(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリア（４）、半導体積層体（２）および金属層（３）をそれぞれ有する複数の半導体チップからなる集合体であって、
前記キャリアに、分離溝（４５）が形成されており、
前記金属層（３）は、前記集合体において前記集合体を保持する唯一の層であり、
前記金属層（３）は、前記半導体積層体（２）に面しているミラー層（３１）と、結合層（３２）とを備え、
前記金属層（３）の全ての層（３１、３２）は、前記集合体の領域全体にわたり延在している、
集合体。
【請求項２】
前記結合層（３２）は、はんだ層である、
請求項１に記載の集合体。
【請求項３】
可撓性のキャリアである第１の補助キャリア（５１）を有し、
前記第１の補助キャリア（５１）は、前記金属層（３）とは反対の前記半導体積層体（２）の側に設けられる、
請求項１または請求項２に記載の集合体。
【請求項４】
第２の補助キャリア（５２）と、
前記半導体積層体（２）とは反対側の前記キャリア（４）の面に設けられた金属層（６）と、
を備え、
前記金属層（６）は、前記半導体積層体（２）と同様に、横方向に相互に分離された金属面に構造化され、
前記第２の補助キャリア（５２）は、前記半導体積層体（２）とは反対側の前記金属層（６）の面に設けられている、
請求項１から請求項３のいずれかに記載の集合体。
【請求項５】
前記金属層が、前記キャリアと前記半導体積層体との間に配置されている、
請求項１から請求項４のいずれかに記載の集合体。
【請求項６】
前記集合体が、前記半導体積層体から形成される個々の半導体ボディを画成するメサ溝を有する、
請求項１から請求項５のいずれかに記載の集合体。
【請求項７】
前記分離溝が、前記メサ溝に沿って形成されている、
請求項６に記載の集合体。
【請求項８】
前記分離溝が、前記キャリアを完全に貫いている、
請求項１から請求項７のいずれかに記載の集合体。
【請求項９】
前記半導体積層体とは反対側の前記キャリアの面に、さらなる金属層（６）が形成されており、前記さらなる金属層が、横方向に相互に分離された金属面に構造化されている、
請求項１から請求項８のいずれかに記載の集合体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集合体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハを半導体チップに個片化する場合、基板材料を切断するなど、さまざまな方法が公知である。しかしながら、多くの分離方法は、現れるさまざまな材料（例えば、半導体材料、金属、誘電体材料）によって効率が異なる。さらには、個片化された半導体チップが以降の工程のために組織的に整列して存在するように個片化ステップを実行するには、しばしば複雑な工程が要求される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
１つの目的は、簡単かつ高い信頼性で実行することのできる個片化方法を開示することである。さらには、本発明では、簡単な方法で製造することのできる半導体チップを開示する。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
これらの目的は、特に、独立特許請求項による方法および半導体チップによって達成される。さまざまな構造形態および利点は、従属特許請求項の主題である。
【０００５】
集合体を複数の半導体チップに個片化する方法の少なくとも一実施形態によると、集合体を設ける。集合体は、第１の主面と第２の主面の間に垂直方向に延在している。
【０００６】
本方法の少なくとも一実施形態によると、集合体は、キャリアを備えている。キャリアは、例えば半導体材料（例：シリコン、ゲルマニウム、リン化ガリウム、ガリウムヒ素）を含んでいる、またはこのような材料からなる。キャリアは、導電性または電気的絶縁性として具体化することができる。
【０００７】
本方法の少なくとも一実施形態によると、集合体は、半導体積層体を備えている。半導体積層体は、例えばＭＯＣＶＤまたはＭＢＥによって例えばエピタキシャルに堆積させる。半導体積層体は、キャリアの上に、またはキャリアとは異なる成長基板の上に配置することができる。一例として、半導体積層体は、放射を生成する目的で、もしくは、放射を受信する目的で、またはその両方の目的で設けられている活性領域を含んでいる。
【０００８】
