(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部の雰囲気を大気雰囲気と真空雰囲気との間で切り替え自在に構成された予備真空室と、真空雰囲気下にて、基板搬送機構により基板の搬送が行われる真空搬送室とを介し、大気雰囲気下で基板を収容するキャリアと、真空雰囲気下にて基板に対する処理が行われる処理室との間で基板を搬送する基板搬送方法であって、
前記基板搬送機構により、処理後の基板を前記処理室から取り出し、前記予備真空室へ向けて前記真空搬送室内を搬送する工程と、
真空雰囲気に切り替えられた前記予備真空室内に、前記処理後の基板を搬入する工程と、
次いで、前記予備真空室内の圧力が、前記処理後の基板搬送時の真空搬送室内の圧力よりも低くなるように、当該予備真空室内を真空排気する工程と、
前記真空排気後の予備真空室内を大気雰囲気に切り替えてから、前記キャリアへ向けて基板を取り出す工程と、を含み、
前記予備真空室には、処理後の基板を冷却するための冷却機構を備えた載置台と、基板を前記載置台よりも上方側にて支持する支持位置と、基板を当該載置台に載置するために、載置台よりも下方側に退避した退避位置との間を昇降する支持ピンとが設けられ、
前記予備真空室内を真空排気する工程は、前記支持ピンが前記支持位置にて処理後の基板を支持した状態で開始されることを特徴とする基板搬送方法。
【請求項２】
前記真空搬送室内の圧力は、基板の処理時における前記処理室内の圧力よりも低いことを特徴とする請求項１に記載の基板搬送方法。
【請求項３】
前記予備真空室内の基板を取り出す工程は、前記支持ピンを前記退避位置まで降下させて、当該基板を前記載置台上に載置した後に行われることを特徴とする請求項１または２に記載の基板搬送方法。
【請求項４】
前記処理室内にて基板に対して行われる処理は、大気雰囲気下にて基板から腐食性の物質を放出する腐食原因物質が生成される処理を含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載の基板搬送方法。
【請求項５】
前記真空搬送室は、前記腐食原因物質と反応して大気雰囲気下での前記腐食性の物質の放出を抑えるための反応ガスを含む圧力調整ガスにより圧力調整されていることを特徴とする請求項４に記載の基板搬送方法。
【請求項６】
前記腐食性の物質は、塩素を含むことを特徴とする請求項５に記載の基板搬送方法。
【請求項７】
前記反応ガスは還元性のガスであることを特徴とする請求項５または６に記載の基板搬送方法。
【請求項８】
基板の処理を行う基板処理装置において、
大気雰囲気下で基板を収容するキャリアが載置される載置台と、
内部の雰囲気を大気雰囲気と真空雰囲気との間で切り替え自在に構成された予備真空室と、
真空雰囲気下にて基板に対する処理が行われる処理室と、
真空雰囲気下にて、前記予備真空室と前記処理室との間の基板の搬送を行う基板搬送機構を備えた真空搬送室と、
前記予備真室に接続され、前記キャリアから前記処理室へ向かう基板が前記予備真空室に収容された際に前記予備真空室の真空排気を行うための第１の真空ポンプ、及び、前記処理室から前記キャリアへ向かう基板が前記予備真空室に収容された際に前記予備真空室の真空排気を行う第２の真空ポンプと、
前記基板搬送機構により、処理後の基板を前記処理室から取り出し、前記予備真空室へ向けて前記真空搬送室内を搬送するステップと、前記第２の真空ポンプにより真空排気された予備真空室内に、前記処理後の基板を搬入するステップと、次いで、前記予備真空室内の圧力が、前記処理後の基板搬送時の真空搬送室内の圧力よりも低くなるように、前記第２の真空ポンプにより予備真空室内を真空排気するステップと、前記第２の真空ポンプによる真空排気後の前記予備真空室内を大気雰囲気に切り替えてから、前記キャリアへ向けて基板を取り出すステップと、を実行するための制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
前記真空搬送室内の圧力は、基板の処理時における処理室内の圧力よりも低いことを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記予備真空室は、処理後の基板を冷却するための冷却機構を備えた載置台と、基板を前記載置台よりも上方側にて支持する支持位置と、基板を当該載置台に載置するために、載置台よりも下方側に退避した退避位置との間を昇降する支持ピンとを備え、
前記制御部は、前記支持ピンが前記支持位置にて処理後の基板を支持した状態で前記予備真空室内の真空排気を開始するように制御信号を出力することを特徴とする請求項８または９に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記処理室内にて基板に対して行われる処理は、大気雰囲気下にて基板から腐食性の物質を放出する腐食原因物質が生成される処理を含み、
前記腐食原因物質と反応して大気雰囲気下での前記腐食性の物質の放出を抑えるための反応ガスを含む圧力調整ガスにより、前記真空搬送室の圧力調整を行う圧力調整ガス供給部を備えることを特徴とする請求項８ないし１０のいずれか一つに記載の基板処理装置。
【請求項１２】
複数の予備真空室を備え、各予備真空室には、前記第１の真空ポンプと、第２の真空ポンプとが、切り替え自在に接続されていることを特徴とする請求項８ないし１１のいずれか一つに記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記複数の予備真空室は、前記各予備真空室に共通の前記第１の真空ポンプ及び前記各予備真空室に共通の前記第２の真空ポンプに接続されていることを特徴とする請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
基板の処理を行う基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記プログラムは請求項１ないし７のいずれか一つに記載された基板搬送方法を実行するためにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空雰囲気の処理室内にて処理された基板を大気雰囲気に搬出する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程においては、半導体ウエハ（以下、ウエハという）の表面で反応ガスを反応させて成膜を行う成膜モジュールや、プラズマ化したガスをウエハの表面に成膜された膜と反応させて処理を行うプラズマ処理モジュールなど、真空雰囲気の処理室内に処理ガスを供給してウエハの処理を行う種々の処理モジュール（処理室）が用いられる。
【０００３】
また、これらの処理モジュールを備えた基板処理装置として、真空雰囲気下でウエハの搬送が行われる真空搬送室に、複数の処理モジュールを接続したマルチチャンバやクラスタツールなどと呼ばれるものがある。この真空搬送室には、内部の雰囲気を大気雰囲気と真空雰囲気との間で切り替え自在に構成されたロードロック室（予備真空室）が連結され、ロードロック室を介して、処理モジュールへのウエハの搬入出が行われる。
