(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上において、画素電極と、前記画素電極をスイッチング制御するトランジスターと
を有する電気光学装置であって、
前記基板と前記トランジスターとの間に配置された第１遮光層と、
前記トランジスターと前記画素電極との間に配置された第２遮光層と、
前記第２遮光層と前記画素電極との間に配置された第３遮光層と、
前記第１遮光層と前記トランジスターとの間に配置された第１層間絶縁膜と、
前記トランジスターと前記第２遮光層との間に配置された第２層間絶縁膜と、
前記第２遮光層と前記第３遮光層との間に配置された第３層間絶縁膜と、
前記第３遮光層及び前記第３層間絶縁膜を覆う第４層間絶縁膜と、を備え、
前記第３層間絶縁膜は、前記画素電極が配列する一の方向において前記第２遮光層を挟む側壁を有し、
前記第３層間絶縁膜の屈折率をｎ３とし、前記第４層間絶縁膜の屈折率をｎ４とすると、
ｎ３＜ｎ４の関係を満たすことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記側壁は、前記第３層間絶縁膜から前記第１層間絶縁膜に亘って設けられ、
前記第１層間絶縁膜の屈折率をｎ１とし、前記第２層間絶縁膜の屈折率をｎ２とすると、
ｎ１≦ｎ２＜ｎ３＜ｎ４の関係を満たすことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第２層間絶縁膜は、平面的に前記トランジスターの少なくとも半導体層を覆うと共に、前記一の方向において、前記半導体層を挟む第１の側壁を有し、
前記第１の側壁は、前記第２層間絶縁膜から前記第１層間絶縁膜に亘って設けられ、
前記第３層間絶縁膜は、前記一の方向において前記第２遮光層と前記第１の側壁とを挟む第２の側壁を有し、
前記第１層間絶縁膜の屈折率をｎ１とし、前記第２層間絶縁膜の屈折率をｎ２とすると、
ｎ１≦ｎ２＜ｎ３＜ｎ４の関係を満たすことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記一の方向における、前記第１遮光層の幅をｄ１とし、前記第２遮光層の幅をｄ２とし、前記第３遮光層の幅をｄ３とすると、
ｄ１＜ｄ２＜ｄ３の関係を満たすことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
基板上において、画素電極をスイッチング制御するトランジスターを有する電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上に第１遮光層を形成する工程と、
前記第１遮光層を覆う第１層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第１層間絶縁膜上であって、平面的に前記第１遮光層と重なる部分に前記トランジスターの半導体層を形成する工程と、
前記半導体層を覆う第２層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第２層間絶縁膜上であって、平面的に前記第１遮光層と重なる部分に第２遮光層を形成する工程と、
前記第２遮光層を覆う第３層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第３層間絶縁膜上であって、平面的に前記第２遮光層と重なる部分に第３遮光層を形成する工程と、
少なくとも前記第３層間絶縁膜のうち平面的に前記第３遮光層と重ならない部分をエッチングして凹部を形成する工程と、
前記凹部を埋めると共に、前記第３遮光層を覆う第４層間絶縁膜を形成する工程と、を備え、
前記第３層間絶縁膜の屈折率をｎ３とし、前記第４層間絶縁膜の屈折率をｎ４とすると、ｎ３＜ｎ４の関係を満たすように、前記第３層間絶縁膜及び前記第４層間絶縁膜を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記凹部を形成する工程では、前記第３層間絶縁膜及び前記第２層間絶縁膜をエッチングして前記凹部を形成し、前記第１層間絶縁膜の屈折率をｎ１とし、前記第２層間絶縁膜の屈折率をｎ２とすると、
ｎ１≦ｎ２＜ｎ３＜ｎ４となるように前記第１層間絶縁膜及び前記第２層間絶縁膜を形成することを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記凹部を形成する工程では、前記第３層間絶縁膜及び前記第２層間絶縁膜並びに第１層間絶縁膜をエッチングして前記凹部を形成し、前記第１層間絶縁膜の屈折率をｎ１とし、前記第２層間絶縁膜の屈折率をｎ２とすると、
ｎ１≦ｎ２＜ｎ３＜ｎ４となるように前記第１層間絶縁膜及び前記第２層間絶縁膜を形成することを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
基板上において、画素電極をスイッチング制御するトランジスターを有する電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上に第１遮光層を形成する工程と、
前記第１遮光層を覆う第１層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第１層間絶縁膜上であって、平面的に前記第１遮光層と重なる部分に前記トランジスターの半導体層を形成する工程と、
前記半導体層を覆う第２層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第２層間絶縁膜上であって、平面的に前記第１遮光層と重なる部分に第２遮光層を形成する工程と、
前記第２層間絶縁膜のうち平面的に前記第２遮光層と重ならない部分をエッチングして前記第２層間絶縁膜から前記第１層間絶縁膜に亘る第１の凹部を形成する工程と、
前記第１の凹部を埋めると共に、前記第２遮光層を覆う第３層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第３層間絶縁膜上であって、平面的に前記第２遮光層と重なる部分に第３遮光層を形成する工程と、
前記第３層間絶縁膜のうち平面的に前記第３遮光層と重ならない部分をエッチングして、前記第１の凹部の内側に第２の凹部を形成する工程と、
前記第２の凹部を埋めると共に、前記第３遮光層を覆う第４層間絶縁膜を形成する工程と、を備え、
前記第１層間絶縁膜の屈折率をｎ１とし、前記第２層間絶縁膜の屈折率をｎ２とし、前記第３層間絶縁膜の屈折率をｎ３とし、前記第４層間絶縁膜の屈折率をｎ４とすると、
ｎ１≦ｎ２＜ｎ３＜ｎ４の関係を満たすように、前記第１層間絶縁膜から前記第４層間絶縁膜のそれぞれを形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記画素電極が配列する一の方向において、前記第１遮光層の幅をｄ１とし、前記第２遮光層の幅をｄ２とし、前記第３遮光層の幅をｄ３とすると、
ｄ１＜ｄ２＜ｄ３の関係を満たすように、前記第１遮光層、前記第２遮光層、前記第３遮光層のそれぞれを形成することを特徴とする請求項５乃至８のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
請求項５乃至９のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法を用いて製造された電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置として、画素電極をスイッチング制御するトランジスターを備えたアクティブ駆動型の液晶装置が挙げられる。液晶装置は受光型であることから表示を見易くするために照明装置が用いられる。一方で、照明装置から発した光が、トランジスターを構成する半導体層（とりわけチャネル領域）に入射すると、半導体層が入射光により励起され、光リーク電流が流れることが知られている。光リーク電流が生ずることでトランジスターの電気特性が変化して所望のスイッチング状態が得られないことから、トランジスターに入射する不要な光を遮光するための様々な遮光構造が提案されている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、トランジスターの半導体層上に形成された第１絶縁層と、第１絶縁層上に設けられ、半導体層の少なくとも一部を覆う遮光性の導電層と、を備え、第１絶縁層が、屈折率が異なる第１層間絶縁層と第２層間絶縁層とにより構成されている半導体装置が開示されている。この半導体装置によれば、遮光性の導電層の端部で回折した光が半導体層に入射することを抑制できるとしている。具体的には、異なる屈折率を有する第１層間絶縁膜と第２層間絶縁膜との界面で上記回折した光の少なくとも一部を反射させるものである。
【０００４】
また、例えば、特許文献２には、トランジスターの上方に配設され、トランジスターの少なくとも半導体層を覆う遮光膜を備え、該遮光膜が高反射材料で形成され、該遮光膜の側壁が設定傾斜角度の傾斜面となっている電気光学装置が開示されている。この電気光学装置によれば、半導体層に入射する光を該遮光膜で反射させると共に、該傾斜面で反射した光が画素開口領域に導かれるため、実質的な画素開口率を向上させて明るい表示を実現できるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１７９４５０号公報
【特許文献２】特開２００８−８９６８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１では、トランジスターの半導体層に入射する光を遮光するために遮光性の導電層を設けたとしても、導電層の端部で回折した光（以降、回折光と呼ぶ）が半導体層に入射するおそれがあることが示されている。この回折光を積層された第１層間絶縁層と第２層間絶縁層との界面で反射させるだけでは、入射した光（照明光）を効率的に利用できないという課題がある。
