(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のインプリント材に型を用いてパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板を保持する基板ステージと、
前記インプリント材を吐出する吐出部と、
前記インプリント材を硬化するエネルギー線を照射する照射部と、
前記吐出部からダミー吐出されたインプリント材を受容する受容部と、
前記ダミー吐出されたインプリント材と前記型とを接触させることなく前記照射部により前記ダミー吐出されたインプリント材にエネルギー線を照射させる制御部と、
を備えることを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記受容部は、前記基板を保持する位置とは異なる前記基板ステージの上の位置に保持される第１受容部を含むことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記吐出部は、前記基板ステージに保持された基板に前記インプリント材を吐出可能な第１位置と、前記基板ステージの移動範囲外の第２位置との間で移動可能であり、
前記受容部は、前記第２位置に位置する前記吐出部からダミー吐出されたインプリント材を受容する第２受容部を含むことを特徴とする請求項１または２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記照射部は、前記基板ステージに保持された前記基板に向けてエネルギー線を照射する第１照射部と前記第２受容部に向けてエネルギー線を照射する第２照射部とを含むことを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記照射部は、単一のエネルギー線源と、該エネルギー線源で生成されたエネルギー線の経路を、前記第１照射部に導く経路と前記第２照射部に導く経路との間で切替える切替え機構とを含むことを特徴とする請求項４に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記受容部は、前記基板ステージの前記基板を保持する位置に保持されたダミー基板を含むことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記受容部におけるダミー吐出されたインプリント材を受容できる領域の情報に基づいて前記吐出部と前記受容部との間の相対位置を制御することを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記受容部におけるダミー吐出されたインプリント材を受容できる領域の情報またはダミー吐出の回数の情報に基づいて前記受容部を交換することを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記受容部を保管する保管部を備えることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
前記制御部は、先のダミー吐出から予め定められた時間が経過したら次のダミー吐出を行うことを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１１】
前記制御部は、先のダミー吐出から前記予め定められた時間が経過していなくても対象基板に対するパターンの形成が終了する時点での前記先のダミー吐出からの時間が前記予め定められた時間を超える場合に、前記対象基板に対するパターンの形成を行う前に次のダミー吐出を行うことを特徴とする請求項１０に記載のインプリント装置。
【請求項１２】
前記吐出部は、インクジェットノズルを含むことを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板にパターンを形成する工程と、
前記パターンが形成された前記基板を加工する工程と、を有し、該加工する工程で加工された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
【請求項１４】
基板上のインプリント材と型とを接触させて前記基板上にパターンの形成を行うインプリント方法であって、
前記パターンの形成を行う基板とは異なる受容部に前記インプリント材をダミー吐出するダミー吐出工程と、
