(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に薬液を供給して液処理を行う液処理方法において、
一のポンプから一のノズルに供給された薬液を当該一のノズルから吐出して液流を形成する工程と、
前記液流が形成される領域を繰り返し撮像し、画像データを取得する工程と、
前記画像データから、薬液の吐出量の経時変化に関するデータを取得する工程と、
前記経時変化に関するデータと基準データとに基づいて、前記経時変化について異常の有無を検出し、当該異常に対処する対処工程と、
を備え、
前記対処工程は、前記一のポンプから前記一のノズルへの薬液の供給量の経時変化を規定するパラメータを補正する工程を含み、
前記液処理は、基板の回転数を経時変化させることにより行われ、
前記基準データは、基板の回転数の経時変化とノズルから吐出される薬液の吐出量の経時変化との対応関係であり、
前記パラメータを補正する工程は、前記基準データに対して、基板の回転数の経時変化と前記一のノズルから吐出される薬液の吐出量の経時変化との対応関係が適合するように行われることを特徴とする液処理方法。
【請求項２】
他のポンプから他のノズルに供給された薬液を当該他のノズルから吐出して液流を形成する工程と、
前記他のノズルからの液流が形成される領域を繰り返し撮像し、画像データを取得する工程と、
前記画像データから、基板の回転数の経時変化とノズルから吐出される薬液の吐出量の経時変化との対応関係を前記基準データとして取得する工程と、
を含むことを特徴とする請求項１記載の液処理方法。
【請求項３】
前記パラメータは、前記ポンプにおける薬液を吐出させるための圧力であることを特徴とする請求項１または２記載の液処理方法。
【請求項４】
前記薬液の吐出量の経時変化に関するデータを取得する工程は、
前記画像データに基づいて液流の幅と、単位時間あたりの液流の端部の移動距離とを検出する工程と、を含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の液処理方法。
【請求項５】
基板にノズルから薬液を吐出して液処理を行う液処理装置において、
前記ノズルに薬液を供給するためのポンプと、
前記ノズルから吐出された薬液の液流が形成される領域を撮像し、画像データを取得するための撮像部と、
前記液流が形成される領域を繰り返し撮像して得られる画像データから薬液の吐出量の経時変化に関するデータを取得し、当該データと基準データとに基づいて、前記経時変化について異常の有無を検出し、当該異常に対処する対処部と、
を備え、
前記対処部は、
前記一のポンプから前記一のノズルへの薬液の供給量の経時変化を規定するパラメータを記憶するメモリと、
前記メモリのパラメータに基づいて前記薬液の供給量を調整する調整機構と、
前記異常が検出されたときに、前記メモリのパラメータを補正する補正部と、
により構成され、
前記液処理は、基板の回転数を経時変化させることにより行われ、
前記基準データは、基板の回転数の経時変化とノズルから吐出される薬液の吐出量の経時変化との対応関係であり、
前記補正部は、前記基準データに対して、基板の回転数の経時変化と前記一のノズルから吐出される薬液の吐出量の経時変化との対応関係が適合するように補正することを特徴とする液処理装置。
【請求項６】
基板にノズルから薬液を供給して液処理を行う液処理装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶する記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項１ないし４のいずれか一つに記載された液処理方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に薬液を供給して処理を行う液処理方法、液処理装置及び記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程におけるフォトリソグラフィ工程では、半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）に各種の薬液を供給することにより、液処理が行われる。この液処理としては、例えば回転するウエハの中心部にノズルから薬液を供給し、遠心力によりウエハの周縁部に展伸させてウエハの表面全体に当該薬液を塗布する、いわゆるスピンコーティングがある。上記の薬液としては例えばレジストがあり、ウエハに塗布されることによりレジスト膜を形成する。そのようにスピンコーティングによってレジストを塗布する装置は、レジスト塗布モジュールとして１つの処理装置内に複数、例えば積層されて設けられる場合がある。
【０００３】
上記の各レジスト塗布モジュールについては、ウエハに同様の処理を行うことが求められる。しかし上記の処理装置内において、各レジスト塗布モジュールの配置が異なることにより、例えばレジストを供給するための配管の位置関係がモジュール間で異なるなどの要因から、ノズルからのレジストの吐出状態がモジュール間で異なる場合がある。上記のモジュール間で吐出状態が異なることとは、具体的にはウエハの回転数の推移とノズルから吐出されるレジストの吐出量（流量）の推移との対応がモジュール間で異なることであり、より具体的にはモジュール間で同じ回転数でウエハが回転しているときに、レジストの吐出量が異なることである。
【０００４】
このような吐出状態の異なりによって、モジュール間で当該ウエハの面内におけるレジストの分布や乾燥具合に差違が生じ、それによって、ウエハ間でレジスト膜の膜厚が異なってしまうおそれがある。従って、ノズルから薬液が吐出開始されるタイミング及び吐出開始後の薬液の吐出量の推移について精度高く制御できる技術が求められている。特許文献１には、ノズルからの薬液の流量を測定する技術が記載されているが、上記したモジュール間の吐出状態の異なりを検出して、対処できるものではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−７８５７１号公報
【発明の概要】
【０００６】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、本発明の課題は、ノズルから吐出される薬液の吐出量の経時変化を精度高く制御できる技術を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の液処理方法は、基板に薬液を供給して液処理を行う液処理方法において、
一のポンプから一のノズルに供給された薬液を当該一のノズルから吐出して液流を形成する工程と、
前記液流が形成される領域を繰り返し撮像し、画像データを取得する工程と、