一例として、半導体積層体は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料を含んでいる。ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料は、紫外線スペクトル領域における放射（ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ）から、可視スペクトル領域（特に青色〜緑色放射のためのＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ、または特に黄色〜赤色放射のためのＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＰ）、さらには赤外線スペクトル領域における放射（ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＡｓ）を生成する目的に特に適している。このとき各場合において、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１が成り立ち、特にこの場合、ｘ≠１、ｙ≠１、ｘ≠０、ｙ≠０の少なくとも１つが成り立つ。特に上に挙げた材料系のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料を使用する場合、放射の生成時に高い内部量子効率をさらに得ることができる。
【０００９】
本方法の少なくとも一実施形態によると、集合体は金属層を備えている。金属層は、単層として、または多層構造として具体化することができる。一例として、金属層は、半導体積層体に導電接続されている。さらに、金属層は、半導体積層体において生成または検出される放射のためのミラー層として具体化することができる。これらの放射に対する反射率は、一例として少なくとも６０％である。
【００１０】
本方法の少なくとも一実施形態によると、キャリアに分離溝を形成する。個片化された半導体チップにおいては、分離溝の側面は、特に、横方向における半導体チップの境界を画成する側面を形成する。特に、分離溝は、金属層とは反対側のキャリアの面から形成される。
【００１１】
横方向とは、半導体積層体の半導体層の主延在面に沿って延びる方向を意味するものと理解されたい。
【００１２】
実施形態の１つのバリエーションによると、半導体積層体に分離溝を形成する工程時に、メサ溝がすでに形成されている。メサ溝は、集合体が半導体チップに個片化されるときに半導体積層体から形成される個々の半導体ボディを画成する。一例として、メサ溝は、半導体積層体を完全に貫いている。言い換えれば、分離溝を形成する工程時、半導体積層体はすでに切断されている。分離溝は、特に、メサ溝に沿って形成される。
【００１３】
構造上の代替バリエーションによると、キャリアに分離溝を形成する工程時、半導体積層体も少なくとも部分的に切断される。したがって、後から個片化される半導体チップの個々の半導体ボディおよびキャリアボディは、共通の製造ステップにおいて画成される。
【００１４】
本方法の少なくとも一実施形態によると、分離溝は、化学的方法によって形成される。特に、溝は、プラズマ分離法によって、例えば深堀り反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）によって形成される。この方法は、「ボッシュ法」とも称される。
【００１５】
本方法の少なくとも一実施形態によると、分離溝は、キャリアを完全に貫いている。言い換えれば、集合体は、金属層のみによって互いに保持されている。
【００１６】
本方法の少なくとも一実施形態によると、集合体に機械的負荷を印加し、したがって、金属層が分離溝に沿って破壊され、集合体が半導体チップに個片化される。機械的負荷は、連続的に印加する、または２つ以上の分離溝に対して同時に、特にすべての分離溝に対して同時に印加することができる。個片化された半導体チップそれぞれは、特に、半導体積層体の一部と、キャリアの一部と、金属層の一部とを有する。
【００１７】
本方法の少なくとも一実施形態によると、機械的負荷は、集合体の主面に対して斜めに、または垂直に延びる方向における、集合体に対する圧力作用によって印加される。
【００１８】
機械的負荷は、一般的には、破壊を引き起こすのに適する力作用または圧力作用を意味するものと理解されたい。したがって、機械的負荷は、前処理された集合体の機械的負荷容量の限界を超えて印加される。これとは異なり、例えばソーイングなどの研磨法は、機械的負荷のために集合体が破壊される方法とはみなさない。
【００１９】
本方法の少なくとも一実施形態によると、機械的負荷は、液体ジェットまたは気体ジェットである。したがって、集合体の破壊を得る目的で、集合体にそのようなジェットを当てる。特に、ジェット媒体として二酸化炭素が使用される圧縮空気ジェット法（例えばＣＯ２スノージェットやドライアイスジェット）が適している。
【００２０】
これに代えて、またはこれに加えて、集合体に、圧力波を印加する。特に、音波、例えば超音波が適している。
【００２１】