また、上記特許文献２のように、遮光膜の傾斜面で入射光の一部を反射させる方法は、該傾斜面による反射光を効率よく画素開口領域に導くように、該遮光膜を形成することが技術的に難しいという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例］本適用例に係る電気光学装置は、基板上において、画素電極と、前記画素電極をスイッチング制御するトランジスターとを有する電気光学装置であって、前記基板と前記トランジスターとの間に配置された第１遮光層と、前記トランジスターと前記画素電極との間に配置された第２遮光層と、前記第２遮光層と前記画素電極との間に配置された第３遮光層と、前記第１遮光層と前記トランジスターとの間に配置された第１層間絶縁膜と、前記トランジスターと前記第２遮光層との間に配置された第２層間絶縁膜と、前記第２遮光層と前記第３遮光層との間に配置された第３層間絶縁膜と、前記第３遮光層及び前記第３層間絶縁膜を覆う第４層間絶縁膜と、を備え、前記第３層間絶縁膜は、前記画素電極が配列する一の方向において前記第２遮光層を挟む側壁を有し、前記第３層間絶縁膜の屈折率をｎ３とし、前記第４層間絶縁膜の屈折率をｎ４とすると、ｎ３＜ｎ４の関係を満たすことを特徴とする。
【０００９】
本適用例によれば、基板上において、第１遮光層と第２遮光層との間にトランジスターが配置されているので、少なくとも第１遮光層及び第２遮光層に入射した光は遮光されトランジスターには入射しない。一方で、第３層間絶縁膜の屈折率ｎ３は、第４層間絶縁膜の屈折率ｎ４よりも小さいので、第４層間絶縁膜側から第３層間絶縁膜の側壁に入射した光は、側壁で反射して画素電極が配置される画素の開口領域に導かれる。第４層間絶縁膜側から入射して第３遮光層の端部で生じる回折光もまた側壁に入射することになるため、同様に画素の開口領域側に導かれる。したがって、トランジスターにおける光リーク電流の発生を抑制しつつ、入射した光を効率的に利用可能な電気光学装置を提供できる。
【００１０】
上記適用例に記載の電気光学装置において、前記側壁は、前記第３層間絶縁膜から前記第１層間絶縁膜に亘って設けられ、前記第１層間絶縁膜の屈折率をｎ１とし、前記第２層間絶縁膜の屈折率をｎ２とすると、ｎ１≦ｎ２＜ｎ３＜ｎ４の関係を満たすことが好ましい。
この構成によれば、側壁は、第３層間絶縁膜から基板近くまで設けられているため、入射光の利用効率をより高められる。
【００１１】
上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第２層間絶縁膜は、平面的に前記トランジスターの少なくとも半導体層を覆うと共に、前記一の方向において、前記半導体層を挟む第１の側壁を有し、前記第１の側壁は、前記第２層間絶縁膜から前記第１層間絶縁膜に亘って設けられ、前記第３層間絶縁膜は、前記一の方向において前記第２遮光層と前記第１の側壁とを挟む第２の側壁を有し、前記第１層間絶縁膜の屈折率をｎ１とし、前記第２層間絶縁膜の屈折率をｎ２とすると、ｎ１≦ｎ２＜ｎ３＜ｎ４の関係を満たすことが好ましい。
この構成によれば、第２の側壁に入射した光の一部が、トランジスターの半導体層側に屈折したとしても、第１の側壁に入射することになる。第１の側壁が設けられた第２層間絶縁膜の屈折率ｎ２は、第２の側壁が設けられた第３層間絶縁膜の屈折率ｎ３よりも小さいので、第１の側壁に入射した光は、反射されて画素の開口領域に導かれる。すなわち、入射光の利用効率をさらに高めることが可能な電気光学装置を提供できる。
【００１２】
上記適用例に記載の電気光学装置において、前記一の方向における、前記第１遮光層の幅をｄ１とし、前記第２遮光層の幅をｄ２とし、前記第３遮光層の幅をｄ３とすると、ｄ１＜ｄ２＜ｄ３の関係を満たすことが好ましい。
この構成によれば、基板に対して第４層間絶縁膜側から入射した光のうち、最も幅が大きい第３遮光層の端部で生じた回折光は、側壁に入射して反射され、画素の開口領域に導かれる。したがって、トランジスターにおける光リーク電流の発生を抑制しつつ、入射した光をより効率的に利用可能な電気光学装置を提供できる。
【００１３】
［適用例］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、基板上において、画素電極をスイッチング制御するトランジスターを有する電気光学装置の製造方法であって、前記基板上に第１遮光層を形成する工程と、前記第１遮光層を覆う第１層間絶縁膜を形成する工程と、前記第１層間絶縁膜上であって、平面的に前記第１遮光層と重なる部分に前記トランジスターの半導体層を形成する工程と、前記半導体層を覆う第２層間絶縁膜を形成する工程と、前記第２層間絶縁膜上であって、平面的に前記第１遮光層と重なる部分に第２遮光層を形成する工程と、前記第２遮光層を覆う第３層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第３層間絶縁膜上であって、平面的に前記第２遮光層と重なる部分に第３遮光層を形成する工程と、少なくとも前記第３層間絶縁膜のうち平面的に前記第３遮光層と重ならない部分をエッチングして凹部を形成する工程と、前記凹部を埋めると共に、前記第３遮光層を覆う第４層間絶縁膜を形成する工程と、を備え、前記第３層間絶縁膜の屈折率をｎ３とし、前記第４層間絶縁膜の屈折率をｎ４とすると、ｎ３＜ｎ４の関係を満たすように、前記第３層間絶縁膜及び前記第４層間絶縁膜を形成することを特徴とする。
【００１４】
本適用例によれば、基板上において、第１遮光層と第２遮光層との間にトランジスターの半導体層が形成されるので、少なくとも第１遮光層及び第２遮光層並びに第３遮光層に入射した光は遮光されトランジスターの半導体層には入射しない。一方で、第３層間絶縁膜の屈折率ｎ３が第４層間絶縁膜の屈折率ｎ４よりも小さくなるように、第３層間絶縁膜及び第４層間絶縁膜が形成されるので、第４層間絶縁膜側から第３層間絶縁膜の凹部の側壁に入射した光は、凹部の側壁で反射して画素電極が配置される画素の開口領域に導かれる。第４層間絶縁膜側から入射して第３遮光層の端部で生じる回折光もまた凹部の側壁に入射することになるため、同様に画素の開口領域に導かれる。したがって、トランジスターにおける光リーク電流の発生を抑制しつつ、入射した光を効率的に利用可能な電気光学装置を製造できる。
【００１５】
上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法において、前記凹部を形成する工程では、前記第３層間絶縁膜及び前記第２層間絶縁膜をエッチングして前記凹部を形成し、前記第１層間絶縁膜の屈折率をｎ１とし、前記第２層間絶縁膜の屈折率をｎ２とすると、ｎ１≦ｎ２＜ｎ３＜ｎ４となるように前記第１層間絶縁膜及び前記第２層間絶縁膜を形成することが好ましい。
この方法によれば、第２層間絶縁膜の屈折率ｎ２が第３層間絶縁膜の屈折率ｎ３より小さくなるように第２層間絶縁膜が形成され、第１層間絶縁膜の屈折率ｎ１が第２層間絶縁膜の屈折率ｎ２と等しいか、または小さくなるように第１層間絶縁膜が形成される。したがって、第３層間絶縁膜から第２層間絶縁膜に亘って凹部を形成することにより、凹部の側壁の面積が拡大し、入射した光をより効率的に利用可能な電気光学装置を製造することができる。
【００１６】
上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法において、前記凹部を形成する工程では、前記第３層間絶縁膜及び前記第２層間絶縁膜並びに第１層間絶縁膜をエッチングして前記凹部を形成し、前記第１層間絶縁膜の屈折率をｎ１とし、前記第２層間絶縁膜の屈折率をｎ２とすると、ｎ１≦ｎ２＜ｎ３＜ｎ４となるように前記第１層間絶縁膜及び前記第２層間絶縁膜を形成することが好ましい。
この方法によれば、深さがより深い凹部が形成され、凹部の側壁の面積がより拡大するので、入射した光をさらに効率的に利用可能な電気光学装置を製造することができる。
【００１７】
［適用例］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、基板上において、画素電極をスイッチング制御するトランジスターを有する電気光学装置の製造方法であって、前記基板上に第１遮光層を形成する工程と、前記第１遮光層を覆う第１層間絶縁膜を形成する工程と、前記第１層間絶縁膜上であって、平面的に前記第１遮光層と重なる部分に前記トランジスターの半導体層を形成する工程と、前記半導体層を覆う第２層間絶縁膜を形成する工程と、前記第２層間絶縁膜上であって、平面的に前記第１遮光層と重なる部分に第２遮光層を形成する工程と、前記第２層間絶縁膜のうち平面的に前記第２遮光層と重ならない部分をエッチングして前記第２層間絶縁膜から前記第１層間絶縁膜に亘る第１の凹部を形成する工程と、前記第１の凹部を埋めると共に、前記第２遮光層を覆う第３層間絶縁膜を形成する工程と、前記第３層間絶縁膜上であって、平面的に前記第２遮光層と重なる部分に第３遮光層を形成する工程と、前記第３層間絶縁膜のうち平面的に前記第３遮光層と重ならない部分をエッチングして、前記第１の凹部の内側に第２の凹部を形成する工程と、前記第２の凹部を埋めると共に、前記第３遮光層を覆う第４層間絶縁膜を形成する工程と、を備え、前記第１層間絶縁膜の屈折率をｎ１とし、前記第２層間絶縁膜の屈折率をｎ２とし、前記第３層間絶縁膜の屈折率をｎ３とし、前記第４層間絶縁膜の屈折率をｎ４とすると、ｎ１≦ｎ２＜ｎ３＜ｎ４の関係を満たすように、前記第１層間絶縁膜から前記第４層間絶縁膜のそれぞれを形成することを特徴とすることを特徴とする。
【００１８】
本適用例によれば、第２の凹部の側壁に入射した光の一部が、トランジスターの半導体層側に屈折したとしても、第１の凹部の側壁に入射することになる。第１の凹部が設けられた第２層間絶縁膜の屈折率ｎ２は、第２の凹部が設けられた第３層間絶縁膜の屈折率ｎ３よりも小さいので、第１の凹部の側壁に入射した光は、反射されて画素の開口領域に導かれる。すなわち、入射光の利用効率をさらに高めることが可能な電気光学装置を製造することができる。
【００１９】
上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法において、前記画素電極が配列する一の方向において、前記第１遮光層の幅をｄ１とし、前記第２遮光層の幅をｄ２とし、前記第３遮光層の幅をｄ３とすると、ｄ１＜ｄ２＜ｄ３の関係を満たすように、前記第１遮光層、前記第２遮光層、前記第３遮光層のそれぞれを形成することが好ましい。
この方法によれば、基板に対して第４層間絶縁膜側から入射した光のうち、最も幅が大きい第３遮光層の端部で生じた回折光は、第２の凹部の側壁に入射して反射され、画素の開口領域に導かれる。したがって、トランジスターにおける光リーク電流の発生を抑制しつつ、入射した光をより効率的に利用可能な電気光学装置を製造することができる。
