(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイパッド（１５）の一面側に半導体素子（１２）をマウントし、前記ダイパッド（１５）の他面側を露出させた状態で、トップゲート方式の樹脂モールド成形によりパッケージ（１４）を構成してなる半導体装置（１１）であって、
前記ダイパッド（１５）の外周縁部には、他の部分よりも薄肉であって、前記ダイパッド（１５）の他面側が載置されるモールド成形型（１８）の型面に対し弾性的に接触可能な薄肉部（２１）が全周に設けられていると共に、前記ダイパッド（１５）の一面側には、樹脂モールド成形時におけるゲート（１９ａ）から流れ込む樹脂の圧力によって、前記薄肉部（２１）を前記型面に対して押付ける押付け力を発生させる押圧力発生部（２２）が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記薄肉部は、前記ダイパッドの他面側において、外周縁から内側に向けて該ダイパッドの厚みが次第に薄くなるような溝を設けることにより、形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記薄肉部は、前記ダイパッドの他面側において、外周縁から内側に向けて該ダイパッドの厚みが次第に薄くなり、その後一定の厚みとなるような溝を設けることにより、形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記薄肉部の外周縁部の、前記モールド成形型の型面に対し接触する部分は、丸みを帯びたＲ形状とされていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記押圧力発生部は、前記ダイパッドの一面側において、前記ゲートから流れ込む樹脂が圧接する垂直な壁を有する断面レ字形の溝を設けることにより、形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記押圧力発生部は、前記ダイパッドの一面側において、前記ゲートから流れ込む樹脂が圧接する斜めの壁を有する断面Ｖ字形の溝を設けることにより、形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記押圧力発生部は、前記ダイパッドの一面側において、前記ゲートから流れ込む樹脂が圧接する湾曲した壁を有する断面Ｕ字形の溝を設けることにより、形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記押圧力発生部は、前記ダイパッドの一面側において、前記ゲートから流れ込む樹脂が圧接する立上り壁を有して構成されていることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記押圧力発生部は、前記ダイパッドの一面側において多重に設けられていることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記ダイパッドは、角部にＲ形状を有して構成されていることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記ダイパッドは、角部が面取りされていることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
ダイパッド（１５）の一面側に半導体素子（１２）をマウントし、前記ダイパッド（１５）の他面側を露出させた状態で、トップゲート方式の樹脂モールド成形によりパッケージ（１４）を構成してなる半導体装置（１１）を製造する方法であって、
前記ダイパッド（１５）の外周縁部に、他の部分よりも薄肉であって、前記ダイパッド（１５）の他面側が載置されるモールド成形型（１８）の型面に対し弾性的に接触可能な薄肉部（２１）を全周に設けると共に、前記ダイパッド（１５）の一面側に、樹脂モールド成形時におけるゲート（１９ａ）から流れ込む樹脂の圧力によって、前記薄肉部（２１）を前記型面に対して押付ける押付け力を発生させる押圧力発生部（２２）を設け、
