(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を収容して該半導体基板を処理する反応部と、
前記反応部内のガスを排気するポンプと、
前記反応部と前記ポンプとの間を接続する排気管と、
前記ポンプの前記ガスの流入口または前記排気管に設けられ、複数の網目が配置された主面を有するメッシュ部材と、を備え、
前記メッシュ部材は、前記主面から前記ガスの上流側に突出した突部および／または前記主面が有する形状である突形状を有し、
前記突部は、
前記ガスの上流側に突出した第１突起および前記第１突起から分岐した第２突起を有し、または、前記メッシュ部材の個々の網目の外周に一個以上形成され、
前記突形状は、
前記主面が互いに直交する方向に沿って連続的に山折りされていることで形成されている、半導体製造装置。
【請求項２】
前記第２突起は、１つの前記第１突起あたり複数形成されている、請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記１つの第１突起に形成された前記複数の第２突起は、前記第１突起の突出方向に対して互いに異なる方位に傾斜して突出している、請求項２に記載の半導体製造装置。
【請求項４】
前記メッシュ部材は、前記突部および／または突形状を複数有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【請求項５】
前記メッシュ部材は、前記突部を複数有し、
前記複数の突部の高さは、不均一である、請求項４に記載の半導体製造装置。
【請求項６】
前記メッシュ部材は、前記突形状を複数有し、
前記複数の突形状の高さは、不均一である、請求項４または５に記載の半導体製造装置。
【請求項７】
半導体基板を収容して該半導体基板を処理する反応部と、
前記反応部内のガスを排気するポンプと、
前記反応部と前記ポンプとの間を接続する排気管と、
前記ポンプの前記ガスの流入口または前記排気管に設けられ、複数の網目が配置された主面を有するメッシュ部材とを備え、
前記主面は、前記ガスの流動方向に間隙を空けるように前記流動方向に直交する方向において複数の分割面に分割され、
前記メッシュ部材は、前記ガスの上流側に突出した突部および／または突形状を有する、半導体製造装置。
【請求項８】
前記メッシュ部材は、前記間隙に隣接する前記分割面の縁部に、前記ガスの上流側に突出した突部を備えた、請求項７に記載の半導体製造装置。
【請求項９】
前記複数の分割面は、前記間隙に隣接する各分割面の縁部を前記流動方向において互いに重ね合わせるように配置された、請求項７または８に記載の半導体製造装置。
【請求項１０】
前記分割面は、前記流動方向から見た場合に扇形状を有する、請求項７〜９のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明による実施形態は、半導体製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
１枚のウェハから得られるチップの個数を増やしてチップの生産性を高めるために、１個のチップの大容量化およびチップサイズの縮小化が進められている。そのため、作製過程では、ウェハの表面積も拡大する。表面積の大きいウェハにおいてウェハ面内における膜厚の均一性（以下、面内均一性ともいう）を確保するには、反応炉での成膜の際に、ウェハに対する原料ガスの供給量を増加させる必要がある。
【０００３】
しかし、原料ガスの供給量が増加すると、排気管内に付着する副生成物の量が増加し、排気管から剥離した副生成物がガスとともに排気用のポンプに吸入される頻度が高くなる。排気管から剥離した副生成物のうち、サイズの大きい副生成物が排気用のポンプに吸入されると、ポンプの負荷を大きく上昇させ、そして、ポンプの負荷が上限に達することで、ポンプのインターロック機能が作動してポンプが一旦停止する。一旦停止したポンプは、復帰しても排気能力（排気量、排気速度）において大幅に低下してしまう。
【０００４】
したがって、半導体基板の表面積の拡大と、面内均一性の確保と、ポンプの排気能力の向上とをいずれも達成することが求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−５３７６４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