【００２０】
［適用例］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
【００２１】
［適用例］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法を用いて製造された電気光学装置を備えたことを特徴とする。
【００２２】
これらの適用例によれば、トランジスターにおける光リーク電流の発生が抑制され、安定した駆動状態が得られると共に、画素に入射した光を効率的に利用して明るい表示が可能な電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】（ａ）は液晶装置の構成を示す概略平面図、（ｂ）は（ａ）に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿った概略断面図。
【図２】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】画素の配置を示す概略平面図。
【図４】画素における薄膜トランジスター、薄膜トランジスターに関連する電極や走査線などの配置を示す概略平面図。
【図５】画素におけるデータ線、保持容量などの配置を示す概略平面図。
【図６】図５のＡ−Ａ’線で切った素子基板の構造を示す概略断面図。
【図７】図５のＢ−Ｂ’線で切った素子基板の構造を示す概略断面図。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は素子基板の製造方法を示す概略断面図。
【図９】（ｅ）〜（ｇ）は素子基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１０】第２実施形態の液晶装置における素子基板の構造を示す概略断面図。
【図１１】投写型表示装置の構成を示す概略図。
【図１２】（ａ）及び（ｂ）は変形例の素子基板の構造を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２５】
本実施形態では、電気光学装置として画素ごとに薄膜トランジスター（Thin  Film  Transistor；以降ＴＦＴと称す）を備えたアクティブ駆動型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述する投写型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００２６】
（第１実施形態）
＜電気光学装置＞
まず、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置の構成について、図１及び図２を参照して説明する。図１（ａ）は液晶装置の構成を示す概略平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿った概略断面図である。図２は液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
【００２７】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、互いに対向配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０とを有する。素子基板１０の基材１０ｓ及び対向基板２０の基材２０ｓは、透光性を有する例えば石英基板やガラス基板などが用いられている。なお、本明細書における透光性とは、可視光領域の波長の光を少なくとも８５％以上透過可能な性質を言う。
【００２８】
素子基板１０は、対向基板２０よりも一回り大きい。素子基板１０と対向基板２０とは、対向基板２０の外縁部に沿って額縁状に配置されたシール材４０を介して貼り合わされ、その隙間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて、液晶層５０が構成されている。シール材４０は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材４０には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００２９】
シール材４０の内側には、複数の画素Ｐがマトリックス状に配列した表示領域Ｅが設けられている。また、対向基板２０には、シール材４０と表示領域Ｅとの間に表示領域Ｅを取り囲む見切り部２１が設けられている。見切り部２１は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などで構成されている。なお、表示領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。
【００３０】
素子基板１０には、複数の外部接続端子１０４が配列した端子部が設けられている。素子基板１０の上記端子部に沿った第１の辺部とシール材４０との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、第１の辺部に対向する第２の辺部に沿ったシール材４０と表示領域Ｅとの間に検査回路１０３が設けられている。さらに、第１の辺部と直交し互いに対向する第３の辺部及び第４の辺部に沿ったシール材４０と表示領域Ｅとの間に走査線駆動回路１０２が設けられている。第２の辺部のシール材４０と検査回路１０３との間には、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。
【００３１】
これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線は、第１の辺部に沿って配置された複数の外部接続端子１０４に接続されている。以降、第１の辺部に沿った方向をＸ方向とし、第３の辺部及び第４の辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。また、本明細書では、Ｘ方向およびＹ方向と直交し、対向基板２０の法線方向から見ることを「平面視」あるいは「平面的」という。
【００３２】
図１（ｂ）に示すように、素子基板１０は、基材１０ｓ、並びに基材１０ｓの液晶層５０側の面に形成されたＴＦＴ３０や画素電極１５、及び画素電極１５を覆う配向膜１８などを有している。ＴＦＴ３０や画素電極１５は、画素Ｐの構成要素である。画素Ｐの詳細は後述する。
【００３３】
対向基板２０は、基材２０ｓ、並びに基材２０ｓの液晶層５０側の面に順に積層された見切り部２１、平坦化層２２、対向電極２３、及び配向膜２４などを有している。
【００３４】
見切り部２１は、図１（ａ）に示すように表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮り、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役割を有している。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮光して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００３５】
平坦化層２２は、例えばシリコン酸化物などの無機材料からなり、透光性を有して見切り部２１を覆うように設けられている。このような平坦化層２２は、例えばプラズマＣＶＤ法などを用いて形成されたシリコン酸化膜であり、平坦化層２２上に形成される対向電極２３の表面凹凸を緩和可能な程度の膜厚を有している。
【００３６】
対向電極２３は、例えばＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）やＩＺＯ（Indium  Zinc  Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化層２２を覆うと共に、図１（ａ）に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６により素子基板１０側の配線に電気的に接続されている。
【００３７】
画素電極１５を覆う配向膜１８及び対向電極２３を覆う配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて設定されており、シリコン酸化物などの無機材料の斜め蒸着膜（無機配向膜）が採用されている。配向膜１８，２４は、無機配向膜の他にポリイミドなどの有機配向膜を採用してもよい。
【００３８】
このような液晶装置１００は透過型であって、画素Ｐが非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードや、非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
【００３９】
次に、図２を参照して、液晶装置１００の電気的な構成について説明する。液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する信号線としての複数の走査線３及び複数のデータ線６ａと、容量線７とを有する。なお、図２では、データ線６ａに沿って並行するように容量線７を示したが、本実施形態では、後述する保持容量１６の一対の容量電極のうちの一方の容量電極が容量線７の機能を果たすように構成されている。
【００４０】
走査線３とデータ線６ａとで区分された領域には、画素電極１５と、ＴＦＴ３０と、保持容量１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００４１】
走査線３はＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０の第１ソース・ドレイン領域に電気的に接続され、画素電極１５はＴＦＴ３０の第２ソース・ドレイン領域に電気的に接続されている。
【００４２】
データ線６ａは、データ線駆動回路１０１（図１参照）に接続されている。画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎは、データ線駆動回路１０１からデータ線６ａを経由して各画素Ｐに供給される。走査線３は、走査線駆動回路１０２（図１参照）に接続されている。走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍは、走査線駆動回路１０２から走査線３を経由して各画素Ｐに供給される。