本方法の少なくとも一実施形態においては、キャリアと、半導体積層体と、金属層とを備えた集合体を設ける。キャリアに分離溝を形成する。集合体に機械的負荷を印加し、その結果として、金属層が分離溝に沿って破壊され、集合体が半導体チップに個片化され、個片化された半導体チップそれぞれは、半導体積層体の一部、キャリアの一部、および金属層の一部を有する。
【００２２】
したがって、分離溝それぞれに沿って破壊縁部（breaking edge）が生じ、この破壊縁部において金属層が破壊される。このような破壊縁部は、不規則な構造を特徴とする。
【００２３】
説明した方法による、半導体チップへの集合体の個片化は、特に簡単に、高い費用効果で、かつ容易に自動化できる方法で実行できることが判明した。特に、個々の方法ステップを、比較的簡単に、かつ高い信頼性および再現性で実行することができる。さらに、本方法は、歩留り損失が小さいことを特徴とする。さらには、製造工程において使用される貴金属を、簡単な方法で分離してリサイクルすることができる。
【００２４】
本方法の少なくとも一実施形態によると、集合体が機械的負荷を受ける前、金属層は、集合体の領域全体にわたり延在している。すなわち、金属層は、横方向においてまったく構造化されていない。特に、キャリアに分離溝が形成された後、隣接する半導体チップそれぞれは、金属層を介して互いに機械的に結合されている。
【００２５】
本方法の少なくとも一実施形態によると、分離溝を形成するステップと、集合体に機械的負荷を印加するステップは、集合体の対向する面から実行される。分離溝を形成するとき、もしくは集合体に機械的負荷を印加するとき、またはその両方において、集合体を補助キャリアの上に配置することができる。適切な補助キャリアは、例えば膜、剛性のキャリア、またはプレートであり、この場合、集合体内に依然として位置している半導体チップ、またはすでに個片化された半導体チップが、真空によって吸引される（sucked up）。
【００２６】
本方法の少なくとも一実施形態によると、個片化の前に、集合体が補助キャリアに固定され、個片化の後、半導体チップが、さらなる処理のために補助キャリアの上に存在する。特に、半導体チップは、秩序構造において存在し、例えば、行列状に配置された状態で存在する。
【００２７】
本方法の少なくとも一実施形態によると、分離溝を形成する工程の後、分離溝がキャリア内に形成され始める側の集合体の面において、半導体積層体を補助キャリアに固定する。一例として、分離溝を形成する工程が上で実行される第１の補助キャリアから、機械的負荷が印加される工程が上で実行される第２の補助キャリアに、集合体を移載することができる。第１の補助キャリア、第２の補助キャリア、または第３の補助キャリアという補助キャリアの呼称は、説明を単純化する役割を果たすのみであり、必ずしも補助キャリアを使用する順序を意味するものではない。これら補助キャリアそれぞれは、補助キャリアの上述した特徴の少なくとも１つを有することができる。
【００２８】
本方法の少なくとも一実施形態によると、集合体に機械的負荷を印加する前に、少なくとも横方向に沿って、特に、２つの相互に垂直な方向に沿って、集合体に機械的応力（例えば圧縮応力または引張応力）をかける。一例として、この目的のため、集合体を固定する前に、膜として具体化された補助キャリアを広げる（expand）ことができる。
【００２９】
少なくとも一実施形態によると、半導体チップは、半導体ボディと、キャリアボディと、金属層とを備えており、これらは垂直方向に互いに上下に配置されている。金属層は、半導体チップの少なくとも１つの側面に破壊縁部を有する。
【００３０】
本半導体チップの少なくとも一実施形態によると、金属層は、垂直方向において半導体ボディとは反対のキャリアボディの側において半導体チップの境界を画成している。特に、金属層は、半導体チップの裏側コンタクトを形成することができる。
【００３１】
本半導体チップの少なくとも一実施形態によると、金属層は、キャリアボディと半導体ボディとの間に配置されている。金属層またはその部分層は、半導体ボディとキャリアボディとを凝集力によって結合する（cohesive connection）ための例えば結合層として具体化することができる。凝集力による結合の場合、好ましくはあらかじめ作製された結合要素が、原子間力や分子間力によって互いに保持される。凝集力による結合は、例えば結合媒体（例：接着剤やはんだ）によって得ることができる。一般的には、このような結合を分離するためには、結合媒体もしくは結合要素の少なくとも一方、またはこれらの両方の破壊を伴う。
【００３２】
集合体を半導体チップに個片化するための上述した方法は、半導体チップを製造するのに特に適している。したがって、本方法に関連して説明した特徴は、半導体チップにもあてはまり、逆も同様である。
【００３３】
