(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に処理液を供給する方法であって、
前記処理液を脱気機構により脱気処理して脱気処理液を生成する脱気処理液生成工程と、
前記脱気処理液を容器内に貯留する処理液貯留工程と、
前記容器の下流側に処理液供給管を介して接続されたフィルタの、さらに下流側を前記容器内の圧力に対して負圧にすることで、前記フィルタに前記容器内の前記脱気処理液を通液するフィルタ通液工程と、
前記容器から前記フィルタへの前記処理液の供給を停止した後に、前記フィルタの下流側を負圧にした状態を所定の時間維持する負圧維持工程と、を有することを特徴とする、処理液供給方法。
【請求項２】
前記フィルタ通液工程と前記負圧維持工程を繰り返し行うことを特徴とする、請求項１に記載の処理液供給方法。
【請求項３】
基板上に処理液を供給する方法であって、
前記処理液を脱気機構により脱気処理して脱気処理液を生成する脱気処理液生成工程と、
前記脱気処理液を容器内に貯留する処理液貯留工程と、
前記容器の下流側に処理液供給管を介して接続されたフィルタの、さらに下流側を前記容器内の圧力に対して負圧にすることで、前記フィルタに前記容器内の前記脱気処理液を通液するフィルタ通液工程と、
前記フィルタの上流側と下流側から減圧して処理液を脱気する双方向脱気工程と、
を有することを特徴とする、処理液供給方法。
【請求項４】
前記フィルタ通液工程と前記双方向脱気工程を繰り返し行うことを特徴とする、請求項３に記載の処理液供給方法。
【請求項５】
前記脱気処理液生成工程の前に、前記容器内に貯留されている処理液を前記容器外に排出する処理液排出工程をさらに有することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の処理液供給方法。
【請求項６】
前記フィルタ通液工程では、前記処理液供給管における前記フィルタの下流側に接続された、容積可変な貯留室の容積を増大させることで、前記フィルタの下流側を負圧にすることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の処理液供給方法。
【請求項７】
前記容器は容積可変な他の貯留室を有し、
前記フィルタ通液工程では、前記容器から前記フィルタへの前記脱気処理液の移動に伴い、前記他の貯留室の容積を減少させることを特徴とする、請求項６に記載の処理液供給方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の処理液供給方法を処理液供給装置によって実行させるように、当該処理液供給装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【請求項９】
基板に対して処理液を供給する供給ノズルに、処理液供給源から処理液供給管を介して処理液を供給する処理液供給装置であって、
前記処理液供給源から供給される処理液を一時的に貯留する、前記処理液供給管における前記供給ノズルの上流側に設けられた容器と、
前記処理液供給管における前記処理液供給源と前記容器との間に設けられ、前記処理液を脱気処理して脱気処理液を生成する脱気機構と、
前記処理液供給管における前記容器と前記供給ノズルの間に設けられたフィルタと、
前記処理液供給管における前記フィルタと前記供給ノズルの間から分岐する分岐管に接続された、容積可変な貯留室と、
前記貯留室の容積を拡大させて、前記処理液供給管における前記フィルタの下流側を前記容器内の圧力に対して負圧にすることで、前記フィルタに前記容器内の前記脱気処理液を供給し、
前記容器から前記フィルタへの前記処理液の供給を停止した後に、前記フィルタの下流側を負圧にした状態を所定の時間維持するように、前記貯留室の容積を調整する制御部と、を有することを特徴とする、処理液供給装置。
【請求項１０】
前記容器は容積可変な他の貯留室を有し、
前記制御部は、前記貯留室の容積を拡大させて、前記フィルタに前記容器内の前記脱気処理液を供給する際に、前記容器から前記フィルタへの前記脱気処理液の移動に伴い、前記他の貯留室の容積を縮小させるように制御することを特徴とする、請求項９に記載の処理液供給装置。
【請求項１１】
基板に対して処理液を供給する供給ノズルに、処理液供給源から処理液供給管を介して処理液を供給する処理液供給装置であって、
前記処理液供給源から供給される処理液を一時的に貯留する、前記処理液供給管における前記供給ノズルの上流側に設けられた容器と、
前記処理液供給管における前記処理液供給源と前記容器との間に設けられ、前記処理液を脱気処理して脱気処理液を生成する脱気機構と、
前記処理液供給管における前記容器と前記供給ノズルの間に設けられたフィルタと、
前記処理液供給管における前記フィルタと前記供給ノズルの間から分岐する分岐管に接続された、容積可変な２つの貯留室と、
前記貯留室のうちの１の貯留室の容積を拡大させて、前記処理液供給管における前記フィルタの下流側を前記容器内の圧力に対して負圧にすることで、前記フィルタに前記容器内の前記脱気処理液を供給し、
前記容器から前記フィルタへの前記処理液の供給を停止した後に、前記フィルタの上流側と下流側から減圧して処理液を脱気するように、前記２つの貯留室の容積を調整する制御部と、を有することを特徴とする、処理液供給装置。
【請求項１２】
前記容器には、当該容器内に貯留された処理液または脱気処理液を排出する排出管が接続されていることを特徴とする、請求項９〜１１のいずれか一項に記載の処理液供給装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に処理液を供給する処理液供給方法、読み取り可能なコンピュータ記憶媒体及び処理液供給装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、例えば基板としての半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上に所定の処理液を供給して反射防止膜やレジスト膜といった塗布膜を形成する塗布処理、レジスト膜を所定のパターンに露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などが順次行われ、ウェハ上に所定のレジストパターンが形成されている。
【０００３】
上述した塗布処理においては、処理液中に微細な異物（パーティクル）が含まれていることがある。また、処理液を供給する装置のポンプ、バルブ、配管といった経路中にパーティクルが付着している場合も、同様に処理液中にパーティクルが混入することがある。そのため、処理液を供給する装置の経路中にはフィルタが配置され、当該フィルタによってパーティクルの除去が行われている（特許文献１）。
【０００４】
ところで、処理液内には気泡（気体）が含まれていることがある。具体的には、処理液がフィルタを通過する際にフィルタが抵抗となり、処理液の圧力が低下する。これにより、処理液中に気泡が発生し、当該気泡がフィルタ内に遊離する。その結果、フィルタに気泡が混入してフィルタの有効面積が小さくなってしまい、フィルタの性能が低下する。そこで、特許文献１には、フィルタ内に溜まった気泡を気体抜き管によってフィルタ外に排出することも開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平成７−３２６５７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、気体抜き管によってフィルタ内の比較的大きな気泡をフィルタ外に排出することはできるが、微小気泡（マイクロバブル）をフィルタ外に排出することは困難であった。
