(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向に延出したゲート配線と、前記第１方向と交差する第２方向に延出したソース配線と、前記ゲート配線及び前記ソース配線と電気的に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子と電気的に接続された画素電極と、を備えた第１の基板と、
前記画素電極と対向し、前記第１方向に延出した共通電極と、
前記共通電極と平行に延出し、金属材料によって形成され、前記共通電極と同一層に位置し、外部からの導体の近接状態のセンシングに必要な検出電極要素と、
を備えたセンサ付き表示装置。
【請求項２】
第１方向に延出したゲート配線と、前記第１方向と交差する第２方向に延出したソース配線と、前記ゲート配線及び前記ソース配線と電気的に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子と電気的に接続された画素電極と、を備えた第１の基板と、
前記画素電極と対向し、前記第１方向に延出した共通電極と、
前記共通電極と平行に延出し、金属材料によって形成され、前記画素電極と同一層に位置し、外部からの導体の近接状態のセンシングに必要な検出電極要素と、
を備えたセンサ付き表示装置。
【請求項３】
前記第１の基板に液晶層を挟んで対向する第２基板は、
前記ゲート配線及び前記検出電極要素と対向するとともに前記第１方向に延出した遮光層を備えた、請求項１又は２に記載のセンサ付き表示装置。
【請求項４】
さらに、前記画素電極を用いて画像を表示する表示駆動時に、前記共通電極に対してコモン駆動信号を供給する第１駆動回路と、
センシングを行うセンシング駆動時に、検出電極要素に対してセンサ駆動信号を供給する、または、検出電極要素からセンサ検出信号を受信する、または、検出電極要素に対してセンサ駆動信号を供給した後に検出電極要素からセンサ検出信号を受信する、第２駆動回路と、
を備えた請求項１又は２に記載のセンサ付き表示装置。
【請求項５】
第１駆動回路は、センシング駆動時に、前記共通電極を固定電位に維持する、請求項４に記載のセンサ付き表示装置。
【請求項６】
第１駆動回路は、センシング駆動時に、前記共通電極を電気的にフローティング状態に切り替える、請求項４に記載のセンサ付き表示装置。
【請求項７】
第１の基板が、
第１方向に延出したゲート配線と、前記第１方向に交差する第２方向に延出したソース配線と、
前記ゲート配線及び前記ソース配線と電気的に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子と電気的に接続された画素電極と、
前記画素電極と対向し、前記第１方向に延出している共通電極と、
前記共通電極と平行に延出し、金属材料によって形成され、外部からの導体の近接状態のセンシングに必要な検出電極要素と、を備え、
第２の基板が、
前記第１の基板に液晶層を挟んで対向し、前記ゲート配線及び前記検出電極要素と対向するとともに前記第１方向に延出した遮光層を備えている、表示装置の駆動方法であって、
複数の前記共通電極が、ｎ本（ｎは正の整数）の束（或いはグループ）毎に第１の駆動回路により駆動され、複数の前記検出電極要素が、前記複数の前記共通電極と組となり、ｎ本（ｎは正の整数）の束（或いはグループ）毎に第２の駆動回路により駆動され、
前記検出電極要素の１つの束が前記第２の駆動回路から駆動パルスを与えられているときは、前記第１の駆動回路は、駆動されている前記検出電極要素の１つの束に対応する前記共通電極の束をフローティングとし、他の前記共通電極を所定の直流電圧で固定する、  ことを特徴とする表示装置の制御方法。
【請求項８】
前記ゲート配線と前記ソース配線により選択された前記画素電極の領域に画素信号が書き込まれているときは、及びまたは、書き込まれた画素信号が保持されているときは、前記第２の駆動回路は、前記検出電極要素を前記共通電極と同じ直流電位に設定する請求項７記載の表示装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この実施形態は、センサ付き表示装置及び表示装置の制御方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近、携帯装置（スマートフォーン、タブレット・パーソナル・コンピュータ、パーソナル・デジタル・アシスタント等）が、普及している。また携帯装置は、静電容量の変化を検出する入力センサを装備している。入力センサは、携帯装置の液晶表示パネルの面に例えば利用者の指が近接したとき、前記指の位置情報を操作入力として検出することができる。
【０００３】
入力センサとしては、液晶表示パネルの内部に組み込まれたインセル型のセンサや、液晶表示パネルの面上に配置されたオンセル型のセンサがある。
前記インセル型のセンサは、液晶駆動用の共通電極（透明性を有したインジウムティンオキサイド：ＩＴＯで形成される）が、入力センサを構成する検出電極要素として利用されている。液晶駆動用の共通電極が入力センサの検出電極要素として利用されるので、液晶表示パネルの厚みの増加を抑制できるし、また入力センサを構成するための製造工程が低減される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２４４９５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
最近では、携帯装置としてのタブレット・パーソナル・コンピュータなどが大型化し、且つ表示素子の高精細化が進んでいる。
装置が大型化した場合、従来に比べて共通電極の長さが長くなる、また共通電極の幅も大きくなる。このために、例えば共通電極と信号線との間の寄生容量が大きくなる。共通電極の抵抗が増大する、また、表示領域の周囲の額縁に配置される金属配線の抵抗も増大する。
