(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージ基板上に設けられ、第１下層金属層と、第１密着層と、前記第１下層金属層とは異なる金属からなる第１上層金属層と、がこの順に積層された電極パッドと、
前記電極パッドに接合されて、前記パッケージ基板上にフリップチップ実装された弾性波チップと、
前記パッケージ基板上に前記弾性波チップを囲んで設けられ、第２下層金属層と、前記第１密着層よりも厚い膜厚を有する第２密着層と、前記第２下層金属層とは異なる金属からなる第２上層金属層と、がこの順に積層された金属パターンと、
前記第２上層金属層の上面に接合され且つ前記第２上層金属層、前記第２密着層、及び前記第２下層金属層の側面には接合されていない半田を含み、前記弾性波チップを封止する封止部と、を備えることを特徴とする弾性波デバイス。
【請求項２】
パッケージ基板上に設けられ、第１下層金属層と、第１密着層と、前記第１下層金属層とは異なる金属からなる第１上層金属層と、がこの順に積層された電極パッドと、
前記電極パッドに接合されて、前記パッケージ基板上にフリップチップ実装された弾性波チップと、
前記パッケージ基板上に前記弾性波チップを囲んで設けられ、第２下層金属層と、前記第１密着層よりも厚い膜厚を有する第２密着層と、前記第２下層金属層とは異なる金属からなる第２上層金属層と、がこの順に積層された金属パターンと、
前記金属パターンの上面に接合された半田を含み、前記弾性波チップを封止する封止部と、を備え、
前記第１下層金属層と前記第２下層金属層とは同じ材料且つ同じ膜厚からなり、前記第１上層金属層と前記第２上層金属層とは同じ材料且つ同じ膜厚からなり、前記第１密着層と前記第２密着層とは同じ材料からなることを特徴とする弾性波デバイス。
【請求項３】
前記弾性波チップは、前記電極パッドに半田以外の金属バンプによって接合されていることを特徴とする請求項１または２記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記封止部は、前記金属パターンの上面に接合され且つ前記弾性波チップの周りを囲む前記半田と、前記弾性波チップ上から前記半田上に延在する平坦形状をした金属リッドと、からなることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
前記第２下層金属層は銀又はタングステンからなり、前記第２密着層はニッケル又は銅からなり、前記第２上層金属層は金からなることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波デバイスに関し、例えばパッケージ基板上にフリップチップ実装された弾性波チップが半田を含む封止部によって封止された弾性波デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性波デバイスの小型化、低背化のため、弾性波チップをパッケージ基板上にフリップチップ実装する技術が知られている。また、このような弾性波デバイスにおいて、半田を含む封止部で弾性波チップを封止することが知られている（例えば、特許文献１から３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２０３１４９号公報
【特許文献２】特開２００９−２９６５０８号公報
【特許文献３】特開２０１２−１６０８４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
パッケージ基板上にフリップチップ実装された弾性波チップが半田を含む封止部で封止された弾性波デバイスでは、気密性の低下によって、弾性波チップの特性劣化等が生じることがある。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、気密性の低下を抑制することが可能な弾性波デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、パッケージ基板上に設けられ、第１下層金属層と、第１密着層と、前記第１下層金属層とは異なる金属からなる第１上層金属層と、がこの順に積層された電極パッドと、前記電極パッドに接合されて、前記パッケージ基板上にフリップチップ実装された弾性波チップと、前記パッケージ基板上に前記弾性波チップを囲んで設けられ、第２下層金属層と、前記第１密着層よりも厚い膜厚を有する第２密着層と、前記第２下層金属層とは異なる金属からなる第２上層金属層と、がこの順に積層された金属パターンと、前記第２上層金属層の上面に接合され且つ前記第２上層金属層、前記第２密着層、及び前記第２下層金属層の側面には接合されていない半田を含み、前記弾性波チップを封止する封止部と、を備えることを特徴とする弾性波デバイスである。