【０００７】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、微小気泡をフィルタから除去することにより、フィルタの性能低下を抑制することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の目的を達成するため、本発明は、基板上に処理液を供給する方法であって、前記処理液を脱気機構により脱気処理して脱気処理液を生成する脱気処理液生成工程と、前記脱気処理液を容器内に貯留する処理液貯留工程と、前記容器の下流側に処理液供給管を介して接続されたフィルタの、さらに下流側を前記容器内の圧力に対して負圧にすることで、前記フィルタに前記容器内の前記脱気処理液を通液するフィルタ通液工程と、前記容器から前記フィルタへの前記処理液の供給を停止した後に、前記フィルタの下流側を負圧にした状態を所定の時間維持する負圧維持工程と、を有することを特徴としている。
【０００９】
本発明者らは、フィルタに処理液を通液する際に、フィルタ内を負圧とすることで、処理液からの気泡の分離を促進し、気泡が排出しやすくなるとの知見を得た。本発明はこの知見に基づくものであり、フィルタ通液工程において、フィルタ下流側を容器内の圧力に対して負圧にすることで、フィルタに容器内の処理液を通液するので、フィルタ内での気泡の分離及び体積の膨張を促進させることができる。そして、フィルタに対して脱気処理液を通液するので、この脱気処理液に、分離及び体積膨張した気泡が溶け込みフィルタから気泡が除去される。また、フィルタの下流側を負圧にした状態を所定の時間維持することにより、気泡の除去がさらに促進される。したがって本発明によれば、微小気泡をフィルタから除去することにより、フィルタの性能低下を抑制することができる。
【００１０】
前記フィルタ通液工程と前記負圧維持工程を繰り返し行ってもよい。
【００１１】
別な観点による処理液供給方法は、基板上に処理液を供給する方法であって、前記処理液を脱気機構により脱気処理して脱気処理液を生成する脱気処理液生成工程と、前記脱気処理液を容器内に貯留する処理液貯留工程と、前記容器の下流側に処理液供給管を介して接続されたフィルタの、さらに下流側を前記容器内の圧力に対して負圧にすることで、前記フィルタに前記容器内の前記脱気処理液を通液するフィルタ通液工程と、前記フィルタの上流側と下流側から減圧して処理液を脱気する双方向脱気工程と、を有することを特徴としている。
【００１２】
かかる場合、フィルタ通液工程とフィルタ通液工程とを繰り返して行ってもよい。
【００１３】
前記脱気処理液生成工程の前に、前記容器内に貯留されている処理液を前記容器外に排出する処理液排出工程をさらに有していてもよい。
【００１４】
前記フィルタ通液工程では、前記処理液供給管における前記フィルタの下流側に接続された、容積可変な貯留室の容積を増大させることで、前記フィルタの下流側を負圧にしてもよい。
【００１５】
前記容器は容積可変な他の貯留室を有し、前記フィルタ通液工程では、前記容器から前記フィルタへの前記脱気処理液の移動に伴い、前記他の貯留室の容積を減少させてもよい。
【００１６】
また、別な観点による本発明によれば、前記処理液供給方法を処理液供給装置によって実行させるように、当該処理液供給装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
【００１７】
さらに、別な観点による本発明は、基板に対して処理液を供給する供給ノズルに、処理液供給源から処理液供給管を介して処理液を供給する処理液供給装置であって、前記処理液供給源から供給される処理液を一時的に貯留する、前記処理液供給管における前記供給ノズルの上流側に設けられた容器と、前記処理液供給管における前記処理液供給源と前記容器との間に設けられ、前記処理液を脱気処理して脱気処理液を生成する脱気機構と、前記処理液供給管における前記容器と前記供給ノズルの間に設けられたフィルタと、前記処理液供給管における前記フィルタと前記供給ノズルの間から分岐する分岐管に接続された、容積可変な貯留室と、前記貯留室の容積を拡大させて、前記処理液供給管における前記フィルタの下流側を前記容器内の圧力に対して負圧にすることで、前記フィルタに前記容器内の前記脱気処理液を供給し、前記容器から前記フィルタへの前記処理液の供給を停止した後に、前記フィルタの下流側を負圧にした状態を所定の時間維持するように、前記貯留室の容積を調整する制御部と、を有することを特徴としている。
【００１８】
前記容器は容積可変な他の貯留室を有し、前記制御部は、前記貯留室の容積を拡大させて、前記フィルタに前記容器内の前記脱気処理液を供給する際に、前記容器から前記フィルタへの前記脱気処理液の移動に伴い、前記他の貯留室の容積を縮小させるように制御してもよい。
【００１９】
さらに別な観点によれば、基板に対して処理液を供給する供給ノズルに、処理液供給源から処理液供給管を介して処理液を供給する処理液供給装置は、前記処理液供給源から供給される処理液を一時的に貯留する、前記処理液供給管における前記供給ノズルの上流側に設けられた容器と、前記処理液供給管における前記処理液供給源と前記容器との間に設けられ、前記処理液を脱気処理して脱気処理液を生成する脱気機構と、前記処理液供給管における前記容器と前記供給ノズルの間に設けられたフィルタと、前記処理液供給管における前記フィルタと前記供給ノズルの間から分岐する分岐管に接続された、容積可変な２つの貯留室と、前記貯留室のうちの１の貯留室の容積を拡大させて、前記処理液供給管における前記フィルタの下流側を前記容器内の圧力に対して負圧にすることで、前記フィルタに前記容器内の前記脱気処理液を供給し、前記容器から前記フィルタへの前記処理液の供給を停止した後に、前記フィルタの上流側と下流側から減圧して処理液を脱気するように、前記２つの貯留室の容積を調整する制御部と、を有することを特徴としている。
【００２０】
前記容器には、当該容器内に貯留された処理液または脱気処理液を排出する排出管が接続されていてもよい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、微小気泡をフィルタから除去することにより、フィルタの性能低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本実施の形態にかかる基板処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】本実施の形態にかかる基板処理システムの構成の概略を示す正面図である。
【図３】本実施の形態にかかる基板処理システムの構成の概略を示す背面図である。
【図４】レジスト塗布装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図５】シンナー供給装置の構成の概略を配管系統図である。
【図６】ポンプの構成の概略を示す縦断面の説明図である。
【図７】ポンプの構成の概略を示す縦断面の説明図である。
【図８】フィルタの構成の概略を示す縦断面の説明図である。
【図９】シンナー供給装置の構成の概略を説明するための配管系統を示し脱気処理液生成工程と処理液貯留工程を実施した状態の説明図である。
【図１０】シンナー供給装置の構成の概略を説明するための配管系統を示し、処理液排出工程を実施した状態の説明図である。