【０００６】
この結果、入力センサの駆動周波数が低下する場合がある。また、配線の抵抗増大により装置の消費電力が増大する。
そこで本実施形態は、寄生容量の増大を抑制し、また配線抵抗の増加を抑制することができ、この結果、入力センサの駆動電極の消費電力低減、駆動周波数の改善を得ることができる、センサ付き表示装置及び表示装置の制御方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一実施形態に係る入力センサ付き表示装置は、
第１方向に延出したゲート配線と、前記第１方向と交差する第２方向に延出したソース配線と、前記ゲート配線及び前記ソース配線と電気的に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子と電気的に接続された画素電極と、を備えた第１の基板と、
前記画素電極と対向し、前記第１方向に延出した共通電極と、
前記共通電極と平行に延出し、金属材料によって形成され、前記共通電極と同一層に位置し、外部からの導体の近接状態のセンシングに必要な検出電極要素と、
を備える。
【０００８】
また他の実施形態に係る入力センサ付表示装置は、
第１方向に延出したゲート配線と、前記第１方向と交差する第２方向に延出したソース配線と、前記ゲート配線及び前記ソース配線と電気的に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子と電気的に接続された画素電極と、を備えた第１の基板と、
前記画素電極と対向し、前記第１方向に延出した共通電極と、
前記共通電極と平行に延出し、金属材料によって形成され、前記画素電極と同一層に位置し、外部からの導体の近接状態のセンシングに必要な検出電極要素と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、一実施形態に係る表示装置の構成を概略的に示す斜視図である。
【図２】図２は一実施形態に係る表示装置の画素電極と共通電極と入力センサの検出電極要素との配置関係を示す斜視図である。
【図３】図３は図２の１つの画素領域の一部の断面、つまり図２の線Ｘ−Ｘの断面を取り出して示す断面図である。
【図４】図４は、共通電極と検出電極要素と画素電極の配置関係を説明するために示す図である。
【図５】図５は、共通電極と検出電極要素との駆動例を説明するために示す図である。
【図６】図６は、他の実施形態であり、１つの画素領域の一部の断面を取り出して示す断面図である。
【図７】図７は、さらに他の実施形態であり、図２の１つの画素領域の一部の断面を取り出して示す断面図である。
【図８】図８は、図７に示した実施形態の共通電極と検出電極要素の配置関係を説明するために示す図ある。
【図９Ａ】図９Ａは、上記実施形態において検出電極要素が駆動される期間の一例を説明するために示す図ある。
【図９Ｂ】図９Ｂは、上記実施形態において検出電極要素が駆動される期間の他の例を説明するために示す図ある。
【図１０】図１０は、上記実施形態において検出電極要素と共通電極の動作状態を説明するための図である。
【図１１】図１１はミューチャル方式による入力センサの検出電極要素の配列例と動作を説明するために示した図である。
【図１２Ａ】図１２Ａは、上記表示装置に適用できるセルフ検出方式を説明するための図であり、検出電極と指との間に静電容量結合が生じていない場合に、検出電極が充電されている状態を示す図である。
【図１２Ｂ】図１２Ｂは、図１２Ａに続く、上記セルフ検出方式を説明するための図であり、検出電極から放電されている状態を示す図である。
【図１２Ｃ】図１２Ｃは、上記表示装置に適用できるセルフ検出方式を説明するための図であり、検出電極と指との間に静電容量結合が生じている場合に、検出電極が充電されている状態を示す図である。
【図１２Ｄ】図１２Ｄは、図１２Ｃに続く、上記セルフ検出方式を説明するための図であり、検出電極から放電されている状態を示す図である。
【図１３Ａ】図１３Ａは、上記セルフ検出方式を実現する基本構成の例を示す回路図である。
【図１３Ｂ】図１３Ｂは、図１３Ａに示した容量を示す等価回路図であり、容量Ｃｃの電荷が、容量Ｃｐ及びＣｘに移動した状態を示す図である。
【図１４】図１４は、図１３Ａ及び１３Ｂに示した、容量Ｃｘの電圧Ｖｘの値の変化を棒グラフで示し、容量Ｃｃの電圧Ｖｃの値の変化を線グラフで示した図である。
【図１５】図１５は、セルフ検出方式の検出要素電極Ｔｘの構成を示す一例である。
【図１６】図１６は、セルフ検出方式の検出要素電極Ｔｘの構成を示す他の一例である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照しながら一実施形態に係るセンサ付き表示装置及びその駆動方法について詳細に説明する。本実施形態において、表示装置は液晶表示装置である。
図１は、一実施形態に係るセンサ付き表示装置の概略構成を示す斜視図である。図１において、液晶表示装置ＤＳＰは、例えばアクティブマトリクス型の表示パネルＰＮＬ、表示パネルＰＮＬを駆動するドライブＩＣチップＩＣ１（第１のＩＣチップ或いはドライブ回路と称してもよい）、容量変化検出型の入力センサ（後述する）、入力センサを駆動するタッチＩＣチップＩＣ２（第２のＩＣチップ或いはセンサ回路と称しても良い）、表示パネルＰＮＬを照明するバックライトユニットＢＬ、ホストデバイス（システム制御ブロックと称しても良い）ＨＯＳ、フレキシブル配線基板ＦＰＣ１，ＦＰＣ２，ＦＰＣ３などを備えている。表示パネルＰＮＬは、後述するように、第１の基板１００、第２の基板２００を備え、両基板の間に液晶層３００を有する。
【００１１】
図２と図３は、一実施形態に係るセンサ付き表示装置の表示パネルＰＮＬの部分的な平面図と、部分的な断面図の例を示している。
図２は、２次元的に配列された４つの画素領域ＰＸＡ１，ＰＸＡ２，ＰＸＡ３，ＰＸＡ４を代表して示している。
