(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板と、
前記支持基板上に接合された圧電基板と、
前記圧電基板上に形成され、各々が弾性波を励振するＩＤＴと前記ＩＤＴの両側に設けられ前記弾性波を反射する反射器を有する共振器である複数の弾性波素子と、
前記圧電基板上に形成され、前記複数の弾性波素子を接続する配線と、
を具備し、
前記複数の弾性波素子が形成された第１領域および前記配線が形成された第２領域の圧電基板は残存し、
前記第１領域、前記第２領域、および前記支持基板を切断するための第３領域以外の第４領域のうち、前記複数の弾性波素子および前記配線に囲まれた領域の少なくとも一部の領域の圧電基板は除去されていることを特徴とする弾性波デバイス。
【請求項２】
支持基板と、
前記支持基板上に接合された圧電基板と、
前記圧電基板上に形成され、各々が弾性波を励振するＩＤＴと前記ＩＤＴの両側に設けられ前記弾性波を反射する反射器を有する共振器である複数の弾性波素子と、
前記圧電基板上に形成され、前記複数の弾性波素子を接続する配線と、
を具備し、
前記複数の弾性波素子が形成された第１領域および前記配線が形成された第２領域の圧電基板は残存し、
前記第１領域、前記第２領域、および前記支持基板を切断するための第３領域以外の第４領域のうち、前記複数の弾性波素子より前記弾性波の伝搬方向における外側の少なくとも一部の圧電基板は除去されていることを特徴とする弾性波デバイス。
【請求項３】
支持基板と、
前記支持基板上に接合された圧電基板と、
前記圧電基板上に形成された複数の弾性波素子と、
前記圧電基板上に形成され、前記複数の弾性波素子を接続する配線と、
を具備し、
前記複数の弾性波素子が形成された第１領域および前記配線が形成された第２領域の圧電基板は残存し、
前記第１領域、前記第２領域、および前記支持基板を切断するための第３領域以外の第４領域の圧電基板は除去されていることを特徴とする弾性波デバイス。
【請求項４】
支持基板と、
前記支持基板上に接合された圧電基板と、
前記圧電基板上に形成された複数の弾性波素子と、
前記圧電基板上に形成され、前記複数の弾性波素子を接続する配線と、
を具備し、
前記複数の弾性波素子が形成された第１領域および前記配線が形成された第２領域の圧電基板は残存し、
前記第１領域、前記第２領域、および前記支持基板を切断するための第３領域以外の第４領域のうち、前記複数の弾性波素子および前記配線に囲まれた領域の圧電基板は残存し、
前記第４領域のうち、前記複数の弾性波素子および前記配線の外側の領域の圧電基板は除去されていることを特徴とする弾性波デバイス。
【請求項５】
支持基板と、
前記支持基板上に接合された圧電基板と、
前記圧電基板上に形成された複数の弾性波素子と、
前記圧電基板上に形成され、前記複数の弾性波素子を接続する配線と、
を具備し、
前記複数の弾性波素子が形成された第１領域および前記配線が形成された第２領域の圧電基板は残存し、
前記第１領域、前記第２領域、および前記支持基板を切断するための第３領域以外の第４領域のうち、前記複数の弾性波素子および前記配線に囲まれた領域の圧電基板は除去され、
前記第４領域のうち、前記複数の弾性波素子および前記配線の外側の領域の圧電基板は残存することを特徴とする弾性波デバイス。
【請求項６】
支持基板と、
前記支持基板上に接合された圧電基板と、
前記圧電基板上に形成された複数の弾性波素子と、
前記圧電基板上に形成され、前記複数の弾性波素子を接続する配線と、
を具備し、
前記複数の弾性波素子が形成された第１領域および前記配線が形成された第２領域の圧電基板は残存し、
前記第１領域、前記第２領域、および前記支持基板を切断するための第３領域以外の第４領域のうち、異なる電位の配線の間の圧電基板は除去されていることを特徴とする弾性波デバイス。
【請求項７】
前記第３領域の圧電基板は除去されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項８】
前記複数の弾性波素子が励振した弾性波の伝搬方向に位置する前記圧電基板の端面には凹凸が形成されていることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項９】
前記複数の弾性波素子が励振した弾性波の伝搬方向に位置する前記圧電基板の端面の下部には上部に比べ大きい凹凸が形成されていることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項１０】