【０００４】
一方で、半導体装置の微細化の進展や３次元集積技術の開発に伴い、ウエハの表面形状はますます複雑になっている。複雑なウエハの表面にて処理ガスを用いた処理を行うと、未反応の処理ガスや、反応が途中まで進行した処理ガス（これらの物質をまとめて「未反応物質」という）がウエハの表面に付着したまま処理モジュールから搬出される場合がある。
【０００５】
上述の未反応物質の中には、大気中の酸素や水分などと反応して腐食性の物質を生成する腐食原因物質となるものがある。このため、ウエハが外部の大気雰囲気に搬出されたとき、その表面から腐食性の物質が放出され、ウエハの搬送機構や後段の基板処理装置の腐食原因となるおそれがある。
【０００６】
ここで特許文献１には、処理室から真空予備室（既述の真空搬送室に相当）への腐食性のガスの流出を防ぐため、ハロゲン含有ガスを使用した処理室内を真空引きして真空予備室の圧力よりも小さくし、処理室に不活性ガスを供給してから、処理室を開放する技術が記載されている。しかしながら、処理室内の真空排気を行うだけでは、ウエハに付着した状態で処理室から持ち出される腐食原因物質の対策とはならない。
【０００７】
また特許文献２には、処理室と、この処理室に気密に連設されたロードロック室との間で、多数枚のウエハが搭載されたボートを昇降させるにあたり、処理後のウエハを搭載したボートがロードロック室に収容されると、当該ロードロック室内を真空排気する技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−９１６６５号公報：請求項１、段落００３７〜００３８、図１
【特許文献２】特開２００５−２５９９２７号公報：段落０００３、００３７〜００４０、図１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献２の記載によれば、ロードロック室内の真空排気は、処理ガス内で使用した反応ガスがロードロック室内で大気中の水分と反応し、金属類を腐食させることを防止するために行われる（段落０００３、０００７）。このため、当該技術においては、真空排気を行う位置として、処理室に連設された（隣り合って接続された）ロードロック室が選択されている。
【００１０】
これに対し真空搬送室を介して処理モジュールとロードロック室とが連設された構造の基板処理装置においては、真空搬送室が処理モジュールに隣り合って配置されていることにより、処理ガスが流出する先は真空搬送室である。しかしながら真空搬送室は、その内部が真空雰囲気に保たれるように、常時、真空排気が行われている。このため、処理モジュールから、ロードロック室に処理ガスが直接流入するといった問題は存在せず、引用文献２に記載の目的でロードロック室内を真空排気する必要はない。  
一方で、腐食原因物質がウエハに付着した状態のまま真空搬送室を通過してしまった場合には、大気雰囲気下にて腐食性の物質が放出される既述の問題を解決することはできない。
【００１１】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、処理室内で基板に付着した物質の大気雰囲気への持ち出しを抑制することが可能な基板搬送方法、基板処理装置、及び前記方法を記憶した記憶媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る基板搬送方法は、内部の雰囲気を大気雰囲気と真空雰囲気との間で切り替え自在に構成された予備真空室と、真空雰囲気下にて、基板搬送機構により基板の搬送が行われる真空搬送室とを介し、大気雰囲気下で基板を収容するキャリアと、真空雰囲気下にて基板に対する処理が行われる処理室との間で基板を搬送する基板搬送方法であって、
前記基板搬送機構により、処理後の基板を前記処理室から取り出し、前記予備真空室へ向けて前記真空搬送室内を搬送する工程と、
真空雰囲気に切り替えられた前記予備真空室内に、前記処理後の基板を搬入する工程と、
次いで、前記予備真空室内の圧力が、前記処理後の基板搬送時の真空搬送室内の圧力よりも低くなるように、当該予備真空室内を真空排気する工程と、
前記真空排気後の予備真空室内を大気雰囲気に切り替えてから、前記キャリアへ向けて基板を取り出す工程と、を含み、
前記予備真空室には、処理後の基板を冷却するための冷却機構を備えた載置台と、基板を前記載置台よりも上方側にて支持する支持位置と、基板を当該載置台に載置するために、載置台よりも下方側に退避した退避位置との間を昇降する支持ピンとが設けられ、
前記予備真空室内を真空排気する工程は、前記支持ピンが前記支持位置にて処理後の基板を支持した状態で開始されることを特徴とする。
【００１３】
前記基板搬送方法は以下の特徴を備えていてもよい。  
（ａ）前記真空搬送室内の圧力は、基板の処理時における前記処理室内の圧力よりも低いこと。
（ｂ）前記予備真空室内の基板を取り出す工程は、前記支持ピンを前記退避位置まで降下させて、当該基板を前記載置台上に載置した後に行われること。
（ｃ）前記処理室内にて基板に対して行われる処理は、大気雰囲気下にて基板から腐食性の物質を放出する腐食原因物質が生成される処理を含むこと。前記真空搬送室は、前記腐食原因物質と反応して大気雰囲気下での前記腐食性の物質の放出を抑えるための反応ガスを含む圧力調整ガスにより圧力調整されていること。前記腐食性の物質は、塩素を含み、前記反応ガスは還元性のガスであること。
【発明の効果】
【００１４】
本発明は、処理後の基板を処理室から取り出して予備真空室に搬入した後、予備真空室の圧力が基板搬送時の真空搬送室内の圧力よりも低くなるように真空排気を行うので、基板に付着していた物質が予備真空室で放出される。この結果、処理室内で基板に付着した物質が大気雰囲気に持ち出されることを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】処理モジュールを備えた基板処理装置の平面図である。
【図２】前記基板処理装置に設けられているロードロック室の縦断側面図である。
【図３】前記ロードロック室の真空排気系統の構成図である。
【図４】前記基板処理装置に設けられている真空搬送室の縦断側面図である。
【図５】前記ロードロック室と処理モジュールとの間を搬送されるウエハの周囲の圧力の変化を示す説明図である。
【図６】前記処理モジュール内における処理ガスの供給、排気シーケンス図である。
【図７】前記ロードロック室の第１の作用図である。
【図８】前記ロードロック室の第２の作用図である。
【図９】前記ロードロック室の第３の作用図である。
【図１０】前記ロードロック室の第４の作用図である。
【図１１】低真空雰囲気におけるウエハの表面の模式図である。
【図１２】高真空雰囲気におけるウエハの表面の第１の模式図である。
【図１３】高真空雰囲気におけるウエハの表面の第２の模式図である。