図２は、画素電極１０８と、共通電極１１０と、後述する入力センサを形成する検出電極要素Ｔｘとの配置関係を示している。検出電極要素Ｔｘは、所謂タッチ入力（外部からの導体の近接状態、または操作入力）のセンシング（検出または感知）を行うのに必要な電極である。
【００１２】
画素電極１０８は、２次元的に配置されている。画素電極１０８と共通電極１１０との間に液晶層が存在する。また、画素電極１０８は、液晶層の液晶分子を駆動する電界を形成することができるように、複数のスリットＳＬが形成されている。
さらにまた、図２は、第１方向に平行に配置された複数のゲート配線１６０（走査線と称しても良い）、第１方向と交差する第２に方向に平行に配置された複数のソース配線１５０（信号線と称されてもよい）を示している。画素電極１０８とスイッチング素子（後述する）１組が、ゲート配線１６０とソース配線１５０との交点付近に配列されている。スイッチング素子は、例えばThin Film Transistor (TFT)で構成される。
【００１３】
また共通電極１１０と平行に、後述する検出電極要素Ｔｘが配列されている。この検出電極要素Ｔｘは、所謂タッチ入力を検出するためのセンサの一要素を構成している。検出電極要素Ｔｘは、上面視において画素電極と重ならない方が望ましい。
図３は、特に１つの画素領域の一部の断面を取り出して示している。図３は第１の基板１００、第２の基板２００、液晶層３００、バックライトＢＬを含む液晶表示装置を線Ｘ−Ｘ（図２参照）で断面して示す図である。図３において、１００は第１の基板（アレイ基板と称しても良い）であり、２００は第２の基板（対向基板と称しても良い）である。第１の基板１００と第２の基板２００は、液晶層３００を挟んで対向している。
【００１４】
表示パネルＰＮＬは、電界の状態に応じて液晶分子が配向制御され、通過する光を変調することができる。液晶分子の配向制御モードに関しては、フリンジフィールドスイッチング（ＦＦＳ）又はインプレーンスイッチング（ＩＰＳ）等の横電界モードと称されるタイプがある。
【００１５】
第２の基板２００は、外側から順次内側（液晶層３００側）に向かって、偏光膜ＯＤ２と、入力センサを構成するための検出電極要素Ｒｘと、ガラス基板２０２と、遮光膜２０３と、カラーフィルタ２０４と、オーバーコート層２０５と、配向膜２０６を備える。
【００１６】
カラーフィルタ２０４は、液晶層３００を透過した光を色光に変換する。遮光膜２０３は、後述する非表示領域に位置するスイッチング素子の金属電極や金属配線から不要な反射光が発生するのを防止する。オーバーコート層２０５は、カラーフィルタ２０４の内側(液晶層側）に設けられ、カラーフィルタ２０４の凹凸を緩和するためのものである。
【００１７】
検出電極要素Ｒｘの機能及び動作に関しては、第１の基板１００側に設けられる検出電極要素とともに後で詳しく説明する。
第１の基板１００の外側（図では下部側）には、バックライトＢＬが配置されている。第１の基板１００は、外側から液晶層３００側に向かって順次、偏光膜ＯＤ１，ガラス基板１０１、第１の絶縁層１０２、第２の絶縁層１０３、第３の絶縁層１０４、第４の絶縁層１０５、第５の絶縁層１０６、及び配向膜１０７を配置されている。
【００１８】
第１の基板１００の偏光膜ＯＤ１と、第２の基板２００の偏光膜ＯＤ２とは、互いの偏光方向が例えば直交する関係にある。
第１の基板１００は、半導体を用いたスイッチング素子ＳＷを備える。スイッチング素子ＳＷは、図では１つを代表して示しているが、複数のスイッチング素子が、第１の基板１００内に２次元的（第１方向及び第１方向に交差する第２方向）に配列して構成されている。
【００１９】
スイッチング素子ＳＷは、ゲート電極ＷＧ、半導体層ＷＷ，ソース電極ＷＳ、ドレイン電極ＷＤを備える。半導体層ＷＷは、ゲート電極ＷＧに対向した中央位置にチャンネル領域ＣＨを備え、チャンネル領域ＣＨの両サイドにソース領域ＳＤ、ドレイン領域ＤＤを備える。ソース領域ＳＤは、ソース電極ＷＳに接続され、ドレイン領域ＤＤは、ドレイン電極ＷＤに接続されている。
【００２０】
ゲート電極ＷＧ，ソース電極ＷＳ，ドレイン電極ＷＤは、例えばアルミニウム等の金属である。ゲート電極ＷＧはガラス基板１０１に形成されたゲート配線１６０（図２参照）に接続されている。ゲート電極ＷＧと半導体層ＷＷとの間には、絶縁層１０２が設けられている。さらに、半導体層ＷＷは、絶縁層１０２と絶縁層１０３の間に配置されている。
【００２１】
ソース電極ＷＳは、絶縁層１０３，１０４のコンタクトホールを介してソース領域ＳＤに接続され、ドレイン電極ＷＤも絶縁層１０３、１０４のコンタクトホールを介してドレイン領域ＤＤに接続されている。
ソース電極ＷＳは、ソース配線１５０（図２に表れている）に接続されており、このソース配線１５０から書き込み信号（画素信号と称してもよい）が供給される。ドレイン電極ＷＤは、絶縁層１０５、１０６を介して、画素電極１０８に接続されている。画素電極１０８は、図２で示したようにスリットＳＬを有する。画素電極１０８は、スイッチング素子ＳＷに対応する電極である。
【００２２】
第１の基板１００には複数のスイッチング素子ＳＷに対応して複数の画素電極が２次元的に配列して備えられている。
絶縁層１０５の上、つまり絶縁層１０５と絶縁層１０６の間であって画素電極の一方の配列方向に沿って、共通電極１１０が設けられている。図３では、画素電極１０８に対応する共通電極１１０が示されているが、他の画素電極（図２に表れている）にも対応している。例えば、図２に示すように、第１方向に配列された複数の画素電極１０８，１０８、・・・に対して１つの共通電極１１０−１あるいは１１０−２が配置されている。したがって、第１方向と交差する第２方向に、複数の共通電極１１０−１及び１１０−２が配列されている。第１方向と交差する第２方向に配列される複数の共通電極１１０の数は表示装置の仕様に応じて適宜設定される。
【００２３】
