムスズ、酸化亜鉛、酸化インジウム亜鉛
、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いて構成することができる。
【０２１４】
＜表示装置の動作例＞
図１０は、図１（Ａ）に示す表示装置の動作例を示すフローチャートである。具体的に
は、図１０に示すフローチャートは、図１（Ａ）に示す表示装置における被読み取り物の
検出動作例を示す図である。
【０２１５】
図１０に示すフローチャートにおいては、まず、図１（Ａ）に示す照度センサ３０にお
いて外光照度の検出を行う。そして、検出された照度情報に応じて、図１（Ａ）に示すデ
ィスプレイ１０に配設された光検出式タッチセンサ（光検出回路）を駆動するか又は図１
（Ａ）に示す容量式タッチセンサ２０を駆動するか選択する。すなわち、２種のタッチセ
ンサの中から適切なタッチセンサを選択する。そして、選択されたタッチセンサにおいて
被読み取り物の検出を行う。
【０２１６】
図１０に示す動作では、被読み取り物の検出精度が外光の影響によって低下することを
抑制することが可能となる。
【実施例１】
【０２１７】
本実施例では、本発明の一態様に係る表示装置を有する電子機器の構成例について図１
１を参照して説明する。
【０２１８】
当該電子機器としては、パーソナルコンピュータ、携帯電話、携帯型を含むゲーム機、
携帯情報端末、電子書籍、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、ナビゲーションシステ
ム、音響再生装置（カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー等）、複写機、ファ
クシミリ、プリンター、プリンター複合機、現金自動預け入れ払い機（ＡＴＭ）、自動販
売機などが挙げられる。
【０２１９】
図１１は、本発明の一態様に係る表示装置を有する携帯電話（いわゆる、スマートフォ
ンを含む）に応用した場合の構成例を示す図である。図１１に示す携帯用の電子機器は、
ＲＦ回路２０１、アナログベースバンド回路２０２、デジタルベースバンド回路２０３、
バッテリー２０４、電源回路２０５、アプリケーションプロセッサ２０６、フラッシュメ
モリ２１０、表示回路コントローラ２１１、メモリ回路２１２、ディスプレイ２１３、音
声回路２１７、キーボード２１８、容量式タッチセンサ２１９、容量式タッチセンサコン
トローラ２２０、照度センサ２２１、照度センサコントローラ２２２、及び光検出回路コ
ントローラ２２３などより構成されている。ディスプレイ２１３は、表示回路及び光検出
回路が配設される画素部２３０、表示回路ドライバ２３２（なお、図２に示す、表示選択
信号出力回路１０１及び表示データ信号出力回路１０２は、表示回路ドライバ２３２を構
成する回路である）、及び光検出回路ドライバ２３３（なお、図２に示す、光検出リセッ
ト信号出力回路１０３ａ、光検出制御信号出力回路１０３ｂ、出力選択信号出力回路１０
３ｃ、及び読み出し回路１０６は、光検出回路ドライバ２３３を構成する回路である）な
どより構成されている。なお、アプリケーションプロセッサ２０６は、ＣＰＵ２０７、Ｄ
ＳＰ２０８、及びインターフェース（ＩＦ）２０９などを有する。
【実施例２】
【０２２０】
本実施例では、本発明の一態様に係る表示装置を有する電子機器の具体例について図１
２を参照して説明する。
【０２２１】
図１２（Ａ）は、携帯型情報通信端末の具体例を示す図である。図１２（Ａ）に示す携
帯型情報通信端末は、少なくとも表示部１００１を具備する。また、図１２（Ａ）に示す
携帯型情報通信端末は、例えば表示部１００１に操作部１００２を設けることができる。
例えば、上記の表示装置を表示部１００１に用いることにより、例えば指又はペンにより
携帯型情報通信端末の操作又は携帯型情報通信端末への情報の入力を行うことができる。
【０２２２】
図１２（Ｂ）は、カーナビゲーションを含む情報案内端末の具体例を示す図である。図
１２（Ｂ）に示す情報案内端末は、表示部１１０１、操作ボタン１１０２、及び外部入力
端子１１０３を具備する。例えば、上記の表示装置を表示部１１０１に用いることにより
、例えば指又はペンにより情報案内端末の操作又は情報案内端末への情報の入力を行うこ
とができる。
【０２２３】
図１２（Ｃ）は、ノート型パーソナルコンピュータの具体例を示す図である。図１２（
Ｃ）に示すノート型パーソナルコンピュータは、筐体１２０１と、表示部１２０２と、ス
ピーカ１２０３と、ＬＥＤランプ１２０４と、ポインティングデバイス１２０５と、接続
端子１２０６と、キーボード１２０７と、を具備する。例えば、上記の表示装置を、表示
部１２０２に用いることにより、例えば指又はペンによりノート型パーソナルコンピュー
タの操作又はノート型パーソナルコンピュータへの情報の入力を行うことができる。
【０２２４】