前記画像データから、薬液の吐出量の経時変化に関するデータを取得する工程と、
前記経時変化に関するデータと基準データとに基づいて、前記経時変化について異常の有無を検出し、当該異常に対処する対処工程と、
を備え、
前記対処工程は、前記一のポンプから前記一のノズルへの薬液の供給量の経時変化を規定するパラメータを補正する工程を含み、
前記液処理は、基板の回転数を経時変化させることにより行われ、
前記基準データは、基板の回転数の経時変化とノズルから吐出される薬液の吐出量の経時変化との対応関係であり、
前記パラメータを補正する工程は、前記基準データに対して、基板の回転数の経時変化と前記一のノズルから吐出される薬液の吐出量の経時変化との対応関係が適合するように行われることを特徴とする
【０００８】
本発明の液処理装置は、基板にノズルから薬液を吐出して液処理を行う液処理装置において、
前記ノズルに薬液を供給するためのポンプと、
前記ノズルから吐出された薬液の液流が形成される領域を撮像し、画像データを取得するための撮像部と、
前記液流が形成される領域を繰り返し撮像して得られる画像データから薬液の吐出量の経時変化に関するデータを取得し、当該データと基準データとに基づいて、前記経時変化について異常の有無を検出し、当該異常に対処する対処部と、
を備え、
前記対処部は、
前記一のポンプから前記一のノズルへの薬液の供給量の経時変化を規定するパラメータを記憶するメモリと、
前記メモリのパラメータに基づいて前記薬液の供給量を調整する調整機構と、
前記異常が検出されたときに、前記メモリのパラメータを補正する補正部と、
により構成され、
前記液処理は、基板の回転数を経時変化させることにより行われ、
前記基準データは、基板の回転数の経時変化とノズルから吐出される薬液の吐出量の経時変化との対応関係であり、
前記補正部は、前記基準データに対して、基板の回転数の経時変化と前記一のノズルから吐出される薬液の吐出量の経時変化との対応関係が適合するように補正することを特徴とする。
本発明の記憶媒体は、基板にノズルから薬液を供給して液処理を行う液処理装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶する記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、上記の液処理方法を実行するようにステップ群が組まれている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明は、ノズルからの液流が形成される領域を繰り返し撮像して取得された画像データから、薬液の吐出量の経時変化に関するデータを取得し、当該データと基準データとに基づいて対処を行う。従って、ノズルから吐出される薬液の吐出量の経時変化を精度高く制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の液処理方法を実施する塗布、現像装置の概略構成図である。
【図２】前記塗布、現像装置に設けられるレジスト塗布モジュールの斜視図である。
【図３】前記レジスト塗布モジュールの縦断側面図である。
【図４】前記レジスト塗布モジュールに設けられるポンプの構成図である。
【図５】前記塗布、現像装置１の制御部の構成図である。
【図６】前記レジスト塗布モジュールの撮像領域を撮像して得られる画像を示す説明図である。
【図７】前記レジスト塗布モジュールの撮像領域を撮像して得られる画像を示す説明図である。
【図８】ノズルからの吐出量の推移とウエハの回転数の推移との一例を示すグラフ図である。
【図９】ノズルからの吐出量の推移と吐出圧の推移との一例を示すグラフ図である。
【図１０】補正前の吐出圧の推移及び補正後の吐出圧の推移の一例を示すグラフ図である。
【図１１】ノズルからの吐出量の推移とウエハの回転数の推移との一例を示すグラフ図である。
【図１２】前記塗布、現像装置の動作を示すフローチャートである。
【図１３】ノズルからの吐出量の推移とウエハの回転数の推移との一例を示すグラフ図である。
【図１４】前記塗布、現像装置の平面図である。
【図１５】前記塗布、現像装置の斜視図である。
【図１６】前記塗布、現像装置の概略縦断側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１は、本発明の液処理方法を実施する塗布、現像装置１の概略構成を示している。図中１１は複数のウエハＷを格納するキャリアであり、塗布、現像装置１と塗布、現像装置１の外部との間で当該ウエハＷを搬送する。図中２Ａ、２Ｂは、既述のスピンコーティングによってウエハＷにレジストを塗布するレジスト塗布モジュールである。図中１２は塗布、現像装置１に設けられるウエハＷの搬送機構である。搬送機構１２によってキャリア１１から搬送されたウエハＷは、レジスト塗布モジュール２Ａ及び２Ｂのうちの一方に搬送されて、処理される。
【００１２】
この塗布、現像装置１は、レジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂで夫々ウエハＷにレジストの塗布処理を行うと共にレジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂを構成するノズルからのレジストの吐出状態（ウエハWの回転数の推移（経時変化）とノズルから吐出されるレジストの吐出量の推移との対応関係）について検出した後、レジスト塗布モジュール２Ａのノズルからのレジストの吐出状態を自動で補正する。そして、レジスト塗布モジュール２Ａで後続のウエハＷを処理する際に、当該レジスト塗布モジュール２Ａにおけるノズルからのレジストの吐出状態を、レジスト塗布モジュール２Ｂにおけるノズルからのレジストの吐出状態に揃えることができる。また、図中６は、塗布、現像装置１の各部の動作を制御する制御部である。塗布、現像装置１及び制御部６の構成については、後に詳しく説明する。
【００１３】
レジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂは互いに同様に構成されており、レジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂのうち代表して２Ａについて、図２の斜視図及び図３の側面図を参照して説明する。レジスト塗布モジュール２Ａは、カップユニット２１とノズルユニット３１とを備えている。カップユニット２１は、ウエハＷの裏面中央部を吸着して水平に保持する基板保持部であるスピンチャック２２を備えている。図３に示すように、スピンチャック２２は垂直な回転軸２３を介して回転機構２４に接続されており、制御部６からの制御信号に従って、回転機構２４はスピンチャック２２を回転させることができる。