さらに共通電極１１０と同じ層に、後述する入力センサを構成する検出電極要素Ｔｘが形成されている。この検出電極要素Ｔｘは、共通電極１１０から離間し、共通電極１１０に沿って配置されている。画素電極１０８及び共通電極１１０は、例えばＩＴＯなどで形成される透明な電極である。
【００２４】
上記した表示パネルＰＮＬにおいて、ゲート配線１６０は、図示しないゲートドライブ回路により、選択的に駆動される。所定のゲート配線１６０に駆動電圧が供給されたとき、このゲート配線１６０に接続されているスイッチング素子ＳＷがオン状態となる。ここで、ソース配線１５０に書き込み信号がソースドライブ回路から与えられると、オン状態のスイッチング素子ＳＷを介して、対応する画素回路に信号が書き込まれる。信号が書き込まれることとは、１つの組を形成する画素電極と共通電極との間に、書き込み信号（画像信号）に応じた電圧がチャージされ、保持されることである。この結果、チャージ電圧に応じて、例えば画素電極１０８と共通電極１１０との間において、画素電極のスリットＳＬを通過する電界が生じる。この電界により、液晶層３００の液晶分子が駆動され、この現象により、液晶層３００を通過する光量が制御される。
【００２５】
図４は、共通電極１１０と、検出電極要素Ｔｘとの配置関係と、それらの駆動例を説明するために示す図である。駆動例とは、共通電極１１０と検出電極要素Ｔｘとを入力センサとして動作させるための駆動例である。図４は、複数の共通電極と複数の検出電極要素を示すので、符号にサフィックスａ、ｂ、ｃ、・・・・を付している。
【００２６】
共通電極１１０ａ、１１０ｂ，１１０ｃ・・・は、第１の駆動回路（共通電極制御回路と称してもよい）５００により複数行単位で制御されることが可能である。図４の例では、共通電極が３行単位で制御可能な構成例を示している。第１の駆動回路５００は、例えば、スイッチＳ１をオン、スイッチＳ２、Ｓ３をオフすることにより、図面の上側の３行の共通電極１１０ａ−１１０ｃを一定の直流（ＤＣ）電圧で固定とすることができ、他の共通電極１１０ｄ−１１０ｉをフローティング状態とすることができる。
【００２７】
上記のように、検出電極要素Ｔｘａ−Ｔｘｉも、第２の駆動回路（検出電極制御回路と称してもよい）５５０により、共通電極の駆動に同期して３行単位で駆動されることができる。
上記の実施形態では、共通電極と検出電極要素の１組で形成される第１方向の行の上に、複数の画素電極が配列されている。図４では、１つの行の複数の画素電極に符号１０８ａ，１０８ｂ，１０８ｂ，・・・・・を代表して付している。他の行にも複数の画素電極が配列されている。
【００２８】
図５は、検出電極要素を駆動して、操作入力を取得するときの一動作期間の状態を説明するために示している。検出電極要素Ｔｘａ，Ｔｘｂ，Ｔｘｃは、所定周波数の駆動パルス（駆動信号）を一定期間与えられて駆動されている。このときは、検出電極要素Ｔｘａ，Ｔｘｂ，Ｔｘｃに対応する共通電極１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃは、スイッチＳ１がオフされてフローティング状態とされ、他の共通電極１１０ｄ〜１１０ｉは、直流電圧が与えられて固定電位とされる。これにより、駆動中の検出電極要素Ｔｘａ，Ｔｘｂ，Ｔｘｃにより、他の共通電極１１０ｄ〜１１０ｉの電位が変動するのを抑制し、画像表示状態（保持状態と称しても良い）に悪影響を与えることが抑制される。
【００２９】
上記したように、例えば３行単位の検出電極要素が、駆動パルスにより順次駆動され、この駆動に同期して対応する３行単位の共通電極も順次フローティング状態に制御され、他の共通電極が直流電圧で固定電位に制御される。なお３行単位の駆動は、一例であり、行数が限定されるものではない。
【００３０】
上記のように、入力センサを構成する検出電極要素（Ｔｘ）の駆動期間は、フローティング状態の共通電極のグループと、直流電位固定状態の共通電極のグループが存在する。
上記の構成によると、検出電極要素（Ｔｘ）をアルミニウム等の金属材料の配線とすることで低抵抗を実現することができる。これにより、入力センサの駆動周波数が低下するのを抑えることができる。また、検出電極要素（Ｔｘ）である配線の幅も小さくすることができ、寄生容量も少なくすることができる。この結果、全体としての消費電力の低減も得ることができる。
【００３１】
なお第１の駆動回路５００と第２の駆動回路５５０による、共通電極の駆動と検出電極要素の駆動形態は、各種の形態が可能である。
画素電極を用いて画像を表示する表示駆動時（表示期間）には、第１の駆動回路５００が、共通電極に対してコモン駆動信号を供給する。またセンサがセンシングを行うセンシング駆動時には、第２の駆動回路５５０が、検出電極要素に対してセンサ駆動信号を供給することができ、または、検出電極要素からセンサ検出信号を受信することができ、または、検出電極要素に対してセンサ駆動信号を供給した後に検出電極要素からセンサ検出信号を受信することができる。
【００３２】
第２の駆動回路５５０が、検出電極要素に対してセンサ駆動信号を供給した後に検出電極要素からセンサ検出信号を受信する動作は、後述するセルフセンシングのときにあり得る。
また第１の駆動回路５００は、センシング駆動時に、共通電極を固定電位に維持する場合がある。さらに第１に駆動回路５００は、センシング駆動時に、共通電極を電気的にフローティング状態に切り替えることができる。あるいは、全共通電極を固定電位とフローティング状態に切り替える構成にすれば第１の駆動回路の回路規模を小さくすることができる。
【００３３】
図６は他の実施形態であり、１つの共通電極に対して、２つの検出電極要素（Ｔｘ１）（Ｔｘ２）が配置された例を示している。つまり、検出電極要素（Ｔｘ）は、１つの共通電極に対して１つの電極に限定されるものではない。他の部分は、図３で説明したので省略する。
【００３４】