前記複数の弾性波素子が励振した弾性波の伝搬方向に位置する前記圧電基板の端面と前記支持基板の上面とのなす角は鋭角であることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項１１】
前記複数の弾性波素子が励振した弾性波の伝搬方向に位置する前記圧電基板の端面の下部は、前記端面の上部に比べ、前記支持基板の上面とのなす角が小さいことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波デバイスに関し、例えば支持基板に貼り付けられた圧電基板を有する弾性波デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性波を利用した弾性波デバイスとして、支持基板上に圧電基板を貼り付け、圧電基板上に弾性波素子を形成したものが知られている。支持基板の線熱膨張係数を圧電基板の線熱膨張係数より小さくすることにより、弾性波デバイスの温度特性を向上できる。支持基板と圧電基板とが積層された積層基板の周縁部に段差部を形成することが知られている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−６０８４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１において、圧電基板上に形成された複数の弾性波素子が配線で接続された場合については考慮されていない。本発明は、複数の弾性波素子を接続する配線の膜厚が局所的に薄くなることを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、支持基板と、前記支持基板上に接合された圧電基板と、前記圧電基板上に形成され、各々が弾性波を励振するＩＤＴと前記ＩＤＴの両側に設けられ前記弾性波を反射する反射器を有する共振器である複数の弾性波素子と、前記圧電基板上に形成され、前記複数の弾性波素子を接続する配線と、を具備し、前記複数の弾性波素子が形成された第１領域および前記配線が形成された第２領域の圧電基板は残存し、前記第１領域、前記第２領域、および前記支持基板を切断するための第３領域以外の第４領域のうち、前記複数の弾性波素子および前記配線に囲まれた領域の少なくとも一部の領域の圧電基板は除去されていることを特徴とする弾性波デバイスである。
【０００６】
上記構成において、前記第３領域の圧電基板は除去されている構成とすることができる。
【０００７】
本発明は、支持基板と、前記支持基板上に接合された圧電基板と、前記圧電基板上に形成された複数の弾性波素子と、前記圧電基板上に形成され、前記複数の弾性波素子を接続する配線と、を具備し、前記複数の弾性波素子が形成された第１領域および前記配線が形成された第２領域の圧電基板は残存し、前記第１領域、前記第２領域、および前記支持基板を切断するための第３領域以外の第４領域の圧電基板は除去されていることを特徴とする弾性波デバイスである。
【０００８】
本発明は、支持基板と、前記支持基板上に接合された圧電基板と、前記圧電基板上に形成された複数の弾性波素子と、前記圧電基板上に形成され、前記複数の弾性波素子を接続する配線と、を具備し、前記複数の弾性波素子が形成された第１領域および前記配線が形成された第２領域の圧電基板は残存し、前記第１領域、前記第２領域、および前記支持基板を切断するための第３領域以外の第４領域のうち、前記複数の弾性波素子および前記配線に囲まれた領域の圧電基板は残存し、前記第４領域のうち、前記複数の弾性波素子および前記配線の外側の領域の圧電基板は除去されていることを特徴とする弾性波デバイスである。
【０００９】
本発明は、支持基板と、前記支持基板上に接合された圧電基板と、前記圧電基板上に形成された複数の弾性波素子と、前記圧電基板上に形成され、前記複数の弾性波素子を接続する配線と、を具備し、前記複数の弾性波素子が形成された第１領域および前記配線が形成された第２領域の圧電基板は残存し、前記第１領域、前記第２領域、および前記支持基板を切断するための第３領域以外の第４領域のうち、前記複数の弾性波素子および前記配線に囲まれた領域の圧電基板は除去され、前記第４領域のうち、前記複数の弾性波素子および前記配線の外側の領域の圧電基板は残存することを特徴とする弾性波デバイスである。
【００１０】