【００１４】
また、カップユニット２１は、スピンチャック２２の周囲を囲むと共に上方側が開口したカップ体２５を備えており、カップ体２５の底部側には、上方が開口した環状の凹部を形成する液受け部２６が設けられている。また、図中２７は液ガイド部であり、スピンチャック２２の下方にて当該スピンチャックを囲むように設けられ、ウエハＷから下方にこぼれた液を液受け部２６にガイドするための傾斜部を備えている。液ガイド部の周縁部は下方に向かって延伸されて垂直壁２７を構成しており、上記の液受け部２６は、垂直壁２７が入り込むことにより、ウエハＷの周縁下方側に全周に亘って外側領域と内側領域とに区画されている。
【００１５】
前記外側領域の底部には貯留したレジストを排出する排液口２８が設けられている。前記内側領域には、底部より上方に向かって伸びる排気管２９が設けられており、当該排気管２９により、カップ体２５内が排気される。また、図中２０はスピンチャック２２の周囲に３本（図３では２本のみ表示）設けられる垂直な昇降ピンであり、昇降機構２０Ａにより昇降し、搬送機構１２とスピンチャック２２との間でウエハＷを受け渡す。
【００１６】
次に、ノズルユニット３１について説明する。ノズルユニット３１は、駆動機構３２、アーム３３及びノズル保持部３４を備えている。駆動機構３２は、図２に示すガイド３５に沿って横方向に移動自在に構成されている。アーム３３は、その基端側が前記駆動機構３２に接続されており、アーム３３の先端側にノズル保持部３４が設けられている。アーム３３は、前記ガイド３５に直交するように水平に伸びており、また駆動機構３２により昇降自在に構成される。ノズル保持部３４の下方にはレジスト吐出ノズル３６及びシンナー吐出ノズル４１が設けられている。図２中の鎖線で囲った領域には、レジスト吐出ノズル３６の下部を拡大して示しており、当該下部には円形の吐出口３７が開口している。この吐出口３７から鉛直下方にレジストが吐出される。
【００１７】
シンナー吐出ノズル４１については吐出口３７と同様の吐出口が設けられ、シンナー供給機構から供給されたシンナーを鉛直下方に供給することができる。このシンナー供給機構及びシンナー吐出ノズル４１の吐出口についての図示は省略している。シンナーは、レジストのウエハＷへの濡れ性を高めるために、レジストより先にウエハＷに供給されるプリウエット液である。
【００１８】
上記の駆動機構３２により、レジスト吐出ノズル３６及びシンナー吐出ノズル４１は夫々、カップ体２５の外側の待機領域と、スピンチャック２２に保持されたウエハＷの中心部上との間で移動することができる。また、アーム３３の下部には撮像部であるカメラ３８が設けられている。カメラ３８は、レジスト吐出ノズル３６の先端部（下端部）及び当該先端部の下方の領域を撮像して画像データを取得し、当該画像データを制御部６に送信できるように構成されている。図３ではカメラ３８の撮像領域を３９として示している。
【００１９】
図３に示すように、レジスト吐出ノズル３６は配管４２を介してレジストが貯留されるレジスト供給機構４３に接続されており、配管４２にはポンプ５が介設されている。レジスト供給機構４３は、レジストをポンプ５に供給できるように構成されており、ポンプ５に供給されたレジストは、当該ポンプ５によってレジスト吐出ノズル３６に圧送され、吐出口３７から吐出される。
【００２０】
図４は、ポンプ５の構成の一例を示している。この例では、ポンプ５は可変容量ポンプであるダイヤフラムポンプとして構成されている。図中５１はダイヤフラムである。図中５２、５３は夫々ポンプ室、作動室であり、ダイヤフラム５１により互いに区画されている。図中Ｖ１、Ｖ２は、ポンプ室５２の一次側（レジスト供給機構４３側）、二次側（レジスト吐出ノズル３６側）に夫々設けられるバルブであり、ポンプ室５２へのレジストの吸入、ポンプ室５２からのレジストの圧送が夫々行えるように動作する。
【００２１】
作動室５３にはバルブＶ３、流量調整部５４をこの順に介して当該作動室５３の減圧及び加圧を行う駆動手段５５が接続されている。駆動手段５５は、エアを作動室５３に供給して作動室５３を加圧するための加圧源５６Ａと、作動室５３からエアを吸引して作動室５３を減圧するための減圧源５６Ｂと、電空レギュレータ５７と、圧力センサ５８と、を備えている。電空レギュレータ５７は、バルブＶ３の解放時において、作動室５３内の圧力を上昇させるために加圧源５６Ａが作動室５３に接続された状態と、作動室５３内の圧力を低下させるために減圧源５６Ｂが作動室５３に接続された状態とを互いに切り替えることができる。作動室５３の圧力が上昇するほど、ダイヤフラム５１によりポンプ室５２の容積が縮小され、レジスト吐出ノズル３６への圧送量が高まり、当該レジスト吐出ノズル３６からのレジストの吐出量が増大する。
【００２２】
圧力センサ５８は、加圧源５６Ａが作動室５３に接続された状態では当該加圧源５６Ａと作動室５３を接続する流路の圧力、減圧源５６Ｂが作動室５３に接続された状態では当該減圧源５６Ｂと作動室５３を接続する流路の圧力に夫々対応する圧力検出信号を、制御部６に送信する。制御部６は送信された圧力検出信号に基づいて、各流路の圧力を作動室５３の圧力（以下、ポンプ５の吐出圧と記載する）として算出する。制御部６は、検出されるポンプ５の吐出圧が設定値となるように、調整機構を構成する電空レギュレータ５７に制御信号を送信し、当該電空レギュレータ５７の動作を制御する。
【００２３】
ここで、レジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂで行われるレジスト塗布処理について説明する。上記のスピンチャック２２にウエハＷが載置された後、シンナー吐出ノズル４１からシンナーがウエハＷの中心部に吐出され、ウエハＷが所定の回転数で回転し、シンナーがスピンコーティングされる。そして、ウエハＷの回転数が例えば１０００ｒｐｍから３０００ｒｐｍに上昇すると共にレジスト吐出ノズル４６からレジストがウエハＷの中心部に吐出されて、スピンコーティングによりウエハＷの表面全体に塗布される。
【００２４】
然る後、レジストの吐出が停止すると共に、ウエハＷの回転数が低下して例えば２００ｒｐｍとなり、ウエハＷの面内におけるレジストの液厚の分布が調整された後、ウエハＷの回転数が例えば２０００ｒｐｍに上昇し、レジストが乾燥してレジスト膜が形成され、然る後、ウエハＷの回転が停止する。このレジスト塗布処理中のスピンチャックによるウエハＷの回転数は制御部６により制御され、スピンチャック２２にウエハＷが載置された後は、レジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂ間で当該回転数が同様に推移するように制御される。