また、本発明は、パッケージ基板上に設けられ、第１下層金属層と、第１密着層と、前記第１下層金属層とは異なる金属からなる第１上層金属層と、がこの順に積層された電極パッドと、前記電極パッドに接合されて、前記パッケージ基板上にフリップチップ実装された弾性波チップと、前記パッケージ基板上に前記弾性波チップを囲んで設けられ、第２下層金属層と、前記第１密着層よりも厚い膜厚を有する第２密着層と、前記第２下層金属層とは異なる金属からなる第２上層金属層と、がこの順に積層された金属パターンと、前記金属パターンの上面に接合された半田を含み、前記弾性波チップを封止する封止部と、を備え、前記第１下層金属層と前記第２下層金属層とは同じ材料且つ同じ膜厚からなり、前記第１上層金属層と前記第２上層金属層とは同じ材料且つ同じ膜厚からなり、前記第１密着層と前記第２密着層とは同じ材料からなることを特徴とする弾性波デバイスである。
【０００７】
上記構成において、前記弾性波チップは、前記電極パッドに半田以外の金属バンプによって接合されている構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記封止部は、前記金属パターンの上面に接合され且つ前記弾性波チップの周りを囲む前記半田と、前記弾性波チップ上から前記半田上に延在する平坦形状をした金属リッドと、からなる構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記第２下層金属層は銀又はタングステンからなり、前記第２密着層はニッケル又は銅からなり、前記第２上層金属層は金からなる構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、気密性の低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１（ａ）は、実施例１に係る分波器を示す断面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）の領域Ａを拡大した断面図である。
【図２】図２は、実施例１に係る分波器を示す回路図である。
【図３】図３（ａ）及び図３（ｂ）は、パッケージ基板の上面図及び下面図である。
【図４】図４（ａ）から図４（ｄ）は、実施例１に係る分波器の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図５】図５（ａ）から図５（ｃ）は、実施例１に係る分波器の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図６】図６（ａ）から図６（ｃ）は、実施例１に係る分波器の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図７】図７（ａ）は、比較例１に係る分波器を示す断面図、図７（ｂ）は、図７（ａ）の領域Ａを拡大した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１５】
図１（ａ）は、実施例１に係る分波器を示す断面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）の領域Ａを拡大した断面図である。図１（ａ）のように、実施例１の分波器１００は、パッケージ基板１０の平坦上面に、送信フィルタチップ１２と受信フィルタチップ１４とがフリップチップ実装されている。送信フィルタチップ１２と受信フィルタチップ１４とは、パッケージ基板１０の上面に設けられた電極パッド１６にバンプ１８が接合することで、パッケージ基板１０上にフリップチップ実装されている。パッケージ基板１０には、例えばＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）又はＨＴＣＣ（High Temperature Co-fired Ceramics）からなるセラミック等の絶縁体を用いることができる。バンプ１８には、例えば金（Ａｕ）バンプ等の金属バンプを用いることができる。