前記ダミー吐出工程の後で前記基板に前記パターンの形成を行うパターン形成工程と、
前記パターン形成工程の前に、前記ダミー吐出されたインプリント材と前記型とを接触させることなく前記ダミー吐出されたインプリント材を硬化させる硬化工程と、
を含むことを特徴とするインプリント方法。
【請求項１５】
基板上のインプリント材に型を用いてパターンを形成するインプリント装置であって、
前記インプリント材を吐出する吐出部と、
パターンが形成される前記基板とは異なり、前記吐出部からダミー吐出された前記インプリント材を受容する受容部と、
前記受容部に吐出された前記インプリント材と前記型とを接触させることなく前記受容部に吐出された前記インプリント材を硬化させる硬化部と、
を備えることを特徴とするインプリント装置。
【請求項１６】
基板上のインプリント材に型を用いてパターンの形成を行うインプリント方法であって、
前記パターンの形成を行う基板とは異なる受容部に前記インプリント材を吐出する吐出工程と、
前記受容部に吐出された前記インプリント材と前記型とを接触させることなく前記受容部に吐出された前記インプリント材を硬化させる硬化工程と、
を含むことを特徴とするインプリント方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インプリント技術は、ナノスケールの微細パターンの転写を可能にする技術であり、磁気記憶媒体や半導体デバイスの量産向けリソグラフィ技術の１つとして実用化されつつある。インプリント技術では、電子線描画装置等の装置を用いて微細パターンが形成された型を用いてシリコンウエハやガラスプレート等の基板上に微細パターンが形成される。この微細パターンは、基板上に樹脂を塗布し、その樹脂と型のパターンを接触させた状態でその樹脂を硬化させることによって形成される。基板へ塗布される樹脂は、樹脂とパターンを接触させた際の充填性を高めるために樹脂は数ｐＬの液滴として基板へ塗布（供給）される。
【０００３】
例えば、インクジェット方式による樹脂の塗布方式では、基板上へのパターン形成のための樹脂吐出の他にインクジェットのノズルの詰まりを防止し、インクジェットの吐出性能を維持するためのダミー吐出を行う必要がある。ダミー吐出は、予備吐出、捨て打ち、フラッシング、ダミーディスペンスとも呼ばれる。しかし、ｐＬ単位の微量の液滴は硬化させずにそのままにしておくと揮発してしまい、結果として揮発成分がインプリント装置内の構成物に付着することになる。例えば、インプリント装置内で樹脂の揮発成分が基板あるいはマスクに付着すると微細パターンの形成時にパターン欠陥の原因となる。
【０００４】
特許文献１には、インプリント装置で発生した樹脂の揮発成分をインプリント装置外に排気するためにインクジェット付近に排気機構を設けるインプリント装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−４１８６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に提案された排気機構を設ける方法では、排気しきれなかった樹脂の揮発成分がインプリント装置内に漏れ出しパターン欠陥を生じる可能性が依然として問題として残っている。本発明は、ダミー吐出された樹脂の装置内の構成物への付着を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の１つの側面は、基板上のインプリント材に型を用いてパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板を保持する基板ステージと、前記インプリント材を吐出する吐出部と、前記インプリント材を硬化するエネルギー線を照射する照射部と、前記吐出部からダミー吐出されたインプリント材を受容する受容部と、前記ダミー吐出されたインプリント材と前記型とを接触させることなく前記照射部により前記ダミー吐出されたインプリント材にエネルギー線を照射させる制御部と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、ダミー吐出された樹脂の装置内の構成物への付着を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明のインプリント装置を示した図である。
【図２】インプリント処理を示した図である。
【図３】型を示した図である。