前記モールド成形型（１８）の型面に前記薄肉部（２１）を圧接させながら樹脂モールド成形を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイパッドの一面側に半導体素子をマウントし、前記ダイパッドの他面側を露出させた状態で、トップゲート方式の樹脂モールド成形によりパッケージを構成してなる半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばＳＯＰ、ＱＦＰ等の半導体装置にあっては、放熱性の向上を図るために、半導体素子が装着されたダイパッドの下面側を、パッケージ外部に露出させるようにした、いわゆるエクスポーズドタイプのものがある（例えば特許文献１参照）。図１７は、特許文献１の半導体装置１の構成を示している。即ち、半導体素子（ＩＣチップ）２は、四角形のダイパッド３上にマウントされ、半導体素子２の上面の電極２ａとリードフレーム（全体として図示せず）のリード端子４とがボンディングワイヤ５で接続される。そして、半導体素子２の周囲を樹脂モールド成形してパッケージ６を形成し、半導体装置１が構成される。このとき、ダイパッド３の下面側が露出面とされている。
【０００３】
ところで、上記樹脂モールド成形時には、半導体素子２がマウントされワイヤボンディングがなされたリードフレームが、図示しないモールド成形型内にセットされ、成形型内に、側方（サイドゲート）から溶融樹脂が注入される。このとき、ダイパッド３の下面が、モールド成形型の型面に対し接触（密着）するように配置されるのであるが、この部分の密着性が弱いと、ダイパッド３の下面とモールド成形型の型面との間の隙間に、溶融樹脂が進入し、いわゆる樹脂バリが発生してしまう虞がある。
【０００４】
そこで、上記特許文献１では、図１７に示すように、ダイパッド３の下面に、一定幅の周縁部３ａを残して凹部（くり貫き）３ｂを設けると共に、周縁部３ａの幅方向中間部に環状に溝部３ｃを設けるようにしている。これにて、ダイパッド３の下面のうち型面と接触するのは周縁部３ａだけとなるので、モールド成形型の型面に対する接触面積を小さくして面圧（押え付け力）を高めることができる。また、隙間からの溶融樹脂の進入があっても、その樹脂を溝部３ｃに溜めることにより、それ以上の進入を防ぐことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−２５８３４８号公報（図２、図４）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記従来のものでは、次の理由で、必ずしも樹脂バリの発生を効果的に抑えることはできなかった。即ち、ダイパッド３（周縁部３ａ）は、リードフレームの吊りリード（図示せず）のばね力によって、モールド成形型の型面に対して押付けられるのであるが、そのばね力はさほど大きくなく、十分な押付け力が得られなかった。また、ダイパッド３の平坦度や反り等の影響を受けて、周縁部３ａ全周で均等な圧力をかけることは難しかった。このため、ダイパッド３（周縁部３ａ）と型面との間に隙間が生じやすく、樹脂の進入に伴う樹脂バリの発生は避けられないものであった。この場合、樹脂モールド工程の後に、樹脂バリを除去するための工程が必要となり、製造工程が増え、コストアップを招いてしまう。
【０００７】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、パッケージからダイパッドを露出させるように樹脂モールド成形を行う構成のものにおいて、ダイパッドと成形型の型面との間の隙間に樹脂が進入することに起因する樹脂バリの発生を効果的に防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の請求項１の半導体装置（１１）は、ダイパッド（１５）の一面側に半導体素子（１２）をマウントし、前記ダイパッド（１５）の他面側を露出させた状態で、トップゲート方式の樹脂モールド成形によりパッケージ（１４）を構成してなるものであって、前記ダイパッド（１５）の外周縁部には、他の部分よりも薄肉であって、前記ダイパッド（１５）の他面側が載置されるモールド成形型（１８）の型面に対し弾性的に接触可能な薄肉部（２１）が全周に設けられていると共に、前記ダイパッド（１５）の一面側には、樹脂モールド成形時におけるゲートから流れ込む樹脂の圧力によって、前記薄肉部（２１）を前記型面に対して押付ける押付け力を発生させる押圧力発生部（２２）が設けられているところに特徴を有する。
【０００９】
