(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎｉ系スパッタリングターゲット材に用いる合金であって、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍ合金からなり、該合金はａｔ．％で、Ｍ１元素としてＡｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｒｕ，Ｒｅ，Ｐｔから選ばれる１種又は２種以上の元素を合計で２〜２０ａｔ．％含有し、残部がＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏおよび不可避的不純物からなり、かつＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏの含有量の比率がａｔ．％比でＮｉ：Ｆｅ：Ｃｏ＝１００〜２０：０〜５０：０〜６０であることを特徴とする、磁気記録媒体において軟磁性層と磁気記録層との間に位置するシード層用合金。
【請求項２】
請求項１に記載されたＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍ合金に、更にＭ２元素としてＡｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｂ，Ｃｕ，Ｐ，Ｃ，Ｍｎ，Ｓｎから選ばれる１種又は２種以上の元素を合計で０超え〜１０ａｔ．％含有することを特徴とする、磁気記録媒体において軟磁性層と磁気記録層との間に位置するシード層用合金。
【請求項３】
請求項１、２のいずれか１項に記載の磁気記録媒体のシード層用合金を使用してなるスパッタリングターゲット材。
【請求項４】
請求項１、２のいずれか１項に記載のシード層用合金を使用してなる磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シード層薄膜の微細化を特徴とするＮｉ系合金スパッタリングターゲット材に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、垂直磁気記録の進歩は著しく、ドライブの大容量化のために、磁気記録媒体の高記録密度化が進められており、従来普及していた面内磁気記録媒体により、さらに高記録密度が実現できる垂直磁気記録方式が実用化されている。ここで、垂直磁気記録方式とは、垂直磁気記録媒体の磁性膜中の媒体面に対して磁化容易軸が垂直方向に配向するように形成したものであり、高記録密度に適した方法である。
【０００３】
垂直磁気記録方式においては、記録密度を高めた磁気記録膜相と軟磁性膜相とを有する記録媒体が開発されており、このような媒体構造では、軟磁性層と磁気記録層の間にシード層や下地膜層が製膜された記録媒体が開発されている。そして近年、記憶媒体の記録密度を向上させる為に、磁気記録層のさらなる微細化が求められている。この垂直磁気記録方式用のシード層には一般に、例えば特開２００９−１５５７２２号公報（特許文献１）のように、ＮｉＷ系の合金が用いられている。また、特開２０１２−１２８９３３号公報（特許文献２）のように、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍ合金において、Ｍ元素としてＷ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂを含有するシート層用ターゲット材で、高融点を持つｂｃｃ系金属の一つであるＷを含むことで、シード層に求められる（１１１）面への配向性を改善かつ、結晶粒の微細化を可能にする発明が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１５５７２２号公報
【特許文献２】特開２０１２−１２８９３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した特許文献１のような、垂直磁気記録方式用のシード層に、Ｎｉ