半導体基板の表面積の拡大と、面内均一性の確保と、ポンプの排気能力の向上とをいずれも達成することができる半導体製造装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本実施形態の半導体製造装置は、反応部と、ポンプと、排気管と、メッシュ部材とを備える。反応部は、半導体基板を収容して半導体基板を処理する。ポンプは、反応部内のガスを排気する。排気管は、反応部とポンプとの間を接続する。メッシュ部材は、ポンプのガスの流入口または排気管に設けられ、複数の網目が配置された主面を有する。メッシュ部材は、ガスの上流側に突出した突部および／または突形状を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態を示す半導体製造装置１の模式図である。
【図２】図１の半導体製造装置１のメッシュ部材１３の概略斜視図である。
【図３】図１の半導体製造装置１のポンプ１４の模式図である。
【図４】図４Ａは、図２のメッシュ部材１３の突部１３４へ流動する異物Ｓを示す図であり、図４Ｂは、突部１３４で粉砕される異物Ｓを示す図である。
【図５】第１の実施形態の第１の変形例を示すメッシュ部材１３の概略斜視図である。
【図６】図６Ａは、図５のメッシュ部材１３の突部１３４で粉砕されない異物Ｓを示す図であり、図６Ｂは、突部１３４同士の間に挟まれた異物Ｓを示す図である。
【図７】第１の実施形態の第２の変形例を示す突部１３４の概略斜視図である。
【図８】第２の実施形態を示すメッシュ部材１３の概略斜視図である。
【図９】第３の実施形態を示すメッシュ部材１３の概略斜視図である。
【図１０】第３の実施形態の変形例を示すメッシュ部材１３の概略斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。
【００１０】
（第１の実施形態）
先ず、第１の実施形態として、突部を有するメッシュ部材を備えた半導体製造装置の実施形態を説明する。
【００１１】
図１は、第１の実施形態を示す半導体製造装置１の模式図である。図２は、図１の半導体製造装置１のメッシュ部材１３の概略斜視図である。図３は、図１の半導体製造装置１のポンプ１４の模式図である。
【００１２】
図１の半導体製造装置１は、例えば、半導体製造プロセスにおける成膜プロセスに用いられる。半導体製造装置１は、ガスの流動方向における上流側から順に、反応部１１と、排気管１２と、メッシュ部材１３と、ポンプ１４とを備える。
【００１３】
反応部１１は、半導体基板２（ウェハ）を収容して半導体基板２を処理する。具体的には、図１の反応部１１は、ホットウォール方式の熱ＣＶＤ装置である。反応部１１は、反応炉１１１と、反応炉１１１内に配置された保持部１１２およびガス供給部１１３と、反応炉１１１を囲むヒータ１１４とを有する。保持部１１２は、例えば縦型ウエハボートであり、複数の半導体基板２を積載して保持する。ガス供給部１１３は、例えば、ノズルを備え、不図示のガス源から供給された原料ガスＧ１を半導体基板２に吐出する。ヒータ１１４は、原料ガスＧ１を熱で分解して成膜種を作ることで、半導体基板２上に成膜を行う。
【００１４】
排気管１２は、反応炉１１１（反応部１１）とポンプ１４との間を接続する。排気管１２は、反応炉１１１内のガスＧ２を、ポンプ１４の吸引力を介してメッシュ部材１３に導入する。ガスＧ２には、熱ＣＶＤによって生じた副生成物や、排気管１２に付着した副生成物が剥離した欠片などの異物Ｓ（図４参照）が含まれる場合がある。異物Ｓは、原料ガスＧ１の種類に応じて異なり、例えば、酸化物（例えば、ＳｉＯ２）、酸窒化物（例えば、ＳｉＯＮ）または窒化物などであってもよい。
【００１５】
メッシュ部材１３は、ガスＧ２中の異物Ｓがポンプ１４に吸入されないように、ポンプ１４のガスＧ２の流入口（吸入口）１４０（図３参照）に設けられている。メッシュ部材１３は、排気管１２の内部に設けられていてもよい。
【００１６】
図２に示すように、メッシュ部材１３は、ガスＧ２の上流側の面である表面１３１と、ガスＧ２の下流側の面である裏面１３２と、表面１３１と裏面１３２とを貫通する複数の網目（開孔）１３３とを備える。
【００１７】