【００１６】
送信フィルタチップ１２と受信フィルタチップ１４とは、例えば弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）デバイスチップからなり、圧電基板２０と、圧電基板２０のパッケージ基板１０に対向する面に設けられたＩＤＴ（Interdigital Transducer）２２と、を含む。送信フィルタチップ１２にはＩＤＴ２２によって送信フィルタが形成され、受信フィルタチップ１４にはＩＤＴ２２によって受信フィルタが形成されている。圧電基板２０には、例えばタンタル酸リチウム（ＬＴ）又はニオブ酸リチウム（ＬＮ）等の圧電材を用いることができる。ＩＤＴ２２には、例えば銅（Ｃｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）等の金属を用いることができる。
【００１７】
ここで、図２を用いて、実施例１の分波器の回路構成について説明する。図２は、実施例１に係る分波器を示す回路図である。図２のように、アンテナ６０に接続されるアンテナ端子６２と送信端子６４との間に、送信フィルタチップ１２に形成された送信フィルタ７０が接続されている。アンテナ端子６２と受信端子６６との間に、受信フィルタチップ１４に形成された受信フィルタ７２が接続されている。送信フィルタ７０は、送信端子６４から入力された信号のうち送信帯域の信号を送信信号としてアンテナ端子６２に通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。受信フィルタ７２は、アンテナ端子６２から入力された信号のうち受信帯域の信号を受信信号として受信端子６６に通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。送信帯域の周波数と受信帯域の周波数とは異なっている。
【００１８】
図１（ａ）のように、パッケージ基板１０の上面と送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４との間には、空隙２４が形成されている。ＩＤＴ２２は、振動が抑制されないように、空隙２４に露出している。バンプ１８も空隙２４に露出している。
【００１９】
パッケージ基板１０は、内部に内部配線２６が設けられた多層配線基板である。内部配線２６によって、パッケージ基板１０の上面に形成された電極パッド１６と下面に形成されたフットパッド２８とが電気的に接続されている。バンプ１８は電極パッド１６に接合されているため、送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４は、フットパッド２８に電気的に接続されている。内部配線２６は、例えば金（Ａｕ）等の金属を用いることができる。
【００２０】
パッケージ基板１０の上面であって、送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４の外側に、金属パターン３０が設けられている。金属パターン３０は、送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４を囲んで設けられている。金属パターン３０の上面に接合して、送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４を囲む半田３２が設けられている。半田３２は、例えば金属パターン３０の上面全面に接合している。送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４上から半田３２上に延在する平坦形状をした金属リッド３４が設けられている。送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４は、半田３２と金属リッド３４とを含む封止部３６によって封止されている。金属リッド３４には、例えばコバール等の半田よりも融点の高い金属を用いることができる。封止部３６を覆って、例えばニッケル（Ｎｉ）等の金属からなる保護膜３８が設けられている。