本発明は、支持基板と、前記支持基板上に接合された圧電基板と、前記圧電基板上に形成された複数の弾性波素子と、前記圧電基板上に形成され、前記複数の弾性波素子を接続する配線と、を具備し、前記複数の弾性波素子が形成された第１領域および前記配線が形成された第２領域の圧電基板は残存し、前記第１領域、前記第２領域、および前記支持基板を切断するための第３領域以外の第４領域のうち、異なる電位の配線の間の圧電基板は除去されていることを特徴とする弾性波デバイスである。
【００１１】
上記構成において、前記複数の弾性波素子が励振した弾性波の伝搬方向に位置する前記圧電基板の端面には凹凸が形成されている構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記複数の弾性波素子が励振した弾性波の伝搬方向に位置する前記圧電基板の端面の下部には上部に比べ大きい凹凸が形成されている構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記複数の弾性波素子が励振した弾性波の伝搬方向に位置する前記圧電基板の端面と前記支持基板の上面とのなす角は鋭角である構成とすることができる。
【００１４】
上記構成において、前記複数の弾性波素子が励振した弾性波の伝搬方向に位置する前記圧電基板の端面の下部は、前記端面の上部に比べ、前記支持基板の上面とのなす角が小さい構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、複数の弾性波素子を接続する配線の膜厚が局所的に薄くなることを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１（ａ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図２】図２（ａ）から図２（ｄ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その１）である。
【図３】図３（ａ）から図３（ｃ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その２）である。
【図４】図４（ａ）は、比較例１に係る弾性波デバイスの平面図、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図５】図５（ａ）は、比較例１の断面図、図５（ｂ）は、実施例１の断面図である。
【図６】図６（ａ）および図６（ｂ）は、比較例１の断面図、図６（ｃ）および図６（ｄ）は、実施例１の断面図である。
【図７】図７（ａ）は、比較例２の断面図、図７（ｂ）は、実施例１の断面図である。
【図８】図８（ａ）は、実施例２に係る弾性波デバイスの平面図、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図９】図９（ａ）は、実施例２の変形例１に係る弾性波デバイスの平面図、図９（ｂ）は、図９（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図１０】図１０（ａ）は、実施例２の変形例２に係る弾性波デバイスの平面図、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図１１】図１１（ａ）は、実施例１の断面図、図１１（ｂ）から図１１（ｅ）は、実施例３およびその変形例の断面図である。
【図１２】図１２（ａ）は、実施例４に係る弾性波デバイスの平面図、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
図面を参照し、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１８】
図１（ａ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、弾性波デバイス１００において、支持基板１０上に圧電基板１２が接合されている。支持基板１０は、例えばサファイア基板である。圧電基板１２は、例えばタンタル酸リチウム基板である。
【００１９】
圧電基板１２上には、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）１４、反射器１５、および配線１８が形成されている。ＩＤＴ１４は、圧電基板１２内または表面に弾性波を励振する。反射器１５は、弾性波を反射する。ＩＤＴ１４および反射器１５は、例えば共振器等の弾性波素子１６を形成する。配線１８は、弾性波素子１６同士、および／または弾性波素子１６と端子１９とを電気的に接続する。ＩＤＴ１４および反射器１５は、例えばアルミニウム膜等の金属膜である。配線１８は、例えば下からアルミニウム膜、チタン膜および金膜等の金属膜の積層膜である。配線１８上に、外部と電気的に接続するための端子１９が形成されている。端子１９は、例えば半田または金等のバンプである。