Ｗ系の合金が用いられているものや、特許文献２に記載されている、高融点を持つｂｃｃ系金属の一つであるＷを含むことで、シード層に求められる（１１１）面への配向性を改善かつ、結晶粒を微細化させることとしているが、特許文献２のようなＮｉ系シード層用合金ターゲット材からなる高融点金属による微細化には限界がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した問題を解決するために、発明者らは鋭意開発を進めた結果、特許文献２よりもより結晶粒度が小さいシート層用Ｎｉ系磁気記録媒体のシード層用合金およびスパッタリングターゲット材を提供するものである。すなわち、高融点を持つｂｃｃ系金属の代わりに貴金属（Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｒｕ，Ｒｅ，Ｐｔ）を含有させることで、シード層の（１１１）面の配向性が改善し、さらに結晶粒度が微細化になることを見出し、発明を完成させるに至った。
【０００７】
その発明の要旨とするところは、
（１）Ｎｉ系スパッタリングターゲット材はＮｉ‐Ｆｅ‐Ｃｏ‐Ｍ合金からなり、同合金はａｔ．％で、Ｍ１元素としてＡｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｒｕ，Ｒｅ，Ｐｔから選ばれる１種又は２種以上の元素を合計で２〜２０ａｔ．％含有し、残部がＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏおよび不可避的不純物からなり、かつＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏの含有量の比率がａｔ．％比でＮｉ：Ｆｅ：Ｃｏ＝１００〜２０：０〜５０：０〜６０であることを特徴とする磁気記録媒体のシード層用合金。
【０００８】
（２）前記（１）に記載されたＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍ合金に、更にＭ２元素としてＡｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｂ，Ｃｕ，Ｐ，Ｃ，Ｍｎから選ばれる１種又は２種以上の元素を合計で０超え〜１０ａｔ．％含有することを特徴とするＮｉ系スパッタリングターゲット材。
【０００９】
（３）前記（１）または（２）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体のシード層用合金を使用してなるスパッタリングターゲット材。
（４）前記（１）または（２）のいずれか１項に記載のシード層用合金を使用してなる磁気記録媒体にある。
【発明の効果】
【００１０】
本発明により、垂直磁気記録媒体におけるシード層の結晶粒度の微細化を可能にするＮ
ｉ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍ合金ターゲット材を提供でき、磁気記憶媒体の記録密度の向上にきわめて有効な技術となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明に係る発明の限定理由を説明する。
上述したように、本発明の最も重要な特徴は、高融点を持つｂｃｃ系金属の代わりに貴金属（Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｒｕ，Ｒｅ，Ｐｔ）を含有させることで、シード層の（１１１）面の配向性が改善し、さらに結晶粒度を微細化にする点にある。
Ｍ１元素としてＡｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｒｕ，Ｒｅ，Ｐｔから選ばれる１種又は２種以上の元素を合計で２〜２０ａｔ．％含有とした理由を下記に示す。
【００１２】
Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍ合金において、Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｒｕ，Ｒｅ，Ｐｔを以下Ｍ１元素と称とすると、このＭ１元素は、本発明で規定する成分範囲でｆｃｃ構造であるＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏ系に添加することにより、そのメカニズムは明確ではないが、シード層に求められる（１１１）面への配向性を改善させ、かつ結晶粒を微細化させる元素である。このＡｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｒｕ，Ｒｅ，Ｐｔの１種または２種以上をａｔ％量で、２〜２０％とする。しかし、２％未満ではその効果が十分でなく、シード層用合金としてはｆｃｃ単相である事が求められているが、２０％を超えるとそのｆｃｃ構造が保てなくなる、またはアモルファス化する。よって、その範囲を２〜２０％とする。好ましくは５〜１５％とする。
【００１３】
Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏの含有量の比率がａｔ．％比でＮｉ：Ｆｅ：Ｃｏ＝１００〜２０：０〜５０：０〜６０とした理由を下記に示す。
本発明に係るＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍ合金において、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏの比率である、Ｎｉ：Ｆｅ：Ｃｏ＝α：β：γとすると、α：１００〜２０とする。２０以上とした理由は、２０未満では、上記同様保磁力が高くなる。したがって、その範囲を１００〜２０とした。好ましくは１００〜６０とする。
【００１４】
ａｔ比β：０〜５０
Ｆｅは、保磁力を低減する元素であり、かつ、膜の配向性を改善する元素でもある。しかし、５０を超えると保磁力が高くなることから、その範囲を０〜５０とした。好ましくは２〜５０％、より好ましくは１０〜４０とする。
【００１５】
ａｔ比γ：０〜６０
Ｃｏは、（１１１）方向の保磁力を低減する元素である。しかし、６０を超えると保磁力が高くなることから、その上限を６０とした。好ましくは４０以下とする。
また、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍ合金において、Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｒｕ，Ｒｅ，Ｐｔを以下Ｍ１元素と称とすると、このＭ１元素は、本発明で規定する成分範囲でｆｃｃであるＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏ系に添加することにより、そのメカニズムは明確ではないが、シード層に求められる（１１１）面への配向性を改善させ、かつ結晶粒を微細化させる元素である。
【００１６】
さらに、Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｂ，Ｃｕ，Ｐ，Ｃ
，Ｍｎとを以下Ｍ２元素と称すると、このＭ２元素は、（１１１）面を配向させる元素であり、また、結晶粒を微細化する元素である。このＡｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｂ，Ｃｕ，Ｐ，Ｃ，Ｍｎの１種または２種以上をａｔ％量で、０超え〜１０％とする。しかし、１０％を超えると化合物が生じたり、アモルファス化することから、その上限を１０％とする。好ましくは５％とする。また、Ｍ１＋Ｍ２は好ましくは、２５ａｔ％以下、さらに好ましくは２０ａｔ％以下とする。
【００１７】
以下、本発明についてさらに実施例により具体的に説明する。