【００２１】
図１（ｂ）のように、電極パッド１６と金属パターン３０とは共に、３層構造をした金属膜であり、下層金属層と、上層金属層と、その間に配置された密着層と、を有する。即ち、電極パッド１６は、パッケージ基板１０側から第１下層金属層４０、第１密着層４２、及び第１上層金属層４４がこの順に設けられている。第１下層金属層４０と第１上層金属層４４とは異なる金属からなるため、第１密着層４２が第１下層金属層４０と第１上層金属層４４との密着のために設けられている。第１下層金属層４０は、例えば膜厚１５μｍ程度の銀（Ａｇ）層からなり、第１密着層４２は、例えば膜厚２μｍ〜６μｍ程度のニッケル（Ｎｉ）層からなり、第１上層金属層４４は、例えば膜厚０．３μｍ程度の金（Ａｕ）層からなる。
【００２２】
金属パターン３０は、パッケージ基板１０側から第２下層金属層５０、第２密着層５２、及び第２上層金属層５４がこの順に設けられている。第２下層金属層５０と第２上層金属層５４とは異なる金属からなるため、第２密着層５２が第２下層金属層５０と第２上層金属層５４との密着のために設けられている。第２密着層５２の膜厚は、第１密着層４２よりも厚くなっている。第２密着層５２の膜厚は、例えば第１密着層４２の膜厚の２倍以上の場合が好ましく、３倍以上の場合がより好ましく、４倍以上の場合がさらに好ましい。第２下層金属層５０は、例えば膜厚１５μｍ程度の銀（Ａｇ）層からなり、第２密着層５２は、例えば膜厚１０μｍ〜１５μｍ程度のニッケル（Ｎｉ）層からなり、第２上層金属層５４は、例えば膜厚０．３μｍ程度の金（Ａｕ）層からなる。
【００２３】
なお、第１密着層４２と第１上層金属層４４との間及び第２密着層５２と第２上層金属層５４との間に、例えばパラジウム（Ｐｄ）等からなるバリアメタル層が設けられていてもよい。また、図示は省略しているが、フットパッド２８も、３層構造をした金属膜であり、パッケージ基板１０側から第３下層金属層、第３密着層、第３上層金属層がこの順に設けられている。第３下層金属層は、例えば銀（Ａｇ）層からなり、第３密着層は、例えばニッケル（Ｎｉ）層からなり、第３上層金属層は、例えば金（Ａｕ）層からなる。
【００２４】
図３（ａ）及び図３（ｂ）は、パッケージ基板の上面図及び下面図である。図３（ａ）のように、パッケージ基板１０の上面には、アンテナパッド、送信パッド、受信パッド、及びグランドパッドを含む電極パッド１６（図中の網目パターン）が設けられている。
【００２５】
送信フィルタチップ１２は、アンテナパッド、送信パッド、及びグランドパッドの上面にバンプ１８が接合することで、パッケージ基板１０の上面にフリップチップ実装されている。送信フィルタチップ１２に形成された入力用電極は送信パッドに接続され、出力用電極はアンテナパッドに接続され、グランド電極はグランドパッドに接続される。
【００２６】
受信フィルタチップ１４は、アンテナパッド、受信パッド、及びグランドパッドの上面にバンプ１８が接合することで、パッケージ基板１０の上面にフリップチップ実装されている。受信フィルタチップ１４に形成された入力用電極はアンテナパッドに接続され、出力用電極は受信パッドに接続され、グランド電極はグランドパッドに接続される。
【００２７】
金属パターン３０は、送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４を囲むように、矩形形状をしたパッケージ基板１０の上面の縁に沿って設けられている。
【００２８】
図３（ｂ）のように、パッケージ基板１０の下面には、フットパッド２８として、アンテナ用フットパッド２８ａ、送信用フットパッド２８ｂ、受信用フットパッド２８ｃ、及びグランド用フットパッド２８ｄが設けられている。アンテナ用フットパッド２８ａ、送信用フットパッド２８ｂ、及び受信用フットパッド２８ｃは、図２におけるアンテナ端子６２、送信端子６４、及び受信端子６６に対応する。アンテナ用フットパッド２８ａ、送信用フットパッド２８ｂ、受信用フットパッド２８ｃ、及びグランド用フットパッド２８ｄはそれぞれ、内部配線２６を介して、電極パッド１６に含まれるアンテナパッド、送信パッド、受信パッド、及びグランドパッドに電気的に接続されている。したがって、送信フィルタチップ１２に形成された送信フィルタは、アンテナ用フットパッド２８ａと送信用フットパッド２８ｂとの間に接続され、受信フィルタチップ１４に形成された受信フィルタは、アンテナ用フットパッド２８ａと受信用フットパッド２８ｃとの間に接続される。
