(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスプレイデバイス上にカプセル化構造を形成するための方法であって、
ディスプレイデバイスが上に配置された基板の領域上に第１バリア層を堆積させる工程と、
第１バリア層上に第１バリア層に接触してバッファ接着層を堆積させる工程と、
バッファ接着層上にバッファ接着層に接触してフッ素含有プラズマを用いてバッファ層を堆積させる工程であって、バッファ層を堆積させるための１以上の前駆体の流量は、バッファ層の堆積の間に高められる工程と、
バッファ層上にバッファ層に接触して応力緩和層を堆積させる工程と、
応力緩和層上に応力緩和層に接触して第２バリア層を堆積させる工程を含む方法。
【請求項２】
バッファ層は、フッ素化プラズマ重合ヘキサメチルジシロキサン（ｐｐ−ＨＭＤＳＯ：Ｆ）を含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
フッ素含有プラズマは、１以上のフッ素含有ガス及びＨＭＤＳＯガスを含む、請求項２記載の方法。
【請求項４】
フッ素含有ガスは、ＮＦ３、ＳｉＦ４、Ｆ２、ＣＦ４、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項３記載の方法。
【請求項５】
第１及び第２バリア層、バッファ接着層、応力緩和層、及びバッファ層は、単一の処理チャンバ内で堆積される、請求項１記載の方法。
【請求項６】
単一の処理チャンバは、ＰＥＣＶＤチャンバである、請求項５記載の方法。
【請求項７】
バッファ接着層は、酸窒化ケイ素を含む、請求項６記載の方法。
【請求項８】
応力緩和層は、酸窒化ケイ素を含む、請求項７記載の方法。
【請求項９】
第１及び第２バリア層は、各々窒化ケイ素を含む、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
ディスプレイデバイスが上に配置された基板の領域上に配置され、窒化ケイ素を含む第１バリア層と、
第１バリア層上に第１バリア層と接触して配置され、酸窒化ケイ素を含むバッファ接着層と、
バッファ接着層上にバッファ接着層と接触して配置されたフッ素化バッファ層と、
フッ素化バッファ層上にフッ素化バッファ層と接触して堆積され、酸窒化ケイ素を含む応力緩和層と、
応力緩和層上に応力緩和層と接触して配置され、窒化ケイ素を含む第２バリア層を含むディスプレイデバイス。
【請求項１１】
フッ素化バッファ層は、フッ素化プラズマ重合ヘキサメチルジシロキサン（ｐｐ−ＨＭＤＳＯ：Ｆ）を含む、請求項１０記載のデバイス。
【請求項１２】
フッ素化バッファ層は、１０原子％未満のフッ素を有する、請求項１０記載のデバイス。
【請求項１３】
ディスプレイデバイス上にカプセル化構造を形成するための方法であって、
ディスプレイデバイスが上に配置された基板の領域上に第１バリア層を堆積させる工程と、
第１バリア層上にバッファ接着層を堆積させる工程と、
バッファ接着層上にフッ素含有プラズマを用いてバッファ層を堆積させる工程であって、バッファ層を堆積させるための１以上の前駆体の流量は、バッファ層の堆積の間に高められる工程と、
バッファ層上に応力緩和層を堆積させる工程と、
応力緩和層上に第２バリア層を堆積させる工程を含み、第１バリア層を堆積させる工程と、バッファ層を堆積させる工程と、第２バリア層を堆積させる工程に対して、同じマスクが使用される方法。
【請求項１４】
ディスプレイデバイス上にカプセル化構造を形成するための方法であって、
ディスプレイデバイスが上に配置された基板の領域上に窒化ケイ素を含む第１バリア層を堆積させる工程であって、第１バリア層はＰＥＣＶＤチャンバ内で堆積させる工程と、
前記ＰＥＣＶＤチャンバ内で第１バリア層上に酸窒化ケイ素を含むバッファ接着層を堆積させる工程と、