上記したように１つの共通電極に対して、２つの検出電極要素（Ｔｘ１）（Ｔｘ２）が配列された場合、操作入力を検出するために必要な容量を大きな容量とすることができる。
図７はさらに他の実施形態であり、検出電極要素（Ｔｘ）が、画素電極１０８と同じ層に配置された例を示している。検出電極要素（Ｔｘ）が配置される層は、共通電極１１０と同じ層に限定されるものではない。検出電極要素（Ｔｘ）が、画素電極１０８と同じ層に配置された場合であっても、図５で説明した制御が可能であるように、この検出電極要素（Ｔｘ）は、共通電極と組みとなるように配置される。
【００３５】
図８は、検出電極要素（Ｔｘ）が、画素電極１０８と同じ層に配置された場合の検出電極要素（Ｔｘ）と共通電極１１０との配置関係を示している。検出電極要素（Ｔｘ）が、画素電極１０８と同じ層に配置される場合は、平面的に見た場合、スイッチング素ＳＷと隣の画素電極との間に、配置される。即ち、図８に示すように、共通電極１１０−１に対して、検出電極要素（Ｔｘ−１）が組み合わせられ、図８に示すように、共通電極１１０−２に対して、検出電極要素（Ｔｘ−２）が組み合わせられる。
【００３６】
図９Ａは、上記実施形態において検出電極要素が駆動される期間の一例を説明するために示す図である。図９Ｂは、上記実施形態において検出電極要素が駆動される期間の他の例を説明するために示す図である。
図９Ａのタイミングチャートは、１フレーム期間において、スタート時点ｔ１から時点ｔ２まで画像信号書き込み期間が設定されている。時点ｔ２から時点ｔ３までは、センサからのセンサ検出信号を読み取る期間が設定されている。なお画素回路は、信号書き込みが行われていない行であって、且つセンサ検出信号が読み取られていない行は、書き込まれた画像信号が保持された保持状態である。この保持状態（画素回路の表示状態）では、共通電極は一定の直流電圧に保持される。
【００３７】
図９Ｂのタイミングチャートの例は、１フレーム期間において、画像信号書き込み期間と、センサ検出信号を読み取る期間が、時分割で設定されている。この場合も画素回路は、画像信号書き込みが行われていない行であって、且つセンサ検出信号が読み取られていない行は、画像信号の保持状態（表示状態）である。
【００３８】
図１０は、図９Ｂに示したタイミングチャートにおいて、画像信号の書き込み期間とセンサ駆動期間（センサ検出信号読み取り期間）との共通電極の状態を示す。また、検出電極要素に対して駆動信号が与えられている状態を示す説明図である。
即ち、この装置では、駆動中の検出電極要素（Ｔｘ）のに対応する共通電極は、フローティング状態に制御される。非駆動中の検出電極要素（Ｔｘ）のに対応する共通電極は、一定の直流（ＤＣ）電圧に固定される。また検出電極要素（Ｔｘ）は、駆動中は所定周波数の駆動パルス（Ｔｘ駆動信号）が与えられ、それ以外は、一定の直流（ＤＣ）電圧が与えられる。
【００３９】
上記した駆動は、図３、図４で示した第１の駆動回路５００、第２の駆動回路５５０により実施される。
図１１は、さらにセンサの基本構成と動作について説明するために示した図である。先に説明したように第１の基板１００には、共通電極１１０ａ、１１０ｂ、・・・・と、検出電極要素Ｔｘａ，Ｔｘｂ，・・・・が配置されている。第２の基板２００にも検出電極要素２１−１，２１−２・・・・２１−ｎが設けられている。この検出電極要素２１−１，２１−２・・・・２１−ｎは、例えばＩＴＯなどの透明な材質であり、他方の検出電極要素Ｔｘａ，Ｔｘｂ，・・・・との間で容量を形成することができる。
【００４０】
ここで例えば指３５などの外部導体が近接すると、対向する検出電極要素間の容量は、変化する。この変化した容量の座標位置は、検出電極要素２１−１，２１−２・・・・２１−ｎから出力されるセンサ検出信号Ｒｘ１，Ｒｘ２，・・・・の変化を、タッチＩＣチップＩＣ２（図１に示した）が判定することにより、特定される。
【００４１】
例えば、図１１の丸印３６の位置に、指３５が近接しているものとする。この場合、検出電極要素Ｔｘａ，Ｔｘｂが駆動されたとき、検出電極要素２１−（ｎ−１），２１−（ｎ）からのセンサ検出信号Ｒｘ（ｎ−１），Ｒｘ（ｎ）の振幅は、指が近接していないときに比べて、低下する。
【００４２】
図４、図５で示した第１の駆動回路（検出電極制御回路）５５０を制御する（含む）タッチＩＣチップＩＣ２（図１に示した）は、検出電極要素（Ｔｘ）を駆動するとともに、センサ検出信号（Ｒｘ１〜Ｒｘｎ）を受け取ることができる。従って、変化した容量の座標位置は、検出電極要素Ｔｘａ，Ｔｘｂ，・・・・の駆動タイミングと、検出電極要素２１−１，２１−２・・・・２１−ｎから出力されるセンサ検出信号Ｒｘ１，Ｒｘ２，・・・・の変化に基づき、タッチＩＣチップＩＣ２が判定することができる。
尚、図３、図６、図７等において検出電極要素ＲＸは対第２基板（対向基板）において、偏光膜ＯＤ２とガラス基板２０２の間に配置されているが、これに限らず検出電極要素ＴＸよりもユーザーが視認する側であればその他の層にも適宜配置することは可能である。
【００４３】
図１２Ａ−図１６は、センサの他の基本構成と動作の一例について説明するために示した図である。上記した検出電極要素（Ｔｘａ、 Ｔｘｂ、Ｔｘｃ・・・・ ）は、セルフ検出電極としても利用することができる。
セルフ検出方式の原理を説明する。セルフ検出方式は、例えば検出電極要素Ｔｘが有する容量Ｃｘ１を利用する。またセルフ検出方式は、検出電極要素Ｔｘに近接している利用者の指等により生じる容量Ｃｘ２を利用する。
【００４４】
図１２Ａ及び図１２Ｂは、表示パネルの上面面に、利用者の指が接触も近接もしていない状態を示している。このため、検出電極要素Ｔｘと指との間の静電容量Ｃｘ２は生じていない。図１２Ａは、制御スイッチＳＷｃにより電源Ｖｄｄと検出電極要素Ｔｘが接続された状態を示す。図１２Ｂは、制御スイッチＳＷｃにより、電源Ｖｄｄと検出電極要素Ｔｘ間がオフされ、検出電極要素ＴｘがコンデンサＣｃｐに接続された状態を示す。