【００４３】
データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次でデータ線６ａに供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０２は、走査線３に対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００４４】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１５を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極１５と対向電極２３との間で一定期間保持される。
【００４５】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極１５と対向電極２３との間に形成される液晶容量と並列に保持容量１６が接続されている。保持容量１６は、ＴＦＴ３０の第２ソース・ドレイン領域と容量線７との間に設けられている。
【００４６】
なお、図１（ａ）に示した検査回路１０３には、データ線６ａが接続されており、液晶装置１００の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶装置１００の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図２の等価回路では省略している。
【００４７】
また、検査回路１０３は、上記画像信号をサンプリングしてデータ線６ａに供給するサンプリング回路、データ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。
【００４８】
次に、液晶装置１００における画素Ｐの構成について、図３を参照して説明する。図３は画素の配置を示す概略平面図である。
図３に示すように、液晶装置１００における画素Ｐは、例えば平面視で略四角形（略正方形）の開口領域を有する。開口領域は、Ｘ方向とＹ方向とに延在し格子状に設けられた遮光性の非開口領域により囲まれている。
【００４９】
Ｘ方向に延在する非開口領域には、図２に示した走査線３が設けられている。走査線３は遮光性の導電部材が用いられており、走査線３によって非開口領域の一部が構成されている。
【００５０】
同じく、Ｙ方向に延在する非開口領域には、図２に示したデータ線６ａが設けられている。データ線６ａも遮光性の導電部材が用いられており、これらによって非開口領域の一部が構成されている。
【００５１】
非開口領域は、素子基板１０側に設けられた上記信号線類によって構成されるだけでなく、対向基板２０側において見切り部２１と同層に設けられ格子状にパターニングされた遮光膜によっても構成されている。
【００５２】
非開口領域の交差部付近には、図２に示したＴＦＴ３０が設けられている。遮光性を有する非開口領域の交差部付近にＴＦＴ３０を設けることにより、ＴＦＴ３０の光リーク電流の発生を抑制すると共に、開口領域における開口率を確保している。詳しい画素Ｐの構造については後述するが、交差部付近にＴＦＴ３０を設ける関係上、交差部付近の非開口領域の幅は、他の部分に比べて広くなっている。
【００５３】
画素Ｐごとに画素電極１５が設けられている。画素電極１５は平面視で略正方形であり、画素電極１５の外縁が非開口領域と重なるようにして開口領域に設けられている。なお、図３には図示していないが、開口領域には透光性を有する保持容量１６が配置されている。
【００５４】
本実施形態の液晶装置１００は、透過型であって、対向基板２０側から光が入射することを前提として、素子基板１０には、画素Ｐに入射した光をＴＦＴ３０に入射させずに、画素Ｐに入射した光のロスを低減して、素子基板１０から効率的に射出させることが可能な遮光構造が取り入れられている。以降、素子基板１０の遮光構造について説明する。
【００５５】
＜素子基板の遮光構造＞
素子基板１０における遮光構造について、図４〜図７を参照して説明する。図４は画素における薄膜トランジスター、薄膜トランジスターに関連する電極や走査線などの配置を示す概略平面図、図５は画素におけるデータ線、保持容量などの配置を示す概略平面図である。図６は図５のＡ−Ａ’線で切った素子基板の構造を示す概略断面図、図７は図５のＢ−Ｂ’線で切った素子基板の構造を示す概略断面図である。
【００５６】
図４に示すように、走査線３は、複数の画素Ｐに跨ってＸ方向に延在する第１の部分３ａと、画素Ｐごとに設けられ、第１の部分３ａからＹ方向に突出する第２の部分３ｂ及び第３の部分３ｃとを有する。また、走査線３は、第１の部分３ａや第２の部分３ｂ（第３の部分３ｃ）よりもＸ方向及びＹ方向に幅が拡張された第４の部分３ｄを有する。Ｙ方向に突出する第２の部分３ｂ及び第３の部分３ｃは、後述するデータ線６ａと平面的に重なるように配置されている。
【００５７】
走査線３上において、第４の部分３ｄを挟んだ第２の部分３ｂと第３の部分３ｃとに亘る領域にＴＦＴ３０の半導体層３０ａが配置されている。半導体層３０ａは例えば高温ポリシリコンからなり、チャネル領域３０ｃと、第１ソース・ドレイン領域３０ｓと、第２ソース・ドレイン領域３０ｄとを有している。第１ソース・ドレイン領域３０ｓは、走査線３の第３の部分３ｃに重なる位置に配置され、第２ソース・ドレイン領域３０ｄは、走査線３の第２の部分３ｂに重なる位置に配置されている。第１ソース・ドレイン領域３０ｓと第２ソース・ドレイン領域３０ｄに挟まれたチャネル領域３０ｃは、主に走査線３の第４の部分３ｄに重なる位置に配置されている。
【００５８】
第１ソース・ドレイン領域３０ｓの端部には、データ線６ａとの電気的な接続を図るコンタクトホールＣＮＴ１が設けられている。詳しくは、平面視で第１ソース・ドレイン領域３０ｓと重なる位置にデータ線６ａとの電気的な接続を図る中継層５が設けられ、コンタクトホールＣＮＴ１は中継層５に接続している。中継層５とデータ線６ａとの間にはコンタクトホールＣＮＴ３が設けられている。第２ソース・ドレイン領域３０ｄの端部には、保持容量１６や画素電極１５との電気的な接続を図るコンタクトホールＣＮＴ２が設けられている。つまり、本実施形態において、コンタクトホールＣＮＴ１はＴＦＴ３０のソース電極３１として機能し、コンタクトホールＣＮＴ２はＴＦＴ３０のドレイン電極３２として機能するものである。
【００５９】
半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃに重なる位置にゲート電極３０ｇが配置されている。ゲート電極３０ｇは、走査線３の第４の部分３ｄに重なる位置において、チャネル領域３０ｃと重なる部分と、Ｘ方向においてチャネル領域３０ｃを挟んで対向し、Ｙ方向に延在する部分とを有している。このＹ方向に延在する部分には、下層の走査線３に至るコンタクトホール３３及びコンタクトホール３４が設けられている。つまり、ゲート電極３０ｇは、チャネル領域３０ｃを挟んで設けられた２つのコンタクトホール３３，３４を介して走査線３に電気的に接続している。
【００６０】
ＴＦＴ３０は、上述した半導体層３０ａとゲート電極３０ｇとを含むものである。ＴＦＴ３０が配置された走査線３とデータ線６ａとの交差部分には、ＴＦＴ３０のドレイン電極３２と保持容量１６や画素電極１５との電気的な接続を図るための中継層４が設けられている。中継層４は、上記交差部分からＸ方向に突出する第１の部分４ａ及び第４の部分４ｃと、上記交差部分からＹ方向に突出する第２の部分４ｂ及び第３の部分４ｄとを有している。
【００６１】
中継層４のＹ方向に突出する第２の部分４ｂはドレイン電極３２として機能するコンタクトホールＣＮＴ２と重なるように配置され電気的に接続されている。中継層４のＹ方向に突出するもう一方の第３の部分４ｄは、平面視で中継層５と重ならないように配置されている。詳しくは後述するが、中継層４と中継層５は、基材１０ｓ上において同一の配線層に設けられている。
【００６２】
中継層４のＸ方向に突出する第１の部分４ａの端部に近い位置に、後述する中継層６ｂ（図５参照）との電気的な接続を図るためのコンタクトホールＣＮＴ４が設けられている。図４ではコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２，ＣＮＴ３，ＣＮＴ４の形状を平面視で正方形としたが、これに限定されず、円形や楕円形であってもよい。
【００６３】
図４に示した、走査線３、中継層４、中継層５のそれぞれは、図３に示した非開口領域を構成する要素の１つである。
【００６４】
図５に示すように、ＴＦＴ３０のコンタクトホールＣＮＴ１（ソース電極３１），ＣＮＴ２（ドレイン電極３２）及びコンタクトホールＣＮＴ３と重なる位置においてＹ方向に延在するようにデータ線６ａが設けられている。Ｘ方向において隣り合うデータ線６ａの間に、画素Ｐごとに独立した中継層６ｂが設けられている。中継層６ｂは、平面視で略長方形であり、Ｘ方向に延びる長手方向の中間にコンタクトホールＣＮＴ４が設けられている。中継層６ｂは、前述したようにコンタクトホールＣＮＴ４によって下層の中継層４と電気的に接続されている。
【００６５】
詳しくは後述するが、データ線６ａと中継層６ｂとは、基材１０ｓ上において同じ配線層に設けられている。基材１０ｓ上において、データ線６ａや中継層６ｂが設けられた配線層の上層に、複数の画素Ｐに跨るようにして保持容量１６の一対の容量電極のうちの下側電極１６ａが設けられている。下側電極１６ａは複数の画素Ｐに共通する容量線７として機能するものである。保持容量１６の一対の容量電極のうちの上側電極１６ｂは、隣り合うデータ線６ａの間において、画素Ｐごとに独立して設けられている。上側電極１６ｂは、平面視で略正方形であり、Ｘ方向に対向する２辺部のそれぞれの外縁は、平面視でデータ線６ａと重なっている。また、上側電極１６ｂのＹ方向に対向する２辺部のうちの一方の辺部が平面視で中継層６ｂと重なっている。下側電極１６ａと上側電極１６ｂとは、それぞれ例えばＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電膜を用いて形成されている。