通常、垂直磁気記録媒体におけるシード層はその成分と同じ成分のスパッタリングターゲット材をスパッタし、ガラス基板などの上に成膜し得られる。ここでスパッタにより成膜された薄膜は急冷されている。本発明での供試材としては、単ロール式の急冷装置にて作製した急冷薄帯を用いる。これは実際にスパッタにより急冷され成膜された薄膜の、成分による諸特性への影響を、簡易的に液体急冷薄帯により評価したものである。
【００１８】
急冷薄帯の作製条件としては、表に示す成分組成になるように秤量した原料３０ｇを径１０、長さ４０ｍｍ程度の水冷銅鋳型にて減圧して、Ａｒ中でアーク溶解し、急冷薄帯の溶解母材とした。急冷薄帯の作製条件は、単ロール方式で径１５ｍｍの石英缶中にて、この溶解母材をセットし、出湯ノズル径を１ｍｍとし、雰囲気気圧６１ｋＰａ、噴霧差圧６９ｋＰａ、銅ロール（径３００ｍｍ）の回転数３０００ｒｐｍ、銅ロールと出湯ノズルのギャップ０．３ｍｍにて出湯した。出湯温度は各溶解母材の溶け落ち直後とした。このようにして作製した急冷薄帯を供試材とし、以下の項目を評価した。
【００１９】
急冷薄帯の結晶粒径の評価としては、急冷薄帯の断面ミクロ組織像のロール方向にて、
ＪＩＳ  Ｇ０５５１「鋼・結晶粒度の顕微鏡試験方法」に準じて測定した。Ｐ／Ｌｔが１．４以上をＩ、１．２以上、１．４未満をＩＩ、１．２未満をＩＩＩとした。
急冷薄帯の保磁力の評価としては、振動試料型の保磁力メータにて、試料台に両面テープで急冷リボンを張り付け、初期印加磁場１４４ｋＡ／ｍにて測定した。保磁力が３００Ａ／ｍ以下をＩ、３００Ａ／ｍを超え５００Ａ／ｍ以下をＩＩ、５００Ａ／ｍを超えるものをＩＩＩとした。
【００２０】
急冷薄帯の飽和磁束密度の評価としては、ＶＳＭ装置（振動試料型磁力計）にて、印加磁場１２００ｋＡ／ｍにて測定した。供試材の重量は１５ｍｇ程度で、０．２Ｔ以上をＩ、０．２Ｔ未満をＩＩＩとして評価した。
急冷薄帯の（１１１）面配向性評価としては、スパッタにより成膜されるシード層はｆｃｃ構造である。シード層は急冷することで（２００）が配向する。通常、ランダム配向すれば（１１１）面と（２００）面のＸ線回折強度がＩ（２００）がＩ（１１１）より高くなる。そこで、下記の方法にて（１１１）面の配向性を評価した。
【００２１】
ガラス板に両面テープで供試材を貼り付け、Ｘ線回折装置にて回折パターンを得た。こ
のとき、測定面は急冷薄帯の銅ロール接触面となるように供試材を貼り付けた。Ｘ線源はＣｕ−α線でスキャンスピード４°／ｍｉｎで測定した。この回折パターンの（１１１）面で回折したＸ線の強度Ｉ（１１１）と同じく（２００）面の強度Ｉ（２００）との強度比であるＩ（１１１）／Ｉ（２００）が０．７未満のものをＩＩＩ、０．７以上のものをＩとした。また、化合物が生じるもの、アモルファス化したものについてはＩＩＩとした。
【００２２】
【表１】
0006431496.tif 000002
【００２３】
【表２】
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【００２４】
【表３】
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【００２５】
【表４】
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【００２６】
【表５】
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【００２７】
【表６】
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【００２８】
【表７】
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【００２９】
表１〜７に示すように、Ｎｏ．１〜１０７、１６７〜２３０は本発明例であり、Ｎｏ．１０８〜１６６、２３１〜２３６は比較例である。
【００３０】
なお、表１〜７に示す成分組成に記載する、例えば、Ｎｏ．１は、Ｒｕが２ａｔ％であ