前記ＰＥＣＶＤチャンバ内でバッファ接着層上にフッ素含有プラズマを用いてバッファ層を堆積させる工程であって、ＨＭＤＳＯ前駆体を、バッファ層の堆積の間、前記ＰＥＣＶＤチャンバ内に流入させる工程と、
前記ＰＥＣＶＤチャンバ内でバッファ層上に酸窒化ケイ素を含む応力緩和層を堆積させる工程と、
前記ＰＥＣＶＤチャンバ内で応力緩和層上に含む第２バリア層を堆積させる工程と、
応力緩和層を堆積させる前に、処理チャンバから残留するＨＭＤＳＯを排出する工程を含む方法。
【請求項１５】
バッファ層は、フッ素化プラズマ重合ヘキサメチルジシロキサン（ｐｐ−ＨＭＤＳＯ：Ｆ）を含む、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
バッファ層のフッ素含有量は、１０原子％未満である、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
ディスプレイデバイス上にカプセル化構造を形成するための方法であって、
ディスプレイデバイスが上に配置された基板の領域上に窒化ケイ素を含む第１バリア層を堆積させる工程であって、第１バリア層はＰＥＣＶＤチャンバ内で堆積させる工程と、
前記ＰＥＣＶＤチャンバ内で第１バリア層上に酸窒化ケイ素を含むバッファ接着層を堆積させる工程と、
前記ＰＥＣＶＤチャンバ内でバッファ接着層上にフッ素含有プラズマを用いてバッファ層を堆積させる工程であって、ＨＭＤＳＯ前駆体をバッファ層の堆積の間前記ＰＥＣＶＤチャンバ内に流入させ、バッファ層はフッ素含有量が１０原子％未満であるフッ素化プラズマ重合ヘキサメチルジシロキサン（ｐｐ−ＨＭＤＳＯ：Ｆ）を含む工程と、
前記ＰＥＣＶＤチャンバ内でバッファ層上に酸窒化ケイ素を含む応力緩和層を堆積させる工程と、
前記ＰＥＣＶＤチャンバ内で応力緩和層上に第２バリア層を堆積させる工程と、
応力緩和層を堆積させる前に、ＰＥＣＶＤチャンバから残留するＨＭＤＳＯを排出する工程であって、ＰＥＣＶＤチャンバはリモートプラズマ源に接続され、フッ素前駆体がリモートプラズマ源を迂回した後に処理チャンバに送出され、ＨＭＤＳＯ前駆体がリモートプラズマ源を迂回した後に処理チャンバに送出される工程を含む方法。
【発明の詳細な説明】
【背景】
【０００１】
（分野）
本発明の実施形態は、概して、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）をカプセル化するための方法及び装置に関する。
【０００２】
（関連技術の説明）
ＯＬＥＤは、情報を表示するための、テレビスクリーン、コンピュータモニター、携帯電話、他のハンドヘルドデバイス等の製造に使用される。ＯＬＥＤディスプレイは、例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）と比べて、より速い応答時間、より大きな視野角、より高いコントラスト、より軽い重量、低消費電力、及びフレキシブル基板への適合性のため、ディスプレイ用途において最近かなりの関心を集めている。
【０００３】
ＯＬＥＤ構造は、エレクトロルミネセンス効率の低下及び駆動電圧の上昇によって特徴付けられる限られた寿命を有する可能性がある。ＯＬＥＤ構造の劣化の主な理由は、水分又は酸素の侵入に起因する非発光ダークスポットの形成である。このため、ＯＬＥＤ構造は、典型的には、バリア層の間に挟まれたバッファ層によってカプセル化される。バッファ層は、第２バリア層が堆積用に実質的に均一な表面を有するように第１バリア層内の任意のボイド又は欠陥を充填するために利用される。現在のカプセル化層は、不完全な粒子被覆からの故障を防止する上で困難を有する可能性があることが観察されている。
【０００４】
したがって、ＯＬＥＤ構造をカプセル化するための改良された方法及び装置が必要である。
【概要】
【０００５】