【図４】樹脂受容部を示した図である。
【図５】基板搬送機構を示した図である。
【図６】本発明のインプリント処理のシーケンスを示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
［インプリント装置］
図１（ａ）に本発明の基板上の樹脂と型とを接触させて基板上にパターンを形成するインプリント装置の実施形態を示す。このインプリント装置は、まず、基板３を基板ステージ４の基板保持部８に保持する。軸外アライメントスコープ７は、基板３上に設けられたマーク（不図示）と基板ステージ側マーク１５とを検出し、基板ステージ４と基板３との位置ずれ量、形状ずれ量を取得する。軸上アライメントスコープ１６は、型側マーク３６と基板ステージ側マーク１５とを検出し、基板ステージ４と型２との位置ずれ量、形状ずれ量を取得する。補正機構（不図示）は、位置ずれ、形状ずれを補正する。ショット毎に、インプリント装置は、この位置ずれ、形状ずれの補正処理と、パターンを形成するインプリント処理とを行って、基板３上の複数のショット領域にパターンを形成する。インプリント処理では、塗布部（吐出部）６にて対象ショット領域へ光硬化性の樹脂２６をインクジェットノズルから塗布（吐出）する。ついで、型（モールド）２を保持したインプリントヘッド１をＺ方向へ駆動することにより対象ショット領域上の樹脂２６と型２のパターンとが接触し、樹脂２６がパターンへ充填する。その状態で照射部５により紫外線等のエネルギー線を照射して樹脂２６を硬化してパターンを基板３へ転写する。本実施形態では樹脂２６として光硬化樹脂を用いる。光硬化樹脂は光が照射されることにより硬化する。そのため、照射部５により光を照射して光硬化樹脂を硬化する。樹脂２６に紫外線硬化樹脂を用いた場合、エネルギー線として紫外線を用いることができる。エネルギー線は紫外線に限られず、樹脂２６の種類に応じて適宜決めることができる。
【００１１】
照射部５は、単一のエネルギー線源５ａと第１照射部５ｂと第２照射部５ｃとを含む。第１照射部５ｂは、基板ステージ４に保持された基板３に向けてエネルギー線を照射する。第２照射部５ｃは、後述する第２樹脂受容部１８に向けてエネルギー線を照射する。切替え機構５ｄは、エネルギー線源５ａで生成されたエネルギー線の経路を、第１照射部５ｂに導く経路と第２照射部５ｃに導く経路との間で切替える。
【００１２】
基板保持部８は、基板吸着機構および基板保持チャックを含む。基板保持チャックは１つあるいは複数の領域からなり各領域に基板吸着機構が構成される。また、カメラ１４は、パターンが形成された型の第１パターン部３１を型保持部１０側から撮影し、樹脂２６が型２と基板３の間に充填される過程を記録することができる。カメラ１４により記録された画像は記憶部（不図示）へ保存される。型側マーク３６と基板側マーク、型側マーク３６と基板ステージ側マーク１５の相対位置計測には、特表２００８−５０９８２５にて開示されているような光位置検出器が用いられる。特に、両者より発生するモアレ信号を用いた計測方法では、簡易な光学系で高い計測精度を出すことができるため、有用である。モアレ信号の検出は、高精度な光学系無しに検出できるため、解像力が小さい（ＮＡが小さい）スコープを採用することが出来るので、複数のスコープを構成することができる。これにより、例えばショットの４隅のマークを同時に計測する構成にすることが可能となる。
【００１３】
図１（ｂ）にインプリントヘッドを示す。インプリントヘッド１は、型保持部１０により型２を吸着することで型２を保持する。圧力制御機構１１はシールガラス１２および型裏面で囲われた型裏面空間の気圧を増減することが可能である。圧力制御機構１１により型裏面空間の気圧をインプリント装置内の気圧より局所的に上昇させることにより型２のくぼみ部をチャックと反対側（基板側）に凸形状へ変形させることが可能である。
【００１４】
図２を用いて、型２のパターンを基板３へ転写し、基板３上にパターンを形成するインプリント処理を説明する。まず、図２（ａ）に示すように，基板３に樹脂２６（インプリント材）を塗布部６により塗布する。次に、図２（ｂ）に示すように、型２と基板３上の樹脂２６を近づけ型２と樹脂２６を接触させることで、型２のパターンに樹脂２６が充填する。次に、図２（ｃ）に示すようにエネルギー線を照射し樹脂２６を硬化させる。樹脂２６の硬化後、型２と基板３の間隔を広げることで、硬化した樹脂２６から基板３を引き離すことができる（離型工程）。図２（ｄ）に示すように型２を離型すると樹脂２６へ型２のパターンが転写される。図２（ａ）から（ｄ）の処理がインプリント装置内で実施される。その後、図２（ｅ）に示すように樹脂２６をマスクとしてエッチング処理を行い、図２（ｆ）に示すように樹脂２６を除去するとパターンが基板３に形成される。図２（ｅ）の処理はエッチング装置、図２（ｆ）の処理は樹脂剥離装置で実施される。