【００２９】
また、金属パターン３０は、内部配線２６を介して、グランド用フットパッド２８ｄに接続されている。これにより、金属からなる封止部３６をグランド電位とすることができ、電気特性の向上を図ることができる。
【００３０】
次に、実施例１に係る分波器の製造方法について説明する。図４（ａ）から図６（ｃ）は、実施例１に係る分波器の製造方法を示す断面図である。図４（ａ）から図６（ｃ）では、多面取りプロセスによる製造方法を示している。図４（ａ）のように、内部配線２６が形成されたウエハ状のパッケージ基板１０の上面に、電極パッド１６に含まれる第１下層金属層４０と、金属パターン３０に含まれる第２下層金属層５０と、を形成する。第１下層金属層４０と第２下層金属層５０とは、パッケージ基板１０の上面全面に、例えば膜厚１５μｍの銀（Ａｇ）膜を堆積した後、露光技術及びエッチング技術を用いることで形成することができる。したがって、第１下層金属層４０と第２下層金属層５０とは、同じ材料且つ同じ膜厚の金属膜となる。また、第１下層金属層４０と第２下層金属層５０とを、蒸着法及びリフトオフ法を用いて形成してもよい。パッケージ基板１０の下面に、フットパッド２８に含まれる第３下層金属層８０を形成する。第３下層金属層８０は、第１下層金属層４０及び第２下層金属層５０と同様の方法によって形成することができる。
【００３１】
図４（ｂ）のように、パッケージ基板１０の下面全面に、例えばレジスト膜９０を形成する。これにより、第３下層金属層８０はレジスト膜９０で覆われる。その後、電解めっき法を用いて、第２下層金属層５０上にのみ、例えば膜厚１０μｍ程度のニッケル（Ｎｉ）膜からなる電解めっき膜９２を形成する。図３（ａ）のように、金属パターン３０と電極パッド１６とは電気的に分離されているため、即ち、第１下層金属層４０と第２下層金属層５０とは電気的に分離されているため、第２下層金属層５０にのみ電流を流すことができる。よって、第２下層金属層５０上にのみ電解めっき膜９２を形成することができる。
【００３２】
図４（ｃ）のように、パッケージ基板１０の下面に形成したレジスト膜９０を除去する。その後、無電解めっき法を用いて、第１下層金属層４０上、電解めっき膜９２上、及び第３下層金属層８０上に、例えば膜厚３μｍ程度のニッケル（Ｎｉ）膜からなる無電解めっき膜９４を形成する。これにより、第１下層金属層４０上に、無電解めっき膜９４からなる第１密着層４２が形成される。第２下層金属層５０上に、電解めっき膜９２と無電解めっき膜９４とからなる第２密着層５２が形成される。第３下層金属層８０上に、無電解めっき膜９４からなる第３密着層８２が形成される。
【００３３】
図４（ｂ）及び図４（ｃ）のように、電解めっき法と無電解めっき法とを組み合わせることで、第２密着層５２の膜厚を、第１密着層４２よりも厚くすることができる。なお、電解めっき法と無電解めっき法との順番を入れ替えてもよい。即ち、まず、パッケージ基板１０の下面にレジスト膜９０がない状態で、無電解めっき法を用いて、第１下層金属層４０、第２下層金属層５０、及び第３下層金属層８０上に無電解めっき膜を形成する。その後、パッケージ基板１０の下面にレジスト膜９０を形成し、電解めっき法を用いて、第２下層金属層５０上の無電解めっき膜上にのみ電解めっき膜を形成する。
【００３４】
図４（ｄ）のように、無電解めっき法を用いて、第１密着層４２上、第２密着層５２上、及び第３密着層８２上に、例えば膜厚０．３μｍ程度の金（Ａｕ）膜からなる無電解めっき膜９６を形成する。これにより、第１密着層４２上に、無電解めっき膜９６からなる第１上層金属層４４が形成される。第２密着層５２上に、無電解めっき膜９６からなる第２上層金属層５４が形成される。第３密着層８２上に、無電解めっき膜９６からなる第３上層金属層８４が形成される。したがって、第１上層金属層４４と第２上層金属層５４と第３上層金属層８４とは、同じ材料且つ同じ膜厚の金属膜となる。
【００３５】
図４（ａ）から図４（ｄ）の工程によって、パッケージ基板１０の上面に、第１下層金属層４０、第１密着層４２、及び第１上層金属層４４が積層された電極パッド１６と、第２下層金属層５０、第２密着層５２、及び第２上層金属層５４が積層された金属パターン３０と、が形成される。パッケージ基板１０の下面に、第３下層金属層８０、第３密着層８２、及び第３上層金属層８４が積層されたフットパッド２８が形成される。