以下では、例示的な実施形態について図面に関連して説明する。さらなる特徴、構造、および利点は、以下の説明から明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１Ａ】集合体を個片化する方法の第１の例示的な実施形態を概略断面図で示した中間ステップに基づいて示している。
【図１Ｂ】集合体を個片化する方法の第１の例示的な実施形態を概略断面図で示した中間ステップに基づいて示している。
【図１Ｃ】集合体を個片化する方法の第１の例示的な実施形態を概略断面図で示した中間ステップに基づいて示している。
【図１Ｄ】集合体を個片化する方法の第１の例示的な実施形態を概略断面図で示した中間ステップに基づいて示している。
【図１Ｅ】集合体を個片化する方法の第１の例示的な実施形態を概略断面図で示した中間ステップに基づいて示している。
【図２Ａ】集合体を個片化する方法の第２の例示的な実施形態を概略断面図で示した中間ステップに基づいて示している。
【図２Ｂ】集合体を個片化する方法の第２の例示的な実施形態を概略断面図で示した中間ステップに基づいて示している。
【図２Ｃ】集合体を個片化する方法の第２の例示的な実施形態を概略断面図で示した中間ステップに基づいて示している。
【図２Ｄ】集合体を個片化する方法の第２の例示的な実施形態を概略断面図で示した中間ステップに基づいて示している。
【図２Ｅ】集合体を個片化する方法の第２の例示的な実施形態を概略断面図で示した中間ステップに基づいて示している。
【図３Ａ】半導体チップの例示的な一実施形態を概略断面図として示している。
【図３Ｂ】半導体チップの例示的な一実施形態を概略断面図として示している。
【図３Ｃ】個片化された集合体の写真画像を平面図として示している。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
図面において、同じ要素、同じタイプの要素、または同じ機能の要素には、同じ参照数字を付してある。図面と、図面に示した要素の互いのサイズの関係は、正しい縮尺ではないものとみなされたい。むしろ、図を見やすくする、または本発明を深く理解できるようにする目的で、個々の要素および特に層の厚さを、誇張した大きさで示してあることがある。
【００３６】
図１Ａに示したように、第１の例示的な実施形態による本方法の場合、集合体１を設け、この集合体１は、垂直方向において第１の主面１１と第２の主面１２との間に延在している。
【００３７】
この例示的な実施形態においては、集合体１は、キャリア４と、半導体積層体２と、金属層３とを備えている。金属層３は、半導体積層体２とは反対側のキャリアの面に配置されている。
【００３８】
キャリア４は、例えば半導体材料（例：シリコン、ゲルマニウム、リン化ガリウム、ガリウムヒ素）を含んでいる、またはこのような材料からなる。これに代えて、キャリアは、例えばサファイアを含んでいる、またはこのような材料からなることができる。
【００３９】
半導体積層体２は、例えばＭＢＥまたはＭＯＣＶＤによってエピタキシャルに堆積させることが好ましい。半導体積層体には、特に、上に挙げたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料のうちの１種類が適している。
【００４０】
図を簡略化する目的で、半導体積層体２の構造の細部は明示的に示していない。半導体積層体２にはメサ溝２１が形成されており、メサ溝２１は、半導体積層体２を、互いに分離された半導体ボディ２０に分割している。メサ溝は、例えば湿式化学エッチングまたは乾式化学エッチングによって形成することができる。
【００４１】
金属層３は、単層として、または多層構造として具体化することができる。金属層は、一例として、金、アルミニウム、銀、白金、パラジウム、ロジウム、またはこれらの材料の少なくとも１種類を含む金属合金を含んでいる、またはこのような材料からなることができる。
【００４２】
垂直方向において、金属層３は、１００ｎｍ〜１０μｍの範囲内（両端値を含む）の厚さを有することが好ましい。
【００４３】
図１Ｂに示したように、キャリア４を、分離溝４５によって個々のキャリアボディに分割する。
【００４４】
分離溝４５は、化学的方法、特に乾式化学法によって形成されることが好ましい。プラズマ分離法（例えば深堀り反応性イオンエッチング）は、特に、シリコンベースのキャリア４の場合に特に適していることが判明した。深堀り反応性イオンエッチングによって、高いアスペクト比を有する（すなわち溝の幅に対する溝の深さの高い比を有する）分離溝を、簡単かつ高い信頼性で形成することができる。しかしながら、これに代えて、別の湿式化学エッチング法や乾式化学エッチング法、または湿式化学エッチング法と乾式化学エッチング法の組合せを採用することもできる。
【００４５】