【図１４】前記ロードロック室の真空排気系統の作用図である。
【図１５】ウエハの周囲の圧力状態の変化の他の例を示す説明図である。
【図１６】前記真空搬送室の他の例を示す縦断側面図である。
【図１７】予備実験の結果を示す説明図である。
【図１８】実施例の結果を示す第１の説明図である。
【図１９】実施例の結果を示す第２の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の実施の形態として、例えばＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法により、基板であるウエハに対する成膜を行う複数の処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４を備えた基板処理装置１の例について説明する。図１に示すように、基板処理装置１は、処理対象のウエハＷを所定枚数、例えば２５枚収容したキャリアＣが載置されるキャリア載置台１１と、キャリアＣから取り出されたウエハＷを大気雰囲気下で搬送する大気搬送室１２と、内部の状態を大気雰囲気と真空雰囲気とに切り替えてウエハＷを待機させるためのロードロック室（予備真空室）ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３と、真空雰囲気下でウエハＷの搬送が行われる真空搬送室ＴＭと、ウエハＷに成膜処理を施すための処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４と、を備えている。これらの機器は、ウエハＷの搬入方向から見て、キャリア載置台１１、大気搬送室１２、ロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３、真空搬送室ＴＭ、処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４の順に並んでおり、隣り合う機器同士はドアＧ１、ドアバルブＧ２やゲートバルブＧ３〜Ｇ４を介して気密に接続されている。
【００１７】
大気搬送室１２内にはキャリアＣからウエハＷを１枚ずつ取り出して、搬送するための、回転、伸縮、昇降及び左右への移動自在な搬送アーム１２１が設けられている。また大気搬送室１２の側面には、ウエハＷの位置合わせを行うためのオリエンタを内蔵したアライメント室１４が設けられている。
【００１８】
ロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３は、大気搬送室１２と真空搬送室ＴＭとの間を繋ぐように、キャリア載置台１１側から見て左右方向に３個並べて設けられている。  
図２に示すように各ロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３には、搬入されたウエハＷを下面側から支持する支持ピン１６２を備えた載置台１６が設けられている。支持ピン１６２は、不図示の昇降機構に接続され、載置台１６よりも上方側にてウエハＷを支持する支持位置と、ウエハＷを載置台１６に載置するために、載置台１６よりも下方側に退避した退避位置との間を昇降する。載置台１６の上面には、載置台１６の上面から僅かに浮いた状態でウエハＷを保持する複数のウエハ保持部１６５が設けられている。
【００１９】
載置台１６の内部には、不図示の冷媒供給部から供給された冷媒、例えば冷却水が流れる冷媒流路１６１が形成され、載置台１６上に載置されたウエハＷを冷却することができる。冷媒流路１６１は載置台１６に設けられたウエハＷの冷却機構に相当する。  
このほか、ロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３には、内部の真空排気を行う真空ポンプ５１、５２などが接続されているが、その詳細な構成は後述する。
【００２０】
図１に示すように真空搬送室ＴＭは、例えばその平面形状が七角形状に形成され、その内部は真空雰囲気となっている。真空搬送室ＴＭの手前側の３辺には既述のロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３が接続される一方、残る４辺には処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４が接続されている。真空搬送室ＴＭ内には、ロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３と各処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４との間でウエハＷを搬送するための基板搬送機構であり、回転及び伸縮自在な搬送アーム１３１が設置されている。
【００２１】
図４に示すように、真空搬送室ＴＭには、その内部を真空排気するための排気管２１１が接続され、排気管２１１の下流側には、開閉バルブＶ１１を介して真空ポンプ２１２が設けられている。また真空搬送室ＴＭには、真空搬送室ＴＭ内に圧力調整用のガスとして不活性ガス、例えば窒素ガスを供給するための圧力調整ガス供給管２２１が接続されている。圧力調整ガス供給管２２１の上流側には、圧力制御バルブＰＣＶ、および、開閉バルブＶ１２を介して窒素ガス供給部２２２が設けられている。
【００２２】
圧力制御バルブＰＣＶは、真空搬送室ＴＭに設けられた圧力計２３の指示値と、予め設定された圧力設定値とを比較し、これらの指示値の差分値に基づいて、真空搬送室ＴＭ内の圧力が圧力設定値（例えば１００Ｐａ）に近づくように窒素ガスの供給量を増減する圧力調整機能を有する。
【００２３】
本例の基板処理装置１に設けられている処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４は、ウエハＷに対して例えば共通の成膜処理を行う。真空搬送室ＴＭ内を搬送されたウエハＷは、他のウエハＷの成膜処理を実行していない、待機中の処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４に１枚ずつ搬入されて成膜処理が行われる。各処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４では、真空雰囲気の処理室（処理容器）内に配置された載置台４１にウエハＷが載置され、載置台４１上で加熱されたウエハＷの表面に処理ガスを供給して成膜処理が行なわれる。
【００２４】
処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４内のウエハＷは、例えば数百℃に加熱され、その表面に供給された処理ガスが反応して成膜処理が実行される。本例ではウエハＷの表面に原料ガス吸着させた後、当該原料ガスと反応する反応ガスを供給して反応生成物の原子層や分子層を形成し、これらの処理を繰り返し行って積層膜を形成するＡＬＤ法により成膜を行う場合を例に挙げて説明する。具体的には原料ガスである四塩化チタン（ＴｉＣｌ４）と、反応ガスであるアンモニア（ＮＨ３）とを反応させて、窒化チタン（ＴｉＮ）膜を形成する場合を例示する。  