【００１５】
図３に型２を示す。型２は、融解石英、有機ポリマー、金属を含むが、それらの材料のみに限定される必要はない。型２は中央部に掘り込まれたくぼみ部３２を有する。くぼみ部３２の厚みは１ｍｍ程度が適当である．くぼみ部３２のない側の面を第１面、くぼみ部３２のある側の面を第２面とする。第１パターン部３１は第１面側のくぼみ部３２の中心に形成される。第１パターン部３１は第１パターン基部３５とパターンからなり、第１パターン基部３５は３０μｍ程度の厚みで構成される。第１パターン部３１に生産用に使用するパターンが形成される場合、例えば微小なパターンでは数ｎｍ、十数ｎｍのパターンが形成されることがある。その場合には、第１パターン凸部３４から第１パターン凹部３３のパターン深さは数十ｎｍから数百ｎｍ程度で構成される。また、第１パターン基部３５には軸上アライメントスコープ１６で使用するための型側マーク３６が具備される。
【００１６】
塗布部６は、図１のｘ、ｙ、ｚ方向の並進、回転駆動を可能とする駆動部、ノズル部、樹脂２６をノズル部に供給するための樹脂供給部を含む。塗布部６は、駆動部によりｘ方向へノズル部を駆動することで基板３に樹脂２６を吐出可能な第１位置２０ａ、基板ステージ４の移動範囲外で第２樹脂受容部１８に樹脂２６をダミー吐出可能な第２位置２０ｂの間を移動可能である。塗布部６のノズル部には樹脂２６を吐出するための約数千個の吐出穴が構成される。また、塗布部６のノズル部は、基板３上へのパターン形成のための樹脂吐出の他にインクジェットのノズル部の詰まりを防止し、インクジェットの吐出性能を維持するためのダミー吐出を行う必要がある。ダミー吐出は、予備吐出、捨て打ち、フラッシング、ダミーディスペンスとも呼ばれる。
【００１７】
第１樹脂受容部１７および第２樹脂受容部１８はダミー吐出される樹脂２６を受容するための受け皿である。図４に、図１のｚ方向から見た第１樹脂受容部１７あるいは第２樹脂受容部１８を示す。第１樹脂受容部１７あるいは第２樹脂受容部１８は、上面４１から約１ｍｍくぼんだ凹部４２を含み、ダミー吐出は凹部４２に対して実施される。凹部４２は樹脂成分により劣化しない素材であれば特に材質に制限はない。第１樹脂受容部１７は、基板３を保持する位置とは異なる基板ステージ４上に構成され、基板ステージ４には第１樹脂受容部１７の樹脂受容部保持機構（不図示）を有する。樹脂受容部保持機構は機械的な構造による保持、磁力による保持、吸着による保持の何れであっても構わない。樹脂受容部保持機構は第１樹脂受容部１７の有無を検知するためのセンサを有する。
【００１８】
第２樹脂受容部１８は第２樹脂受容部保持ステージ２５に構成され、第２樹脂受容部保持ステージ２５は第２樹脂受容部１８の樹脂受容部保持機構（不図示）を具備する。樹脂受容部保持機構は機械的な構造による保持、磁力による保持、吸着による保持の何れであっても構わない。樹脂受容部保持機構は第１樹脂受容部１７の有無を検知するためのセンサを有する。第２樹脂受容部保持ステージ２５は図１のｘ、ｙ、ｚ方向の並進方向に駆動可能である。交換機構１９は図１のｘ、ｙ、ｚ方向の並進、およびＺ軸周りの回転を可能とする駆動部、および第１樹脂受容部１７あるいは第２樹脂受容部１８を保持するための樹脂受容部保持機構（不図示）を有する。樹脂受容部保持機構は機械的な構造による保持、磁力による保持、吸着による保持の何れであっても構わない。
【００１９】