ＯＬＥＤデバイスを形成するための方法が記載される。バリア層の間に挟まれたバッファ層を有するカプセル化構造は、ＯＬＥＤ構造の上に堆積される。バッファ層は、フッ素含有プラズマを用いて形成される。その後、第２バリア層が、バッファ層の上に堆積される。更に、良好な接着性を確保するために、バッファ接着層が、バッファ層と第１バリア層の間に形成される。最後に、良好な透過率を確保するために、応力緩和層が、バッファ層と第２バリア層の間に堆積される。
【０００６】
一実施形態では、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス上にカプセル化構造を形成するための方法は、ＯＬＥＤ構造が上に配置された基板の領域上に第１バリア層を堆積させる工程と、第１バリア層上にバッファ接着層を堆積させる工程と、バッファ接着層上にフッ素含有プラズマを用いてバッファ層を堆積させる工程と、バッファ層上に応力緩和層を堆積させる工程と、応力緩和層上に第２バリア層を堆積させる工程を含む。
【０００７】
別の一実施形態では、ＯＬＥＤデバイスは、ＯＬＥＤ構造が上に配置された基板の領域上に配置された第１バリア層と、第１バリア層上に配置されたバッファ接着層と、バッファ接着層上に配置されたフッ素化バッファ層と、フッ素化バッファ層上に堆積された応力緩和層と、応力緩和層上に配置された第２バリア層を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本開示の上述した構成を詳細に理解することができるように、上記に簡単に要約した本開示のより具体的な説明を、実施形態を参照して行う。実施形態のいくつかは添付図面に示されている。しかしながら、添付図面は本開示の典型的な実施形態を示しているに過ぎず、したがってこの範囲を限定していると解釈されるべきではなく、本開示は他の等しく有効な実施形態を含み得ることに留意すべきである。
【図１Ａ】本明細書に記載された方法を実行するために使用することができるＰＥＣＶＤ装置のチャンバの概略断面図である。
【図１Ｂ】図１ＡのＰＥＣＶＤ装置の概略上面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るＯＬＥＤデバイスを形成するための方法のフロー図である。
【図３Ａ】〜
【図３Ｅ】図２の方法の異なる段階の間のＯＬＥＤデバイスの概略断面図を示す。
【０００９】
理解を促進するために、図面に共通する同一の要素を示す際には可能な限り同一の参照番号を使用している。一実施形態の要素及び構成を更なる説明なしに他の実施形態に有益に組み込んでもよいと理解される。
【詳細な説明】
【００１０】
ＯＬＥＤデバイスを形成するための方法が記載される。バリア層の間に挟まれた有機バッファ層を有するカプセル化構造は、ＯＬＥＤ構造の上に堆積される。バッファ層は、フッ素含有プラズマを用いて形成される。その後、第２バリア層が、バッファ層の上に堆積される。更に、良好な接着性を確保するために、バッファ接着層が、バッファ層と第１バリア層の間に形成される。最後に、良好な透過率を確保するために、応力緩和層が、バッファ層と第２バリア層の間に堆積される。
【００１１】
図１Ａは、本明細書に記載される操作を実行するために使用することができるプラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）装置の概略断面図である。本装置は、１以上の膜を基板１２０上に堆積することができるチャンバ１００を含む。チャンバ１００は、概して、処理容積を画定する、壁１０２、底部１０４、及びシャワーヘッド１０６を含む。基板支持体１１８は、処理容積内に配置される。処理容積は、スリットバルブ開口部１０８を介してアクセスされ、これによって基板１２０は、チャンバ１００の内外に搬送することができる。基板支持体１１８は、基板支持体１１８を上下動するアクチュエータ１１６に結合される。リフトピン１２２が、基板支持体１１８を貫通して移動自在に配置され、これによって基板受け面へ及び基板受け面から基板１２０を移動する。基板支持体１１８はまた、基板支持体１１８を所望の温度に維持するための加熱及び／又は冷却要素１２４を含む。基板支持体１１８はまた、ＲＦリターンストラップ１２６を含み、これによって基板支持体１１８の周囲にＲＦリターンパスを提供する。