【００２５】
続いてコンピュータである制御部６の構成について、図５を参照しながら説明する。制御部６は対処部及び撮像部を構成する。図中６１はバスである。バス６１にはプログラム格納部６２、ＣＰＵ６３及びメモリ６４〜６８及びワーキングメモリ６９が接続されている。ＣＰＵ６３は各種の演算を行う。プログラム格納部６２はプログラム６０を格納する記憶媒体であり、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）あるいはメモリーカードなどにより構成されている。プログラム６０は、プログラム格納部６２に格納された状態で制御部６にインストールされる。プログラム６０には、後述のようにレジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂのレジスト吐出ノズル３６からの吐出状態を検出した後、モジュール２Ａ、２Ｂ間で当該吐出状態を揃えてウエハＷにレジスト塗布処理を行うことができるように、塗布、現像装置１の各部に制御信号を送信し、その動作を制御するための命令が組み込まれている。
【００２６】
また、上記のバス６１には、レジスト塗布モジュール２Ａ及び２Ｂのポンプ５、回転機構２４及びカメラ３８が接続されている。これによって、上記したように制御部６は各カメラ３８から出力される画像データを取得することができ、また、ポンプ５から出力される圧力検出信号に基づいて、当該ポンプ５の動作を制御することができ、さらにウエハＷの回転数を制御することができる。
【００２７】
ところで、上記したようにレジスト塗布モジュール２Ａにおけるレジスト吐出ノズル３６からの吐出状態は、レジスト塗布モジュール２Ｂにおけるレジスト吐出ノズル３６からの吐出状態に揃えられるが、ここで当該吐出状態を揃えるための動作についての概略を説明する。レジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂの夫々において、既述のレジスト塗布処理を行うためにウエハＷがスピンチャック２２に載置されてから所定の時間経過した後の撮像開始時刻から、さらに所定の時間経過した後の撮像終了時刻までの間、０．０１秒毎にカメラ４２による撮像を繰り返し行い、画像データを取得する。上記のようにレジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂ夫々においてスピンチャック２２へウエハＷを載置した後はウエハＷの回転数は同様に推移するので、モジュール２Ａ、２Ｂの各撮像期間中にモジュール２ＡのウエハＷの回転数及びモジュール２ＢのウエハＷの回転数は、互いに同様に推移する。
【００２８】
そして、このように画像データを取得した後、制御部６はレジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂごとに、取得された画像データに基づいて０．０１秒毎のレジスト吐出ノズル３６からのレジストの吐出量を算出する。この吐出量を算出した後は、撮像期間内の０．１秒間ごとのレジストの吐出量が算出されるように、０．０１秒ごとの吐出量を累積する。それによってレジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂの夫々について、撮像期間内における０．１秒刻みでのレジストの吐出量の推移を示すデータ（吐出量推移データとする）が作成される。この吐出量推移データを作成する動作は、レジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂにおいて、吐出状態を検出することに相当する。
【００２９】
レジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂの撮像期間中のポンプ５の吐出圧は、撮像期間中の吐出圧の推移について設定したデータ（吐出圧推移データ）に基づいて制御される。この吐出圧推移データは、レジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂについて個別に設定されている。上記のようにレジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂにおいて夫々レジスト塗布処理が行われ、レジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂの夫々の吐出量推移データが作成されると、制御部６は、各吐出量推移データに基づいてレジスト塗布モジュール２Ａの吐出圧推移データを補正する。それによって、後続のウエハＷをレジスト塗布モジュール２Ａで処理するときには、撮像期間内の各時点のレジスト吐出量が、レジスト塗布モジュール２Ｂの撮像期間内の各時点のレジスト吐出量に揃えられる。つまり、レジスト塗布モジュール２Ａの吐出状態が、レジスト塗布モジュール２Ｂの吐出状態に揃えられる。
【００３０】
上記の０．０１秒毎のレジスト吐出ノズル３６からのレジストの吐出量の算出方法について説明する。上記の撮像期間の終了後、０．０１秒毎に取得された画像データのうち、撮像期間内の最も早い時刻においてレジスト吐出ノズル３６からレジストが吐出されているものが選別され、当該画像データを取得した時刻がレジストの吐出開始時と識別される。図６の左側は、当該吐出開始時の画像データから得られる画像を表している。続いて、その吐出開始時から０．０１秒後（以降、吐出開始０．０１秒後と記載する）に取得された画像データが選別される。図６の中央は、そのような吐出開始０．０１秒後の画像データから得られる画像を示している。このように選別された２つの画像データにおいて、レジスト（Ｒとして表示）の液流の下端の位置が夫々検出され、さらに検出された液流の下端の各位置から図中にＡで示す、液流の下端の移動距離（単位：ｃｍ）が検出される。なお、図６中、点線の枠内には、レジストＲの液流を拡大して示している。
【００３１】
さらに、吐出開始時以降に取得された画像データのうち、最も早い時刻においてレジストＲの液流の上端がレジスト吐出ノズル３６の下端から離れている画像データが選別され、そのように選別された画像データが取得された時刻が、レジストの吐出終了時とされる。レジスト吐出ノズル３６からの液流の変化の様子を明確に示すため、図７の左側には、吐出終了時から０．０１秒前（以降、吐出終了０．０１秒前と記載する）に取得された画像データから得られる画像を示しており、図７の中央に、上記した吐出終了時に取得された画像データから得られる画像を示している。そのように吐出終了時の画像データの選別後、その吐出終了時の０．０１秒後（以降、吐出終了０．０１秒後と記載する）に取得された画像データが選別される。図７の右側は、そのような吐出終了０．０１秒後の画像データから得られる画像を示している。このように選別された吐出終了時の画像データ及び吐出終了０．０１秒後の画像データについて、レジストＲの液流の上端の位置が夫々検出され、さらに検出された液流の上端の各位置から図中にＢで示す液流の上端の移動距離（単位：ｃｍ）が検出される。なお、この移動距離Ｂ及び上記の移動距離Ａは、レジストの吐出速度に対応する。