【図１１】シンナー供給装置の構成の概略を説明するための配管系統を示し、シンナーから分離された気体をベント管から排出している状態の説明図である。
【図１２】シンナー供給装置の構成の概略を説明するための配管系統を示し、排液管からシンナーを排出している状態の説明図である。
【図１３】シンナー供給装置の構成の概略を説明するための配管系統を示し、フィルタ通液工程を実施している状態の説明図である。
【図１４】シンナー供給装置の構成の概略を説明するための配管系統を示し、ウェハ上にシンナーを供給している状態の説明図である。
【図１５】シンナー供給装置の構成の概略を示す配管系統を示し、双方向脱気工程を実施した状態を示す説明図である。
【図１６】負圧維持工程のみを実施した場合と、負圧維持工程の後に双方向脱気工程を実施し場合のフィルタの上下流側の配管内の各圧力の経時変化を示すグラフである。
【図１７】シンナー供給装置の構成の概略を示す配管系統を示し、ポンプから気泡、シンナーを系外に排出している状態を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる処理液供給装置を備えた基板処理システム１の構成の概略を示す説明図である。図２及び図３は、各々基板処理システム１の内部構成の概略を模式的に示す、正面図と背面図である。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２４】
基板処理システム１は、図１に示すように複数枚のウェハＷを収容したカセットＣが搬入出されるカセットステーション１０と、ウェハＷに所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えた処理ステーション１１と、処理ステーション１１に隣接する露光装置１２との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション１３とを一体に接続した構成を有している。
【００２５】
カセットステーション１０には、カセット載置台２０が設けられている。カセット載置台２０には、基板処理システム１の外部に対してカセットＣを搬入出する際に、カセットＣを載置するカセット載置板２１が複数設けられている。
【００２６】
カセットステーション１０には、図１に示すようにＸ方向に延びる搬送路２２上を移動自在なウェハ搬送装置２３が設けられている。ウェハ搬送装置２３は、上下方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、各カセット載置板２１上のカセットＣと、後述する処理ステーション１１の第３のブロックＧ３の受け渡し装置との間でウェハＷを搬送できる。
【００２７】
処理ステーション１１には、各種装置を備えた複数例えば４つのブロックＧ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４が設けられている。例えば処理ステーション１１の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、第１のブロックＧ１が設けられ、処理ステーション１１の背面側（図１のＸ方向正方向側）には、第２のブロックＧ２が設けられている。また、処理ステーション１１のカセットステーション１０側（図１のＹ方向負方向側）には、第３のブロックＧ３が設けられ、処理ステーション１１のインターフェイスステーション１３側（図１のＹ方向正方向側）には、第４のブロックＧ４が設けられている。
【００２８】
例えば第１のブロックＧ１には、図２に示すように複数の液処理装置、例えばウェハＷを現像処理する現像処理装置３０、ウェハＷのレジスト膜の下層に反射防止膜（以下「下部反射防止膜」という）を形成する下部反射防止膜形成装置３１、ウェハＷにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布装置３２、ウェハＷのレジスト膜の上層に反射防止膜（以下「上部反射防止膜」という）を形成する上部反射防止膜形成装置３３が下からこの順に配置されている。
【００２９】
例えば現像処理装置３０、下部反射防止膜形成装置３１、レジスト塗布装置３２、上部反射防止膜形成装置３３は、それぞれ水平方向に３つ並べて配置されている。なお、これら現像処理装置３０、下部反射防止膜形成装置３１、レジスト塗布装置３２、上部反射防止膜形成装置３３の数や配置は、任意に選択できる。
【００３０】
これら現像処理装置３０、下部反射防止膜形成装置３１、レジスト塗布装置３２、上部反射防止膜形成装置３３といった液処理装置では、例えばウェハＷ上に所定の処理液を塗布するスピンコーティングが行われる。スピンコーティングでは、例えば塗布ノズルからウェハＷ上に処理液を吐出すると共に、ウェハＷを回転させて、処理液をウェハＷの表面に拡散させる。なお、これら液処理装置の構成については後述する。
【００３１】
例えば第２のブロックＧ２には、図３に示すようにウェハＷの加熱や冷却といった熱処理を行う熱処理装置４０や、レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置４１、ウェハＷの外周部を露光する周辺露光装置４２が上下方向と水平方向に並べて設けられている。これら熱処理装置４０、アドヒージョン装置４１、周辺露光装置４２の数や配置についても、任意に選択できる。
【００３２】
例えば第３のブロックＧ３には、複数の受け渡し装置５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６が下から順に設けられている。また、第４のブロックＧ４には、複数の受け渡し装置６０、６１、６２が下から順に設けられている。
【００３３】
図１に示すように第１のブロックＧ１〜第４のブロックＧ４に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域Ｄが形成されている。ウェハ搬送領域Ｄには、例えばＹ方向、Ｘ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有する、ウェハ搬送装置７０が複数配置されている。ウェハ搬送装置７０は、ウェハ搬送領域Ｄ内を移動し、周囲の第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２、第３のブロックＧ３及び第４のブロックＧ４内の所定の装置にウェハＷを搬送できる。
【００３４】
また、ウェハ搬送領域Ｄには、第３のブロックＧ３と第４のブロックＧ４との間で直線的にウェハＷを搬送するシャトル搬送装置８０が設けられている。
【００３５】
シャトル搬送装置８０は、例えば図３のＹ方向に直線的に移動自在になっている。シャトル搬送装置８０は、ウェハＷを支持した状態でＹ方向に移動し、第３のブロックＧ３の受け渡し装置５２と第４のブロックＧ４の受け渡し装置６２との間でウェハＷを搬送できる。
【００３６】
図１に示すように第３のブロックＧ３のＸ方向正方向側の隣には、ウェハ搬送装置１００が設けられている。ウェハ搬送装置１００は、例えばＸ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置１００は、ウェハＷを支持した状態で上下に移動して、第３のブロックＧ３内の各受け渡し装置にウェハＷを搬送できる。
【００３７】
インターフェイスステーション１３には、ウェハ搬送装置１１０と受け渡し装置１１１が設けられている。ウェハ搬送装置１１０は、例えばＹ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置１１０は、例えば搬送アームにウェハＷを支持して、第４のブロックＧ４内の各受け渡し装置、受け渡し装置１１１及び露光装置１２との間でウェハＷを搬送できる。