【００６６】
中継層６ｂには、コンタクトホールＣＮＴ４を挟んだＸ方向の両側にコンタクトホールＣＮＴ５とコンタクトホールＣＮＴ６とが配置されている。コンタクトホールＣＮＴ５及びコンタクトホールＣＮＴ６は、それぞれ下側電極１６ａに接触しないように下側電極１６ａを貫通して設けられている。コンタクトホールＣＮＴ５は、平面視で中継層６ｂと上側電極１６ｂとが重なる位置に設けられ、中継層６ｂと上側電極１６ｂとを電気的に接続している。上側電極１６ｂはコンタクトホールＣＮＴ６と接触しないように切り欠かれている。コンタクトホールＣＮＴ６は、中継層６ｂと画素電極１５との電気的な接続を図るために設けられている（図６参照）。平面視におけるコンタクトホールＣＮＴ５，ＣＮＴ６の形状は、長手方向がＸ方向に沿った略長方形である。略長方形とは、角部が円弧状となったものを含むものである。
【００６７】
図５に示した、データ線６ａ、中継層６ｂのそれぞれは、図３に示した非開口領域を構成する要素の１つである。
【００６８】
次に、図６を参照して画素電極１５とＴＦＴ３０との電気的な接続における断面構造を説明する。図６に示すように、素子基板１０の基材１０ｓ上には、順に、走査線３を含む第１層、ＴＦＴ３０などを含む第２層、中継層４，５を含む第３層、データ線６ａなどを含む第４層、保持容量１６などを含む第５層、画素電極１５などを含む第６層（最上層）が形成されている。また、第１層と第２層との間には第１層間絶縁膜１１ａが形成され、第２層と第３層との間には第２層間絶縁膜１１ｃが形成されている。第３層と第４層との間には第３層間絶縁膜１２が形成され、第４層と第５層との間には第４層間絶縁膜１３が形成され、第５層と第６層との間には第５層間絶縁膜１４が形成されている。これにより、前述の各要素間が短絡することを防止している。また、これらの層間絶縁膜には、前述の各要素間の電気的な接続を図るコンタクトホールなどが形成されている。以下、これらの各要素について、順に説明を行う。なお、第１層から第３層までの各要素の平面的な配置が図４に図示され、第４層から第５層までの各要素の平面的な配置が図５に図示されている。
【００６９】
まず、第１層には、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、などの高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、あるいは導電性ポリシリコンなどからなる走査線３が形成される。特に、走査線３は、基材１０ｓ側から入射する戻り光を遮光すると共に、対向基板２０側から入射する入射光を反射させないという観点から、金属シリサイドを用いて形成することが好ましく、本実施形態では走査線３はＷＳｉ（タングステンシリサイド）を用いて形成されている。走査線３の膜厚は例えばおよそ２００ｎｍである。
【００７０】
次に、走査線３を覆う第１層間絶縁膜１１ａが形成される。第１層間絶縁膜１１ａは、例えば酸化シリコンを用いて形成される。第１層間絶縁膜１１ａの膜厚は例えばおよそ４００ｎｍである。
続いて、第２層として、第１層間絶縁膜１１ａ上に半導体層３０ａが形成される。半導体層３０ａは例えばポリシリコンからなり、不純物イオンが選択的に注入されて、第１ソース・ドレイン領域３０ｓ、接合領域３０ｅ、チャネル領域３０ｃ、接合領域３０ｆ、第２ソース・ドレイン領域３０ｄを含むＬＤＤ（Lightly  Doped  Drain）構造が構築されている。半導体層３０ａの膜厚は例えばおよそ４０ｎｍである。
【００７１】
次に、半導体層３０ａを覆うゲート絶縁膜１１ｂが形成される。ゲート絶縁膜１１ｂは例えば酸化シリコンを用いて形成される。ゲート絶縁膜１１ｂの膜厚は例えばおよそ５０ｎｍである。
【００７２】
次に、第１層間絶縁膜１１ａ及びゲート絶縁膜１１ｂに、溝状の貫通孔が形成される。この貫通孔を埋めるように導電膜を成膜してパターニングすることにより、ゲート電極３０ｇと一対のコンタクトホール３３，３４とが形成されている。なお、図６では、一対のコンタクトホール３３，３４のうち、コンタクトホール３４を図示し、コンタクトホール３３の図示を省略している。これにより、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａの一部は、図４に示されているように、平面視で側方からコンタクトホール３３，３４によって覆われており、少なくとも一対のコンタクトホール３３，３４側から入射する光が遮光される。また、コンタクトホール３３，３４は、その下端が走査線３と接するように形成されている。したがって、ある行（Ｘ方向）に存在するゲート電極３０ｇ及び走査線３は、当該行に着目する限り、常に同電位となる。
【００７３】
ゲート電極３０ｇに用いられる導電膜としては、例えば導電性ポリシリコン膜が挙げられる。ゲート電極３０ｇの膜厚は例えばおよそ１００ｎｍである。
そして、ゲート電極３０ｇ、ゲート絶縁膜１１ｂを覆う第２層間絶縁膜１１ｃが形成される。第２層間絶縁膜１１ｃは例えば酸化シリコンを用いて形成され、膜厚は例えばおよそ３００ｎｍである。
【００７４】
ゲート絶縁膜１１ｂ及び第２層間絶縁膜１１ｃには、半導体層３０ａの第１ソース・ドレイン領域３０ｓ及び第２ソース・ドレイン領域３０ｄと重なる位置において貫通孔が形成され、該貫通孔の内部を埋めるように、第２層間絶縁膜１１ｃ上に導電膜を成膜してパターニングすることにより、中継層５及びコンタクトホールＣＮＴ１、中継層４及びコンタクトホールＣＮＴ２とが形成されている。第３層である中継層４は平面視でゲート電極３０ｇと重なるように形成されている（図４参照）。第３層である中継層４及び中継層５に用いられる導電膜としては、低抵抗配線材料である例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）などの金属やその金属化合物が挙げられる。本実施形態では、中継層４，５は、ＴｉＮ（窒化チタン）／Ａｌ（アルミニウム）／ＴｉＮ（窒化チタン）の三層構造となっている。
【００７５】
次に、中継層４，５を覆う第３層間絶縁膜１２が形成される。第３層間絶縁膜１２は例えば酸化窒化シリコンを用いて形成され、膜厚は例えばおよそ４００ｎｍである。第３層間絶縁膜１２の中継層５と重なる位置に、第３層間絶縁膜１２を貫通する貫通孔が形成される。また、第３層間絶縁膜１２の中継層４における第１の部分４ａと重なる位置に、第３層間絶縁膜１２を貫通する貫通孔が形成される。これらの貫通孔の内部を埋めるように、第３層間絶縁膜１２上に導電膜を成膜してパターニングすることにより、第４層であるデータ線６ａ及び中継層６ｂと、コンタクトホールＣＮＴ３及びコンタクトホールＣＮＴ４が形成される。第４層に用いられる導電膜としては、上記第３層と同様な金属または金属化合物を用いることができる。本実施形態では、第４層は、Ａｌ（アルミニウム）／ＴｉＮ（窒化チタン）の２層構造となっている。
【００７６】
次に、第４層であるデータ線６ａ及び中継層６ｂを覆う第４層間絶縁膜１３が形成される。第４層間絶縁膜１３は例えば酸化窒化シリコンを用いて形成される。第４層間絶縁膜１３の膜厚は例えばおよそ４００ｎｍである。第４層間絶縁膜１３は、成膜後の表面が下層の配線構造により凹凸を生ずるので、例えばＣＭＰ（Chemical  Mechanical  Polishing）処理などの平坦化処理が施される。
【００７７】
次に、平坦化処理が施された第４層間絶縁膜１３上に第５層である保持容量１６が形成される。具体的には、まず、第４層間絶縁膜１３上に例えばＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電膜を成膜してパターニングすることにより保持容量１６の下側電極１６ａが形成される。下側電極１６ａの膜厚は例えばおよそ１４０ｎｍである。下側電極１６ａは、図５に示したように、複数の画素Ｐにおける共通の容量線７として少なくとも表示領域Ｅに亘って形成される。また、下側電極１６ａは、保持容量１６の上側電極１６ｂと中継層６ｂとの電気的な接続を図るコンタクトホールＣＮＴ５や、画素電極１５と中継層６ｂとの電気的な接続を図るコンタクトホールＣＮＴ６に接触しないように、コンタクトホールＣＮＴ５，ＣＮＴ６と重なる部分に開口を有するようにパターニングされる。
【００７８】
次に、下側電極１６ａを覆う誘電体層１６ｃが形成される。誘電体層１６ｃは、誘電率が異なる誘電体材料を用いて形成された複数の層からなる。誘電体層１６ｃの膜厚は例えばおよそ３０ｎｍである。誘電体材料としては、例えば、酸化ハフニウムや酸化アルミニウム、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）などを挙げることができる。これらの誘電率が異なる層を組み合わせることで、透光性を確保しながらより大きな電気容量を実現することができる。
【００７９】
次に、平面視で中継層６ｂと重なる位置において、第４層間絶縁膜１３及び誘電体層１６ｃを貫通する貫通孔が形成される。そして、この貫通孔の内部を被覆するように、誘電体層１６ｃを覆う例えばＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電膜を成膜してパターニングすることにより保持容量１６の上側電極１６ｂとコンタクトホールＣＮＴ５とが形成される。上側電極１６ｂの膜厚は例えばおよそ１４０ｎｍである。
【００８０】
次に、上側電極１６ｂ及びコンタクトホールＣＮＴ５を覆う第５層間絶縁膜１４が形成される。第５層間絶縁膜１４は、第１絶縁膜１４ａと、第１絶縁膜１４ａに積層された第２絶縁膜１４ｂとを含むものである。より具体的には、まず、上側電極１６ｂ及びコンタクトホールＣＮＴ５を覆うＮＳＧ（Non  doped  Silicate  Glass）膜を例えばプラズマＣＶＤ法で形成する。そして、コンタクトホールＣＮＴ５などを覆うことで生じたＮＳＧ膜の表面の凹凸を緩和する目的で、例えばＣＭＰ処理などの平坦化処理が施される。平坦化処理後のＮＳＧ膜つまり第１絶縁膜１４ａの膜厚は例えばおよそ４００ｎｍである。そして、第１絶縁膜１４ａを覆う第２絶縁膜１４ｂが形成される。第２絶縁膜１４ｂは、第１絶縁膜１４ａと異なる材料を用いて第１絶縁膜１４ａよりも膜厚が薄くなるように形成される。第２絶縁膜１４ｂは、例えばＢＳＧ（Boron  doped  Silicate  Glass）膜であって、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて形成される。第２絶縁膜１４ｂの膜厚は例えばおよそ７５ｎｍである。したがって、第１絶縁膜１４ａと第２絶縁膜１４ｂとを含む第５層間絶縁膜１４の膜厚はおよそ４７５ｎｍである。
