(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に直接配設され、頂面と、第１の側壁と、第２の側壁とを有する第１の導体と、
前記第１の導体の上に配設され、前記第１の導体の前記第１の側壁及び前記第２の側壁を覆う誘電体層と、
前記誘電体層の上に配設され、前記第１の導体の前記第１の側壁に沿って配設された第１の部分と、前記第１の導体の前記第２の側壁に沿って配設された第２の部分とを有し、前記第１の導体の前記頂面の上には配設されていない第２の導体と、
を備えるコンデンサ構造。
【請求項２】
第１のキャパシタンスが前記第１の導体の前記第１の側壁と前記第２の導体の前記第１の部分との間に形成され、第２のキャパシタンスが前記第１の導体の前記第２の側壁と前記第２の導体の前記第２の部分との間に形成される、請求項１のコンデンサ構造。
【請求項３】
前記第２の導体が、前記第１の導体の横方向に前記第１の部分に隣接して配設された第３の部分をさらに備える、請求項２のコンデンサ構造。
【請求項４】
前記基板と前記第２の導体の前記第３の部分との間にキャパシタンスが形成される、請求項３のコンデンサ構造。
【請求項５】
前記誘電体層が酸化物−窒化物−酸化物（ＯＮＯ）を備える、請求項１のコンデンサ構造。
【請求項６】
前記第１の導体が前記基板の上に直接配設される、請求項１のコンデンサ構造。
【請求項７】
前記基板の上に配設された絶縁層をさらに備え、前記第１の導体が前記絶縁層の上に配設される、請求項１のコンデンサ構造。
【請求項８】
前記第１の導体及び前記第２の導体のうち少なくとも一方が多結晶シリコンを備える、請求項１のコンデンサ構造。
【請求項９】
基板と、
前記基板の上に直接配設され、パターニングされて、各々が頂面と、第１の側壁と、第２の側壁とを有する、分離領域により離間された第１及び第２の導体を形成する、第１の導体層と、
前記第１及び第２の導体の各々の前記第１及び第２の側壁を覆って配設された誘電体層と、
前記誘電体層の上に配設され、前記第１の導体の前記第１の側壁に沿って配設された第１の部分と、前記第２の導体の前記第１の側壁に沿って配設された第２の部分と、前記第１の導体の前記第２の側壁と前記第２の導体の前記第２の側壁との間の前記分離領域に配設された第３の部分と、を有し、前記第１及び第２の導体の各々の前記頂面の上には配設されていない第２の導体層と、
を備えるコンデンサ構造。
【請求項１０】
前記第２の導体層の高さが前記分離領域の長さの半分よりも大きい、請求項９のコンデンサ構造。
【請求項１１】
前記第２の導体層の前記第３の部分が前記第１及び第２の導体の間の前記分離領域を橋絡する、請求項９のコンデンサ構造。
【請求項１２】
前記第２の導体層の前記第３の部分がピンチオフ領域を含む、請求項９のコンデンサ構造。
【請求項１３】
基板の上に第１の導体層を直接配設することと、
前記第１の導体層をパターニングして、各々が頂面と、第１の側壁と、第２の側壁とを有し、分離領域により離間された第１及び第２の導体を形成することと、
前記第１及び第２の導体と前記基板との上に誘電体層を配設することと、
前記誘電体層の上に、前記第１及び第２の導体の各々の前記頂面の上には配設されない第２の導体層を配設することと、
を備える、コンデンサ構造の製造方法。
【請求項１４】
前記第１及び第２の導体の前記頂面に沿って前記第２の導体層をエッチングすることをさらに備える、請求項１３の方法。
【請求項１５】
前記分離領域の一部分において前記第２の導体層をエッチングして、前記第１の導体の前記第１の側壁に沿った前記第２の導体層の第１のスペーサと、前記第２の導体の前記第１の側壁に沿った前記第２の導体層の第２のスペーサとを形成することをさらに備える、請求項１４の方法。
【請求項１６】
前記基板の上に絶縁層を配設することをさらに備え、前記第１の導体層は前記絶縁層の上に配設される、請求項１３の方法。
【請求項１７】
前記誘電体層を配設することは、
前記第１の導体層の上に第１の酸化物層を配設することと、