但し、処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４にて実行される成膜処理の種類に特段の限定はなく、加熱されたウエハＷの表面に原料ガスを供給して成膜反応を進行させるＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて成膜を行ってもよい。
【００２５】
ウエハＷを加熱する手法としては、ウエハＷが載置される載置台４１にヒーターを設けてもよいし、さらに処理室の壁面にヒーターを設けたホットウォール方式を採用してもよい。また、処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４に処理ガスをプラズマ化するプラズマ形成部を設け、活性化された処理ガスをウエハＷに供給する構成としてもよい。  
また各処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４は、不図示の真空ポンプに接続され、処理室内が予め設定した処理圧力となるように、圧力調整を行うことができる。処理室内は、例えば真空搬送室ＴＭとの間のウエハＷの搬入出時には、真空搬送室ＴＭと共通の圧力（例えば１００Ｐａ）に調整され、ウエハＷの処理時には例えば４００Ｐａに圧力調整されて成膜処理が行われる。
【００２６】
さらに図１〜図４に示すように、この基板処理装置１には、制御部３が設けられている。制御部３は不図示のＣＰＵ（Central Processing Unit）と記憶部とを備えたコンピュータからなり、この記憶部には上述したウエハＷの処理動作を実行させる制御信号を出力するためのステップ（命令）群が組まれたプログラムが記録されている。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリカードなどの記憶媒体に格納され、そこから記憶部にインストールされる。
【００２７】
以上に説明した構成を備えた基板処理装置１において、処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４内では原料ガスであるＴｉＣｌ４と反応ガスであるＮＨ３との反応によりＴｉＮ膜の成膜が行われる。このとき、既述のように複雑な形状のウエハＷの表面にて未反応の原料ガス（ＴｉＣｌ４）や反応が途中まで進行した反応ガス（例えばＴｉＣｌ３）が付着した状態で大気搬送室１２まで搬出されると、これらの付着物質が大気中の水分と反応して塩化水素などの塩素を含む腐食性の物質を放出するおそれがある。この観点において、ウエハＷに付着したＴｉＣｌ４やＴｉＣｌ３は腐食原因物質に相当している。
【００２８】
そこで、本例の基板処理装置１は、処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４から搬出された処理後のウエハＷをロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３内で高真空雰囲気下に晒し、ウエハＷの表面からこれらの腐食原因物質を除去する機能を備えている。  
以下、当該機能を実現するための構成を図２、図３を参照しながら説明する。
【００２９】
図２に示すように、各ロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３は、真空搬送室ＴＭとの間で行きウエハ（キャリア載置台１１側から処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４側へ搬送されるウエハＷのこと。）の搬送を行う際に、当該ロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３内の圧力が、真空搬送室ＴＭと共通の圧力（例えば１００Ｐａ）となるように真空排気を行う、行きウエハ用ポンプである低真空ポンプ（第１の真空ポンプ）５２に接続されている。ロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３は、低真空排気管１６４を介して低真空ポンプ５２に接続され、この低真空排気管１６４には開閉バルブ２２が介設されている。ここで真空搬送室ＴＭとロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３とが「共通の圧力である」とは、双方の圧力が厳密に一致している場合に限定されない。真空搬送室ＴＭとロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３との間でのウエハＷの搬入出にあたって、ゲートバルブＧ３を開いて両空間ＴＭ、ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３を自由に連通させ、ウエハＷの搬入出を支障なく行える程度の圧力差があってもよい。
【００３０】
また低真空排気管１６４において、ロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３との接続部と開閉バルブ２２との間の位置には、ロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３の内部を大気雰囲気に切り替える際に、ロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３内が過加圧状態になることを防ぐリークバルブＶ２３が接続されている。
【００３１】
さらに各ロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３には、戻りウエハ（処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４側からキャリア載置台１１側へ搬送されるウエハＷのこと。）の搬送を行う際に、当該ロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３内の圧力が、真空搬送室ＴＭよりも低い圧力（例えば０．０１〜０．１Ｐａ）となるように真空排気を行う、戻りウエハ用ポンプである高真空ポンプ（第２の真空ポンプ）５１が接続されている。ロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３は、高真空排気管１６３を介して高真空ポンプ５１に接続され、この高真空排気管１６３には開閉バルブ２１が介設されている。
【００３２】
図３は、基板処理装置１に設けられた３個のロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３の真空排気系統を示している。図３に示すように、各ロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３に接続された低真空排気管１６４は互いに合流して共通の低真空ポンプ５２に接続されている。また、各ロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３に接続された高真空排気管１６３も互いに合流し、共通の高真空ポンプ５１に接続されている。  