【００３８】
次に、上述した液処理装置の構成について説明する。なお、本実施の形態では、液処理装置の一例として、レジスト塗布装置３２の構成について説明する。レジスト塗布装置３２は、図４に示すように内部を密閉可能な処理容器１３０を有している。処理容器１３０の側面には、ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成されている。
【００３９】
処理容器１３０内には、ウェハＷを保持して回転させる基板保持部としてのスピンチャック１４０が設けられている。スピンチャック１４０は、例えばモータなどのチャック駆動部１４１により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部１４１には、例えばシリンダなどの昇降駆動機構が設けられており、スピンチャック１４０は昇降自在になっている。
【００４０】
スピンチャック１４０の周囲には、ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ１４２が設けられている。カップ１４２の下面には、回収した液体を排出する排出管１４３と、カップ１４２内の雰囲気を排気する排気管１４４が接続されている。
【００４１】
また、処理容器１３０内には、レジスト液を供給するレジスト液供給ノズル１５０と、処理液としてのシンナーを供給するシンナー供給ノズル１５１が設けられている。レジスト液供給ノズル１５０及びシンナー供給ノズル１５１は、それぞれアーム１５２及びアーム１５３により支持されている。各アーム１５２、１５３は、図示しない駆動機構により図４のＹ方向に沿って移動自在となっている。これにより、レジスト液供給ノズル１５０は、カップ１４２の外方に設置された待機部１６０とウェハＷの上方との間を移動自在となっている。同様に、シンナー供給ノズル１５１も、カップ１４２の外方に設置された待機部１６１とウェハＷの上方との間を移動自在となっている。
【００４２】
各アーム１５２、１５３は、駆動機構（図示せず）によって昇降自在であり、レジスト液供給ノズル１５０及びシンナー供給ノズル１５１の高さを調節できる。
【００４３】
レジスト液供給ノズル１５０には、当該レジスト液供給ノズル１５０にレジスト液を供給するレジスト液供給装置１７０が接続されている。また、シンナー供給ノズル１５１には、当該シンナー供給ノズル１５１にシンナーを供給する、処理液供給装置としてのシンナー供給装置１７１が接続されている。
【００４４】
次に、このシンナー供給装置１７１の構成について説明する。図５は、シンナー供給装置１７１の構成の概略を示す配管系統図である、
【００４５】
シンナー供給装置１７１は、処理液供給管としてのシンナー供給管２００を介して、シンナー供給ノズル１５１に処理液としてのシンナーを供給するポンプＰ１、Ｐ２と、シンナー供給管２００におけるポンプＰ１、Ｐ２の下流側であってシンナー供給ノズル１５１の上流側、即ちポンプＰ１、Ｐ２とシンナー供給ノズル１５１の間に設けられ、シンナー中に混入する異物や気泡を除去するフィルタ２０１を有している。なお、以下では、シンナー供給管２００のポンプＰ１、Ｐ２側を上流側、シンナー供給ノズル１５１側を下流側という場合がある。
【００４６】
ポンプＰ１、Ｐ２は、シンナー供給ノズル１５１に対してシンナーを圧送すると共に、後述するシンナー供給源２６３から供給されるシンナーを一時的に貯留する容器としても機能するものであり、容積が可変な貯留室２１０と、貯留室２１０と隣接し、その内部に例えば窒素ガス等を給排気することで貯留室２１０の容積を変化させる圧力室２１１を備えている。なお、このポンプＰ１、Ｐ２、及びフィルタ２０１の構成の詳細については後述する。
【００４７】
シンナー供給管２００は、フィルタ２０１の上流側で分岐して、各ポンプＰ１、Ｐ２の貯留室２１０に接続されている。シンナー供給管２００の分岐点の上流側には、切替弁２２０、２２１が設けられている。この切替弁２２０、２２１を開閉することで、シンナー供給管２００と貯留室２１０との接続状態を操作することができる。
【００４８】
各ポンプＰ１、Ｐ２の圧力室２１１には、給排気管２２２がそれぞれ接続されている。給排気管２２２には、圧力室２１１に加圧用のガスとして例えば窒素を供給する給気管２２３と、圧力室２１１内を排気する排気管２２４がそれぞれ接続されている。
【００４９】
各ポンプＰ１、Ｐ２の圧力室２１１に接続された給排気管２２２は、例えば圧力室２１１側とは反対側の端部が合流しており、この合流した給排気管２２２に対して１の排気管２２４が接続されている。排気管２２４の給排気管２２２側と反対側の端部には、エアエゼクタ２２５が接続されている。エアエゼクタ２２５には、当該エアエゼクタ２２５を駆動する駆動空気源２２６が駆動空気管２２７を介して接続されている。
【００５０】
駆動空気管２２７には、当該駆動空気管２２７を流れる駆動空気の流量を調節するレギュレータ２２８ａ、２２８ｂが並列に設けられている。各レギュレータ２２８ａ、２２８ｂの下流側には、切替弁２２９ａ、２２９ｂが設けられている。レギュレータ２２８ａ、２２８ｂは、それぞれ異なる流量に設定されており、切替弁２２９ａ、２２９ｂを開閉操作することで、エアエゼクタ２２５に供給する駆動空気の流量を調整できる。これにより、エアエゼクタ２２５で発生させる真空圧を調整できる。また、給排気管２２２における排気管２２４との合流点よりもポンプＰ１側には切替弁２３０が、ポンプＰ２側には切替弁２３１がそれぞれ設けられており、この切替弁２３０、２３１を開閉操作することで、ポンプＰ１またはポンプＰ２のいずれの圧力室２１１を排気するかを選択できる。
【００５１】
給気管２２３は、給排気管２２２における切替弁２３０とポンプＰ１の間、及び、切替弁２３１とＰ２との間に、それぞれ２箇所ずつ接続されている。即ち、本実施の形態では図５に示すように、合計で４つの給気管２２３が設けられている。そして、切替弁２３０とポンプＰ１の間に接続されている給気管２２３と、切替弁２３１とポンプＰ２の間に接続されている給気管２２３は、給排気管２２２側と反対側の端部がそれぞれ合流しており、この合流した各給気管２２３に対して、加圧用のガスを供給するガス供給管２３２がそれぞれ接続されている。
【００５２】
各ガス供給管２３２には、当該ガス供給管２３２を流れる加圧用ガスの流量を調整するレギュレータ２３３、２３４がそれぞれ設けられている。各レギュレータ２３３、２３４は、それぞれ異なる流量に設定されている。各ガス供給管２３２は、レギュレータ２３３、２３４よりも上流側で合流しており、合流後のガス供給管２３２には、当該ガス供給管２３２に対して加圧用ガスを供給するガス供給源２３５が接続されている。また、各給気管２２３におけるガス供給管２３２との接続点よりも給排気管２２２側には、切替弁２４０、２４１、２４２、２４３がそれぞれ設けられている。したがって、各切替弁２４０、２４１、２４２、２４３を操作することにより、給気管２２３を介して各給排気管２２２に供給する加圧用ガスの  流量を調整できる。
【００５３】