保管部２１は少なくとも２つ以上の樹脂受容部を保管可能なスロットを有する。保管部２１は各スロットの樹脂受容部の有無を検知するためのセンサを有する。保管部２１はスロットにある樹脂受容部を交換するためにインプリント装置外部からアクセス可能である。交換機構１９で第１樹脂受容部１７を交換する場合、まず、基板ステージ４を交換機構１９のアクセス可能な交換位置に駆動し、基板ステージ４の樹脂受容部保持機構での保持を解除する。次に、第１樹脂受容部１７を交換機構１９で保持可能位置まで交換機構１９を駆動し、交換機構１９で第１樹脂受容部１７を保持する。次に、交換機構１９が樹脂受容部保管部２１へ第１樹脂受容部１７を受渡し可能な位置まで交換機構１９を駆動し、第１樹脂受容部１７を保管部２１の空スロットへ受け渡す。次に、交換用の第１樹脂受容部の保管されている保管部２１のスロットまで交換機構１９を駆動し、交換機構１９で交換用の第１樹脂受容部１７を保持する。最後に、第１樹脂受容部１７を基板ステージ４の樹脂受容部保持機構で保持可能位置まで交換機構１９を駆動し、基板ステージ４の樹脂受容部保持機構で第１樹脂受容部１７を保持する。第１樹脂受容部１７を交換機構１９で交換するための交換位置と基板３を基板交換機構（不図示）で搬出あるいは搬入するための基板交換位置が同じであり、第１樹脂受容部１７の交換は基板３の交換と並行して行えば効率的である。第１樹脂受容部１７の交換と基板３の交換とが並行して行えない場合でも本発明を妨げるものではない。
【００２０】
交換機構１９で第２樹脂受容部１８を交換する場合、まず、第２樹脂受容部保持ステージ２５の樹脂受容部保持機構での保持を解除する。次に、第２樹脂受容部１８を交換機構１９で保持可能位置まで交換機構１９を駆動し、交換機構１９で第２樹脂受容部１８を保持する。次に、交換機構１９が保管部２１へ第２樹脂受容部１８を受渡し可能な位置まで交換機構１９を駆動し、第２樹脂受容部１８を保管部２１の空スロットへ受け渡す。次に、交換用の第１樹脂受容部の保管されている保管部２１のスロットまで交換機構１９を駆動し、交換機構１９で交換用の第２樹脂受容部１８を保持する。最後に、第２樹脂受容部１８を第２樹脂受容部保持ステージ２５の樹脂受容部保持機構で保持可能位置まで交換機構１９を駆動し、第２樹脂受容部保持ステージ２５の樹脂受容部保持機構で第２樹脂受容部１８を保持する。第２樹脂受容部１８の交換は基板３の交換あるいは図２で説明したインプリント処理と並行して実施可能である。第２樹脂受容部１８の交換と基板３の交換とが並行してできない場合でも本発明を妨げるものではない。
【００２１】
樹脂受容部の交換後に搬出した樹脂受容部のある保管部２１のスロット情報をインプリント装置の記憶部に記録し、各スロットにある樹脂受容部が未使用か使用済かをインプリント装置の表示部へ表示し、さらにインプリント装置外部のシステムにも通知する。未使用の樹脂受容部がない場合は交換要求をインプリント装置外部に通知する。保管部２１に未使用の樹脂受容部が交換された際は、インプリント装置外部より交換されたスロット情報を受信し、インプリント装置の記憶部、表示部の情報も更新する。
【００２２】
図５に基板交換機構５１を示す。基板交換機構５１は上下方向駆動が可能であり、水平方向に回転および伸張駆動可能な第１アーム５３ａおよび第２アーム５３ｂ、水平方向に回転が可能な基板搬送ハンド５２により構成される。第１基板搬入出機構５５ａおよび第２基板搬入出機構５５ｂへは複数枚の基板３を保持した基板キャリア５６が搬入出される。基板搬送ハンド５２は基板ステージ４、基板保管部５４の任意のスロット、第１基板搬入出機構５５ａあるいは第２基板搬入出機構５５ｂに装着された基板キャリア５６の任意のスロットへ基板３を１枚ずつ搬入あるいは搬出可能である。基板搬送ハンド５２は上面に吸着機構を具備し、基板３を吸着することが可能である。基板保管部５４は１つ以上のスロットを具備し、１枚以上のダミー吐出可能なダミー基板を保管可能である。
【００２３】
ダミー基板はシリコン、プラスティック、砒化ガリウム、テルル化水銀、さらにそれらの複合材料で形成させることが可能である。ダミー基板は生産用の基板３と同様に基板ステージ４に載置可能な形状である。ダミー基板は上面に表面エネルギーを下げるための添加剤を含む調整用混合液を予めスピンコートしておいても良い。
【００２４】