なお、図３及び後述の図１４においては、ロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３に設けられた開閉バルブＶ２１、Ｖ２２、リークバルブＶ２３を識別するために、各符号の後に「ａ〜ｃ」の識別符号を付してある。
【００３３】
以下、図５〜図１３を参照しながら本例の基板処理装置１の動作について説明する。ここで図５は、真空搬送室ＴＭを介してロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３と、処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４との間を搬送されるウエハＷの周囲の圧力の変化を示している。
【００３４】
ウエハＷを収容したキャリアＣがキャリア載置台１１上に載置されると、当該キャリアＣ内のウエハＷが、搬送アーム１２１によって順番に取り出される。搬送アーム１２１に保持されたウエハＷは、大気搬送室１２内を搬送される途中でアライメント室１４にて位置決めをされた後、ウエハＷを収容していないいずれかのロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬ３に受け渡される。このとき、図５の時刻（１）に示すように、当該ウエハＷが搬入されたロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬ３内は、大気雰囲気（大気圧）となっている。
【００３５】
ウエハＷがロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬ３に収容され、ドアバルブＧ２を閉じたら、開閉バルブ２２を開き、低真空ポンプ５２を稼働させて真空排気を行う。ロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３内が、真空搬送室ＴＭと共通の圧力となったら（図５の時刻（２））、ゲートバルブＧ３を開き、搬送アーム１３１にウエハＷを受け渡す。搬送アーム１３１に受け渡されたウエハＷは、当該ウエハＷを受け入れ可能な処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４に向けて真空搬送室ＴＭ内を搬送される（図５に示す期間「ＴＭ（Ｉ）」）。
【００３６】
当該ウエハＷに対して成膜処理を実行する処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４内は、真空搬送室ＴＭと共通の圧力に調整されており、搬送アーム１３１によってウエハＷが搬送されてくると、ゲートバルブＧ４を開いて搬送アーム１３１を進入させる。そして、不図示の昇降ピンなどを介して搬送アーム１３１から載置台４１にウエハＷが受け渡されたら、搬送アーム１３１を退避させゲートバルブＧ４を閉じる。
【００３７】
しかる後、処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４内の圧力が成膜処理時の圧力となるように、圧力調整を開始する（図５の時刻（３））。圧力調整を終えたら、処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４にＴｉＣｌ４（原料ガス）とＮＨ３（反応ガス）とを交互に供給してウエハＷに対する成膜処理を実行する（図５の期間（４））。
【００３８】
図６（ａ）は、成膜処理時における原料ガスや反応ガスなどの処理ガスの供給、排気シーケンスを模式的に示している。図中の右上がりのハッチを付したカラムはＴｉＣｌ４の供給期間を示し、右下がりのハッチを付したカラムはＮＨ３の供給期間を示している。また、白抜きのカラムは、例えば不活性ガスを供給しながら、処理室内のＴｉＣｌ４またはＮＨ３を排気するパージ期間であり、網掛けハッチを付したカラムは成膜処理後の真空排気期間を示している。
【００３９】
図６（ａ）に示すように、処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４には、「ＴｉＣｌ４→パージ→ＮＨ３→パージ→ＴｉＣｌ４→…」の順に、パージを挟んでＴｉＣｌ４とＮＨ３とが交互に供給され、このサイクルが数十〜数百回繰り返される。この結果、ウエハＷの表面に吸着したＴｉＣｌ４に対してＮＨ３が反応しＴｉＮ層が形成され、このＴｉＮ層が積層されてＴｉＮ膜となる。
【００４０】
ここで、ＴｉＣｌ４やＮＨ３の供給時間やパージの時間は、１サイクル毎に形成されるＴｉＮ層の厚さなどに応じて適宜、設定される。このとき形成されるＴｉＮ層は、ＡＬＤ法の呼称に応じて原子層（または分子層）程度の厚さである場合に限定されない。各サイクルにおいて、原子層や分子層よりも厚いＴｉＮ層を形成してもよい。
【００４１】
また図６（ｂ）は、最終サイクルに供給されるＮＨ３の供給時間を長くした場合の供給、排気シーケンスを示している。図６（ａ）に示した例では、最終サイクルにて供給されたＴｉＣｌ４に対しては、先行するサイクルと同様の時間にて１回だけＮＨ３が供給されるに過ぎない。このため、未反応のＴｉＣｌ４や反応途中のＴｉＣｌ３がウエハＷの表面に比較的多く残存してしまうおそれもある。そこで、最終サイクルに供給されるＮＨ３の供給時間を長くして、ＴｉＣｌ４と十分に反応させることにより、これら腐食原因物質の残存量を減らしている。
【００４２】
以上に説明した成膜処理を終えたら、最終サイクルのパージを停止し、処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４内を真空排気する（図６（ａ）、（ｂ）の網掛けハッチを付したカラム）。そして内部の圧力が真空搬送室ＴＭと共通になったら（図５の時刻（５））、ゲートバルブＧ４を開いて搬送アーム１３１を進入させ、載置台４１から搬送アーム１３１に処理後のウエハＷを受け渡す。
【００４３】
搬送アーム１３１に受け渡されたウエハＷは、当該ウエハＷを受け入れ可能なロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３に向けて真空搬送室ＴＭ内を搬送される（図５に示す期間「ＴＭ（ＩＩ）」）。ここで、成膜処理時に加熱されたウエハＷは、処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４から搬出される際には、その温度が数百℃になっているが、真空雰囲気である真空搬送室ＴＭ内を搬送される際にはウエハＷの温度は大幅には低下しない。
【００４４】