シンナー供給管２００におけるフィルタ２０１とシンナー供給ノズル１５１の間には、フィルタ２０１を通過するシンナーの流量を測定する流量測定機構２５０が設けられている。流量測定機構２５０とシンナー供給ノズル１５１との間からは、循環配管２５１が分岐して設けられている。循環配管２５１のシンナー供給管２００側と反対側の端部は、分岐してポンプＰ１の貯留室２１０及びポンプＰ２の貯留室２１０にそれぞれ接続されている。循環配管２５１の分岐点よりもポンプＰ１側には切替弁２５２が、ポンプＰ２側には切替弁２５３がそれぞれ設けられている。また、シンナー供給管２００における循環配管２５１との分岐点の下流側には供給切替弁２６０が、循環配管２５１におけるシンナー供給管２００におけるとの分岐点の下流側であって切替弁２５２、２５３の上流側には、循環切替弁２６１がそれぞれ設けられている。したがって、供給切替弁２６０を閉状態に、循環切替弁２６１を開状態にした上で、例えばポンプＰ１側の切替弁２５２を閉状態に、ポンプＰ２側の切替弁２５３を開状態にしてポンプＰ１からシンナーを吐出すると、当該シンナーをポンプＰ２の貯留室２１０に循環させることができる。
【００５４】
また、循環配管２５１における循環切替弁２６１と切替弁２５２、２５３の間には、補充配管２６２が接続されている。補充配管２６２における循環配管２５１と反対側の端部には、各ポンプＰ１、Ｐ２に対してシンナーを供給するシンナー供給源２６３が接続されている。したがって、シンナー供給源２６３から補充配管２６２及び循環配管２５１を介して各ポンプＰ１、Ｐ２にシンナーを供給することができる。補充配管２６２には、シンナー供給源２６３からのシンナーの供給を制御する補充弁２６４が設けられている。
【００５５】
例えば、循環配管２５１と補充配管２６２との合流点と、循環切替弁２６１の間からは、当該循環配管２５１内のシンナーを系外に排出する排液管２６５が分岐して設けられている。排液管２６５には排液弁２６６が設けられている。また、排液管２６５と循環配管２５１との合流点よりもポンプＰ１、Ｐ２側には、排液切替弁２６７が設けられている。そのため、排液切替弁２６７を閉状態とし、排液弁２６６を開状態とすることで、循環配管２５１内のシンナーを系外に排出することができる。また、循環配管２５１と排液管２６５との分岐点と、循環切替弁２６１との間には、シンナーの逆流を防止するための逆止弁２６８が設けられている。
【００５６】
次に、ポンプＰ１、Ｐ２の構成について説明する。なお、ポンプＰ１、Ｐ２の構成は本実施の形態において同一であるので、以下ではポンプＰ１について説明し、ポンプＰ２については説明を省略する。
【００５７】
ポンプＰ１は、図６に示されるように、有底で上部が開口した略円筒形状の筐体３００と、筐体３００の上端部に配置された蓋体３０１と、筐体３００内に配置され、蓋体３０１の下面と、支持板３０２を介して気密に接するベローズ３０３と、ベローズ３０３の下端部に気密に接続されたピストン板３０４を有している。
【００５８】
ベローズ３０３は、筐体３００の高さ方向に沿って伸縮するように配置されている。ピストン板３０４は、筐体３００の側壁３００ａの内側面と当接する略円盤形状を有しており、蓋体３０１及び筐体３００の底板３００ｂと平行に配置されている。また、ピストン板３０４は、側壁３００ａの内側面との間を気密に保った状態で、側壁３００ａの延伸する方向（図６の上下方向）に沿って摺動自在となっている。この蓋体３０１、ベローズ３０３及びピストン板３０４に囲まれた空間により貯留室２１０が形成されている。同様に、ピストン板３０４、側壁３００ａ及び底板３００ｂに囲まれた空間により、圧力室２１１が形成されている。
【００５９】
蓋体３０１には、当該蓋体３０１を貫通して排出口３１０と、脱気機構としての脱気ノズル３１１と、排液口３１２が形成されている。排出口３１０には、シンナー供給管２００が、脱気ノズル３１１には循環配管２５１が接続されている。筐体３００の底板３００ｂには、当該底板３００ｂを貫通して接続口３１３が形成されている。接続口３１３には、給排気管２２２が接続されている。したがって、給排気管２２２を介して、圧力室２１１に対してガス供給源２３５から加圧用ガスを供給することで、例えば図７に示すように、圧力室２１１内を加圧して、ピストン板３０４を蓋体３０１の方向に押し上げることができる。これにより貯留室２１０の容積が減少し、貯留室２１０内の流体、本実施の形態ではシンナーを、排出口３１０から圧送することができる。反対に、エアエゼクタ２２５により、給排気管２２２を介して圧力室２１１内を排気することで、ピストン板３０４を底板３００ｂの方向に引き込むことができる。これにより、貯留室２１０の容積を増大させて、換言すれば、貯留室２１０内を負圧にして、脱気ノズル３１１を介して貯留室２１０内にシンナーを引き込むことができる。
【００６０】
また、蓋体３０１の排液口３１２には、貯留室２１０内のシンナーを系外に排出する排出管３１４が接続されている。排出管３１４には、図５に示すように排出弁３１５が設けられている。したがって、例えば切替弁２２０及び切替弁２５２を閉状態とし、排出弁３１５を開状態として圧力室２１１内を加圧することで、貯留室２１０内のシンナーを系外に排出することができる。
【００６１】
脱気ノズル３１１は、貯留室２１０側の流路面積が循環配管２５１側の流路面積よりも小さくなるように構成されている。したがって、例えばシンナー供給源２６３からシンナーが供給され、脱気ノズル３１１の循環配管２５１側から貯留室２１０側に向けてシンナーが流れると、貯留室２１０側に向けて当該シンナーの流速が増大する。これにより、脱気ノズル３１１内でシンナーの静圧が低下し、シンナーに溶存した気体が脱気される。これにより、貯留室２１０内には、脱気ノズル３１１により脱気処理された処理液である脱気シンナーと、当該脱気シンナーから分離された気体とが導入される。なお、脱気ノズル３１１の配置は本実施の形態の内容に限定されるものではなく、貯留室２１０内に脱気処理されたシンナーを供給することができれば、蓋体３０１とは別に設けられていてもよい。具体的には、例えば循環配管２５１における、補充配管２６２との合流点よりもポンプＰ１側に別個独立して設けられていてもよい。
【００６２】
ピストン板３０４の外周部には、マグネット３２０が内蔵されている。また、筐体３００の側壁３００ａの外方には、マグネット３２０と対向するように、マグネット３２０の磁界を検出するセンサ３２１、３２２が、図６の上から下方向にこの順に設けられている。センサ３２１は、例えばベローズ３０３が限度まで縮んだ際のピストン板３０４の位置（上死点）と対応する高さに設けられている。したがって、センサ３２１によりポンプＰ１からシンナーを吐出できなくなったことを検知できる。換言すれば、ポンプＰ１内（貯留室２１０）が空になったことを検知できる。センサ３２２は、ピストン板３０４の概ね下死点に対応する高さに設けられており、貯留室２１０内の容積が概ね最大まで増大したことを検知できる。換言すれば、ポンプＰ１内（貯留室２１０）にシンナーが充填されたことを検知できる。
【００６３】
次に、フィルタ２０１の構成について説明する。フィルタ２０１は、図８に示されるように、有底で上部が開口した略円筒形状の筐体３３０と、筐体３３０内に設けられ、異物や気泡を濾過、補足するフィルタエレメント３３１と、フィルタエレメント３３１を収容するフィルタ収容部材３３２と、フィルタ収容部材３３２を保持する保持部材３３３と、を有している。筐体３３０の上部には、ポンプＰ１、Ｐ２から供給されるシンナーを筐体３３０の内部に導入する導入口３３０ａと、フィルタエレメント３３１により濾過されたシンナーを筐体３３０の外部に排出する排出口３３０ｂと、フィルタエレメント３３１で濾過されていないシンナーをそのまま筐体３３０の外部に排出する排液口３３０ｃが形成されている。
【００６４】