上記構成によれば、樹脂モールド成形時において、ダイパッド（１５）の他面側がモールド成形型（１８）の型面に接触した状態で、モールド成形型（１８）内への樹脂の注入が行われるのであるが、吊りリードのばね力に加えて、樹脂の圧力によって押圧力発生部（２１）において生ずる押付け力により、ダイパッド（１５）の外周縁部全周に設けられた薄肉部（２２）が、型面に対して圧接されるようになる。このように、ダイパッド（１５）の外周縁部全周が型面に圧接することにより、溶融樹脂がその間の隙間に進入することが阻止される。
【００１０】
このとき、薄肉部（２２）は弾性的に変形しながら型面に対して接触するので、ダイパッド（１５）の他面側の平坦度が悪かったり反りがあったりしたとしても、全周において型面に密着させることができる。そして、樹脂モールド成形がトップゲート方式で行われるため、成形型（１８）内に注入される溶融樹脂を、押圧力発生部に対して勢い良く流し込むことができ、サイドゲート方式の場合と比較して、より大きな圧力（押付け力）を発生させることができる。
【００１１】
従って、請求項１の発明によれば、パッケージ（１４）からダイパッド（１５）を露出させるように樹脂モールド成形を行う構成のものにおいて、ダイパッド（１５）とモールド成形型（１８）の型面との間の隙間に樹脂が進入することに起因する樹脂バリの発生を効果的に防止することができるという優れた効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１の実施形態を示すものであり、半導体装置の全体構成を概略的に示す縦断面図（ａ）及びそのＡ部を示す拡大縦断面図（ｂ）
【図２】パッケージを透視して示す半導体装置の平面図
【図３】樹脂モールド成形時の様子を概略的に示す縦断面図（ａ）及びそのＢ部を示す拡大縦断面図（ｂ）
【図４】本発明の第２の実施形態を示す樹脂モールド成形時の要部の拡大縦断面図
【図５】本発明の第３の実施形態を示す樹脂モールド成形時の要部の拡大縦断面図
【図６】本発明の第４の実施形態を示す樹脂モールド成形時の要部の拡大縦断面図
【図７】本発明の第５の実施形態を示す樹脂モールド成形時の要部の拡大縦断面図
【図８】本発明の第６の実施形態を示す樹脂モールド成形時の要部の拡大縦断面図
【図９】本発明の第７の実施形態を示す樹脂モールド成形時の要部の拡大縦断面図
【図１０】本発明の第８の実施形態を示す樹脂モールド成形時の要部の拡大縦断面図
【図１１】本発明の第９の実施形態を示す樹脂モールド成形時の要部の拡大縦断面図
【図１２】本発明の第１０の実施形態を示す樹脂モールド成形時の要部の拡大縦断面図
【図１３】本発明の第１１の実施形態を示す樹脂モールド成形時の要部の拡大縦断面図
【図１４】本発明の第１２の実施形態を示すパッケージを透視して示す半導体装置の平面図
【図１５】本発明の第１３の実施形態を示すパッケージを透視して示す半導体装置の平面図
【図１６】本発明の第１４の実施形態を示すパッケージを透視して示す半導体装置の平面図
【図１７】従来例を示すもので、半導体装置の構成を概略的に示す縦断面図
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明を具体化したいくつかの実施形態について、図１から図１６を参照しながら説明する。尚、以下に述べる各実施形態においては、各実施形態間で共通する部分については、同一符号を付し、説明を繰返すことを省略することとする。また、半導体装置の各断面図においては、便宜上、パッケージを構成するモールド樹脂層に対するハッチングを省略している。
【００１４】
（１）第１の実施形態
まず、図１から図３を参照して、本発明の第１の実施形態について述べる。図１及び図２は、第１の実施形態に係る半導体装置１１の構成を概略的に示すものである。この半導体装置１１は、半導体素子（ＩＣチップ）１２をリードフレーム１３（全体としての図示は省略）に装着し、それらを例えばエポキシ樹脂からなるパッケージ（モールド樹脂層）１４により樹脂封止して構成されている。
【００１５】
このとき、図２に示すように、前記リードフレーム１３は、パッケージ１４の外側に配置される図示しないガイドフレーム、前記半導体素子１２がマウントされるダイパッド１５、このダイパッド１５と前記ガイドフレームとをつなぐ吊りリード１６、外側端部が前記ガイドフレームに連結された多数本のリード端子１７とを一体に連結した形態に備えている。前記各リード端子１７は、その先端側が、パッケージ１４の側面から外部（前後左右）に導出されるようになっている。