さらに図５に示す、成膜期間（４）におけるウエハＷの周囲の圧力（例えば４００Ｐａ）と、真空搬送室ＴＭ内を搬送されるウエハＷの周囲の圧力（例えば１００Ｐａ）とを比較して分かるように、ウエハＷは成膜処理時よりも低圧の雰囲気に置かれている。この結果、既述の腐食原因物質（ＴｉＣｌ４やＴｉＣｌ３など）が付着した状態でウエハＷが処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４から取り出されたとしても、高温に維持され、より低い圧力雰囲気中を搬送されるウエハＷの表面からは、腐食原因物質が放出される。放出された腐食原因物質は、排気管２１１を介して外部へ排出される。
【００４５】
特に、ＴｉＣｌ３は、ＴｉＣｌ４と比べて蒸気圧が低く、ウエハＷに付着してしまった場合には、放出されにくい物質である。このような物質であっても、成膜処理時よりも低い圧力雰囲気中にウエハＷを晒すことにより、ウエハＷの表面からの放出が促進される。
【００４６】
こうして真空搬送室ＴＭ内を搬送されたウエハＷは、他のウエハＷを収容していないロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３に搬入される。このとき、ロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３内の圧力は、真空搬送室ＴＭと共通の圧力に調整されており（図５の時刻（６））、ゲートバルブＧ３を開くと、ロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３内に搬送アーム１３１が進入する。
【００４７】
ロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３内に搬入されたウエハＷは、載置台１６に載置されて冷却されるが、数百℃もの高温のウエハＷを冷却する際に、ウエハＷの面内に温度分布が形成されていると、ウエハＷに反りが発生する原因となる。搬送アーム１３１に保持されて搬送されてきたウエハＷの面内には、当該搬送アーム１３１との接触部分および近接部分と、それ以外の部分とでウエハＷの面内に温度分布が形成されている場合があるので、面内の温度を均一にしてから載置台１６上に載置する必要がある。
【００４８】
そこで、ロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３内に搬入されたウエハＷは、図７に示すように、載置台１６の上方側の支持位置まで上昇した支持ピン１６２上に受け渡された後、当該位置で所定時間だけ待機させられる。この期間中にウエハＷ内の伝熱等により面内の温度が均一になり、載置台１６上に載置しても反りが発生しない状態となる。
【００４９】
さらに本例の基板処理装置１においては、成膜処理時の圧力よりも低い圧力に調整されている真空搬送室ＴＭ内を通過させた際にもウエハＷから放出されず、ウエハＷに残存している腐食原因物質を除去するために、当該ウエハＷを高真空雰囲気に晒す処理を行う。当該処理は、ウエハＷの面内温度を均一にするための既述の待ち時間を利用して行われる。
【００５０】
即ち、支持ピン１６２によってウエハＷが載置台１６の上方側に支持されている所定のタイミングにて（図５の時刻（７））、図８に示すようにゲートバルブＧ３を閉じ、ロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３内を高真空ポンプ５１により排気する。この結果、ロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３内の圧力は、例えば０．０１〜０．１Ｐａ程度まで低下する（図５の時刻（８））。
【００５１】
ここで図１１〜図１３を用い、上述の操作の前後でウエハＷの表面に発生する現象を説明する。図１１〜図１３は、ウエハＷの表面に形成された、アスペクト比の大きなパターン構造７の一部を示している。  
例えば図１１は、高真空ポンプ５１を稼働させる前の低真空雰囲気下におけるパターン構造７の周囲の様子を示している。パターン構造７の周囲にはロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３の圧力雰囲気を形成している窒素分子６１が存在し、当該パターン構造７の表面に残存している腐食原因物質６２は、真空搬送室ＴＭ内を搬送される際にもウエハＷから放出されなかったものなので、真空搬送室ＴＭと共通の圧力雰囲気では、これ以上、放出されにくい。
【００５２】
そこで、高真空ポンプ５１を用いてロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３内の圧力を、真空搬送室ＴＭ内の圧力よりも低くし、高真空雰囲気を形成すると、より蒸気圧の低い腐食原因物質６２がパターン構造７から放出される（図１２）。また、高真空雰囲気下では、ロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３の壁面などに吸着している水分６３が放出され、腐食原因物質６２と水分６３の相対的な濃度が上昇するので、腐食原因物質６２と水分６３との接触頻度が高くなり、相互の反応が進んでパターン構造７から除去される（図１３）。腐食原因物質６２は、例えばこれらのメカニズムにより、ウエハＷから除去されると考えられる。
【００５３】
高真空ポンプ５１により、ロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３内を高真空雰囲気とした後、所定時間が経過して、ウエハＷの温度が面内で均一となるタイミングとなったら、支持ピン１６２を退避位置まで降下させ、載置台１６上にウエハＷを載置する（図９）。そして、高真空雰囲気に晒されたウエハＷの表面から腐食原因物質６２が十分に放出された所定のタイミングにて（図５の時刻（９））、図１０に示すように開閉バルブＶ２１を閉じることで真空排気を停止し、不図示の窒素供給源からロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３内へ窒素を供給する。この結果、ロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３内の圧力が上昇し、大気圧雰囲気への切り替えが実行される（図５の時刻（１０））。またこのとき、ロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３内が過加圧状態となることを防ぐため、リークバルブＶ２３は開状態となっている。
【００５４】
ロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３内が大気圧雰囲気に切り替えられると、気体の熱伝達作用により、載置台１６上のウエハＷが冷却され、ロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３から搬出可能な温度に調整される。
【００５５】