表面１３１は、複数の網目１３３が配置されたメッシュ部材１３の主面１３１でもある。表面１３１および裏面１３２は、二次元方向（水平方向）に広がる平面である。メッシュ部材１３は、表面１３１において流入口１４０に設けられ、網目１３３において流入口１４０を開放している。メッシュ部材１３の外周は、流入口１４０の内周と等しいか、それよりわずかに小さくてよい。
【００１８】
また、図２に示すように、メッシュ部材１３は、複数の突部１３４を備える。複数の突部１３４は、表面１３１からガスＧ２の上流側に突出している。突部１３４は、表面１３１から鉛直方向に突出してもよい。
【００１９】
メッシュ部材１３は、排気管１２から導入されたガスＧ２を網目１３３においてポンプ１４側に通過させることで、ガスＧ２の排気を確保する。一方で、メッシュ部材１３は、ガスＧ２中の異物Ｓを表面１３１においてトラップする（換言すれば、留める、止める又は捕える）ことで、異物Ｓがポンプ１４に入ることを抑制する。
【００２０】
突部１３４は、突部１３４に衝突した異物Ｓを粉砕することで、異物Ｓのサイズを小さく（小片化）する。異物のサイズを小さくすることで、サイズが大きい異物がポンプ１４に入ることを抑制できる。大きい異物がポンプ１４に入ることを抑制できるので、ポンプ１４の負荷の増大を抑制できる。
【００２１】
なお、網目１３３は、例えば、金属板の打ち抜き加工などによって形成してもよい。突部１３４は、例えば、金属板の折り曲げ加工や、メッシュ部材本体への接合（例えば、溶接や接着）などによって形成してもよい。
【００２２】
ポンプ１４は、反応炉１１１内のガスＧ２を吸引して排気する。ガスＧ２を排気することで、反応炉１１１内の圧力を減圧できる。
【００２３】
図３に示すように、ポンプ１４は、ガスＧ２の上流側から順に、ブースタポンプ１４１と、メインポンプ１４２と、排気口１４３とを備える。
【００２４】
ブースタポンプ１４１は、モータ制御部１４１０と、モータドライバ１４１１と、モータ１４１２とを備える。また、ブースタポンプ１４１は、モータ１４１２の出力軸に直結された主軸１４１３と、主軸１４１３を中心に回転するロータ１４１４と、ロータ１４１４の回転をガイドするベアリング１４１５および軸受１４１６とを備える。同様に、メインポンプ１４２は、モータ制御部１４２０と、モータドライバ１４２１と、モータ１４２２と、主軸１４２３と、ロータ１４２４と、ベアリング１４２５と、軸受１４２６とを備える。
【００２５】
ブースタポンプ１４１は、メインポンプ１４２が動作可能な圧力となるまで、反応炉１１１を排気する。メインポンプ１４２は、反応炉１１１の圧力を所定の圧力まで減圧する。反応炉１１１の圧力を減圧した状態を維持するために、ポンプ１４の排気経路は狭く形成されている。排気経路が狭いことで、異物Ｓはポンプ１４に詰まりやすい。モータ制御部１４１０、１４２０は、モータドライバ１４１１、１４２１がモータ１４１２、１４２２に供給（出力）する電流（負荷）を制御することで、ロータ１４１４、１４２４の回転を制御する。モータ制御部１４１０、１４２０は、インターロック機構としても機能し、モータドライバ１４１１、１４２１の出力電流が上限値を超えた場合に、モータ１４１２、１４２２（ポンプ１４）を一旦停止させる。モータ制御部１４１０、１４２０は、モータ１４１２、１４２２が一旦停止してから所定時間が経過した後に、モータ１４１２、１４２２を再駆動させる。
【００２６】
ここで、表面積が大きい半導体基板２に成膜を行う場合、表面積が小さい半導体基板に成膜を行う場合に比べて原料ガスＧ１の供給量を多くすることで、面内均一性を確保できる。
【００２７】
しかし、原料ガスＧ１の供給量が多くなることで、排気管に付着する副生成物の量が増加し，排気管から剥離する異物（副生成物）も多くなる。このとき，例えば異物のサイズが５ｍｍ角以上の大きい異物も増える。
【００２８】
そして、サイズが大きい異物Ｓがポンプ１４に吸入されると、ポンプ１４の排気能力が低下してしまう。具体的には、大きい異物Ｓは、ロータ１４１４、１４２４に噛み込まれることでロータ１４１４、１４２４の回転を妨げる（遅延させる）。このため、モータ制御部１４１０、１４２０は、ロータ１４１４、１４２４の回転速度を維持しようとして、モータドライバ１４１１、１４２１の出力電流を大幅に上げる。大幅に上がった出力電流は、インターロック機構が作動する上限値を超える。出力電流が上限値を超えることで、インターロック機構が作動して、ポンプ１４が一旦停止する。一旦停止したポンプ１４は、復帰しても排気能力において大幅に低下してしまう。