【００１６】
尚、前記リードフレーム１３は、金属薄板をプレス成形により打抜いて形成される。リードフレーム１３を構成する金属材料（母材）としては、Ｃｕ系の合金（Ｃ１９４００、ＫＬＦ材等）を採用することができる。或いは、４２アロイ、アルミ系の金属材料でも良い。また、リードフレーム１３にはめっきが施されている。このめっきとしては、ダイボンドやワイヤボンドの接合性を確保できるものであれば良く、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕめっき（いわゆるＰＰＦ）でも良いし、Ａｇめっき、Ｎｉめっき、その他金属めっき、それらの複合めっき等でも良い。Ｎｉ等が凹凸形状をなしている粗化めっきでも良い。
【００１７】
前記ダイパッド１５は、四角形状（正方形）を基本とすると共に、その角部にＲ形状（円弧状に丸みを付けた形状）を有している。前記半導体素子１２は、ダイパッド１５よりも小さい矩形チップ状をなし、図１等に示すように、前記ダイパッド１５の一面側である上面の中央部にマウントされ、ダイボンド材によって固定されている。前記ダイボンド材は、Ａｇペースト系、はんだ系、燃焼Ａｇ系等を採用することができ、これにて、半導体素子１２とダイパッド１５とが熱的にも接続される。
【００１８】
前記リード端子１７は、パッケージ１４の四辺部から外部に突出するように配置されている。図示は省略しているが、前記半導体素子１２の上面の各電極部と、各リード端子１７の内側端部とが、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ或いはそれらの合金等からなるボンディグワイヤにて接続される。尚、この実施形態及び以下に述べる各実施形態においては、ダイパッド１５のうち半導体素子１２が載置される一面側を上面と称し、それとは反対側の、少なくともパッケージ１４から露出される他面側を下面と称する。
【００１９】
前記パッケージ１４は、図１に示すように、半導体素子１２の周囲を、ダイパッド１５の下面を除いて封止するような矩形状に構成される。詳しくは後述するが、このパッケージ１４は、樹脂モールド成形の工程において、半導体素子１２が実装されたリードフレーム１３をモールド成形型１８（図３参照）内に収容し、トップゲート方式の樹脂モールド成型を行うことにより得られる。このとき、前記各リード端子１７の先端側が、パッケージ１４の側面から外部（前後左右）に導出され、整形される。また、前記リードフレーム１３のうちガイドフレーム及び吊りリード１６の外側の一部（パッケージ１４からはみ出た部分）は、樹脂モールド成形後に切断除去され、以て、半導体装置１１が得られる。
【００２０】
ここで、パッケージ１４の樹脂モールド成形に用いられるモールド成形型１８について、簡単に述べておく。図３に示すように、モールド成形型１８は、上型１９及び下型２０を備えており、それらの型合せ状態で、パッケージ１４の外形に対応したキャビティ１８ａが構成される。また、前記上型１９の中央部に、樹脂注入用のゲート１９ａが設けられている。このゲート１９ａからキャビティ１８ａ内に下向きに溶融樹脂Ｒが注入されるトップゲート方式が採用されている。
【００２１】
さて、本実施形態では、図３にも示すように、前記ダイパッド１５には、前記ダイパッド１５その外周縁部に位置して、他の部分よりも薄肉であって、該ダイパッド１５の下面が載置されるモールド成形型１８の下型２０の型面（上面）に対し弾性的に接触可能な薄肉部２１が全周に設けられている。これと共に、ダイパッド１５の上面側には、外周寄り（半導体素子１２のマウント部分より外側）に位置して、樹脂モールド成形時におけるゲート１９ａから流れ込む樹脂の圧力によって、前記薄肉部２１を下型２０の型面に対して押付ける押付け力を発生させる押圧力発生部２２が設けられている。
【００２２】
このとき、本実施形態では、図１（ｂ）、図３（ｂ）に示すように、前記薄肉部２１は、前記ダイパッド１５の下面側において、外周縁から内側に向けて該ダイパッド１５の厚みが次第に薄くなるような断面レ字形の溝を全周に渡って設けることにより形成されている。この薄肉部２１は、リードフレーム１３の形成時（打抜き時）に、プレス成形によって一体的に形成される。
【００２３】