るので、（Ｎｉ２Ｆｅ）は１００％−２％で９８ａｔ％であり、この９８％を１としたとき、Ｎｉは（１００−２）、Ｆｅは２の比率である。また、Ｃｏは含んでいないのでその比率は０に相当する。同様に、Ｎｏ．６２であれば、ＰｔとＩｎで計７ａｔ％なので、（Ｎｉ５０Ｆｅ）は、１００％−７％で９３ａｔ％であり、この９３ａｔ％を１としたとき、Ｎｉは１００−５０、Ｆｅは５０の比、つまりＮｉとＦｅはａｔ比で同じ比率であることから９３ａｔ％の半分ずつの４６．５ａｔ％ずつであることを意味するものである。
【００３１】
比較例Ｎｏ．１０８〜１２３、１２８〜１３４は、Ｍ元素の代わりにＷを添加した場合
では、結晶粒径が劣る。比較例Ｎｏ．１３５は、Ｍの代わりにＣｒ、Ｖを添加した場合、結晶粒径が劣る。比較例Ｎｏ．１３６は、Ｍの代わりにＮｂ、Ｖを添加した場合、結晶粒径が劣る。比較例Ｎｏ．１３７は、Ｍの代わりにＮｂ、Ｍｏを添加した場合、結晶粒径が
劣る。比較例Ｎｏ．１３８は、Ｎｉ単独であることから、保磁力が高く、配向性および
結晶粒径がそれぞれ劣る。比較例Ｎｏ．１３９は、Ｍ元素がないために、配向性および結晶粒径がそれぞれ劣る。比較例Ｎｏ．１４０は、Ｆｅ含有量が高いために、保磁力が高くなる。比較例Ｎｏ．１４１は、Ａｇの７有量が低く、かつＡｌ含有量が高いために、保磁力がやや高くなり、かつ配向性が劣る。比較例Ｎｏ．１４２は、Ｐｔ含有量が高いために、保磁力の測定困難であり、また、飽和磁束密度および配向性が劣る。
【００３２】
比較例Ｎｏ．１４３，１４４は、Ａｇの含有量が低く、かつＺｒおよびＢの含有量が高
いために、配向性が劣る。比較例Ｎｏ．１４５は、Ｎｉの含有量が低く、Ｃｏの含有量が高いために、保磁力が高くなる。比較例Ｎｏ．１４６は、Ｎｉの含有量が低く、Ｆｅの含有量が高いために、保磁力が高くなる。比較例Ｎｏ．１４７は、Ｒｅの含有量が低いために、保磁力が高く、配向性および結晶粒径がそれぞれ劣る。比較例Ｎｏ．１４８は、Ｒｅの含有量が高いために、全ての特性が劣る。比較例Ｎｏ．１４９は、Ｐｔの含有量が低いために、保磁力が高く、配向性および結晶粒径がそれぞれ劣る。
【００３３】
比較例Ｎｏ．１５０は、Ｐｔの含有量が高いために、全ての特性が劣る。比較例Ｎｏ．
１５１は、Ｒｈの含有量が低いために、保磁力が高く、配向性および結晶粒径がそれぞれ劣る。比較例Ｎｏ．１５２は、Ｒｈの含有量が高いために、全ての特性が劣る。比較例Ｎｏ．１５３は、Ｉｒの含有量が低いために、保磁力が高く、配向性および結晶粒径がそれぞれ劣る。比較例Ｎｏ．１５４は、Ｉｒの含有量が高いために、全ての特性が劣る。比較例Ｎｏ．１５５は、Ａｕの含有量が低いために、保磁力が高く、配向性および結晶粒径がそれぞれ劣る。比較例Ｎｏ．１５６は、Ａｕの含有量が高いために全ての特性が劣る。
【００３４】
比較例Ｎｏ．１５７は、Ｇａの含有量が高いために、配向性と結晶粒径が劣る。比較例Ｎｏ．１５８は、Ｉｎの含有量が高いために配向性と結晶粒径が劣る。比較例Ｎｏ１５９は、Ｓｉの含有量が高いために、配向性と結晶粒径が劣る。比較例Ｎｏ．１６０は、Ｇｅの含有量が高いために、配向性と結晶粒径が劣る。比較例Ｎｏ．１６１は、Ｓｎの含有量が高いために、配向性と結晶粒径が劣る。比較例Ｎｏ．１６２は、Ｚｒの含有量が高いために、配向性と結晶粒径が劣る。比較例Ｎｏ．１６３は、Ｔｉの含有量が高いために、配向性と結晶粒径が劣る。比較例Ｎｏ．１６４は、Ｈｆの含有量が高いために、配向性と結晶粒径が劣る。比較例Ｎｏ．１６５は、Ｂの含有量が高いために、配向性と結晶粒径が劣る。比較例Ｎｏ．１６６は、Ｃｕの含有量が高いために、配向性と結晶粒径が劣る。
【００３５】
比較例Ｎｏ．２３１は、Ｆｅ＋Ｃｏの含有量が低いために、保磁力が劣る。比較例Ｎｏ．２３２は、Ｆｅ＋Ｃｏの含有量が低いために、保磁力が劣る。Ｎｏ．２３３は、Ｆｅ＋Ｃｏの含有量が低いために、保磁力が劣る。Ｎｏ．２３４は、Ｆｅ＋Ｃｏの含有量が低いために、保磁力が劣る。Ｎｏ．２３５は、Ｆｅ＋Ｃｏの含有量が低いために、保磁力が劣る。Ｎｏ．２３６は、本発明条件内ではあるが、Ｐｔ添加量が４．９と５を超えていないため、特性がやや劣る。そのために比較例とした。