フィルタエレメント３３１は、略円筒形状を有しており、例えばナイロンやポリエチレンなどにより構成されている。フィルタ収容部材３３２は、フィルタエレメント３３１の内側面及び外面を覆うように構成されている。フィルタ収容部材３３２におけるフィルタエレメント３３１の内側面と外側面に対応する箇所には、複数の貫通孔３３２ａが形成されている。
【００６５】
保持部材３３３は、フィルタ収容部材３３２を保持した状態において、フィルタ収容部材３３２の貫通孔３３２ａの少なくとも一部が閉塞されないように構成されている。また、保持部材３３３は、フィルタエレメント３３１が筐体３３０と概ね同軸となる位置に配置されている。
【００６６】
また、保持部材３３３の外面やフィルタ収容部材３３２と筐体３３０との間には、所定の隙間が形成されており、導入口３３０ａから導入されたシンナーを流通させる流通路３３４として機能する。
【００６７】
導入口３３０ａ及び排出口３３０ｂにはシンナー供給管２００が接続されており、導入口３３０ａから導入され、フィルタエレメント３３１を通過したシンナーは、排出口３３０ｂから排出される。また、排液口３３０ｃには、図５に示すように、ベント管３４０が接続されており、例えば供給切替弁２６０と循環切替弁２６１を閉状態とし、ポンプＰ１またはポンプＰ２からシンナーを圧送することで、筐体３３０内のシンナーや気体を排液口３３０ｃからベント管３４０に排出できる。ベント管３４０にはベント弁３４１が設けられている。
【００６８】
なお、他の液処理装置である現像処理装置３０、下部反射防止膜形成装置３１、上部反射防止膜形成装置３３の構成は、ノズルの形状、本数や、ノズルから供給される液が異なる点以外は、上述したレジスト塗布装置３２の構成と同様であるので説明を省略する。
【００６９】
以上の基板処理システム１には、図１に示すように制御部５００が設けられている。制御部５００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、基板処理システム１におけるウェハＷの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、基板処理システム１における後述の基板処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体から制御部５００にインストールされたものであってもよい。
【００７０】
なお、シンナー供給装置１７１に設けられた各弁は、特記なき限り電磁弁や空気作動弁といった、遠隔操作により自動で開閉可能なものが用いられている。そして、これらの各弁やセンサ３２１、３２２等は全て制御部５００に電気的に接続されており、制御部５００で状態監視及び操作が適宜行われる。
【００７１】
本実施の形態にかかる基板処理システム１以上のように構成されている。次に、この基板処理システム１を用いて行われるウェハ処理について説明する。
【００７２】
先ず、複数のウェハＷを収納したカセットＣが、基板処理システム１のカセットステーション１０に搬入され、ウェハ搬送装置２３によりカセットＣ内の各ウェハＷが順次処理ステーション１１の受け渡し装置５３に搬送される。
【００７３】
次にウェハＷは、第２のブロックＧ２の熱処理装置４０に搬送され温度調節処理される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって例えば第１のブロックＧ１の下部反射防止膜形成装置３１に搬送され、ウェハＷ上に下部反射防止膜が形成される。その後ウェハＷは、第２のブロックＧ２の熱処理装置４０に搬送され、加熱処理され、温度調節される。
【００７４】
次にウェハＷはアドヒージョン装置４１に搬送され、アドヒージョン処理される。その後ウェハＷは、第１のブロックＧ１のレジスト塗布装置３２に搬送され、ウェハＷ上にレジスト膜が形成される。
【００７５】
ここで、レジスト塗布装置３２におけるレジスト塗布処理について詳述する。レジストの塗布処理にあたっては、予め、脱気シンナーを生成する。脱気シンナーの生成にあたっては、例えば図９に示すように、切替弁２２０、２２１、２５３、排液切替弁２６７、排出弁３１５を閉状態にすると共に、補充弁２６４及び切替弁２５２を開状態として、シンナー供給源２６３から例えばポンプＰ１内にシンナーを供給する。これにより、脱気ノズル３１１によりシンナーが脱気処理され、脱気処理液としての脱気シンナーが生成される（脱気処理液生成工程）と共に、脱気シンナーがポンプＰ１の貯留室２１０内に貯留される（処理液貯留工程）。また、シンナー供給源２６３からシンナーを供給する際には、切替弁２３０を開状態、切替弁２３１を閉状態とし、例えばレギュレータ２２８ａの系統を用いてエアエゼクタ２２５を駆動させることで圧力室２１１を負圧にして、ピストン板３０４を押し下げる。なお、図９及び以降の図１４においては、閉状態を黒塗りで、シンナーや気体といった流体が流通している管を太線で示すことで、その他の弁の開閉状態については説明を省略する。
【００７６】
なお、ポンプＰ１の貯留室２１０内にシンナーが残留している場合は、脱気処理液生成工程を行う前に、例えば図１０に示すように、ポンプＰ１の系統の排出弁３１５を開状態として、例えばレギュレータ２３３の系統を用いてガス供給源２３５から加圧用ガスを供給し、ポンプＰ１の圧力室２１１内を加圧することで、貯留室２１０内のシンナーを排出管３１４から排出する（処理液排出工程）ようにしてもよい。
【００７７】
次に、図１１に示すように、エアエゼクタ２２５を停止すると共に、補充弁２６４及び切替弁２５２を閉状態に切り替えた後、切替弁２２０を開状態にする。そして、例えばレギュレータ２３３の系統を用いてガス供給源２３５から加圧用ガスを供給し、ポンプＰ１の圧力室２１１内を加圧する。この際、供給切替弁２６０及び循環切替弁２６１を閉状態、フィルタ２０１に設けられたベント弁３４１を開状態とし、ポンプＰ１から貯留室２１０内のシンナーをシンナー供給管２００に圧送する。これにより、貯留室２１０内のシンナーと共に、脱気ノズル３１１によりシンナーから分離された気体がベント管３４０から排出され、シンナー供給管２００のフィルタ２０１の上流側が脱気シンナーにより満たされる。なお、この際、フィルタ２０１に供給される脱気シンナーの流量が概ね６０ｍＬ／ｍｉｎ程度となるように、レギュレータ２３３が設定されている。
【００７８】
次いで、６０ｍＬ／ｍｉｎでの脱気シンナーの供給を所定時間行った後は、ポンプＰ１の圧力室２１１への加圧用ガスの供給をレギュレータ２３４の系統から行い、例えばフィルタ２０１に供給する脱気シンナーの流量を概ね７５ｍＬ／ｍｉｎ程度に増加させる。フィルタ２０１内のフィルタエレメント３３１に比較的大きな流量の脱気シンナーを当初から供給すると、脱気シンナーがフィルタエレメント３３１の全体に浸透せずに、フィルタエレメント３３１内に大小の気泡が存在したままとなってしまう可能性があるが、このように、先ず小流量で脱気シンナーを供給することで、フィルタエレメント３３１に脱気シンナーが徐々に浸透し、フィルタ２０１の外部に効率的に気泡を排出することができる。
【００７９】
次いで、図１２に示すように、ベント弁３４１を閉状態とし、循環切替弁２６１及び排液弁２６６を開状態としてポンプＰ１から脱気シンナーを圧送することで、排液弁２６６から脱気シンナーを排出する。これにより、循環配管２５１内が、フィルタ２０１を通過した脱気シンナーにより清掃され、清浄な状態となる。
【００８０】