また、本実施形態では、前記押圧力発生部２２は、前記ダイパッド１５の上面側において、前記ゲート１９ａから流れ込む溶融樹脂Ｒが圧接する垂直な壁２２ａと、その内側の比較的緩やかな傾斜面とを有する断面レ字形の溝を設けることにより形成されている。この場合、押圧力発生部２２は、ダイパッド１５の外周縁部からやや内側に入った位置に、全周に渡って設けられ、ダイパッド１５の角部部分では、ダイパッド１５のＲ形状に沿った湾曲状に形成されている。この押圧力発生部２２も、リードフレーム１３の形成時に、プレス成形によって一体的に形成される。
【００２４】
次に、上記した半導体装置１１を製造するための方法について述べる。半導体装置１１を製造するに先立って、前記リードフレーム１３の製造の工程が実行される。このリードフレーム１３の製造工程においては、プレス成形によりダイパッド１５の下面側に溝が設けられることにより薄肉部２１が形成されると共に、ダイパッド１５の上面側に断面レ字形の溝を設けることにより押圧力発生部２２が形成される。
【００２５】
半導体装置１１の製造にあたっては、まず、前記リードフレーム１３のダイパッド１５の上面に、半導体素子１２を接着するマウント工程が実行され、ダイパッド１５上にマウントされた半導体素子１２の表面の各電極部と、リードフレーム１３の各リード端子１７とを接続するワイヤボンディングの工程が実行される。
【００２６】
次に、半導体素子１２がマウント及び電気的接続されたリードフレーム１３に対する樹脂モールド成形の工程が実行される。この樹脂モールド成形の工程では、下型２０の型面上に、リードフレーム１３のダイパッド１５が位置合せ状態で載置された上で、図３（ａ）に示すように上型１９の型合せがなされる。この状態では、リードフレーム１３の外側寄り部分（リード端子１７や吊りリード１６の先端側部分）が、上型１９と下型２０との間に挟まれるように配置される。この時点では、吊りリード１６のばね力により、ダイパッド１５が下型２０の型面（上面）に対して比較的弱い力で押付けられている。またこの状態では、図３（ｂ）に示すように、ダイパッド１５の薄肉部２１の先端（外周縁）下面と、下型２０の型面との間の隙間の寸法Ｌが０以上となるように構成されている。
【００２７】
次いで、キャビティ１８ａ内に、ゲート１９ａから溶融樹脂Ｒが下向きに注入（射出）され、図３（ａ）に示すように、溶融樹脂Ｒがダイパッド１５の上面に向けて中央部から外側に拡がるように注入されていく。その際、図３（ｂ）に示すように、溶融樹脂Ｒが溝状の押圧力発生部２２内に引掛かる（垂直な壁２２ａに突き当たる）ようになり、図に矢印Ｐで示すように、ダイパッド１５に対し、その外周寄り部分を下方に押下げる方向の圧力が作用する。これによって、ダイパッド１５の外周縁部全周に設けられた薄肉部２１が下方に向けて容易に弾性変形し、その先端（外周端）が下型２０の型面に圧接するようになる。薄肉部２１の先端は、型面に対しいわば線接触する形態となるので、薄肉部２１の外周端に圧力を集中させることができる。
【００２８】
これにて、ダイパッド１５の外周縁部全周と下型２０の型面との間が強い力でシールされ、溶融樹脂Ｒがその間の隙間に進入することが阻止される。この場合、押圧力発生部２２は、垂直な壁２２ａを有していることにより、その部分で溶融樹脂Ｒの注入圧力を受けて、薄肉部２１の下方への大きな押付け力を発生させることができ、薄肉部２１を型面に対して強い力で圧接させることができる。また、薄肉部２１は弾性的に変形しながら型面に対して接触するので、ダイパッド１５の下面側の平坦度が悪かったりダイパッド１５に反りがあったりしたとしても、全周において型面に密着させることができ、優れたシール性が得られるのである。
【００２９】
この後、キャビティ１８ａ内全体に注入された溶融樹脂Ｒが硬化されることにより、半導体素子１２やダイパッド１５部分、リード端子１７の半導体素子１２との接続部分（ボンディングワイヤ部分）等を一体に樹脂モールドしたパッケージ（モールド樹脂層）１４が形成される。離型後、上記したようにリードフレーム１３のガイドフレーム等の切除や各リード端子１７の整形などが行われ、半導体装置１１が得られる。このとき、上記したように、ダイパッド１５と下型２０の型面との間に溶融樹脂Ｒが進入することを防止できるので、いわゆる樹脂バリの発生を抑制することができる。この結果、後の樹脂バリを取除く工程を簡略化する（或いはなくす）ことができる。