【００３６】
以上のように、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍ合金において、一定の含有量に規制することによ
り、この領域に規制することで、磁性を有し、かつ、（１１１）方向の透磁率を高くなることを見出し、Ｎｉ系シード層に磁性を付与することにより、磁気ヘッドと軟磁性下地膜との距離を短くすることができるという優れた効果を奏するものである。
【００３７】
次に、スパッタリングターゲット材の製造方法の例を示す。表１の本発明例Ｎｏ．２、
Ｎｏ．１０、Ｎｏ．１４、Ｎｏ．１８、Ｎｏ．２５、Ｎｏ．３５、Ｎｏ．３８、Ｎｏ．５５、Ｎｏ．６３、Ｎｏ．８２、Ｎｏ．９１、Ｎｏ．９７、Ｎｏ．１０１、Ｎｏ．１０７、比較例Ｎｏ．１１４、比較例Ｎｏ．１３５、比較例Ｎｏ．１３６、比較例Ｎｏ１４０、比較例Ｎｏ．１４６、比較例Ｎｏ．１５３、比較例Ｎｏ．１６２、本発明例Ｎｏ．１７７、Ｎｏ．１８８、Ｎｏ１９４、Ｎｏ．２０６、Ｎｏ．２０８、Ｎｏ．２１１、Ｎｏ．２１７、Ｎｏ．２２３、Ｎｏ．２２９、比較例Ｎｏ．２３１、比較例Ｎｏ．２３４組成のものを秤量した溶解原料を、減圧Ａｒガス雰囲気の耐火物坩堝内で誘導加熱溶解した後、坩堝下部の直径８ｍｍのノズルより出湯し、Ａｒガスによりアトマイズした。このガスアトマイズ粉末を原料粉末として、炭素鋼製の直径２５０ｍｍ、長さ１００ｍｍのカプセル内に充填、真空脱気封入した。
【００３８】
上記粉末充填ビレットを成形温度１１００℃、成形圧力１４７ＭＰａ、成形時間５時間の条件でＨＩＰ成形した。このＨＩＰ体を、ワイヤーカット、旋盤加工、平面研磨により、直径１８０ｍｍ、厚さ７ｍｍの円盤状に加工し、スパッタリングターゲット材とした。
【００３９】
これら３２種類の成分組成についてスパッタリングターゲット材を用い、ガラス基板上
にスパッタ膜を成膜した。膜のミクロ組織は、本発明例Ｎｏ．２、Ｎｏ．１０、Ｎｏ．１４、Ｎｏ．１８、Ｎｏ．２５、Ｎｏ．３５、Ｎｏ．３８、Ｎｏ．５５、Ｎｏ．６３、Ｎｏ．８２、Ｎｏ．９１、Ｎｏ．９７、Ｎｏ．１０１、Ｎｏ．１０７、Ｎｏ．１７７、Ｎｏ．１８８、Ｎｏ１９４、Ｎｏ．２０６、Ｎｏ．２０８、Ｎｏ．２１１、Ｎｏ．２１７、Ｎｏ．２２３、Ｎｏ．２２９は、いずれにおいても微細な結晶粒径が見られ、比較例Ｎｏ．１１４、比較例Ｎｏ．１３５、比較例Ｎｏ．１３６、比較例Ｎｏ．１５３、比較例Ｎｏ．１６２には微細な結晶粒径がみられなかった。
【００４０】
Ｘ線回折パターンは、本発明例Ｎｏ．２、Ｎｏ．１０、Ｎｏ．１４、Ｎｏ．１８、Ｎｏ
．２５、Ｎｏ．３５、Ｎｏ．３８、Ｎｏ．５５、Ｎｏ．６３、Ｎｏ．８２、Ｎｏ．９１、Ｎｏ．９７、Ｎｏ．１０１、Ｎｏ．１０７、Ｎｏ．１７７、Ｎｏ．１８８、Ｎｏ１９４、Ｎｏ．２０６、Ｎｏ．２０８、Ｎｏ．２１１、Ｎｏ．２１７、Ｎｏ．２２３、Ｎｏ．２２９は、いずれにおいても良好な配向性が見られ、比較例Ｎｏ．１５３、比較例Ｎｏ．１６２、には良好な配向性がみられなかった。
【００４１】
また、急冷薄帯と同様に磁気特性の測定を行ったところ、本発明例Ｎｏ．２、Ｎｏ．
１０、Ｎｏ．１４、Ｎｏ．１８、Ｎｏ．２５、Ｎｏ．３５、Ｎｏ．３８、Ｎｏ．５５、Ｎｏ．６３、Ｎｏ．８２、Ｎｏ．９１、Ｎｏ．９７、Ｎｏ．１０１、Ｎｏ．１０７、Ｎｏ．１７７、Ｎｏ．１８８、Ｎｏ１９４、Ｎｏ．２０６、Ｎｏ．２０８、Ｎｏ．２１１、Ｎｏ．２１７、Ｎｏ．２２３、Ｎｏ．２２９は、いずれも良好な磁気特性が見られ、比較例Ｎｏ１４０、比較例Ｎｏ．１４６、比較例Ｎｏ．１５３、比較例Ｎｏ．２３１、比較例Ｎｏ．２３４では良好な磁気特性が見られなかった。
【００４２】
また、Ｘ線回折パターンについても、急冷薄帯と同様に測定を行ったところ、急冷薄帯
にて評価した結果と同様のＩ、ＩＩ、ＩＩＩであった。以上総括すると、急冷薄帯にて評価した結果とスパッタリングターゲット材を用いて成膜したスパッタ膜の評価が同等の傾向であることを確認した。
特許出願人  山陽特殊製鋼株式会社
代理人    弁理士    椎  名    彊