図示した例示的な実施形態においては、分離溝４５は、メサ溝２１の領域に形成される。言い換えれば、分離溝を形成する工程時、キャリアの材料のみが除去される。
【００４６】
しかしながら、この変形形態においては、分離溝４５を形成する工程の前に、半導体積層体２が個々の半導体ボディにまだ分割されていない、または少なくとも完全には個々の半導体ボディに分割されていない方法も考えられる。この場合、分離溝は、半導体積層体２およびキャリア４を貫いて形成される。
【００４７】
分離溝４５は、第１の主面１１から形成する。第１の主面１１とは反対側の第２の主面１２において、集合体１を第１の補助キャリア５１に固定する。第１の補助キャリア５１は、例えば、可撓性のキャリア（例：膜）または剛性のキャリアとすることができる。
【００４８】
分離溝４５を形成する工程の後、キャリアボディ４０は、金属層３を介して依然として機械的に安定的に互いに結合されている。このように、個々のキャリアボディ４０の相対的位置の安定性は、金属層３によって簡単な方法で確保される。言い換えれば、キャリア４が切断された後、集合体１は、個片化されて完成した半導体チップに残っている層によって依然として互いに保持されている。
【００４９】
分離溝を形成する工程の後、集合体１を、第１の補助キャリア５１から第２の補助キャリア５２に移載する。この時点で、集合体１は、第１の主面１１の面において支持されており、したがって、第２の主面１２に自由にアクセス可能である（図１Ｃ）。キャリアボディ４０それぞれは、金属層３と第２の補助キャリア５２との間に配置されている。
【００５０】
第２の補助キャリア５２への移載は、集合体１に横方向における機械的応力（例えば引張応力または圧縮応力）がかかるように行うことができる。例えば、膜として具体化されている補助キャリアを広げることによって、次に機械的負荷が印加される過程において、集合体はすでに予応力を受けている。結果として個片化を支援することができる。しかしながら、このように予応力をかけるステップを省くこともできる。
【００５１】
集合体１、特に金属層３に、第２の主面１２から機械的負荷を印加する。機械的負荷としては、例えば液体ジェット８０が適している。液体としては、特に、水または蒸留水が適している。液体ジェットは、連続的に、またはパルス状に集合体１に印加することができる。
【００５２】
これに代えて、十分に高い圧力を有する気体ジェット（例えば圧縮空気、窒素、反応性ガス）を採用することもできる。ジェット媒体として二酸化炭素を用いる圧縮空気ジェット法（例えばＣＯ２スノージェットやドライアイスジェット）も、破壊を生じさせる機械的負荷を発生させるのに適している。
【００５３】
さらには、機械的負荷として、音波の機械的印加を採用することもできる。音波を印加する場合、周波数は、集合体１の材料および幾何学条件に適合するように選択されることが有利である。
【００５４】
上に挙げた機械的負荷の２つ以上の組合せ（例えば、超音波が印加される高圧ウォータージェット）を採用することもできる。
【００５５】
機械的負荷は、金属層が分離溝４５に沿って破壊されるように、金属層の負荷限界を超えて印加する。したがって、分離溝８の領域に破壊縁部８が生じ、破壊縁部８は、横方向において個々のキャリアボディ４０それぞれの上の金属層３の境界を画成する。
【００５６】
個片化の後、半導体チップ１０は、さらなる処理のため、組織的に整列して、特に行列状に、第２の補助キャリア５２の上に存在する（図１Ｄ）。さらなる方法ステップに応じて、オプションとして、図１Ｅに示したように、第３の補助キャリア５３へのさらなる移載を行うことができる。半導体チップ１０は、第１の主面１１が第３の補助キャリア５３とは反対側に配置されるように、第３の補助キャリア５３の上に存在する。したがって、半導体ボディ２０は、第３の補助キャリアとは反対側のキャリア４の面に配置される。
【００５７】
説明した本方法は、例えばフォトリソグラフィ法によって金属層３を構造化する製造ステップを必要としない。さらには、分離溝を形成するために、金属層を切断するには適していない方法、あるいは少なくとも除去速度が低すぎるために実用的ではない方法を採用することができる。
【００５８】
したがって、分離溝４５を形成する工程時、キャリア４の容易に除去可能な材料のみを除去すればよい。結果として、後からの個片化のため事前定義される破壊位置が、集合体１に定義され、集合体に機械的負荷が印加される結果として、事前定義された破壊位置に沿って金属層３が破壊される。
【００５９】
図３Ａは、完成した半導体チップ１０を断面図として概略的に示している。半導体チップ１０は、キャリアボディ４０と、半導体積層体を有する半導体ボディ２０と、金属層３とを備えている。半導体チップ１０は、横方向における境界が側面１１０によって形成されている。
【００６０】