【００３０】
このように本実施例の半導体装置１１及びその製造方法によれば、パッケージ１４からダイパッド１４を露出させるように樹脂モールド成形を行う構成のものにおいて、トップゲート方式の樹脂モールド成形を採用し、ダイパッド１５に、その外周縁部に位置して薄肉部２１を設けると共に、その上面側に押圧力発生部２２を設けたので、ダイパッド１５とモールド成形型１８の型面との間の隙間に溶融樹脂Ｒが進入することに起因する樹脂バリの発生を効果的に防止することができるという優れた効果を得ることができる。
【００３１】
特に本実施形態では、薄肉部２１を、ダイパッド１５の下面側において溝を設けることにより形成し、これと共に、押圧力発生部２２を、ダイパッド１５の上面側において断面レ字形の溝を設けることにより形成するようにした。これにより、目的とする機能を果たす薄肉部２１及び押圧力発生部２２を、リードフレーム１３製造時のプレス成形により、容易に形成することができ、より効果的となる。
【００３２】
更に本実施形態では、ダイパッド１５を、角部にＲ形状を有した形状に構成した。ここで、ダイパッドの角部（コーナー部）が直角状態をなしていると、角部部分において、薄肉部を全体に渡ってモールド成形型の型面に対して均一に圧接させることは難しい事情がある。ところが、ダイパッド１５の角部をＲ形状としたことにより、直角形状の場合に比べて、薄肉部２１うちコーナーに位置する部分も、下型２０の型面に対して均一に圧接させることが容易となるといった利点を得ることができる。
【００３３】
（２）第２〜第７の実施形態
次に、図４〜図９を参照して、本発明の第２〜第７の実施形態について述べる。これら第２〜第７の実施形態は、リードフレームのダイパッドに設けられる押圧力発生部の構造（形状）が上記第１の実施形態と異なっている。尚、以下に述べる第２の実施形態以降の各実施形態においては、上記第１の実施形態（或いは先に述べた実施形態）と同一部分については、符号を共通して使用すると共に、新たな図示や詳しい説明を省略し、以下、第１の実施形態と異なる点について述べることとする。
【００３４】
図４は、本発明の第２の実施形態を示すものであり、ダイパッド３１の上面側に押圧力発生部３２が設けられている。本実施形態では、押圧力発生部３２は、ダイパッド３１の上面側に断面Ｖ字形の溝を設けることにより形成され、やはりこの場合も、リードフレームの製造時にプレス成形により一体に形成される。ダイパッド３１の下面側には薄肉部２１が設けられている。この構成によっても、樹脂モールド成形時において、ゲート１９ａから注入された溶融樹脂Ｒが押圧力発生部３２の内面に引掛かる（矢印Ｐ方向に突き当たる）ことによって、ダイパッド３１に対し、薄肉部２１を下方に押下げる方向の圧力を作用させ、薄肉部２１の先端を下型２０の型面に圧接させることができる。
【００３５】
図５は、本発明の第３の実施形態を示すものであり、ダイパッド３５の上面側に押圧力発生部３６が設けられている。この押圧力発生部３６は、ダイパッド３５の上面側にプレス成形により断面Ｕ字状（半円状）の溝を設けることにより形成されている。この構成によっても、樹脂モールド成形時において、ゲート１９ａから注入された溶融樹脂Ｒが押圧力発生部３６の内面に引掛かる（矢印Ｐ方向に突き当たる）ことによって、ダイパッド３５に対し、薄肉部２１を下方に押下げる方向の圧力を作用させ、薄肉部２１の先端を下型２０の型面に圧接させることができる。
【００３６】
図６は、本発明の第４の実施形態を示すものであり、ダイパッド４１の上面側に押圧力発生部４２が設けられている。この押圧力発生部４２は、ダイパッド４１の上面側にプレス成形により上向きのコ字状（断面四角形）の溝を設けることにより形成されている。この構成によっても、樹脂モールド成形時において、ゲート１９ａから注入された溶融樹脂Ｒが押圧力発生部４２の内面に引掛かる（矢印Ｐ方向に突き当たる）ことによって、ダイパッド４１に対し、薄肉部２１を下方に押下げる方向の圧力を作用させ、薄肉部２１の先端を下型２０の型面に圧接させることができる。
【００３７】
図７は、本発明の第５の実施形態を示すものであり、ダイパッド４５の上面側に押圧力発生部４６が設けられている。この押圧力発生部４２は、ダイパッド４５の上面側にプレス成形により断面逆台形状の溝を設けることにより形成されている。この構成によっても、樹脂モールド成形時において、ゲート１９ａから注入された溶融樹脂Ｒが押圧力発生部４６の内面に引掛かる（矢印Ｐ方向に突き当たる）ことによって、ダイパッド４５に対し、薄肉部２１を下方に押下げる方向の圧力を作用させ、薄肉部２１の先端を下型２０の型面に圧接させることができる。