次にダミー吐出について述べる。第１のダミー吐出は、まず、第１樹脂受容部１７が塗布部６の下側に配置されるように基板ステージ４を駆動する。次に予め定められた回数だけ塗布部６からダミー吐出を行う。次に第１樹脂受容部１７にダミー吐出された樹脂２６が第１照射部５ｂの下側に配置されるように基板ステージ４を駆動する。次に、第１照射部５ｂに導かれるように切替え機構５ｄを駆動する。最後に、照射部５のシャッター（不図示）を駆動し、第１樹脂受容部１７にダミー吐出された樹脂２６を硬化する。ダミー吐出領域が照射領域より広い場合は、第１ダミー吐出領域４３、第２ダミー吐出領域４４にまとめてダミー吐出する。その後、基板ステージ４を駆動し第１ダミー吐出領域４３を露光、硬化した後、基板ステージ４を駆動し第２ダミー吐出領域４４を照射、硬化しても構わない。また、第１ダミー吐出領域４３にダミー吐出した後に基板ステージ４を駆動し第１ダミー吐出領域４３を照射、硬化した後に第２ダミー吐出領域４４にダミー吐出した後に基板ステージ４を駆動し第２ダミー吐出領域４４を照射、硬化しても構わない。また、ダミー吐出領域の分割数、照射回数は２つに限定される必要はなく２つ以上でも構わない。さらに、分割されたダミー吐出領域がお互いに排他関係である必要もない。
【００２５】
第２のダミー吐出は、まず、第２樹脂受容部１８が塗布部６の下側に配置されるように塗布部６を駆動する。次に指定回数だけ塗布部６からダミー吐出を行う。次に第２樹脂受容部１８が第２照射部５ｃの下側に配置されるように第２樹脂受容部保持ステージ２５を駆動する。次に、エネルギー線が第２照射部５ｃに導かれるように切替え機構５ｄを駆動する。最後に、照射部５のシャッター（不図示）を駆動し、第２樹脂受容部１８にダミー吐出された樹脂２６を硬化する。ダミー吐出領域が照射領域より広い場合は前述したように第１のダミー吐出と同様に処理する。
【００２６】
第３のダミー吐出は、まず、ダミー基板を基板保管部５４から基板ステージ４へ搬入する。次にダミー基板が塗布部６の下側に配置されるように基板ステージ４を駆動する。次に指定回数だけ塗布部６からダミー吐出を行う。次にダミー基板にダミー吐出された樹脂２６が第１照射部５ｂの下側に配置されるように基板ステージ４を駆動する。次に、第１照射部５ｃに導かれるように切替え機構５ｄを駆動する。次に、照射部５のシャッター（不図示）を駆動し、ダミー基板にダミー吐出された樹脂２６を硬化する。最後にダミー基板を基板ステージ４から基板保管部５４へ搬出する。ダミー吐出領域が照射領域より広い場合は前述したように第１のダミー吐出と同様に処理する。
【００２７】
図６にて本発明におけるインプリント処理におけるダミー吐出について述べる。制御部６０は、基板ステージ４へ搬送された基板３へ図２で説明したインプリント処理をＳ６の生産用インプリント工程で実施する。制御部６０は、インプリント処理を基板３の枚数だけ実施する。Ｓ１の基板ループ内において、制御部６０は、Ｓ２で、ダミー吐出の要否判断を行う。Ｓ２で、制御部６０は、次に述べる第１の判断基準あるいは第２の判断基準に基づきダミー吐出の要否を判断する。第１の判断基準あるいは第２の判断基準の何れかを使用するかはインプリント処理を実施する前に指定する。第１の判断基準では、制御部６０は、先のダミー吐出の予め定められた時間が経過したら次のダミー吐出を行うと判断する。第２の判断基準では、制御部６０は、対象基板に対するパターンの形成が終了する時点での先のダミー吐出からの時間が予め定められた時間を超える場合に、対象基板に対するパターン形成の前に次のダミー吐出を行うと判断する。生産用基板の処理に必要な時間は、生産基板の搬入、インプリント、搬出の処理時間に基づきインプリント処理を実施する前に決定し指定する。
【００２８】
制御部６０は、Ｓ３で、前述した第１〜第３のダミー吐出を実施する。ダミー吐出の選択方法は次の通りである。第１樹脂受容部１７および第２樹脂受容部１８がインプリント装置内に構成されている場合は、塗布部６が第１位置２０ａにある場合は第１のダミー吐出を行い、第２位置２０ｂにある場合は第２のダミー吐出を行う。第１樹脂受容部１７がインプリント装置内に構成されており第２樹脂受容部１８がインプリント装置内に構成されていない場合は、第１のダミー吐出を行う。第１樹脂受容部１７がインプリント装置内に構成されておらず第２樹脂受容部１８がインプリント装置内に構成されている場合は、第２のダミー吐出を行う。その他の場合は第３のダミー吐出を行う。第１〜第３のダミー吐出に関わらず、制御部６０は、第１樹脂受容部１７、第２樹脂受容部１８、ダミー基板の各々に対してダミー吐出の回数、およびダミー吐出が可能な領域の情報をインプリント装置の記憶部に記録する。制御部６０は、樹脂受容部あるいはダミー基板のダミー吐出可能な領域からダミー吐出に使用する領域を決定し、塗布部６と第１樹脂受容部１７あるいは第２樹脂受容部１８あるいはダミー基板の相対位置を制御する。ダミー吐出実施後に、制御部６０は、ダミー吐出可能な領域からダミー吐出に使用した領域を除きダミー吐出可能な領域を更新し記憶部に記録する。また、制御部６０は、ダミー吐出時刻、ダミー吐出回数も更新し記憶部に記録する。