前記第１の酸化物層の上に窒化物層を配設することと、
前記窒化物層の上に第２の酸化物層を配設することと、
を備える、請求項１３の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本開示は概して集積コンデンサに係る。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  集積回路には一般的にコンデンサが必要である。コンデンサは回路設計及び用途に応じて様々な機能を担うが、コンデンサを形成するのに必要な基板面積は最小化するのが望ましい。例えば、コンデンサの１つの一般的な用法は、他の回路に必要な電圧を発生させるために用いられるチャージポンプをイネーブルすることである。チャージポンプを用いてより高い電圧を発生させる１つの手法には、チャージポンプ内により多数のコンデンサを使用するというものがある。しかしながらこの解決策は、コンデンサがそのサポートする回路と一体化される場合には、基板のかなりの面積を必要とし得る。チャージポンプを用いてより高い電圧を発生させる別の手法には、チャージポンプコンデンサのプレートを分離する誘電体の厚さを減少させるというものがある。しかしながらこれは、結果としてもたらされるコンデンサに記憶可能な最大電圧を低減させるものであり、また場合によってはコンデンサの必要最小限の耐圧及び／又はコンデンサと一体化された他の素子によって不可能とされ得る。
【発明の概要】
【０００３】
[0003]  集積コンデンサ構造及びその製造方法が提供される。一実施形態においては、集積コンデンサ構造は基板の平面と垂直な平面内に形成され得るキャパシタンスを利用し、その結果三次元コンデンサ構造がもたらされる。これにより、より高いキャパシタンスを有する集積コンデンサ構造を比較的小さな基板面積にわたって形成することが可能になる。実施形態はチャージポンプによる使用に適しており、用途に応じてより大きな又は小さなキャパシタンスを有するように製造可能である。
【図面の簡単な説明】
【０００４】
[0004]  添付の図面は、本明細書に組み込まれその一部を成すものであって、本開示を図示するとともに、さらに説明と併せて本開示の原理を明らかにし、且つ関連技術の当業者が開示内容を製造及び実施することを可能にする働きをする。
【０００５】
【図１Ａ】[0005]  一実施形態によるコンデンサ構造例を示す。
【図１Ｂ】[0006]  図１Ａのコンデンサ構造例から生じ得るキャパシタンスの例を示す。
【図２Ａ】[0007]  一実施形態による別のコンデンサ構造例を示す。
【図２Ｂ】[0008]  図２Ａのコンデンサ構造例から生じ得るキャパシタンスの例を示す。
【図３Ａ】[0009]  一実施形態による別のコンデンサ構造例を示す。
【図３Ｂ】[0010]  図３Ａのコンデンサ構造例から生じ得るキャパシタンスの例を示す。
【図４】[0011]  一実施形態による別のコンデンサ構造例を示す。
【図５Ａ】[0012]  一実施形態によるコンデンサ構造の製造方法の様々なステップ例を示す断面図である。
【図５Ｂ】[0012]  一実施形態によるコンデンサ構造の製造方法の様々なステップ例を示す断面図である。
【図５Ｃ】[0012]  一実施形態によるコンデンサ構造の製造方法の様々なステップ例を示す断面図である。
【図５Ｄ】[0012]  一実施形態によるコンデンサ構造の製造方法の様々なステップ例を示す断面図である。
【図５Ｅ】[0012]  一実施形態によるコンデンサ構造の製造方法の様々なステップ例を示す断面図である。
【０００６】
[0013]  本開示を添付の図面を参照して説明する。概して、ある要素が最初に登場する図は、対応する参照番号の一番左の桁によって示される。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