【００３８】
図８は、本発明の第６の実施形態を示すものであり、ダイパッド５１の上面側に押圧力発生部５２が設けられている。この押圧力発生部５２は、ダイパッド５１の上面側に上向きのコ字状（断面四角形）の溝を設けると共に、その外周側及び内周側に、上方に突出する突起部５２ａ及び５２ｂを設けることにより形成されている。この押圧力発生部５２も、プレス成形により形成することが可能である。この構成によれば、樹脂モールド成形時において、ゲート１９ａから注入された溶融樹脂Ｒが押圧力発生部５２の溝の内面に引掛かる（矢印Ｐ方向に突き当たる）と共に、突起部５２ａ及び５２ｂに引掛かることによって、ダイパッド５１に対し、薄肉部２１を下方に押下げる方向の圧力を作用させ、薄肉部２１の先端を下型２０の型面に圧接させることができる。
【００３９】
図９は、本発明の第７の実施形態を示すものであ、ダイパッド５５の上面側に押圧力発生部５６が設けられている。この押圧力発生部５６は、ダイパッド５５の上面側において、ゲート１９ａから注入された溶融樹脂Ｒが圧接する（矢印Ｐ方向に突き当たる）垂直な立上り壁を設けることにより構成されている。この押圧力発生部５６によっても、溶融樹脂Ｒの注入により、ダイパッド５１に対し、薄肉部２１を下方に押下げる方向の圧力を作用させ、薄肉部２１の先端を下型２０の型面に圧接させることができる。このように、押圧力発生部５６を立上り壁から構成しても、押圧力発生部としての目的とする機能を得ることができ、また、プレス成形により容易に形成することができる。
【００４０】
（３）第８〜第１１の実施形態
図１０〜図１３は、本発明の第８〜第１１の実施形態を順に示している。これら第８〜第１１の実施形態は、夫々、ダイパッドに形成される薄肉部の構成（形状）が上記第１の実施形態等と異なっている。
【００４１】
即ち、図１０は、本発明の第８の実施形態を示すものであり、ダイパッド６１の外周縁部に他の部分より薄肉な薄肉部６２が設けられている。このとき、薄肉部６２は、ダイパッド６１の下面側において、外周縁から内側に向けて該ダイパッド６１の厚みが次第に薄くなり、その後一定の厚みとなるような溝（凹部）を設けることにより形成されている。この薄肉部６２は、リードフレームの形成時に、プレス成形によって一体的に形成されている。ダイパッド６１の上面側には、押圧力発生部２２が設けられている。
【００４２】
この第８の実施形態によっても、樹脂モールド成形時において、押圧力発生部２２によってダイパッド６１の外周寄り部分を下方に押下げる方向の圧力が作用し、薄肉部６２が下方に向けて容易に弾性変形し、その先端（外周端）が下型２０の型面に圧接するようになる。従って、ダイパッド６１の外周縁部全周と下型２０の型面との間が強い力でシールされ、溶融樹脂Ｒがその間の隙間に進入することが阻止され、樹脂バリの発生が効果的に防止される。
【００４３】
図１１は、本発明の第９の実施形態を示すものであり、ダイパッド６５の外周部には薄肉部６６が設けられている。この薄肉部６６は、ダイパッド６５の下面側において、外周縁から内側に向けて該ダイパッド６５の厚みが次第に薄くなるような断面レ字形の溝を全周に渡って設けて構成されると共に、その先端（外周縁部）の下面の、下型２０の型面に対し接触する部分は、丸みを帯びたＲ形状（断面円形状）の突起６６ａが設けられている。この薄肉部６６も、やはりプレス成形によって容易に形成することができる。これにより、樹脂モールド成形時に、薄肉部６６の弾性変形によってその先端の突起６６ａが下型２０の型面に圧接するようになり、溶融樹脂Ｒの進入（樹脂バリの発生）を防止することができる。このとき、薄肉部６６の先端にＲ形状の突起６６ａを設けたことにより、薄肉部６６の外周縁部の、下型２０の型面との接触部分の摩耗を防止することができる。
【００４４】