【００２０】
図１（ａ）に示すように、支持基板１０上には、複数の弾性波素子１６として、直列共振器Ｓ１からＳ３および並列共振器Ｐ１およびＰ２が形成されている。１または複数の直列共振器Ｓ１からＳ３は、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとの間に、配線１８を介し直列に接続されている。１または複数の並列共振器Ｐ１およびＰ２は、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとの間に、配線１８を介し並列に接続されている。並列共振器Ｐ１およびＰ２は、配線１８を介しグランド端子ＧＮＤに電気的に接続されている。
【００２１】
支持基板１０には、複数の弾性波素子１６が形成された領域２０（第１領域）、配線１８が形成された領域２２（第２領域）、支持基板１０を切断するための切断領域２４（第３領域：ダイシングライン）、および、領域２０、２２および２４以外の領域２６（第４領域）が形成されている。領域２０は、製造誤差または製造マージンを確保するため弾性波素子１６より数μｍから１０μｍ程度広い領域とすることができる。領域２２および２４についても同様である。領域２０および２２の圧電基板１２は残存している。領域２４および２６の圧電基板１２は支持基板１０が露出するように除去されている。
【００２２】
図２（ａ）から図３（ｃ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図２（ａ）に示すように、支持基板１０の上面に圧電基板１２を接合する。支持基板１０と圧電基板１２との接合は、例えば、表面を活性化し常温接合する方法で行なう。支持基板１０としては、例えば、サファイア基板、シリコン基板または酸化アルミニウム基板を用いることができる。圧電基板１２としては、例えば、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板を用いることができる。支持基板１０の膜厚は、例えば５０μｍから１５０μｍ、圧電基板１２の膜厚は、例えば５μｍから５０μｍである。
【００２３】
図２（ｂ）に示すように、圧電基板１２上に金属膜１３からなるＩＤＴ１４、反射器１５および配線１８の下層１８ａを形成する。金属膜１３は、例えば銅が添加されたアルミニウム膜である。金属膜１３は、銅膜等でもよい。金属膜１３の形成はスパッタリング法、または蒸着法を用いる。パターンの形成はエッチング法またはリフトオフ法を用いる。
【００２４】
図２（ｃ）に示すように、下層１８ａ上に上層１８ｂを形成する。上層１８ｂは、例えば下層１８ａ側からチタン層および金層である。金属膜１３は、弾性波素子１６の特性に応じ膜厚および材質が設定される。上層１８ｂは、伝導層として機能するように設定され、下層１８ａより抵抗率の小さな層を含む。上層１８ｂを設けず、金属膜１３と配線１８とを同時に形成し、金属膜１３と配線１８とは同じ膜でもよい。弾性波素子１６の金属膜１３と配線１８とは、別々に形成し、異なる材質でもよい。以下、下層１８ａと上層１８ｂとを配線１８として図示し、下層１８ａと上層１８ｂは図示しない。
【００２５】
図２（ｄ）に示すように、圧電基板１２上にマスク層７０を形成する。マスク層は、例えばフォトレシストである。弾性波素子１６上および配線１８上のマスク層７０は残存し、他の領域はマスク層７０の開口となっている。
【００２６】
図３（ａ）に示すように、マスク層７０をマスクに圧電基板１２を除去する。圧電基板１２の除去は、エッチング法またはブラスト法を用いる。これにより、弾性波素子１６および配線１８以外の領域の圧電基板１２が除去され、支持基板１０が露出する。
【００２７】
図３（ｂ）に示すように、マスク層７０を除去する。配線１８上に端子１９を形成する。端子１９は、例えば半田バンプまたは金スタッドバンプである。図３（ｃ）に示すように、切断領域２４にレーザ光を照射する。ブレイクにより支持基板１０を箇所６２のように切断する。以上により、実施例１に係る弾性波デバイスが製造できる。
【００２８】
図４（ａ）は、比較例１に係る弾性波デバイスの平面図、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、弾性波デバイス１０２において、圧電基板１２は除去されていない。すなわち、領域２０、２２、２４および２６に圧電基板１２が残存している。その他の構成は実施例１と同じであり、説明を省略する。