【００３２】
移動距離Ａ、Ｂの算出後は、上記の吐出開始時の画像データから、レジストＲの液流の幅Ｃ（単位：ｍｍ、図６参照）が検出される。上記のようにレジスト吐出ノズル３６の吐出口３７が円形であるため、このように検出された幅Ｃを用いて、吐出開始時の液流の断面積＝（Ｃ／２０）×（Ｃ／２０）×３．１４＝３．１４×Ｃ２／４００（ｃｍ２）として算出される。また、吐出開始０．０１秒後の画像データにおける液流の幅Ｄ（ｍｍ）が検出され、この幅Ｄから、液流の断面積＝（Ｄ／２０）×（Ｄ／２０）×３．１４＝３．１４×Ｄ２／４００（ｃｍ２）として算出される。続いて、吐出開始時から吐出開始０．０１秒後までの吐出量として、（（３．１４×Ｃ２／４００）＋（３．１４×Ｄ２／４００））／２×移動距離Ａ（ｃｍ３＝ｍＬ）が算出される。つまり、吐出開始時から０．０１秒経過するまでに吐出された液流は円柱をなし、この円柱の断面積は、上記の２つの画像データから算出される円の断面積の平均値であると共に、当該円柱の高さは移動距離Ａであるものと見なして、吐出量を算出している。
【００３３】
吐出開始０．０１秒後から吐出開始０．０２秒後までの吐出量、吐出開始０．０２秒後から吐出開始０．０３秒後までの吐出量、吐出開始０．０３秒後から吐出開始０．０４秒後までの吐出量・・・吐出開始Ｎ−０．０２秒後から吐出開始Ｎ−０．０１秒後までの吐出量、吐出開始Ｎ−０．０１秒後から吐出開始Ｎ秒後（＝吐出終了時）までの吐出量も、上記の吐出開始時から吐出開始０．０１秒後までの吐出量と同様に算出する。つまり、液流が円柱であるものとし、２つの画像データから夫々検出される液流の幅から液流の断面積を求め、この断面積の平均値が前記円柱の断面積であるものとみなして、当該円柱の体積を演算する。
【００３４】
ただし、吐出開始０．０１秒後から吐出開始０．０２秒後までの吐出量〜吐出開始Ｎ−０．０２秒後から吐出開始Ｎ−０．０１秒後までの各時間の吐出量については、液流の円柱の高さを、ＡではなくＡ及びＢの平均値であるものとみなして算出する。具体的に、吐出開始０．０２秒後の画像データから検出された液流の幅がＥｃｍであるとすると、吐出開始０．０１秒後から吐出開始０．０２秒後までの吐出量＝（（３．１４×Ｄ２／４００）＋（３．１４×Ｅ２／４００））／２×（Ａ＋Ｂ）／２（ｍＬ）として算出される。
【００３５】
また、吐出開始Ｎ−０．０１秒後から吐出開始Ｎ秒後（＝吐出終了時）までに吐出された液流の円柱の高さは、ＡではなくＢであるものとみなして吐出量の計算を行う。つまり吐出開始Ｎ−０．０１秒後、吐出開始Ｎ秒後の液流について画像データから検出される幅が夫々Ｆｃｍ、Ｇｃｍであるとすると、この間の吐出量は、（（３．１４×Ｆ２／４００）＋（３．１４×Ｇ２／４００））／２×Ｂ（ｍＬ）として算出される。このような０．０１秒毎の吐出量を算出するにあたり、上記の画像データの選別、画像データからの液流の幅の検出及び各種の演算は、制御部６により行われる。
【００３６】
制御部６の構成の説明に戻る。制御部６は、既述した０．０１秒毎のレジストの吐出量の算出と、この０．０１秒毎の吐出量から算出される０．１秒毎の吐出圧の推移を示す吐出量推移データの作成と、吐出量推移データに基づいたレジスト塗布モジュール２Ａのポンプ５の吐出圧推移データの補正と、が行えるように構成されている。例えばメモリ６４、６５には、レジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂについて夫々、撮像期間中に取得された画像データが時系列で保存される。従って、図６、図７で説明した吐出量の算出は、当該メモリ６４、６５内のデータを用いて行われる。
【００３７】
メモリ６６には、レジストの吐出量とポンプ５の吐出圧との相関関係を規定するデータが格納されている。そして、メモリ６７、６８においてはレジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂについてのポンプ５の吐出圧推移データが夫々格納されている。ワーキングメモリ６９は、上記の吐出量推移データの作成や吐出圧推移データの補正など、各種の演算を行う際に用いられるメモリである。
【００３８】
続いて、レジスト塗布モジュール２Ａ及び２Ｂにおいて吐出量推移データが取得された後に行われる、吐出状態を揃える動作の一例について説明する。図８は、レジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂの夫々の吐出量推移データについて、当該データが取得された撮像期間内のウエハＷの回転数の推移に対応付けて示したチャートである。また、このチャートでは、吐出量推移データを取得したときのモジュール２Ａの回転数の推移と、モジュール２Ｂの回転数の推移とを互いに対応付けて示している。
【００３９】
チャート中、モジュール２Ａ、２Ｂの回転数の推移を、実線の線グラフ、鎖線の線グラフとして夫々表示している。チャートの左側の縦軸はウエハＷの回転数（単位：ｒｐｍ）を示している。チャートの横軸は時間（単位：秒）を示し、ここではレジスト塗布モジュール２Ａの回転数が１０００ｒｐｍから上昇開始する時点を０秒として示している。既述のようにレジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂ間でスピンチャック２２へのウエハＷの載置後にウエハＷの回転数は同様に推移するが、チャートに示す例ではレジスト塗布モジュール２Ｂよりも先にレジスト塗布モジュール２ＡにてウエハＷが載置され、レジスト塗布モジュール２Ｂでは、レジスト塗布モジュール２Ａに対して０．１秒遅れて回転数が推移している。
【００４０】
また、チャート中の棒グラフは吐出量推移データを表し、０．１秒毎の吐出量の推移を示している。チャート中の右側の縦軸はこの棒グラフに対応したレジストの吐出量（単位：ｍＬ）を示している。なお、レジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂの各棒グラフは本来横軸の目盛上に位置するが、棒グラフ同士の重なりによる識別の不具合を避けるために目盛から若干ずらして表示している。
【００４１】