図１２（Ｄ）は、携帯型遊技機の具体例を示す図である。図１２（Ｄ）に示す携帯型遊
技機は、表示部１３０１と、表示部１３０２と、スピーカ１３０３と、接続端子１３０４
と、ＬＥＤランプ１３０５と、マイクロフォン１３０６と、記録媒体読込部１３０７と、
操作ボタン１３０８と、センサ１３０９と、を有する。例えば、上記の表示装置を、表示
部１３０１及び表示部１３０２、又は表示部１３０１若しくは表示部１３０２に用いるこ
とにより、例えば指又はペンにより携帯型遊技機の操作又は携帯型遊技機への情報の入力
を行うことができる。
【０２２５】
図１２（Ｅ）は、電子書籍の具体例を示す図である。図１２（Ｅ）に示す電子書籍は、
少なくとも筐体１４０１と、筐体１４０３と、表示部１４０５と、表示部１４０７と、軸
部１４１１と、を有する。
【０２２６】
筐体１４０１及び筐体１４０３は、軸部１４１１により接続され、図１２（Ｅ）に示す
電子書籍は、該軸部１４１１を軸として開閉動作を行うことができる。このような構成に
より、紙の書籍のような動作を行うことができる。また、表示部１４０５は、筐体１４０
１に組み込まれ、表示部１４０７は、筐体１４０３に組み込まれる。また、表示部１４０
５及び表示部１４０７の構成を互いに異なる画像を表示する構成としてもよく、例えば両
方の表示部で一続きの画像を表示する構成としてもよい。表示部１４０５及び表示部１４
０７を異なる画像を表示する構成にすることにより、例えば右側の表示部（図１２（Ｅ）
では表示部１４０５）に文章画像を表示し、左側の表示部（図１２（Ｅ）では表示部１４
０７）に画像を表示することができる。
【０２２７】
また、図１２（Ｅ）に示す電子書籍は、筐体１４０１又は筐体１４０３に操作部などを
備えてもよい。例えば、図１２（Ｅ）に示す電子書籍の構成を電源ボタン１４２１と、操
作キー１４２３と、スピーカ１４２５と、を有する構成にすることもできる。図１２（Ｅ
）に示す電子書籍は、操作キー１４２３を用いることにより、複数の頁がある画像の頁を
送ることができる。また、図１２（Ｅ）に示す電子書籍の表示部１４０５及び表示部１４
０７、又は表示部１４０５又は表示部１４０７にキーボードやポインティングデバイスな
どを設けた構成としてもよい。また、図１２（Ｅ）に示す電子書籍の筐体１４０１及び筐
体１４０３の裏面や側面に、外部接続用端子（イヤホン端子、ＵＳＢ端子、又はＡＣアダ
プタ又はＵＳＢケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など）、記録媒体挿入部な
どを設けてもよい。さらに、図１２（Ｅ）に示す電子書籍に電子辞書としての機能を持た
せてもよい。
【０２２８】
例えば、上記の表示装置を表示部１４０５及び表示部１４０７、又は表示部１４０５若
しくは表示部１４０７に用いることにより、例えば指又はペンにより電子書籍の操作又は
電子書籍への情報の入力を行うことができる。
【０２２９】
図１２（Ｆ）に示す電子機器は、ディスプレイである。図１２（Ｆ）に示すディスプレ
イは、筐体１５０１と、表示部１５０２と、スピーカ１５０３と、ＬＥＤランプ１５０４
と、操作ボタン１５０５と、接続端子１５０６と、センサ１５０７と、マイクロフォン１
５０８と、支持台１５０９と、を有する。例えば、上記の表示装置を表示部１５０２に用
いることにより、例えば指又はペンによりディスプレイの操作又はディスプレイへの情報
の入力を行うことができる。
【符号の説明】
【０２３０】
１０          ディスプレイ
１１          基板
１２          基板
１３          液晶
１４          フレキシブルプリント基板
２０          容量式タッチセンサ
２１          センサ部
２２          カバーガラス
２３          フレキシブルプリント基板
３０          照度センサ
１０１        表示選択信号出力回路
１０２        表示データ信号出力回路
１０３ａ      光検出リセット信号出力回路
１０３ｂ      光検出制御信号出力回路
１０３ｃ      出力選択信号出力回路
１０４        ライトユニット
１０５        画素部
１０５ｄ      表示回路
１０５ｐ      光検出回路
１０６        読み出し回路
１３１ａ      光電変換素子
１３１ｂ      光電変換素子
１３２ａ      トランジスタ
１３２ｂ      トランジスタ
１３３ａ      トランジスタ
１３３ｂ      トランジスタ
１３４ａ      トランジスタ
１３４ｂ      トランジスタ
１３５        トランジスタ
１５１ａ      トランジスタ
１５１ｂ      トランジスタ
１５２ａ      液晶素子
１５２ｂ      液晶素子
１５３ａ      容量素子
１５３ｂ      容量素子