【００２９】
また、仮に、大きい異物Ｓがメッシュ部材１３の表面１３１でトラップされたとしても、ポンプ１４の排気能力は低下してしまう。なぜならば、大きい異物Ｓは網目１３３を目詰まりさせるので、メッシュ部材１３においてガスＧ２の流路の断面積が縮小してしまうからである。
【００３０】
これに対して、本実施形態においては、表面積が大きい半導体基板２に面内均一性を考慮した（原料ガスＧ１の供給量が多い）成膜を行うことで異物Ｓが大きくなったとしても、異物Ｓを突部１３４で粉砕できる。異物Ｓを粉砕することで、大きい異物Ｓがポンプ１４に吸入されることを抑制できるので、ポンプ１４の排気能力の低下を抑制できる。
【００３１】
次に、図４Ａおよび図４Ｂを参照して突部１３４の作用を具体的に説明する。図４Ａは、図２のメッシュ部材１３の突部１３４へ流動する異物Ｓを示す図である。図４Ｂは、突部１３４で粉砕される異物Ｓを示す図である。
【００３２】
成膜に用いられた反応炉１１１内のガスＧ２は、成膜の際に発生した副生成物などの異物Ｓとともに、ポンプ１４の吸引力によって流入口１４０（図３参照）へ流動する。
【００３３】
ガスＧ２中の異物Ｓは、流入口１４０において、図４Ａに示すように上流側に突出した突部１３４の先端に衝突する。
【００３４】
突部１３４に衝突した異物Ｓは、薄くて脆いので、図４Ｂに示すように、突部１３４によって粉砕されて小さくなる。
【００３５】
小さくなった異物Ｓは、仮に、ポンプ１４に吸入されたとしても、ポンプ１４の排気能力を殆ど低下させない。具体的には、小さくなった異物Ｓは、ロータ１４１４、１４２４に噛み込まれたとしても、ロータ１４１４、１４２４の回転を殆ど妨げない（遅延させない）。このため、モータ制御部１４１０、１４２０は、モータドライバ１４１１、１４２１の出力電流を或る程度上げればロータ１４１４、１４２４の回転速度（すなわち、排気能力）を維持できる。このとき、モータドライバ１４１１、１４２１の出力電流は、インターロック機構が作動する上限値よりも小さいので、インターロック機構は作動しない。インターロック機構が作動しないことで、ポンプ１４の排気能力の低下を抑制できる。
【００３６】
また、小さくなった異物Ｓは、網目１３３よりサイズが小さいので、網目１３３を目詰まりさせない。網目１３３が目詰まりしないことで、ポンプ１４の排気能力の低下を更に抑制できる。
【００３７】
したがって、本実施形態によれば、突部１３４で異物Ｓを小片化できるので、ポンプ１４の排気能力を従来よりも確実に向上させることができる。すなわち、本実施形態によれば、半導体基板２の表面積の拡大と、面内均一性の確保と、ポンプ１４の排気能力の向上とをいずれも達成することができる。また、本実施形態によれば、ポンプ１４の排気能力が向上することで、ポンプ１４の寿命も向上させることができる。
【００３８】
（第１の変形例）
次に、第１の実施形態の第１の変形例として、突部の高さが不均一なメッシュ部材を備えた半導体製造装置の例について説明する。なお、第１の変形例の説明にあたって、図１の半導体製造装置１に対応する構成部については同一の符号を付して重複した説明を省略する。
【００３９】
図５は、第１の実施形態の第１の変形例を示すメッュ部材１３の概略斜視図である。図６Ａは、図５のメッシュ部材１３の突部１３４で粉砕されない異物Ｓを示す図である。図６Ｂは、突部１３４同士の間に挟まれた異物Ｓを示す図である。図２の構成において、メッシュ部材１３の突部１３４の高さ（すなわち、表面１３１の面法線方向における突部１３４の寸法）は、均一であった。これに対して、図５に示すように、本変形例における突部１３４の高さは不均一である。
【００４０】
第１の変形例においては、図６Ａに示すように、突部１３４に衝突した異物Ｓが例外的に粉砕されない場合においても、ポンプ１４の排気能力の低下を抑制できる。
【００４１】