チャートに示すように、レジスト塗布モジュール２ＢにおいてはウエハＷの回転数が１０００ｒｐｍから上昇開始する時点でレジスト吐出ノズル３６からレジストが吐出開始されているが、レジスト塗布モジュール２ＡにおいてはウエハＷの回転数が１０００ｒｐｍから上昇開始して０．１秒後にレジストが吐出開始されている。つまり、回転数の上昇が開始されるタイミングに対して、レジスト吐出ノズル３６からレジストが吐出開始されるタイミングが、レジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂ間でずれている。また、レジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂ間で、夫々レジスト吐出ノズル３６からレジストが吐出開始されてから、同じ時間が経過したときのレジストの吐出量を比較すると、互いに異なっている。
【００４２】
図８に示すような吐出量推移データが得られた場合の補正について、図９のチャートも参照して説明する。図９では鎖線の線グラフにより、モジュール２Ａの吐出圧推移データを示しており、この吐出圧推移データに基づいて図８で説明したレジストの吐出が行われている。つまり、この吐出圧推移データが制御部６のメモリ６７に格納されている。図９のチャートの横軸は、図８のチャートの横軸と同じく時間を示しており、チャートの左側の縦軸、右側の縦軸は、出圧の大きさのレベル、レジストの吐出量を夫々示している。図９では、図８と同様に、取得されたレジスト塗布モジュール２Ａの吐出量推移データを棒グラフで示しており、この棒グラフにはドットを付している。
【００４３】
制御部６は、メモリ６６に記憶された吐出圧とレジスト吐出ノズル３６からの吐出量との相関関係を用いて、メモリ６７に格納された上記のモジュール２Ａの吐出圧推移データを、モジュール２Ａ、２Ｂで夫々レジストの吐出が開始された時点から同じ時間経過した時点における吐出量が一致するように補正する。つまり、モジュール２Ａにおけるノズル３６からのレジストの吐出が開始されてからの吐出量の推移が、モジュール２Ｂにおけるノズル３６からのレジストの吐出が開始されてからの吐出量の推移に一致するように、モジュール２Ａの吐出圧推移データが補正される。図９のチャート中、実線の線グラフにより、そのように補正された吐出圧推移データを示している。また、斜線を付した棒グラフは、そのように補正した吐出圧推移データを用いてレジスト塗布処理を行うとしたときに得られる吐出量推移データを示している。
【００４４】
然る後、レジストの吐出が開始されるタイミングがずれるように上記のモジュール２Ａの吐出圧推移データが補正される。この補正は、ウエハＷの回転数が１０００ｒｐｍから上昇開始するタイミングとレジスト吐出ノズル３６からレジストが吐出されるまでの間隔が、レジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂ間で一致するように行われる。図８で説明したように、レジスト塗布モジュール２ＢではウエハＷの回転数が１０００ｒｐｍから上昇開始すると同時にレジストの吐出が開始されているので、前記間隔が０秒となるようにレジスト塗布モジュール２Ａの吐出圧推移データが補正される。図１０のチャートでは、点線でレジストの吐出開始のタイミングをずらす前の吐出圧推移データを示している。つまり、この点線で示す吐出圧推移データは、図９において実線で示した吐出圧推移データと同じものである。そして図１０のチャート中、実線で吐出開始のタイミングがずれるように補正された吐出圧推移データを示している。
【００４５】
図１１のチャートでは、図９、図１０で説明したようにレジスト塗布モジュール２Ａの吐出圧推移データを補正した後、当該レジスト塗布モジュール２Ａにてレジスト塗布処理を行った場合に得られる吐出量推移データについて、図８と同様に当該モジュール２ＡのウエハＷの回転数の推移に対応付けて示している。また、図１１では比較のため、図８に示したレジスト塗布モジュール２Ｂの吐出量推移データについても、当該モジュール２ＢのウエハＷの回転数の推移に対応付けて示している。
【００４６】
この図１１のチャートに示すように、ウエハＷの回転数が１０００ｒｐｍから上昇開始するタイミングとレジスト吐出ノズル３６からのレジストの吐出が開始されるタイミングとの間隔がモジュール２Ａ、２Ｂ間で一致し、レジスト吐出期間内のレジストの吐出開始から同じ時間経過したときのレジストの吐出量がモジュール２Ａ、２Ｂ間で一致する。つまりモジュール２Ａ、２Ｂ間でレジストの吐出状態が揃えられている。なお、以上の説明では、理解を容易にするためにレジスト吐出開始後の吐出量の推移を変更するための補正とレジストの吐出開始のタイミングを変更する補正とが段階的に行われるものとしているが、これらの補正が一括で行われるようにしてもよい。
【００４７】
続いて、図１２のフローチャートを適宜参照しながら、上記した塗布、現像装置１の動作を、順を追って説明する。先ず、レジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂに夫々ウエハＷが搬送され、レジスト塗布処理が行われる（ステップＳ１）。レジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂ夫々において、レジスト塗布処理が行われることに並行して、予め設定された撮像期間内に０．０１秒間隔で画像データが取得される（ステップＳ２）。
【００４８】
撮像期間の終了後、モジュール２Ａ、２Ｂ毎に図６、図７で説明したように画像データから０．０１秒間隔で、レジスト吐出ノズル３６からのレジストの吐出量が算出され、それに基づいて図８で例示した吐出量推移データが算出される（ステップＳ３）。そして、モジュール２Ａ、２Ｂの各吐出量推移データが一致しているか、否か判定される（ステップＳ４）。つまり、モジュール２Ａ、２Ｂ間においてノズル３６からの吐出開始時点が揃っているか否か、及び吐出開始時点からの吐出量の推移が互いに揃っているか否かについて判定され、この判定は、モジュール２Aの吐出量の経時変化について異常の有無の検出を行うことに相当する。
【００４９】
撮像期間内における吐出量推移データがモジュール２Ａ、２Ｂ間で一致していないと判定された場合は、図９、図１０で例示したようにレジスト塗布モジュール２Ａの吐出圧推移データの補正を行う（ステップＳ５）。然る後、モジュール２Ａ、２Ｂに後続のウエハＷを搬送して、レジスト塗布処理を行う（ステップＳ６）。この後続のウエハＷの処理時には、上記の補正が行われていることでモジュール２Ａのレジストの吐出状態は、図１１に例示したようにモジュール２Ｂのレジストの吐出状態に揃えられる。上記の撮像期間内における吐出量推移データがモジュール２Ａ、２Ｂ間で一致していると判定された場合は、モジュール２Ａの吐出圧推移データの補正は行われずに、モジュール２Ａ、２Ｂにて夫々後続のウエハＷの処理を行う。