【００１２】
シャワーヘッド１０６は、締結機構１５０によってバッキングプレート１１２に結合される。シャワーヘッド１０６は、１以上の締結機構１５０によってバッキングプレート１１２に結合され、これによってシャワーヘッド１０６の垂下の防止及び／又は真直度／曲率の制御を助長する。
【００１３】
ガス源１３２は、バッキングプレート１１２に結合され、これによってシャワーヘッド１０６内のガス通路を介してシャワーヘッド１０６と基板１２０の間の処理領域へガスを供給する。真空ポンプ１１０は、チャンバ１００に結合され、これによって処理容積を所望の圧力に維持する。ＲＦ電源１２８は、整合ネットワーク１９０を介してバッキングプレート１１２及び／又はシャワーヘッド１０６へ結合し、これによってＲＦ電流をシャワーヘッド１０６に供給することができる。ＲＦ電流は、シャワーヘッド１０６と基板支持体１１８の間に電界を生成し、これによってシャワーヘッド１０６と基板支持体１１８の間にガスからプラズマを生成することができる。
【００１４】
リモートプラズマ源１３０（例えば、誘導結合リモートプラズマ源１３０）は、ガス供給源１３２とバッキングプレート１１２の間に結合される。基板を処理する間に、洗浄ガスをリモートプラズマ源１３０に供給し、これによってリモートプラズマを生成することができる。リモートプラズマからのラジカルが、チャンバ１００に供給され、これによってチャンバ１００のコンポーネントを洗浄することができる。洗浄ガスは、シャワーヘッド１０６に供給されるＲＦ電源１２８によって更に励起することができる。
【００１５】
シャワーヘッド１０６は、更に、シャワーヘッドサスペンション１３４によってバッキングプレート１１２に結合される。一実施形態では、シャワーヘッドサスペンション１３４は、可撓性のある金属製スカートである。シャワーヘッドサスペンション１３４は、シャワーヘッド１０６を載置することができるリップ１３６を有することができる。バッキングプレート１１２は、チャンバ１００を密閉するチャンバ壁１０２に結合された棚部１１４の上面に載置することができる。
【００１６】
図１Ｂに示されるように、ガス供給源１３２は、第１部分１３２Ａと第２部分１３２Ｂを含む。第１部分１３２Ａは、ガスを直接リモートプラズマ源１３０に供給し、その後、バッキングプレート１１２を通してチャンバ１００に供給する。第２部分１３２Ｂは、リモートプラズマ源１３０を迂回することによって、バッキングプレート１１２を通してチャンバ１００にガスを送出する。
【００１７】
図２は、本発明の様々な実施形態に係るＯＬＥＤデバイスの上にカプセル化構造を形成するための方法２００のフロー図である。図３Ａ〜３Ｅは、図２の方法２００の異なる段階中のＯＬＥＤデバイスの概略断面図を示す。方法２００は、予め形成されたＯＬＥＤ構造３０４が上に配置された基板３００を処理チャンバ（例えば、チャンバ１００）内へ導入することによるプロセス２０２で開始する。基板３００は、図３Ａに示されるように、上に配置されたコンタクト層３０２を、コンタクト層３０２の上に配置されたＯＬＥＤ構造３０４と共に有することができる。
【００１８】
プロセス２０４では、図３Ａに示されるように、マスク３０９が基板３００の上に位置合わせされ、これによってＯＬＥＤ構造３０４は、マスク３０９によって保護されていない開口部３０７を介して露出される。マスク３０９は、ＯＬＥＤ構造３０４に隣接するコンタクト層３０２の部分３０５がマスク３０９によって覆われ、これによって任意の後続の堆積材料が部分３０５上に堆積しないように位置決めされる。コンタクト層３０２の部分３０５は、ＯＬＥＤデバイス用の電気接点であり、このためいかなる材料もその上に堆積させることはできない。マスク３０９は、金属材料（例えば、ＩＮＶＡＲ（商標名））から作ることができる。