図１２は、本発明の第１０の実施形態を示すものであり、ダイパッド７１の外周部には薄肉部７２が設けられている。このとき、薄肉部７２は、ダイパッド７１の下面側において、外周縁から内側に一定の幅で該ダイパッド７１の厚みが均一（全体の約半分）となるような均一深さの凹所（溝）を形成することにより設けられ、プレス成形によって形成される。そして、本実施形態は、下型２０の型面（上面）側に、薄肉部７２の下面の外周端部が接触する断面四角形の突起部（突条部）７３が全周に渡って設けられている。これにより、樹脂モールド成形時に、薄肉部７２の下方への弾性変形によって、下型２０の突起部７３に圧接するようになり、溶融樹脂Ｒの進入（樹脂バリの発生）を防止することができる。
【００４５】
図１３は、本発明の第１１の実施形態を示すものであり、上記第１０の実施形態（図１２）と異なる点は、下型２０の型面（上面）側に設けられる突起部（突条部）７４の形状にある。この場合、突起部７４は、上端部がＲ形状（断面半円状）をなすように形成されている。これによっても、樹脂モールド成形時に、薄肉部７２の下方への弾性変形によって、薄肉部７２の下面が突起部７４の上端に圧接するようになり、上記第１０の実施形態と同等の作用・効果を得ることができる。
【００４６】
（４）第１２〜第１４の実施形態、その他の実施形態
図１４は、本発明の第１２の実施形態を示しており、上記第１の実施形態と異なる点は、ダイパッド８１の形状にある。即ち、前記ダイパッド８１は、四角形を基本としながら、その４つの角部が面取りされており、八角形状に構成されている。また、ダイパッド８１の上面側に設けられる押圧力発生部８２も、ダイパッド８１の八角形の外形に沿うように形成されている。この構成によっても、上記第１の実施形態と同様に、ダイパッド８１の角部（コーナー部）を面取り形状とすることにより、直角形状（四角形）の場合に比べて、外周縁部の薄肉部（図示せず）全体における下型２０の型面に対する圧接力をほぼ均等にすることができるといった利点を得ることができる。
【００４７】
図１５は、本発明の第１３の実施形態を示しており、やはりダイパッド８５の形状が上記第１の実施形態と異なっている。即ち、このダイパッド８５は、円形状に構成されており、押圧力発生部８６も、ダイパッド８５の外形に沿う円環状に形成されている。この構成によれば、ダイパッド８５の外周縁部の薄肉部（図示せず）全体を下型２０の型面に対して均一に圧接させることが容易となる。
【００４８】
図１６は、本発明の第１４の実施形態を示している。この実施形態においては、ダイパッド９１は、上記第１の実施形態のダイパッド１５と同様に、四角形状（正方形）を基本とすると共に、その角部にＲ形状を有している。そして、ダイパッド９１の上面部には、外周寄り部位に位置して、押圧力発生部９２が溝状に設けられているのであるが、ここでは、押圧力発生部９２は、全周において連続して（繋がって）おらず、数カ所で分断された形態、即ち、中断部９２ａが例えば前後左右の４箇所に設けられた形態で形成されている。この場合、押圧力発生部９２は、薄肉部２１を弾性変形させる力を発生させる機能を有していれば、全周に繋がっている必要はなく、様々な形態に設けることができる。
【００４９】
尚、上記実施形態では説明しなかったが、押圧力発生部は、ダイパッドの上面側において二重或いは三重といった多重に設けられていても良く、この構成により、より一層大きな押付け力を発生させることが可能となる。また、薄肉部及び押圧力発生部（溝）を形成する方法としては、プレス加工に限らず、エッチング等を採用することも可能である。その他、本発明は上記し且つ図面に示した各実施形態に限定されるものではなく、例えば、ード端子をパッケージの二辺部から延出させた構成の半導体装置や、１つのパッケージ（モールド樹脂層）に複数個のダイパッド（及び半導体素子）を備えた構成の半導体装置に適用しても良い等、要旨を逸脱しない範囲内で適宜変更して実施し得るものである。
【符号の説明】
【００５０】
図面中、１１は半導体装置、１２は半導体素子、１３はリードフレーム、１４はパッケージ、１５、３１、３５、４１、４５、５１、５５、６１、６５、７１、８１、８５、９１はダイパッド、１６は吊りリード、１７はリード端子、１８はモールド成形型、１９ａはゲート、２０は下型、２１、６２、６６、７２は薄肉部、２２、３２、３６、４２、４６、５２、５６、８２、８６、９２は押圧力発生部、Ｒは溶融樹脂を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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