[0014]  集積回路には一般的にコンデンサが必要である。例えば、コンデンサの１つの一般的な用法は、集積回路に必要な電圧を発生させるために用いられるチャージポンプをイネーブルすることである。例えば、チャージポンプは、メモリのメモリセルをプログラムし、読み出し、消去するのに必要な（一般に高い）電圧を発生させるために、ほとんどの不揮発性メモリ集積回路に組み込まれる。典型的には、チャージポンプは単一の外部電源電圧（例えば１．８又は３．３ボルト）を受け取り、メモリの必要に応じてより高い又はより低い電圧を発生させる。例えば、チャージポンプは、２つのコンデンサを外部電源電圧まで充電し、その２つのコンデンサを外部電源から切断し、それからその２つのコンデンサを直列に接続することによって、外部電源電圧を２倍にすることができる。
【０００８】
[0015]  チャージポンプを用いてより大きな電流を発生させる１つの手法には、より多数のコンデンサ又はより大きな面積を有するコンデンサを使用するというものがある。しかしながら、典型的には、チャージポンプコンデンサは、自身がサポートするのと同じ集積回路と一体化されている。例えば、チャージポンプコンデンサは一般的にプレートコンデンサであり、導体層（例えば、集積回路のゲート素子の形成に用いられる多結晶シリコン層）と導電性基板との間に形成され、誘電体（例えば、ゲート素子のゲート酸化物層）により分離されている。したがって、この解決策は、基板のかなりの面積を必要とし得る。
【０００９】
[0016]  チャージポンプを用いてより大きな電流を発生させる別の手法には、チャージポンプコンデンサのキャパシタンスを増大させるというものがある。コンデンサ表面積を増大させるのは望ましくないことから、キャパシタンスは、チャージポンプコンデンサのプレートを分離する誘電体の厚さを減少させることによって増大されてもよい。しかしながらこれは、結果としてもたらされるコンデンサに記憶可能な最大電圧を低減させるものであり、また場合によってはコンデンサの必要最小限の耐圧及び／又はコンデンサと一体化された他の素子によって不可能とされ得る。例えば、チャージポンプコンデンサが誘電体として集積ゲート素子のゲート酸化物層を利用する場合には、誘電体厚さの減少は、集積ゲート素子の電圧要件によって限定され得る。
【００１０】
[0017]  したがって、必要な基板面積は小さいが高キャパシタンスを提供することのできる集積コンデンサ構造が必要である。以下にさらに説明する実施形態は、基板の平面に垂直な平面内に形成され得るキャパシタンスを利用することによって、そのような集積コンデンサ構造を提供する。よって、実施形態は、本明細書において三次元コンデンサ構造と称されるものを可能にする。実施形態はチャージポンプによる使用に適しており、用途に応じてより大きな又は小さなキャパシタンスを有するように製造可能である。実施形態による集積コンデンサ構造を製造するための製造方法も提供される。
【００１１】
[0018]  本明細書は、本発明の特徴を盛り込んだ１つ以上の実施形態を開示する。開示された実施形態は、本発明を例示しているに過ぎない。本発明の範囲は開示された実施形態に限定されない。本発明は、本明細書に添付の特許請求の範囲によって定義される。
【００１２】
[0019]  本明細書に記載された実施形態及び「１つの実施形態」、「一実施形態」、「実施形態例」等の言及は、記載された実施形態が特定の特徴、構造、又は特性を備え得ることを示すが、必ずしもすべての実施形態がその特定の特徴、構造、又は特性を備えていなくてもよい。また、そのような言い回しは必ずしも同一の実施形態を参照していない。さらに、ある実施形態に関連してある特定の特徴、構造、又は特性が記載されているときには、明記されているか否かを問わず、そのような特徴、構造、又は特性を他の実施形態に関連して実施することは、当業者の知識の範囲内にあるものと解される。
【００１３】
[0020]  図１Ａは一実施形態によるコンデンサ構造例１００を示す。コンデンサ構造例１００は図解の目的で提供されており、実施形態を限定するものではない。図１Ａに示すように、コンデンサ構造例１００は、基板１０２と、基板１０２の上に配設され第１及び第２の導体１０４ａ及び１０４ｂを形成するようパターニングされた第１の導体層と、第１及び第２の導体１０４ａ及び１０４ｂの上に配設された誘電体１０６と、誘電体層１０６の上に配設された第２の導体層１０８とを備える。