【００３６】
図５（ａ）のように、複数の送信フィルタチップ１２及び複数の受信フィルタチップ１４を、パッケージ基板１０上に形成した電極パッド１６に、バンプ１８を用いてフリップチップ実装する。この際、１つの分波器を構成する送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４が、金属パターン３０で囲まれるようにフリップチップ実装する。
【００３７】
図５（ｂ）のように、複数の送信フィルタチップ１２及び複数の受信フィルタチップ１４上に、半田３２と金属リッド３４との積層体を、半田３２が弾性波フィルタチップ側に位置するように配置する。
【００３８】
図５（ｃ）のように、積層体を加熱して半田３２が溶融した状態とし、この状態で金属リッド３４を複数の送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４側に押圧する。これにより、送信フィルタチップ１２と受信フィルタチップ１４とで構成される複数の分波器の間隙に半田３２が充填される。半田３２は、パッケージ基板１０上に形成された金属パターン３０上を濡れ広がった後に固化して、金属パターン３０の上面に接合する。また、複数の送信フィルタチップ１２及び複数の受信フィルタチップ１４上から半田３２上に延在して金属リッド３４が配置される。金属リッド３４は、例えば送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４の上面に接しているが、金属リッド３４と送信フィルタチップ１２及び受信フィルタチップ１４との間に半田３２が残存していてもよい。これにより、複数の送信フィルタチップ１２及び複数の受信フィルタチップ１４は、半田３２と金属リッド３４とを含む封止部３６によって封止される。
【００３９】
図６（ａ）のように、送信フィルタチップ１２と受信フィルタチップ１４とで構成される複数の分波器の間で、封止部３６、金属パターン３０、及びパッケージ基板１０を、ダイシングブレード９８を用いたダイシングによって切断する。
【００４０】
図６（ｂ）のように、ダイシングによる切断によって、送信フィルタチップ１２と受信フィルタチップ１４とで構成される複数の分波器が個片化される。図６（ｃ）のように、電解めっき法を用いて、封止部３６を覆う保護膜３８を形成する。このような製造工程を含んで、実施例１の分波器１００を形成することができる。
【００４１】
ここで、実施例１の分波器の効果を説明するにあたり、比較例１の分波器について説明する。図７（ａ）は、比較例１に係る分波器を示す断面図、図７（ｂ）は、図７（ａ）の領域Ａを拡大した断面図である。図７（ａ）及び図７（ｂ）のように、比較例１の分波器においては、金属パターン３０の第２密着層５２ａが、電極パッド１６の第１密着層４２と同じ厚さになっている。その他の構成は、実施例１の図１（ａ）及び図１（ｂ）と同じであるため説明を省略する。
【００４２】
比較例１の分波器は、図４（ｂ）の電解めっき工程を行わない点を除いて、図４（ａ）から図６（ｃ）で説明した実施例１の分波器の製造方法と同じ方法によって形成することができる。
【００４３】
比較例１では、金属パターン３０の第２密着層５２ａは、電極パッド１６の第１密着層４２と同じ厚さになっている。第１密着層４２は、弾性波デバイスの低背化の点から薄いことが好ましいため、第２密着層５２ａも薄くなる。このため封止工程（図５（ｃ）の工程）において、半田３２が第２密着層５２ａに拡散して半田３２と第２密着層５２ａの金属（ニッケル（Ｎｉ））とが合金化すると、この合金膜は第２下層金属層５０の上面に到達して形成されてしまう。第２下層金属層５０の上面に合金膜が形成された状態でダイシング工程（図６（ａ）の工程）が行われると、金属パターン３０に掛かる応力によって、第２下層金属層５０の上面に剥離によるリークパスが形成され、気密性が低下してしまう。なお、金属パターン３０に掛かる応力の一例として、ダイシングによる応力を挙げたが、ダイシング以外の応力が掛かる場合でも同様に、第２下層金属層５０の上面に剥離によるリークパスが形成される。