具体的には、図６Ｂに示すように、突部１３４で粉砕されない異物Ｓは、例えば、異物Ｓが衝突した突部１３４と、この突部１３４に隣接する他の突部１３４との間に挟み込まれる。このようにして隣接する突部１３４同士の間に挟まれた異物Ｓは、網目１３３に対して立った状態で表面１３１上に位置される。このような立った状態の異物Ｓは、網目１３３に対して横たわっている場合と異なり、網目１３３を閉塞しない。したがって、本変形例によれば、仮に、突部１３４で異物が粉砕されない場合であっても、粉砕されない異物による排気能力の低下を抑制することができる。
【００４２】
なお、突部１３４の高さを不均一にする具体的な態様は特に限定されないが、隣接する突部１３４間に異物Ｓを挟む観点から、隣接する突部１３４同士の高さは互いに異ならせることが好ましい。
【００４３】
したがって、第１の変形例によれば、ポンプ１４の排気能力を更に向上させることができる。
【００４４】
（第２の変形例）
次に、第１の実施形態の第２の変形例として、分岐した突部を備えた半導体製造装置の例について説明する。なお、第２の変形例の説明にあたって、図１の半導体製造装置１に対応する構成部については同一の符号を付して重複した説明を省略する。図７は、第１の実施形態の第２の変形例を示す突部１３４の概略斜視図である。
【００４５】
図７に示すように、第２の変形例の突部１３４は、中央の大きい（長い、大外径の）第１突起１３４１と、第１突起１３４１の先端（上端、上流）側において第１突起１３４１から分岐した小さい（短い、小外径の）第２突起１３４２とを有する。第１突起１３４１は、ガスＧ２の上流側（図７における上方）に突出している。第２突起１３４２は、１つの第１突起１３４１あたり複数形成されており、各第２突起１３４２の突出方向は、第１突起１３４１の突出方向に対して第１突起１３４１の径方向外方側に傾斜している。また、各第２突起１３４２は、ガスＧ２の流動方向から見た場合に互いに異なる方位に突出していてもよい。
【００４６】
第２の変形例によれば、面積が制約されたメッシュ部材１３の表面１３１において、突起の個数を効率的に増やすことができる。突起の個数が増えることで、異物の粉砕効率を向上させることができる。異物の粉砕効率を向上させることで、ポンプ１４の排気能力を更に向上させることができる。
【００４７】
（第２実施形態）
次に、第２の実施形態として、突形状を有するメッシュ部材を備えた半導体製造装置の実施形態を説明する。なお、本実施形態の説明にあたって、第１の実施形態に対応する構成部については同一の符号を付して重複した説明を省略する。
【００４８】
図８は、第２の実施形態を示すメッシュ部材１３の概略斜視図である。図８に示すように、本実施形態のメッシュ部材１３は、突部１３４を備える替わりに突形状に成形されている。突形状は、メッシュ部材１３自体の表面１３１が有する形状である。突形状の具体的な態様は特に限定されず、例えば、図８に示すように、メッシュ部材１３の表面１３１は、互いに直交する方向ｄ１、ｄ２に沿って連続的に山折り（谷折り）に成形されることよって突形状を有していてもよい。
【００４９】
本実施形態によれば、ガスＧ２中の異物を突形状で粉砕して小片化できるので、第１の実施形態と同様に、半導体基板２の表面積の拡大と、面内均一性の確保と、ポンプ１４の排気能力の向上とをいずれも達成することができる。
【００５０】
（第３実施形態）
次に、第３の実施形態として、ガスの流動方向に沿って分割されたメッシュ部材を備えた半導体製造装置の実施形態を説明する。なお、本実施形態の説明にあたって、第１の実施形態に対応する構成部については同一の符号を付して重複した説明を省略する。
【００５１】
図９は、第３の実施形態を示すメッシュ部材１３の概略斜視図である。
【００５２】
図９に示すように、本実施形態のメッシュ部材１３は、ガスＧ２の流動方向Ｄ１に間隙１３５（開口、空間）を空けるように複数に分割されている。すなわち、メッシュ部材１３の表面１３１（主面）は、間隙１３５を空けるように複数の分割面に分割されている。
【００５３】
具体的には、図９のメッシュ部材１３の表面１３１は、流動方向Ｄ１に間隙１３５を空けるように、流動方向Ｄ１において２分割されている。流動方向Ｄ１において２分割された表面１３１のそれぞれは、更に、周方向Ｄ２（流動方向Ｄ１に直交する方向）において２分割されている。より具体的には、メッシュ部材１３は、扇状の第１〜第４のメッシュ部１３０＿１〜１３０＿４を備えている。
【００５４】
第２のメッシュ部１３０＿２は、第１のメッシュ部１３０＿１に対して、周方向Ｄ２において隣位し、流動方向Ｄ１において間隙１３５を空けている。