【００１９】
プロセス２０６では、図３Ａに示されるように、第１バリア層３０８が、基板３００上に堆積される。第１バリア層３０８は、第１部分３０８ａ及び第２部分３０８ｂを有し、約５０００オングストローム〜約１００００オングストロームの厚さを有する。第１バリア層３０８の第１部分３０８ａは、ＯＬＥＤ構造３０４及びコンタクト層３０２を含むマスク３０９によって露出された基板３００の領域の上に開口部３０７を介して堆積される。第１バリア層３０８の第２部分３０８ｂは、コンタクト層３０２の部分３０５を含む基板３００の第２領域を覆うマスク３０９の上に堆積される。第１バリア層３０８は、誘電体層（例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、又は他の適切な誘電体層）である。一実施形態では、第１バリア層３０８は、窒化ケイ素を含む。第１バリア層３０８は、適切な堆積技術（例えば、化学蒸着（ＣＶＤ）、ＰＥＣＶＤ、物理蒸着（ＰＶＤ）、スピンコーティング、又は他の適切な技術）によって堆積させることができる。第１バリア層３０８は、ケイ素含有前駆体（例えば、シラン）を、１以上の窒素含有前駆体（例えば、Ｎ２及びＮＨ３）と共に、水素と共に導入することによって堆積させることができる。
【００２０】
プロセス２０８では、図３Ｂに示されるように、第１バリア層３０８が基板３００上に形成された後、バッファ接着層３１２が、次いで、基板３００上の第１バリア層３０８の上に形成される。バッファ接着層３１２の第１部分３１２ａは、マスク３０９によって露出された基板３００の領域上のマスク３０９の開口部３０７を通して基板３００の上に堆積され、第１無機層３０８の第１部分３０８ａを覆う。バッファ接着層３１２の第２部分３１２ｂは、コンタクト層３０２の部分３０５を覆うマスク３０９上に配置された第１バリア層３０８の第２部分３０８ｂ上に堆積される。バッファ接着層３１２は、第１バリア層３０８が形成されるのと同じチャンバ内で第１バリア層３０８上に堆積される。バッファ接着層３１２は、誘電体材料（例えば、酸窒化ケイ素）を含むことができる。
【００２１】
図３Ｃに示されるように、バッファ接着層３１２を堆積した後、バッファ層３１４が、プロセス２１０で堆積される。バッファ層３１４は、ＰＥＣＶＤチャンバ内でフッ素化プラズマ重合ヘキサメチルジシロキサン（ｐｐ−ＨＭＤＳＯ：Ｆ）堆積させることができる。バッファ層３１４は、約２μｍ〜約５μｍの厚さを有する。ｐｐ−ＨＭＤＳＯ：Ｆ層の堆積は、１以上のフッ素含有ガス及びＨＭＤＳＯガスをＯ２又はＮ２Ｏガスのいずれかと共に流すことによって達成される。フッ素含有ガスは、フッ化窒素（ＮＦ３）、フッ化ケイ素（ＳｉＦ４）、フッ素ガス（Ｆ２）、四フッ化炭素（ＣＦ４）、又はそれらの任意の組み合わせとすることができる。フッ素ドープされたプラズマ重合ＨＭＤＳＯ層は、優れた粒子カバー性能と表面平坦化効果を有する。得られたバッファ層３１４は、１０原子％未満のフッ素含有量を有する。
【００２２】
ｐｐ−ＨＭＤＳＯ：Ｆの堆積中、フッ素含有ガス及びＨＭＤＳＯガスの流量の比率は、約０．２５〜約１．５とすることができる。あまりにも多くのフッ素が存在する場合、ＨＭＤＳＯ中の炭素が取り出される可能性がある。一実施形態では、ｐｐ−ＨＭＤＳＯ：ＦのＰＥＣＶＤは、以下の条件下で行われる。ＳｉＦ４は、１２５標準立方センチメートル毎分（ｓｃｃｍ）の流量を有し、ＨＭＤＳＯは、３００ｓｃｃｍの流量を有する。つまり、ＨＭＤＳＯに対するＳｉＦ４の比は、約０．４０〜約０．４５である。プラズマは、７００Ｗで生成され、チャンバ圧力は、約１８００ミリトルである。ＰＥＣＶＤは、約８０℃で堆積され、基板３００とシャワーヘッド１０６との間の距離は、約６５０ミルである。