【００４４】
一方、実施例１では、図１（ｂ）のように、金属パターン３０の第２密着層５２の膜厚が、電極パッド１６の第１密着層４２よりも厚くなっている。これにより、半田３２が第２密着層５２に拡散して半田３２と第２密着層５２の金属（ニッケル（Ｎｉ））とが合金化がしても、この合金膜が第２下層金属層５０の上面まで到達することを抑制できる。よって、金属パターン３０に応力が掛かった場合でも、第２下層金属層５０の上面での剥離を抑制でき、その結果、気密性の低下を抑制することができる。また、金属パターン３０の第２密着層５２のみを厚くし、電極パッド１６の第１密着層４２は厚くしないため、分波器１００が高くなることを抑制できる。
【００４５】
バンプ１８は、半田バンプの場合でもよいが、半田以外の金属バンプ（例えば金バンプ）の場合が好ましい。バンプ１８が半田バンプの場合、半田バンプの半田と電極パッド１６の第１密着層４２とが合金化し、電極パッド１６に外部から応力が掛かった場合に、第１下層金属層４０の上面で剥離が生じる恐れがあるためである。
【００４６】
図５（ｂ）から図６（ａ）のように、弾性波フィルタチップの周りを囲む半田３２と弾性波フィルタチップ上から半田３２上に延在する平坦形状をした金属リッド３４とを含む封止部３６で弾性波フィルタチップを封止する場合、ダイシングブレード９８を用いたダイシングによって金属パターン３０等を切断する工程が生じる。金属パターン３０をダイシングすることで、金属パターン３０に応力が掛かり、比較例１のように第２密着層５２ａが薄い場合には、第２下層金属層５０の上面での剥離が生じてしまう。このようなことから、封止部３６が弾性波フィルタチップの周りを囲む半田３２と弾性波フィルタチップ上から半田３２上に延在する平坦形状をした金属リッド３４とを含む場合に、第２密着層５２の厚さを第１密着層４２よりも厚くすることが好ましい。
【００４８】
実施例１では、第２下層金属層５０が銀（Ａｇ）からなり、第２密着層５２がニッケル（Ｎｉ）からなり、第２上層金属層５４が金（Ａｕ）からなる場合を例に示したが、その他の金属からなる場合でもよい。例えば、第２下層金属層５０がタングステン（Ｗ）からなり、第２密着層５２が銅（Ｃｕ）からなり、第２上層金属層５４が金（Ａｕ）からなる場合でもよい。
【００４９】
また、第１下層金属層４０と第２下層金属層５０とは同じ材料且つ同じ膜厚からなり、第１上層金属層４４と第２上層金属層５４とは同じ材料且つ同じ膜厚からなり、第１密着層４２と第２密着層５２とは同じ材料からなる場合が好ましい。この場合、図４（ａ）から図４（ｄ）で説明したように、第１下層金属層４０と第２下層金属層５０、第１密着層４２と第２密着層５２、及び第１上層金属層４４と第２上層金属層５４、の製造を同時に行うことができるため、コストの低減を図ることができる。
【００５０】
実施例１では、パッケージ基板１０上にフリップチップ実装された弾性波チップがＳＡＷデバイスチップの場合を例に示したが、ラブ波デバイスチップ、弾性境界波デバイスチップ、圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ：Film Bulk Acoustic Resonator）デバイスチップ等、その他の弾性波チップの場合でもよい。また、弾性波デバイスは、分波器の場合に限らず、その他の弾性波デバイスの場合でもよい。
【００５１】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００５２】
１０  パッケージ基板
１２  送信フィルタチップ
１４  受信フィルタチップ
１６  電極パッド
１８  バンプ
３０  金属パターン
３２  半田
３４  金属リッド
３６  封止部
４０  第１下層金属層
４２  第１密着層
４４  第１上層金属層
５０  第２下層金属層
５２  第２密着層
５４  第２上層金属層
【図１】
0006310354.tif 000002
【図２】
0006310354.tif 000003
【図３】
0006310354.tif 000004
【図４】
0006310354.tif 000005
【図５】
0006310354.tif 000006
【図６】
0006310354.tif 000007
【図７】
0006310354.tif 000008