１５４        容量素子
１５５        トランジスタ
１５６        トランジスタ
２０１        ＲＦ回路
２０２        アナログベースバンド回路
２０３        デジタルベースバンド回路
２０４        バッテリー
２０５        電源回路
２０６        アプリケーションプロセッサ
２０７        ＣＰＵ
２０８        ＤＳＰ
２０９        ＩＦ
２１０        フラッシュメモリ
２１１        表示回路コントローラ
２１２        メモリ回路
２１３        ディスプレイ
２１７        音声回路
２１８        キーボード
２１９        容量式タッチセンサ
２２０        タッチセンサコントローラ
２２１        照度センサ
２２２        照度センサコントローラ
２２３        光検出回路コントローラ
２３０        画素部
２３２        表示回路ドライバ
２３３        光検出回路ドライバ
５００        基板
５０１ａ      導電層
５０１ｂ      導電層
５０１ｃ      導電層
５０１ｄ      導電層
５０１ｅ      導電層
５０１ｆ      導電層
５０１ｇ      導電層
５０１ｈ      導電層
５０２        絶縁層
５０３ａ      半導体層
５０３ｂ      半導体層
５０３ｃ      半導体層
５０３ｄ      半導体層
５０４ａ      導電層
５０４ｂ      導電層
５０４ｃ      導電層
５０４ｄ      導電層
５０４ｅ      導電層
５０４ｆ      導電層
５０４ｇ      導電層
５０４ｈ      導電層
５０４ｉ      導電層
５０４ｊ      導電層
５０４ｋ      導電層
５０５        絶縁層
５０６        半導体層
５０７        半導体層
５０８        半導体層
５０９        絶縁層
５１０ａ      導電層
５１０ｂ      導電層
５１０ｃ      導電層
５１２        基板
５１３        遮光層
５１４        着色層
５１５        着色層
５１６        絶縁層
５１７        導電層
５１８        液晶層
１００１      表示部
１００２      操作部
１１０１      表示部
１１０２      操作ボタン
１１０３      外部入力端子
１２０１      筐体
１２０２      表示部
１２０３      スピーカ
１２０４      ＬＥＤランプ
１２０５      ポインティングデバイス
１２０６      接続端子
１２０７      キーボード
１３０１      表示部
１３０２      表示部
１３０３      スピーカ
１３０４      接続端子
１３０５      ＬＥＤランプ
１３０６      マイクロフォン
１３０７      記録媒体読込部
１３０８      操作ボタン
１３０９      センサ
１４０１      筐体
１４０３      筐体
１４０５      表示部
１４０７      表示部
１４１１      軸部
１４２１      電源ボタン
１４２３      操作キー
１４２５      スピーカ
１５０１      筐体
１５０２      表示部
１５０３      スピーカ
１５０４      ＬＥＤランプ
１５０５      操作ボタン
１５０６      接続端子
１５０７      センサ
１５０８      マイクロフォン
１５０９      支持台
１６２０      タッチセンサ
１６２１      ディスプレイ
１６２２      位置検出部
１６２３      画素部
１６４０      第１電極
１６４１      第２電極
１６４２      導電膜
１６４３      導電膜
１６４４      絶縁層
２０００      基板
２００１      トランジスタ
２００２      光電変換素子
２０２０      チャネル形成領域
２０２１      不純物領域
２０２２      不純物領域
２０２３      ゲート絶縁層
２０２４      ゲート層
２１２１      ｐ型不純物領域
２１２２      ｉ型領域
２１２３      ｎ型不純物領域
２３００      絶縁層
２４０１      導電層
２４０２      導電層
２４０３      導電層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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