ここで図３を用いて説明したように、本例の基板処理装置１においては、高真空排気管１６３及び低真空排気管１６４を介して、３個のロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３に各々高真空ポンプ５１、低真空ポンプ５２が接続されている。また各ロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３にはリークバルブＶ２３ａ〜Ｖ２３ｃも接続されている。この構成によれば、例えば図１４に示すように、各ロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３内を異なる圧力雰囲気に切り替えることが自在となる。
【００５６】
例えば図１４は、ロードロック室ＬＬＭ１を高真空雰囲気（高真空ポンプ５１による排気）に調整し、ロードロック室ＬＬＭ２を低真空雰囲気（低真空ポンプ５２による排気）に調整すると共に、ロードロック室ＬＬＭ３を大気雰囲気に切り替えた状態を示している。  
なお、ロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３に共通の高真空ポンプ５１、低真空ポンプ５２を設けることは必須の要件ではなく、各々のロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３に個別に高真空ポンプ５１と同等の排気能力を有した真空ポンプを設けてもよい。
【００５７】
載置台１６上のウエハＷの温度調整が完了したら、ドアバルブＧ２を開き、ロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３からウエハＷを取り出して、大気搬送室１２内を搬送し、ウエハＷを元のキャリアＣに収容する。
【００５８】
本実施の形態に係わる基板処理装置１によれば以下の効果がある。成膜処理後のウエハＷを処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４から取り出してロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３内に搬入した後、その内部の圧力がウエハＷ搬送時の真空搬送室ＴＭ内の圧力よりも低くなるように真空排気を行うので、ウエハＷに付着していた腐食原因物質６２がロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３内で放出される。この結果、処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４内で基板に付着した腐食原因物質６２が大気雰囲気に持ち出されることを抑制できる。
【００５９】
また、大気雰囲気と真空雰囲気との間の切り替えが頻繁に行われるロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３は、一般的に、真空搬送室ＴＭよりも容積が小さく、少ない動力で高真空を実現できる。さらには、ウエハＷの冷却を行うロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３を活用して、ウエハＷから腐食原因物質６２を放出させることにより、処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４や真空搬送室ＴＭを利用してこのような処理を行う場合に比べて、成膜処理や搬送のスケジュールへ与える影響を小さくできる。
【００６０】
ここで、ロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３と、処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４との間を搬送されるウエハＷの周囲の圧力の変化は、図５に示した例と同じでなくてもよい。例えば処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４内に残存している原料ガスや反応ガスの真空搬送室ＴＭ側への流出を抑えるため、図１５の期間（５）’に示すように、処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４内の圧力が真空搬送室ＴＭ内の圧力よりも低くなるように、一旦、高真空排気を行い、その後、ゲートバルブＧ４を開いてウエハＷの搬出を行ってもよい。この場合においても、ロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３の圧力が成膜処理時の処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４内の圧力よりも低くなっていることにより、ウエハＷに付着した腐食原因物質６２の放出を促進することができる。
【００６１】
但し、処理後のウエハＷが搬送される真空搬送室ＴＭ内の圧力は、成膜処理時における処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４内の圧力よりも低く圧力調整されていることが必須というわけではない。例えば、真空搬送室ＴＭ内の圧力が成膜処理時の圧力と同じであっても、ロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３内でウエハＷを高真空雰囲気に晒すことにより、ウエハＷに付着している腐食原因物質６２を放出させることができる。このときの高真空雰囲気の圧力は低いほど好ましいが、真空搬送室ＴＭ内の圧力（即ち、成膜処理時の圧力）よりも低い圧力であれば、成膜時の条件に比べて、腐食原因物質６２の放出を進行させることができる。
【００６２】
さらには、ロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３には、真空排気能力が異なる２種類の低真空ポンプ５２、及び高真空ポンプ５１を設けることは必須ではない。所定の真空排気能力を持つ１種類の真空ポンプ５２を用いて、真空引きの時間を変化させることにより、ロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３内を低真空状態または高真空状態に調整することもできる（後述の実施例参照）。
【００６３】
図１６は、反応ガスであるアンモニア（ＮＨ３）を含む圧力調整用のガスを真空搬送室ＴＭに供給できるように、圧力調整ガス供給管２２１にアンモニアガス供給部２２３を接続した例を示している。アンモニアは、既述の成膜処理の例にて生成する腐食原因物質６２（ＴｉＣｌ４やＴｉＣｌ３）と反応し、安定なＴｉＮを生成する還元性のガスであるので、アンモニアを供給することにより、大気雰囲気下でのウエハＷからの腐食性の物質の放出を抑えることができる。なお、真空搬送室ＴＭに供給される圧力調整用のガスは、窒素ガスとアンモニアとの混合ガスに限定されず、アンモニアのみを供給してもよい。また、アンモニアのように腐食性のガスを真空搬送室ＴＭ内に供給する場合には、搬送アーム１３１の駆動部の周囲に窒素ガスなどのパージガスを供給してもよい。
【００６４】