【００４５】
図１２Ａの状態で、容量Ｃｘ１は充電され、図１２Ｂの状態で、容量Ｃｘ１は放電される。ここで、容量Ｃｘ１が充電されることとは、検出電極要素Ｔｘに対して一定の書込み信号が書込まれることである。また、容量Ｃｘ１が放電されることとは、検出電極要素Ｔｘに生じた静電容量の変化を示す信号を読み出することである。上記した書込み及び読み出し信号は、図４、図５に示した第２の駆動回路５５０により出力及び読み取りされる。
【００４６】
一方、図１２Ｃ及び図１２Ｄは、表示パネルＰＮＬの上面に、利用者の指が接触又は近接している状態を示している。よって、検出電極要素Ｔｘと指との間に静電容量Ｃｘ２が生じている。図１２Ｃは、制御スイッチＳＷｃにより電源Ｖｄｄと検出電極要素Ｒｘが接続された状態を示す。図１２Ｄは、制御スイッチＳＷｃにより、電源Ｖｄｄと検出電極要素Ｔｘ間がオフされ、検出電極要素ＴｘがコンデンサＣｃｐに接続された状態を示す。
【００４７】
図１２Ｃの状態で、容量Ｃｘ１は充電され、図１２Ｄの状態で、容量Ｃｘ１は放電される。
ここで、図１２Ｂに示す放電時の容量Ｃｃｐの電圧変化特性に対して、図１２Ｄに示す放電時の容量Ｃｃｐの電圧変化特性は、容量Ｃｘ２が存在するために、明らかに異なる。したがって、セルフ検出方式では、容量Ｃｃｐの電圧変化特性が、容量Ｃｘ２の有り無しにより、異なることを利用して、入力位置情報（例えば、操作入力の有無）を判断している。
【００４８】
図１３Ａは、セルフ検出方式を実現する基本回路の例を示している。この回路は、例えば図１に示したタッチＩＣチップＩＣ２に設けられている。
図１３Ａに示すように、検出電極要素Ｔｘは、分圧用の容量Ｃｐの一方の端子に接続されるとともに、比較器ＣＯＭＰの一方の入力端子に接続される。検出電極要素Ｔｘは、自己の容量Ｃｘを有する。比較器ＣＯＭＰの他方の入力端子は、比較電圧Ｖｒｅｆの供給端子に接続されている。
【００４９】
容量Ｃｐの他方の端子は、スイッチＳＷ１を介して電圧Ｖｃｃの電源ラインに接続される。また容量Ｃｐの他方の端子は、抵抗Ｒｃを介して容量Ｃｃの一方の端子に接続されている。容量Ｃｃの他方の端子は、基準電位（例えばアース電位）に接続される。
スイッチＳＷ２は、容量Ｃｐの他方の端子と基準電位間に接続され、スイッチＳＷ３は、容量Ｃｐの一方の端子と基準電位間に接続されている。スイッチＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３及び比較器ＣＯＭＰは、タッチＩＣチップＩＣ２内の制御回路内に設けられている。
【００５０】
次に動作を説明する。スイッチＳＷ１は、一定の周期でオンし、容量Ｃｃを充電することができる。容量Ｃｃが充電されるときは、スイッチＳＷ２，ＳＷ３はオフされる。容量Ｃｃが充電されると、スイッチＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３が全てオフされ、容量Ｃｃの電荷が保持される。
【００５１】
続いて、スイッチＳＷ２，ＳＷ３が一定時間オンされる（なおスイッチＳＷ１はオフを維持する）。すると、容量Ｃｐ、Ｃｘの電荷のほとんどが放電されるとともに、容量Ｃｃの電荷の一部が、抵抗Ｒｃを介して放電される。
次いで、スイッチＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３が全てオフされる。すると、容量Ｃｃの電荷が、容量Ｃｐ，Ｃｘに移動する、このときの等価回路は、図１３Ｂのように表すことができる。その後、容量Ｃｘの電圧Ｖｘが比較器ＣＯＭＰにおいて、比較電圧Ｖｒｅｆ又は閾値電圧Ｖｔｈと比較される。
【００５２】
図１３Ｂの等価回路に示すように、スイッチＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３が全てオフ状態にされると、容量Ｃｃの電荷が容量Ｃｐ，Ｃｘに移動し、次に、容量Ｃｘの電圧Ｖｘの変化が比較器ＣＯＭＰにおいて、比較電圧Ｖｒｅｆと比較される。上記したような動作がＶｘ＜Ｖｒｅｆとなるまで繰り返される。
【００５３】
即ち、容量Ｃｃに充電が実行された後、スイッチＳＷ２，ＳＷ３が一定時間オンされる（なおスイッチＳＷ１はオフを維持する）。すると、容量Ｃｐ，Ｃｘの電荷のほとんどが放電されるとともに、容量Ｃｃの電荷の一部が、抵抗Ｒｃを介して放電される。そして、スイッチＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３が全てオフされる。すると、容量Ｃｃの電荷が、容量Ｃｐ，Ｃｘに移動する。
【００５４】
電圧Ｖｐ，Ｖｃ，Ｖｘと、容量Ｃｐ，Ｃｃ，Ｃｘの関係は、次の式（１）乃至（３）で表される。
Ｖｃ＝Ｖｐ＋Ｖｘ    ・・・（１）  
Ｖｐ：Ｖｘ＝（１／Ｃｐ）：（１／Ｃｘ）    ・・・（２）  
Ｖｘ＝（Ｃｐ／（Ｃｐ＋Ｃｘ））×Ｖｃ    ・・・（３）  
上記のように、スイッチＳＷ１を介して容量Ｃｃが電圧Ｖｃまで充電された後、スイッチＳＷ１がオフされたまま，スイッチＳＷ２，ＳＷ３が繰り返しオンとオフを繰り返すと、次第に、容量Ｃｃの電圧Ｖｃが低下し、容量Ｃｘの電圧Ｖｘも低下する。この動作、つまり容量Ｃｃが電圧Ｖｃまで充電された後、スイッチＳＷ２，ＳＷ３が繰り返しオンとオフを繰り返す動作は、電圧Ｖｘが比較電圧Ｖｒｅｆよりも小さくなるまで続けられる。
【００５５】
図１４は、容量Ｃｃの電圧Ｖｃの変化波形と、比較器ＣＯＭＰの出力波形の例を示している。横方向は時間を示し、縦方向は電圧を示す。
スイッチＳＷ１がオンすると、容量Ｃｃは、電圧Ｖｃｃに充電される。その後、スイッチＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３が全てオフ状態となり、容量Ｃｃの電荷が、容量Ｃｐ，Ｃｘに移動する。次に、容量Ｃｘの電圧Ｖｘの変化が比較器ＣＯＭＰにおいて、比較電圧Ｖｒｅｆと比較される。
【００５６】