【００２３】
バッファ層３１４を堆積するとき、ＨＭＤＳＯは、最初は液体前駆体であり、チャンバへの送達前に気化される。このように、液体前駆体は、たとえ気化されていても、チャンバ内に噴霧することができ、これはバッファ接着層３１２との界面で形成する望ましくない粒子をもたらす。粒子は、バッファ層３１４の層間剥離とデバイスの故障につながる可能性がある。望ましくない粒子の形成を防止するために、ＨＭＤＳＯの噴霧は、低減及び／又は排除する必要がある。したがって、バッファ層３１４の前駆体の流れは、単に最終的な所望の流量で流されるのではなく、ランプアップされる（高められる）。ランプアップは、２ステッププロセスで行われ、第１ステップは、約０．０００３７５ｓｃｃｍ／ｍｍ２〜約０．０００６７５ｓｃｃｍ／ｍｍ２の基板表面積当たりの流量でケイ素−炭素含有前駆体（例えば、ＨＭＤＳＯ）を導入し、同時に約０．０００３７５ｓｃｃｍ／ｍｍ２〜約０．０００６７５ｓｃｃｍ／ｍｍ２の基板表面積当たりの流量で不活性ガス（例えば、ヘリウム）もまた導入することを含む。その後、約０．００３１２５ｓｃｃｍ／ｍｍ２〜約０．００３３７５ｓｃｃｍ／ｍｍ２の基板表面積当たりの流量で酸素含有前駆体（例えば、Ｎ２Ｏ）を導入し、同時に約０．０００３ｓｃｃｍ／ｍｍ２〜約０．０００４ｓｃｃｍ／ｍｍ２の基板表面積当たりの流量でフッ素前駆体を導入する。第２ステップは、第１ステップと同じくらい継続する。第２ステップの間、前駆体は流れ続けるが、ケイ素−炭素含有前駆体は、約０．０００８７５ｓｃｃｍ／ｍｍ２〜約０．００１１２５ｓｃｃｍ／ｍｍ２まで増加し、不活性ガスは、約０．０００７ｓｃｃｍ／ｍｍ２〜約０．０００８ｓｃｃｍ／ｍｍ２まで増加し、フッ素前駆体は、約０．０００４２５ｓｃｃｍ／ｍｍ２〜約０．０００５５ｓｃｃｍ／ｍｍ２まで増加する。酸素含有前駆体は、同じ流速のままでいる。
【００２４】
ランプアップに続いて、バッファ層の堆積は、約０．００１３７５ｓｃｃｍ／ｍｍ２〜約０．００１６ｓｃｃｍ／ｍｍ２の基板表面積当たりの流量でケイ素−炭素前駆体を流し、約０．０００９５ｓｃｃｍ／ｍｍ２〜約０．００１１ｓｃｃｍ／ｍｍ２で不活性ガスを流し、０．０００７ｓｃｃｍ／ｍｍ２〜約０．０００８２５ｓｃｃｍ／ｍｍ２の基板表面積当たりの流量でフッ素前駆体を流すことによって継続する。酸素含有前駆体の基板表面積当たりの流量は、１０〜２０秒毎に０．０００５ｓｃｃｍ／ｍｍ２の増分で、約０．００１１２５ｓｃｃｍ／ｍｍ２〜約０．００１２７５ｓｃｃｍ／ｍｍ２の間まで徐々に減少させることにより、堆積全体を通して変化する。酸素含有前駆体は、増加前に、約７０〜９０秒間、安定状態を保つ。酸素前駆体の基板表面積当たりの流量は、６０〜７０秒毎に０．０００５ｓｃｃｍ／ｍｍ２の増分で、約０．００３１２５ｓｃｃｍ／ｍｍ２〜約０．００３３７５ｓｃｃｍ／ｍｍ２の間まで徐々に増加する。ランプアップのため、バッファ層とバッファ接着層との間の界面での粒子発生は、低減又は排除される。
【００２５】
粒子生成の問題に加えて、ケイ素−炭素前駆体とフッ素前駆体が反応するので、前駆体が早期に反応しないことを保証するように注意しなければならない。前駆体間の早期の反応を回避するために、フッ素含有前駆体とケイ素−炭素前駆体は、別々に送出させることができる。図１の処理チャンバを使用して、フッ素含有前駆体は、部分１３２Ｂから送出され、リモートプラズマ源１３０を迂回させることができ、一方、残りの前駆体ガスは、部分１３２Ａから送出され、リモートプラズマ源１３０を通過させることができる。
【００２６】