【００１４】
[0021]  第１及び第２の導体１０４ａと１０４ｂとは、分離領域１１０によって分離され、各々が頂面と、第１の側壁と、第２の側壁とを有する。一実施形態においては、第１及び第２の導体１０４ａ及び１０４ｂはドープされた多結晶シリコン（ポリ）を含むが、本明細書における教示に基づいて当業者には明らかであると思われるように、どんな導電性材料であってもよい。
【００１５】
[0022]  誘電体１０６は第１及び第２の導体１０４ａ及び１０４ｂの上に配設され、第１の導体１０４ａ及び１０４ｂの各々の第１の側壁と、第２の側壁と、任意選択的には頂面とを覆う。一実施形態においては、誘電体１０６は、分離領域１１０を含め、基板１０２の露出領域も覆う。
【００１６】
[0023]  一実施形態においては、誘電体１０６は１つ以上の誘電体層を含む。例えば、誘電体１０６は、２つの二酸化シリコン層の間に挟まれた窒化シリコン層を備え、まとめて一般に“ＯＮＯ”と称される三層積層構造を作り出してもよい。一実施形態においては、窒化シリコン層は電荷トラップ層として用いられる。シリコンリッチ窒化膜、又は様々な化学量論のシリコン、酸素、及び窒素を含むがこれらに限られない任意の膜などの他の電荷トラップ誘電体も用いられ得る。
【００１７】
[0024]  第２の導体層は、第１の導体１０４ａの第１の側壁に沿って配設された部分１０８ａと、第１の導体１０４ａの第２の側壁に沿って配設された部分１０８ｂと、第２の導体１０４ｂの第１の側壁に沿って配設された部分１０８ｃと、第２の導体１０４ｂの第２の側壁に沿って配設された部分１０８ｄとを備える。一実施形態においては、第２の導体層はポリを含むが、本明細書における教示に基づいて当業者には明らかであると思われるように、どんな導電性材料であってもよい。
【００１８】
[0025]  図１Ｂは、図１Ａのコンデンサ構造例１００から生じ得るキャパシタンスの例を示す。具体的には、第１の導体１０４ａの周囲に形成された構造に関しては、第１の導体１０４ａの第１の側壁と第２の導体層の部分１０８ａとの間に第１のキャパシタンスＣ１が形成され得るとともに、第１の導体１０４ａの第２の側壁と第２の導体層の部分１０８ｂとの間に第２のキャパシタンスＣ２が形成され得る。キャパシタンスＣ１及びＣ２は、基板１０２の頂面により提供される平面に垂直な平面内に形成される。
【００１９】
[0026]  第１及び第２のキャパシタンスＣ１及びＣ２は、第１の導体１０４ａにより提供される共通端によって電気的に結合されている。一実施形態においては、第１及び第２のキャパシタンスＣ１及びＣ２は、（それぞれ部分１０８ａ及び部分１０８ｂにより提供される）各々の他端によっても電気的に結合され、その結果、第１及び第２のキャパシタンスＣ１及びＣ２は並列に結合されている。この並列結合は、第１の導体１０４ａの周囲に形成される構造によって生じ得る全体のキャパシタンスを増大させる。同様のキャパシタンスが、第２の導体１０４ｂの周囲に形成される構造を用いて生じ得る。
【００２０】
[0027]  図２Ａは、一実施形態による別のコンデンサ構造例２００を示す。コンデンサ構造例２００は図解の目的で提供されており、実施形態を限定するものではない。この例においては、第１及び第２の導体１０４ａと１０４ｂとの間の分離領域１１０が第２の導体層によって完全に橋絡されている。これは、誘電体１０６上に配設されたときの第２の導体層の高さ（厚さ）と分離領域１１０の長さとの間の比が、部分１０８ｂ及び１０８ｃが分離領域１１０の全域で連続的な部分１０８ｅを形成するように構成される場合に発生する。一実施形態においては、この比は、図２Ａに示すように部分１０８ｅが部分１０８ｂと１０８ｃとが接するピンチオフ領域を含むよう構成される。
【００２１】