さらに、本例の基板処理装置１において、真空搬送室ＴＭや高真空雰囲気に調整されたロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３内でウエハＷから除去する対象の物質は、腐食原因物質６２に限られない。例えば、大気雰囲気中に放出されたとき、周囲の環境に影響を与える物質を除去してもよい。
【００６５】
そして、処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４内で実行される反応の種類や得られる膜の種類は、ＴｉＣｌ４とＮＨ３との反応によりＴｉＮ膜を得る場合に限定されない。例えば、原料ガスである六塩化タングステン（ＷＣｌ６）と、反応ガス（還元ガス）である水素（Ｈ２）とを用いてタングステン膜を成膜してもよい。
【００６６】
これらに加え、上述の実施形態では処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４にて実施される処理の種類として成膜を行う成膜処理を例示したが、処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４にて実施される処理の種類はこれに限定されない。例えば、アンモニアガスを供給しながらプラズマ処理を施して、ウエハＷの表面の薄膜を窒化する窒化処理、ウエハＷを加熱するアニール処理、エッチングガスによりウエハＷの表面の薄膜を除去するエッチング処理や、エッチングの後、ウエハＷ表面のレジスト膜をプラズマで分解、除去するプラズマアッシング処理を行う処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４などを設けてもよい。これらの処理においても処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４から取り出されたウエハＷに、高真空雰囲気下で放出可能な物質が付着している場合には、本発明を適用することができる。
【００６７】
そして、基板処理装置１における処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４やロードロック室ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３の設置台数や処理の種類や組み合わせは、必要に応じて適宜、変更してよい。例えば、処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４にて互いに異なる種類の処理が実行される構成とし、予め設定された順番にて、これらの処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４に逐次、ウエハＷを搬入して処理を行ってもよい。
【実施例】
【００６８】
（予備実験）  
ウエハＷの表面積を変化させてＴｉＮ膜の成膜を行った後、大気雰囲気下で放出される腐食性の物質の濃度を測定した。  
Ａ．実験条件  
表面積が異なるウエハＷに対して、原料ガスであるＴｉＣｌ４と反応ガスであるＮＨ３とを異なる反応温度で反応させて成膜処理を行った。しかる後、ウエハＷを大気雰囲気中に置き、ウエハＷの直上１０ｍｍの高さ位置にて腐食性の成分である塩素濃度を測定した。  
（参照例１）パターンが形成されていないフラットなウエハの表面積を１としたとき、表面積の倍率が１倍、５倍、１０倍のウエハＷに対し、反応温度５３０℃の条件下でＴｉＮ膜を成膜した。  
（参照例２）表面積の倍率が１倍、５倍のウエハＷに対し、反応温度４４０℃の条件下でＴｉＮ膜を成膜した。
【００６９】
Ｂ．実験結果  
予備実験の結果を図１７に示す。図１７の横軸は、ウエハＷの表面積倍率、縦軸はウエハＷの上方で測定された塩素濃度を示している。また、参照例１の結果は白抜き三角でプロットし、参照例２の結果は白抜きの丸でプロットしてある。  
予備実験の結果によれば、ウエハＷの表面積倍率が大きくなるほど、塩素濃度が高くなり、反応温度が低くなるほど塩素濃度が高くなっている。これらの結果によれば、ウエハＷの表面積倍率が大きく、複雑になるほどウエハＷに腐食原因物質６２が残存し、また反応温度が低いほど、反応が進行しにくく未反応の腐食原因物質６２がウエハＷに残存する傾向があることが分かる。
【００７０】
（実験）  
従来、ロードロック室ＬＬＭに接続されている真空ポンプを用いて、ロードロック室ＬＬＭ内を真空引きする時間を変化させ、ロードロック室ＬＬＭの到達圧力（最低圧力）及び各条件におけるウエハＷの直上１０ｍｍの高さ位置での塩素濃度を測定した。  
Ａ．実験条件  
（実施例１）真空ポンプを用いて真空搬送室ＴＭと同じ圧力に調整されたロードロック室ＬＬＭ内に、ＴｉＮ膜の成膜後のウエハＷを３０秒載置した後、塩素濃度の測定を行った
（実施例２）真空ポンプにより真空引きの時間が３０秒間追加されている点以外は、実施例１と同様の条件で塩素濃度の測定を行った。
（実施例３）真空ポンプにより真空引きの時間が６０秒間追加されている点以外は、実施例１と同様の条件で塩素濃度の測定を行った。
（実施例４、５）真空ポンプにより真空引きの時間が１２０秒間追加されている点以外は、実施例１と同様の条件で塩素濃度の測定を行った。
【００７１】
Ｂ．実験結果
実施例１〜５の結果を図１８、図１９に示す。図１８の横軸は、ロードロック室ＬＬＭの追加の真空引き時間を示し、縦軸は塩素濃度を示している。図１９の横軸は、ロードロック室ＬＬＭの到達圧力（最低圧力）を示し、縦軸は塩素濃度を示している。  
実施例１におけるロードロック室ＬＬＭの圧力は１０６Ｐａ、実施例２、３、４、５におけるロードロック室ＬＬＭの各々の到達圧力は、２、１．５、１．３、０．９Ｐａであった。この結果によれば、追加の真空引き時間を長くするほど、到達圧力が低くなる傾向がある。
【００７２】
図１８、図１９に示した結果によれば、追加の真空引きの時間を長くするほど、ウエハＷから放出される塩素濃度が低くなり、またロードロック室ＬＬＭ内の到達圧力が低くなるほど、塩素濃度が低くなる傾向が確認できる。従って、高真空雰囲気に調整されたロードロック室ＬＬＭにウエハＷを置くことにより、ウエハＷに付着している腐食原因物質６２を放出させる効果があることが確認できた。
【符号の説明】
【００７３】
ＬＬＭ１〜ＬＬＭ３
ロードロック室
ＰＭ１〜ＰＭ４
処理モジュール
ＴＭ        真空搬送室
Ｗ          ウエハ
１          基板処理装置
１６        載置台
１６２      支持ピン
２１２      真空ポンプ
２２１      圧力調整ガス供給管
２２２      窒素ガス供給部
２２３      アンモニアガス供給部
３          制御部
５１        高真空ポンプ
５２        低真空ポンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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