【００２９】
制御部６０は、第１樹脂受容部１７のダミー吐出可能な領域が基準領域以下であるか、あるいは、第１樹脂受容部１７へのダミー吐出の回数が基準回数以上である場合、第１樹脂受容部交換の必要があると判断する。第１樹脂受容部１７の交換が必要と判断された場合には、制御部６０は、交換機構１９で第１樹脂受容部１７を交換する。制御部６０は、第２樹脂受容部１８のダミー吐出可能な領域が基準領域以下であるか、あるいは、第２樹脂受容部１８へのダミー吐出の回数が基準回数以上である場合、第２樹脂受容部交換の必要があると判断する。第２樹脂受容部１８の交換が必要と判断された場合には、制御部６０は、交換機構１９で第２樹脂受容部１８を交換する。ダミー基板のダミー吐出可能な領域が基準領域以下であるか、あるいは、ダミー基板へのダミー吐出回数が基準回数以上である場合、制御部６０は、ダミー基板交換の必要があると判断する。ダミー基板の交換が必要と判断された場合には、制御部６０は、基板保管部５４にあるダミー基板の交換要求をインプリント装置外部に通知する。
【００３０】
制御部６０は、Ｓ４で、基板キャリアにある基板３を基板交換機構にて基板保持部８へ搬入する。制御部６０は、Ｓ５で、生産用レシピにて指定された条件により図２で説明したインプリント処理を行う。制御部６０は、Ｓ６で、基板保持部８にある基板３を基板キャリア５６へ基板交換機構５１にて搬出する。
【００３１】
次に、本発明における装置待機状態でのダミー吐出では、一定時間間隔でダミー吐出実施の要否判断を行い、ダミー吐出が必要な場合は、前述した選択方法でダミー吐出を行う。さらに第１樹脂受容部１７あるいは第２樹脂受容部１８の交換が必要となる場合は次回の生産用基板搬入（Ｓ４）に並列して交換を行う。インプリント装置の待機状態が継続する場合は生産用基板搬入（Ｓ４）を待たずに交換を行っても良い。
【００３２】
本実施形態では、第１〜第３のダミー吐出を選択できる構成となっている。しかし、例えば、第２照射部５ｃおよび第２樹脂受容部１８を具備しないインプリント装置構成で第１のダミー吐出あるいは第３のダミー吐出が選択的に使用できる構成であってもよい。さらにダミー基板が構成されず、第１のダミー吐出のみが使用できる構成であってもよい。あるいはダミー基板のみ構成されず、第１のダミー吐出あるいは第２のダミー吐出が選択的に使用できる構成であってもよい。あるいは、第１樹脂受容部１７を具備しないインプリント装置構成で第２のダミー吐出あるいは第３のダミー吐出が選択的に使用できる構成であってもよい。あるいは、第１樹脂受容部１７および第１樹脂受容部１８を具備しないインプリント装置構成で第３のダミー吐出のみが使用できる構成であってもよい。以上により樹脂２６からの揮発成分を除去することができ、インプリント装置内の構成物への樹脂２６の揮発成分の付着を防止し安定したパターン形成を可能とする。
【００３３】
［物品製造方法］
物品としてのデバイス（半導体集積回路デバイス、液晶表示デバイス、ＭＥＭＳ等）の製造方法は、前述したインプリント装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等）にパターンを転写（形成）するステップを含む。さらに、該製造方法は、パターンを転写された前記基板をエッチングするステップを含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングステップの代わりに、パターンを転写された前記基板を加工する他の加工ステップを含みうる。
【符号の説明】
【００３４】
２：型。３：基板。４：基板ステージ。５：照射部。５ａ：エネルギー線源。５ｂ：第１照射部。５ｃ：第２照射部。５ｄ：切替え機構。６：塗布部（吐出部）。１７：第１樹脂受容部。１８：第２樹脂受容部。１９：交換機構。２０ａ：第１位置。２０ｂ：第２位置。２１：保管部。２５：第２樹脂受容部保持ステージ。２６：樹脂。４３：第１ダミー吐出領域。４４：第２ダミー吐出領域。６０：制御部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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