【００２９】
実施例１および比較例１においては、例えば圧電基板１２より線熱膨張係数の小さい支持基板１０上に圧電基板１２を接合する。これにより、弾性波素子１６の温度特性を制御できる。このように、支持基板１０上に圧電基板１２を接合することにより、弾性波素子１６の特性を制御できる。
【００３０】
図５（ａ）は、比較例１の断面図、図５（ｂ）は、実施例１の断面図である。図５（ａ）に示すように、比較例１において、ＩＤＴ１４が励振させた弾性表面波５０（弾性波）は反射器１５で反射される。しかし、一部の弾性波５１は反射器１５から漏れ圧電基板１２を伝搬する。これにより、弾性波素子１６の損失が大きくなる。図５（ｂ）のように、実施例１においては、弾性波素子１６の外側の圧電基板１２が除去されている。これにより、弾性表面波５０は、圧電基板１２の端面１１で反射され弾性表面波５２となる。よって、弾性波素子１６の損失を抑制できる。
【００３１】
また、比較例１では、支持基板１０と圧電基板１２との界面５６に、応力が蓄積される。これにより、圧電基板１２にクラックおよび／または歪み等が発生する可能性がある。一方、実施例１では、支持基板１０と圧電基板１２との界面５６の面積が小さいため、界面５６に蓄積される応力が小さい。よって、圧電基板１２に発生するクラックおよび／または歪を抑制できる。
【００３２】
さらに、圧電基板１２は焦電体であり、応力および／または熱が加わると電荷が生じる。比較例１のように圧電基板１２の面積が大きいと、生じる電荷が多くなる。これにより、弾性波素子１６が損傷する可能性がある。実施例１では、圧電基板１２の面積を小さくできるため、電荷の発生が少なく、弾性波素子１６の損傷等を抑制できる。
【００３３】
図６（ａ）および図６（ｂ）は、比較例１の断面図、図６（ｃ）および図６（ｄ）は、実施例１の断面図である。図６（ａ）に示すように、比較例１では、支持基板１０を切断するときに、切断領域２４の支持基板１０にレーザ光６０を照射する。これにより、支持基板１０内の変質層を形成する。このとき、圧電基板１２と支持基板１０との屈折率の差により、レーザ光６０の照射条件が複雑になる。図６（ｂ）に示すように、支持基板１０をブレイクして切断するときに、支持基板１０は、ほぼ垂直のクラック６３となるが、圧電基板１２には、斜めにクラック６４が発生してしまうことがある。
【００３４】
図６（ｃ）に示すように、実施例１では、切断領域２４の圧電基板１２が除去されている。このため、レーザ光６０の照射条件を単純にできる。図６（ｄ）に示すように、支持基板１０をブレイクしたときに、支持基板１０は、ほぼ垂直なクラック６３となり、圧電基板１２は除去されているため、斜めにクラックが発生することがない。
【００３５】
他の方法で支持基板１０を切断する場合にも切断領域２４に圧電基板１２が残存していると、切断条件が複雑になる、および／または圧電基板１２にクラックが形成される。実施例１によれば、切断の条件が複雑になることを抑制し、圧電基板１２にクラックが発生することを抑制できる。この観点から、切断領域２４の圧電基板１２は除去されていることが好ましい。
【００３６】
図７（ａ）は、比較例２の断面図、図７（ｂ）は、実施例１の断面図である。図７（ａ）に示すように、比較例２においては、配線１８が形成された領域２２の圧電基板１２が除去されている。これにより、領域２２において、配線１８は支持基板１０上に形成される。よって、弾性波素子１６が形成された領域２０と配線１８が形成された領域２２との間に段差７４が形成される。配線１８は、段差７４の側面において局所的に薄くなる。これにより、配線１８が断線するなどの信頼性上の問題が生じる可能性がある。また、配線１８を段差７４上に形成しないようにしようとすると、製造工程が複雑になる。
【００３７】
図７（ｂ）に示すように、実施例１の弾性波デバイスでは、配線１８下の圧電基板１２が残存している。よって、配線１８に、比較例２のような圧電基板１２の端面に相当する段差は生じない。これにより、配線１８の膜厚が局所的に薄くなることを抑制できる。
【００３８】
以上のように、実施例１によれば、配線１８下の圧電基板１２を残存させる。これにより、図７（ａ）および図７（ｂ）において説明したように、配線１８の膜厚が局所的に薄くなることを抑制できる。
【００３９】
また、切断領域２４の圧電基板１２は除去される。これにより、図６（ａ）から図６（ｄ）において説明したように、支持基板１０を切断するときに、条件が複雑になること、および／または圧電基板１２にクラックが形成されることを抑制できる。切断領域２４の圧電基板１２は全て除去されていることが好ましいが、一部または全部が残存していてもよい。