【００５５】
第３のメッシュ部１３０＿３は、第１のメッシュ部１３０＿１に対して、周方向Ｄ２において９０°の角度間隔を有し、流動方向Ｄ１において同一位置である。また、第３のメッシュ部１３０＿３は、第２のメッシュ部１３０＿１に対して、周方向Ｄ２において隣位し、流動方向Ｄ１において間隙１３５を空けている。
【００５６】
第４のメッシュ部１３０＿４は、第１のメッシュ部１３０＿１に対して、周方向Ｄ２において隣位し、流動方向Ｄ１において間隙１３５を空けている。また、第４のメッシュ部１３０＿４は、第２のメッシュ部１３０＿２に対して、周方向Ｄ２において９０°の角度間隔を有し、流動方向Ｄ１において同一位置である。また、第４のメッシュ部１３０＿４は、第３のメッシュ部１３０＿３に対して、周方向Ｄ２において隣位し、流動方向Ｄ１において間隙１３５を空けている。
【００５７】
本実施形態のメッシュ部材１３は、流動方向Ｄ１に沿った間隙１３５にガスＧ２を通すことができるので、仮に、網目１３３の目詰まりが生じた場合であっても、排気能力の低下を抑制できる。本実施形態においては、網目１３３の目詰まりの許容限度を上げることができるので、網目１３３のサイズを小さくして異物Ｓのトラップ効率を向上させることもできる。
【００５８】
（変形例）
次に、第３の実施形態の変形例として、分割されたメッシュ部材に突部を備えた半導体製造装置の例について説明する。なお、本変形例の説明にあたって、図９の半導体製造装置１に対応する構成部については同一の符号を付して重複した説明を省略する。
【００５９】
図１０は、第３の実施形態の変形例を示すメッシュ部材１３の概略斜視図である。
【００６０】
図１０に示すように、本変形例のメッシュ部材１３は、図９の構成に加えて、更に、間隙１３５に隣接する各メッシュ部１３０＿１〜４の表面１３１（分割面）の縁部に、ガスＧ２の上流側に突出した突部１３４を備える。
【００６１】
本変形例によれば、表面１３１に一旦トラップされた異物Ｓが、ガスＧ２の流れとともに間隙１３５側に流動した場合に、流動した異物Ｓを突起部１３４に突き当てて止めることができる。これにより、異物Ｓが間隙部１３５に入り込むことを抑制できるので、異物Ｓが間隙１３５を通ってポンプ１４に侵入することを抑制できる。
【００６２】
すなわち、本変形例によれば、排気能力の低下を更に有効に抑制できる。
【００６３】
なお、図９、図１０において、周方向Ｄ２に隣り合う任意の２つのメッシュ部（例えば、第１のメッシュ部１３０＿１と第２のメッシュ部１３０＿２）は、間隙１３５に隣接する表面１３１（分割面）の縁部同士を、流動方向Ｄ１において互いにオーバーラップさせていてもよい。すなわち、複数の分割面は、間隙１３５に隣接する各分割面の縁部を流動方向Ｄ１において互いに重ね合わせるように配置されていてもよい。
【００６４】
これにより、間隙１３５への異物Ｓの流動を更に抑制できるので、排気能力の低下を更に有効に抑制できる。
【００６５】
また、図２、図５、図７の場合と同様に、各メッシュ部１３０＿１〜４の表面１３１に、突部１３４を全面（広範囲）にわたって形成してもよい。また、図８の場合と同様に、各メッシュ部１３０＿１〜４の表面１３１自体を突形状に形成してもよい。突部１３４または突形状を備えることで異物を粉砕することができる。異物を粉砕することで、ポンプ１４の排気能力の低下を更に抑制できる。
【００６６】
上記の構成以外にも、第１〜第３の実施形態を適宜組み合わせた構成を採用してもよい。例えば、メッシュ部材１３は、突部１３４と突形状の双方を備えてもよい。また、複数の突形状は、高さが不均一であってもよい。
【００６７】
また、本実施形態は、バッチ式の熱ＣＶＤ装置に限らず、枚葉式の熱ＣＶＤ装置やプラズマＣＶＤ装置に適用してもよい。
【００６８】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００６９】
１  半導体製造装置
１１  反応部
１２  排気管
１３  メッシュ部材
１３１  表面
１３３  網目
１４  ポンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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