【００８１】
次に、平面視で中継層６ｂと重なる位置において、第４層間絶縁膜１３及び誘電体層１６ｃ並びに第５層間絶縁膜１４を貫通する貫通孔が形成される。そして、この貫通孔の内部を被覆するように、第５層間絶縁膜１４を覆うＩＴＯなどの透明導電膜を成膜してパターニングすることにより、画素電極１５とコンタクトホールＣＮＴ６とが形成される。画素電極１５は、図３に示したように、画素Ｐの開口領域において保持容量１６と重なり、画素電極１５の外縁部が非開口領域と重なるように形成される。本実施形態では、対向基板２０側から入射した光は、対向基板２０や液晶層５０を透過すると共に、画素Ｐの開口領域に配置された画素電極１５及び保持容量１６を透過して素子基板１０側から射出される。本実施形態では、透明導電膜からなる画素電極１５、下側電極１６ａ、上側電極１６ｂのそれぞれの膜厚をおよそ１４０ｎｍとしている。これにより、入射光が画素電極１５及び保持容量１６を透過することで光学的に減衰することを抑制している。また、画素電極１５の膜厚をおよそ１４０ｎｍとすることで、コンタクトホールＣＮＴ５よりも深いコンタクトホールＣＮＴ６の被覆性を向上させて、画素電極１５と中継層６ｂとの電気的な接続を安定化している。
【００８２】
本実施形態において、基材１０ｓが本発明の「基板」に相当するものであり、遮光性を有する走査線３が本発明の「第１遮光層」に相当するものである。また、同じく遮光性を有する、中継層４，５が本発明の「第２遮光層」に相当し、データ線６ａ及び中継層６ｂが本発明の「第３遮光層」に相当するものである。したがって、配線層の主たる構成の符号を利用して、以降、説明上、第１遮光層３、第２遮光層４、第３遮光層６ａと呼ぶ。
【００８３】
図７に示すように、基材１０ｓ上には、第１遮光層３、半導体層３０ａ、第２遮光層４、第３遮光層６ａ、保持容量１６、画素電極１５がこの順に配置されている。Ｘ方向における、第１遮光層３の幅をｄ１とし、第２遮光層４の幅をｄ２とし、第３遮光層６ａの幅をｄ３とすると、本実施形態では、ｄ１＜ｄ２＜ｄ３の関係を満たすように第１遮光層３、第２遮光層４、第３遮光層６ａのそれぞれが形成されている。本実施形態におけるＸ方向は本発明における「画素電極が配列した一の方向」に相当するものである。なお、Ｘ方向における半導体層３０ａの幅は、第１遮光層３の幅ｄ１よりも小さい。
【００８４】
基材１０ｓ上において、第３遮光層６ａよりも下層に位置する第３層間絶縁膜１２から第１層間絶縁膜１１ａに亘って側壁１２ａが形成されている。側壁１２ａは、Ｘ方向において第１遮光層３、半導体層３０ａ、第２遮光層４を挟むように形成されている。言い換えれば、画素電極１５が配置される画素Ｐの開口領域には、側壁１２ａを含む凹部（トレンチ）が形成されている。第３遮光層６ａを覆う第４層間絶縁膜１３は、上記凹部（トレンチ）を埋めるように形成されている。上記凹部（トレンチ）は、第３層間絶縁膜１２、第２層間絶縁膜１１ｃ、第１層間絶縁膜１１ａをドライエッチングして形成されており、エッチングの仕方により、側壁１２ａと第３遮光層６ａとの間にはわずかにオーバーハングが形成されている。したがって、基材１０ｓ上において側壁１２ａは、第１遮光層３及び第２遮光層４を挟むように設けられ、側壁１２ａの断面は順テーパーな斜面を有する台形状となっている。
【００８５】
本実施形態において、第１層間絶縁膜１１ａの屈折率をｎ１とし、第２層間絶縁膜１１ｃの屈折率をｎ２とし、第３層間絶縁膜１２の屈折率をｎ３とし、第４層間絶縁膜１３の屈折率をｎ４とすると、ｎ１≦ｎ２＜ｎ３＜ｎ４の関係を満たすように、第１層間絶縁膜１１ａから第４層間絶縁膜１３のそれぞれが形成されている。
【００８６】
このような各層間絶縁膜の屈折率の関係から、図７に示すように、画素電極１５に対して法線方向から入射した光Ｌ１は、第５層間絶縁膜１４、保持容量１６、第４層間絶縁膜１３を透過して基材１０ｓから射出される。画素電極１５に対して斜めに入射し、Ｘ方向において隣り合う第３遮光層６ａの間に入射した光Ｌ２は、屈折率が異なる第４層間絶縁膜１３と、第３層間絶縁膜１２、第２層間絶縁膜１１ｃ、第１層間絶縁膜１１ａとの境界である側壁１２ａに入射する。順テーパーに傾斜した側壁１２ａに入射した光Ｌ２は反射され、画素Ｐの開口領域に導かれて基材１０ｓから射出される。
【００８７】
また、Ｘ方向における幅ｄ３が最も大きい第３遮光層６ａの端部で生じた回折光もまた側壁１２ａに入射することになる。したがって、上記回折光もまた側壁１２ａで反射されて画素Ｐの開口領域に導かれるので、上記回折光は第２遮光層４や半導体層３０ａには入射しない。もちろん幅ｄ３が最も大きい第３遮光層６ａに入射した光Ｌ４は、第３遮光層６ａで遮光されて、第２遮光層４や半導体層３０ａには入射しない。
【００８８】
液晶装置１００において対向基板２０側から入射した光の一部は、図３に示したように非開口領域によって遮光される。素子基板１０における非開口領域は、上述したように、第１遮光層３、第２遮光層４、第３遮光層６ａによって構成されている。素子基板１０において非開口領域で囲まれた開口領域に入射する光の多くは基材１０ｓから射出される。一方で第３層間絶縁膜１２から第１層間絶縁膜１１ａまで形成された側壁１２ａがない場合、光の入射側に位置する第３遮光層６ａの端部で生じた回折光は、第３遮光層６ａの下層に位置する、遮光層で遮光されたり、層間絶縁膜で吸収されたりするので、光のロスが生ずる。本実施形態では、第３遮光層６ａの直下から基材１０ｓに至る側壁１２ａを設けることで、このような光のロスを低減あるいはほぼ無くすことが可能である。
【００８９】
また、素子基板１０の開口領域に入射する光は、光軸に対してほぼ平行に入射する光Ｌ１ばかりでなく、光軸に対して角度を持って入射する光Ｌ２も含まれる。したがって、幅ｄ３が最も大きい第３遮光層６ａよりも下層の第２遮光層４の端部でも回折光が発生し得る。第２遮光層４の端部で生じた回折光は半導体層３０ａに入射するおそれがあり、ＴＦＴ３０において光リーク電流を生じさせる可能性がある。本実施形態によれば、このような光リーク電流を生じさせる回折光の発生も側壁１２ａによって抑制することが可能である。
【００９０】
各遮光層、各層間絶縁膜、及び凹部（側壁１２ａ）の詳しい形成方法については素子基板１０の製造方法において説明する。
【００９１】
＜電気光学装置の製造方法＞
次に、本実施形態の電気光学装置の製造方法として、液晶装置１００の素子基板１０の製造方法について図７、図８及び図９を参照して説明する。図８（ａ）〜（ｄ）及び図９（ｅ）〜（ｇ）は素子基板の製造方法を示す概略断面図である。詳しくは、図７に対応する概略断面図である。
【００９２】
本実施形態における素子基板１０の製造方法は、第１遮光層形成工程（ステップＳ１）、第１層間絶縁膜形成工程（ステップＳ２）、半導体層形成工程（ステップＳ３）、第２層間絶縁膜形成工程（ステップＳ４）、第２遮光層形成工程（ステップＳ５）、第３層間絶縁膜形成工程（ステップＳ６）、第３遮光層形成工程（ステップＳ７）、凹部形成工程（ステップＳ８）、第４層間絶縁膜形成工程（ステップＳ９）、保持容量形成工程（ステップＳ１０）、第５層間絶縁膜形成工程（ステップＳ１１）、画素電極形成工程（ステップＳ１２）を含むものである。
【００９３】
ステップＳ１では、図７に示したように、基材１０ｓ上に第１遮光層３を形成する。前述したように、第１遮光層３は走査線として機能するものであり、基材１０ｓ側から入射する戻り光を遮光すると共に、対向基板２０側から入射する入射光を反射させないという観点から、遮光性と低反射性とを兼ね備える金属シリサイドを用いて形成することが好ましい。本実施形態では、ＷＳｉ（タングステンシリサイド）を用いて形成し、走査線の機能を有するようにフォトリソグラフィ法を用いてパターニングする。第１遮光層３の膜厚は例えばおよそ２００ｎｍである。
【００９４】
ステップＳ２では、図７に示したように、第１遮光層３を覆う第１層間絶縁膜１１ａを形成する。第１層間絶縁膜１１ａの形成方法としては、例えば水（Ｈ2Ｏ）とＴＥＯＳ（Tetra_ethoxy_silane）とを用いたプラズマＣＶＤ法で酸化シリコン膜を形成する方法が挙げられる。第１層間絶縁膜１１ａの膜厚は例えばおよそ４５０ｎｍである。このように酸化シリコンを主成分とする第１層間絶縁膜１１ａの屈折率ｎ１は、１．４６〜１．４８の値となる。なお、第１層間絶縁膜１１ａは、基材１０ｓとの界面における光の反射が生じ難いように、基材１０ｓとほぼ同じ屈折率となるように形成することが好ましい。
【００９５】
ステップＳ３では、図７に示したように、平面的に第１遮光層３と重なる第１層間絶縁膜１１ａ上に半導体層３０ａを形成する。前述したように半導体層３０ａは例えば高温ポリシリコンからなり不純物イオンの注入を制御することにより、ＬＤＤ構造が形成される。なお、この後、半導体層３０ａを覆って、酸化シリコンからなるゲート絶縁膜１１ｂが形成される。ゲート絶縁膜１１ｂの膜厚は第１層間絶縁膜１１ａよりも薄く、ゲート絶縁膜１１ｂは少なくとも半導体層３０ａを覆えばよく、必ずしも基材１０ｓの全面に亘って形成する必要がないので、ここでは説明を省略する。
【００９６】
ステップＳ４では、図７に示したように、半導体層３０ａが形成された第１層間絶縁膜１１ａを覆う第２層間絶縁膜１１ｃを形成する。第２層間絶縁膜１１ｃの形成方法は、第１層間絶縁膜１１ａと同様に例えば水（Ｈ2Ｏ）とＴＥＯＳとを用いたプラズマＣＶＤ法で酸化シリコン膜を形成する方法が挙げられる。第２層間絶縁膜１１ｃの膜厚は例えばおよそ３００ｎｍである。このように酸化シリコンを主成分とする第２層間絶縁膜１１ｃの屈折率ｎ２は、第１層間絶縁膜１１ａの屈折率ｎ１と同じ１．４６〜１．４８の値となる。
【００９７】