【００４０】
さらに、弾性波素子１６、配線１８および切断領域２４以外の領域２６の少なくとも一部の領域の圧電基板１２は除去されている。これにより、図５（ａ）および図５（ｂ）において説明したように、弾性波素子１６の損失を抑制することができる。弾性波素子１６の損失の抑制の観点から弾性表面波５０の伝搬方向の弾性波素子１６の外側の領域の圧電基板１２は除去されていることが好ましい。また、界面５６における応力の蓄積および焦電による電荷の蓄積を抑制できる。この観点から残存する圧電基板１２の面積は小さいことが好ましい。よって、領域２６内の全ての圧電基板１２が除去されていることが好ましい。
【実施例２】
【００４１】
図８（ａ）は、実施例２に係る弾性波デバイスの平面図、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。図８（ａ）および図８（ｂ）に示すように、弾性波素子１６が形成された領域２０および配線１８が形成された領域２２の圧電基板１２は残存している。切断領域２４の圧電基板１２は除去されている。弾性波素子１６、配線１８および切断領域２４以外の領域２６のうち、弾性波素子１６と配線１８で囲まれた領域２６ａの圧電基板１２は残存している。領域２６のうち、弾性波素子１６と配線１８の外側の領域２６ｂの圧電基板１２は除去されている。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
【００４２】
図９（ａ）は、実施例２の変形例１に係る弾性波デバイスの平面図、図９（ｂ）は、図９（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。図９（ａ）および図９（ｂ）に示すように、領域２６のうち、弾性波素子１６と配線１８で囲まれた領域２６ａの圧電基板１２は除去されている。弾性波素子１６と配線１８の外側の領域２６ｂの圧電基板１２は残存している。その他の構成は実施例２と同じであり説明を省略する。
【００４３】
図１０（ａ）は、実施例２の変形例２に係る弾性波デバイスの平面図、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示すように、弾性波素子１６と配線１８の外側の領域２６ｂのうち一部の領域３０の圧電基板１２は除去されている。領域２６のうち他の領域の圧電基板１２は残存している。その他の構成は実施例２と同じであり説明を省略する。
【００４４】
実施例２およびその変形例のように、弾性波素子１６が形成された領域２０、配線１８が形成された領域２２および切断領域２４以外の領域２６の一部の領域（第５領域）において圧電基板１２が除去されていればよい。これにより、残存する圧電基板１２の面積が小さくなり、弾性波素子１６の損失および界面５６への応力の蓄積および電荷の蓄積をより抑制できる。
【００４５】
実施例２のように、領域２６のうち、弾性波素子１６と配線２８とに囲まれた領域２６ａの圧電基板１２が残存し、弾性波素子１６と配線２８の外側の領域２６ｂの圧電基板１２が除去されていてもよい。領域２６の外側を囲むように圧電基板１２が残存すると、界面５６に蓄積される応力および電荷が大きくなる。実施例２では、弾性波素子１６を囲む領域２６ｂの圧電基板１２が除去される。これにより、応力の蓄積および電荷の蓄積をより抑制できる。
【００４６】
実施例２の変形例１のように、領域２６のうち、弾性波素子１６と配線２８とに囲まれた領域２６ａの圧電基板１２が除去され、弾性波素子１６と配線２８の外側の領域２６ｂの圧電基板１２が残存していてもよい。領域２６ａは、電位の異なる配線１８（例えばグランド配線と信号配線）が近接する。これにより、近接した電位の異なる配線１８間の圧電基板１２が除去されている。よって、特性に影響を及ぼす配線１８間の静電容量を抑制できる。
【００４７】
実施例２の変形例２のように、弾性波素子１６と配線２８の外側の領域２６ｂの一部の領域３０の圧電基板１２が除去されていてもよい。また、弾性波素子１６と配線２８とに囲まれた領域２６ａの一部の領域の圧電基板１２が除去されていてもよい。
【００４８】
前述のように、電位の異なる配線１８間の圧電基板１２が除去されていることが好ましい。これにより、配線１８間の静電容量を抑制できる。
【実施例３】
【００４９】