[0028]  図２Ｂは、図２Ａのコンデンサ構造例２００から生じ得るキャパシタンスの例を示す。上述した構造例１００と同様に、第１の導体１０４ａの周囲に形成された構造に関しては、第１の導体１０４ａの第１の側壁と第２の導体層の部分１０８ａとの間に第１のキャパシタンスＣ１が形成され得るとともに、第１の導体１０４ａの第２の側壁と第２の導体層の部分１０８ｅとの間に第２のキャパシタンスＣ２が形成され得る。同様のキャパシタンスが、第２の導体１０４ｂの周囲に形成される構造を用いて生じ得る。
【００２２】
[0029]  また、第３のキャパシタンスＣ３が部分１０８ｅと基板１０２との間に形成され得る。その結果、一実施形態においては、コンデンサ構造例２００を用いて、コンデンサ構造例１００を用いるよりも高いキャパシタンスが実現可能である。しかしながら、第３のキャパシタンスＣ３は分離領域１１０の長さの関数であるため、実現されるキャパシタンスは分離領域１１０の長さのプロセスばらつきに敏感であり得る。
【００２３】
[0030]  図３Ａは、一実施形態による別のコンデンサ構造例３００を示す。コンデンサ構造例３００は図解の目的で提供されており、実施形態を限定するものではない。この例においては、第２の導体層は誘電体１０６の上に配設されていて、エッチバックされておらず、その結果単一の連続的な層が生じている。具体的には、第２の導体層は、（他にも部分はあるが）部分１０８ａ、１０８ｂ、１０８ｃ、１０８ｄと、第１の導体１０４ａの頂面の上に配設された部分１０８ｆと、第２の導体１０４ｂの頂面の上に配設された部分１０８ｈと、部分１０８ｂと１０８ｃとの間に配設された部分１０８ｇ（部分１０８ｇは第１の導体１０４ａの横方向に部分１０８ｂに隣接して配設される）とを備える。
【００２４】
[0031]  図３Ｂは、図３Ａのコンデンサ構造例３００から生じ得るキャパシタンスの例を示す。上述した構造１００と同様に、第１の導体１０４ａの周囲に形成された構造に関しては、第１の導体１０４ａの第１の側壁と第２の導体層の部分１０８ａとの間に第１のキャパシタンスＣ１が形成され得るとともに、第１の導体１０４ａの第２の側壁と第２の導体層の部分１０８ｂとの間に第２のキャパシタンスＣ２が形成され得る。また、第４のキャパシタンスＣ４が第１の導体１０４ａの頂面の上に配設された第２の導体層の部分１０８ｆと第１の導体１０４ａの頂面との間に形成され得る。同様のキャパシタンスが、第２の導体１０４ｂの周囲に形成される構造を用いて生じ得る。
【００２５】
[0032]  第１、第２、及び第４のキャパシタンスＣ１，Ｃ２及びＣ４は、第１の導体１０４ａにより提供される共通端によって電気的に結合されている。一実施形態においては、第１、第２及び第４のキャパシタンスＣ１，Ｃ２及びＣ４は、（それぞれ第２の導体層の部分１０８ａ，１０８ｂ及び１０８ｆにより提供される）各々の他端によっても電気的に結合され、その結果、第１、第２及び第４のキャパシタンスＣ１，Ｃ２及びＣ４は並列に結合されている。この並列結合は、第１の導体１０４ａの周囲に形成される構造によって生じ得る全体のキャパシタンスを増大させる。
【００２６】
[0033]  また、コンデンサ構造例２００と同様に、第３のキャパシタンスＣ３が、第１及び第２の導体１０４ａと１０４ｂとの間に位置する第２の導体層の部分と基板１０２との間に形成され得る。第２の導体のこの部分は、部分１０８ｇと、基板１０２の上方に位置する部分１０８ｂ及び１０８ｃの各領域とを含む。
【００２７】
[0034]  一実施形態においては、コンデンサ構造例３００を用いて、コンデンサ構造例１００及び２００を用いるよりも高いキャパシタンスが実現可能である。しかしながら、第３のキャパシタンスＣ３が分離領域１１０の長さの関数である（したがって分離領域１１０の長さのプロセスばらつきに敏感であり得る）こと、ならびに第４のキャパシタンスＣ４が第１及び第２の導体１０４ａ及び１０４ｂの幅の関数である（したがって配設された導体の幅をコンデンサ構造ごとに変動させ得るリソグラフィ限界寸法（ＣＤ）ばらつきに敏感であり得る）ことから、実現される全体のキャパシタンスは変動し得る。