ステップＳ５では、図７に示したように、平面的に第１遮光層３や半導体層３０ａと重なる第２層間絶縁膜１１ｃ上に第２遮光層４を形成する。前述したように、第２遮光層４は、中継層として機能するものであり、例えばＴｉＮ（窒化チタン）／Ａｌ（アルミニウム）／ＴｉＮ（窒化チタン）の３層構造からなる。このような３層構造は、例えばスパッタ法で各層を積層形成した後に、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングして形成する。第２遮光層４の膜厚は例えば下層のＴｉＮ層がおよそ５０ｎｍ、中間のＡｌ層が最も厚くおよそ３５０ｎｍ、上層のＴｉＮ層がおよそ１５０ｎｍである。つまり、第２遮光層４の膜厚はおよそ５５０ｎｍである。
【００９８】
ステップＳ６では、図７に示したように、第２遮光層４が形成された第２層間絶縁膜１１ｃを覆う第３層間絶縁膜１２を形成する。第３層間絶縁膜１２の形成方法としては、例えばモノシランガス（ＳｉＨ4）と、一酸化二窒素ガス（Ｎ2Ｏ）とを用いたプラズマＣＶＤ法で酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯxＮy）を形成する方法が挙げられる。このような原料ガスの流量を調整することで、成膜された酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯxＮy）すなわち第３層間絶縁膜１２の屈折率ｎ３を１．５０〜１．５４とすることができる。
【００９９】
ステップＳ７では、図７に示したように、平面的に第２遮光層４に重なる第３層間絶縁膜１２上に第３遮光層６ａを形成する。前述したように、第３遮光層６ａは、データ線６ａとして機能するものであり、例えばＡｌ（アルミニウム）／ＴｉＮ（窒化チタン）の２層構造からなる。このような２層構造は、例えばスパッタ法で各層を積層形成しおた後に、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングして形成する。第３遮光層６ａの膜厚は例えば下層のＡｌ層がおよそ３５０ｎｍ、上層のＴｉＮ層がおよそ１５０ｎｍである。つまり、第３遮光層６ａの膜厚はおよそ５００ｎｍである。
【０１００】
ステップＳ８では、平面的に第３遮光層６ａと重ならない第３層間絶縁膜１２の部分をエッチングして凹部を形成する。具体的には、第３遮光層６ａが形成された第３層間絶縁膜１２を覆う感光性レジスト層を形成し、これを露光・現像することで、図８（ａ）に示すように少なくとも第３遮光層６ａと重なるようにパターニングされたレジストパターン７０を形成する。レジストパターン７０の平面形状は、図３に示した画素Ｐごとの開口領域を囲む非開口領域の形状とする。そして、レジストパターン７０で覆われていない第３層間絶縁膜１２に、例えばフッ素系の処理ガスを用いたドライエッチングを施す。基材１０ｓ上の第１層間絶縁膜１１ａまでドライエッチングを行う。これにより、図８（ｂ）に示すように、隣り合う第３遮光層６ａの間において、第３層間絶縁膜１２から第１層間絶縁膜１１ａまでがエッチングされて、側壁１２ａを含む凹部（トレンチ）１２ｔが形成される。凹部（トレンチ）１２ｔは、画素Ｐごとに形成される。
【０１０１】
ステップＳ９では、凹部（トレンチ）１２ｔを埋めると共に、第３遮光層６ａ及び第３層間絶縁膜１２を覆う第４層間絶縁膜１３を形成する。具体的には、まず、凹部（トレンチ）１２ｔが形成された基材１０ｓに、例えばモノシランガス（ＳｉＨ4）と、一酸化二窒素ガス（Ｎ2Ｏ）と、アンモニアガス（ＮＨ3）とを用いたプラズマＣＶＤ法で酸化窒化シリコン（ＳｉＯxＮy）を堆積させる方法が挙げられる。このような原料ガスの流量を調整することで、窒素原子の含有量を第３層間絶縁膜１２よりも増やして成膜された酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯxＮy）１３ａの屈折率を１．５５〜１．６０とすることができる。酸化窒化シリコン膜１３ａの膜厚は、例えば３μｍである。図８（ｃ）に示すように、酸化窒化シリコン膜１３ａの表面には、凹部（トレンチ）１２ｔを埋め、第３遮光層６ａを覆うことで凹凸が生ずる。この凹凸を緩和するために、酸化窒化シリコン膜１３ａに例えばＣＭＰ処理などの平坦化処理を施す。これにより、図８（ｄ）に示すように、表面が平坦な第４層間絶縁膜１３ができあがる。第４層間絶縁膜１３の最も厚い部分の膜厚はおよそ２μｍである。第４層間絶縁膜１３の屈折率ｎ４は、上述したように１．５５〜１．６０となる。
【０１０２】
ステップＳ１０では、図９（ｅ）に示すように、第４層間絶縁膜１３上に保持容量１６を形成する。前述したように、複数の画素Ｐに亘る容量線７として機能するように、ＩＴＯなどの透明導電膜を少なくとも表示領域Ｅに亘って成膜して下側電極１６ａを形成する。下側電極１６ａを覆うように誘電体層１６ｃを形成する。さらに、誘電体層１６ｃを覆ってＩＴＯなどの透明導電膜を成膜してパターニングすることで画素Ｐごとに独立した上側電極１６ｂを形成する。これにより、画素Ｐごとに保持容量１６が形成される。下側電極１６ａ及び上側電極１６ｂの膜厚はそれぞれ例えばおよそ１４０ｎｍ、誘電体層１６ｃの膜厚は例えば３０ｎｍである。
【０１０３】
ステップＳ１１では、図９（ｆ）に示すように、保持容量１６を覆う第５層間絶縁膜１４を形成する。前述したように第５層間絶縁膜１４は、プラズマＣＶＤ法で形成されたＮＳＧ膜からなる第１絶縁膜１４ａと、同じくプラズマＣＶＤ法で形成されたＢＳＧ膜からなる第２絶縁膜１４ｂとを含んで構成される。
【０１０４】
ステップＳ１２では、図９（ｇ）に示すように、第５層間絶縁膜１４上に画素電極１５を形成する。具体的には、第５層間絶縁膜１４を覆ってＩＴＯなどの透明導電膜を成膜し、これをパターニングして画素Ｐごとに独立した画素電極１５を形成する。画素電極１５の膜厚は例えば１４０ｎｍである。これにより、素子基板１０ができあがる。なお、できあがった素子基板１０に対して、液晶装置１００の光学設計に基づいた配向処理が施される。
【０１０５】
上記素子基板１０の製造方法では、各層間絶縁膜の屈折率が、ｎ１≦ｎ２＜ｎ３＜ｎ４の関係を満たすように、第１層間絶縁膜１１ａ、第２層間絶縁膜１１ｃ、第３層間絶縁膜１２、第４層間絶縁膜１３がそれぞれ形成される。また、画素電極１５が配列する少なくともＸ方向における、各遮光層の幅が、ｄ１＜ｄ２＜ｄ３の関係を満たすように、第１遮光層３、第２遮光層４、第３遮光層６ａがそれぞれ形成される。
【０１０６】
また、側壁１２ａに入射した光を画素Ｐの開口領域に効率的に導くには、基材１０ｓの表面に対する側壁１２ａの傾斜角度ができるだけ９０度に近いほうが好ましい。上述した凹部形成工程（ステップＳ８）では、側壁１２ａの傾斜角度が８７度から８９度となるようにドライエッチングの条件（例えば、処理ガスの流量やエッチング時間）を設定した。
【０１０７】
なお、側壁１２ａに入射する光の角度は、対向基板２０に入射する光の角度分布（例えば、後述する投写型表示装置１０００では、偏光照明装置１１００から発した光を液晶ライトバルブに対して集光させる光学系のＦナンバー）に依存する。したがって、側壁１２ａの傾斜角度は、必ずしも９０度に近い角度としなくてもよく、ドライエッチングで形成可能な７０度〜９０度未満の角度であってもよい。
【０１０８】
上記第１実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）液晶装置１００における素子基板１０の基材１０ｓ上において、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａは、第１遮光層（走査線）３と第２遮光層（中継層）４との間の第１層間絶縁膜１１ａ上に配置される。また、平面的に第２遮光層（中継層）４と重なる第３遮光層（データ線）６ａで覆われていない第３層間絶縁膜１２にドライエッチングを施すことにより、第３層間絶縁膜１２から第１層間絶縁膜１１ａに掛けて側壁１２ａを有する凹部（トレンチ）１２ｔが形成される。凹部（トレンチ）１２ｔを埋める第４層間絶縁膜１３の屈折率ｎ４（１．５５〜１．６０）に対して、第３層間絶縁膜１２の屈折率ｎ３（１．５０〜１．５４）、第２層間絶縁膜１１ｃの屈折率ｎ２（１．４６〜１．４８）、第１層間絶縁膜１１ａの屈折率ｎ１（１．４６〜１．４８）は、ｎ１≦ｎ２＜ｎ３＜ｎ４の関係を満たしていることから、第４層間絶縁膜１３との界面となる側壁１２ａに入射した光は側壁１２ａで反射され、画素Ｐの開口領域に導かれる。加えて、第３遮光層６ａの端部で生じた回折光もまた側壁１２ａに入射して反射され画素Ｐの開口領域に導かれる。さらに、第３遮光層６ａの端部で生じた回折光が下層の第２遮光層４に向かい難くなることから、第２遮光層４の端部で回折して半導体層３０ａに入射する光が生じ難くなり、ＴＦＴ３０の光リーク電流の発生がより抑制される。すなわち、本実施形態の素子基板１０とその製造方法によれば、ＴＦＴ３０の光リーク電流の発生がより抑制されることにより、画素Ｐの安定したスイッチング動作が実現され、且つ対向基板２０側から入射する光のロスを低減して光の利用効率を向上させ、明るい表示品質が得られる液晶装置１００を提供あるいは製造することができる。
（２）画素電極１５の配列方向における、第１遮光層３の幅ｄ１、第２遮光層４の幅ｄ２、第３遮光層６ａの幅ｄ３が、ｄ１＜ｄ２＜ｄ３の関係を満たすように、第１遮光層３、第２遮光層４、第３遮光層６ａが形成されている。したがって、第４層間絶縁膜１３側から入射する光は、第３遮光層６ａの下層に位置する第２遮光層４や第１遮光層３により届き難くなるので、遮光層の端部で生じた回折光に起因するＴＦＴ３０の光リーク電流の発生をさらに抑制することができる。
【０１０９】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態の液晶装置における素子基板について、図１０を参照して説明する。図１０は第２実施形態の液晶装置における素子基板の構造を示す概略断面図である。図１０は、第１実施形態の液晶装置１００における素子基板１０の構造を示す概略断面図である図７に対応させたものである。
第２実施形態の液晶装置は、上記第１実施形態の液晶装置１００における素子基板１０の構造を異ならせたものである。したがって、液晶装置１００と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略するものとする。
【０１１０】