図１１（ａ）は、実施例１の断面図、図１１（ｂ）から図１１（ｅ）は、実施例３およびその変形例の断面図である。図１１（ａ）に示すように、実施例１においては、弾性波素子１６が励振した弾性表面波５０は、圧電基板１２の表面付近を伝搬し、圧電基板１２の端面１１で反射し弾性波素子１６内に伝搬する弾性表面波５２となる。これにより、弾性波素子１６の損失が抑制される。一方、弾性波素子１６では、不要波な弾性波５４であるバルク波も励振される。弾性波５４は、圧電基板１２のバルク内を伝搬し、端面１１で反射し、弾性波素子１６に戻ってくる。この弾性波５４は、スプリアスの原因となる。
【００５０】
図１１（ｂ）に示すように、実施例３では、弾性表面波５０の伝搬方向に位置する端面１１に、凹凸が形成されている。凹凸の周期および高さは例えば不規則である。このため、弾性波５４は、端面１１において乱反射される。これにより、弾性波５４に起因するスプリアスが抑制される。
【００５１】
図１１（ｃ）に示すように、実施例３の変形例１では、端面１１の下部１１ｂは上部１１ａに比べ凹凸が大きい。例えば上部１１ａはほぼ鏡面である。これにより、圧電基板１２の表面近傍を伝搬する弾性表面波５０は上部１１ａで反射される。よって、弾性波素子１６の損失を抑制できる。また、圧電基板１２の内部を伝搬する弾性波５４は、下部１１ｂにより乱反射される。これにより、弾性波５４に起因したスプリアスを抑制できる。
【００５２】
図１１（ｄ）に示すように、実施例３の変形例２では、端面１１と支持基板１０の上面とのなす角θは鋭角である。例えば、端面１１はほぼ鏡面である。これにより、弾性波５４は、端面１１と支持基板１０の上面との反射を繰り返しながら、圧電基板１２の先端に向かう。よって、弾性波５４が弾性波素子１６に戻ってこない。これにより、弾性波５４に起因するスプリアスを抑制できる。端面１１には凹凸が形成されていてもよい。
【００５３】
図１１（ｅ）に示すように、実施例３の変形例３では、端面１１の下部１１ｂは、上部１１ａに比べ、支持基板１０の上面とのなす角θが小さい。例えば、上部１１ａおよび下部１１ｂは鏡面であり、上部１１ａは支持基板１０の上面にほぼ直角である。これにより、圧電基板１２の表面近傍を伝搬する弾性表面波５０は上部１１ａで反射され、弾性表面波５２となる。よって、弾性波素子１６の損失を抑制できる。弾性波５４は、実施例３の変形例２と同様に、弾性波素子１６に戻ってこない。これにより、弾性波５４に起因するスプリアスを抑制できる。上部１１ａには凹凸が形成されていてもよい。
【００５４】
端面の凹凸および角度θは、圧電基板１２を除去するエッチングまたはブラスト処理の条件を最適化することにより、任意に設定できる。
【実施例４】
【００５５】
図１２（ａ）は、実施例４に係る弾性波デバイスの平面図、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１２（ａ）および図１２（ｂ）に示すように、弾性波デバイス１００において、弾性波素子１６は反射器１５を有していない。このように、ＩＤＴ１４が励振した弾性波の伝搬方向において、圧電基板１２が除去され、圧電基板１２の端面１１が形成されている場合、端面が弾性波を反射するため、反射器１５はなくてもよい。その他の構成は、実施例１の図１（ａ）および図１（ｂ）と同じであり説明を省略する。
【００５６】
実施例１から４およびその変形例として、弾性表面波デバイスを例に説明したが、弾性境界波デバイスまたはラブ波デバイスでもよい。
【００５７】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００５８】
１０      支持基板
１１      端面
１１ａ    端面の上部
１１ｂ    端面の下部
１２      圧電基板
１４      ＩＤＴ
１５      反射器
１６      弾性波素子
１８      配線
１９      端子
２０、２２、２４、２６、２８  領域
【図１】
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【図２】
0006310360.tif 000003
【図３】
0006310360.tif 000004
【図４】
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【図５】
0006310360.tif 000006
【図６】
0006310360.tif 000007
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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