次いで、図１３に示すように、排液弁２６６を閉状態、排液切替弁２６７及びポンプＰ２の切替弁２５３を開状態とする。それと共に、レギュレータ２２８ｂの系統を用いてエアエゼクタ２２５を駆動させることで圧力室２１１を負圧にする。なお、レギュレータ２２８ｂの系統を流れる駆動空気の流量は、レギュレータ２２８ａの系統を流れる駆動空気の流量よりも大きい。即ち、圧力室２１１内の圧力は、レギュレータ２２８ａの系統を用いた場合よりも低くなる。このエアエゼクタ２２５の駆動により、ポンプＰ２のピストン板３０４が下方に引き込まれ、ポンプＰ２の貯留室２１０内が、ポンプＰ１の貯留室２１０に対して負圧となる。これにより、シンナー供給管２００及び循環配管２５１内が負圧（大気圧よりも低い圧力）となった状態で、ポンプＰ１内の脱気シンナーがフィルタ２０１を経由してポンプＰ２内に引き込まれる（フィルタ通液工程）。これにより、例えばフィルタ２０１内も負圧となるため、ポンプＰ１による脱気シンナーの供給時に完全に除去できなかったフィルタ２０１内の気泡の体積が膨張し、フィルタ２０１内から排出されやすくなる。なお、エアエゼクタ２２５の駆動によりポンプＰ２の圧力室２１１を負圧にするだけではポンプＰ１のピストン板３０４を持ち上げられない場合は、適宜ポンプＰ１の圧力室２１１内に加圧用ガスを供給して貯留室２１０の容積を減少させることで、ピストン板３０４の持ち上げを補助するようにしてもよい。かかる場合、ポンプＰ１の貯留室２１０内の圧力が、ポンプＰ２の貯留室２１０内の圧力よりも高くならないように、換言すれば、シンナー供給管２００や循環配管２５１内が大気圧よりも低い負圧の状態に維持されるように、ポンプＰ１の圧力室２１１への加圧用ガスの供給は、例えばレギュレータ２３３の系統により行われる。
【００８１】
その後、シンナー供給管２００及び循環配管２５１内を負圧の状態で維持したまま、ポンプＰ２によるフィルタ２０１への通液を停止して、その状態を一定時間保持する（負圧維持工程）。これにより、フィルタ２０１内での気泡の膨張がさらに促進され、フィルタ２０１からの気泡の排出が容易となる。また、気泡が脱気シンナーに溶解して、フィルタ２０１内からの気泡の除去も促進される。なお、負圧を維持しつつ、フィルタ２０１への通液を停止するためには、例えばポンプＰ１の下流側の切替弁２２０を開状態から閉状態へ操作することで実現される。
【００８２】
一定時間、負圧を維持した後は、再び切替弁２２０を開状態とし、ポンプＰ１の貯留室２１０からポンプＰ２の貯留室２１０に脱気シンナーを引き込む。即ち、フィルタ通液工程を再度行う。これにより、フィルタ２０１に新たに脱気シンナーが供給されるので、負圧維持工程において、例えばフィルタ２０１内の脱気シンナーに対して気泡が飽和状態まで溶存した状態となっていたとしても、新たに供給された脱気シンナーにより再度気泡の除去を行うことができる。そして、再度負圧維持工程を行い、さらなる気泡の除去を行う。そして、このフィルタ通液工程と負圧維持工程を所定回数行うことで、フィルタ２０１内の気泡が、ほぼ完全に除去される。
【００８３】
その後、例えば脱気シンナーが所定量ポンプＰ２の貯留室２１０に貯留されると、図１４に示したように、循環切替弁２６１が閉状態、供給切替弁２６０が開状態に切り替えられる。それと共に、エアエゼクタ２２５の駆動を停止すると共に、レギュレータ２３４の系統を用いてポンプＰ２の圧力室２１１に加圧用ガスを供給する。これにより、ポンプＰ２内の脱気シンナーがシンナー供給ノズル１５１からウェハＷ上に供給されて、ウェハＷがプリウェットされる。次いで、ウェハＷ上にレジスト液供給ノズル１５０からレジスト液が供給されて、ウェハＷ上にレジスト膜が形成される。
【００８４】
ウェハＷにレジスト膜が形成されると、次にウェハＷは、第１のブロックＧ１の上部反射防止膜形成装置３３に搬送され、ウェハＷ上に上部反射防止膜が形成される。その後、ウェハＷは第２のブロックＧ２の熱処理装置４０に搬送され、加熱処理が行われる。その後、ウェハＷは、周辺露光装置４２に搬送され、周辺露光処理される。
【００８５】
次にウェハＷは、ウェハ搬送装置１００によって受け渡し装置５２に搬送され、シャトル搬送装置８０によって第４のブロックＧ４の受け渡し装置６２に搬送される。その後、ウェハＷは、インターフェイスステーション１３のウェハ搬送装置１１０によって露光装置１２に搬送され、所定のパターンで露光処理される。
【００８６】
次にウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理装置４０に搬送され、露光後ベーク処理される。これにより、レジスト膜の露光部において発生した酸によりレジストを脱保護反応させる。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって現像処理装置３０に搬送され、現像処理が行われる。
【００８７】
現像処理の終了後、ウェハＷは熱処理装置４０に搬送され、ポストベーク処理される。次いで、ウェハＷは、熱処理装置４０により温度調整される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０、ウェハ搬送装置２３を介して所定のカセット載置板２１のカセットＣに搬送され、一連のフォトリソグラフィー工程が完了する。
【００８８】
以上の実施の形態によれば、フィルタ２０１の下流側のポンプＰ２の貯留室２１０をポンプＰ１の貯留室２１０内の圧力に対して負圧にすることで、フィルタ２０１にポンプＰ１内の脱気シンナーを通液するので、フィルタ２０１内での気泡の分離及び体積の膨張を促進させることができる。そして、フィルタ２０１に対して脱気シンナーを通液するので、この脱気シンナーに、分離及び体積膨張した気泡が溶け込みフィルタ２０１から気泡が除去される。また、フィルタ２０１の下流側を負圧にした状態を所定の時間維持することにより、気泡の除去がさらに促進される。したがって、微小気泡をフィルタ２０１から除去することにより、フィルタ２０１の性能低下を抑制することができる。
【００８９】
また、負圧によるフィルタ２０１への通液（フィルタ通液工程）と、負圧の維持（フィルタ通液工程）を繰り返し行うことにより、フィルタ２０１内の気泡をより確実に除去することができる。
【００９０】
さらには、フィルタ２０１から効率的に気泡を除去することで、例えばフィルタ２０１のメンテナンスによりフィルタエレメント３３１を交換した場合の後等に、速やかにシンナー供給装置１７１が使用可能になると共に、フィルタ２０１の復旧に用いる薬液の使用量も低減できる。
【００９１】
なお、本発明者らによれば、本発明のように、脱気シンナーを負圧によりフィルタ２０１に通液し、フィルタ通液工程とフィルタ通液工程を繰り返し行うことで、フィルタに対して加圧して通液する場合と比較して、シンナー内の気泡を概ね９０％低減できることが確認されている。
【００９２】
以上の実施の形態では、ポンプＰ１からポンプＰ２へ向かって脱気シンナーを流通させる場合を例に説明したが、脱気シンナーの流通方向は本実施の形態の内容に限定されるものではなく、ポンプＰ２からポンプＰ１へ向けて脱気シンナーを流通させるようにしてもよい。かかる場合、上記の実施の形態とは、各切替弁等の操作を、ポンプＰ１とポンプＰ２で逆転させればよい。
【００９３】
また、以上の実施の形態では、フィルタ通液工程とフィルタ通液工程を繰り返し行った後に、ポンプＰ２からシンナー供給ノズル１５１に対して脱気シンナーを供給したが、フィルタ通液工程とフィルタ通液工程を更に繰り返す場合は、ポンプＰ２の貯留室２１０に脱気シンナーが所定量貯留された後、より具体的には、例えばセンサ３２１によりポンプＰ１の貯留室２１０内の脱気シンナーが空になったことが検出された後、ポンプＰ１の圧力室２１１をエアエゼクタ２２５により排気すると共に、ポンプＰ２の圧力室をレギュレータ２３３の系統を用いて加圧することで、ポンプＰ２からポンプＰ１に向かう脱気シンナーの流れを形成してもよい。このように循環配管２５１を用いてポンプＰ１とポンプＰ２との間で自在に脱気シンナーを循環させることができるので、必要に応じて、所望の回数だけフィルタ通液工程とフィルタ通液工程を繰り返すことができる。