電圧Ｖｃの変化の特性または変化の度合いは、容量Ｃｐと容量Ｃｘの合計値に応じて変化する。また容量Ｃｃの変化は、容量Ｃｘの電圧Ｖｘに対しても影響を与える。また容量Ｃｘの値は、検出電極要素Ｔｘに対する利用者の指の接近の程度に応じて異なる。
【００５７】
このために図１４に示すように、指が検出電極要素Ｔｘから遠い場合は、ゆっくりした変化を伴う特性ＶＣＰ１となり、指が検出電極Ｔｘに近い場合は、すばやい変化を伴う特性ＶＣＰ２となる。指が検出電極要素Ｒｘに近い場合に、遠い場合に比べて、Ｖｃの低下率が大きいのは、容量Ｃｃの値が指の容量により増加したからである。
【００５８】
比較器ＣＯＭＰは、スイッチＳＷ２，ＳＷ３が繰り返してオン／オフするのに同期して、電圧Ｖｐを比較電圧Ｖｒｅｆ又は閾値電圧Ｖｔｈと比較する。そしてＶｐ＞Ｖｒｅｆのときは、比較器ＣＯＭＰは、出力パルスを得る。しかし比較器ＣＯＭＰは、Ｖｐ＜Ｖｒｅｆになると出力パルスを停止する。
【００５９】
比較器ＣＯＭＰの出力パルスは、タッチＩＣチップＩＣ２内の図示しない計測回路或いは計測アプリケーションにより監視される。つまり、容量Ｃｃに対する１回の充電の後、上記したスイッチＳＷ１，ＳＷ２による短期間の繰り返しによる放電が実行され、電圧Ｖｐの値が繰り返し計測される。
【００６０】
このとき、比較器ＣＯＭＰの出力パルスが得られる期間（ＭＰ１或いはＰ２）が計測されてもよいし、比較器ＣＯＭＰの出力パル数（Ｃｃの充電後からＶｐ＜Ｖｒｅｆになるまでのパルス数）が計測されてもよい。
指が検出電極要素Ｔｘから遠い場合は、期間が長く、指が検出電極要素Ｔｘに近い場合は、期間が短い。または、指が検出電極要素Ｔｘから遠い場合は、比較器ＣＯＭＰの出力パルス数が多く、指が検出電極要素Ｔｘに近い場合は、比較器ＣＯＭＰの出力パルス数が少ない。よって、センサの平面に対する指の近接度を検出パルスの数で判断することができる。
【００６１】
次に、センサの平面上にタッチする指の位置を２次元的に検出するためには、検出電極要素Ｔｘが２次元的（マトリックス）に配列されることにより、センサの平面上にタッチする指の位置を検出することができる。上記のように、利用者の指が検出電極要素Ｔｘに影響しているか否かが検出されるが、その検出時間は、数十μｓ乃至数ｍｓオーダーである。
【００６２】
しかし、本実施形態に用いられるセルフ検出方式は、必ずしも、センサの平面上にタッチする指の位置を２次元的に検出する目的で利用される必要はない。
例えば、第２の駆動回路５５０（図４参照）により、検出電極要素Ｔｘａ、Ｔｘｂ，Ｔｘｃ・・・・が複数行単位（例えば３乃至５）で束ねられる、そして、束毎の検出電極要素がセルフ検出動作のために制御される。このセルフ検出動作によると、第２の駆動回路５５０は、タッチする指が、どの行群（束）上に位置しているかを検出することができる。あるいは、第２の駆動回路５５０は、タッチする指が、どの行群（束）上から、どの行群（束）上に移動したかを検出することができる。
【００６３】
上記したセルフ検出機能は、例えば画像を第２方向（上方向或いは下方向）に単純にスクロールする操作入力が必要とされたときに、活用されることができる。あるいは、上記したセルフ検出機能は、例えばタッチする指が第２方向（上方向或いは下方向）のどちらに移動したかを検出するときに、活用されることができる。
【００６４】
図１５はセルフ検出方式の検出要素電極Ｔｘの構成を示す一例である。第１の基板（アレイ基板と称しても良い）には複数の検出電極要素Ｔｘａ、Ｔｘｂ，Ｔｘｃ・・・・が第１方向に沿って配置される。第２の基板（対向基板と称しても良い）には複数の検出電極要素Ｔｘ１〜Ｔｘｎが第１方向と交差する第２方向に沿って配置される。複数の検出電極要素の各々はＴｘａ、Ｔｘｂ，Ｔｘｃ・・・・、Ｔｘ１〜Ｔｘｎはいずれも駆動され、その電極の電位の変動が検出される。従って、第２基板（対向基板）２００内の検出電極要素Ｒｘを設ける必要はない。図１５の３７の領域に指が検出したときは検出電極要素ＴｘｂおよびＴｘ（ｎ−２）を駆動したときの変動量が、例えば図１２Ａ〜１２Ｄ、図１３Ａで示したように、指が近接していないときの変動量とは異なる。尚、複数の検出電極要素はＴｘａ、Ｔｘｂ，Ｔｘｃ・・・・、Ｔｘ１〜Ｔｘｎは任意の本数を束ねて駆動および検出を行ってもよい。
【００６５】
図１６はセルフ検出方式の検出要素電極Ｔｘの構成を示す他の一例である。第１の基板（アレイ基板と称しても良い）にて、複数の検出電極要素Ｔｘａ１〜Ｔｘａｎ、Ｔｘｂ１〜Ｔｘｂｎ，Ｔｘｃ１〜Ｔｘｃｎ・・・・・・が共通電極１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ・・・・に沿って配置されている。検出電極要素Ｔｘａ１〜Ｔｘａｎ、Ｔｘｂ１〜Ｔｘｂｎ，Ｔｘｃ１〜Ｔｘｃｎ・・・・・・の各々は個別に駆動及び検出が実施される。このため、指の近接領域を高精度で検出することが可能となる。また、第２基板（対向基板）２００内の検出電極要素Ｒｘを設ける必要はない。図１６の３８の領域に指が検出したときは検出電極要素Ｔｘｂ１を駆動したときの変動量が、例えば図１２Ａ〜１２Ｄ、図１３Ａで示したように、指が近接していないときの変動量とは異なる。尚、複数の検出電極要素はＴｘａ１〜Ｔｘａｎ、Ｔｘｂ１〜Ｔｘｂｎ，Ｔｘｃ１〜Ｔｘｃｎ・・・・・・は任意の本数を束ねて駆動および検出を行ってもよい。
【００６６】
上記実施形態は、ある視点によると、次のように記述することもできる。  
第１の基板は、第１方向に延出したゲート配線と、前記第１方向に交差する第２方向に延出したソース配線と、前記ゲート配線及び前記ソース配線と電気的に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子と電気的に接続された画素電極と、を備える。そして、共通電極が、前記画素電極と対向し、前記第１方向に延出している。そして、外部からの導体の近接状態のセンシングに必要な検出電極要素が、前記共通電極と平行に延出し、金属材料によって形成されたている。