金属層３は、半導体チップの裏側コンタクト７１を形成している。表側コンタクト７２は、キャリアボディ４０とは反対側の半導体ボディ２の面に配置されている。放射放出器として具体化されている半導体チップの場合、外部からの電圧がコンタクト７１，７２の間に印加される結果として、異なる側から半導体チップ２０の活性領域に電荷キャリアを注入することができ、電荷キャリアが活性領域において再結合して放射が放出される。半導体チップは、例えば、ルミネセンスダイオード（例：レーザダイオード、発光ダイオード）として具体化することができる。放射受信器として具体化されている半導体チップの場合、半導体チップの信号をコンタクト７１，７２において取り出すことができる。
【００６１】
キャリアボディ４０は、半導体ボディ２０の半導体積層体の成長基板から、または成長基板とは異なるキャリアから形成することができる。
【００６２】
金属層３それぞれは、側面１１０に破壊縁部８を有する。図３Ｃは、個片化された集合体の平面写真図を示しており、破壊に起因する破壊縁部８の不規則な構造を明瞭に認識することができる。
【００６３】
図２Ａ〜図２Ｅに示した第２の例示的な実施形態は、図１Ａ〜図１Ｅに関連して説明した第１の例示的な実施形態に対応する。
【００６４】
第１の例示的な実施形態とは異なり、図２Ａに示したように、金属層３がキャリア４と半導体積層体２との間に配置されている集合体１を設ける。この例示的な実施形態においては、金属層３は、半導体積層体に面しているミラー層３１と結合層３２とを備えている。結合層は、例えばはんだ層とすることができる。キャリアは、結合層によって半導体積層体に固定されている。したがって、キャリアは、半導体積層体の成長基板ではない。
【００６５】
さらに、集合体１は、半導体積層体２とは反対側のキャリア４の面に、さらなる金属層６を備えている。さらなる金属層は、横方向に相互に分離された金属面に構造化されている。
【００６６】
図２Ｂに示したように、キャリアに分離溝４５を形成する。このステップは、図１Ｂに関連して説明した方法において行うことができる。したがって、分離溝４５を形成する工程の後、集合体は、半導体積層体２とキャリア４との間に位置する金属層３を介して結合されている。
【００６７】
図２Ｃおよび図２Ｄに示した、第１の補助キャリア５１から第２の補助キャリア５２に移載するステップと、集合体に機械的負荷を印加するステップは、第１の例示的な実施形態に関連して説明したように行うことができる。
【００６８】
図２Ｅに示したように、第２の補助キャリア５２とは反対側の第１の主面１１をさらに処理するため、個片化された半導体チップ１０が、第２の補助キャリア５２の上に存在している。
【００６９】
図３Ｂは、このようにして完成した半導体チップ１０を、断面図として概略的に示している。図３Ａに示した半導体チップ１０とは異なり、金属層３が半導体ボディ２０とキャリアボディ４０との間に配置されている。さらなる金属層６は、裏側コンタクト７１を形成している。半導体チップの動作時に、半導体ボディ２０において、特に半導体ボディの活性領域（明示的には示していない）において生成される放射、または検出される放射を、ミラー層３１において反射することができる。
【００７０】
説明した方法は、製造する半導体チップの特定の構造にはほとんど依存しない。一例として、半導体チップは、２つの表側コンタクトまたは２つの裏側コンタクトを有することもできる。
【００７１】
さらには、半導体積層体２または半導体ボディ２０の上に、１層または複数層のさらなる層、例えば、パッシベーション層（例：酸化物層や窒化物層）や、ＴＣＯ（透明導電性酸化物）材料を含む層、放射を変換するための蛍光体を含む層を配置することが可能である。
【００７２】
本特許出願は、独国特許出願第１０２０１２１１１３５８．０号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照によって本明細書に組み込まれている。
【００７３】
ここまで、本発明について例示的な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明はこれらの例示的な実施形態に限定されない。本発明は、任意の新規の特徴および特徴の任意の組合せを包含しており、特に、請求項における特徴の任意の組合せを含んでいる。これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が特許請求項あるいは例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図１Ｅ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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