【００５０】
この塗布、現像装置１によれば、上記のようにレジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂ間でレジスト吐出ノズル３６からのレジストの吐出状態を揃えることができる。つまり、モジュール２Ａ、２Ｂ間でウエハWの回転数の推移とレジスト吐出ノズル３６から吐出されるレジストの吐出量の推移との対応を揃えることができる。さらに詳しくはモジュール２Ａ、２ＢでウエハＷが同じ回転数で回転するときのレジスト吐出ノズル３６からのレジストの吐出量を揃えることができるので、レジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂで夫々形成されるレジスト膜について、膜厚の均一性を高くすることができる。
【００５１】
図１３のチャートは、図８と同様にモジュール２Ａ、２Ｂについて得られた吐出量推移データの一例を、ウエハＷの回転数に対応付けて示している。吐出量推移データを得たときのモジュール２Ａの回転数、モジュール２Ｂの回転数を夫々、点線の線グラフ、鎖線の線グラフで表している。この例では、レジストの吐出開始からレジストの吐出が終了するまでのレジストの吐出量の推移がモジュール２Ａ、２Ｂ間で揃っており、レジストの吐出開始のタイミングについてモジュール２Ａ、２Ｂ間で揃っていない。この場合は、図１０で説明したようにレジストの吐出開始のタイミングがずれるようにモジュール２Ａの吐出圧推移データを補正し、モジュール２Ａ、２Ｂ間で吐出状態を揃えてもよいが、そのように吐出圧推移データを補正する代わりにモジュール２Ａの回転数の推移について補正してもよい。
【００５２】
チャート中に実線の線グラフで、そのように補正したモジュール２Ａの回転数を示している。チャート中に示すように、撮像期間中のウエハＷの回転数が１０００ｒｐｍから上昇開始するタイミング及び２００ｒｐｍに下降開始するタイミングが、レジスト吐出ノズル３６からレジストが吐出されている期間に対してずらされる。このように回転数を補正した場合は、モジュール２Ａ、２Ｂ間で処理が不均一になることを防ぐために、撮像期間外においてレジストを乾燥させるために回転数が２０００ｒｐｍに上昇開始するタイミング及び２０００ｒｐｍから回転数が低下するタイミングも、１０００ｒｐｍから上昇開始するタイミング及び２００ｒｐｍに下降開始するタイミングが上記のレジストが吐出される期間に対してずらされたことに追従して、ずらされるようにウエハＷの回転数が制御される。
【００５３】
上記の例では、レジスト塗布モジュール２Ｂにおいて画像データを取得し、基準データとなる吐出量推移データを取得しているが、予め基準データとして基準の吐出量推移データを制御部６のメモリに格納しておき、レジスト塗布モジュール２Ａの吐出量推移データを取得した後は、当該基準の吐出量推移データに基づいて当該レジスト塗布モジュール２Ａの吐出圧推移データ及び／または回転数の補正を行ってもよい。
【００５４】
また、上記のようにモジュール２Ａの吐出圧推移データを自動で補正することには限られない。例えば塗布、現像装置１において、対処部として制御部６に接続されるアラーム発生器を設けて、上記の図１２のフローチャートのステップＳ１〜Ｓ４に従って処理を行い、モジュール２Ａ、２Ｂの吐出量推移データが一致していないと判定される場合には、アラーム発生器からアラームが発生するように制御部６から制御信号が送信されるようにすると共に、搬送機構１２によるモジュール２Ａへの後続のウエハＷの搬送を一旦停止させるようにする。
【００５５】
アラーム発生器は例えばスピーカーやディスプレイであり、上記のアラームの発生は例えば警告音の発生や、画面における所定の文字やマークの表示である。このようにアラームが発生された場合は、取得されたモジュール２Ａ、２Ｂの吐出量推移データに基づいて、互いのレジスト吐出ノズル３６からの吐出状態が揃うように、例えばユーザーが手動でモジュール２Ａの吐出圧推移データを補正する。この補正後に搬送機構１２により、後続のウエハＷがモジュール２Ａに搬送され、レジスト塗布処理される。
【００５６】
レジストの液流を撮像することができれば、カメラ３８はアーム３３に設けられていなくてよく、例えばカップ体２５に設けられていてもよい。また、レジスト吐出ノズル３６の吐出口３７については円形に開口されることに限られず、例えば平面視正方形に開口していてもよく、その場合は液流の断面が正方形であるものとして演算を行い、吐出量を算出することができる。また、薬液としてはレジストに限られず、反射防止膜形成用の薬液や絶縁膜形成用の薬液及び基板同士を貼り合わせるための接着剤などを塗布する場合にも本発明の手法を用いることができる。
【００５７】
図１４〜図１６に、レジスト膜除去装置をなす塗布、現像装置１の詳細な構成の一例を示す。図１４、１５、１６は夫々当該塗布、現像装置１の平面図、斜視図、概略縦断側面図である。この塗布、現像装置１は、キャリアブロックＤ１と、処理ブロックＤ２と、インターフェイスブロックＤ３と、を直線状に接続して構成されている。インターフェイスブロックＤ３に前記露光装置Ｄ４が接続されている。以降の説明ではブロックＤ１〜Ｄ３の配列方向を前後方向とする。キャリアブロックＤ１は、キャリア１１を塗布、現像装置１内に対して搬入出し、キャリア１１の載置台７１と、開閉部７２と、開閉部７２を介してキャリア１１からウエハＷを搬送するための移載機構７３とを備えている。
【００５８】
処理ブロックＤ２は、ウエハＷに液処理を行う第１〜第６の単位ブロックＥ１〜Ｅ６が下から順に積層されて構成されている。説明の便宜上ウエハＷに下層側の反射防止膜を形成する処理を「ＢＣＴ」、ウエハＷにレジスト膜を形成する処理を「ＣＯＴ」、露光後のウエハＷにレジストパターンを形成するための処理を「ＤＥＶ」と夫々表現する場合がある。この例では、図１５に示すように下からＢＣＴ層、ＣＯＴ層、ＤＥＶ層が２層ずつ積み上げられている。同じ単位ブロックにおいて互いに並行してウエハＷの搬送及び処理が行われる。
【００５９】
ここでは単位ブロックのうち代表してＣＯＴ層Ｅ３を、図１４を参照しながら説明する。キャリアブロックＤ１からインターフェイスブロックＤ３へ向かう搬送領域７４の左右の一方側には棚ユニットＵが前後方向に複数配置され、他方側には液処理モジュールである上記のレジスト塗布モジュール２Ａ、保護膜形成モジュールＩＴＣが前後方向に並べて設けられている。保護膜形成モジュールＩＴＣは、レジスト膜上に所定の処理液を供給し、当該レジスト膜を保護する保護膜を形成する。棚ユニットＵは、加熱モジュールを備えている。前記搬送領域７４には、ウエハＷの搬送機構である搬送アームＦ３が設けられている。