ケイ素−炭素前駆体は、気化される液体前駆体であるので、シャワーヘッド１０６は依然として「濡れた状態」である可能性がある（すなわち、液体前駆体の残留物が、シャワーヘッド１０６上又はガス通路内に残る可能性がある）。その後、シャワーヘッド１０６は、乾燥させなければならない。乾燥は、前駆体をランプダウンさせ、同時に不活性ガス（例えば、Ｎ２）を約０．００９５ｓｃｃｍ／ｍｍ２〜約０．０１１２５ｓｃｃｍ／ｍｍ２の基板表面積当たりの流量で導入することによって起こる。不活性ガスは、他の前駆体が流れるのを停止した後に流れ続ける。不活性ガスの流れと同時に、前駆体の流れが停止した後に、基板は、シャワーヘッド１０６から離れるように移動させることができる。
【００２７】
第２バリア層３１８が、バッファ層３１４上に堆積された場合は、得られたカプセル化構造は、悪い光透過率（例えば、約７０％）を有するだろう。第２バリア層３１８は、約５０００オングストローム〜約１００００オングストロームの厚さを有することができる。悪い透過率は、圧縮応力を有する第２バリア層３１８によって引き起こされると考えられている。良好な光透過率（すなわち、９０％を超える透過率）を確保するために、図３Ｄに示されるように、応力緩和層３１６をプロセス２１２で堆積させることができる。応力緩和層３１６は、誘電体材料（例えば、酸窒化ケイ素）を含むことができ、ケイ素含有前駆体、窒素含有前駆体、及び酸素含有前駆体及び水素を導入することによって形成することができる。応力緩和層３１６は、第２バリア層３１８の圧縮応力を相殺するために若干の引張応力を有するだろう。応力緩和層３１６は、バッファ層３１４の第１部分３１４ａの上に堆積された第１部分３１６ａと、バッファ層３１４の第２部分３１４ｂの上に堆積された第２部分３１６ｂを含む。
【００２８】
プロセス２１４では、図３Ｅに示されるように、第２バリア層３１８が、基板３００上に形成され、応力緩和層３１６を覆う。第２バリア層３１８は、応力緩和層３１６の第１部分３１６ａの上に堆積された第１部分３１８ａと、応力緩和層３１６の第２部分３１６ｂの上に堆積された第２部分３１８ｂを含む。
【００２９】
第２バリア層３１８は、第１バリア層３０８と同様の誘電体層とすることができる。第２バリア層３１８は、誘電体層（例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ２、又は他の適切な誘電体層）である。一実施形態では、第２バリア層３１８は、窒化ケイ素を含む。第２バリア層３１８は、適切な堆積技術（例えば、ＣＶＤ、ＰＶＤ、スピンコーティング、又は他の適切な技術）によって堆積させることができる。
【００３０】
本明細書に記載されるような、第１バリア層、バッファ接着層、バッファ層、応力緩和層、及び第２バリア層の堆積は、単一の堆積チャンバ（例えば、ＰＥＣＶＤチャンバ１００）内で実行することができる。汚染の危険性を最小限にするために、処理チャンバのパージをサイクルの間に実行することができる。単一チャンバプロセスは、サイクル時間を低減させるだけでなく、複数のチャンバプロセスを使用することのチャンバ数（及び設備コスト）を低減させるのに有利である可能性がある。
【００３１】
要約すると、ＯＬＥＤデバイスが、２つのバリア層の間に挟まれたバッファ層を使用して形成される。バッファ層は、フッ素含有プラズマを使用して、第１バリア層の上に形成される。第２バリア層は、有機層の上に形成される。
【００３２】
上記は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の他の及び更なる実施形態は本開示の基本的範囲を逸脱することなく創作することができ、その範囲は以下の特許請求の範囲に基づいて定められる。
【図１Ａ】
0006431488.tif 000002
【図１Ｂ】
0006431488.tif 000003
【図２】
0006431488.tif 000004
【図３Ａ】
0006431488.tif 000005
【図３Ｂ】
0006431488.tif 000006
【図３Ｃ】
0006431488.tif 000007
【図３Ｄ】
0006431488.tif 000008
【図３Ｅ】
0006431488.tif 000009