【００６７】
また、第２の基板が、前記第１基板に液晶層を挟んで対向し、この第２基板は、前記ゲート配線及び前記検出電極要素と対向するとともに第１方向に延出した遮光層を備えている。
また、複数の前記共通電極が、ｎ本（ｎは正の整数）の束（或いはグループ）毎に第１の駆動回路に接続され、複数の前記検出電極要素が、前記複数の前記共通電極と組となり、ｎ本（ｎは正の整数）の束（或いはグループ）毎に第２の駆動回路に接続され、前記検出電極要素の１つの束が前記第２の駆動回路から駆動パルスを与えられているときは、前記第１の駆動回路は、駆動されている前記検出電極要素の１つの束に対応する前記共通電極の束をフローティングとし、他の共通電極を所定の直流電圧で固定する。
【００６８】
また、前記ゲート配線と前記ソース配線により選択された前記画素電極の領域に画素信号が書き込まれているときは、及びまたは、書き込まれた画素信号が保持されているときは、前記第２の駆動回路は、前記検出電極要素を前記共通電極と同じ直流電位に設定することができる。
さらにまた、第１の駆動回路５００は、画素電極を用いて画像を表示する表示駆動時に、共通電極に対してコモン駆動信号を供給することができる。そして、第２の駆動回路５５０は、センシングを行うセンシング駆動時に、検出電極要素に対してセンサ駆動信号を供給する、または、検出電極要素からセンサ検出信号を受信する、または、検出電極要素に対してセンサ駆動信号を供給した後に検出電極要素からセンサ検出信号を受信する。
【００６９】
上記実施形態は、別の視点によると、次のように記述することもできる。  
第１の基板は、前記ゲート配線と、前記ソース配線と、前記スイッチング素子と、前記画素電極と、前記共通電極、前記検出電極要素を備える。ここで、複数の前記共通電極が、ｎ本（ｎは正の整数）の束（或いはグループ）毎に第１の駆動回路により駆動され、複数の前記検出電極要素が、前記複数の前記共通電極と組となり、ｎ本（ｎは正の整数）の束（或いはグループ）毎に第２の駆動回路により駆動される。また、前記検出電極要素の１つの束が前記第２の駆動回路から駆動パルスを与えられているときは、前記第１の駆動回路は、駆動されている前記検出電極要素の１つの束に対応する前記共通電極の束をフローティングとし、他の共通電極を所定の直流電圧で固定する。
【００７０】
ここで、さらにまた前記ゲート配線と前記ソース配線により選択された前記画素電極の領域に画素信号が書き込まれているときは、及びまたは、書き込まれた画素信号が保持されているときは、前記第２の駆動回路は、前記検出電極要素を前記共通電極と同じ直流電位に設定してもよい。
【００７１】
上記実施形態は、別の視点によると、次のように記述することもできる。  
即ち、（ａ１）それぞれスイッチング素子が接続された複数の画素電極が、２次元に配列された第１の層を有する第１の基板と、前記第１の基板に対して液晶層を挟んで対向し、さらに複数の前記スイッチング素子の一定方向の配列に対向する複数の遮光膜を有した第２の基板と、前記複数の画素電極と協働して前記液晶層の液晶を駆動するための駆動電界を形成するために前記第１の基板若しくは前記第２の基板の何れか一方に配置された共通電極と、を有する表示装置であって、
前記第１の基板は、非表示領域であって、前記遮光膜に対向する領域の前記複数のスイッチング素子の前記一定の配列方向に沿って、前記入力センサを構成するための金属配線の電極が配置されていることを特徴とする。  
（ａ２）また前記共通電極は、前記第１の基板の前記画素電極に対して絶縁層を介して配置され、前記金属配線の電極は、前記共通電極と同じく前記第１の層に形成されている。  
（ａ３）また前記共通電極は、前記第１の基板の前記画素電極に対して絶縁層を介して配置され、前記金属配線の電極は、前記画素電極と同じ層に形成されている。  
（ａ４）また１つの前記帯状共通電極の幅は、１つの画素の幅に対応する幅である。  
（ａ５）また複数の前記帯状共通電極の間に配置される、複数の前記金属配線の電極は、グループ毎に分けられ、各グループの金属配線の電極は、共通接続されている。  
（ａ６）また前記金属配線の電極が配置される前記非表示領域は、画素回路を構成するスイッチング素子の電極位置に対向している。
【００７２】
上記した実施形態は、バックライトと液晶層を有する表示装置を説明した。しかしこの発明の考え方は、発光素子（例えば有機ＥＬ素子）を備えた表示装置にも適用可能であることは勿論である。
いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。  
【符号の説明】
【００７３】
ＤＳＰ・・・液晶表示装置、１００・・・第１の基板、２００・・・第２の基板、ＰＮＬ・・・表示パネル、ＩＣ１・・・ドライブＩＣチップ、ＩＣ２・・・タッチＩＣチップ、３００・・・液晶層、ＰＸＡ１，ＰＸＡ２，ＰＸＡ３，ＰＸＡ４・・・画素領域、Ｔｘ、Ｒｘ・・・検出電極要素、ＳＬ・・・スリット、ＯＤ１，ＯＤ２・・・偏光膜、１０１、２０２・・・ガラス基板、１０２，１０３，１０４，１０５，１０６・・・絶縁層，２０４・・・カラーフィルタ、２０５・・・オーバーコート層，１０７、２０６・・・配向膜、１０８・・・画素電極、１１０・・・共通電極、１６０・・・ゲート配線、１５０・・・ソース配線、５００・・・第１の駆動回路、５５０・・・第２の駆動回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１２Ｃ】
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【図１２Ｄ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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