【００６０】
ＣＯＴ層Ｅ４はＣＯＴ層Ｅ３と同様に構成されており、レジスト塗布モジュールとして、２Ａの代わりに２Ｂが設けられている。他の単位ブロックＥ１、Ｅ２、Ｅ５及びＥ６は、ウエハＷに供給する薬液が異なることを除き、単位ブロックＥ３、Ｅ４と同様に構成される。単位ブロックＥ１、Ｅ２は、レジスト塗布モジュール２Ａ、２Ｂの代わりに反射防止膜形成モジュールを備え、単位ブロックＥ５、Ｅ６は、現像モジュールを備える。図１６では各単位ブロックＥ１〜Ｅ６の搬送アームはＦ１〜Ｆ６として示している。
【００６１】
処理ブロックＤ２におけるキャリアブロックＤ１側には、各単位ブロックＥ１〜Ｅ６に跨って上下に伸びるタワーＴ１と、タワーＴ１に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な受け渡し機構である受け渡しアーム７５とが設けられている。タワーＴ１は互いに積層された複数のモジュールにより構成されており、単位ブロックＥ１〜Ｅ６の各高さに設けられるモジュールは、当該単位ブロックＥ１〜Ｅ６の各搬送アームＦ１〜Ｆ６との間でウエハＷを受け渡すことができる。これらのモジュールとしては、各単位ブロックの高さ位置に設けられた受け渡しモジュールＴＲＳ、ウエハＷの温度調整を行う温調モジュールＣＰＬ、複数枚のウエハＷを一時的に保管するバッファモジュール、及びウエハＷの表面を疎水化する疎水化処理モジュールなどが含まれている。説明を簡素化するために、前記疎水化処理モジュール、温調モジュール、前記バッファモジュールについての図示は省略している。
【００６２】
インターフェイスブロックＤ３は、単位ブロックＥ１〜Ｅ６に跨って上下に伸びるタワーＴ２、Ｔ３、Ｔ４を備えており、タワーＴ２とタワーＴ３に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な受け渡し機構であるインターフェイスアーム７６と、タワーＴ２とタワーＴ４に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な受け渡し機構であるインターフェイスアーム７７と、タワーＴ２と露光装置Ｄ４の間でウエハＷの受け渡しを行うためのインターフェイスアーム７８が設けられている。
【００６３】
タワーＴ２は、受け渡しモジュールＴＲＳ、露光処理前の複数枚のウエハＷを格納して滞留させるバッファモジュール、露光処理後の複数枚のウエハＷを格納するバッファモジュール、及びウエハＷの温度調整を行う温調モジュールなどが互いに積層されて構成されているが、ここでは、バッファモジュール及び温調モジュールの図示は省略する。この塗布、現像装置１においては、ウエハＷが載置される場所をモジュールと記載する。なお、タワーＴ３、Ｔ４にも夫々モジュールが設けられているが、ここでは説明を省略する。図１で説明した搬送機構１２は、搬送アームＦ１〜Ｆ４、移載機構７３及び受け渡しアーム７５が相当する。
【００６４】
この塗布、現像装置１及び露光装置Ｄ４からなるシステムの通常の処理動作が行われる際のウエハＷの搬送経路について説明する。ウエハＷは、キャリア１１から移載機構７３により、処理ブロックＤ２におけるタワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ０に搬送される。この受け渡しモジュールＴＲＳ０からウエハＷは、単位ブロックＥ１、Ｅ２に振り分けられて搬送される。例えばウエハＷを単位ブロックＥ１に受け渡す場合には、タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳのうち、単位ブロックＥ１に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ１（搬送アームＦ１によりウエハＷの受け渡しが可能な受け渡しモジュール）に対して、前記ＴＲＳ０からウエハＷが受け渡される。またウエハＷを単位ブロックＥ２に受け渡す場合には、タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳのうち、単位ブロックＥ２に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ２に対して、前記ＴＲＳ０からウエハＷが受け渡される。これらのウエハＷの受け渡しは、受け渡しアーム７５により行われる。
【００６５】
このように振り分けられたウエハＷは、ＴＲＳ１（ＴＲＳ２）→反射防止膜形成モジュール→加熱モジュール→ＴＲＳ１（ＴＲＳ２）の順に搬送され、続いて受け渡しアーム７５により単位ブロックＥ３に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ３と、単位ブロックＥ４に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ４とに振り分けられる。
【００６６】
このようにＴＲＳ３、ＴＲＳ４に振り分けられたウエハＷは、ＴＲＳ３（ＴＲＳ４）→レジスト塗布モジュール２Ａまたは２Ｂ→加熱モジュール→保護膜形成モジュールＩＴＣ→加熱モジュール→タワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳの順で搬送される。然る後、このウエハＷは、インターフェイスアーム７６、７８により、タワーＴ３を介して露光装置Ｄ４へ搬入される。露光後のウエハＷは、インターフェイスアーム７７によりタワーＴ２、Ｔ４間を搬送されて、単位ブロックＥ５、Ｅ６に対応するタワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳ５、ＴＲＳ６に夫々搬送される。然る後、加熱モジュール→現像モジュール→加熱モジュール→受け渡しモジュールＴＲＳに搬送された後、移載機構７３を介してキャリア１１に戻される。
【符号の説明】
【００６７】
１            塗布、現像装置
２Ａ、２Ｂ    レジスト塗布モジュール
２２          スピンチャック
３６          レジスト吐出ノズル
３８          カメラ
３９          撮像領域
５            ポンプ
５５          駆動手段
６            制御部
６０          プログラム
【図１】
0006319114.tif 000002
【図２】
0006319114.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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