図１０に示すように、本実施形態の素子基板１０Ｂは、基材１０ｓ上において、順に配置された、第１遮光層３、第１層間絶縁膜１１ａ、半導体層３０ａ、第２層間絶縁膜１１ｃ、第２遮光層４、第３層間絶縁膜１２、第３遮光層６ａ、第４層間絶縁膜１３、保持容量１６、第５層間絶縁膜１４、画素電極１５、を有する。
【０１１１】
第２遮光層４の下層である第１層間絶縁膜１１ａ及び第２層間絶縁膜１１ｃには、画素電極１５が配列する少なくともＸ方向において、第１遮光層３及び半導体層３０ａを挟む第１の側壁１１ｄが設けられている。つまり、隣り合う第２遮光層４の間に第１の側壁１１ｄを有する第１の凹部（トレンチ）が形成されている。
【０１１２】
第３遮光層６ａの下層である第３層間絶縁膜１２には、上記第１の側壁１１ｄと第２遮光層４とを挟む第２の側壁１２ｂが設けられている。つまり、隣り合う第３遮光層６ａの間において、上記第１の凹部（トレンチ）の内側に第２の側壁１２ｂを有する第２の凹部（トレンチ）が形成されている。第４層間絶縁膜１３は、上記第２の凹部（トレンチ）を埋めると共に第３遮光層６ａを覆って形成されている。
【０１１３】
上記第１実施形態で説明したように、各層間絶縁膜の屈折率が、ｎ１≦ｎ２＜ｎ３＜ｎ４の関係を満たすように、第１層間絶縁膜１１ａ、第２層間絶縁膜１１ｃ、第３層間絶縁膜１２、第４層間絶縁膜１３がそれぞれ形成されている。また、画素電極１５が配列する少なくともＸ方向における、各遮光層の幅が、ｄ１＜ｄ２＜ｄ３の関係を満たすように、第１遮光層３、第２遮光層４、第３遮光層６ａがそれぞれ形成されている。
【０１１４】
上記第１の凹部（トレンチ）を形成する方法は、例えば、積層して形成された第１層間絶縁膜１１ａ及び第２層間絶縁膜１１ｃに対して、第２層間絶縁膜１１ｃ側からドライエッチングを施す方法が挙げられる。また、上記第２の凹部（トレンチ）を形成する方法は、上記第１の凹部（トレンチ）を埋めて形成された第３層間絶縁膜１２に対してドライエッチングを施す方法が挙げられる。
【０１１５】
基材１０ｓの表面に対する第１の側壁１１ｄの傾斜角度は、第２の側壁１２ｂの傾斜角度よりも大きく、より９０度に近いことが好ましい。上記第２の凹部の深さに対して、上記第１の凹部の深さのほうが浅くなることからドライエッチングにより、第１の側壁１１ｄの傾斜角度を９０度に近づけ易い。
【０１１６】
第２実施形態によれば、第２の側壁１２ｂで反射させることができない入射角度で第２の側壁１２ｂに入射して屈折した光Ｌ３を第１の側壁１１ｄにより反射させ、画素Ｐの開口領域に導くことができる。したがって、ＴＦＴ３０における光リーク電流の発生を抑制し、対向基板２０側（第４層間絶縁膜１３側）から入射する光を、上記第１実施形態に比べてより効率的に利用できる。すなわち、安定的な駆動状態が得られると共に、より明るい表示が可能な液晶装置を提供あるいは製造することができる。
【０１１７】
（第３実施形態）
＜電子機器＞
次に、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置１００が適用された電子機器としての投写型表示装置について、図１１を参照して説明する。図１１は投写型表示装置の構成を示す概略図である。
【０１１８】
図１１に示すように、本実施形態の電子機器としての投写型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、を備えている。また、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、を備えている。さらに、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投写レンズ１２０７と、を備えている。
【０１１９】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【０１２０】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【０１２１】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【０１２２】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投写光学系である投写レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投写され、画像が拡大されて表示される。
【０１２３】
液晶ライトバルブ１２１０は、上記第１実施形態の液晶装置１００（図１参照）が適用されたものである。液晶装置１００の色光の入射側と射出側とにクロスニコルに配置された一対の偏光素子が隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【０１２４】
このような投写型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、上記第１実施形態の液晶装置１００が用いられているので、ＴＦＴ３０における光リーク電流の発生が抑制され、安定した駆動状態が得られる。また、画素Ｐに入射した光が効率的に利用され、明るい表示が可能である。つまり、安定した駆動状態が実現されると共に、優れた表示品質を有する投写型表示装置１０００を提供することができる。なお、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、上記第２実施形態の素子基板１０Ｂを有する液晶装置を採用しても同様な効果が得られる。
【０１２５】
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置および該電気光学装置の製造方法ならびに該電気光学装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【０１２６】
（変形例１）上記第１実施形態の素子基板１０において、隣り合う第３遮光層６ａの間の側壁１２ａは、第３層間絶縁膜１２から基材１０ｓの表面に至るように形成されることに限定されない。図１２（ａ）及び（ｂ）は変形例の素子基板の構造を示す概略断面図である。なお、上記第１実施形態と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明を省略する。
例えば、図１２（ａ）に示すように、変形例の素子基板１０Ｃは、隣り合う第３遮光層６ａの間において、第３層間絶縁膜１２から第１層間絶縁膜１１ａに掛けて形成された側壁１２ｃを有する。基材１０ｓの表面には、第１層間絶縁膜１１ａの一部１１ｅが残っている。第１実施形態で説明したように凹部形成工程（ステップＳ８）では第３層間絶縁膜１２にドライエッチングを施して凹部を形成するが、基材１０ｓの表面に到達するまでドライエッチングを行わなくてもよい。各層間絶縁膜の膜厚はばらつくことがある。したがって、ドライエッチング後に表示領域Ｅのすべての画素Ｐあるいは部分的な画素Ｐにおいて、図１２（ａ）に示すような遮光構造となっていてもよい。
また、図１２（ｂ）に示すように、変形例の素子基板１０Ｄは、隣り合う第３遮光層６ａの間において、第３層間絶縁膜１２から第２層間絶縁膜１１ｃに掛けて形成された側壁１２ｄを有する。基材１０ｓの表面には、第１層間絶縁膜１１ａと第２層間絶縁膜１１ｃの一部１１ｆが残っている。これによれば、ドライエッチングして取り除く層間絶縁膜の量が少なくなるため、凹部形成工程（ステップＳ８）後に、傾斜角度がより９０度に近く、第３遮光層６ａとの間でオーバーハングが生じ難い側壁１２ｄを形成することができる。言い換えれば、入射光を反射させる側壁は、第３遮光層６ａの下層にある少なくとも第３層間絶縁膜１２に形成されていれば、入射光の利用効率を改善でき、その場合、ｎ３＜ｎ４の関係を満たすように、第３層間絶縁膜１２と第４層間絶縁膜１３とが形成されていればよい。
【０１２７】
（変形例２）上記第１実施形態の液晶装置１００における素子基板１０の構成はこれに限定されない。例えば、上記第１実施形態では、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａをデータ線６ａの延在方向（Ｙ方向）に配置したが、走査線３の延在方向に配置した構成としてもよい。また、透光性の保持容量１６を画素Ｐの開口領域に配置した構成としたが、保持容量１６を非開口領域に配置してもよい。
【０１２８】
（変形例３）上記第１実施形態の液晶装置１００が適用される電子機器は、上記第３実施形態の投写型表示装置１０００に限定されない。例えば、液晶装置１００の対向基板２０において、少なくとも赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に対応するカラーフィルターを有し、投写型表示装置を単板構成としてもよい。また、例えば、投写型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や、ＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として液晶装置１００を好適に用いることができる。
【符号の説明】
【０１２９】
３…走査線（第１遮光層）、４…中継層（第２遮光層）、６ａ…データ線（第３遮光層）、１０…素子基板、１０ｓ…基板としての基材、１１ａ…第１層間絶縁膜、１１ｃ…第２層間絶縁膜、１１ｄ…第１の側壁、１２…第３層間絶縁膜、１２ａ…側壁、１２ｂ…第２の側壁、１２ｔ…凹部（トレンチ）、１３…第４層間絶縁膜、１５…画素電極、１００…電気光学装置としての液晶装置、１０００…電子機器としての投写型表示装置。
【図１】
0006417847.tif 000002
【図２】
0006417847.tif 000003
【図３】
0006417847.tif 000004
【図４】
0006417847.tif 000005
【図５】
0006417847.tif 000006
【図６】
0006417847.tif 000007
【図７】
0006417847.tif 000008
【図８】
0006417847.tif 000009
【図９】
0006417847.tif 000010
【図１０】
0006417847.tif 000011
【図１１】
0006417847.tif 000012
【図１２】
0006417847.tif 000013