【００２８】
[0035]  上述した図１Ａ，２Ａ及び３Ａの実施形態においては、第１の導体層は、基板１０２の上に直接配設され、それからパターニングされて第１及び第２の導体１０４ａ及び１０４ｂを形成する。次いで、第１の導体１０４ａ及び１０４ｂの各々の頂面、第１の側壁、第２の側壁、ならびに分離領域１１０を含め、基板１０２の露出領域を覆うように、誘電体１０６が第１及び第２の導体１０４ａ及び１０４ｂの上に配設される。他の実施形態においては、例えば図４に示すように、第１の導体層を配設する前に、基板１０２の上に絶縁層４０２が配設される。そして、絶縁層４０２の上に第１の導体層が配設され、パターニングされて、絶縁層４０２の上に第１及び第２の導体１０４ａ及び１０４ｂを形成する。絶縁層４０２は、例えば誘電体（例えば酸化物）又は絶縁基板であってもよく、結果としてもたらされるコンデンサ構造に損傷を与えることなく印加可能な電位を増大させる働きをする。
【００２９】
[0036]  図５Ａ乃至５Ｅは、一実施形態によるコンデンサ構造の製造方法の様々なステップ例を示す断面図である。これらのステップ例は図解の目的で提供されており、実施形態を限定するものではない。図５Ａ乃至５Ｅに示す方法は、上述の図１Ａ，２Ａ，３Ａ及び４に記載のコンデンサ構造例を製造するために用いることができる。
【００３０】
[0037]  図５Ａを参照して製造方法の説明を始める。同図は基板５０２の上に配設された第１の導体層５０４を示す。例えば、基板５０２はシリコン基板であってもよく、第１の導体層５０４は多結晶シリコン（ポリ）であってもよい。第１の導体層５０４は、標準的な堆積プロセスによって基板５０２の上に配設され得る。別の一実施形態においては、絶縁層（例えば誘電体又は絶縁基板）（図５Ａには図示しない）が基板５０２の上に堆積され、その絶縁層の上に第１の導体層５０４が堆積される。これは、結果としてもたらされるコンデンサ構造に損傷を与えることなく印加可能な電位を増大させる。
【００３１】
[0038]  次に、図５Ｂに示すように、第１の導体層５０４はパターニングされて第１及び第２の導体５１０を形成し、分離領域５１２によって離間される。第１及び第２の導体５１０の各々は、頂面５１４と、第１の側壁５１６と、第２の側壁５１８とを有する。一実施形態においては、第１の導体層５０４をパターニングして第１及び第２の導体５１０を形成することは、基板５０２の上に（例えば標準的なリソグラフィステップを用いて）フォトレジストマスクを作り出し、作り出されたフォトレジストマスクに従って第１の導体層５０４をエッチング（例えばドライエッチング）することを含む。フォトレジストマスクはその後剥離され、湿式洗浄が行われる。
【００３２】
[0039]  続いて、図５Ｃに示すように、誘電体５０６が第１及び第２の導体５１０ならびに基板５０２の露出領域上に配設される。一実施形態においては、誘電体は１つ以上の誘電体層を含む。例えば、誘電体は、２つの二酸化シリコン層の間に挟まれた窒化シリコン層を備え、まとめて一般に“ＯＮＯ”と称される三層積層構造を作り出してもよい。一実施形態においては、窒化シリコン層は電荷トラップ層として用いられる。シリコンリッチ窒化膜、又は様々な化学量論のシリコン、酸素、及び窒素を含むがこれらに限られない任意の膜などの他の電荷トラップ誘電体も用いられ得る。
【００３３】
[0040]  一実施形態においては、誘電体５０６は、下部酸化物層と、窒化物層と、上部酸化物層とを含む。この誘電体を形成するためには、下部酸化物層が第１及び第２の導体５１０及び基板５０２の露出領域の上に形成（例えば成長又は堆積）される。次に、下部酸化物層の上に窒化物層が形成（例えば堆積）され、その窒化物層の上に上部酸化物層が形成（例えば成長又は堆積）される。
【００３４】