【００９４】
なお、以上の実施の形態では、２台のポンプＰ１、Ｐ２を用いた場合を例に説明したが、ポンプは必ずしも２台設ける必要はなく、例えば正圧と負圧に自在に切替可能な２つ以上の独立した機構を有するポンプであれば、１台のポンプのみ設けるようにしてもよい。
【００９５】
ところで、発明者らがさらに実験したところ、前記した負圧維持工程のみでは、配管の長さ等により、所期の減圧度、たとえば−４５ｋＰａ程度にするまでに相当程度、たとえば約９０秒の時間を要することがあった。周知のように、半導体デバイスの製造は、スループットの短縮は極めて関心のある事柄である。そこで効率よく減圧して、より短時間で所定の負圧を達成するために、下記のようなプロセスを提案する。
【００９６】
図１５は、かかる場合の各種弁、シンナーの液流を示している。すなわち、排液弁２６６を閉状態、排液切替弁２６７及びポンプＰ２の切替弁２５３を開状態とする。これによって、ポンプＰ２の系において、シンナー供給管２００、循環配管２５１、貯留室２１０を結ぶ管路が形成される。一方、ポンプＰ１系については、切替弁２２０を開状態とし、切替弁２５２、排出弁３１５を閉状態とすることで、シンナー供給管２００とポンプＰ１の貯留室２１０を結ぶ管路が形成される。
【００９７】
そしてガス供給源２３５系については、各切替弁２４０、２４１、２４２、２４３をいずれも閉状態とする。一方、エアエゼクタ２２５系統については、切替弁２３０、２３１を開状態、切替弁２２９ａを閉状態、切替弁２２９ｂを開状態とする。
【００９８】
この状態でエアエゼクタ２２５を駆動させる。これによって、ポンプＰ１、Ｐ２の各ピストン板３０４がいずれも下方に引き込まれ、ポンプＰ１、Ｐ２の各圧力室２１１はいずれも等しい負圧となり、ポンプＰ１、Ｐ２の各貯留室２１０も同一の負圧となる。したがって、シンナー供給管２００及び循環配管２５１内も負圧になるが、フィルタ２０１を圧力抵抗とみれば、フィルタ２０１を境にして、シンナー供給管２００内のシンナーは、上流側についてはポンプＰ１の貯留室２１０側に、下流側についてはポンプＰ２の貯留室２１０側に流れようとする。しかしながら、上記したようにポンプＰ１、Ｐ２の各貯留室２１０がいずれも同一の負圧になっているから、シンナー供給管２００及び循環配管２５１内のシンナーは流動しない。
【００９９】
このようなフィルタ２０１の上流側、下流側の双方から減圧して負圧にすることで、シンナー供給管２００及び循環配管２５１内のシンナーはいわば双方向からの脱気が行われることになる（双方向脱気工程）。したがって、脱気自体も促進される。この場合、双方向から負圧にしているので、前記した負圧維持工程、すなわち、シンナー供給管２００及び循環配管２５１内を負圧の状態で維持したままポンプＰ２によるフィルタ２０１への通液を停止して、その状態を一定時間保持する場合よりも、所定の負圧にするまでの時間が短くなる。
【０１００】
図１６は、かかる点について実際に実験をした結果を示しており、図１６のグラフは、前記した負圧維持工程を実施した場合と、双方向脱気工程を実施した場合の、フィルタ２０１の上流側と下流側の配管内の圧力のそれぞれの経時変化を示しており、同グラフ中、ａは８０ｋＰａでの負圧維持工程を実施した場合のフィルタ２０１の上流側、ｂは８０ｋＰａでの負圧維持工程を実施した場合のフィルタ２０１の下流側、ｃは８０ｋＰａでの負圧維持工程を２０秒実施した後に８０ｋＰａの双方向脱気工程を実施した場合のフィルタ２０１の上流側、ｄは８０ｋＰａでの負圧維持工程を２０秒実施した後に８０ｋＰａで双方向脱気工程を実施した場合のフィルタ２０１の下流側の圧力変化を示している。
【０１０１】
この結果からわかるように、負圧維持工程を実施した場合には、−４５ｋＰａに達するまで約４５秒要していたが、双方向脱気工程を実施した場合には、開始から０．５秒で−８０ｋＰａを実現できた。したがって、負圧維持工程のみの場合よりも、はるかに短時間で、しかもより高い減圧度を実現できることが判った。これによって、シンナー供給管２００及び循環配管２５１内のシンナー中の気泡を短時間でしかもより多くの気泡を顕在化することができる。
【０１０２】
実際のプロセスとしては、既述のフィルタ通液工程によってフィルタ２０１の気泡を除去する必要があるから、前記した双方向脱気工程とフィルタ通液工程とを組み合わせて行うことがよい。かかる場合、プロセスの手順としては、いずれを先に実施してもよいが、最初にフィルタ２０１にシンナーを通流させてから、すなわちフィルタ通液工程を先に実施してから、双方向脱気工程を実施するのがよい。
【０１０３】
もちろん前記した負圧維持工程も併せて実施してもよいが、負圧維持工程に代えて、双方向脱気工程を実施してもよい。またフィルタ通液工程と双方向脱気工程とを繰り返して実施してもよい。これによってさらに多くの気泡の除去が可能になる。
【０１０４】
なお双方向脱気工程を実施する場合、ポンプＰ１、Ｐ２の各貯留室２１０がいずれも同一の負圧とすることが、シンナーが流動せず最も好ましいが、ポンプＰ１の貯留室２１０にシンナーが流れ込んでしまうと、後の排出が面倒であるから、同一の負圧とすることが困難な場合や、時間を要する場合には、Ｐ１の貯留室２１０にシンナーが流れ込むリスクを考慮すると、ポンプＰ２の貯留室２１０側の負圧を多少高い（減圧度が大きい）状態としてもよい。
【０１０５】
かかる事情を考慮すると、ポンプＰ１、Ｐ２の各貯留室２１０を等しく負圧にするためには、前記したフィルタ通液工程を先に実施して、一旦ポンプＰ２の貯留室２１０側のみを負圧状態とし、その後にポンプＰ１系の切替弁２３０を徐々に開状態としていくことが実際的であり、また前記したフィルタ２０１に事前にシンナーを通流しておくという観点からしても、好ましいものである。
【０１０６】
なおそのようにして、フィルタ通液工程と双方向脱気工程を実施して、所期の気泡除去を達成した後は、図１７に示したように、排出弁３１５を開状態として、ポンプＰ２の貯留室２１０に溜まった気泡が混在したシンナーを系外に排出すればよい。
【０１０７】
以上の実施の形態では、処理液がシンナーである場合を例に説明したが、処理液にどのような液を用いるかは本実施の形態の内容に限定されるものではなく、処理液として例えばレジスト液や現像液を用いてもよい。
【０１０８】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【０１０９】
本発明は、基板上に処理液を塗布する際に有用である。
【符号の説明】
【０１１０】
１    基板処理システム
３０  現像処理装置
３１  下部反射防止膜形成装置
３２  レジスト塗布装置
３３  上部反射防止膜形成装置
４０  熱処理装置
４１  アドヒージョン装置
４２  周辺露光装置
１５１  シンナー供給ノズル
１７０  シンナー供給装置
２０１  フィルタ
５００  制御部
Ｐ１、Ｐ２  ポンプ
Ｗ    ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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