[0041]  その後、図５Ｄに示すように、第２の導体層５０８が誘電体５０６の上に配設される。第２の導体層５０８は、例えばポリ層であってもよい。第２の導体層５０８は、例えば標準的な堆積プロセスによって誘電体層５０６の上に堆積され得る。一実施形態においては、第２の導体層５０８の高さ５２０は、第１及び第２の導体５１０間の分離領域５１２の長さの半分よりも大きい。したがって、第２の導体層５０８の、分離領域５１２の上に配設された部分は、例えば図２Ａに示すように、第１及び第２の導体５１０間の分離領域５１２を橋絡する。
【００３５】
[0042]  一実施形態においては、この製造方法は図５Ｄに図示するステップで終了し、その結果、上述した図３Ａ及び３Ｂのコンデンサ構造例３００に類似のコンデンサ構造がもたらされる。上述したように、そのようなコンデンサ構造は、第２の導体層５０８と第１又は第２の導体５１０の頂面５１４との間に生じる追加のキャパシタンスを有する。しかしながら、同じ理由により、この構造の全体のキャパシタンスは、配設された第１及び第２の導体５１０の幅をコンデンサ構造ごとに変動させ得るリソグラフィ限界寸法（ＣＤ）ばらつきに起因して変動し得る。
【００３６】
[0043]  別の一実施形態においては、この製造方法はその後、図５Ｅに図示するように続行し、第２の導体層５０８がエッチング（例えば異方性ドライエッチング）される。一実施形態においては、第２の導体層５０８は、第１及び第２の導体５１０の頂面５１４上で、誘電体５０６が露出されるまでエッチングされる。また、エッチングは、分離領域５１２の部分５２２においても誘電体５０６を露出させ、その結果第１及び第２の導体５１０の第１の側壁５１６に沿ってそれぞれ（第２の導体層５０８の）第１及び第２のスペーサ５２４及び５２６が形成されることになる。これによりもたらされるコンデンサ構造は、上述の図１Ａ及び１Ｂのコンデンサ構造例１００に類似している。上述のように、この構造はリソグラフィＣＤばらつきに対してさほど敏感でないため、例えばチャージポンプなど、略一定のキャパシタンスを必要とする用途に適している。
【００３７】
[0044]  上記では、特定の機能及びそれらの関係の実装形態を示す機能的な構造ブロックを参考して実施形態を説明した。説明の便宜のため、これらの機能的な構造ブロックの境界は、本明細書においては任意的に定義されている。特定の機能及びそれらの関係が適切に実行される限りは、代替的な境界を定義することが可能である。
【００３８】
[0045]  以上の特定の実施形態の説明は、本開示の一般的な性質を十分に明らかにするものであるから、他者は、当該技術分野の技能の範囲内の知識を適用することによって、過度の実験を行うことなく、また本開示の一般概念から逸脱することなく、様々な適用のためにそのような具体的な実施形態を容易に修正し及び／又は適合させ得るであろう。したがって、そのような適合及び修正は、本明細書において提示された教示及び手引きに基づき、開示された実施形態の均等物の意味及び範囲の中にあることが意図されている。本明細書における語法又は専門用語は、説明を目的とするものであって限定を目的とするものではなく、本明細書の専門用語又は語法は、当業者により、本明細書における教示及び手引きに照らして解釈されるべきものであることが理解されるべきである。
【００３９】
[0046]  本開示の実施形態の広さ及び範囲は上述のいかなる例示的な実施形態によっても限定されるべきものではなく、以下の特許請求の範囲及びその均等物に従ってのみ定義されるべきである。
【図１Ａ】
0006396920.tif 000002
【図１Ｂ】
0006396920.tif 000003
【図２Ａ】
0006396920.tif 000004
【図２Ｂ】
0006396920.tif 000005
【図３Ａ】
0006396920.tif 000006
【図３Ｂ】
0006396920.tif 000007
【図４】
0006396920.tif 000008
【図５Ａ】
0006396920.tif 000009
【図５Ｂ】
0006396920.tif 000010
【図５Ｃ】
0006396920.tif 000011
【図５Ｄ】
0006396920.tif 000012
【図５Ｅ】
0006396920.tif 000013